(57)【要約】【課題】電磁波障害による画質劣化を受け難い電気光学表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板１上にＴＦＴ基板層を形成した後にガラス基板のエッチング除去を行う電気光学表示装置の製造方法において、ガラス基板上にＳｉＮｘ膜３を介して導電性薄膜４を形成し、この導電性薄膜の上層にＳｉＯ２膜２を介してアモルファスシリコン薄膜５を形成した後に、アモルファスシリコン薄膜を再結晶化してポリシリコンあるいは単結晶シリコンＴＦＴによるＴＦＴ基板層を形成し、その後、ガラス基板のエッチング除去を行う。更に、透明あるいは不透明樹脂基板１２と貼り合わせ、その表面に透明電極１６が形成された透明樹脂対向基板１３と重ね合わせる。【選択図】    図１
2004335927.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に電気光学表示素子基板層を形成した後に、前記ガラス基板のエッチング除去を行う電気光学表示装置の製造方法において、
ガラス基板上に第１の絶縁膜を介して導電性薄膜を形成する工程と、
該導電性薄膜の上層に第２の絶縁膜を介して低級結晶性半導体薄膜を形成する工程と、
該低級結晶性半導体薄膜を再結晶化して多結晶性あるいは単結晶性半導体薄膜を形成する工程と、
該多結晶性あるいは単結晶性半導体薄膜に周辺回路と表示部からなる電気光学表示素子基板層を形成する工程と、
前記ガラス基板のエッチング除去を行う工程と、
透明あるいは不透明樹脂支持基板と前記電気光学表示素子基板層を貼り合わせる工程と、
該透明あるいは不透明樹脂支持基板が貼り合わせられた電気光学表示素子基板層とその表面に透明電極が形成された透明樹脂対向基板を重ね合わせる工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２】
ガラス基板上に電気光学表示素子基板層を形成した後に、前記ガラス基板のエッチング除去を行う電気光学表示装置の製造方法において、
ガラス基板上に第１の絶縁膜を介して導電性薄膜を形成する工程と、
該導電性薄膜の上層に第２の絶縁膜を介して低級結晶性半導体薄膜を形成する工程と、
該低級結晶性半導体薄膜を再結晶化して多結晶性あるいは単結晶性半導体薄膜を形成する工程と、
該多結晶性あるいは単結晶性半導体薄膜に周辺回路と表示部からなる電気光学表示素子基板層を形成する工程と、
前記ガラス基板上に形成された電気光学表示素子基板層とその表面に透明電極が形成された透明樹脂対向基板を重ね合わせる工程と、
前記ガラス基板のエッチング除去を行う工程と、
前記電気光学表示素子基板層と透明あるいは不透明樹脂支持基板を貼り合わせる工程とを備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３】
ガラス基板上に電気光学表示素子基板層を形成した後に、前記ガラス基板のエッチング除去を行う電気光学表示装置の製造方法において、
ガラス基板上に絶縁膜を介して低級結晶性半導体薄膜を形成する工程と、
該低級結晶性半導体薄膜を再結晶化して多結晶性あるいは単結晶性半導体薄膜を形成する工程と、
該多結晶性あるいは単結晶性半導体薄膜に周辺回路と表示部からなる電気光学表示素子基板層を形成する工程と、
前記ガラス基板のエッチング除去を行う工程と、
その表面に導電性薄膜が形成された透明あるいは不透明樹脂支持基板と前記電気光学表示素子基板層を貼り合わせる工程と、
該透明あるいは不透明樹脂支持基板が貼り合わせられた電気光学表示素子基板層とその表面に透明電極が形成された透明樹脂対向基板を重ね合わせる工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４】
ガラス基板上に電気光学表示素子基板層を形成した後に、前記ガラス基板のエッチング除去を行う電気光学表示装置の製造方法において、
ガラス基板上に絶縁膜を介して低級結晶性半導体薄膜を形成する工程と、
該低級結晶性半導体薄膜を再結晶化して多結晶性あるいは単結晶性半導体薄膜を形成する工程と、
該多結晶性あるいは単結晶性半導体薄膜に周辺回路と表示部からなる電気光学表示素子基板層を形成する工程と、
前記ガラス基板上に形成された電気光学表示素子基板層とその表面に透明電極が形成された透明樹脂対向基板を重ね合わせる工程と、
前記ガラス基板のエッチング除去を行う工程と、
その表面に導電性薄膜が形成された透明あるいは不透明樹脂支持基板と前記電気光学表示素子基板層を貼り合わせる工程とを備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の絶縁膜は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化シリコン／窒化シリコン積層膜、酸化シリコン／窒化シリコン／酸化シリコン積層膜、酸窒化シリコン膜の内、少なくとも１種以上である
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁膜は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化シリコン／窒化シリコン積層膜、酸化シリコン／窒化シリコン／酸化シリコン積層膜、酸窒化シリコン膜の内、少なくとも１種以上である
ことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記低級結晶性半導体薄膜は、アモルファスシリコン薄膜、微結晶シリコン含有アモルファスシリコン薄膜またはアモルファスシリコン含有微結晶シリコン薄膜である
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５または請求項６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８】
エキシマレーザーアニールによって前記低級結晶性半導体薄膜を再結晶化して多結晶性あるいは単結晶性半導体薄膜を形成する
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６または請求項７に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項９】
フラッシュランプアニールによって前記低級結晶性半導体薄膜を再結晶化して多結晶性あるいは単結晶性半導体薄膜を形成する
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６または請求項７に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１０】
光高調波変調レーザーアニールによって前記低級結晶性半導体薄膜を再結晶化して多結晶性あるいは単結晶性半導体薄膜を形成する
