(57)【要約】【課題】空気から分離すべき真空ライン中の水が多量である場合であっても、真空源を停止させることなく真空装置の稼動を継続させることができるようにする。【解決手段】真空ライン７０中に介装された第１蓄水タンクＴＡ及び第２蓄水タンクＴＢを蓄水手段として備え、これら第１及び第２両蓄水タンクＴＡ，ＴＢのいずれか一方の蓄水タンクに真空ライン７０内の水が所定量蓄積されたときには、その所定量の水が蓄積された一の蓄水タンクのみを真空ライン７０と遮断させて蓄積された水を排出する一方で、他の蓄水タンクにおいては真空ライン７０との連通を保持して真空状態を維持し、真空ライン７０内の水を蓄積させる構成とする。【選択図】        図１
2004319903.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空ライン中に介装されて前記真空ライン内の水を空気から分離する真空ラインの水分離装置であって、
前記真空ライン中に介装された蓄水手段と、
前記蓄水手段の一部に前記真空ライン内の水が所定量蓄積されたときには、前記蓄水手段の前記一部のみを前記真空ラインと遮断させて前記蓄積された水の排出を行う一方で、前記蓄水手段の他の部分においては前記真空ラインとの連通を保持して真空状態を維持し、前記真空ライン内の水の蓄積を行わせる蓄水手段制御機構とを備えたことを特徴とする真空ラインの水分離装置。
【請求項２】
前記蓄水手段が前記真空ライン中に並列に介装された複数の蓄水タンクからなり、
前記蓄水手段制御機構は、前記複数の蓄水タンクのいずれか一つに前記真空ライン内の水が所定量蓄積されたときには、前記所定量の水が蓄積された一の蓄水タンクのみを前記真空ラインと遮断させて前記一の蓄水タンク内に蓄積された水を排出する一方で、他の蓄水タンクにおいては前記真空ラインとの連通を保持して真空状態を維持し、前記真空ライン内の水を蓄積させること特徴とする請求項１記載の真空ラインの水分離装置。
【請求項３】
前記蓄水手段が真空ライン中に介装された主蓄水タンクと、前記主蓄水タンクの下方に設けられ、連通路を介して前記主蓄水タンクと連通及びその遮断が可能な副蓄水タンクとからなり、
前記蓄水手段制御機構は、前記主蓄水タンクから前記連通路を介して前記副蓄水タンク内に前記真空ライン内の水が所定量蓄積されたときには、前記連通路を遮断させて前記副蓄水タンク内に蓄積された水を排出する一方で、前記主蓄水タンクにおいては前記真空ラインとの連通を保持して真空状態を維持し、前記真空ライン内の水を蓄積させることを特徴とする請求項１記載の真空ラインの水分離装置。
【請求項４】
真空ライン内の水を空気から分離する真空ラインの水分離方法であって、
前記真空ライン中に介装された蓄水手段の一部に前記真空ライン内の水が所定量蓄積されたときには、前記蓄水手段の前記一部のみを前記真空ラインと遮断させて前記蓄積された水の排出を行う一方で、前記蓄水手段の他の部分においては前記真空ラインとの連通を保持して真空状態を維持し、前記真空ライン内の水の蓄積を行わせる工程を有したことを特徴とする真空ラインの水分離方法。
【請求項５】
被研磨物を保持する定盤と、
研磨体保持面上に保持した研磨体を前記被研磨物に接触させて前記被研磨物の研磨を行う研磨工具とを備えて構成される研磨装置において、
前記定盤上に前記被研磨物を保持する被研磨物保持手段及び前記研磨体保持面上に前記研磨体を保持する研磨体保持手段の少なくとも一方が吸着チャック機構を有してなり、前記吸着チャック機構が請求項１〜３のいずれかに記載の真空ラインの水分離装置に接続されていることを特徴とする研磨装置。
【請求項６】
請求項５に記載の研磨装置を用いて前記被研磨物の表面を研磨加工する工程を有したことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空ライン中に介装されてこの真空ライン内の水を空気から分離する真空ラインの水分離装置、真空ラインの水分離方法、真空ラインの水分離装置を用いた研磨装置及びこの研磨装置を用いたデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハなどの基板を平坦研磨するためのＣＭＰ装置（化学・機械的研磨装置）には、真空源により真空ラインを介して空気を吸引し、これにより発生する吸着力を利用して基板を定盤上に保持し、或いは研磨パッドが貼り付けられた研磨体をスピンドル上に保持する真空吸着装置が用いられているが、研磨剤を含んだ研磨液が真空ライン内を通って真空源まで至るのを防止するため、真空ライン中には真空ライン内の空気から水を分離する水分離装置が介装されている（例えば、下記の特許文献参照）。この水分離装置は真空ライン中に設けられた水分離用の蓄水タンクと、この蓄水タンク内の水を排出させるための弁等を有してなり、水が蓄水タンク内に所定量蓄積されたときには水を排出することができるようになっている。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−１５３４４８号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の水分離装置では、真空装置（例えば、上記ＣＭＰ装置であれば研磨作業中に相当する）の作動中に蓄水タンク内に水が蓄積可能な所定量に達してしまったときには、一旦真空源を停止させて蓄水タンク内を加圧し、水を蓄水タンク内より排出させてから再度真空源を稼動させるひつようがあった。このため作業効率が悪く、コスト高となる問題があった。
【０００５】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、空気から分離すべき真空ライン中の水が多量である場合であっても、真空源を停止させることなく真空装置の稼動を継続させることが可能な構成の真空ラインの水分離装置と真空ラインの水分離方法を提供することを目的としている。また、本発明は、上記真空ラインの水分離装置を用いた研磨装置及びこの研磨装置を用いたデバイス製造方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するため、請求項１に係る発明の真空ラインの水分離装置は、真空ライン中に介装されて前記真空ライン内の水を空気から分離する真空ラインの水分離装置であって、前記真空ライン中に介装された蓄水手段と、前記蓄水手段の一部に前記真空ライン内の水が所定量蓄積されたときには、前記蓄水手段の前記一部のみを前記真空ラインと遮断させて前記蓄積された水の排出を行う一方で、前記蓄水手段の他の部分においては前記真空ラインとの連通を保持して真空状態を維持し、前記真空ライン内の水の蓄積を行わせる蓄水手段制御機構とを備えたことを特徴とする。
