(57)【要約】【課題】  金属メッシュへの損傷の発生を抑制し、短時間かつ低コストで製造しうる、改善されたＰＤＰ用フィルタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】  基板と、前記基板上に形成された導電物質パターンと、前記基板上の、前記導電物質パターンにより被覆されていない部位に形成された、特定の波長領域の光を遮蔽するための顔料および／または染料、並びに外光反射を防止するための外光反射防止用物質を含有する、ネガティブフォトレジストパターンと、前記導電物質パターン上に形成された金属メッキメッシュと、を備えた、プラズマディスプレイパネル用フィルタである。【選択図】図３
2004157542.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された導電物質パターンと、
前記基板上の、前記導電物質パターンにより被覆されていない部位に形成された、特定の波長領域の光を遮蔽するための顔料および／または染料、並びに外光反射を防止するための外光反射防止用物質を含有する、ネガティブフォトレジストパターンと、
前記導電物質パターン上に形成された金属メッキメッシュと、
を備えた、プラズマディスプレイパネル用フィルタ。
【請求項２】
前記ネガティブフォトレジストパターンは透明なアクリル系の物質または透明なフェノール系の物質により形成されることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用フィルタ。
【請求項３】
前記染料はイモニウム系またはフタロシアニン系の有機化合物であり、前記顔料はイモニウム系の有機化合物であって、前記染料および／または前記顔料は近赤外線波長領域の光を遮蔽できることを特徴とする、請求項１または２に記載のプラズマディスプレイパネル用フィルタ。
【請求項４】
前記染料はイモニウム系またはフタロシアニン系の有機化合物であり、前記顔料はイモニウム系の有機化合物であって、前記染料および／または前記顔料は５９０ｎｍ波長領域の光を遮蔽できることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル用フィルタ。
【請求項５】
前記導電物質パターンと、前記導電物質パターン上に形成された金属メッキメッシュとの合計の厚さは、１〜５０μｍであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル用フィルタ。
【請求項６】
前記外光反射防止用物質は金属粉末または無機酸化物であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル用フィルタ。
【請求項７】
基板上に導電物質層を全面塗布する段階と、
前記導電物質層上にポジティブフォトレジストを塗布し、露光し、および現像して所定のポジティブフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記導電物質層をエッチングした後に、前記ポジティブフォトレジストパターンを除去することによって前記基板上に導電物質パターンを形成する段階と、
特定波長領域の光を遮蔽する染料および／または顔料、並びに外光反射防止用物質を含有するネガティブフォトレジストを、前記導電物質パターン上に全面塗布する段階と、
前記ネガティブフォトレジストが塗布された基板の表面の反対側の面から光を入射して露光し、現像することによってネガティブフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記導電物質パターン上に電気メッキによって金属メッキメッシュを形成する段階と、
を有する、プラズマディスプレイパネル用フィルタの製造方法。
【請求項８】
前記ネガティブフォトレジストパターンは透明なアクリル系の物質または透明なフェノール系の物質により形成されることを特徴とする、請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記染料はイモニウム系またはフタロシアニン系の有機化合物であり、前記顔料はイモニウム系の有機化合物であって、前記染料および／または顔料は近赤外線波長領域の光を遮蔽できることを特徴とする、請求項７または８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記染料はイモニウム系またはフタロシアニン系の有機化合物であり、前記顔料はイモニウム系の有機化合物であって、前記染料および／または顔料は５９０ｎｍ波長領域の光を遮蔽できることを特徴とする、請求項７〜９のいずれか１項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）用フィルタおよびその製造方法に関し、特にフィルタ基板の表面に電磁波遮蔽のための金属メッキメッシュパターンと、近赤外線、ネオン発光および外光反射を回避しうる物質が含まれたネガティブフォトレジストパターンとが形成されたＰＤＰ用フィルタおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、プラズマディスプレイ装置はガス放電現象を用いて画像を表示するためのものであって、電極に印加される直流または交流電圧によって電極間のガスから放電が発生し、それに伴う紫外線の放射によって蛍光体を励起させて発光させる。
