(57)【要約】【課題】フットプリントを軽減して、かつ基板を搬送する基板搬送手段を簡易に保守することができる基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】基板を搬送する、各搬送機構からの基板の受け渡しがそれぞれ行えるように、熱処理部１６Ａ，１６Ｆ、熱処理部１６Ｂ，１６Ｇ、熱処理部１６Ｃ，１６Ｈ、熱処理部１６Ｄ，１６Ｆ、および熱処理部１６Ｅ，１６Ｇを上下に階層構造でそれぞれ配設する。各搬送機構に面する定常位置Ｃから退避位置Ｄまで延在された各々のレール２７に積層された熱処理部１６Ａ〜１６Ｆを搭載し、定常位置Ｃから退避位置Ｄまで各熱処理部１６Ａ〜１６Ｆを移動することで、各搬送機構をそれぞれ保守する共通のメンテナンスゾーンを確保して、各搬送機構を簡易に保守することができる。【選択図】　　　　図９
2004015019.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置であって、
前記処理部間で基板を搬送する複数の基板搬送手段を備え、
少なくとも２つの前記基板搬送手段が同じ処理部に対して基板の受け渡しを行うことで、それらの基板搬送手段がその処理部を共用するように構成するとともに、前記共用される処理部を定常位置から退避位置にまで移動可能に構成することで、前記処理部の定常位置に設定された領域を、前記複数の基板搬送手段を保守するための共通の保守領域としたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置であって、
前記処理部間で基板を搬送する複数の基板搬送手段を上下に階層構造で配設し、
前記複数の基板搬送手段からの基板の受け渡しをそれぞれ行えるように、前記複数の処理部を上下に階層構造で配設するとともに、階層構造で配設された前記処理部を定常位置から退避位置にまで移動可能に構成することで、前記複数の処理部の定常位置に設定された領域を、前記複数の基板搬送手段を保守するための共通の保守領域としたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
前記移動可能に構成される処理部は、基板に対して熱処理を行う熱処理部であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記移動可能に構成される処理部の定常位置から退避位置まで延在する軌道を配設し、
前記処理部を前記軌道上に搭載することで、前記処理部を退避位置にまで移動可能にすることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理部を水平面内で定常位置から退避位置まで揺動可能に構成することで、前記処理部を退避位置にまで移動可能にすることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理部を定常位置から退避位置まで傾倒可能に構成することで、前記処理部を退避位置にまで移動可能にすることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板（以下、単に基板と称する）に対して処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような基板処理装置は、例えば、フォトレジスト膜を基板に塗布形成して、塗布されたその基板に対して露光処理を行い、さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ工程に用いられている。
これを図１７の平面図に示し、以下に説明する。この基板処理装置は、未処理の複数枚（例えば２５枚）の基板Ｗ、または後述する処理部１０４での処理が完了した処理済の基板Ｗが収納されるカセットＣが複数個載置されるカセット載置台１０２と、この各カセットＣの前を水平移動し、各カセットＣ・処理部１０４間で基板Ｗの受け渡しを行う搬送機構１０８ａとを備えたインデクサ１０３と、複数の処理部１０４と、複数の処理部１０４間で基板Ｗを搬送する経路である基板搬送経路１０５と、処理部１０４および外部処理装置１０７間で基板Ｗの受け渡しを中継するインターフェイス１０６とから構成されている。
【０００３】
インデクサ１０３は、カセット載置台１０２に置かれたカセットＣから未処理の基板を順に取り出して処理部１０４に払い出す一方、処理済の基板を処理部１０４から受け取って、所定のカセットＣに処理済基板を順に収納するように構成されている。
【０００４】
インターフェイス１０６は、処理部１０４と外部処理装置１０７とを連結する。基板処理装置が、上述したレジスト塗布および現像処理を行う装置の場合、この外部処理装置１０７は、基板Ｗの露光処理を行う露光装置となる。
【０００５】
また、基板搬送経路１０５上を搬送する搬送機構１０８ｂと、インターフェイス１０６の搬送経路上を搬送する搬送機構１０８ｃとがそれぞれ配設されている。その他に、インデクサ１０３と基板搬送経路１０５との連結部には載置台１０９ａ、基板搬送経路１０５とインターフェイス１０６との連結部には載置台１０９ｂがそれぞれ配設されている。
【０００６】
上述した基板処理装置において、以下の手順で基板処理が行われる。未処理の基板Ｗを収納したカセットＣをカセット載置台１０２に載置して、このカセットＣから１枚の基板を搬送機構１０８ａが取り出して、搬送機構１０８ｂに基板Ｗを渡すために、載置台１０９ａまで搬送する。搬送機構１０８ｂは、載置台１０９ａに載置された基板Ｗを受け取った後、各処理部１０４内で所定の処理（例えば、レジスト塗布などの処理）をそれぞれ行うために、それらの処理部１０４に基板Ｗをそれぞれ搬入する。所定の各処理がそれぞれ終了すると、搬送機構１０８ｂはそれらの処理部１０４から基板Ｗをそれぞれ搬出して、次の処理を行うために別の処理部１０４に基板Ｗを搬入する。
【０００７】
露光前の一連の処理が終了すると、搬送機構１０８ｂは、搬送機構１０８ｃに基板Ｗを渡すために、載置部１０９ｂまで搬送する。搬送機構１０８ｃは、載置台１０９ｂに載置された基板Ｗを受け取った後、外部処理装置１０７まで搬送する。外部処理装置１０７に搬入して、所定の処理（例えば、露光処理などの処理）が終了すると、搬送機構１０８ｃは外部処理装置１０９から基板Ｗを搬出して、載置部１０９ｂまで搬送する。後は、搬送機構１０８ｂによって各処理部１０４に基板Ｗが搬送され、露光後の一連の基板処理（例えば、加熱処理、冷却処理、現像処理）が行われ、カセット載置台１０２に置かれた所定のカセットＣに処理済基板を順に収納して、一連の基板処理が終了する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の基板処理装置では、装置の複雑化に伴って上述した搬送機構のような基板搬送手段が保守し難くなる問題がある。
【０００９】
つまり、従来の基板処理装置では、図１７に示すように搬送機構１０８ｂが各処理部１０４に沿うように基板搬送経路１０５上に配設されているので、各処理部１０４が邪魔になって保守し難くなる。たしかに、図１８（ａ），あるいは図１８（ｂ）に示すように、基板搬送経路１０５を装置の側面に沿わせて配設することで、搬送機構１０８ｂを保守することも考えられる。その一方で、基板処理を効率良く、かつ大量の基板について処理を行うためには装置が複雑化してしまう。従って、図１８に示すような基板処理装置を実現しようとすると基板搬送経路が長大化してしまい、装置を設置する床面積（フットプリント）を軽減することができない。
【００１０】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、フットプリントを軽減して、かつ基板を搬送する基板搬送手段を簡易に保守することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置であって、前記処理部間で基板を搬送する複数の基板搬送手段を備え、少なくとも２つの前記基板搬送手段が同じ処理部に対して基板の受け渡しを行うことで、それらの基板搬送手段がその処理部を共用するように構成するとともに、前記共用される処理部を定常位置から退避位置にまで移動可能に構成することで、前記処理部の定常位置に設定された領域を、前記複数の基板搬送手段を保守するための共通の保守領域としたことを特徴とするものである。
【００１２】
〔作用・効果〕請求項１に記載の発明によれば、少なくとも２つの基板搬送手段が同じ処理部に対して基板の受け渡しを行うことで、それらの基板搬送手段がその処理部を共用するように構成する。そして、共用される処理部を定常位置から退避位置にまで移動可能に構成することで、その処理部の定常位置に設定された領域を、それらの基板搬送手段を保守するための共通の保守領域とする。このように構成することで、共用される処理部を定常位置から退避位置にまで移動するだけで、上述した共通の保守領域を確保することができ、その結果、共用する各基板搬送機構をそれぞれ簡易に保守することができる。また、それらの基板搬送手段が処理部を共用するように構成しているので、基板を搬送する経路である基板搬送経路などの長大化などを行わずに、装置を設置する床面積（フットプリント）を軽減することもできる。
【００１３】
また、請求項２に記載の発明は、基板処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置であって、前記処理部間で基板を搬送する複数の基板搬送手段を上下に階層構造で配設し、前記複数の基板搬送手段からの基板の受け渡しをそれぞれ行えるように、前記複数の処理部を上下に階層構造で配設するとともに、階層構造で配設された前記処理部を定常位置から退避位置にまで移動可能に構成することで、前記複数の処理部の定常位置に設定された領域を、前記複数の基板搬送手段を保守するための共通の保守領域としたことを特徴とするものである。
【００１４】
〔作用・効果〕請求項２に記載の発明によれば、複数の基板搬送手段を上下に階層構造で配設し、それらの基板搬送手段からの基板の受け渡しをそれぞれ行えるように、複数の処理部を上下に階層構造で配設する。そして、それらの処理部を定常位置から退避位置にまで移動可能に構成することで、それらの処理部の定常位置に設定された領域を、それらの基板搬送手段を保守するための共通の保守領域とする。このように構成することで、階層構造の処理部を定常位置から退避位置にまで移動するだけで、上述した共通の保守領域を確保することができ、その結果、上下に階層構造で配設された各基板搬送機構をそれぞれ簡易に保守することができる。また、それらの基板搬送手段からの基板の受け渡しをそれぞれ行えるように、上下に階層構造で処理部を配設しているので、基板を搬送する経路である基板搬送経路などの長大化などを行わずに、フットプリントを軽減することもできる。
【００１５】
