(57)【要約】【課題】再生出力を向上でき、且つ製造が容易な薄膜磁気ヘッドを実現する。【解決手段】薄膜磁気ヘッドにおける再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、ＭＲ素子５に対して縦バイアス磁界を印加する２つのバイアス磁界印加層と、ＭＲ素子５に対して磁気的信号検出用の電流を流す２つの電極層と、ＭＲ素子５におけるエアベアリング面２０とは反対側に配置され、記録媒体からの信号磁束をＭＲ素子５に導く磁束誘導層２３と、ＭＲ素子５、バイアス磁界印加層および電極層の各々と磁束誘導層２３との間に配置された絶縁層２２とを備えている。ＭＲ素子５は、エアベアリング面２０に配置された端部５ｃと、端部５ｃとは反対側の端部５ｄとを有している。磁束誘導層２３は、絶縁膜２２を介して、ＭＲ素子５の端部５ｄに対向する端部２３ａを有している。【選択図】          図３
2004326853.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
互いに反対側を向く２つの面、前記媒体対向面に配置された第１の端部、および第１の端部とは反対側の第２の端部を有する磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子に対して磁気的信号検出用の電流を流す２つの電極層と、
前記磁気抵抗効果素子における媒体対向面とは反対側に配置され、記録媒体からの信号磁束を前記磁気抵抗効果素子に導く磁束誘導層とを備え、
前記磁束誘導層は、前記第２の端部に対向する端部を含むと共に、前記磁気抵抗効果素子および前記電極層に対して絶縁されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
更に、前記磁気抵抗効果素子の第２の端部と前記磁束誘導層の前記端部との間に配置された絶縁層を備えたことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記絶縁層の厚さは、３ｎｍ以上、１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記磁束誘導層は、前記磁気抵抗効果素子の２つの面のいずれにも重ならないことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記磁気抵抗効果素子は、記録媒体からの信号磁界に応じて磁化の方向が変化する軟磁性層を含み、前記軟磁性層と前記磁束誘導層は、媒体対向面に垂直な１つの仮想の直線がそれらを通過するように配置されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
媒体対向面に垂直な方向の前記磁気抵抗効果素子の長さは、０．０５μｍ以上、０．２μｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
更に、前記磁気抵抗効果素子に対してバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加層を備え、前記磁束誘導層は、前記バイアス磁界印加層に対して絶縁されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
記録媒体に対向する媒体対向面と、互いに反対側を向く２つの面、前記媒体対向面に配置された第１の端部、および第１の端部とは反対側の第２の端部を有する磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子に対して磁気的信号検出用の電流を流す２つの電極層と、前記磁気抵抗効果素子における媒体対向面とは反対側に配置され、記録媒体からの信号磁束を前記磁気抵抗効果素子に導く磁束誘導層とを備え、前記磁束誘導層は、前記第２の端部に対向する端部を含むと共に、前記磁気抵抗効果素子および前記電極層に対して絶縁されている薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
前記磁気抵抗効果素子を形成する工程と、
前記電極層を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果素子の第２の端部に接するように絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に接するように前記磁束誘導層を形成する工程と
を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記磁気抵抗効果素子を形成する工程は、前記磁気抵抗効果素子となる磁気抵抗効果膜を形成する工程と、前記磁気抵抗効果膜の上に、エッチングによって前記第２の端部を形成するためのマスクを形成する工程と、前記マスクを用いて前記磁気抵抗効果膜を選択的にエッチングして、前記第２の端部を形成する工程とを有し、
前記絶縁層を形成する工程は、前記マスクを残した状態で前記絶縁層を形成し、
前記磁束誘導層を形成する工程は、前記マスクを残した状態で前記磁束誘導層を形成することを特徴とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
磁気抵抗効果素子は、記録媒体からの信号磁界に応じて磁化の方向が変化する軟磁性層を含み、
前記磁束誘導層を形成する工程は、媒体対向面に垂直な１つの仮想の直線が前記軟磁性層と前記磁束誘導層を通過するように、前記磁束誘導層を配置することを特徴とする請求項８または９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを弾性的に支持するサスペンションと
を備えたことを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１２】
請求項１ないし７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドを含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを支持すると共に前記記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と
