(57)【要約】【課題】光送信用ＬＤモジュールの周波数特性を改善し、出力光信号を広帯域化する。【解決手段】電圧信号Ｖｉｎが電気信号入力端子８に入力されると、トランジスタ９とＬＤモジュール３と、その等価回路１３の抵抗値ＲＬＤと容量値ＣＬＤに応じて高周波成分が強調されて出力される。等価回路の抵抗値ＲＬＤ及び容量値ＣＬＤが、ＬＤモジュールの抵抗値及び容量値とほぼ同じ値に設定されているため、このときの出力信号Ｖｉｎ１は、ＬＤモジュールの出力光信号の高周波成分の劣化のうち、抵抗成分と容量成分に起因する劣化を補正するような周波数特性の信号となる。電圧信号Ｖｉｎ１が電界効果トランジスタ４に入力されて信号Ｖｉｎ１に比例した電流信号Ｉとなり、ＬＤモジュールを駆動する。【選択図】        図１
2004342913.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザダイオードモジュール内のレーザダイオードチップを入力された電気信号電圧に応じた駆動電流により駆動するレーザダイオード駆動手段と、
前記レーザダイオードモジュール内の前記レーザダイオードチップの抵抗成分と容量成分による出力光信号の周波数特性の劣化を補正する周波数特性補正回路とを、
有するレーザダイオード駆動回路。
【請求項２】
前記周波数特性補正回路を第１の補正回路として、前記レーザダイオードモジュール内の直列インダクタンス成分の共振による周波数特性の劣化を補正する第２の補正回路を更に有する請求項１に記載のレーザダイオード駆動回路。
【請求項３】
前記周波数特性補正回路は、
前記レーザダイオードモジュール内の前記レーザダイオードチップの抵抗成分と容量成分と等価な回路と、
前記等価な回路を負荷として前記電気信号電圧を増幅するトランジスタ増幅回路と、
前記トランジスタ増幅回路により増幅された電気信号電圧を前記駆動電流に変換して前記レーザダイオードモジュールを駆動する電圧制御電流源とを、
有する請求項１又は２に記載のレーザダイオード駆動回路。
【請求項４】
前記等価な回路は、
前記レーザダイオードモジュール内の前記レーザダイオードチップの抵抗成分と容量成分とそれぞれほぼ等しい値の抵抗と容量の並列回路である請求項３に記載のレーザダイオード駆動回路。
【請求項５】
前記等価な回路は、
前記レーザダイオードモジュールと同じ特性のレーザダイオードモジュールである請求項３に記載のレーザダイオード駆動回路。
【請求項６】
前記等価な回路は、
前記レーザダイオードモジュールと同じ特性のダミーのレーザダイオードモジュールである請求項３に記載のレーザダイオード駆動回路。
【請求項７】
前記第２の補正回路は、
前記レーザダイオードモジュール内の前記レーザダイオードチップの抵抗成分と容量成分とそれぞれほぼ等しい値の抵抗、容量及び前記レーザダイオードモジュール内の直列インダクタンス成分とほぼ等しいコイルによる並列共振回路を負荷として前記電気信号電圧を増幅する請求項２から６のいずれか１つに記載のレーザダイオード駆動回路。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１つに記載のレーザダイオード駆動回路により、送信信号電圧を前記駆動電流に変換して前記レーザダイオードモジュールを駆動して光信号に変換し、出力するよう構成された光送信装置。
【請求項９】
デジタル電気信号を光信号に変換し出力する請求項８に記載の光送信装置。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の光送信装置と、前記光送信装置から入力される光信号を電気信号に変換する光受信装置を光ファイバで接続した光伝送システム。
【請求項１１】
請求項８又は９に記載の光送信装置と、
相手側光送信装置から入力される光信号を電気信号に変換し出力する光受信装置と、
前記光送信装置と前記光受信装置に光学的に接続され、前記光送信装置の出力光信号を出力するとともに、前記相手側光送信装置から入力される光信号を前記光受信装置へ入力する光波長分離多重素子とを、
