(57)【要約】【課題】垂直磁気異方性の低下を抑制し、かつノイズを低減することが可能な垂直磁気記録媒体を提供すること。【解決手段】非磁性支持体１０１の上に形成されたパラジウム下地層１０２の上に、コバルト膜とパラジウム膜とをこの順に交互に積層して得られる強磁性金属薄膜１０３を形成した垂直磁気記録媒体１００において、強磁性金属薄膜１０３の膜厚を１５ｎｍ以上かつ３０ｎｍ以下の範囲内とし、強磁性金属薄膜１０３に含まれるコバルト膜厚ｄＣｏと強磁性金属薄膜１０３に含まれるパラジウム膜厚ｄＰｄとの比ｄＣｏ／ｄＰｄを０．２５から０．４３とし、コバルト膜を構成する磁気粒子の粒径を６０ｎｍ以下とし、パラジウム下地層１０２の膜厚を２０ｎｍ以上とした構成を有している。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性支持体の上に形成されたパラジウム下地層の上に、コバルト膜とパラジウム膜とをこの順に交互に積層して得られる強磁性金属薄膜を形成した垂直磁気記録媒体において、
前記強磁性金属薄膜の膜厚を１５ｎｍ以上かつ３０ｎｍ以下の範囲内とし、前記強磁性金属薄膜に含まれるコバルト膜厚ｄＣｏと前記強磁性金属薄膜に含まれるパラジウム膜厚ｄＰｄとの比ｄＣｏ／ｄＰｄを０．１７から０．４３とし、強磁性金属薄膜の磁気クラスターサイズを６０ｎｍ以下とし、前記パラジウム下地層の膜厚を２０ｎｍ以上としたことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンピュータや映像記録に用いる垂直磁気記録媒体に関し、特に熱安定性に優れ高密度の磁気記録が可能な垂直磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ハードディスクの記録方式としては、画面内記録方式がほとんど採用されており、その磁気記録層は、ほとんどがコバルト−クロム（ＣｏＣｒ）系微粒子を用いて形成されている。そして、高密度化のため、磁気記録層を構成する粒子のさらなる微粒子化が推進されている。
【０００３】
そして、微粒子化を進めると個々の微粒子の持つ磁気エネルギーは小さくなり、この磁気エネルギーは、室温の熱エネルギー（ｋｂＴ、ｋｂはボルツマン定数（−１．３８×１０−１６ｅｒｇ／Ｋ）、Ｔは絶対温度。）に近づいてきている。その結果、記録された磁化情報が熱振動によって時間の経過とともに消える、いわゆる、熱揺らぎによる記録限界に近づいてきた。
【０００４】
熱揺らぎによる記録限界の大幅な向上は、コバルト−クロムのような微粒子媒体を用いる限り困難であると考えられ、この記録限界を打ち破るための研究が行われている。その解決策の一つとして、垂直磁気記録方式があるが、垂直磁気記録方式においても磁気記録層を微細化すると熱緩和による記録限界が存在する。
【０００５】
そのため、面内と膜厚方向に連続な構造をしている希土類鉄非晶質合金を磁気記録層に用いるという提案がある。しかし、現在報告されている非晶質媒体は、熱揺らぎによる記録磁化の減衰は少ないが、ノイズが高いため、高密度記録は困難であった。これは希土類遷移金属合金やコバルト／パラジウム多層膜といった高い垂直磁気異方性を有する連続膜は一般に面内方向の磁気的な相互作用が強いため、記録後に磁壁が移動して記録マークが乱れたり、消失したりすることがあるからである。
【０００６】
そこでコバルト／パラジウム多層膜系の媒体において、磁気記録層を構成するコバルト（Ｃｏ）膜および／またはパラジウム（Ｐｄ）膜にホウ素などの非磁性元素を添加して、磁気記録層を構成する粒子を孤立させて磁壁のピニングを行い、ノイズを低減する手法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−２５０３２号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の技術では、磁壁をピニングするために添加した非磁性元素の存在によって、保磁力や垂直磁気異方性などの高密度化にとって重要な磁気特性が低下してしまうため、高密度化が図れないという問題があった。
