(57)【要約】【課題】トリガーガス供給系の配管内に残留したガスを放出させる、従来方式では、真空室内の壁に付着した粉塵を巻き上げ、スパッタ膜中に粉塵を取り込んでしまい膜質を悪化させてしまう問題があった。また、放電とは無関係な無駄なガスを成膜室に流す方式であるため、資源を無駄に排出してしまう問題があった。【解決手段】スパッタリング放電を開始できるガス圧力Ｐ１となるように、ガス供給系から一定のガス流量を流しながら放電を開始した後、成膜室のガス圧力がガス圧力Ｐ２（Ｐ２＜Ｐ１）となるようにガス流量を低下させてスパッタリングを行なう。その後、放電開始前には、ガス圧力Ｐ１となるようにガス流量を増加させる。【選択図】　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２室以上の成膜室と、前記成膜室へスパッタガスを供給するガス供給系と、前記成膜室内の材料ターゲットならびに基材と、前記材料ターゲットに電力を供給する電源と、真空を破ることなく連続的に真空室内に基材を搬入および搬出する搬送装置とを備えたスパッタリング装置における、スパッタリングを行なう際のガス供給方法であって、前記成膜室の少なくとも１室以上の成膜室において、スパッタリング放電を開始できるガス圧力Ｐ１となるように、ガス供給系から一定のガス流量を流しながら、ターゲットに電力を印可して放電を開始した後、成膜室のガス圧力を、ガス圧力Ｐ２（Ｐ２＜Ｐ１）となるように、ガス流量を低下させてスパッタリングを行ない、基板上に所定の膜厚を形成し終えた後に、放電を停止させ、その後、成膜室のガス圧力Ｐ２を、ガス圧力Ｐ１となるようにガス流量を増加させることを特徴とするスパッタリングを行う際のガス供給方法。
【請求項２】
少なくとも２室以上の成膜室と、前記成膜室へスパッタガスを供給するガス供給系と、前記成膜室内の材料ターゲットならびに基材と、前記材料ターゲットに電力を供給する電源と、真空を破ることなく連続的に真空室内に基材を搬出および搬入する搬送装置とを備えたスパッタリング装置を用いて、連続的に成膜室に搬入される基材上に、２層以上の多層膜を成膜する際の、各成膜プロセス間の放電休止時における、ガス供給方式であって、前記複数の成膜室のうちで、スパッタリング時間が最も長い成膜室以外の、少なくとも１室の成膜室において、スパッタ圧力Ｐ０にて所定の薄膜を基材上にスパッタ形成し終えた後に、ガス圧力Ｐ０をＰ３（Ｐ３＜Ｐ０）のガス圧力となるようにガス流量を低下することを特徴とする成膜室へのガス供給方法。
【請求項３】
放電が開始した後の、ガス供給系から流すガス流量を低下させるまでの時間が、放電を開始してから放電を終了するまでの時間をｔ秒（ただしｔ＞０．１秒）としたときに、０．０３秒以上０．１×ｔ秒未満とし、かつ、ガス圧力Ｐ１を０．３Ｐａ以上２．０Ｐａ未満とし、かつ、ガス圧力Ｐ２を０．０５Ｐａ以上０．３Ｐａ未満とすることを特徴とする請求項１記載のガス供給方法。
【請求項４】
ガス供給系から流すガス種としては、Ａｒ等の希ガスを主成分とするガス、もしくはＨ２、Ｎ２、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯｘの反応性ガスを主成分とするガス、もしくはＨ２、Ｎ２、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯｘの反応性ガスを主成分とするガスと希ガスとの混合ガスであることを特徴とする請求項１記載のガス供給方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に、金属膜、絶縁膜等を成膜するスパッタリング時におけるガス供給方式に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、スパッタリングは半導体、光ディスク、電子部品等の薄膜形成に多く利用されている。以下、図３に、従来のスパッタリング装置の構成図の一例を示す。１はターゲット、２はターゲット１を備えたカソード、３はカソード２と対向して配置されたスパッタリングにより成膜される基板である。