(57)【要約】【課題】  ブラックマトリックスによってコントラストが向上した有機ＥＬ表示パネルを利用した、高品位で境目の目立たないタイリング型表示装置を提供する。【解決手段】  複数の表示パネル６０に共通に設けた封止用基板６６上に、この複数の表示パネル６０の境目６８上にあるようにブラックマトリックス６４が形成され、表示パネル６０が、基板１０上にアノード電極２０、有機ＥＬ層２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂ、カソード電極が順次積層されて成り、基板１０に薄膜トランジスタが形成され、有機ＥＬ層２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂから出力された光がカソード電極から取り出され、アクティブマトリクス方式により駆動がなされるタイリング型表示装置７０を構成する。【選択図】        図６  
2004326130.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の表示パネルを接合して大画面のディスプレイを得るタイリング型表示装置であって、
前記複数の表示パネルに共通に設けた封止用基板と、
該封止用基板上に形成したコントラスト向上のためのブラックマトリックスと、
をそれぞれ備えており、
前記表示パネルは、基板上にアノード電極、有機ＥＬ層、カソード電極が順次積層されており、
前記基板に薄膜トランジスタが形成され、
前記有機ＥＬ層から出力された光が前記カソード電極から取り出され、
前記複数の表示パネルの境目上に前記ブラックマトリックスが位置し、
アクティブマトリクス方式により駆動がなされる
ことを特徴とするタイリング型表示装置。
【請求項２】
前記薄膜トランジスタのソース又はドレインから、前記薄膜トランジスタを覆っている層間絶縁膜に形成された接続穴を介して配線が接続され、前記配線を覆っている層間絶縁膜に形成された接続穴を介して前記配線に前記アノード電極が接続されていることを特徴とする請求項１に記載のタイリング型表示装置。
【請求項３】
前記有機ＥＬ層を囲むようにリブを配置し、前記アノード電極が前記配線に接続される前記接続穴の上に、前記リブの少なくとも一部がかかっていることを特徴とする請求項１に記載のタイリング型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の表示パネルないし表示ユニットを配列したタイリング型の表示装置に関し、特に、上面発光型の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセント）表示パネルを利用したタイリング型表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子を利用した表示装置は、次世代のフラットパネルディスプレイとして実用化が期待されている。この有機ＥＬ表示装置の駆動は、有機ＥＬ素子の応答速度が１μsec以下であるため、単純マトリックス方式によるデューティ駆動も可能であるが、ＯＮ・ＯＦＦが高デューティ比となった場合には、十分な輝度を確保するために有機ＥＬ素子に対して瞬間的に大電流を流す必要があり、素子に対するダメージが大きい。一方、アクティブマトリックス駆動方式では、通常ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）回路とコンデンサを接続し、該コンデンサによって素子に対する印加電圧を維持される。このため、画面の１フレームの間、常に同じ電圧を有機ＥＬ素子に印加することができ、瞬間的に大電流を流す必要がなく、素子に対するダメージが少ない。
【０００３】
しかしながら、以上のようなＴＦＴによるアクティブマトリックス駆動方式でディスプレイパネルを設計する場合、ＴＦＴが一定の面積を占有するため、実効的な画素部分の面積が小さくなり、開口率が低下してしまう。このような不都合を回避するには、上面発光型の素子構造が有効である。
【０００４】
