(57)【要約】【課題】多層膜表面に付着した飛散粒子を除去することにより多層膜反射鏡の反射率を容易に回復できる多層膜反射鏡、その製造方法、多層膜反射鏡の反射率回復方法、軟Ｘ線光学系及び軟Ｘ線露光装置を提供する。【解決手段】本発明に係る多層膜反射鏡は、屈折率の異なる少なくとも二種類以上の物質を交互に又は周期的に一定の周期長で積層してなる多層膜を備えた多層膜反射鏡において、基板上に形成された多層膜２０と、この多層膜の最上層上に形成されたＡｇ層２３と、を具備する。この多層膜反射鏡の反射率を回復する場合、Ａｇ層２３上に飛散粒子であるタングステンが付着した多層膜反射鏡のＡｇ層２３を硝酸で溶解することにより、多層膜２０からタングステン及びＡｇ層２３を除去し、多層膜２０の最上層上にＡｇ層２４を再形成する。【選択図】　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
屈折率の異なる少なくとも二種類以上の物質を交互に又は周期的に一定の周期長で積層してなる多層膜を備えた多層膜反射鏡において、
基板上に形成された多層膜と、
この多層膜の最上層上に形成された溶解性薄膜と、
を具備することを特徴とする多層膜反射鏡。
【請求項２】
前記溶解性薄膜が銀からなる膜であることを特徴とする請求項１に記載の多層膜反射鏡。
【請求項３】
前記多層膜は、モリブデンを含む層とシリコンを含む層からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層膜反射鏡。
【請求項４】
前記多層膜の周期長が５ｎｍ以上７．５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の多層膜反射鏡。
【請求項５】
前記銀からなる膜の厚さが２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２〜４のうちいずれか１項に記載の多層膜反射鏡。
【請求項６】
屈折率の異なる少なくとも二種類以上の物質を交互に又は周期的に一定の周期長で積層してなる多層膜を備えた多層膜反射鏡の製造方法において、
基板上に多層膜を成膜する工程と、
この多層膜の最上層上に溶解性薄膜を形成する工程と、
を具備することを特徴とする多層膜反射鏡の製造方法。
【請求項７】
前記溶解性薄膜が銀からなる膜であることを特徴とする請求項６に記載の多層膜反射鏡の製造方法。
【請求項８】
前記銀からなる膜の厚さが２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６又は７に記載の多層膜反射鏡の製造方法。
【請求項９】
請求項１又は２に記載の多層膜反射鏡であって、露光装置に使用することにより溶解性薄膜上に飛散粒子が付着した多層膜反射鏡の反射率回復方法において、
溶解性薄膜を酸で溶解することにより、多層膜から飛散粒子及び溶解性薄膜を除去する工程と、
多層膜の最上層上に溶解性薄膜を形成する工程と、
を具備することを特徴とする多層膜反射鏡の反射率回復方法。
【請求項１０】
請求項１又は２に記載の多層膜反射鏡を用いて構成されたことを特徴とする軟Ｘ線光学系。
【請求項１１】
軟Ｘ線を発生させる軟Ｘ線光源と、この軟Ｘ線光源からの軟Ｘ線をマスクに導く照明光学系と、前記マスクからの軟Ｘ線を感光性基板に導く投影光学系とを有し、前記マスクのパターンを感光性基板へ転写する軟Ｘ線露光装置において、
前記照明光学系に請求項１又は２に記載の多層膜反射鏡を有することを特徴とする軟Ｘ線露光装置。
【請求項１２】
前記多層膜反射鏡が配置された空間の酸素を含む気体の分圧が１×１０−８Ｐａ以下に保たれていることを特徴とする請求項１１に記載の軟Ｘ線露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスなどの製造に用いられる多層膜反射鏡、その製造方法、多層膜反射鏡の反射率回復方法、軟Ｘ線光学系及び軟Ｘ線露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路素子の微細化の進展に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上させるために、従来の紫外線に代わって、これより波長の短い１１〜１４ｎｍ程度の波長を有する軟Ｘ線を使用した投影リソグラフィ技術が開発されている（例えば、Ｄ．