(57)【要約】【課題】　予備の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）駆動回路を設け、不良のＴＦＴ駆動回路を予備のものと切換え、歩留まりを改善すること。【解決手段】　複数のエレクトロルミネセンス素子ＥＬ１１、ＥＬ１２と、該エレクトロルミネセンス素子ＥＬ１１、ＥＬ１２を駆動する駆動回路Ｍ１１ｒ、Ｍ１２ｒ、Ｔｙ１１ｒ、Ｔｙ１２ｒ、Ｔｘ１ｒとを設け、該駆動回路Ｍ１１ｒ、Ｍ１２ｒ、Ｔｙ１１ｒ、Ｔｙ１２ｒ、Ｔｘ１ｒに予備となる冗長回路Ｍ１１ｌ、Ｍ１２ｌ、Ｔｙ１１ｌ、Ｔｙ１２ｌ、Ｔｘ１ｌを設ける。【選択図】　　　　図１
2004086223.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　同一基板上に、
　複数の画素を有する表示部と、
　前記複数の画素の画素毎に設けられ、有機ＥＬ膜を有するエレクトロルミネセンス素子と、
　前記エレクトロルミネセンス素子を駆動する第１の薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタと、
　前記第１の薄膜トランジスタに接続された複数の第３のトランジスタと、
　前記第２の薄膜トランジスタに接続された複数の第４のトランジスタと、
　を有し、
　前記第１の薄膜トランジスタのゲートは、前記複数の第３のトランジスタのいずれか一つに接続され、
　前記第２の薄膜トランジスタのゲートは、前記複数の第４のトランジスタのいずれか一つに接続されることを特徴とするエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項２】
　請求項１において、
　前記複数の第３のトランジスタからなり、前記第１の薄膜トランジスタを選択する第１の選択スイッチと、
　前記複数の第４のトランジスタからなり、前記第２の薄膜トランジスタを選択する第２の選択スイッチと、
　前記第１及び第２の選択スイッチの全てに接続された第１のシフトレジスタと第２のシフトレジスタと、
　不良の薄膜トランジスタの情報を有するメモリと、
　を有するエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３】
　同一基板上に、
　複数の画素を有する表示部と、
　前記複数の画素の各々に設けられた、有機ＥＬ膜を有するエレクトロルミネセンス素子と、
　前記エレクトロルミネセンス素子を駆動する第１のドライブＴＦＴと第２のドライブＴＦＴと、
　前記第１のドライブＴＦＴに接続する第１の電界効果トランジスタと第２の電界効果トランジスタと、
　前記第２のドライブＴＦＴに接続する第３の電界効果トランジスタと第４の電界効果トランジスタと、
　を有し、
　前記第１のドライブＴＦＴのゲートは、前記第１の電界効果トランジスタ又は前記第２の電界効果トランジスタに接続され、
　前記第２のドライブＴＦＴのゲートは、前記第３の電界効果トランジスタ又は前記第４の電界効果トランジスタに接続されることを特徴とするエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４】
　請求項３において、
　前記第１及び第２の電界効果トランジスタの直列回路からなる第１の選択スイッチと、
　前記第３及び第４の電界効果トランジスタの直列回路からなる第２の選択スイッチと、
　前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第３の電界効果トランジスタのゲートに接続されたＹ軸シフトレジスタと、
