(57)【要約】【課題】周波数特性を改善可能な光モジュールを提供することとする。【解決手段】光モジュール１は、第１の搭載部材３と、半導体受光素子５と、光ファイバ７と、第１のキャパシタ９と、第２のキャパシタ１１とを備える。第１の搭載部材３は、電源パターン１３を有する第１の領域３ａを含む。電源パターン１３は、第１の部分１３ａ、第２の部分１３ｂ、及び第１の部分１３ａと第２の部分１３ｂとの間に設けられた第３の部分１３ｃを有する。半導体受光素子５は、電源パターン１３の第３の部分１３ｃ上に搭載されている。光ファイバ７は、半導体受光素子５に光学的に結合されている。第１のキャパシタ９は、電源パターン１３の第１の部分１３ａに電気的に接続されている。第２のキャパシタ１１は、電源パターン１３の第２の部分１３ｂに電気的に接続されている。【選択図】  図１
2004335619.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源パターンを有する第１の領域を含む第１の搭載部材を備え、前記電源パターンは、第１の部分、第２の部分、及び前記第１の部分と前記第２の部分とに接続された第３の部分を有しており、
前記電源パターンの前記第３の部分上に搭載されており信号光を受けるための半導体受光素子と、
前記電源パターンの前記第１の部分に電気的に接続された第１のキャパシタと、
前記電源パターンの前記第２の部分に電気的に接続された第２のキャパシタとを備える、光モジュール。
【請求項２】
所定の軸の方向に伸びる第１及び第２の搭載部、並びに前記第１の搭載部と前記第２の搭載部とを繋ぐ接続部を有する第２の搭載部材を更に備え、
前記第１の搭載部材は、前記第２の搭載部材の前記第１の搭載部と前記第２の搭載部との間に位置しており、
前記第１のキャパシタは、前記第２の搭載部材の前記第１の搭載部上に搭載されており、
前記第２のキャパシタは、前記第２の搭載部材の前記第２の搭載部上に搭載されている、請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
所定の軸の方向に伸びる第１及び第２の搭載部、並びに前記第１の搭載部と前記第２の搭載部とを繋ぐ接続部を有する第２の搭載部材を更に備え、
前記第１の搭載部材は、前記第２の搭載部材の前記第１の搭載部と前記第２の搭載部との間に位置しており、
前記第１のキャパシタは、前記第１の搭載部材上に位置する一端子と、前記第２の搭載部材上に位置する他端子とを有しており、
前記第２のキャパシタは、前記第１の搭載部材上に位置する一端子と、前記第２の搭載部材上に位置する他端子とを有する、請求項１に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記半導体受光素子に光学的に結合された光ファイバを更に備え、
前記第１の搭載部材は、第２の領域および突き当て面を更に有しており、前記第１及び第２の領域は前記所定の軸の方向に配列されており、
前記突き当て面は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に設けられ前記所定の軸に交差する面に沿って伸びており、
前記電源パターンの前記第１〜第３の部分は、前記突き当て面が伸びる方向に配列されており、
前記光ファイバは前記第２の領域に搭載されている、請求項１または請求項２に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記半導体受光素子からの電気信号を受ける入力及び前記増幅された電気信号を提供する出力を有する増幅素子と、
前記増幅素子を搭載する第３の搭載部材と
を更に備え、
前記電源パターンの前記第１〜第３の部分は、前記増幅素子の一辺が伸びる方向に配列されている、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の光モジュール。
【請求項６】
前記第１の搭載部材の前記第１の領域は、所定の軸に交差する第１の基準面に沿って伸びる搭載面に設けられており、
