(57)【要約】【課題】プラズマディスプレイパネルの基板への成膜において、成膜室の状態を適正に制御することで、良好な膜を形成することができるプラズマディスプレイパネルの製造方法を実現する。【解決手段】前面基板３を基板保持具３０に保持させて成膜を行う成膜工程を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、成膜に際し、基板保持具３０は繰り返し使用し、成膜工程は、繰り返し使用することにより膜が付着した状態となっている基板保持具３０と、付着した膜を除去した状態とした基板保持具３０とを、成膜室である蒸着室２１内に混在させて行い、蒸着室２１内の、真空度などの状態の変化を小さくする。【選択図】図２
2004319473.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を基板保持具に保持させて成膜を行う成膜工程を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
成膜に際し、基板保持具は繰り返し使用し、前記成膜工程は、繰り返し使用することにより膜が付着した状態となっている基板保持具と、付着した膜を除去した状態とした基板保持具とを、成膜室内に混在させて行うことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
成膜室内において、繰り返し使用することにより膜が付着した状態となっている基板保持具の数が、付着した膜を除去した状態とした基板保持具の数より多いことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
基板保持具は、複数の構成部品を有し、付着した膜を除去した状態の基板保持具が、前記構成部品の少なくとも一つに付着した膜を除去したものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
複数の構成部品が、基板を保持する枠体と、基板を保持しない枠体に保持させるダミー基板とを有し、付着した膜の除去はダミー基板に対して行うことを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大画面で、薄型、軽量のディスプレイ装置として知られるプラズマディスプレイパネル（以下ＰＤＰと呼ぶ）の基板への成膜を行う、ＰＤＰの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＰＤＰは、例えば、ガラスなどの基板の表面に電極層を形成し、これを覆って誘電体層を形成し、さらにその上にＭｇＯからなる保護膜を形成する工程を経て製造される。
【０００３】
この保護膜を形成する方法としては、従来からＭｇＯペーストを塗布し焼成する方法や、電子ビームやイオンビームなどを用いた蒸着やスパッタが用いられているが、なかでも、成膜速度が高く比較的良質なＭｇＯ膜を形成できる電子ビーム蒸着法が広く用いられている（例えば、非特許文献１参照）。
【非特許文献１】２００１  ＦＰＤテクノロジー大全、株式会社電子ジャーナル、２０００年１０月２５日、ｐ５９８−ｐ６００
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＰＤＰの基板への成膜は、基板を成膜室で安定して保持する、あるいは成膜室へ安定して搬送入する観点から、通常、基板保持具に保持した状態で行う。したがって、基板への成膜の際には、基板保持具にも同時に成膜材料が付着し膜が形成されてしまう。
【０００５】
ここで、基板に形成する膜の品質を安定させるためには、真空度など、成膜室内の状態を安定させることが重要である。しかしながら、上述した基板保持具は、成膜工程の度に大気中と成膜室との間を行き来するとともに、その表面に付着した成膜材料は、水をはじめとするガスをよく吸着するため、真空度など成膜室内の状態を大きく変化させる要因となる。
【０００６】
