(57)【要約】【課題】高機能で安定性に優れたシリコン系薄膜を高生産性を確保して提供する。【解決手段】大気圧又は大気圧近傍の圧力下で、対向する電極間に、１００ｋＨｚを越えた高周波電圧で、且つ、１Ｗ／ｃｍ２以上の電力を供給して放電させることにより、反応性ガスをプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に薄膜を形成するシリコン系薄膜の形成方法。【選択図】　　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気圧又は大気圧近傍の圧力下で、対向する電極間に、１００ｋＨｚを越えた高周波電圧で、且つ、１Ｗ／ｃｍ２以上の電力を供給して放電させることにより、反応性ガスをプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に薄膜を形成することを特徴とするシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項２】
前記高周波電圧が、５０ＭＨｚ以下であることを特徴とする請求項１に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項３】
前記高周波電圧が、２００ｋＨｚ以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項４】
前記高周波電圧が、８００ｋＨｚ以上であることを特徴とする請求項３に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項５】
前記電力が、１．２Ｗ／ｃｍ２以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項６】
前記電力が、５０Ｗ／ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項７】
前記電力が、２０Ｗ／ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項６に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項８】
前記高周波電圧は、連続したサイン波であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項９】
前記電極の少なくとも一方が、誘電体で被覆されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項１０】
前記誘電体が、比誘電率が６〜４５の無機物であることを特徴とする請求項９に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項１１】
前記電極が、冷却手段を有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項１２】
前記電極の表面粗さＲｍａｘが１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項１３】
前記基材が長尺フィルムであって、前記長尺フィルムが前記電極間を搬送され、且つ、前記反応性ガスが前記電極間に導入されることにより前記長尺フィルム上に薄膜を形成することを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項１４】
前記電極間に、前記反応性ガスと不活性ガスを含有する混合ガスを導入し、前記混合ガスは、不活性ガスを９９．９〜９０体積％含有していることを特徴とする請求項１３に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項１５】
前記混合ガスが、水素を０．０１〜５体積％含有していることを特徴とする請求項１４に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項１６】
前記長尺フィルムに同伴して前記電極間に持ち込まれる同伴空気が１％未満であることを特徴とする請求項１５に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法により形成されたシリコン系薄膜を有する素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アモルファスシリコン膜やポリシリコン膜等のシリコン系薄膜の形成方法と形成された該膜を有する素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、薄膜トランジスタ等の半導体素子、太陽電池や電子写真感光体等の光電変換素子、等に用いられるアモルファスシリコン膜やポリシリコン膜は低圧プラズマＣＶＤ、常圧熱ＣＶＤ、蒸着、スパッタリング等の方法により製膜されていたが、低圧プラズマＣＶＤではガス種が限定され、他の方法と同様処理速度が遅く、工業的なプロセスには不利であるという問題が有った。
