(57)【要約】【目的】リーク電流を低減可能な薄膜コンデンサを得る。【構成】基板上に、有機材料からなるアンダーコートと、下部電極と、誘電体層と、絶縁膜と、上部電極とが順に積層形成されていて、絶縁膜は誘電体層の上面の露出面積を定めてコンデンサ容量を規定し、上部電極は絶縁膜、誘電体層及び基板上に形成されている薄膜コンデンサにおいて、上記基板上の上部電極と前記アンダーコートとの間に少なくとも絶縁膜を位置させ、該基板上の上部電極とアンダーコートを非接触にした。【選択図】  図２
2004342929.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、有機材料からなるアンダーコートと、下部電極と、誘電体層と、絶縁膜と、上部電極とが順に積層形成されていて、前記絶縁膜は、前記誘電体層の上面の露出面積を定めてコンデンサ容量を規定し、前記上部電極は、前記絶縁膜、前記誘電体層及び前記基板上に形成されている薄膜コンデンサにおいて、
前記基板上の上部電極と前記アンダーコートとを非接触にしたことを特徴とする薄膜コンデンサ。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜コンデンサにおいて、前記基板上の上部電極と前記アンダーコートとの間に、前記絶縁膜が位置している薄膜コンデンサ。
【請求項３】
請求項１記載の薄膜コンデンサにおいて、前記基板上の上部電極と前記アンダーコートとの間に、前記絶縁膜と前記誘電体層が位置している薄膜コンデンサ。
【請求項４】
請求項１記載の薄膜コンデンサにおいて、前記基板上の上部電極と前記アンダーコートとの間に、前記絶縁膜と前記誘電体層と前記下部電極が位置している薄膜コンデンサ。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の薄膜コンデンサにおいて、前記アンダーコートは、前記下部電極によって覆われている薄膜コンデンサ。
【請求項６】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の薄膜コンデンサにおいて、前記アンダーコートは、前記下部電極により覆われていて、少なくとも一部が前記絶縁膜下部に延びている薄膜コンデンサ。
【請求項７】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の薄膜コンデンサにおいて、前記アンダーコートは、前記下部電極により覆われていて、少なくとも一部が前記絶縁膜下部に延びて前記上部電極が存在しない範囲で前記基板上に露出している薄膜コンデンサ。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項記載の薄膜コンデンサにおいて、前記アンダーコート上には、前記下部電極とは平面位置を異ならせて抵抗体が形成されており、前記下部電極は、この抵抗体の形成工程の後工程で形成されている薄膜コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、各種の小型電子回路に用いられる薄膜コンデンサに関する。
【０００２】
【従来技術およびその問題点】
薄膜抵抗体や薄膜コンデンサ、薄膜インダクタが混在する薄膜回路モジュールは、一般に、次のように製造されている。
【０００３】
先ず、基板表面の平滑化を図るため、基板上に有機レジスト材料からなるアンダーコートを形成する。次に、例えばＴａＮ等の抵抗材料からなる抵抗膜を成膜し、この抵抗膜上にその抵抗値（抵抗長及び抵抗幅）を規定する絶縁層を形成し、この絶縁層に覆われていない抵抗膜をエッチング等により除去して薄膜抵抗体を形成する。続いて、例えばＡｌ等の電極材料により電極膜を成膜し、エッチングやイオンミリング等で所望のパターン形状にして、薄膜抵抗体用の導通電極やコンデンサ形成用の下部電極、及び薄膜インダクタを同時形成する。そして、下部電極の上に誘電体層を形成した後、誘電体層の周縁部を覆ってコンデンサ容量を定める絶縁膜を形成し、さらに絶縁膜上、誘電体層上及び基板上に上部電極を形成して、薄膜コンデンサを完成させる。上部電極形成後は、保護層によって基板表面がすべて覆われる。
