(57)【要約】　　　（修正有）【課題】異物が吸着面等に付着することを防止して、ワークの加工性等を高めることができる吸着用チャックを提供すること。【解決手段】真空チャック１７のセラミックス本体１８の表面全体、即ち、吸着面Ｋ、非吸着面Ｈ、及び側面（外周面）３５に導電性ＤＬＣコーティングが施され、それにより、表面全体にコーティング層３７が形成されている。このコーティング層３７においては、そのビッカース硬度Ｈｖは、３０００以上であり、体積抵抗率ρは、１０−６Ω・ｃｍ以下であり、動摩擦係数μは、０．２未満であり、色調は、明度５．０以下で、且つ、全ての有彩色の彩度２．５以下（例えばグレー）である。【選択図】　図４
2004014603.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
作業対象のワークを吸引して保持するセラミックス製の吸着用チャックにおいて、
前記吸着用チャックは、少なくとも前記ワークを吸引して保持する吸着面側に、導電性ＤＬＣコーティングにより形成されたコーティング層を備えたことを特徴とする吸着用チャック。
【請求項２】
前記吸着用チャックは、真空源による減圧を利用して前記ワークを吸引して保持する真空チャックであることを特徴とする前記請求項１に記載の吸着用チャック。
【請求項３】
前記吸着用チャックは、アルミナを主成分とする材料からなることを特徴とする前記請求項１又は２に記載の吸着用チャック。
【請求項４】
前記コーティング層のビッカース硬度Ｈｖは、３０００以上であることを特徴とする前記請求項１〜３のいずれかに記載の吸着用チャック。
【請求項５】
前記コーティング層の体積抵抗率ρは、１０−６Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする前記請求項１〜４のいずれかに記載の吸着用チャック。
【請求項６】
前記コーティング層の動摩擦係数μは、０．２未満であることを特徴とする前記請求項１〜５のいずれかに記載の吸着用チャック。
【請求項７】
前記吸着用チャックの吸着面側に、前記ワークと吸着面との間隔を保持する多数のピンを設けたことを特徴とする前記請求項１〜６のいずれかに記載の吸着用チャック。
【請求項８】
前記コーティング層の色調は、明度５．０以下で、且つ、全ての有彩色の彩度２．５以下であることを特徴とする前記請求項１〜７のいずれかに記載の吸着用チャック。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウェハの加工、搬送、検査の際に、半導体ウェハを吸引して保持することができる真空チャック等の吸着用チャックに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、例えば平板状の半導体ウェハ（シリコンウェハ）を研磨加工したり、搬送や検査をするために、真空引きの技術を利用して、シリコンウェハ等を着脱自在に吸引する真空吸引装置が使用されている。
【０００３】
この真空吸引装置は、その本体の先端の吸引口側に、例えばセラミックス製の円盤状の吸着プレート（いわゆる真空チャック）が取り付けられたものであり、この真空チャックには、その板厚方向に貫通する多数の小径の吸着孔が設けられている。
【０００４】
前記真空吸引装置では、真空ポンプ等によって真空吸引装置内の空気を吸引して気圧を低下させることにより、真空チャックの外側面である吸着面に、シリコンウェハ等を吸引して吸着（真空吸着）することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上述した真空チャックは、例えば絶縁性を有するコージェライト等のセラミックスからなるので、シリコンウェハ等を真空吸着する際などには、真空チャックに静電気が発生することがある。
【０００６】
ところが、真空チャックに静電気が発生すると、その静電気力によって周囲のホコリやゴミ等を吸引してしまい、その結果、ホコリやゴミ等が吸着面などに付着するので、不具合が生じることがあった。
つまり、シリコンウェハと真空チャックとの間に、周囲のホコリや、コンタミネーション（摩耗による汚れ）や、パーティクル（微少なゴミ）などの異物が挟まると、真空チャックに吸着されたシリコンウェハの一部が盛り上がるので、その状態でシリコンウェハの研磨加工を行うと、シリコンウェハの加工後の面精度が低下するという問題があった。
