(57)【要約】【課題】生産性の向上を図り、種々の形状のバンプ形成を可能とする。【解決手段】基板上に，バンプ材料となる導電性の微粒子を液体中に分散させてなる導電ペーストの液滴を液滴吐出手段により吐出する吐出工程と、吐出された導電ペーストの液滴を焼結する焼結工程とを備え、これによりバンプ形成を行う。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に，バンプ材料となる導電性の微粒子を液体中に分散させてなる導電ペーストの液滴を液滴吐出手段により吐出する吐出工程と、
前記吐出された導電ペーストの液滴を焼結する焼結工程とを備えることを特徴とするバンプ形成方法。
【請求項２】
一又は複数回の前記吐出工程ごとに前記焼結工程を行うことを特徴とする請求項１記載のバンプ形成方法。
【請求項３】
前記微粒子は、金，銀，銅，白金，パラジウム，タングステン，ニッケル，タンタル，ビスマス，鉛，インジウム，錫，亜鉛，チタン又はアルミニウムのいずれか一つからなる金属若しくはその酸化物又は前記各金属の内のいずれか二種以上からなる合金を含有すること特徴とする請求項１又は２記載のバンプ形成方法。
【請求項４】
前記焼結工程では、赤外線，レーザ光及び電子ビームのうちの少なくとも一種の照射により前記導電ペーストの液滴を加熱することを特徴とする請求項１，２又は３記載のバンプ形成方法。
【請求項５】
前記微粒子の粒径が１００［ｎｍ］以下であることを特徴とする請求項１，２，３又は４記載のバンプ形成方法。
【請求項６】
前記吐出工程を複数回行い、前記液滴を積み重ねてバンプを形成することを特徴とする請求項１，２，３，４又は５記載のバンプ形成方法。
【請求項７】
前記焼結工程を前記吐出工程と並行に行うことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載のバンプ形成方法。
【請求項８】
前記焼結工程を前記吐出工程の直後に行うことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載のバンプ形成方法。
【請求項９】
前記基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜に，開口部を形成する開口形成工程と、を有し、
前記吐出工程では、前記液滴を前記開口部に吐出することを特徴とする請求項１から８のいずれか一項記載のバンプ形成方法。
【請求項１０】
基板を保持する基板保持手段と、
この基板保持手段上の基板に向けて、バンプ材料となる導電性の微粒子を液体中に分散させてなる導電ペーストの液滴を吐出する液滴吐出手段と、
前記基板保持手段上の基板に対する前記液滴吐出手段の位置を位置決めする位置決め手段と、
前記吐出された導電ペーストの液滴を焼結させる焼結手段とを備えることを特徴とするバンプ形成装置。
【請求項１１】
前記液滴吐出手段による一回又は複数回の吐出毎に、前記液滴を焼結させるように前記焼結手段を制御するための制御手段を備えることを特徴とする請求項１０記載のバンプ形成装置。
【請求項１２】
前記微粒子は、金，銀，銅，白金，パラジウム，タングステン，ニッケル，タンタル，ビスマス，鉛，インジウム，錫，亜鉛，チタン又はアルミニウムのいずれか一つからなる金属若しくはその酸化物又は前記各金属の内のいずれか二種以上からなる合金を含有すること特徴とする請求項１０又は１１記載のバンプ形成装置。
【請求項１３】
前記焼結手段は、赤外線，レーザ光及び電子ビームのうちの少なくとも一種の照射を行うことを特徴とする請求項１０，１１又は１２記載のバンプ形成装置。
【請求項１４】
前記微粒子の粒径が１００［ｎｍ］以下であることを特徴とする請求項１０，１１，１２又は１３記載のバンプ形成装置。
【請求項１５】
吐出を複数回行い、前記液滴を積み重ねてバンプを形成するように前記液滴吐出手段を制御することを特徴とする請求項１０，１１，１２，１３又は１４記載のバンプ形成装置。
【請求項１６】
前記焼結手段による前記液滴の焼結が、前記液滴吐出手段による吐出と並行に行われるように、前記焼結手段が制御されることを特徴とする請求項１０から１５のいずれか一項に記載のバンプ形成装置。
【請求項１７】
