(57)【要約】【課題】外磁場検知のための新たな回路を設けず、簡単な構成でヘッドにかかる外磁場を検出し、この検出結果に基づいて外磁場障害を回避可能とする磁気ディスク装置を提供することにある。【解決手段】記録ヘッドが障害を起こす以下の外部磁界で動作領域が非線形となる磁気抵抗効果素子を再生ヘッドに使用し、この再生ヘッドの磁気抵抗効果素子の外磁場歪量から、装置にかかる外磁場を検知して、検知した外磁場が所定以上である場合、装置に対してヘッドのライト動作禁止又は磁気ディスク媒体外への退避等、外磁場障害回避動作を実行させる制御手段とを有する外磁場検知機能を有する磁気ディスク装置を提供する。【選択図】      図７
2004326865.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体に対して情報の記録を行う記録ヘッドと、前記磁気記録媒体から情報の再生を行い、前記記録ヘッドが障害を起こす以下の外磁界でＭＲ動作領域が非線形となる磁気抵抗効果素子を含む再生ヘッドとからなる磁気ヘッドと、
前記磁気抵抗効果素子を含む再生ヘッドの外磁場歪によって前記記録ヘッドにかかる外磁場を検知する外磁場検知手段と、
当該外磁場に対して障害を回避する外磁場障害回避手段と、
前記外磁場検知手段と前記外磁場障害回避手段によって外磁場による障害を回避するよう制御する制御手段と
を具備したことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項２】
前記外磁場検出手段は、動作領域が前記記録ヘッドが障害を起こす以下の外磁界で非線形領域となる前記磁気抵抗効果素子を含む再生ヘッドと、
前記再生ヘッドの再生歪を補償する再生歪補償回路と、
無磁場での再生歪補償量を記憶する記憶回路と、
前記記憶回路に予め記憶された初期補償量に対する補償量変動を算出する補償量変動算出手段を具備し、
前記制御手段は前記補償量変動算出手段により算出された補償量変動を外磁場情報として取得する
ことを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク装置。
【請求項３】
前記外磁場障害回避手段は、所定の補償量変動を記憶する記憶回路を具備し、前記補償量変動が当該所定値を越えた場合に、前記記録ヘッドの記録動作を禁止する
ことを特徴とする請求項２記載の磁気ディスク装置。
【請求項４】
前記外磁場障害回避手段は、所定の補償量変動を記憶する記憶回路と、
前記磁気ヘッドが退避する退避領域を有し、
前記補償量変動が所定値を越えた場合に、前記磁気ヘッドが当該退避領域へ退避する
ことを特徴とする請求項２記載の磁気ディスク装置。
【請求項５】
前記外磁場障害回避手段は、記録補償を行う記録補償回路と、
前記補償量変動に対応した記録補償量を記憶したテーブルと、
前記補償量変動と当該テーブルの情報に基づいて記録補償を行う
ことを特徴とする請求項２記載の磁気ディスク装置。
【請求項６】
前記外磁場検知手段は、動作領域が前記記録ヘッドが障害を起こす以下の外磁界で非線形領域となる前記磁気抵抗効果素子を含む再生ヘッドと、
前記再生ヘッドの位置決め精度を検出する位置決め精度検出回路とを具備し、
当該位置決め精度を外磁場情報として取得する
ことを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク装置。
【請求項７】
前記外磁場障害回避手段は、所定の位置決め精度を記憶する記憶回路と、
位置決め精度が所定値を越えた場合に、前記記録ヘッドの記録動作を禁止する
ことを特徴とする請求項６記載の磁気ディスク装置。
【請求項８】
前記外磁場障害回避手段は、所定の位置決め精度を記憶する記憶回路と、
前記磁気ヘッドが退避する退避領域を有し、
前記位置決め精度が所定の値を越えた場合に、前記磁気ヘッドが前記退避領域に退避する
ことを特徴とする請求項６記載の磁気ディスク装置。
