(57)【要約】【課題】反射光による干渉縞（ニュートンリング）の発生を防止し、低コストで表示品質に優れたタッチパネルを実現する。【解決手段】一対の透明電極を配設した上下基板を前記透明電極側を内側にして所定の隙間を設けて対向配置し前記上下基板がシール剤で貼着されているタッチパネルにおいて、一方の基板２の透明電極１４形成面に多数の微細凹部１５が模様状に設けられていることを特徴とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の透明電極を配設した上下基板を前記透明電極側を内側にして所定の隙間を設けて対向配置し前記上下基板がシール剤で貼着されているタッチパネルにおいて、
少なくとも一方の基板の透明電極形成面に多数の微細凹部が模様状に設けられていることを特徴とするタッチパネル。
【請求項２】
前記微細凹部の深さが前記透明電極の厚さとほぼ同等であることを特徴とする請求項１記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記微細凹部の深さが０．０２〜５μｍの範囲に形成されていることを特徴とする請求項１記載のタッチパネル。
【請求項４】
前記微細凹部の開口形状が円形で、開口径が５〜１５μｍの範囲に形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のタッチパネル。
【請求項５】
前記微細凹部が千鳥状に配列されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のタッチパネル。
【請求項６】
前記微細凹部が格子状にマトリクス配列されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のタッチパネル。
【請求項７】
前記千鳥状または格子状の配列になる前記微細凹部の互いの間隔が２０〜３０μｍであることを特徴とする請求項５または６記載のタッチパネル。
【請求項８】
前記千鳥状または格子状の配列になる前記微細凹部の互いの間隔が上下基板で異なることを特徴とする請求項１ないし７の何れか１項に記載のタッチパネル。
【請求項９】
前記微細凹部が１０００〜３０００個／ｍｍ２  の密度で不規則にランダム配置されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のタッチパネル。
【請求項１０】
前記微細凹部の底面が微細凹凸状に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載のタッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、カーナビゲーション等の機器において、液晶ディスプレイの画面上に配置し、透視した画面の指示に従って使用者が情報の表示画面を指やペン等で直接押してデータを入力し、且つ画面が美しく、ニュートンリングの発生がなく、耐久性、耐摩耗性等に優れたタッチパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】
表示装置一体型の入力スイッチとしてのタッチパネルは、表示装置の表示面上に配置されて使用される。前記タッチパネルは、マイクロガラス板とその下面に形成された透明電極とからなる上基板と、ガラス板とその上面に形成された透明電極とからなる下基板とが、所定の空間を隔てて透明電極同士が対面するように配置されシール剤で貼着されている。更に、前記下基板の透明電極上には、マトリックス状にドットスペーサが配置されている。
【０００３】
このタッチパネルにおいて、上基板の上部を入力ペンまたは指で押圧したとき、上基板が撓んでその押圧点において上基板の透明電極が下基板の透明電極と接触する。そして、その接触点の座標が電気抵抗の測定によって検知されて、入力情報が読取られる。図４は、このような従来技術におけるタッチパネルを説明するための図である。以下、図を用いて従来技術のタッチパネルについて説明する。
【０００４】
