(57)【要約】【課題】リーク電流の発生およびダークスポットを憂えることなく、発生光取り出し効率を向上させる。【解決手段】基板の画素領域に少なくとも一方の電極、発光材料層、他方の電極が積層されて形成され、前記一方の電極は透光性の導電層から構成され、この一方の電極の下層に形成された絶縁膜の表面に微小円錐形状の凹凸が形成されている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の画素領域に少なくとも一方の電極、発光材料層、他方の電極が積層されて形成され、前記一方の電極は透光性の導電層から構成され、
この一方の電極の下層に形成された絶縁膜の表面に微小円錐形状の凹凸が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記微小円錐形状の凹凸の一方の面内方向の直径の最大が１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記微小円錐形状の凹凸の凸部の高さは、前記一方の電極の厚さをｔとした場合、１００ｎｍ〜ｔ／１０ｎｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１あるいは２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記微小円錐形状の凹凸の凸部の高さは、前記一方の電極の厚さをｔとした場合、３０ｎｍ〜ｔ／１０ｎｍの範囲内にあることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
基板の上面側にパターン化された導体層、この導体層をも被って形成された絶縁膜、この絶縁膜の画素領域に少なくとも一方の電極、発光材料層、他方の電極が積層されて形成されているとともに、前記一方の電極は透光性の導電層から構成され、
前記導体層はシリコンを含む合金層から構成されているとともに、前記絶縁膜の表面に微小円錐形状の凹凸が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記一方の電極は、ゲート信号線からの信号によってオンされるスイッチング素子を介してドレイン信号線からの信号が供給され、前記導電層はゲート信号線を構成することを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記絶縁膜はシリコンの残渣が含有されていることを特徴とする請求項１、５のうちいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記微小円錐形状の凹凸が形成された絶縁膜の光屈折率は１．４〜１．９の範囲に設定されていることを特徴とする請求項１、５のうちいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記微小円錐形状の凹凸が形成された絶縁膜はシリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項１、５のうちいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記絶縁膜の表面にプラズマ処理を施すことにより、該表面に微小円錐形状の凹凸を形成することを特徴とする請求項１から４のうちいずれに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は有機ＥＬ表示装置に係り、その光取り出し効率を向上させた有機ＥＬ表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬ表示装置は、その基板上にマトリクス状に配置された多数の画素を有し、これら各画素には一方の電極、発光材料層、他方の電極を順次積層させた積層体を備える。
【０００３】
前記発光材料層に電流を流すことにより、該発光材料層はその電流値に応じて発光がなされる。この発光材料層からの光は、それを基板側に出射させる場合、前記一方の電極をたとえばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透光性の導電層として形成することにより、該基板を介して観察者側に出射されることになる。
【０００４】
このような構成の有機ＥＬ表示装置は、発光材料層からの光の大部分が観察者側に出射されるならば問題はないが、該光の約８０％はその近傍に配置される膜内を伝播して失われることになる。
【０００５】
このため、たとえば、前記基板の上面であって前記一方の電極（たとえばＩＴＯ膜で形成される）との間に下地層を形成し、この下地層の表面に多数の三角錐状の突起を形成し、この突起の表面の形状を前記一方の電極の表面に顕在化させ、これに光集光の機能をもたせたものが知られている（特許文献１参照）。