【０００３】
一般に、このようなＰＤＰの外面にはフィルタが備えられる。フィルタは、ＰＤＰの作動と関連する幾つかの重要な機能を有している。例えば、ＰＤＰの作動時に発生する電磁波はフィルタに備えられた導電層に吸収されて接地される。公知のように、電子製品から発生する電磁波は人体に有害であるが、フィルタに備えられた電磁波遮蔽用導電層により、有害電磁波の使用者への到達が防止される。また、パネルの内部から発生する近赤外線および５９０ｎｍの波長領域のネオン発光もフィルタに塗布された吸収物質によって吸収される。近赤外線領域の光はＰＤＰを作動するためのリモコンおよびその他の電子機器の誤作動を誘発する虞があるので遮蔽されることが望ましく、ネオン発光も画質の向上のために遮蔽されることが望ましい。また、フィルタの外面には外光の反射を防止しうる手段が備えられるが、これは外光反射による画像の是認性の低下を防止するためである。
【０００４】
ここで、図１を参照して、従来のプラズマディスプレイパネル用フィルタ、およびプラズマディスプレイ装置の一般的な構造について説明する。図１は、従来のプラズマディスプレイ装置を示す概略的な分解斜視図である。
【０００５】
図１に示されるように、従来のプラズマディスプレイ装置は、画像が表示されるパネル１１、前記パネル１１の背面に配される、パネル駆動のための電子部品が装着された印刷回路基板１２、前記パネル１１の前面に配されるフィルタ１４、並びに、前記パネル１１、前記印刷回路基板１２、および前記フィルタ１４を内側に収容するケース１３を備える。
【０００６】
また、従来のフィルタ１４は、符号Ａで示す円内に拡大して示すように、基板１６、前記基板１６の表面に形成される反射防止フィルム１５、前記基板１６の背面に形成される電磁波遮蔽層１７、並びに、前記電磁波遮蔽層１７の背面に形成される、近赤外線およびネオン発光遮蔽用フィルム１８を備える。ここで、電磁波遮蔽層１７は、ケース１３と電気的に連結されることによって接地される。
【０００７】
上記で図１を参照することにより説明された従来のフィルタ１４において、基板１６としてはガラスまたはプラスチック基板が使用される。電磁波遮蔽層１７は銅のような金属薄板を一定の形にエッチングさせた後にコントラストを高めるためにブラック酸化膜処理を行って基板に付着させる方法、または繊維に導電性を与えてこれを基板に付着させる方法を使用する。また近赤外線およびネオン発光を遮蔽するためには、特定波長領域の光を遮蔽する色素で処理されたフィルムを適用する。
【０００８】
ここで、前述したように電磁波遮蔽層を形成する場合には、基板付着過程において金属メッシュに損傷が発生しやすいという問題がある。すなわち、金属メッシュは非常に薄いため、取扱いにおいて相当な注意が要求され、注意を払ったとしても損傷が発生することが多かった。また、相対的に電磁波遮蔽層１７の形成に時間と費用とが多くかかるという問題があった。さらに、所定の処理を経たフィルムを基板の表面と背面とに付着する工程にも多くの時間と費用とがかかるという問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は上記の問題を解決するために案出されたものであり、本発明の目的は、金属メッシュへの損傷の発生を抑制し、短時間かつ低コストで製造しうる、改善されたＰＤＰ用フィルタを提供する点にある。
【００１０】
本発明の他の目的は、メッキによって形成された金属メッキメッシュパターンと紫外線遮蔽、ネオン発光および外光反射防止のための物質を含有するネガティブフォトレジストパターンが基板上に形成されたＰＤＰ用フィルタを提供する点にある。
【００１１】
本発明のさらに他の目的は、改善されたＰＤＰ用フィルタの製造方法を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記目的を達成するために、本発明によれば、基板と、前記基板上に形成された導電物質パターンと、前記基板上の、前記導電物質パターンにより被覆されていない部位に形成された、特定の波長領域の光を遮蔽するための顔料および／または染料、並びに外光反射を防止するための外光反射防止用物質を含有する、ネガティブフォトレジストパターンと、前記導電物質パターン上に形成された金属メッキメッシュと、を備えた、ＰＤＰ用フィルタが提供される。
【００１３】
本発明の一態様によれば、前記ネガティブフォトレジストパターンは透明なアクリル系の物質または透明なフェノール系の物質により形成される。
【００１４】
本発明の他の態様によれば、前記染料はイモニウム系またはフタロシアニン系の有機化合物であり、前記顔料はイモニウム系の有機化合物であって、前記染料および／または前記顔料は近赤外線波長領域の光を遮蔽しうる。
【００１５】