【請求項９】
前記退避領域は、前記磁気抵抗効果素子を含む再生ヘッドと前記記録ヘッドの半径方向の距離が１トラック幅以上となる前記磁気記録媒体上のトラックである
ことを特徴とする請求項８記載の磁気ディスク装置。
【請求項１０】
前記退避領域は、前記磁気記録媒体の最外週トラックである
ことを特徴とする請求項９記載の磁気ディスク装置。
【請求項１１】
前記退避領域で、前記外磁場検出手段による外磁場検知を実行する
ことを特徴とする請求項９記載の磁気ディスク装置。
【請求項１２】
前記磁気記録媒体外に前記磁気ヘッドを退避するランプ部材を具備し、
前記退避領域は、前記ランプ部材上にある
ことを特徴とする請求項９記載の磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、外乱磁場による障害を回避するための外磁場検知機能を有する磁気ディスク装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、磁気ディスク装置の小型軽量化によって各種情報機器の携帯化が進み、磁気ディスク装置はより過酷な磁場環境にさらされる機会が多くなってきている。磁気ディスク装置は外部から磁界を受けると記録ヘッドに浮遊磁束が集中するため、以下に示すようなデータの消去障害もしくは記録障害が生じる。
【０００３】
例えば、浮遊磁束が記録ヘッドの記録磁極に過度に集中すると、磁極先端より記録媒体上に漏洩した磁界によって媒体上の記録データを破壊してしまう。この場合、記録磁極直下の磁化情報はすべて、ユーザデータのみならずヘッドの位置情報を記したサーボデータも破壊してしまう可能性があるため、当該ヘッドが記録媒体上に位置決めできなくなりデータを破壊しながら暴走することが考えられる。最悪の場合、記録媒体上のほとんどのデータが破壊されることも想定される。
【０００４】
一方、軽度の磁界強度においても、記録動作を行うと、記録磁極の最終記録（磁化）方向と外磁場方向が一致した場合に、記録磁極に残留磁化が生じるため、データ破壊が発生する可能性がある。
【０００５】
また、データ破壊に至らないまでも、記録中に外磁場を受けることによって記録磁極先端から記録媒体に印加される記録磁界分布が変化するため、記録する磁化転移位置が所望の位置に対してシフトする記録歪が生じ、エラーレートが悪化する問題も生じやすい。
【０００６】
以上の理由から、磁気ディスク装置に外磁場検知手段を確立することは有用であると考えられる。特に、現在高記録密度化に向けて各社開発中の垂直記録方式の磁気ディスク装置では、記録能力が優れている反面、現行の面内記録方式よりも上述の外磁場による障害が顕著に現れるため、精度の高い外磁場検出手段と強力な障害回避手段が必要となってきた。
【０００７】
しかし、外磁場検知には新たな回路が必要となり、構成が複雑化する上にヘッドに集中する外乱磁界を正確に検出することは困難であるといった問題があった。
上述した外磁場検出および磁化転移の補償に関する先行技術には特開２０００−２０７７０４号公報に開示された技術がある。これは記録信号系列の中で予め隣接ビットパターンによる磁化反転位置を予測し、当該隣接ビットパターンに合わせて磁化反転タイミングを先行もしくは遅延させて記録補償を行っている。
【０００８】
【特許文献１】
特開２０００−２０７７０４号公報（要約、第６図）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この上述の技術では外乱磁界に対する記録補償回路をわざわざ設ける必要がありコスト面での問題が出てくる。
垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置では、装置が外乱磁場を受け浮遊磁束が記録磁極に集中すると、記録磁極の磁界分布が変化するため磁化転移位置が正規の位置に対してシフトするため、再生データのエラー例とが悪化するという問題は解決されていない。
