(57)【要約】【課題】半導体ウェハ裏面に貼り付けられた接着フィルムと，半導体ウェハをともに切断して，接着フィルム付き半導体チップを製造可能な方法を提供すること。【解決手段】半導体ウェハの表面に保護テープを貼り付け；半導体ウェハの裏面を研削し；エラストマー樹脂からなる粘着層を有するダイシングテープに，エラストマー樹脂からなる接着フィルムを貼り付け；ダイシングテープを裏面側から真空吸着しながら，半導体ウェハの裏面を接着フィルムに押圧して貼り付け；真空吸着を行いながら，半導体ウェハの表面から保護テープを剥離し；真空吸着を行いながら，半導体ウェハと接着フィルムとをダイシングして，接着フィルム付き半導体チップに分割し；真空吸着を解除して，ダイシングテープの表面から接着フィルム付き半導体チップをピックアップする；ことを特徴とする，半導体チップの製造方法が提供される。【選択図】  図２
2004319829.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハの表面に保護テープを貼り付ける，第１の工程と；
前記半導体ウェハの裏面を研削する，第２の工程と；
少なくともエラストマー樹脂からなる粘着層を表面側に有するダイシングテープの表面に，少なくともエラストマー樹脂からなる接着フィルムを貼り付ける，第３の工程と；
前記ダイシングテープを裏面側から真空吸着しながら，前記半導体ウェハの裏面を，前記ダイシングテープの表面に貼り付けられた前記接着フィルムに押圧して貼り付ける，第４の工程と；
前記真空吸着を行いながら，前記半導体ウェハの表面から前記保護テープを剥離する，第５の工程と；
前記真空吸着を行いながら，前記半導体ウェハと，前記半導体ウェハの裏面に貼り付けられた前記接着フィルムとをダイシングして，接着フィルム付き半導体チップに分割する，第６の工程と；
前記真空吸着を解除して，前記ダイシングテープの表面から前記接着フィルム付き半導体チップをピックアップする，第７の工程と；
を含むことを特徴とする，半導体チップの製造方法。
【請求項２】
前記第３工程では，押圧部材によって前記接着フィルムを前記ダイシングテープの表面に圧着することを特徴とする，請求項１に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項３】
半導体ウェハの表面に保護テープを貼り付ける，第１の工程と；
前記半導体ウェハの裏面を研削する，第２の工程と；
前記半導体ウェハの裏面に，少なくともエラストマー樹脂からなる接着フィルムを貼り付ける，第３の工程と；
少なくともエラストマー樹脂からなる粘着層を表面側に有するダイシングテープを，裏面側から真空吸着しながら，前記半導体ウェハの裏面に貼り付けられた前記接着フィルムを，前記ダイシングテープの表面に押圧して貼り付ける，第４の工程と；
前記真空吸着を行いながら，前記半導体ウェハの表面から前記保護テープを剥離する，第５の工程と；
前記真空吸着を行いながら，前記半導体ウェハと，前記半導体ウェハの裏面に貼り付けられた前記接着フィルムとをダイシングして，接着フィルム付き半導体チップに分割する，第６の工程と；
前記真空吸着を解除して，前記ダイシングテープの表面から前記接着フィルム付き半導体チップをピックアップする，第７の工程と；
を含むことを特徴とする，半導体チップの製造方法。
【請求項４】
前記第３工程では，押圧部材によって前記接着フィルムを前記半導体ウェハの裏面に圧着することを特徴とする，請求項３に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項５】
前記ダイシングテープは，ポリエチレンテレフタラート，ポリオレフィンまたはポリ塩化ビニルの少なくともいずれかからなる基材に，シリコーン粘着剤を塗布して構成されることを特徴とする，請求項１，２，３または４のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
【請求項６】
前記接着フィルムは，シリコーン材質からなる膜であることを特徴とする，請求項１，２，３，４または５のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，半導体チップの製造方法にかかり，特に，裏面に接着フィルムが貼り付けられた半導体チップの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来，半導体チップをリードフレームにダイボンディングする方法としては，リードフレーム上のタブ部分にダイボンド材料を供給し，その上に半導体チップを載置して接着する方法が一般的である。このダイボンディング方法では，ダイボンド材料として樹脂ペーストが多用されている。この樹脂ペーストをリードフレームに供給する方法としては，スタンピング方式，ディスペンシング方式，スクリーン印刷方式などが採用されているが，これらのうちディスペンシング方式が最も多用されている。
【０００３】
このディスペンシング方式は，シリンジ内に樹脂ペーストを充填し，ディスペンサーにより樹脂ペーストをタブ上に圧力吐出する方法である。しかしながら，このような方法では，樹脂ペーストをタブ全面に均一に塗布することが困難であり，硬化時に接着層にボイドが発生してしまうという問題があった。
【０００４】
かかる樹脂ペーストを用いたダイボンディング方法の問題を解決するため，樹脂ペーストの代わりに，フィルム状の接着剤を用いる方法が提案されている（例えば，特許文献１および２参照）。しかし，かかる方法では，半導体チップのサイズに応じて接着フィルムを予め切断しておかなければならない。従って，微小なサイズの半導体チップに対しては，切断した接着フィルムを正確に貼り合わせることが困難であるだけでなく，生産性も低下してしまうという問題があった。
【０００５】
このような問題を解決する手法として，ダイアタッチフィルム等の接着フィルムを半導体ウェハの裏面にヒータ等で予め熱圧着しておき，この接着フィルム付きの半導体ウェハをダイシングテープ上に貼り付けた上で，半導体ウェハと接着フィルムとを同時にダイシングして，接着フィルム付き半導体チップを製造する手法が提案されている（例えば，特許文献３参照）。かかる方法によれば，ダイボンド材料である接着フィルムと半導体ウェハとを同時に分割できるので，あらゆるチップサイズに柔軟に対応できるとともに，半導体ウェハに対して接着フィルムを容易に貼り合わせることができるという利点がある。
【０００６】
【特許文献１】
特開昭６３−２８９８２２号公報
【特許文献２】
特開平１−１９７３５号公報
【特許文献３】
