(57)【要約】【課題】研磨対象物の被研磨面上の膜厚を高い精度で測定することができ、かつ、局所的な過剰研磨を防止することができるポリッシング装置及びポリッシング方法を提供する。【解決手段】研磨対象物Ｗを保持するトップリング３０と研磨面１０ａを有する研磨台とを備え、研磨面に研磨液を供給しながら研磨対象物Ｗを研磨面１０ａに摺接させて研磨するポリッシング装置であって、トップリング３０を移動させて研磨対象物Ｗの一部を研磨面１０ａの外縁部からはみ出させる移動機構３８，４０，４２，４４と、研磨対象物Ｗの被研磨面上の膜厚を測定するための画像認識器５０と、研磨対象物Ｗの回転方向において画像認識器５０よりも上流側の位置に設けられ、研磨対象物Ｗの被研磨面に付着した研磨液を洗浄する洗浄器５６とを備えた。【選択図】  図１
2004335600.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨対象物を保持するトップリングと研磨面を有する研磨台とを備え、前記研磨面に研磨液を供給しながら前記研磨対象物を前記研磨面に摺接させて研磨するポリッシング装置であって、
前記トップリングを移動させて前記研磨対象物の一部を前記研磨面の外縁部からはみ出させる移動機構と、
前記研磨対象物の被研磨面上の膜厚を測定するための画像認識器と、
前記研磨対象物の回転方向において前記画像認識器よりも上流側の位置に設けられ、前記研磨対象物の被研磨面に付着した研磨液を洗浄する洗浄器と、を備えたことを特徴とするポリッシング装置。
【請求項２】
前記研磨対象物に形成されたノッチを検知するノッチセンサを更に備えたことを特徴とする請求項１に記載のポリッシング装置。
【請求項３】
前記画像認識器は、前記研磨対象物の被研磨面の画像を取り込み、該画像の中から基準画像と一致する領域を認識することを特徴とする請求項１又は２に記載のポリッシング装置。
【請求項４】
前記研磨対象物の一部が前記研磨面の外縁部からはみ出した際に、前記トップリングの回転速度を６０ｍｉｎ−１以下に減速させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のポリッシング装置。
【請求項５】
前記研磨面の外縁部は、略波型の形状を有していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のポリッシング装置。
【請求項６】
前記研磨対象物の一部が前記研磨面の外縁部からはみ出している間、前記研磨対象物の前記研磨面に対する押圧力を３００ｇｆ／ｃｍ２以下に制御することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のポリッシング装置。
【請求項７】
前記研磨対象物の被研磨面に光を照射する光源を更に備えたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のポリッシング装置。
【請求項８】
研磨対象物を保持するトップリングと研磨面とを備え、前記研磨面に前記研磨対象物を摺接させて研磨するポリッシング装置であって、
前記トップリングを移動させて前記研磨対象物を前記研磨面の外縁部からはみ出させる移動機構と、
前記研磨対象物の被研磨面の画像を取り込み、該画像と基準画像とを比較する画像認識器と、
前記研磨対象物の回転方向において前記画像認識器よりも上流側の位置に設けられ、前記研磨対象物の被研磨面を洗浄する洗浄器と、を備えたことを特徴とするポリッシング装置。
【請求項９】
研磨面に研磨液を供給しながらトップリングに保持された研磨対象物を前記研磨面に摺接させて研磨する研磨方法であって、
前記トップリングを移動させて前記研磨対象物の一部を前記研磨面の外縁部からはみ出させる移動工程と、
前記研磨面からはみ出した前記研磨対象物の被研磨面に付着した研磨液を洗浄する洗浄工程と、
前記研磨対象物の被研磨面の画像を取り込む画像認識工程と、を備え、
