(57)【要約】【課題】半導体装置の製造において、マクロ不良の早期発見および対策が可能であり、マクロ不良ウエハの作り込みを防止することができる半導体装置の製造方法、検査システムおよび生産管理方法を提供する。【解決手段】生産工程にあるすべての製品ウエハについて、現像完了ウエハ１４および／またはエッチング完了ウエハの画像データをデジタルスキャナまたはデジタルカメラ等を使用したウエハマクロ画像データ取得部１１で電子データ化して取得し、取得した画像データをサーバ１２で保存し、保存した画像データをモニタ１３で一覧表示して検査する。これにより、ロット内の全ウエハの現像検査およびエッチング完成検査が容易となり、マクロ不良の原因を早期に検出して不良の作り込みを防止することができ、履歴も調べることが可能となる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
生産工程にあるすべての製品ウエハについて、現像後および／またはエッチング完成後の画像データを取得し、前記取得した画像データを保存し、前記保存した画像データを検査することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記画像データは、デジタルスキャナまたはデジタルカメラにより取得され、電子データ化されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法であって、
前記画像データの画素数は、１チップ当たり１画素以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記画像データの検査は、目視による面内分布の検査であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記画像データの検査は、前記保存した画像データと基準画像データとを電気的処理により比較することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
生産工程にあるすべての製品ウエハについて検査を行うシステムであって、
現像後および／またはエッチング完成後の画像データを取得する手段と、
前記取得した画像データを保存する手段と、
前記保存した画像データを検査する手段とを有することを特徴とする検査システム。
【請求項７】
請求項６記載の検査システムであって、
前記画像データを取得する手段は、デジタルスキャナまたはデジタルカメラであることを特徴とする検査システム。
【請求項８】
請求項７記載の検査システムであって、
前記画像データの画素数は、１チップ当たり１画素以上であることを特徴とする検査システム。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか１項に記載の検査システムであって、
前記画像データを検査する手段は、前記画像データを一覧表示するモニタを有することを特徴とする検査システム。
【請求項１０】
請求項６〜９のいずれか１項に記載の検査システムであって、
前記画像データを検査する手段は、前記保存した画像データと基準画像データとを電気的処理により比較する手段を有することを特徴とする検査システム。
【請求項１１】
請求項１０記載の検査システムであって、さらに、
前記比較手段により比較した結果に基づいてアラームを通知する手段を有することを特徴とする検査システム。
【請求項１２】
生産工程にあるすべての製品ウエハについて、現像後および／またはエッチング完成後の画像データを取得し、前記取得した画像データを保存し、前記保存した画像データを検査し、前記検査結果を生産計画に反映させることを特徴とする生産管理方法。
【請求項１３】
生産工程にあるすべての被加工品について、少なくとも一工程の処理後にデジタルスキャナまたはデジタルカメラにより被加工品の画像データを取得し、前記取得した画像データを保存し、前記保存した画像データを検査する手段を有することを特徴とする検査システム。
【請求項１４】
生産工程にあるすべての被加工品について、少なくとも一工程の処理後にデジタルスキャナまたはデジタルカメラにより被加工品の画像データを取得し、前記取得した画像データを保存し、前記保存した画像データを検査し、前記検査結果を生産計画に反映させることを特徴とする生産管理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法、検査システムおよび生産管理方法に関し、特に製品ウエハの面内分布の検査に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、本発明者が検討した技術として、半導体装置の製造方法、検査システムおよび生産管理方法においては、以下の技術が考えられる。
