(57)【要約】【課題】狭ピッチの外部電極を有するＩＣチップの搭載が可能なＩＣパッケージの製造方法を提供すること。【解決手段】回路パターン５と、当該回路パターン５を底部として形成され層間接続材料７が充填されたビアホール６とを備える熱可塑性樹脂フィルム３上に、外部電極４ｂを有するＩＣチップ４を搭載してなるＩＣパッケージ１の製造方法であって、回路パターン５形成工程後、回路パターン５の基板２とは反対側の面上に熱可塑性樹脂フィルム３を配置し、加熱・加圧することにより軟化した熱可塑性樹脂フィルム３に回路パターン５を埋設させた。熱可塑性樹脂フィルム３の厚さを薄くしなくとも、熱可塑性樹脂フィルム３のビアホール６形成部位である回路パターン５上の肉厚を薄くすることができるので、小径のビアホール６を形成することができ、狭ピッチの外部電極４ｂを有するＩＣチップ４の搭載が可能である。【選択図】        図２
2004342700.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路パターンと、当該回路パターンを底部として形成され層間接続材料が充填されたビアホールとを備える熱可塑性樹脂フィルム上に、外部電極を有するＩＣチップを搭載してなるＩＣパッケージの製造方法であって、
基板上に回路パターンを形成する回路パターン形成工程と、
当該回路パターン上に配置した熱可塑性樹脂フィルムとともに前記回路パターンを加熱・加圧し、軟化された前記熱可塑性樹脂フィルムに前記回路パターンを埋設する埋設工程と、
前記熱可塑性樹脂フィルムにおいて、ＩＣチップの外部電極に対応する所定位置に、前記回路パターンを底部とし層間接続材料の充填されたビアホールを形成するビア形成工程と、
前記ビアホール内に前記ＩＣチップの外部電極が配置されるように、当該ＩＣチップを前記熱可塑性樹脂フィルム上に位置決め載置する位置決め工程と、
位置決めされた状態で、加熱・加圧することにより、前記外部電極が前記層間接続材料と接合されるとともに、前記熱可塑性樹脂フィルムが軟化されて前記外部電極と前記層間接続材料との接合部を封止する加熱・加圧工程とを備えることを特徴とするＩＣパッケージの製造方法。
【請求項２】
前記基板上に金属箔が設けられ、前記回路パターン形成工程において、当該金属箔がエッチングされることにより前記回路パターンが形成されることを特徴とする請求項１に記載のＩＣパッケージの製造方法。
【請求項３】
前記基板は熱可塑性樹脂フィルムからなり、前記埋設工程において、前記回路パターンが基板としての前記熱可塑性樹脂フィルムに埋設されることを特徴とする請求項２に記載のＩＣパッケージの製造方法。
【請求項４】
前記基板は、転写用基板と、当該転写用基板表面の前記金属箔との接触面側に形成され前記回路パターン形成時のエッチングストッパとなるエッチングバリア層とにより構成され、前記埋設工程後に、前記転写用基板を除去する除去工程を備えることを特徴とする請求項２に記載のＩＣパッケージの製造方法。
【請求項５】
前記除去工程として、前記転写用基板をエッチングにより除去する転写用基板除去工程と、前記回路パターン形成後或いは前記転写用基板除去工程後に前記エッチングバリア層の少なくとも前記回路パターンとの非接触部をエッチングにより除去するエッチングバリア層除去工程とを備えることを特徴とする請求項４に記載のＩＣパッケージの製造方法。
【請求項６】
前記除去工程として、前記エッチングバリア層とともに前記転写用基板を前記回路パターン及び前記熱可塑性樹脂フィルムから引き剥がすピーリング工程を備えることを特徴とする請求項４に記載のＩＣパッケージの製造方法。
【請求項７】
前記転写用基板は、前記エッチングバリア層としてピール強度の弱いＴｉ層を備える金属基板、或いは、前記エッチングバリア層として熱硬化或いは紫外線硬化により接着力が低下する接着剤を備える樹脂基板であることを特徴とする請求項６に記載のＩＣパッケージの製造方法。
【請求項８】
前記金属箔は銅箔からなることを特徴とする請求項１〜７に記載のＩＣパッケージの製造方法。
【請求項９】
前記ＩＣチップと対向する前記熱可塑性樹脂フィルムの対向面に、紫外線処理、プラズマ処理、及びシランカップリング剤塗布のいずれかがなされた状態で、前記加熱・加圧工程が行われることを特徴とする請求項１〜８いずれか１項に記載のＩＣパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣパッケージの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
本発明者等は先に、電極を有するＩＣチップを熱可塑性樹脂からなる片面導体パターンフィルム上に実装したＩＣパッケージに関する特許出願を行った（特願２００２−３７５２３２号）。
