(57)【要約】      （修正有）【課題】  未完了半導体ウエハの残処理を効率良く実行することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】  プラズマ処理装置は、半導体ウエハの処理を行う処理室、制御装置を備える。制御装置は、プラズマ処理装置の異常を検知すると（ステップＳ１）、エッチング処理を中止し（ステップＳ２）、未完了半導体ウエハの残処理工程を表す情報である残処理レシピを作成すると判別すると（ステップＳ４でＹＥＳ）、プロセス・ログとプロセス・レシピとを比較し（ステップＳ５）、プロセス・レシピの異常以降のエッチング処理工程情報を表すプロセス・レシピを作成し（ステップＳ６）、このプロセス・レシピの先頭に異常点を含む工程の直前の工程を表す情報を付加して残処理レシピを作成し（ステップＳ７）、この残処理レシピに基づいて未完了半導体ウエハに対して残処理を実行する。【選択図】図４
2004319961.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に実行する１以上の処理を表す情報を有する処理情報を記憶する記憶手段を備え、前記処理情報に基づいて前記基板に前記１以上の処理を実行する基板処理装置において、
当該基板処理装置に異常が発生したか否かを判別する異常判別手段と、前記異常が発生したときに前記処理情報に基づく前記基板の処理を中止する中止手段と、前記異常の発生時に前記処理情報における前記異常の発生時以降に前記基板に実行する処理を表す異常後処理情報を有する残処理情報を作成する残処理情報作成手段とを備え、前記処理が中止された基板である未完了基板に対して前記残処理情報に基づく処理を実行することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記残処理情報は、前記異常の発生時に実行していた処理の直前に実行していた処理を表す直前処理情報を有することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記未完了基板に対して前記直前処理情報に基づく処理を実行した後に、前記異常後処理情報に基づく処理を実行することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記残処理情報は編集可能であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
基板に実行する１以上の処理を表す情報を有する処理情報を記憶し、前記処理情報に基づいて前記基板に前記１以上の処理を実行する基板処理方法において、
前記基板の処理に異常が発生したか否かを判別し、前記異常の発生時に前記処理情報に基づく前記基板の処理を中止し、前記異常の発生時に前記処理情報における前記異常の発生時以降に前記基板に実行する処理を表す異常後処理情報を有する残処理情報を作成し、前記処理が中止された基板である未完了基板に対して前記残処理情報に基づく処理を実行することを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】
基板に実行する１以上の処理を表す情報を有する処理情報を記憶し、前記処理情報に基づいて前記基板に前記１以上の処理を実行する基板処理方法を実行するプログラムにおいて、
前記基板の処理に異常が発生したか否かを判別するモジュールと、前記異常の発生時に前記処理情報に基づく前記基板の処理を中止するモジュールと、前記異常の発生時に前記処理情報における前記異常の発生時以降に前記基板に実行する処理を表す異常後処理情報を有する残処理情報を作成するモジュールと、前記処理が中止された基板である未完了基板に対して前記残処理情報に基づく処理を実行するモジュールとを備えることを特徴とするプログラム。
【請求項７】
基板に実行する１以上の処理を表す情報を有する処理情報を記憶する記憶手段と、前記処理情報に基づいて前記基板に前記１以上の処理を実行する処理手段と、前記基板を格納する格納手段と、前記処理手段と前記格納手段とを接続し前記基板を搬送する搬送装置とを有する搬送手段とを備える、基板処理装置において、
前記処理手段により前記基板に実行した処理を表す情報を有する履歴情報を作成する履歴情報作成手段と、前記基板処理装置に異常が発生したか否かを判別する異常判別手段と、前記異常が発生したときに前記処理手段の処理を中止する中止手段と、前記履歴情報作成手段によって作成された履歴情報を表示する表示手段とを備え、前記搬送手段は前記異常が発生したときに前記処理手段又は前記搬送手段に存在する前記処理が中止された基板である未完了基板を前記格納手段に回収可能であり、前記表示手段は前記搬送装置により前記未完了基板が前記格納手段に回収されたときに前記履歴情報を表示することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
前記履歴情報は、前記中止手段が前記処理手段の処理を中止した時に、前記処理手段が実行していた処理を表す情報を有することを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
【請求項９】
基板に実行する１以上の処理を表す情報を有する処理情報を記憶し、前記処理情報に基づいて前記基板に前記１以上の処理を実行する基板処理方法において、
前記基板に実行した処理を表す情報を有する履歴情報を作成し、前記基板処理に異常が発生したか否かを判別し、前記異常が発生したときに前記基板の処理を中止し、前記異常が発生したときに前記処理が中止された基板である未完了基板を回収し、前記未完了基板が回収されたときに前記履歴情報を表示することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
基板に実行する１以上の処理を表す情報を有する処理情報を記憶し、前記処理情報に基づいて前記基板に前記１以上の処理を実行する基板処理方法を実行するプログラムにおいて、
前記基板に実行した処理を表す情報を有する履歴情報を作成するモジュールと、前記基板処理に異常が発生したか否かを判別するモジュールと、前記異常が発生したときに前記基板の処理を中止するモジュールと、前記異常が発生したときに前記処理が中止された基板である未完了基板を回収するモジュールと、前記未完了基板が回収されたときに前記履歴情報を表示するモジュールとを備えることを特徴とするプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置、基板処理方法、及び該方法を実行するプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体、ＦＰＤ（Flat Panel Display）の製造工程では、半導体ウエハ、ガラス基板等の被処理体のエッチング処理工程、プラズマＣＶＤ工程などにおいて、例えばプラズマ処理装置が基板処理装置として用いられている。
【０００３】
プラズマ処理装置は、例えばエッチング処理装置としての平行平板型プラズマ処理装置の場合、エッチング反応ガスが導入される処理室と、処理室内において互いに対向して平行に配設された処理室内部品としての上部電極及び下部電極とを備える。下部電極の上には半導体ウエハが配置され、この電極に高周波電力を印加することにより励起されて上部電極及び下部電極間に発生したプラズマによってエッチング反応ガスを解離させ、これにより生じたラジカル成分によって半導体ウエハをエッチングする。プラズマ処理装置には、上記のような平行平板型プラズマ処理装置の他に、ＲＩＥプラズマ処理装置、ＥＣＲプラズマ処理装置、ＩＣＰプラズマ処理装置、マグネトロン型プラズマ処理装置、ＴＣＰプラズマ処理装置、及びヘリコン波プラズマ処理装置等がある。
【０００４】
プラズマ処理装置は、半導体ウエハのエッチング処理等を制御する制御装置を備えており、この制御装置は、半導体ウエハに対するエッチング処理の工程等を表す情報（プロセス・レシピ）を記憶装置に記憶しており、このプロセス・レシピに基づいて半導体ウエハをエッチングする。プロセス・レシピは、プラズマ処理装置の備えるレシピ操作画面を操作することにより編集することができる。
【０００５】
また、プラズマ処理装置は、制御装置において、半導体ウエハのエッチング処理状況等を表す情報（プロセス・ログ）を記憶装置に記憶し、プラズマ処理装置のオペレータ等は、この記憶装置に記憶されたプロセス・ログに基づいて、半導体ウエハに施されたエッチング処理の状況を知ることができる。
【０００６】
処理室内で半導体ウエハをエッチング処理中にプラズマ処理装置の故障やプロセス異常等の何らかの異常が発生すると、プラズマ処理装置は、実行中のエッチング処理を途中で強制的に終了する。
【０００７】