【０００３】
これに対応するために、特開２００２−１２４４８０には、大気圧近傍の圧力下で対向電極間に原料ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより、原料ガスをグロー放電でプラズマ化させてアモルファスシリコン膜を製膜することが、特開２００２−１５１４２０には、大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、該対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを基材に接触させ、且つプラズマと基材の接触部近傍を窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノンからなる群から選ばれる一種以上の雰囲気に保ってポリシリコン膜を製膜することが、それぞれ記載されている。
【０００４】
しかしながら、上記特開２００２−１２４４８０及び同２００２−１５１４２０の大気圧近傍の圧力下でのプラズマを用いるアモルファスシリコン膜やポリシリコン膜の製膜方法では、プラズマ密度が充分では無く、良質な薄膜が形成できないことが解った。即ち半導体素子に当該アモルファスシリコン膜を用いると、感度が低く、また電界強度が大きいことによるプラズマイオンダメージが多く、収率が悪い。
【０００５】
また特開２００１−３４８６６５には、気密チャンバー内で加熱手段を有する試料ステージに基板を保持し、所定ギャップを設けて円筒形状の回転電極を対向させ、シリコン供給反応ガス、炭素供給反応ガス及び不活性ガスを含む原料ガスを０．１〜１０気圧でチャンバー内に導入して、高速回転させた回転電極面に巻き込んで前記ギャップを横切るガス流を形成し、回転電流に高周波電圧を印加してギャップでプラズマを発生させ、加熱基板上にアモルファス炭化珪素膜を形成することが記載されている。
【０００６】
この方法によれば、高性能の薄膜を形成できるが、プラズマ密度が高すぎてダングリングボンドが多く形成され、性能の経時劣化を招く問題が有る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、高機能で安定性に優れたシリコン系薄膜を高生産性を確保して提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記目的は、
１）　大気圧又は大気圧近傍の圧力下で、対向する電極間に、１００ｋＨｚを越えた高周波電圧で、且つ、１Ｗ／ｃｍ２以上の電力を供給して放電させることにより、反応性ガスをプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に薄膜を形成するシリコン系薄膜の形成方法、
２）　前記高周波電圧が、５０ＭＨｚ以下である１）のシリコン系薄膜の形成方法、
３）　前記高周波電圧が、２００ｋＨｚ以上である１）又は２）のシリコン系薄膜の形成方法、
４）　前記高周波電圧が、８００ｋＨｚ以上である３）のシリコン系薄膜の形成方法、
５）　前記電力が、１．２Ｗ／ｃｍ２以上である１）〜４）のいずれかのシリコン系薄膜の形成方法、
６）　前記電力が、５０Ｗ／ｃｍ２以下である１）〜５）のいずれかのシリコン系薄膜の形成方法、
７）　前記電力が、２０Ｗ／ｃｍ２以下である６）のシリコン系薄膜の形成方法、
８）　前記高周波電圧は、連続したサイン波である１）〜７）のいずれかのシリコン系薄膜の形成方法、
９）　前記電極の少なくとも一方が、誘電体で被覆されている１）〜８）のいずれかのシリコン系薄膜の形成方法、
１０）　前記誘電体が、比誘電率が６〜４５の無機物である９）のシリコン系薄膜の形成方法、
１１）　前記電極が、冷却手段を有する１）〜１０）のいずれかのシリコン系薄膜の形成方法、
１２）　前記電極の表面粗さＲｍａｘが１０μｍ以下である１）〜１１）のいずれかのシリコン系薄膜の形成方法、
１３）　前記基材が長尺フィルムであって、前記長尺フィルムが前記電極間を搬送され、且つ、前記反応性ガスが前記電極間に導入されることにより前記長尺フィルム上に薄膜を形成する１）〜１２）のいずれかのシリコン系薄膜の形成方法、
１４）　前記電極間に、前記反応性ガスと不活性ガスを含有する混合ガスを導入し、前記混合ガスは、不活性ガスを９９．９〜９０体積％含有している１３）のシリコン系薄膜の形成方法、
１５）　前記混合ガスが、水素を０．０１〜５体積％含有している１４）のシリコン系薄膜の形成方法、
１６）　前記長尺フィルムに同伴して前記電極間に持ち込まれる同伴空気が１％未満である１５）のシリコン系薄膜の形成方法、
１７）　１）〜１６）のいずれか１項に記載の方法により形成されたシリコン系薄膜を有する素子、
によって達成される。
【０００９】
即ち本発明者は、対向する電極間に、１００ｋＨｚを越えた高周波電圧で、且つ、１Ｗ／ｃｍ２以上の電力を供給し、反応性ガスを励起してプラズマを発生させると、緻密で、膜厚均一性の高い高性能なシリコン系薄膜を、生産効率高く得ることが可能であることを見いだし、本発明に至った。
