(57)【要約】【課題】情報記録媒体及び情報記録装置に関し、導電性プローブの損傷を精度良く検出する。【解決手段】電気抵抗或いは容量の変化により情報を記録する情報記録媒体１上に記録領域２を区分設定するとともに、区分設定した各記録領域２内の一部に導電性領域３を設ける。【選択図】          図１
2004342206.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気抵抗或いは容量の変化により情報を記録する情報記録媒体において、記録領域を前記情報記録媒体上に区分設定するとともに、前記区分設定した各記録領域内の一部に導電性領域を設けたことを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
上記区分設定した記録領域の表面と上記導電性領域の表面が、同一平面を構成することを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項３】
上記情報記録媒体が、電気抵抗が変化する相変化材料、或いは、容量が変化するＳｉ／Ｓｉ酸化膜／Ｓｉ窒化膜の積層構造のいずれかからなることを特徴とする請求項１または２に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報記録媒体に導電性プローブを接触させて、前記導電性プローブと前記情報記録媒体との間に電圧を印加することにより記録を行う情報記録装置において、前記導電性プローブを２次元的に配列したプローブヘッド、前記プローブヘッドと前記情報記録媒体との相対移動を制御する手段、個々の導電性プローブと前記情報記録媒体との接触を制御する手段、前記導電性プローブと上記導電性領域間の抵抗値を測定する手段、及び、前記測定した抵抗値と基準値とを比較することにより導電性プローブの損傷を判定する手段を少なくとも備えたことを特徴とする情報記録装置。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報記録媒体に導電性プローブを接触させて、前記導電性プローブと前記情報記録媒体との間に電圧を印加することにより記録を行う情報記録装置において、前記情報記録媒体が円盤状の情報記録媒体であるとともに、前記導電性プローブを１次元的に配列したプローブヘッド、前記プローブヘッドと前記情報記録媒体との相対移動を制御する手段、個々の導電性プローブと前記情報記録媒体との接触を制御する手段、前記導電性プローブと上記導電性領域間の抵抗値を測定する手段、及び、前記測定した抵抗値と基準値とを比較することにより導電性プローブの損傷を判定する手段を少なくとも備えたことを特徴とする情報記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は情報記録媒体及び情報記録装置に関するものであり、特に、微小プローブにより高密度の情報記録再生を行う情報記録装置における微小プローブ先端の摩耗を検知するための手段に特徴のある情報記録媒体及び情報記録装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、大容量の情報記録再生装置に対する要求が高まっており、今後も止むことはない状況である。
情報記録再生装置として最も用いられている磁気ディスク装置においては年々記録密度の増大がみられるが、磁気記録の原理的な限界に近づいているといわれている。
【０００３】
この限界を超える技術として、微小プローブを用いる記録技術が注目を浴びており（例えば、非特許文献１参照）、この非特許文献１では熱を利用した記録方式が記されている。
【０００４】
また、記録方式としては熱を利用するものの他に、導電性を有するプローブを用い、これを情報記録媒体と接触させ、プローブと情報記録媒体との間に電圧を印加し、情報記録媒体の性状を変化せしめることによる電気的なものも検討されている（例えば、特許文献１或いは非特許文献２を参照）。
【０００５】
このプローブと情報記録媒体と接触させる情報記録装置においては、プローブ先端の磨耗が発生するという問題があり、情報記録装置の寿命がプローブの寿命で決定されることになる。
【０００６】
この問題に対して、特許文献１においては、情報記録媒体またはプローブに導電性のダイヤモンド薄膜などの保護膜を形成して磨耗を防ぐことも提案されている。
また、プローブの磨耗を情報記録装置上で検知する技術も検討されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１０−１１２０８３号公報
【特許文献２】
特開２００１−２９１２９２号公報
【非特許文献１】
ＩＢＭ  Ｊ．Ｒｅｓ．Ｄｅｖｅｌｏｐ．，ｖｏｌ．４４，ｐｐ．３２３−３４０，２０００
【非特許文献２】
