(57)【要約】【課題】エミッタ材料としてカーボンナノチューブ等の炭素系針状物質を用いた場合に、炭素系針状物質の高さが不揃いになって電子放出特性が劣化する。【解決手段】平面型の表示装置の製造方法として、カソード電極５上に複数の炭素系針状物質１１を用いてエミッタ１０を形成する第１の工程と、この第１の工程で形成したエミッタ１０において複数の炭素系針状物質１１の先端部を所定の高さに揃える第２の工程とを有するものとする。これにより、各々の炭素系針状物質１１の高さが均一に揃った状態になるため、各々の炭素系針状物質１１に対して均一に電界を加えることが可能になる。【選択図】        図５
2004265745.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソード電極上に複数の炭素系針状物質を用いてエミッタを形成する第１の工程と、
前記第１の工程で形成した前記エミッタにおいて前記複数の炭素系針状物質の先端部を所定の高さに揃える第２の工程と
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の工程においては、前記エミッタの直上で前記所定の高さに導電性治具の一面を配置するとともに、前記導電性治具と前記カソード電極との間に所定の電圧を印加することにより、前記導電性治具の一面に接する前記炭素系針状物質の先端部をカットする
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記炭素系針状物質がカーボンナノチューブである
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置の製造方法に係り、特に、電界放出型の電子放出素子を備える表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
真空中におかれた金属等の導体あるいは半導体の表面に、ある閾値以上の電界を与えると、トンネル効果によって電子が障壁を通過し、常温時においても真空中に電子が放出される。この現象は電界放出（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）と呼ばれ、これによって電子を放出するカソードは電界放出型カソード（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｃａｔｈｏｄｅ）と呼ばれている。近年では、ミクロンサイズの電界放出型カソードを、半導体加工技術を駆使して基板上に多数形成したフラットディスプレイ装置（平面型表示装置）としてＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）が注目されている。ＦＥＤは、電気的に選択（アドレッシング）されたエミッタから電界の集中によって電子を放出させるとともに、この電子をアノード基板側の蛍光体に衝突させて、蛍光体の励起・発光により画像を表示するものである。
【０００３】
図１１は従来の表示装置（ＦＥＤ）の主要部の構成例を示す概略断面図であり、図１２はその概略斜視図である。図においては、カソード基板５１とアノード基板５２とが微小なギャップを介して対向状態に配置されている。カソード基板５１とアノード基板５２との間は真空状態に維持される。カソード基板５１は、ベース基板５３と、カソード電極５４と、抵抗層５５と、絶縁層５６と、ゲート電極５７、エミッタ５８とを備えている。ゲート電極５７および絶縁層５６にはゲートホール５９が形成されている。また、ゲートホール５９内にはコーン形状（略円錐形）のエミッタ５８が形成されている。このエミッタ５８はスピント型エミッタとも呼ばれる。一方、アノード基板５２は、ベース基板６０と、アノード電極６１と、蛍光体層６２とを備えている。アノード電極６１はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明電極からなるもので、蛍光体層６２は１画素分のエリア内に赤、緑、青の各色に対応する蛍光体を並べて配置したものである。
【０００４】
ここで、上記構成の表示装置（ＦＥＤ）の製造プロセスについて簡単に説明する。先ず、カソード基板５１を得るにあたっては、ベース基板５３上に、カソード電極５４、抵抗層５５、絶縁層５６およびゲート電極５７を蒸着法によって順に積層する。次に、フォトプロセス（フォトレジスト塗布、パターニング、エッチング）を施して、ゲート電極５７および絶縁層５６にゲートホール５９を形成した後、フォトレジストを除去する。
【０００５】
