(57)【要約】【課題】少数の独立電位の電源を使用して低コストかつ構成簡単な交流交流直接変換装置を実現する。【解決手段】交流の入出力間にそれぞれ接続される複数の交流スイッチ回路が第１，第２の半導体スイッチング素子１１，１２を備え、複数の第１の半導体スイッチング素子１１のエミッタを同一の交流入力相に接続すると共に、当該交流入力相の電位を基準電位とする第１の共通電源６４を用いて複数の第１の半導体スイッチング素子１１を駆動する。また、複数の第２の半導体スイッチング素子１２のエミッタを同一の交流出力相に接続すると共に、当該交流出力相の電位を基準電位とする第２の共通電源６４を用いて複数の第２の半導体スイッチング素子１２を駆動する。何れも同一構成の交流スイッチ回路（例えば１０ＲＵ）を、第１，第２の半導体スイッチング素子１１，１２を逆並列接続して構成した。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流スイッチ回路のスイッチング動作により交流入力を直接、交流出力に変換する交流交流直接変換装置において、
交流入力相と交流出力相との間にそれぞれ接続される複数の交流スイッチ回路が第１，第２の半導体スイッチング素子を備え、複数の第１の半導体スイッチング素子の電流流出側電極を同一の交流入力相に接続すると共に、当該交流入力相の電位を基準電位とする第１の共通電源を用いて前記複数の第１の半導体スイッチング素子を駆動し、かつ、複数の第２の半導体スイッチング素子の電流流出側電極を同一の交流出力相に接続すると共に、当該交流出力相の電位を基準電位とする第２の共通電源を用いて前記複数の第２の半導体スイッチング素子を駆動する交流交流直接変換装置であって、
前記交流スイッチ回路を、第１の半導体スイッチング素子と第２の半導体スイッチング素子とを逆並列接続して構成したことを特徴とする交流交流直接変換装置。
【請求項２】
交流スイッチ回路のスイッチング動作により交流入力を直接、交流出力に変換する交流交流直接変換装置において、
交流入力相と交流出力相との間にそれぞれ接続される複数の交流スイッチ回路が第１，第２の半導体スイッチング素子を備え、複数の第１の半導体スイッチング素子の電流流出側電極を同一の交流入力相に接続すると共に、当該交流入力相の電位を基準電位とする第１の共通電源を用いて前記複数の第１の半導体スイッチング素子を駆動し、かつ、複数の第２の半導体スイッチング素子の電流流出側電極を同一の交流出力相に接続すると共に、当該交流出力相の電位を基準電位とする第２の共通電源を用いて前記複数の第２の半導体スイッチング素子を駆動する交流交流直接変換装置であって、
前記交流スイッチ回路を、第１の半導体スイッチング素子と第１のダイオードとの順方向直列接続回路と、第２の半導体スイッチング素子と第２のダイオードとの順方向直列接続回路とを、逆並列接続して構成したことを特徴とする交流交流直接変換装置。
【請求項３】
交流スイッチ回路のスイッチング動作により交流入力を直接、交流出力に変換する交流交流直接変換装置において、
交流入力相と交流出力相との間にそれぞれ接続される複数の交流スイッチ回路が第１，第２の半導体スイッチング素子を備え、複数の第１の半導体スイッチング素子の電流流出側電極を同一の交流入力相に接続すると共に、当該交流入力相の電位を基準電位とする第１の共通電源を用いて前記複数の第１の半導体スイッチング素子を駆動し、かつ、複数の第２の半導体スイッチング素子の電流流出側電極を同一の交流出力相に接続すると共に、当該交流出力相の電位を基準電位とする第２の共通電源を用いて前記複数の第２の半導体スイッチング素子を駆動する交流交流直接変換装置であって、
前記交流スイッチ回路を、第１の半導体スイッチング素子と第１のダイオードとの逆並列接続回路と、第２の半導体スイッチング素子と第２のダイオードとの逆並列接続回路とによって構成し、第１，第２のダイオードのカソード同士を接続したことを特徴とする交流交流直接変換装置。
【請求項４】
請求項１，２または３に記載した交流交流直接変換装置において、
