(57)【要約】【課題】高感度且つ高解像度であると共に、長期間にわたって安定した信頼性のある放射線イメージングデバイスを提供する。【解決手段】Ｘ線／γ線などの放射線を可視光に変換する放射線シンチレータ１と可視光を可視画像に変換する固体撮像素子２とを重ね合わせてなる放射線イメージングデバイスにおいて、放射線シンチレータを、固体撮像素子の画素に対応させて複数の貫通穴６を形成した基板５を用い、貫通穴の側壁には金属膜８を形成すると共に、該貫通穴にシンチレータ材料７を充填し、更に表面側に保護層９を介して金属膜を形成し、裏面側には下部保護層１０を形成して構成する。【選択図】　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともＸ線／γ線などの放射線を可視光に変換するシンチレータ部と可視光イメージセンサ部とを有する放射線イメージングデバイスにおいて、前記シンチレータ部は、基板に多数の貫通穴を設け、該貫通穴にシンチレータ材料を埋め込むことにより構成されていることを特徴とする放射線イメージングデバイス。
【請求項２】
前記シンチレータ部は、前記貫通穴の側壁に光反射作用を有する金属膜が形成されていることを特徴とする請求項１に係る放射線イメージングデバイス。
【請求項３】
前記シンチレータ部は、放射線入射側の表面に光反射作用を有する金属膜が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に係る放射線イメージングデバイス。
【請求項４】
前記シンチレータ部は、表面及び裏面に絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に係る放射線イメージングデバイス。
【請求項５】
前記シンチレータ部及び前記可視光イメージセンサ部は、曲面状に形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に係る放射線イメージングデバイス。
【請求項６】
前記シンチレータ部及び前記可視光イメージセンサ部の支持部を備え、前記シンチレータ部及び前記可視光イメージセンサ部は、撮像中に可動状態で前記支持部に支持されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に係る放射線イメージングデバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
この発明は、Ｘ線やγ線などの高エネルギー光子、高エネルギー放射線、あるいは高エネルギー粒子などを含む広義の放射線の画像が検出可能な放射線イメージングデバイスに関する。
【発明の属する技術分野】
【０００２】
【従来の技術】
従来のシンチレータを用いたＸ線イメージングデバイスの構成例は、例えば、浜松ホトニクス株式会社発行のカタログ“Ｘ線シンチレータ付きファイバーオプティックプレート／次世代Ｘ線イメージングデバイス”（１９９９年８月発行）に記載がなされている。このカタログ記載のＸ線イメージングデバイスの概略構造を図６に示す。図６において、１０１　はＸ線を可視光に変換するためのＸ線シンチレータ、１０３　はＣＣＤあるいはＣＭＯＳイメージセンサなどと組み合わせて画像の電子データ化を可能とするイメージングデバイス、１０２　はＸ線シンチレータ１０１で可視光に変換されたＸ線像をイメージングデバイス１０３　に伝達するためのファイバーオプティックプレート、１０４　はＸ線シンチレータ１０１　のキズや汚れなどを防ぐための保護フィルムである。
【０００３】
ここで、Ｘ線シンチレータ１０１　は、微細な柱状結晶構造、つまり光ファイバに似た微細且つ緻密な構造を有している。このＸ線イメージングデバイスの基本動作は、次のようになる。すなわち、Ｘ線シンチレータ１０１　側より入射したＸ線は、Ｘ線シンチレータ１０１　で可視光に変換され、ファイバーオプティックプレート１０２　を通してイメージングデバイス１０３　に伝達されて、イメージングデバイス１０３　にて電子画像として検出されるものである。
【０００４】
