(57)【要約】【課題】数ＧＨｚ以上の高い周波数で発振することができ、しかも広い範囲で発振周波数を変化させることができる発振器を実現する。【解決手段】共振回路１００とこれに接続される帰還回路２００とを有する発振器において、前記共振回路は直列共振回路（３４、４１）を含み、かつ発振周波数を決定する少なくとも２つのパラメータは前記発振器外部から制御可能な構成（Ｖｃｏｎｔ１、Ｖｃｏｎｔ２）とした。この構成により、数ＧＨｚ、例えば３ＧＨｚ以上の高い周波数で発振することができ、しかも広い範囲で発振周波数を変化させることができる発振器を実現することができる。【選択図】　　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
共振回路とこれに接続される帰還回路とを有する発振器において、前記共振回路は直列共振回路を含み、かつ発振周波数を決定する少なくとも２つのパラメータは前記発振器外部から制御可能であることを特徴とする発振器。
【請求項２】
前記直列共振回路は第１の可変容量ダイオードと第１のインダクタとを含み、前記共振回路は更に、第２のインダクタと、該第２のインダクタを介して前記第１の可変容量ダイオードのアノードに接続されるアノードと前記第１の可変容量ダイオードのカソードに接続されるカソードとを有する第２の可変容量ダイオードとを含み、該第２の可変容量ダイオードのアノードが前記帰還回路に電気的に結合していることを特徴とする請求項１記載の発振器。
【請求項３】
前記共振回路は更に、前記第１のインダクタに並列にインダクタンス成分を選択的に接続するスイッチを含むことを特徴とする請求項２に記載の発振器。
【請求項４】
前記共振回路は更に、前記第１のインダクタに並列にインダクタンス成分を接続するダイオードと、該ダイオードに印加する電圧を受け取る端子とを含むことを特徴とする請求項２に記載の発振器。
【請求項５】
前記共振回路は更に、第３のインダクタと、前記第１のインダクタに並列に前記第３のインダクタを選択的に接続するスイッチを含むことを特徴とする請求項２に記載の発振器。
【請求項６】
前記共振回路は更に、第３のインダクタと、キャパシタを介して前記第１のインダクタに並列に前記第３のインダクタを選択的に接続するスイッチを含むことを特徴とする請求項２に記載の発振器。
【請求項７】
前記少なくとも２つのパラメータは、前記直列共振回路のキャパシタンス成分と、前記直列共振回路のインダクタンス成分を含むことを特徴とする請求項１記載の発振器。
【請求項８】
前記少なくとも２つのパラメータは、前記直列共振回路の一端に印加する制御電圧で変化するキャパシタンス成分と、前記直列共振回路のインダクタンス成分を含み、前記共振回路は前記制御電圧を受け取る第１の端子と、前記インダクタンス成分を制御する電圧を受け取る第２の端子とを含むことを特徴とする請求項１記載の発振器。
【請求項９】
前記発振器は更に、前記共振回路の出力を分圧して前記帰還回路に与える分圧回路を有することを特徴とする請求項１から９のいずれか一項記載の発振器。
【請求項１０】
前記分圧回路は直列に接続された複数のキャパシタを含むことを特徴とする請求項９記載の発振器。
【請求項１１】
前記分圧回路は直列に接続された複数のインダクタを含むことを特徴とする請求項９記載の発振器。
【請求項１２】
前記共振回路と前記帰還回路との間に直列に接続されたキャパシタが設けられていることを特徴とする請求項１記載の発振器。
【請求項１３】
前記共振回路に含まれるインダクタンス成分は、前記発振回路内のインダクタンス成分と共用されていることを特徴とする請求項１記載の発振器。
【請求項１４】
共振回路とこれに接続される帰還回路とを有する発振器において、前記共振回路は直列共振回路と、該直列共振回路に選択的にインダクタンス成分を接続するスイッチとを含み、前記発振器は前記インダクタンス成分が前記直列共振回路に接続されていない場合に得られる第１の周波数帯域と、前記インダクタンス成分が前記直列共振回路に接続された場合に得られる第２の周波数帯域を有することを特徴とする発振器。
【請求項１５】
前記第１の周波数帯域と前記第２の周波数帯域とは離間していることを特徴とする請求項１４記載の発振器。
