(57)【要約】【課題】デバイス情報に基づいてデバイスサイズ決定を行う際の設計工数を削減したデバイスサイズの自動決定装置を提供する。【解決手段】仕様入力部１０２を介して入力された、所望する抵抗値およびレイアウト上の制約に関する抵抗仕様１０１を受けて、サイズ検討部１１２は、レイアウト上の制約からサイズの初期値をまず設定し、サイズ初期値における抵抗値を、抵抗値のサイズ依存性データが格納された抵抗サイズ依存性データベース１０９から抽出し、抽出した抵抗値が入力された抵抗仕様を満たすか否かを判断し、抵抗仕様を満たしていなければ、設定したサイズ修正規則に従ってサイズ修正を繰り返すことで、デバイスサイズを自動計算して出力する。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路を構成するデバイスの、所望するデバイス特性値およびレイアウト上の制約に関する設計仕様が入力される第１の仕様入力部と、
所定の温度条件、所定の電圧条件あるいは所定の電流条件におけるデバイス特性値のサイズ依存性データが格納されている第１のデバイス特性データベースと、
前記第１の仕様入力部から出力される前記設計仕様を受けて、前記第１のデバイス特性データベースを参照して、デバイスサイズごとのデバイス特性値を調査しつつ、前記設計仕様を満たすデバイスサイズを検討及び決定する第１のサイズ検討部とを備えたことを特徴とするデバイスサイズの自動決定装置。
【請求項２】
半導体集積回路を構成するデバイスの、所定の電圧範囲における任意の電圧条件あるいは所定の電流範囲における任意の電流条件、該条件の下で所望するデバイス特性値、およびレイアウト上の制約に関する設計仕様が入力される第２の仕様入力部と、
所定の温度条件におけるデバイス特性値のサイズ依存性データおよび電圧依存性データ、あるいはサイズ依存性データおよび電流依存性データが格納されている第２のデバイス特性データベースと、
前記第２の仕様入力部から出力される前記設計仕様を受けて、前記第２のデバイス特性データベースを参照して、前記任意の電圧条件あるいは電流条件におけるデバイスサイズごとのデバイス特性値を調査しつつ、入力された前記設計仕様を満たすデバイスサイズを検討及び決定する第２のサイズ検討部とを備えたことを特徴とするデバイスサイズの自動決定装置。
【請求項３】
半導体集積回路を構成するデバイスの、所定の温度範囲における任意の温度条件、該温度条件の下で所望するデバイス特性値、およびレイアウト上の制約に関する設計仕様が入力される第３の仕様入力部と、
所定の電圧条件あるいは所定の電流条件におけるデバイス特性値のサイズ依存性データおよび温度依存性データが格納されている第３のデバイス特性データベースと、
前記第３の仕様入力部から出力される前記設計仕様を受けて、前記第３のデバイス特性データベースを参照して、前記所定の温度条件におけるデバイスサイズごとのデバイス特性値を調査しつつ、入力された前記設計仕様を満たすデバイスサイズを検討及び決定する第３のサイズ検討部とを備えたことを特徴とするデバイスサイズの自動決定装置。
【請求項４】
半導体集積回路を構成するデバイスの、所望するデバイス特性値、該デバイス特性値の許容ばらつき量条件、およびレイアウト上の制約に関する設計仕様が入力される第４の仕様入力部と、
所定の温度条件、所定の電圧条件あるいは所定の電流条件におけるデバイス特性値のサイズ依存性データが格納されている第１のデバイス特性データベースと、
所定の温度条件、所定の電圧条件あるいは所定の電流条件におけるデバイス特性値のばらつき量のサイズ依存性データが格納されている第４のデバイス特性データベースと、
前記第４の仕様入力部から出力される前記設計仕様を受けて、前記許容ばらつき量条件と、前記第４のデバイス特性データベース内に格納されている前記ばらつき量のサイズ依存性データとに基づいて、設計可能なサイズの領域を設定し、前記第１のデバイス特性データベースを参照して、デバイスサイズごとのデバイス特性値を調査しつつ、前記設計可能なサイズの領域内から、入力された前記設計仕様を満たすデバイスサイズを検討及び決定する第４のサイズ検討部とを備えたことを特徴とするデバイスサイズの自動決定装置。
【請求項５】
半導体集積回路を構成するデバイスの、所望するデバイス特性値、該デバイス特性値の許容ミスマッチ量条件、およびレイアウト上の制約に関する設計仕様が入力される第５の仕様入力部と、
所定の温度条件、所定の電圧条件あるいは所定の電流条件におけるデバイス特性値のサイズ依存性データが格納されている第１のデバイス特性データベースと、
所定の温度条件、所定の電圧条件あるいは所定の電流条件におけるデバイス特性値のミスマッチ量のサイズ依存性データが格納されている第５のデバイス特性データベースと、
前記第５の仕様入力部から出力される前記設計仕様を受けて、前記許容ミスマッチ量条件と、前記第５のデバイス特性データベース内に格納されている前記ミスマッチ量のサイズ依存性データとに基づいて、設計可能なサイズの領域を設定し、前記第１のデバイス特性データベースを参照して、デバイスサイズごとのデバイス特性値を調査しつつ、前記設計可能なサイズの領域内から、入力された前記設計仕様を満たすデバイスサイズを検討及び決定する第５のサイズ検討部とを備えたことを特徴とするデバイスサイズの自動決定装置。
【請求項６】
半導体集積回路を構成するデバイスの、所望するデバイス特性値、該デバイス特性値の許容シミュレーション誤差条件、およびレイアウト上の制約に関する設計仕様が入力される第６の仕様入力部と、
所定の温度条件、所定の電圧条件あるいは所定の電流条件におけるデバイス特性値のサイズ依存性データが格納されている第１のデバイス特性データベースと、
所定の温度条件、所定の電圧条件あるいは所定の電流条件におけるデバイス特性値のシミュレーション誤差のサイズ依存性データが格納されている第６のデバイス特性データベースと、
前記第６の仕様入力部から出力される前記設計仕様を受けて、前記許容シミュレーション誤差条件と、前記第６のデバイス特性データベース内に格納されている前記シミュレーション誤差のサイズ依存性データとに基づいて、設計可能なサイズの領域を設定し、前記第１のデバイス特性データベースを参照して、デバイスサイズごとのデバイス特性値を調査しつつ、前記設計可能なサイズの領域内から、入力された前記設計仕様を満たすデバイスサイズを検討及び決定する第６のサイズ検討部とを備えたことを特徴とするデバイスサイズの自動決定装置。
【請求項７】
半導体集積回路を構成するデバイスの、所定の電圧範囲における任意の電圧条件あるいは所定の電流範囲における任意の電流条件、所定の温度範囲における任意の温度条件、デバイス特性値の許容ばらつき量条件、デバイス特性値の許容ミスマッチ量条件、およびデバイス特性値の許容シミュレーション誤差条件のうちから選択される少なくとも１つ、所望するデバイス特性値、およびレイアウト上の制約に関する設計仕様が入力される第７の仕様入力部と、
前記所定の電圧範囲における任意の電圧条件あるいは前記所定の電流範囲における任意の電流条件、前記所定の温度範囲における任意の温度条件、前記許容ばらつき量条件、前記許容ミスマッチ量条件、および前記許容シミュレーション誤差条件のうちから選択された条件にそれぞれ対応する、所定の温度条件におけるデバイス特性値の電圧依存性データあるいは電流依存性データ、所定の電圧条件あるいは所定の電流条件におけるデバイス特性値の温度依存性データ、所定の温度条件、所定の電圧条件あるいは所定の電流条件におけるデバイス特性値の、ばらつき量のサイズ依存性データ、ミスマッチ量のサイズ依存性データ、およびシミュレーション誤差のサイズ依存性データが格納されるとともに、所定の温度条件、所定の電圧条件あるいは所定の電流条件におけるデバイス特性値のサイズ依存性データが格納されている第７のデバイス特性データベースと、
前記第７の仕様入力部から出力される前記設計仕様を受けて、前記許容ばらつき量条件、前記許容ミスマッチ量条件、および前記許容シミュレーション誤差条件のうちから選択される少なくとも１つの条件が入力された場合、その入力された条件と、該条件に対応する、第７のデバイス特性データベース内に格納されているデバイス特性値の、前記ばらつき量のサイズ依存性データ、前記ミスマッチ量のサイズ依存性データ、および前記シミュレーション誤差のサイズ依存性データとに基づいて、設計可能なサイズの領域を設定し、前記第７のデバイス特性データベースを参照して、デバイスサイズごとのデバイス特性値を調査しつつ、前記設計可能なサイズの領域内から、入力された前記設計仕様を満たすデバイスサイズを検討及び決定する第７のサイズ検討部とを備えたことを特徴とするデバイスサイズの自動決定装置。
【請求項８】
前記デバイス特性データベースには、複数の異なる材料からなる同じ種類のデバイスのそれぞれの材料に対応したデータが格納され、前記サイズ検討部は、前記異なる材料に対応した複数のデバイスサイズを決定し、前記複数のデバイスサイズをそれぞれ比較して、前記設計仕様を満たす最適な材料を決定することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載のデバイスサイズの自動決定装置。
【請求項９】
前記デバイス特性データベースには、前記デバイス特性値を近似したモデル式の形式でデータが格納されることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項記載のデバイスサイズの自動決定装置。
【請求項１０】
半導体集積回路を構成するデバイスの、所望するデバイス特性値およびレイアウト上の制約に関する設計仕様を入力するステップと、
入力された前記レイアウト上の制約に応じて、デバイスサイズの初期値を設定するステップと、
設定した前記サイズ初期値におけるデバイス特性値を、所定の温度条件、所定の電圧条件あるいは所定の電流条件におけるデバイス特性値のサイズ依存性データが格納されている第１のデバイス特性データベースから抽出するステップと、
抽出したデバイス特性値が入力された前記設計仕様を満たすか否かを判断するステップと、
前記判断の結果、前記設計仕様を満たしていなければ、設定したサイズ修正規則に従ってサイズ修正を繰り返して、デバイスサイズを自動計算して出力するステップとを含むことを特徴とするデバイスサイズの自動決定方法。
【請求項１１】
半導体集積回路を構成するデバイスの、所定の電圧範囲における任意の電圧条件あるいは所定の電流範囲における任意の電流条件、該条件の下で所望するデバイス特性値、およびレイアウト上の制約に関する設計仕様を入力するステップと、
入力された前記レイアウト上の制約に応じて、デバイスサイズの初期値を設定するステップと、
設定した前記サイズ初期値におけるデバイス特性値を、所定の温度条件におけるデバイス特性値のサイズ依存性データおよび電圧依存性データ、あるいはサイズ依存性データおよび電流依存性データが格納されている第２のデバイス特性データベースから抽出するステップと、
抽出したデバイス特性値が入力された前記設計仕様を満たすか否かを判断するステップと、
前記判断の結果、前記設計仕様を満たしていなければ、設定したサイズ修正規則に従ってサイズ修正を繰り返して、デバイスサイズを自動計算して出力するステップとを含むことを特徴とするデバイスサイズの自動決定方法。
【請求項１２】
半導体集積回路を構成するデバイスの、所定の温度範囲における任意の温度条件、該温度条件の下で所望するデバイス特性値、およびレイアウト上の制約に関する設計仕様を入力するステップと、
入力された前記レイアウト上の制約に応じて、デバイスサイズの初期値を設定するステップと、
設定した前記サイズ初期値におけるデバイス特性値を、所定の電圧条件あるいは所定の電流条件におけるデバイス特性値のサイズ依存性データおよび温度依存性データが格納されている第３のデバイス特性データベースから抽出するステップと、
抽出したデバイス特性値が入力された前記設計仕様を満たすか否かを判断するステップと、
前記判断の結果、設計仕様を満たしていなければ、設定したサイズ修正規則に従ってサイズ修正を繰り返して、デバイスサイズを自動計算して出力するステップとを含むことを特徴とするデバイスサイズの自動決定方法。
【請求項１３】
半導体集積回路を構成するデバイスの、所望するデバイス特性値、該デバイス特性値の許容ばらつき量条件、およびレイアウト上の制約に関する設計仕様を入力するステップと、
入力された前記許容ばらつき量条件と、第４のデバイス特性データベース内に格納されているデバイス特性値のばらつき量のサイズ依存性データとに基づいて、設計可能なサイズの領域を設定するステップと、
設定した前記設計可能なサイズの領域内から、入力された前記レイアウト上の制約に応じて、デバイスサイズの初期値を設定するステップと、
設定した前記サイズ初期値におけるデバイス特性値を、所定の温度条件、所定の電圧条件あるいは所定の電流条件におけるデバイス特性値のサイズ依存性データが格納されている第１のデバイス特性データベースから抽出するステップと、
抽出したデバイス特性値が入力された前記設計仕様を満たすか否かを判断するステップと、
前記判断の結果、前記設計仕様を満たしていなければ、設定したサイズ修正規則に従って、設計可能なサイズの領域内からサイズ修正を繰り返して、デバイスサイズを自動計算して出力するステップとを含むことを特徴とするデバイスサイズの自動決定方法。
【請求項１４】
半導体集積回路を構成するデバイスの、所望するデバイス特性値、該デバイス特性値の許容ミスマッチ量条件、およびレイアウト上の制約に関する設計仕様を入力するステップと、
入力された前記許容ミスマッチ量条件と、第５のデバイス特性データベース内に格納されているデバイス特性値のミスマッチ量のサイズ依存性データとに基づいて、設計可能なサイズの領域を設定するステップと、
設定した前記設計可能なサイズの領域内から、入力された前記レイアウト上の制約に応じて、デバイスサイズの初期値を設定するステップと、
設定した前記サイズ初期値におけるデバイス特性値を、所定の温度条件、所定の電圧条件あるいは所定の電流条件におけるデバイス特性値のサイズ依存性データが格納されている第１のデバイス特性データベースから抽出するステップと、
抽出したデバイス特性値が入力された前記設計仕様を満たすか否かを判断するステップと、
前記判断の結果、前記設計仕様を満たしていなければ、設定したサイズ修正規則に従って、設計可能なサイズの領域内からサイズ修正を繰り返して、デバイスサイズを自動計算して出力するステップとを含むことを特徴とするデバイスサイズの自動決定方法。
【請求項１５】
半導体集積回路を構成するデバイスの、所望するデバイス特性値、該デバイス特性値の許容シミュレーション誤差条件、およびレイアウト上の制約に関する設計仕様を入力するステップと、
入力された前記許容シミュレーション誤差条件と、第６のデバイス特性データベース内に格納されているデバイス特性値のシミュレーション誤差のサイズ依存性データとに基づいて、設計可能なサイズの領域を設定するステップと、
