(57)【要約】【課題】電荷輸送能や発光効率、発光材料としての耐久性に優れた新規なシラシクロペンタジエン誘導体と、それを用いた電子写真感光体および有機ＥＬ素子を提供する。【解決手段】新規なシラシクロペンタジエン誘導体は、下記一般式（１）  で表される。このシラシクロペンタジエン誘導体（１）  は、電子写真感光体において、導電性基体上に設けられる感光層中に配合される。また、有機ＥＬ素子において、一対の電極間に挟持された有機層中に配合される。【化１】2004168696.tif 000052〔式中、Ａ１  ，Ａ２  は＝Ｏ、＝Ｃ（ＣＯＯＲ１１）２  または＝Ｃ（ＣＮ）２  を示す。Ｒ１  〜Ｒ１１は水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１２以下のアリール基等を示す。Ｒ１  〜Ｒ１０の隣接する基は互いに結合して、炭化水素環を形成してもよい。〕【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）  ：
【化１】
2004168696.tif 000051
〔式（１）  中、Ａ１  およびＡ２  は同一または異なって、＝Ｏ、＝Ｃ（ＣＯＯＲ１１）２  または＝Ｃ（ＣＮ）２  を示す。Ｒ１  〜Ｒ１０は同一または異なって、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数１〜８のフルオロアルキル基または炭素数１２以下のアリール基を示す。但し、Ｒ１  とＲ２  、Ｒ３  とＲ４  、Ｒ６  とＲ７  またはＲ９  とＲ１０は、互いに結合して、アルキル基を有することのある飽和または不飽和の炭化水素環を形成してもよい。Ｒ１１は炭素数１〜８のアルキル基または炭素数１〜８のフルオロアルキル基を示す。〕
で表されるシラシクロペンタジエン誘導体。
【請求項２】
導電性基体上に感光層を設けてなる電子写真感光体であって、当該感光層が、請求項１記載の一般式（１）  で表されるシラシクロペンタジエン誘導体を含有する電子写真感光体。
【請求項３】
上記感光層が単一の層であって、請求項１記載の一般式（１）  で表されるシラシクロペンタジエン誘導体とともに、少なくとも電荷発生剤を含有する請求項２記載の電子写真感光体。
【請求項４】
上記感光層が、少なくとも電荷発生剤を含有する電荷発生層と、少なくとも請求項１記載の一般式（１）  で表されるシラシクロペンタジエン誘導体を含有する電荷輸送層とを含み、当該電荷発生層と電荷輸送層とが、上記導電性基体側からこの順でまたは逆の順で設けられてなる請求項２記載の電子写真感光体。
【請求項５】
少なくとも一対の電極と、この電極間に挟持された有機層とを備え、当該有機層が請求項１記載の一般式（１）  で表されるシラシクロペンタジエン誘導体を含有する有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電荷輸送能や発光効率に優れた新規なシラシクロペンタジエン誘導体と、それを用いた電子写真感光体および有機ＥＬ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
静電式複写機、ファクシミリ、レーザビームプリンタ等の画像形成装置には、当該装置に用いられる光源の波長領域に感度を有する電子写真感光体が使用されている。近年の電子写真感光体は、感光体材料の選択肢が多様で機能設計の自由度が高い有機感光体（ＯＰＣ）が主流であって、この有機感光体には、電荷発生層と電荷輸送層とに分離された積層型感光体と、電荷発生剤と電荷輸送剤とが単一の感光層中に分散された単層型感光体との２つのタイプが知られている。
【０００３】
電荷輸送剤には正孔輸送剤と電子輸送剤とがあるが、電荷輸送能が優れているもののほとんどは正孔輸送剤である。しかしながら、正孔輸送剤を用いて積層型感光体を作製すると、強度が小さく薄い電荷発生層が内側になることに起因して感光体が負帯電型となり、その帯電に、オゾン発生量の多い負極性コロナ放電を用いることになる。それゆえ、環境への悪影響や感光体の劣化が問題となる。一方、単層型感光体では、キャリヤ移動の効率化の観点から正孔輸送剤と電子輸送剤とを併用することが好ましいものの、電荷輸送能の高い電子輸送剤が少ないことに加え、従来の電子輸送剤には正孔輸送剤との間に電荷移動錯体を形成してキャリヤの移動をかえって阻害するものが多いという問題がある。
そこで、優れた電子輸送能を有し、正孔輸送剤との間に電荷移動錯体を形成しない化合物（電子輸送剤）が求められている。なお、電子輸送剤は、特許文献１および２に記載されているような種々の構造のものが知られており、特に、キノン構造を備え、極めて広いπ電子共役平面を有するものが主流である。また、芳香環にヘテロ原子を備えるものも数多く提案されている。
【０００４】
一方、近年、次世代の表示素子として、電極間に発光層等の有機層を挟んだ構造を備える有機ＥＬ素子（有機電界発光素子）が注目されている。有機ＥＬ素子は、陽極から注入された正孔と陰極から注入された電子とが発光層中で再結合して光を発する自己発光型の表示素子であって、低電圧かつ直流での駆動が可能であり、視野角、視認性、応答速度、表示素子の薄さ・軽さ等の諸特性に優れるという特徴を備えている。
しかしながら、現在、有機層を形成するための有機材料については、様々な発光色を実現するという面で研究に進展がみられるものの、電子輸送剤については、十分な性能を有するものが得られていない。このように電子輸送剤の性能が十分でないことから、現状では正孔と電子との再結合の効率化が十分ではなく、発光効率に優れた素子が得られないという難点があった。
【０００５】
また、比較的電子輸送性に優れた発光材料として、式（５１）：
【０００６】
【化２】
2004168696.tif 000002
【０００７】
で表されるようなアルミニウム錯体が知られているが、かかる錯体は吸湿性が高く、品質管理の面に問題がある。
上記のほかに電子輸送性が良好な材料としては、特許文献３、４および非特許文献１に、一般式（５２）〜（５４）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体が提案されている。
【０００８】
【化３】
2004168696.tif 000003
【０００９】
〔式（５２）中、Ｘ５１およびＹ５１は、独立に炭素数１〜６の炭化水素基等を示す。Ｒ５１〜Ｒ５４は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基等、またはこれらが隣接した場合に（無）置換の環が縮合した構造を示す。式（５３）中、Ｒ５５〜Ｒ５９は同一または異種の炭素数１〜１２の一価炭化水素基または水素原子を示し、ｍは１以上の整数を示す。〕
【００１０】
これらのシラシクロペンタジエン誘導体は、いずれも発光効率や電子輸送能が良好であるものの、ＥＬ素子用の電子輸送剤として使用した場合に劣化が早く、すなわち寿命がそれほど長くないという問題があることから、有機発光材料の耐久性の向上、長寿命化が望まれている。
また、電子写真感光体用の電子輸送剤への適用に必要な酸化還元電位は−１．０Ｖ程度であるのに対し、一般式（５２）〜（５４）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体の酸化還元電位には、上記好適電位からかなりのずれがある。それゆえ、電子輸送能の向上だけでなく、酸化還元電位の適正化も望まれている。
【００１１】
【特許文献１】
特開平９−１２３６０１号公報（請求項１）
【特許文献２】
特開平１０−２５１２５２号公報（請求項１，段落〔００４０〕〜〔００７９〕）
【特許文献３】
特開平９−８７６１６号公報（請求項１）
【特許文献４】
特開平８−２４５６５３号公報（請求項１）
【非特許文献１】
「チッソの有機ＥＬ材料」，電子材料，２０００年１２月，５３〜５５頁
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明の目的は、電荷輸送能や発光効率、発光材料としての耐久性に優れた新規なシラシクロペンタジエン誘導体と、それを用いた電子写真感光体および有機ＥＬ素子を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねていくなかで、＝Ｏ、＝Ｃ（ＣＯＯＲ）２  、＝Ｃ（ＣＮ）２  等のアクセプター性官能基を有し、かつ平面的な分子構造を有する化合物が電子輸送材料として好適であることに着目して種々の検討を行なった。その結果、特許文献３，４および非特許文献１に記載のシラシクロペンタジエン誘導体に対してさらなる芳香環を導入してπ電子共役系の拡張を図り、さらに分子の長手方向の末端に上記アクセプター性官能基を導入したときには、当該誘導体の電子輸送能がより一層向上した新規なシラシクロペンタジエン誘導体を得ることができるという全く新たな事実を見出した。
【００１４】
