(57)【要約】【課題】加熱による熱利用効率を低下させないで、基板上の機能素子領域の接触によるキズ発生、異物付着等を抑える薄膜製造工程の加熱プロセス用の基板載置トレイを提供する。【解決手段】対象となる基板に加熱を伴うプロセス処理を施すために該基板を載置する基板載置トレイ（１０）であって、前記基板全体を平坦な載置面（１５）に載置する耐熱性の台座（１１）を有し、載置面（１５）が前記基板と非接触となる凹部領域（１６）を複数有してなる基板載置トレイ（１０）により課題を解決する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象となる基板に加熱を伴うプロセス処理を施すために該基板を載置する基板載置トレイであって、
前記基板全体を平坦な載置面に載置する耐熱性の台座を有し、
前記載置面が前記基板と非接触となる凹部領域を複数有してなることを特徴とする基板載置トレイ。
【請求項２】
前記台座には前記基板との位置合わせ要素が設けられており、当該位置合わせ要素によって前記載置面の複数の凹部領域が前記基板の予め定められた複数の領域と対応するように配置される請求項１記載の基板載置トレイ。
【請求項３】
前記基板を載置する前記載置面を、前記台座の一部を構成する耐熱性の平板によって構成し、該平板を前記台座から分離交換可能に構成してなる請求項１又は２に記載の基板載置トレイ。
【請求項４】
前記台座の側には基板加熱用のヒータが設けられ、
前記載置面に形成される複数の凹部領域は、前記台座側から前記基板側に伝達される熱によって形成される前記基板の温度分布が均一になるように、基板上に略均等に分散配置されてなる請求項１乃至３のいずれかに記載の基板載置トレイ。
【請求項５】
前記基板はウェハを含み、
前記台座はカーボン、アルミニウム、酸化アルミニウム、シリコン及び炭化シリコンのいずれかを含む、請求項１乃至４のいずれかに記載の基板載置トレイ。
【請求項６】
前記分離交換可能な耐熱性の平板は、シリコン基板、石英基板、ガラス基板のいずれかを含む請求項３記載の基板載置トレイ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウェハなどの基板を載置する基板載置トレイ構造に関し、特に、成膜プロセスに用いて好適な基板載置トレイの提供に関する。
【０００２】
【従来の技術】
微細構造体や薄膜回路の製造には、ウェハやガラス等の基板に薄膜を形成する成膜プロセスが使用されている。例えば、ＣＶＤ（化学蒸着）法やプラズマＣＶＤ法はその代表的な成膜技術である。ＣＶＤ法は、所定温度に保持した基板上に化学反応生成物を堆積して薄膜を形成する。基板は載置トレイに載せられてＣＶＤ装置に搬送され、載置トレイを介して所定温度に加熱され、保持される。この際、基板載置トレイによって基板裏面への接触キズや異物付着が生ずる場合がある。これを回避するため、例えば、特許文献１（特開平０９−１１５８４０号公報）に開示された発明は基板の外周を支持するようにして、基板と基板載置トレイとを離間する構成を提案している。
【０００３】
【特許文献１】
特開平０９−１１５８４０号公報
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、基板裏面と基板載置トレイとが離間すると、基板載置トレイ側に設けられたヒータから基板を加熱する熱が直接伝わらず、熱伝達効率が低下し、基板の温度分布にも偏りが生じ易くなる。また、基板の径が大きい場合には撓みも生じ易くなる。このような状態で成膜プロセスを行うことは好ましくない。
【０００４】
よって、本発明は、基板上へのキズ発生、異物付着等を抑えつつ、成膜プロセスにおける基板の熱的状態を劣化させない基板載置トレイを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の基板載置トレイは、対象となる基板に加熱を伴うプロセス処理を施すために該基板を載置する基板載置トレイであって、上記基板全体を平坦な載置面に載置する耐熱性の台座を有し、上記載置面が上記基板と非接触となる凹部領域を複数有してなる構成とする。
【０００６】
