(57)【要約】【課題】ビアの高密度化、精細化に制約を生じることがなく、十分な熱膨張抑制効果が得られる多層配線板を提供すること。【解決手段】回路用導体層２３と、絶縁性基材層２２と、低熱膨張金属層２１による３層積層材の回路用導体層２３に回路パターン２４を形成し、低熱膨張金属層２１にビアホール２７より大きい口径の下穴２５を形成する。低熱膨張金属層２１の表面に接着材層２６を設け、絶縁性基材層２２と低熱膨張金属層２１と接着材層２６とを貫通するビアホール２７を形成し、ビアホール２７に層間導通を行う導電性材料２９を充填する。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材層と、前記絶縁性基材層の一方の面に設けられた回路用導体層と、前記絶縁性基材層の他方の面に設けられた低熱膨張金属層を有する３層積層材の前記回路用導体層に回路パターンが形成され、前記３層積層材の前記低熱膨張金属層にビアホールより大きい口径の下穴が形成され、前記低熱膨張金属層の表面に接着材層が設けられ、前記絶縁性基材層と前記低熱膨張金属層と前記接着材層とを貫通するビアホールが形成され、前記ビアホールに層間導通を行う導電性材料が設けられている多層基板用基材。
【請求項２】
前記回路用導体層として銅箔を、前記絶縁性基材層としてポリイミドフィルムを、前記低熱膨張金属層として、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｗを主成分とする金属を、前記接着材層として熱可塑性ポリイミドを用いた請求項１記載の多層基板用基材。
【請求項３】
前記絶縁性基材層および前記接着材層に熱可塑性樹脂を用い、前記絶縁性基材層を構成する熱可塑性樹脂のガラス転移温度が、前記接着材層を構成する熱可塑性樹脂のガラス転移温度より高い請求項１記載の多層基板用基材。
【請求項４】
前記熱可墾性樹脂として液晶ポリマを使用した請求項３記載の多層基板用基材。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項記載の多層基板用基材を少なくとも１層に用いた多層配線板。
【請求項６】
絶縁性基材層の一方の面に回路用金属層を、他方の面に低熱膨張金属層を有する３層積層板を出発材料とし、
前記３層積層板の前記回路用金属層に信号回路を、前記低熱膨張金属層にビアホールより大きい口径の下穴を形成する工程と、
前記低熱膨張金属層の側に接着材層を形成する工程と、
前記接着材層側からビアホールを開口する工程と、
開口した前記ビアホールに導電性材料を設ける工程と、
を含む多層基板用基材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、多層配線板、多層基板用基材およびその製造方法に関し、特に、２層以上の配線層を有する配線板やパッケージ基板として用いられる多層配線板、多層基板用基材およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年のプリント回路の微細化は、フォトリソグラフィの高精度化や、回路材料の薄膜化など、製造プロセスや材料の進歩に支えられ急速に進んできた。
【０００３】
プリント回路の狭ピッチ化は、従来、ワイヤボンディング技術とリードフレームを用いたパッケージによって半導体（Ｓｉチップ）のＩ／０を、プリント回路に合わせて拡張していたＤＩＰ（Ｄｕａｌ  ｌｎ‐ｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）方式やＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）方式から、Ｓｉチップを直接プリント基坂上に接合するフリップチップボンディング方式への発展を可能にしてきている。フリップチップボンディング方式の採用により、実装密度を著しく高めることができると共に、伝送路で発生する損失を解消し、Ｓｉチップそのものの性能を損ねることなくＳｉチップを基板上で動作させることが可能になる。
【０００４】
