(57)【要約】【課題】微細パターン化および電気抵抗値の低減化を図り、各層間の密着不良を防止する。【解決手段】ＰＤＰ用電極基板（前面板）１０は、透明基板１１上に形成された透明電極層１２と、透明電極層１２上に形成され、透明電極層１２の配線抵抗値を下げるための低抵抗化層１３、１４と、低抵抗化層１３、１４上に形成され、低抵抗化層１３、１４と協働して透明電極層１２の配線抵抗値を下げるためのパラジウムメッキ層１５と、低抵抗化層およびパラジウムメッキ層を覆う誘電体層１６と、を備える。また、ＰＤＰ用電極基板（背面板）は、基板上に形成された低抵抗化層と、低抵抗化層上に形成されたパラジウムメッキ層と、基板上に設けられた隔壁と、隔壁間に低抵抗化層およびパラジウムメッキ層を覆うように形成された蛍光体層と、を備える。【選択図】      図１
2004319316.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＤＰの前面側に設けられるＰＤＰ用電極基板であって、
透明基板と、
前記透明基板上に形成された電極パターン層と、
前記電極パターン層上に形成され、前記電極パターン層の配線抵抗値を下げるための低抵抗化層と、
前記低抵抗化層上に形成されたパラジウムメッキ層と、
前記低抵抗化層および前記パラジウムメッキ層を覆う誘電体層と、
を備えたことを特徴とするＰＤＰ用電極基板。
【請求項２】
請求項１記載のＰＤＰ用電極基板において、
前記低抵抗化層は、前記電極パターン層上に形成された無電解ニッケル置換金メッキ層と、
前記無電解ニッケル置換金メッキ層上に形成された銅メッキ層と、
を備えていることを特徴とするＰＤＰ用電極基板。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載のＰＤＰ用電極基板において、
前記電極パターン層は、ＩＴＯにより形成されていることを特徴とするＰＤＰ用電極基板。
【請求項４】
ＰＤＰの背面側に設けられるＰＤＰ用電極基板であって、
基板と、
前記基板上に形成された低抵抗化層と、
前記低抵抗化層上に形成されたパラジウムメッキ層と、
前記基板上に設けられた隔壁と、
前記隔壁間に前記低抵抗化層および前記パラジウムメッキ層を覆うように形成された蛍光体層と、
を備えていることを特徴とするＰＤＰ用電極基板。
【請求項５】
請求項４記載のＰＤＰ用電極基板において、
前記低抵抗化層は、前記電極パターン層上に形成された無電解ニッケル置換金メッキ層と、
前記無電解ニッケル置換金メッキ層上に形成された銅メッキ層と、
を備えていることを特徴とするＰＤＰ用電極基板。
【請求項６】
ＰＤＰの前面側に設けられるＰＤＰ用電極基板の製造方法であって、
透明基板上に電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
前記透明基板および前記電極パターン層上に第１低抵抗化層を形成する第１低抵抗化層形成工程と、
前記第１低抵抗化層上に所定パターンのレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
前記第１低抵抗化層上の前記レジスト層の非形成位置に第２低抵抗化層を形成する第２低抵抗化層形成工程と、
前記第２低抵抗化層上にパラジウムメッキ層を形成するパラジウムメッキ層形成工程と、
前記前記レジスト層を剥離するレジスト剥離工程と、
前記第１低抵抗化層をエッチングするエッチング工程と、
を備えたことを特徴とするＰＤＰ用電極基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載のＰＤＰ用電極基板の製造方法において、
前記電極パターン層、前記第１低抵抗化層、前記第２低抵抗化層およびパラジウムメッキ層を覆うべく誘電体層を形成する誘電体層形成工程と、
前記誘電体層上にブラックストライプを形成するブラックストライプ形成工程と、
を備えたことを特徴とするＰＤＰ用電極基板の製造方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７記載のＰＤＰ用電極基板の製造方法において、
前記第１低抵抗化層形成工程は、前記電極パターン上に無電解メッキにより無電解ニッケル置換金メッキ層を形成することを特徴とするＰＤＰ用電極基板の製造方法。
【請求項９】
請求項６ないし請求項８のいずれかに記載のＰＤＰ用電極基板の製造方法において、
