(57)【要約】      （修正有）【課題】高スループットの電子線を用いた試料評価方法及び電子線装置を提供する。【解決手段】電子銃１１から放出された電子線を成形した長方形の電子ビームを試料Ｓに照射させ、試料からの二次電子又は反射電子或いは透過電子を検出する。長方形の電子ビームを、長方形の一辺に実質的に平行な一軸方向に、長方形ビームの一軸方向の一辺の長さより長い距離だけ電気的に走査し、一軸方向と実質的に直角な他軸方向に試料を連続的に移動させて試料の任意領域を電子ビームで照射し、更に、一軸方向に試料をステップ移動させて電子ビーム未照射の他の領域を電子ビームで照射し、試料からの二次電子又は反射電子或いは透過電子を写像光学系で拡大し、ＴＤＩ検出器５０で検出する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子銃から放出された電子線を成形した長方形の電子ビームを試料に照射させ、試料からの二次電子又は反射電子或いは透過電子を検出して前記試料を評価する試料評価方法において、
前記試料の被評価面を直交２軸方向に配列された複数のストライプに分け、
前記長方形の電子ビームを、任意のストライプ内で前記長方形の一辺に実質的に平行な一軸方向に、前記長方形ビームの一軸方向の一辺の長さより長い距離だけ電気的に走査し、前記一軸方向と実質的に直角な他軸方向に試料を連続的に移動させて前記任意のストライプ内の領域を電子ビームで照射し、
前記任意のストライプ内の領域の電子ビームの照射が完了した後、前記一軸方向に試料をステップ移動させて電子ビーム未照射の任意のストライプ内の電子ビームの照射を行い、
試料からの二次電子又は反射電子或いは透過電子を写像光学系で拡大し、ＴＤＩ検出器で検出する、
ことを特徴とする試料評価方法。
【請求項２】
請求項１に記載の試料評価方法において、前記長方形ビームの走査に同期して、前記写像光学系の光学パラメータを補正することを特徴とする試料評価方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の試料評価方法において、前記長方形ビームは１０×５〜５００×２００ピクセルの範囲であることを特徴とする試料評価方法。
【請求項４】
電子銃から放出された電子線を成形した長方形の電子ビームを試料に照射させ、試料からの二次電子又は反射電子或いは透過電子を検出する電子線装置において、
前記長方形の電子ビームを、前記長方形の一辺に実質的に平行な一軸方向に、前記長方形ビームの一軸方向の一辺の長さより長い距離だけ電気的に走査し、前記一軸方向と実質的に直角な他軸方向に試料を連続的に移動させて試料の任意領域を電子ビームで照射し、更に、前記一軸方向に試料をステップ移動させて電子ビーム未照射の他の領域を電子ビームで照射し、試料からの二次電子又は反射電子或いは透過電子を写像光学系で拡大し、ＴＤＩ検出器で検出することを特徴とする電子線装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電子線装置において、前記長方形ビームの走査に同期して、前記写像光学系の光学パラメータを補正することを特徴とする電子線装置。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の電子線装置において、前記長方形ビームは１０×５〜５００×２００ピクセルの範囲であることを特徴とする電子線装置。
【請求項７】
請求項５に記載の電子線装置において、前記光学パラメータは前記写像光学系のレンズ強度、非点補正或いは偏向量であることを特徴とする電子線装置。
【請求項８】
請求項４ないし７のいずれかに記載の電子線装置において、前記ＴＤＩ検出器は電気的走査方向の画素信号を遅延積算することを特徴とする電子線装置。
【請求項９】
請求項４ないし８のいずれかに記載の電子線装置において、前記長方形ビームは長方形開口、円形開口及び軸対称レンズで形成することを特徴とする電子線装置。
【請求項１０】
請求項４ないし９のいずれかに記載の電子線装置において、更に、試料に負の電圧を印加し、試料へのランディングエネルギーは５ｋｅｖ未満であることを特徴とする電子線装置。
【請求項１１】
請求項４ないし１０のいずれかに記載の電子線装置において、ビームの開口角を制限する開口は対物レンズの主面近傍或いは主面近傍と共役面にあることを特徴とする電子線装置。
【請求項１２】