これらの技術は、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｂｏａｒｄ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐｏｎ  Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｂｏａｒｄ、またはＣｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｌｅｘ）と呼ばれ、携帯電子機器や薄型を要求される平面ディスプレイなどに採用されている。
【０００５】
ＣＯＢ、ＣＯＦ技術には、ＳｉチップのＩ／０パッドを直接プリント基板上の電極に接続する方法と、チップを非電極部で基坂上に接着し、両者の電極同士をワイヤポンディングで接続する方法とがある。
【０００６】
接続による損失を最小限に抑えるためには、前者の技術が有利である。Ｓｉの熱膨張係数は、一般的なプリント基板に用いられているポリイミドやエポキシ樹脂の熱膨張係数に比べ極めて小さいため、チップの発熱や環境温度の変化に伴って接続部分に両者の熱膨張差に相当する歪が発生する。この歪は、チップサイズが拡大するほど大きくなるので、本接続技術を採用できるチップのサイズに制約が生じ、リードフレームやワイヤボンディングに比べ電気的接続の信頼性が劣る問題があった。
【０００７】
このような問題に対処するため、プリント基板の熱膨張をＳｉに近づけるよう、材料や構造に対する改良が試みられている。特に、プリント基板の絶縁層中に、低い熱膨張係数を持った材料を埋め込んで基板全体での熱膨張を抑制する構造のものは、埋め込む材料の選択によって広範囲に熱膨張係数を制御できる点で有望である。この埋込式のものには、低熱膨張率の金属箔（メタルコア）を絶縁樹脂中に埋め込むもの（たとえば、非特許文献１）、低熱膨張樹脂を絶縁樹脂中に埋め込むもの（たとえば、非特許文献２）がある。
【０００８】
メタルコア方式（従来例１）の多層基板用基材の製造プロセスを図４（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。
【０００９】
図４（ａ）に示されているように、まず、低熱膨張金属箔（メタルコア）１０１単体のスルーホール対応位置に下穴（開口）１０２を加工し、穴加工された低熱膨張金属箔１０１の両側に各々絶縁樹脂１０３を挟んで銅箔１０４をプレスし、図４（ｂ）に示されているような、表裏両面に導体（銅箔１０４）を有する積層基材１００を得る。
【００１０】
次に、図４（ｃ）に示されているように、積層基材１００を貫通するスルーホール（貫通孔）１０５を加工し、スルーホール１０５の穴内壁にめっきして層間導通部１０６を形成し（図４（ｄ）参照）、図４（ｅ）に示されているように、両面の銅箔１０４をエッチングして回路（ランドパターン１０７）を作製する。
【００１１】
この技術をビアオンビアが可能なＩＶＨ基板に適用すると、図５（ａ）〜（ｅ）に示されているような製造プロセスが想定される。
【００１２】
図５（ａ）に示されているように、まず、低熱膨張金属箔２０１単体のスルーホール対応位置に下穴（開口）２０２を加工し、穴加工した低熱膨張金属箔２０１の一方の面には絶縁樹脂２０３を挟んで銅箔２０４を、他方の面には絶縁樹脂２０３のみをラミネートし、図５（ｂ）に示されているような積層基材２００を得る。
【００１３】
次に、図５（ｃ）に示されているように、積層基材２００の樹脂部のみを除去した非貫通のビアホール２０５を開口し、開口したビアホール２０５に導電性ペースト２０６を充填する（図５（ｄ）参照）。そして、図５（ｅ）に示されているように、銅箔２０４をエッチングして回路（ランドパターン２０７）を作製する。
【００１４】
低熱膨張樹脂挟み込み方式（従来例２）の多層基板用基材の製造プロセスを図７（ａ）〜（ｆ）を参照して説明する。
【００１５】
図７（ａ）に示されているように、低熱膨張樹脂フィルム３０１の両側に各々絶縁樹脂３０２を挟んで、図７（ｂ）に示されているような、樹脂３層ラミネート体３００を得る。樹脂の場合、非導電であるから、低熱膨張樹脂部分においてビアを回避する必要がないから、低熱膨張樹脂フィルム３０１にパターニングせずに積層する。
【００１６】