前記第２低抵抗化層形成工程は、前記第１低抵抗化層上に電解メッキにより電気銅メッキ層を形成することを特徴とするＰＤＰ用電極基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）用電極基板および製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、壁掛けディスプレイ等の薄型化の要請から、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ）ディスプレイ等のフラットディスプレイの開発が目覚ましい。
【０００３】
これらのフラットディスプレイのうち、プラズマディスプレイでは、電極が放電空間に露出し、電圧印加時だけ放電する直流型プラズマディスプレイと、電極が誘電体層に覆われて放電空間に露出せず誘電体層の作用でメモリー機能をもつ交流型プラズマディスプレイとがある。
【０００４】
ところで、従来のプラズマディスプレイにおいては、ガラス基板上に銀ペーストおよび銅ペーストを印刷し、配線パターンを形成していた（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−２０４３０４号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の配線パターンの形成方法においては、印刷のため、微細パターンが形成できないという問題点があった。例えば、銀ペースト印刷による電極形成の精度は約１００μｍが限度であった。
【０００７】
また、銀ペースト印刷によって形成した電極は電気抵抗値が大きく、銀のマイグレーションが生じて信頼性が低いという問題があった。
【０００８】
さらに交流型プラズマディスプレイの電極においては、電極を銅で形成すると誘電体層中の酸素により酸化され、銅と誘電体層との間で密着不良が発生するという問題点があった。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、微細パターン化および電気抵抗値の低減を可能とし、各層間の密着不良を防止することが可能なＰＤＰ用電極基板および製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、ＰＤＰの前面側に設けられるＰＤＰ用電極基板は、透明基板と、前記透明基板上に形成された電極パターン層と、前記電極パターン層上に形成され、前記電極パターン層の配線抵抗値を下げるための低抵抗化層と、前記低抵抗化層上に形成されたパラジウムメッキ層と、前記低抵抗化層および前記パラジウムメッキ層を覆う誘電体層と、を備えたことを特徴としている。
【００１１】
この場合において、前記低抵抗化層は、前記電極パターン層上に形成された無電解ニッケル置換金メッキ層と、前記無電解ニッケル置換金メッキ層上に形成された銅メッキ層と、を備えるようにしてもよい。
【００１２】
また、前記電極パターン層は、ＩＴＯにより形成されているようにしてもよい。
【００１３】
また、ＰＤＰの背面側に設けられるＰＤＰ用電極基板は、基板と、前記基板上に形成された低抵抗化層と、前記低抵抗化層上に形成されたパラジウムメッキ層と、前記基板上に設けられた隔壁と、前記隔壁間に前記低抵抗化層および前記パラジウムメッキ層を覆うように形成された蛍光体層と、を備えていることを特徴としている。
【００１４】
この場合において、前記低抵抗化層は、前記電極パターン層上に形成された無電解ニッケル置換金メッキ層と、前記無電解ニッケル置換金メッキ層上に形成された銅メッキ層と、を備えるようにしてもよい。
【００１５】
また、ＰＤＰの前面側に設けられるＰＤＰ用電極基板の製造方法は、透明基板上に電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、前記透明基板および前記電極パターン層上に第１低抵抗化層を形成する第１低抵抗化層形成工程と、前記第１低抵抗化層上に所定パターンのレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、前記第１低抵抗化層上の前記レジスト層の非形成位置に第２低抵抗化層を形成する第２低抵抗化層形成工程と、前記第２低抵抗化層上にパラジウムメッキ層を形成するパラジウムメッキ層形成工程と、前記前記レジスト層を剥離するレジスト剥離工程と、前記第１低抵抗化層をエッチングするエッチング工程と、を備えたことを特徴としている。
【００１６】
この場合において、前記電極パターン層、前記第１低抵抗化層、前記第２低抵抗化層およびパラジウムメッキ層を覆うべく誘電体層を形成する誘電体層形成工程と、前記誘電体層上にブラックストライプを形成するブラックストライプ形成工程と、を備えるようにしてもよい。
【００１７】
