(57)【要約】【課題】磁路長が短いことによって高周波帯域における記録特性に優れ、且つ薄膜コイルの抵抗値の小さい薄膜磁気ヘッドを実現する。【解決手段】薄膜磁気ヘッドは、下部磁極層１０８と上部磁極層１１２と記録ギャップ層と薄膜コイル１１４とを備えている。薄膜磁気ヘッドは、更に、エアベアリング面１３０から離れた位置に配置され、下部磁極層１０８と上部磁極層１１２とを連結する連結部１３１を備えている。連結部１３１はエアベアリング面１３０側に向く端面１３２を有し、この端面１３２はエアベアリング面１３０側に突出する曲面を含んでいる。端面１３２とエアベアリング面１３０との間に配置された薄膜コイル１１４の一部は、端面１３２とエアベアリング面１３０とを最短で結ぶ仮想の線上の位置において薄膜コイル１１４中で最小の幅を有し、且つ仮想の線から離れるに従って幅が大きくなっている。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁極層と、
前記媒体対向面から離れた位置に配置され、前記第１の磁極層の一部と前記第２の磁極層の一部の少なくとも一方を含み、前記第１の磁極層と第２の磁極層とを磁気的に連結する連結部と、
前記第１の磁極層の磁極部分と前記第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
前記連結部の回りに配置され、且つ少なくとも一部が前記第１および第２の磁極層の間に、前記第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた、平面渦巻き状の薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドであって、
前記連結部は媒体対向面側に向く端面を有し、この端面は媒体対向面側に突出する曲面を含み、
前記薄膜コイルの一部は、前記連結部の前記端面と媒体対向面との間に配置され、前記連結部の前記端面と媒体対向面とを最短で結ぶ仮想の線上の位置において薄膜コイル中で最小の幅を有し、且つ前記薄膜コイルの一部は、前記仮想の線から離れるに従って幅が大きくなる幅変化部分を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記連結部の前記端面は、円柱面の一部の形状を有していることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記連結部の媒体対向面に垂直な方向の長さは、前記連結部の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記幅変化部分における内周側の側部の形状および外周側の側部の形状は、いずれも円弧状であり、外周側の側部の曲率半径は内周側の側部の曲率半径よりも大きいことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記薄膜コイルは、４以上のターンを有していることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記薄膜コイルのうちの内周側から１番目のターン、２番目のターンは、それぞれ、前記連結部の前記端面と媒体対向面との間に配置された第１の部分、第２の部分を含み、
前記第１の部分と第２の部分のうちの少なくとも第１の部分は、前記連結部の前記端面と媒体対向面とを最短で結ぶ仮想の線上の位置で最も小さく、前記仮想の線から離れるに従って大きくなる幅を有することを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記第１の部分における内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状であり、
前記第１の部分における外周側の側部の形状は、前記第１の曲率半径よりも大きな第２の曲率半径の円弧状であり、
前記第２の部分における内周側の側部の形状は、前記第２の曲率半径よりも大きな第３の曲率半径の円弧状であり、
前記第２の部分における外周側の側部の形状は、前記第３の曲率半径よりも大きな第４の曲率半径の円弧状であることを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記第１の部分における内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状であり、
前記第１の部分における外周側の側部の形状は、前記第１の曲率半径よりも大きな第２の曲率半径の円弧状であり、
前記第２の部分における内周側の側部の形状は、前記第２の曲率半径よりも大きな第３の曲率半径の円弧状であり、
前記第２の部分における外周側の側部は、前記仮想の線上の位置を含む所定の領域に配置された直線部分と、この直線部分の各端に接続され、前記第３の曲率半径よりも大きい第４の曲率半径の２つの円弧状部分とを含むことを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記第１の部分における内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状であり、
前記第１の部分における外周側の側部は、前記仮想の線上の位置を含む所定の領域に配置された第１の直線部分と、この第１の直線部分の各端に接続され、前記第１の曲率半径よりも大きい第２の曲率半径の２つの円弧状部分とを含み、
前記第２の部分における内周側の側部は、前記仮想の線上の位置を含む所定の領域に配置された第２の直線部分と、この第２の直線部分の各端に接続され、前記第２の曲率半径よりも大きい第３の曲率半径の２つの円弧状部分とを含み、
前記第２の部分における外周側の側部は、前記仮想の線上の位置を含む所定の領域に配置された第３の直線部分と、この第３の直線部分の各端に接続され、前記第３の曲率半径よりも大きい第４の曲率半径の２つの円弧状部分とを含み、
前記第２の直線部分の長さは前記第１の直線部分の長さ以上であり、前記第３の直線部分は前記第２の直線部分よりも長いことを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記薄膜コイルのうちの内周側から１番目のターン以外の各ターンは、前記仮想の線上の位置を含む所定の領域に配置された、幅が一定の部分を含み、外側のターンほど、前記幅が一定の部分が長いことを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記薄膜コイルのうちの内周側から１番目のターンおよび２番目のターン以外の各ターンは、前記仮想の線上の位置を含む所定の領域に配置された、幅が一定の部分を含み、外側のターンほど、前記幅が一定の部分が長いことを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記第２の磁極層は、前記第２の磁極層の磁極部分を含む磁極部分層と、前記連結部の少なくとも一部を含む連結層と、前記磁極部分層と前記連結層とを連結するヨーク部分層とを有し、
前記薄膜コイルの一部は、前記磁極部分層と前記連結層との間に配置されていることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記第１の磁極層は、前記薄膜コイルに対向する位置に配置された第１の層と、前記媒体対向面の近傍において前記第１の層に接続された第２の層と、前記連結部の少なくとも一部を含み前記第１の層に接続された第３の層とを有し、
前記薄膜コイルの一部は、前記第２の層と前記第３の層との間に配置されていることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】
前記薄膜コイルは、一部が前記第２の層と前記第３の層との間に配置された巻線を有する第１のコイルと、少なくとも一部が前記第１のコイルの巻線間に配置された巻線を有する第２のコイルとを含むことを特徴とする請求項１３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】
前記第２の磁極層は平坦な層であることを特徴とする請求項１３または１４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１６】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁極層と、
前記媒体対向面から離れた位置に配置され、前記第１の磁極層の一部と前記第２の磁極層の一部の少なくとも一方を含み、前記第１の磁極層と第２の磁極層とを磁気的に連結する連結部と、
前記第１の磁極層の磁極部分と前記第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
前記連結部の回りに配置され、且つ少なくとも一部が前記第１および第２の磁極層の間に、前記第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた、平面渦巻き状の薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
前記第１の磁極層を形成する工程と、
前記第１の磁極層の上に前記薄膜コイルを形成する工程と、
前記第１の磁極層の磁極部分の上に前記ギャップ層を形成する工程と、
前記ギャップ層および薄膜コイルの上に前記第２の磁極層を形成する工程とを備え、
前記第１の磁極層を形成する工程または前記第２の磁極層を形成する工程は、前記連結部が、媒体対向面側に向く端面を有し、この端面が媒体対向面側に突出する曲面を含むように、前記連結部を形成する工程を含み、
前記薄膜コイルの一部は、前記連結部の前記端面と媒体対向面との間に配置され、前記連結部の前記端面と媒体対向面とを最短で結ぶ仮想の線上の位置において薄膜コイル中で最小の幅を有し、且つ前記薄膜コイルの一部は、前記仮想の線から離れるに従って幅が大きくなる幅変化部分を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁極層と、
前記媒体対向面から離れた位置に配置され、前記第１の磁極層の一部と前記第２の磁極層の一部の少なくとも一方を含み、前記第１の磁極層と第２の磁極層とを磁気的に連結する連結部と、
前記第１の磁極層の磁極部分と前記第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
前記連結部の回りに配置され、且つ少なくとも一部が前記第１および第２の磁極層の間に、前記第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた、平面渦巻き状の薄膜コイルとを備え、
前記第１の磁極層は、前記薄膜コイルに対向する位置に配置された第１の層と、前記媒体対向面の近傍において前記第１の層に接続された第２の層と、前記連結部の少なくとも一部を含み前記第１の層に接続された第３の層とを有し、
前記薄膜コイルは、一部が前記第２の層と前記第３の層との間に配置された巻線を有する第１のコイルと、少なくとも一部が前記第１のコイルの巻線間に配置された巻線を有する第２のコイルとを含む薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
前記第１の層を形成する工程と、
前記第１の層の上に前記第１のコイルを形成する工程と、
前記第１のコイルの形成後に、前記第１の層の上に前記第２の層および第３の層を形成する工程と、
前記第２のコイルの巻線の少なくとも一部が前記第１のコイルの巻線間に配置されるように前記第２のコイルを形成する工程と、
前記ギャップ層を形成する工程と、
前記ギャップ層、第１のコイルおよび第２のコイルの上に前記第２の磁極層を形成する工程とを備え、
前記連結部は媒体対向面側に向く端面を有し、この端面は媒体対向面側に突出する曲面を含み、
前記第１のコイルの一部および第２のコイルの一部は、それぞれ、前記連結部の前記端面と媒体対向面との間に配置され、前記連結部の前記端面と媒体対向面とを最短で結ぶ仮想の線上の位置において薄膜コイル中で最小の幅を有し、且つ前記第１のコイルの一部および第２のコイルの一部は、それぞれ、前記仮想の線から離れるに従って幅が大きくなる幅変化部分を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置の面記録密度が著しく向上している。特に最近では、ハードディスク装置の面記録密度は、８０〜１００ギガバイト／プラッタに達し、更にそれを超える勢いである。これに伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子とも記す。）を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。
【０００４】
記録ヘッドは、一般的に、記録媒体に対向する媒体対向面（エアベアリング面）と、媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された下部磁極層および上部磁極層と、下部磁極層の磁極部分と上部磁極層の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層と、少なくとも一部が下部磁極層および上部磁極層の間に、これらに対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えている。一般的な記録ヘッドでは、下部磁極層と上部磁極層は、媒体対向面から離れた位置に配置された連結部によって互いに磁気的に連結される。薄膜コイルは、平面渦巻き状をなし、連結部の回りに配置される。
【０００５】
ところで、記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高めるには、記録媒体におけるトラック密度を上げる必要がある。そのためには、トラック幅、すなわち記録ギャップ層を挟んで対向する２つの磁極部分の媒体対向面での幅を、数ミクロンからサブミクロン寸法まで小さくした狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要がある。このような記録ヘッドを実現するために半導体加工技術が利用されている。
【０００６】
トラック幅を小さくしてゆくと、記録ギャップ層を挟んで対向する２つの磁極部分の間で高密度の磁束を発生させることが難しくなってくる。そのため、磁極部分の材料には、より高い飽和磁束密度を有する磁性材料を用いることが望まれている。
【０００７】
また、記録密度を高めるために記録信号の周波数が高くなってくると、記録ヘッドでは、磁束の変化の速度の向上、言い換えるとフラックスライズタイムの短縮が求められると共に、高周波帯域において、オーバーライト特性や非線形トランジションシフト（Ｎｏｎ−ｌｉｎｅａｒ  Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  Ｓｈｉｆｔ）等の記録特性の劣化が少ないことが求められる。高周波帯域における記録特性を向上させるためには、磁路長を短くすることが望ましい。磁路長は、主に、下部磁極層または上部磁極層のうちの、連結部と媒体対向面との間の部分の長さ（本出願においてヨーク長と言う。）によって決まる。従って、磁路長を短くするには、ヨーク長を短くすることが有効である。ヨーク長を短くするには、薄膜コイルの巻線のピッチ、特に巻線のうち、連結部と媒体対向面との間に配置される部分のピッチを小さくすることが有効である。
【０００８】
従来、薄膜コイルの巻線のピッチを小さくする技術としては、下部磁極層に凹部を形成し、この凹部内に薄膜コイルを配置する技術が知られている（特許文献１参照。）。
【０００９】
特許文献１に記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法では、下部磁極層、上部磁極層および薄膜コイルは、以下の手順で形成される。まず、所定の形状にパターニングされた下部磁極層を形成する。次に、この下部磁極層の上に記録ギャップ層と磁性層を順に形成する。磁性層の一部は下部磁極層に連結される。次に、磁性層の上において、上部磁極層の磁極部分を形成すべき位置、および連結部を形成すべき位置に、マスクを形成する。次に、このマスクを用いて、磁性層、記録ギャップ層および下部磁極層をエッチングする。これにより、エッチング後の磁性層によって、上部磁極層の磁極部分となる磁極部分層と、連結部となる連結層とが形成される。また、上記エッチングにより、上部磁極層の磁極部分、記録ギャップ層および下部磁極層の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形成されたトリム（Ｔｒｉｍ）構造が形成される。更に、上記エッチングにより、下部磁極層に、薄膜コイルを配置するための凹部が形成される。次に、全体に絶縁膜を形成した後、めっき法によって、上記凹部内における絶縁膜の上に薄膜コイルを形成する。次に、全体に厚い絶縁層を形成した後、この絶縁層の上面を平坦化して、上部磁極層の磁極部分層と連結層とを露出させる。次に、この平坦化された面の上に、磁極部分層と連結層とを連結するように上部磁極層のヨーク部分層を形成する。