そこで、基板保持具が成膜室内の状態に与える影響度合いを低減するために、例えば、ガス放出源となる成膜材料が付着した基板保持具を、成膜材料が付着していない基板保持具と交換し、成膜室内において放出されるガスの量を低減することで、真空度などの成膜室内の状態の安定化を図ることが行われる。
【０００７】
しかしながら、成膜室内において放出されるガス量を低減して、真空度などの成膜室内の状態をよくする方向であっても、その状態変化が大きい場合には形成される膜の品質も大きく変化し、ＰＤＰの特性にばらつきが発生してしまうことがわかった。
【０００８】
本発明は、このような課題に鑑みなされたものであり、ＰＤＰの基板への成膜において、成膜室の状態を適正に制御することで、良好な膜を形成することができるＰＤＰの製造方法を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明のＰＤＰの製造方法は、基板を基板保持具に保持させて成膜を行う成膜工程を有するＰＤＰの製造方法において、成膜に際し、基板保持具は繰り返し使用し、成膜工程は、繰り返し使用することにより膜が付着した状態となっている基板保持具と、付着した膜を除去した状態とした基板保持具とを、成膜室内に混在させて行っている。
【００１０】
このような製造方法によれば、成膜室内の真空度などの状態を最適に保ち、さらに急激な状態変化を抑制することができるため、高品質で安定した膜質を実現できる。
【００１１】
さらに、成膜室内において、繰り返し使用することにより膜が付着した状態となっている基板保持具の数を、付着した膜を除去した状態とした基板保持具の数より多くするとよい。この製造方法によれば、成膜室内の状態変化をより最適に抑制することができる。
【００１２】
さらに、基板保持具は、複数の構成部品を有し、付着した膜を除去した状態の基板保持具が、構成部品の少なくとも一つに付着した膜を除去したものであることが望ましく、さらに状態の変化を抑制してさらに安定した膜質を実現できる。
【００１３】
さらに、複数の構成部品が、基板を保持する枠体と、基板を保持しない枠体に保持させるダミー基板とを有し、付着した膜の除去はダミー基板に対して行うことが望ましく、膜質を安定させることに加えさらに膜の除去作業を簡便に行うことができる。
【発明の効果】
【００１４】
以上のように本発明によれば、ＰＤＰの基板への成膜において、成膜室の状態を適正に制御することで、安定した良好な膜を形成することができるＰＤＰの製造方法を実現することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態によるＰＤＰの製造方法について、図面を用いて説明する。
【００１６】
（実施の形態）
まず、ＰＤＰの構造の一例について説明する。図１は、本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法により製造されるＰＤＰの概略構成の一例を示す断面斜視図である。
【００１７】
ＰＤＰ１の前面板２は、例えばガラスのような透明且つ絶縁性の前面基板３の一主面上に形成した走査電極４と維持電極５とからなる表示電極６と、その表示電極６を覆う誘電体層７と、さらにその誘電体層７を覆う、例えばＭｇＯによる保護層８とを有する構造である。走査電極４と維持電極５は、電気抵抗の低減を目的として、透明電極４ａ、５ａに金属材料からなるバス電極４ｂ、５ｂを積層した構造としている。
【００１８】
また背面板９は、例えばガラスのような絶縁性の背面基板１０の一主面上に形成したアドレス電極１１と、そのアドレス電極１１を覆う誘電体層１２と、誘電体層１２上のアドレス電極１１の間に相当する場所に位置する隔壁１３と、隔壁１３間の蛍光体層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂとを有する構造である。
【００１９】
そして、前面板２と背面板９とは、隔壁１３を挟んで、表示電極６とアドレス電極１１とが直交するように対向し、画像表示領域の外の周囲を封着部材により封止した構成である。前面板２と背面板９との間に形成された放電空間１５には、例えばＨｅ−Ｘｅ系、Ｎｅ−Ｘｅ系の放電ガスを約６６．５ｋＰａの圧力で封入している。そして、放電空間１５の表示電極６とアドレス電極１１との交差部が放電セル１６（単位発光領域）として動作する。
