(57)【要約】【課題】　白黒のマスクを用いて光学系の有する解像度以上の分解能でマスク上のパターンを基板上に結像する露光装置及びその方法を提供する。【解決手段】　露光装置を、レーザを発射する光源手段と、該光源手段から発射されたレーザを走査する走査手段と、該走査手段によって走査されたレーザを前記マスクに照射する照射手段と、該照射手段によりレーザを照射された前記マスクからの光をウェハ上に結像させる結像光学系手段と、前記ウェハを載置するテーブル手段とを備えて構成し、光源から発射されたレーザをガルバノミラーを用いて走査し、該走査されたレーザを前記マスクに照射し、該レーザが照射された前記マスクからの光を結像光学系を介してウェハ上に結像させて該ウェハを露光するようにした。　【選択図】　図８
2004138620.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　基板に形成されたパターンを検査する方法であって、
　光源から発射された光から輪帯状の２次光源を形成し、
　該形成された輪帯状の２次光源から出射した光を前記パターンが形成された基板に照射し、
　該光が照射された前記基板を撮像して該基板の画像を得、
　該撮像して得た画像を参照画像と比較することにより前記パターンの欠陥を検出する
ことを特徴とするパターン検査方法。
【請求項２】
　前記光源から発射された光を、１対のガルバノミラーを用いて輪帯状に走査することにより前記輪帯状の２次光源を形成することを特徴とする請求項１記載のパターン検査方法。
【請求項３】
　前記光源から発射された光は可干渉性を有する光であり、該光の可干渉性を可干渉性低減手段で低減して前記基板に照射することを特徴とする請求項１記載のパターン検査方法。
【請求項４】
　前記光源から発射された光は紫外領域のレーザであることを特徴とする請求項１記載のパターン検査方法。
【請求項５】
　基板に形成されたパターンを検査する方法であって、
　光源からレーザを発射し、
　該発射されたレーザの光路を変換して２次光源を形成し、
　該形成した２次光源から出射したレーザを前記基板に照射し、
　該レーザが照射された前記基板のパターンからの回折光による回折光像を撮像し、
　該撮像して得た回折光学像を参照画像と比較することにより前記パターンの欠陥を検出する
ことを特徴とするパターン検査方法。　　
【請求項６】
　前記２次光源が輪帯形状をしていることを特徴とする請求項５記載のパターン検査方法。
【請求項７】
　前記輪帯状の２次光源を、前記光源から発射された光を１対のガルバノミラーを用いて輪帯状に走査することにより形成することを特徴とする請求項６記載のパターン検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、マスク上に形成された極微細な回路パターンにおいて生じる干渉光の影響をなくし、投影レンズを通して基板上に高分解能でもってエキシマレーザ光等を用いて結像させて露光するようにしたエキシマ等の露光方法及びその装置並びにエキシマ等の露光方式並びにマスク回路パターン検査方式に関する。
【背景技術】
【０００２】
　ＬＳＩ製造では、マスク上の回路パターンをウエハ上に露光転写して、ウェハ上に微細な回路パターンを形成する。ところが、ＬＳＩの高集積化のニーズに対応するため、ウェハ上に転写する回路パターンは、極微細化し、結像光学系の解像限界まで来ている。
【０００３】
　そこで、従来より、極微細な回路パターンを転写するために、さまざまな技術が開発されている。
【０００４】
　例えばＳＯＲ（シンクロトロン・オーガナイズド・レゾナンス）光等のＸ線を用いて露光する方法がある。
【０００５】
　また、ＥＢ（エレクトロンビーム，電子ビーム露光機）を用いる方法がある。
【０００６】
　また、露光のスループットが早く、取り扱いが比較的簡便ということで
、「エキシマ　レーザ　ステッパ　フォ　サブ−ハーフ　ミクロン　リソグラフ
ィ、　アキカズ　タニモト、エスピーアイイー　第１０８８号　オプティカル　レーザ　マイクロリソグラフィ　２（１９８９）」”Ｅｘｃｉｍｅｒ　Ｌａｓｅｒ　Ｓｔｅｐｐｅｒ　ｆｏｒ　Ｓｕｂ−ｈａｌｆ　
Ｍｉｃｒｏｎ　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ，　Ａｋｉｋａｚｕ　Ｔａｎｉｍｏｔｏ，　ＳＰＩＥ　Ｖｏｌ．１０８８　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｌａｓｅｒ　
Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　２（１９８９）”又は特開昭５７−１９８６３１号公報に開示されているエキシマレーザを用いた方法がある。
【０００７】
　また、特公昭６２−５０８１１号公報によりマスクを工夫して分解能を向上する位相シフタ法が知られている。この位相シフタ法は、近接するパターンからの光を干渉させることにより分解能を上げるものであり、隣り合うパターンの位相が反転するように交互に位相をπずらした膜（位相シフタ）を設けることにより実現する。
【０００８】
　また、部分的コヒーレント結像の理論的解析を紹介した文献として、「ステッ
パの光学（１），（２），（３），（４）」（光学技術コンタクト、Ｖｏｌ．２７，Ｎｏ．１２，ｐｐ．７６
２−７７１，Ｖｏｌ．２８，Ｎｏ．１，ｐｐ．５９−６７，Ｖｏｌ．２８，Ｎｏ．２．ｐｐ．１０８−１１９，Ｖｏｌ．２８，Ｎｏ．３，　
ｐｐ．１６５−１７５）がある。
【０００９】
　　また、空間フィルターを用いて、解像度を向上した例が、特開平３ー２７５１６号公報に記載されている。
【００１０】
【特許文献１】特開昭５７−１９８６３１号公報
【００１１】
【非特許文献１】「エキシマ　レーザ　ステッパ　フォ　サブ−ハーフ　ミクロン　リソグラフィ、　アキカズ　タニモト、エスピーアイイー　第１０８８号　オプティカル　レーザ　マイクロリソグラフィ　２（１９８９）」”Ｅｘｃｉｍｅｒ　Ｌａｓｅｒ　Ｓｔｅｐｐｅｒ　ｆｏｒ　Ｓｕｂ−ｈａｌｆ　Ｍｉｃｒｏｎ　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ，　Ａｋｉｋａｚｕ　Ｔａｎｉｍｏｔｏ，　ＳＰＩＥ　Ｖｏｌ．１０８８　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｌａｓｅｒ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　２（１９８９）”
【非特許文献２】「ステッパの光学（１），（２），（３），（４）」（光学技術コンタクト、Ｖｏｌ．２７，Ｎｏ．１２，ｐｐ．７６２−７７１，　Ｖｏｌ．２８，　Ｎｏ．１，ｐｐ．５９−６７，Ｖｏｌ．２８，Ｎｏ．２．ｐｐ．１０８−１１９，　Ｖｏｌ．２８，Ｎｏ．３，ｐｐ．１６５−１７５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
　上記特公昭６２−５０８１１号公報に知られた従来技術は、位相シフタの配置が難しいと共に、位相シフタを設けたマスクの製造が難しいという課題を有するものである。
【００１３】
　本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決し、マスク上に形成された白黒の極微細な回路パターンを、位相シフタと同等以上の分解能で基板上に転写できるようにしたエキシマ等の露光方法及びその装置を提供することにある。
【００１４】
　また本発明の目的は、実際に露光装置によって転写される基板上への転写パターンのデータを演算処理によりシュミレーションして確認できるようにしたエキシマ等の露光方式を提供することにある。
【００１５】
　また本発明の目的は、マスク上に形成された極微細な回路パターンと基板上に転写されるパターンとが異なる場合でも、マスク上に形成された極微細な回路パターンを高精度に検査できるようにしたマスク回路パターン検査方式を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
　本発明は、可干渉性をある程度維持したエキシマレーザ光等の光を照明手段と
、この照明手段によりマスク（レチクルも含む）を照明した光をウエハ上に結像する結像手段と、マスクを透過又は反射して来る光のうち０次回折光の少なくとも一部を遮光する遮光手段と備えたエキシマ等の露光装置あるいは露光方法であり、上記課題を解決することができる。
【００１７】
　また、本発明は、上記空間フィルタを、該照明手段のＮＡに相当する領域を遮光するもので形成することを特徴とするエキシマ等の露光装置である。
【００１８】
　また、本発明は、上記照明手段として、インテグレータと空間フィルタとを有することを特徴するエキシマ等の露光装置である。
【００１９】
　また、本発明は、上記マスクは、結像分解能のほぼ１／２のライン幅で形成された回路パターンを有することを特徴とするエキシマ露光装置である。
【００２０】
　また、本発明は、マスクに対して、多数の仮想の点光源から形成された輪帯状の拡散照明を、露光領域においてほぼ一様に施す照明手段と、該照明手段によってほぼ一様に拡散照明されたマスクを透過する光の内、０次回折光又は低次回折光の少なくとも一部を遮光する光学的瞳を有し、上記露光領域において上記マスク上に形成された回路パターンを基板上に結像する縮小投影レンズとを備え、ステップアンドリピートして順次基板上にマスクに形成された回路パターンをろこうする投影式露光装置およびその方法である。
【００２１】
　また、本発明は、回路パターンが形成されたマスクを照明し、照明されたマスクの回路パターンを透過あるいは反射する光の内、０次回折光の少なくとも一部を遮光して結像手段により結像させて基板上に転写することを特徴とするエキシマ等の露光方法である。
【００２２】
　また、本発明は、上記マスク上の回路パターンの最小ライン幅を、上記結像手段の結像分解能に適合させて形成することを特徴とするエキシマ等の露光方法である。
【００２３】
　また、本発明は、上記マスクは、結像分解能のほぼ１／２のライン幅で形成された回路パターンを有することを特徴とするエキシマ等の露光方法である。
【００２４】
　また、本発明は、マスク上の回路パターンは結像分解能のほぼ１／２のライン幅で形成されており、更に基板上に転写した際の広い回路パターンについては、マスク上において透過部が結像分解能のほぼ１／２から１／３のピッチのラインアンドスペースあるいは格子パターンで形成されていることを特徴とするエキシマ等の露光方法である。
【００２５】
　また、本発明は、マスク上に形成された回路パターンの微細パターン部と大きなパターン部とに分けて結像手段により結像させて基板上に転写することを特徴とするエキシマ等の露光方法である。
【００２６】
　また、本発明は、配線データからマスクのデータを変換生成するマスクデータ変換手段と、該マスクデータ変換手段から得られるマスクデータに対して、マスク上に形成された回路パターンをエキシマレーザ光を用いて基板上に転写する結像手段とほぼ等価の伝達関数に基づく演算処理を施して基板上への転写パターンのデータを算出する算出手段とを備えたことを特徴とするエキシマ等の露光方式である。
【００２７】
　また、本発明は、配線データからマスクのデータを変換生成するマスクデータ変換手段と、該マスクデータ変換手段から得られるマスクデータに対して、マスク上に形成された回路パターンをエキシマレーザ光等の光を用いて基板上に転写する結像手段とほぼ等価の伝達関数に基づく演算処理を施してウエハ上への転写パターンのデータを算出する算出手段と、マスクをエキシマレーザ光等により照明する照明手段、該照明手段によって照明されたマスクを透過あるいは反射する光を検出位置に結像し、且つ上記結像手段とほぼ等価の伝達関数を有する結像手段及び該検出位置に結像された結像回路パターンを受光して画像信号を得る受光手段を備えた検査装置と、該検査装置の受光手段から得られる画像信号と上記算出手段によって算出されたウエハ上への転写パターンのデータとを比較する比較手段とを備えたことをマスク回路パターン検査方式である。
【００２８】
　エキシマレーザ光等の光を用いる露光装置において、基板上に転写する回路パターンのコントラストを落す原因は、結像手段の開口（瞳）内に回折光を十分に取り込めないことにある。ところでマスク上の回路パターンからは、使用波長および回路パターンの寸法に応じて光が回折する。この際、露光波長に対して、回路パターンが極微細なった場合、回折角度が大きくなり、また回折光の強度も大きくなる。その結果、転写に用いる結像手段（投影レンズ）の開口に光が入らなくなり、これが分解能を落す原因となる。
【００２９】
　そこで、この回折光をなるべく取りこぼさないように、エキシマレーザステッパのように波長を短くして回折成分を小さくするか、又は結像手段（投影レンズ
）のＮＡを大きくすることにより回折光をより多く取り込むようにするものが考えられる。
【００３０】
　これに対して本発明は、マスク上の回路パターンからの回折光は結像手段（投影レンズ）に取り込まれる成分が少ないのに対し、マスク上の回路パターンからの回折しない成分（０次回折光）は全てレンズに取り込まれるという現象から、結像に必要な光のうち０次回折光だけが結像手段（投影レンズ）に多く取り込まれることになり、相対的に結像手段（投影レンズ）に回折光成分が少なく取り込まれることに着目して、０次回折光の少なくとも一部を遮光することにより、結像手段（投影レンズ）から出射される回折光と０次回折光の光量のバランスを相対的に良くし、マスク上に形成された極微細の回路パターンを結像手段（投影レンズ）を通して基板上に結像転写されるコントラストを向上させて高分解能の露光を実現しようとするものである。
【００３１】
　さらに、この０次回折光の遮光を効率よく実現するには、マスクの照明光の可干渉性（コヒーレンシー）を高くする必要がある。かつ、投影露光装置では、改造能力を高い空間周波数までもたせるために、照明系の空間コヒーレンス度（シグマ、σ）を大きくしている。この２つの条件は、一見、背反するものであるが
、位相差顕微鏡等で用いられて織る輪帯状の照明光源を用いることで、同時に達成される。
【００３２】
　また、この輪帯状の光源は、可干渉性を高くできるため、光学系の焦点深度を深くできる。
【００３３】
　特に本発明は、マスクに対して、多数の仮想の点光源から形成された輪帯状の拡散照明を、露光領域においてほぼ一様に施す照明手段と、該照明手段によってほぼ一様に拡散照明されたマスクを透過する光の内、０次回折光又は低次回折光の少なくとも一部を遮光する光学的瞳を有し、上記露光領域において上記マスク上に形成された回路パターンを基板上に結像する縮小投影レンズとを備えたことにより、マスク上に形成された極微細の回路パターンを縮小投影レンズを通して基板上に結像転写されるコントラストを向上させて高分解能の露光を実現することができる。
【００３４】
　なお、本発明は、必ずしも、エキシマレーザ光を用いた投影式露光方法に限られるものでないことは明らかである。
【発明の効果】
【００３５】
　本発明は、マスクパターンを転写する際、０次回折光と、回折光の光強度のアンバランスを回避できるため、従来通りの白黒のマスクパターンにより、位相シフタを用いたのと同等以上の分解能で露光できるという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
　まず本発明の原理について、図１及び図７に基いて説明する。
即ち、本発明は、マスク上の回路パターンを結像手段（投影レンズ）により基板上に忠実に転写するというより、コントラストを向上させて転写するものである
。つまり、投影露光においては、必ずしも「回路パターンを正確に転写する」必要はなく、「基板（ウェハ）上に得たい回路パターンをコントラスト高く転写す
れば良い」という新しい技術思想に基づくものである。
【００３７】
　ところで、図１（ａ）は、ガラス基板１０１上にクロム１０２によりマスク回路パターン１０４が形成されたマスク１００の断面図である。図１（ｂ）の波形３０１は、マスク回路パターン１０４について、図４乃至図６に示す投影露光装置３０００によって基板（ウエハ）２００上に結像された結像パターンの強信号度分布である。この波形３０１を０次回折光による波形３０２と高次回折光による波形３０３に分けて考える。マスク回路パターン１０４が図１（ａ）に図示したような微細な回路パターン１０５の場合、０次回折光による波形３０２に対し
、高次回折光による波形３０３が小さいため検出される波形３０１はコントラストＡＭ／ＡＶは小さくなる。ここで、０次回折光を遮光することにより、波形３０２の成分を除けるため、検出波形は波形３０２のようなコントラストの高いものになる。
【００３８】
　また、本発明のもう一つの原理について以下説明する。即ち、本発明は、このマスク上の隣合う回路パターンの位相を位相膜を用いずに、反転させようと（すなわちπずらそうと）するものである。図２及び図３に示すように、マスク（レティクル）１００の隣合う回路パターン３２１（Ａ）、３２３（Ｂ）の間の遮光
部が狭い場合には、完全に相補的な図形となり、該遮光部が有限の幅を持つ場合には、近似的に相補的になる。そしてマスク（レティクル）１００の隣合う回路パターン３２１（Ａ）、３２３（Ｂ）は、結像光学系（投影レンズ）３２０１に
より回折像面３２０３に、バビネ（Ｂａｂｉｎｅｔ）の原理により、フラウンホーファー回折像では、中央の１点（０次回折光）を除いて、光強度が等しく、位相がπずれることになる。この回折像面３２０３において、０次回折光以外の回折パターンでは隣合う回路パターン３２１（Ａ）、３２３（Ｂ）からの光は位相
が反転し（πずれている）、該回折パターン（回折像面）上で遮光板３２４（結
像空間フィルター３３０２）により０次回折光の少なく一部を遮光することによって、基板２００面（結像面）上に結像する光は、あたかも位相が反転している（πずれている）隣合うパターンからの光が結像しているのと等価になり、基板２００上に高コントラストの極微細な回路パターン（ウエハ上で０．１μｍ程度又はそれ以下の極微細な回路パターン）を転写することができる。即ち、図２又は図３に示すように、回折像面で遮光板３２４（結像空間フィルター３３０２）により０次回折光の少なくとも一部を遮光することによって位相の反転した回折光のみが結像面に届くため、結像面からみると、あたかもマスク上に位相膜が形成されているように見える。この結果、位相シフタ法と同じ回路パターンをウエハ上に結像するようになり、結像面の強度分布は、図７に示す従来の縮小投影露光の場合と比較してウエハ２００上に高コントラストの極微細な回路パターンが得られる。図７は、従来の縮小投影露光の場合を説明するための図であり、隣合う微細の回路パターン３２１、３２３の像は結像面においてコントラストが低くなっている。要するに、本発明に係る縮小投影露光の場合は、図２及び図３に示すように、図７に示す従来の縮小投影露光の場合と比較して結像面においてコントラストが高い極微細な回路パターン（ウエハ上で０．１μｍ程度又はそれ以下の極微細な回路パターン）が転写露光されることになる。
【００３９】