また、前記第１低抵抗化層形成工程は、前記電極パターン上に無電解メッキにより無電解ニッケル置換金メッキ層を形成するようにしてもよい。
【００１８】
さらに、前記第２低抵抗化層形成工程は、前記第１低抵抗化層上に電解メッキにより電気銅メッキ層を形成するようにしてもよい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
次に本発明の好適な実施の形態について説明する。
［１］  ＰＤＰ用電極基板（前面板）の構成
図１に実施形態のＰＤＰ用電極基板（前面板）の概略断面図を示す。
【００２０】
ＰＤＰ用電極基板（前面板）１０は、大別すると、透明基板１１と、透明基板１１上に所定のパターンで形成された透明電極層１２と、透明電極層１２上に選択的に形成された無電解ニッケル置換金メッキ層１３と、無電解ニッケル置換金メッキ層１３上に形成された電気銅メッキ層１４と、電気銅メッキ層１４上に形成されたパラジウムメッキ層１５と、透明電極層１２、無電解ニッケル置換金メッキ層１３、電気銅メッキ層１４およびパラジウムメッキ層１５を覆うように形成された誘電体層１６と、誘電体層１６上に形成されたブラックストライプ層１７と、を備えている。
【００２１】
透明基板１１としては、石英ガラス、パイレックスガラス（登録商標）、合成石英板等の可撓性のない非可撓性透明材料あるいは透明樹脂フィルム、光学用樹脂板等の可撓性透明材料を用いることができる。以下の説明においては、アクティブマトリックス方式によるカラー液晶表示装置用のブラックマトリクス基板に適した材料として、熱膨脹率が小さく、寸法安定性および高温加熱処理における作業性に優れ、また、ガラス中にアルカリ成分を含まない無アルカリガラスを用いるものとする。
【００２２】
透明電極層１２としては、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｃｉｄｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）等、およびその合金等を用いて、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の一般的な成膜方法により形成することができる。この透明電極層１２の厚さは、０．０１〜１μｍ、好ましくは０．０３〜０．５μｍ程度である。以下の説明においては、透明電極層１２として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を用いるものとする。
【００２３】
無電解ニッケル置換金メッキ層１３は、透明電極層１２の低抵抗化を図る第１低抵抗化層として機能するものである。この無電解ニッケル置換金メッキ層１３の厚さは、０．０１〜５．０μｍ、好ましくは０．１〜１．０μｍ程度である。
【００２４】
電気銅メッキ層１４は、透明電極層１２の低抵抗化を図る第２低抵抗化層として機能するものである。この電気銅メッキ層１４の厚さは、０．１〜２０μｍ、好ましくは１．０〜１０μｍ程度である。
【００２５】
パラジウムメッキ層１５は、透明電極層１２の低抵抗化を図るとともに、誘電体層１６に含まれる酸素の影響を低減し、誘電体層１６との密着性を向上させるための層である。このパラジウムメッキ層１５の厚さは、０．１〜１０μｍ、好ましくは０．５〜２．０μｍ程度である。
【００２６】
誘電体層１６は、透明電極層１２、無電解ニッケル置換金メッキ層１３、電気銅メッキ層１４およびパラジウムメッキ層１５を保護し、劣化を抑制して超寿命化が図れる。この誘電体層１６の厚さは、０．５〜２０μｍ、好ましくは１．０〜５．０μｍ程度である。
【００２７】
ブラックストライプ層１７は、ブラックマトリックスパターンを形成するものである。このブラックストライプ層１７の厚さは、０．０５〜１０μｍ、好ましくは０．１〜１．０μｍ程度である。
［２］ＰＤＰ用電極板（前面板）の製造方法
次に実施形態のＰＤＰ用電極板（前面板）の製造方法について図２および図３を参照して説明する。
［２．１］ＩＴＯスパッタリング工程（ステップＳ１）
まず、透明基板１１を定法にしたがって洗浄した後、透明基板１１の片側全面にスパッタリング法により、図２に示すように、透明電極層１２であるＩＴＯ層を形成する。
［２．２］透明電極形成工程（ステップＳ２）
次に透明電極層１２であるＩＴＯ層上に感光性レジストを塗布して図示しない感光性レジスト層を形成し、この感光性レジスト層を所定のパターンに相当するフォトマスクを介して露光、現像後、透明電極層１２であるＩＴＯ層のエッチングおよび感光性レジスト層の除去を行って、所定のパターンを有する透明電極層１２を形成する（ステップＳ２）。