有する一芯双方向光伝送装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の少なくとも２つの光伝送装置を光ファイバで接続した一芯双方向光伝送システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光伝送システムに利用する光送信装置のレーザダイオード駆動回路、光送信装置及び光伝送システム並びに光伝送装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光送信に用いられるレーザダイオードの駆動回路としては下記の特許文献１、特許文献２に記載されたものがある。図９にこの種のレーザダイオード（以下、ＬＤ）駆動回路のブロック図を示し、図１０にＬＤモジュールの等価回路のブロック図を示し、図１１にＬＤモジュールの光出力信号の周波数特性を示す。図９及び図１０において、構成部品には番号を付け、以後、同一の機能・性能を持つものには同一の番号を付け、重複するものについては詳細な説明を省略する。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−２１４７８１号公報（図１）
【特許文献２】
特開２００２−１１１１１８号公報（図１）
【０００４】
図９のＬＤ駆動回路において、光ファイバ１は光信号を対向する受信端に伝送し、ＬＤモジュール３はアノードに電圧供給端子７から電圧Ｖｄが印加され、駆動電流Ｉを光信号に変換し、光ファイバ１に出力する。ＬＤモジュール３のカソードはバイアス電流供給回路２に接続されるとともに、抵抗３６を介して接地点５に接続されている。また、抵抗３７の一端には電圧Ｖｄが印加され、抵抗３７の他端はバイアス電流供給回路２に接続されるとともに、電界効果トランジスタ４を介して接地点６に接続されている。
【０００５】
バイアス電流供給回路２はＬＤモジュール３に直流電流Ｉｂを供給する。なお、バイアス電流供給回路２は、更にＬＤモジュール３の光出力信号の平均値が一定になるように制御する場合もある。電気信号入力端子８と電圧供給端子７と電界効果トランジスタ４と抵抗３７と接地点６により増幅回路を構成し、電界効果トランジスタ４のゲートに送信信号に応じた電圧Ｖｉｎが印加される。ＬＤモジュール３と抵抗３６と接地点５が電界効果トランジスタ４の負荷となり、電界効果トランジスタ４が出力する電圧信号Ｖｉｎ１に  応じた駆動電流ＩがＬＤモジュール３に流れる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、図１０は図９におけるＬＤモジュール３の電気的等価回路である。図１０において、ＬＤチップ４１は半導体で構成され、電流信号Ｉ＝Ｉ０＋Δｉ（Ｉ０＝Ｉｂ）を光信号Ｓに変換する。ＬＤチップ４１は電気的には抵抗成分３９（ＲＬＤ）とコンデンサ成分４０（ＣＬＤ）より構成され、光信号Ｓに変換される電流は、抵抗成分ＲＬＤを流れる電流Ｉ０＋ΔｉＲで表される。また、コイル成分３８はＬＤチップ４１の電気的入出力をＬＤモジュール３の外部に取り出すためのワイヤのコイル成分である。
【０００７】
図１０において、ＬＤモジュール３に加えられた電圧信号は、コイル成分３８により高周波成分ほど電圧降下が大きくなり、ＬＤチップ４１に印加される。さらに、ＬＤチップ４１に印加された高周波成分が低下した電圧信号に比例した電流信号がＬＤチップ４１に流れるが、高周波成分Δｉｃはコンデンサ成分ＣＬＤに流れてしまい、図１１（ａ）に示すように抵抗成分ＲＬＤに流れる電流Ｉ０＋ΔｉＲの高周波成分が減衰するという問題点がある。
【０００８】
一方、ＬＤチップ４１の入力電流Ｉと出力光信号Ｓの間には、よく知られているように図１１（ｂ）のΔＳに示すような共振現象が生じる。したがって、図１１（ａ）と（ｂ）に示す現象によって、ＬＤモジュール３の入力電流Ｉと光出力信号Ｓの周波数特性は、図１１（ｃ）に示すように劣化した特性となるので、上記従来のＬＤ駆動回路では、信号帯域が制限され、広帯域の光伝送ができないという問題があった。
【０００９】