前記電源パターンの前記第１及び第２の部分は、前記第１の基準面に交差する第２の基準面に沿って伸びる主面及び前記搭載面上に設けられており、
前記第１のキャパシタは、前記主面上において前記電源パターンの前記第１の部分に電気的に接続されており、
前記第２のキャパシタは、前記主面上において前記電源パターンの前記第２の部分に電気的に接続されている、請求項１に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
特許文献１には、光受信モジュールが記載されている。この光受信モジュールでは、光ファイバは、光ファイバ搭載基板の光ファイバ支持部に支持されている。また、半導体受光素子は、光ファイバ搭載基板の受光素子実装部に配置されている。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２―０６４２１２号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
光受信モジュールが高い伝送レートの光信号を受信するためには、光受信モジュールの受信帯域が広いことが求められる。光受信モジュールでは、受光素子実装部に、半導体受光素子のための電極が設けられている。該電極上には、半導体受光素子が配置されている。また、半導体受光素子のための電源ラインには、キャパシタが接続されている。実験によれば、この光受信モジュールでは、周波数応答にピーキングが生じており、また群遅延変動量が大きい。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、周波数特性を向上可能な光モジュールを提供することとする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の一側面によれば、光モジュールは、（ａ）電源パターンを有する第１の領域を含む第１の搭載部材を備え、電源パターンは、第１の部分、第２の部分、及び第１の部分と第２の部分とに接続された第３の部分を有しており、（ｂ）電源パターンの第３の部分上に搭載されており光信号を受けるための半導体受光素子と、（ｃ）電源パターンの第１の部分に電気的に接続された第１のキャパシタと、（ｄ）電源パターンの第２の部分に電気的に接続された第２のキャパシタとを備える。
【０００７】
この光モジュールによれば、半導体受光素子は電源パターンの第３の部分に搭載されており、この第３の部分に隣接する電源パターンの第１及び第２の領域にそれぞれキャパシタが電気的に接続されている。これらのキャパシタは、電源パターンに生じる定在波を小さくできる。
【０００８】
本発明の光モジュールは、（ｅ）所定の軸の方向に伸びる第１及び第２の搭載部、並びに第１の搭載部と第２の搭載部とを繋ぐ接続部を有する第２の搭載部材を更に備えることができる。第１のキャパシタは第２の搭載部材の第１の搭載部上に搭載されており、第２のキャパシタは第２の搭載部材の第２の搭載部上に搭載されており、第１の搭載部材は第２の搭載部材の第１の搭載部と第２の搭載部との間に位置している。
【０００９】
この光モジュールの第２の搭載部材によれば、第１及び第２のキャパシタを半導体受光素子のための電源パターンの近くに設けることができる。
【００１０】
本発明の光モジュールは、（ｆ）半導体受光素子に光学的に結合された光ファイバを更に備えることができる。第１の搭載部材は、第２の領域および突き当て面を更に有しており、第１及び第２の領域は所定の軸の方向に配列されている。突き当て面は、第１の領域と第２の領域との間に設けられ所定の軸に交差する面に沿って伸びており、電源パターンの第１〜第３の部分は、突き当て面が伸びる方向に配列されており、光ファイバは第２の領域に搭載されている。
【００１１】
この光モジュールによれば、第１の搭載部材は、半導体受光素子と光ファイバとの光学的に位置決めのために第２の領域及び突き当て面を有しており、これ故に、第１の領域に電源パターンが設けられる。電源パターンの第１〜第３の部分は突き当て面が伸びる方向に配列されており、この電源パターンに定在波が生じる可能性がある。第１および第２のキャパシタは、この定在波を小さくするために役立つ。
