(57)【要約】【課題】本発明の目的は、アスペクト比の低いビアホールの形成、および、ファインラインの形成が可能なプリント配線基板の製造方法およびその方法で製造されたプリント配線基板を提供することにある。【解決手段】本発明のプリント配線基板１０の製造方法は、プリント配線基板１０の金属箔１４上にランド２２ａ，２２ｂとなるめっき層１６を選択的に形成するステップと、めっき層１６の厚みを調節するステップと、金属箔１４をライン１４ａに形成するステップと、を含む。ランド２２ａ，２２ｂの厚みを調節することによって、ランド２２ａ，２２ｂの上に形成されるビアホール２８のアスペクト比を調節することができる。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面および裏面を有し、該表面および裏面に金属箔が積層された絶縁基板を準備するステップと、
前記金属箔上にランドとなるめっき層を選択的に形成するステップと、
前記めっき層の厚みを調節するステップと、
前記金属箔をラインに形成するステップと、
を含むプリント配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記めっき層の厚みを調節するステップが、めっき層の表面を研磨するステップを含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁基板、ランドおよびラインの上に誘電体層を形成するステップと、
前記ランド上の誘電体層に穴を開けるステップと、
前記穴にめっきをおこなうステップと、
を含む請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
表面および裏面を有し、該表面および裏面に金属箔が積層された絶縁基板を準備するステップと、
前記金属箔と絶縁基板に穴を形成するステップと、
前記金属箔上にレジストパターンを形成するステップと、
前記穴の内壁および露出された金属箔上にめっき層を形成するステップと、
前記金属箔上のめっき層の厚みを調節するステップと、
前記金属箔をラインに形成するステップと、
を含むプリント配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記ラインに形成するステップが、
前記レジストパターンを除去するステップと、
前記金属箔およびめっき層上にレジスト層を形成するステップと、
前記レジスト層で金属箔上に選択的な露出部を形成するステップと、
前記露出部の金属箔をエッチングするステップと、
前記レジスト層の除去をおこなうステップと、
を含む請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁基板、金属箔上のめっき層およびラインの上に誘電体層を形成するステップと、
前記めっき層上の誘電体層に穴を開けるステップと、
前記穴にめっきをおこなうステップと、
を含む請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記めっき層の厚みを調節するステップが、めっき層の表面を研磨するステップを含む請求項４乃至６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記研磨するステップが、ベルトサンダーまたはバフを用いて研磨する請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
表面および裏面を有する絶縁基板と、
前記表面および裏面に選択的に形成された金属箔のラインと、
前記表面および裏面に選択的に形成された金属箔とめっき層の積層体のランドと、
前記絶縁基板の表面および裏面における露出部および前記ラインの上に設けられた誘電体層と、
前記ランドの上に設けられたビアホールと、
を含むプリント配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ファインラインの形成ができ、かつ、ビアホールのアスペクト比が調節できるプリント配線基板の製造方法およびその方法で製造されたプリント配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  ｇｒｉｄ  ａｒｒａｙ）パッケージなどの半導体チップの端子間隔は狭ピッチ化されている。半導体チップを搭載するためのプリント配線基板のライン／ランドの狭ピッチ化およびビア／スルーホールの小径化が必要である。
【０００３】
