(57)【要約】【課題】光ディスク用基板の表面改質方法に関し、クロストークの改善と、低ノイズ化を両立する。【解決手段】Ａｒ環境下でプラズマ放電処理したのち、光ディスク用基板成形用スタンパーを用いて光ディスク用基板３を成形し、次いで、光ディスク用基板３の溝形成面に紫外線４を照射し、発生したＯ３　によって前記溝形成面を洗浄する。【選択図】　　　　　図１
2004086989.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｒ環境下でプラズマ放電処理した光ディスク用基板成形用スタンパーを用いて光ディスク用基板を成形したのち、前記光ディスク用基板の溝形成面に紫外線を照射し、発生したＯ３　によって前記溝形成面を洗浄することを特徴とする光ディスク用基板の表面改質方法。
【請求項２】
スタンパーを用いて光ディスク用基板を成形したのち、前記光ディスク用基板の溝形成面をＡｒ環境下でプラズマ放電処理し、次いで、前記光ディスク用基板の溝形成面に紫外線を照射し、発生したＯ３　によって前記溝形成面を洗浄することを特徴とする光ディスク用基板の表面改質方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光ディスク用基板の表面改質方法に関するものであり、特に、光記録媒体に形成するランド（ＬＡＮＤ）及びグルーブ（Ｇｒｏｏｖｅ）の表面粗さに起因するノイズと、ランド及びグルーブの角形状に起因するクロストークを同時に低減するための工程に特徴のある光ディスク用基板の表面改質方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、相変化型光ディスクもしくは光磁気ディスクのような光記録媒体を用いて、情報の記録再生を行う光ディスク装置が使用されている。
このような装置は半導体レーザ等の発光素子からの光束を光記録媒体上に対物レンズを用いて集光し、情報の書き込み、読み出しを行っている。
【０００３】
この様な光記録媒体においては、記録再生する情報量の増大化に伴い、光記録媒体への高密度記録を実現するために、狭ピッチの光記録媒体が開発されているが、狭ピッチの光記録媒体では、低ノイズ化と隣接トラックからの影響（クロストーク）が狭ピッチ化の壁となる。
【０００４】
ここで、図１３乃至図１８を参照して、従来の光記録媒体の製造工程を説明するが、ここでは光磁気記録媒体の製造工程として説明する。
なお、図１３は従来のスタンパーのプロセスフロー図であり、また、図１４及び図１５は、図１３のプロセスフローに沿った工程説明図であり、また、図１６は従来の光磁気記録媒体のプロセスフロー図であり、また、図１７及び図１８は、図１６のプロセスフローに沿った工程説明図である。
【０００５】
図１３及び図１４（ａ）参照
まず、きれいに研磨したガラス原盤５１上にレジスト膜５２を平滑に塗布して乾燥させる。
【０００６】
図１３及び図１４（ｂ）参照
次いで、露光光５３を照射することによって、ランドとグルーブとを区画するためのグルーブパターン、ＳＭ（セクターマーク）、書込信号を読み取る際に書かれているデータに読込タイミングを合わせるためのＶＦＯ、データのアドレス領域を書き込んだＩＤ等のピットをレジスト膜５２に露光する。
【０００７】
図１３及び図１４（ｃ）参照
次いで、露光パターンを現像・定着することによってグルーブパターン、ＳＭ、ＶＦＯ、及びＩＤ等のための溝５４を有するレジストパターン５５を形成する。
【０００８】
図１３及び図１４（ｄ）参照
次いで、蒸着法を用いて全面にＮｉ膜を成膜することによって、次の電解メッキ工程におけるシード層となるメッキシード層５６を形成する。
【０００９】
図１３及び図１４（ｅ）参照
次いで、メッキシード層５６をシード層としてＮｉ電解メッキを施すことによって厚いＮｉメッキ層５７を形成する。
【００１０】
図１３及び図１５（ｆ）参照