前記研磨対象物の一部が前記研磨面の外縁部からはみ出している間、前記研磨対象物の前記研磨面に対する押圧力を制御することを特徴とするポリッシング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ポリッシング装置に係り、特に半導体ウェハなどの研磨対象物の被研磨面を平坦に研磨するためのポリッシング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体デバイスの高集積化に伴う配線の微細化、及び多層化の要求によって、半導体基板の表面の平坦度が要求されている。すなわち、配線の微細化によって、光リソグラフィに用いる光の波長としてより短いものを使用するようになり、このような短波長の光は基板上の焦点位置での許容される高低差がより小さくなる。したがって、焦点位置での高低差が小さいこと、すなわち半導体基板表面の高い平坦度が必要となってくる。このため、化学機械研磨（ＣＭＰ）により半導体基板の表面の凹凸を除去してその表面を平坦化することが行われている。
【０００３】
上記化学機械研磨においては、所定時間の研磨を行った後に所望の位置で研磨を終了する必要がある。例えば、ＣｕやＡｌなどの金属配線の上部にＳｉＯ２等の絶縁層（この後の工程で絶縁層の上に更に金属などの層を形成するため、このような絶縁層は層間膜と呼ばれる。）を残したい場合がある。このような場合、研磨を必要以上に行うと下層の金属膜が表面に露出してしまうので、層間膜を所定の膜厚だけ残すように研磨を終了する必要がある。
【０００４】
また、半導体基板上に予め所定パターンの配線用の溝を形成しておき、その中にＣｕ（銅）又はその合金を充填した後に、表面の不要部分を化学機械研磨（ＣＭＰ）により除去する場合がある。Ｃｕ層をＣＭＰプロセスにより研磨する場合、配線用溝の内部に形成されたＣｕ層のみを残して半導体基板からＣｕ層を選択的に除去することが必要とされる。すなわち、配線用の溝部以外の箇所では、（ＳｉＯ２などからなる）絶縁膜が露出するまでＣｕ層を除去することが求められる。
【０００５】
この場合において、過剰研磨となって、配線用の溝内のＣｕ層を絶縁膜と共に研磨してしまうと、回路抵抗が上昇し、半導体基板全体を廃棄しなければならず、多大な損害となる。逆に、研磨が不十分で、Ｃｕ層が絶縁膜上に残ると、回路の分離がうまくいかず、短絡が起こり、その結果、再研磨が必要となり、製造コストが増大する。このような事情は、Ｃｕ層に限らず、Ａｌ層等の他の金属膜を形成し、この金属膜をＣＭＰプロセスで研磨する場合も同様である。かかる観点から、半導体基板上の絶縁膜や金属膜の膜厚を高い精度で測定することが必要とされる。
【０００６】
そこで、従来から、特許文献１に示すように、半導体基板などの試料に成膜された膜を除去する際に膜厚を光学的に測定する膜厚測定装置が知られている。特許文献１に開示されている膜厚測定装置は、トップリングを揺動させて該トップリングに保持された試料（研磨対象物）の一部を回転台からはみ出させ（オーバーハングさせ）、この試料の被研磨面に反射した光を画像として取得し、取得した画像の特定位置の膜厚を光学的に測定するように構成される。
【０００７】
しかしながら、通常、研磨工程では、研磨液（スラリ）が研磨対象物と研磨面との間に供給されるため、被研磨面に研磨液が付着し、被研磨面から反射される光量が減少してしまう。このため、上述した膜厚測定装置では、膜厚の測定値に誤差が生じ、正確な膜厚の測定ができないという問題があった。
【０００８】
また、上述した膜厚測定装置では、試料の一部を回転台からオーバーハングさせた状態で膜厚が測定されるため、回転台の端部が当たる試料の部位で押圧力（荷重）が大きくなり、この部位での膜が局所的に過剰研磨されてしまうという問題が生じていた。
【０００９】
【特許文献１】
特開２０００−５５６２７号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述した従来の問題点に鑑みてなされたもので、研磨対象物の被研磨面上の膜厚を高い精度で測定することができ、かつ、局所的な過剰研磨を防止することができるポリッシング装置及びポリッシング方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を達成するために、本発明の一態様は、研磨対象物を保持するトップリングと研磨面を有する研磨台とを備え、前記研磨面に研磨液を供給しながら前記研磨対象物を前記研磨面に摺接させて研磨するポリッシング装置であって、  前記トップリングを移動させて前記研磨対象物の一部を前記研磨面の外縁部からはみ出させる移動機構と、前記研磨対象物の被研磨面上の膜厚を測定するための画像認識器と、前記研磨対象物の回転方向において前記画像認識器よりも上流側の位置に設けられ、前記研磨対象物の被研磨面に付着した研磨液を洗浄する洗浄器と、を備えたことを特徴とする。
