(57)【要約】【課題】従来の方法における余分の工程による問題を解決するため、デュアルダマシン構造を製作する方法を提供する。【解決手段】この発明による方法は以下のステップを含む。（１）半導体基板を提供する。（２）半導体基板に第一波長光線と第二波長光線に対してそれぞれ相違した第一吸光度と第二吸光度を有する感光材料層を形成する。（３）第一波長光線を利用して前記感光材料層に第一露光工程を行って第一潜在パターンを形成する。（４）第二波長光線を利用して前記感光材料層に第二露光工程を行って第二潜在パターンを形成する。（５）ステップ（４）と同時に感光材料層における前記第一潜在パターン並びに第二潜在パターンを除去して感光材料層にデュアルダマシン構造を形成する。【選択図】  図１２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多重露光工程を利用してデュアルダマシン構造を製作する方法であって、該方法は、
半導体基板を提供し、
半導体基板に第一波長光線と第二波長光線に対してそれぞれ相違した第一吸光度と第二吸光度を有する感光材料層を形成し、
第一波長光線を利用して前記感光材料層に第一露光工程を行って第一潜在パターンを形成し、
第二波長光線を利用して前記感光材料層に第二露光工程を行って第二潜在パターンを形成し、
同時に感光材料層における前記第一潜在パターン並びに第二潜在パターンを除去して感光材料層にデュアルダマシン構造を形成するなどのステップを含むことを特徴とするデュアルダマシン構造を製作する方法。
【請求項２】
前記感光材料層がフォトレジスト層であることを特徴とする請求項１記載のデュアルダマシン構造を製作する方法。
【請求項３】
前記フォトレジスト層がｉ−ラインフォトレジストにより構成されることを特徴とする請求項２記載のデュアルダマシン構造を製作する方法。
【請求項４】
前記フォトレジスト層がＫｒＦフォトレジストにより構成されることを特徴とする請求項２記載のデュアルダマシン構造を製作する方法。
【請求項５】
前記フォトレジスト層がＡｒＦフォトレジストにより構成されることを特徴とする請求項２記載のデュアルダマシン構造を製作する方法。
【請求項６】
前記フォトレジスト層が１５７ｎｍフォトレジストにより構成されることを特徴とする請求項２記載のデュアルダマシン構造を製作する方法。
【請求項７】
前記半導体基板は更に半導体基板と感光材料層との間に介在する誘電層を具えることを特徴とする請求項１記載のデュアルダマシン構造を製作する方法。
【請求項８】
前記方法は現像剤を利用して感光材料層における第一潜在パターンと第二潜在パターンとを除去することを特徴とする請求項１記載のデュアルダマシン構造を製作する方法。
【請求項９】
前記第一波長は前記第二波長を下回り、前記第一吸光度は前記第二吸光度を上回ることを特徴とする請求項１記載のデュアルダマシン構造を製作する方法。
【請求項１０】
前記第一潜在パターンはトレンチパターンであり、前記第二潜在パターンはビアパターンであることを特徴とする請求項１記載のデュアルダマシン構造を製作する方法。
【請求項１１】
デュアルダマシン相互接続工程を行う方法であって、該方法は、
誘電層を有する半導体基板を提供し、
前記誘電層にフォトレジスト層を形成し、
前記フォトレジスト層に第一吸光度を有する第一露光工程を行ってフォトレジスト層に第一潜在パターンを形成し、
前記フォトレジスト層に第二吸光度を有する第二露光工程を行ってフォトレジスト層に第二潜在パターンを形成し、
前記フォトレジスト層における第一潜在パターン並びに第二潜在パターンを現像してフォトレジスト層にデュアルダマシン構造を形成し、
異方性エッチング（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  ｅｔｃｈｉｎｇ）工程を行って前記フォトレジスト層におけるデュアルダマシン構造をその下方における誘電層に移転し、
前記フォトレジスト層を除去するなどのステップを含むことを特徴とするデュアルダマシン相互接続工程を行う方法。
【請求項１２】
前記フォトレジスト層を除去した後に、前記方法は更に、
誘電層の上にバリアー層を形成し、
前記バリアー層の上に誘電層におけるデュアルダマシン構造を満たすように金属層をスパッタリングし、
化学的機械的研磨工程を行ってデュアルダマシン構造以外の金属層とバリアー層を除去し、
前記金属層の上にパシベーション層を形成することを特徴とする請求項１１記載のデュアルダマシン相互接続工程を行う方法。