かかる構成によれば、上記載置面の複数の凹部領域に対応した基板裏面は当該凹部領域では基板載置トレイと接触せず、よって接触キズ、接触による異物付着等を抑制できる。また、上記載置面の非凹部領域では平坦な載置面にて基板と接触（支持）するため、基板載置トレイ側から基板への熱伝達を確保でき、基板の姿勢を平坦に保つこともできる。
【０００７】
また、本発明の基板載置トレイは、上記台座に基板との位置合わせ要素が設けられており、当該位置合わせ要素によって上記載置面の複数の凹部領域が基板の予め定められた複数の領域と対応するように配置される。
【０００８】
かかる構成によれば、上記基板の予め定められた複数の領域、例えば、上記基板の機能素子や薄膜回路が形成される領域への接触を回避でき、よって接触キズ、異物付着等を抑制できる。それ以外の基板の領域は、基板載置トレイに接しているため、ヒータ等によって加熱された基板載置トレイの熱が基板に直接伝わり、基板の温度分布を均等にすることも容易となる。また、基板の撓みも生じ難い。
【０００９】
また、本発明の基板載置トレイは、上記基板を載置する上記載置面を、上記台座の一部を構成する耐熱性の平板によって構成し、該平板を上記台座から分離交換可能に構成している。
【００１０】
かかる構成によれば、載置トレイの載置面の複数の凹部領域を平板が担うため、機能素子や薄膜回路が形成される領域のパターンが異なる基板を処理する場合も、当該パターンに対応した平板に置き換えることで対処でき、各パターン毎により高価な載置トレイを準備する必要がなく具合がよい。
【００１１】
なお、平板の凹部領域は、基板との接触を回避できればよく、凹溝のみならず、平板を貫通する貫通領域によって形成する構成も含む。
【００１２】
好ましくは、上記台座の側には基板加熱用のヒータが設けられ、上記載置面に形成される複数の凹部領域は、上記台座側から上記基板側に伝達される熱によって形成される上記基板の温度分布が均一になるように、基板上に略均等に分散配置される。
【００１３】
かかる構成によれば、基板表面温度を均一な温度分布として、ＣＶＤ法等による材料の成膜が均等になるように条件を整えることが可能となる。
【００１４】
好ましくは、上記基板はシリコンなどのウェハ（薄板）を含み、上記台座はカーボン、アルミニウム、酸化アルミニウム、シリコン及び炭化シリコンのいずれかを含む。
【００１５】
かかる構成によれば、上記基板には、通常の薄膜製造プロセスに使用できるシリコン基板、石英基板、ガラス基板等のウエハ（薄板）を使用するため、通常の半導体製造プロセスや液晶パネル基板製造等で常用されるエッチング工程が採用でき、製品としてのエッチング加工性に優れる。また、上記材料の台座は耐熱性があり、加熱プロセスに使用できる。さらに、切削加工も行え、加工が容易である。また、上記台座には導電性もあることから、例えば、プラズマを生成して成膜するプラズマＣＶＤ方式等において、プラズマ生成用の一対の電極の一方側の電極又はその一部として使用することができる。
【００１６】
好ましくは、上記分離交換可能な耐熱性の平板は、シリコン基板、石英基板、ガラス基板のいずれかを含む。それにより、該平板の凹部領域の形成に通常の半導体プロセスや液晶パネル基板製造等において常用されるエッチング技術を利用できる。
【００１７】
好ましくは、上記平板の凹部領域は、上記平板上にシリコン酸化膜またはレジストをパターニングしてエッチングすることにより形成されてなる。かかる構成によれば、例えば平板がシリコン基板の場合、当シリコン基板の表面を熱酸化することによりエッチングマスク用のシリコン酸化膜が形成されることから、マスク材料の形成が容易である。また、シリコン酸化膜の選択エッチング、シリコン基板の選択エッチングもウエットエッチングにて容易になされるため、所望の膜のエッチングが可能である。また、半導体の一般的なパターニングプロセスであるところの有機レジストを用いたフォトマスクによるフォト工程を採用する場合、汎用性があり、寸法精度良く所望の形状の凹部領域を形成できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の基板載置トレイについて説明する。
【００１９】
