(57)【要約】【課題】簡素な構成で電流容量を大幅に増大することができる電源、スパッタ電源及びスパッタ装置を提供することを目的とする。【解決手段】逆方向アーク防止ダイオード（Ｄ１〜Ｄ４）をインバータ整流器の整流アーム毎に直列に設けることにより、これらダイオードに対する順方向出力時の負担を減らすことができる。また、アーク遮断時にインバータ出力を遮断し且つインダクタ電流を保存する閉回路を形成する電源においては、逆方向アーク防止ダイオード（ＤＡ１）をインバータ出力（ＩＮＶ１）に対して並列に接続した電流迂回路を設けることにより、やはり順方向出力時のダイオードに対する負担を減らすことができる。【選択図】　図１
2004043891.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の整流アームを有する整流ブリッジからの整流電流を順方向出力として出力し、前記整流電流とは逆方向の電圧を逆方向電圧として出力する電源であって、
前記複数の整流アームのそれぞれについて、前記整流アームと同一の整流方向を有する整流素子が設けられ、
前記順方向出力の出力時には、前記複数の整流アームのそれぞれにより整流された整流電流がその整流アームに接続された前記整流素子を介して出力され、
前記逆方向電圧の出力時にも、前記整流素子を介して前記逆方向電圧が出力されることを特徴とする電源。
【請求項２】
電源に接続された複数の整流アームを有する整流ブリッジと、
インダクタと、
スイッチング素子と、
前記複数の整流アーム毎に直列に接続され前記整流アームと同一の整流方向を有する複数の整流素子と、
逆バイアス電圧源と、
を備え、
前記スイッチング素子が開状態においては、前記複数の整流アームのそれぞれにより整流された整流電流がその整流アームに接続された前記整流素子と前記インダクタとを介して順方向出力として外部負荷に出力され、
前記スイッチング素子が閉状態においては、前記スイッチング素子と前記インダクタと前記整流ブリッジとを含む第１の閉回路と、前記スイッチング素子と前記整流素子と前記逆バイアス電圧源と前記外部負荷とを含む第２の閉回路と、が形成され、前記整流素子の整流方向に対して逆方向の電圧が前記逆バイアス電圧源から前記外部負荷に逆方向電圧として印加されることを特徴とする電源。
【請求項３】
前記スイッチング素子は、前記複数の整流アームのそれぞれについて設けられたことを特徴とする請求項２記載の電源。
【請求項４】
前記複数の整流アームは、前記整流素子とは逆方向の整流方向を有する整流手段を介して同一の前記スイッチング素子に共通接続されてなることを特徴とする請求項２記載の電源。
【請求項５】
前記整流ブリッジに対して、もうひとつの整流ブリッジが直列に接続され、
前記順方向出力の出力時には、前記もうひとつの整流ブリッジを介した整流電流が出力されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の電源。
【請求項６】
インバータ出力とインダクタと第１のスイッチング素子とを有する直列回路と、
前記インダクタに対して並列に設けられた第１の整流素子と第２のスイッチング素子との直列回路と、
前記第１の整流素子と前記第２のスイッチング素子との接続中点に一端が接続され且つ前記インバータ出力及び前記第１のスイッチング素子に対して並列に設けられた第２の整流素子と、
前記第２のスイッチング素子に対して直列に設けられた逆バイアス電圧源と、
を備え、
前記第１のスイッチング素子が閉状態且つ前記第２のスイッチング素子が開状態においては、前記インバータ出力から出力された電流が前記インダクタを介して順方向出力として外部負荷に出力され、
前記第１のスイッチング素子が開状態且つ前記第２のスイッチング素子が閉状態においては、前記インバータ出力の前記外部負荷への出力が遮断され、前記インダクタと前記第１の整流素子と前記第２のスイッチング素子とによる閉回路が形成され、前記第２のスイッチング素子と前記第２の整流素子と前記逆バイアス電圧源と前記外部負荷とを含む閉回路によって前記順方向出力とは逆方向の電圧が前記逆バイアス電圧源から前記外部負荷に逆方向電圧として印加され、前記第２の整流素子の整流方向は前記逆方向の電圧により生ずる逆方向電流とは反対の方向であることを特徴とする電源。
