(57)【要約】【課題】ＣＯＰが存在しないシリコン単結晶であっても、酸素析出が促進されている領域を有する。そこで、この領域から加工されたシリコンウェーハを、ＳＯＩ基板の活性層用のシリコンウェーハとして、酸化膜耐圧などの電気的特性を向上させて作製するＳＯＩ基板の製造方法およびＳＯＩ基板を提供する。【解決手段】ＣＯＰが存在しないシリコン単結晶からシリコンウェーハを加工する。この後、このシリコンウェーハに対して、不活性ガス雰囲気で熱処理を行う。これにより、シリコンウェーハ表面から酸素を効率よく外方拡散させることができる。そして、このシリコンウェーハを活性層用のシリコンウェーハとして、ＳＯＩ基板を作製する。この結果、酸素の析出が促進されている領域から加工されたシリコンウェーハであっても、ＳＯＩ基板の酸化膜耐圧などの電気的特性が向上する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を介在させ表面側にＳＯＩ層を有するＳＯＩ基板を製造するＳＯＩ基板の製造方法において、
ＣＯＰが存在しないシリコン単結晶からシリコンウェーハを作製する工程と、
このシリコンウェーハに対して絶縁層を形成させる前に不活性ガス雰囲気で熱処理する工程とを含むＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項２】
上記不活性ガス雰囲気での熱処理は、上記シリコンウェーハを窒素ガス中またはアルゴンガス中に、１１５０℃以上の温度で６０分間以上保持する請求項１に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項３】
上記熱処理は、ＲＴＡ処理を含む請求項１または請求項２に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項４】
上記ＲＴＡ処理は、室温からの昇温する温度が１１５０℃以上、室温からその温度までの昇温する時間が１２０秒以内である請求項３に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項５】
上記ＳＯＩ層は、貼り合わせ法またはＳＩＭＯＸ法で作製された請求項１〜請求項４のうちのいずれか１項に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項６】
絶縁層を介在させ表面側にＳＯＩ層を有するＳＯＩ基板であって、
ＣＯＰが存在しないシリコン単結晶からシリコンウェーハを作製する工程と、このシリコンウェーハに対して不活性ガス雰囲気で熱処理する工程とを経て作製されたＳＯＩ基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はＳＯＩ基板の製造方法およびＳＯＩ基板、詳しくはＣＯＰが存在しない活性層を有するＳＯＩ基板の製造技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のシリコンウェーハに比べてＳＯＩ基板は、素子間の分離、素子と基板間の寄生容量の低減、３次元構造が可能といった優位性があり、高速・低消費電力のＬＳＩに使用されている。
ところで、ＳＯＩ基板の活性層用のシリコンウェーハには、シリコン単結晶の引き上げの際に生成されたＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ）が存在する。その結果、ＳＯＩ基板の活性層にもＣＯＰが存在することとなり、ＳＯＩ層では電気的特性、例えば酸化膜耐圧（ＴＤＤＢ特性）が、ＣＯＰが存在しないＳＯＩ層に比べると低下していた。
そこで、ＳＯＩ基板の活性層用のシリコンウェーハに、ＣＯＰが存在しないシリコンウェーハ（ピュアシリコンウェーハ）を使用し、ＳＯＩ基板を作製する方法が、特許文献１に開示されている。
【０００３】
図３は、そのＳＯＩ基板の製造方法を示している。