さらに本発明者らは、かかる誘導体を電子輸送剤として有機感光体の感光層に含有させると、従来のものに比べて高感度な電子写真感光体を得ることができ、また、かかる誘導体を電子輸送性の発光材料として有機層に含有させると、従来のものに比べて発光効率が高くかつ長寿命な有機ＥＬ素子を得ることができるという事実をも見出し、上記の新規化合物とともに、新規な電子写真感光体および有機ＥＬ素子を完成するに至った。
【００１５】
すなわち、本発明のシラシクロペンタジエン誘導体は、一般式（１）  ：
【００１６】
【化４】
2004168696.tif 000004
【００１７】
〔式（１）  中、Ａ１  およびＡ２  は同一または異なって、＝Ｏ、＝Ｃ（ＣＯＯＲ１１）２  または＝Ｃ（ＣＮ）２  を示す。Ｒ１  〜Ｒ１０は同一または異なって、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数１〜８のフルオロアルキル基または炭素数１２以下のアリール基を示す。但し、Ｒ１  とＲ２  、Ｒ３  とＲ４  、Ｒ６  とＲ７  またはＲ９  とＲ１０は、互いに結合して、アルキル基を有することのある飽和または不飽和の炭化水素環を形成してもよい。Ｒ１１は炭素数１〜８のアルキル基または炭素数１〜８のフルオロアルキル基を示す。〕
で表されることを特徴とする。
【００１８】
上記一般式（１）  で表されるシラシクロペンタジエン誘導体は、π電子共役平面が広く、上記アクセプター性官能基を有することと相俟って、優れた電子輸送能を有する。また、前述のように、有機感光体の感光層に含有させたときには、電子写真感光体の感度を向上させることができる。一方、有機ＥＬ素子の有機層に含有させたときには、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させることができ、しかも耐久性が良好で、当該素子の長寿命化を図ることができる。
従って、かかるシラシクロペンタジエン誘導体（１）  は、例えば静電式複写機、ファクシミリ、レーザビームプリンタ等の画像形成装置に用いられる電子写真感光体用の電子輸送材料として、あるいはフラットディスプレイパネル用表示素子としての有機ＥＬ素子に用いられる有機発光材料として、極めて有用である。
【００１９】
本発明の電子写真感光体は、導電性基体上に感光層を設けてなる電子写真感光体であって、当該感光層が、上記一般式（１）  で表されるシラシクロペンタジエン誘導体を含有することを特徴とする。
本発明の電子写真感光体は、前述のように、電子輸送剤として上記シラシクロペンタジエン誘導体（１）  を含有することから、従来の電子写真感光体に比べて高感度である。
本発明の電子写真感光体において、感光層は、導電性基体上に直接に設けられていてもよく、下引き層を介して設けられていてもよい。
【００２０】
本発明の電子写真感光体は、
（Ｉ）  その感光層が単一の層であって、上記一般式（１）  で表されるシラシクロペンタジエン誘導体とともに、少なくとも電荷発生剤を含有するもの、すなわち、いわゆる単層型の感光体であってもよく、
（ＩＩ）感光層が、少なくとも電荷発生剤を含有する電荷発生層と、少なくとも上記一般式（１）  で表されるシラシクロペンタジエン誘導体を含有する電荷輸送層とを含み、当該電荷発生層と電荷輸送層とが、上記導電性基体側からこの順でまたは逆の順で設けられてなるもの、すなわち、いわゆる積層型の感光体であってもよい。
【００２１】
本発明の有機ＥＬ素子（有機電界発光素子）は、少なくとも一対の電極と、この電極間に挟持された有機層とを備え、当該有機層が上記一般式（１）  で表されるシラシクロペンタジエン誘導体を含有することを特徴とする。
本発明の有機ＥＬ素子は、前述のように、電子輸送性の発光材料として上記シラシクロペンタジエン誘導体（１）  を含有することから、従来の有機ＥＬ素子に比べて発光効率が高く、しかも素子自体の寿命が長い。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
〔シラシクロペンタジエン誘導体〕
本発明のシラシクロペンタジエン誘導体は、前述のように、上記一般式（１）  で表されるものである。
上記一般式（１）  で表される本発明のシラシクロペンタジエンにおいて、Ａ１  およびＡ２  で示される置換基は、前述のように同一または異なるものであって、＝Ｏ、＝Ｃ（ＣＯＯＲ１１）および＝Ｃ（ＣＮ）２  の中から適宜選択されるものである。
【００２３】
本発明のシラシクロペンタジエンは、上記一般式（１）  で表されるものの中でも特に、一般式（１１）で表される、Ａ１  およびＡ２  が酸素原子（＝Ｏ）であるもの（キノン型）、一般式（１２）で表される、Ａ１  およびＡ２  が＝Ｃ（ＣＯＯＲ１１）２  であるもの（テトラカルボニル型）、または一般式（１３）で表される、Ａ１  およびＡ２  が＝Ｃ（ＣＮ）２  であるもの（テトラシアノ型）の３種が一般的である。
【００２４】
【化５】
2004168696.tif 000005
【００２５】
（式（１１）〜（１３）中、Ｒ１  〜Ｒ１１は前記と同じである。）
また、これに限定されるものではないが、上記のシラシクロペンタジエン誘導体のうち、一般式（１１）で表されるキノン型と一般式（１３）で表されるテトラシアノ型のシラシクロペンタジエン誘導体は、電子写真感光体の電子輸送剤として好適である。一方、一般式（１２）で表されるテトラカルボニル型は、有機ＥＬ素子の電子輸送材料として好適である。
【００２６】
上記一般式（１）  で表される本発明のシラシクロペンタジエンのうち置換基Ｒ１  〜Ｒ１０は、前述のように同一または異なるものであって、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数１〜８のフルオロアルキル基および炭素数１２以下のアリール基からなる群より選択される。置換基Ｒ１０は、前述のように同一または異なるものであって、炭素数１〜８のアルキル基または炭素数１〜８のフルオロアルキル基より選択される。
【００２７】
上記例示の置換基のうち、炭素数１〜８のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基等が挙げられる。
炭素数１〜８のアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基等が挙げられる。
【００２８】
炭素数１〜８のフルオロアルキル基としては、上記例示のアルキル基における水素原子をフッ素原子に置換したものが挙げられる。特に限定されるものではないが、このフルオロアルキル基は、通常、全ての水素原子をフッ素原子に置換したパーフルオロアルキル基である。
上記例示のアルキル基、アルコキシ基およびフルオロアルキル基は、その中でも特に、炭素数が１〜６の範囲であるのが好ましい。
炭素数１２以下のアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基等が挙げられる。このアリール基には、基全体の炭素数が１２以下となる範囲であれば、上記例示のアルキル基、アルコキシ基またはフルオロアルキル基を有していてもよい。すなわち、上記アリール基には、例えばトリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基等が含まれる。
【００２９】
置換基Ｒ１  〜Ｒ１０のうち、シラシクロペンタジエン環中の隣接する炭素原子に置換するＲ１  とＲ２  について、ケイ素原子に結合するＲ３  とＲ４  について、ならびに同一のベンゼン環中の隣接する炭素原子に置換するＲ６  とＲ７  、Ｒ９  とＲ１０については、互いに結合して、炭素数１〜８のアルキル基を有することのある飽和または不飽和の炭化水素環を形成してもよい。
ここで、飽和または不飽和の炭化水素環としては、例えば４〜８員環、好ましくは５〜６員環の炭化水素環が挙げられる。また、飽和または不飽和の炭化水素環に結合することのある炭素数１〜８のアルキル基としては、前記例示のものと同じアルキル基が挙げられる。
【００３０】
上記一般式（１）  で表される本発明のシラシクロペンタジエンであって、置換基Ａ１  およびＡ２  に相当する基＝Ｃ（ＣＯＯＲ１１）における置換基Ｒ１１は、前述のように、炭素数１〜８のアルキル基または炭素数１〜８のフルオロアルキル基から選択される。炭素数１〜８のアルキル基および炭素数１〜８のフルオロアルキル基の具体例としては、前記と同じである。
【００３１】
本発明に用いられるシラシクロペンタジエン誘導体（１）  のうち、キノン型シラシクロペンタジエン誘導体（１１）の具体例を表１に、テトラカルボニル型シラシクロペンタジエン誘導体（１２）の具体例を表２に、テトラシアノ型シラシクロペンタジエン誘導体（１３）の具体例を表３に、それぞれ示す。
【００３２】
【表１】
2004168696.tif 000006
【００３３】
【表２】
2004168696.tif 000007
【００３４】
【表３】