【請求項７】
前記順方向出力が出力される状態において、前記インバータ出力が低下すると前記インダクタによる電流は、前記第１の整流素子を介して前記第２の整流素子を含む電流迂回路を流れる電流成分と、前記インバータ出力端に設けられた整流器を流れる電流成分と、に分かれて流れることを特徴とする請求項６記載の電源。
【請求項８】
前記電流迂回路は、前記第２の整流素子に対して直列に設けられ、電圧降下を生じさせることにより前記電流迂回路を流れる電流を制限する電圧降下素子をさらに有することを特徴とする請求項７記載の電源。
【請求項９】
前記電流迂回路は、前記電圧降下素子に対して並列に設けられた電圧制限素子をさらに有することを特徴とする請求項７または８に記載の電源。
【請求項１０】
前記電流迂回路は、前記第２の整流素子に対して並列に設けられたコンデンサをさらに有することを特徴とする請求項７〜９のいずれか１つに記載の電源。
【請求項１１】
第２のインバータ出力と第２のインダクタと第３のスイッチング素子とを有する直列回路と、
前記インダクタに対して並列に設けられた第３の整流素子と第４のスイッチング素子との直列回路と、
前記第３の整流素子と前記第４のスイッチング素子との接続中点に一端が接続され且つ前記第２のインバータ出力及び前記第３のスイッチング素子に対して並列に設けられた第４の整流素子と、
をさらに備え、
前記第３のスイッチング素子が閉状態且つ前記第４のスイッチング素子が開状態においては、前記第２インバータ出力から出力された電流が前記第２のインダクタを介して前記順方向出力の一部として外部負荷に出力され、
前記第３のスイッチング素子が開状態且つ前記第４のスイッチング素子が閉状態においては、前記第２のインバータ出力の前記外部負荷への出力が遮断され、前記第２のインダクタと前記第３の整流素子と前記第４のスイッチング素子とによる閉回路が形成され、前記第２のスイッチング素子と前記第２の整流素子と前記逆バイアス電圧源と前記第４のスイッチング素子と前記第４の整流素子と前記逆バイアス電圧源と前記外部負荷とを含む閉回路によって前記順方向出力とは逆方向の電圧が前記逆バイアス電圧源から前記外部負荷に逆方向電圧として印加され、前記第４の整流素子の整流方向は前記逆方向の電圧により生ずる逆方向電流とは反対の方向であることを特徴とする請求項６〜１０のいずれか１つに記載の電源。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１つに記載の電源を備え、
前記順方向出力をスパッタ用電力として出力することを特徴とするスパッタ用電源。
【請求項１３】
大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な真空チャンバと、
請求項１２記載のスパッタ用電源と、
を備え、
前記スパッタ用電力を前記真空チャンバに供給することによりスパッタを実施し、
真空チャンバ内において発生する前記アーク放電を前記逆方向電圧により遮断することを特徴とするスパッタ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電源、スパッタ用電源及びスパッタ装置に関し、特に、アーク放電などの突発的な短絡電流が発生した場合にこれを迅速に遮断しつつ、順方向の電力印加時に大きな順方向電流が得られる電源、スパッタ用電源及びスパッタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
各種のプラズマ応用機器や、マイクロ波などの電磁波発生器、電力スイッチング装置などにおいて、電源の運転中に負荷側で短絡的な突発電流が流れることがある。このような突発放電が生ずると機器の動作に弊害をもたらす場合が多いため、短絡電流を確実且つ迅速に遮断する回路が必要とされる場合が多い。
【０００３】
以下、このような電源の具体例として、薄膜形成に用いるスパッタ用電源を例に挙げて説明する。
【０００４】
図１０は、ＤＣ（ｄｉｒｅｃｔ　ｃｕｒｒｅｎｔ）スパッタ装置の要部構成を表す模式図である。このスパッタ装置は、真空チャンバ１０１とスパッタ用ＤＣ電源１１０とを有する。電源１１０の陽極は、接続ケーブル１２０Ａを介してチャンバ１０１に接続され、接地電位とされている。一方、電源１１０の陰極は、接続ケーブル１２０Ｂを介して、チャンバ１０１の内部に設けられたスパッタリング・ターゲット１０４に接続されている。そして、チャンバ１０１の内部には、薄膜を堆積する基板１００が設置される。
