(57)【要約】【課題】パターン欠陥検査時の擬似欠陥の発生を防止して高い信頼性の検査を行うことができるフォトマスク、そのパターン欠陥検出方法及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】「Ｆ」の字型のパターン１が密集するパターン密集領域２１と、小さな矩形状のダミーパターン２が点在するパターン点在領域２２とが存在している。ダミーパターン２は、パターン点在領域２２内では、マスクパターン欠陥検査装置の走査対象範囲内に少なくとも１個が存在するようにして配置されている。上述のような間隔で、パターン点在領域２２にダミーパターン２が形成されていると、マスクパターン欠陥検査装置によって１走査対象範囲の走査が行われれば、パターン点在領域２２内では、その走査対象範囲内には、少なくとも１個のダミーパターン２が含まれている。このため、この範囲内でのアライメントの混乱の発生が防止され、適切な欠陥検査を行うことができる。【選択図】　図１
2004062095.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光体に転写されるべき主パターンが形成されたフォトマスクにおいて、
全ての前記主パターンをその内側に含む矩形領域の内側に、１又は２以上の副パターンが形成され、
前記副パターンは、少なくとも前記矩形領域内において、前記フォトマスクのパターンの検査に使用するマスクパターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記主パターン及び前記副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンの一部が含まれるようにして配置されていることを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
前記副パターンの大きさは、前記感光体に転写される最小の大きさよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項３】
感光体に転写されるべき主パターンが形成され、多重露光の際に一のマスクとして使用されるフォトマスクにおいて、
全ての前記主パターンをその内側に含む矩形領域の内側に、前記感光体に転写される最小の大きさ以上の大きさの１又は２以上の副パターンが形成され、
前記副パターンは、少なくとも前記矩形領域内において、前記感光体に形成されたパターンの検査に使用する感光体パターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記主パターン及び前記副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンが転写されて形成されたパターンの一部が含まれるようにして配置されていることを特徴とするフォトマスク。
【請求項４】
同一の感光体の露光に使用される第１及び第２のマスクを備えた多重露光用のフォトマスクであって、
前記第１のマスクに、前記感光体に転写されるべき第１の主パターンと、全ての前記第１の主パターンをその内側に含む第１の矩形領域の内側に配置された１又は２以上の第１の副パターンと、が形成され、
前記第１の副パターンは、少なくとも前記第１の矩形領域内において、前記感光体に形成されたパターンの検査に使用する感光体パターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記第１の主パターン及び前記第１の副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンの一部が含まれるようにして配置され、
前記第２のマスクに、前記感光体に転写されるべき第２の主パターンと、全ての前記第２の主パターンをその内側に含む第２の矩形領域の内側に配置された１又は２以上の第２の副パターンと、が形成され、
前記第２の副パターンは、少なくとも前記第２の矩形領域内において、前記感光体パターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記第２の主パターン及び前記第２の副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンの一部が含まれ、更に、前記第１の副パターンが転写されて前記感光体に形成されるパターンを打ち消すようにして配置されていることを特徴とするフォトマスク。
【請求項５】
前記第１のマスクは、レベンソン型位相シフトマスクであり、前記第２のマスクは、ハーフトーンマスクであることを特徴とする請求項４に記載のフォトマスク。
【請求項６】
フォトマスクに形成され感光体に転写されるべき主パターンの欠陥を検出するパターン欠陥検出方法において、
予め、１又は２以上の副パターンを、全ての前記主パターンをその内側に含む矩形領域の内側に、少なくとも前記矩形領域内において、前記フォトマスクのパターンの検査に使用するマスクパターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記主パターン及び前記副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンの一部が含まれるようにして形成しておき、
前記マスクパターン欠陥検査装置を使用して前記フォトマスクの走査を行う工程を有することを特徴とするパターン欠陥検出方法。
【請求項７】
多重露光の際に一のマスクとして使用されるフォトマスクに形成され感光体に転写されるべき主パターンの欠陥を検出するパターン欠陥検出方法において、
予め、前記感光体に転写される最小の大きさ以上の大きさの１又は２以上の副パターンを、全ての前記主パターンをその内側に含む矩形領域の内側に、少なくとも前記矩形領域内において、前記感光体に形成されたパターンの検査に使用する感光体パターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記主パターン及び前記副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンが転写されて形成されたパターンの一部が含まれるようにして形成しておき、
前記レジストパターン欠陥装置を使用して前記感光体の走査を行う工程を有することを特徴とするパターン欠陥検出方法。
【請求項８】
感光体に転写されるべき主パターンが形成されたフォトマスクを使用したパターン形成方法において、
予め、１又は２以上の副パターンを、全ての前記主パターンをその内側に含む矩形領域の内側に、少なくとも前記矩形領域内において、前記フォトマスクのパターンの検査に使用するマスクパターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記主パターン及び前記副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンの一部が含まれるようにして形成しておき、