交流入力相の各相と交流出力相の各相との間にそれぞれ交流スイッチ回路を接続すると共に、
同一の交流入力相にそれぞれ接続される交流出力相数分の交流スイッチ回路内の第１の半導体スイッチング素子の電流流出側電極を、当該交流入力相にそれぞれ接続し、
同一の交流出力相にそれぞれ接続される交流入力相数分の交流スイッチ回路内の第２の半導体スイッチング素子の電流流出側電極を、当該交流出力相にそれぞれ接続したことを特徴とする交流交流直接変換装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、交流スイッチ回路のスイッチング動作により交流入力から直流に変換することなく直接、交流出力を得る交流交流直接変換装置に関し、特に、交流スイッチ回路及びその駆動用電源の接続構成に特徴を有する交流交流直接変換装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図４は、３相入力／３相出力の交流交流直接変換装置としての、いわゆるマトリクスコンバータの構成を示している。ここで、マトリクスコンバータをはじめとする交流交流直接変換装置は、直流段を必要とせず、大容量のコンデンサやリアクトル等のエネルギー蓄積要素が不要であって装置の小型軽量化、低価格化が可能であるため、多相交流電動機等の電源としてしばしば用いられている。
以下では、マトリクスコンバータの３相交流電源２００側の交流入力相をＲ，Ｓ，Ｔ相、負荷３００側の交流出力相をＵ，Ｖ，Ｗ相と称して説明する。
【０００３】
一般に、マトリクスコンバータでは、図４に示すように２個の単方向の半導体スイッチング素子１０３，１０４を組み合わせて交流スイッチ回路（双方向スイッチ回路）１０２を構成し、出力電圧波形や入力電流波形を制御している。なお、各スイッチング素子１０３，１０４は、例えば、環流ダイオードが逆並列接続されたＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）によって構成されている。
【０００４】
ここで、各スイッチング素子１０３，１０４は、電源の短絡や誘導性負荷の開放を防止するべく電源電圧や負荷電流の極性に応じてそれぞれ独立にスイッチングを行う必要があるため、個別の駆動回路１０６，１０７によって駆動されるようになっている。
また、駆動回路１０６，１０７の電源は絶縁電源１０８から供給されており、これらの駆動回路１０６，１０７及び絶縁電源１０８によって駆動ユニット１０５が構成されている。駆動回路１０６，１０７の入力ｐは、図示されていない制御装置により、所望の出力電圧や入力電流を得るために生成されたＰＷＭパルスである。
【０００５】
そして、交流スイッチ回路１０２及び駆動ユニット１０５が３相分設けられて一つのスイッチ群１０１Ｒが構成され、このスイッチ群１０１Ｒ内の３個の交流スイッチ回路１０２の一端が一括してＲ相端子に接続されると共に、３個の交流スイッチ回路１０２の他端がそれぞれＵ，Ｖ，Ｗ相端子に接続されている。
また、スイッチ群１０１Ｒと同一構成のスイッチ群１０１Ｓ，１０１Ｔが構成され、内部の各交流スイッチ回路１０２は、スイッチ群１０１Ｒと同様にしてＳ，Ｔ相端子、Ｕ，Ｖ，Ｗ相端子にそれぞれ接続されている。
【０００６】
このように、図４の構成では、スイッチ群１０１Ｒ，１０１Ｓ，１０１Ｔについて、各３個の交流スイッチ回路１０２と同数の絶縁電源１０８が必要であり、全体では合計９個の絶縁電源１０８が必要となる。
【０００７】
なお、図４では省略したが、絶縁電源１０８の入力は、絶縁電源の方式に応じて交流電圧でも直流電圧でもよく、いずれにしても共通の電源から各絶縁電源１０８へ電力が供給されるようになっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、従来の交流交流直接変換装置では、交流スイッチ回路一つにつき一つの独立電位の電源（前述した絶縁電源１０８）を必要とするため、駆動用電源の数が多く、コスト高の原因となっていた。