を備えたことを特徴とするハードディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気的信号読み出しのための磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ならびに薄膜磁気ヘッドを含むヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、基板に対して、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子とも記す。）を有する再生ヘッドと書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。
【０００３】
ＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）効果を用いたＡＭＲ素子や、巨大磁気抵抗（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  ）効果を用いたＧＭＲ素子や、トンネル磁気抵抗（Ｔｕｎｎｅｌ−ｔｙｐｅ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）効果を用いたＴＭＲ素子等がある。
【０００４】
再生ヘッドの特性としては、出力が大きいことと、バルクハウゼンノイズが小さいことが要求される。バルクハウゼンノイズを低減する手段としては、ＭＲ素子に対して長手方向にバイアス磁界（以下、縦バイアス磁界と言う。）を印加することが行われている。ＭＲ素子に対する縦バイアス磁界の印加は、例えば、ＭＲ素子の両側に、永久磁石や、強磁性層と反強磁性層との積層体等によって構成されたバイアス磁界印加層を配置することによって行われる。
【０００５】
ところで、ハードディスク装置における高記録密度化は、薄膜磁気ヘッドのトラック幅の縮小、ＭＲ素子の上下に配置された２つのシールド層の間の距離であるシールドギャップ長の縮小、磁気記録媒体の薄膜化、磁気記録媒体に含まれる磁性粒子の微細化等によって達成される。このような高記録密度化に伴い、再生ヘッドの出力は小さくなる。そこで、高記録密度化に対応できるように、再生ヘッドでは、出力の向上が望まれる。
【０００６】
また、ハードディスク装置における高記録密度化のためには、磁気記録媒体と薄膜磁気ヘッドとの間隔を小さくすることも有効である。しかし、磁気記録媒体と薄膜磁気ヘッドとの距離が小さくなってくると、再生ヘッドがダメージを受けやすくなる。そこで、例えば特許文献１ないし３に示されるように、ＭＲ素子を媒体対向面から離れた位置に配置すると共に、媒体対向面からＭＲ素子にかけてフラックスガイドを配置した構造の再生ヘッドが提案されている。フラックスガイドは、磁気記録媒体からの信号磁束をＭＲ素子に導くものであり、軟磁性材料によって構成される。
【０００７】
また、特許文献４ないし６には、ＭＲ素子を媒体対向面から離れた位置に配置すると共に、ＭＲ素子の媒体対向面側とその反対側とに、それぞれフラックスガイドを配置した構造の再生ヘッドが記載されている。
【０００８】
また、特許文献７には、一端部が媒体対向面に露出するようにＭＲ素子を配置すると共に、ＭＲ素子の媒体対向面とは反対側の端部に接するようにフラックスガイドを配置した構造の再生ヘッドが記載されている。
【０００９】
【特許文献１】
特開平１０−３３４４１８号公報（図１）
【特許文献２】
特開２００２−２６０２０４号公報（図１）
【特許文献３】
特開２００２−２９８３１２号公報（図３）
【特許文献４】
特開平１０−４９８３５号公報（図１）
【特許文献５】
特開平８−２５５３１２号公報（図１）
【特許文献６】
特開２００２−１３３６１５号公報（図１２）
【特許文献７】
特開平８−３３９５１４号公報（図３）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献１ないし３に記載された再生ヘッドでは、フラックスガイドの一端部が媒体対向面に露出している。この構造の場合には、十分な再生出力を得るためには、媒体対向面に垂直な方向のフラックスガイドの長さを、非常に短く、例えば媒体対向面に垂直な方向のＭＲ素子の長さであるＭＲ素子高さと同程度にするかそれより短くする必要がある。ところで、面記録密度が６０ギガビット／（インチ）２以上になると、ＭＲ素子高さは０．２μｍ程度となることが予想される。このようにＭＲ素子高さが小さくなってくると、上記の構造の再生ヘッドを製造することが非常に困難になってくる。以下、その理由について説明する。
【００１１】
上記の構造の再生ヘッドでは、ＭＲ素子は媒体対向面に露出しない。そのため、媒体対向面の研磨によってＭＲ素子高さを制御することができない。従って、上記の構造の再生ヘッドを製造するには、例えばフォトリソグラフィによって、縦０．２μｍ、横０．２μｍ程度の大きさの孤立パターンよりなるＭＲ素子を形成する必要がある。しかしながら、現在の最高レベルのフォトリソグラフィ装置を用いても、０．１μｍの細線を形成することが限界である。そのため、縦０．２μｍ、横０．２μｍ程度の大きさの孤立パターンよりなるＭＲ素子を形成することは非常に困難である。
【００１２】
特許文献４ないし６に記載された再生ヘッドでは、ＭＲ素子の媒体対向面側とその反対側とにそれぞれフラックスガイドが配置される。しかし、この構造でも、上述の問題は残る。
【００１３】
特許文献７に記載された再生ヘッドでは、フラックスガイドは、ＭＲ素子および縦バイアス膜に接している。そのため、この再生ヘッドでは、磁気的信号検出用の電流が、ＭＲ素子だけではなくフラックスガイドにも流れてしまう。そのため、この再生ヘッドでは、再生出力が低下するという問題点がある。
【００１４】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、再生出力を向上でき、且つ製造が容易な薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ならびに薄膜磁気ヘッドを含むヘッドジンバルアセンブリならびにハードディスク装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
互いに反対側を向く２つの面、媒体対向面に配置された第１の端部、および第１の端部とは反対側の第２の端部を有する磁気抵抗効果素子と、
磁気抵抗効果素子に対して磁気的信号検出用の電流を流す２つの電極層と、
磁気抵抗効果素子における媒体対向面とは反対側に配置され、記録媒体からの信号磁束を磁気抵抗効果素子に導く磁束誘導層とを備え、
磁束誘導層は、第２の端部に対向する端部を含むと共に、磁気抵抗効果素子および電極層に対して絶縁されているものである。
【００１６】