【０００７】
本発明は前記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、異物が吸着面等に付着することを防止して、ワークの加工性等を高めることができる吸着用チャックを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
（１）請求項１の発明は、作業対象のワークを吸引して保持するセラミックス製の吸着用チャックに関するものであり、本発明では、吸着用チャックは、少なくともワークを吸引して保持する吸着面側に、導電性ＤＬＣコーティングにより形成されたコーティング層を備えていることを特徴とする。
【０００９】
本発明では、導電性ＤＬＣコーティングにより形成されたコーティング層が、少なくとも吸着面側に形成されているので、吸着用チャックのセラミックス部分に発生した静電気を、導電性を有するコーティング層を介して逃がすことができる。そのため、吸着用チャックには静電気が蓄積されず、吸着用チャックは静電気力によってホコリ等の異物を吸引することがないので、吸着面とワークとの間に異物が入り込み難くなる。その結果、ワークは異物により歪んだりすることなく吸着面に密着するので、ワークの表面に研磨等の加工を行っても、ワークの加工精度（特にワークの表面の平面度）が低下することがない。
【００１０】
また、導電性ＤＬＣコーティングにより形成されたコーティング層は、その硬度が高く耐摩耗性に優れているので、摩耗によりゴミ等の異物が発生し難く、その点からも、吸着面とワークとの間に異物が入り込み難いという利点がある。
更に、導電性ＤＬＣコーティングにより形成されたコーティング層の動摩擦係数は小さいので、ワークの摺動性が高まる。これにより、ウェハ等のワークを吸着面からスムーズに脱着することが可能になり、ワークの（吸着面と接する）裏側のキズの発生も抑えることができる。
【００１１】
尚、ＤＬＣコーティングとは、ダイアモンド状カーボンのコーティングのことであり、本発明では、このうち（導電性を有するＤＬＣコーティングである）導電性ＤＬＣコーティングを行うことにより、導電性を有するコーティング層を形成したものである。
【００１２】
（２）請求項２の発明では、吸着用チャックは、真空源による減圧を利用してワークを吸引して保持する真空チャックであることを特徴とする。
本発明は、吸着用チャックの種類を例示したものであり、ここでは、ワークの表面側と裏面側とに間に圧力差を発生させ（即ち裏面側を真空引きして減圧して）、ワークを吸着する真空チャックが挙げられる。
【００１３】
ここで、真空源とは、所定領域を周囲よりも減圧することが可能な減圧源を示すものであり、例えば真空ポンプなどが挙げられる。
尚、吸着用チャックとしては、真空チャック以外に、静電力等を利用してワークを吸着する静電チャックが挙げられる。
【００１４】
（３）請求項３の発明では、吸着用チャックは、アルミナを主成分とする材料からなることを特徴とする。
本発明は、吸着用チャックを構成するセラミックス成分を例示したものであり、ここでは、吸着用チャックの主成分としてアルミナを採用している。
【００１５】
このアルミナを主成分とする場合には、熱に対する寸法安定性が高く（熱膨張係数が金属より低い）、耐食性に優れているので好適である。
（４）請求項４の発明では、コーティング層のビッカース硬度Ｈｖは、３０００以上であることを特徴とする。
【００１６】
本発明は、コーティング層の硬度を例示したものであり、ビッカース硬度Ｈｖが、３０００以上であれば、十分な硬度を有し摩耗し難いという利点がある。そのため、摩耗によりゴミ等の異物が発生し難く、吸着面とワークとの間に異物が入り込み難いという効果が得られる。
【００１７】
ここで、ビッカース硬度Ｈｖとは、試験荷重９８．０７Ｎにおける値を示している（以下同様）。
尚、前記硬度の上限値としては、例えばＨｖ５０００を採用できる。
（５）請求項５の発明では、コーティング層の体積抵抗率ρは、１０−６Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。
