(57)【要約】【課題】セラミック基板上に成膜するアモルファスアルミナ膜のＣｕ不純物量が多く、素子を形成する際にの膜厚を高精度に制御できない。【解決手段】セラミック基板１の上面にアモルファスアルミナ膜２を成膜してなる薄膜磁気ヘッド用基板３であって、該アモルファスアルミナ膜２中のＣｕ量が蛍光Ｘ線カウント比で０．０４ＫＣＰＳ以下とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基板の上面にアモルファスアルミナ膜を成膜してなる薄膜磁気ヘッド用基板であって、該アモルファスアルミナ膜中のＣｕ量が蛍光Ｘ線カウント比で０．０４ＫＣＰＳ以下であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド用基板。
【請求項２】
上記アモルファスアルミナ膜の厚みが０．０５〜６μｍであることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド用基板。
【請求項３】
上記セラミック基板をプラズマを安定させるプラズマ安定化治具に挟持された基板ホルダーのポケットにその上面が該基板ホルダーの上面と同一面となるように保持し、セラミック基板上にプラズマを用いてターゲットを照射し、アモルファスアルミナ膜を成膜する薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法であって、上記基板ホルダー及びセラミック基板の上面が、上記プラズマ安定化治具の上面より低い位置に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法。
【請求項４】
上記基板ホルダー及びセラミック基板の上面が上記プラズマ安定化治具の上面より１〜５ｍｍ低いことを特徴とする請求項３に記載の薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パソコン、テレビ等の記録装置であるハードディスクドライブやテープドライブ等に用いられる薄膜磁気ヘッド用基板およびその基板上のアモルファスアルミナ膜を成膜する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、パソコン、テレビ等の記録装置であるハードディスクドライブやテープドライブ等には、磁気抵抗効果を用いたＭＲ（磁気抵抗効果）ヘッドやＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）ヘッド等の薄膜磁気ヘッドが用いられている。
【０００３】
かかる薄膜磁気ヘッドは、一般にＡｌ２Ｏ３とＴｉＣを主成分とするセラミックからなる基板上に、アモルファスアルミナ膜をスパッタリング法にて成膜し、さらに多数の層からなる磁性膜によりＭＲ素子やＧＭＲ素子を形成してなる。上記アモルファスアルミナ膜は、導電材であるセラミック基板との絶縁性を得るために形成されている。
【０００４】
スパッタリング法は薄膜形成技術の一つであり、例えば光ディスクの記録層や誘電体層、反射層等を形成するのに用いられている。このスパッタリング法で薄膜を形成するには、図４（ａ）に示すようなスパッタ装置２４を用いて行われ、真空槽２５内に成膜材料となるアルミナ等のターゲット２６を配し、薄膜を形成するために基板ホルダー２７に備えたポケット内に装着したセラミック基板２１とを対向するように配して構成されている。そしてこの真空槽２５内にＡｒ（アルゴン）等の不活性ガス３１を導入し、ターゲット２６とセラミック基板２１との間に高圧を印加することで放電が生じアルゴンプラズマが発生する。その中のアルゴン正イオンは、ターゲット２６表面へ高速で衝突し、ターゲット２６の表面からターゲット粒子がはじき出され、セラミック基板２１上に被着、堆積し、アモルファスアルミナ膜等のスパッタ膜が成膜される仕組みである。
【０００５】
