(57)【要約】【課題】高いＱｆ値を有し、適度な比誘電率εｒを有する誘電体磁器組成物を提供する。【解決手段】チタン酸マグネシウムを主成分とする誘電体磁器組成物である。チタン酸マグネシウムをＭｇｘＴｉＯ３と表記したときに１．００＜ｘ≦１．１０である。ＭｇＴｉＯ３の化学量論組成よりも僅かにＭｇの割合を多く設定すると、Ｍｇ２ＴｉＯ４が僅かに析出する。Ｘ線回折において、Ｍｇ２ＴｉＯ４の（４００）ピーク強度とＭｇＴｉＯ３の（１０４）ピーク強度の比［Ｍｇ２ＴｉＯ４（４００）／ＭｇＴｉＯ３（１０４）］を０＜［Ｍｇ２ＴｉＯ４（４００）／ＭｇＴｉＯ３（１０４）］≦０．１３とする。また、結晶粒の平均粒径ｄは１．６μｍ＜ｄ≦２５μｍとする。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタン酸マグネシウムを主成分とする誘電体磁器組成物であって、前記チタン酸マグネシウムをＭｇｘＴｉＯ３と表記したときに１．００＜ｘ≦１．１０であることを特徴とする誘電体磁器組成物。
【請求項２】
前記チタン酸マグネシウムは、Ｘ線回折において、Ｍｇ２ＴｉＯ４の（４００）ピーク強度とＭｇＴｉＯ３の（１０４）ピーク強度の比［Ｍｇ２ＴｉＯ４（４００）／ＭｇＴｉＯ３（１０４）］が
０＜［Ｍｇ２ＴｉＯ４（４００）／ＭｇＴｉＯ３（１０４）］≦０．１３
であることを特徴とする請求項１記載の誘電体磁器組成物。
【請求項３】
結晶粒の平均粒径ｄが１．６μｍ＜ｄ≦２５μｍであることを特徴とする請求項１記載の誘電体磁器組成物。
【請求項４】
高周波誘電体共振器に用いられることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項５】
チタン酸マグネシウムを主成分とし前記チタン酸マグネシウムをＭｇｘＴｉＯ３と表記したときに１．００＜ｘ≦１．１０である誘電体磁器組成物を誘電体材料として用いたことを特徴とする誘電体共振器。
【請求項６】
１．５ＧＨｚ以上の周波数領域で用いられることを特徴とする請求項５記載の誘電体共振器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波、準ミリ波、またはミリ波の領域で使用可能な誘電体磁器組成物及び誘電体共振器に関するものであり、特に、１．５ＧＨｚ以上の周波数領域、さらには５〜４０ＧＨｚの周波数領域で極めて高いＱｆ値を有する新規な誘電体磁器組成物及び誘電体共振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報通信分野における技術の発達は目覚ましいものがあり、誘電体共振器等に用いられる誘電体材料に対する特性向上の要求は益々厳しくなってきている。
【０００３】
例えば、マイクロ波用誘電体材料の特性としては、先ず第一に、Ｑｆ値（ｆ／ｔａｎδ）ができるだけ大きいことが要求される。一方で、特に共振器材料としての利用を考えた場合、さらなる高周波数に対応するためには、設計の容易さ等の観点から、ある程度低い比誘電率εｒを有する誘電体材料の開発が必要となる。共振現象の寸法は、誘電率をεとしたときにε−１／２に比例することから、比誘電率εｒが高い材料を使用した場合、周波数の増大に伴い共振器の寸法を極めて小さくしなければならない。
【０００４】
例えば一般的なマイクロ波誘電体材料（比誘電率εｒ＝９０）を３０ＧＨｚの共振器に用いた場合、ＴＥ０１１モードを使用したときの誘電体内の波長は１．０５ｍｍとなる。このときの誘電体の寸法は、波長の二分の一とすると、０．５３ｍｍである。このような共振器において、共振周波数の公差を±０．５％とすると、許容される周波数の公差Δｆは０．１５ＧＨｚ、許容される寸法公差ΔＬは０．００３ｍｍと非常に厳しいものとなる。したがって、共振器の設計を容易にするためには、全体の寸法や加工性等を考慮して適度な比誘電率εｒを有する誘電体材料の開発が求められる。