このような構成のＸ線イメージングデバイスによれば、高感度及び高解像度、つまり鮮明でハイコントラストのＸ線画像が実現できる。また、Ｘ線画像をＣＣＤなどの読み出し系と組み合わせることによりデジタル化され、そのまま電子画像データとして保存・管理・転送が可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のシンチレータを用いたＸ線イメージングデバイスには、次のような課題がある。すなわち、Ｘ線の入射によりＸ線シンチレータで励起・変換されて発光する可視光は、Ｘ線シンチレータ中で等方的に発光され、ＣＣＤあるいはＣＭＯＳなどのイメージングデバイスに伝達されるが、Ｘ線シンチレータのシンチレータ層の厚さは数百μｍの厚さであり、イメージングデバイスの画素サイズの数十倍から数百倍の寸法を有する。そのため、たとえＸ線シンチレータが微細な柱状結晶構造であるとしても、Ｘ線光子が可視光に変換されたＸ線シンチレータ直下に存在するイメージングデバイスの画素、例えば受光ホトダイオード以外のイメージングデバイスの画素部に入射光が到達してしまうことがある。すなわち、対応する当該画素の近傍に存在する画素のホトダイオードにも、変換された可視光の一部が入射してしまい、このような場合にはＸ線画像の解像度及び感度が劣化してしまう恐れがある。
【０００６】
本発明は、従来のＸ線イメージングデバイスの上記課題を解消するためになされたもので、高感度且つ高解像度であると共に長期間にわたって安定した信頼性のある放射線イメージングデバイスを提供することを目的とする。請求項毎の目的を述べると、請求項１に係る発明は、高感度且つ高解像度であると共に信頼性のある放射線イメージングデバイスを提供することを目的とする。請求項２及び３に係る発明は、更なる高感度及び高解像度の放射線イメージングデバイスを提供することを目的とする。請求項４に係る発明は、上記目的に加えて、長期信頼性を有し、安定した光電変換特性を有する放射線イメージングデバイスを提供することを目的とする。請求項５及び６に係る発明は、高感度及び高解像度であると共に、より広い視野を有する放射線イメージングデバイスを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、少なくともＸ線／γ線などの放射線を可視光に変換するシンチレータ部と可視光イメージセンサ部とを有する放射線イメージングデバイスにおいて、前記シンチレータ部は、基板に多数の貫通穴を設け、該貫通穴にシンチレータ材料を埋め込むことにより構成されていることを特徴とするものである。
【０００８】
このように構成された放射線イメージングデバイスにおいては、シンチレータ材料が埋め込まれた基板の貫通穴中で変換されて発生する可視光は、拡散することなく可視光イメージセンサ部に入射可能となるため、高解像度の放射線イメージングデバイスが実現可能となる。
【０００９】
請求項２に係る発明は、請求項１に係る放射線イメージングデバイスにおいて、前記シンチレータ部は、前記貫通穴の側壁に光反射作用を有する金属膜が形成されていることを特徴とするものである。
【００１０】
このように構成された放射線イメージングデバイスにおいては、シンチレータ部の貫通穴中で変換されて発生する可視光が貫通穴の側壁方向に漏れ出すことを完全に防ぐことができるため、より高解像度及び高感度の放射線イメージングデバイスが実現可能となる。
【００１１】
請求項３に係る発明は、請求項１又は２に係る放射線イメージングデバイスにおいて、前記シンチレータ部は、放射線入射側の表面に光反射作用を有する金属膜が形成されていることを特徴とするものである。
【００１２】
このように構成された放射線イメージングデバイスにおいては、シンチレータ部の貫通穴中で変換されて発生する可視光が放射線入射方向に漏れ出すことを完全に防ぐことができるため、より高解像度及び高感度の放射線イメージングデバイスが実現可能となる。
【００１３】
請求項４に係る発明は、請求項１〜３のいずれか１項に係る放射線イメージングデバイスにおいて、前記シンチレータ部は、表面及び裏面に絶縁膜が形成されていることを特徴とするものである。
【００１４】
このように構成された放射線イメージングデバイスにおいては、絶縁膜がシンチレータ部を保護するため、長期間にわたって高信頼性を有すると共に、安定した光電変換特性を有する放射線イメージングデバイスが実現可能となる。
【００１５】
請求項５に係る発明は、請求項１〜４のいずれか１項に係る放射線イメージングデバイスにおいて、前記シンチレータ部及び前記可視光イメージセンサ部は、曲面状に形成されていることを特徴とするものである。