【０００４】
上記従来の製造方法では、不要な抵抗膜を除去する際のエッチング等によりアンダーコートの表面が粗くなってしまい、この粗い膜面上に電極材料が形成されるので、エッチングやイオンミリング等を行なってもアンダーコート上の電極材料を完全に除去することが難しいことが問題になっている。特に、電極材料が残留しているアンダーコート上に薄膜コンデンサの上部電極が形成されると、上部電極と下部電極との間に電圧を印加したとき、アンダーコートの表面を通して電流が流れてしまい、薄膜コンデンサのリーク電流が増大してしまう。
【０００５】
【特許文献】
特許平６−３２５９６９号公報
特開平９−１０２５８７号公報
【０００６】
【発明の目的】
本発明は、上記課題に鑑み、リーク電流を低減可能な薄膜コンデンサを得ることを目的とする。
【０００７】
【発明の概要】
本発明は、リーク電流を増大させる要因が、電極材料が表面に残留しているアンダーコート上に上部電極が形成されるためであることを認識し、アンダーコートと上部電極の位置関係に着目してなされたものである。
【０００８】
すなわち、本発明は、基板上に、有機レジスト材料からなるアンダーコートと、下部電極と、誘電体層と、絶縁膜と、上部電極とが順に積層形成されていて、絶縁膜は、誘電体層の上面の露出面積を定めてコンデンサ容量を規定し、上部電極は絶縁膜、誘電体層及び基板上に形成されている薄膜コンデンサにおいて、上記基板上の上部電極とアンダーコートとを非接触にしたことを特徴としている。
【０００９】
基板上の上部電極とアンダーコートとが非接触であれば、アンダーコート上に電極材料が残留していても、上部電極からアンダーコートに電流が流れることがなく、薄膜コンデンサのリーク電流は減少する。
【００１０】
基板上の上部電極とアンダーコートを非接触にするためには、基板上の上部電極とアンダーコートとの間に、絶縁膜を位置させることが好ましい。または、絶縁膜と誘電体層を位置させることが好ましい。あるいは、絶縁膜と誘電体層と下部電極を位置させることが好ましい。上記いずれの場合にも絶縁膜が基板上の上部電極とアンダーコートとの間に介在しているので、リーク電流経路を確実に遮断することができる。この絶縁膜は、基板上に露出しているアンダーコートの、上部電極の下方に位置する範囲のみを覆って形成されていてもよく、基板上に露出しているアンダーコートを全て覆って形成されていてもよい。
【００１１】
基板上の上部電極とアンダーコートを非接触にする別の態様としては、アンダーコートがすべて下部電極により覆われていることが好ましい。この場合には、アンダーコートが基板上に露出することがない。
【００１２】
ただし、有機レジスト材料からなるアンダーコートには残留ガスが内在しているため、アンダーコート全体が下部電極に覆われてしまうと、薄膜コンデンサが高温環境におかれたときアンダーコート内の残留ガスが熱により体積膨張し、薄膜コンデンサ全体が膨らんでしまう虞がある。
【００１３】
この熱膨張を防止するためには、アンダーコート内の残留ガスを逃がすガス抜き部分を設けることが好ましい。すなわち、アンダーコートがすべて下部電極に覆われていて、さらに、アンダーコートの少なくとも一部が絶縁膜下部に延びていることが好ましい。この態様によれば、アンダーコート内の残留ガスは絶縁膜を介して逃げるので高温環境下でも薄膜コンデンサが膨張してしまうことがなく、さらに薄膜コンデンサのリーク電流も低減することが可能である。アンダーコート内の残留ガスをより逃がしやすくするためには、絶縁膜下部に延ばしたアンダーコートの一部を、上部電極が存在しない範囲で基板上に露出していることが好ましい。このように上部電極の存在しない範囲でアンダーコートの一部が基板上に露出していれば、絶縁膜を介さずにアンダーコート内の残留ガスを逃がすことができ、また、アンダーコートが上部電極に接触することもない。