【請求項１６】
前記第１の周波数帯域と前記第２の周波数帯域とは、一部重なり合っていることを特徴とする請求項１３記載の発振器。
【請求項１７】
前記第１の周波数帯域と前記第２の周波数帯域とは、異なる帯域幅であることを特徴とする請求項１５又は１６記載の発振器。
【請求項１８】
前記スイッチはダイオードを含み、該ダイオードの端子間電圧を制御することでオン・オフすることを特徴とする請求項１４から１７のいずれか一項記載の発振器。
【請求項１９】
前記インダクタンス成分は、前記共振回路内の寄生インダクタンス成分であることを特徴とする請求項１４から１８のいずれか一項記載の発振器。
【請求項２０】
前記インダクタンス成分は、前記スイッチに直列に接続されたインダクタを含むことを特徴とする請求項１４から１８のいずれか一項記載の発振器。
【請求項２１】
前記発振器は更に、前記帰還回路の出力に接続された増幅器を含むことを特徴とする請求項１から２０のいずれか一項記載の発振器。
【請求項２２】
前記共振回路と前記帰還回路は１つのパッケージ内に収容されていることを特徴とする請求項１から２１のいずれか一項記載の発振器。
【請求項２３】
前記発振器は半導体チップを含み、前記共振器と前記帰還回路の少なくとも１つは前記半導体チップ上に形成されていることを特徴とする請求項１から２２のいずれか一項記載の発振器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は発振器に関し、特に、通信機器などの高周波回路（ＲＦ回路）で用いられる発振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
移動体通信機器やその他の通信機器には、送受信に必要な発振器が多数使用されている、このような発振器は、近年の通信機器の高周波数化に伴い、３ＧＨｚ以上の高い周波数や広い周波数帯域での発振が必要になってきている。
【０００３】
この種の用途には、電圧制御発振器が用いられている。電圧制御発振器は共振回路と帰還回路とを含む。帰還回路は発振回路とも呼ばれる。共振回路は並列共振回路で構成されるのが一般的であったが、近年、３ＧＨｚ以上の高い発振周波数を得るために、直列共振回路を用いた共振回路が考えられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、直列共振回路を用い、数ＧＨｚ以上の高い周波数で発振することができ、しかも広い範囲で発振周波数を変化させることができる発振器を実現することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、請求項１に記載の通り、共振回路とこれに接続される帰還回路とを有する発振器において、前記共振回路は直列共振回路を含み、かつ発振周波数を決定する少なくとも２つのパラメータは前記発振器外部から制御可能であることを特徴とする。この構成により、数ＧＨｚ、例えば３ＧＨｚ以上の高い周波数で発振することができ、しかも広い範囲で発振周波数を変化させることができる発振器を実現することができる。
【０００６】
上記発振器において、例えば、前記直列共振回路は第１の可変容量ダイオードと第１のインダクタとを含み、前記共振回路は更に、第２のインダクタと、該第２のインダクタを介して前記第１の可変容量ダイオードのアノードに接続されるアノードと前記第１の可変容量ダイオードのカソードに接続されるカソードとを有する第２の可変容量ダイオードとを含み、該第２の可変容量ダイオードのアノードが前記帰還回路に電気的に結合している。この構成により、発振する周波数帯域を広くすることができる。
【０００７】
上記発振器において、例えば、前記共振回路は更に、前記第１のインダクタに並列にインダクタンス成分を選択的に接続するスイッチを含む。この構成により、広い周波数帯域で発振させることができるとともに、２つの独立した発振周波数帯域を得ることもできる。
【０００８】
上記発振器において、例えば、前記共振回路は更に、前記第１のインダクタに並列にインダクタンス成分を接続するダイオードと、該ダイオードに印加する電圧を受け取る端子とを含む。ダイオードでスイッチを構成し、ダイオードに印加する電圧でスイッチをＯＮ／ＯＦＦすることができるので、簡単な構成で共振回路の誘導性成分を調整することができる。