前記フォトマスクを使用して前記感光体を露光することにより、前記感光体に前記主パターンを転写する工程を有することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項９】
感光体に転写されるべき主パターンが形成されたフォトマスクを使用した多重露光によるパターン形成方法において、
予め、前記感光体に転写される最小の大きさ以上の大きさの１又は２以上の副パターンを、全ての前記主パターンをその内側に含む矩形領域の内側に、少なくとも前記矩形領域内において、前記感光体に形成されたパターンの検査に使用する感光体パターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記主パターン及び前記副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンが転写されて形成されたパターンの一部が含まれるようにして形成しておき、
前記フォトマスクを使用して前記感光体を露光することにより、前記感光体に前記主パターン及び前記副パターンを転写する工程を有することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１０】
第１及び第２のマスクを使用して同一の感光体の露光を行う多重露光によるパターン形成方法であって、
予め、前記第１のマスクに、前記感光体に転写されるべき第１の主パターンと、全ての前記第１の主パターンをその内側に含む第１の矩形領域の内側に配置された１又は２以上の第１の副パターンとを、少なくとも前記第１の矩形領域内において、前記感光体に形成されたパターンの検査に使用する感光体パターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記第１の主パターン及び前記第１の副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンの一部が含まれるようにして形成し、
前記第２のマスクに、前記感光体に転写されるべき第２の主パターンと、全ての前記第２の主パターンをその内側に含む第２の矩形領域の内側に配置された１又は２以上の第２の副パターンとを、少なくとも前記第２の矩形領域内において、前記感光体パターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記第２の主パターン及び前記第２の副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンの一部が含まれ、更に、前記第１の副パターンが転写されて前記感光体に形成されるパターンを打ち消すようにして形成しておき、
前記第１のマスクを使用して前記感光体を露光することにより、前記感光体に前記第１の主パターン及び前記第１の副パターンを転写する工程と、
前記第２のマスクを使用して前記感光体を露光することにより、前記感光体に前記第２の主パターンを転写すると共に、前記第１の副パターンが転写されて形成されたパターンを消滅させる工程と、
を有することを特徴とするパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及び液晶表示装置等の製造に際して行われるフォトリソグラフィに使用されるフォトマスク、そのパターン欠陥検出方法及びそれを用いたパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置及び液晶表示装置等の製造に際して、フォトマスクに形成された種々のパターンが、基板上に形成された感光性レジストにフォトリソグラフィにより転写されている。この転写の後、感光性レジストの現像が行われ、感光性レジストのパターンをマスクとして配線層等の加工が行われている。
【０００３】
このため、フォトマスクには、極めて高い精度が要求されている。そこで、フォトマスク用の欠陥検査装置を用いたフォトマスク自体の検査や、転写により感光性レジストに形成されたパターンのウェハ用の欠陥検査装置を用いた検査等が行われている。後者の検査は、主に、レベンソン型位相シフトマスクのような、フォトマスク自体に対するパターン欠陥の検査装置だけでは欠陥検出の保証が不可能なフォトマスクに対して行われている。そして、転写により感光性レジストに形成されたパターンの欠陥からフォトマスクの欠陥が検出されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、半導体装置及び液晶表示装置等の製造に使用されるフォトマスクには、メモリセルアレイ、論理回路、ラッチ回路等用の各パターンが互いに若干の隙間を空けて形成されている。このため、スクライブラインの内側の領域内であっても、パターンが密集している領域とパターンが疎らに存在している領域とが不規則に存在している。このようなフォトマスクに対して、マスクパターンに欠陥が存在しているか否かの検査である欠陥検査を既存のパターン検査装置を用いて行うと、欠陥が存在していない箇所であるにもかかわらず、そこに欠陥が存在していると認識されてしまうことがある。このような欠陥は擬似欠陥とよばれることがある。
【０００５】
この擬似欠陥の発生は、パターン欠陥検査装置の検査アルゴリズムによるものである。パターン欠陥検査装置は、パターンの検査を行いながら、パターン同士のアライメントを行っている。このアライメントは、フォトマスクに形成されたパターンには、設計データと比較して極めて微小なずれが存在しており、このずれは回避できないものであることから、不可欠な処理である。しかし、このアライメントは、パターンが全く存在しない領域の走査が行われると、上述の検査アルゴリズムに起因して、正常に実施されず、混乱が生じる。この結果、走査の対象が、このような領域からパターンが存在する領域に移行されると、正常なパターンが欠陥と認識されてしまう。
【０００６】
図１２（ａ）及び（ｂ）並びに図１３は、擬似欠陥が発生する箇所を示す模式図である。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）の円で囲まれた領域にほぼ相当し、図１３は、図１２（ｂ）の円で囲まれた領域にほぼ相当する。
【０００７】
図１２（ａ）に示すように、スクライブライン１０１により囲まれた領域内に、例えば５つの矩形のパターン密集領域１０２ａ乃至１０２ｅが存在し、これら間にはパターンが全く存在しないフォトマスクがあるとする。より具体的には、図１２（ａ）及び（ｂ）に示すように、パターン密集領域１０２ａの長手方向に沿ってパターン密集領域１０２ｂ及び１０２ｃが並んで配置されており、これらの３つのパターン密集領域間に、「Ｔ」の字型の隙間が存在している。そして、パターン密集領域１０２ｂのパターン密集領域１０２ａ及び１０２ｃに最も近い角部近傍には、図１３に示すように、「Ｆ」の字型のパターンが密集している。
【０００８】
このようなフォトマスクに対し、図１２（ｂ）及び図１３に示すように、図の右から左に向かって検査の走査が行われた場合、パターン密集領域１０２ｃの走査が行われている間及びその後にパターン密集領域１０２ｃ及び１０２ｂ間の領域の走査が行われている間は、アライメントの混乱は生じず、正しいパターン検査が行われる。しかし、走査領域が、パターン密集領域１０２ｃ及び１０２ｂ間の領域からパターン密集領域１０２ｂに移行したときに、図１３に示すように、最初にパターンが出現する辺Ａにおいて、擬似欠陥が発生してしまう。