【００１０】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明において、電極間に印加する高周波電圧の周波数は、好ましくは２００ｋＨｚ以上、さらに好ましくは８００ｋＨｚ以上で、且つ５０ＭＨｚ以下が好ましい。
【００１１】
また、電極間に供給する電力は、好ましくは１．２Ｗ／ｃｍ２以上で、好ましくは５０Ｗ／ｃｍ２以下、さらに好ましくは２０Ｗ／ｃｍ２以下である。尚、電極における電圧の印加面積（／ｃｍ２）は、放電が起こる範囲の面積のことを指す。
【００１２】
また、電極間に印加する高周波電圧は、断続的なパルス波であっても、連続したサイン波であっても構わないが、本発明の効果を高く得るためには、連続したサイン波であることが好ましい。
【００１３】
本発明においては、このようなハイパワーの電圧を印加して、均一なグロー放電状態を保つことができる電極をプラズマ放電処理装置に採用する必要がある。
【００１４】
このような電極としては、金属母材上に誘電体を被覆したものであることが好ましい。少なくとも対向する印加電極とアース電極の片側に誘電体を被覆すること、更に好ましくは、対向する印加電極とアース電極の両方に誘電体を被覆することである。誘電体としては、比誘電率が６〜４５の無機物であることが好ましく、このような誘電体としては、アルミナ、窒化珪素等のセラミックス、あるいは、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス等のガラスライニング材等がある。
【００１５】
また、基材を電極間に載置あるいは電極間を搬送してプラズマに晒す場合には、基材を片方の電極に接して搬送出来るロール電極仕様にするだけでなく、更に誘電体表面を研磨仕上げし、電極の表面粗さＲｍａｘ（ＪＩＳ　Ｂ　０６０１）を１０μｍ以下にすることで、誘電体の厚み及び電極間のギャップを一定に保つことができ、放電状態を安定化できること、更に熱収縮差や残留応力による歪やひび割れを無くし、かつポーラスで無い高精度の無機誘電体を被覆することで大きく耐久性を向上させることができる。
【００１６】
また、高温下での金属母材に対する誘電体被覆による電極製作において、少なくとも基材と接する側の誘電体を研磨仕上げすること、更に電極の金属母材と誘電体間の熱膨張の差をなるべく小さくすることが必要であり、そのため製作方法において、母材表面に、応力を吸収出来る層として泡混入量をコントロールして無機質の材料をライニングする、特に材質としては琺瑯等で知られる溶融法により得られるガラスであることが良く、更に導電性金属母材に接する最下層の泡混入量を２０〜３０体積％とし、次層以降を５体積％以下とすることで、緻密でかつひび割れ等が発生しない良好な電極が出来る。
【００１７】
また、電極の母材に誘電体を被覆する別の方法として、セラミックスの溶射を空隙率１０体積％以下まで緻密に行い、更にゾルゲル反応により硬化する無機質の材料にて封孔処理を行うことであり、ここでゾルゲル反応の促進には、熱硬化やＵＶ硬化が良く、更に封孔液を希釈し、コーティングと硬化を逐次で数回繰り返すと、よりいっそう無機質化が向上し、劣化の無い緻密な電極が出来る。
【００１８】
このような電極を用いたプラズマ放電処理装置について、図１〜図６を参照しながら説明する。図１〜図６のプラズマ放電処理装置は、アース電極であるロール電極と、対向する位置に配置された印加電極である固定電極との間で放電させ、当該電極間に反応性ガスを導入してプラズマ状態とし、前記ロール電極に巻回された長尺フィルム状の基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、薄膜を形成するものであるが、本発明の薄膜形成方法を実施する装置としてはこれに限定されるものではなく、グロー放電を安定に維持し、薄膜を形成するために反応性ガスを励起してプラズマ状態とするものであればよい。他の方式としては、基材を電極間ではない電極近傍に載置あるいは搬送させ、発生したプラズマを当該基材上に吹き付けて薄膜形成を行うジェット方式等がある。
【００１９】
図１は、本発明の薄膜形成方法に用いられるプラズマ放電処理装置のプラズマ放電処理容器の一例を示す概略図である。
【００２０】
図１において、長尺フィルム状の基材Ｆは搬送方向（図中、時計回り）に回転するロール電極２５に巻回されながら搬送される。固定されている電極２６は複数の円筒から構成され、ロール電極２５に対向させて設置される。ロール電極２５に巻回された基材Ｆは、ニップローラ６５、６６で押圧され、ガイドローラ６４で規制されてプラズマ放電処理容器３１によって確保された放電処理空間に搬送され、放電プラズマ処理され、次いで、ガイドローラ６７を介して次工程に搬送される。また、仕切板５４は前記ニップローラ６５、６６に近接して配置され、基材Ｆに同伴する空気がプラズマ放電処理容器３１内に進入するのを抑制する。