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，ｖｏｌ．７０，ｐ．２７２５，１９９１
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述の特許文献１の場合には、導電性のダイヤモンド薄膜などの保護膜によって、磨耗によるプローブ先端の損傷を軽減することが可能になると考えられが、磨耗を完全に防ぐことができないという問題があり、経時的な測定結果の信頼性に問題がある。
【０００９】
一方、特許文献２の場合には、プローブ先端の物理的な磨耗を検知することにとどまるものであり、物理的な磨耗が小さい場合でも生じる電気的導通不良というような導電性プローブで起こりうる損傷を検知することは考えられていないという問題がある。
【００１０】
したがって、本発明は、導電性プローブの損傷を精度良く検出することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図における符号５，６は、夫々ガラス基板等の基板、及び、Ａｕ層等の導電層である。
図１参照
上記目的を達成するため、本発明は、電気抵抗或いは容量の変化により情報を記録する情報記録媒体１において、記録領域２を情報記録媒体１上に区分設定するとともに、区分設定した各記録領域２内の一部に導電性領域３を設けたことを特徴とする。
【００１２】
この様に、情報記録媒体１自体の内部に導電性領域３を設け、定期的に導電性領域３と導電性プローブ４とを接触させ、その抵抗値を測定するという簡単な構成により導電性プローブ４の先端の摩耗或いは損傷の検出が可能になる。
【００１３】
この場合、区分設定した記録領域２の表面と導電性領域３の表面が同一平面を構成するようにすることが望ましく、それによって、導電性プローブ４の先端が移動する時に情報記録媒体１の凹凸と衝突して損傷することがなくなる。
【００１４】
また、情報記録媒体１としては、電気抵抗が変化するＧｅＳｂＴｅ等のカルコゲナイド系の相変化材料、或いは、容量が変化するＳｉ／Ｓｉ酸化膜／Ｓｉ窒化膜の積層構造、即ち、ＮＯＳ媒体のいずれでも良い。
【００１５】
また、情報記録媒体１が矩形状である場合には、導電性領域３を区分設定した各記録領域２の周辺部に記録領域２を囲むように設けても良いし、各記録領域２の一部に局所的に設けても良いものである。
【００１６】
また、情報記録媒体が円盤状である場合には、区分設定した記録領域と導電性領域とを交互に同心円環状に配置すれば良い。
【００１７】
また、矩形状の情報記録媒体１を用いた情報記録装置を構成する場合には、導電性プローブ４を２次元的に配列したプローブヘッド、プローブヘッドと情報記録媒体１との相対移動を制御する手段、個々の導電性プローブ４と情報記録媒体１との接触を制御する手段、導電性プローブ４と導電性領域３間の抵抗値を測定する手段、及び、測定した抵抗値と基準値とを比較することにより導電性プローブ４の損傷を判定する手段を少なくとも備えれば良い。
【００１８】
この場合、プローブヘッドと情報記録媒体１との相対移動制御手段により、プローブヘッドと情報記録媒体１との相対的位置関係を変更することができ、これにより、各導電性プローブ４が区分設定された各記録領域２内で複数の情報を記録および再生することができる。
【００１９】
また、個々の導電性プローブ４に情報記録媒体１との接触、非接触を制御する手段を設けることにより、個々の導電性プローブ４を独立して並行的に動作させることができる。
【００２０】
また、導電性プローブ４と導電性領域３との間の抵抗値を測定する手段を設けることにより、導電性プローブ４と導電性領域３との間の抵抗値を簡単に測定することが可能となり、測定した抵抗値と基準値とを比較することにより導電性プローブ４の摩耗或いは損傷を容易に判定することができる。
【００２１】
また、円盤状の情報記録媒体を用いた情報記録装置を構成する場合には、導電性プローブを１次元的に配列したプローブヘッド、プローブヘッドと情報記録媒体との相対移動を制御する手段、個々の導電性プローブと情報記録媒体との接触を制御する手段、導電性プローブと導電性領域間の抵抗値を測定する手段、及び、測定した抵抗値と基準値とを比較することにより導電性プローブの損傷を判定する手段を少なくとも備えれば良い。
この場合のプローブヘッドと情報記録媒体との相対移動を制御する手段は、  情報記録媒体を回転させる回転手段と、プローブヘッドを情報記録媒体の半径方向に移動制御する手段とからなる。
【００２２】
この場合、プローブヘッドを構成する導電性プローブ４と、情報記録媒体１に設けた区分設定した各記録領域２とを１：１に対応させることが望ましく、それによって、書込速度及び読出速度を高速化することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