図４は、上下基板１、２をシール剤６で貼着したタッチパネル１０を示す図で、図４（ａ）は、平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。図４に示すように、前記タッチパネル１０は、上基板１と下基板２とを透明電極３、４同士が互いに対向するようにシール剤６を介して配置し、前記上下基板１、２の周辺部が８〜１２μｍ程度の一定間隔を保つように、前記シール剤６で貼着されている。前記シール剤６は、エポキシ樹脂接着剤等が選択され、１〜２．５ｍｍの範囲の幅で形成される。又、このシール剤６には、所要の大きさのプラスチックボールやファイバーガラス等のスペーサ部材が分散されており、このスペーサ部材でもって前記上基板１と前記下基板２とを所要の間隔に保持する役目を成している。
【０００５】
前記下基板２は、厚みが１．１ｍｍのソーダガラス板からなり、このソーダガラス板に透明電極４と、透明電極４に電気的に接続される引き回し電極８ａ、８ｂとが形成されている。前記引き回し電極８ａ、８ｂの他端は下基板２の一辺においてまとめられ、コネクタ９の端部と接続されている。前記透明電極４は、厚みが５０Å〜４０００Å程度のＩＴＯ膜をスパッタリング或いはＣＶＤ等により成膜し、エッチング加工によりパターン形成される。又、前記引き回し電極８ａ、８ｂは、厚さ１〜２０μｍ程度の銀ペースト膜を印刷、１３０℃で約６０分焼成して形成される。
【０００６】
更に、前記透明電極４の表面上には、ドットスペーサ５がマトリックス状に配列されている。前記ドットスペーサ５は、大きさが３０〜４０μｍ程度の円形の形状で、基板からの高さが７〜１２μｍ程度に設定されている。更に、前記ドットスペーサ５同士の中心間距離は４〜５ｍｍ程度に設定されている。また、ドットスペーサ５はエポキシ樹脂系の紫外線硬化型樹脂をマトリックス状に印刷し、紫外線を照射して硬化させ形成される。
【０００７】
前記上基板１は、厚みが０．２ｍｍのマイクロガラス板からなり、下基板２と同様に透明電極３、引き回し電極７ａ、７ｂが形成されている。前記上基板１として使用されるマイクロガラスついては、ホウケイ酸ガラス等が例としてあげられる。
【０００８】
以上、説明した従来例のタッチパネル１０は、手、或いは入力ペン等の入力手段により上基板１を押圧し、前記上基板１の透明電極３の何れか１点が下基板２の透明電極４に接触することにより、両透明電極が相互通電される。これにより、制御装置が、その位置の抵抗値によって変化された電圧値を読みとり、電位差の変化に応じて位置座標を読み込む構成となっている。このような従来例のタッチパネル１０は、基板に形成されている透明電極間で発生する反射光が干渉し合い干渉模様（ニュートンリング）が発生する。特に指先や入力ペンによる入力時に顕著に発生し、タッチパネル表面の視認性等の品質低下することがあり、場合によっては表示装置の画面に写り込み入力画像が不鮮明になることがあった。また、基板の厚さ薄い場合や、基板の間隔が狭い場合にはニュートンリングが顕著に現れ薄型のタッチパネルの実現の妨げとなっていた。
【０００９】
このようなニュートンリング発生の対策として、図５（ａ）に示すような上基板３１の一面にエンボス加工又はエッチング加工により平均粗さが０．０６〜３．０μｍの無数の微細凹凸層３１ａを設け、この微細凹凸層３１ａの上に透明電極３３を形成したタッチパネル２０の例が開示されている。また、同様に図５（ｂ）に示すような下基板３２の一面に無数の微細凹凸層３２ａを設け、この微細凹凸層３２ａの上に透明電極３４を形成したタッチパネル３０の例も開示されている。（例えば、特許文献１。）。
また、ニュートンリング発生の別の対策として基板を湾曲させる例が開示されている。（例えば、特許文献２。）。
【００１０】
【特許文献１】
特開平７−１６９３６７号（第４−５頁、図１−２）
【特許文献２】
特開平１０−２９２６１号（第５頁、図１）
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図５に示すようにニュートンリング発生の対策をした従来例におけるタッチパネルは、微細凹凸層上に透明電極を形成するため透明電極の抵抗値にばらつきが生じ易く、入力する場所によっては、押圧した位置の座標と読みとられる入力情報の座標が合致しない場合があり、不良品が発生し、コスト高となるという問題があった。
また、別の例としての基板を湾曲させる方法は、湾曲させる大きさのコントロールが難しい上、湾曲させるためのコストが高いという問題があった。
【００１２】
（発明の目的）