【００１０】
そこで本発明では、外乱磁場によって再生波形歪が生じるダイナミックレンジの狭いＭＲ素子と再生歪補償回路を併用して、再生波形の補償量から外乱磁場情報を得るようにしている。再生波形歪補償回路はエラーレートを最適とするようにアダプティブに補償量を変化できるため、補償量の変動値を監視することで、フォーマット効率を損ねることなく且つ簡単にヘッドにかかる外磁場を検知することができる。また、外磁場によって再生波形歪が生じることが前提であるため、垂直記録、面内記録に問わず適用が可能となる。更に、得られた再生歪補償量の変動量を元に、ヘッドの退避、記録動作の禁止、記録歪補償を適用し、前述の各種外乱磁場による障害を回避することが可能となる。
【００１１】
すなわち、本発明は外磁場によって再生波形が歪むダイナミックレンジの狭い磁気抵抗効果素子を用いた再生ヘッドと、再生波形歪みを補償する再生波形補償回路を併用することで、簡単な構成でヘッドにかかる外磁場を検出し、外磁場障害を回避可能とする磁気ディスク装置を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係るディスク装置は、磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体に対して情報の記録を行う記録ヘッドと、前記磁気記録媒体に対して情報の再生を行い、前記記録ヘッドが障害を起こす以下の外磁界でＭＲ動作領域が非線形となる磁気抵抗効果素子を含む再生ヘッドとからなる磁気ヘッドと、前記磁気抵抗効果素子を含む再生ヘッドの外磁場歪によって前記記録ヘッドにかかる外磁場を検知する外磁場検知手段と、当該外磁場に対して障害を回避する外磁場障害回避手段と、前記外磁場検知手段と前記外磁場障害回避手段によって外磁場による障害を回避するよう制御する制御手段とを具備したことを特徴とするものである。
【００１３】
このように、ダイナミックレンジの狭いヘッドを使用することで効果的に磁場検出と磁場障害を回避することが可能な磁気ディスク装置を提供することが可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、この発明をディスク装置として磁気ディスク装置であるハードディスクドライブに適用した実施形態について詳細に説明する。
＜本実施形態の構成＞
図１は、本発明の実施形態に係るディスクドライブの一つである磁気ディスク装置の要部を示すブロック図である。図１において、１は磁気ディスク装置、２はこの磁気ディスク装置１を搭載するＰＣ等のホストシステムである。ホストシステム２は、当該磁気ディスク装置１のホストインターフェースを介して接続される。
【００１５】
磁気ディスク装置１は、データを記録する記録媒体としての磁気ディスク３を備えている。磁気ディスク３は、スピンドルモータ（ＳＰＭ）５によって回転駆動される。
【００１６】
磁気ディスク３の各データ面には同心円状の複数のトラックが形成され、各トラックには位置決め制御等に用いられるサーボデータが記録された複数のサーボエリアが等間隔で配置されている。サーボエリア間はデータエリアとなっており、当該データエリアには複数のデータセクタが設定される。また、この磁気ディスク３上には所定のエリア（本実施形態に置いては磁気ディスク３の最外周近傍）に強磁場検知用トラック３ａが設けられている。なお、強磁場検知用トラック３ａの詳細については後述する。
【００１７】
磁気ディスク３の各データ面には、磁気ディスク３へのデータ書き込み及び磁気ディスク３からのデータ読み出しに用いられるリード／ライト複合ヘッド４が設けられている。このヘッド４は、回転する磁気ディスク３上を浮上するスライダに搭載され、スライダ移動機構であるボイスコイルモータ（ＶＣＭ）７によって磁気ディスク３の半径方向に移動可能に駆動され、磁気ディスク３上の目標位置、すなわち目標トラックにシーク、位置決めされる。