【０００３】
前工程後のプローブ検査の不良モードに、ホトリソグラフィやエッチングのマクロ不良（目視検査で発見できる不良）に起因したウエハ面内分布を持つものがある。
【０００４】
従来は、１ロットで数枚程度しかホトリソグラフィの現像検査やエッチングの完成検査を行っていなかった。すべての製品ウエハについてマクロ検査を行っていないため、検査ウエハ以外のウエハにマクロ不良が発生しても良品として生産工程に流れてしまい、プローブ検査で不良として検出される。この場合、予定していた生産量の達成が困難となる。また、検査結果も残っていないため、不良工程の証拠が残らず原因の特定が難しい。さらにまた、従来のマクロ検査は、製品ウエハを顕微鏡等の検査装置に送って、人間が１枚ごとに検査していたため工数がかかり、すべての製品ウエハを検査することは困難である。
【０００５】
また、ウエハごとの画像データを取得して各ウエハの検査データの履歴情報を残す方法があるが（例えば、特許文献１参照）、この方法は解析ウエハや検査対象ウエハの選択を容易にして、解析準備作業時間の短縮および有効な検査データを取得するためのものであって、検査データをリアルタイムに生産工程にフィードバックして歩留まりを向上させることはできない。
【０００６】
【特許文献１】
特開２０００−７７４９５号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記のような半導体装置の製造方法、検査システムおよび生産管理方法の技術について、本発明者が検討した結果、以下のようなことが明らかとなった。
【０００８】
例えば、半導体装置の製造に使用するマスクは、１製品当たり３０枚以上になる。１工程でも現像不良やエッチング不良に起因したマクロ不良が発生した製品ウエハは、プローブ検査で不良が多発して歩留まりが大幅に低下する。このため、生産数量が不足し、特に受注生産品種の場合は納期の確保が難しくなる。
【０００９】
また、プローブ検査に来るまで不良を検出することができないため、製造装置が原因の場合は、不良を作り込むおそれが大きい。
【００１０】
そこで、本発明の目的は、半導体装置の製造において、マクロ不良の早期発見および対策が可能であり、マクロ不良の作り込みを防止することができる半導体装置の製造方法、検査システムおよび生産管理方法を提供するものである。
【００１１】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１３】
すなわち、本発明による半導体装置の製造方法、検査システムおよび生産管理方法は、生産工程にあるすべての製品ウエハについて、現像後および／またはエッチング完成後の画像データを取得し、保存し、検査するものである。画像データは、デジタルスキャナまたはデジタルカメラ等で取得し電子データ化することが望ましい。具体的には、次のとおりである。
【００１４】
（１）本発明による半導体装置の製造方法は、生産工程にあるすべての製品ウエハについて、現像後および／またはエッチング完成後の画像データを取得し、前記取得した画像データを保存し、前記保存した画像データを検査するものである。
【００１５】
（２）前記（１）の半導体装置の製造方法は、前記画像データが、デジタルスキャナまたはデジタルカメラにより取得され、電子データ化されるものである。
【００１６】
（３）前記（２）の半導体装置の製造方法は、前記画像データの画素数が、１チップ当たり１画素以上であるものである。
【００１７】
（４）前記（１）〜（３）の半導体装置の製造方法は、前記画像データの検査が、目視による面内分布の検査であるものである。
【００１８】
（５）前記（１）〜（３）の半導体装置の製造方法は、前記画像データの検査が、前記保存した画像データと基準画像データとを電気的処理により比較するものである。
【００１９】
（６）本発明による検査システムは、生産工程にあるすべての製品ウエハについて検査を行うシステムであって、現像後および／またはエッチング完成後の画像データを取得する手段と、前記取得した画像データを保存する手段と、前記保存した画像データを検査する手段とを有するものである。
【００２０】
（７）前記（６）の検査システムは、前記画像データを取得する手段が、デジタルスキャナまたはデジタルカメラであるものである。
【００２１】