なお、ランドは、プリント配線基板の絶縁基板上に設けられる丸や角形の回路パターンである。ランドに半導体チップの端子が接続されたり、ビアホールやスルーホールが設けられたりする。また、ラインは回路パターンにおいてランド以外の部分である。
【０００４】
ラインを狭ピッチ化するためには、金属導体層の厚みを薄くすることが望ましい。これはラインが細くかつライン間隔が狭いライン（以下、ファインラインと呼ぶ）をエッチングで形成したとき、金属導体層の厚みが厚いとエッチングが上手くできずに金属残渣（アンカーを含む）が発生し、ライン間を絶縁できないためである。
【０００５】
プリント配線基板は、絶縁基板にビアホールやスルーホール用の穴を開け、その穴にめっきをおこない、ビアホールやスルーホールを形成する。しかし、ビアホールやスルーホールとなる穴にめっきをおこなうと、絶縁基板全体にめっきをおこなうことになる。ラインを形成するエリアの金属導体層にめっきをおこなうと金属導体層全体が厚くなり、エッチング法により所定のライン幅、ライン間隔を確保する事が難しくなる。したがって、ファインラインの形成に不利になる。
【０００６】
一方、プリント配線基板の微細化によってビアホール径が小さくなる。ビアホールのアスペクト比を小さくするために、絶縁層（または誘電体層）を薄くする必要がある。なおアスペクト比はビアホールの深さをビアホール径で除した値である。絶縁層が、例えばガラスクロス入りプリプレグであれば、絶縁層厚はガラスクロスの厚みによって制限され、薄くできない。また、ビアホールをめっきで埋める場合、製造時間およびめっき埋め性の観点からビアホール径が小さい方が優位である。ビアホール径が小さくなると、ビアホールのアスペクト比が高くなり、ビアホールの底にめっき液が流れにくくなる。その結果、ビアホール底のめっき層の厚みが不均一になり、実装時のリフロー温度、温度サイクル試験でめっき層にクラックが発生し、層間接続ができなくなる恐れがある。
【０００７】
また、ビアホールによる層間接続を確実におこなうために、ビアホールのめっき層を厚くする必要がある。しかし、上述したように、ビアホールのめっきと同時にラインを形成するエリアの金属導体層もめっきされるため、金属導体層全体が厚くなり、ファインラインの形成に不利になる。この様に、ビアホールのめっきを確実におこない、かつ、ファインラインを形成することは困難である。
【０００８】
プリント配線基板の製造工程におけるめっき処理は、形成されるめっき層の厚みのばらつきが大きい。プリント配線基板に形成されるラインは金属箔にめっき層が積層されるため、厚みのばらつきも大きくなる。また、ラインを形成するためのエッチング時に、めっき層の厚みのばらつきによって完全にエッチングがおこなわれずにライン間が短絡される箇所が発生する場合がある。
【０００９】
ファインラインを形成するために、絶縁基板上の金属箔を一旦はがし、めっきをおこなってラインを形成する場合がある。しかし、絶縁基板に対するめっき層の密着強度が金属箔よりも弱くなり、所望の密着強度が得られない場合がある。完成したプリント配線基板を熱衝撃試験などの各種試験を行ったとき、絶縁基板からめっき層がはがれてしまう恐れがある。めっき層がはがれると製品として使用できない。また、絶縁体上に直接めっき処理をおこなう場合、めっき処理で使用するパラジュームなどの触媒が導体間に残渣として残り、絶縁劣化を導く可能性がある。その触媒が導体間に残渣として残ることは、金めっき処理をした際のパット間の短絡および電蝕試験による絶縁性劣化などの不良現象を発生させる恐れがある。
【００１０】
スルーホールにめっきを２回おこなうプリント配線基板の製造方法が特許文献１および特許文献２に開示されている。スルーホールにめっきを２回おこなうことによって、めっき層のクラックを防止できる。スルーホールを介した層間接続が確実にできる。しかし、スルーホールのめっきと共に銅箔上にもめっきされるため、層間接続は確実におこなうことができても、ファインラインの形成は困難である。
【００１１】
回路パターンを形成した後に、スルーホールにめっきをおこなうプリント配線基板の製造方法が特許文献３に開示されている。めっきを２回おこなって、スルーホールを介した層間接続を確実にしている。しかし、形成されたラインもめっきされており、ファインラインの形成は困難である。さらに、特許文献３の図より、回路パターンの側壁にもめっき層が形成されている。めっき層の分だけラインが太くなり、さらにファインラインの形成が困難である。
【００１２】