【００１０】
また、特許文献１に記載された薄膜磁気ヘッドでは、連結部の媒体対向面側の端部は、媒体対向面に平行に直線的に延びる部分を有している。
【００１１】
また、薄膜コイルの巻線のピッチを小さくする他の技術としては、第１のコイルの巻線間に第２のコイルの巻線を配置する技術が知られている（特許文献２参照。）。
【００１２】
【特許文献１】
米国特許第６，０４３，９５９号明細書（第５−１０欄、図７−１０、図１８Ａ−１８Ｖ）
【特許文献２】
特開平１１−２８３２１５号公報（第７ページ、図９−１７）
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献１に記載されているような従来の薄膜磁気ヘッドでは、連結部の媒体対向面側の端部が、媒体対向面に平行に直線的に延びる部分を有している。また、この薄膜磁気ヘッドにおいて、薄膜コイルは、連結部と媒体対向面との間に配置され、媒体対向面に平行に直線的に延びる複数の導体部分（以下、直線的導体部分と言う。）を有している。この薄膜磁気ヘッドにおいて、ヨーク長を短くしようとすると、上記直線的導体部分の幅を小さくせざるを得ない。この直線的導体部分が長いと薄膜コイル全体の抵抗値が大きくなり、直線的導体部分が短いと薄膜コイル全体の抵抗値が小さくなる。
【００１４】
前述のように、薄膜磁気ヘッドにおいて、高周波帯域における記録特性を向上させるためにはヨーク長を短くすることが望ましく、そのためには、薄膜コイルの巻線のうち、連結部と媒体対向面との間に配置される部分のピッチを小さくすることが有効である。しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッドでは、上記ピッチを小さくすると、直線的導体部分の幅が小さくなり、直線的導体部分の抵抗値が増大する。また、従来の薄膜磁気ヘッドでは、直線的導体部分が比較的長いため、この直線的導体部分の抵抗値が、薄膜コイル全体の抵抗値のかなりの部分、例えば６０〜７０％を占める。これらのことから、従来の薄膜磁気ヘッドでは、高周波帯域における記録特性を向上させるためにヨーク長を短くすると、薄膜コイルの抵抗値が増大するという問題点があった。
【００１５】
また、薄膜磁気ヘッドの記録特性を向上させるためには、薄膜コイルのターン数を多くすることも望ましい。しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッドでは、上述のようにヨーク長を短くした上で、薄膜コイルのターン数を多くすると、直線的導体部分の幅がより小さくなり、直線的導体部分の抵抗値および薄膜コイル全体の抵抗値がさらに増大する。
【００１６】
薄膜コイルの抵抗値が増大すると、薄膜コイルが発生する熱によって磁極部分が記録媒体に近づくように突出し、磁極部分が記録媒体に衝突しやすくなるという問題が発生する。
【００１７】
従って、従来の薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイルの抵抗値が増大することによる問題を避けるために、ヨーク長をあまり短くすることができなかった。
【００１８】
また、前述のように、薄膜磁気ヘッドの記録特性を向上させるためには、薄膜コイルのターン数を多くすることも望ましい。しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイルの巻線のうち、外周に近いターンほど、直線的導体部分が長くなる。そのため、薄膜コイルのターン数を多くするほど、薄膜コイルの抵抗値が大きくなると共に、薄膜コイルが配置される領域の面積が増える。この面積が増えると、薄膜磁気ヘッドの小型化が困難になる。
【００１９】
また、従来の薄膜磁気ヘッドでは、ヨーク長を短するためには、直線的導体部分の幅を小さくする必要がある。しかしながら、直線的導体部分の幅が小さくなってくると、以下で説明するように、直線的導体部分を精度よく形成することが困難になってくる。
【００２０】
すなわち、通常、薄膜コイルは、フレームめっき法を用いて、以下の手順で形成される。まず、フォトリソグラフィによってフォトレジストよりなるフレームを形成する。次に、このフレームを覆うように薄い電極膜を形成する。次に、この電極膜に電流を流して電気めっきによって薄膜コイルを形成する。下部磁極層の凹部内に薄膜コイルを形成する場合には、凹凸のある下部磁極層の上にフレームを形成しなければならない。しかしながら、このような凹凸のある下地の上にフォトリソグラフィによってフレームを形成する場合には、フォトリソグラフィにおける露光時に、露光用の光が、凹部の側壁部における電極膜で反射する。そして、この反射光によってもフォトレジストが感光する。そのため、凹凸のある下地の上にフォトリソグラフィによって微細なフレームを正確に形成することは難しい。
【００２１】
従って、例えば、下部磁極層の凹部内に、直線的導体部分の幅が０．３μｍ以下あるいは直線的導体部分のピッチが０．５μｍ以下で、厚みが１．５μｍ以上の薄膜コイルを、現在のフォトリソグラフィ技術によって形成する場合には、薄膜コイルの歩留りが大変悪くなり、実質的には、そのようなコイルを形成することが困難である。
【００２２】
特許文献２に記載された技術を用いれば、隣接する巻線間の間隔を小さくすることができる。しかしながら、特許文献２に記載された薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイルの巻線の幅が一定である。そのため、この薄膜磁気ヘッドでは、ヨーク長を短くするために巻線の幅を小さくすると、薄膜コイルの抵抗値が増大してしまう。
【００２３】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、磁路長が短いことによって高周波帯域における記録特性に優れ、且つ薄膜コイルの抵抗値の小さい薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁極層と、
媒体対向面から離れた位置に配置され、第１の磁極層の一部と第２の磁極層の一部の少なくとも一方を含み、第１の磁極層と第２の磁極層とを磁気的に連結する連結部と、
第１の磁極層の磁極部分と第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
連結部の回りに配置され、且つ少なくとも一部が第１および第２の磁極層の間に、第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた、平面渦巻き状の薄膜コイルとを備えている。
【００２５】
本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、連結部は媒体対向面側に向く端面を有し、この端面は媒体対向面側に突出する曲面を含んでいる。薄膜コイルの一部は、連結部の端面と媒体対向面との間に配置され、連結部の端面と媒体対向面とを最短で結ぶ仮想の線上の位置において薄膜コイル中で最小の幅を有し、且つ薄膜コイルの一部は、仮想の線から離れるに従って幅が大きくなる幅変化部分を含んでいる。これにより、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、磁路長を短くしながら、薄膜コイルの抵抗値を小さくすることが可能になる。
【００２６】
本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、連結部の端面は、円柱面の一部の形状を有していてもよい。また、連結部の媒体対向面に垂直な方向の長さは、連結部の幅よりも大きくてもよい。
【００２７】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、幅変化部分における内周側の側部の形状および外周側の側部の形状は、いずれも円弧状であり、外周側の側部の曲率半径が内周側の側部の曲率半径よりも大きくてもよい。
【００２８】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、薄膜コイルは、４以上のターンを有していてもよい。この場合、薄膜コイルのうちの内周側から１番目のターン、２番目のターンは、それぞれ、連結部の端面と媒体対向面との間に配置された第１の部分、第２の部分を含み、第１の部分と第２の部分のうちの少なくとも第１の部分は、連結部の端面と媒体対向面とを最短で結ぶ仮想の線上の位置で最も小さく、仮想の線から離れるに従って大きくなる幅を有していてもよい。
【００２９】
第１の部分における内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状であり、第１の部分における外周側の側部の形状は、第１の曲率半径よりも大きな第２の曲率半径の円弧状であり、第２の部分における内周側の側部の形状は、第２の曲率半径よりも大きな第３の曲率半径の円弧状であり、第２の部分における外周側の側部の形状は、第３の曲率半径よりも大きな第４の曲率半径の円弧状であってもよい。
【００３０】
あるいは、第１の部分における内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状であり、第１の部分における外周側の側部の形状は、第１の曲率半径よりも大きな第２の曲率半径の円弧状であり、第２の部分における内周側の側部の形状は、第２の曲率半径よりも大きな第３の曲率半径の円弧状であり、第２の部分における外周側の側部は、仮想の線上の位置を含む所定の領域に配置された直線部分と、この直線部分の各端に接続され、第３の曲率半径よりも大きい第４の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいてもよい。
【００３１】
あるいは、第１の部分における内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状であり、第１の部分における外周側の側部は、仮想の線上の位置を含む所定の領域に配置された第１の直線部分と、この第１の直線部分の各端に接続され、第１の曲率半径よりも大きい第２の曲率半径の２つの円弧状部分とを含み、第２の部分における内周側の側部は、仮想の線上の位置を含む所定の領域に配置された第２の直線部分と、この第２の直線部分の各端に接続され、第２の曲率半径よりも大きい第３の曲率半径の２つの円弧状部分とを含み、第２の部分における外周側の側部は、仮想の線上の位置を含む所定の領域に配置された第３の直線部分と、この第３の直線部分の各端に接続され、第３の曲率半径よりも大きい第４の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいてもよい。第２の直線部分の長さは第１の直線部分の長さ以上で、第３の直線部分は第２の直線部分よりも長くてもよい。
【００３２】
また、薄膜コイルが４以上のターンを有している場合には、薄膜コイルのうちの内周側から１番目のターン以外の各ターンは、仮想の線上の位置を含む所定の領域に配置された、幅が一定の部分を含み、外側のターンほど、幅が一定の部分が長くてもよい。
【００３３】
また、薄膜コイルが４以上のターンを有している場合には、薄膜コイルのうちの内周側から１番目のターンおよび２番目のターン以外の各ターンは、仮想の線上の位置を含む所定の領域に配置された、幅が一定の部分を含み、外側のターンほど、幅が一定の部分が長くてもよい。
【００３４】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、第２の磁極層は、第２の磁極層の磁極部分を含む磁極部分層と、連結部の少なくとも一部を含む連結層と、磁極部分層と連結層とを連結するヨーク部分層とを有し、薄膜コイルの一部は、磁極部分層と連結層との間に配置されていてもよい。
【００３５】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、第１の磁極層は、薄膜コイルに対向する位置に配置された第１の層と、媒体対向面の近傍において第１の層に接続された第２の層と、連結部の少なくとも一部を含み第１の層に接続された第３の層とを有し、薄膜コイルの一部は、第２の層と第３の層との間に配置されていてもよい。この場合、薄膜コイルは、一部が第２の層と第３の層との間に配置された巻線を有する第１のコイルと、少なくとも一部が第１のコイルの巻線間に配置された巻線を有する第２のコイルとを含んでいてもよい。また、第２の磁極層は平坦な層であってもよい。
【００３６】
本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製造方法によって製造される薄膜磁気ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁極層と、
媒体対向面から離れた位置に配置され、第１の磁極層の一部と第２の磁極層の一部の少なくとも一方を含み、第１の磁極層と第２の磁極層とを磁気的に連結する連結部と、
第１の磁極層の磁極部分と第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
連結部の回りに配置され、且つ少なくとも一部が第１および第２の磁極層の間に、第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた、平面渦巻き状の薄膜コイルとを備えている。
【００３７】
本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
第１の磁極層を形成する工程と、
第１の磁極層の上に薄膜コイルを形成する工程と、
第１の磁極層の磁極部分の上にギャップ層を形成する工程と、
ギャップ層および薄膜コイルの上に第２の磁極層を形成する工程とを備えている。
【００３８】
本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、第１の磁極層を形成する工程または第２の磁極層を形成する工程は、連結部が、媒体対向面側に向く端面を有し、この端面が媒体対向面側に突出する曲面を含むように、連結部を形成する工程を含む。また、薄膜コイルの一部は、連結部の端面と媒体対向面との間に配置され、連結部の端面と媒体対向面とを最短で結ぶ仮想の線上の位置において薄膜コイル中で最小の幅を有し、且つ薄膜コイルの一部は、仮想の線から離れるに従って幅が大きくなる幅変化部分を含んでいる。これにより、薄膜磁気ヘッドにおいて、磁路長を短くしながら、薄膜コイルの抵抗値を小さくすることが可能になる。
【００３９】
本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製造方法によって製造される薄膜磁気ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁極層と、
媒体対向面から離れた位置に配置され、第１の磁極層の一部と第２の磁極層の一部の少なくとも一方を含み、第１の磁極層と第２の磁極層とを磁気的に連結する連結部と、
第１の磁極層の磁極部分と第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
連結部の回りに配置され、且つ少なくとも一部が第１および第２の磁極層の間に、第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた、平面渦巻き状の薄膜コイルとを備えている。
【００４０】
第１の磁極層は、薄膜コイルに対向する位置に配置された第１の層と、媒体対向面の近傍において第１の層に接続された第２の層と、連結部の少なくとも一部を含み第１の層に接続された第３の層とを有している。薄膜コイルは、一部が第２の層と第３の層との間に配置された巻線を有する第１のコイルと、少なくとも一部が第１のコイルの巻線間に配置された巻線を有する第２のコイルとを含んでいる。
【００４１】
本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
第１の層を形成する工程と、
第１の層の上に第１のコイルを形成する工程と、
第１のコイルの形成後に、第１の層の上に第２の層および第３の層を形成する工程と、
第２のコイルの巻線の少なくとも一部が第１のコイルの巻線間に配置されるように第２のコイルを形成する工程と、
ギャップ層を形成する工程と、
ギャップ層、第１のコイルおよび第２のコイルの上に第２の磁極層を形成する工程とを備えている。
【００４２】
本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、連結部は媒体対向面側に向く端面を有し、この端面は媒体対向面側に突出する曲面を含んでいる。また、第１のコイルの一部および第２のコイルの一部は、それぞれ、連結部の端面と媒体対向面との間に配置され、連結部の端面と媒体対向面とを最短で結ぶ仮想の線上の位置において薄膜コイル中で最小の幅を有し、且つ第１のコイルの一部および第２のコイルの一部は、それぞれ、仮想の線から離れるに従って幅が大きくなる幅変化部分を含んでいる。これにより、薄膜磁気ヘッドにおいて、磁路長を短くしながら、薄膜コイルの抵抗値を小さくすることが可能になる。