（８）前記（７）の検査システムは、前記画像データの画素数が、１チップ当たり１画素以上であるものである。
【００２２】
（９）前記（６）〜（８）の検査システムは、前記画像データを検査する手段が、前記画像データを一覧表示するモニタを有するものである。
【００２３】
（１０）前記（６）〜（９）の検査システムは、前記画像データを検査する手段が、前記保存した画像データと基準画像データとを電気的処理により比較する手段を有するものである。
【００２４】
（１１）前記（１０）の検査システムは、さらに、前記比較手段により比較した結果に基づいてアラームを通知する手段を有するものである。
【００２５】
（１２）本発明による生産管理方法は、生産工程にあるすべての製品ウエハについて、現像後および／またはエッチング完成後の画像データを取得し、前記取得した画像データを保存し、前記保存した画像データを検査し、前記検査結果を生産計画に反映させるものである。
【００２６】
よって、前記（１）〜（５）の半導体装置の製造方法、前記（６）〜（１１）の検査システムおよび前記（１２）の生産管理方法によれば、ロット内の全ウエハの現像検査およびエッチング完成検査が容易となり、履歴も調べることが可能となる。また、すべてのウエハについて現像後の検査を行うことで、現像不良ウエハはすべてホトリソグラフィ再生して、良品として再度生産工程に流すことができる。また、すべてのウエハのエッチング完成検査を行うことで、マクロ不良ウエハをすべて検出することができ、不良ウエハを廃棄したり、歩留まり低下への影響を随時生産計画に反映させたりすることが可能となる。さらに、マクロ不良の原因を早期に検出して不良の作り込みを防止することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２８】
図１は本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法のフローおよび検査システムの構成を示す説明図である。
【００２９】
本実施の形態における検査システムは、例えば全ウエハ現像検査システムとされ、製品ウエハの画像データを取得するためのデジタルスキャナまたはデジタルカメラなどのウエハマクロ画像データ取得部１１、取得した画像データを保存するサーバ１２、取得した画像データを一覧表示して検査するためのモニタ１３などから構成される。
【００３０】
現像完了ウエハ１４が必ず通る所にウエハマクロ画像データ取得部１１を設置し、すべての製品ウエハについてマクロ画像を取得する（ステップＳ１０１）。図１の例では、Ｓｌｏｔ０１〜Ｓｌｏｔ１２の１２枚の製品ウエハについて、画像を取得している。
【００３１】
次に、製品ウエハの画像データをサーバ１２に保存する（ステップＳ１０２）。サーバ１２に保存された画像データをモニタ１３に一覧表示して、担当者が検査・確認する（ステップＳ１０３）。このとき、担当者が目視で検査する代わりに、画像データを比較して異常を自動的に検出するようにしてもよい。
【００３２】
図１の例では、Ｓｌｏｔ０２のウエハに異常が発見された。この時、Ｓｌｏｔ０２の不良ウエハ１５を抽出し、装置異常の有無を確認し、異常がなければＳｌｏｔ２の不良ウエハ１５を再生処理した後（ステップＳ１０４）、正常なウエハと合流して次の工程へ払い出す（ステップＳ１０５）。
【００３３】
各ホトリソグラフィ工程の現像後に、デジタルスキャナまたはやデジタルカメラ等を使用して簡易な方法で、すべての製品ウエハについてマクロ画像データを取得して全ウエハの検査をすることにより、検査の漏れを防止する。そして、ホトリソグラフィの現像後であれば、現像不良ウエハを再生処理することにより、良品として流動することが可能である。
【００３４】
図２は本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法のフローおよび検査システムの構成を示す説明図である。
【００３５】
本実施の形態における検査システムは、例えば全ウエハエッチング完成後検査システムとされ、製品ウエハの画像データを取得するためのデジタルスキャナまたはデジタルカメラなどのウエハマクロ画像データ取得部１１、取得した画像データを保存するサーバ１２、取得した画像データを一覧表示して検査するためのモニタ１３などから構成される。
【００３６】
エッチング完了ウエハ１６が必ず通る所にウエハマクロ画像データ取得部１１を設置し、すべての製品ウエハについてマクロ画像を取得する（ステップＳ２０１）。図２の例では、Ｓｌｏｔ０１〜Ｓｌｏｔ１２の１２枚の製品ウエハについて、画像を取得している。