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６または請求項７に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１１】
集光ランプアニールによって前記低級結晶性半導体薄膜を再結晶化して多結晶性あるいは単結晶性半導体薄膜を形成する
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６または請求項７に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１２】
触媒ＣＶＤ法によるグラフォエピタキシャル成長によって単結晶性半導体薄膜を形成する
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６または請求項７に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１３】
触媒ＣＶＤ法によるヘテロエピタキシャル成長によって単結晶性半導体薄膜を形成する
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６または請求項７に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記低級結晶性半導体を再結晶化して多結晶性あるいは単結晶性半導体薄膜を形成する前に、前記低級結晶性半導体薄膜中の含有水素を加熱脱気する
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１１、請求項１２または請求項１３に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記ガラス基板のエッチング除去は、電気光学表示素子基板層表面に保護テープを貼り合わせ、その表面に水溶性接着剤を塗布した状態で行う
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１１、請求項１２、請求項１３または請求項１４に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記ガラス基板のエッチング除去は、電気光学表示素子基板層表面に保護テープを貼り合わせ、その表面に水溶性接着剤を介して保持用ガラス基板を貼り合わせた状態で行う
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１１、請求項１２、請求項１３または請求項１４に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記保持用ガラス基板両面に前記水溶性接着剤を塗布する
ことを特徴とする請求項１６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記保護テープは、紫外線が照射されることによって接着力が低下する
ことを特徴とする請求項１５、請求項１６または請求項１７に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記保護テープは、帯電防止機能を有する基材あるいは粘着剤である
ことを特徴とする請求項１５、請求項１６、請求項１７または請求項１８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプラスティック製電気光学表示装置の製造方法に関する。詳しくは、ガラス基板上に電気光学表示素子基板層（以下、ＴＦＴ基板層と称する）を形成した後にガラス基板のエッチング除去を行い、樹脂支持基板に貼り合わせるプラスティック製電気光学表示装置の製造方法に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、基板にガラス材料では無くプラスティックフィルムを用いたプラスティックＬＣＤが薄膜化及び軽量化という観点から注目されているが、プラスティックフィルムの耐熱性が低いために、プロセスの最高温度を低くせざるを得ず、結果的にガラス基板上にＴＦＴを形成する場合と比較すると良好な電気特性のＴＦＴを形成できないという不具合があった。
【０００３】
このような不具合に対して、ガラス基板上にＴＦＴ基板層を形成した後にガラス基板のエッチング除去を行い、ＴＦＴ基板層をプラスティックフィルムに貼り合わせるといったプラスティックＬＣＤの製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−７２９０５号公報  （第２−７頁、第１図）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、プラスティックＬＣＤは、携帯電話やＰＤＡ等のモバイル機器に採用されることが多いのであるが、電磁波障害による画質劣化を受け難いことが重要となってきている。
【０００６】
本発明は以上の点に鑑みて創案されたものであって、電磁波障害による画質劣化を受け難い高性能、高精細なプラスティック製電気光学表示装置の製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、ガラス基板上にＴＦＴ基板層を形成した後に、前記ガラス基板のエッチング除去を行う電気光学表示装置の製造方法において、ガラス基板上に第１の絶縁膜を介して導電性薄膜を形成する工程と、該導電性薄膜の上層に第２の絶縁膜を介して低級結晶性半導体薄膜を形成する工程と、該低級結晶性半導体薄膜を再結晶化して多結晶性あるいは単結晶性半導体薄膜を形成する工程と、該多結晶性あるいは単結晶性半導体薄膜に周辺回路と表示部からなるＴＦＴ基板層を形成する工程と、前記ガラス基板のエッチング除去を行う工程と、透明あるいは不透明樹脂支持基板と前記ＴＦＴ基板層を貼り合わせる工程と、該透明あるいは不透明樹脂支持基板が貼り合わせられたＴＦＴ基板層とその表面に透明電極が形成された透明樹脂対向基板を重ね合わせる工程を備える。
【０００８】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、ガラス基板上にＴＦＴ基板層を形成した後に、前記ガラス基板のエッチング除去を行う電気光学表示装置の製造方法において、ガラス基板上に第１の絶縁膜を介して導電性薄膜を形成する工程と、該導電性薄膜の上層に第２の絶縁膜を介して低級結晶性半導体薄膜を形成する工程と、該低級結晶性半導体薄膜を再結晶化して多結晶性あるいは単結晶性半導体薄膜を形成する工程と、該多結晶性あるいは単結晶性半導体薄膜に周辺回路と表示部からなるＴＦＴ基板層を形成する工程と、前記ガラス基板上に形成されたＴＦＴ基板層とその表面に透明電極が形成された透明樹脂対向基板を重ね合わせる工程と、前記ガラス基板のエッチング除去を行う工程と、前記ＴＦＴ基板層と透明あるいは不透明樹脂支持基板を貼り合わせる工程とを備える。