【００２０】
次に、上述したＰＤＰ１について、その製造方法を同じく図１を参照しながら説明する。
【００２１】
前面板２は、前面基板３上にまず、走査電極４および維持電極５をストライプ状に形成する。具体的には、前面基板３上に透明電極４ａ、５ａの材料、例えばＩＴＯなどの膜を蒸着やスパッタなどの成膜プロセスにより形成し、その後、フォトリソ法などによってパターニングしてストライプ状の透明電極４ａ、５ａを形成する。さらにその上から、バス電極４ｂ、５ｂの材料、例えばＡｇを蒸着やスパッタ、あるいは印刷などの成膜プロセスにより形成し、その後、フォトリソ法などによってパターニングしてストライプ状のバス電極４ｂ、５ｂを形成する。以上により、ストライプ状の走査電極４および維持電極５からなる表示電極６を得ることができる。
【００２２】
次に、以上のようにして形成した表示電極６を誘電体層７で被覆する。誘電体層７は、Ｐｂ系のガラス材料を含むペーストを、例えばスクリーン印刷などで塗布した後、焼成することによって、所定の層の厚み（約２０〜５０μｍ、好ましくは４０μｍ）となるように形成する。上記Ｐｂ系のガラス材料を含むペーストとしては、例えば、ＰｂＯ、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、およびＣａＯと有機バインダ（例えば、α−ターピネオールにエチルセルロースを溶解したもの）との混合物が使用される。ここで、有機バインダとは樹脂を有機溶媒に溶解したものであり、エチルセルロース以外に樹脂としてアクリル樹脂、有機溶媒としてブチルカービトールなども使用することができる。さらに、こうした有機バインダに分散剤（例えば、グリセルトリオレエート）などを混入させてもよい。
【００２３】
次に、以上のようにして形成した誘電体層７を保護層８で被覆する。保護層８は、例えば、ＭｇＯによるものであり、蒸着やスパッタなどの成膜プロセスにより、所定の厚み（約０．４〜１μｍ、好ましくは約０．６μｍ）となるように形成したものである。
【００２４】
一方、背面板９は、背面基板１０上にアドレス電極１１をストライプ状に形成する。具体的には、背面基板１０上に、アドレス電極１１の材料、例えばＡｇによる膜を、蒸着やスパッタ、あるいは印刷などの成膜プロセスにより形成し、その後、フォトリソ法などによってパターニングしてストライプ状にアドレス電極１１を形成する。
【００２５】
次に、以上のようにして形成したアドレス電極１１を誘電体層１２により被覆する。誘電体層１２は、例えば、Ｐｂ系のガラス材料を含むペーストを、例えば、スクリーン印刷で塗布した後、焼成することによって、所定の層の厚み（約１０〜５０μｍ、好ましくは約１０μｍ）となるように形成する。
【００２６】
次に、隔壁１３をストライプ状に形成する。隔壁１３は、誘電体層１２と同様、例えば、Ｐｂ系のガラス材料を含むペーストを、例えば、スクリーン印刷法により所定のピッチで繰り返し塗布した後、焼成することによって形成する。ここで、隔壁１３の間隙の寸法は、例えば３２〜６５インチの場合、１３０〜３６０μｍ程度となる。
【００２７】
そして、隔壁１３と隔壁１３との間の溝には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各蛍光体粒子により構成される蛍光体層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂを形成する。これは、各色の蛍光体粒子と有機バインダとからなるペースト状の蛍光体インキを塗布し、これを焼成して有機バインダを焼失させることによって、各蛍光体粒子が結着してなる蛍光体層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂとして形成する。
【００２８】
