(57)【要約】【課題】２層の情報層を有する光記録媒体において、上層の情報層の光透過率の波長依存度を抑制する。【解決手段】基板１１と、基板１１上に設けられた情報層Ｌ０，Ｌ１とを備える。情報層Ｌ１は、第１及び第２の誘電体膜３３，３１と、第１の誘電体膜３３と第２の誘電体膜３１との間に設けられた記録膜３２とを有し、第１及び第２の誘電体膜３３，３１の少なくとも一方は、記録及び／又は再生に用いられるレーザビームＬの波長領域において光透過率の波長依存度が２回目の極小値又はこれに近い膜厚に設定されている。これにより、光透過率の波長依存度が１回目の極小値をとる膜厚に設定されている場合に比べて記録膜３２の腐食をより効果的に防止することができるとともに、３回目の極小値をとる膜厚に設定されている場合に比べて誘電体膜３２にクラックが発生し難くなる。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に設けられた複数の情報層とを備え、前記複数の情報層のうち光入射面から最も遠い情報層とは異なる所定の情報層は、第１及び第２の誘電体膜と、前記第１の誘電体膜と前記第２の誘電体膜との間に設けられた記録膜とを有し、前記第１及び第２の誘電体膜の少なくとも一方は、記録及び／又は再生に用いられるレーザビームの波長領域において光透過率の波長依存度が極小となる複数の膜厚のうち、最も薄い膜厚の次に厚い膜厚又はこれに近い膜厚に設定されていることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
前記レーザビームの波長が３８０ｎｍ〜４５０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記第１及び第２の誘電体膜の少なくとも一方は、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物を主成分とする材料からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の光記録媒体。
【請求項４】
前記第１及び第２の誘電体膜のうち、前記記録膜からみて前記光入射面側に位置する誘電体膜はＴｉＯ２を主成分とする材料からなり、前記記録膜からみて前記光入射面とは反対側に位置する誘電体膜はＺｎＳとＳｉＯ２との混合物を主成分とする材料からなることを特徴とする請求項３に記載の光記録媒体。
【請求項５】
前記記録膜は、積層された少なくとも第１及び第２の反応膜によって構成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【請求項６】
前記第１の反応膜は、アルミニウム（Ａｌ），シリコン（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），錫（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ），銅（Ｃｕ），マグネシウム（Ｍｇ），チタン（Ｔｉ）及びビスマス（Ｂｉ）からなる群より選ばれた一の材料を主成分とし、前記第２の反応膜は、上記群より選ばれた他の材料を主成分とすることを特徴とする請求項５に記載の光記録媒体。
【請求項７】
前記第１の反応膜は銅（Ｃｕ）を主成分とし、前記第２の反応膜はシリコン（Ｓｉ）を主成分とすることを特徴とする請求項６に記載の光記録媒体。
【請求項８】
基板と、前記基板上に設けられた複数の情報層とを備え、前記複数の情報層のうち光入射面から最も遠い情報層とは異なる所定の情報層は、第１及び第２の誘電体膜と、前記第１の誘電体膜と前記第２の誘電体膜との間に設けられた記録膜とを有し、前記第１及び第２の誘電体膜の少なくとも一方はＺｎＳとＳｉＯ２との混合物を主成分とする材料からなり、その膜厚は１００ｎｍ〜１３０ｎｍに設定されていることを特徴とする光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光記録媒体に関し、特に、積層された複数の情報層を備える光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されている。このような光記録媒体に要求される記録容量は年々増大し、これを達成するために種々の提案がなされている。かかる提案の一つとして、光記録媒体に含まれる情報層を２層構造とする手法が提案され、再生専用の光記録媒体であるＤＶＤ−ＶｉｄｅｏやＤＶＤ−ＲＯＭにおいて実用化されている。再生専用の光記録媒体においては基板表面に形成されたピットが情報層となり、このような基板が中間層を介して積層された構造を有している。
【０００３】
また近年、ユーザによるデータの記録が可能な光記録媒体に対しても情報層を多層構造とする手法が提案されており、例えば、特許文献１には書き換え型光記録媒体において情報層を２層構造とする技術が開示されている。同特許文献に記載された光記録媒体においては、相変化材料からなる記録膜及びこれを挟んで形成された誘電体膜（保護膜）が情報層として用いられ、かかる情報層が中間層を介して積層された構造を有している。
【０００４】
情報層が多層構造である書き込み可能な光記録媒体にデータを記録する場合、レーザビームのフォーカスをいずれか一つの情報層に合わせ、その強度を再生パワー（Ｐｒ）よりも十分に高い記録パワー（Ｐｗ）に設定することによって、当該情報層に含まれる記録膜の状態（物理的状態及び／又は化学的状態）を変化させ、これによって所定の部分に記録マークを形成する。このようにして形成された記録マークは、記録マークが形成されていないブランク領域とは異なる光学特性を有することから、再生パワー（Ｐｒ）に設定されたレーザビームのフォーカスをいずれか一方の情報層に合わせ、その反射光量を検出することによって記録されたデータを再生することができる。
【０００５】
ここで、積層された複数の情報層のうち光入射面から最も遠い情報層を「Ｌ０層」とし、以下、光入射面へ近づくに連れて「Ｌ１層，Ｌ２層，Ｌ３層，Ｌ４層・・・」とした場合、Ｌ０層に対してデータの記録又は再生を行う場合には、Ｌ１層，Ｌ２層，Ｌ３層，Ｌ４層・・・を介してレーザビームが照射されることになる。同様に、Ｌ１層に対してデータの記録又は再生を行う場合には、Ｌ２層，Ｌ３層，Ｌ４層・・・を介してレーザビームが照射され、Ｌ２層に対してデータの記録又は再生を行う場合には、Ｌ３層，Ｌ４層・・・を介してレーザビームが照射されることになる。したがって、より下層（光入射面からより遠い）に位置する情報層に対するデータの記録及び再生を有効に行うためには、より上層（光入射面により近い）に位置する情報層は十分な光透過率を有している必要があり、そのためＬ１層，Ｌ２層，Ｌ３層，Ｌ４層・・・には反射膜が設けられないか、或いは反射膜の膜厚が非常に薄く設定される。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−２４３６５５号公報
【発明が解決しようとする課題】
このように、積層された複数の情報層を有する光記録媒体においては、下層に位置する情報層（例えばＬ０層）に対してデータの記録又は再生を行う場合、上層に位置する情報層（例えばＬ１層）を介してレーザビームを照射する必要があることから、下層の情報層に到達するレーザビーム光量及び下層の情報層からの反射光量は、当該情報層からみて上層に位置する情報層の光透過率の影響を大きく受けることになる。
【０００７】