【００１４】
以上の薄膜コンデンサは、薄膜抵抗体や薄膜インダクタ等と混在されて薄膜回路モジュールに搭載される。よって、アンダーコート上には、下部電極とは平面位置を異ならせて抵抗体が形成されていることが実際的であり、下部電極は抵抗体の形成工程の後工程で形成される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１実施形態による薄膜コンデンサを示す平面図である。図２（ａ）は、図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図、図２（ｂ）は図１のＹ−Ｙ線に沿う断面図である。本薄膜コンデンサ１０は、該薄膜コンデンサ１０とは異なる平面位置に形成された薄膜抵抗体１００を有する薄膜回路モジュールに搭載されている。
【００１６】
薄膜コンデンサ１０は、基板１１上に、有機レジスト材料からなるアンダーコート１２、下部電極１３、誘電体層１４、絶縁膜１５及び上部電極１６を順に積層して形成されている。
【００１７】
基板１１には、アルミナ基板、ＬＴＣＣ基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板等の絶縁性基板が用いられている。下部電極１３は、図１の左方向に細長く延びた平面長方形状をなし、アンダーコート１２のほぼ中央部上に位置している。上部電極１６は、図１の右方向に細長く延びた平面長方形状をなし、誘電体層１４上、絶縁膜１５上及び基板１１上に形成されている。この下部電極１３及び上部電極１６は、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ、Ｃｕ／Ｎｉ−Ｐ等の電極材料による単層膜又は積層膜で形成されている。誘電体層１４は、例えばＳｉＯ２などの絶縁材料からなり、上部電極形成範囲に位置する下部電極１３の上面及び側端面を覆って形成されている。絶縁膜１５は、例えばレジスト材料により、図示Ｘ方向にアンダーコート１２を跨いで誘電体層１４上及びて基板１１上に形成されている。薄膜コンデンサ１のコンデンサ容量は、絶縁膜１５により定められた誘電体層１４の上面の露出面積によって規定される。
【００１８】
上記薄膜コンデンサ１０において、基板１１上の上部電極１６とアンダーコート１２の間には、絶縁膜１５が位置している。すなわち、絶縁膜１５は、図示Ｙ方向において上部電極１６よりも長く形成され、図示Ｘ方向においてアンダーコート１２よりも図示右側に長く形成されていて、基板１１上の上部電極１６とアンダーコート１２の間に介在している。より具体的に説明すると、図示Ｘ方向では、アンダーコート１２は下部電極１３よりも図示右側に長く延びて上部電極１６の下方に位置しているが、この上部電極１６の下方に位置する範囲αは絶縁膜１５で覆われており、アンダーコート１２と基板１１上の上部電極１６は接触していない。また図示Ｙ方向では、アンダーコート１２は絶縁膜１５及び下部電極１３よりも長く形成されて両端部が露出しているが、このアンダーコート１２が露出している範囲には上部電極１６が存在しておらず、アンダーコート１２と上部電極１６は非接触になる。
【００１９】
このように基板１１上の上部電極１６とアンダーコート１２が絶縁膜１５を介して非接触となっていれば、製造工程中に粗れてしまったアンダーコート１２の表面に電極材料が残留していても、基板１１上の上部電極１６とアンダーコート１２の間の絶縁性が確保されるので上部電極１６からアンダーコート１２に電流が流れることがなく、薄膜コンデンサ１０のリーク電流を低減することができる。
