(57)【要約】      （修正有）【課題】リフロー半田付けを行えるセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを提供する。【解決手段】断面円形のケーブル本体２の中心部に中心導体３が配設され、この中心導体３の両端部が露出しているセミリジッド同軸ケーブルアセンブリであって、前記露出している中心導体３の両端部を折り曲げて、該折り曲げる前の中心導体３の外表面よりその径方向外方の位置で、前記ケーブル本体２の軸と平行に延在する取付部４をそれぞれ形成し、これら取付部４の前記ケーブル本体２の径方向外方側を、その径方向外方に対して直交する方向に沿って延在する平面状に形成して取付面５とする。【選択図】        図１
2004335515.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
断面円形のケーブル本体の中心部に中心導体が配設され、この中心導体の両端部が露出しているセミリジッド同軸ケーブルアセンブリであって、前記露出している中心導体の両端部を折り曲げて、該折り曲げる前の中心導体の外表面よりその径方向外方の位置で、前記ケーブル本体の軸と平行に延在する取付部をそれぞれ形成し、これら取付部の前記ケーブル本体の径方向外方側を、その径方向外方に対して直交する方向に沿って延在する平面状に形成して取付面としたことを特徴とするセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ。
【請求項２】
前記取付部が、中心導体を押し潰してなる扁平状に形成されている請求項１に記載のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ。
【請求項３】
前記取付部が、前記ケーブル本体の取付面と基板の半田付けランドとが対向するように前記ケーブル本体を前記基板上に搭載したとき、その半田付けランドと前記取付面との間隔が０．２ｍｍ以下となるように形成されている請求項１又は２に記載のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ。
【請求項４】
断面円形のケーブル本体の中心部に配設された中心導体の両端部を露出させ、これら露出させた中心導体の両端部をプレス加工により段状に折り曲げて、該折り曲げる前の中心導体の外表面よりその径方向外方の位置で前記ケーブル本体の軸と平行に延在すると共に、前記ケーブル本体の径方向外方側がその径方向外方に対して直交する方向に沿って延在する平面状の取付面を有する取付部を形成することを特徴とするセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリ及びその製造方法に関し、さらに詳しくは、リフロー半田付け（リフロー実装）を行えるセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
移動体通信機器や情報処理機器等の電子機器は、小型化及び軽量化に伴い、電子部品をプリント基板に高密度に実装することが要求されている。この電子部品を高密度に実装する技術として、リフロー炉を用いて半田付けを行う、リフロー半田付けがある。リフロー半田付けは、プリント基板の例えば半田付けランド上に印刷やディスペンサーなどの半田供給器等により半田ペーストを塗布する。この上に実装すべき電子部品等を所定の位置に搭載した後に、この部品を搭載したプリント基板をリフロー炉で加熱する。半田付けランド上の半田ペーストが溶融（リフロー）し、冷却後、電子部品等が半田付けランド上に半田付けされる。
【０００３】
ところで、小型電子部品の高周波伝送路として、高周波性能に優れるセミリジッド同軸ケーブルが広く用いられている。このセミリジッド同軸ケーブルについても、前述のリフロー半田付けが行えれば、生産性が向上すると共にコストダウンにもつながる。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−３５２６３８号公報（第２頁）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、セミリジッド同軸ケーブルのプリント基板への半田付けは手作業で行われていた。すなわち、セミリジッド同軸ケーブルは、図５に示すように、中心導体５１の外周に少なくとも絶縁体５２と外部導体５３が順次同軸上に設けられてなるものである。このセミリジッド同軸ケーブル５０をプリント基板１０上に搭載したとき、中心導体５１の外周と半田付けランド１１との間の間隔が広い。
その半田付けランド１１上に他と同様に半田ペーストが塗布されてリフロー炉で加熱されても、図６の右側部分に示すようにセミリジッド同軸ケーブルの中心導体５１は半田接続が不十分になることもあった。
【０００６】
セミリジッド同軸ケーブル５０の中心導体５１の外周と半田付けランド１１との間隔を狭くすれば半田接続が不十分になることもない。通常のセミリジッド同軸ケーブル５０でその間隔を狭くするには、セミリジッド同軸ケーブル５０の線材自体の外形寸法を小さくすることが考えられるが、セミリジッド同軸ケーブル５０が小さくなると、電気特性が悪くなり、しかも取扱いが悪いと共に曲がったり折れたりしやすく、実用的ではない。
【０００７】
また、中心導体５１と外部導体５３との間に設けられている絶縁体５２の層厚を薄くすれば、中心導体５１の外周と半田付けランド１１との間隔を狭くすることができるが、絶縁体５２の層厚を薄くすると、中心導体５１の高周波インピーダンスがかわり、電気特性が悪くなる。