ここで、図２乃至図８を参照して、本発明の第１の実施の形態の情報記録装置を説明する。
図２参照
図２は、本発明の第１の実施の形態に用いるプローブヘッドの概略的平面図であり、このプローブヘッド１０はＳＯＩ基板１１にプローブエレメント２０を二次元アレイ状に設けたものであり、個々のプローブエレメント２０には２本の脚部２１、探針形成部２２、及び、探針２３により構成されている。
なお、ここでは、便宜的に５×３の二次元アレイとしているが、実際には、もっと多数のプローブエレント２０を配置した構成となる。
【００２４】
次に、図３を参照して、本発明の第１の実施の形態に用いるプローブヘッドを構成するプローブエレメント２０の構成を説明する。
図３（ａ）及び（ｂ）参照
図３（ａ）は、プローブエレメント２０の概略的平面図であり、また、図３（ｂ）は脚部の延在方向に沿った概略的断面図である。
まず、シリコン基板１２上にＳｉＯ２  膜１３を介して厚さが、例えば、１μｍのシリコン層を設けたＳＯＩ基板１１を用い、一部を残してシリコン層の全体を０．５μｍの深さにエッチングして探針２３を形成する。
【００２５】
次いで、脚部形成領域にＰ（リン）をヘビードープして低抵抗化したのち、２本の脚部２１及び探針形成部２２が得られるようにパターニングしたのち、少なくとも２本の脚部２１、探針形成部２２、及び、探針２３の表面を導電性ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜２４で被覆する。
この場合、例えば、脚部２１の長さは５０μｍ、幅は１０μｍとする。
【００２６】
また、プローブヘッドのＸ方向にＡｕ配線２５を設けたのち、窒化膜を設けて、所定のパターンにパターニングすることによって脚部２１の付け根部に歪制御ＳｉＮ膜２６を形成し、次いで、この歪制御ＳｉＮ膜２６の一部を覆うようにＮｉブリッジ２７を設けてＡｕ配線２５と脚部２１とを接続する。
なお、脚部２１に電流を流すための配線及びスイッチング素子は、本発明の本質とは直接の関連がないので図示を省略する。
【００２７】
プローブヘッド１０はモーターを使って媒体との距離を制御することが可能であり、また個々のプローブエレメント２０の脚部２１からなるカンチレバーについて、該カンチレバーに設けたアクチュエータにより、カンチレバーのたわみを制御することが可能であり、それによって、プローブ先端の探針と媒体との距離を制御することが可能である。
【００２８】
図４参照
図４は、本発明の第１の実施の形態に用いる情報記録媒体３０の概念的平面図であり、上述のプローブヘッド１０を構成するプローブエレメント２０に応じて矩形状の区分記録領域３１に分割し、各区分記録領域３１には記録材料層３２の周囲部分に導電性配線領域３３を設けたものである。
【００２９】
次に、図５及び図６を参照して、本発明の第１の実施の形態に用いる情報記録媒体３０の製造工程を説明する。
図５（ａ）参照
まず、ガラス基板４１上にＡｕ層４２を成膜したのち、レジスト層４３を塗布する。
【００３０】
図５（ｂ）参照
次いで、フォトリソグラフィー技術を用いて露光・現像することによって導電性配線領域３３を形成するための凹部４４を形成する。
図５（ｃ）参照
次いで、全面にＡｕ膜４５をスパッタ法で形成する。
【００３１】
図６（ｄ）参照
次いで、レジスト層４３上に堆積したＡｕ膜４５をレジスト層４３とともに除去することにより、凹部４４に残ったＡｕ膜４５が導電性配線領域３３となる。
図６（ｅ）参照
次いで、全面にスパッタ法を用いてＧｅＳｂＴｅ膜４６を形成する。
【００３２】
図６（ｆ）参照
最後に、媒体面をＣＭＰ（化学機械研磨）法により導電性配線領域３３の表面が現れるまで研磨することによって、導電性配線領域３３の表面とＧｅＳｂＴｅからなる記録材料層３２の表面が同一平面を構成する情報記録媒体３０が完成する。
【００３３】
図７参照
図７は、上述のプローブヘッド１０と情報記録媒体３０との配置関係の説明図であり、プローブヘッド１０を構成する個々のプローブエレメント２０と、情報記録媒体３０を構成する区分記録領域３１とが１：１で対応するように配置する。
【００３４】
図８参照
図８は、本発明の第１の実施の形態の情報記録装置の駆動方法を説明するブロック図であり、情報記録媒体３０を移動させる記録媒体駆動手段、即ち、モーターにより、情報記録媒体３０とプローブヘッド１０とを相対的に移動させる。
【００３５】
また、プローブ接触制御手段、即ち、カンチレバーに設けたアクチュエータにより、カンチレバーのたわみを制御することにより、プローブヘッド１０の個々のプローブエレメント２０の先端の探針２３と情報記録媒体３０との接触を制御する。
【００３６】