次いで、スタンパーの基となるＮｉメッキ層５７及びメッキシード層５６をレジストパターン５５から外したのち、洗浄することによって、メッキシード層５６の表面に付着したレジスト残渣５８を除去する。
【００１１】
図１３及び図１５（ｇ）参照
次いで、Ｎｉメッキ層５７の裏面を研磨することによって平坦化する。
【００１２】
図１３及び図１５（ｈ）参照
次いで、メッキシード層５６の表面を覆うように保護膜５９を設けることによって、次工程の内外形加工における切削屑が溝形成面の溝内に進入・付着することから保護する。
【００１３】
図１３及び図１５（ｉ）参照
次いで、精密旋盤を用いて内径部６０を形成するための内径加工及び外周囲を形成するための外径加工を行うことによって、保護膜５９で保護されたスタンパー６１が得られる。
【００１４】
図１６及び図１７（ａ）参照
次に、光磁気記録媒体の製造工程に移ると、まず、スタンパー６１から保護膜５９を剥離させたのち、専用の成形機によりスタンパー６１の溝形成面に熱で溶かした樹脂６２を充填する。
【００１５】
図１６及び図１７（ｂ）参照
次いで、溶融したポリカーボネート等の樹脂を冷却することによって樹脂基板６３としたのち、熱処理を施すことによって、樹脂基板６３に含まれる水分を水蒸気６４として飛ばす。
【００１６】
図１６及び図１７（ｃ）参照
次いで、吸湿しないよう直ちに、樹脂基板６３の溝形成面にＳｉＮ膜等の保護膜、多層構造の磁性層、及び、Ａｌ反射膜を順次堆積させることによって記録層６５を形成する。
【００１７】
図１６及び図１８（ｄ）参照
次いで、記録層６５の表面に記録層６５を保護するのと記録層６５膜の吸湿による腐食防止のため樹脂からなる記録層保護膜６６を形成するとともに、樹脂基板６３の裏面、即ち、読取面に静電気によるゴミ付着防止と傷防止のための読取面保護膜６７を形成する。
【００１８】
図１６及び図１８（ｅ）参照
次いで、樹脂基板６３の内径部にドライブ装置に着磁するための磁性金属からなるハブ６８を取り付けて光磁気記録媒体６９とする。
【００１９】
図１６及び図１８（ｆ）参照
最後に、光磁気記録媒体６９をカートリッジ７０に収容することによって光磁気ディスクが完成する。
【００２０】
この様な光磁気記録媒体において、基板の膜面の表面読取面と読取面保護膜の表面が荒れていると、記録、再生時の光が乱反射し、それが、媒体ノイズの原因となり、Ｃ／Ｎ（キャリア／ノイズ）、Ｓ／Ｎを下げる要因となる。
【００２１】
この様な基板膜面の面粗さ改善するにはスタンパー製造段階での現像後のレジストパターン５５の表面の面粗さ、もしくは、光磁気記録媒体の樹脂基板の成形後の基板の成膜面の面粗さを改善すれば良く、それによって、Ｃ／Ｎ、Ｓ／Ｎが改善された光磁気記録媒体が作成される。
【００２２】
このレジストパターンの面粗さ、或いは、基板の面粗さを改善するためには、ＵＶ／Ｏ３　洗浄、プラズマ放電等が考えられるが、ＵＶ／Ｏ３　洗浄の場合、面粗さは画期的に改善されＣ／Ｎ、Ｓ／Ｎは良くなるが、ランド、グルーブ部それぞれの角がとれてしまい角が丸くなるため、隣接トラック記録データからの影響（クロストーク）が逆に悪化する。
即ち、角が丸くなると、乱反射等により隣接するトラックに光が当たってしまうため、隣接するデータの影響が必然的にでてくるためである。
【００２３】
この様なＵＶ／Ｏ３　洗浄は、スタンパー工程でのＮｉスタンパーをレジストより剥離した後のレジスト残渣を除去する場合に使用され公知であるが、基板やレジストのような有機質に使用することにより、素材を削りながら表面粗さを改善することが知られている。
【００２４】
図１９参照
図１９は、上述のＵＶ／Ｏ３　洗浄に用いるＵＶ／Ｏ３　洗浄装置の概略的構成図であり、紫外線の光を均一に照射するためにモータ７３によって回転駆動されるターンテーブル７２上に樹脂基板６３等の被処理基板を載置し、回転させながら紫外線ランプ７１によって紫外線、特に、１８５ｎｍ及び２５４ｎｍのＤＵＶ光（Ｄｅｅｐ　Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏｌｅｔ）を照射するものであり、また、図示を省略しているが、反応生成物等を排出するファンを備えている。