特開平６−３０２６２９号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，上記従来の接着フィルム付き半導体チップの製造方法では，以下のような問題点がある。
【０００８】
半導体チップを製造するに際しては，半導体ウェハをダイシングする前に，半導体ウェハを裏面研削して薄くすることが一般的である。この裏面研削時においては，半導体ウェハの表面に保護テープが貼り付けられるので，当該裏面研削後の半導体ウェハの表面には上記保護テープが貼り付けられたままの状態となっている。かかる状態の半導体ウェハの裏面に対して，上記従来の手法のように接着フィルムを１８０℃程度の温度で熱圧着すると，半導体ウェハの表面に貼り付けられている上記保護テープが溶融したり，保護テープの糊が溶融して半導体ウェハに残留したりしてしまうという問題があった。
【０００９】
このような問題の解決策としては，半導体ウェハ表面から保護テープを剥離した上で，接着フィルムを貼り付けるという手法が考えられる。しかし，保護テープを剥離するためには，半導体ウェハ裏面にサポート部材（テープなど）を使用しなければならず，加えて，この状態から接着フィルムを半導体ウェハ裏面に貼り付けるためには，上記サポート部材を剥離するために半導体ウェハ表面にさらに別のサポート部材を使用しなければならない。このように，保護テープを剥離した上で接着フィルムを貼り付けるためには，多くの貼り替え工程が必要となるので，作業が繁雑であり，生産性が大幅に低下する。
【００１０】
また，上記問題の別の解決策としては，接着フィルムを熱圧着以外の方法で半導体チップ裏面に貼り付ける手法も考えられる。しかし，現状では，半導体ウェハ裏面に対して接着フィルムを十分な粘着力で貼り付けることが可能な手法は開発されていない。
【００１１】
従って，実際には，半導体ウェハの裏面に接着フィルムを貼り付けた後に，半導体ウェハと接着フィルムとを同時に切断するという手法によっては，接着フィルム付き半導体チップを製造することができなかった。従って，接着フィルム付き半導体チップを製造するためには，上記のように，半導体ウェハを半導体チップに分割した後に，半導体チップの形状に合わせて切断した接着フィルムを貼り付ける手法を用いざるを得ないというのが現状であった。
【００１２】
本発明は，従来の半導体チップの製造方法が有する上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，半導体ウェハ裏面に対して接着フィルムを熱圧着することなく好適に貼り付けた上で，かかる半導体ウェハおよび接着フィルムをともに切断して，接着フィルム付き半導体チップを好適に製造することの可能な，新規かつ改良された半導体チップの製造方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため，本発明の第１の観点によれば，半導体ウェハの表面に保護テープを貼り付ける，第１の工程と；半導体ウェハの裏面を研削する，第２の工程と；少なくともエラストマー樹脂からなる粘着層を表面側に有するダイシングテープの表面に，少なくともエラストマー樹脂からなる接着フィルムを貼り付ける，第３の工程と；ダイシングテープを裏面側から真空吸着しながら，半導体ウェハの裏面を，ダイシングテープの表面に貼り付けられた接着フィルムに押圧して貼り付ける，第４の工程と；真空吸着を行いながら，半導体ウェハの表面から保護テープを剥離する，第５の工程と；真空吸着を行いながら，半導体ウェハと，半導体ウェハの裏面に貼り付けられた接着フィルムとをダイシングして，接着フィルム付き半導体チップに分割する，第６の工程と；真空吸着を解除して，ダイシングテープの表面から接着フィルム付き半導体チップをピックアップする，第７の工程と；を含むことを特徴とする，半導体チップの製造方法が提供される。
【００１４】
かかる構成により，エラストマー樹脂からなるダイシングテープおよび接着フィルムは，通常時には微粘着性を有するが，真空吸着すると密着力が増加するという特性を発揮する。かかるダイシングテープおよび接着フィルムを利用することにより，半導体ウェハの裏面に対して接着フィルムを熱圧着することなく貼り付けた上で，双方をダイシングし，接着フィルム付き半導体チップを好適に製造することができる。
【００１５】
即ち，第３の工程では，ダイシングテープの粘着層に接着フィルムを微粘着性により貼り付けることができる。また，真空吸着を行っている第４，５および６の工程では，真空吸着によりダイシングテープおよび接着フィルムの密着力が増加するので，ダイシングテープにより接着フィルムを好適に固着できるとともに，接着フィルムにより半導体ウェハを好適に固着できる。さらに，第４の工程では，半導体ウェハを接着フィルムに押圧することにより，双方の密着力がより高まる。また，第５の工程では，半導体ウェハ表面と保護テープとの間の粘着力よりも，半導体ウェハ裏面と接着フィルムとの間の粘着力，および接着フィルムとダイシングテープとの間の粘着力の方が大きいので，保護テープのみを好適に剥離できる。また，第６の工程では，ダイシングテープ上に安定的に固定された半導体ウェハと接着フィルムを一緒にダイシングして，半導体チップに分割できる。これにより，半導体チップサイズに応じた形状・大きさで，接着フィルムを分割することができる。また，第７の工程では，真空吸着を解除することにより，ダイシングテープおよび接着フィルムの密着力が元の微粘着性に戻るので，接着フィルム付き半導体チップをダイシングテープから好適にピックアップして搬送できる。このとき，分割された接着フィルムの粘着力は，硬質で鏡面的な半導体チップ裏面との間の粘着力の方が，軟質で微細な凹凸のあるダイシングテープ表面との間の粘着力よりも大きい。従って，接着フィルムとダイシングテープ表面との間で剥離が生じ，分割された接着フィルムは半導体チップに伴ってピックアップされる。
【００１６】
また，上記第３工程では，押圧部材によって接着フィルムをダイシングテープの表面に圧着する，ように構成してもよい。かかる構成により，接着フィルムとダイシングテープ表面との間に気泡が入らないようにして，双方を密着させることができる。
【００１７】
また，上記ダイシングテープは，ポリエチレンテレフタラート，ポリオレフィンまたはポリ塩化ビニルの少なくともいずれかからなる基材に，シリコーン粘着剤を塗布して構成される，ように構成してもよい。かかる構成により，上記半導体チップの製造方法を好適に実現可能なダイシングテープを提供できる。
【００１８】
また，上記接着フィルムは，シリコーン材質からなる膜である，ように構成してもよい。かかる構成により，上記半導体チップの製造方法を好適に実現可能な接着フィルムを提供できる。
【００１９】