【００１２】
また、本発明の光モジュールは、半導体受光素子に光学的に結合された光ファイバを更に備えることができる。第１の搭載部材は第２の領域を更に有しており、第１及び第２の領域は所定の軸の方向に配列されている。面に沿って伸びており、電源パターンの第１〜第３の部分は、所定の軸に交差する方向に配列されており、光ファイバは第２の領域に搭載されている。
【００１３】
本発明の光モジュールは、（ｇ）半導体受光素子からの電気信号を受ける入力及び増幅された電気信号を提供する出力を有する増幅素子と、（ｈ）増幅素子を搭載する第２の搭載部材とを更に備えることができる。電源パターンの第１〜第３の部分は、増幅素子の一辺が伸びる方向に配列されている。
【００１４】
光モジュールによれば、増幅素子は第２の搭載部材上に搭載されており、この増幅素子の一辺が伸びる方向に電源パターンの第１〜第３の部分が配列されている。この結果、この電源パターンに定在波が生じる可能性がある。第１および第２のキャパシタは、この定在波を小さくするために役立つ。
【００１５】
本発明の光モジュールは、（ｉ）所定の軸の方向に伸びる第１及び第２の壁部を有しており第１及び第２の搭載部材を収容するハウジングとを更に備えようにしてもよい。第２の搭載部材の第１の搭載部はハウジングの第１の壁部と第１の搭載部材との間に位置しており、ハウジングは、第１の壁部に設けられた第１のリード端子を有しており、第１のキャパシタの一電極は、電源パターン及び第１のリード端子に電気的に接続されている。
【００１６】
第２の搭載部材の第１の搭載部はハウジングの第１の壁部と第１の搭載部材との間に位置するので、第１のリード端子は、第１のキャパシタの一電極を介して電源パターンに電気的に接続される。
【００１７】
本発明の光モジュールでは、ハウジングは、所定の軸に交差する方向に伸びる壁部を更に有しており、ハウジングは、壁部に設けられた出力端子を有しており、増幅素子は出力端子に電気的に接続されを有する。
【００１８】
本発明の光モジュールは、（ｊ）所定の軸の方向に伸びる第１及び第２の壁部を有しており第１及び第２の搭載部材を収容するハウジングを更に備えることができる。第２の搭載部材の第１の搭載部は、ハウジングの第１の壁部と第１の搭載部材との間に位置しており、第１のキャパシタの一電極は電源パターンに電気的に接続されており、ハウジングは第１の壁部に設けられた第１のリード端子を有しており、第１のリード端子は電源パターンに電気的に接続されている。
【００１９】
第２の搭載部材の第１の搭載部はハウジングの第１の壁部と第１の搭載部材との間に位置するので、第１のリード端子は、第１のキャパシタを介することなく、電源パターンに電気的に接続される。
【００２０】
本発明の光モジュールは、（ｋ）所定の軸の方向に伸びる第１及び第２の搭載部、並びに前記第１の搭載部と前記第２の搭載部とを繋ぐ接続部を有する第２の搭載部材を更に備えることができる。第１の搭載部材は、第２の搭載部材の第１の搭載部と第２の搭載部との間に位置しており、第１のキャパシタは、第１の搭載部材上に位置する一端子と、第２の搭載部材上に位置する他端子とを有しており、第２のキャパシタは、第１の搭載部材上に位置する一端子と、第２の搭載部材上に位置する他端子とを有する。
【００２１】
この光モジュールによれば、ボンディングワイヤを介することなく、第１及び第２のキャパシタを第１の搭載部材及び第２の搭載部材上の導電パターンに接続できる。
【００２２】
本発明の光モジュールでは、第１の搭載部材の第１の領域は所定の軸に交差する第１の基準面に沿って伸びる搭載面に設けられており、電源パターンの第１及び第２の部分は第１の基準面に交差する第２の基準面に沿って伸びる主面及び搭載面上に設けられており、第１のキャパシタは主面上において電源パターンの前記第１の部分に電気的に接続されており、第２のキャパシタは主面上において電源パターンの第２の部分に電気的に接続されている。
【００２３】
この光モジュールによれば、半導体受光素子は、第１及び第２のキャパシタに接続される電源パターンに設けられる主面と異なる搭載面上に搭載されることができる。