【０００８】
このように、セミリジッド同軸ケーブル５０自体の寸法を変えられないので、半田付けランド１１上の半田ペーストの塗布量を多く、つまり塗布厚を厚くすることが提案された。これにより、図６の左側部分に示すように、セミリジッド同軸ケーブル５０の中心導体５１の半田接続を十分に行えることになるが、その周辺部に半田ボール５５が飛散することがあった。また、半田付けランド１１への半田ペーストの塗布は例えば印刷により自動的に行われ、部分的に塗布量を変えることはできず、塗布量を多くするには全体の塗布量を多くしなければならない。このため、他の半田付けランド上に塗布される半田ペーストの塗布量も多くなり、半田量過多となってその周辺部に半田ボールが飛散して、その半田によって短絡することも考えられる。
【０００９】
従って、セミリジッド同軸ケーブル５０のプリント基板１０への半田付けはリフロー半田付けではなく手作業で行われていた。
【００１０】
本発明は、上述した問題を解決するためになされたものであって、リフロー半田付けを行えるセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ及びその製造方法の提供を目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリは、断面円形のケーブル本体の中心部に中心導体が配設され、この中心導体の両端部が露出しているセミリジッド同軸ケーブルアセンブリであって、前記露出している中心導体の両端部を折り曲げて、該折り曲げる前の中心導体の外表面よりその径方向外方の位置で、前記ケーブル本体の軸と平行に延在する取付部をそれぞれ形成し、これら取付部の前記ケーブル本体の径方向外方側を、その径方向外方に対して直交する方向に沿って延在する平面状に形成して取付面としたものである。
【００１２】
このように構成することで、ケーブル本体を基板上に取付面がその基板上の半田付けランドと対向すべく搭載したとき、中心導体（取付部）と半田付けランドとの間隔が中心導体を折り曲げる前に比して狭くなるので、リフロー半田付けを行っても中心導体が半田付けランドに半田接続される。また、取付面が平面状に形成されているので、良好な半田付け接続を行える。したがって、リフロー半田付けを行えるセミリジッド同軸ケーブルアセンブリが得られる。
【００１３】
前記取付部が、中心導体を押し潰してなる扁平状に形成されていることが好ましい。このように取付部が扁平状に形成されていることにより、この取付部を半田付けすると、半田フィレットが形成されるので、一層良好な半田付けとなり、半田付け部分の信頼性が高くなる。
【００１４】
前記取付部が、前記ケーブル本体の取付面と基板の半田付けランドとが対向するように前記ケーブル本体を前記基板上に搭載したとき、その半田付けランドと前記取付面との間隔が０．２ｍｍ以下となるように形成されていることが好ましい。
【００１５】
これにより、ケーブル本体を基板上に取付面がその基板上の半田付けランドと対向すべく搭載したとき、取付面が半田付けランド上に塗布された半田ペーストと接触するので、一層確実に半田接続を行えることになる。また、半田ペーストに接触する取付面が平面状に形成されているため、ケーブル本体の基板への座りがよく、ケーブル本体が転がることなく基板に搭載されるので、基板への実装性が向上する。
【００１６】
また、本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法は、断面円形のケーブル本体の中心部に配設された中心導体の両端部を露出させ、これら露出させた中心導体の両端部をプレス加工により段状に折り曲げて、該折り曲げる前の中心導体の外表面よりその径方向外方の位置で、前記ケーブル本体の軸と平行に延在すると共に、前記ケーブル本体の径方向外方側がその径方向外方に対して直交する方向に沿って延在する平面状の取付面を有する取付部を形成するものである。
【００１７】
このように、平面状の取付面を有する取付部をプレス加工により形成することで、生産性がよく、安価に、しかも精度よく、リフロー半田付けを行えるセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを製造することが可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ及びセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法について図面を参照しつつ説明する。
【００１９】
（セミリジッド同軸ケーブルアセンブリ）
図１は本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの一例を示す側面図である。図２は本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの一例を示す平面図である。図３は本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリをプリント基板上にリフロー半田付けを行った状態を示す側面図である。
【００２０】
本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリは、図１乃至図３に示すように、断面円形のケーブル本体２の中心部に中心導体３が配設され、この中心導体３の両端部が露出している箇所を折り曲げて、折り曲げる前の中心導体３の外表面よりその径方向外方の位置で、ケーブル本体２の軸と平行に延在する取付部４をそれぞれ形成し、これら取付部４の前記ケーブル本体２の径方向外方側を、その径方向外方に対して直交する方向に沿って延在する平面状に形成して取付面５としたものである。
