(57)【要約】      （修正有）【課題】切断面をきれいに仕上げること。【解決手段】電子部品は、表面側に上面電極１２ｂが設けられ、電極１２ｂと裏面側に形成した下面電極とを、スルホール孔１２ｄを介して電気的に接続する回路基板１２を多数個集合形成した集合回路基板２０と、電子素子とを備え、スルホール孔１２ｄを閉塞部材１６で閉止した状態で、電子素子と電極１２ｂとをボンディング接続し、その後に、電子素子の外周を封止樹脂でモールドする。集合回路基板２０は、封止樹脂のモールド後に、スルホール孔１２ｄの中心上に設けられる中心切断線３０と、切断線３０と平行および直交する切断線３２，３４とで回路基板１２毎に分離する。閉塞部材１６は、集合回路基板２０の基板材料と同程度の硬さを備えた硬質薄板で構成し、この閉塞部材１６を、接着剤を介して、集合回路基板２０上に熱圧着する。【選択図】    図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面側に上面電極が設けられ、前記上面電極と裏面側に形成した下面電極とを、スルホール孔を介して電気的に接続する回路基板を多数個集合形成した集合回路基板と、前記回路基板上にそれぞれ搭載される電子素子とを備え、少なくとも前記スルホール孔を前記集合回路基板の表面側から閉塞部材で被覆閉止した状態で、前記電子素子と前記上面電極とをボンディング接続し、その後に、前記電子素子の外周を封止樹脂でモールドする樹脂モールド電子部品の製造方法であって、
前記集合回路基板は、前記封止樹脂のモールド後に、前記スルホール孔の中心上に設けられる中心切断線と、この中心切断線と平行および直交する切断線とで前記回路基板毎に分離するものであり、
前記閉塞部材を前記集合回路基板の基板材料と同程度の硬さを備えた硬質薄板で構成し、
前記閉塞部材を、接着剤を介して、前記集合回路基板上に熱圧着することを特徴とする樹脂モールド電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記閉塞部材は、接着シートを一方の面に貼着して、前記集合回路基板と同じ大きさに形成され、
ボンディング接続される前記上面電極などの非被覆部分を貫通孔として打ち抜き形成することを特徴とする請求項１記載の樹脂モールド電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記閉塞部材は、前記集合回路基板の基板材料と同じ材料とすることを特徴とする請求項１または２記載の樹脂モールド電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記閉塞部材は、前記熱圧着の前に、前記貫通孔を前記集合回路基板の所定の位置に位置決めして、前記接着シートで前記集合回路基板に仮接着することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の樹脂モールド電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、樹脂モールド電子部品の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
プリント配線板の表面にチップ状電子素子を搭載して、電子素子の外周を樹脂で封止した樹脂モールド電子部品が知られている。この種の電子部品は、例えば、特許文献１に開示されているように、表面側に上面電極が設けられ、この上面電極と裏面側に形成した下面電極とを、スルホール孔を介して電気的に接続する回路基板と、回路基板上に搭載される電子素子、例えば、チップ状の発光ダイオードなどとを備えている。
【０００３】
このような樹脂モールド電子部品は、スルホール孔を回路基板の表面側から閉塞部材で閉止して、樹脂がスルホール孔内に侵入することを防止した状態で、電子素子と上面電極とをボンディング接続し、その後に、電子素子の外周を、例えば、エポキシ樹脂などの封止樹脂でモールドすることで製造されている。
【０００４】