４は真空室５内を減圧雰囲気にするための真空排気ポンプ、６は真空室５内にスパッタリングガスを流量調整しながら供給して真空室５内の圧力がスパッタリング圧力となるようにするためのガス供給系である。７はトリガーガス供給系であり、成膜室と調圧されたガスボンベ（図３中には省略）の配管の間に開閉バルブが設けられている。８は真空室５内の圧力を調整する調整弁である。９はカソード２に電力を印加し、ターゲット１の表面でプラズマを発生させるための電源である。なお、本図には示さなかったが、真空室５には、基板を真空雰囲気の予備室または移動室等へと搬出する機能、および、基材を真空雰囲気の予備室または移動室等から搬入する機能が備えられている。
【０００３】
以上のように構成されたスパッタリング装置において、薄膜を形成する際に、従来より用いられる成膜室へのガス供給方式の一例について説明する。成膜室内のガス圧力の変化、ならびにカソードに印可する電力の動作を模式的に図４に示す。
【０００４】
まず、真空室５の内部を真空排気ポンプ４により１０Ｅ―４台以下の真空度まで真空排気する。その後、ガス供給系６により、真空室５内部にアルゴンガスを導入して、調整弁８により、ガス圧力がＰ０２となるように真空度を調圧し、調整弁８を固定する。次に、真空雰囲気の予備室または移動室等から、基板３を真空室５内にセットする。その後、直流電源または高周波電源９をオンにしてカソード２に電力を印加する直前に時間Ｔ０１のタイミングで、トリガーガス供給系７より、放電の開始が可能なガス圧力以上、例えばガス圧力Ｐ０１以上となるようにアルゴンガスを放出させる。ガス圧力がＰ０１以上となるタイミングを見計らって、時間Ｔ０２のタイミングで電源９をＯＮにして、カソード２に電力を印可する。その後トリガーガス供給を停止して、ガス圧力を元の圧力Ｐ０２まで下降させる。
【０００５】
上記方法は、可能な限りの低圧下で薄膜をスパッタリング形成することにより、良質な膜を得ることの期待できるスパッタリング技術としてよく用いられる方式であるが、ここで、従来のトリガーガス供給系からのガス供給では、開閉バルブとガスボンベの間の配管内のガス溜まりを瞬間的に放出させる方式であるため、バルブを開閉したときには、成膜室内のガス圧力の上昇および下降は極めて急峻なものとなる。すなわち、バルブを開いたときには、配管内に溜まったガスが成膜室に放出されるため、急激にガス圧力が高くなり、バルブを閉じたときには、成膜室の排気ポンプにより速やかに排出されるため、急激にガス圧力が低くなる。また、このときの放出ガス量は、配管内のガス圧力および配管の容積によって決まるが、このうち配管内のガス圧力は、バルブが閉じてから、次に開くまでの時間、すなわち成膜タクトタイムによって変化しやすく、例えば基材搬送系の搬送タクトの変動等により、成膜タクトタイムが変化してしまうため、放出上記トリガーガス供給方法では、ガス量を一定に保つことが困難であった。また、安定に放電を開始させるためには、ターゲットに電力を印可してから、プラズマ放電が安定するまでの時間（Ｔ０３−Ｔ０２）の間のガス圧力をＰ０１以上とするには必要があるが、急激にガス圧力が変化すること、および放出ガス量を一定に保つことが困難であるために、Ｐ０１よりも必要以上に高くする必要があった。このことは、形成される膜の膜質を悪化させてしまう問題があった。
【０００６】
以上示した問題点を解決するために考案されたガス供給方式の一例を、スパッタ装置の構成図３、ならびに成膜室内のガス圧力の変化とカソードに印可する電力の動作を示す図５を用いて説明する。
【０００７】
