(57)【要約】【課題】連結したモールド／ディスクを分離する前に、それらを室温まで冷却すると、分離が困難であること、ならびにレジスト膜に生じたインプリント・パターンを分離中に損傷することなどの問題が発生しうる。【解決手段】リフトオフでランドのパターンを形成する。具体的には、基板を備えるベース構造体の上に２層レジスト膜を配置し、ベース構造体を有する磁気記録ディスク上に離散トラック記録パターンを形成する方法であって、その離散トラック・パターンが、２層レジスト膜の上に配置された磁性層をリフトオフすることによって形成されることを特徴とする。【選択図】図１
2004319074.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を備えるベース構造体の上に２層レジスト膜を配置すること、および
前記ベース構造体を有する磁気記録ディスク上に離散トラック記録パターンを形成すること
を含み、前記離散トラック・パターンが、前記２層レジスト膜を用い、その２層レジスト膜の上に配置された磁性層をリフトオフして形成されることを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記離散トラック・パターンを形成することが、
前記２層レジスト膜にインプリントすること、
前記２層レジスト膜の層を選択的にエッチングして、前記ベース構造体の上に、前記２層レジストがない領域のパターンを形成すること、および
前記ベース構造体の上の前記２層レジストがない領域に磁性層を配置すること
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記方法が、少なくとも前記２層レジストがない領域の前記磁性層を覆って、カーボンを含む保護層を配置し、前記基板の上に不連続保護層を形成することをさらに含む前記保護層が請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記磁性層が端部を有し、前記方法が前記磁性層の前記端部を覆って前記保護層を配置することを含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記保護層を前記ベース構造体に直接接触させて配置することをさらに含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ベース構造体が前記基板を覆ってメッキされたＮｉＰ層を備え、前記保護層を配置することが、前記保護層を前記ＮｉＰ層に直接接触させて配置することを含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ベース構造体が前記基板を覆って配置された軟磁性下層を備え、前記保護層を配置することが、前記保護層を前記軟磁性下層に直接接触させて配置することを含む請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記離散トラック・パターンを形成することが、
前記２層膜の上に前記磁性層を配置すること、および
前記保護層を前記２層膜の上にある前記磁性層の上に配置すること
をさらに含む請求項３に記載の方法。
【請求項９】
前記の形成することが、前記２層レジスト膜の上に配置された前記保護層をリフトオフすることをさらに含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記不連続保護層の上に潤滑層を配置することをさらに含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記不連続保護層の上に、カーボンを含む連続保護層を配置することをさらに含む請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記連続保護層の上に潤滑層を配置することを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記保護層を配置することが、４０ミリＴｏｒｒより大きな圧力で気相化学成長を用いて、前記保護層を堆積させることを含む請求項３に記載の方法。
【請求項１４】
前記保護層を配置することが、ほぼ−２２０ボルトのバイアス電位を前記ベース構造体にかけることをさらに含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記保護層を配置することが、ほぼ−４００から−６００ボルトの範囲のバイアス電位を前記ベース構造体にかけることをさらに含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記保護層を配置することが、ほぼ６０ミリＴｏｒｒの圧力で気相化学成長を用いて、前記保護層を堆積させることを含む請求項３に記載の方法。
【請求項１７】
前記離散トラック・パターンを形成することが、
前記２層レジストにスタンパでインプリントすること、
前記スタンパを前記２層レジストから分離すること、および
分離後に前記スタンパおよび前記２層レジストを冷却すること