以上のようにして作製した前面板２と背面板９とを、前面板２の表示電極６と背面板９のアドレス電極１１とが直交するように重ね合わせるとともに、周縁に封着用ガラスを介挿し、これを誘電体層７の焼成温度より低い温度で焼成して形成した気密シール層（図示せず）により封着する。そして、一旦、放電空間１５内を高真空に排気した後、例えば、Ｈｅ−Ｘｅ系、Ｎｅ−Ｘｅ系の放電ガスを所定の圧力で封入することによってＰＤＰ１を作製する。
【００２９】
次に、以上述べたＰＤＰの製造工程における成膜工程について、保護層８のＭｇＯ膜の成膜プロセスを例にして、図面を用いて説明する。まず、成膜装置の構成の一例について説明する。図２は、保護層８を形成するための成膜装置２０の概略構成を示す断面図である。
【００３０】
この成膜装置２０は、ＰＤＰの前面板２の前面基板３に対し、ＭｇＯを蒸着させてＭｇＯ薄膜である保護層８を形成する真空チャンバーで構成している。成膜装置２０は成膜室である蒸着室２１と、前面基板３を蒸着室２１に投入する前に予備加熱するとともに、予備排気を行うための基板投入室２２と、蒸着室２１での蒸着が終了した後の前面基板３を冷却するための基板取出室２３とから構成している。
【００３１】
以上の、基板投入室２２、成膜室である蒸着室２１、基板取出室２３の各々は、内部を真空雰囲気にできるよう密閉構造となっており、各室ごとに独立して真空排気系２４ａ、２４ｂ、２４ｃをそれぞれ備えている。
【００３２】
また、基板投入室２２、蒸着室２１、基板取出室２３を貫いて、搬送ローラー、ワイヤー、チェーンなどで構成される搬送手段２５を配設している。また、成膜装置２０の外と基板投入室２２との間、基板投入室２２と蒸着室２１との間、蒸着室２１と基板取出室２３との間、基板取出室２３と成膜装置２０の外との間を、それぞれ開閉可能な仕切壁２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄで仕切っている。そして、搬送手段２５の駆動と仕切壁２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄの開閉との連動によって、基板投入室２２、蒸着室２１、基板取出室２３のそれぞれの真空度の変動を最低限にしている。前面基板３を成膜装置２０外から基板投入室２２、蒸着室２１、基板取出室２３を順に通過させ、それぞれの室での所定の処理を行い、その後、成膜装置２０外に搬出する。そして以上の動作により、複数枚の前面基板３を連続的に投入することで、連続してＭｇＯの成膜を行うことが可能である。
【００３３】
また、基板投入室２２、蒸着室２１の各室には、前面基板３を加熱するための加熱ランプ２７ａ、２７ｂをそれぞれ設置している。なお、装置構成としては上述した以外に、例えば、前面基板３の温度プロファイルの設定条件に応じて、基板投入室２２と蒸着室２１の間に前面基板３を加熱するための基板加熱室を一つ以上設けたり、また、蒸着室２１と基板取出室２３の間に基板冷却室を一つ以上設けてもよい。
【００３４】
また、蒸着室２１には、蒸着源２８ａとなるＭｇＯ粒子を入れたハース２８ｂ、電子銃２８ｃ、磁場を印加する偏向マグネット（図示せず）などを設けている。電子銃２８ｃから照射した電子ビーム２８ｄを、偏向マグネットにより発生する磁場によって偏向して蒸着源２８ａに照射し、蒸着源２８ａであるＭｇＯの蒸気流２８ｅを発生させる。そして、発生させた蒸気流２８ｅを、前面基板３の表面に堆積させてＭｇＯの保護層８を形成する。なお、この蒸気流２８ｅは、必要時以外はシャッタ２８ｆで遮断できるようになっている。
【００３５】
以上説明した成膜装置２０において、前面基板３を基板保持具３０に保持させた状態で、基板保持具３０を搬送手段２５に接続または接触させて成膜装置２０内を搬送させている。
【００３６】
次に、前面基板３へＭｇＯ膜を成膜する際の工程の流れについて以下に説明する。まず、前面基板３を保持した基板保持具３０を、基板投入室２２に投入し、真空排気系２４ａにより予備排気しながら加熱ランプ２７ａにより加熱する。ここで前面基板３は、表示電極６と誘電体層７とが形成された状態である。
【００３７】