この未完了半導体ウエハの再処理を行う場合、オペレータが、制御装置の記憶装置に記憶されたプロセス・ログのうち未完了半導体ウエハに対応するプロセス・ログと、記憶装置に記憶されたこの未完了半導体ウエハのエッチング処理に使用したプロセス・レシピとを比較することにより、未完了半導体ウエハの未処理のエッチング処理（残処理）を割り出し、未処理のエッチング処理時間等を計算し、レシピ操作画面を操作して未完了半導体ウエハの残処理工程を表す情報（残処理レシピ）を作成し、これを制御装置に入力して記憶装置に記憶させ、プラズマ処理装置がこの残処理レシピに基づいて未完了半導体ウエハにエッチング処理を行うことにより実行されていた（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開平１１−３３０１８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の未完了半導体ウエハの残処理は、オペレータが手作業で、対象の未完了半導体ウエハに対応するプロセス・ログを制御装置の記憶装置の中から探し出し、このプロセス・ログと未完了半導体ウエハのエッチング処理に使用されたプロセス・レシピとを比較して未処理のエッチング処理時間等を計算して残処理レシピを作成し、この残処理レシピを記憶装置に入力していたため、未完了半導体ウエハの残処理を行うために相当の時間が掛かると共に、未処理のエッチング処理時間等の計算を間違える可能性が高いため残処理された半導体ウエハの良品率が低く、未完了半導体ウエハの残処理の効率が悪かった。また、未処理のエッチング処理時間等の計算にはオペレータの経験が要求されるため、未完了半導体ウエハに残処理を行えるオペレータは経験を積んだ者に限られており、未完了半導体ウエハの残処理効率を悪化させていた。
【０００９】
更に、プラズマ処理装置において、半導体ウエハの搬送中に何らかの異常が発生すると、プラズマ処理装置は実行中の処理を中止し、オペレータの作業によりプラズマ処理装置が再度起動されると、搬送中の未完了半導体ウエハは回収されてカセットとしてのフープに格納されるが、この未完了半導体ウエハに既に実行され処理（処理履歴）は、オペレータが上述のように対応するプロセス・ログを検索することにより検出されており、記憶装置に記憶されたプロセス・ログの件数が多いため、未完了半導体ウエハに対応するプロセス・ログを検出することは困難であり、また対応するプロセス・ログを誤認する可能性もあり、直ちに再処理可能な未完了半導体ウエハを検査器により検査して処理履歴を検出したり、プロセス・ログを検索して更に検査器により検査して確認しなければならず、処理履歴の確認に多くの工程を必要とし、未完了半導体ウエハの残処理効率を悪化させていた。
【００１０】
本発明の目的は、未完了半導体ウエハの残処理を効率良く実行することができる基板処理装置、基板処理方法、及び該方法を実行するプログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、請求項１記載の基板処理装置は、基板に実行する１以上の処理を表す情報を有する処理情報を記憶する記憶手段を備え、前記処理情報に基づいて前記基板に前記１以上の処理を実行する基板処理装置において、当該基板処理装置に異常が発生したか否かを判別する異常判別手段と、前記異常が発生したときに前記処理情報に基づく前記基板の処理を中止する中止手段と、前記異常の発生時に前記処理情報における前記異常の発生時以降に前記基板に実行する処理を表す異常後処理情報を有する残処理情報を作成する残処理情報作成手段とを備え、前記処理が中止された基板である未完了基板に対して前記残処理情報に基づく処理を実行することを特徴とする。
【００１２】
請求項２記載の基板処理装置は、請求項１記載の基板処理装置において、前記残処理情報は、前記異常の発生時に実行していた処理の直前に実行していた処理を表す直前処理情報を有することを特徴とする。
【００１３】
請求項３記載の基板処理装置は、請求項２記載の基板処理装置において、前記未完了基板に対して前記直前処理情報に基づく処理を実行した後に、前記異常後処理情報に基づく処理を実行することを特徴とする。
【００１４】
請求項４記載の基板処理装置は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置において、前記残処理情報は編集可能であることを特徴とする。
【００１５】
上記目的を達成するために、請求項５記載の基板処理方法は、基板に実行する１以上の処理を表す情報を有する処理情報を記憶し、前記処理情報に基づいて前記基板に前記１以上の処理を実行する基板処理方法において、前記基板の処理に異常が発生したか否かを判別し、前記異常の発生時に前記処理情報に基づく前記基板の処理を中止し、前記異常の発生時に前記処理情報における前記異常の発生時以降に前記基板に実行する処理を表す異常後処理情報を有する残処理情報を作成し、前記処理が中止された基板である未完了基板に対して前記残処理情報に基づく処理を実行することを特徴とする。
【００１６】
上記目的を達成するために、請求項６記載のプログラムは、基板に実行する１以上の処理を表す情報を有する処理情報を記憶し、前記処理情報に基づいて前記基板に前記１以上の処理を実行する基板処理方法を実行するプログラムにおいて、前記基板の処理に異常が発生したか否かを判別するモジュールと、前記異常の発生時に前記処理情報に基づく前記基板の処理を中止するモジュールと、前記異常の発生時に前記処理情報における前記異常の発生時以降に前記基板に実行する処理を表す異常後処理情報を有する残処理情報を作成するモジュールと、前記処理が中止された基板である未完了基板に対して前記残処理情報に基づく処理を実行するモジュールとを備えることを特徴とする。
【００１７】
上記目的を達成するために、請求項７記載の基板処理装置は、基板に実行する１以上の処理を表す情報を有する処理情報を記憶する記憶手段と、前記処理情報に基づいて前記基板に前記１以上の処理を実行する処理手段と、前記基板を格納する格納手段と、前記処理手段と前記格納手段とを接続し前記基板を搬送する搬送装置を有する搬送手段とを備える、基板処理装置において、前記処理手段により前記基板に実行した処理を表す情報を有する履歴情報を作成する履歴情報作成手段と、前記基板処理装置に異常が発生したか否かを判別する異常判別手段と、前記異常が発生したときに前記処理手段の処理を中止する中止手段と、前記履歴情報作成手段によって作成された履歴情報を表示する表示手段とを備え、前記搬送手段は前記異常が発生したときに前記処理手段又は前記搬送手段に存在する前記処理が中止された基板である未完了基板を前記格納手段に回収可能であり、前記表示手段は前記搬送装置により前記未完了基板が前記格納手段に回収されたときに前記履歴情報を表示することを特徴とする。
【００１８】
請求項８記載の基板処理装置は、請求項７記載の基板処理装置において、前記履歴情報は、前記中止手段が前記処理手段の処理を中止した時に、前記処理手段が実行していた処理を表す情報を有することを特徴とする。
【００１９】
上記目的を達成するために、請求項９記載の基板処理方法は、基板に実行する１以上の処理を表す情報を有する処理情報を記憶し、前記処理情報に基づいて前記基板に前記１以上の処理を実行する基板処理方法において、前記基板に実行した処理を表す情報を有する履歴情報を作成し、前記基板処理に異常が発生したか否かを判別し、前記異常が発生したときに前記基板の処理を中止し、前記異常が発生したときに前記処理が中止された基板である未完了基板を回収し、前記未完了基板が回収されたときに前記履歴情報を表示することを特徴とする。
【００２０】
上記目的を達成するために、請求項１０記載のプログラムは、基板に実行する１以上の処理を表す情報を有する処理情報を記憶し、前記処理情報に基づいて前記基板に前記１以上の処理を実行する基板処理方法を実行するプログラムにおいて、前記基板に実行した処理を表す情報を有する履歴情報を作成するモジュールと、前記基板処理に異常が発生したか否かを判別するモジュールと、前記異常が発生したときに前記基板の処理を中止するモジュールと、前記異常が発生したときに前記処理が中止された基板である未完了基板を回収するモジュールと、前記未完了基板が回収されたときに前記履歴情報を表示するモジュールとを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
請求項１記載の基板処理装置によれば、基板処理装置の異常の発生時に、残処理情報作成手段が、処理情報における異常の発生時以降に基板に実行する処理を表す異常後処理情報を有する残処理情報を作成し、未完了基板に対してこの残処理情報に基づく処理を実行するので、未完了基板の残処理を効率良く実行することができる。
【００２２】