【００２０】
上記薄膜コンデンサ１０とは異なる平面位置に備えられた薄膜抵抗体１００は、基板１１上にアンダーコート１０２、抵抗膜１０３、保護レジスト膜１０４、一対の導通電極１０５を積層して形成されている。抵抗膜１０３は、例えばＴａＮにより形成され、アンダーコート１０２のほぼ中央部上に位置している。保護レジスト膜１０４は、抵抗膜１０３を覆って該抵抗膜表面をエッチングやミリング等によるダメージから保護する機能と、抵抗膜１０３を覆う面積によって抵抗膜１０３の抵抗値を規定する機能とを有している。一対の導通電極１０５は、保護レジスト膜１０４の図示Ｘ方向の両端部上及び該両端部から露出する抵抗膜１０３上に設けられており、一方の導通電極１０５（図示右側の導通電極）は、薄膜コンデンサ１０の下部電極１３と一体に形成されている。なお、図１では、薄膜抵抗体１００が省略されている。
【００２１】
次に、図１及び図２に示す薄膜コンデンサ１０及び薄膜抵抗体１００を備えた薄膜回路モジュールの製造方法の一実施形態について説明する。
【００２２】
先ず、基板１１上の抵抗体形成範囲及びコンデンサ形成範囲に、有機レジスト材料を用いてアンダーコート１０２、１２を形成する。次に、基板１１上及びアンダーコート１０２、１２上に抵抗膜１０３を全面的に成膜する。成膜にはスパッタや蒸着法、あるいはイオンビームスパッタ等を用いる。抵抗膜１０３は、ＴａＮ、ＮｉＣｒ、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＯ等の抵抗材料により形成する。
【００２３】
続いて、抵抗幅及び抵抗体の全体形状を定める抵抗体用レジストを抵抗膜１０３の上に形成し、この抵抗体用レジストに覆われていない抵抗膜１０３をドライエッチングにより除去する。ドライエッチング後は、抵抗体用レジストを除去する。
【００２４】
上記ドライエッチング工程を行なうと、抵抗体用レジストに覆われていない抵抗膜１０３が除去されることによって露出するアンダーコート１０２、１２の表面が、ドライエッチングによるダメージを受け、図３に示すように粗くなってしまう。
【００２５】
抵抗体用レジストを除去したら、抵抗膜１０３及びアンダーコート１０２、１２を含む基板表面にフォトレジストを塗布し、このフォトレジストを所望のパターン形状に露光現像する。これにより、抵抗膜１０３上に、抵抗膜１０３の抵抗値を規定する保護レジスト膜１０４が得られる。
【００２６】
続いて、保護レジスト膜１０４、抵抗膜１０３の両端部及びアンダーコート１０２、１２を含む基板表面上に電極膜を全面的に成膜し、エッチングやイオンミリングにより所望のパターン形状にして、抵抗膜１０３の両端部に接する一対の導通電極１０５とコンデンサの下部電極１３を同時に形成する。このとき本実施形態の下部電極１３は、図１の左方向に細長く延びて形成され、図２に示されるように、図示Ｘ方向ではアンダーコート１２の右側端部を露出させ、図示Ｙ方向ではアンダーコート１２のほぼ中央部に位置して該アンダーコート１２よりも短くなっている。なお、本実施形態では、下部電極１３と一対の導通電極１０５の一方とを一体に形成している。
【００２７】
電極膜の成膜には、スパッタや蒸着法、イオンビームスパッタあるいはメッキ等を用いる。電極膜は、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ、Ｃｕ／Ｎｉ−Ｐ等の電極材料による単層膜又は積層膜で形成することが好ましく、膜厚は約１０ｎｍ〜１０μｍ程度にする。
【００２８】