【００２１】
この同伴される空気は、プラズマ放電処理容器３１内の気体の全体積に対し、１体積％以下に抑えることが好ましく、０．１体積％以下に抑えることがより好ましい。前記ニップローラ６５および６６により、それを達成することが可能である。
【００２２】
尚、放電プラズマ処理に用いられる混合ガス（不活性ガスと、反応性の原料ガス）は、給気口５２からプラズマ放電処理容器３１に導入され、処理後のガスは排気口５３から排気される。
【００２３】
図２は、図１と同様に、本発明の製造方法に用いられるプラズマ放電処理装置に設置されるプラズマ放電処理容器の一例を示す概略図であるが、図１においては、ロール電極２５に対向する固定されている電極２６は円柱型の電極が用いられているのに対し、角柱型電極３６に変更した例を示している。
【００２４】
図１に示した円柱型の電極２６に比べて、図２に示した角柱型の電極３６は、放電範囲を広げる効果があるので、本発明のシリコン系薄膜の形成方法に好ましく用いられる。
【００２５】
図３（ａ）、（ｂ）は各々、上述の円筒型のロール電極の一例を示す概略図、図４（ａ）、（ｂ）は各々、円筒型で固定されている電極の一例を示す概略図、図５（ａ）、（ｂ）は各々、角柱型で固定されている電極の一例を示す概略図である。
【００２６】
図３（ａ）及び図３（ｂ）において、アース電極であるロール電極２５ｃは、金属等の導電性母材２５ａに対しセラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処理誘電体２５ｂを被覆した組み合わせで構成されているものである。セラミック被覆処理誘電体を片肉で１ｍｍ被覆し、ロール径を被覆後２００φとなるように製作し、アースに接地してある。または、金属等の導電性母材２５Ａへライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体２５Ｂを被覆した組み合わせ、ロール電極２５Ｃで構成してもよい。ライニング材としては、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、ゲルマン酸塩系ガラス、亜テルル酸塩ガラス、アルミン酸塩ガラス、バナジン酸塩ガラス等が好ましく用いられるが、この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易いので、更に好ましく用いられる。金属等の導電性母材２５ａ、２５Ａとしては、銀、白金、ステンレス、アルミニウム、鉄等の金属等が挙げられるが、加工の観点からステンレスが好ましい。また、溶射に用いるセラミックス材としては、アルミナ・窒化珪素等が好ましく用いられるが、この中でもアルミナが加工し易いので、更に好ましく用いられる。尚、本実施の形態においては、ロール電極の母材は、冷却水による冷却手段を有するステンレス製ジャケットロール母材を使用している（不図示）。
【００２７】
図４（ａ）、（ｂ）および図５（ａ）、（ｂ）は、印加電極である固定の電極２６ｃ、電極２６Ｃ、電極３６ｃ、電極３６Ｃであり、上記記載のロール電極２５ｃ、ロール電極２５Ｃと同様な組み合わせで構成されている。すなわち、中空のステンレスパイプに対し、上記同様の誘電体を被覆し、放電中は冷却水による冷却が行えるようになっている。尚、セラミック被覆処理誘電体の被覆後１２φまたは１５φとなるように製作され、当該電極の数は、上記ロール電極の円周上に沿って１４本設置している。
【００２８】
印加電極に電圧を印加する電源としては、特に限定はないが、パール工業製高周波電源（２００ｋＨｚ）、パール工業製高周波電源（８００ｋＨｚ）、日本電子製高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）、パール工業製高周波電源（１５０ＭＨｚ）等が使用できる。
【００２９】
図６は、本発明に用いられるプラズマ放電処理装置の一例を示す概念図である。図６において、プラズマ放電処理容器３１の部分は図２の記載と同様であるが、更に、ガス発生装置５１、電源４１、電極冷却ユニット６０等が装置構成として配置されている。電極冷却ユニット６０の冷却剤としては、蒸留水、油等の絶縁性材料が用いられる。
【００３０】
図６に記載の電極２５、３６は、図３、４、５等に示したものと同様であり、対向する電極間のギャップは、例えば１ｍｍ程度に設定される。
【００３１】
上記電極間の距離は、電極の母材に設置した固体誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮して決定される。上記電極の一方に固体誘電体を設置した場合の固体誘電体と電極の最短距離、上記電極の双方に固体誘電体を設置した場合の固体誘電体同士の距離としては、いずれの場合も均一な放電を行う観点から０．５ｍｍ〜２０ｍｍが好ましく、特に好ましくは１ｍｍ±０．５ｍｍである。
【００３２】