【０００７】
また、請求項２に係る発明の真空ラインの水分離装置は、請求項１に記載の真空ラインの水分離装置において、前記蓄水手段が前記真空ライン中に並列に介装された複数の蓄水タンクからなり、前記蓄水手段制御機構は、前記複数の蓄水タンクのいずれか一つに前記真空ライン内の水が所定量蓄積されたときには、前記所定量の水が蓄積された一の蓄水タンクのみを前記真空ラインと遮断させて前記一の蓄水タンク内に蓄積された水を排出する一方で、他の蓄水タンクにおいては前記真空ラインとの連通を保持して真空状態を維持し、前記真空ライン内の水を蓄積させること特徴とする。
【０００８】
また、請求項３に係る発明の真空ラインの水分離装置は、請求項１記載の真空ラインの水分離装置において、前記蓄水手段が真空ライン中に介装された主蓄水タンクと、前記主蓄水タンクの下方に設けられ、連通路を介して前記主蓄水タンクと連通及びその遮断が可能な副蓄水タンクとからなり、前記蓄水手段制御機構は、前記主蓄水タンクから前記連通路を介して前記副蓄水タンク内に前記真空ライン内の水が所定量蓄積されたときには、前記連通路を遮断させて前記副蓄水タンク内に蓄積された水を排出する一方で、前記主蓄水タンクにおいては前記真空ラインとの連通を保持して真空状態を維持し、前記真空ライン内の水を蓄積させることを特徴とする。
【０００９】
また、請求項４に係る発明の真空ラインの水分離方法は、真空ライン内の水を空気から分離する真空ラインの水分離方法であって、前記真空ライン中に介装された蓄水手段の一部に前記真空ライン内の水が所定量蓄積されたときには、前記蓄水手段の前記一部のみを前記真空ラインと遮断させて前記蓄積された水の排出を行う一方で、前記蓄水手段の他の部分においては前記真空ラインとの連通を保持して真空状態を維持し、前記真空ライン内の水の蓄積を行わせる工程を有したことを特徴とする。
【００１０】
また、請求項５に係る発明の研磨装置は、被研磨物を保持する定盤と、研磨体保持面上に保持した研磨体を前記被研磨物に接触させて前記被研磨物の研磨を行う研磨工具とを備えて構成される研磨装置において、前記定盤上に前記被研磨物を保持する被研磨物保持手段及び前記研磨体保持面上に前記研磨体を保持する研磨体保持手段の少なくとも一方が吸着チャック機構を有してなり、前記吸着チャック機構が請求項１〜３のいずれかに記載の真空ラインの水分離装置に接続されていることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項６に係る発明のデバイス製造方法は、請求項５に記載の研磨装置を用いて前記被研磨物の表面を研磨加工する工程を有したことを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。図２は本発明の第１実施形態に係る真空ラインの水分離装置を備えたＣＭＰ装置１を示している。このＣＭＰ装置１は被研磨物である半導体ウエハＷを水平姿勢に保持する定盤１０と、この定盤１０に保持された半導体ウエハＷの被研磨面（ここでは上面）と対向する面に研磨パッド３４が取り付けられた研磨工具２０とを備えて構成されている。なお、本実施形態に示すＣＭＰ装置１は本発明に係る真空ラインの水分離装置を用いた研磨装置の一実施形態に相当する。
【００１３】
定盤１０は垂直方向に延びた回転支柱１２の上端に取り付けられており、回転支柱１２を垂直軸まわりに回転させることにより定盤１０を水平面内で回転させることができるようになっている。定盤１０内には定盤１０の上面側に開口する吸着チャック機構１４が設けられており、研磨対象となる半導体ウエハＷの下面側をこの吸着チャック機構１４により吸着することにより、半導体ウエハＷを定盤１０の上面側に固定保持できるようになっている。
【００１４】
研磨工具２０はプレート状の研磨体３０と、この研磨体３０の取り付け面（以下、研磨体保持面４２ａと称する）を有する研磨ヘッド４０とからなり、研磨体３０は平板状のプレート部材３２と、このプレート部材３２の下面に取り付けられた上記研磨パッド３４とからなっている。研磨ヘッド４０は胴部４２とこの胴部４２の上方に取り付けられて垂直方向に延びた軸部４４とからなり、胴部４２の下面にはプレート部材３２と接触する上記研磨体保持面４２ａが形成されている。プレート部材３２の下面３２ａは精度良く平坦化されており、研磨パッド３４を平面状態で取り付けることができるようになっている。研磨パッド３４は不織布やウレタン等を原材料として構成されており、プレート部材３２とほぼ同じ直径を有する薄い円盤状に成形されている。なお、研磨パッド３４は消耗品であるため、接着剤や両面テープ等によりプレート部材３２の下面に着脱自在に取り付けられる。また、研磨体３０は、研磨ヘッド４０内に設けられた吸着チャック機構（図示せず）により、着脱自在に装着することができるようになっている。
【００１５】
研磨ヘッド４０を構成する軸部４４は、図示しない複数のモータにより移動可能な構成を有しており、定盤１０に対して三次元的に移動できるとともに、自身の中心軸（垂直軸）まわりに回転できるようになっている。
【００１６】