Ｔｉｃｈｅｎｏｒ，ｅｔ　ａｌ，　ＳＰＩＥ　２４３７（１９９５）２９２参照）。この技術は、最近ではＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏｌｅｔ：極紫外線）リソグラフィとも呼ばれているが、その内容は同一である（以下、ＥＵＶリソグラフィと呼ぶ）。ＥＵＶリソグラフィは、従来の光リソグラフィ（波長１９０ｎｍ程度以上）では実現不可能な７０ｎｍ以下の解像力を有する将来のリソグラフィ技術として期待されている。
【０００３】
この波長域では物質の屈折率が１に非常に近いので、屈折や反射を利用した従来の光学素子は使用できない。屈折率が１よりも僅かに小さいことによる全反射を利用した斜入射ミラーや、界面での微弱な反射光の位相を合わせて多数重畳させて、全体として高い反射率を得る多層膜反射鏡（多層膜ミラー）などが使用される。１３．４ｎｍ付近の波長域では、モリブデン（Ｍｏ）層とシリコン（Ｓｉ）層を交互に積層したＭｏ／Ｓｉ多層膜を用いると直入射で６７．５％の反射率を得ることが出来、波長１１．３ｎｍ付近の波長域では、Ｍｏ層とベリリウム（Ｂｅ）層を交互に積層したＭｏ／Ｂｅ多層膜を用いると直入射で７０．２％の反射率を得ることができる（例えば、Ｃ．Ｍｏｎｔｃａｌｍ，　Ｐｒｏｃ．　ＳＰＩＥ，　Ｖｏｌ．　３３３１（１９９８）Ｐ．４２参照）。
【０００４】
ＥＵＶリソグラフィ装置は、主として軟Ｘ線光源、照明光学系、マスクステージ、投影結像光学系（投影光学系）、ウエハステージ等により構成される。軟Ｘ線光源には、レーザープラズマ光源、放電プラズマ光源や放射光などが使用される。照明光学系は、反射面に斜め方向から入射した軟Ｘ線を反射させる斜入射ミラー、反射面が多層膜により形成される多層膜ミラー及び所定の波長の軟Ｘ線のみを透過させるフィルター等により構成され、マスク上を所望の波長の軟Ｘ線で照明する。なお、軟Ｘ線の波長域では透明な物質は存在しないので、マスクには従来の透過型のマスクではなく反射型のマスクが使用される。
【０００５】
マスク上に形成された回路パターンは、複数の多層膜ミラー等で構成された投影結像光学系により、レジストが塗布されたウエハ（感光性基板）上に結像して該レジストに転写される。なお、軟Ｘ線は大気に吸収されて減衰するため、その光路は全て所定の真空度（例えば、１×１０−５Ｔｏｒｒ以下）に維持されている。
【０００６】
ＥＵＶリソグラフィにおいては反射鏡表面の汚れが大きな問題となる。現在、ＥＵＶ軟Ｘ線光源として開発が進められているレーザープラズマ光源や放電プラズマ光源では、光源部から飛散粒子が発生し、この飛散粒子が多層膜反射鏡の表面に付着して反射率を低下させる。特に照明光学系を構成する多層膜反射鏡のうちプラズマに最も近い多層膜反射鏡（以下コンデンサミラーと記す）は、プラズマから輻射されるＥＵＶ光をできるだけ大きな立体角で取り込むためにプラズマから反射面までの距離は１００ｍｍ以下になると言われており、飛散粒子の影響を最も大きく受ける。コンデンサミラーを含め、光学系を構成する多層膜反射鏡のＥＵＶ反射率はＥＵＶリソグラフィ装置の処理速度（スループット）に直接影響するため、飛散粒子の発生と付着を低減させる方法の開発が進められている。
【０００７】
プラズマから発生する飛散粒子を低減するために、キセノン（Ｘｅ）ガスをターゲット材としたガスジェットターゲットレーザープラズマ光源の開発が進められている。Ｘｅは常温で気体であるため、多層膜表面には付着しないが、生成されたプラズマを形成するイオンによってＸｅガスを噴出するノズル先端部が削られて飛散粒子となる。ノズルから離れるにしたがって急激にガス密度が低下するため、プラズマの発生位置はノズル先端から距離を大きくとることはできず、ノズル先端部のイオンによる侵食は完全に無くすことはできない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように現在のところ、光源をレーザープラズマ光源や放電プラズマ光源とした場合の飛散粒子の発生を完全に無くすことはできない。このため、飛散粒子は光源であるプラズマに最も近い多層膜反射鏡の表面に付着し、その寿命は有限なものとなる。ＥＵＶリソグラフィ装置に使用されるＥＵＶ光学系を構成する多層膜反射鏡では、高い形状精度が求められ、表面に周期長面内分布が精度良く制御された多層膜が成膜されている必要があるために、形状を変化させずに反射率の低下した反射鏡の反射率を回復させることが望まれていた。