前記プラズマ放電処理容器３１内にロール電極２５、固定されている電極３６を所定位置に配置し、ガス発生装置５１で発生させた混合ガスを流量制御して、給気口５２よりプラズマ放電処理容器３１内に入れ、前記プラズマ放電処理容器３１内をプラズマ処理に用いる混合ガスで充填し排気口５３より排気する。次に電源４１により電極３６に電圧を印加し、ロール電極２５はアースに接地し、放電プラズマを発生させる。ここでロール状の元巻き基材６１より基材Ｆを供給し、ガイドローラ６４を介して、プラズマ放電処理容器３１内の電極間を片面接触（ロール電極２５に接触している）の状態で搬送され、基材Ｆは搬送中に放電プラズマにより表面が放電処理され、その後にガイドローラ６７を介して、次工程に搬送される。ここで、基材Ｆはロール電極２５に接触していない面のみ放電処理がなされる。
【００３３】
電源４１より固定されている電極３６に印加される電圧の値は適宜決定されるが、例えば、電圧が０．５〜１０ｋＶ程度で、電源周波数は１００ｋＨｚを越えて１５０ＭＨｚ以下に調整される。ここで電源の印加法に関しては、連続モードと呼ばれる連続サイン波状の連続発振モードとパルスモードと呼ばれるＯＮ／ＯＦＦを断続的に行う断続発振モードのどちらを採用しても良いが連続モードの方がより緻密で良質な膜が得られる。
【００３４】
プラズマ放電処理容器３１はパイレックス（Ｒ）ガラス製の処理容器等が好ましく用いられるが、電極との絶縁がとれれば金属製を用いることも可能である。例えば、アルミニウムまたは、ステンレスのフレームの内面にポリイミド樹脂等を張り付けても良く、該金属フレームにセラミックス溶射を行い絶縁性をとっても良い。
【００３５】
また、放電プラズマ処理時の基材への影響を最小限に抑制するために、放電プラズマ処理時の基材の温度を常温（１５℃〜２５℃）〜２００℃未満の温度に調整することが好ましく、更に好ましくは常温〜１００℃に調整することである。上記の温度範囲に調整する為、必要に応じて電極、基材は冷却手段で冷却しながら放電プラズマ処理される。
【００３６】
本発明においては、上記の放電プラズマ処理が大気圧または大気圧近傍で行われるが、ここで大気圧近傍とは、２０ｋＰａ〜１１０ｋＰａの圧力を表すが、本発明に記載の効果を好ましく得るためには、９３ｋＰａ〜１０４ｋＰａが好ましい。
【００３７】
また、本発明のシリコン系薄膜の形成方法に係る放電用電極においては、電極の少なくとも基材と接する側のＪＩＳ　Ｂ　０６０１で規定される表面粗さの最大高さ（Ｒｍａｘ）が１０μｍ以下になるように調整されることが、本発明に記載の効果を得る観点から好ましいが、更に好ましくは、表面粗さの最大値が８μｍ以下であり、特に好ましくは、７μｍ以下に調整することである。
【００３８】
また、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１で規定される中心線平均表面粗さ（Ｒａ）は０．５μｍ以下が好ましく、更に好ましくは０．１μｍ以下である。
【００３９】
本発明のシリコン系薄膜の形成方法に係る混合ガスについて説明する。
本発明を実施するにあたり、使用するガスは、基材上に設けたいシリコン系薄膜の種類によって異なるが、基本的に、不活性ガスと、薄膜を形成するための反応性ガスの混合ガスである。反応性ガスは、混合ガスに対し、０．０１〜１０体積％含有させることが好ましい。薄膜の膜厚としては、０．１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲の薄膜が得られる。
【００４０】
上記不活性ガスとは、周期表の第１８属元素、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等が挙げられるが、本発明に記載の効果を得るためには、ヘリウム、アルゴンが好ましく用いられる。
【００４１】
例えば、反応性ガスとしてＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６等のＳｉ−水素化合物ガス、ＳｉＣｌ４、ＳｉＨ２Ｃｌ２等のＳｉ−塩素化合物及びＳｉ−水素−塩素化合物に適宜水素ガスを混合させたガスが挙げられ、ドーパントを導入する場合は、これらのガスに、Ｂ２Ｈ６、ＰＨ３、ＡｓＨ３、ＧｅＨ４等を混合して、Ｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｇｅ等をドーピングできる。
【００４２】
次に、本発明に用いることができる基材について説明する。
本発明に用いることができる基材としては、フィルム状のもの、レンズ状等の立体形状のもの等、薄膜をその表面に形成できるものであれば特に限定はない。基材が電極間に載置できるものであれば、電極間に載置することによって、基材が電極間に載置できないものであれば、発生したプラズマを当該基材に吹き付けることによって薄膜を形成すればよい。
【００４３】
基材を構成する材料も特に限定はなく、例えばアルミ箔、銅箔、金泊の様な金属箔を用いることもできるし、大気圧または大気圧近傍の圧力下であることと、低温のグロー放電であることから、樹脂を用いることもできる。特に本発明では、基材温度を必要以上に高める必要が無いので、樹脂基材への製膜では有利である。