【００１８】
本発明は、コーティング層の体積抵抗率ρを例示したものであり、体積抵抗率ρが１０−６Ω・ｃｍ以下であれば、十分な導電性を有する。そのため、吸着用チャックに静電気が蓄積されることを防止できるので、吸着用チャックが静電気力によってホコリ等の異物を吸引し難くなる。その結果、吸着面とワークとの間に異物が入り込むことを防止できるので、ワークの表面を加工する際に、ワークの加工精度を高く保つことができる。
【００１９】
ここで、体積抵抗率ρの値とは、ＪＩＳ−Ｋ６９１１により求めたものである（以下同様）。
（６）請求項６の発明では、コーティング層の動摩擦係数μは、０．２未満であることを特徴とする。
【００２０】
本発明は、コーティング層の動摩擦係数μを例示したものであり、動摩擦係数μが０．２未満であれば、高い摺動性を有する。このため、ウェハ等のワークを吸着面からスムーズに脱着することが可能になり、また、ワークの裏側のキズの発生も抑えることができる。
【００２１】
（７）請求項７の発明では、吸着用チャックの吸着面側に、ワークと吸着面との間隔を保持する多数のピンを設けたことを特徴とする。
本発明は、吸着用チャックの形状の特徴を例示したものである。この様に吸着面側に多数のピンを設けることにより、仮に吸着面側に異物が入り込んだ場合でも、異物はワークと吸着面との隙間に存在するので、ワークが歪んだりすることがない。その結果、ワークを加工する際の加工精度を高く保持することができる。
【００２２】
（８）請求項８の発明では、コーティング層の色調は、明度５．０以下で、且つ、全ての有彩色の彩度２．５以下であることを特徴とする。
本発明は、コーティング層の色調を例示したものであり、この様な色調（例えばグレーや黒）にすることにより、汚れが目立ち難くなり、商品価値が高まるという利点がある。
【００２３】
尚、前記色に関する定義は、ＪＩＳ　Ｚ　８７２１（１９９３年）によるものである（以下同様）
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の真空チャックの実施の形態の例（実施例）を、図面を参照して説明する。
（実施例１）
ここでは、シリコンウェハを吸引して保持し（即ち吸着し）研磨するために用いられる真空チャックを例に挙げる。
【００２５】
ａ）まず、本実施例の真空チャックが装着されるポリッシングマシンの全体構成について、図１に基づいて説明する。尚、図１はポリッシングマシンによる研磨状態を示す説明図である。
▲１▼図１に示す様に、ポリッシングマシン１は、半導体ウェハであるシリコンウェハ３に対して、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）を行うＣＭＰ装置であり、主として、回転可能に配置されたプラテン５と、その上面側に配置された真空吸引装置である研磨ヘッド７とから構成されている。
【００２６】
前記プラテン５は円盤状であり、その上部には上面の全体を覆うように研磨パッド９が設けられている。この研磨パッド９の上面には、研磨時にＣＭＰ用のスラリー１１が供給される。
また、研磨ヘッド７は、主として、筒状の金属製（例えばＪＩＳ　ＳＵＳ３０４）の研磨ヘッド本体（真空吸引装置本体）１３と、円盤状のセラミックス製（例えば主成分がアルミナ）の吸着プレート（いわゆる真空チャック）１７とから構成されている。
【００２７】
前記研磨ヘッド本体１３は、その内部の減圧空間１９が、真空ポンプ（図示せず）に接続されて、真空引きされる構成となっている。この研磨ヘッド本体１３の下端には、その外周から外側に向かって鍔状に突出する取付部２１が設けられ、この取付部２１にて真空チャック１７がネジ（図示せず）により固定されている。従って、真空チャック１７は、研磨ヘッド本体１３の下方の吸引口１５を覆うように装着される。
【００２８】
▲２▼ここで、上述したポリッシングマシン１の使用方法について、簡単に説明する。
図１に示す様に、真空ポンプを作動させて、研磨ヘッド７内の減圧空間１９の気圧を下げる。これにより、真空チャック１７の吸着孔３３の内外に気圧差を発生させて、真空チャック１７の吸着面Ｋにシリコンウェハ３を吸着させる。
【００２９】
