(57)【要約】【課題】粘着シートとして熱剥離性テープを用い、半導体ウェハを粘着シートに貼り付けた状態で個々の半導体チップに切断し、個々の半導体チップを正確にピックアップすることのできる技術を提供する【解決手段】ピックアップする半導体チップ２Ａの下部へ真空吸着駒５を配置し、その半導体チップ２Ａの裏面に貼付されたウェハシート１に吸着させることでピックアップする半導体チップ２Ａの位置認識を行った後、半導体チップを個別に加熱するヒートブロック６を上昇させることによって、ヒートブロック６とウェハシート１とを接触させ、ピックアップする半導体チップ２Ａを裏面より加熱する。【選択図】　　図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）素子形成面上に半導体素子が形成され、裏面に熱剥離性の粘着シートが貼付された半導体ウェハを用意する工程、
（ｂ）前記半導体ウェハを個々の半導体チップへ分割する工程、
（ｃ）ピックアップ対象の第１半導体チップの裏面の前記粘着シートを第１加熱手段により第１温度で加熱し、前記第１半導体チップと前記粘着シートとを剥離させる工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程後、第１吸着手段により前記第１半導体チップを前記素子形成面を吸着することでピックアップする工程、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
（ａ）素子形成面上に半導体素子が形成され、裏面に熱剥離性の粘着シートが貼付された半導体ウェハを用意する工程、
（ｂ）前記半導体ウェハを個々の半導体チップへ分割する工程、
（ｃ）ピックアップ対象の第１半導体チップの裏面の前記粘着シートを第１加熱手段により第１温度で加熱し、前記第１半導体チップと前記粘着シートとを剥離させる工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程後、第１吸着手段により前記第１半導体チップを前記素子形成面を吸着することでピックアップする工程、
を含み、前記（ｃ）工程においては、前記第１半導体チップ以外の前記半導体チップの裏面の前記粘着シートを冷却することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
（ａ）素子形成面上に半導体素子が形成され、裏面に熱剥離性の粘着シートが貼付された半導体ウェハを用意する工程、
（ｂ）前記半導体ウェハを個々の半導体チップへ分割する工程、
（ｃ）ピックアップ対象の第１半導体チップに対応した位置において、前記粘着シートに第２吸着手段を吸着させ、前記第１半導体チップの裏面の前記粘着シートを第１加熱手段により第１温度で加熱し、前記第１半導体チップと前記粘着シートとを剥離させる工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程後、第１吸着手段により前記第１半導体チップを前記素子形成面を吸着することでピックアップする工程、
を含み、前記第２吸着手段の前記粘着シートとの接触面には溝部が形成され、前記第２吸着手段は前記溝部を通じて前記第２吸着手段の内部と外部との間で通気を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
（ａ）素子形成面上に半導体素子が形成され、裏面に熱剥離性の粘着シートが貼付された半導体ウェハを用意する工程、
（ｂ）前記半導体ウェハを個々の半導体チップへ分割する工程、
（ｃ）加熱手段を有する第１吸着手段によりピックアップ対象の第１半導体チップを吸着し、前記第１吸着手段により前記第１半導体チップを第１温度で加熱することによって前記第１半導体チップと前記粘着シートとを剥離させる工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程後、前記第１吸着手段により前記第１半導体チップをピックアップする工程、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
（ａ）素子形成面上に半導体素子が形成され、裏面に熱剥離性の粘着シートが貼付された半導体ウェハを用意する工程、
（ｂ）前記半導体ウェハを個々の半導体チップへ分割する工程、
（ｃ）加熱手段を有する第１吸着手段によりピックアップ対象の第１半導体チップを吸着し、前記第１吸着手段により前記第１半導体チップを第１温度で加熱することによって前記第１半導体チップと前記粘着シートとを剥離させる工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程後、前記第１吸着手段により前記第１半導体チップをピックアップする工程、
を含み、前記第１半導体チップ以外の前記半導体チップの裏面の前記粘着シートを冷却することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、半導体ウェハを切断して複数の半導体チップとし、個々の半導体チップをピックアップする工程に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