【００２４】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の光モジュールに係わる実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００２６】
（第１の実施の形態）
図１は、光モジュールを示す図面である。図２（Ａ）は、第１の搭載部材を示す平面図である。図１及び図２（Ａ）を参照すると、光モジュール１は、第１の搭載部材３と、半導体受光素子５と、第１のキャパシタ９と、第２のキャパシタ１１とを備える。第１の搭載部材３は、電源パターン１３を有する第１の領域３ａを含む。電源パターン１３は、第１の部分１３ａ、第２の部分１３ｂ、及び第３の部分１３ｃを有する。第３の部分１３ｃは、第１の部分１３ａと第２の部分１３ｂとに接続されている。半導体受光素子５は、電源パターン１３の第３の部分１３ｃ上に搭載されている。半導体受光素子５は、光ファイバ７に光学的に結合されている。第１のキャパシタ９は、電源パターン１３の第１の部分１３ａに電気的に接続されている。第２のキャパシタ１１は、電源パターン１３の第２の部分１３ｂに電気的に接続されている。
【００２７】
この光モジュール１によれば、半導体受光素子５は電源パターン１３の第３の部分１３ｃに搭載されており、この第３の部分１３ｃの両側に設けられた電源パターン１３の第１及び第２の領域１３ａ、１３ｂに、それぞれキャパシタ９、１１が電気的に接続されている。これらのキャパシタ９、１１は、電源パターン１３に生じる可能性がある定在波を小さくできる。
【００２８】
光受信モジュールといった光モジュールでは、フォトダイオードといった半導体受光素子のための電源パターンにバイパスキャパシタが接続されている。バイパスキャパシタは、光モジュールに内蔵されている。バイパスキャパシタは、フォトダイオードのカソードと光モジュールの電源端子に接続する電源ラインに接続されている。このバイパスキャパシタは、電源端子から侵入するノイズ等を除去するために設けられている。当該光受信モジュールでは、フォトダイオードのカソードと光モジュールの電源端子との間の電源ラインに接続されているキャパシタを有するけれども、この光受信モジュールの周波数特性は、所望の周波数特性を示していない。実験によれば、光受信モジュールにおいて、下記に事実が発見されている。その一つは、周波数応答にピーキングが生じていることであり、他の一つは群遅延変動量が大きいことである。上記の光受信モジュール内の既存のバイパスキャパシタによっては、所望の周波数特性を達成することは実現されない。
【００２９】
光モジュール１において、キャパシタ９は、電源パターン１３の第３の領域１３ｃと該基準電位パターンとの間に接続されている。追加のキャパシタ１１は第２の領域１３ｂに接続されており、半導体受光素子５は、第１のキャパシタ９に接続された第１の領域１３ａと、第２のキャパシタ１１に接続された第２の領域１３ｂとの間に設けられた第３の領域１３ｃに位置することになる。電源パターン１３の第１の領域１３ａは、電源端子に接続されている。
【００３０】
この光モジュールは、毎秒２．５ギガビットを超える伝送レートの信号の受信するときでも、周波数応答および群遅延変動量において所望の特性を示している。また、光モジュールは、毎秒１０ギガビットを超える伝送レートの信号の受信するときでも、光モジュールの周波数応答および群遅延変動量は所望の特性を示している。
【００３１】
図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）は、光学素子搭載部品を示す図面である。図１、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）を参照すると、光学素子搭載部品１５は、第１の搭載部材３、半導体受光素子５、及び光ファイバ７を備える。第１の搭載部材３は、例えばシリコン製或いはセラミック製の部品である。光モジュール１では、第１の搭載部材３は、第２の領域３ｂおよび突き当て面３ｃを更に有している。第１及び第２の領域３ａ、３ｂは、所定の軸Ａｘの方向に配列されている。突き当て面３ｃは、第１の領域３ａと第２の領域３ｂとの間に設けられており、所定の軸Ａｘに交差する面に沿って伸びている。電源パターン１３の第１〜第３の部分１３ａ〜１３ｃは、突き当て面３ｃが伸びる方向に配列されている。光ファイバ７は、第２の領域３ｂに搭載されている。