2004168696.tif 000008
【００３５】
〔表１〜３において、Ｒ８  はＲ５  と、Ｒ９  およびＲ１０はＲ６  およびＲ７  と、それぞれ同じである。また、表１〜３中、“Ｈ”は水素原子を、“Ｍｅ”はメチル基を、“Ｅｔ”はエチル基を、“ｔ−Ｂｕ”はｔｅｒｔ−ブチル基を、“ｔ−Ｐｅ”はｔｅｒｔ−ペンチル基を、“Ｆ−Ｍｅ”はパーフルオロメチル基を、“Ｐｈ”はフェニル基を、“ＭｅＯ−”はメトキシ基を、それぞれ示す。“Ｂｚ”は隣接する２つの基が結合してベンゼン環を形成していることを示す。Ｒ１  ，Ｒ２  欄の“ｄｉＭｅ  ｃｙｃｌｏ  Ｐｅ”は、隣接する２つの基が結合して、下記式（ａ）  で表される環式基を形成していることを示す。Ｒ３  ，Ｒ４  欄の“ｃｙｃｌｏ  Ｐｅ”は隣接する２つの基が結合して、下記式（ｂ）  で表される環式基を形成していることを示す。
【００３６】
【化６】
2004168696.tif 000009
【００３７】
“―”は該当する置換基がないことを示す。〕
【００３８】
（シラシクロペンタジエン誘導体（キノン型）の合成方法）
上記一般式（１１）  で表されるシラシクロペンタジエン（キノン型）は、例えば下記の工程１〜７を経ることによって合成される。
工程１：
アルカリ金属化合物（ｎ−ブチルリチウム等）の存在下で、アセチレン誘導体とシリルジクロライド誘導体とを反応させる（反応式（Ｉ）  参照）。
【００３９】
【化７】
2004168696.tif 000010
【００４０】
（反応式（Ｉ）  中、Ｒ１  〜Ｒ４  は前記と同じである。）
工程２：
式（３１）で表される工程１の反応生成物にアルカリ金属錯体を反応させて、次いで、式（３２）で表されるシラン誘導体を反応させる（反応式（ＩＩ）参照）。
【００４１】
【化８】
2004168696.tif 000011
【００４２】
（反応式（ＩＩ）中、Ｘ、ＹおよびＺは同一または異なって、アルキル基またはアリール基を示す。Ｒ１  〜Ｒ４  は前記と同じである。）
工程３：
４−ブロモフェノール誘導体を、冷却下かつ有機金属化合物（ｎ−ブチルリチウム等）の存在下でトリメチルクロロシランと反応させて、当該誘導体の水酸基をトリメチルシリル基で保護する（反応式（ＩＩＩ）  参照）。
【００４３】
【化９】
2004168696.tif 000012
【００４４】
（反応式（ＩＩＩ）  中、Ｒ５  〜Ｒ７  は前記と同じである。）
工程４：
式（３３）で表される工程２の反応生成物に、有機金属化合物（ｎ−ブチルリチウム等）の存在下で、塩化亜鉛（または塩化亜鉛錯体）を反応させた後、こうして得られた反応生成物（３５）と、式（３４）で表される工程３の反応生成物とを、ジイソブチルアルミニウムハイドライドの存在下で反応させる（反応式（ＩＶ）参照）。
【００４５】
【化１０】
2004168696.tif 000013
【００４６】
（反応式（ＩＶ）中、Ｂはハロゲン化亜鉛またはハロゲン化亜鉛錯体を示す。Ｒ１  〜Ｒ７  、Ｂ、Ｘ、ＹおよびＺは前記と同じである。）
工程５：
工程３と同様にして、４−ブロモフェノール誘導体を、冷却下かつ有機金属化合物（ｎ−ブチルリチウム等）の存在下でトリメチルクロロシランと反応させて、４−ブロモフェノール誘導体の水酸基をトリメチルシリル基で保護する（化合物（３４’）  ）。一方、式（３６）で表される工程４の反応生成物に、有機金属化合物（ｎ−ブチルリチウム等）の存在下で、塩化亜鉛（または塩化亜鉛錯体）を反応させる。次いで、こうして得られた式（３７）で表される反応生成物と、上記化合物（３４’）  とを、ジイソブチルアルミニウムハイドライドの存在下で反応させる（反応式（Ｖ）  参照）。
【００４７】
【化１１】
2004168696.tif 000014
【００４８】
（反応式（Ｖ）  中、Ｒ１  〜Ｒ１０、Ｂ、Ｘ、ＹおよびＺは前記と同じである。）
工程６：
式（３８）で表される工程５の反応生成物を濃塩酸等と反応させて保護基（トリメチルシリル基）を取り去り、こうして得られた下記式（３９）で表される粗生成物を過剰量の酸化銀、過マンガン酸カリウム等の酸化剤で酸化して、精製することにより、目的化合物であるシラシクロペンタジエン誘導体（キノン型）が得られる。
【００４９】
【化１２】
2004168696.tif 000015
【００５０】
（式（３９）中、Ｒ１  〜Ｒ１０は前記と同じである。）
上記工程１〜６を経て合成される目的化合物は、上記一般式（１１）で表されるキノン型のシラシクロペンタジエン誘導体である。
【００５１】
（シラシクロペンタジエン誘導体（テトラカルボニル型）の合成方法）
上記一般式（１２）で表される、テトラカルボニル型のシラシクロペンタジエン誘導体は、上記工程６で得たシラシクロペンタジエン誘導体（キノン型）（１１）を、ピペリジン等の触媒存在下でマロン酸エステルと反応させればよい。
（シラシクロペンタジエン誘導体（テトラシアノ型）の合成方法）
上記一般式（１３）で表される、テトラシアノ型のシラシクロペンタジエン誘導体は、上記工程６で得たシラシクロペンタジエン誘導体（キノン型）（１１）を、ピペリジン等の触媒存在下でマロノニトリルと反応させればよい。
【００５２】
〔電子写真感光体〕
次に、本発明の電子写真感光体について詳細に説明する。
本発明の電子写真感光体は、前述のように、導電性基体上に感光層を設けてなるものであって、当該感光層が上記一般式（１）  で表されるシラシクロペンタジエン誘導体を含有するものである。
上記感光層の構成は、同一の層中に電荷発生剤と電荷輸送剤とを混在させる、いわゆる単層型感光体の場合と、電荷発生剤を含有する層（電荷発生層）と電荷輸送剤を含有する層（電荷輸送層）とを分離してなる、いわゆる積層型感光体の場合とで異なるが、いずれの感光層も、電荷発生剤、電荷輸送剤等の各成分をバインダ樹脂等とともに溶媒中に溶解・分散させ、こうして得られた塗布液を導電基体上に（直接にまたは下引き層を介して）塗布、乾燥することによって形成されるものである。
【００５３】
（電荷発生剤）
本発明の電子写真感光体に使用可能な電荷発生剤としては、例えば式（ＣＧＭ１）：
【００５４】
【化１３】
2004168696.tif 000016
【００５５】
で表される無金属フタロシアニン（Ｈ２  Ｐｃ）、式（ＣＧＭ２）：
【００５６】
【化１４】
2004168696.tif 000017
【００５７】
で表されるチタニルフタロシアニン（ＴｉＯＰｃ）、式（ＣＧＭ３）：
【００５８】
【化１５】
2004168696.tif 000018
【００５９】
で表されるヒドロキシガリウムフタロシアニン、式（ＣＧＭ４）：
【００６０】
【化１６】
2004168696.tif 000019
【００６１】
で表されるクロロガリウムフタロシアニン等のフタロシアニン系顔料；ジスアゾ顔料；ジスアゾ縮合顔料、モノアゾ顔料、ペリレン系顔料、ジチオケトピロロピロール顔料、無金属ナフタロシアニン顔料、金属ナフタロシアニン顔料、スクアライン顔料、トリスアゾ顔料、インジゴ顔料、アズレニウム顔料、シアニン顔料、ピリリウム塩、アンサンスロン系顔料、トリフェニルメタン系顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系顔料、キナクリドン系顔料等の、従来公知の種々の電荷発生剤が挙げられる。
【００６２】
また、電荷発生剤のバインダ樹脂中での分散性といった特性を向上させるために、例えば式（Ｐｉｇ１）：
【００６３】
【化１７】
2004168696.tif 000020
【００６４】
で表されるＣ．Ｉ．ピグメントオレンジ１６等のような、アゾ顔料を含有してもよい。
電荷発生剤は、電子写真感光体が所望の吸収波長域で感度を有するように、上記例示のものの中から種々選択すればよい。上記例示の電荷発生剤は単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
半導体レーザを使用したレーザビームプリンタやファクシミリといったデジタル光学系の画像形成装置には、上記例示の電荷発生剤のうち、６００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する感光体が必要となるため、例えば無金属フタロシアニン（ＣＧＭ１）やチタニルフタロシアニン（ＣＧＭ２）等のフタロシアニン系顔料が好適に用いられる。
【００６５】
上記フタロシアニン系顔料について、その結晶形は特に限定されるものではなく、種々のものを採用することができるが、無金属フタロシアニン（ＣＧＭ１）についてはＸ型またはＩ型を、チタニルフタロシアニン（ＣＧＭ２）についてはα型〔そのＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角（２θ±０．２°）が７．６°と２８．６°のときに主たる回折ピークを有するもの〕またはＹ型〔ブラッグ角（２θ±０．２°）が２７．２°のときに主たる回折ピークを有するもの〕を、ヒドロキシガリウムフタロシアニン（ＣＧＭ３）についてはＶ型を、クロロガリウムフタロシアニン（ＣＧＭ４）についてはＩＩ型を、それぞれ用いるのが、感光体の感度をより一層良好なものにするという観点から好ましい。