しかしながら、情報層の光透過率は、通常レーザビームの波長に対して依存性を有している。このため、温度変化等によりレーザビームの波長が記録時又は再生時に変動すると、下層の情報層に到達するレーザビーム光量や下層の情報層からの反射光量が記録又は再生の途中で変動してしまう。また、半導体レーザの製造ばらつきにより、実際の波長が目的とする波長からずれている場合には、下層の情報層に到達するレーザビーム光量や下層の情報層からの反射光量が期待される値を下回る可能性がある。これらはいずれも記録特性や再生特性に悪影響を与えることから、情報層の光透過率としては、レーザビームの波長に対する依存度が小さいことが望ましいと言える。
【０００８】
したがって、本発明の目的は、少なくとも２層の情報層を有する光記録媒体であって、上層の情報層における光透過率の波長依存度が小さい光記録媒体を提供することである。
【０００９】
他方、本発明者の研究によれば、情報層が記録膜とこれを挟む２つの誘電体膜を含んでいる場合、Ｌ０層よりもＬ１層，Ｌ２層，Ｌ３層，Ｌ４層・・・の方が記録膜に腐食が生じやすいことが明らかとなった。これは、Ｌ１層，Ｌ２層，Ｌ３層，Ｌ４層・・・には反射膜が設けられないか、或いは反射膜の膜厚が非常に薄く設定されることから、Ｌ０層とは異なり反射膜による防水効果が期待できないためであると考えられる。Ｌ１層，Ｌ２層，Ｌ３層，Ｌ４層・・・における記録膜の腐食を防止するためには、これを挟む誘電体膜の膜厚を厚く設定することが有効であるが、過度に厚くすると誘電体膜の持つ応力によって誘電体膜にクラックが生じる可能性がある。したがって、Ｌ１層，Ｌ２層，Ｌ３層，Ｌ４層・・・における誘電体膜の膜厚としては、膜応力によりクラックが生じない限度において、ある程度厚く設定することが望ましい。
【００１０】
したがって、本発明の他の目的は、少なくとも２層の情報層を有する光記録媒体であって、上層の情報層に含まれる記録膜の腐食が防止されるとともに、クラックの発生が防止された光記録媒体を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、光透過率の波長依存度を抑制すべく鋭意研究を重ねた結果、光透過率の波長依存度は、記録膜に隣接して設けられる誘電体膜の膜厚に対して周期的であることを見いだした。
【００１２】
本発明はこのような技術的知見に基づきなされたものであって、本発明の一側面による光記録媒体は、基板と、前記基板上に設けられた複数の情報層とを備え、前記複数の情報層のうち光入射面から最も遠い情報層とは異なる所定の情報層は、第１及び第２の誘電体膜と、前記第１の誘電体膜と前記第２の誘電体膜との間に設けられた記録膜とを有し、前記第１及び第２の誘電体膜の少なくとも一方は、記録及び／又は再生に用いられるレーザビームの波長領域において光透過率の波長依存度が２回目の極小値、つまり、光透過率の波長依存度が極小となる複数の膜厚のうち、最も薄い膜厚の次に厚い膜厚又はこれに近い膜厚に設定されている。
【００１３】
本発明によれば、第１及び第２の誘電体膜の少なくとも一方が、光透過率の波長依存度が２回目の極小値をとる膜厚又はこれに近い膜厚に設定されていることから、１回目の極小値をとる膜厚に設定されている場合に比べて記録膜の腐食をより効果的に防止することができるとともに、３回目の極小値をとる膜厚に設定されている場合に比べて誘電体膜にクラックが発生し難くなる。しかも、誘電体膜の材料によっては、１回目の極小値をとる膜厚に設定した場合よりも光透過率の波長依存度がさらに小さくなることから、この場合には下層に位置する情報層への記録及び／又は再生をより安定的に行うことが可能となる。
【００１４】
また、前記レーザビームの波長は３８０ｎｍ〜４５０ｎｍであることが好ましく、前記第１及び第２の誘電体膜の少なくとも一方は、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物を主成分とする材料からなることが好ましい。ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物を主成分とする材料を用いれば、少なくとも上記波長領域において、１回目の極小値をとる膜厚に設定した場合よりも２回目の極小値をとる膜厚又はこれに近い膜厚に設定した方が光透過率の波長依存度が小さくなるからである。また、前記第１及び第２の誘電体膜のうち、前記記録膜からみて前記光入射面側に位置する誘電体膜はＴｉＯ２を主成分とする材料からなり、前記記録膜からみて前記光入射面とは反対側に位置する誘電体膜はＺｎＳとＳｉＯ２との混合物を主成分とする材料からなることがさらに好ましい。ＴｉＯ２を主成分とする誘電体膜は少なくとも上記波長領域における屈折率（ｎ）が高く、このため、これを光入射面側に位置させることにより良好な光学特性を得ることが可能となるからである。
【００１５】
また、前記記録膜は、積層された少なくとも第１及び第２の反応膜によって構成されていることが好ましく、前記第１の反応膜は、アルミニウム（Ａｌ），シリコン（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），錫（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ），銅（Ｃｕ），マグネシウム（Ｍｇ），チタン（Ｔｉ）及びビスマス（Ｂｉ）からなる群より選ばれた一の材料を主成分とし、前記第２の反応膜は、上記群より選ばれた他の材料を主成分とすることがより好ましい。このような材料を主成分とする反応膜を用いれば、特に波長が３８０ｎｍ〜４５０ｎｍであるレーザビームに対する光透過率が高くなるとともに、積層状態である部分の光透過率と混合状態である部分の光透過率との差が小さいことから、下層に位置する情報層に対する記録及び／又は再生を安定的に行うことが可能となる。この場合、前記第１の反応膜は銅（Ｃｕ）を主成分とし、前記第２の反応膜はシリコン（Ｓｉ）を主成分とすることが特に好ましい。かかる材料を選択すれば、積層状態である部分の光透過率と混合状態である部分の光透過率との差が非常に小さくなることから、下層に位置する情報層に対する記録及び／又は再生をより安定的に行うことが可能となる。しかも、再生信号のノイズレベルがより低く抑えられ、さらに、環境負荷を抑制することも可能となる。
【００１６】
本発明の他の側面による光記録媒体は、基板と、前記基板上に設けられた複数の情報層とを備え、前記複数の情報層のうち光入射面から最も遠い情報層とは異なる所定の情報層は、第１及び第２の誘電体膜と、前記第１の誘電体膜と前記第２の誘電体膜との間に設けられた記録膜とを有し、前記第１及び第２の誘電体膜の少なくとも一方はＺｎＳとＳｉＯ２との混合物を主成分とする材料からなり、その膜厚は１００ｎｍ〜１３０ｎｍに設定されている。
【００１７】
本発明によれば、上記材料からなる誘電体膜の膜厚を約２５ｎｍ程度に設定した場合と比べて光透過率の波長依存度が小さくなることから、下層に位置する情報層への記録及び／又は再生をより安定的に行うことが可能となる。しかも、誘電体膜にクラックを生じさせることなく、記録膜の腐食を効果的に防止することも可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００１９】
図１（ａ）は、本発明の好ましい実施形態による光記録媒体１０の外観を示す切り欠き斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すＡ部を拡大した部分断面図である。
【００２０】