【０００９】
上記発振器において、例えば、前記共振回路は更に、第３のインダクタと、前記第３のインダクタに並列に前記第３のインダクタを選択的に接続するスイッチを含む。選択的に接続されるインダクタンス成分を、第３のインダクタで実現した例である。第３のインダクタは回路素子であってもよいし、寄生する誘導性成分であってもよい。スイッチを用いて第３のインダクタを並列かつ選択的に第１のインダクタに接続することができるので、簡単な構成で共振回路の誘導性成分を調整することができる。この場合、発振周波数帯域を広範囲に調整することができ、デュアルバンド発振器を構成することも可能になる。なお、キャパシタを介して前記第１のインダクタに並列に前記第３のインダクタを選択的に接続するスイッチを含む構成とすることもできる。
【００１０】
上記発振器において、例えば前記少なくとも２つのパラメータは、前記直列共振回路のキャパシタンス成分と、前記直列共振回路のインダクタンス成分を含む。パラメータの一例を特定したものである。
【００１１】
上記発振器において、例えば、前記少なくとも２つのパラメータは、前記直列共振回路の一端に印加する制御電圧で変化するキャパシタンス成分と、前記直列共振回路のインダクタンス成分を含み、前記共振回路は前記制御電圧を受け取る第１の端子と、前記インダクタンス成分を制御する電圧を受け取る第２の端子とを含む。２つのパラメータの一例及びこれらを制御する構成の一例を特定したものである。
【００１２】
上記発振器において、例えば、前記発振器は更に、前記共振回路の出力を分圧して前記帰還回路に与える分圧回路を有する。共振出力を分圧して印加するので、回路素子のばらつきや、外部から印加される電圧の変化などの対して帰還回路を安定に動作させることができ、発振を安定化させてＣ／Ｎ（Ｃａｒｒｉｅｒ　ｔｏ　Ｎｏｉｓｅ）比特性を改善することができる。
【００１３】
上記発振器において、例えば、前記分圧回路は直列に接続された複数のキャパシタ又はインダクタを含む。分圧回路の一構成例を特定したものである。
【００１４】
上記発振器において、例えば、前記共振回路に含まれるインダクタンス成分は、前記発振回路内のインダクタンス成分と共用されている。これにより、回路素子数を軽減して、発振器を小型化することができる。
【００１５】
本発明はまた、請求項１３に記載の通り、共振回路とこれに接続される帰還回路とを有する発振器において、前記共振回路は直列共振回路と、該直列共振回路に選択的にインダクタンス成分を接続するスイッチとを含み、前記発振器は前記インダクタンス成分が前記直列共振回路に接続されていない場合に得られる第１の周波数帯域と、前記インダクタンス成分が前記直列共振回路に接続された場合に得られる第２の周波数帯域を有することを特徴とする。共振回路及び発振回路を独立して２つ設けることなく、２つの周波数帯域で発振する発振器を実現することができる。
【００１６】
上記発振器において、例えば、前記第１の周波数帯域と前記第２の周波数帯域とは離間している。この構成の発振器は、独立した（分離した）周波数帯域を持つデュアルバンド発振器である。
【００１７】
上記発振器において、例えば、前記第１の周波数帯域と前記第２の周波数帯域とは、一部重なり合っている。この構成は、１つの広い周波数帯域を持つシングルバンド発振器又は、隣接した周波数帯域を持つデュアルバンド発振器である。
【００１８】
上記発振器において、例えば前記第１の周波数帯域と前記第２の周波数帯域とは、異なる帯域幅である。周波数帯域の一例を特定したものである。
【００１９】
上記構成において、例えば、前記スイッチはダイオードを含み、該ダイオードの端子間電圧を制御することでオン・オフする。スイッチの一構成例を特定したものである。
【００２０】
上記構成において、例えば、前記インダクタンス成分は、前記共振回路内の寄生インダクタンス成分である。インダクタンス成分の一構成例を特定したものである。上記前記インダクタンス成分は、前記スイッチに直列に接続されたインダクタを含む構成であってもよい。
【００２１】