上記電極形成工程では、アンダーコート１２の粗い表面上にも電極膜が形成されるため、エッチングやイオンミリングを行なっても、不要な電極材料を確実に除去することが難しい。このため、アンダーコート１２の表面には電極材料が残留している場合がある。
【００２９】
下部電極１３を形成したら、下部電極１３の表面及び側端面を覆う誘電体層１４を形成し、さらに、この誘電体層１４の上面の露出面積を定めてコンデンサ容量を規定する絶縁膜１５を形成する。このとき絶縁膜１５は、上部電極形成範囲に露出しているアンダーコート１２（上部電極の下方に位置する範囲α）を跨いで、基板１１上及び誘電体層１４上に形成する。絶縁膜１５の大きさは、下部電極１３が上部電極の下方に位置する範囲において、図１に示すように図示Ｙ方向で下部電極１３よりも長く、図示Ｘ方向でアンダーコート１２よりも長くする。この絶縁膜１５が形成されると、上部電極の下方に位置する範囲αのアンダーコート１２は該絶縁膜１５により覆われ、誘電体層１４は周縁部が該絶縁膜１５によって覆われて中央部のみが露出することになる。誘電体層１４は例えばＳｉＯ２により形成し、絶縁膜１５は例えばレジスト材料により形成する。
【００３０】
続いて、絶縁膜１５上、絶縁膜１５に覆われていない誘電体層１４上及び基板１１上に、上部電極１６を形成する。上部電極１６は、図１の右方向に細長く延びて形成され、図２に示されるように、図示Ｘ方向では絶縁膜１５の左側端部を露出させ、図示Ｙ方向では絶縁膜１５のほぼ中央部に位置して該絶縁膜１５よりも短くなっている。上部電極１６は、下部電極１３と同じ電極材料による単層膜又は積層膜で形成することができる。このように上部電極１６が形成されると、基板１１上に位置する上部電極１６は、絶縁膜１５に接することとなり、該絶縁膜１５を介してアンダーコート１２に非接触となる。
【００３１】
以上により、図１に示す薄膜回路モジュールが得られる。
【００３２】
図４は、本発明の第２実施形態による薄膜コンデンサ２０を備えた薄膜回路モジュールを示す平面図であり、図５（ａ）は図４のＸ−Ｘ線に沿う断面図、図５（ｂ）は図４のＹ−Ｙ線に沿う断面図である。図４及び図５では、第１実施形態と実質的に同様の機能を有する構成要素に図１と同一符号を付してある。
【００３３】
第２実施形態による薄膜コンデンサ２０は、上部電極１６の下方に位置する範囲αだけでなく、基板１１上に存在するアンダーコート１２をすべて覆う絶縁膜２５を備えた点において、第１実施形態と異なる。すなわち、アンダーコート１２は、相対的に絶縁膜２５よりも占有範囲が狭くなっていて、図示Ｘ方向だけでなく図示Ｙ方向でも絶縁膜２５によって覆われている。このようにアンダーコート１２がすべて絶縁膜２５によって覆われていれば、基板１１上の上部電極１６とアンダーコート１２には絶縁膜２５が介在し、第１実施形態と同様に薄膜コンデンサ２０のリーク電流を低減させることができる。
【００３４】
薄膜コンデンサ２０は、上述した第１実施形態の製造方法において、絶縁膜１５の替わりに、アンダーコート１２を跨いで基板１１上及び誘電体層１４上に、アンダーコート１２の外周よりも広い範囲に絶縁膜２５を形成することで、得られる。
【００３５】
図６は、本発明の第３実施形態による薄膜コンデンサ３０を備えた薄膜回路モジュールを示す平面図であり、図７（ａ）は図６のＸ−Ｘ線に沿う断面図、図７（ｂ）は図６のＹ−Ｙ線に沿う断面図である。図６及び図７では、第１実施形態と実質的に同様の機能を有する構成要素に図１と同一符号を付してある。
【００３６】
第３実施形態による薄膜コンデンサ３０は、基板１１上の上部電極１６とアンダーコート１２の間に、絶縁膜１５と誘電体層１４が位置している点において、第１実施形態と異なる。すなわち、第１実施形態のアンダーコート１２の替わりに、図示Ｘ方向において上部電極１６に近い側の端面位置を下部電極１３とほぼ一致させたアンダーコート３２が備えられている。
【００３７】