まず、図３（Ａ）に示すように、チョクラルスキー法（ＣＺ法）によってシリコン単結晶を育成し、これから活性層となるシリコンウェーハ１１を加工する。このシリコンウェーハ１１は、微小欠陥（例えば、ＣＯＰ、ＯＳＦ、ＢＭＤなど）が排除されたシリコン単結晶から加工されたものである。シリコン単結晶中の微小欠陥を排除するには、単結晶の引き上げの際に、引き上げ速度および結晶内温度勾配の平均値を制御して育成する（例えば、特許文献２参照）。
次に、図３（Ｂ）に示すように、このシリコンウェーハ１１の表層には絶縁層となる酸化膜１２を形成しておく。また、図３（Ｃ）に示すように、支持基板となる別の同一サイズのシリコンウェーハ１４を準備する。そして、図３（Ｄ）に示すように、活性層用のシリコンウェーハ１１は、酸化膜１２を介して、支持基板用のシリコンウェーハ１４の表面に重ね合わされる。次いで、これらのシリコンウェーハ同士の貼り合わせ強化のための熱処理を行う。図３（Ｅ）に示すように、この貼り合わせウェーハにおいて、その活性層用のシリコンウェーハ１１側の表面を所望の厚さまで研削し研磨する。この結果、この貼り合わせシリコン基板（ＳＯＩ基板）にあっては、その絶縁層を介在させ表面側に所望の厚さを有するＳＯＩ層１５が形成されることとなる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−４４３９８号公報
【特許文献２】特開平８−３３０３１６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、ＣＯＰが存在しないシリコン単結晶から加工された活性層用のシリコンウェーハを使用しても、シリコン単結晶中には酸素の析出が起こりやすい領域が存在する。
図４は、シリコン単結晶中の欠陥分布を示す断面図である。図４には、シリコン原子の不足から生じた空洞型欠陥（ＣＯＰなど）を有するＣＯＰ領域３１と、シリコン原子が余分に存在することにより生じた転位欠陥を有する転位クラスター領域３２とが存在している。ＣＯＰ領域３１の周辺には、リングＯＳＦ領域３３が存在している。そして、このリングＯＳＦ領域３３と転位クラスター領域３２との間にＣＯＰが存在しない領域が生成される。
このＣＯＰが存在しない領域は、空孔リッチの領域３４と、格子間シリコンリッチの領域３５とを有している。空孔リッチの領域３４は、格子間シリコンリッチの領域３５と比べて、酸素の析出が起こりやすい。
この領域から加工されたシリコンウェーハは、空孔リッチであるため、デバイスを形成する工程中に酸素の析出を引き起こす。この酸素の析出が、ＳＯＩ基板の酸化膜耐圧を悪化させる原因となっていた。
【０００６】
【発明の目的】
この発明は、上記問題点を改善するためになされたもので、シリコンウェーハの表面から酸素が外方拡散され、ＢＭＤ密度が増加しかつ無欠陥層が形成される結果、酸素析出が促進される領域から加工されたシリコンウェーハであっても、酸化膜耐圧などの電気的特性が向上したＳＯＩ基板を得ることができる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、絶縁層を介在させ表面側にＳＯＩ層を有するＳＯＩ基板を製造するＳＯＩ基板の製造方法において、ＣＯＰが存在しないシリコン単結晶からシリコンウェーハを作製する工程と、このシリコンウェーハに対して絶縁層を形成させる前に不活性ガス雰囲気で熱処理する工程とを含むＳＯＩ基板の製造方法である。
ＳＯＩ基板の活性層用のシリコンウェーハの作製工程では、例えば、チョクラルスキー法（ＣＺ法）により育成され、ＣＯＰが存在しないシリコン単結晶が用いられる。
ＣＯＰが存在しないシリコン単結晶の製造方法は、シリコン単結晶の引き上げの際に、引き上げ速度および結晶内温度勾配の平均値を制御して育成する。具体的には、引上速度をＶｍｍ／ｍｉｎとする。また、Ｓｉ融点から１３００℃までの引上軸方向の結晶内温度勾配の平均値をＧ℃／ｍｍとする。Ｖ／Ｇで表される比を制御すれば、ＣＯＰ欠陥などを排除してシリコン単結晶を育成することができる。そこで、結晶中心から半径４５ｍｍまでの領域では０．２０〜０．２２ｍｍ２／℃・ｍｉｎとし、半径４５ｍｍから外側の領域ではＶ／Ｇが単調に増加するように目標引上速度を設定する。これにより、シリコン単結晶中のＣＯＰ欠陥が排除される。