　以下、図４に示した例について数式を用いて説明する。図４の例では、水銀ランプ３１０１から射出した光を集光レンズ３１０３により光源空間フィルター３３０１に集光し、コンデンサレンズ３１０６により、マスク１００を照明する。
マスクを透過した光は、一部を結像空間フィルター３３０２により遮光され、結像レンズ３２０１によりウエハ２００上に結像される。光源空間フィルター３３０１の形状をｌ（ｕ，ｖ）、マスク１００上のパターンの形状をｆ（ｘ，ｙ）、結像空間フィルター３３０２の形状をａ（ｕ，ｖ）とすると、ウエハ２００での像の強度ｇｐ（ｘ，ｙ）は以下の（数１）式で算出される。
【００４０】
【数１】
2004138620.tif 000003
【００４１】
（数１）式では、光源空間フィルター３１０３上の各（ｕ，ｖ）から射出した光は互
いに干渉しないため、結像面で強度を算出した後に積分している。ここで、久保田著、波動光学（岩波書店）によれば、一般に光学系の分解能は、光学系のレスポンス関数、あるいは光学的伝達関数（ＯＴＦ、Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ　Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）を用いて考えることができる。図４の例のレスポンス関数Ｈ（ｕ，ｖ）は、物体面上の
パターンｆ（ｘ，ｙ）、およびその像の強度ｇｐ（ｘ，ｙ）を用いて以下の（数２）式で、算出される。
【００４２】
【数２】
2004138620.tif 000004
【００４３】
図３２、曲線３５１に算出した本光学系のレスポンス関数を示す。横軸は空間周波数ｓを示し、参考のために対応する結像レンズの開口数（ＮＡ＝０．３８の場合）を示している。縦軸は、０次の成分で正規化したレスポンス関数を示している。ここで、点３５５の位置は結像レンズの開口の大きさを示す。曲線３５２は
、従来の光学系すなわち光源空間フィルター３３０１及び結像空間フィルター３３０２を用いない場合のレスポンス関数を示し、曲線３５３は位相シフト法による見かけ上のレスポンス関数を示し、曲線３５４はレーザ等コヒーレント光を用いた際のレスポンス関数を参考のために示している。従来法のレスポンス関数３５２は以下の（数３）式が示す位置ｓ１までレスポンス関数が延びている。
【００４４】
【数３】
2004138620.tif 000005
【００４５】
本発明による方法でも上記（数３）式に示す位置までレスポンス関数が延びている点では、従来の方法と同一であるが、曲線がＮＡ０．２付近から０．６の位置まで安定した形状になっている。さらに本発明では、低周波成分のレスポンス関数を、後述するようなマスクパターンの形状の工夫により低下させることにより
、本発明のシステム全体のレスポンス関数を曲線３５６の形状にしている。正規化して示したのが曲線３５７であり、低周波成分から高周波成分まで広い帯域にわたって安定したレスポンス関数を有している。これにより、本発明により微細なパターンを高いコントラストで結像できることが示される。具体的には、例えば０．３μｍのラインアンドスペースは点３５８の位置になり、このコントラストは、従来法ではＣ１になるが、本発明ではＣ２という高い値になる。本発明では、前記（数１）式を用いて算出したレスポンス関数を最適にするように光源空間フィルター３３０１および結像空間フィルター３３０２の形状を決定している
。以上のように、本発明により、低周波成分のレスポンス関数を小さくすることにより、相対的に高周波成分のレスポンス関数の値を大きくすることができる。
また、輪帯状の光源空間フィルタ−を用いることにより、前記（数３）式による帯域までレスポンス関数を延ばすことができる
。光源空間フィルタ−３３０１及び結像空間フィルタ−３３０２の大きさ及び幅はいずれも、前記（数２）式を用いてレスポンス関数を算出することにより最適化することができる。
【００４６】
　　シミュレーションにより、ウエハ２００での結像状況を算出して、マスク形状を確認する方法を後述するが、前記（数１）式が解析的には解けないため、前記（数１）式を基にして数値計算によって算出する。また、前記（数２）式で算出できるレスポンス関数を求め、以下の（数４）式により算出すると計算時間を短縮できる。
【００４７】
【数４】
2004138620.tif 000006
【００４８】
　図３３から図３８に光源空間フィルター３３０１および結像空間フィルター３３０２の形状を決定する方法を説明する。本発明の光学系は、いわゆる部分的コヒーレンス結像の光学系であり、いわゆるレスポンス関数では十分説明できない
。部分的コヒーレンス結像の光学系については「ステッパの光学」（光学技術コ
ンタクト、Ｖｏｌ．２７，Ｎｏ．１２，ｐｐ．７６２−７７１）に説明されている。この概念を用い本発明の輪帯状光源、および輪帯状空間フィルターをもちいた光学系の結像特性を算出する。
【００４９】
　この部分的コヒーレンス結像の結像特性は、光源形状と検出光学系の瞳面の形状との関係を示すＴｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｃｒｏｓｓ−Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ、Ｔ（ｘ１，ｘ２）　という概念を用いて以下の（数５）式で算出される。さらに、上記「ステッパの光学」によれば、この光学系の結像特性（ＯＴＦ、Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ　Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）は最低次のＴｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｃｒｏｓｓ−Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ、Ｔ（ｘ，０）によって近似的に決定される
。また、Ｔ（ｘ，０）は光源形状と瞳面の形状の相関関数で示される。
【００５０】
【数５】
2004138620.tif 000007
【００５１】
　すなわち、複雑な（数５）式で示される部分的コヒーレント結像の特性は、光源形状と瞳面形状の相関関数という幾何の問題になる。図３３に、光源空間フィルタ３３０１の光透過部３３０５、および結像空間フィルタ３３０２の光遮光部３３０６を示す。座標ｘのときの光源と瞳面の相関関数は図３３の斜線部３６４の面積で示される。同様に、従来技術の光源と瞳面の相関関数を図３４の斜線部３６５に示す。
【００５２】
　図３７の曲線３６７に、図３３の場合の相関関数、いいかえればＴｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ
　Ｃｒｏｓｓ−Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ、Ｔ（ｘ，０）の算出値を示す。図３４に示す従来の場合の相関関数、曲線３６６に比べて、高周波領域でその値が大きくなっている。すなわち、コントラストが増加する。この図３７は、Ｎ．Ａ．＝０．３８，σ＝０．９の場合について計算したものである。また、図３７の横軸には波長０．３６５ミクロンの場合に、各Ｎ．Ａ．に相当する最小パターン寸法を示す。（例えば、
０．３はラインアンドスペース０．３ミクロンを意味する。）０．３ミクロンの
ＯＴＦは従来例の約２倍になっているのがわかる。
【００５３】
　また、図３６および図３７には、この光源空間フィルタ３３０１および結像空間フィルタ３３０２の形状設定の直感的理解を深め、設定を助けるための図を示す。図３５（ａ）の斜線部Ａは光源の外径と遮光部３３０６との相関関数を示し
、図３５（ｂ）の斜線部Ｂは光源の内径と遮光部３３０６との相関関数を示す。ま
た、図３５（Ｃ）の斜線部Ｃは光源の透過部３３０５と光学系の最大瞳との相関関数を示す。最終的な光源形状と空間フィルターとの相関関数は、図３６の斜線部３６７で示され、これは、上記のＣ−Ａ＋Ｂで求められる。このように相関関数を求めることにより、空間フィルタあるいは輪帯状照明の効果が直感的に理解でき、逆にこれらの形状を決定すれ際の助けになる。具体的には、輪帯状照明によって、中周波領域３８１に対して、高周波領域３８２の値が大きくなる。また
、低周波領域３８３が大きすぎるのに対し、空間フィルターの効果Ａ部およびＢ部を航路刷ることにより、低周波領域の値をさらに低減している。このように、輪帯状照明、および空間フィルタの効果は直感的にも説明された。
【００５４】
　もちろん、この光源形状および空間フィルターの形状は、（数５）式を基にし
て、評価されるべきであり、近似的には、光源と空間フィルタの相関関数で評価されるべきものである。
【００５５】
　また、この輪帯状の光源は、可干渉性を高くできるため、光学系の深度を深くできる。ここで、輪帯状光源の帯幅が狭い程、光源の可干渉性が高くなるため焦点深度が上がり、輪帯状光源の輪帯の直径が大きいほど、空間コヒーレンス度が大きくなるため解像度が高くなる。
【００５６】
　図３９に、本発明で用いている輪帯状光源と輪帯状空間フィルターの効果について説明する。図３９（ａ）には、結像レンズの瞳３３０１、瞳上に結像される光源の像３３０５ａ（０次回折光）、及びマスク１００上にｙ方向に形成された
パターン（回路パターン）による光源の回折像３３０５ｂ，３３０５ｃを示す。
光源が輪帯状の場合を図３９（ａ）に示し、円形の場合を図３９（ｂ）に示す。
０次回折光を遮光するためのフィルターを斜線部３７１で示す。この斜線部３７１により光源の回折光３３０５ｂ，３３０５ｃの一部でもある３７２も同時に遮光されることになるが、（ａ）の場合は１０％から２０％だけが遮光されている
が、（ｂ）の場合は、４０％以上は遮光されている。すなわち、０次回折光のみ
を効率よく遮光するという目的は、図３９（ａ）の輪帯状の光源の方が効果的に達成される。つまり、輪帯状の光源の方が性能が上がる。ここで輪帯状光源の幅が小さいほど、遮光されてしまう回折光の比率が小さくなる。
【００５７】
　また、本発明では、０次回折光の一部を遮光するため図４０（ａ）に示したような光源の輪帯幅の３０％程の狭さの輪帯幅を有する空間フィルター３３０６を用いているが、０次回折光の一部を遮光すれば良いわけであっる為、図４０
（ｂ）に示したような輪帯幅は光源とほぼ同じであって透過率を約７０％程度にした空間フィルターを用いても良い。勿論、輪帯幅を光源の像の輪帯幅よりも小さくし、透過率を７０％よりも下げたものをもちても良い。更に、ここでは０次回折光の遮光率をほぼ３０％にした場合を示したが、遮光率は後で述べるように３０％に限るものではない。更に、０次回折光の一部を遮光するために空間フィルター３３０６部を透過率は１００％で使用波長での位相がπずれるような位相板を用いても良い。このようなフィルターも実質的に０次回折光の一部を遮光するフィルターになる。更には、偏光と偏光板を用いて遮光しても良い。
【００５８】
　更に、図５０に示したように、透過率を約７０％にしたフィルターの輪帯幅を
、光源の輪帯幅より大きくしても良い。このような構成することにより、０次回折光のみでなく、低次回折光の一部を遮光することができ、ＭＴＦカーブをより良くすることができる。また図４０（ａ）に示した例も、図５０の例のように低次回折光の一部を遮光する構成になっている。
【００５９】
　以上説明したように、０次回折光を効率よく遮光するためには、輪帯状の光源が効果を発揮し、輪帯の幅を小さくすると効果は大きくなる。ここで、輪帯状光源を小さな光源が輪帯状に並んだものと考えることができる。すなわちコヒーレントな点光源の集合体と考えることができる。そこで、図４１に示したように点光源に近いような空間コヒーレンス度が０．１から０．３程度の光源３７５の集合として、これに対応する位置に光源３７５より小さな遮光版３７６を設置しても本発明の目的は達成される。透過率を下げた遮光版３７６を用いても良いことはいうまでもない。図４１（ａ）には、輪帯状に並べた例を示す。さらに、この考え方を進めると、図４１（ｂ）に示すように輪帯状の形をしていなくても０次回折光の遮光は達成される。同時に、図４１（ｃ）に示すようにこのような光源と遮光版を何重かの輪帯として並べてもよい。また、図４１（ｄ）のように０次回折光の一部を遮光するために、対応する光源の一部に対してのみ遮光版を設置してもよい。
【００６０】
　図４２（ａ），（ｂ）にはそれぞれ、光源の光強度分布と空間フィルタの透過
率を半径方向について示している。ここで、図４２では、光強度分布および透過率分布共に矩形の分布を示しているが、図４３に示したように、なだらかな分布を示していても問題ない。これは、ＯＴＦが、これらの相関関数で示されることを考えれば理解できる。すなわち、重複部分について、加重をとりながら積分していったのが相関関数であるため、なだらかな分布を示しても、相関関数の値は大きくは変わらない。いずれの場合も半径方向に等しい分布、同心円状の分布になっており、これが重要である。
【００６１】
　ここで説明した光源が図４３（ａ）のように分布をもってもよいということは
、図４１（ｂ），（ｃ），（ｄ）に示す光源の強度を中心になるに従って、小さ
くするような形であっても良いことを示している。このような実施例では、よりコヒーレンシーのない光源が作れると同時に低周波成分を更に小さくできるという効果を有する。
【００６２】
　以上説明したように、本発明では、露光装置あるいはその他の結像光学系で０次回折光の一部を効率的に遮光するということが解像度向上及び焦点深度向上という目的を解決する手段である。ところが、０次回折光を効率的に遮光するためには、空間フィルターを配置するフーリエ変換面で０次回折光と回折光が重ならず、分かれている必要があり、このためには、照明光のコヒーレンシーが高くなければいけない。すなわち、点光源に近いことが望ましい。一方で、結像光学系の解像度を向上するためには、光源の空間コヒーレンス度すなわちσ値を大きくすることが望ましい。すなわち、大きな光源が望ましいということになる。つまり、点光源であって、大きな光源という相反することを両立させる必要がある。
この相反することを両立させるのが本発明の輪帯状光源と空間フィルタである。
これを効率的に満足させるためには小さな光源の集合体を用いることが一策である。さらに、この集合体を大きな輪帯状に配置すれば大きな光源という条件も満足する。すなわち、輪帯の幅を小さくすればコヒーレンシーが増し焦点深度が向上し、輪帯の半径を大きくすれば空間コヒーレンス度が増し解像度が向上する。
【００６３】
　そこで、以上の０次回折光の一部を遮光しながら、輪帯の半径を大きくしていくと、空間フィルター３３０６の径が光学系の瞳と同じ程度の大きさになる条件が存在する。この条件が、０次回折光の一部を遮光し、輪帯状光源の大きさが最大になる条件である。すなわち、ある縮小投影レンズに関して、最大の解像度を得られる条件となる。図４４（ａ），（ｂ），（ｃ）に、この実施例を示す。い
ずれも光源の大きさがレンズ瞳より大きくなっている。一般には光源の大きさを大きくすると焦点深度が浅くなり、リソグラフィには使用できないとされてきた
。しかしながら、すでに説明したように輪帯状の光源を用いることにより焦点深度を深くすることができるため、図４４に示すような瞳より大きな光源を用いることができる。個の実施例も０次回折光の一部３７７を遮光する構成になっている。この構成のＯＴＦも相関関数で現される。そこで、光源の大きさが瞳より小さい場合より、ＯＴＦの遮断周波数が延びるという効果がある。また、この構成の他の効果として高い精度が必要な縮小投影レンズを用いず大Ｎ．Ａ．化が容易な照明系の改良のみで解像度を向上できる点がある。この実施例では、Ｎ．Ａ．０．４のレンズを用いｉ線で概ね０．２μｍのパターンを転写することができる
。
【００６４】
　これらの０次回折光遮光の結像系で重要なことは、ＯＴＦカーブが緩やかに単調減少することである。図４５に本発明のＯＴＦ３７８を示す。ここで、ＯＴＦが緩やかでなく、３７９のように波うっている場合、波の極小点付近でコントラストが低くなることになり、様々な空間周波数成分を持つ実際のＬＳＩパターンではパターンが正しく転写しない。但し、特定の空間周波数成分のみから形成されている特殊なパターンではこの限りでなく、特定の空間周波数に対してだけコントラストを大きくすればよい。すなわち、ＭＴＦカーブが特定の幅Ｗｂの範囲にある必要がある。このＷｂは、後述する転写シミュレータで算出した転写結果より算出されるべきものである。
【００６５】
　従って、図４４に示した光源が大きい場合にもこの緩やかに単調減少するＯＴＦが必要になる。このことから、実際のＬＳＩのパターンを転写する場合は、図４４に示したように光源の内径と縮小投影レンズの瞳径の差と光源の外径と縮小投影レンズの瞳径の差がほぼ等しいのが望ましい。現実的な焦点深度を得るためには縮小投影レンズの瞳径と内径との比率が０．６以上有るのが望ましい。
【００６６】
　また、図４４（ａ）の例で、縮小投影レンズの瞳内の光源の０次回折光にあたる部分３８０の部分に適当な値の透過率をもつフィルタを配置しても良い。この場合、光源瞳外の部分３７７の幅を小さくでき、従って光源の大きさも小さくできる効果も有する
。また、逆に縮小投影レンズの瞳内の部分３８０の幅を３７７に対して太くできる。この場合光強度を大きくし易い広い帯域で安定したコントラストを保やすい等の効果を生む。
【００６７】
　更に、輪帯の光源の外径を、縮小投影レンズの瞳の外径と同じ大きさにしても本発明の目的をある程度達成することができる。但し、図４４（ａ）に示す構成は、縮小投影レンズの瞳に空間フィルタを入れなくして、０次回折光の一部をカットすることができるため、構成が単純であり、実施しやすいという効果を有する。
【００６８】
　　さらに、図４７に示したように、図４４の光源のさらに外側に輪帯状光源３７８を設置することにより解像度はさらに向上する。この図４７に示した光源を実施した例を図４８に示す。このようにＮ．Ａ．を大きくした光源はレンズ系では難しいためレーザ光源３１２１、ビーム走査手段３１２２、リング状ミラー３１２３、３１２４を用いた構成としている。この実施例の場合、ｉ線のＮ．Ａ．０
．４のレンズを用い、０．１５μｍが解像できる。
【００６９】
　なお、本実施例も０次回折光の一部を遮光している点で、本発明の基本思想と何等変わるところはない。
【００７０】
　次に、本発明に係るパターン転写系（縮小投影露光光学系）３０００の一実施例について、図４乃至図６に基いて説明する。即ち、パターン転写系（縮小投影露光光学系）３０００では、Ｈｇランプ３１０１からの光のうち、波長３６５ｎｍのｉ線を色フィルタ３１０２により選択的に透過させ、集光レンズ３１０３により、インテグレータ３１０４の面に集光される。インテグレータ３１０４内の各エレメント３１０７（図９）に入射した光が、個々に射出角αとして射出し、コンデンサレンズ３１０６により、マスク１００上を照明する。ここで、インテグレータ３１０４については後述する。光源空間フィルター３３０１として仮想の多数の点光源を配列した形の輪帯状に形成してインテグレータ３１０４の出力端付近に設置される。
【００７１】
　そして、マスク１００上のマスク回路パターン１０４（例えば図２０に示す。