図１０には、従来型と上面発光型の有機ＥＬ表示パネル構造が示されており、同図（Ａ）は従来型，（Ｂ）は上面発光型である。まず、同図（Ａ）の従来型から説明すると、ＴＦＴ９００がマトリックス状に配列された基板（以下単に「ＴＦＴ基板」という）９０２上には、ＴＦＴ９００に接続するための電極配線９０４が層間絶縁膜９０６を介して形成されており、更に平坦化絶縁膜９０８を介して、透明導電材料によりアノード電極９１０が形成されている。アノード電極９１０は、電極配線９０４のうちの該当するものに接続されている。
【０００５】
アノード電極９１０上であってリブ９１２に囲まれた領域には有機ＥＬ層９１４が形成されている。例えば、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の発光材料が順に設けられている。なお、有機ＥＬ層９１４は、例えば電子輸送層，発光層，正孔輸送層が積層された構造となっている（図示せず）。そして、リブ９１２及び有機ＥＬ層９１４が形成された主面全体に金属によるカソード電極９１６が形成されている。有機ＥＬ層９１４から出力された光は、アノード電極９１０が透明であり、カソード電極９１６が金属で光を反射するため、矢印Ｆｂ方向に出力される。
【０００６】
一方、図１０（Ｂ）の上面発光型は、アノード電極９２０が金属によって形成されており、有機ＥＬ層９１４上に透明導電材料によるカソード電極９２６が形成されている。これは、同図（Ａ）の従来型とちょうど逆の関係となっている。そして、リブ９１２及びカソード電極９２６が形成された主面全体に保護層９３０及び透明シール９３２が順に積層形成されている。有機ＥＬ層９１４から出力された光は、アノード電極９２０が金属で光を反射し、カソード電極９２６が透明であるため、矢印Ｆｆで示す上面方向に出力される。両者を比較すると、図１０（Ａ）の従来型の場合はＴＦＴ９００のパターンが光出力側に存在するが、同図（Ｂ）の上面発光型の場合はそれがなく、開口率が増大する。
【０００７】
ところで、開口率の点で優れている上面発光型の有機ＥＬ表示パネルの場合、上部電極側から光が取り出されるため、カソード電極９２６はいわゆる透明電極（光透過性の導電性膜）となっている。しかしながら、透明電極は一般的にシート抵抗の値が高く、これを表示パネルの主面全体に形成すると、表示面内で電圧勾配が発生し、画面中央部の電圧が低下して輝度も低下するようになる。この傾向は、大画面化する程顕著になり、表示品位が著しく低下することとなる。これを回避する方法として、図１０（Ｃ）に示すように、前記リブ９１２上に金属による補助電極９５０を形成し、これとカソード電極９２６とを組み合わせることで、電圧勾配による表示ムラを回避する方法が提案されている。
【０００８】
しかし、このような補助配線を形成した構造では、矢印Ｆｒで示すように、補助電極９５０による外光の反射が大きくなり、表示画像のコントラストが著しく低下してしまう。そこで、図１０（Ｄ）に示すように、補助配線９５０上にブラックマトリックス９６０を重ねることで、コントラストの低下を防止する方法が提案されている。ブラックマトリックス９６０は封止基板９６２に予め形成されており、これをＵＶ硬化樹脂９６４を挟んで図１０（Ｃ）の基板上面側に張り合わせる。補助配線９５０をブラックマトリックス９６０が覆うようになるため、外光の反射が低減され、コントラストが向上する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、ディスプレイを大型化する一つの手法として、タイリング技術が知られている。これは、ユニット化した平面表示パネルを複数用意し、これらをタイル状に複数枚配列することによって、全体としてディスプレイの大型化を図る方法である。このようなタイリングによる大画面ディスプレイでは、隣合う表示パネルユニットの境目が目立たないようにすることが重要である。
【００１０】
本発明は、以上の点に着目したもので、ブラックマトリックスによってコントラストが向上した有機ＥＬ表示パネルを利用した、高品位で境目の目立たないタイリング型表示装置を提供することを、その目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するため、本発明は、複数の表示パネルを接合して大画面のディスプレイを得るタイリング型表示装置であって、前記複数の表示パネルに共通に設けた封止用基板と、該封止用基板上に形成したコントラスト向上のためのブラックマトリクスとをそれぞれ備えており、前記複数の表示パネルの境目上にブラックマトリクスが位置することを特徴とする。