上記基板ホルダー２７の各ポケットにおけるセラミック基板２１の裏側には、スパッタ時の発熱によるセラミック基板２１の劣化を防ぎ、かつ冷却効率を高めるため、重金属が塗布されている。そのため、この基板ホルダー２７は上述の冷却効率およびポケット形状の加工性の観点からＣｕが採用されている。
【０００６】
基板ホルダー２７の外側には、プラズマを安定化させるためのステンレス製のプラズマ安定化治具３３が配されており、これによりアルゴンプラズマが偏在することがないため、成膜ばらつきや膜特性を安定化する役割を果たしている。
【０００７】
なお、この従来方法においては、図４（ｂ）の部分拡大図に示すように基板ホルダー２７の上面位置はプラズマ安定化治具３３と上面位置とほぼ同位置の状態でスパッタされる。上面位置のずれは、具体的には±０．１ｍｍ程度である。
【０００８】
また、基板ホルダー２７とプラズマ安定化治具３３との間は数ｍｍ程度の隙間があいているため、基板ホルダー２７の外周エッジ部およびプラズマ安定化治具３３の内周エッジ部は露出されている。
【０００９】
このアモルファスアルミナ膜は、上述した磁性膜の磁化方向が乱れるのを防止するためにその表面をより平滑な面にすることが求められており、一般にケミカル・メカニカルポリッシング（以下ＣＭＰと略す）等で研磨加工する。得られるアモルファスアルミナ膜の表面粗度は、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ；以下ＡＦＭと略す）で測定すると、算術平均粗さ（Ｒａ）で３〜６Å程度、最大高さ（Ｒｍａｘ）で５０Å程度である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
例えばＧＭＲヘッド用素子は、上述したアモルファスアルミナ膜付きのセラミック基板上に、薄膜技術により磁性膜や電極膜、絶縁膜等を成膜、フォトリソグラフィ技術によってこれらを所定形状にエッチングすることにより作製される。
【００１１】
ＧＭＲ素子は数層の薄膜で形成されており、その構成の中にはＣｕを主成分とする薄膜が含まれている。このＣｕを主成分とする膜は、主に磁化固定磁性層と磁化自由磁性層の間で非磁性金属層（絶縁層）として用いられ、この膜厚はヘッド特性に影響を及ぼすことが知られており、この膜の厚み管理はＸ線による成分量検出によって管理を行う手法が取られている。
【００１２】
現在の高記録密度化のニーズに伴い、この膜厚は更に薄くなっているため、セラミック基板に形成された他の膜中に含まれるＣｕ不純物が、膜厚測定精度に大きく影響を及ぼすようになり、正確な膜厚制御が難しくなっている。
【００１３】
ここで、Ｃｕ不純物とは、基板ホルダー２７の材質であるＣｕが真空中でスパッタリングされ、膜中に含まれたものをいう。
【００１４】
従来、上記図５に示すように基板ホルダー２７の上面位置はプラズマ安定化治具３３の上面位置とほぼ同位置にあり、それぞれのエッジ部は露出されているため、基板ホルダー２７の外周エッジ部にも電荷がたまりやすく、スパッタ中にＣｕが飛散する量が多くなり、アモルファスアルミナ膜中のＣｕ量が増加し、蛍光Ｘ線を用いたカウント比で０．０５０ＫＣＰＳ程度となり、膜中に含まれるＣｕ不純物が膜厚測定精度に大きく影響を及ぼす恐れがあるため、正確な膜厚制御が困難となるという問題を有している。
【００１５】
本発明は、上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、成膜中に含まれるアモルファスアルミナ膜のＣｕ不純物量を極小にすることであり、成膜工程において高精度の膜厚制御が可能となる薄膜磁気ヘッド用基板を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上述の問題を解決するため、本発明の薄膜磁気ヘッド用基板は、セラミック基板の上面にアモルファスアルミナ膜を成膜してなる薄膜磁気ヘッド用基板であって、該アモルファスアルミナ膜中のＣｕ量が蛍光Ｘ線カウント比で０．０４ＫＣＰＳ以下であることを特徴とする。
【００１７】