本発明の薄膜磁気ヘッドでは、磁気抵抗効果素子の第１の端部は媒体対向面に配置され、磁束誘導層は、磁気抵抗効果素子における媒体対向面とは反対側に配置されている。また、磁束誘導層は、磁気抵抗効果素子の第２の端部に対向する端部を含むと共に、磁気抵抗効果素子および電極層に対して絶縁されている。これらのことから、本発明によれば、薄膜磁気ヘッドの再生出力を向上させることができる。また、本発明によれば、媒体対向面の研磨によって、媒体対向面に垂直な方向の磁気抵抗効果素子の長さを制御することが可能になる。
【００１７】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、更に、磁気抵抗効果素子の第２の端部と磁束誘導層の端部との間に配置された絶縁層を備えていてもよい。この絶縁層の厚さは、３ｎｍ以上、１０ｎｍ以下であってもよい。
【００１８】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、磁束誘導層は、磁気抵抗効果素子の２つの面のいずれにも重ならないことが好ましい。
【００１９】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子は、記録媒体からの信号磁界に応じて磁化の方向が変化する軟磁性層を含み、軟磁性層と磁束誘導層は、媒体対向面に垂直な１つの仮想の直線がそれらを通過するように配置されていてもよい。
【００２０】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、媒体対向面に垂直な方向の磁気抵抗効果素子の長さは、０．０５μｍ以上、０．２μｍ以下であってもよい。
【００２１】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、更に、磁気抵抗効果素子に対してバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加層を備え、磁束誘導層は、バイアス磁界印加層に対して絶縁されていてもよい。
【００２２】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
磁気抵抗効果素子を形成する工程と、
電極層を形成する工程と、
磁気抵抗効果素子の第２の端部に接するように絶縁層を形成する工程と、
絶縁層に接するように磁束誘導層を形成する工程と
を備えている。
【００２３】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、磁気抵抗効果素子を形成する工程は、磁気抵抗効果素子となる磁気抵抗効果膜を形成する工程と、磁気抵抗効果膜の上に、エッチングによって第２の端部を形成するためのマスクを形成する工程と、このマスクを用いて磁気抵抗効果膜を選択的にエッチングして、第２の端部を形成する工程とを有していてもよい。この場合、絶縁層を形成する工程は、上記マスクを残した状態で絶縁層を形成し、磁束誘導層を形成する工程は、上記マスクを残した状態で磁束誘導層を形成してもよい。
【００２４】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、磁気抵抗効果素子は、記録媒体からの信号磁界に応じて磁化の方向が変化する軟磁性層を含み、磁束誘導層を形成する工程は、媒体対向面に垂直な１つの仮想の直線が軟磁性層と磁束誘導層を通過するように、磁束誘導層を配置してもよい。
【００２５】
本発明のヘッドジンバルアセンブリは、本発明の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、スライダを弾性的に支持するサスペンションとを備えたものである。
【００２６】
本発明のハードディスク装置は、本発明の薄膜磁気ヘッドを含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向するように配置されるスライダと、スライダを支持すると共に記録媒体に対して位置決めする位置決め装置とを備えたものである。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図５および図６を参照して、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成および製造方法の概略について説明する。図５は薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面および基板に垂直な断面を示し、図６は薄膜磁気ヘッドの磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【００２８】
本実施の形態における薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、アルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板１の上に、スパッタリング法等によって、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料よりなる絶縁層２を、例えば１〜５μｍの厚みに形成する。次に、絶縁層２の上に、スパッタリング法またはめっき法等によって、パーマロイ（ＮｉＦｅ）等の磁性材料よりなる再生ヘッド用の下部シールド層３を、例えば約３μｍの厚みに形成する。
【００２９】
次に、下部シールド層３の上に、スパッタリング法等によって、アルミナ等の絶縁材料よりなる下部シールドギャップ膜４を、例えば１０〜２００ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素子５と、図示しないバイアス磁界印加層と、電極層６を、それぞれ、例えば数十ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、スパッタリング法等によって、アルミナ等の絶縁材料よりなる上部シールドギャップ膜７を、例えば１０〜２００ｎｍの厚みに形成する。
【００３０】
次に、上部シールドギャップ膜７の上に、磁性材料からなり、記録ヘッドの下部磁極層を兼ねた再生ヘッドの上部シールド層８を、例えば３〜４μｍの厚みに形成する。なお、上部シールド層８に用いる磁性材料は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材料である。上部シールド層８は、スパッタリング法またはめっき法等によって形成される。なお、上部シールド層８の代わりに、上部シールド層と、この上部シールド層の上にスパッタリング法等によって形成されたアルミナ等の非磁性材料よりなる分離層と、この分離層の上に形成された下部磁性層とを設けてもよい。
