(57)【要約】【課題】各基板上のレジスト膜に形成される配線パターンの寸法精度を所定範囲にすることができる基板処理装置を提供する。【解決手段】露光部ＥＸＰにおいて露光処理が完了すると、露光部ＥＸＰからメインコントローラＭＣに向けて露光完了信号７１が送信される。続いて、露光完了時刻ｔ１１から所定時刻Ｔ１２が経過した時刻ｔ１２において、メインコントローラＭＣから加熱部ＰＨＰに向けて基板搬送信号７３が送信されて、基板Ｗが基板仮置部から加熱プレートに向けて搬送されるとともに、当該加熱プレートにて加熱処理が開始される。これにより、基板が加熱部ＰＨＰの仮置部に支持された時刻にバラツキが生じても、露光処理が終了した時点から加熱部ＰＨＰにおいて加熱処理が開始される時点までの時間を略同一にすることができる。【選択図】        図９
2004342654.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置であって、
（ａ）  露光処理が施された基板を加熱する加熱ユニットと、前記加熱ユニットによって加熱された前記基板を冷却する冷却ユニットとを有し、前記露光処理が施された前記基板に対して熱処理を施す熱処理部と、
（ｂ）  前記露光処理が完了した時点で前記露光部から送信される露光完了信号に基づき、各基板について前記露光処理が完了した時点から所定時間が経過する前までに各基板を前記熱処理部に搬送させるとともに、前記所定時間がそれぞれ経過する時点で前記熱処理部での各基板の熱処理を開始させる制御手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記熱処理部は、
前記熱処理部の外部と基板の受け渡しを行う際に、前記基板を載置する基板仮置部と、
前記基板仮置部と前記加熱ユニットとの間で前記基板を保持して搬送する第１の搬送ユニットと、
を有し、
前記制御手段は、前記基板を前記基板仮置部に滞在する時間を調整することによって前記熱処理の開始タイミングを制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記熱処理部は、
前記熱処理部の外部と基板の受け渡しを行う際に、前記基板を載置する基板仮置部と、
前記基板受渡部と前記加熱ユニットとの間で前記基板を保持して搬送する第１の搬送ユニットと、
を有し、
前記制御手段は、第１の搬送ユニットによって前記基板仮置部と前記加熱ユニットとの間での前記基板の搬送時間を調整することによって前記熱処理の開始タイミングを制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記加熱ユニットは、
前記加熱ユニットの上面から出没自在に設けられ、前記基板を支持する複数の可動支持ピン、
を有し、
前記制御手段は、前記複数の可動支持ピンを前記加熱ユニットに没入させるタイミングを制御することによって前記熱処理の開始タイミングを制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１に記載の基板処理装置において、
（ｃ）  露光部と熱処理部との間で基板の受け渡しを行う基板受渡部と、
（ｄ）  前記基板受渡部と前記熱処理部との間で前記基板を搬送する第２の搬送ユニットと、
をさらに備え、
前記制御手段は、前記基板受渡部での前記基板の滞在時間を調整することによって前記熱処理を開始する開始タイミングを制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１に記載の基板処理装置において、
（ｃ）  露光部と熱処理部との間で基板の受け渡しを行う基板受渡部と、
（ｄ）  前記基板受渡部と前記熱処理部との間で前記基板を搬送する第２の搬送ユニットと、
をさらに備え、
前記制御手段は、第２の搬送ユニットによって前記基板受渡部と前記熱処理部との間での前記基板の搬送時間を調整することによって前記熱処理を開始する開始タイミングを制御することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に一連の処理を施す基板処理装置に関するもので、特に、露光処理が施された基板に対して熱処理を開始する開始タイミングを制御する制御手段の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体ウェハの製造において、高密度化、高集積化の要求にともない、半導体ウェハ上に形成される回路パターンを微細化する技術が要求されている。その要求により、半導体ウェハの製造工程では、レジストとして化学増幅レジスを使用し、この化学増幅レジストが塗布された基板に対して露光処理、熱処理および現像処理を施すことによって基板上にレジスト膜のパターンを形成する技術が提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
ここで、化学増幅レジストを使用してレジスト膜にパターンを形成する処理では、まず、露光処理において、化学増幅レジストによって形成されたレジスト膜に対して光を照射する。これにより、この光が照射された照射部分に酸触媒が生成されてレジスト膜中に３次元分布を有するパターンが潜伏した状態が形成される。次に、露光処理が施された基板に対して加熱処理を施すと、当該照射部分に生成した酸触媒の触媒作用によって現像液に対して溶解速度の変化を引き起こす化学反応が活性化される。続いて、基板を冷却処理を施すことにより、この化学反応がほぼ停止する。そして、基板に対して現像処理を施すことにより、基板上にレジスト膜のパターンが浮かび上がることとなる。
【０００４】
【特許文献１】
特開平０８−０１７７２４号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述したレジスト膜にパターンを形成する処理において、露光処理が完了した時点から加熱処理が開始されるまでの時点においても、レジスト膜中に生成した酸触媒によって現像液に対して溶解速度の変化を引き起こす化学反応が進行する。
【０００６】
これにより、例えば、露光処理を施す露光部から加熱処理を施す加熱部へ搬送する搬送時間にバラツキが生ずることによって各基板について露光処理が完了した時点から加熱処理が開始されるまでの時点までの時間（以下、「露光後遅れ時間」とも呼ぶ）にバラツキが生ずると、加熱処理を開始する前の時点においてレジスト膜中に生成した酸触媒の量にバラツキが生ずる。
【０００７】
そのため、レジスト膜に形成されるパターンの線幅等の寸法精度を所定範囲とすることができず、その結果、基板上に形成される配線パターンの寸法精度を所定範囲とすることができないといった問題が生ずる。
【０００８】
そこで、本発明では、各基板上のレジスト膜に形成される配線パターンの寸法精度を所定範囲にすることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板処理装置であって、露光処理が施された基板を加熱する加熱ユニットと、前記加熱ユニットによって加熱された前記基板を冷却する冷却ユニットとを有し、前記露光処理が施された前記基板に対して熱処理を施す熱処理部と、前記露光処理が完了した時点で前記露光部から送信される露光完了信号に基づき、各基板について前記露光処理が完了した時点から所定時間が経過する前までに各基板を前記熱処理部に搬送させるとともに、前記所定時間がそれぞれ経過する時点で前記熱処理部での各基板の熱処理を開始させる制御手段と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記熱処理部は、前記熱処理部の外部と基板の受け渡しを行う際に、前記基板を載置する基板仮置部と、前記基板仮置部と前記加熱ユニットとの間で前記基板を保持して搬送する第１の搬送ユニットと、を有し、前記制御手段は、前記基板を前記基板仮置部に滞在する時間を調整することによって前記熱処理の開始タイミングを制御することを特徴とする。
【００１１】
また、請求項３の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記熱処理部は、前記熱処理部の外部と基板の受け渡しを行う際に、前記基板を載置する基板仮置部と、前記基板受渡部と前記加熱ユニットとの間で前記基板を保持して搬送する第１の搬送ユニットと、を有し、前記制御手段は、第１の搬送ユニットによって前記基板仮置部と前記加熱ユニットとの間での前記基板の搬送時間を調整することによって前記熱処理の開始タイミングを制御することを特徴とする。
【００１２】
また、請求項４の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記加熱ユニットは、前記加熱ユニットの上面から出没自在に設けられ、前記基板を支持する複数の可動支持ピン、を有し、前記制御手段は、前記複数の可動支持ピンを前記加熱ユニットに没入させるタイミングを制御することによって前記熱処理の開始タイミングを制御することを特徴とする。
【００１３】
また、請求項５の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、露光部と熱処理部との間で基板の受け渡しを行う基板受渡部と、前記基板受渡部と前記熱処理部との間で前記基板を搬送する第２の搬送ユニットと、をさらに備え、前記制御手段は、前記基板受渡部での前記基板の滞在時間を調整することによって前記熱処理を開始する開始タイミングを制御することを特徴とする。
【００１４】
また、請求項６の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、露光部と熱処理部との間で基板の受け渡しを行う基板受渡部と、前記基板受渡部と前記熱処理部との間で前記基板を搬送する第２の搬送ユニットと、をさらに備え、前記制御手段は、第２の搬送ユニットによって前記基板受渡部と前記熱処理部との間での前記基板の搬送時間を調整することによって前記熱処理を開始する開始タイミングを制御することを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１６】
＜１．第１の実施の形態＞
＜１．１．基板処理装置の構成＞
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００の平面図である。ここでは、基板に反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、露光された基板に現像処理などの薬液処理を施す基板処理装置を例にとって説明する。なお、図１および以降の各図には、それらの方向関係を明確にすべく必要に応じて適宜、Ｚ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。
【００１７】
図１に示すように、本実施の形態の基板処理装置１００は、大きく分けて、インデクサブロック１と、基板に対して所定の薬液処理を行う３つの処理ブロック（具体的には反射防止膜処理ブロック２、レジスト膜処理ブロック３、および現像処理ブロック４）と、インタフェイスブロック５とからなり、これらのブロックを並設して構成されている。インタフェイスブロック５には、本実施の形態の基板処理装置１００とは別体の外部装置である露光装置（ステッパー）ＳＴＰが並設されている。
【００１８】
なお、基板処理装置１００においては、図示しない所定の供給手段によって各ブロック内に清浄空気がダウンフローの状態で供給されている。これにより、各ブロック内おいて、パーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響が回避される。
【００１９】
また、各ブロック内は外部に対して若干陽圧に保たれており、パーティクルや汚染物質の侵入などを防いでいる。特に、反射防止膜処理ブロック２内の気圧はインデクサブロック１内の気圧よりも高くなるように設定されている。これにより、インデクサブロック１内の雰囲気が反射防止膜処理ブロック２に流入しないので、外部の雰囲気の影響を受けずに各処理ブロックで処理を行うことができる。
【００２０】
インデクサブロック１は、基板処理装置１００の外部からの未処理の基板Ｗの受け入れや、逆に処理済の基板Ｗの外部への払い出しを担う部位である。インデクサブロック１には、所定枚数の基板Ｗを多段に収納可能なカセットＣを複数個（図１においては４個）並べて載置するカセット載置台６と、カセットＣから未処理の基板Ｗを順に取り出して後段の処理へと供するとともに、処理済の基板Ｗ受け取って再びカセットＣへと順に収納するインデクサ用搬送機構７とを備えている。
【００２１】
インデクサ用搬送機構７は、カセット載置台６にＹ軸方向に水平移動可能な可動台７ａと、可動台７ａ上にあって基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム７ｂと、保持アーム７ｂの先端部分の内側に突出する複数本のピン１０ｃ（図１には３個の場合を図示）とを備えている（図２参照）。保持アーム７ｂは、Ｚ軸方向への上下移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向への進退移動がそれぞれ可能に設けられている。基板Ｗは、ピン１０ｃによって水平姿勢で保持される。
