(57)【要約】【課題】発光効率および透過率がよく、配線に自由度があり、大型の表示装置を形成することが可能な表示体および表示装置、並びに電子機器を提供する。【解決手段】基板２上に、画素毎にパターン形成された陽極となる下部電極５と、下部電極５上に形成された発光層９と、全画素の発光層９上に形成された陰極となる上部共通電極１１とを備え、上部共通電極１１を、透明でかつ低抵抗の導電膜、第１及び第２のインジウムセリウムオキサイドの間に銀または銀合金が設けられた３層構造の導電膜により構成し、導電膜側を表示面とした表示体１であって、表示装置はこの表示体１を備え、電子機器はこの表示装置が搭載されている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
正孔を供給する陽極と電子を供給する陰極との間に少なくとも発光層を有する表示体において、
所定波長領域の透過率が高く、かつ低抵抗の導電膜により前記陰極を構成したことを特徴とする表示体。
【請求項２】
正孔を供給する陽極と電子を供給する陰極との間に少なくとも発光層を有する表示体において、
所定波長領域の透過率が高く、かつ低抵抗の導電膜により前記陰極を構成し、前記導電膜側を表示面としたことを特徴とする表示体。
【請求項３】
画素毎にパターン形成された陽極と、
全画素の共通電極となり、所定波長領域における光の透過率が６５パーセント以上で、かつ５Ω／□以下の抵抗値を有する導電膜からなる陰極と、
前記陽極と前記陰極との間にある画素となる発光層と
を備えたことを特徴とする表示体。
【請求項４】
電荷供給を制御する制御素子が画素毎に設けられた基板と、
前記画素毎にパターン形成された陽極と、
全画素の共通電極となり、所定波長領域における光の透過率が６５パーセント以上で、かつ５Ω／□以下の抵抗値を有する導電膜からなる陰極と、
前記陽極と前記陰極との間にあり、前記制御素子の制御に基づいて発光する、画素となる発光層と
を備えたことを特徴とする表示体。
【請求項５】
前記導電膜を、第１のインジウムセリウムオキサイド層と、第２のインジウムセリウムオキサイド層と、その間に設けられた銀又は少なくとも銀を含む合金層により形成したことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の表示体。
【請求項６】
前記合金層の膜厚を１０ｎｍ〜１５ｎｍとすることを特徴とする請求項５記載の表示体。
【請求項７】
前記第１のインジウムセリウムオキサイド層又は前記第２のインジウムセリウムオキサイド層の膜厚を３０ｎｍ〜５０ｎｍとすることを特徴とする請求項５記載の表示体。
【請求項８】
前記導電膜は、蒸着法、イオンプレーティング法または対向ターゲットスパッタ法を用いて成膜されたことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の表示体。
【請求項９】
前記導電膜と前記発光層との間に電子注入層を設け、前記電子注入層をマグネシウムと銀の混合物により形成したことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の表示体。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の表示体を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の表示装置が搭載されたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示体、特に発光を素子の陰極側から取り出す有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という）およびその表示体を用いた表示装置、並びにその表示装置を備えた電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報機器の多様化および省スペース化に伴い、表示装置としてはＣＲＴよりも低消費電力で空間占有面積の小さい平面表示装置へのニーズが高まっている。このような平面表示装置としては、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等があるが、特に最近は自己発光型で視認性が高く、応答速度が速くて、直流低電圧駆動が可能な有機ＥＬ素子を用いた表示装置の期待が高まっている。