なお、ターンテーブ７２の回転速度は、家庭用の電子レンジ程度である。
【００２５】
このＵＶ／Ｏ３　洗浄の原理は、１８５ｎｍ及び２５４ｎｍの紫外線を照射すると、１８５ｎｍの紫外線により有機物の分子結合を切断し、雰囲気中のＯ２　に吸収され、Ｏ３　を発生する。
【００２６】
一方、２５４ｎｍの紫外線はＯ３　分子に吸収されＯ２　分子とＯ励起原子が生成され、このＯ励起原子が１８５ｎｍの紫外線により切断された有機物と酸化反応して、ＣＯ２　、Ｈ２　Ｏ、Ｈ２　、Ｏ２　等の気体となり飛散除去します。
【００２７】
または、エキシマランプのように、１８０ｎｍ以下の紫外線で有機物の分子結合を切断するともに、１８０ｎｍ以下の紫外線はＯ３　分子に吸収されＯ２　分子とＯ励起原子を生成し、Ｏ励起原子と有機物との酸化反応が同時におこり、同様な効果は得られることが知られている。
【００２８】
一方、ＵＶ／Ｏ３　洗浄と同様にＮｉスタンパーをレジストより剥離した後のレジスト残渣の除去に使用されているＯ２　環境下におけるプラズマ放電の場合には、レジスト残渣を除去するだけであって、剥離液等によりレジストを除去した後、Ｏ２　環境下プラズマ放電が使用した場合、Ｎｉスタンパー面の面粗さを大幅に改善をする結果は得られなかった。
【００２９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、近年、光ディスク媒体の容量化が進み狭ピッチの光磁気記録媒体或いは光記録媒体が開発されているが、狭ピッチの媒体では、低ノイズ化と隣接トラックからの影響（クロストーク）が狭ピッチ化の壁となる。
【００３０】
上述のように、ＵＶ／Ｏ３　洗浄では、面粗さを改善して低ノイズ化は実現されるが、クロストークマージンがないという問題があり、一方、Ｏ２　環境下でのプラズマ放電では、面粗さを大幅に改善をする結果は得られないという問題がある。
【００３１】
そこで、Ｏ２　環境下でのプラズマ放電に代えて半導体技術分野におけるエッチング手法として常用されている手法であるＡｒ環境下でのプラズマ放電をＮｉスタンパー或いはポリカーボネート樹脂基板等の試料適用して見ると、表面粗さが改善されることが見いだされた。
【００３２】
このＡｒ環境下でのプラズマ放電は、基本的にＲＩＥ（反応性イオンエッチング）であり、Ａｒイオンを試料に衝突させるものであるが、角がとれないのでクローストークは悪化しないものの、面粗さは、Ｃ／Ｎ、Ｓ／ＮはＵＶ／Ｏ３　洗浄と比較すると、さほど改善されないという問題がある。
【００３３】
【表１】
2004086989.tif 000003
表１は、樹脂基板の処理前、ＵＶ／Ｏ３　洗浄、及び、Ａｒ環境下でのプラズマ放電した時のそれぞれの表面粗さをＪＩＳ規格のＲａ　、Ｒｍａｘ　、Ｒｚ　の三つの指標で表したものであり、ＵＶ／Ｏ３　洗浄の場合には紫外線を６分照射し、また、Ａｒプラズマ放電の場合には、２分プラズマに晒した場合であり、
処理前＞Ａｒ環境下でのプラズマ放電＞ＵＶ／Ｏ３　洗浄
の関係にあることがわかる。
【００３４】
図２０参照
図２０は、樹脂基板の表面粗さＲａ　のＵＶ／Ｏ３　洗浄処理時間依存性の説明図であり、この場合、Ｌａｎｄ、Ｇｒｏｏｖｅ共９分がベストであるが、表面の溝形状が、９分だと、角がとれ過ぎてトタン屋根のような形状になり、クロストークに極めて弱い形状になるので、６分が最適となる。
【００３５】
図２１参照
図２１は、樹脂基板の表面粗さＲａ　のＡｒ環境下でのプラズマ処理時間依存性の説明図であり、この場合、単純にＬａｎｄ、Ｇｒｏｏｖｅ共２分がベストであるので、２分が最適値となる。
しかし、いずれの場合にも、クローストークの改善と低ノイズ化を両立することができないという問題がある。
【００３６】
したがって、本発明は、クロストークの改善と、低ノイズ化を両立することを目的とする。