本実施形態による光記録媒体１０は、外径が約１２０ｍｍ、厚みが約１．２ｍｍである円盤状の光記録媒体であり、図１（ｂ）に示すように、支持基板１１と、透明中間層１２と、光透過層（保護層）１３と、支持基板１１と透明中間層１２との間に設けられた情報層Ｌ０と、透明中間層１２と光透過層１３との間に設けられた情報層Ｌ１とを備える。情報層Ｌ０は、光入射面１３ａから遠い側の情報層を構成し、情報層Ｌ１は、光入射面１３ａから近い側の情報層を構成する。このように、本実施形態による光記録媒体１０は、積層された２層の情報層（情報層Ｌ０及び情報層Ｌ１）を有している。
【００２１】
以下に詳述するが、情報層Ｌ０に対してデータの記録／再生を行う場合、並びに、情報層Ｌ１に対してデータの記録／再生を行う場合には、光入射面１３ａ側から波長が３８０ｎｍ〜４５０ｎｍであるレーザビーム１５が照射され、その焦点が情報層Ｌ０及び情報層Ｌ１のいずれか一方に合わせられる。
【００２２】
支持基板１１は、光記録媒体１０に求められる厚み（約１．２ｍｍ）を確保するために用いられる円盤状の基板であり、その一方の面には、その中心部近傍から外縁部に向けて、グルーブ１１ａ及びランド１１ｂが螺旋状に形成されている。これらグルーブ１１ａ及び／又はランド１１ｂは、情報層Ｌ０に対してデータの記録を行う場合におけるレーザビーム１５のガイドトラックとしての役割を果たす。特に限定されるものではないが、グルーブ１１ａの深さとしては１０ｎｍ〜４０ｎｍに設定することが好ましく、グルーブ１１ａのピッチとしては０．２μｍ〜０．４μｍに設定することが好ましい。支持基板１１の材料としては種々の材料を用いることが可能であり、例えば、ガラス、セラミックス、あるいは樹脂を用いることができる。これらのうち、成形の容易性の観点から樹脂が好ましい。このような樹脂としてはポリカーボネート樹脂、オレフィン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。中でも、加工性などの点からポリカーボネート樹脂やオレフィン樹脂が特に好ましい。但し、支持基板１１は、レーザビーム１５の光路とはならないことから、高い光透過性を有している必要はない。
【００２３】
支持基板１１は、スタンパを用いた射出成形法によって作製することが好ましいが、２Ｐ法等、他の方法によってこれを作製することも可能である。
【００２４】
透明中間層１２は、情報層Ｌ０と情報層Ｌ１とを物理的及び光学的に十分な距離をもって離間させる役割を果たし、その表面にはグルーブ１２ａ及びランド１２ｂが設けられている。これらグルーブ１２ａ及び／又はランド１２ｂは、情報層Ｌ１に対してデータの記録を行う場合におけるレーザビーム１５のガイドトラックとしての役割を果たす。グルーブ１２ａの深さやピッチは、支持基板１１に設けられたグルーブ１１ａの深さやピッチと同程度に設定すればよい。透明中間層１２の厚みとしては５μｍ〜５０μｍに設定することが好ましく、１０μｍ〜４０μｍに設定することが特に好ましい。また、透明中間層１２の材料としては特に限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。透明中間層１２は、情報層Ｌ０に対してデータの記録／再生を行う場合にレーザビーム１５の光路となることから、十分に高い光透過性を有している必要がある。
【００２５】
透明中間層１２は、スタンパを用いた２Ｐ法によって形成することが好ましいが、他の方法によってこれを形成しても構わない。
【００２６】
光透過層１３は、レーザビーム１５の光路となるとともに光入射面１３ａを構成し、その厚みとしては、３０μｍ〜２００μｍに設定することが好ましい。光透過層１３の材料としては、特に限定されるものではないが、透明中間層１２と同様、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。上述のとおり、光透過層１３はレーザビーム１５の光路となることから、十分に高い光透過性を有している必要がある。
【００２７】
光透過層１３は、アクリル系又はエポキシ系の紫外線硬化性樹脂を用いたスピンコート法によって形成することが好ましいが、光透過性樹脂からなる光透過性シートと各種接着剤や粘着剤を用いて光透過層１３を形成してもよい。
【００２８】
次に、情報層Ｌ１の構造について説明する。
【００２９】
図２は、情報層Ｌ１の構造を拡大して示す部分断面図である。図２に示すように、情報層Ｌ１は、透明中間層１２側から誘電体膜３１、記録膜３２及び誘電体膜３３が積層された構造を有し、このうち記録膜３２は、透明中間層１２側に位置する反応膜３２ａと光透過層１３側に位置する反応膜３２ｂとが積層された構造を有している。尚、情報層Ｌ１には反射膜が含まれていない。これは、情報層Ｌ０に対してデータの記録／再生を行う場合に、情報層Ｌ１を介してレーザビーム１５が照射されるため、情報層Ｌ０に対してデータの記録／再生を有効に行うためには、情報層Ｌ１の光透過率を高める必要があるからである。但し、本発明による光記録媒体において、情報層Ｌ１に反射膜を設けてはならないわけではなく、情報層Ｌ０に対するデータの記録／再生を妨げない範囲において薄い反射膜を設けても構わない。反射膜を設ける場合、透明中間層１２と誘電体膜３１との間に設けられることになる。
【００３０】
一方、情報層Ｌ０の構成については特に限定されないが、情報層Ｌ１と同様の構成とすることが好ましい。この場合、支持基板１１と下層の誘電体膜との間に反射膜を設けることがより好ましい。但し、情報層Ｌ０は追記型の情報層である必要はなく、例えば、記録膜を備えない再生専用の情報層であっても構わない。この場合、支持基板１１上に螺旋状のピット列が設けられ、かかるピット列によって情報が保持される。
【００３１】
次に、情報層Ｌ１を構成する各膜について詳述する。
【００３２】
記録膜３２は不可逆的な記録マークが形成される層であり、図２に示すように反応膜３２ａ，３２ｂからなる積層構造を有している。記録膜３２のうち未記録状態である領域は、図２に示すように反応膜３２ａ，３２ｂが積層された状態となっているが、所定以上のパワーを持つレーザビーム１５が照射されると、その熱によって、図３に示すように反応膜３２ａ，３２ｂを構成する元素がそれぞれ部分的又は全体的に混合されて記録マークＭとなる。このとき、記録マークＭの形成された混合部分とそれ以外の部分（ブランク領域）とではレーザビーム１５に対する反射率が大きく異なるため、これを利用してデータの記録・再生を行うことができる。記録されるデータは、記録マークＭの長さ（記録マークＭの前縁から後縁までの長さ）及びブランク領域の長さ（記録マークＭの後縁から次の記録マークＭの前縁までの長さ）によって表現される。記録マークＭ及びブランク領域の長さは、基準となるクロックの１周期に相当する長さをＴとした場合、Ｔの整数倍に設定される。具体的には、１，７ＲＬＬ変調方式においては、２Ｔ〜８Ｔの長さを持つ記録マークＭ及びブランク領域が使用される。
【００３３】
ここで、反応膜３２ａの材料としては、アルミニウム（Ａｌ），シリコン（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），錫（Ｓｎ），亜鉛（Ｚｎ），銅（Ｃｕ），マグネシウム（Ｍｇ），チタン（Ｔｉ）及びビスマス（Ｂｉ）からなる群より選ばれた一の材料を主成分とし、反応膜３２ｂの材料としては上記群より選ばれた他の材料を主成分とすることが好ましい。本明細書において反応膜の「主成分」とは、当該膜を構成する元素のうち最も構成比率（原子比）の高い元素を指す。特に、再生信号のノイズレベルをより低く抑えるためには、反応膜３２ａ及び反応膜３２ｂの一方の主成分を銅（Ｃｕ）とすることが好ましく、一方の主成分を銅（Ｃｕ）とし他方の主成分をシリコン（Ｓｉ）とすることが最も好ましい。この場合、光透過層１３側に位置する反応膜３２ｂの主成分がシリコン（Ｓｉ）であり、透明中間層１２側に位置する反応膜３２ａの主成分が銅（Ｃｕ）であることが好ましい。反応膜の材料としてこのような元素を主成分とする材料を用いることにより、再生信号のノイズレベルをより低く抑えることができるとともに、環境負荷を抑制することが可能となる。
