(57)【要約】【課題】裕度が狭いリソグラフィ工程でもウェーハの歩留まりを向上させ、集積回路装置の製造コストを低減できる集積回路のパターン設計方法を提供する。【解決手段】集積回路の回路パターンを設計するための第１の設計データのうちの少なくとも一部の部分データに対して算出した被処理基板上でのリソグラフィ工程の裕度と、被処理基板上において実際に必要とされるリソグラフィ工程の裕度とを比較する。算出された裕度が必要とされる裕度より小さい場合、被処理基板上での裕度が必要とされる裕度と同等以上の大きさになるように、部分データを修正する。修正された部分データを用いて第１の設計データを更新して第２の設計データを作成する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路の回路パターンを設計するための第１の設計データのうちの少なくとも一部の部分データに対し、前記回路パターンを転写する際に用いる露光マスクのスペック値を考慮した被処理基板上でのリソグラフィ工程の裕度を算出する工程と、
前記算出されたリソグラフィ工程の裕度と前記被処理基板上において実際に必要とされるリソグラフィ工程の裕度とを比較する工程と、
前記算出されたリソグラフィ工程の裕度が前記実際に必要とされるリソグラフィ工程の裕度より小さいと判断された場合、前記被処理基板上でのリソグラフィ工程の裕度が前記実際に必要とされるリソグラフィ工程の裕度と同等以上の大きさになるように前記部分データを修正する工程と、
前記修正された部分データを用いて前記第１の設計データを更新して第２の設計データを作成する工程と、
を含むことを特徴とする集積回路のパターン設計方法。
【請求項２】
前記被処理基板上でのリソグラフィ工程の裕度を算出する工程から前記部分データを修正する工程までを、前記部分データごとに前記第１の設計データの全てのデータに対して行うことを特徴とする請求項１に記載の集積回路のパターン設計方法。
【請求項３】
前記被処理基板上でのリソグラフィ工程の裕度を算出する工程、および前記算出されたリソグラフィ工程の裕度と前記被処理基板上において実際に必要とされるリソグラフィ工程の裕度とを比較する工程を、前記第１の設計データの全てのデータに対して一括して行うとともに、
前記一括して算出されたリソグラフィ工程の裕度の中に前記必要とされるリソグラフィ工程の裕度より小さい部分が含まれていた場合、この小さい部分に対応する前記部分データを前記第１の設計データの中から検出し、
検出された前記部分データに対する前記被処理基板上でのリソグラフィ工程の裕度が、前記実際に必要とされるリソグラフィ工程の裕度と同等以上の大きさになるように前記部分データを修正することを特徴とする請求項１に記載の集積回路のパターン設計方法。
【請求項４】
前記露光マスクのスペック値として、前記露光マスクの寸法に関するもの、前記露光マスクが位相シフトマスクの場合にはその透過率または位相差に関するもの、前記露光マスクのマスク欠陥に関するもの、および前記露光マスクのマスクパターンの描画エラーに関するもの、あるいはそれらのうちの幾つかを組み合わせたものを用いることを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれかに記載の集積回路のパターン設計方法。
【請求項５】
前記被処理基板上でのリソグラフィ工程の裕度を算出する工程は、前記リソグラフィ工程における前記被処理基板上の寸法変動の許容値に対する裕度を算出することを特徴とする請求項１〜４のうちのいずれかに記載の集積回路のパターン設計方法。
【請求項６】
前記リソグラフィ工程における前記被処理基板上の寸法変動の許容値に対する裕度として、前記リソグラフィ工程におけるプロセスの揺らぎの裕度を算出することを特徴とする請求項５に記載の集積回路のパターン設計方法。
【請求項７】
前記リソグラフィ工程におけるプロセスの揺らぎとして、フォーカスの揺らぎ、および露光量の揺らぎのうちの少なくとも一方を用いることを特徴とする請求項６に記載の集積回路のパターン設計方法。
【請求項８】
集積回路の回路パターンを設計するための設計データのうちの少なくとも一部の部分データに対し、前記回路パターンを転写する際に用いる露光マスクの第１のスペック値を考慮した被処理基板上でのリソグラフィ工程の裕度を算出する工程と、
前記算出されたリソグラフィ工程の裕度と前記被処理基板上において実際に必要とされるリソグラフィ工程の裕度とを比較する工程と、
前記算出されたリソグラフィ工程の裕度が前記実際に必要とされるリソグラフィ工程の裕度より小さいと判断された場合、前記前記被処理基板上でのリソグラフィ工程の裕度が前記実際に必要とされるリソグラフィ工程の裕度と同等以上の大きさになるように、前記第１のスペック値のうち前記算出されたリソグラフィ工程の裕度を前記実際に必要とされるリソグラフィ工程の裕度より小さくせしめているスペック値を変更する工程と、
前記変更されたスペック値を用いて前記第１のスペック値を更新して、第２のスペック値を設定する工程と、
前記回路パターンを転写するためのマスクパターンを前記第２のスペック値に基づいて前記露光マスクに形成する工程と、
を含むことを特徴とする露光マスクの作成方法。
【請求項９】
前記被処理基板上でのリソグラフィ工程の裕度を算出する工程から前記スペック値を変更する工程までを、前記部分データごとに前記設計データの全てのデータに対して行うことを特徴とする請求項８に記載の集積回路のパターン設計方法。
【請求項１０】
前記被処理基板上でのリソグラフィ工程の裕度を算出する工程、および前記算出されたリソグラフィ工程の裕度と前記被処理基板上において実際に必要とされるリソグラフィ工程の裕度とを比較する工程を、前記設計データの全てのデータに対して一括して行うとともに、
前記一括して算出されたリソグラフィ工程の裕度の中に前記必要とされるリソグラフィ工程の裕度より小さい部分が含まれていた場合、この小さい部分に対応する前記スペック値を前記第１のスペック値の中から検出し、
検出された前記スペック値に対する前記被処理基板上でのリソグラフィ工程の裕度が、前記実際に必要とされるリソグラフィ工程の裕度と同等以上の大きさになるように前記スペック値を変更することを特徴とする請求項８に記載の集積回路のパターン設計方法。
【請求項１１】
前記露光マスクの第１および第２のスペック値として、前記露光マスクの寸法に関するもの、前記露光マスクが位相シフトマスクの場合にはその透過率または位相差に関するもの、前記露光マスクのマスク欠陥に関するもの、および前記露光マスクのマスクパターンの描画エラーに関するもの、あるいはそれらのうちの幾つかを組み合わせたものを用いることを特徴とする請求項８〜１０のうちのいずれかに記載の露光マスクの作成方法。
【請求項１２】