このような請求項１または請求項２に記載の発明に係る基板処理装置の場合において、下記のように構成するのが好ましい。すなわち、移動可能に構成される処理部は、基板に対して熱処理を行う熱処理部であるのが好ましい（請求項３に記載の発明）。この場合、処理部は熱処理部で構成されているので、基板を処理するための処理液などの液体が収納されていない熱処理部において、熱処理部を退避位置にまで容易に移動させることができる。もちろん、液体が収納されているような処理部についても本発明を適用することができるし、液体窒素等の冷媒によって基板に対して熱処理を行う熱処理についても本発明を適用することができる。
【００１６】
また、移動可能に構成される処理部を移動させる手法については、例えば移動可能に構成される処理部の定常位置から退避位置まで延在する軌道を配設し、処理部を軌道上に移動可能に搭載することで、処理部を退避位置にまで移動可能にする手法（請求項４に記載の発明）や、処理部を水平面内で定常位置から退避位置まで移動可能に構成することで、処理部を退避位置にまで移動可能にする手法（請求項５に記載の発明）や、処理部を定常位置から退避位置まで傾倒可能に構成することで、処理部を退避位置にまで移動可能にする手法（請求項６に記載の発明）などが挙げられる。いずれの手法においても、処理部を退避位置にまで移動することで、基板搬送手段を簡易に保守することができる。
【００１７】
本発明は、次のような課題解決手段も開示している。
【００１８】
（１）基板処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置であって、前記処理部間で基板を搬送する複数の基板搬送手段を備え、少なくとも２つの前記基板搬送手段が同じ処理部に対して基板の受け渡しを行うことで、それらの基板搬送手段がその処理部を共用するように構成するとともに、前記複数の基板搬送手段からの受け渡し方向以外の方向に退避させるように、前記共用される処理部を構成することで、前記処理部の受渡位置に設定された領域を、前記各基板搬送手段を保守するための共通の保守領域としたことを特徴とする基板処理装置。
【００１９】
前記（１）の発明によれば、複数の基板搬送手段からの受け渡し方向以外の方向に退避させるように、共用される処理部を構成することで、その処理部の受渡位置に設定された領域を、それらの基板搬送手段を保守するための共通の保守領域とする。このように構成することで、共用される処理部を受け渡し方向以外の方向に退避させるだけで、上述した共通の保守領域を確保することができ、その結果、共用する各基板搬送機構をそれぞれ簡易に保守することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す斜視図であり、図２は、基板処理装置の１階を平面視したときのブロック図であり、図３は、基板処理装置の２階を平面視したときのブロック図である。なお、紙面の都合上、図１では基板を多段に収納したカセットを載置するカセット載置台の図示を省略する。また、図２，図３については、後述する上下に階層構造で配設された熱処理部やインターフェイス用載置台などについては展開平面図で表す。なお、説明の都合上、図２，図３の各図に記載した後述するインデクサやインターフェイスは、本実施例装置にそれぞれが１つ備えられたものであり、各階に設けられたものでないことに留意されたい。また、本実施例では、フォトリソグラフィ工程において基板を回転させながらレジスト塗布を行うスピンコータ、およびレジスト塗布されて、さらに露光処理が行われた基板を回転させながら現像処理を行うスピンデベロッパを例に採って、基板処理を説明する。
【００２１】
本実施例に係る基板処理装置は、図１〜図３に示すように、インデクサ１とプロセスユニット３とインターフェイス４とから構成されている。本実施例の場合には、インターフェイス４は、レジスト塗布および現像処理などを行うプロセスユニット３と、基板の露光処理を行う外部処理装置としての露光装置（例えば、ステップ露光を行うステッパなど）とを連結する。
【００２２】
次に、インデクサ１の具体的構成について説明する。インデクサ１は、図１〜図３に示すように、カセット載置台２とインデクサ用搬送経路７とインデクサ用搬送機構８とから構成されている。カセット載置台２は、複数枚（例えば２５枚）の未処理の基板Ｗまたは処理済の基板Ｗを収納したカセットＣが複数個（図２，図３では４個）載置可能に構成されている。また、搬送経路７は、複数個のカセットＣが載置されるカセット載置台２に沿って水平方向に形成されている。搬送機構８は、昇降移動および搬送経路７上を水平移動することで、カセット載置台２上のカセットＣとプロセスユニット３との間で基板Ｗの受け渡しを行うことができるように構成されている。さらに具体的に説明すると、搬送機構８は、カセット載置台２に載置されたカセットＣから未処理の基板Ｗを順に取り出してプロセスユニット３に払い出す一方、処理済の基板Ｗをプロセスユニット３から受け取って、カセット載置台６に置かれた所定のカセットＣに処理済の基板Ｗを順に収納する。
【００２３】
次に、インデクサ用搬送機構８の具体的構成について、図４を参照して説明する。搬送機構８は、図４（ａ）の平面図、および図４（ｂ）の右側面図に示すように、インデクサ用搬送経路７の方向（ｙ方向）である矢印ＲＡの方向にアーム基台８ａを水平移動させるｙ軸移動機構８ｂと、矢印ＲＢの方向（ｚ方向）にアーム基台８ａを昇降移動させるｚ軸昇降機構８ｃと、ｚ軸周り（矢印ＲＣの方向）にアーム基台８ａを回転させる回転駆動機構８ｄとを備えている。このアーム基台８ａには基板Ｗを保持するアーム８ｅが備えられており、このアーム８ｅは、回転半径方向（矢印ＲＤの方向）に進退移動可能に構成されている。
【００２４】
ｙ軸移動機構８ｂは、図４（ａ）に示すように、螺軸８ｆと、この螺軸８ｆを軸心周りに回転させるモータ８ｇとを備えており、この螺軸８ｆには上述したｚ軸昇降機構８ｃの基部が螺合されている。モータ８ｇの回転によって、螺軸８ｆに取り付けられたｚ軸昇降機構８ｃが水平方向に移動する。
【００２５】
ｚ軸昇降機構８ｃは、図４（ｂ）に示すように、ｙ軸移動機構８ｂと同じく、螺軸８ｈと、この螺軸８ｈを軸心周りに回転させるモータ８ｉとを備えており、この螺軸８ｈには上述した回転駆動機構８ｄの基部が螺合されている。モータ８ｉの回転によって、螺軸８ｈに取り付けられた回転駆動機構８ｄが昇降移動する。
【００２６】
回転駆動機構８ｄは、図４（ｂ）に示すように、上述したアーム基台８ａと、このアーム基台８ａを軸心周りに回転させるモータ８ｊと、アーム基台８ａとモータ８ｊとを支持する支持部材８ｋとを備えている。モータ８ｊの回転によって、アーム基台８ａがアーム８ｅとともに水平面内で回転する。
【００２７】
このように構成されることで、アーム基台８ａのアーム８ｅに保持された基板Ｗは、カセット載置台２に沿った水平移動，昇降移動，水平面内の回転移動，水平面内の進退移動がそれぞれ可能となる。
【００２８】
図１〜図３に戻って、プロセスユニット３の具体的構成について説明する。プロセスユニット３は、図２，図３に示すように、インデクサ１側から順に配置された第１の処理ユニット９，第２の処理ユニット１０，第３の処理ユニット１１から構成されている。
【００２９】
また、上述した第１〜第３の処理ユニット９〜１１は、１階から２階にわたって貫くようにそれぞれ配置されている。第１の処理ユニット９の１階には、図２に示すように、基板Ｗ上に形成されたフォトレジスト膜からの光の反射を防止するために下地用の反射防止膜（Ｂｏｔｔｏｍ　Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ　Ｃｏａｔｉｎｇ）を基板Ｗに塗布形成するスピンコータ（Ｓｐｉｎ　Ｃｏａｔｅｒ）（図２中に符号『ＳＣ』で示す）や熱処理部などを含む反射防止膜形成用セル１２が配設されている。第２の処理ユニット１０の１階には、基板Ｗを回転させながらフォトレジスト膜を基板Ｗに塗布形成するスピンコータや熱処理部などを含むレジスト膜形成用セル１３が配設されている。第３の処理ユニット１１の１階には露光処理後の基板Ｗを加熱する（Ｐｏｓｔ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｂａｋｅ）（図３中に符号『ＰＥＢ』で示す）ための露光後加熱用セル１４が配設されている。
【００３０】
一方、第１の処理ユニット９の２階には、図３に示すように、露光処理後の基板Ｗを回転させながら現像処理を行うスピンデベロッパ（Ｓｐｉｎ　Ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ）（図３中に符号『ＳＤ』で示す）や熱処理部などを含む現像用セル１５Ａが配設されている。第２の処理ユニット１０の２階には、第１の処理ユニット９と同様の現像用セル１５Ｂが配設されている。第３の処理ユニット１１の２階には、同ユニット１１の１階と同様の露光後加熱用セル１４が配設されている。
【００３１】
以上のように、反射防止膜形成用セル１２とインデクサ１側にある現像用セル１５Ａとで第１の処理ユニット９を、レジスト膜形成用セル１３とインターフェイス４側にある現像用セル１５Ｂとで第２の処理ユニット１０を、１階および２階に設けられた２つの露光後加熱用セル１４で第３の処理ユニット１１を、それぞれ構成している。
【００３２】
次に、反射防止膜形成用セル１２の具体的構成について説明する。反射防止膜形成用セル１２は、図２に示すように、３つの熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃと、これらの熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ間で基板Ｗの受け渡しを行う熱処理部用搬送機構１７と、反射防止膜を基板Ｗにそれぞれ塗布する２つのスピンコータＳＣと、熱処理部１６Ａおよび２つのスピンコータＳＣ間で基板Ｗの受け渡しを行う反射防止膜形成処理用搬送機構１８とから構成されている。
【００３３】
３つの熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃは、図２に示すように、熱処理部用搬送機構１７に対向するように、その周囲の３箇所に配設されており、各々の熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃは上下に階層構造でそれぞれ配設されている。
【００３４】