ハロゲンランプ等の白色光源を使用した静電式複写機といったアナログ光学系の画像形成装置には、上記例示の電荷発生剤のうち、可視領域に感度を有するペリレン系顔料やビスアゾ系顔料等が好適に用いられる。
【００６６】
（電荷輸送剤）
本発明の電子写真感光体に用いられる電荷輸送剤としては、従来公知の電子輸送剤および／または正孔輸送剤が挙げられる。
電子輸送剤と正孔輸送剤のいずれか（または両方）を用いることの選択は、感光体の層構造や帯電極性等に応じて決定すればよい。単層型の電子写真感光体において、電子輸送剤と正孔輸送剤との間に電荷移動錯体が生じないのであれば、両者を混合して感光層中に配合するのが好ましい。
【００６７】
（電子輸送剤）
本発明の電子写真感光体に用いられる電子輸送剤は、上記一般式（１）  で表されるシラシクロペンタジエン誘導体である。
本発明の電子写真感光体においては、上記シラシクロペンタジエン誘導体（１）  と併せて、従来公知の種々の電子輸送剤を感光層中に含有させてもよい。
かかる他の電子輸送剤としては、例えば下記一般式（ＥＴＭ１）および（ＥＴＭ２）で表されるジフェノキノン誘導体、下記一般式（ＥＴＭ３）で表されるスチルベンキノン誘導体、下記一般式（ＥＴＭ４）、（ＥＴＭ５）、（ＥＴＭ６）および（ＥＴＭ７）で表されるナフトキノン誘導体、下記一般式（ＥＴＭ８）および（ＥＴＭ９）で表されるジナフトキノン誘導体、下記一般式（ＥＴＭ１０）  、（ＥＴＭ１１）  、（ＥＴＭ１２）  および（ＥＴＭ１３）  で表されるアゾキノン誘導体、下記一般式（ＥＴＭ１４）  で表されるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体等が挙げられる。
【００６８】
【化１８】
2004168696.tif 000021
【００６９】
【化１９】
2004168696.tif 000022
【００７０】
【化２０】
2004168696.tif 000023
【００７１】
【化２１】
2004168696.tif 000024
【００７２】
【化２２】
2004168696.tif 000025
【００７３】
【化２３】
2004168696.tif 000026
【００７４】
【化２４】
2004168696.tif 000027
【００７５】
〔式（ＥＴＭ１）〜（ＥＴＭ１４）  中、Ｒｅ１〜Ｒｅ１１  、Ｒｅ１３  〜Ｒｅ２６  、Ｒｅ３２  〜Ｒｅ３７  、Ｒｅ４０  およびＲｅ４１  は同一または異なって、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基または炭素数１２以下のアリール基を示す。Ｒｅ１２  は水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１２以下のアリール基、炭素数１〜９のアルキルカルボニル基、炭素数１〜９のアルコキシカルボニル基、炭素数１３以下のアリールカルボニル基または炭素数１３以下のアリールオキシカルボニル基を示す。Ｒｅ２７  、Ｒｅ２９  およびＲｅ３１  は同一または異なって、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１２以下のアリール基、塩素原子またはニトロ基を示す。Ｒｅ２８  、Ｒｅ３０  、Ｒｅ３８  およびＲｅ３９  は同一または異なって、炭素数１〜８のアルキル基または炭素数１２以下のアリール基を示す。ａは０〜３の整数を示し、ｂは０〜４の整数を示す。〕
シラシクロペンタジエン誘導体（１）  とともに配合されることのある電子輸送剤は、上記例示の１種のみを用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
電子写真感光体の残留電位を低下させて、その感度をより一層向上させるという観点から、電子輸送剤の酸化還元電位は−０．８〜−１．４  Ｖの範囲にあるのが好ましく、特に−１．０  Ｖ程度であるのがより好ましい。
【００７６】
本発明のシラシクロペンタジエンのうち、特に一般式（１１）で表されるキノン型のシラシクロペンタジエン誘導体と、一般式（１３）で表されるテトラシアノ型のシラシクロペンタジエン誘導体は、いずれもその酸化還元電位が上記範囲にあることから、電子写真感光体用の電子輸送剤としてとりわけ好適である。
なお、電子輸送剤の酸化還元電位は、牽引電圧（Ｖ）と電流（μＡ）との関係から図１に示す電位Ｅ１  とＥ２  を求め、次式を用いて算出した。
酸化還元電位（Ｖ）＝（Ｅ１  ＋Ｅ２  ）／２
上記牽引電圧（Ｖ）および電流（μＡ）は、以下の材料を調合した測定溶液を用い、３電極式のサイクリックボルターメトリーにて測定した。
電極：作用電極（グラッシーカーボン電極）、対極（白金電極）
参照電極：銀硝酸電極（０．１ｍｏｌ／Ｌ  ＡｇＮＯ３  −ＣＨ３  ＣＮ溶液）
測定溶液  電解質：過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム  ０．１モル
測定物質：電子輸送剤  ０．００１モル
溶剤：ＣＨ２  Ｃｌ２      １ミリリットル
【００７７】
（正孔輸送剤）
本発明の電子写真感光体に使用可能な正孔輸送剤としては、従来公知の種々の正孔輸送剤が挙げられる。なかでも、下記の一般式（ＨＴＭ１）で表されるビススチルベンジアミン誘導体、一般式（ＨＴＭ２）で表されるビストリフェニルアミン誘導体、一般式（ＨＴＭ３）で表されるトリフェニルアミノスチリル誘導体および一般式（ＨＴＭ４）で表されるスチルベンアミン−ヒドラゾン誘導体を用いるのが好適である。
【００７８】
【化２５】
2004168696.tif 000028
【００７９】
（式（ＨＴＭ１）のＸｈ１は下記式（Ａ）  〜（Ｃ）のいずれかを、式（ＨＴＭ２）のＸｈ２は下記式（Ａ）〜（Ｄ）のいずれかを、それぞれ示す。）
【００８０】
【化２６】
2004168696.tif 000029
【００８１】
【化２７】
2004168696.tif 000030
【００８２】
〔式（ＨＴＭ１）〜（ＨＴＭ４）中、Ｒｈ１〜Ｒｈ１８  およびＲｈ２０  〜Ｒｈ２５  は同一または異なって、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基または炭素数１２以下のアリール基を示す。Ｒｈ１９  は水素原子、炭素数１〜８のアルキル基または炭素数１２以下のアリール基を示す。ａおよびｂは前記と同じである。ｋは０〜３の整数を示す。〕
かかる正孔輸送剤は特にその電荷輸送能が高く、しかもシラシクロペンタジエン誘導体との間に電荷移動錯体を形成しにくく、上記例示のバインダ樹脂との相溶性が良好であるといった特徴を備えている。
【００８３】
なお、上記例示の正孔輸送剤のなかでも特に、式（ｈ１）：
【００８４】
【化２８】
2004168696.tif 000031
【００８５】
〔式（ｈ１）中、Ｒｈａ〜Ｒｈｃは同一または異なって、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基または炭素数１２以下のアリール基を示す。同一のベンゼン環に基Ｒｈａ〜Ｒｈｃが２以上置換する場合において、隣接する炭素原子に置換する基Ｒｈａ〜Ｒｈｃは、互いに結合して、飽和または不飽和の炭化水素環を形成してもよい。ａは前記と同じである。〕
で表されるトリフェニルアミノスチリル構造をその分子中に備えるもの（上記一般式（ＨＴＭ１），（ＨＴＭ３）および（ＨＴＭ４）で表されるもの）がより好適である。
上記例示の正孔輸送剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
【００８６】
（バインダ樹脂）
本発明の電子写真感光体において、電荷発生剤、電荷輸送剤等の各成分を含有する層を形成するためのバインダ樹脂には、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアリレート、ポリスチレンおよびポリメタクリル酸エステルからなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂が用いられる。
これらのバインダ樹脂は、電荷発生剤や電荷輸送剤との相溶性に優れており、しかも電荷輸送剤の電荷輸送能を妨害するような部位をその分子内に有しないものである。従って、かかるバインダ樹脂を用いることによって、より一層高感度な電子写真感光体を得ることができる。
【００８７】
なかでも、バインダ樹脂として、下記一般式（ｒｅｓｉｎ１）〜（ｒｅｓｉｎ３）で表される繰返し単位を有するポリアリレートを用いたとき、あるいはバインダ樹脂としてかかるポリアリレートを含有するときは、電子写真感光体の耐磨耗性と耐ガス性とを両立させつつ、双方の特性を改善して、より一層の長寿命化を達成するという効果が得られる。