請求項４ないし１１のいずれかに記載の電子線装置を使用して半導体デバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、最小線幅が０．１μｍ程度のパターンを有する試料の評価を、高い精度でかつ高いスループットで行う試料評価方法、そのような方法を実施する電子線装置及びその電子線装置を使用した半導体デバイスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】
微小な欠陥を検出する等のパターン評価を行う場合に、現在ではＳＥＭ画像を取る方式が使用されている。このような方式のパターン評価方法において、スループットを向上させるため、線状のビームで走査する方式として、下記の特許文献１に示された方式及び下記の非特許文献１に示された方式等が提案されている。また、面状のビームを用いる方式として下記の特許文献２に記載された方式も提案されている。
上記特許文献２に示される方式では長方形のビームで試料を照射し、ビームの長手方向に試料台を移動させながら試料の評価を行う方法が取られていた。これらの三つの方式はいずれも写像投影光学系で二次電子像を拡大している特長がある。
【０００３】
【特許文献１】特開平７−２４９３９３号公報
【特許文献２】特開平１１−１３２９７５号公報
【非特許文献１】Ｌｉｓｃｈｋｅ  ｅｔａｌ，ＪＪＰＡ
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の方式のうち前記特許文献１及び非特許文献１に記載の方式では、試料に照射されるビームが線状ビームであるので（前記特許文献１には矩形ビームを照射する旨が記載されているがその矩形ビームの形状は幅が１ピクセルで長さが数ピクセルの形状であるので実質的に線状と解せる。）、例えば１００ピクセルの長さを有するビームを用いた場合、データ処理的には単ピクセルのビームを用いた場合に比べて１００倍のスループットが期待できる。しかし現実にはスループットはＳ／Ｎ比で制限され、一つの画素に入射する二次電子の数が４０００個程度得られないと必要なＳ／Ｎ比が得られない。
一方、写像光学系では二次電子透過率がＳＥＭに比べて小さい。また、細長いビームを作る必要があるのでエミッタンスの大きい電子銃を使うので輝度が小さくピクセル当たりのビーム電流が小さい。以上の事から、ピクセル当たりの二次電子数が小さく、高いスループットで評価を行えない問題がある。
【０００５】
また前記特許文献２の方式では、１回の試料台の連続移動で電子ビーム長の幅しか検査できないので、電子ビーム長、したがって視野の広い写像光学系を必要とする。例えば、２００μｍ×５０μｍの大きさのビームを得ようとすると、２００μｍの長手方向で像面湾曲や、視野非点収差が無視できない値になり、収差を必要な値以下に制限するにはＮＡ開口を小さくする必要があり、二次電子の透過率が小さくなる問題がある。更に、ビーム面積が２００μｍ×５０μｍと大きいため、ピクセル当たりのビーム電流を大きくしようとすると全ビーム電流が大きくなり、Ｅ×Ｂ分離器と試料間では一次ビームと二次ビームが通路を共有しているため、一次ビームのビーム電流が大きいと、空間電荷効果によるビームボケが二次電子光学系に発生する問題がある。
【０００６】
本発明は、上記のような従来の問題に鑑みなされたもので、その目的は、写像投影光学系の収差を小さくして容易に１ピクセル当たりの大電流を流せて二次電子の透過率を大きくできる電子線装置を提供することである。
本発明の他の目的は、幅及び長さ方向が数ピクセルの矩形の電子ビームを一方向に電気的に走査すると同時にその方向と略直角の方向に試料を連続移動させるることにより高いスループットで試料の評価をできる評価方法及びそのような評価方法を行える電子線装置を提供することである。
本発明の他の目的は、前記電子線装置を使用してデバイスを製造する方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、電子銃から放出された電子線を成形した長方形の電子ビームを試料に照射させ、試料からの二次電子又は反射電子或いは透過電子を検出して前記試料を評価する試料評価方法において、前記試料の被評価面を直交２軸方向に配列された複数のストライプに分け、前記長方形の電子ビームを、任意のストライプ内で前記長方形の一辺に実質的に平行な一軸方向に、前記長方形ビームの一軸方向の一辺の長さより長い距離だけ電気的に走査し、前記一軸方向と実質的に直角な他軸方向に試料を連続的に移動させて前記任意のストライプ内の領域を電子ビームで照射し、前記任意のストライプ内の領域の電子ビームの照射が完了した後、前記一軸方向に試料をステップ移動させて電子ビーム未照射のストライプ内の電子ビームの照射を行い、試料からの二次電子又は反射電子或いは透過電子を写像光学系で拡大してＴＤＩ検出器で検出する、ことに特徴を有する。