設定した前記設計可能なサイズの領域内から、入力された前記レイアウト上の制約に応じて、デバイスサイズの初期値を設定するステップと、
設定した前記サイズ初期値におけるデバイス特性値を、所定の温度条件、所定の電圧条件あるいは所定の電流条件におけるデバイス特性値のサイズ依存性データが格納されている第１のデバイス特性データベースから抽出するステップと、
抽出したデバイス特性値が入力された前記設計仕様を満たすか否かを判断するステップと、
前記判断の結果、前記設計仕様を満たしていなければ、設定したサイズ修正規則に従って、設計可能なサイズの領域内からサイズ修正を繰り返して、デバイスサイズを自動計算して出力するステップとを含むことを特徴とするデバイスサイズの自動決定方法。
【請求項１６】
半導体集積回路を構成するデバイスの、所定の電圧範囲における任意の電圧条件あるいは所定の電流範囲における任意の電流条件、所定の温度範囲における任意の温度条件、デバイス特性値の許容ばらつき量条件、デバイス特性値の許容ミスマッチ量条件、およびデバイス特性値の許容シミュレーション誤差条件のうちから選択される少なくとも１つ、所望するデバイス特性値、およびレイアウト上の制約に関する設計仕様を入力するステップと、
前記設計仕様として、前記許容ばらつき量条件、前記許容ミスマッチ量条件、および前記許容シミュレーション誤差条件のうちから選択される少なくとも１つの条件が入力された場合、その入力された条件と、該条件に対応する、第７のデバイス特性データベース内に格納されているデバイス特性値の、ばらつき量のサイズ依存性データ、ミスマッチ量のサイズ依存性データ、およびシミュレーション誤差のサイズ依存性データとに基づいて、設計可能なサイズの領域を設定するステップと、
設定した前記設計可能なサイズの領域内から、入力された前記レイアウト上の制約に応じて、デバイスサイズの初期値を設定するステップと、
設定した前記サイズ初期値におけるデバイス特性値を、所定の温度条件、所定の電圧条件あるいは所定の電流条件におけるデバイス特性値のサイズ依存性データが格納されている前記第７のデバイス特性データベースから抽出するステップと、
抽出したデバイス特性値が入力された前記設計仕様を満たすか否かを判断するステップと、
前記判断の結果、前記設計仕様を満たしていなければ、設定したサイズ修正規則に従って、設計可能なサイズの領域内からサイズ修正を繰り返して、デバイスサイズを自動計算して出力するステップとを含むことを特徴とするデバイスサイズの自動決定方法。
【請求項１７】
前記デバイス特性データベースには、複数の異なる材料からなる同じ種類のデバイスのそれぞれの材料に対応したデータが格納され、
前記デバイスサイズの自動決定方法はさらに、
前記異なる材料に対応した複数のデバイスサイズを決定するステップと、
前記複数のデバイスサイズをそれぞれ比較して、前記設計仕様を満たす最適な材料を決定するステップとを含むことを特徴とする請求項１０から１６のいずれか一項記載のデバイスサイズの自動決定方法。
【請求項１８】
前記デバイス特性データベースには、前記デバイス特性値を近似したモデル式の形式でデータが格納されることを特徴とする請求項１０から１７のいずれか一項記載のデバイスサイズの自動決定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路を構成するデバイス、特にダイオード素子、抵抗素子、容量素子の設計仕様を満たすサイズを自動決定し、設計工数及び設計ミスを削減するための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体集積回路を構成するデバイスの最適なサイズを決定する場合、実現したい特性値と、そのデバイスの単位サイズ辺りの特性値に基づいてデバイスサイズを決定する手法が採られていた。
【０００３】
例えば、アナログ回路設計では、まず、素子の電流値、抵抗値、容量値等の素子の特性値を予め決め、後で、その特性条件を満たす素子サイズを決定するような手法を採る場合がある。この際には、非常に粗い近似ではあるが、ダイオード素子の場合は、実現したい電流値とＰＮ接合面の単位面積辺りの電流値（一定値）に基づいてサイズを決定している。なお、ここでは、ＰＮＰあるいはＮＰＮの接合構造をもつバイポーラトランジスタのベースとコレクタを共通端子に接続し、ベースとエミッタのＰＮ接合部分をダイオードと同じような用途で使っているデバイスについても、広義にダイオード素子として定義する。
【０００４】
抵抗素子の場合は、実現したい抵抗値とシート抵抗値（一定値）に基づいてサイズを決定している。容量素子の場合は、実現したい容量値と単位面積辺りの容量値（一定値）に基づいてサイズを決定している。
【０００５】
このような一次近似的なデバイスサイズ決定方法は、非常に簡単であるため、この機能を持った半導体回路のマスクレイアウト自動作成ソフトは存在している。
【０００６】
かかるマスクレイアウト自動作成ソフトにより、１０００Ωの抵抗を設計する場合の処理部の構成例および処理の流れを図３４に示す。
【０００７】
図３４において、抵抗値検討部３０１で、回路特性上実現したい抵抗値が検討され、設計デバイス仕様３０２として１０００オームの抵抗という仕様が出力される。また、素子の形状、面積を最小にしたいなどの要望も仕様として出力される。
【０００８】
この仕様は、仕様入力部３０３に入力される。この際に、抵抗素子の設置可能スペースに制約がある場合は、抵抗値の設置スペースに合わせて抵抗の形状も仕様として入力することもできる。素子の指定できる形状としては、図３５に示すような、直線型や折り曲げ型等の形状がある。また、折り曲げ型等の形状の場合、折り曲げ型（１）、折り曲げ型（２）、折り曲げ型（３）のように折り曲げの回数や線間隔を選択する機能も有している。
【０００９】
次に、シート数検討部３０４で、仕様を実現する抵抗のシート数が計算される。この際に、第１のデバイス情報部３０５に格納されている、抵抗素子のシート抵抗値のデータが用いられる。この例では、シート抵抗値が１００Ωになるというデータが格納されているものとする。この検討の結果として、シート数仕様３０６として、シート数が１０になるようなサイズで設計すれば良いという結論が得られる。
【００１０】
シート数が１０になる抵抗の抵抗線幅Ｗ、抵抗線長Ｌの組み合わせは、（Ｗ，Ｌ）＝（２μｍ，２０μｍ）、（１μｍ，１０μｍ）、（０．５μｍ，５μｍ）など無数に存在する。そこで次に、サイズ検討部３０７で、面積を最小にしたいなどの要望仕様を元に具体的に採用するサイズが検討される。この際、デザインルール部３０８に格納されている設計規約にある抵抗線幅Ｗ≧０．５μｍなどのデータが必要となる。この検討の結果として、サイズ出力３０９として、（Ｗ，Ｌ）＝（０．５μｍ，５μｍ）で設計すれば良いという結論が得られる。
【００１１】
なお、図３４内の点線で囲まれた従来の自動サイズ決定処理３１０が、従来のマスクレイアウト自動作成ソフトの処理に関わる部分である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の手法では、単位面積辺りの電流値、シート抵抗値、単位面積辺りの容量値といった、デバイスの単位サイズ当たりの特性値を一定値として扱ってデバイスサイズの決定を行っていた。一方、現実のデバイスではこれらの値は必ずしも一定値ではなく、より高精度な設計を行うには従来の手法では不十分であった。
【００１３】
そのため、単位面積辺りの電流値、シート抵抗値、単位面積辺りの容量値がサイズ依存性を持つ可変値であることに対応した精度の高いサイズ決定を行う必要がある。
【００１４】
例えば、抵抗素子の場合、デバイスサイズが小さくなってくると、寄生的な効果や、デバイスが実際に製造される形状効果の影響が無視できなくなる。そのため、従来の計算手法である、以下の式（１）の関係が成り立たなくなる。
【００１５】
抵抗値＝シート抵抗値（固定値）×シート数　　　…（１）
したがって、正確に見積もるための１つの方法として、シート抵抗値にサイズ依存性を持たせた実効シート抵抗値を使った、以下の式（２）の方法がある。
【００１６】
抵抗値＝実効シート抵抗値（可変値）×シート数　　　…（２）
この方法では、実効シート抵抗値（可変値）の中に、寄生的な効果や、形状効果の影響を含ませることになる。
【００１７】
もう１つの方法としては、形状効果をシート数に反映した実効シート数を用い、さらに寄生抵抗分を補正する、以下の式（３）の方法がある。
【００１８】
抵抗値＝シート抵抗値（固定値）×実効シート数＋寄生抵抗　　…（３）
この方法では、シート抵抗値（固定値）は寄生的な効果や、形状効果の影響が無視できるようなサイズでの値を表す。実効シート数は現実の寸法を反映し、寄生的抵抗も現実の値そのものを見積もって使う。
【００１９】
抵抗素子のサイズ決定において、図３４のサイズ出力３０９として得られた値をさらに高精度化するためには、図３６に示すような追加検討処理部３１４が必要である。これは上記式（２）の形式である。
【００２０】
追加データ検討部３１１では、第２のデバイス情報部３１２に格納されている、実効シート数のサイズ依存性のデータに基づいて検討される。例として、Ｗ＝０．５μｍでは実効シート抵抗値が１１０Ωとなるというデータが格納されていたとする。この検討の結果として、修正サイズ出力３１３として、（Ｗ，Ｌ）＝（０．５μｍ，４．５４μｍ）で設計すれば良いという結論が得られる。
【００２１】
図３６内の点線で囲まれた従来の追加検討処理３１４が、精度の高いデバイスサイズ決定には欠かせない部分であるが、これを１つ１つのデバイスに対して手作業で実行するには、多くの設計工数が必要となる。
【００２２】
精度の高いデバイスサイズ決定には、この他にも追加検討が必要な項目があり、課題は多数ある。以下にこれらの課題をまとめる。
【００２３】
第１の課題は、デバイス特性のサイズ依存性の検討が必要なことである。しかし、従来例では、１つ１つのデバイスに対してこれを正確に判断して設計するにために、多くの設計工数を必要とした。
【００２４】
第２の課題は、デバイス特性は電圧条件や電流条件により変化する場合が多く、電圧依存性や電流依存性の検討が必要なことである。しかし、従来例では、１つ１つのデバイスに対してこれを正確に判断して設計するにために、多くの設計工数を必要とした。
【００２５】
第３の課題は、デバイス特性は動作時の温度条件により変化する場合が多く、温度依存性の検討が必要なことである。しかし、従来例では、１つ１つのデバイスに対してこれを正確に判断して設計するにために、多くの設計工数を必要とした。
【００２６】
第４の課題は、半導体デバイスは製造時のプロセスばらつきにより、同じサイズで設計したものに特性ばらつきを持ち、かつ、ばらつき量にはデバイスのサイズ依存性があるため、設計時にこの特性ばらつきの検討が必要なことである。特性ばらつきは回路動作に大きな影響を与えるので、回路設計する上でどの程度の特性ばらつきまでを許容するかを検討することは非常に重要である。図３７に、抵抗素子の抵抗値のセンター特性と特性ばらつきの関係の例を示す。横軸は抵抗線長Ｌ、縦軸は抵抗値Ｒである。この例では、抵抗線長Ｌが小さくなるほど、特性ばらつき幅が大きくなっていることを表している。従来例では、設計仕様上許容できるプロセスばらつき値を満たすデバイスサイズを正確に判断して設計するために、多くの設計工数を必要とした。
【００２７】
第５の課題は、アナログ回路等の設計時に、同一特性となることを期待して近接して配置した同一サイズデバイスに特性差（以後、これを特性ミスマッチと呼ぶ）を持ち、かつ、ミスマッチ量にはデバイスのサイズ依存性があるため、設計時にこの特性ミスマッチの検討が必要なことである。特性ミスマッチは第４の課題で説明した特性ばらつきの一種であるが、特性ばらつきがあらゆる場所の同一サイズ素子を対象としているのに対して、特性ミスマッチは、ばらつきを最小限に押さえるために近接配置したデバイスを対象としている。特性ミスマッチは、可能な限り同一特性であることを望んだデバイスだけに、わずかな量の差でも回路特性に大きな影響を与えるので、回路設計する上でどの程度の特性ミスマッチまでを許容するかを検討することは非常に重要である。図３８に、抵抗値のセンター特性、特性ばらつき、特性ミスマッチの関係の例を示す。特性ミスマッチ幅は、特性ばらつき幅よりは小さくなっている。抵抗線長Ｌが小さくなるにつれて、特性ミスマッチ幅は大きくなっている。従来例では、設計仕様上許容できる特性ミスマッチの値を満たすデバイスサイズを正確に判断して設計するために、多くの設計工数を必要とした。
【００２８】
第６の課題は、回路シミュレータを用いてデバイス特性をシミュレーションする際にはシミュレーション誤差が存在し、かつ、シミュレーション誤差にはデバイスのサイズ依存性があるため、設計時にこのシミュレーション誤差の検討が必要なことである。半導体デバイス特性をシミュレーションするために、デバイス特性のモデル化が行なわれる。シミュレーション誤差は、デバイス特性の実測定値とシミュレーション値との差であり、採用したモデル式の形状とモデルパラメータの抽出精度に依存する。回路設計する上でどの程度のシミュレーション誤差までを許容するかを検討することは非常に重要である。従来例では、設計仕様上許容できるシミュレーション誤差を満たすデバイスサイズを正確に判断して設計するために、多くの設計工数を必要とした。
【００２９】
第７の課題は、第１から第６の課題の全て、あるいは複数個を同時に満たす必要があることである。その実行フローの例を図３９に示す。第一段階検討３１５、第二段階検討３１６、第三段階検討３１７と続け、最終段階検討３１８を終えると、必要な課題に対して検討及びサイズ補正を順番に行い、最終サイズ出力３１９として最終的な結果が得られる。このように、各検討を順番に処理していくには多くの設計工数を必要とした。また、修正を繰り返すことで、すでに検討を終えていた項目を満たさなくなることも起こり得る。そのために、反復して何度も処理を繰り返す必要があり、さらに多くの設計工数を必要とし、非常に効率が悪かった。
【００３０】
第８の課題は、異なる材料に対応した複数のデバイスサイズから最適な材料を選択する場合に、第１から第７の課題を考慮した上で判断する必要があることである。半導体素子を製造する場合、サイズやレイアウト形状だけでなく、構成している材料そのものを変えて製造することがある。ＭＯＳトランジスタ用の製造プロセスの場合、抵抗素子では、ソースやドレインと同じ不純物分布を持った部分や、ポリシリコンを抵抗素子として使う例がある。容量素子では、ゲート酸化膜の部分や、ポリシリコンを２層使って構成する例がある。材料が異なる複数のデバイスは持っている特性も異なる。従来例では、これを正確に判断して設計するために、多くの設計工数を必要とした。
【００３１】
第９の課題は、第１から第８の課題の検討に使われるデバイス情報量が膨大なことである。デバイス情報をテーブルマップ方式の数値データの形式で格納すると情報量が膨大になる。また、デバイス情報をグラフとして格納すると自動化には適さなくなる。