たとえば、特開平６−２９５９３０号公報においては、半導体ウェハを粘着シートに貼り付けた状態で、個々の半導体チップに切断した後、剥離すべき半導体チップを接着している粘着シートの裏面を摺動ピンで擦ることで半導体チップとの粘着力を弱め、その摺動ピンの周囲に設けられた突き上げピンを摺動ピンと一緒に上昇させ、半導体チップを均等に持ち上げることによって粘着力の弱まった半導体チップを粘着シートから剥離する技術について開示されている。
【０００３】
また、たとえば特開平６−９７２１４号公報においては、複数のペレットが粘着された粘着シートをペレットを下側にして保持し、ニードルユニットの下端の球状形状で粘着シートの押さえ面を形成し、ニードルユニットから先端が尖ったニードルを突き下げることによって、ペレットを粘着シートから剥離し、下方に位置するコレットによってそのペレットを真空吸着してピックアップする技術について開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
近年、ＩＣカードなどの製品に実装する半導体チップは、製品の厚さを薄くしたり実装効率を向上する等の必要性から、その厚さを薄くすることが求められている。ところが、上記のピンまたはニードルを突き上げる（または突き下げる）ことによって半導体チップを粘着シートから剥離する技術を薄型化した半導体チップに適用する場合には以下のような課題が存在することを本発明者らは見出した。
【０００５】
すなわち、ピンまたはニードルを突き上げる（または突き下げる）ことによって半導体チップを粘着シートから剥離することから、半導体チップに負荷がかかり、厚さの薄い半導体チップでは割れまたは欠けが発生してしまう問題がある。
【０００６】
そこで、本発明者らは、加熱処理によって剥離することができる熱剥離性テープを上記粘着シートとして用いる手段について検討している。その中で、本発明者らは以下のような課題を見出した。
【０００７】
すなわち、熱剥離性テープを上記粘着シートとして用いた場合には、粘着シートは加熱処理によって粘着性を失ってしまうことから、個々の半導体チップへと切断された半導体ウェハを半導体チップのピックアップ位置まで搬送するまでに個々の半導体チップが移動してしまい、コレットを用いた吸着による半導体チップのピックアップを正確に行えなくなってしまう問題がある。
【０００８】
本発明の目的は、粘着シートとして熱剥離性テープを用い、半導体ウェハを粘着シートに貼り付けた状態で個々の半導体チップに切断し、個々の半導体チップを正確にピックアップすることのできる技術を提供することにある。
【０００９】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１１】
すなわち、本発明は、素子形成面上に半導体素子が形成され、裏面に熱剥離性の粘着シートが貼付された半導体ウェハを用意する工程と、前記半導体ウェハを個々の半導体チップへ分割する工程と、ピックアップ対象の第１半導体チップの裏面の前記粘着シートを第１加熱手段により第１温度で加熱し、前記第１半導体チップと前記粘着シートとを剥離させた後、第１吸着手段により前記第１半導体チップを前記素子形成面を吸着することでピックアップする工程とを含むものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１３】
（実施の形態１）
図１は、本実施の形態１の半導体装置の製造工程を示すフローチャートであり、このフローチャートに沿って本実施の形態１の半導体装置の製造工程を説明する。
【００１４】
まず、図２に示すように、裏面にウェハシート（粘着シート）１が貼付された半導体ウェハ２を用意する（工程Ｐ１）。なお、図２（ｂ）は、図２（ａ）中のＡ−Ａ線に沿った断面図である。半導体ウェハ２は、その主面（素子形成面）上に半導体素子、配線層および表面保護膜が形成され、ダイシング（分割）工程により複数の半導体チップに個片化されたものであり、その裏面に半導体ウェハ２の径よりも大きな径を有するウェハシート１が貼付されたことによって、ダイシング工程前の半導体ウェハ２の外形と同様の外形で保持されている。ウェハシート１の外周部には、ウェハシート１が貼付された半導体ウェハ２を搬送するためのリング状のキャリア治具３が装着されている。このキャリア治具３は、たとえばステンレス鋼などから形成されたものを用いることができる。
【００１５】
図３に示すように、ウェハシート１は、基材１Ａおよびその基材１Ａと半導体ウェハ２との間に介在する粘着層１Ｂから形成されている。基材１Ａは、たとえばポリエステル、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）またはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）などの伸縮性を有する樹脂から形成されている。図４に示すように、粘着層１Ｂ中には、エアーカプセル４が含まれている。このウェハシート１は、加熱によってエアーカプセル４が膨張することで半導体ウェハ２から剥離することのできる熱剥離性のウェハシートである。