本発明の他の態様によれば、前記染料はイモニウム系またはフタロシアニン系の有機化合物であり、前記顔料はイモニウム系の有機化合物であって、前記染料および／または前記顔料は５９０ｎｍ波長領域の光を遮蔽しうる。
【００１６】
本発明の他の態様によれば、前記導電物質パターンと、前記導電物質パターン上に形成された金属メッキメッシュとの合計の厚さは、１〜５０μｍである。
【００１７】
本発明のさらに他の態様によれば、前記外光反射防止用物質は金属粉末または無機酸化物である。
【００１８】
また本発明によれば、基板上に導電物質層を全面塗布する段階と、前記導電物質層上にポジティブフォトレジストを塗布し、露光し、および現像して所定のポジティブフォトレジストパターンを形成する段階と、前記導電物質層をエッチングした後に、前記ポジティブフォトレジストパターンを除去することによって前記基板上に導電物質パターンを形成する段階と、特定波長領域の光を遮蔽する染料および／または顔料、並びに外光反射防止用物質を含有するネガティブフォトレジストを、前記導電物質パターン上に全面塗布する段階と、前記ネガティブフォトレジストが塗布された基板の表面の反対側の面から光を入射して露光し、現像することによってネガティブフォトレジストパターンを形成する段階と、前記導電物質パターン上に電気メッキによって金属メッキメッシュを形成する段階と、を有する、ＰＤＰ用フィルタの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係るＰＤＰ用フィルタは、電磁波遮蔽用金属メッキメッシュと特定波長領域の光遮蔽用フォトレジストパターンとが基板の表面に安定的に形成されているため、フィルタが自身の機能を発揮するに当たって信頼性が保証されるという利点がある。また、特に従来の技術のように多重のフィルムを使用しないため、コストが削減される。さらに、本発明に係るＰＤＰ用フィルタの製造方法によれば、相対的に容易にフィルタを製造しうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付した図面に基づいて、本発明の好ましい一実施態様を詳細に説明する。
【００２１】
図２（ａ）〜（ｅ）は、本発明に係るＰＤＰ用フィルタの製造方法を示す概略的な断面図である。また図３は、本発明に係るＰＤＰ用フィルタの製造方法の順序を示す概略的なブロック図である。
【００２２】
図２（ａ）に示されるように、まず、ＰＤＰ用フィルタを製作するための基板２１の表面上に、導電物質層２２が全面塗布される。導電物質層２２の材料は、例えば、チタンまたは銀のような金属である。導電物質層２２は、後続のメッキ工程においてシード層として機能する。基板２１はガラスまたはプラスチック材料よりなるため、前記基板２１上に金属材料をメッキするのは容易ではない。このため本発明では、シード層として機能する導電物質層２２を予め形成する。導電物質層２２による基板２１の被覆は、特に制限されないが、例えばスパッタリング法のような公知の技術を用いてなされうる。図２（ａ）に示された工程は、図３における導電物質層全面塗布段階３１に対応する。
【００２３】
次に、図２（ｂ）に示されるように、導電物質層２２を所定のパターンに形成した導電物質パターン２３が形成される。導電物質パターン２３はポジティブフォトレジストの塗布、露光、現像およびエッチングの各工程を有する通常の方法を用いてなされうる。すなわち、まず、ポジティブフォトレジストを導電物質層２２上に塗布する。次いで、所定パターンが形成されたマスクを覆い被せた状態で露光させることによって、露光されたポジティブフォトレジスト部分を軟化させる。次いで、現像工程を行うことによって、軟化したポジティブフォトレジスト部分を除去する。これにより、ポジティブフォトレジストのパターンが形成される。この段階は、図３におけるポジティブフォトレジストパターン形成段階３２に対応する。次いで、エッチングを行うことによって導電物質層２２の一部を除去する。その後、残存しているポジティブフォトレジストを除去すれば、図２（ｂ）に示されるような導電物質パターン２３のみが基板２１上に残存する。これは図３における導電物質パターン形成段階３３に対応する。
【００２４】
図２（ｃ）は、導電物質パターン２３を有する基板２１の全体にネガティブフォトレジスト２４を塗布したことを示す断面図である。ネガティブフォトレジストは透明なアクリル系の物質または透明なフェノール系の物質により形成され、特定波長領域の光を遮蔽する染料および／または顔料を添加し、さらに外光反射を防止するための外光反射防止用物質を添加することにより調製される。前記染料としては、イモニウム系有機化合物またはフタロシアニン系有機化合物を使用でき、また顔料としては、イモニウム系有機化合物を使用できる。すなわち、ネガティブフォトレジスト２４は、透明なアクリル系の物質または透明なフェノール系の物質に、ＰＤＰの内部で発生する赤外線およびネオン発光を遮蔽しうる特定の染料および／または顔料と、外光の入射時にこれを散乱させうる外光反射防止用物質とを添加することにより形成される。外光反射防止用物質としては、金属粉末や、ＴｉＯ２またはＩｎ２Ｏ３のような無機酸化物系物質が用いられる。ネガティブフォトレジスト２４を、導電物質パターン２３を有する基板全体へ塗布する段階は、図３におけるネガティブフォトレジスト塗布段階３４に対応する。