まず、真空室５の内部を真空排気ポンプ４により１０Ｅ―４台以下の真空度まで真空排気する。その後、ガス供給系６により、真空室５内部にアルゴンガスを導入して、調整弁８により、放電が維持できるかぎりの低圧Ｐ１２となるように真空度を調圧し、調整弁８を固定する。次に、トリガーガス供給系７により、放電の開始が可能な最低限の真空度Ｐ１１となるように真空室５内にアルゴンガスを導入する。次に、真空雰囲気の予備室または移動室等から、基板３を真空室５内にセットする。その後、Ｔ１１のタイミングで直流電源または高周波電源９をオンにして、カソード２に電力を印加し、放電が真空室５内で発生した時点Ｔ１２で、トリガーガス供給系７を閉として真空室５内をスパッタリング圧力Ｐ１２に復帰させ基板３上に膜を形成する。基板３上に所定の膜厚を形成した後、直流電源または高周波電源９をオフにして放電を停止（図中Ｔ１３）する。その後、トリガーガス供給系７を開（図中Ｔ１４）とし、真空室内の真空度を放電の開始が可能な最低限の真空度となるように復帰させる。先に説明した原理と同様に、トリガーガス供給系７を開とした瞬間には、急激にガスが成膜室内に流れ出し、Ｔ１４直後のガス圧力変化は、きわめて急峻となる（特許文献１参照）。
【０００８】
【特許文献１】
特開平１０−６８０７４号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
特開平１０−６８０７４号公報（特許文献１）によるトリガーガス供給方式では、放電を停止させた後に、トリガーガス供給系の配管内に残留したガスを放出させる方式であるため、このときのに多くのガスが成膜室に流れ込み、成膜室内のガス流れが粘性的となる恐れがあるため、真空室内の壁に付着した粉塵を巻き上げてしまい、その結果、スパッタ膜中に粉塵を取り込んでしまい膜質を悪化させてしまう問題があった。また、上記従来例に示した方式では、放電とは無関係な無駄なガスを成膜室に流す方式であるため、資源を無駄に排出してしまう問題があった。また、トリガーガスの一成分にＣＯ、ＣＯ２、ＮＯｘ等の温暖化ガスを用いる場合には、地球環境の破壊をより促進させてしまいかねないガス供給方式であった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、我々は、放電の前後ならびに放電が終了した後にスパッタガス供給系から流すガス量を制御する方式を考案し、これにより放電開始時には必要最小限なガス圧力を一定に保ちつつ、かつ、放電が終了した後にも、大量のガスを成膜室内に放出させることなく、連続的に薄膜形成を行うことができる。
【００１１】
すなわち、放電の開始前には、スパッタリング放電を開始できるガス圧力Ｐ１となるように、ガス供給系から一定のガス流量を流しながら、ターゲットに電力を印可して放電を開始した後、成膜室のガス圧力を、ガス圧力Ｐ２（Ｐ２＜Ｐ１）となるように、ガス流量を低下させてスパッタリングを行ない、基板上に所定の膜厚を形成し終えた後に、放電を停止させ、その後、成膜室のガス圧力Ｐ２を、ガス圧力Ｐ１となるようにガス流量を増加させることにより、前記課題を解決することができる。
【００１２】
図１に本発明のガス供給方式に用いるスパッタリング装置の一例を示す。従来例に示した装置構成からトリガーガス供給系７が省かれ、新たにスパッタガス供給系から流すガス流量が制御可能な制御装置１０を設ける。本発明のガス供給方式による成膜室のガス圧力の変化およびカソード２に印可される電力の概念図を図２をもって説明する。
【００１３】
カソード２に電力を印可する時間；Ｔ１では、成膜室のガス圧が、放電可能なガス圧力；Ｐ１となるようにガス供給系より流すガス量を制御しておく。その後、ターゲットの放電が安定する時間；Ｔ２を暫く経過させた時間Ｔ３で、成膜室のガス圧をＰ２に減圧させようにスパッタガス供給系から流すガス量を低下させる。ここで、安定して放電を開始させ、かつ、形成される膜の膜質を良質なものとするためには、カソードに電力を印可してから、成膜室に流すガス量を低下させ始めるまでの時間（Ｔ３―Ｔ１）を制御することが極めて重要となる。つまり、Ｔ３がＴ２よりも早いと、安定して放電を開始させることが困難となり、Ｔ２よりも充分に遅すぎると、形成される膜の着き始めの膜質が悪化してしまうからである。
【００１４】