【０００９】
ここで、ガラス基板上に第１の絶縁膜を介して導電性薄膜を形成することにより、この導電性薄膜と透明樹脂対向基板表面に形成された導電性薄膜である透明電極によって周辺回路及び表示部全体を導電性薄膜で挟み込むことができる。
【００１０】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、ガラス基板上にＴＦＴ基板層を形成した後に、前記ガラス基板のエッチング除去を行う電気光学表示装置の製造方法において、ガラス基板上に絶縁膜を介して低級結晶性半導体薄膜を形成する工程と、該低級結晶性半導体薄膜を再結晶化して多結晶性あるいは単結晶性半導体薄膜を形成する工程と、該多結晶性あるいは単結晶性半導体薄膜に周辺回路と表示部からなるＴＦＴ基板層を形成する工程と、前記ガラス基板のエッチング除去を行う工程と、その表面に導電性薄膜が形成された透明あるいは不透明樹脂支持基板と前記ＴＦＴ基板層を貼り合わせる工程と、該透明あるいは不透明樹脂支持基板が貼り合わせられたＴＦＴ基板層とその表面に透明電極が形成された透明樹脂対向基板を重ね合わせる工程を備える。
【００１１】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、ガラス基板上にＴＦＴ基板層を形成した後に、前記ガラス基板のエッチング除去を行う電気光学表示装置の製造方法において、ガラス基板上に絶縁膜を介して低級結晶性半導体薄膜を形成する工程と、該低級結晶性半導体薄膜を再結晶化して多結晶性あるいは単結晶性半導体薄膜を形成する工程と、該多結晶性あるいは単結晶性半導体薄膜に周辺回路と表示部からなるＴＦＴ基板層を形成する工程と、前記ガラス基板上に形成されたＴＦＴ基板層とその表面に透明電極が形成された透明樹脂対向基板を重ね合わせる工程と、前記ガラス基板のエッチング除去を行う工程と、その表面に導電性薄膜が形成された透明あるいは不透明樹脂支持基板と前記ＴＦＴ基板層を貼り合わせる工程とを備える。
【００１２】
ここで、その表面に導電性薄膜が形成された透明あるいは不透明樹脂支持基板とＴＦＴ基板層を貼り合わせることによって、導電性薄膜と透明樹脂対向基板に形成された導電性薄膜である透明電極によって周辺回路及び表示部全体を導電性薄膜で挟み込むことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
【００１４】
図１及び図２は本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の一例である透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法の一例を説明するための模式的な図である。
ここで、透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法の一例では、先ず、図１（ａ）で示す様に、ＣＶＤ法、スパッタリング法または蒸着法等によってほうけい酸ガラス、アルミノけい酸ガラスなどの低歪点ガラス基板１全面に２００〜３００ｎｍのＳｉＯ２膜２、ＳｉＯ２膜の上層に５０〜１００ｎｍのＳｉＮｘ膜３、ＳｉＮｘ膜の上層に２００〜３００ｎｍのＳｉＯ２膜、ＳｉＯ２膜の上層に１００〜２００ｎｍのＩＴＯ（インジウム−錫系透明導電膜）やＩＺＯ（インジウムー酸化亜鉛系透明導電膜）等の透明導電性薄膜４、透明導電性薄膜の上層に１００〜２００ｎｍのＳｉＯ２膜、ＳｉＯ２膜の上層にＣＶＤ法により５０ｎｍのアモルファスシリコン薄膜５を形成し、続いて、アモルファスシリコン薄膜を汎用のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて図１（ｂ）で示す様に、ＴＦＴ、抵抗、容量等の形成に必要な領域以外のアモルファスシリコン薄膜５のエッチングを行う。
なお、触媒ＣＶＤ法によるアモルファスシリコン薄膜、微結晶シリコン含有アモルファスシリコン薄膜、アモルファスシリコン含有微結晶シリコン薄膜などでもよい。
【００１５】
ここで、ガラス基板全面に形成されたＳｉＯ２膜の上層に形成される薄膜は、絶縁膜として機能すれば充分であり、必ずしもＳｉＮｘ膜である必要は無く、いかなる絶縁膜であっても構わないが、基板側からのハロゲン元素汚染の低減及び後述するフッ酸／硝酸系エッチング液によるガラス基板のエッチングの際にエッチングストッパーとして絶縁膜が機能できる様に、絶縁膜はＳｉＮｘやＳｉＯＮ等の窒化系シリコン膜である方が好ましい。
【００１６】
また、ガラス基板とＳｉＮｘ膜及びＳｉＮｘ膜と透明導電性薄膜との間にＳｉＯ２膜を形成しているのは、ガラス基板とＳｉＮｘ膜及びＳｉＮｘ膜と透明導電性薄膜との密着性の向上を図るためであり、ガラス基板とＳｉＮｘ膜及びＳｉＮｘ膜と透明導電性薄膜との密着性が充分である場合には必ずしもＳｉＯ２膜を形成する必要は無い。
尚、必要に応じてアモルファスシリコン薄膜５の上層にＳｉＯ２膜約５０ｎｍを形成し、アモルファスシリコン薄膜５を多結晶化すべくエキシマレーザーアニールを行う際に、エキシマレーザーの反射低減を図ってもよい。
【００１７】
次に、４５０℃〜５００℃で数十分間加熱し、アモルファスシリコン薄膜５中に含有される水素の加熱脱気を行った後に、アモルファスシリコン薄膜５にフォーカスを合わせた状態でエキシマレーザーアニールを行い、アモルファスシリコン薄膜５を再結晶化して多結晶性シリコン（以後はポリシリコンと称する）薄膜１４を形成する。
【００１８】
次に、このポリシリコン層内に、ＬＣＤの表示素子としてのＴＦＴや配線などを、周辺回路としてのＴＦＴ、ダイオード、抵抗、キャパシタ、コイルや配線等の半導体素子および半導体集積回路のいずれかまたは両方を形成した後に、平坦化膜６を積層すると共に透明画素電極７を形成し、図１（ｃ）で示す様な周辺回路一体型ポリシリコンＴＦＴ基板層を作製する。
【００１９】
尚、同時に周辺回路一体型ポリシリコンＴＦＴ基板層の周辺回路に接続する半田バンプなどの外部取り出し電極（図は省略）を形成するが、ＬＣＤパネル形成後に異方性導電膜接合や超音波接合、半田付けなどでフレキシブル基板との接合やＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）へのマウントするのが好ましい。