請求項２記載の基板処理装置によれば、残処理情報は、異常の発生時に実行していた処理の直前に実行していた処理を表す直前処理情報を有するので、未完了基板の残処理において再度の異常が発生することを低減することができる。
【００２３】
請求項３記載の基板処理装置によれば、未完了基板に対して直前処理情報に基づく処理を実行した後に、異常後処理情報に基づく処理を実行するので、未完了基板の残処理において再度の異常が発生することをさらに低減することができる。
【００２４】
請求項４記載の基板処理装置によれば、残処理情報は編集可能であるので、未完了基板の状態に基づいた適切な残処理を実行することができる。
【００２５】
請求項５記載の基板処理方法によれば、基板の処理の異常の発生時に、処理情報における異常の発生時以降に基板に実行する処理を表す異常後処理情報を有する残処理情報を作成し、未完了基板に対してこの残処理情報に基づく処理を実行するので、未完了基板の残処理を効率良く実行することができる。
【００２６】
請求項６記載のプログラムによれば、基板の処理の異常の発生時に、処理情報における異常の発生時以降に基板に実行する処理を表す異常後処理情報を有する残処理情報を作成し、未完了基板に対してこの残処理情報に基づく処理を実行するので、未完了基板の残処理を効率良く実行することができる。
【００２７】
請求項７記載の基板処理装置によれば、表示手段が、基板処理装置の異常発生により搬送装置によって未完了基板が格納手段に回収されたときに、基板に実行した処理を表す情報を有する履歴情報を表示するので、表示された履歴情報を見ることにより、基板処理装置のオペレータ等は、回収された未完了基板の履歴情報を容易に知ることができ、回収された未完了基板に対してどのような残処理をする必要があるかを判断するために必要な情報等を容易、迅速、且つ的確に知ることができ、未完了基板の残処理効率を向上させることができ、未完了基板の残処理を効率良く実行することができる。
【００２８】
請求項８記載の基板処理装置によれば、履歴情報が、処理手段の処理を中止した時に処理手段が実行していた処理を表す情報を有するので、より的確な履歴情報を得ることができる。
【００２９】
請求項９記載の基板処理方法によれば、基板処理の異常発生により未完了基板が回収されたときに基板に実行した処理を表す情報を有する履歴情報を表示するので、基板処理装置のオペレータ等は、回収された未完了基板の履歴情報を容易に知ることができ、回収された未完了基板に対してどのような残処理をする必要があるかを判断するために必要な情報等を容易、迅速、且つ的確に知ることができ、未完了基板の残処理効率を向上させることができ、未完了基板の残処理を効率良く実行することができる。
【００３０】
請求項１０記載のプログラムによれば、基板処理の異常発生により未完了基板が回収されたときに基板に実行した処理を表す情報を有する履歴情報を表示するので、基板処理装置のオペレータ等は、回収された未完了基板の履歴情報を容易に知ることができ、回収された未完了基板に対してどのような残処理をする必要があるかを判断するために必要な情報等を容易、迅速、且つ的確に知ることができ、未完了基板の残処理効率を向上させることができ、未完了基板の残処理を効率良く実行することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
【００３２】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【００３３】
図１において、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置としてのプラズマ処理装置１は、アルミニウム等の導電性材料から成り、内部が基板（被処理体）としての半導体ウエハのエッチング処理を行うべく高真空に保持される処理室１１と、処理室１１内の下部に配設され且つ半導体ウエハを載置する載置台を兼ねる下部電極１２と、処理室１１内において下部電極１２の上方に配設され、後述するプロセスガスを処理室１１内に供給するシャワーヘッドを兼ねる上部電極１３と、後述する図２の制御装置４１とを備える。下部電極１２の頂部の周縁には、後述する処理室１１内で発生するプラズマＰを半導体ウエハに集束してプラズマ処理の効率を向上させるためのフォーカスリング１２ａが配設され、フォーカスリング１２ａの内側には半導体ウエハを静電吸着する図示しない静電チャックを有する。また、処理室１１は、その内部圧力を検出する圧力センサ１４を有する。
【００３４】
上部電極１３には、共通ガス配管２１を介してガス配管２２及びガス配管２３が接続されており、ガス配管２２には、流量制御装置２６を介してＣＦ系ガス等のエッチングガス供給用のエッチングガス供給源２４が接続され、また、ガス配管２３には、流量制御装置２８を介してＡｒガス等のキャリアガス供給用のキャリアガス供給源２５が接続されている。流量制御装置２６はエッチングガスの供給量を制御し、流量制御装置２８はキャリアガスの供給量を制御する。エッチングガス供給源２４から供給されたエッチングガスと、キャリアガス供給源２５から供給されたキャリアガスとは、共通ガス管２１で混合されてプロセスガスとして上部電極（シャワーヘッド）１３を介して処理室１１内に均等に分散して放出される。また、ガス配管２２にはエッチングガスの流量を検出するガス流量センサ２７が配され、ガス配管２３にはキャリアガスの流量を検出するガス流量センサ２９が配されている。
【００３５】
また、上部電極１３には、整合器１８を介して高周波電源１９が接続され、高周波電源１９は、例えば６０ＭＨｚの高周波電力を上部電極１３に印加する。上部電極１３と整合器１８の間には電気測定器２０が接続され、電気測定器２０は、上部電極１３に印加される高周波電源１９の基本周波数及び高調波の電圧、電流、位相、及びインピーダンス等の電気信号を検出する。
【００３６】
下部電極１２には、整合器１５を介して高周波電源１６が接続され、高周波電源１６は、例えば２ＭＨｚの高周波電力を下部電極１２に印加する。下部電極１２と整合器１５の間には電気測定器１７が接続され、電気測定器１７は、下部電極１２に印加される高周波電源１６の基本周波数及び高調波の電圧、電流、位相、及びインピーダンス等の電気信号を検出する。また、下部電極１２には、エッチング処理時における下部電極１２の温度及び半導体ウエハの温度を検出する温度センサ１２ｂが配されている。
【００３７】
上述のように構成されたプラズマ処理装置１は、高真空に維持された処理室１１内に供給されたプロセスガスに上部電極１３を介して、例えば６０ＭＨｚの高周波電力を作用させてＲＦ放電によりプラズマＰを生成すると共に下部電極１２を介して、例えば２ＭＨｚの高周波電力によりバイアス電位を印加して半導体ウエハに対して反応性イオンエッチング処理を行う。
【００３８】
処理室１１の側壁には、例えば石英ガラスを埋め込んだ窓３０が形成され、窓３０には、プラズマ発光分光器３１が配設されている。プラズマ発光分光器３１は、特定波長のプラズマを分光してプラズマの状態の変化を検出したり、この特定波長のプラズマの強度の変化に基づいてエッチング処理の終点を検出したりする。
【００３９】
高周波電源１６，１９、流量制御装置２６，２８、電気測定器１７，２０、ガス流量センサ２７，２９、温度センサ１２ｂ、プラズマ発光分光器３１、及び圧力センサ１４は、夫々制御装置４１に接続されている。
【００４０】
制御装置４１は、電気測定器１７，２０、ガス流量センサ２７，２９、温度センサ１２ｂ、プラズマ発光分光器３１、及び圧力センサ１４を介してエッチング処理の状況を検出し、これらの検出値に基づいて所望のエッチング処理を行うように高周波電源１６，１９、及び流量制御装置２６，２８を制御して半導体ウエハをエッチングする。
【００４１】
図２は、図１のプラズマ処理装置１における制御装置４１の概略構成を示すブロック図である。
【００４２】
図２において、制御装置４１は、処理室１１の下部電極１２上に載置された半導体ウエハに対するエッチング処理の工程等を表す情報であるプロセス・レシピ（処理情報）を記憶する大容量のＨＤＤ（ハードディスクドライブ）等の記憶装置４５と、記憶装置４５に記憶されたプロセス・レシピに基づきＲＯＭ４３やＲＡＭ４４を用いて半導体ウエハに対するエッチング処理を制御するＣＰＵ４２（異常判別手段，残処理情報作成手段）とを備える。本実施の形態において、プロセス・レシピは、第１安定工程、第１エッチング処理工程、第１終点工程、第２安定工程、第２エッチング処理工程、第２終点工程、及び終了工程の順で各工程を含むエッチング処理工程を表す情報であり（図３（ａ））、各工程は所定の時間間隔ｔ１〜ｔ７に夫々設定されている（図３（ｂ））。各工程の時間間隔は、ｔ１が３０秒、ｔ２が６０秒、ｔ３が１０秒、ｔ４が１０秒、ｔ５が２０秒、ｔ６が１０秒、ｔ７が１０秒とする（図３（ｃ））。
【００４３】
