(57)【要約】【課題】液晶注入後に加圧、封止、減圧する加圧封止工程を経て、さらに再配向処理としてアニールを行うことにより液晶表示装置を製造するに際し、真空気泡の発生を防止するとともに、液晶表示パネルのギャップ制御用のスペーサの干渉による注入筋の発生を防止する。【解決手段】加圧封止工程（Ｓ１６）による減圧処理の後、かつ再配向工程（Ｓ１９）の再配向処理としてのアニールの前に、アニール温度以上としたアニール炉内で液晶表示パネルを１８時間以上保持することによりアニールする熱処理工程（Ｓ１８）を行う。この熱処理工程（Ｓ１８）によって、加圧封止工程（Ｓ１６）時に液晶に働いた応力は取り除かれ、液晶内に存在した真空気泡は消滅する。また、液晶注入工程（Ｓ１５）において液晶注入口から液晶を注入した際の、ギャップ制御材の干渉による液晶の乱れも同時に取り除かれる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ギャップ制御用のスペーサを介してＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせ、液晶注入後に加圧、封止、減圧し、さらに再配向処理としてのアニールを行う液晶表示装置の製造方法において、
前記減圧の後、かつ前記再配向処理の前に、アニール温度以上で３時間以上の熱処理を行う
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記熱処理を、１８時間以上行うことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話やプロジェクタなどに用いられる液晶表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図５は従来の液晶表示装置の製造工程図である。
図５に示すように、従来、液晶表示装置は、ダイシング済みのＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板にコモン塗布（Ｓ１１）を、ダイシング済みの対向基板にシール塗布（Ｓ１２）をそれぞれ行った後、貼り合わせ（Ｓ１３）、ポストベーク（Ｓ１４）、液晶注入（Ｓ１５）、加圧封止（Ｓ１６）、洗浄（Ｓ１７）、さらに再配向処理（Ｓ１９）を行うことにより製造される。
【０００３】
ここで、加圧封止工程（Ｓ１６）の詳細について、図６を参照して説明する。液晶表示装置のＴＦＴ基板１と対向基板２とは、ギャップ制御材としての柱状スペーサ３を介して貼り合わされており、有効画素の周りはＳ１２で塗布されたシール剤４により取り囲まれている。液晶５は、このシール剤４の一部を開口した液晶注入口６から注入される。
【０００４】
加圧封止工程（Ｓ１６）は、このように液晶５が注入された液晶表示パネルを加圧することにより、柱状スペーサ３の高さを調整（ギャップ調整）し、液晶注入口６を封止剤７で封止した後、減圧するものである。再配向処理工程（Ｓ１９）は、このＴＦＴ基板１と対向基板２との間に封止した液晶５を再配向させる目的で短時間加熱、冷却によるアニールを行うものである。
【０００５】
ところが、この再配向処理工程（Ｓ１９）において、液晶５中に真空に近い状態の気泡（以下、「真空気泡」と称す。）８が残留することがある。この真空気泡８は、加圧封止工程（Ｓ１６）において、加圧封止された液晶表示パネルが減圧された際、液晶５に応力が働くことによって液晶５中に発生する空隙である。
【０００６】
液晶５中に気泡が発生するのを防止する方法については、いくつか提案がなされている。例えば、特許文献１には、液晶を配する前に基板をアニール温度以上で熱処理（図３（ａ）の空セルアニールまたは図３（ｂ）の基板アニール）することにより、基板から発生するガスを予め出し切り、後の再配向を目的とするアニール時に発生する気泡を未然に防ぐことが記載されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平７−２３００９０号公報（段落番号００１７，図３）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、従来提案されているように液晶注入前に熱処理を行った場合であっても、上記のように液晶注入の際に加圧封止工程を行った場合に液晶５に応力が働くことに変わりはない。したがって、基板からのガスの発生がなくても、液晶５に働いた応力によって真空気泡８が発生することになる。このような真空気泡８が発生した場合、有効画素に進入すると画質不良となって現れる。
【０００９】
また、図６に示すように、ＴＦＴ基板１と対向基板２とを柱状スペーサ３を介して貼り合わせた液晶表示装置においては、液晶５の注入時に柱状スペーサ３が干渉することによる注入筋（図示せず）が発生する。この注入筋は、液晶５が液晶注入口６からＴＦＴ基板１と対向基板２との間に扇状に流入するため、液晶注入口６から放射状に拡がる筋として発生する。このような注入筋についても、従来提案されているような液晶注入前の熱処理では防ぎようがない。
【００１０】
そこで、本発明では、液晶注入後に加圧、封止、減圧する加圧封止工程を経て、さらに再配向処理としてアニールを行うことにより液晶表示装置を製造するに際し、真空気泡の発生を防止するとともに、液晶表示パネルのギャップ制御用のスペーサの干渉による注入筋の発生を防止することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、ギャップ制御用のスペーサを介してＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせ、液晶注入後に加圧、封止、減圧し、さらに再配向処理としてのアニールを行う液晶表示装置の製造方法において、前記減圧の後、かつ前記再配向処理の前に、アニール温度以上で３時間以上の熱処理を行うことを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、液晶注入後の加圧、封止、減圧によって液晶に働いた応力が、アニール温度以上かつ３時間以上の熱処理によって取り除かれるため、真空気泡の発生が防止される。また、この熱処理によって、液晶注入時のスペーサの干渉による液晶の乱れが取り除かれるため、液晶の注入筋の発生が防止される。