ここで、透過型ＬＣＤの場合は、画素開口部のポリシリコン薄膜をエッチングし、透明材料例えば透明樹脂あるいはＳｉＯ２膜で埋め込み、その表面をＣＭＰなどで研磨して平坦化し、表示用ＴＦＴのドレインに接続した透明画素電極を形成する。一方、半透過型ＬＣＤの場合は、一画素内に反射／透過の二領域を持たせる為に、この反射画素電極の一部をパターニングし、そこに透明画素電極を形成する。例えば、画素開口部のポリシリコン薄膜をエッチングし、透明材料例えば透明樹脂あるいはＳｉＯ２膜で埋め込み、その表面をＣＭＰなどで研磨して平坦化した画素開口部の一部に汎用リソグラフィ技術により適度な凹凸形状の感光性樹脂膜を形成し、加熱でリフローした後に、表示用ＴＦＴのドレインに接続した高反射率のアルミニウム膜を形成して適度な凹凸形状の反射画素電極を形成し、アルミニウム膜を含む画素開口部に透明画素電極を形成することで一画素内に反射／透過の二領域を持たせた画素電極を形成する。又は、画素開口部に表示用ＴＦＴのドレインに接続したＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明画素電極を形成し、透明画素電極の一部に汎用リソグラフィ技術により適度な凹凸形状の感光性樹脂膜を形成し、加熱でリフローした後に、透明画素電極と接続した高反射率のアルミニウム膜を形成して適度な凹凸形状の反射画素電極を形成することで一画素内に反射／透過の二領域を持たせた画素電極を形成する。この透過と反射の画素面積比をコントロールすることにより、透過／反射の光学特性のバランスを取ることができる。この半透過型ＬＣＤの透過表示には透過型ＬＣＤと同様にバックライト光源を用い、反射表示には反射型ＬＣＤと同様に太陽光を用いるのは言うまでもない。そして、半透過型ＬＣＤではより明るい表示のために、反射画素電極を配線やＴＦＴの上などの不透明領域にも覆い被せて開口率を高め、透明画素電極を不透明配線がない部分に配置し、全体の開口率を高くするなどの工夫が必要である。
又、反射型ＬＣＤ及び半透過型ＬＣＤでのペーパーホワイトの見栄えを実現する為に、反射光の正反射成分を減らして光を拡散散乱させる機能として、反射画素電極に形成した凹凸形状の傾斜角度を特定の範囲内に限定し、角度の分布形状を最適化する必要がある。
又、凹凸を規則的に配置すると太陽光下で反射画像に虹色の光干渉が発生し、視認性低下するので、フィボナッチ数列で表される配列を凹凸パターンに適用するなどで凹凸配置をランダム化する必要がある。
【００２０】
次に、図１（ｄ）で示す様に、ＴＦＴ基板層表面に糊残りの少ない帯電防止機能を有する基材８ａ及び粘着剤８ｂから成るＵＶ照射硬化型テープ（以下、ＵＶテープと称する）８を貼り合わせると共に、必要に応じてＵＶテープと保護ガラス基板９を水溶性接着剤１０で貼り合わせる。
【００２１】
ここで、水溶性接着剤としては、ホットメルト系水溶性固形ワックス（例えば、日化精工株式会社のアクアワックス２０／５０／８０（主成分は脂肪酸グリセリド）、アクアワックス５５３／５３１／４４２／ＳＥ（主成分はポリエチレングリコール、ビニルピロリドン共重合物、グリセリンポリエーテル）、ＰＥＧワックス２０（主成分はポリエチレングリコール）等）、または水溶性液状ワックス（例えば、日化精工株式会社の合成樹脂系液状接着剤のアクアリキッドＷＡ−３０２（主成分はポリエチレングリコール、ビニルピロリドン誘導体、メタノール）、ＷＡ−２０５１１／ＱＡ−２０５６６（主成分はポリエチレングリコール、ビニルピロリドン誘導体、ＩＰＡ、水）等）を使用することができる。
【００２２】
なお、水溶性接着剤を保護ガラスのＴＦＴ基板層側表面のみならず、保護ガラスの両面に塗布しているのは、後述するフッ酸／硝酸系エッチング液を用いてのエッチングの際に保護ガラスがエッチングされてしまうのを抑制し、保護ガラスの繰り返し使用を可能とするためである。
【００２３】
続いて、図２（ｅ）で示す様に、ガラス基板とガラス基板表面に形成されたＳｉＯ２膜とをフッ酸／硝酸系エッチング液を用いてエッチング除去する。
この時に、窒化系シリコン膜が存在し、エッチングストッパー作用をするので、
エッチングムラによる不具合がない。
【００２４】
次に、図２（ｆ）で示す様に、ＵＶ照射硬化型接着剤１１を用いて０．１〜０．５ｍｍの耐熱性及び耐湿性を有するＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリオレフィン、アクリルなどの透明樹脂支持基板１２に貼り合わせた後に、５０℃〜６０℃の温純水洗浄を行って保護ガラス基板を剥離すると共に、ＵＶ照射硬化を行いＵＶテープの剥離を行う。
【００２５】
続いて、図２（ｇ）で示す様に、有機系または無機系の配向膜（１）１３を形成し、配向処理を施す。
ここで、配向膜（１）としてポリイミド等のラビング用有機配向膜またはノンラビング用光有機配向膜を用いる場合には、ロールコーティングやスピンコーティングで塗布を行った後に、後述する対向基板のラビング方向と４５°または９０°の方向にラビング、または後述する対向基板の偏光ＵＶ照射配向方向に対して４５°または９０°の方向にＴＦＴ基板層に対して斜め方向から偏光ＵＶ照射して配向処理を施す。また、配向膜（１）として無機配向膜を用いる場合には、ＴＦＴ基板層あるいは対向基板に対して最適化された例えば６０°の斜目方向にＳｉＯ斜方蒸着することによって配向処理を施したり、ＤＬＣ膜の最適化された斜方蒸着及びイオンブローすることによって配向処理を施したりする。
【００２６】
次に、０．１〜０．５ｍｍの耐熱性及び耐湿性を有するＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリオレフィン、アクリルなどの透明樹脂基板１５にＩＴＯやＩＺＯ等の透明電極１６を形成すると共に有機系または無機系の配向膜（２）１７を形成し、配向処理を施した透明樹脂対向基板１８とシール剤１９を用いて重ね合わせる。なお、重ね合わせの際には、必要に応じてミクロパール等のスペーサー２０を散布することによってＴＦＴ基板層と透明樹脂対向基板との液晶間隙の調整を行う。
ここで、配向膜（２）としてポリイミド等のラビング用有機配向膜またはノンラビング用光有機配向膜を用いる場合には、ロールコーティングやスピンコーティングで塗布を行った後にラビング、または基板に対して最適化された斜目方向から偏光ＵＶ照射して配向処理を施す。また、配向膜（２）として無機配向膜を用いる場合には、対向基板に対して最適化された斜目方向からＳｉＯ斜方蒸着することによって配向処理を施したり、最適化されたＤＬＣ膜の斜方蒸着及びイオンブローすることによって配向処理を施したりする。
【００２７】
続いて、個々のＬＣＤパネルとなる様に図２（ｈ）中符号Ａで示す個所より切断を行った後に、シール剤で囲まれた領域に液晶の注入封止を行うことによって透過型あるいは半透過型液晶表示装置を得ることができる。
【００２８】
図３及び図４は本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の他の一例である透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法の他の一例を説明するための模式的な図である。