【００３７】
次に、製品ウエハの画像データをサーバ１２に保存する（ステップＳ２０２）。サーバ１２に保存された画像データをモニタ１３に一覧表示して、担当者が検査・確認する（ステップＳ２０３）。このとき、担当者が目視で検査する代わりに、画像データを比較して異常を自動的に検出するようにしてもよい。
【００３８】
図２の例では、Ｓｌｏｔ０２のウエハに異常が発見された。この時、Ｓｌｏｔ０２の不良ウエハ１７を抽出し、異常のある不良ウエハ１７をロットから抜き取り、異常原因を即時に調査する（ステップＳ２０４）。残りの正常ウエハは次の工程へ払い出す（ステップＳ２０５）。不良ウエハの枚数が多いときは、生産計画に反映させて、リカバリーロット、バックアップロットなどを投入し、生産管理を行う。
【００３９】
エッチング完成後に、デジタルスキャナまたはやデジタルカメラ等を使用して簡易な方法で、すべての製品ウエハについてマクロ画像データを取得して、全ウエハの検査をすることにより、検査の漏れを防止する。そして、エッチング後であれば、マクロ不良領域が大きいウエハは生産コスト割れするため廃棄し、マクロ不良領域が小さいウエハは流動する。以上の歩留まりの影響を考慮した上で、生産計画を随時見直す生産管理を行うことが可能となる。
【００４０】
さらに、全ウエハ検査を行うことで、マクロ不良の検出感度が向上し、不良の早期発見、原因特定および対策が可能となり、不良品の作り込みを最小限に抑えることができる。
【００４１】
図３は本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法、検査システムおよび生産管理方法をエッチング完成後の検査に適用した例を示す説明図である。
【００４２】
図３において、ＳＴＩはシャロウトレンチアイソレーション、Ｐｏｌｙ０およびＰｏｌｙ１はポリシリコン、ＬＤＤはゲートスペーサ、ＬＩはコンタクトホール、ＭＬはメタルライン、Ｃｏｎｔはコンタクト、Ｍ１およびＭ５はメタル、ＭＶ１はメタルヴィアの各工程を示す。
【００４３】
図３の例では、１２枚のウエハを１ロットとして投入し、ＳＴＩからの各工程を処理している。各工程には、それぞれレジスト塗布・露光・現像・エッチング・レジスト除去などの工程が含まれている。
【００４４】
図３の例では、Ｐｏｌｙ１の工程において、Ｓ＃０７のウエハ１８に面積の大きな異常が発見された。この場合は、工程コスト割れをするため不良ウエハ１８を廃棄する。廃棄の判定は、異常部の面積、残工程コスト等から自動計算する。不良ウエハを廃棄した時点で生産計画を見直し、必要があれば、リカバリーロット、バックアップロットなどを投入し、生産管理を行う。
【００４５】
また、異常が発見された時、Ｐｏｌｙ１工程に関連する装置についてのアラームが発生して、不良の作り込みを防止する。
【００４６】
続いて、図３の例では、ＭＬの工程において、Ｓ＃０１〜０３のウエハ１９，２０，２１に面積の小さな異常が発見された。この場合は、損失が小さいため、そのまま流動する。また、ＭＬ工程に関連する装置についてのアラームが発生する。
【００４７】
さらに続いて、図３の例では、Ｍ５の工程において、Ｓ＃０９のウエハ２２に面積の大きな異常が発見された。この場合は、残りの工程が少ないため、そのまま流動する。また、他の場合と同様に、Ｍ５関連装置についてアラームが発生する。
【００４８】
図３に、前工程完了時のロットの外観履歴２３、プローブテスト時のマップ２４、出荷時のマップ２５を示す。前工程完了時のロットの外観履歴２３に示すように、ウエハ１９，２０，２１には面積の小さい異常が存在しており、ウエハ２２には面積の大きい異常が存在している。また、プローブテスト時のマップ２４に示すように、ウエハ１９，２０，２１では少数のチップに不良が発生しており、ウエハ２２には多数のチップに不良が発生している。さらに、出荷時のマップ２５に示すように、ウエハ１９，２０，２１は不良が少数であるので不良が発生している部分のみ出荷しないこととし、ウエハ２２は不良が多発しているため廃棄する。
【００４９】
図４は本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法および検査システムを適用したウエハ処理装置の構成およびフローを示す説明図である。図４は、アルミニウム（Ａｌ）配線の酸化処理装置にウエハマクロ画像データ取得部１１を取り付けて検査する例を示したものである。
【００５０】