【００２２】
また、インデクサブロック１と、隣接する反射防止膜処理ブロック２との境界部には、図１に示すように、互いの雰囲気を遮断することを目的とする隔壁１３が設けられている。そして、当該隔壁１３には、基板Ｗを載置するための基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２が、当該隔壁１３を部分的に貫通させて、上下に２個ずつ設けられている。
【００２３】
インデクサブロック１における基板Ｗの受け渡しについて概説する。まず、インデクサ用搬送機構７が、所定のカセットＣに対向する位置にまで水平移動する。続いて、保持アーム７ｂが昇降および進退移動することにより、そのカセットＣに収納されている未処理の基板Ｗを取り出す。保持アーム７ｂに基板Ｗを保持した状態で、インデクサ用搬送機構７が、後述する基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置にまで水平移動する。
【００２４】
そして、保持アーム７ｂ上の基板Ｗを基板払出し用の上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板戻し用の下側の基板載置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合、インデクサ用搬送機構７は、その処理済みの基板Ｗを保持アーム７ｂ上に受け取って、所定のカセットＣに処理済みの基板Ｗを収納する。以下、同様にカセットＣから未処理基板Ｗを取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送するとともに、処理済み基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２から受け取ってカセットＣに収納するという動作を繰り返し行う。
【００２５】
図２は、基板処理装置１００の正面図である。図３は、図２と同じ方向からみた場合の、熱処理部ＴＰの配置構成を示す図である。反射防止膜処理ブロック２は、フォトレジスト膜の下部に、露光装置ＳＴＰにおける露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるための反射防止膜を形成する処理を行う。反射防止膜処理ブロック２は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布する処理を担う第１塗布処理部８（塗布処理ユニット８ａ〜８ｃを有する）と、塗布に際し必要な熱処理を行う第１熱処理部９（複数の加熱プレートＨＰ、冷却ユニットＣＰおよびアドヒージョン処理ユニットＡＨＬを有する）と、第１塗布処理部８および第１熱処理部９に対して基板Ｗの受け渡しをする第１主搬送機構１０Ａとを備える。
【００２６】
第１主搬送機構１０Ａは、後述する主搬送機構１０Ｂ〜１０Ｄと同様なハードウェア構成を有する搬送ロボットであり、基台１０ｄ上に２個の保持アーム１０ａ、１０ｂが上下に設けて構成されている（ただし、図１には１個のみ図示）。保持アーム１０ａ、１０ｂは、略Ｃ字状の先端部分を有しており、この先端部分の内側に突出する複数本のピン１０ｃ（図１には３個の場合を図示）によって基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。保持アーム１０ａ、１０ｂは、図示しない駆動機構によって、水平面内の旋回移動、Ｚ軸方向の昇降移動、および旋回半径方向の進退移動が可能に構成されている。
【００２７】
また、反射防止膜処理ブロック２と、隣接するレジスト膜処理ブロック３との境界部には、図１に示すように、互いの雰囲気を遮断することを目的とする隔壁１３が設けられている。また、当該隔壁１３には、基板Ｗを載置するための基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４が、当該隔壁１３を部分的に貫通させて、上下に２個ずつ設けられている。すなわち、基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４は、反射防止膜処理ブロック２の第１主搬送機構１０Ａとレジスト膜処理ブロック３の第２主搬送機構１０Ｂとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための載置部である。これら基板載置部うち上側に配置された基板載置部ＰＡＳＳ３は基板払い出し用に、下側に配設された基板載置部ＰＡＳＳ４は基板戻し用にそれぞれ使用される。
【００２８】
反射防止膜処理ブロック２において反射膜を形成する処理が完了した基板Ｗは、第１主搬送機構１０Ａによって上側の基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されたレジスト膜処理ブロック３の第２主搬送機構１０Ｂによってレジスト膜処理ブロック３内に搬入される。また、露光装置ＳＴＰおよび現像処理ブロック４において露光処理、露光後ベーク処理、および現像処理が完了した基板Ｗは、第２主搬送機構１０Ｂによって下側の基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。そして、レジスト膜処理ブロック３の第１主搬送機構１０Ａによってレジスト膜処理ブロック３内に搬入される。すなわち、反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜処理ブロック３とは、基板載置部ＰＡＳＳ３および基板載置部ＰＡＳＳ４を介して基板Ｗの受け渡しを行う。
【００２９】
なお、反射防止膜処理ブロック２において、第１塗布処理部８と第１熱処理部９とは、第１主搬送機構１０Ａを間に挟み、第１塗布処理部８が装置正面側に位置するように、また、第１熱処理部９が装置背面側に位置するように、それぞれ配置されている。そのため第１熱処理部９から第１塗布処理部８への熱的影響が抑制される。また、第１熱処理部９の正面側（第１主搬送機構１０Ａ側）には、図示しない熱隔壁が設けられている。そのため、当該熱隔壁によっても、第１塗布処理部８への熱的影響が回避される態様となっている。
【００３０】
レジスト膜処理ブロック３は、反射防止膜が形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を形成する処理を担う。なお、本実施の形態では、フォトレジストとして化学増幅レジストを用いる。レジスト膜処理ブロック３は、フォトレジスト膜を塗布する処理を担う第２塗布処理部１５（塗布処理ユニット１５ａ〜１５ｃを有する）と、塗布に際し必要な熱処理を行う第２熱処理部１６（複数の加熱部ＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰを有する）と、第２塗布処理部１５およぴ第２熱処理部１６に対して基板Ｗの受け渡しをする第２主搬送機構１０Ｂとを備える。
【００３１】
また、レジスト膜処理ブロック３と、隣接する現像処理ブロック４との境界部には、図１に示すように、互いの雰囲気を遮断することを目的とする隔壁１３が設けられている。また、当該隔壁１３には、基板Ｗを載置するための基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６が、当該隔壁１３を部分的に貫通させて、上下に２個ずつ設けられている。すなわち、基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６は、レジスト膜処理ブロック３の第２主搬送機構１０Ｂと現像処理ブロック４の第３主搬送機構１０Ｃとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための載置部である。これら基板載置部うち上側に配置された基板載置部ＰＡＳＳ５は基板払い出し用に、下側に配設された基板載置部ＰＡＳＳ６は基板戻し用にそれぞれ使用される。
【００３２】
レジスト膜処理ブロック３においてレジスト塗布処理が完了した基板Ｗは、第２主搬送機構１０Ｂによって上側の基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された現像処理ブロック４の第３主搬送機構１０Ｃによって現像処理ブロック４内に搬入される。また、露光装置ＳＴＰおよび現像処理ブロック４において露光処理、露光後ベーク処理、および現像処理が完了した基板Ｗは、第３主搬送機構１０Ｃによって下側の基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。そして、レジスト膜処理ブロック３の第２主搬送機構１０Ｂによってレジスト膜処理ブロック３内に搬入される。すなわち、レジスト膜処理ブロック３と現像処理ブロック４とは、基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ６を介して基板Ｗの受け渡しを行う。
【００３３】
なお、レジスト膜処理ブロック３において、第２塗布処理部１５と第２熱処理部１６とは、第２主搬送機構１０Ｂを間に挟み、第２塗布処理部１５が装置正面側に位置するように、また、第２熱処理部１６が装置背面側に位置するように、それぞれ配置されている。そのため、反射防止膜処理ブロック２と同様に、第２熱処理部１６から第２塗布処理部１５への熱的影響が抑制される。また、第２熱処理部１６の正面側（第２主搬送機構１０Ｂ側）には、図示しない熱隔壁が設けられている。そのため、当該熱隔壁によっても、第２塗布処理部１５への熱的影響が回避される態様となっている。
【００３４】
現像処理ブロック４は、露光装置ＳＴＰにおいて所定の回路パターンが露光された基板Ｗに対して現像処理をする機構である。現像処理ブロック４は、現像液により現像処理を行う現像処理部３０と、現像処理に際し必要な熱処理を行う第３熱処理部３１と、現像処理部３０および第３熱処理部３１に対して基板Ｗの受け渡しをする第３主搬送機構１０Ｃとを備える。
【００３５】
現像処理部３０は、図２に示すように、同様の構成を備えた５つの現像処理ユニット３０ａ〜３０ｅ（以下、特に区別しない場合は符号「３０」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各現像処理ユニット３０は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３２や、このスピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル３３などを備えている。
【００３６】
第３熱処理部３１は、図３に示すように、各々複数個の加熱プレートＨＰ、基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰ、および、基板Ｗを常温にまで高い精度で冷却する冷却プレートＣＰなどの熱処理部を含み、各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置される。
【００３７】
図４に基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰの概略構成を示す。加熱部ＰＨＰは、基板Ｗを載置して加熱処理する加熱プレート（加熱ユニット）ＨＰと、当該加熱プレートＨＰから離れた上方位置または下方位置（本実施の形態では上方位置）に基板Ｗを載置する基板仮置部１９と、加熱プレートＨＰと基板仮置部１９との間で基板Ｗを搬送する熱処理部用のローカル搬送機構２０とを備えている。加熱プレートＨＰには、プレート表面に複数本の可動支持ピン２１が出没自在に設けられている。加熱プレートＨＰの上方には加熱処理時に基板Ｗを覆う昇降自在の上蓋２２が設けられている。基板仮置部１９には基板Ｗを支持する複数本の固定支持ピン２３が設けられている。
【００３８】
ローカル搬送機構２０は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する保持プレート２４を備え、この保持プレート２４がネジ送り駆動機構２５によって昇降移動されるとともに、ベルト駆動機構２６によって進退移動されるように構成されている。保持プレート２４は、これが加熱プレートＨＰや基板仮置部１９の上方に進出したときに、可動支持ピン２１や固定支持ピン２３と干渉しないように複数本のスリット２４ａが形成されている。また、ローカル搬送機構２０は、加熱プレートＨＰから基板仮置部１９へ基板Ｗを搬送する過程で基板を冷却する冷却ユニットを備えている。
【００３９】