インデクサ１に隣接して配設されている熱処理部１６Ａは、加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つための２つの冷却部（図２，図３中に符号『ＣＰ』で示す），基板Ｗとフォトレジスト膜との密着性を向上させるための処理を行う４つのアドヒージョン（Ａｄｈｅｓｉｏｎ）処理部（図２，図３中に符号『ＡＨＬ』で示す），熱処理を行わずに基板Ｗを載置して基板Ｗを受け渡すための基板載置部（図２，図３中に符号『Ｐａｓｓ』で示す）を下から順に積層することで構成されている。なお、アドヒージョン処理では、ＨＭＤＳ〔（ＣＨ３）３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ３）３〕を蒸気状にしてレジスト塗布前の基板Ｗを処理する。
【００３５】
この熱処理部１６Ａは、基板載置部Ｐａｓｓ、アドヒージョン処理部ＡＨＬ、冷却部ＣＰを使って、インデクサ１にあるインデクサ用搬送機構８と、熱処理部用搬送機構１７と、反射防止膜形成処理用搬送機構１８との間で基板Ｗを受け渡す機能をも備えている。すなわち、インデクサ用搬送機構８と熱処理部用搬送機構１７とは、基板載置部Ｐａｓｓを介して受け渡しを行う構成となっており、基板載置部Ｐａｓｓには、インデクサ用搬送機構８と熱処理部用搬送機構１７とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入することができるように開口部１６ａが形成されている（図９参照）。また、熱処理部用搬送機構１７と反射防止膜形成処理用搬送機構１８とは、冷却部ＣＰを介して受け渡しを行う構成となっており、冷却部ＣＰには、熱処理部用搬送機構１７と反射防止膜形成処理用搬送機構１８とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入することができるように開口部１６ａが形成されている（図９参照）。なお、アドヒージョン処理部ＡＨＬは、熱処理部用搬送機構１７としか基板Ｗの受け渡しを行わないので、熱処理部用搬送機構１７が進入することができるように熱処理部用搬送機構１７に対峙した面にのみ開口部１６ａが形成されている（図９参照）。
【００３６】
熱処理部１６Ｂには、熱処理部用搬送機構１７に面して開口部１６ａ（図１，図９参照）が、それぞれ各層に設けられている。そして、熱処理部用搬送機構１７は、この開口部１６ａを介して、熱処理部１６Ｂに基板Ｗを搬入して、熱処理部１６Ｂから基板Ｗを搬出する。また、基板Ｗを加熱するための７つの加熱部（図２，図３中に符号『ＨＰ』で示す）を下から順に積層することで、熱処理部１６Ｂは構成されている。
【００３７】
熱処理部１６Ｃは、反射防止膜形成用セル１２とレジスト膜形成用セル１３とにまたがって配設されている。このように配設されることで、反射防止膜形成用セル１２以外にレジスト膜形成用セル１３も、この熱処理部１６Ｃを共用している。この熱処理部１６Ｃは、熱処理部１６Ａと同様の３つの冷却部ＣＰ，熱処理部１６Ｂと同様の３つの加熱部ＨＰ，熱処理部１６Ａと同様の基板載置部Ｐａｓｓを下から順に積層することで構成されている。
【００３８】
このうち、本実施形態の構成においては、３つのＣＰは、必要に応じて反射防止膜形成用セル１２用として用いられ、３つの加熱部ＨＰは、レジスト膜形成用セル１３用として用いられる。この熱処理部１６Ｃの基板載置部Ｐａｓｓには、熱処理部用搬送機構１７と後述するレジスト膜形成用セル１３内に配置された熱処理部用搬送機構１９との間で基板Ｗの受け渡しが可能なように、それぞれ熱処理部用搬送機構１７および熱処理部用搬送機構１９に対峙した面にのみ開口部１６ａが形成されている（図９参照）。熱処理部１６Ｃを構成する３つの冷却部ＣＰには、熱処理部用搬送機構１７のみ基板Ｗの受け渡しが可能なように、熱処理部用搬送機構１７に対峙する面にのみ開口部１６ａが形成されている。同様に、熱処理部１６Ｃを構成する３つの加熱部ＨＰには、熱処理部用搬送機構１９のみ基板Ｗの受け渡しが可能なように、熱処理部用搬送機構１９に対峙する面にのみ開口部１６ａが形成されている。
【００３９】
反射防止膜形成用セル１２内のスピンコータＳＣは、上述したように基板Ｗを回転させながら反射防止膜形成処理を行うように構成されている。詳述すると、基板Ｗを保持して水平面内に回転させるスピンチャック，反射防止液を吐出するノズルなどから構成されている。このスピンチャックに保持されて回転している基板Ｗの中心に向けてノズルから反射防止液を吐出することで、基板Ｗの遠心力により反射防止膜が基板Ｗの中心から全面にわたって塗布形成される。
【００４０】
熱処理部用搬送機構１７と反射防止膜形成処理用搬送機構１８と、後述する熱処理部用搬送機構１９とレジスト膜形成処理用搬送機構２０とエッジ露光用搬送機構２１と熱処理部用搬送機構２３と現像用搬送機構２４とは同じ構成からなる。これらの搬送機構の具体的構成については後で説明する。
【００４１】
次に、レジスト膜形成用セル１３の具体的構成について説明する。レジスト膜形成用セル１３は、図２に示すように、反射防止膜形成用セル１２と同じく、３つの熱処理部１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅと、これらの熱処理部１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅ間で基板Ｗの受け渡しを行う熱処理部用搬送機構１９と、フォトレジスト液を基板Ｗにそれぞれ塗布する２つのスピンコータＳＣと、熱処理部１６Ｄおよび２つのスピンコータＳＣ間で基板Ｗの受け渡しを行うレジスト膜形成処理用搬送機構２０とから構成されている。
【００４２】
反射防止膜形成用セル１２と同じく、３つの熱処理部１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅは、図２に示すように、熱処理部用搬送機構１９に対向するように、その周囲の３箇所に配設されており、各々の熱処理部１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅは上下に階層構造でそれぞれ配設されている。
【００４３】
第３の処理ユニット１１に隣接して配設されている熱処理部１６Ｄは、６つの冷却部ＣＰ，基板載置部Ｐａｓｓを下から順に積層することで構成されている。
【００４４】
この熱処理部１６Ｄは、基板載置部Ｐａｓｓを通じて、熱処理部用搬送機構１９と後述する露光後加熱用セル１４内に配置されたエッジ露光用搬送機構２１との間で基板Ｗの受け渡しを行う機能をも備えている。すなわち、熱処理部用搬送機構１９とエッジ露光用搬送機構２１とは、基板載置部Ｐａｓｓを介して受け渡しを行う構成となっており、基板載置部Ｐａｓｓには、熱処理部用搬送機構１９とエッジ露光用搬送機構２１とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入することができるように開口部１６ａが形成されている（図９参照）。また、６つの冷却部ＣＰには、それぞれ熱処理部用搬送機構１９とレジスト膜形成処理用搬送機構２０とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入することができるように開口部１６ａが形成されている（図１，図９参照）。
【００４５】
熱処理部１６Ｅには、熱処理部用搬送機構１７に面して開口部１６ａ（図１，図９参照）が、それぞれ各層に設けられている。そして、熱処理部用搬送機構１９は、この開口部１６ａを介して、熱処理部１６Ｅに基板Ｗを搬入して、熱処理部１６Ｅから基板Ｗを搬出する。反射防止膜形成用セル１２内の熱処理部１６Ｂとほぼ同じような構成で、４つの冷却部ＣＰ，３つの加熱部ＨＰを下から順に積層することで、熱処理部１６Ｅは構成されている。
【００４６】
上述したように熱処理部１６Ｃは、反射防止膜形成用セル１２とレジスト膜形成用セル１３とにまたがって配設されており、レジスト膜形成用セル１３以外に反射防止膜形成用セル１２も、この熱処理部１６Ｃを共用している。つまり、熱処理部１６Ｃは反射防止膜形成用セル１２内の熱処理部１６Ｃでもある。熱処理部１６Ｃの構成については説明を省略する。
【００４７】
レジスト膜形成用セル１３内のスピンコータＳＣは、フォトレジスト液を吐出してフォトレジスト膜を塗布形成する以外には、反射防止膜形成用セル１２内のスピンコータＳＣと同様の構成をしているので、レジスト膜形成用セル１３内のスピンコータＳＣの説明を省略する。
【００４８】
次に、１階部分の露光後加熱用セル１４の具体的構成について説明する。露光後加熱用セル１４の１階部分は、図２に示すように、露光処理前に基板Ｗの端縁（エッジ）部分を露光するエッジ露光処理（Ｅｄｇｅ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｕｎｉｔ）をそれぞれ行うための２つのエッジ露光部（図２中に符号『ＥＥ』で示す）と、熱処理部１６Ｄ，２つのエッジ露光部ＥＥ，およびインターフェイス４内の後述するインターフェイス用載置台３０間で基板Ｗの受け渡しを行うエッジ露光用搬送機構２１とから構成されている。
【００４９】
２つのエッジ露光部ＥＥは、図２に示すような位置で、それぞれが互いに上下に積層された状態で配設されている。他の熱処理部１６と同様に、各エッジ露光部ＥＥには、エッジ露光用搬送機構２１に面して開口部１６ａ（図１，図９参照）がそれぞれ設けられている。そして、エッジ露光用搬送機構２１は、この開口部１６ａを介して、エッジ露光部ＥＥに基板Ｗを搬入して、エッジ露光部ＥＥから基板Ｗを搬出する。
【００５０】
次に、２階部分の露光後加熱用セル１４の具体的構成について説明する。露光後加熱用セル１４の２階部分は、図３に示すように、露光処理後の基板Ｗをそれぞれ加熱する８つの露光後加熱部（図３中に符号『ＰＥＢ』で示す）と、４つの冷却部ＣＰと、これらの露光後加熱部ＰＥＢ，冷却部ＣＰ，インターフェイス４内の後述するインターフェイス用載置台３０，および現像用セル１５Ｂ内の後述する熱処理部１６Ｆ間で基板Ｗの受け渡しを行う露光後加熱用搬送機構２２とから構成されている。
【００５１】
８つの露光後加熱部ＰＥＢ，４つの冷却部ＣＰのうち、それぞれ半数（２つの冷却部ＣＰ，４つの露光後加熱部ＰＥＢ）が下から順に積層された状態で、図３に示すように、露光後加熱用搬送機構２２に対向するように、それぞれが配設されている。各露光後加熱部ＰＥＢ，冷却部ＣＰには、露光後加熱用搬送機構２２に面して開口部１６ａ（図１，図９参照）がそれぞれ設けられている。そして、露光後加熱用搬送機構２２は、この開口部１６ａを介して、各露光後加熱部ＰＥＢ，冷却部ＣＰに基板Ｗを搬入して、各露光後加熱部ＰＥＢ，冷却部ＣＰから基板Ｗを搬出する。露光後加熱用搬送機構２２の具体的構成についても後で説明する。
【００５２】
次に、現像用セル１５（１５Ａ，１５Ｂ）の具体的構成について説明する。現像用セル１５のうち、インターフェイス４側にある現像用セル１５Ｂは、図３に示すように、３つの処理部１６Ｆ、１６Ｇ，１６Ｈと、これらの熱処理部１６Ｆ，１６Ｇ，１６Ｈ間で基板Ｗの受け渡しを行う熱処理部用搬送機構２３と、露光処理後の基板Ｗを回転させながら現像処理をそれぞれ行う２つのスピンデベロッパＳＤと、熱処理部１６Ｆおよび２つのスピンデベロッパＳＤ間で基板Ｗの受け渡しを行う現像用搬送機構２４とから構成されている。