スルーホールのめっき方法が特許文献４に開示されている。特許文献４はスルーホールの接続信頼性の向上を課題としている。その課題の解決のために、絶縁基板上に回路パターンを形成した後、回路パターン上にマスクを設ける。マスクの上から絶縁基板に穴を開け、穴の周縁のマスクも除去する。穴の内壁にめっきをおこない、スルーホールを完成させる。特許文献４の図１より、スルーホールの周縁が階段状になっている。すなわち、スルーホールのランドが階段状になっている。スルーホールのランドを階段状にすることによって、熱サイクル試験におけるスルーホールの接続信頼性が向上する。しかし、特許文献４には、ファインラインの形成やアスペクト比を低く調節することの記載はなく、本願とは課題を異にしている。
【００１３】
【特許文献１】特開昭５０−４１０５６号公報（図１乃至図１０）
【特許文献２】特開平０１−１２９４９４号公報（図１）
【特許文献３】特開平０３−１７５６９５号公報（図１）
【特許文献４】特開平０４−６２８９２号公報（図１）
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ビアホールのアスペクト比を調節し、かつ、ファインラインの形成が可能なプリント配線基板の製造方法およびプリント配線基板を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決しようとする手段】
本発明のプリント配線基板の製造方法は、表面および裏面を有し、該表面および裏面に金属箔が積層された絶縁基板を準備するステップと、前記金属箔上にランドとなるめっき層を選択的に形成するステップと、前記めっき層の厚みを調節するステップと、前記金属箔をラインに形成するステップと、を含む。めっき層の厚みを所望の厚みより厚く形成し、その後、めっき層の厚みを薄くして、所望の厚みに調節する。めっき層の厚みのばらつきを一定にすることができる。
【００１６】
本発明の他のプリント配線基板の製造方法は、表面および裏面を有し、該表面および裏面に金属箔が積層された絶縁基板を準備するステップと、前記金属箔と絶縁基板に穴を形成するステップと、前記金属箔上にレジストパターンを形成するステップと、前記穴の内壁および露出された金属箔上にめっき層を形成するステップと、前記金属箔上のめっき層の厚みを調節するステップと、前記金属箔をラインに形成するステップと、を含む。
【００１７】
本発明のプリント配線基板の要旨は、表面および裏面を有する絶縁基板と、前記表面および裏面に選択的に形成された金属箔のラインと、前記表面および裏面に選択的に形成された金属箔とめっき層の積層体のランドと、前記絶縁基板の表面および裏面における露出部および前記ラインの上に設けられた誘電体層と、前記ランドの上に設けられたビアホールと、を含む。金属箔のみでラインを形成することによって、ラインを微細化できる。また、絶縁基板およびライン上に誘電体を設け、ランド上にビアホールを設けることによって、ラインやランドが形成される層を複数層にすることができる。ランドがめっき層によって厚くなっているので、ランド上のビアホールの深さが浅くなり、アスペクト比を低くすることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明のプリント配線基板の製造方法およびその製造方法で製造されたプリント配線基板の実施形態について図面を用いて説明する。図１のプリント配線基板１０は、絶縁基板１２の表面や裏面に選択的に形成されたランド２２ａ，２２ｂとライン１４ａの厚みが異なる。ランド２２ａ，２２ｂの厚みがライン１４ａの厚みよりも相対的に厚くなっている。明細書および図面においてランド２２ａはビアホールランドを示し、ランド２２ｂはスルーホールランドを示す。
【００１９】
ライン１４ａは、プリント配線基板１０の絶縁基板１２上の金属箔１４ａが加工されて形成される。加工方法は、後述するエッチングなどである。金属箔１４は銅箔などである。ランド２２ａ，２２ｂは、金属箔１４ｂおよび金属箔１４ｂ上のめっき層１６の積層体で構成される。めっき層１６は銅めっきなどで形成する。
【００２０】
絶縁基板１２の露出した箇所やライン１４ａ上に誘電体２０の層を積層し、ランド２２ａ，２２ｂ上にビアホールを形成することによって、周知のビルドアップ配線基板が形成できる。また、スルーホール１８に誘電体２１が埋め込まれる。
【００２１】
ライン１４ａを金属箔のみで形成することによって、ファインラインの形成が可能である。ランド２２ａ，２２ｂがめっき層１６の分だけ厚くなっていることによって、ランド２２ａ，２２ｂ上に形成されるビアホールの深さを浅くすることができる。したがって、ビアホールのアスペクト比を低くすることができる。