【００３２】
以上述べたように、高精度なデバイスサイズ決定を行うためには、多くのデバイス情報を検討していく必要がある。なお、ここでは、デバイス特性のサイズ依存性、電圧依存性、電流依存性、温度依存性に加え、特性ばらつきのサイズ依存性、特性ミスマッチのサイズ依存性、シミュレーション誤差のサイズ依存性も広い意味でのデバイス情報あるいはデバイス特性として定義する。
【００３３】
従来例では、多くのデバイス情報を検討していくために、非常に多くの設計工数が必要となるという問題があった。
【００３４】
また、複雑な作業であるため、設計ミスを起こす可能性がある。設計者は、データを見誤ったり、着目していたデータ以外は見落とす場合などがある。その結果、設計不良を起こす可能性がある。例えば、面積を最小にすることにのみ気を取られてサイズを決定した結果、決定したサイズの特性ばらつきが非常に大きいというデータを見落とした結果、設計不良を起こすなどということが考えられる。
【００３５】
本発明の目的は、回路設計において、デバイス情報に基づいてデバイスサイズ決定を行う際の設計工数を削減し、かつ設計不良を削減することと、デバイス特性データベースのデータ量を削減したデバイスサイズの自動決定装置および方法を提供することにある。
【００３６】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するうえで、前記９個の課題を解決する９個の本発明の概要を、以下に列記する。
（１）半導体デバイスの特性がサイズ依存性を有することを考慮した高精度なデバイスサイズ決定を自動化する。
（２）半導体デバイスの特性が電圧依存性あるいは電流依存性を有することを考慮した高精度なデバイスサイズ決定を自動化する。
（３）半導体デバイスの特性が温度依存性を有することを考慮した高精度なデバイスサイズ決定を自動化する。
（４）半導体デバイスの特性が特性ばらつきを有し、かつ、その特性ばらつき量がサイズ依存性を有することを考慮した高精度なデバイスサイズ決定を自動化する。
（５）半導体デバイスの特性が特性ミスマッチを有し、かつ、その特性ミスマッチ量がサイズ依存性を有することを考慮した高精度なデバイスサイズ決定を自動化する。
（６）半導体デバイスの特性を回路シミュレーションする場合に用いるデバイスシミュレーションモデルがシミュレーション誤差を有し、かつ、シミュレーション誤差がサイズ依存性を有することを考慮した高精度なデバイスサイズ決定を自動化する。
（７）上記（１）から（６）までに記載した項目のうち複数個を同時にかつ効率よく自動実行する。
（８）半導体デバイスの材料に複数の選択肢がある場合、それぞれの材料の場合のサイズを自動決定し、その結果を自動比較して最適な材料を選択した上での高精度なデバイスサイズ決定を自動化する。
（９）上記（１）から（８）までに記載した項目で用いる半導体デバイス特性データベースに対するデータ格納方法として、デバイス特性を近似したモデル式を用いる。
【００３７】
具体的には、以下のような解決手段で構成される。
【００３８】
本発明の第１の構成は、第１の仕様入力部と、第１のデバイス特性データベースと、第１のサイズ検討部とからなることを特徴とする。
【００３９】
第１の仕様入力部には、半導体集積回路を構成するデバイスの所望するデバイス特性値およびレイアウト上の制約に関する設計仕様が入力される。デバイス特性値には、抵抗素子の場合は抵抗値、容量素子の場合は容量値、ダイオード素子の場合は所定の電圧条件下での電流値あるいは所定の電流値における電圧値など、様々なデバイス特性が含まれる。レイアウト上の制約には、レイアウトする場所の制約や、面積を最小にしたいという要望が含まれる。レイアウトする場所の制約を指定する場合は、デバイスの縦方向長と横方向長のサイズ範囲が指定される。
【００４０】
第１のデバイス特性データベースには、所定の温度条件、所定の電圧条件あるいは電流条件におけるデバイス特性値のサイズ依存性データが格納される。
【００４１】
第１のサイズ検討部は、デバイスサイズの初期値をまず設定し、サイズ初期値におけるデバイス特性値を第１のデバイス特性データベースから抽出し、抽出したデバイス特性値が入力された設計仕様を満たすか否かを判断し、設計仕様を満たしていなければ、設定したサイズ修正規則に従ってサイズ修正を繰り返すことで、デバイスサイズを自動計算して出力する。
【００４２】
第１の構成によれば、デバイス特性値にサイズ依存性があることに対応して、デバイスサイズを自動決定することができる。
【００４３】
次に、本発明の第２の構成は、第２の仕様入力部と、第２のデバイス特性データベースと、第２のサイズ検討部とからなることを特徴とする。
【００４４】
第２の仕様入力部には、半導体集積回路を構成するデバイスの、所定の電圧範囲における任意の電圧条件、あるいは所定の電流範囲における任意の電流条件、その条件の下で所望するデバイス特性値、およびレイアウト上の制約に関する設計仕様が入力される。ここで、電圧条件あるいは電流条件とは、所望するデバイス特性値を得たいのが、デバイスにどのような電圧が印加されている状態でか、あるいはデバイスにどのような電流が流れている状態でかを意味する。デバイスによっては、印加する電圧あるいは流す電流の条件は１種類ではなく、２種類以上ある場合もある。また、複数ある場合は、電圧条件や電流条件を組み合わせた指定が行われる。
【００４５】
第２のデバイス特性データベースには、所定の温度条件におけるデバイス特性値の、サイズ依存性データ及び電圧依存性データ、あるいはサイズ依存性データ及び電流依存性データが格納されている。
【００４６】
第２のサイズ検討部は、デバイスサイズの初期値をまず設定し、指定した電圧条件あるいは電流条件における初期値サイズのデバイス特性値をデバイス特性データベースから抽出し、抽出したデバイス特性値が入力された設計仕様を満たすか否かを判断し、設計仕様を満たしていなければ、設定したサイズ修正規則に従ってサイズ修正を繰り返すことで、デバイスサイズを自動計算して出力する。
【００４７】
このように、第１の構成では、電圧あるいは電流条件が所定の一条件だけであったのに対して、第２の構成では、所定の電圧範囲における任意の電圧条件、あるいは所定の電流範囲における任意の電流条件を指定して、デバイスサイズが自動決定される。
【００４８】
第２の構成によれば、デバイス特性値に電圧依存性あるいは電流依存性があることに対応して、デバイスサイズを自動決定することができる。
【００４９】
次に、本発明の第３の構成は、第３の仕様入力部と、第３のデバイス特性データベースと、第３のサイズ検討部とからなることを特徴とする。
【００５０】
第３の仕様入力部には、所定の温度範囲における任意の温度条件、その温度条件の下で所望するデバイス特性値、およびレイアウト上の制約に関する設計仕様が入力される。ここで、温度条件とは、デバイスにどのような温度状態で所望するデバイス特性値を得たいのかを意味する。
【００５１】
第３のデバイス特性データベースには、所定の電圧条件あるいは所定の電流条件におけるデバイス特性値のサイズ依存性データ及び温度依存性データが格納されている。
【００５２】
第３のサイズ検討部は、デバイスサイズの初期値をまず設定し、指定した温度条件における初期値サイズのデバイス特性値をデバイス特性データベースから抽出し、抽出したデバイス特性値が入力された設計仕様を満たすか否かを判断し、設計仕様を満たしていなければ、設定したサイズ修正規則に従ってサイズ修正を繰り返すことで、デバイスサイズを自動計算して出力する。
【００５３】
このように、第１の構成では、温度条件が所定の一条件だけであったのに対して、第３の構成では、所定の温度範囲における任意の温度条件を指定して、デバイスサイズが自動決定される。
【００５４】
第３の構成によれば、デバイス特性値に温度依存性があることに対応して、デバイスサイズを自動決定することができる。
【００５５】
次に、本発明の第４の構成は、第４の仕様入力部と、前記第１のデバイス特性データベースと、第４のデバイス特性データベースと、第４のサイズ検討部とからなることを特徴とする。
【００５６】
第４の仕様入力部には、半導体集積回路を構成するデバイスの、所望するデバイス特性値、該デバイス特性値の許容ばらつき量条件、およびレイアウト上の制約に関する設計仕様が入力される。ここで、許容ばらつき量条件とは、デバイス特性値のばらつき量が、どの程度まで許容できるかという条件である。許容ばらつき量条件には、例えば、ダイオード素子であれば、所定の電圧条件での電流値の許容ばらつき量、あるいは所定の電流条件での電圧値の許容ばらつき量、抵抗素子であれば、抵抗値の許容ばらつき量、容量素子であれば、容量値の許容ばらつき量等が含まれる。指標としては、許容ばらつき量の割合（何パーセント以内か）や絶対量そのものを用い、デバイス特性値のばらつきを表現するのに適しているものが選ばれる。
【００５７】
第４のデバイス特性データベースには、所定の温度条件、所定の電圧条件あるいは電流条件におけるデバイス特性値のばらつき量のサイズ依存性データが格納されている。
【００５８】
第４のサイズ検討部は、入力された許容ばらつき量条件と、第４のデバイス特性データベース内に格納されているデバイス特性値のばらつき量のサイズ依存性データとに基づいて、設計可能なサイズの領域を設定し、設計可能なサイズの領域内からデバイスサイズの初期値をまず設定し、初期値サイズにおけるデバイス特性値を第１のデバイス特性データベースから抽出し、抽出したデバイス特性値が入力された設計仕様を満たすか否かを判断し、設計仕様を満たしていなければ、設定したサイズ修正規則に従って、設計可能なサイズの領域内からサイズ修正を繰り返すことで、デバイスサイズを自動計算して出力する。
【００５９】
このように、第４の構成では、第１の構成には含まれていなかったデバイス特性値の許容ばらつき量条件を追加指定して、デバイスサイズが自動決定される。
【００６０】
第４の構成によれば、デバイス特性値の許容ばらつき量条件があることに対応して、デバイスサイズを自動決定することができる。
【００６１】
次に、本発明の第５の構成は、第５の仕様入力部と、前記第１のデバイス特性データベースと、第５のデバイス特性データベースと、第５のサイズ検討部とからなることを特徴とする。
【００６２】
第５の仕様入力部には、半導体集積回路を構成するデバイスの、所望するデバイス特性値、該デバイス特性値の許容ミスマッチ量条件、およびレイアウト上の制約に関する設計仕様が入力される。ここで、デバイス特性値の許容ミスマッチ量条件とは、特性ばらつきの一種であり、特に同一特性になることを期待して隣接して配置する２つの同一サイズ素子の特性差が、どの程度まで許容できるかという条件である。特殊なケースであるが、回路特性上重要な指標であるので、あらゆるケースを想定した特性ばらつきとは分けて定義することが必要となる。この許容ミスマッチ量条件には、例えば、ダイオード素子であれば、所定の電圧条件での電流値の許容ミスマッチ量、あるいは所定の電流条件での電圧値の許容ミスマッチ量、抵抗素子であれば、抵抗値の許容ミスマッチ量、容量素子であれば、容量値の許容ミスマッチ量等が含まれる。指標としては、ミスマッチ量の割合（何パーセント以内か）や絶対量そのものを用い、デバイス特性値のミスマッチ量を表現するのに適しているものが選ばれる。
【００６３】
第５のデバイス特性データベースには、所定の温度条件、所定の電圧条件あるいは電流条件におけるデバイス特性値のミスマッチ量のサイズ依存性データが格納されている。
【００６４】
第５のサイズ検討部は、入力された許容ミスマッチ量条件と、第５のデバイス特性データベース内に格納されているデバイス特性値のミスマッチ量のサイズ依存性データとに基づいて、設計可能なサイズの領域を設定し、設計可能なサイズの領域内からデバイスサイズの初期値をまず設定し、初期値サイズにおけるデバイス特性値を第１のデバイス特性データベースから抽出し、抽出したデバイス特性値が入力された設計仕様を満たすか否かを判断し、設計仕様を満たしていなければ、設定したサイズ修正規則に従って、設計可能なサイズの領域内からサイズ修正を繰り返すことで、デバイスサイズを自動計算して出力する。
【００６５】
このように、第５の構成では、第１の構成には含まれていなかったデバイス特性値の許容ミスマッチ量条件を追加指定して、デバイスサイズが自動決定される。
【００６６】
第５の構成によれば、デバイス特性値の許容ミスマッチ量条件があることに対応して、デバイスサイズを自動決定することができる。
【００６７】
次に、本発明の第６の構成は、第６の仕様入力部と、前記第１のデバイス特性データベースと、第６のデバイス特性データベースと、第６のサイズ検討部とからなることを特徴とする。
【００６８】
第６の仕様入力部には、半導体集積回路を構成するデバイスの、所望するデバイス特性値、該デバイス特性値の許容シミュレーション誤差条件、およびレイアウト上の制約に関する設計仕様が入力される。ここで、許容シミュレーション誤差条件とは、デバイス特性を回路シミュレータでシミュレーションした場合の誤差が、どの程度まで許容できるかという条件である。誤差は各デバイスのシミュレーションモデル式とモデルパラメータの抽出誤差に依存している。許容シミュレーション誤差条件は、割合（何パーセント以内か）や絶対量で指定される。
【００６９】
第６のデバイス特性データベースには、所定の温度条件、所定の電圧条件あるいは電流条件におけるデバイス特性値のシミュレーション誤差のサイズ依存性データが格納される。
【００７０】
第６のサイズ検討部は、入力された許容シミュレーション誤差条件と、第６のデバイス特性データベース内に格納されているデバイス特性値のシミュレーション誤差のサイズ依存性データとに基づいて、設計可能なサイズの領域を設定し、設計可能なサイズの領域内からデバイスサイズの初期値をまず設定し、初期値サイズにおけるデバイス特性値を第１のデバイス特性データベースから抽出し、抽出したデバイス特性値が入力された設計仕様を満たすか否かを判断し、設計仕様を満たしていなければ、設定したサイズ修正規則に従って、設計可能なサイズの領域内からサイズ修正を繰り返すことで、デバイスサイズを自動計算して出力する。
【００７１】
このように、第６の構成では、第１の構成には含まれていなかった許容シミュレーション誤差条件を追加指定して、デバイスサイズが自動決定される。
【００７２】
第６の構成によれば、許容シミュレーション誤差条件があることに対応して、デバイスサイズを自動決定することができる。
【００７３】
次に、本発明の第７の構成は、第７の仕様入力部と、第７のデバイス特性データベースと、第７のサイズ検討部とからなることを特徴とする。
【００７４】
第７の仕様入力部には、半導体集積回路を構成するデバイスの、所定の電圧範囲における任意の電圧条件あるいは所定の電流範囲における任意の電流条件、所定の温度範囲における任意の温度条件、デバイス特性値の許容ばらつき量条件、デバイス特性値の許容ミスマッチ量条件、およびデバイス特性値の許容シミュレーション誤差条件のうちから選択される少なくとも１つ、所望するデバイス特性値、およびレイアウト上の制約に関する設計仕様が入力される。