【００５３】
３つの熱処理部１６Ｆ，１６Ｇ，１６Ｈは、図３に示すように、熱処理部用搬送機構２３に対向するように、その周囲の３箇所に配設されており、熱処理部１６Ｆ，１６Ｇは上下に階層構造でそれぞれ配設されている。
【００５４】
第３の処理ユニット１１に隣接、すなわちインターフェイス４側に配設されている熱処理部１６Ｆは、４つの冷却部ＣＰ，基板載置部Ｐａｓｓを下から順に積層することで構成されている。
【００５５】
この熱処理部１６Ｆは、基板載置部Ｐａｓｓを通じて、熱処理部用搬送機構２３と露光後加熱用搬送機構２２との間で基板Ｗを受け渡す機能をも備えている。すなわち、熱処理部用搬送機構２３と露光後加熱用搬送機構２２とは、基板載置部Ｐａｓｓを介して受け渡しを行う構成となっており、基板載置部Ｐａｓｓには、熱処理部用搬送機構２３と露光後加熱用搬送機構２２とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入することができるように開口部１６ａが形成されている（図１，図９参照）。また、４つのＣＰには、それぞれ熱処理部用搬送機構２３と現像用搬送機構２４とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入することができるように開口部１６ａが形成されている（図１，図９参照）。
【００５６】
熱処理部１６Ｇには、熱処理部用搬送機構２３に面して開口部１６ａ（図１，図９参照）が、それぞれ各層に設けられている。そして、熱処理部用搬送機構２３は、この開口部１６ａを介して、熱処理部１６Ｇに基板Ｗを搬入して、熱処理部１６Ｇから基板Ｗを搬出する。また、２つの冷却部ＣＰ，３つの加熱部ＨＰを下から順に積層することで、熱処理部１６Ｇは構成されている。
【００５７】
熱処理部１６Ｈは、現像用セル１５Ａ，１５Ｂにまたがって配設されている。このように配設されることで、現像用セル１５Ｂ以外に現像用セル１５Ａも、この熱処理部１６Ｈを共用している。この熱処理部１６Ｈは、２つの冷却部ＣＰ，２つの加熱部ＨＰ，１つの基板載置部Ｐａｓｓを下から順に積層することで構成されている。
【００５８】
このうち、本実施形態の構成においては、下から２段目の冷却部ＣＰと下から４段目の加熱部ＨＰとは、現像用セル１５Ｂ用として用いられ、下から１段目の冷却部ＣＰと下から３段目の加熱部ＨＰとは、現像用セル１５Ａ用として用いられる。この熱処理部１６Ｈの基板載置部Ｐａｓｓには、熱処理部用搬送機構２３と後述する現像用セル１５Ａ内に配置される熱処理部用搬送機構２３との間で基板Ｗの受け渡しが可能なように、それぞれ熱処理部用搬送機構２３，熱処理部用搬送機構２３に対峙した面にのみ開口部１６ａが形成されている（図１，図９参照）。熱処理部１６Ｈを構成する現像用セル１５Ｂとして用いられる冷却部ＣＰと加熱部ＨＰには、現像用セル１５Ｂ内に配置された熱処理部用搬送機構２３のみ基板Ｗの受け渡しが可能なように、熱処理部用搬送機構２３に対峙する面にのみ開口部１６ａが形成されている。同様に、熱処理部１６Ｈを構成する現像用セル１５Ａ用として用いられる冷却部ＣＰと加熱部ＨＰには、現像用セル１５Ａ内に配置された熱処理部用搬送機構２３のみ基板Ｗの受け渡しが可能なように、熱処理部用搬送機構２３に対峙する面にのみ開口部１６ａが形成されている。
【００５９】
インデクサ１側にある現像用セル１５Ａは、それぞれの構成が現像用セル１５Ｂに対して左右逆（ｙｚ平面に対して左右対称）に配設されている以外には、インターフェイス４側にある現像用セル１５Ｂと同様の構成をしているので、現像用セル１５Ａの説明を省略する。なお、現像用セル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆは、冷却部ＣＰにおいて、熱処理部用搬送機構２３と現像用搬送機構２４との間で基板Ｗを受け渡す機能を有するとともに、基板載置部Ｐａｓｓにおいて熱処理部用搬送機構２３とインデクサ用搬送機構８との間で基板Ｗを受け渡す機能をも果たす。すなわち、熱処理部１６Ｆの冷却部ＣＰは、熱処理部用搬送機構２３と現像用搬送機構２４とに対峙する面にのみ開口部１６ａが形成され、基板載置部Ｐａｓｓには、熱処理部用搬送機構２３とインデクサ用搬送機構８とに対峙する面にのみ開口部１６ａが形成されている。また、２つの現像用セル１５（現像用セル１５Ａ，１５Ｂ）を設けた理由は、一方の現像用セル１５内にある２つのスピンデベロッパＳＤで基板Ｗがともに処理されているときに、露光後加熱処理後の別の基板Ｗを他方の現像用セル１５内にあるスピンデベロッパＳＤで処理するためである。
【００６０】
このように、プロセスユニット３は、反射防止膜形成用セル１２と現像用セル１５Ａとからなる第１の処理ユニット９、レジスト膜形成用セル１３と現像用セル１５Ｂとからなる第２の処理ユニット１０、２階部分の露光後加熱用セル１４と１階部分の露光後加熱用セル１４とからなる第３の処理ユニット１１から構成されている。
【００６１】
そして、１階部分に関しては、熱処理部用搬送機構１７と熱処理部用搬送機構１９とが、熱処理部１６（１６Ａ〜１６Ｇ）のうち、熱処理部１６Ｃに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構１７，１９がその熱処理部１６Ｃを共用し、熱処理部用搬送機構１７と反射防止膜形成処理用搬送機構１８とが、熱処理部１６Ａに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構１７，１８がその熱処理部１６Ａを共用し、熱処理部用搬送機構１９とレジスト膜形成処理用搬送機構２０とエッジ露光用搬送機構２１とが、熱処理部１６Ｄに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構１９，２０，２１がその熱処理部１６Ｄを共用する。つまり、これらの熱処理部１６Ａ，１６Ｃ，１６Ｄを介在させて、これらの搬送機構１７〜２１を並べて配設することで、各熱処理部１６・スピンコータＳＣ間で基板Ｗを搬送する経路である処理部搬送経路２５を構成している。また、処理部搬送経路２５は、図２中の矢印の方向で基板Ｗが受け渡されて搬送される。
【００６２】
２階部分に関しては、現像用セル１５Ａ、および現像用セル１５Ｂの各々の熱処理部用搬送機構２３が、熱処理部１６（１６Ａ〜１６Ｇ）のうち、熱処理部１６Ｈに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構２３がその熱処理部１６Ｈを共用し、露光後加熱用搬送機構２２と現像用セル１５Ｂ内の熱処理部用搬送機構２３と現像用セル１５Ｂ内の現像用搬送機構２４とが、現像用セル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｆに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構２２〜２４がその熱処理部１６Ｆを共用し、現像用セル１５Ａ内の熱処理部用搬送機構２３と現像用セル１５Ａ内の現像用搬送機構２４とが、現像用セル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構２３，２４がその熱処理部１６Ｆを共用する。つまり、これらの熱処理部１６Ｆ，１６Ｈを介在させて、これらの搬送機構２２〜２４を並べて配設することで、各熱処理部１６・スピンデベロッパＳＤ間で基板Ｗを搬送する経路である処理部搬送経路２６を構成している。また、処理部搬送経路２６は、図３中の矢印の方向で基板Ｗが受け渡されて搬送される。
【００６３】
つまり、処理部搬送経路２５，２６が、上下に２階の階層構造で配設されていることになる。また、１階の処理部搬送経路２５および２階の処理部搬送経路２６の一端側（図２，図３では左側）が、インデクサ１にそれぞれ連結されている。また、１階の処理部搬送経路２５および２階の処理部搬送経路２６の他端側（図２，図３では右側）が、インターフェイス４にそれぞれ連結されている。これらの処理部搬送経路２５，２６は、基板の搬送方向が互いに逆方向に設定されることにより、処理部搬送経路２５は、基板Ｗが順方向（本実施例では、インデクサ１から出て行く方向）に搬送される行き専用経路を構成し、処理部搬送経路２６は、基板Ｗが逆方向（本実施例では、インデクサ１に戻って行く方向）に搬送される帰り専用経路を構成している。
【００６４】
次に、搬送機構１７〜２１，２３，２４の具体的構成について、図５〜図７を参照して説明する。なお、上述したように、これらの搬送機構は同じ構成からなるので、熱処理部用搬送機構１７のみについて説明する。熱処理部用搬送機構１７は、図５（ａ）の平面図、および図５（ｂ）の右側面図に示すように、ｚ軸周り（矢印ＲＥの方向）にアーム基台１７ａを回転させる回転駆動機構１７ｂと、アーム基台１７ａを矢印ＲＦの方向（ｚ方向）に昇降移動させるｚ軸昇降機構１７ｃとを備えている。このアーム基台１７ａには基板Ｗを保持するアーム１７ｄが備えられており、このアーム１７ｄは、回転半径方向（矢印ＲＧの方向）に進退移動可能に構成されている。
【００６５】
インデクサ用搬送機構８の回転駆動機構８ｄと同様に、回転駆動機構１７ｂは、図５（ｂ）に示すように、アーム基台１７ａを回転させるモータ１７ｅと、アーム基台１７ａとモータ１７ｅとを支持する支持部材１７ｆとを備えている。
【００６６】
ｚ軸昇降機構１７ｃは、図５（ｂ）に示すように、螺軸１７ｇと、この螺軸１７ｇを回転させるモータ１７ｈとを備えており、この螺軸１７ｇには上述した回転駆動機構１７ｂの基部が螺合されている。モータ１７ｈの回転によって、螺軸１７ｇに取り付けられた回転駆動機構１７ｂが昇降移動する。また、このｚ軸昇降機構１７ｃは、装置基台上に立設固定されているので、インデクサ用搬送機構８のｚ軸昇降機構８ｃのように水平方向には移動しない。
【００６７】
このように構成されることで、アーム基台１７ａのアーム１７ｄに保持された基板Ｗは、水平面内での回転移動、昇降移動、および進退移動がそれぞれ可能となる。また、ｚ軸昇降機構１７ｃは、図６（ａ）に示すように、熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃの３方向以外であるスピンコータＳＣの方向に面して固定される。これにより基板Ｗは、熱処理部用搬送機構１７によって熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ間で受け渡される。
【００６８】