【００８８】
【化２９】
2004168696.tif 000032
【００８９】
（式（ｒｅｓｉｎ１）〜（ｒｅｓｉｎ３）中、Ｒｒ１は炭素数１〜３のアルキル基を示す。）
【００９０】
（分散媒）
本発明の電子写真感光体において、上記電荷発生剤、電荷輸送剤、バインダ樹脂等の各成分を分散・溶解させた塗布液を調製するための分散媒としては、感光層形成用塗布液の溶媒として従来用いられている種々の有機溶剤が使用可能である。かかる有機溶剤としては、例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類；ｎ−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素；ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類；ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。
なお、これに限定されるものではないが、本発明においては、上記電荷発生剤、電荷輸送剤、バインダ樹脂等の各成分を安定して分散させる上で、各種の有機溶剤の中でも特に、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン、シクロヘキサノン、トルエン、キシレン、ジクロロメタン、ジクロロエタンおよびクロロベンゼンからなる群より選ばれる少なくとも１種の有機溶剤を用いるのが好ましい。
【００９１】
（他の成分）
感光層形成用の塗布液には、電子写真特性に悪影響を与えない範囲であれば、上記各成分のほかにも従来公知の種々の添加剤、例えば酸化防止剤、ラジカル捕捉剤、一重項クエンチャー、紫外線吸収剤等の劣化防止剤、軟化剤、可塑剤、表面改質剤、増量剤、増粘剤、分散安定剤、ワックス、アクセプター、ドナー等を配合することができる。また、感光層の感度を向上させるために、例えばテルフェニル、ハロナフトキノン類、アセナフチレン等の公知の増感剤を電荷発生剤と併用してもよい。さらに、電荷輸送剤や電荷発生剤の分散性、感光層表面の平滑性を良くするために界面活性剤、レベリング剤等を使用してもよい。
【００９２】
（導電性基体）
上記感光層が形成される導電性基体には、導電性を有する種々の材料を使用することができ、例えば鉄、アルミニウム、銅、スズ、白金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス鋼、真鍮等の金属単体；上記金属が蒸着またはラミネートされたプラスチック材料、ヨウ化アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で被覆されたガラス；カーボンブラック等の導電性微粒子を分散させた樹脂基体等が挙げられる。
導電性基体の形状は、使用する画像形成装置の構造に合わせて、シート状、ドラム状等のいずれであってもよく、基体自体が導電性を有するか、あるいは基体の表面が導電性を有していればよい。また、導電性基体は、使用に際して十分な機械的強度を有するものが好ましい。
【００９３】
（単層型電子写真感光体の製造方法）
単層型の電子写真感光体は、電荷発生剤と電子輸送剤とバインダ樹脂と、さらに必要に応じて正孔輸送剤や上記他の成分を、適当な分散媒に分散または溶解させて、こうして得られた感光層形成用塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させて感光層を形成することによって得られる。
【００９４】
上記感光層形成用塗布液において、電荷発生剤は、バインダ樹脂１００重量部に対して０．１〜５０重量部、好ましくは０．５〜３０重量部の割合で配合すればよい。電子輸送剤は、バインダ樹脂１００重量部に対して５〜２００重量部、好ましくは１０〜１００重量部の割合で配合すればよい。本発明のシラシクロペンタジエン誘導体（１）  以外の電子輸送剤については、本発明の効果を損なわない範囲で配合すればよい。正孔輸送剤は、バインダ樹脂１００重量部に対して５〜５００重量部、好ましくは２５〜２００重量部の割合で配合すればよい。電子輸送剤と正孔輸送剤とを併用する場合において、電子輸送剤と正孔輸送剤との総量は、バインダ樹脂１００重量部に対して２０〜５００重量部、好ましくは３０〜２００重量部とするのが適当である。
【００９５】
感光層形成用塗布液の塗布によって得られる感光層の厚さは５〜１００μｍ、特に１０〜５０μｍとなるように設定するのが好ましい。
前記感光層を塗布の方法により形成する場合には、前記例示の電荷発生剤、電荷輸送剤、不溶性アゾ顔料、バインダ樹脂等を、適当な溶剤とともに、ロールミル、ボールミル、アトライタ、ペイントシェーカー、超音波分散機等の公知の手段を用いて分散混合して、こうして調製された分散液を公知の手段により導電性基体上に塗布して乾燥させればよい。
【００９６】
（積層型電子写真感光体の製造方法）
積層型の電子写真感光体の製造では、まず、電荷発生剤とバインダ樹脂と、さらに必要に応じて上記他の成分を、適当な分散媒に分散または溶解させ、こうして得られた電荷発生層形成用塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥させて電荷発生層を形成する。次いで、電子輸送剤とバインダ樹脂と、さらに必要に応じて正孔輸送剤や上記他の成分を、適当な分散媒に分散または溶解させ、こうして得られた電荷輸送層形成用塗布液を上記の電荷発生層上に塗布し、乾燥させて電荷輸送層を形成する。こうして、導電性基体上に電荷発生層と電荷輸送層とをこの順序で積層してなる電子写真感光体が得られる。
なお、電荷発生層と電荷輸送層の積層順序は上記と逆の順序であってもよいが、通常、電荷発生層の膜厚が薄く、その強度が十分ではないことから、上記のとおりの積層順序とするのが好ましい。
【００９７】
本発明の単層型および積層型電子写真感光体において特に限定されるものではないが、導電性基体と感光層との間には、感光体の特性を阻害しない範囲で下引き層（バリア層）を形成してもよい。また、感光体の表面には保護層を形成してもよい。
【００９８】
〔有機ＥＬ素子〕
次に、本発明の有機電荷発光素子（有機ＥＬ素子）について詳細に説明する。有機ＥＬ素子は、例えば仕事関数の小さな金属電極からなる陰極と、透明電極からなる陽極とから、両電極間に挟持される有機層へと直流電圧を印加して、有機層中に注入された電子とホール（正孔）との再結合エネルギーによって発光材料を発光させ、さらにこの発光を陽極（透明電極）と透明基板とを通じて素子外部に導くものである。
【００９９】
有機層には、
（Ａ）  発光材料、陽極からのホール（正孔）の注入やその輸送を担うホール輸送剤、陰極からの電子の注入やその輸送とを担う電子輸送剤等を同一の層に含有してなる、いわゆる単層構造のものと、
（Ｂ）  発光材料、ホール輸送剤、電子輸送剤等を適宜組み合わせて含有させた層を積層することで、ホールの注入・輸送、発光、電子の注入・輸送等の機能を各層に分担させる、いわゆる積層構造のもの
とがあるが、本発明の有機ＥＬ素子ではいずれの構造であってもよい。
【０１００】
前述のように、本発明の有機ＥＬ素子は、少なくとも一対の電極と、この電極間に挟持された有機層とを備え、この有機層が本発明の一般式（１）  で表されるシラシクロペンタジエン誘導体を含有するものである。従って、当該シラシクロペンタジエン誘導体（１）  を含有する層を備えるものであれば、その他の構成については特に限定されるものではない。
有機層の製造工程を簡易なものとするには、上記の単層構造を採用するのが好ましい。一方、有機ＥＬ素子の発光効率、発光寿命等の諸特性をより一層良好なものとするには、一般に上記の積層構造を採用するのが好ましい。
【０１０１】
上記（Ｂ）  の積層構造の有機層は、そのなかでも特に、
透明電極（陽極）側から金属電極（陰極）へと順に、
ａ）電荷（ホール）注入剤を含有し、陽極からホール輸送層へのホール注入を促すホール（正孔）注入層、
ｂ）ホール（正孔）輸送剤を含有し、陽極から注入されたホールを陰極側へ輸送する正孔輸送層、
ｃ）本発明のシラシクロペンタジエン誘導体（１）  を含む電子輸送剤と、発光材料とを含有する発光層、および
ｄ）電子輸送剤を含有し、陰極から注入された電子を発光層へ輸送する電子輸送層
を備えるものであるのがより好ましい。なお、積層型有機層の構造はこれに限定されるものではない。
【０１０２】
積層構造の有機層が上記ａ）〜ｄ）の層構成を備える場合において、本発明のシラシクロペンタジエン誘導体（１）  は、上記ｄ）の層において電子輸送剤として含有される。