【００７５】
第７のデバイス特性データベースには、所定の電圧範囲における任意の電圧条件あるいは所定の電流範囲における任意の電流条件、所定の温度範囲における任意の温度条件、許容ばらつき量条件、許容ミスマッチ量条件、および許容シミュレーション誤差条件のうちから選択された条件にそれぞれ対応する、所定の温度条件におけるデバイス特性値の電圧依存性データあるいは電流依存性データ、所定の電圧条件あるいは所定の電流条件におけるデバイス特性値の温度依存性データ、所定の温度条件、所定の電圧条件あるいは所定の電流条件におけるデバイス特性値の、ばらつき量のサイズ依存性データ、ミスマッチ量のサイズ依存性データ、およびシミュレーション誤差のサイズ依存性データが格納されるとともに、所定の温度条件、所定の電圧条件あるいは所定の電流条件におけるデバイス特性値のサイズ依存性データが格納されている。
【００７６】
第７のサイズ検討部は、許容ばらつき量条件、許容ミスマッチ量条件、および許容シミュレーション誤差条件のうちから選択される少なくとも１つの条件が入力された場合、その入力された条件と、第７のデバイス特性データベース内に格納されているデバイス特性値の、対応する、ばらつき量、ミスマッチ量、およびシミュレーション誤差のサイズ依存性データとに基づいて、設計可能なサイズの領域を設定し、設計可能なサイズの領域内からデバイスサイズの初期値をまず設定し、初期値サイズにおけるデバイス特性値を第７のデバイス特性データベースから抽出し、抽出したデバイス特性値が入力された設計仕様を満たすか否かを判断し、設計仕様を満たしていなければ、設定したサイズ修正規則に従って、設計可能なサイズの領域内からサイズ修正を繰り返すことで、デバイスサイズを自動計算して出力する。
【００７７】
第７の構成によれば、前記第１から第６の構成にそれぞれ含まれる複数の条件に対応して効率的に一括処理を行い、多種類の設計仕様条件を満たすデバイスサイズを自動決定することができる。
【００７８】
次に、本発明の第８の構成において、第１から第７のデバイス特性データベースには、複数の異なる材料からなる同じ種類のデバイスのそれぞれの材料に対応したデータが格納され、第１から第７のサイズ検討部は、異なる材料に対応した複数のデバイスサイズを決定し、複数のデバイスサイズをそれぞれ比較して、所定の判断基準で、設計仕様を満たす最適な材料を決定することを特徴とする。
【００７９】
第８の構成によれば、同じ種類のデバイスに材料の選択ができる場合に、設計仕様条件を満たすデバイスの最適な材料と最適なサイズを自動決定することができる。
【００８０】
さらに、本発明の第９の構成において、第１から第８の構成に含まれるデバイス特性データベースには、デバイス特性値のサイズ依存性、電圧あるいは電流依存性、温度依存性に関するモデル式の形態でデータが格納されることを特徴とする。
【００８１】
第９の構成によれば、デバイス特性データベースに格納するデータを、テーブルマップ形式ではなく、モデル式の形式とすることで、格納すべきデータ量を低減し、かつ、複数の検討項目を同時に実行することが容易になる。
【００８２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して説明する。
【００８３】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態として、抵抗素子の特性にサイズ依存性があることに対応して、指定した仕様通りの抵抗値を有する抵抗素子を実現するデバイスサイズ自動決定処理部１１３の構成および処理の流れを示すモデル図である。
【００８４】
図１において、設計仕様１０１は、設計したい抵抗素子の仕様である。本実施形態における仕様としては、次の２種類がある。
【００８５】
・所望する抵抗値
・レイアウト上の制約
レイアウト上の制約としては、次の２種類が挙げられる。
【００８６】
・面積を最小にする
・抵抗素子の線幅Ｗと線長Ｌの最大最小条件
デバイスサイズ自動決定処理部１１３は、抵抗仕様１０１が入力される仕様入力部１０２（第１の仕様入力部）と、抵抗値のサイズ依存性データが格納されたデバイス特性データベース（抵抗サイズ依存性データベース）１０９（第１のデバイス特性データベース）と、サイズ検討部１１２（第１のサイズ検討部）とで構成される。
【００８７】
仕様入力部１０２からの抵抗仕様１０１は、サイズ検討部１１２内のレイアウト制約解釈部１０３に入力され、そこでサイズの初期値１０４と演算条件１０５が設定される。初期値１０４は、線幅Ｗと線長Ｌの初期値であり、設計仕様１０１の内容により決まる。演算条件１０５は、線幅Ｗと線長Ｌの許容範囲であり、これも抵抗仕様１０１の内容によって決まる。
【００８８】
線幅Ｗと線長Ｌの初期値１０４での抵抗値は、抵抗値計算部１０６で計算される。抵抗値計算部１０６は、抵抗サイズ依存性データベース１０９と連動している。現在の線幅Ｗと線長Ｌでのサイズ案が、抵抗値計算部１０６から抵抗サイズ依存性データベース１０９に出力され、抵抗サイズ依存性データベース１０９では、入力されたＷとＬにおける抵抗値を計算し、その計算結果を抵抗値計算部１０６に出力する。
【００８９】
抵抗値の計算結果は直ちに、判定部１０７で、設計仕様１０１を満たすか否かが判断される。この判断方法は、抵抗値の計算結果と設計仕様１０１内の目標抵抗値との差を計算し、その差が所定の範囲内ならばＯＫ、範囲外ならばＮＯとする。ＯＫであれば、ＷとＬの値をサイズとして出力して、デバイスサイズの自動決定処理が終了する。
【００９０】
一般的には、初期値１０４でのＷとＬで、抵抗仕様１０１を満たすことは稀である。判定部１０７でＮＯとなった場合は、サイズ修正部１０８でＷ、Ｌの値を所定の演算方式に従って修正する。この演算方式は、演算条件１０５の内容によって変わる。
【００９１】
修正されたサイズは再び、抵抗値計算部１０６に戻される。抵抗値計算部１０６→判定部１０７→サイズ修正部１０８→抵抗値計算部１０６のループは、抵抗仕様１０１を満たすまで繰り返される。サイズ修正部１０８の内部処理で、抵抗仕様１０１を満たす抵抗を作成できないと判定された場合は、エラー出力１１１としてエラーメッセージが出力されて、デバイスサイズの自動決定処理が終了する。
【００９２】
次に、レイアウト制約解釈部１０３、サイズ修正部１０８、および抵抗サイズ依存性データベース１０９について更に詳しく説明する。
【００９３】
まず、レイアウト制約解釈部１０３について、図２を用いて説明する。図２は、図１のレイアウト制約解釈部１０３における処理内容を示す図である。
【００９４】
図２において、レイアウト制約解釈部１０３では、まず、制約別分岐処理部１２０が、抵抗仕様１０１内にあるレイアウト上の制約の内容に応じて、３つに分岐された面積最小時処理部１２１、ＷＬ範囲制約時処理部１２４、および制約なし時処理部１２７のうち、対象となる処理部へと処理を進める。
【００９５】
面積最小という制約の場合は、面積最小時処理部１２１へと処理が進み、そこから第１の初期値１２２として、Ｗ＝最小値（デザインルールにおける）、Ｌ＝デフォルト（デザインルール範囲内の所定の数値）が出力される。また、面積最小時処理部１２１から、第１の演算条件１２３として、Ｗ＝最小値、Ｌはデザインルール範囲が出力される。デザインルールに上限がない場合は、ソフトウエアで所定の数値（チップサイズなどを目安にした数値）を設定しこれを上限とする。
【００９６】
以降の説明において、デザインルールに上限がない場合は、同様の上限値設定を行い、サイズ自動決定処理内でのデザインルール上限とする。
【００９７】
第１の初期値１２２と第１の演算条件１２３は、それぞれ、サイズ検討部１１２における初期値１０４と演算条件１０５として出力される。
【００９８】
ＷとＬの両方もしくはどちらか一方に、サイズの制約がある場合は、ＷＬ範囲制約時処理部１２４へと処理が進む。上下限のうち一方しか指定されていない場合は、指定されていないほうはデザインルールの値を上限あるいは下限とする。ＷＬ範囲制約時処理部１２４から、第２の初期値１２５として、Ｗ＝Ｗ制約範囲内最小値（Ｗに制約がない場合はデフォルト）、Ｌ＝Ｌ制約範囲内最小値（Ｗに制約がない場合はデフォルト）が出力される。なお、本実施形態では、第２の初期値１２５を制約範囲内最小値としているが、制約範囲内の値であればどの値でも差し支えない。また、ＷＬ範囲制約時処理部１２４から、第２の演算条件１２６として、Ｗは設定した制約範囲（Ｗに制約がない場合はデザインルール範囲）、Ｌは設定した制約範囲（Ｌに制約がない場合はデザインルール範囲）が出力される。
【００９９】
第２の初期値１２５と第２の演算条件１２６は、それぞれ、サイズ検討部１１２における初期値１０４と演算条件１０５として出力される。
【０１００】
ＷとＬに設計仕様上の制約がない場合は、制約なし時処理部１２７へと処理が進む。制約なし時処理部１２７は、第３の初期値１２８として、Ｗ＝デフォルト、Ｌ＝デフォルトを出力し、また第３の演算条件１２９として、ＷとＬはデザインルール範囲を出力する。第３の初期値１２８と第３の演算条件１２９は、それぞれ、サイズ検討部１１２における初期値１０４と演算条件１０５として出力される。
【０１０１】
次に、図１のサイズ修正部１０８について、図３を用いて説明する。図３は、図１のサイズ修正部１０８における処理内容を示す図である。
【０１０２】
図３において、サイズ修正部１０８では、まず、Ｌサイズ修正部１３０において、Ｌサイズ修正を行う。この修正方法は、判定部１０７で計算した、以下の式で表されるように、現在のＷ、Ｌにおける抵抗値と設計仕様との差の割合を使う。
【０１０３】
（差の割合）＝（現在のＷ，Ｌにおける抵抗値）÷（仕様の抵抗値）
修正後Ｌとしては以下の計算を行い設定する。
【０１０４】
（修正後Ｌ）＝（現在のＬ）÷（差の割合）
次に、Ｌサイズ判定部１３１で、修正後Ｌの値が演算条件１０５の範囲内であるかを確認する。Ｌサイズ判定部１３１は、範囲内ならばＯＫとして、修正後Ｌと変更なしのＷを修正サイズ１３２として、図１の抵抗値計算部１０６に出力する。
【０１０５】
修正後Ｌの値が演算条件１０５の範囲外ならばＮＯとし、Ｌ演算範囲端設定部１３３へと処理が進み、上限を超えていた場合は、演算条件の上限値を修正後Ｌ２とする。逆に、下限を切っていた場合は演算条件の下限値を修正後Ｌ２とする。
【０１０６】
さらに、Ｗサイズ修正部１３４で、追加のＷ修正を行う。追加修正割合は以下の計算式により求められる。
【０１０７】
（追加修正割合）＝（修正後Ｌ２）÷（修正後Ｌ）
修正後Ｗとしては以下の計算を行い設定する。
【０１０８】
（修正後Ｗ）＝（現在Ｗ）×（追加修正割合）
次に、Ｗサイズ判定部１３５で、修正後Ｗの値が演算条件１０５の範囲内であるかを確認する。Ｗサイズ判定部１３５は、範囲内ならばＯＫとして、修正後Ｌ２と修正後Ｗを修正サイズ１３２として出力する。
【０１０９】
Ｗサイズ判定部１３５における判定で、範囲外ならＮＯとし、Ｗ演算範囲端設定部１３６へと処理が進み、上限を超えていた場合は、演算条件の上限値を修正後Ｗ２とする。逆に、下限を切っていた場合は、演算条件の下限値を修正後Ｗ２とする。
【０１１０】
次に、繰り返し判定部１３７において、前回から修正されているのかを判定する。すでに、前回の段階で上下限の値をとっている場合は、これ以上の修正はできない。ＷとＬのうちどちらか一方でも値が変更されている場合は、ＯＫとして、繰り返し判定部１３７は、修正後Ｌ２と修正後Ｗ２を修正サイズ１３２として出力する。一方、修正がされなかった場合は、ＮＯとして、繰り返し判定部１３７は、エラー出力１１１として、仕様を満たす抵抗を実現できない旨のメッセージを出力する。
【０１１１】
修正サイズ１３２の値は、新たなサイズ候補として、図１の抵抗値計算部１０６に送られる。
【０１１２】
次に、図１の抵抗サイズ依存性データベース１０９について、図４を用いて説明する。図４は、抵抗サイズ依存性データベース１０９における所定のサイズ範囲のデータ配置を示す模式図である。
【０１１３】
抵抗サイズ依存性データベース１０９には、抵抗素子として設計することが許可されているあらゆるサイズの、所定の電圧条件における抵抗値Ｒ（Ｗ，Ｌ）のデータが抽出できる形式で格納されている。本実施形態では、単位がΩの抵抗値そのもののデータが格納されているが、単位シート数あたりの抵抗値であるシート抵抗Ｒｓｈ（Ｗ，Ｌ）のデータで格納し、以下の計算で抵抗値を計算させる形式でも差し支えない。
【０１１４】
Ｒ（Ｗ，Ｌ）＝Ｒｓｈ（Ｗ，Ｌ）×Ｌ÷Ｗ
次に、これらのデータの格納形式について説明する。データはテーブルマップ形式で保持される。即ち、図４に示すように、所定のサイズ範囲を所定のステップで区切った各サイズ（図中の●で示したサイズ）におけるデータが格納される。
【０１１５】
データが直接格納されていないサイズのデータは、近接したサイズのデータに基づいて、内挿計算、あるいは外挿計算で求められる。
【０１１６】
図５は、内挿計算の例を示す模式図である。図５に示すように、Ｗ１＜Ｗｃ＜Ｗ２かつＬ１＜Ｌｃ＜Ｌ２である、抵抗線幅Ｗ＝Ｗｃ、抵抗線長Ｌ＝Ｌｃでの抵抗値データの計算方法について説明する。なお、図５において、●はデータベース１０９に格納されているデータを表し、○はデータベース１０９に格納されていないデータを表す。
【０１１７】
抵抗サイズ依存性データベース１０９に格納されている、Ｒ（Ｗ１，Ｌ１）、Ｒ（Ｗ２，Ｌ１）、Ｒ（Ｗ１，Ｌ２）、Ｒ（Ｗ２，Ｌ２）の４つの近接サイズデータを利用する。
【０１１８】
第一段階では、Ｒ（Ｗｃ，Ｌ１）、Ｒ（Ｗｃ，Ｌ２）の２つの抵抗値を内挿計算する。
【０１１９】
第二段階で、Ｒ（Ｗｃ，Ｌ１）、Ｒ（Ｗｃ，Ｌ２）の２つから、目的のＲ（Ｗｃ，Ｌｃ）の抵抗値を内挿計算する。
【０１２０】
内挿計算式としては、図６に示す内挿計算式▲１▼の３つの式が使用される。
【０１２１】
なお、Ｒ（Ｗ１，Ｌｃ）、Ｒ（Ｗ２，Ｌｃ）の２つの抵抗値を内挿計算し、この２つから、目的のＲ（Ｗｃ，Ｌｃ）の抵抗値を内挿計算する方法でも差し支えない。この場合の計算式としては、図６に示す内挿計算式▲２▼の３つの式が使用される。
【０１２２】
以上で説明したデータ格納形式でデータベースを構築しておけば、任意のサイズにおける抵抗値を抽出することができる。
【０１２３】
なお、一部のサイズについては、外挿計算によって抵抗値を計算する形式にしても差し支えない。ただし、外挿計算は精度が悪くなるので望ましくなない、特に、小さなサイズでは外挿計算が必要ないように、デザインルール最小サイズまでのデータを格納しておくことが望ましい。大きなサイズ側では、特性変化率が一定となり外挿計算の精度が落ちないところまでのデータは必要である。また、この精度に関しては、他の実施形態で述べるが、シミュレーション精度のデータに反映させることでも対応は可能である。
【０１２４】