この時、プローブエレメント２０と情報記録媒体３０の記録材料層３２との間に電圧を印加することにより記録動作をおこない、また電圧印加により流れる電流を測定することで抵抗値が測定され、これらの電圧印加や抵抗値測定は個々のプローブエレメント２０に対しておこなわれる。
【００３７】
即ち、相変化記録材料であるＧｅＳｂＴｅからなる記録材料層３２の一部に電圧を印加することによって、接触箇所においてＧｅＳｂＴｅは相変化し抵抗値が変化するので１ビットの情報の記録が可能になる。
また、記録ビット３４における抵抗値の違いを探針２３とＡｕ層４２との間に電流を流すことによって電気的に読み出すことによって、書込情報の読出が可能になる。
【００３８】
また、プローブエレメント２０を区分記録領域３１に設けた導電性配線領域３３と接触させ、プローブエレメント２０と情報記録媒体３０との間に電圧を印加して流れる電流を測定することにより、プローブエレメント２０と導電性配線領域３３との間の抵抗値が測定される。
【００３９】
この抵抗値を基準値と比較し、基準値より大きい場合はプローブエレメント２０が損傷していると判定する。
この場合の導電性配線領域３３に対する接触頻度は、プローブヘッド１０の構成或いは情報記録媒体３０の構成によって異なるが、例えば、駆動時間１０００時間毎に行えば良い。
なお、記録動作と抵抗値測定によるプローブ損傷の判定とはコントローラにより制御を行う。
【００４０】
次に、図９乃至図１０を参照して、本発明の第１の実施の形態に情報記録装置に用いる他の情報記録媒体の製造方法を説明する。
図９（ａ）参照
まず、導電性シリコン基板５１上に熱酸化によりＳｉＯ２  膜５２を形成したのち、ＣＶＤ法を用いて、ＳｉＮ膜５３及びＳｉＯ２  膜５４を順次成膜する。
【００４１】
図９（ｂ）参照
次いで、全面にレジストを塗布し、露光・現像することによって導電性配線領域３３に対応する開口部を有するレジストパターン５５を形成し、このレジストパターンをマスクとしてＳｉＯ２  膜５４をエッチングして開口部５６を形成する。
【００４２】
図９（ｃ）参照
次いで、レジストパターン５５を除去したのち、ＳｉＯ２  膜５４をマスクとしてＳｉＮ膜５３の露出部をエッチングする。
【００４３】
図１０（ｄ）参照
次いで、ＳｉＯ２  膜５４をエッチング除去するとともに、ＳｉＮ膜５３をマスクとしてＳｉＯ２  膜５２の露出部をエッチングしてシリコン基板５１に達する凹部５７を形成する。
【００４４】
図１０（ｅ）参照
次いで、スパッタ法を用いて全面にＡｕ膜５８を堆積させて凹部５７を完全に埋め込む。
図１０（ｆ）参照
最後に、媒体面をＣＭＰ法により研磨することにより凹部５７を充填するＡｕ膜５８が導電性配線領域３３になるとともに、導電性配線領域３３の表面と、記録材料層の上層を構成するＳｉＮ膜５３の表面とが同一面を構成するＮＯＳ型の情報記録媒体５０が完成する。
【００４５】
このＮＯＳ媒体を用いる場合、プローブエレメント２０とシリコン基板５１との間に電圧が印加されることにより、接触箇所におけるＮＯＳ媒体に空乏層が形成されてＮＯＳ媒体の静電容量が変化するので、この静電容量の変化を情報とする。
【００４６】
次に、図１１を参照して、本発明の第１の実施の形態に情報記録装置に用いるさらに他の情報記録媒体を説明する。
図１１参照
図１１は、情報記録媒体６０の概念的平面図であり、基本構成は図４に示した情報記録媒体３０と同様であるが、この情報記録媒体６０においては、区分記録領域６１の一部に局所的にドット状接触領域６２を設けたものである。
【００４７】
この情報記録媒体６０を用いた場合にも、ドット状接触領域６２の位置を記憶しておくことによって、予め設定した期間毎にプローブエレメント２０をドット状接触領域６２に接触させれば良い。
【００４８】
次に、図１２を参照して、本発明の第２の実施の形態の情報記録装置を説明する。
図１２参照
図１２は、本発明の第２の実施の形態の情報記録装置の概念的構成図であり、図２に示したプローブエレメントと同様の構成を有する脚部７１、探針形成部７２、探針７３を備えたプローブエレメントを一次元アレイ状に配置してプローブヘッド７０を構成し、このプローブヘッド７０を円盤状の情報記録媒体８０の半径方向に一次元アレイの配列方向が位置するように配置する。
なお、ここでは、便宜上、４個のプローブエレメントとしているが、実際には、もっと多数のプローブエレメントからなるものであり、また、脚部７１、探針形成部７２、及び、探針７３の表面は導電性ＤＬＣ膜（図示を省略）で被覆されている。
【００４９】
この場合の円盤状の情報記録媒体８０は、図４に示した情報記録媒体３０と基本構成が同じであり、Ａｕ層が形成されたガラス基板上に同心円環状のＧｅＳｂＴｅからなる記録材料層８２とＡｕからなる導電性配線領域８３とを交互に配置したものであり、互いに隣接する記録材料層８２と導電性配線領域８３とによって区分記録領域８１が構成される。
【００５０】