【００４３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
まず、図３ないし図１１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。なお、図３ないし図１１において、（ａ）はエアベアリング面および基板の上面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【００４４】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、図３に示したように、例えばアルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）よりなる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）よりなる絶縁層１０２を、約２〜３μｍの厚みで堆積する。次に、絶縁層１０２の上に、磁性材料、例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド層１０３を、約２〜３μｍの厚みで形成する。下部シールド層１０３は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき法によって、絶縁層１０２の上に選択的に形成する。次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層１２１を、例えば３〜４μｍの厚みで形成し、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、下部シールド層１０３が露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【００４５】
次に、下部シールド層１０３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜１０４を、例えば２０〜３５ｎｍの厚みで形成する。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、磁気的信号検出用のＭＲ素子１０５を、数十ｎｍの厚みで形成する。ＭＲ素子１０５は、例えば、スパッタによって形成したＭＲ膜を選択的にエッチングすることによって形成する。また、ＭＲ素子１０５は、後述するエアベアリング面が形成される位置の近傍に配置される。なお、ＭＲ素子１０５には、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。次に、図示しないが、下部シールドギャップ膜１０４の上に、ＭＲ素子１０５に電気的に接続される一対の電極層を、数十ｎｍの厚みで形成する。次に、下部シールドギャップ膜１０４およびＭＲ素子１０５の上に、絶縁膜としての上部シールドギャップ膜１０７を、例えば２０〜３５ｎｍの厚みで形成し、ＭＲ素子１０５をシールドギャップ膜１０４，１０７内に埋設する。シールドギャップ膜１０４，１０７に使用する絶縁材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。また、シールドギャップ膜１０４，１０７は、スパッタ法によって形成してもよいし、化学的気相成長（以下、ＣＶＤと記す。）法によって形成してもよい。
【００４６】
次に、上部シールドギャップ膜１０７の上に、磁性材料よりなる、記録ヘッド用の下部磁極層１０８を、約３μｍの厚みで、選択的に形成する。この下部磁極層１０８は、再生ヘッド用の上部シールド層を兼ねている。次に、図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層を、例えば４〜５μｍの厚みで形成し、例えばＣＭＰによって、下部磁極層１０８が露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【００４７】
次に、図４に示したように、下部磁極層１０８の上に、アルミナ等の絶縁材料よりなる記録ギャップ層１０９を例えば１００ｎｍの厚みで形成する。次に、下部磁極層１０８と後述する上部磁極層とを連結させる位置において、記録ギャップ層１０９にコンタクトホールを形成する。
【００４８】
次に、全体に、スパッタ法によって、高飽和磁束密度材料よりなる磁性膜１１０を例えば０．５〜１．０μｍの厚みで形成する。次に、フレームめっき法によって、磁性膜１１０の上に、例えばパーマロイよりなるマスク１１１ａ，１１１ｂを形成する。マスク１１１ａは、後述する上部磁極層の磁極部分層に対応する位置に配置される。マスク１１１ｂは、後述する上部磁極層の連結層に対応する位置に配置される。
【００４９】
次に、図５に示したように、マスク１１１ａ，１１１ｂを用い、例えば反応性イオンビームエッチングによって、磁性膜１１０をエッチングする。これにより、マスク１１１ａに対応する位置に残った磁性膜１１０によって磁極部分層１１２ａが形成され、マスク１１１ｂに対応する位置に残った磁性膜１１０によって連結層１１２ｂが形成される。磁極部分層１１２ａは、上部磁極層の磁極部分を含む。
【００５０】
次に、例えばイオンビームエッチングによって、磁極部分層１１２ａおよび連結層１１２ｂをマスクとして記録ギャップ層１０９および下部磁極層１０８をエッチングする。これにより、磁極部分層１１２ａの下に、記録ギャップ層１０９を介して、下部磁極層１０８の一部である磁極部分１０８ａが形成されると共に、連結層１１２ｂの下に、下部磁極層１０８の一部である下部連結部１０８ｂが形成される。また、上記エッチングにより、上部磁極層の磁極部分（磁極部分層１１２ａ）、記録ギャップ層１０９、および下部磁極層１０８の磁極部分１０８ａの各側壁が垂直に自己整合的に形成されたトリム（Ｔｒｉｍ）構造が形成される。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効的な記録トラック幅の増加を防止することができる。また、下部連結部１０８ｂおよび連結層１１２ｂは、下部磁極層１０８と上部磁極層とを磁気的に連結する連結部１３１を構成する。また、上記のエッチングによって、下部磁極層１０８に、薄膜コイルを配置するための凹部が形成される。なお、磁性膜１１０、記録ギャップ層１０９および下部磁極層１０８のエッチングによって、マスク１１１ａ，１１１ｂは除去される。
【００５１】
次に、図６に示したように、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁膜１１３を形成する。次に、フレームめっき法によって、上記凹部内における絶縁膜１１３の上に、例えばＣｕよりなる薄膜コイル１１４を形成する。図示しないが、このとき同時に、薄膜コイル１１４に接続されるリード層を形成する。リード層は、下部磁極層１０８の外側に配置される。また、リード層は、薄膜コイル１１４と同じ材料によって形成される。なお、図６において、符号１１４ａは、薄膜コイル１１４のうち、後述する接続層を介してリード層と接続される接続部を示している。
【００５２】
次に、図７に示したように、全体に、例えばアルミナよりなる厚い絶縁層１１５を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、絶縁層１１５の上面を平坦化すると共に、磁極部分層１１２ａと連結層１１２ｂとを露出させる。
【００５３】
次に、図８に示したように、全体に、スパッタ法によって、磁性材料よりなる磁性膜１１７を形成する。次に、磁性膜１１７の上に、例えばフォトレジストよりなるマスク１１８を形成する。マスク１１８は、後述するヨーク部分層を形成するためのものである。
【００５４】
次に、図９に示したように、マスク１１８を用い、例えば反応性イオンビームエッチングによって、磁性膜１１７をエッチングする。これにより、マスク１１８に対応する位置に残った磁性膜１１７によってヨーク部分層１１２ｃが形成される。ヨーク部分層１１２ｃは、磁極部分層１１２ａと連結層１１２ｂとを連結する。このようにして、磁極部分層１１２ａ、連結層１１２ｂおよびヨーク部分層１１２ｃよりなる上部磁極層１１２が形成される。
【００５５】
次に、絶縁層１１５のうち、薄膜コイル１１４の接続部１１４ａの上に存在する部分を、エッチングによって選択的に除去してコンタクトホールを形成する。
【００５６】
次に、図１０に示したように、導電性の材料によって、接続層１１９を形成する。この接続層１１９は、図示しないリード層に接続されると共に、絶縁層１１５に形成されたコンタクトホールを通して薄膜コイル１１４の接続部１１４ａに接続される。
【００５７】
次に、図１１に示したように、全体に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１２０を形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、上記各層を含むスライダの研磨加工を行ってエアベアリング面１３０を形成して、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００５８】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面としてのエアベアリング面１３０と、再生ヘッドと、記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）とを備えている。再生ヘッドは、エアベアリング面１３０の近傍に配置されたＭＲ素子１０５と、エアベアリング面１３０側の一部がＭＲ素子１０５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子１０５をシールドするための下部シールド層１０３および上部シールド層（下部磁極層１０８）と、ＭＲ素子１０５と下部シールド層１０３との間に配置された下部シールドギャップ膜１０４と、ＭＲ素子１０５と上部シールド層との間に配置された上部シールドギャップ膜１０７とを備えている。
【００５９】
記録ヘッドは、エアベアリング面１３０側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された下部磁極層１０８および上部磁極層１１２と、下部磁極層１０８の磁極部分と上部磁極層１１２の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層１０９と、少なくとも一部が下部磁極層１０８と上部磁極層１１２との間に、これらに対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイル１１４とを備えている。本実施の形態における下部磁極層１０８、上部磁極層１１２は、それぞれ本発明における第１の磁極層、第２の磁極層に対応する。
【００６０】
下部磁極層１０８は、磁極部分１０８ａと下部連結部１０８ｂとを含んでいる。上部磁極層１１２は、上部磁極層１１２の磁極部分を含む磁極部分層１１２ａと、連結層１１２ｂと、磁極部分層１１２ａと連結層１１２ｂとを連結するヨーク部分層１１２ｃとを有している。
【００６１】
また、下部連結部１０８ｂおよび連結層１１２ｂは、下部磁極層１０８と上部磁極層１１２とを磁気的に連結する連結部１３１を構成する。この連結部１３１は、エアベアリング面１３０から離れた位置に配置されている。
【００６２】
薄膜コイル１１４は、平面渦巻き状をなし、連結部１３１の回りに配置されている。この薄膜コイル１１４の一部は、磁極部分層１１２ａと連結層１１２ｂとの間に配置されている。
【００６３】
以下、本実施の形態における連結部１３１および薄膜コイル１１４の形状および配置について詳しく説明する。図１は、本実施の形態における連結部１３１および薄膜コイル１１４の形状および配置を示す平面図である。なお、図１は、研磨加工によってエアベアリング面１３０を形成する前の状態を表わしている。また、図１には、リード層１２２を示している。接続層１１９は、このリード層１２２と薄膜コイル１１４の接続部１１４ａとを接続している。図１に示したように、薄膜コイル１１４は、４以上のターンを有している。図１には、一例として、７ターンを有する薄膜コイル１１４を示している。
【００６４】
図２は、図１における連結部１３１からエアベアリング面１３０までの部分を拡大して示す平面図である。なお、図２では、上部磁極層１１２のヨーク部分層１１２ｃを省略している。図２に示したように、連結部１３１は、エアベアリング面１３０側に向く端面１３２を有している。この端面１３２は、エアベアリング面１３０側に突出する曲面を含んでいる。この端面１３２は、例えば、円柱面の一部の形状を有している。
【００６５】
薄膜コイル１１４の内周側から１番目ないし７番目の各ターンは、連結部１３１の端面１３２とエアベアリング面１３０との間に配置された第１ないし第７の部分１４１〜１４７を含んでいる。なお、図２において、符号１４０で示した領域は、第１ないし第７の部分１４１〜１４７が配置されている領域を表わしている。
【００６６】
第１の部分１４１の内周側の側部は、連結部１３１の端面１３２に沿うように配置される。また、第１ないし第７の部分１４１〜１４７は、連結部１３１の端面１３２とエアベアリング面１３０とを最短で結ぶ仮想の線１５０上の位置において薄膜コイル１１４中で最小の幅を有している。また、第１ないし第７の部分１４１〜１４７のうち、少なくとも第１の部分１４１は、仮想の線１５０から離れるに従って幅が大きくなる幅変化部分を含んでいる。薄膜コイル１１４における最小の幅は、例えば０．５μｍである。
【００６７】
また、薄膜コイル１１４の内周側から１番目ないし７番目の各ターンのうち、１番目のターン以外の各ターンは、仮想の線１５０上の位置を含む所定の領域に配置され、幅が一定の部分（以下、幅一定部分と言う。）を含んでいてもよい。あるいは、薄膜コイル１１４の内周側から１番目ないしｎ番目（ｎは２以上、６以下の整数）のターン以外の各ターンが幅一定部分を含んでいてもよい。なお、図２には、第３ないし第７のターンが、幅一定部分を含んでいる例を示している。
【００６８】
幅一定部分の幅は、薄膜コイル１１４中で最も小さくなっている。幅一定部分の幅は、例えば０．５μｍである。幅一定部分は、外側のターンほど長くなっていてもよい。幅一定部分の両端には幅変化部分が接続されている。
【００６９】
薄膜コイル１１４の各ターンにおいて、幅一定部分および幅変化部分以外の部分（以下、残余部分と言う。）は、幅変化部分の最大幅以上の幅を有している。残余部分の幅は一定であってもよい。残余部分の幅は、例えば２〜５μｍの範囲内である。また、隣接するターン間の間隔は、例えば０．３μｍである。
【００７０】
図２において、符号１５１で示した領域は、薄膜コイル１１４の各ターンにおける幅一定部分が配置されている領域を表わしている。この領域の形状は、底辺と頂点のうちの底辺の方がエアベアリング面１３０に近い位置に配置された二等辺三角形になっている。ここで、この二等辺三角形の頂角の大きさをθ１とし、長さの等しい２つの辺の各長さをＡ１とする。薄膜コイル１１４の抵抗値を小さくするためには、角度θ１と長さＡ１は共に小さい方がよい。
【００７１】
なお、薄膜コイル１１４のうち、連結部１３１の端面１３２の近傍に配置された部分の形状については、後で更に詳しく説明する。
【００７２】
ここで、図５３および図５４を参照して、比較例の薄膜磁気ヘッドについて説明する。図５３は、比較例の薄膜磁気ヘッドにおける連結部および薄膜コイルの形状および配置を示す平面図である。図５４は、図５３における連結部からエアベアリング面までの部分を拡大して示す平面図である。
【００７３】
この比較例の薄膜磁気ヘッドは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける連結層１１２ｂの代わりに連結層２１２ｂを有し、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける連結部１３１の代わりに連結部２３１を有し、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける薄膜コイル１１４の代わりに薄膜コイル２１４を有している。なお、図５３において、符号２１４ａは、薄膜コイル２１４のうち、接続層１１９を介してリード層１２２と接続される接続部を示している。比較例の薄膜磁気ヘッドのその他の構成は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドと同様である。
【００７４】