そして、プラテン５の研磨パッド９と真空チャック１７との間にシリコンウェハ３を配置した状態で、研磨パッド９の表面にＣＭＰ用のスラリー１１を供給し、プラテン５及び研磨ヘッド７を図示の方向に回転させて、シリコンウェハ３の下面側の研磨を行う。
【００３０】
ｂ）次に、本実施例の要部である真空チャック１７について、図２〜図４に基づいて説明する。尚、図２は真空チャック１７の斜視図、図３は真空チャック１７の平面図、図４はそのＡ−Ａ断面図である。
図２に示す様に、本実施例では、真空チャック１７の上下の表面のうち、図の上方の表面がシリコンウェハを吸着保持する吸着面Ｋであり、（吸着面Ｋと反対側の）図の下方の表面が非吸着面Ｈである。
【００３１】
また、図３に示す様に、非吸着面Ｈのうち、取付部２１と接する環状の表面が装着面Ｓ（図で斜線で示す領域）である。尚、図３では、真空チャック１７の両側面のうち、紙面の手前側が非吸着面Ｈであり、紙面の裏側が吸着面ｋである。
ここでは、真空チャック１７の吸着面Ｋの直径は、φ２００ｍｍであり、吸着面Ｋの（装着前の）平面度は、例えば約１μｍに加工されている。一方、真空チャック１７の装着面Ｓの（装着前の）平面度は、吸着面Ｋの平面度の２倍以下の範囲（例えば１．５μｍ）に加工されている。
【００３２】
前記真空チャック１７は、直径φ２００ｍｍ×厚み２０ｍｍの部材であり、真空チャック１７の非吸着面Ｈ側には、その外周の近傍に、複数（例えば６箇所）の固定部２５が設けられている。つまり、環状の装着面Ｓに含まれる様に、等間隔に固定部２５が配置されている。尚、この固定部２５とは、真空チャック１７と取付部２１にネジ止めするためのものある。
【００３３】
また、真空チャック１７には、その厚み方向に貫通する多数の小径の吸着孔３３が形成されている。この吸着孔３３は、図４に示す様に、吸着面Ｋ側の内径（例えばφ０．５ｍｍ）よりも、吸着面Ｋと反対側の非吸着面Ｈ側の内径（例えばφ３ｍｍ）の方が大きくされている。
【００３４】
特に、本実施例では、真空チャック１７の基体を構成するセラミックス部分（セラミックス本体）１８の表面全体、即ち、吸着面Ｋ、非吸着面Ｈ、及び側面（外周面）３５に導電性ＤＬＣコーティングが施され、それにより、セラミックス本体１８の表面全体に（例えば膜厚１．０μｍ程度の）コーティング層３７が形成されている。つまり、真空チャック１７の表面全体には、導電性のあるダイアモンド状カーボンによるＤＬＣコーティングが施されている。
【００３５】
このコーティング層３７においては、そのビッカース硬度Ｈｖは、３０００以上（例えばＨｖ４０００）であり、体積抵抗率ρは、１０−６Ω・ｃｍ以下（例えば９×１０−７Ω・ｃｍ）である。また、動摩擦係数μは、０．２未満（例えば０．１７）であり、色調は、明度５．０以下で、且つ、全ての有彩色の彩度２．５以下の色調（例えばグレー）である。
【００３６】
ｃ）次に、本実施例の真空チャック１７の製造方法を説明する。
▲１▼まず、真空チャック１７のセラミックス本体１８の製造方法について説明する。
アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）のセラミックス粉末に、焼結助剤、成形助剤等を添加し、粉砕混合した後、噴霧乾燥を行い、成形粉末を作製する。
【００３７】
この成形粉末を、ラバープレス法、金型プレス法等により、本実施例の真空チャック１７の形状に成形する。更に、必要に応じて、成形後に生加工を行う。
次に、この成形体を焼成し、セラミックス焼結体を得る。
このセラミックス焼結体に対し、ダイヤ砥粒による研磨を行い、所要の精度に仕上げる。特に、吸着面Ｋ及び（装着面Ｓを含む）非吸着面Ｈは、その平面度を確認しながら、吸着面Ｋの平面度を１μｍ、非吸着面Ｈの平面度を１．５μｍに研磨する。これにより、セラミックス本体１８が形成される。
【００３８】
尚、平面度の測定は、例えば平面度測定機、光干渉計などのような機器を用いて行うことができる。
▲２▼次に、真空チャック１７のセラミックス本体１８の表面に、導電性ＤＬＣコーティングを施す方法（イオン化蒸着法）について説明する。
【００３９】