【０００３】
有機ＥＬ素子の構造は、基板上の各画素に薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」という）が設けられ、これらＴＦＴを覆う層間絶縁膜上に下部電極（陽極）、発光層および上部電極（陰極）が順次配設されており、上部電極（陰極）の上部に封止用カバーが設けられている。そして、上部電極（陰極）は、全画素を覆うベタ膜として形成され、全画素間に共通の上部共通電極として用いられている。また、下部電極（陽極）としては、金（Ａｕ）や酸化インジウム錫（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、以下、「ＩＴＯ」という）などのような仕事関数の大きい電極材料が用いられ、上部共通電極（陰極）としては、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等およびそれらの合金などの仕事関数の小さい電極材料が用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
ところが、このような有機ＥＬ素子においては、発光層で発生した発光光を基板側から取り出す（基板側を表示面とする）、いわゆるボトムエミッション構造のため、ＴＦＴ等によって開口面積が狭められ、透過率が低くなっていた。そこで、上部共通電極（陰極）も下部電極（陽極）と同様にＩＴＯからなる透明電極によって形成し、基板と反対側の上面側から光を取り出す（上面側を表示面とする）、いわゆるトップエミッション構造のものが提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
上記のような上面側から光を取り出す（上面側を表示面とする）有機ＥＬ素子は、上部共通電極（陰極）を透明電極とするため、光学的に可視光に対して透明なＩＴＯにより構成されていた。このＩＴＯは、基板側から取り出す（基板側を表示面とする）ものの下部電極（陽極）に使用されているように透明であるため、上部共通電極（陰極）に使用しても上面側から光を取り出すことは可能である。しかも、基板側から光を取り出すものと比較して開口率が大きく透過率も高い。しかしながら、面積抵抗（シート抵抗ともいう：Ω／□）の大きいＩＴＯを共通電極として用いると、パネルサイズが大きくなる程、共通電極に給電する位置に近い位置にある有機ＥＬ素子と遠い位置にある有機ＥＬ素子と間で供給される電圧の電位差（電圧降下）が大きくなる。このため、電荷供給に差が生じ、表示体の表示部分を構成する各画素の発光の均一化が図れなくなる。液晶を用いた表示体では、インジウムセリウムオキサイド（ＩＣＯ又はＩｎＣｅＯ：インジウム酸化セリウム）を用いたものも提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−１９５００８号公報
【特許文献２】
特開２００２−３４３５７９号公報
【特許文献３】
特許第２７９２４９２号明細書
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
シート抵抗を下げるためにＩＴＯを厚く構成することも考えられるが、ＩＴＯを厚くすると、透過率も下がって表示が暗くなってしまうという問題があった。また、画素領域以外の部分にスルーホールを設け、上部共通電極（陰極）と基板に設けた補助配線とを接続し、シート抵抗を下げることも考えられるが、製造工程においてスルーホールを形成する穴あけ加工工程が必要であるとともに、形成されたスルーホールの１つでもＩＴＯによる穴埋めがなされないと抵抗を下げることができないなど、表示体の製造および構造が複雑で配線の自由度も下がってしまう。よって、ＩＴＯからなる上部共通電極（陰極）を有する有機ＥＬ素子を用いて、大型の表示装置を形成することは極めて困難であった。