基板投入室２２内が所定の真空度に到達したら、仕切壁２６ｂを開けるとともに、搬送手段２５を用いて、加熱された状態の前面基板３を基板保持具３０に保持された状態で蒸着室２１に搬送する。
【００３８】
蒸着室２１では、加熱ランプ２７ｂにより前面基板３を加熱してこれを一定温度に保つ。この温度は、表示電極６や誘電体層７が熱劣化することがないように、２００〜３００℃程度以下に設定される。そして、シャッタ２８ｆを閉じた状態で、電子銃２８ｃから電子ビーム２８ｄを蒸着源２８ａに照射して予備加熱することにより、ＭｇＯ粒子からの所定のガス出しを行う。その後、シャッタ２８ｆを開けると、ＭｇＯの蒸気流２８ｅが基板保持具３０に保持された前面基板３に向けて放射され、前面基板３上にＭｇＯの蒸着膜が堆積して保護層８を形成する。
【００３９】
この成膜工程においては、前面基板３を保持している基板保持具３０にも成膜材料が付着することとなる。そして、ＭｇＯの蒸着膜である保護層８の膜厚が所定の値（約０．４〜１μｍ、好ましくは約０．６μｍ）に達したら、シャッタ２８ｆを閉じ、仕切壁２６ｃを通じて前面基板３を基板取出室２３へ搬送する。ここで、搬送手段２５は、基板保持具３０の両端部のみに接触または接続して搬送する構造となっている。そのため、搬送手段２５が前面基板３に蒸気流２８ｅの影を形成し、保護層８の品質に問題を生じさせることはない。
【００４０】
蒸着室２１で保護層８が形成された前面基板３は、基板取出室２３に搬送され、所定の温度以下に冷却された基板保持具３０から取り出される。その後、成膜装置２０外に搬送され、蒸着を完了した前面基板３を取り外した後の基板保持具３０は、基板投入室２２手前に戻され、新たな未成膜の前面基板３を保持した後、成膜装置２０に再投入される。
【００４１】
一方、形成される保護層８の品質を安定させるためには、蒸着室２１内の状態を安定させることが重要である。しかしながら、上述したように基板保持具３０は、大気中と蒸着室２１とを行き来するとともに、その基板保持具３０表面には成膜中に成膜材料が付着する。付着した成膜材料は、水をはじめとするガスを吸着し、真空度などの蒸着室２１内の状態を大きく劣化させてしまう原因となる。そこで、基板保持具３０の蒸着室２１内に対する影響度合いを低減するために次の工程がなされる場合がある。すなわち、基板取出室２３から出た後に蒸着を完了した前面基板３を取り外して新たな未成膜の前面基板３を保持させ、再度、成膜装置２０に投入するという過程において、表面に成膜材料が付着した基板保持具３０を成膜材料が付着していない基板保持具３０と交換する工程である。したがって、成膜材料の付着のない基板保持具３０に交換して、新たな未成膜の前面基板３を保持させ、成膜装置２０に再投入するという工程である。
【００４２】
このことにより、蒸着室２１内におけるガス放出源である基板保持具３０表面に付着した成膜材料が除去された状態となり、放出されるガスの量が低減されるので、真空度など蒸着室２１内の状態の安定化を図ることが可能となる。
【００４３】
しかしながら、本発明者らの検討によれば、蒸着室２１内において放出されるガス量を低減し、真空度をよくする方向であっても、その状態を大きく変化させてしまうと、形成される膜の品質も大きく変化してしまい、ＰＤＰの特性が影響を受けてしまうことがわかった。
【００４４】
図３には、基板保持具３０の交換による蒸着室２１内の到達真空度の変化の様子を示す。図３に示すように、成膜工程の初期における蒸着室２１内の到達真空度Ａ１は、成膜が繰り返され基板保持具３０表面への成膜材料の付着量が多くなるにしたがい、蒸着室２１内でのガス放出量が多くなるため矢印Ｂ１に示すように徐々に悪化し、形成される膜の品質を保つための限界の到達真空度である限界値Ｃに近づく。
【００４５】
この限界値Ｃを超えると形成される膜の品質の許容範囲を超えてしまい、ＰＤＰの品質に影響を与えることとなる。したがって、この限界値Ｃを超える前、すなわち蒸着室２１の到達真空度がさらに悪化する前に、例えば、表面に成膜材料が付着した基板保持具３０の全てを、成膜材料が付着していない基板保持具３０に、一斉に交換すると、蒸着室２１内の真空度は、図３中に示すような初期状態Ａ２まで急激に変化する。