【００３１】
次に、上部シールド層８の上に、スパッタリング法等によって、アルミナ等の絶縁材料よりなる記録ギャップ層９を、例えば５０〜３００ｎｍの厚みに形成する。次に、磁路形成のために、後述する薄膜コイルの中心部分において、記録ギャップ層９を部分的にエッチングしてコンタクトホール９ａを形成する。
【００３２】
次に、記録ギャップ層９の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイルの第１層部分１０を、例えば２〜３μｍの厚みに形成する。なお、図５において、符号１０ａは、第１層部分１０のうち、後述する薄膜コイルの第２層部分１５に接続される接続部を表している。第１層部分１０は、コンタクトホール９ａの周囲に巻回される。
【００３３】
次に、薄膜コイルの第１層部分１０およびその周辺の記録ギャップ層９を覆うように、フォトレジスト等の、加熱時に流動性を有する有機絶縁材料よりなる絶縁層１１を所定のパターンに形成する。次に、絶縁層１１の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理する。この熱処理により、絶縁層１１の外周および内周の各端縁部分は、丸みを帯びた斜面形状となる。
【００３４】
次に、絶縁層１１のうちの後述するエアベアリング面２０側の斜面部分からエアベアリング面２０側にかけての領域において、記録ギャップ層９および絶縁層１１の上に、記録ヘッド用の磁性材料によって、上部磁極層１２のトラック幅規定層１２ａを形成する。上部磁極層１２は、このトラック幅規定層１２ａと、後述する連結部分層１２ｂおよびヨーク部分層１２ｃとで構成される。
【００３５】
トラック幅規定層１２ａは、記録ギャップ層９の上に形成され、上部磁極層１２の磁極部分となる先端部と、絶縁層１１のエアベアリング面２０側の斜面部分の上に形成され、ヨーク部分層１２ｃに接続される接続部とを有している。先端部の幅は記録トラック幅と等しくなっている。接続部の幅は、先端部の幅よりも大きくなっている。
【００３６】
トラック幅規定層１２ａを形成する際には、同時に、コンタクトホール９ａの上に磁性材料よりなる連結部分層１２ｂを形成すると共に、接続部１０ａの上に磁性材料よりなる接続層１３を形成する。連結部分層１２ｂは、上部磁極層１２のうち、上部シールド層８に磁気的に連結される部分を構成する。
【００３７】
次に、磁極トリミングを行う。すなわち、トラック幅規定層１２ａの周辺領域において、トラック幅規定層１２ａをマスクとして、記録ギャップ層９および上部シールド層８の磁極部分における記録ギャップ層９側の少なくとも一部をエッチングする。これにより、図６に示したように、上部磁極層１２の磁極部分、記録ギャップ層９および上部シールド層８の磁極部分の少なくとも一部の各幅が揃えられたトリム（Ｔｒｉｍ）構造が形成される。このトリム構造によれば、記録ギャップ層９の近傍における磁束の広がりによる実効的なトラック幅の増加を防止することができる。
【００３８】
次に、全体に、アルミナ等の無機絶縁材料よりなる絶縁層１４を、例えば３〜４μｍの厚みに形成する。次に、この絶縁層１４を、例えば化学機械研磨によって、トラック幅規定層１２ａ、連結部分層１２ｂおよび接続層１３の表面に至るまで研磨して平坦化する。
【００３９】
次に、平坦化された絶縁層１４の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイルの第２層部分１５を、例えば２〜３μｍの厚みに形成する。なお、図５において、符号１５ａは、第２層部分１５のうち、接続層１３を介して薄膜コイルの第１層部分１０の接続部１０ａに接続される接続部を表している。第２層部分１５は、連結部分層１２ｂの周囲に巻回される。
【００４０】
次に、薄膜コイルの第２層部分１５およびその周辺の絶縁層１４を覆うように、フォトレジスト等の、加熱時に流動性を有する有機絶縁材料よりなる絶縁層１６を所定のパターンに形成する。次に、絶縁層１６の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理する。この熱処理により、絶縁層１６の外周および内周の各端縁部分は、丸みを帯びた斜面形状となる。
【００４１】
次に、トラック幅規定層１２ａ、絶縁層１４，１６および連結部分層１２ｂの上に、パーマロイ等の記録ヘッド用の磁性材料によって、上部磁極層１２のヨーク部分を構成するヨーク部分層１２ｃを形成する。ヨーク部分層１２ｃのエアベアリング面２０側の端部は、エアベアリング面２０から離れた位置に配置されている。また、ヨーク部分層１２ｃは、連結部分層１２ｂを介して上部シールド層８に接続されている。
【００４２】
次に、全体を覆うように、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１７を形成する。最後に、上記各層を含むスライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面２０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００４３】
このようにして製造される薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面（エアベアリング面２０）と再生ヘッドと記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）とを備えている。再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、エアベアリング面２０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層８とを有している。
【００４４】
記録ヘッドは、エアベアリング面２０側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された下部磁極層（上部シールド層８）および上部磁極層１２と、この下部磁極層の磁極部分と上部磁極層１２の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層９と、少なくとも一部が下部磁極層および上部磁極層１２の間に、これらに対して絶縁された状態で配設された薄膜コイル１０，１５とを有している。この薄膜磁気ヘッドでは、図５に示したように、エアベアリング面２０から、絶縁層１１のエアベアリング面２０側の端部までの長さが、スロートハイトＴＨとなる。なお、スロートハイトとは、エアベアリング面２０から、２つの磁極層の間隔が開き始める位置までの長さ（高さ）をいう。