【特許文献１】
特開２００２−１９８１８４号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このように構成された有機ＥＬ表示装置は、前記一方の電極の表面が前記突起の表面の形状どおりになるのは希であり、幾つかの箇所に突起状の先鋭部が形成され、これが原因でリーク電流の発生、およびいわゆるダークスポットの発生を免れることができなかった。
【０００７】
本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、上述したようなリーク電流の発生およびダークスポットを憂えることなく、発生光取り出し効率を向上させた有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
手段１．
本発明による有機ＥＬ表示装置は、たとえば、基板の画素領域に少なくとも一方の電極、発光材料層、他方の電極が積層されて形成され、前記一方の電極は透光性の導電層から構成され、
この一方の電極の下層に形成された絶縁膜の表面に微小円錐形状の凹凸が形成されていることを特徴とするものである。
【０００９】
手段２．
本発明による有機ＥＬ表示装置、たとえば、手段１の構成を前提に、前記微小円錐形状の凹凸の一方の面内方向の直径の最大が１００ｎｍ以下であることを特徴とするものである。
【００１０】
手段３．
本発明による有機ＥＬ表示装置、たとえば、手段１、２のうちいずれかの構成を前提に、前記微小円錐形状の凹凸の凸部の高さは、前記一方の電極の厚さをｔとした場合、１００ｎｍ〜ｔ／１０ｎｍの範囲内にあることを特徴とするものである。
【００１１】
手段４．
本発明による有機ＥＬ表示装置、たとえば、手段３の構成を前提に、前記微小円錐形状の凹凸の凸部の高さは、前記一方の電極の厚さをｔとした場合、３０ｎｍ〜ｔ／１０ｎｍの範囲内にあることを特徴とするものである。
【００１２】
手段５．
本発明による有機ＥＬ表示装置、たとえば、基板の上面側にパターン化された導体層、この導体層をも被って形成された絶縁膜、この絶縁膜の画素領域に少なくとも一方の電極、発光材料層、他方の電極が積層されて形成されているとともに、前記一方の電極は透光性の導電層から構成され、
前記導体層はシリコンを含む合金層から構成されているとともに、前記絶縁膜の表面に微小円錐形状の凹凸が形成されていることを特徴とするものである。
【００１３】
手段６．
本発明による有機ＥＬ表示装置、たとえば、手段５の構成を前提に、前記一方の電極は、ゲート信号線からの信号によってオンされるスイッチング素子を介してドレイン信号線からの信号が供給され、前記導体層はゲート信号線を構成することを特徴とするものである。
【００１４】
手段７．
本発明による有機ＥＬ表示装置、たとえば、手段１、５のうちいずれかの構成を前提に、前記絶縁膜はシリコンの残渣が含有されていることを特徴とするものである。
【００１５】
手段８．
本発明による有機ＥＬ表示装置、たとえば、手段１、５のうちいずれかの構成を前提に、前記微小円錐形状の凹凸が形成された絶縁膜の光屈折率は１．４〜１．９の範囲に設定されていることを特徴とするものである。
【００１６】
手段９．
本発明による有機ＥＬ表示装置、たとえば、手段１、５のうちいずれかの構成を前提に、前記微小円錐形状の凹凸が形成された絶縁膜はシリコン酸化膜からなることを特徴とするものである。
【００１７】
手段１０．
本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法は、たとえば、手段１から４のうちいずれかの構成を前提に、前記絶縁膜の表面にプラズマ処理を施すことにより、該表面に微小円錐形状の凹凸を形成することを特徴とするものである。
【００１８】
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例を図面を用いて説明をする。
《等価回路》
図２は、本発明による有機ＥＬ表示装置の表示部における等価回路の一実施例を示す図である。
【００２０】
図２において、透明基板面に、ｘ方向に延在されｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬと、ｙ方向に延在されｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬとが形成され、これら各信号線に囲まれた各領域を画素領域としている。
【００２１】