　前記第２の電界効果トランジスタ及び前記第４の電界効果トランジスタのゲートに接続されたＸ軸シフトレジスタと、
　不良のドライブＴＦＴの情報を有するメモリと、
　を有するエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項５】
　複数の画素を有する表示部と、
　前記複数の画素の画素毎に設けられたエレクトロルミネセンス素子と、
　前記エレクトロルミネセンス素子を駆動する第１の薄膜トランジスタ駆動回路及び第２の薄膜トランジスタ駆動回路と、
　前記第１の薄膜トランジスタ駆動回路を選択する第１の選択スイッチと、
　前記第２の薄膜トランジスタ駆動回路を選択する第２の選択スイッチと、
　前記第１及び第２の選択スイッチの全てに接続された第１のシフトレジスタと第２のシフトレジスタと、
　不良の薄膜トランジスタ駆動回路の情報を有するメモリと、
　を有し、
　前記第１の薄膜トランジスタ駆動回路は、前記第１のシフトレジスタからの選択信号及び前記第２のシフトレジスタからの第１の選択信号により、前記第１の選択スイッチがオンになると、前記第１の薄膜トランジスタ駆動回路に画像データ信号が入力されることにより駆動し、
　前記第２の薄膜トランジスタ駆動回路は、前記第１のシフトレジスタからの前記選択信号及び前記第２のシフトレジスタからの第２の選択信号により、前記第２の選択スイッチがオンになると、前記第２の薄膜トランジスタ駆動回路に画像データ信号が入力されることにより駆動し、
　前記メモリからの情報により、画像データ信号を前記不良の薄膜トランジスタ駆動回路が選択された時には画像データ信号が入力されず正常な薄膜トランジスタ駆動回路が選択された時に画像データ信号が入力される変調画像データ信号が、前記第１及び第２の薄膜トランジスタ駆動回路に出力され、
　前記変調画像データ信号が入力された薄膜トランジスタ駆動回路が前記エレクトロルミネセンス素子を駆動することを特徴とするエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項６】
　請求項５において、
　前記変調画像データ信号は、前記第２のシフトレジスタからの前記第１及び第２の選択信号に同期することを特徴とするエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項７】
　請求項５又は請求項６において、
　前記表示部、前記第１及び第２の薄膜トランジスタ駆動回路、前記第１及び第２の選択スイッチ、及び前記第１及び第２のシフトレジスタは、同一基板上に形成されることを特徴とするエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項８】
　複数の画素を有する表示部と、
　前記複数の画素の各々に設けられたエレクトロルミネセンス素子と、
　前記エレクトロルミネセンス素子を駆動する第１のドライブＴＦＴと第２のドライブＴＦＴと、
　前記第１のドライブＴＦＴのゲートに接続され、第１の電界効果トランジスタと第２の電界効果トランジスタの直列回路からなる第１の選択スイッチと、
　前記第２のドライブＴＦＴのゲートに接続され、第３の電界効果トランジスタと第４の電界効果トランジスタの直列回路からなる第２の選択スイッチと、
　前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第３の電界効果トランジスタのゲートに接続されたＹ軸シフトレジスタと、
　前記第２の電界効果トランジスタ及び前記第４の電界効果トランジスタのゲートに接続されたＸ軸シフトレジスタと、