この冷却ユニットは、図４（ｂ）に示すように、保持プレート２４の内部に冷却水流路２４ｂを設け、この冷却水流路２４ｂに冷却水を流通されることによって構成してもよい。また、図示を省略する冷却装置と保持プレート２４とを接して保持プレート２４から当該冷却装置への熱伝導によって冷却し、この冷却された保持プレート２４によって基板Ｗを保持する際に、基板Ｗから保持プレート２４への熱伝導によって冷却してもよい。
【００４０】
上述したローカル搬送機構２０は、インタフェイスブロック５の第４主搬送機構１０Ｄが対向する面１９ｅ（図４（ｂ）参照）と隣り合う面１９ｆと対向するように設置されている。そして、加熱プレートＨＰおよび基板仮置部１９を覆う筐体２７の上部、すなわち基板仮置部１９を覆う部位には、面１９ｅに第３主搬送機構１０Ｃの進入を許容する開口部１９ａが、面１９ｆにはローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｂがそれぞれ設けられている。また、筐体２７の下部、すなわち加熱プレートＨＰを覆う部位は、面１９ｅが閉塞し、面１９ｆにローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｃが設けられている。
【００４１】
上述した加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの出し入れは以下のようにして行われる。まず、第３主搬送機構１０Ｃが基板Ｗを保持して、基板仮置部１９の固定支持ピン２３の上に基板Ｗを載置する。続いて、ローカル搬送機構２０の保持プレート２４が基板Ｗの下側に進入してから少し上昇することにより、固定支持ピン２３から基板Ｗを受け取る。基板Ｗを保持した保持プレート２４は筐体２７から退出して、加熱プレートＨＰに対向する位置まで下降する。このとき加熱プレートＨＰの可動支持ピン２１は、基板Ｗの下面と保持プレート２４の上面とが接する加熱位置まで下降しているとともに、上蓋２２は上昇している。基板Ｗを保持した保持プレート２４は加熱プレートＨＰの上方に進出する。可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを受取位置にて受け取った後に保持プレート２４が退出する。続いて、可動支持ピン２１が下降して基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に載せるととともに、上蓋２２が下降して基板Ｗを覆う。この状態で基板Ｗが加熱処理される。加熱処理が終わると上蓋２２が上昇するとともに、可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを持ち上げる。続いて、保持プレート２４が基板Ｗの下に進出した後、可動支持ピン２１が下降することにより、基板Ｗが保持プレート２４に受け渡される。基板Ｗを保持した保持プレート２４が退出して、さらに上昇して基板Ｗを基板仮置部１９に搬送する。基板仮置部１９内で保持プレート２４に支持された基板Ｗが、保持プレート２４が保有する冷却機能によって冷却される。保持プレート２４は、冷却した（常温に戻した）基板Ｗを基板仮置部１９の固定支持ピン２３上に移動する。第３主搬送機構１０Ｃが基板Ｗを取り出して搬送する。
【００４２】
以上のように、第３主搬送機構１０Ｃは、基板仮置部１９に対して基板Ｗの受け渡しをするだけで、加熱プレートＨＰに対して基板Ｗの受け渡しをしない。そのため、主搬送機構１０が温度上昇するのを回避することができる。
【００４３】
第３熱処理部３１の右側（インタフェイスブロック５に隣接している側）の熱処理部の列には、現像処理ブロック４の第３主搬送機構１０Ｃとインタフェイスブロック５の第４主搬送機構１０Ｄとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられている。これらのうち上側に配置された基板載置部ＰＡＳＳ７は基板払い出し用に、下側に配設された基板載置部ＰＡＳＳ７は基板戻し用にそれぞれ使用される。
【００４４】
ここで、レジスト膜処理ブロック３から現像処理ブロック４に搬入された基板Ｗは、第３主搬送機構１０Ｃによって基板載置部ＰＡＳＳ７に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された現像処理ブロック４の第４主搬送機構１０Ｄによってインタフェイスブロック５内に搬入される。また、露光装置ＳＴＰおよび現像処理ブロック４において露光処理、露光後ベーク処理、および現像処理が完了した基板Ｗは、第３主搬送機構１０Ｃによって基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。そして、レジスト膜処理ブロック３の第２主搬送機構１０Ｂによってレジスト膜処理ブロック３内に搬入される。すなわち、レジスト膜処理ブロック３と現像処理ブロック４とは、基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ６を介して基板Ｗの受け渡しを行う。
【００４５】
なお、現像処理ブロック４において、現像処理部３０と第３熱処理部３１とは、第３主搬送機構１０Ｃを間に挟み、現像処理部３０が装置正面側に位置するように、また、第３熱処理部３１が装置背面側に位置するように、それぞれ配置されている。そのため、反射防止膜処理ブロック２およびレジスト膜処理ブロック３と同様に、第３熱処理部３１から現像処理部３０への熱的影響が抑制される。また、第３熱処理部３１の正面側（第３主搬送機構１０Ｃ側）には、図示しない熱隔壁が設けられている。そのため、当該熱隔壁によっても、現像処理部３０への熱的影響が回避される態様となっている。
【００４６】
インタフェイスブロック５は、基板処理装置１００とは別体の外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受渡をする機構である。基板処理装置１００におけるインタフェイスブロック５には、露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しをするためのインタフェイス用搬送機構３５の他に、フォトレジストが塗布された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光ユニットＥＥＷと、現像処理ブロック４内に配設された基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰおよびエッジ露光ユニットＥＥＷに対して基板Ｗを受け渡しする第４主搬送機構１０Ｄを備えている。
【００４７】
エッジ露光ユニットＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３６や、このスピンチャック３６上に保持された基板Ｗの周縁部を露光する光照射器３７などを備えている。２つのエッジ露光ユニットＥＥＷは、インタフェイスブロック５の中央部に上下に積層配置されている。
【００４８】
図４はインタフェイスブロック５の側面図である。２つのエッジ露光ユニットＥＥＷの下側に基板戻し用の戻し用バッファＲＢＦがあり、さらにその下側に２つの基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０が積層配置されている。基板戻し用のバッファＲＢＦは、故障などのために現像処理ブロック４が基板Ｗの現像処理をすることができない場合に、現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰで露光後の加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。このバッファＲＢＦは、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０は、第４主搬送機構１０Ｄとインタフェイス用搬送機構３５との間で基板Ｗの受け渡しを行うためのもので、上側が基板払出し用、下側が基板戻し用になっている。
【００４９】
インタフェイス用搬送機構３５は、図１および図５に示すように、Ｙ方向に水平移動可能な可動台３５ａを備え、この可動台３５ａ上に基板Ｗを保持する保持アーム３５ｂを搭載している。保持アーム３５ｂは、昇降・旋回および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。インタフェイス用搬送機構３５の搬送経路の一端（図５に示す位置Ｐ１）は、積層された基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０の下方にまで伸びており、この位置Ｐ１で露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行う。また、搬送経路の他端位置Ｐ２では、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、送り用バッファＳＢＦに対する基板Ｗの収納と取り出しとを行う。送り用バッファＳＢＦは、露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。
【００５０】
＜１．２．基板処理装置の制御＞
図６は、基板処理装置１００の各ブロック１〜５の配置を示す平面図である。図７は、基板処理装置１００のセル配置を示す平面図である。また、図８は、基板処理装置１００の制御系を示すブロック図である。ここでは、本実施の形態における基板処理装置１００の制御系について説明する。
【００５１】
上述のように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１、反射防止膜処理ブロック２、レジスト膜処理ブロック３、現像処理ブロック４、インタフェイスブロック５に分割して構成されている（図６）。従来、基板処理装置において、このように各ブロックに分割されたハードウェア構成が採用される場合、各ブロックは、それぞれコントローラを有し、当該コントローラによって対応するブロックにおいて行われる処理の状況（例えばブロックに含まれる加熱プレートＨＰによる基板Ｗの加熱処理の状況や、基板Ｗの搬送状況等）の制御を行っていた。しかし、本実施の形態の基板処理装置１００では、装置全体を複数のセルと呼ばれる要素に分割し、当該複数のセルのそれぞれ対応するコントローラによって各セル内での処理状況や基板Ｗの搬送状況等の制御を行っている。
【００５２】
ここで、セルとは、インデクサ用搬送機構７、各主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄ、およびインタフェイス用搬送機構３５（以下、「基板搬送機構」とも称する）を基準として基板処理装置１００を複数に分割した各要素のことである。すなわち、図７に示すように、各セルＣ１〜Ｃ６は、各基板搬送機構が基板Ｗの受け渡しを行う範囲を基準に分割されている。
【００５３】
インデクサセルＣ１は、基板処理装置１００の外部からの未処理の基板Ｗの受け入れや、逆に処理済の基板Ｗの外部への払い出しを行う要素でありインデクサブロック１に対応する。すなわち、インデクサセルＣ１は、インデクサ用搬送機構７を基準に基板処理装置１００を分割した要素であり、主として、インデクサ用搬送機構７と、インデクサセルＣ１用の制御部であるコントローラＣＴ１（図８参照）を有する。
【００５４】
また、反射防止膜用処理セルＣ２は、反射防止膜を形成する処理を行う要素であり、反射防止膜処理ブロック２に対応する。すなわち、反射防止膜用処理セルＣ２は、第１主搬送機構１０Ａを基準に基板処理装置１００を分割した要素であり、主として第１主搬送機構１０Ａと、第１塗布処理部８と、第１熱処理部９と、コントローラＣＴ２（図８参照）とが含まれる。そして、反射防止膜用処理セルＣ２内に含まれる基板Ｗの処理状況および搬送状況に応じ、コントローラＣＴ２によって反射防止膜用処理セルＣ２内の各ハードウェアの状態が制御される。
【００５５】
また、レジスト膜用処理セルＣ３は、基板Ｗ上にフォトレジスト膜を形成する処理を行う要素であり、レジスト膜処理ブロック３に対応する。すなわち、レジスト膜用処理セルＣ３は、第２主搬送機構１０Ｂを基準に基板処理装置１００を分割した要素であり、主として、第２主搬送機構１０Ｂと、第２塗布処理部１５と、第２熱処理部１６と、コントローラＣＴ３（図８参照）とが含まれる。そして、コントローラＣＴ３によってレジスト膜用処理セルＣ３内に含まれる基板Ｗの処理状況および搬送状況に応じ、コントローラＣＴ３によってレジスト膜用処理セルＣ３内の各ハードウェアの状態が制御される。
【００５６】
また、現像処理セルＣ４は、露光処理が完了した基板Ｗに現像処理を施す要素であり、現像処理ブロック４に含まれる一部のハードウェアが対応する。すなわち、現像処理セルＣ４は、第３主搬送機構１０Ｃを基準に基板処理装置１００を分割した要素であり、主として、第３主搬送機構１０Ｃと、現像処理部３０と、第３熱処理部３１のうちレジスト膜処理ブロック３側に配設された加熱プレートＨＰおよび冷却ユニットＣＰと、セルコントローラＣＴ４（図８参照）とが含まれる。そして、コントローラＣＴ４によって現像処理セルＣ４内に含まれる基板Ｗの処理状況および搬送状況に応じ、コントローラＣＴ４によって現像処理セルＣ４内の各ハードウェアの状態が制御される。