【００２５】
公知のように、ネガティブフォトレジスト２４は露光により硬化する特性を有する。したがって、図２（ｃ）において矢印Ｂで示されるように、ネガティブフォトレジストが塗布された基板２１の反対側の面から光を入射すれば、導電物質パターン２３の直上部に位置するネガティブフォトレジストは硬化せず、逆に導電物質パターン２３の直上部以外の部位に位置するネガティブフォトレジストは硬化する。すなわち、ネガティブフォトレジスト２４に対する露光時には導電物質パターン２３がマスクとして機能する。
【００２６】
図２（ｄ）は、ネガティブフォトレジストに対する現像がなされた状態を示す図である。図２（ｃ）で説明された露光がなされた後に、硬化していないネガティブフォトレジスト２４の部分は図２（ｄ）に示されるように除去され、その結果、ネガティブフォトレジストパターン２５のみが基板２１上に残存する。ネガティブフォトレジストパターン２５と導電物質パターン２３とは重複しない。この段階は、図３におけるネガティブフォトレジストパターン形成段階３５に対応する。
【００２７】
図２（ｅ）は、導電物質パターン２３上に金属メッキがなされた状態を示す図であり、金属メッキは、例えば、図２（ｄ）に示されるように導電物質パターン２３とネガティブフォトレジストパターン２５とが形成された基板をメッキ電解槽に投入することで電気メッキにより行う。電気メッキがなされれば導電物質パターン２３の上部に金属メッキメッシュ２７が形成される。金属メッキメッシュ２７はネガティブフォトレジストパターン２５間の空間を満たすように形成される。この際、導電物質パターン２３と金属メッキメッシュ２７とで形成される層の幅と厚さは１〜５０μｍであることが好ましい。金属メッキ材料は、導電性に優れる銀または銅が好ましい。この金属メッキ段階は図３における電気メッキ段階３６に対応する。
【００２８】
図２（ｅ）に示されるような断面構造を有するＰＤＰ用フィルタにおいては、導電物質パターン２３および金属メッキメッシュ２７の双方が、電磁波遮蔽機能を有する。また、ネガティブフォトレジストパターン２５が特定波長領域の光を遮蔽し、外光反射を防止する機能を有する。すなわち、導電物質パターン２３および金属メッキメッシュ２７は、導電性に優れる物質により形成され、ケースに接地されることによって、ＰＤＰから発生する電磁波を導電させて接地させる。また、ネガティブフォトレジストパターン２５に含有される染料および／または顔料は、近赤外線およびネオン発光を遮蔽する。さらに、外光反射防止用物質は、外光を散乱させることによって是認性の低下を防止する。
【００２９】
以上、本発明を図面に示された一実施例を参考に説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならばこれより多様な変形および実施例の変形が可能であるという点を理解しうる。よって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲上の技術的思想によって決定されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明のＰＤＰ用フィルタは、電磁波、近赤外線およびネオン発光を効率よく遮蔽でき、また、外光反射を効果的に防止しうる。さらには、相対的に短時間で、かつ低コストで製造しうる。このため、本発明のＰＤＰ用フィルタは、ＰＤＰ用フィルタを使用するあらゆるプラズマディスプレイ装置に好ましく適用されうる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】従来のＰＤＰ用フィルタおよびプラズマディスプレイ装置の構造を示す概略的な分解斜視図である。
【図２】本発明に係るＰＤＰ用フィルタの製造方法を示す概略的な断面図である。
【図３】本発明に係るＰＤＰ用フィルタの製造方法の順序を示す概略的なブロック図である。
【符号の説明】
【００３２】
１１    パネル、
１２    印刷回路基板、
１３    ケース、
１４    フィルタ、
１５    反射防止フィルム、
１６    基板、
１７    電磁波遮蔽層、
１８    近赤外線およびネオン発光遮蔽用フィルム、
２１    基板、
２２    導電物質層、
２３    導電物質パターン、
２４    ネガティブフォトレジスト、
２５    ネガティブフォトレジストパターン、
２７    金属メッキメッシュ、
３１    導電物質層全面塗布段階、
３２    ポジティブフォトレジストパターン形成段階、
３３    導電物質パターン形成段階、
３４    ネガティブフォトレジスト塗布段階、
３５    ネガティブフォトレジストパターン形成段階、
３６    電気メッキ段階。
【図１】
2004157542.tif 000003
【図２】
2004157542.tif 000004
【図３】
2004157542.tif 000005