熱処理部用搬送機構１７と同様に、熱処理部用搬送機構１９，熱処理部用搬送機構２３のｚ軸昇降機構１９ｃ，２３ｃについても、図６（ａ）に示すような方向、すなわち熱処理部用搬送機構１９の場合はスピンコータＳＣ、熱処理部用搬送機構２３の場合はスピンデベロッパＳＤの方向に面して固定される。
【００６９】
反射防止膜形成処理用搬送機構１８，インデクサ１側にある現像用セル１５Ａ内の現像用搬送機構２４のｚ軸昇降機構１８ｃ，２４ｃについては、図６（ｂ）に示すような方向、すなわちインデクサ１の方向に面して固定され、これにより基板Ｗは、これらの各搬送機構１８，２４によって，反射防止膜形成処理用搬送機構１８の場合はスピンコータＳＣと熱処理部１６Ａとの間で、現像用搬送機構２４の場合はスピンデベロッパＳＤと熱処理部１６Ｆとの間でそれぞれ受け渡される。
【００７０】
レジスト膜形成処理用搬送機構２０，インターフェイス４側にある現像用セル１５Ｂ内の現像用搬送機構２４のｚ軸昇降機構２０ｃ，２４ｃについては、図７（ａ）に示すような方向、すなわちインターフェイス４の方向に面して固定され、これにより基板Ｗは、これらの各搬送機構２０，２４によって，レジスト膜形成処理用搬送機構２０の場合はスピンコータＳＣと熱処理部１６Ｄとの間で、現像用搬送機構２４の場合はスピンデベロッパＳＤと熱処理部１６Ｆとの間でそれぞれ受け渡される。
【００７１】
エッジ露光用搬送機構２１のｚ軸昇降機構２１ｃについては、図７（ｂ）に示すように、熱処理部１６Ｄ、エッジ露光部ＥＥ、およびインターフェイス用載置台３０には面していない側に固定され、これにより基板Ｗは、エッジ露光用搬送機構２１によって，熱処理部１６Ｄとエッジ露光部ＥＥとインターフェイス４内の後述するインターフェイス用載置台３０との間で受け渡される。
【００７２】
これらの搬送機構１７〜２０，２３，２４は、本発明における基板搬送手段に相当する。
【００７３】
次に、露光後加熱用搬送機構２２の具体的構成について、図８を参照して説明する。露光後加熱用搬送機構２２は、図８（ａ）の平面図、図８（ｂ）の側面図、および図８（ｃ）の正面図に示すようにアーム基台２２ａを昇降駆動するｚ軸昇降機構２２ｂ、そのｚ軸昇降機構２２ｂをｚ軸周り（矢印ＲＩの方向）に回転駆動するモータ２２ｃを備えている。このアーム基台２２ａには基板Ｗを保持するアーム２２ｄが備えられており、このアーム２２ｄは、回転半径方向である矢印ＲＪ方向に進退移動可能に構成されている。
【００７４】
ｚ軸昇降機構２２ｂは、図８（ａ）〜（ｃ）に示すように、螺軸２２ｆと、この螺軸２２ｆを軸心周りに回転させるモータ２２ｇとを備えており、この螺軸２２ｆにはアーム基台２２ａが螺合されている。モータ２２ｇの回転によって、螺軸２２ｆに螺合されたアーム基台２２ａが昇降移動する。
【００７５】
ｚ軸昇降機構２２ｂの底部には、上述したモータ２２ｃが取り付けられており、モータ２２ｃの回転によって、ｚ軸昇降機構２２ｂ自体が、アーム基台２２ａおよびアーム２２ｄとともに縦軸心周りに回転駆動される。
【００７６】
このように構成されることで、アーム基台２２ａのアーム２２ｄに保持された基板Ｗは、水平面内での回転移動、昇降移動、および進退移動が可能となる。これにより基板Ｗは、露光後加熱用搬送機構２２によって、露光後加熱部ＰＥＢ，冷却部ＣＰ，インターフェイス４内の後述するインターフェイス用載置台３０，および現像用セル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｆ間で受け渡される。
【００７７】
また、搬送機構１７〜２１，２３，２４の場合には、固定設置されたｚ軸昇降機構が取り付けられている方向には基板Ｗを受け渡すことができないが、露光後加熱用搬送機構２２の場合には、そのｚ軸昇降機構２２ｂ自体が回転可能となっているので、水平面内の全ての方向に基板Ｗを受け渡すことができる。
【００７８】
その反面、搬送機構１７〜２１，２３，２４の場合には、各処理部に面していない側（ｚ軸昇降機構が設置された側）から各搬送機構の保守が容易であるが、露光後加熱用搬送機構２２の場合には、その周囲に各処理部が配置される関係で、搬送機構の保守スペースの確保が容易でない。
【００７９】
次に、熱処理部１６（１６Ａ〜１６Ｇ）の具体的構成について、図９，図１０を参照して説明する。なお、図９では熱処理部１６の周辺にある搬送機構などについては、図示を省略する。図９に示すように、１階部分にある反射防止膜形成用セル１２内の熱処理部１６Ａの上に、２階部分にある現像用セル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆが積層されている。同様に、セル１２内の熱処理部１６Ｂの上にセル１５Ａ内の熱処理部１６Ｇが積層されている。また、熱処理部１６Ｃの上に熱処理部１６Ｈが積層されている。さらに、レジスト膜形成用セル１３内の熱処理部１６Ｄの上に現像用セル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｆが積層され、同じく熱処理部１６Ｅの上に熱処理部１６Ｇが積層されている。
【００８０】
１階部分にある熱処理部１６（１６Ａ〜１６Ｄ）の底部にあたる装置基台上には、レール２７がそれぞれ敷かれており、各々のレール２７は、各搬送機構１７〜２０，２３，２４に面する定常位置Ｃから退避位置Ｄまで延在している。各々のレール２７に積層された各熱処理部１６が搭載されているので、実施例装置、特に各搬送機構１７〜２０，２３，２４をそれぞれ保守（メンテナンス）するときには、図１０に示すように、各々のレール２７上で各熱処理部１６を定常位置Ｃから退避位置Ｄまでそれぞれ移動することで、メンテナンスゾーンＥが確保される。メンテナンスゾーンＥは、本発明における保守領域に、レール２７は、本発明における軌道にそれぞれ相当する。
【００８１】
図１〜図３に戻って、インターフェイス４の具体的構成について説明する。インターフェイス４は、インターフェイス用搬送経路２８とインターフェイス用搬送機構２９とインターフェイス用載置台３０とを備えている。インターフェイス用搬送経路２８は、図２，図３に示すように、インデクサ用搬送経路７と平行に形成されている。インターフェイス用搬送機構２９は、インターフェイス用搬送経路２８上を移動することで、インターフェイス用載置台３０と、図２，図３中の二点鎖線で示した露光装置（ステッパ）ＳＴＰとの間で基板Ｗを搬送する。この露光装置ＳＴＰは、本実施例装置とは別体の装置である。
【００８２】
インターフェイス用搬送機構２９の具体的構成については、インデクサ用搬送機構８のｚ軸昇降機構８ｃの取り付け位置が相違する以外には、インデクサ用搬送機構８と同様の構成であるので、その説明を省略する。
【００８３】
インターフェイス用載置台３０は、図１に示すように、１階専用の基板載置部Ｐａｓｓと２階専用の基板載置部Ｐａｓｓとが積層構造で配設されている。１階専用の基板載置部Ｐａｓｓは、露光後加熱用セル１４の１階部分にあるエッジ露光用搬送機構２１とインターフェイス用搬送機構２９との間で基板Ｗの受け渡しを行うためのものである。２階専用の基板載置部Ｐａｓｓは、露光後加熱用セル１４の２階部分にある露光後加熱用搬送機構２２とインターフェイス用搬送機構２９との間で基板Ｗの受け渡しを行うためのものである。両基板載置部Ｐａｓｓの間および２階専用の基板載置部Ｐａｓｓの上側には、基板Ｗをそれぞれ仮置きするための複数のバッファ（図１中に符号『ＢＦ』で示す）がある。以上のように、１階専用の基板載置部ＰａｓｓとバッファＢＦ、および２階専用の基板載置部ＰａｓｓとバッファＢＦが積層構造で配設されている。
【００８４】
両基板載置部Ｐａｓｓは、露光後加熱用セル１４，およびインターフェイス用搬送機構２９の両方向に面してそれぞれ開口されており、これらの開口を介して、１階部分の露光後加熱用セル１４内のエッジ露光用搬送機構２１、および２階部分の露光後加熱用セル１４内の露光後加熱用搬送機構２２と、インターフェイス用搬送機構２９との間で基板Ｗの受け渡しがそれぞれ行われる。
【００８５】
また、１階専用のバッファＢＦおよび２階専用のバッファＢＦは、それぞれ少なくともインターフェイス用搬送機構２９側に面して開口されており、この開口を介してインターフェイス用搬送機構２９との間で基板Ｗの受け渡しが行われる。
【００８６】
続いて、フォトリソグラフィ工程における一連の基板処理について、図１１，図１２のフローチャートおよび図１３を参照して説明する。なお、各処理において複数枚の基板Ｗが並行して処理されるが、１枚の基板Ｗのみに注目して説明する。また、図１３中の搬送機構において、ＩＤはインデクサを示し、ＳＣはスピンコータ（符号１８の場合は反射防止膜形成処理，符号２０の場合はレジスト膜形成処理）を示し、ＥＥはエッジ露光を示し、ＩＦはインターフェイスを示し、ＰＥＢは露光後加熱を示し、ＳＤは現像を示す。
【００８７】
（ステップＳ１）インデクサでの搬送
未処理の複数枚の基板Ｗを収納したカセットＣを、カセット載置台２に載置する。このカセットＣから１枚の基板Ｗを取り出すために、インデクサ用搬送機構８がカセットＣに対向する位置にまでインデクサ用搬送経路７上を水平移動する。アーム基台８ａが水平面内で回転してカセットＣに対向するとともに、カセットＣ内の取り出し対象である基板Ｗに対向する位置にまで、アーム基台８ａが昇降する。続いて、アーム８ｅが前進して基板Ｗの下側に進入する。アーム８ｅが少し上昇して基板Ｗを受け取る。基板Ｗを保持したアーム８ｅが後退することにより、基板ＷをカセットＣから取り出す。
【００８８】
（ステップＳ２）基板載置部での受け渡し
反射防止膜形成用セル１２内の熱処理部用搬送機構１７に基板Ｗを渡すために、インデクサ用搬送機構８がインデクサ用搬送経路７を移動して、セル１２内の熱処理部１６Ａの基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗを載置する。具体的に説明すると、搬送機構８が基板載置部Ｐａｓｓに対向する位置にまで搬送経路７上を移動し、続いて、アーム基台８ａが上昇および回転することにより、アーム８ｅが基板載置部Ｐａｓｓに対向する。そして、基板Ｗを保持したアーム８ｅが前進して、基板載置部Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板Ｗを基板載置部Ｐａｓｓに載置する。その後、アーム８ｅが後退する。
【００８９】
（ステップＳ３）アドヒージョン（ＡＨＬ）処理
基板載置部Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１７のアーム基台１７ａが上昇および水平面内で回転する。アーム１７ｄが基板載置部Ｐａｓｓに対向すると、アーム１７ｄが前進して、基板載置部Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板Ｗを基板載置部Ｐａｓｓから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１７ｄが後退する。