【０００５】
成膜に際しては、まず、真空排気ポンプ１０６によりチャンバ１０１内を真空状態にし、ガス供給源１０７からアルゴン（Ａｒ）などの放電ガスを導入してチャンバ内を所定の放電圧力に維持する。そして、電源１１０によりターゲット１０４とチャンバ１０１との間に電界を印加し、グロー放電１０８を発生させる。すると、放電空間において生成されたプラズマ中の正イオンがターゲット１０４の表面に衝突し、ターゲット１０４の原子をはじき出す。このようなスパッタ現象を利用することにより、ターゲット１０４の材料からなる薄膜を基板１００の上に形成することができる。
【０００６】
しかし、このようなスパッタ動作中に、チャンバ１０１内での放電が停止する場合がある。例えば、ガス供給源１０７から供給されるガスとポンプ１０６による排気速度とのバランスが変動したような場合、放電条件が満たされなくなると放電が停止してプラズマが消失することがある。放電が停止すると、スパッタ電流が流れなくなり、負荷インピーダンスが急激に上昇する。従って、電源１１０は、このような負荷インピーダンスの急激な上昇に対して柔軟に対応できる構造を有する必要がある。
【０００７】
また一方、スパッタ動作中に、チャンバ１０１内でアーク放電１５０が生ずる場合がある。このようなアーク放電１５０は、ターゲット１０４の近傍において生ずる場合が比較的多いが、基板１００の近傍において生ずる場合もある。そして、このようなアーク放電１５０が生ずると、局所的に大電流が流れるために、ターゲット１０４や基板１００に損傷が生ずる。
【０００８】
例えば、ターゲット１０４の側でアーク放電１５０が生ずると、ターゲット１０４の微小領域に大電流が集中するために、その部分から瞬間に大量の被着材料が放出される。この現象は「スプラッシュ」などと称され、基板１００の表面に被着材料の粒子が飛び散るために、被害を受けてしまう。
【０００９】
一方、基板１００の側にアーク放電１５０が生じた場合にも、基板１００が損傷を受けて不良品になってしまう場合が多い。
【００１０】
従って、このようなアーク放電が発生した場合に、迅速且つ確実にアークを消弧できるアーク遮断機能を有するスパッタ用電源が必要とされている。
【００１１】
図１１は、本発明者が本発明に至る過程で試作したスパッタ用電源の要部を表す模式図である。
【００１２】
この電源は、直流電源ＤＣとトランジスタＱ１〜４を共有した２つのインバータを有する。すなわち、直流電源ＤＣ１、トランジスタＱ１〜４、トランスＴ１及び整流器ＤＢ１を有する第１のインバータＩＮＶ１と、直流電源ＤＣ１、トランジスタＱ１〜４、トランスＴ２及び整流器ＤＢ２を有する第２のインバータＩＮＶ２と、を有する。これらインバータの出力電流は、インダクタＬ１とＬ２とによりそれぞれ平滑化されてチャンバ１０１及びターゲット１０４に供給される。
【００１３】
その動作について説明すると、まず、スパッタを開始する時には、インバータＩＮＶ１、ＩＮＶ２を起動し、整流されたインバータ電流を短絡するＩＧＢＴ１・２を開いた状態として、直流電圧をチャンバ１０１及びターゲット１０４に出力する。
【００１４】
スパッタ開始時の最大電圧としては、例えば、マイナス１５００ボルト程度が必要とされる。そして、チャンバ内にグロー放電が存在しないので電流が流れず、最大電圧を出力してグロー放電の開始を待つ。
【００１５】
この際に、同時にトランス出力Ｔ３をＤＢ３で整流して逆バイアス電圧源ＣＢを充電する。この充電電圧は、例えば、２００ボルト程度とすることができる。
【００１６】
チャンバ内でグロー放電が大きくなると、スパッタが開始される。これに対応して放電電流が流れるので、印加電圧レベルは低下する。電源は、出力電流をインダクタＬ１・２で平滑するが、出力電圧は定常スパッタ時には例えばマイナス３００ボルト程度まで低下するので、インバータＩＮＶ１・２のデューティ比を調整して出力電力を一定に保つ。
【００１７】