　不良のドライブＴＦＴの情報を有するメモリと、
　を有するエレクトロルミネセンス表示装置の駆動方法において、
　前記Ｙ軸シフトレジスタからの選択信号及び前記Ｘ軸シフトレジスタからの第１の選択信号により、前記第１の選択スイッチの第１の電界効果トランジスタと第２の電界効果トランジスタがオンになると、前記第１のドライブＴＦＴのゲートに画像データ信号が入力されることにより駆動し、
　前記Ｙ軸シフトレジスタからの前記選択信号及び前記Ｘ軸シフトレジスタからの第２の選択信号により、前記第２の選択スイッチの第３の電界効果トランジスタと第４の電界効果トランジスタがオンになると、前記第２のドライブＴＦＴのゲートに前記画像データ信号が入力されることにより駆動し、
　前記メモリからの情報により、画像データ信号を前記不良のドライブＴＦＴが選択された時には画像データ信号が入力されず正常なドライブＴＦＴが選択された時に画像データ信号が入力される変調画像データ信号が、前記第１及び第２のドライブＴＦＴに出力され、
　前記変調画像データ信号により正常なドライブＴＦＴが前記エレクトロルミネセンス素子を駆動することを特徴とするエレクトロルミネセンス表示装置の駆動方法。
【請求項９】
　請求項８において、
　前記変調画像データ信号は、前記Ｘ軸のシフトレジスタからの前記第１及び第２の選択信号に同期することを特徴とするエレクトロルミネセンス表示装置の駆動方法。
【請求項１０】
　請求項８又は請求項９において、
　前記表示部、前記第１及び第２のドライブＴＦＴ、前記第１及び第２の選択スイッチ、及び前記Ｘ軸及びＹ軸のシフトレジスタは、同一基板上に形成されることを特徴とするエレクトロルミネセンス表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）を用いてエレクトロルミネセンス（以下、ＥＬという）素子を駆動するＥＬ表示装置及びその駆動方法に関する。
【０００２】
　ＥＬ表示装置の表示画面は、例えば８００×４８０（ドット）と、画素数が非常に多くなるためＥＬ素子を駆動するＴＦＴ駆動回路の不良が発生し、ＥＬ表示装置の歩留まりが悪くなる。このため、ＥＬ表示装置の歩留まりの向上が望まれてる。
【背景技術】
【０００３】
　図４〜図６は従来例を示した図である。以下、図面に基づいて従来例を説明する。
【０００４】
　図４（ａ）は、パネルブロック図であり、ディスプレイ（表示）パネル１０には、ディスプレイ画面１１、Ｘ軸のシフトレジスタ１２、Ｙ軸のシフトレジスタ１３が設けてある。
【０００５】
　ディスプレイ画面１１には、ＥＬ電源が供給されており、またＸ軸のシフトレジスタ１２には、シフトレジスタ電源の供給とＸ軸同期信号の入力が行われる。さらにＹ軸のシフトレジスタ１３には、シフトレジスタ電源の供給とＹ軸同期信号の入力が行われる。また、Ｘ軸のシフトレジスタ１２の出力部に画像データ信号の出力が設けてある。
【０００６】
　図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ部の拡大説明図であり、ディスプレイ画面１１の１画素（点線の四角で示す）は、トランジスタが２個、コンデンサが１個、ＥＬ素子が１個より構成されている。
【０００７】
　この１画素の発光動作は、例えば、Ｙ軸のシフトレジスタ１３で選択信号ｙ１の出力があり、またＸ軸のシフトレジスタ１２で選択信号ｘ１の出力があった場合、トランジスタＴｙ１１とトランジスタＴｘ１がオンとなる。
【０００８】