【０００９】
このような擬似欠陥の問題は、フォトマスク自体のパターンの検査のみではなく、転写により感光性レジストに形成されたパターンの検査においても生じている。つまり、感光性レジストに形成されたパターンの欠陥の検査を行う場合にも、パターンが全く存在しない領域の走査が行われると、アライメントが正常に行われず、走査の対象が、このような領域からパターンが存在する領域に移行されたときに、正常なパターンが欠陥と認識されてしまう。
【００１０】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであって、パターン欠陥検査時の擬似欠陥の発生を防止して高い信頼性の検査を行うことができるフォトマスク、そのパターン欠陥検出方法及びそれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本願発明者は、鋭意検討の結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
【００１２】
本発明に係る第１のフォトマスクは、感光体に転写されるべき主パターンが形成されたフォトマスクを対象とする。そして、このフォトマスクは、全ての前記主パターンをその内側に含む矩形領域の内側に、１又は２以上の副パターンが形成され、前記副パターンは、少なくとも前記矩形領域内において、前記フォトマスクのパターンの検査に使用するマスクパターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記主パターン及び前記副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンの一部が含まれるようにして配置されていることを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る第２のフォトマスクは、感光体に転写されるべき主パターンが形成され、多重露光の際に一のマスクとして使用されるフォトマスクを対象とする。そして、このフォトマスクは、全ての前記主パターンをその内側に含む矩形領域の内側に、前記感光体に転写される最小の大きさ以上の大きさの１又は２以上の副パターンが形成され、前記副パターンは、少なくとも前記矩形領域内において、前記感光体に形成されたパターンの検査に使用する感光体パターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記主パターン及び前記副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンが転写されて形成されたパターンの一部が含まれるようにして配置されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明に係る第３のフォトマスクは、同一の感光体の露光に使用される第１及び第２のマスクを備えた多重露光用のフォトマスクを対象とする。そして、前記第１のマスクに、前記感光性レジストに転写されるべき第１の主パターンと、全ての前記第１の主パターンをその内側に含む第１の矩形領域の内側に配置された１又は２以上の第１の副パターンと、が形成されている。前記第１の副パターンは、少なくとも前記第１の矩形領域内において、前記感光体に形成されたパターンの検査に使用する感光体パターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記第１の主パターン及び前記第１の副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンの一部が含まれるようにして配置されている。また、前記第２のマスクに、前記感光性レジストに転写されるべき第２の主パターンと、全ての前記第２の主パターンをその内側に含む第２の矩形領域の内側に配置された１又は２以上の第２の副パターンと、が形成されている。前記第２の副パターンは、少なくとも前記第２の矩形領域内において、前記感光体パターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記第２の主パターン及び前記第２の副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンの一部が含まれ、更に、前記第１の副パターンが転写されて前記感光性レジストに形成されるパターンを打ち消すようにして配置されている。
【００１５】
これらの本発明の諸態様によれば、副パターンの存在により、アライメントの混乱が防止され、擬似欠陥の発生が防止される。このため、高い信頼性のパターン欠陥の検査を行うことが可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
−本発明の基本骨子−
先ず、本発明の基本骨子について添付の図面を参照して説明する。ここでは、図１に示すようなフォトマスクを例示する。
【００１７】
フォトマスクの図１に示す領域内には、「Ｆ」の字型のパターン（主パターン）１が密集するパターン密集領域２１と、小さな矩形状のダミーパターン（副パターン）２が点在するパターン点在領域２２とが存在している。このパターン点在領域２２は、図１２（ａ）及び（ｂ）並びに図１３に示すフォトマスク中のパターン密集領域間の隙間に相当する。ダミーパターン２は、パターン点在領域２２内では、マスクパターン欠陥検査装置の走査対象範囲内に少なくとも１個が存在するようにして配置されている。ここで、本願発明における走査対象範囲とは、マスクパターン欠陥検査装置又は感光体パターン欠陥検査装置によって規定される範囲であって、これらの欠陥検査装置内で１度にデータの処理が可能な範囲である。従って、ダミーパターン２は、少なくともパターン点在領域２２内では、マスクパターン欠陥検査装置の検査の走査方向に対して直交する方向においては、走査幅よりも狭い間隔で配置されている。また、ダミーパターン２は、少なくともパターン点在領域２２内では、マスクパターン欠陥検査装置の検査の走査方向においては、マスクパターン欠陥検査装置の走査対象範囲の長さよりも短い間隔で配置されている。例えば、マスクパターン欠陥検査装置による走査において、ＣＣＤカメラによる画像の読み取りがある場合には、走査対象範囲は、このＣＣＤカメラにより１度にデータの転送が可能な範囲となる。
【００１８】
ここで、ダミーパターン２の形状について説明する。ダミーパターン２は、解像度以下の大きさで形成されている。即ち、ダミーパターン２が形成されたフォトマスクを使用して感光性レジスト等の感光体の露光が行われても、ダミーパターン２は感光体に転写されないような大きさとされている。図２は、ダミーパターンの大きさと、光強度の分布と、感光体に転写されると予想されるパターンの形状との関係を表にして示す図である。なお、図２に示す光強度の分布及びパターンの形状は、ダミーパターンの大きさ以外の光学条件を統一したときに得られるものである。また、ここでは、直径が１４０ｎｍのコンタクトホールを形成するためには、０．２程度の光強度が必要とされると仮定する。