前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれにはたとえば上のゲート信号線ＧＬから下のゲート信号線ＧＬにかけて順次走査信号が供給されるようになっており、この際に各走査信号の供給のタイミングに合わせて各ドレイン信号線ＤＬには映像信号が供給されるようになっている。
【００２２】
各画素領域には、片側（図中上側）のゲート信号線ＧＬからの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側（図中左側）のドレイン信号線ＤＬから映像信号が供給される画素電極ＰＸとを備えている。
【００２３】
なお、図示していないが、この画素電極ＰＸには発光材料層が積層され、この発光材料層はさらにその上に積層された対向電極と前記画素電極ＰＸで挟持されている。
【００２４】
対向電極は各画素領域に共通に形成されたたとえば光反射率の大きな導電層で形成され、これに対して画素電極ＰＸはたとえばＩＴＯ  （Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ  （Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ２（酸化スズ）、Ｉｎ２Ｏ３（酸化インジウム）等の光透光性の導電層で形成されている。
【００２５】
前記対向電極に供給される信号は、画素電極ＰＸに供給される映像信号に対して基準となる信号となっており、これにより前記発光材料層に流れる電流の値に応じた強さの光が該発光材料層から出射される。該発光材料層からの光は画素電極ＰＸを通して前記透明基板側へ出射される。
【００２６】
《画素の構成》
図３は、前記画素領域の構成の一実施例を示す平面図である。また、図１は図３のＩ−Ｉ線における断面図を、図４は図３のＩＶ−ＩＶにおける断面図を示している。
【００２７】
まず、透明基板ＳＵＢ（図１、４参照）があり、この透明基板ＳＵＢの主表面には下地膜ＵＣ（図１、４参照）が形成されている。この下地膜ＵＣは、たとえば該透明基板ＳＵＢに含有されるイオン性の不純物が後述する薄膜トランジスタＴＦＴへ侵入するのを阻止する機能を有する。
【００２８】
透明基板ＳＵＢの主表面に形成すべき各画素領域のたとえば左上の個所にｘ方向に延在するポリシリコン層からなる半導体層ＰＳが形成されている。この半導体層ＰＳは前記薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層となるものである。
【００２９】
そして、この半導体層ＰＳをも被って該透明基板ＳＵＢの表面には第１絶縁膜ＧＩ（図１、４参照）が形成されている。この第１絶縁膜ＧＩは薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてゲート絶縁膜として機能するものである。
【００３０】
この第１絶縁膜ＧＩの表面にはそのｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬが形成されている。このゲート信号線ＧＬは後述のドレイン信号線ＤＬとで前記画素領域を画するようにして形成される。
【００３１】
また、このゲート信号線ＧＬは、その一部において前記半導体層ＰＳのほぼ中央部を横切るようにして延在される延在部が形成され、この延在部は薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極ＧＴとして機能するようになっている。
【００３２】
なお、製造において、このゲート電極ＧＴの形成後にはそれをマスクとして不純物イオンが打ち込まれ、該ゲート電極ＧＴの直下以外の領域における前記半導体層ＰＳの部分は低抵抗化されるようになっている。
【００３３】
なお、ゲート信号線ＧＬおよびゲート電極ＧＴは、たとえばＡｌにＳｉが含有された合金が用いられ、該ＳｉのＡｌに対する含有量はたとえばＡｌ配線におけるいわゆるヒロック対策に要するＳｉの量よりも多めとなっている。また、このゲート信号線ＧＬの材料としては、たとえばＭｏにＳｉが含有されたものであってもよい。
【００３４】
ゲート信号線ＧＬ（ゲート電極ＧＴ）をも被って前記基板ＳＵＢの表面には第２絶縁膜ＩＮ（図１、４参照）が形成されている。この第２絶縁膜ＩＮはたとえばシリコン酸化膜から構成され、後述のドレイン信号線ＤＬの形成領域においてゲート信号線ＧＬに対する層間絶縁膜としての機能を有する。この第２絶縁膜はその光屈折率が１．４〜１．９として設定できるものである。
【００３５】
そして、この第２絶縁膜ＩＮの表面の全域には、微小の円錐形状の凹凸が形成され、その一方の面内方向の直径の最大が１００ｎｍ以下となっている。また、該前記微小円錐形状の凹凸の凸部の高さ（あるいは凹部の深さ）は、後述する画素電極ＰＸの厚さをｔとした場合、１００ｎｍ〜ｔ／１０ｎｍの範囲内にある。ｔ／１０ｎｍ以上の値としたのは、それ以下であると凹凸の効果が充分でなくなるからである。