【０００３】
このＩＣパッケージは、以下のように製造される。先ず、片面に導体箔が貼着された熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルムを用意し、導体箔をエッチングすることにより導体パターンとする。次いで、当該導体パターンを底部としたビアホールを形成し、ビアホール内に層間接続材料を充填することにより片面導体パターンフィルムを形成する。そして、ビアホール内にＩＣチップの電極を配置した状態で加熱・加圧を行う。これにより、ＩＣチップの電極を層間接続材料と接合するとともに、当該接合部を樹脂フィルムの構成材料である熱可塑性樹脂によって封止・保護している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、上述のＩＣパッケージにおいて、電極ピッチが狭い（電極数が多い）ＩＣチップを片面導体パターンフィルム上に搭載する場合には、電極ピッチに対応した小径のビアホール形成が必要となる。その際、アスペクト比（ビア深さ／ビア開口径）が１を超えるようなビアホールの形成は困難であるため、小径のビアホールを得るためにはアスペクト比が１を超えない範囲の厚さの薄い樹脂フィルムを使用する必要がある。
【０００５】
しかしながら、樹脂フィルムの厚さが薄いと、ハンドリングが困難、樹脂フィルムの延伸により導体パターンの寸法が変化する、及びＩＣチップの保護材料及び電極を接着・封止するための樹脂量が少なく、絶縁性及び接続信頼性が低下する等の問題が生じる。従って、樹脂フィルムの厚さを薄くするのには限界があり、ＩＣチップの電極には一定以上のピッチが求められるため、狭ピッチの電極を有するＩＣチップを搭載することができないという問題がある。
【０００６】
本発明は上記問題点に鑑み、狭ピッチの外部電極を有するＩＣチップの搭載が可能なＩＣパッケージの製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する為に請求項１に記載のＩＣパッケージの製造方法は、回路パターンと、当該回路パターンを底部として形成され層間接続材料が充填されたビアホールとを備える熱可塑性樹脂フィルム上に、外部電極を有するＩＣチップを搭載してなるＩＣパッケージの製造方法であって、基板上に回路パターンを形成する回路パターン形成工程と、当該回路パターンを、回路パターン上に配置された熱可塑性樹脂フィルムとともに加熱・加圧し、軟化された熱可塑性樹脂フィルムに埋設する埋設工程と、熱可塑性樹脂フィルムにおいてＩＣチップの外部電極に対応する所定位置に、回路パターンを底部とし層間接続材料の充填されたビアホールを形成するビア形成工程と、ビアホール内にＩＣチップの外部電極が配置されるように、当該ＩＣチップを熱可塑性樹脂フィルム上に位置決め載置する位置決め工程と、位置決めされた状態で、加熱・加圧することにより、外部電極が層間接続材料と接合されるとともに、熱可塑性樹脂フィルムが軟化されて外部電極と層間接続材料との接合部を封止する加熱・加圧工程とを備えることを特徴とする。
【０００８】
このように、回路パターン上に熱可塑性樹脂フィルムを配置し、埋設工程において回路パターン及び熱可塑性樹脂フィルムを加熱・加圧すれば、軟化した熱可塑性樹脂フィルムが回路パターン間に回り込むので、熱可塑性樹脂フィルムに回路パターンを埋設することができる。従って、熱可塑性樹脂フィルムの厚さを薄くしなくとも、熱可塑性樹脂フィルムのビアホール形成部位である回路パターン上の肉厚を薄くすることができるので、小径のビアホールを形成することができる。すなわち、狭ピッチの外部電極を有するＩＣチップを熱可塑性樹脂フィルム上に搭載することが可能となる。
【０００９】
請求項２に記載のように、基板上に金属箔が設けられ、回路パターン形成工程において、金属箔がエッチングされることにより回路パターンが形成されると良い。
【００１０】
その際、請求項３に記載のように、基板が熱可塑性樹脂フィルムからなる場合には、埋設工程において、基板としての熱可塑性樹脂フィルム自体に回路パターンを埋設することもできる。この場合、基板とは別に回路パターン上に熱可塑性樹脂フィルムを設けなくともよいので、部品点数を削減することも可能である。
【００１１】
また、請求項４に記載のように、基板は、転写用基板と、当該転写用基板表面の金属箔との接触面側に形成され、回路パターン形成時にエッチングストッパとなるエッチングバリア層とにより構成され、前記埋設工程後に、少なくとも転写用基板を除去する除去工程を備えても良い。エッチングバリア層をエッチングストッパとして金属箔をエッチングし、回路パターンを形成するとともに、埋設後、転写用基板を除去することにより回路パターンを転写用基板から熱可塑性樹脂フィルムに転写することができる。