本発明の有機ＥＬ素子に用いられる発光材料としては、特に限定されるものではなく、例えば上記式（５１）で表されるアルミニウム錯体〔トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ）〕、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体（ＢｅＢｑ）、エピドリジン、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、２，２’−（１，４−フェニレンジビニレン）ビスベンゾチアゾール、２，２’−（４，４’−ビフェニレン）ビスベンゾチアゾール、５−メチル−２−｛２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル｝ベンゾオキサゾール、２，５−ビス（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、ペリノン、１，４−ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、２−（４−ビフェニル）−６−フェニルベンゾオキサゾール、アルミニウムトリルオキシン、マグネシウムビスオキシン、ビス（ベンゾ−８−キノリノール）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムオキサイド、インジウムトリスオキシン、アルミニウムトリス（５−メチルオキシン）、リチウムオキシン、ガリウムトリスオキシン、カルシウムビス（５−クロロオキシン）、ポリ亜鉛−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリノリル）メタン、ジリチウムエピンドリジオン、亜鉛ビスオキシン、１，２−フタロペリノン、１，２−ナフタロペリノン等の、従来公知の種々の発光材料が挙げられる。発光材料は、有機層の層構成に応じて、電子輸送性またはホール輸送性のいずれかを選択すればよい。
【０１０３】
本発明の有機ＥＬ素子において、電荷注入剤としては、例えば銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）や、本発明の電子写真感光体において電荷発生剤として例示した化合物が挙げられる。また、これらのほかに、イオンポテンシャルが比較的小さいまたは電荷移動度が高い、従来公知の種々の正孔輸送剤が挙げられる。具体的には、フタロシアニン化合物、ナフタロシアニン化合物、ポルフィリン化合物、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリアリールアミン、ジアミン型トリアリールアミン、ポリビニルカルバゾール、ポリシラン等の、従来公知の種々の電荷注入剤が挙げられる。
【０１０４】
ホール（正孔）輸送剤としては、例えば本発明の電子写真感光体において正孔輸送剤として例示した化合物と同様のものが挙げられる。
電子輸送剤としては、本発明のシラシクロペンタジエン誘導体とともに、本発明の電子写真感光体において電子輸送剤として例示した化合物と同様のものや、フルオレノン、アントラキノンジメタン、ジフェノキノン、スチルベンキノン、チオピランジオキシド、オキサジアゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フルオレニリデンメタン、アントラキノン、アントロン等を併用することができる。
【０１０５】
陽極としての透明電極には、例えばＩＴＯ（インジウム−錫酸化物）、ＩＸＯ〔Ｉｎ２  Ｏ３  （ＺｎＯ）ｍ  六方晶層状化合物〕等の透明導電材料が挙げられる。陰極としての金属電極には、例えばＭｇ／Ａｌ、Ａｌ／Ｌｉ等の、アルカリ金属やアルカリ度類金属を含む合金が挙げられる。また、Ａｌ層などの金属層と、フッ化リチウム、酸化リチウム等のリチウム化合物の層との積層体を用いてもよい。
【０１０６】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は特に限定されるものではなく、従来公知の種々の方法を採用することができる。
【０１０７】
【実施例】
以下、合成例、実施例および比較例を挙げて、本発明を説明する。
〔シラシクロペンタジエン誘導体〕
まず、本発明のシラシクロペンタジエン誘導体に関する合成例を挙げる。
（合成例１）
式（１１−１）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体（キノン型）の合成
工程１：
窒素雰囲気下（０℃）にて、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）９０ｍＬに溶解させたフェニルアセチレン１０．２ｇ（０．１０ｍｏｌ）に、ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ）を７０ｍＬ（０．１０ｍｏｌ）滴下して、１時間攪拌しながら反応させた。次いで、この反応液に、ＴＨＦ６０ｍＬに溶解させたジメチルジクロロシラン３．２ｇ（０．０２５ｍｏｌ）を加えて、２０℃で１２時間撹拌しながら反応させた。反応液から析出した固体を濾別して、反応液を濃縮した後、濃縮液に水を加えてジエチルエーテルで抽出した。次いで、抽出物を無水硫酸マグネシウムで乾燥して濃縮し、濃縮物をヘキサンで再結晶して、白色固体のジメチルジ（フェニルエチニル）シランを得た（反応式（ｉ）  参照）。収量４．６３ｇ（０．０１７８ｍｏｌ）、収率７１％。
【０１０８】
【化３０】
2004168696.tif 000033
【０１０９】
工程２：
アルゴン気流下（室温）にて、ＴＨＦ１５０ｍＬ中にナフタレン７．６８ｇ（０．０６０ｍｏｌ）とリチウム０．４２ｇ（０．０６０ｍｏｌ）とを加え、４時間撹拌してリチウムナフタニドのＴＨＦ溶液を調製した。この溶液に、工程１で得たジメチルジ（フェニルエチニル）シラン３．９ｇ（０．０１５ｍｏｌ）を室温下で加えて２０分間撹拌し、２，５−ジリチオ−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロールとリチウムナフタレニドとの混合物（ＴＨＦ溶液）を得た。この混合物（ＴＨＦ溶液）にトリメチルクロロシラン６．５２ｇ（０．０６０ｍｏｌ）を添加して、室温下で１時間撹拌した後、反応液を濃縮した。濃縮液をカラムクロマトグラフで精製した後、ヘキサンで再結晶して、白色固体の２，５−ビス（トリメチルシリル）−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロールを得た（反応式（ｉｉ）参照）。収量４．７５ｇ（０．０１１７ｍｏｌ）、収率７８％、融点９８℃。
【０１１０】
【化３１】
2004168696.tif 000034
【０１１１】
工程３：
４−ブロモ−２，６−ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）フェノール１１４ｇ（０．４０ｍｏｌ）をＴＨＦ３００ｍＬに溶解して−８０℃に冷却し、窒素雰囲気下で、ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ）を２８０ｍＬ（０．４４ｍｏｌ）滴下した。さらに、トリメチルククロシランを加えて、水酸基がトリメチルシリル基で保護された４−ブロモ−２，６−ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）フェノールを得た。収量１０４ｇ（０．２９ｍｏｌ）、収率７３％。
【０１１２】
工程４：
工程２で得た２，５−ビス（トリメチルシリル）−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール４．０６ｇ（０．０１０ｍｏｌ）をＴＨＦ１００ｍＬに溶解して０℃に冷却し、窒素雰囲気下で、ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ）を７０ｍＬ（０．０１１ｍｏｌ）滴下した。さらに、塩化亜鉛１．５ｇ（０．０１１ｍｏｌ）を加えて、式（３５−１）で表される化合物のＴＨＦ溶液を得た。
【０１１３】
一方、ＴＨＦ１００ｍＬに溶解したビストリフェニルホスフィン塩化パラジウム錯体０．３５ｇに、ジイソブチルアルミニウムハイドライドのヘキサン溶液（１．０ｍｏｌ／Ｌ）１．２ｍＬ（０．００１２ｍｏｌ）を加えて、活性種の０価パラジウムを生成させた。この反応液に、工程３で得た、水酸基がトリメチルシリル基で保護された４−ブロモ−２，６−ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）フェノール３５．６ｇ（０．０１０ｍｏｌ）と、上記化合物（３５−１）のＴＨＦ溶液とを加えて、３時間還流撹拌した（反応式（ｉｉｉ）  参照）。
【０１１４】
【化３２】
2004168696.tif 000035
【０１１５】
工程５：
上記工程４で得られた反応液〔式（３６−１）で表される化合物を含有するもの〕を０℃に冷却し、窒素雰囲気下で、ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ）を滴下して、さらに塩化亜鉛を加えた。