【００３４】
また、反応膜３２ａ及び反応膜３２ｂの一方の主成分が銅（Ｃｕ）である場合には、これにアルミニウム（Ａｌ），亜鉛（Ｚｎ），錫（Ｓｎ），金（Ａｕ）又はマグネシウム（Ｍｇ）が添加されていることが好ましく、反応膜３２ａ及び反応膜３２ｂの一方の主成分がアルミニウム（Ａｌ）である場合には、これにマグネシウム（Ｍｇ），金（Ａｕ），チタン（Ｔｉ）又は銅（Ｃｕ）が添加されていることが好ましく、反応膜３２ａ及び反応膜３２ｂの一方の主成分が亜鉛（Ｚｎ）である場合には、これにマグネシウム（Ｍｇ），アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）が添加されていることが好ましく、反応膜３２ａ及び反応膜３２ｂの一方の主成分がチタン（Ｔｉ）である場合には、これにアルミニウム（Ａｌ）が添加されていることが好ましい。このような元素を添加すれば、再生信号のノイズレベルがより低く抑えられるとともに、長期間の保存に対する信頼性を高めることが可能となる。
【００３５】
上述したような材料からなる記録膜３２は、波長が３８０ｎｍ〜４５０ｎｍであるレーザビーム１５に対する光透過率が高いのみならず、積層状態である部分（記録マークＭ以外の部分）の光透過率と、混合状態である部分（記録マークＭが形成された部分）の光透過率との差が非常に小さい。具体的には、レーザビーム１５の波長λが３８０ｎｍ〜４５０ｎｍである場合において、積層部分と混合部分との光透過率差が３％以下となり、特に、反応膜３２ａ及び反応膜３２ｂの一方の主成分を銅（Ｃｕ）とし他方の主成分をシリコン（Ｓｉ）とすれば、次世代型の光記録媒体に用いられる波長λ＝約４０５ｎｍのレーザビームについて上記光透過率差を１％以下とすることができる。これにより、情報層Ｌ０に対してデータの記録／再生を行う場合に、情報層Ｌ１上に形成されるビームスポット内が未記録領域（記録マークＭが存在しない領域）であるか記録領域（多数の記録マークＭが形成された領域）であるか、さらにはその境界線が存在するかによって、情報層Ｌ０に到達するレーザビーム１５の強度がほとんど変わらないことから、情報層Ｌ０に対する記録／再生を安定して行うことが可能となる。
【００３６】
また、記録膜３２の光透過率をより高めるためには、記録の前後における光学定数の差を十分に確保できる範囲においてその膜厚を薄く設定することが好ましい。具体的には、記録膜３２膜厚は２ｎｍ〜１５ｎｍに設定することが好ましい。これは、記録膜３２の膜厚が２ｎｍ未満であるとこれらを混合する前後における光学特性の差が十分に得られなくなる一方、１５ｎｍを超えると情報層Ｌ１全体の光透過率が低下し、情報層Ｌ０に対するデータの記録特性及び再生特性が悪化してしまうからである。また、記録膜３２の膜厚が１５ｎｍを超えると、情報層Ｌ１の記録感度が悪化するのみならず、ビームスポットが照射される反応膜３２ｂの表面の平坦性が悪化し、これに伴って再生信号のノイズレベルが高くなってしまうからである。
【００３７】
尚、記録膜３２の上記構造はあくまで一例であり、他の構造を有していても構わない。例えば、２つの反応膜３２ａと、これら２つの反応膜３２ａの間に配置された反応膜３２ｂとからなる３層構造であってもよいし、また、反応膜３２ａと反応膜３２ｂとの間に、反応膜３２ａを構成する材料と反応膜３２ｂを構成する材料とが混合されてなる混合層が介在していても構わない。さらに、錫（Ｓｎ）やチタン（Ｔｉ）等からなる単層構造であっても構わない。
【００３８】
一方、誘電体膜３１，３３は、これらの間に設けられる記録膜３２を物理的及び化学的に保護する役割を果たす。これにより、記録膜３２は光記録後、長期間にわたって記録情報の劣化が効果的に防止される。
【００３９】
誘電体膜３１，３３を構成する材料は、使用されるレーザビーム１５の波長領域において透明な誘電体であれば特に限定されず、例えば、酸化物、硫化物、窒化物又はこれらの組み合わせを主成分として用いることができるが、透明中間層１２等の熱変形防止や記録膜３２に対する保護特性の観点から、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＧｅＮ、ＧｅＣｒＮ、ＣｅＯ２、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ、Ｌａ２Ｏ３、ＴａＯ、ＴｉＯ２、ＳｉＡｌＯＮ（ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｉ３Ｎ４及びＡｌＮの混合物）及びＬａＳｉＯＮ（Ｌａ２Ｏ３，ＳｉＯ２及びＳｉ３Ｎ４の混合物）等、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）、セリウム（Ｃｅ）、チタン（Ｔｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、タンタル（Ｔａ）等の酸化物、窒化物、硫化物、炭化物あるいはそれらの混合物を用いることができる。特に、透明中間層１２側に位置する誘電体膜３１については、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物（より好ましくは、モル比＝８０：２０）を用いることが好ましく、光透過層１３側に位置する誘電体膜３３についてはＴｉＯ２を用いることが好ましい。
【００４０】
誘電体膜３１，３３は互いに同じ材料によって構成されていても構わないし、別の材料で構成されても構わない。さらに、誘電体膜３１，３３の一方又は両方が複数の誘電体膜からなる多層構造であっても構わない。
【００４１】
また、誘電体膜３１，３３は、記録の前後における光学特性の差を拡大する役割をも果たし、これを達成するためには、使用されるレーザビーム１５の波長領域において高い屈折率（ｎ）を有する材料を選択することが好ましい。光学特性の差を拡大する効果は、当該記録膜からみて光入射面１３ａ側に位置する誘電体膜３３において顕著であり、３８０ｎｍ〜４５０ｎｍの波長領域において屈折率（ｎ）の高い材料としては、ＴｉＯ２が挙げられる。誘電体膜３３の材料として、ＴｉＯ２を用いることが好ましいのはこのためである。さらに、レーザビーム１５を照射した場合に、誘電体膜３１，３３に吸収されるエネルギーが大きいと記録感度が低下することから、これを防止するためには、使用されるレーザビーム１５の波長領域において低い消衰係数（ｋ）を有する材料を選択することが好ましい。ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物及びＴｉＯ２はいずれも３８０ｎｍ〜４５０ｎｍの波長領域における消衰係数（ｋ）が比較的小さい。
【００４２】
本発明において誘電体膜３１，３３の膜厚は次のように設定される。
【００４３】