【００１９】
図２に示すように、正方形状のダミーパターンの一辺の長さが１４０ｎｍの場合、光強度の最大値は０．３５程度となるため、円形のパターンが感光体に転写される。一方、ダミーパターンの一辺の長さが１００ｎｍ又は６０ｎｍの場合、光強度の最大値は、夫々０．１４程度、０．０３程度であり、いずれも０．２に満たないため、これらのパターンが感光体に転写されることはない。
【００２０】
従って、図２に示す光強度分布が得られるような光学条件の下では、一辺の長さが１００ｎｍ程度の正方形状のダミーパターンがフォトマスクに点在していたとしても、感光体に転写されるパターンに影響が出ることはない。つまり、解像度限界以下の大きさのパターンであれば、感光体に転写されるパターンに影響が出ることはない。
【００２１】
そして、上述のような間隔で、パターン点在領域２２にダミーパターン２が形成されていると、マスクパターン欠陥検査装置によって１走査対象範囲の走査が行われれば、パターン点在領域２２内では、その走査対象範囲内には、少なくとも１個のダミーパターン２が含まれている。このため、この範囲内でのアライメントの混乱の発生が防止され、適切な欠陥検査を行うことができる。そして、少なくともパターンの欠陥検査が行われる矩形領域内で、パターン密集領域２１が設けられていない領域の全てをパターン点在領域２２とすることにより、欠陥検査の範囲内での擬似欠陥の発生を防止することができる。なお、ダミーパターンの数は、特に限定されるものではない。
【００２２】
ここで、本願発明における最小矩形領域について説明する。本願発明における最小矩形領域とは、主パターンをその内側に含む矩形の領域のうちで、マスクパターン欠陥検査装置又は感光体パターン欠陥検査装置の走査方向に平行な辺を備え、且つ最もその面積が小さくなるものをいう。例えば、図３（ａ）に示すように、スクライブライン５１の内側に、パターン密集領域５２ａ乃至５２ｅが存在し、各パターン密集領域５２ａ乃至５２ｅの実質的に全体に主パターンが形成されている場合、四角形ａｂｃｄにより囲まれた領域が最小矩形領域となる。一方、図３（ｂ）に示すように、スクライブライン５１の内側に、パターン密集領域５２ｆ乃至５２ｊが存在し、各パターン密集領域５２ｆ乃至５２ｊの実質的に全体に主パターンが形成されている場合、四角形ｅｆｇｈにより囲まれた領域が最小矩形領域となる。
【００２３】
なお、図３（ａ）及び（ｂ）に示す各例において、スクライブライン５１により囲まれた四角形の領域内で、パターン密集領域５２ａ乃至５２ｅ又はパターン密集領域５２ｆ乃至５２ｊを除く領域の全体にわたって、ダミーパターン（副パターン）が形成されていてもよい。
【００２４】
−本発明の具体的な実施形態−
次に、本発明の具体的な実施形態について添付の図面を参照して説明する。
【００２５】
（第１の実施形態）
先ず、本発明の第１の実施形態について説明する。図４は、本発明の第１の実施形態に係るフォトマスクを示す模式図である。図４中のハッチングが施された領域が、クロム膜等により遮光された領域である。
【００２６】
第１の実施形態に係るフォトマスクは、ポジイメージのフォトマスクであり、「Ｆ」の字型の開口パターン３が選択的に形成されている。但し、これらの開口パターン３のみであると、比較的密集して配置されている領域では、マスクパターン欠陥検査装置の走査対象範囲内に、常にいずれかの開口パターン３の一部が含まれている一方で、それ以外の領域内には、開口パターン３の一部が全く存在しない走査対象範囲内も存在している。
【００２７】
本実施形態においては、最小矩形領域のこのような開口パターン３の一部が全く存在しない走査対象範囲内に、矩形状の開口ダミーパターン４が点在するようにして形成されている。このとき、ダミーパターン４は、パターンの欠陥検査装置による走査の任意の走査対象範囲内に、開口パターン３又はダミーパターン４の少なくとも一部が含まれるようにして配置されている。
【００２８】
また、ダミーパターン４の大きさは、図１に示すダミーパターン２と同様に、ダミーパターン４自体が基板上に形成された感光体に転写されないようなものとされている。
【００２９】
このような第１の実施形態に係るフォトマスクによれば、マスクパターン欠陥検査装置によって１走査対象範囲の走査が行われれば、必ず何らかのパターンが存在しているため、アライメントの混乱は発生しない。従って、従来発生したような擬似欠陥の発生を回避することができる。また、ダミーパターン４は感光体に転写されないので、感光体に転写されるパターンにダミーパターン４による影響は及ばない。
【００３０】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図５は、本発明の第２の実施形態に係るフォトマスクを示す模式図である。図５中のハッチングが施された領域が、クロム膜等により遮光された領域である。
【００３１】
第２の実施形態に係るフォトマスクは、ネガイメージのフォトマスクであり、「Ｆ」の字型の遮光パターン５が選択的に形成されている。但し、これらの遮光パターン５のみであると、比較的密集して配置されている領域では、マスクパターン欠陥検査装置の走査対象範囲内に、常にいずれかの遮光パターン５の一部が含まれている一方で、それ以外の領域には、遮光パターン５の一部が全く存在しない走査対象範囲も存在している。
【００３２】
本実施形態においては、最小矩形領域のこのような遮光パターン５の一部が全く存在しない走査対象範囲内に、ライン状の遮光ダミーパターン６が選択的に形成されている。このとき、ダミーパターン６は、マスクパターン欠陥検査装置による走査の任意の走査対象範囲内に、遮光パターン５又はダミーパターン６の少なくとも一部が含まれるようにして配置されている。
【００３３】
また、ダミーパターン６の幅は、ダミーパターン６自体が基板上に形成された感光体に転写されないようなものとされている。
【００３４】
このような第２の実施形態によっても、従来発生したような擬似欠陥の発生を回避することができる。また、ダミーパターン６も、ダミーパターン４と同様に、感光体には転写されないので、感光体に転写されるパターンにダミーパターン６による影響は及ばない。
【００３５】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。第３の実施形態は、多重露光に使用されるフォトマスクに関するものである。
【００３６】
ここで、多重露光について説明する。多重露光では、例えば、図６（ａ）に示すハーフトーンマスクを使用した露光と、図６（ｂ）に示すレベンソン型位相シフトマスクを使用した露光とが１層の感光体に対して行われる。ハーフトーンマスクに形成されたパターンは、例えばゲート及びその配線用のものである。レベンソン型位相シフトマスクに形成されたパターンは、例えばゲートを細めるためのものである。
【００３７】