【００１２】
本発明の好ましい態様は、前記研磨対象物に形成されたノッチを検知するノッチセンサを更に備えたことを特徴とする。
また、本発明の好ましい態様は、前記画像認識器は、前記研磨対象物の被研磨面の画像を取り込み、該画像の中から基準画像と一致する領域を認識することを特徴とする。
【００１３】
上述のように構成された本発明によれば、研磨対象物の被研磨面に付着した研磨液が洗浄器によって除去されるので、研磨液の影響を受けることなく膜厚を測定することができる。これにより、高い精度で膜厚を測定することが可能となる。また、同一条件で膜厚測定を行ったときの測定値の再現性を向上させることができる。したがって、例えば、研磨中に膜厚の測定（Ｉｎ−ｓｉｔｕモニタリング）を行い、所望の膜厚になったことを検出することにより、あるいは、膜厚が０（ゼロ）になったことを検出することにより、研磨プロセスの終点を正確に検出することができる。
【００１４】
本発明の好ましい態様は、前記研磨対象物の一部が前記研磨面の外縁部からはみ出した際に、前記トップリングの回転速度を６０ｍｉｎ−１以下に減速させることを特徴とする。
このように構成された本発明によれば、トップリング、すなわち研磨対象物を定常回転速度よりも低速で回転させた状態で研磨対象物の被研磨面の画像が取得されるので、画像の認識率を向上させることが可能となる。
【００１５】
本発明の好ましい態様は、前記研磨面の外縁部は、略波型の形状を有していることを特徴とする。
このように構成された本発明によれば、研磨対象物を研磨面からはみ出させた（オーバーハングさせた）ときに、研磨面の外周部に当接する部位において研磨対象物への押圧力（荷重）を緩和させることができ、これにより、この部位での局所的な過剰研磨を防止することが可能となる。
【００１６】
本発明の好ましい態様は、前記研磨対象物の一部が前記研磨面の外縁部からはみ出している間、前記研磨対象物の前記研磨面に対する押圧力を３００ｇｆ／ｃｍ２以下に制御することを特徴とする。
一般に、オーバーハングさせた状態でトップリングを研磨面に対して押圧すると、トップリングに保持された研磨対象物が研磨面に対してわずかながら傾斜する。この場合において、トップリングの押圧力が大きくなると、被研磨面の位置が画像認識器の焦点範囲から外れてしまう。本発明によれば、研磨対象物の研磨面に対する押圧力を所定の値以下に制御することにより、被研磨面を焦点範囲内に位置させることができ、これにより、被研磨面の画像を良好に取得することができる。また、上記押圧力を低下させることにより、研磨面の外周部に当接する部位での研磨対象物の局所的な過剰研磨を防止することができる。
【００１７】
本発明の好ましい態様は、前記研磨対象物の被研磨面に光を照射する光源を更に備えたことを特徴とする。
【００１８】
本発明の他の態様は、研磨対象物を保持するトップリングと研磨面とを備え、前記研磨面に前記研磨対象物を摺接させて研磨するポリッシング装置であって、前記トップリングを移動させて前記研磨対象物を前記研磨面の外縁部からはみ出させる移動機構と、前記研磨対象物の被研磨面の画像を取り込み、該画像と基準画像とを比較する画像認識器と、前記研磨対象物の回転方向において前記画像認識器よりも上流側の位置に設けられ、前記研磨対象物の被研磨面を洗浄する洗浄器と、を備えたことを特徴とする。
【００１９】
本発明の他の態様は、研磨面に研磨液を供給しながらトップリングに保持された研磨対象物を前記研磨面に摺接させて研磨する研磨方法であって、前記トップリングを移動させて前記研磨対象物の一部を前記研磨面の外縁部からはみ出させる移動工程と、前記研磨面からはみ出した前記研磨対象物の被研磨面に付着した研磨液を洗浄する洗浄工程と、前記研磨対象物の被研磨面の画像を取り込む画像認識工程と、を備え、前記研磨対象物の一部が前記研磨面の外縁部からはみ出している間、前記研磨対象物の前記研磨面に対する押圧力を制御することを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るポリッシング装置の全体構成を示す概略断面図である。図２は図１に示すポリッシング装置の概略平面図である。