そこで本発明は、少数の独立電位の電源を使用して半導体スイッチング素子を駆動可能とした、低コストかつ構成簡単な交流交流直接変換装置を提供しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１に記載した発明は、交流スイッチ回路のスイッチング動作により交流入力を直接、交流出力に変換する交流交流直接変換装置において、
交流入力相と交流出力相との間にそれぞれ接続される複数の交流スイッチ回路が第１，第２の半導体スイッチング素子を備え、複数の第１の半導体スイッチング素子の電流流出側電極を同一の交流入力相に接続すると共に、当該交流入力相の電位を基準電位とする第１の共通電源を用いて前記複数の第１の半導体スイッチング素子を駆動し、かつ、複数の第２の半導体スイッチング素子の電流流出側電極を同一の交流出力相に接続すると共に、当該交流出力相の電位を基準電位とする第２の共通電源を用いて前記複数の第２の半導体スイッチング素子を駆動する交流交流直接変換装置であって、
前記交流スイッチ回路を、第１の半導体スイッチング素子と第２の半導体スイッチング素子とを逆並列接続して構成したものである。
【００１０】
請求項２に記載した発明は、前記交流スイッチ回路を、第１の半導体スイッチング素子と第１のダイオードとの順方向直列接続回路と、第２の半導体スイッチング素子と第２のダイオードとの順方向直列接続回路とを、逆並列接続して構成したものである。
【００１１】
請求項３に記載した発明は、前記交流スイッチ回路を、第１の半導体スイッチング素子と第１のダイオードとの逆並列接続回路と、第２の半導体スイッチング素子と第２のダイオードとの逆並列接続回路とによって構成し、第１，第２のダイオードのカソード同士を接続したものである。
【００１２】
請求項４に記載した発明では、請求項１，２または３に記載した交流交流直接変換装置において、交流入力相（例えばＲ，Ｓ，Ｔの３相とする）の各相と交流出力相（例えばＵ，Ｖ，Ｒの３相とする）の各相との間にそれぞれ交流スイッチ回路を接続する。
更に、同一の交流入力相（例えばＲ相）にそれぞれ接続される交流出力相数（３相）分の交流スイッチ回路内の第１の半導体スイッチング素子の電流流出側電極（例えばエミッタ）を、当該交流入力相（Ｒ相）にそれぞれ接続し、同一の交流出力相（例えばＵ相）にそれぞれ接続される交流入力相数（３相）分の交流スイッチ回路内の第２の半導体スイッチング素子の電流流出側電極を、当該交流出力相（Ｕ相）にそれぞれ接続する。同様にして、他の交流入力相（Ｓ，Ｔ相）または他の交流出力相（Ｖ，Ｗ相）に接続される交流スイッチ回路についても、第１，第２の半導体スイッチング素子の電流流出側電極を該当する交流入力相（Ｓ相またはＴ相）、交流出力相（Ｖ相またはＷ相）にそれぞれ接続するものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図に沿って本発明の実施形態を説明する。
図１は本発明の第１実施形態を示す構成図であり、請求項１，４に記載した発明の実施形態に相当する。この実施形態に係る交流交流直接変換装置は、図４と同様に３相入力／３相出力のマトリクスコンバータであり、３相交流電源２００側のＲ，Ｓ，Ｔ相端子と負荷３００側のＵ，Ｖ，Ｗ相端子との間に接続される。
【００１４】
図１において、１０ＲＵ，１０ＲＶ，１０ＲＷ，１０ＳＵ，１０ＳＶ，１０ＳＷ，１０ＴＵ，１０ＴＶ，１０ＴＷは何れも同一構成の交流スイッチ回路であり、これらのスイッチ回路は、ＩＧＢＴ等の単方向の半導体スイッチング素子１１，１２を逆並列に接続して構成されている。なお、便宜的に、半導体スイッチング素子１１を第１の半導体スイッチング素子、同１２を第２の半導体スイッチング素子とする。
【００１５】
これらの半導体スイッチング素子１１，１２の駆動回路の基準電位は、各々の電流流出側電極としてのエミッタの電位に等しくなるため、Ｒ，Ｓ，Ｔ相、Ｕ，Ｖ，Ｗ相の各相について、図示するように半導体スイッチング素子１１のエミッタ、半導体スイッチング素子１２のエミッタをそれぞれ共通接続してこれらのエミッタが各駆動回路の基準電位となるようにすれば、この基準電位を有する共通の電源を各駆動回路の電源とすることができる。