前記被処理基板上でのリソグラフィ工程の裕度を算出する工程は、前記リソグラフィ工程における前記被処理基板上の寸法変動の許容値に対する裕度を算出することを特徴とする請求項８〜１１のうちのいずれかに記載の露光マスクの作成方法。
【請求項１３】
前記リソグラフィ工程における前記被処理基板上の寸法変動の許容値に対する裕度として、前記リソグラフィ工程におけるプロセスの揺らぎの裕度を算出することを特徴とする請求項１２に記載の露光マスクの作成方法。
【請求項１４】
前記リソグラフィ工程におけるプロセスの揺らぎとして、フォーカスの揺らぎ、および露光量の揺らぎのうちの少なくとも一方を用いることを特徴とする請求項１３に記載の露光マスクの作成方法。
【請求項１５】
請求項１〜７のうちのいずれかに記載の集積回路のパターン設計方法により設計された集積回路の回路パターンのマスクパターンが形成されていることを特徴とする露光マスク。
【請求項１６】
請求項８〜１４のうちのいずれかに記載の露光マスクの作成方法によりマスクパターンが形成されていることを特徴とする露光マスク。
【請求項１７】
請求項１５または１６に記載の露光マスクを用いてパターン転写を行うリソグラフィ工程を含むことを特徴とする集積回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リソグラフィ工程に係り、特に裕度が狭いリソグラフィ工程においてもウェーハやマスクの歩留まりの向上を図り得る集積回路のパターン設計方法および露光マスクの作成方法、ならびに裕度が狭いリソグラフィ工程においても適用可能な露光マスク、および集積回路装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、集積回路の微細化が加速されるのに伴って、パターン転写を行う際の露光光の波長よりも短い設計寸法からなる集積回路のパターンを、ウェーハ上に高い精度で形成する必要が生じている。例えば、パターンの設計寸法が１１０ｎｍの世代から、露光光としてＡｒＦエキシマレーザ（波長：λ＝１９３ｎｍ）を導入する。すると、このＡｒＦリソグラフィ工程は、露光光の波長の半分程度の細かさで行われることになる。すなわち、リソグラフィ工程におけるマージン（裕度）が狭い環境下で集積回路を形成するプロセスが前提となる。この狭リソグラフィマージンプロセスの必要性が大きくなるのに伴い、露光マスクのスペック値のばらつきがリソグラフィプロセスに及ぼす影響が大きくなってきている。
【０００３】
ここで、図９に、リソグラフィ工程における許容露光量の変動の傾向（トレンド）と露光マスクの世代ごとの寸法規格との相関関係を、主な変動要因ごとに分けて示す。また、図９には、露光マスクの世代ごとの寸法規格（集積回路のパターン寸法、デザインルール）が、露光光の波長に対してどの程度の大きさを有しているかも併せて示す。図９によれば、許容露光量の変動は世代が進むにつれて減少を続けていることが分かる。また、許容露光量の変動の減少に比べると、マスク寸法の変動はあまり減少していないことが分かる。これにより、許容露光量の変動の主な変動要因の中で、マスク寸法の変動の占める割合が集積回路の微細化が進むにつれて高くなっていることが分かる。つまり、露光マスクの寸法の高精度化は、許容露光量の変動のマージンが狭くなるにつれてより重要になることが分かる。
【０００４】
このように、狭リソグラフィマージンプロセスの下で、露光マスクの作成工程およびウェーハの作成工程の両工程において、ともに十分な歩留まりを得るためには、次に述べる２点が重要である。１つは、露光マスクのスペック値に余裕をもたせて集積回路を設計することである。そして、もう１つは、集積回路設計パターンに即した適正なマスクスペック値を設定することである。すなわち、マスクスペック値を必要以上に厳しくしたり、あるいは必要以上に緩めたりしないことである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
通常、複数個の項目からなる露光マスクのスペック値は、世代（デザインルール）ごとに決められている。そして、スペック値の中の一つの項目でも仕様を満たさない露光マスクは不良品とされる。ここで、表１に、０．１μｍ世代の露光マスクのスペック値の代表的な項目、および各項目の仕様値の一例を示す。ここで取り上げる露光マスクは、いわゆるハーフトーン型位相シフトマスクである。
【０００６】
【表１】
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【０００７】
表１に示しただけでも、１１の項目が同一世代（同一デザインルール）の露光マスクに対してのスペック値とされていることが分かる。これら１１の項目の仕様値は、集積回路の設計パターンによらず、また工程（レイヤー）によらず、すべて表１に示す値で運用されている。このようなマスクスペック値の設定では、設計パターンによっては必要以上に厳しい規格下での露光マスクの製造を強いるおそれがある。この場合、露光マスク製造工程における歩留まりを低下させ、露光マスクの製造コストを増大させるおそれがある。ひいては、集積回路装置の製造コストを増大させるおそれがある。また、このようなマスクスペック値の設定では、設計パターンによっては実質的に必要とされるマスクスペック値を満たさないおそれがある。この場合、ウェーハ製造工程における歩留まりを低下させ、集積回路装置の製造コストを増大させるおそれがある。
【０００８】
本発明は、以上説明したような課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、露光マスクのスペック値に余裕を持たせつつ適正な精度の集積回路パターンを効率よく設計することにより、裕度が狭いリソグラフィ工程においてもウェーハ製造工程における歩留まりを向上させ、集積回路装置の製造コストを低減できる集積回路のパターン設計方法を提供することにある。また、集積回路の設計パターンに即した適正な精度のマスクスペック値を有するマスクパターンを効率よく形成することにより、裕度が狭いリソグラフィ工程においても露光マスクの製造工程における歩留まりを向上させ、露光マスクの製造コストを低減できる露光マスクの作成方法を提供することにある。また、裕度が狭いリソグラフィ工程においても使用でき、かつ、製造コストが安価で生産効率が高い露光マスクを提供することにある。さらに、裕度が狭いリソグラフィ工程においても集積回路装置を安価で効率よく生産できる集積回路装置の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明に係る集積回路のパターン設計方法は、集積回路の回路パターンを設計するための第１の設計データのうちの少なくとも一部の部分データに対し、前記回路パターンを転写する際に用いる露光マスクのスペック値を考慮した被処理基板上でのリソグラフィ工程の裕度を算出する工程と、前記算出されたリソグラフィ工程の裕度と前記被処理基板上において実際に必要とされるリソグラフィ工程の裕度とを比較する工程と、前記算出されたリソグラフィ工程の裕度が前記実際に必要とされるリソグラフィ工程の裕度より小さいと判断された場合、前記被処理基板上でのリソグラフィ工程の裕度が前記実際に必要とされるリソグラフィ工程の裕度と同等以上の大きさになるように前記部分データを修正する工程と、前記修正された部分データを用いて前記第１の設計データを更新して第２の設計データを作成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【００１０】