【請求項１３】
前記第一露光工程と第二露光工程はそれぞれ相違した第一波長光線と第二波長光線とを利用することを特徴とする請求項１１記載のデュアルダマシン相互接続工程を行う方法。
【請求項１４】
前記第一吸光度が第二吸光度と相違することを特徴とする請求項１１記載のデュアルダマシン相互接続工程を行う方法。
【請求項１５】
前記第一吸光度が第二吸光度を下回ることを特徴とする請求項１１記載のデュアルダマシン相互接続工程を行う方法。
【請求項１６】
前記フォトレジスト層がｉ−ラインフォトレジストにより構成されることを特徴とする請求項１１記載のデュアルダマシン相互接続工程を行う方法。
【請求項１７】
前記フォトレジスト層がＫｒＦフォトレジストにより構成されることを特徴とする請求項１１記載のデュアルダマシン相互接続工程を行う方法。
【請求項１８】
前記フォトレジスト層がＡｒＦフォトレジストにより構成されることを特徴とする請求項１１記載のデュアルダマシン相互接続工程を行う方法。
【請求項１９】
前記フォトレジスト層が１５７ｎｍフォトレジストにより構成されることを特徴とする請求項１１記載のデュアルダマシン相互接続工程を行う方法。
【請求項２０】
前記第一潜在パターンはトレンチパターンであり、前記第二潜在パターンはビアパターンであることを特徴とする請求項１１記載のデュアルダマシン相互接続工程を行う方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は誘電層にデュアルダマシン構造を形成する改良したフォトリソグラフィー方法に関し、特に一回のフォトレジストコーティングステップと、二回の露光ステップと、一回の現像ステップと、一回のエッチングステップとを利用するのみで誘電層にデュアルダマシン構造を形成できるフォトリソグラフィー方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
デュアルダマシン製作工程は誘電層に金属導線トレンチとビア構造を同時に形成する方法である。銅金属には低抵抗値と耐マイグレーション性（ｅｌｅｃｔｒｏ−ｍｉｇｒａｔｉｏｎ  ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）などの特性があるので、銅金属デュアルダマシン相互接続技術は多層相互接続（ｍｕｌｔｉ−ｌａｙｅｒ  ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ）製作工程において日増しに重要になり、次世代の半導体製作工程が採用する導線材料になるに違いない。
【０００３】
図１を参照されたい。図１は従来のデュアルダマシン構造１１を表わす半導体チップ１０の部分断面図である。図１によれば、下層銅導線１４は第一低誘電率材料層１２に埋め込まれ、上層銅導線２４は第二低誘電率材料層２０におけるトレンチ構造２３に埋め込まれる。上層銅導線２４と下層銅導線１４はビア構造２２により相互に電気的に接続される。そのうち第一低誘電率材料層１２と第二低誘電率材料層２０はスピン・オン・コーティングで低誘電率材料、例えばＨＳＱまたはＦＬＡＲＥ（登録商標）によって構成され、導線間のＲＣ遅延を緩和する。
【０００４】
しかし、従来のデュアルダマシン製作工程、例えばビア先行（ｖｉａ−ｆｉｒｓｔ）のデュアルダマシン製作工程において、一般に少なくとも二回のフォトレジストコーティングステップと、一回のＢＡＲＣ（ｂｏｔｔｏｍ  ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  ｃｏａｔｉｎｇ、底部反射防止被膜）塗布ステップと、二回の露光ステップと、二回の現像ステップと、二回のエッチングステップとによって誘電層にデュアルダマシン構造を形成する。図２から図８を参照されたい。図２から図８は誘電層３４にビア先行デュアルダマシン構造を形成する従来の方法を表わす説明図である。まず図２によれば、基板３２と基板３２に形成される誘電層３４を含む半導体チップ３０を提供する。誘電層３４は一般に低誘電率材料、例えばＨＳＱ、ＳｉＬＫ（登録商標）またはＦＬＡＲＥ（登録商標）により構成される。
【０００５】