【０００５】
高周波用誘電体材料としては、種々の誘電体材料が知られているが、比較的高いＱｆ値を有する材料の一つとして、チタン酸マグネシウム系誘電体材料が知られている。チタン酸マグネシウム系誘電体材料であるＭｇＴｉＯ３は、文献（例えば、非特許文献１等を参照）によれば、比誘電率εｒ＝１７、Ｑｆ＝１１００００ＧＨｚ、共振周波数の温度依存性τｆ＝−４５ｐｐｍ／Ｋとされている。
【０００６】
また、チタン酸マグネシウム系誘電体材料の改良も提案されており、例えば特許文献１には、二酸化チタン１モル当り、１モルよりも多く且つ１．３モル以下の酸化マグネシウムと、前記二酸化チタンとを含む原料を焼結することによって得られるマイクロ波用セラミクスが開示されている。この特許文献１に記載されるマイクロ波用セラミクスの特性としては、ＭｇＯ：ＴｉＯ２＝１．２：１のときに、比誘電率εｒ＝１７．３、無負荷Ｑｕ＝１２０００（Ｑｆ表示では１２００００ＧＨｚ）である。
【０００７】
その他、市販されている材料の中でＱｆが最も高いものでも、比誘電率εｒ＝２４、Ｑｆ＝３５００００ＧＨｚ、共振周波数の温度依存性τｆ＝−４ｐｐｍ／Ｋである。
【０００８】
【非特許文献１】
日本セラミックス協会編「セラミック工学ハンドブック」、第１版、技報堂出版、１９９３年５月３０日、ｐ１８８５
【０００９】
【特許文献１】
特公昭６１−１４６０５号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、先にも述べたように、効率及び損失による発熱等の観点からは、高周波誘電体共振器に用いる誘電体材料のＱｆ値はできるだけ大きい方が望ましい。また、例えばミリ波への応用を考えた場合、Ｑｆが同じ場合、周波数が高くなるとＱｕは小さくなることから、やはりＱｆはできるだけ大きい方が望ましい。このような見地から見たときに、従来の組成系の誘電体材料では、必ずしもＱｆ値が十分とは言えない。
【００１１】
本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案されたものであり、これまで製品レベルでは実現されていないような高いＱｆ値を有し、しかも適度な比誘電率εｒを有する誘電体磁器組成物及び誘電体共振器を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上述の目的を達成するために、長期に亘り研究を重ねてきた。その結果、ＭｇＴｉＯ３の化学量論組成よりも僅かにＭｇの割合を多くした極めて限られた組成において、飛躍的に高いＱｆ値が得られ、このとき比誘電率εｒも低下するとの知見を得るに至った。
【００１３】
本発明は、このような研究結果に基づいて完成されたものであり、本発明の誘電体磁器組成物は、チタン酸マグネシウムを主成分とする誘電体磁器組成物であって、前記チタン酸マグネシウムをＭｇｘＴｉＯ３と表記したときに１．００＜ｘ≦１．１０であることを特徴とするものである。
【００１４】
本発明において重要なことは、先ず、ＭｇＴｉＯ３の化学量論組成よりも僅かにＭｇの割合を多く設定することである。すなわち、ＭｇｘＴｉＯ３と表記したときに、ｘが１．００より僅かに大きくなるように設定する。この極めて限られた組成範囲においてのみＱｆ値が改善され、非常に高いＱｆ値が実現される。例えば、ｘ＝１．０２において、比誘電率εｒ＝１８．２、Ｑｆ＝４７２０００ＧＨｚ、共振周波数の温度依存性τｆ＝−５７ｐｐｍ／Ｋが実現される。