【００１２】
具体的には、除去工程として、請求項５に記載のように転写用基板をエッチングにより除去する転写用基板除去工程と、当該転写用基板除去工程後或いは回路パターン形成工程後にエッチングバリア層の少なくとも回路パターン非接触部をエッチングにより除去するエッチングバリア層除去工程とを備えても良い。このようにエッチングにより転写用基板及びエッチングバリアを除去することができる。尚、エッチングバリア層バリア層除去工程において、エッチングバリア層の少なくとも回路パターンとの非接触部をエッチングにより除去すれば、回路パターン間の絶縁を確保することができる。
【００１３】
また、別の除去工程として、請求項６に記載のように、エッチングバリア層とともに転写用基板を回路パターン及び熱可塑性樹脂フィルムから引き剥がすピーリング工程を備えても良い。
【００１４】
この場合、請求項７に記載のように、転写用基板はピール強度の弱いＴｉ層をエッチングバリア層として備える金属基板、或いは、熱硬化或いは紫外線硬化により接着力が低下する接着材をエッチングバリア層として備える樹脂基板のいずれかであることが好ましい。金属基板を用いた場合、エッチングバリア層であるＴｉ層のピール強度が弱いので、Ｔｉ層とともに金属基板を回路パターン及び熱可塑性樹脂フィルムから引き剥がすことができる。また、樹脂基板を用いた場合、エッチングバリア層である接着剤が加熱或いは紫外線照射により硬化しその接着強度が低下するので、接着剤とともに樹脂基板を回路パターン及び熱可塑性樹脂フィルムから引き剥がすことができる。特に、Ｔｉ層を備える金属基板を用いると、埋設工程において、加熱・加圧による回路パターンの変形を低減することができるので好ましい。
【００１５】
また金属箔としては、請求項８に記載のように、低抵抗金属であり、安価でマイグレーションの心配のない銅箔を用いると良い。
【００１６】
また請求項９に記載のように、ＩＣチップと対向する熱可塑性樹脂フィルムの対向面に、紫外線処理、プラズマ処理、及びシランカップリング剤塗布のいずれかがなされた状態で、加熱・加圧工程が行われることが好ましい。ＩＣチップに対する熱可塑性樹脂フィルムの対向面に、紫外線処理、プラズマ処理、及びシランカップリング剤塗布のいずれかがなされると、熱可塑性樹脂フィルムの対向面表面が改質される。従って、ＩＣチップの保護材料に対する熱可塑性樹脂フィルムの接着性が向上するので、ＩＣチップの外部電極と層間接続材料との接合部を、ＩＣチップの保護材料に接着した熱可塑性樹脂フィルムによって気密に封止することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
（第１の実施の形態）
先ず、ＩＣパッケージの製造方法について説明する前に、本実施の形態におけるＩＣパッケージの構成について図１の概略断面図を用いて説明する。
【００１８】
図１に示すように、ＩＣパッケージ１は、基板２と、当該基板２上に設けられた熱可塑性樹脂フィルム３と、熱可塑性樹脂フィルム３の基板２との接触面に対向する面上に搭載されたＩＣチップ４とから構成される。
【００１９】
本実施の形態における基板２は、従来の回路基板形成に用いられる絶縁材料からなり、例えばガラスエポキシや熱可塑性樹脂等を用いて形成される。そして、その層数が特に限定されるものではなく、少なくとも熱可塑性樹脂フィルム３との接触面上に回路パターン５を有している。ここで、回路パターン５としては、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌの少なくとも１種を含む低抵抗金属箔を用いることができ、本実施の形態においては、安価でマイグレーションの心配のないＣｕ箔を用いるものとする。尚、基板２の図示されない部分に回路パターン５及び層間接続材料の充填されたビアホールが形成されていても良い。
【００２０】
熱可塑性樹脂フィルム３は、基板２と接触する面とは反対の表面にＩＣチップ４を搭載しており、基板２表面に形成された回路パターン５が熱可塑性樹脂フィルム３に埋設されている。そして、熱可塑性樹脂フィルム３の所定の位置には、当該回路パターン５を底部とした有底孔であるビアホール６が形成されており、このビアホール６内に層間接続材料７が充填されている。ここで熱可塑性樹脂フィルム３は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）からなり、その厚さは熱可塑性樹脂フィルム３に形成されるビアホール６の径に応じて適宜選択する事ができる。尚、層間接続材料７としては、導電性ペーストやはんだメッキ等が適用される。
【００２１】