このＣＯＰが存在しないシリコン単結晶からシリコンウェーハを加工する。
そして、この加工されたシリコンウェーハに対して、絶縁層を形成させる前に不活性ガス雰囲気中で熱処理を行う。このときの不活性ガスは、窒素ガスやアルゴンガスを使う。また、熱処理は、シリコンウェーハの表面から酸素が効率よく外方拡散する温度、処理時間で行う。
そして、このシリコンウェーハをＳＯＩ基板の活性層用のシリコンウェーハとして使用し、ＳＯＩ基板を作製する。ＳＯＩ基板には、貼り合わせ法またはＳＩＭＯＸ法のいずれかで作製してもよい。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、上記不活性ガス雰囲気での熱処理は、上記シリコンウェーハを窒素ガス中またはアルゴンガス中に、１１５０℃以上の温度で６０分間以上保持する請求項１に記載のＳＯＩ基板の製造方法である。
熱処理は、効率よくシリコンウェーハの表面から酸素を外方拡散させるために、不活性ガス雰囲気で行う。特に、窒素ガス中またはアルゴンガス中で熱処理を行う。
熱処理の温度および時間は、１１５０℃以上の温度で、６０分間以上に保持して行う。この条件で行えば、シリコンウェーハの酸化膜耐圧（Ｂモード不良）の良品率が９５％以上に向上する。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、上記熱処理は、ＲＴＡ処理を含む請求項１または請求項２に記載のＳＯＩ基板の製造方法である。
上記熱処理の際、ＲＴＡ処理（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）を施す。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、上記ＲＴＡ処理は、室温からの昇温する温度が１１５０℃以上、室温からその温度までの昇温する時間が１２０秒以内である請求項３に記載のＳＯＩ基板の製造方法である。
ＲＴＡ処理では、室温からの昇温する温度が１１５０℃以上、室温からその温度までの昇温する時間が１２０秒以内とする。室温からの昇温する温度が１１５０℃未満であると、酸素の外方拡散が得られない。また、室温からその温度までの昇温する時間が１２０秒を越えると、生産性の低下や熱処理炉の耐久性に影響を及ぼす。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、上記ＳＯＩ層は、貼り合わせ法またはＳＩＭＯＸ法で作製された請求項１〜請求項４のうちのいずれか１項に記載のＳＯＩ基板の製造方法である。
ＳＯＩ基板の製造方法には、主として２つの製造方法が存在する。すなわち、酸化膜を形成し二枚のシリコンウェーハを結合させたのち研削、研磨してＳＯＩ層を形成する貼り合わせ法と、シリコンウェーハ表面に酸素イオンを注入して酸化膜を形成すると同時に薄膜のＳＯＩ層を形成するＳＩＭＯＸ法とが挙げられる。また、貼り合わせ法には、シリコンウェーハ表面に水素イオンを注入しＳＯＩ層を切り出すスマートカット法が含まれる。
【００１２】
請求項６に記載の発明は、絶縁層を介在させ表面側にＳＯＩ層を有するＳＯＩ基板であって、ＣＯＰが存在しないシリコン単結晶からシリコンウェーハを作製する工程と、このシリコンウェーハに対して不活性ガス雰囲気で熱処理する工程とを経て作製されたＳＯＩ基板である。
【００１３】
【作用】
請求項１に記載のＳＯＩ基板の製造方法にあっては、まず、ＣＯＰが存在しないシリコン単結晶を製造し、このシリコン単結晶からシリコンウェーハを作製する。通常のウェーハ作製プロセスを適用する。そして、このシリコンウェーハに対して、絶縁層を形成させる前に不活性ガスの雰囲気で熱処理を行う。これにより、シリコンウェーハ表面から酸素が外方に拡散する。この結果、酸素析出の欠陥のない表層領域を形成することができる。したがって、酸素析出の起こりやすい領域から加工されたシリコンウェーハであっても、不活性ガスの雰囲気で熱処理を行えば、酸化膜耐圧が良好なＳＯＩ基板を得ることができる。
【００１４】