［２．３］無電解ニッケル置換金メッキ層形成工程（ステップＳ３）
続いて透明電極層１２が形成された透明基板１１を無電解ニッケル置換金メッキ液に浸漬して、透明電極層１２上に無電解ニッケル置換金メッキ層１３を積層させる（ステップＳ３）。
【００２８】
この無電解ニッケル置換金メッキ層形成工程は２工程に分かれており、無電解ニッケルメッキ層形成工程および置換金メッキ層形成工程とで構成される。
【００２９】
まず、透明電極層１２が形成された透明基板を無電解ニッケルメッキ液に浸漬して、透明電極層１２上に無電解ニッケルメッキ層を積層させ、続いて置換金メッキ液に浸漬して、無電解ニッケルに置換金メッキ層１３とする。
【００３０】
最初の無電解ニッケルメッキ層形成工程で用いる無電解めっき液は、還元剤と、被還元性重金属塩と、塩基性化合物と、緩衝剤と、を含んでいる。
【００３１】
還元剤としては、例えば、次亜リン酸、次亜リン酸ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、Ｎ−ジメチルアミンボラン、ボラジン誘導体、ヒドラジン、ホルマリン等が挙げられる。
【００３２】
また、被還元性重金属塩としては、ニッケルの水溶性の被還元性重金属塩が挙げられる。
【００３３】
また、塩基性化合物としては、めっき速度、還元効率等を向上させるカセイソーダ、水酸化アンモニウム等が挙げられる。
【００３４】
また、緩衝剤としては、無機酸、有機酸等のｐＨ調節剤、クエン酸ナトリウム、酢酸ナトリウム等のオキシカルボン酸、ホウ酸、炭酸、有機酸、無機酸のアルカリ塩等が挙げられる。
【００３５】
さらに無電解メッキ液は、上記還元剤、被還元性重金属塩、塩基性化合物および緩衝剤の他、重金属イオンの安定性を目的とした錯化剤の他、促進剤、安定剤、界面活性剤等とを有する無電解めっき液が使用される。また、２種以上の無電解めっき液を併用してもよい。例えば、まず、核（例えば、無電解めっきの触媒となる金属化合物としてパラジウムを使用した場合は、パラジウムの核）を作り易い水素化ホウ素ナトリウムのようなホウ素系還元剤を含む無電解めっき液を用い、次に、金属析出速度の速い次亜リン酸系還元剤を含む無電解めっき液を用いることができる。
【００３６】
一方、置換金メッキ形成工程で用いる置換金メッキ液は、例えば、被還元金属塩としてシアン化金カリウム、亜硫酸金、ナトリウムを含有し、キレート剤としてクエン酸、リンゴ酸、乳酸などの有機酸を含有する。
［２．４］メッキレジスト形成工程（ステップＳ４）
次に無電解ニッケル置換金メッキ層１３上に感光性レジストを塗布して感光性レジスト層２１を形成し、この感光性レジスト層２１を電気銅メッキ層１４に対応する所定のパターンのフォトマスクを介して露光、現像後、無電解ニッケル置換金メッキ層１３上の電気銅メッキ層１４形成部分の感光性レジスト層２１の除去を行う（ステップＳ４）。
［２．５］電気銅メッキ層形成工程（ステップＳ５）
続いて、図３に示すように、部分的に除去された感光性レジスト層が形成された透明基板１１を電気銅メッキ液に浸漬して、無電解ニッケル置換金メッキ層１３上の所定位置に電気銅メッキ層１４を積層させる（ステップＳ５）。
［２．６］パラジウムメッキ層形成工程（ステップＳ６）
次に電気銅メッキ層１４が形成された透明基板１１をパラジウムメッキ液に浸漬して、電気銅メッキ層１４上にパラジウムメッキ層１５を積層させる（ステップＳ６）。
【００３７】
このパラジウムメッキ層形成工程で用いるパラジウムメッキ液は、例えば、被還元金属塩として塩化パラジウム、硫酸パラジウム、硫酸パラジウムアンモニウム、メタンスルホン酸パラジウムを含有し、電導塩として硫酸ナトリウム、リン酸ナトリウム等を含有し、キレート剤としてクエン酸、乳酸、ＥＤＴＡ、エチレンジアミンなどを含有している。
［２．７］レジスト剥離（ステップＳ７）
続いてステップＳ４で形成した感光性レジスト層２１を剥離する（ステップＳ７）。
［２．８］エッチング工程（ステップＳ８）
次にパラジウムメッキ層１５の形成部分に対応する部分以外の無電解ニッケル置換金メッキ層１３をエッチングにより除去する（ステップＳ８）。
［２．９］誘電体層形成工程（ステップＳ９）
次に印刷により誘電体層１６を無電解ニッケル置換金メッキ層１３、電気銅メッキ層１４およびパラジウムメッキ層１５を覆うように形成する（ステップＳ９）。
【００３８】
ここで、用いられる誘電体材料としては、例えば、酸化鉛と二酸化ケイ素の混合物が挙げられる。
［２．１０］ブラックストライプ層形成工程（ステップＳ１０）
続いてパラジウムメッキ層１５（ひいては、電気銅メッキ層１４、無電解ニッケル置換金メッキ層１３）の形成位置に対応する誘電体層１６上の位置にブラックストライプ層１７を印刷により形成する（ステップＳ１０）。