また，上記課題を解決するため，本発明の別の観点によれば，半導体ウェハの表面に保護テープを貼り付ける，第１の工程と；半導体ウェハの裏面を研削する，第２の工程と；半導体ウェハの裏面に，少なくともエラストマー樹脂からなる接着フィルムを貼り付ける，第３の工程と；少なくともエラストマー樹脂からなる粘着層を表面側に有するダイシングテープを，裏面側から真空吸着しながら，半導体ウェハの裏面に貼り付けられた接着フィルムを，ダイシングテープの表面に押圧して貼り付ける，第４の工程と；真空吸着を行いながら，半導体ウェハの表面から保護テープを剥離する，第５の工程と；真空吸着を行いながら，半導体ウェハと，半導体ウェハの裏面に貼り付けられた接着フィルムとをダイシングして，接着フィルム付き半導体チップに分割する，第６の工程と；真空吸着を解除して，ダイシングテープの表面から接着フィルム付き半導体チップをピックアップする，第７の工程と；を含むことを特徴とする，半導体チップの製造方法が提供される。
【００２０】
かかる構成により，第３の工程で，接着フィルムを先に半導体ウェハ裏面に貼り付けた上で，第４の工程で，かかる接着フィルムと半導体ウェハをダイシングテープに貼り付けることができる。かかる方法によっても，上記説明した半導体チップの製造方法と同様な作用により，好適に接着フィルム付き半導体チップを製造できる。
【００２１】
また，上記第３工程では，押圧部材によって接着フィルムを半導体ウェハの裏面に圧着する，ように構成してもよい。かかる構成により，接着フィルムと半導体ウェハ裏面との間に気泡が入らないようにして，双方を密着させることができる。
【００２２】
また，上記ダイシングテープは，ポリエチレンテレフタラート，ポリオレフィンまたはポリ塩化ビニルの少なくともいずれかからなる基材に，シリコーン粘着剤を塗布して構成される，ように構成してもよい。また，上記接着フィルムは，シリコーン材質からなる膜である，ように構成してもよい。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２４】
（第１の実施の形態）
以下に，本発明の第１の実施の形態にかかる半導体チップの製造方法について説明する。
【００２５】
まず，図１に基づいて，本実施形態にかかる半導体チップの製造方法に用いられるダイシングテープの構成について説明する。なお，図１（ａ）および図１（ｂ）は，本実施形態にかかるダイシングテープ１０を示す斜視図および部分拡大断面図である。
【００２６】
図１（ａ）に示すように，ダイシングテープ１０は，例えば，略円盤形状を有する薄いゴム状の粘着シートである。このダイシングテープ１０は，例えば，半導体ウェハ等をダイシングするときに，半導体ウェハ等の裏面に貼り付けられて，半導体ウェハを固着する機能を有する。かかるダイシングテープ１０は，図１（ｂ）に示すように，例えば，基材１０ｂと，この基材１０ｂの表面上に塗布されたエラストマー樹脂からなる粘着層１０ａと，から構成される。
【００２７】
基材１０ｂは，例えば，ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート），ポリオレフィン，あるいはポリ塩化ビニル等の合成樹脂材で構成されている。このうち，例えばポリオレフィンは，柔軟性及び伸張性に優れるため，基材１０ｂの材質として好ましい。この基材１０ｂの厚さは，例えば，５０〜１５０μｍである。
【００２８】
粘着層１０ａは，ダイシングテープ１０の表面側に形成された粘着性を有する層であり，半導体ウェハ等を固着する機能を有する。このようなダイシングテープ１０の粘着層１０ａとしては，従来では，アクリル系の粘着剤等が主に用いられてきたが，本実施形態では，微粘着性を有するエラストマー樹脂等からなる粘着剤を用いる点が特徴的である。
【００２９】
このエラストマー樹脂は，ゴム状弾性体の総称であり，天然ゴム，合成ゴム等に代表される弾性の顕著な高分子化合物である。本実施形態では，かかるエラストマー樹脂からなる粘着剤として，例えば，シリコーン樹脂からなる粘着剤であるシリコーン粘着剤を採用している。このシリコーン粘着剤は微粘着性を有する粘着剤であり，かかるシリコーン粘着剤を上記基材１０ｂの表面上に例えば塗布することにより，粘着層１０ａが構成される。かかるシリコーン粘着剤からなる粘着層１０ａは，厚さが例えば２５〜５００μｍであり，ゴム硬度が例えば１０〜１００°である。また，かかる粘着層１０ａの表面は，例えば，平滑面に限らず，例えばドット状，格子状またはスジ状などの目付をしたものであってもよい。
【００３０】
次に，以上のように構成されたダイシングテープ１０の作用について説明する。なお，以下では，ダイシングテープ１０の粘着層１０ａ側（表側）の面を表面といい，ダイシングテープ１０の基材１０ｂ側（裏側）の面を裏面ということとする。
【００３１】
上記のようにダイシングテープ１０は，粘着層１０ａが例えばシリコーン粘着剤で構成されているので，表面が微粘着性を有し，比較的硬度が高い。このため，ダイシングテープ１０は，比較的粘着力が低い粘着テープとして，一時的な接着に適している。従って，かかるダイシングテープ１０の表面に貼り付けられた対象物を剥離する際には，高い粘着力を有する一般的な粘着テープと比して，容易に剥離することができる。
【００３２】
さらに，本願発明者の鋭意努力により，かかるダイシングテープ１０は，通常時には微粘着性を有するが，真空吸着を行うと密着力（粘着力）が増加するという特性があることが分かっている。なお，ここでいう密着力とは，ダイシングテープ１０が，貼り付けられた対象物を引き付けて固着させる力をいい，もともと有していた微粘着力をも含む力である。
【００３３】
このような特性が得られる理由は定かでないが，エラストマー樹脂からなる粘着層１０ａの密着力が，粘着層１０ａと対象物との接触面積に依存していることが原因であると思われる。即ち，当該粘着層１０ａの表面には微少な凹凸が複数存在するが，ダイシングテープ１０を例えば真空チャックによって裏面側から真空吸引して固定すると，ダイシングテープ１０の表面が引っ張られて当該凹凸が小さくなる。これにより，粘着層１０ａと対象物との接触面積が増加するので，粘着層１０ａの密着力も増加すると考えられる。
【００３４】
このように，エラストマー樹脂等からなるダイシングテープ１０は，真空吸着すると粘着層１０ａの密着力が増加し，一方，真空を解除すると粘着力が元の微粘着性に戻るという特性を有する。以下に説明する半導体チップの製造方法は，かかるダイシングテープ１０の特性を利用して，半導体ウェハの裏面に，ダイアタッチフィルム等の接着フィルムを貼り付けてから，かかる半導体ウェハおよび接着フィルムを同時にダイシングすることにより，ダイボンディング用の接着剤付き半導体チップを好適に製造する方法を実現するものである。