上記構成において、例えば、前記発振器は更に、前記帰還回路の出力に接続された増幅器を含む。発振出力を増幅することで、外部とのインタフェースを容易にとることができる。
【００２２】
上記構成において、前記共振回路と前記帰還回路は１つのパッケージ内に収容されている構成とすることができる。また、前記発振器は半導体チップを含み、前記共振器と前記帰還回路の少なくとも１つは前記半導体チップ上に形成されている構成とすることもできる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００２４】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る発振器の回路図である。発振器は、共振回路１００と帰還回路２００とを有する。帰還回路２００と共振回路１００で発振回路が形成される。このような共振回路１００とこれに接続される帰還回路２００とを有する発振器において、共振回路１００は直列共振回路を含み、かつ発振周波数を決定する少なくとも２つのパラメータは発振器外部から制御可能なことを特徴の一つとする。上記直列共振回路はインダクタ３４と可変容量ダイオード４１を有する。また、上記少なくとも２つのパラメータとは、端子２に与えられる第１の制御電圧Ｖｃｏｎｔ１で調整される容量性成分と、端子３に与えられる第２の制御電圧Ｖｃｏｎｔ２で調整される誘導性成分である。上記の直列共振回路を用いているので、容量性成分を小さくすることができ、３ＧＨｚ以上の高い周波数で発振させることができる。また、誘導性成分を第２の制御電圧Ｖｃｏｎｔ２で調整可能としているので、発振周波数を広い範囲で可変させることができる。以下、上記特徴及びその他の特徴を詳述する。
【００２５】
共振回路１００はインダクタ３４と可変容量ダイオード４１との直列共振回路に加え、可変容量ダイオード４２とインダクタ３２とを有する。可変容量ダイオード４１と４２が、主に共振周波数（発振周波数）を決定付ける容量性成分を形成する。可変容量ダイオード４２は、インダクタ３２を介して可変容量ダイオード４１に並列に接続されている。つまり、可変容量ダイオード４２のカソードは可変容量ダイオード４１のカソードに接続され、アノードはインダクタ３２を介して可変容量ダイオード４１のアノードに接続されている。可変容量ダイオード４１と４２のアノードは、インダクタ３２を介して共通化されている。これにより、共振回路の容量性成分は可変容量ダイオード４１が単独で使用される場合よりも小さくなり、発振周波数を３ＧＨｚ以上の高い周波数で安定的に出力することができる。発振周波数を制御する電圧である第１の制御電圧Ｖｃｏｎｔ１は、端子２及びインダクタ３１を介して可変容量ダイオード４１と４２のカソードに印加される。これにより、第１の制御電圧Ｖｃｏｎｔ１の変動に対する容量性成分の変化量が大きくなり、広い周波数帯域での発振が可能になる。また、インダクタ３４は可変容量ダイオード４１と４２に共通に設けられている。つまり、２つの可変容量ダイオード４１と４２のアノードとグランド間に、１つのインダクタ３４が設けられている。従って、インダクタ３４の誘導性成分の変化に対する周波数変化量は、可変容量ダイオード４１が単独で使用される場合よりも大きくなり、広い周波数帯域で発振周波数を調整することができる。
【００２６】
インダクタ３４は例えば、図２に示すマイクロストリップ線路で形成される可変インダクタで構成される。Ｓｉ３Ｎ４やガラスエポキシなどの誘電体基板１４０の面にグランドとなる導電体１４１が形成され、対向する他方の面に線路１３４が形成されている。線路１３４の第１の部分１３４１は、可変容量ダイオード４１のアノードに接続される方の線路部分である。また、線路１３４の第２の部分１３４２は、接地される方の線路部分である。線路１３４の任意の位置をトリミングすることで、第１の部分１３４１と第２の部分１３４２のインダクタンス値を変化させることができる。なお、マイクロストリップ線路に代えて、ストリップ線路を用いてもよい。
【００２７】