一方、工程４と同様にして活性種の０価パラジウムを生成させた後、これに工程３で得た４−ブロモ−２，６−ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）フェノール３５．６ｇ（０．０１０ｍｏｌ）と、上記反応液とを加えて、３時間還流撹拌した（反応式（ｉｖ）参照）。
【０１１６】
【化３３】
2004168696.tif 000036
【０１１７】
工程６：
上記工程５で得られた反応液〔式（３８−１）で表される化合物を含有するもの〕に過剰量の濃塩酸を滴下して４時間撹拌した。次いで、反応生成物を水に注いでクロロホルムで抽出し、乾燥、濃縮により式（３９−１）で表される粗生成物を得た（次式参照）。
【０１１８】
【化３４】
2004168696.tif 000037
【０１１９】
この粗生成物（３９−１）をクロロホルム４０ｍＬに溶解し、過剰量の酸化銀を加えて酸化させ、さらに濾過して濃縮した後、シリカゲルカラムで精製（展開溶媒：ヘキサン／クロロホルム＝１／１）して、クロロホルムで再結晶した。
こうして、目的化合物である、下記式（１１−１）で表されるキノン型のシラシクロペンタジエン誘導体（１１−１）（赤色結晶）を得た。収量１．２ｇ（０．００１８ｍｏｌ）、融点２５０℃以上。
【０１２０】
【化３５】
2004168696.tif 000038
【０１２１】
工程４〜工程６の間の収率は１８％であって、全収率は１０％であった。
生成物の元素分析結果は、理論値Ｃ：８２．５８、Ｈ：８．４４、Ｏ：４．７８に対して、測定値Ｃ：８２．６５、Ｈ：８．５２、Ｏ：４．８２であった。質量分析（ＦＤ−ＭＳ）は、Ｃ４６Ｈ５６Ｏ２  Ｓｉ＝６６８に対して、質量数６６８のピークのみが検出された。以上の測定結果により、生成化合物が目的化合物のシラシクロペンタジエン誘導体（１１−１）であることが確認された。
【０１２２】
（合成例２）
式（１１−２）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体（キノン型）の合成
合成例１の工程３において、４−ブロモ−２，６−ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）フェノールに代えて４−ブロモ−２−（ｔｅｒｔ−ペンチル）ナフトールを用いたほかは、合成例１の工程１〜６と同様にして反応を行なった。
こうして、目的化合物である、下記式（１１−２）で表されるキノン型のシラシクロペンタジエン誘導体（１１−２）（赤色結晶）を得た。融点２５０℃以上。
【０１２３】
【化３６】
2004168696.tif 000039
【０１２４】
生成物の元素分析結果は、理論値Ｃ：８４．１７、Ｈ：７．０６、Ｏ：４．６７に対して、測定値Ｃ：８４．５５、Ｈ：７．１１、Ｏ：４．７０であった。質量分析（ＦＤ−ＭＳ）は、Ｃ４８Ｈ４８Ｏ２  Ｓｉ＝６８４に対して、質量数６８４のピークのみが検出された。以上の測定結果により、生成化合物が目的化合物のシラシクロペンタジエン誘導体（１１−２）であることが確認された。
【０１２５】
（合成例３）
式（１１−３）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体（キノン型）の合成
合成例１の工程１において、フェニルアセチレン０．１０ｍｏｌに代えて４，４−ジメチル−１，６−ヘプタジイン０．０５ｍｏｌを用い、かつジメチルジクロロシランに代えてジエチルジクロロシランを用いたほかは、合成例１の工程１〜６と同様にして反応を行なった。
こうして、目的化合物である、下記式（１１−３）で表されるキノン型のシラシクロペンタジエン誘導体（赤色結晶）を得た。融点２５０℃以上。
【０１２６】
【化３７】
2004168696.tif 000040
【０１２７】
生成物の元素分析結果は、理論値Ｃ：８０．３３、Ｈ：９．８７、Ｏ：５．２２に対して、測定値Ｃ：８０．４２、Ｈ：９．９２、Ｏ：５．２５であった。質量分析（ＦＤ−ＭＳ）は、Ｃ４１Ｈ６０Ｏ２  Ｓｉ＝６１２に対して、質量数６１２のピークのみが検出された。以上の測定結果により、生成化合物が目的化合物のシラシクロペンタジエン誘導体（１１−３）であることが確認された。
【０１２８】
（合成例４）
式（１１−４）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体（キノン型）の合成
合成例１の工程１において、フェニルアセチレン０．１０ｍｏｌに代えてメチルアセチレン０．１０ｍｏｌを用いたほかは、合成例１の工程１〜６と同様にして反応を行なった。
こうして、目的化合物である、下記式（１１−４）で表されるキノン型のシラシクロペンタジエン誘導体（赤色結晶）を得た。融点２５０℃以上。
【０１２９】
【化３８】
2004168696.tif 000041
【０１３０】
生成物の元素分析結果は、理論値Ｃ：７９．３５、Ｈ：９．６２、Ｏ：５．８７に対して、測定値Ｃ：７９．３９、Ｈ：９．６６、Ｏ：５．９０であった。質量分析（ＦＤ−ＭＳ）は、Ｃ３６Ｈ５２Ｏ２  Ｓｉ＝５４４に対して、質量数５４４のピークのみが検出された。以上の測定結果により、生成化合物が目的化合物のシラシクロペンタジエン誘導体（１１−４）であることが確認された。
【０１３１】
（合成例５）
式（１２−１）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体（テトラカルボニル型）の合成
工程７：
上記合成例１の工程６で得た式（１１−１）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体６．７ｇ（０．０１０ｍｏｌ）と、マロン酸ジメチル２．９ｇ（０．０２２ｍｏｌ）とをＴＨＦ２００ｍＬに溶解させた。これにピペリジン０．００１６ｇ（０．０００１８ｍｏｌ）を加えて、５０℃で６時間加熱還流した後、２０℃で放置して、溶媒を除去した。こうして得られた固形分をシリカゲルカラム（展開溶媒：ジクロロメタン）で分離精製し、さらに得られた結晶をエタノールとトルエンの混合溶媒にて再結晶した。
こうして、目的化合物である、下記式（１２−１）で表されるテトラカルボニル型のシラシクロペンタジエン誘導体（赤色結晶状）を得た。収量２．２４ｇ、収率２５％。
【０１３２】
【化３９】
2004168696.tif 000042
【０１３３】
生成物の元素分析結果は、理論値Ｃ：７４．９６、Ｈ：７．６４、Ｏ：１４．２７に対して、測定値Ｃ：７５．０１、Ｈ：７．６９、Ｏ：１４．３０であった。質量分析（ＦＤ−ＭＳ）は、Ｃ５６Ｈ６８Ｏ８  Ｓｉ＝８９６に対して、質量数８９６のピークのみが検出された。以上の測定結果により、生成化合物が目的化合物のシラシクロペンタジエン誘導体（１２−１）であることが確認された。
【０１３４】
（合成例６）
式（１３−１）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体（テトラシアノ型）の合成
工程８：
上記合成例１の工程６で得た式（１１−１）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体６．７ｇ（０．０１０ｍｏｌ）と、マロノニトリル１．４５ｇ（０．０２２ｍｏｌ）とをＴＨＦ２００ｍＬに溶解させた。これにピペリジン０．００１６ｇ（０．０００１８ｍｏｌ）を加えて、５０℃で６時間加熱還流した後、２０℃で放置して、溶媒を除去した。こうして得られた固形分をシリカゲルカラム（展開溶媒：ジクロロメタン）で分離精製し、さらに得られた結晶をエタノールとトルエンの混合溶媒にて再結晶した。
こうして、目的化合物である、下記式（１３−１）で表されるテトラシアノ型のシラシクロペンタジエン誘導体（赤色結晶）を得た。収量１．６ｇ、収率１８％。
【０１３５】
【化４０】
2004168696.tif 000043
【０１３６】
生成物の元素分析結果は、理論値Ｃ：８１．６３、Ｈ：７．３８、Ｎ：７．３２に対して、測定値Ｃ：８１．７５、Ｈ：７．４８、Ｎ：７．４５であった。質量分析（ＦＤ−ＭＳ）は、Ｃ５２Ｈ５６Ｎ４  Ｓｉ＝７６４に対して、質量数７６４のピークのみが検出された。以上の測定結果により、生成化合物が目的化合物のシラシクロペンタジエン誘導体（１３−１）であることが確認された。
【０１３７】
〔電子写真感光体〕
（実施例１）
（１）  Ｘ型Ｈ２  Ｐｃ処方
電荷発生剤としてのＸ型無金属フタロシアニン（Ｘ−Ｈ２  Ｐｃ）３．５重量部、正孔輸送剤としての下記式（ＨＴＭ１−１）で表されるビススチルベンジアミン誘導体５０重量部、主たる電子輸送剤としての上記式（１１−１）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体３０重量部、他の電子輸送剤としての下記式（ＥＴＭ１−１）で表されるジフェノキノン誘導体１０重量部、バインダ樹脂１００重量部、およびレベリング剤０．１重量部を、テトラヒドロフラン（溶媒）７５０重量部に加えて、これを超音波分散機で５０時間混合分散することによって、感光層形成用の塗布液を調製した。