【００４４】
例えば、フィルム状のセルローストリアセテート等のセルロースエステル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスチレン、更にこれらの上にゼラチン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、セルロース系樹脂等を塗設したもの等を使用することが出来、具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、セロファン、セルロースジアセテートフィルム、セルロースアセテートブチレートフィルム、セルロースアセテートプロピオネートフィルム、セルロースアセテートフタレートフィルム、セルローストリアセテート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体からなるフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、エチレンビニルアルコールフィルム、シンジオタクティックポリスチレン系フィルム、ポリカーボネートフィルム、ノルボルネン樹脂系フィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリスルホン系フィルム、ポリエーテルケトンイミドフィルム、ポリアミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、ナイロンフィルム、ポリメチルメタクリレートフィルム、アクリルフィルムあるいはポリアリレート系フィルム等を挙げることができる。
【００４５】
これらの素材は単独であるいは適宜混合されて使用することもできる。中でもゼオネックス（日本ゼオン（株）製）、ＡＲＴＯＮ（日本合成ゴム（株）製）などの市販品を好ましく使用することができる。更に、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルフォン及びポリエーテルスルフォン等も用いることが出来、本発明に係る基材は、上記に限定されない。
【００４６】
基材の厚さとしては１０μｍ〜１０００μｍが好ましい。
なおプラズマ処理により形成されたシリコン系薄膜に、処理後紫外線照射することが、形成された薄膜を早期に安定化させるのに有効である。
【００４７】
【実施例】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【００４８】
図２の構成のプラズマ放電処理容器を用い、アルゴン　９８．０体積％、ＳｉＨ４１体積％、Ｈ２１体積％、Ｂ２Ｈ６ＳｉＨ４に対し１０００ｐｐｍからなる混合ガスを導入して、下記の条件でアルミ箔からなる基材にシリコン系薄膜を形成し、得られた試料について静電試験器（川口電気社製、ＥＰＡ８１００）にて、６００Ｖから１００Ｖまでの減衰時間で感度特性を評価した。
【００４９】
結果を表１に示す。
【００５０】
【表１】
2004014846.tif 000002
【００５１】
これから明らかな様に、本発明により形成されたシリコン系薄膜は、良好な光導電性を有し、経時による劣化の問題も抑えられていることが解る。
【００５２】
【発明の効果】
本発明によれば、高機能で安定性に優れたシリコン系薄膜を生産性良く得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のシリコン系薄膜の形成方法に用いられるプラズマ放電処理装置に設置されるプラズマ放電処理容器の一例を示す概略図である。
【図２】本発明のシリコン系薄膜の形成方法に用いられるプラズマ放電処理装置に設置されるプラズマ放電処理容器の他の一例を示す概略図である。
【図３】プラズマ放電処理に用いられる円筒型のロール電極の一例を示す概略図である。
【図４】プラズマ放電処理に用いられる固定型の円筒型電極の一例を示す概略図である。
【図５】プラズマ放電処理に用いられる固定型の角柱型電極の一例を示す概略図である。
【図６】本発明のシリコン系薄膜の形成方法に用いられるプラズマ放電処理装置の一例を示す概念図である。
【符号の説明】
２５、２５ｃ、２５Ｃ　ロール電極
２６、２６ｃ、２６Ｃ、３６、３６ｃ、３６Ｃ　電極
２５ａ、２５Ａ、２６ａ、２６Ａ、３６ａ、３６Ａ　金属等の導電性母材
２５ｂ、２６ｂ、３６ｂ　セラミック被覆処理誘電体
２５Ｂ、２６Ｂ、３６Ｂ　ライニング処理誘電体
３１　プラズマ放電処理容器
４１　電源
５１　ガス発生装置
５２　給気口
５３　排気口
６０　電極冷却ユニット
６１　元巻き基材
６５、６６　ニップローラ
６４、６７　ガイドローラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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