【００４５】
次に、図１ないし図４を参照して、本実施の形態における再生ヘッドの構成について詳しく説明する。図１は再生ヘッドの要部を示す平面図である。図２は図１におけるＡ−Ａ線断面図、図３は図１におけるＢ−Ｂ線断面図、図４は図１におけるＣ−Ｃ線断面図である。
【００４６】
再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、ＭＲ素子５に対して縦バイアス磁界を印加する２つのバイアス磁界印加層２１と、ＭＲ素子５に対して磁気的信号検出用の電流であるセンス電流を流す２つの電極層６と、ＭＲ素子５におけるエアベアリング面２０とは反対側に配置され、記録媒体からの信号磁束をＭＲ素子５に導く磁束誘導層２３と、ＭＲ素子５、バイアス磁界印加層２１および電極層６の各々と磁束誘導層２３との間に配置された絶縁層２２とを備えている。これらは、下部シールドギャップ膜４と上部シールドギャップ膜７の間に配置されている。
【００４７】
ＭＲ素子５は、互いに反対側を向く２つの面５ａ，５ｂと、エアベアリング面２０に配置された端部５ｃと、端部５ｃとは反対側の端部５ｄと、２つの側部５ｅ，５ｆとを有している。
【００４８】
２つのバイアス磁界印加層２１は、それぞれ、ＭＲ素子５の側部５ｅ，５ｆに隣接するように配置されている。電極層６はバイアス磁界印加層２１の上に配置されているが、バイアス磁界印加層２１のない領域では、電極層６は下部シールドギャップ膜４の上に配置されている。
【００４９】
磁束誘導層２３は、２つのバイアス磁界印加層２１の間および２つの電極層６の間に配置されている。また、磁束誘導層２３は、ＭＲ素子５の端部５ｄに対向する端部２３ａを有している。絶縁層２２は、磁束誘導層２３の上面以外の面に接するように配置されている。そして、この絶縁層２２によって、磁束誘導層２３は、ＭＲ素子５、バイアス磁界印加層２１および電極層６に対して絶縁されている。絶縁層２２の材料としては、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料が用いられる。後で詳しく説明するが、絶縁層２２の厚さは、３ｎｍ以上、１０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００５０】
磁束誘導層２３の材料としては、軟磁気特性に優れた軟磁性材料を用いることが好ましい。このような軟磁性材料としては、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＮｉＦｅＸ（Ｘ＝Ｔａ，Ｎｂ，Ｍｏ）等のＮｉＦｅ合金や、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＡｌ−Ｏ、Ｆｅ−ＳｉＯ２、ＣｏＦｅＢ等がある。
【００５１】
また、磁束誘導層２３は、ＭＲ素子５の２つの面５ａ，５ｂのいずれにも重ならないように配置されている。しかし、磁束誘導層２３は、絶縁層２２を介してＭＲ素子５にオーバーラップしていてもよい。
【００５２】
図２ないし図４では、ＭＲ素子５、バイアス磁界印加層２１および絶縁層２２が、下地層２５の上に配置されている例を示している。下地層２５は下部シールドギャップ膜４の上に配置されている。下地層２５の材料としては、例えばＴａやＮｉＣｒが用いられる。なお、下地層２５を設けずに、ＭＲ素子５、バイアス磁界印加層２１および絶縁層２２を、下部シールドギャップ膜４の上に配置してもよい。
【００５３】
バイアス磁界印加層２１は、硬磁性層（ハードマグネット）や、強磁性層と反強磁性層との積層体等を用いて構成されている。電極層６は、Ａｕ等の導電性材料によって形成されている。
【００５４】
図２および図３には、ＭＲ素子５としてスピンバルブ型ＧＭＲ素子を用いた例を示している。このＭＲ素子５は、下地層２５の上に順に積層された反強磁性層５１、ピンド層５２、非磁性導電層５３、フリー層５４および保護層５５を有している。ピンド層５２は磁化の方向が固定された層であり、反強磁性層５１はピンド層５２における磁化の方向を固定する層である。フリー層５４は、軟磁性層からなり、記録媒体からの信号磁界に応じて磁化の方向が変化する層である。保護層５５の材料としてはＴａ等が用いられる。
【００５５】
図３に示したように、フリー層５４と磁束誘導層２３は、エアベアリング面２０に垂直な１つの仮想の直線６０がそれらを通過するように配置されている。
【００５６】
次に、図７ないし図１３を参照して、本実施の形態における再生ヘッドの製造方法について説明する。なお、図７ないし図１３はエアベアリング面および基板に垂直な断面を示している。再生ヘッドの製造方法では、まず、図７に示したように、下地層２５の上に、反強磁性層５１、ピンド層５２、非磁性導電層５３、フリー層５４および保護層５５よりなる磁気抵抗効果膜５０を形成する。次に、図示しないが、上記磁気抵抗効果膜５０のうち、バイアス磁界印加層２１を配置すべき部分を選択的にエッチングする。次に、下地層２５の上にバイアス磁界印加層２１を形成する。次に、バイアス磁界印加層２１の上に電極層６を形成する。なお、バイアス磁界印加層２１と電極層６の形成は、後述するマスクの形成工程の後で行ってもよい。
【００５７】
次に、図８に示したように、磁気抵抗効果膜５０の上に、エッチングによってＭＲ素子５の端部５ｄを形成するためのマスク３１を形成する。このマスク３１は、底面が上面よりも小さくなるようにアンダーカットを有している。このようなマスク３１は、例えば積層された２つの有機膜からなるレジスト層をパターニングすることによって形成される。
【００５８】
次に、図９に示したように、マスク３１を用いて磁気抵抗効果膜５０を選択的にエッチングして、端部５ｄを形成する。また、このエッチングによってパターニングされた磁気抵抗効果膜５０はＭＲ素子５となる。なお、エッチングとしては、イオンミリング等のドライエッチングが用いられる。
【００５９】
次に、図１０に示したように、マスク３１を残したまま、図９に示した積層体の上面全体の上に、例えばスパッタ法によって絶縁層２２を形成する。
【００６０】
次に、図１１に示したように、マスク３１を残したまま、絶縁層２２の上に、例えばスパッタ法によって磁束誘導層２３を形成する。
【００６１】
次に、図１２に示したように、マスク３１をリフトオフする。これにより、ＭＲ素子５の端部５ｄと磁束誘導層２３の端部２３ａとが、絶縁層２２を介して対向した構造が得られる。
【００６２】
次に、薄膜磁気ヘッドにおける下部シールドギャップ膜４およびそれより上の部分を形成した後に、研磨によりエアベアリング面２０を形成することによって、図１３に示したように再生ヘッドが完成する。