このような方法で製造される樹脂モールド電子部品は、単一状態での大きさが比較的小さいこともあって、多数の単一ユニットを集合させた状態で、樹脂モールドを施して製造し、その後に、切断することで単一部品としており、この際の切断位置は、通常、スルホール孔の中心上に設けら、スルホール孔を垂直に切断している。
【０００５】
しかしながら、このような従来の樹脂モールド電子部品の製造方法には、以下に説明する課題があった。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１０−１３５４９２号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
すなわち、上記特許文献１に開示されている製造方法では、スルホール孔を閉止する閉塞部材に、プリント配線板のエッチングレジストとして用いているドライフィルムなどの薄板状の軟質部材を採用していた。
【０００８】
ところが、このような軟質部材でスルホール孔を閉塞した状態で、樹脂モールドを施すと、樹脂の供給圧などにより、ドライフィルムなどが破断して、スルホール孔内に樹脂が流れ込むという問題があった。
【０００９】
また、集合状態で製造したものを単一部品に分離する際に、スルホール孔上で切断すると、回路基板と閉塞部材とで、適正な切断条件が大きく異なり、通常は、閉塞部材よりも硬い回路基板の切断条件に合わせるので、切断の際の摩擦などにより、閉塞部材の一部が軟質化して変形し、切断面がきれいに仕上がらない。
【００１０】
また、閉塞部材が軟質化ないしは変形すると、これらの一部がスルホール孔に被さり、他の回路基板などにハンダ接続する際に支障を来たすという問題もあった。
【００１１】
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、樹脂モールドを施す際に破断することがなく、切断面がきれいに仕上がり、しかも、スルホール孔のハンダ接続時に支障を来たす恐れが殆ど発生しない樹脂モールド電子部品の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、表面側に上面電極が設けられ、前記上面電極と裏面側に形成した下面電極とを、スルホール孔を介して電気的に接続する回路基板を多数個集合形成した集合回路基板と、前記回路基板上にそれぞれ搭載される電子素子とを備え、少なくとも前記スルホール孔を前記集合回路基板の表面側から閉塞部材で被覆閉止した状態で、前記電子素子と前記上面電極とをボンディング接続し、その後に、前記電子素子の外周を封止樹脂でモールドする樹脂モールド電子部品の製造方法であって、前記集合回路基板は、前記封止樹脂のモールド後に、前記スルホール孔の中心上に設けられる中心切断線と、この中心切断線と平行および直交する切断線とで前記回路基板毎に分離するものであり、前記閉塞部材を前記集合回路基板の基板材料と同程度の硬さを備えた硬質薄板で構成し、前記硬質薄板を、接着剤を介して、前記集合回路基板上に熱圧着するようにした。
【００１３】
このように構成した樹脂モールド電子部品の製造方法によれば、少なくともスルホール孔を集合回路基板の表面側から閉止する閉塞部材は、集合回路基板の基板材料と同程度の硬さを備えた硬質薄板で構成し、この硬質薄板を、接着剤を介して、集合回路基板上に熱圧着するので、樹脂モールドを施す際に、圧力が加えられても破断する恐れがなく、また、封止樹脂のモールド後に、スルホール孔の中心上に設けられる中心切断線で集合回路基板を切断する際には、集合回路基板の基板材料の切断とほぼ同じ条件での切断となり、ドライフィルムのような軟質材料を切断する場合のように、摩擦による軟質化や変形が発生しない。
【００１４】
前記閉塞部材は、接着シートを一方の面に貼着して、前記集合回路基板と同じ大きさに形成され、ボンディング接続される前記上面電極などの非被覆部分を貫通孔として打ち抜き形成することができる。
【００１５】
この構成によれば、閉塞部材は、集合回路基板と同じ大きさになっているので、これを集合回路基板の外周に合わせると、両者間の位置決めが簡単に行え、製造能率も向上する。
【００１６】
前記閉塞部材は、前記集合回路基板の基板材料と同じ材料とすることができる。
【００１７】