【００１６】
このように構成された放射線イメージングデバイスにおいては、放射線入射面を曲面状に形成することにより視野の立体角が拡がるため、高解像度及び高感度であると共に、より広い視野範囲を有する放射線イメージングデバイスが実現可能となる。
【００１７】
請求項６に係る発明は、請求項１〜５のいずれか１項に係る放射線イメージングデバイスにおいて、前記シンチレータ部及び前記可視光イメージセンサ部の支持部を備え、前記シンチレータ部及び前記可視光イメージセンサ部は、撮像中に可動状態で前記支持部に支持されていることを特徴とするものである。
【００１８】
このように構成された放射線イメージングデバイスにおいては、空間解像度の劣化を防ぎながら視野の立体角を拡げることができ、高解像度及び高感度であると共に、より広い視野範囲を有する放射線イメージングデバイスが実現可能となる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
次に、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本発明に係る放射線イメージングデバイスの第１の実施の形態を示す概略断面図である。図１において、１はＸ線／γ線などの高エネルギー光子、高エネルギー放射線、高エネルギー粒子などを含む広義の放射線を可視光に変換するための放射線シンチレータ、２は可視光イメージセンサであるＣＣＤあるいはＣＭＯＳなどの固体撮像素子、３は固体撮像素子２が搭載されたセラミックなどの基板、４は樹脂保護膜で、デバイスを保護するようにデバイス全体を覆っている。ここで固体撮像素子２は、エリアセンサあるいはラインセンサのいずれでもよい。
【００２０】
放射線シンチレータ１の拡大平面図及び断面構造の拡大図を、それぞれ図２の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。図２の（Ａ），（Ｂ）に示すように、放射線シンチレータ１は表面から裏面にわたって貫通形成された数ミクロンから数十ミクロンの直径を有する多数の貫通穴６を設けた、例えば数百μｍ程度の所望の厚さを有するシリコンなどからなる基板５と、貫通穴６の側壁に形成されたアルミニウム薄膜などからなる光反射作用を有する金属膜８と、貫通穴６の内部に充填された、例えばＣｓＩ（Ｔｌ　），ＣｓＩ（Ｎａ　），ＣａＦ２　（Ｅｕ　），ＮａＩ（Ｔｌ　），ＢＧＯ〔Ｂｉ　，Ｇｅ　，Ｏからなる化合物：Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２〕，ＣｄＷＯ４　，ＬｉＩ（Ｅｕ　），ＢｅＦ２　，ＣｅＦ３　などのＸ線等の放射線を可視光に変換する機能を有するシンチレータ材料７とから構成されている。なお、シンチレータ材料としては、更に芳香族化合物を含む有機シンチレータ材料も用いることができる。
【００２１】
ここで、貫通穴６は、固体撮像素子２の画素と１対１に対応して形成されると共に、固体撮像素子２の画素サイズと同等あるいはそれ以下のサイズで形成することが望ましい。したがって、固体撮像素子２の画素配列が、それぞれ正方格子、長方格子及び六方稠密（ハニカム）構造であれば、貫通穴６の配列も、それぞれ正方格子、長方格子及び六方稠密（ハニカム）構造となる。すなわち、固体撮像素子２の画素配列に対応して、貫通穴６の配置も自由に変更可能である。また、シンチレータ材料７としては、上記のようにＸ線検出用のものばかりでなく、変換された可視光の波長や、検出するＸ線あるいはγ線などの検出すべき放射線に応じて選択される。更に、放射線シンチレータ１のシリコンなどの基板５の厚さは、各々放射線シンチレータの吸収長近傍に設定することが好ましい。なお、図２の（Ｂ）に示すように、ここでは貫通穴は基板表面に対して垂直に形成されているものを示しているが、貫通穴の構成上の必要条件は、直線状に形成されていることであり、したがって貫通穴は基板表面に対して傾斜する形態で直線状に形成されていてもよい。
【００２２】