【００３５】
次に，図２〜図７に基づいて，本実施形態にかかる半導体チップの製造方法について説明する。なお，図２は，本実施形態にかかる半導体チップの製造方法を示すフローチャートである。また，図３〜５および図７は，本実施形態にかかる半導体チップの製造方法の工程説明図である。また，図６は，本実施形態にかかる半導体チップの製造方法におけるダイシング工程でダイシングされた半導体ウェハを示す部分拡大断面図である。
【００３６】
図２に示すように，まず，ステップＳ１００では，半導体ウェハ３０の表面に保護テープ１０が貼り付けられる（ステップＳ１００：第１の工程）。図３（ａ）に示すように，本実施形態にかかる半導体ウェハ３０は，例えば，略円盤形状を有するシリコンウェハなどであり，その大きさは，外径が例えば８インチであり，厚さが例えば約１５０μｍである。半導体ウェハ３０の表面には，前工程であるウェハ処理工程等で回路（半導体素子）３２が形成されている。なお，以下では，半導体ウェハ３０の表面とは，回路３２が形成された側の面をいい，半導体ウェハ３０の裏面とは，上記表面とは反対側の面をいうものとする。また，かかる半導体ウェハ３０を切断して形成された半導体チップについても，表面および裏面の定義は同様とする。
【００３７】
本ステップでは，このような半導体ウェハ３０の表面に保護テープ２０が貼り付けられる。この保護テープ２０は，裏面研削時において半導体ウェハ３０を固着してその表面を保護するための粘着テープであり，例えば，ＵＶ（紫外線）硬化型のグラインディングテープなどである。この保護テープ２０は，例えばアクリル系の粘着剤（厚さが例えば２０μｍ）をポリオレフィン等の基材（厚さが例えば１１０μｍ）に塗布して構成され，ＵＶ照射により粘着力が低下する性質を有する。かかる保護テープ２０の粘着力は，例えば，ＵＶ照射前で２．０６Ｎ／２５ｍｍ，ＵＶ照射後で０．０５Ｎ／２５ｍｍである。
【００３８】
次いで，ステップＳ１０２では，半導体ウェハ３０が裏面研削される（ステップＳ１０２：第２の工程）。具体的には，図３（ｂ）に示すように，高速回転する研削砥石１５を備えたグラインダー１６などを用いて，半導体ウェハ３０の裏面が全面的に平面研削される。この際，半導体ウェハ３０の表面は，保護テープ２０によって保護されているので，回路１２が，研削くずや研削台（図示せず。）との接触等により破損することを防止できる。
【００３９】
かかる裏面研削により，図３（ｃ）に示すように，半導体ウェハ３０を例えば５０μｍ程度にまで薄くできる。このような極薄の半導体ウェハ３０は，保護テープ２０上に，回路３２が形成された表面側で固着された状態となっている。さらに，上記のような裏面研削後には，後工程で保護テープ２０を半導体ウェハ３０から剥離しやすいように，例えば，保護テープ２０に対してＵＶ照射して，保護テープ２０の粘着力を低下させておく。
【００４０】
さらに，ステップＳ１０４では，ダイシングテープ１０の表面にダイアタッチフィルム４０が貼り付けられる（ステップＳ１０４：第３の工程）。具体的には，図４（ａ）に示すように，まず，ウェハリング７に貼り付けられたダイシングテープ１０が，例えば，粘着層１０ａ側（表面側）を上向きにして，チャックテーブル３上に載置される。このチャックテーブル３は，例えば，微細な孔を複数有するポーラスセラミック材等で作成された真空チャックであり，その下部から例えば真空ポンプ等で真空引きすることにより，上面に載置された対象物を真空吸着することができる。
【００４１】
次いで，このように載置されたダイシングテープ１０の表面にダイアタッチフィルム４０が貼り付けられる。このダイアタッチフィルム４０（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈ  Ｆｉｌｍ）は，半導体チップをリードフレーム等にダイボンディングするためのフィルム状の接着剤であり，本実施形態にかかる接着フィルムとして構成されている。このダイアタッチフィルム４０は，本実施形態では，例えば，シリコーン材質からなる膜（厚さが例えば２５〜１７５μｍ）として構成されているが，かかる例に限定されず，その他のエラストマー樹脂を材質としてもよい。このダイアタッチフィルム４０は，その表面（半導体ウェハ３０に貼り付けられる側の面）形状は例えば鏡面であり，その裏面（ダイシングテープ１０に貼り付けられる側の面）の形状は例えばなし地である。
【００４２】
さらに，ダイシングテープ１０の表面にダイアタッチフィルム４０を貼り付ける際には，例えば，図４（ａ）に示すように，ダイアタッチフィルム４０の上からローラー等の押圧部材５で押圧して，双方を圧着することが好ましい。これにより，ダイシングテープ１０とダイアタッチフィルム４０との間に気泡が含まれないようにして，双方の密着性を高めることができる。
【００４３】
その後，ステップＳ１０６では，ダイシングテープ１０が裏面側から真空吸着される（ステップＳ１０６）。具体的には，上記チャックテーブル３に負圧（例えば，−５０〜−１５０ｋＰａ）を加えることで，ダイシングテープ１０を裏側から真空吸着してチャックテーブル３上に固定する。なお，このようなダイシングテープ１０の真空吸着を行いながら，例えば，上記ステップＳ１０４でのダイアタッチフィルム４０をダイシングテープ１０表面に貼り付ける工程を行ってもよい。
【００４４】
次いで，ステップＳ１０８では，ダイシングテープ１０を真空吸着しながら，半導体ウェハ３０の裏面が，ダイシングテープ１０上に貼り付けられたダイアタッチフィルム４０に対して，押圧されて貼り付けられる（ステップＳ１０８：第４の工程）。上記ステップＳ１０２で裏面研削された半導体ウェハ３０は，表面が保護テープ２０に貼り付けられて固着されている。本ステップでは，図４（ｂ）に示すように，チャックテーブル３を真空引きしてダイシングテープ１０を裏面側から真空吸着しながら，上記裏面研削された半導体ウェハ３０の裏面が，ダイアタッチフィルム４０の表面に貼り付けられる。
【００４５】
さらに，かかる貼り付け時には，例えば，半導体ウェハ３０の上からローラー等の押圧部材５で押圧することが好ましい。これにより，半導体ウェハ３０裏面とダイアタッチフィルム４０表面，並びにダイアタッチフィルム４０裏面とダイシングテープ１０表面を，より密着させることができるとともに，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０との間に気泡が入らないようにできる。
【００４６】