【０００９】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、多層膜表面に付着した飛散粒子を除去することにより多層膜反射鏡の反射率を容易に回復できる多層膜反射鏡、その製造方法、多層膜反射鏡の反射率回復方法、軟Ｘ線光学系及び軟Ｘ線露光装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明に係る多層膜反射鏡は、屈折率の異なる少なくとも二種類以上の物質を交互に又は周期的に一定の周期長で積層してなる多層膜を備えた多層膜反射鏡において、基板上に形成された多層膜と、この多層膜の最上層上に形成された溶解性薄膜と、を具備することを特徴とする。
なお、前記溶解性薄膜が銀からなる膜であることが好ましい。また、溶解性とは、酸やアルカリ、溶剤などにより溶解され得るという意味である。
【００１１】
前記多層膜反射鏡によれば、多層膜の最上層上に溶解性薄膜を形成しているため、多層膜反射鏡の表面に飛散粒子が付着しても、この溶解性薄膜を適度な濃度の酸に浸すことによって飛散粒子及び溶解性薄膜を除去することができる。また、多層膜は酸に侵されないため、溶解性薄膜より基板側の構造と形状は全く影響を受けない。よって、多層膜表面に再度溶解性薄膜を成膜することにより、飛散粒子が付着する前の状態を回復することができる。
【００１２】
また、本発明に係る多層膜反射鏡において、前記多層膜は、モリブデンを含む層とシリコンを含む層からなることも可能である。これにより、波長１３．５ｎｍ付近で高い反射率を有する多層膜を得ることができる。この多層膜において最表面に溶解性薄膜を成膜しておくことにより、付着した飛散粒子の除去と反射率の回復が容易な多層膜反射鏡を得ることができる。
【００１３】
また、本発明に係る多層膜反射鏡においては、前記多層膜の周期長が５ｎｍ以上７．５ｎｍ以下であることが好ましい。これにより、波長１３．５ｎｍ付近で高い反射率を有する多層膜を得ることができる。この多層膜において最表面に溶解性薄膜を成膜しておくことにより、付着した飛散粒子の除去と反射率の回復が容易な多層膜反射鏡を得ることができる。
【００１４】
また、本発明に係る多層膜反射鏡においては、前記銀からなる膜の厚さが２ｎｍ以下であることが好ましい。これにより、多層膜の最上層上に成膜される銀による反射率低下による影響を２％程度とし、多層膜全体としては高い反射率を達成できる。
【００１５】
本発明に係る多層膜反射鏡の製造方法は、屈折率の異なる少なくとも二種類以上の物質を交互に又は周期的に一定の周期長で積層してなる多層膜を備えた多層膜反射鏡の製造方法において、基板上に多層膜を成膜する工程と、この多層膜の最上層上に溶解性薄膜を形成する工程と、を具備することを特徴とする多層膜反射鏡の製造方法。
【００１６】
また、本発明に係る多層膜反射鏡の製造方法においては、前記溶解性薄膜が銀からなる膜であることも可能である。
また、本発明に係る多層膜反射鏡の製造方法においては、前記銀からなる膜の厚さが２ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１７】
本発明に係る多層膜反射鏡の反射率回復方法は、請求項１又は２に記載の多層膜反射鏡であって、露光装置に使用することにより溶解性薄膜上に飛散粒子が付着した多層膜反射鏡の反射率回復方法において、溶解性薄膜を酸で溶解することにより、多層膜から飛散粒子及び溶解性薄膜を除去する工程と、多層膜の最上層上に溶解性薄膜を形成する工程と、を具備することを特徴とする。
【００１８】
前記多層膜反射鏡の反射率回復方法によれば、多層膜表面に付着した飛散粒子を容易に除去することができ、更に、多層膜及びその基板の再利用が低コストで可能となる。
【００１９】