【００３９】
以上の工程を経ることにより、ＰＤＰ用電極基板（前面板）１０が製造されることとなる。
【００４０】
以上の説明のように、本実施形態のＰＤＰ用電極基板（前面板）１０の製造方法によれば、いわゆるフォトリソ工程を利用して配線パターンを形成しているため、微細パターンの形成が容易である。また、配線パターンの最表面はパラジウムメッキ層であるため、電気抵抗値の低減化が図れるとともに、誘電体層との反応もなく密着性を向上させることができる。さらに、湿式法のため製造コストの低減も図れる。
［３］  ＰＤＰ用電極基板（背面板）の構成
図４に実施形態のＰＤＰ用電極基板（背面板）の概略断面図を示す。
【００４１】
ＰＤＰ用電極基板（背面板）３０は、大別すると、基板３１と、基板３１上に形成された無電解ニッケル置換金メッキ層３２と、無電解ニッケル置換金メッキ層３２上に形成された電気銅メッキ層３３と、電気銅メッキ層３３上に形成されたパラジウムメッキ層３４と、無電解ニッケル置換金メッキ層３２、電気銅メッキ層３３およびパラジウムメッキ層３４により形成されるアドレス電極に沿って設けられた（立設された）隔壁３５と、一対の隔壁３５間に無電解ニッケル置換金メッキ層３２、電気銅メッキ層３３およびパラジウムメッキ層３４により形成されるアドレス電極を覆うように形成された蛍光体層３６と、を備えている。
【００４２】
基板３１としては、石英ガラス、パイレックスガラス（登録商標）、合成石英板等の可撓性のない非可撓性透明材料（透明基板）あるいは樹脂フィルム、光学用樹脂板等の可撓性透明材料（透明基板あるいは不透明基板）を用いることができる。以下の説明においては、アクティブマトリックス方式によるカラー液晶表示装置用のブラックマトリクス基板に適した材料として、熱膨脹率が小さく、寸法安定性および高温加熱処理における作業性に優れ、また、ガラス中にアルカリ成分を含まない無アルカリガラスを用いるものとする。
【００４３】
無電解ニッケル置換金メッキ層３２は、アドレス電極の低抵抗化を図る第１低抵抗化層として機能するものである。この無電解ニッケル置換金メッキ層３２の厚さは、０．０１〜５．０μｍ、好ましくは０．１〜１．０μｍ程度である。
【００４４】
電気銅メッキ層３３は、アドレス電極の低抵抗化を図る第２低抵抗化層として機能するものである。この電気銅メッキ層３３の厚さは、０．１〜２０．０μｍ、好ましくは１．０〜１０μｍ程度である。
【００４５】
パラジウムメッキ層３４は、アドレス電極の低抵抗化を図るための層である。このパラジウムメッキ層３４の厚さは、０．１〜１０μｍ、好ましくは０．５  〜２．０μｍ程度である。
【００４６】
隔壁３５は、無電解ニッケル置換金メッキ層３２、電気銅メッキ層３３およびパラジウムメッキ層３４により形成されるアドレス電極に沿って立設され放電用のセルを形成すべく、厚膜印刷法により形成されるものである。この隔壁３５の高さは、約０．２ｍｍ程度である。
【００４７】
蛍光体層３６は、印刷法によりＲ、Ｇ、Ｂの各色の蛍光体３６Ｒ、３６Ｇ、３６Ｂが塗布されることにより形成される。この蛍光体層３６の厚さは、０．１〜２０μｍ、好ましくは０．５〜５．０μｍ程度である。
［４］ＰＤＰ用電極板（背面板）の製造方法
次に実施形態のＰＤＰ用電極板（背面板）の製造方法について図５および図６を参照して説明する。
［４．１］無電解ニッケル置換金メッキ層形成工程（ステップＳ１１）
まず、基板３１を定法にしたがって洗浄した後、基板３１の片側全面を無電解ニッケル置換金メッキ液に浸漬して、基板３１上に無電解ニッケル置換金メッキ層３２を積層させる（ステップＳ１１）。
【００４８】
この無電解ニッケル置換金メッキ層形成工程は上述したように２工程に分かれており、無電解ニッケルメッキ層形成工程および置換金メッキ層形成工程とで構成される。詳細については、上述したとおりであるので、省略する。
［４．２］メッキレジスト形成工程（ステップＳ１２）
次に無電解ニッケル置換金メッキ層３２上に感光性レジストを塗布して感光性レジスト層４１を形成し、この感光性レジスト層を電気銅メッキ層３３に対応する所定のパターンのフォトマスクを介して露光、現像後、無電解ニッケル置換金メッキ層３２上の電気銅メッキ層３３形成部分の感光性レジスト層４１の除去を行う（ステップＳ１２）。
［４．３］電気銅メッキ層形成工程（ステップＳ１３）
続いて、部分的に除去された感光性のレジスト層４１が形成された基板３１を電気銅メッキ液に浸漬して、無電解ニッケル置換金メッキ層３２上の所定位置に電気銅メッキ層３３を積層させる（ステップＳ１３）。