【００５７】
また、露光後加熱用処理セルＣ５は、露光処理が完了した基板Ｗに対して露光後加熱処理を行う要素であり、現像処理ブロック４の一部のハードウェアとインタフェイスブロック５の一部のハードウェアとが対応する。すなわち、露光後加熱用処理セルＣ５は、第４主搬送機構１０Ｄを基準に基板処理装置１００を分割した要素であり、主として、第４主搬送機構１０Ｄと、第３熱処理部３１のうちインタフェイスブロック５側に配設された加熱部ＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰと、戻し用バッファＲＢＦと、コントローラＣＴ５（図８参照）とが含まれる。そして、コントローラＣＴ５によって露光後加熱用処理セルＣ５内に含まれる基板Ｗの処理状況および搬送状況に応じ、コントローラＣＴ５によって露光後加熱用処理セルＣ５内の各ハードウェアの状態が制御される。
【００５８】
また、インタフェースセルＣ６は、基板処理装置１００と外部装置である露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受渡をする要素であり、インタフェイスブロック５の一部が対応する。すなわち、インタフェースセルＣ６は、インタフェイス用搬送機構３５を基準に基板処理装置１００を分割した要素であり、主として、インタフェイス用搬送機構３５と、エッジ露光ユニットＥＥＷと、送り用バッファＳＢＦと、コントローラＣＴ６（図８参照）とが含まれる。そして、コントローラＣＴ６によってインタフェースセルＣ６内に含まれる基板Ｗの処理状況および搬送状況に応じ、コントローラＣＴ６によってインタフェースセルＣ６内の各ハードウェアの状態が制御される。
【００５９】
このように、セルＣ１〜Ｃ６のそれぞれは、各々対応するコントローラＣＴ１〜ＣＴ６によって独立して制御することができる。そして、これらコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、図８に示すように、メインコントローラＭＣと接続されている。
【００６０】
メインコントローラＭＣは、基板処理装置１００の各セルＣ１〜Ｃ６に含まれるハードウェアの稼動状況を制御して基板処理装置１００による半導体製造工程を管理する制御装置であり、プログラムや変数等を格納するメモリ５１と、メモリ６１に格納されたプログラムに従った制御を実行するＣＰＵ５２とを備えている。また、メインコントローラＭＣは、各コントローラＣＴ１〜ＣＴ６と有線または無線ネットワークを介して通信可能に接続されている。
【００６１】
そのため、メインコントローラＭＣは、セルＣ１〜Ｃ６のそれぞれに対応するコントローラＣＴ１〜ＣＴ６から送信される各ハードウェアの稼動状況（例えば、加熱プレートＨＰの温度、基板搬送機構の搬送状況）を示す稼動状況データを受信することができる。また、メインコントローラＭＣは、当該稼動状況データに基づき、最適な基板処理を施すためのハードウェアの稼動状況を求めるための演算処理を実行するとともに、選択したコントローラＣＴ１〜ＣＴ６に対してハードウェアの稼動状況を所定状態（例えば、反射防止膜用処理セルＣ２に含まれる加熱プレートＨＰを所定温度）にする制御信号を送信することにより、各セルＣ１〜Ｃ６に含まれるハードウェアの稼動状況を最適な状態にすることができる。
【００６２】
また、メインコントローラＭＣは、基板処理装置１００を含む複数の基板処理装置１００による半導体製造工程の全体を管理するホストコンピュータＨＣと有線または無線ネットワークを介して通信可能に接続されている。ここで、ホストコンピュータＨＣは、プログラムや変数等を格納するメモリ６１と、メモリ６１に格納されたプログラムに従った制御を実行するＣＰＵ６２とを備える制御装置である。したがって、各基板処理装置によって製造される半導体ウェハの状況に関するデータをネットワークを介してメインコントローラＭＣからホストコンピュータＨＣに送信することにより、各半導体ウエハの製造状況をホストコンピュータＨＣにおいて容易に把握することが可能となる。
【００６３】
＜１．３．基板処理装置の動作＞
ここでは、基板処理装置１００に含まれるインデクサセルＣ１、反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、現像処理セルＣ４、露光後加熱用処理セルＣ５、およびインタフェイスセルＣ６のそれぞれの動作について説明する。
【００６４】
まず、インデクサセルＣ１の動作について説明する。インデクサセルＣ１では、カセットＣに収納された未処理の基板Ｗをインデクサ用搬送機構７によって取り出すとともに、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２と対向する位置まで水平移動して基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗを載置する。また、コントローラＣＴ１によって基板載置部ＰＡＳＳ２に処理済の基板Ｗが載置されたことを検出すると、インデクサ用搬送機構７を基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２と対向する位置まで水平移動させるとともに、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗを受け取る。
【００６５】
次に、反射防止膜用処理セルＣ２の動作について説明する。反射防止膜用処理セルＣ２では、コントローラＣＴ２によって基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗが載置されたことを検出すると、第１主搬送機構１０Ａを基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２と対向する位置まで水平移動させるとともに、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを受け取る。続いて、第１塗布処理部８に基板Ｗを搬入することによって反射膜防止膜を塗布する処理を行うとともに、第１熱処理部９に反射膜防止膜が塗布された基板Ｗを搬入することによって所定の熱処理を行う。そして、これら塗布処理および熱処理が完了した基板Ｗを、第１主搬送機構１０Ａによって基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４と対向する位置まで水平移動させるとともに、上側の基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００６６】
また、反射防止膜用処理セルＣ２では、コントローラＣＴ２によって基板載置部ＰＡＳＳ４に露光処理が完了した基板Ｗが載置されたことを検出すると、第１主搬送機構１０Ａを基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４と対向する位置まで移動させるとともに、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板を受け取る。そして、第１主搬送機構１０Ａを基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２と対向する位置まで移動して露光処理済みの基板Ｗを下側の基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。
【００６７】
続いて、レジスト膜用処理セルＣ３の動作について説明する。レジスト膜用処理セルＣ３では、コントローラＣＴ３によって基板載置部ＰＡＳＳ３に反射防止膜が塗布された基板Ｗが載置されたことを検出すると、基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４と対向する位置まで第２主搬送機構１０Ｂを水平移動させるとともに、上側の基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗを受け取る。続いて、この反射防止膜が塗布された反射膜塗布済み基板Ｗを第２塗布処理部１５に基板Ｗを搬入することによってレジスト膜を塗布する処理を行うとともに、第２熱処理部１６にレジスト膜が塗布された基板Ｗを搬入することによって所定の熱処理を行う。そして、これら塗布処理および熱処理が完了した基板Ｗを、第２主搬送機構１０Ｂによって基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６と対向する位置まで水平移動させるとともに、上側の基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００６８】
また、レジスト膜用処理セルＣ３では、コントローラＣＴ３によって基板載置部ＰＡＳＳ６に露光処理が完了した基板Ｗが載置されたことを検出すると、第２主搬送機構１０Ｂを基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６と対向する位置まで移動させるとともに、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板を受け取る。そして、基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４と対向する位置まで移動して露光処理済みの基板Ｗを下側の基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。
【００６９】
続いて、現像処理セルＣ４の動作について説明する。現像処理セルＣ４では、コントローラＣＴ４によって基板載置部ＰＡＳＳ５に基板Ｗが載置されたことを検出すると、第３主搬送機構１０Ｃを基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６と対向する位置まで移動させてレジスト膜の塗布された基板Ｗを受け取るとともに、基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８と対向する位置まで水平移動して当該レジスト膜の塗布された基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に受け渡す。
【００７０】
また、コントローラＣＴ４によって基板載置部ＰＡＳＳ８に露光済みの基板Ｗが載置されたことを検出すると、第３主搬送機構１０Ｃを基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８と対向する位置まで移動させるとともに、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗを受け取る。続いて、この露光済みの基板Ｗを現像処理部３０に搬入することによって現像処理を行うとともに、第３熱処理部３１に現像処理が完了した基板Ｗを搬入することによって所定の熱処理を行う。そして、これらの現像処理および熱処理が完了した基板Ｗを、第３主搬送機構１０Ｃによって基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６と対向する位置まで水平移動させるとともに、上側の基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００７１】
続いて、露光後加熱用処理セルＣ５について説明する。露光後加熱用処理セルＣ５では、コントローラＣＴ５によって基板載置部ＰＡＳＳ７に基板Ｗが載置されたことを検出すると、基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８と対向する位置まで第４主搬送機構１０Ｄを昇降移動させるとともに、上側の基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜の塗布された基板Ｗを受け取るとともに、エッジ露光ユニットＥＥＷにこの基板Ｗを搬入してエッジ露光処理を行う。そして、第４主搬送機構１０Ｄによってエッジ露光ユニットＥＥＷからエッジ露光処理が完了した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０と対向する位置まで昇降させるとともに、上側の基板載置部ＰＡＳＳ９に当該基板Ｗを載置する。
【００７２】