また、上記アモルファスアルミナ膜の厚みが０．０５〜６μｍであることを特徴とする。
【００１８】
さらに、上記セラミック基板をプラズマを安定させるプラズマ安定化治具
に挟持された基板ホルダーの凹部にその上面が該基板ホルダーの上面と同一面となるように保持し、セラミック基板上にプラズマを用いてターゲットを照射し、アモルファスアルミナ膜を成膜する薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法であって、上記基板ホルダー及びセラミック基板の上面が、上記プラズマ安定化治具の上面より低い位置に設けられていることを特徴とする。
【００１９】
またさらに、上記基板ホルダー及びセラミック基板の上面が上記プラズマ安定化治具の上面より１〜５ｍｍ低いことを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を図面を用いて詳細に説明する。
【００２１】
図１は、本発明の薄膜磁気ヘッド用基板３の部分断面図を示すものであり、セラミック基板１上にアモルファスアルミナ膜２が成膜されている。
【００２２】
上記セラミック基板１は、例えば図２（ａ）、（ｂ）に示すようなオリエンテーション部を有する直径８０〜２００ｍｍの円板状、または図２（ｃ）に示すような一辺８０〜１５０ｍｍの角板状をなし、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系セラミックから形成されており、例えば６０〜８０％のＡｌ２Ｏ３と２０〜４０％のＴｉＣを主成分とする原料粉末に所定の有機溶剤、溶媒を添加混合して原料粉末を調整するとともに該原料粉末を、大気あるいは還元雰囲気中で約１６００〜１８００℃でホットプレスあるいはＨＩＰ処理することによって作製される。
【００２３】
得られたセラミック基板１の表面には、アモルファスアルミナ膜２が成膜され、導電材料であるＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系セラミック基板１に絶縁性を持たせるとともに、この膜の表面を研磨加工して滑らかな面とし、その上面に磁性膜を積層して得られるＧＭＲヘッドを形成するための下地膜等として用いられる。
【００２４】
上記薄膜磁気ヘッド用基板３におけるアモルファスアルミナ膜２は、例えばＲＦスパッタリング法やＥＣＲスパッタリング法によって形成され、研磨代として規格寸法に約０．２〜０．３μｍ程度上乗せして成膜しておくのが好ましい。これは、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系セラミック基板１にアモルファスアルミナ膜２をスパッタリング法によって成膜した直後のアモルファスアルミナ膜２の表面がＡｌ２Ｏ３とＴｉＣの段差で凹凸面となっていたり、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ系セラミック基板１が反って平坦度が悪い場合でも、ＣＭＰによって研磨加工することで、面の凹凸を除いて平滑にしたり、平坦度を良くしたりすることができるためである。研磨代が０．２〜０．３μｍより小さいと、１枚あたりにかかる研磨時間は短縮されるものの、平坦度の修正に必要な膜厚が足りなくなることがある。
【００２５】
上記アモルファスアルミナ膜３中のＣｕ量は、蛍光Ｘ線カウント比で０．０４ＫＣＰＳ以下であることが重要であり、薄膜磁気ヘッド用基板３を用いて、ＧＭＲ素子等を形成する際の膜の厚みを高精度に制御することができる。
【００２６】
これは、薄膜磁気ヘッド用基板３に数層の薄膜を形成してＧＭＲ素子等を作製した場合、その素子中にＣｕを主成分とする薄膜が含まれている。このＣｕを主成分とする膜の厚みは、一般に蛍光Ｘ線による成分量検出によって管理されており、ＧＭＲ素子等を形成する前の薄膜磁気ヘッド用基板３におけるアモルファスの膜中にＣｕ不純物が含まれると、このＣｕ量を検出してしまい、Ｃｕを主成分とする膜の厚みを高精度に測定することができない。