本発明に係る軟Ｘ線光学系は、請求項１又は２に記載の多層膜反射鏡を用いて構成されたものであることを特徴とする。
この軟Ｘ線光学系によれば、飛散粒子の付着により反射率の低下した多層膜反射鏡の反射率を容易に回復させることができるため、光学系全体としての反射率の回復も容易となる。
【００２０】
本発明に係る軟Ｘ線露光装置は、軟Ｘ線を発生させる軟Ｘ線光源と、この軟Ｘ線光源からの軟Ｘ線をマスクに導く照明光学系と、前記マスクからの軟Ｘ線を感光性基板に導く投影光学系とを有し、前記マスクのパターンを感光性基板へ転写する軟Ｘ線露光装置において、前記照明光学系に請求項１又は２に記載の多層膜反射鏡を有することを特徴とする。
【００２１】
前記軟Ｘ線露光装置によれば、飛散粒子の付着により低下した光学系の反射率の回復が容易となり、多層膜基板の製作と多層膜の成膜を新たに行う必要がないため、光学系の性能を低コストで維持することができる。
【００２２】
また、本発明に係る軟Ｘ線露光装置においては、前記多層膜反射鏡が配置された空間の酸素を含む気体の分圧が１×１０−８Ｐａ以下に保たれていることが好ましい。これにより、多層膜の最表面の銀などの溶解性薄膜の酸化が進むことが無く、酸により容易に溶解性薄膜を除去できる状態を保つことができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の実施の形態による多層膜反射鏡を備えたＥＵＶリソグラフィ装置の光源部分を概略的に示す構成断面図である。
【００２４】
このＥＵＶリソグラフィ装置は、Ｘｅガスジェットターゲットレーザープラズマを光源とするものである。真空容器１１の内部にＸｅガスノズル１２が配置されている。このＸｅガスノズル１２の先端部分はタングステン製である。このガスノズル１２から噴出したＸｅガスには励起パルスレーザー光１３が集光・照射され、プラズマ１４が生成されるようになっている。生成されたプラズマ１４から輻射されるＥＵＶ光を取り込むために回転放物面形状を有するコンデンサミラー１５が真空容器１１の内部に配置されている。ＥＵＶ光をコンデンサミラー１５で反射することによりＥＵＶ光の平行光束１６が形成される。この光束１６はジルコニウムのフィルター１７を通過するようになっており、照明光学系（図示せず）を介して反射マスク（図示せず）を照明するようになっている。
【００２５】
また、本装置は、真空容器１１の内部を真空化するための真空ポンプ（図示せず）を備えている。これにより、露光中はフィルター１７よりプラズマ側の空間（真空容器１１の内部）の酸素を含む気体の分圧が１×１０−８Ｐａ以下（好ましくは１×１０−１０Ｐａ以下）に保たれている。
【００２６】
コンデンサミラー１５は多層膜反射鏡である。コンデンサミラー１５の表面にはＭｏ／Ｓｉ多層膜が成膜されており、コンデンサミラー１５上でＥＵＶ光の入射角度が違っても同じ波長のＥＵＶ光を反射するように周期長には面内分布が形成されている。Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の最表面には厚さ１ｎｍのＡｇ層が成膜されている。多層膜反射鏡の製造方法及び多層膜反射鏡の反射率回復方法については後述する。
【００２７】
コンデンサミラー１５はミラーホルダ１８に固定されており、ミラーホルダ１８に対してコンデンサミラーの基板は厳密な位置出しがなされている。ミラーホルダ１８は基盤１９に固定されており、その位置が記録されている。
【００２８】
このような配置で縮小投影露光を行うと、光源のＸｅガスノズル部分から発生した飛散粒子がコンデンサミラー１５の表面に付着し、それによりコンデンサミラー１５の反射率を低下させる。予めコンデンサミラーは二枚準備されており、本装置に配置したコンデンサミラー１５の反射率が低下したら、このコンデンサミラー１５を本装置から取り外してもう一枚のコンデンサミラーと交換する。取り外したコンデンサミラー１５は、反射率を回復させるために硝酸に浸してＡｇ層を除去することによって、その上に付着した飛散粒子が除去される。その後、再びＡｇ層を成膜して次の交換に備える。
【００２９】
次に、多層膜反射鏡の製造方法及び多層膜反射鏡の反射率回復方法について図２を参照しつつ説明する。