なお、外挿計算が必要な場合でも、データベースの構築前にデータベースにデータ格納作業をする人が事前に外挿計算データを作成しておいて、そのデータをデータベースに格納しておくと、データベース内には内挿計算式のみ登録しておけば良くなる。すなわち、図４において、Ｌ＝Ｌｂのデータが本来はない場合でも、Ｌ＝Ｌｂのデータを外挿計算で作成して登録しておけば良い。
【０１２５】
以上のように、本実施形態によれば、仕様通りの抵抗値を有する抵抗素子のサイズを自動決定することができる。
【０１２６】
（第２の実施形態）
図７は、本発明の第２の実施形態として、抵抗素子の特性に電圧依存性があることに対応して、指定した電圧条件での仕様通りの抵抗値を有する抵抗素子を実現するデバイスサイズ自動決定処理部１４５の構成および処理の流れを示すモデル図である。
【０１２７】
本実施形態は、図１に示す第１の実施形態の構成および処理の流れとほぼ同じであり、異なるのは、抵抗仕様１４０と、仕様入力部１４１と、サイズ検討部１４４内の抵抗計算部１４２と、抵抗サイズ＆電圧依存性データベース１４３の部分である。
【０１２８】
デバイスサイズ自動決定処理部１４５は、抵抗仕様１４０が入力される仕様入力部１４１（第２の仕様入力部）と、抵抗値のサイズ依存性データおよび電圧依存性データが格納されたデータベース（抵抗サイズ＆電圧依存性データベース）１４３（第２のデバイス特性データベース）と、サイズ検討部１４４（第２のサイズ検討部）とで構成される。
【０１２９】
抵抗仕様１４０には次の３つがある。
【０１３０】
・所望する抵抗値
・レイアウト上の制約
・抵抗素子の端子間電圧条件Ｖ
レイアウト上の制約解釈部の１０３は、図１のそれと同じ役割を果たし、やはり、同じ内容の初期値１０４と演算条件１０５を出力する。
【０１３１】
抵抗値計算１４２では、ＷとＬ初期値あるいは修正された値と、抵抗仕様１４０に含まれていた電圧条件Ｖを抵抗サイズ＆電圧依存性データベース１４３に入力し、抵抗サイズ＆電圧依存性データベース１４３では、該当条件での抵抗値を計算して、抵抗値計算１４２に出力する。
【０１３２】
次に、抵抗サイズ＆電圧依存性データベース１４３について詳しく説明する。このデータベース１４３には、抵抗素子として設計がすることが許可されているあらゆるサイズのあらゆる動作範囲内の電圧条件Ｖにおける抵抗値Ｒ（Ｗ，Ｌ，Ｖ）のデータが抽出できる形式で格納されている。なお、本実施形態では、単位がΩの抵抗値そのもののデータが格納されているが、単位シート数あたりの抵抗値であるシート抵抗Ｒｓｈ（Ｗ，Ｌ，Ｖ）のデータを格納し、以下の計算で抵抗値を計算させる形式でも差し支えない。
【０１３３】
Ｒ（Ｗ，Ｌ，Ｖ）＝Ｒｓｈ（Ｗ，Ｌ，Ｖ）×Ｌ÷Ｗ
次に、これらのデータの格納形式について説明する。データはテーブルマップ形式で保持させる。即ち、どのようなサイズのデータを格納すべきかは、第１の実施形態において、図４を用いて説明したものと同じで良い。電圧条件Ｖについては、所定の電圧範囲を所定の電圧ステップで区切った点でデータを持つようにする。すなわち、図８で示すように、複数の電圧条件Ｖ１、Ｖ２、…、Ｖａに対してそれぞれサイズ依存性のデータが格納されているイメージである。
【０１３４】
Ｗ、Ｌ、Ｖの３つの条件は互いに独立である。３つあるいはそれ以上の独立な条件のテーブルマップデータベースから、必要なデータを内挿計算する方法を説明する。この説明では、汎用性を持たせるため、抵抗値Ｒ、条件Ｗ、Ｌ、Ｖではなく、任意の特性データＡを決める条件がＸ、Ｙ、Ｚの３つある場合について、図９を用いて説明する。なお、条件が４つ以上ある場合についても補足説明する。
【０１３５】
図９において、Ｘ１＜Ｘｃ＜Ｘ２（Ｘ＝Ｘ１、Ｘ＝Ｘ２はＸ＝Ｘｃの最近接条件でデータベースに格納されている条件）、Ｙ１＜Ｙｃ＜Ｙ２（Ｙ＝Ｙ１、Ｙ＝Ｙ２はＹ＝Ｙｃの最近接条件でデータベースに格納されている条件）、そしてＺ１＜Ｚｃ＜Ｚ２（Ｚ＝Ｚ１、Ｚ＝Ｚ２はＺ＝Ｚｃの最近接条件でデータベースに格納されている条件）となるＸ＝Ｘｃ、Ｙ＝Ｙｃ、Ｚ＝ＺｃにおけるデータＡ（Ｘｃ，Ｙｃ，Ｚｃ）を内挿計算する。
【０１３６】
最初に必要となるデータの組み合わせは２３＝８個である。そして、この８個のデータはすべて、データベースに格納されている。
【０１３７】
第一段階では、３条件のうち２つの条件を共通条件に固定し、残りの１つ条件に対して、中間内挿値を求める。２つの条件の固定方法は４通りあるので、４つの中間内挿値が作成される。Ｘ、Ｙ、Ｚの中のどの２条件を固定するかは自由である。図９では、ＸとＹが等しい組み合わせからＺ条件に対してのＺ＝Ｚｃでの中間内挿値（その１）を求める。図１０にその内挿計算式を示す。Ａ（Ｚ１）はＡ（Ｘ１又はＸ２，Ｙ１又はＹ２，Ｚ１）を、Ａ（Ｚ２）はＡ（Ｘ１又はＸ２，Ｙ１又はＹ２，Ｚ２）を意味し、Ａ（Ｚ１）でＸ＝Ｘ１ならＡ（Ｚ２）でもＸ＝Ｘ１、Ａ（Ｚ１）でＸ＝Ｘ２ならＡ（Ｚ２）でもＸ＝Ｘ２となる。また、Ａ（Ｚ１）でＹ＝Ｙ１ならＡ（Ｚ２）でもＹ＝Ｙ１、Ａ（Ｚ１）でＹ＝Ｙ２ならＡ（Ｚ２）でもＹ＝Ｙ２となる。計算式の考え方は、図１１に示すような、一次方程式による内挿である。グラフの傾きと、Ｚの変化量から内挿計算している。この後に何度も出てくる、複数条件のうち１つを除いた他の全ての条件が一致しているデータ間での内挿計算はこの計算方法で行なう。
【０１３８】
第二段階では、第一段階で計算し求めた４通りの中間内挿値（１つの条件は固定されている）から、さらに、どちらか一方の条件に対する中間内挿値を求める。この結果、さらに２つの中間内挿値ができる。図９では、ＸとＺの条件を共通にした場合の（Ｚ条件はすでにＺ＝Ｚｃで固定）、Ｙ１＜Ｙ＜Ｙ２にあるＹ＝Ｙｃでの中間内挿値（その２）を求める。
【０１３９】
これにより、Ｙ＝ＹｃかつＺ＝Ｚｃである２通りの中間内挿値が求められる。
【０１４０】
第三段階では、第二段階で計算し求めた２通りの中間内挿値（２つの条件はすでに固定されている）から、さらに、残った１つの条件に対する内挿値を求める。これが目的のデータＡ（Ｘｃ，Ｙｃ，Ｚｃ）となる。図９では、ＹとＺの条件を共通にした場合の（すでにＹ＝ＹｃとＺ＝Ｚｃで固定）、Ｘ１＜Ｘ＜Ｘ２にあるＸ＝Ｘｃでの内挿値を求める。
【０１４１】
以上により、３つの条件に対してテーブルマップ形式で格納したデータベースから必要なデータが内挿計算で求められる。
【０１４２】
また、この方法では、特性を決める条件がいくつあっても対応できる。条件が１種類のみ場合は、図９の第三段階で表されている部分のみを使えば良い。条件が２種類の場合は、図９の第二段階と第三段階で表されている部分を使えば良い。
逆に、条件が増える場合は、条件が１つ増えるごとに、データベースに格納されているデータから、内挿計算の第一段階で必要となるデータ数は２倍となる。また、内挿計算の段階数も１段階増加していくことになる。手順は同じで、条件を順番に選び、選択された条件の目的値における中間内挿値を計算する処理を繰り返していけば良い。
【０１４３】
本実施形態で説明しようとしている抵抗計算の場合は、特性を決める条件が抵抗線幅Ｗ、抵抗線長Ｌ、電圧条件Ｖの３つである。それぞれが今説明したＸ、Ｙ、Ｚのどれにあてはめても差し支えない。すなわち、計算方法は１通りではない。
【０１４４】
なお、仕様として電圧条件を指定し、データベースに電圧依存性のデータを格納していたが、この代わりに、仕様として電流条件を指定し、データベースに電流依存性のデータを格納する方式としても差し支えない。
【０１４５】
なお、抵抗素子の構造によっては、デバイスの端子間電圧条件Ｖだけでなく、他の電圧条件でも特性が変わる場合がある。電圧条件が２つある場合は、条件が合計４種類ある場合として処理すれば、本実施形態で説明した方法でデータを得ることが可能である。
【０１４６】
電圧条件の数が増加する場合は、抵抗仕様１４０自体が変わることを意味する。したがって、仕様入力部１４１も全ての条件数を合わせれば対応できる。また、抵抗計算部１４２はデータベースに入力する条件数を合わせれば対応できる。
【０１４７】
図７において、判定部１０７以降の説明してない部分は、第１の実施形態で説明したものと同じである。
【０１４８】
以上のように、本実施形態によれば、指定した電圧条件あるいは電流条件での仕様通りの抵抗値を有する抵抗素子のサイズを自動決定することができる。
【０１４９】
（第３の実施形態）
図１２は、本発明の第３の実施形態において、抵抗素子の特性に温度依存性があることに対応して、指定した温度条件での仕様通りの抵抗値を有する抵抗素子を実現するデバイスサイズ自動決定処理部１５５の構成および処理の流れを示すモデル図である。
【０１５０】
本実施形態は、図７に示す第２の実施形態の構成および処理の流れとほぼ同じであり、異なるのは、抵抗仕様１５０と、仕様入力部１５１と、サイズ検討部１５４内の抵抗計算部１５２と、抵抗サイズ＆温度依存性データベース１５３の部分である。
【０１５１】
デバイスサイズ自動決定処理部１５５は、抵抗仕様１５０が入力される仕様入力部１５１（第３の仕様入力部）と、抵抗値のサイズ依存性データおよび温度依存性データが格納されたデータベース（抵抗サイズ＆温度依存性データベース）１５３（第３のデバイス特性データベース）と、サイズ検討部１５４（第３のサイズ検討部）とで構成される。
【０１５２】
抵抗仕様１５０には次の３つがある。
【０１５３】
・所望する抵抗値
・レイアウト上の制約
・抵抗素子の温度条件Ｔ
レイアウト上の制約解釈部の１０３は、図１のそれと同じ役割を果たし、やはり、同じ内容の初期値１０４と演算条件１０５を出力する。
【０１５４】
抵抗値計算部１５２では、ＷとＬ初期値あるいは修正された値と、仕様に含まれていた温度条件Ｔを抵抗サイズ＆温度依存性データベース１５３に入力し、抵抗サイズ＆温度依存性データベース１５３では、該当条件での抵抗値を計算して、抵抗値計算部１５２に出力する。
【０１５５】
次に、抵抗サイズ＆温度依存性データベース１５３について詳しく説明する。このデータベース１５３には、抵抗素子として設計がすることが許容されているあらゆるサイズのあらゆる動作範囲内の温度条件における抵抗値Ｒ（Ｗ，Ｌ，Ｔ）のデータが抽出できる形式で格納されている。本実施形態では、単位がΩの抵抗値そのもののデータが格納されているが、単位シート数あたりの抵抗値であるシート抵抗Ｒｓｈ（Ｗ，Ｌ，Ｔ）のデータを格納し、以下の計算で抵抗値を計算させる形式でも差し支えない。
【０１５６】
Ｒ（Ｗ，Ｌ，Ｔ）＝Ｒｓｈ（Ｗ，Ｌ，Ｔ）×Ｌ÷Ｗ
次に、これらのデータの格納形式について説明する。データはテーブルマップ形式で保持させる。即ち、どのようなサイズのデータを格納すべきかは、第１の実施形態１で図４を用いて説明したものと同じで良い。温度条件については、所定の温度範囲を所定の温度ステップで区切った点でデータを持つようにする。すなわち、図１３に示すように、複数の温度条件に対してそれぞれサイズ依存性のデータを格納しているイメージである。
【０１５７】
Ｗ、Ｌ、Ｔの３つの条件は互いに独立である。必要な条件におけるデータの内挿計算方法については、すでに第２の実施形態で、図９、図１０、図１１を用いて説明している通りである。
【０１５８】
図１２において、判定部１０７以降の説明してない部分は、第１の実施形態で説明したものと同じである。
【０１５９】
以上のように、本実施形態によれば、指定した温度条件での仕様通りの抵抗値を有する抵抗素子のサイズを自動決定することができる。
【０１６０】
（第４の実施形態）
図１４は、本発明の第４の実施形態として、抵抗素子の特性にばらつき量のサイズ依存性があることに対応して、指定した許容ばらつき量条件での仕様通りの抵抗値を有する抵抗素子を実現するデバイスサイズ自動決定処理部１６７の構成および処理の流れを示すモデル図である。
【０１６１】
本実施形態は、図１に示す第１の実施形態の構成および処理の流れとかなりの部分が共通であり、大きく異なるのは、初期値１０４と演算条件１０５に修正を加える処理を追加している点にある。この処理に関係するのは、ばらつきデータ解析部１６２と、それに連動する抵抗ばらつきサイズ依存性データベース１６５、修正初期値１６３、修正演算条件１６４である。
【０１６２】
その他に異なるのは、抵抗仕様１６０と、仕様入力部１６１である。
【０１６３】
デバイスサイズ自動決定処理部１６７は、抵抗仕様１６０が入力される仕様入力部１６１（第４の仕様入力部）と、抵抗サイズ依存性データベース１０９（第１のデバイス特性データベース）と、抵抗値のばらつき量のサイズ依存性データが格納されたデータベース（抵抗ばらつきサイズ依存性データベース）１６５（第４のデバイス特性データベース）と、サイズ検討部１６６（第４のサイズ検討部）とで構成される。
【０１６４】
抵抗仕様１６０には次の３つがある。
【０１６５】
・所望する抵抗値
・レイアウト上の制約
・許容ばらつき量条件Ｄ
許容ばらつき量条件Ｄの単位としては割合（パーセント）がこの場合には適切である。
【０１６６】
レイアウト上の制約解釈部の１０３は、図１のそれと同じ役割を果たし、やはり、同じ内容の初期値１０４と演算条件１０５を出力する。
【０１６７】
次に、ばらつきデータ解析部１６２では、抵抗仕様１６０として入力された許容ばらつき量条件Ｄと、抵抗ばらつきサイズ依存性データベース１６５に格納されている抵抗値のばらつき量のサイズ依存性データとに基づいて、その許容量を満たす抵抗素子のサイズ条件を求める。この条件が許容ばらつき量条件Ｄから得られた演算条件であり、サイズごとのばらつき量のサイズ依存性データと許容ばらつき量条件Ｄとを比較して得ることができる。
【０１６８】
図１５は、ばらつき量のサイズ依存性を示す図であり、ばらつき量Ｄが一定の範囲内であるのはどのサイズ領域であるかを表している。Ｗ×Ｌが小さいときは、ばらつき量が大きくＤ１％以内（領域Ａ１）のばらつき量しか実現できない。これよりも少しサイズが大きければ、Ｄ１よりは小さいＤ２％以内（領域Ａ２）のばらつき量を実現できる。そして、さらにサイズが大きい領域では、Ｄ３％以内（領域Ａ３）、Ｄ４％以内（領域Ａ４）とばらつき量は小さくなる。このデータが、抵抗ばらつきサイズ依存性データベース１６５に格納されている。図１５では、ばらつき量を４段階で分けているが、分け方は何段階でも差し支えなくかつ、各段階間のステップ幅もいくつにしても差し支えない。また、ばらつき量を表す単位をパーセントとしているが、ばらつき量の指標となり得る単位なら何でも差し支えない。しかし、入力された許容ばらつき量の単位と同じにするか、変換することができるものを選ぶ必要がある。
【０１６９】
ばらつきデータ解析部１６２ではさらに、レイアウト上の制約から得た演算条件１０５と、ばらつきデータ解析部１６２で新たに得た、許容ばらつき量条件から得た演算条件１６２’の２つから、演算条件の修正を行なう。図１６に示すように、レイアウト上の制約から得た演算条件１０５と、許容ばらつき量条件から得た演算条件１６２’とを同時に満たす領域を、修正演算条件１６４として出力する。
【０１７０】
ただし、両演算条件が完全に一致している場合は、演算条件１０５の条件を変更なしで、修正演算条件１６４として出力する。