連結部２３１は、エアベアリング面１３０側に向く端面２３２を有している。この端面２３２は、エアベアリング面１３０に平行な平面になっている。薄膜コイル２１４の内周側から１番目ないし７番目の各ターンは、連結部２３１の端面２３２とエアベアリング面１３０との間の領域およびその近傍に配置された幅一定部分を含んでいる。なお、この幅一定部分の幅は、薄膜コイル２１４中で最も小さくなっている。
【００７５】
図５４において、符号２５１で示した領域は、薄膜コイル２１４の各ターンにおける幅一定部分が配置されている領域を表わしている。この領域の形状は、台形と、この台形の上辺の長さと等しい長さＢ１の長辺を有する長方形とを、台形の上辺と長方形の長辺とが一致するように結合させた形状になっている。なお、上記台形の底辺は上辺よりも長く、また、上辺と底辺のうちの底辺の方がエアベアリング面１３０に近い位置に配置されている。ここで、上記台形の２つの斜辺のなす角度をθ２とする。また、上記台形の２つの斜辺の延長線が交わる点をＣ１とし、２つの斜辺と底辺が交わる点をＣ２，Ｃ３とする。点Ｃ１，Ｃ２を結ぶ線分の長さと、点Ｃ１，Ｃ３を結ぶ線分の長さとは等しい。これらの長さをＢ２とする。薄膜コイル２１４の抵抗値を小さくするためには、角度θ２、長さＢ１，Ｂ２はいずれも小さい方がよい。
【００７６】
図２と図５４を比較すると、図２における角度θ１と図５４における角度θ２とが対応し、図２における長さＡ１と図５４における長さＢ２とが対応する。角度θ１は角度θ２よりも小さく、長さＡ１は長さＢ２よりも小さい。このことから、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドによれば、比較例の薄膜磁気ヘッドに比べて、薄膜コイル１１４の抵抗値を小さくすることができることが分かる。
【００７７】
次に、図１２ないし図１５を参照して、本実施の形態における薄膜コイル１１４のうち、連結部１３１の端面１３２の近傍に配置された部分の形状について詳しく説明する。図１２ないし図１５は、それぞれ、連結部１３１と、薄膜コイル１１４のうち、端面１３２の近傍に配置された部分とを示す平面図である。また、図１２ないし図１５は、それぞれ、薄膜コイル１１４の形状の第１ないし第４の例を表わしている。なお、図１２ないし図１５では、薄膜コイル１１４のうち、内周側から１番目ないし４番目のターンのみを示している。
【００７８】
第１ないし第４の各例において、薄膜コイル１１４の内周側から１番目ないし４番目の各ターンは、連結部１３１の端面１３２とエアベアリング面１３０との間に配置された第１ないし第４の部分１４１〜１４４を含んでいる。なお、図１２ないし図１５において、符号１６０で示した領域は、第１ないし第４の部分１４１〜１４４が配置されている領域を表わしている。
【００７９】
図１２に示した第１の例では、第１ないし第４の部分１４１〜１４４は、いずれも、連結部１３１の端面１３２とエアベアリング面１３０とを最短で結ぶ仮想の線１５０上の位置で最も小さく、仮想の線１５０から離れるに従って大きくなる幅を有している。図示しないが、薄膜コイル１１４の内周側から５番目ないし７番目の各ターンは、幅一定部分を含んでいてもよい。幅一定部分の長さは、外側のターンほど長くなっていてもよい。
【００８０】
第１の例において、第１の部分１４１における内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状であり、第１の部分１４１における外周側の側部の形状は、第１の曲率半径よりも大きな第２の曲率半径の円弧状である。また、第２の部分１４２における内周側の側部の形状は、第２の曲率半径よりも大きな第３の曲率半径の円弧状であり、第２の部分１４２における外周側の側部の形状は、第３の曲率半径よりも大きな第４の曲率半径の円弧状である。
【００８１】
同様に、第３の部分１４３における内周側の側部の形状は、第４の曲率半径よりも大きな第５の曲率半径の円弧状であり、第３の部分１４３における外周側の側部の形状は、第５の曲率半径よりも大きな第６の曲率半径の円弧状である。更に、第４の部分１４４における内周側の側部の形状は、第６の曲率半径よりも大きな第７の曲率半径の円弧状であり、第４の部分１４４における外周側の側部の形状は、第７の曲率半径よりも大きな第８の曲率半径の円弧状である。
【００８２】
それぞれ第１ないし第４の部分１４１〜１４４を含む１番目ないし４番目の各ターンの一部において、内周側の側部および外周側の側部の形状は、いずれも、例えば半円である。ただし、各ターンの一部において、外周側の側部の形状を表す半円の中心は、内周側の側部の形状を表す半円の中心よりも、エアベアリング面１３０から離れた位置に配置されている。これにより、上記各ターンの一部の幅は、仮想の線１５０から離れるに従って大きくなる。
【００８３】
図１３に示した第２の例では、第１ないし第３の部分１４１〜１４３は、いずれも、連結部１３１の端面１３２とエアベアリング面１３０とを最短で結ぶ仮想の線１５０上の位置で最も小さく、仮想の線１５０から離れるに従って大きくなる幅を有している。第４の部分１４４は幅一定部分を含んでいる。この幅一定部分の両端は、仮想の線１５０上の位置から両側にそれぞれ長さＭ１だけ離れた位置に配置されている。従って、幅一定部分の長さは２×Ｍ１である。幅一定部分の両端には、それぞれ幅変化部分が接続されている。図示しないが、薄膜コイル１１４の内周側から５番目ないし７番目の各ターンは、幅一定部分と、その両端に接続された２つの幅変化部分とを含んでいる。幅一定部分の長さは、外側のターンほど長くなっている。
【００８４】
第２の例において、第１の部分１４１における内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状であり、第１の部分１４１における外周側の側部の形状は、第１の曲率半径よりも大きな第２の曲率半径の円弧状である。また、第２の部分１４２における内周側の側部の形状は、第２の曲率半径よりも大きな第３の曲率半径の円弧状であり、第２の部分１４２における外周側の側部の形状は、第３の曲率半径よりも大きな第４の曲率半径の円弧状である。
【００８５】
また、第３の部分１４３を含む３番目のターンの一部における内周側の側部の形状は、第４の曲率半径よりも大きな第５の曲率半径の円弧状である。また、上記３番目のターンの一部における外周側の側部は、仮想の線１５０上の位置を含む所定の領域に配置された第１の直線部分と、この第１の直線部分の各端に接続され、第５の曲率半径よりも大きい第６の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいる。第１の直線部分の両端は、仮想の線１５０上の位置から両側にそれぞれ長さＭ１だけ離れた位置に配置されている。従って、第１の直線部分の長さは２×Ｍ１である。
【００８６】
また、第４の部分１４４を含む４番目のターンの一部における内周側の側部は、仮想の線１５０上の位置を含む所定の領域に配置された第２の直線部分と、この第２の直線部分の各端に接続され、第６の曲率半径よりも大きい第７の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいる。第２の直線部分の長さは、第１の直線部分の長さ以上である。図１３には、第１の直線部分の長さと第２の直線部分の長さが共に２×Ｍ１である例を示している。また、上記４番目のターンの一部における外周側の側部は、仮想の線１５０上の位置を含む所定の領域に配置された第３の直線部分と、この第３の直線部分の各端に接続され、第７の曲率半径よりも大きい第８の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいる。第３の直線部分は第２の直線部分よりも長い。第３の直線部分の両端は、仮想の線１５０上の位置から両側にそれぞれ長さＭ１＋Ｍ２だけ離れた位置に配置されている。従って、第３の直線部分の長さは２×（Ｍ１＋Ｍ２）である。なお、長さＭ１，Ｍ２は等しくてもよいし、異なっていてもよい。
【００８７】
第２の例において、第１の部分１４１を含む１番目のターンの一部における内周側の側部および外周側の側部の各形状、第２の部分１４２を含む２番目のターンの一部における内周側の側部および外周側の側部の各形状、および第３の部分１４３を含む３番目のターンの一部における内周側の側部の形状は、いずれも、例えば半円である。ただし、１番目および２番目の各ターンの一部において、外周側の側部の形状を表す半円の中心は、内周側の側部の形状を表す半円の中心よりも、エアベアリング面１３０から離れた位置に配置されている。これにより、１番目および２番目の各ターンの一部の幅は、仮想の線１５０から離れるに従って大きくなる。
【００８８】
また、前述のように、第２の例において、３番目のターンの一部における外周側の側部、４番目のターンの一部における内周側の側部および外周側の側部は、それぞれ２つの円弧状部分を含んでいる。これらの円弧状部分の形状は、いずれも、例えば、中心角９０°の円弧である。ただし、３番目のターンの一部において、外周側の円弧状部分の形状を表す円弧の中心は、内周側の側部の形状を表す半円の中心よりも、エアベアリング面１３０から離れた位置に配置されている。また、４番目のターンの一部において、外周側の円弧状部分の形状を表す円弧の中心は、内周側の円弧状部分の形状を表す円弧の中心よりも、エアベアリング面１３０から離れた位置に配置されている。これにより、３番目および４番目の各ターンの一部の幅は、仮想の線１５０から離れるに従って大きくなる。
【００８９】
ここで、３番目のターンの一部において、前述のように外周側の側部が第１の直線部分と２つの円弧状部分を含む場合と、外周側の側部の形状が半円である場合とを比較する。前者の場合における円弧状部分の曲率半径は、後者の場合における半円の半径よりも小さくすることができる。その結果、前者の場合には、円弧状部分を、後者の場合における外周側の側部よりもエアベアリング面１３０側に張り出すように配置することができる。これにより、前者によれば、後者に比べて、幅変化部分の幅を、仮想の線１５０から離れるに従って急激に大きくなるように変化させることが可能になり、その結果、３番目のターンの一部における抵抗値を小さくすることが可能になる。以上の説明は、４番目のターンの一部についても当てはまる。すなわち、４番目のターンの一部において、外周側の側部における第３の直線部分の長さを、内周側の側部における第２の直線部分の長さよりも大きくすることにより、上述の効果が得られる。
【００９０】
図１４に示した第３の例では、第１および第２の部分１４１，１４２は、いずれも、連結部１３１の端面１３２とエアベアリング面１３０とを最短で結ぶ仮想の線１５０上の位置で最も小さく、仮想の線１５０から離れるに従って大きくなる幅を有している。第３および第４の部分１４３，１４４は、いずれも幅一定部分を含んでいる。第３の部分１４３における幅一定部分の両端は、仮想の線１５０上の位置から両側にそれぞれ長さＭ１だけ離れた位置に配置されている。従って、第３の部分１４３における幅一定部分の長さは２×Ｍ１である。この第３の部分１４３における幅一定部分の両端には、それぞれ幅変化部分が接続されている。第４の部分１４４における幅一定部分の両端は、仮想の線１５０上の位置から両側にそれぞれ長さＭ１＋Ｍ２だけ離れた位置に配置されている。従って、第４の部分１４４における幅一定部分の長さは、２×（Ｍ１＋Ｍ２）である。この第４の部分１４４における幅一定部分の両端には、それぞれ幅変化部分が接続されている。図示しないが、薄膜コイル１１４の内周側から５番目ないし７番目の各ターンは、幅一定部分と、その両端に接続された２つの幅変化部分とを含んでいる。幅一定部分の長さは、外側のターンほど長くなっている。
【００９１】
第３の例において、第１の部分１４１における内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状であり、第１の部分１４１における外周側の側部の形状は、第１の曲率半径よりも大きな第２の曲率半径の円弧状である。また、第２の部分１４２における内周側の側部の形状は、第２の曲率半径よりも大きな第３の曲率半径の円弧状である。また、第２の部分１４２における外周側の側部は、仮想の線１５０上の位置を含む所定の領域に配置された第１の直線部分と、この第１の直線部分の各端に接続され、第３の曲率半径よりも大きい第４の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいる。第１の直線部分の両端は、仮想の線１５０上の位置から両側にそれぞれ長さＭ１だけ離れた位置に配置されている。従って、第１の直線部分の長さは２×Ｍ１である。
【００９２】
また、第３の例において、第３の部分１４３を含む３番目のターンの一部における内周側の側部は、仮想の線１５０上の位置を含む所定の領域に配置された第２の直線部分と、この第２の直線部分の各端に接続され、第４の曲率半径よりも大きい第５の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいる。第２の直線部分の長さは、第１の直線部分の長さ以上である。図１４には、第１の直線部分の長さと第２の直線部分の長さが共に２×Ｍ１である例を示している。また、上記３番目のターンの一部における外周側の側部は、仮想の線１５０上の位置を含む所定の領域に配置された第３の直線部分と、この第３の直線部分の各端に接続され、第５の曲率半径よりも大きい第６の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいる。第３の直線部分は第２の直線部分よりも長い。第３の直線部分の両端は、仮想の線１５０上の位置から両側にそれぞれ長さＭ１＋Ｍ２だけ離れた位置に配置されている。従って、第３の直線部分の長さは２×（Ｍ１＋Ｍ２）である。
【００９３】
また、第３の例において、第４の部分１４４を含む４番目のターンの一部における内周側の側部は、仮想の線１５０上の位置を含む所定の領域に配置された第４の直線部分と、この第４の直線部分の各端に接続され、第６の曲率半径よりも大きい第７の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいる。第４の直線部分の長さは、第３の直線部分の長さ以上である。図１４には、第３の直線部分の長さと第４の直線部分の長さが共に２×（Ｍ１＋Ｍ２）である例を示している。また、上記４番目のターンの一部における外周側の側部は、仮想の線１５０上の位置を含む所定の領域に配置された第５の直線部分と、この第５の直線部分の各端に接続され、第７の曲率半径よりも大きい第８の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいる。第５の直線部分は第４の直線部分よりも長い。第５の直線部分の両端は、仮想の線１５０上の位置から両側にそれぞれ長さＭ１＋Ｍ２＋Ｍ３だけ離れた位置に配置されている。従って、第５の直線部分の長さは２×（Ｍ１＋Ｍ２＋Ｍ３）である。なお、長さＭ１，Ｍ２，Ｍ３は等しくてもよいし、異なっていてもよい。
【００９４】
第３の例において、第１の部分１４１を含む１番目のターンの一部における内周側の側部および外周側の側部の各形状、および第２の部分１４２を含む２番目のターンの一部における内周側の側部の形状は、いずれも、例えば半円である。ただし、１番目のターンの一部において、外周側の側部の形状を表す半円の中心は、内周側の側部の形状を表す半円の中心よりも、エアベアリング面１３０から離れた位置に配置されている。これにより、１番目のターンの一部の幅は、仮想の線１５０から離れるに従って大きくなる。
【００９５】
また、前述のように、第３の例において、２番目のターンの一部における外周側の側部、３番目のターンの一部における内周側の側部および外周側の側部、４番目のターンの一部における内周側の側部および外周側の側部は、それぞれ２つの円弧状部分を含んでいる。これらの円弧状部分の形状は、いずれも、例えば、中心角９０°の円弧である。ただし、２番目のターンの一部において、外周側の円弧状部分の形状を表す円弧の中心は、内周側の側部の形状を表す半円の中心よりも、エアベアリング面１３０から離れた位置に配置されている。また、３番目および４番目の各ターンの一部において、外周側の円弧状部分の形状を表す円弧の中心は、内周側の円弧状部分の形状を表す円弧の中心よりも、エアベアリング面１３０から離れた位置に配置されている。これにより、２番目ないし４番目の各ターンの一部の幅は、仮想の線１５０から離れるに従って大きくなる。
【００９６】
第３の例において、第２の部分１４２における外周側の側部が第１の直線部分を含むことによる効果は、第２の例において３番目のターンの一部についてした説明の通りである。また、第３の例において、第３の直線部分が第２の直線部分よりも長いことによる効果、および第５の直線部分が第４の直線部分よりも長いことによる効果は、いずれも、第２の例において４番目のターンの一部についてした説明の通りである。
【００９７】