【００１５】
前述のようにＭｇＴｉＯ３の化学量論組成よりも僅かにＭｇの割合を多く設定すると、Ｍｇ２ＴｉＯ４が僅かに析出する。ここで、Ｍｇ２ＴｉＯ４の析出量が所定の範囲に入っていることが重要であり、これを規定したのが本願の請求項２記載の発明である。
【００１６】
すなわち、本願の請求項２記載の発明は、前記チタン酸マグネシウムは、Ｘ線回折において、Ｍｇ２ＴｉＯ４の（４００）ピーク強度とＭｇＴｉＯ３の（１０４）ピーク強度の比［Ｍｇ２ＴｉＯ４（４００）／ＭｇＴｉＯ３（１０４）］が
０＜［Ｍｇ２ＴｉＯ４（４００）／ＭｇＴｉＯ３（１０４）］≦０．１３
であることを特徴とする。前記ピーク強度比、すなわちＭｇ２ＴｉＯ４の析出量をかかる範囲とすることで、確実に高いＱｆ値が得られる。
【００１７】
また、本発明の誘電体磁器組成物においては、粒径制御も重要であり、結晶粒の平均粒径が所定の範囲内であるときに高いＱｆ値が実現される。そこで、本願の請求項３記載の発明は、結晶粒の平均粒径ｄが１．６μｍ＜ｄ≦２５μｍであることを特徴とする。結晶粒の平均粒径ｄを前記範囲とすることで、やはり高いＱｆ値が得られる。
【００１８】
本発明の誘電体磁器組成物は、誘電体共振器の誘電体材料として用いることができる。本発明の誘電体共振器は、これを規定したものであり、チタン酸マグネシウムを主成分とし前記チタン酸マグネシウムをＭｇｘＴｉＯ３と表記したときに１．００＜ｘ≦１．１０である誘電体磁器組成物を誘電体材料として用いたことを特徴とするものである。
【００１９】
前記誘電体磁器組成物がマイクロ波、ミリ波の領域で高いＱｆ値を有することから、本発明の誘電体共振器は、１．５ＧＨｚ以上の領域、例えば５〜４０ＧＨｚの周波数領域で使用することが可能である。また、前記誘電体磁器組成物が適度な比誘電率εｒを有することから、許容される寸法公差も緩和され、作製が容易である。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した誘電体磁器組成物及びその製造方法について、詳細に説明する。
【００２１】
本発明の誘電体磁器組成物は、基本的にはチタン酸マグネシウム系の誘電体磁器組成物であり、ＭｇｘＴｉＯ３と表記したときに１．００＜ｘ≦１．１０となるように組成が調整されている。このようにＭｇＴｉＯ３の化学量論組成よりも僅かにＭｇの割合を多くすることで、ＭｇＴｉＯ３に比べてＱｆ値が急激に大きくなり、比誘電率εｒも低下傾向にある。ただし、ｘの値があまり大きくなり過ぎると、Ｑｆ値が低下してしまい、所期の目的を達成することができない。したがって、１．００＜ｘ≦１．１０なる範囲に入るように組成調整を行う。より好ましくは、１．０１≦ｘ≦１．０８であり、これによりＱｆ値４０００００ＧＨｚ以上を実現することができる。
【００２２】
ここで、ＭｇＴｉＯ３の化学量論組成よりもＭｇの割合を多くすることについては、例えば先の特許文献１にも開示されているが、特許文献１では、ｘ＝１．１，１．２，１．３についての検討が行われているのみであり、１．００＜ｘ≦１．１０なる範囲については全く検討されていない。勿論、この範囲で特異的にＱｆ値が高くなることについては全く言及していない。したがって、本発明は、この特許文献１記載の技術とは全く別の技術と言え、特許文献１記載の技術とは一線を画するものである。
【００２３】