）を透過・回折した光は、結像レンズ（縮小投影レンズ）３２０１及び該結像レンズ３２０１の瞳の付近に設置された結像空間フィルター３３０２を通して、ウエハ（基板）２００２００上に高コントラストを有するウエハ回路パターン２０４（例えば図１８に示す。）として結像転写される。
【００７２】
　ところで、仮想の多数の点光源を配列した形の輪帯状に形成された光源空間フィルター３３０１の像が、コンデンサレンズ３１０６及び結像レンズ（縮小投影レンズ）３２０１により輪帯状に形成された結像空間フィルター３３０２の位置に結像する関係になっている。本実施例での光源空間フィルター３３０１及び結像空間フィルター３３０２の結像関係を図１３及び図１４に示す。光源空間フィルター３３０１及び結像空間フィルター３３０２とも輪帯状の形状をしている。
光源空間フィルター３３０１は、外径ＤＬＯ，内径ＤＬＩの輪帯部３３０５の光源を形成するようになっており、輪帯部３３０５の内側、外側とも遮光される。
結像空間フィルター３３０２は、外径ＤＬＯ，内径ＤＬＩの輪帯部３３０６が遮光されており、輪帯部３３０６の内側、外側とも光を透過する構造になっている
。なお、結像レンズ（縮小投影レンズ）３２０１の入射部を３２０５で示し、出射部を３２０６で示す。
【００７３】
　ここで、結像空間フィルタ３３０２は結像レンズ３２０１の前側の位置３２０２であっても、結像レンズの後側の位置３２０４であっても、また結像レンズ内の瞳の位置３２０３であっても良い。設計上最も効果の良好なのは位置３２０３の場合であり，コストが最も低くかつ効果の十分にでるのは位置３２０４の場合である。図１１に位置３２０４に結像空間フィルター３３０２を載置した結像レンズ３２０１の斜視図を示す。結像空間フィルター３３０２は金属板で形成しているため支持棒３３１１で支持している。この支持棒３３１１は少ないほどまた細いほど良いのは言うまでもない。また図１２には、ガラス基板３３１２上に遮光膜３３１３を形成することにより形成された結像空間フィルター３３０２の例を示す。この場合、支持棒３３１１は不用であるが、ガラス基板３３１２による収差の分を考慮して結像レンズ３２０１を設計する必要がある。
【００７４】
　ここで、光源空間フィルター３３０１、結像空間フィルター３３０２間の結像倍率をＭとすると、図１３に示すように光源空間フィルター３３０１の外径であるＤＬＩ、結像空間フィルター３３０２の外径であるＤＩＯ、結像空間フィルター３３０２の内径であるＤＩＩ間の関係については後述する。要するに、０次回折光の一部ないし全部が遮光されれば、高コントラストでマスク上の微細な回路パターンをウエハ上に結像させることができる。
【００７５】
　このように、光源空間フィルター３３０１のＤＬＯ，ＤＬＩはもとより、結像空間フィルター３３０２のＤＩＯ，ＤＩＩについて、液晶表示素子等の可変空間フィルターに構成するか、それぞれ異なる寸法の空間フィルターを複数備えてそれらを交換することによって、空間フィルターの輪帯状の寸法を制御することが可能である。
【００７６】
　次に本発明の投影露光システムの全体の一実施例を図８乃至図１７に基づいて説明する。
【００７７】
　まず、パターンデータ生成系１０００について説明する。
【００７８】
　パターンデータ生成系１０００において、配線データ作成部１１０２は、設計データ等の配線図面データ１１０１に基づいて、基板（ウェハ）２００上に形成したいウェハパターン形状データ１１０３が形成される。パターン変換部１１０４は、このウエハパターン形状データ１１０３を基にして、マスク（レティクル
）１００上に形成したいマスクパターン形状データ１１０５に変換する。この際
、パターン転写シミュレータ１１０８は、パターン変換部１１０４で変換されたマスク１００上のマスクパターンが、配線データ作成部１１０２によって形成されたウエハパターン形状データ１１０３と、光源空間フィルター３３０１の輪帯部３３０５の外径ＤＬＯ、内径ＤＬＩ等の設定条件、及び結像空間フィルター３３０２の輪帯部３３０６の外径ＤＩＯ、内径ＤＩＩ等の設定条件とに基づいて、実際パターン転写光学系３０００で基板２００上に露光した際のウェハパターン形状データ１１０３と近似的に一致するかどかがチェックされ、パターン変換部１１０４にフィードバックされ、修正されると共に、ウエハパターン形状データ１１０３に合った空間フィルターの最適形状（輪帯部３３０５の外径ＤＬＯ、内径ＤＬＩ等、輪帯部３３０６の外径ＤＩＯ、内径ＤＩＩ等）を求め、その結果を空間フィルター制御系３３０５を介して光源空間フィルター制御部（調整部）３３０３及び結像空間フィルター制御部（調整部）３３０４に導き、光源空間フィルター３３０１及び結像空間フィルター３３０２の形状を制御（調整）する。パターン生成部１１０６は、パターン変換部１１０４によって変換されたマスクパターン形状データ１１０５に基づいて電子線描画装置２１０３に合うＥＢデータ１１０７に変換する。
【００７９】
　次に、マスク製作系２０００について説明する。即ち、マスク製作系２０００において、成膜装置２１０１は、マスク基板１０１上に金属クロムあるいは、酸化クロムあるいは、金属クロムと酸化クロムの複数の積層膜２０２を形成する。
塗布装置２１０１は、成膜装置２１０１によって形成されたマスク基板１０１上にレジスト膜２０３を塗布する。そして、電子線描画装置２１０３は、パターン生成部１１０６から生成されるＥＢデータ１１０７に従い、マスクパターン形状データ１１０５と同一の回路パターンを描画して形成する。この後、現像装置２１０４により、マスク基板２０１上の回路パターンを現像してマスク１００は完成する。完成したマスク１００は、パターン検査装置２１０６において検出された画像データとマスクパターンデータ１１０３又はウエハパターンデータ１１０５又は転写シミュレータ１１０８からのデータと比較してパターン検査し、不良があればイオンビーム加工装置等で構成されたパターン修正装置２１０５で修正し、最後に異物検査装置２１０７でマスク１００上の異物の検査をする．異物があれば洗浄装置２１０８で洗浄する。ここで、本発明によるマスク１００は、例えば図２０に示すように、１層の膜１０２で形成できるので、位相シフタのマスクに比べて洗浄し安いという特徴を有する。また、該マスク１００を位相シフタのマスクに比べて容易に製造することができる。また、上記パターン検査装置２１０５では、検出された画像データと、マスクパターンデータ１１０３又はウエハパターンデータ１１０５又は転写シミュレータ１１０８からのデータのいずれと比較しても良い。ただし、パターン検査装置２１０５の光源及び結像光学系を本発明に係るパターン転写系（縮小投影露光系）３０００と等価にして、ウエハパターンデータ１１０５と比較検査するのが、最も効果的である。即ち、パターン検査装置２１０５は、パターン転写系（縮小投影露光系）３０００と等価の光学系で構成し、マスクステージ３４０１上に検査すべきマスク１００を設置し、ウエハ（基板）２００が設置される位置に受光素子を配置して受光素子上に結像される画像を検出するようにすればよい。このようにパターン検査装置２１０５を構成することによって、実際ウエハ上に投影露光される極微細な回路パターン（ウエハ上で０．１μｍ程度又はそれ以下の極微細な回路パターン）と同じ回路パターンが光の干渉に影響を受けることなく、受光素子から高コントラストの画像信号として検出することができ、その結果ウエハパターンデータ１１０５と比較検査することにより、微細な回路パターンでも、正確に検査することができる
。
【００８０】
　次に本発明の重要な構成であるパターン転写系（縮小投影露光光学系）３０００について説明する。即ち、パターン転写系３０００では、Ｈｇランプ３１０１からの光のうち、波長３６５ｎｍのｉ線を色フィルタ３１０２により選択的に透過させ、集光レンズ３１０３により、インテグレータ３１０４の面に集光される
。インテグレータ３１０４内の各エレメント３１０７（図９）に入射した光が、個々に射出角αとして射出し、コンデンサレンズ３１０６により、マスク１００上を照明する。ここで、図９及び図１０のそれぞれにインテグレータ３１０４の異なった実施例の構成を示す。図９には、インテグレータ３１０４の断面が輪帯状の場合を示す。また図１０には、輪帯状の形状を遮光板３１０５によって形成したインテグレータ３１０４の実施例を示す。要するに空間フィルタの役目をするものであれば、即ち輪帯状に遮光機能を有するものであれば、他の構成であってもよいことは明らかである。なお、上記のように構成された光源空間フィルタ３３０１のＤＬＩ、ＤＬＯは、可変空間フィルタに構成するか、それぞれ異なる寸法の空間フィルタを複数備えてそれらを交換することによって制御できるようにして、光源空間フィルター制御部（調整部）３３０３からの指令で制御または調整できるようにすることが望ましい。そうしないと、非常に自由度の面で制約を受けることになる。
【００８１】
　ここで、本実施例では、光源面に遮光版を置いた場合総合的な露光量が減ることになる。従って、光源の光強度を大きくする必要がある。ところが従来のランプでは光強度を大きくすることが難しかった。ファイバー照明用ストロボ光源が平成３年秋季応用物理学会学術講演会１１ｐ−ＺＨ−８、山本他「ファイバー照明用ストロボ光源の開発研究」に開示されている。ここで開示されているようなストロボ光源は従来露光装置には使用されていなかった。しかしながら、光強度を十分得る必要がある本発明ではこのようなランプを用いる事は効果的である。
さらに、この光源は光源の径が大きいため本発明に適している。
【００８２】
　また、本発明の図４４に示す実施例では、図４９に示すような光ファイバーを用いたインタグレーターが効果的である。この光ファイバーを用いたインテグレーターは、多数の光ファイバー３８０を束ねたものである。光の導入面３１３１は光源３１０１からの光を集光し安いように円形であり、光の射出面は輪帯状になるように光ファイバーの束を束ねなおしたものである。このように光ファイバーを用いることにより、水銀ランプ等の円形の光源形状を有する光源を用い、輪帯状の光源を効率的に作成できる。さらに、光ファイバーを用いることでインテグレーター３１０４をフルキシブルに作成できるため、熱源である光源を温度制御が必要な装置本体から離して設置できるという効果がある。
【００８３】
　ここで、図４９に示したファイバーの束を、固着せずにばらばらの状態にしておき、外径、内径を可変にできる構成にしておくと良い。このような可変機構は光源空間フィルター制御機構３３０３により制御される。
【００８４】
　そして、マスク１００上のマスクパターン１０４（図１５）を透過・回折した光は、結像レンズ３２０１及び結像空間フィルタ３３０２を通して、ウェハ２００上にウェハパターン２０４（例えば図１８に示す。）として結像する。
【００８５】
　ここで、結像空間フィルタ３３０２は結像レンズ３２０１の前側の位置３２０２であっても、結像レンズの後側の位置３２０４であっても、また結像レンズ内の瞳の位置３２０３であっても良い。設計上最も効果の良好なのは位置３２０３の場合であり、コストが最も低くかつ効果の十分にでるのは位置３２０４の場合である。図１１に位置３２０４に結像空間フィルター３３０２を載置した結像レンズ３２０１の斜視図を示す。結像空間フィルター３３０２は金属板で形成しているため支持棒３３１１で支持している。この支持棒３３１１は少ないほどまた細いほど良いのは言うまでもない。また図１２には、ガラス基板３３１２上に遮光膜３３１３を形成することにより形成された結像空間フィルター３３０２の例を示す。この場合、支持棒３３１１は不用であるが、ガラス基板３３１２による収差の分を考慮して結像レンズ３２０１を設計する必要がある。
【００８６】
　ここで、光源空間フィルター３３０１の像がコンデンサレンズ３１０６、結像レンズ３２０１により結像空間フィルター３３０２の位置に結像する関係になっている。本実施例での光源空間フィルター３３０１及び結像空間フィルター３３０２の結像関係を図１３及び図１４に示す。光源空間フィルター及び結像空間フィルターとも輪帯状の形状をしており、光源空間フィルター３３０１は、外径ＤＬＯ、内径ＤＬＩの輪帯部３３０５を有し、輪帯部３３０５の内側、外側とも遮光される。結像空間フィルター３３０２は、外径ＤＩＯ、内径ＤＩＩの輪帯部３３０６が遮光されており、輪帯部３３０６の内側、外側とも光を透過する構造になっている。光源空間フィルター３３０１、結像空間フィルター３３０２間の結像倍率をＭとすると、ＤＬＯ，ＤＬＩ，ＤＩＯ，ＤＩＩ間には次式（数６）の関係がある。
【００８７】
　　　　　　　　　　ＤＩＯ　　＝　Ｍ・δ・ＤＬＯ
　　　　　　　　　　ＤＩＩ　　＝　Ｍ・ε・ＤＬＩ
　　　　　Ｍ・ＤＬＩ≦ＤＩＩ≦ＤＩＯ≦Ｍ・ＤＬＯ　　　　　・・・（数６）
　ここで，δ，εは、係数であり、次式（数６）を満たす。
【００８８】
　　　　　　０．７　≦　　δ　≦　１．０
　　　　　　１．０　≦　　ε　≦　１．３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・（数７）
　尚、これら係数は、上記の式（数７）を満たすときに本発明の効果が最も顕著に現れる。しかしながら、必ずしもこれらの式を満たす必要はなく、０次回折光の一部ないし全部が遮光されれば良い。
【００８９】
　　また、δ及びεを設定するに当たり、パターン転写シミュレータ１１０８により最もコントラストの高い空間フィルターのδ及びεの値が選定される。
【００９０】
　　図２３にδ及びεの値を変えたときのコントラストをしめす。この図によればδが０．８εが１．１の時最も良好なコントラストが得られる。しかし、この値の時のみ良好なコントラストが得られるものでないことは図２３から明らかである。
【００９１】
　ここで結像レンズ（縮小投影光学系）３２００の射出側３２０４の開口数をＮＡＯ、同じ３２０４の位置での光源の像を投影したものの開口数をＮＡＬとする
。ここでＮＡＬ／ＮＡＯを空間コヒーレンス度σと定義する。図２４に、このσとコントラストの関係を示す。σが０．９程度の時最も良好なコントラストが得られている。しかし、σが０．９より多少ズレたとしても、高コントラストは得られる。
【００９２】
　本発明の目的が最も顕著に達成されるのは、図１３に示した光源空間フィルター３３０１及び結像空間フィルター３３０２を用いた場合であるが、本発明の目的は０次回折光の一部あるいは全部を遮光することによって達成されるため、図１４から図１７に示した空間フィルターを用いても高コントラストの回路パターンをウエハ上に結像させることができる。図１４から図１７に示した空間フィルターでは、図に示した斜線部が遮光部である。
【００９３】
　なお、パターン転写系３０００は、Ｈｇランプ３１０１、色フィルター３１０２、集光レンズ３１０３、インテグレータ３１０４及びコンデンサレンズ３１０６より構成される光源部３１００と、結像レンズ３２０１より構成される結像光学系３２００と、光源空間フィルター３３０１、結像空間フィルター３３０２、光源空間フィルター３３０１を制御する光源空間フィルタ制御部（調整部）３３０３、結像空間フィルター３３０２を制御する結像空間フィルタ制御部（調整部
）３３０４並びにパターン転写シミュレータ１１０８から得られるＤＬＯ，ＤＬＩ，ＤＩＯ，ＤＩＩ等の指令信号に基いて光源空間フィルタ制御部（調整部）３３０３、結像空間フィルタ制御部（調整部）３３０４及び位置決めマーク検出部３４０３に制御信号を送出して全体を制御する全体制御部３３０５より構成される空間フィルター制御系（調整系）３３００と、マスク１００を載置するマスクステージ３４０１、ウエハ２００を載置するウェハステージ３４０２、ウエハ上の位置決めマークを検出する位置決めマーク検出部３４０３、位置決めマーク検出部３４０３からの指令でマスクステージ３３０４を制御するマスクステージ制御系３４０４及び位置決めマーク検出部３４０３からの指令でウエハステージ３４０２を制御するウエハステージ制御系３４０５より構成される位置決め部３４００とにより構成される。
【００９４】
　上記構成により次のように動作する。即ち、マスク製作系２０００で製作されたマスク１００は、マスクステージ３４０１に載置され、光源部３１００により照明される。マスク１００から透過、光源部３１００内の光源空間フィルター３３０１からの０次回折光の一部が、結像空間フィルター３３０２により遮光され
、高次回折光と０次回折光の一部が結像光学系（縮小投影レンズ）３２００を通してウエハ２００上に回路パターンを結像する。
【００９５】
　ここで、空間フィルターとして図１３に示したように、仮想の多数の点光源を配列して形成した輪帯状のものを用いているのは光源に可干渉性を持たせるためである。干渉性は、時間的なものと空間的なものの２つある。この時間的可干渉性は光源の波長の帯域であり、帯域の短い光ほど干渉性が高い。空間的干渉性は
、光源の大きさであり、本発明では、光源空間フィルター３３０１の大きさに当たる。ところが、干渉性を上げるために光源の大きさを小さくすると、光源の光強度が小さくなってしまい露光時間が長くなり、露光のスループットが落ちる。
【００９６】
　そこで、輪帯状の光源空間フィルター３３０１を用いると、この結像位置にできた光源空間フィルター３３０１の像は０次回折光である。つまり、輪帯状の空間フィルター３３０１を用いることにより強度の強い、且つ干渉性のある光源を実現できる。これは、位相差顕微鏡において白色光から可干渉光を得るのに輪帯状の空間フィルターを用いるのと同一のものであり、久保田著、波動光学（岩波書店）に示されている。
【００９７】
　光源空間フィルター３３０１が輪帯状の形状をしているのには、もう一つの理由がある。先に説明したように、転写したいウエハ上パターンの寸法とその寸法のパターンを最もコントラスト高く転写する光源の空間コヒーレンス度との間には図に示したような関係がある。そこで、転写したいパターンの寸法（ピッチ）に合わせて空間コヒーレンス度を決定すると本発明の効果は、顕著に現れる。光源空間フィルター３３０１および結像空間フィルター３３０２を輪帯上に形成することで、空間コヒーレンス度すなわち輪帯の大きさを制御し安い。しかしながら、輪帯状光源と空間フィルターの輪帯半径（空間コヒーレンス度）はできる限り大きい方が解像度は向上することはいうまでもない。
【００９８】
　また、本発明では、輪帯状光源も空間フィルターも同心円としている。同心円状にすることによって、ＭＴＦが転写すべき回路パターンに対して方向性を持たせなくできる。様々な方向の回路パターンを有するＬＳＩ回路パターンを転写する際にはＭＴＦが方向性を持たないことが重要である。更に同心円のフィルターは、図１７に示すような非同心円のフィルターに比べ、レンズに複雑な収差が入りにくいという効果を持つ。
【００９９】
　以上の効果は、０次回折光と高次回折光の強度のバランスをとれれば達成できるので、結像空間フィルター３３０２を省き、光源空間フィルター３３０１のみでもやや低いが達成することができる。逆に、光源空間フィルター３３０１を省き、結像空間フィルター３３０２のみでも上記効果はやや低いものが達成することができる。
【０１００】
　次にパターンの形成方法について、更に具体的に図１８〜図２２を用いて説明する。即ち、以上説明したように、本発明の目的は、光源空間フィルター３３０１及び結像空間フィルター３３０２を用いることにより達成できるが、以下説明するようにマスクパターン１０４を工夫することで更に本発明の効果を向上させることができる。