さらに、前記表示パネルは、基板上にアノード電極，有機ＥＬ層，カソード電極が順次積層されており、基板に薄膜トランジスタが形成され、前記有機ＥＬ層から出力された光が前記カソード電極から取り出され、アクティブマトリクス方式により駆動がなされることを特徴とする。
【００１２】
主要な形態の一つは、前記薄膜トランジスタのソース又はドレインから、前記薄膜トランジスタを覆っている層間絶縁膜に形成された接続穴を介して配線が接続され、前記配線を覆っている層間絶縁膜に形成された接続穴を介して前記配線に前記アノード電極が接続されていることを特徴とする。更に他の形態は、前記有機ＥＬ層を囲むようにリブを配置し、前記アノード電極が前記配線に接続される前記接続穴の上に、前記リブの少なくとも一部がかかっていることを特徴とする。本発明の前記及び他の目的，特徴，利点は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、複数の表示パネルの境目上にブラックマトリックスが位置するようにしたので、境目が目立たない大型ディスプレイを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
＜実施形態１＞……以下、本発明の実施形態１について詳細に説明する。最初に、主要な製造工程を順に説明する。本例はアクティブマトリックス駆動型の例であり、まず図１（Ａ）に示すようなＴＦＴ基板１０を用意する。なお、ＴＦＴ基板１０は、ＴＦＴ１２が各画素毎にマトリックス配列された基板であり、各種のものが公知である。その製造方法も各種知られており、いずれを適用してもよい。各ＴＦＴ１２のゲート電極は、走査回路に接続されている（図示せず）。
【００１５】
ＴＦＴ基板１０の上面には、ＴＦＴ１２を覆うように、第１層間絶縁膜１４を形成する。第１層間絶縁膜１４は、例えば、酸化シリコンあるいは酸化シリコンにリンを含有させてなるＰＳＧ（Phospho-Silicate Glass）などの酸化シリコン系の材料が使用される。該第１層間絶縁膜１４上には、アルミニウムやアルミニウム−銅合金などによって配線１６Ａ，１６Ｂをそれぞれパターン形成する。これらの配線１６Ａ，１６Ｂは、駆動用の信号線として用いられるもので、前記第１層間絶縁膜１４に形成された接続穴（図示せず）を介して前記ＴＦＴ１２のソース又はドレインに接続される。
【００１６】
次に、図１（Ｂ）に示すように、配線１６Ａ，１６Ｂを覆うための第２層間絶縁膜１８を形成する。この第２層間絶縁膜１８としては、パターン加工された配線１６Ａ，１６Ｂを覆う必要性から、平坦性の高い材料を使用するのが望ましい。また、後の工程で蒸着成膜される有機材料は、水分により劣化して十分な輝度が得られなくなる恐れがあることから、吸水率の低い材料を使用するのが望ましい。本実施形態では、例えばポリイミドによって第２層間絶縁膜１８が基板主面全体に形成され、その後配線１６Ａに接続するための接続穴１８Ａが形成される。
【００１７】
次に、図１（Ｃ）に示すように、前記第２層間絶縁膜１８上に有機ＥＬ層のアノード電極（下部電極）２０を形成する。本例のような上面発光型の表示パネルの場合は、クロム，鉄，コバルト，ニッケル，銅，タンタル，タングステン，プラチナ，金などのような仕事関数が大きくかつ光の反射率も高い導電性材料を用いる。本例では、クロムによって形成されている。このアノード電極２０は、各画素毎にパターニングされるとともに、前記第２層間絶縁膜１８に形成された接続穴１８Ａを介して配線１６Ａに接続される。
【００１８】