この第２の実施の形態においては、円盤状の情報記録媒体をスピンドルモーターにより回転させるとともに、プローブヘッド７０をＸ軸方向に移動することにより、プローブヘッド７０と情報記録媒体８０との相対移動がなされる。
【００５１】
以上、本発明の各実施の形態を説明したが、本発明は各実施の形態に記載した構成及び条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の第１の実施の形態においては、情報記録媒体をＸ−Ｙステージに載置しているが、プローブヘッドをＸ−Ｙステージに固定・搭載して情報記録媒体とプローブヘッドとを相対的に移動させる構成にしても良い。
【００５２】
また、上記の第２の実施の形態においては、移動方向はＸ方向のみであるので、一次元移動ステージ、即ち、Ｘステージを用いても良いものである。
【００５３】
また、上記の第１の実施の形態においては、基板のサイズとプローブヘッドのサイズが同程度であることを前提としているが、プローブヘッドのサイズより何倍も大きな基板に対しても適用されることは言うまでもない。
その場合には、ステッパーの様に、基板を複数の領域に分割し、プローブヘッドを順次隣接する分割領域に移動させて記録・読出を行えば良い。
【００５４】
また、上記の第２の実施の形態においては、ディスクの半径に対応する長さのプローブヘッドを一個だけ用いているが、複数個のプローブヘッドを用いてデスクをセクタに分割するようにしても良く、それによって、読出速度及び書込速度を向上することができる。
例えば、２個のプローブヘッドを一直線上に配置しても良いし、或いは、４個のプローブヘッドを十字状の配置しても良いものである。
【００５５】
また、上記の各実施の形態においては導電性配線領域或いはドット状接触領域をＡｕによって形成しているが、Ａｕに限られるものではなく、Ａｕと同様に低抵抗で耐酸化性に優れたＰｔを用いても良いものである。
【００５６】
また、上記の第１の実施の形態においては、ガラス基板上にＡｕからなる導電層を設けているが、Ａｕに限られるものではなくＰｔを用いても良いものであり、さらに、この導電層は製造工程以外では露出して酸化されることがないので、ＣｕやＡｌ等の他の導電材料を用いても良いものである。
【００５７】
また、この場合の基板はガラスに限られるものではなく、シリコン基板や、Ａｌ−Ｍｎ合金等の導電性基板を用いても良いものである。
【００５８】
また、上記の各実施の形態においては、プローブエレメントの表面を導電性ＤＬＣ膜で被覆しているが、導電性ＤＬＣに限られるものではなく、Ｗ２  Ｃ或いはＴｉＮ等の硬質導電性被膜を用いても良いものである。
【００５９】
ここで、再び図１を参照して、改めて本発明の詳細な特徴を説明する。
再び、図１参照
（付記１）  電気抵抗或いは容量の変化により情報を記録する情報記録媒体１において、記録領域２を前記情報記録媒体１上に区分設定するとともに、前記区分設定した各記録領域２内の一部に導電性領域３を設けたことを特徴とする情報記録媒体。
（付記２）  上記区分設定した記録領域２の表面と上記導電性領域３の表面が、同一平面を構成することを特徴とする付記１記載の情報記録媒体。
（付記３）  上記情報記録媒体１が、電気抵抗が変化する相変化材料、或いは、容量が変化するＳｉ／Ｓｉ酸化膜／Ｓｉ窒化膜の積層構造のいずれかからなることを特徴とする付記１または２に記載の情報記録媒体。
（付記４）  上記情報記録媒体１が矩形状であり、上記導電性領域３を上記区分設定した各記録領域２の周辺部に前記記録領域２を囲むように設けたことを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記載の情報記録媒体。
（付記５）  上記情報記録媒体１が矩形状であり、上記導電性領域３を上記区分設定した各記録領域２の一部に局所的に設けたことを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記載の情報記録媒体。
（付記６）  上記情報記録媒体が円盤状であり、上記区分設定した記録領域と上記導電性領域とが交互に同心円環状に配置されていることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記載の情報記録媒体。
（付記７）  付記４または５に記載の情報記録媒体１に導電性プローブ４を接触させて、前記導電性プローブ４と前記情報記録媒体１との間に電圧を印加することにより記録を行う情報記録装置において、前記導電性プローブ４を２次元的に配列したプローブヘッド、前記プローブヘッドと前記情報記録媒体１との相対移動を制御する手段、個々の導電性プローブ４と前記情報記録媒体１との接触を制御する手段、前記導電性プローブ４と上記導電性領域３間の抵抗値を測定する手段、及び、前記測定した抵抗値と基準値とを比較することにより導電性プローブ４の損傷を判定する手段を少なくとも備えたことを特徴とする情報記録装置。