【００６３】
次に、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの作用について説明する。薄膜磁気ヘッドは、記録ヘッドによって記録媒体に情報を記録し、再生ヘッドによって、記録媒体に記録されている情報を再生する。
【００６４】
再生ヘッドにおいて、バイアス磁界印加層２１によるバイアス磁界の方向は、エアベアリング面２０に垂直な方向と直交している。ＭＲ素子５において、信号磁界がない状態では、フリー層５４の磁化の方向は、バイアス磁界の方向に揃えられている。一方、ピンド層５２の磁化の方向は、エアベアリング面２０に垂直な方向に固定されている。
【００６５】
ＭＲ素子５では、記録媒体からの信号磁界に応じてフリー層５４の磁化の方向が変化し、これにより、フリー層５４の磁化の方向とピンド層５２の磁化の方向との間の相対角度が変化し、その結果、ＭＲ素子５の抵抗値が変化する。ＭＲ素子５の抵抗値は、２つの電極層６によってＭＲ素子５にセンス電流を流したときの２つの電極層６間の電位差より求めることができる。このようにして、再生ヘッドによって、記録媒体に記録されている情報を再生することができる。
【００６６】
ところで、記録媒体からのＭＲ素子５へ入った信号磁束は、下部シールド層３および上部シールド層８に流れる。そのため、ＭＲ素子５内では、エアベアリング面２０から離れるほど磁束密度および磁界が減少する。本実施の形態では、ＭＲ素子５におけるエアベアリング面２０とは反対側に磁束誘導層２３が配置されている。記録媒体からの信号磁束は、ＭＲ素子５内を通過するように磁束誘導層２３へ導かれる。従って、本実施の形態では、磁束誘導層２３を設けない場合に比べて、ＭＲ素子５内における磁束密度および磁界の減少を抑制することができる。また、本実施の形態では、磁束誘導層２３は、ＭＲ素子５、バイアス磁界印加層２１および電極層６に対して絶縁されているため、センス電流が磁束誘導層２３に流れることがない。従って、本実施の形態では、磁束誘導層２３を設けたことによる再生出力の低下はない。以上のことから、本実施の形態によれば、磁束誘導層２３を設けない場合に比べて、再生ヘッドの出力を向上させることができる。
【００６７】
また、本実施の形態では、ＭＲ素子５の端部５ｃがエアベアリング面２０に配置されている。従って、本実施の形態では、エアベアリング面２０の研磨によって、エアベアリング面２０に垂直な方向のＭＲ素子５の長さであるＭＲ素子高さを制御することが可能になる。ＭＲ素子高さが０．２μｍ以下の場合には、フォトリソグラフィのみによってＭＲ素子をパターニングすることが困難になる。そのため、上記の効果は、特に、ＭＲ素子高さが０．２μｍ以下の場合に顕著になる。また、十分な再生出力を得るためには、ＭＲ素子高さは０．０５μｍ以上であることが好ましい。従って、本実施の形態における再生ヘッドの構造は、特に、ＭＲ素子高さが０．０５μｍ以上、０．２μｍ以下の場合に、顕著な効果を発揮する。
【００６８】
また、本実施の形態では、マスク３１を用いて磁気抵抗効果膜５０を選択的にエッチングしてＭＲ素子５の端部５ｄを形成し、更に、マスク３１を残したまま、絶縁層２２および磁束誘導層２３を形成する。そのため、本実施の形態では、磁束誘導層２３は、ＭＲ素子５の２つの面５ａ，５ｂのいずれにも重ならないように配置される。
【００６９】
もしも、ＭＲ素子５の端部５ｄを形成するためのマスクと磁束誘導層２３を形成するためのマスクとが異なる場合には、これら２つのマスクのアライメントが正確に行われないと、磁束誘導層２３の一部がＭＲ素子５の面５ａに重なる可能性がある。磁束誘導層２３の一部がＭＲ素子５の面５ａに重なると、特にＭＲ素子高さが０．１μｍ以下の場合には、エアベアリング面２０の研磨によって、磁束誘導層２３がエアベアリング面２０に露出するおそれがある。磁束誘導層２３がエアベアリング面２０に露出すると、記録媒体からの信号磁束が磁束誘導層２３に優先的に流れ、ＭＲ素子５を通過する信号磁束が極端に減少する。その結果、再生出力は著しく低下する。本実施の形態によれば、磁束誘導層２３がエアベアリング面２０に露出することによる再生出力の低下を防止することができる。
【００７０】
また、本実施の形態では、ＭＲ素子５のフリー層５４と磁束誘導層２３は、エアベアリング面２０に垂直な１つの仮想の直線６０がそれらを通過するように配置されている。従って、本実施の形態によれば、効率よくフリー層５４に信号磁束を導くことができ、その結果、効率よく再生出力を向上させることができる。
【００７１】
次に、絶縁層２２の厚さの好ましい範囲を調べるために行った実験の結果について説明する。この実験では、まず、以下の第１ないし第６の種類の再生ヘッドのサンプルを多数作製した。第１の種類のサンプルは磁束誘導層２３を有しないものである。第２ないし第６の種類のサンプルは、本実施の形態における再生ヘッドの構造を有しているが、絶縁層２２の厚さが互いに異なるものである。第２ないし第６の種類のサンプルにおける絶縁層２２の厚さは、それぞれ、１０ｎｍ、５ｎｍ、３ｎｍ、２ｎｍ、１ｎｍである。なお、第２ないし第６の種類のサンプルにおいて、磁束誘導層２３の厚さは１０ｎｍとした。
【００７２】
実験では、第１ないし第６の種類の多数のサンプルについて、再生ヘッドの抵抗値（Ω）と出力（μＶｐｐ）との関係を求めた。図１８ないし図２３は、それぞれ、第１ないし第６の種類のサンプルにおける再生ヘッドの抵抗値（Ω）と出力値（μＶｐｐ）との関係を示している。
【００７３】
図１８に示したように、磁束誘導層２３を有しない第１の種類のサンプルでは、再生ヘッドの抵抗値と出力値とが良い相関を示している。第１の種類のサンプルでは、抵抗値が６０Ω程度のときの出力値は２０００μＶｐｐ程度になっている。
【００７４】
図１９に示したように、絶縁層２２の厚さが１０ｎｍである第２の種類のサンプルでは、再生ヘッドの抵抗値と出力値とが良い相関を示していると共に、第１の種類のサンプルに比べて全体的に出力値が増加している。第２の種類のサンプルでは、抵抗値が６０Ω程度のときの出力値は２０００μＶｐｐ〜２５００μＶｐｐ程度になっている。なお、絶縁層２２の厚さが１０ｎｍを越えると、ＭＲ素子５と磁束誘導層２３との距離が大きくなりすぎ、出力値の顕著な増加の効果は得られなくなる。
【００７５】
図２０に示したように、絶縁層２２の厚さが５ｎｍである第３の種類のサンプルでは、再生ヘッドの抵抗値と出力値とが良い相関を示していると共に、第２の種類のサンプルに比べて全体的に出力値が増加している。第３の種類のサンプルでは、抵抗値が６０Ω程度のときの出力値は２５００μＶｐｐ程度になっている。