その後、ガス圧力をＰ２に保った状態でスパッタリングを行い、基板３上に膜を形成する。所定の膜厚が形成された後、スパッタ電源をＯＦＦにして放電を停止させる。その後、速やかに成膜室のガス圧力がＰ３（Ｐ３＜Ｐ２）となるように、必要に応じてガス供給系より流すガス量を調整する。次に、予備室または移載室等へ基板３を移載し、新しい基板３を成膜室５内にセットする。基板のセットが完了した後に、スパッタガス供給系より流すガス流量を、図中Ｔ５より増加させ始め、成膜室のガス圧力をＰ１の状態とする。
【００１５】
ここで成膜室のガス圧をＰ３とする目的は、ガスの放出量を低下させることで、ガスの排出量を抑制するためである。ただし、少なくとも２室以上の成膜室を有し、真空を破ることなく連続的に真空室内に基材を搬出および搬入させて、基板上に多層膜を形成するスパッタリング装置においては、スパッタリング時間が最も長い成膜室以外の、少なくとも１室の成膜室において、Ｐ３のガス圧力とすることが好ましい。スパッタリング時間が最も長い成膜室において、成膜プロセス間の放電休止時間内にガス圧力Ｐ３とすると成膜タクトタイムが長くなってしまう。
【００１６】
その後、時間Ｔ７をもって、カソード２に電力を印可する。この動作を繰り返し行うことにより、連続的に新しい基板３上に薄膜を形成する。
【００１７】
ここで、ガス圧力Ｐ１は０．３Ｐａ以上２．０Ｐａ未満が好ましく、より好ましくは０．５Ｐａ以上、１．５Ｐａ未満が好ましい。Ｐ１が２．０Ｐａ以上であると、スパッタリング開始時の着き始めの膜に大量にガスが混入され、基板と膜界面の膜質を劣化させてしまい、０．３Ｐａ未満であると、放電を開始させることが困難となる。
【００１８】
また、ガス圧力Ｐ２は０．０５Ｐａ以上０．３Ｐａ未満が好ましく、より好ましくは０．１Ｐａ以上０．２Ｐａ未満が好ましい。Ｐ２が０．０５Ｐａ未満であると放電を維持することが困難となり、０．３Ｐａ以上であると、スパッタ膜中に、大量のスパッタリングガスが混入し、膜質を劣化させてしまう。
【００１９】
また、ガス圧力Ｐ３は低圧であるほど、ガス排出量が少なくできるため、好ましい。
【００２０】
カソードに電力を印可してから、成膜室に流すガス流量を低下させるまでの時間；（Ｔ３―Ｔ１）は、放電を開始してから放電を終了するまでの時間をｔ秒（ただしｔ＞０．１秒）としたときに、０．０３秒以上０．１×ｔ秒未満であることが好ましい。（Ｔ３―Ｔ１）が０．０３秒未満であるときには、放電を開始させることが困難となり、０．１ｔ秒以上とすると、形成する膜全体に対して、高いガス圧で形成された膜領域の占める割合が高くなり、その結果、膜質を悪化させてしまう。
【００２１】
以上示したように、本発明によるガス供給方式では、放電開始前後におけるガス圧力を制御することができるため、安定して放電を開始させ、かつ、形成される膜の膜質を良質なものとすることができ、かつ、成膜室内に必要以上の多量なガスを放出することがないため、成膜室内のガス流を乱すことがなく、スパッタ膜中への粉塵の取り込みが抑制でき、また、使用ガス量を節約できる方式であることがわかる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００２３】
本発明のガス供給方式によって、相変化光ディスクの記録膜を形成した例について説明する。
【００２４】
光ディスクの構成としては、厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチは１．２０μｍ、即ち０．６０μｍごとに溝部とランド部が交互に形成されている、直径１２０ｍｍのディスク上ポリカーボネート樹脂上に、あらかじめ図１に示す成膜室と隣接する別の成膜室にて、基板上に第一の誘電体層を形成した後に、基板を図１に示す成膜室へと搬送して、記録膜の形成を行った。
【００２５】