【０１７１】
また、両演算条件を同時に満たす領域が存在しない場合は、仕様を満たす抵抗は実現できないという旨のエラーメッセージをエラー出力１１１として出力して、デバイスサイズの自動決定処理は直ちに終了する。
【０１７２】
また、図１６に示すように、初期値１０４が修正演算条件１６４外となる場合は、修正演算条件内のサイズに初期値を修正して、その結果を修正初期値１６３として出力する。初期値１０４がすでに修正演算条件１６４内の場合は変更の必要がないので、その初期値１０４はそのまま修正初期値１６３として出力される。
【０１７３】
抵抗値計算部１０６以降は、サイズ修正部１０８で使われる演算条件が、演算条件１０５から、修正演算条件１６４に変わること以外は、第１の実施形態と同じである。
【０１７４】
以上のように、本実施形態によれば、許容ばらつき量条件を反映した上での、仕様通りの抵抗値を有する抵抗素子のサイズを自動決定することができる。
【０１７５】
（第５の実施形態）
図１７は、本発明の第５の実施形態として、抵抗素子の特性にミスマッチ量のサイズ依存性があることに対応して、指定した許容ミスマッチ量条件での仕様通りの抵抗値を有する抵抗素子を実現するデバイスサイズ自動決定処理部１７５の構成および処理の流れを示すモデル図である。
【０１７６】
本実施形態は、図１４に示す第４の実施形態の構成および処理の流れとほぼ同じあり、異なるのは、抵抗仕様１７０と、仕様入力部１７１と、サイズ検討部１７４内のミスマッチデータ解析部１７２と、ミスマッチデータ解析部１７２に連動する抵抗ミスマッチサイズ依存性データベース１７３の部分である。
【０１７７】
デバイスサイズ自動決定処理部１７５は、抵抗仕様１７０が入力される仕様入力部１７１（第５の仕様入力部）と、抵抗サイズ依存性データベース１０９（第１のデバイス特性データベース）と、抵抗値のミスマッチ量のサイズ依存性データが格納されたデータベース（抵抗ミスマッチサイズ依存性データベース）１７３（第５のデバイス特性データベース）と、サイズ検討部（第５のサイズ検討部）とで構成される。
【０１７８】
抵抗仕様１７０には次の３つがある。
【０１７９】
・所望する抵抗値
・レイアウト上の制約
・許容ミスマッチ量条件ＭＤ
許容ミスマッチ量条件の単位としてはパーセントがこの場合には適切である。
【０１８０】
レイアウト上の制約解釈部の１０３は、第１の実施形態と同じ役割を果たし、やはり、同じ内容の初期値１０４と演算条件１０５を出力する。
【０１８１】
次に、ミスマッチデータ解析部１７２では、仕様として入力された許容ミスマッチ量条件ＭＤと、抵抗ミスマッチサイズ依存性データベース１７３に格納されている抵抗値のミスマッチ量のサイズ依存性データとに基づいて、その許容量を満たす抵抗素子のサイズ条件を求める。この条件が許容ミスマッチ量条件ＭＤから得た演算条件であり、これは、サイズごとのミスマッチ量のサイズ依存性データと許容ミスマッチ量条件とを比較して得ることができる。
【０１８２】
図１８は、ミスマッチ量のサイズ依存性を示す図であり、ミスマッチ量は、図１５に示したばらつき量の場合と同じようなサイズ依存性となる。図１８では、サイズが大きくなるにつれてミスマッチ量ＤＭが少なくなる（ＤＭ１＞ＤＭ２＞ＤＭ３）領域として、ミスマッチ量ＤＭ１％以内を満たす領域Ｂ１、ミスマッチ量ＤＭ２％以内を満たす領域Ｂ２、ミスマッチ量ＤＭ３％以内を満たす領域Ｂ３、ミスマッチ量ＤＭ４％以内を満たす領域Ｂ４の４段階で分けているが、分け方は何段階でも差し支えなくかつ、各段階間のステップ幅もいくつにしても差し支えない。ただし、ばらつき量よりもミスマッチ量のほうが小さな値となる。このデータが、抵抗ミスマッチサイズ依存性データベース１７３に格納されている。
【０１８３】
ミスマッチデータ解析部１７２ではさらに、第４の実施形態におけるばらつきデータ解析部１６２と同じく、レイアウト上の制約から得た演算条件１０５と、ミスマッチデータ解析部１７２で新たに得た、許容ミスマッチ量条件から得た演算条件の２つから、演算条件と初期値の修正を行ない、その結果を修正演算条件１６４と修正初期値１６３として出力する。
【０１８４】
また、両演算条件を同時に満たす領域が存在しない場合は、仕様を満たす抵抗は実現できないという旨のエラーメッセージをエラー出力１１１として出力して、デバイスサイズの自動決定処理は直ちに終了する。
【０１８５】
抵抗値計算部１０６以降は、第４の実施形態と同じである。
【０１８６】
以上のように、本実施形態によれば、許容ミスマッチ量条件を反映した上での、仕様通りの抵抗値を有する抵抗素子のサイズを自動決定することができる。
【０１８７】
（第６の実施形態）
図１９は、本発明の第６の実施形態として、抵抗素子の特性にシミュレーション誤差のサイズ依存性があることに対応して、指定した許容シミュレーション誤差条件での仕様通りの抵抗値を有する抵抗素子を実現するデバイスサイズ自動決定処理部１８５の構成および処理の流れを示すモデル図である。
【０１８８】
本実施形態は、図１４に示す第４の実施形態および図１７に示す第５の実施形態の構成および処理の流れとほぼ同じ構成であり、異なるのは、抵抗仕様１８０と、仕様入力部１８１と、サイズ検討部１８４内のシミュレーション誤差解析部１８２と、シミュレーション誤差解析部１８２に連動する抵抗シミュレーション誤差サイズ依存性データベース１８３の部分である。
【０１８９】
デバイスサイズ自動決定処理部１８５は、抵抗仕様１８０が入力される仕様入力部１８１（第６の仕様入力部）と、抵抗サイズ依存性データベース１０９（第１のデバイス特性データベース）と、抵抗値のシミュレーション誤差のサイズ依存性データが格納されたデータベース（抵抗シミュレーション誤差サイズ依存性データベース）１８３（第６のデバイス特性データベース）と、サイズ検討部（第６のサイズ検討部）とで構成される。
【０１９０】
抵抗仕様１８０には次の３つがある。
【０１９１】
・所望する抵抗値
・レイアウト上の制約
・許容シミュレーション誤差条件Ｅ
許容シミュレーション誤差条件Ｅの単位としてはパーセントがこの場合には適切である。
【０１９２】
レイアウト上の制約解釈部の１０３は、第１の実施形態と同じ役割を果たし、やはり、同じ内容の初期値１０４と演算条件１０５を出力する。
【０１９３】
次に、シミュレーション誤差解析部１８２では、仕様として入力された許容シミュレーション誤差条件Ｅと、抵抗シミュレーション誤差サイズ依存性データベース１８３内に格納されている抵抗値のシミュレーション誤差のサイズ依存性データとに基づいて、その許容量を満たす抵抗素子のサイズ条件を求める。この条件が許容シミュレーション誤差条件から得た演算条件であり、これは、サイズごとのシミュレーション誤差のサイズ依存性データと許容シミュレーション誤差条件Ｅとを比較して得ることができる。
【０１９４】
図２０は、シミュレーション誤差のサイズ依存性を示す図である。図２０では、サイズに応じてシミュレーション誤差Ｅが異なる（Ｅ１＞Ｅ２＞Ｅ３）領域として、シミュレーション誤差Ｅ１％以内を満たす領域Ｃ１、シミュレーション誤差Ｅ２％以内を満たす領域Ｃ２、シミュレーション誤差Ｅ３％以内を満たす領域Ｃ３の３段階で分けているが、分け方は何段階でも差し支えなくかつ、各段階間のステップ幅もいくつにしても差し支えない。このデータが、抵抗シミュレーション誤差サイズ依存性データベース１８３に格納されている。
【０１９５】
シミュレーション誤差解析部１８２ではさらに、第４の実施形態におけるばらつきデータ解析部１６２と同じく、また、第５の実施形態におけるミスマッチデータ解析部１７２と同じく、レイアウト上の制約から得た演算条件と、シミュレーション誤差解析部１８２で新たに得た、許容シミュレーション誤差条件から得た演算条件の２つから、演算条件と初期値の修正を行ない、その結果を修正演算条件１６４と修正初期値１６３として出力する。
【０１９６】
また、両演算条件を同時に満たす領域が存在しない場合は、仕様を満たす抵抗は実現できないという旨のエラーメッセージをエラー出力１１１として出力して、デバイスサイズの自動決定処理は直ちに終了する。
【０１９７】
抵抗値計算部１０６以降は、第４の実施形態と同じである。
【０１９８】
以上のように、本実施形態によれば、許容シミュレーション誤差条件を反映した上での、仕様通りの抵抗値を有する抵抗素子のサイズを自動決定することができる。
【０１９９】
（第７の実施形態）
第１から第６の実施形態では、それぞれ、抵抗値のサイズ依存性、電圧依存性、温度依存性、ばらつき量のサイズ依存性、ミスマッチ量のサイズ依存性、シミュレーション誤差のサイズ依存性を個別に考慮して、仕様通りの抵抗値を有する抵抗素子のサイズを自動決定する処理について説明した。本発明の第７の実施形態では、上記の全てを同時に考慮して、仕様通りの抵抗値を有する抵抗素子のサイズを自動決定する処理について説明する。
【０２００】
図２１は、本発明の第７の実施形態として、抵抗値のサイズ依存性、電圧依存性、温度依存性、ばらつき量のサイズ依存性、ミスマッチ量のサイズ依存性、およびシミュレーション誤差のサイズ依存性を考慮して、仕様通りの抵抗値を有する抵抗素子を実現するデバイスサイズ自動決定処理部１９６の構成および処理の流れを示すモデル図である。
【０２０１】
デバイスサイズ自動決定処理部１９６は、抵抗仕様１９０が入力される仕様入力部１９１（第７の仕様入力部）と、抵抗素子のサイズ依存性データ、電圧依存性データ、温度依存性データ、ばらつき量のサイズ依存性データ、ミスマッチ量のサイズ依存性データ、およびシミュレーション誤差のサイズ依存性データが格納されたデータベース（抵抗特性データベース）１９４（第７のデバイス特性データベース）と、サイズ検討部１９５（第７のサイズ検討部）とで構成される。
【０２０２】
抵抗仕様１９０には次の７種類がある。これらが仕様入力部１９１に入力される。
【０２０３】
・所望する抵抗値
・レイアウト上の制約
・抵抗素子の端子間電圧条件Ｖ（複数電圧の場合も含む）
あるいは、電流条件Ａ（複数電流の場合も含む）
（電圧条件Ｖと電流条件Ａの組み合わせた場合も含む）
・抵抗素子の温度条件Ｔ
・許容ばらつき量条件Ｄ
・許容ミスマッチ量条件ＭＤ
・許容シミュレーション誤差条件Ｅ
許容ばらつき量条件Ｄ、許容ミスマッチ量条件ＤＭ、許容シミュレーション誤差条件Ｅに特別な制約がない場合は、所定のデフォルト値が自動的に入力される。
【０２０４】
初期値＆演算条件決定部１９２は、レイアウト上の制約、許容ばらつき量条件Ｄ、許容ミスマッチ量条件ＭＤ、許容シミュレーション誤差条件Ｅの４条件に基づいて、初期値１０４と演算条件１０５を出力する。それぞれの条件からは、図２２に示すように、レイアウト上の制約から得た演算条件１０５’、許容ばらつき量条件Ｄから得た演算条件１６２’、許容ミスマッチ量条件ＭＤから得た演算条件１７２’、許容シミュレーション誤差条件Ｅから得た演算条件１８２’が得られる。この４つの演算条件の考え方は、第１から第６の実施形態ですでに述べた通りである。演算条件を求めるのに必要な情報は、抵抗特性データベース１９４から得られる。初期値＆演算条件決定部１９２は、４つの条件全てを満たす領域を最終演算条件１０５として決定し出力するとともに、この演算条件内の値を初期値１０４として決定し出力する。
【０２０５】
抵抗特性データベース１９４には、第１から第６の実施形態で説明した全てのデバイス情報、すなわち、図２３に示すように、抵抗値のサイズ依存性データ、電圧（あるいは電流）依存性データ、温度依存性データ、ばらつき量のサイズ依存性データ、ミスマッチ量のサイズ依存性データ、シミュレーション誤差のサイズ依存性データが格納されている。
【０２０６】
抵抗値計算部１９３では、初期値であるＷ，Ｌのサイズと、抵抗仕様１９０として入力された電圧条件、温度条件を抵抗特性データベース１９４に入力し、抵抗特性データベース１９４ではその条件での抵抗値を計算し、抵抗値計算部１９３に出力する。
【０２０７】
サイズ検討部１９５内の判定部１０７以降の処理は、第１から第６の実施形態と同じである。
【０２０８】
以上のように、本実施形態によれば、全て仕様を同時に考慮して、仕様通りの抵抗値を有する抵抗素子のサイズを自動決定することができる。
【０２０９】
なお、電圧条件Ｖ（複数の場合も含む）、温度条件Ｔ、許容ばらつき量条件Ｄ、許容ミスマッチ量条件ＤＭ、許容シミュレーション誤差条件Ｅのうちのどれかを処理しないような構成にしても差し支えない。検討に入れたい条件に合わせて仕様入力部１９１を変更し、さらに、許容ばらつき量条件Ｄ、許容ミスマッチ量条件ＤＭ、許容シミュレーション誤差条件Ｅのうちのどれかを無くす場合は、図２２を用いて説明した重ね合わせる項目を減らし、そして、電圧条件Ｖ（複数の場合も含む）や温度条件Ｔを検討しない場合は、抵抗値計算部１９３の構成を変更する。また、抵抗特性データベース１９４から不要なデータを削除しても良くなる。
【０２１０】
（第８の実施形態）
第１から第７の実施形態では、１種類の材料からなる抵抗素子のサイズを自動決定する処理について述べた。本発明の第８の実施形態では、これらの抵抗素子の材料に複数の選択肢がある場合に、それらを比較した上で、仕様通りの抵抗値を有する抵抗素子を実現する最適な材料とその抵抗素子のサイズを自動決定する処理について説明する。
【０２１１】
図２４は、本発明の第８の実施形態として、材料の選択肢がＡデバイスとＢデバイスの２種類ある場合の、仕様通りの抵抗値を有する抵抗素子を実現するデバイスサイズ自動決定処理部１９６の構成および処理の流れを示すモデル図である。本実施形態は、基本的には、第１から第７の実施形態で述べた処理を、ＡデバイスとＢデバイスの２種類の材料に対して別々に実行し、その結果を比較して判断する処理を追加した構成をとる。
【０２１２】
抵抗仕様２００により、所望する抵抗値とレイアウト上の制約（Ｌ、Ｗ範囲）、電圧条件Ｖ（複数の場合も含む）、温度条件Ｔ、許容ばらつき量条件Ｄ、許容ミスマッチ量条件ＤＭ、許容シミュレーション誤差条件Ｅが指定される。これらの仕様が、仕様入力部２０１に入力される。電圧条件Ｖ（複数の場合も含む）、温度条件Ｔ、許容ばらつき量条件Ｄ、許容ミスマッチ量条件ＤＭ、許容シミュレーション誤差条件Ｅに特別な制約がない場合は、所定のデフォルト値が自動的に入力される。
【０２１３】
次に、Ａデバイス用サイズ自動決定処理部２０２とＢデバイス用サイズ自動決定処理部２０２に分かれているが、両方とも、第７の実施形態において図２１を用いて説明したサイズ検討部１９５と同じ機能を有し、異なるのは、参照するデータベースである。Ａデバイス用サイズ自動決定処理部２０２では、Ａデバイスデータベース２０３を参照し、Ｂデバイス用サイズ自動決定処理部２０５では、Ｂデバイスデータベース２０６を参照して処理を行う。
【０２１４】
Ａデバイス用サイズ自動決定処理部２０２での処理により決定されたサイズは、結果出力Ａ２０４として出力される。エラーの場合はエラーである旨が結果出力Ａ２０４として出力される。
【０２１５】