このような構成のＣＭＰ装置１を用いて半導体ウエハの平坦化研磨を行うには、先ず、研磨対象となる半導体ウエハＷを定盤１０の上面に吸着させる。これにより半導体ウエハＷは被研磨面が上方に向くように定盤１０に保持された状態となる。半導体ウエハＷはその中心が定盤１０の回転中心と一致するように設置される。半導体ウエハＷが定盤１０に保持されたら定盤１０を半導体ウエハＷとともに水平面内で回転させる。続いて上述のモータを作動させて研磨ヘッド４０の軸部４４を軸まわりに回転させ、研磨工具２０全体を回転させる（これにより研磨パッド３４が水平面内で回転する）。研磨工具２０が回転を始めたら、研磨工具２０全体を降下させ、研磨パッド３４を半導体ウエハＷの被研磨面に上方から接触させる。研磨パッド３４が半導体ウエハＷの被研磨面と接触して半導体ウエハＷの研磨が始まったら、研磨工具２０全体を半導体ウエハＷと研磨パッド３４との接触面と平行な方向（すなわち水平方向）に揺動移動させて被研磨面の全体を研磨していく。なお、この半導体ウエハＷの研磨中においては、図示しない研磨液供給装置より研磨液（スラリー）を半導体ウエハＷの被研磨面上に供給する。このように、定盤１０に保持された半導体ウエハＷの被研磨面は、研磨液の供給を受けつつ、半導体ウエハＷ自身の回転運動と研磨工具２０の（すなわち研磨パッド３４の）回転及び揺動運動とにより全体が満遍なく研磨され、半導体ウエハＷの被研磨面は高精度に平坦化される。
【００１７】
ウエハＷは前述したように、定盤１０内に設けられた吸着チャック機構１４を介して定盤１０上に取り付けられるが、この吸着チャック機構１４によるウエハＷの吸着は、真空源６０よりＣＭＰ装置駆動部５０を介して空気を吸引することにより行う。更に、真空源６０とＣＭＰ装置駆動部５０との間には水分離装置８０が設けられおり、真空源６０と水分離装置８０との間、水分離装置８０とＣＭＰ装置駆動部５０との間、及びＣＭＰ装置駆動部５０と吸着チャック機構１４との間はそれぞれ真空管路７２，７４，７６により連結されている（以下の説明においては、これら真空管路７２，７４，７６を総称して真空ライン７０と称する）。
【００１８】
水分離装置８０は、真空源６０が真空ライン７０を介して空気を吸着しているとき、吸着チャック機構１４より水分（具体的には上記研磨液）が真空ライン７０内に入ったときに、これが空気から分離されて取り出されるようになっている。
【００１９】
図１は上記ＣＭＰ装置１に備えられた水分離装置８０の具体的構成を示している。この図に示すように、水分離装置８０は蓄水手段として第１蓄水タンクＴＡ及び第２蓄水タンクＴＢの２つの蓄水タンクを備えており、第１蓄水タンクＴＡは真空管路８１を介して上述の真空管路７４に接続されるとともに、真空管路８２を介して上述の真空管路７２に接続されている。また、第２蓄水タンクＴＢは真空管路８３を介して真空管路７４に接続されるとともに、真空管路８４を介して真空管路７２に接続されている。すなわち、第１及び第２両蓄水タンクＴＡ，ＴＢはそれぞれＣＭＰ装置駆動部５０及び真空源６０に対して並列的に接続された状態となっている。
【００２０】
また、第１蓄水タンクＴＡには圧力供給管路８５を介して圧力空気が供給されるようになっており、第２蓄水タンクＴＢには圧力供給管路８６を介して圧力空気が供給されるようになっている。第１蓄水タンクＴＡの底部からは排水管路８７が延びており、第２蓄水タンクＴＢの底部からは排水管路８８が延びている。
【００２１】
真空管路８１中には弁ＶＡ１が介装されており、真空管路８２中には弁ＶＡ２が介装されている。また、真空管路８３中には弁ＶＢ１が介装されており、真空管路８４中には弁ＶＢ２が介装されている。また、圧力供給管路８５中には弁ＶＡ３が介装されており、圧力供給管路８６中には弁ＶＢ３が介装されている。更に、排水管路８７中には弁ＶＡ４が介装されており、排水管路８８中には弁ＶＢ４が介装されている。これら８つの弁ＶＡ１，ＶＢ１，ＶＡ２，ＶＢ２，ＶＡ３，ＶＢ３，ＶＡ４，ＶＢ４はいずれも電磁制御弁であり、水分離装置制御部９０からの制御信号を受けて作動するようになっている。
【００２２】
第１蓄水タンクＴＡ内には３つのフロートスイッチＦＳＡ１，ＦＳＡ２，ＦＳＡ３が設けられており、これら３つのスイッチＦＳＡ１，ＦＳＡ２，ＦＳＡ３により、第１蓄水タンクＴＡ内に蓄積された水の水位を３段階に分けて検出することができるようになっている。すなわち、第１蓄水タンクＴＡ内の水が第１の水位以上に達しているときにはフロートスイッチＦＳＡ１がオン信号を出力し、第１蓄水タンクＴＡ内の水が第２の水位以上に達しているときにはフロートスイッチＦＳＡ２がオン信号を出力する。また、第１蓄水タンクＴＡ内の水が第３の水位以上に達しているときには、フロートスイッチＦＳＡ３がオン信号を出力する。すなわち、第１蓄水タンクＴＡ内に蓄積された水の水位が第１の水位未満であるときには３つのフロートスイッチＦＳＡ１，ＦＳＡ２，ＦＳＡ３の全てがオフ信号を出力し、第１蓄水タンクＴＡ内に蓄積された水の水位が第１の水位以上、第２の水位未満であるときにはフロートスイッチＦＳＡ１のみがオン信号を出力し、フロートスイッチＦＳＡ２，ＦＳＡ３はともにオフ信号を出力する。また、第１蓄水タンクＴＡ内に蓄積された水の水位が第２の水位以上、第３の水位未満であるときにはフロートスイッチＦＳＡ１とＦＳＡ２とがオン信号を出力し、フロートスイッチＦＳＡ３のみがオフ信号を出力する。更に、第１蓄水タンクＴＡ内に蓄積された水の水位が第３の水位以上であるときには３つのフロートスイッチＦＳＡ１，ＦＳＡ２，ＦＳＡ３の全てがオン信号を出力する。なお、これら３つのフロートスイッチＦＳＡ１，ＦＳＡ２，ＦＳＡ３からの水位検出信号（オン、オフ信号）はいずれも水分離装置制御部９０に入力される。
【００２３】
第２蓄水タンクＴＢ内には３つのフロートスイッチＦＳＢ１，ＦＳＢ２，ＦＳＢ３が設けられており、これら３つのスイッチＦＳＢ１，ＦＳＢ２，ＦＳＢ３により、第２蓄水タンクＴＢ内に蓄積された水の水位を３段階に分けて検出することができるようになっている。すなわち、第２蓄水タンクＴＢ内の水が第１の水位以上に達しているときにはフロートスイッチＦＳＢ１がオン信号を出力し、第２蓄水タンクＴＢ内の水が第２の水位以上に達しているときにはフロートスイッチＦＳＢ２がオン信号を出力する。また、第２蓄水タンクＴＢ内の水が第３の水位以上に達しているときには、フロートスイッチＦＳＢ３がオン信号を出力する。すなわち、第２蓄水タンクＴＢ内に蓄積された水の水位が第１の水位未満であるときには３つのフロートスイッチＦＳＢ１，ＦＳＢ２，ＦＳＢ３の全てがオフ信号を出力し、第２蓄水タンクＴＢ内に蓄積された水の水位が第１の水位以上、第２の水位未満であるときにはフロートスイッチＦＳＢ１のみがオン信号を出力し、フロートスイッチＦＳＢ２，ＦＳＢ３はともにオフ信号を出力する。また、第２蓄水タンクＴＢ内に蓄積された水の水位が第２の水位以上、第３の水位未満であるときにはフロートスイッチＦＳＢ１とＦＳＢ２とがオン信号を出力し、フロートスイッチＦＳＢ３のみがオフ信号を出力する。更に、第２蓄水タンクＴＢ内に蓄積された水の水位が第３の水位以上であるときには３つのフロートスイッチＦＳＢ１，ＦＳＢ２，ＦＳＢ３の全てがオン信号を出力する。なお、これら３つのフロートスイッチＦＳＢ１，ＦＳＢ２，ＦＳＢ３からの水位検出信号（オン、オフ信号）はいずれも水分離装置制御部９０に入力される。