上記のような貼り付け方法によって，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０，およびダイアタッチフィルム４０とダイシングテープ１０は，例えば，通常時の１０倍近い粘着力を有することになる。このため，熱圧着する場合と変わらないほど強固に，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０とを接着することができる。
【００４７】
ここで，このようなダイシングテープ１０等の粘着力が増大する原理についてより詳細に説明する。上記のようにダイシングテープ１０の粘着層１０ａは，シリコーン粘着剤等のエラストマー樹脂で構成されている。このため，かかるダイシングテープ１０を真空吸着すると，上述したような原理で粘着層１０ａの密着力が大幅に増加する。従って，本ステップにおいてダイシングテープ１０を裏面側から真空吸着することにより，ダイシングテープ１０の密着力が通常時と比して増加するので，ダイシングテープ１０がダイアタッチフィルム４０を引き付ける力が大幅に高まることとなる。
【００４８】
また，上記のようなダイシングテープ１０の真空吸着により，ダイアタッチフィルム４０と半導体ウェハ３０裏面との間の粘着力までもが増大する理由については定かではないが，以下のような原理によるものではないかと推測される。つまり，本実施形態にかかるダイアタッチフィルム４０は，例えば，ダイシングテープ１０の粘着層１０ａと同じエラストマー樹脂であるシリコーン材質の膜であり，かつ，その厚さが薄い。このため，ダイアタッチフィルム４０の表面にも，ダイシングテープ１０の表面と同じような凹凸が現れており，ダイシングテープ１０を介した真空吸着により，かかる凹凸が引っ張られて，ダイアタッチフィルム４０表面と半導体ウェハ３０裏面との接触面積が増大し，双方の密着力が高まるのではないかと考えられる。
【００４９】
以上のように，ダイシングテープ１０を裏面側から真空吸着しながら，半導体ウェハ３０の裏面を，ダイシングテープ１０に貼り付けられたダイアタッチフィルム４０に押圧して貼り付けることにより，半導体ウェハ３０，ダイアタッチフィルム４０およびダイシングテープ１０が相互に密着して，強い粘着力で引き付け合うことができる。この結果，上記真空吸着を維持した状態では，ダイシングテープ１０とダイアタッチフィルム４０との間の粘着力，およびダイアタッチフィルム４０と半導体ウェハ３０との間の粘着力のいずれもが，保護テープ２０と半導体ウェハ３０の表面との間の粘着力を上回ることになる。
【００５０】
さらに，ステップＳ１１０では，ダイシングテープ１０を真空吸着しながら，半導体ウェハ３０の表面から保護テープ２０が剥離される（ステップＳ１１０：第５の工程）。具体的には，図５（ａ）に示すように，例えば，ピール用テープ８等を用いて，保護テープ２０を例えば略水平方向に引っ張ることにより，保護テープ２０が半導体ウェハ３０の表面から剥離される。
【００５１】
この際，ダイシングテープ１０の真空吸着が維持されているので，上記のように，ダイシングテープ１０とダイアタッチフィルム４０との間の粘着力，およびダイアタッチフィルム４０と半導体ウェハ３０との間の粘着力のいずれもが，半導体ウェハ３０と保護テープ２０との間の粘着力よりも上回っている。このため，ダイアタッチフィルム４０がダイシングテープ１０から剥離したり，或いは半導体ウェハ３０裏面がダイアタッチフィルム４０から剥離したりすることなく，保護テープ２０のみを半導体ウェハ３０表面から好適に剥離することができる。
【００５２】
また，保護テープ２０を略水平方向に引っ張りながら剥離していくことにより，半導体ウェハ３０に対して略垂直方向上向きに作用する力を減少させることができるので，これによっても，半導体ウェハ３０がダイアタッチフィルム４０等から剥離することを防止できる。
【００５３】
その後，ステップＳ１１２では，ダイシングテープ１０を真空吸着しながら，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０が同時にダイシングされる（ステップＳ１１２：第６の工程）。具体的には，まず，上記ステップＳ１１０で保護テープ２０が剥離された半導体ウェハ３０を，ダイシングテープ１０に貼り付けられたままの状態で，例えば，ダイシング装置のチャックテーブル３上に載置する。次いで，図５（ａ）に示すように，例えば，高速回転する切削ブレード２２を半導体ウェハ３０に切り込ませて回路３２間のストリートに沿って切削し，極薄のカーフ（切削溝）を形成することを繰り返す。これにより，半導体ウェハ３０およびダイアタッチフィルム４０を，例えば格子状に切断（即ち，ダイシング）することができる。
【００５４】
このようなダイシング加工では，切削ブレード２２の切り込み深さが，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０を貫通して，ダイシングテープ１０に僅かに切り込む程度に調整されている。より詳細には，この切削ブレード２２の切り込み深さは，例えば，図６（ａ）に示すように，ダイシングテープ１０の基材１０ｂにまで達するようにしてもよいし，或いは，図６（ｂ）に示すように，ダイシングテープ１０の粘着層１０ａまで達するようにしてもよい。このように十分な切り込み深さを確保することにより，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０を，略同一の形状で完全に切断することができる。
【００５５】
また，上記ようなダイシング加工を行うときには，チャックテーブル３によってダイシングテープ１０の真空吸着が行われているので，半導体ウェハ３０は，ダイアタッチフィルム４０を介してダイシングテーブ１０に強固に固着されている。このため，半導体ウェハ３０およびダイアタッチフィルム４０を安定的に切断できる。
【００５６】
以上のように，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０を同時にダイシングすることにより，半導体ウェハ３０が複数の半導体チップ３４に分割されるとともに，半導体ウェハ３０の裏面に貼り付けられていたダイアタッチフィルム４０もまた，当該半導体チップ３４の形状に応じて，複数の接着フィルム片に分割される。この結果，ダイシングテープ１０上には，複数の接着フィルム付き半導体チップ３４が完成する。なお，この接着フィルム付き半導体チップ３４とは，分割されたダイアタッチフィルム４０（接着フィルム片）が裏面に貼り付けられている半導体チップ３４を意味する。
【００５７】
次いで，ステップＳ１１４では，ダイシングテープ１０の真空吸着が解除される（ステップＳ１１４）。チャックテーブル３の真空引きを停止して，ダイシングテープ１０の真空吸着を解除する。これにより，ダイシングテープ１０およびダイアタッチフィルム４０の粘着力が，通常時の微粘着性に戻る。