【００３６】
なお、この実施例において、第２絶縁膜ＩＮの表面に形成される前記凹凸は、特に該表面に何らかの処理をして形成されるものではなく、前述したゲート信号線ＧＬとしてシリコンを含有させた合金を用いることによって必然的に形成されることを発見したものであるが、その理由については後に詳述する。
【００３７】
さらに、該第２絶縁膜ＩＮの表面にはそのｙ方向に延在されｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成されている。このドレイン信号線ＤＬの一部は前記半導体層ＰＳの一端部に延在され、第２絶縁膜ＩＮおよび第１絶縁膜ＧＩを貫通して予め形成されたスルーホールＴＨ１を通して該半導体層ＰＳと接続されている。すなわち、ドレイン信号線ＤＬの前記延在部は薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ１として機能する。
【００３８】
また、前記ドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時に、前記半導体層ＰＳの他端部上にソース電極ＳＤ２が形成され、このソース電極ＳＤ２は、第２絶縁膜ＩＮおよび第１絶縁膜ＧＩを貫通して予め形成されたスルーホールＴＨ２を通して前記半導体層ＰＳの他端部に接続されている。このソース電極ＳＤ２は後述の画素電極ＰＸと接続させるための延在部が形成されている。
【００３９】
さらに、前記第２絶縁膜ＩＮの表面には、たとえばＩＴＯ  （Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ  （Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ２（酸化スズ）、Ｉｎ２Ｏ３（酸化インジウム）等の光透光性の導電層からなる画素電極ＰＸが形成され、その一部は前記ソース電極ＳＤ２と当接し、電気的に接続されている。
【００４０】
この画素電極ＰＸの前記第２絶縁膜ＩＮと接触する面には、該第２絶縁膜の表面に形成された微小円錐形状の凹凸によって、同様の凹凸が形成されるようになり、それら界面はレンズと同様に入射光を大きく屈折させる機能を有するようになる。これによる効果は後に説明する。
【００４１】
そして、前記画素電極ＰＸの僅かな周辺を除く中央部を露出させるようにして、透明基板ＳＵＢの表面にはたとえば樹脂材から構成されるいわゆるバンク膜ＢＮＫが形成されている。このバンク膜ＢＮＫは各画素とそれに隣接する他の画素との間に形成された隔壁として機能し、製造の際に、流動性を有する発光材料を確実に画素電極ＰＸ上に形成させるようになっている。
【００４２】
同図において画素電極ＰＸ上に形成される発光材料層ＦＬＲは、赤、緑、青のうちいずれかの色を発光するもので、当該画素を含んで図中ｙ方向に並設される各画素には共通の色を発光する発光材料層ＦＬＲが接続されて形成されている。このため、当該画素領域と図中ｙ方向に隣接する他の画素領域の間に配置される前記バンク膜ＢＮＫの表面にも該発光材料層ＦＬＲが形成されている。
【００４３】
なお、この発光材料層ＦＬＲとして、それに当接して形成される電極との間にたとえばホール注入層等を介在させて形成する場合があるが、このような場合にも該ホール注入層等を含んだものを発光材料層ＦＬＲとする。
【００４４】
さらに、これら発光材料層ＦＬＲとバンク膜ＢＮＫの上面には各画素領域に共通に対向電極ＣＴが形成されている。この対向電極ＣＴは光反射効率の大きなたとえばＡｌ等が選択されて用いられる。
【００４５】
このように構成された画素において、その発光材料層ＦＬＲから透明基板ＳＵＢ側に出射される光は、図１に対応する図５に示す矢印のように、画素電極ＰＸ、第２絶縁膜ＩＮを通して前記透明基板ＳＵＢに至るが、該画素電極ＰＸと第２絶縁膜ＩＮとの界面に形成された微小円錐形状の凹凸によって、該界面で反射されることなく、しかも大きな角度で放射されることなく、すなわち観察者側へ集光する方向に進行することになる。
【００４６】
また、前述したように、発光材料層ＦＬＲからの光は大きな角度で放射されることがないので、透明基板ＳＵＢから大気側へ至る際に該透明基板ＳＵＢと大気との界面で反射がなされることも免れるようになる。
【００４７】
さらに、前記画素電極ＰＸと第２絶縁膜ＩＮとの界面における微小円錐形状の凹凸において、発光材料層ＦＬＲからの光の進行経路の詳細を図６（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。ここで、図６（ａ）は、画素電極ＰＸを通過し前記凹凸に入射する光のうちで比較的遠い発光材料層ＦＬＲの箇所から至る光の進行経路を示しており、図６（ｂ）は、画素電極ＰＸを通過し前記凹凸に入射する光のうちで比較的近い発光材料層ＦＬＲの箇所から至る光の進行経路を示している。