【０００９】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みなされたものであり、本発明の目的は、垂直磁気異方性の低下を抑制し、かつノイズを低減することが可能な垂直磁気記録媒体を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記問題点を解決するために、従来の面内記録より高密度化に有利な垂直磁気記録に注目し、面内は連続的であるが膜厚方向には周期構造を有し、かつ垂直磁気異方性を有するコバルト膜とパラジウム膜の積層膜に着目した。この媒体をスパッタ法でコバルト膜とパラジウム膜を交互に積層した磁気記録層の層厚などを変えるとともに、スパッタガス圧を変えて試作した。試作した媒体について磁気特性の測定と磁気力顕微鏡による磁化分布の測定、スピンスタンドを用いて記録再生実験を行い、作製条件と膜の構造を最適化することで以下の発明をした。
【００１１】
請求項１に係る発明は、非磁性支持体の上に形成されたパラジウム下地層の上に、コバルト膜とパラジウム膜とをこの順に交互に積層して得られる強磁性金属薄膜を形成した垂直磁気記録媒体において、前記強磁性金属薄膜の膜厚を１５ｎｍ以上かつ３０ｎｍ以下の範囲内とし、前記強磁性金属薄膜に含まれるコバルト膜厚ｄＣｏと前記強磁性金属薄膜に含まれるパラジウム膜厚ｄＰｄとの比ｄＣｏ／ｄＰｄを０．１７から０．４３とし、強磁性金属薄膜の磁気クラスターサイズを６０ｎｍ以下とし、前記パラジウム下地層の膜厚を２０ｎｍ以上とした構成を有している。
この構成により、垂直磁気異方性の低下を抑制し、かつノイズを低減することが可能な垂直磁気記録媒体を実現することができる。
【００１２】
ここで、パラジウム下地層の成膜時に使用するスパッタガスとしてアルゴンを用いた場合、そのガス圧は５．５ｍＴｏｒｒから２０ｍＴｏｒｒの範囲で上記の発明に係る成膜を行うことができる。なお、上記の成膜にはスパッタ法の他に蒸着法、レーザアブレーション法、イオンビームスパッタ法を用いて成膜することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る垂直磁気記録媒体の断面構造を概念的に示した図である。図１において、垂直磁気記録媒体１００は、非磁性支持体としての基板１０１に、下地層１０２、および垂直磁気記録層１０３を含むように構成される。また、垂直磁気記録層１０３の上にさらに保護層１０４、潤滑層１０５等を積層するのでもよい。
【００１４】
基板１０１は、非磁性の支持体からなり、例えば、ディスク形状に加工された、ガラス基板、アルミニウム基板、シリコン基板、カーボン基板、ポリカーボネート基板、その他の基板が使用できる。以下では、基板１０１のことを「非磁性支持体１０１」ともいう。ここで、非磁性支持体１０１のディスクサイズは特に限定されるものではなく、一般的な１．０ｉｎｃｈφ〜５．２５ｉｎｃｈφのディスクサイズの基板を使用するのでもよい。また、厚みも特に限定されるものではなく、０．１〜２．０ｍｍのものが使用できる。
【００１５】
なお、ハードディスクでは、磁気ヘッドを極僅かに浮上させて走行させながら記録再生を行うため、基板１０１の表面粗さは平滑であることが好ましい。このため、基板１０１表面を物理的あるいは化学的に研磨して、鏡面加工することが好ましい。本発明においてコバルト／パラジウム多層膜からなる垂直磁気記録層１０３を用いる場合、垂直磁気記録層１０３は基板１０１を加熱することなく室温で成膜しても十分な磁気特性がえられるため、コバルト−クロム（ＣｏＣｒ）系合金の様に成膜に際して基板加熱をすることが不要であり、生産性に優れていると同時に、コバルト−クロム系合金で使用することが難しかったプラスティック基板も使用することができる。
【００１６】