【００１８】
また、磁気ディスク３の外部で、当該磁気ディスク３の外周近傍にはヘッド退避部材であるランプ１６が設けられ、ヘッド４のリード／ライト動作停止時等にヘッド４が磁気ディスク３上から退避可能に停止させるために設けられている。
【００１９】
本実施形態においては、磁気ディスク３の記録層を垂直方向に磁化する垂直磁気記録方式を用いており、ヘッド４と磁気ディスク３はこれに適した構成を成している。図２に本実施例のヘッド４と磁気ディスク３の構造を示す。
【００２０】
本実施形態においてリードヘッド４２は、磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子４４と称する）を用いた、所謂ＭＲヘッドである、ライトヘッド４３にはインダクティブヘッドを使用している。
【００２１】
当該ヘッド４は、リーディングエッジであるスライダ本体４１（図２中、Ｂ方向）側にリードヘッド４２を、その後方（図２中、Ａ方向）側にライトヘッド４３を設けている。リードヘッド４２において、磁気抵抗効果を有する一層、或いは複数層の磁性薄膜よりなる感磁部としてＭＲ素子４４は、一対のシールドコア、すなわち上部シールドコア４５及び下部シールドコア４６に挟まれて、所定のギャップを形成する空間に配置されている。
【００２２】
ライトヘッド４３は上部磁極４７、コイル４８、下部磁極４９を備えたインダクティブヘッドとしての構造を有する。磁極４７，４９の先端は垂直磁気記録方式特有の構造であり、上部磁極４７は主磁極、下部磁極４９は補助磁極と呼ばれ、主磁極４７から発生する垂直方向の磁束によって磁気記録媒体である磁気ディスク３の磁性層３０を磁化する。補助磁極４９は主磁極４７から磁気記録媒体である磁気ディスク３の磁性層３０、及びその下層に設けられた軟磁性層３１に流入した磁束を引上げて磁路を形成する。
【００２３】
磁気記録媒体である磁気ディスク３は垂直方向の磁気異方性し、記録層としての機能を持つ磁性層３０と、当該磁性層３０と基板３３との間に軟磁性層３１とを有する２層構造からなる。軟磁性層３１は主磁極４７から発生した磁束を垂直方向に引き込み、主磁極４７と軟磁性層３１に挟まれた記録層である磁性層３０を磁気ディスク表面方向に対し垂直に磁化するための補助的な役割を果たす。軟磁性層３１に流入した磁束は軟磁性層３１内を磁気ディスクの面内方向に通過し、補助磁極４９へ戻る。つまり主磁極４７から発生した磁束は磁性層層３０→軟磁性層３１→（記録層３０）→補助磁極４９といった磁束路を形成することになる。
【００２４】
再び図１に戻り、ヘッド４は、ヘッドアンプ回路８と接続されている。このヘッドアンプ回路８はヘッド４との間のリード／ライト信号の入出力を司るものであり、リードヘッド４２を切り替え、センス電流を供給するリードヘッド切替機能や、リードヘッド４２からのリード信号を増幅するリードアンプ回路８１、更に後述するライトチャネル９０からの記録信号に同期して、ライトヘッド４３に記録電流を供給するライトアンプ８０を有しており、これらの機能は後述するＣＰＵ１２の指示に従う。
【００２５】
ヘッドアンプ回路８は、リード／ライト回路９と接続されている。リード／ライト回路９は、ヘッドアンプ回路８のリードアンプ８１により増幅されたヘッド４からのリード信号を入力し、データ再生動作に必要な信号処理を行うデコード機能を持つリードチャネル９１と、記録データを符号化する符号化回路９０２と、この符号化回路９０２に接続され、信号反転位置を正規の位置から遅延あるいは先行させる機能を持つ記録補償回路９０１を有するライトチャネル９０により構成される。また、リード／ライト回路９は、ヘッド位置決め制御等のサーボ処理に必要なサーボデータを抽出する処理を行う信号処理機能も有する。
【００２６】