前述のようにＭｇＴｉＯ３の化学量論組成よりもＭｇの割合を僅かに多くすると、Ｍｇ２ＴｉＯ４が僅かに析出する。本発明者らがＸ線回折装置（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ  ｄｉｆｆｒａｃｔ  ｍｅｔｅｒ）による解析を行ったところ、ｘが１．００を越えるとＭｇ２ＴｉＯ４の（４００）ピークが出現することがわかった。この（４００）ピークは、例えばｘ＝１．０２でも出現しており、さらに解析を進めたところ、このＭｇ２ＴｉＯ４の（４００）ピークのピーク強度と、ＭｇＴｉＯ３の（１０４）ピークのピーク強度の比が、誘電体磁器組成物の特性に関与していることがわかった。
【００２４】
すなわち、本発明の誘電体磁器組成物においては、先ず、Ｍｇ２ＴｉＯ４の（４００）ピークが出現することが重要である。Ｍｇ２ＴｉＯ４の（４００）ピークが出現したときに、特性の改善が見られる。ただし、Ｍｇ２ＴｉＯ４の（４００）ピーク強度とＭｇＴｉＯ３の（１０４）ピーク強度の比［Ｍｇ２ＴｉＯ４（４００）／ＭｇＴｉＯ３（１０４）］（以下、ピーク強度比ＰＩＲと称する。）は、あまり大きすぎると却って特性が低下する。したがって、具体的には前記ピーク強度比ＰＩＲは、０＜ＰＩＲ≦０．１３の範囲内であることが好ましい。より好ましくは、０．００３≦ＰＩＲ≦０．０６である。前記範囲とすることで、Ｑｆ値４０００００ＧＨｚ以上が実現される。
【００２５】
前記Ｍｇ２ＴｉＯ４の析出量、すなわちピーク強度比ＰＩＲは、基本的には前記表記におけるｘの値によって変動するが、その他、焼成温度等の焼成条件等によっても変化する。したがって、本発明の誘電体磁器組成物の作製に際しては、組成のみならず、焼成条件等も適正に設定し、前記ピーク強度比ＰＩＲが前記範囲内に入るように調整することが好ましい。
【００２６】
また、本発明の誘電体磁器組成物における結晶粒の粒径であるが、本発明においては、結晶粒の平均粒径ｄを１．６μｍ＜ｄ≦２５μｍとすることが好ましい。
【００２７】
前記表記において、ｘ＝１．００の場合、焼成温度を高くすると結晶粒の大きさは大きくなる。これに対して、ｘ＞１．００とすると、焼成温度を高くしてもｘの増加に伴って結晶粒の大きさが次第に小さくなる。このとき、結晶粒の平均粒径と特性（Ｑｆ値）との間には相関関係があり、焼結された誘電体磁器組成物の結晶粒の平均粒径ｄが前記範囲に入るように組成、焼成条件等を選定することで、高Ｑｆ値が実現される。
【００２８】
次に、本発明の誘電体磁器組成物の製造方法について説明する。本発明を適用した製造工程のフローチャートを図１に示す。
【００２９】
先ず、本発明の製造方法においては、原料に、ＭｇＯとＴｉＯ２を用いることが好ましい。例えば、マグネシウム源として炭酸マグネシウムを用いると、一般的にＣａＯ等の不純物が混入する可能性が高いために、良好な特性を得ることができない場合がある。
【００３０】
原料であるＭｇＯとＴｉＯ２とは、誘電体磁器組成物をＭｇｘＴｉＯ３と表記したときに１．００＜ｘ≦１．１０となるような比率で配合する。このとき、仕込み組成が誘電体磁器組成物の組成にそのまま反映され、仕込み組成と誘電体磁器組成物の組成とはほぼ１：１の関係にあることが実験によりわかっているので、原料におけるＴｉＯ２とＭｇＯの配合比（ＭｇＯ／ＴｉＯ２）を、モル比で１．００＜（ＭｇＯ／ＴｉＯ２）≦１．１０とする。
【００３１】
誘電体磁器組成物を製造するには、原料であるＭｇＯとＴｉＯ２を混合工程１で混合する。混合には、例えばボールミル等を用いる。混合後、乾燥工程２や成形工程３を経て、仮焼工程４で仮焼を行う。仮焼は、ある程度原料の反応を進行させるために行うものであり、通常は本焼成より若干低い温度で行う。
【００３２】