Ｂデバイス用サイズ自動決定処理部２０５での処理により決定されたサイズは、結果出力Ｂ２０７として出力される。エラーの場合はエラーである旨が結果出力Ｂ２０７として出力される。
【０２１６】
次に、結果出力Ａ２０４と結果出力Ｂ２０７とは、比較部２０８で比較される。両方ともエラーでない場合は、所定のルールに従って選択され、サイズ出力２０９として選択された材料とそのサイズが出力される。この選択ルールとしては、サイズが小さいほうを選択する、どちらでも実現できる場合はＡデバイスを優先的に選択するなどがある。また、このユーザが選択できるようにしても差し支えない。
【０２１７】
結果出力Ａ２０４と結果出力Ｂ２０７のうちどちらか一方がエラーとなっている場合は、エラーになっていないほうを選択し、サイズ出力２０９として選択した材料とそのサイズが出力される。
【０２１８】
結果出力Ａ２０４と結果出力Ｂ２０７の両方がエラーとなっている場合は、エラー出力２１０としてエラーメッセージが出力される。
【０２１９】
以上のように、本実施形態によれば、抵抗素子の材料に複数の選択肢がある場合に、仕様通りの抵抗値を有する抵抗素子を実現する最適な材料とその抵抗素子のサイズを自動決定することができる。
【０２２０】
（第９の実施形態）
第１から第８の実施形態において、デバイス特性データベースに、テーブルマップ形式でデータを格納する例について説明した。本発明の第９の実施形態では、デバイス特性データを、数学関数を用いたモデル式で表記し、このモデル式の形式でデータベースに格納する方法について説明する。
【０２２１】
抵抗素子の抵抗値モデルを、デバイスのサイズと電圧条件と温度条件の関数Ｒ（Ｗ，Ｌ，Ｖ，Ｔ）で表記することで、比較的精度の高いモデルを構成することができる。図２５は、かかるモデル式を用いた抵抗特性データベース１９４’の内容を示す模式図である。図２５において、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、ｄＷ、ｄＬ、ｐａｒａｍ＿ｖ１、ｐａｒａｍ＿ｖ２、ｐａｒａｍ＿ｔ１、ｐａｒａｍ＿ｔ２はモデルパラメータである。Ｒ０（Ｗ，Ｌ）は、温度Ｔが常温Ｔｎｏｍで、電圧Ｖがゼロのときの抵抗値を意味する。Ｖｆａｃｔは、電圧依存係数であり、電圧に対しての２次関数である。Ｔｆａｃｔは、温度依存係数であり、温度に対しての２次関数である。
【０２２２】
このモデル式は例であり、他の形態をとっても差し支えない。バイアス条件が増えればそれに合わせて式を作れば良く。ここでは、サイズ、電圧（電流でも差し支えない）、温度の関数となっていることに意味がある。
【０２２３】
以上のように、本実施形態によれば、テーブルマップ方式の場合のような内挿計算は必要なく、データ量も大幅に削減できる。その反面、デバイスの測定データそのものと、モデル式間に差が生じるが、これはシミュレーション誤差のサイズ依存性データに反映すれば良い。なお、シミュレーション精度はモデル式の関数の形態とモデルパラメータの抽出精度に依存する。
【０２２４】
（第１０の実施形態）
第１から第９の実施形態では、抵抗素子のサイズを自動決定する処理について述べた。しかし、これらの構成は、一部の処理を変更することで、容量素子にも適用できる。これを本発明の第１０の実施形態として説明する。
【０２２５】
平行平板の部分を利用した容量素子では、通常、レイアウトの縦方向長と横方向長は特性に対しては差がないが、便宜上、縦方向長をＬ、横方向長をＷと定義する。逆であっても差し支えない。
【０２２６】
容量素子のサイズを自動決定する処理全体については、図３０を用いて後で説明するとして、まず、抵抗素子の場合とは大きく異なる点から説明する。
【０２２７】
抵抗素子と、容量素子のサイズ依存性における相違点は以下の点にある。
【０２２８】
抵抗素子の抵抗値：抵抗線長Ｌに対しておよそ比例
抵抗線幅Ｗに対してはおよそ反比例
容量素子の容量値：ＬとＷの両方に対して比例
したがって、以下の２つのの処理は抵抗素子の場合とは異なる方法で行う必要がある。
【０２２９】
▲１▼レイアウト上の制約条件から初期値と演算条件を決定する処理
▲２▼サイズを修正する処理
レイアウト上の制約条件から初期値と演算条件を決定する場合、抵抗素子では、第１の実施形態において図２を用いて説明した。これに代わる容量素子用の処理内容は図２６のようになる。
【０２３０】
まず、制約別分岐処理部２２１が、抵抗仕様１０１内にあるレイアウト上の制約の内容に応じて、３つに分岐された面積最小時処理部２２２、ＷＬ範囲制約時処理部２２５、および制約なし時処理部２２８のうち、対象となる処理部へと処理を進める。
【０２３１】
面積最小という制約の場合（Ｗ＝Ｌとしたい場合もこれに該当する）は、面積最小時処理部２２２へと処理が進み、第１の初期値２２３として、Ｗ＝デフォルト（デザインルール範囲内の所定の数値）、Ｌ＝Ｗが出力され、第１の演算条件２２４として、Ｗ＝Ｌ時専用範囲が出力される。これは、ＷとＬの両方にこの同じ範囲を適用する。
【０２３２】
Ｗ＝Ｌ時専用範囲の下限値としては、デザインルールにおけるＷの下限値とＬの下限値で大きいほうを用いる。また、Ｗ＝Ｌ時専用範囲の上限値としては、デザインルールにおけるＷの上限値とＬの上限値のうち小さいほうを用いる。
【０２３３】
第１の初期値２２３と第１の演算条件２２４は、それぞれ、レイアウト上の制約から得た初期値２３２とレイアウト上の制約から得た演算条件２３３として出力される。
【０２３４】
ＷとＬの両方もしくはどちらか一方に、サイズの制約がある場合は、ＷＬ範囲制約時処理部２２５へと処理が進む。上下限のうち一方しか指定されていない場合は、指定されていないほうはデザインルールの値を上限あるいは下限とする。ＷＬ範囲制約時処理部２２５からは、第２の初期値２２６として、Ｗ＝Ｗ制約範囲内最小値（Ｗに制約がない場合はデフォルト）、Ｌ＝Ｌ制約範囲内最小値（Ｗに制約がない場合はデフォルト）が出力される。本実施形態では、第２の初期値２２６としては制約範囲内最小値としているが、制約範囲内の値であればどの値でも差し支えない。また、ＷＬ範囲制約時処理部２２５から、第２の演算条件２２７として、Ｗは設定した制約範囲（Ｗに制約がない場合はデザインルール範囲）、Ｌは設定した制約範囲（Ｌに制約がない場合はデザインルール範囲）が出力される。
【０２３５】
第２の初期値２２６と第２の演算条件２２７は、それぞれ、レイアウト上の制約から得た初期値２３２とレイアウト上の制約から得た演算条件２３３として出力される。
【０２３６】
ＷとＬに設計仕様上の制約がない場合は、制約なし時処理部２２８へと処理が進む。制約なし時処理部２２８は、第３の初期値２２９として、Ｗ＝デフォルト、Ｌ＝デフォルトを出力し、第３の演算条件２３０として、ＷとＬはデザインルール範囲を出力する。第３の初期値２２９と第３の演算条件２３０は、それぞれ、レイアウト上の制約から得た初期値２３２とレイアウト上の制約から得た演算条件２３３として出力される。
【０２３７】
サイズを修正する場合、抵抗素子では、第１の実施形態において図３を用いて説明した。これに代わる容量素子の処理内容は図２７のようになる。
【０２３８】
容量素子の場合は、レイアウト上の制約により２つのサイズ修正処理に分ける必要がある。そのため、始めに、演算方法分岐部２３５により、面積最小（Ｗ＝Ｌとしたい場合もこれに該当する）という制約の場合は、Ｗ＝Ｌ演算部２３６へと処理を進めるようにし、それ以外の場合は、Ｗ≠Ｌ演算部２３７へ処理を進めるようにする。
【０２３９】
次に、Ｗ＝Ｌ演算部２３６でのサイズ修正処理について、図２８を用いて説明する。まず、ＷＬサイズ修正部２４０において、ＷとＬの両方のサイズ修正を行う。修正方法は、図３の場合と同様に差の割合を使う。
【０２４０】
（差の割合）＝（現在のＷ，Ｌにおける容量値）÷（仕様の容量値）
修正後Ｗ（あるいは修正後Ｌ）としては、以下の計算を行い設定する。図３の場合と異なるのは、差の割合の平方根を用いることである。差の割合をそのまま使っても良いが、修正回数が増えるので好ましくない。
【０２４１】
（修正後Ｗ）＝（現在Ｗ）÷（差の割合の平方根）
（修正後Ｌ）＝（修正後Ｗ）
次に、ＷＬサイズ判定部２４１で、修正後Ｗと修正後Ｌの値が、図３０に示す処理全体における演算条件２６４の範囲内であるかを確認する。範囲内ならばＯＫとして、修正後Ｗと修正後Ｌが図２７内の修正サイズ２３８として出力される。
【０２４２】
一方、範囲外ならばＮＯとし、演算範囲端設定部２４２へと処理が進む。
【０２４３】
上限を超えていた場合は、演算条件の上限値を修正後Ｗ２とする。また、修正後Ｌ２＝修正後Ｗ２とする。
【０２４４】
下限を切っていた場合は、演算条件の下限値を修正後Ｗ２とする。また、修正後Ｌ２＝修正後Ｗ２とする。
【０２４５】
次に、繰り返し判定部２４３において、修正後Ｗ２が前回から修正されているのかを判定する。すでに、前回と同じ値をとっている場合は、これ以上の修正はできない。値が変更されている場合は、ＯＫとして修正後Ｗ２と修正後Ｌ２が図２７内の修正サイズ２３８として出力される。修正がされなかった場合は、図３０のエラー出力２７０として、仕様を満たす抵抗を実現できない旨のメッセージが出力されて、全ての処理が終了する。図２８についての説明は以上である。
【０２４６】
続いて、図２７のＷ≠Ｌ演算部２３７でのサイズ修正処理について、図２９を用いて説明する。まず、Ｌサイズ修正部２５０において、Ｌのサイズ修正を行う。修正方法は、図３の場合と同様に差の割合を使う。
【０２４７】
（差の割合）＝（現在のＷ，Ｌにおける容量値）÷（仕様の容量値）
修正後Ｌとしては、以下の計算を行い設定する。Ｗ＝Ｌ演算部２３６での処理の場合とは異なり、差の割合がそのまま用いられる。
【０２４８】
（修正後Ｌ）＝（現在Ｌ）÷（差の割合）
次に、Ｌサイズ判定部２５１で、修正後Ｌの値が、図３０の演算条件２６４の範囲内であるかを確認する。範囲内ならばＯＫとして、修正後Ｌが図２７内の修正サイズ２３８として出力される。
【０２４９】
一方、範囲外ならばＮＯとし、Ｌ演算範囲端設定部２５２へと処理が進む。
【０２５０】
上限を超えていた場合は、演算条件の上限値を修正後Ｌ２とする。
【０２５１】
下限を切っていた場合は、演算条件の下限値を修正後Ｌ２とする。
【０２５２】
さらに、Ｗサイズ修正部２５３で、追加のＷ修正を行う。追加修正割合は以下の計算で求められる。
【０２５３】
（追加修正割合）＝（修正後Ｌ２）÷（修正後Ｌ）
修正後Ｗとしては、以下の計算を行い設定する。図３の場合と異なるのは、掛け算ではなく割り算になっていることである。
【０２５４】
（修正後Ｗ）＝（現在Ｗ）÷（追加修正割合）
次に、Ｗサイズ判定部２５４で、修正後Ｗの値が演算条件２６４の範囲内であるかを確認する。範囲内ならばＯＫとして、修正後Ｌ２と修正後Ｗが修正サイズ２３８として出力される。
【０２５５】
一方、範囲外ならばＮＯとし、Ｗ演算範囲端設定部２５５へと処理が進み、上限を超えていた場合は、演算条件の上限値を修正後Ｗ２とし、逆に、下限を切っていた場合は、演算条件の下限値を修正後Ｗ２とする。
【０２５６】
次に、繰り返し判定部２４３において、修正後Ｌ２と修正後Ｗ２のどちらか一方でも前回から修正されているのかを判定する。すでに、両方とも前回と同じ値をとっている場合は、これ以上の修正はできない。値が変更されている場合は、ＯＫとして、修正後Ｗ２と修正後Ｌ２が修正サイズ２３８として出力される。修正がされなかった場合は、エラー出力２７０として、仕様を満たす抵抗を実現できない旨のメッセージが出力されて、全ての処理が終了する。図２９についての説明は以上である。
【０２５７】
図２７の修正サイズ２３８は、図３０の容量値計算部２６５へと送られ、サイズ修正が終了する。
【０２５８】
図３０は、容量素子のサイズを自動決定するデバイスサイズ自動決定処理部２７２の構成および処理の流れを示すモデル図である。基本的な考え方は抵抗素子の場合と同じである。仕様が抵抗仕様から容量仕様２６０となり、その内容で異なるのは、所望する抵抗値が容量値になることである。レイアウト上の制約、電圧条件、温度条件、許容ばらつき量条件、許容ミスマッチ量条件、許容シミュレーション誤差条件については、抵抗素子の時と同様に処理できる。
【０２５９】
デバイス特性データベースとしては、容量特性データベース２６６が用いられる。容量特性データベース２６６には、抵抗素子の抵抗値の場合のように、容量素子の容量値に関して、サイズ依存性データ、電圧依存性データ、温度依存性データ、ばらつき量のサイズ依存性データ、ミスマッチ量のサイズ依存性データ、シミュレーション誤差のサイズ依存性データが格納されている。図３１は、容量特性データベース２６６のデータ内容を示す模式図であり、サイズ依存性、電圧依存性、温度依存性に対しては容量値モデル式Ｃ（Ｗ，Ｌ，Ｖ，Ｔ）の形式でデータが格納されている。図３１において、Ｃａ、Ｃｂ、ｄＷ、ｄＬ（通常はｄＬ＝ｄＷ）、ｐａｒａｍ＿ｖｃ１、ｐａｒａｍ＿ｖｃ２、ｐａｒａｍ＿ｔｃ１、ｐａｒａｍ＿ｔｃ２はモデルパラメータである。Ｃ０（Ｗ，Ｌ）は、温度Ｔが常温Ｔｎｏｍで、電圧Ｖがゼロの場合の容量値を意味する。Ｖｆａｃｔは、電圧依存係数であり、電圧に対しての２次関数である。Ｔｆａｃｔは、温度依存係数であり、温度に対しての２次関数である。
【０２６０】
なお、この容量値モデル式は例であり、他の形態をとっても差し支えない。
【０２６１】
なお、モデル式を用いずにテーブルマップ形式のデータベースでも差し支えない。
【０２６２】
以上が容量特性データベース２６６についての説明である。
【０２６３】
図３０に戻って、容量仕様２６０には次の７種類がある。これらが仕様入力部２６１に入力される。
【０２６４】
・所望する容量値
・レイアウト上の制約
・容量素子の端子間電圧条件Ｖ（複数電圧の場合も含む）
・容量素子の温度条件Ｔ
・許容ばらつき量条件Ｄ
・許容ミスマッチ量条件ＭＤ
・許容シミュレーション誤差条件Ｅ
許容ばらつき量条件Ｄ、許容ミスマッチ量条件ＤＭ、許容シミュレーション誤差条件Ｅに特別な制約がない場合は、所定のデフォルト値が自動的に入力される。
【０２６５】
次に、初期値＆演算条件決定部２６２では、第７の実施形態において図２２を用いて説明したのと同じ方法で、容量特性データベース２６６と連動して初期値２６３と演算条件２６４を決定する。レイアウト上の制約から得た演算条件は、すでに説明した図２６の方法を用いる。
【０２６６】
次に、容量値計算部２６５では、容量特性データベース２６６と連動して、仕様にある電圧条件と温度条件における、指定されたサイズでの容量値が計算される。最初は、初期値２６３のサイズに対して、２回目以降は、サイズ修正部２６８から送られてくるサイズに対して、容量値が計算される。
【０２６７】
次に、判定部２６７では、容量値計算部２６５で計算された容量値と、仕様で満たしたい容量値との差を計算する。この差が所定の値内であればＯＫとし、そのサイズをサイズ出力２６９として出力して、処理が終了する。
【０２６８】