【００７６】
図２１に示したように、絶縁層２２の厚さが３ｎｍである第４の種類のサンプルでは、第１の種類のサンプルに比べて全体的に出力値が増加しているものの、再生ヘッドの抵抗値と出力値との相関は第１ないし第３のサンプルに比べて小さくなっている。また、第４の種類のサンプルでは、抵抗値が大きい割には出力値が小さいサンプルが少し現れている。第４の種類のサンプルでは、抵抗値が６０Ω程度のときの出力値は２５００μＶｐｐ〜３０００μＶｐｐ程度になっている。
【００７７】
図２２、図２３に示したように、それぞれ絶縁層２２の厚さが２ｎｍ、１ｎｍである第５、第６の種類のサンプルでは、再生ヘッドの抵抗値と出力値とが良い相関を示さないようになり、抵抗値が大きい割には出力値が小さいサンプルが多く現れている。このように出力値が小さくなるのは、磁束誘導層２３とＭＲ素子５との短絡が原因である。
【００７８】
以上の実験結果から、磁束誘導層２３とＭＲ素子５との短絡を防止しながら、再生出力を向上させるためには、絶縁層２２の厚さは、３ｎｍ以上、１０ｎｍ以下であることが好ましい。なお、磁束誘導層２３の厚さを５ｎｍとして、上記の実験と同様の実験も行ったが、その結果は上記の結果と大差はなかった。
【００７９】
以下、本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置について説明する。まず、図１４を参照して、ヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダ２１０について説明する。ハードディスク装置において、スライダ２１０は、回転駆動される円盤状の記録媒体であるハードディスクに対向するように配置される。このスライダ２１０は、主に図５における基板１およびオーバーコート１７からなる基体２１１を備えている。基体２１１は、ほぼ六面体形状をなしている。基体２１１の六面のうちの一面は、ハードディスクに対向するようになっている。この一面には、エアベアリング面２０が形成されている。ハードディスクが図１４におけるｚ方向に回転すると、ハードディスクとスライダ２１０との間を通過する空気流によって、スライダ２１０に、図１４におけるｙ方向の下方に揚力が生じる。スライダ２１０は、この揚力によってハードディスクの表面から浮上するようになっている。なお、図１４におけるｘ方向は、ハードディスクのトラック横断方向である。スライダ２１０の空気流出側の端部（図１４における左下の端部）の近傍には、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド１００が形成されている。
【００８０】
次に、図１５を参照して、本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリ２２０について説明する。ヘッドジンバルアセンブリ２２０は、スライダ２１０と、このスライダ２１０を弾性的に支持するサスペンション２２１とを備えている。サスペンション２２１は、例えばステンレス鋼によって形成された板ばね状のロードビーム２２２、このロードビーム２２２の一端部に設けられると共にスライダ２１０が接合され、スライダ２１０に適度な自由度を与えるフレクシャ２２３と、ロードビーム２２２の他端部に設けられたベースプレート２２４とを有している。ベースプレート２２４は、スライダ２１０をハードディスク２６２のトラック横断方向ｘに移動させるためのアクチュエータのアーム２３０に取り付けられるようになっている。アクチュエータは、アーム２３０と、このアーム２３０を駆動するボイスコイルモータとを有している。フレクシャ２２３において、スライダ２１０が取り付けられる部分には、スライダ２１０の姿勢を一定に保つためのジンバル部が設けられている。
【００８１】
ヘッドジンバルアセンブリ２２０は、アクチュエータのアーム２３０に取り付けられる。１つのアーム２３０にヘッドジンバルアセンブリ２２０を取り付けたものはヘッドアームアセンブリと呼ばれる。また、複数のアームを有するキャリッジの各アームにヘッドジンバルアセンブリ２２０を取り付けたものはヘッドスタックアセンブリと呼ばれる。
【００８２】
図１５は、ヘッドアームアセンブリの一例を示している。このヘッドアームアセンブリでは、アーム２３０の一端部にヘッドジンバルアセンブリ２２０が取り付けられている。アーム２３０の他端部には、ボイスコイルモータの一部となるコイル２３１が取り付けられている。アーム２３０の中間部には、アーム２３０を回動自在に支持するための軸２３４に取り付けられる軸受け部２３３が設けられている。
【００８３】
次に、図１６および図１７を参照して、ヘッドスタックアセンブリの一例と本実施の形態に係るハードディスク装置について説明する。図１６はハードディスク装置の要部を示す説明図、図１７はハードディスク装置の平面図である。ヘッドスタックアセンブリ２５０は、複数のアーム２５２を有するキャリッジ２５１を有している。複数のアーム２５２には、複数のヘッドジンバルアセンブリ２２０が、互いに間隔を開けて垂直方向に並ぶように取り付けられている。キャリッジ２５１においてアーム２５２とは反対側には、ボイスコイルモータの一部となるコイル２５３が取り付けられている。ヘッドスタックアセンブリ２５０は、ハードディスク装置に組み込まれる。ハードディスク装置は、スピンドルモータ２６１に取り付けられた複数枚のハードディスク２６２を有している。各ハードディスク２６２毎に、ハードディスク２６２を挟んで対向するように２つのスライダ２１０が配置される。また、ボイスコイルモータは、ヘッドスタックアセンブリ２５０のコイル２５３を挟んで対向する位置に配置された永久磁石２６３を有している。
【００８４】
スライダ２１０を除くヘッドスタックアセンブリ２５０およびアクチュエータは、本発明における位置決め装置に対応し、スライダ２１０を支持すると共にハードディスク２６２に対して位置決めする。
【００８５】
本実施の形態に係るハードディスク装置では、アクチュエータによって、スライダ２１０をハードディスク２６２のトラック横断方向に移動させて、スライダ２１０をハードディスク２６２に対して位置決めする。スライダ２１０に含まれる薄膜磁気ヘッドは、記録ヘッドによって、ハードディスク２６２に情報を記録し、再生ヘッドによって、ハードディスク２６２に記録されている情報を再生する。
【００８６】
本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置は、前述の本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドと同様の効果を奏する。