本実施の形態におけるウエハ処理装置は、例えば、製品ウエハの画像データを取得するためのデジタルスキャナまたはデジタルカメラなどのウエハマクロ画像データ取得部１１、取得した画像データを保存するサーバ１２、取得した画像データを一覧表示して検査するためのモニタ１３、アルミニウム（Ａｌ）配線の酸化処理を行う処理室２６〜２９、ウエハカセット３０などから構成される。
【００５１】
製品ウエハは、次のフローにより、処理および検査される。
【００５２】
▲１▼  処理室２６で表面酸化処理を行う。
【００５３】
▲２▼  ウエハマクロ画像データ取得部１１において、製品ウエハのマクロ画像データの取得を行う。
【００５４】
▲３▼  処理の完了した製品ウエハをウエハカセット３０に収納する。
【００５５】
ウエハマクロ画像データ取得部１１で取得された製品ウエハの画像データは、サーバ１２で保存され、モニタ１３において一覧表示して検査する。
【００５６】
ウエハ処理済みからウエハをカセットに収納する間にマクロ画像データを取得して、全ウエハの検査データ取得後に人間が一括検査して確認することができるので、検査時間の短縮が可能である。さらに、マクロ画像が電子データで保存されるため、管理が容易となる。保存・管理される画像データは、製品完成後の品質記録としても利用でき、製品履歴の調査が容易となり、不良解析の有用な情報としても利用可能である。
【００５７】
ウエハマクロ画像データ取得装置は、パターンが最終的に完成する装置内に取り付けるのが望ましい。パターンが完成したウエハが必然的に通る所で検査すれば余分な時間を必要としないからである。
【００５８】
以上のように、製品ウエハのマクロ検査を行えば、顕微鏡等で検査するよりも検査時間が短縮することが可能であり、画像データの管理も容易である。
【００５９】
図５は本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法および検査システムを適用したウエハのマクロ検査および異常発生通知方法を示す説明図である。
【００６０】
パターン完成ウエハ３１が必ず通る所にウエハマクロ画像データ取得部１１を設置し、すべての製品ウエハについてマクロ画像を取得する（ステップＳ５０１）。図５の例は、Ｓｌｏｔ０１〜Ｓｌｏｔ１２の１２枚の製品ウエハについて画像を取得した結果、Ｓｌｏｔ０２のウエハに異常がある場合である。
【００６１】
次に、ウエハマクロ画像データ取得部１１で取得した検査ウエハ画像３２と基準画像３３とを電気的処理により比較する（ステップＳ５０２）。比較した結果、違いがあれば異常発生のアラームが発生し、電子メール・携帯電話等の手段により自動的に担当者（現場作業者、要素エンジニア等）にアラームが通知される（ステップＳ５０３）。関連装置は自動的に停止する（ステップＳ５０４）。担当者の携帯電話やパソコンが異常連絡を着信したら、担当者が関連装置を確認し、異常原因を調査し、対処した後に装置の停止を解除する（ステップＳ５０５）。これにより、半導体製造装置の異常の早期発見が可能となり、迅速に対策を取ることができる。
【００６２】
図６は本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法および検査システムを適用したウエハのマクロ検査および異常発生通知方法を示す説明図である。図６は、Ｍ２配線加工工程についての適用例である。
【００６３】
最初に、Ｍ２ホトリソグラフィを行い（ステップＳ６０１）、Ｍ２ホトリソグラフィ完了時のウエハマクロ検査を行う（ステップＳ６０２）。異常がないことが確認されたら、次工程に流動する。
【００６４】
エッチング（ステップＳ６０３）、レジスト除去（ステップＳ６０４）、表面酸化（ステップＳ６０５）を行い、Ｍ２配線パターンを完成させて、ウエハマクロ検査を行う（ステップＳ６０６）。
【００６５】
検査の結果、Ｓｌｏｔ０２に異常が検出された場合、関連するエッチング、レジスト除去、表面酸化装置を停止させて（ステップＳ６０７）、不良の作り込みを防止する。
【００６６】
不良原因を調査して、装置に問題がなくなれば、装置の停止を解除して着工を再開する。
【００６７】
図７は本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法および検査システムにおいて、ウエハのマクロ画像データの必要画素数を示す説明図である。
【００６８】
ウエハのマクロ画像データの画素数は、最低でも、１チップ当たり１画素以上が望ましい。これは、１チップごとに異常チップを識別可能とするためである。図７の例は、ウエハ４３の製品取得領域４０内に、縦２２個・横２２個・合計４８４個のチップ４１がある場合である。この場合は、画像データの画素数は４８４ドット以上であることが望ましい。