本発明は、このような従来の問題を解決するものであり、広帯域の光伝送を実現することができるＬＤ駆動回路、光送信装置及び光伝送システム並びに光伝送装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、上記目的を達成するために、
レーザダイオードモジュール内のレーザダイオードチップを入力された電気信号電圧に応じた駆動電流により駆動するレーザダイオード駆動手段と、
前記レーザダイオードモジュール内の前記レーザダイオードチップの抵抗成分と容量成分による出力光信号の周波数特性の劣化を補正する周波数特性補正回路を有する構成とした。
上記構成により、レーザダイオードモジュール内のレーザダイオードチップの抵抗成分と容量成分による出力光信号の周波数特性の劣化を補正することができるので、レーザダイオードモジュールの出力光信号を広帯域化することが可能となる。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のレーザダイオード駆動回路において、
前記周波数特性補正回路を第１の補正回路として、前記レーザダイオードモジュール内の直列インダクタンス成分の共振による周波数特性の劣化を補正する第２の補正回路を更に有する構成とした。
上記構成により、レーザダイオードモジュール内の直列インダクタンス成分の共振による周波数特性の劣化を補正することができるので、レーザダイオードモジュールの出力光信号を更に広帯域化することが可能となる。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載のレーザダイオード駆動回路において、前記周波数特性補正回路が、
前記レーザダイオードモジュール内の前記レーザダイオードチップの抵抗成分と容量成分と等価な回路と、
前記等価な回路を負荷として前記電気信号電圧を増幅するトランジスタ増幅回路と、
前記トランジスタ増幅回路により増幅された電気信号電圧を前記駆動電流に変換して前記レーザダイオードモジュールを駆動する電圧制御電流源とを、
有することを特徴とする。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載のレーザダイオード駆動回路において、前記等価な回路が、
前記レーザダイオードモジュール内の前記レーザダイオードチップの抵抗成分と容量成分とそれぞれほぼ等しい値の抵抗と容量の並列回路であることを特徴とする。
請求項５に記載の発明は、請求項３に記載のレーザダイオード駆動回路において、前記等価な回路が、前記レーザダイオードモジュールと同じ特性のレーザダイオードモジュールであることを特徴とする。
請求項６に記載の発明は、請求項３に記載のレーザダイオード駆動回路において、前記等価な回路が、前記レーザダイオードモジュールと同じ特性のダミーのレーザダイオードモジュールであることを特徴とする。
【００１４】
請求項７に記載の発明は、請求項２から６のいずれか１つに記載のレーザダイオード駆動回路において、
前記第２の補正回路が、
前記レーザダイオードモジュール内の前記レーザダイオードチップの抵抗成分と容量成分とそれぞれほぼ等しい値の抵抗、容量及び前記レーザダイオードモジュール内の直列インダクタンス成分とほぼ等しいコイルによる並列共振回路を負荷として前記電気信号電圧を増幅することを特徴とする。
【００１５】
請求項８に記載の発明は、請求項１から７のいずれか１つに記載のレーザダイオード駆動回路により、送信信号電圧を前記駆動電流に変換して前記レーザダイオードモジュールを駆動して光信号に変換し、出力する光送信装置である。
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の光送信装置において、デジタル電気信号を光信号に変換し出力することを特徴とする。
【００１６】
請求項１０に記載の発明は、請求項８又は９に記載の光送信装置と、前記光送信装置から入力される光信号を電気信号に変換する光受信装置を光ファイバで接続した光伝送システムである。
【００１７】
請求項１１に記載の発明は、請求項８又は９に記載の光送信装置と、
相手側光送信装置から入力される光信号を電気信号に変換し出力する光受信装置と、