ここで、透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法の他の一例では、先ず、図３（ａ）で示す様に、ＣＶＤ法、スパッタリング法または蒸着法等によって低歪み点ガラス基板全面に２００〜３００ｎｍのＳｉＯ２膜、ＳｉＯ２膜の上層に５０〜１００ｎｍのＳｉＮｘ膜、ＳｉＮｘ膜の上層に２００〜３００ｎｍのＳｉＯ２膜、ＳｉＯ２膜の上層にＣＶＤ法により５０ｎｍのアモルファスシリコン薄膜を形成し、続いて、上記した透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法の一例と同様に、アモルファスシリコン薄膜を汎用のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて図３（ｂ）で示す様に、ＴＦＴ、抵抗、容量等の形成に必要な領域以外のアモルファスシリコン薄膜のエッチングを行う。
なお、触媒ＣＶＤ法によるアモルファスシリコン薄膜、微結晶シリコン含有アモルファスシリコン薄膜、アモルファス含有微結晶シリコン薄膜などでもよい。
【００２９】
ここで、基板側からのハロゲン元素汚染の低減及びフッ酸系エッチング液によるガラス基板のエッチングの際に、エッチングストッパーとして絶縁膜が機能できる様に、絶縁膜は窒化系シリコン膜である方が好ましい点及びガラス基板とＳｉＮｘ膜との密着性が充分である場合には必ずしもＳｉＯ２膜を形成する必要が無い点は、上記した透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法の一例と同様である。
【００３０】
続いて、上記した透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法の一例と同様の方法で図３（ｃ）で示す様な周辺回路一体型ポリシリコンＴＦＴ基板を形成する。更に、図３（ｄ）で示す様に、ＴＦＴ基板層表面にＵＶテープを貼り合わせると共に、必要に応じてＵＶテープと保護ガラス基板を水溶性接着剤で貼り合わせた後、図４（ｅ）で示す様に、ガラス基板とガラス基板表面に形成されたＳｉＯ２膜とをフッ酸／硝酸エッチング液を用いてエッチング除去する。
【００３１】
次に、図４（ｆ）で示す様に、ＵＶ照射硬化型接着剤を用いて、その表面に１００〜２００ｎｍのＩＴＯやＩＸＯ等の透明導電性薄膜が形成された０．１〜０．５ｍｍの耐熱性及び耐湿性を有するＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリオレフィン、アクリルなどの透明樹脂支持基板に貼り合わせた後に、上記した透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法の一例と同様に、５０℃〜６０℃の温純水洗浄を行って保護ガラス基板を剥離すると共に、ＵＶ照射硬化を行いＵＶテープの剥離を行う。また、図４（ｇ）で示す様に、有機系または無機系の配向膜（１）を形成し、配向処理を施す。
【００３２】
その後、上記した透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法の一例と同様に、透明電極、有機系あるいは無機系の配向膜（２）を形成し、配向処理を施した０．１〜０．５ｍｍの耐熱性及び耐湿性を有するＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリオレフィン、アクリルなどの透明樹脂対向基板とシール剤を用いて重ね合わせた後に、図４（ｈ）中符号Ｂで示す個所より切断を行い、液晶の注入封止を行うことによって透過型あるいは半透過型液晶表示装置を得ることができる。なお、重ね合わせの際には、必要に応じてミクロパール等のスペーサーを散布することによってＴＦＴ基板層と透明樹脂対向基板との液晶間隙の調整を行う点は上記した透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法の一例を同様である。
【００３３】
なお、上記した本発明を適用した透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法では、ガラス基板をエッチング除去し、透明樹脂支持基板に貼り合わせた後に透明樹脂対向基板を重ね合わせて切断し、液晶注入封止を行っている。
これに対して、ガラス基板をエッチング除去する前に透明樹脂対向基板を重ね合わせ、その後にガラス基板のエッチング除去を行い、透明樹脂支持基板に貼り合わせて切断し、液晶注入封止を行っても良い。
更に、この時に、ガラス基板をエッチング除去する前に良品のＴＦＴチップに良品の透明樹脂対向基板チップを重ね合わせて液晶注入封止し、その後にガラス基板のエッチング除去を行い、透明樹脂支持基板に貼り合わせて切断してもよい。
更に、この時に、ガラス基板をエッチング除去する前に良品のＴＦＴチップに良品の透明樹脂対向基板チップを重ね合わせて液晶注入封止し、その後にガラス基板のエッチング除去を行い、良品のＴＦＴチップに良品の透明樹脂支持基板チップを貼り合せて切断してもよい。
【００３４】
図５及び図６は本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の更に他の一例である反射型液晶表示装置の製造方法の一例を説明するための模式的な図である。
ここで、反射型液晶表示装置の製造方法の一例では、先ず、図５（ａ）で示す様に、ＣＶＤ法、スパッタリング法または蒸着法等によって低歪点ガラス基板全面に２００〜３００ｎｍのＳｉＯ２膜、ＳｉＯ２膜の上層に５０〜１００ｎｍのＳｉＮｘ膜、ＳｉＮｘ膜の上層に２００〜３００ｎｍのＳｉＯ２膜、ＳｉＯ２膜の上層に１００〜２００ｎｍの金属薄膜例えばアルミニウム膜２１、アルミニウム膜の上層に１００〜２００ｎｍのＳｉＯ２膜、ＳｉＯ２膜の上層にＣＶＤ法により５０ｎｍのアモルファスシリコン薄膜を形成し、続いて、上記した透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法の一例及び透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法の他の一例と同様に、アモルファスシリコン薄膜を汎用のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて図５（ｂ）で示す様に、ＴＦＴ、抵抗、容量等の形成に必要な領域以外のアモルファスシリコン薄膜のエッチングを行う。
なお、触媒ＣＶＤ法によるアモルファスシリコン薄膜、微結晶シリコン含有アモルファスシリコン薄膜、アモルファスシリコン含有微結晶シリコン薄膜などでもよい。
【００３５】
ここで、ＳｉＯ２膜の上層に形成される導電性薄膜はいかなる金属薄膜であっても良く、必ずしもアルミニウム膜である必要は無く、アルミニウムーシリコン合金、ニッケル、クロム、銅、銀、銀合金でもよい。
但し、エキシマレーザー、フラッシュランプアニール等の再結晶化させる入射光を反射あるいは吸収する場合は、再結晶化に必要な入射エネルギーの最適化が必要である。