　このため、画像データ信号−ＶＬは、ドライブトランジスタＭ１１のゲートに入力される。これにより、このゲート電圧に応じた電流がＥＬ電源からドライブトランジスタＭ１１のドレイン、ソース間に流れ、ＥＬ素子ＥＬ１１が発光する。
【０００９】
　次のタイミングでは、Ｘ軸のシフトレジスタ１２は、選択信号ｘ１の出力をオフとし、選択信号ｘ２を出力することになるが、ドライブトランジスタＭ１１のゲート電圧は、コンデンサＣ１１で保持されるため、次にこの画素が選択されるまでＥＬ素子ＥＬ１１の前記発光は、持続することになる。
【００１０】
　図５は、従来例のＸ軸シフトレジスタの説明図である。図５において、ナンド回路２１と２２は波形整形回路であり、逆位相のクロック−ＣＬと低レベル（「Ｌ」）のスタートパルス（Ｘ軸同期信号）−ＳＰが入力される。また、クロックドインバータ２６〜３２とインバータ３３〜３７はシフトレジスタである。さらに、インバータ３８〜４３とナンド回路２３〜２５は、選択信号ｘ１〜ｘ３を出力する論理回路である。
【００１１】
　クロックＣＬと逆位相クロック−ＣＬは、一方が高レベル（「Ｈ」）の時他方が低レベル（「Ｌ」）になる。
【００１２】
　クロックドインバータは、クロックＣＬ入力が「Ｌ」で逆位相クロック−ＣＬ入力が「Ｈ」のときアクティブ状態となり、インバータとして動作し、また逆に、クロックＣＬ入力が「Ｈ」で逆位相クロック−ＣＬ入力が「Ｌ」のときハイインピーダンス状態となるものである。
【００１３】
　例えば、クロックドインバータ２６とクロックドインバータ２９とは、クロックＣＬ入力と逆位相クロック入力−ＣＬとが逆に接続されている。このため、クロックドインバータ２６がアクティブ状態の時、クロックドインバータ２９はハイインピーダンス状態となる。
【００１４】
　図６は、従来例の波形説明図であり、以下、図５のＸ軸のシフトレジスタの動作を図６の波形に基づいて説明する。
【００１５】
　（１）波形整形回路の出力であるＡ点の電位は、スタートパルス−ＳＰ（「Ｌ　」）がない時「Ｈ」である。この時、「Ｌ」のスタートパルス−ＳＰが入力されると、Ａ点は「Ｌ」となる（図６、Ａ参照）。
【００１６】
　（２）Ｂ点は、Ａ点が「Ｌ」になる時、クロックドインバータ２６はアクティブ状態となるので、「Ｈ」となり、次にクロックドインバータ２６がハイインピーダンス状態となる時、クロックドインバータ２９がアクティブ状態となるので、前記Ｂ点の「Ｈ」がクロックドインバータ２９のアクティブ期間だけ保持される（図６、Ｂ参照）。
【００１７】
　（３）Ｃ点は、インバータ３３によりＢ点と逆位相の波形となる（図６、Ｃ参照）。
【００１８】
　（４）Ｄ点は、クロックドインバータ２９と同時にアクティブ状態となるクロックドインバータ２７と、インバータ３４とクロックドインバータ３０による保持回路によりＢ点より半クロックサイクル遅れた波形となる。
【００１９】
　（５）Ｅ点は、インバータ３４によりＤ点と逆位相の波形となり、Ｃ点の波形より半クロックサイクル遅れた波形となる（図６、Ｅ参照）。
【００２０】
　（６）Ｆ点は、クロックドインバータ３０と同時にアクティブ状態となるクロックドインバータ２８と、インバータ３５とクロックドインバータ３１による保持回路によりＤ点より半クロックサイクル遅れた波形となる。
【００２１】
　（７）Ｇ点は、インバータ３５によりＦ点と逆位相の波形となり、Ｅ点の波形より半クロックサイクル遅れた波形となる（図６、Ｇ参照）。
【００２２】
　（８）Ｈ点は、インバータ３８によりＣ点の反転信号となる（図６、Ｈ参照）。Ｉ点は、インバータ３９によりＥ点の反転信号となる（図６、Ｉ参照）。また、Ｊ点は、インバータ４０によりＧ点の反転信号となる（図６、Ｊ参照）。
