(57)【要約】【課題】半導体の外部端子に付着した半田屑を除去することができる半田屑除去方法及び半田屑除去装置をを提供する。【解決手段】レーザ光をリード５２の周囲又は周囲近傍に沿って、金属切削加工用よりも低出力のレーザマーカのレーザを照射し、リード５２に付着した半田屑１８を除去する。【選択図】  図３
2004319546.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体の外部端子に付着した半田屑除去方法であって、
前記外部端子の周囲又は周囲近傍に沿って金属切削加工よりも低い出力のレーザを照射し、外部端子に付着した半田屑を除去することを特徴とする半田屑除去方法。
【請求項２】
半導体のリードに付着した半田屑除去方法であって、
前記リードの周囲又は周囲近傍に沿って金属切削加工よりも低い出力のレーザを照射し、リードに付着した半田屑を除去することを特徴とする半田屑除去方法。
【請求項３】
半導体の側面に配置される１列のリードの幅をＷ、リード間の間隔をＬ、リードの下端から上端までの高さをＨとした際に、レーザ照射装置の集光レンズとリード上端との距離ｄ１を次式を満たすように設定したことを特徴とする請求項２の半田屑除去方法。
ｄ１≧３ＨＷ／２Ｌ
【請求項４】
前記レーザは、上端部と下端部とを備えるクランク状に曲げられた前記リードの少なくとも前記上端部から前記下端部までの範囲を、有効焦点距離としていることを特徴とする請求項２又は請求項３の半田屑除去方法。
【請求項５】
前記レーザは、複数のリードの長手方向の側面に沿って照射し、複数のリードの短手方向の側面に沿って照射することを特徴とする請求項２〜請求項４のいずれか１の半田屑除去方法。
【請求項６】
前記レーザの出力は、線方向０．１ｍｍあたり、０．０００４Ｗを越え、０．００１０Ｗ未満であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１の半田屑除去方法。
【請求項７】
半導体に備えられたリードの半田屑除去装置であって、
前記半導体を固定する治具と、
前記リードの周囲又は周囲近傍に沿って金属切削加工よりも低い出力のレーザを照射するレーザ照射装置と、
前記リードの周囲の空気を吸引する吸引装置と、を備えることを特徴とする半田屑除去装置。
【請求項８】
前記吸引装置は、前記治具の下側に配置された半田屑を受ける受け部と、該受け部を介して吸引を行う吸引機とを備えることを特徴とする請求項７の半田屑除去装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣパッケージ等半導体のリード等の外部端子に付着した半田屑等の異物を除去する半田屑除去方法及び半田屑除去装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
モノリシックＩＣパッケージ（ＱＦＰ（ｑｕａｄ  ｆｌａｔ  ｐａｃｋａｇｅ）／ＳＯＰ（ｓｍａｌｌ  ｏｕｔｌｉｎ  ｐａｃｋａｇｅ））の製造工程は、ワイヤーフレームの上にチップを載置するダイマウント工程と、チップとワイヤーフレイムとを線で接続するワイヤーボンデング工程と、チップを樹脂で封止するモールド工程と、リードを構成するタイバーを固定しているレジンを切断するレジンカット工程と、パッケージから延在しているリードへ半田等をメッキするメッキ工程と、リードをクランク状に曲げるリード成形工程とから成る。完成したＩＣパッケージは、リードを挿入させるためのソケットを備える検査装置で各種特性を検査した後、外観を更に検査して出荷される。
【０００３】
特許文献１には、基板上に付着した有機系の異物を、レーザを用いて除去する異物除去方法が開示されている。特許文献２には、半導体の回路パターンを製造する工程で付着した異物をレーザで除去する異物除去方法が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−３２１７３５号公報
【特許文献２】
特開２０００−２０８４６３号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