前記焼結手段による前記液滴の焼結が、前記液滴吐出手段による吐出の直後に行われるように、前記焼結手段が制御されることを特徴とする請求項１０から１５のいずれか一項に記載のバンプ形成装置。
【請求項１８】
前記位置決め手段は、前記基板上に形成されたレジスト膜の開口部に液滴が吐出されるように、前記基板に対する前記液滴吐出手段の位置決めを行うことを特徴とする請求項１０から１７のいずれか一項に記載のバンプ形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、たとえばダイオード，ＩＣ（集積回路装置）等の半導体素子の基板又はプリント回路基板の電極表面上等にバンプを形成するバンプ形成方法及びバンプ形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
バンプの形成方法としては、基板の下地電極形成面側にフォトレジスト膜を用いる方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。かかるバンプ形成方法では、基板上にフォトレジスト膜を形成すると共に、下地電極位置に穴を形成し、その中にディスペンサにより導電ペーストを充填し、スピンナを高速回転させ、フォトレジスト膜上のペーストを振り切ることにより穴にのみペーストを充填残留させ、プリべークする。さらに、フォトレジスト膜を除去してから導電ペーストを焼結することで基板上にバンプの形成を行っている。
【０００３】
また、他のバンプ形成方法としては、スクリーン印刷を用いる方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。かかるバンプ形成方法では、基板の下地電極形成面側にバンプ形成パターンが形成されたマスクが位置決めされ、マスクを介して導電ペーストが印刷され、マスクの除去後に焼結することで下地電極上にバンプの形成を行っている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平９−６４０４７号公報（第１―５図）
【０００５】
【特許文献２】
特開平６−２０４２２９号公報（第１図）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献１に記載の従来例の場合には、ディスペンサを用いるために穴以外のフォトレジスト膜上にもペーストが塗布されてしまうので、スピンナを用いることにより穴以外のペーストを除去する手間がかかるという問題があった。
【０００７】
また、特許文献２に記載の従来例の場合には、バンプ形成にパターニング済みのマスクを必要とすることから予めバンプの形状について制約を受け、その変更や改良には容易に対応することができないという不都合があった。また、マスクを必要とするため、少量生産においては、コスト高となるという問題もあった。
【０００８】
本発明は、パンプ形成の迅速化による生産性の向上を図ることを、その目的とする。
また、本発明は、種々の形状のバンプ形成を容易に行うことを、さらに他の目的とする。
また、少量生産の場合でのコスト低減をさらに他の目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、基板上に，バンプ材料となる導電性の微粒子を液体中に分散させてなる導電ペーストの液滴を液滴吐出手段により吐出する吐出工程と、  吐出された導電ペーストの液滴を焼結する焼結工程とを備える、という構成を採っている。
【００１０】
上記構成では、吐出工程において、基板上に導電ペーストの液滴の吐出を逐次行い、所定形状に従って複数の液滴を積み上げることでバンプを形成する。
上記構成では、吐出工程において、基板上に導電ペーストの液滴の吐出を行い、さらに、焼結工程における焼結を行いバンプを形成する。焼結工程における焼結は、バンプの全体形状に従って積み上げられた後に行っても良いし、一回の吐出のたびに行っても良い。また、液滴の焼結は、吐出直後から基板に命中するまでに行っても良いし、基板上で行っても良い。また、焼結は、間欠的に行っても良いし、連続的に行っても良い。