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
基板を備えるベース構造体の上に２層レジスト膜を配置する手段と、
前記ベース構造体を有する磁気記録ディスク上に離散トラック記録パターンを形成する手段と
を含み、前記離散トラック・パターンが、前記２層レジスト膜の上に配置された磁性層をリフトオフするように２層レジスト膜を用いて形成される装置。
【請求項１９】
前記離散トラック記録パターンを形成する前記手段が、
前記２層レジスト膜にインプリントする手段と、
前記２層レジスト膜の層を選択的にエッチングして、前記基板の上に、前記２層レジストがない領域のパターンを形成する手段と、
前記ベース構造体の上の前記２層レジストがない前記領域に磁性層を配置する手段と
を含む請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記２層レジストがない領域の前記磁性層を覆って、カーボンを含む保護層を配置し、前記基板の上に不連続保護層を形成する手段をさらに含む請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記磁性層が端部を有し、前記装置が前記磁性層の前記端部を覆って前記保護層を配置する手段を含む請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
離散トラック記録パターンを有する磁気記録層と、
前記磁気記録層の上に配置された、カーボンを含む不連続保護層と
を備える磁気記録ディスク。
【請求項２３】
前記磁気記録層が端部を有し、前記保護層が前記磁気記録層の前記端部を覆っている請求項２２に記載の磁気記録ディスク。
【請求項２４】
前記保護層の上に潤滑層をさらに備える請求項２３に記載の磁気記録ディスク。
【請求項２５】
前記磁気記録層の下に軟磁性層をさらに備え、前記保護層が前記軟磁性下層に接触している請求項２３に記載の磁気記録ディスク。
【請求項２６】
前記保護層の上に潤滑層をさらに備える請求項２５に記載の磁気記録ディスク。
【請求項２７】
前記磁気記録層の下にＮｉＰ層をさらに備え、前記保護層が前記ＮｉＰ層に接触している請求項２３に記載の磁気記録ディスク。
【請求項２８】
前記保護層の上に潤滑層をさらに備える請求項２６に記載の磁気記録ディスク。
【請求項２９】
前記磁気記録層の下に基板をさらに備え、前記保護層が前記基板に接触している請求項２３に記載の磁気記録ディスク。
【請求項３０】
前記保護層の上に潤滑層をさらに備える請求項２９に記載の磁気記録ディスク。
【請求項３１】
前記不連続保護層の上に配置された、カーボンを含む連続保護層をさらに備える請求項２２に記載の磁気記録ディスク。
【請求項３２】
前記磁性層が端部を有し、前記不連続保護層が前記磁性層の前記端部を覆っている請求項２２に記載の磁気記録ディスク。
【請求項３３】
前記保護層の上に潤滑層をさらに備える請求項３２に記載の磁気記録ディスク。
【請求項３４】
離散トラック記録パターンを有する磁気記録層、および
前記磁気記録層上に配置された、カーボンを含む不連続保護層
を備える磁気記録ディスクと、
前記磁気記録ディスクと連動する磁気抵抗読取り素子を有するヘッドと
を備えるディスク・ドライブ。
【請求項３５】
前記磁気記録層が端部を有し、前記不連続保護層が前記磁気記録層の前記端部を覆っている請求項３４に記載のディスク・ドライブ。
【請求項３６】
前記磁気記録ディスクが、前記磁気記録層の下に軟磁性層をさらに備え、前記保護層が前記軟磁性下層に接触している請求項３５に記載のディスク・ドライブ。
【請求項３７】
前記磁気記録ディスクが、前記磁気記録層の下にＮｉＰ層をさらに備え、前記保護層が前記ＮｉＰ層に接触している請求項３５に記載のディスク・ドライブ。
【請求項３８】
前記磁気記録ディスクが、前記磁気記録層の下に基板をさらに備え、前記保護層が前記基板に接触している請求項３５に記載のディスク・ドライブ。
【請求項３９】
前記磁気記録ディスクが、前記不連続保護層の上に配置された、カーボンを含む連続保護層をさらに備える請求項３４に記載のディスク・ドライブ。
【請求項４０】
前記の磁性層が端部を有し、前記不連続保護層が前記磁性層の前記端部を覆っている請求項３４に記載のディスク・ドライブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気記録ディスクの分野、より詳細には磁気記録ディスクの製造に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスク・ドライブ装置は、１つまたは複数の磁気記録ディスクと、ディスクにデータを記録する制御機構を備えている。データの読取りと書込みは、ディスク上方に読み書きヘッドを浮かせて動かしディスクの磁性層の性質を変えることにより実施される。読み書きヘッドは通常、「スライダ」と呼ばれる、磁気ディスク上を浮動するより大きな本体の一部分であるか、あるいはそれに取り付けられている。