また、コントローラＣＴ５によって基板載置部ＰＡＳＳ１０に基板Ｗが載置されたことを検出すると、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０と対向する位置まで第４主搬送機構１０Ｄを昇降移動させるとともに、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された露光済みの基板Ｗを受け取る。続いて、露光後加熱用処理セルＣ５の第３熱処理部３１に含まれる加熱部ＰＨＰにこの露光済みの基板Ｗを搬入することによって、露光後加熱処理を行う。そして、第４主搬送機構１０Ｄによって露光後加熱処理が完了した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８と対向する位置まで昇降させるとともに、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８に露光後加熱処理が完了した基板Ｗを載置する。なお、露光後加熱用処理セルＣ５において行われる露光後加熱処理の動作の詳細については後述する。
【００７３】
続いて、インタフェイスセルＣ６の動作について説明する。インタフェイスセルＣ６では、コントローラＣＴ６によって基板載置部ＰＡＳＳ１０にレジスト膜が塗布された基板Ｗが載置されたことを検出すると、インタフェイス用搬送機構３５を基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０と対向する位置まで移動させるとともに、上側の基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗを受け取る。そして、インタフェイス用搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰの搬送機構（図示省略）との間で基板Ｗの受け渡しを行う。
【００７４】
また、インタフェイス用搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰの搬送機構（図示省略）から露光処理が完了した基板Ｗを受け取ると、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０と対向する位置まで移動して下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０に当該基板Ｗを載置する。
【００７５】
以上のような各セルＣ１〜Ｃ６の動作により、基板処理装置１００のインデクサセルＣ１に搬入される基板Ｗは、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０、ＰＡＳＳ８、ＰＡＳＳ６、ＰＡＳＳ４、およびＰＡＳＳ２の順に搬送されつつ、当該基板Ｗに対して反射防止膜用処理セルＣ２による反射防止膜の塗布処理、レジスト膜用処理セルＣ３によるレジスト膜の塗布処理、インタフェイスセルＣ６によるエッジ露光処理、露光後加熱用処理セルＣ５による露光後加熱処理、および現像処理セルＣ４による現像処理が、この順に施されることとなる。
【００７６】
＜１．４．露光後加熱用処理セルでの動作＞
ところで、上述のように、本実施の形態の基板処理装置１００では、基板Ｗ上に化学増幅レジストを塗布してレジスト膜を形成している。この化学増幅レジストを塗布したレジスト膜に露光処理を行うと、当該露光処理により光が照射された照射部分に酸触媒が生成されてレジスト膜中に３次元分布を有する配線パターンの基になる形状が潜伏した状態が形成される。そして、この露光処理が施されたレジスト膜を基板Ｗとともに加熱部ＰＨＰによって加熱することにより、当該照射部分に生成した酸触媒の触媒作用によって現像液に対して溶解速度の変化を引き起こす化学反応が活性化され、レジスト膜中に所望の配線パターンが形成されるとともに、加熱プレートＨＰにて加熱処理が完了した基板Ｗをローカル搬送機構２０によって搬送する際に保持プレート２４の冷却作用によって当該化学反応がほぼ停止する。
【００７７】
すなわち、保持プレート２４による冷却処理が完了すると、レジスト膜中の配線パターンは、酸触媒の影響をほぼ受けなくなるため、レジスト膜中に安定して存在することができる。そのため、露光後加熱用処理セルＣ５での処理が完了してから、現像処理セルＣ４における現像処理が開始されるまでの時間にバラツキが生じても、レジスト膜中の配線パターンの線幅を略同一に維持することができる。
【００７８】
しかし、露光処理が完了した時点から加熱処理を開始する時点までの期間、すなわち、露光装置ＳＴＰでの露光処理が完了後に、基板Ｗを露光装置ＳＴＰが有する搬送機構（図示省略）、インタフェイス用搬送機構３５、および第４主搬送機構１０Ｄを介して第３熱処理部３１に含まれる加熱部ＰＨＰに搬送されるまでの期間にも、レジスト膜中に生成された酸触媒による化学反応は進行する。
【００７９】
これにより、露光処理が完了した時点から加熱処理を開始する時点までに要する時間（以下、「露光後遅れ時間」とも呼ぶ）にバラツキが生ずると、レジスト膜中に生成される酸触媒の量にバラツキが生ずる。その結果、この酸触媒の触媒作用によって引き起こされる化学反応、すなわち、現像液に対して溶解度の変化を引き起こす化学反応の進行状況がばらつく。そのため、現像処理によってレジスト膜に形成されるパターンの線幅等の寸法精度にバラツキが生ずることとなり、基板Ｗ上に形成される配線パターンの寸法精度に影響を及ぼすという問題が生ずる。
【００８０】
そこで、本実施の形態では、露光後加熱用処理において各基板Ｗの露光後遅れ時間が略同一となるように、第３熱処理部３１および第４主搬送機構１０Ｄの稼動状況の制御を行っている。以下、露光後加熱用処理セルＣ５の動作の詳細について説明する。
【００８１】
図９は、露光装置ＳＴＰ、露光後加熱用処理セルＣ５、および、メインコントローラＭＣにおける制御信号を示すブロック図である。ここで、加熱部ＰＨＰに含まれるローカル搬送機構２０（図４参照）を昇降させる際の移動パラメータ（例えば、ローカル搬送機構２０のネジ送り駆動機構２５に含まれる不図示のモータによる加速時間および減速時間）を一定とした場合、加熱部ＰＨＰの基板仮置部１９に仮置きされた基板Ｗをローカル搬送機構２０によって搬送する際の搬送開始時点から基板を保持プレート２４によって加熱処理を開始する時点までの時間Ｔ１１を、各基板Ｗについて略同一にすることができる。そこで、本実施の形態における露光後加熱用処理セルＣ５の動作では、露光装置ＳＴＰにおいて露光処理が完了した時点からローカル搬送機構２０によって搬送を開始する時点までの時間を略同一にして、基板Ｗを加熱する開始タイミングを制御する手法について説明する。
【００８２】
まず、露光装置ＳＴＰが備える露光部ＥＸＰ（図９参照）において所定の配線パターンの露光を行う露光処理が完了すると、露光部ＥＸＰは、露光装置ＳＴＰに含まれるハードウェア（例えば、露光部ＥＸＰ）の稼動状況の制御を行うコントローラＣＴＲに対して、露光処理が完了したことを通知する露光完了信号７１を送信する。そして、この露光完了信号７１は、コントローラＣＴＲを介してメインコントローラＭＣに送信されて、メインコントローラＭＣのメモリ５１に露光完了時刻ｔ１１が格納される。
【００８３】
ここで、露光完了時刻ｔ１１は、露光部ＥＸＰにおいて計測した露光が完了した時刻を、露光部ＥＸＰからコントローラＣＴＲを介してメインコントローラＭＣに送信し、この送信された時刻を露光完了時刻ｔ１１としてメモリ５１に格納してもよい。また、メインコントローラＭＣにおいて露光完了信号７１を受信した時刻を露光完了時刻ｔ１１としてメモリ５１に格納してもよい。
【００８４】
そして、露光済みの基板Ｗは、インタフェイスセルＣ６のインタフェイス用搬送機構３５によって基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置される。
【００８５】
続いて、コントローラＣＴ５によって基板載置部ＰＡＳＳ１０に露光済み基板Ｗが載置されたことを検出すると、コントローラＣＴ５は、第４主搬送機構１０Ｄを基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０と対向する位置まで上下移動させるとともに、基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗを受け取る。次に、第３熱処理部３１に含まれる複数の加熱部ＰＨＰのうちコントローラＣＴ５によって指定された１つの加熱部ＰＨＰと対向する位置まで第４主搬送機構１０Ｄを上下移動させるとともに、この指定された加熱部ＰＨＰの基板仮置部１９の固定支持ピン２３に基板Ｗを支持する。
【００８６】
続いて、コントローラＣＴ５が基板仮置部１９に基板Ｗが支持されたことを不図示のセンサ等によって検出すると、加熱部ＰＨＰからコントローラＣＴ５に向けて、基板仮置部１９に基板Ｗが支持されたことを通知する基板支持完了信号７２が送信される。そして、この基板支持完了信号７２は、コントローラＣＴ５を介してメインコントローラＭＣに向けて送信される。
【００８７】
続いて、基板支持完了信号７２を受信することによって加熱部ＰＨＰの基板仮置部１９に基板Ｗが支持されたことを認識したメインコントローラＭＣは、露光完了時刻ｔ１１から所定時間Ｔ１２だけ経過した時刻ｔ１２において、メインコントローラＭＣからコントローラＣＴ５に向けて基板搬送信号７３を送信する。そして、この基板搬送信号７３は、コントローラＣＴ５を介して加熱部ＰＨＰに送信される。
【００８８】
ここで、基板搬送信号７３は、加熱部ＰＨＰの基板仮置部１９に支持された基板Ｗをローカル搬送機構２０によって加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰに搬送して、加熱プレートＨＰにおいて基板Ｗの加熱処理を開始するトリガー信号として使用される制御信号である。すなわち、加熱部ＰＨＰがこの基板搬送信号７３を受信すると、基板仮置部１９に支持された基板Ｗは、ローカル搬送機構２０によって、基板仮置部１９から加熱プレートＨＰの上方まで搬送されるとともに、加熱プレートＨＰの可動支持ピン２１に支持される。そして、可動支持ピン２１を下降することにより基板Ｗの下面と加熱プレートＨＰの上面とが接触する時刻ｔ１３において基板Ｗの加熱処理が開始される。
【００８９】
また、加熱部ＰＨＰが基板搬送信号７３を受信すると、基板Ｗがローカル搬送機構２０によって基板仮置部１９から取り出されて、加熱プレートＨＰに搬送される。したがって、基板搬送信号７３は、基板仮置部１９に基板Ｗが滞在する時間を調整することに使用される。
【００９０】
なお、所定時間Ｔ１２は、上述の基板仮置部１９に支持された基板Ｗの搬送を開始する時点から加熱プレートＨＰによって基板Ｗの加熱処理を開始する時点までの時間Ｔ１１を、露光処理が完了した時点から加熱部ＰＨＰに加熱処理を開始する時点までの時間Ｔ１から差し引いたもの（すなわち、Ｔ１２＝Ｔ１−Ｔ１１）である。また、時間Ｔ１は、レジスト膜の種類や加熱部ＰＨＰでの加熱方法等によって定まる時間であり、予め実験等によって求めておく。また、時間Ｔ１１も、ローカル搬送機構２０を実際に動作させること等により予め求めておく。
【００９１】
続いて、加熱プレートＨＰにおいて加熱処理が終了すると、可動支持ピン２１が上昇する。続いて、開口部１９ｃを介して保持プレート２４を基板Ｗの下面と加熱プレートＨＰの上面との間に進入させるとともに、保持プレート２４を上昇させることにより、保持プレート２４に基板Ｗを受け取る。そして、保持プレート２４を筐体２７内から退出させるとともに、保持プレート２４を上昇させて基板Ｗを基板仮置部１９に支持する。このとき、基板Ｗは保持プレート２４によって冷却される。
【００９２】
そして、基板仮置部１９に支持された基板Ｗを第４主搬送機構１０Ｄによって受け取り、第４主搬送機構１０Ｄを基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８と対向する位置まで上下移動させるとともに、露光後の加熱処理が完了した基板Ｗを下側の基板載置部ＰＡＳＳ８に載置することにより、当該基板Ｗの露光後加熱用処理セルＣ５における処理が終了する。
【００９３】
なお、現像処理セルＣ４の第３主搬送機構１０Ｃが故障した等により、現像処理セルＣ４において現像処理を行うことができない場合、現像処理セルＣ４に基板Ｗを供給することができないため、露光後加熱用処理セルＣ５の戻し用バッファＲＢＦに一時的に蓄積されることになる。
【００９４】
この場合、本実施の形態の露光後加熱用処理セルＣ５では、露光後加熱用処理セルＣ５の加熱部ＰＨＰにて熱処理が施された基板Ｗを戻し用バッファＲＢＦに収納する。これにより、現像処理セルＣ４が現像処理可能な状態となり、戻し用バッファＲＢＦに収納された基板Ｗを現像処理セルＣ４に供給して現像処理を施しても、レジスト膜上に形成された配線パターンの線幅にバラツキは生じない。すなわち、本実施の形態の基板処理装置１００では、露光処理が完了した基板Ｗに対して、現像処理が速やかに行うことができない場合が生じても、レジスト膜上の配線パターンの線幅を略同一にすることができる。
【００９５】