なお、「基板」とは、ダイオード，ＩＣ等の半導体素子の基板及びプリント回路基板を含むものとする。また、「基板上」とは基板の上であれば良く、また、基板上に設けられた下地電極上を含むものとする。特に限定して説明する場合を除き、本明細書の記載全体（他の請求項記載の発明も含む）において同様とする。
【００１１】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明と同様の構成を備えると共に、一又は複数回の吐出工程ごとに焼結工程を行う、という構成を採っている。
上記構成では、請求項１記載の発明と同様の動作が行われると共に、導電ペースト液滴の吐出ごと或いは複数回の吐出ごとに焼結が行われる。
【００１２】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の発明と同様の構成を備えると共に、微粒子は、金，銀，銅，白金，パラジウム，タングステン，ニッケル，タンタル，ビスマス，鉛，インジウム，錫，亜鉛，チタン又はアルミニウムのいずれか一つからなる金属若しくはその酸化物又は各金属の内のいずれか二種以上からなる合金を含有する、という構成を採っている。
上記構成により、上述したいずれかの一の材料を含有するバンプが形成される。
【００１３】
請求項４記載の発明は、請求項１，２又は３記載の発明と同様の構成を備えると共に、焼結工程では、赤外線，レーザ光及び電子ビームのうちの少なくとも一種の照射により導電ペーストの液滴を加熱する、という構成を採っている。
上記構成により、焼結工程にあっては、導電ペーストの液滴がその吐出経路上或いは基板上で赤外線，レーザ光又は電子ビームのうちの少なくとも一種の照射を受けて焼結される。
【００１４】
請求項５記載の発明は、請求項１，２，３又は４記載の発明と同様の構成を備えると共に、微粒子の粒径が１００［ｎｍ］以下である、という構成を採っている。
上記構成では、請求項１，２，３又は４記載の発明と同様の動作が行われると共に、１００［ｎｍ］以下の超微少な微粒子単位での吐出が行われる。
なお、「微粒子の粒径」とは、任意の微粒子サンプル１００個を電子顕微鏡法により測定した外接円の直径の個数平均値をいうものとする。特に限定して説明する場合を除き、本明細書の記載全体（他の請求項記載の発明も含む）において同様とする。
【００１５】
請求項６記載の発明は、請求項１，２，３，４又は５記載の発明と同様の構成を備えると共に、吐出工程を複数回行い、液滴を積み重ねてバンプを形成する、という構成を採っている。
上記構成では、吐出工程において、基板上に導電ペーストの液滴の吐出を複数回行い、所定形状に従って複数の液滴を積み上げることでバンプを形成する。
【００１６】
請求項７記載の発明は、請求項１から６のいずれか一項に記載の発明と同様の構成を備えると共に、焼結工程を吐出工程と並行に行う、という構成を採っている。
「焼結工程を吐出工程と並行に行う」とは、吐出工程と焼結工程とが時間的に重なりがある場合をいうものとする。即ち、液滴の吐出から基板上への着弾までに液滴への焼結が開始されても良いし、既に焼結に要する処理が開始された状態の基板に対して吐出が行われても良い。特に限定して説明する場合を除き、本明細書の記載全体（他の請求項記載の発明も含む）において同様とする。
【００１７】
請求項８記載の発明は、請求項１から６のいずれか一項に記載の発明と同様の構成を備えると共に、焼結工程を吐出工程の直後に行う、という構成を採っている。
上記構成では、液滴の吐出直後から焼結が開始される。
【００１８】
請求項９記載の発明は、請求項１から８のいずれか一項に記載の発明と同様の構成を備えると共に、基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、レジスト膜に，開口部を形成する開口形成工程と、を有し、吐出工程では、液滴を開口部に吐出する、という構成を採っている。
【００１９】
上記構成では、請求項１から８のいずれか一項に記載の発明と同様の動作が行われると共に、基板上には予めフォトレジスト膜が形成され、さらに、バンプ形成位置には開口部が形成される。そして、この開口部を目指して液滴の吐出が行われ、開口部に応じたバンプ形成が行われる。そして、液滴の焼結後、フォトレジスト膜は除去される。
【００２０】