上記試料評価方法において、長方形ビームの走査に同期して、前記写像光学系の光学パラメータを補正しても良く、また、長方形ビームを１０×５〜５００×２００ピクセルの範囲としても良い。
【０００８】
本発明は、また、電子銃から放出された電子線を成形した長方形の電子ビームを試料に照射させ、試料からの二次電子又は反射電子或いは透過電子を検出する電子線装置において、前記長方形の電子ビームを、前記長方形の一辺に実質的に平行な一軸方向に、前記長方形ビームの一軸方向の一辺の長さより長い距離だけ電気的に走査し、前記一軸方向と実質的に直角な他軸方向に試料を連続的に移動させて試料の任意領域を電子ビームで照射し、更に、前記一軸方向に試料をステップ移動させて電子ビーム未照射の他の領域を電子ビームで照射し、試料からの二次電子又は反射電子或いは透過電子を写像光学系で拡大し、ＴＤＩ検出器で検出することに特徴を有する。
【０００９】
上記電子線装置において、前記長方形ビームの走査に同期して、前記写像光学系の光学パラメータを補正するようにしてもよく、また、前記長方形ビームは１０×５〜５００×２００ピクセルの範囲であってもよい。
更に、上記電子線装置において、前記光学パラメータは前記写像光学系のレンズ強度、非点補正或いは偏向量であってもよく、また、ＴＤＩ検出器は電気的走査方向の画素信号を遅延積算するようにしてもよい。
更にまた、長方形ビームは長方形開口、円形開口及び軸対称レンズで形成してもよく、試料に負の電圧を印加し、試料へのランディングエネルギーを５ｋｖ未満としてもよい。更に、ビームの開口角を制限する開口は対物レンズの主面近傍或いは主面近傍と共役面にあってもよい。
本発明は、更に、上記電子線装置を使用して半導体デバイスを製造することに特徴を有する。
本発明によれば、電子銃のカソードは軸対称のＬａＢ６でよいので、従来のＳＥＭと同じ形状のものを使用できて、信頼性も高くなり、一次光学系は軸対称のレンズ系で構成できるので、光路長が短く安価に製造でき、照射ビームを小寸法とし、走査によって１００〜２００μｍをカバーするので、１回の機械的走査で照射ビーム寸法よりはるかに広い領域の評価がで、照射ビームの電気的走査に同期してダイナミックに収差補正ができるので、二次光学系のＮＡを大きくして二次電子の透過率を大きくしても必要な解像度を得られ、収差の大きい光軸から遠い位置を照射しているときは一次電子線と二次電子線は離れた所を通るので、一次電子の空間電荷効果によって二次電子の像がボケることがなく、したがって、一次電子を大電流化でき、ＴＤＩの積算遅延時間が短時間であるので、Ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ−Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ雑音が小さくなり、更に、試料に負電圧を与えてランディングエネルギを１ｋｅＶ以下にするので、二次電子が対物レンズで収束され、収差が小さくなる。
【００１０】
【実施例】
以下図面を参照して本発明の実施例について説明する。
図１において、本発明による電子線装置の一実施形態の概略構成が示されている。この実施形態の電子線装置１は、一次電子線すなわち電子ビームを試料に照射する一次電子光学系（以下単に一次光学系）１０と、試料からの二次電子、反射電子又は透過電子（以下代表して二次電子で説明する）をとらえる二次電子光学系（以下単に二次光学系）３０と、検出器５０とを備える。一次光学系１０は、その光軸ＯＡ１が試料Ｓの表面の法線に対して所望の角度θとなるように傾斜されている。一次光学系は、電子線すなわち電子ビーム（一次電子ビーム）を放出する電子銃１１と、電子銃１１のクロスオーバをＮＡ開口部材１７により画定されるＮＡ開口１７′の位置に結像させるコンデンサレンズ１５と、電子ビームを所望の寸法、例えば、直交２軸の一軸方向（この実施例でＸ軸方向）に複数ピクセル分の長さで、他軸方向（この実施例でＹ軸方向）に一軸方向より多い数のピクセル分の長さの長方形すなわち矩形（すなわち、この実施例ではＹ軸方向に長い長方形）に成形する開口１６′を画成する開口部材１６と、長方形ビームのボケを少なくするＮＡ開口１７′を画成するＮＡ開口部材１７と、長方形の開口の像を中間像面２０に投影する照射レンズ１８と、長方形に成形された電子ビームを試料Ｓ上で走査する２段の偏向器２１、２２と、を備えている。