続いて図３に示されるように、誘電層３４に厚さ１ミクロンの正フォトレジスト層３６を塗布する。正フォトレジスト層３６、例えばｉ−ｌｉｎｅ（３６５ｎｍ）フォトレジスト、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）フォトレジスト、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）フォトレジストまたは１５７ｎｍフォトレジストなどはスピン・オン・コーティング法で塗布される。次にパターン移転の確実性を増やすため、一回から数回のベーキングステップを実行する。一般にそれを脱水ベーキングかソフトベーキングと称する。次に正フォトレジスト層３６を露光させ、ビアパターンを有するマスク３９と特定波長を有する露光光線３８とを利用して正フォトレジスト層３６に潜在（ｌａｔｅｎｔ）ビアパターン３７を形成する。露光光線３８の波長は正フォトレジスト層３６に相応しなければならない。正フォトレジスト層３６は適当なエネルギーを有する光線に露光された後、その構造は再配置され、アルカリ性物質に溶かされる。
【０００６】
続いて図４に示されるように、現像工程を実行する。一般にアルカリ性溶液である現像剤を利用して正フォトレジスト層３６における潜在ビアパターン３７を除去する。露光されない正フォトレジスト層３６は現像剤の影響を受けない。次に正フォトレジスト層３６における溶剤を除去するために、一般に一回から数回の、ハードベーキングと呼ばれるベーキングステップを実行する。ハードベーキングはフォトレジストの付着力と後続エッチングに対する抵抗力を向上させる。次に現像された正フォトレジスト層３６をエッチングマスクとして異方性エッチング工程を実行し、正フォトレジスト層３６におけるビアパターン３７を誘電層３４に移転し、誘電層３４にビア４１を形成する。
【０００７】
続いて図５に示されるように、ＢＡＲＣ塗布工程を実行し、ビア４１にスピン・オン・コーティング方によって底部反射防止層４２を形成する。底部反射防止層４２は後続の導線トレンチエッチング工程においてエッチングブロック（ｅｔｃｈ  ｂｌｏｃｋ）とされ、また後続の導線トレンチパターン化工程に生じる薄膜干渉効果（ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ  ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ  ｅｆｆｅｃｔ）を緩和する。次に厚さ１ミクロンの正フォトレジスト層４６を塗布してから、再び脱水ベーキングかソフトベーキングを実行する。図６に示されるように、次に正フォトレジスト層４６を露光させ、導線トレンチパターンを有するマスク４９と特定波長を有する露光光線４８を利用して正フォトレジスト層４６に導線トレンチ潜在パターン４７を形成する。同じく、露光光線４８の波長はフォトレジスト層４６に相応しなければならない。
【０００８】
続いて図７に示されるように、現像工程を実行し、現像剤を利用して正フォトレジスト層４６における導線トレンチ潜在パターン４７を除去する。露光されない正フォトレジスト層４６は現像剤の影響を受けない。次にハードベーキング工程を実行してから、現像された正フォトレジスト層４６をエッチングマスクとして異方性エッチングを工程を実行し、正フォトレジスト層４６における導線トレンチパターン４７を誘電層３４に移転して誘電層３４において導線トレンチ５１を形成する。最後に図８に示されるように、当業者の熟知している方法、例えば酸素プラスマまたは洗浄剤により正フォトレジスト層４６と底部反射防止層４２を除去し、デュアルダマシン構造５２の製作を完成する。デュアルダマシン構造５２は導線トレンチ構造５１とビア構造４１を含む。
【０００９】
前述の通りに、従来のデュアルダマシン製作工程において、ビア先行のデュアルダマシン製作工程を例にとれば、二回のフォトレジストコーティング工程と、一回の底部反射防止層塗布工程と、二回の露光工程と、二回の現像工程と、二回のエッチング工程が必要である。かくして時間とコストの浪費をもたらすと同時に能率とパターン移転の精密度の低下をもたらしている。なお、従来のビア先行のデュアルダマシン製作工程は底部反射防止層が必要であるため、塗布が均一でない問題が生じやすく、製品の歩留まりに影響する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
この発明は前述の問題を解決するため、デュアルダマシン構造を製作する方法を提供することを課題とする。
【００１１】
この発明の更なる目的は、一回のフォトレジストコーティング工程と、二回の露光工程と、一回の現像工程と、一回のエッチング工程とのみで誘電層にデュアルダマシン構造を形成できる。すなわち重複露光を利用してデュアルダマシン構造を形成する方法を提供することである。