次いで、ベース基板５３を回転させながら、その基板面に対して斜め方向からアルミニウムなどを蒸着させることにより、ゲート電極５７の表面とその開口縁部にのみアルミニウムからなる剥離層を形成する。続いて、剥離層の上からエミッタ材料となる金属、例えばモリブデンを堆積させる。これにより、ゲートホール５９の開口径がモリブデンの堆積とともに徐々に小さくなり、最終的にゲートホール５９が完全に閉じられる。その結果、ゲートホール５９内にエミッタ材料（モリブデン）の堆積によってコーン形状のエミッタ５８が形成される。その後、ゲート電極５７上の不要なエミッタ材料を剥離層とともにエッチングによって除去する。
【０００６】
一方、アノード基板５２を得るにあたっては、ベース基板６０上にＩＴＯ等のアノード電極６１を形成した後、蛍光体材料の塗布によって蛍光体層６２を形成する。また、こうして得られたカソード基板５１とアノード基板５２とを、例えば０．２〜１．０ｍｍのギャップで真空状態に封止する。以上の製造プロセスでは、エミッタ５８とゲート電極５７との間の距離がサブミクロンレベルに制御されることから、それらの間に数十ボルトの電圧を印加することにより、エミッタ５８の先端部に電界を集中させ、これに伴うトンネル効果によってエミッタ５８から真空中に電子を放出させることができる。その際、抵抗層５５は、例えばエミッタ５８への放電電流が大きくなった場合に、抵抗による電圧降下の増大によってエミッタ５８に作用する実効電圧を減少させ、逆に放電電流が小さくなった場合はエミッタ５８に作用する実効電圧を増加させることにより、放電電流を安定化させる役目を果たす。
【０００７】
ところで近年においては、電界放出型カソードの構成として、非常に鋭利な先端が無数に得られるカーボンナノチューブを用いたエミッタ構造が提案されている（例えば、特許文献１）。一般にカーボンナノチューブは高いアスペクト比を有し、先端の曲率半径も非常に小さいため、高い発光効率を実現する電子放出源として注目されている。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００１−１６７６９２号公報（段落００３８，第５図）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
カーボンナノチューブでエミッタを形成する手法の一つとして、カーボンナノチューブを他の材料に混ぜてペースト化し、これによって得られたペースト材料を印刷法等によってカソード電極上に塗布する方法が知られている。しかしながら、この方法では、個々のカーボンナノチューブの長さのバラツキがあるうえ、塗布前のペースト材料の中でカーボンナノチューブの向きがランダムな状態にあるため、塗布後の状態ではカーボンナノチューブの高さが不揃いになる。
【００１０】
本明細書において、カーボンナノチューブは、エミッタ材料として使用される炭素系針状物質の一つに該当する。また、カーボンナノチューブ（炭素系針状物質）の高さとは、カソード基板の厚み方向において、カソード電極の表面をゼロ基準としたとき、カーボンナノチューブの先端部までの垂直距離をいう。
【００１１】
上述のようにカーボンナノチューブの高さが不揃いになると、実際にゲート電極にゲート電圧を印加して電子を放出させようとした場合に、高さの高いカーボンナノチューブほど高い電界が加わるため、その部分での電子放出が支配的となる。
【００１２】
したがって、例えば、１つのゲートホール内に設けられたエミッタでは、ゲート電極にゲート電圧を加えたときに、高さの高いカーボンナノチューブから集中的に電子が放出され、結果的にアノード基板側での輝度分布が局所的に大きく変化したものとなる。その結果、発光サイトの減少によって発光効率が悪化するとともに、１つのピクセル内、あるいは一つのピクセルを細分化したサブピクセル内で、発光の点在や輝点の発生を招いてしまう。また、エミッタ形成方法の他の例として、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によってカーボンナノチューブを成長させてエミッタを形成する方法もあるが、この方法でもカーボンナノチューブの高さにバラツキが生じるため、上記同様の問題を招いてしまう。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る表示装置の製造方法は、カソード電極上に複数の炭素系針状物質を用いてエミッタを形成する第１の工程と、この第１の工程で形成したエミッタにおいて複数の炭素系針状物質の先端部を所定の高さに揃える第２の工程とを有するものである。
【００１４】
この表示装置の製造方法においては、第１の工程でカソード電極上に複数の炭素系針状物質を用いてエミッタを形成したときに、各々の炭素系針状物質の高さが不揃いになっていても、第２の工程で複数の炭素系針状物質の先端部を所定の高さに揃えることにより、各々の炭素系針状物質の高さが均一に揃った状態になる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１６】