【０００８】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、画素の発光が均一で、配線に自由度があり、大型の表示装置を形成することが可能な表示体および表示装置、並びに電子機器を提供することを目的としたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る表示体は、正孔を供給する陽極と電子を供給する陰極との間に少なくとも発光層を有する表示体において、陰極を透明でかつ低抵抗の導電膜により構成したものである。これによれば、補助配線等がなくても、表示体全体の画素の発光輝度をより均一にすることができ、品質のよい表示体を得ることができる。
また、本発明に係る表示体では、正孔を供給する陽極と電子を供給する陰極との間に少なくとも発光層を有する表示体において、陰極を透明でかつ低抵抗の導電膜により構成し、導電膜側を表示面としたものである。これによって、表示体全体の画素の発光輝度をより均一にしつつ、高い開口率が得られる構造のため、表示体全体としての輝度を向上させることができる。
【００１０】
また、本発明に係る表示体は、画素毎にパターン形成された陽極と、
全画素の共通電極となり、所定波長領域における光の透過率が６５パーセント以上で、かつ５Ω／□以下の抵抗値を有する導電膜からなる陰極と、
陽極と陰極との間にある画素となる発光層とを備えたものである。これによれば、補助配線等がなくても、共通電極である導電膜から表示体全体の各画素に対して安定した電荷供給を行うことができるので、表示体全体の画素の発光輝度をより均一にすることができ、品質のよい表示体を得ることができる。
【００１１】
また、本発明に係る表示体は、電荷供給を制御する制御素子が画素毎に設けられた基板と、画素毎にパターン形成された陽極と、全画素の共通電極となり、所定波長領域における光の透過率が６５パーセント以上で、かつ５Ω／□以下の抵抗値を有する導電膜からなる陰極と、  陽極と陰極との間にあり、制御素子の制御に基づいて発光する、画素となる発光層とを備えたものである。これによれば、補助配線等がなくても、共通電極である導電膜から表示体全体の各画素に対して安定した電荷供給を行うことができるので、表示体全体の画素の発光輝度をより均一にすることができ、大型の表示装置が形成可能な表示体を得ることができる。また、基板と反対の方向から発光光を取り出すので、基板方向を表示面にしなくてもよく、基板上に形成される制御素子配置の自由度を高くすることができる。
【００１２】
また、本発明に係る表示体は、導電膜を、第１のインジウムセリウムオキサイド層と、第２のインジウムセリウムオキサイド層と、その間に設けられた銀又は少なくとも銀を含む合金層により形成したものである。また、その際に、合金層の膜厚を１０ｎｍ〜１５ｎｍとする。さらに、第１のインジウムセリウムオキサイド層又は第２のインジウムセリウムオキサイド層の膜厚を３０ｎｍ〜５０ｎｍとする。これによれば、従来用いられていたＩＴＯの導電膜と同じ高い透過率を維持しつつ、シート抵抗が低くすることが可能であり、補助配線等を用いなくても、表示体全体の各画素に対して安定した電荷供給を行うことができる。このため、表示体全体の画素の発光輝度をより均一にすることができ、大型の表示装置が形成可能な表示体を得ることができる。また、スパッタ法を用いて成膜する場合に、雰囲気中に酸素を添加しなくても、透過率が高く、導電性も高い膜を成膜することができる。このため、導電膜成膜時に、雰囲気中に添加された酸素によって、有機ＥＬからなる発光層が影響を受けることが無く、発光寿命低下、輝度低下等を防止することができる。
また、本発明に係る表示体の導電膜は、真空蒸着法、イオンプレーティング法または対向ターゲットスパッタ法を用いて成膜されたものである。これらの方法を用いることにより、導電膜の下層側の発光層等に電気的、物理的なダメージを与えることなく成膜することができる。これにより、非発光画素やダークスポットの発生が少なく、信頼性の高い表示体を形成することができる。