【００３２】
この光モジュール１によれば、第１の搭載部材３は、半導体受光素子５と光ファイバ７との光学的に位置決めのために第２の領域３ｂ及び突き当て面３ｃを有しており、これ故に、電源パターン１３は第１の領域３ａに設けられる。電源パターン１３の第１〜第３の部分１３ａ〜１３ｃは、突き当て面３ｃが伸びる方向に配列されている。第１および第２のキャパシタ１９、１１は、この電源パターン１３に生じる定在波を小さくするために役立つ。
【００３３】
第１の搭載部材３は、所定の軸Ａｘの方向に伸びる溝１６を備える。溝１６は、第１及び第２の側面１６ａ、１６ｂを有する。光ファイバ７の側面は、第１及び第２の側面１６ａ、１６ｂによって支持されている。光ファイバ７は、第１の搭載部材３及び位置決め部材１４により位置決めされる。
【００３４】
図１を参照すると、光モジュール１は、第２の搭載部材１７を更に備えることができる。第２の搭載部材１７は、ＣｕＷといった金属製或いはアルミナ若しくは窒化アルミニウムといったセラミック製の部品である。第２の搭載部材１７は、所定の軸Ａｘの方向に伸びる第１及び第２の搭載部１７ａ、１７ｂ、並びに第１の搭載部１７ａと第２の搭載部１７ｂとを繋ぐ接続部１７ｃを有する。第１のキャパシタ９は第１の搭載部１７ａ上に搭載されており、第２のキャパシタ１１は第２の搭載部１７ｂ上に搭載されている。第１の搭載部材３は、第２の搭載部材１７の第１の搭載部１７ａと第２の搭載部１７ｂとの間に位置している。
【００３５】
この光モジュール１の第２の搭載部材１７によれば、第１及び第２のキャパシタ９、１１を半導体受光素子５のための電源パターン１３の近くに設けることができる。
【００３６】
第１のキャパシタ９は、ダイキャップといったチップキャパシタであることができ、また第２のキャパシタ１１は、ダイキャップといったチップキャパシタであることができる。第１のキャパシタ９は、第１の電極９ａ及び第２の電極９ｂを有している。第２のキャパシタ１１は、第１の電極１１ａ及び第２の電極１１ｂを有している。
【００３７】
光モジュール１は、ハウジング１９とを更に備えようにしてもよい。ハウジング１９は、所定の軸Ａｘの方向に伸びる第１及び第２の壁部１９ａ、１９ｂを有しており、第１の搭載部材３及び第２の搭載部材１７を収容する。第２の搭載部材１７の第１の搭載部１７ａは、ハウジング１９の第１の壁部１９ａと第１の搭載部材３との間に位置している。ハウジング１９は、第１の壁部１９ａに設けられたリード端子２１を有している。第１のキャパシタ９の一電極９ａは、第１のリード端子２１に電気的に接続されている。また、第１のキャパシタ９の一電極９ａは、電源パターン１３に電気的に接続されている。
【００３８】
また、第２の搭載部材１７は、その主面上に導電パターン１７ｄを有している。第１及び第２のキャパシタ９、１１は、導電パターン１７ｄ上に位置している。第１及び第２のキャパシタ９、１１の一電極９ｂ、１１ｂは、導電パターン１７ｄに接続されている。導電パターン１７ｄは、基準電位線に接続される。
【００３９】
第２の搭載部材１７の第１の搭載部１７ａは、ハウジング１９の第１の壁部１９ａと第１の搭載部材３との間に位置しており、リード端子２１は、第１のキャパシタ９の一電極９ａを介して電源パターン１３に電気的に接続される。
【００４０】
ハウジング１９は、所定の軸Ａｘに交差する方向に伸びる第３の壁部１９ｃを有している。第３の壁部１９ｃには、所定の軸Ａｘの方向に伸びる光ファイバ７を支持する光ファイバ支持部２３を設けられている。ハウジング１９は、第２の壁部１９ｂに設けられたリード端子２２を有している。
【００４１】