【０００３】
磁気ハード・ディスク・ドライブの設計の傾向は、ディスク・ドライブ装置の記録密度を増大させることである。記録密度は、ディスクの一定の領域に記録しうるデータ量の尺度である。記録密度を増加させるために、例えばヘッド技術は、フェライト・ヘッドから薄膜ヘッドへ、そして後には磁気抵抗（ＭＲ）ヘッドならびに巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）ヘッドへと移行してきた。
【０００４】
面密度（すなわち、単位表面積あたりの記録ビット数）をより大きくするためには、データ・トラックが互いに接近している必要がある。また、トラック幅は非常に小さいので、トラックの位置ずれ（例えば、熱膨張）により、ヘッドを用いる読出しおよび／または書込みは隣接するトラックにより影響を受ける。この挙動は一般に、隣接トラックの干渉（adjacent track interference：ＡＴＩ）と呼ばれる。ＡＴＩに対処する１つの方法は、ディスクの表面をパターン化して、離散トラック記録（discrete track recording：ＤＴＲ）と呼ばれる離散的なデータ・トラックを形成することである。
【０００５】
先行技術の１つのＤＴＲ構造では、磁気記録層に同心円状に形成させた隆起ゾーンおよび凹んだゾーンのパターンが利用される。隆起ゾーン（丘、ランド、エレベーションなどとしても知られている）はデータを記録するために用いられ、凹みゾーンは（トラフ、谷、溝などとしても知られている）はノイズを減らすためにトラック間を分離するために形成されている。隆起ゾーンの幅は、作動中ヘッドの一部分が凹みゾーン上に張り出しているように、記録ヘッドの幅より小さい。凹みゾーンは記録ヘッドの浮揚高さと隆起ゾーンに対応した深さをもつ。凹みゾーンは、ヘッドにより凹みゾーンの下側の磁性層にデータが記録されないように、ヘッドから十分に離れている。隆起ゾーンはヘッドに十分近く、データを隆起ゾーンのすぐ上の磁性層に書き込むことができる。
【０００６】
したがって、データが記録媒体に書き込まれる時、隆起ゾーンがデータ・トラックに相当する。凹みゾーンは隆起ゾーン（例えばデータ・トラック）を互いに分離し、データ・トラックを物理的にも磁気的にも定めている。このような凹みゾーンにはサーボ情報を記録することもできる。ヘッドによりデータが特定のデータ・トラック（隆起ゾーン）に書き込まれる時、凹みゾーンの表面の磁性層はヘッドが磁性転移を引き起こすにはヘッドから離れすぎているために、データは隣接する凹みゾーンには書き込まれないようになっている。
【０００７】
別のタイプのＤＴＲ構造では、同心円状の離散ゾーンからなるパターンが記録媒体として用いられる。この離散的磁気ゾーンは、非磁性基板の凹んだ領域に配置されている。データが記録媒体に書き込まれる時、離散的磁気領域がデータ・トラックに相当する。磁性材料を含んでいない基板表面領域がデータ・トラックを互いに分離する。
【０００８】
先行技術によるいずれのタイプのＤＴＲ構造でも、磁気記録ディスクは、ディスクの全表面に配置されるカーボンのオーバーコートにより保護されている。この保護オーバーコートは、ドライブの作動で記録ヘッドとディスクの間で起こる接触から磁性層を保護する等の、様々な機能を果している。オーバーコートはまた、ディスク・ドライブが作動する環境条件の中で、記録媒体が腐蝕されないように保護している。
【特許文献１】出願第１０／４１８，４３６号
【非特許文献１】「Ｂｉｌａｙｅｒ、Ｎａｎｏｉｍｐｒｉｎｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ（２層、ナノインプリント・リソグラフィ）」、Ｂｒｉａｎ  Ｆａｉｒｃｌｏｔｈ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ  １８（４），Ｊｕｌｙ／Ａｕｇｕｓｔ  ２０００
【特許文献２】係属出願第１０／３０６，１８２号
【特許文献３】出願第１０／３０６，３１５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、それらを分離する前に、連結させたモールド／ディスクを室温まで冷却すると、分離が困難であること、ならびにレジスト膜に生じたインプリント・パターンが分離中に損傷されることなどの問題が発生する。
【００１０】
前記の問題は、ほとんどのＮＩＬシステムでは、熱膨張係数の異なるモールドとワークピース（例えば、レジスト膜でコーティングされたディスク）を用いる必要があるという事実に根ざしている。モールドとワークピースの温度変化と組み合わさって、熱膨張係数の違いが、ＮＩＬ法により得ようとする寸法精度を超える歪み、あるいはモールドとワークピースの間の相対的移動を引き起こす。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