【００１２】
この発明の更なる目的は、底部反射防止層塗布工程が要らず、単一フォトレジスト層にデュアルダマシン構造を形成する方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
この発明の好ましい実施例において、この発明による方法は以下のステップを含む。（１）半導体基板を提供する。（２）半導体基板に第一波長光線と第二波長光線に対してそれぞれ相違した第一吸光度と第二吸光度を有する感光材料層を形成する。（３）第一波長光線を利用して前記感光材料層に第一露光工程を行って第一潜在パターンを形成する。（４）第二波長光線を利用して前記感光材料層に第二露光工程を行って第二潜在パターンを形成する。（５）ステップ（４）と同時に感光材料層における前記第一潜在パターン並びに第二潜在パターンを除去して感光材料層にデュアルダマシン構造を形成する。
【００１４】
この発明は、感光材料層が第一波長光線と第二波長光線に対してそれぞれ相違した第一吸光度と第二吸光度を有する特性を利用するものである。よって一回のフォトレジストコーティング工程と、二回の露光工程と、一回の現像工程とのみで感光材料層にデュアルダマシン構造を形成できる。
かかるデュアルダマシン構造を製作する方法の特徴を詳述するために、具体的な実施例を挙げ、図を参照して以下に説明する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図９から図１５を参照されたい。図９から図１５はこの発明によるデュアルダマシン構造を製作する方法を表わす説明図である。図９によれば、半導体チップ６０の表面は底層６２と底層６２を覆う誘電層６４を含む。底層６２は半導体基板またはその他の誘電層である。誘電層６４は当業者が常用する低誘電率材料、例えばＦＬＡＲＥ（登録商標）、ＳｉＬＫ（登録商標）、ポリアリーレンエーテルポリマー、ＨＳＱ、ＭＳＱ、ＨＯＳＰ、パリレン系化合物、二酸化珪素、または多孔性二酸化珪素により構成される。誘電層６４の誘電率は一般に２．２から３．５であり、厚さは数千オングストロームから数ミクロンである。
【００１６】
強調すべき点は、この発明による技術の重点が一回のフォトレジストコーティング工程と、二回の露光工程と、一回の現像工程とのみで誘電層６４にデュアルダマシン構造を形成することであって、説明の便利を図るため、底層６２にあるその他のデバイス、例えば下層金属導線またはその他の相互接続構造は図９から図１５に示されない。当業者はこの発明による方法を現行のそれぞれ相違したデュアルダマシン製作工程、例えばビア先行デュアルダマシン製作工程、導線トレンチ先行デュアルダマシン製作工程、エッチングストップ埋め込み（ｂｕｒｉｅｄ  ｅｔｃｈ  ｓｔｏｐ）デュアルダマシン製作工程、エッチングマスク埋め込み（ｂｕｒｉｅｄ  ｅｔｃｈ  ｍａｓｋ）デュアルダマシン製作工程に応用できる。
【００１７】
続いて図１０に示されるように、誘電層６４にスピン・オン・コーティング法により正フォトレジスト層６６を塗布する。正フォトレジスト層６６の厚さは０．５〜３．５ミクロンであり、１〜２．５ミクロンが好ましく、２ミクロンが最適である。この発明の好ましい実施例において、正フォトレジスト層６６はＫｒＦ（２４８ｎｍ）フォトレジストにより構成される。しかし、その他のフォトレジスト、例えばｉ−ｌｉｎｅ（３６５ｎｍ）フォトレジスト、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）フォトレジスト、１５７ｎｍフォトレジストまたはその他の感光材料もこの発明に適用できる。正フォトレジスト層６６は光線の波長によって相違した吸光度を有する。図１１によれば、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）フォトレジストは波長２４８ｎｍの紫外線に第一吸光度Ａ１を有し、波長１９３ｎｍの深紫外線に第二吸光度Ａ２を有し、第二吸光度Ａ２は第一吸光度Ａ１を上回る。
【００１８】