リード／ライト回路９は、ＨＤＣ１０、サーボコントローラ１１及びＣＰＵ１２と接続されている。ＨＤＣ１０はホストシステム２とのインターフェーを成しており、当該ホストシステム２との間のコマンド、データの通信を制御するとともに、リード／ライト回路９を介して磁気ディスク３との間のデータ通信を制御する。
【００２７】
サーボコントローラ１１は、リード／ライト回路９０で再生されたデータを受けて、サーボ処理に必要な信号処理を実行する。すなわちサーボコントローラ１１は、リード／ライト回路９で再生されたデータからサーボエリアの期間だけ有効となるサーボゲート等の各種タイミング信号を再生するタイミング生成機能、サーボエリアに記録されているサーボデータ中のシリンダコードを抽出・復号するデコード機能を有する。
【００２８】
ＣＰＵ１２は、ＲＯＭ１５に格納されている制御プログラムに従って磁気ディスク装置１内の各部を制御する主制御装置をなす。すなわち、ＣＰＵ１２はサーボコントローラ１１により抽出されたサーボデータの中のシリンダコード及び、リード／ライト回路９によって抽出されたサーボデータの中のバーストデータに従って、ヘッド４を目標位置に移動させるためのシーク、位置決め制御、ＨＤＣ１０の制御など、周知の制御処理を行う。
【００２９】
ＣＰＵ１２には、磁気ディスク装置１内の各部を制御するための制御用プログラムなどが格納されているＲＯＭ１５のほかに、ＣＰＵ１２のワーク領域を提供するＲＡＭ１４と、磁気ディスク装置１の制御用のパラメータの保存などに用いられる書き換え可能なフラッシュＲＯＭ（ＦＲＯＭ）１３とが接続されている。
【００３０】
次に、本実施形態における外磁場検知手段の詳細を以下に説明する。
まず、本実施形態におけるリードヘッド４２は、外磁場による情報破壊等の障害が生じるより弱い磁界で再生波形が歪むことを特徴としており、その動作原理を図３および図４について説明する。
【００３１】
図３は、横軸がＭＲ素子４４に係る磁界強度（Ｈ）、縦軸はＭＲ素子４４の抵抗（ρ）を示す、所謂ρＨカーブで、同図には外乱磁界のない場合のＭＲ素子４４への入力磁界と出力信号の関係も示している。入力磁界（ａ）は媒体磁界、すなわち、磁気ディスク３に記録されたデータの磁界であり、この縦軸は時間を表す。図３に示すようにＭＲ素子４４のＭＲ抵抗は入力磁界に対してほぼ線形的に変化するため、出力信号すなわちＭＲ抵抗の変化出力信号は同図（ｂ）となり、再生波形歪みを生じない。
【００３２】
一方、図４は磁気ディスク装置１に外乱磁場が加わった場合であり、入力磁界（ａ’）は媒体磁界に外乱磁界が加わって動作中心点がずれる（オフセット（ｅ）がかかる）ために、動作領域は線形部分から外れる。その結果、再生波形は（ｂ’）のように波形歪み（非対称性）が生じ、再生データのエラーレートが劣化する。このエラーレートの劣化は、後述の再生歪補償回路９１１で緩和することができる。
【００３３】
なお、ρＨカーブの歪によって外乱磁場のない状態で再生波形歪が生じる場合であるが、外乱磁場を検知する上で支障はない。むしろ、微弱磁場でも再生歪が変動するため、外乱磁場検知の感度は高くなる。
【００３４】
本実施形態におけるリードチャネル９１は、再生波形の非対称性歪を補償する再生歪補償回路９１１と各種信号処理によって所望の波形に整形する波形等化回路９１２によって構成される。再生歪補償回路９１１では再生データのエラーレートが最適となるようアダプティブに補償量が調整される。また、フラッシュＲＯＭ（ＦＲＯＭ）１３は記憶回路として外乱磁場のない状態での初期補償量や、後述の外磁場障害回避動作実行の判断基準となる補償量変動の所定量を値として磁気ディスク装置の製造段階で記憶されているものとする。
【００３５】
図５に再生時に外乱磁場を受けたときの再生データのエラーレートの変動を示す。グラフにおいて、グラフ横軸が外磁場（Ｏｅ）、縦軸がエラーレート（Ｌｏｇ
ＢＥＲ）である。図５中（ａ）は、再生歪補償回路９１１を使用しない場合であり、外磁場を受けることで再生歪が生じエラーレートが劣化する。一方、同図（ｂ）は、本実施形態の再生歪補償回路９１１を使用した場合であり、不使用時（ａ）と比較してエラーレートの劣化が少ない。その際、再生歪補償量は図６のように外磁場に対して１対１に変動する。