近年、モノリシックＩＣパッケージの高集積化に伴い、リードの本数が増え、リードとリードとの間の間隔が０．２〜０．３ｍｍ程度まで狭くなってきている。このため、小さな異物が付着しても、リード間の短絡不良が発生する。ここで、上述したリードをクランク状に曲げるリード成形工程において、メッキした半田が剥離し、半田屑となってリードに付着することがある。更に、上述した検査装置で検査するためリードをソケットに挿入させる際に、ソケットでメッキが削られ、これが堆積してある程度の大きさになると、半田屑としてＩＣパッケージのリードに付着することもある。
【０００６】
現在、係る半田屑によるリード短絡を防止するため、作業員が極細ピンセットを用いて異物除去を行っているが、熟練を要すると共に、神経を使い、非常に時間の掛かる作業になっている。特に、異物除去の際に、リードにピンセットが触れると、リードが曲がり、別の故障原因となることもある。
【０００７】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、半導体の外部端子に付着した半田屑を除去することができる半田屑除去方法及び半田屑除去装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段、および発明の作用・効果】
上述した課題を解決するため、請求項１の発明は、半導体の外部端子に付着した半田屑除去方法であって、
前記外部端子の周囲又は周囲近傍に沿って金属切削加工よりも低い出力のレーザを照射し、外部端子に付着した半田屑を除去することを技術的特徴とする。
【０００９】
請求項１の半田屑除去方法では、半導体の外部端子の周囲又は周囲近傍に沿って金属切削加工よりも低い出力のレーザを照射することで、外部端子に付着した半田屑を除去することができる。
【００１０】
請求項２の発明は、半導体のリードに付着した半田屑除去方法であって、
前記リードの周囲又は周囲近傍に沿って金属切削加工よりも低い出力のレーザを照射し、リードに付着した半田屑を除去することを技術的特徴とする。
【００１１】
請求項２の半田屑除去方法では、半導体のリードの周囲又は周囲近傍に沿って金属切削加工よりも低い出力のレーザを照射することで、リードに付着した半田屑を除去することができる。
【００１２】
請求項３の半田屑除去方法では、レーザ照射装置の集光レンズ（又は対物レンズ）とリード上端との距離ｄ１を、ｄ１≧３ＨＷ／２Ｌを満たすように設定してある。このため、最も外側のリードの外側のエリア内、即ち、半田屑を除去するために必要なエリア内にレーザ光を走査することにより通過させることができる。このため、半導体を移動させることなく、レーザ光の走査のみで半田屑による短絡障害を防止することができる。
【００１３】
請求項４では、レーザは、上端部と下端部とを備えるクランク状に曲げられたリードの少なくとも上端部から下端部までの範囲を、有効焦点距離としている。このため、半導体の上側に固定したレーザ装置により、リードの上端部側に付着した半田屑も、下端部側に付着した半田屑も、半導体を上下移動させることなく、レーザ光の走査のみで除去することができる。
【００１４】
請求項５では、レーザは、複数のリードの長手方向の側面に沿って照射し、複数のリードの短手方向の側面に沿って照射する。このため、リードを１本ずづ、長手方向の片側側面（側端）に続いて、短手方向の側面（前端）、そして、長手方向の他端側側面（側端）という走査を行って行くのに比較し、長手方向の片側側面（側端）から短手方向の側面（前端）の角部、そして、前端から長手方向の他端側側面（側端）の角部で、線速度（走査速度）を低下させる必要がない。このため、サイクルタイムを短縮することができる。
【００１５】
請求項６では、レーザの出力は、線方向０．１ｍｍあたり、０．０００４Ｗを越え、０．００１０Ｗ未満である。ここで、０．０００４Ｗ以下では確実に半田屑を除去することができない。他方、０．００１０Ｗ以上では、レーザによりリードを傷つけてしまうことがある。このため、レーザ出力を調整することで、リードに損傷を与えることなく、半田屑を確実に除去できる。