本発明の基板載置トレイは、半導体製造工程、マイクロマシン製造工程、インクジェットヘッド製造工程、液晶パネルの基板製造工程などのいわゆる薄膜製造プロセスにおいて基板を載置固定するものであり、基板の裏面を傷つけたり、異物等で裏面を汚染したくない製品の製造工程に好適な基板載置用トレイである。
【００２０】
まず、図７を参照して基板載置トレイに載置する基板の一例について説明する。同図に示す例は、基板上にインクジェットヘッドのチップを形成するものである。基板５１の材料は、この実施例の場合シリコンウェハであり、１枚のウェハ基板５１でヘッドチップ５２を１６個（複数）取りできる。このヘッドチップ５２内に振動板領域（機能素子領域）５３が設けられている。振動板領域５３は、インクジェットの吐出室形成部分でもある。また、この振動板領域５３は極薄膜であり、ウェハ基板５１の裏面側からもダメージを受けやすい。ウェハ基板５１の外周の一部はカットされ、位置合わせマーク５４が形成されている。
【００２１】
図１は、本発明の基板載置トレイの第１の実施例を示す説明図である。同図（ａ）は基板載置トレイの上面図、同図（ｂ）は同図（ａ）におけるＡ−Ａ’方向における断面を示す断面図である。両図において対応する部分には同一符号が付されている。
【００２２】
図１（ａ）に示すように、基板載置トレイ１０の台座１１は略円板状の外形をなしている。この台座１１は、例えば、カーボン、シリコン、炭化珪素、アルミニウム、酸化アルミニウムなどの材料を主成分としたものが用いられる。これらは、耐熱性、切削加工性、熱伝導効率の面で優れている。
【００２３】
この台座１１の上面に段差部側面１２を壁面として第１の基板載置用凹部１３を形成する。この段差部側面１２の一部は基板５１の位置合わせマーク５４との位置合わせ部１４を兼ねる。基板載置用凹部１３の底面は基板の載置面１５となる。この載置面１５は平坦な面である。位置合わせ部１４が基板５１の位置合わせマーク５４と嵌め合せの関係となっている。それにより、基板５１を基板載置トレイ１０に載置すると、基板５１と基板載置トレイ１０の載置面１５との対応部分が一意に決定される。
【００２４】
載置面１５には、更に複数の第２の凹部領域１６が設けられている。凹部領域１６の各々は、前述した基板５１の非接触とすべき複数の領域である機能素子領域５３と対応するように配置されている。基板５１上の機能素子領域５３は均等な加熱がなされるように予め整列してチップ配列されている。それに対応した凹部領域１６も略均等に整列した配置となる。この凹部領域１６は基板５１の機能素子領域５３と一致するかまたはそれよりも少し大きくなるように形成されている。
【００２５】
基板載置トレイ１０の製作には切削加工を用いることができる。例えば、台座１１の材料がカーボンの場合、まずカーボン素材を厚さ２ｍｍの円盤状に加工し、基板５１を位置決めできる大きさである深さ０．５ｍｍの第１の基板載置用凹部１３を切削加工で作製する。次に、基板載置用凹部１３内に更に深さ０．２５ｍｍの第２の凹部領域１６を切削（ドリル）加工で作製する。
【００２６】
後述のプロセス装置内への基板の搬送過程では、プロセス装置内に設置された基板載置トレイ１０に搬送系の搬送アーム等（図示せず）により、基板５１を基板載置用凹部１３に装着しあるいは脱着して搬送する。また、ウェハ基板５１を搭載した状態で基板載置トレイ１０そのものを装置内搬入あるいは搬出する構成としてもよい。
【００２７】
なお、上述した基板載置トレイ１０の配置構成は、プロセス装置内で当該トレイ１０が下側に配置される状態を前提としたものである。これを上側配置（図１の載置トレイ１０を上下逆にした構成）や側面配置（図１の載置トレイ１０を９０度傾けた構成）としても良い。
【００２８】
このようにして、基板５１の予め定められた複数の領域５３と載置トレイ１０との接触を回避し、接触キズ、異物付着等を回避する。本実施例では、基板５１内のインクジェットのヘッドチップ５２の振動板領域５３への接触キズ、異物付着を抑制できる。また、ヘッドチップ５２の振動板領域５３を除く領域は、基板載置トレイの載置面１５に接しているため、ヒータ加熱されたトレイからの熱伝導効率の低下が少ない。
【００２９】
図９は、本発明の実施例の利点を説明する比較例である。同図において、図１と対応する部分には同一符号を付し、かかる部分の説明は省略する。