基板を備えるベース構造体の上に２層レジスト膜を配置し、ベース構造体を有する磁気記録ディスク上に離散トラック記録パターンを形成する方法であって、その離散トラック・パターンが、２層レジスト膜の上に配置された磁性層をリフトオフすることによって形成されることを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明が限定でなく例としての添付図に示される。
【００１３】
以下の説明において、本発明が十分に理解されるように、特定の材料または成分の例のような数多くの具体的な詳細が記載される。しかし、本発明を実施するために、これらの具体的な詳細を用いる必要はないことは当分野の技術者には明らかであろう。別の事例では、本発明を不必要に不明瞭にしないように、よく知られた成分あるいは方法は、詳細に記載されていない。
【００１４】
本明細書では、「上」、「下」、「間」、「下部」、「上部」という用語は、他の層に対する１つの層の相対的な位置を表す。このため、例えば、別の１つの層の上または下に堆積または配置された１つの層は、その別の層と直接接触していることも、あるいは１つまたは複数の介在層を有することもある。さらに、層の間に堆積または配置された１つの層は、それらの層に直接接触していることも、あるいは１つまたは複数の介在層を有することもある。
【００１５】
金属のリフトオフに２層薄膜法を用いる離散トラック記録ディスクの製造方法が記載される。一実施形態では、ベース構造体として、ニッケル−リン（ＮｉＰ）メッキされた基板を有するＤＴＲ水平磁気記録ディスクを製造するために、この方法が用いられる。ベース構造体として、基板上に配置された軟磁性薄膜を有するＤＴＲ垂直磁気記録ディスクを製造するためにも、この方法が用いられる。ベース構造体の軟磁性薄膜は通常、単一の軟磁性下層、あるいは間に配置されたルテニウム（Ｒｕ）介在層を有する複数の軟磁性体下層からなる。
【００１６】
リフトオフのための２層膜法は、ベース構造体の上方に２層のレジスト膜を堆積すること、２層の膜にインプリントすること、膜の表面上の不純物を除去すること、金属薄膜スタックの堆積、２層膜とその上に堆積した薄膜スタックのリフトオフを含む。不連続堆積磁性薄膜スタックを作り出すために、２層膜法により、一方のレジスト層にアンダーカットが形成される。次に、２層膜上に堆積した磁性薄膜スタックは、２層膜の一方あるいは両方のレジスト層の選択的エッチングによりリフトオフされて、ベース構造体の上方にＤＴＲパターン化磁性薄膜スタックが得られる。
【００１７】
金属薄膜スタックは、カーボンのような材料からなる少なくとも１つの保護層を含んでいてもよい。金属薄膜スタックの（複数の）（例えば、カーボンの）保護層を後でリフトオフすると、不連続な保護層をもつ磁気記録ディスクが得られる。別の実施形態では、連続的な保護層をもつ磁気記録ディスクを得るために、リフトオフに続いて保護層が堆積される。さらに別の実施形態では、リフトオフの後にさらなる保護層が堆積されて、連続および不連続保護層の両方をもつ磁気記録ディスクが得られる。
【００１８】
図１Ａ〜１Ｅおよび２は、金属のリフトオフに２層レジストを用いる離散トラック記録ディスク製造方法の一実施形態を示している。詳細には、図１Ａは、ディスクのベース構造体の上方に配置された２層レジスト膜の一実施形態を示す横断面図である。ベース構造体１０上に不連続薄膜スタック５０を作り出すために、２層レジスト３０により、一方のレジスト層のアンダーカットが形成される。２層膜３０上に堆積した薄膜スタック５０は、後に２層膜３０の下部レジスト層３２のエッチングによりリフトオフされて、ベース構造体の上に離散薄膜スタックが形成される。下に記載されるように、一実施形態では、例えば、「Ｂｉｌａｙｅｒ、Ｎａｎｏｉｍｐｒｉｎｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ（２層、ナノインプリント・リソグラフィ）」、Ｂｒｉａｎ  Ｆａｉｒｃｌｏｔｈ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ  １８（４），Ｊｕｌｙ／Ａｕｇｕｓｔ  ２０００に記載されるものに部分的に似たナノインプリント・リソグラフィ法が用いられる。
【００１９】
２層レジスト膜３０がベース構造体１０上に配置される（ステップ１１０）。一実施形態では、例えば、ベース構造体１０は、基板１５とＮｉＰメッキ層２０からなる。基板１５は、例えばガラス、または金属／金属合金の材料で作られている。使用されるガラス基板には、例えば、ホウケイ酸ガラスおよびアルミノケイ酸塩ガラスのようなシリカ含有ガラスが含まれる。使用される金属合金基板には、例えば、アルミニウム−マグネシウム（ＡｌＭｇ）基板が含まれる。別の実施形態では、ポリマーおよびセラミックを含めて、他の基板材料が用いられる。
【００２０】