【００５８】
さらに，ステップＳ１１６では，接着フィルム付き半導体チップ３４が，ダイシングテープ１０からピックアップされる（ステップＳ１１６：第７の工程）。具体的には，図７に示すように，例えば，ピックアップジグなどのピックアップ手段９を用いて，上方から吸引することにより，分割されたダイアタッチフィルム４０とダイシングテープ１０との間で剥離が生じて，接着フィルム付き半導体チップ３４がピックアップされる。
【００５９】
かかるピックアップの際には，上記のように，ダイシングテープ１０の真空吸着が解除されているので，ダイシングテープ１０およびダイアタッチフィルム４０の粘着力が微粘着性に戻っている。さらに，この状態では，ダイアタッチフィルム４０表面と半導体チップ３４裏面との間の粘着力は，ダイシングテープ１０表面とダイアタッチフィルム４０裏面との間の粘着力よりも若干大きくなっている。これは，例えば，ダイアタッチフィルム４０と半導体チップ３４との間では，鏡面であるダイアタッチフィルム４０表面が，硬い平面である半導体チップ３４裏面に対して比較的強く粘着しているのに対し，ダイアタッチフィルム４０とダイシングテープ１０との間では，双方が柔らかい部材であり表面に凹凸ができているため，ダイアタッチフィルム４０裏面がダイシングテープ１０表面から比較的剥がれ易い状態となっているからである。
【００６０】
従って，半導体チップ３４をピックアップするときには，ダイアタッチフィルム４０と半導体チップ３４裏面との間ではなく，ダイアタッチフィルム４０とダイシングテープ１０表面との間で剥離が生じることとなる。よって，本ステップでは，半導体チップ３４を，分割されたダイアタッチフィルム４０とともに，ダイシングテープ１０から容易にピックアップすることができる。
【００６１】
このようにしてピックアップされた接着フィルム付き半導体チップ３４は，後続のダイボンディング工程において，リードフレーム等の基板（図示せず。）上に搭載され，熱圧着される。このとき，半導体チップ３４の裏面に付着しているダイアタッチフィルム４０片が，ダイボンド材として機能する。
【００６２】
（第２の実施の形態）
次に，本発明の第２の実施の形態にかかる半導体チップの製造方法について説明する。第２の実施形態にかかる半導体チップの製造方法は，第１の実施形態にかかる半導体チップの製造方法と比して，ダイアタッチフィルム４０を先に半導体ウェハ３０に貼り合わせた上で，これらをまとめてダイシングテープ１０に貼り付ける点で相違するのみであり，その他の機能構成については第１の実施形態の場合と略同一であるので，その説明は省略する。また，第２の実施形態にかかる半導体チップの製造方法で用いられる保護テープ２０，ダイシングテープ１０ダイアタッチフィルム４０および半導体ウェハ３０等も，上記第１の実施形態のものと略同一であるので，その説明は省略する。
【００６３】
以下に，図８および図９に基づいて，第２の実施形態にかかる半導体チップの製造方法について説明する。なお，図８は，本実施形態にかかる半導体チップの製造方法を示すフローチャートである。また，図９は，本実施形態にかかる半導体チップの製造方法の工程説明図である。
【００６４】
図２に示すように，まず，ステップＳ２００では，半導体ウェハ３０の表面に保護テープが貼り付けられる（ステップＳ２００：第１の工程）。次いで，ステップＳ２０２では，半導体ウェハ３０が裏面研削される（ステップＳ２０２：第２の工程）。以上までのステップＳ２００およびステップＳ２０２は，上記第１の実施形態におけるステップＳ１００およびステップＳ１０２と略同一であるので，詳細説明は省略する。
【００６５】
さらに，ステップＳ２０４では，半導体ウェハ３０の裏面にダイアタッチフィルム４０が貼り付けられる（ステップＳ２０４：第３の工程）。具体的には，図９（ａ）に示すように，表面に保護テープ２０が貼り付けられている半導体ウェハ３０の裏面に，ダイアタッチフィルム４０を貼り付ける。このとき，例えば，ダイアタッチフィルム４０の上からローラー等の押圧部材５で押圧して，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０を圧着することが好ましい。これにより，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０との間に気泡が含まれないようにして，双方の密着性を高めることができる。
【００６６】
その後，ステップＳ２０６では，ダイシングテープ１０が裏面側から真空吸着される（ステップＳ２０６）。具体的には，まず，ウェハリング７に貼り付けられたダイシングテープ１０が，例えば，粘着層１０ａ側（表面側）を上向きにして，上記のようなチャックテーブル３上に載置される。次いで，真空ポンプ等でチャックテーブル３に負圧を加えることで，ダイシングテープ１０を裏側から真空吸着してチャックテーブル３上に固定する。
【００６７】
次いで，ステップＳ２０８では，ダイシングテープ１０を真空吸着しながら，半導体ウェハ３０の裏面に貼り付けられたダイアタッチフィルム４０が，ダイシングテープ１０表面に押圧されて貼り付けられる（ステップＳ２０８：第４の工程）。具体的には，図９（ｂ）に示すように，チャックテーブル３を真空引きしてダイシングテープ１０を裏面側から真空吸着しながら，上記ステップＳ２０４で貼り合わせられた半導体ウェハ３０およびダイアタッチフィルム４０をともに，ダイシングテープ１０上に載置する。これにより，ダイアタッチフィルム４０裏面とダイシングテープ１０表面が貼り付けられる。
【００６８】
さらに，かかる貼り付け時には，例えば，図４（ｂ）で示したように，半導体ウェハ３０の上からローラー等の押圧部材５で押圧することが好ましい。これにより，半導体ウェハ３０裏面とダイアタッチフィルム４０表面，並びにダイアタッチフィルム４０裏面とダイシングテープ１０表面を，より密着させることができるとともに，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０との間に気泡が入らないようにできる。
【００６９】
上記のような貼り付け方法によって，第１の実施形態の場合と同様な原理で，ダイアタッチフィルム４０およびダイシングテープ１０の密着力が高まり，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０，およびダイアタッチフィルム４０とダイシングテープ１０を，例えば，通常時の１０倍近い粘着力で貼り合わせることができる。
【００７０】