【００３７】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成の説明図であり、ここで、図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１（ａ）乃至（ｃ）参照
上記の課題を解決するために、本発明は、光ディスク用基板３の表面改質方法においてＡｒ環境下でプラズマ放電処理した光ディスク用基板成形用スタンパー１を用いて光ディスク用基板３を成形したのち、前記光ディスク用基板３の溝形成面に紫外線４を照射し、発生したＯ３　によって前記溝形成面を洗浄することを特徴とする。
【００３８】
この様に、Ａｒ環境下でプラズマ２を用いてプラズマ放電処理した光ディスク用基板成形用スタンパー１を用いて光ディスク用基板３を成形する場合には、成形した光ディスク用基板３の溝形成面に紫外線４を照射し、発生したＯ３　によって前記溝形成面を洗浄するＵＶ／Ｏ３　洗浄を行うだけで良く、それによって、ランド及びグルーブの角を過度に丸くすることなく表面粗さを小さくすることが可能になり、クロストークの改善と低ノイズ化を両立することができる。
【００３９】
また、従来の通常のスタンパーを用いて光ディスク用基板３を成形する場合には、成形した光ディスク用基板３の溝形成面をＡｒ環境下でプラズマ放電処理したのち、光ディスク用基板３の溝形成面にＵＶ／Ｏ３　洗浄処理を施せば良く、それによって、クロストークの改善と低ノイズ化を両立することができる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
ここで、図２乃至図８を参照して本発明の第１の実施の形態を説明する。
なお、図２は本発明の第１の実施の形態のスタンパーのプロセスフロー図であり、また、図３乃至図５は、図２のプロセスフローに沿った工程説明図であり、また、図６は本発明の第１の実施の形態の光磁気記録媒体のプロセスフロー図であり、また、図７及び図８は、図６のプロセスフローに沿った工程説明図である。
【００４１】
図２及び図３（ａ）参照
まず、従来と同様に、きれいに研磨したガラス原盤１１上にレジスト膜１２を平滑に塗布して乾燥させる。
【００４２】
図２及び図３（ｂ）参照
次いで、露光光１３を照射することによって、ランドとグルーブとを区画するためのグルーブパターン、ＳＭ（セクターマーク）、書込信号を読み取る際に書かれているデータに読込タイミングを合わせるためのＶＦＯ、データのアドレス領域を書き込んだＩＤ等のピットをレジスト膜１２に露光する。
【００４３】
図２及び図３（ｃ）参照
次いで、露光パターンを現像・定着することによってグルーブパターン、ＳＭ、ＶＦＯ、及びＩＤ等のための溝１４を有するレジストパターン１５を形成する。
【００４４】
図２及び図３（ｄ）参照
次いで、蒸着法を用いて全面にＮｉ膜を成膜することによって、次の電解メッキ工程におけるシード層となるメッキシード層１６を形成する。
【００４５】
図２及び図４（ｅ）参照
次いで、メッキシード層１６をシード層としてＮｉ電解メッキを施すことによって、ある程度の硬度があり且つ耐腐蝕性に優れるＮｉメッキ層１７を形成する。
この場合のＮｉメッキ層１７の層厚は、成型の条件や使用目的によって変わるが、例えば、１ｍｍ弱である。
【００４６】
図２及び図４（ｆ）参照
次いで、スタンパーの基となるＮｉメッキ層１７及びメッキシード層１６をレジストパターン１５から外したのち、洗浄することによって、メッキシード層１６の表面に付着したレジスト残渣１８を除去する。
【００４７】
図２及び図４（ｇ）参照
次いで、本発明の第１の実施の形態における特徴点であるＡｒ環境下でのプラズマ洗浄を行うことによって、スタンパーの表面になるメッキシード層１６の表面粗さを改善する。
この場合、例えば、プラズマエッチング装置ＤＥＡ５０６（アネルバ製商品名）を用い、反応室にＡｒガスを３０ｓｃｃｍ流して５Ｐａのガス圧とした状態で、１３．５６ＭＨｚで３００Ｖの高周波電圧を１〜３分、例えば、２分プラズマ１９を照射して行う。