本発明では磁気記録層の記録特性を改善するため、垂直磁気記録層１０３の下に下地層１０２を設けることが好ましい。この下地層１０２としては、パラジウムが特に好ましい。このパラジウム（Ｐｄ）の膜を下地層１０２にすることよって垂直磁気記録層１０３の初期成長層を低減できるため、低ノイズの記録特性を得ることができる。以下では、下地層１０２はパラジウムの膜によって形成されるものとし、下地層１０２のことをパラジウム下地層１０２という。
【００１７】
また、垂直磁気記録層１０３の面内の磁気的相互作用を弱め、本発明の反転磁界分布、角型比を達成してノイズを低減するためには、パラジウム下地層１０２の成膜条件および膜厚を調整することでパラジウム下地層１０２上に適切な表面粗さを形成したり、パラジウム下地層１０２にシリカ、室化ケイ素、ホウ素などの非磁性元素、非磁性化合物を添加したりすることによって下地層１０２を、いわゆる、グラニュラ構造とすればよい。
【００１８】
本実施の形態では、基板１０１寄りの方向を「下」の方向といい、基板１０１から遠ざかる方向を「上」の方向という。また、反転磁界分布とは、磁化曲線を印加磁界の方向に微分を取って得られた微分曲線において、磁化反転が生じる保磁力近傍に現れる微分曲線のピークの半値幅ｄＨと保磁力Ｈｃの比で求められる値のことをいう。さらに、角型比とは、飽和磁化に対する残留磁化の比のことをいう。
【００１９】
パラジウム下地層１０２の膜厚は２０ｎｍ以上であり、特に好ましくは２０〜５０ｎｍの範囲である。膜厚がこれ以下では下地層１０２を設ける効果が得られず、これ以上では下地層１０２の粒子成長による表面性の低下や面内方向の粒径の増大によって反転磁界分布が増大し、ノイズが増加してしまう。したがって、本発明の反転磁界分布、角型比を達成するように、パラジウム下地層１０２膜厚を調整するものとする。
【００２０】
パラジウム下地層１０２は、例えばスパッタ法で作成するのでもよい。この際、スパッタ条件及び膜厚を調整し、適度な表面粗さ、結晶構造を付与する必要がある。表面粗さとしてはＲｍａｘで５〜２０ｎｍ、粒子のサイズとして１〜３０ｎｍ程度が好ましい。パラジウム下地層１０２を生成するためのスパッタ法としては、例えば、ＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法、ＤＣパルススパッタ法、ＲＦバイアススパッタ法、反応性スパッタ法などを使用するのでもよい。
【００２１】
パラジウム下地層１０２をスパッタ法で成膜する場合、スパッタリングのために導入するガス（以下、単に「スパッタガス」という。）として、例えば、アルゴンなどの希ガスを用いるが、このガス圧を変更することで、表面粗さや粒子サイズを変化させることができる。スパッタガスのガス圧（以下、単に「スパッタガス圧」という。）が２０ｍＴｏｒｒ程度の場合、一般に、パラジウム下地層１０２は微小な粒子群からなる状態（以下、単に「粒状」という。）を呈し、細かな凹凸が高密度に形成された表面性となる。逆にガス圧を低くすると、パラジウムは連続膜となり、平坦な表面性となる。
【００２２】
パラジウム下地層１０２が粒状を呈すると、この粒状に応じて後述のコバルト／パラジウム多層膜が成膜されるため、この粒状に対応した磁壁のピン止め効果が得られ、面内の磁気的相互作用が弱まる。ガス圧が低い（例えば０．５ｍＴｏｒｒ程度）場合には磁壁移動型の磁気記録層を形成しやすく、交換相互作用が強くなる。したがって、本発明においては、スパッタガス圧を５．５〜２０ｍＴｏｒｒの範囲内の値とする。
【００２３】
パラジウム下地層１０２にホウ素などの非磁性元素を添加する場合には、パラジウムに非磁性元素を添加して合金化したターゲットを用いてスパッタリングするのでもよい。また、パラジウム下地層１０２に酸素などを導入する場合には、アルゴンなどのスパッタガスに加え、微量の酸素を導入し、スパッタリングすることで膜中に酸素を含有するパラジウム下地層１０２を形成することができる（反応性スパッタ）。
【００２４】
パラジウム下地層１０２に適切な非磁性元素を導入するとパラジウム下地層１０２が粒状化しやすくなり、いわゆるグラニュラ構造の膜を形成できる。この様に作製したグラニュラ構造のパラジウム下地層１０２は、上記の高ガス圧スパッタで形成したパラジウム下地層１０２と同様に、この上に形成するコバルト／パラジウム多層膜からなる磁気記録層の磁壁のピン止め効果が得られるため、磁気記録層における面内方向の交換相互作用を制御することできる。