【００４６】
すなわち、表面に成膜材料が付着している基板保持具３０全てを一斉に交換すると、真空度など蒸着室２１内の状態の変化は大きくなり、そのために膜の状態も大きく変化してしまい、ＰＤＰの特性もばらついてしまうという場合があった。すなわち、真空度などの蒸着室２１内の状態の変化が急激にならないように小さくすることが重要である。
【００４７】
ここで、本実施の形態では、繰り返し使用することにより膜が付着した状態となっている基板保持具３０と、付着した膜を除去した状態とした基板保持具３０とを、成膜室となる蒸着室２１内に混在させて行っている。すなわち、成膜室である蒸着室２１内に存在する基板保持具３０は、その一部のみが同時に交換されたものとなり、その他のものは、別の時期に交換されるように行うというものである。したがって、図３を用いて説明したように、蒸着室２１内にある基板保持具３０を全て膜の付着していない基板保持具３０に交換した場合に比べて、真空度などの蒸着室２１内の状態の変化を小さく抑えることができる。
【００４８】
この方法を、例えば、蒸着室２１に基板保持具が３台存在できる構成で、且つ、全体の基板保持具３０がＮｏ．１〜Ｎｏ．９の９台の場合について図４を用いて詳細に説明する。図４におけるマトリックスの黒丸と矢印で示すように、付着した膜を除去した基板保持具３０への交換をＮｏ．１、Ｎｏ．４、Ｎｏ．７、Ｎｏ．２、Ｎｏ．５、Ｎｏ．８、Ｎｏ．３、Ｎｏ．６、Ｎｏ．９の順に行うものである。このような形態で基板保持具３０の交換を行うことにより、成膜工程の進行により、前面基板３を保持した基板保持具３０が順次、成膜室である蒸着室２１内に搬送されてきても、蒸着室２１内に存在する３つの基板保持具３０は、その全てが同時に交換されたものとはならず、３つの基板保持具３０のうち一つのみが交換されたものとなる。すなわち、蒸着室２１内において、膜が付着した状態の基板保持具３０の数を、付着した膜を除去した状態とした基板保持具３０の数より多くしている。そのため、蒸着室２１内の真空度などの状態は大きく変化することなく、適正な状態を保つことが可能となる。このような交換方法を行った場合の、蒸着室２１内の真空度の状態の一例を図５に示す。図３に示す状態に比べ真空度の変化が小さくなっており、成膜される膜の特性を安定化させることが可能であることがわかる。
【００４９】
以上の説明は、蒸着室２１内に存在する３台の基板保持具のうち、その１台のみを交換していくという場合であるが、例えば、蒸着室２１内に基板保持具３０が５台存在する場合には、状態の変化の度合いが許容範囲内であれば、２台ずつ交換するようにしてもよい。以上は、許容される真空度の変化の度合いと、交換の際の作業性との兼ね合いで決定すればよい。
【００５０】
次に、基板保持具３０について、図６を用いて説明する。
【００５１】
図６（ａ）に、基板保持具３０の概略構成の平面図を、そして、図６（ｂ）に図６（ａ）におけるＡ−Ａ断面図を示す。基板保持具３０は枠体よりなる第１の基板保持具３１と、枠体と枠体から取り外しが容易なように設置されたダミー基板３２を有する第２の基板保持具３３などの複数の構成部品を有しており、第２の基板保持具３３の枠体上にＰＤＰの前面基板３が配置されて成膜される。また、第２の基板保持具３３が第１の基板保持具３１の上に配置され、第１の基板保持具３１が成膜装置２０の搬送手段２５と接続あるいは接触されて成膜装置２０内を搬送されている。したがって、成膜される前面基板３が配置された第２の基板保持具３３が搬送手段２５と直接接触することがない。
【００５２】
本発明の実施の形態では、このように基板保持具３０が複数の構成部品を有し、構成部品の少なくとも一つに付着した膜を除去するようにして、その付着した膜が除去された基板保持具３０と膜が付着した状態となっている基板保持具３０とを成膜室となる蒸着室２１内に混在させて行っている。このような、基板保持具３０のなかで、膜が除去された基板保持具３０の膜が除去された構成部品としては、第１の基板保持具３１であってもよいし、第２の基板保持具３３の枠体であってもよいし、さらには第２の基板保持具３３のダミー基板３２であってもよい。基板保持具３０の全体を膜の付着がない構成部品と交換する場合に比べて、基板保持具３０の構成部品のうちの一部を交換することによって、蒸着室２１内の真空度などの急激な状態変化を抑制することができる。