【００２４】
また、第１蓄水タンクＴＡには、この第１蓄水タンクＴＡ内の圧力を検出する圧力センサＰＳＡが設けられており、第２蓄水タンクＴＢには、この第２蓄水タンクＴＢ内の圧力を検出する圧力センサＰＳＢが設けられている。これら圧力センサＰＳＡ，ＰＳＢからの検出情報は、水分離装置制御部９０に入力される。
【００２５】
次に、このような構成の水分離装置８０の作動を、図３を参照しつつ説明する。先ず、ＣＭＰ装置駆動部５０に設けられた作動開始スイッチ５２がオフの状態では、上記８つの弁ＶＡ１，ＶＢ１，ＶＡ２，ＶＢ２，ＶＡ３，ＶＢ３，ＶＡ４，ＶＢ４はいずれも閉止状態にあり、真空源６０もオフの状態である。ここで、上記作動開始スイッチ５２がオンにされると、ＣＭＰ装置駆動部５０より水分離装置制御部９０へ真空圧準備要求信号Ｓ１が出力される。そして、真空圧準備要求信号Ｓ１を受けた水分離装置制御部９０は弁ＶＡ２を開くので（図３中に示す時間ｔ１参照）、これにより第１蓄水タンクＴＡ内の空気吸引が開始される。この第１蓄水タンクＴＡ内の空気吸引開始により第１蓄水タンクＴＡ内の圧力は次第に低下していくが、圧力センサＰＳＡが許容最低圧力（許容最高真空値）を検出し、その検出信号が水分離装置制御部９０に送られると、同制御部９０は弁ＶＡ１を開く（時間ｔ２参照）。水分離装置制御部９０は、その後も圧力センサＰＳＡが許容最低圧力の検出状態を維持していることを認識したら、これによりＣＭＰ装置１が使用可能状態にあると判断し、ＣＭＰ装置駆動部５０へ真空圧準備完了信号Ｓ２を出力する。そして、この真空圧準備完了信号Ｓ２を受けたＣＭＰ装置駆動部５０は、以後ＣＭＰ装置１を作動させることが可能な待機状態に入る。
【００２６】
ＣＭＰ装置１の作動が開始されると、真空ライン７０内の空気中に含まれる水分（具体的には研磨液）は自重により第１蓄水タンクＴＡ内に落下し、そのまま蓄積される。このため第１蓄水タンクＴＡ内の水位は時間の経過とともに上昇していくが、その水位が第１の水位に達したところでフロートスイッチＦＳＡ１がオンとなる（時間ｔ３参照）。フロートスイッチＦＳＡ１がオンとなると、水分離装置制御部９０は弁ＶＢ２を開くので、これにより第２蓄水タンクＴＢ内の空気吸引が開始される。この第２蓄水タンクＴＢ内の空気吸引開始により第２蓄水タンクＴＢ内の圧力は次第に低下していくが、圧力センサＰＳＢが許容最低圧力（許容最高真空値）を検出し、その検出信号が水分離装置制御部９０に送られると、同制御部９０は弁ＶＢ１を開く（時間ｔ４参照）。これにより真空ライン７０内の空気中に含まれる水分は第１蓄水タンクＴＡのみならず、第２蓄水タンクＴＢ内にも蓄積され始める。
【００２７】
第１蓄水タンクＴＡ内の水位が上昇して第２の水位に達したところでフロートスイッチＦＳＡ２がオンとなる。フロートスイッチＦＳＡ２がオンとなると、水分離装置制御部９０はその所定時間経過後（数秒後）に弁ＶＡ１及び弁ＶＡ２を閉じるとともに、弁ＶＡ３及び弁ＶＡ４を開放する（時間ｔ５参照）。弁ＶＡ１及び弁ＶＡ２の閉止により第１蓄水タンクＴＡは真空ライン７０と遮断されるので、真空ライン７０内の空気中に含まれる水分は第２蓄水タンクＴＢ内にのみ蓄積されるようになる。また、弁ＶＡ３及び弁ＶＡ４の開放により第１蓄水タンクＴＡ内は排水管路８７を介して大気に開放され、しかも圧力供給管路８５を介して圧力空気が供給された状態となるので、第１蓄水タンクＴＡ内の圧力は急激に上昇し、その圧力により第１蓄水タンクＴＡ内に蓄積されていた水は排水管路８７より急速に排出される。これにより第１蓄水タンクＴＡ内の水の水位は急激に減少するが、その水位が第２の水位を下回ったところでフロートスイッチＦＳＡ２はオフとなり、更に第１の水位を下回ったところでフロートスイッチＦＳＡ１がオフとなる（時間ｔ６参照）。フロートスイッチＦＳＡ１がオフとなると、水分離装置制御部９０は所定時間（第１蓄水タンクＴＡ内の水が完全に排出され得る時間）経過後に弁ＶＡ３及び弁ＶＡ４とを閉じるので（時間ｔ７参照）、第１蓄水タンクＴＡは大気との連通が遮断された状態となる。
【００２８】
なお、上記のように第１蓄水タンクＴＡ内の水の水位が上昇して第２の水位に達したときに、何らかの不具合により弁ＶＡ３及び弁ＶＡ４が開放されず、その後も第１蓄水タンクＴＡ内の水位が上昇しつづけた場合には、第１蓄水タンクＴＡ内の水の水位が第３の水位に達したときにフロートスイッチＦＳＡ３がこれを検知して検出信号（オン信号）を水分離装置制御部９０に出力するようになっている。そして、水分離装置制御部９０は、フロートスイッチＦＳＡ３からの上記検出信号が入力されたときには、アラーム信号Ｓ３をＣＭＰ装置１に送ってＣＭＰ装置１の作動を強制停止させるので、第１蓄水タンクＴＡ内の水が第１蓄水タンクＴＡに予め定められた所定の蓄水量（ここでは第３の水位に相当する蓄水量）を超えて蓄えられてしまう異常事態が防止される。
【００２９】
その後第２蓄水タンクＴＢ内の水位が上昇して第１の水位に達すると、フロートスイッチＦＳＢ１がオンとなる（時間ｔ８参照）。フロートスイッチＦＳＢ１がオンとなると、水分離装置制御部９０は弁ＶＡ２を開くので、これにより第１蓄水タンクＴＡ内の空気吸引が開始される。この第１蓄水タンクＴＡ内の空気吸引開始により第１蓄水タンクＴＡ内の圧力は次第に低下していくが、圧力センサＰＳＡが許容最低圧力（許容最高真空値）を検出し、その検出信号が水分離装置制御部９０に送られると、同制御部９０は弁ＶＡ１を開く（時間ｔ９参照）。これにより真空ライン７０内の空気中に含まれる水分は第２蓄水タンクＴＢのみならず、第１蓄水タンクＴＡ内にも蓄積され始める。
【００３０】