【００２５】
次に、パラジウム下地層１０２上に形成する垂直磁気記録層（単に、「記録層」ともいう。）１０３について説明する。本発明においては、垂直磁気記録層１０３は、コバルト／パラジウム多層膜によって構成されるため、垂直磁気記録層１０３を、コバルト／パラジウム多層膜ともいう。本発明においてコバルト膜の厚みｄＣｏとパラジウム（Ｐｄ）膜の厚みｄＰｄの比ｄＣｏ／ｄＰｄは（以下、単に「コバルト／パラジウム層厚比ｄＣｏ／ｄＰｄ」という。また、コバルト／パラジウム垂直磁気記録層１０３の厚みを「記録層厚」という。）０．１７から０．４３の範囲（以下、「適正範囲比」という。）である。
【００２６】
コバルト膜が薄くなってこの適正範囲比を下回ると、磁気記録層が磁性を失ってしまい、逆にコバルト膜が厚くなって適性範囲比を上回ると保磁力が低下し、ノイズが上昇してしまう。また、パラジウム膜が薄くなってこの適正範囲比を上回ると、垂直磁気異方性が低下し、出力の低下やノイズの増加を生じ、逆にパラジウム膜が厚くなって適性範囲比を下回ると磁化が減少するため、出力の低下を生じてしまう。
【００２７】
このコバルト膜およびパラジウム膜を必要量積層することで好ましい磁気記録層厚を得る。本発明のコバルト／パラジウム多層膜からなる磁気記録層全体の膜厚は、１５〜３０ｎｍの範囲内にあるものとする。これ以上膜厚を薄くすると保磁力が大きく低下すると共に、熱揺らぎの影響が無視できなくなる。逆に、これ以上厚くすると、磁化量の増加によってノイズが大きくなってしまう。
【００２８】
上記の膜構成と後述の成膜条件とを制御することで、磁気記録層の垂直方向の保磁力および飽和磁化を制御することができる。ここで、保磁力としては、１５００Ｏｅ〜８０００Ｏｅの範囲内にあることが好ましい。保磁力が低いと反磁界による逆磁区の形成が生じやすくなり、保磁力が高すぎると、磁気ヘッドの信号書き込みが困難となる。ここで、１［Ｏｅ］は、１０３／４π［Ａｍ−１］である。
【００２９】
また、このコバルト／パラジウム多層膜は、前述のように面内方向の磁気的交換結合が非常に強いことが知られており、これを制御する方法としてはパラジウム下地層１０２の設計が有効であるが、さらにコバルトあるいはパラジウム中に微量の酸素や窒素を添加して磁性体を孤立させる手法も使用できる。
【００３０】
また、パラジウム下地層１０２の形成の場合と同様に、コバルト／パラジウム多層膜をスパッタ法で形成する際のスパッタガス圧によっても交換相互作用を制御することができる。一般に、ガス圧を高く（例えば２０ｍＴｏｒｒ程度）すると、コバルト／パラジウム多層膜は微小な粒子からなる粒状を呈し、細かな凹凸が高密度に形成された表面性となる。
【００３１】
逆に、ガス圧を低下させるとパラジウム下地層１０２に見られる粒状がほぼ消え、平坦な表面性となる。コバルト／パラジウム多層膜が粒状を呈すると、この粒状に応じた磁壁のピン止め効果が得られ、面内の磁気的相互作用が弱まる。ガス圧が低い（例えば０．５ｍＴｏｒｒ程度）場合には、磁壁移動型の磁気記録層を形成しやすく、交換相互作用が強くなる。
【００３２】
コバルト／パラジウム多層膜の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタ法等の物理的蒸着法をあげることができるが、組成制御と膜厚制御が容易である点で、スパッタ法が特に好ましい。スパッタ法としては、例えば、ＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法、ＤＣパルススパッタ法、ＲＦバイアススパッタ法、反応性スパッタ法などを使用するのでもよい。スパッタは、支持体を保持させた基板１０１を回転させて、コバルトまたはパラジウムのターゲットにほぼ対抗する位置を通過させて膜を形成する方法や、逆に支持体を保持させた基板１０１を固定し、各ターゲットを回転させて通過させて膜を形成する方法で行うのでもよい。