【００１６】
図１において、６０Ｒ，６０Ｓ，６０Ｔ，６０Ｕ，６０Ｖ，６０Ｗは同一構成の駆動ユニットであり、駆動ユニット６０Ｒとして例示されているように、駆動回路６１，６２，６３及び絶縁電源６４から構成されている。また、駆動回路６１，６２，６３の入力ｐは、前記同様に制御装置（図示せず）によって所望の出力電圧や入力電流を得るために生成されたＰＷＭパルスである。
【００１７】
ここで、各交流スイッチ回路と駆動ユニットとの接続状態を説明すると、例えば３相交流電源２００のＲ相端子に、交流スイッチ回路１０ＲＵ，１０ＲＶ，１０ＲＷ内の半導体スイッチング素子１１，１１，１１のエミッタを接続し、このエミッタを、駆動ユニット６０Ｒ内の駆動回路６１，６２，６３に接続して基準電位とする。なお、駆動回路６１，６２，６３は、それぞれ交流スイッチ回路１０ＲＵ，１０ＲＶ，１０ＲＷ内の半導体スイッチング素子１１，１１，１１を駆動するためのものである。
また、前記エミッタは単一かつ共通の絶縁電源６４の基準電位としてこの絶縁電源６４に接続されており、絶縁電源６４から各駆動回路６１，６２，６３に電源が供給されている。
【００１８】
同様にして、３相交流電源２００のＳ相端子に、交流スイッチ回路１０ＳＵ，１０ＳＶ，１０ＳＷ内の半導体スイッチング素子１１，１１，１１のエミッタを接続し、このエミッタを、駆動ユニット６０Ｓ内の駆動回路６１，６２，６３（図示せず）に接続して基準電位とする。また、これらのエミッタを駆動ユニット６０Ｓ内の単一の絶縁電源６４（図示せず）の基準電位として接続し、この絶縁電源６４から各駆動回路６１，６２，６３に電源を供給するものである。
３相交流電源２００のＴ相端子についても同様であり、駆動ユニット６０Ｔ内の単一の絶縁電源６４により、駆動回路６１，６２，６３（何れも図示せず）を介して交流スイッチ回路１０ＴＵ，１０ＴＶ，１０ＴＷ内の半導体スイッチング素子１１，１１，１１が駆動される。
【００１９】
ここで、駆動ユニット６０Ｒ，６０Ｓ，６０Ｔ内の絶縁電源６４は、請求項に記載した第１の共通電源に相当している。
【００２０】
更に、負荷３００側のＵ，Ｖ，Ｗ相については、例えば、Ｕ相端子に交流スイッチ回路１０ＲＵ，１０ＳＵ，１０ＴＵ内の半導体スイッチング素子１２，１２，１２のエミッタが共通接続され、このエミッタが駆動ユニット６０Ｕ内の駆動回路６１，６２，６３（図示せず）に接続されて基準電位となる。前記エミッタは駆動ユニット６０Ｕ内の単一の絶縁電源６４（図示せず）の基準電位としてこの絶縁電源６４に接続され、絶縁電源６４から各駆動回路６１，６２，６３に電源が供給されている。
【００２１】
他のＶ相，Ｗ相についても同様であり、駆動ユニット６０Ｖ，６０Ｗ内のそれぞれ単一の絶縁電源６４により駆動回路６１，６２，６３（何れも図示せず）を介して交流スイッチ回路１０ＲＶ，１０ＳＶ，１０ＴＶ、及び１０ＲＷ，１０ＳＷ，１０ＴＷ内の半導体スイッチング素子１２，１２，１２が駆動されるものである。
【００２２】
ここで、駆動ユニット６０Ｕ，６０Ｖ，６０Ｗ内の絶縁電源６４は、請求項に記載した第２の共通電源に相当している。
【００２３】
以上のようにこの実施形態では、３相電源２００のＲ相にエミッタが接続される第１の半導体スイッチング素子１１，１１，１１の絶縁電源６４（第１の共通電源）の基準電位をＲ相電位とし、Ｓ相にエミッタが接続される第１の半導体スイッチング素子１１，１１，１１の絶縁電源６４（第１の共通電源）の基準電位をＳ相電位とし、Ｔ相にエミッタが接続される第１の半導体スイッチング素子１１，１１，１１の絶縁電源６４（第１の共通電源）の基準電位をＴ相電位としている。