図４は、情報層Ｌ１全体の光透過率とレーザビーム１５の波長との関係の一例を示すグラフである。図４に示すように情報層Ｌ１の光透過率は一定ではなく、通常、波長に対してある程度の依存性を持っている。光透過率の波長依存度は、情報層Ｌ１の構造やこれを構成する各膜の材料によって変化するが、次世代型の光記録媒体に対して用いられる波長４０５ｎｍ程度のレーザビームに関して言えば、波長が短くなるにつれて光透過率が低下する傾向が見られることが多い。
【００４４】
ここで、当該光記録媒体１０の記録及び再生に用いるべく定められた波長（次世代型の光記録媒体においては約４０５ｎｍ）を「λ０」、λ０×０．９５で与えられる波長を「λ１」、λ０×１．０５で与えられる波長を「λ２」とし、λ０、λ１及びλ２における光透過率をそれぞれＴ０、Ｔ１及びＴ２とすると、光透過率の波長依存度Ｘは、
Ｘ＝｜Ｔ１−Ｔ２｜／Ｔ０
によって定義することができる。つまり、光透過率の波長依存度Ｘは、レーザビーム１５の波長が定められた波長から前後に５％ずれた場合における光透過率の変動率を示している。したがって、光透過率の波長依存度Ｘの値が小さければ、実際の波長がλ０近辺で変動しても光透過率の変動量は少なく、また、実際の波長がλ０からずれていても期待される光透過率Ｔ０からの乖離が小さいと言える。このため、下層に位置する情報層Ｌ０への記録・再生を安定して行うためには、上層に位置する情報層Ｌ１の光透過率の波長依存度Ｘがより小さくなるよう設計する必要がある。
【００４５】
図５及び図６は、誘電体膜３１，３３の一方の膜厚と光透過率の波長依存度Ｘとの関係である第１のパターン及び第２のパターンをそれぞれ模式的に示すグラフであり、いずれも誘電体膜３１，３３の他方の膜厚を固定した場合を想定している。膜厚と光透過率の波長依存度Ｘとの関係が第１のパターンとなるか第２のパターンとなるかは、当該誘電体膜の材料や波長λ０に依存するが、λ０＝３８０ｎｍ〜４５０ｎｍの波長領域においては、第１のパターンとなる材料としてＺｎＳとＳｉＯ２との混合物（モル比＝８０：２０）が挙げられ、第２のパターンとなる材料としてＴｉＯ２が挙げられる。誘電体膜３１，３３の材料として使用可能であるとして列挙した上記材料は、ほとんど全て、第１のパターン又は第２のパターンに分類される。
【００４６】
図５及び図６に示すように、いずれのパターンにおいても光透過率の波長依存度Ｘは誘電体膜の膜厚に関して周期的に変動する。このため、光透過率の波長依存度Ｘが１回目の極小値Ｘ１をとる膜厚をＤ１とし、以下、２回目、３回目・・・の極小値Ｘ２，Ｘ３・・・をとる膜厚をそれぞれＤ２、Ｄ３・・・とすると、Ｄｎ＋１−Ｄｎ  （ｎは自然数）
で与えられる値は、主に当該誘電体膜の屈折率によって決まるほぼ一定値となる。したがって、誘電体膜３１，３３の少なくとも一方の膜厚をＤ１，Ｄ２，Ｄ３・・・又はこれらに近い膜厚に設定すれば、光透過率の波長依存度Ｘを抑制することが可能となる。
【００４７】
しかしながら、光記録媒体１０においては、情報層Ｌ０内に記録膜３２と同様の記録膜が含まれる場合であっても情報層Ｌ１内の記録膜３２の方が腐食しやすく、このような傾向は支持基板１１がポリカーボネートのように透水性の高い材料からなる場合において特に顕著である。これは、情報層Ｌ０には厚い反射膜が設けられるのに対し、情報層Ｌ１にはこのような反射膜が設けられないか、或いは反射膜の膜厚が非常に薄く設定されることに起因するものと考えられる。したがって、情報層Ｌ１内の記録膜３２の腐食を防止するためには、誘電体膜３１，３３の少なくとも一方の膜厚を厚く設定すればよく、この点を考慮すれば、誘電体膜３１，３３の少なくとも一方の膜厚はＤ２又はこれに近い膜厚以上（Ｄ２，Ｄ３・・・又はこれらに近い膜厚）であることが好ましいと言える。一方、誘電体膜の膜厚が大きすぎると、膜応力によって誘電体膜にクラックが生じるおそれがあることから、この点を考慮すれば、誘電体膜３１，３３の少なくとも一方の膜厚はＤ２又はこれに近い膜厚以下（Ｄ１，Ｄ２又はこれらに近い膜厚）であることが好ましいと言える。
【００４８】
以上を総合的に考慮して、本実施形態による光記録媒体１０では、誘電体膜３１，３３の少なくとも一方の膜厚をＤ２又はこれに近い膜厚に設定している。これにより、光透過率の波長依存度Ｘを低く抑えつつ、記録膜３２の腐食や誘電体膜のクラックの発生を効果的に防止することが可能となる。
【００４９】
光透過率の波長依存度Ｘをより小さくするためには当該誘電体膜の膜厚をＤ２に一致させることが最も好ましいが、製造条件によるばらつき等を考慮すれば、光透過率の波長依存度Ｘが
Ｘ２×１．２
以下となる範囲において膜厚Ｄ２に近い値に設定すれば足りる。上述の通り、「Ｘ２」とは膜厚Ｄ２における光透過率の波長依存度である。したがって、本明細書において「２回目の極小値をとる膜厚又はこれに近い膜厚」とは、１回目の極小値をとる膜厚（Ｄ１）超、３回目の極小値をとる膜厚（Ｄ３）未満の膜厚であって、２回目の極小値（Ｘ２）の１．２倍以下の波長依存度が得られる膜厚であることを意味する。
【００５０】
また、図５及び図６に示すように、第１のパターンにおいては、
Ｘ１＞Ｘ２
であり、第２のパターンにおいては、
Ｘ１≦Ｘ２
であることから、第１のパターンを示す材料（例えばＺｎＳとＳｉＯ２との混合物）からなる誘電体膜の膜厚をＤ２又はこれに近い膜厚に設定すれば、光透過率の波長依存度Ｘをいっそう小さくことが可能となる。一方、第２のパターンを示す材料（例えばＴｉＯ２）からなる誘電体膜の膜厚をＤ２又はこれに近い膜厚に設定すると、光透過率の波長依存度Ｘの値は、膜厚をＤ１又はこれに近い膜厚に設定した場合と同じかそれ以上となる。したがって、誘電体膜３１，３３の一方が第１のパターンを示す材料からなり、他方が第２のパターンを示す材料からなる場合、上記一方の誘電体膜の膜厚をＤ２又はこれに近い膜厚に設定し、上記他方の誘電体膜の膜厚をＤ１又はこれに近い膜厚に設定することにより、光透過率の波長依存度Ｘを非常に小さくことが可能となる。尚、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物（モル比＝８０：２０）における膜厚Ｄ２は１００ｎｍ〜１３０ｎｍであり、ＴｉＯ２における膜厚Ｄ１は、２０ｎｍ〜３０ｎｍである。
【００５１】
また、上述した理由から、誘電体膜３３の材料としてはＴｉＯ２を用いることが好ましく、この点をも考慮すれば、誘電体膜３１の材料として第１のパターンを示すＺｎＳとＳｉＯ２との混合物（好ましくは、モル比＝８０：２０）を用いるとともにその膜厚をＤ２又はこれに近い膜厚に設定し、誘電体膜３３の材料として第２のパターンを示すＴｉＯ２を用いるとともにその膜厚をＤ１又はこれに近い膜厚に設定することが最も好ましいと言える。しかも、記録膜３２の腐食を防止するためには支持基板１１側に位置する誘電体膜３１の膜厚を厚く設定することが効果的であり、上記構成によれば、膜厚がＤ２又はこれに近い膜厚に設定された誘電体膜３１によって、記録膜３２の腐食を効果的に防止することが可能となる。
【００５２】
尚、上記誘電体膜３１、記録膜３２（反応膜３２ａ，３２ｂ）及び誘電体膜３３の形成方法としては、これらの構成元素を含む化学種を用いた気相成長法、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法を用いることができ、中でも、スパッタリング法を用いることが好ましい。
【００５３】
以上が本発明の好ましい実施形態による光記録媒体１０の構造であり、このような構造を有する光記録媒体１０の情報層Ｌ１にデータを記録する場合、強度変調されたレーザビーム１５を光入射面１３ａから入射し、その焦点を記録膜３２に合わせる。このとき、レーザビーム１５を集束するための対物レンズの開口数（ＮＡ）は例えば０．７以上、レーザビーム１５の波長λは例えば３８０ｎｍ〜４５０ｎｍに設定され、好ましくは、対物レンズの開口数（ＮＡ）は０．８５程度、レーザビーム１５の波長λは４０５ｎｍ程度に設定される。