【００１６】
次に、図５に示すように、ピックアップする半導体チップ（第１半導体チップ）２Ａの下部へ真空吸着駒（第２吸着手段）５を配置し、その半導体チップ２Ａの裏面に貼付されたウェハシート１に吸着させることでピックアップする半導体チップ２Ａの位置認識を行う（工程Ｐ２）。本実施の形態１において、真空吸着駒５は、半導体チップを個別に加熱するヒートブロック（第１加熱手段）６を有する。
【００１７】
次に、図６に示すように、上記ヒートブロック６を上昇させることによって、ヒートブロック６とウェハシート１とを接触させ、ピックアップする半導体チップ２Ａを半導体チップ２Ａとウェハシート１とが剥離する加熱温度（第１温度）で裏面から加熱する（工程Ｐ３）。これにより、上記エアーカプセル４（図４参照）は膨張し、粘着層１Ｂ（図３および図４参照）の粘着力を半導体チップ２Ａとウェハシート１とを剥離できる粘着力とすることができる。本実施の形態１においては、この加熱処理に要する加熱温度および加熱時間をそれぞれ約２００℃および約１秒以下とすることを例示できる。また、加熱温度を下げ加熱時間を延ばして（たとえば約１４０℃で約１分以下）加熱処理を行ってもよい。
【００１８】
また、ヒートブロック６とウェハシート１とを接触させる際には、半導体チップ２Ａをピックアップする真空吸着コレット（第１吸着手段）７を下降させ、真空吸着コレット７をピックアップする半導体チップ２Ａに吸着させる。
【００１９】
上記加熱処理を行うに当たり、予め半導体チップ２Ａとウェハシート１とが剥離しない程度の温度（たとえば６０℃程度）で第１の加熱処理を施しておき、その後、半導体チップ２Ａとウェハシート１とを剥離させるための第２の加熱処理を施す手段を用いてもよい。この時、第１の加熱処理は、上記ヒートブロック６以外の手段（たとえばドライヤーなど）を用いて行ってもよい。それにより、第２の加熱処理に要する加熱時間を短縮することができる。すなわち、ピックアップする半導体チップ２Ａ以外の半導体チップ２Ｂに対して与える加熱による影響を低減することができるので、その半導体チップ２Ｂが加熱によりウェハシート１から剥離してしまうことを防ぐことが可能となる。
【００２０】
上記加熱工程時において、上記真空吸着駒５としては、ピックアップする半導体チップ２Ａ以外の半導体チップ２Ｂと平面で重なる領域が可能な限り小さいものを用いる。また、ヒートブロック６は、平面において半導体チップ２Ａ、２Ｂより小さいものを用いる。それにより、ピックアップする半導体チップ２Ａ以外の半導体チップ２Ｂに対して与える加熱による影響を低減することができる。すなわち、その半導体チップ２Ｂが加熱によりウェハシート１から剥離してしまうことを防ぐことができる。真空吸着駒５と半導体チップ２Ｂとが平面で重なる領域を減らす以外にも、その重なる領域に冷却エアーを吹き付けることによって、半導体チップ２Ｂが加熱によってウェハシート１から剥離してしまうことを防いでもよい。また、真空吸着駒５のウェハシート１と接触する面に、エアーの流通経路となる溝部８（図７参照）を設け、真空吸着駒５のウェハシート１への吸着時におけるエアーの流れを形成することによって、真空吸着駒５と半導体チップ２Ｂとが平面で重なる領域を冷却する手段を用いてもよい。このような手段でも、半導体チップ２Ｂが加熱によってウェハシート１から剥離してしまうことを防ぐことができる。
【００２１】
次に、図８に示すように、上記加熱処理が終了後、ピックアップする半導体チップ２Ａ以外の半導体チップ２Ｂが加熱による影響を受けないようにヒートブロック６を即下降させる。続いて、真空吸着コレット７を上昇させることによって、ウェハシート１から剥離した半導体チップ２Ａをピックアップする（工程Ｐ４）。
【００２２】
上記のような本実施の形態１の半導体チップ２Ａのピックアップ手段によれば、ウェハシートとして熱剥離性のウェハシート１を用いるので、ピンまたはニードルを突き上げる（または突き下げる）ことによって半導体チップをウェハシートから剥離する手段を用いた場合のような機械的負荷が半導体チップにかかることを防ぐことができる。それにより、半導体チップ２Ａの厚さが薄い場合でも半導体チップ２Ａに割れまたは欠けが発生してしまうことを防ぐことができる。たとえば、半導体チップ２Ａの厚さが１００μｍ程度以上の場合でも半導体チップ２Ａに割れまたは欠けが発生してしまう不具合を防ぐことができるが、半導体チップ２Ａの厚さが１００μｍ程度以下の場合には特に顕著な効果を得ることができる。また、ピンまたはニードルの代わりに、加熱手段であるヒートブロック６および冷却手段（たとえば溝部８（図７参照））を設けるので、新たなダイボンダを導入することなく、ピンまたはニードルが設けられたダイボンダを改良して、ピンまたはニードルをヒートブロック６に置き換え、冷却手段を追加することによって用いることが可能となる。それにより、本実施の形態１の半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００２３】
