(57)【要約】【課題】実際のＣＳＰ基板を切削した場合と実質的に同じ切削状態および切削ブレードの寿命等を検出することができる検査用ＣＳＰ基板を提供する。【解決手段】半導体チップの接続端子に対応した接続端子が複数形成されているとともに半導体チップ毎に区画するストリートが格子状に形成された金属板に複数個の半導体チップをマトリックス状に配設し、半導体チップの裏面側から樹脂でモールディングしたチップサイズパッケージ基板を、ストリートに沿って切削し個々のチップサイズパッケージに分割する際の切削状態を検出するための検査用チップサイズパッケージ基板であって、厚さが厚い凸部と該凸部の厚さの略半分の厚さの凹部とから形成された金属板と、該金属板の裏面を覆うとともに該凹部をを埋設する樹脂部と、から構成されている。【選択図】　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの接続端子に対応した接続端子が複数形成されているとともに半導体チップ毎に区画するストリートが格子状に形成された金属板に複数個の半導体チップをマトリックス状に配設し、該半導体チップの裏面側から樹脂でモールディングしたチップサイズパッケージ基板を、該ストリートに沿って切削して個々のチップサイズパッケージに分割する際の切削状態を検出するための検査用チップサイズパッケージ基板であって、
厚さが厚い凸部と該凸部の厚さの略半分の厚さの凹部とから形成された金属板と、該金属板の裏面を覆うとともに該凹部を埋設する樹脂部と、から構成されている、ことを特徴とする検査用チップサイズパッケージ基板。
【請求項２】
該金属板には、該凸部で形成されているストリートと、該凹部で形成されているストリートとが混在して形成されている、請求項１記載の検査用チップサイズパッケージ基板。
【請求項３】
該金属板には、該ストリートの両側に接続端子が形成されている、請求項２記載の検査用チップサイズパッケージ基板。
【請求項４】
該ストリートは、１〜２ｍｍの間隔で該凸部で形成されたストリートと該凹部で形成されたストリートとが交互に形成されている、請求項３記載の検査用チップサイズパッケージ基板。
【請求項５】
該凸部の厚さは略０．２ｍｍであり、該凹部の厚さは略０．１ｍｍである、請求項１から４のいずれかに記載の検査用チップサイズパッケージ基板。
【請求項６】
該金属板は、銅によって形成されている、請求項１から５のいずれかに記載の検査用チップサイズパッケージ基板。
【請求項７】
該樹脂部は、エポキシ樹脂またはフェノール樹脂からなっている請求項１から６のいずれかに記載の検査用チップサイズパッケージ基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数個の半導体チップをマトリックス状に配設したチップサイズパッケージ基板を、所定のストリートに沿って切削する際の切削状態を検出すための検査用チップサイズパッケージ基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された多数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路を形成し、該回路が形成された各領域を所定のストリートといわれる切断ラインに沿ってダイシングすることにより個々の半導体チップを製造している。このようにして分割された半導体チップは、パッケージングされて携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用されている。
携帯電話やパソコン等の電気機器はより軽量化、小型化が求められており、半導体チップのパッケージもチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）と称する小型化できるパッケージ技術が開発されている。ＣＳＰ技術の一つとして、Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｎｏｎ−ｌｅａｄ　Ｐａｃｋａｇｅ（ＱＦＮ）と称するパッケージ技術が実用化されている。このＱＦＮと称するパッケージ技術について、図５および図６を参照して説明する。
ＱＦＮと称するパッケージ技術は、半導体チップ１０１（図６参照）の接続端子に対応した接続端子１１１が複数形成されているとともに半導体チップ１０１毎に区画するストリート１１２が格子状に形成された銅板等の金属板１１０に複数個の半導体チップ１０１をマトリックス状に配設し、半導体チップ１０１の裏面側から樹脂をモールディングした樹脂部１２０によって金属板１１０と半導体チップ１０１を一体化することによりＣＳＰ基板１０を形成する。このＣＳＰ基板１０をストリート１１２に沿って切断することにより、図６に示すように個々にパッケージされたチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）１００に分割される。
【０００３】