図１５に示した第４の例では、第１の部分１４１は、連結部１３１の端面１３２とエアベアリング面１３０とを最短で結ぶ仮想の線１５０上の位置で最も小さく、仮想の線１５０から離れるに従って大きくなる幅を有している。第２ないし第４の部分１４２〜１４４は、いずれも幅一定部分を含んでいる。第２の部分１４２における幅一定部分の両端は、仮想の線１５０上の位置から両側にそれぞれ長さＭ１だけ離れた位置に配置されている。従って、第２の部分１４２における幅一定部分の長さは２×Ｍ１である。この第２の部分１４２における幅一定部分の両端には、それぞれ幅変化部分が接続されている。第３の部分１４３における幅一定部分の両端は、仮想の線１５０上の位置から両側にそれぞれ長さＭ１＋Ｍ２だけ離れた位置に配置されている。従って、第３の部分１４３における幅一定部分の長さは２×（Ｍ１＋Ｍ２）である。この第３の部分１４３における幅一定部分の両端には、それぞれ幅変化部分が接続されている。第４の部分１４４における幅一定部分の両端は、仮想の線１５０上の位置から両側にそれぞれ長さＭ１＋Ｍ２＋Ｍ３だけ離れた位置に配置されている。従って、第４の部分１４４における幅一定部分の長さは２×（Ｍ１＋Ｍ２＋Ｍ３）である。この第４の部分１４４における幅一定部分の両端には、それぞれ幅変化部分が接続されている。図示しないが、薄膜コイル１１４の内周側から５番目ないし７番目の各ターンは、幅一定部分と、その両端に接続された２つの幅変化部分とを含んでいる。幅一定部分の長さは、外側のターンほど長くなっている。
【００９８】
第４の例において、第１の部分１４１における内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状である。また、この第１の部分１４１における外周側の側部は、仮想の線１５０上の位置を含む所定の領域に配置された第１の直線部分と、この第１の直線部分の各端に接続され、第１の曲率半径よりも大きい第２の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいる。第１の直線部分の両端は、仮想の線１５０上の位置から両側にそれぞれ長さＭ１だけ離れた位置に配置されている。従って、第１の直線部分の長さは２×Ｍ１である。また、第２の部分１４２における内周側の側部は、仮想の線１５０上の位置を含む所定の領域に配置された第２の直線部分と、この第２の直線部分の各端に接続され、第２の曲率半径よりも大きい第３の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいる。第２の直線部分の長さは、第１の直線部分の長さ以上である。図１５には、第１の直線部分の長さと第２の直線部分の長さが共に２×Ｍ１である例を示している。また、第２の部分１４２における外周側の側部は、仮想の線１５０上の位置を含む所定の領域に配置された第３の直線部分と、この第３の直線部分の各端に接続され、第３の曲率半径よりも大きい第４の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいる。第３の直線部分の両端は、仮想の線１５０上の位置から両側にそれぞれ長さＭ１＋Ｍ２だけ離れた位置に配置されている。従って、第３の直線部分の長さは２×（Ｍ１＋Ｍ２）である。
【００９９】
また、第４の例において、第３の部分１４３を含む３番目のターンの一部における内周側の側部は、仮想の線１５０上の位置を含む所定の領域に配置された第４の直線部分と、この第４の直線部分の各端に接続され、第４の曲率半径よりも大きい第５の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいる。第４の直線部分の長さは、第３の直線部分の長さ以上である。図１５には、第３の直線部分の長さと第４の直線部分の長さが共に２×（Ｍ１＋Ｍ２）である例を示している。また、上記３番目のターンの一部における外周側の側部は、仮想の線１５０上の位置を含む所定の領域に配置された第５の直線部分と、この第５の直線部分の各端に接続され、第５の曲率半径よりも大きい第６の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいる。第５の直線部分は第４の直線部分よりも長い。第５の直線部分の両端は、仮想の線１５０上の位置から両側にそれぞれ長さＭ１＋Ｍ２＋Ｍ３だけ離れた位置に配置されている。従って、第５の直線部分の長さは２×（Ｍ１＋Ｍ２＋Ｍ３）である。
【０１００】
また、第４の例において、第４の部分１４４を含む４番目のターンの一部における内周側の側部は、仮想の線１５０上の位置を含む所定の領域に配置された第６の直線部分と、この第６の直線部分の各端に接続され、第６の曲率半径よりも大きい第７の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいる。第６の直線部分の長さは、第５の直線部分の長さ以上である。図１５には、第５の直線部分の長さと第６の直線部分の長さが共に２×（Ｍ１＋Ｍ２＋Ｍ３）である例を示している。また、上記４番目のターンの一部における外周側の側部は、仮想の線１５０上の位置を含む所定の領域に配置された第７の直線部分と、この第７の直線部分の各端に接続され、第７の曲率半径よりも大きい第８の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいる。第７の直線部分は第６の直線部分よりも長い。第７の直線部分の両端は、仮想の線１５０上の位置から両側にそれぞれ長さＭ１＋Ｍ２＋Ｍ３＋Ｍ４だけ離れた位置に配置されている。従って、第７の直線部分の長さは２×（Ｍ１＋Ｍ２＋Ｍ３＋Ｍ４）である。なお、長さＭ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４は等しくてもよいし、異なっていてもよい。
【０１０１】
第４の例において、第１の部分１４１を含む１番目のターンの一部における内周側の側部の形状は、例えば半円である。また、前述のように、第４の例において、１番目のターンの一部における外周側の側部、２番目のターンの一部における内周側の側部および外周側の側部、３番目のターンの一部における内周側の側部および外周側の側部、４番目のターンの一部における内周側の側部および外周側の側部は、それぞれ２つの円弧状部分を含んでいる。これらの円弧状部分の形状は、いずれも、例えば、中心角９０°の円弧である。ただし、１番目のターンの一部において、外周側の円弧状部分の形状を表す円弧の中心は、内周側の側部の形状を表す半円の中心よりも、エアベアリング面１３０から離れた位置に配置されている。また、２番目ないし４番目の各ターンの一部において、外周側の円弧状部分の形状を表す円弧の中心は、内周側の円弧状部分の形状を表す円弧の中心よりも、エアベアリング面１３０から離れた位置に配置されている。これにより、１番目ないし４番目の各ターンの一部の幅は、仮想の線１５０から離れるに従って大きくなる。
【０１０２】
第４の例において、第１の部分１４１における外周側の側部が第１の直線部分を含むことによる効果は、第２の例において３番目のターンの一部についてした説明の通りである。また、第４の例において、第３の直線部分が第２の直線部分よりも長いことによる効果、第５の直線部分が第４の直線部分よりも長いことによる効果、および第７の直線部分が第６の直線部分よりも長いことによる効果は、いずれも、第２の例において４番目のターンの一部についてした説明の通りである。
【０１０３】
次に、図１６ないし図２２を参照して、連結部１３１の上面の形状の７つの例について説明する。図１６ないし図２２は、それぞれ連結部１３１の平面図である。なお、連結部１３１において、上面に平行な任意の断面の形状は、上面の形状と同じである。
【０１０４】
図１６に示した第１の例では、連結部１３１の上面の形状は円形である。図１７に示した第２の例では、連結部１３１の上面の形状は半円である。この例では、半円における弧がエアベアリング面１３０側に向く。
【０１０５】
図１８に示した第３の例では、連結部１３１の上面の形状は、半径ａの半円と、長辺の長さが２ａ、短辺の長さがＷの長方形とを、半円における弦と長方形の１つの長辺とが一致するように結合させた形状になっている。この例では、半円における弧がエアベアリング面１３０側に向く。
【０１０６】
図１９に示した第４の例では、連結部１３１の上面の形状は、図１８に示した形状における２つの角部を丸めた形状になっている。
【０１０７】
図２０に示した第５の例では、連結部１３１の上面の形状は、半径ａの半円と、平行な２辺の長さが２ａ、他の平行な２辺の長さがＬ１の長方形とを、半円における弦と長方形の長さ２ａの辺とが一致するように結合させた形状になっている。この例では、半円における弧がエアベアリング面１３０側に向く。また、この例では、連結部１３１のエアベアリング面１３０に垂直な方向の長さ（図２０における左右方向についての連結部１３１の長さ）Ｌ２は、連結部１３１の幅（図２０における上下方向についての連結部１３１の長さ）Ｗ１（＝２ａ）よりも大きい。なお、長さＬ１と長さ２ａは等しくてもよい。
【０１０８】
図２１に示した第６の例では、連結部１３１の上面の形状は、弦の長さがｂの弓形（ｓｅｇｍｅｎｔ）と、平行な２辺の長さがｂ、他の平行な２辺の長さがｃの長方形とを、弓形における弦と長方形の長さｂの辺とが一致するように結合させた形状になっている。弓形における弧は、半径ａの円の一部であり、その中心角は１８０°よりも小さい。この例では、弓形における弧がエアベアリング面１３０側に向く。
【０１０９】
図２２に示した第７の例では、連結部１３１の上面の形状は、半径ａ、中心角１８０°の弧Ａ１１と、半径ｅの弧Ａ１２とで囲まれた形状になっている。弧Ａ１２の半径ｅは弧Ａ１１の半径ａよりも大きく、弧Ａ１２の中心角は１８０°よりも小さい。弧Ａ１１と弧Ａ１２は、互いに反対方向に突出するように配置されている。この例では、弧Ａ１１がエアベアリング面１３０側に向く。
【０１１０】
以上説明したように、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、連結部１３１は、エアベアリング面１３０側に向く端面１３２を有し、この端面１３２はエアベアリング面１３０側に突出する曲面を含んでいる。薄膜コイル１１４の内周側から１番目ないし７番目の各ターンは、連結部１３１の端面１３２とエアベアリング面１３０との間に配置された第１ないし第７の部分１４１〜１４７を含んでいる。第１ないし第７の部分１４１〜１４７は、連結部１３１の端面１３２とエアベアリング面１３０とを最短で結ぶ仮想の線１５０上の位置において薄膜コイル１１４中で最小の幅を有している。また、第１ないし第７の部分１４１〜１４７のうち、少なくとも第１の部分１４１は、仮想の線１５０から離れるに従って幅が大きくなる幅変化部分を含んでいる。従って、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、図５３および図５４に示した比較例の薄膜磁気ヘッドに比べて、薄膜コイル１１４中で最小の幅を有する部分の長さを短くすることができる。これにより、本実施の形態によれば、ヨーク長を短く、すなわち磁路長を短くしながら、薄膜コイル１１４の抵抗値を小さくすることが可能になる。従って、本実施の形態によれば、磁路長が短いことによって高周波帯域における記録特性に優れ、且つ薄膜コイル１１４の抵抗値の小さい薄膜磁気ヘッドを実現することができる。
【０１１１】
また、上記比較例では、図５４から分かるように、薄膜コイル２１４のターン数が増加すると、薄膜コイル２１４の各ターンにおける幅一定部分が配置される領域２５１が大きな増加率で増加する。これに対し、本実施の形態では、図２から分かるように、薄膜コイル１１４のターン数が増加すると、薄膜コイル１１４の各ターンにおける幅一定部分が配置される領域１５１も増加するが、その増加率は比較例に比べて小さい。従って、本実施の形態によれば、薄膜コイル１１４のターン数が増加したときの薄膜コイル１１４の抵抗値の増加を抑制することができる。これにより、本実施の形態によれば、容易に、薄膜コイル１１４のターン数を多くして薄膜磁気ヘッドの記録特性を向上させることが可能になる。
【０１１２】
また、本実施の形態によれば、比較例に比べて、薄膜コイル１１４の抵抗値を小さくすることができる。従って、本実施の形態によれば、薄膜コイル１１４が発生する熱によって磁極部分が記録媒体に近づくように突出することを防止することができる。
【０１１３】
また、本実施の形態によれば、比較例に比べて、薄膜コイル１１４が配置される領域の面積を小さくすることができる。従って、本実施の形態によれば、薄膜磁気ヘッドの小型化が可能になる。
【０１１４】
また、図１８ないし図２２に示した連結部１３１の上面の形状は、半円または弓形の弦に四角形等の他の形を結合させた形状になっている。連結部１３１の上面の形状がこのような形状である場合には、図１７に示したように連結部１３１の上面の形状が半円である場合に比べて、連結部１３１の上面の面積を減らさずに、連結部１３１の幅（図１７ないし図２２における上下方向についての連結部１３１の長さ）を小さくすることができる。これにより、薄膜コイル１１４中で最小の幅を有する部分の長さをより短くして、薄膜コイル１１４の抵抗値をより小さくすることができる。
【０１１５】
また、図２０に示した連結部１３１では、連結部１３１のエアベアリング面１３０に垂直な方向の長さＬ２は、連結部１３１の幅Ｗ１よりも大きい。これにより、長さＬ２が幅Ｗ１以下の場合に比べて、連結部１３１の上面の面積を減らさずに、連結部１３１の幅Ｗ１を小さくすることができる。これにより、薄膜コイル１１４中で最小の幅を有する部分の長さをより短くして、薄膜コイル１１４の抵抗値をより小さくすることができる。
【０１１６】
［第２の実施の形態］
次に、図２３ないし図４０を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。図２３は、本実施の形態における連結部および薄膜コイルの形状および配置を示す平面図である。なお、図２３は、研磨加工によってエアベアリング面を形成する前の状態を表わしている。また、図２４ないし図３８において、（ａ）はエアベアリング面および基板の上面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。図３９および図４０は、オーバーコート層を除いた状態における本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成の２つの例を示す斜視図である。
【０１１７】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、図２４に示したように、例えばアルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）よりなる絶縁層２を、約２〜５μｍの厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド層３を、約２〜３μｍの厚みで形成する。下部シールド層３は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層を、例えば３〜４μｍの厚みで形成し、例えばＣＭＰによって、下部シールド層３が露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【０１１８】
次に、下部シールド層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みで形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、磁気的信号検出用のＭＲ素子５を、数十ｎｍの厚みで形成する。ＭＲ素子５は、例えば、スパッタによって形成したＭＲ膜を選択的にエッチングすることによって形成する。また、ＭＲ素子５は、後述するエアベアリング面が形成される位置の近傍に配置される。なお、ＭＲ素子５には、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。次に、図示しないが、下部シールドギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される一対の電極層を、数十ｎｍの厚みで形成する。次に、下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶縁膜としての上部シールドギャップ膜７を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みで形成し、ＭＲ素子５をシールドギャップ膜４，７内に埋設する。シールドギャップ膜４，７に使用する絶縁材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。また、シールドギャップ膜４，７は、スパッタ法によって形成してもよいし、ＣＶＤ法によって形成してもよい。
【０１１９】