【００４８】
これら図６（ａ）、（ｂ）のいずれからも明らかなように、前記凹凸に入射する光は、その一部が発光材料層ＦＬＲを介して対向電極ＣＴに反射されるが、その反射光は大きな角度（図の上下方向に対して）を有することなく、第２絶縁膜ＩＮ、透明基板ＳＵＢ側に出射されるようになる。そして、他の部分が前記凹凸の箇所で大きく屈折され、やはり、その屈折光も大きな角度（図の上下方向に対して）を有することなく、第２絶縁膜ＩＮ、透明基板ＳＵ側に出射されるようになる。
【００４９】
上述した説明では、第２絶縁膜ＩＮの表面に形成される前記微小円錐形状の凹凸の凸部の高さは、画素電極ＰＸの厚さをｔとした場合、１００ｎｍ〜ｔ／１０ｎｍの範囲内としたものである。しかし、３０ｎｍ〜ｔ／１０ｎｍの範囲内としてもよい。微小円錐形状の凹凸の凸部の高さがあまり大きいと、画素電極ＰＸの表面にもその凹凸が顕在され、該画素電極ＰＸの上面に形成する発光材料層ＦＬＲに影響することを考慮したからである。
【００５０】
そして、前記凹凸は、その凸部の頂部が球状となっており、先鋭部を有さないことから、この先鋭部に起因するリーク電流の発生およびダークスポットを憂えることがなくなる。
【００５１】
《考察》
上述して形成される有機ＥＬ表示装置は、その画素電極ＰＸが形成される第２絶縁膜ＩＮとの界面において、曲面がほぼ円弧状の多数の凹凸が形成されるようになっている。
【００５２】
また、前記第２絶縁膜ＩＮは酸化シリコン（ＳｉＯ２）あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等の無機材料膜から構成され、たとえばＣＶＤ方法により形成されたものとなっている。
【００５３】
一方、この第２絶縁膜ＩＮを形成する下地面（第１絶縁膜ＧＩ）には、たとえばアルミシリサイド（ＡｌＳｉ）もしくはモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）等のようにシリコン（Ｓｉ）が含有された金属層からなるゲート信号線ＧＬがフォトリソグラフィ技術による選択エッチング（パターニング）によって形成されたものとなっている。
【００５４】
このため、前記ゲート信号線ＧＬのパターニングの際に、シリコン（Ｓｉ）が含有された金属層の除去部分の前記下地面に、シリコン（Ｓｉ）の残渣が存在するようになる。
【００５５】
この残渣は高さ約３０〜１００ｎｍ程度の粒子状からなり、該下地面上に比較的均等に散在されて存在するようになる。
【００５６】
そして、このような状態で前記第２絶縁膜ＩＮをたとえばＣＶＤ方法によって形成した場合、該第２絶縁膜ＩＮは前記多数の粒子状のシリコン（Ｓｉ）を核として成長するようになる。
【００５７】
この結果、該第２絶縁膜ＩＮの表面には一様な凹凸が形成されるようになる。このようにして形成される前記凹凸は、それらの面が滑らかな球面を有する微小円錐形状となり、その底部から頂部までの高さを少なくとも３０ｎｍに確保することができる。
【００５８】
このため、この第２絶縁膜ＩＮの表面に透光性の導電膜からなる画素電極ＰＸを形成した場合、該画素電極ＰＸの前記第２絶縁膜ＩＮとの界面は、該画素電極ＰＸ側から第２絶縁膜ＩＮ側へ入射される光を該界面にてあまり反射させることなく屈折させるレンズ機能を有するように構成できる。
【００５９】
なお、上述した実施例では、その画素の構成から、ゲート信号線ＧＬにシリコンを含有させた合金を用いたものである。しかし、画素電極ＰＸが形成される絶縁膜の下層にゲート信号線ＧＬ以外の他のパターン化された導電層を形成する構成である場合、該導電層にシリコンを含有させた合金を用いるようにしてもよい。該導電層をパターン化した場合に、その除去部にシリコンの残渣が残存し、前記絶縁膜の表面には、該シリコンの残渣が核となって成長する結果、上述したような凹凸が形成されるからである。
【００６０】
実施例２．
上述した液晶表示装置における第２絶縁膜ＩＮの表面に形成される凹凸は、該第２絶縁膜ＩＮを形成する面にシリコンの残渣が残存し、該第２絶縁膜ＩＮの形成の際にシリコンの残渣の核の成長によって形成されるものである。
【００６１】
しかし、このような構成に限定さることはなく、たとえば前記第２絶縁膜ＩＮの表面を適当に処理を施すことにより、該表面に上述したような形状の大きさの凹凸を形成するようにしてもよい。
【００６２】