【００９０】
そして、熱処理部１６Ａのアドヒージョン処理部ＡＨＬで処理するために、基板載置部Ｐａｓｓの下方にあるアドヒージョン処理部ＡＨＬまでアーム基台１７ａが下降する。そして、アーム１７ｄが前進して、アドヒージョン処理部ＡＨＬの開口部１６ａを通して、基板Ｗをアドヒージョン処理部ＡＨＬに載置する。その後、アーム１７ｄが後退する。
【００９１】
アドヒージョン処理部ＡＨＬに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗとフォトレジスト膜との密着性を向上させるためにアドヒージョン処理が行われる。
【００９２】
なお、アドヒージョン処理部ＡＨＬから次の冷却部ＣＰに基板Ｗを渡すときも、熱処理部用搬送機構１７によって基板Ｗの搬送が行われるので、アドヒージョン処理が終了するまで、アドヒージョン処理部ＡＨＬの前で搬送機構１７が待機してもよいが、処理効率を向上させるために、アドヒージョン処理が終了するまでの間、搬送機構１７が他の基板Ｗを搬送してもよい。
【００９３】
（ステップＳ４）冷却（ＣＰ）処理
アドヒージョン処理が終了すると、搬送機構１７のアーム１７ｄがアドヒージョン処理部ＡＨＬ内に進入して基板Ｗをアドヒージョン処理部ＡＨＬから搬出する。
【００９４】
そして、熱処理部１６Ａの冷却部ＣＰで処理するために、アドヒージョン処理部ＡＨＬの下方にある冷却部ＣＰまでアーム基台１７ａが下降し、続いて、アーム１７ｄが前進して、冷却部ＣＰの開口部１６ａを通して、基板Ｗを冷却部ＣＰに載置する。
【００９５】
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗに対して、アドヒージョン処理部ＡＨＬで加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つために冷却処理が行われる。
【００９６】
（ステップＳ５）反射防止膜形成（ＢＡＲＣ）処理
冷却処理が終了すると、反射防止膜形成処理用搬送機構１８のアーム１８ｄが、冷却部ＣＰの開口部１６ａを通して、基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【００９７】
そして、反射防止膜形成用セル１２内のスピンコータＳＣで処理するために、搬送機構１８のアーム基台１８ａが下降および回転し、続いて、アーム１８ｄが前進して、基板ＷをスピンコータＳＣのスピンチャック（図示省略）に載置する。
【００９８】
スピンコータＳＣに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗを回転させながら反射防止膜を塗布形成する反射防止膜形成処理が行われる。
【００９９】
（ステップＳ６）冷却部（ＣＰ）での受け渡し
反射防止膜形成処理が終了すると、搬送機構１８は基板ＷをスピンコータＳＣから搬出する。
【０１００】
そして、熱処理部１６Ａの冷却部ＣＰに搬入するために、搬送機構１８のアーム基台１８ａが上昇および回転し、続いて、アーム１８ｄが前進して、基板Ｗを冷却部ＣＰに載置する。このとき、基板Ｗを冷却する必要があれば、この冷却部ＣＰで冷却処理を行ってもよい。
【０１０１】
（ステップＳ７）加熱（ＨＰ）処理
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１７のアーム基台１７ａが冷却部ＣＰ内に進入して基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１０２】
そして、反射防止膜形成用セル１２内の熱処理部１６Ｂの加熱部ＨＰで処理するために、搬送機構１７のアーム基台１７ａが加熱部ＨＰ内に進入して基板Ｗを加熱部ＨＰに載置する。
【０１０３】
加熱部ＨＰに載置された基板Ｗに対して、反射防止膜形成処理後の基板Ｗを加熱する加熱処理が行われる。
【０１０４】
（ステップＳ８）基板載置部での受け渡し
加熱処理が終了すると、搬送機構１７は基板Ｗを加熱部ＨＰから搬出する。
【０１０５】
そして、レジスト膜形成用セル１３内の熱処理部用搬送機構１９に基板Ｗを渡すために、熱処理部用搬送機構１７は熱処理部１６Ｃの基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗを載置する。
【０１０６】
（ステップＳ９）冷却部（ＣＰ）での受け渡し
基板載置部Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１９は基板Ｗを基板載置部Ｐａｓｓから搬出する。
【０１０７】
そして、搬送機構１９は熱処理部１６Ｄの冷却部ＣＰに基板Ｗを載置する。この冷却部ＣＰでは、基板Ｗを所定の温度にまで冷却する冷却処理が行われる。
【０１０８】
（ステップＳ１０）レジスト膜形成処理（ＳＣ）処理
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、レジスト膜形成処理用搬送機構２０は基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１０９】
そして、レジスト膜形成用セル１３内のスピンコータＳＣで処理するために、搬送機構２０はスピンコータＳＣのスピンチャック（図示省略）に基板Ｗを載置する。
【０１１０】
スピンコータＳＣに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗを回転させながらレジスト塗布を行うレジスト膜形成処理が行われる。
【０１１１】
（ステップＳ１１）冷却部（ＣＰ）での受け渡し
レジスト膜形成処理が終了すると、搬送機構２０は基板ＷをスピンコータＳＣから搬出する。
【０１１２】
そして、搬送機構２０は熱処理部１６Ｄの冷却部ＣＰに基板Ｗを載置する。このとき、基板Ｗを冷却する必要があれば、この冷却部ＣＰで冷却処理を行ってもよい。
【０１１３】
（ステップＳ１２）加熱（ＨＰ）処理
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１９のは基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１１４】
そして、レジスト膜形成用セル１３内の熱処理部１６Ｅの加熱部ＨＰで処理するために、搬送機構１９は加熱部ＨＰに基板Ｗを載置する。
【０１１５】
加熱部ＨＰに載置された基板Ｗに対して、レジスト膜形成処理後の基板Ｗを加熱する加熱処理が行われる。
【０１１６】
（ステップＳ１３）冷却（ＣＰ）処理
加熱処理が終了すると、搬送機構１９は基板Ｗを加熱部ＨＰから搬出する。
【０１１７】
そして、熱処理部１６Ｄの冷却部ＣＰで処理するために、搬送機構１９は冷却部ＣＰに基板Ｗを載置する。
【０１１８】
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗに対して、加熱部ＨＰで加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つために冷却処理が行われる。
【０１１９】
（ステップＳ１４）基板載置部での受け渡し
冷却処理が終了すると、熱処理部用搬送機構１９は基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１２０】
そして、露光後加熱用セル１４内のエッジ露光用搬送機構２１に基板Ｗを渡すために、熱処理部用搬送機構１９は、熱処理部１６Ｄの基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗを載置する。
【０１２１】
（ステップＳ１５）エッジ露光（ＥＥ）処理
基板載置部Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、エッジ露光用搬送機構２１は、基板載置部Ｐａｓｓに進入し、基板Ｗを基板載置部Ｐａｓｓから搬出する。
【０１２２】
そして、１階部分の露光後加熱用セル１４内のエッジ露光部ＥＥで処理するために、搬送機構２１はエッジ露光部ＥＥに基板Ｗを載置する。
【０１２３】
エッジ露光部ＥＥに載置された基板Ｗに対して、露光処理前に基板Ｗの端縁（エッジ）部分を露光するエッジ露光処理が行われる。
【０１２４】
（ステップＳ１６）基板載置部での受け渡し
エッジ露光部ＥＥでのエッジ露光処理が終了すると、エッジ露光用搬送機構２１は、基板Ｗをエッジ露光部ＥＥから搬出する。
【０１２５】
そして、インターフェイス４内のインターフェイス用搬送機構２９に渡すために、エッジ露光用搬送機構２１は、インターフェイス４内のインターフェイス用載置部３０にある１階専用の基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗを載置する。
【０１２６】
（ステップＳ１７）バッファ（ＢＦ）での仮置き
基板載置部Ｐａｓｓに載置された基板Ｗに基板Ｗを受け取るために、インターフェイス用搬送機構２９は、基板載置部Ｐａｓｓに進入し、基板Ｗを基板載置部Ｐａｓｓから搬出する。そして、露光装置ＳＴＰにおける処理時間との関係で、基板Ｗに待ち時間が発生する場合には、インターフェイス用搬送機構２９によって１階専用のバッファＢＦに基板Ｗを収納する。なお、基板Ｗに待ち時間が発生せずにそのまま露光処理が行われる場合には、このバッファＢＦでの仮置きは省略される。
【０１２７】
（ステップＳ１８）インターフェイスでの搬送
バッファＢＦに載置された基板Ｗを受け取るために、インターフェイス用搬送機構２９がインターフェイス用搬送経路２８を移動して、搬送機構２９のアーム２９ｅが前進して、バッファＢＦの開口を通して、基板ＷをバッファＢＦから搬出する。
【０１２８】
（ステップＳ１９）露光処理
インターフェイス４に連結された露光装置ＳＴＰで処理するために、搬送機構２９が搬送経路２８を移動して、搬送機構２９のアーム２９ｅが前進して、露光装置ＳＴＰに搬入する。露光装置ＳＴＰに搬入された基板Ｗに対して、基板Ｗの露光処理が行われる。
【０１２９】
（ステップＳ２０）インターフェイスでの搬送
露光処理が終了すると、露光装置ＳＴＰから搬出するために、搬送機構２９が搬送経路２８を移動する。
【０１３０】
（ステップＳ２１）基板載置部での受け渡し
２階部分の露光後加熱用セル１４内の露光後加熱用搬送機構２２に渡すために、インターフェイス４内のインターフェイス用載置台３０にある２階専用の基板載置部Ｐａｓｓに搬送機構２９は基板Ｗを載置する。
【０１３１】
もし、露光後加熱用搬送機構２２に渡すための時間調整が必要な事態が生じた場合には、インターフェイス用搬送機構２９によって２階専用のバッファＢＦに基板Ｗを搬送して時間調整を行い、露光後加熱用搬送機構２２に受け渡すことができるようになった時点で、インターフェイス用搬送機構２９によってそのバッファＢＦから基板載置部Ｐａｓｓまで基板Ｗを搬送する。