【００１６】
請求項７の発明は、半導体に備えられたリードの半田屑除去装置であって、
前記半導体を固定する治具と、
前記リードの周囲又は周囲近傍に沿って金属切削加工よりも低い出力のレーザを照射するレーザ照射装置と、
前記リードの周囲の空気を吸引する吸引装置と、を備えることを技術的特徴とする。
【００１７】
請求項７では、治具に固定された半導体のリードの周囲又は周囲近傍に沿ってレーザ照射装置から金属切削加工よりも低い出力のレーザを照射し、リードに付着した半田屑を除去する。この際に、吸引装置により、リードの周囲の空気を吸引することで、リードから除去した半田屑が飛散して他のリードに付着することを防ぐことができる。このため、半導体の全てのリードから半田屑を除去することが可能になる。
【００１８】
請求項８では、吸引装置は、前記治具の下側に配置された半田屑を受ける受け部と、該受け部を介して吸引を行う吸引機とを備える。このため、レーザで溶融した半田屑が受け部に溜まり、ブロアー等の吸引機側に半田が吸い込まれることがないため、長期に渡り故障を起こすこと無く半田屑除去装置を作動させることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る半田屑除去方法及び半田屑除去装置の実施形態について図を参照して説明する。
図１（Ａ）は、実施形態に係る半田屑除去装置の平面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）中の半田屑除去装置のＢ矢視図、図１（Ｃ）は、図１（Ａ）中のＣ矢視図である。図２（Ａ）は、ＱＦＰタイプのＩＣパッケージの斜視図であり、図２（Ｂ）は、ＩＣパッケージのリードに付着した半田屑のレーザによる除去の説明図である。
【００２０】
図１に示すように、半田屑除去装置１０は、ＩＣパッケージ５０及び該ＩＣパッケージ５０を複数個保持するトレー６０を投入・回収するローダ１２と、ＩＣパッケージ５０を固定する治具２０と、ＩＣパッケージ５０を撮影するカメラ１４（図１（Ｂ）参照）と、カメラと対向する位置に設けられたバックライト２８と、治具２０を図１（Ａ）中の矢印Ｘ方向へ移動させるレール１６と、レーザを照射するレーザ照射装置３０と、レーザ照射装置３０の下方に配置される吸気装置４０（図１（Ｂ）参照）とを備える。
【００２１】
治具２０は、Ｘ−Ｙテーブル２６上に大型のＩＣパッケージをクランプするクランプ装置２２Ａと、中型のＩＣパッケージをクランプするクランプ装置２２Ｂと、小型のＩＣパッケージをクランプするクランプ装置２２Ｃとが備えられて成る。Ｘ−Ｙテーブル２６は、レール１６上に摺動可能に取り付けられている。各クランプ装置２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃの下方には、ＩＣパッケージを吸着・固定するためのエジェクタ２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃが配置されている。該エジェクタ２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃは、ＩＣパッケージを吸着・固定すると共に、吸着可能か否かによりＩＣパッケージの有無を検出できるように構成されている。
【００２２】
吸気装置４０は、ＩＣパッケージ５０の下方へ向けて配置されたダクト４２と、ＩＣパッケージ５０の下方であって、側方へ延在する「受け部」を構成するパン４４と、パイプ４６と、「吸気機」を構成するブロア４８とを備える。ダクト４２の開口は、Ｘ−Ｙテーブル２６の直下に設けられ、該ダクト４２の中央部にはダンパ４３が配置されている。パン４４は、金属板からなる箱形状に構成されており、側方に開閉可能な蓋部４４ａが設けられ、ダクト４２の直下に堆積する半田屑を清掃・除去できるようになっている。パイプ４６は、飛散した半田屑を吸い込み難いようにパン４４の上側に接続されている。本実施形態では、レーザで溶融した半田屑がパン４４の底面に溜まり、ブロア４８に半田が吸い込まれることがないため、長期に渡り故障を起こすこと無く半田屑除去装置を作動させることができる。