図２（ａ）は、多層膜反射鏡における多層膜の表層近傍を模式的に示す断面図であり、図２（ｂ）〜（ｄ）は、多層膜反射鏡の反射率を回復させる方法を説明するための断面図である。
【００３０】
図２（ａ）に示す多層膜反射鏡は、所望の形状に精度良く加工された図示せぬ石英基板を有している。この石英基板上にはＭｏ／Ｓｉ多層膜２０がスパッタリングにより成膜されている。この多層膜２０はモリブデン（Ｍｏ）２１とシリコン（Ｓｉ）２２を交互に積層したＭｏ／Ｓｉ多層膜であり、最上層はシリコン２２である。Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の周期長は６．９ｎｍであり、最上層のＳｉ層の上には溶解性薄膜としての厚さ１ｎｍのＡｇ層２３がスパッタリングにより成膜されている。
【００３１】
図２（ｂ）に示す多層膜反射鏡は、前述したＸｅガスをターゲット材としたガスジェットターゲットレーザープラズマ光源の近傍に多層膜反射鏡を配置し、プラズマを生成した後の多層膜反射鏡の表面状態を示すためのものである。Ｘｅガスが噴出するＸｅガスジェットノズルは、プラズマによる侵食を軽減させ飛散粒子の総量軽減を目的として高融点のタングステンにより形成されている。このため、多層膜２０の表面には飛散粒子であるタングステン（Ｗ）がわずかに付着しているが、付着量が比較的小量であるためにタングステンは均一な膜となっておらず、多層膜の表面に島状に離散的に付着している。このように飛散粒子が付着すると多層膜反射鏡の反射率が低下する。
【００３２】
この状態の多層膜反射鏡を装置から取り外し、この多層膜２０を５規定の濃度の硝酸に浸した後の状態を図２（ｃ）に示している。硝酸によりＡｇ層２３が溶けてその上に付着していたタングステンも取り除かれる。Ａｇ層２３の下に存在するＳｉ層２２及び基板材である石英は硝酸には侵されないため、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜２０は硝酸の影響を全く受けずにその構造が保たれ、石英基板の形状も変化しない。
【００３３】
その後、図２（ｄ）に示すように、多層膜２０の最上層のＳｉ層上に溶解性薄膜としての厚さ１ｎｍのＡｇ層２４を再びスパッタリングにより成膜する。これにより、図２（ｂ）に示したような飛散粒子であるタングステンが付着する前の多層膜反射鏡の状態に戻すことができる。その結果、多層膜反射鏡の反射率を元の状態に回復することができる。
【００３４】
上述したような工程を繰り返すことにより、多層膜表面に飛散粒子が付着しても、石英基板の再加工、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の再成膜を行うことなく、同一の多層膜反射鏡を長期間使用することができる。
【００３５】
また、Ａｇ層を酸で溶解して飛散粒子を除去した後、再びＡｇ層を多層膜上に形成するという反射率回復工程は、石英基板の再加工、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の再成膜を行う工程に比べて低コストで実施することができる。
【００３６】
つまり、従来技術では、付着した飛散粒子を多層膜に影響を与えずに除去できないので、多層膜をドライエッチングなどで除去し、基板を再研磨した後、基板上に多層膜を再成膜することが必要である。これに対して、本実施の形態では、Ａｇ層を酸で溶解することにより飛散粒子を除去したコンデンサミラーの最上層にＡｇ層を再成膜するだけでコンデンサミラーの再使用が可能となり、低コスト化を図ることができる。
【００３７】
また、飛散粒子の付着量が増加してＡｇ層の表面を飛散粒子が厚く覆ってしまうと、本実施の形態に示したタングステンのように飛散粒子が酸に溶け難い物質であった場合には多層膜を酸に浸しても酸がＡｇ層にまで達することができず、飛散粒子の除去ができなくなる。そのため、硝酸への浸漬は飛散粒子の付着量が比較的に少ないうちに行うことが好ましい。
【００３８】
コンデンサミラーの取り外しの頻度が上昇すると露光装置の稼働率を低下させることになる。しかし、コンデンサミラーの位置は正確に記録されているため、コンデンサミラーを露光装置に設置する際のアライメントを短時間で終了させることができるので、稼働率低下は極めて小さく抑えることが可能である。