［４．４］パラジウムメッキ層形成工程（ステップＳ１４）
次に電気銅メッキ層３３が形成された基板３１をパラジウムメッキ液に浸漬して、電気銅メッキ層３３上にパラジウムメッキ層３４を積層させる（ステップＳ１４）。
【００４９】
このパラジウムメッキ層形成工程で用いるパラジウムメッキ液は、例えば、金属塩として塩化パラジウム、硫酸パラジウム、硫酸パラジウムアンモニウム、メタンスルホン酸パラジウムを含み、電導塩として硫酸ナトリウム、リン酸ナトリウムを含み、キレート剤としてクエン酸、乳酸、ＥＤＴＡ、エチレンジアミンなどを含有している。
［４．５］レジスト剥離（ステップＳ１５）
続いてステップＳ１２で形成した感光性のレジスト層４１を剥離する（ステップＳ１５）。
［４．６］エッチング工程（ステップＳ１６）
次にパラジウムメッキ層３４の形成部分に対応する部分以外の無電解ニッケル置換金メッキ層３２をエッチングにより除去する（ステップＳ１６）。
［４．７］隔壁形成工程（ステップＳ１７）
次に厚膜印刷法により隔壁３５を、無電解ニッケル置換金メッキ層３２、電気銅メッキ層３３およびパラジウムメッキ層１５により構成されているアドレス電極に並行して立設させて形成する（ステップＳ１７）。
［４．８］蛍光体層形成工程（ステップＳ１８）
続いて一対の隔壁３５の間を対応する蛍光体３６Ｒ、３６Ｇ、３６Ｂを印刷により塗布し、蛍光体層３６を形成する（ステップＳ１８）。
【００５０】
以上の説明のように、本実施形態のＰＤＰ用電極基板（背面板）３０の製造方法によれば、いわゆるフォトリソ工程を利用して配線パターンを形成しているため、微細パターンの形成が容易である。また、配線パターンの最表面はパラジウムメッキ層であるため、電気抵抗値の低減化が図れるとともに、誘電体層との反応もなく密着性を向上させることができる。さらに、湿式法のため製造コストの低減も図れる。
［５］実施形態の効果
以上の説明のように、本実施形態のＰＤＰ用電極基板およびその製造方法によれば、銅ペーストのようなペーストを使用した印刷工程ではなく、フォトリソ工程により微細配線パターンを形成し、無電解ニッケル置換金メッキ、電気銅メッキおよびパラジウムメッキを施すメッキ工程で低抵抗化を図っているので、微細パターンの形成と低抵抗化を同時に実現できる。
【００５１】
また、ＰＤＰ用電極基板の前面板においては、パラジウムメッキ層により誘電体層中の酸素の影響を受けず、誘電体層の焼き付け温度（例えば、５４０［゜］）に耐えることができるので、密着不良の発生を低減させることができる。
【００５２】
また、湿式工程を用いているため、製造コストの低減化が図れる。
【００５３】
【実施例】
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。
［１］ＰＤＰ電極基板（前面板）
ＰＤＰ電極基板（前面板）を形成する透明基板として、３００［ｍｍ］×３００［ｍｍ］、厚さ３［ｍｍ］のガラス基板（旭硝子社製  ＰＤ−２００ガラス）を準備した。この基板を定法にしたがって洗浄した後、基板の片側全面にスパッタリング法によりＩＴＯ層（シート抵抗値  ２０Ω／□、厚さ５８０［Å］）を形成した。  具体的には、ジオマティック社に依頼し、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用い、放電ガスとして、アルゴン、酸素を用い、ターゲットとして酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を用いて行った。
【００５４】
次に下記組成の感光性レジストを塗布して所定の厚さの感光性レジスト層を形成した
感光性レジストの組成
ポリビニルアルコール１０％水溶液  …  ２０重量部
（日本合成化学（株）製ゴーセナールＴ−３３０）
ジアゾ樹脂２０％水溶液  …  ０．８重量部
（シンコー技研（株）製Ｄ−０１１）
・純水  …  １５重量部
次いで、超高圧水銀灯を露光光源とするプロキシミティ露光機にて、透明電極の形成パターンに相当する開口部（線幅１８０［μｍ］）を設けたフォトマスクを介して所定の露光量で感光性レジスト層の露光を行った。その後、純水を用いて現像することにより、透明電極層１２（透明電極パターン）を形成した。
【００５５】
次に、透明電極層１２が形成された透明基板１１を８３［℃］の無電解めっき液（テクニックジャパン株式会社製ＦＰＤ・ＮＩ）に５分間浸漬させ、その後、水洗、乾燥し、さらに、無電解ニッケルメッキ層１４が形成された透明基板１１を無電解めっき液（テクニックジャパン株式会社製ＦＰＤ・ＡＵ）に５分間浸漬させ、その後、水洗、乾燥することにより、無電解ニッケル置換金メッキ層１３を形成した。