次に、図２（Ａ）に示すように、リブ２２を各画素（有機ＥＬ層）を囲むように形成する。リブ２２は、その表面高さが以後の工程で蒸着成膜される有機ＥＬ層の表面高さよりも十分高く形成する。このようにすることで、アノード電極２０上に有機ＥＬ層をパターン形成する際に用いるマスクのスペーサとして、リブ２２を利用することができる。本実施形態では、酸化シリコン膜２２Ａ，２２Ｂによってリブ２２を形成し、その上に補助配線となるアルミニウム層２３を積層している。すなわち、最初に前記接続穴１８Ａ付近を埋めるように酸化シリコン膜２２Ａを形成し、次に酸化シリコン膜２２Ｂを積層形成する。このような積層構造とすることで、十分な高さを有するリブ２２を形成することができる。なお、酸化シリコン膜２２Ａは層間絶縁膜であり、酸化シリコン膜２２Ｂがリブであると考えることもできる。
【００１９】
更に、リブ２２は、図示のように側壁が順テーパ形状に形成されており、これによって相当程度の高さを有するリブ２２を覆う上部共通電極（カソード電極）のカバレッジが確保される。
【００２０】
以上のようなリブ２２形成後の表示パネル５０の外観を概略示すと、図２（Ｂ）のようになる。ここで、図２（Ｃ）に示すように、表示パネル５０〜５６を接合してタイリング型の表示装置を得る場合、表示パネル５０の周囲のうち、他の表示パネルと接合する端面５０Ａ，５０Ｂの部分のＴＦＴ基板１０を割断する必要がある。そこで、本実施形態では、レーザカッタを使用して図２（Ｂ）に点線で示すようにリブ２２の外側（あるいは補助配線２３の外側）を切断する。レーザカッタを使用することで、高精度の割断が可能であり、かつ、冷却に水などの液体を使用しない。従って、水分を嫌う有機ＥＬデバイスには好都合である。
【００２１】
レーザカッタとしては、例えば二酸化炭素レーザなどのような高出力の赤外線レーザが好適である。レーザ発信装置から出力されたレーザ光を表示パネル端部の所定部位に照射することで、局部的に急激に温度を上昇させるとともに、その直後に圧縮エアを吹き付けることで急冷する。このときに発生する応力で基板の割断が進行する。図３には、端面５０Ａ，５０Ｂの交差部分が拡大して示されている。このレーザによる切断を行うと、一時的に表示パネル５０の温度が上昇する。後述する有機ＥＬ層は熱に弱く、特性が劣化してしまう。従って、有機ＥＬ層を形成する前に、レーザ切断の作業を行うようにする。
【００２２】
なお、表示パネル５０の端面５０Ａ，５０ＢがＴＦＴ基板１０の端面と一致するように予め電極層や有機ＥＬ層を形成すれば、ＴＦＴ基板１０のレーザ割断を行う必要はない。また、タイリング用の基板を別途用意し、これの上に表示パネル５０〜５６を接合配置するようにしてもよい。
【００２３】
次に、図４に示すように、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）に発光する有機ＥＬ層を蒸着形成する。本例では、Ｇ→Ｂ→Ｒの順で蒸着を行う。図４（Ａ）に示すように、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれか一色に相当する開口部を有するメタルマスク２４を用意し、最初に開口部２４ＡがＧの画素のアノード電極上に位置するようにアライメント（位置合わせ）する。そして、抵抗過熱によってＧのアノード電極２０上にＧの有機ＥＬ層２６Ｇを蒸着形成する。
(１)まず、ホール（正孔）注入層２６Ｇａとして、
4,4',4''-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine(m-MTDATA)
を２５nm蒸着する。
(２)次に、ホール輸送層２６Ｇｂととして、
4,4'-bis[N-1-naphthyl-N-phenylamino]biphenyl(α-NPD)
を３０nm蒸着する。
(３)次に、発光層２６Ｇｃとして、
tris(8-quinolinolato)aluminium(III)(Alq3)
を５０nm蒸着する。以上の各層の蒸着は、同一装置内で連続的に行う。
【００２４】
次に、図４（Ｂ）に示すように、メタルマスク２４の開口部２４ＡをＢの画素のアノード電極上にアライメントする。そして、抵抗過熱によってＢのアノード電極２０上にＢの有機ＥＬ層２６Ｂを蒸着形成する。
(１)まず、ホール注入層２６Ｂａとして、
4,4',4''-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine(m-MTDATA)
を１８nm蒸着する。