請求項２に記載のＳＯＩ基板の製造方法にあっては、熱処理が、窒素ガスやアルゴンガス雰囲気で行われるため、シリコンウェーハの表面から、酸素の外方拡散を効率的に行うことができる。これにより、シリコンウェーハの表層に存在する酸素析出の欠陥の総数を減らすことができる。
【００１５】
請求項５に記載のＳＯＩ基板の製造方法にあっては、ＲＴＡ処理での室温からの昇温する温度が１１５０℃以上であれば、酸素の外方拡散が十分に得られる。また、室温からその温度までの昇温する時間が１２０秒以内であれば、スループットに影響を及ぼすことはない。
【００１６】
請求項６に記載のＳＯＩ基板にあっては、ＳＯＩ基板のＳＯＩ層を作製する方法は、貼り合わせ法またはＳＩＭＯＸ法のいずれかの方法で作製することができる。いずれの方法によっても好適なＳＯＩ基板を得ることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、この発明に係るＳＯＩ基板の製造方法の実施例を図１，図２を参照して説明する。なお、本実施例では貼り合わせ法により作製するＳＯＩ基板を例にとる。
まず、シリコン単結晶引き上げ装置（チョクラルスキー法（ＣＺ）による引き上げ装置）のルツボ内に多結晶高純度シリコンを例えば１４０ｋｇ投入する。そして、この多結晶シリコン中に所定量のボロン（ドーパント）を添加する。ボロン添加量は、シリコン単結晶成長時、その抵抗率が約１０Ωｃｍとなるように調整する。
ＣＺ引き上げ装置のチャンバ内はアルゴンの減圧雰囲気とし、ルツボ内では多結晶シリコンがヒータにより加熱されて溶融する。
そして、シードチャックに取り付けた種結晶を、このシリコンの融液に浸積する。この後、ルツボおよび引き上げ軸を回転させながら、種結晶を上方に所定速度で引き上げる。この結果、直径２００ｍｍのシリコン単結晶棒が引き上げられる。このとき、シリコン単結晶の結晶成長方位は＜１００＞とし、その引き上げられたシリコン単結晶のボディ全長は１４００ｍｍとなる。この引き上げ速度と、シリコン単結晶内の温度勾配の平均値との関係を以下に示す。
【００１８】
すなわち、引き上げ速度をＶｍｍ／ｍｉｎとする。また、シリコン融点から１３００℃までの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をＧ℃／ｍｍとする。Ｖ／Ｇ値を、結晶中心から半径４５ｍｍまでの領域では、０．２０〜０．２２ｍｍ２／℃・ｍｉｎに維持する。また、半径４５ｍｍから外側の領域ではＶ／Ｇ値が単調に増加するように結晶軸方向における目標引き上げ速度を設定する。
【００１９】
上記条件で育成したシリコン単結晶中の、酸素誘起積層欠陥（リングＯＳＦ）、赤外散乱欠陥または転位クラスター等が発生していない部位について、定法に則り所定厚さのシリコンウェーハに切断加工する。シリコンウェーハに加工するにあたり、各シリコンウェーハにはその成長軸方向の切り出し位置に対応してレーザマークを連番で打ち込み、シリコンウェーハの成長の履歴を明示する。
そして、各シリコンウェーハに対して所定の鏡面研磨加工を施した後、その表面について「ＳＰ１」測定器によりＬＰＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｐｏｉｎｔ  Ｄｅｆｅｃｔ）の測定を行った。その結果、シリコンウェーハの面内全域において、０．１２μｍ以上の大きさのＬＰＤの総数は５個以下であった。ここで、測定されたＬＰＤはＣＯＰを含まないものと解される。図１の（Ａ）には、この状態での活性層用となるシリコンウェーハ１１を示す。
【００２０】
次に、このシリコンウェーハ１１に対して、図１の（Ｂ）に示すように、所定の熱処理装置を用いて不活性ガス雰囲気で熱処理を行う。ＲＴＡ処理は行わない。このときの熱処理の条件は、シリコンウェーハ１１を窒素ガス中に、１１５０℃で、６０分間保持するものとする。
この熱処理の結果、シリコンウェーハ１１の表面から酸素が外方に拡散することとなる。よって、シリコンウェーハ１１の表裏面には、酸素析出の欠陥のない領域１３ａをそれぞれ形成することができる。
次に、図１の（Ｃ）に示すように、シリコンウェーハ１１を酸化熱処理炉に挿入し、ウェーハの表裏両面に所定の厚さの酸化膜１２を形成する。