さらに，ステップＳ２１０では，ダイシングテープ１０を真空吸着しながら，半導体ウェハ３０の表面から保護テープ２０が剥離される（ステップＳ２１０：第５の工程）。その後，ステップＳ２１２では，ダイシングテープ１０を真空吸着しながら，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０が同時にダイシングされる（ステップＳ２１２：第６の工程）。次いで，ステップＳ２１４では，ダイシングテープ１０の真空吸着が解除される（ステップＳ２１４）。さらに，ステップＳ２１６では，接着フィルム付き半導体チップ３４が，ダイシングテープ１０からピックアップされる（ステップＳ２１６：第７の工程）。以上のようなステップＳ２１０〜ステップＳ２１６は，上記第１の実施形態におけるステップＳ１１０〜ステップＳ１１６と略同一であるので，詳細説明は省略する。
【００７１】
以上，第１および第２の実施形態にかかる半導体チップの製造方法について，詳細に説明した。かかる半導体チップの製造方法によれば，エラストマー樹脂からなる粘着層１０ａを有するダイシングテープ１０を利用することによって，半導体ウェハ３０裏面に対してダイアタッチフィルム４０を熱圧着することなく好適に貼り付け，かかる半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０を同時にダイシングして，接着フィルム付き半導体チップ３４を容易に製造することができる。
【００７２】
即ち，本実施形態にかかる半導体チップの製造方法によれば，半導体ウェハ３０裏面に対してダイアタッチフィルム４０を貼り付けるときに，熱圧着しなくて済む。このため，保護テープ２０を加熱劣化させることなく，ダイアタッチフィルム４０を半導体ウェハ３０裏面に，容易かつ好適に貼り付けることができる。従って，従来のように，ダイアタッチフィルム４０を熱圧着することが原因で，半導体ウェハ３０の表面に貼り付けられている保護テープ２０が溶融したり，保護テープ２０の糊が半導体ウェハ３０表面に残留したりすることがない。よって，製造された接着フィルム付き半導体チップ３４の品質および歩留まりを向上することができる。
【００７３】
また，本実施形態にかかる半導体チップの製造方法によれば，ダイアタッチフィルム４０を半導体ウェハ３０に貼り付ける前に，予め保護テープ２０を剥離する必要がない。このため，半導体ウェハ３０から保護テープ２０を予め剥離した上でダイアタッチフィルム４０を貼り付ける手法のように，サポート部材等を何度も貼り替えなくてもよい。従って，ダイアタッチフィルム４０の貼り付け作業を迅速かつ容易に行うことができ，生産性を向上することができる。
【００７４】
また，本実施形態にかかる半導体チップの製造方法によれば，ダイシングテープ１０を真空吸着することで，一時的に，ダイシングテープ１０とダイアタッチフィルム４０，並びにダイアタッチフィルム４０と半導体ウェハ３０とを，強い粘着力で接着できる。このため，当該真空吸着を維持することで，半導体ウェハ３０表面から保護テープ２０を容易に剥離できるとともに，半導体ウェハ３０およびダイアタッチフィルム４０を固定して好適にダイシングできる。さらに，当該真空吸着を解除するだけで，ダイシングテープ１０の粘着力を弱めて，接着フィルム付き半導体チップ３４を好適にピックアップできる。
【００７５】
また，このように製造された接着フィルム付き半導体チップ３４は，リードフレーム等の基板に熱圧着して搭載される。従って，従来ではダイアタッチフィルム４０の加熱工程が二回必要であったが，本実施形態ではダイボンディング時の一回だけで済むので，作業効率が向上する。
【００７６】
また，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０とを同時にダイシングすることによって，接着フィルム付き半導体チップ３４を製造できる。このため，半導体チップ３４の裏面に貼り付けられたダイアタッチフィルム４０の形状・大きさが，半導体チップ３４の形状・大きさと略同一になるので，ダイボンディング時に当該ダイアタッチフィルム４０が半導体チップ３４側面に這い上がることがない。また，従来のように，ダイアタッチフィルム４０を半導体チップ３４のサイズに合わせて切り出した上で貼り合わせる，といった繁雑な作業を行わなくて済む。このため，ダイアタッチフィルム４０の貼り付け精度および生産性を大幅に向上できる。
【００７７】
以上のように，本実施形態にかかる半導体チップの製造方法によれば，従来では好適に実現できなかった，半導体ウェハ３０裏面にダイアタッチフィルム４０を貼り付けてから，かかる半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０とを同時にダイシングするという手法で，接着フィルム付き半導体チップ３４を好適に製造することができる。
【００７８】
【実施例】
次に，上記実施形態にかかる半導体チップの製造方法によって相互に貼り付けられたダイシングテープ１０，ダイアタッチフィルム４０および半導体ウェハ３０のそれぞれの間の粘着力を測定した試験結果について説明する。
【００７９】
なお，試験に用いた半導体ウェハ３０，チャックテーブル３，保護テープ２０，ダイアタッチフィルム４０，ダイシングテープ１０等の条件は，以下の表１に示す通りである。
【００８０】
【表１】
2004319829.tif 000003
【００８１】
以上のような条件で，▲１▼保護テープ２０と半導体ウェハ３０表面との間の粘着力，▲２▼半導体ウェハ３０裏面とダイアタッチフィルム４０表面との間の粘着力（真空吸着時／解除時），▲３▼ダイアタッチフィルム４０裏面とダイシングテープ１０表面の間の粘着力（真空吸着時／解除時），▲４▼ダイシングテープ１０の粘着層１０ａと基材１０ｂとの間の粘着力，を測定する試験を行った。かかる試験結果を一覧にして表２に示す。
【００８２】
【表２】
2004319829.tif 000004
【００８３】
表２に示すように，▲１▼ＵＶ照射後の保護テープ２０と半導体ウェハ３０との粘着力は，０．０５［Ｎ／２５ｍｍ］である。これに対し，真空吸着時における▲２▼半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０との粘着力，および真空吸着時における▲３▼ダイアタッチフィルム４０とダイシングテープ１０との粘着力は，ともに１０〜２０［Ｎ／２５ｍｍ］と非常に大きく，▲１▼と比して２００〜４００倍程度もある。
【００８４】
従って，ダイシングテープ１０を真空吸着しながら，保護テープ２０を半導体ウェハ３０表面から剥離する場合には，半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０との間，あるいはダイアタッチフィルム４０とダイシングテープ１０との間では，剥離が生じることがなく，保護テープ２０のみを好適に剥離できるといえる。