【００４８】
図２及び図５（ｈ）参照
次いで、Ｎｉメッキ層１７の裏面を研磨することによって平坦化する。
【００４９】
図２及び図５（ｉ）参照
次いで、メッキシード層１６の表面を覆うように樹脂を塗布して保護膜２０を設ける。
【００５０】
図２及び図５（ｊ）参照
次いで、精密旋盤を用いて内径部２１を形成するための内径加工及び外周囲を形成するための外径加工を行うことによってスタンパー２２が得られる。
この場合、スタンパー２２の溝形成面は保護膜２０によって覆われているので、内外形加工において切削粉が溝に進入して欠陥を発生させることがなく、また、スタンパー２２の保管時にゴミ等が付着して欠陥が発生することがない。
【００５１】
図６及び図７（ａ）参照
次に、光磁気記録媒体の製造工程に移ると、まず、スタンパー２２から保護膜２０を剥離させたのち、専用の成形機によりスタンパー２２を装着し、次いで、スタンパー２２の溝形成面に熱で溶かしたポリカーボネートからなる樹脂２３を充填する。
【００５２】
図６及び図７（ｂ）参照
次いで、溶融した樹脂２３を冷却することによって樹脂基板２４としたのち、上述の図１９に示したＵＶ／Ｏ３　洗浄装置ＨＵＶ−１００（原田産業製商品名）を用いてＵＶ／Ｏ３　洗浄を行って樹脂基板２４の表面粗さを改善する。
この場合の紫外線２５は、上述の様に１８５ｎｍと２４５ｎｍを同時に照射するもので、２分照射する。
【００５３】
図６及び図７（ｃ）参照
以降は、再び、従来例と同様に、例えば、１２０℃で２時間の熱処理を施すことによって、樹脂基板２４に含まれる水分を水蒸気２６として飛ばす。
【００５４】
図６及び図７（ｄ）参照
次いで、吸湿しないよう直ちに、樹脂基板２４の溝形成面に多層構造の磁性層及び反射膜を順次堆積させることによって記録層２７を形成する。
【００５５】
図６及び図８（ｅ）参照
次いで、記録層２７の表面に記録層２７を保護するのと記録層２７の吸湿による腐食防止のため樹脂からなる記録層保護膜２８を形成するとともに、樹脂基板２４の裏面、即ち、読取面に静電気によるゴミ付着防止と傷防止のために樹脂からなる読取面保護膜２９を形成する。
【００５６】
図６及び図８（ｆ）参照
次いで、樹脂基板２４の内径部にドライブ装置に着磁するための磁性金属からなるハブ３０を取り付けて光磁気記録媒体３１とする。
【００５７】
図６及び図８（ｇ）参照
最後に、光磁気記録媒体３１をカートリッジ３２に収容することによって光磁気ディスクが完成する。
【００５８】
この様に、本発明の第１の実施の形態においては、Ｎｉスタンパーと樹脂基板に対して表面粗さ改善効果が見いだされたＡｒ環境下におけるプラズマ処理を用いてＮｉスタンパーの表面粗さを改善し、且つ、レジスト及び樹脂基板に対して表面粗さ改善効果が見いだされたＵＶ／Ｏ３　洗浄を用いて比較的短時間の処理により樹脂基板の表面粗さを改善しているので、ランド及びグルーブの角の丸みが過度にとれることがなく、したがって、クロストークの改善と低ノイズ化を両立することが可能になる。
【００５９】
即ち、Ａｒ環境下のプラズマ処理によって、スタンパー自体の面粗さが少し改善されるが、角が丸まらず、一方、光磁気記録媒体では、ＵＶ処理によりさらに面粗さが改善されるが、照射時間が、ＵＶ処理のみで実施した時と比較すると少ないため角が丸まらず、クロストークがあまり悪くなくＳ／Ｎ、Ｃ／Ｎがよい光磁気記録媒体媒体が完成する。
【００６０】
また、本発明の第１の実施の形態においては、Ａｒ環境下でのプラズマ放電をスタンパーに対して行うため、スタンパーが消耗するまで１度するだけで良いためタクト的に有利となる。
但し、Ａｒ環境下でのプラズマ放電とＵＶ／Ｏ３　洗浄の間に成形工程等の工程が入るため、Ａｒ環境下でのプラズマ放電で面粗さを改善したものが成形で面粗さを少し悪化させてしまうので、ＵＶ／Ｏ３　洗浄のＵＶ照射時間をそれを補うため多少長めにする必要があり、それによって、ランドの角が丸くなりやすい。