また、半導体ウェハ２にウェハシート１を貼付している粘着層１Ｂ（図３および図４参照）として、たとえば紫外線の照射により硬化し粘着力が低下するポリイミド系の材料を用いた場合には、半導体チップ２Ａをウェハシート１から剥離しやすくするための紫外線照射装置が必要となる。一方、上記の本実施の形態１のように、熱剥離性のウェハシート１を用いた場合には、加熱によって半導体チップ２Ａをウェハシート１から剥離することができる。すなわち本実施の形態１によれば、紫外線照射装置は不要であることから、半導体製造装置（ダイボンダ）の構成を簡略化することができる。
【００２４】
次に、図９に示すように、配線基板１１の主面のチップ実装領域に接着剤１２を塗布する。接着剤１２としては、たとえば熱硬化性樹脂系の接着剤が用いられる。また、接着剤１２に代えて、半導体チップ２Ａとほぼ同じ寸法に裁断した両面接着テープなどを各チップ実装領域に貼り付けてもよい。配線基板１１をスクライブライン（図示は省略）に沿って格子状に切断（ダイシング）、個片化することにより、複数個のパッケージ基板を得ることができる。配線基板１１の主面および内層には、配線１３が形成されており、裏面には、電極パッド１４が形成されている。また、配線基板１１の主面および裏面には、配線１３や電極パッド１４の表面を除き、エポキシ系樹脂などからなるソルダレジスト１５がコーティングされている。
【００２５】
続いて、前記真空吸着コレット７（図６および図８参照）に吸着保持された半導体チップ２Ａの裏面（下面）を配線基板１１のチップ実装領域に押し付け、真空吸着コレット７を半導体チップ２Ａから離すことによって、半導体チップ２Ａのダイボンディングを行う（工程Ｐ５）。本実施の形態１において、半導体チップ２Ａは、たとえばＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ　Ｅｒａｓａｂｌｅ　Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ　Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）が形成されたシリコンチップである。
【００２６】
続いて、半導体チップ２Ａのボンディングパッド１６と配線基板１１の配線１３とをＡｕワイヤ１７で接続する（工程Ｐ６）。Ａｕワイヤ１７の接続は、たとえば超音波振動と熱圧着とを併用した周知のワイヤボンダを使用して行う。
【００２７】
次に、半導体チップ２Ａの上面のチップ実装領域に接着フィルム１８を貼付した後、上記半導体チップ２Ａと同様の方法でピックアップされた半導体チップ２Ｃをそのチップ実装領域に押し付けることによって半導体チップ２Ｃのダイボンディングを行う（工程Ｐ７）。この時、接着フィルム１８としては、半導体チップ２Ｃとほぼ同じ寸法に裁断したものを用いる。また、本実施の形態１において、半導体チップ２Ｃは、たとえば高速マイクロプロセッサ（ＭＰＵ：超小型演算処理装置）が形成されたシリコンチップである。
【００２８】
続いて、半導体チップ２Ａのボンディングパッド１９と配線基板１１の配線１３とをＡｕワイヤ２０で接続する（工程Ｐ８）。Ａｕワイヤ１７の接続には、たとえば超音波振動と熱圧着とを併用したワイヤボンダを使用することができる。
【００２９】
次に、モールド金型（図示せず）を使って配線基板１１の主面全体を一括して樹脂封止する（工程Ｐ９）。配線基板１１の主面を封止するモールド樹脂２１は、たとえば粒径７０μｍ〜１００μｍ程度のシリカを分散させた熱硬化型エポキシ系樹脂からなる。
【００３０】
次に、配線基板１１の裏面の電極パッド１４にはんだバンプ２２を接続する。（工程Ｐ１０）はんだバンプ２２の接続は、たとえば低融点のＰｂ（鉛）−Ｓｎ（スズ）共晶合金からなるはんだボールを電極パッド１４の表面に供給した後、はんだボールをリフローさせることによって行う。
【００３１】
その後、配線基板１１を前記スクライブラインに沿って切断、個片化することにより、本実施の形態１の半導体装置であるマルチチップモジュール（Ｍｕｌｔｉ　Ｃｈｉｐ　Ｍｏｄｕｌｅ；ＭＣＭ）を製造する（工程Ｐ１１）。
【００３２】
上記の本実施の形態１においては、半導体チップ２Ａ、２ＣをそれぞれＡｕワイヤ１７、２０を用いたワイヤボンディングにより配線基板１１と電気的に接続した場合について例示したが、図１０に示すように、半導体チップを積層せずに、半導体チップ２Ａを主面を配線基板１１側に向け、バンプ電極２３を用いたフェイスダウンボンディングで実装してもよい。この時、半導体チップ２Ａの主面に形成された配線（図示は省略）と配線基板１１内に形成された配線１３とは、バンプ電極２３を介して電気的に接続される。
【００３３】
（実施の形態２）
本実施の形態２においては、前記実施の形態１にて用いた半導体チップ２Ａを個別に加熱するヒートブロック６（図５参照）を用いる代わりに、真空吸着コレット７に半導体チップ２Ａを個別に加熱する加熱手段を持たせるものである。
【００３４】
すなわち、図１１に示すように、前記実施の形態１で図５を用いて説明した工程と同様に、ピックアップする半導体チップ２Ａの下部へ真空吸着駒５を配置し、その半導体チップ２Ａの裏面に貼付されたウェハシート１に吸着させることでピックアップする半導体チップ２Ａの位置認識を行った後、真空吸着コレット７を下降させ、真空吸着コレット７をピックアップする半導体チップ２Ａに吸着させる。