ＩＣチップ４は、図示されない半導体基板等を被覆保護する保護材料４ａと、保護材料４ａの表面に形成された外部接続端子としての外部電極４ｂとを備えている。保護材料４ａとしては、例えば有機樹脂材料であるポリイミド（ＰＩ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）や、無機材料である窒化シリコン（ＳｉＮ）が用いられる。また、外部電極４ｂとしては、Ａｕ又はＡｌ等が用いられ、外部電極４ｂは、ＩＣチップ４の例えば周縁部に複数個形成されている。そして、図１に示されるように、ＩＣチップ４の外部電極４ｂに対応する熱可塑性樹脂フィルム３の所定の位置にビアホール６が形成され、導電接続材料７が充填されている。
【００２２】
ここで、図１に示されるように、ＩＣパッケージ１は、熱可塑性樹脂フィルム３の非回路パターン埋設面側にＩＣチップ４を搭載し、ＩＣチップ４の外部電極４ｂを熱可塑性樹脂フィルム３のビアホール６内に配置している。そして、外部電極４ｂが層間接続材料７と金属接合により電気的に接合されている。また、この接合部は、その周囲をＩＣチップ４の保護材料４ａに接着した熱可塑性樹脂フィルム３によって気密に封止されている。従って、接合部の保護のためにモールド樹脂を別途設ける必要がないので、製造コストを低減できる。
【００２３】
また、本実施の形態におけるＩＣパッケージ１は、熱可塑性樹脂フィルム３の非ＩＣチップ搭載面に、ＩＣチップ４の外部電極４ｂと層間接続材料７を介して電気的に接続された回路パターン５を有している。従って、例えば基板２に形成された図示されないビアホール内の層間接続材料、及び回路パターンを介して、ＩＣパッケージ１を他の回路基板等に実装することができる。
【００２４】
次に、ＩＣパッケージ１の製造工程について、図２（ａ）〜（ｄ）に示す工程別断面図を用いて説明する。尚、図２（ａ）は回路パターン形成工程、（ｂ）は埋設工程、（ｃ）はビア形成工程、（ｄ）は位置決め工程と加熱・加圧工程を示す図である。
【００２５】
先ず、図２（ａ）に示すように、回路パターン形成工程が実施される。片面に金属箔が貼り付けされた基板２において、当該金属箔をエッチングすることにより回路パターン５を形成する。尚、Ｃｕ箔を用いた場合には、エッチング液として例えば塩化第二鉄液を使用する。
【００２６】
そして、図２（ｂ）に示すように本発明の特徴である埋設工程が実施される。回路パターン５の基板２との接触面の反対の面に熱可塑性樹脂フィルム３を配置し、熱圧着ツールを用いて加熱しつつ加圧することにより、基板２と熱可塑性樹脂フィルム３とを貼り合わせる。このとき、加熱温度は熱可塑性樹脂フィルム３が軟化する温度以上の温度とする。従って、加熱により軟化した熱可塑性樹脂フィルム３が基板２表面に形成された回路パターン５のパターン間に回り込み、回路パターン５が熱可塑性樹脂フィルム３に埋設されるので、回路パターン５間が熱可塑性樹脂フィルム３により絶縁・保護されるとともに、回路パターン５上の熱可塑性樹脂フィルム３の厚さが薄くなる。尚、ヒートツールと、当該ヒートツールに接触する熱可塑性樹脂フィルム３或いは回路パターン５を備える基板２との間に緩衝部材を配置し、加熱・加圧すると良い。
【００２７】
次いで、図２（ｃ）に示すように、ビア形成工程を実施する。熱可塑性樹脂フィルム３の基板２との接触面の反対側から例えば炭酸ガスレーザを照射して、回路パターン５を底面とし、ＩＣチップ４の外部電極４ｂに対応する位置に有底孔であるビアホール６を形成する。ビアホール６の形成には、炭酸ガスレーザ以外にもＵＶ−ＹＡＧレーザやエキシマレーザ等を用いることが可能である。その他にもドリル加工等により機械的にビアホール６を形成することも可能であるが、本発明においては特に小径でかつ回路パターン５を傷つけないように加工することが必要とされるため、レーザによる加工法を選択することが好ましい。
【００２８】
ここで、ビアホール６の形成において、アスペクト比（ビアホールの深さ／ビアホールの径）が１を超えるような加工は困難である。このような場合、ＩＣチップ４の外部電極４ｂの狭ピッチ化（外部電極数増加）に対応し小径のビアホール６を形成するためには、熱可塑性樹脂フィルム３を薄くする必要がある。従来のように熱可塑性樹脂フィルム３上に回路パターン５を直接形成し、当該回路パターン５を底部としてビアホール６を形成する方法を用いる場合、熱可塑性樹脂フィルム３が薄いと、ハンドリングが困難、例えば熱可塑性樹脂フィルム３を加工するためにリールに巻かれた熱可塑性樹脂フィルム３を引き出す際に樹脂フィルム３の延伸により回路パターン５の寸法が変化する、及び後述するＩＣチップ４の保護材料４ａ及び外部電極４ｂを接着・封止するための樹脂量が少なく、絶縁性及び接続信頼性が低下する等の問題が生じる。従って、従来の方法では熱可塑性樹脂フィルム３の厚さを薄くすることにより小径のビアホール６を形成するのには限界がある。