光モジュール１は、増幅素子２５を更に備えることができる。増幅素子２５は、入力２５ａ及び出力２５ｂを有する。入力２５ａは、半導体受光素子５からの電気信号ＩＰを受ける。出力２５ｂは、増幅された電気信号ＯＵＴ、ＯＵＴＢを提供する。電源パターン１３の第１〜第３の部分１３ａ、１３ｂ、１３ｃは、増幅素子２５の一辺が伸びる方向に配列されている。増幅素子２５は、第２の搭載部材１７の接続部１７ｃ上に搭載されている。ハウジング１９は、所定の軸Ａｘに交差する方向に伸びる第４の壁部１９ｄを更に有している。ハウジング１９は、第４の壁部１９ｄに設けられた出力端子２７を有している。増幅素子２５は、出力端子２７に電気的に接続された出力２５ｂを有する。
【００４２】
光モジュール１によれば、増幅素子２５は第２の搭載部材１７の接続部１７ｃ上に搭載されている。増幅素子２５の一辺が伸びる方向に電源パターンの第１〜第３の部分が配列されている。この結果、この電源パターンに定在波が生じる可能性がある。第１および第２のキャパシタは、この定在波を小さくするために役立つ。また、半導体受光素子５及び増幅素子２５の配置によれば、半導体受光素子５と増幅素子２５との接続距離を短くできる。
【００４３】
増幅素子２５の入力２５ａは、半導体受光素子５の一端子（例えば、アノード）にボンディングワイヤを介して接続されている。増幅素子２５の一対の出力２５ｂは、ハウジング１９に設けられた導電パターン２９ａ、２９ｂにボンディングワイヤを介して接続されている。導電パターン２９ａ、２９ｂには、増幅された信号が伝搬する。導電パターン２９ａは、導電パターン２９ｃ及び２９ｄの間に伸びている。導電パターン２９ｂは、導電パターン２９ｄ及び２９ｅの間に伸びている。導電パターン２９ａ、２９ｂは、リード端子２７に接続されている。導電パターン２９ｃ〜２９ｅは、リード端子２８に接続されている。
【００４４】
図１及び図２（Ａ）を参照すると、第１の搭載部材３は、所定の軸Ａｘの方向に伸びる一対のエッジ部３ｄ、３ｅを有している。電源パターン１３の一端１３ｄは、エッジ部３ｄに位置しており、電源パターン１３の他端１３ｅはエッジ部１３ｅに位置している。好適な実施例では、第１及び第２のキャパシタ９、１１は、電源パターン１３の一端１３ｄ及び他端１３ｅに接続されている。
【００４５】
図１、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）を参照すると、第１の搭載部材３は、所定の軸Ａｘに交差する方向に伸びる突き当て面３ｃに加えて、凹部３ｆ及び反射面３ｇを有している。凹部３ｆは、第１の領域３ａにおいて所定の軸Ａｘの方向に伸びる。反射面３ｇは、凹部３ｆの一端に設けられている。半導体受光素子５は、一対の面５ａ、５ｂを有している。半導体受光素子５の一面５ａには、モノリシックレンズ５ｃを有している。モノリシックレンズ５ｃは、凹部３ｆに位置している。半導体受光素子５の他面５ｂには、受光領域５ｄを有している。半導体受光素子５のモノリシックレンズ５ｃは、反射面３ｇを介して光ファイバ７の一端７ａに光学的に結合されている。
【００４６】
図３（Ａ）および図３（Ｂ）は、光モジュールを示す図面である。図３（Ａ）に示された光モジュール１では、第２の搭載部材１７の第１の搭載部１７ａ上にキャパシタ９が配置されており、第２の搭載部材１７の第２の搭載部１７ｂ上にキャパシタ１１が配置されている。図３（Ｂ）に示された光モジュールでは、第２の搭載部材１７上にキャパシタ１０が配置されている。キャパシタ９、１０、１１の一端は、それぞれの半導体受光素子の一端子（例えば、カソード）のための電源パターンに接続されている。キャパシタ９、１０、１１の他端は、第２の搭載部材１７の基準電位パターンに接続されている。
【００４７】
図４（Ａ）および図４（Ｂ）は、図３（Ａ）に示された光モジュールの特性図である。図５は、図３（Ｂ）に示された光モジュールの特性図である。これらの特性図では、横軸は、周波数（単位：ＧＨｚ）を示しており、左の縦軸は応答（単位：ｄＢ）を示しており、右の縦軸は群遅延変動量（単位：ｐｓｅｃ）を示している。
【００４８】