【００２１】
一方、図１の（Ｄ）に示すように、支持基板となる別のシリコンウェーハ１４を準備する。このシリコンウェーハ１４は活性層用のシリコンウェーハ１１と同一サイズとする。同一インゴットのＣＯＰフリー領域から切り出したものでも、別の領域から切り出したものでもよい。また、別のインゴットから作製したものであってもよい。このシリコンウェーハ１４は所定のプロセスを経てその表面が鏡面化されている。
次いで、これらのシリコンウェーハ同士を貼り合わせる。このとき、活性層用のシリコンウェーハ１１の酸化膜１２は支持基板用シリコンウェーハ１４の表面（鏡面）に重ね合わされる。図１の（Ｅ）は貼り合わせ後の状態を示す。次に、シリコンウェーハ同士の貼り合わせ強化のため、貼り合わせウェーハに対して、１１００℃、２時間の貼り合わせ熱処理を施す。
次に、図１の（Ｆ）に示すように、この貼り合わせウェーハにおいてはその活性層用のシリコンウェーハ１１側の表面が所定の厚さまで研削され、また、研磨される。この結果、貼り合わせＳＯＩ基板が作製され、このＳＯＩ基板にあっては、その絶縁層（上記酸化膜１２が埋め込み酸化膜となったもの）より表面側に所望の厚さのＳＯＩ層１３が形成されることとなる。このときのＳＯＩ層１３は、約８μｍの厚さにする。
【００２２】
次いで、上記の製造方法により作製したＳＯＩ基板について、ＴＤＤＢ（Ｔｉｍｅ  Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）特性を測定する。
まず、上記ＳＯＩ基板に対して、８００℃、３時間の熱処理を行い、引き続きこれに１０００℃、１６時間の熱処理を施す。これらの熱処理は、酸素雰囲気中で行う。この結果、ＳＯＩ基板のＳＯＩ層表面に酸化膜が形成される。
次に、このＳＯＩ基板の表層に形成された酸化膜を、ＨＦ：Ｈ２Ｏの混合液で除去する。この結果、ＳＯＩ層が露出する。
次に、このＳＯＩ層表面に公知の方法で所定のＭＯＳ構造を作製する。このときのゲート酸化膜の厚さは、２５ｎｍとする。また、電極としてｎ＋ｐｏｌｙ−Ｓｉを用い、その電極面積は８ｍｍ２とする。
このＭＯＳ構造の酸化膜に対して、低電流ＴＤＤＢ法によるＴＤＤＢ特性を調査した。このとき、ＭＯＳ構造のＴＤＤＢ特性が、０．１Ｃ／ｃｍ２以上を良品と判定した。この結果を図２に示す。尚、シリコン単結晶は、Ｖ／Ｇを変化させて育成している。図２（ａ），（ｃ）は図２（ｂ），（ｄ）と比較し、Ｖ／Ｇが小さい位置から作製したもので、空孔リッチの析出が起こりやすい領域を含まない。
【００２３】
図２（ｃ），（ｄ）は、上記１１５０℃・６０分間の熱処理を行ったシリコンウェーハを使用したＳＯＩ基板に対するＴＤＤＢ測定での結果を示す。黒い部分が不良である。また、図２（ａ）、（ｂ）にはこのような熱処理を行っていないシリコンウェーハを使用して作製したＳＯＩ基板のＴＤＤＢ特性の測定結果を比較例として示す
図２（ｂ）に示すように、Ｖ／Ｇが大きく、熱処理を実施していないシリコンウェーハを使用したＳＯＩ基板には、ＳＯＩ層の中心付近に不良点が見られる。しかし、図２（ａ）に示すように、Ｖ／Ｇが小さくなると、熱処理を実施していないシリコンウェーハを使用したＳＯＩ基板であっても、不良点が減少する。一方、熱処理を実施したシリコンウェーハをＳＯＩ層に用いたＳＯＩ基板は、図２（ｃ），（ｄ）に示すように、Ｖ／Ｇに関係なく全面良品となった。
【００２４】
次に、上記と同様の引き上げ方法を用いてＣＯＰが存在しないシリコン単結晶（酸素濃度：２３．１ｐｐｍａ）を育成し、これから上記の図２（ｂ），（ｄ）の領域の結晶についてシリコンウェーハに加工する。このシリコンウェーハに対し、熱処理の条件を以下の通りに変更して熱処理を行う。そして、これらのシリコンウェーハを用いて上記と同様の方法でＳＯＩ基板を作製し、このＳＯＩ基板のＳＯＩ層におけるＭＯＳ構造でのＴＤＤＢ特性を測定した。このとき、シリコンウェーハの熱処理の温度は、１０５０℃、１１００℃、１１５０℃、１２００℃である。また、その熱処理の時間は、熱処理なし、３０分、６０分、９０分について行った。