【００２１】
本発明を構成するセミリジッド同軸ケーブルであるケーブル本体２は、特に限定されるものではなく、一般的に知られているセミリジッド同軸ケーブルが用いられる。すなわち、ケーブル本体２は、中心導体３の外周に絶縁体６と外部導体７とを順次同軸上に積層した構造のケーブルである。
【００２２】
中心導体３は、セミリジッド同軸ケーブルの中心導体として用いられているものであれば特に限定されず、例えば、外径０．１５〜０．２０ｍｍの銀めっき銅覆鋼線が用いられる。
【００２３】
絶縁体６は、リフロー炉における加熱に耐え得る絶縁材料、例えば低誘電率の絶縁体樹脂（ＰＴＦＥ（ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）などのフッ素樹脂等）により形成されている。絶縁体６の厚さ（層厚）は、セミリジッド同軸ケーブルの絶縁体として機能できるならば特に限定されず、例えば、０．１〜０．３ｍｍである。絶縁体６は、例えば、低誘電率の絶縁体樹脂を押出し被覆したり、低誘電率の樹脂の絶縁体テープを巻回したりして形成される。具体的には例えば、中心導体３の外周にＰＴＦＥをペースト押出し、これを焼結して厚さ０．２０ｍｍの多孔質低誘電率の絶縁体が形成される。また、厚さ６０μｍ、幅４ｍｍのＰＴＦＥテープを中心導体の外周に２／３ラップで重ね巻きし、厚さ０．２ｍｍの多孔質の絶縁体を形成することができる。
【００２４】
外部導体７は、導電性の材料例えば銅等の金属により形成されるものである。
外部導体は、例えば、絶縁体６の外周に無電解ニッケル−燐（Ｎｉ−Ｐ）めっき液を用いて無電解めっきを行い、絶縁体３表面にＮｉ−Ｐを析出させ、無電解めっき金属層を設ける。この無電解めっき金属層上に光沢硫酸銅めっき液を用いて電気めっき銅層を設けることにより、無電解めっき金属層と電気めっき銅層とからなる厚さ約６０μｍの外部導体が形成される。
【００２５】
なお、外部導体７上には、外部絶縁体やその他の被覆層を設けるようにしてもよい。例えば、外部絶縁体は、外部導体７の外周にリフロー炉における加熱に耐え得る絶縁材料を押出し被覆して形成される。
【００２６】
ケーブル本体２の両端部は、外部導体７より絶縁体６が延出し、さらにこの絶縁体６より中心導体３が延出されている。つまり、ケーブル本体２は、中心導体３の両端部が露出したものであり、例えば、セミリジッド同軸ケーブルの両端部を段差剥きに加工して中心導体を露出させることができる。この露出している中心導体３は、ほぼ同じ方向及び同じ形状に折り曲げられて取付部４が形成されている。
【００２７】
取付部４は、折り曲げる前の中心導体３の外表面よりその径方向外方の位置で、ケーブル本体２の軸と平行に延在するように形成されているものであり、どのような手段により形成してもよいが、プレス加工により形成することが好ましい。この取付部４が例えばプリント基板１０の半田付けランド１１上に半田付けされる箇所となる。
【００２８】
取付部４を形成するときの折り曲げは、特に限定されず、図示するように、２箇所を段状に屈曲させて行うようにしてもよく、また、湾曲させて行うようにしてもよい。
【００２９】
取付部４は、ケーブル本体２の径方向外方側が、その径方向外方に対して直交する方向に沿って延在する平面状に形成されていれば、どのような形状であってもよいが、例えば、中心導体３を押し潰してなる扁平状（平角状を含む扁平状）に形成することが好ましい。
【００３０】
取付部４の扁平形状は、取付部４を平面状に載置したとき容易に転がらず、例えばプリント基板に半田付けされた状態で容易に折れ曲がったり切断されたりしない厚さに形成することが好ましい。
【００３１】
ケーブル本体２の径方向外方側の取付部４の平面箇所が取付面５として形成されている。この取付面５（取付部４）は、折り曲げる前の中心導体３の外表面よりその径方向外方の位置に位置されるように形成されていればよいが、好ましくは、取付面５とプリント基板１０の半田付けランド１１とが対向するようにケーブル本体２をそのプリント基板１０上に搭載したとき、その半田付けランド１１と取付面５との間隔が０．２ｍｍ以下、好ましくは０．１ｍｍ以下、特に好ましくは半田付けランドと取付面とが接する寸法になるように形成されていることがよい。
【００３２】
取付面５（取付部４）の長さ（長手方向の長さ）は、例えばプリント基板１０に十分に半田接続される寸法であると共に、搭載するプリント基板１０の半田付けランド１１の長さ（面積）に応じた寸法であれば特に限定されるものではない。
【００３３】
次に、このセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１をプリント基板１０に搭載させてリフロー半田付けを行う場合について説明する。
【００３４】
プリント基板１０の半田付けランド１１上には、印刷やディスペンサーなどの半田供給器等により厚さ０．１〜０．２ｍｍ例えば０．２ｍｍの半田ペーストが半田付けランド１０の面積に対応して塗布されている。
【００３５】
このプリント基板１０にセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１を搭載する。この搭載は、外部導体７を任意の半田付けランド１２に半田ペースを介して当接させると共に、両端部の露出している中心導体３の取付部４を、それぞれ取付面５が任意の半田付けランド１０と対向するように行う。
【００３６】