【００３３】
また、単磁極ヘッドと組み合わせて使用する場合には、支持体とパラジウム下地層１０２との間に軟磁性材料からなる裏打ち層を設けてもよい。軟磁性材料としては、例えば、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ系、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ系、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系等の磁性合金材料を使用することができる。裏打ち層の膜厚は、３０〜２００ｎｍが好ましい。
【００３４】
次に、垂直磁気記録層１０３上に作製する保護層１０４について説明する。保護層１０４は、垂直磁気記録層１０３に含まれる金属材料の腐蝕を防止し、磁気ヘッドと磁気ディスクとの擬似接触または接触摺動による磨耗を防止して、走行耐久性、耐食性を改善するために設けられる。
【００３５】
保護層１０４には、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化コバルト、酸化ニッケルなどの酸化物、窒化チタン、窒化ケイ素、窒化ホウ素などの窒化物、炭化ケイ素、炭化クロム、炭化ホウ素等の炭化物、グラファイト、無定型カーボンなどの炭素等の材料を使用することができる。
【００３６】
保護層１０４としては、磁気ヘッド材質と同等またはそれ以上の硬度を有する硬質膜であり、摺動中に焼き付きを生じ難く、その効果が安定して持続するものが、摺動耐久性に優れており好ましい。また、同時にピンホールが少ないものが、耐食性に優れておりより好ましい。このような保護膜としては、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やスパッタリング法で作製されるＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）と呼ばれる硬質炭素膜があげられる。
【００３７】
保護層１０４上には、走行耐久性および耐食性を改善するために、潤滑膜が設けられる。潤滑膜には、公知の炭化水素系潤滑剤、フッ素系潤滑剤、極圧添加剤等の潤滑剤が使用される。
【００３８】
炭化水素系潤滑剤としては、ステアリン酸、オレイン酸等のカルボン酸類、ステアリン酸ブチル等のエステル類、オクタデシルスルホン酸等のスルホン酸類、リン酸モノオクタデシル等のリン酸エステル類、ステアリルアルコール、オレイルアルコール等のアルコール類、ステアリン酸アミド等のカルボン故アミド類、ステアリルアミン等のアミン類などがあげられる。
【００３９】
フッ素系潤滑剤としては、上記炭化水素系潤滑剤のアルキル基の一部または全体をフルオロアルキル基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑剤があげられる。パーフルオロポリエーテル基としては、パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピレンオキシド重合体（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ、パーフルオロイソプロピレンオキシド重合体（ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ）ｎ、またはこれらの共重合体等があげられる。具体的には、分子末端に水酸基を有するパーフルオロメチレン−パーフルオロエチレン共重合体（アウジモント社製、商品名「ＦＯＭＢＬＩＮ  Ｚ−ＤＯＬ」）等があげられる。
【００４０】
極圧添加剤としては、リン酸トリラウリル等のリン酸エステル類、亜リン酸トリラウリル等の亜リン酸エステル類、トリチオ亜リン酸トリラウリル等のチオ亜リン酸エステルやチオリン酸エステル類、二硫化ジベンジル等の硫黄系極圧剤などがあげられる。
【００４１】