【００１３】
また、本発明に係る表示体は、導電膜と発光層との間に電子注入層を設け、電子注入層をマグネシウムと銀の混合物により形成したものである。これによれば、導電膜と電子注入層との間で腐食等が発生する可能性が無く、電極の変質に依存した劣化が少ない。また、発光層への電子の注入効率もよくなるので、発光効率がよい表示体を得ることができる。
【００１４】
本発明に係る表示装置は、上記の表示体を備えたものである。これにより、発光効率が高く、配線等も容易で自由度があり、歩留まりも下がらない信頼性の高い大型の表示装置を得ることができる。
本発明に係る電子機器は、上記の表示装置が搭載されたものである。これにより、発光効率の高い電子機器を得ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施の形態に係る表示体の構成説明図である。図において、１は表示体、２は制御素子（駆動素子）となるＴＦＴ２ａが形成されたガラス基板、３はポリイミドまたはアクリルからなり、ガラス基板２のＴＦＴ２ａが形成された面（上面）側を平坦にする平坦化絶縁膜である。４はＡｌからなり絶縁膜３上に各画素毎にパターン形成された電極（ここでは反射電極とする）、５はＩＴＯからなり反射電極４を覆うように設けられた下部電極（陽極）、６は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２  ）からなり、隣り合う各画素を絶縁しかつ反射電極４を保護する絶縁膜３上に設けられた絶縁保護膜である。また、絶縁保護膜６は、後述する液滴吐出方式で正孔輸送層等を成膜する場合に、材料となる有機化合物を含む液体に対するぬれ性を改善し、成膜された層の膜厚の均一性を向上する働きもある。そして、各画素の下部電極５に対応する位置に発光層を形成するための開口部６ａが形成されている。
【００１６】
７は例えばインクジェットプリンタ等に用いられる液滴吐出方式により後述する発光層を形成する場合に、いわゆる堰（隔壁）として発光層等を形成する領域に溶液を溜める囲いとなるバンクで、アクリルによって構成されている。８はポリ３，４−エチレンジオキシチオフェン（以下、「ＰＥＤＯＴ」という））からなり、絶縁保護膜６上および開口部６ａを介して下部電極（陽極）５上に設けられた正孔輸送層である。９は有機発光材料からなり、正孔輸送層８上に設けられた発光層となる発光ポリマー層である。１０はマグネシウム銀（Ｍｇ／Ａｇ）からなり、各画素の発光ポリマー層９およびバンク７上に設けられた各画素に対して共通の上部共通電極（陰極）となる電子注入層１０、１１は一対のインジウムセリウムオキサイドの間に銀または銀合金が設けられた３層構造（ＩＣＯ／Ａｇ／ＩＣＯ）によって形成されて、電子注入層１０上に設けられた各画素に対して共通の上部共通電極（陰極）となる透明導電層、１２は封止部材となる透明封止膜である。、有機発光材料は、水分、酸素等に触れると発光寿命が短くなることから、発光層等に水分、酸素等が侵入するのを防ぐために設けられている。
【００１７】
次に、この表示体１の製造プロセスについて説明する。
（１）まず、制御素子となるＴＦＴ２ａが形成されＩＴＯ等によって配線されたガラス基板２を用意する。なお、制御素子をＴＦＴとしたが、例えばＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ  ）等、他の制御素子を用いてもよい。
【００１８】
（２）ついで、ＴＦＴ２ａが形成されたガラス基板２の上面側を平坦にするために、ガラス基板２の上面に、ポリイミドまたはアクリル等の平坦性化作用のある材料を用い、スピンコート法によって平坦化絶縁膜３となる膜を成膜する。
【００１９】
（３）次に、各画素のＴＦＴ２ａとその画素に対応する後述する反射電極４とを接続し、この反射電極４等を介して後述する正孔輸送層８に正孔を供給する接続孔となるスルーホール３ａを平坦化絶縁膜３に形成する。平坦化絶縁膜３に感光性の材料を使用し、フォトリソグラフィ法により所定の位置にパターンを形成する。その後、熱処理を行い、平坦化絶縁膜３を定着する。