プロセス・レシピにおいて、安定工程は、続くエッチング処理工程において半導体ウエハにエッチング処理を実行するために、処理室１１内の状態を整える工程であり、終点工程は、直前のエッチング工程におけるエッチング処理実行後の処理室１１内の状態を整える工程であり、終了工程は、全てのエッチング処理が実行された半導体ウエハ（完了半導体ウエハ）を処理室１１外に搬出するために処理室１１内の状態を整えたり、完了半導体ウエハを処理室１１外に搬出したりする工程である。
【００４４】
ＣＰＵ４２は、電気測定器１７，２０、ガス流量センサ２７，２９、温度センサ１２ｂ、プラズマ発光分光器３１、及び圧力センサ１４を介して検出された半導体ウエハのエッチング処理状況を検知して、高周波電源１６，１９、及び流量制御装置２６，２８を制御することにより、記憶装置４５に記憶されたプロセス・レシピに基づいたエッチング処理を実行する。また、ＣＰＵ４２は、電気測定器１７，２０、ガス流量センサ２７，２９、温度センサ１２ｂ、プラズマ発光分光器３１、及び圧力センサ１を介して検出された半導体ウエハのエッチング処理状況を認識して、半導体ウエハのエッチング処理状況等を表すプロセス・ログを記憶装置４５に記憶する。
【００４５】
また、制御装置４１は、記憶装置４５にプロセス・レシピを入力することができ、記憶装置４５に記憶されたプロセス・レシピを編集することができると共に、記憶装置４５に記憶されたプロセス・レシピ及びプロセス・ログを所定の記憶媒体等に夫々出力することができる入出力装置４６と、記憶装置４５に記憶されたプロセス・レシピ及びプロセス・ログ等を表示する表示装置４７と、プラズマ処理装置１に故障やプロセス異常等の何らかの異常が発生した際に、プラズマ処理装置１のオペレータ等に警報を発する警報装置４８とを備える。
【００４６】
プラズマ処理装置１に故障やプロセス異常等の何らかの異常が発生する等、半導体ウエハのエッチング処理の継続ができないとＣＰＵ４２が判断すると、ＣＰＵ４２は、半導体ウエハに対するエッチング処理を途中で中止し、警報装置４８を介してオペレータ等に異常を知らせる。次いで、ＣＰＵ４２は、後述する方法により途中までエッチング処理が実行された未完了半導体ウエハに対して、中止された以降のエッチング処理を行うための後述する図４の残処理レシピ作成処理及び図６の残処理を実行する。
【００４７】
以下、プラズマ処理装置１の実行する未完了半導体ウエハに対する残処理について詳細に説明する。
【００４８】
図４は、図１のプラズマ処理装置１の実行する残処理レシピ作成処理のフローチャートである。
【００４９】
残処理レシピ作成処理は、プラズマ処理装置１における制御装置４１のＣＰＵ４２が実行する。
【００５０】
図４において、例えば図３（ｃ）に示すように、第２エッチング処理工程開始後５秒後（異常点Ａ）に、プラズマ処理装置１に故障やプロセス異常等の何らかの異常が発生したことを検知すると（ステップＳ１）、処理室１１におけるエッチング処理を中止し（ステップＳ２）、警報装置４８から警報を発する（ステップＳ３）。次いで、未完了半導体ウエハの残処理工程を表す情報である残処理レシピを作成するか否かを判別する（ステップＳ４）。
【００５１】
オペレータ等は所定の方法により、例えば入出力装置４６に対する所定の操作により残処理レシピの作成を実行させる否かを選択でき、このオペレータの選択に基づいてステップＳ４における判別が行われる。オペレータは、ステップＳ３の警報の原因を調べ、例えば容易に解消できない異常であれば、残処理レシピの作成を選択し、一方、例えば容易に解消できる異常のときは、異常を解消した後に未完了半導体ウエハのエッチング処理を再実行させるために、また、例えば未完了半導体ウエハの損傷がひどい場合等、これに再実行や残処理をしたとしても製品として使えないときは未完了半導体ウエハを破棄するために再処理レシピの作成を選択しない。
【００５２】
ステップＳ４において、残処理レシピを作成しないと判別すると、本処理を終了する。
【００５３】
オペレータは、異常が解消した後に、入出力装置４６に対する所定の操作により、残処理レシピを作成しないと選択した未完了ウエハ（ステップＳ４でＮＯ）に対してエッチング処理を再実行させることができる。エッチング処理は、プロセス・レシピが異常点Ａで止まっている状態であるので（ステップ２）、上記再実行は、プロセス・レシピを異常点Ａから実行することにより行われる。また、再実行しない場合には、未完了半導体ウエハは、処理室１１内から取り出されて、次いでプラズマ処理装置１は、新たな半導体ウエハのエッチング処理を開始する。
【００５４】
一方、ステップＳ４において、残処理レシピを作成すると判別すると、記憶装置４５に記憶されたこの未完了半導体ウエハのプロセス・ログと、記憶装置４５に記憶されたこの未完了半導体ウエハに対して実行していたエッチング処理のプロセス・レシピとを比較して（ステップＳ５）、プロセス・レシピの異常点Ａ以降のエッチング処理工程情報を表すプロセス・レシピ（異常後処理情報）、すなわち、開始から５秒以降の第２エッチング処理工程、第２終点工程、及び終了工程から成るプロセス・レシピを作成し（ステップＳ６）、このプロセス・レシピの先頭に異常点Ａを含む工程の直前の安定工程を表す情報（直前処理情報）、すなわち、第２安定工程を表す情報を付加して残処理レシピ（図５）を作成し（ステップＳ７）、残処理レシピに所定の名前を付与し（ステップＳ８）、記憶装置４５に記憶された未完了半導体ウエハのプロセス・ログに残処理レシピの名前を記録し（ステップＳ９）名前と対応付けて残処理レシピを記憶装置４５に記憶させて（ステップＳ１０）、本処理を終了する。
【００５５】
オペレータは、入出力装置４６に対する所定の操作により、残処理レシピの名前として任意の名前を入力することができ、ステップＳ８において、この入力された名前が残処理レシピの名前として付与される。残処理レシピの名前は、例えば未完了半導体ウエハに対応するロードポート番号やスロット番号を含み、未完了半導体ウエハと関連付けできる。また、オペレータは、入出力装置４６に対する所定の操作により、記憶装置４５記憶された残処理レシピを所定の記憶媒体に記憶させることができる。
【００５６】
作成された残処理レシピは、オペレータが入出力装置４６に対して所定の操作を行うことにより、その内容をプロセス・レシピと同様に編集することができ、膜厚計などにより未完了半導体ウエハの膜厚を測定して、この測定結果の基づいて残処理プロセスの第２エッチング工程の時間ｔ５ａ（１５秒）や、第２エッチング工程の直前の工程、すなわち、第２安定工程を任意に変更することにより、未完了半導体ウエハの膜厚に適したエッチング処理を行わせることができる。
【００５７】
尚、ステップＳ４において、残処理レシピを作成すると判別すると、プラズマ処理装置１は、未完了半導体ウエハを処理室１１内から搬出し、新たな半導体ウエハのエッチング処理を開始する。図４の残処理レシピ作成処理は半導体ウエハ毎に実行されるので、残処理レシピ作成処理（ステップＳ５〜Ｓ１０）の実行の間、プラズマ処理装置１は新たな半導体ウエハのエッチング処理を行うことができる。オペレータは、図６で後述する残処理を行うべく、未完了半導体ウエハを所定の方法で保管する。
【００５８】
図６は、図１のプラズマ処理装置１の実行する残処理のフローチャートである。
【００５９】
通常の半導体ウエハと区別無く、上記回収された未完了半導体ウエハをプラズマ処理装置１の図示しないスロットに格納し、入出力装置４６に対して所定の操作を行うことにより、プラズマ処理装置１がこれらの格納された半導体ウエハに対して、夫々対応するプロセス・レシピに基づく処理を行うように設定する。これにより、プラズマ処理装置１は、記憶装置４５に記憶された所定のプログラムに基づき、スロットに格納された各半導体ウエハに対して対応するプロセス・レシピに基づくエッチング処理を夫々実行し、未完了半導体ウエハに対して対応する残処理レシピに基づく後述する図６の残処理を実行する。
【００６０】
残処理は、未完了半導体ウエハプラズマ処理装置１が、各半導体ウエハにプロセス・レシピに基づいてエッチング処理を始めると開始される。残処理は、プラズマ処理装置１における制御装置４１のＣＰＵ４２が実行する。
【００６１】
まず、未完了半導体ウエハが処理される順番であるか否かを判別する（ステップS２１）。ステップS２１において、未完了半導体ウエハが処理される順番ではないと判別すると、本処理を終了する。一方、ステップS２１において、未完了半導体ウエハが処理される順番であると判別すると、記憶装置４５においてこの未完了半導体ウエハに対応する残処理レシピを検索する（ステップS２２）。次いで、ステップS２２において検索された対応する残処理レシピに基づいて未完了半導体ウエハに対して残処理を実行し（ステップS２３）、本処理を終了する。
【００６２】