前記光送信装置と前記光受信装置に光学的に接続され、前記光送信装置の出力光信号を出力するとともに、前記相手側光送信装置から入力される光信号を光受信装置へ入力する光波長分離多重素子とを、
有する一芯双方向光伝送装置である。
請求項１２に記載の発明は、請求項１１に記載の少なくとも２つの光伝送装置を光ファイバで接続した一芯双方向光伝送システムである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１に本発明における第１の実施の形態のＬＤ駆動回路のブロック図を示す。図中において、構成部品には番号を付け、以後、同一の機能・性能を持つものには同一の番号を付け、重複するものについては詳細な説明を省略する。
【００１９】
図１において、ＬＤモジュール３はアノードに電圧供給端子７から電圧が印加され、入力される電流信号Ｉを光信号に変換し、光ファイバ１に出力する。ＬＤモジュール３のカソードはバイアス電流供給回路２に接続されるとともに、電界効果トランジスタ４を介して接地点５に接続されている。バイアス電流供給回路２はＬＤモジュール３に直流電流Ｉ０を供給する。バイアス電流供給回路２は、更にＬＤモジュール３の光出力信号の平均値が一定になるように制御する場合もある。
【００２０】
また、抵抗１０の一端には電圧供給端子７から電圧が印加され、抵抗１０の他端は電界効果トランジスタ４のゲートとトランジスタ９のコレクタに接続されている。トランジスタ９のベースには電気信号入力端子８から、デジタル送信信号に応じた電圧Ｖｉｎが印加され、エミッタは並列の抵抗１１及びコンデンサ１２を介して接地点６に接続されている。抵抗１１及びコンデンサ１２の並列回路は、ＬＤモジュール３の等価回路成分と同じであり、以下、「等価回路」１３という。
【００２１】
電界効果トランジスタ４は入力される電圧信号Ｖｉｎ１に比例した電流信号ＩをＬＤモジュール３に供給する電圧制御電流源として機能する。電気信号入力端子８と電圧供給端子７とトランジスタ９と抵抗１０と等価回路１３と接地点６により増幅回路を構成しており、抵抗１０の値を等価回路１３で割った値に比例した電圧信号Ｖｉｎ１が出力される。等価回路１３は抵抗１１とコンデンサ１２が並列に接続されており、抵抗１１の抵抗値ＲＬＤはＬＤモジュール３の抵抗値とほぼ等しい値に設定されており、コンデンサ１２の容量値ＣＬＤはＬＤモジュール３の容量値とほぼ等しくなるように設定されている。ＬＤモジュール３に信号電流Ｉを与えるためのＬＤ駆動回路１４は、電圧供給端子７と電気信号入力端子８とトランジスタ９と抵抗１０と等価回路１３と電界効果トランジスタ４と接地点５、６から構成される。
【００２２】
次に、本発明における第１の実施の形態の動作について説明する。電圧信号Ｖｉｎが電気信号入力端子８に入力されると、トランジスタ９と等価回路１３の抵抗値ＲＬＤと容量値ＣＬＤに応じて高周波成分が強調されて出力される。このときの出力信号Ｖｉｎ１は、等価回路１３の抵抗１１の値と容量１２の値は、ＬＤモジュール３の抵抗値ＲＬＤと容量値ＣＬＤとほぼ同じ値に設定されているため、ＬＤモジュール３の出力光信号の高周波成分の劣化のうち、抵抗成分と容量成分に起因する劣化を補正するような周波数特性の信号となっている。
【００２３】
この電圧信号Ｖｉｎ１が電界効果トランジスタ４に入力されて信号Ｖｉｎ１に比例した電流信号Ｉとなり、ＬＤモジュール３を駆動する。このとき、ＬＤモジュール３を駆動しているのは電流信号Ｉであるため、ＬＤモジュール３内の直列のインダクタンス成分には影響されることなく、ＬＤチップを駆動することができ、周波数特性の高周波成分の劣化が改善された光信号出力を得ることができる。このように、本発明における第１の実施の形態によれば、周波数特性の高周波成分の劣化を補うＬＤ駆動回路を提供することができる。
【００２４】
＜第２の実施の形態＞
図２に本発明における第２の実施の形態のＬＤ駆動回路のブロック図を示す。図２において、図１に示す等価回路１３の代わりに、ＬＤモジュール３と同じ特性のＬＤモジュール１５が設けられている。他の構成は第１の実施の形態と同じである。したがって、ＬＤモジュール３に信号電流Ｉを与えるためのＬＤ駆動回路１６は、電圧供給端子７と電気信号入力端子８とトランジスタ９と抵抗１０とＬＤモジュール１５と電界効果トランジスタ４と接地点５、６から構成される。