【００５４】
このようなレーザビーム１５が照射されると記録膜３２が加熱され、上述したように、反応膜３２ａを構成する元素及び反応膜３２ｂを構成する元素が混合される。かかる混合部分は、図３に示す記録マークＭとなり、その反射率はそれ以外の部分（ブランク領域）の反射率と異なった値となることから、これを利用してデータの記録・再生を行うことが可能となる。
【００５５】
そして本実施形態による光記録媒体１０おいては、情報層Ｌ１に含まれる誘電体膜３１及び誘電体膜３３の少なくとも一方の膜厚がＤ２又はこれに近い膜厚に設定されているために、情報層Ｌ１の光透過率の波長依存度が非常に小さい。このため、温度変化等によりレーザビーム１５の波長が変動しても、下層の情報層Ｌ０に到達するレーザビーム光量や下層の情報層Ｌ０からの反射光量の変動が非常に少なく、また、半導体レーザの製造ばらつきによりレーザビーム１５の波長が目的とする波長（λ０）からずれている場合であっても、所望の光透過率（Ｔ０）と非常に近い値を得ることができる。このため、上層の情報層Ｌ１が下層の情報層Ｌ０の記録・再生に与える影響が小さく、情報層Ｌ０に対する記録・再生を安定して行うことが可能となる。
【００５６】
しかも、膜厚がＤ２又はこれに近い膜厚に設定された誘電体膜により記録膜３２が腐食から効果的に保護されることから、高い保存信頼性を得ることも可能となる。
【００５７】
以上が本発明の好ましい実施形態による光記録媒体１０の構造であり、このような構造を有する光記録媒体１０に記録されたデータを再生する場合、光入射面１３ａからレーザビーム１５が照射され、その反射光量が検出される。すなわち、記録膜３２は、未混合領域と混合領域（記録マークＭ）とで光反射率が異なっていることから、レーザビーム１５を光入射面１３ａから照射して記録膜３２の一方にフォーカスを合わせその反射光量を検出すれば、レーザビームが照射された部分における記録膜３２が混合領域であるか未混合領域であるかを判別することができる。
【００５８】
図７は、光記録媒体１０の情報層Ｌ１に対してデータを記録するためのレーザビーム１５のパルス列パターンの好ましい一例を示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｂ）は３Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｃ）は４Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｄ）は５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。
【００５９】
図７（ａ）〜（ｄ）に示すように、本パルス列パターンにおいては、レーザビーム１５の強度は記録パワーＰｗ、中間パワーＰｍ及び基底パワーＰｂからなる３つの設定強度（３値）に変調される。
【００６０】
これら記録パワーＰｗ、中間パワーＰｍ及び基底パワーＰｂの関係については、
Ｐｗ＞Ｐｍ＞Ｐｂ
に設定されるとともに、
記録パワーＰｗとしては、照射によって情報層Ｌ１に含まれる反応膜３２ａ，３２ｂが溶融混合するような高いレベルに設定され、中間パワーＰｍ及び基底パワーＰｂとしては、照射されても情報層Ｌ１に含まれる反応膜３２ａ，３２ｂが溶融混合しないような低いレベルに設定される。特に、基底パワーＰｂは、照射によって反応膜３２ａ，３２ｂに与える熱的な影響がほとんどなく、記録パワーＰｗを持つレーザビーム１５の照射により加熱された反応膜３２ａ，３２ｂが冷却されるような極めて低いレベルに設定される。
【００６１】
図７（ａ）に示すように、２Ｔ信号を形成する場合、レーザビーム１５の記録パルス数は「１」に設定され、その後、冷却期間ｔｃｌが挿入される。すなわち、レーザビーム１５の強度はタイミングｔ１１以前においては中間パワーＰｍに設定され、タイミングｔ１１からタイミングｔ１２までの期間（ｔｔｏｐ）においては記録パワーＰｗに設定され、タイミングｔ１２からタイミングｔ１３までの期間ｔｃｌにおいては基底パワーＰｂに設定され、タイミングｔ１３以降においては再び中間パワーＰｍに設定される。
【００６２】
また、図７（ｂ）に示すように、３Ｔ信号を形成する場合、レーザビーム１５の記録パルス数は「２」に設定され、その後、冷却期間ｔｃｌが挿入される。すなわち、レーザビーム１５の強度はタイミングｔ２１以前においては中間パワーＰｍに設定され、タイミングｔ２１からタイミングｔ２２までの期間（ｔｔｏｐ）及びタイミングｔ２３からタイミングｔ２４までの期間（ｔｌｐ）においては記録パワーＰｗに設定され、タイミングｔ２２からタイミングｔ２３までの期間（ｔｏｆｆ）及びタイミングｔ２４からタイミングｔ２５までの期間（ｔｃｌ）においては基底パワーＰｂに設定され、タイミングｔ２５以降においては再び中間パワーＰｍに設定される。
【００６３】
さらに、図７（ｃ）に示すように、４Ｔ信号を形成する場合、レーザビーム１５の記録パルス数は「３」に設定され、その後、冷却期間ｔｃｌが挿入される。すなわち、レーザビーム１５の強度はタイミングｔ３１以前においては中間パワーＰｍに設定され、タイミングｔ３１からタイミングｔ３２までの期間（ｔｔｏｐ）、タイミングｔ３３からタイミングｔ３４までの期間（ｔｍｐ）及びタイミングｔ３５からタイミングｔ３６までの期間（ｔｌｐ）においては記録パワーＰｗに設定され、タイミングｔ３２からタイミングｔ３３までの期間（ｔｏｆｆ）、タイミングｔ３４からタイミングｔ３５までの期間（ｔｏｆｆ）及びタイミングｔ３６からタイミングｔ３７までの期間（ｔｃｌ）においては基底パワーＰｂに設定され、タイミングｔ３７以降においては再び中間パワーＰｍに設定される。
【００６４】
そして、図７（ｄ）に示すように、５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合、レーザビーム１５の記録パルス数はそれぞれ「４」〜「７」に設定され、その後、冷却期間ｔｃｌが挿入される。したがって、マルチパルスの数は５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合それぞれ「２」〜「５」に設定される。この場合も、レーザビーム１５の強度は、ｔｔｏｐ（タイミングｔ４１からタイミングｔ４２までの期間）、ｔｍｐ（タイミングｔ４３からタイミングｔ４４までの期間、タイミングｔ４５からタイミングｔ４６までの期間等）及びｔｌｐの期間（タイミングｔ４７からタイミングｔ４８までの期間）においては記録パワーＰｗに設定され、オフ期間ｔｏｆｆ（タイミングｔ４２からタイミングｔ４３までの期間、タイミングｔ４６からタイミングｔ４７までの期間等）及び冷却期間ｔｃｌ（タイミングｔ４８からタイミングｔ４９までの期間）においては基底パワーＰｂに設定され、その他の期間においては中間パワーＰｍに設定される。
【００６５】
以上により、記録信号（２Ｔ信号〜８Ｔ信号）を形成すべき領域においては、記録パワーＰｗをもつレーザビーム１５の照射によって、情報層Ｌ１に含まれる反応膜３２ａ，３２ｂが溶融混合し、所望の長さを持った記録マークＭが形成される。
【００６６】
情報層Ｌ１に対するデータの記録において、図７に示したパルス列パターンを用いることが好ましい理由は次の通りである。
【００６７】