【００２２】
次に、図２以降、図１に示すプリント配線基板１０の製造方法について説明する。図２の表面および裏面に金属箔１４が積層された絶縁基板１２を準備する。または、絶縁基板１２に金属箔１４を貼り付けても良い。例えば、金属箔１４の厚さは１８μｍ、絶縁基板１２の厚さは２００〜４００μｍである。金属箔１４は、例えば銅箔である。
【００２３】
図３に示すように、レーザーまたはドリルで穴１８ａを形成する。この穴１８ａは、後工程で絶縁基板１２の両面を電気的に接続するスルーホールを形成するための穴である。当該穴１８ａには、過マンガン酸などの薬液によりクリーニング処理を行う。例えば、穴１８ａの直径は６０μｍである。
【００２４】
図４に示すように、金属箔１４上に選択的にレジストパターン２４を形成する。レジストパターン２４がなくて金属箔１４が露出した箇所が、後工程でランドとなる。使用するレジストは例えばドライレジストである。レジストパターン２４は周知のパターニング技術を用いる。例えば、ドライレジストを金属箔１４上に貼り付け、パターンを露光し、現像液で不要部分を除去してレジストパターン２４を形成する。例えば、レジストパターン２４の厚みは２５μｍである。なお、金属箔１４上にドライレジストを貼り付ける前に金属箔１４に機械研磨あるいは化学研磨を行い、スルーホールめっきのための下地処理として無電界めっきを施す。金属箔１４の表面および穴１８ａの内壁に無電界めっきの層（図示せず）が形成される。金属箔１４の厚みは１７．５μｍになる。
【００２５】
図５に示すように、レジストパターン２４がなく露出した箇所にランドやスルーホールを形成するためのめっき層１６を形成する。レジストパターン２４がない箇所は、穴１８ａの内壁およびランドを形成するために金属箔１４表面で選択された箇所である。例えば、めっき層１６は銅めっきである。少なくとも穴１８ａの周縁はレジストパターン２４を形成せずに、無電界めっき処理された金属箔１４を露出させる。ランドとなる箇所に選択的にめっき層１６を形成し、ラインとなる箇所の金属箔１４上にはめっき層１６を形成しない。この様にランドとなる箇所のみにめっき層１６を形成することは、後工程でのライン形成において、めっき層１６をフラッシュエッチングなどの手法で除去した後にライン形成のためのエッチングをおこなう必要がなくなる。したがって、金属箔１４の厚みに与える影響が少なく、ファインラインの形成に有利である。
【００２６】
めっき層１６の厚さは所望の厚さよりも厚くし、後述するようにめっき層１６の厚さを最初に形成した厚さよりも薄くして、所望の厚さになるように調節する。穴１８ａの内壁がめっきされることによって、スルーホール１８が形成される。
【００２７】
図６に示すように、めっき層１６の厚さの調節をおこなう。めっき層１６およびレジストパターン２４を同時に研磨することによってめっき層１６の厚さを調節する。研磨はベルトサンダーまたはバフでおこなう。例えば、研磨によってめっき層１６の厚さを１０μｍにする。図５に示すめっき層１６の形成時に、めっき層１６の厚みがばらついても、この研磨によってめっき層１６の厚みを揃えることもできる。
【００２８】
なお、厚さ調節後のめっき層１６の厚さを１０〜１５μｍ以上にすると、後述するライン１４ａを形成するためのレジストパターンの形成が難しくなる。この理由は、金属箔１４とめっき層１６上のレジスト層に段差があり、その段差が大きくなると、レジストパターンを形成するときに、段差のある部分で光の乱反射が起こるためである。
【００２９】
所望の厚さよりも厚めにめっき層１６を形成して、その後にめっき層１６の厚さを研磨によって調節する理由は、後で形成されるビアホールのアスペクト比を調節するためである。めっき層１６の厚さを調節することによってランド２２ａ，２２ｂの厚さが調節される。ランド２２ａ，２２ｂ上に形成されるビアホールの深さを調節することができる。深さを調節することによって、所望のアスペクト比のビアホールを形成することができる。ランド２２ａ，２２ｂやライン１４ａを含む回路パターンが微細化されてビアホール径が小さくなっても、ビアホールのアスペクト比を低くすることができる。
【００３０】
次から金属箔１４を加工して絶縁基板１２にラインを形成するステップに入る。図７に示すように、レジストパターン２４を除去する。また、ソフトエッチングによって無電界めっき層を有する金属箔１４およびめっき層１６を研磨し、金属箔１４の厚みを１７μｍ、めっき層１６の厚みを９．５μｍにする。なお、このソフトエッチングは、後の工程でも行い、めっき層１６や金属箔１４の厚みは、ソフトエッチングによって研磨される量を考慮した厚さにしておく。