【００２３】
レーザ照射装置３０は、ＩＣパッケージ５０の樹脂部に品番等をマーキングするためのレーザマーカを用いる。例えば、（株）サンクス社製、ＬＰ−Ｆ１１（ＦＡＹｂレーザ）を用いることができる。該レーザ照射装置３０は、ガルバノミラーを備えるガルバノスキャニング方式で、間欠的にレーザ光を発射しながら走査する。レーザ出力は、金属切削加工用よりも低出力（１０Ｗ以下）に設定されている。
【００２４】
図１（Ｄ）は、図１（Ｃ）中でサークルＤ中で示すレーザ光の先端部を拡大して示している。図２（Ｂ）は、リード５２へのレーザ照射を模式的に示している。図３（Ａ）、図３（Ｂ）は、リードへの半田屑の付着状態を示す斜視図である。
【００２５】
図２（Ｂ）に示すように、リード５２はクランク状に曲げられ、上端部５２ａと、実装の際に基板端子と接触するための下端部５２ｂとが形成されている。ここで、上端部５２ａの上面の上端から下端部５２ｂの下面の下端までの高さＨは、２．５ｍｍである。一方、図３（Ａ）に示すように、隣接するリード５２、５２の間隔Ｌは、０．２６１ｍｍに設定されている。リードをクランク状に曲げるリード成形工程において、メッキした半田が剥離し、半田屑１８となってリード５２に付着することがある。更に、検査装置で検査するためリードをソケットに挿入させる際に、ソケットでメッキが削られ、これが堆積してある程度の大きさになると、半田屑１８としてリード５２に付着することもある。
【００２６】
このため、本実施形態では、図３（Ｂ）に示すように、リード５２の周囲又は周囲近傍に沿って、金属切削加工用よりも低出力のレーザマーカからのレーザを照射し、リード５２に付着した半田屑１８を除去する。ここで、レーザは、スポット状に間欠的に照射しながら、リード５２の周囲又は周囲近傍に沿って走査していく。
【００２７】
［レーザ配置距離ｄ１］
図４（Ａ）は、図２（Ａ）に示すＩＣパッケージ（リード上端）５０とレーザ照射装置３０の集光レンズ（又は対物レンズ）３２との距離［レーザ配置距離ｄ１］を示す説明図である。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）中のサークルＢ部分を拡大して示す説明図である。図４（Ｃ）は、半田屑を除去するエリアを示す説明図である。
実験の結果、図４（Ｂ）に示すように、隣接するリード５２−４とリード５２−５との間で、半田屑１８による短絡を生じさせないようにするためには、図中斜線のエリアＥ内をレーザ光を通過させなければならない。このエリアＥは、リード間の間隔Ｌの１／３、即ち、Ｌ／３の幅で、リードの高さＨに相当する（図４（Ｃ）参照）。ここで、エリアＥを越えてレーザ光を照射すると、図４（Ｂ）の図中左側のリード５２−５の右側のエリアＥにおいて、リード５２−５の下端に付着している半田屑１８を完全に除去することが難しくなる。即ち、リード５２−５の下端で半田屑１８の取り残しがでる。反対に、図中右側のリード５２−４の左側のエリアＥで、リード５２−４の上端に付着している半田屑１８を完全に除去することが難しくなる。即ち、リード５２−４の上端で半田屑１８の取り残しがでる。この取り残しの半田屑により、短絡が発生することがある。
【００２８】
ここで、図４（Ａ）に示すように、ＩＣパッケージ５０の側面に配置される１列のリード側端の幅をＷ（ここでは、半田屑除去装置１０にて処理されるＩＣパッケージ５０中の最大サイズで２８．９ｍｍ）、レーザ照射装置３０の集光レンズ３２とリード上端との距離［レーザ配置距離］をｄ１とした時、図中右端のリード５２−４の右側のエリアＥ及び左端のリード５２−６の左側のエリアＥの外端に、レーザ光を通過させる際には、次式の関係が成立する。
ｄ１：（Ｗ／２）＝Ｈ：Ｌ／３
従って、エリアＥ内にレーザ光を照射させるためには、次式を満たす必要がある。
【数１】
ｄ１≧３ＨＷ／２Ｌ
上記数１にＷ＝２８．９ｍｍ、Ｈ＝２．５ｍｍ、Ｌ＝０．２６１ｍｍの数値を代入するとｄ１≧４１５．３ｍｍとなり、本願では、４１６ｍｍ（リードの上端とＩＣパッケージ５０の上面との段差があり、リード５２とＩＣパッケージ５０の中央位置とは１５ｍｍ離れている。従って、ＩＣパッケージ５０上面中央位置との距離は４１４ｍｍ）に設定されている。