請求項１０記載の発明は、基板を保持する基板保持手段と、この基板保持手段上の基板に向けて、バンプ材料となる導電性の微粒子を液体中に分散させてなる導電ペーストの液滴を吐出する液滴吐出手段と、基板保持手段上の基板に対する液滴吐出手段による吐出位置を位置決めする位置決め手段と、吐出された導電ペーストの液滴を焼結する焼結手段とを備える、という構成を採っている。
【００２１】
上記構成では、基板保持手段により保持された基板上の所定位置に位置決め手段によりその吐出位置が位置決めされた液滴吐出手段から導電ペーストの液滴の吐出が行われる。かかる吐出は、位置決め手段により、逐次吐出位置を替えて行うことで所定形状のパンプとなるように積み上げられる。
また、焼結手段による焼結は、バンプの全体形状に従って積み上げられた後に行っても良いし、一回或いは所定回数の吐出のたびに行っても良い。また、液滴の焼結は、吐出直後から基板に命中するまでに行っても良いし、基板上で行っても良い。また、焼結は液滴の吐出が行われている間で、間欠的に行っても良いし、連続的に行っても良い。
【００２２】
請求項１１記載の発明は、請求項１０記載の発明と同様の構成を備えると共に、液滴吐出手段による一回又は複数回の吐出毎に、液滴を焼結させるように焼結手段を制御するための制御手段を備える、という構成を採っている。
上記構成では、請求項１０記載の発明と同様の動作が行われると共に、導電ペースト液滴の吐出ごと或いは複数回の吐出ごとに焼結が行われる。
【００２３】
請求項１２記載の発明は、請求項１０又は１１記載の発明と同様の構成を備えると共に、微粒子は、金，銀，銅，白金，パラジウム，タングステン，ニッケル，タンタル，ビスマス，鉛，インジウム，錫，亜鉛，チタン又はアルミニウムのいずれか一つからなる金属若しくはその酸化物又は各金属の内のいずれか二種以上からなる合金を含有する、という構成を採っている。
上記構成により、上述したいずれかの一の材料を含有するバンプが形成される。
【００２４】
請求項１３記載の発明は、請求項１０，１１又は１２記載の発明と同様の構成を備えると共に、焼結手段は、赤外線，レーザ光及び電子ビームのうちの少なくとも一種の照射を行う、という構成を採っている。
上記構成により、焼結手段により、導電ペーストの液滴がその吐出経路上或いは基板上で赤外線，レーザ光又は電子ビームのいずれか一つの照射を受けて焼結される。
【００２５】
請求項１４記載の発明は、請求項１０，１１，１２又は１３記載の発明と同様の構成を備えると共に、微粒子の粒径が１００［ｎｍ］以下である、という構成を採っている。
上記構成では、請求項１０，１１，１２又は１３記載の発明と同様の動作が行われると共に、１００［ｎｍ］以下の超微少な微粒子単位での吐出が行われる。
【００２６】
請求項１５記載の発明は、請求項１０，１１，１２，１３又は１４記載の発明と同様の構成を備えると共に、吐出を複数回行い、液滴を積み重ねてバンプを形成するように液滴吐出手段を制御する、という構成を採っている。
上記構成では、吐出手段により、基板上に導電ペーストの液滴の吐出を複数回行い、所定形状に従って複数の液滴を積み上げることでバンプを形成する。
【００２７】
請求項１６記載の発明は、請求項１０から１５のいずれか一項に記載の発明と同様の構成を備えると共に、焼結手段による液滴の焼結が、液滴吐出手段による吐出と並行に行われるように、焼結手段が制御される、という構成を採っている。
「吐出と並行に行われる」とは、液滴吐出手段による吐出と焼結手段による焼結とが時間的に重なりがある場合をいうものとする。即ち、液滴の吐出から基板上への着弾までに液滴への焼結が開始されても良いし、既に焼結に要する処理が開始された状態の基板に対して吐出が行われても良い。特に限定して説明する場合を除き、本明細書の記載全体（他の請求項記載の発明も含む）において同様とする。
【００２８】
請求項１７記載の発明は、請求項１０から１５のいずれか一項に記載の発明と同様の構成を備えると共に、焼結手段による液滴の焼結が、液滴吐出手段による吐出の直後に行われるように、焼結手段が制御される、という構成を採っている。
上記構成では、液滴の吐出直後から焼結が開始される。
【００２９】