この集積回路のパターン設計方法においては、集積回路の回路パターンを設計するための第１の設計データのうち、リソグラフィ工程の裕度の条件を満たさない設計データだけをリソグラフィ工程の裕度の条件を満たす適正な設計データに修正する。そしてこの修正された設計データを用いて修正前の設計データを更新した、第２の設計データに基づいて集積回路の回路パターンを設計する。これにより、第１の設計データのすべてに対して一律に厳しい規格を課し、必要以上に厳しい規格下でのウェーハ製造を強いる回路パターンを設計するおそれが殆ど無い。また、第１の設計データのすべてに対して一律に緩い規格を課し、実質的に必要とされるマスクスペック値を満たさない回路パターンを設計するおそれが殆ど無い。この結果、ウェーハ製造工程における歩留まりを低下させ、集積回路装置の製造コストを増大させるおそれが殆ど無い。したがって、本発明に係る集積回路のパターン設計方法によれば、露光マスクのスペック値に余裕をもたせつつ適正な精度の集積回路パターンを効率よく設計できる。
【００１１】
また、前記課題を解決するために、本発明に係る露光マスクの作成方法は、集積回路の回路パターンを設計するための設計データのうちの少なくとも一部の部分データに対し、前記回路パターンを転写する際に用いる露光マスクの第１のスペック値を考慮した被処理基板上でのリソグラフィ工程の裕度を算出する工程と、前記算出されたリソグラフィ工程の裕度と前記被処理基板上において実際に必要とされるリソグラフィ工程の裕度とを比較する工程と、前記算出されたリソグラフィ工程の裕度が前記実際に必要とされるリソグラフィ工程の裕度より小さいと判断された場合、前記前記被処理基板上でのリソグラフィ工程の裕度が前記実際に必要とされるリソグラフィ工程の裕度と同等以上の大きさになるように、前記第１のスペック値のうち前記算出されたリソグラフィ工程の裕度を前記実際に必要とされるリソグラフィ工程の裕度より小さくせしめているスペック値を変更する工程と、前記変更されたスペック値を用いて前記第１のスペック値を更新して、第２のスペック値を設定する工程と、前記回路パターンを転写するためのマスクパターンを前記第２のスペック値に基づいて前記露光マスクに形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【００１２】
この露光マスクの作成方法においては、集積回路の回路パターンを転写する際に用いる露光マスクの第１のスペック値のうち、リソグラフィ工程の裕度の条件を満たさないスペック値だけをリソグラフィ工程の裕度の条件を満たす適正なスペック値に変更する。そして、この変更されたスペック値を用いて更新された第２のスペック値に基づいて、回路パターンを転写するためのマスクパターンを露光マスクに形成する。これにより、第１のスペック値のすべてに対して一律に厳しいマスクスペック値を設定し、必要以上に厳しい規格下でのマスクパターンの形成を強いるおそれが殆ど無い。また、第１のスペック値のすべてに対して一律に緩いマスクスペック値を設定し、実質的に必要とされるマスクスペック値を満たさないマスクパターンを形成するおそれが殆ど無い。この結果、露光マスク製造工程における歩留まりを低下させ、露光マスクの製造コストを増大させるおそれが殆ど無い。したがって、本発明に係る露光マスクの作成方法によれば、集積回路の設計パターンに即した適正な精度のマスクスペック値を有するマスクパターンを効率よく形成できる。
【００１３】
また、前記課題を解決するために、本発明に係る露光マスクは、本発明に係る集積回路のパターン設計方法により設計された集積回路の回路パターンのマスクパターンが形成されていることを特徴とするものである。
【００１４】
この露光マスクにおいては、リソグラフィ工程の裕度の条件を満たす適正な設計データに基づいて設計された集積回路の回路パターンのマスクパターンが形成されている。すなわち、適正な精度のマスクスペック値を有するマスクパターンが効率よく形成されている。
【００１５】
また、前記課題を解決するために、本発明に係る露光マスクは、本発明に係る露光マスクの作成方法によりマスクパターンが形成されていることを特徴とするものである。
【００１６】
この露光マスクにおいては、リソグラフィ工程の裕度の条件を満たす適正なマスクスペック値に基づいて集積回路の回路パターンのマスクパターンが形成されている。すなわち、適正な精度のマスクスペック値を有するマスクパターンが効率よく形成されている。
【００１７】
さらに、前記課題を解決するために、本発明に係る集積回路装置の製造方法は、本発明に係る露光マスクを用いてパターン転写を行うリソグラフィ工程を含むことを特徴とするものである。
【００１８】
この集積回路装置の製造方法においては、本発明に係る露光マスクを用いてパターン転写を行う。これにより、リソグラフィ工程の裕度の条件を満たす適正なマスクパターンを転写して、適正な集積回路の回路パターンを効率よく形成できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
【００２０】
（第１の実施の形態）
先ず、本発明に係る第１実施形態を図１〜図４を参照しつつ説明する。図１は、本実施形態に係る集積回路パターン設計方法をフローチャートにして示す図である。図２は、露光マスクのスペック値のばらつきを含めたリソグラフィ工程のシミュレーション方法を示す図である。図３は、設計回路変更前の集積回路の設計パターンおよびそのリソグラフィ工程のシミュレーションによるイメージを示す図である。図４は、設計回路変更後の集積回路の設計パターンおよびそのリソグラフィ工程のシミュレーションによるイメージを示す図である。
【００２１】
本実施形態では、集積回路の回路パターンを設計するための設計データのうち、リソグラフィ工程の裕度の条件を満たさない設計データだけを修正し、この修正された設計データを含む新たな設計データに基づいて回路パターンを設計する、集積回路のパターン設計方法について説明する。
【００２２】