（付記８）  付記６記載の情報記録媒体に導電性プローブを接触させて、前記導電性プローブと前記情報記録媒体との間に電圧を印加することにより記録を行う情報記録装置において、前記導電性プローブを１次元的に配列したプローブヘッド、前記プローブヘッドと前記情報記録媒体との相対移動を制御する手段、個々の導電性プローブと前記情報記録媒体との接触を制御する手段、前記導電性プローブと上記導電性領域間の抵抗値を測定する手段、及び、前記測定した抵抗値と基準値とを比較することにより導電性プローブの損傷を判定する手段を少なくとも備えたことを特徴とする情報記録装置。
（付記９）  上記プローブヘッドを構成する各導電性プローブ４と、上記情報記録媒体１に設けた区分設定した各記録領域２とが１：１に対応していることを特徴とする付記７または８に記載の情報記録装置。
【００６０】
【発明の効果】
本発明によれば、導電性プローブと情報記録媒体とを用いて電気的な記録または再生を行う情報記録装置において、情報記録媒体に損傷検出用の導電性領域を設けているので導電性プローブの損傷を簡単に検出することができ、ひいては、高密度情報記録装置の実用化に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に用いるプローブヘッドの概略的平面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に用いるプローブヘッドを構成するプローブエレメントの構成説明図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に用いる情報記録媒体の概念的平面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に用いる情報記録媒体の途中までの製造工程の説明図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に用いる情報記録媒体の図５以降の製造工程の説明図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態におけるプローブヘッドと情報記録媒体の配置関係の説明図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態の情報記録装置の駆動方法を説明するブロック図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に用いる他の情報記録媒体の途中までの製造工程の説明図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に用いる他の情報記録媒体の図９以降の製造工程の説明図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に用いるさらに他の情報記録媒体の概念的平面図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態の情報記録装置の概念的構成図である。
【符号の説明】
１  情報記録媒体
２  記録領域
３  導電性領域
４  導電性プローブ
５  基板
６  導電層
１０  プローブヘッド
１１  ＳＯＩ基板
１２  シリコン基板
１３  ＳｉＯ２  膜
２０  プローブエレメント
２１  脚部
２２  探針形成部
２３  探針
２４  導電性ＤＬＣ膜
２５  Ａｕ配線
２６  歪制御ＳｉＮ膜
２７  Ｎｉブリッジ
３０  情報記録媒体
３１  区分記録領域
３２  記録材料層
３３  導電性配線領域
３４  記録ビット
４１  ガラス基板
４２  Ａｕ層
４３  レジスト層
４４  凹部
４５  Ａｕ膜
４６  ＧｅＳｂＴｅ膜
５０  情報記録媒体
５１  シリコン基板
５２  ＳｉＯ２  膜
５３  ＳｉＮ膜
５４  ＳｉＯ２  膜
５５  レジストパターン
５６  開口部
５７  凹部
５８  Ａｕ膜
６０  情報記録媒体
６１  区分記録領域
６２  ドット状接触領域
７０  プローブヘッド
７１  脚部
７２  探針形成部
７３  探針
７４  ガラスディスク基板
８０  情報記録媒体
８１  区分記録領域
８２  記録材料層
８３  導電性配線領域
【図１】
2004342206.tif 000003
【図２】
2004342206.tif 000004
【図３】
2004342206.tif 000005
【図４】
2004342206.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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