一方、チャンバ内にアーク放電が発生すると、図示しないアークセンサがこれを検出し、ＩＧＢＴ１・２を閉じる。これにより、逆バイアス電圧源ＣＢからＩＧＢＴ２・１、Ｄ１・２、チャンバ（１０１、１０４）、ＣＢの閉回路において逆方向バイアス電圧を印加し、アーク電流を急速に遮断する。ここで、コンデンサＣＢからの逆方向電圧が大きいほど電流遮断の所要時間が短く、アーク放電の被害が少ない。
【００１８】
アーク電流を遮断すると、ダイオードＤ１・２は逆バイアスされて逆方向電流によるアーク被害を防止する。すなわち、ダイオードＤ１、Ｄ２は、逆方向アーク防止ダイオードとして作用する。
【００１９】
このようにして、所定時間アーク放電電流を遮断した後、ＩＧＢＴ１・２を開き、チャンバへのスパッタ電流の供給を再開する。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、本発明者の検討の結果、図１１に例示した電源の場合、電源の出力容量、すなわちスパッタ時の電流を大幅に増大することが容易でないことが判明した。すなわち、電源の出力容量を増大するためには、逆方向アーク防止ダイオードＤ１・２の最大値まで出力電流を大きくしたいが、これらダイオードＤ１・２の電流容量によって電流が制限されてしまう。
【００２１】
具体的には、例えば近年の高速成膜の要求に応えるためには、スパッタ電流として１０アンペア程度の電流が必要とされる場合が多く、瞬間電流としては、１００アンペア近くのスパッタ電流の出力も可能な電源が必要とされる場合もある。しかし、図１１に例示した電源の場合、ダイオードＤ１・２として、このような大きな許容電流の素子を用いることは困難である。
【００２２】
また一方、電流容量を増やすために、これらダイオードを並列接続すると、いずれかのダイオードに電流が集中してしまうという問題が生ずる。これは、ダイオードの順方向電流の温度特性に起因する。つまり、通常のダイオードの場合、その順方向電流は、温度の上昇により増加するという依存性を有する。２つのダイオードを並列接続した場合、素子特性の「ばらつき」などにより、両方のダイオードを流れる電流を完全に一致させることは容易でない。つまり、いずれか一方のダイオードに流れる電流が、他方の電流よりも大きくなる場合が多い。
【００２３】
この場合、電流が多く流れたダイオードでは、温度が上昇するために抵抗が下がって、さらに多くの電流が流れる。すると、他方のダイオードでは、流れる電流が小さくなるために、温度が下がって抵抗が上昇し、さらに流れる電流が小さくなる。
【００２４】
このように、ダイオードを並列接続した場合、電流のバランスが一旦崩れると、電流が多いダイオードに電流が集中してしまうため、電流容量を倍増することができない。また、電流の集中が過度に生ずると、熱暴走によりダイオードが破壊する場合もある。
【００２５】
このため、図１１に例示した電源においては、電流容量はダイオードＤ１、Ｄ２の電流容量により制限されてしまうという問題があった。
【００２６】
本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、その目的は、簡素な構成で電流容量を大幅に増大することができる電源、スパッタ電源及びスパッタ装置を提供することにある。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の第１の電源は、
複数の整流アーム（ａｒｍ１，２）を有する整流ブリッジ（ＤＢ１）からの整流電流を順方向出力として出力し、前記整流電流とは逆方向の電圧を逆方向電圧として出力する電源であって、
前記複数の整流アームのそれぞれについて、前記整流アームと同一の整流方向を有する整流素子（Ｄ１〜Ｄ４）が設けられ、
前記順方向出力の出力時には、前記複数の整流アームのそれぞれにより整流された整流電流がその整流アームに接続された前記整流素子を介して出力され、
前記逆方向電圧の出力時にも、前記整流素子を介して前記逆方向電圧が出力されることを特徴とする。
【００２８】
上記構成によれば、逆方向アーク防止ダイオードとしての整流素子に対して、順方向出力時の電流負担を低下させることができ、電源の容量を増大できる。
【００２９】
また、本発明の第２の電源は、
電源に接続された複数の整流アーム（ａｒｍ１，２）を有する整流ブリッジ（ＤＢ１）と、
インダクタ（Ｌ１）と、
スイッチング素子（ＩＧＢＴ１、ＩＧＢＴ２）と、