【００５６】
次に無電解ニッケル置換金メッキ層１３上に上述した感光性レジスト（東京応化製ＯＦＰＲ−８００）を塗布し、超高圧水銀灯を露光光源とするプロキシミティ露光機にて、透明電極の形成パターンに相当する開口部（線幅１２０［μｍ］、線間３０［μｍ］）を設けたフォトマスクを介して所定の露光量で感光性レジスト層２１の露光を行った。  その後、純水を用いて現像することにより、電気銅メッキ層１４の形成パターン部分が除去された感光性レジスト層２１を形成する。
【００５７】
続いて、部分的に除去された感光性レジスト層１４が形成された透明基板１１を電気銅メッキ液（シップレイ社製カバーグリームＣＬＸ）に浸漬して、無電解ニッケル置換金メッキ層１３上の所定位置に電気銅メッキ層１４を積層させる。
【００５８】
さらに、電気銅メッキ層１４が形成された透明基板１１をパラジウムメッキ液（シップレイ社製パラデュア２００）に浸漬して、電気銅メッキ層１４上にパラジウムメッキ層１５を積層させる。
【００５９】
続いて感光性レジスト層２１を剥離する。
【００６０】
次にパラジウムメッキ層１５の形成部分に対応する部分以外の無電解ニッケル置換金メッキ層１３をエッチング液（テクニックジャパン株式会社  製金剥離液および硝酸：リン酸＝４：６の混酸であるニッケル剥離液に４０℃で５分浸漬）を用いて除去する。
【００６１】
次に印刷により誘電体層１６を無電解ニッケル置換金メッキ層１３、電気銅メッキ層１４およびパラジウムメッキ層１５を覆うように形成する。
【００６２】
さらに、パラジウムメッキ層１５（ひいては、電気銅メッキ層１４、無電解ニッケル置換金メッキ層１３）の形成位置に対応させてミクロ技術研究所に依頼してレジストを形成後、誘電体層１６上の所定位置にブラックストライプ形成液（テクニックジャパン株式会社製ＦＰＤ・ＢＫ）により９０℃６分間メッキ後、硝酸５０％液で剥離し、ブラックストライプ層１７を形成する。
［２］ＰＤＰ電極基板（背面板）
ＰＤＰ電極基板（背面板）を形成する基板３１として、３００［ｍｍ］×３００［ｍｍ］、厚さ３［ｍｍ］のガラス基板（旭硝子社製ＰＤ−２００ガラス）を準備した。この基板３１を定法にしたがって洗浄した後、基板の片側全面にスパッタリング法によりＩＴＯで透明電極層１２を形成した。
【００６３】
次に、透明電極層１２が形成された基板３１を無電解めっき液（テクニックジャパン株式会社製ＦＰＤ・ＮＩ）に５分間浸漬させ、その後、水洗、乾燥し、さらに、無電解ニッケルメッキ層１４が形成された透明基板１１を８０［℃］の無電解めっき液（テクニックジャパン株式会社製ＦＰＤ・ＡＵ）に５分間浸漬させ、その後、水洗、乾燥することにより、無電解ニッケル置換金メッキ層３２を形成した。
【００６４】
次に下記組成の感光性レジストを塗布して所定厚さの感光性レジスト層を形成した。
【００６５】
感光性レジストの組成
・ポリビニルアルコール１０％水溶液  …  ２０重量部  （日本合成化学（株）製ゴーセナールＴ−３３０）
・ジアゾ樹脂２０％水溶液  …  ０．８重量部  （シンコー技研（株）製Ｄ−０１１）
・純水  …  １５重量部
次いで、超高圧水銀灯を露光光源とするプロキシミティ露光機にて、電気銅メッキ層１４の形成パターンに相当する開口部を設けたフォトマスクを介して所定の露光量で感光性レジスト層の露光を行った。その後、純水を用いて現像することにより、透電気銅メッキ層３３の形成パターン部分が除去された感光性レジスト層４１を形成する。
【００６６】
続いて、部分的に除去された感光性レジスト層４１が形成された透明基板１１を電気銅メッキ液（シップレイ社製カバーグリームＣＬＸ）に浸漬して、無電解ニッケル置換金メッキ層１３上の所定位置に電気銅メッキ層３３を積層させる。
【００６７】
さらに、電気銅メッキ層３３が形成された基板３１をパラジウムメッキ液（シップレイ社製パラデュア２００）に浸漬して、電気銅メッキ層３３上にパラジウムメッキ層３４を積層させる。
【００６８】
続いて感光性レジスト層４１を剥離する。
【００６９】
次にパラジウムメッキ層３４の形成部分に対応する部分以外の無電解ニッケル置換金メッキ層１３をエッチング液（テクニックジャパン株式会社  製金剥離液および硝酸：リン酸＝４：６の混酸であるニッケル剥離液に４０℃で５分浸漬）を用いて除去する。
【００７０】
次に厚膜印刷法により隔壁３５を、無電解ニッケル置換金メッキ層３２、電気銅メッキ層３３およびパラジウムメッキ層１５により構成されているアドレス電極に並行して立設させて形成する。
［３］実施例の効果