上述のような多重露光の結果、ハーフトーンマスクを使用した露光のみで得られるパターンに対して、図６（ｃ）に示すように、局所的に幅が狭められたパターンが感光体に形成される。なお、図６（ａ）中のハッチングが施された領域は、遮光領域である。図６（ｂ）中の斜めハッチングが施された領域は、遮光領域であり、縦線が記入された領域及び横線が記入された領域は、いずれも開口領域であり、互いに透過光の位相がπ（１８０°）だけずれるように形成されている。また、図６（ｃ）中のハッチングが施された領域は、いずれの露光によっても感光しない領域である。
【００３８】
そして、上述のような多重露光に使用されるフォトマスクのうちレベンソン型位相シフトマスクに本発明を適用したものが、第３の実施形態である。図７は、本発明の第３の実施形態に係るフォトマスクを示す模式図である。図７中の斜めハッチングが施された領域が、クロム膜等により遮光された領域であり、縦線が記入された領域及び横線が記入された領域は、いずれも開口領域であり、互いに透過光の位相がπだけずれるように形成されている。
【００３９】
第３の実施形態においては、図６（ｂ）に示すレベンソン型位相シフトマスクと同様に、選択的に矩形状の開口パターン（開口領域）７ａ及び７ｂが形成されている。開口パターン７ａと開口パターン７ｂとでは、透過光の位相がπ（１８０°）だけずれている。但し、上述のように、多重露光におけるレベンソン型位相シフトマスクは、例えば電界効果トランジスタのゲート電極の形成のために使用されるものであるため、開口パターン７ａ及び７ｂがフォトマスク全体を占める割合は極めて小さく、遮光されている領域がほとんどである。従って、特に擬似欠陥が発生しやすい。また、このフォトマスクに形成された開口パターンが、感光体に転写されるべき開口パターン７ａ及び７ｂのみであると、第１の実施形態と同様に、開口パターン７ａ及び７ｂの一部が全く存在しない走査対象範囲が存在しうる。
【００４０】
本実施形態においては、最小矩形領域のこのような開口パターン７の一部が全く存在しない走査対象範囲内に、矩形状の開口ダミーパターン８が点在するようにして形成されている。このとき、ダミーパターン８は、ダミーパターン４と同様に、マスクパターン欠陥検査装置による走査の任意の走査対象範囲内に、開口パターン７ａ若しくは７ｂ又はダミーパターン８の少なくとも一部が含まれるようにして配置されている。
【００４１】
また、ダミーパターン８の大きさは、ダミーパターン８自体が基板上に形成された感光体に転写されないようなものとされている。
【００４２】
このような第３の実施形態によれば、レベンソン型位相シフトマスクにおいて、従来発生したような擬似欠陥の発生を回避することができる。また、ダミーパターン８も、ダミーパターン４と同様に、感光体には転写されないので、感光体に転写されるパターンにダミーパターン８による影響は及ばない。
【００４３】
なお、これらの実施形態において、ダミーパターンの位置が、感光体に転写されたときに配線の短絡、寄生容量の許容範囲を超える増加等の不具合を生じさせないものである場合には、ダミーパターンが解像度限界よりも大きいものであってもよい場合がある。即ち、必ずしも常にダミーパターンは解像度以下の大きさである必要はない。
【００４４】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。第４の実施形態も、多重露光に使用されるフォトマスクに関するものであるが、本実施形態では、ハーフトーンマスクにも、ダミーパターンが形成されている。図８は、本発明の第４の実施形態に係るフォトマスク及び感光体に形成されるパターンを示す模式図である。なお、図８（ａ）中のハッチングが施された領域は、遮光領域である。図８（ｂ）中の斜めハッチングが施された領域は、遮光領域であり、縦線が記入された領域及び横線が記入された領域は、いずれも開口領域であり、互いに透過光の位相がπだけずれるように形成されている。また、図８（ｃ）中のハッチングが施された領域は、いずれの露光によっても感光しない領域である。
【００４５】
第４の実施形態においては、図８（ｂ）に示すレベンソン型位相シフトマスクにダミーパターン１０が形成されると共に、図８（ａ）に示すハーフトーンマスクにダミーパターン９が形成されている。ダミーパターン９及び１０は、いずれも矩形状であり、ダミーパターン９はダミーパターン１０よりも小さい。また、ダミーパターン９及び１０は、これらが形成された２つのフォトマスクを、転写される感光体に対してアライメントを行いながら重ね合わせると、１個のダミーパターン９が必ず１個のダミーパターン１０に含まれるようにして配置されている。更に、ダミーパターン９及び１０の数は同数である。ダミーパターン１０は、第１乃至第３の実施形態と同様に、最小矩形領域内において、マスクパターン欠陥検査装置による走査の任意の走査対象範囲内に、開口パターン７ａ若しくは７ｂ又はダミーパターン１０の少なくとも一部が含まれるようにして配置されている。
【００４６】
このように構成された本実施形態においては、ダミーパターン９の大きさは感光体に転写されるようなものであってもよい。これは、例えダミーパターン９が感光体に転写されたとしても、即ち感光体のダミーパターン９に整合する領域が感光されなかったとしても、その後の図８（ｂ）に示すレベンソン型位相シフトマスクを使用した露光の際に、その領域には、ダミーパターン１０から光が照射されるため、図８（ｃ）に示す最終的に感光体に転写されるパターンには、ダミーパターン９及び１０の影響は及ばないからである。つまり、ダミーパターン９及び１０が互いの感光体への影響を打ち消しあうためである。
【００４７】
そして、このような第４の実施形態によれば、レベンソン型位相シフトマスク及びハーフトーンマスクにおいて、従来発生したような擬似欠陥の発生を回避することができる。
【００４８】
（第５の実施形態）
次に、本発明の第５の実施形態について説明する。第５の実施形態も、多重露光に使用されるフォトマスクに関するものであるが、本実施形態では、レベンソン型位相シフトマスクに、感光体に転写されるダミーパターンが形成されている。図９は、本発明の第５の実施形態に係るフォトマスク及び感光体に形成されるパターンを示す模式図である。なお、図９（ａ）中のハッチングが施された領域は、遮光領域である。図９（ｂ）中の斜めハッチングが施された領域は、遮光領域であり、縦線が記入された領域及び横線が記入された領域は、いずれも開口領域であり、互いに透過光の位相がπだけずれるように形成されている。また、図９（ｃ）中のハッチングが施された領域は、いずれの露光によっても感光しない領域である。
【００４９】
そして、本実施形態においては、図９（ｂ）に示すように、感光体に転写される大きさのダミーパターン１１が、最小矩形領域内において、マスクパターン欠陥検査装置による走査の任意の走査対象範囲内に、開口パターン７又はダミーパターン１１の少なくとも一部が含まれるようにして配置されている。但し、ダミーパターン１１は、図９（ａ）に示すハーフトーンマスクに形成された遮光パターンと重なる位置には形成されていない。
【００５０】