上記ＣＳＰ基板１０の切断は、一般にダイシング装置とよばれる精密切削装置によって施される。このダイシング装置は、環状の砥粒層を備えた切削ブレードを備え、この切削ブレードを回転させつつＣＳＰ基板１０のストリート１１２に沿って相対移動することにより、ＣＳＰ基板１０をストリート１１２に沿って切削し、図６に示すように個々のＣＳＰ１００に分割する。
【０００４】
上記ＣＳＰ基板１０を構成する金属板１１０によって形成された接続端子１１１は、ストリート１１２と連続して形成されており、ストリート１１２を切削ブレードによって切断除去することによって分断されて接続端子として機能する。従って、ＣＳＰ基板１０をストリート１１２に沿って切削する際には、ストリート１１２の完全除去および隣接する接続端子１１１がバリにより短絡しないように切断状態を良好に維持する必要がある。また、ＣＳＰ基板１０を構成する金属板１１０に形成されるストリート１１２の厚さは、金属板１１０の最大厚さと同一の厚さで形成される場合と、樹脂で被覆されるように最大厚さの半分の厚さの凹部で形成される場合とがある。従って、切断状態を良好に維持するためには、ストリート１１２の形態によって切削ブレードの種類、切削送り速度、切削ブレードの回転速度等の切削条件を設定し、適正な切削条件で切削する必要がある。このストリート１１２の形態に対応した適正な切削条件を見出すために、従来は実際のＣＳＰ基板を切削して切削状態を検査していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
而して、ストリートの形態に対応した適正な切削条件を見出すために、高価なＣＳＰ基板を検査用として用いることは不経済である。
【０００６】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、実際のＣＳＰ基板を切削した場合と実質的に同じ切削状態および切削ブレードの寿命等を検出することができる検査用チップサイズパッケージ基板を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、半導体チップの接続端子に対応した接続端子が複数形成されているとともに半導体チップ毎に区画するストリートが格子状に形成された金属板に複数個の半導体チップをマトリックス状に配設し、該半導体チップの裏面側から樹脂でモールディングしたチップサイズパッケージ基板を、該ストリートに沿って切削して個々のチップサイズパッケージに分割する際の切削状態を検出するための検査用チップサイズパッケージ基板であって、
厚さが厚い凸部と該凸部の厚さの略半分の厚さの凹部とから形成された金属板と、該金属板の裏面を覆うとともに該凹部を埋設する樹脂部と、から構成されている、ことを特徴とする検査用チップサイズパッケージ基板が提供される。
【０００８】
上記金属板には、凸部で形成されているストリートと、凹部で形成されているストリートとが混在して形成されている。また、上記金属板には、ストリートの両側に接続端子が形成されている。上記ストリートは、１〜２ｍｍの間隔で凸部で形成されたストリートと凹部で形成されたストリートとが交互に形成されていることが望ましい。また、上記凸部の厚さは略０．２ｍｍであり、上記凹部の厚さは略０．１ｍｍである。なお、上記金属板は銅によって形成されていることが望ましく、上記樹脂部はエポキシ樹脂またはフェノール樹脂からなっていることが望ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に従って構成された検査用チップサイズパッケージ基板の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１０】
図１は本発明に従って構成された検査用チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）基板の平面図、図２は図１に示す検査用ＣＳＰ基板のＡ部拡大図、図３は図２におけるＢ−Ｂ断面図、図４は図２におけるＣ−Ｃ断面図である。
図示の実施形態における検査用ＣＳＰ基板２は、金属板３と該金属板３裏面を覆う樹脂部４とによって構成されている。金属板３は半導体チップの接続端子として使用されている銅等の導電性材料によって形成されており、図２および図３に示すように厚さが厚い凸部によって形成された第１のストリート３１と、図２および図４に示すように凸部の厚さの略半分の厚さの凹部によって形成された第２のストリート３２とが格子状に交互に形成されている。この第１のストリート３１と第２のストリート３２の幅Ｅは図示の実施形態においては０．２ｍｍに設定されており、第１のストリート３１と第２のストリート３２との間隔Ｆは１．２ｍｍに設定されている。なお、第１のストリート３１と第２のストリート３２との間隔Ｆは、検査用のストリートを多く形成するためには可能な限り小さくしたいが、ストリートに沿って切削する切削ブレードの厚さ（０．２５〜０．３５ｍｍ）を考慮すると１〜２ｍｍが適当である。また、図３に示すように凸部によって形成された第１のストリート３１の厚さｔ１は実際のＣＳＰに用いられている金属板の最大厚さと略同じ０．２ｍｍに設定されており、図４に示すように凹部によって形成された第２のストリート３２の厚さｔ２は金属板の最大厚さの略半分の０．１ｍｍに設定されている。