ダイオード４３はスイッチとして機能する。以下、ダイオード４３をスイッチダイオードという。スイッチダイオード４３のオン・オフは端子１ｂ及び端子３に印加する電圧で制御される。端子１ｂには端子１ａとともに、電源電圧Ｖｃｃが印加される。端子３には第２の制御電圧Ｖｃｏｎｔ２が与えられる。第２の制御電圧Ｖｃｏｎｔ２が電源電圧Ｖｃｃよりもスイッチダイオード４３のしきい値電圧以上であれば、スイッチダイオード４３はオンする。それ以外の場合には、スイッチダイオード４３はオフする。第２の制御電圧Ｖｃｏｎｔ２は、抵抗２３及びインダクタ４８を介してスイッチダイオード４３のアノードに与えられる。電源電圧Ｖｃｃは抵抗２４の一端に与えられ、抵抗２４と２５の分圧で得られた電圧がスイッチダイオード４３のカソードに印加される。つまり、ダイオード４３のカソードはバイアスされている。スイッチダイオード４３がオンすると、キャパシタ１８と１９を介してインダクタ４８がインダクタ３４に並列に接続される。これにより、共振回路１００の誘導性成分の値が変化し、共振周波数が変化する。この共振周波数の変化は、インダクタ４８がインダクタ３４に並列に接続されることに加え、スイッチダイオード４３の容量値や、キャパシタ１８、１９の容量値の値にも依存する。
【００２８】
図３（Ａ）〜（Ｅ）は、第１実施形態に係る発振器の発振（共振）周波数を示す図である。各図の横軸は周波数、縦軸は振幅を示す。図３（Ａ）〜（Ｅ）において、ｆ１として示す周波数帯域はダイオード４３がオフしている時の発振器の周波数帯域であり、ｆ２として示す周波数帯域はダイオード４３がオンしている時の発振器の周波数帯域を示す。発振器が図３（Ａ）〜（Ｅ）のいずれの発振パターンを有するかは、主として、インダクタ４８のインダクタンス値、スイッチダイオード４３の容量値、並びにキャパシタ１８と１９の値に依存する。スイッチダイオード４３の容量値が大きいと、例えば図３（Ａ）に示すように周波数帯域ｆ１とｆ２の周波数差は比較的大きい。つまり、ダイオード４３をオンしたときの周波数シフト幅が大きい。同様に、インダクタ４８のインダクタンス成分が大きい場合も、例えば図３（Ａ）に示すように周波数帯域ｆ１とｆ２の周波数差は比較的大きい。
【００２９】
スイッチダイオード４３の容量値が小さくなると、周波数帯域ｆ１とｆ２の周波数差は小さくなり、例えば図３（Ｂ）や図３（Ｃ）のようになる。図３（Ｂ）は、周波数帯域ｆ１の高周波数側エッジが周波数帯域ｆ２の低周波数側エッジとがほぼ一致している場合を示す。また、図３（Ｄ）は周波数帯域ｆ１の高周波数側と周波数帯域ｆ２の低周波数側とが重なり合っている場合を示す。インダクタ４８のインダクタンス成分が小さくなっても、図３（Ａ）から図３（Ｂ）や（Ｃ）のように周波数シフト幅が狭くなる。
【００３０】
キャパシタ１８と１９の値を適宜調整することで、各周波数帯域ｆ１、ｆ２の帯域幅を可変することができる。図３（Ｄ）は周波数帯域ｆ１の帯域幅が周波数帯域ｆ２の帯域幅よりも広い場合を示し、図３（Ｅ）は逆に周波数帯域ｆ２の帯域幅が周波数帯域ｆ１の帯域幅よりも広い場合を示す。
【００３１】
上記説明から明らかなように、直列共振回路を構成するインダクタ３４にインダクタ４８を並列に接続可能な回路構成とすることで、図３（Ａ）や（Ｂ）に示すように、デュアルバンド発振器を実現することができ、また、図３（Ｃ）〜（Ｅ）に示すように、帯域幅の極めて広いシングルバンド発振器を実現することができる。図３（Ｃ）〜（Ｅ）の場合、６００ＭＨｚを超える広い連続する帯域幅の発振を実現することができる。また、図３（Ａ）や（Ｂ）では６００ＭＨｚを超える帯域幅をもつデュアルバンドの発振を実現することができる。
【００３２】
インダクタ４８は、ダイオード４３のアノードに寄生するインダクタであってもよいし、意図的に形成したインダクタであってもよい。また、インダクタ３４に並列に接続されるインダクタはインダクタ４８に限定されるものではない。例えば、図４に示す共振回路１００Ａのように、スイッチダイオード４３のカソードとキャパシタ１９の一端との間のインダクタ６０であってもよい。この場合にも、インダクタ６０は寄生インダクタであってもよいし、意図的に形成したインダクタであってもよい。
【００３３】
また、図５に示す共振回路１００Ｂのように、キャパシタ１８とインダクタ３４の一端との間のインダクタ６１及び／又はキャパシタ１９とインダクタ３４の他端との間のインダクタ６２であってよい。この場合にも、インダクタ６１、６２は寄生インダクタであってもよいし、意図的に形成したインダクタであってもよい。