アンダーコート３２は、上面が下部電極１３によって覆われ、端面が下部電極１３の端面と共に誘電体層１４によって覆われている。これにより、アンダーコート３２は、上部電極１６の下方となる範囲に露出せず、基板１１上の上部電極１６に接触することがない。絶縁膜１５は、誘電体層１４の側端面を覆って、基板１１上及び誘電体層１４上に形成されている。またアンダーコート３２は、図示Ｙ方向においては第１実施形態と同様に、絶縁膜１５及び下部電極１３よりも長く形成されて両端部が基板１１上に露出しているが、アンダーコート３２が露出している範囲には上部電極１６が存在していない。このように基板１１上の上部電極１６とアンダーコート１２の間に絶縁膜１５と誘電体層１４が介在していれば、第１実施形態と同様に、薄膜コンデンサ３０のリーク電流を低減させることができる。
【００３８】
薄膜コンデンサ３０は、上述した第１実施形態の製造方法において、アンダーコート１２の替わりに、図示Ｘ方向において上部電極１６に近い側の端面位置を下部電極１３とほぼ一致させたアンダーコート３２を形成することで得られる。ただし、誘電体層１４を形成する工程では、下部電極１３の端面と共にアンダーコート３２の端面を該誘電体層１４で覆い、また絶縁膜１５を形成する工程では、該絶縁膜１５を基板１１上及び誘電体層１４上に形成する。
【００３９】
図８は、本発明の第４実施形態による薄膜コンデンサ４０を備えた薄膜回路モジュールを示す平面図であり、図９（ａ）は図８のＸ−Ｘ線に沿う断面図、図９（ｂ）は図８のＹ−Ｙ線に沿う断面図である。図８及び図９では、第１実施形態と実質的に同様の機能を有する構成要素に図１と同一符号を付してある。
【００４０】
第４実施形態による薄膜コンデンサ４０は、下部電極１３よりも小さい占有面積（図示Ｘ方向及び図示Ｙ方向の両方で下部電極１３よりも短い寸法）で形成されたアンダーコート４２を備えた点において、第１実施形態と異なる。すなわち、アンダーコート４２はすべて、下部電極１３のパターンによって覆われている。このような全面被覆型であれば、アンダーコート４２が基板１１上の上部電極１６に接触することがなく、第１実施形態と同様に薄膜コンデンサ４０のリーク電流を低減させることができる。
【００４１】
薄膜コンデンサ４０は、上述した第１実施形態の製造方法において、アンダーコート１２の替わりに、下部電極形成範囲よりも小さい面積でアンダーコート４２を形成し、このアンダーコート４２の露出面をすべて覆うように該アンダーコート４２上に下部電極１３を形成することで、得られる。
【００４２】
図１０〜図１５は、本発明の第５〜第７実施形態による薄膜コンデンサを備えた薄膜回路モジュールを示している。図１０〜図１５では、第１実施形態と実質的に同様の機能を有する構成要素に図１と同一符号を付してある。
【００４３】
第５〜第７実施形態は、第４実施形態による薄膜コンデンサ４０を改良したものである。有機レジスト材料からなるアンダーコートには、揮発性の有機溶剤あるいは混入空気などから発生する残留ガスが内在している。このため、上記第４実施形態のようにアンダーコート４２が下部電極１３内に完全に被覆されていると、高温環境では熱膨張により、アンダーコート４２内の残留ガスの体積が増大し、薄膜コンデンサ４０全体が膨らんでしまう虞がある。そこで、第５〜第７実施形態では、薄膜コンデンサが高温環境に置かれたときにアンダーコート内の残留ガスを逃がすためのガス抜き部を設けてある。
【００４４】
図１０は、本発明の第５実施形態による薄膜コンデンサ５０を備えた薄膜回路モジュールを示す平面図であり、図１１（ａ）は図１０のＸ−Ｘ線に沿う断面図、図１１（ｂ）は図１０のＹ−Ｙ線に沿う断面図である。
【００４５】