ＮｉＰ層２０は、電気メッキ、無電解メッキにより、あるいは当技術分野において知られている他の方法により形成される。ＮｉＰのような硬い材料、あるいは金属材料でディスク基板１５をメッキすることにより、例えば後の研磨、および／またはインプリント過程に対して、ディスク基板１５が機械的に補強される。ＮｉＰ層２０を、研磨、平坦化、および／またはテクスチャ化してもよい。ＮｉＰ層２０は、例えば、一様なエッチング、あるいは当技術分野において知られている他の研磨法により研磨される。固定されているか、あるいは固定されていない研磨粒子（例えば、ダイヤモンド）を用いる機械的テクスチャ化などの様々な方法により、ＮｉＰ層２０にパターンをもつテクスチャを付与してもよい。別法として、例えばレーザによるテクスチャ化のような他のタイプのテクスチャ付与方法を用いることもできる。しかし、ディスク基板１５がガラスなど十分に剛性または硬質な材料であれば、ディスク基板１５のメッキは必要ではないかもしれない。その結果として、基板１５自体が、前記の方法を用いて、研磨、平坦化、および／またはテクスチャ化される。
【００２１】
別の実施形態では、ベース構造体１０は、その上に配置された他の層、例えば軟磁性薄膜を有する基板１５からなる。その場合、層２０は軟磁性薄膜、あるいはＮｉＰ層上に配置された軟磁性薄膜を表す。軟磁性薄膜は、垂直磁気記録に関連する適切な磁気特性を実現するために用いられる。軟磁性薄膜２０は、鉄−コバルト−ニッケル（ＦｅＣｏＮｉ）材料の層でよい。軟磁性薄膜として使用される他の材料には、コバルト−鉄（ＣｏＦｅ）、ニッケル−鉄（ＮｉＦｅ）、およびこれらの合金が含まれる。軟磁性薄膜および軟磁性薄膜を製造するために用いられる材料は、磁気記録ディスクの技術分野においてよく知られているので、詳細は記載されない。軟磁性薄膜を研磨および／またはテクスチャ化してもよい。固定されているか、あるいは固定されていない研磨粒子（例えば、ダイヤモンド）を用いる機械的テクスチャ化のような様々な方法により、軟磁性薄膜にパターンをもつテクスチャを付与してもよい。別法として、例えばレーザによるテクスチャ付与のような他のタイプのテクスチャ化の方法を用いて、軟磁性薄膜にテクスチャを付与してもよい。さらに別の実施形態では、薄いＮｉＰ層が軟磁性薄膜の上部に配置され、研磨および／またはテクスチャ化される。さらに別の実施形態では、軟磁性薄膜は、１つまたは複数の軟磁性下層、ならびに軟磁性下層の間に配置された一つまたは複数のＲｕ介在層からなる。
【００２２】
すでに記載されたように、ステップ１１０では、２層レジスト膜３０がベース構造体１０の上に配置されて、インプリント可能な（すなわち、エンボス可能な）層を形成する。２層レジスト膜３０は、上部レジスト層３１と下部レジスト層３２からなる。下部レジスト層３２は、上部レジスト層よりエッチング（例えば、ドライまたはウェット）を受けやすいレジスト材料を有する。２層膜３０を形成するために様々なレジスト材料を用いることができる。一実施形態では、例えば、下部レジスト層３２としてポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）が用いられ、また上部レジスト層３１としてコポリマーのポリ（メチルメタクリレート−メタクリル酸コポリマー）（Ｐ（ＭＭＡ−ＭＡＡ））が用いられる。別法として、他のレジスト材料、例えば、ＰＭＭＡと、ドイツのＭｉｃｒｏ  Ｒｅｓｉｓｔｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙが市販するＭＲ−Ｉ９０００のような熱硬化性ポリマーが用いられる。２つの層３１、３２用の具体的なレジスト材料は、ソフト・ベーク過程の間にも、あるいはそれらの転移温度（Ｔｇ）を超えて加熱された時にも、それらの材料が実質的に混ざらないように選択されるべきである。
【００２３】
一実施形態では、例えば、層３１、３２は、ベース構造体１０上にスピン・コートされて２層膜３０となる。最初に下部レジスト層３２をベース構造体１０上にスピン・コートされる。次に、ソフト・ベークが実施されて、溶剤が追い出される。次に、上部レジスト層３１の材料（例えば、Ｐ（ＭＭＡ−ＭＡＡ）コポリマー）が下部層３２（例えば、ＰＭＭＡ）上にスピン・コートされる。上部レジスト層３１にもソフト・ベークが行なわれる。一実施形態では、例えば、上部と下部レジスト層３１、３２は、総膜厚が約２０から１００ｎｍの範囲の場合、それぞれ約１０から５０ｎｍの範囲の厚さであるように形作られる。他のコーティング法、例えば、ディップ・コーティング、ディップ−スピン・コート、スプレ・コーティング、スパッタリングおよび真空蒸着（例えば、ＣＶＤ）を用いることもできる。
【００２４】
２層膜３０はその転移温度を超えて加熱され（ステップ１３０）、それは粘弾性体となる。次に、スタンパ９０が２層膜３０に押し付けられる（ステップ１３５）。一実施形態では、システムは冷却されて（ステップ１４３）、（図１Ｂに示されるように）２層膜にトレンチ領域（別称として、凹領域、溝、谷など）とプラトー（別称として、隆起領域）からなるインプリント・パターンを作り、次に、スタンパ９０は２層膜３０から分離される（ステップ１４０）。別法として、スパンパ９０を２層膜３０から引き離して（ステップ１４０）、次に、分離後に、冷却してもよい（ステップ１４３）。冷却前の２層膜３０からのスタンパ９０の分離は、１つには、スタンパ９０の材料と２層膜３０の材料の、相対的な熱膨張係数に依存するであろう。