【００３６】
本実施形態のヘッド４と磁気ディスク３の組み合わせでは、図６中（ａ）で記録後の残留磁化によるデータ破壊が、（ｂ）で磁束集中によるデータ破壊が生じるため、歪補償量の変動に合わせておのおのの回避動作を行うことができる。
【００３７】
このように、本実施形態においては、記録ヘッドによる各種外磁界障害が生じる前に、外磁界による再生歪が生じることを特徴としており、当該条件になるように、ＭＲ（外磁界再生歪）特性、記録ヘッド（データ破壊）特性を調整することも含まれる。
【００３８】
＜記録後の残留磁化によるデータ破壊回避動作＞
図７に記録後の残留磁化によるデータ破壊回避動作のブロック図を示す。ＨＤＣ１０がホストシステム２よりライト命令であるライトコマンドを受ける（Ｓ７１）と、まず、ヘッド４は磁気ディスク３に対してデータのライト動作を実行すべくヘッド４を目標トラックにシークする。
【００３９】
次に、外部磁場の検知をするためのダミーリード（磁場検知リード）（Ｓ７３）を実行する。この磁場検知リードによって外部磁場が検知された場合、すなわち磁気ディスク装置１が外部磁場を受けている場合、再生歪補償回路９１１は、再生データのエラーレートを最適にするために補償量を調節する。なお、磁場検知リードの際、再生データはホストシステム２に転送されない。
【００４０】
次に、ＣＰＵ１２は、再生歪補償回路９１１よりフラッシュＲＯＭ（ＦＲＯＭ）１３より歪補償量を取得（Ｓ７４）し、フラッシュＲＯＭ（ＦＲＯＭ）１３より取得した初期補償量と、現在の補償量との差（補償量変動量）を算出し、ライト動作を禁止するような所定量を超えているか否かを判断する（Ｓ７５）。
【００４１】
ここでの所定量とは、記録後の残留磁化によるデータの破壊が起こる磁場以下である必要があり、本実施形態では、図６中のＡがこれに相当する。また、当該所定量は磁気ディスク装置１の製造時に予め磁気ディスク装置１内のフラッシュＲＯＭ（ＦＲＯＭ）１３に記憶されている。補償量変動量が所定量以下の場合は、データのライト動作を実行（Ｓ７６）する一方、補償量変動量が所定量を越えている場合は、ライト動作で記録磁極の残留磁化によるデータ消去の危険性があると判断し、ホストシステム２に磁場検知異常によるライトエラーを送信し通知する（Ｓ７７）。この場合、ＣＰＵ１２は、磁気ディスク装置１周辺の外部磁界が解除され、ライトが実行されるか、ホストシステム２よりライト停止の命令があるまで、磁場検知リードを繰り返し実行する。
【００４２】
＜外磁場による記録歪に対する記録補償＞
補償量変動が前述のフラッシュＲＯＭ（ＦＲＯＭ）１３に記憶された所定量（本実施形態においては図６中のＡ）を越えない場合、図７に示すフローチャートののライト動作（Ｓ７６）が実行される。この場合、データ消去は生じないが、浮遊磁場の記録磁極への集中によって記録磁界分布が変化することによる記録歪が生じる。そこで、本実施形態における磁場検知手段を適用することが可能とである。この場合、記録補償回路９０１はフラッシュＲＯＭ（ＦＲＯＭ）１３に記憶された補償量変動量に対応した記録補償量のテーブルを参照して記録補償を実施する。
【００４３】
＜磁極への浮遊磁束集中によるデータ破壊回避動作＞
歪補償量が図６中のＢを越えた場合、記録磁極への浮遊磁界集中によるデータ破壊の危険が生じる。そこで、本実施形態におけるデータ破壊回避動作を図８に示すブロック図を用いて説明する。
【００４４】
ＣＰＵ１２は、リード中や待機中等、ヘッド４が磁気ディスク３上にロードしているときは、定期的に外部磁場を検知するための磁場検知リード（Ｓ８１）を実施する。このとき、磁場検知リード動作（Ｓ８１）は磁気ディスク３上のどのセクタを用いて構わない。
【００４５】