【００２１】
図１に示すように、本実施形態におけるポリッシング装置は、上面に研磨パッド（例えば研磨布）１０が貼設された研磨テーブル（研磨台）２０と、研磨対象物である半導体ウェハＷを保持して研磨パッド１０の上面に押圧するトップリング３０とを備えている。研磨パッド１０の上面は、半導体ウェハＷと摺接する研磨面１０ａを構成している。なお、微細な砥粒（ＣｅＯ２等からなる）を樹脂等のバインダで固めた固定砥粒板の上面を研磨面として構成することもできる。
【００２２】
研磨テーブル２０は、その下方に配置されるモータ２１に連結されており、矢印で示すようにその軸心回りに回転可能になっている。また、研磨テーブル２０の上方には研磨液供給ノズル２２が設置されており、この研磨液供給ノズル２２から研磨パッド１０上に研磨液Ｑが供給されるようになっている。
【００２３】
トップリング３０は、トップリングシャフト３２に連結されており、このトップリングシャフト３２を介してモータ及び昇降シリンダ（図示せず）に連結されている。これによりトップリング３０は、矢印で示すように昇降可能かつトップリングシャフト３２回りに回転可能となっている。また、トップリング３０はその下面にポリウレタン等の弾性マット３４を備えており、この弾性マット３４の下面に、研磨対象物である半導体ウェハＷが真空等によって保持される。このような構成により、トップリング３０は自転しながら、その下面に保持した半導体ウェハＷを研磨パッド１０に対して任意の圧力で押圧することができるようになっている。なお、トップリング３０の下部外周部には、半導体ウェハＷの外れ止めを行うガイドリング３６が設けられている。
【００２４】
トップリング３０とトップリングシャフト３２とは自在継手部により連結されている。この自在継手部は、トップリング３０及びトップリングシャフト３２とを互いに傾動可能とする球面軸受機構４３と、トップリングシャフト３２の回転をトップリング３０に伝達する回転伝達機構４５とを備えており、トップリングシャフト３２からトップリング３０に対して互いの傾動を許容しつつ押圧力及び回転力を伝達する。
【００２５】
トップリングシャフト３２の上端は、トップリングヘッド３８を介して支持軸４０に連結されており、この支持軸４０の下端には、動力伝達機構４２を介してモータ４４が連結されている。このような構成により、モータ４４を駆動させることでトップリング３０が支持軸４０を中心として揺動し、トップリング３０及びこのトップリング３０に保持された半導体ウェハＷの一部が研磨テーブル２０の研磨面１０ａからはみ出る（オーバーハングする）ようになっている。なお、モータ４４、支持軸４０、トップリングヘッド３８などにより移動機構が構成される。
【００２６】
図２に示すように、研磨パッド１０の外縁部には、周方向に沿って波型の連続した凹凸部が形成され、これによって、研磨パッド１０（研磨面１０ａ）の外縁部は波型の形状を有している。なお、本実施形態に係るポリッシング装置は、軸心を中心に回転する研磨テーブルを研磨台として用いているが、これに限らず、スクロール運動する研磨テーブルや、研磨ベルトなどを研磨台として用いても良い。
【００２７】
上述の構成を有するポリッシング装置において、トップリング３０の下面に保持された半導体ウェハＷは、回転している研磨テーブル２０の上面の研磨パッド１０に押圧される。このとき、研磨液供給ノズル２２からは研磨パッド１０上に研磨液Ｑが供給される。これによって、半導体ウェハＷの被研磨面（下面）と研磨パッド１０との間に研磨液Ｑが存在した状態でポリッシングが行われる。
【００２８】
図１及び図２に示すように、研磨テーブル２０の外周部近傍には、半導体ウェハＷの被研磨面の画像を取得し、該画像の中から所定の基準画像と一致する領域を認識する画像認識器５０が設定されている。この画像認識器５０はステージ５２上に設置され、このステージ５２上を研磨テーブル２０の略半径方向に沿って移動自在となっている。研磨テーブル２０の回転方向であって画像認識器５０の下流側の位置には投光器（光源）５４が設けられており、この投光器５４から半導体ウェハＷの被研磨面に所定の波長を有する光が照射される。画像認識器５０は、半導体ウェハＷの被研磨面から反射した光を受光し、これにより、被研磨面の所定領域、特に被研磨面に形成された回路素子部を画像として認識する。なお、投光器５４から発せられる光は、レーザー光、ＬＥＤ、またはキセノンフラッシュランプによる光である。