【０１０１】
　図２５はマスク１００上に形成する等しいピッチのラインスペースパターンのライン幅（光透過）を変えた時の結像光学系３２００でウエハ２００上に投影された回路パターンのコントラストを示したものである。図２５に示すようにコントラストはライン幅が小さくなると大きくなる。つまりライン幅を小さくするとよい。ここでライン幅を小さくすると光強度は小さくなるため、露光時間を長くする必要がでて来る。そこで、マスク１００上に形成する回路パターンのライン幅は、回路パターンを転写するのに必要なコントラストと露光時間とのかねあいで決定されるものである。
【０１０２】
　従って、本発明による露光方法では、マスクパターン１０４を形成するライン幅は一定にすることが望ましい。そのため、幅の広いウエハパターン２０４を形成したい場合は、工夫がいる。ここでこのライン幅が一定にできず広くなった場合、結像面での光強度が周辺のライン幅が一定のパターンに対し大きくなり、レジスト現像後の転写パターンの形状が本来得ようとする回路パターンと大きくかけ離れたものとなってしまう。これは、一部に光強度の大きい回路パターンがあった場合、ここから回り込む光による影響と考えられる。
【０１０３】
　この広い回路パターンを正しく形成するには、光強度を周辺のライン幅一定の回路パターンと同じ光強度で形成する必要がある。この広い回路パターンの形成方法を図を用いて説明する。結像光学系３２００を用いて回路パターンを転写する際、結像光学系の分解能より十分小さい回路パターンは解像できず、均一なものとして結像される。上記の広い回路パターンを結像する際は、この現象を利用する。即ち、本光学系の分解能以下の微細パターンを図２０、２１に１０５、１０６、１０８で示すようにマスク１００上に形成することで図１８、１９に示すように広い回路パターンをウエハ２００上に転写することができる。
【０１０４】
　図２６はラインスペースパターンのピッチを変えた時のコントラストを示したものである。図２６のようにコントラストはピッチが小さくなると小さくなる。
つまりピッチを小さくするとコントラストがほぼ０になる位置３３１がある。広い回路パターンの全面を白くしたい場合、この３３１の位置のピッチのパターンを用いるとよい。具体的には、解像したいパターンのピッチの１／２程度のパターンが最も良い。このピッチの時、広い回路パターンの光強度が最小パターンの光強度と同程度になる。
【０１０５】
　　具体的には、図１８に示したようなウエハパターン２０４を得ようという場合
、図２０に示したようなマスクパターンを製作し、ネガレジストを使用するか、図２１に示したようなマスクパターンを製作し、ポジレジストを使用すればよい
。この場合、光を透過させたいパターン１０５、１０６、１０７、１０８は、図２２に示したようなピッチの小さいパターンによって形成される。また、これら１０５、１０６、１０７、１０８のように広い範囲にわたって光を透過させたい場合のマスクパターン１０４は、パターン変換部１１０４で自動生成され、必要に応じパターン転写シミュレータ１１０８でシミュレートされる。
【０１０６】
　ここでの１／２ピッチのパターンはＸ方向あるいはＹ方向の一方のみ１／２ピッチであれば良い。もちろんＸ，Ｙ両方向が１／２ピッチの格子パターンであっても良いのは言うまでもない。またピッチは必ずしも１／２である必要はなく、ウエハパターン２０４上で光強度が必要十分になる他のピッチであっても良い。
【０１０７】
　以上の方法により、極微細な回路パターンと大きな回路パターンとが混在したマスクの場合であっても１回の縮小投影露光で転写することができる。しかしながら、極微細な回路パターンと大きな回路パターンを２回以上の縮小投影露光で転写する場合は、以上の方法による必要はなく、ライン幅の一定なパターンのみでパターン１０４を形成できる。この場合は、パターン変換部１１０４などのシステムが不用になるという効果を有する。
【０１０８】
　　以上説明したように、本発明による方法では、位相シフタを配置する必要がないのでパターン変換部１１０４での処理が簡単であり、時間を省き、間違いを減らすという効果がある。
【０１０９】
　また、本実施例では、一定のライン幅の回路パターンを基本としてマスクパターンを変換したが、メモリなど繰り返し部の多い回路パターンでは、転写シミュレータ１１０８でシミュレーションしながら最適なウエハパターン２０４を得られるようなマスクパターン１０４を求めても良い。つまりメモリセルごとに転写シミュレータ１１０８でマスクパターン１０４を求めるわけである。
【０１１０】
　次にマスクパターンのウェハ上の転写メカニズムについて、図１、図２、図３を用いて説明する。図１（ａ）は、ガラス基板１０１上にクロム１０２によりマスクパターン１０４が形成されたマスク１００の断面図である。図１（ｂ）の波形３０１は、マスクパターン１０４の結像パターンの強信号度分布である。波形３０１は０次回折光による波形３０２と高次回折光による波形３０３に分けて考えれる。マスクパターン１０４が図示したような微細なパターン１０５の場合、０次回折光による波形３０２に対し高次回折光による波形３０３が小さいため検出される波形３０１はコントラストＡＭ／ＡＶは小さくなる。ここで、０次回折光を遮光することにより、波形３０２の成分を除けるため，検出波形は波形３０２のようなコントラストの高いものになる。
【０１１１】
　また、バビネの原理によれば、０次回折光以外の回折パターンでは隣合うパターンからの光はあたかも隣合うパターンの位相が反転している（πずれている）ように見えることになる。つまり、回折パターン上で０次回折光を遮光すれば、ウエハ面上に結像する光は、あたかも位相が反転している（πずれている）隣合うパターンからの光が結像しているのと等価になる。この技術思想に基いて図２及び図３に示すように回折像面で遮光板３２４（結像空間フィルター３３０２）により０次回折光の少なくとも一部を遮光することによって図２及び図３に示すように位相の反転した回折光のみが結像面に届くため、結像面の強度分布はコントラストの高いものになる。
【０１１２】
　次にコントラスト向上メカニズムについて説明する。即ち、一例として、図２７に示したマスク上に形成された回路パターンの転写結果を図２８に示し、図２９にピッチＰＩＴを変えたときのコントラストの変化を示す。従来の縮小投影露光方法では、３４２で示すようにコントラストがパターンサイズが極微細するに従って急激に落ちるのに対して、本発明による縮小投影露光方法では、３４１に示すようにコントラストが落ちないのが分かる。
【０１１３】
　図３０に本発明による縮小投影露光方法の焦点深度の評価例を示す。本発明によれば、３４３で示すように、コントラストは±１．５μｍの範囲で約８０％以上の値を示している。従来の縮小投影露光方法では、３４４で示すように、焦点ずれによりコントラストが急激に落ちている。このことは、本発明によりレジスト膜厚の厚いレジストに対応でき、結果として、高いアスペクト比でレジストによるウエハパターンを形成できることを示している。この結果、エッチング時にレジストの持ちがよく高アスペクト比のパターンを形成できる。
【０１１４】
　　同様に図３８に、本発明の焦点深度３６２と位相シフタ法の焦点深度３６３を示す。両者はほぼ一致し、本発明の焦点深度３６２は、従来の方法の焦点深度３６１に比べて、十分に良好な結果を示している。
【０１１５】
　図３１に光源としてｉ線より短波長のエキシマレーザを用いたいわゆるエキシマステッパの実施例を示す。この実施例によれば、光源空間フィルター３３０１の位置に輪帯状の形状になるようにエキシマレーザ光を走査することで、光源空間フィルター３３０１の効果が達成できる。この実施例によれば、光源空間フィルター３３０１の形状は、走査部を制御することで容易に制御することができる
。即ち、この実施例は、図８に示す実施例の光源部３１００に、さらに波長の短いＫｒＦ（ふっ化クリプトン）等のガスを用いたエキシマレーザを用いた例である。このようにさらに短い波長の光を用いることでさらに微細な回路パターンを転写することができる。この実施例では、他の波長のレーザを用いても良いことは言うまでもない。この実施例の光源部３１００は、エキシマレーザ３１１１、シャッター３１０８、ビームエキスパンダ３１１２、Ｘガルバノミラー３１１３
、Ｙガルバノミラー３１１４、インテグレータ３１０４、インテグレータ冷却手段３１２０、コンデンサレンズ３１０６より構成され、空間フィルター部３３００は、走査制御系３３１１、液晶表示素子３３１２、液晶制御系３３１３より構成され、図８に示す実施例の光源空間フィルター調整系３３０３はＸガルバノミラー３１１３、Ｙガルバノミラー３１１４、走査制御系３３１１に当たる
。ここで、インテグレータ冷却手段３１２０は、エキシマレーザの光がインテグレータに集中することによるインテグレータの温度の上昇を防ぐものであり、具体的には、冷却水を循環するものでもあるいは冷却用の窒素ガス等を吹き付けるものであってもよい。その他の構成要素は、図８に示す実施例に準じる。即ち、この実施例では、光源空間フィルター３３０１の位置はインテグレータ３１０４の位置になり、光源空間フィルター調整部３３０３内のＸガバノミラー３１１３およびＹガルバノミラー３１１４を走査することにより光源空間フィルター３３０１と同形上の輪帯状の光源を作る。また、結像空間フィルター３３０２は、図８に示す実施例で説明したように０次回折光の一部あるいは全部を遮光する形状に液晶制御系３３１３により輪帯状の遮光部が液晶表示素子３３１２上に形成される。従って、液晶表示素子３３０３の分解能は上記の輪帯状の形状を形成できるに必要十分な精度を持つ必要がある。また、結像空間フィルターを形成できれば良いわけであり、液晶表示素子でなくても他の例えば始めから、輪帯状に遮光するように形成された金属板であっても、ガラス上に輪帯上の遮光膜を形成したものであってもよい。
【０１１６】
　さらに、本実施例では、エキシマレーザ光は、結像空間フィルター３３０２上では１点に光は集光する。光源空間フィルター上で輪帯上に走査することによってはじめて，結像空間フィルター上で輪帯状の形状になる。そこで、光源空間フィルター上の走査に合わせて、結像空間フィルター上では各点上のみ遮光すれば
、本発明の目的は達成できる。これにより、光を遮光し過ぎないので、露光時間を短くできスループットを上げることができるという効果がある。ところで、マスク１００をマスクステージ３４０１上に載置し、マスクステージ制御系３４０４によりマスクステージ３４０１を制御してマスク１００を基準位置に位置決めし、その後ウエハ１００上のアライメントマークの位置は、位置決めマーク検出部３４０３により検出され、該検出信号に基いてウエハステージ制御系３４０５によりウエハステージ３４０２を制御し、マスク１００とウエハ２００とを位置合わせする。位置合わせ後、シャッター３１０８が開き、光源空間フィルター調整部３３０３により輪帯状の光源を作ることにより、マスク１００が照明され、ウエハ２００上にマスクパターンが転写されウエハパターンが形成される。
【０１１７】
　この実施例では、エキシマレーザ３１１１からの光が強い干渉性を持つためこの干渉性を適度な値に落とす必要があり、光源空間フィルター３３０１上に輪帯状の光源を作ることにより、同時に達成されるという効果もある。
【０１１８】
　特に本発明においては、露光フィールド内（露光領域内）で一様な照明ができれば良く、仮想の多数の点光源を配列して形成された輪帯状照明を必ずしも同時に照明する必要はなく、複数に時分割して実現しても、前記実施例のように走査することによって実現してもよいことは明らかである。また、多数の点光源を配列して形成された輪帯状照明を複数に分割して実現しても良いことは明らかである。
【０１１９】
　以上説明したように、本発明は、大きい回路パターン部と小さい回路パターン部を２回に分けて露光することも可能である。更に、マスク上の回路パターンの少なくとも一部（一部あるいは全部）に、位相シフタを配置したマスクを用いることもできる。この場合、輪帯光源を用いることで、レチクルに入射する照明光の入射角度の中心値が大きくなるため、位相シフタによる位相ズレをπとするためには、位相シフタの厚さを多少薄くする必要が有る。この値は入射角度θを用いて算出される。
【０１２０】
　（２ｍ＋１）π＝（ｄ／ｃｏｓθ）・（ｎ／λ）・２π　　（数８）
　但し、ｍは整数、ｄは位相シフタの厚さ、ｎは位相シフタの屈折率、λは露光波長である。
【０１２１】
　このように、本発明は、従来技術の露光装置、或いは位相シフタ等を組み合わせて用いることにより、様々な回路パターンに対応が可能になる等の新しい効果を生むものである。
【０１２２】
　また、本発明を実施するにあたっては、レチクルに照射される光の入射角度が大きくなるため、マスク上のクロム等の回路パターンの厚さが問題になる。つまり、照射角度によっては、マスク上のクロム等の回路パターンの厚さによる影ができてしまうためである。従って、本発明を実施する上で、正確な転写パターン寸法を得るためには、マスク上のクロム等の回路パターンの厚さが薄い方が望ましい。従って、クロム等の回路パターンの厚さをｄｍ、転写パターンの許容値を
ｐｃ　とすると（数９）式を満たす必要が有る。
【０１２３】
　ｄｍ≦ｐｃ／ｌ　　　（数９）
　但し、ｌは縮小投影レンズの縮小率である。
これを実現するためには、クロムよりも透過率の低い他の材料でマスクをパターニングする必要がある。しかし、照明の入射角度による寸法変化を考慮してマスクの回路パターンの寸法を決定すれば、上記課題を低減することができる。
【０１２４】
　更に、マスクの透過部に、使用している入射角度で入射する光束の透過率が最大になるようなコーティングを施すと、露光量が大きくなり、露光に要する時間を短縮することができる。
【０１２５】
　また、
　なお、本発明は、前記の如く波動性を利用しているので、電子線、Ｘ線を用いた露光装置に適用可能であることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１】本発明の原理を説明するためにマスクに形成された回路パターンによる光の回折現象を示す図である。
【図２】本発明の原理を説明するための図である。
【図３】図２と同様に本発明の原理を説明するための図である。
【図４】本発明に係る縮小投影露光装置における露光系の一実施例を示す概略構成斜視図である。
【図５】本発明に係る露光系において光源空間フィルタと結像空間フィルタの配置関係を示す断面図である。
【図６】図５と同様に、本発明に係る露光系において結像空間フィルタの配置関係を示す断面図である。
【図７】従来の縮小投影露光装置におけるマスク上の回路パターンの結像関係を示す図である。
【図８】本発明に係る露光システム全体の一実施例を示す構成図である。
【図９】本発明に係る露光系における光源空間フィルタを有するインテグレータの第１の実施例を示す斜視図である。
【図１０】本発明に係る露光系における光源空間フィルタを有するインテグレータの第２の実施例を示す斜視図である。
【図１１】本発明に係る露光系における結像空間フィルタを有する結像レンズの第１の実施例を示す斜視図である。
【図１２】本発明に係る露光系における結像空間フィルタを有する結像レンズの第２の実施例を示す斜視図である。
【図１３】本発明に係る第１の実施例の光源空間フィルタと第１の実施例の結像空間フィルタとの関係を示す平面図である。
【図１４】本発明に係る第２の実施例の光源空間フィルタと第２の実施例の結像空間フィルタとの関係を示す平面図である。
【図１５】本発明に係る第３の実施例の光源空間フィルタと第３の実施例の結像空間フィルタとを示す平面図である。
【図１６】本発明に係る第４の実施例の光源空間フィルタと第４の実施例の結像空間フィルタとを示す平面図である。
【図１７】本発明に係る第５の実施例の光源空間フィルタと第５の実施例の結像空間フィルタとの関係を示す平面図である。
【図１８】本発明に係るウエハ上に転写されるウェハパターンの一例を示す平面図及び断面図である。
【図１９】本発明に係るウエハ上に転写されるウェハパターンの他の例を示す平面図及び断面図である。
【図２０】本発明に係る図１８に示すウェハパターンを得るためのマスクパターンの一例を示す平面図及び断面図である。
【図２１】本発明に係る図１９に示すウェハパターンを得るためのマスクパターンの一例を示す平面図及び断面図である。
【図２２】本発明に係るマスクパターンの様々な形態を示した図である。
【図２３】本発明の空間フィルタに関係するδ，εとウエハ上でのコントラストとの関係を示す図である。
【図２４】本発明の空間フィルタに関係するσとウエハ上でのコントラストとの関係を示す図である。
【図２５】本発明に係るマスク上の回路パターンのライン幅とウエハ上でのコントラストとの関係を示す図である。
【図２６】本発明に係るマスク上の回路パターンのピッチとウエハ上でのコントラストとの関係を示す図である。
【図２７】本発明に係るマスク上の回路パターンの一例を示す平面図である。
【図２８】本発明により図２７に回路パターンの転写結果を示す図である。
【図２９】本発明に係るマスク上に形成された極微細な回路パターンのピッチとウエハ上でのコントラストとの関係を示した図である。
【図３０】本発明に係る焦点深度とコントラストとの関係を示した図である。
【図３１】本発明に係る露光システム全体の他の一実施例を示す構成図である。
【図３２】本発明によるシステムのレスポンス関数を示す図である。
【図３３】本発明の光源と空間フィルターの相関関数の説明図である。
【図３４】従来例の光源と空間フィルターの相関関数の説明図である。
【図３５】光源と空間フィルターの相関関数の算出方法の説明図である。
【図３６】光源と空間フィルターの相関関数の算出方法の説明図である。
【図３７】本発明のＯＴＦの算出結果を示す図である。
【図３８】本発明の焦点深度を示す図である。
【図３９】輪帯状光源と輪帯状フィルターの効果を説明する図である。
【図４０】輪帯状フィルターを示す図である。
【図４１】輪帯状光源と輪帯状フィルターの実施例を示す図である。
【図４２】輪帯状光源と輪帯状フィルターの強度分布の一実施例を示す図である。
【図４３】輪帯状光源と輪帯状フィルターの強度分布の他の実施例を示す図である。
【図４４】輪帯状光源と輪帯状フィルターの他の実施例を示す図である。
【図４５】ＭＴＦカーブを示す図である。
【図４６】ＭＴＦカーブを示す図である。
【図４７】輪帯状光源と輪帯状フィルターの他の実施例を示す図である。
【図４８】図４７の光源の実施例のブロック図を示す図である。
【図４９】インテグレータの一実施例を示す図である。
【図５０】輪帯状光源と輪帯状フィルターの他の実施例を示す図である。
【符号の説明】
【０１２７】
１０００…パターン生成系、２０００…マスク製作系、３０００…露光系
３１０１…Ｈｇランプ、３１０４…インテグレータ、３３０１…光源空間フィルタ（輪帯状）１００…マスク、３２０１…結像レンズ、３３０２…結像空間フィルタ、２００…ウェハ
【図１】
2004138620.tif 000008
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004138620.tif 000012