請求項１８記載の発明は、請求項１０から１７のいずれか一項に記載の発明と同様の構成を備えると共に、位置決め手段は、基板上に形成されたレジスト膜の開口部に液滴が吐出されるように、基板に対する液滴吐出手段の位置決めを行う、という構成を採っている。
【００３０】
上記構成では、請求項１０から１７のいずれか一項に記載の発明と同様の動作が行われると共に、基板上には予めフォトレジスト膜が形成され、さらに、バンプ形成位置には開口部が形成される。そして、この開口部を目指して液滴の吐出が行われ、開口部に応じたバンプ形成が行われる。そして、液滴の焼結後、フォトレジスト膜は除去される。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図１から図３を参照して説明する。図１は本発明の実施形態たるバンプ形成装置１０の概略的な全体構成を示す構成図であり、図２は後述する吐出ヘッドの断面図である。
【００３２】
（バンプ形成装置の全体構成）
バンプ形成装置１０は、下地電極（図示略）が設けられた基板Ｋを保持する基板保持手段２０と、この基板保持手段２０上の基板Ｋに向けて、バンプ材料となる導電性の微粒子を液体中に分散させてなる導電ペーストの液滴を吐出する液滴吐出手段としての吐出ヘッド３０と、基板保持手段２０上の基板に対する吐出ヘッド３０による吐出位置を位置決めする位置決め手段としてのＸ−Ｙステージ４０と、吐出された導電ペーストの液滴を焼結する焼結手段としてのレーザ出射手段５０と、上記各手段の動作制御を行う図示しない制御手段とを備えている。
【００３３】
（基板保持手段及びＸ−Ｙステージ）
上記基板保持手段２０は、上部に水平となる基板Ｋの載置面を有する基板ステージ２１とこの基板ステージ２１上で基板Ｋの挟持と解放とを切替可能な挟持手段２２とを備えている。
かかる基板保持手段２０は、Ｘ−Ｙステージ４０の上部に設けられている。このＸ−Ｙステージ４０は、水平面上で互いに直交するＸ軸方向とＹ軸方向とに基板保持手段２０を移動位置決めすることが可能である。このＸ―Ｙステージ４０は、基板Ｋを吐出ヘッド３０に対する所定のバンプ形成作業開始位置に位置決めすると共に、バンプ形成作業時には吐出ヘッド３０から逐次吐出される導電ペーストの液滴が下地電極上の所定の位置に命中するように基板保持手段２０を介して基板Ｋの駆動を行う。
【００３４】
（吐出ヘッド）
吐出ヘッド３０は、図２に示すように、図示しない装置の支持フレームに支持された基板３１と、基板３１に設けられた圧電素子３２と、この圧電素子３２とリード線３３及び電極３４を介して接続された圧電素子駆動回路３５と、導電ペーストの貯留部３６ａ及び当該貯留部３６ａから導出する流路３６ｂを形成する流路形成部材３６とを備えている。
【００３５】
上記流路形成部材３６は、水平方向（図１における左右方向）に並んで複数の導電ペーストの貯留部３６ａ及び流路３６ｂを形成している。各貯留部３６ａは図示しない導電ペーストの供給部からの供給口３６ｃが設けられている。各流路３６ｂは貯留部３６ａから導出すると共に吐出ヘッド３０の下端部に設けられた導電ペーストの液滴を吐出するノズル部３７につながっている。
【００３６】
また、各貯留部３６ａ及び流路３６ｂごとに個別に対応して当該貯留部３６ａ及び流路３６ｂ内に上述した圧電素子３２が配設されており、かかる圧電素子３２にパルス電圧が印加されると当該圧電素子３２はその厚さ方向（図２の左右方向）に膨張して貯留部３６ａ及び流路３６ｂ内の導電ペーストを圧迫し、ノズル部３７から所定粒径の液滴が吐出されるようになっている。なお、各貯留部３６ａには所定の供給圧力で導電ペーストが供給されており、この供給圧力により貯留部３６ａから導電ペーストの供給部側への導電ペーストの逆流を防止している。
また、水平方向に並んだノズル部３７は、基板Ｋに設けられる下地電極の配設ピッチの一般的な規格値と等しい間隔で設けられており、これにより、複数の下地電極に対して同時にバンプ形成を行うことを可能としている。なお、各ノズル部３７の間隔は、種々の各基板の下地電極の配設ピッチに等しく設定しても良いことはいうまでもない。
【００３７】