【００８７】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明は、スピンバルブ型ＧＭＲ素子以外のＭＲ素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【００８８】
また、実施の形態では、基体側に再生ヘッドを形成し、その上に、記録ヘッドを積層した構造の薄膜磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
【００８９】
また、読み取り専用として用いる場合には、薄膜磁気ヘッドを、再生ヘッドだけを備えた構成としてもよい。
【００９０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、磁気抵抗効果素子の第１の端部は媒体対向面に配置され、磁束誘導層は、磁気抵抗効果素子における媒体対向面とは反対側に配置される。また、磁束誘導層は、磁気抵抗効果素子における第１の端部とは反対側の第２の端部に対向する端部を含むと共に、磁気抵抗効果素子および電極層に対して絶縁される。これらのことから、本発明によれば、薄膜磁気ヘッドの再生出力を向上させることができるという効果を奏する。また、本発明によれば、媒体対向面の研磨によって、媒体対向面に垂直な方向の磁気抵抗効果素子の長さを制御することが可能になる。従って、本発明によれば、製造が容易な薄膜磁気ヘッドを実現することができるという効果を奏する。
【００９１】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子の第２の端部と磁束誘導層の端部との間に配置された絶縁層を備え、絶縁層の厚さは、３ｎｍ以上、１０ｎｍ以下であってもよい。この場合には、磁束誘導層と磁気抵抗効果素子との短絡を防止しながら、再生出力を向上させることができるという効果を奏する。
【００９２】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、磁束誘導層は、磁気抵抗効果素子の２つの面のいずれにも重ならないようにしてもよい。この場合には、磁束誘導層が媒体対向面に露出することによる再生出力の低下を防止することができるという効果を奏する。
【００９３】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法において、磁気抵抗効果素子は、記録媒体からの信号磁界に応じて磁化の方向が変化する軟磁性層を含み、軟磁性層と磁束誘導層は、媒体対向面に垂直な１つの仮想の直線がそれらを通過するように配置されてもよい。この場合には、効率よく再生出力を向上させることができるという効果を奏する。
【００９４】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、磁気抵抗効果膜の上にマスクを形成し、このマスクを用いて磁気抵抗効果膜を選択的にエッチングして、第２の端部を形成し、更に、マスクを残した状態で絶縁層および磁束誘導層を形成してもよい。この場合には、磁束誘導層を、磁気抵抗効果素子の２つの面のいずれにも重ならないように形成することができ、その結果、磁束誘導層が媒体対向面に露出することによる再生出力の低下を防止することができるという効果を奏する。
【００９５】
また、本発明のヘッドジンバルアセンブリまたはハードディスク装置によれば、前述の本発明の薄膜磁気ヘッドと同様の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態における再生ヘッドの要部を示す平面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】図１におけるＣ−Ｃ線断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面および基板に垂直な断面を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施の形態における再生ヘッドの製造方法を説明するための断面図である。
【図８】図７に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】図８に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図１２】図１１に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図１３】図１２に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の一実施の形態におけるヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダを示す斜視図である。
【図１５】本発明の一実施の形態におけるヘッドジンバルアセンブリを含むヘッドアームアセンブリを示す斜視図である。
【図１６】本発明の一実施の形態におけるハードディスク装置の要部を示す説明図である。
【図１７】本発明の一実施の形態におけるハードディスク装置の平面図である。
【図１８】第１の種類のサンプルにおける再生ヘッドの抵抗値と出力値との関係を示す特性図である。
【図１９】第２の種類のサンプルにおける再生ヘッドの抵抗値と出力値との関係を示す特性図である。
【図２０】第３の種類のサンプルにおける再生ヘッドの抵抗値と出力値との関係を示す特性図である。
【図２１】第４の種類のサンプルにおける再生ヘッドの抵抗値と出力値との関係を示す特性図である。
【図２２】第５の種類のサンプルにおける再生ヘッドの抵抗値と出力値との関係を示す特性図である。
【図２３】第６の種類のサンプルにおける再生ヘッドの抵抗値と出力値との関係を示す特性図である。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４…下部シールドギャップ膜、５…ＭＲ素子、６…電極層、７……上部シールドギャップ膜、８…上部シールド層、９…記録ギャップ層、１０…薄膜コイルの第１層部分、１２…上部磁極層、１５…薄膜コイルの第２層部分、１７…オーバーコート層、２０…エアベアリング面、２１…バイアス磁界印加層、２２…絶縁層、２３…磁束誘導層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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