【００３０】
比較例の基板載置トレイ１０は、その載置面側に一段目の段差面４１と２段目の段差面４２を有する。段差面４１で図中に２点鎖線で示すように基板５１の外周を支持し、基板載置トレイ１０の中央部側では基板５１と基板載置トレイ１０とは離間している。基板５１を加熱するヒータの熱は、基板５１の外周側では基板載置トレイ１０との接触面から伝導するが、基板載置トレイ１０の中央部側では直接接触していないため熱伝導され難い状態となっている。よって基板全体への熱伝導効率は低下する。また、基板５１が自重や加熱等によって撓み、あるいは弓形に反る等の傾向がある場合には、基板載置トレイ１０の２段目の段差面４２と基板５１とを充分に離間させる必要が生ずる。これは熱利用効率や基板上の温度分布の均一性を更に悪化させる原因となる。
【００３１】
これに対して、図１に示す本発明の構成の場合、基板載置トレイ１０の凹部領域１６を除く領域１５は全て基板５１と接触する。接触部分１５の接触面積が広く且つ均一に分散している。また、凹部領域１６の幅が比較例に比べて狭く、基板５１の撓みが生じ難い。よって、凹部領域１６の溝の深さは浅くても良い。浅い溝とすると熱線が伝わり熱利用効率は良くなる。よって、比較例と比べて均一加熱が可能であり、加熱における熱の利用効率も良好となる。
【００３２】
尚、本発明の基板載置トレイは、プロセス装置内に固定した構造を基本とするが、基板と一緒に装置に搬入し、また装置から搬出する構成でもよい。
【００３３】
次に、図２を参照して本発明の基板載置トレイの第２の実施例について説明する。同図において、図１と対応する部分には同一符号を付しかかる部分の説明を省略する。
【００３４】
この実施例では、上記第１の実施例において説明した台座の一部が、分離交換可能な平板で構成され、上記複数の凹部領域１６がこの平板上に形成されている。
【００３５】
まず、平板１０２は台座１１上面の凹部１３内に載置される。平板１０２の外周形状は凹部１３の内周形状と対応するように形成されている。凹部１３の段差部側面１２の位置合わせ部１４の形状により、平板１０２の位置決めがなされる。図示しない基板５１は、この平板１０２上に載置される。
【００３６】
平板１０２には第１の実施例と同様に複数の凹部領域１６が形成されている。この平板１０２の厚みは、約２００μｍから１ｍｍ程度までが好適である。平板１０２として、シリコン基板、石英基板、ガラス基板等を使用すると、半導体プロセスの通常のエッチング加工が可能であるという点で具合が良い。
【００３７】
第２の実施例の構成によれば、基板載置トレイ１０の載置面１５の複数の凹部領域１６を平板１０２が担うため、機能素子や薄膜回路が形成される領域のパターンが異なる基板５１を処理する場合も、当該パターンに対応した平板１０２に置き換えることで対処でき、各パターン毎により高価な載置トレイを準備する必要がなく具合がよい。また、台座１１に凹部領域１６を設ける必要が無く、よって台座１１の切削加工が容易になされる。更に平板１０２の単独での洗浄も容易である。このように、基板載置トレイ１０のメンテナンスコストの点において有利である。
【００３８】
次に、図３を参照して本発明の基板載置トレイの第３の実施例について説明する。尚、同図において図２と対応する部分には同一符号を付しかかる部分の説明を省略する。本実施例では、図２のような凹部溝１６ではなく貫通領域１６ａを設けている。このような構成によっても基板５１との接触を回避できる。さらに、平板１０２が厚み０．５ｍｍ以下の薄板の場合、凹部とするよりも貫通させた方が、凹部の深さコントロール等気にする必要がないため、よって平板１０２を容易に加工できる。
【００３９】
次に、図４を参照して上述した平板１０２の作製方法について説明する。この製造プロセスは、基板のエッチングに異方性エッチングを使用している。同図（ａ）に示すように、厚み２８０μｍのシリコン基板１０２を熱酸化炉にセットして酸素または水蒸気雰囲気に曝し、摂氏１０７５度の温度にて４時間熱酸化処理を施すことにより、シリコン基板１０２の表面に１．１μｍのシリコン酸化膜１０７を形成する。次に、シリコン基板１０２の両面に図示しないレジストをコーティングし、片面に凹部を作りこむためのレジストパターニングを行う。レジストパターニングを行った面をフッ酸水溶液でエッチング処理して、シリコン酸化膜１０７をパターニングする。この後、レジストを剥離する。これにより、シリコン酸化膜１０７に開口部１０４が複数形成される（図４（ｂ））。