先ず、図１に示すように、図示しない集積回路装置の設計者は、集積回路の回路パターンを設計するための設計データを作成する。これを工程１とする。この工程１で作成された設計データを、例えば第１の設計データと称することとする。
【００２３】
次に、第１の設計データのうちの少なくとも一部の部分データに対し、集積回路の回路パターンを転写する際に用いる露光マスクのスペック値（マスクスペック値）を考慮した被処理基板上でのリソグラフィ工程の裕度（マージン）を算出する。これを工程２とする。この工程２では、具体的には、第１の設計データのうちの少なくとも一部の部分データに対して、図示しない露光マスクのマスクスペック値の誤差（ばらつき）を考慮したシミュレーションを行う。以下、このシミュレーションをリソグラフィシミュレーションと称することとする。本実施形態では、部分データごとに、集積回路の回路パターンを記述した第１の設計データの全てのデータに対して、リソグラフィシミュレーションを行う。
【００２４】
この際、考慮されるべき露光マスクのマスクスペック値のばらつきとしては、主に次の４種類が挙げられる。（ｉ）露光マスクの寸法に関するもの。（ｉｉ）露光マスクが位相シフトマスクの場合には、その透過率または位相差に関するもの。（ｉｉｉ）露光マスクのマスク欠陥に関するもの。（ｉｖ）露光マスクのマスク描画エラーに関するもの。そして、これら４種類のマスクスペック値のばらつきの基準となるマスクスペック値は、集積回路装置のデザインルールの世代ごとに決められている。
【００２５】
前述した４種類のマスクスペック値のばらつきのそれぞれの具体的な内容（原因）としては、次に述べるものがある。（ｉ）露光マスクの寸法に関するものとしては、例えば露光マスクに形成される図示しないマスクパターンの寸法の平均値のターゲット値からのずれ量（ｍｅａｎ  ｔｏ  ｎｏｍｉｎａｌと称す。）や、マスク面内のパターン寸法のばらつきなどがある。また、（ｉｉ）位相シフトマスクの透過率または位相差に関するものとしては、例えばマスクに形成されている位相シフタの透過率の所望値からのずれ量やマスク面内のばらつき、あるいは位相差の所望値からのずれ量（位相差ずれ）やマスク面内のばらつきなどがある。また、（ｉｉｉ）露光マスクのマスク欠陥に関するものとしては、例えばマスク欠陥の極性（白欠陥もしくは黒欠陥）、マスク欠陥の位置（パターン中央かパターンエッジかなど）、あるいはマスク欠陥の大きさなどがある。そして、（ｉｖ）露光マスクのマスクパターン描画エラーに関するものとしては、例えばマスクパターン描画時のフレームつなぎ（バッティングエラー）などがある。
【００２６】
ここで、一例として、（ｉ）露光マスクの寸法に関するマスクスペック値のばらつきに基づくリソグラフィシミュレーションについて説明する。本実施形態では、図３に示すように、いわゆるＥＤ−Ｔｒｅｅを用いた評価方法を用いてリソグラフィシミュレーションを行う。この評価方法では、マスクパターンの寸法のばらつきに対して、ＥＤ−Ｔｒｅｅは露光量の大きさ（Ｄｏｓｅ量）に沿った方向に変動する。このため、マスクパターンの寸法ばらつきに対するＥＤ−Ｔｒｅｅの重なり部分は、マスクパターンの寸法のばらつきが無い場合に比べると、当然小さくなる。なお、マスクパターンの寸法ばらつきに対するＥＤ−Ｔｒｅｅの重なり部分を、共通のリソグラフィの裕度、すなわち共通リソグラフィマージンと称することとする。
【００２７】
このように、本実施形態では、リソグラフィシミュレーションにより、リソグラフィ工程の裕度として、リソグラフィ工程における図示しない被処理基板（ウェーハ）上の寸法変動の許容値に対する裕度を算出する。この際、ウェーハ上の寸法変動の許容値に対する裕度として、リソグラフィ工程におけるプロセスの揺らぎの裕度を算出する。具体的には、プロセスの揺らぎとして、フォーカスの揺らぎ、および露光量の揺らぎのうちの少なくとも一方を用いる。
【００２８】
次に、リソグラフィシミュレーションにより算出されたリソグラフィ工程の裕度と、ウェーハ上において実際に必要とされるリソグラフィ工程の裕度とを比較する。これを工程３とする。以下、リソグラフィシミュレーションにより算出されたリソグラフィ工程の裕度を、単にリソグラフィマージンと称することとする。また、ウェーハ上において実際に必要とされるリソグラフィ工程の裕度を、必要リソグラフィマージンと称することとする。この工程３では、具体的には、リソグラフィマージンが、所望の集積回路装置の世代の規格においてウェーハ作成上必要とされる必要リソグラフィマージンよりも大きな値であるか否かの判断を行う。本実施形態では、部分データごとに、第１の設計データの全てのデータに対して、リソグラフィマージンと必要リソグラフィマージンとを比較する。
【００２９】
工程３において、リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値と同等以上の大きさであると判断されると、部分データに対応する集積回路の回路パターンは、必要かつ十分なリソグラフィマージンの下で設計されると判断される。この場合、リソグラフィシミュレーションに用いた部分データが、集積回路の回路パターンのうちの一部の回路パターンの設計データとして固定される。
【００３０】
また、工程３において、リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値よりも小さいと判断されると、リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値と同等以上の大きさになるように部分データを修正する。すなわち、集積回路の回路パターン全体のうち、リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値よりも小さいと判断されたパターン部分のみ、回路パターンの設計変更を行う。これを工程４とする。
【００３１】
以後、第１の設計データの全てのデータに対して、部分データごとに、リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値と同等以上の大きさになるまで前述した工程１〜工程４を繰り返し行う。これにより、リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値よりも小さい回路パターンの部分データを第１の設計データの中から除去する。それとともに、第１の設計データの全てのデータに対して、部分データごとに、リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値と同等以上の大きさになるまで第１の設計データを修正する。そして、第１の設計データの中のリソグラフィマージンの値が不適切な部分データが全て修正されたことを確認した後、修正された部分データを用いて修正前の同一箇所の部分データを更新する。これにより、集積回路の回路パターンを設計するための新たな設計データを作成する。この新しい設計データを、第２の設計データと称することとする。