ＣＰＵ１２は、再生歪補償回路９１１により歪補償量を取得（Ｓ８２）し、補償量変動量が所定量（本実施形態では図６中のＢ）を越えているか否かの判断を行う（Ｓ８３）。
【００４６】
当該所定量はフラッシュＲＯＭ（ＦＲＯＭ）１３に磁気ディスク装置１の製造段階で予め記憶されている。ＣＰＵ１２は、補償量変動量が当該所定量以下の場合は、引き続き歪補償量及び歪補償変動量の監視を行うが、所定量を越えた場合は、磁極への浮遊磁束集中によるエラー発生を通報する（Ｓ８６）。このときのヘッド４の退避先は、後述の磁気ディスク３上に設けた強磁場検知用トラック３ａでも良いし、また、磁気ディスク３外に設けられたヘッド退避部材であるランプ１６でもよい。
【００４７】
さて、退避先が強磁場検知用トラック３ａである場合は、歪補償量が所定量以下になり退避解除（Ｓ８７）されるまで強磁場検知用トラック３ａで磁場検知リードが繰り返し行われる。
【００４８】
一方、退避先がヘッド退避部材であるランプ１６である場合は、例えば、磁気ディスク３の最外周近傍に設けた磁場検知リード用トラック３ａに定期的にヘッド４をロードし、磁場検知リードが実行される。
【００４９】
＜強磁場検知用トラックの説明＞
前述の強磁場検知用トラック３ａについて以下に詳細に説明する。
図６の（ｂ）を越えた強磁場中で、ヘッド４が磁気ディスク３上に位置していると、磁気ディスク３に既に記録された磁化情報であるデータを破壊する危険性が高くなるが、ヘッド４が磁気ディスク３上を離れ、磁気ヘッド退避部材であるランプ１６上に退避してしまうと、上述した磁場検知リードができなくなってしまう。そこで、本実施形態では、記録磁極４３への磁束集中によるデータ破壊が生じても支障のない強磁場検知用の強磁場検知用トラック３ａを磁気ディスク３の所定の位置、例えば最外周近傍に設けている。
【００５０】
本実施形態では、ヘッド４の移動はスライダ移動機構であるボイスコイルモータ（ＶＣＭ）７による回転駆動（リニアーアクチュエータではない）であるため、磁気ディスク３の半径位置によってヘッド４とトラックとの間にスキュー角が発生し、これが異なってくる。また、リードヘッド４２はライトヘッド４３よりもリーディングエッジ側、すなわち、回転軸寄りに配置されている。つまり、幾何学的に、磁気ディスク３の外周側では記録磁極４７はリードヘッド４２に対して外側のトラックに位置し、一方、内周側では内側のトラックに位置するように構成されている。
【００５１】
特に、リードヘッド４２と記録磁極４７の半径方向の距離（図９中のＡ）が、１トラック間隔（図９中のＴｐ）以上である場合、リードヘッド４２とライトヘッド４２の記録磁極４７は異なるトラックに位置するため、強磁場が印加されても、リードヘッド４２直下のデータは破壊されることなく、オントラックを継続することができる。
【００５２】
さて、リードヘッド４２が最外周近傍トラックにオントラックする場合、ライトヘッド４２の記録磁極４７は更にその外周側、つまりデータが存在しないトラックに位置するため、記録磁極４７によるデータ破壊による障害は発生しない。よって、本実施形態では、最外周トラックを強磁場検知ができるヘッド４の退避先として強磁場検知用トラック３ａを設けて使用している。
【００５３】
最内周近傍トラックについても同様な条件を満たすので、最内周近傍トラックに強磁場検知トラック３ａを設けてもよいが、衝撃等、外部磁界以外の外乱による緊急時に、ヘッド４が磁気ディスク媒体３上を通過することなくヘッド退避部材であるランプ１６に退避できるため、強磁場検知用トラック３ａは最外周近傍であることが望ましい。
【００５４】
また、最内周、最外周に限らず、リードするトラックと記録磁極４７の半径方向の距離（図９中のＡ）が１トラック幅以上であれば１〜２トラックの破壊許容トラックを設けることで、リードヘッド４２直下の磁気ディスク媒体３上のデータを破壊せずに強磁場情報を得ることも可能となる。
【００５５】
＜実施形態の変形例＞
