(57)【要約】【課題】止め孔上の導電体自体がコネクタの接点になるよう、止め孔中に金属を充填させる工程に連続して、止め孔上の導電体が盛り上がり半球状となるように、金属を析出する。【解決手段】止め孔内は当初低電流密度、例えば０．５〜１０Ａ／ｄｍ２の電流密度でメッキを行い、止め孔上面に達した後に電流を調整して、当初の５倍〜１０倍の電流密度を保ちながら、止め孔上の導電体が径方向の大きさと高さ方向の大きさの比が略１対１に近い半球状となるように、金属を析出する。【選択図】        図２
2004335666.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
止め孔底部の導体層を活性化し、止め孔内は低電流密度でメッキを行い、止め孔上面に達した後に電流を調整して、高電流密度を保ちながら、止め孔上の導電体が半球状となるように、金属を析出していくようにした、電気接点の作成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気接点の作成方法において、止め孔内は０．５〜１０Ａ／ｄｍ２の電流密度でメッキを行い、止め孔上面に達した後に電流を調整して、当初の５倍乃至１０倍の電流密度を保ちながら、止め孔上の導電体が半球状となるように、金属を析出していくようにした、電気接点の作成方法。
【請求項３】
基板と、基板に穿孔することによって形成した止め孔と、止め孔底部に配置した第１導体層と、電流密度２〜４Ａ／ｄｍ２のメッキによって止め孔内に形成した第２導体層と、当初の５倍乃至１０倍の電流密度を保ちながらメッキを維持することによって第２導体層の上部に、前記基板の上部に突出するように形成された第３導体層とからなる、基板上の電気接点。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、プリント基板（ＦＰＣ）等の基板に設けられるブラインドホール等の微小孔（止め孔）中に金属を充填するとともに、その上に半円球状の電気接点を連続形成する方法、及びこの方法によって作成された電気接点に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子機器の回路実装法として、積層板の微小孔に導電性物質を析出させて各回路層間の接続を行なうようにしている。この微小孔のうち、貫通せず盲孔になっている、いわゆる止め孔の内面及び底面に金属被膜を形成させる止め孔めっきを行なうことは、例えば特開２００１−４９４９０号公報（先行技術文献１）に示すように公知である。
【０００３】
【先行技術文献１】
特開２００１−４９４９０号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、止め孔の内面及び底面に金属被膜を形成させる止め孔めっきでは、孔の上にさらに導体層を積み上げることは難しく、また層間接続にあたって、通電を保証するために、金属被膜の析出エリアを増大させなければならない。この欠点を補い、止め孔中に金属を充填し且つ加工後の止め孔表面を平坦にするビアファイリング方法が、例えば特開２００１−２００３８６号公報（先行技術文献２）に示すように公知である。このビアファイリング法では、止め孔の表面に金属被膜が平坦に拡がるので、その後の導線の接続のための穿孔作業等には有利であるが、止め孔上の導電体が盛り上がってそれ自体がコネクタの接点になることはできない。そこでこの発明は、従来のビアファイリング法を用いて、止め孔上の導電体自体がコネクタの接点になるよう、止め孔中に金属を充填させる工程に連続して、止め孔上の導電体が盛り上がり半球状となるように、金属を析出していく工程を含む、電気接点の作成方法を創出しようとするものである。
【０００５】
【先行技術文献２】
特開２００１−２００３８６号公報
【０００６】
また近年においては、電子機器の小型化が進み、それに対応して電気接点の狭ピッチ化の要求が強くなってきている。狭ピッチ化が進んでくると、半球状の電気接点の大きさも制限される。つまり、狭ピッチ化するためには、半球状の電気接点の径方向の大きさを制限しながら、高さ方向に厚くしなければならなくなる。しかしながら、最初から最後まで一定の電流密度で析出すると、高さを２倍にするのに、径方向は４倍に拡がることになる。そこでこの発明の目的は、止め孔上の径方向の膨らみ幅と高さ方向の伸びの比が略１対１になるよう、電気接点を形成することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