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、透明電極による反射率を減少させると共に反射光による干渉縞（ニュートンリング）の発生を防止出来る低コストのタッチパネルを実現することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するために、本発明のうちで請求項１に係わるタッチパネルは、一対の透明電極を配設した上下基板を前記透明電極側を内側にして所定の隙間を設けて対向配置し前記上下基板がシール剤で貼着されているタッチパネルにおいて、少なくとも一方の基板の透明電極形成面に多数の微細凹部が模様状に設けられていることを特徴とする。
【００１４】
又、請求項２の発明に係わるタッチパネルは、前記微細凹部の深さが前記透明電極の厚さとほぼ同等であることを特徴とする。
【００１５】
又、請求項３の発明に係わるタッチパネルは、前記微細凹部の深さが０．０２〜５μｍの範囲に形成されていることを特徴とする。
【００１６】
又、請求項４の発明に係わるタッチパネルは、前記微細凹部の開口形状が円形で、開口径が５〜１５μｍの範囲に形成されていることを特徴とする。
【００１７】
又、請求項５の発明に係わるタッチパネルは、前記微細凹部が千鳥状に配列されていることを特徴とする。
【００１８】
又、請求項６の発明に係わるタッチパネルは、前記微細凹部が格子状にマトリクス配列されていることを特徴とする。
【００１９】
又、請求項７の発明に係わるタッチパネルは、千鳥状またはマトリクス状に配列された前記微細凹部の互いの間隔が２０〜３０μｍであることを特徴とする。
【００２０】
又、請求項８の発明に係わるタッチパネルは、前記千鳥状または格子状の配列になる前記微細凹部の互いの間隔が上下基板で異なることを特徴とする。
【００２１】
又、請求項９の発明に係わるタッチパネルは前記微細凹部が１０００〜３０００個／ｍｍ２  の密度で不規則にランダムに配列されていることを特徴とする。
【００２２】
又、請求項１０の発明に係わるタッチパネルは、前記微細凹部の底面が微細凹凸状に形成されていることを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、図１を用いて本発明の第１の実施形態におけるタッチパネルについて説明する。図１は、第１の実施形態におけるタッチパネルの下基板を示し、図１（ａ）は、下基板の一部を示す部分拡大平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＢ−Ｂ断面を示す部分拡大断面図である。本実施形態におけるタッチパネルは、下基板に形成される透明電極に特徴があり、その他は従来技術と類似している。従って、従来例と同じ構成要素には、同一番号を付し説明は省略する。
【００２４】
図１に示すように、本実施形態におけるタッチパネルは、厚みが１．１ｍｍのソーダガラス板からなる下基板２に厚さが０．０４μｍのＩＴＯ膜から成る透明電極１４を形成し、この下基板２の透明電極１４が形成されている面に多数の微細凹部１５を模様状に設けたことを特徴とする。この微細凹部１５は千鳥状に配列されており、微細凹部１５の互いの間隔、即ち配列ピッチＰの値は２０μｍとした。また、微細凹部１５の深さｂの値は、前記透明電極１３の厚さと同じとし、０．０４μｍとした。従って微細凹部１５の底面１５ａは、下基板２の露出面となる。更に、微細凹部１５の開口形状は円形で、その開口径ｄの値は１０μｍとした。この微細凹部１５の千鳥状配列は、前記下基板２の表面に公知の方法でＩＴＯ膜からなる透明電極１４を設けた後、エッチング加工により通常の透明電極のパターニングと同時に形成した。その後、従来技術と同様に、下基板２の透明電極１４の表面に、ドットスペーサ５を形成し、厚みが０．２ｍｍのホウケイ酸ガラスからなり透明電極３が形成されている上基板１と透明電極３、１４同士が互いに対向するようにシール剤６を介して貼着し、本実施形態におけるタッチパネルを得た。このようにして得られたタッチパネルにおいては、非入力時及び指又は入力ペン等による入力時に干渉縞（ニュートンリング）は全く発生しなかった。
【００２５】