上述の実施形態の変形例では、リードヘッド４２は、外乱磁場による再生歪によって前述のデータ破壊障害が生じる前に位置決め制度が悪化するように構成されている。また、リードチャネル９１にはヘッド４の位置決め精度検知回路（図示せず）が具備されており、ヘッド４が磁気ディスク３上にある場合は、位置決め精度を監視している。
【００５６】
図１０に本実施形態の変形例における外乱磁場と位置決め精度の関係を示す。図に示すように外乱磁場の増加に伴もなって、位置決め精度が悪化するため、この位置決め精度を監視することで、前述の記録磁極の残留磁化によるデータ破壊や、記録磁極への磁束集中によるデータの破壊に対して回避動作をすることが可能となる。各々の回避手段は、上述の実施形態と同様な方法を用いることが可能である。
【００５７】
各種データ破壊は位置決め制度悪化前に発生していたため回避できていなかったが、上述のような構成によりデータ破壊の前に位置決めが悪化するために、これを監視することで外乱磁界の発生が検知でき、これによって引き起こされる可能性があるデータ破壊を簡単に回避することができる。
【００５８】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、外磁場によって再生波形が歪むダイナミックレンジの狭い磁気抵抗効果素子を用いた再生ヘッドと、再生波形歪みを補償する再生歪補償回路を併用することで、簡単な構成で装置周辺からヘッドにかかる外磁場を検出し、外磁場障害を回避可能とする磁気ディスク装置及び同装置の外磁場検知方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図。
【図２】本発明の実施形態に係る単磁極ヘッドと２層膜記録媒体の構造を示す断面図。
【図３】本発明の実施形態に係る再生ヘッドのρＨカーブと入力磁界と出力信号の関係を示すグラフ（外乱磁場なし）。
【図４】本発明の実施形態に係る再生ヘッドのρＨカーブと入力磁界と出力信号の関係を示すグラフ（外乱磁場あり）。
【図５】本発明の実施形態に係る外乱磁場による再生データのエラーレート変動を示すグラフ。
【図６】本発明の実施形態に係る外乱磁場と再生歪補償量の関係を示すグラフ。
【図７】本発明の実施形態に係る記録後の残留磁化によるデータ破壊に対する回避処理動作を示すフローチャート。
【図８】本発明の実施形態に係る記録磁極への磁束集中によるデータ破壊に対する回避処理動作を示すフローチャート。
【図９】本発明の実施形態に係る強磁場検知用トラックを説明する図。
【図１０】本発明の実施形態に係る外乱磁場とヘッド位置決め精度の関係を示すグラフ。
【符号の説明】
１………磁気ディスク装置
２………ホストシステム
３………磁気ディスク媒体
３０……磁性層（記録層）
３１……軟磁性層
３２……基板
３ａ……強磁場検知用トラック
４………ヘッド
４１……スライダ本体
４２……リードヘッド
４３……ライトヘッド
４４……ＭＲ素子
４５……上部シールドコア
４６……下部シールドコア
４７……主磁極
４８……コイル
４９……下部磁極
５………スピンドルモータ（ＳＰＭ）
６………ヘッドアクチュエータ
７………ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）
８………ヘッドアンプ回路
８０……ライトアンプ
８１……リードアンプ
９………リード／ライト回路
９０……ライトチャネル
９０１…記録補償回路
９０２…符号化回路
９１……リードチャネル
９１１…再生歪補償回路
９１２…波形等化回路
１０……ＨＤＣ
１１……サーボコントローラ
１２……ＣＰＵ
１３……ＦＲＯＭ
１４……ＲＡＭ
１５……ＲＯＭ
１６……ランプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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