【００３２】
作成された第２の設計データは、集積回路の回路パターンを設計するための最終的な設計データとして固定され、リリースされる。これを工程５とする。そして、リリースされた第２の設計データに基づいて、所望の集積回路装置の回路パターンが設計される。
【００３３】
また、工程３において、第１の設計データの全てのデータに対して、リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値よりも大きいと判断された場合には、工程５において、集積回路の回路パターンを設計するための最終的な設計データとして第１の設計データがそのまま固定され、リリースされる。そして、リリースされた第１の設計データに基づいて、所望の集積回路装置の回路パターンが設計される。
【００３４】
なお、前述した工程１〜工程４は、第１の設計データの部分データごとに行う必要は無い。工程１〜工程４を、例えば第１の設計データの全てのデータに対して一括して行っても構わない。以下、具体的に説明する。
【００３５】
先ず、工程２において、第１の設計データの全てのデータに対して、リソグラフィマージンの値を一括して算出する。そして、工程３においてリソグラフィマージンと必要リソグラフィマージンとを比較し、リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値よりも小さい部分が第１の設計データの中に含まれているか否かを判断する。リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値よりも小さい部分が第１の設計データの中に含まれていない場合、工程５において第１の設計データがそのまま固定され、リリースされる。そして、リリースされた第１の設計データに基づいて、所望の集積回路装置の回路パターンが設計される。
【００３６】
また、リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値よりも小さい部分が第１の設計データの中に含まれている場合、この小さい部分に対応する部分データを、工程３において第１の設計データの中から検出（抽出、特定）する。そして、工程４において、リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値と同等以上の大きさになるように、検出された部分データを修正する。第１の設計データの中のリソグラフィマージンの値が不適切な部分データが全て修正されたことを確認した後、修正された部分データに対応する修正前の部分データを、修正された部分データを用いて更新する。これにより、第２の設計データを作成する。作成された第２の設計データは、工程５において固定され、リリースされる。そして、リリースされた第２の設計データに基づいて、所望の集積回路装置の回路パターンが設計される。
【００３７】
図３に、本実施形態の集積回路のパターン設計方法により設計変更される前の不適切な回路パターン（欠陥回路パターン）１、およびそのリソグラフィシミュレーションによるイメージ像２を示す。また、図４に、本実施形態の集積回路のパターン設計方法により設計変更された後の適切な回路パターン（適正回路パターン）３、およびそのリソグラフィシミュレーションによるイメージ像４を示す。
【００３８】
図３（ａ）に示す欠陥回路パターン１に対応する設計データに基づいてリソグラフィシミュレーションを行う。すると、図３（ｂ）に示すように、欠陥回路パターン１に対応するイメージ像（Ｗａｆｅｒ  Ｉｍａｇｅ）２の点線で囲んだ部分に、回路パターンのショートが見られる。このような場合、本実施形態の集積回路のパターン設計方法に基づいて、欠陥回路パターン１を図３（ａ）に示すような適正な回路パターン３に設計変更する。そして、この適正回路パターン３に対応する修正された設計データに基づいてリソグラフィシミュレーションを行う。すると、図４（ｂ）に示すように、適正回路パターン３に対応するイメージ像４の点線で囲んだ部分には、回路パターンのショートがなくなっている。このように、本実施形態の集積回路のパターン設計方法によれば、回路パターンのショートや、回路パターンのオープンなどを有する欠陥回路が形成されるおそれを略未然に防ぐことが可能である。
【００３９】
以上説明したように、本実施形態の集積回路のパターン設計方法によれば、第１の設計データのすべてに対して一律に厳しい規格を課し、必要以上に厳しい規格下でのウェーハ製造を強いる回路パターンを設計するおそれが殆ど無い。また、第１の設計データのすべてに対して一律に緩い規格を課し、実質的に必要とされるマスクスペック値を満たさない回路パターンを設計するおそれが殆ど無い。すなわち、本実施形態の集積回路のパターン設計方法に基づいて設計される回路パターンは、必要かつ十分なリソグラフィマージンを有している。これにより、ウェーハ製造工程における歩留まりを低下させ、集積回路装置の製造コストを増大させるおそれが殆ど無い。この結果、露光マスクのマスクスペック値に余裕をもたせつつ適正な精度の集積回路パターンを効率よく設計できる。また、集積回路パターンが形成されるウェーハは、必要かつ十分なリソグラフィマージンの下で作成されるため、高い歩留まりが得られる。したがって、裕度が狭いリソグラフィ工程においてもウェーハ製造工程における歩留まりを向上させ、集積回路装置の製造コストを低減できる。
【００４０】
次に、本実施形態に係る図示しない露光マスクについて説明する。本実施形態の露光マスクには、前述した集積回路のパターン設計方法により作成された第２の設計データを用いて設計される集積回路の回路パターンのマスクパターンが形成されている。すなわち、この露光マスクには、必要かつ十分なリソグラフィマージンを得ることができる適正な設計データに基づいて設計された集積回路の回路パターンのマスクパターンが形成されている。前述したように、本実施形態の集積回路のパターン設計方法によれば、適正な精度のマスクスペック値を有するマスクパターンを効率よく形成できるので、本実施形態の露光マスクはその歩留まりが向上されており、生産効率が高い。したがって、本実施形態の露光マスクは、裕度が狭いリソグラフィ工程においても使用でき、かつ、製造コストが安価で生産効率が高い。
【００４１】