【００２９】
しかしながら、本実施の形態で示す製造方法においては、回路パターン５上に熱可塑性樹脂フィルム３を配置し、加熱・加圧により軟化した熱可塑性樹脂フィルム３に回路パターン５を埋設する。従って、予め熱可塑性樹脂フィルム３の厚さを薄くしなくとも、熱可塑性樹脂フィルム３のビアホール形成部位である回路パターン５上の肉厚を薄くすることができるので、小径のビアホール６を形成することができる。
【００３０】
ビアホール６の形成が完了すると、ビアホール６内に層間接続材料７を充填する。このとき、層間接続材料７は、ビアホール６内にＩＣチップ４の外部電極４ｂを配置した際、ビアホール６外へ溢れ出さない程度の量、ビアホール６内に充填されることが好ましい。層間接続材料７の充填は、導電性ペーストをスクリーン印刷機やディスペンサ等を用いて行っても良いし、それ以外にも無電解メッキ、電解メッキ、蒸着法、金属コート等を用いても良い。
【００３１】
最後に、図２（ｄ）に示されるように、位置決め工程と加熱・加圧工程が実施される。熱可塑性樹脂フィルム３のビアホール６に対してＩＣチップ４の外部電極４ｂを位置決めした状態で、ＩＣチップ４を熱可塑性樹脂フィルム３上に載置する。そして、その状態で加熱・加圧することによって、ＩＣチップ４の外部電極４ｂと層間接続材料７とを接合すると共に、熱可塑性樹脂フィルム３をＩＣチップ４の保護材料４ａに接着させる。これにより、ＩＣチップ４の外部電極４ｂと層間接続材料７との接合部が、熱可塑性樹脂フィルム３により封止される。
【００３２】
具体的には、図示されないパルスヒート方式の熱圧着ツールを用いて、ＩＣチップ４を熱可塑性樹脂フィルム３に押し付ける。この際、加熱・加圧条件として、２５０〜４００℃の温度に加熱し、５〜３０秒程度の間、１〜１０ＭＰａの圧力で加圧した。
【００３３】
この加熱・加圧によって、ＩＣチップ４の外部電極４ｂと層間接続材料７との界面にて、各界面を超えて両者を構成する金属原子が熱拡散する。すなわち、ＩＣチップ４の外部電極４ｂと層間接続材料７とが、拡散接合により電気的に、且つ十分な接合強度を持って接合される。
【００３４】
また、上述の拡散接合と共に、熱可塑性樹脂フィルム３が加熱によって軟化し、ＩＣチップ４からの加圧によってＩＣチップ４の保護材料４ａに接着する。すなわち、ＩＣチップ４の外部電極４ｂと層間接続材料７との接合部は、熱可塑性樹脂フィルム３によって気密に封止されることとなる。従って、別途モールド樹脂により接合部を封止する必要が無いので、工数を削減でき、製造コストを低減できる。
【００３５】
このように、本実施の形態の製造方法に基づき製造されるＩＣパッケージ１は、小径のビアホール６を備えることも可能であるので、外部電極４ｂ間のピッチが狭い（外部電極４ｂ数が多い）ＩＣチップ４を搭載することもできる。
【００３６】
また、回路パターン５は、層間接続材料７を介してＩＣチップ４の外部電極４ｂと電気的に接続しており、基板２を介して他の回路基板等と電気的に接合される。従って、本実施の形態におけるＩＣパッケージ１は、熱可塑性樹脂フィルム３の両面をＩＣチップ４及び他の回路基板等との接合に用いることができるので、その体格を小型化できる。
【００３７】
尚、ＩＣチップ４の保護材料４ａと対向する熱可塑性樹脂フィルム３の対向面に対して、加熱・加圧工程が行われる前に、紫外線処理、プラズマ処理、及びシランカップリング剤塗布のいずれかが行われると良い。予め熱可塑性樹脂フィルム３の対向面に紫外線処理或いはプラズマ処理が行われると、熱可塑性樹脂フィルム３表面が改質（処理される部分の化学構造が変化）され、ＩＣチップ４の保護材料４ａに対する接着性が向上する。さらに、照射後、直ちに、位置決め及び加熱・加圧工程が行われるとより効果的である。尚、紫外線照射量は、１０００〜４０００ｍＪ／ｃｍ２（波長２５４ｎｍ換算）程度が望ましい。
【００３８】
また、加熱・加圧工程が行われる前に、熱可塑性樹脂フィルム３の対向面にシランカップリング剤の塗布が行われると、シランカップリング剤による水素結合的架橋効果等の効果により、熱可塑性樹脂フィルム３の表面が改質されＩＣチップ４の保護材料４ａに対する接着性を向上できる。尚、シランカップリング剤としては、アミノ系シランカップリング剤やウレイド系シランカップリング剤等を用いることができ、熱可塑性樹脂フィルム３の対向面に、０．１〜１ｍｇ／ｃｍ２程度塗布すると良い。
【００３９】