電子銃１１はカソード１２、ウェーネルト１３及びアノード１４を備え、軸対称カソードから電子線を放出するようになっている。本発明においては、長方形ビームの寸法を大きくても１００×５０ピクセルすなわち０．１μｍ角のピクセルとした場合、１０μｍ×５μｍの長方形でよいので、高輝度で低エミッタンスの電子銃を使用できる。実施例としては、カソードの先端部の曲率半径が２０μｍのＬａＢ６製のカソードを用いている。
【００１１】
一次光学系１０は、更に、二次光学系３０との共用の構成要素として、一次電子ビームを試料Ｓの方向に偏向するＥ×Ｂ分離器２４、２５と、対物レンズ２６とを備えている。対物レンズ２６は中間像２０の像を試料Ｓの表面（被検査面）上に結像させるようになっている。偏向器２１、２２はほぼ等しい偏向感度を有しており、長方形の電子ビームは、分離器２４、２５により、Ｔ１、Ｔ２で示したように試料Ｓの表面に対する放線と実質的に平行な光軸ＯＡ２にほぼ平行な軌道を取るように偏向され、対物レンズ２６により曲げられて、光軸から遠い側から光軸に向かう方向に傾斜して試料Ｓの表面に入射する。
なお、透過電子を検出する場合は一次電子ビームは下側から照射される。
【００１２】
二次光学系３０は、試料から放出された二次電子を加速収束してＥ×Ｂ分離器２４、２５の偏向中心に像を結像させる前記対物レンズ２６と、その像を拡大する２段のレンズ３１、３２と、二次電子像の分解能を制御するＮＡ開口３３′を画成するＮＡ開口部材３３と、一次電子ビームを試料上で走査したときに常に二次電子、反射電子或いは透過電子が検出器５０に入射するように制御する偏向器３４とを備えている。ＮＡ開口３３′と対物レンズの直ぐ上の面３５とは共役になっている。ＮＡ開口３３′のレンズ３１による像は３７として形成される。検出器５０としては、本実施形態では、複数の画素を有する公知の構造のＴＤＩ検出器を使用している。試料Ｓから放出された二次電子の像３７の内側（像３７により形成された開口部分）を通過する二次電子のみがＮＡ開口３３′内を通過し、ＴＤＩ検出器５０に入射する。
【００１３】
対物レンズ２６とＮＡ開口像３７のＺ方向の距離は短いので、対物レンズ２６の中心方向に放出された二次電子が効率よくＮＡ開口像３７を通過できる。一次電子ビームが光軸の外側から入射するため対物レンズの主面方向へ向かう二次電子は多くなる方向なので好都合である。
照射する一次電子ビームを偏向器２１、２２で偏向するのに同期させて対物レンズ２６のレンズ励起電圧をダイナミックに変化させた。更にこの偏向に同期してＮＡ開口像３７と同じＺ位置に設けた偏向コイル４１でダイナミックに、電子線がレンズ３１の中心を通るように偏向してもよい。更に非点補正コイル４２を用いて、ダイナミックに非点補正を行うと更に低収差を期待できる。
上記一次及び二次光学系の各構成要素の構造、機能は公知のものでよいのでそれらの詳細な説明は省略する。
【００１４】
次に図１ないし図３を参照して上記実施形態の電子線装置の動作を説明する。
電子銃１１から放出された一次電子ビームは一次光学系１０の開口１６′により所定の大きさの長方形（光軸ＯＡ１に直角の断面で見て）に成形され、Ｅ×Ｂ分離器２４、２５によって試料Ｓの被検査面の法線に平行な光軸ＯＡ２に平行に偏向されると共に偏光器２１、２２の作用によりＸ軸に沿う方向（図１で左右方向）に走査して試料Ｓの被検査面に照射される。一次電子ビームの照射による試料からの二次電子、反射電子或いは透過電子は二次光学系３０によりＴＤＩ検出器５０に導かれ、その検出器で検出される。
本発明においては、長方形電子ビームの直交２軸の一軸方向（本実施例ではＸ軸に沿う方向（以下単にＸ方向））への走査と、試料の直交２軸の他軸方向（本実施例ではＹ軸に沿う方向（以下単にＹ方向））への連続移動とを同期させて行う点に特徴があり、以下においてそれについて詳細に説明する。
【００１５】