上述のように、本発明の第１の実施の形態に係るプラズマ処理装置１は、エッチング処理工程中に、プラズマ処理装置１に故障やプロセス異常等の何らかの異常が発生したことを検知すると（ステップＳ１）、未完了半導体ウエハの残処理工程を表す情報である残処理レシピ（図５）を作成して（ステップS６）、残処理レシピを記憶装置４５に記憶させるので（ステップＳ１０）、オペレータが手作業で残処理レシピを作成する必要がなく、オペレータの誤作業とにより残処理レシピが不適切なものとなることがなく、未完了半導体ウエハの残処理に要する時間を短縮できると共に、残処理された半導体ウエハの良品率を高くすることができ、もって未完了半導体ウエハの残処理を効率良く実行できる。
【００６３】
プラズマ処理装置１は、未完了半導体ウエハに対して実行していたエッチング処理のプロセス・レシピの異常点以降の処理工程を表す情報の先頭に、異常点を含む工程の直前の安定工程を付加した情報を残処理レシピとして作成するので、未完了半導体ウエハの残処理において、プロセス・レシピの異常点から処理を実行することがなく、安定工程を経た後に異常点以降の処理を実行することができ、もって再度の異常の発生を防止して、未完了半導体ウエハの残処理を効率良く実行できる。
【００６４】
プラズマ処理装置１は、作成した残処理レシピを記憶装置４５に記憶するので、プラズマ処理装置１に何らかの異常が発生した場合に、未完了半導体ウエハを処理室１１内から取り除いて新たな半導体ウエハのエッチング処理を実行することができ、半導体ウエハのエッチング処理を効率良く実行できる。
【００６５】
プラズマ処理装置１は、エッチング処理工程中に、プラズマ処理装置１に故障やプロセス異常等の何らかの異常が発生したことを検知すると（ステップＳ１）、オペレータの選択に基づいて未完了半導体ウエハの残処理レシピを作成するか否かを判別する（ステップＳ４）ので、無駄な残処理レシピの作成を防止することができる。
【００６６】
プラズマ処理装置１により作成された残処理レシピは、入出力装置４６を用いて編集可能なので、プラズマ処理装置１による未完了半導体ウエハに対する残処理を適切なものにできる。
【００６７】
本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置はプラズマ処理装置１であるが、基板処理装置はこれに限るものではなく、例えば他の基板処理装置、例えば、スパッタリング処理装置、ＣＶＤ処理装置、塗布処理装置、及び熱処理装置などであってもよい。基板処理装置が塗布処理装置である場合、塗布工程途中で装置が停止したときに、塗布工程の直前で行われる加熱工程を安定工程として設定することで、上述の本実施の形態と同様の処理を行うことが可能となる。また、基板（被処理体）は、半導体ウエハに限らず、ＦＰＤ用のガラス基板などであってもよい。
【００６８】
図７は、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【００６９】
図７において、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置としてのプラズマ処理システム２はタンデム型であり、半導体ウエハＷにエッチング処理を実行する第１処理ユニット５１及び第２処理ユニット５２と、被処理体搬出入ステージ５３と、フープ台５４とを備える。
【００７０】
第１処理ユニット５１は、半導体ウエハＷにエッチング処理を行う図１のプラズマ処理装置１と、気密に開閉可能なゲート弁５５を介してプラズマ処理装置１の処理室１１に接続されて半導体ウエハＷを処理室１１に搬出入する搬送室５６と、気密に開閉可能なゲート弁５７を介して搬送室５６に接続されて半導体ウエハＷを搬送室５６に搬出入するロードロック室５８とを備える。第２処理ユニット５２は第１処理室５１と同一構造であるので説明を省略する。
【００７１】
搬送室５６は、残留物等のパージ及び真空排気可能に構成されており、搬送室５６の内部には、処理室１１及びロードロック室５８と搬送室５６との間で半導体ウエハＷの搬出入を行う、例えば、屈伸及び旋回可能な多関節構造の搬送アーム５９が設けられている。また、搬送アーム５９の先端に設けられて半導体ウエハＷを載置可能な載置台６０には、載置台６０に半導体ウエハＷが載置されているか否かを検出可能なウエハ検出センサ６１が配設されている。
【００７２】
ロードロック室５８は、残留物のパージ及び真空排気可能に構成されており、内部には、半導体ウエハＷを載置可能な受渡台６２が設けられている。受渡台６２には、受渡台６２に半導体ウエハＷが載置されているか否かを検出可能なウエハ検出センサ６３が設けられている。
【００７３】
被処理体搬出入ステージ５３は、第１処理ユニット５１及び第２処理ユニット５２の各ロードロック室５８と、気密に開閉可能に構成されたゲート弁６４を介して接続されており、被処理体搬出入ステージ５３は一方の端部に、内部に回転載置台７３と半導体ウエハＷの周縁部を光学的に検出する光学センサ７４とを有する位置合室７２を備える。位置合室７２は半導体ウエハＷのオリエンテーションフラットやノッチ等を光学センサ７４により検出して回転載置台７３により半導体ウエハＷを回転させて所定の位置に位置合わせを行う。また、回転載置台７３には、回転載置台７３上に半導体ウエハＷが載置されているか否かを検出するウエハ検出センサ７５が配設されている。
【００７４】
また、被処理体搬出入ステージ５３は、その長手方向に配置された図示しない案内レールに沿って移動可能に構成された搬送アーム６５が配設されており、搬送アーム６５は例えば、別々に駆動されるウエハ搬送用の多関節フォーク６６，６７を備え、多関節フォーク６６，６７は屈伸及び旋回可能に構成されている。また、搬送アーム６５は、多関節フォーク６６，６７の先端に半導体ウエハＷを把持可能なアーム６８，６９を夫々備え、アーム６８，６９には、アーム６８，６９に半導体ウエハＷが把持されているか否かを検出可能なウエハ検出センサ７０，７１が夫々設けられている。
【００７５】
搬送アーム６５は、後述するフープ台５４のフープ７６に収容された半導体ウエハＷを、位置合室７２の回転載置台７３、及びロードロック室５８の受渡台６２上に搬送可能であり、また、受渡台６２上に載置された半導体ウエハＷを回転載置台７３上、及びフープ７６内に搬送可能である。
【００７６】
フープ台５４は、被処理体搬出入ステージ５３の側面に連結されており、内部に半導体ウエハＷを例えば、２５枚収容可能であって開閉可能に蓋体が設けられたフープ７６が載置される。
【００７７】
ウエハ検出センサ６１，６３，７０，７１，及び７５は、例えば、公知のピックアップセンサから成る。
【００７８】
搬送室５６の搬送アーム５９やウエハ検出センサ６１、ロードロック室５８のウエハ検出センサ６３、ゲート弁５５，５７，及び６４、被処理体搬出入ステージ５３の搬送アーム６５やウエハ検出センサ７０，７１や位置合室７２の回転載置台７３や光学センサ７４やウエハ検出センサ７５等は、図１の制御装置４１に電気的に接続されており、搬送アーム５９，６５、ゲート弁５５，５７，及び６４、及び回転載置台７３等は制御装置４１により制御され、ウエハ検出センサ６１，６３，７０，７１，及び７５、及び光学センサ７４の検出信号は、制御装置４１に受信される。
【００７９】
次いで上記プラズマ処理システム２において実行される処理動作について説明する。プラズマ処理システム２の処理動作は、記憶装置４５に予め記憶されているプロセス・レシピに基づいてＣＰＵ４２が各装置を制御することに実行される。
【００８０】
図７において矢印線Ｘ１は半導体ウエハＷの搬送経路を示す。まず、搬送アーム６５の一方の多関節フォーク、例えば多関節フォーク６６が所定のフープ７６、例えばフープ７６ａに収納された未処理の半導体ウエハＷを取り出して位置合室７２の回転載置台７３上に載置する。回転載置台７３に載置された半導体ウエハＷは、回転載置台７３が光学センサ７４の検知信号に基づいて回転することにより所定の位置に位置合わせされ、該位置合わせされた半導体ウエハＷは多関節フォーク６６によって搬送されて、大気圧に復帰されているロードロック室５８内の受渡台６２上に載置される。
【００８１】
次いで、ゲート弁６４が閉鎖してロードロック室５８内を密閉し、ロードロック室５８内を所定の圧力まで真空引きした後に、ゲート弁５７を開放して、予め真空状態になされている搬送室５６とロードロック室５８とを連通し、また、ゲート弁５５が開放して、予め真空状態になされているプラズマ処理装置１の処理室１１内と搬送室５６とが連通し、搬送室５６内の搬送アーム５９を用いて受渡台６２上に載置されている半導体ウエハＷを処理室１１内の下部電極１２上に載置する。
【００８２】