【００１３】
ここで、前記熱処理は、１８時間以上行うことが望ましい。アニール温度以上で１８時間以上の熱処理により、液晶注入時のスペーサの干渉による液晶の乱れが完全に取り除かれ、液晶の注入筋の発生が完全に阻止される。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施の形態における液晶表示装置の製造工程図である。なお、以下の説明において従来技術と共通する部分については、同じ符号を付してその説明を省略する。
【００１５】
本実施形態における液晶表示装置の製造方法は、図１に示すように洗浄工程（Ｓ１７）と再配向工程（Ｓ１９）との間に熱処理工程（Ｓ１８）を追加したところに特徴がある。すなわち、洗浄工程（Ｓ１７）の前の加圧封止工程（Ｓ１６）による減圧処理の後、かつ再配向工程（Ｓ１９）の再配向処理としてのアニールの前に熱処理を行う。
【００１６】
この熱処理工程（Ｓ１８）では、アニール温度以上としたアニール炉内で、洗浄工程（Ｓ１７）を終えた液晶表示パネル（ＴＦＴ基板１、対向基板２、柱状スペーサ３、シール剤４、液晶５および封止剤７からなる）を１８時間以上保持することによりアニールする。
【００１７】
ここで、アニール温度とは、液晶表示パネル中に封止した液晶５を再配向させるために液晶表示パネルそのものを熱処理する温度であり、液晶材料のＮ−Ｉ（Ｎｅｍａｔｉｃ−ｔｏ−Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ；ネマチック−等方性液体）転移温度（Ｎ−Ｉ点）近傍またはそれ以上の温度をいう。
【００１８】
熱処理工程（Ｓ１８）時の液晶表示パネル中の液晶５の様子を図２に示す。
図２（ａ）に示すように熱処理工程（Ｓ１８）のアニール前は、液晶表示パネル中に封止した液晶５内に真空気泡８が存在する。この液晶表示パネルをアニール温度以上で１８時間保持すると、同図（ｂ）に示すように液晶表示パネル中の液晶５がＮ−Ｉ転移によって液体状態となり、同図（ｃ）に示すようにアニール後はきれいに整列する。
【００１９】
また、この熱処理工程（Ｓ１８）によって、加圧封止工程（Ｓ１６）時に液晶５に働いた応力は、アニール温度以上で３時間後には取り除かれる。そのため、液晶５内に存在した真空気泡８は消滅し、図２（ｃ）に示すようにアニール後の液晶５内に真空気泡８は発生しない。
【００２０】
図３のグラフは、アニール時間（ｈ）と真空気泡の発生率（％）の関係を表している。図３に示すように、３時間以上のアニールによって、真空気泡８の発生率は０％となる。
【００２１】
さらに、この熱処理工程（Ｓ１８）では、液晶注入工程（Ｓ１５）において液晶注入口６から液晶５を注入した際の、柱状スペーサ３の干渉による液晶５の乱れも同時に取り除かれる。
【００２２】
図４のグラフは、アニール時間（ｈ）と注入筋の占有率（％）の関係を表している。図４に示すように、アニール開始から３時間後には注入筋の発生が抑えられ、１７時間後にはほぼ完全に注入筋の発生が阻止されている。なお、１８時間以上のアニールでは、注入筋の発生を確実に阻止することができる。
【００２３】
以上のように、本実施形態における液晶表示装置の製造方法によれば、液晶注入工程（Ｓ１５）、加圧封止工程（Ｓ１６）後のアニール温度以上、１８時間以上の熱処理工程（Ｓ１８）によって真空気泡８の発生と注入筋の発生を完全に阻止することが可能である。なお、アニール温度以上、３時間以上の熱処理であっても、真空気泡８を消滅することができ、注入筋の発生を抑えることが可能である。
【００２４】
また、本実施形態においては、熱処理工程（Ｓ１８）と再配向処理工程（Ｓ１９）を２ステップに分けて説明しているが、これらの工程は同一のアニール炉内で連続して行うことも可能である。
【００２５】
また、本実施形態においては、ギャップ制御用のスペーサとして柱状スペーサ３を用いた場合についてのみ説明したが、これに限定されるものではなく、ビーズ状などのその他のスペーサを用いた場合にも適用可能である。
【００２６】
【発明の効果】
本発明により、以下の効果を奏することができる。
【００２７】
（１）ギャップ制御用のスペーサを介してＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせ、液晶注入後に加圧、封止、減圧した後、再配向処理の前に、アニール温度以上で３時間以上の熱処理を行うことで、液晶中の真空気泡の発生および注入筋の発生を抑えることができる。これにより、液晶注入不良の発生率を低下させ、歩留を向上させることができる。
【００２８】
（２）熱処理を１８時間以上行うことで、液晶中の真空気泡の発生および注入筋の発生を完全に阻止することができ、液晶注入不良の発生がない液晶表示装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における液晶表示装置の製造工程図である。
【図２】熱処理工程時の液晶表示パネル中の液晶の様子を示す図である。
【図３】アニール時間と真空気泡の発生率の関係を表す図である。
【図４】アニール時間と注入筋の占有率の関係を示す図である。
【図５】従来の液晶表示装置の製造工程図である。
【図６】加圧封止工程の詳細を示す説明図である。
【符号の説明】
１  ＴＦＴ基板
２  対向基板
３  柱状スペーサ
４  シール剤
５  液晶
６  液晶注入口
７  封止剤
８  真空気泡
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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