続いて図１２に示されるように、パターン移転の確実性を向上させるため、露光工程を実行する前に、温度９０〜１３０℃で１分間の脱水ベーキングかソフトベーキングを実行するのが望ましい。次に正フォトレジスト層６６を露光させ、導線トレンチパターンを有するマスク６９と１９３ｎｍ露光光線６８を利用して、正フォトレジスト層６６に導線トレンチ潜在パターン６７を形成する。導線トレンチ潜在パターン６７の形成は正フォトレジスト層６６が１９３ｎｍ露光光線６８に対する低透過率によるものである。前述の通りに、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）フォトレジストは波長１９３ｎｍの深紫外線に対してより高い吸光度Ａ２を有し、言い換えればＫｒＦ（２４８ｎｍ）フォトレジストは波長１９３ｎｍの深紫外線に対してより低い透過率（透過率は吸光度の逆数と定義される）を有するため、波長１９３ｎｍの深紫外線は正フォトレジスト層６６を予定感光深度ｈにまで露光させられる。即ち１９３ｎｍ光子は露光部分の正フォトレジスト層６６の表面における正フォトレジスト分子とのみ作用できることである。この発明の好ましい実施例において、厚さ２ミクロンの正フォトレジスト層６６は波長１９３ｎｍの深紫外線に露光された後の感光深度はおよそ０．２ミクロンである。
【００１９】
図１３によれば、１９３ｎｍ露光工程を完成した後、露光光線の波長を２４８ｎｍに変更し、ビアパターンを有するマスク７９と２４８ｎｍの露光光線７８とを利用して正フォトレジスト層６６を再露光させ、正フォトレジスト層６６にビア潜在パターン８７を形成する。図１１によれば、ＫｒＦフォトレジストは波長２４８ｎｍの深紫外線に対してより低い吸光度を有し、言い換えればＫｒＦフォトレジストは波長２４８ｎｍの深紫外線に対してより高い透過率を有するため、波長２４８ｎｍの深紫外線は正フォトレジスト層６６を完全に露光させられる。第一次露光（即ち導線トレンチパターン露光）と第二次露光（即ちビアパターン露光）との時間間隔はなるべく短いほうが好ましい。これによって光反応化合物（ｐｈｏｔｏ−ａｃｔｉｖｅ  ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）の形成による臨界寸法の制御問題を避けることができる。
【００２０】
この発明のその他の実施例において、正フォトレジスト層６６にまずビアパターンの露光工程を実行してから導線トレンチパターン露光工程を実行してもよい。しかし、光反応化合物の形成による臨界寸法の制御問題があるため、大面積の露光工程を先に実行することが望ましい。この発明の好ましい実施例は即ち大面積の導線トレンチパターン露光をまず実行してから小面積のビアパターン露光を実行するものである。かくしてビアパターンの臨界寸法の変化が縮減される。
【００２１】
続いて現像工程を実行する。現像剤、例えばテトラメチル水酸化アンモニウム（ＴＭＡＨ）またはコリンを含むアルカリ性水溶液を利用して正フォトレジスト層６６における導線トレンチ潜在パターン６７とビアパターン８７を除去する。露光されない正フォトレジスト層６６は現像剤の影響を受けない。図１４によれば、現像された正フォトレジスト層６６は導線トレンチ構造６７’とビア構造８７’からなるデュアルダマシン構造９０を具える。次に正フォトレジスト層６６に対して温度９０〜１３０℃で１分間のハードベーキングを実行する。次に図１５に示されるように、現像かつベーキングされた正フォトレジスト層６６をエッチングマスクとして異方性エッチングを実行し、正フォトレジスト層６６におけるデュアルダマシン構造９０を誘電層６４に移転して誘電層６４にデュアルダマシン構造９０’を形成する。最後に当業者の熟知している方法、例えば酸素プラスマまたは洗浄剤で残存の正フォトレジスト層６６を除去する。
【００２２】
デュアルダマシン製作の完成された半導体チップ６０に対して、後続の金属化工程を実行することができる。一般に金属化工程は以下のステップを含む。（１）誘電層６４の上にバリアー層を形成する。（２）バリアー層の上に誘電層６４におけるデュアルダマシン構造９０’を満たすように金属層をスパッタリングする。（３）化学的機械的研磨工程（ＣＭＰ）を行ってデュアルダマシン構造９０’以外の金属層とバリアー層を除去する。（４）金属層の上にパシベーション層を形成する。金属化工程は当業者に熟知されているため説明を省略する。
【００２３】
以上は、この発明の好ましい実施例であって、この発明の実施の範囲を限定するものではない。よって、当業者のなし得る修正、もしくは変更であって、この発明の精神の下においてなされ、この発明に対して均等の効果を有するものは、いずれもこの発明の特許請求の範囲に属するものとする。
【００２４】
【発明の効果】