このイオン化蒸着法とは、Ｗフィラメントから生じる熱電子を利用して、原料ガス（ベンゼン：Ｃ６Ｈ６）を分解・イオン化し、セラミックス本体１８に加えたバイアス電圧によって、セラミックス本体１８表面にコーティング層３７を堆積させる方法である。
【００４０】
詳しくは、図５に示す様に、フィラメント電源１０１によりＷフィラメント１０３に所定の電圧を印加し、バイアス電源１０５によりセラミック本体１８に所定のバイアス電圧を印加し、アノード電源１０７によりアノード１０９に所定の電圧を印加し、リフレクタ電源１１１により、リフレクタ１１３に所定の電圧を印加する。この状態で、リフレクタ１１３内にベンゼンを供給することにより、Ｗフィラメント１０３の熱電子によってベンゼンをイオン化し、セラミックス本体１８表面にＤＬＣ膜（コーティング層３７）を形成する。尚、成膜温度は２００℃未満である。
【００４１】
本実施例では、このイオン化蒸着法によって得られたコーティング層３７は、水素含有量が例えば１５ａｔｍ％以下と少なく、よって導電性を有する。
ｄ）次に、本実施例の真空チャック１７の効果について説明する。
本実施例では、導電性ＤＬＣコーティングにより形成されたコーティング層３７は、真空チャック１７のセラミックス本体１８の表面全体を覆っており、しかも、その体積抵抗率ρが１０−６Ω・ｃｍ以下と小さく、十分な導電性を有している。
【００４２】
そのため、真空チャック１７を研磨ヘッド７に装着した場合には、真空チャック１７に発生した静電気はコーティング層３７を介して研磨ヘッド７等に逃がされるので、真空チャック１７には静電気が蓄積されず、静電気力によってホコリ等の異物が真空チャック１７に吸引されるの防止できる。その結果、吸着面Ｈとシリコンウェハ３との間に異物が入り込み難くなるので、シリコンウェハ３は吸着面Ｋに密着し、シリコンウェハ３の表面研磨を行う際に、シリコンウェハ３の高い面精度を実現することができる。
【００４３】
また、本実施例では、真空チャック１７はアルミナを主成分とするので、熱に対する寸法安定性が高く、耐食性に優れている。
更に、本実施例では、コーティング層３７のビッカース硬度Ｈｖは、３０００以上であるので、十分な硬度を有しており、摩耗し難いという利点がある。そのため、摩耗によりゴミ等の異物が発生し難く、吸着面Ｋとシリコンウェハ３との間に異物が入り込み難いという効果が得られる。
【００４４】
しかも、本実施例では、コーティング層３７の動摩擦係数μが０．２未満であるので、高い摺動性を有する。このため、シリコンウェハ３を吸着面Ｋからスムーズに脱着することが可能になり、シリコンウェハ３の裏側のキズの発生も抑えることができる。
【００４５】
その上、本実施例では、コーティング層３７の色調は、明度５．０以下で、且つ、全ての有彩色の彩度２．５以下のグレーであるので、汚れが目立ち難くなり、商品価値が高まるという利点がある。
（実施例２）
次に、実施例２について説明するが、前記実施例１と同様な箇所の説明は省略する。
【００４６】
本実施例２の真空チャックは、前記実施例１とは、吸着面側の構成が大きく異なるので、その点を詳細に説明する。
ａ）まず、本実施例の真空チャックの構成について説明する。
図６に示す様に、本実施例では、真空チャック４１の上下の表面のうち、図の上方の表面がシリコンウェハ４３を吸着保持する吸着面Ｋ（基板表面）であり、吸着面Ｋと反対側の図の下方の表面が非吸着面Ｈ（基板裏面）である。尚、図６では、シリコンウェハ４３を吸着した状態を示している（但し半分のみを図示）。
【００４７】
以下詳細に説明する。
図７に平面を示す様に、真空チャック４１は、直径φ２００ｍｍ×厚み２０ｍｍの円盤状の基板４２を有し、その基板４２の吸着面Ｋ側に多数の突起部（ピン）４５が格子状に配置され、その突起部４５の周囲を囲む様に環状に突出した土手であるシール部４７が形成されている。尚、ここでは、基板表面のうち、シール部４７で囲まれた表面を吸着面Ｋとするが、この吸着面Ｋの直径は、φ１９８ｍｍである。
【００４８】
前記突起部４５は、高さ０．１〜０．５ｍｍ、頂上部の直径０．１５〜０．５ｍｍの円錐台の形状をしており、１ｍｍの間隔（ピッチ）で多数が配置されている。特に、突起部４５の頂上部の角部は、Ｒ半径が０．０１〜０．０５ｍｍのＲ面取りが施されて、滑らかな面取り部となっている。
【００４９】