【００１１】
上記第１のストリート３１と第２のストリート３２の両側には、それぞれ接続端子３４、３５、３６が接続して形成されている。接続端子３４、３５は凹部によって形成されており、その厚さは０．１ｍｍに設定されている。接続端子３６は、厚さは０．２ｍｍの凸部によって形成された部分３６１と厚さは０．１ｍｍの凹部によって形成された部分３６２とからなっている。なお、第１のストリート３１および第２のストリート３２がそれぞれ交差する部分と、接続端子３４と３５交差する部分と、第１のストリート３１および第２のストリート３２と接続端子３４、３５、３６によって囲まれる領域には、それぞれ打ち抜き部３７、３８、３９が形成されている。
上記第１のストリート３１と第２のストリート３２の両側には、それぞれ連結部３４、３５と、該連結部３４と３５との間に接続端子３６が接続して形成されている。連結部３４、３５は凹部によって形成されており、その厚さは０．１ｍｍに設定されている。接続端子３６は、厚さは０．２ｍｍの凸部によって形成された部分３６１と厚さは０．１ｍｍの凹部によって形成された部分３６２とからなっている。なお、第１のストリート３１および第２のストリート３２がそれぞれ交差する部分と、連結部３４と３５交差する部分と、第１のストリート３１および第２のストリート３２と連結部３４、３５と接続端子３６によって囲まれる領域には、それぞれ打ち抜き部３７、３８、３９が形成されている。
【００１２】
上記金属板３の裏面を覆う樹脂部４は、実際のＣＳＰに用いられているエポキシ樹脂またはフェノール樹脂からなっており、図３および図４に示すように上記打ち抜き部３７、３８、３９を埋めるとともに、凹部によって形成された第２のストリート３２の上側を被覆する。従って、凹部によって形成された第２のストリート３２は樹脂によって埋設される。また、樹脂部４は上記接続端子３６における凹部によって形成された部分３６２の上側も被覆する。なお、樹脂部４は、チップサイズパッケージ基板を形成する際に用いられている、従来周知のモールディング方法によって形成するとができる。
【００１３】
上記のように構成された検査用ＣＳＰ基板２は、金属板３と樹脂部４とによって構成され第１のストリート３１および第２のストリート３２に沿って切断する部分は、実際のＣＳＰ基板と実質的に同じ材質および構成となっている。従って、第１のストリート３１に沿って切削することにより、ストリートが金属板の最大厚さの凸部によって形成された実際のＣＳＰ基板を切断した場合と実質的に同じ切削状態および切削ブレードの寿命を検出することができる。一方、第２のストリート３２に沿って切削することにより、ストリートが金属板の最大厚さの略半分の厚さの凹部によって形成された実際のＣＳＰ基板を切断した場合と実質的に同じ切削状態および切削ブレードの寿命を検出することができる。このように、実際のＣＳＰ基板を切削した場合と実質的に同じ切削状態および切削ブレードの寿命等を検出することができる検査用ＣＳＰ基板２は高価な半導体チップを含んでいないので、安価に製造することができ極めて経済的である。なお、図示の実施形態においては、凸部によって形成された第１のストリート３１と樹脂で被覆された凹部によって形成された第２のストリート３２とが交互に配設されているので、切削条件を見出すストリートを容易に検出することができる。更に、図示の実施形態においては、第１のストリート３１と第２のストリート３２は略１ｍｍの間隔で形成されているので、多数のストリートを設けることができ切削ブレードの寿命を見出す作業が容易となる。
【００１４】
【発明の効果】
本発明による検査用チップサイズパッケージ基板は以上のように構成されているので、実際のチップサイズパッケージ基板を切削した場合と実質的に同じ切削状態および切削ブレードの寿命等を検出することができる。しかも、本発明による検査用チップサイズパッケージ基板は高価な半導体チップを含んでいないので、安価に製造することができ極めて経済的である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による検査用チップサイズパッケージ基板の平面図。
【図２】図１に示す検査用チップサイズパッケージ基板のＡ部拡大図。
【図３】図２におけるＢ−Ｂ断面図。
【図４】図２におけるＣ−Ｃ断面図。
【図５】チップサイズパッケージ基板の平面図。
【図６】図５に示すチップサイズパッケージ基板を分割した半導体パッケージの斜視図。
【符号の説明】
２：検査用チップサイズパッケージ基板
３：金属板
３１：第１のストリート
３２：第２のストリート
３４、３５：連結部
３６：接続端子
３７、３８、３９：打ち抜き部
４：樹脂部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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