【００６１】
次に、図９乃至図１２を参照して本発明の第２の実施の形態を説明するが、この本発明の第２の実施の形態におけるスタンパーの製造工程は、上述の図１３乃至図１５に示した従来のスタンパーの製造工程と全く同様であるので説明は省略する。
なお、図９は本発明の第２の実施の形態の光磁気記録媒体のプロセスフロー図であり、また、図１０及び図１１は、図９のプロセスフローに沿った工程説明図である。
【００６２】
図９及び図１０（ａ）参照
まず、従来と同様の工程で形成したスタンパー２２から保護膜２０を剥離させたのち、専用の成形機にスタンパー２２を装着し、ついで、スタンパー２２の溝形成面側に熱で溶かしたポリカーボネートからなる樹脂２３を充填する。
【００６３】
図９及び図１０（ｂ）参照
次いで、溶融した樹脂２３を冷却することによって樹脂基板２４としたのち、本発明の第２の実施の形態における特徴点であるＡｒ環境下でのプラズマ洗浄を行うことによって、樹脂基板２４の表面粗さを改善する。
この場合、例えば、プラズマエッチング装置ＤＥＡ５０６（アネルバ製商品名）を用い、反応室にＡｒガスを３０ｓｃｃｍ流して５Ｐａのガス圧とした状態で、１３．５６ＭＨｚで３００Ｖの高周波電圧を１〜３分、例えば、２分プラズマ３３を照射して行う。
【００６４】
図９及び図１０（ｃ）参照
次いで、上記の第１の実施の形態と同様に、ＵＶ／Ｏ３　洗浄装置ＨＵＶ−１００（原田産業製商品名）を用いてＵＶ／Ｏ３　洗浄を行って樹脂基板２４の表面粗さを改善する。
この場合の紫外線２５は、上述の様に１８５ｎｍと２４５ｎｍを同時に照射するものであり、２分照射する。
【００６５】
図９及び図１０（ｄ）参照
以降は、再び、従来例と同様に、例えば、１２０℃で２時間の熱処理を施すことによって、樹脂基板２４に含まれる水分を水蒸気２６として飛ばす。
【００６６】
図９及び図１０（ｅ）参照
次いで、吸湿しないよう直ちに、樹脂基板２４の溝形成面に多層構造の磁性層及び反射膜を順次堆積させることによって記録層２７を形成する。
【００６７】
図９及び図１１（ｆ）参照
次いで、記録層２７の表面に記録層２７を保護するのと記録層２７の吸湿による腐食防止のため樹脂からなる記録層保護膜２８を形成するとともに、樹脂基板２４の裏面、即ち、読取面に静電気によるゴミ付着防止と傷防止のために樹脂からなる読取面保護膜２９を形成する。
【００６８】
図９及び図１１（ｇ）参照
次いで、樹脂基板２４の内径部にドライブ装置に着磁するための磁性金属からなるハブ３０を取り付けて光磁気記録媒体３１とする。
【００６９】
図９及び図１１（ｈ）参照
最後に、光磁気記録媒体３１をカートリッジ３２に収容することによって光磁気ディスクが完成する。
【００７０】
【表２】
2004086989.tif 000004
表２は、上記の第２の実施の形態におけるＵＶ／Ｏ３　洗浄後の表面粗さＲａ　、Ｒｍａｘ　、Ｒｚ　を測定した結果を示す表であり、上述の表１に示したＵＶ／Ｏ３　洗浄のみ及びＡｒ環境下におけるプラズマ放電のみに比べて表面粗さが改善されていることが理解される。
また、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）写真からは、ランド及びグルーブの角が取れていないことが確認され、これは、ＵＶ照射時間が短いためと考えられる。
【００７１】
図１２（ａ）及び（ｂ）参照
図１２（ａ）は、ランド部におけるＣ／Ｎの再生磁場強度依存性を示す図であり、また、図１２（ｂ）は、グルーブ部おけるＣ／Ｎの再生磁場強度依存性を示す図であり、クロストークが顕著にでるように、表１及び表２で使用した基板より狭ピッチの基板を使用し、各条件で基板処理をしたあと成膜を行い隣接トラックに測定するパターンと相違したパターンを書き込みＣ／Ｎ測定したものである。
この場合の各条件は、▲１▼は未処理、▲２▼はＵＶ／Ｏ３　洗浄のみ、▲３▼がＡｒ環境下でのプラズマ放電後、ＵＶ／Ｏ３　洗浄したものである。
【００７２】