次にこのプリント基板（実装すべき電子部品等を所定の位置に搭載したプリント基板）１０をリフロー炉を用いて加熱する。半田付けランド１１，１２上の半田ペーストが溶融（リフロー）し、冷却後、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１が所定の半田付けランド１１，１２上に半田付けされる。
【００３７】
このとき、中心導体３（取付部４）と半田付けランド１１との間隔が中心導体３を折り曲げる前に比して狭くなるので、中心導体３が半田付けランド１１に十分に半田接続されることになる。また、平面状の取付面５を半田付けランド１１と対向させるように配置することで、半田１３と平面接触するので、良好な半田付けを行えることになる。
【００３８】
したがって、本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１は、リフロー半田付けを行えるものである。このセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１を、例えば小型電子部品の高周波伝送路としてプリント基板１０にリフロー半田付けにより実装できる。すなわち、他の電子部品等と一括して半田付けできるので、プリント基板１０の生産性が向上すると共にコストダウンにもつながり、本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１は、工業的価値が高いものである。
【００３９】
また、取付部４が扁平状に形成されていると、半田付けを行ったとき半田フィレットが形成されるので、一層良好な半田付けとなり、半田付け部分の信頼性が高くなる。
【００４０】
また、取付部４が、半田付けランド１１と取付面５との間隔が０．２ｍｍ以下となるように形成されていることにより、ケーブル本体２を前述のようにプリント基板１０上に搭載したときに、取付部４（取付面５）が半田ペーストと接触するので、一層確実に半田接続を行えることになる。また、半田ペーストに接触する取付面５が平面状に形成されているため、ケーブル本体２のプリント基板１０への座りがよく、ケーブル本体２が転がることなくプリント基板１０に搭載されるので、基板１０への実装性が向上する。
【００４１】
（セミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法）
次に、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法について説明する。本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法は、上述した構成からなるセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法であって、その特徴は、露出している中心導体の両端部をプレス加工により段状に折り曲げて、折り曲げる前の中心導体の外表面よりその径方向外方の位置で、ケーブル本体の軸と平行に延在すると共に、ケーブル本体の径方向外方側がその径方向外方に対して直交する方向に沿って延在する平面状の取付面を有する取付部を形成するプレス工程である。なお、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリを製造するためのその他の製造工程、セミリジッド同軸ケーブル（ケーブル本体）、中心導体の露出等の形成工程については従来公知の方法と同様である。
【００４２】
プレス工程において、プレスを行う金型はどのようなものでもよく、例えば、図４に示すように、一対の上型２０と下型２１とからなるもの等が挙げられる。また、プレスを行うプレス機械（図示せず）は、特に限定されず、例えば、クランクプレス、リンクモーションプレス、カムプレス、ねじプレス、油圧プレス、空圧プレス、フットプレス、ハンドプレス等が挙げられる。
【００４３】
プレスを行う場合には、例えば、図４に示すように、下型２１上にセミリジッド同軸ケーブル（ケーブル本体２）を所定の位置に載置し、これに上型２０を嵌合させてプレスする。これにより、露出している中心導体３の２箇所がジクザグ状に屈曲されると共に、先端部が扁平状に押し潰されて取付部４として形成される。
【００４４】
この取付部４は、折り曲げる前の中心導体３の外表面よりその径方向外方の位置で、ケーブル本体２の軸と平行に延在し、かつ、ケーブル本体２の径方向外方側が平面状に形成された取付面５を有するものである。
【００４５】
以上のように、本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法は、汎用されているプレス加工により取付部を形成することができるので、リフロー半田付けを行えるセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１を生産性よく、安価に、しかも精度よく製造することができる。
【００４６】
【実施例】
以下、実施例及び比較例により、本発明をさらに詳しく説明する。
【００４７】
（実施例）
まず、外径（φ）０．１６ｍｍの中心導体、外径（φ）０．５ｍｍの絶縁体及び、外径（φ）０．６２ｍｍの外部導体を有するセミリジッド同軸ケーブルを長さ５０ｍｍで切断する。この切断したセミリジッド同軸ケーブルの両端部を段差剥きに加工して中心導体を露出させる。
【００４８】