【００２７】
また、上記アモルファスアルミナ膜２の厚みは、０．０５〜６μｍとすることが好ましい。これは、０．０５μｍ未満であると耐電圧が不十分で絶縁特性が得られず、逆に厚みが６μｍを超えると放熱性が低下するためである。
【００２８】
なお、アモルファスアルミナ膜２の厚みは、光干渉法により算出する。これは、表面反射と裏面反射との間の光路差により生ずる位相のずれから膜厚みを求める方法である。本発明では、表面がアモルファスアルミナ膜表面、裏面がセラミック基板との界面にあたる。
【００２９】
ここで、本発明の薄膜磁気ヘッド用基板３におけるアモルファスアルミナ膜２のスパッタリング成膜方法について具体的に説明する。
【００３０】
図３（ａ）に示すように、スパッタ装置４は真空槽５内に薄膜の材料となるターゲット６と、基板ホルダー７に備えたポケット内に装着したセラミック基板１とを対向するように配して構成されている。
【００３１】
基板ホルダー７の各ポケットにおけるセラミック基板１の裏側には、スパッタ時の発熱によるセラミック基板１の劣化を防ぎ、かつ冷却効率を高めるため、重金属が塗布されている。また、基板ホルダー７の材質としては、上述の冷却効率およびポケット形状の加工性の観点からＣｕが採用されている。
【００３２】
なお、基板ホルダー７の上面とセラミック基板１の上面は同一面となるようポケットの深さはセラミック基板１の厚みと等しくなるように形成され、セラミック基板１上に形成される膜の厚みのバラツキを防止する。
【００３３】
また、基板ホルダー７の外側には、プラズマを安定化させるためのステンレス製のプラズマ安定化治具１３が配されており、これにより成膜ばらつきや膜特性を安定化する役割を果たしている。
【００３４】
そして、基板ホルダー７のポケットにセラミック基板１を装着した状態で、真空槽５内に例えばＡｒ等の不活性ガス１１を導入し、ターゲット６とセラミック基板１との間に高圧を印加することで放電を起こしてプラズマを生成し、そのプラズマ中のイオンによってターゲット６をスパッタし、基板ホルダー７のポケットに装着したセラミック基板１の上に、スパッタによってターゲット６から叩き出されたスパッタ粒子を堆積させる。この時、成膜時の放電状態を安定化させるために、放電開始後しばらくの間はシャッター８を閉めたままにしてプリスパッタを行い、放電が安定した後にシャッター８を開いて成膜を開始する。
【００３５】
所定時間が経過した後、再びシャッター８を閉じて成膜を終了する。スパッタ時のセラミック基板１へのゴミ付着が主に起因して、膜中には多くの欠陥が発生しやすいので、スパッタリング装置内でＡｒイオンエッチング処理を行うことで、そのゴミを飛ばすのが好ましい。
【００３６】
ここで、図３（ｂ）の部分拡大図に示すように、上記基板ホルダー７及びセラミック基板１の上面位置Ｃはプラズマ安定化治具１３の上面位置Ｄよりも低くすることが好ましい。これにより、得られた薄膜磁気ヘッド用基板３のアモルファスアルミナ膜中のＣｕ量が蛍光Ｘ線カウント比で０．０４ＫＣＰＳ以下とすることができ、上述のように薄膜磁気ヘッド用基板３にＧＭＲ素子を形成するためのＣｕを主成分とする膜の厚みを正確に管理することができるので、高品質のＧＭＲヘッドを安定して生産することが可能となる。
【００３７】
上記基板ホルダー７の上面位置Ｃを調節するには、固定台１５の高さを変更することによって調節することが好ましいが、基板ホルダー７自体の厚みを薄くすることによって実質的にプラズマ安定化治具１３の上面位置を高くしてもよい。両者の上面位置に段差を設けて成膜することにより、基板ホルダー７の外周部で集中的に発生するスパッタリングを低減させることができ、Ｃｕ不純物の発生が抑制される。
【００３８】