＜１．５．第１の実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、第１の実施の形態の露光後加熱用処理セルＣ５では、ローカル搬送機構２０の上下方向の移動パラメータを一定にすることによって加熱部ＰＨＰの基板仮置部１９に載置された基板Ｗの搬送を開始する時点から加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰにて加熱処理を開始する時点までの時間Ｔ１１を一定にするとともに、基板搬送信号７３によって基板Ｗが基板仮置部１９に滞在する時間を調整することにより、露光処理が完了した時点から基板Ｗを加熱部ＰＨＰの基板仮置部１９から加熱プレートＨＰに向けて搬送を開始する時点までの時間Ｔ１２を一定にしている。これにより、基板Ｗが基板仮置部１９に載置される時刻にバラツキが生じても、当該基板Ｗが基板仮置部１９から搬送が開始される時刻を調整することによって露光処理が完了した時点から基板Ｗに対して加熱処理及びそれに引き続く冷却処理を施すまでの時間をほぼ同一にすることができるため、レジスト膜に形成される配線パターンの線幅を略同一にすることができる。
【００９６】
また、各基板Ｗについて、露光処理が完了してから一定した所定時間Ｔ１が経過した時点で加熱処理及びそれに引き続く冷却処理を施すことができ、レジスト膜中に生成した酸触媒による化学反応を基板間で同様に停止させることができる。そのため、露光後加熱用処理セルＣ５から現像処理セルＣ４に向けて基板Ｗを供給することができず戻し用バッファＲＢＦに基板Ｗを一時的に蓄積する場合であっても、各基板Ｗのレジスト膜の配線パターンを略同一に維持することができる。
【００９７】
＜２．第２の実施の形態＞
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の実施の形態と比較すると、第１の実施の形態の基板処理装置１００と同様なハードウェア構成を有する点で共通するが、露光後加熱用処理セルＣ５における動作が異なる点で相違する。そこで、以下では、この露光後加熱用処理セルＣ５における動作について説明する。
【００９８】
＜２．１．露光後加熱用処理セルでの動作＞
図１０は、本実施の形態における露光装置、露光後加熱用処理セル、およびメインコントローラにおける制御信号を示すブロック図である。本実施の形態は、ローカル搬送機構２０を上下方向に移動させる際の移動パラメータを調整することにより、露光処理が完了した時点から加熱処理が開始する時点までの時間を略同一にして、基板Ｗを加熱する開始タイミングを制御している。以下、本実施の形態の露光後加熱用処理セルＣ５の動作について説明する。
【００９９】
露光装置ＳＴＰの露光部ＥＸＰにおいて、基板Ｗに対する露光処理が完了すると、露光部ＥＸＰは、コントローラＣＴＲに対して露光処理が完了したことを通知する露光完了信号７１を送信する。そして、この露光完了信号７１は、コントローラＣＴＲを介してメインコントローラＭＣに送信されて、メインコントローラＭＣのメモリ５１に露光完了時刻ｔ２１が格納される。
【０１００】
なお、露光完了時刻ｔ２１は、第１の実施の形態の露光完了時刻ｔ１１と同様に、露光部ＥＸＰにおいて計測した露光が完了した時刻を示す時刻データを露光完了信号７１とともに送信し、当該時刻データを露光完了時刻ｔ２１としてもよいし、また、メインコントローラＭＣが露光完了信号７１を受信した時刻を露光完了時刻ｔ２１としてもよい。
【０１０１】
次に、コントローラＣＴ５によって基板載置部ＰＡＳＳ１０に露光済みの基板Ｗが載置されたことを検出すると、第４主搬送機構１０Ｄは、この基板載置部ＰＡＳＳ１０から基板Ｗを受け取るとともに、第３熱処理部３１に含まれる複数の加熱部ＰＨＰのうちコントローラＣＴ５によって指定される１つの加熱部ＰＨＰの基板仮置部１９に当該露光済みの基板Ｗを搬送する。
【０１０２】
続いて、コントローラＣＴ５が基板仮置部１９に基板Ｗが支持されたことを不図示のセンサ等によって検出すると、加熱部ＰＨＰからコントローラＣＴ５に向けて、基板仮置部１９に基板Ｗが支持されたことを通知する基板支持完了信号１７２が送信される。
【０１０３】
そして、この基板支持完了信号１７２は、コントローラＣＴ５を介してメインコントローラＭＣに向けて送信されるとともに、メインコントローラＭＣにおいて、加熱部ＰＨＰの基板仮置部１９に基板Ｗが支持された基板支持完了時刻ｔ２２が格納される。なお、時刻ｔ２２は、露光完了時刻ｔ２１と同様に、基板仮置部１９に基板Ｗが支持された時刻を示す時刻データを基板支持完了信号１７２とともに送信し、当該時刻データを基板支持完了時刻ｔ２２としてもよし、また、メインコントローラＭＣが基板支持完了信号１７２を受信した時刻を基板支持完了時刻ｔ２２としてもよい。
【０１０４】
基板支持完了信号１７２を受信したメインコントローラＭＣは、ＣＰＵ５２によって、後述するローカル搬送機構２０を上下方向に移動させる際の移動パラメータを演算し、この演算された移動パラメータを移動設定信号１７３として露光後加熱用処理セルＣ５のコントローラＣＴ５に送信する。
【０１０５】
ここで、露光処理が完了した時点から加熱部ＰＨＰで加熱処理を開始する時点までの時間をＴ１、基板仮置部１９に支持された基板Ｗをローカル搬送機構２０の保持プレート２４によって受け取るのに要する時間をＴ２１、ローカル搬送機構２０の保持プレート２４に保持された基板Ｗを加熱プレートＨＰの可動支持ピン２１に受け渡すとともに加熱プレートＨＰによって加熱処理を開始する時点までの時間をＴ２２とすると、保持プレート２４によって保持された基板Ｗを基板仮置部１９と対向する位置から加熱プレートＨＰと対向する位置まで移動させる移動時間Ｔ２３は、式１のように表される。
【０１０６】
Ｔ２３＝Ｔ１−（（ｔ２２−ｔ２１）＋Ｔ２１＋Ｔ２２）  （式１）
ただし、式１中のｔ２１、ｔ２２は、それぞれ上述した露光完了時刻ｔ２１、基板支持完了時刻ｔ２２である。また、時間Ｔ１は、第１の実施の形態と同様に、レジスト膜の種類や加熱部ＰＨＰでの加熱方法等によって定まる時間であり、予め実験等によって求めておく。また、時間Ｔ２１、Ｔ２２も、ローカル搬送機構２０を実際に動作させること等により予め求めておく。
【０１０７】
したがって、時間Ｔ１、Ｔ２１および時間Ｔ２２が一定の場合、基板支持完了信号１７２を受信したメインコントローラＭＣは、ローカル搬送機構２０の上下方向の移動時間がＴ２３となるようにローカル搬送機構２０の上下方向の移動パラメータ（例えば、ローカル搬送機構２０のネジ送り駆動機構２５に含まれる不図示のモータの加速時間、減速時間）を設定することにより、露光完了時刻ｔ２１から加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰにて加熱が開始される時点までの時間を一定にすることができる。また、メインコントローラＭＣは移動設定信号１７３を送信するのと同時にローカル搬送機構２０の移動開始を指令する基板搬送指令信号１７４をコントローラＣＴ５に送信する。
【０１０８】
移動設定信号１７３および基板搬送指令信号１７４を受信したコントローラＣＴ５は、まず、移動設定信号１７３によってローカル搬送機構２０の上下方向の移動パラメータを設定する。そして、コントローラＣＴ５からローカル搬送機構２０に向けて基板搬送指令信号１７４を送信することにより、基板Ｗが基板仮置部１９から加熱プレートＨＰに移動されるとともに、露光済みの基板Ｗに対して熱処理が開始される。
【０１０９】
続いて、加熱プレートＨＰにおいて加熱処理が終了すると、可動支持ピン２１が上昇する。続いて、開口部１９ｃを介して保持プレート２４を基板Ｗの下面と加熱プレートＨＰの上面との間に進入させるとともに、保持プレート２４を上昇させることにより、保持プレート２４に基板Ｗを受け取る。そして、保持プレート２４を筐体２７内から退出させるとともに、保持プレート２４を上昇させて基板Ｗを基板仮置部１９に支持する。このとき、基板Ｗは保持プレート２４によって冷却される。
【０１１０】
そして、基板仮置部１９に支持された基板Ｗを第４主搬送機構１０Ｄによって受け取り、第４主搬送機構１０Ｄを基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８と対向する位置まで上下移動させるとともに、露光後の加熱処理が完了した基板Ｗを下側の基板載置部ＰＡＳＳ８に載置することにより、当該基板Ｗの露光後加熱用処理セルＣ５における処理が終了する。
【０１１１】
なお、現像処理セルＣ４において現像処理を行うことができない場合、加熱部ＰＨＰにて熱処理が完了した基板Ｗは、第１の実施の形態と同様に、露光後加熱用処理セルＣ５の戻し用バッファＲＢＦに一時的に蓄積されることになる。
【０１１２】
＜２．２．第２の実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、第２の実施の形態の露光後加熱用処理セルＣ５では、ローカル搬送機構２０の上下方向の移動パラメータを調整し、移動時間Ｔ２３、すなわち、基板Ｗが搬送される搬送時間を調整することにより、基板Ｗが基板仮置部１９に載置される時刻にバラツキが生じても、露光処理が完了した時点から加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰにおいて加熱処理及びそれに引き続く冷却処理を施すまでの時間を略同一にすることができるため、レジスト膜に形成される配線パターンの線幅を略同一にすることができる。
【０１１３】
また、各基板Ｗについて、露光処理が完了してから一定した所定時間Ｔ１が経過した時点で加熱処理及びそれに引き続く冷却処理を施すことができ、レジスト膜中に生成した酸触媒による化学反応を基板間で同様に停止させることができる。そのため、露光後加熱用処理セルＣ５から現像処理セルＣ４に向けて基板Ｗを供給することができず戻し用バッファＲＢＦに基板Ｗを一時的に蓄積する場合であっても、第１の実施の形態と同様に、各基板Ｗのレジスト膜の配線パターンを略同一に維持することができる。
【０１１４】
＜３．第３の実施の形態＞
次に、第３の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の実施の形態と比較すると、第１の実施の形態の基板処理装置１００と同様なハードウェア構成を有する点で共通するが、第２の実施の形態と同様に、露光後加熱用処理セルＣ５における動作が異なる点で相違する。そこで、以下では、この露光後加熱用処理セルＣ５における動作について説明する。
【０１１５】
＜３．１．露光後加熱用処理セルでの動作＞
図１１は、本実施の形態における露光装置、露光後加熱用処理セル、およびメインコントローラにおける制御信号を示すブロック図である。本実施の形態は、加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰに搬送された基板Ｗについて、可動支持ピン２１を加熱プレートＨＰの上面から没入させるタイミングを調整することにより、露光処理が完了した時点から加熱処理が開始する時点までの時間を略同一にして、基板Ｗを加熱する開始タイミングを制御している。以下、本実施の実施の形態の露光後加熱用処理セルＣ５の動作について説明する。
【０１１６】
露光装置ＳＴＰの露光部ＥＸＰにおいて、基板Ｗに対する露光処理が完了すると、露光部ＥＸＰは、コントローラＣＴＲに対して露光処理が完了したことを通知する露光完了信号７１を送信する。そして、この露光完了信号７１は、コントローラＣＴＲを介してメインコントローラＭＣに送信されて、メインコントローラＭＣのメモリ５１に露光完了時刻ｔ３１が格納される。
【０１１７】
なお、露光完了時刻ｔ３１は、第１の実施の形態の露光完了時刻ｔ１１と同様に、露光部ＥＸＰにおいて計測した露光が完了した時刻を示す時刻データを露光完了信号７１とともに送信し、当該時刻データを露光完了時刻ｔ３１としてもよいし、また、メインコントローラＭＣが露光完了信号７１を受信した時刻を露光完了時刻ｔ３１としてもよい。
【０１１８】
次に、コントローラＣＴ５によって基板載置部ＰＡＳＳ１０に露光済みの基板Ｗが載置されたことを検出すると、第４主搬送機構１０Ｄは、この基板載置部ＰＡＳＳ１０から基板Ｗを受け取るとともに、第３熱処理部３１に含まれる複数の加熱部ＰＨＰのうちコントローラＣＴ５によって指定される１つの加熱部ＰＨＰの基板仮置部１９に当該露光済みの基板Ｗを支持する。
【０１１９】
続いて、コントローラＣＴ５が基板仮置部１９に基板Ｗが支持されたことを不図示のセンサ等によって検出すると、当該基板Ｗは、加熱部ＰＨＰのローカル搬送機構２０によって基板仮置部１９から加熱プレートＨＰまで搬送されて基板受取位置まで上昇した可動支持ピン２１上に受け渡され、基板Ｗが加熱プレートＨＰの直上に配置される。
【０１２０】
続いて、コントローラＣＴ５が加熱プレートＨＰの可動支持ピン２１上に支持されたことを不図示のセンサ等によって検出すると、加熱部ＰＨＰからコントローラＣＴ５に向けて、可動支持ピン２１上に基板Ｗが支持されたことを通知する基板支持完了信号２７２が送信される。そして、この基板支持完了信号２７２は、コントローラＣＴ５を介してメインコントローラＭＣに向けて送信される。