(２)次に、ホール輸送層２６Ｂｂとして、
4,4’-bis[N-1-naphthyl-N-phenylamino]biphenyl(α-NPD)を３０nm蒸着する。
(３)次に、ホールブロック層としての機能を有する発光層２６Ｂｃとして、
2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(bathocuproine)
を１４nm成膜する。
(４)更に、発光層２６Ｂｄとして、
tris(8-quinolinolato)aluminium(III)(Alq3)
を３０nm蒸着する。以上の各層の蒸着は、同一装置内で連続的に行う。
【００２５】
次に、図４（Ｃ）に示すように、メタルマスク２４の開口部２４ＡをＲの画素のアノード電極上にアライメントする。そして、抵抗過熱によってＲのアノード電極２０上にＲの有機ＥＬ層２６Ｒを蒸着形成する。
(１)まず、ホール注入層２６Ｒａとして、
4,4',4'-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine(m-MTDATA)
を５５nm蒸着する。
(２)次に、ホール輸送層２６Ｒｂとして、
4,4'-bis[N-1-naphthyl-N-phenylamino]biphenyl(α-NPD)
を３０nm蒸着する。
(３)次に、発光層２６Ｒｃとして、
2,5-bis[4-(N-methoxyphenyl-N-phenylamino)styryl]benzene-1,4-dicarbonitrile(BSB-BCN)
を３０nm蒸着する。
(４)次に、電子輸送層２６Ｒｄとして、
tris(8-quinolinolato)aluminium(III)(Alq3)
を３０nm蒸着する。以上の各層の蒸着は、同一装置内で連続的に行う。
【００２６】
次に、以上の有機ＥＬ層２６の蒸着後、図５（Ａ）に示すようにカソード電極（上部電極）２８を各画素の共通電極として形成する。カソード電極２８は、前記有機ＥＬ層２６の劣化を防止するため、同一の装置内でマスク交換を行って形成する。カソード電極２８の材料としては、電子を効率的に有機ＥＬ層２６に注入できるように、仕事関数の小さい材料，例えばマグネシウムと銀を用いる。そして、共蒸着により例えば１４nmの厚さに形成する。このカソード電極２８は、リブ２２上に形成されたアルミニウムによる補助配線２３と電気的に接続する。
【００２７】
次に、図５（Ｂ）に示すようにパッシベーション膜（保護膜）３０を主面全体に形成する。パッシベーション膜３０は、カソード電極２８の形成後、大気暴露することなく、同一装置内で成膜する。例えば、ＣＶＤ法によりチッ化シリコン膜を、成膜温度を室温として形成する。これは、有機ＥＬ層２６が１００℃以上で急激に劣化し、発光輝度が低下するためであり、更に膜はがれの発生を防止をするため、膜のストレスが最小になる条件で成膜するのが望ましいためである。
【００２８】
以上のようにして得た表示パネルを複数枚用意し、タイル状に並べて接合部分を接着剤で接合する。例えば、図２（Ｃ）に示すように４枚の表示パネル５０〜５６を接合し、タイリング型表示パネル６０を得る。もちろん、上述したように、表示パネル５０〜５６は、レーザ切断を行った面で接合する。なお、Ｒ，Ｇ，Ｂの画素の２次元配列が各表示パネル間で連続するように、各表示パネル５０〜５６におけるＲ，Ｇ，Ｂの画素配列を考慮する。
【００２９】
次に、以上のようなタイリング型表示パネル６０の主面上に、図６（Ａ）に示すようにＵＶ硬化樹脂６２を塗布する。この樹脂塗布は、注射機型もしくはスリットノズル型のディスペンサから樹脂を吐き出して行う。他に、ロールコート法，スクリーン印刷法など各種の公知の方法を用いてよい。次に、図６（Ｂ）に示すように、ブラックマトリックス６４が形成された封止用基板６６を用意する。封止用基板６６は、表示パネル５０〜５６に対して個別に用意されるのではなく、タイリング型表示パネル６０の全体に対して１つ用意され、タイリング型表示パネル６０の樹脂塗布面に貼り合せる。この際、ＵＶ硬化樹脂６２と封止用基板６６との間に気泡などが混入しないように注意する。図７には、タイリング型表示パネル６０と封止用基板６６との貼り合わせの様子が示されている（ＵＶ硬化樹脂６２は図示せず）。