次に、上部シールドギャップ膜７の上に、磁性材料よりなる、再生ヘッド用の上部シールド層８を、約１．０〜１．５μｍの厚みで、選択的に形成する。次に、ここまでの工程で得られた積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層９を、約０．１５〜０．２μｍの厚みで形成する。次に、絶縁層９の上に、下部磁極層１０の第１の層１０ａを、例えば０．５〜１．０μｍの厚みで形成する。下部磁極層１０は、第１の層１０ａと、後述する第２ないし第５の層１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅとを含む。
【０１２０】
第１の層１０ａは、材料として高飽和磁束密度材料であるＦｅＡｌＮ、ＦｅＮ、ＦｅＣｏ、ＣｏＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ等を用いて、スパッタ法によって形成する。なお、第１の層１０ａは、材料としてＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用いて、めっき法によって形成してもよい。
【０１２１】
次に、図２５に示したように、第１の層１０ａの上に、例えばアルミナよりなる絶縁膜１１を、０．２μｍの厚みで形成する。次に、絶縁膜１１を選択的にエッチングして、第２の層１０ｂと第３の層１０ｃを形成すべき位置において、絶縁膜１１に開口部を形成する。
【０１２２】
次に、図示しないが、第１の層１０ａおよび絶縁膜１１を覆うように、例えばスパッタ法によって、導電性材料よりなる電極膜を、５０〜８０ｎｍの厚みで形成する。この電極膜は、めっきの際の電極およびシード層として機能する。次に、図示しないが、フォトリソグラフィによって、電極膜の上に、フレームめっき法によって第１のコイル１３を形成するためのフレームを形成する。
【０１２３】
次に、電極膜を用いて電気めっきを行って、例えばＣｕよりなる第１のコイル１３を、約２．０〜３．０μｍの厚みで形成する。第１のコイル１３は、絶縁膜１１が配置された領域内に配置される。なお、図２５において、符号１３ａは、第１のコイル１３における内側端部近傍の部分であって、図２３に示した接続層３３ａに接続される接続部を示している。図２３に示したように、第１のコイル１３における外側端部近傍には、図２３に示した接続層３５ａに接続される接続部１３ｂが設けられている。次に、フレームを除去した後、例えばイオンビームエッチングによって、電極膜のうち、第１のコイル１３の下に存在する部分以外の部分を除去する。
【０１２４】
次に、図示しないが、フォトリソグラフィによって、第１の層１０ａおよび絶縁膜１１の上に、フレームめっき法によって第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｃを形成するためのフレームを形成する。
【０１２５】
次に、図２６に示したように、電気めっきを行って、第１の層１０ａの上に、それぞれ磁性材料よりなる第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｃを、それぞれ例えば２．５〜３．５μｍの厚みで形成する。第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｃの材料としては、例えば、飽和磁束密度が１．８〜１．９ＴのＣｏＮｉＦｅ（Ｃｏ：６７重量％，Ｎｉ：１５重量％，Ｆｅ：１８重量％）または飽和磁束密度が２．４ＴのＦｅＣｏ（Ｆｅ：約６０重量％，Ｃｏ：約４０重量％）が用いられる。本実施の形態では、第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｃをめっき法によって形成する際に、特別な電極膜を設けずに、パターニングされていない第１の層１０ａをめっき用の電極およびシード層として用いる。
【０１２６】
第２の層１０ｂは、後述するエアベアリング面が形成される位置の近傍に配置される。第３の層１０ｃは、第１の層１０ａと後述する上部磁極層とを接続するための部分であり、第１のコイル１３の中心の近傍の位置に配置される。
【０１２７】
次に、図示しないが、第１のコイル１３、第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｃを覆うようにフォトレジスト層を形成する。次に、このフォトレジスト層をマスクとして、例えばイオンビームエッチングによって、第１の層１０ａを選択的にエッチングして、第１の層１０ａをパターニングする。
【０１２８】
次に、フォトレジスト層を除去した後、例えばＣＶＤ法によって、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなるコイル間絶縁膜１４を、０．１〜０．２μｍの厚みで形成する。この絶縁膜１４は、例えば、減圧下で１００℃以上の温度の下で、薄膜形成に用いられる材料としてのＨ２Ｏ、Ｎ２、Ｎ２ＯまたはＨ２Ｏ２と、薄膜形成に用いられる材料としてのＡｌ（ＣＨ３）３またはＡｌＣｌ３が交互に断続的に噴射されることにより、ＣＶＤ法によって形成される膜であってもよい。この形成方法によれば、複数の薄いアルミナ膜が積層されて、所望の厚みの絶縁膜１４が形成される。
【０１２９】
次に、図２７に示したように、後述する第２のコイル１８を配置すべき位置に、例えばフォトレジストよりなる絶縁層１５を形成する。この絶縁層１５は、少なくとも第１のコイル１３の巻線間に充填されるように形成される。絶縁層１５の一部は、第１のコイル１３の外周部の外側および第１のコイル１３の内周部の内側に配置される。次に、コイル間絶縁膜１４および絶縁層１５を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁層１６を、３〜４μｍの厚みで形成する。
【０１３０】
次に、図２８に示したように、例えばＣＭＰによって、絶縁層１５が露出し、且つ絶縁層１５および絶縁層１６の上面が平坦化されるように、絶縁層１５および絶縁層１６を研磨する。
【０１３１】
次に、図２９に示したように、絶縁層１５を除去した後、積層体の上面全体を覆うように、例えばスパッタ法によって、ＴｉまたはＴａよりなる第１の導電膜を、例えば１０〜２０ｎｍの厚みで形成する。次に、この第１の導電膜の上に、スパッタ法によって、例えばＣｕよりなる第２の導電膜を、例えば５０ｎｍの厚みで形成する。次に、この第２の導電膜の上に、ＣＶＤ法によって、例えばＣｕよりなる第３の導電膜を、例えば５０ｎｍの厚みで形成する。第３の導電膜は、第１のコイル１３の巻線間の溝部全体を埋めることを目的とせず、ＣＶＤ法のステップカバレージの良さを生かして溝部を覆うことを目的として形成される。上記の３つの導電膜を合わせて電極膜１７と呼ぶ。この電極膜１７は、めっきの際の電極およびシード層として機能する。次に、電極膜１７の上に、めっき法によって、例えばＣｕよりなる導電層１８ｐを、例えば３〜４μｍの厚みで形成する。
【０１３２】
次に、図３０に示したように、例えばＣＭＰによって、第２の層１０ｂ、第３の層１０ｃおよび第１のコイル１３が露出するまで、導電層１８ｐを研磨する。これにより、第１のコイル１３の巻線間等の溝内に残った導電層１８ｐによって、第２のコイル１８が形成される。上記研磨は、第１のコイル１３および第２のコイル１８の厚みが例えば２．０〜２．５μｍになるように行う。後で詳しく説明するが、第２のコイル１８は、コイル１３，１８によって連続する巻線が形成されるように、第１のコイル１３に接続される。また、図２３に示したように、第２のコイル１８は、内側端部近傍と外側端部近傍とにおいてそれぞれ、接続層３４ａ，３３ａに接続される接続部１８ａ，１８ｂを有している。
【０１３３】
なお、第１のコイル１３を形成する工程または第２のコイル１８を形成する工程では、図２３に示したように、下部磁極層１０の第１の層１０ａの外側に配置されるように、２つのリード層３６，３７を形成する。リード層３６，３７は、それぞれ、接続層３４ａ，３５ａに接続される接続部３６ａ，３７ａを有している。
【０１３４】
次に、図３１に示したように、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなるコイル被覆絶縁膜１９を、０．１〜０．３μｍの厚みで形成する。次に、コイル被覆絶縁膜１９のうち、第２の層１０ｂに対応する部分、第３の層１０ｃに対応する部分、第１のコイル１３の２つの接続部１３ａ，１３ｂに対応する部分、第２のコイル１８の２つの接続部１８ａ，１８ｂに対応する部分、リード層３６の接続部３６ａに対応する部分、およびリード層３７の接続部３７ａに対応する部分を選択的にエッチングする。エッチング後のコイル被覆絶縁膜１９は、第１のコイル１３の２つの接続部１３ａ，１３ｂおよび第２のコイル１８の２つの接続部１８ａ，１８ｂを除いて、コイル１３，１８の上面を覆う。
【０１３５】
次に、積層体の上面全体を覆うように、スパッタ法によって、磁性材料よりなる磁性層２０を、０．８〜１．２μｍの厚みで形成する。磁性層２０の材料としては、例えば、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）のうち、少なくとも鉄を含む金属磁性材料が用いられる。このような磁性材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＣｏＦｅＮがある。このうち、本実施の形態では、Ｃｏを含む高飽和磁束密度材料、例えば、飽和磁束密度が１．８〜１．９ＴのＣｏＮｉＦｅや、飽和磁束密度が２．３〜２．４ＴのＦｅＣｏまたはＣｏＦｅＮを用いるのが好ましい。
【０１３６】
次に、磁性層２０の上であって、第２の層１０ｂに対応する部分、第３の層１０ｃに対応する部分、第１のコイル１３の接続部１３ａに対応する部分に、それぞれ、エッチングマスク２１ａ，２１ｂ，２１ｃを、１〜２μｍの厚みで形成する。図示しないが、このとき、磁性層２０の上であって、第１のコイル１３の接続部１３ｂに対応する部分、第２のコイル１８の２つの接続部１８ａ，１８ｂに対応する２つの部分、およびリード層３６，３７の接続部３６ａ，３７ａに対応する部分にも、エッチングマスク２１ａ，２１ｂ，２１ｃと同様のエッチングマスクを形成する。
【０１３７】
上記エッチングマスクの材料としては、金属材料を用いてもよい。この場合、エッチングマスクは、めっき法、特にフレームめっき法によって形成してもよい。また、エッチングマスクの材料は、磁性層２０を構成する材料とは異なる磁性材料によって形成してもよい。この磁性材料としては、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ等の、ＮｉおよびＦｅを含む材料であってもよい。また、エッチングマスクは、Ｎｉ、ＮｉＣｕ、ＮｉＰ、ＮｉＢ等の、Ｎｉを含む材料によって形成してもよい。
【０１３８】
また、エッチングマスクの材料としては、アルミナ等の絶縁材料を用いてもよい。この場合、エッチングマスクは、例えば、フォトレジスト層をマスクとしてスパッタ法によって形成される。
【０１３９】
次に、図３２に示したように、上記エッチングマスクを用い、反応性イオンエッチング（以下、ＲＩＥと記す。）によって、磁性層２０をエッチングする。エッチング後にエッチングマスク２１ａ〜２１ｃの下に残った磁性層２０によって、第４の層１０ｄ、第５の層１０ｅおよび接続部層２２が形成される。同様に、図示しない他の５つのエッチングマスクの下に残った磁性層２０によって、それぞれ図示しない５つの接続部層が形成される。第４の層１０ｄは第２の層１０ｂの上に配置され、第５の層１０ｅは第３の層１０ｃの上に配置され、接続部層２２は接続部１３ａの上に配置される。他の５つの接続部層は、それぞれ、接続部１３ｂ，１８ａ，１８ｂ，３６ａ，３７ａの上に配置される。なお、ＲＩＥの代わりにイオンビームエッチングを用いて磁性層２０をエッチングしてもよい。
【０１４０】
本実施の形態において、ＲＩＥを用いた磁性層２０のエッチングの後に、ＲＩＥが行われた領域の少なくとも一部、例えば領域全体を、他のドライエッチング、例えばイオンビームエッチングによってわずかにエッチングしてもよい。これにより、以下のような効果が得られる。まず、ＲＩＥが行われた領域に存在するエッチング残渣が除去されるので、この領域の表面を綺麗にすることができる。また、ＲＩＥによって形成された側壁部がわずかにエッチングされるので、これらの側壁部の表面を綺麗にすることができると共に、ＲＩＥの際にこれらの側壁に付着した塩素分子等のハロゲン系ガスの分子を除去して、側壁部の腐食を防止することができる。
【０１４１】
更に、図３２に示したように、第４の層１０ｄの側壁部と第４の層１０ｄの下地の上面とのなす角度が９０°よりも小さくなるように、第４の層１０ｄの側壁部が斜面になる。これにより、下部磁極層１０を通過する磁束を、途中で飽和することを防止しながら、後述する記録ギャップ層の近傍まで導くことができる。
【０１４２】
第４の層１０ｄのエアベアリング面から遠い端部は、記録ヘッドのスロートハイトを決定する。スロートハイトとは、２つの磁極層が記録ギャップ層を介して対向する部分、すなわち磁極部分の、エアベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。
【０１４３】
また、第３の層１０ｃおよび第５の層１０ｅは、下部磁極層１０と上部磁極層とを磁気的に連結する連結部３１を構成する。
【０１４４】
次に、図３３に示したように、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁層２４を、１．５〜２．０μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、絶縁層２４を研磨する。この研磨は、エッチングマスクが除去され、且つ第４の層１０ｄ、第５の層１０ｅ、接続部層２２、他の５つの接続部層および絶縁層２４の上面が平坦化されるように行われる。
【０１４５】
次に、図３４に示したように、積層体の上面全体を覆うように、記録ギャップ層２５を、０．０６〜０．０８μｍの厚みで形成する。記録ギャップ層２５の材料は、アルミナ等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、ＮｉＢ等の非磁性金属材料でもよい。次に、記録ギャップ層２５のうち、第５の層１０ｅ、接続部層２２および他の５つの接続部層に対応する部分を選択的にエッチングする。
【０１４６】
次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばスパッタ法によって、磁性材料よりなる磁性層２６を、０．５〜１．２μｍの厚みで形成する。磁性層２６の材料としては、例えば、鉄、ニッケル、コバルトのうち、少なくとも鉄を含む金属磁性材料が用いられる。このような磁性材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＣｏＦｅＮがある。このうち、本実施の形態では、Ｃｏを含む高飽和磁束密度材料、例えば、飽和磁束密度が１．８〜１．９ＴのＣｏＮｉＦｅや、飽和磁束密度が２．３〜２．４ＴのＦｅＣｏまたはＣｏＦｅＮを用いるのが好ましい。
【０１４７】
次に、例えばフレームめっき法によって、磁性層２６の上に、後述する上部磁極層２７の第２の層２７ｂと、接続層３３ｂと、図２３に示した接続層３４ｂ，３５ｂとを、例えば１〜２μｍの厚みで形成する。第２の層２７ｂ、接続層３３ｂ，３４ｂ，３５ｂは、磁性層２６を構成する材料とは異なる金属磁性材料、例えばＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅによって形成される。第２の層２７ｂは、下部磁極層１０の第４の層１０ｄに対応する位置から第５の層１０ｅに対応する位置にかけて配置される。接続層３３ｂは、接続部１３ａに対応する位置から接続部１８ｂに対応する位置にかけて形成される。接続層３４ｂは、接続部１８ａに対応する位置から接続部３６ａに対応する位置にかけて形成される。接続層３５ｂは、接続部１３ｂに対応する位置から接続部３７ａに対応する位置にかけて形成される。
【０１４８】
次に、図３５に示したように、第２の層２７ｂ、接続層３３ｂ，３４ｂ，３５ｂをエッチングマスクとして、ＲＩＥによって、磁性層２６を選択的にエッチングする。これにより、エッチング後に残った磁性層２６によって、上部磁極層２７の第１の層２７ａと、接続層３３ａ，３４ａ，３５ａが形成される。第１の層２７ａは第２の層２７ｂの下に配置される。接続層３３ａ，３４ａ，３５ａは、それぞれ接続層３３ｂ，３４ｂ，３５ｂの下に配置される。
【０１４９】
なお、本実施の形態において、ＲＩＥを用いた磁性層２６のエッチングの後に、ＲＩＥが行われた領域の少なくとも一部、例えば領域全体を、他のドライエッチング、例えばイオンビームエッチングによってわずかにエッチングしてもよい。これにより、以下のような効果が得られる。まず、ＲＩＥが行われた領域に存在するエッチング残渣が除去されるので、この領域の表面を綺麗にすることができる。また、ＲＩＥによって形成された側壁部がわずかにエッチングされるので、これらの側壁部の表面を綺麗にすることができると共に、ＲＩＥの際にこれらの側壁に付着した塩素分子等のハロゲン系ガスの分子を除去して、側壁部の腐食を防止することができる。