この構成によれば、集合回路基板とスルホール孔を閉止する閉塞部材とが同じ材質なので、切断条件を全く同一にすることができる。
【００１８】
前記閉塞部材は、前記熱圧着の前に、前記貫通孔を前記集合回路基板の所定の位置に位置決めして、前記接着シートで前記集合回路基板に仮接着することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付図面に基づいて詳細に説明する。図１から図８は、本発明にかかる樹脂モールド電子部品の製造方法の一実施例を示している。
【００２０】
これらの図に示した製造方法では、樹脂モールド電子部品１０は、図８にその完成状態を示すように、回路基板１２と、電子素子１４とを備えている。回路基板１２は、図４および図５にその詳細を示すように、長方形状に形成された基板１２ａと、基板１２ａの表面側に形成された複数の上面電極１２ｂと、基板１２ａの裏面側に形成された複数の下面電極１２ｃとを備えている。
【００２１】
回路基板１２は、両面に銅箔が接着されたエポキシ樹脂製の銅張り積層板を用い、銅箔をエッチング処理により除去することで、所定パターン形状の上面および下面電極１２ｂ，１２ｃが形成される。本実施例の場合、回路基板１２は、例えば、厚みが０．１〜０．９ｍｍ程度のものが用いら、電極１２ｂ，１２ｃなどのパターンには、金メッキが施されている。
【００２２】
上面電極１２ｂのいくつかは、基板１２の側面に配置された複数のスルホール孔１２ｄにより、下面電極１２ｃと電気的に接続される。スルホール孔１２ｄは、銅張り積層板に貫通孔を形成し、貫通孔の内壁面に金属めっき形成したものであって、図８に示した電子部品１０では、スルホール孔１２ｄが中心上で切断されている。
【００２３】
電子素子１４は、チップ形状の電子部品であって、本実施例の場合には、発光ダイオード１４ａとホトトランジスタ１４ｂとが用いられていて、発光ダイオード１４ａが、上面電極１２の円形電極１２０ｂの中心上に搭載され、ホトトランジスタ１４ｂが、上面電極１２の正方形電極１２１ｂの中心上に搭載され、これらの部品が対向するようになっている。
【００２４】
発光ダイオード１４ａおよびホトトランジスタ１４ｂには、それぞれ接続用のボンディングワイヤ１４ｃが設けられていて、このワイヤ１４ｃは、それぞれ別の上面電極１２ｂにボンディング接続されている。
【００２５】
回路基板１２に搭載された電子部品１４は、スルホール孔１２ｄを回路基板１２の表面側から閉塞部材１６で閉止した状態で、封止樹脂１８によりモールドされている。
【００２６】
閉塞部材１６は、回路基板１２の外周縁に沿って、枠状に設けられている。本実施例の場合、封止樹脂１８は、例えば、エポキシ樹脂などが用いられ、回路基板１２の外周形状に沿って、かつ、表面側で所定の厚みになるように、角形形状に成型されている。
【００２７】
以上のような樹脂モールド電子部品の製造方法としての基本的な構成は、従来のこの種の製造方法と同じであるが、本実施例の製造方法は、以下の点に顕著な特徴がある。
【００２８】
すなわち、本実施例の場合、回路基板１２は、図１に示すように、縦方向に５個、横方向に１０個配列して、合計５０個を集合形成した集合回路基板２０としている。
【００２９】
図４，５は、集合回路基板２０の一部を抽出して拡大したものであり、回路基板１２は、基板１２ａ，円形電極１２０ｂと正方形電極１２１ｂとを含む上面電極１２ｂ，下面電極１２ｃと、スルホール孔１２ｄとを有している。
【００３０】
本実施例の場合、横方向に配列した一対ずつの回路基板１２は、８個が一列状に配置されたスルホール孔１２ｄを中心として、一方の回路基板１２を１８０度回転させた形態に配置されている。
【００３１】
つまり、本実施例の場合には、スルホール孔１２ｄは、後述するように、その中心軸上に設けられる中心切断線３０で分離されるので、１つのスルホール孔１２ｄを、その両側に配置する一対の回路基板１２で兼用できるように、回路基板１２を配置している。
【００３２】
このような配置形態を採用すると、集合回路基板２０を形成する際に、基板材料の有効利用が図れる。なお、図５にハッチングを付けた部分は、回路基板１２の裏面側に設けられた半田レジスト２２であって、半田レジスト２２は、回路基板１２の下面電極１２ｃ以外の部分を覆うように設けられている。