【００２３】
　（９）Ｋ点は、ナンド回路２３の出力であり、ナンド回路２３の２つの入力にはＨ点とＥ点の信号が入力される。Ｌ点は、ナンド回路２４の出力であり、ナンド回路２４の２つの入力にはＩ点とＧ点の信号が入力される。また、Ｍ点は、ナンド回路２５の出力であり、ナンド回路２５の２つの入力にはＪ点とインバータ（図示せず）からの信号が入力される。
【００２４】
　（１０）選択信号ｘ１は、インバータ４１によりＫ点の反転信号となり（図６、ｘ１参照）、この選択信号ｘ１は、Ｎチャネルの電界効果トランジスタＴｘ１のゲートに入力される。このため、選択信号ｘ１が「Ｈ」となるとトランジスタＴｘ１がオンとなり、そのドレイン、ソース間が導通する。
【００２５】
　（１１）選択信号ｘ２は、インバータ４２によりＬ点の反転信号となり（図６、ｘ２参照）、この選択信号ｘ２は、Ｎチャネルの電界効果トランジスタＴｘ２のゲートに入力される。このため、選択信号ｘ２が「Ｈ」となるとトランジスタＴｘ２がオンとなる。
【００２６】
　（１２）選択信号ｘ３は、インバータ４３によりＭ点の反転信号となり（図６、ｘ３参照）、この選択信号ｘ３は、Ｎチャネルの電界効果トランジスタＴｘ３のゲートに入力される。このため、選択信号ｘ３が「Ｈ」となるとトランジスタＴｘ３がオンとなる。
【００２７】
　このようにして、選択信号ｘ１、ｘ２、ｘ３、・・・と順に、半クロックサイクルシフトとした信号が得られる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
　上記従来のものにおいては、ＥＬ表示画面の画素数が多くなると、それに応じて不良のＴＦＴが発生する確率が増加し、歩留まりが悪くなる課題があった。
【００２９】
　本発明は、このような従来の課題を解決するため、予備のＴＦＴ駆動回路を設け、不良のＴＦＴ駆動回路を予備のものと切換えることにより歩留まりを改善することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
　本発明は、上記の課題を解決するため次のように構成した。
【００３１】
　図１は本発明の実施の形態の説明図であり、図１（ａ）はパネルブロック図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ部の拡大図を示す。
【００３２】
　図１（ａ）において、ＥＬ表示パネル１０には、ディスプレイ画面１１、Ｘ軸のシフトレジスタ１２、Ｙ軸のシフトレジスタ１３が設けてある。ディスプレイ画面１１にはＥＬ電源が供給されており、Ｘ軸のシフトレジスタ１２にはシフトレジスタ電源の供給とＸ軸同期信号の入力が行われる。また、Ｙ軸のシフトレジスタ１３にはシフトレジスタ電源の供給とＹ軸同期信号の入力が行われる。さらに、Ｘ軸のシフトレジスタ１２の出力部には変調画像データ信号の出力が設けられる。
【００３３】
　図１（ｂ）において、ディスプレイ画面１１の１画素（点線の四角で示す）には、ＥＬ素子ＥＬ１１、ＥＬ１２を駆動するそれぞれ２個のドライブＴＦＴＭ１１ｒとＭ１１ｌ及びドライブＴＦＴＭ１２ｒとＭ１２ｌが設けてある。
【００３４】
　ドライブＴＦＴＭ１１ｒは、選択信号ｙ１と選択信号ｘ１ｒにより選択スイッチであるトランジスタＴｙ１１ｒとトランジスタＴｘ１ｒがオンとなった時の変調画像データ信号−ＶＬ１により駆動される。ドライブＴＦＴＭ１１ｌは、選択信号ｙ１と選択信号Ｘ１ｌにより選択スイッチであるトランジスタＴｙ１１ｌとトランジスタＴｘ１ｌがオンとなった時の変調画像データ信号−ＶＬ１により駆動される。