また、放射線シンチレータ１の入射表面側には、必要に応じて、ＳｉＯ２　などからなる薄膜の保護層９を介して、図示はしていないが可視光を完全に反射するアルミニウムなどからなる金属膜が形成されている。また、固体撮像素子２と接する裏面側には、ＳｉＯ２　などからなる下部保護膜１０が形成されていて、固体撮像素子２と重ね合わされている。ここで固体撮像素子２に対する入射放射線によるダメージを軽減する必要がある場合には、ファイバーオプティックプレートもしくはテレビ石（Ｕｌｅｘｉｔｅ）薄膜などを介して、放射線シンチレータ１と固体撮像素子２が重ね合わされるようにしてもよい。
【００２３】
次に、本実施の形態に係る放射線イメージングデバイスの動作について説明する。金属膜並びに保護層９を透過して放射線シンチレータ１に入射するＸ線などの放射線は、放射線シンチレータ１の貫通穴６内のシンチレータ材料７の内部で可視光に変換される。これら変換された可視光は等方向に発せられるが、表面側に形成した金属膜や貫通穴６の側壁に形成された金属膜８などで反射され、収束されて裏面側より出射し、放射線シンチレータ１に近接して配置された固体撮像素子２に入射する。そして、所望の光蓄積期間後、固体撮像素子２において可視画像に変換される。
【００２４】
次に、第１の実施の形態に係る放射線イメージングデバイスの製造方法について、図３に示す概略工程図を参照しながら説明する。まず、図３の（Ａ）に示すような、シリコン活性層１１，ＳｉＯ２　層１２及びシリコン支持層１３からなるＳＯＩ基板を用意する。次に、図３の（Ｂ）に示すように、ＳＯＩ基板の表面に貫通穴を形成するためのレジストパターン１４を形成し、シリコン活性層１１をＳｉＯ２　層１２に達するようにエッチングを行って、直径が数μｍから数十μｍの寸法を有する貫通穴１５を形成する。ここで、レジストパターン１４の形成にあたっては、レジスト材料の代わりにＳｉＯ２　などの絶縁材料あるいは金属材料でもよく、シリコンとの選択性が高い材料であれば、材料の選択は自由である。また、エッチングはＤｅｅｐ　−ＲＩＥ（Ｄｅｅｐ　Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ　）法を用いることが望ましい。
【００２５】
次に、図３の（Ｃ）に示すように、表面のレジストパターン１４を形成しているマスク材料を選択的に除去し、貫通穴１５の側壁にＡｌ　などからなる光反射膜１６を蒸着法やスパッタ法、あるいはメッキ法などで数十ｎｍから数百ｎｍの厚さになるように形成する。続いて、シンチレータ材料１７をスパッタ法や蒸着法、あるいは印刷法やスピンコート法もしくはディップ法などにより、貫通穴１５に充填する形態で形成する。
【００２６】
シンチレータ材料を充填する他の手法としては、シンチレータ材料を貫通穴上に配置して、シンチレータ材料の融点以上に加温することで、シンチレータ材料を貫通穴内に充填する手法も存在する。例えば、プラスチックシンチレータを貫通穴上に置き、８０℃前後の軟化点以上の温度を印加すると、貫通穴内にシンチレータ材料が流入し充填することができる。また、上記印刷法を用いる場合は、流動性を有する樹脂などにシンチレータ材料の微粒子・粉末を混ぜ、貫通穴の上部より貫通穴に樹脂を充填する。またスピンコート法あるいはディップ法も印刷法と類似した製法であるが、印刷法はシンチレータ材料を含有する流体を印刷機で形成するのに対して、スピンコート法の場合は半導体製法で公知のスピンコート機で、またディップ法は、シンチレータ材料を含有する液体中に貫通穴を形成した部材を漬けることにより、貫通穴にシンチレータ材料を含む液体を充填する。この場合、シンチレータ材料（蛍光体）を混ぜる母体材料は、蛍光の波長域で透明であることが必要であることは言うまでもない。
【００２７】
他方、スパッタ法は半導体で既知のスパッタ装置によりシンチレータ材料を貫通穴内に充填する方法であり、蒸着法は蒸着装置あるいは　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＣＶＤ）装置などによりシンチレータ材料を貫通穴内に充填する方法である。スパッタ法と蒸着法は、メカニズムは異なるが、両者ともシンチレータ材料の堆積は、気相中で行われるのに対して、印刷法やスピンコート法などは、液体の性質を利用して形成される。なお、上述の手法でシンチレータ材料を貫通穴内に充填したとき、入射側に平坦でない状態でシンチレータ材料が残る場合は、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈ）などで平坦化処理を行うことも考えられる。
【００２８】