仮焼後、粉砕工程５により粉砕し、乾燥工程６で乾燥する。乾燥した後、造粒工程７により造粒を行う。造粒に際しては、バインダーを混入するが、このバインダーとしては任意の材料が使用可能である。例えば、ポリビニルアルコール等が好適である。
【００３３】
最後に、成形工程８により所望の形状に成形し、焼成工程９で本焼成を行う。この本焼成の際の焼成温度は、あまり温度が低いと所望のＱｆ値が得られなくなる虞れがあることから、ある程度高い温度に設定することが好ましく、１３００℃〜１５５０℃とすることが好ましい。
【００３４】
上述の誘電体磁器組成物は、マイクロ波、準ミリ波、ミリ波の領域である１．５ＧＨｚ以上の周波数帯域で用いることができる。特に、５〜４０ＧＨｚの周波数帯域で用いることができる。このような周波数帯域には、例えば携帯電話（１．５ＧＨｚ）、第３世代携帯電話（２ＧＨｚ）、ＰＨＳ（１．９ＧＨｚ）、無線ＬＡＮ（２．４ＧＨｚ、５ＧＨｚ）、ＦＷＡ（Ｆｉｘｅｄ  Ｗｉｒｅｌｅｓｓ  ａｃｃｅｓｓ）（２２ＧＨｚ、２６ＧＨｚ、３８ＧＨｚ）、カーナビゲーション（ＶＩＣＳ）（２．４ＧＨｚ）、ＥＴＣ（５．６ＧＨｚ）、自動車レーダー（７６ＧＨｚ：３８ＧＨｚを２逓倍して用いる。）等が含まれる。
【００３５】
したがって、本発明の誘電体磁器組成物は、マイクロ波やミリ波領域において使用される共振器用材料や、ＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電体導波線路、誘電体アンテナ、各種マイクロ波回路のインピーダンス整合、その他の各種電子部品等に用いることができ、特に、誘電体共振器用として好適である。
【００３６】
【実施例】
以下、本発明を具体的な実験結果に基づいて説明する。
【００３７】
誘電体磁器組成物サンプルの作製
各サンプルは、以下の手順に従って作製した。
先ず、原料であるＭｇＯとＴｉＯ２とを所定の配合比率となるように秤取し、これをボールミルにて１６時間混合した。混合後、１２０℃で２４時間乾燥し、直径６０ｍｍの円板状に成形した。成形時の成形圧力は、２０ＭＰａとした。
【００３８】
成形後、１１００℃で２時間、仮焼を行った。次いで、ボールミルにて１６時間の粉砕を行い、１２０℃で２４時間乾燥した。乾燥後、ポリビニルアルコールを１重量％加えて造粒し、直径１２ｍｍに成形した。この時の成形圧力は、２００ＭＰａとした。
【００３９】
最後に１２００℃〜１５５０℃で本焼成を行い、誘電体磁器組成物サンプルを得た。
【００４０】
得られた各サンプルについて、原料の仕込み組成と得られた誘電体磁器組成物の分析組成との関係を調べた。測定は蛍光Ｘ線分析により行った。結果を表１に示す。
【００４１】
【表１】
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【００４２】
この表１からも明らかなように、原料の仕込み組成と得られる誘電体磁器組成物の分析組成とはほとんど変わらず、ほぼ１：１の関係にある。
【００４３】
組成の検討（その１）
先の誘電体磁器組成物サンプルの作製方法に従い、ＭｇｘＴｉＯ３と表記したときに、ｘ＝０．９２、ｘ＝０．９６、ｘ＝１．００、ｘ＝１．０４、ｘ＝１．０８となるように原料を配合し、１２００℃〜１４５０℃で本焼成を行って各種サンプルを作製した。
【００４４】
作製した各サンプルについて、Ｑｆ値及び比誘電率εｒを日本工業規格「マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法」（ＪＩＳ  Ｒ  １６２７）に従って測定した。測定（共振）周波数は９〜１０ＧＨｚである。Ｑｆ値の測定結果を表２及び図２に示す。また比誘電率εｒの測定結果を表３及び図３に示す。