【００３５】
　また、ドライブＴＦＴＭ１２ｒは、選択信号ｙ２と選択信号ｘ１ｒにより選択スイッチであるトランジスタＴｙ１２ｒとトランジスタＴｘ１ｒがオンとなった時の変調画像データ信号−ＶＬ１により駆動される。ドライブＴＦＴＭ１２ｌは、選択信号ｙ２と選択信号Ｘ１ｌにより選択スイッチであるトランジスタＴｙ１２ｌとトランジスタＴｘ１ｌがオンとなった時の変調画像データ信号−ＶＬ１により駆動される。
【００３６】
　コンデンサＣ１１r 、Ｃ１１ｌ、Ｃ１２r 、Ｃ１２ｌは、各ドライブＴＦＴの駆動電圧を保持するものである。
【００３７】
　上記構成に基づく本発明の作用を説明する。
【００３８】
　１つのＥＬ素子を駆動する２組の駆動回路を設け、通常は、どちらか一方を使用し、一方が不良の場合、他方の駆動回路を使用する。
【００３９】
　図１（ｂ）において、例えばＥＬ素子ＥＬ１１を駆動するドライブＴＦＴ１１ｒが不良の場合の説明をする。選択信号ｙ１と選択信号ｘ１ｒでトランジスタＴｙ１１ｒとトランジスタＴｘ１ｒがオンとなった時、ドライブＴＦＴＭ１１ｒのゲートには画像データ信号がオフレベル（この場合は「Ｈ」）の変調画像データ信号−ＶＬ１を与える。
【００４０】
　次に、選択信号ｙ１とｘ１ｌでトランジスタＴｙ１１ｌとトランジスタＴｘ１ｌがオンとなった時に、ドライブＴＦＴＭ１１ｌのゲートに画像データ信号である変調画像データ信号−ＶＬ１を与える。そして、この変調画像データ信号−ＶＬ１は、コンデンサＣ１１ｌにより保持する。
【００４１】
　このように、従来例のＸ軸選択信号を前半と後半に分けた２倍のＸ軸選択信号ｘ１ｒ、ｘ１ｌを用い、通常は、１画素あたり前半の選択信号でＥＬ素子を駆動する変調画像データ信号−ＶＬ１を発生するものとする。もし、不良のドライブＴＦＴＭ１１ｒが選択された時には、画像データ信号を与えないでドライブＴＦＴＭ１１ｌが選択された時に与えるようにする。これにより、ＥＬ素子ＥＬ１１は、正常であるドライブＴＦＴＭ１１ｌにより駆動されることになる。
【００４２】
　以上のように、１画素に対し、ＴＦＴ駆動回路の予備となる冗長回路を設け、ＴＦＴ駆動回路に不良が発生した場合、予備に切換えることができるため、歩留まりの向上を図ることができる。
【発明の効果】
【００４３】
　本発明によれば次のような効果がある。
【００４４】
　（１）予備となる冗長回路を設けたため、歩留まりを改善することができる。
【００４５】
　（２）１画素中の複数のドライブＴＦＴのいずれか１つに画像データ信号を与えて、駆動回路を選択するため、予備の駆動回路への切換えを容易に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
　以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００４７】
　図１〜図３は、本発明の実施の形態を示した図であり、図４〜図６と同じものは、同じ符号で示してある。
【００４８】
　図１は本発明の実施の形態の説明図であり、図１（ａ）はパネルブロック図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ部の拡大図を示す。
【００４９】
　図１（ａ）において、ＥＬ表示パネル１０には、ディスプレイ画面１１、Ｘ軸のシフトレジスタ１２、Ｙ軸のシフトレジスタ１３が設けてある。ディスプレイ画面１１にはＥＬ電源が供給されており、Ｘ軸のシフトレジスタ１２にはシフトレジスタ電源の供給とＸ軸同期信号の入力が行われる。また、Ｙ軸のシフトレジスタ１３にはシフトレジスタ電源の供給とＹ軸同期信号の入力が行われる。さらに、Ｘ軸のシフトレジスタ１２の出力部には画像データ信号の出力が設けられる。