このように本実施形態のタッチパネルは、下基板２の透明電極１４が形成されている面に多数の微細凹部１５を千鳥状に配列した状態で設けて、この微細凹部１５の部分に下基板２の表面を露出させると共に、透明電極１４に段差を形成したものである。前記下基板２の材料であるガラスの屈折率は透明電極１４の屈折率より小さいため、透明電極を開口し下基板２の表面を露出させることによって下基板２全体の反射率を低減できる。また、透明電極に１４に段差を形成することにより、図１（ｂ）に示すように、透明電極１４での反射光Ａと下基板２での反射光Ｂとで反射率の相違、及び光路差の相違が生じ、上下基板の透明電極間の反射による干渉縞（ニュートンリング）の発生を防止することが出来る。また、透明電極１４が形成されている下基板２の表面は平滑面であり、透明電極の抵抗値が場所によって不安定となるような問題が生じることもない。従って、表示品質に優れたタッチパネルを得ることが出来る。更に、前記微細凹部１５は通常の透明電極のパターニングの工程で同時に形成できるため低コストでタッチパネルを得ることが可能である。
【００２６】
以上説明したように本実施形態におけるタッチパネルによれば、透明電極による反射率を減少させると共に反射光による干渉縞（ニュートンリング）の発生を防止し、低コストで表示品質に優れたタッチパネルを実現することが出来る。
【００２７】
尚、本実施形態においては、微細凹部の開口径を１０μｍを例として説明したが、この開口径ｄの値は、小さすぎると干渉縞の発生を防止する効果が得にくく、大きすぎると表示品質が低下するため５〜１５μｍの範囲に設定することが好ましいことが実験によって確認されている。また、微細凹部の互いの間隔、即ちピッチＰの値についても２０μｍを例として説明したが、同様の理由で２０〜３０μｍの範囲に設定することが好ましいことが実験によって確認されている。又本実施形態ではガラス基板の厚さが０．０４μｍの形成されたＩＴＯ膜からなる透明電極膜をエッチング除去して多数の微細凹部を形成する方法を紹介したが、この方法の場合、ＩＴＯ膜からなる透明電極膜の厚さが０．０２μｍ以上あれば、干渉縞防止の効果が得られることが実験により確認されている。
【００２８】
又、本実施形態においては、微細凹部を下基板に形成する例を示したが、この微細凹部を上基板の下面、または上下双方の基板の対向する２面に設けると、反射光による干渉縞（ニュートンリング）の発生をより効果的に押さえられることも、実験により確認されている。さらに、上下双方の基板に微細凹部を設ける場合、上下両基板の千鳥状に配列するピッチ間隔を上基板と下基板で異なる規則性を持たせることで、より効果的にニュートンリングの発生が押さえられることも、実験により確認されている。
【００２９】
（第２の実施形態）
次に、図２を用いて本発明の第２の実施形態におけるタッチパネルについて説明する。図２は、第２の実施形態におけるタッチパネルの下基板を示し、図２（ａ）は、下基板の一部を示す部分拡大断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＣ−Ｃ断面を示す部分拡大断面図である。本実施形態におけるタッチパネルは、下基板に形成される微細凹部の形状が第１の実施形態と異なる点であり、その他は類似している。従って、第１実施形態と同じ構成要素には、同一番号を付し説明は省略する。
【００３０】
図２に示すように、本実施形態におけるタッチパネルは、厚みが１．１ｍｍのソーダガラス板からなる下基板１２に厚さｂの値が０．０２μｍのＩＴＯ膜から成る透明電極２４を形成し、この下基板１２の透明電極２４が形成されている面に多数の微細凹部２５を模様状に設けたことを特徴とする。この微細凹部２５は千鳥状に配列されており、微細凹部２５の互いの間隔、即ち配列ピッチＳの値は２５μｍとした。また、微細凹部２５の深さｈの値は０．３μｍとした。これによって、微細凹部２５の底面２５ａは、下基板１２の表面より内側の位置に形成される。また、微細凹部２５の開口形状は円形で、開口径ｅの値は１５μｍとした。この微細凹部２５の千鳥状配列は、前記下基板２の表面に公知の方法でＩＴＯ膜からなる透明電極を設けた後、通常のパターニングを行った後、弗酸を用いてエッチング加工により形成した。その後、従来技術と同様に、透明電極２４の表面に、ドットスペーサ５を形成し、厚みが０．２ｍｍのホウケイ酸ガラスからなる上基板１と透明電極３、２４同士が互いに対向するようにシール剤６を介して貼着し、本実施形態におけるタッチパネルを得た。このようにして得られたタッチパネルにおいては、第１の実施形態と同様に、非入力時及び指又は入力ペン等による入力時に干渉縞（ニュートンリング）はまったく発生しなかった。