【００３３】
また、図４に仮想線で示した部分は、一列状に配置した複数のスルホール孔１２ｄの上面側を覆い、孔内を閉塞する閉塞部材１６の配置位置と、スルホール孔１２ｄを中心軸上で切断する中心切断線３０の位置とを示している。
【００３４】
一方、本実施例の場合、閉塞部材１６は、集合回路基板２０（回路基板１２と同じ）と同じ材質のものが用いられていて、エポキシ樹脂板から構成されている。この閉塞部材１６は、例えば、厚みが０．１ｍｍ程度の薄い硬質平板であって、図２に示すように、集合回路基板２０と同じ大きさになっている。
【００３５】
この閉塞部材１６は、例えば、回路基板１２を形成する際に用いた銅張り積層板と同種のもので、厚みが同じものを選択し、積層板の銅箔をエッチングにより除去すれば使用することができる。
【００３６】
積層板の銅箔を除去したものは、銅箔を接着するために、表面に凹凸状の粗面化処理が施されているので、後述する接着シート２４の密着が良好になるので、より一層好ましい。
【００３７】
なお、閉塞部材１６は、集合回路基板２０と同じ材質に限る必要はなく、例えば、集合回路基板２０と同程度の硬さの合成樹脂平板であって、同程度の厚みを有する硬質薄板であれば、本実施例と同様に用いることができる。
【００３８】
閉塞部材１６は、図２に示すように、長方形枠状の貫通孔１６ａが多数形成されている。この貫通孔１６ａは、プレス成型で打ち抜き形成されるものであって、各貫通孔１６ａは、集合回路基板２０の回路基板１２の外周縁を除いて、そのほぼ全域が露出する大きさになっていて、上面電極１２ｂなどの非被覆部分を露出させるために設けられる。
【００３９】
また、横方向に隣接する一対の貫通孔１６ａで挟まれた細幅部分１６ｂは、図４に仮想線で示したスルホール孔１２ｄの上方を覆う部分であって、スルホール孔１２ｄの直径よりも若干大きな幅を備えている。
【００４０】
このような形状の閉塞部材１６は、貫通孔１６ｂを打ち抜く前に、図６に示すように、その裏面側に接着シート２４が貼着され、貫通孔１６ｂは、この接着シート２４とともに打ち抜かれる。
【００４１】
貫通孔１６ｂが形成された閉塞部材１６は、次に、図３に示すように、集合回路基板２０の表面側に、接着シート２４で仮接着する。この際には、閉塞部材１６の外形を集合回路基板２０の外形に合わせ、かつ、閉塞部材１６および集合回路基板２０に予め設けられている複数の位置合わせ孔２６を相互に一致させる。
【００４２】
このようにして閉塞部材１６を集合回路基板２０の表面側に仮接着すると、貫通孔１６ｂの部分に各回路基板１２の表面側の上面電極１２ａが露出し、スルホール孔１２ｄは、図７に示すように、細幅部分１６ｂで上部側が塞がれ、閉止された状態になる。
【００４３】
閉塞部材１６の仮接着が終了すると、次に、閉塞部材１６が仮接着された集合回路基板２０を熱プレス機に挟み込んで、圧着固定する（本圧着）。図３は、集合回路基板２０に閉塞部材１６を圧着固定した状態の平面図である。
【００４４】
この圧着固定が終了すると、集合回路基板２０の各回路基板１２に電子素子１４を、円形電極１２０ｂや正方形電極１２１ｂにそれぞれ搭載して、各電子素子１４を上面電極１２ｂにボンディング接続する。
【００４５】
このボンディング接続が終了すると、各集合回路基板２０の表面側に、封止樹脂１８を、回路基板１２の外周形状に沿って、かつ、表面側で所定の厚みになるように、角形形状に押し出して、モールド処理を行う。
【００４６】
そして、封止樹脂１８が硬化すると、モールド処理が施された集合回路基板２０は、図３に示すように、スルホール孔１２ｄの中心上に設けられる中心切断線３０と、この中心切断線３０と平行する平行切断線３２と、中心切断線３０と直交するで直交切断線３４とで回路基板毎１２に分離する。
【００４７】
このような切断には、例えば、ダイヤモンドブレードを装着した高速回転のダイシングソーが用いられ、各切断線３０，３２，３４は、例えば、厚みが０．１ｍｍ程度の切断面となる。このようなダイシングソーによる切断時には、カットマークを読み取りカットする。