【００５０】
　図１（ｂ）において、ディスプレイ画面１１の１画素（点線の四角で示す）には、有機ＥＬ膜で形成されたＥＬ素子ＥＬ１１、ＥＬ１２を駆動するそれぞれ２個のドライブＴＦＴＭ１１ｒとＭ１１ｌ及びドライブＴＦＴＭ１２ｒとＭ１２ｌが設けてある。
【００５１】
　ドライブＴＦＴＭ１１ｒは、選択信号ｙ１と選択信号ｘ１ｒにより選択スイッチであるトランジスタＴｙ１１ｒとトランジスタＴｘ１ｒがオンとなった時の変調画像データ信号−ＶＬ１により駆動される。ドライブＴＦＴＭ１１ｌは、選択信号ｙ１と選択信号ｘ１ｌにより選択スイッチであるトランジスタＴｙ１１ｌとトランジスタＴｘ１ｌがオンとなった時の変調画像データ信号−ＶＬ１により駆動される。
【００５２】
　また、ドライブＴＦＴＭ１２ｒは、選択信号ｙ２と選択信号ｘ１ｒにより選択スイッチであるトランジスタＴｙ１２ｒとトランジスタＴｘ１ｒがオンとなった時の変調画像データ信号−ＶＬ１により駆動される。ドライブＴＦＴＭ１２ｌは、選択信号ｙ２と選択信号ｘ１ｌにより選択スイッチであるトランジスタＴｙ１２ｌとトランジスタＴｘ１ｌがオンとなった時の変調画像データ信号−ＶＬ１により駆動される。
【００５３】
　コンデンサＣ１１r 、Ｃ１１ｌ、Ｃ１２r 、Ｃ１２ｌは、各ドライブＴＦＴの駆動電圧を保持するものである。
【００５４】
　Ｙ軸のシフトレジスタ１３から出力される選択信号ｙ１、ｙ２は、図４（ｂ）の従来例のものと同じであるが、Ｘ軸のシフトレジスタ１３から出力される選択信号ｘ１ｒ、ｘ１ｌは、前記従来例の２倍のパルスとなる。そして、画像データ信号は選択信号ｘ１ｒ、又はｘ１ｌに同期した変調画像データ信号−ＶＬ１を与えることになる。
【００５５】
　図２は、１画素の駆動回路と変調画像データ信号の説明図である。図２（ａ）は、図１（ｂ）の１画素のＥＬ素子駆動回路の説明である。
【００５６】
　図２（ａ）において、ＥＬ電源１に接続された２個のＰチャネルのドライブＴＦＴＭｎｍｒ、Ｍｎｍｌと、このドライブＴＦＴＭｎｍｒ又はＭｎｍｌにより駆動されるＥＬ素子ＥＬｎｍが設けてある。
【００５７】
　また、このドライブＴＦＴＭｎｍｒのゲートには、選択スイッチであるＮチャネルの電界効果トランジスタＴｙｎｍｒとＮチャネルの電界効果トランジスタＴｘｎｒの直列回路が接続され、ドライブＴＦＴＭｎｍｌのゲートには、選択スイッチであるＮチャネルの電界効果トランジスタＴｙｎｍｌとＮチャネルの電界効果トランジスタＴｘｎｌの直列回路が接続されている。
【００５８】
　図２（ａ）のＥＬ素子駆動回路の動作は、今、Ｙ軸のシフトレジスタ１３の選択信号ｙｍが「Ｈ」の時、まずＸ軸のシフトレジスタ１２の選択信号ｘｎｒが「Ｈ」になると、選択スイッチであるトランジスタＴｙｎｍｒとトランジスタＴｘｎｒがオンとなる。このため、この時の変調画像データ信号−ＶＬ１がドライブＴＦＴＭｎｍｒのゲートに与えられ、このゲート電圧に応じた電流が、ＥＬ電源１からＥＬ素子ＥＬｎｍに供給される。そしてこのゲート電圧は、選択スイッチがオフとなる時、コンデンサＣｎｍｒに保持される。これにより、ＥＬ素子は、電流に応じた発光をするものである。
【００５９】