【０１２１】
続いて、基板支持完了信号２７２を受信することによって加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰの直上に基板Ｗが配置されたことを認識したメインコントローラＭＣは、露光完了時刻ｔ３１から所定時間Ｔ１が経過した時刻ｔ３２において、ｍｃからコントローラＣＴ５に向けて熱処理開始指令信号２７３を送信する。そして、この熱処理開始指令信号２７３は、コントローラＣＴ５を介して加熱部ＰＨＰに送信される。
【０１２２】
ここで、熱処理開始指令信号２７３は、可動支持ピン２１を基板受取位置から下降させて基板Ｗの下面と加熱プレートＨＰの上面とを接触させるとともに、加熱プレートＨＰによる加熱処理を開始するトリガー信号として使用される制御信号である。このように、熱処理開始指令信号２７３は、基板Ｗの加熱処理が開始されるタイミングを調整するのに使用される。
【０１２３】
なお、時間Ｔ１は、第１の実施の形態と同様に、レジスト膜の種類や加熱部ＰＨＰでの加熱方法等によって定まる時間であり、予め実験等によって求めておく。
【０１２４】
そして、コントローラＣＴ５からローカル搬送機構２０に向けて熱処理開始指令信号２７３を送信することにより、可動支持ピン２１が下降して基板Ｗの下面と加熱プレートＨＰの上面とが接触し、露光済みの基板Ｗに対して熱処理が開始される。
【０１２５】
続いて、加熱プレートＨＰにおいて加熱処理が終了すると、可動支持ピン２１が上昇する。続いて、開口部１９ｃを介して保持プレート２４を基板Ｗの下面と加熱プレートＨＰの上面との間に進入させるとともに、保持プレート２４を上昇させることにより、保持プレート２４に基板Ｗを受け取る。そして、保持プレート２４を筐体２７内から退出させるとともに、保持プレート２４を上昇させて基板Ｗを基板仮置部１９に支持する。このとき、基板Ｗは保持プレート２４によって冷却される。
【０１２６】
そして、基板仮置部１９に支持された基板Ｗを第４主搬送機構１０Ｄによって受け取り、第４主搬送機構１０Ｄを基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８と対向する位置まで上下移動させるとともに、露光後の加熱処理が完了した基板Ｗを下側の基板載置部ＰＡＳＳ８に載置することにより、当該基板Ｗの露光後加熱用処理セルＣ５における処理が終了する。
【０１２７】
なお、現像処理セルＣ４において現像処理を行うことができない場合、加熱部ＰＨＰにて熱処理が完了した基板Ｗは、第１の実施の形態と同様に、露光後加熱用処理セルＣ５の戻し用バッファＲＢＦに一時的に蓄積されることになる。
【０１２８】
＜３．２．第３の実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、第３の実施の形態の露光後加熱用処理セルＣ５では、加熱プレートＨＰの可動支持ピン２１の下降タイミングを調整することにより、基板Ｗが可動支持ピン２１に支持される時刻にバラツキが生じても、露光処理が完了した時点から加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰにおいて加熱処理及びそれに引き続く冷却処理を施すまでの時間を略同一にすることができるため、レジスト膜に形成される配線パターンの線幅を略同一にすることができる。
【０１２９】
また、各基板Ｗについて、露光処理が完了してから一定した所定時間Ｔ１が経過した時点で加熱処理及びそれに引き続く冷却処理を施すことができ、レジスト膜中に生成した酸触媒による化学反応を基板間で同様に停止させることができる。そのため、露光後加熱用処理セルＣ５から現像処理セルＣ４に向けて基板Ｗを供給することができず戻し用バッファＲＢＦに基板Ｗを一時的に蓄積する場合であっても、第１の実施の形態と同様に、各基板Ｗのレジスト膜の配線パターンを略同一に維持することができる。
【０１３０】
＜４．第４の実施の形態＞
ここでは、第４の実施の形態について説明する。
本実施の形態は、第１の実施の形態と比較すると、第１の実施の形態の基板処理装置１００と同様なハードウェア構成を有する点で共通するが、第２および第３の実施の形態と同様に、露光後加熱用処理セルＣ５における動作が異なる点で相違する。そこで、以下では、この露光後加熱用処理セルＣ５における動作について説明する。
【０１３１】
＜４．１．露光後加熱用処理セルでの動作＞
図１２は、本実施の形態における露光装置、露光後加熱用処理セル、およびメインコントローラにおける制御信号を示すブロック図である。
【０１３２】
ここで、第４主搬送機構１０Ｄを上下方向に移動させる際の移動パラメータ、および加熱部ＰＨＰのローカル搬送機構２０を上下方向に移動させる際のパラメータをそれぞれ一定とした場合、基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板を第４主搬送機構１０Ｄによって加熱部ＰＨＰに搬送する際の搬送開始時点から基板を加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰにて加熱処理を開始する時点までの時間Ｔ４２を、各基板Ｗについて略同一にすることができる。
【０１３３】
そこで、本実施の形態における露光後加熱用処理セルＣ５の動作では、露光装置ＳＴＰにおいて露光処理が完了した時点から基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗを第４主搬送機構１０Ｄによって搬送を開始する時点までの時間を略同一にして、基板Ｗを加熱する開始タイミングを制御する手法について説明する。
【０１３４】
露光装置ＳＴＰの露光部ＥＸＰにおいて、基板Ｗに対する露光処理が完了すると、露光部ＥＸＰは、コントローラＣＴＲに対して露光処理が完了したことを通知する露光完了信号７１を送信する。そして、この露光完了信号７１は、コントローラＣＴＲを介してメインコントローラＭＣに送信されて、メインコントローラＭＣのメモリ５１に露光完了時刻ｔ４１が格納される。
【０１３５】
なお、露光完了時刻ｔ４１は、第１の実施の形態の露光完了時刻ｔ１１と同様に、露光部ＥＸＰにおいて計測した露光が完了した時刻を示す時刻データを露光完了信号７１とともに送信し、当該時刻データを露光完了時刻ｔ４１としてもよいし、また、メインコントローラＭＣが露光完了信号７１を受信した時刻を露光完了時刻ｔ４１としてもよい。
【０１３６】
次に、コントローラＣＴ５によって基板載置部ＰＡＳＳ１０に露光済みの基板Ｗが載置されたことを検出すると、基板載置部ＰＡＳＳ１０からコントローラＣＴ５に向けて、基板載置部ＰＡＳＳ１０に基板Ｗが載置されたことを通知する基板載置完了信号３７２が送信される。そして、この基板載置完了信号３７２は、コントローラＣＴ５を介してメインコントローラＭＣに向けて送信される。
【０１３７】
続いて、基板載置完了信号３７２を受信することによって基板載置部ＰＡＳＳ１０に基板Ｗが載置されたことを認識したメインコントローラＭＣは、露光完了時刻ｔ４１から所定時間Ｔ４２だけ経過した時刻ｔ４２において、メインコントローラＭＣからコントローラＣＴ５に向けて基板搬送指令信号３７３を送信する。そして、この基板搬送指令信号３７３は、コントローラＣＴ５を介して第４主搬送機構１０Ｄに送信される。
【０１３８】
ここで、基板搬送指令信号３７３は、基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗを第４主搬送機構１０Ｄによって搬送を開始するトリガー信号として使用される制御信号である。すなわち、第４主搬送機構１０Ｄがこの基板搬送指令信号３７３を受信すると、基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、第４主搬送機構１０Ｄによって、加熱部ＰＨＰまで搬送されて加熱処理が施される。
【０１３９】
また、第４主搬送機構１０Ｄが基板搬送指令信号３７３を受信すると、基板Ｗが第４主搬送機構１０Ｄによって基板載置部ＰＡＳＳ１０から取り出されて、加熱部ＰＨＰに搬送される。すなわち、基板搬送指令信号３７３は、基板載置部ＰＡＳＳ１０に基板Ｗが滞在する時間を調整することに使用される。
【０１４０】
なお、所定時間Ｔ４２は、上述の基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗの搬送を開始する時点から加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰによって基板Ｗの加熱処理を開始する時点までの時間Ｔ４１を、露光処理が完了した時点から加熱部ＰＨＰに加熱処理を開始する時点までの時間Ｔ１から差し引いたもの（すなわち、Ｔ４２＝Ｔ１−Ｔ４１）である。
【０１４１】
また、時間Ｔ１は、レジスト膜の種類や加熱部ＰＨＰでの加熱方法等によって定まる時間であり、予め実験等によって求めておく。また、時間Ｔ４１も、第４主搬送機構１０Ｄおよび加熱部ＰＨＰのローカル搬送機構２０を実際に動作させること等により予め求めておく。
【０１４２】
続いて、加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰにおいて加熱処理が終了すると、基板Ｗはローカル搬送機構２０によって基板仮置部１９に搬送される。そして、この基板Ｗが、第４主搬送機構１０Ｄによって上下方向に搬送されて基板載置部ＰＡＳＳ８に載置されることにより、露光後加熱用処理セルＣ５における処理が終了する。
【０１４３】
なお、現像処理セルＣ４において現像処理を行うことができない場合、加熱部ＰＨＰにて熱処理が完了した基板Ｗは、第１の実施の形態と同様に、露光後加熱用処理セルＣ５の戻し用バッファＲＢＦに一時的に蓄積されることになる。
【０１４４】
＜４．２．第４の実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、第４の実施の形態の露光後加熱用処理セルＣ５では、基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１０に滞在する時間を調整することにより、基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された時刻にバラツキが生じても、露光処理が完了した時点から加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰにおいて加熱処理及びそれに引き続く冷却処理を施すまでの時間を略同一にすることができるため、レジスト膜に形成される配線パターンの線幅を略同一にすることができる。
【０１４５】
また、露光処理が完了してから一定した所定時間Ｔ１が経過した時点で露光後加熱用処理セルＣ５にて加熱処理及びそれに引き続く冷却処理を施すことができ、レジスト膜中に生成した酸触媒による化学反応を基板間で同様に停止させることができる。そのため、露光後加熱用処理セルＣ５から現像処理セルＣ４に向けて基板Ｗを供給することができず戻し用バッファＲＢＦに基板Ｗを一時的に蓄積する場合であっても、第１の実施の形態と同様に、各基板Ｗのレジスト膜の配線パターンを略同一に維持することができる。
【０１４６】
＜５．第５の実施の形態＞
ここでは、第５の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の実施の形態と比較すると、第１の実施の形態の基板処理装置１００と同様なハードウェア構成を有する点で共通するが、第２、第３および第４の実施の形態と同様に、露光後加熱用処理セルＣ５における動作が異なる点で相違する。そこで、以下では、この露光後加熱用処理セルＣ５における動作について説明する。
【０１４７】
＜５．１．露光後加熱用処理セルでの動作＞
図１３は、本実施の形態における露光装置、露光後加熱用処理セル、およびメインコントローラにおける制御信号を示すブロック図である。本実施の形態は、第４主搬送機構１０Ｄを上下方向に移動させる際の移動パラメータを調整することにより、露光処理が完了した時点から加熱処理が開始する時点までの時間を略同一にして、基板Ｗを加熱する開始タイミングを制御している。以下、本実施の形態の露光後加熱用処理セルＣ５の動作について説明する。
【０１４８】
露光装置ＳＴＰの露光部ＥＸＰにおいて、基板Ｗに対する露光処理が完了すると、露光部ＥＸＰは、コントローラＣＴＲに対して露光処理が完了したことを通知する露光完了信号７１を送信する。そして、この露光完了信号７１は、コントローラＣＴＲを介してメインコントローラＭＣに送信されて、メインコントローラＭＣのメモリ５１に露光完了時刻ｔ５１が格納される。
【０１４９】
なお、露光完了時刻ｔ５１は、第１の実施の形態の露光完了時刻ｔ１１と同様に、露光部ＥＸＰにおいて計測した露光が完了した時刻を示す時刻データを露光完了信号７１とともに送信し、当該時刻データを露光完了時刻ｔ５１としてもよいし、また、メインコントローラＭＣが露光完了信号７１を受信した時刻を露光完了時刻ｔ５１としてもよい。