次いで、ゲート弁５５が閉鎖し、処理室１１内でプロセス・レシピに基づいて半導体ウエハＷにエッチング処理を実行する。エッチング処理が終了すると、処理室１１内の残留処理ガスを排気した後にゲート弁５５が開放し、搬送アーム５９が処理室１１から半導体ウエハＷを取り出してロードロック室５８の受渡台６２上に載置し、ゲート弁５５が閉鎖する。
【００８３】
次いで、ゲート弁５７が閉鎖した後に、ロードロック室５８内で残留物のパージを行い、ロードロック室５８内を大気圧に復帰させ、ゲート弁６４が開放してロードロック室５８と被処理体搬出入ステージ５３とが連通する。搬送アーム６５の多関節フォーク６６が受渡台６２上の処理済みの半導体ウエハＷを所定のフープ７６、例えばフープ７６ａ内へ収容し、プラズマ処理システム２の一連の処理動作が終了する。
【００８４】
上記プラズマ処理システム２の一連の処理動作は、プロセス・レシピに従ってフープ７６に収納されている未処理の半導体ウエハに対して順次実行される。
【００８５】
プラズマ処理システム２の半導体ウエハＷへの上述の処理実行中、制御装置４１は、ＣＰＵ４２によりプロセス・レシピ及びウエハ検出センサ６１，６３，７０，７１，及び７５の検出信号等に基づいて、半導体ウエハＷに対して実行した処理（処理履歴）を表わす情報（履歴情報）であるプロセス・ログを逐次作成して記憶装置４５に記憶する。
【００８６】
上記プラズマ処理システム２において、半導体ウエハＷの処理中に故障やプロセス異常等何らかの異常が発生すると、ＣＰＵ４２は半導体ウエハに対する処理を途中で中止する。処理が中止されてオペレータがプラズマ処理システム２の電源を切り、再度電源を入れてプラズマ処理システム２を再起動させると、プラズマ処理システム２の制御装置４１等が初期化される。次いで、ＣＰＵ４２は、記憶装置４５に記憶されたプロセス・ログと、ウエハ検出センサ６１，６３，７０，７１，及び７５の検出信号とにより、プラズマ処理装置１の処理室１１、未完載置台６０、受渡台６２、搬送アーム６５のアーム６８，６９、回転載置台７３に未完了半導体ウエハが存在するか否かを検出する。
【００８７】
即ち、ＣＰＵ４２は、プロセス・ログからプラズマ処理システム２が処理中止時に実行していた処理（中止時処理）を検出し、該検出した中止時処理と検出信号の送信元ウエハ検出センサとが対応している場合は、未完了半導体ウエハが、プラズマ処理システム２の搬送室５６、ロードロック室５８、又は被処理体搬出入ステージ５３内（搬送路内）に存在すると検出する。
【００８８】
また、ウエハ検出センサ６１，６３，７０，７１，及び７５から検出信号を受信せず、検出した中止時処理が処理室１１内でのエッチング処理である場合は、未完了半導体ウエハは処理室１１内に存在すると検出する。
【００８９】
検出した中止時処理と検出信号の送信元ウエハ検出センサとが対応していない場合、搬送路内の未完了半導体ウエハの存在の検出が不能と判断し、ウエハ検出センサ６１，６３，７０，７１，及び７５から検出信号を受信せず、検出した中止時処理が処理室１１内でのエッチング処理でない場合は、搬送路内及び処理室１１内に未完了半導体ウエハは存在しないと判断する。また、ウエハ検出センサ６１，６３，７０，７１，及び７５の故障や、記憶装置４６の故障等により検出信号を受信できないときやプロセス・ログの検出ができないときは、搬送路内及び処理室１１内の未完了半導体ウエハの存在の検出が不能と判断する。
【００９０】
プラズマ処理システム２の搬送路内又は処理室１１内に未完了半導体ウエハが存在するときは、後述する方法により所定のフープ７６に未完了半導体ウエハが回収される。また、搬送路内又は処理室１１内に未完了半導体ウエハが存在しないときは、プラズマ処理システム２は、プロセス・レシピに従ってフープ７６内の半導体ウエハに対して新たに処理を開始する。
【００９１】
上述したプラズマ処理システム２の初期化後に搬送路内又は処理室１１内に未完了半導体ウエハが存在すると検出された場合の未完了半導体ウエハのフープ７６への回収方法としては、例えば、未完了半導体ウエハが処理開始前に収容されていたフープ７６に未完了半導体ウエハを回収する方法（元フープ回収）、未完了半導体ウエハが処理開始前に収容されていたフープ７６に拘らず、未完了ウエハを予め設定された所定の順番、例えば、フープ７６ａ、フープ７６ｂ、フープ７６ｃ、フープ７６ｄの順番で半導体ウエハを収納する空きを有するフープ７６に未完了半導体ウエハを回収する方法（空フープ回収）がある。
【００９２】
搬送路内及び処理室１１内の未完了半導体ウエハの存在の検出が不能と判断された場合、又は搬送路内及び処理室１１内に未完了半導体ウエハは存在しないと判断された場合であって、搬送路内又は処理室１１内に実際は未完了半導体ウエハが存在している場合の未完了半導体ウエハのフープ７６への回収方法としては、搬送アーム５９が処理室１１内、搬送室５６内、及びロードロック室５８内を、搬送アーム６５がロードロック室５８内及び位置合室７２内を移動することにより、ウエハ検出センサ６１，７０，及び７１が処理室１１内、搬送室５６内、ロードロック室５８内、及び位置合室７２内に未完了半導体ウエハが存在するか否かを検出し、処理室１１内、搬送室５６内、ロードロック室５８内、及び位置合室７２内に未完了半導体ウエハが存在すると検出された場合、未完了半導体ウエハが処理開始前に収容されていたフープ７６に拘らず、予め設定された所定の順番、例えば、フープ７６ａ、フープ７６ｂ、フープ７６ｃ、フープ７６ｄの順番で半導体ウエハを収納する空きを有するフープ７６に未完了半導体ウエハを回収する方法（探り回収）がある。
【００９３】
上記元フープ回収、空フープ回収、及び探り回収の選択は、プラズマ処理システム２の初期化後に、制御装置４１の表示装置４７に表示される図示しない回収方法選択画面においてオペレータが入出力装置４６に対して所定の操作を行うことによりなされる。また、各回収方法において対応するフープ７６に半導体ウエハを収容する空きがない場合は、表示装置４７にエラー画面が表示され、未完了半導体ウエハの回収はできない。
【００９４】
上記各方法により未完了半導体ウエハが所定のフープ７６に回収されると、制御装置４１は、回収された未完了半導体ウエハの履歴情報を表示装置４７に表示する、履歴情報表示処理を実行する。
【００９５】
未完了半導体ウエハがフープ７６に回収されると、履歴情報を表示したい未完了半導体ウエハが回収されたフープ７６を選択する、図示しないフープ選択画面が表示される。例えば、未完了半導体ウエハがフープ７６ａに回収された場合であって、フープ選択画面においてオペレータが所定の操作によりフープ７６ａを選択すると、フープ７６ａに収容されている半導体ウエハの収容状況を表わすウエハ収容状況画面（図８）が表示される。
【００９６】
ウエハ収容状況画面は、図８に示すように、フープ選択画面において選択されたフープ名（フープ７６ａ）と、２５行、３列のセルとが表示されており、一列目には表示装置４７の下方から１〜２５のシリアル番号が付されており、シリアル番号１〜２５は、半導体ウエハが収容される２５個の段（ウエハ収容段）をフープ７６の底部から順番に示すものである。
【００９７】
シリアル番号の横の２列目は、半導体ウエハの収容状況を表わすウエハ収容状況表示セルである。ウエハ収容状況表示セルにおいて、プラズマ処理装置１における処理が終了して所定のフープに収容された完了半導体ウエハが収容されているウエハ収容段に対応するセル、未完了半導体ウエハが収容されているウエハ収容段に対応するセル、及び完了半導体ウエハ及び未完了半導体ウエハのいずれも収容されていないウエハ収容段に対応するセルが、模様、色彩等により分類されて表示されている。図８においては、斜線が表示されたセルは完了半導体ウエハが収容されているウエハ収容段を、横線が表示されたセルは未完了半導体ウエハが収容されているウエハ収容段を、ブランクであるセルは完了半導体ウエハ及び未完了半導体ウエハのいずれも収容されていないウエハ収容段を表わす。即ち、図８のウエハ収容状況画面は、シリアル番号１〜２２までのウエハ収容段には完了半導体ウエハが収容されており、シリアル番号２３のウエハ収容段には未完了半導体ウエハが収容されており、シリアル番号２４，２５のウエハ収容段には完了半導体ウエハ及び未完了半導体ウエハのいずれも収容されていないことを表わしている。
【００９８】
収容状況表示セルの横の列は、各ウエハ収容段に収容された完了半導体ウエハ及び未完了半導体ウエハのウエハＩＤを示す、ウエハＩＤ表示セルである。ウエハＩＤは、半導体ウエハの処理前にオペレータによって付されるＩＤであり、例えば、処理前にフープ７６に収納された半導体ウエハに対してオペレータが入出力装置４６に対して所定の操作をすることにより設定される。図８のウエハ収容状況表示画面は、シリアル番号１〜２３のウエハ収容段に収容された完了半導体ウエハ及び未完了半導体ウエハのウエハＩＤが、シリアル番号１のウエハ収容段に収容された完了半導体ウエアから順に、７６ａ−１，７６ａ−２，・・・・，７６ａ−２２，７６ａ−２３であることを表わしている。