圧電素子駆動回路３５は、前述のように各圧電素子３２に対して規定電位のパルス電圧を印加する。この圧電素子駆動回路３５は図示しないバンプ形成装置１０の動作制御手段に制御され、例えば複数のノズル部３７の中から選択されたノズル部３７のみからの導電ペースト液滴の吐出を行ったり、各ノズル部３７ごとに設定された所定の時間的間隔で連続吐出を行ったりすることが可能である。
【００３８】
（レーザ出射手段）
レーザ出射手段５０は、レーザ光源とその光学系からなり、基板保持手段２０の上方において図示しない装置フレームに支持されると共に、基板保持手段２０の保持された基板Ｋの上面にレーザ光を照射する。そして、かかるレーザ光の照射により基板Ｋに吐出された導電ペーストの液滴は加熱され、焼結される。なお、かかるレーザ光の照射はバンプ形成作業時において連続的に照射し続けても良いし、導電ペーストの吐出時にのみ間欠的に行っても良い。
【００３９】
（導電ペースト）
導電ペーストについては、熱硬化性樹脂と有機溶剤とを含む液体中に微粒子を分散してなる導電ペーストを使用する。なお、微粒子としては、金，銀，銅，白金，パラジウム，タングステン，ニッケル，タンタル，ビスマス，鉛，インジウム，錫，亜鉛，チタン又はアルミニウムのいずれか一つからなる金属若しくはその酸化物又は各金属の内のいずれか二種以上からなる合金を含有するものが使用される。特に、「ナノペースト（ＮＰシリーズ）」（商標：ハリマ化成株式会社）を導電ペーストとして使用すると、より微細なバンプの形成に好適である。
また、導電ペーストに含まれる微粒子は１００［ｎｍ］以下とすることが望ましく、これにより、微細なバンプ形成を図ることができる。
【００４０】
（実施形態の動作説明）
図１及び３に基づいて上記バンプ形成装置１０の動作説明を行う。図３はバンプ形成の途中過程を示す動作説明図であり、図中の二点鎖線は形成しようとしているバンプＢの形状を示している。
後述する各部の動作は、制御手段により制御される。かかる制御手段は、詳細には図示しないが、各種演算処理を行うＣＰＵと、後述する動作制御を行うための各種処理用の各種プログラムが記憶、格納されたＲＯＭと、各種処理におけるワークメモリとして使用されるＲＡＭとで概略構成されている。そして、制御手段には、システムバス及び駆動回路等を介して基板保持手段２０，吐出ヘッド３０，Ｘ−Ｙステージ４０及びレーザ出射手段５０が接続されている。
【００４１】
バンプＢの形成作業においては、まず、基板Ｋが基板保持手段２０に装着されると、吐出ヘッド３０の複数のノズル部３７がそれぞれ個別に基板Ｋの各下地電極に向けて吐出が行われるようにＸ−Ｙステージ４０により基板Ｋがその初期位置に位置決めされる。
【００４２】
そして、基板Ｋにレーザ出射手段５０によるレーザ光の照射が行われた状態で（焼結工程）、各ノズル部３７から導電ペーストの液滴が吐出される（吐出工程）。吐出された液滴は基板Ｋの下地電極に命中すると同時にレーザ光に照射され、加熱により焼結される。このとき、導電ペーストの液滴中に含まれる液状状態を維持する有機溶媒が蒸発し、熱硬化樹脂が硬化を生じると共に金属粒子が焼結することで命中位置に固着する。
【００４３】
この導電ペーストの液滴はその滴径がバンプＢよりも充分小さく、繰り返し吐出が行われることで積み上げられるようにしてバンプ形成が行われる。即ち、図３に示すように、液滴一つ分の高さで一つの層が形成されると、その上にまた新たな層を積み上げるように形成し、これを繰り返すことで所定の形状のバンプＢを形成する。
【００４４】
（実施形態の効果）
上述のように、バンプ形成装置１０は、導電ペーストの液滴を吐出する工程とこれを焼結する工程とでバンプ形成を行うことから、各工程の作業自体は単純であり、フォトレジストやマスク等の前準備を不要とし、作業の容易化及び迅速化を図ると共にこれによる生産性の向上を図ることが可能である。また、バンプ形成作業にフォトレジスト等の薬剤を不要とし、作業後の廃棄物の発生を低減することから周囲の環境に及ぼす影響を十分に低減することが可能である。
また、バンプ形成装置１０では、導電ペーストの液滴を吐出し、複数の層を積み上げるようにバンプの形成を行うことができるので、各層ごとの形状に変化を設けることで、例えば、図４（Ａ）〜（Ｃ）に示すような種々の形状のバンプＢを形成することが可能となる。
この場合、導電ペーストの特性に応じて液滴毎、複数液滴毎、一層毎又は複数層毎に焼結することができる。