【００３５】
続いて、真空吸着コレット７により半導体チップ２Ａとウェハシート１とが剥離する加熱温度（第１温度）で半導体チップ２Ａに対して加熱処理を施す。この時、この加熱処理に要する加熱温度および加熱時間をそれぞれ約２００℃および約１秒以下とすることを例示できる。これにより、ウェハシートを形成する粘着層１Ｂ（図３および図４参照）に含まれるエアーカプセル４（図４参照）は膨張し、粘着層１Ｂの粘着力を半導体チップ２Ａとウェハシート１とを剥離できる粘着力とすることができる。
【００３６】
次いで、真空吸着コレット７を上昇させることによって、ウェハシート１から剥離した半導体チップ２Ａをピックアップする。
【００３７】
上記のような本実施の形態２によっても、前記実施の形態１と同様の効果を得ることが可能である。
【００３８】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００３９】
前記実施の形態においては、ウェハシートに接着された半導体チップをウェハシートから剥離してピックアップする工程に本発明を適用する場合について示したが、たとえば搬送用トレイ内に仮固定された半導体パッケージをその搬送用トレイからピックアップする工程にも適用することができる。
【００４０】
【発明の効果】
本願によって開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。
（１）熱剥離性のウェハシート（粘着シート）を用い、ピックアップ対象の第１半導体チップの裏面のウェハシートを加熱し、前記第１半導体チップとウェハシートとを剥離させた後に第１半導体チップをピックアップするので、ピックアップ時に第１半導体チップに割れまたは欠けが発生してしまうことを防ぐことができる。
（２）熱剥離性のウェハシート（粘着シート）を用い、ピックアップ対象の第１半導体チップの裏面のウェハシートを加熱することによって、第１半導体チップとウェハシートとを剥離させ、ピックアップする第１半導体チップ以外の半導体チップが加熱によりウェハシートから剥離してしまうことを防ぐので、個々の半導体チップを正確にピックアップすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程を示すフローチャートである。
【図２】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法を説明する要部平面図および要部断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程中において半導体ウェハに貼付されたウェハシートを説明する要部断面図である。
【図４】図３に示したウェハシートに含まれる粘着層の要部平面図である。
【図５】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図６】図５に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図７】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造に用いる真空吸着駒の要部平面図である。
【図８】図６に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図９】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１０】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１１】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造方法を説明する要部断面図である。
【図１２】図１１に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【符号の説明】
１　ウェハシート（粘着シート）
１Ａ　基材
１Ｂ　粘着層
２　半導体ウェハ
２Ａ　半導体チップ（第１半導体チップ）
２Ｂ、２Ｃ　半導体チップ
３　キャリア治具
４　エアーカプセル
５　真空吸着駒（第２吸着手段）
６　ヒートブロック（第１加熱手段）
７　真空吸着コレット（第１吸着手段）
８　溝部
１１　配線基板
１２　接着剤
１３　配線
１４　電極パッド
１５　ソルダレジスト
１６　ボンディングパッド
１７　Ａｕワイヤ
１８　接着フィルム
１９　ボンディングパッド
２０　Ａｕワイヤ
２１　モールド樹脂
２２　はんだバンプ
Ｐ１〜Ｐ１１　工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2004072037.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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