【０１３８】
【化４１】
2004168696.tif 000044
【０１３９】
上記電荷発生剤は、上記式（ＣＧＭ１）で表される無金属フタロシアニンのうち、結晶型がＸ型のものである。
上記バインダ樹脂には、式（ｒｕ−１）：
【０１４０】
【化４２】
2004168696.tif 000045
【０１４１】
で表される繰返し単位を有するポリカーボネート（粘度平均分子量５００００）を使用した。また、レベリング剤にはジメチルシリコーンオイル〔信越化学工業（株）製の商品名「ＫＦ−９６−５０ＣＳ」を使用した。
次いで、この塗布液をアルミニウム素管上に塗布した後、１２０℃で４０分間熱風乾燥して、膜厚３０μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
【０１４２】
（２）  Ｙ型ＴｉＯＰｃ処方
電荷発生剤としてＹ型チタニルフタロシアニン（Ｙ−ＴｉＯＰｃ）を使用した。また、Ｙ−ＴｉＯＰｃとともに、上記式（Ｐｉｇ１）で表されるアゾ系顔料（Ｃ．Ｉ．ピグメント１６）を配合した。Ｙ−ＴｉＯＰｃは、上記式（ＣＧＭ２）で表されるチタニルフタロシアニンのうち、そのＸ線回折スペクトルにおいてブラッグ角（２θ±０．２°）が２７．２°のときに主たる回折ピークを有するものである。
【０１４３】
Ｙ−ＴｉＯＰｃ１．５重量部、アゾ系顔料（Ｐｉｇ１）１．５重量部、正孔輸送剤としての下記式（ＨＴＭ１−２）で表されるビススチルベンジアミン誘導体５０重量部、主たる電子輸送剤としての上記式（１１−１）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体３０重量部、他の電子輸送剤としての上記式（ＥＴＭ１−１）で表されるジフェノキノン誘導体１０重量部、バインダ樹脂（上記（１）  で使用したのと同じポリカーボネート）１００重量部、およびレベリング剤（前出の「ＫＦ−９６−５０ＣＳ」）０．１重量部を、テトラヒドロフラン（溶媒）４００重量部に加えて、これを超音波分散機で５０時間混合分散することによって、感光層形成用の塗布液を調製した。
【０１４４】
【化４３】
2004168696.tif 000046
【０１４５】
次いで、この塗布液をアルミニウム素管上に塗布した後、１２０℃で３０分間熱風乾燥して、膜厚２５μｍの単層型感光層を備える電子写真感光体を得た。
【０１４６】
（実施例２）
主たる電子輸送剤として、シラシクロペンタジエン誘導体（１１−１）に代えて、上記式（１１−２）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体３０重量部を用いたほかは、実施例１の（１）  および（２）  と同様にして、Ｘ型Ｈ２  Ｐｃ処方とＹ型ＴｉＯＰｃ処方とのそれぞれについての感光層形成用塗布液の調製と、単層型電子写真感光体の製造とを行なった。
【０１４７】
（実施例３）
主たる電子輸送剤として、シラシクロペンタジエン誘導体（１１−１）に代えて、上記式（１１−３）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体３０重量部を用いたほかは、実施例１の（１）  および（２）  と同様にして、Ｘ型Ｈ２  Ｐｃ処方とＹ型ＴｉＯＰｃ処方とのそれぞれについての感光層形成用塗布液の調製と、単層型電子写真感光体の製造とを行なった。
【０１４８】
（実施例４）
主たる電子輸送剤として、シラシクロペンタジエン誘導体（１１−１）に代えて、上記式（１１−４）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体３０重量部を用いたほかは、実施例１の（１）  および（２）  と同様にして、Ｘ型Ｈ２  Ｐｃ処方とＹ型ＴｉＯＰｃ処方とのそれぞれについての感光層形成用塗布液の調製と、単層型電子写真感光体の製造とを行なった。
【０１４９】
（比較例１）
電子輸送剤として、シラシクロペンタジエン誘導体（１１−１）３０重量部とジフェノキノン誘導体（ＥＴＭ１−１）１０重量部との混合物に代えて、下記式（ＥＴＭ１−２）で表されるジフェノキノン誘導体のみを４０重量部を用いたほかは、実施例１の（１）  および（２）  と同様にして、Ｘ型Ｈ２  Ｐｃ処方とＹ型ＴｉＯＰｃ処方とのそれぞれについての感光層形成用塗布液の調製と、単層型電子写真感光体の製造とを行なった。
【０１５０】
【化４４】
2004168696.tif 000047
【０１５１】
（電子写真感光体の物性評価）
（１）  正帯電時の感度の測定
正帯電時感度の測定は、上記実施例および比較例で得られた電子写真感光体の、Ｘ型Ｈ２  Ｐｃ処方とＹ型ＴｉＯＰｃ処方の両方について行なった。
上記電子写真感光体を静電式複写装置〔京セラミタ（株）製の製品名「Ｃｒｅａｇｅ７３２５」の改良型〕に設置し、＋８００Ｖに帯電して、波長７８０ｎｍの赤色半導体レーザ光で露光した時の表面電位（明電位）を測定した。
上記露光時の表面電位値は＋１２０Ｖ以下であればよく、＋１２０Ｖよりも大きくなるほど電子写真感光体の感度が劣っているといえる。
【０１５２】
（２）  負帯電時の感度の測定
負帯電時感度の測定は、上記実施例および比較例で得られた電子写真感光体のうち、Ｙ型ＴｉＯＰｃ処方のものについてのみ行なった。
上記電子写真感光体を静電式複写装置〔前出の「Ｃｒｅａｇｅ７３２５」改良型〕に設置し、−８００Ｖに帯電して、波長７８０ｎｍの赤色半導体レーザ光で露光した時の表面電位（明電位）を測定した。
上記負帯電時の表面電位値は−１３０Ｖ以上であればよく、−１３０Ｖよりも小さくなるほど電子写真感光体の感度が劣っているといえる。
以上の結果を表４に示す。
【０１５３】
【表４】
2004168696.tif 000048
【０１５４】
表４より明らかなように、電子輸送剤として本発明のシラシクロペンタジエン誘導体（１）  を用いた実施例１〜４の電子写真感光体では、正帯電感度および負帯電感度のいずれにおいても良好であった。
【０１５５】
〔有機ＥＬ素子〕
（実施例５）
透明支持基板として、厚さ１００ｎｍのＩＴＯ膜が蒸着形成されたガラス基板〔東京三容真空（株）製，１２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ〕を使用した。
上記支持基板のＩＴＯ膜（陽極）上に、０．２ｎｍ／ｓｅｃの蒸着速度で銅フタロシアニンを蒸着して、厚さ２０ｎｍの正孔注入層を形成した。なお、蒸着処理は、真空蒸着装置〔日本真空技術社製〕内（１０−６ｔｏｒｒ）にて行なった（以下同様）。
次いで、この正孔注入層上に、０．２ｎｍ／ｓｅｃの蒸着速度で下記式（ＨＴＭ５−１）で表される化合物（ホール輸送剤）を蒸着して、厚さ２０ｎｍのホール（正孔）注入層を形成した。
【０１５６】
【化４５】
2004168696.tif 000049
【０１５７】
さらに、この正孔注入層上に、上記式（１２−１）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体と、下記式（ＨＴＭ１−３）で表されるビススチルベンジアミン誘導体とを同時蒸着して、厚さ４０ｎｍの発光層を形成した。蒸着速度は、上記シラシクロペンタジエン誘導体（１２−１）を３．５ｎｍ／ｓｅｃとし、上記ビススチルベンジアミン誘導体（ＨＴＭ１−３）を０．１ｎｍ／ｓｅｃとした。
【０１５８】
【化４６】
2004168696.tif 000050
【０１５９】
次いで、この発光層上に、上記式（５１）で表されるトリス（８−キノリノール）アルミニウムと、上記式（１２−１）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体とを同時蒸着して、厚さ２０ｎｍの電子輸送層を形成した。蒸着速度は、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（５１）を０．１６ｎｍ／ｓｅｃとし、上記シラシクロペンタジエン誘導体（１２−１）を０．０４なの／ｓｅｃとした。
最後に、この電子輸送層上に、アルミニウムとリチウムとを同時蒸着して、厚さ２００ｎｍの陰極を形成することにより、有機ＥＬ素子を得た。
【０１６０】
（有機ＥＬ素子の物性評価）
上記実施例で得られた有機ＥＬ素子の陽極と電極との間に＋６．０Ｖの電圧を印加して、当該素子を駆動したところ、両電極間の電流密度は１．７ｍＡ／ｃｍ２  であり、輝度は１６０ｃｄ／ｍ２  であった。また、上記素子を、初期輝度５００ｃｄ／ｍ２  で定電流駆動したところ、輝度が半減するまでの時間（半減寿命）は１５００時間であった。
従って、電圧印加時の電流密度と輝度のいずれも良好な値を示しており、しかも従来の素子に比べて極めて長期の半減寿命を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】酸化還元電位を求めるための、牽引電圧（Ｖ）と電流（μＡ）との関係を示すグラフである。
【図１】
2004168696.tif 000053