また、本実施の形態において、基板２が熱可塑性樹脂フィルムからなる場合には、回路パターン５上に別途熱可塑性樹脂フィルム３を配置しなくとも良い。この場合、先ず図３（ａ）に示すように、基板２上に回路パターン５を形成し、加熱・加圧することにより、熱可塑性樹脂フィルムである基板２自体に回路パターン５を埋設させる（図３（ｂ））。その後は上述した工程同様、図３（ｃ）に示すように回路パターン５を底部としたビアホール６を形成し、当該ビアホール６に層間接続材料７を充填した後、図３（ｄ）に示すように基板２の非回路パターン形成面側にＩＣチップ４を搭載すれば良い。この場合、従来のビアホール６よりも小径のビアホール６を形成することができるとともに、別途熱可塑性樹脂フィルム３が不要となるので、部品数を削減する事ができる。
【００４０】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態を図２に基づいて説明する。
【００４１】
第２の実施の形態におけるＩＣパッケージ１の製造方法は、第１の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
【００４２】
第２の実施の形態において、第１の実施の形態と異なる点は、基板２としてエッチングバリア層を備える転写用基板を用いる点である。尚、図４は本実施の形態におけるＩＣパッケージ１の製造概略を示す工程別断面図の内、第１の実施形態と異なるビア形成工程の前までを示したものであり、（ａ）は回路パターン形成工程、（ｂ）はエッチングバリア層除去工程、（ｃ）は埋設工程、（ｄ）は転写用基板除去工程を示す図である。
【００４３】
先ず、基板２としてその表面にエッチングバリア層１０を介して金属箔を有する転写用基板１１を用意し、図４（ａ）に示すように、エッチングバリア層１０をエッチングストッパとして金属箔をエッチングすることにより回路パターン５を形成する。尚、本実施の形態においても金属箔としてＣｕ箔を用いるものとする。この場合、エッチングバリア層１０としては、Ｎｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｎ，Ａｇ等を用いることができる。
【００４４】
転写用基板１１としては、特に限定されるものではないが、例えばエッチングバリア層１０をエッチングストッパとしてエッチングによる除去が可能な材料により構成される。しかしながら、エッチングバリア層１０と転写用基板１１とがエッチングにより除去可能な同一の材料により構成されても良い。尚、本実施の形態においては、金属箔同様Ｃｕを基板とし、Ｎｉをエッチングバリア層１０とした東洋鋼鈑（株）製のファインクラッドを用いるものとする。このように、金属材料を転写用基板１１として用いると、後述する埋設工程において、回路パターン５の崩れを低減できるので好ましい。
【００４５】
次いで、図４（ｂ）に示すように、回路パターン５をエッチングすることにより露出したエッチングバリア層１０の非回路パターン接触部を、エッチングにより除去するエッチングバリア層除去工程を実施する。これにより、回路パターン５間の絶縁が確保される。尚、本実施の形態におけるエッチングバリア層１０はＮｉ層であるので、エッチング液として例えばメルテックス（株）製のメルストリップＮ９５０等を用いることができる。
【００４６】
エッチングバリア層除去工程後、図４（ｃ）に示すように、転写用基板１１とは反対側の回路パターン５上に熱可塑性樹脂フィルム３を配置し、加熱・加圧する。これにより、軟化した熱可塑性樹脂フィルム３が回路パターン５間及び除去されたエッチングバリア層１０部分に回り込み、回路パターン５が熱可塑性樹脂フィルム３に埋設される。従って、本実施の形態においても、熱可塑性樹脂フィルム３のビアホール形成部位である回路パターン５上の肉厚が薄くなる。
【００４７】
図４（ｃ）に示す埋設工程後、図４（ｄ）に示すように転写用基板１１をエッチングにより除去する転写用基板除去工程を実施する。本実施の形態においては、残余エッチングバリア層１０と熱可塑性樹脂フィルム３がストッパとなり、転写用基板１１のみがエッチングされる。これにより、回路パターン５が熱可塑性樹脂フィルム３に転写される。
【００４８】
そして、図示されないが、第１実施形態同様回路パターン５を底部としたビアホール６を熱可塑性樹脂フィルム３に形成し、層間接続材料７を充填した後、ＩＣチップ４を位置決め載置して、加熱・加圧することにより、ＩＣパッケージ１を形成する。
【００４９】
このように、本実施の形態において示す製造方法を用いても、基板２としての転写用基板１１とは反対側の回路パターン５上に熱可塑性樹脂フィルム３を配置し、加熱・加圧にすることにより、熱可塑性樹脂フィルム３に回路パターン５を埋設することができる。従って、予め熱可塑性樹脂フィルム３の厚さを薄くしなくとも、熱可塑性樹脂フィルム３のビアホール形成部位である回路パターン５上の肉厚を薄くすることができる。すなわち、小径のビアホール６を形成することができ、外部電極４ｂ間のピッチが狭い（外部電極４ｂ数が多い）ＩＣチップ４を搭載することもできる。