次に、図３の（Ｄ）に示すように、必要に応じてシンチレータ材料１７をアニーリングあるいはベーキングなどの熱処理を行った後、シリコン活性層１１の表面にＳｉＯ２　薄膜１８と金属薄膜１９を順次形成する。ここで、シンチレータ材料１７によっては、ＳｉＯ２　薄膜１８が不要になる場合もあり得る。最後に図３の（Ｅ）に示すように、裏面からシリコン支持層１３を除去し、別途形成された固体撮像素子２０と貼り合わせて、放射線イメージングデバイスの主要部分が完成する。ここで、２１は固体撮像素子２０のフォトダイオードである。
【００２９】
このような構成の放射線イメージングデバイスにおいては、放射線シンチレータ１で可視光に変換された光は、発散することなく収束されて固体撮像素子２に入射するため、従来のＸ線イメージングデバイスに比べて格段に解像度及び感度が優れた放射線イメージングデバイス、つまり放射線検出システムが実現可能となる。また、放射線シンチレータ１の貫通穴６の側壁並びに放射線入射側表面に、光反射作用を有する金属膜を形成することにより、更なる高解像度及び高感度の放射線イメージングデバイスが実現可能となる。更に、放射線シンチレータの表面及び裏面に保護層９及び保護膜１０としての絶縁膜を設けることにより、長期間にわたって高信頼性を有し、安定した光電変換特性を有する放射線イメージングデバイスが実現可能となる。
【００３０】
なお、本実施の形態では、放射線シンチレータの貫通穴の側壁並びに放射線入射側表面に光反射作用を有する金属膜を、放射線シンチレータの表面及び裏面に保護層及び保護膜を形成したものを示したが、必ずしも必要はない場合もありうる。
【００３１】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。図４は、本発明に係る放射線イメージングデバイスの第２の実施の形態の要部（放射線シンチレータ）を示す概略斜視図である。本実施の形態は、放射線の入射面を曲面状に構成するようにしたものである。すなわち、図４において、３１は曲面状に構成した放射線イメージングデバイスの放射線シンチレータ、３２は放射線シンチレータ３１の開口部すなわち放射線シンチレータ３１の貫通穴であり、この曲面状に構成した放射線シンチレータ３１は、固体撮像素子の湾曲面に沿って貼り合わされるようになっている。
【００３２】
一般に、固体撮像素子は、　３００μｍ以上の厚さを有するシリコン単結晶基板上に形成されるため、固体撮像素子は曲げに対する剛性を有しており、湾曲させることは困難である。しかしながら、固体撮像素子を作製した後で、ラッピング装置、あるいはＫＯＨやＴＭＡＨなどの薬液によるエッチングにより、数十μｍ〜２００μｍ程度の厚さまでシリコン基板を研磨・除去し、シリコン基板を薄膜化することにより、シリコン基板の湾曲が可能となる。このようにして湾曲形成された固体撮像素子の湾曲面に沿って、別途上記のように曲面状に作製された放射線シンチレータを貼り合わすことにより、入射面を曲面状にした放射線イメージングデバイスが実現できる。
【００３３】
このような構成の放射線イメージングデバイスによれば、曲面状に放射線シンチレータ３１の開口部（貫通穴）が形成されているため、開口部と法線方向に入射する放射線のみが検出可能となり放射線イメージングデバイスとしての視野角が拡大し、平面状に構成した放射線イメージングデバイスに比べて、より広角な範囲にわたって指向性良く放射線画像の検出が可能となる。
【００３４】
なお、本実施の形態では、一次元方向のみに湾曲した放射線イメージングデバイスについて説明したが、二次元状に湾曲させることも可能であることは言うまでもない。ただ、本実施の形態の放射線イメージングデバイスにおいては、平面構成の場合に比べて各画素は立体角的に離間するために、得られる画像の空間解像度は劣化してしまう。この空間解像度の劣化を防ぐ構成について、次の第３の実施の形態において説明する。
【００３５】
（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。図５は、本発明に係る放射線イメージングデバイスの第３の実施の形態を示す概略斜視図である。なお、本実施の形態では放射線シンチレータ及び固体撮像素子としてのラインセンサの詳細な構成については、第１及び第２の実施の形態と同様であるため、その図示説明を省略する。
【００３６】