また、基板側からのハロゲン元素汚染の低減及びフッ酸／硝酸系エッチング液によるガラス基板のエッチングの際に、エッチングストッパーとして絶縁膜が機能できる様に、絶縁膜は窒化系シリコン膜である方が好ましい点、及びガラス基板とＳｉＮｘ膜及びＳｉＮｘ膜と金属薄膜との密着性が充分である場合には必ずしもＳｉＯ２膜を形成する必要が無い点は、上記した透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法の一例及び透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法の他の一例と同様である。
【００３６】
続いて、上記した透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法の一例及び透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法の他の一例と同様の方法で図５（ｃ）で示す様な周辺回路一体型のポリシリコンＴＦＴ基板を形成するが、反射型ＬＣＤの画素表示部のアルミニウム、アルミニウムーシリコン合金、銀、銀合金などの反射電極は、直視用の場合は適度な光の散乱効果を与え表示の見易さを改善する為にこの電極に適当な凹凸形状を設けておくが、プロジェクタ用の場合は高平坦性の電極形状とするのが好ましい。
【００３７】
次に、図５（ｄ）で示す様に、透明電極、有機系あるいは無機系の配向膜（２）を形成し、配向処理を施した透明樹脂対向基板とシール剤を用いて重ね合わせる。なお、重ね合わせの際には、必要に応じてミクロパール等のスペーサーを散布することによってＴＦＴ基板層と透明樹脂対向基板との液晶間隙の調整を行う点は上記した透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法の一例及び透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法の他の一例と同様である。
【００３８】
次に、透明樹脂対向基板をレーザーや超硬カッター等で切断し、単個のＬＣＤパネルにし、シール剤で囲まれた領域に液晶の注入封止を行うことによって図５（ｅ）で示す様なＬＣＤを形成する。
【００３９】
続いて、図６（ｆ）で示す様に、透明樹脂対向基板表面にＵＶテープを貼り合わせると共に、ＵＶテープと保護ガラス基板を水溶性接着剤で貼り合わせた後に、図６（ｇ）で示す様に、ガラス基板とガラス基板表面に形成されたＳｉＯ２膜とをフッ酸／硝酸系エッチング液を用いてエッチング除去する。
【００４０】
ここで、透明樹脂対向基板表面にＵＶテープを貼り合わせているのは、後述する洗浄の際のシール剤への影響を除くためであり、洗浄の際にシール剤への影響を考慮する必要が無い場合には、透明樹脂対向基板表面に直接保護ガラス基板を水溶性接着剤で貼り合わせても構わない。
【００４１】
その後、図６（ｈ）で示す様に、ＵＶ照射硬化型接着剤を用いて透明樹脂支持基板を貼り合わせた後に、５０℃〜６０℃の温純水洗浄を行って保護ガラス基板を剥離すると共に、ＵＶ照射硬化を行いＵＶテープの剥離を行い、個々のＬＣＤパネルとなる様に図６（ｉ）中符号Ｃで示す個所より透明樹脂支持基板、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮｘ膜、アルミニウム膜などをレーザーや超硬カッター等で切断することによって反射型液晶表示装置を得ることができる。
尚、前記同様に、この時に不透明樹脂支持基板の場合は低温硬化型接着剤で貼り合わせる。
【００４２】
図７及び図８は本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法のまた更に他の一例である反射型液晶表示装置の製造方法の他の一例を説明するための模式的な図である。
ここで、反射型液晶表示装置の製造方法の他の一例では、先ず、図７（ａ）で示す様に、ＣＶＤ法、スパッタリング法または蒸着法等によって低歪点ガラス基板の全面に２００〜３００ｎｍのＳｉＯ２膜、ＳｉＯ２膜の上層に５０〜１００ｎｍのＳｉＮｘ膜、ＳｉＮｘ膜の上層に２００〜３００ｎｍのＳｉＯ２膜、ＳｉＯ２膜の上層にＣＶＤ法により５０ｎｍのアモルファスシリコン薄膜を形成し、続いて、上記した反射型液晶表示装置の製造方法の一例と同様に、アモルファスシリコン薄膜を汎用のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて図７（ｂ）で示す様に、ＴＦＴ、抵抗、容量等の形成に必要な領域以外のアモルファスシリコン薄膜のエッチングを行う。
なお、触媒ＣＶＤ法によるアモルファスシリコン薄膜、微結晶シリコン含有アモルファスシリコン薄膜、アモルファスシリコン含有微結晶シリコン薄膜などでもよい。
【００４３】
ここで、基板側からのハロゲン元素汚染の低減及びフッ酸／硝酸系エッチング液によるガラス基板のエッチングの際に、エッチングストッパーとして絶縁膜が機能できる様に絶縁膜は窒化系シリコン膜である方が好ましい点、及びガラス基板とＳｉＮｘ膜との密着性が充分である場合には必ずしもＳｉＯ２膜を形成する必要が無い点は、上記した反射型液晶表示装置の製造方法の一例と同様である。
【００４４】
続いて、上記した反射型液晶表示装置の製造方法の一例と同様の方法で図７（ｃ）で示す様な周辺回路一体型ポリシリコンＴＦＴ基板を形成した後に、図７（ｄ）で示す様に、透明電極、有機系あるいは無機系の配向膜（２）を形成し、配向処理を施した透明樹脂対向基板とシール剤を用いて重ね合わせる。なお、重ね合わせの際には、必要に応じてミクロパール等のスペーサーを散布することによってＴＦＴ基板層と透明樹脂対向基板との液晶間隙の調整を行う点は上記した反射型液晶表示装置の製造方法の一例と同様である。
【００４５】
次に、透明樹脂対向基板をレーザーや超硬カッター等で切断し、単個のＬＣＤパネルにし、シール剤で囲まれた領域に液晶の注入封止を行うことによって図７（ｅ）で示す様なＬＣＤを形成する。更に、図８（ｆ）で示す様に、透明樹脂対向基板表面にＵＶテープを貼り合わせると共に、ＵＶテープと保護ガラス基板を水溶性接着剤で貼り合わせた後に、図８（ｇ）で示す様に、ガラス基板とガラス基板表面に形成されたＳｉＯ２膜とをフッ酸／硝酸系エッチング液を用いてエッチング除去する。
【００４６】
その後、図８（ｈ）で示す様に、低温硬化型接着剤２８を用いて、その表面に金属薄膜例えばアルミニウム膜が形成された樹脂支持基板に貼り合わせた後に、上記した反射型液晶表示装置の製造方法の一例と同様に、５０℃〜６０℃の温純水洗浄を行って保護ガラス基板を剥離すると共に、ＵＶ照射硬化を行いＵＶテープの剥離を行い、個々のＬＣＤパネルとなる様に図８（ｉ）中符号Ｄで示す個所より樹脂支持基板、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮｘ膜、アルミニウム膜などをレーザーや超硬カッターで切断することによって反射型液晶表示装置を得ることができる。