【００２５】
一実施形態では、スタンパ９０は、使用前に、インプリント後にスタンパ９０を２層膜３０から分離し易いように、離型ポリマーでコーティングされる。例えば、浅くインプリントして、後で、そのパターンをレジスト内にさらに深く切り込ませるエッチングを用いる別の方法をトレンチを形成するために用いてもよい。
【００２６】
スタンパ９０が２層膜３０から分離された後、少量の残留離型ポリマー（示されていない）がトレンチの底に残っている可能性がある。ステップ１４５では、図１Ｃに示されるように、残留離型ポリマーを全て除去するために、例えば、酸素プラズマエッチングを用いて、あるいは溶剤ウェットエッチングにより、トレンチの表層を剥がす（すなわち、付着した不純物を除去してトレンチの表面を洗浄する）。スタンパが、トレンチの側壁が垂直になっていても、表層を剥がすステップ１４５により、図１Ｃに示されるように、凹んだ構造の端部は丸くなり、側壁はわずかに傾いたものとなるであろう。
【００２７】
残留離型ポリマーを除去した後も、トレンチの内側を覆う上部レジスト３１（例えば、Ｐ（ＭＭＡ−ＭＡＡ））の薄い膜３６が残っている。このトレンチ内の薄い膜３６を除去すると（ステップ１５０）、次の下部レジスト３２のアンダーカットが促進される。膜３６は、例えば、ウェット化学エッチングを用いて除去される。その際、スタンパ９０によるインプリント時に傾斜した側面と底面の膜３６は薄くなっている。溶剤（例えば、メタノール）が、下側のレジスト３２（例えば、ＰＭＭＡポリマー）には影響を与えることなく、上部レジスト（例えば、Ｐ（ＭＭＡ−ＭＡＡ）ポリマー）膜３６を優先的にエッチング除去するように選択される。これは、トレンチ内の薄い上部層レジスト膜３６を取り除くだけでなく、２層レジスト膜３０の上部層３１の厚さを薄くする等方的なエッチングである。他のタイプのエッチング法（例えば、プラズマ、ｅ−ビーム、イオン−ビーム、およびスパッタ・エッチング）により、膜３６を除去しうることに注意すべきである。
【００２８】
ディスクを金属の堆積とリフトオフのために準備する次のステップ１５５は、下部レジスト３２にアンダーカットを作り出しながら、トレンチの底部から不要な下部レジスト層３２（例えば、ＰＭＭＡ）を除去することである。２層膜３０に一定のアンダーカットを形成させると、リフトオフがかなり改善される。フォトリソグラフィでの回折による広がり効果、ならびに電子ビーム・リソグラフィでの電子の散乱とレジスト内の２次電子生成により、電子ビーム・リソグラフィとフォトリソグラフィでは、自然に（ポジレジストに）アンダーカットが生じる。インプリント・リソグラフィでは、アンダーカットは２層レジスト３０を用いて実現される。２層レジスト３０に用いられる２種の材料、例えばＰＭＭＡとＰ（ＭＭＡ−ＭＡＡ）は、かなり異なる化学的性質をもつように選択される。例えば、ＰＭＭＡを攻撃するが、Ｐ（ＭＭＡ−ＭＡＡ）はしない、またその逆である広範な溶剤がある。このために、上部層レジスト３１には影響を与えないで、下部レジスト材料（例えば、ＰＭＭＡ）を優先的にエッチング除去する溶剤（例えば、クロロベンゼン溶液）を用いて不要部分の除去とアンダーカットを行うことができる。ステップ１５５では、ディスクは、少なくとも下部レジスト３２を攻撃し、場合によっては上部レジストもまた攻撃するような溶剤に曝される。このようにして、図１Ｃに示されるように、インプリントされた形状にアンダーカットを作り出すことができる。さらに、後に気相堆積される金属薄膜は、堆積した金属の厚さが下部レジスト層３２の厚さより薄い限り、連続膜を形成しないであろう。アンダーカットの度合いは溶剤エッチングの時間調節により制御される。
【００２９】
ステップ１６５では、１つまたは複数の金属層５３をもつ金属薄膜スタック５０が、図１Ｄに示されるように、アンダーカット２層膜３０上に堆積される。一実施形態では、磁性薄膜５０は、特定の結晶形態が磁性層５３内で成長しやすくなるように、１つまたは複数の核層５１を含む。これらの層は、磁性層５３に用いられる材料に理に適った優れた格子整合を提供する材料層である。磁性層および核層の製造と組成は当技術分野において知られているので、詳細は記載されない。
【００３０】
磁性薄膜スタック５０は、磁性層５３の上に配置された、１つまたは複数の保護層５８を含んでいてもよい。例えば、２層保護薄膜５８が、接触−始動−停止（ＣＳＳ）および腐食防止などの摩擦学的な要件を満たすのに十分な性質をもたせるために、磁性層５３の上部に配置される。保護層の主な材料は、水素化または窒素化カーボンのようなカーボン系材料である。保護層の合計の厚さは、上側保護層の厚さが例えば約５０オングストロームより小さい場合、例えば約５０オングストロームより小さい。別法では、保護層は別の厚さである。別の実施形態では、保護薄膜５８は２層より多いか、または少ない保護層を含む。（複数の）保護層は、例えば、図３に関連して下に記載される化学気相堆積（ＣＶＤ）を用いて磁性層５３上に配置される。