記録膜形成時のガス圧力変化ならびにカソード２に印可する電力を図２に示す通りとした。すなわち、真空室５内の内部を真空排気ポンプにより１０Ｅ−３Ｐａ以下の真空度まで真空排気した。その後ガス供給系７よりアルゴンガスを、真空室５内に導入した。真空室５内の真空度が、調整弁８により任意の圧力Ｐ２となるように調圧し、調整弁８を固定した。次に真空雰囲気の予備室または移動室等から真空室５内に基板をセットした。次に真空室５内の真空度がＰ１となるようにガス供給系７より流すアルゴンガス量を調整した。その後、直流電源または高周波電源９をオンにしてカソード２に電力を印加した後に、（Ｔ３−Ｔ１）秒後に、ガス供給系７より流すアルゴンガス流量を減少させて、真空室５内の真空度がＰ２となるように減圧した状態でスパッタリングを継続して、基板３上に膜を形成した。所定の膜厚を形成した後、直流電源または高周波電源９放電をオフにして放電を終了させた。その後、スパッタガス供給を止めてガス圧力をＰ３とした後に、真空室５内の基板３を真空室５内から真空雰囲気の予備室または移動室等へ移載する一方、新しい基板３を真空室５内にセットした。このときガス圧力Ｐ３、１０Ｅ―４Ｐａであった。次に、ガス供給系より流すガス量を増して、成膜室のガス圧力をＰ１とした。その後、直流電源または高周波電源９をオンにしてカソード２に電力を印加した後に、（Ｔ３−Ｔ１）秒後に、ガス供給系７より流すアルゴンガス流量を減少させて、真空室５内の真空度がＰ２となるように減圧した状態でスパッタリングを継続して、基板３上に膜を形成した。以後、これらの一連の動作を繰り返し行ない、基板上に記録膜を連続的に形成した。なお、図２においては、予備室または移動室等との基板交換時の圧力変動は記載していない。
【００２６】
記録膜を形成した後、図１に示す成膜室に隣接する成膜室へ搬送させて、第二の誘電体層を形成した後、基板をさらに別の成膜室へと搬送させて光吸収層を形成した後、基板をさらに別な成膜室へと搬送させて反射層を形成して光ディスク媒体を形成した。第一の誘電体層および第二の誘電体層はＺｎＳにＳｉＯ２を混合した材料よりスパッタし、それぞれの膜厚を１５０ｎｍおよび４０ｎｍとした。光吸収層はＧｅとＣｒの混合材料とし、その膜厚が５０ｎｍとなるよう形成した、反射層はＡｇ合金としてその膜厚が１００ｎｍとなるよう形成し、光記録媒体を作製した。このうちスパッタリング時間が最も長いもので、第一の誘電体層の６秒であった。
【００２７】
記録層の形成に用いるターゲットとしては、ＧｅＳｂＴｅの合金ターゲットを用いた。記録膜の膜厚を８ｎｍとして、電源をオンしてからオフにするまでの時間を３秒となるよう、ターゲットに印加する電圧を調整した。
【００２８】
以下に、記録膜の膜質を評価する方法としての、光ディスクの記録再生特性の評価方法について説明する。
【００２９】
光ディスクの評価方法としては、信号の記録、消去は、まず媒体を回転制御装置を用いて回転させ、光学系によりレーザー光を微小スポットに絞り込んで、媒体へレーザー光を照射することにより行う。レーザー光の照射により記録層のうちの局所的な一部分がアモルファス状態へと可逆的に変化しうるアモルファス状態生成パワーレベルをＰ１、同じくレーザーへの照射により結晶状態へと可逆的に変化しうる結晶状態生成パワーレベルをＰ２とし、レーザーパワーをＰ１とＰ２の間で変調させることで記録マーク、あるいは消去部分を形成し、情報の記録、消去、及び上書き記録を行なった。ここではＰ１のパワーを照射する場合は、パルスの列で形成する、いわゆるマルチパルスとする。但し、マルチパルスを用いないパルスで構成してもよい。
【００３０】
また、前記Ｐ１、Ｐ２のいずれのパワーレベルよりも低く、そのパワーレベルでのレーザー照射によって記録マークの光学的な状態が影響を受けず、かつその照射によって媒体から記録マークの再生のため十分な反射率得られるパワーレベルを再生パワーレベルＰ３とし、Ｐ３のパワーのレーザー光を照射することにより得られる媒体からの信号を検出器で読みとり、情報信号の再生を行なった。
【００３１】
記録の信号方式はＥＦＭ変調方式とし、用いたレーザーの波長は６５０ｎｍ、対物レンズの開口数は０．６０である。最短マーク長（１Ｔｉ）は０．４２μｍ、ディスク回転速度は線速８．２ｍ／ｓで測定を行った。
【００３２】