【０１５０】
上部磁極層２７は、記録ギャップ層２５に接する第１の層２７ａと、この第１の層２７ａの上に配置された第２の層２７ｂとを有している。また、上部磁極層２７は、エアベアリング面に配置される一端部とエアベアリング面から離れた位置に配置される他端部とを有するトラック幅規定部２７Ａと、このトラック幅規定部２７Ａの他端部に連結されたヨーク部２７Ｂ（図３９、図４０参照）とを含んでいる。ヨーク部２７Ｂの幅は、トラック幅規定部２７Ａとの境界位置ではトラック幅規定部２７Ａの幅と等しく、トラック幅規定部２７Ａから離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。トラック幅規定部２７Ａは、上部磁極層２７における磁極部分であり、記録トラック幅を規定する。ＲＩＥによって第１の層２７ａを形成する際には、当初のトラック幅規定部２７Ａの幅が０．１〜０．２μｍ程度になるようにする。ここでは、一例として、当初のトラック幅規定部２７Ａの幅を０．１５μｍになるようにする。
【０１５１】
次に、図３６に示したように、上部磁極層２７のトラック幅規定部２７Ａの幅が例えば０．１μｍになるように、例えばイオンビームエッチングによってトラック幅規定部２７Ａの側壁部をエッチングして、トラック幅規定部２７Ａの幅を小さくする。このエッチングは、例えば、イオンビームの進行方向が第１の層１０ａの上面に垂直な方向に対してなす角度が４０〜５０°となるようにして行われる。
【０１５２】
次に、図示しないが、トラック幅規定部２７Ａの周辺部で開口するフォトレジストマスクを形成する。次に、図３７に示したように、上記フォトレジストマスクと上部磁極層２７とをマスクとし、例えば、エッチングガスとしてＣｌ２とＢＣｌ３の混合ガスを用いたＲＩＥや、イオンビームエッチングによって、トラック幅規定部２７Ａの周辺部における記録ギャップ層２５をエッチングする。
【０１５３】
次に、上部磁極層２７およびその下の記録ギャップ層２５と上記フォトレジストマスクとをマスクとし、例えばイオンビームエッチングによって、トラック幅規定部２７Ａの周辺部における下部磁極層１０の第４の層１０ｄの一部をエッチングする。第４の層１０ｄにおけるエッチングの深さは、例えば０．１７〜０．２２μｍとする。このエッチングは、例えば、イオンビームの進行方向が第１の層１０ａの上面に垂直な方向に対してなす角度が０°となるイオンビームエッチングと、上記角度が４５°となるイオンビームエッチングとを組み合わせて行ってもよい。また、集束イオンビームエッチングによって第４の層１０ｄをエッチングする場合には、上記角度を４０°〜７５°の範囲内としたイオンビームエッチングを行ってもよい。また、第４の層１０ｄの側壁部をわずかにエッチングしたり、ＲＩＥによって生じるＦｅＣｏ等からなるエッチング残渣を除去するために、上記角度を４０°〜７５°の範囲内としたイオンビームエッチングを行ってもよい。ここでは、一例として、上記角度を４０°〜５０°の範囲内としたイオンビームエッチングを行うものとする。なお、第４の層１０ｄのエッチングには、イオンビームエッチングの代わりに、磁性層２６のエッチングの際と同様の条件のＲＩＥを用いてもよい。
【０１５４】
このようにして、図３７（ｂ）に示したようなトリム構造が形成される。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効的な記録トラック幅の増加を防止することができる。第４の層１０ｄのうち、記録ギャップ層２５を介して上部磁極層２７のトラック幅規定部２７Ａと対向する部分は、下部磁極層１０の磁極部分である。
【０１５５】
なお、エッチング前の第４の層１０ｄの厚みは、第４の層１０ｄのエッチングの深さよりも大きい。これにより、トリム構造を形成しても、下部磁極層１０を通過する磁束がエアベアリング面に到達する前に飽和することを防止することができる。
【０１５６】
次に、図３８に示したように、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなるオーバーコート層２９を、２０〜３０μｍの厚みで形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、上記各層を含むスライダの研磨加工を行ってエアベアリング面３０を形成して、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１５７】
ここで、本実施の形態における磁性層２０，２６のエッチング方法について詳しく説明する。本実施の形態では、ハロゲン系ガスとＯ２またはＣＯ２とを含むエッチングガスを使用したＲＩＥによって、被エッチング層（磁性層２０，２６）のエッチングを行う。ハロゲン系ガスとしては、例えば、Ｃｌ２とＢＣｌ３の少なくとも一方を含むガスを用いることができる。エッチングガスとしては、例えば、Ｃｌ２およびＣＯ２を含むものや、ＢＣｌ３、Ｃｌ２およびＣＯ２を含むものや、ＢＣｌ３、Ｃｌ２およびＯ２を含むものがある。
【０１５８】
エッチング時における被エッチング層の温度は、エッチング速度を大きくするために、５０℃以上とすることが好ましい。また、ＭＲ素子５がスピンバルブ型のＧＭＲ素子である場合には、エッチング時における被エッチング層の温度は、ＧＭＲ素子中の反強磁性層の能力の劣化を防止するために、３５０℃以下とすることが好ましい。エッチング時における被エッチング層の温度は、２００〜３００℃の範囲内の温度とすることが特に好ましい。このような高い温度でＲＩＥを行うことにより、エッチングマスクの材料にＮｉＦｅ等のＮｉを含む材料を用いた場合に、エッチングマスクより分離したＮｉ分子が被エッチング層の側壁に付着することを防止することができる。
【０１５９】
上述のようなエッチング方法によれば、磁性層２０，２６を短時間でエッチングでき、且つエッチング後の磁性層２０，２６によって形成される層１０ｄ，２７ａのプロファイルを正確に制御することができる。
【０１６０】
なお、トリム構造形成のための下部磁極層１０の第４の層１０ｄのエッチングを、磁性層２０，２６のエッチング方法と同様の方法で行ってもよい。
【０１６１】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面としてのエアベアリング面３０と、再生ヘッドと、記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）とを備えている。
【０１６２】
再生ヘッドは、エアベアリング面３０の近傍に配置されたＭＲ素子５と、エアベアリング面３０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層８と、ＭＲ素子５と下部シールド層３との間に配置された下部シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と上部シールド層８との間に配置された上部シールドギャップ膜７とを有している。
【０１６３】
記録ヘッドは、エアベアリング面３０側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された下部磁極層１０および上部磁極層２７と、下部磁極層１０の磁極部分と上部磁極層２７の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層２５と、少なくとも一部が下部磁極層１０と上部磁極層２７との間に、これらに対して絶縁された状態で設けられたコイル１３，１８とを備えている。本実施の形態における下部磁極層１０、上部磁極層２７は、それぞれ本発明における第１の磁極層、第２の磁極層に対応する。
【０１６４】
下部磁極層１０は、コイル１３，１８に対向する位置に配置された第１の層１０ａと、コイル１３，１８よりもエアベアリング面３０に近い位置に配置され且つ第１の層１０ａにおける記録ギャップ層２５に近い面に接続された第２の層１０ｂと、一方の面が第２の層１０ｂにおける記録ギャップ層２５に近い面に接続され、他方の面が記録ギャップ層２５に隣接する第４の層１０ｄと、エアベアリング面３０から離れた位置において、第１の層１０ａの上に配置された第３の層１０ｃと、この第３の層１０ｃの上に配置された第５の層１０ｅとを有している。第３の層１０ｃおよび第５の層１０ｅは、下部磁極層１０と上部磁極層２７とを磁気的に連結する連結部３１（図２３参照）を構成する。連結部３１の形状は、第１の実施の形態における連結部１３１と同様である。すなわち、連結部３１は、エアベアリング面３０側に向く端面３２を有している。この端面３２は、エアベアリング面３０側に突出する曲面を含んでいる。この端面３２は、例えば、円柱面の一部の形状を有している。
【０１６５】
上部磁極層２７は、共に平坦な第１の層２７ａおよび第２の層２７ｂを有している。図３９、図４０には、上部磁極層２７のトラック幅規定部２７Ａとヨーク部２７Ｂとを示している。図３９は、連結部３１の上面の形状が図１８に示した連結部１３１の上面の形状と同様である場合の例を示している。図４０は、連結部３１の上面の形状が図１６に示した連結部１３１の上面の形状と同様である場合の例を示している。
【０１６６】
図２３に示したように、本実施の形態における薄膜コイルは、一部が下部磁極層１０の第２の層１０ｂと下部磁極層１０の第３の層１０ｃとの間に配置された巻線を有する第１のコイル１３と、少なくとも一部が第１のコイル１３の巻線間に配置された巻線を有する第２のコイル１８とを含んでいる。第２のコイル１８の巻線の一部も、第２の層１０ｂと第３の層１０ｃとの間に配置されている。コイル１３，１８は、いずれも平面渦巻き状をなし、連結部３１の回りに配置されている。
【０１６７】
第１のコイル１３の接続部１３ｂは、接続層３５ａ，３５ｂを介してリード層３７に接続されている。第１のコイル１３の接続部１３ａは、接続層３３ａ，３３ｂを介して第２のコイル１８の接続部１８ｂに接続されている。第２のコイル１８の接続部１８ａは、接続層３４ａ，３４ｂを介してリード層３６に接続されている。このようにして、コイル１３，１８によって連続する巻線が形成される。この巻線は、４以上のターンを有している。ここでは、一例として、この巻線は７ターンを有しているものとする。
【０１６８】
本実施の形態において、コイル１３，１８を含む薄膜コイルのうちの、連結部３１の端面３２の近傍に配置された部分の形状は、第１の実施の形態における薄膜コイル１１４と同様である。本実施の形態において、薄膜コイルにおける最小の幅は、例えば０．５μｍである。薄膜コイルにおける隣接するターン（隣接するコイル１３のターンとコイル１８のターン）間の間隔は、例えば０．１μｍである。
【０１６９】
本実施の形態によれば、全体的に平坦な上面を有する第１の層１０ａの上に第１のコイル１３を形成するので、第１のコイル１３を、厚く、微細に、且つ精度よく形成することができる。また、本実施の形態によれば、巻線の少なくとも一部が第１のコイル１３の巻線間に配置されるように第２のコイル１８を形成するので、第２のコイル１８も、厚く、微細に、且つ精度よく形成することができる。また、本実施の形態では、第１のコイル１３の巻線と第２のコイル１８の巻線は、薄いコイル間絶縁膜１４によって分離される。従って、第１のコイル１３の巻線と第２のコイル１８の巻線との間隔を極めて小さくすることができる。これらのことから、本実施の形態によれば、コイル１３，１８を厚くしながら、コイル１３，１８の巻線のピッチを非常に小さくすることができる。例えば、本実施の形態によれば、コイル１３，１８の厚みを１．５μｍ以上としながら、第２の層１０ｂと第３の層１０ｃとの間におけるコイル１３，１８の巻線のピッチを０．５μｍ以下あるいは０．３μｍ以下とすることが可能になる。従って、本実施の形態によれば、第１の実施の形態に比べて、磁路長を短くすることができると共に薄膜コイルの抵抗値を小さくすることができる。
【０１７０】
また、本実施の形態において、下部磁極層１０の第２の層１０ｂおよび第４の層１０ｄと上部磁極層２７の材料として高飽和磁束密度材料を用いた場合には、磁路の途中での磁束の飽和を防止することができる。その結果、コイル１３，１８で発生した起磁力を効率よく記録に利用することが可能となる。
【０１７１】
ところで、例えば特許文献１に示されるように、上部磁極層が、幅の小さな磁極部分層と、この磁極部分層の上面に接続された、幅の大きなヨーク部分層とを含む薄膜磁気ヘッドでは、特に記録トラック幅が小さくなった場合に、以下のような問題が生じる。すなわち、まず、この薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分層とヨーク部分層との接続部分で磁路の断面積が急激に減少するため、この部分で磁束の飽和が生じ、ヨーク部分層から磁極部分層へ磁束が十分に伝達されないおそれがある。そのため、この薄膜磁気ヘッドでは、オーバーライト特性が劣化するおそれがある。
【０１７２】
また、上部磁極層が磁極部分層とヨーク部分層とを含む上記薄膜磁気ヘッドでは、ヨーク部分層から記録媒体に向けて磁束が漏れ、幅の大きなヨーク部分層によって、記録媒体に対して、本来、データを記録すべき領域以外の領域にデータを書き込んでしまう、いわゆるサイドライトが発生するおそれがある。この場合には、実効トラック幅が所望のトラック幅よりも大きくなってしまう。また、磁極部分層とヨーク部分層の位置関係は、フォトリソグラフィにおけるアライメントによって決定されるため、所望の位置関係からずれる場合がある。そうなると、上記サイドライトが顕著に発生してしまう。
【０１７３】
これに対し、本実施の形態では、トラック幅を規定する上部磁極層２７は平坦な層になっているので、磁極部分層とヨーク部分層との接続部分における磁束の飽和は発生しない。従って、本実施の形態によれば、上述のようなオーバーライト特性の劣化や、ヨーク部分層によるサイドライトの発生はない。
【０１７４】
また、本実施の形態では、平坦な下地の上に平坦な上部磁極層２７を形成する。従って、本実施の形態によれば、上部磁極層２７のトラック幅規定部を微細に且つ精度よく形成することができる。これにより、例えば、従来は薄膜磁気ヘッドを量産する場合には困難であった０．２μｍ以下のトラック幅を実現することが可能になる。
【０１７５】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１７６】
［第３の実施の形態］
次に、図４１ないし図５２を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。なお、図４１ないし図５２において、（ａ）はエアベアリング面および基板の上面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【０１７７】
本実施の形態に係る製造方法では、コイル間絶縁膜１４を形成する工程までは、第２の実施の形態と同様である。
【０１７８】
本実施の形態では、次に、図４１に示したように、積層体の上面全体を覆うように、例えばスパッタ法によって、例えばＣｕよりなる第１の導電膜を、例えば５０ｎｍの厚みで形成する。次に、この第１の導電膜の上に、ＣＶＤ法によって、例えばＣｕよりなる第２の導電膜を、例えば５０ｎｍの厚みで形成する。第２の導電膜は、第１のコイル１３の巻線間の溝部全体を埋めることを目的とせず、ＣＶＤ法のステップカバレージの良さを生かして溝部を覆うことを目的として形成される。上記の２つの導電膜を合わせて電極膜４１と呼ぶ。この電極膜４１は、めっきの際の電極およびシード層として機能する。次に、電極膜４１の上に、めっき法によって、例えばＣｕよりなる導電層１８ｐを、例えば２〜３μｍの厚みで形成する。
【０１７９】
次に、図４２に示したように、電極膜４１のうち、導電層１８ｐの下に存在する部分以外の部分を、例えばイオンビームエッチングによって除去する。次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁層４２を、３〜４μｍの厚みで形成する。
【０１８０】
次に、図４３に示したように、例えばＣＭＰによって、第２の層１０ｂ、第３の層１０ｃおよび第１のコイル１３が露出するまで、導電層１８ｐを研磨する。これにより、第１のコイル１３の巻線間等の溝内に残った導電層１８ｐによって、第２のコイル１８が形成される。上記研磨は、第１のコイル１３および第２のコイル１８の厚みが例えば２．０〜３．０μｍになるように行う。第２の実施の形態と同様に、第２のコイル１８は、コイル１３，１８によって連続する巻線が形成されるように、第１のコイル１３に接続される。また、第２の実施の形態と同様に、第２のコイル１８は、内側端部近傍と外側端部近傍とにおいてそれぞれ、接続層３４ａ，３３ａに接続される接続部１８ａ，１８ｂを有している。
【０１８１】