【００３１】
ステップ１７０では、磁性薄膜スタック５０のリフトオフが、少なくとも下部レジスト層３２をエッチング除去する溶剤を用いて実施される。リフトオフにより、図１Ｅに示されるように、薄膜スタック５０がベース構造体１０上の離散的な領域に残される。こうして、不連続保護層をもつＤＴＲパターン化磁気記録ディスクが作り出される。別の実施形態では、１つまたは複数の保護層は、薄膜スタック５０に含まれていないが、薄膜スタック５０のリフトオフ後に堆積される。下で図５Ａおよび５Ｂに関連して記載されるように、摩擦学的性能をさらに向上させるために、潤滑層５９を、ディスクの表面全体の上部に乗せてもよい。潤滑層５９は、例えば、パーフルオロポリマーまたはホスファゼン潤滑剤からなる。別法では、潤滑層５９に他の潤滑材料が用いられる。潤滑層５９は、様々な方法、例えば、スピン・コート、ディップ・コーティング、スピン−ディップ・コーティングなどを用いて、ディスク上に配置される（ステップ１７５）。潤滑層および材料は当技術分野において知られているので、詳細は記載されない。
【００３２】
様々な洗浄および／または研磨作業が、例えば、１つまたは複数の層の表面から凹凸を除去するために、前記の工程間に実施されうることに注意すべきである。
【００３３】
図３は、堆積させる方法の一種である化学気相成長法の一実施形態を示している。特定の一実施形態では、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）装置３００が用いられる。ＰＥＣＶＤ装置は、例えば、日本の東京のアネルバ（株）（Ａｎｅｌｖａ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）から市販されている。この例示的な実施形態では、図３に示されるように、ＰＥＣＶＤ法で、イオン化炭素分子３３５を含むプラズマ３３０を作り出すために、炭素含有ガス３２０の高周波（ｒｆ）励起３１０が用いられている。特定の一実施形態では、水素化炭素ガス、例えば、エチレン、アセチレン、ブタン、ナフタレンその他が用いられる。図３では、わかりやすいように、堆積チャンバの片側だけが示されている。チャンバの図に示されていない側も動作し、ディスク３０１の両側が同時にコーティングされて、両面ディスクを製造しうるように、図に示された側と同様の構成部品をもつ。カソードとして機能する炭素プレート３４０に、ｒｆ電力が印加される。このｒｆ電力により、カソード・プレート３４０の前にプラズマ３３０が形成されて、正に帯電した炭化水素ガス・イオン３３５を作り出す。アネルバのＰＥＣＶＤ装置は、基板がカソードの前に固定されている静止堆積システムである。一実施形態では、ディスク３０１は、約１７０から５００℃の範囲の温度に加熱され、装置は約１５〜５０ミリＴｏｒｒの範囲の圧力下に置かれる。別法では、装置は５０ミリＴｏｒｒより高いか、１５ミリＴｏｒｒより低い圧力下に置かれる。イオン化炭化水素分子３３５は、ディスク３０１の表面で炭素に分解する。一実施形態では、正に荷電したイオン分子３３５がディスク表面、特にアンダーカット・レッジ（アンダーカットの上端部）の上部レジスト層３１より下方の表面に向かって一層強く引き付けられるように、バイアス電位３５０（例えば、約−２００Ｖから−４００Ｖ）がディスク３０１に加えられる。別法として、より大きな、例えば−６００Ｖ以上のバイアス電位が用いられる。
【００３４】
前記のように、ＣＶＤ堆積装置は運転中、ある圧力下に置かれる。堆積装置の圧力はイオン化炭化水素分子３３５の平均自由行程に影響を及ぼす。堆積中の装置の圧力が高い程、斜め方向からの（例えば、破線３６０）堆積の度合いが大きくなる。斜め方向からの堆積は、図４に示されるように、アンダーカット・レッジの上部レジスト層３１より下方の表面でのカーボン層の形成を促進する。静止ＣＶＤ堆積装置は通常、スパッタリングまたはＩＢＤ装置より高い圧力で運転される。スパッタリングまたはＩＢＤ装置は通常、３ミリＴｏｒｒより低い圧力で運転される。しかし、静止またはインライン装置を用いるスパッタリング（例えば、ＤＣ、ＡＣ、ＡＣ／ＤＣスパッタリング）、高エネルギー（パルス）スパッタリング、およびイオンビーム堆積（ＩＢＤ）法もまた、（複数の）保護層の堆積に用いることができる。
【００３５】
静止スパッタ装置は、カルフォルニア州サンタ・クララ（Ｓａｎｔａ  Ｃｌａｒａ）のＩｎｔｅｖａｃ  Ｉｎｃ．、ドイツ、ＡｌｚｅｎａｕのＢａｌｚｅｒｓ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ．などの製造業者から市販されている。インライン・スパッタリング装置では、ディスク基板は、連続して次々に基板に薄膜を堆積させる一連の堆積チャンバを通過するパレット上に装着される。インライン・スパッタリング装置は、日本の（株）アルバック（Ｕｌｖａｃ  Ｃｏｒｐ．）から市販されている。上の例示的実施形態で記載されたもの以外の温度、圧力、バイアス、および厚さを、特に他の装置および方法が用いられる場合、用いてもよいことに注意すべきである。