一方、ハーフトーンマスクには、図９（ａ）に示すように、ゲート及び配線用のパターンのみが形成されている。
【００５１】
このように構成された第５の実施形態においては、ダミーパターン１１は感光体に転写可能な大きさであるが、ダミーパターン１１が形成されている位置は、ハーフトーンマスクを使用した露光の際に光が透過する位置である。従って、ハーフトーンマスクを使用した露光が先に行われた場合には、ダミーパターン１１が感光体に転写されることはない。また、レベンソン型位相シフトマスクを使用した露光が先に行われた場合には、一旦ダミーパターン１１が感光体に転写されるが、その後のハーフトーンマスクを使用した露光により、ダミーパターン１１が形成されたパターンは消滅する。従って、図９（ｃ）に示すように、感光体にダミーパターン１１のパターンが残存することはない。
【００５２】
なお、第５の実施形態におけるレベンソン型位相シフトマスクが多重露光に使用されるものであるため、ダミーパターン１１は感光体に転写される大きさであっても、そのパターンが感光体に残存することはなく問題が生じないが、もし、多重露光が行われない場合には、図１０に示すように、ダミーパターン１１が感光体に転写され、円形の感光部１２が感光体に形成され、そのまま残存する。なお、図１０のハッチングが施された領域は、露光によって感光していない領域である。
【００５３】
また、第５の実施形態によっても、レベンソン型位相シフトマスクにおいて、従来発生したような擬似欠陥の発生を回避することができる。
【００５４】
（第６の実施形態）
次に、本発明の第６の実施形態について説明する。第６の実施形態は、多重露光の際にゲートの幅を細めるためのフォトマスクであって、図１０に示すように、意図的にダミーパターンを感光体に転写させるものである。図１１（ａ）は、本発明の第６の実施形態に係るフォトマスクを示す模式図であり、（ｂ）は（ａ）に示すフォトマスクを使用した露光により形成されるパターンを示す模式図である。なお、図１１（ａ）中の斜めハッチングが施された領域は、遮光領域であり、縦線が記入された領域及び横線が記入された領域は、いずれも開口領域であり、互いに透過光の位相がπだけずれるように形成されている。また、図１１（ｂ）中のハッチングが施された領域は、いずれの露光によっても感光しない領域である。
【００５５】
本実施形態に係るフォトマスクは、例えばレベンソン型位相シフトマスクである。そして、感光体に転写される大きさのダミーパターン１３が、感光体パターン欠陥検査装置による走査の任意の走査対象範囲内に、開口パターン７ａ若しくは７ｂ又はダミーパターン１３が転写されて形成されるパターンの少なくとも一部が含まれるようにして配置されている。
【００５６】
このように構成されたな第６の実施形態に係るフォトマスクを使用して露光を行うと、感光体には、図１１（ｂ）に示すように、開口パターン７ａ又は７ｂが転写された感光部１４ａ又は１４ｂと、ダミーパターン１３が転写された感光部１５が形成される。
【００５７】
このような感光体に対し、感光体パターン欠陥検査装置によって１走査対象範囲の走査が行われれば、その領域内には必ず何らかのパターンの一部が少なくとも存在しているため、従来発生したような擬似欠陥の発生を回避することができる。
【００５８】
また、感光部１５は、例えば図６（ａ）に示すようなハーフトーンマスクを使用した露光をその後に行うことにより、形成されなかったものとみなすことが可能である。従って、感光性レジストの現像を行う際に感光部１５の影響が感光性レジストに及ばないようにすることは極めて容易である。
【００５９】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００６０】
（付記１）　感光体に転写されるべき主パターンが形成されたフォトマスクにおいて、
全ての前記主パターンをその内側に含む矩形領域の内側に、１又は２以上の副パターンが形成され、
前記副パターンは、少なくとも前記矩形領域内において、前記フォトマスクのパターンの検査に使用するマスクパターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記主パターン及び前記副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンの一部が含まれるようにして配置されていることを特徴とするフォトマスク。
【００６１】
（付記２）　前記副パターンの大きさは、前記感光体に転写される最小の大きさよりも小さいことを特徴とする付記１に記載のフォトマスク。
【００６２】
（付記３）　多重露光の際に一のマスクとして使用されることを特徴とする付記１又は２に記載のフォトマスク。
【００６３】
（付記４）　前記１又は２以上の副パターンは、前記矩形領域のうちで、前記マスクパターン欠陥検査装置の走査方向に平行な辺を備え、且つ最もその面積が小さくなる最小矩形領域の内側に形成されていることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１項に記載のフォトマスク。
【００６４】
（付記５）　感光体に転写されるべき主パターンが形成され、多重露光の際に一のマスクとして使用されるフォトマスクにおいて、
全ての前記主パターンをその内側に含む矩形領域の内側に、前記感光体に転写される最小の大きさ以上の大きさの１又は２以上の副パターンが形成され、
前記副パターンは、少なくとも前記矩形領域内において、前記感光体に形成されたパターンの検査に使用する感光体パターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記主パターン及び前記副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンが転写されて形成されたパターンの一部が含まれるようにして配置されていることを特徴とするフォトマスク。
【００６５】
（付記６）　前記副パターンが前記感光体に転写されて形成されたパターンは、前記多重露光において他のフォトマスクを使用した露光により消滅することを特徴とする付記５に記載のフォトマスク。
【００６６】
（付記７）　レベンソン型位相シフトマスクであることを特徴とする付記５又は６に記載のフォトマスク。
【００６７】
（付記８）　前記１又は２以上の副パターンは、前記矩形領域のうちで、前記感光体パターン欠陥検査装置の走査方向に平行な辺を備え、且つ最もその面積が小さくなる最小矩形領域の内側に形成されていることを特徴とする付記５乃至７のいずれか１項に記載のフォトマスク。
【００６８】
（付記９）　同一の感光体の露光に使用される第１及び第２のマスクを備えた多重露光用のフォトマスクであって、
前記第１のマスクに、前記感光体に転写されるべき第１の主パターンと、全ての前記第１の主パターンをその内側に含む第１の矩形領域の内側に配置された１又は２以上の第１の副パターンと、が形成され、