また、負荷３００のＵ相にエミッタが接続される第２の半導体スイッチング素子１２，１２，１２の絶縁電源６４（第２の共通電源）の基準電位をＵ相電位とし、Ｖ相にエミッタが接続される第２の半導体スイッチング素子１２，１２，１２の絶縁電源６４（第２の共通電源）の基準電位をＶ相電位とし、Ｗ相にエミッタが接続される第２の半導体スイッチング素子１２，１２，１２の絶縁電源６４（第２の共通電源）の基準電位をＷ相電位としている。
これにより、３相入力／３相出力の場合に、基準電位として独立電位を有する電源を従来の９個から６個に減少させることができ、コストの低減や回路構成の簡略化が可能になる。
【００２４】
次に、図２は本発明の第２実施形態を示すものであり、請求項２，４に記載した発明の実施形態に相当する。
図２において、３０ＲＵ，３０ＲＶ，３０ＲＷ，３０ＳＵ，３０ＳＶ，３０ＳＷ，３０ＴＵ，３０ＴＶ，３０ＴＷは何れも同一構成の交流スイッチ回路であり、これらのスイッチ回路は、ＩＧＢＴ等の単方向の半導体スイッチング素子１１，１２とダイオード２１，２２とから構成されている。すなわち、半導体スイッチング素子１１のコレクタにダイオード２１のカソードを接続し、そのアノードを半導体スイッチング素子１２のエミッタに接続すると共に、半導体スイッチング素子１２のコレクタにダイオード２２のカソードを接続し、そのアノードを半導体スイッチング素子１１のエミッタに接続して構成される。
なお、半導体スイッチング素子１１を第１の半導体スイッチング素子、同１２を第２の半導体スイッチング素子、ダイオード２１を第１のダイオード、ダイオード２２を第２のダイオードとする。
【００２５】
交流スイッチ回路３０ＲＵ，３０ＲＶ，３０ＲＷ内の半導体スイッチング素子１１のエミッタをＲ相端子に共通接続して駆動ユニット６０Ｒ内の駆動回路６１，６２，６３及び絶縁電源６４に接続する点、交流スイッチ回路３０ＳＵ，３０ＳＶ，３０ＳＷ内の半導体スイッチング素子１１のエミッタをＳ相端子に共通接続して駆動ユニット６０Ｓ内の駆動回路６１，６２，６３及び絶縁電源６４に接続する点、交流スイッチ回路３０ＴＵ，３０ＴＶ，３０ＴＷ内の半導体スイッチング素子１１のエミッタをＴ相端子に共通接続して駆動ユニット６０Ｔ内の駆動回路６１，６２，６３及び絶縁電源６４に接続する点は、図１の実施形態と同様である。
【００２６】
また、交流スイッチ回路３０ＲＵ，３０ＳＵ，３０ＴＵ内の半導体スイッチング素子１２のエミッタをＵ相端子に共通接続して駆動ユニット６０Ｕ内の駆動回路６１，６２，６３及び絶縁電源６４に接続する点、交流スイッチ回路３０ＲＶ，３０ＳＶ，３０ＴＶ内の半導体スイッチング素子１２のエミッタをＶ相端子に共通接続して駆動ユニット６０Ｖ内の駆動回路６１，６２，６３及び絶縁電源６４に接続する点、交流スイッチ回路３０ＲＷ，３０ＳＷ，３０ＴＷ内の半導体スイッチング素子１２のエミッタをＷ相端子に共通接続して駆動ユニット６０Ｗ内の駆動回路６１，６２，６３及び絶縁電源６４に接続する点も、図１の実施形態と同様である。
【００２７】
この実施形態は、単方向の半導体スイッチング素子１１，１２の逆耐圧能力が低い場合のものであり、各スイッチング素子１１，１２にそれぞれ順方向接続されるダイオード２１，２２によって逆耐圧特性を向上させている。
本実施形態においても、３相入力／３相出力の場合に、基準電位として独立電位を有する電源を６個にすることができ、コストの低減や回路構成の簡略化が可能になる。
【００２８】
次いで、図３は本発明の第３実施形態を示しており、請求項３，４に記載した発明の実施形態に相当する。
図３において、４０ＲＵ，４０ＲＶ，４０ＲＷ，４０ＳＵ，４０ＳＶ，４０ＳＷ，４０ＴＵ，４０ＴＶ，４０ＴＷは何れも同一構成の交流スイッチ回路であり、これらのスイッチ回路は、半導体スイッチング素子１１，１２を逆方向に直列接続し、各スイッチング素子１１，１２に対して逆並列に還流ダイオード２１，２２をそれぞれ接続して構成されている。
なお、図２と同様に半導体スイッチング素子１１を第１の半導体スイッチング素子、同１２を第２の半導体スイッチング素子、ダイオード２１を第１のダイオード、ダイオード２２を第２のダイオードとする。
【００２９】