【００４５】
【表２】
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【００４６】
【表３】
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【００４７】
表２及び図２から明らかなように、ｘ＝１．００を中心に、その両側、すなわちｘが１．００よりも若干小さい組成、及びｘが１．００よりも若干大きい組成でＱｆ値の上昇が見られる。ただし、ｘが１よりも若干大きい組成でのＱｆ値の上昇の方が遥かに大きい。また、比誘電率εｒは、表３及び図３に示すように、ｘが大きくなるに伴って次第に低下している。
【００４８】
組成の検討（その２）
前項での検討結果を踏まえて、ｘが１．００よりも若干大きい組成について、より詳細な検討を行った。すなわち、ＭｇｘＴｉＯ３と表記したときに、ｘ＝１．００、ｘ＝１．０１、ｘ＝１．０２、ｘ＝１．０３、ｘ＝１．０４、ｘ＝１．０５、ｘ＝１．０６、ｘ＝１．０８、ｘ＝１．１０、ｘ＝１．１５、ｘ＝１．２０となるように原料を配合し、１３５０℃〜１５５０℃で本焼成を行って各種サンプルを作製した。
【００４９】
作製した各サンプルについて、Ｑｆ値及び比誘電率εｒを日本工業規格「マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法」（ＪＩＳ  Ｒ  １６２７）に従って測定した。Ｑｆ値の測定結果を表４及び図４に示す。また比誘電率εｒの測定結果を表５及び図５に示す。
【００５０】
【表４】
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【００５１】
【表５】
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【００５２】
これら測定結果から明らかなように、ｘが１よりも僅かに大きい領域において、Ｑｆ値が特異的に上昇している。特に、１．００＜ｘ≦１．１０なる範囲では、ｘ＝１．００の場合に比べていずれもＱｆ値に大幅な上昇が見られ、１．０１≦ｘ≦１．０８なる範囲では、Ｑｆ値４０００００ＧＨｚ以上が達成されている。さらに、１．０３≦ｘ≦１．０６なる範囲では、全ての焼成温度においてＱｆ値４０００００ＧＨｚ以上が達成されている。また、比誘電率εｒについては、若干ではあるが低下が見られ、１８前後の値となっている。
【００５３】
ピーク強度比ＰＩＲの検討
次に、ＭｇｘＴｉＯ３と表記したときに、ｘが１．００よりも大きいサンプルについてＸ線回折装置（ＸＲＤ）での測定を行ったところ、図６に示すように、Ｍｇ２ＴｉＯ４の（４００）ピークが観察された。
【００５４】
そこで、Ｍｇ２ＴｉＯ４の（４００）ピーク強度とＭｇＴｉＯ３の（１０４）ピーク強度の比［Ｍｇ２ＴｉＯ４（４００）／ＭｇＴｉＯ３（１０４）］（＝ピーク強度比ＰＩＲ）とＱｆ値の関係を調べた。Ｘ線回折測定は、出力１０ｋＷのＸＲＤ装置を用いて４°／ｍｉｎで行った。結果を表６及び図７に示す。
【００５５】
【表６】
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【００５６】
これら測定結果から明らかなように、０＜ＰＩＲ≦０．１３の範囲内であるときに、ｘ＝１．００の場合に比べてＱｆ値に上昇が見られ、０．００３≦ＰＩＲ≦０．０６のときにＱｆ値４０００００ＧＨｚ以上が達成されている。
【００５７】
結晶粒の平均粒径についての検討
ＭｇｘＴｉＯ３と表記したときに、ｘが１．００よりも大きいサンプルでは、図８（Ａ）〜図８（Ｄ）に示すように、ｘが大きくなるに伴って、結晶粒の平均粒径が次第に小さくなっている。