図１は本発明の方法が適用される表示装置の一例としてＦＥＤの表示パネルの構成を示す断面図であり、図２はその表示パネルの構成を示す斜視図である。図１及び図２においては、平板状のカソード基板（カソードパネル）１と、同じく平板状のアノード基板（アノードパネル）２とを所定の間隙を介して対向状態に配置するとともに、それら２つの基板１，２の間に枠体３を介装して一体的に組み付けることにより、画像表示のための一つのパネル構体（表示パネル）が構成されている。
【００１７】
カソード基板１上には複数の電子放出素子が形成されている。これら複数の電子放出素子は、カソード基板１の有効領域（実際に表示部分として機能する領域）に２次元マトリックス状に多数形成されている。各々の電子放出素子は、カソード基板１のベースとなる絶縁性の支持基板（例えば、ガラス基板）４と、この支持基板４上に積層状態で順に形成されたカソード電極５、絶縁層６及びゲート電極７と、ゲート電極７及び絶縁層６に形成されたゲートホール８と、このゲートホール８の底部に形成された電子放出部９とによって構成されている。
【００１８】
カソード電極５は、複数のカソードラインを形成するようにストライプ状に形成されている。ゲート電極７は、各々のカソードラインと交差（直交）する複数のゲートラインを形成するようにストライプ状に形成されている。ゲートホール８は、ゲート電極７に形成された第１の開口部８Ａと、この第１の開口部８Ａに連通する状態で絶縁層６に形成された第２の開口部８Ｂとから構成されている。電子放出部９は、主としてエミッタ材料とバインダ材料（マトリックス）とを含むエミッタ１０によって形成されている。エミッタ１０の表面には、エミッタ材料となる複数の炭素系針状物質１１が突出した状態に配置されている。
【００１９】
炭素系針状物質１１としては、非常に先鋭なエッジを有するカーボンナノチューブを用いることが望ましい。カーボンナノチューブは、グラフェンシートを丸めた１層又は多層の円筒状をなすもので、直径が０．７〜５０ｎｍ程度で長さが数μｍの高いアスペクト比をもつ材料である。ただし、エミッタ材料として利用可能な微細な針状構造を有する物質であれば、カーボンナノチューブ以外のものを炭素系針状物質１１として用いてもよい。
【００２０】
一方、アノード基板２は、ベースとなる透明基板１２と、この透明基板１２上に形成された蛍光体層１３及びブラックマトリックス１４と、これら蛍光体層１３及びブラックマトリックス１４を覆う状態で透明基板１２上に形成されたアノード電極１５とを備えて構成されている。蛍光体層１３は、赤色発光用の蛍光体層１３Ｒと、緑色発光用の蛍光体層１３Ｇと、青色発光用の蛍光体層１３Ｂとから構成されている。ブラックマトリックス１４は、各色発光用の蛍光体層１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂの間に形成されている。アノード電極１５は、カソード基板１の電子放出素子と対向するように、アノード基板２の有効領域の全域に積層状態で形成されている。
【００２１】
これらのカソード基板１とアノード基板２とは、それぞれの外周部（周縁部）で枠体３を介して接合されている。また、カソード基板１の無効領域（有効領域の外側の領域で、実際に表示部分として機能しない領域）には真空排気用の貫通孔１６が設けられている。貫通孔１６には、真空排気後に封じ切られるチップ管１７が接続されている。ただし、図１は表示装置の組み立て完了状態を示しているため、チップ管１７は既に封じ切られた状態となっている。また、図１及び図２においては、各々の基板１，２間のギャップ部分に介装される耐圧用の支持体（スペーサ）の表示を省略している。
【００２２】
上記構成のパネル構造を有する表示装置においては、カソード電極５に相対的な負電圧がカソード電極制御回路１８から印加され、ゲート電極７には相対的な正電圧がゲート電極制御回路１９から印加され、アノード電極１５にはゲート電極７よりも更に高い正電圧がアノード電極制御回路２０から印加される。かかる表示装置において、実際に画像の表示を行う場合は、例えば、カソード電極５にカソード電極制御回路１８から走査信号を入力し、ゲート電極７にゲート電極制御回路１９からビデオ信号を入力する。あるいは又、カソード電極５にカソード電極制御回路１８からビデオ信号を入力し、ゲート電極７にゲート電極制御回路１９から走査信号を入力する。
【００２３】