図５の特性図では、応答が、１０ＧＨｚあたりの周波数においてピーキングを示しており、また群遅延変動が、１０ＧＨｚを超える周波数領域で大きく変動している。図４（Ａ）および図４（Ｂ）のの特性図中の応答では、ピーキングが生じておらず、群遅延変動では１０ＧＨｚを超える周波数領域でも変動が小さい。
【００４９】
（第２の実施の形態）
図６は、本実施の形態の光モジュールの一変形例である。光モジュール１ａは、ハウジング１９を備えている。ハウジング１９は、所定の軸Ａｘの方向に伸びる第１及び第２の壁部１９ａ、１９ｂを有している。ハウジング１９は、第１及び第２の搭載部材３、１７を収容する。第２の搭載部材１７の第１の搭載部１７ａは、ハウジング１９の第１の壁部１９ａと第１の搭載部材３との間に位置している。第１のキャパシタ３１は一電極３１ａを有している。第１のキャパシタ３１の一電極３１ａは、第１の搭載部材３上の電源パターン１３に電気的に接続されている。電源パターン１３は、第２の搭載部材１７上の導電パターン３３を介して第１のリード端子２１に電気的に接続されている。また、電源パターン１３は、第２の搭載部材１７上の導電パターン３４に電気的に接続されることができる。第２の搭載部材１７の第１の搭載部１７ａはハウジング１９の第１の壁部１９ａと第１の搭載部材３との間に位置するので、第１のリード端子（図１に示された参照番号２１）は、第１のキャパシタ３１を介することなく、電源パターン１３に電気的に接続される。
【００５０】
第１のキャパシタ３１は、電極３１ａ及び３１ｂを有している。第１のキャパシタ３１の電極３１ａは電源パターン１３の第１の領域１３ａに電気的に接続されている。第１のキャパシタ３１の電極３１ｂは、第２の搭載部材１７の導電パターン３５に電気的に接続されている。第２のキャパシタ３７は、電極３７ａ及び３７ｂを有している。第２のキャパシタ３７の電極３７ａは、電源パターン１３の第２の領域１３ｂに電気的に接続されている。第２のキャパシタ３７の電極３７ｂは、第２の搭載部材１７の導電パターン３５に電気的に接続されている。
【００５１】
この光モジュール１ａによれば、半導体受光素子５は電源パターン１３の第３の部分１３ｃに搭載されており、この第３の部分１３ｃの両側に設けられた電源パターン１３の第１及び第２の領域１３ａ、１３ｂにそれぞれキャパシタ３１、３７が電気的に接続されている。これらのキャパシタ３１、３７は、電源パターン１３に生じる可能性がある定在波を小さくできる。この光モジュール１ａでは、キャパシタ３１，３７を設けるために、第２の搭載部材１７上に大きな搭載領域が必要ではない。
【００５２】
（第３の実施の形態）
図７は、本実施の形態の光モジュールの別の変形例である。光モジュール１ｂは、搭載部材３に替えて搭載部材３９を備える。搭載部材３９は、所定の軸Ａｘに交差する面に沿って伸びる搭載面３９ａを有している。搭載面３９ａには、半導体受光素子６が搭載されている。例えば、半導体受光素子５は裏面入射型の半導体受光素子であり、半導体受光素子６は上面入射型の半導体受光素子である。
【００５３】
搭載部材３９は、半導体受光素子６のための導電パターン４１を搭載面３９ａ及び主面３９ｂ上に備える。
【００５４】
第１の搭載部材３９は、所定の軸に交差する第１の基準面に沿って伸びる搭載面３９ａに設けられている。電源パターン４１の第１及び第２の部分４１ａ、４１ｂは、搭載面３９ａ上だけでなく、第１の基準面に交差する第２の基準面に沿って伸びる主面３９ｂ上にも設けられている。第１のキャパシタ９は、主面３９ｂ上において電源パターン４１の第１の部分４１ａに電気的に接続されている。第２のキャパシタ１１は、主面３９ｂ上において電源パターン４１の第２の部分４１ｂに電気的に接続されている。
【００５５】
詳述すれば、導電パターン４１は、搭載部材３９の搭載面３９ａ上に設けられた第１〜第３の部分４１ａ、４１ｂ、４１ｃを備える。搭載面３９ａ上には、第１の部分４１ａ上に半導体受光素子６が設けられており、半導体受光素子６は光ファイバ８に光学的に結合されている。第１及び第２の部分４１ａ、４１ｂは、主面３９ｂ上に設けられている。導電パターン４１の第１の部分４１ａは、主面３９ａ上のボンディング領域において第１のキャパシタ９に接続されている。導電パターン４１の第２の部分４１ｂは、主面３９ａ上のボンディング領域において第２のキャパシタ１１に接続されている。キャパシタ９、１１は、第２の搭載部材１７の搭載面上の導電パターン１７ｄ上に位置している。第２の搭載部材１７の搭載面は、第１の基準面に交差する第３の基準面に沿って伸びている。