図２は本発明の電子線装置による長方形ビームの照射動作及び試料台（従って試料Ｓ）の動きを示し、図３は、ＴＤＩ検出器の信号の加算の状態を示したものである。図２において、ａは長方形ビームによる長方形の照射範囲を示し、Ｌａｙは照射する電子ビームの一様な強度を有する長方形の照射範囲ａのＹ方向の長さを、かつＬａｘは一様な強度を有する電子ビームの長方形の照射範囲ａのＸ方向の長さを示す。ｂは一つの画素を示し、図では長方形ビームで１０×５画素（合計５０画素）を同時に照射できるようになっている。試料の左端縁或いは試料上の任意の一つのストライプｃ（ｃ１）の左端縁をＥｃｌとすると、この長方形ビームは、その右端縁Ｅａｒが前記照射領域ｃ１の左端縁Ｅｃｌと重なる時点から矢印Ｕの方向（＋Ｘ方向）へ偏向器２１、２２の作用によって走査され、長方形の電子ビームａの左端縁Ｅａｌがそのストライプｃ１の右端縁Ｅｃｒに重なるまで走査される。本発明ではこの長方形ビームのＸ方向の走査の間、試料Ｓをそれが載置されている台と共に矢印Ｖの方向（Ｘ方向と略直角の＋Ｙ方向）に連続移動させている。このように長方形の電子ビームを＋Ｘ方向に走査する間に試料をＹ方向に連続移動するので、Ｘ軸に平行な視野Ｆ１の領域を走査するために電子ビームａを＋Ｘ方向に走査するのと同時に＋Ｙ方向にも少しずつ偏向させる必要がある。その偏向量は、照射領域ｃのＸ方向の長さをＬｃｘとすると、Ｌａｙ／Ｌｃｘとなる。電子ビームの照射範囲ａが端まで達すると、電子ビームは−Ｙ方向にそのＹ方向の長さＬａｙだけ偏向して戻され、＋Ｙ方向に少しずつ偏向されながら矢印Ｗで示される−Ｘ方向へ走査され、視野Ｆ２の走査が行われる。このような電子ビームのＸ方向の走査と試料のＹ方向の連続移動を繰り返してストライプｃ１全体の電子ビームによる評価が完了すると、ストライプｃ１にＸ方向に隣接するストライプｃ２或いは隣のダイの対応するストライプの走査を行えるように、試料Ｓが載せられている試料台を−Ｘ方向に距離Ｌｃｘ、−Ｙ方向に距離Ｌｃｙステップ移動させる。その後前述と同じようにしてストライプｃ２の評価が行われる。
【００１６】
一次電子ビームの走査領域から発生した二次電子等は、前述の二次光学系（写像光学系）によってＴＤＩ検出器５０の各画素に結像される。そして検出面の画素５１へ入った信号はピクセル当たりの走査時間だけ遅れたタイミングで５２に示したように隣の画素に信号が順次加算され、端の素子から信号５３が出力される。したがって、信号を遅らせるタイミングと走査の速度が同期しているので、試料面の同じ場所の信号が正確に加算される。
【００１７】
次に、照射ビームがどの位のピクセル数の領域を走査するのが良いのかを検討する。スループットを大きくするにはＹ方向に並べるピクセル数が多ければ良く、Ｘ方向に並べるピクセル数が多いと信号のＳ／Ｎ比を向上できるが、スループットは向上しない。従来のＳＥＭ方式では二次電子の透過率をほぼ１００％として、ピクセル周波数１００ＭＨｚで動作している。この従来方式に比べて最低でも１０倍のスループットを得たい。そのためには、高輝度電子銃を用いてビーム寸法を小さくして少ないピクセル数で装置を構成すれば良いことになる。したがって、１０倍のスループットを確保するため、Ｙ方向のピクセル数を１０以上とし、２０％の二次電子透過率を得て、５画素分の平均加算を行えば従来の１００％透過のＳ／Ｎ比に対抗できる。従って照射エリアのピクセル数は１０×５ピクセル以上が良い。
【００１８】
次に最大値については、ＬａＢ６電子銃が一様に照明を行い、しかも照明強度を大きくできる最大値から決めるのが良い。
高輝度が得られるＬａＢ６電子銃では１００μｍｍｒａｄ程度のエミッタンスが得られている。（ビームエネルギ：５ＫｅＶ）
照明ビームのエッジでのボケを１μｍ以下にするには、長方形開口２５１からＮＡ開口を見たビーム開口半角は２ｍｒａｄであった。したがって、１００μｍ、ｍｒａｄのエミッタンスを持つ電子銃で得られる最大ビーム寸法Ｌは、
Ｌ・２ｍｒａｄ≦１００μｍ、ｍｒａｄ
したがって、Ｌの最大値は５０μｍとなる。現在主流の０．１μｍ角画素では５００ピクセルが最大となる。Ｘ方向のビーム寸法は、ダイナミックフォーカスを行う単位を２０μｍ以下とすると、Ｘ方向の左端のピクセルと右端のピクセルとで収差に差が無かった。したがって、Ｘ方向の最大ピクセルの数は同じく０．１μｍ角ピクセルでは２００ピクセルとなる。
結局、長方形ビームの最適の寸法は１０ピクセル×５ピクセルから５００ピクセル×２００ピクセルの範囲が良い。
【００１９】
次に図４及び図５を参照して本発明による半導体デバイスの製造方法の実施例を説明する。
図４は、本発明による半導体デバイスの製造方法の一実施例を示すフローチャートである。この実施例の製造工程は以下の主工程を含んでいる。