　次に、選択信号ｙｍが「Ｈ」の時、選択信号ｘｎｌが「Ｈ」となると、選択スイッチであるトランジスタＴｙｎｍｌとトランジスタＴｘｎｌがオンとなる。このため、この時の変調画像データ信号−ＶＬ１がドライブＴＦＴＭｎｍｌのゲートに与えられるが、前記選択信号ｘｎｒで画像データ信号をコンデンサＣｎｍｒが保持中であるので、この時は画像データ信号はオフレベル（この場合は「Ｈ」）の変調画像データ信号−ＶＬを与えることになる。
【００６０】
　図２（ｂ）は変調画像データ信号の発生回路ブロック図である。図２（ｂ）において、フェイズセレクタ回路２は、従来のシフトパルスｘ１〜ｘ３に同期した画像データ信号−ＶＬの出力タイミング（１画素を選択するタイミング）を前半と後半に分け、ＲＯＭ３からの不良ＴＦＴの情報がない場合、例えば前半のみに画像データを出力し（後半をマスクする）、ＲＯＭ３から不良ＴＦＴの情報がある場合、後半のみに画像データを出力する（前半をマスクする）ようにした変調画像データ信号−ＶＬを出力するものである。
【００６１】
　ＲＯＭ３は、製品検査で、どのＴＦＴが不良であるかを記憶するリードオンリメモリであり、不良ＴＦＴの画素が選択されるタイミングで不良出力を行うものである。
【００６２】
　図３は、本実施の形態におけるタイミングチャートである。図３（ａ）は比較のため従来例のタイミングチャートを示し、図３（ｂ）は本発明の実施の形態におけるタイミングチャートを示す。
【００６３】
　図３（ａ）において、Ｘ軸の選択信号ｘｎ、ｘｎ＋１、ｘｎ＋２、ｘｎ＋３、ｘｎ＋４、ｘｎ＋５、・・・のシフトパルスに応じて画像データ信号−ＶＬが変化する。
【００６４】
　図３（ｂ）において、Ｘ軸の選択信号は、１画素当たり前半と後半の２個の選択信号ｘｎｒとｘｎｌ、ｘｎ＋１ｒとｘｎ＋１ｌ、ｘｎ＋２ｒとｘｎ＋２ｌ、・・・のシフトパルスが出力される。
【００６５】
　図３（ｂ）のように、例えば選択信号ｘｎ＋２ｒの選択時間に不良ＴＦＴがある時の説明をする。
【００６６】
　不良ＴＦＴがない画素の場合、前半の選択信号ｘｎｒとｘｎ＋１ｒが出力された時に、画像データ信号を出力し、不良ＴＦＴがある画素の場合、後半の選択信号ｘｎ＋２ｌが出力された時に画像データ信号が出力するように、変調画像データ信号−ＶＬ１をフェイズセレクタ回路３で出力する。
【００６７】
　なお、上記実施の形態では、１画素中にドライブＴＦＴの駆動回路を２個設けるようにしたが３個以上設けることもできる。さらに、ドライブＴＦＴ又は選択スイッチであるトランジスタは、異なるチャネルのものを使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の実施の形態の説明図である。
【図２】実施の形態における１画素の駆動回路と変調画像データ信号の説明図である。
【図３】本実施の形態におけるタイミングチャートである。
【図４】従来例の説明図である。
【図５】従来例のＸ軸シフトレジスタの説明図である。
【図６】従来例の波形説明図である。
【符号の説明】
【００６９】
　１０　ディスプレイパネル
　１１　ディスプレイ画面
　１２　Ｘ軸のシフトレジスタ
　１３　Ｙ軸のシフトレジスタ
　Ｃ１１ｒ、Ｃ１１ｌ、Ｃ１２ｒ、Ｃ１２ｌ　コンデンサ
　ＥＬ１１、ＥＬ１２　ＥＬ素子
　Ｍ１１ｒ、Ｍ１１ｌ、Ｍ１２ｒ、Ｍ１２ｌ　ドライブＴＦＴ
　Ｔｙ１１ｒ、Ｔｙ１１ｌ、Ｔｙ１２ｒ、Ｔｙ１２ｌ、Ｔｘ１ｒ、Ｔｘ１ｌ　トランジスタ（選択スイッチ）
　ｘ１ｒ、ｘ１ｌ　選択信号（Ｘ軸）
　ｙ１、ｙ２　選択信号（Ｙ軸）
　−ＶＬ１　変調画像データ信号
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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