特性の評価は、３Ｔｉから１１Ｔｉの長さのマークを溝部に記録し、マークの前端間及び後端間のジッタ値をウインドウ幅Ｔｉで割った値（以下ジッタ値）について行ない、繰り返し記録再生したときのジッタの変化量が３％に達したときの繰り返し記録再生回数をもって、記録膜の膜質の良否を判断した。
【００３３】
繰り返し記録再生回数が１万回に満たないディスクは×、１万回以上であったディスクを○とした。
【００３４】
また、３Ｔｉから１１Ｔｉの長さのマークを溝部に記録し、再生時のエラー率（バーストエラーレート；ＢＥＲ）をもって、記録膜中に巻き込まれた粉塵の程度を評価した。ＢＥＲが１Ｅ−４以上であったディスクは×、１Ｅ−４未満であったディスクを○とした。
【００３５】
記録膜の形成時には、図１に示す成膜室へと基板を搬送させ、放電前の真空度Ｐ１ならびに、減圧後の真空度Ｐ２、およびターゲットに電圧を印加してから減圧し始めるまでの時間（Ｔ３―Ｔ１）；（以降、時間Ｔと略す）を変えて、記録膜を形成し、光ディスクを作成した。なお、光ディスクの作成は、成膜室内の清掃をした後に２０００枚を連続的に作成した以降に行い、それら光ディスクについて、繰り返し特性とＢＥＲの評価を行った。
【００３６】
時間Ｔを０．２５秒としたときのＰ１とＰ２に対する光ディスクの繰り返し記録再生特性の結果を（表１）に示し、Ｐ２を０．２８ＰａとしたときのＰ１とＴに対する繰り返し記録再生特性の結果を（表２）に示す。なお、スパッタ中のガス圧Ｐ１ならびにＰ２が低圧すぎて、放電を開始させることが不可能であった場合、もしくは放電を維持することが出来なかった場合には、表中に□印で示している。
【００３７】
【表１】
2004137552.tif 000003
【００３８】
【表２】
2004137552.tif 000004
【００３９】
以上の結果から、Ｐ１を０．３Ｐａ以上３．０Ｐａ未満とし、Ｐ２を０．０５Ｐａ以上０．３Ｐａ未満とし、時間Ｔを０．０３秒以上０．３秒未満とする、ことで、良好な繰り返し記録再生特性が得られることがわかった。
【００４０】
なお、本実施の形態では、成膜時間を３秒とした場合について示したが、成膜時間（ｔ）を５秒とした場合についても、同様に、時間Ｔを０．０３ｔ秒以上０．１ｔ秒未満とすることにより良好な繰り返し特性を示すことが確認できた。
【００４１】
また、繰り返し特性の結果が○であったすべてのディスクのＢＥＲを調べたところ、結果はすべて良好（○）であった。
【００４２】
（比較例１）
図３に示すスパッタリング装置を用いて、図５に示すガス供給方法により記録膜を形成した以外は、実施の形態と同様に光ディスクを作成し、繰り返し記録再生特性とＢＥＲの評価を行った。繰り返し記録再生特性の結果は良好（○）であったが、ＢＥＲの評価結果では、すべてのディスクで×であった。
【００４３】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によるガス導入方式では、高圧な雰囲気で成膜される膜の領域を少なくできるため、良好な膜質を均一に形成することを可能とし、かつ、成膜室内へ多量なガスを放出させることがないため、膜中に粉塵を取り込むことがない良質な膜を形成することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のガス導入方法を実現するスパッタリング装置の概略図
【図２】本発明によるスパッタリング工程のタイミングチャート
【図３】従来のスパッタリング方法を実施するための装置の概略図
【図４】従来のスパッタリング工程のタイミングチャートの一例を示す図
【図５】従来のスパッタリング工程のタイミングチャートの一例を示す図
【符号の説明】
１　ターゲット
２　カソード
３　基板
４　真空排気ポンプ
５　真空室
６　ガス供給系
７　トリガーガス供給系
８　調整弁
９　電源
１０　ガス流量制御装置
【図１】
2004137552.tif 000005
【図２】
2004137552.tif 000006
【図３】
2004137552.tif 000007
【図４】
2004137552.tif 000008
【図５】
2004137552.tif 000009