（１）ウエハを製造するウエハ製造工程（又はウエハを準備するウエハ準備工程）
（２）露光に使用するマスクを製造するマスク製造工程（又はマスクを準備するマスク準備工程）
（３）ウエハに必要な加工処理を行うウエハプロセッシング工程
（４）ウエハ上に形成されたチップを１個ずつ切り出し、動作可能にならしめるチップ組立工程
（５）できたチップを検査するチップ検査工程
なお、上記のそれぞれの主工程は更に幾つかのサブ工程からなっている。
これらの主工程中の中で、半導体デバイスの性能に決定的な影響を及ぼすのが（３）のウエハプロセッシング工程である。この工程では、設計された回路パターンをウエハ上に順次積層し、メモリやＭＰＵとして動作するチップを多数形成する。このウエハプロセッシング工程は以下の各工程を含んでいる。
（Ａ）絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、或いは電極部を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程（ＣＶＤやスパッタリング等を用いる）
（Ｂ）この薄膜層やウエハ基板を酸化する酸化工程
（Ｃ）薄膜層やウエハ基板等を選択的に加工するためにマスク（レチクル）を用いてレジストパターンを形成するリソグラフィー工程
（Ｄ）レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工するエッチング工程（例えばドライエッチング技術を用いる）
（Ｅ）イオン・不純物注入拡散工程
（Ｆ）レジスト剥離工程
（Ｇ）更に、加工されたウエハを検査する工程
なお、ウエハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り返し行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造する。
【００２０】
図５は、図４のウエハプロセッシング工程の中核をなすリソグラフィー工程を示すフローチャートである。このリソグラフィー工程は以下の各工程を含む。
（ａ）前段の工程で回路パターンが形成されたウエハ上にレジストをコートするレジスト塗布工程
（ｂ）レジストを露光する露光工程
（ｃ）露光されたレジストを現像してレジストのパターンを得る現像工程
（ｄ）現像されたレジストパターンを安定化するためのアニール工程
上記の半導体デバイス製造工程、ウエハプロセッシング工程、リソグラフィー工程については、周知のものでありこれ以上の説明を要しないであろう。
上記（Ｇ）の検査工程又は上記（ｃ）の露光工程に、本発明に係る欠陥検査装置及び欠陥検査方法、露光装置及び露光方法を用いると、微細なパターンを高精度で安定して検査又は露光ができるので、製品の歩留まりの向上、欠陥製品の出荷防止が可能と成る。
【００２１】
【発明の効果】
本発明によれば、評価のスループットを向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の電子線装置の概略説明図である。
【図２】本発明の電子線装置による長方形ビームの照射動作及び試料台（従って試料Ｓ）の動きを示す図である。
【図３】ＴＤＩ検出器の信号の加算の状態を示す図である。
【図４】本発明による半導体デバイスの製造方法の一実施例を示すフローチャートである。
【図５】図４のウエハプロセッシング工程の中核をなすリソグラフィー工程を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１  電子線装置
１０  一次光学系                    １１  電子銃
１５、１８  レンズ                  １６ａ、１７ａ  開口
２１、２２  偏向器                  ２４、２５  Ｅ×Ｂ分離器
２６  対物レンズ                    ３１、３２  レンズ
３３ａ  開口                        ３４  偏向器
ａ  電子ビームの照射範囲            ｂ  画素
ｃ  ストライプ
【図１】
2004335193.tif 000003
【図２】
2004335193.tif 000004
【図３】
2004335193.tif 000005
【図４】
2004335193.tif 000006
【図５】
2004335193.tif 000007