第２蓄水タンクＴＢ内の水位が上昇して第２の水位に達したところでフロートスイッチＦＳＢ２がオンとなる。フロートスイッチＦＳＢ２がオンとなると、水分離装置制御部９０はその所定時間経過後（数秒後）に弁ＶＢ１及び弁ＶＢ２を閉じるとともに、弁ＶＢ３及び弁ＶＢ４を開放する（時間ｔ１０参照）。弁ＶＢ１及び弁ＶＢ２の閉止により第２蓄水タンクＴＢは真空ライン７０と遮断されるので、真空ライン７０内の空気中に含まれる水分は第１蓄水タンクＴＡ内にのみ蓄積されるようになる。また、弁ＶＢ３及び弁ＶＢ４の開放により第２蓄水タンクＴＢ内は排水管路８８を介して大気に開放され、しかも圧力供給管路８６を介して圧力空気が供給された状態となるので、第２蓄水タンクＴＢ内の圧力は急激に上昇し、その圧力により第２蓄水タンクＴＢ内に蓄積されていた水は排水管路８８より急速に排出される。これにより第２蓄水タンクＴＢ内の水の水位は急激に減少するが、その水位が第２の水位を下回ったところでフロートスイッチＦＳＢ２はオフとなり、更に第１の水位を下回ったところでフロートスイッチＦＳＢ１がオフとなる（時間ｔ１１参照）。フロートスイッチＦＳＢ１がオフとなると、水分離装置制御部９０は所定時間（第２蓄水タンクＴＢ内の水が完全に排出され得る時間）経過後に弁ＶＢ３と弁ＶＢ４とを閉じるので（時間ｔ１２参照）、第２蓄水タンクＴＢ内は大気との連通が遮断された状態となる。
【００３１】
なお、上記のように第２蓄水タンクＴＢ内の水の水位が上昇して第２の水位に達したときに、何らかの不具合により弁ＶＢ３及び弁ＶＢ４が開放されず、その後も第２蓄水タンクＴＢ内の水位が上昇しつづけた場合には、第２蓄水タンクＴＢ内の水の水位が第３の水位に達したときにフロートスイッチＦＳＢ３がこれを検知して検出信号（オン信号）を水分離装置制御部９０に出力するようになっている。そして、水分離装置制御部９０は、フロートスイッチＦＳＢ３からの上記検出信号が入力されたときには、アラーム信号Ｓ３をＣＭＰ装置１に送ってＣＭＰ装置１の作動を強制停止させるので、第２蓄水タンクＴＢ内の水が第２蓄水タンクＴＢに予め定められた所定の蓄水量（ここでは第３の水位に相当する蓄水量）を超えて蓄えられてしまう異常事態が防止される。
【００３２】
その後第１蓄水タンクＴＡ内の水位が上昇して第１の水位に達すると、フロートスイッチＦＳＡ１がオンとなる（時間ｔ１３参照）。フロートスイッチＦＳＡ１がオンとなると、水分離装置制御部９０は弁ＶＢ２を開くので、これにより第２蓄水タンクＴＢ内の空気吸引が開始される。この第２蓄水タンクＴＢ内の空気吸引により第２蓄水タンクＴＢ内の圧力は次第に低下していくが、圧力センサＰＳＢが許容最低圧力（許容最高真空値）を検出し、その検出信号が水分離装置制御部９０に送られると、同制御部９０は弁ＶＢ１を開く（時間ｔ１４参照）。これにより真空ライン７０内の空気中に含まれる水分は第１蓄水タンクＴＡのみならず、第２蓄水タンクＴＢ内にも蓄積され始める。以後、図３中における上記時間ｔ４から時間ｔ１４までの工程が繰り返されるが、その間における水分離装置８０の動作説明は省略する。
【００３３】
ＣＭＰ装置１によるウエハＷの研磨が終了したら、作動開始スイッチ５２がオフにされる（時間ｔ１５参照）。これによりＣＭＰ装置駆動部５０より水分離装置制御部９０に真空遮断許可信号Ｓ４が出力される。水分離装置制御部９０は、ＣＭＰ装置駆動部５０より出力される上記真空遮断許可信号Ｓ４を受けたときには、弁ＶＡ１，ＶＡ２，ＶＢ１，ＶＢ２を閉じるとともに、弁ＶＡ３，ＶＡ４，ＶＢ３，ＶＢ４を開くので、第１蓄水タンクＴＡ内の圧力と第２蓄水タンクＴＢ内の圧力はともに上昇し、その圧力により第１蓄水タンクＴＡ内に蓄積されていた水は排水管路８７より急速に排出され、第２蓄水タンクＴＢ内に蓄積されていた水は排水管路８８より急速に排出される。これにより第１蓄水タンクＴＡ内の水の水位は急激に減少するが、その水位が第１の水位を下回ってフロートスイッチＦＳＡ１がオフとなった後には、水分離装置制御部９０はその所定時間（第１蓄水タンクＴＡ内の水が完全に排出され得る時間）経過後に弁ＶＡ３，ＶＡ４を閉じる。また、第２蓄水タンクＴＢ内の水の水位も急激に減少するが、その水位が第２の水位を下回ってフロートスイッチＦＳＢ１がオフとなった後には、水分離装置制御部９０はその所定時間（第２蓄水タンクＴＢ内の水が完全に排出され得る時間）経過後に弁ＶＢ３，ＶＢ４を閉じる（時間ｔ１６参照）。
【００３４】
このように、本第１実施形態に係る水分離装置８０においては、真空ライン７０中に介装された第１蓄水タンクＴＡ及び第２蓄水タンクＴＢを蓄水手段として備えており、これら第１及び第２両蓄水タンクＴＡ，ＴＢのいずれか一方の蓄水タンクに真空ライン７０内の水が所定量（上記例では第２の水位に達する量）蓄積されたときには、その所定量の水が蓄積された一方の蓄水タンクのみを真空ライン７０と遮断させてその蓄水タンク内の水を排出する一方で、他方の蓄水タンクにおいては真空ライン７０との連通を保持して真空状態を維持し、真空ライン７０内の水を蓄積させる構成を有している。このため、分離すべき真空ライン７０中の水が多量である場合であっても、真空源６０を停止させることなく真空装置（上記例ではＣＭＰ装置１）の稼動を継続させることが可能である。
【００３５】
図４は本発明の第２実施形態に係る水分離装置１８０の構成を示している。この第２実施形態に係る水分離装置１８０の適用対象は上述の第１実施形態において示したＣＭＰ装置１と同じであるとして、その構成の説明は省略することにする。また、本第２実施形態に係る水分離装置１８０も上述の第１実施形態に係る水分離装置８０と同様に真空源６０とＣＭＰ装置駆動部５０との間に設けられており、水分離装置１８０と真空源６０とは真空管路７２により繋がり、水分離装置１８０とＣＭＰ装置駆動部５０とは真空管路７４により繋がっているものとする。
【００３６】
図４に示すように、本第２実施形態に係る水分離装置１８０は蓄水手段として蓄水タンクＴを有している。この蓄水タンクＴは真空ライン７０中に介装された主蓄水タンクＴ１と、この主蓄水タンクＴ１の直下に設けられた副蓄水タンクＴ２とからなっており、これら主副両蓄水タンクＴ１，Ｔ２は連通路Ｒを介して互いに連通及びその遮断が可能な構成となっている。主蓄水タンクＴ１は真空管路１８１を介して真空管路７４に接続され、真空管路１８２を介して真空管路７２に接続されている。また、副蓄水タンクＴ２は真空管路１８３を介して真空管路７２に接続されている。更に、副蓄水タンクＴ２には圧力供給管路１８４介して圧力空気が供給されるようになっており、副蓄水タンクＴ２の底部からは排水管路１８５が延びている。