前記第１の副パターンは、少なくとも前記第１の矩形領域内において、前記感光体に形成されたパターンの検査に使用する感光体パターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記第１の主パターン及び前記第１の副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンの一部が含まれるようにして配置され、
前記第２のマスクに、前記感光体に転写されるべき第２の主パターンと、全ての前記第２の主パターンをその内側に含む第２の矩形領域の内側に配置された１又は２以上の第２の副パターンと、が形成され、
前記第２の副パターンは、少なくとも前記第２の矩形領域内において、前記感光体パターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記第２の主パターン及び前記第２の副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンの一部が含まれ、更に、前記第１の副パターンが転写されて前記感光体に形成されるパターンを打ち消すようにして配置されていることを特徴とするフォトマスク。
【００６９】
（付記１０）　前記第１のマスクは、レベンソン型位相シフトマスクであり、前記第２のマスクは、ハーフトーンマスクであることを特徴とする付記９に記載のフォトマスク。
【００７０】
（付記１１）　前記１又は２以上の第１の副パターンは、前記第１の矩形領域のうちで、前記感光体パターン欠陥検査装置の走査方向に平行な辺を備え、且つ最もその面積が小さくなる第１の最小矩形領域の内側に形成され、
前記１又は２以上の第２の副パターンは、前記第２の矩形領域のうちで、前記感光体パターン欠陥検査装置の走査方向に平行な辺を備え、且つ最もその面積が小さくなる第２の最小矩形領域の内側に形成されていることを特徴とする付記９又は１０に記載のフォトマスク。
【００７１】
（付記１２）　フォトマスクに形成され感光体に転写されるべき主パターンの欠陥を検出するパターン欠陥検出方法において、
予め、１又は２以上の副パターンを、全ての前記主パターンをその内側に含む矩形領域の内側に、少なくとも前記矩形領域内において、前記フォトマスクのパターンの検査に使用するマスクパターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記主パターン及び前記副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンの一部が含まれるようにして形成しておき、
前記マスクパターン欠陥検査装置を使用して前記フォトマスクの走査を行う工程を有することを特徴とするパターン欠陥検出方法。
【００７２】
（付記１３）　前記副パターンの大きさを、前記感光体に転写される最小の大きさよりも小さいものとすることを特徴とする付記１２に記載のパターン欠陥検出方法。
【００７３】
（付記１４）　前記フォトマスクは、多重露光の際に一のマスクとして使用されることを特徴とする付記１２又は１３に記載のパターン欠陥検出方法。
【００７４】
（付記１５）　前記１又は２以上の副パターンを、前記矩形領域のうちで、前記マスクパターン欠陥検査装置の走査方向に平行な辺を備え、且つ最もその面積が小さくなる最小矩形領域の内側に形成しておくことを特徴とする付記１２乃至１４のいずれか１項に記載のパターン欠陥検出方法。
【００７５】
（付記１６）　多重露光の際に一のマスクとして使用されるフォトマスクに形成され感光体に転写されるべき主パターンの欠陥を検出するパターン欠陥検出方法において、
予め、前記感光体に転写される最小の大きさ以上の大きさの１又は２以上の副パターンを、全ての前記主パターンをその内側に含む矩形領域の内側に、少なくとも前記矩形領域内において、前記感光体に形成されたパターンの検査に使用する感光体パターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記主パターン及び前記副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンが転写されて形成されたパターンの一部が含まれるようにして形成しておき、
前記レジストパターン欠陥装置を使用して前記感光体の走査を行う工程を有することを特徴とするパターン欠陥検出方法。
【００７６】
（付記１７）　前記副パターンが前記感光体に転写されて形成されたパターンは、前記多重露光において他のフォトマスクを使用した露光により消滅することを特徴とする付記１６に記載のパターン欠陥検出方法。
【００７７】
（付記１８）　前記フォトマスクは、レベンソン型位相シフトマスクであることを特徴とする付記１６又は１７に記載のパターン欠陥検出方法。
【００７８】
（付記１９）　前記１又は２以上の副パターンを、前記矩形領域のうちで、前記感光体パターン欠陥検査装置の走査方向に平行な辺を備え、且つ最もその面積が小さくなる最小矩形領域の内側に形成しておくことを特徴とする付記１５乃至１８のいずれか１項に記載のパターン欠陥検出方法。
【００７９】
（付記２０）　感光体に転写されるべき主パターンが形成されたフォトマスクを使用したパターン形成方法において、
予め、１又は２以上の副パターンを、全ての前記主パターンをその内側に含む矩形領域の内側に、少なくとも前記矩形領域内において、前記フォトマスクのパターンの検査に使用するマスクパターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記主パターン及び前記副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンの一部が含まれるようにして形成しておき、
前記フォトマスクを使用して前記感光体を露光することにより、前記感光体に前記主パターンを転写する工程を有することを特徴とするパターン形成方法。
【００８０】
（付記２１）　前記副パターンの大きさを、前記感光体に転写される最小の大きさよりも小さいものとすることを特徴とする付記２０に記載のパターン形成方法。
【００８１】
（付記２２）　前記フォトマスクを、多重露光の際に一のマスクとして使用することを特徴とする付記２０又は２１に記載のパターン形成方法。
【００８２】
（付記２３）　前記１又は２以上の副パターンを、前記矩形領域のうちで、前記マスクパターン欠陥検査装置の走査方向に平行な辺を備え、且つ最もその面積が小さくなる最小矩形領域の内側に形成しておくことを特徴とする付記２０乃至２２のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【００８３】
（付記２４）　感光体に転写されるべき主パターンが形成されたフォトマスクを使用した多重露光によるパターン形成方法において、
予め、前記感光体に転写される最小の大きさ以上の大きさの１又は２以上の副パターンを、全ての前記主パターンをその内側に含む矩形領域の内側に、少なくとも前記矩形領域内において、前記感光体に形成されたパターンの検査に使用する感光体パターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記主パターン及び前記副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンが転写されて形成されたパターンの一部が含まれるようにして形成しておき、