交流スイッチ回路４０ＲＵ，４０ＲＶ，４０ＲＷ内の半導体スイッチング素子１１のエミッタをＲ相端子に共通接続して駆動ユニット６０Ｒ内の駆動回路６１，６２，６３及び絶縁電源６４に接続する点、交流スイッチ回路４０ＳＵ，４０ＳＶ，４０ＳＷ内の半導体スイッチング素子１１のエミッタをＳ相端子に共通接続して駆動ユニット６０Ｓ内の駆動回路６１，６２，６３及び絶縁電源６４に接続する点、交流スイッチ回路４０ＴＵ，４０ＴＶ，４０ＴＷ内の半導体スイッチング素子１１のエミッタをＴ相端子に共通接続して駆動ユニット６０Ｔ内の駆動回路６１，６２，６３及び絶縁電源６４に接続する点は、図１、図２の実施形態と同様である。
【００３０】
また、交流スイッチ回路４０ＲＵ，４０ＳＵ，４０ＴＵ内の半導体スイッチング素子１２のエミッタをＵ相端子に共通接続して駆動ユニット６０Ｕ内の駆動回路６１，６２，６３及び絶縁電源６４に接続する点、交流スイッチ回路４０ＲＶ，４０ＳＶ，４０ＴＶ内の半導体スイッチング素子１２のエミッタをＶ相端子に共通接続して駆動ユニット６０Ｖ内の駆動回路６１，６２，６３及び絶縁電源６４に接続する点、交流スイッチ回路４０ＲＷ，４０ＳＷ，４０ＴＷ内の半導体スイッチング素子１２のエミッタをＷ相端子に共通接続して駆動ユニット６０Ｗ内の駆動回路６１，６２，６３及び絶縁電源６４に接続する点も、図１、図２の実施形態と同様である。
【００３１】
この実施形態においても、３相入力／３相出力の場合に、基準電位として独立電位を有する電源を６個にすることができ、コストの低減や回路構成の簡略化が可能になる。また、交流スイッチ回路４０ＲＵ，４０ＲＶ，４０ＲＷ，４０ＳＵ，４０ＳＶ，４０ＳＷ，４０ＴＵ，４０ＴＶ，４０ＴＷとして、図４に示した従来技術の交流スイッチ回路１０２をそのまま利用可能である。
【００３２】
なお、上記各実施形態では、共通電源として絶縁電源６４を用いているが、線間電圧を利用したシリーズレギュレータ等の電源でもよい。
また、各実施形態では半導体スイッチング素子１１，１２としてＩＧＢＴを使用した場合を説明したが、ＭＯＳＦＥＴ等の電圧駆動型デバイスを使用しても良い。
更に、本発明は、３相入力／３相出力に限定されるものではなく、それ以外の多相入力／多相出力の交流交流直接変換装置に適用可能である。
【００３３】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、交流交流直接変換装置において単方向の半導体スイッチング素子を用いて交流スイッチ回路を構成する際に、各半導体スイッチング素子の電流流出側電極を交流入力相（交流電源側）及び交流出力相（負荷側）に接続することにより、電流流出側電極の電位を電源の基準電位とすることができ、独立電位を有する電源の数を従来よりも減少させることができる。
この結果、交流交流直接変換装置の回路構成の簡略化、並びにコストの低減が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態を示す回路構成図である。
【図２】本発明の第２実施形態を示す回路構成図である。
【図３】本発明の第３実施形態を示す回路構成図である。
【図４】従来技術としてのマトリクスコンバータの回路構成図である。
【符号の説明】
１０ＲＵ，１０ＲＶ，１０ＲＷ，１０ＳＵ，１０ＳＶ，１０ＳＷ，１０ＴＵ，１０ＴＶ，１０ＴＷ：交流スイッチ回路
１１，１２：半導体スイッチング素子
２１，２２：ダイオード
３０ＲＵ，３０ＲＶ，３０ＲＷ，３０ＳＵ，３０ＳＶ，３０ＳＷ，３０ＴＵ，３０ＴＶ，３０ＴＷ：交流スイッチ回路
４０ＲＵ，４０ＲＶ，４０ＲＷ，４０ＳＵ，４０ＳＶ，４０ＳＷ，４０ＴＵ，４０ＴＶ，４０ＴＷ：交流スイッチ回路
６０Ｒ，６０Ｓ，６０Ｔ，６０Ｕ，６０Ｖ，６０Ｗ：駆動ユニット
６１，６２，６３：駆動回路
６４：絶縁電源
２００：３相交流電源
３００：負荷
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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