つぎに、図７（ｃ）に示されているように、レーザを用いて低熱膨張樹脂フィルム３０１と基材樹脂（絶縁樹脂３０２）にビアホール３０３を一括開口する。そして、樹脂３層ラミネート体３００の一方の面に銅箔３０４を貼り付け（図７（ｄ）参照）、その後に、図７（ｅ）に示されているように、ビアホール３０３に導電性ペースト３０５を充填する。そして、図７（ｆ）に示されているように、銅箔３０４をエッチングして回路（ランドパターン３０６）を作製する。
【００１７】
【非特許文献１】
「低熱膨張性多層基板の開発」  Ｎｉｔｔｏ  ＴｅｃｈｎｉｃａＩ  Ｒｅｐｏｒｔ  Ｖｏｌ．３６，Ｎｏ．１  １９９８年５月
【非特許文献２】
「一括積層基坂技術と高速多層基板技術」  長野県工科短大公開技術講演会  最新の高性能多層基板技術  ２００２．７．２４  テキスト１５頁
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
メタルコア方式（図５）の多層基板用基材では、予めパターンニングした（下穴２０２をあけた）低熱膨張金属箔２０１を使用するため、低熱膨張金属箔２０１のパターンと銅箔２０４のパターンの整合精度を高めることに限界があり、銅箔２０４による回路位置（ランドパターン）を基準に加工されるビアの微細化に制約が生じる。
【００１９】
この理由は、パターン加工後に、積層基材２００が曝される加熱や加圧などのプロセスにおける変形により、低熱膨張金属箔２０１のパターンが加工直後の寸法（位置）精度を維持できないことによる。さらに、低熱膨張金属箔２０１は、プレス時に表裏から軟化した樹脂に挟まれるため、その平坦性を維持することが難しい。
【００２０】
図６は、ビア径をｄｖ、低熱膨張金属箔２０の下穴２０２の開口径をｄｌとした場合のアライメントずれの様子を示す。このずれδを考慮してビア（導電性ペースト２０６）と低熱膨張金属箔２０１とが導通しないよう、ビア径ｄｖに対して低熱膨張金属箔２０の開口径ｄｌを広げると、ビアの高密度化に伴って一つの積層基材における低熱膨張金属箔２０１の占有面積が減少し、十分な熱膨張抑制効果が得られなくなる。このため、ビアの高密度化に制約が生じる。したがってアライメント精度を高め、開口径ｄｌをｄビア径ｄｖに近づける必要がある。
【００２１】
低熱膨張樹脂挟み込み方式（図７）の多層基板用基材では、低熱膨張樹脂フィルム３０１にビアよりひとまわり大きい口径の開口（下穴）を加工する必要がないため、ビア密度の高い部分でも十分な熱膨張抑制効果が得られる。低熱膨張樹脂としては、ポリアミド樹脂が有力であるが、しかし、融点が高く、レーザ加工性が絶縁基材として適用できる熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂と大きく異なるため、ビアがスムーズに形成されない問題がある。
【００２２】
図８はその典型的な例を示す。ビアホール３０３は、表面付近の開口径ｄａに比べて低熱膨張樹脂フィルム部分の開口３０３Ａがくびれて径が小さくなっている。このように、加工性の異なる材料では、スムーズなビアの形成が難しいため、ビアの微細化に制約が生じる。特に、ビア径が小さくなると、上記の問題が顕在化するため、ビアの精細化に制約があった。
【００２３】
この発明は、上述の如き問題点を解消するためになされたもので、メタルコア方式の多層基板用基材において、高いアライメント精度を確保でき、低熱膨張金属層の開口径をビア径に近づけることができ、ビアの高密度化、精細化に制約を生じることがなく、十分な熱膨張抑制効果が得られる多層配線板、多層基板用基材およびその製造方法を提供することを目的としている。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、この発明による多層基板用基材は、絶縁性基材層と、前記絶縁性基材層の一方の面に設けられた回路用導体層と、前記絶縁性基材層の他方の面に設けられた低熱膨張金属層を有する３層積層材の前記回路用導体層に回路パターンが形成され、前記３層積層材の前記低熱膨張金属層にビアホールより大きい口径の下穴が形成され、前記低熱膨張金属層の表面に接着材層が設けられ、前記絶縁性基材層と前記低熱膨張金属層と前記接着材層とを貫通するビアホールが形成され、前記ビアホールに層間導通を行う導電性材料が設けられている。