上述のように、基板ホルダー７の上面位置Ｃがプラズマ安定化治具１３の上面位置Ｄより低く構成されていると、基板ホルダー７の外周エッジ部が露出しないため、同一高さとしている場合よりスパッタ時に上記エッジ部に電荷がたまりにくく、Ｃｕの飛散量が少なくなるためであり、アモルファスアルミナ膜中のＣｕ量を減少させることができる。一方、基板ホルダー７の上面位置Ｃがプラズマ安定化治具１３の上面位置Ｄより高いと、Ｃｕ製の基板ホルダー７のエッジ部がさらに露出されるため、プラズマ安定化治具１３と同位置の時よりもアモルファスアルミナ膜２中のＣｕ不純物量が増加してしまうためである。このＣｕ不純物とは、基板ホルダー７の材質であるＣｕが真空中でスパッタリングされ、膜中に含まれたものをいう。基板ホルダー７の表面は従来通り同装置を用いてアモルファスアルミナ膜２を成膜したものを用いる。
【００３９】
さらに、基板ホルダー７の上面位置Ｃは、プラズマ安定化治具１３の上面位置Ｄより１〜５ｍｍ低いことがより好ましい。段差１４が大きすぎると、プラズマ密度が減少してスパッタレートが減少し、生産性に悪影響を及ぼしてしまう。
【００４０】
なお、上記アモルファスアルミナ膜２中のＣｕ量の測定方法は、測定対象であるアモルファスアルミナ膜２は透明体であり、上述したように０．０５〜６μｍという厚みであるため、これだけを選択して定量分析することは非常に困難である。また、アルカリに溶解しやすい性質を利用して、溶液を作って分析する方法も考えられるが、その際にＣｕ量が変動するおそれがあり、かつ非常に手間がかかるため適さない。そこで、簡易的に測定する方法として蛍光Ｘ線分析（ＸＲＦ）を用いた手法があげられる。
【００４１】
これは、アモルファスアルミナ膜２に一定強さのＸ線を照射し、一定時間内に発生したＣｕ固有の蛍光Ｘ線の検出強さを指数で表し、このカウント数を比較する方法であり、上記Ｃｕ量のＸ線カウント比の単位ＫＣＰＳとはキロカウント／秒を意味し、１秒あたりのカウント数の比を示すものである。
【００４２】
以上のように、プラズマ安定化治具１３とセラミック基板１を保持する基板ホルダー７との段差をつけて、基板ホルダーの上面位置を低くして成膜したセラミック基板１上のアモルファスアルミナ膜２は、膜中のＣｕ量を低減することができる。これは、上述の蛍光Ｘ線分析によれば、Ｃｕ不純物量を０．０４ＫＣＰＳ以下にすることができるものであり、ＧＭＲ素子を形成するためのＣｕを主成分とする膜の厚みを正確に管理することができるので、高品質のＧＭＲヘッドを安定して生産することが可能となる。
【００４３】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明する。
【００４４】
出発原料としてアルミナＡｌ２Ｏ３（純度９９．９重量％、平均粒子径０．４μｍ）とチタンカーバイドＴｉＣ（純度９９．５重量％、平均粒子径０．３μｍ）を使用し、アルミナが７０重量％、チタンカーバイドが３０重量％の比率となるように秤量し、その中にチタンカーバイドに対して約１０重量％の酸化チタンを添加後、アルミナボールにて混合した。その後、この混合粉末を成形し１６００℃、２５ＭＰａの圧力で１時間ホットプレス焼成した。
【００４５】
このようにして作製したＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ焼結体をダイヤモンドホイールによって直径１５０ｍｍ、厚み２ｍｍの円板状の基板に研削加工した後、ダイヤモンド砥粒を用いて表面にラッピング加工を行った。次に、平均粒子径１．０μｍのダイヤモンドパウダーを用いて、基板表面と研磨盤を相対的に摺動させて精密研磨を行い、セラミック基板の表面粗度を算術平均粗さ（Ｒａ）で６〜１５Åとした。
【００４６】
次に、純度９９．５重量％のアルミナターゲットを用いて、図３に示すスパッタ装置を用いて、基板ホルダー及びセラミック基板の上面位置と、プラズマ安定化治具の上面位置を表１に示す如く変化させ、セラミック基板上にそれぞれ厚み約０．１μｍ、３μｍ、５．５μｍ、７μｍのアモルファスアルミナ膜を成膜した。
【００４７】