なお、上記の潤滑剤は、単独もしくは複数を併用して使用することができ、潤滑剤を有機溶剤に溶解した溶液を、スピンコート法、ディップコート法等で保護層１０４表面に塗布するか、真空蒸着法により保護層１０４裏面に付着させればよい。潤滑剤の塗布量としては、０．５〜２ｎｍが特に好ましい。
【００４２】
また、耐食性をさらに高めるために、防錆剤を併用することが好ましい。防錆剤としては、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダソール、プリン、ピリミジン等の窒素含有複素環類もしくはこれらの母核にアルキル側鎖等を導入した誘導体、または、ベンゾチアゾール、２−メルカプトンベンゾチアゾール、テトラザインテン環化合物、チオウラシル化合物等の窒素、または、硫黄含有複素環類もしくはこの誘導体等があげられる。これら防錆剤は、潤滑割に混合して保護層１０４上に塗布してもよく、潤滑剤を塗布する前に保護層１０４上に塗布し、その上に潤滑剤を塗布するのでもよい。防錆剤の塗布量としては、潤滑剤の塗布量に対して０．１〜１０ｗｔ％が好ましい。
【００４３】
上述の製造方法で作製した磁気記録媒体は、工程で付着した塵埃や潤滑剤の凝集が生じることがある。このため、作製した磁気記録媒体は熱処理、ワイピング、バーニッシュなどのクリーニング工程によってクリーニングされることが好ましい。
【００４４】
次に、磁気クラスターサイズの評価方法と磁気クラスターサイズがメディアに与える影響について説明する。一般に、磁気記録媒体を交流消磁すると、その磁区を静磁的にとりうる最小サイズにすることができる。これを磁気クラスターサイズとして定義すると、交流消磁された媒体表面を磁気顕微鏡ＭＦＭにより観察し、自己相関関数の半値幅を計算することにより磁気クラスターサイズを求めることができる。磁気クラスターサイズは、媒体上に記録可能な最短ビット長となるとともに、交流消磁ノイズやＳ／Ｎと強い相関を持っている。
【００４５】
試作した垂直磁気記録媒体１００の断面構造は図１に示すようになっている。基板１０１として表面が平坦な強化ガラスを用い、この基板１０１上にスパッタ法により、パラジウム下地層１０２、垂直磁気記録層（コバルト／パラジウム多層膜）１０３、保護層１０４を順次積層した。
【００４６】
パラジウム下地層１０２を１０〜７５ｎｍ、垂直磁気記録層１０３としてコバルト膜とパラジウム膜を２０〜３０層まで、層厚を２０〜３０ｎｍまで交互に積層し、膜厚５ｎｍのカーボン保護膜４（膜厚５ｎｍ）を形成した。これらを形成後、さらに、１ｎｍの膜厚で潤滑剤をコーティングして潤滑層１０５を形成し、垂直磁気記録媒体１００を得た。
【００４７】
本発明では、コバルト膜とパラジウム膜の厚さ、垂直磁気記録層１０３の層厚などを変化させるとともに、スパッタガスとしてアルゴンを用い、異なるアルゴンガス圧下で媒体を作製した。
【００４８】
上記方法で作製した垂直磁気記録媒体１００の磁気特性は、試料振動型磁化測定装置（ＶＭＳ）とカー効果測定装置を用いた。記録再生特性の測定には、スピンスタンドを用いた。また、消磁後の磁化分布は、磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）で観察し、この磁化分布から磁気クラスターサイズを求め記録可能密度を導出した。角型比Ｓは、磁気ヒステリシスループから求めた。再生出力の減衰率とＳ／Ｎは、記録再生実験を行って測定した。
【００４９】
表１にパラジウム下地層１０２の厚さ、成膜時のアルゴンガス圧、膜厚などを変えた媒体の磁気クラスターサイズ、記録可能密度、Ｓ／Ｎなどの測定結果を示す。
【表１】
2004342155.tif 000003
表１に示す全ての垂直磁気記録媒体１００において、記録１０００秒後の再生出力の減衰率は０で、熱緩和特性は非常に良かった。ここで、Ｓ／Ｎは、０からピークまでの値を実効値（ｒｍｓ）で割ったものをデシベル（ｄＢ）で表示したものである。
【００５０】