（４）そして、平坦化絶縁膜３上に、反射電極４となる例えばアルミニウム（Ａｌ）を、厚さが例えば１００ｎｍ〜５００ｎｍになるようにスパッタ法または真空蒸着法により形成する。このとき、スルーホール３ａにより反射電極４とＴＦＴ２ａとの間が電気的に接続される。
【００２０】
（５）ついで、下部電極（陽極）５となる例えばＩＴＯを、厚さが例えば５０ｎｍ〜２００ｎｍになるようにスパッタ法または蒸着法により形成する。その後、所定の箇所（画素となる部分）に、Ａｌ、ＩＴＯを反射電極４、下部電極（陽極）５として残すために、フォトリソグラフィ法により感光性樹脂のパターンを形成する。そして、その感光性樹脂をマスクとしてＩＴＯを例えば王水でエッチングする。そして、Ａｌは例えば塩素系ガスを含むガスのプラズマを用いたドライエッチングでエッチングする。これにより反射電極４および下部電極（陽極）５が形成される。
【００２１】
（６）そして、下部電極（陽極）５上に隣り合う画素を絶縁しかつ反射電極４および下部電極（陽極）５を保護するため、絶縁保護膜６を、例えばＣＶＤ法またはスパッタ法によるシリコン酸化膜にて、１μｍの厚さに形成する。フォトリソグラフィ法によりレジストで所定のパターンを形成後、緩衝フッ酸溶液にてシリコン酸化膜をエッチングして、画素毎に開口部６ａを形成する。本実施の形態では、下部電極（陽極）５にＩＴＯを用いており、ＩＴＯは緩衝フッ酸溶液によりエッチングされにくい材料のため、上記の方法で絶縁性保護膜６のエッチングを行っている。ここで、下部電極（陽極）５に、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）等、フッ酸によりエッチングされる材料を用いる場合には、フッ素を含むガスのプラズマを用いたドライエッチング法にて、絶縁性保護膜６のエッチングを行ってもよい。
【００２２】
（７）開口部６ａを形成した後、絶縁保護膜６及び開口部６ａ上に感光性のアクリルからなる層をスピンコートにより形成し、フォトリソグラフィ法により、パターン形成を行いインク堰となるバンク７を形成する。なお、バンク７は、インクジェット法で正孔輸送層８、発光ポリマー層９を形成する場合に必要となるものである。そのため、蒸着法により正孔輸送層８、発光ポリマー層９を形成する場合には省略してもよい。
【００２３】
（８）次に、ＰＥＤＯＴを含む有機化合物の溶液をインクジェット法により絶縁保護膜６および下部電極（陽極）５上に吐出し、熱処理により乾燥させて定着させ、層厚が例えば５ｎｍ〜５０ｎｍの正孔輸送層８を形成する。
【００２４】
（９）ついで、高分子の有機発光材料を含む溶液をインクジェット法により正孔輸送層８上に吐出し、熱処理により乾燥させて定着させ、層厚が例えば５ｎｍ〜２０ｎｍの発光ポリマー層９を形成する。なお、この実施の形態では、高分子の発光材料において、赤色発光材料にはシアノピリフェニレンビニレン、緑色発光材料にはポリフェニレンビニレン、青色発光材料にはポリフェニレンビニレンおよびポリアルキルフェニレンなどが使用される。
【００２５】
（１０）各画素の発光ポリマー層９およびバンク７（表示部分の全面）上に、Ｍｇ／Ａｇからなる電子注入層１０を蒸着法、イオンプレーティング法または対向ターゲットスパッタ法により厚さが例えば５ｎｍ〜２０ｎｍになるように形成する。５ｎｍより薄くなると電子注入効率を向上する効果がなくなる。また、２０ｎｍ以上の厚さになると、内部抵抗が上がって発光電圧が高くなってしまうため、内部抵抗が上がらない程度の厚さとする。ここで、対向ターゲットスパッタ法とは、向かい合わせたターゲット間に磁界を発生させてプラズマの拡散を抑え、また、ターゲット周辺にプラス極のシールドを設け、ターゲット間をと飛び出そうとするマイナスイオンを引き寄せることにより、ターゲット間から飛び出したターゲットの粒子だけが基板に堆積されるようにする方法である。基板は、プラズマ、マイナスイオンの影響を受けないので、より緻密な成膜を行うことができる。また、プラズマによる基板の温度上昇を防ぐことができる。