【００２５】
次に、本発明における第２の実施の形態の動作について説明する。電圧信号Ｖｉｎが電気信号入力端子８に入力されると、トランジスタ９とＬＤモジュール１５の抵抗値と容量値に応じて高周波成分が強調されて出力される。このときの出力信号Ｖｉｎ１は、ＬＤモジュール１５の抵抗値と容量値は、ＬＤモジュール３の抵抗値と容量値とほぼ同じ値であるため、ＬＤモジュール３の出力光信号の高周波成分の劣化のうち、抵抗成分と容量成分に起因する劣化を補正するような周波数特性の信号となっている。この電圧信号Ｖｉｎ１が電界効果トランジスタ４に入力されて信号Ｖｉｎ１に比例した電流信号Ｉとなり、ＬＤモジュール３を駆動する。
【００２６】
このとき、ＬＤモジュール３を駆動しているのは電流信号Ｉであるため、ＬＤモジュール３内の直列のインダクタンス成分には影響されることなく、ＬＤチップ４１を駆動することができ、周波数特性の高周波成分の劣化が改善された光信号出力を得ることができる。このように、本発明における第２の実施の形態によれば、周波数特性の高周波成分の劣化を補う駆動回路を提供することができる。
【００２７】
＜第３の実施の形態＞
図３に本発明における第３の実施の形態のＬＤ駆動回路のブロック図を示す。図３において、ＬＤモジュール１７はＬＤモジュール１７内のＬＤチップに代えて同程度の抵抗値と容量値を有する他のデバイスを備えたものであり、光ファイバ１との結合手段を削除したダミーのＬＤモジュールである。したがって、ＬＤモジュール３に信号電流Ｉを与えるためのＬＤ駆動回路１８は、電圧供給端子７と電気信号入力端子８とトランジスタ９と抵抗１０とダミーのＬＤモジュール１７と電界効果トランジスタ４と接地点５、６から構成される。
【００２８】
次に、本発明における第３の実施の形態の動作について説明する。電圧信号Ｖｉｎが電気信号入力端子８に入力されると、トランジスタ９とダミーのＬＤモジュール１７の抵抗値と容量値に応じて高周波成分が強調されて出力される。このときの出力信号Ｖｉｎ１は、ダミーのＬＤモジュール１７の抵抗値と容量値がＬＤモジュール３の抵抗値と容量値とほぼ同じ値であるため、ＬＤモジュール３の出力光信号の高周波成分の劣化のうち、抵抗成分と容量成分に起因するものを補正するような周波数特性の信号となっている。この電圧信号Ｖｉｎ１が電界効果トランジスタ４に入力され、信号Ｖｉｎ１に比例した電流信号Ｉとなり、ＬＤモジュール３を駆動する。
【００２９】
このとき、ＬＤモジュール３を駆動しているのは電流信号Ｉであるため、ＬＤモジュール３内の直列のインダクタンス成分には影響されることなく、ＬＤチップ４１を駆動することができ、周波数特性の高周波成分の劣化が改善された光信号出力を得ることができる。このように、本発明における第３の実施の形態によれば、周波数特性の高周波成分の劣化を補う駆動回路を提供することができる。
【００３０】
＜第４の実施の形態＞
図４に本発明における第４の実施の形態のＬＤ駆動回路のブロック図を示す。図４において、等価回路１９は第１の実施の形態の等価回路１３、又は第２の実施の形態のＬＤモジュール１５又は第３の実施の形態のダミーのＬＤモジュール１７であり、ＬＤモジュール３の抵抗成分と容量成分による出力光信号の高周波成分の劣化を補うためのものである。
【００３１】
そして、第４の実施の形態では、第１〜第３の実施の形態に対して、コンデンサ２３と、コイル２４と、抵抗２１、２５と、トランジスタ２０が追加され、抵抗２１の抵抗値をコンデンサ２３とコイル２４と抵抗２５の並列共振回路のインピーダンスで割った値に比例する電圧信号を出力する増幅回路を構成している。この並列共振回路はトランジスタ２０のエミッタと接地点２２の間に設けられている。抵抗２５の抵抗値とコイル２４のインダクタンス値とコンデンサ２３の容量値は、この３素子で構成される並列共振回路の共振周波数とピーク値が、ＬＤモジュール３内のＬＤチップ４１の共振現象の周波数とピーク値が一致するように設定されている。そして、これらの回路がＬＤモジュール３に信号電流Ｉを与えるためのＬＤ駆動回路２６を構成している。