第２図に、規格化交流ノイズの磁気クラスターサイズ依存性を示す。交流ノイズは磁気クラスターサイズと強い相関を示しており、磁気クラスターサイズの減少とともに交流ノイズも減沙している。また、磁気クラスターサイズはＳ／Ｎとも強い相関があり、第３図に示したように、記録密度５００ｋＦＣＩにおいて、−２０ｄＢ以上のＳ／Ｎを達成するには、磁気クラスターサイズが６０ｎｍ以下であることが必要となる。
【００５１】
第４図に、磁気クラスターサイズの垂直磁気記録層（Ｐｄ／Ｃｏ）厚依存性を示す。垂直磁気記録層１０３が１５ｎｍから３０ｎｍの範囲では、磁気クラスターサイズは６０ｎｍ以下が達成できる。
【００５２】
パラジウム下地層１０２膜厚を変えたときの磁気クラスターサイズの変化を第５図に示す。磁気クラスターサイズは、パラジウム下地層１０２膜厚が３０ｎｍでピークを示し、さらにパラジウム膜厚が厚くなると６０ｎｍ程度で一定となる。この測定結果と第１表から熱緩和特性が良く、６０ｎｍ以下の磁気クラスターサイズを達成するためにはパラジウム下地層１０２厚は２０ｎｍ以上必要である。また、５００ｋＦＣＩの記録密度におけるＳ／Ｎは、パラジウム下地層１０２の厚さを２０ｎｍから３０ｎｍにすると１０ｄＢ良くなった。
【００５３】
第６図に、磁気クラスターサイズのｄＣｏ／ｄＰｄ依存性を示す。この結果と表１から熱緩和特性が良く、６０ｎｍ以下の磁気クラスターサイズは、ｄＣｏ／ｄＰｄが０．１７から０．４３の範囲で達成できる。
【００５４】
第７図に、磁気クラスターサイズとパラジウム下地層１０２作製時のアルゴンガス圧との関係を示す。アルゴンガス圧が２ｍＴｏｒｒにおける磁気クラスターサイズは１４０ｎｍ程度であるが、アルゴンガス圧を増やすと磁気クラスターサイズは減少する。この実験と表１から、熱緩和特性が良く６０ｎｍ以下の磁気クラスターサイズを達成するためには、６．５ｍＴｏｒｒ以上のアルゴンガス圧が必要であることがわかる。また、Ｓ／Ｎは図５と同様にアルゴンガス圧の増加で向上した。
【００５５】
以上説明したように、本発明の垂直磁気記録媒体は、垂直磁気異方性の低下を抑制し、かつノイズを低減することができるとともに、従来の微粒子媒体に比べ記録後の出力減衰を少なく、粒界ノイズを少なくできる。また、連続膜であるので表面平滑性の良い媒体が期待できる。よって、磁気記録において高密度で経時変化が少なく信頼性の高い記録媒体を提供でき、工業上非常に有用である。
【００５６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、垂直磁気異方性の低下を抑制し、かつノイズを低減することが可能な垂直磁気記録媒体を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る垂直磁気記録媒体の断面構造を示す図である。
【図２】規格化交流ノイズの磁気クラスターサイズ依存性を示す図である。
【図３】記録密度５００ｋＦＣＩにおけるＳ／Ｎの磁気クラスターサイズ依存性を示す図である。
【図４】磁気クラスターサイズのコバルト／パラジウム記録層厚依存性を示す図である。
【図５】パラジウム下地層厚を変えたときの磁気クラスターサイズを示す図である。
【図６】磁気クラスターサイズの、コバルト膜厚とパラジウム膜厚の比（ｄＣｏ／ｄＰｄ）との関係を示す図である。
【図７】磁気クラスターサイズの、パラジウム下地層作製時におけるアルゴンガス圧依存性を示す図である。
【符号の説明】
１００  垂直磁気記録媒体
１０１  基板
１０２  下地層
１０３  垂直磁気記録層
１０４  保護層
１０５  潤滑層
【図１】
2004342155.tif 000004
【図２】
2004342155.tif 000005
【図３】
2004342155.tif 000006
【図４】
2004342155.tif 000007
【図５】
2004342155.tif 000008
【図６】
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【図７】
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