【００３７】
真空管路１８１中には弁Ｖ１が介装されており、真空管路１８２中には弁Ｖ２が介装されている。また、真空管路１８３中には弁Ｖ３が介装されている。更に、圧力供給管路１８４中には弁Ｖ４が介装されており、排水管路１８５中には弁Ｖ５が介装されている。これら５つの弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５はいずれも電磁制御弁であり、水分離装置制御部１９０からの制御信号を受けて作動するようになっている。
【００３８】
主蓄水タンクＴ１内には液面センサＨＳ１が設けられており、この液面センサＨＳ１により、主蓄水タンクＴ１内に蓄積された水の所定水位以上の水位を連続的に検出することができるようになっている。また、副蓄水タンクＴ２内には液面センサＨＳ２が設けられており、この液面センサＨＳ２により、副蓄水タンクＴ２内に蓄積された水の所定水位以上の水位を連続的に検出することができるようになっている。これら２つの液面センサＨＳ１，ＨＳ２から出力される水位検出信号は、いずれも水分離装置制御部１９０に入力される。
【００３９】
また、主蓄水タンクＴ１には、この主蓄水タンクＴ１内の圧力を検出する圧力センサＰＳ１が設けられており、副蓄水タンクＴ２には、この副蓄水タンクＴ２内の圧力を検出する圧力センサＰＳ２が設けられている。これら圧力センサＰＳ１，ＰＳ２からの検出情報も水分離装置制御部１９０に入力される。
【００４０】
副蓄水タンクＴ２には、主蓄水タンクＴ１との連通路Ｒを開閉して主蓄水タンクＴ１と副蓄水タンクＴ２との間の連通及びその遮断を行う連通路開閉シリンダＭが設けられている。この連通路開閉シリンダＭは蓄水タンクＴの外部に設けられた方向制御弁Ｖ６の作動（この方向制御弁Ｖ６の作動は圧力空気の供給制御により行う）に応じて作動し、連通路Ｒの開閉を行うようになっている。具体的には、連通路開閉シリンダＭが図４中に示すＵＰ方向の位置にあるときには連通路Ｒが遮断された状態となり、連通路開閉シリンダＭが図４中に示すＤＯＷＮ方向の位置にあるときには連通路Ｒが連通された状態となる。なお、この方向制御弁Ｖ６の作動制御、すなわち方向制御弁Ｖ６への圧力供給の制御（図示しないスプールの制御）は、上記他の５つの弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５と同様に、水分離装置制御部１９０からの制御信号に基づいて行われる。
【００４１】
次に、このような構成の水分離装置１８０の作動を、図５を参照しつつ説明する。先ず、ＣＭＰ装置駆動部５０に設けられた作動開始スイッチ５２がオフの状態では、上記５つの弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５はいずれも閉止状態にあり、方向制御弁Ｖ６は連通路開閉シリンダＭを連通路Ｒの開放位置（図４中に示すＤＯＷＮ方向の位置）に位置させる状態になっている。また、この作動開始スイッチ５２がオフの状態では、真空源６０もオフである。
【００４２】
ここで、作動開始スイッチ５２がオンにされると、ＣＭＰ装置駆動部５０より水分離装置制御部１９０へ真空圧準備要求信号Ｓ１が出力される。そして、真空圧準備要求信号Ｓ１を受けた水分離装置制御部１９０は弁Ｖ２及び弁Ｖ３開くので（図５中に示す時間ｔ１参照）、これにより主蓄水タンクＴ１内及び副蓄水タンクＴ２内の空気吸引が開始される。この主蓄水タンクＴ１内及び副蓄水タンクＴ２内の空気吸引開始により主副量蓄水タンクＴ１，Ｔ２内の圧力は低下していくが、圧力センサＰＳ１（或いは圧力センサＰＳ２でもよい）が許容最低圧力（許容最高真空値）を検出し、その検出信号が水分離装置制御部１９０に送られると、同制御部１９０は弁Ｖ１を開く（時間ｔ２参照）。水分離装置制御部１９０は、その後も圧力センサＰＳ１（或いは圧力センサＰＳ２）が許容最低圧力の検出状態を維持していることを認識したら、これにより水分離装置制御部１９０はＣＭＰ装置１が使用可能状態にあると判断し、ＣＭＰ装置駆動部５０へ真空圧準備完了信号Ｓ２を出力する。そして、この真空圧準備完了信号Ｓ２を受けたＣＭＰ装置駆動部５０は、以後ＣＭＰ装置１を作動させることが可能な待機状態に入る。
【００４３】
ＣＭＰ装置１の作動が開始されると、真空ライン７０内の空気中に含まれる水分（具体的には研磨液）は自重により主蓄水タンクＴ１内に落下するが、主蓄水タンクＴ１と副蓄水タンクＴ２とは連通路Ｒにより連通した状態となっているため、主蓄水タンクＴ１内に入った水はそのまま連通路Ｒを通って副蓄水タンクＴ２内に入り、蓄積される。これにより副蓄水タンクＴ２内の水位は時間の経過とともに上昇していくが、その水位が第２の水位（第１の水位、第２の水位、第３の水位の順に水位が高いものとする）に達したところで液面センサＨＳ２は第２の水位検出信号を水分離装置制御部１９０に出力する。液面センサＨＳ２より第２の水位検出信号が入力されると、水分離装置制御部１９０は方向制御弁Ｖ６を作動させて連通路開閉シリンダＭを連通路Ｒの閉止位置（図４中に示すＵＰ方向の位置）に移動させる。また、これと同時に弁Ｖ３を閉止させ、併せて弁Ｖ４を開放する（時間ｔ３参照）。このように連通路開閉シリンダＭが連通路Ｒの閉止位置に位置することより、真空ライン７０内の空気中に含まれる水分は副蓄水タンクＴ２内にはそれ以上蓄積されることはなくなり、代わって主蓄水タンクＴ１内に水が蓄積されるようになる。
【００４４】
また、弁Ｖ３の閉止及び弁Ｖ４の開放により副蓄水タンクＴ２内は密閉状態で加圧されるため、副蓄水タンクＴ２内の圧力は急激に上昇するが、圧力センサＰＳ２により副蓄水タンクＴ２内の圧力が所定圧に達した状態を検出した場合には、水分離装置制御部１９０は弁Ｖ５を開放させるので（時間ｔ４参照）、副蓄水タンクＴ２内に蓄積されていた水は、副蓄水タンクＴ２内の圧力により排水管路１８５より急速に排出される。これにより副蓄水タンクＴ２内の水の水位は急激に減少する。そして、その水位が第１の水位に達したとき（時間ｔ５参照）には液面センサＨＳ２が第１の水位検出信号を出力し、これを受けた水分離装置制御部１９０は弁Ｖ５を閉止するとともに弁Ｖ３を開放し、かつ弁Ｖ４を閉止するので、副蓄水タンクＴ２内の圧力は再び低下を始める。