【００３４】
なお、配線には必ず寄生インダクタが存在するので、図３〜図５に示すインダクタ４８、６０、６１及び６２は存在する。従って、これらの寄生インダクの合成インダクタンス成分が所望の特性を得るために充分であれば、意図的にインダクタを回路内に形成する必要はない。これに対し、寄生インダクタの合成インダクタンス成分が所望の特性をえるために不十分であれば、意図的に図３〜図５に示す位置にインダクタを形成する。
【００３５】
可変容量ダイオード４２のアノードで得られる共振出力は、直列に接続されたキャパシタ１２と１３で形成される分圧回路を介して、帰還回路２００の入力端子に与えられる。共振出力を分圧して帰還回路２００に与えるので、回路素子のばらつきや、外部から印加される電圧の変化などに対して帰還回路２００を安定に動作させることができ、この結果発振が安定化され、Ｃ／Ｎ比特性が改善される。
【００３６】
帰還回路２００は、帰還（発振）トランジスタ４４、キャパシタ１０、１１、１５、抵抗２０、２１、２２及びインダクタ３３を有する。キャパシタ１０と１１は帰還用の容量性素子で、キャパシタ１０はトランジスタ４４のベースとエミッタとの間に接続され、キャパシタ１１はエミッタとグランドとの間に接続される。抵抗２０〜２２はバイアス抵抗である。抵抗２０と２１は電源電圧Ｖｃｃを抵抗分割して、バイアス電圧をトランジスタ４４のベースに与える。抵抗２２はトランジスタ４４のエミッタに直流的に接続され、エミッタをバイアスする。インダクタ３３はチョークコイルであり、抵抗２２とグランドとの間に設けてもよい。トランジスタ４４のエミッタは、出力端子４に接続される。出力端子４を介して、帰還回路２００の出力信号Ｖｏｓｃ、つまり発振器の出力信号Ｖｏｓｃが得られる。出力端子４は外部接続端子を構成する。また、図６に示す帰還回路２００Ａのように、トランジスタ４４のエミッタと出力端子４との間に、バッファ増幅器５０を設けてもよい。
【００３７】
以上説明したように、本発明の第１実施形態に係る発振器によれば、３ＧＨｚ以上の高い発振周波数を安定的に得ることができ、しかも６００ＭＨｚを超える広い周波数範囲で調整することができる。また、共振回路及び発振回路を共通化したデュアルバンド発振器を実現することができる。
【００３８】
（第２実施形態）
図７は、本発明の第２の実施の形態に係る発振器の回路図である。図中、前述した構成要素と同一のものには同一の参照番号を付してある。図７に示す回路構成は、共振回路１００Ｃのインダクタ３４は、帰還回路２００Ｂのトランジスタ４４のエミッタに接続されるインダクタを兼ねていることを一つの特徴とする。つまり、図１に示すインダクタ３３をインダクタ３４で実現する構成である。抵抗２２の一端は、インダクタ３４の適当な場所に接続される。インタクタ３４を図２に示すマイクロストリップ線路で実現した場合、抵抗２２の一端は線路１３４上の適当な場所に接続される。
【００３９】
このように、インダクタ３４が帰還回路２００Ｂのインダクタを兼ねるように構成したため、部品点数を削減し、回路を小型化することができる。なお、図４〜図６の回路構成を変形して、図７と同様な構成とすることができる。
【００４０】
（その他の実施の形態）
図８は、図１に示す回路構成を変形したものであって、共振回路１００Ｄは、図１に示す共振回路１００Ａにキャパシタ１４を付加した構成である。キャパシタ１４の一端は可変容量ダイオード４２のアノードに接続され、他端は接地されている。キャパシタ１４を設けたことで、回路動作をより安定化させることができる。なお、キャパシタ１４を、図１、図４〜図７に示す回路に適用することもできる。
【００４１】
図９は、図１に示す回路構成の別の変形例である。共振回路１００Ｅはインダクタ１１２及び１１３を有する。インダクタ１１２、１１３は図１に示す共振回路のキャパシタ１２、１３に置き換わるもので、分圧回路を構成する。つまり、共振出力をインダクタ１１２と１１３で分圧して帰還回路２００に出力する。
【００４２】