第５実施形態による薄膜コンデンサ５０では、図示Ｘ方向に、ガス抜き部５２ａを備えている。すなわち、下部電極１３のパターンによって覆われたアンダーコート５２は、図示Ｘ方向の一端部が絶縁膜１５の下部まで延びて上記ガス抜き部５２ａとなっている。ガス抜き部５２ａは、絶縁膜１５を介してアンダーコート５２内の残留ガスを逃がす。このようにアンダーコート５２がガス抜き部５２ａを備えれば、高温環境下でも薄膜コンデンサ５０を膨張させずに、薄膜コンデンサ５０のリーク電流を低減させることができる。
【００４６】
薄膜コンデンサ５０は、上述した第４実施形態の製造方法において、アンダーコート４２の替わりに、図示Ｘ方向の寸法を下部電極形成範囲よりも長く、且つ図示Ｙ方向の寸法を下部電極形成範囲よりも短くしたアンダーコート５２を形成することで得られる。ただし、下部電極１３を形成する工程では、図示Ｘ方向において該下部電極１３からアンダーコート５２の一端部を露出させてガス抜き部５２ａを形成し、また絶縁膜１５形成する工程では、該絶縁膜１５によってガス抜き部５２ａを覆う。
【００４７】
図１２は、本発明の第６実施形態による薄膜コンデンサ６０を備えた薄膜回路モジュールを示す平面図であり、図１３（ａ）は図１２のＸ−Ｘ線に沿う断面図、図１３（ｂ）は図１２のＹ−Ｙ線に沿う断面図である。
【００４８】
第６実施形態による薄膜コンデンサ６０は、図示Ｙ方向に、ガス抜き部５２ｂを備えている。すなわち、下部電極１３のパターンによって覆われたアンダーコート６２は、図示Ｙ方向の両端部が絶縁膜１５の下部まで延長されて上記ガス抜き部６２ａとなっている。ガス抜き部６２ａは、絶縁膜１５を介してアンダーコート６２内の残留ガスを逃がす。このようにアンダーコート６２がガス抜き部６２ａを備えれば、高温環境でも薄膜コンデンサ６０が膨張させずに、薄膜コンデンサ６０のリーク電流を低減させることができる。また薄膜コンデンサ６０は、ガス抜き部６２ａを２箇所備えているので、ガス抜き部５２ａを１箇所備えた上記第５実施形態よりも残留ガスが抜けやすくなっている。
【００４９】
薄膜コンデンサ６０は、上述した第４実施形態の製造方法において、アンダーコート４２の替わりに、図示Ｘ方向の寸法を下部電極形成範囲よりも短くし、図示Ｙ方向の寸法を下部電極形成範囲よりも長く且つ絶縁膜形成範囲よりも短くしたアンダーコート６２を形成することで得られる。ただし、下部電極１３を形成する工程では、図示Ｙ方向において該下部電極１３からアンダーコート６２の両側端部を露出させてガス抜き部６２ａを形成し、また絶縁膜１５形成する工程では、該絶縁膜１５によってガス抜き部６２ａを覆う。
【００５０】
図１４は、本発明の第７実施形態による薄膜コンデンサ７０を備えた薄膜回路モジュールを示す平面図であり、図１５（ａ）は図１４のＸ−Ｘ線に沿う断面図、図１５（ｂ）は図１４のＹ−Ｙ線に沿う断面図である。
【００５１】
第７実施形態による薄膜コンデンサ７０は、上記第６実施形態と同様に図示Ｙ方向にガス抜き部７２ａを備えているが、ガス抜き部７２ａが基板１１上に露出している点で第６実施形態と異なっている。すなわち、下部電極１３のパターンによって覆われたアンダーコート６２は、図示Ｙ方向の両端部が絶縁膜１５の下部に延び、さらに該絶縁膜１５から上部電極１６の存在していない基板１１上まで延びて上記ガス抜き部７２ａとなっている。ガス抜き部７２ａは、基板１１上に露出しているため、上記第６実施形態よりもさらにアンダーコート７２内の残留ガスを逃がしやすくなっている。このようにアンダーコート７２がガス抜き部７２ａを備えれば、高温環境下でも薄膜コンデンサ７０を膨張させずに、薄膜コンデンサ７０のリーク電流を低減させることができる。
【００５２】