判定部２６７で、差が所定の値内でなければＮＯとし、サイズ修正部２６８へと処理が進む。サイズ修正部２６８でのサイズ修正処理については、すでに図２７、図２８、図２９を使って説明済みである。修正されたサイズの値は、容量値計算部２６３へ送られる。
【０２６９】
以上のように、本実施形態によれば、仕様で指定した内容を満たす容量素子のサイズを自動決定することができる。
【０２７０】
（第１１の実施形態）
第１から第９の実施形態では、抵抗素子のサイズを自動決定する処理について、また、第１０の実施形態では、容量素子のサイズを自動決定する処理について述べた。しかし、これらの構成は、一部の処理を変更することで、ダイオード素子にも適用できる。
【０２７１】
ダイオード素子の電流値はＰＮ接合部分の面積に比例する。便宜上、ＰＮ接合面の縦方向長をＬ、横方向長をＷと定義する。（逆であっても差し支えない。）電流値がＬとＷの両方におよそ比例するという意味では、第１０の実施形態で説明した容量素子と同じ傾向をもつ。したがって、図３０に示す第１０の実施形態とほとんど同じ構成および処理手順で、ダイオード素子のサイズを自動決定することができる。
【０２７２】
図３２は、ダイオード素子のサイズを自動決定するデバイスサイズ自動決定処理部２８５の構成および処理の流れを示すモデル図である。本実施形態が、図３０に示す第１０の実施形態と異なるのは、ダイオード仕様２８０と、仕様入力部２８１と、サイズ検討部２８４内のダイオード特性計算部２８２と、ダイオード特性データベース２８３の部分である。
【０２７３】
ダイオード仕様２８０には次の７種類がある。これらが仕様入力部２８１に入力される。
【０２７４】
・所望する電流値、あるいは電圧値
・レイアウト上の制約
・ダイオード素子の端子間電圧条件Ｖ（複数電圧の場合も含む）
あるいは、電流条件Ａ（複数電圧の場合も含む）
・ダイオード素子の温度条件Ｔ
・許容ばらつき量条件Ｄ
・許容ミスマッチ量条件ＭＤ
・許容シミュレーション誤差条件Ｅ
許容ばらつき量条件Ｄ、許容ミスマッチ量条件ＤＭ、許容シミュレーション誤差条件Ｅに特別な制約がない場合は、所定のデフォルト値が自動的に入力される。
【０２７５】
初期値＆演算条件決定部２６２は、容量素子の場合のそれと同じであり、結果を同じく初期値２６３と演算条件２６４として出力する。
【０２７６】
次に、ダイオード特性値計算部２８２では、ダイオード特性データベース２８３と連動して、仕様にある電圧条件と温度条件における、指定されたサイズでのダイオード特性値を計算する。最初は、初期値２６３のサイズに対して、２回目以降は、サイズ修正部２６８から送られてくるサイズに対して、ダイオード特性値が計算される。
【０２７７】
デバイス特性データベースとして、ダイオード特性データベース２８３が用いられる。ダイオード特性データベース２８３には、ダイオード素子の電流値に関して、サイズ依存性データ、電圧依存性データ、温度依存性データ、ばらつき量のサイズ依存性データ、ミスマッチ量のサイズ依存性データ、シミュレーション誤差のサイズ依存性データが格納されている。図３３は、ダイオード特性データベース２８３のデータ内容を示す模式図であり、サイズ依存性データ、電圧依存性データに対してはダイオード電流モデル式Ｉｄ（Ｗ，Ｌ，Ｖ）の形式でデータが格納されている。温度依存性データは、テーブルマップ方式で、複数の温度条件に対してのサイズ依存性データと電圧依存性データのモデル式が準備されている。すなわち、モデル式の形状は等しいが、モデルパラメータを温度ごとに変更している。
【０２７８】
ダイオード電流モデル式は、図３３に示した通りであり、そのなかでＩｓ、ｎ、ｄＷ、ｄＬ（通常はｄＬ＝ｄＷ）はモデルパラメータである。ｑは電子の電荷、ｋはボルツマン定数である。
【０２７９】
なお、このモデル式は一般的な半導体物性の本にも書かれているような式であるが、他の形態をとっても差し支えない。
【０２８０】
なお、サイズ依存性データと電圧依存性データについても、モデル式を用いずにテーブルマップ形式のデータベースでも差し支えない。
【０２８１】
以上がダイオード特性データベース２８３についての説明である。
【０２８２】
図３２において、ダイオード特性値計算部２８２以降の処理は、第９の実施形態と同じである。修正を繰り返して決定したサイズは、サイズ出力２６９として出力される。
【０２８３】
以上のように、本実施形態によれば、仕様で指定した内容を満たすダイオード素子のサイズを自動決定することができる。
【０２８４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、回路設計において、デバイス情報に基づいてデバイスサイズ決定を行う際の設計工数を削減し、かつ設計不良を削減するとともに、デバイス特性データベースのデータ量を削減したデバイスサイズの自動決定装置および方法を実現することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態による、抵抗素子のサイズ自動決定処理部１１３の構成および処理の流れを示すモデル図
【図２】図１のレイアウト制約解釈部１０３の構成および処理の流れを示す図
【図３】図１のサイズ修正部１０８の構成および処理の流れを示す図
【図４】図１の抵抗サイズ依存性データベース１０９における所定のサイズ範囲のデータ配置を示す模式図
【図５】図１の抵抗サイズ依存性データベース１０９から内挿計算で目的のデータを抽出する方法を説明するための模式図
【図６】図１の抵抗サイズ依存性データベース１０９から目的のデータを抽出する際の内挿計算式の例を示す図
【図７】本発明の第２の実施形態による、指定した電圧条件での抵抗素子のサイズ自動決定処理部１４５の構成および処理の流れを示すモデル図
【図８】図７の抵抗サイズ＆バイアス依存性データベース１４３におけるデータ内容を示す模式図
【図９】図７の抵抗サイズ＆バイアス依存性データベース１４３から目的のデータを抽出する際の内挿計算による各段階を示す図
【図１０】図９で用いる線形内挿計算式の一般形を示す図
【図１１】図９で用いる線形内挿計算の考え方の説明図
【図１２】本発明の第３の実施形態による、指定した温度条件での抵抗素子のサイズ自動決定処理部１５５の構成および処理の流れを示すモデル図
【図１３】図１２の抵抗サイズ＆温度依存性データベース１５３におけるデータ内容を示す模式図
【図１４】本発明の第４の実施形態による、指定した許容ばらつき量条件での抵抗素子のサイズ自動決定処理部１６７の構成および処理の流れを示すモデル図
【図１５】本発明の第４の実施形態で用いるばらつき量のサイズ依存性データを示す模式図
【図１６】図１４のばらつきデータ解析部１６２で行なう演算条件の修正処理を説明するための模式図
【図１７】本発明の第５の実施形態による、指定した許容ミスマッチ量条件での抵抗素子のサイズ自動決定処理部１７５の構成および処理の流れを示すモデル図
【図１８】本発明の第５の実施形態で用いるミスマッチ量のサイズ依存性データを示す模式図
【図１９】本発明の第６の実施形態による、指定した許容シミュレーション誤差条件での抵抗素子のサイズ自動決定処理部１８５の構成および処理の流れを示すモデル図
【図２０】本発明の第６の実施形態で用いるシミュレーション誤差のサイズ依存性データを示す模式図
【図２１】本発明の第７の実施形態による、全ての仕様を同時に考慮した抵抗素子のサイズ自動決定処理部１９６の構成および処理の流れを示すモデル図
【図２２】図２１の初期値＆演算条件決定部１９２で行う処理を説明するための模式図
【図２３】図２１の抵抗特性データベース１９４におけるデータ内容を示す模式図
【図２４】本発明の第８の実施形態による、材料に複数の選択肢がある場合に抵抗素子の最適な材料とそのサイズを自動決定する処理部の構成および処理の流れを示すモデル図
【図２５】本発明の第９の実施形態による、モデル式の形式で特性データを保存した場合の抵抗特性データベース１９４’におけるデータ内容を示す模式図
【図２６】本発明の第１０の実施形態による容量素子のサイズ自動決定処理部におけるレイアウト制約解釈部２３１の内部構成および処理の流れを示すモデル図
【図２７】本発明の第１０の実施形態による容量素子のサイズ自動決定処理部におけるサイズ修正部２６８の内部構成および処理の流れを示すモデル図
【図２８】図２７のサイズ修正部２６８におけるＷ＝Ｌ演算部２３６の内部構成および処理の流れを示すモデル図
【図２９】図２７のサイズ修正部２６８におけるＷ≠Ｌ演算部２３７の内部構成および処理の流れを示すモデル図
【図３０】本発明の第１０の実施形態による容量素子のサイズ自動決定処理部２７２の構成および処理の流れを示すモデル図
【図３１】図３０の容量特性データベース２６６におけるデータ内容を示す模式図
【図３２】本発明の第１１の実施形態によるダイオード素子のサイズ自動決定処理部２８５の構成および処理の流れを示すモデル図
【図３３】図３２のダイオード特性データベース２８３におけるデータ内容を示す模式図
【図３４】従来の、抵抗素子のサイズ自動決定処理部３１０の構成および処理の流れを示すモデル図
【図３５】抵抗素子形状の例を示す図
【図３６】高精度な設計のための追加検討処理部３１４の構成を示すモデル図
【図３７】抵抗素子の線長Ｌに対する抵抗値Ｒのばらつき幅の関係を示す図
【図３８】抵抗素子の線長Ｌに対する抵抗値Ｒのミスマッチ幅の関係を示す図
【図３９】従来の、高精度設計のため複数の項目検討を実施するサイズ決定処理フロー（手動）
【符号の説明】
１０１　抵抗仕様（設計仕様）
１０２　仕様入力部（第１の仕様入力部）
１０３　レイアウト制約解釈部
１０４　初期値
１０５　演算条件
１０６　抵抗値計算部
１０７　判定部
１０８　サイズ修正部
１０９　抵抗サイズ依存性データベース（第１のデバイス特性データベース）
１１０　サイズ出力
１１１　エラー出力
１１２　サイズ検討部（第１のサイズ検討部）
１１３　サイズ自動決定処理部
１２０　制約別分岐処理部
１２１　面積最小時処理部
１２２　第１の初期値
１２３　第１の演算条件
１２４　ＷＬ範囲制約時処理部
１２５　第２の初期値
１２６　第２の演算条件
１２７　制約なし時処理部
１２８　第３の初期値
１２９　第３の演算条件
１３０　Ｌサイズ修正部
１３１　Ｌサイズ判定部
１３２　修正サイズ
１３３　Ｌ演算範囲端設定部
１３４　Ｗサイズ修正部
１３５　Ｗサイズ判定部
１３６　Ｗ演算範囲端設定部
１３７　繰り返し判定部
１４０　抵抗仕様（設計仕様）
１４１　仕様入力部（第２の仕様入力部）
１４２　抵抗値計算部
１４３　抵抗サイズ＆バイアス依存性データベース（第２のデバイス特性データベース）
１４４　サイズ検討部（第２のサイズ検討部）
１４５　サイズ自動決定処理部
１５０　抵抗仕様（設計仕様）
１５１　仕様入力部（第３の仕様入力部）
１５２　抵抗値計算部
１５３　抵抗サイズ＆温度依存性データベース（第３のデバイス特性データベース）
１５４　サイズ検討部（第３のサイズ検討部）
１５５　サイズ自動決定処理部
１６０　抵抗仕様（設計仕様）
１６１　仕様入力部（第４の仕様入力部）
１６２　ばらつきデータ解析部
１６３　修正初期値
１６４　修正演算条件
１６５　抵抗ばらつきサイズ依存性データベース（第４のデバイス特性データベース）
１６６　サイズ検討部（第４のサイズ検討部）
１６７　サイズ自動決定処理部
１７０　抵抗仕様（設計仕様）
１７１　仕様入力部（第５の仕様入力部）
１７２　ミスマッチデータ解析部
１７３　抵抗ミスマッチサイズ依存性データベース（第５のデバイス特性データベース）
１７４　サイズ検討部（第５のサイズ検討部）
１７５　サイズ自動決定処理部
１８０　抵抗仕様（設計仕様）
１８１　仕様入力部（第６の仕様入力部）
１８２　シミュレーション誤差解析部
１８３　抵抗シミュレーション誤差サイズ依存性データベース（第６のデバイス特性データベース）
１８４　サイズ検討部（第６のサイズ検討部）
１８５　サイズ自動決定処理部
１９０　抵抗仕様（設計仕様）
１９１　仕様入力部（第７の仕様入力部）
１９２　初期値＆演算条件決定部
１９３　抵抗値計算部
１９４　抵抗特性データベース（第７のデバイス特性データベース）
１９４’　抵抗特性データベース（モデル式の形式でのデバイス特性データベース）
１９５　サイズ検討部（第７のサイズ検討部）
１９６　サイズ自動決定処理部
２００　抵抗仕様（設計仕様）
２０１　仕様入力部
２０２　Ａデバイス用サイズ自動決定処理部
２０３　Ａデバイスデータベース
２０４　結果出力Ａ
２０５　Ｂデバイス用サイズ自動決定処理部
２０６　Ｂデバイスデータベース
２０７　結果出力Ｂ
２０８　比較部
２０９　サイズ出力
２１０　エラー出力
２２１　制約別分岐処理部
２２２　面積最小時処理部
２２３　第１の初期値
２２４　第１の演算条件
２２５　ＷＬ範囲制約時処理部
２２６　第２の初期値
２２７　第２の演算条件
２２８　制約なし時処理部
２２９　第３の初期値
２３０　第３の演算条件
２３１　レイアウト制約解釈部
２３２　レイアウト上の制約から得た初期値
２３３　レイアウト上の制約から得た演算条件
２３５　演算方法分岐部
２３６　Ｗ＝Ｌ演算部
２３７　Ｗ≠Ｌ演算部
２３８　修正サイズ
２４０　サイズ修正部
２４１　サイズ判定部
２４２　演算範囲端設定部
２４３　繰り返し判定部
２５０　Ｌサイズ修正部
２５１　Ｌサイズ判定部
２５２　Ｌ演算範囲端設定部
２５３　Ｗサイズ修正部
２５４　Ｗサイズ判定部
２５５　Ｗ演算範囲端設定部
２５６　繰り返し判定部
２６０　容量仕様（設計仕様）
２６１　仕様入力部（第７の仕様入力部）
２６２　初期値＆演算条件決定部
２６３　初期値
２６４　演算条件
２６５　容量値計算部
２６６　容量特性データベース（第７のデバイス特性データベース）
２６７　判定部
２６８　サイズ修正部
２６９　サイズ出力
２７０　エラー出力
２７１　サイズ検討部（第７のサイズ検討部）
２７２　サイズ自動決定処理部
２８０　ダイオード仕様（設計仕様）
２８１　仕様入力部（第７の仕様入力部）
２８２　ダイオード特性値計算部
２８３　ダイオード特性データベース（第７のデバイス特性データベース）
２８４　サイズ検討部（第７のサイズ検討部）
２８５　サイズ自動決定処理部
３０１　抵抗値検討部
３０２　設計デバイス仕様
３０３　仕様入力部
３０４　シート数検討部
３０５　第１のデバイス情報部
３０６　シート数仕様
３０７　サイズ検討部
３０８　デザインルール部
３０９　サイズ出力
３１０　従来のサイズ自動決定処理部
３１１　追加データ検討部
３１２　第２のデバイス情報部
３１３　修正サイズ出力
３１４　追加検討処理部
３１５　第一段階検討
３１６　第二段階検討
３１７　第三段階検討
３１８　最終段階検討
３１９　修正サイズ
【図１】
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【図２】
2004062346.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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