【００３９】
また、多層膜の最表面に成膜されたＡｇ層は、酸化が進むと酸によって取り除くことができなくなり、反射率も低下する。このため、前述したように、コンデンサミラー１５の配置された空間（真空容器１１の内部）の酸素を含む気体の分圧を１×１０−８Ｐａ以下（好ましくは１×１０−１０Ｐａ以下）に保ち、それによりＡｇ層の酸化を抑制している。従って、Ａｇ層の酸化が進まず、飛散粒子の付着後に硝酸による除去が可能となる。
【００４０】
図３は、本発明の実施の形態による多層膜反射鏡を備えたＸ線露光装置の一例を示す構成図である。
【００４１】
Ｘ線露光装置は、主に軟Ｘ線光源Ｓ、コンデンサＣ、照明光学系、マスクＭのステージ（図示せず）、投影光学系、ウエハＷのステージ（図示せず）などにより構成されている。軟Ｘ線光源Ｓには、プラズマ励起用のレーザーＬからなるレーザープラズマ光源の他に放電プラズマ光源や放射光などが使用される。照明光学系（ＩＲ１、ＩＲ２、ＩＲ３およびＩＲ４等）は、反射面に斜め方向から入射した軟Ｘ線を反射させる斜入射ミラー、反射面が多層膜により形成される多層膜ミラー、および所定の波長の軟Ｘ線のみを透過させるフィルター等により構成されている。この照明光学系によってフォトマスクＭ上を所望の波長の軟Ｘ線で照明する。この照明光学系は本実施の形態の多層膜反射鏡を有している。
【００４２】
軟Ｘ線の波長域では透明な物質は存在しないので、マスクＭには従来の透過型のマスクではなく反射型のマスクが使用される。投影結像光学系は複数の多層膜ミラー（ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３およびＰＲ４）等により構成されている。マスクＭ上に形成された回路パターンは、投影結像光学系によりレジストが塗布されたウエハＷ上に結像して該レジストに転写される。なお、軟Ｘ線は大気に吸収されて減衰するため、その光路は全て所定の真空度（例えば、１×１０−５Ｔｏｒｒ以下）に維持されている。
【００４３】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、前記実施の形態では、飛散粒子がタングステンの場合で説明しているが、タングステンに限定されるものではなく、飛散粒子が他の物質の場合でも本発明を適用することが可能である。この場合、飛散粒子の物質によっては硝酸以外の酸を用いるも可能である。
【００４４】
また、前記実施の形態では、露光装置の軟Ｘ線光学系に前記多層膜反射鏡を適用しているが、軟Ｘ線光学系は露光装置に限定されるものではなく、他の軟Ｘ線光学系に多層膜反射鏡を適用することも可能である。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、多層膜表面に付着した飛散粒子を除去することにより多層膜反射鏡の反射率を容易に回復できる多層膜反射鏡、その製造方法、多層膜反射鏡の反射率回復方法、軟Ｘ線光学系及び軟Ｘ線露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態による多層膜反射鏡を備えたＥＵＶリソグラフィ装置の光源部分を概略的に示す構成断面図である。
【図２】（ａ）は、多層膜反射鏡における多層膜の表層近傍を模式的に示す断面図であり、（ｂ）〜（ｄ）は、多層膜反射鏡の反射率を回復させる方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明の実施の形態による多層膜反射鏡を備えたＸ線露光装置の一例を示す構成図である。
【符号の説明】
１１…真空容器　　　　　　　　　　　　１２…Ｘｅガスノズル
１３…励起パルスレーザー光　　　　　　１４…プラズマ
１５…コンデンサミラー　　　　　　　　１６…ＥＵＶ光の平行光束
１７…フィルター　　　　　　　　　　　１８…ミラーホルダ
１９…基盤　　　　　　　　　　　　　　２０…多層膜
２１…モリブデン（Ｍｏ）　　　　　　　２２…シリコン（Ｓｉ）
２３，２４…Ａｇ層
【図１】
2004037295.tif 000003
【図２】
2004037295.tif 000004
【図３】
2004037295.tif 000005