【００２９】
画像認識器５０に隣接して、半導体ウェハＷの被研磨面に洗浄液を噴出する洗浄ノズル（洗浄器）５６が設けられている。この洗浄ノズル５６は、半導体ウェハＷの回転方向において画像認識器５０よりも上流側の位置に配置されている。この洗浄ノズル５６から洗浄液を噴出させることにより、半導体ウェハＷの被研磨面が洗浄される。
【００３０】
研磨テーブル２０の回転方向であって画像認識器５０の上流側の位置には、半導体ウェハＷの外周部に形成されたノッチＮを検出するノッチセンサ５８が設けられている。このノッチセンサ５８は、図示しない投光素子と受光素子とを有する光学センサにより構成されており、水平方向に移動自在となっている。ノッチセンサ５８は、投光素子から半導体ウェハＷの外周部に光を照射し、外周部からの反射光を受光素子で受光するように構成されており、反射光の反射率の変化などから半導体ウェハＷのノッチＮを検出することができる。この場合、投光素子から発せられる光は、レーザー光、ＬＥＤ、またはキセノンフラッシュランプによる光である。ここで、ノッチとは、半導体ウェハＷの向きを特定するために半導体ウェハＷの外周部に形成された切欠きをいう。
【００３１】
図２に示すように、ノッチセンサ５８に隣接して、半導体ウェハＷの外周部に洗浄液を噴出する洗浄ノズル（洗浄器）６０が設けられている。この洗浄ノズル６０は、半導体ウェハＷの回転方向においてノッチセンサ５８よりも上流側の位置に配置されている。この洗浄ノズル６０から洗浄液を噴出させることにより、半導体ウェハＷの外周部が洗浄され、これによりノッチＮを正確に検出することができる。
【００３２】
上述した画像認識器５０は、ノッチセンサ５８に同期して作動する。即ち、ノッチセンサ５８が半導体ウェハＷのノッチＮを検出したとき、画像認識器５０は半導体ウェハＷの被研磨面の画像を取得する。したがって、画像認識器５０は、半導体ウェハＷが一定の方向を向いているときに作動し、これにより、常に半導体ウェハＷの同一の領域の画像が画像認識器５０によって取得される。
【００３３】
ここで、画像認識器５０の機能について図３を参照して説明する。図３は、基準画像と、取得画像と、測定点との関係を説明するための模式図である。画像認識器５０には基準画像（例えば、被研磨面に形成された回路素子部の画像の一部）Ｐ１が予め登録されている。画像認識器５０に取り込まれた被研磨面の画像Ｐ２（以下、取得画像という）は基準画像Ｐ１と比較され、画像認識器５０は取得画像Ｐ２の中から基準画像Ｐ１に一致した領域を認識する（パターンマッチング）。これによって、基準画像Ｐ１の位置を基準とした所定の測定点Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３が特定され、これらの測定点の膜厚が画像認識器５０によって測定される。
【００３４】
このとき、ノッチセンサ５８、画像認識器５０、及び半導体ウェハＷの位置を適切に調整することにより、被研磨面上の任意の点（測定点）の膜厚を測定することができる。このように、本実施形態によれば、半導体ウェハＷの被研磨面上における特定の点の膜厚が測定されるので、精度の高い膜厚測定が可能となる。すなわち、従来では、被研磨面全体の平均化された情報に基づいて膜厚が測定されていたため、回路素子のパターンの集積密度に起因して膜厚の測定値に誤差が生じる可能性があった。これに対し本実施形態では、基準画像の位置を基準とした特定の測定点の膜厚が測定されるので、膜厚測定の精度を向上させることが可能となる。
【００３５】
上述した膜厚測定は、トップリング３０に保持された半導体ウェハＷの一部を研磨面１０ａからはみ出させた（オーバーハングさせた）状態で行われる。すなわち、研磨中あるいは研磨後にトップリングヘッド３８を揺動させ、図１に示すように、半導体ウェハＷの一部を研磨パッド１０の外周縁から外側にはみ出させ、半導体ウェハＷの被研磨面の一部を画像認識器５０の上方に位置させる。この時、画像認識器５０の処理能力に対応させるため、トップリング３０の回転速度を６０ｍｉｎ−１以下に減速させる。また、同時に、半導体ウェハＷの被研磨面の研磨面１０ａに対する押圧力が３００ｇｆ／ｃｍ２以下となるようにトップリング３０の押圧力を制御する。