【００５３】
なお、前面基板３が配置されている第２の基板保持具３３のダミー基板３２には、成膜中に前面基板３以外に成膜される殆どの蒸気流２８ｅが成膜される。したがって、基板保持具３０の構成部品の一部として、これらのダミー基板３２を膜が付着していないダミー基板３２と交換することによって作業性と、さらには付着した膜の脱離などによる品質不良を抑制することができる。
【００５４】
なお、基板保持具３０は繰り返し使用されるため、これらの構成部品が成膜に際して適宜に膜の付着がない部品と交換できることは当然であり、枠体や第１の基板保持具３１、あるいは第２の基板保持具３３の枠体、あるいは第２の基板保持具３３全体などであってもよい。
【００５５】
また、以上の説明においては、ＭｇＯ材料により蒸着で保護層８を形成する場合を例として説明したが、特にこれに限るものではなく、ＭｇＯ材料以外であっても、また、蒸着以外の成膜プロセスであっても、成膜において、成膜室内の状態の変化が膜の質に影響するものであれば、本発明の効果は同様に得ることが可能である。また、成膜室の状態の指標も真空度に限るものではない。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
以上説明したように本発明によれば、ＰＤＰの基板への成膜において、成膜室の状態を適正に制御することで、良好な膜を形成することができるＰＤＰの製造方法を実現し、高品質なＰＤＰを実現するなど大画面の表示装置の製造方法などに有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の実施の形態におけるＰＤＰの概略構成の一例を示す断面斜視図
【図２】同ＰＤＰの製造方法に用いる成膜装置の概略構成を示す断面図
【図３】ＰＤＰの製造方法において基板保持具を、一斉に膜の付着を除去した基板保持具とした際の成膜室の到達真空度変化の一例を示す図
【図４】本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法による基板保持具の交換のタイミングの一例を示す図
【図５】同ＰＤＰの製造方法における基板保持具の交換による成膜室の真空度の状態の一例を示す図
【図６】同ＰＤＰの製造方法における基板保持具の構成を示す図
【符号の説明】
【００５８】
１    ＰＤＰ
２    前面板
３    前面基板
４    走査電極
４ａ，５ａ    透明電極
４ｂ，５ｂ    バス電極
５    維持電極
６    表示電極
７，１２    誘電体層
８    保護層
９    背面板
１０    背面基板
１１    アドレス電極
１３    隔壁
１４Ｒ，１４Ｂ，１４Ｇ    蛍光体層
１５    放電空間
１６    放電セル
２０    成膜装置
２１    蒸着室
２２    基板投入室
２３    基板取出室
２４ａ，２４ｂ，２４ｃ    真空排気系
２５    搬送手段
２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ    仕切壁
２７ａ，２７ｂ    加熱ランプ
２８ａ    蒸着源
２８ｂ    ハース
２８ｃ    電子銃
２８ｄ    電子ビーム
２８ｅ    蒸気流
２８ｆ    シャッタ
３０    基板保持具
３１    第１の基板保持具
３２    ダミー基板
３３    第２の基板保持具
【図１】
2004319473.tif 000003
【図２】
2004319473.tif 000004
【図３】
2004319473.tif 000005
【図４】
2004319473.tif 000006
【図５】
2004319473.tif 000007
【図６】
2004319473.tif 000008