【００３０】
次に、図６（Ｃ）に示すように、タイリング型表示パネル６０の画素と、貼り合せた封止用基板６６のブラックマトリックス６４との相対位置関係が合致するように整合する。ＵＶ硬化樹脂６２が未硬化の状態であれば、タイリング型表示パネル６０と封止用基板６６との相対位置を数１００μm程度位置調整することは十分可能である。この位置調整は、図６（Ｃ）に示すように、ブラックマトリックス６４がリブ２２の補助配線２３の直上であって、かつ、表示パネル５０〜５６間の境目６８の直上となるように行う。最後に、図６（Ｃ）に矢印で示すようにＵＶ光を照射してＵＶ硬化樹脂６２を硬化させ、タイリング型表示パネル６０と封止用基板６６との相対位置を固定し、タイリング型表示装置７０を得る。
【００３１】
以上のようにして得たタイリング型表示装置７０では、補助配線２３による外光の反射がブラックマトリックス６４によって良好に防止される。また、表示パネル５０〜５６の境目６８が、ブラックマトリックス６４によって良好に隠されている。このため、境目が目だたない良好なコントラストの高品位大画面ディスプレイを得ることができる。
【００３２】
＜実施形態２＞……次に、本発明の実施形態２について説明する。上述した実施形態では、図６に示すように、表示パネル５０〜５６間の境目６８でリブ２２が２つ並ぶようになる。これらのリブ２２の補助配線２３を完全に覆うようにブラックマトリックス６４を形成すると、図６のように有機ＥＬ層２６がブラックマトリックス６４で必要以上に覆われるようになり、輝度が低下してしまう。逆に、良好な輝度を得ようとすると、境目６８で補助配線２３がブラックマトリックス６４から露出するようになり、境目が表示画面上に現れるようになる。
【００３３】
そこで、一つの方法として、境目６８でリブ２２を切断する方法が考えられるが、リブ２２の表面には金属による補助配線２３が設けられている。割断を行うにはレーザ光の吸収による急激な温度上昇が必要であるが、赤外領域における金属の光反射率は高い。このため、リブ２２の部分ではレーザ照射によって温度を上昇させることができない。
【００３４】
そこで、本実施形態では、図８（Ａ）に示すように、表示パネル５０の周囲のうち、他の表示パネルと接合する端面５０Ａ，５０Ｂにおける補助配線１２３の幅ＷＡを、他の所定ピッチで規則的に形成されたリブ２２上の補助配線２３の幅ＷＢと比較して狭く形成する。例えば、ＷＡ＜（ＷＢ／２）とする。このように、補助配線１２３の幅を狭くすることで、該部位におけるレーザ光の反射が低減され、リブ１２２の幅を狭くした割断が可能となる。図８（Ｂ）は、上述した図３に相当するもので、本実施形態における表示パネル端部の様子が示されており、点線で示す補助配線エッジに沿ってレーザによる割断が行われる。割断後、有機ＥＬ層２６，カソード電極２８，パッシベーション膜３０を、前記実施形態と同様に順次主面上に形成する。
【００３５】
次に、図２（Ｃ）に示したように４枚の表示パネル５０〜５６を接合し、タイリング型表示パネル６０を得る。図９（Ａ）に示すように、本実施形態では、境目６８において略ＷＢ／２の幅のリブ１２２が接合する。このため、全体としてＷＢのリブとなり、他のリブ２２と略同等の幅となる。次に、タイリング型表示パネル６０の主面上に、図９（Ｂ）に示すようにＵＶ硬化樹脂６２を塗布する。そして、図９（Ｃ）に示すように、ブラックマトリックス１６４が形成された封止用基板６６を用意し、タイリング型表示パネル６０の樹脂塗布面に貼り合せる。次に、図９（Ｄ）に示すように、タイリング型表示パネル６０の画素と、貼り合せた封止用基板６６のブラックマトリックス１６４との相対位置関係が合致するように整合する。最後に、図９（Ｄ）に矢印で示すようにＵＶ光を照射してＵＶ硬化樹脂６２を硬化させ、タイリング型表示パネル６０と封止用基板６６との相対位置を固定し、タイリング型表示装置１７０を得る。以上の図９（Ｂ）〜（Ｄ）の作業は、前記実施形態１と基本的に同様である。
【００３６】