【００３１】
このように本実施形態のタッチパネルは、下基板１２の透明電極２４が形成されている面に多数の微細凹部２５を千鳥状に配列した状態で設けて、この微細凹部２５の深さｈの値を下基板１２の透明電極２４の厚さより大きくし、前記微細凹部２５の底面２５ａを下基板１２の表面より内側の位置とした。これによって透明電極２４から下基板１２の内部に達する段差を形成したものである。この時、前記微細凹部２５の底面２５ａは、弗酸を用いてエッチング加工することにより下基板１２の材料であるガラスの表面がエッチングされ、微細凹凸状に形成される。この結果、第１実施形態と同様に透明電極２４の面積が減少し下基板１２全体の反射率を低減できる。
【００３２】
また、透明電極２４に段差を形成することにより、図２（ｂ）に示すように、透明電極２４での反射光Ｃと下基板１２での反射光Ｄとで反射率の相違、及び光路差の相違が生じ、上下基板の透明電極間の反射による干渉縞（ニュートンリング）の発生を防止することが出来る。更に、微細凹部２５の底面２５ａが微細凹凸状となっているため、微細凹部の底面２５ａに入射した光は乱反射され、干渉縞（ニュートンリング）の発生の防止をより一層効果的にすることが出来る。尚、透明電極２４が形成されている下基板１２の表面は第１の実施形態と同様に平滑面であり、透明電極の抵抗値が場所によって不安定となるような問題が生じることもなく品質も安定しているため低コストでタッチパネルを得ることが可能である。また第１の実施形態と同様に透明電極の反射率も低減でき、表示品質に優れたタッチパネルを得ることが出来る。
【００３３】
以上説明したように本実施形態におけるタッチパネルは、第１の実施形態と同様の効果を得ることが出来る上に、微細凹部２５の底面２５ａの微細凹凸面とすることにより、微細凹部の底面２５ａで乱反射させ、干渉縞（ニュートンリング）の発生の防止をより一層効果的にすることが出来る。
【００３４】
尚、本実施形態においては、微細凹部の開口径ｅの値を１５μｍを例として説明したが、この開口径ｅの値は、第１の実施形態と同様に５〜１５μｍの範囲に設定することが好ましい。また、ピッチＰの値についても２０μｍを例として説明したが、２０〜３０μｍの範囲に設定することが好ましい。また、本実施の形態では微細凹部２５の深さｈを０．３μｍとしたが、さらに深さを増やすとより高い効果が得られるが、製作コストを考慮すると、最大５μｍ程度が上限値となる。５μｍを超える深さとした場合、概ねより良好な効果が得られるが、ガラス基板に多数の微細孔を形成する周知の技術としては化学薬品によるエッチング法が一般的であり、より深い微細凹部を形成するためには、それに比例した時間工数が必要となる。すなわち製作したタッチパネルが高価になってしまう問題がある。５μｍという数値は、本発明のタッチパネルの実用上の製作時間（コスト）と、ニュートンリング防止の効果を照合した一つの目安に過ぎない。極論的には貫通孔がベストである。
【００３５】又、本実施形態においては、微細凹部を下基板に形成する例を示したが、第１実施形態と同じく、微細凹部を上基板の下面、または上下双方の基板の対向する２面に設けると、反射光による干渉縞（ニュートンリング）の発生をより効果的に押さえられることも、実験により確認されている。この場合、上下双方の基板に微細凹部を設ける、上下両基板の千鳥状に配列するピッチ間隔を上基板と下基板で異なる規則性を持たせることで、より効果的にニュートンリングの発生が押さえられることも、第１実施形態と同様に実験により確認されている。
【００３６】