【００２６】
（１１）ついで、電子注入層１０上に、ＩＣＯを例えば厚さが３８ｎｍ、Ａｇを例えば厚さが１２．５ｎｍ、ＩＣＯを例えば厚さが３８ｎｍと順番に蒸着法、イオンプレーティング法または対向ターゲットスパッタ法によって成膜して、ＩＣＯ／Ａｇ／ＩＣＯの３層構造の導電膜からなる透明導電層１１を形成する。
この（１０）および（１１）の工程での真空蒸着法、イオンプレーティング法または対向ターゲットスパッタ法は、それぞれその下層となる発光ポリマー層９および電子注入層１０への物理的、電気的ダメージを与えることが少ない方法であり、ダークスポット等の欠陥の発生を少なくすることができ、信頼性の高い表示体を形成することができる。
【００２７】
（１２）そして、電子注入層１０および透明導電層１１からなる上部共通電極（陰極）上または空間を隔てて封止部材となる透明封止膜１２を形成し、本発明による表示体１を作製する。
【００２８】
このように構成された本発明による表示体１は、電子注入層１０に上部共通電極（陰極）である透明導電層１１を介して電子が注入される。そして、発光させる画素に対応するＴＦＴ２ａが動作すると、電荷がＴＦＴ２ａから正孔がスルーホール３ａ、反射電極４および下部電極（陽極）５を介して正孔輸送層８に供給され、発光ポリマー層９で電子と正孔が再結合する。このとき、再結合のエネルギーによって発光中心が励起されて発光ポリマー層９の発光材料が発光し、発光光Ｌは、電子注入層１０、透明導電層１１および透明封止膜１２を透過して外部に放出されるとともに、発光光Ｌの一部は、正孔輸送層８および下部電極５を透過して反射電極４により反射された後、電子注入層１０および透明導電層１１等を透過して外部に放出され、所望の画素の発光が得られる。
【００２９】
図２は上部共通電極（陰極）となる材料について透過率の波長及び構造依存性を表す図である。図２では、ＩＣＯ：３８ｎｍ、ＩＣＯ：３８ｎｍ／Ａｇ：５ｎｍ／ＩＣＯ：３８ｎｍ、ＩＣＯ：３８ｎｍ／Ａｇ：１２．５ｎｍ／ＩＣＯ：３８ｎｍ、ＩＣＯ：３８ｎｍ／Ａｇ：３８ｎｍ／ＩＣＯ：３８ｎｍの膜について透過率を調べたものである。なお、ここでのＩＣＯ／Ａｇ／ＩＣＯは、平行平板型スパッタ装置を用いてアルゴンガスのみの雰囲気中でＤＣマグネトロン方式により成膜を行っている。ターゲットは、ＩＣＯ中のＣｅＯ２  の含有量が２０ａｔ％（原子（分子）数の割合（比率））のものを用いた。また、各膜のシート抵抗値を表１に示す。
【００３０】
【表１】
2004265853.tif 000003
【００３１】
ＩＣＯ：３８ｎｍ／Ａｇ：１２．５ｎｍ／ＩＣＯ：３８ｎｍの膜について、視感度の高い約５００〜６００の波長における光の透過率は６５％以上（特に５５０ｎｍの波長における光の透過率は約７０％）であり、シート抵抗は５．０Ω／□である。従来の表示体に用いられていたＩＴＯからなる透明導電層の同程度の透過率におけるシート抵抗の１／５まで抵抗を低くすることができる。以下の図３でも示すように、表示体の大型化を図るためには、シート抵抗の抵抗値は５．０Ω／□以下の方がよい。ここで、Ａｇの膜厚と１０〜１５ｎｍとした場合に、上記の様な実用的な透過率とシート抵抗値が得られている。透過率とシート抵抗に関しては、ＩＣＯの膜厚に関しても依存性が見られるが、Ａｇの膜厚による影響が大きく、ＩＣＯ膜厚が３０〜５０ｎｍの範囲では、ほぼＡｇの膜厚により特性が決まっている。
【００３２】