そして、得られた薄膜磁気ヘッド用基板におけるアモルファスアルミナ膜中のＣｕ量を測定するため、アモルファスアルミナ膜にフィリップス社製ＰＷ１４０４型の装置を用いてＸ線（強さ：Ｘ線管電圧５０ｋＶ、管電流４０ｍＡ　時間：２００秒）を照射し、Ｃｕ固有の蛍光Ｘ線の検出強さを指数で表し、このカウント数を比較した。
【００４８】
なお、表１における基板外周部とは基板外周の任意の位置で、基板中央部とは外周から幅１０ｍｍ内側に入った範囲の任意の位置で、それぞれ２０ｍｍに切り出した部分を測定したことを示す。
【００４９】
また、段差を示す値が正値の場合は、基板ホルダーの上面位置がプラズマ安定化治具の上面位置よりも高いことを示す。負値の場合は、基板ホルダーの上面位置がプラズマ安定化治具の上面位置よりも低いことを示す。
【００５０】
結果を表１に示す。
【００５１】
【表１】
2004086975.tif 000003
【００５２】
表１に示すように、基板ホルダーをプラズマ安定化治具より低くすることで、段差をつけない従来の方法および基板ホルダーをプラズマ安定化治具よりも高くする方法に比べてＣｕ量を大幅に低減することができた。
【００５３】
ところが、基板ホルダーの位置をプラズマ安定化治具よりも６ｍｍ以上低くすると、ターゲットとの間隔が広がってプラズマ密度が低下し、成膜レートが遅くなり、生産性が悪化することが判明した。つまり、段差を０〜５ｍｍの範囲とすることで生産性を落とすことなく、Ｃｕ不純物量低減の効果が得られる。
【００５４】
なお、こうして得られたアモルファスアルミナ膜の表面を、片面ラップ装置にて研磨液と研磨パッドを用いて、約０．５μｍ研磨して平滑化したところ、面粗さや膜の密着強度等の各特性は従来通りであり、これまで通りの要求レベルを満たすことができた。
【００５５】
【発明の効果】
本発明の薄膜磁気ヘッド用基板によれば、アモルファスアルミナ膜中のＣｕ量を蛍光Ｘ線カウント比で０．０４ＫＣＰＳ以下であることから、薄膜磁気ヘッド用基板にＧＭＲ素子等を形成する際に用いられるＣｕを主成分とする膜の厚みを正確に管理することができ、高品質のＧＭＲヘッドを安定して生産することが可能となる。
【００５６】
また、本発明の薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法によれば、セラミック基板を保持する基板ホルダーの上面位置をプラズマ安定化治具の上面位置よりも低くして、セラミック基板上にアモルファスアルミナ膜を０．０５〜６μｍ成膜してなることから、アモルファスアルミナ膜中に含まれるＣｕ不純物量を大幅に低減することができ、膜厚管理の極めて高い薄膜磁気ヘッド用基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッド用基板の要部拡大断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は本発明の薄膜磁気ヘッド用基板におけるセラミック基板を示す斜視図である。
【図３】（ａ）は本発明の薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法に用いるスパッタ装置の構成を示す正面断面図であり、（ｂ）はその部分拡大断面図である。
【図４】（ａ）は従来の薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法に用いるスパッタ装置の構成を示す正面断面図であり、（ｂ）はその部分拡大断面図である。
【符号の説明】
１：セラミック基板
２：アモルファスアルミナ膜
３：薄膜磁気ヘッド用基板
４：スパッタ装置
５：真空槽
６：ターゲット
７：基板ホルダー
８：シャッター
９：回転機構
１０：ガス導入口
１１：不活性ガス
１２：排気口
１３：プラズマ安定化治具
１４：段差
１５：基板ホルダー固定台
【図１】
2004086975.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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