そこでこの発明では、止め孔内は当初低電流密度、例えば０．５〜１０Ａ／ｄｍ２の電流密度でメッキを行い、止め孔上面に達した後に電流を調整して、当初の５倍乃至１０倍の電流密度を保ちながら、止め孔上の導電体が径方向の大きさと高さ方向の大きさの比が略１対１に近い半球状となるように、金属を析出していくものである。このように形成された基板上の電気接点は、基板と、基板に穿孔することによって形成した止め孔と、止め孔底部に配置した第１導体層と、電流密度２〜４Ａ／ｄｍ２のメッキによって止め孔内に形成した第２導体層と、当初の５倍乃至１０倍の電流密度を保ちながらメッキを維持することによって第２導体層の上部に、前記基板の上部に突出するように形成された第３導体層とからなる。
【０００８】
【発明の実施態様】
図１及び図２に、この発明によるフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）又はリジットプリント基板（ＲＰＣ）の止め孔上に、半球状の電気接点を形成する過程を示す。最初に図１に示すように、プリント基板１の止め孔２内に、４Ａ／ｄｍ２の電流密度でメッキ３（ステップ１）を行う。次に、図２に示すように、メッキが止め孔２の上面に達した後に、電流を調整して当初の５倍乃至１０倍の電流密度，例えば４０Ａ／ｄｍ２の電流密度を保ちながらメッキ４（ステップ２）を続行すると、止め孔２上のメッキが半球状になるように、金属を析出して、電気接点を形成する。
【０００９】
図示の符号、すなはちステップ１終了時の電気接点の径をＡ、止め孔２上面からの電気接点の高さをＢ、ステップ２終了時の電気接点の径をＣ，高さをＤ，止め孔上の電気接点の径方向の膨らみ幅を左右に夫々ａ、高さ方向の伸びをαとすると、各ステップ終了時のＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、ａ及びαの値は［表１］に示すようになり、止め孔上の電気接点の径方向の膨らみ幅２ａと高さ方向の伸びの大きさαとの比が略１対１となっている。
【００１０】
【表１】
2004335666.tif 000003
【００１１】
この発明の実施例と対応させるために、電流密度を変えることなく、４Ａ／ｄｍ２のまま推移させて、電気接点の形成状態を示したものを、図３及び表２に示す。これによると、止め孔上の電気接点の径方向の膨らみ幅２ｂと高さ方向の伸びの大きさβとの比は２対１となる。これは電気接点が高さが高くならない内に、幅方向へ拡がっていることを示しており、接点として好ましくない。
【００１２】
【表２】
2004335666.tif 000004
【００１３】
【発明の効果】
この発明は以上のように構成したので、下記のような作用効果を奏する。
（１）  止め孔上に所望高さ及び径を持つ半球状の電気接点を、容易に作成することができる。
（２）  作成時間の短縮をはかることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明による、基板の止め孔上に、半球状の電気接点を形成する過程（ステップ１）を示す。
【図２】電気密度を調節して、電気接点を形成する過程（ステップ２）を示す。
【図３】電気密度を調節しないで、電気接点の形成を続行する過程を示す。
【符号の説明】
１  プリント基板
２  止め孔
３  メッキ
Ａ  ステップ１終了時の電気接点の径
Ｂ  ステップ１終了時の止め孔上面からの電気接点の高さ
Ｃ  ステップ２終了時の電気接点の径
Ｄ  ステップ２終了時の止め孔上面からの電気接点の高さ
Ｅ  電流密度変化なし時の電気接点の径
Ｆ  電流密度変化なし時の止め孔上面からの電気接点の高さ
ａ  ステップ２終了時の止め孔上の電気接点の径方向の膨らみ幅
α  ステップ２終了時の高さ方向の伸び
ｂ  ステップ１続行後の止め孔上の電気接点の径方向の膨らみ幅
β  ステップ１続行後の高さ方向の伸び
【図１】
2004335666.tif 000005
【図２】
2004335666.tif 000006
【図３】
2004335666.tif 000007