【００３１】
図８に示すように、金属箔１４およびめっき層１６上にレジスト層２６ａを形成する。レジスト層２６ａは、ドライレジストまたは電着（ＥＤ）レジストを使用する。レジスト層２６ａは段差がある箇所に空気が入り込まないように、密着させて金属箔１４およびめっき層１６に接着する。
【００３２】
図９に示すように、レジストパターン２６ｂを形成する。金属箔１４とめっき層１６の２層になった箇所のレジスト層２６ａは、図１０に示すランド２２ａ，２２ｂを形成するためにレジストパターン２６ｂとして残される。図８に示す金属箔１４上のレジスト２６ａは、後工程でラインおよびランドを形成する箇所に対してレジストパターン２６ｂを形成する。言い換えると、レジスト層２６ａで金属箔１４上に選択的な露出部２７を形成し、露出された箇所の金属箔１４が後工程でエッチングされる。
【００３３】
図９のレジストパターン２６ｂが形成されていない露出された金属箔１４をエッチングする。エッチング後にレジストパターン２６ｂを除去することによって、図１０に示すように、ライン１４ａやランド２２ａ，２２ｂが形成される。
【００３４】
ライン１４ａやランド２２ａ，２２ｂの形成後、ソフトエッチングおよび図１に示した誘電体２０を積層したときの誘電体２０と絶縁基板１２などとの密着性を確保するための化学処理を行う。金属箔１４の厚みを１６μｍ、めっき層１６の厚みを９μｍにする。
【００３５】
ライン１４ａは金属箔１４のみで構成される。ランド２２ａ，２２ｂは金属箔１４ｂおよび金属箔１４ｂ上のめっき層１６で構成される。ランド２２ａ，２２ｂとライン１４ａで異なる導体厚になっている。ライン１４ａにめっきをおこなわないため、スルーホールのめっき層１６の厚みを厚くすることができ、絶縁基板１２の層間接続を確実にすることができる。ライン１４ａは金属箔１４のみで形成するので、ファインラインにすることができる。
【００３６】
さらに図１に示す様に、絶縁基板１２、ランド２２ａ，２２ｂ、ライン１４ａ上に誘電体２０を積層する。ランド２２ａ，２２ｂ上の誘電体２０に穴を開け、穴の内部をめっきすることによってビアホールを形成する。ランド２２ａ，２２ｂは金属箔１４ｂとめっき層１６で形成されているため、ライン１４ａと比較して厚みが厚くなっている。したがって、形成されるビアホールの深さが浅くなり、アスペクト比を低くすることができる。また、誘電体２０を積層するときに、スルーホール１８内に誘電体２１が埋め込まれる。
【００３７】
図６に示したように、ランド２２ａ，２２ｂを形成するときに、厚みを調節している。ランド２２ａ，２２ｂの厚みを調節することによって、ビアホールの深さを調節することができる。したがって、ビアホールのアスペクト比を調節することができる。絶縁基板１２上の誘電体２０の厚さをライン上に合わせて調節する場合、あるいはガラスクロス入りプリプレグのように所定の厚さ以下にできない場合でも、所望のアスペクト比でビアホールを形成することができる。
【００３８】
ライン１４ａを金属箔１４のみで形成しているため、ライン１４ａの厚みはランド２２ａ，２２ｂと比較して薄い。ライン１４ａを微細化するときに、金属残渣によってライン１４ａ同士が短絡されることはない。めっき層１６の厚みにばらつきが起きても、ライン１４ａには何ら影響はない。ランド２２ａ，２２ｂは、プリント配線基板１０の製造中に厚みを調節するため、めっき厚のばらつきの影響が軽減される。絶縁基板１２上の金属箔１４をはがさずにライン１４ａを形成しているので、絶縁基板１２に対するライン１４ａの密着強度を落とすことはない。
【００３９】
ライン１４ａを形成している層を複数層にしても良い。図１０の２層構造のランド２２ａ，２２ｂを形成した後、図１１に示すように、ライン１４ａの形成されている層上に絶縁体２０と金属箔１４ｃを同時に貼り付け、ランド２２ａ，２２ｂ上の絶縁体２０と金属箔１４ｃに穴を形成する。穴を形成した後、ランドとなる箇所を選択的に露出させたレジストパターンを金属箔１４ｃ上に設け、めっきをおこなう。穴はめっきされることによって図１２に示すビアホール２８となる。ビアホール２８上のランド２２ｃも金属箔１４ｃとめっき層１６ａの２層構造になっている。ランド２２ｃのめっき層１６ａの厚みを図６と同じように調節することによって、さらに上に形成されるビアホール２８のアスペクト比を調節することができる。ランド２２ｃの形成後のライン形成は、図８から図１０の製造方法と同じであり、ラインは金属箔１４ｃのみで形成される。プリント配線基板１０ａは、金属箔１４ｃのみでラインが形成されるため、ラインの微細化が可能である。