【００６９】
また、可能であれば、画素数は、３００ｋドット以上が良い。これは、パターンの拡大や詳細な表示が容易となるためである。図７には、外観異常部４２において、異物４４により配線４５がショートしている部分の拡大図４６が示されている。
【００７０】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００７１】
例えば、前記実施の形態においては、現像後およびエッチング完成後のマクロ検査について説明したが、これに限定されるものではなく、枚葉処理を基本とする他の工程後の検査についても適用可能であり、特に少量生産の特定顧客向け受注製品になるほど本発明の効果は大きい。
【００７２】
以上の説明では、主として本発明者によってなされた発明をその属する技術分野である半導体装置の製造に適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、画像データの取得が可能な製品を生産する工場の検査および生産管理などに適用することも可能である。
【００７３】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００７４】
（１）すべての製品ウエハをマクロ検査することで、不良原因の早期発見および対策が可能となる。
【００７５】
（２）現像不良およびエッチング不良に起因するマクロ不良の作り込みを防止することができる。特に、ウエハ面積が大きくウエハ１枚当たりの製品数が多い大口径ウエハでは効果が大きい。
【００７６】
（３）製品が完成してから発見される不良を低減することができ、歩留まりが向上する。
【００７７】
（４）日程どおりの製品生産が可能となる。特に、受注少量生産品では効果が大きい。
【００７８】
（５）不良品の作り込みが最小限に抑えられるため、コストの低減が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法のフローおよび検査システムの構成を示す説明図である。
【図２】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法のフローおよび検査システムの構成を示す説明図である。
【図３】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法、検査システムおよび生産管理方法をエッチング完成後の検査に適用した例を示す説明図である。
【図４】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法および検査システムを適用したウエハ処理装置の構成およびフローを示す説明図である。
【図５】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法および検査システムを適用したウエハのマクロ検査および異常発生通知方法を示す説明図である。
【図６】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法および検査システムを適用したウエハのマクロ検査および異常発生通知方法を示す説明図である。
【図７】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法および検査システムにおいて、ウエハのマクロ画像データの必要画素数を示す説明図である。
【符号の説明】
１１    ウエハマクロ画像データ取得部
１２    サーバ
１３    モニタ
１４    現像完了ウエハ
１５，１７    不良ウエハ
１６    エッチング完了ウエハ
１８〜２２，４３    ウエハ
２３    外観履歴
２４，２５    マップ
２６〜２９    処理室
３０    ウエハカセット
３１    パターン完成ウエハ
３２    検査ウエハ画像
３３    基準画像
４０    製品取得領域
４１    チップ
４２    外観異常部
４４  異物
４５  配線
４６  拡大図
【図１】
2004342798.tif 000003
【図２】
2004342798.tif 000004
【図３】
2004342798.tif 000005
【図４】
2004342798.tif 000006
【図５】
2004342798.tif 000007
【図６】
2004342798.tif 000008
【図７】
2004342798.tif 000009