また、図３には、第２の実施形態における他の例として微細凹部の深さの異なる例を示す。図３（ａ）は、下基板の一部を示す部分拡大断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）におけるＤ−Ｄ断面を示す部分拡大断面図である。図３に示すように下基板２２に厚さｂの値が０．０３μｍのＩＴＯ膜から成る透明電極２８を形成し、下基板２２の透明電極２８が形成されている面に弗酸を用いてエッチング加工を施し、多数の微細凹部２９を模様状に設け、その深さを透明電極の厚さｂの値と同じく０．０３μｍとした。この時、前記微細凹部２９の底面２９ａは、下基板２２の露出面となるが、弗酸を用いてエッチング加工することにより下基板２２の材料であるガラスの表面がエッチングされ、微細凹凸状に形成される。これによって、前記微細凹部２９の底面２９ａに入射する光が乱反射され、第２の実施形態と同様に干渉縞（ニュートンリング）の発生を防止することが出来る。この場合も、透明電極２８の厚さが０．０２μｍ以上あればニュートンリング発生防止の効果が得られることが実験により確認されている。
【００３７】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態におけるタッチパネルについて説明する。本実施の形態では、第１及び第２の実施形態が微細凹部の形成を、図１〜図３に示すように、千鳥状の配列としたことに対し、従来技術を説明した図４（ａ）におけるドットスペーサ５の配列と同じく、格子状若しくはマトリクス配列と称される規則的配列とした点のみが異なる。従って第１、第２の実施形態と同一内容の部分は説明を簡略化、または省略する。配列の相違のみであるため、説明も省略する。
【００３８】
本実施形態では、第１及び第２の応用形態での実施形態で説明したように、透明電極膜のみのエッチングによる方法で微細凹部を形成する方法でも良く、第２のオリジナルな実施形態のように、ガラス基板を含めて深くエッチングしても良い。相違点は微細凹部の配列がマトリクス状である、との部分のみであり、微細凹部の深さが０．０２〜５μｍの範囲にが適当であること、微細凹部の開口形状が円形で、開口径が５〜１５μｍの範囲に設定されていること、格子状の配列において微細凹部の互いの間隔が２０〜３０μｍが適当な寸法であることなどの条件は同一である。エッチングパターンをマトリクス状に形成して微細凹部を設ける点は、第１、第２の実施形態と同様である。千鳥配列による場合と、マトリクス状に配列する場合のニュートンリング防止に関する効果に有意差は確認されなかった。
【００３９】尚、本実施形態においても、第１、第２の実施形態同様に、微細凹部を上下基板の何れか一方の面、または上下双方の基板の対向する２面に設けると、反射光による干渉縞（ニュートンリング）の発生をより効果的に押さえられることが実験により確認されている。さらに上下基板の微細凹部の配列の規則性を変えることでより優れた効果が得られる。
【００４０】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態におけるタッチパネルについて説明する。本実施の形態も、第１及び第２の実施形態が微細凹部の配列を、規則性のない、いわゆるランダム配置とした点のみが異なる。従って微細凹部の形成方法は第３の実施形態と同じく、透明電極膜のみのエッチングによる方法で微細凹部を形成する場合に応用しても良く、ガラス基板を含めて深くエッチングしても良い。相違点は微細凹部の配列が規則性が無いか、または極めて少ないランダム配置であることのみであり、微細凹部の深さが０．０２〜５μｍの範囲にが適当であること、微細凹部の開口形状が円形で、開口径が５〜１５μｍの範囲に設定されていることなどの条件は第１〜第３の実施形態と同一である。微細凹部の間隔については、マクロ的には第１〜第３の実施形態と同レベルの「２０〜３０μｍ」との分布率が基本になるが、ランダム配列であるため、個々の微細凹部の間隔は必ずしもこの数値範囲に入らない。微細凹部の分布率、或いは密度で適正範囲を数値表現すると、１０００〜３０００個／ｍｍ２  の密度となる。
【００４１】
本実施形態の微細凹部をガラス基板に形成する分布の基準である、１０００〜３０００個／ｍｍ２  の密度のエッチングパターン形成には多少の工夫を要する。つまり、ランダム配列とはこの場合適度に分散している状態を創り出すことが必要であり、ガラス基板上で極端な粗密の偏りが発生すると、反射特性にもバラツキが生じる。従ってこの場合のランダム配列とは適度な不規則性を有する状態が好ましい。一例としては、エッチングパターンの１ｍｍ２  の相隣り合う二辺を、０．１ｍｍ２  の１０個の区画に分け、０．１ｍｍ２  のユニットに分布率を変えた２〜３種類の微細凹部を設定する。例えば２個／０．１ｍｍ２  と８個／０．１ｍｍ２  の微細凹部の区画を交互に縦横に配置すると、１ｍｍ２  の一辺に５０個、すなわち１ｍｍ２  区画に２５００個の微細凹部が適度に分散した状態に形成できる。１ユニットの配置数に差を大きくする、またはユニットを３、４種類とする等の工夫により、ランダム的分布率をより不規則化可能である。