前記フォトマスクを使用して前記感光体を露光することにより、前記感光体に前記主パターン及び前記副パターンを転写する工程を有することを特徴とするパターン形成方法。
【００８４】
（付記２５）　前記副パターンが前記感光体に転写されて形成されたパターンを、前記多重露光において他のフォトマスクを使用した露光により消滅させる工程を有することを特徴とする付記２４に記載のパターン形成方法。
【００８５】
（付記２６）　前記フォトマスクは、レベンソン型位相シフトマスクであることを特徴とする付記２４又は２５に記載のパターン形成方法。
【００８６】
（付記２７）　前記１又は２以上の副パターンを、前記矩形領域のうちで、前記感光体パターン欠陥検査装置の走査方向に平行な辺を備え、最もその面積が小さくなる最小矩形領域の内側に形成しておくことを特徴とする付記２４乃至２６のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【００８７】
（付記２８）　第１及び第２のマスクを使用して同一の感光体の露光を行う多重露光によるパターン形成方法であって、
予め、前記第１のマスクに、前記感光体に転写されるべき第１の主パターンと、全ての前記第１の主パターンをその内側に含む第１の矩形領域の内側に配置された１又は２以上の第１の副パターンとを、少なくとも前記第１の矩形領域内において、前記感光体に形成されたパターンの検査に使用する感光体パターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記第１の主パターン及び前記第１の副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンの一部が含まれるようにして形成し、
前記第２のマスクに、前記感光体に転写されるべき第２の主パターンと、全ての前記第２の主パターンをその内側に含む第２の矩形領域の内側に配置された１又は２以上の第２の副パターンとを、少なくとも前記第２の矩形領域内において、前記感光体パターン欠陥検査装置の設定された走査対象範囲内に前記第２の主パターン及び前記第２の副パターンからなる群から選択された少なくとも１種のパターンの一部が含まれ、更に、前記第１の副パターンが転写されて前記感光体に形成されるパターンを打ち消すようにして形成しておき、
前記第１のマスクを使用して前記感光体を露光することにより、前記感光体に前記第１の主パターン及び前記第１の副パターンを転写する工程と、
前記第２のマスクを使用して前記感光体を露光することにより、前記感光体に前記第２の主パターンを転写すると共に、前記第１の副パターンが転写されて形成されたパターンを消滅させる工程と、
を有することを特徴とするパターン形成方法。
【００８８】
（付記２９）　前記第１のマスクは、レベンソン型位相シフトマスクであり、前記第２のマスクは、ハーフトーンマスクであることを特徴とする付記２８に記載のパターン形成方法。
【００８９】
（付記３０）　前記第１のマスクを使用して前記感光体を露光する工程と、前記第２のマスクを使用して前記感光体を露光する工程との間に、前記感光体パターン欠陥検査装置を使用して前記感光体の走査を行う工程を有することを特徴とする付記２８又は２９に記載のパターン形成方法。
【００９０】
（付記３１）　前記１又は２以上の第１の副パターンを、前記第１の矩形領域のうちで、前記感光体パターン欠陥検査装置の走査方向に平行な辺を備え、且つ最もその面積が小さくなる第１の最小矩形領域の内側に形成し、
前記１又は２以上の第２の副パターンを、前記第２の矩形領域のうちで、前記感光体パターン欠陥検査装置の走査方向に平行な辺を備え、且つ最もその面積が小さくなる第２の最小矩形領域の内側に形成しておくことを特徴とする付記２８乃至３１に記載のパターン形成方法。
【００９１】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、副パターンの存在により、欠陥検査時のアライメントの混乱を防止することができ、擬似欠陥の発生を防止することができる。このため、高い信頼性のマスクパターンの欠陥検査を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るフォトマスクの一部を示す模式図である。
【図２】ダミーパターンの大きさと、光強度の分布と、感光体に転写されると予想されるパターンの形状との関係を表にして示す図である。
【図３】最小矩形領域を定義づける模式図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係るフォトマスクを示す模式図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るフォトマスクを示す模式図である。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は多重露光に使用されるフォトマスクを示す模式図であり、（ｃ）は多重露光によって感光体に形成されるパターンを示す模式図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係るフォトマスクを示す模式図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係るフォトマスク及び感光体に形成されるパターンを示す模式図である。
【図９】本発明の第５の実施形態に係るフォトマスク及び感光体に形成されるパターンを示す模式図である。
【図１０】図９（ｂ）に示すフォトマスクを使用した露光により感光体に形成されるパターンを示す模式図である。
【図１１】（ａ）は、本発明の第６の実施形態に係るフォトマスクを示す模式図であり、（ｂ）は（ａ）に示すフォトマスクを使用した露光により形成されるパターンを示す模式図である。
【図１２】擬似欠陥が発生する箇所を示す模式図である。
【図１３】同じく、擬似欠陥が発生する箇所を示す模式図である。
【符号の説明】
１；パターン
２、４、６、８、９、１０、１１、１３；ダミーパターン
３、７；開口パターン
５；遮光パターン
１２、１４、１５；感光部
２１；パターン密集領域
２２；パターン点在領域
【図１】
2004062095.tif 000003
【図２】
2004062095.tif 000004
【図３】
2004062095.tif 000005
【図４】
2004062095.tif 000006
【図５】
2004062095.tif 000007
【図６】
2004062095.tif 000008
【図７】
2004062095.tif 000009
【図８】
2004062095.tif 000010
【図９】
2004062095.tif 000011
【図１０】
2004062095.tif 000012
【図１１】
2004062095.tif 000013
【図１２】
2004062095.tif 000014
【図１３】
2004062095.tif 000015