【図６】
2004138620.tif 000013
【図７】
2004138620.tif 000014
【図８】
2004138620.tif 000015
【図９】
2004138620.tif 000016
【図１０】
2004138620.tif 000017
【図１１】
2004138620.tif 000018
【図１２】
2004138620.tif 000019
【図１３】
2004138620.tif 000020
【図１４】
2004138620.tif 000021
【図１５】
2004138620.tif 000022
【図１６】
2004138620.tif 000023
【図１７】
2004138620.tif 000024
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
2004138620.tif 000037
【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
2004138620.tif 000040
【図３４】
2004138620.tif 000041
【図３５】
2004138620.tif 000042
【図３６】
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【図３７】
2004138620.tif 000044
【図３８】
2004138620.tif 000045
【図３９】
2004138620.tif 000046
【図４０】
2004138620.tif 000047
【図４１】
2004138620.tif 000048
【図４２】
2004138620.tif 000049
【図４３】
2004138620.tif 000050
【図４４】
2004138620.tif 000051
【図４５】
2004138620.tif 000052
【図４６】
2004138620.tif 000053
【図４７】
2004138620.tif 000054
【図４８】
2004138620.tif 000055
【図４９】
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【図５０】
2004138620.tif 000057
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月28日(2003.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】　本発明は、極微細な回路パターンを検査するパターン検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】　ＬＳＩ製造では、マスク上の回路パターンをウエハ上に露光転写して、ウェハ上に微細な回路パターンを形成する。ところが、ＬＳＩの高集積化のニーズに対応するため、ウェハ上に転写する回路パターンは、極微細化し、結像光学系の解像限界まで来ている。【０００３】　そこで、従来より、極微細な回路パターンを転写するために、さまざまな技術が開発されている。【０００４】　例えばＳＯＲ（シンクロトロン・オーガナイズド・レゾナンス）光等のＸ線を用いて露光する方法がある。【０００５】　また、ＥＢ（エレクトロンビーム，電子ビーム露光機）を用いる方法がある。【０００６】　また、露光のスループットが早く、取り扱いが比較的簡便ということで、「エキシマ　レーザ　ステッパ　フォ　サブ−ハーフ　ミクロン　リソグラフィ、　アキカズ　タニモト、エスピーアイイー　第１０８８号　オプティカル　レーザ　マイクロリソグラフィ　２（１９８９）」”Ｅｘｃｉｍｅｒ　Ｌａｓｅｒ　Ｓｔｅｐｐｅｒ　ｆｏｒ　Ｓｕｂ−ｈａｌｆ　Ｍｉｃｒｏｎ　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ，　Ａｋｉｋａｚｕ　Ｔａｎｉｍｏｔｏ，　ＳＰＩＥ　Ｖｏｌ．１０８８　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｌａｓｅｒ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　２（１９８９）”又は特開昭５７−１９８６３１号公報に開示されているエキシマレーザを用いた方法がある。【０００７】　また、特公昭６２−５０８１１号公報によりマスクを工夫して分解能を向上する位相シフタ法が知られている。この位相シフタ法は、近接するパターンからの光を干渉させることにより分解能を上げるものであり、隣り合うパターンの位相が反転するように交互に位相をπずらした膜（位相シフタ）を設けることにより実現する。【０００８】　また、部分的コヒーレント結像の理論的解析を紹介した文献として、「ステッパの光学（１），（２），（３），（４）」（光学技術コンタクト、Ｖｏｌ．２７，Ｎｏ．１２，ｐｐ．７６２−７７１，Ｖｏｌ．２８，Ｎｏ．１，ｐｐ．５９−６７，Ｖｏｌ．２８，Ｎｏ．２．ｐｐ．１０８−１１９，Ｖｏｌ．２８，Ｎｏ．３，　ｐｐ．１６５−１７５）がある。【０００９】　また、空間フィルターを用いて、解像度を向上した例が、特開平３ー２７５１６号公報に記載されている。【００１０】
【特許文献１】特開昭５７−１９８６３１号公報
【００１１】
【非特許文献１】「エキシマ　レーザ　ステッパ　フォ　サブ−ハーフ　ミクロン　リソグラフィ、　アキカズ　タニモト、エスピーアイイー　第１０８８号　オプティカル　レーザ　マイクロリソグラフィ　２（１９８９）」”Ｅｘｃｉｍｅｒ　Ｌａｓｅｒ　Ｓｔｅｐｐｅｒ　ｆｏｒ　Ｓｕｂ−ｈａｌｆ　Ｍｉｃｒｏｎ　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ，　Ａｋｉｋａｚｕ　Ｔａｎｉｍｏｔｏ，　ＳＰＩＥ　Ｖｏｌ．１０８８　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｌａｓｅｒ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　２（１９８９）”
【非特許文献２】「ステッパの光学（１），（２），（３），（４）」（光学技術コンタクト、Ｖｏｌ．２７，Ｎｏ．１２，ｐｐ．７６２−７７１，　Ｖｏｌ．２８，　Ｎｏ．１，ｐｐ．５９−６７，Ｖｏｌ．２８，Ｎｏ．２．ｐｐ．１０８−１１９，　Ｖｏｌ．２８，Ｎｏ．３，ｐｐ．１６５−１７５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】　上記特公昭６２−５０８１１号公報に記載されている従来技術は、位相シフタの配置が難しいと共に、位相シフタを設けたマスクの製造が難しいという課題を有するものである。【００１３】　本発明の目的は、極微細な回路パターンを高精度に検査できるようにしたパターン検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】　本発明は、上記目的を達成するために、基板に形成されたパターンを検査する方法において、光源から発射された光から輪帯状の２次光源を形成し、この形成された輪帯状の２次光源から出射した光をパターンが形成された基板に照射し、この光が照射された基板を撮像して基板の画像を得、この撮像して得た画像を参照画像と比較することによりパターンの欠陥を検出するようにした。【００１５】　また、本発明は、基板に形成されたパターンを検査する方法において、光源からレーザを発射し、この発射されたレーザの光路を変換して２次光源を形成し、形成した２次光源から出射したレーザを基板に照射し、レーザが照射された前記基板のパターンからの回折光による回折光像を撮像し、この撮像して得た回折光学像を参照画像と比較することによりパターンの欠陥を検出するようにした。【００１６】　エキシマレーザ光等の光を用いる露光装置において、基板上に転写する回路パターンのコントラストを落す原因は、結像手段の開口（瞳）内に回折光を十分に取り込めないことにある。ところでマスク上の回路パターンからは、使用波長および回路パターンの寸法に応じて光が回折する。この際、露光波長に対して、回路パターンが極微細なった場合、回折角度が大きくなり、また回折光の強度も大きくなる。その結果、転写に用いる結像手段（投影レンズ）の開口に光が入らなくなり、これが分解能を落す原因となる。【００１７】　そこで、この回折光をなるべく取りこぼさないように、エキシマレーザステッパのように波長を短くして回折成分を小さくするか、又は結像手段（投影レンズ）のＮＡを大きくすることにより回折光をより多く取り込むようにするものが考えられる。【００１８】　これに対して本発明は、マスク上の回路パターンからの回折光は結像手段（投影レンズ）に取り込まれる成分が少ないのに対し、マスク上の回路パターンからの回折しない成分（０次回折光）は全てレンズに取り込まれるという現象から、結像に必要な光のうち０次回折光だけが結像手段（投影レンズ）に多く取り込まれることになり、相対的に結像手段（投影レンズ）に回折光成分が少なく取り込まれることに着目して、０次回折光の少なくとも一部を遮光することにより、結像手段（投影レンズ）から出射される回折光と０次回折光の光量のバランスを相対的に良くし、マスク上に形成された極微細の回路パターンを結像手段（投影レンズ）を通して基板上に結像転写されるコントラストを向上させて高分解能の露光を実現しようとするものである。【００１９】　さらに、この０次回折光の遮光を効率よく実現するには、マスクの照明光の可干渉性（コヒーレンシー）を高くする必要がある。かつ、投影露光装置では、改造能力を高い空間周波数までもたせるために、照明系の空間コヒーレンス度（シグマ、σ）を大きくしている。この２つの条件は、一見、背反するものであるが、位相差顕微鏡等で用いられて織る輪帯状の照明光源を用いることで、同時に達成される。【００２０】　また、この輪帯状の光源は、可干渉性を高くできるため、光学系の焦点深度を深くできる。【００２１】　特に本発明は、マスクに対して、多数の仮想の点光源から形成された輪帯状の拡散照明を、露光領域にお���てほぼ一様に施す照明手段と、該照明手段によってほぼ一様に拡散照明されたマスクを透過する光の内、０次回折光又は低次回折光の少なくとも一部を遮光する光学的瞳を有し、上記露光領域において上記マスク上に形成された回路パターンを基板上に結像する縮小投影レンズとを備えたことにより、マスク上に形成された極微細の回路パターンを縮小投影レンズを通して基板上に結像転写されるコントラストを向上させて高分解能の露光を実現することができる。【００２２】　なお、本発明は、必ずしも、エキシマレーザ光を用いた投影式露光方法に限られるものでないことは明らかである。
【発明の効果】
【００２３】　本発明は、マスクパターンを転写する際、０次回折光と、回折光の光強度のアンバランスを回避できるため、従来通りの白黒のマスクパターンにより、位相シフタを用いたのと同等以上の分解能で露光できるという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】　まず本発明の原理について、図１及び図７に基いて説明する。即ち、本発明は、マスク上の回路パターンを結像手段（投影レンズ）により基板上に忠実に転写するというより、コントラストを向上させて転写するものである。つまり、投影露光においては、必ずしも「回路パターンを正確に転写する」必要はなく、「基板（ウェハ）上に得たい回路パターンをコントラスト高く転写すれば良い」という新しい技術思想に基づくものである。【００２５】　ところで、図１（ａ）は、ガラス基板１０１上にクロム１０２によりマスク回路パターン１０４が形成されたマスク１００の断面図である。図１（ｂ）の波形３０１は、マスク回路パターン１０４について、図４乃至図６に示す投影露光装置３０００によって基板（ウエハ）２００上に結像された結像パターンの強信号度分布である。この波形３０１を０次回折光による波形３０２と高次回折光による波形３０３に分けて考える。マスク回路パターン１０４が図１（ａ）に図示したような微細な回路パターン１０５の場合、０次回折光による波形３０２に対し、高次回折光による波形３０３が小さいため検出される波形３０１はコントラストＡＭ／ＡＶは小さくなる。ここで、０次回折光を遮光することにより、波形３０２の成分を除けるため、検出波形は波形３０２のようなコントラストの高いものになる。【００２６】　また、本発明のもう一つの原理について以下説明する。即ち、本発明は、このマスク上の隣合う回路パターンの位相を位相膜を用いずに、反転させようと（すなわちπずらそうと）するものである。図２及び図３に示すように、マスク（レティクル）１００の隣合う回路パターン３２１（Ａ）、３２３（Ｂ）の間の遮光部が狭い場合には、完全に相補的な図形となり、該遮光部が有限の幅を持つ場合には、近似的に相補的になる。そしてマスク（レティクル）１００の隣合う回路パターン３２１（Ａ）、３２３（Ｂ）は、結像光学系（投影レンズ）３２０１により回折像面３２０３に、バビネ（Ｂａｂｉｎｅｔ）の原理により、フラウンホーファー回折像では、中央の１点（０次回折光）を除いて、光強度が等しく、位相がπずれることになる。この回折像面３２０３において、０次回折光以外の回折パターンでは隣合う回路パターン３２１（Ａ）、３２３（Ｂ）からの光は位相が反転し（πずれている）、該回折パターン（回折像面）上で遮光板３２４（結像空間フィルター３３０２）により０次回折光の少なく一部を遮光することによって、基板２００面（結像面）上に結像する光は、あたかも位相が反転している（πずれている）隣合うパターンからの光が結像しているのと等価になり、基板２００上に高コントラストの極微細な回路パターン（ウエハ上で０．１μｍ程度又はそれ以下の極微細な回路パターン）を転写することができる。即ち、図２又は図３に示すように、回折像面で遮光板３２４（結像空間フィルター３３０２）により０次回折光の少なくとも一部を遮光することによって位相の反転した回折光のみが結像面に届くため、結像面からみると、あたかもマスク上に位相膜が形成されているように見える。この結果、位相シフタ法と同じ回路パターンをウエハ上に結像するようになり、結像面の強度分布は、図７に示す従��の縮小投影露光の場合と比較してウエハ２００上に高コントラストの極微細な回路パターンが得られる。図７は、従来の縮小投影露光の場合を説明するための図であり、隣合う微細の回路パターン３２１、３２３の像は結像面においてコントラストが低くなっている。要するに、本発明に係る縮小投影露光の場合は、図２及び図３に示すように、図７に示す従来の縮小投影露光の場合と比較して結像面においてコントラストが高い極微細な回路パターン（ウエハ上で０．１μｍ程度又はそれ以下の極微細な回路パターン）が転写露光されることになる。【００２７】　以下、図４に示した例について数式を用いて説明する。図４の例では、水銀ランプ３１０１から射出した光を集光レンズ３１０３により光源空間フィルター３３０１に集光し、コンデンサレンズ３１０６により、マスク１００を照明する。マスクを透過した光は、一部を結像空間フィルター３３０２により遮光され、結像レンズ３２０１によりウエハ２００上に結像される。光源空間フィルター３３０１の形状をｌ（ｕ，ｖ）、マスク１００上のパターンの形状をｆ（ｘ，ｙ）、結像空間フィルター３３０２の形状をａ（ｕ，ｖ）とすると、ウエハ２００での像の強度ｇｐ（ｘ，ｙ）は以下の（数１）式で算出される。【００２８】
【数１】
2004138620.tif 000058
（数１）式では、光源空間フィルター３１０３上の各（ｕ，ｖ）から射出した光は互いに干渉しないため、結像面で強度を算出した後に積分している。ここで、久保田著、波動光学（岩波書店）によれば、一般に光学系の分解能は、光学系のレスポンス関数、あるいは光学的伝達関数（ＯＴＦ、Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ　Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）を用いて考えることができる。図４の例のレスポンス関数Ｈ（ｕ，ｖ）は、物体面上のパターンｆ（ｘ，ｙ）、およびその像の強度ｇｐ（ｘ，ｙ）を用いて以下の（数２）式で、算出される。
【００２９】
【数２】
2004138620.tif 000059
　図３１に、曲線３５１に算出した本光学系のレスポンス関数を示す。横軸は空間周波数ｓを示し、参考のために対応する結像レンズの開口数（ＮＡ＝０．３８の場合）を示している。縦軸は、０次の成分で正規化したレスポンス関数を示している。ここで、点３５５の位置は結像レンズの開口の大きさを示す。曲線３５２は、従来の光学系すなわち光源空間フィルター３３０１及び結像空間フィルター３３０２を用いない場合のレスポンス関数を示し、曲線３５３は位相シフト法による見かけ上のレスポンス関数を示し、曲線３５４はレーザ等コヒーレント光を用いた際のレスポンス関数を参考のために示している。従来法のレスポンス関数３５２は以下の（数３）式が示す位置ｓ１までレスポンス関数が延びている。
【００３０】
【数３】
2004138620.tif 000060
　本発明による方法でも上記（数３）式に示す位置までレスポンス関数が延びている点では、従来の方法と同一であるが、曲線がＮＡ０．２付近から０．６の位置まで安定した形状になっている。さらに本発明では、本光学系のレスポンス関数である曲線３５１に対して低周波成分のレスポンス関数を、後述するようなマスクパターンの形状の工夫により低下させることにより、本発明のシステム全体のレスポンス関数を曲線３５６の形状にしている。この曲線３５６を再度０次の成分で正規化して示したのが曲線３５７であり、低周波成分から高周波成分まで広い帯域にわたって安定したレスポンス関数を有している。これにより、本発明により微細なパターンを高いコントラストで結像できることが示される。具体的には、例えば０．３μｍのラインアンドスペースは点３５８の位置になり、このコントラストは、従来法ではＣ１になるが、本発明ではＣ２という高い値になる。本発明では、前記（数１）式を用いて算出したレスポンス関数を最適にするように光源空間フィルター３３０１および結像空間フィルター３３０２の形状を決定している。以上のように、本発明により、低周波成分のレスポンス関数を小さくすることにより、相対的に高周波成分のレスポンス関数の値を大きくすることができる。
【００３１】　また、輪帯状の光源空間フィルタ−を用いることにより、前記（数３）式による帯域までレスポンス関数を延ばすことができる。光源空間フィルタ−３３０１及び結像空間フィルタ−３３０２の大きさ及び幅はいずれも、前記（数２）式を用いてレスポンス関数を算出することにより最適化することができる。【００３２】　シミュレーションにより、ウエハ２００での結像状況を算出して、マスク形状を確認する方法を後述するが、前記（数１）式が解析的には解けないため、前記（数１）式を基にして数値計算によって算出する。また、前記（数２）式で算出できるレスポンス関数を求め、以下の（数４）式により算出すると計算時間を短縮できる。【００３３】
【数４】
2004138620.tif 000061