【００８５】
また，真空吸着解除時における▲２▼半導体ウェハ３０とダイアタッチフィルム４０との粘着力は，０．１〜０．５［Ｎ／２５ｍｍ］と小さい。これに対し，真空吸着解除時における▲３▼ダイアタッチフィルム４０とダイシングテープ１０との粘着力は，０．０１〜０．０５［Ｎ／２５ｍｍ］とさらに小さく，▲２▼と比して１０分の１程度である。
【００８６】
従って，ダイシングテープ１０の真空吸着を解除して，半導体チップ３４をダイシングテープ１０からピックアップする場合には，半導体チップ３４とダイアタッチフィルム４０との間で剥離が生じるより先に，ダイアタッチフィルム４０とダイシングテープ１０との間で剥離が生じるといえる。従って，分割されたダイアタッチフィルム４０が付着した半導体チップ３４を，容易にピックアップすることができるといえる。
【００８７】
また，真空吸着時の上記▲２▼および▲３▼の粘着力は，真空吸着解除時（即ち，通常時）の上記▲２▼および▲３▼の粘着力と比べて，１００倍〜２０００倍程度も大きい。従って，真空吸着時には，ダイシングテープ１０上にダイアタッチフィルム４０および半導体ウェハ３０を確実に固着できるとともに，ダイアタッチフィルム４０を半導体ウェハ３０に対して，熱圧着と同等の粘着力で貼り付けることができるといえる。
【００８８】
以上のような試験結果は，ダイシングテープ１０の真空吸着をオン／オフすることにより，上記実施形態にかかる半導体チップの製造方法を好適に実現できることを実証しているといえる。
【００８９】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態および実施例について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００９０】
例えば，上記実施形態では，ダイシングテープ１０の粘着層１０ａをシリコーン粘着剤で構成したが，本発明はかかる例に限定されない。粘着層１０ａは，例えば，シリコーン粘着剤以外の，各種のエラストマー樹脂からなるゴム系粘着剤（例えば，各種のエラストマー樹脂をベースポリマーとし，これに粘着付与剤樹脂，軟化剤，老化防止剤，充填剤等を添加したもの）で構成してもよい。この際，ベースポリマーとするエラストマー樹脂としては，例えば，天然ゴム，再生ゴム，合成ゴム（エチレンプロピレンジエンモノマー（ＥＰＤＭ）樹脂等），ポリインブチレン，ポリビニルイソブチルエーテル，ポリエステル，ポリウレタンなど，各種の有機物を用いることができる。
【００９１】
また，上記実施形態では，ダイシングテープ１０を粘着層１０ａおよび基材１０ｂからなる２層構造としたが，本発明はかかる例に限定されない。例えば，基材１０ｂは必ずしも具備されなくともよく，ダイシングテープ１０を，エラストマー樹脂製の粘着層１０ａのみで構成してもよい。また，ダイシングテープ１０は，表面側に粘着層１０ａを備える限り，例えば，３層以上からなる構造としてもよい。
【００９２】
また，上記実施形態では，基材１０ｂ上にシリコーン粘着剤等を塗布して粘着層１０ａを形成することによって，ダイシングテープ１０を製造したが，本発明はかかる例に限定されない。例えば，各種のエラストマー樹脂を用いてシート状の粘着層１０ａを基材１０ｂとは別体に形成し，かかるシート状の粘着層１０ａを基材１０ｂと貼り合わせることによって，ダイシングテープ１０を製造してもよい。
【００９３】
また，上記実施形態では，接着フィルムであるダイアタッチフィルム４０を，シリコーン材質の膜で構成したが，本発明はかかる例に限定されない。例えば，ダイアタッチフィルム４０は，上記のような各種のエラストマー樹脂を素材としてもよい。
【００９４】
また，上記第１の実施形態にかかる半導体チップの製造方法では，ステップＳ１０４において，ダイシングテープ１０の真空吸着を行うことなく，ダイアタッチフィルム４０をダイシングテープ１０表面に貼り付けたが（図４（ａ）参照），本発明はかかる例に限定されない。例えば，ステップＳ１０４では，ダイシングテープ１０を裏面側から真空吸着しながら，ダイアタッチフィルム４０をダイシングテープ１０表面に貼り付けてもよい。
【００９５】
【発明の効果】
以上説明したように，本発明によれば，半導体ウェハ裏面に対してダイアタッチフィルムを熱圧着することなく好適に貼り付けた上で，かかる半導体ウェハおよびダイアタッチフィルムを好適に切断することができる。これにより，接着フィルム付き半導体チップを容易かつ高精度で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）および図１（ｂ）は，第１の実施形態にかかるダイシングテープを示す斜視図および部分拡大断面図である。
【図２】図２は，第１の実施形態にかかる半導体チップの製造方法を示すフローチャートである。
【図３】図３は，第１の実施形態にかかる半導体チップの製造方法の工程説明図である。
【図４】図４は，第１の実施形態にかかる半導体チップの製造方法の工程説明図である。
【図５】図５は，第１の実施形態にかかる半導体チップの製造方法の工程説明図である。
【図６】図６（ａ）および（ｂ）は，第１の実施形態にかかる半導体チップの製造方法のダイシング工程でダイシングされた半導体ウェハを示す部分拡大断面図である。
【図７】図７は，第１の実施形態にかかる半導体チップの製造方法の工程説明図である。
【図８】図８は，第２の実施形態にかかる半導体チップの製造方法を示すフローチャートである。
【図９】図９は，第２の実施形態にかかる半導体チップの製造方法の工程説明図である。
【符号の説明】
３  ：  チャックテーブル
５  ：  押圧部材
９  ：  ピックアップ手段
１０  ：  ダイシングテープ
１０ａ  ：  粘着層
１０ｂ  ：  基材
２０  ：  保護テープ
２２  ：  切削ブレード
３０  ：  半導体ウェハ
３２  ：  回路
３４  ：  半導体チップ
４０  ：  ダイアタッチフィルム
【図１】
2004319829.tif 000005
【図２】
2004319829.tif 000006
【図３】
2004319829.tif 000007
【図４】
2004319829.tif 000008
【図５】
2004319829.tif 000009
【図６】
2004319829.tif 000010
【図７】
2004319829.tif 000011
【図８】
2004319829.tif 000012
【図９】
2004319829.tif 000013