薄膜コンデンサ７０は、上述した第４実施形態の製造方法において、アンダーコート４２の替わりに、図示Ｘ方向の寸法を下部電極形成範囲よりも短く、図示Ｙ方向の寸法を下部電極形成範囲及び絶縁膜形成範囲よりも長くしたアンダーコート７２を形成することで得られる。ただし、下部電極１３を形成する工程では、図示Ｙ方向において該下部電極１３からアンダーコート７２の両側端部を露出させてガス抜き部７２ａを形成し、さらに絶縁膜１５形成する工程では、該絶縁膜１５によってガス抜き部７２ａの一部を覆って残部を基板１１上に露出させる。
【００５３】
上記各実施形態によれば、基板１１上の上部電極１６とアンダーコート１２（３２、４２、５２、６２、７２）の間に、少なくとも絶縁膜１５が位置しているので、基板１１上の上部電極１６とアンダーコート１２は接触することがなく、アンダーコート１２（３２、４２、５２、６２、７２）の表面に電極材料が残留していてもリーク電流経路を確実に遮断することができる。よって、薄膜コンデンサ１０（２０、３０、４０、５０、６０、７０）のリーク電流を低減することが可能である。
【００５４】
【発明の効果】
本発明の薄膜コンデンサによれば、基板上の上部電極とアンダーコートの間に少なくとも絶縁膜が位置しているので、アンダーコートの表面に電極材料が残留していてもリーク電流経路を確実に遮断することができ、リーク電流を低減可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態による薄膜コンデンサを示す平面図である。
【図２】（ａ）図１のＸ−Ｘ線に沿う横断面図であり、（ｂ）図１のＹ−Ｙ線に沿う縦断面図である。
【図３】ドライエッチング工程によってダメージを受けたアンダーコート表面を示す横断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態による薄膜コンデンサを示す平面図である。
【図５】（ａ）図４のＸ−Ｘ線に沿う横断面図であり、（ｂ）図４のＹ−Ｙ線に沿う縦断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態による薄膜コンデンサを示す平面図である。
【図７】（ａ）図６のＸ−Ｘ線に沿う横断面図であり、（ｂ）図６のＹ−Ｙ線に沿う縦断面図である。
【図８】本発明の第４実施形態による薄膜コンデンサを示す平面図である。
【図９】（ａ）図８のＸ−Ｘ線に沿う横断面図であり、（ｂ）図８のＹ−Ｙ線に沿う縦断面図である。
【図１０】本発明の第５実施形態による薄膜コンデンサを示す平面図である。
【図１１】（ａ）図１０のＸ−Ｘ線に沿う横断面図であり、（ｂ）図１０のＹ−Ｙ線に沿う縦断面図である。
【図１２】本発明の第６実施形態による薄膜コンデンサを示す平面図である。
【図１３】（ａ）図１２のＸ−Ｘ線に沿う横断面図であり、（ｂ）図１２のＹ−Ｙ線に沿う縦断面図である。
【図１４】本発明の第７実施形態による薄膜コンデンサを示す平面図である。
【図１５】（ａ）図１４のＸ−Ｘ線に沿う横断面図であり、（ｂ）図１４のＹ−Ｙ線に沿う縦断面図である。
【符号の説明】
１０  薄膜コンデンサ（第１実施形態）
１１  基板
１２  アンダーコート
１３  下部電極
１４  誘電体層
１５  絶縁膜
１６  上部電極
２０  薄膜コンデンサ（第２実施形態）
２５  絶縁膜
３０  薄膜コンデンサ（第３実施形態）
３２  アンダーコート
４０  薄膜コンデンサ（第４実施形態）
４２  アンダーコート
５０  薄膜コンデンサ（第５実施形態）
５２  アンダーコート
６０  薄膜コンデンサ（第６実施形態）
６２  アンダーコート
７０  薄膜コンデンサ（第７実施形態）
７２  アンダーコート
１００  薄膜抵抗体
１０２  アンダーコート（抵抗体形成用）
１０３  抵抗膜
１０４  保護レジスト膜
１０５  導通電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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