　図３２から図３７に光源空間フィルター３３０１および結像空間フィルター３３０２の形状を決定する方法を説明する。本発明の光学系は、いわゆる部分的コヒーレンス結像の光学系であり、いわゆるレスポンス関数では十分説明できない。部分的コヒーレンス結像の光学系については「ステッパの光学」（光学技術コンタクト、Ｖｏｌ．２７，Ｎｏ．１２，ｐｐ．７６２−７７１）に説明されている。この概念を用い本発明の輪帯状光源、および輪帯状空間フィルターをもちいた光学系の結像特性を算出する。
【００３４】　この部分的コヒーレンス結像の結像特性は、光源形状と検出光学系の瞳面の形状との関係を示すＴｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｃｒｏｓｓ−Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ、Ｔ（ｘ１，ｘ２）　という概念を用いて以下の（数５）式で算出される。さらに、上記「ステッパの光学」によれば、この光学系の結像特性（ＯＴＦ、Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ　Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）は最低次のＴｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｃｒｏｓｓ−Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ、Ｔ（ｘ，０）によって近似的に決定される。また、Ｔ（ｘ，０）は光源形状と瞳面の形状の相関関数で示される。【００３５】
【数５】
2004138620.tif 000062
　すなわち、複雑な（数５）式で示される部分的コヒーレント結像の特性は、光源形状と瞳面形状の相関関数という幾何の問題になる。図３２に、光源空間フィルタ３３０１の光透過部３３０５、および結像空間フィルタ３３０２の光遮光部３３０６を示す。座標ｘのときの光源と瞳面の相関関数は図３２の斜線部３６４の面積で示される。同様に、従来技術の光源と瞳面の相関関数を図３３の斜線部３６５に示す。
【００３６】　図３６の曲線３６７に、図３２の場合の相関関数、いいかえればＴｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｃｒｏｓｓ−Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ、Ｔ（ｘ，０）の算出値を示す。図３３に示す従来の場合の相関関数、曲線３６６に比べて、高周波領域でその値が大きくなっている。すなわち、コントラストが増加する。この図３６は、Ｎ．Ａ．＝０．３８，σ＝０．９の場合について計算したものである。また、図３６の横軸には波長０．３６５ミクロンの場合に、各Ｎ．Ａ．に相当する最小パターン寸法を示す。（例えば、０．３はラインアンドスペース０．３ミクロンを意味する。）０．３ミクロンのＯＴＦは従来例の約２倍になっているのがわかる。【００３７】　また、図３５および図３６には、この光源空間フィルタ３３０１および結像空間フィルタ３３０２の形状設定の直感的理解を深め、設定を助けるための図を示す。図３４（ａ）の斜線部Ａは光源の外径と遮光部３３０６との相関関数を示し、図３４（ｂ）の斜線部Ｂは光源の内径と遮光部３３０６との相関関数を示す。また、図３４（Ｃ）の斜線部Ｃは光源の透過部３３０５と光学系の最大瞳との相関関数を示す。最終的な光源形状と空間フィルターとの相関関数は、図３５の斜線部３６７で示され、これは、上記のＣ−Ａ＋Ｂで求められる。このように相関関数を求めることにより、空間フィルタあるいは輪帯状照明の効果が直感的に理解でき、逆にこれらの形状を決定する際の助けになる。具体的には、輪帯状照明によって、瞳面に到達する光において、中周波領域３８１に対して、高周波領域３８２の値が大きくなる。また、低周波領域３８３が大きすぎるのに対し、空間フィルターの効果Ａ部およびＢ部を考慮することにより、低周波領域の値をさらに低減している。このように、輪帯状照明、および空間フィルタの効果は直感的にも説明された。【００３８】　もちろん、この光源形状および空間フィルターの形状は、（数５）式を基にして、評価されるべきであり、近似的には、光源と空間フィルタの相関関数で評価されるべきものである。【００３９】　また、この輪帯状の光源は、通常の光源に比べて空間コヒーレンス度を向上させ可干渉性を高くできるため、光学系の焦点深度を深くできる。ここで、輪帯状光源の帯幅が狭い程、光源の可干渉性が高くなるため焦点深度が上がり、輪帯状光源の輪帯の直径が大きいほど、空間コヒーレンス度が大きくなるため解像度が高くなる。【００４０】　図３８に、本発明で用いている輪帯状光源と輪帯状空間フィルターの効果について説明する。図３８（ａ）には、結像空間フィルタ３３０２、結像レンズの瞳上に結像される光源の像３３０５ａ（０次回折光）、及びマスク１００上にｙ方向に形成されたパターン（回路パターン）による光源の回折像３３０５ｂ，３３０５ｃを示す。光源が輪帯状の場合を図３８（ａ）に示し、円形の場合を図３８（ｂ）に示す。０次回折光を遮光するための輪帯上空間フィルターを斜線部３７１で示す。この斜線部３７１により光源の回折光３３０５ｂ，３３０５ｃの一部でもある３７２も同時に遮光されることになるが、（ａ）の場合は１０％から２０％だけが遮光されているが、（ｂ）の場合は、４０％以上は遮光されている。すなわち、０次回折光のみを���率よく遮光するという目的は、図３８（ａ）の輪帯状の光源の方が効果的に達成される。つまり、輪帯状の光源の方が性能が上がる。ここで輪帯状光源の幅が小さいほど、遮光されてしまう回折光の比率が小さくなる。【００４１】　また、本発明では、０次回折光の一部を遮光するため図３９（ａ）に示したような光源の輪帯幅の３０％程の狭さの輪帯幅を有する輪帯部３３０６を用いているが、０次回折光の一部を遮光すれば良いわけであるため、図３９（ｂ）に示したような輪帯幅は光源とほぼ同じであって透過率を約７０％程度にした空間フィルターを用いても良い。勿論、輪帯幅を光源の像の輪帯幅よりも小さくし、透過率を７０％よりも下げたものを用いても良い。更に、ここでは０次回折光の遮光率をほぼ３０％にした場合を示したが、遮光率は後で述べるように３０％に限るものではない。更に、０次回折光の一部を遮光するために輪帯部３３０６を透過率は１００％で使用波長での位相がπずれるような位相板を用いても良い。このようなフィルターも実質的に０次回折光の一部を遮光するフィルターになる。更には、偏光と偏光板を用いて遮光しても良い。【００４２】　更に、図４９に示したように、透過率を約７０％にしたフィルターの輪帯幅を、光源の輪帯幅より大きくしても良い。このような構成することにより、０次回折光のみでなく、低次回折光の一部を遮光することができ、ＭＴＦカーブをより良くすることができる。また図３９（ａ）に示した例も、図４９の例のように低次回折光の一部を遮光する構成になっている。【００４３】　以上説明したように、０次回折光を効率よく遮光するためには、輪帯状の光源が効果を発揮し、輪帯の幅を小さくすると効果は大きくなる。ここで、輪帯状光源を小さな光源が輪帯状に並んだものと考えることができる。すなわちコヒーレントな点光源の集合体と考えることができる。そこで、図４０に示したように点光源に近いような空間コヒーレンス度が０．１から０．３程度の光源３７５の集合として、これに対応する位置に光源３７５より小さな遮光版３７６を設置しても本発明の目的は達成される。透過率を下げた遮光版３７６を用いても良いことはいうまでもない。図４０（ａ）には、輪帯状に並べた例を示す。さらに、この考え方を進めると、図４０（ｂ）に示すように輪帯状の形をしていなくても０次回折光の遮光は達成される。同時に、図４０（ｃ）に示すようにこのような光源と遮光版を何重かの輪帯として並べてもよい。また、図４０（ｄ）のように０次回折光の一部を遮光するために、対応する光源の一部に対してのみ遮光版を設置してもよい。【００４４】　図４１（ａ），（ｂ）にはそれぞれ、光源の光強度分布と空間フィルタの透過率を半径方向について示している。ここで、図４１では、光強度分布および透過率分布共に矩形の分布を示しているが、図４２に示したように、なだらかな分布を示していても問題ない。これは、ＯＴＦが、これらの相関関数で示されることを考えれば理解できる。すなわち、重複部分について、加重をとりながら積分していったのが相関関数であるため、なだらかな分布を示しても、相関関数の値は大きくは変わらない。いずれの場合も半径方向に等しい分布、同心円状の分布になっており、��れが重要である。【００４５】　ここで説明した光源が図４２（ａ）のように分布をもってもよいということは、図４０（ｂ），（ｃ），（ｄ）に示す光源の強度を中心になるに従って、小さくするような形であっても良いことを示している。このような実施例では、図４１に示すような矩形の光強度分布を持つ輪帯状の光源よりコヒーレンシーのない光源が作れると同時に低周波成分を更に小さくできるという効果を有する。【００４６】　以上説明したように、本発明では、露光装置あるいはその他の結像光学系で０次回折光の一部を効率的に遮光するということが解像度向上及び焦点深度向上という目的を解決する手段である。ところが、０次回折光を効率的に遮光するためには、空間フィルターを配置するフーリエ変換面で０次回折光と回折光が重ならず、分かれている必要があり、このためには、図１５の光源３３０１に示すような従来の光源より照明光のコヒーレンシーが高くなければいけない。すなわち、点光源に近いことが望ましい。一方で、結像光学系の解像度を向上するためには、光源の空間コヒーレンス度すなわちσ値を大きくすることが望ましい。すなわち、大きな光源が望ましいということになる。つまり、点光源であって、大きな光源という相反することを両立させる必要がある。この相反することを両立させるのが本発明の輪帯状光源と空間フィルタである。これを効率的に満足させるためには小さな光源の集合体を用いることが一策である。さらに、この集合体を大きな輪帯状に配置すれば大きな光源という条件も満足する。すなわち、輪帯の幅を小さくすればコヒーレンシーが増し焦点深度が向上し、輪帯の半径を大きくすれば空間コヒーレンス度が増し解像度が向上する。【００４７】　そこで、以上の０次回折光の一部を遮光しながら、輪帯の半径を大きくしていくと、遮光部３３０６（図３９）の径が光学系の瞳３２０３ａと同じ程度の大きさになる条件が存在する。この条件が、０次回折光の一部を遮光し、輪帯状光源の大きさが最大になる条件である。すなわち、ある縮小投影レンズに関して、最大の解像度を得られる条件となる。図４３（ａ），（ｂ），（ｃ）に、この実施例を示す。いずれも光源空間フィルタ３３０１の大きさがレンズ瞳（光学系の瞳３２０３ａ）より大きくなっている。一般には光源の大きさを大きくすると焦点深度が浅くなり、リソグラフィには使用できないとされてきた。しかしながら、すでに説明したように輪帯状の光源を用いることにより焦点深度を深くすることができるため、図４３に示すような瞳より大きな光源を用いることができる。この実施例も０次回折光の一部で、瞳の外側の部分３７７を遮光する構成になっている。この構成のＯＴＦも相関関数で現される。そこで、光源の大きさが瞳より小さい場合より、ＯＴＦの遮断周波数が延びるという効果がある。また、この構成の他の効果として高い精度が必要な縮小投影レンズを用いず大Ｎ．Ａ．化が容易な照明系の改良のみで解像度を向上できる点がある。この実施例では、Ｎ．Ａ．０．４のレンズを用いｉ線で概ね０．２μｍのパターンを転写することができる。【００４８】　これらの０次回折光遮光の結像系で重要なことは、ＯＴＦカーブが緩やかに単調減少することである。図４４���本発明のＯＴＦ３７８を示す。ここで、ＯＴＦが緩やかでなく、３７９のように波うっている場合、波の極小点付近でコントラストが低くなることになり、様々な空間周波数成分を持つ実際のＬＳＩパターンではパターンが正しく転写しない。但し、特定の空間周波数成分のみから形成されている特殊なパターンではこの限りでなく、特定の空間周波数に対してだけコントラストを大きくすればよい。すなわち、ＭＴＦ（Modulation Transfer Function）カーブが特定の幅Ｗｂの範囲にある必要がある。このＷｂは、後述する転写シミュレータで算出した転写結果より算出されるべきものである。【００４９】　従って、図４３に示した光源が大きい場合にもこの緩やかに単調減少するＯＴＦが必要になる。このことから、実際のＬＳＩのパターンを転写する場合は、図４３に示したように光源の内径と縮小投影レンズの瞳径の差と光源の外径と縮小投影レンズの瞳径の差がほぼ等しいのが望ましい。現実的な焦点深度を得るためには縮小投影レンズの瞳径と内径との比率が０．６以上有るのが望ましい。【００５０】　また、図４３（ａ）の例で、縮小投影レンズの瞳内の光源の０次回折光の像が形成される部分のうち、瞳の内側の部分３８０に適当な値の透過率をもつフィルタを配置しても良い。この場合、光源瞳外の部分３７７の幅を小さくでき、従って光源の大きさも小さくできる効果も有する。また、逆に縮小投影レンズの瞳内の部分３８０の幅を３７７に対して太くできる。この場合光強度を大きくし易い広い帯域で安定したコントラストを保やすい等の効果を生む。【００５１】　更に、輪帯の光源の外径を、縮小投影レンズの瞳の外径と同じ大きさにしても本発明の目的をある程度達成することができる。但し、図４３（ａ）に示す構成は、縮小投影レンズの瞳に空間フィルタを入れなくして、０次回折光の一部をカットすることができるため、構成が単純であり、実施しやすいという効果を有する。【００５２】　さらに、図４６に示したように、図４３の光源のさらに外側に輪帯状光源３７８を設置することにより解像度はさらに向上する。この図４６に示した光源を実施した例を図４７に示す。このようにＮ．Ａ．を大きくした光源はレンズ系では難しいためレーザ光源３１２１、ビーム走査手段３１２２、リング状ミラー３１２３、３１２４を用いた構成としている。この実施例の場合、ｉ線のＮ．Ａ．０．４のレンズを用い、０．１５μｍが解像できる。【００５３】　なお、本実施例も０次回折光の一部を遮光している点で、本発明の基本思想と何等変わるところはない。【００５４】　次に、本発明に係るパターン転写系（縮小投影露光光学系）３０００の一実施例について、図４乃至図６に基いて説明する。即ち、パターン転写系（縮小投影露光光学系）３０００では、Ｈｇランプ３１０１からの光のうち、波長３６５ｎｍのｉ線を色フィルタ３１０２（図８参照）により選択的に透過させ、集光レンズ３１０３により、インテグレータ３１０４の面に集光される。インテグレータ３１０４内の各エレメント３１０７（図９）に入射した光が、個々に射出角αとして射出し、コンデンサレンズ３１０６により、マスク１００上を照明する。ここで、インテグレータ３１０４については後述する。光源空間フィ��ター３３０１として仮想の多数の点光源を配列した形の輪帯状に形成してインテグレータ３１０４の出力端付近に設置される。【００５５】　そして、マスク１００上のマスク回路パターン１０４（例えば図２０に示す。）を透過・回折した光は、結像レンズ（縮小投影レンズ）３２０１及び該結像レンズ３２０１の瞳の付近に設置された結像空間フィルター３３０２を通して、ウエハ（基板）２００２００上に高コントラストを有するウエハ回路パターン２０４（例えば図１８に示す。）として結像転写される。【００５６】　ところで、仮想の多数の点光源を配列した形の輪帯状に形成された光源空間フィルター３３０１の像が、コンデンサレンズ３１０６及び結像レンズ（縮小投影レンズ）３２０１により輪帯状に形成された結像空間フィルター３３０２の位置に結像する関係になっている。本実施例での光源空間フィルター３３０１及び結像空間フィルター３３０２の結像関係を図１３及び図１４に示す。光源空間フィルター３３０１及び結像空間フィルター３３０２とも輪帯状の形状をしている。光源空間フィルター３３０１は、外径ＤＬＯ，内径ＤＬＩの輪帯部３３０５の光源を形成するようになっており、輪帯部３３０５の内側、外側とも遮光される。結像空間フィルター３３０２は、外径ＤＬＯ，内径ＤＬＩの輪帯部３３０６が遮光されており、輪帯部３３０６の内側、外側とも光を透過する構造になっている。なお、結像レンズ（縮小投影レンズ）３２０１の入射部を３２０５で示し、出射部を３２０６で示す。【００５７】　ここで、結像空間フィルタ３３０２は結像レンズ３２０１の前側の位置３２０２であっても、結像レンズの後側の位置３２０４であっても、また結像レンズ内の瞳の位置３２０３であっても良い。設計上最も効果の良好なのは位置３２０３の場合であり，コストが最も低くかつ効果の十分にでるのは位置３２０４の場合である。図１１に位置３２０４に結像空間フィルター３３０２を載置した結像レンズ３２０１の斜視図を示す。結像空間フィルター３３０２は金属板で形成しているため支持棒３３１１で支持している。この支持棒３３１１は少ないほどまた細いほど良いのは言うまでもない。また図１２には、ガラス基板３３１２上に遮光膜３３１３を形成することにより形成された結像空間フィルター３３０２の例を示す。この場合、支持棒３３１１は不用であるが、ガラス基板３３１２による収差の分を考慮して結像レンズ３２０１を設計する必要がある。【００５８】　ここで、光源空間フィルター３３０１、結像空間フィルター３３０２間の結像倍率をＭとすると、図１３に示すように光源空間フィルター３３０１の外径であるＤＬＩ、結像空間フィルター３３０２の外径であるＤＩＯ、結像空間フィルター３３０２の内径であるＤＩＩ間の関係については後述する。要するに、０次回折光の一部ないし全部が遮光されれば、高コントラストでマスク上の微細な回路パターンをウエハ上に結像させることができる。【００５９】　このように、光源空間フィルター３３０１のＤＬＯ，ＤＬＩはもとより、結像空間フィルター３３０２のＤＩＯ，ＤＩＩについて、液晶表示素子等の可変空間フィルターに構成するか、それぞれ異なる寸法の空間フィルターを複数備えてそれらを��換することによって、空間フィルターの輪帯状の寸法を制御することが可能である。【００６０】　次に本発明の投影露光システムの全体の一実施例を図８乃至図１７に基づいて説明する。【００６１】　まず、パターンデータ生成系１０００について説明する。【００６２】　パターンデータ生成系１０００において、配線データ作成部１１０２は、設計データ等の配線図面データ１１０１に基づいて、基板（ウェハ）２００上に形成したいウェハパターン形状データ１１０３が形成される。パターン変換部１１０４は、このウエハパターン形状データ１１０３を基にして、マスク（レティクル）１００上に形成したいマスクパターン形状データ１１０５に変換する。この際、パターン転写シミュレータ１１０８は、パターン変換部１１０４で変換されたマスク１００上のマスクパターンが、配線データ作成部１１０２によって形成されたウエハパターン形状データ１１０３と、光源空間フィルター３３０１の輪帯部３３０５の外径ＤＬＯ、内径ＤＬＩ等の設定条件、及び結像空間フィルター３３０２の輪帯部３３０６の外径ＤＩＯ、内径ＤＩＩ等の設定条件とに基づいて、実際パターン転写光学系３０００で基板２００上に露光した際のウェハパターン形状データ１１０３と近似的に一致するかどかがチェックされ、パターン変換部１１０４にフィードバックされ、修正されると共に、ウエハパターン形状データ１１０３に合った空間フィルターの最適形状（輪帯部３３０５の外径ＤＬＯ、内径ＤＬＩ等、輪帯部３３０６の外径ＤＩＯ、内径ＤＩＩ等）を求め、その結果を空間フィルター制御系３３０５を介して光源空間フィルター制御部（調整部）３３０３及び結像空間フィルター制御部（調整部）３３０４に導き、光源空間フィルター３３０１及び結像空間フィルター３３０２の形状を制御（調整）する。