熱処理雰囲気は、窒素ガス雰囲気である。
表１にこの測定結果を示す。熱処理の温度が１１５０℃以上であると、ＴＤＤＢ特性で良品率が向上する。逆に、熱処理の温度が１１５０℃未満であると、良品率は低下する。また、熱処理の時間が６０分間以上であると、ＴＤＤＢ特性の良品率が向上する。
以上の結果により、酸素の析出が促進されている領域から加工されたシリコンウェーハであっても、これに対して不活性ガス雰囲気で熱処理を行えば、ＳＯＩ基板の酸化膜耐圧が向上する。
【００２５】
【表１】
2004319642.tif 000003
【００２６】
さらに、酸素濃度の依存性を考察するために、酸素濃度の異なるシリコン単結晶について同様の試験を行った。表２にこの結果を示す。表２は、シリコン単結晶の育成時の酸素濃度の変化によるＴＤＤＢ特性を示している。熱処理の条件は、窒素ガス中、１１５０℃、６０分間に保持して行った。表２に示すように、酸素濃度が２４ｐｐｍａを越えてしまうと、熱処理による十分なＴＤＤＢ特性の向上の効果が得られない結果となった。
【００２７】
【表２】
2004319642.tif 000004
【００２８】
また、上記実施例においては不活性ガス雰囲気での熱処理を施した場合について説明したが、上記不活性ガス雰囲気で熱処理を行う際に、ＲＴＡ処理を施してもよい。
加えて昇温速度が速いため、引き上げ直後の結晶に存在するサイズの小さな酸素析出核が消滅する。そして、そのまま不活性ガス雰囲気で熱処理を行うことにより、シリコンウェーハの表層に存在する酸素が外方拡散され、シリコンウェーハの表層に無欠陥層（ＤＺ層）が確保される。
この場合のＲＴＡ処理としては、１１５０℃で１０秒以上必要である。
なお、上記実施例では、ＳＯＩ層の形成法として貼り合わせ法を示したが、この貼り合わせ法に限らず、ＳＩＭＯＸ法で形成してもよい。また、貼り合わせ法の一種であるスマートカット法で作製してもよい。
【００２９】
【発明の効果】
この発明によれば、ＳＯＩ層を形成する前に、シリコンウェーハに対して不活性ガス雰囲気で熱処理を行う。これにより、シリコンウェーハ表面から酸素を効率よく外方拡散させることができる。また、上記熱処理時にＲＴＡ処理を施すと、シリコンウェーハ表面から空孔が充分に生成され、酸素析出物のサイズが均一化する。そして、そのまま不活性雰囲気で熱処理を行うと、シリコンウェーハの表面から酸素が外方拡散され、ＢＭＤ密度が増加しかつ無欠陥層（ＤＺ層）が形成される。この結果、酸素の析出が促進されている領域から加工されたシリコンウェーハであっても、ＳＯＩ基板の酸化膜耐圧などの電気的特性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施例に係るＳＯＩ基板の製造方法を示すフロー図である。
【図２】この発明の実施例に係るＳＯＩ基板の酸化膜耐圧の測定点分布を示す平面図である。
（ａ）は、シリコン単結晶の育成速度が大で、熱処理を実施していないシリコンウェーハを用いたＳＯＩ基板の酸化膜耐圧の測定点分布を示す平面図である。
（ｂ）は、シリコン単結晶の育成速度が小で、熱処理を実施していないシリコンウェーハを用いたＳＯＩ基板の酸化膜耐圧の測定点分布を示す平面図である。
（ｃ）は、シリコン単結晶の育成速度が大で、不活性ガス中での熱処理を実施したシリコンウェーハを用いたＳＯＩ基板の酸化膜耐圧の測定点分布を示す平面図である。
（ｄ）は、シリコン単結晶の育成速度が小で、上記熱処理を実施したシリコンウェーハを用いたＳＯＩ基板の酸化膜耐圧の測定点分布を示す平面図である。
【図３】従来技術に係るＳＯＩ基板の製造方法を示すフロー図である。
【図４】従来のシリコン単結晶の欠陥分布を模式的に示すその断面図である。
【符号の説明】
１１  シリコンウェーハ、
１２  酸化膜、
１３  ＳＯＩ層。
【図１】
2004319642.tif 000005
【図２】
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【図３】
2004319642.tif 000007
【図４】
2004319642.tif 000008