図５において、４３は一次元状に画素が配置されているラインセンサ、４１は放射線シンチレータであり、４２はラインセンサ４３の各画素に対応して配置されている放射線シンチレータ４１の開口部、すなわちシンチレータ材料が充填された貫通穴で、各々の開口部は長手方向に線状に配置されている。４４は少なくとも放射線シンチレータ４１とラインセンサ４３とを含む部分を、ラインセンサ４３の長軸を回転中心として回転動作させるための回転軸であり、図示しない保持部に回転可能に支持されている。
【００３７】
このような構成の放射線イメージングデバイスの動作は、次のようになる。すなわち、ある静止位置におけ所望の放射線量を蓄積して各画素の放射線信号を読み出した後に、放射線イメージングデバイスを回転軸４４を中心に所望の微小角だけ回転し、蓄積信号をリセットした後に、新たな信号蓄積及び信号読み出し動作を行う。以上の動作を繰り返して行い、読み出し信号を合成することにより、広い立体角にわたる放射線画像の撮像が可能となる。
【００３８】
したがって、本実施の形態によれば、ラインセンサ４３の画素に対して垂直つまり法線方向より入射する放射線のみを指向性良く検出可能であると共に、回転角を任意に且つ精度良く設定できるため、緻密で高解像度且つ高感度の立体画像を得ることができる。また、ラインセンサ４３の長手方向となる一次元方向以外の寸法は小さくすることが可能となるため、回動軸４４方向においては狭い部分に挿入が可能となり、例えば原子炉内部の配管のＸ線による故障分析など、狭い空間での利用が可能となる。
【００３９】
なお、本実施の形態では、固体撮像素子としてラインセンサを用いたものを示したが、ラインセンサに限定されないことは言うまでもない。
【００４０】
【発明の効果】
以上実施の形態に基づいて説明したように、請求項１に係る発明によれば、高感度且つ高解像度の放射線イメージングデバイスを実現できる。請求項２及び３に係る発明によれば、更なる高感度且つ高解像度が実現可能となる。請求項４に係る発明によれば、長期間にわたって信頼性を有し、安定した光電変換特性を有することが可能となる。請求項５に係る発明によれば、高感度且つ高解像度であると共に、広い視野範囲を有する放射線イメージングデバイスが実現可能となる。請求項６に係る発明によれば、空間解像度の劣化を防ぎながら更なる広い視野範囲が実現可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る放射線イメージングデバイスの第１の実施の形態を示す概略断面図である。
【図２】図１に示した第１の実施の形態における放射線シンチレータの拡大平面図及び拡大断面図である。
【図３】図１及び図２に示した第１の実施の形態に係る放射線イメージングデバイスの製造方法を説明するための製造工程図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態の要部を示す概略斜視図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態を示す概略斜視図である。
【図６】従来のＸ線イメージングデバイスの構成例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１　放射線シンチレータ
２　固体撮像素子
３　基板
４　樹脂保護膜
５　シンチレータ基板
６　貫通穴
７　シンチレータ材料
８　金属膜
９　保護層
１０　下部保護膜
１１　シリコン活性層
１２　ＳｉＯ２　層
１３　シリコン支持層
１４　レジストパターン
１５　貫通穴
１６　光反射膜
１７　シンチレータ材料
１８　ＳｉＯ２　薄膜
１９　金属薄膜
２０　固体撮像素子
２１　フォトダイオード
３１　放射線シンチレータ
３２　貫通穴
４１　放射線シンチレータ
４２　貫通穴
４３　ラインセンサ
４４　回転軸
【図１】
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【図２】
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【図３】
2004037334.tif 000005
【図４】
2004037334.tif 000006
【図５】
2004037334.tif 000007
【図６】
2004037334.tif 000008