【００２５】
この発明による多層基板用基材では、回路用導体層と、絶縁性基材層と、低熱膨張金属層による３層積層材の状態で、回路パターンと低熱膨張金属層の下穴の双方が形成されているから、回路パターンと低熱膨張金属層の下穴とでアライメント誤差が生じることがなく、低熱膨張金属層の開口径をビア径に近づけることができ、ビアの高密度化、精細化に制約を生じることがなく、下穴、ビアの微細化が可能になる。
【００２６】
この発明による多層基板用基材は、前記回路用導体層として銅箔を、前記絶縁性基材層としてポリイミドフィルムを、前記低熱膨張金属層として、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｗを主成分とする金属を、前記接着材層として熱可塑性ポリイミドを用いることができる。
【００２７】
また、この発明による多層基板用基材は、前記絶縁性基材層および前記接着材層に熱可塑性樹脂を用い、前記絶縁性基材層を構成する熱可塑性樹脂のガラス転移温度を、前記接着材層を構成する熱可塑性樹脂のガラス転移温度より高いものとする。
【００２８】
また、この発明による多層基板用基材は、前記熱可墾性樹脂として、液晶ポリマを使用することができる。
【００２９】
この発明による多層配線板は、上述の発明による多層基板用基材を少なくとも１層に用いており、十分な熱膨張抑制効果を有する多層基板が得られる。
【００３０】
この発明による多層基板用基材の製造方法は、絶縁性基材層の一方の面に回路用金属層を、他方の面に低熱膨張金属層を有する３層積層板を出発材料とし、前記３層積層板の前記回路用金属層に信号回路を、前記低熱膨張金属層にビアホールより大きい口径の下穴を形成する工程と、前記低熱膨張金属層の側に接着材層を形成する工程と、前記接着材層側からビアホールを開口する工程と、開口した前記ビアホールに導電性材料を設ける工程とを含む。
【００３１】
この発明による多層基板用基材の製造方法によれば、絶縁性基材層の一方の面に回路用金属層を、他方の面に低熱膨張金属層を有する３層積層板を出発材料とし、この出発材料の回路用金属層に信号回路を、低熱膨張金属層に下穴を形成するから、信号回路の回路パターンと低熱膨張金属層の下穴とでアライメント誤差が生じることがなく、低熱膨張金属層の開口径をビア径に近づけることができ、ビアの高密度化、精細化に制約を生じることがなく、下穴、ビアの微細化が可能になる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下に添付の図を参照してこの発明の実施形態を詳細に説明する。
図１はこの発明による多層基板用基材の一つの実施の形態を示している。
【００３３】
本実施形態の多層基板用基材１０は、絶縁性基材層１１と、絶縁性基材層１１１の一方の面に設けられた回路用導体層１２と、絶縁性基材層１１の他方の面に設けられた低熱膨張金属層１３を有する３層積層材の回路用導体層１２に回路パターンが形成され、３層積層材の低熱膨張金属層１３のビアホール対応位置にビアホール１４より大きい口径の下穴１５が形成されている。
【００３４】
そして、低熱膨張金属層１３の表面に接着材層１６が設けられ、絶縁性基材層１１と低熱膨張金属層１３と接着材層１６とを貫通するビアホール１４が形成され、ビアホール１４に層間導通を行う導電性ペースト１７が充填されている。
【００３５】
この多層基板用基材１０は、回路用導体層１２と低熱膨張金属層１３とが同一基材（絶縁性基材層１１）の表裏に当初から形成されているため、両者のパターンを精度よく一致させることができ、回路の精細化に適している。
【００３６】
絶縁性基材層１１は、ポリイミドなどの高耐熱樹脂を使用することにより、接着工程において接着材が流動しても、回路用導体層１２と低熱膨張金属層１３の位置精度（アライメント、間隔）は維持される。
【００３７】
また、接着材層１６にもボリイミド系の材料を用いることにより、絶縁性基材層１１との加工性を一致させてスムーズなビアを形成することができ、ビアの微細化にも対応することが可能となる。
【００３８】
本多層基板用基材１０を単位として貼り合わせ多層化することにより、図２に示されているように、熱膨張率を任意に制御可能で、かつ微細な回路を有する多層板を容易に得ることができる。