【００４５】
なお、上記のように副蓄水タンクＴ２内の水の水位が上昇して第２の水位に達したときに、何らかの不具合により連通路開閉シリンダＭが連通路Ｒの閉止方向に移動せず、その後も副蓄水タンクＴ２内の水位が上昇しつづけた場合には、副蓄水タンクＴ２内の水の水位が第３の水位に達したときに液面センサＨＳ２がこれを検知して第３の水位検出信号を水分離装置制御部１９０に出力するようになっている。そして、水分離装置制御部１９０は、液面センサＨＳ２からの上記第３の水位検出信号が入力されたときには、アラーム信号Ｓ３をＣＭＰ装置１に送ってＣＭＰ装置１の作動を強制停止させるので、副蓄水タンクＴ２内の水が副蓄水タンクＴ２に予め定められた所定の蓄水量（ここでは第３の水位に相当する蓄水量）を超えて蓄えられてしまう異常状態が防止される。
【００４６】
副蓄水タンクＴ２内の圧力が所定の低圧（所定の真空度）に達したことが圧力センサＰＳ２により検出されている状態において、主蓄水タンクＴ１内に蓄積された水が第２の水位に達したことが液面センサＨＳ１により検出されたときには、水分離装置制御部１９０は、弁Ｖ６を作動させて、連通路開閉シリンダＭを連通路Ｒの開放方向に移動させる（時間ｔ６参照）。これにより、これまで主蓄水タンクＴ１内に溜まっていた水は、そのまま連通路Ｒを通って副蓄水タンクＴ２内に流入（移動）するとともに、その後真空ライン７０内の空気から分離されて主蓄水タンクＴ１内に落下した水は、そのまま連通路Ｒを通って副蓄水タンクＴ２内に流れ込むようになる。すなわち、真空ライン７０内の水は、それまでの主蓄水タンクＴ１に代わって副蓄水タンクＴ２内に蓄積されるようになる。
【００４７】
副蓄水タンクＴ２内の水位が上昇して第２の水位に達すると、液面センサＨＳ２は第２の水位検出信号を出力する。これを受けた水分離装置制御部１９０は方向制御弁Ｖ６を作動させ（時間ｔ７参照）、連通路開閉シリンダＭを連通路Ｒの閉止位置に移動させる。また、これと同時に弁Ｖ３を閉止させ、併せて弁Ｖ４を開放する。このように連通路開閉シリンダＭが連通路Ｒの閉止位置に位置することより真空ライン７０内の空気中に含まれる水分は副蓄水タンクＴ２内にはそれ以上蓄積されることはなくなり、代わって主蓄水タンクＴ１内に水が蓄積されるようになる。以後、図５中における上記時間ｔ３から時間ｔ７までの工程が繰り返されるが、その間における水分離装置１８０の動作説明は省略する。
【００４８】
ＣＭＰ装置１によるウエハＷの研磨が終了したら、作動開始スイッチ５２がオフにされる（時間ｔ８参照）。これによりＣＭＰ装置駆動部５０より水分離装置制御部１９０に真空遮断許可信号Ｓ４が出力される。水分離装置制御部１９０は、ＣＭＰ装置駆動部５０より出力される上記真空遮断許可信号Ｓ４を受けたときには、弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を閉じるとともに弁Ｖ４，Ｖ５を開き、かつ弁Ｖ６を作動させて連通路開閉シリンダＭを連通路Ｒの開放方向に移動させるので、主蓄水タンクＴ１内の圧力と副蓄水タンクＴ２内の圧力はともに上昇する。そして、主蓄水タンクＴ１内に蓄積されていた水があるときには、その水は連通路Ｒを通って副蓄水タンクＴ２内へ流入（移動）し、副蓄水タンクＴ２内の水は主蓄水タンクＴ１内及び副蓄水タンクＴ２内の圧力により排水管路１８５より急速に排出される。これにより主蓄水タンクＴ１内の水の水位はもとより、副蓄水タンクＴ２内の水の水位は急激に減少するが、副蓄水タンクＴ２内の水位が第１の水位を下回って液面センサＨＳ２がこれを検出したときには（時間ｔ９参照）、水分離装置制御部１９０は所定時間（蓄水タンクＴ内の水が完全に排出され得る時間）経過後に弁Ｖ４及び弁Ｖ５を閉じる（時間ｔ１０参照）。
【００４９】
このように、本第２実施形態に係る水分離装置１８０においては、真空ライン７０中に介装された主蓄水タンクＴ１と、この主蓄水タンクＴ１の下方に設けられ、連通路Ｒを介して主蓄水タンクＴ１と連通及びその遮断が可能な副蓄水タンクＴ２とからなる蓄水タンクＴを蓄水手段として備えており、主蓄水タンクＴ１から上記連通路Ｒを介して副蓄水タンクＴ２内に真空ライン７０内の水が所定量（上記例では第２の水位に達する量）蓄積されたときには、連通路Ｒを遮断させて副蓄水タンクＴ２内に蓄積された水を排出する一方で、主蓄水タンクＴ１においては真空ライン７０との連通を保持して真空状態を維持し、真空ライン７０内の水を蓄積させる構成を有している。このため、分離すべき真空ライン７０中の水が多量である場合であっても、真空源を停止させることなく真空装置の稼動を継続させることが可能である。
【００５０】
また、本発明に係る真空ラインの水分離方法は、上述の水分離装置８０，１８０の作動説明において述べたように、真空ライン７０中に介装された蓄水手段の一部に真空ライン７０内の水が所定量蓄積されたときには、蓄水手段のその一部のみを真空ラインと遮断させて蓄積された水の排出を行う一方で、蓄水手段の他の部分においては真空ラインとの連通を保持して真空状態を維持し、真空ライン内の水の蓄積を行わせる工程を有するものである。このような方法によれば、分離すべき真空ライン７０中の水が多量である場合であっても、真空源を停止させることなく真空装置の稼動を継続させることが可能である。
【００５１】
また、本発明に係る研磨装置の一実施形態である上記ＣＭＰ装置１は、被研磨物である半導体ウエハＷを保持する定盤１０と、研磨体保持面４２ａ上に保持した研磨体３０を半導体ウエハＷに接触させてその半導体ウエハＷの研磨を行う研磨工具２０とを備え、定盤１０上に半導体ウエハＷを保持する被研磨物保持手段が吸着チャック機構１４を有している。そして、この吸着チャック機構１４が上記本発明に係る真空ラインの水分離装置（上記水分離装置８０又は１８０）に接続されているため、空気から分離すべき真空ライン７０中の水が多量である場合であっても、真空源６０を停止させることなくその稼動を継続させることが可能であり、効率のよい研磨作業を行うことができる。
【００５２】