図３は輝度ムラのパネルサイズ依存性を表す図およびそのモデルを表す図である。図３（ａ）は関係を表すグラフであり、図３（ｂ）はその前提となる表示体のモデルを表している。ここでは表示体の対角線の長さをパネルサイズとしている。透明電極を全画素の共通電極とし、図３（ｂ）のように表示体の両側で電源（電源との接続はアルミニウムを介して行われる）と接続する。駆動用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の飽和特性を用いた定電流動作で駆動し、全画素を点灯させる。全画素点灯時に共通電極に流れる電流をモデル化し、各画素での電圧降下を近似的に計算する。その際、駆動用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の飽和領域でのＶＤＳ依存性の傾きを１０％／Ｖ、１画素当たりの電流を１０μＡとした。そして、共通電極での電圧降下を考慮しての各画素の発光層に流れる電流を近似的に計算する。発光輝度が電流に比例するとした上で、給電部分に隣接する画素の発光層の発光輝度からの、最も離れた位置にある画素の発光層の発光輝度の低下の割合を輝度ムラとしている。
【００３３】
本実施の形態における表示体１を用いて表示装置（パネル）を形成する場合、図３（ａ）のグラフから考えて許容される輝度ムラを１０％以内とすると、シート抵抗が５．０Ω／□ではパネルサイズが約６．８インチまで形成できることがわかる。それに比べてＩＴＯからなる透明導電層を有する従来の表示体では、シート抵抗を２２Ω／□とで考えると、約３インチのパネルサイズしか形成できない。このことから、本実施の形態に係る表示体１では、大型化を図ることが容易である。また、複数の表示体を連結させて大型化を図る場合でも、少ない枚数でさらに大型の表示装置を形成することができる。連結枚数が少なければ、配線等も容易で自由度もあり、高い歩留で、信頼性の高い表示装置が容易に得られる。逆に約３インチのパネルサイズしか得られない従来の表示体では、連結枚数が多くなり、配線が複雑でかつ製造も困難となるため、歩留も下がり、大型の表示装置形成が難しい。
【００３４】
以上のように本実施の形態によれば、共通電極となる透明導電層１１に、ＩＣＯ／Ａｇ／ＩＣＯのような、透過率が高く抵抗（シート抵抗）の低い導電材料を用いるようにしたので、高い透過率を維持しつつ、補助配線等がなくても、表示体全体の画素の発光輝度をより均一にすることができ、品質のよい表示体を得ることができる。しかも、補助配線等を設ける必要がないので、いわゆるトップエミッション構造の表示体において、ガラス基板２上のＴＦＴ２ａを含む配線の配置について自由度が高くなる。しかも、補助配線と接続するための接続孔を設ける工程がなくなる。また、ＩＣＯの成膜は、スパッタ法により成膜した場合に、雰囲気中に酸素を添加する必要が無い。このため、酸素により発光寿命の低下等の影響を受けやすい有機ＥＬの表示体に好適な材料であるといえる。
【００３５】
また、上部共通電極（陰極）である透明導電層１１を形成する際、蒸着法、イオンプレート蒸着法または対向ターゲットスパッタ法を用いるようにして、下層である発光ポリマー層９および電子注入層１０にダメージを与えないようにしたので、非発光画素やダークスポットの発生が少なく、信頼性の高い表示体１を形成することができる。そして、イオンプレーティング法は形成時にガラス基板２等を加熱することなく行えるため、ガラス基板２をはじめ下部電極５等の構成材料の耐熱性等を考える必要がなく、透明導電層１１を形成することができる。
【００３６】
さらに、ＩＣＯ／Ａｇ／ＩＣＯの３層により構成される透明導電層１１は、Ｍｇ／Ａｇにより構成される電子注入層１０上に形成されているが、透明導電層１１を構成するＣｅは、電子注入層１０のＡｇと反応しないため、ＩＴＯを用いた場合（ＩＴＯがＡｇと反応する）と異なり腐食等が発生する可能性が無く、電極の変質に依存した劣化が少ない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係る表示体の構成説明図。
【図２】上部共通電極の透過率の波長及び構造依存性を表す図。
【図３】輝度ムラのパネルサイズ依存性を表す図。
【符号の説明】
１  表示体、２  ガラス基板、２ａ  ＴＦＴ、５  下部電極（陽極）、９  発光ポリマー層、１０  電子注入層、１１  透明導電層（陰極）。
【図１】
2004265853.tif 000004
【図２】
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【図３】
2004265853.tif 000006