即ち、本実施形態では、レーザ配置距離ｄ１を、レーザ光が上述したエリアＥ内を通過し得るように設定することで、ＩＣパッケージ５０を移動させることなく、レーザ光の走査のみで半田屑による短絡障害を防止することができる。このため、短時間で半田屑除去処理が完了する。
【００２９】
なお、図４（Ａ）中で、レーザ光軌道の振り幅θａの半分θａ／２、即ち、図中でＩＣパッケージ５０の側面に配置される１列のリード右半分側へレーザを照射する際のレーザ光軌道の振り幅を（θａ／２）とすると、次式が成り立つ
【数２】
ｔａｎ（θａ／２）＝（Ｗ／２）／ｄ１
数値を代入するとθａ／２は約２°、従って、レーザ光軌道の振り幅θａは倍の約４°になる。
【００３０】
［有効焦点距離ｄ２］
図１（Ｄ）は、、図１（Ｃ）中でサークルＤ中で示すレーザ光の先端部を拡大して示している。図２（Ｂ）は、リード５２へのレーザ照射を模式的に示している。本実施形態では、レーザの焦点Ｚから上下にずれても必要とされる出力が得られる範囲（ずれ量）を有効焦点距離と定義する。後述するように、レーザの出力は、線方向０．１ｍｍあたり、０．０００４Ｗを越え、０．００１０Ｗ未満である。ここで、０．０００４Ｗ以下では確実に半田屑を除去することができない。このため、有効焦点距離とは、０．０００４Ｗを越える出力が得られる範囲を意味する。他方、０．００１０Ｗ以上では、レーザによりリードを傷つけてしまうため、図１（Ｄ）中に示す焦点位置Ｚ、即ち、エネルギ密度が一番高い点に於いても、レーザの出力は、０．００１０Ｗ未満であることが望ましい。本実施形態では、リード５２の上端部５２ａの上端から下端部５２ｂの下端までの高さＨは、２．５ｍｍである。レーザ焦点Ｚは、この上端部５２ａの上端と下端部５２ｂの下端との中央に来るように調整されており、上端部５２ａの上端及び下端部５２ｂの下端は、焦点Ｚから１．２５ｍｍの範囲にある。このため、本実施形態では、有効焦点距離ｄ２を１．２５ｍｍ以上に設定してある。
【００３１】
本実施形態では、レーザは、リード５２の少なくとも上端部５２ａから下端部５２ｂまでの範囲を、有効焦点距離としている。このため、ＩＣパッケージ５０を上下移動させることなく、ＩＣパッケージ５０の上側に固定したレーザ照射装置３０により、リードの上端部５２ａ側に付着した半田屑も、下端部５２ｂ側に付着した半田屑もレーザを走査することで除去できる。このため、上述したように、レーザ配置距離ｄ１を、レーザ光が上述したエリアＥ内を通過し得るように設定することと相まって、ＩＣパッケージ５０を移動させることなく、レーザ光の走査のみで半田屑による短絡障害を防止することができる。従って、短時間で半田屑除去処理が完了する。
【００３２】
［レーザの走査方向］
図５（Ａ）、本実施形態に係るＩＣパッケージ５０に対するレーザの走査方向を示す説明図であり、図５（Ｂ）は、比較例に係るレーザの走査方法を示す説明図である。
本実施形態の走査方向を示す図５（Ａ）では、先ず、リード５２−１の左側面（図中上側）に沿ってレーザ光を図中右側へ走査させた後、リード５２−１の右側面（図中下側）に沿ってレーザ光を同方向（図中右側）へ走査させる。次に、リード５２−２の左側面（図中上側）に沿ってレーザ光を同方向へ走査させる。この走査を繰り返し、最側部にあるリード５２−３の右側面（図中下側）に沿ってレーザ光を同方向へ走査させる。最後に、リード５２−１、リード５２−２、リード５２−３の前端部に沿って、レーザ光を図中下方向へ走査させる。引き続き、隣接する面（図中下側）のリード５２−４の右側面にレーザ光を同方向（図中下方向）へ走査させる。
【００３３】
比較例に係る走査方向を示す図５（Ｂ）では、先ず、リード５２−１の左側面（図中上側）に沿ってレーザ光を走査させた後、前端に沿ってレーザ光を走査させ、リード５２−１の右側面（図中下側）に沿って左側面とは逆方向にレーザ光を走査させる。次に、リード５２−２側まで走査させてから、リード５２−２の左側面（図中上側）に沿ってレーザ光を走査させた後、前端に沿ってレーザ光を走査させ、リード５２−２の右側面（図中下側）に沿ってレーザ光を走査させる。順次、リード１本ずづ、レーザ光を走査させる。