図１２（ａ）及び（ｂ）から明らかなように、ランド部及びクルーブ部共、▲１▼未処理、▲２▼ＵＶ／Ｏ３　洗浄、▲３▼Ａｒ環境下でのプラズマ放電後、ＵＶ／Ｏ３　洗浄の順でＣ／Ｎは改善されている。
【００７３】
また、クローストークの影響であるが、再生磁場強度依存特性の平坦部の幅が尺度となり、平坦部の幅が広いほどクロストークの影響を受け難いので、▲２▼ＵＶ／Ｏ３　洗浄、▲３▼Ａｒ環境下でのプラズマ放電後、ＵＶ／Ｏ３　洗浄、▲１▼未処理の順でマージンがあることが理解される。
従って、Ａｒ環境下でのプラズマ放電後、ＵＶ／Ｏ３　洗浄することにより、低ノイズで、且つ、ＵＶ／Ｏ３　洗浄と比較してクロストークマージンの大きい媒体が得られる。
【００７４】
この様に、本発明の第２の実施の形態においては、Ｎｉスタンパーと樹脂基板に対して表面粗さ改善効果が見いだされたＡｒ環境下におけるプラズマ処理及びレジスト及び樹脂基板に対して表面粗さ改善効果が見いだされたＵＶ／Ｏ３　洗浄の両方を用いて樹脂基板の表面粗さを改善しているので、ランド及びグルーブの角の丸みが過度にとれることがなく、したがって、クロストークの改善と低ノイズ化を両立することが可能になる。
【００７５】
即ち、樹脂基板自体の面粗さが少し改善されるが、角が丸まらず、さらに、ＵＶ処理によりさらに面粗さが改善されるが、照射時間が、ＵＶ処理のみで実施した時と比較すると少ないため角が丸まらず、クロストークがあまり悪くなくＳ／Ｎ、Ｃ／Ｎが良好な媒体が完成する。
【００７６】
また、本発明の第２の実施の形態においては、Ａｒ環境下でのプラズマ放電とＵＶ／Ｏ３　洗浄の間の工程はないので、工程に伴う面粗さの劣化が発生することなく、したがって、ＵＶ照射時間をより短くすることができるので、クロストークをより低減することができる。
但し、Ａｒ環境下でのプラズマ放電後、ＵＶ／Ｏ３　洗浄を各樹脂基板毎に実施しなければならないので、タクト的には、上記の第１の実施の形態に比べて不利になる。
【００７７】
以上、本発明の各実施の形態を説明してきたが、本発明は各実施の形態に記載した構成に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記各実施の形態の説明においては、樹脂基板としてポリカーボネートを用いているが、ポリカーボネートに限られるものではなく、ＡＰＳ系樹脂等の他の樹脂を用いても良いものである。
【００７８】
また、上記の第１の実施の形態においては、スタンパーに対するＡｒ環境下でのプラズマ放電を裏面研磨前に行っているが、図５（ｈ）に示した裏面研磨後に実施しても良いものである。
【００７９】
また、上記の第１の実施の形態においては、樹脂基板に対するＵＶ／Ｏ３　洗浄をアニール前に行っているが、成形後に樹脂基板の表面が露出している時点で行えば良い工程であるので、アニール後にＵＶ／Ｏ３　洗浄を施しても良いものである。
【００８０】
また、上記の第２の実施の形態においては、樹脂基板に対するＡｒ環境下でのプラズマ放電、ＵＶ／Ｏ３　洗浄をアニール前に行っているが、この場合も、成形後に樹脂基板の表面が露出している時点で行えば良い工程であるので、アニール後に、Ａｒ環境下でのプラズマ放電、ＵＶ／Ｏ３　洗浄を行っても良いものである。
【００８１】
また、上記の各実施の形態においては、光磁気記録媒体の製造工程として説明しているが、この光磁気記録媒体は、所謂ＭＯ及びＭＤのいずれにも適用されるものであり、さらには、本発明は、光磁気記録媒体に限られるものではなく、相変化型光ディスク等の磁気を用いない光記録媒体にも適用されるものであり、本明細書においては、これらを纏めて光ディスクと称している。
【００８２】
【発明の効果】