【００３９】
多層基板用基材１０は、絶縁性基材層１１と接着材層１６との間に低熱膨張金属層１３を挟み、基材全体の熱膨張率を低下させることを狙っており、低熱膨張金属材の材料選定と、その厚さを選択することにより、基材全体の熱膨張率を任意に制御することが可能である。
【００４０】
また、低熱膨張材の代わりに、高熱膨張材を挟むことにより、基材全体の熱膨張率を高め、配線板に実装される種々の部品に対して広範囲に整合させることもできる。
【００４１】
つぎに、本発明による多層配線板の製造プロセスを図３（ａ）〜（ｉ）を参照して説明する。
【００４２】
多層基板用基材の出発材となる３層積層材は次のようにして作製される。まず、４５ｗｔ％Ｆｅ‐Ｎｉ合金箔に、ポリアミック酸からなるポリイミドの前駆体を塗布、焼成し、図３（ａ）に示されているような、低熱膨張金属層をなすＦｅ‐Ｎｉ合金層２１と絶縁性基材層をなすポリイミドフィルム２２による２層構造フィルムを作製する。
【００４３】
この２層構造フィルムのポリイミドフィルム２２上に、ＮｉおよびＣｕを順次スバッタし、このスバッタ膜を電極（シード層）として銅を電気めっきした。これにより、図３（ｂ）に示されているように、ポリイミドフィルム２２のＦｅ‐Ｎｉ合金層２１の側とは反対の面に銅箔層２３が形成される。
【００４４】
以上は、一般的な銅張り積層基材（ＣＣＬ：Ｃｏｐｐｅｒ  Ｃｌａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）の製造方法と同じであり、最初の工程はキャスト法、後の工程はメタライズ法と呼ばれることもある。
【００４５】
この製造法では、低膨張金属材の選択肢が広く、Ｎｉ−Ｆｅに、Ｍｎと炭素を添加した合金「インバー」や、低熱膨張金属であるＭｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｗなどを用いることができる。熱膨張率が特に低いことや、エッチング加工技術が確立していることから、Ｆｅ・Ｎｉ系合金が有効である。
【００４６】
Ｆｅ−Ｎｉ合金は、めっき膜の形成も工業的に広く行われていることから、前述の方法以外にも、ポリイミドフィルム２２の表裏面に、Ｆｅ‐ＮｉとＣｕをめっきして３層積層材を作製することもできる。この場合、めっき厚の増減により、基材全体の熱膨張率を変化させることができる。
【００４７】
絶縁基材層として、ボリイミドフィルム２２の代わりに、液晶ポリマなど、加熱により接着性を示す熱可塾性フィルムを用いることもできる。この場合、予め用意した銅箔と低熱膨張金属箔とで熱可墾性フィルムを挟んで熱圧着することにより３層積層材を作製できる。
【００４８】
図３（ｃ）に示されているように、すでに作製されている３層積層材の銅箔層２３をエッチングして信号回路２４を形成し、Ｆｅ‐Ｎｉ合金層２１をエッチングしてビアとの絶縁隔離を確保するための開口部（下穴）２５をビアより一回り大きく形成した。従って、信号回路２４と開口部２５とをアライメント誤差なく形成できる。こうすることにより、隣接層間の回路を接続するビアがＦｅ−Ｎｉ合金層２１に接触しないように同層を貫通させることができる。
【００４９】
つぎに、図３（ｄ）に示されているように、Ｆｅ−Ｎｉ合金層２１側に接着材層となる熱可塑性ボリイミドフィルム２６を貼付した。接着材は、フィルム状のものに限られるものではなく、ワニス状の材料を塗布することによっても形成できる。
【００５０】
接着材として、ポリイミド以外の熱可塑性材料を適用することもできる。それらの候補として、ＰＥＥＫ（Ｐｏｌｙ  Ｅｔｈｅｒ  Ｅｔｈｅｒ  Ｋｅｔｏｎ）や、ＰＥＩ（Ｐｏｌｙ  Ｅｔｈｅｒ  Ｉｍｉｄｅ）、液晶ポリマなどがあげられる。
【００５１】
特に、液晶ポリマは、高周波信号領域での伝送損失が小さいことから注目されている材料である。本発明の４層（銅箔層／絶縁層／Ｆｅ‐Ｎｉ合金層／接着材層）基材の絶縁基材層と接着層の両方を液晶ポリマで構成し、接着層に用いる材料のガラス転移温度を絶縁層のそれより低くなるよう材料を選定することも、本発明に有効に利用できる。
【００５２】