【００４８】
このようにして、回路基板１２毎に分離すると、図８に示した電子部品１０が得られる。さて、以上のように構成した樹脂モールド電子部品１０の製造方法によれば、スルホール孔１２ｄを集合回路基板２０の表面側から閉止する閉塞部材１６は、集合回路基板２０の基板材料と同程度の硬さを備えた硬質薄板で構成し、この硬質薄板を、接着剤を介して、集合回路基板２０上に熱圧着するので、樹脂モールドを施す際に、圧力が加えられても破断する恐れがなく、また、封止樹脂１８のモールド後に、スルホール孔１２ｄの中心上に設けられる中心切断線３０で集合回路基板２０を切断する際には、集合回路基板２０の基板材料の切断とほぼ同じ条件での切断となり、ドライフィルムのような軟質材料を切断する場合のように、摩擦による軟質化や変形が発生しない。
【００４９】
切断面に変形などが発生しないと、切断面自体がきれいに仕上がり、しかも、スルホール孔１２ｄのハンダ接続時に支障を来たす恐れもなくなる。
【００５０】
また、本実施例では、閉塞部材１６は、接着シート２４を一方の面に貼着して、集合回路基板２０と同じ大きさに形成され、ボンディング接続される上面電極１２ｂなどの非閉止部を貫通孔１６ａとして打ち抜き形成するので、これを集合回路基板２０の外周に合わせると、両者間の位置決めが簡単に行え、製造能率も向上する。
【００５１】
また、本実施例の場合には、閉塞部材１６は、集合回路基板２０の基板材料と同じ材料としているので、切断条件を全く同一にすることができ、切断条件が同一になると、閉塞部材１６の切断面は、基板１２ａの切断面と同じ状態になる。
【００５２】
また、閉塞部材１６は、熱圧着の前に、貫通孔１６ａを集合回路基板２０の所定の位置に位置決めして、接着シート２４で集合回路基板２０に仮接着するので、この際に位置決め状態を確認して、不都合があると修正することができる。
【００５３】
なお、上記実施例では、閉塞部材１６は、回路基板１２のスルホール孔１２ｄ以外の部分も覆うように形成しているが、少なくともスルホール孔１２ｄが覆われていれば、他の部分の被覆状態は任意に設定することができる。
【００５４】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明にかかる樹脂モールド電子部品の製造方法によれば、封止樹脂がスルホール孔内に侵入することがなく、また、切断面がきれいに仕上がり、しかも、スルホール孔のハンダ接続時に支障を来たす恐れが殆ど発生しない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる樹脂モールド電子部品の製造方法の一実施例を示す最初の工程の平面説明図である。
【図２】図１に引き続いて行われる工程の平面説明図である。
【図３】図２に引き続いて行われる工程の平面説明図である。
【図４】図１の要部拡大図である。
【図５】図４の裏面図である。
【図６】図２の断面説明図である。
【図７】図３の断面説明図である。
【図８】本発明の製造方法で製造する電子部品の斜視図である。
【符号の説明】
１０          電子部品
１２          回路基板
１２ａ        基板
１２ｂ        上面電極
１２ｃ        下面電極
１２ｄ        スルホール孔
１４          電子素子
１６          閉塞部材
２０          集合基板
２４          接着シート
３０          中心切断線
３２          平行切断線
３４          直交切断線
【図１】
2004342837.tif 000003
【図２】
2004342837.tif 000004
【図３】
2004342837.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2004342837.tif 000008
【図７】
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【図８】
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