本発明によれば、スタンパーに対してＡｒ環境下でのプラズマ放電を行った後、樹脂基板に対しＵＶ／Ｏ３　洗浄を行うか、或いは、樹脂基板に対して、Ａｒ環境下でのプラズマ放電後、ＵＶ／Ｏ３　洗浄を行っているので、ＵＶ／Ｏ３　洗浄処理時間を短くすることができ、それによって、ランド及びグルーブの角のまるみが少なくなるので、Ｓ／Ｎ、Ｃ／Ｎが良くクロストークが良好な光記録媒体を作成することができ、ひいては、光ディスク装置の大容量化・高記録密度化に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態のスタンパーのプロセスフロー図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態のスタンパーの途中までの製造工程の説明図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態のスタンパーの図３以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態のスタンパーの図４以降の製造工程の説明図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態の光磁気記録媒体のプロセスフロー図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態の光磁気記録媒体の途中までの製造工程の説明図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態の光磁気記録媒体の図７以降の製造工程の説明図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態の光磁気記録媒体のプロセスフロー図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態の光磁気記録媒体の途中までの製造工程の説明図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態の光磁気記録媒体の図１０以降の製造工程の説明図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態の作用効果の説明図である。
【図１３】従来のスタンパーのプロセスフロー図である。
【図１４】従来のスタンパーの途中までの製造工程の説明図である。
【図１５】従来のスタンパーの図１４以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図１６】従来の光磁気記録媒体のプロセスフロー図である。
【図１７】従来の光磁気記録媒体の途中までの製造工程の説明図である。
【図１８】従来の光磁気記録媒体の図１７以降の製造工程の説明図である。
【図１９】ＵＶ／Ｏ３　処理装置の概略的構成図である。
【図２０】表面粗さＲａ　のＵＶ／Ｏ３　処理時間依存性の説明図である。
【図２１】表面粗さＲａ　のプラズマ処理時間依存性の説明図である。
【符号の説明】
１　スタンパー
２　プラズマ
３　光ディスク用基板
４　紫外線
１１　ガラス原盤
１２　レジスト膜
１３　露光光
１４　溝
１５　レジストパターン
１６　メッキシード層
１７　Ｎｉメッキ層
１８　レジスト残渣
１９　プラズマ
２０　保護膜
２１　内部径
２２　スタンパー
２３　樹脂
２４　樹脂基板
２５　紫外線
２６　水蒸気
２７　記録層
２８　記録層保護膜
２９　読取面保護膜
３０　ハブ
３１　光磁気記録媒体
３２　カートリッジ
３３　プラズマ
５１　ガラス原盤
５２　レジスト膜
５３　露光光
５４　溝
５５　レジストパターン
５６　メッキシード層
５７　Ｎｉメッキ層
５８　レジスト残渣
５９　保護膜
６０　内部径
６１　スタンパー
６２　樹脂
６３　樹脂基板
６４　水蒸気
６５　記録層
６６　記録層保護膜
６７　読取面保護膜
６８　ハブ
６９　光磁気記録媒体
７０　カートリッジ
７１　紫外線ランプ
７２　ターンテーブル
７３　モータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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