たとえば、前記第２絶縁膜ＩＮとして、約１５０ｎｍの酸化シリコン膜をたとえばＣＶＤ法により形成した後、その表面をいわゆるＰＦ６プラズマ処理を施すことにより、該表面に、一方の面内方向の直径が２００ｎｍ、平均が１２０ｎｍ、平均高さが５０ｎｍの円錐状の微小凹凸（デンプル）を形成することができる。
【００６３】
そして、このように形成した第２絶縁膜ＩＮの表面にたとえばＩＴＯ膜からなる画素電極ＰＸをたとえば厚さ８０ｎｍで形成する。
このようにして構成される有機ＥＬ表示装置は、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に印加する電圧を６Ｖとした場合、２９０ｃｄ／ｍ２の輝度を得ることができる。
【００６４】
また、前記第２絶縁膜ＩＮとして、約１５０ｎｍの酸化シリコン膜をたとえばＣＶＤ法により形成した後、その表面をいわゆるＰＦ４プラズマ処理を施すことにより、該表面に、一方の面内方向の直径が１００ｎｍ、平均が６０ｎｍ、平均高さが２６ｎｍの円錐状の微小凹凸（デンプル）を形成することができる。
【００６５】
そして、このように形成した第２絶縁膜ＩＮの表面にたとえばＩＴＯ膜からなる画素電極ＰＸをたとえば厚さ８０ｎｍで形成する。
【００６６】
このようにして構成される有機ＥＬ表示装置は、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に印加する電圧を６Ｖとした場合、３１５ｃｄ／ｍ２の輝度を得ることができる。
【００６７】
さらに、前記第２絶縁膜ＩＮとして、約１５０ｎｍの酸化シリコン膜をたとえばＣＶＤ法により形成した後、その表面をいわゆるＰＦ４プラズマ処理を施すことにより、該表面に、一方の面内方向の直径が１００ｎｍ、平均が６０ｎｍ、平均高さが３５ｎｍの円錐状の微小凹凸（デンプル）を形成することができる。
【００６８】
そして、このように形成した第２絶縁膜ＩＮの表面にたとえばＩＴＯ膜からなる画素電極ＰＸをたとえば厚さ８０ｎｍで形成する。
【００６９】
このようにして構成される有機ＥＬ表示装置は、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に印加する電圧を６Ｖとした場合、２８０ｃｄ／ｍ２の輝度を得ることができる。
【００７０】
ちなみに、前記第２絶縁膜ＩＮとして、約１５０ｎｍの酸化シリコン膜をたとえばＣＶＤ法により形成した後、その表面にＰＦ６、あるいはＰＦ４のプラズマ処理を行なわずして、その表面にたとえばＩＴＯ膜からなる画素電極ＰＸをたとえば厚さ８０ｎｍで形成した場合、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に６Ｖの電圧を印加して得られる輝度は２１５ｃｄ／ｍ２であった。
【００７１】
上述した各実施例はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施例での効果を単独であるいは相乗して奏することができるからである。
【００７２】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明による有機ＥＬ表示装置によれば、リーク電流の発生およびダークスポットを憂えることなく、発生光取り出し効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による有機ＥＬ表示装置の画素の一実施例を示す構成図で、図３のＩ−Ｉ線における断面図である。
【図２】本発明による有機ＥＬ表示装置の表示部の一実施例を示す等価回路図である。
【図３】本発明による有機ＥＬ表示装置の画素の一実施例を示す平面図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。
【図５】本発明による有機ＥＬ表示装置の画素において発光材料層からの光の経路を示す説明図である。
【図６】本発明による有機ＥＬ表示装置において発光材料層からの光の経路を詳細に示す説明図である。
【符号の説明】
ＳＵＢ…透明基板、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…ドレイン信号線、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ＰＸ…画素電極、ＢＮＫ…バンク層、ＦＬＲ…光材料層、ＣＴ…対向電極、ＧＩ…第１絶縁膜、ＩＮ…第２絶縁膜。
【図１】
2004335276.tif 000003
【図２】
2004335276.tif 000004
【図３】
2004335276.tif 000005
【図４】
2004335276.tif 000006
【図５】
2004335276.tif 000007
【図６】
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