図７は実施例の効果の説明図である。
図７において、密着性評価は、以下の通りである。
○：密着良好な状態
△：やや密着性が低い状態
×：密着性が悪い状態
すなわち、メッキ用の金属としてパラジウムを用いた場合（実施例）および銀を用いた場合（比較例２）には、良好な密着性が得られた。これに対し、金属押して金を用いた場合（比較例１）には、やや密着性が低い状態となった。また、金属として、錫、銅あるいはニッケルを用いた場合（比較例３〜比較例５）には、酸化膜が発生し、誘電体層と金属との間で剥離が見られ、密着性が悪い状態となった。
【００７１】
また、変色状態は、金属としてパラジウムを用いた場合（実施例）および銀を用いた場合（比較例２）には、変色が見られなかった。これに対し、金属として金を用いた場合（比較例１）には、金の膜厚が２μｍ以下の場合には、皮膜表面がやや黒ずんだ状態となった。また、金属として、錫、銅あるいはニッケルを用いた場合（比較例３〜比較例５）には、被膜表面が黒色化し、金属表面が酸化された状態となった。
【００７２】
また、電気抵抗値の変化状態は、誘電体層を研磨により剥離し、ライン幅、１００μｍライン長１０ｃｍのラインを用いて測定を行った結果である。金属としてパラジウムを用いた場合（実施例）には、抵抗値の変化は認められなかった。これに対し、金属として銀を用いた場合（比較例２）には、電気抵抗値がやや低下し、金属として金を用いた場合（比較例１）には、電気抵抗値が低下した。また、金属として、錫、銅あるいはニッケルを用いた場合（比較例３〜比較例５）には、電気抵抗値が大きく低下した。
【００７３】
また、マイグレーションについては、金属としてパラジウムを用いた場合（実施例）および金を用いた場合（比較例１）には、見られなかった。これに対し、金属として銀を用いた場合（比較例２）には、マイグレーションが観察された。また、金属として、錫、銅あるいはニッケルを用いた場合（比較例３〜比較例５）には、被膜の深さ方向全体に酸化された状態で、マイグレーションの評価ができない状態となった。
【００７４】
以上の説明のように、本実施例によれば、比較例１〜比較例５のいずれと比較しても、密着性、変色、電気抵抗値変化、マイグレーションのいずれにおいても非常に良好な特性を得られることがわかった。
【００７５】
【発明の効果】
本発明によれば、いわゆるフォトリソ工程により微細配線パターンを形成し、無電解ニッケル置換金メッキ、電気銅メッキおよびパラジウムメッキを施すメッキ工程で低抵抗化を図っているので、微細パターンの形成と低抵抗化を同時に図ることができる。
【００７６】
また、ＰＤＰ用電極基板の前面板においては、パラジウムメッキ層により誘電体層中の酸素の影響を受けず、誘電体層の焼き付け温度（例えば、５４０［゜］）に耐えることができるので、密着不良の発生を低減させることができる。
【００７７】
また、湿式工程を用いているため、製造コストの低減化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態のＰＤＰ用電極基板（前面板）の概略断面図である。
【図２】実施形態のＰＤＰ用電極基板（前面板）の概略製造工程図（その１）である。
【図３】実施形態のＰＤＰ用電極基板（前面板）の概略製造工程図（その２）である。
【図４】実施形態のＰＤＰ用電極基板（背面板）の概略断面図である。
【図５】実施形態のＰＤＰ用電極基板（背面板）の概略製造工程図（その１）である。
【図６】実施形態のＰＤＰ用電極基板（背面板）の概略製造工程図（その２）である。
【図７】実施例の効果の説明図である。
【符号の説明】
１０  ＰＤＰ用電極基板（前面板）
１１  透明基板
１２  透明電極層（透明電極パターン層）
１３  無電解ニッケル置換金メッキ層（低抵抗化層）
１４  電気銅メッキ層（低抵抗化層）
１５  パラジウムメッキ層
１６  誘電体層
１７  ブラックストライプ層
３０  ＰＤＰ用電極基板（背面板）
３１  基板
３２  無電解ニッケル置換金メッキ層（低抵抗化層）
３３  電気銅メッキ層（低抵抗化層）
３４  パラジウムメッキ層
３５  隔壁
３６  蛍光体層
３６Ｒ  蛍光体（赤色）
３６Ｇ  蛍光体（緑色）
３６Ｂ  蛍光体（青色）
【図１】
2004319316.tif 000003
【図２】
2004319316.tif 000004
【図３】
2004319316.tif 000005
【図４】
2004319316.tif 000006
【図５】
2004319316.tif 000007
【図６】
2004319316.tif 000008
【図７】
2004319316.tif 000009