【００５６】
電極４１ｄは、増幅素子２５に接続されている。半導体受光素子６の一電極（アノード）は電極４１ｄに接続されている。半導体受光素子６の他電極（カソード）は第３の部分４１ｃに接続されている。搭載面３９ａ上の半導体受光素子６は、光ファイバ６の一端６ａに対面している。
【００５７】
この光モジュール１ｂによれば、半導体受光素子６は電源パターン４１の第１の部分４１ｃに搭載されており、この第３の部分４１ｃの両側から伸びる電源パターン１３の第１及び第２の領域４１ａ、４１ｂに、それぞれキャパシタ９、１１が電気的に接続されている。これらのキャパシタ９、１１は、電源パターン４１に生じる可能性がある定在波を小さくできる。
【００５８】
本実施の形態のいくつかを説明したように、半導体受光素子のカソードのための導電パターンの両端部では、電気信号の反射が生じる。この反射は、光受信モジュールの受信信号の周波数成分が高くなると、例えば周波数応答特性において生じるピーキングが無視できなくなり、また及び群遅延特性における変動が無視できなくなる。導電パターンのディメンジョンが、受信信号の基本信号の波長Ｌ（正確には、Ｌ／４）に近い場合、導電パターンに定在波が生じることもある。この導電パターンは、光モジュールの種類に応じて異なるものである。また、定在波の発生を考慮して、この導電パターンの配置及び形状を設計することができない場合もある。しかしながら、導電パターンの両端にそれぞれキャパシタを接続すれば、導電パターンの形状等に依存することなく、光モジュールの受信特性を改善できる。これらのキャパシタによれば、毎秒１０ギガビットの伝送レート程度であっても、光モジュールの受信特性において、位相変化が小さくでき、また伝送ペナルティも小さくできる。
【００５９】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【００６０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、周波数特性を改善可能な光モジュールを提供することとする。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、光モジュールを示す図面である。
【図２】図２（Ａ）は、第１の搭載部材を示す平面図である。図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）は、光学素子搭載部品を示す図面である。
【図３】図３（Ａ）および図３（Ｂ）は、光モジュールを示す図面である。
【図４】図４（Ａ）および図４（Ｂ）は、図３（Ａ）に示された光モジュールの特性図である。
【図５】図５は、図３（Ｂ）に示された光モジュールの特性図である。
【図６】図６は、本実施の形態の光モジュールの一変形例である。
【図７】図７は、本実施の形態の光モジュールの別の変形例である。
【符号の説明】
１…光モジュール、３…第１の搭載部材、３ａ…第１の領域、３ｂ…第２の領域、３ｃ…突き当て面、５…半導体受光素子、７…光ファイバ、９…第１のキャパシタ、１１…第２のキャパシタ、１３…電源パターン、１３ａ…第１の部分、１３ｂ…第２の部分、１３ｃ…第３の部分、１７…第２の搭載部材、１７ａ…第１の搭載部、１７ｂ…第２の搭載部、１７ｃ…接続部、１７ｄ…導電パターン、１９…ハウジング、２１、２２…リード端子、２５…増幅素子、２７…出力端子、２８…リード端子、２９ａ〜２９ｅ…導電パターン、３１…第１のキャパシタ、３７…第２のキャパシタ、３９…搭載部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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