次に、本実施形態に係る集積回路装置の製造方法について説明する。本実施形態の集積回路装置の製造方法は、前述した本実施形態の露光マスクを用いてパターン転写を行うリソグラフィ工程を含んでいる。すなわち、必要かつ十分なリソグラフィマージン、および適正な精度のマスクスペック値を有するマスクパターンが形成されている露光マスクを用いてパターン転写を行う。これにより、リソグラフィ工程の裕度の条件を満たす適正なマスクパターンを転写して、適正な集積回路の回路パターンを効率よく形成できる。また、そのようなマスクパターンが転写されて回路パターンが形成されるウェーハは、必要かつ十分なリソグラフィマージンの下で作成される。これにより、このウェーハに形成される集積回路装置は、回路パターンの寸法精度が向上され、電気的性能（パフォーマンス）が向上され、かつ高い歩留まりが得られる。したがって、本実施形態の集積回路装置の製造方法は、裕度が狭いリソグラフィ工程においても集積回路装置を安価で効率よく生産できる。
【００４２】
（第２の実施の形態）
次に、本発明に係る第２実施形態を図５〜図８を参照しつつ説明する。図５は、本実施形態に係る露光マスクの作成方法をフローチャートにして示す図である。図６は、本実施形態に係る露光マスクの作成方法において、マスクパターンの面内均一性に基づくリソグラフィ工程のシミュレーション結果をグラフにして示す図である。図７は、本実施形態に係る露光マスクの作成方法において、マスクパターンの透過率に基づくリソグラフィ工程のシミュレーション結果をグラフにして示す図である。図８は、本実施形態に係る露光マスクの作成方法において、マスクパターンの位相差に基づくリソグラフィ工程のシミュレーション結果をグラフにして示す図である。なお、第１実施形態と同一部分は同一符号を付してその詳しい説明を省略する。
【００４３】
本実施形態では、集積回路の回路パターンを転写するためのマスクパターンを露光マスクに形成するためのマスクスペック値のうち、リソグラフィ工程の裕度の条件を満たさないマスクスペック値だけを変更し、この変更されたマスクスペック値を含むマスクスペック値に基づいて露光マスクにマスクパターンを形成する、露光マスクの作成方法について説明する。
【００４４】
工程１〜工程３までは前述した第１実施形態と同様なので、それらの説明を省略する。ただし、リソグラフィシミュレーションは、露光マスクの第１のマスクスペック値を考慮しつつ、第１の設計データの一部である部分データごとに、第１の設計データの全てのデータに対して行われる。
【００４５】
工程３において、リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値と同等以上の大きさであると判断されると、考慮されるべき露光マスクの第１のマスクスペック値は必要かつ十分なリソグラフィマージンを満たしていると判断される。すなわち、前記（ｉ）〜（ｉｖ）のマスクスペック値のばらつきは適正な範囲に収まっていると判断される。この場合、集積回路の回路パターンを転写するためのマスクパターンの設計データとして、第１の設計データのうちのリソグラフィシミュレーションに用いた部分データに対応する第１のマスクスペック値が固定される。
【００４６】
また、工程３において、リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値よりも小さいと判断されると、前記（ｉ）〜（ｉｖ）のマスクスペック値のばらつきのうち、リソグラフィマージンの不足の原因となっている要素（マスクスペック値）をリソグラフィシミュレーションの結果から検出（抽出、特定）する。そして、リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値と同等以上の大きさになるように、第１のマスクスペック値の中の検出されたマスクスペック値を変更する。すなわち、リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値よりも小さいと判断されたパターン部分のみ、マスクスパターンの設計変更を行う。これを工程６とする。
【００４７】
次に、工程６において変更されたマスクスペック値を用いて変更前の同一内容のマスクスペック値を更新し、新しいマスクスペック値を作成する。これを工程７とする。
【００４８】
以後、部分データごとに工程７において作成された新しいマスクスペック値を考慮しつつ、第１の設計データの全てのデータに対して、リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値と同等以上の大きさになるまで前述した工程２、工程３、工程６、および工程７を繰り返し行う。これにより、リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値よりも小さいマスクスペック値を第１のマスクスペック値の中から除去する。それとともに、第１の設計データの全てのデータに対して、部分データごとに、リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値と同等以上の大きさになるまで第１のマスクスペック値の各マスクスペック値を変更する。そして、第１のマスクスペック値の中のリソグラフィマージンの値が不適切なマスクスペック値が全て変更されたことを確認した後、工程７において、変更されたマスクスペック値を用いて変更前の同一内容のマスクスペック値を更新する。これにより、集積回路の回路パターンを図示しない半導体基板などに転写するためのマスクパターンを露光マスクに形成するための、新たなマスクスペック値を作成する。この新しいマスクスペック値を、第２のマスクスペック値と称することとする。
【００４９】
作成された第２のマスクスペック値は、マスクパターンを露光マスクに形成するための最終的なマスクスペック値として固定され、リリースされる。これを工程８とする。そして、リリースされた第２のマスクスペック値に基づいて、必要かつ十分なリソグラフィマージンを有する所望のマスクパターンが露光マスクに形成される。この結果、適正な光学的性能を有する所望の露光マスクが作成される。
【００５０】
また、工程３において、第１の設計データの全てのデータに対して、リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値よりも大きいと判断されるとする。すなわち、第１の設計データの全てのデータに対して、第１のマスクスペック値は必要かつ十分なリソグラフィマージンを満たしていると判断された場合には、工程８において、マスクパターンを形成するための最終的なマスクスペック値として第１のマスクスペック値がそのまま固定され、リリースされる。そして、リリースされた第１のマスクスペック値に基づいて、所望のマスクパターンが露光マスクに形成される。
【００５１】
なお、前述した工程２、工程３、工程６、および工程７は、第１の設計データの部分データごとに行う必要は無い。工程２、工程３、工程６、および工程７を、例えば第１の設計データの全てのデータに対して一括して行っても構わない。以下、具体的に説明する。
【００５２】