【００３２】
次に、本発明における第４の実施の形態の動作について説明する。電圧信号Ｖｉｎが電気信号入力端子８に入力されると、トランジスタ２０と、コンデンサ２３とコイル２４と抵抗２５による並列共振回路と、抵抗２１による増幅回路により、ＬＤモジュール３内のＬＤチップ４１の共振現象と逆の周波数特性の電圧信号Ｖｉｎ１１が出力される。この信号Ｖｉｎ１１はトランジスタ９と等価回路１９と抵抗１０による増幅回路で、ＬＤモジュール３の抵抗成分と容量成分による高周波成分の劣化と逆の特性で補正されて出力される。この電圧信号Ｖｉｎ１２が電界効果トランジスタ４に入力され、信号Ｖｉｎ１２に比例した電流信号Ｉとなり、ＬＤモジュール３を駆動する。
【００３３】
このとき、ＬＤモジュール３を駆動しているのは電流信号Ｉであるため、ＬＤモジュール３内の直列のインダクタンス成分には影響されることなく、ＬＤチップ４１を駆動することができ、周波数特性の高周波成分の劣化とＬＤチップ４１の共振現象による高周波成分の劣化が改善された光信号出力を得ることができる。このように、本発明における第４の実施の形態によれば、周波数特性の高周波成分の劣化を補う駆動回路を提供することができる。
【００３４】
＜第５の実施の形態＞
図５に本発明における第５の実施の形態の光送信装置２８のブロック図を示す。図５において、ＬＤ駆動回路２７は第１の実施の形態におけるＬＤ駆動回路１４、又は第２の実施の形態におけるＬＤ駆動回路１６、又は第３の実施の形態におけるＬＤ駆動回路１８又は第４の実施の形態におけるＬＤ駆動回路２６のいずれか１つであり、ＬＤモジュール３の出力光信号の高周波成分を改善する機能を有している。光送信装置２８は、電気信号入力端子８とＬＤ駆動回路２７とバイアス電流供給回路２とＬＤモジュール３から構成される。
【００３５】
次に、本発明における第５の実施の形態の動作について説明する。電圧信号Ｖｉｎが電気信号入力端子８に入力されると、ＬＤ駆動回路２７によりＬＤモジュール３の出力光信号の高周波成分の劣化を補正するような周波数特性を有した電流信号ＩによりＬＤモジュール３を駆動する。ＬＤ駆動回路２７により駆動されたＬＤモジュール３は、高周波成分の劣化が補正され、より広帯域な光信号を出力する。このように、本発明における第５の実施の形態によれば、広帯域な光送信装置を提供することができる。
【００３６】
＜第６の実施の形態＞
図６に本発明における第６の実施の形態の光伝送システムのブロック図を示す。図６において、光受信装置２９は第５の実施の形態の光送信装置２８から光ファイバ１を介して伝送された光信号を入力とし、電気信号に変換し出力する。
次に、本発明における第６の実施の形態の動作について説明する。電圧信号Ｖｉｎが光送信装置２８に入力されると、広帯域の光信号に変換され光ファイバ１に出力される。光ファイバ１により伝送された光信号は光受信装置２９により電気信号に変換され出力される。このように、本発明における第６の実施の形態によれば、広帯域な光信号を伝送することができる光伝送システムを提供することができる。
【００３７】
＜第７の実施の形態＞
図７に本発明における第７の実施の形態の双方向光伝送装置３３のブロック図を示す。図７において、波長分離多重（ＷＤＭ）カプラ３０は光信号を波長により分離又は多重する特性を有し、光送信装置２８の出力光信号の波長と光受信装置２９が受信する光信号の波長を適度に選択することで、光ファイバ１からの入力光信号を光受信装置２９へ入力し、光送信装置２８の出力光信号を光ファイバ１へ出力する。双方向光伝送装置３３は、波長分離多重（ＷＤＭ）カプラ３０と光送信装置２８と光受信装置２９で構成され、光送信装置２８と波長分離多重（ＷＤＭ）カプラ３０、光受信装置２９と波長分離多重（ＷＤＭ）カプラ３０、光ファイバ１と波長分離多重（ＷＤＭ）カプラ３０は光学的に接続されている。
【００３８】