これにより、カソード電極５とゲート電極７との間に電圧が印加され、これによって電子放出部９の先鋭部（炭素系針状物質１１の先端部）に電界が集中することにより、量子トンネル効果によって電子がエネルギー障壁を突き抜けて電子放出部９から真空中へと放出される。こうして放出された電子はアノード電極１５に引き付けられてアノード基板２側に移動し、透明基板１２上の蛍光体層１３（１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ）に衝突する。その結果、蛍光体層１３が電子の衝突により励起されて発光するため、この発光位置を画素単位で制御することにより、表示パネル上に所望の画像を表示することができる。
【００２４】
図３は本発明の実施形態に係る表示装置（ＦＥＤ）の製造方法として、特に、カソード基板１の製造プロセスを示すフローチャートである。
【００２５】
［カソード電極の形成工程；Ｓ１］
先ず、図４（Ａ）に示すように、支持基板４の表面に、例えば、クロム、タンタル、タングステン、モリブデン等の金属のように電気的に抵抗値の低い材料を用いて、カソード電極５を形成する。具体的には、ペースト状にした電極材料を、例えば、印刷法、スピンコート法等によって支持基板４の全面に塗布（ベタ塗り）することにより、支持基板４上に均一な厚さでカソード電極５を形成する。
【００２６】
［エミッタの形成工程；Ｓ２］
次いで、図４（Ｂ）に示すように、先ほど形成したカソード電極５の上に複数（多数）の炭素系針状物質１１を用いてエミッタ１０を形成する。エミッタ１０の形成は、例えば、複数の炭素系針状物質１１を混合したペースト材料（不図示）を、上記ゲート電極４を覆う状態で、支持基板４の全域に塗布（ベタ塗り）することにより行う。具体的には、炭素系針状物質１１としてカーボンナノチューブを用いる場合、複数（多数）のカーボンナノチューブを感光性の有機バインダと混合し、これによって得られたペースト材料を印刷法、スピンコート法等によって支持基板４の全面に塗布した後、ペースト材料を焼成することにより、複数の炭素系針状物質１１を含むエミッタ１０を形成する。このとき、エミッタ１０の表面では、図５（Ａ）に示すように、各々の炭素系針状物質１１がランダムに突出した状態となる。
【００２７】
［第１のパターニング工程；Ｓ３］
続いて、図４（Ｃ）に示すように、カソード電極５とエミッタ１０をストライプ状にパターニングする。具体的には、エミッタ１０の上にフォトリスグラフィ技術によってレジストマスクを形成し、このレジストマスクを通してエミッタ１０及びカソード電極５をエッチングすることにより、これらをストライプ状に成形する。
【００２８】
［エミッタのトリミング工程；Ｓ４］
次いで、図５（Ｂ）に示すように、エミッタ１０において複数の炭素系針状物質１１の先端部を所定の高さ（図中破線の位置）に揃える（トリミングする）。これにより、それまで不揃いだった各々の炭素系針状物質１１の高さが均一に揃った状態となる。この場合、先ず、図６（Ａ）に示すように、支持基板４の上から平板状の導電性治具２１を被せる。このとき、支持基板４に対向する側の導電性治具２１の一面２１Ａに予め複数のスペーサ２２を設けておく。各々のスペーサ２２は、例えば導電性治具２１の一面２１Ａに周知の成膜技術によってＳｉＯ２等の絶縁層を積層した後、この絶縁層をストライプ状にパターニングすることにより、導電性治具２１と一体に形成されるものである。これらのスペーサ２２は、上述のように支持基板４の上から導電性治具２１を被せたときに、エミッタ１０及びカソード電極５の積層部分を除いた領域で、支持基板４に当接するように配置される。したがって、支持基板４と導電性治具２１との間には、スペーサ２２の厚み分の隙間が確保される。よって、このスペーサ２２を支持基板４に当接させることにより、エミッタ１０の直上で導電性治具２１の一面２１Ａを所定の高さに位置決めして配置することができる。所定の高さは、所望する炭素系針状物質１１の高さに応じて設定されるものである。所定の高さ以上に突出した炭素系針状物質１１は全て導電性治具２１の一面２１Ａに接した状態になる。スペーサ２２の形状としては、上述したストライプ状のもの以外にも、例えば柱状のものなど、種々の変更が可能である。また、サイズの揃った球状のスペーサをベース基板上に分散させ、その上から導電性治具を被せるようにしてもよい。
【００２９】
このように導電性治具２１をセットしたら、図６（Ｂ）に示すように、導電性治具２１と各々のカソード電極５との間に所定の電圧を印加することにより、エミッタ１０において導電性治具２１の一面２１Ａに接している炭素系針状物質１１に過電流を流し、この炭素系針状物質１１の先端部を焼き切るようにカットする。印加電圧波形はパルス状でもスパイク状でもよい。これにより、エミッタ１０における炭素系針状物質１１の先端部は、導電性治具２１の一面２１Ａにぎりぎり接しない程度に（すなわち所定の高さに揃えて）カットされる。
【００３０】