以上のようにして得たタイリング型表示装置１７０では、パネル接合部においてリブ１２２が中央で接するようになり、境目部分における補助配線が他の部分におる補助配線と略同等の幅となる。このため、境目を完全に隠すことができるとともに、良好な輝度も得ることができるようになる。なお、実際のレーザ加工においては、使用する材料やレーザなどを考慮した切りしろを設けるようにするとよい。
【００３７】
＜他の実施形態＞……本発明には数多くの実施形態があり、以上の開示に基づいて多様に改変することが可能である。例えば、次のようなものも含まれる。
（１）カソードとアノードの関係は、前記説明と逆でもよい。カソード電極としては、電子輸送層に対して電子を効率的に注入できるように、仕事関数の低い金属，又は合金，更には金属化合物を用いる。アノード電極としては、ホール輸送層に対してホールの注入が効率的にできるように、仕事関数の大きい金属，又は合金，更には金属化合物を用いる。
（２）表示パネル５０の積層構造としては、前記実施形態に示したものの他、上面発光型であればどのような構造としてもよい。例えば、図１０（Ｃ）もしくは（Ｄ）に示した構造のものにも適用可能である。また、有機ＥＬデバイスに用いられている有機材料は、一般的に、水分や酸素に触れるとその発光特性が急激に劣化することが知られている。更に、カソード電極やアノード電極も、空気中では酸化によって電子やホ−ルの注入能力が急激に劣化する。このため、有機ＥＬ層や電極の外気との接触を遮断する封止層があるとより好都合である。そこで、図１０（Ｃ）の保護層９３０と透明シール９３２との間に有機樹脂層を封止層として形成したものが提案されている。このようなものにも、同様に本発明は適用可能である。
（３）更に、前記実施形態は、いずれも有機ＥＬ表示パネルに本発明を適用したものであるが、プラズマ型ディスプレイパネルなど、タイリング型の表示装置全般に適用することを妨げるものではない。また、駆動方法も公知の各種の方法を用いてよい。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施形態１の製造プロセスを示す主要端面図である。
【図２】本発明の実施形態１の製造プロセスを示す主要端面図である。
【図３】図２の一部を拡大して示す概略の斜視図である。
【図４】本発明の実施形態１の製造プロセスを示す主要端面図である。
【図５】本発明の実施形態１の製造プロセスを示す主要端面図である。
【図６】本発明の実施形態１の製造プロセスを示す主要端面図である。
【図７】タイリング後の表示パネルの様子とブラックマトリックスとの重なりの様子を示す概略の斜視図である。
【図８】本発明の実施形態２の製造プロセスを示す主要端面図である。
【図９】本発明の実施形態２の製造プロセスを示す主要端面図である。
【図１０】本発明の背景技術における表示パネルを示す主要端面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０…ＴＦＴ基板
１２…ＴＦＴ
１４，１８…層間絶縁膜
１６Ａ，１６Ｂ…配線
１８Ａ…接続穴
２０…アノード電極
２２…リブ
２２Ａ，２２Ｂ…酸化シリコン膜
２３…アルミニウム層（補助配線）
２４…メタルマスク
２４Ａ…開口部
２６，２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂ…有機ＥＬ層
２６Ｂａ…ホール注入層
２６Ｂｂ…ホール輸送層
２６Ｂｃ…発光層
２６Ｂｄ…発光層
２６Ｇａ…ホール注入層
２６Ｇｂ…ホール輸送層
２６Ｇｃ…発光層
２６Ｒａ…ホール注入層
２６Ｒｂ…ホール輸送層
２６Ｒｃ…発光層
２６Ｒｄ…電子輸送層
２８…カソード電極
３０…パッシベーション膜
５０〜５６…表示パネル
５０Ａ，５０Ｂ…端面
６０…タイリング型表示パネル
６２…ＵＶ硬化樹脂
６４…ブラックマトリックス
６６…封止用基板
６８…境目
７０…タイリング型表示装置
１２２…リブ
１２３…補助配線
１６４…ブラックマトリックス
１７０…タイリング型表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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