【００９９】
ウエハ収容状況画面において、オペレータが入出力装置に対して所定の操作を行って履歴情報を表示したい半導体ウエハを選択することにより、半導体ウエハの履歴情報を表示する履歴情報画面（図９）が表示される。本実施の形態においては、例えば、入出力装置４６によってウエハ収容状況画面に表示されたアイコンを操作してシリアル番号２３を選択することによりシリアル番号２３のウエハ収容段に収容された未完了半導体ウエアの履歴情報を表わす履歴情報画面が表示される。
【０１００】
履歴情報画面は、図９に示すように、フープ選択画面において選択されたフープ名（フープ７６ａ）と、ウエハ収容状況画面において選択されたウエハ収容段のシリアル番号（シリアル番号２３）と、ウエハ収容状況画面において選択されたウエハ収容段に収容された未完了半導体ウエハの履歴表を表示する。履歴表は、第１の列に示された処理番号と、第２の列に示されて、プラズマ処理システム２において実行された各処理を表わすために半導体ウエハが通過した各装置を表示したロケーション情報と、各装置に搬入・搬出された時間を表わす経過時間とから成る。また、履歴表において、未完了半導体ウエハに対するプラズマ処理システム２での処理開始時間をＳＴＡＲＴＴＩＭＥ：Ｔ１として表示し、プラズマ処理システム２に何らかの異常が発生して処理が途中で中止された時を、処理番号が７、ロケーション情報が搬送室、経過時間がＳＴＯＰＴＩＭＥ：Ｔ１１として表示している。
【０１０１】
図９において、シリアル番号２３のウエハ収容段に収容された未完了半導体ウエハは、フープ７６ａに収容されていた半導体ウエハであり、プロセス・レシピに基づいてフープ７６ａから取り出され、位置合室７２に搬入されて位置合わせ処理が実行された後、第１処理ユニット５１内に搬入され、プラズマ処理装置１においてエッチング処理が終了し、搬送アーム５９により処理室１１からロードロック室５８へ搬送される際に、搬送室５６内を搬送されている途中でプラズマ処理システム２に何らかの異常が発生して処理を中止し、再起動、初期化されてフープ７６ａに回収（元フープ回収）された未完了半導体ウエハであり、未完了半導体ウエハへの処理は、時間Ｔ１に開始されて時間Ｔ１１に中止されたものである。
【０１０２】
尚、履歴情報画面は、図９に示すものに限られず、例えば、図１０に示すように、フープ７６ａ〜７６ｄのうち処理開始前に半導体ウエハが収容されていたフープ７６と、プラズマ処理システム２の概略形状を表わす装置図８１と、装置図８１の上に回収された半導体ウエハに実行された処理の経路を表わす経路線８２と、処理を中止した時に半導体ウエハが存在していた場所表わす停止位置８３と、経路線８２に沿って示されてプラズマ処理システム２の各装置において処理が実行された時間を表わす経過時間８４とを示したものであってもよい。
【０１０３】
図１０において、シリアル番号２３のウエハ収容段に収容された未完了半導体ウエハは、図９と同様に、フープ７６ａに収容されていた半導体ウエハであり、プロセス・レシピに基づいてフープ７６ａから取り出され、位置合室７２に搬入されて位置合わせ処理が実行された後、第１処理ユニット５１内に搬入され、プラズマ処理装置１においてエッチング処理が終了し、搬送アーム５９により処理室１１からロードロック室５８へ搬送される際に、搬送室５６内を搬送されている途中でプラズマ処理システム２に何らかの異常が発生して処理を中止し、再起動、初期化されてフープ７６ａに回収（元フープ回収）された未完了半導体ウエハであり、未完了半導体ウエハへの処理は、時間Ｔ１に開始されて時間Ｔ１１に中止されたものである。
【０１０４】
以下、本実施の形態に係るプラズマ処理システム２の実行する履歴情報表示処理について説明する。本処理は制御装置４１のＣＰＵ４２によって実行される。
【０１０５】
図１１は、図７のプラズマ処理システム２の実行する履歴情報表示処理のフローチャートである。
【０１０６】
履歴情報表示処理は、制御装置４１のＣＰＵ４２によって実行され、プラズマ処理システム２に何らかの異常が発生して半導体ウエハに対する処理が途中で中止され、プラズマ処理システム２が再起動されて初期化された後、上述のオペレータの所定の操作により未完了半導体ウエハがフープ７６に回収されると、図１１のステップＳ３１以下が実行される。
【０１０７】
まず、表示装置４７にフープ選択画面を表示し（ステップＳ３１）、フープ選択画面においてオペレータの所定の操作により選択されたフープ７６ａ〜７６ｄのいずれかのフープ７６を表すフープ選択信号を受信したか否かの判別を、フープ選択信号を受信するまで繰り返す（ステップＳ３２）。
【０１０８】
フープ選択信号を受信したと判別した場合は、表示装置４７にウエハ収容状況画面（図８）を表示し（ステップＳ３３）、ウエハ収容状況画面においてオペレータの所定の操作により選択された半導体ウエハを表わすウエハ選択信号を受信したか否かの判別を、ウエハ選択信号を受信するまで繰り返す（ステップＳ３４）。
【０１０９】
ウエハ選択信号を受信したと判別した場合は、表示装置４７に履歴情報画面（図９）を表示して（ステップＳ３５）、本処理を終了する。
【０１１０】
上述のように、本発明の第２の実施の形態によれば、図９の履歴情報画面を見ることにより、オペレータは、回収された未完了半導体ウエハの履歴情報を容易に知ることができ、回収された未完了半導体ウエハに対してどのような残処理をする必要があるかを判断するために必要な情報等を容易、迅速、且つ的確に知ることができ、未完了半導体ウエハの残処理効率を向上させることができ、未完了半導体ウエハの残処理を効率よく実行することができる。
【０１１１】
尚、本第２の実施の形態において、プラズマ処理システム２の異常発生による処理中止後の初期化後に表示装置４７に表示される回収方法選択画面において、上記本第１の実施の形態に係る残処理レシピ作成処理を実行可能にしてもよく、また、未完了半導体ウエハの回収後に残処理レシピ作成処理を実行可能にしてもよい。
【０１１２】
本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置は、プラズマ処理装置１を備えるプラズマ処理システムであるが、基板処理装置はこれに限るものではなく、例えば他の基板処理装置、例えば、スパッタリング処理装置、ＣＶＤ処理装置、イオン注入処理装置、アッシング処理装置、塗布処理装置、及び熱処理装置などを備えるスパッタリング処理システム、ＣＶＤ処理システム、イオン注入処理システム、アッシング処理システム、塗布処理システム、及び熱処理システムなどであってもよい。また、基板（被処理体）は、半導体ウエハに限らず、ＦＰＤ用のガラス基板などであってもよい。
【０１１３】
また、本実施の形態に係る基板処理装置は、タンデム型のプラズマ処理システム２であるが、基板処理装置はタンデム型に限らず、図１２に示すようなクラスタ型のプラズマ処理システムであってもよい。
【０１１４】
図１２に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置の他の例としてのプラズマ処理システム３は、クラスタ型であり、半導体ウエハＷに対して成膜処理、拡散処理、エッチング処理等の各種処理を行う処理ユニット９１と、被処理体搬出入ステージ９２と、フープ台９３とを備える。
【０１１５】
処理ユニット９１は、半導体ウエハＷに対して成膜処理、拡散処理、エッチング処理等の各種の処理或いは同種の処理を行う４つの処理室９４ａ，９４ｂ，９４ｃ，９４ｄと、気密に開閉可能なゲート弁９５ａ，９５ｂ，９５ｃ，９５ｄを介して処理室９４ａ〜９４ｄに夫々接続されて半導体ウエハＷを処理室９４ａ〜９４ｄに搬出入する搬送室９６と、気密に開閉可能なゲート弁９７ａ，９７ｂを介して搬送室９６に夫々接続されて半導体ウエハＷを搬送室９６に搬出入するロードロック室９８ａ，９８ｂとを備える。各処理室９４ａ〜９４ｄ内には、半導体ウエハＷを載置するためのサセプタ９８ａ，９８ｂ，９８ｃ，９８ｄが夫々設けられている。
【０１１６】
搬送室９６は、残留物等のパージ及び真空排気可能に構成されており、搬送室９６の内部には、処理室９４ａ〜９４ｄ及びロードロック室９８ａ，９８ｂと搬送室９６との間で半導体ウエハＷの搬出入を行う、例えば、屈伸及び旋回可能な多関節構造の搬送アーム９９が設けられている。また、搬送アーム９９の先端に設けられて半導体ウエハＷを載置可能な載置台１００には、載置台１００に半導体ウエハＷが載置されているか否かを検出可能なウエハ検出センサ１０１が配設されている。
【０１１７】
ロードロック室９８ａ，９８ｂは、残留物のパージ及び真空排気可能に構成されており、内部には、半導体ウエハＷを載置可能な受渡台１０２ａ，１０２ｂが夫々設けられている。受渡台１０２ａ，１０２ｂには、受渡台１０２ａ，１０２ｂに半導体ウエハＷが載置されているか否かを検出可能なウエハ検出センサ１０３ａ，１０３ｂが夫々設けられている。