【００３４】
本実施形態では、図５（Ａ）を参照して上述したようにＩＣパッケージ５０の１つの側面に取り付けられた複数のリードの長手方向の側面に沿ってレーザ光を同方向へ走査した後、複数のリードの短手方向の側面（前端）に沿って走査する。このため、図５（Ｂ）を参照して上述したようにリードを１本ずづ、長手方向の片側側面（側端）に続いて、短手方向の側面（前端）、そして、長手方向の他端側側面（側端）という走査を行って行くのに比較し、長手方向の片側側面（側端）から短手方向の側面（前端）の角部、そして、前端から長手方向の他端側側面（側端）の角部で、線速度（走査速度）を低下させる必要がない。このため、サイクルタイムを数十％短縮することが可能である。
【００３５】
［レーザ出力］
図６及び図７は、レーザ出力を調整して半田屑が除去できるか否かを試験した結果を示す図表である。
ここでは、出力（Ｗ）と、レーザの発振周波数（ＫＨｚ）と、線速度（ｍｍ／Ｓ）とを変えることで、１発（１スポット）の出力、レーザの線０．１ｍｍあたりの発数、０．１ｍｍあたりの出力を調整し、半田屑が除去できるか及びリードに損傷を与えないかを調べた。ここで、０．１ｍｍの出力が０．０００４Ｗ以下になると、半田屑が除去できないことが明らかになった。正確には、半田屑は、微細であって同じ大きさのものを用意することが不可能であるため、半田屑が除去できる場合と、出来ない場合とが発生することが分かった。一方、０．１ｍｍの出力が、０．００１０を越えると、リードに損傷を与えることが分かった。このため、本実施形態では、半田屑除去可能なレーザの出力を、図２（Ｂ）を参照して上述した半田屑を除去する範囲（有効焦点距離ｄ２）において得られるように調整してある。
【００３６】
引き続き、半田屑除去装置での半田屑除去動作について、当該処理を示す図８のフローチャート及び図１を参照して説明する。
ローダ１２を駆動し、ローダ１２の吸着部１２ａで吸着してトレー６０内のＩＣパッケージ５０を取り出す（Ｓ１２）。ここで、取り出しが行い得たかを判断し（Ｓ１４）、取り出しが行え無かった場合には（Ｓ１４：Ｎｏ）、再度、取り出しを行い、取り出しが行えたかを判断する（Ｓ１６）。ここで、取り出しが行えなかった場合には（Ｓ１６：Ｎｏ）、次のＩＣパッケージ５０の取り出しを試み、次のＩＣパッケージ５０の取り出しも行えなかった場合には（Ｓ１８：Ｎｏ）、図示しない表示装置にエラー発生の表示を行い（Ｓ２０）、処理を終了する。
【００３７】
ここで、ＩＣパッケージ５０の取り出しが行えた場合（Ｓ１４：Ｙｅｓ、若しくは、Ｓ１６：Ｙｅｓ）、又は、次ＩＣパッケージ５０の取り出しが行えた場合（Ｓ１８：Ｙｅｓ）、Ｘ−Ｙテーブル２６上にＩＣパッケージ５０を載置し、エジェクタ２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃで吸着・固定した後、クランプ装置２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃを駆動してＩＣパッケージ５０をクランプさせることで、ＩＣパッケージ５０の位置決めを行い、クランプ装置２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃをアンクランプさせる（Ｓ２２）。次に、位置決めされたＩＣパッケージ５０をカメラ１４で撮影し、リードの数を計測し、リードの欠落が無いかを確認する（Ｓ２４）。ここで、リード数に異常があれば（Ｓ２４：Ｎｏ）、図示しない表示装置にエラー発生の表示を行い（Ｓ２０）、処理を終了する。
【００３８】
リード数が適正であれば（Ｓ２４：Ｙｅｓ）、更に、カメラ１４により、ＩＣパッケージ５０の位置を測定し、リードのオフセット量（Ｘ−Ｙ−θ）を演算し、レーザ照射装置３０側へオフセット量（Ｘ−Ｙ−θ）を転送する（Ｓ２６）。Ｘ−Ｙテーブル２６をレール１６に沿ってレーザ照射装置３０の下まで移動させた後、レーザ照射装置３０からリードに向かってレーザを照射させ、半田屑を除去する（Ｓ２８）。なお、レーザ照射装置３０は、転送されたオフセット量（Ｘ−Ｙ−θ）に基づいて、レーザの走査軌跡を補正してレーザ照射を行う。