すなわち、上述したように情報層Ｌ１には反射膜が含まれていないため（或いは、非常に薄い反射膜しか設けられないため）、反射膜による放熱効果が全く（或いは十分に）得られない。このため、レーザビーム１５による熱が十分に放熱されず、これが信号特性を悪化させるおそれが生じる。しかしながら、情報層Ｌ１に対するデータの記録において図７に示したパルス列パターンを用いれば、記録パルスの直後においてレーザビーム１５の強度が基底パワーＰｂに設定されるので、熱が過剰に蓄積されることが無く、その結果、良好な信号特性を得ることが可能となるのである。
【００６８】
本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００６９】
例えば、上記実施態様にかかる光記録媒体１０は、非常に薄い光透過層１３を介してレーザビーム１５が照射されるいわゆる次世代型の光記録媒体であるが、本発明の適用が可能な光記録媒体がこれに限定されるものではなく、ＤＶＤ型の光記録媒体やＣＤ型の光記録媒体に本発明を適用することも可能である。
【００７０】
また、上記実施態様にかかる光記録媒体１０では、記録膜３２が２つの反応膜３２ａ，３２ｂのみによって構成されているが、記録膜に他の膜、例えば第３の反応膜や誘電体膜が含まれていても構わない。
【００７１】
さらに、上述した光記録媒体１０は積層された２つの情報層（Ｌ０，Ｌ１）を備えているが、積層された３層以上の情報層（Ｌ０，Ｌ１，Ｌ２・・・）を備える光記録媒体に本発明を適用することも可能である。この場合、より光入射面に近い情報層に含まれる誘電体膜を上記の構成とすれば、下層の情報層に対するデータの記録／再生を安定的に行うことが可能となる。
【００７２】
【実施例】
以下、実施例を用いて本発明について更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００７３】
［サンプルの作製］
以下の方法により、図１及び図２に示す光記録媒体１０から情報層Ｌ０及び透明中間層１２を削除した構造、つまり支持基板１１、情報層Ｌ１及び光透過層１３のみからなる光記録媒体サンプルを作製した。情報層Ｌ０及び透明中間層１２を削除したのは、情報層Ｌ１の光透過率を正確に測定するためである。
【００７４】
まず、射出成型法により、厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍであり、表面にグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが形成されたポリカーボネートからなるディスク状の支持基板１１を作製した。
【００７５】
次に、この支持基板１１をスパッタリング装置にセットし、グルーブ１１ａ及びランド１１ｂが形成されている側の表面にＺｎＳとＳｉＯ２の混合物（モル比＝８０：２０）からなる誘電体膜３１、銅（Ｃｕ）にアルミニウム（Ａｌ）が２３ａｔｍ％添加され、金（Ａｕ）が１３ａｔｍ％添加された材料からなる厚さ５ｎｍの反応膜３２ａ、シリコン（Ｓｉ）からなる厚さ４ｎｍの反応膜３２ｂ、ＴｉＯ２からなる厚さ３０ｎｍの誘電体膜３３を順次スパッタ法により形成した。誘電体膜３１の膜厚は５ｎｍ〜２４０ｎｍの範囲で種々に設定した。
【００７６】
そして、誘電体膜３３上に、アクリル系紫外線硬化性樹脂をスピンコート法によりコーティングし、これに紫外線を照射して厚さ１００μｍの光透過層１３を形成した。これにより光記録媒体サンプル＃１が完成した。
【００７７】
次に、反応膜３２ａの材料としてチタン（Ｔｉ）にアルミニウム（Ａｌ）が４３ａｔｍ％添加された材料を用いた他は、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃２を作製した。光記録媒体サンプル＃２においても、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物（モル比＝８０：２０）からなる誘電体膜３１の膜厚は、５ｎｍ〜２４０ｎｍの範囲で種々に設定されている。
【００７８】
次に、誘電体膜３１の膜厚を２５ｎｍに固定し、誘電体膜３３の材料としてＺｎＳとＳｉＯ２の混合物（モル比＝８０：２０）を用いるとともにその膜厚を５ｎｍ〜２４０ｎｍの範囲で種々に設定した他は、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃３を作製した。
【００７９】
次に、誘電体膜３１の材料としてＴｉＯ２を用いた他は、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃４を作製した。光記録媒体サンプル＃４においては、ＴｉＯ２からなる誘電体膜３１の膜厚が１０ｎｍ〜１８０ｎｍの範囲で種々に設定されている。
【００８０】
最後に、誘電体膜３３の材料としてＴｉＯ２を用いた他は、光記録媒体サンプル＃３と同様にして、光記録媒体サンプル＃５を作製した。光記録媒体サンプル＃５においては、ＴｉＯ２からなる誘電体膜３３の膜厚が５ｎｍ〜１８０ｎｍの範囲で種々に設定されている。
【００８１】
光記録媒体サンプル＃１〜＃５に含まれる情報層Ｌ１の構造・材料を次表にまとめる。
【００８２】
【表１】
2004265561.tif 000003
このように、光記録媒体サンプル＃１〜＃３おいては、第１のパターンを示す材料（ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物）からなる誘電体膜の膜厚を種々に変化させ、光記録媒体サンプル＃４、＃５おいては、第２のパターンを示す材料（ＴｉＯ２）からなる誘電体膜の膜厚を種々に変化させている。
【００８３】
［サンプルの評価］
まず、光記録媒体サンプル＃１について、図４に示すλ０を４０５ｎｍに設定した場合における誘電体膜３１（ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物（モル比＝８０：２０））の膜厚と光透過率の波長依存度Ｘを測定した。つまり、互いに誘電体膜３１の膜厚が異なる個体に対し、λ０（４０５ｎｍ）における情報層Ｌ１の光透過率Ｔ０、λ１（３８５ｎｍ）における情報層Ｌ１の光透過率Ｔ１、並びに、λ２（４２５ｎｍ）における情報層Ｌ１の光透過率Ｔ２をそれぞれ測定した後、
Ｘ＝｜Ｔ１−Ｔ２｜／Ｔ０
より光透過率の波長依存度Ｘを算出し、これによって、誘電体膜３１の膜厚と光透過率の波長依存度Ｘとの関係を測定した。測定の結果を図８に示す。
【００８４】
図８に示すように、光記録媒体サンプル＃１では、誘電体膜３１の膜厚が５ｎｍ〜２４０ｎｍである範囲において光透過率の波長依存度Ｘに３回の極小値が出現し、１回目の極小値となる膜厚Ｄ１は約２５ｎｍ、２回目の極小値となる膜厚Ｄ２は約１１０ｎｍ、３回目の極小値となる膜厚Ｄ３は約２００ｎｍであった。また、１回目の極小値Ｘ１の値は約１３％、２回目の極小値Ｘ２の値は約５％、３回目の極小値Ｘ３の値は約４％であった。これにより、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物（モル比＝８０：２０）からなる誘電体膜３１の膜厚をＤ２又はこれに近い膜厚に設定することによって、膜厚をＤ１に設定した場合に比べ光透過率の波長依存度が低く抑えられることが確認された。
【００８５】