【００４５】
（その他）
なお、焼結手段は、上述したレーザ光出射手段に限られず、電子ビームや赤外線を照射することで加熱を行う構成としても良い。レーザ光出射手段、電子ビームや赤外線を照射する手段を用いて焼結させることにより、局所的に加熱可能のため、熱に弱い部分を備えた基板にバンプを形成する場合でも部品を傷めることを抑制することが可能であり、又は基板の熱による変形も抑制可能である。また、基板を裏面側から加熱するヒートステージを設ける構成としても良い。また、各種の光照射手段とヒートステージとを併用しても良い。
【００４６】
また、液滴吐出手段としては、上記ピエゾ方式の吐出ヘッドに限らず導電ペーストを液滴として吐出可能な他の構成としても良い。例えば、画像形成装置に用いられる種々の液体インク吐出ヘッド技術、例えば、流路内で急加熱して液体の気泡を発生せしめて吐出を行うサーマル方式の吐出ヘッドや、静電吸引力により液滴を吐出する静電吸引方式の吐出ヘッド等を適用しても良い。
【００４７】
また、レーザ出射手段５０のレーザ光の照射位置については、基板Ｋの上面を照射する場合に限定されるものではなく、吐出された液滴がレーザ光に照射されればいずれに照射しても良い。例えば、図５に示すように、吐出液滴が通過する途中の領域を照射するようにその向きを設定しても良い。
また、焼結を行うタイミングとしては、液滴が基板Ｋ側に着弾してから行っても良いし、予め基板Ｋを加熱した状態で吐出を行い焼結させても良い。
【００４８】
また、位置決め手段は基板Ｋを移動させるＸ−Ｙステージに限らず、吐出ヘッド２０を移動位置決めする手段を用いても良い。また、基板を一定の直線に沿った方向についてのみ移動位置決めする手段と、吐出ヘッドをこれと交差する他の直線方向に沿って移動位置決めする手段とから構成しても良い。
【００４９】
また、上記実施形態では、基板Ｋを水平面内（Ｘ軸方向とＹ軸方向）について位置決めを行っているが、さらに上下方向についても位置決め調節可能としても良い。なお、吐出ヘッド３０について上下方向に位置決めを行っても良い。
【００５０】
また、上記実施形態において、基板Ｋ上に予めレジスト膜を形成すると共に（レジスト膜形成工程）、バンプ形成目標位置に開口部を設け（開口形成工程）、かかる状態で基板保持手段２０の載置面に基板Ｋを設置し、開口部に向けて液滴の吐出を行うように制御手段がＸ−Ｙステージ４０と吐出ヘッド３０の制御を行っても良い。この場合、、制御手段には開口部の位置を示す位置座標データが予め入力されてこれに従ってＸ−Ｙステージ４０の位置決め動作制御を行うか、或いは光学素子や撮像手段による撮像画像から開口部を認識・特定しＸ−Ｙステージ４０の位置決め動作制御を行っても良い。
【００５１】
【発明の効果】
本発明は、導電ペースト液滴を液滴吐出手段により吐出し、焼結することでバンプ形成が行われるので、バンプ形成を容易且つ迅速に行うことができ、その生産性の向上を図ることが可能となる。また、パターニングされたマスクを不要とできるので、少量生産下でもコストを低減することできる。さらに、液滴吐出手段と基板との相対的に位置関係を調節することで種々の形状のバンプ形成を容易に行うことが可能となる。さらに、液滴の積み上げ作業によりバンプ形成を行えば、種々の形状のバンプ形成が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態たるバンプ形成装置の概略的な全体構成を示す構成図である。
【図２】図１に開示した吐出ヘッドの断面図である。
【図３】バンプ形成の途中過程を示す動作説明図である。
【図４】図４（Ａ）〜（Ｃ）は種々の形状のバンプの例を示す説明図である。
【図５】レーザ出射手段の照射位置の他の例を示す説明図である。
【符号の説明】
１０  バンプ形成装置
２０  基板保持手段
３０  吐出ヘッド（液滴吐出手段）
４０  Ｘ−Ｙステージ（位置決め手段）
５０  レーザ出射手段（焼結手段）
Ｂ  バンプ
Ｋ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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