この中心導体を露出させたセミリジッド同軸ケーブルをプレス機を用いてプレス曲げ加工して取付部を形成してセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを製造した。この加工により形成された取付部は、厚さ０．０７ｍｍ、幅０．２５ｍｍの扁平状であって、プリント基板上に取付面がその基板の半田付けランドと対向すべく搭載したとき、その半田付けランドと取付面との間隔が０．０１ｍｍのものである。
【００４９】
次に、プリント基板に半田付けランド上に従来と同量の１５０μｍの厚さで半田ペーストを印刷・塗布した。このプリント基板の所定の位置に部品実装機で製造したセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを搭載した。この搭載は、取付面が半田付けランドと対向すべく行った。なお、部品実装機で他の電子部品もプリント基板の所定の位置に搭載した。
【００５０】
このセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを搭載したプリント基板をリフロー炉を用いて加熱して半田ペーストを溶融させた。この加熱は、例えば、約１５０℃で６０秒の予備加熱をした後、約２３０℃以上の本加熱（ピーク温度が約２５０℃である本加熱）を３０秒間行ったものである。なお、全体の加熱時間は１２０〜１８０秒である。加熱後、プリント基板を冷却して半田を固化させて、半田付けを行った。
【００５１】
この半田付けを行ったプリント基板上のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの両中心導体（取付部）は、半田フィレットが形成されて、従来の半田量でも半田付けランドと良好な半田接続が行われていた。また他の電子部品も良好な半田付けが行われていた。
【００５２】
（比較例１）
上述の実施例におけるプレス機による取付部の形成を行わないで、両端部を段差剥きに加工しただけのセミリジッド同軸ケーブルをそのままプリント基板上の所定の位置に載置した以外は実施例と同様の条件で、リフロー、冷却を行い半田付けを行った。
【００５３】
この半田付けを行ったプリント基板上の他の電子部品は良好な半田接続が行われていたが、セミリジッド同軸ケーブルの両端部の中心導体は、図６の右側部分に示すように、半田接続が不十分であった（オープン不良）。
【００５４】
（比較例２）
上述の実施例におけるプレス機による取付部の形成を行わないで、両端部を段差剥きに加工しただけのセミリジッド同軸ケーブルをそのままプリント基板上の所定の位置に載置すると共に、半田付けランド上に２５０μｍの厚さで半田ペーストを印刷・塗布した以外は実施例と同様の条件で、リフロー、冷却を行い半田付けを行った。
【００５５】
この半田付けを行ったプリント基板上のセミリジッド同軸ケーブルの両中心導体は、図６の左側部分に示すように、半田接続されていたが、その周辺部に半田ボールが飛散していた。また、他の電子部品の半田接続部分は半田量過多となり半田ボールの飛散と部品間が半田によって短絡してしまっている箇所が多数発生した（ショート不良、半田ボール不良）。
【００５６】
【発明の効果】
本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリによれば、露出している中心導体の両端部を折り曲げて平面状の取付面を有する取付部を形成したので、リフロー半田付けを行えるセミリジッド同軸ケーブルアセンブリが得られた。
【００５７】
本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法によれば、露出させた中心導体の両端部をプレス加工により段状に折り曲げて平面状の取付面を有する取付部を形成するので、リフロー半田付けを行えるセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを生産性よく、安価に、しかも精度よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの一例を示す側面図である。
【図２】本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの一例を示す平面図である。
【図３】本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリをプリント基板上にリフロー半田付けを行った状態を示す側面図である。
【図４】本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリをプレス加工により製造する一例を示す側面図である。
【図５】従来のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリをプリント基板上に搭載する状態を示す側面図である。
【図６】従来のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリをプリント基板上にリフロー半田付けを行った状態を示す側面図である。
【符号の説明】
１    セミリジッド同軸ケーブルアセンブリ
２    ケーブル本体
３    中心導体
４    取付部
５    取付面
６    絶縁体
７    外部導体
１０  プリント基板
１１  半田付けランド
１２  半田付けランド
１３  半田
２０  上型
２１  下型
【図１】
2004335515.tif 000003
【図２】
2004335515.tif 000004
【図３】
2004335515.tif 000005
【図４】
2004335515.tif 000006
【図５】
2004335515.tif 000007
【図６】
2004335515.tif 000008