なお、ここでは板状の導電性治具２１を用いるものとしたが、これ以外にも、例えば、スペーサ機能を果たすフランジ付きのローラ状の導電性治具を用い、この導電性治具を支持基板４上で転がしながら、当該導電性治具に接する炭素系針状物質１１の先端部をカットするようにしてもよい。また、導電性治具２１はこれ全体が導電性を有する必要はなく、炭素系針状物質１１と接する面だけが導電性を有するものであってもよい。
【００３１】
［絶縁層の形成工程；Ｓ５］
次に、図７（Ａ）に示すように、ストライプ状のエミッタ１０及びカソード電極５を覆う状態で支持基板４の全面に絶縁層６を形成する。このとき、必要に応じて絶縁層６の表面を平坦化する。絶縁層６を構成する材料としては、ＳｉＯ２などのように電気的に高い絶縁性を有する材料であれば、どのような材料を用いてもよい。絶縁層６は支持基板４の上面を全体的に覆うように層状に形成される。絶縁層６の成膜方法としては、例えば、スピンコート法、印刷法、スパッタ法、蒸着法などを用いることができる。
【００３２】
［ゲート電極の形成工程；Ｓ６］
次いで、図７（Ｂ）に示すように、上述のように積層した支持基板４の絶縁層６上にゲート電極７を形成する。ゲート電極７を構成する電極材料としては、例えば、クロム、タンタル、タングステン、モリブデン等の金属のように電気的に抵抗値の低い材料であれば、どのような材料を用いてもよい。このゲート電極７は、上記電極材料を支持基板４上の全面に成膜することにより形成する。
【００３３】
ここで、エミッタ１０上に絶縁層６及びゲート電極７を積層する場合、エミッタ１０の表面で炭素系針状物質１１が立ち上がった状態になっていると、絶縁層６及びゲート電極７の成膜に支障を来すことも考えられる。したがって、その場合は、絶縁層６を成膜する際に、予め揮発性の高い液体（例えば、イソプロピルアルコール、水など）をエミッタ１０に塗布、乾燥させるなどして、炭素系針状物質１１を一旦横倒しの状態に寝かせておく必要がある。
【００３４】
また、上述のように炭素系針状物質１１を寝かせた場合は、後述するゲートホールの形成後、エミッタ１０において炭素系針状物質１１を垂直に立たせる配向処理を行う必要がある。配向処理の具体的な方法としては、例えば、カソード基板１とアノード基板２とを対向させた状態で、カソード電極５に対してアノード電極１５を正電位とした電圧を印加することにおり、アノード電極１５とカソード電極５との間に電界を発生させ、この電界の力によって炭素系針状物質１１を垂直に配向させる方法、あるいは支持基板４上に粘着テープを貼り付けて粘着面をゲートホール８内に押し込んだ後、この粘着テープを引き剥がすときの引っ張り力で炭素系針状物質１１を垂直に配向させる方法などを採用することができる。
【００３５】
［第２のパターニング工程；Ｓ７］
続いて、図７（Ｃ）に示すように、ゲート電極７をストライプ状にパターニングする。具体的には、ゲート電極７の上にフォトリスグラフィ技術によってレジストマスクを形成し、このレジストマスクを通してゲート電極７をエッチングすることにより、これをストライプ状に成形する。このとき、先に形成したカソード電極５のストライプパターン（カソードライン）とほぼ直交するように、ゲート電極７のストライプパターン（ゲートライン）を形成する。
【００３６】
［ゲートホールの形成工程；Ｓ８］
その後、図８（Ａ）に示すように、ストライプ状としたゲート電極７上で、カソード電極５との交差部にそれぞれゲートホール８を形成する。ゲートホール８の形成は、図示しないエッチングマスクを用いてゲート電極７に第１の開口部８Ａ（図１参照）を形成した後、このゲート電極７をエッチングマスクに用いて絶縁層６に第２の開口部８Ｂ（図１参照）を形成することにより行う。このようにゲートホール８を形成することにより、図８（Ｂ）に示すように、ゲートホール８の底部でエミッタ１０を露出させる。
【００３７】
以上の製造方法においては、カソード電極５上に複数の炭素系針状物質１１を用いてエミッタ１０を形成した後、このエミッタ１０において複数の炭素系針状物質１１の先端部を所定の高さに揃えるため、カソード電極５上で各々の炭素系針状物質１１の高さを均一に揃えることができる。
【００３８】
これにより、表示装置の動作時において、例えば、図９（Ａ）に示すように、各々の炭素系針状物質１１の高さが不揃なものでは、高さの高い炭素系針状物質１１に電界が集中しやすくなるため、そこから集中的に電子が放出し、アノード基板２側での輝度分布が局所的に大きく変化したものとなる。よって、アノード基板２側では、発光の点在や輝点の発生を招いてしまう。これに対して、図９（Ｂ）に示すように、各々の炭素系針状物質１１の高さが均一に揃ったものでは、各々の炭素系針状物質１１の先端部に均一に電界が加えられる。そのため、ある電界が加えられた状態では、各々の炭素系針状物質１１から一斉に電子が放出することになる。よって、アノード基板２側では、発光の点在や輝点の発生を招くことなく、均一な輝度分布が得られる。また、発光サイトの増加によって発光効率が高まる。