先ず、工程２において、第１の設計データの全てのデータに対して、第１のマスクスペック値を考慮しつつリソグラフィマージンの値を一括して算出する。そして、工程３においてリソグラフィマージンと必要リソグラフィマージンとを比較し、リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値よりも小さいマスクスペック値が第１のマスクスペック値の中に含まれているか否かを判断する。リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値よりも小さい部分が第１の設計データの中に含まれていない場合、工程８において第１のマスクスペック値がそのまま固定され、リリースされる。そして、リリースされた第１のマスクスペック値に基づいて、マスクパターンが露光マスクに形成される。
【００５３】
また、リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値よりも小さいマスクスペック値が第１のマスクスペック値の中に含まれている場合、この小さい部分に対応するマスクスペック値を、工程３において第１のマスクスペック値の中から検出（抽出、特定）する。そして、工程６において、リソグラフィマージンの値が必要リソグラフィマージンの値と同等以上の大きさになるように、検出されたマスクスペック値を変更する。第１のマスクスペック値の中のリソグラフィマージンの値が不適切なマスクスペック値が全て変更されたことを確認した後、工程７において、変更されたマスクスペック値を用いて変更前のマスクスペック値を更新する。これにより、第２のマスクスペック値を作成する。作成された第２のマスクスペック値は、工程８において固定され、リリースされる。そして、リリースされた第２のマスクスペック値に基づいて、所望のマスクパターンが露光マスクに形成される。
【００５４】
なお、露光マスクの第１および第２のマスクスペック値のばらつきのそれぞれの具体的な内容（原因）は、前述した第１実施形態の（ｉ）〜（ｉｖ）のマスクスペック値のばらつきと同様である。また、本実施形態においても、リソグラフィシミュレーションにより、リソグラフィ工程の裕度として、リソグラフィ工程における図示しない被処理基板（ウェーハ）上の寸法変動の許容値に対する裕度を算出する。この際、ウェーハ上の寸法変動の許容値に対する裕度として、リソグラフィ工程におけるプロセスの揺らぎの裕度を算出する。具体的には、プロセスの揺らぎとして、フォーカスの揺らぎ、および露光量の揺らぎのうちの少なくとも一方を用いる。
【００５５】
図６（ａ），（ｂ）は、図示しない所定の回路パターンの設計データに対して、マスクパターンの面内均一性について２通りのマスクスペック値を設定した場合の、本実施形態のリソグラフィシミュレーションの結果をグラフにして示す図である。この際、マスクパターンの面内均一性のマスクスペック値を、３σ＝２０ｎｍおよび３σ＝１６ｎｍの２つの値に設定した。また、マスクパターンの透過率（Ｔｒａｎｓ）のマスクスペック値を６％に設定した。さらに、マスクパターンの位相差（Ｐｈａｓｅ）のマスクスペック値を１８０°に設定した。
【００５６】
この図６（ａ），（ｂ）から分かるように、必要リソグラフィマージンがＥＬ（Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｌａｔｉｔｕｄｅ）＝４．０％で、マスクスペック値のばらつきを考慮した焦点深度がＤＯＦ（Ｄｅｐｔｈ  ｏｆ  Ｆｏｃｕｓ）＝０．４μｍの場合、３σ＝２０ｎｍのマスクパラメータでは、リソグラフィマージンの値が必要な大きさに達していない。すなわち、リソグラフィマージンの値が４．０％に達していない。ところが、必要リソグラフィマージンがＥＬ＝４．０％で、マスクスペック値のばらつきを考慮した焦点深度がＤＯＦ＝０．４μｍの場合、３σ＝１６ｎｍのマスクパラメータでは、リソグラフィマージンの値が必要な大きさに達している。すなわち、リソグラフィマージンの値が４．０％に達している。これらの結果から、本実施形態に係るマスクの作成方法では、マスクパターンの面内均一性を、３σ＝１６ｎｍ以内に設けることが必要かつ十分な条件となる。
【００５７】
また、図７（ａ），（ｂ）は、図示しない所定の回路パターンの設計データに対して、マスクパターンの透過率について２通りのマスクスペック値を設定した場合の、本実施形態のリソグラフィシミュレーションの結果をグラフにして示す図である。この際、マスクパターンの透過率のマスクスペック値を、６％±０．４％および６％±０．２％の２つの範囲に設定した。また、マスクパターンの面内均一性のマスクスペック値を３σ＝１６ｎｍに設定した。さらに、マスクパターンの位相差のマスクスペック値を１８０°に設定した。
【００５８】
この図７（ａ），（ｂ）から分かるように、必要リソグラフィマージンがＥＬ＝４．０％で、マスクスペック値のばらつきを考慮した焦点深度がＤＯＦ＝０．４μｍの場合、６％±０．４％のマスクパラメータでは、リソグラフィマージンの値が４．０％に達していない。ところが、必要リソグラフィマージンがＥＬ＝４．０％で、マスクスペック値のばらつきを考慮した焦点深度がＤＯＦ＝０．４μｍの場合、６％±０．２％のマスクパラメータでは、リソグラフィマージンの値が４．０％に達している。これらの結果から、本実施形態に係るマスクの作成方法では、マスクパターンの透過率を、６％±０．２％以内に設けることが必要かつ十分な条件となる。
【００５９】
さらに、図８（ａ），（ｂ）は、図示しない所定の回路パターンの設計データに対して、マスクパターンの位相差について２通りのマスクスペック値を設定した場合の、本実施形態のリソグラフィシミュレーションの結果をグラフにして示す図である。この際、マスクパターンの位相差のスペック値を、１８０°±４°および１８０°±２°の２つの範囲に設定した。また、マスクパターンの透過率のマスクスペック値を６％に設定した。さらに、マスクパターンの面内均一性のマスクスペック値を３σ＝１６ｎｍに設定した。
【００６０】
この図８（ａ），（ｂ）から分かるように、必要リソグラフィマージンがＥＬ＝４．０％で、マスクスペック値のばらつきを考慮した焦点深度がＤＯＦ＝０．４μｍの場合、１８０°±２°のマスクパラメータで、リソグラフィマージンの値が４．０％に達している。そして、必要リソグラフィマージンがＥＬ＝４．０％で、マスクスペック値のばらつきを考慮した焦点深度がＤＯＦ＝０．４μｍの場合、１８０°±４°のマスクパラメータでも、リソグラフィマージンの値が４．０％に達している。これらの結果から、本実施形態に係るマスクの作成方法では、マスクパターンの位相差を、１８０°±４°以内に設けることが十分な条件となる。つまり、マスクパターンの位相差を、１８０°±２°という厳しいスペック値に設定する必要はなく、露光マスクにとって負荷の掛かり難い１８０°±４°以内というスペック値を設定すれば十分である。