第２の実施の形態と同様に、第１のコイル１３を形成する工程または第２のコイル１８を形成する工程では、図２３に示したように、下部磁極層１０の第１の層１０ａの外側に配置されるように、２つのリード層３６，３７を形成する。リード層３６，３７は、それぞれ、接続層３４ａ，３５ａに接続される接続部３６ａ，３７ａを有している。
【０１８２】
次に、図４４に示したように、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなるコイル被覆絶縁膜１９を、０．１〜０．３μｍの厚みで形成する。次に、コイル被覆絶縁膜１９のうち、第２の層１０ｂに対応する部分、第３の層１０ｃに対応する部分、第１のコイル１３の２つの接続部１３ａ，１３ｂに対応する部分、第２のコイル１８の２つの接続部１８ａ，１８ｂに対応する部分、リード層３６の接続部３６ａに対応する部分、およびリード層３７の接続部３７ａに対応する部分を選択的にエッチングする。エッチング後のコイル被覆絶縁膜１９は、第１のコイル１３の２つの接続部１３ａ，１３ｂおよび第２のコイル１８の２つの接続部１８ａ，１８ｂを除いて、コイル１３，１８の上面を覆う。
【０１８３】
次に、積層体の上面全体を覆うように、スパッタ法によって、磁性材料よりなる磁性層２０を、０．８〜１．２μｍの厚みで形成する。磁性層２０の材料は、第２の実施の形態と同様である。
【０１８４】
次に、磁性層２０の上であって、第２の層１０ｂに対応する部分、第３の層１０ｃに対応する部分、第１のコイル１３の接続部１３ａに対応する部分に、それぞれ、例えばＴａまたはＴｉよりなるＣＭＰストッパ膜４３ａ，４３ｂ，４３ｃを、１０〜２０ｎｍの厚みで形成する。図示しないが、このとき、磁性層２０の上であって、第１のコイル１３の接続部１３ｂに対応する部分、第２のコイル１８の２つの接続部１８ａ，１８ｂに対応する２つの部分、およびリード層３６，３７の接続部３６ａ，３７ａに対応する部分にも、ＣＭＰストッパ膜４３ａ，４３ｂ，４３ｃと同様のＣＭＰストッパ膜を形成する。
【０１８５】
次に、ＣＭＰストッパ膜４３ａ，４３ｂ，４３ｃの上に、それぞれ、エッチングマスク２１ａ，２１ｂ，２１ｃを、１〜２μｍの厚みで形成する。図示しないが、このとき、他のＣＭＰストッパ膜の上にも、エッチングマスク２１ａ，２１ｂ，２１ｃと同様のエッチングマスクを形成する。ＣＭＰストッパ膜は、例えばスパッタ法によって形成される。エッチングマスクの材料および形成方法は、第２の実施の形態と同様である。
【０１８６】
次に、図４５に示したように、上記エッチングマスクを用い、ＲＩＥによって、磁性層２０をエッチングする。エッチング後にエッチングマスク２１ａ〜２１ｃの下に残った磁性層２０によって、第４の層１０ｄ、第５の層１０ｅおよび接続部層２２が形成される。同様に、図示しない他の５つのエッチングマスクの下に残った磁性層２０によって、それぞれ図示しない５つの接続部層が形成される。第４の層１０ｄは第２の層１０ｂの上に配置され、第５の層１０ｅは第３の層１０ｃの上に配置され、接続部層２２は接続部１３ａの上に配置される。他の５つの接続部層は、それぞれ、接続部１３ｂ，１８ａ，１８ｂ，３６ａ，３７ａの上に配置される。なお、ＲＩＥの代わりにイオンビームエッチングを用いて磁性層２０をエッチングしてもよい。第３の層１０ｃおよび第５の層１０ｅは、下部磁極層１０と上部磁極層とを磁気的に連結する連結部３１を構成する。
【０１８７】
次に、図４６に示したように、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁層２４を、１．５〜２．０μｍの厚みで形成する。次に、ＣＭＰによって、絶縁層２４を研磨する。この研磨は、エッチングマスクが除去され、且つ第４の層１０ｄ、第５の層１０ｅ、接続部層２２、他の５つの接続部層および絶縁層２４の上面が平坦化されるように行われる。このときのＣＭＰの停止位置は、ＣＭＰストッパ膜を用いて判断される。
【０１８８】
次に、図４７に示したように、積層体の上面全体を覆うように、アルミナ等の絶縁材料よりなる記録ギャップ層２５を０．０６〜０．０８μｍの厚みで形成する。
【０１８９】
次に、図４８に示したように、記録ギャップ層２５のうち、第５の層１０ｅ、接続部層２２および他の５つの接続部層に対応する部分を選択的にエッチングする。
【０１９０】
次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばスパッタ法によって、磁性材料よりなる磁性層２６を、０．５〜１．０μｍの厚みで形成する。磁性層２６の材料は、第２の実施の形態と同様である。
【０１９１】
次に、例えばフレームめっき法によって、磁性層２６の上に、上部磁極層２７の第２の層２７ｂと、接続層３３ｂと、図２３に示した接続層３４ｂ，３５ｂとを、例えば１〜２μｍの厚みで形成する。これらの層の材料および配置は、第２の実施の形態と同様である。
【０１９２】
次に、図４９に示したように、第２の層２７ｂ、接続層３３ｂ，３４ｂ，３５ｂをエッチングマスクとして、ＲＩＥによって、磁性層２６を選択的にエッチングする。これにより、エッチング後に残った磁性層２６によって、上部磁極層２７の第１の層２７ａと、接続層３３ａ，３４ａ，３５ａが形成される。第１の層２７ａは第２の層２７ｂの下に配置される。接続層３３ａ，３４ａ，３５ａは、それぞれ接続層３３ｂ，３４ｂ，３５ｂの下に配置される。
【０１９３】
第２の実施の形態と同様に、上部磁極層２７は、第１の層２７ａと第２の層２７ｂとを有している。また、上部磁極層２７は、トラック幅規定部２７Ａとヨーク部２７Ｂとを含んでいる。ＲＩＥによって第１の層２７ａを形成する際には、当初のトラック幅規定部２７Ａの幅が０．１〜０．２μｍ程度になるようにする。
【０１９４】
次に、図５０に示したように、上部磁極層２７のトラック幅規定部２７Ａの幅が例えば０．１μｍになるように、例えばイオンビームエッチングによってトラック幅規定部２７Ａの側壁部をエッチングする。このエッチング方法は、第２の実施の形態と同様である。
【０１９５】
次に、図示しないが、トラック幅規定部２７Ａの周辺部で開口するフォトレジストマスクを形成する。次に、図５１に示したように、上記フォトレジストマスクと上部磁極層２７とをマスクとし、例えばエッチングガスとしてＣｌ２とＢＣｌ３の混合ガスを用いたＲＩＥによって、トラック幅規定部２７Ａの周辺部における記録ギャップ層２５をエッチングする。
【０１９６】
次に、上記フォトレジストマスクと上部磁極層２７とをマスクとし、例えばイオンビームエッチングによって、トラック幅規定部２７Ａの周辺部における下部磁極層１０の第４の層１０ｄの一部をエッチングする。このエッチング方法は、第２の実施の形態と同様である。このようにして、図５１（ｂ）に示したようなトリム構造が形成される。
【０１９７】
次に、図５２に示したように、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなるオーバーコート層２９を、２０〜３０μｍの厚みで形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、上記各層を含むスライダの研磨加工を行ってエアベアリング面３０を形成して、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１９８】
本実施の形態において、ＲＩＥを用いた磁性層２０，２６のエッチング方法は、第２の実施の形態と同様である。
【０１９９】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は第２の実施の形態と同様である。
【０２００】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明は、誘導型電磁変換素子のみを有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型電磁変換素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【０２０１】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１ないし１５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドでは、第１の磁極層と第２の磁極層とを磁気的に連結する連結部は、媒体対向面側に向く端面を有し、この端面は媒体対向面側に突出する曲面を含んでいる。薄膜コイルの一部は、連結部の端面と媒体対向面との間に配置され、連結部の端面と媒体対向面とを最短で結ぶ仮想の線上の位置において薄膜コイル中で最小の幅を有し、且つ薄膜コイルの一部は、仮想の線から離れるに従って幅が大きくなる幅変化部分を含んでいる。これにより、本発明によれば、薄膜磁気ヘッドにおける磁路長を短くしながら、薄膜コイルの抵抗値を小さくすることが可能になる。従って、本発明によれば、磁路長が短いことによって高周波帯域における記録特性に優れ、且つ薄膜コイルの抵抗値の小さい薄膜磁気ヘッドを実現することができるという効果を奏する。
【０２０２】
また、請求項３記載の薄膜磁気ヘッドでは、連結部の媒体対向面に垂直な方向の長さは、連結部の幅よりも大きい。これにより、本発明によれば、薄膜コイルの抵抗値をより小さくすることができるという効果を奏する。
【０２０３】
また、請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドでは、第１の磁極層は、薄膜コイルに対向する位置に配置された第１の層と、媒体対向面の近傍において第１の層に接続された第２の層と、連結部の少なくとも一部を含み第１の層に接続された第３の層とを有している。また、薄膜コイルは、一部が第２の層と第３の層との間に配置された巻線を有する第１のコイルと、少なくとも一部が第１のコイルの巻線間に配置された巻線を有する第２のコイルとを含んでいる。本発明によれば、薄膜コイルを厚くしながら、薄膜コイルの巻線のピッチを小さくすることができる。従って、本発明によれば、磁路長をより短くすることができると共に薄膜コイルの抵抗値をより小さくすることができるという効果を奏する。
【０２０４】
請求項１６または１７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の磁極層と第２の磁極層とを磁気的に連結する連結部は、媒体対向面側に向く端面を有し、この端面が媒体対向面側に突出する曲面を含むように形成される。また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、薄膜コイルの一部は、連結部の端面と媒体対向面との間に配置され、連結部の端面と媒体対向面とを最短で結ぶ仮想の線上の位置において薄膜コイル中で最小の幅を有し、且つ薄膜コイルの一部は、仮想の線から離れるに従って幅が大きくなる幅変化部分を含んでいる。これにより、本発明によれば、薄膜磁気ヘッドにおける磁路長を短くしながら、薄膜コイルの抵抗値を小さくすることが可能になる。従って、本発明によれば、磁路長が短いことによって高周波帯域における記録特性に優れ、且つ薄膜コイルの抵抗値の小さい薄膜磁気ヘッドを実現することができるという効果を奏する。
【０２０５】
また、請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、第１の磁極層は、薄膜コイルに対向する位置に配置された第１の層と、媒体対向面の近傍において第１の層に接続された第２の層と、連結部の少なくとも一部を含み第１の層に接続された第３の層とを有している。また、薄膜コイルは、一部が第２の層と第３の層との間に配置された巻線を有する第１のコイルと、少なくとも一部が第１のコイルの巻線間に配置された巻線を有する第２のコイルとを含んでいる。本発明によれば、薄膜コイルを厚くしながら、薄膜コイルの巻線のピッチを小さくすることができる。従って、本発明によれば、磁路長をより短くすることができると共に薄膜コイルの抵抗値をより小さくすることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における連結部および薄膜コイルの形状および配置を示す平面図である。
【図２】図１における連結部からエアベアリング面までの部分を拡大して示す平面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態における薄膜コイルの形状の第１の例を示す平面図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態における薄膜コイルの形状の第２の例を示す平面図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態における薄膜コイルの形状の第３の例を示す平面図である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態における薄膜コイルの形状の第４の例を示す平面図である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態における連結部の上面の形状の第１の例を示す平面図である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態における連結部の上面の形状の第２の例を示す平面図である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態における連結部の上面の形状の第３の例を示す平面図である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態における連結部の上面の形状の第４の例を示す平面図である。
【図２０】本発明の第１の実施の形態における連結部の上面の形状の第５の例を示す平面図である。
【図２１】本発明の第１の実施の形態における連結部の上面の形状の第６の例を示す平面図である。
【図２２】本発明の第１の実施の形態における連結部の上面の形状の第７の例を示す平面図である。
【図２３】本発明の第２の実施の形態における連結部および薄膜コイルの形状および配置を示す平面図である。
【図２４】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２５】図２４に続く工程を説明するための断面図である。
【図２６】図２５に続く工程を説明するための断面図である。
【図２７】図２６に続く工程を説明するための断面図である。
【図２８】図２７に続く工程を説明するための断面図である。
【図２９】図２８に続く工程を説明するための断面図である。
【図３０】図２９に続く工程を説明するための断面図である。
【図３１】図３０に続く工程を説明するための断面図である。
【図３２】図３１に続く工程を説明するための断面図である。
【図３３】図３２に続く工程を説明するための断面図である。
【図３４】図３３に続く工程を説明するための断面図である。
【図３５】図３４に続く工程を説明するための断面図である。
【図３６】図３５に続く工程を説明するための断面図である。
【図３７】図３６に続く工程を説明するための断面図である。
【図３８】図３７に続く工程を説明するための断面図である。
【図３９】本発明の第２の実施の形態における薄膜磁気ヘッドの構成の一例を示す斜視図である。
【図４０】本発明の第２の実施の形態における薄膜磁気ヘッドの構成の他の例を示す斜視図である。
【図４１】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図４２】図４１に続く工程を説明するための断面図である。
【図４３】図４２に続く工程を説明するための断面図である。
【図４４】図４３に続く工程を説明するための断面図である。
【図４５】図４４に続く工程を説明するための断面図である。
【図４６】図４５に続く工程を説明するための断面図である。
【図４７】図４６に続く工程を説明するための断面図である。
【図４８】図４７に続く工程を説明するための断面図である。
【図４９】図４８に続く工程を説明するための断面図である。
【図５０】図４９に続く工程を説明するための断面図である。
【図５１】図５０に続く工程を説明するための断面図である。
【図５２】図５１に続く工程を説明するための断面図である。
【図５３】比較例の薄膜磁気ヘッドにおける連結部および薄膜コイルの形状および配置を示す平面図である。
【図５４】図５３における連結部からエアベアリング面までの部分を拡大して示す平面図である。
【符号の説明】
１０１…基板、１０２…絶縁層、１０３…下部シールド層、１０５…ＭＲ素子、１０８…下部磁極層、１０９…記録ギャップ層、１１２…上部磁極層、１１２ａ…磁極部分層、１１２ｂ…連結層、１１２ｃ…ヨーク部分層、１１４…薄膜コイル、１２０…オーバーコート層、１３０…エアベアリング面、１３１…連結部、１３２…端面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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