【００４０】
なお、上述のように各部材の厚さの数値を記載したが、上述の数値に限定されるものではない。また、実際の製造において約５μｍ以下の誤差が生じる場合がある。
【００４１】
図１０の後に、絶縁基板１２やライン１４ａなどの上に周知のビルドアップ層を形成しても良い。周知のビルドアップ層は、誘電体の層とその誘電体の層の上にラインやランドがめっきで構成される。また、誘電体の層を貫通するビアホールも形成される。
【００４２】
図２において、絶縁基板１２の表面および裏面にそれぞれ金属箔１４が積層されていたが、片面のみに金属箔１４が積層されていてもよい。図１に示すランド２２ａ，２２ｂなどが片面のみに形成される。
【００４３】
以上、本発明の実施の形態について説明したが本発明は上記の実施の形態に限定されることはない。その他、本発明は、主旨を逸脱しない範囲で当業者の知識に基づき種々の改良、修正、変更を加えた態様で実施できるものである。
【００４４】
【発明の効果】
本発明によると、ランドの厚みを調節することによって、ビアホールのアスペクト比を調節することができる。誘電体層の厚さをライン上に合わせて調節する場合、あるいはガラスクロス入りプリプレグのように所定の厚さ以下にできない場合であっても、所望のアスペクト比のビアホールを形成することができる。ランドの厚みが厚くなっていることにより、ビアホールの穴径が小さくなっても、アスペクト比を低くすることができ、ビアホール内のめっきが確実にできる。
【００４５】
スルーホールの内壁へのめっきを確実におこないながら、ラインを金属箔のみで形成している。ラインがめっきされないため、ラインの厚さが薄くなり、ラインの微細化が可能である。めっき厚のばらつきは関係なく、ラインを形成することができる。金属箔をはがしてめっきすることもないので、絶縁基板に対するラインの接着強度が落ちることもない。絶縁体の表面が金属箔であることにより、めっき処理で使用するパラジュームなどの触媒残りを回避する事ができる。これは、絶縁性劣化を防止する上で優位になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法で製造されたプリント配線基板の断面端面図である。
【図２】両面に金属箔が積層された絶縁基板の断面図である。
【図３】図２の絶縁基板に穴を開けた断面端面図である。
【図４】絶縁基板に穴開け後、金属箔の表面にレジストパターンを形成した断面端面図である。
【図５】レジストパターンを形成後、めっきをおこなった断面端面図である。
【図６】めっきの厚さ調節をおこなった断面端面図である。
【図７】めっきの厚さ調節後、レジストパターンを除去した断面端面図である。
【図８】レジストパターンの除去後、金属箔およびめっき層上にレジスト層を配置した断面端面図である。
【図９】図８のレジスト層でレジストパターンを形成した断面端面図である。
【図１０】エッチングによってラインおよびランドを形成した断面端面図である。
【図１１】金属箔の層を複数設けた場合のプリント配線基板の断面端面図である。
【図１２】図１１においてランド上に形成したビアホールの断面図である。
【符号の説明】
１０，１０ａ：プリント配線基板
１２：絶縁基板
１４，１４ｂ，１４ｃ：金属箔
１４ａ：ライン
１６：めっき層
１８：スルーホール
１８ａ：穴
２０，２１：絶縁体（誘電体）
２２ａ，２２ｂ，２２ｃ：ランド
２４，２６ｂ：レジストパターン
２６ａ：レジスト層
２７：露出部
２８：ビアホール
【図１】
2004335704.tif 000003
【図２】
2004335704.tif 000004
【図３】
2004335704.tif 000005
【図４】
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【図５】
2004335704.tif 000007
【図６】
2004335704.tif 000008
【図７】
2004335704.tif 000009
【図８】
2004335704.tif 000010
【図９】
2004335704.tif 000011
【図１０】
2004335704.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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