つぎに、図３（ｅ）に示されているように、銅箔層／絶縁層（ポリイミドフィルム２２）／Ｆｅ‐Ｎｉ合金層／接着層の４層材に対して接着材層側からレーザを照射してビアホール２７を開口した。
【００５３】
ビア部において、絶縁層（ポリイミドフィルム２２）と接着材層（熱可塑性ボリイミドフィルム２６）に挟まれているＦｅ・Ｎｉ合金層２１には予め開口部２５がエッチングされているので、両樹脂層（絶縁層と接着材層）は容易に除去され、表層の銅箔（信号回路２４）に達するビアホール２７を形成できる。
【００５４】
必要に応じて表層銅箔の一部を貫通させてビアへの導電性材料の充填性を改良することも可能である。本実施形態でも、銅箔層に小径の穴２８を開口している。
【００５５】
つぎに、図３（ｆ）に示されているように、開口したビアホール２７に接着層側から導電性材料２９を印刷・充填した。本実施形態例では、導電性材料２９として、エポキシ樹脂中に金属粉を分散させたポリマ型ペーストを用いた。本発明には、樹脂をバインダとする導電性材料に加え、はんだなどの低融点金属やナノ粒子を充填することにより、より強固な接続を得る技術も適用可能である。
【００５６】
上述したように、充填した導電性材料２９により、基材は、Ｆｅ‐Ｎｉ合金層２１に接触することなく表裏を電気的に接続するビアを有する多層基板用基材３０を構成する。
【００５７】
図３（ｇ）、（ｈ）に示されているように、同様の方法で作製した複数枚（３枚）の多層配線用基材３０と最下層用の銅箔３１とを積層し、ホットプレス等によって熱圧着し、接着層（熱可塑性ポリイミドフィルム２６）を軟化させて層間接合を行う。最後に、図３（ｉ）に示されているように、最下層の銅箔３１をエッチングすることによって表層の回路３２を形成してＩＶＨ多層配線板を完成する。
【００５８】
これにより、メタルコア方式の多層基板用基材を用いたＩＶＨ多層配線板において、ビアの高密度化、精細化に制約を生じることがなく、十分な熱膨張抑制効果が得られる。
【００５９】
【発明の効果】
以上の説明から理解される如く、この発明による多層基板用基材は、回路用導体層と、絶縁性基材層と、低熱膨張金属層による３層積層材の状態で、回路パターンと低熱膨張金属層の下穴の双方が形成されているから、回路パターンと低熱膨張金属層の下穴とでアライメント誤差が生じることがなく、低熱膨張金属層の開口径をビア径に近づけることができ、ビアの高密度化、精細化に制約を生じることがなく、下穴、ビアの微細化が可能になり、併せて十分な熱膨張抑制効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明による多層基板用基材の一つの実施形態を示す断面図である。
【図２】この発明による多層配線板の一つの実施形態を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｉ）は、一つの実施形態による多層基板用基材および多層配線板の製造プロセスを示す図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、従来例１の多層基板用基材の製造プロセスを示す図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は、従来例１のＩＶＨ多層配線板用基材の製造プロセスを示す図である。
【図６】従来例１におけるアライメントずれを示す図である。
【図７】（ａ）〜（ｆ）は、従来例２の多層基板用基材の製造プロセスを示す図である。
【図８】従来例２におけるビア形状不良を示す図である。
【符号の説明】
１０  多層基板用基材
１１  絶縁性基材層
１２  回路用導体層
１３  低熱膨張金属層
１４  ビアホール
１５  下穴
１６  接着材層
１７  導電性ペースト
２１  Ｆｅ‐Ｎｉ合金層
２２  ポリイミドフィルム
２３  銅箔層
２４  信号回路
２５  開口部（下穴）
２６  熱可塑性ボリイミドフィルム
２７  ビアホール
２８  穴２８
２９  導電性材料
３０  多層配線用基材
３１  銅箔
３２  回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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