【００５８】
一方、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すように、ＭｇｘＴｉＯ３と表記したときに、例えばｘ＝１．０２である場合、焼成温度を１４００℃から１５００℃に上昇すると、結晶が成長し結晶粒が大きくなっている。すなわち、作製される誘電体磁器組成物において、組成及び焼成温度を調整することにより、結晶粒の平均粒径を調整できることがわかる。
【００５９】
そこで、この誘電体磁器組成物の結晶粒の平均粒径とＱｆ値の関係を調べた。結晶粒の平均粒径は、研磨面のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）写真より（対角線の長さ）／（対角線上に存在する粒子の個数）を求め、これを平均粒径とした。結果を表７及び図１０に示す。
【００６０】
【表７】
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【００６１】
これら測定結果から明らかなように、平均粒径ｄが１．６μｍ＜ｄ≦２５μｍの範囲内であるときに、ｘ＝１．００の場合に比べてＱｆ値に上昇が見られる。具体的には、Ｑｆ値３０００００以上が得られており、特に平均粒径ｄが５〜２５μｍの範囲では、Ｑｆ値４０００００以上が実現されている。
【００６２】
【発明の効果】
以上の説明からも明らかなように、本発明によれば、これまで製品レベルでは実現されていないような高いＱｆ値を有し、しかも適度な比誘電率εｒを有する誘電体磁器組成物を提供することが可能である。
【００６３】
また、本発明によれば、前記誘電体磁器組成物を誘電体材料として用いることで、マイクロ波やミリ波領域である１．５ＧＨｚ以上の周波数領域で使用可能な誘電体共振器を提供することが可能である。また、この誘電体共振器においては、誘電体磁器組成物が適度な比誘電率εｒを有することから、寸法公差が緩和され、作製に際してその設計が容易である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の誘電体磁器組成物の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図２】ＭｇｘＴｉＯ３と表記したときのｘ＝０．９２〜１．０８におけるｘとＱｆ値の関係を示す特性図である。
【図３】ＭｇｘＴｉＯ３と表記したときのｘ＝０．９２〜１．０８におけるｘと比誘電率εｒの関係を示す特性図である。
【図４】ＭｇｘＴｉＯ３と表記したときのｘ＝１．００〜１．２０におけるｘとＱｆ値の関係を示す特性図である。
【図５】ＭｇｘＴｉＯ３と表記したときのｘ＝１．００〜１．２０におけるｘと比誘電率εｒの関係を示す特性図である。
【図６】ＭｇｘＴｉＯ３（ｘ＝１．００〜１．１０）のＸ線回折チャートである。
【図７】ピーク強度比ＰＩＲとＱｆ値の関係を示す特性図である。
【図８】１４００℃で焼成したＭｇｘＴｉＯ３の電子顕微鏡写真（倍率７５０倍）であり、（Ａ）はｘ＝１．０２、（Ｂ）はｘ＝１．０４、（Ｃ）はｘ＝１．１０、（Ｄ）はｘ＝１．２０である。
【図９】ＭｇＴｉＯ３（ｘ＝１．０２）の電子顕微鏡写真（倍率３５００倍）であり、（Ａ）は１４００℃で焼成したもの、（Ｂ）は１５００℃で焼成したものである。
【図１０】結晶粒の平均粒径とＱｆ値の関係を示す特性図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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