【００３９】
なお、上記実施形態においては、絶縁層６及びゲート電極７を形成し、かつゲート電極７をストライプ状にパターニングしてから、ゲートホール８を形成するものとしたが、これ以外にも、例えば、ゲートホール８の形成部位を予めマスクした状態で絶縁層６及びゲート電極７を成膜することにより、絶縁層６及びゲート電極７の成膜と同時にゲートホール８を形成することも可能である。
【００４０】
また、上記実施形態においては、カソード基板２上に複数の炭素系針状物質１１を混合したペースト材料を塗布してエミッタ１０を形成するようにしたが、これ以外にも、カソード電極上にＣＶＤ法によってカーボンナノチューブを成長させてエミッタを形成することも可能である。
【００４１】
また、上記実施形態においては、［エミッタの形成工程］及び［第１のパターン工程］に続いて［エミッタのトリミング工程］を行うものとしたが、本発明はこれに限らず、［ゲートホールの形成工程］に続いて「エミッタのトリミング工程」を行うものとしてもよい。
【００４２】
ただし、その場合は、ゲートホール８の底部にエミッタ１０が配置された状態になるため、これに適合する導電性治具を用意する必要がある。例えば、図１０（Ａ）に示すように、ゲートホール８の孔位置に対応する突出部（導電部）２３を一体に有する導電性治具２４を用意し、この導電性治具２４をゲート電極７の上から支持基板４に被せる。このとき、突出部２３の突出寸法は、カソード電極５とゲート電極７間の垂直距離から、所望する炭素系針状物質１１の高さ寸法を差し引いた値にする。
【００４３】
これにより、図１０（Ｂ）に示すように、突出部２３をゲートホール８に挿入するように導電性治具２４をセットすることにより、エミッタ１０の直上で突出部２３の先端面が所定の高さに配置される。また、所定の高さ以上に突出した炭素系針状物質１１は、全て突出部２３の先端面に接した状態になる。したがって、導電性治具２４とカソード電極５との間に所定の電圧を印加することにより、エミッタ１０において突出部２３の先端面に接している炭素系針状物質１１に過電流を流し、この炭素系針状物質１１の先端部を焼き切るようにカットすれば、上記同様に各々の炭素系針状物質１１の高さを均一に揃えることができる。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、エミッタを構成する複数の炭素系針状物質のうち、所定の高さよりも高い炭素系針状物質の先端部が当該所定の高さに揃えられるため、エミッタにおいて各々の炭素系針状物質の高さを均一に揃えることができる。これにより、エミッタを構成する複数の炭素系針状物質に均一に電界を加えることができる。その結果、発光の点在や輝点の発生を招くことなく、均一な発光状態を得ることができる。また、発光サイトの増加によって発光効率を高めることができる。よって、電子放出特性に優れた表示装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の方法が適用される表示装置の構成例を示す断面図である。
【図２】本発明の方法が適用される表示装置の構成例を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図４】カソード基板の製造プロセスを説明する図（その１）である。
【図５】カソード基板の製造プロセスを説明する図（その２）である。
【図６】カソード基板の製造プロセスを説明する図（その３）である。
【図７】カソード基板の製造プロセスを説明する図（その４）である。
【図８】カソード基板の製造プロセスを説明する図（その５）である。
【図９】炭素系針状物質からの電子放出状態の違いを示す模式図である。
【図１０】本発明の変形例を説明する図である。
【図１１】従来の表示装置の主要部の構成例を示す概略断面図である。
【図１２】従来の表示装置の主要部の構成例を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
１…カソード基板、２…アノード基板、３…枠体、４…支持基板、５…カソード電極、６…絶縁層、７…ゲート電極、８…ゲートホール、９…電子放出部、１０…エミッタ、１１…炭素系針状物質、１２…透明基板、１３…蛍光体層、１４…ブラックマトリックス、１５…アノード電極
【図１】
2004265745.tif 000003
【図２】
2004265745.tif 000004
【図３】
2004265745.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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