前記シール部４７は、全ての突起部４５を囲むようにリング状に配置されており、シリコンウェハ４３を吸着する場合には、突起部４５が形成された吸着面Ｋの内側と外側とをほぼ気密状態で分離する（シールする）ことができる。
また、前記真空チャック４１には、中央とその周囲の８カ所の合計９カ所に、その厚み方向に貫通する小径の吸着孔４９が形成されている。この吸着孔４９は、同一の内径の円柱形状でもよいが、吸着面Ｋ側の内径（例えばφ０．５ｍｍ）よりも、吸着面Ｋと反対側の非吸着面Ｈ側の内径（例えばφ３ｍｍ）の方を大きくしてもよい。
【００５０】
更に、本実施例では、前記実施例１と同様に、真空チャック４１のセラミックス部分（セラミックス本体：図示せず）の表面全体に、導電性ＤＬＣコーティングによって、コーティング層５３が形成されている。
ｂ）次に、本実施例の真空チャック４１の製造方法について説明する。
【００５１】
▲１▼アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）のセラミック粉末に、焼結助剤、成形助剤等を添加し、粉砕混合した後、噴霧乾燥を行い、成形粉末を作製する。
この成形粉末を、ラバープレス法、金型プレス法等により、本実施例の真空チャックの形状に成形する。更に、必要に応じて、成形後に生加工を行う。
【００５２】
次に、この成形体を焼成し、セラミックス焼結体を得る。
このセラミックス焼結体に対し、ダイヤ砥粒による研磨を行い、所要の精度に仕上げる。
▲２▼本実施例では、吸着面Ｋ側に、突起部２１及びシール部２３の形成位置を覆うマスキングを行ってから、サンドブラストにより、突起部４５及びシール部４７の形成部分以外を所定の深さ（つまり前記高さ）となるまで除去し、突起部４５及びシール部４７を形成する。これにより、セラミックス本体が形成される。
【００５３】
▲３▼次に、前記実施例１と同様な方法により、真空チャック４１のセラミックス本体の表面全体に導電性ＤＬＣコーティングを施す。
ｃ）本実施例によっても、前記実施例１と同様な効果を奏するとともに、特に、吸着面Ｈとシリコンウェハ３との間は、多数の突起部４５により所定の隙間があるので、万一、異物がその隙間に入り込んでも、シリコンウェハ４３の研磨加工の際の面精度が低下しないという利点がある。
【００５４】
尚、本発明は前記実施例になんら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
（１）例えば前記実施例１、２では、真空チャックを例に挙げたが、静電チャックに、上述した導電性ＤＬＣコーティングを施してもよい。
【００５５】
（２）また、前記実施例１、２では、真空チャックの表面全体に導電性ＤＬＣコーティングを施した例を挙げたが、静電気によりホコリ等の異物が吸着面に付着することが防止できれば良いので、少なくとも吸着面に導電性ＤＬＣコーティングが施されていれば効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１の真空チャックが用いられるポリッシングマシンの構成を示す説明図である。
【図２】実施例１の真空チャックを示す斜視図である。
【図３】実施例１の真空チャックの装着面側を示す平面図である。
【図４】図３における真空チャックのＡ−Ａ断面図である。
【図５】イオン化蒸着法を示す説明図である。
【図６】実施例２の真空チャック及びシリコンウェハを示す斜視図である。
【図７】実施例２の真空チャックを示す平面図である。
【符号の説明】
１…ポリッシングマシン（ＣＰＭ装置）
３、４３…シリコンウェハ（半導体ウェハ）
７…研磨ヘッド
１３…研磨ヘッド本体
１７、４１…真空チャック（吸着プレート）
１８、５１…セラミックス本体
３７、５３…コーティング層
４５…突起部（ピン）
４７…シール部
Ｋ…吸着面
Ｈ…非吸着面
Ｓ…装着面
【図１】
2004014603.tif 000003
【図２】
2004014603.tif 000004
【図３】
2004014603.tif 000005
【図４】
2004014603.tif 000006
【図５】
2004014603.tif 000007
【図６】
2004014603.tif 000008
【図７】
2004014603.tif 000009