【０１３２】
（ステップＳ２２）露光後加熱（ＰＥＢ）処理
基板載置部Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、露光後加熱用搬送機構２２は基板載置部Ｐａｓｓから基板Ｗを搬出する。
【０１３３】
そして、２階部分の露光後加熱用セル１４内の露光後加熱部ＰＥＢで処理するために、露光後加熱用搬送機構２２は露光後加熱部ＰＥＢに基板Ｗを載置する。
【０１３４】
露光後加熱部ＰＥＢに載置された基板Ｗに対して、露光処理後の基板Ｗを加熱する露光後加熱処理が行われる。
【０１３５】
（ステップＳ２３）冷却（ＣＰ）処理
露光後加熱処理が終了すると、搬送機構２２は基板Ｗを露光後加熱部ＰＥＢから搬出する。
【０１３６】
そして、２階部分の露光後加熱用セル１４内の冷却部ＣＰで処理するために、露光後加熱部ＰＥＢの下方にある冷却部ＣＰまで搬送機構２２のアーム基台２２ａが下降し、続いて、アーム２２ｄが前進して、基板Ｗを冷却部ＣＰに載置する。
【０１３７】
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗに対して、露光後加熱部ＰＥＢで加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つために冷却処理が行われる。
【０１３８】
（ステップＳ２４）基板載置部での受け渡し
冷却処理が終了すると、搬送機構２２は基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１３９】
そして、現像用セル１５Ｂ内の熱処理部用搬送機構２３に渡すために、搬送機構２２はセル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｆの基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗを載置する。
【０１４０】
なお、セル１５Ｂ内にある２つのスピンデベロッパＳＤで基板Ｗがともに処理されているときには、搬送機構２２が、セル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｆの基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗを介して、セル１５Ｂ内の熱処理部用搬送機構２３に渡し、さらに、セル１５Ｂ内の搬送機構２３が、セル１５Ａ，１５Ｂが共用する熱処理部１６Ｈの基板載置部Ｐａｓｓを介して、現像用セル１５Ａ内の搬送機構２３に渡し、さらに、セル１５Ａ内の搬送機構２３が、セル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆの冷却部ＣＰを介して、セル１５Ａ内の現像用搬送機構２４に渡した後に、セル１５Ａ内の搬送機構２４がセル１５Ａ内のスピンデベロッパＳＤに載置して、そのスピンデベロッパＳＤで現像処理を行ってもよい。
【０１４１】
（ステップＳ２５）冷却部（ＣＰ）での受け渡し
基板載置部Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構２３は、基板載置部Ｐａｓｓから基板Ｗを搬出する。
【０１４２】
そして、熱処理部１６Ｆのいずれかの冷却部ＣＰに基板Ｗを載置する。基板Ｗが載置されたその冷却部ＣＰでは、基板Ｗがより高精度に常温程度の温度になるように温度調整するようにしてもかまわない。
【０１４３】
（ステップＳ２６）現像（ＳＤ）処理
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、現像用搬送機構２４は基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１４４】
そして、現像用セル１５Ｂ内のスピンデベロッパＳＤで処理するために、搬送機構２４はスピンデベロッパＳＤのスピンチャック（図示省略）に基板Ｗを載置する。
【０１４５】
スピンデベロッパＳＤに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗを回転させながら現像処理が行われる。
【０１４６】
（ステップＳ２７）冷却部（ＣＰ）での受け渡し
現像処理が終了すると、搬送機構２４は基板ＷをスピンデベロッパＳＤから搬出する。
【０１４７】
そして、現像用セル１５Ｂ内の熱処理部用搬送機構２３に基板Ｗを渡すために、搬送機構２４は現像用セル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｆの冷却部ＣＰに基板Ｗを載置する。
【０１４８】
（ステップＳ２８）加熱（ＨＰ）処理
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、搬送機構２３は基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１４９】
そして、現像用セル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｇの加熱部ＨＰで処理するために、搬送機構２３は基板Ｗを加熱部ＨＰに載置する。
【０１５０】
加熱部ＨＰに載置された基板Ｗに対して、現像処理後の基板Ｗを加熱する加熱処理が行われる。
【０１５１】
（ステップＳ２９）冷却（ＣＰ）処理
加熱処理が終了すると、搬送機構２３は基板Ｗを加熱部ＨＰから搬出する。
【０１５２】
そして、熱処理部１６Ｇの冷却部ＣＰに基板Ｗで処理するために、加熱部ＨＰの下方にある冷却部ＣＰまで搬送機構２３のアーム基台２３ａが下降し、続いて、アーム２３ｄが前進して、基板Ｗを冷却部ＣＰに載置する。
【０１５３】
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗに対して、加熱部ＨＰで加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つために冷却処理が行われる。
【０１５４】
（ステップＳ３０）基板載置部での受け渡し
冷却処理が終了すると、搬送機構２３は基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１５５】
そして、現像用セル１５Ａ内の熱処理部用搬送機構２３に渡すために、現像用セル１５Ｂ内の熱処理部用搬送機構２３は熱処理部１６Ｈの基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗを載置する。
【０１５６】
（ステップＳ３１）基板載置部での受け渡し
現像用セル１５Ａ内にある熱処理部用搬送機構２３は基板Ｗを基板載置部Ｐａｓｓから搬出する。
【０１５７】
そして、インデクサ１内のインデクサ用搬送機構８に渡すために、現像用セル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆの基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗを載置する。
【０１５８】
（ステップＳ３２）インデクサでの搬送
基板載置部Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを搬出するために、インデクサ用搬送機構８がインデクサ用搬送経路７を移動して、搬送機構８のアーム８ｅが前進して、基板Ｗを基板載置部Ｐａｓｓから搬出する。
【０１５９】
カセット載置台２に載置されたカセットＣに基板を収納するために、搬送機構８がカセットＣに対向する位置にまで搬送経路７を移動して、搬送機構８のアーム基台８ａが水平面内で回転してカセットＣに対向する。続いて、カセットＣ内の取り出し対象である基板Ｗに対向する位置にまで、アーム基台８ａが下降し、アーム８ｅが前進して基板Ｗの下側に進入する。アーム８ｅが少し下降して基板Ｗを載置する。基板Ｗを保持したアーム８ｅが後退することにより、基板ＷをカセットＣ内に収納する。
【０１６０】
カセットＣ内に所定枚数だけ処理済の基板Ｗが順に収納されて、一連の基板処理が終了する。
【０１６１】
上述の構成を有する本実施例に係る基板処理装置は、以下の効果を奏する。すなわち、熱処理部用搬送機構１７，１９が熱処理部１６Ｃに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構１７，１９がその熱処理部１６Ｃを共用するように構成する。その一方で、現像用セル１５Ａ，１５Ｂの各々の熱処理部用搬送機構２３が熱処理部１６Ｈに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構２３がその熱処理部１６Ｈを共用するように構成する。さらに、それらの搬送機構１７，１９の上方、すなわち２階部分にそれぞれ配設された各搬送機構２３と、それらの搬送機構１７，１９とからの基板Ｗの受け渡しをそれぞれ行えるように、熱処理部１６Ｃ，１６Ｈを上下に階層構造で配設する。そして、階層構造で配設された熱処理部１６Ｃ，１６Ｈを定常位置Ｃから退避位置Ｄにまで移動可能に構成することで、それらの熱処理部１６Ｃ，１６Ｈの定常位置に設定された領域を、それらの搬送機構１７，１９，２３を保守するための共通のメンテナンスゾーンＥとする。
【０１６２】
このように構成することで、熱処理部１６Ｃ，１６Ｈを定常位置Ｃから退避位置Ｄにまで移動するだけで、共通のメンテナンスゾーンＥを確保することができ、その結果、搬送機構１７，１９，２３をそれぞれ簡易に保守することができる。また、それらの搬送機構１７，１９が熱処理部１６Ｃを共用するとともに、２つの搬送機構２３が熱処理部１６Ｈを共用するように構成しているので、処理部搬送経路２５，２６が長大化せずに、装置を設置する床面積（フットプリント）を軽減することもできる。
【０１６３】
他の熱処理部１６（１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｄ，１６Ｅ，１６Ｆ，１６Ｇ）についても、搬送機構１７〜２０，２３，２４が各熱処理部１６に対して基板Ｗの受け渡しをそれぞれ行えるように、それらの搬送機構１７〜２０，２３，２４が各熱処理部をそれぞれ共用するように構成する。さらに、１階部分の搬送機構１７〜２０，２階部分の搬送機構２３，２４からの基板Ｗの受け渡しをそれぞれ行えるように、複数の熱処理部１６を上下に階層構造で配設し、階層構造で配設された処理部１６を定常位置Ｃから退避位置Ｄにまで移動可能にそれぞれ構成することで、それらの熱処理部１６の定常位置に設定された領域を、それらの搬送機構１７〜２０，２３，２４を保守するための共通のメンテナンスゾーンＥとする。
【０１６４】