【００３９】
Ｘ−Ｙテーブル２６をレール１６に沿って戻し、ローダ１２によりトレー６０内に戻す（Ｓ３０）。その後、トレー６０内の全てのＩＣパッケージ５０の半田屑除去が完了したかを判断し（Ｓ３２）、完了していない場合には（Ｓ３２：Ｎｏ）、Ｓ１２に戻り、次のＩＣパッケージ５０の半田屑除去を行う。他方、トレー６０内のＩＣパッケージ５０の半田屑除去が完了した際には（Ｓ３２：Ｙｅｓ）、トレー６０を交換し（Ｓ３４）、処理を終了する。
【００４０】
なお、本実施形態では、レーザ照射装置３０として、ＩＣパッケージ５０にマーキングを行うレーザマーカを用いるため、ＩＣパッケージ５０へのレーザマーキングと半田屑とを同時に行うことも可能である。即ち、レーザマーキングの工程で、半田屑を除去する。この場合、工程数を増やすことなく、半田屑を除去することが可能である。
【００４１】
上述した実施形態では、本発明の半田屑除去方法及び半田屑除去装置をＩＣパッケージのリード間の半田屑除去に適用した例について説明したが、本発明の半田屑除去方法及び半田屑除去装置は、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）等のＩＣパッケージで、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）のバンプとバンプとの隙間に付着した半田屑を、該隙間にレーザを照射することで除去することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）は、実施形態に係る半田屑除去装置の平面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）中の半田屑除去装置のＢ矢視図、図１（Ｃ）は、図１（Ａ）中のＣ矢視図であり、図１（Ｄ）は、図１（Ｃ）中でサークルＤ中で示すレーザ光の先端部を拡大して示す説明図である。
【図２】図２（Ａ）はＩＣパッケージの斜視図である。図２（Ｂ）はリードへのレーザ照射を模式的に示す説明図である。
【図３】図３（Ａ）、図３（Ｂ）は、リードへの半田屑の付着状態を示す斜視図である。
【図４】図４（Ａ）は、図２（Ａ）に示すＩＣパッケージとレーザ照射装置との距離［レーザ配置距離ｄ１］を示す説明図である。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）中のサークルＢ部分を拡大して示す説明図である。図４（Ｃ）は、半田屑を除去するエリアを示す説明図である。
【図５】図５（Ａ）、本実施形態に係る半田屑除去装置におけるＩＣパッケージに対するレーザの走査方向を示す説明図であり、図５（Ｂ）は、比較例に係るレーザの走査方法を示す説明図である。
【図６】レーザの軌跡条件による出力を試験した結果を示す図表である。
【図７】レーザの軌跡条件による出力を試験した結果を示す図表である。
【図８】半田屑除去装置による半田屑処理のフローチャートである。
【符号の説明】
１０    半田屑除去装置
１２  ローダ
１４  カメラ
１６  レール
１８  半田屑
２０  治具
２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ  クランプ装置
２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ  エジェクタ
２６  Ｘ−Ｙテーブル
３０  レーザ照射装置
３２  集光レンズ
４０  吸気装置
４２  ダクト
４４  パン（受け部）
４６  パイプ
４８  ブロア（吸気機）
５０  ＩＣパッケージ
５２  リード
６０  トレー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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