図１０は、図１に示す回路構成の更に別の変形例である。共振回路１００Ｆは図１に示す共振回路１００からキャパシタ１３を取り除いた構成である。共振回路１００Ｆでは、共振出力は分圧されることなく帰還回路２００に出力される。
【００４３】
図１１は、図１に示す回路構成を１つのパッケージ３００に収容した構成例を示す図である。同一の配線基板上に形成した共振回路１００と帰還回路２００を１つのパッケージ３００内に収容する。共振回路１００と帰還回路２００を別の基板上に形成したものを１つのパッケージ３００内に収容してもよいし、回路部品の一部を外付けとしてもよい。また、共振回路１００と帰還回路２００とを１つのチップ上に形成することとしてもよい。この場合、参照番号３００はチップを示す。このチップをパッケージに収容した構成とすることもできる。なお、図１１を参照して上述した構成は、他の実施の形態にも適用できる。
【００４４】
図１２は、図１に示す発振器の更に別の変形例を示す図であって、図１に示す共振回路１００を簡略化した発振器を示す。この発振器は簡略化された構成の共振回路１００Ｇを有する。共振回路１００Ｇは、図１に示す共振回路１００から抵抗２４、２５、キャパシタ１９及び端子１ｂを取り除いた構成である。これにより、ダイオード４３のカソードは接地される。端子３に第２の制御電圧Ｖｃｏｎｔ２を与えてダイオード４３をオンさせることで、インダクタンス成分４８をインダクタ３４に並列に接続することができる。従って、図１２に示す発振器は、図１に示す発振器と同様の作用・効果を有する。
【００４５】
なお、前述したその他の実施形態や変形例においても、図１２と同様にして、共振回路を簡略化した構成とすることができる。
【００４６】
以上、本発明の実施の形態を説明した。本発明は上記実施の形態に限定されず、他の実施の形態や変形例を含むものである。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、数ＧＨｚ以上の高い周波数で発振することができ、しかも広い範囲で発振周波数を変化させることができる発振器を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る発振器の回路図である。
【図２】インダクタの一構成例を示す斜視図である。
【図３】第１実施形態に係る発振器の発振（共振）周波数を示す図である。
【図４】図１に示す共振回路とは異なる構成の共振回路を有する発振器の回路図である。
【図５】図１に示す共振回路とは異なる構成の共振回路を有する発振器の回路図である。
【図６】図１に示す帰還回路とは異なる構成の帰還回路を有する発振器の回路図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る発振器の回路図である。
【図８】本発明の第１の実施形態に係る発振器の変形例の回路図である。
【図９】本発明の第１の実施形態に係る発振器の別の変形例の回路図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態に係る発振器の更に別の変形例の回路図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態に係る発振器の実装例を説明するための図である。
【図１２】本発明の第１の実施形態に係る発振器の変形例を示す図である。
【符号の説明】
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ、１００Ｇ　　共振回路
２００Ａ、２００Ｂ　　帰還回路
【図１】
2004080278.tif 000003
【図２】
2004080278.tif 000004
【図３】
2004080278.tif 000005
【図４】
2004080278.tif 000006
【図５】
2004080278.tif 000007
【図６】
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【図７】
2004080278.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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