【００４７】
なお、上記した本発明を適用した反射型液晶表示装置の製造方法は、ガラス基板をエッチング除去する前に透明樹脂対向基板を重ね合わせ、その後にガラス基板のエッチング除去を行い、樹脂支持基板に貼り合わせて切断し、液晶注入封止を行っているが、ガラス基板をエッチング除去し、樹脂支持基板に貼り合わせた後に透明樹脂対向基板を重ね合わせて切断し、液晶注入封止を行ってもよい。
更に、この時に、ガラス基板をエッチング除去する前に良品のＴＦＴチップに良品の透明樹脂対向基板チップを重ね合わせて液晶注入封止し、その後にガラス基板のエッチング除去を行い、透明樹脂支持基板に貼り合わせて切断してもよい。
更に、この時に、ガラス基板をエッチング除去する前に良品のＴＦＴチップに良品の透明樹脂対向基板チップを重ね合わせて液晶注入封止し、その後にガラス基板のエッチング除去を行い、良品のＴＦＴチップに良品の透明樹脂支持基板チップを貼り合せて切断してもよい。
【００４８】
なお、上記では、エキシマレーザーアニールを行ってアモルファスシリコン薄膜をポリシリコン薄膜化する例を挙げて説明を行ったが、特開２００２−２５２１７４号公報に記載のフラッシュランプアニールや特開２００２−３５１６２８号公報に記載の光高調波変調レーザーアニール、更には特開２００２−２４６３１０号公報に記載の集光ランプアニール等によってポリシリコン膜あるいは単結晶シリコン膜形成しても良く、また、触媒ＣＶＤ法による特開２０００−６８５１４号公報に記載のグラフォエピタキシャル成長や特開２０００−８９２４９号公報に記載のヘテロエピタキシャル成長によって単結晶性シリコン膜を形成しても良い。
【００４９】
ここで、図９に示す様な、グラフォエピタキシャル成長による単結晶性シリコン薄膜の形成方法は、先ず、ガラス基板１全面にＳｉＯ２／ＳｉＮｘ／ＩＴＯ／ＳｉＮｘ／ＳｉＯ２から成る積層膜（１）２２を形成し、積層膜（１）の最上層ＳｉＯ２膜にＴＦＴ、Ｄｉ、抵抗、容量等の領域の凹段差２３を形成する。また、全面に低級結晶性半導体薄膜例えばアモルファスシリコン薄膜とキャップ用絶縁膜ＳｉＯ２を形成し、Ｘｅフラッシュランプアニール、または光高調波変調レーザーアニール、またはＣＷ紫外線ランプアニールなどでアモルファスシリコン薄膜を溶融させ冷却する時に、凹段差の底辺の角をシードにグラフォエピタキシャル成長によって単結晶性シリコン薄膜を形成する。なお、含有水素を脱気するために、４５０℃〜５００℃の加熱前処理を行う。
形成した単結晶性シリコン薄膜に、ＴＦＴ、ダイオード、抵抗、容量等を形成し、周辺回路一体型単結晶シリコンＴＦＴ基板層を形成する。
これ以降のプロセスは、前記の周辺回路一体型ポリシリコンＴＦＴ基板の実施例に準ずる。
【００５０】
また、図１０で示す様な、ヘテロエピタキシャル成長による単結晶性シリコン薄膜の形成方法は、ガラス基板１全面にＳｉＯ２／ＳｉＮｘ／ＩＴＯ／ＳｉＮｘ／ＳｉＯ２から成る積層膜（１）を形成し、触媒ＣＶＤ法、或いはＥＣＲ、ＩＣＰ、ヘリコン波等の高密度プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法などにより全面に結晶性サファイア薄膜２４を形成する。また、低級結晶性半導体薄膜例えばアモルファスシリコン薄膜とキャップ用絶縁膜ＳｉＯ２を形成し、ＴＦＴ、Ｄｉ，抵抗、容量領域を形成する。その後、Ｘｅフラッシュランプアニール、または光高調波変調レーザーアニール、またはＣＷ紫外線ランプアニールでアモルファスシリコン薄膜を溶融させ徐冷却する時に、結晶性サファイア薄膜をシードにヘテロエピタキシャル成長により単結晶性シリコン薄膜を形成する。なお、含有水素を脱気するために、４５０℃〜５００℃の加熱前処理を行う。
形成した単結晶性シリコン薄膜に、ＴＦＴ、ダイオード、抵抗、容量等を形成し、周辺回路一体型単結晶シリコンＴＦＴ基板層を形成する。
これ以降のプロセスは、前記の周辺回路一体型ポリシリコンＴＦＴ基板の実施例に準ずる。
【００５１】
なお、上記では、本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法として透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法及び反射型液晶表示装置の製造方法を例に挙げて説明を行っているが、電気光学表示装置としては透過型あるいは半透過型液晶表示装置や反射型液晶表示装置に限定されることは無く、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ）等であっても構わないのは勿論である。
【００５２】
有機ＥＬには上面発光型と下面発光型の２種類がある。
有機ＥＬ層には、単層型、二層型、三層型があるが、低分子化合物の三層型を示すとその構造は、陽極／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、または、陽極／ホール輸送性発光層／キャリアブロック層／電子輸送性発光層／陰極となる。
例えば、上面発光型有機ＥＬの電気光学表示素子基板の表示部は、各画素毎の電流駆動用ＴＦＴのドレインに接続されたＬｉ−ＡＬやＭｇ−Ａｇなどの陰極（金属電極）上に、各画素毎に赤、青、緑などの有機ＥＬ発光層が被着され、その上部にＩＴＯ膜などの陽極（透明電極）が形成され（必要に応じて全面に陽極が形成される。）、全面を耐湿性透明樹脂で覆っている構造となっている。
上面発光型有機ＥＬの場合は、表示用ＴＦＴのドレインに接続されたＬｉ−ＡＬやＭｇ−Ａｇなどの陰極を画素表示部に形成する。このとき、陰極が電流駆動用ＭＯＳＴＦＴ上を覆っている場合は発光面積が大きくなり、陰極が遮光膜となるため、自発光光等がＭＯＳＴＦＴに入射しない。そのため、リーク電流発生がなく、ＴＦＴ特性悪化が避けられる。
例えば図１１で示す様な上面発光型有機ＥＬ基板層の形成方法は、ガラス基板１全面に絶縁膜／導電性膜／絶縁膜から成る積層膜（２）２５を形成し、ポリシリコンＴＦＴ或いは単結晶性シリコンＴＦＴのドレインに接続されたＬｉ−ＡＬやＭｇ−Ａｇなどの陰極（金属電極）上に、各画素毎に赤、青、緑などの有機ＥＬ発光層が被着され、その上部にＩＴＯ膜などの陽極（透明電極）が形成された（必要に応じて全面に陽極が形成される）有機ＥＬ層２６の全面に耐湿性透明樹脂保護膜２７を形成することによって有機ＥＬ基板層を形成する。
その後に、表面にＵＶテープを貼り合せ、必要に応じてその上に支持基板を水溶性接着剤で貼り合せ、ガラス基板をフッ酸／硝酸系エッチング液でエッチングし、有機ＥＬ基板層に接着剤で樹脂支持基板を貼り合せ、切断してプラスティック有機ＥＬパネルを形成する。
【００５３】