また、各熱処理部１６を定常位置Ｃから退避位置Ｄにまでそれぞれ移動させるのに、レール２７に各処理部１６をそれぞれ搭載させて、そのレール２７上で各熱処理部１６をそれぞれ動かしているので、それらの搬送機構１７〜２０，２３，２４を簡易に保守することができる。
【０１６５】
また、各熱処理部１６は、通常、液体を供給するような処理を行わないので、各熱処理部１６に液体がそれぞれ収納されておらず、熱処理部１６を退避位置Ｄにまで容易に移動させることができる。
【０１６６】
また、本実施例に係る基板処理装置は、換言すれば、共用される熱処理部１６Ａ〜１６Ｈが、その処理部を共用する各搬送機構１７〜２０，２３，２４からの受け渡し方向以外の方向に退避させるように構成されている。つまり、退避位置Ｄは、受け渡し方向以外の方向に位置する。このように構成することで、共通のメンテナンスゾーンＥを確保することができ、その結果、共用する各基板搬送機構１７〜２０，２３，２４をそれぞれ簡易に保守することができる。
【０１６７】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【０１６８】
（１）上述した本実施例では、基板処理として、フォトリソグラフィ工程におけるレジスト塗布および現像処理を例に採って説明したが、上述した基板処理に限定されない。例えば、基板を処理液に浸漬して洗浄処理、エッチング処理、乾燥処理を含む処理を施す薬液処理や、上述した浸漬タイプ以外のエッチング処理（例えばドライエッチングやプラズマエッチングなど）や、上述した浸漬タイプ以外であって基板を回転させて洗浄する洗浄処理（例えばソニック洗浄や化学洗浄など）、エッチング処理や、化学機械研磨（ＣＭＰ）処理や、スパッタリング処理や、化学気相成長（ＣＶＤ）処理や、アッシング処理などのように、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板を通常の手法でもって行う基板処理であれば、本発明に適用することができる。
【０１６９】
（２）上述した本実施例では、搬送機構１７〜２０，２３，２４が各々の同じ熱処理部１６に対して基板Ｗの受け渡しをそれぞれ行うことで、それらの搬送機構１７〜２０，２３，２４が各熱処理部１６をそれぞれ共用するように構成するとともに、１階部分の搬送機構１７〜２０，２階部分の搬送機構２３，２４からの基板Ｗの受け渡しをそれぞれ行えるように、複数の熱処理部１６を上下に階層構造で配設したが、各熱処理部１６を共用するように構成し、かつ上下に階層構造で配設する必要はない。
【０１７０】
例えば、階層構造でない基板処理装置、すなわち１階部分のみ、または２階部分のみからなる基板処理装置の場合には、搬送機構１７〜２０，２３，２４が各々の同じ熱処理部１６に対して基板Ｗの受け渡しをそれぞれ行うことで、それらの搬送機構１７〜２０，２３，２４が各熱処理部１６をそれぞれ共用するように構成するのみで、階層構造で配設しなくてもよいし、例えば、熱処理部１６が熱処理部１６Ｂ，１６Ｇのみからなる基板処理装置の場合には、１階部分の熱処理部用搬送機構１７，２階部分の熱処理部用搬送機構１９からの基板Ｗの受け渡しをそれぞれ行えるように、熱処理部１６Ｂ，１６Ｇを上下に階層構造で配設するのみで、他の搬送機構が各処理部１６Ｂ，１６Ｇを共用するように構成しなくてもよい。
【０１７１】
（３）上述した本実施例では、メンテナンスゾーンＥを確保するために退避位置にまで移動となる対象は熱処理部１６であったが、移動となる対象は熱処理部１６に限定されない。例えば、基板を浸漬させる処理液が収納された処理部にも適用することができる。
【０１７２】
また、本実施例を例に採って説明すると、１階部分のエッジ露光用搬送機構２１，２階部分の露光後加熱用搬送機構２２からの基板の受け渡しをそれぞれ行えるように、１階部分の露光後加熱用セル１４のエッジ露光部ＥＥと、２階部分の露光後加熱部ＰＥＢ，冷却部ＣＰを上下に階層構造で配設してもよい。ただ、本実施例の場合、エッジ露光用搬送機構２１の場合には、上述した搬送機構１７〜２０，２３，２４と同じ構成からなり（図５参照）、搬送機構の保守が容易になるように保守する側には処理部が配設されていない（図２参照）が、露光後加熱用搬送機構２２の場合には、その周囲に各処理部が配設されている（図３参照）ので、保守する側に処理部を配設しない方が好ましい。
【０１７３】
（４）上述した本実施例では、レール２７に各処理部１６をそれぞれ搭載することで、そのレール２７上で各熱処理部１６を定常位置Ｃから退避位置Ｄにまで移動可能にしたが、熱処理部１６を移動させる手法については、上述した本実施例に限定されない。例えば、図１４（ａ）の平面図に示すように、処理部１６を支持する支持軸１６ｂを、処理部１６に連結して構成し、その支持軸１６ｂを軸にして処理部１６を水平面内で定常位置Ｃから退避位置Ｄまで揺動するように構成してもよい。この場合、支持軸１６ｂを中心に処理部１６が水平面内で揺動するので、図１４（ｂ）に示すような退避位置Ｄにまで処理部１６を移動することができる。
【０１７４】
上述した変形例以外にも、例えば、図１５（ａ）の側面図に示すように、処理部１６の支点１６ｃを中心にして処理部１６を定常位置Ｃから退避位置Ｄまで傾倒するように構成してもよい。この場合、傾倒することで、図１５（ｂ）に示すような退避位置Ｄにまで処理部１６を傾倒させることができる。
【０１７５】
（５）なお、上述した本実施例に係る第１〜第３の処理ユニット９〜１１の各ユニットを下記のように構成してもよい。すなわち、図１６に示すように、各ユニットの右側面に開口部Ｆａを、左側面に開口部Ｆｂを、正面に開口部Ｆｃを、背面に開口部Ｆｄをそれぞれ設ける。これら開口部Ｆａ〜Ｆｄが設けられることで、開口部Ｆａ〜Ｆｄ以外の各ユニットの外壁部分が、外枠のフレームＦとしてそれぞれ構成される。隣接する２つのユニットのフレームＦ同士を、互いに接続部材ｆ（例えば金具）で連結することで、一方のユニットの右側面における開口部Ｆａが他方のユニットの左側面における開口部Ｆｂに一致し、隣接するユニットが連通接続される。これによって各ユニット内の処理部搬送経路も、ユニット間にまたがって連通接続される。このように構成することで、第１〜第３の処理ユニット９〜１１を基板Ｗの搬送方向に並べて配設することができる。また、基板の処理枚数に応じて各ユニットを増減可能にできるように着脱自在に構成してもよい。
【０１７６】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、処理部間で基板をそれぞれ搬送する、少なくとも２つの基板搬送手段が同じ処理部に対して基板の受け渡しを行うことで、それらの基板搬送手段がその処理部を共用するように構成する（請求項１に記載の発明）、あるいは処理部間で基板をそれぞれ搬送する複数の基板搬送手段を上下に階層構造で配設し、複数の基板搬送手段からの基板の受け渡しをそれぞれ行えるように、複数の処理部を上下に階層構造で配設する（請求項２に記載の発明）とともに、それらの処理部を定常位置から退避位置にまで移動可能に構成する（請求項１，２に記載の発明）ことで、上述した処理部を定常位置から退避位置にまで移動するだけで、上述した基板搬送手段を保守するための共通の保守領域を確保ことができる。
【０１７７】
その結果、それらの基板搬送手段をそれぞれ簡易に保守することができる。また、それらの基板搬送手段が処理部を共用するように構成している（請求項１に記載の発明）、あるいは処理部を上下に階層構造で配設している（請求項２に記載の発明）ので、基板を搬送する経路である基板搬送経路などの長大化などを行わずに、フットプリントを軽減することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】本実施例に係る基板処理装置の１階を平面視したときのブロック図である。
【図３】本実施例に係る基板処理装置の２階を平面視したときのブロック図である。
【図４】本実施例に係るインデクサ用搬送機構の概略構成を示す図であって、（ａ）はインデクサ用搬送機構の平面図、（ｂ）はその右側面図である。
【図５】本実施例に係る熱処理部用／反射防止膜形成処理用／レジスト膜形成処理用／エッジ露光用／現像用搬送機構の概略構成を示す図であって、（ａ）はそれらの搬送機構の平面図、（ｂ）はその右側面図である。
【図６】本実施例に係る搬送機構が固定される場所および周辺の位置関係を示す図であって、（ａ）は熱処理部用搬送機構が固定された場合の平面図、（ｂ）はインデクサ側にある反射防止膜形成処理用／現像用搬送機構が固定された場合の平面図である。
【図７】本実施例に係る搬送機構が固定される場所および周辺の位置関係を示す図であって、（ａ）はインターフェイス側にあるレジスト膜形成処理用／現像用搬送機構が固定された場合の平面図、（ｂ）はエッジ露光用搬送機構が固定された場合の平面図である。
【図８】本実施例に係る露光後加熱用搬送機構の概略構成を示す図であって、（ａ）は露光後加熱用搬送機構の平面図、（ｂ）はその側面図、（ｃ）はその正面図である。
【図９】本実施例に係る熱処理部の概略構成を示す斜視図である。
【図１０】本実施例に係る熱処理部が退避位置にまで移動したときの様子を示す側面図である。
【図１１】本実施例に係る基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理を示すフローチャートである。
【図１２】本実施例に係る基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理を示すフローチャートである。
【図１３】一連の基板処理中の各処理における基板の位置と、その基板を搬送する搬送機構との関係を示した図である。
【図１４】変形例に係る熱処理部の平面図であって、（ａ）は定常位置に位置するときであって、（ｂ）は退避位置にまで移動したときの図である。
【図１５】さらなる変形例に係る熱処理部の側面図であって、（ａ）は定常位置に位置するときであって、（ｂ）は退避位置にまで移動したときの図である。
【図１６】外枠付きの第１〜第３の処理ユニットの概略構成を示す斜視図である。
【図１７】従来の基板処理装置の構成を示すブロック図である。
【図１８】（ａ），（ｂ）は、従来の基板処理装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１　…　インデクサ
４　…　インターフェイス
１６　…　熱処理部
１７，１９，２３　…　熱処理部用搬送機構
１８　…　反射防止膜形成処理用搬送機構
２０　…　レジスト膜形成処理用搬送機構
２４　…　現像用搬送機構
２７　…　レール
Ｗ　…　基板
Ｃ　…　定常位置
Ｄ　…　退避位置
Ｅ　…　メンテナンスゾーン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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