【００５０】
また、形成されたＩＣパッケージ１において、回路パターン５は層間接続材料７を介してＩＣチップ４の外部電極４ｂと電気的に接続しており、他の回路基板等と電気的に接合される。しかも、エッチングバリア層１０が導体である場合、転写用基板１１の除去により、外部接続端子としての回路パターン５が残余エッチングバリア層１０を介して露出しているので、ＩＣパッケージ１の体格をより小型化できる。
【００５１】
尚、本実施の形態において、図４（ｂ）に示すように、エッチングバリア層除去工程を回路パターン形成工程後に実施する例を示した。しかしながら、図４（ｄ）で示した転写用基板除去工程後に、エッチングバリア層１０を全面に渡ってエッチングにより除去しても良い。この場合、回路パターン５の下部に回路パターン５とは異なる材料からなるエッチングバリア層１０が残らないので好ましい。また、エッチングバリア層１０と転写用基板１１とが同一材料からなる場合には、図４（ｄ）で示した転写用基板除去工程において、一括してエッチングにより除去すればよい。
【００５２】
（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態を図５に基づいて説明する。尚、図５は本実施の形態におけるＩＣパッケージ１の製造概略を示す工程別断面図の内、ビア形成工程前までを示し、（ａ）は回路パターン形成工程、（ｂ）は埋設工程、（ｃ）はピーリング工程を示す図である。
【００５３】
第３の実施の形態におけるＩＣパッケージ１の製造方法は、第２の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
【００５４】
第３の実施の形態において、第２の実施の形態と異なる点は、除去工程が異なる点である。
【００５５】
図５（ａ）に示すように、本実施の形態においても先ず回路パターン形成工程を実施する。回路パターン５は、エッチングバリア層１０を介して転写用基板１１上に貼着された金属箔を、エッチングバリア層１０をエッチングストッパとしてエッチングすることにより形成される。尚、本実施の形態においても金属箔としてＣｕ箔を用いるものとする。
【００５６】
ここで、本実施の形態におけるエッチングバリア層１０としては、回路パターン５形成時にエッチングストッパとなり、且つ、転写用基板１１を回路パターン５及び熱可塑性樹脂フィルム３から引き剥がすことができる材料にて形成されている。具体的には、ピール強度の弱いＴｉ層、或いは、加熱または紫外線照射により硬化し接着力が低下する接着剤を用いることができる。前者の例としては、転写用基板１１として金属基板を用いることができ、例えば日立金属（株）のＣｕ箔／Ｔｉ層／Ｃｕ基板からなる積層箔をあげることができる。金属基板としては、Ｃｕ以外にもＡｌやステン等を用いることもできる。また、後者の例としては、特開２００２−２７１００１号公報等で公開されている積水化学工業（株）の回路形成用転写材をあげることができる。尚、本実施の形態においては、エッチングバリア層１０としてＴｉ層を備えるＣｕ基板を転写用基板１１として用いるものとする。
【００５７】
次いで、図５（ｂ）に示すように、埋設工程を実施する。回路パターン５における転写用基板１１との接触面の反対側に熱可塑性樹脂フィルム３を配置し、加熱・加圧することにより、熱可塑性樹脂フィルム３に回路パターン５を埋設させる。従って、熱可塑性樹脂フィルム３のビアホール形成部位である回路パターン５上の肉厚が薄くなる。尚、エッチングバリア層１０として熱硬化型接着剤を備える樹脂基板を用いた場合には、埋設工程における加熱を利用して接着剤を硬化させることもでき、その場合には硬化工程を短縮できる。また、紫外線硬化型接着剤を用いた場合には、埋設工程後に硬化工程として紫外線照射を別途行う必要がある。
【００５８】
そして、図５（ｃ）に示すように、熱可塑性樹脂フィルム３及び当該樹脂フィルム３に埋設された回路パターン５から転写用基板１１を除去する除去工程として、ピーリング工程を実施する。このとき、転写用基板１１表面に設けられているエッチングバリア層１０は、ピール強度が弱いので、熱可塑性樹脂フィルム３及び当該樹脂フィルム３との界面において引き剥がすことができる。
【００５９】
後は、第１実施形態同様回路パターン５を底部としたビアホール６を熱可塑性樹脂フィルム３に形成し、層間接続材料７を充填した後、ＩＣチップ４を位置決め載置して、加熱・加圧することにより、ＩＣパッケージ１を形成する。
【００６０】