従来の方法と比べ、この発明によるデュアルダマシン導線相互接続方法は一回のフォトレジストコーティング工程と、二回の露光工程と、一回の現像工程と、一回のエッチング工程とのみで誘電層にデュアルダマシン構造を形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のデュアルダマシン構造を表わす半導体チップの部分断面図である。
【図２】誘電層にビア先行デュアルダマシン構造を形成する従来の方法を表わす第一説明図である。
【図３】誘電層にビア先行デュアルダマシン構造を形成する従来の方法を表わす第二説明図である。
【図４】誘電層にビア先行デュアルダマシン構造を形成する従来の方法を表わす第三説明図である。
【図５】誘電層にビア先行デュアルダマシン構造を形成する従来の方法を表わす第四説明図である。
【図６】誘電層にビア先行デュアルダマシン構造を形成する従来の方法を表わす第五説明図である。
【図７】誘電層にビア先行デュアルダマシン構造を形成する従来の方法を表わす第六説明図である。
【図８】誘電層にビア先行デュアルダマシン構造を形成する従来の方法を表わす第七説明図である。
【図９】この発明によるデュアルダマシン構造を製作する方法を表わす第一説明図である。
【図１０】この発明によるデュアルダマシン構造を製作する方法を表わす第二説明図である。
【図１１】この発明による方法におけるＫｒＦフォトレジストの吸光度が露光光線の波長に対する関係を表わす説明図である。。
【図１２】この発明によるデュアルダマシン構造を製作する方法を表わす第三説明図である。
【図１３】この発明によるデュアルダマシン構造を製作する方法を表わす第四説明図である。
【図１４】この発明によるデュアルダマシン構造を製作する方法を表わす第五説明図である。
【図１５】この発明によるデュアルダマシン構造を製作する方法を表わす第六説明図である。
【符号の説明】
１０        半導体チップ
１１        デュアルダマシン構造
１２        第一低誘電率材料層
１４        誘電層
１８        酸化珪素層
２０        第二低誘電率材料層
２１        酸化膜
２２        ビア
２３        溝構造
２４        上層銅導線
３０        半導体チップ
３２        基板
３４        誘電層
３６        正フォトレジスト層
３７        ビア潜在パターン
３８        露光光線
３９        マスク
４１        ビア構造
４２        底部反射防止層
４６        正フォトレジスト層
４７        導線溝潜在パターン
４８        露光光線
４９        マスク
５１        導線溝構造
５２        デュアルダマシン構造
６０        半導体チップ
６２        底層
６４        誘電層
６６        正フォトレジスト層
６７        導線溝潜在パターン
６７’        導線溝構造
６８        １９３ｎｍ露光光線
６９        マスク
７８        ２４８ｎｍ露光光線
７９        マスク
８７        ビア潜在パターン
８７’        ビア構造
９０、９０’    デュアルダマシン構造
【図１】
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【図２】
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【図３】
2004342652.tif 000005
【図４】
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【図５】
2004342652.tif 000007
【図６】
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【図７】
2004342652.tif 000009
【図８】
2004342652.tif 000010
【図９】
2004342652.tif 000011
【図１０】
2004342652.tif 000012
【図１１】
2004342652.tif 000013
【図１２】
2004342652.tif 000014
【図１３】
2004342652.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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