【０１１８】
被処理体搬出入ステージ９２は、処理ユニット９１のロードロック室９８ａ，９８ｂと、気密に開閉可能に構成されたゲート弁１０４ａ，１０４ｂを介して接続されており、被処理体搬出入ステージ９２は一方の端部に、内部に回転載置台１０６と半導体ウエハＷの周縁部を光学的に検出する光学センサ１０７とを有する位置合室１０５を備える。位置合室１０５は半導体ウエハＷのオリエンテーションフラットやノッチ等を光学センサ１０７により検出して回転載置台１０６により半導体ウエハＷを回転させて所定の位置に位置合わせを行う。また、回転載置台１０６には、回転載置台１０６上に半導体ウエハＷが載置されているか否かを検出するウエハ検出センサ１０８が配設されている。
【０１１９】
また、被処理体搬出入ステージ９２は、その長手方向に配置された図示しない案内レールに沿って移動可能に構成された搬送アーム１０９が配設されており、搬送アーム１０９は例えば、ウエハ搬送用の多関節フォーク１１０を備え、多関節フォーク１１０は屈伸及び旋回可能に構成されている。また、搬送アーム１０９は、多関節フォーク１１０の先端に半導体ウエハＷを把持可能なアーム１１１を備え、アーム１１１には、アーム１１１に半導体ウエハＷが把持されているか否かを検出可能なウエハ検出センサ１１２が設けられている。
【０１２０】
搬送アーム１０９は、後述するフープ台９３のフープ１１３に収容された半導体ウエハＷを、位置合室１０５の回転載置台１０６、及びロードロック室９８ａ，９８ｂの受渡台１０２ａ，１０２ｂ上に搬送可能であり、また、受渡台１０２ａ，１０２ｂ上に載置された半導体ウエハＷを回転載置台１０６上、及びフープ１１３内に搬送可能である。
【０１２１】
フープ台９３は、被処理体搬出入ステージ９２の側面に連結されており、内部に半導体ウエハＷを例えば、２５枚収容可能であって開閉可能に蓋体が設けられたフープ１１３が載置される。
【０１２２】
ウエハ検出センサ１０１，１０３ａ，１０３ｂ，１０８，及び１１２は、例えば、公知のピックアップセンサから成る。
【０１２３】
搬送室９６の搬送アーム９９やウエハ検出センサ１０１、ロードロック室９８ａ，９８ｂのウエハ検出センサ１０３ａ，１０３ｂ、ゲート弁９５ａ〜９５ｄ，９７ａ，９７ｂ，１０４ａ，及び１０４ｂ、被処理体搬出入ステージ９２の搬送アーム１０９やウエハ検出センサ１１２や位置合室１０５の回転載置台１０６や光学センサ１０７やウエハ検出センサ１０８等は、図示しない制御装置に電気的に接続されており、搬送アーム９９，１０９、ゲート弁９５ａ〜９５ｄ，９７ａ，９７ｂ，１０４ａ，及び１０４ｂ、及び回転載置台１０６等は制御装置により制御され、ウエハ検出センサ１０１，１０３ａ，１０３ｂ，１０８，及び１１２、及び光学センサ１０７の検出信号は、制御装置に受信される。
【０１２４】
プラズマ処理システム３の処理動作は、上記制御装置が予め記憶しているプロセス・レシピに基づいて各装置を制御することにより実行される。
【０１２５】
図１２のプラズマ処理システム３において、フープ１１３に収納された未処理の半導体ウエハＷは、搬送アーム１０９及び搬送アーム９９によって位置合室１０５、ロードロック室９８ａ，９８Ｂ、及び搬送室９６を介して処理室９４ａ〜９４ｄに搬送され、処理室９４ａ〜９４ｄにおいて各処理が行われ、処理室９４ａ〜９４ｄにおける各処理が終了した処理済の半導体ウエハＷは、搬送アーム９９及び搬送アーム１０９によって搬送室９６、及びロードロック室９８ａ，９８Ｂを介して所定のフープ１１３に収納される。
【０１２６】
上記本発明の第１及び第２の実施の形態に係る基板処理装置は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他の様々な構成と取り得る。
【０１２７】
また、本発明は、複数の機器から構成されるシステムに適用しても、１つの機器からなる装置に適用してもよい。上述した実施形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記憶した記憶媒体等の媒体をシステム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ）が記憶媒体等の媒体に格納されたプログラムコードを読み出し実行することによっても、本発明が達成されることは言うまでもない。
【０１２８】
この場合、記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した実施形態の機能を実現することになり、そのプログラムコードを記憶した記憶媒体等の媒体は本発明を構成することになる。プログラムコードを供給するための記憶媒体等の媒体としては、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ、或いはネットワークを介したダウンロードなどを用いることができる。
【０１２９】
また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、上述した実施形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているＯＳなどが実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も、本発明に含まれることは言うまでもない。
【０１３０】
更に、記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵなどが実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も、本発明に含まれることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１３１】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図２】図１のプラズマ処理装置における制御装置の概略構成を示すブロック図である。
【図３】図２の制御装置における記憶装置に記憶されたプロセス・レシピを説明するための図であり（ａ）はプロセス・レシピの概略構成であり、（ｂ）は（ａ）のプロセス・レシピを構成する各工程の時間であり、（ｃ）は（ａ）のプロセス・レシピに基づいて実行されるエッチング処理のタイムチャートである。
【図４】図１のプラズマ処理装置の実行する残処理レシピ作成処理のフローチャートである。
【図５】図４の残処理レシピ作成処理において作成された残処理レシピを説明するための図であり（ａ）は残処理レシピの概略構成であり、（ｂ）は（ａ）の残処理レシピを構成する各工程の時間であり、（ｃ）は（ａ）の残処理レシピに基づいて実行される残処理のタイムチャートである。
【図６】図１のプラズマ処理装置の実行する残処理のフローチャートである。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図８】図２の表示装置に表示されるウエハ収容状況画面である。
【図９】図２の表示装置に表示される履歴情報画面である。
【図１０】図２の表示装置に表示される履歴情報画面の他の例である。
【図１１】図７のプラズマ処理システム２の実行する履歴情報表示処理のフローチャートである。
【図１２】本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の他の例の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
【０１３２】
１  プラズマ処理装置
２  プラズマ処理システム
１１  処理室
４１  制御装置
４２  ＣＰＵ
４５  記憶装置
４６  入出力装置
４７  表示装置
４８  警報装置
５１  第１処理ユニット
５２  第２処理ユニット
５３  被処理体搬出入ステージ
５４  フープ台
５６  搬送室
５８  ロードロック室
５９，６５  搬送アーム
６１，６３，７０，７１，７５  ウエハ検出センサ
７６  フープ
【図１】
2004319961.tif 000003
【図２】
2004319961.tif 000004
【図３】
2004319961.tif 000005
【図４】
2004319961.tif 000006
【図５】
2004319961.tif 000007
【図６】
2004319961.tif 000008
【図７】
2004319961.tif 000009
【図８】
2004319961.tif 000010
【図９】
2004319961.tif 000011
【図１０】
2004319961.tif 000012
【図１１】
2004319961.tif 000013
【図１２】
2004319961.tif 000014