【００３６】
別の実施形態では、分子の平均自由行程を変えて斜め方向からの堆積度合いを大きくし、アンダーカット・レッジの上部レジスト層３１の下方での保護層（例えば、カーボン）の形成を促進するために、システムの通常の運転圧力が上げられる。例えば、ＰＥＣＶＤ装置では、堆積装置の圧力は、約６０ミリＴｏｒｒ以上に上げられる。圧力増加は、他のタイプの堆積装置でも用いられ、例えば、スパッタリングまたはＩＢＤ装置では３ミリＴｏｒｒ以上が用いられる。
【００３７】
図５Ａは、不連続保護層をもつディスクの一実施形態を示す横断面図である。一実施形態では、磁気記録ディスク５３０は、ベース構造体１０、複数のデータ記録層５５、（複数の）保護層５８、および潤滑層５９を含む。一実施形態では、データ記録層５５は、図１Ｄに関連して上に記載された、核層５１および／あるいは、１つまたは複数の磁性層５３を含む。保護層５８は、ベース構造体１０の上に不連続的に配置された、１つまたは複数の保護層を含む。一実施形態では、保護層５８は、データ記録層５５の端部５５１を覆い、ベース構造体１０に接触している。ベース構造体１０は、前記のように、様々な層と材料からなる。別の実施形態では、図５Ｂに示されるように、１つまたは複数の連続保護層５６１が、潤滑層５９の下、不連続保護層５８の上に配置される。さらに別の実施形態では、ベース構造体１０とデータ記録層５５の上に連続的に配置される。
【００３８】
図６は、不連続保護層付きディスク（例えば、ディスク５３０）を有するディスク・ドライブを示している。ディスク・ドライブ５００は、データを記録するための、１つまたは複数のディスクを含んでいる。（複数の）ディスク５３０は、ドライブ・ハウジング５８０に装備されたスピンドル・アセンブリ５６０上にある。データは、ディスク５３０の磁気記録層のトラックに沿って記録される。データの書込みと読出しは、書込みおよび読出し素子の両方をもつヘッド５５０で実施される。書込み素子は、ディスク５３０の磁気記録層の性質を変えるように使用される。一実施形態では、読出し素子ヘッド５５０は、磁気抵抗（ＭＲ）、および特に巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）読出し素子である。別の実施形態では、ヘッド５５０は、別のタイプのヘッド、例えば、誘導読出し素子をもつヘッドあるいはホール効果ヘッドである。スピンドル・モータ（示されていない）がスピンドル・アセンブリ５６０、従ってまたディスク５３０を回転させて、望みのディスク・トラックに沿った特定の位置にヘッド５５０を位置づける。ディスクに対するヘッド５５０の位置は、位置制御回路５７０により制御される。
【００３９】
前記明細書において、本発明が、その特定の例示的実施形態を参照して説明された。しかし、添付の特許請求の範囲に記載される、本発明のより広い精神と範囲から逸脱することなく、それに対して様々な修正と変更をなしうることが明らかであろう。したがって、本明細書および図は限定でなく例示と見なされるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】Ａ：ディスク基板上に配置された２層レジスト膜の一実施形態を示す横断面図である。  Ｂ：インプリント・スタンパによる２層レジスト膜のインプリントの一実施形態を示す横断面図である。  Ｃ：選択的に除去された２層レジスト膜の一実施形態を示す横断面図である。  Ｄ：パターン化基板上に配置された磁気薄膜スタックの一実施形態を示す横断面図である。  Ｅ：リフトオフ後のパターン化磁性薄膜の一実施形態を示す横断面図である。
【図２】磁性薄膜のリフトオフのために２層レジスト膜を用いる、離散トラック記録パターン化磁気ディスク製造方法の一実施形態を示す流れ図である。
【図３】化学気相堆積法の一実施形態を示す図である。
【図４】保護層堆積の一実施形態を示す図である。
【図５Ａ】不連続保護層をもつ離散トラック記録パターン化ディスクの一実施形態を示す横断面図である。
【図５Ｂ】不連続保護層と連続保護層をもつ離散トラック記録パターン化ディスクの別の実施形態を示す横断面図である。
【図６】ディスク・ドライブ・システムの一実施形態を示す図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０…ベース構造体、１５…基板、２０…ＮｉＰメッキ層、または（ＮｉＰメッキ層）＋軟磁性薄膜、３０…２層レジスト膜、３１…上部レジスト層、３２…下部レジスト層、３６…上部レジスト３１の薄い膜、５０…不連続薄膜スタック、５１…核層、５３…金属薄膜スタック、５５…データ記録層、５８…保護層、５９…潤滑層、９０…インプリント・スタンパ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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