同様にして、光記録媒体サンプル＃２についても、λ０＝４０５ｎｍに設定した場合における誘電体膜３１（ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物（モル比＝８０：２０））の膜厚と光透過率の波長依存度Ｘを測定した。測定の結果を図９に示す。図９に示すように、光記録媒体サンプル＃２においても、誘電体膜３１の膜厚が５ｎｍ〜２４０ｎｍである範囲において光透過率の波長依存度Ｘに３回の極小値が出現し、１回目の極小値となる膜厚Ｄ１は約２５ｎｍ、２回目の極小値となる膜厚Ｄ２は約１２０ｎｍ、３回目の極小値となる膜厚Ｄ３は約２００ｎｍであった。また、１回目の極小値Ｘ１の値は約７％、２回目の極小値Ｘ２の値は約５％、３回目の極小値Ｘ３の値は約４％であった。これにより光記録媒体サンプル＃１と同様、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物（モル比＝８０：２０）からなる誘電体膜３１の膜厚をＤ２又はこれに近い膜厚に設定することによって、膜厚をＤ１に設定した場合に比べ光透過率の波長依存度が低く抑えられることが確認された。
【００８６】
さらに同様にして、光記録媒体サンプル＃３についても、λ０＝４０５ｎｍに設定した場合における誘電体膜３３（ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物（モル比＝８０：２０））の膜厚と光透過率の波長依存度Ｘを測定した。測定の結果を図１０に示す。図１０に示すように、光記録媒体サンプル＃３においては、誘電体膜３３の膜厚が５ｎｍ〜２４０ｎｍである範囲において光透過率の波長依存度Ｘに３回の極小値が出現し、１回目の極小値となる膜厚Ｄ１は約３０ｎｍ、２回目の極小値となる膜厚Ｄ２は約１２０ｎｍ、３回目の極小値となる膜厚Ｄ３は約２００ｎｍであった。また、１回目の極小値Ｘ１の値は約５％、２回目の極小値Ｘ２の値は約０％、３回目の極小値Ｘ３の値は約３％であった。これにより、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物（モル比＝８０：２０）からなる誘電体膜３３の膜厚をＤ２又はこれに近い膜厚に設定することによって、膜厚をＤ１に設定した場合に比べ光透過率の波長依存度が低く抑えられることが確認された。
【００８７】
さらに同様にして、光記録媒体サンプル＃４についても、λ０＝４０５ｎｍに設定した場合における誘電体膜３１（ＴｉＯ２）の膜厚と光透過率の波長依存度Ｘを測定した。測定の結果を図１１に示す。図１１に示すように、光記録媒体サンプル＃４においても、誘電体膜３１の膜厚が１０ｎｍ〜１８０ｎｍである範囲において光透過率の波長依存度Ｘに３回の極小値が出現し、１回目の極小値となる膜厚Ｄ１は約２０ｎｍ、２回目の極小値となる膜厚Ｄ２は約９０ｎｍ、３回目の極小値となる膜厚Ｄ３は約１６０ｎｍであった。１回目の極小値Ｘ１の値は約１１％、２回目の極小値Ｘ２の値は約１１％、３回目の極小値Ｘ３の値は約２１％であった。これにより、ＴｉＯ２からなる誘電体膜３１は、膜厚をＤ１又はこれに近い膜厚に設定した場合と膜厚をＤ２又はこれに近い膜厚に設定した場合とで、光透過率の波長依存度がほぼ同等であることが確認された。
【００８８】
さらに同様にして、光記録媒体サンプル＃５についても、λ０＝４０５ｎｍに設定した場合における誘電体膜３３（ＴｉＯ２）の膜厚と光透過率の波長依存度Ｘを測定した。測定の結果を図１２に示す。図１２に示すように、光記録媒体サンプル＃５においては、誘電体膜３３の膜厚が５ｎｍ〜１８０ｎｍである範囲において光透過率の波長依存度Ｘに３回の極小値が出現し、１回目の極小値となる膜厚Ｄ１は約２０ｎｍ、２回目の極小値となる膜厚Ｄ２は約９０ｎｍ、３回目の極小値となる膜厚Ｄ３は約１６０ｎｍであった。また、１回目の極小値Ｘ１の値は約１１％、２回目の極小値Ｘ２の値は約２５％、３回目の極小値Ｘ３の値は約４３％であった。これにより、ＴｉＯ２からなる誘電体膜３３の膜厚をＤ２又はこれに近い膜厚に設定することによって、膜厚をＤ１に設定した場合に比べ光透過率の波長依存度が高くなることが確認された。
【００８９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明による光記録媒体は、上層に位置する情報層の光透過率がレーザビームの波長に対して安定的である（波長依存度が小さい）ことから、レーザビームの波長が変動しても下層の情報層に到達するレーザビーム光量や下層の情報層からの反射光量の変動が非常に少なく、また、半導体レーザの製造ばらつきによりレーザビームの波長が目的とする波長からずれている場合であっても、期待される光透過率と非常に近い値を得ることができる。このため、上層の情報層が下層の情報層の記録・再生に与える影響が小さく、下層の情報層に対する記録・再生を安定して行うことが可能となる。
【００９０】
また、本発明によれば、上層の情報層に含まれる誘電体膜にクラックを生じさせることなく、腐食の発生を効果的に防止することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体１０の外観を示す切り欠き斜視図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ部を拡大した部分断面図である。
【図２】情報層Ｌ１のうち未記録状態である領域を拡大して示す略断面図である。
【図３】情報層Ｌ１のうち記録マークＭが形成された領域を拡大して示す略断面図である。
【図４】情報層Ｌ１全体の光透過率とレーザビーム１５の波長との関係の一例を示すグラフである。
【図５】誘電体膜３１，３３の一方の膜厚と光透過率の波長依存度Ｘとの関係の第１のパターンを模式的に示すグラフである。
【図６】誘電体膜３１，３３の一方の膜厚と光透過率の波長依存度Ｘとの関係の第２のパターンを模式的に示すグラフである。
【図７】光記録媒体１０の情報層Ｌ１に対してデータを記録するためのレーザビーム１５のパルス列パターンの好ましい一例を示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｂ）は３Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｃ）は４Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｄ）は５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。
【図８】光記録媒体サンプル＃１における誘電体膜３１の膜厚と光透過率の波長依存度Ｘとの関係を示すグラフである。
【図９】光記録媒体サンプル＃２における誘電体膜３１の膜厚と光透過率の波長依存度Ｘとの関係を示すグラフである。
【図１０】光記録媒体サンプル＃３における誘電体膜３３の膜厚と光透過率の波長依存度Ｘとの関係を示すグラフである。
【図１１】光記録媒体サンプル＃４における誘電体膜３１の膜厚と光透過率の波長依存度Ｘとの関係を示すグラフである。
【図１２】光記録媒体サンプル＃５における誘電体膜３３の膜厚と光透過率の波長依存度Ｘとの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１０  光記録媒体
１１  支持基板
１１ａ，１２ａ  グルーブ
１１ｂ，１２ｂ  ランド
１２  透明中間層
１３  光透過層
１３ａ  光入射面
１５  レーザビーム
３１，３３  誘電体膜
３２  記録膜
３２ａ，３２ｂ  反応膜
Ｌ０，Ｌ１  情報層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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