次に、本発明における第７の実施の形態の動作について説明する。電圧信号Ｖｉｎが電気信号入力端子８に入力されると、光送信装置２８により出力光信号の高周波成分の劣化を補正された広帯域な光信号を出力し、波長分離多重（ＷＤＭ）カプラ３０により光ファイバ１に出力される。一方、光ファイバ１により伝送されてきた光信号は、波長分離多重（ＷＤＭ）カプラ３０により光受信装置２９へ入力され、電気信号に変換され、電気信号出力端子３２を介して出力される。このように、本発明における第７の実施の形態によれば、広帯域な双方向光伝送装置を提供することができる。
【００３９】
＜第８の実施の形態＞
図８に本発明における第８の実施の形態の一芯双方向光伝送システムのブロック図を示す。図８において、双方向光伝送装置３４、３５は第７の実施の形態の光伝送装置３３と同一構成であり、双方向光伝送装置３４と双方向光伝送装置３５は出力光信号の波長と入力光信号の波長をそれぞれ変えて、双方向光伝送装置３４の出力光信号の波長を双方向光伝送装置３５が受信し、双方向光伝送装置３５の出力光信号の波長を双方向光伝送装置３４が受信するようにしたものである。
【００４０】
次に、本発明における第８の実施の形態の動作について説明する。電圧信号Ｖｉｎが双方向光伝送装置３４に入力されると、広帯域の光信号に変換され光ファイバ１に出力される。光ファイバ１により伝送された光信号は双方向光伝送装置３５により電気信号に変換され出力される。一方、電圧信号Ｖｉｎが双方向光伝送装置３５に入力されると、広帯域の光信号に変換され光ファイバ１に出力される。光ファイバ１により伝送された光信号は双方向光伝送装置３４により電気信号に変換され出力される。このように、本発明における第８の実施の形態によれば、広帯域な光信号を双方向伝送することができる一芯双方向光伝送システムを提供することができる。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、ＬＤモジュール内のＬＤチップの抵抗成分と容量成分による出力光信号の周波数特性の劣化を補正することができるので、ＬＤモジュールの出力光信号を広帯域化することが可能となる。
また、ＬＤモジュール内の直列インダクタンス成分の共振による周波数特性の劣化を補正することができるので、ＬＤモジュールの出力光信号を更に広帯域化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態におけるＬＤ駆動回路のブロック図
【図２】本発明の第２の実施の形態におけるＬＤ駆動回路のブロック図
【図３】本発明の第３の実施の形態におけるＬＤ駆動回路のブロック図
【図４】本発明の第４の実施の形態におけるＬＤ駆動回路のブロック図
【図５】本発明の第５の実施の形態における光送信装置のブロック図
【図６】本発明の第６の実施の形態における光伝送システムのブロック図
【図７】本発明の第７の実施の形態における双方向光伝送装置のブロック図
【図８】本発明の第８の実施の形態における双方向光伝送システムのブロック図
【図９】従来の技術におけるＬＤ駆動回路のブロック図
【図１０】ＬＤモジュールの等価回路のブロック図
【図１１】ＬＤモジュールの光出力信号の周波数特性の説明図
【符号の説明】
１  光ファイバ
２  バイアス電流供給回路
３、１５  レーザダイオード（ＬＤ）モジュール
４  電界効果トランジスタ
５、６、２２  接地点
７  電圧供給端子
８  電気信号入力端子
９、２０  トランジスタ
１０、１１、２１、２５、３６、３７  抵抗
１２、２３  コンデンサ
１３、１９  等価回路
１４、１６、１８、２６、２７  レーザダイオード（ＬＤ）駆動回路
１７  ダミーのレーザダイオード（ＬＤ）モジュール
２４  コイル
２８  光送信装置
２９  光受信装置
３０  波長分離多重（ＷＤＭ）カプラ
３２  電気信号出力端子
３３、３４、３５  双方向光伝送装置
３８  コイル成分
３９  抵抗成分
４０  コンデンサ成分
４１  レーザダイオード（ＬＤ）チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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