なお、上記ＣＭＰ装置１においては、本発明に係る真空ラインの水分離装置（水分離装置８０又は１８０）が、半導体ウエハＷを定盤１０上に保持する被研磨物保持手段を構成する吸着チャック機構１４に接続されるものとしていたが、本発明に係る真空ラインの水分離装置が接続される対象は、被研磨物保持手段を構成する吸着チャック機構１４に限られない。例えば、研磨体保持面４２ａに研磨体３０を保持する研磨体保持手段が吸着チャック機構を有して構成されている場合には、この研磨体保持手段を構成する吸着チャック機構が上記被研磨物保持手段を構成する吸着チャック機構に代わって、或いは被研磨物保持手段を構成する吸着チャック機構１４とともに、本発明に係る真空ラインの水分離装置に接続された構成とすることもできる。この場合においても同様の効果が得られる。
【００５３】
次に、本発明に係るデバイス製造方法の実施形態について説明する。図６は半導体デバイスの製造プロセスを示すフローチャートである。半導体製造プロセスをスタートすると、先ずステップＳ２００で次に挙げるステップＳ２０１〜Ｓ２０４の中から適切な処理工程を選択し、いずれかのステップに進む。ここで、ステップＳ２０１はウエハの表面を酸化させる酸化工程である。ステップＳ２０２はＣＶＤ等によりウエハ表面に絶縁膜や誘電体膜を形成するＣＶＤ工程である。
ステップＳ２０３はウエハに電極を蒸着等により形成する電極形成工程である。
ステップＳ２０４はウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込み工程である。
【００５４】
ＣＶＤ工程（Ｓ２０２）若しくは電極形成工程（Ｓ２０３）の後で、ステップＳ２０５に進む。ステップＳ２０５はＣＭＰ工程である。ＣＭＰ工程では本発明による研磨装置により、層間絶縁膜の平坦化や半導体デバイス表面の金属膜の研磨、誘電体膜の研磨によるダマシン（ｄａｍａｓｃｅｎｅ）の形成等が行われる。
【００５５】
ＣＭＰ工程（Ｓ２０５）若しくは酸化工程（Ｓ２０１）の後でステップＳ２０６に進む。ステップＳ２０６はフォトリソグラフィ工程である。この工程ではウエハへのレジストの塗布、露光装置を用いた露光によるウエハへの回路パターンの焼き付け、露光したウエハの現像が行われる。更に、次のステップＳ２０７は現像したレジスト像以外の部分をエッチングにより削り、その後レジスト剥離が行われ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くエッチング工程である。
【００５６】
次に、ステップＳ２０８で必要な全工程が完了したかを判断し、完了していなければステップＳ２００に戻り、先のステップを繰り返してウエハ上に回路パターンが形成される。ステップＳ２０８で全工程が完了したと判断されればエンドとなる。
【００５７】
本発明によるデバイス製造方法では、ＣＭＰ工程において上記本発明に係る研磨装置を用いて半導体ウエハＷの表面を研磨加工する工程を有しているため、研磨工程（ＣＭＰ工程）のスループットが向上する。これにより、従来のデバイス製造方法に比べて低コストでデバイス（ここでは半導体デバイス）を製造することができるという効果がある。なお、上記半導体デバイス製造プロセス以外の半導体デバイス製造プロセスのＣＭＰ工程に本発明による研磨装置を用いてもよい。また、本発明による半導体デバイス製造方法により製造された半導体デバイスでは、高スループットで製造されるので、低コストの半導体デバイスとなる。また、本発明に係るデバイス製造方法は、被研磨物を半導体ウエハ以外のもの、例えば液晶基板等とすることにより、半導体デバイス以外のデバイスを低コストで製造できることは勿論である。
【００５８】
これまで本発明の好ましい実施形態について説明してきたが、本発明の範囲は上述の実施形態に示されたものに限定されない。例えば、上述の第１実施形態では、蓄水手段が第１蓄水タンクＴＡ及び第２蓄水タンクＴＢの２つの蓄水タンクから構成されていたが、蓄水手段は３つ以上の蓄水タンクから構成されていてもよい。
【００５９】
また、本発明の適用対象は上述のＣＭＰ装置に限定されるわけではなく、真空源と繋がる真空ラインを有し、その真空ライン内の水を空気より分離する必要のある装置であれば、上述のＣＭＰ装置に限られず、広く適用することが可能である。
【００６０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る真空ラインの水分離装置若しくは真空ラインの水分離方法によれば、空気から分離すべき真空ライン中の水が多量である場合であっても、真空源を停止させることなく真空装置の稼動を継続させることが可能である。
【００６１】
また、本発明に係る研磨装置によれば、研磨体の装着（吸着保持）が不充分であったため、研磨中に研磨体が研磨ヘッドから離脱して研磨体のみならず研磨装置を破損させてしまう事態を未然に防止することができる。
【００６２】
また、本発明に係る半導体デバイス製造方法によれば、研磨工程のスループットが向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る水分離装置の構成図である。
【図２】上記第１実施形態に係る水分離装置が適用されたＣＭＰ装置の簡略構成図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る水分離装置の作動に関するタイムテーブルである。
【図４】本発明の第２実施形態に係る水分離装置の構成図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る水分離装置の作動に関するタイムテーブルである。
【図６】本発明に係るデバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１      ＣＭＰ装置
１０    定盤
１４    吸着チャック機構
２０    研磨工具
３０    研磨体
４０    研磨ヘッド
５０    ＣＭＰ装置駆動部
６０    真空源
７０    真空ライン
７２，７４，７６  真空管路
【図１】
2004319903.tif 000003
【図２】
2004319903.tif 000004
【図３】
2004319903.tif 000005
【図４】
2004319903.tif 000006
【図５】
2004319903.tif 000007
【図６】
2004319903.tif 000008