一方、下面発光型有機ＥＬの電気光学表示素子基板の表示部は、各画素毎の電流駆動用ＴＦＴのソースに接続されたＩＴＯ膜などの陽極（透明電極）上に、各画素毎に赤、青、緑などの有機ＥＬ発光層が被着され、その上部にＬｉ−ＡＬやＭｇ−Ａｇなどの陰極（金属電極）が形成され（必要に応じて全面に陰極が形成される。）、さらに全面を耐湿性透明樹脂２１で覆っている構造となっている。この密封により、外部からの湿気浸入が防止でき、湿気に弱い有機ＥＬ発光層の劣化や電極酸化を防止し、長寿命、高品質、高信頼性が可能となる。
例えば図１１で示す様な下面発光型有機ＥＬ基板層の形成方法は、ガラス基板１全面に絶縁膜／導電性膜／絶縁膜から成る積層膜（２）２５を形成し、ポリシリコンＴＦＴ或いは単結晶性シリコンＴＦＴのソースに接続されたＩＴＯ膜などの陽極（透明電極）上に、各画素毎に赤、青、緑などの有機ＥＬ発光層が被着され、その上部にＬｉ−ＡＬやＭｇ−Ａｇなどの陰極（金属電極）が形成された（必要に応じて全面に陰極が形成される。）有機ＥＬ層２６及び耐湿性透明樹脂保護膜２７を形成することによって有機ＥＬ基板層を形成する。
その後に、表面にＵＶテープを貼り合せ、必要に応じてその上に支持基板を水溶性接着剤で貼り合せ、ガラス基板をフッ酸／硝酸系エッチング液でエッチングし、有機ＥＬ基板層に透明接着剤で透明樹脂支持基板を貼り合せ、切断してプラスティック有機ＥＬパネルを形成する。
尚、上記ではシリコン系半導体薄膜の実施例を述べたが、ＧａＡｓ，ＳｉＣなどの化合物半導体系薄膜でもよいことは言うまでもない。
【００５４】
【発明の効果】
上記した本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法では、ＴＦＴ基板層下全面に導電性薄膜を形成すると共に、透明樹脂対向基板に透明電極を形成することによって、周辺回路及び表示部全体が導電性膜に挟まれ、外部からの静電気ダメージや電磁波障害に強い電気光学表示装置を得ることができる。
【００５５】
また、窒化系シリコン膜がフッ酸／硝酸系エッチング液によるガラスエッチングストッパー作用をもたらすために、ガラスエッチングによるダメージを抑制でき、歩留、品質及び生産性の向上が期待できる。
【００５６】
更に、糊残りの少ない帯電防止機能を有するＵＶ照射硬化型テープで表面を保護した状態でガラス基板のエッチング除去を行うために、ガラスエッチングの際の静電気ダメージを抑制することができる。
【００５７】
また、ガラス基板がエッチングによって除去されたとしても、ＵＶテープ或いは支持基板で保持しているために、割れ、欠け、クラック等を抑制することができ、歩留、品質及び生産性の向上が期待できる。更に、ＵＶ照射により接着力を弱めた後に剥離を行うために、剥離の際の割れ、欠け、クラック等を抑制することができ、歩留、品質及び生産性の向上が期待できる。
【００５８】
また、軽量、薄型、小型、安価、静電気ダメージや電磁波障害に強い高性能、高精細、高輝度のポリシリコンＴＦＴ或いは単結晶シリコンＴＦＴ基板層を貼り合せた樹脂支持基板と、透明樹脂対向基板から構成されるプラスティックＬＣＤ或いはプラスティック有機ＥＬなどのプラスティック電気光学表示装置が実現する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の一例である透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法の一例を説明するための模式的な図（１）である。
【図２】本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の一例である透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法の一例を説明するための模式的な図（２）である。
【図３】本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の他の一例である透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法の他の一例を説明するための模式的な図（１）である。
【図４】本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の他の一例である透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法の他の一例を説明するための模式的な図（２）である。
【図５】本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の更に他の一例である反射型液晶表示装置の製造方法の一例を説明するための模式的な図（１）である。
【図６】本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の更に他の一例である反射型液晶表示装置の製造方法の一例を説明するための模式的な図（２）である。
【図７】本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法のまた更に他の一例である反射型液晶表示装置の製造方法の他の一例を説明するための模式的な図（１）である。
【図８】本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法のまた更に他の一例である反射型液晶表示装置の製造方法の他の一例を説明するための模式的な図（２）である。
【図９】グラフォエピタキシャル成長による単結晶性シリコン膜を説明するための模式的な図である。
【図１０】ヘテロエピタキシャル成長による単結晶性シリコン膜を説明するための模式的な図である。
【図１１】有機ＥＬ基板層を説明するための模式的な図である。
【符号の説明】
１    ガラス基板
２    ＳｉＯ２膜
３    ＳｉＮｘ膜
４    透明導電性薄膜
５    アモルファスシリコン薄膜
６    平坦化膜
７    透明画素電極
８    ＵＶテープ
９    保護ガラス基板
１０    水溶性接着剤
１１    ＵＶ照射硬化型接着剤
１２    透明樹脂支持基板
１３    配向膜（１）
１５    透明樹脂基板
１６    透明電極
１７    配向膜（２）
１８    透明樹脂対向基板
１９    シール剤
２０    スペーサー
２１    アルミニウム膜
２２    積層膜（１）
２３    凹段差
２４    結晶性サファイア薄膜
２５    積層膜（２）
２６    有機ＥＬ層
２７    耐湿性透明樹脂保護膜
２８    低温硬化型接着剤
【図１】
2004335927.tif 000003
【図２】
2004335927.tif 000004
【図３】
2004335927.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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