パターン生成部１１０６は、パターン変換部１１０４によって変換されたマスクパターン形状データ１１０５に基づいて電子線描画装置２１０３に合うＥＢデータ１１０７に変換する。【００６３】　次に、マスク製作系２０００について説明する。即ち、マスク製作系２０００において、成膜装置２１０１は、マスク基板１０１上に金属クロムあるいは、酸化クロムあるいは、金属クロムと酸化クロムの複数の積層膜（図示せず）を形成する。【００６４】　塗布装置２１０２は、成膜装置２１０１によって形成されたマスク基板１０１上にレジスト膜（図示せず）を塗布する。そして、電子線描画装置２１０３は、パターン生成部１１０６から生成されるＥＢデータ１１０７に従い、マスクパターン形状データ１１０５と同一の回路パターンを描画して形成する。この後、現像装置２１０４により、マスク基板１０１上の回路パターンを現像してマスク１００は完成する。完成したマスク１００は、パターン検査装置２１０６において検出された画像データとマスクパターンデータ１１０３又はウエハパターンデータ１１０５又は転写シミュレータ１１０８からのデータと比較してパターン検査し、不良があればイオンビーム加工装置等で構成されたパターン修正装置２１０５で修正し、最後に異物検査装置２１０７でマスク１００上の異物の検査をする。異物があれば洗浄装置２１０８で洗浄する。ここで、本発��によるマスク１００は、例えば図２０に示すように、１層の膜１０２で形成できるので、位相シフタのマスクに比べて洗浄し安いという特徴を有する。また、該マスク１００を位相シフタのマスクに比べて容易に製造することができる。また、上記パターン検査装置２１０５では、検出された画像データと、マスクパターンデータ１１０３又はウエハパターンデータ１１０５又は転写シミュレータ１１０８からのデータのいずれと比較しても良い。ただし、パターン検査装置２１０５の光源及び結像光学系を本発明に係るパターン転写系（縮小投影露光系）３０００と等価にして、ウエハパターンデータ１１０５と比較検査するのが、最も効果的である。即ち、パターン検査装置２１０５は、パターン転写系（縮小投影露光系）３０００と等価の光学系で構成し、マスクステージ３４０１上に検査すべきマスク１００を設置し、ウエハ（基板）２００が設置される位置に受光素子を配置して受光素子上に結像される画像を検出するようにすればよい。このようにパターン検査装置２１０５を構成することによって、実際ウエハ上に投影露光される極微細な回路パターン（ウエハ上で０．１μｍ程度又はそれ以下の極微細な回路パターン）と同じ回路パターンが光の干渉に影響を受けることなく、受光素子から高コントラストの画像信号として検出することができ、その結果ウエハパターンデータ１１０５と比較検査することにより、微細な回路パターンでも、正確に検査することができる。【００６５】　次に本発明の重要な構成であるパターン転写系（縮小投影露光光学系）３０００について説明する。即ち、パターン転写系３０００では、Ｈｇランプ３１０１からの光のうち、波長３６５ｎｍのｉ線を色フィルタ３１０２により選択的に透過させ、集光レンズ３１０３により、インテグレータ３１０４の面に集光される。インテグレータ３１０４内の各エレメント３１０７（図９）に入射した光が、個々に射出角αとして射出し、コンデンサレンズ３１０６により、マスク１００上を照明する。ここで、図９及び図１０のそれぞれにインテグレータ３１０４の異なった実施例の構成を示す。図９には、インテグレータ３１０４の断面が輪帯状の場合を示す。また図１０には、輪帯状の形状を遮光板３１０５によって形成したインテグレータ３１０４の実施例を示す。要するに空間フィルタの役目をするものであれば、即ち輪帯状に遮光機能を有するものであれば、他の構成であってもよいことは明らかである。なお、上記のように構成された光源空間フィルタ３３０１のＤＬＩ、ＤＬＯは、可変空間フィルタに構成するか、それぞれ異なる寸法の空間フィルタを複数備えてそれらを交換することによって制御できるようにして、光源空間フィルター制御部（調整部）３３０３からの指令で制御または調整できるようにすることが望ましい。そうしないと、非常に自由度の面で制約を受けることになる。【００６６】　ここで、本実施例では、光源面に遮光版を置いた場合総合的な露光量が減ることになる。従って、光源の光強度を大きくする必要がある。ところが従来のランプでは光強度を大きくすることが難しかった。ファイバー照明用ストロボ光源が平成３年秋季応用物理学会学術講演会１１ｐ−ＺＨ−８、山本他「ファイバ���照明用ストロボ光源の開発研究」に開示されている。ここで開示されているようなストロボ光源は従来露光装置には使用されていなかった。しかしながら、光強度を十分得る必要がある本発明ではこのようなランプを用いる事は効果的である。さらに、この光源は光源の径が大きいため本発明に適している。【００６７】　また、本発明の図４３に示す実施例では、図４８に示すような光ファイバーを用いたインタグレーターが効果的である。この光ファイバーを用いたインテグレーターは、多数の光ファイバー３８５を束ねたものである。光の導入面３１３１は光源３１０１からの光を集光し安いように円形であり、光の射出面は輪帯状になるように光ファイバーの束を束ねなおしたものである。このように光ファイバーを用いることにより、水銀ランプ等の円形の光源形状を有する光源を用い、輪帯状の光源を効率的に作成できる。さらに、光ファイバーを用いることでインテグレーター３１０４をフルキシブルに作成できるため、熱源である光源を温度制御が必要な装置本体から離して設置できるという効果がある。【００６８】　ここで、図４８に示したファイバーの束を、固着せずにばらばらの状態にしておき、外径、内径を可変にできる構成にしておくと良い。このような可変機構は光源空間フィルター制御機構３３０３により制御される。【００６９】　そして、マスク１００上のマスクパターン１０４（図２１）を透過・回折した光は、結像レンズ３２０１及び結像空間フィルタ３３０２を通して、ウェハ２００上にウェハパターン２０４（例えば図１８に示す。）として結像する。【００７０】　ここで、光源空間フィルター３３０１の像がコンデンサレンズ３１０６、結像レンズ３２０１により結像空間フィルター３３０２の位置に結像する関係になっている。本実施例での光源空間フィルター３３０１及び結像空間フィルター３３０２の結像関係を図１３及び図１４に示す。光源空間フィルター及び結像空間フィルターとも輪帯状の形状をしており、光源空間フィルター３３０１は、外径ＤＬＯ、内径ＤＬＩの輪帯部３３０５を有し、輪帯部３３０５の内側、外側とも遮光される。結像空間フィルター３３０２は、外径ＤＩＯ、内径ＤＩＩの輪帯部３３０６が遮光されており、輪帯部３３０６の内側、外側とも光を透過する構造になっている。光源空間フィルター３３０１、結像空間フィルター３３０２間の結像倍率をＭとすると、ＤＬＯ，ＤＬＩ，ＤＩＯ，ＤＩＩ間には次式（数６）の関係がある。【数６】
2004138620.tif 000063
【００７１】　ここで，δ，εは、係数であり、次式（数６）を満たす。【数７】
2004138620.tif 000064
【００７２】　尚、これら係数は、上記の式（数７）を満たすときに本発明の効果が最も顕著に現れる。しかしながら、必ずしもこれらの式を満たす必要はなく、０次回折光の一部ないし全部が遮光されれば良い。【００７３】　また、δ及びεを設定するに当たり、パターン転写シミュレータ１１０８により最もコントラストの高い空間フィルターのδ及びεの値が選定される。【００７４】　図２３にδ及びεの値を変えたときのコントラストをしめす。この図によればδが０．８εが１．１の時最も良好なコントラストが得られる。しかし、この値の時のみ良好なコントラストが得られるものでないことは図２３から明らかである。【００７５】　ここで結像レンズ（縮小投影光学系）３２００の射出側３２０４の開口数をＮＡＯ、同じ３２０４の位置での光源の像を投影したものの開口数をＮＡＬとする。ここでＮＡＬ／ＮＡＯを空間コヒーレンス度σと定義する。図２４に、このσとコントラストの関係を示す。σが０．９程度の時最も良好なコントラストが得られている。しかし、σが０．９より多少ズレたとしても、高コントラストは得られる。【００７６】　本発明の目的が最も顕著に達成されるのは、図１３に示した光源空間フィルター３３０１及び結像空間フィルター３３０２を用いた場合であるが、本発明の目的は０次回折光の一部あるいは全部を遮光することによって達成されるため、図１４から図１７に示した空間フィルターを用いても高コントラストの回路パターンをウエハ上に結像させることができる。図１４から図１７に示した空間フィルターでは、図に示した斜線部が遮光部である。ただし、図１３及び図１４のうちで、それぞれ右端に示した図は、位置関係を示すために、結像空間フィルタ面上に光源空間フィルタの像が投影された状態を示した図である。【００７７】　なお、パターン転写系３０００は、Ｈｇランプ３１０１、色フィルター３１０２、集光レンズ３１０３、インテグレータ３１０４及びコンデンサレンズ３１０６より構成される光源部３１００と、結像レンズ３２０１より構成される結像光学系３２００と、光源空間フィルター３３０１、結像空間フィルター３３０２、光源空間フィルター３３０１を制御する光源空間フィルタ制御部（調整部）３３０３、結像空間フィルター３３０２を制御する結像空間フィルタ制御部（調整部）３３０４並びにパターン転写シミュレータ１１０８から得られるＤＬＯ，ＤＬＩ，ＤＩＯ，ＤＩＩ等の指令信号に基いて光源空間フィルタ制御部（調整部）３３０３、結像空間フィルタ制御部（調整部）３３０４及び位置決めマーク検出部３４０３に制御信号を送出して全体を制御する全体制御部３３０５より構成される空間フィルター制御系（調整系）３３００と、マスク１００を載置するマスクステージ３４０１、ウエハ２００を載置するウェハステージ３４０２、ウエハ上の位置決めマークを検出する位置決めマーク検出部３４０３、位置決めマーク検出部３４０３からの指令でマスクステージ３３０４を制御するマスクステージ制御系３４０４及び位置決めマーク検出部３４０３からの指令でウエハステージ３４０２を制御するウエハステージ制御系３４０５より構成される位置決め部３４００とにより構成される。【００７８】　上記構成により次のように動作する。即ち、マスク製作系２０００で製作されたマスク１００は、マスクステージ３４０１に載置され、光源部３１００により照明される。マスク１００を透過して結像空間フィルタ３３０２上に到達した光源部３１００内の光源空間フィルター３３０１からの０次回折光の一部が、結像空間フィルター３３０２により遮光され、高次回折光と０次回折光の一部が結像光学系（縮小投影レンズ）３２００を通してウエハ２００上に回路パターンを結像する。【００７９】　ここで、空間フィルターとして図１３に示したように、仮想の多数の点光源を配列して形成した輪帯状のものを用いているのは光源に可干渉性を持たせるためである。干渉性は、時間的なものと空間的なものの２つある。この時間的可干渉性は光源の波長の帯域であり、帯域の短い光ほど干渉性が高い。空間的干渉性は、光源の大きさであり、本発明では、光源空間フィルター３３０１の大きさに当たる。ところが、干渉性を上げるために光源の大きさを小さくすると、光源の光強度が小さくなってしまい露光時間が長くなり、露光のスループットが落ちる。【００８０】　そこで、輪帯状の光源空間フィルター３３０１を用いると、コンデンサレンズ３１０６および結像レンズ３２０１を介して結像空間フィルタ３３０２の位置に結像される光源空間フィルター３３０１の像は０次回折光により形成される。つまり、輪帯状の空間フィルター３３０１を用いることにより強度の強い、且つ干渉性のある光源を実現できる。これは、位相差顕微鏡において白色光から可干渉光を得るのに輪帯状の空間フィルターを用いるのと同一のものであり、久保田著、波動光学（岩波書店）に示されている。【００８１】　光源空間フィルター３３０１が輪帯状の形状をしているのには、もう一つの理由がある。先に説明したように、転写したいウエハ上パターンの寸法とその寸法のパターンを最もコントラスト高く転写する光源の空間コヒーレンス度との間には図に示したような関係がある。そこで、転写したいパターンの寸法（ピッチ）に合わせて空間コヒーレンス度を決定すると本発明の効果は、顕著に現れる。すなわち光源空間フィルタ３３０１が輪帯状の形状をしているもう一つの理由は、光源空間フィルター３３０１および結像空間フィルター３３０２を輪帯上に形成することで、空間コヒーレンス度すなわち輪帯の大きさを制御し易くできるからである。しかしながら、輪帯状光源と空間フィルターの輪帯半径（空間コヒーレンス度）はできる限り大きい方が解像度は向上することはいうまでもない。【００８２】　また、本発明では、輪帯状光源も空間フィルターも同心円としている。同心円状にすることによって、ＭＴＦが転写すべき回路パターンに対して方向性を持たせなくできる。様々な方向の回路パターンを有するＬＳＩ回路パターンを転写する際にはＭＴＦが方向性を持たないことが重要である。更に同心円のフィルターは、図１７に示すような非同心円のフィルターに比べ、レンズに複雑な収差が入りにくいという効果を持つ。【００８３】　以上の効果は、０次回折光と高次回折光の強度のバランスをとれれば達成できるので、結像空間フィルター３３０２を省き、光源空間フィルター３３０１のみでもやや低いが達成することができる。逆に、光源空間フィルター３３０１を省き、結像空間フィルター３３０２のみでも上記効果はやや低いものが達成することができる。【００８４】　次にパターンの形成方法について、更に具体的に図１８〜図２２を用いて説明する。即ち、以上説明したように、本発明の目的は、光源空間フィルター３３０１及び結像空間フィルター３３０２を用いることにより達成できるが、以下説明するようにマスクパターン１０４を工夫することで更に本発明の効果を向上させることができる。【００８５】　マスク１００上に形成する等しいピッチのラインスペースパターンのライン幅（すなわち、光透過部分の幅、光遮光部分の幅をスペース幅と定義する）を変えた時、結像光学系３２００でウエハ２００上に投影された回路パターンのコントラストはライン幅が小さくなると大きくなる。つまりピッチを変えずにライン幅を小さくする、言い換えるとピッチを変えずにスペース幅を大きくするとよい。ここでライン幅を小さくすると光強度は小さくなるため、露光時間を長くする必要がでて来る。そこで、マスク１００上に形成する回路パターンのライン幅は、回路パターンを転写するのに必要なコントラストと露光時間とのかねあいで決定されるものである。【００８６】　従って、本発明による露光方法では、マスクパターン１０４を形成するライン幅は一定にすることが望ましい。そのため、幅の広いウエハパターン２０４を形成したい場合は、工夫がいる。ここでこのライン幅が一定にできず広くなった場合、結像面での光強度が周辺のライン幅が一定のパターンに対し大きくなり、レジスト現像後の転写パターンの形状が本来得ようとする回路パターンと大きくかけ離れたものとなってしまう。これは、一部に光強度の大きい回路パターンがあった場合、ここから回り込む光による影響と考えられる。【００８７】　この広い回路パターンを正しく形成するには、光強度を周辺のライン幅一定の回路パターンと同じ光強度で形成する必要がある。この広い回路パターンの形成方法を図を用いて説明する。結像光学系３２００を用いて回路パターンを転写する際、結像光学系の分解能より十分小さい回路パターンは解像できず、均一なものとして結像される。上記の広い回路パターンを結像する際は、この現象を利用する。即ち、本光学系の分解能以下の微細パターンを図２０、２１に１０５、１０６、１０８で示すようにマスク１００上に形成することで図１８、１９に示すように広い回路パターンをウエハ２００上に転写することができる。【００８８】　図２５はラインスペースパターンのピッチを変えた時のコントラストを示したものである。図２５のようにコントラストはピッチが小さくなると小さくなる。つまりピッチを小さくするとコントラストがほぼ０になる位置３３１がある。広い回路パターンの全面を白くしたい場合、この３３１の位置のピッチのパターンを用いるとよい。具体的には、解像したいパターンのピッチの１／２程度のパターンが最も良い。このピッチの時、広い回路パターンの光強度が最小パターンの光強度と同程度になる。【００８９】　具体的には、図１８に示したようなウエハパターン２０４を得ようという場合、図２０に示したようなマスクパターンを製作し、ネガレジストを使用するか、図２１に示したようなマスクパターンを製作し、ポジレジストを使用すればよい。この場合、光を透過させたいパターン１０５、１０６、１０７、１０８は、図２２に示したようなピッチの小さいパターンによって形成される。また、これら１０５、１０６、１０７、１０８のように広い範囲にわたって光を透過させたい場合のマスクパターン１０４は、パターン変換部１１０４で自動生成され、必要に応じパターン転写シミュレータ１１０８でシミュレートされる。【００９０】　ここでの１／２ピッチのパターンはＸ方向あるいはＹ方向の一方のみ１／２ピッチであれば良い。もちろんＸ，Ｙ両方向が１／２ピッチの格子パターンであっても良いのは言うまでもない。またピッチは必ずしも１／２である必要はなく、ウエハパターン２０４上で光強度が必要十分になる他のピッチであっても良い。【００９１】　以上の方法により、極微細な回路パターンと大きな回路パターンとが混在したマスクの場合であっても１回の縮小投影露光で転写することができる。しかしながら、極微細な回路パターンと大きな回路パターンを２回以上の縮小投影露光で転写する場合は、以上の方法による必要はなく、ライン幅の一定なパターンのみでパターン１０４を形成できる。この場合は、パターン変換部１１０４などのシステムが不用になるという効果を有する。【００９２】　以上説明したように、本発明による方法では、位相シフタを配置する必要がないのでパターン変換部１１０４での処理が簡単であり、時間を省き、間違いを減らすという効果がある。【００９３】　また、本実施例では、一定のライン幅の回路パターンを基本としてマスクパターンを変換したが、メモリなど繰り返し部の多い回路パターンでは、転写シミュレータ１１０８でシミュレーションしながら最適なウエハパターン２０４を得られるようなマスクパターン１０４を求めても良い。つまりメモリセルごとに転写シミュレータ１１０８でマスクパターン１０４を求めるわけである。【００９４】　次にマスクパターンのウェハ上の転写メカニズムについて、図１、図２、図３を用いて説明する。図１（ａ）は、ガラス基板１０１上にクロム１０２によりマスクパターン１０４が形成されたマスク１００の断面図である。図１（ｂ）の波形３０１は、マスクパターン１０４の結像パターンの強信号度分布である。