【００４０】
次に、シリコン基板１０２をエッチングし、複数の凹部領域１６を形成する。シリコン基板１０２を３５ｗｔ％の高濃度の水酸化カリウム水溶液に浸すことによりシリコンのエッチングがなされる。これにより、基板１０２の開口部１０４から露出しているシリコン部分がエッチングされていく。本実施例ではエッチングの深さが１００μｍとなるように凹部領域１６を形成した（図４（ｃ））。尚、シリコン基板１０２を貫通するまでエッチングしても良い。また、ここではシリコン酸化膜とシリコンとのエッチング選択性の良好なＩＣＰプラズマまたはＲＩＥプラズマエッチング等のドライエッチングで加工しても良い。最後にシリコン基板１０７にフッ酸水溶液を用いたウェットエッチングを施し、シリコン酸化膜１０７をエッチングして除去する（図４（ｄ））。
【００４１】
以上で、シリコン基板１０２上に複数の凹部領域１６が形成された平板１０２が完成する。この実施例では異方性エッチングを用いたので、側壁の傾斜が比較的急である凹部領域１６が形成される。
【００４２】
図５を参照して平板１０２の第２の製造プロセスについて説明する。同図において図４と対応する部分には同一符号を付し、かかる部分の説明を省略する。この製造プロセスでは、エッチング方式に等方性エッチングを使用している。この実施例では、シリコン基板１０２のエッチング工程にフッ硝酸水溶液を使用する。シリコン基板１０２をフッ硝酸水溶液に浸すことにより、等方的にエッチングされ凹部領域１６が形成される（図５（ｃ））。この等方エッチングにより、マスクとしてのシリコン酸化膜１０７の開口部１０４の寸法より若干大きめの半球状の凹部領域が、シリコン基板１０２上に形成される。
【００４３】
以上の第１または第２の製造プロセスにより、基板５１の重要部分との接触を回避するための複数の凹部領域１６を平板１０２に形成することが出来る。
【００４４】
次に、図６を参照して本発明の基板載置トレイをＰＥ−ＣＶＤ装置（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で使用する例について説明する。装置２００における工程は、基板５１にエッチング用マスクとなるシリコン酸化膜３７を形成する工程である。
【００４５】
まず、装置２００の構成を説明する。ＰＥ−ＣＶＤ装置２００は気圧を調整するチャンバ２０５を備えている。このチャンバ２０５内に配置された台座１１の下側または内部にヒータ２０１が設けられている。台座１１上には平板１０２を載置固定し、その上に基板５１が載置されている。ヒータ２０１の熱は台座１１に伝わり、更に平板１０２を介して基板５１まで伝わり、基板５１が所望の温度に保たれる。ここで、台座１１の材質をカーボンとし、下部電極としても機能させている。台座１１と上部電極２０７を両電極とする平行平板型電極を構成し、ＡＣバイアス電源２０３及びＤＣバイアス電源２０２を両電極に接続した電気的構成とする。チャンバ２０５内にはアルゴンガス及び成膜材料となるＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）及び酸素を主成分とするガスで充満させ、チャンバ圧力を減圧する。ＴＥＯＳの替わりに、ＴＭＯＳ（テトラメトキシシラン）またはその他の有機シリコンを使用しても良い。
【００４６】
かかる構成において、まずヒータ加熱すると、ヒータ２０１からの熱は、図中に点線の矢印で示される熱伝導経路２０６のごとく平板１０２と基板５１の接触している接触面（平板１０２の非凹部領域に対応）から略均一に効率よく基板５１に伝導される。例えば、基板５１の温度は５００℃前後に設定される。この接触面の面積が広いほど熱伝導効率は良くなり、また接触部が均等に分散しているほど基板５１の面内温度均一性も高まる。
【００４７】