【０１５０】
次に、コントローラＣＴ５によって基板載置部ＰＡＳＳ１０に露光済みの基板Ｗが載置されたことを検出すると、基板載置部ＰＡＳＳ１０からコントローラＣＴ５に向けて、基板載置部ＰＡＳＳ１０に基板Ｗが載置されたことを通知する基板載置完了信号４７２が送信される。
【０１５１】
そして、この基板載置完了信号４７２は、コントローラＣＴ５を介してメインコントローラＭＣに向けて送信されるとともに、メインコントローラＭＣにおいて、基板載置部ＰＡＳＳ１０に基板Ｗが支持された基板載置完了時刻ｔ５２が格納される。なお、時刻ｔ５２は、露光完了時刻ｔ５１と同様に、基板載置部ＰＡＳＳ１０に基板Ｗが支持された時刻を示す時刻データを基板載置完了信号４７２とともに送信し、当該時刻データを基板載置完了時刻ｔ５２としてもよし、また、メインコントローラＭＣが基板載置完了信号４７２を受信した時刻を基板載置完了時刻ｔ５２としてもよい。
【０１５２】
基板載置完了信号４７２を受信したメインコントローラＭＣは、ＣＰＵ５２によって、後述する第４主搬送機構１０Ｄを上下方向に移動させる際の移動パラメータを演算し、この演算された移動パラメータを移動設定信号４７３として露光後加熱用処理セルＣ５のコントローラＣＴ５に送信する。
【０１５３】
ここで、露光処理が完了した時点から加熱部ＰＨＰに加熱処理を開始する時点までの時間をＴ１、基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗを第４主搬送機構１０Ｄによって受け取って保持するのに要する時間をＴ５１、第４主搬送機構１０Ｄに保持された基板Ｗを加熱部ＰＨＰに受け渡すとともに加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰによって加熱処理を開始する時点までの時間をＴ５２とすると、第４主搬送機構１０Ｄによって保持された基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０と対向する位置から加熱部ＰＨＰと対向する位置まで移動させる移動時間Ｔ５３は、式２のように表される。
【０１５４】
Ｔ５３＝Ｔ１−（（ｔ５２−ｔ５１）＋Ｔ５１＋Ｔ５２）  （式２）
ただし、式１中のｔ５１、ｔ５２は、それぞれ上述した露光完了時刻ｔ２１、基板載置完了時刻ｔ５２である。また、時間Ｔ１は、第１の実施の形態と同様に、レジスト膜の種類や加熱部ＰＨＰでの加熱方法等によって定まる時間であり、予め実験等によって求めておく。また、時間Ｔ５１、Ｔ５２も、第４主搬送機構１０Ｄおよび加熱部ＰＨＰを実際に動作させること等により予め求めておく。
【０１５５】
したがって、時間Ｔ１、Ｔ５１および時間Ｔ５２が一定の場合、基板載置完了信号４７２を受信したメインコントローラＭＣは、第４主搬送機構１０Ｄの上下方向の移動時間がＴ５３となるように第４主搬送機構１０Ｄの上下方向の移動パラメータ（例えば、第４主搬送機構１０Ｄに含まれる不図示のモータの加速時間、減速時間）を設定することにより、露光完了時刻ｔ５１から加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰにて加熱が開始される時点までの時間を一定にすることができる。また、メインコントローラＭＣは移動設定信号４７３を送信するのと同時に第４主搬送機構１０Ｄの移動開始を指令する基板搬送指令信号４７４をコントローラＣＴ５に送信する。
【０１５６】
移動設定信号４７３および基板搬送指令信号４７４を受信したコントローラＣＴ５は、まず、移動設定信号４７３によって第４主搬送機構１０Ｄの上下方向の移動パラメータを設定する。そして、コントローラＣＴ５から第４主搬送機構１０Ｄに向けて基板搬送指令信号４７４を送信することにより、基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１０から加熱部ＰＨＰの基板仮置部１９に移動移動されるとともに、ローカル搬送機構２０によって加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰに当該基板Ｗが搬送されるため、露光済みの基板Ｗに対して熱処理が開始される。
【０１５７】
続いて、加熱プレートＨＰにおいて加熱処理が終了すると、可動支持ピン２１が上昇する。続いて、開口部１９ｃを介して保持プレート２４を基板Ｗの下面と加熱プレートＨＰの上面との間に進入させるとともに、保持プレート２４を上昇させることにより、保持プレート２４に基板Ｗを受け取る。そして、保持プレート２４を筐体２７内から退出させるとともに、保持プレート２４を上昇させて基板Ｗを基板仮置部１９に支持する。このとき、基板Ｗは保持プレート２４によって冷却される。
【０１５８】
そして、基板仮置部１９に支持された基板Ｗを第４主搬送機構１０Ｄによって受け取り、第４主搬送機構１０Ｄを基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８と対向する位置まで上下移動させるとともに、露光後の加熱処理が完了した基板Ｗを下側の基板載置部ＰＡＳＳ８に載置することにより、当該基板Ｗの露光後加熱用処理セルＣ５における処理が終了する。
【０１５９】
なお、現像処理セルＣ４において現像処理を行うことができない場合、加熱部ＰＨＰにて熱処理が完了した基板Ｗは、第１の実施の形態と同様に、露光後加熱用処理セルＣ５の戻し用バッファＲＢＦに一時的に蓄積されることになる。
【０１６０】
＜５．２．第５の実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、第５の実施の形態の露光後加熱用処理セルＣ５では、第４主搬送機構１０Ｄの上下方向の移動パラメータを調整し、移動時間Ｔ５３を調整することにより、基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置される時刻にバラツキが生じても、第４主搬送機構１０Ｄによって基板Ｗが搬送される搬送時間（移動時間）を調整することにより、露光処理が完了した時点から加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰにおいて加熱処理及びそれに引き続く冷却処理を施すまでの時間を略同一にすることができるため、レジスト膜に形成される配線パターンの線幅を略同一にすることができる。
【０１６１】
また、露光処理が完了してから一定した所定時間Ｔ１が経過した時点で露光後加熱用処理セルＣ５にて加熱処理及びそれに引き続く冷却処理を施すことができ、レジスト膜中に生成した酸触媒による化学反応を基板間でほぼ同様に停止させることができる。そのため、露光後加熱用処理セルＣ５から現像処理セルＣ４に向けて基板Ｗを供給することができず戻し用バッファＲＢＦに基板Ｗを一時的に蓄積する場合であっても、第１の実施の形態と同様に、各基板Ｗのレジスト膜の配線パターンを略同一に維持することができる。
【０１６２】
＜６．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
【０１６３】
第１ないし第５の実施の形態において、メインコントローラＭＣは、各コントローラＣＴ１〜ＣＴ６から送信される稼動状況データ基づき、最適な基板処理を施すためのハードウェアの稼動状況を求めるための演算処理を行うとともに、選択したコントローラＣＴ１〜ＣＴ６に対して演算処理によって求められた制御信号を送信することにより、各セルＣ１〜Ｃ６に含まれるハードウェアの稼動状況を最適な状態にしているが、これに限定されるもでなく、ホストコンピュータＨＣにおいて稼動状況データの受信、最適な制御信号の演算、および、選択したコントローラＣＴ１〜ＣＴ６への制御信号の送信を行ってもよい。
【０１６４】
【発明の効果】
請求項１から請求項６に記載の発明によれば、露光部から送信される露光完了信号に基づき、露光処理が完了した時点から所定時間が経過する時点で熱処理部において各基板の熱処理を開始することができる。これにより、各基板について露光処理が完了した時点から熱処理を開始する時点までの時間を略同一にすることができる。そのため、露光処理によって反応が開始したレジスト膜の反応状況を各基板について略同一にすることができ、基板上に形成される配線パターンの線幅精度を向上させることができる。
【０１６５】
特に、請求項２に記載の発明によれば、基板が基板仮置部に滞在する時間を調整することによって、各基板について露光処理が完了した時点から熱処理を開始する時点までの時間を略同一にすることができる。
【０１６６】
特に、請求項３に記載の発明によれば、第１の搬送ユニットによって基板を搬送する時間を調整することによって、露光処理が完了した時点から熱処理を開始する時点までの時間を略同一にすることができる。
【０１６７】
特に、請求項４に記載の発明によれば、可動支持ピンが加熱ユニットに没入するタイミングを制御することにより、基板が加熱ユニットの上面に接触して加熱（熱処理）が開始されるタイミングを制御することができる。そのため、露光処理が完了した時点から熱処理を開始する時点までの時間を略同一にすることができる。
【０１６８】
特に、請求項５に記載の発明によれば、基板が基板受渡部に滞在する時間を調整することによって、露光処理が完了した時点から熱処理を開始する時点までの時間を略同一にすることができる。
【０１６９】
特に、請求項６に記載の発明によれば、第２の搬送ユニットによって基板を搬送する時間を調整することによって、露光処理が完了した時点から熱処理を開始する時点までの時間を略同一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】本発明における基板処理装置の概略構成を示す正面図である。
【図３】本発明における熱処理部の配置構成を示す図である。
【図４】本発明における基板仮置部付きの加熱部を示す図である。
【図５】本発明におけるインターフェイスブロックの概略構成を示す側面図である。
【図６】本発明の基板処理装置におけるブロック配置を示す平面図である。
【図７】本発明の基板処理装置におけるセル配置を示す平面図である。
【図８】本発明の基板処理装置における制御系の概略構成を示すブロック図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態の露光装置、露光後加熱用処理セル、およびメインコントローラにおける制御信号を示すブロック図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態の露光装置、露光後加熱用処理セル、およびメインコントローラにおける制御信号を示すブロック図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態の露光装置、露光後加熱用処理セル、およびメインコントローラにおける制御信号を示すブロック図である。
【図１２】本発明の第４の実施の形態の露光装置、露光後加熱用処理セル、およびメインコントローラにおける制御信号を示すブロック図である。
【図１３】本発明の第５の実施の形態の露光装置、露光後加熱用処理セル、およびメインコントローラにおける制御信号を示すブロック図である。
【符号の説明】
１  インデクサブロック
２  反射防止膜処理ブロック
３  レジスト膜処理ブロック
４  現像処理ブロック
５  インタフェイスブロック
６  カセット載置台
７  インデクサ用搬送機構
８  塗布処理部
１０（１０Ａ〜１０Ｄ）  主搬送機構
１０ａ、１０ｂ  保持アーム
１０ｃ  ピン
１０ｄ  基台
１１  スピンチャック
１２  ノズル
１３  隔壁
１５  塗布処理部
１５ａ〜１５ｃ  塗布処理ユニット
１６  熱処理部
１７  スピンチャック
１８  ノズル
１９  基板仮置部
３０  現像処理部
３０ａ〜３０ｅ  現像処理ユニット
３１  熱処理部
３２  スピンチャック
３３  ノズル
３５  インタフェイス用搬送機構
３６  スピンチャック
３７  光照射器
４４  ブロック
１００  基板処理装置
３５ａ  可動台
３５ｂ  保持アーム
７ａ  可動台
７ｂ  保持アーム
８ａ  塗布処理ユニット
８ｂ  塗布処理ユニット
８ｃ  塗布処理ユニット
ＡＨＬ  アドヒージョン処理ユニット
Ｃ  カセット
ＥＥＷ  エッジ露光ユニット
ＨＰ  加熱プレート
ＰＡＳＳ（ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０）  基板載置部
ＳＢＦ  送り用バッファ
ＲＢＦ  戻し用バッファ
ＳＴＰ  露光装置
ＴＰ  熱処理部
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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