【００６１】
以上説明したように、本実施形態の露光マスクの作成方法によれば、露光マスクの第１のマスクスペック値のすべてに対して一律に厳しいマスクスペック値を設定し、必要以上に厳しい規格下でのマスクパターンの形成を強いるおそれが殆ど無い。また、第１のマスクスペック値のすべてに対して一律に緩いマスクスペック値を設定し、実質的に必要とされるマスクスペック値を満たさないマスクパターンを形成するおそれが殆ど無い。すなわち、本実施形態の露光マスクの作成方法に基づいて形成されるマスクパターンは、必要かつ十分なリソグラフィマージンを有している。これにより、露光マスク製造工程における歩留まりを低下させ、露光マスクの製造コストを増大させるおそれが殆ど無い。この結果、集積回路の設計パターンに即した適正な精度のマスクスペック値を有するマスクパターンを効率よく形成できる。したがって、裕度が狭いリソグラフィ工程においても露光マスクの製造工程における歩留まりを向上させ、露光マスクの製造コストを低減できる。
【００６２】
次に、本実施形態に係る図示しない露光マスクについて簡潔に説明する。本実施形態の露光マスクには、前述した露光マスクの作成方法により作成された第２のマスクスペック値を考慮した集積回路の回路パターンのマスクパターンが形成されている。すなわち、この露光マスクには、必要かつ十分なリソグラフィマージンを得ることができる適正な設計データおよびマスクスペック値に基づいて設計された集積回路の回路パターンのマスクパターンが形成されている。前述したように、本実施形態の露光マスクの作成方法によれば、適正な精度のマスクスペック値を有するマスクパターンを効率よく形成できるので、本実施形態の露光マスクはその歩留まりが向上されており、生産効率が高い。したがって、本実施形態の露光マスクは、裕度が狭いリソグラフィ工程においても使用でき、かつ、製造コストが安価で生産効率が高い。
【００６３】
次に、本実施形態に係る集積回路装置の製造方法について簡潔に説明する。本実施形態の集積回路装置の製造方法は、前述した本実施形態の露光マスクを用いてパターン転写を行うリソグラフィ工程を含んでいる。すなわち、必要かつ十分なリソグラフィマージン、および適正な精度のマスクスペック値を有するマスクパターンが形成されている露光マスクを用いてパターン転写を行う。これにより、リソグラフィ工程の裕度の条件を満たす適正なマスクパターンを転写して、適正な集積回路の回路パターンを効率よく形成できる。また、そのようなマスクパターンが転写されて回路パターンが形成されるウェーハは、必要かつ十分なリソグラフィマージンの下で作成される。これにより、このウェーハに形成される集積回路装置は、回路パターンの寸法精度が向上され、電気的性能（パフォーマンス）が向上され、かつ高い歩留まりが得られる。したがって、本実施形態の集積回路装置の製造方法は、裕度が狭いリソグラフィ工程においても集積回路装置を安価で効率よく生産できる。
【００６４】
なお、本発明に係る集積回路のパターン設計方法、露光マスクの作成方法、露光マスク、および集積回路装置の製造方法は、前述した第１および第２の各実施形態には制約されない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、それらの構成、あるいは工程などの一部を種々様々な設定に変更したり、あるいは各種設定を適宜、適当に組み合わせて用いたりして実施することができる。
【００６５】
例えば、第１実施形態の集積回路のパターン設計方法と、第２実施形態の露光マスクの作成方法とを併用しても構わない。
【００６６】
【発明の効果】
本発明に係る集積回路のパターン設計方法によれば、露光マスクのスペック値に余裕をもたせつつ適正な精度の集積回路パターンを効率よく設計できる。したがって、裕度が狭いリソグラフィ工程においてもウェーハ製造工程における歩留まりを向上させ、集積回路装置の製造コストを低減できる。
【００６７】
また、本発明に係る露光マスクの作成方法によれば、集積回路の設計パターンに即した適正な精度のマスクスペック値を有するマスクパターンを効率よく形成できる。したがって、裕度が狭いリソグラフィ工程においても露光マスクの製造工程における歩留まりを向上させ、露光マスクの製造コストを低減できる。
【００６８】
また、本発明に係る露光マスクによれば、適正な精度のマスクスペック値を有するマスクパターンが効率よく形成されている。したがって、裕度が狭いリソグラフィ工程においても使用でき、かつ、製造コストが安価で生産効率が高い。
【００６９】
さらに、本発明に係る集積回路装置の製造方法によれば、リソグラフィ工程の裕度の条件を満たす適正なマスクパターンを転写して、適正な集積回路の回路パターンを効率よく形成できる。したがって、裕度が狭いリソグラフィ工程においても集積回路装置を安価で効率よく生産できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る集積回路パターン設計方法をフローチャートにして示す図。
【図２】露光マスクのスペック値のばらつきを含めたリソグラフィ工程のシミュレーション方法を示す図。
【図３】設計回路変更前の集積回路の設計パターンおよびそのリソグラフィ工程のシミュレーションによるイメージを示す図。
【図４】設計回路変更後の集積回路の設計パターンおよびそのリソグラフィ工程のシミュレーションによるイメージを示す図。
【図５】第２実施形態に係る露光マスクの作成方法をフローチャートにして示す図。
【図６】第２実施形態に係る露光マスクの作成方法において、マスクパターンの面内均一性に基づくリソグラフィ工程のシミュレーション結果をグラフにして示す図。
【図７】第２実施形態に係る露光マスクの作成方法において、マスクパターンの透過率に基づくリソグラフィ工程のシミュレーション結果をグラフにして示す図。
【図８】第２実施形態に係る露光マスクの作成方法において、マスクパターンの位相差に基づくリソグラフィ工程のシミュレーション結果をグラフにして示す図。
【図９】リソグラフィ工程における許容露光量の変動の傾向と露光マスクの寸法規格との相関関係を主な変動要因ごとに分けて示す図。
【符号の説明】
１…欠陥回路パターン（修正前の設計データに基づく回路パターン）
２…欠陥回路パターンのリソグラフィシミュレーション像
３…適正回路パターン（修正後の設計データに基づく回路パターン）
４…適正回路パターンのリソグラフィシミュレーション像
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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