次に、上記両電極１１、２０７にＡＣバイアス電源２０３及びＤＣバイアス電源２０２から電圧を印加するとプラズマ２０４が発生し、基板５１上にシリコン酸化膜３７が成膜される。基板５１全体が均一な温度に保たれたままで成膜されるため、均一な膜質及び均一な膜厚のシリコン酸化膜３７が形成される。
【００４８】
図８は、本発明の基板載置トレイをインクジェットヘッドの製造過程で使用した工程図である。まず上述したＰＥ−ＣＶＤ装置２００内において、シリコン基板５１を本発明の基板載置トレイ１０に載置する。ここで、シリコン基板５１には、予めその下面にエッチングストッパとなるべく、高濃度のボロンがドープされたボロンドープ層３３が形成されている。ここで、シリコン基板５１の上面に、熱酸化によってシリコン酸化膜３７が形成される（図８（ａ））。この時、平板１０２の凹部領域１６は、丁度基板５１の内の吐出室３１が形成される振動板領域５３に対応している。次に、シリコン酸化膜３７をパターニングして、基板５１をエッチングするためのマスクを形成する（図８（ｂ））。なお、図８（ｂ）〜同（ｄ）は、同８（ａ）の基板５１のうちの振動板領域５３を拡大して示している。次に、シリコン基板５１をエッチングする。エッチングはボロンドープ層３３の境界領域面であるエッチングストップ面３２（点線部）にてストップする（図８（ｃ））。このエッチングストップは、高濃度ボロン層のウエットエッチングレートが非常に遅いために起こる。最後にエッチングマスクとしてのシリコン酸化膜３７を剥離して、エッチングされた室が出来上がる（図８（ｄ））。ここで、エッチングされた室が吐出室３１に相当し、底面が振動板領域５３となる。
【００４９】
この実施例の構成によれば、平板１０２の凹部領域１６が丁度基板５１の振動板領域５３になるところに対応していることにより、振動板領域５３の下面が加熱プロセスにおける非接触面となる。よって振動板領域５３への接触キズまたは接触による異物付着等が回避可能となり、品質が良く、また不良の発生し難いインクジェットヘッドを製造できる。
【００５０】
以上説明したような本発明の基板載置トレイによれば、薄膜製造プロセス、特に加熱を含むプロセスにおいて、本発明の基板載置トレイをプロセス装置内にセッティングして使用することにより、ヒータ加熱による基板への熱利用効率を低下させないで、均一加熱を可能とし、基板上の機能素子領域へのキズ発生、異物付着等を回避することが可能になる。これは、製品の品質向上、歩留まり向上につながる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の基板載置トレイの第１の実施例を示す図である。
【図２】図２は、本発明の基板載置トレイの第２の実施例を示す図である。
【図３】図３は、本発明の基板載置トレイの第３の実施例を示す図である。
【図４】図４（ａ）乃至同図（ｄ）は、平板の第１の製造プロセスを示す工程図である。
【図５】図５（ａ）乃至同図（ｄ）は、平板の第２の製造プロセスを示す工程図である。
【図６】図６は、本発明の基板載置トレイをＰＥ−ＣＶＤ装置で使用する例を説明する説明図である。
【図７】図７は、基板載置トレイに載置する基板の一例を示す図である。
【図８】図８は、本発明の基板載置トレイをインクジェットヘッドの製造過程で使用した例を説明する工程図である。
【図９】図９は、比較例の基板載置トレイを示す図である。
【符号の説明】
１０…基板載置トレイ、１１…台座、１２…段差部側面、１３…基板載置用凹部、１４…位置合わせ部、１５…載置面、１６…凹部領域、１６ａ…貫通領域、１７…エアー吸引用の貫通孔、３１…吐出室、３２…エッチングストップ面、３３…ボロンドープ層、３７…シリコン酸化膜、４１…１段目の段差面、４２…２段目の段差面、５１…基板、５２…ヘッドチップ、５３…振動板領域、５４…位置合わせマーク、１０２…平板、１０４…開口部、１０７…シリコン酸化膜、２００…ＰＥ−ＣＶＤ装置、２０１…ヒータ、２０２…ＤＣバイアス、２０３…ＡＣバイアス、２０４…プラズマ、２０５…チャンバ、２０６…熱伝導経路、２０７…上部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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