波形３０１は０次回折光による波形３０２と高次回折光による波形３０３に分けて考えれる。マスクパターン１０４が図示したような微細なパターン１０５の場合、０次回折光による波形３０２に対し高次回折光による波形３０３が小さいため検出される波形３０１はコントラストＡＭ／ＡＶは小さくなる。ここで、０次回折光を遮光することにより、波形３０２の成分を除けるため，検出波形は波形３０３のようなコントラストの高いものになる。【００９５】　また、バビネの原理によれば、０次回折光以外の回折パターンでは隣合うパターンからの光はあたかも隣合うパターンの位相が反転している（πずれている）ように見えることになる。つまり、回折パターン上で０次回折光を遮光すれば、ウエハ面上に結像する光は、あたかも位相が反転している（πずれている）隣合うパターンからの光が結像しているのと等��になる。この技術思想に基いて図２及び図３に示すように回折像面で遮光板３２４（結像空間フィルター３３０２）により０次回折光の少なくとも一部を遮光することによって図２及び図３に示すように位相の反転した回折光のみが結像面に届くため、結像面の強度分布はコントラストの高いものになる。【００９６】　次にコントラスト向上メカニズムについて説明する。即ち、一例として、図２６に示したマスク上に形成された回路パターンの転写結果を図２７に示し、図２８にピッチＰＩＴを変えたときのコントラストの変化を示す。従来の縮小投影露光方法では、３４２で示すようにコントラストがパターンサイズが極微細するに従って急激に落ちるのに対して、本発明による縮小投影露光方法では、３４１に示すようにコントラストが落ちないのが分かる。【００９７】　図２９に本発明による縮小投影露光方法の焦点深度の評価例を示す。本発明によれば、３４３で示すように、コントラストは±１．５μｍの範囲で約８０％以上の値を示している。従来の縮小投影露光方法では、３４４で示すように、焦点ずれによりコントラストが急激に落ちている。このことは、本発明によりレジスト膜厚の厚いレジストに対応でき、結果として、高いアスペクト比でレジストによるウエハパターンを形成できることを示している。この結果、エッチング時にレジストの持ちがよく高アスペクト比のパターンを形成できる。【００９８】　同様に図３７に、本発明の焦点深度３６２と位相シフタ法の焦点深度３６３を示す。両者はほぼ一致し、本発明の焦点深度３６２は、従来の方法の焦点深度３６１に比べて、十分に良好な結果を示している。【００９９】　図３０に光源としてｉ線より短波長のエキシマレーザを用いたいわゆるエキシマステッパの実施例を示す。この実施例によれば、光源空間フィルター３３０１の位置に輪帯状の形状になるようにエキシマレーザ光を走査することで、光源空間フィルター３３０１の効果が達成できる。この実施例によれば、光源空間フィルター３３０１の形状は、走査部を制御することで容易に制御することができる。即ち、この実施例は、図８に示す実施例の光源部３１００に、さらに波長の短いＫｒＦ（ふっ化クリプトン）等のガスを用いたエキシマレーザを用いた例である。このようにさらに短い波長の光を用いることでさらに微細な回路パターンを転写することができる。この実施例では、他の波長のレーザを用いても良いことは言うまでもない。この実施例の光源部３１００は、エキシマレーザ３１１１、シャッター３１０８、ビームエキスパンダ３１１２、Ｘガルバノミラー３１１３、Ｙガルバノミラー３１１４、インテグレータ３１０４、インテグレータ冷却手段（図示せず）、コンデンサレンズ３１０６より構成され、空間フィルター部３３００は、走査制御系３３１１、液晶表示素子３３１２、液晶制御系３３１３より構成され、図８に示す実施例の光源空間フィルター調整系３３０３はＸガルバノミラー３１１３、Ｙガルバノミラー３１１４、走査制御系３３１１に当たる。ここで、インテグレータ冷却手段３１２０は、エキシマレーザの光がインテグレータに集中することによるインテグレータの温度の上昇を防ぐものであり、具体的には、冷却水を循環するもので���あるいは冷却用の窒素ガス等を吹き付けるものであってもよい。その他の構成要素は、図８に示す実施例に準じる。即ち、この実施例では、光源空間フィルター３３０１の位置はインテグレータ３１０４の位置になり、光源空間フィルター調整部３３０３内のＸガバノミラー３１１３およびＹガルバノミラー３１１４を走査することにより光源空間フィルター３３０１と同形上の輪帯状の光源を作る。また、結像空間フィルター３３０２は、図８に示す実施例で説明したように０次回折光の一部あるいは全部を遮光する形状に液晶制御系３３１３により輪帯状の遮光部が液晶表示素子３３１２上に形成される。従って、液晶表示素子３３１２の分解能は上記の輪帯状の形状を形成できるに必要十分な精度を持つ必要がある。また、結像空間フィルターを形成できれば良いわけであり、液晶表示素子でなくても他の例えば始めから、輪帯状に遮光するように形成された金属板であっても、ガラス上に輪帯上の遮光膜を形成したものであってもよい。【０１００】　さらに、本実施例では、エキシマレーザ光は、結像空間フィルター３３０２上では１点に光は集光する。光源空間フィルター上で輪帯上に走査することによってはじめて，結像空間フィルター上で輪帯状の形状になる。そこで、光源空間フィルター上の走査に合わせて、結像空間フィルター上では各点上のみ遮光すれば、本発明の目的は達成できる。これにより、光を遮光し過ぎないので、露光時間を短くできスループットを上げることができるという効果がある。ところで、マスク１００をマスクステージ３４０１上に載置し、マスクステージ制御系３４０４によりマスクステージ３４０１を制御してマスク１００を基準位置に位置決めし、その後ウエハ１００上のアライメントマークの位置は、位置決めマーク検出部３４０３により検出され、該検出信号に基いてウエハステージ制御系３４０５によりウエハステージ３４０２を制御し、マスク１００とウエハ２００とを位置合わせする。位置合わせ後、シャッター３１０８が開き、光源空間フィルター調整部３３０３により輪帯状の光源を作ることにより、マスク１００が照明され、ウエハ２００上にマスクパターンが転写されウエハパターンが形成される。【０１０１】　この実施例では、エキシマレーザ３１１１からの光は単波長であり波長帯域が極端に狭いことにより強い干渉性を持つため、このままでは露光用の光源として用いることはできない。したがって、露光用の光源としてエキシマレーザを用いるためには、この干渉性を適度な値に落とす必要があり、光源空間フィルター３３０１上にエキシマレーザを走査することで干渉性を低減すると共に輪帯状の光源を作ることにより、エキシマレーザの強い干渉性を低減することと光源空間フィルタの効果とを同時に達成されるという効果もある。【０１０２】　特に本発明においては、露光フィールド内（露光領域内）で一様な照明ができれば良く、仮想の多数の点光源を配列して形成された輪帯状照明を必ずしも同時に照明する必要はなく、複数に時分割して実現しても、前記実施例のように走査することによって実現してもよいことは明らかである。また、多数の点光源を配列して形成された輪帯状照明を複数に分割して実現しても良いことは明らか���ある。【０１０３】　以上説明したように、本発明は、大きい回路パターン部と小さい回路パターン部を２回に分けて露光することも可能である。更に、マスク上の回路パターンの少なくとも一部（一部あるいは全部）に、位相シフタを配置したマスクを用いることもできる。この場合、輪帯光源を用いることで、レチクルに入射する照明光の入射角度の中心値が大きくなるため、位相シフタによる位相ズレをπとするためには、位相シフタの厚さを多少薄くする必要が有る。この値は入射角度θを用いて算出される。【０１０４】　（２ｍ＋１）π＝（ｄ／ｃｏｓθ）・（ｎ／λ）・２π　　（数８）但し、ｍは整数、ｄは位相シフタの厚さ、ｎは位相シフタの屈折率、λは露光波長である。【０１０５】　このように、本発明は、従来技術の露光装置、或いは位相シフタ等を組み合わせて用いることにより、様々な回路パターンに対応が可能になる等の新しい効果を生むものである。【０１０６】　また、本発明を実施するにあたっては、レチクルに照射される光の入射角度が大きくなるため、マスク上のクロム等の回路パターンの厚さが問題になる。つまり、照射角度によっては、マスク上のクロム等の回路パターンの厚さによる影ができてしまうためである。従って、本発明を実施する上で、正確な転写パターン寸法を得るためには、マスク上のクロム等の回路パターンの厚さが薄い方が望ましい。従って、クロム等の回路パターンの厚さをｄｍ、転写パターンの許容値をｐｃ　とすると（数９）式を満たす必要が有る。【０１０７】　ｄｍ≦ｐｃ／ｌ　　　（数９）但し、ｌは縮小投影レンズの縮小率である。【０１０８】　これを実現するためには、クロムよりも透過率の低い他の材料でマスクをパターニングする必要がある。しかし、照明の入射角度による寸法変化を考慮してマスクの回路パターンの寸法を決定すれば、上記課題を低減することができる。【０１０９】　更に、マスクの透過部に、使用している入射角度で入射する光束の透過率が最大になるようなコーティングを施すと、露光量が大きくなり、露光に要する時間を短縮することができる。【０１１０】　なお、本発明は、前記の如く波動性を利用しているので、電子線、Ｘ線を用いた露光装置に適用可能であることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】本発明の原理を説明するためにマスクに形成された回路パターンによる光の回折現象を示す図である。
【図２】本発明の原理を説明するための図である。
【図３】図２と同様に本発明の原理を説明するための図である。
【図４】本発明に係る縮小投影露光装置における露光系の一実施例を示す概略構成斜視図である。
【図５】本発明に係る露光系において光源空間フィルタと結像空間フィルタの配置関係を示す断面図である。
【図６】図５と同様に、本発明に係る露光系において結像空間フィルタの配置関係を示す断面図である。
【図７】従来の縮小投影露光装置におけるマスク上の回路パターンの結像関係を示す図である。
【図８】本発明に係る露光システム全体の一実施例を示す構成図である。
【図９】本発明に係る露光系における光源空間フィルタを有するインテグレータの第１の実施例を示す斜視図である。
【図１０】本発明に係る露光系における光源空間フィルタを有するインテグレータの第２の実施例を示す斜視図である。
【図１１】本発明に係る露光系における結像空間フィルタを有する結像レンズの第１の実施例を示す斜視図である。
【図１２】本発明に係る露光系における結像空間フィルタを有する結像レンズの第２の実施例を示す斜視図である。
【図１３】本発明に係る第１の実施例の光源空間フィルタと第１の実施例の結像空間フィルタとの関係を示す平面図である。
【図１４】本発明に係る第２の実施例の光源空間フィルタと第２の実施例の結像空間フィルタとの関係を示す平面図である。
【図１５】本発明に係る第３の実施例の光源空間フィルタと第３の実施例の結像空間フィルタとを示す平面図である。
【図１６】本発明に係る第４の実施例の光源空間フィルタと第４の実施例の結像空間フィルタとを示す平面図である。
【図１７】本発明に係る第５の実施例の光源空間フィルタと第５の実施例の結像空間フィルタとの関係を示す平面図である。
【図１８】本発明に係るウエハ上に転写されるウェハパターンの一例を示す平面図及び断面図である。
【図１９】本発明に係るウエハ上に転写されるウェハパターンの他の例を示す平面図及び断面図である。
【図２０】本発明に係る図１８に示すウェハパターンを得るためのマスクパターンの一例を示す平面図及び断面図である。
【図２１】本発明に係る図１９に示すウェハパターンを得るためのマスクパターンの一例を示す平面図及び断面図である。
【図２２】本発明に係るマスクパターンの様々な形態を示した図である。
【図２３】本発明の空間フィルタに関係するδ，εとウエハ上でのコントラストとの関係を示す図である。
【図２４】本発明の空間フィルタに関係するσとウエハ上でのコントラストとの関係を示す図である。
【図２５】本発明に係るマスク上の回路パターンのピッチとウエハ上でのコントラストとの関係を示す図である。
【図２６】本発明に係るマスク上の回路パターンの一例を示す平面図である。
【図２７】本発明により図２７に回路パターンの転写結果を示す図である。
【図２８】本発明に係るマスク上に形成された極微細な回路パターンのピッチとウエハ上でのコントラストとの関係を示した図である。
【図２９】本発明に係る焦点深度とコントラストとの関係を示した図である。
【図３０】本発明に係る露光システム全体の他の一実施例を示す構成図である。
【図３１】本発明によるシステムのレスポンス関数を示す図である。
【図３２】本発明の光源と空間フィルターの相関関数の説明図である。
【図３３】従来例の光源と空間フィルターの相関関数の説明図である。
【図３４】光源と空間フィルターの相関関数の算出方法の説明図である。
【図３５】光源と空間フィルターの相関関数の算出方法の説明図である。
【図３６】本発明のＯＴＦの算出結果を示す図である。
【図３７】本発明の焦点深度を示す図である。
【図３８】輪帯状光源と輪帯状フィルターの効果を説明する図である。
【図３９】輪帯状フィルターを示す図である。
【図４０】輪帯状光源と輪帯状フィルターの実施例を示す図である。
【図４１】輪帯状光源と輪帯状フィルターの強度分布の一実施例を示す図である。
【図４２】輪帯状光源と輪帯状フィルターの強度分布の他の実施例を示す図である。
【図４３】輪帯状光源と輪帯状フィルターの他の実施例を示す図である。
【図４４】ＭＴＦカーブを示す図である。
【図４５】ＭＴＦカーブを示す図である。
【図４６】輪帯状光源と輪帯状フィルターの他の実施例を示す図である。
【図４７】図４６の光源の実施例のブロック図を示す図である。
【図４８】インテグレータの一実施例を示す図である。
【図４９】輪帯状光源と輪帯状フィルターの他の実施例を示す図である。
【符号の説明】
【０１１２】1000…パターン生成系、2000…マスク製作系、3000…露光系3101…Ｈｇランプ、3104…インテグレータ、3301…光源空間フィルタ（輪帯状）100…マスク、3201…結像レンズ、3302…結像空間フィルタ、200…ウェハ
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2004138620.tif 000065
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２５】
2004138620.tif 000066
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２６】
2004138620.tif 000067
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２７】
2004138620.tif 000068
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２８】
2004138620.tif 000069
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２９】
2004138620.tif 000070
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３０】
2004138620.tif 000071
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３１】
2004138620.tif 000072
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３２】
2004138620.tif 000073
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３３】
2004138620.tif 000074
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３４】
2004138620.tif 000075
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３５】
2004138620.tif 000076
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３６】
2004138620.tif 000077
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３７】
2004138620.tif 000078
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３８】
2004138620.tif 000079
【手続補正１７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３９】
2004138620.tif 000080
【手続補正１８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４０】
2004138620.tif 000081
【手続補正１９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４１】
2004138620.tif 000082
【手続補正２０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４２】
2004138620.tif 000083
【手続補正２１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４３】
2004138620.tif 000084
【手続補正２２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４４】
2004138620.tif 000085
【手続補正２３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４５】
2004138620.tif 000086
【手続補正２４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４６】
2004138620.tif 000087
【手続補正２５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４７】
2004138620.tif 000088
【手続補正２６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４８】
2004138620.tif 000089
【手続補正２７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４９】
2004138620.tif 000090
【手続補正２８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５０
【補正方法】削除
【補正の内容】