【００４２】
本実施形態は第１〜第３の実施形態に比較し、ニュートンリング発生の防止に関してはより優れた効果が得られる。その理由は、本願発明の趣旨が、ガラス基板に入る光を乱反射させることで、干渉縞（ニュートンリング）の発生を抑止する、との内容であり、微細凹部による乱反射が最も促進されるのは、微細凹部をランダム配列とした本実施形態が効果の面で最も優れている。
【００４３】
尚、本実施形態においても、第１〜第３の実施形態同様に、微細凹部を上基板の下面、または上下双方の基板の対向する２面に設けると、反射光による干渉縞（ニュートンリング）の発生をより効果的に押さえられることで、より効果的にニュートンリングの発生が押さえられることが実験により確認されている。
【００４４】
また、各実施形態に共通する内容として、上基板の材料としてホウケイ酸ガラスを例として説明し、下基板２の材料としてソーダガラスを例として説明したが、これに限定されるものではなく、その他のガラス材料、または、樹脂材料を使用する場合においても同様の効果を得ることが出来る。
【００４５】
また、複数の微細凹部の開口形状を開口径が等しい円形として配列した例で説明したが、これに限定されるものではなく、開口形状が異なったり、開口寸法が異なったり、適度に不均一であれば、本願発明の効果がより優れて得られる。
【００４６】
【発明の効果】
以上、本発明によれば、基板を湾曲させる必要もなく透明電極による反射率を減少させることが出来ると共に上下基板の透明電極間の反射光による干渉縞（ニュートンリング）の発生を防止することができ、低コストで表示品質に優れたタッチパネルを実現することが出来る。
更に、使用する基板の厚さ薄くし、且つ基板間のギャップを小さくすることが可能となり、小型、薄型のタッチパネルを低コストで実現出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態におけるタッチパネルの下基板を示し、図１（ａ）は、下基板の一部を示す部分拡大断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＢ−Ｂ断面を示す部分拡大断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態におけるタッチパネルの下基板を示し、図２（ａ）は、下基板の一部を示す部分拡大断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＣ−Ｃ断面を示す部分拡大断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態における他の例のタッチパネルの下基板を示し、図３（ａ）は、下基板の一部を示す部分拡大断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）におけるＤ−Ｄ断面を示す部分拡大断面図である。
【図４】従来技術におけるタッチパネルを示し、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。
【図５】従来技術のタッチパネルを示す断面図である。
【符号の説明】
１  上基板
２  下基板
３  透明電極
４  透明電極
５  ドットスペーサ
６  シール剤
７ａ、７ｂ  引き回し電極
８ａ、８ｂ  引き回し電極
９  コネクタ
１０、２０、３０  タッチパネル
１２、２２  下基板
１４、２４、２８  透明電極
１５、２５、２９  微細凹部
１５ａ、２５ａ、２９ａ  微細凹部の底面
３１  上基板
３１ａ  上基板の微細凹凸層
３２  下基板
３２ａ  下基板の微細凹凸層
３３  透明電極
３４  透明電極
【図１】
2004234386.tif 000003
【図２】
2004234386.tif 000004
【図３】
2004234386.tif 000005
【図４】
2004234386.tif 000006
【図５】
2004234386.tif 000007