このように、本実施の形態にて示す製造方法を用いても、回路パターン５の転写用基板１１とは反対側の面に熱可塑性樹脂フィルム３を配置し、加熱・加圧にすることにより、熱可塑性樹脂フィルム３に回路パターン５を埋設することができる。従って、予め熱可塑性樹脂フィルム３の厚さを薄くしなくとも、熱可塑性樹脂フィルム３のビアホール形成部位である回路パターン５上の肉厚を薄くすることができる。すなわち、小径のビアホール６を形成することができ、外部電極４ｂ間のピッチが狭い（外部電極４ｂ数が多い）ＩＣチップ４を搭載することもできる。
【００６１】
特に、転写用基板１１としてＴｉ層を備える金属基板を用いると、埋設工程において熱可塑性樹脂フィルム３が軟化することにより回路パターン５の形状が崩れるのを金属基板の剛性により低減することができるので好ましい。
【００６２】
また、形成されたＩＣパッケージ１において、回路パターン５は層間接続材料７を介してＩＣチップ４の外部電極４ｂと電気的に接続しており、他の回路基板等と電気的に接合される。しかも、エッチングバリア層１０を備えた転写用基板１１の除去により、外部接続端子としての回路パターン５が露出するので、ＩＣパッケージ１の体格をより小型化できる。
【００６３】
以上本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態のみに限定されず、種々変更して実施する事ができる。
【００６４】
上述の実施の形態において、熱可塑性樹脂フィルムとしてＬＣＰを用いる例を示したが、それ以外にもポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）及びポリエーテルイミド（ＰＥＩ）を単独で用いても良い。また、ＰＥＥＫ及びＰＥＩを混合した熱可塑性樹脂フィルムを用いても良い。更に、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、シンジオタクチック構造を有するスチレン系樹脂等を単独で用いても良いし、或いはＰＥＥＫ、ＰＥＩを含めそれぞれの内、いずれかを混合して用いても良い。要するに加熱・加圧工程において、ＩＣチップの保護材料との接着が可能であり、後工程であるはんだ付け等で必要な耐熱性を有する樹脂フィルムであれば好適に用いる事ができる。
【００６５】
また、本実施の形態において、有底のビアホールを形成し、この有底ビアホールに層間接続材料である導電性ペーストを充填したが、ビアホール形成時に貫通穴を形成し、この貫通ビアホールに層間接続材料を充填するものであっても良い。
【００６６】
また、本実施の形態において、ＩＣチップの平面方向における基板及び熱可塑性樹脂フィルムの大きさがＩＣチップの大きさと略同等である例を示した。しかしながら、基板及び熱可塑性樹脂フィルムの大きさがＩＣチップの大きさと異なっても良い。
【００６７】
また、本実施の形態において、回路パターンが埋設され、当該回路パターンを底部としたビアホールの形成される熱可塑性樹脂フィルムは１層からなる例を示した。しかしながら、位置決め工程の前に、当該熱可塑性樹脂フィルムを含む複数の樹脂フィルムとともに多層基板を形成し、その後ＩＣチップを搭載しても良い。ＩＣチップが狭ピッチの外部電極を有するときは、当該外部電極に対応する小径のビアホールが形成された熱可塑性樹脂フィルムをＩＣチップの搭載面となるように多層基板を形成すれば良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態におけるＩＣパッケージを示す概略断面図である。
【図２】第１の実施形態におけるＩＣパッケージの製造工程を示す工程別断面図であり、（ａ）回路パターン形成工程、（ｂ）埋設工程、（ｃ）ビア形成工程、（ｄ）位置決め工程及び加熱・加圧工程である。
【図３】第１の実施形態の変形例であり、（ａ）回路パターン形成工程、（ｂ）埋設工程、（ｃ）ビア形成工程、（ｄ）位置決め工程及び加熱・加圧工程である。
【図４】第２の実施形態におけるＩＣパッケージの製造工程を示す工程断面図の内、ビア形成工程前までを示し、（ａ）回路パターン形成工程、（ｂ）エッチングバリア層除去工程、（ｃ）埋設工程、（ｄ）転写用基板除去工程である。
【図５】第３の実施形態におけるＩＣパッケージの製造工程を示す工程別断面図であり、（ａ）回路パターン形成工程、（ｂ）埋設工程、（ｃ）ピーリング工程である。
【符号の説明】
１・・・ＩＣパッケージ
３・・・熱可塑性樹脂フィルム
４・・・ＩＣチップ
４ｂ・・・外部電極
５・・・回路パターン
６・・・ビアホール
７・・・層間接続材料
１０・・・エッチングバリア層
１１・・・転写用基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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