【００３６】
次に、洗浄ノズル５６，６０から半導体ウェハＷに向けて洗浄液が噴射され、これにより、半導体ウェハＷの外周部や被研磨面に付着している研磨液（スラリ）が除去される。そして、半導体ウェハＷを研磨面１０ａからオーバーハングさせた状態で、ノッチセンサ５８により半導体ウェハＷのノッチＮの検出が開始される。ノッチセンサ５８によりノッチＮが検出されると、これに同期して画像認識器５０により被研磨面の画像が取得され、画像（光の反射率）に基づいて所定の測定点の膜厚が画像認識器５０によって測定される。このように、画像認識器５０が被研磨面の画像を取り込む前にこの被研磨面を洗浄することができるので、膜厚測定を高い精度で行うことができる。
【００３７】
また、上述したように、研磨パッド１０の外縁部は略波型に形成されているため、研磨パッド１０の外縁部における半導体ウェハＷの研磨パッド１０への押圧力が緩和される。これにより、オーバーハングに起因する局所的な過剰研磨が防止され、被研磨面の全体に亘って均一な研磨が実現される。また、オーバーハング時におけるトップリング３０の被研磨面への押圧力及びトップリング３０の回転速度を低下させることによっても、研磨パッド１０の外周部での過剰研磨を防止することができる。
【００３８】
トップリング３０は自在継手部を介してトップリングシャフト３２に連結されているため、オーバーハング時にトップリング３０の研磨面１０ａに対する押圧力が高すぎると、トップリング３０に保持された半導体ウェハＷが研磨面１０ａに対して傾斜する。半導体ウェハＷの傾斜角度が大きくなると、半導体ウェハＷの被研磨面の位置が画像認識器５０の焦点範囲から外れてしまうことが予想される。本実施形態では、このような問題を避けるために、オーバーハング時のトップリング３０（半導体ウェハＷ）の研磨面１０ａに対する押圧力を３００ｇｆ／ｃｍ２以下、より好ましくは１００ｇｆ／ｃｍ２以下に制御し、これにより、焦点範囲内での画像の取り込みが可能となる。したがって、被研磨面の鮮明な画像が得られ、被研磨面上の膜厚を正確に測定することができる。
【００３９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、研磨対象物の被研磨面に付着した研磨液が洗浄器によって除去されるので、研磨液の影響を受けることなく膜厚を測定することができる。これにより、高い精度で膜厚を測定することが可能となる。また、同一条件で膜厚測定を行ったときの測定値の再現性を向上させることができる。したがって、例えば、研磨中に膜厚の測定（Ｉｎ−ｓｉｔｕモニタリング）を行い、所望の膜厚になったことを検出することにより、あるいは、膜厚が０（ゼロ）になったことを検出することにより、研磨プロセスの終点を正確に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るポリッシング装置の全体構成を示す概略断面図である。
【図２】図１に示すポリッシング装置の概略平面図である。
【図３】基準画像と、取得画像と、測定点との関係を説明するための模式図である。
【符号の説明】
１０      研磨パッド
１０ａ    研磨面
２０      研磨テーブル（研磨台）
２１，４４      モータ
２２      研磨液供給ノズル
３０      トップリング
３２      トップリングシャフト
３４      弾性マット
３６      ガイドリング
３８      トップリングヘッド
４０      支持軸
４２      動力伝達機構
４３      球面軸受機構
４５      回転伝達機構
５０      画像認識器
５２      ステージ
５４      投光器（光源）
５６，６０      洗浄ノズル（洗浄器）
５８      ノッチセンサ
Ｑ      研磨液
Ｎ      ノッチ
Ｗ      半導体ウェハ（研磨対象物）
Ｐ１    基準画像
Ｐ２    被研磨面の画像（取得画像）
Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３    測定点
【図１】
2004335600.tif 000003
【図２】
2004335600.tif 000004
【図３】
2004335600.tif 000005