前記複数の整流アーム毎に直列に接続され前記整流アームと同一の整流方向を有する複数の整流素子（Ｄ１〜Ｄ４）と、
逆バイアス電圧源（ＣＢ）と、
を備え、
前記スイッチング素子が開状態においては、前記複数の整流アームのそれぞれにより整流された整流電流がその整流アームに接続された前記整流素子と前記インダクタとを介して順方向出力として外部負荷に出力され、
前記スイッチング素子が閉状態においては、前記スイッチング素子と前記インダクタと前記整流ブリッジとを含む第１の閉回路と、前記スイッチング素子と前記整流素子と前記逆バイアス電圧源と前記外部負荷とを含む第２の閉回路と、が形成され、前記整流素子の整流方向に対して逆方向の電圧が前記逆バイアス電圧源から前記外部負荷に逆方向電圧として印加されることを特徴とする。
【００３０】
上記構成によっても、逆方向アーク防止ダイオードとしての整流素子に対して、順方向出力時の電流負担を低下させることができ、電源の容量を増大できる。
【００３１】
上記第２の電源において、前記スイッチング素子は、前記複数の整流アームのそれぞれについて設けられたものとすることができる。
【００３２】
または、前記複数の整流アームは、前記整流素子とは逆方向の整流方向を有する整流手段を介して同一の前記スイッチング素子に共通接続されてなるものとすることもできる。
【００３３】
また、前記整流ブリッジに対して、もうひとつの整流ブリッジが直列に接続され、前記順方向出力の出力時には、前記もうひとつの整流ブリッジを介した整流電流が出力されるものとすれば、いわゆる多段インバータによる高電圧電源が可能となる。
【００３４】
一方、本発明の第３の電源は、
インバータ出力（ＩＮＶ１）とインダクタ（Ｌ１）と第１のスイッチング素子（Ｑ５）とを有する直列回路と、
前記インダクタに対して並列に設けられた第１の整流素子（Ｄ１）と第２のスイッチング素子（ＩＧＢＴ１）との直列回路と、
前記第１の整流素子と前記第２のスイッチング素子との接続中点に一端が接続され且つ前記インバータ出力及び前記第１のスイッチング素子に対して並列に設けられた第２の整流素子と、
前記第２のスイッチング素子に対して直列に設けられた逆バイアス電圧源（ＤＣ２）と、
を備え、
前記第１のスイッチング素子が閉状態且つ前記第２のスイッチング素子が開状態においては、前記インバータ出力から出力された電流が前記インダクタを介して順方向出力として外部負荷に出力され、
前記第１のスイッチング素子が開状態且つ前記第２のスイッチング素子が閉状態においては、前記インバータ出力の前記外部負荷への出力が遮断され、前記インダクタと前記第１の整流素子と前記第２のスイッチング素子とによる閉回路が形成され、前記第２のスイッチング素子と前記第２の整流素子と前記逆バイアス電圧源と前記外部負荷とを含む閉回路によって前記順方向出力とは逆方向の電圧が前記逆バイアス電圧源から前記外部負荷に逆方向電圧として印加され、前記第２の整流素子の整流方向は前記逆方向の電圧により生ずる逆方向電流とは反対の方向であることを特徴とする。
【００３５】
上記構成によれば、逆方向アーク防止ダイオードとしての第２の整流素子に対して、順方向出力時の電流負担を低下させることができ、電源の容量を増大できる。
【００３６】
ここで、前記順方向出力が出力される状態において、前記インバータ出力が低下すると前記インダクタによる電流は、前記第１の整流素子を介して前記第２の整流素子を含む電流迂回路（ＤＴ）を流れる電流成分と、前記インバータ出力端に設けられた整流器を流れる電流成分と、に分かれて流れるものとすれば、第２の整流素子に対する電流負担を確実に低減できる。
【００３７】
また、前記電流迂回路は、前記第２の整流素子に対して直列に設けられ、電圧降下を生じさせることにより前記電流迂回路を流れる電流を制限する電圧降下素子（Ｒ１）をさらに有するものとすれば、第２の整流素子に対する電流負担をさらに確実に低減できる。
【００３８】
また、前記電流迂回路は、前記電圧降下素子に対して並列に設けられた電圧制限素子（ＺＤ）をさらに有するものとすれば、電圧降下素子において過度の電圧が発生することを防止できる。
【００３９】
また、前記電流迂回路は、前記第２の整流素子に対して並列に設けられたコンデンサ（Ｃ１）をさらに有するものとすれば、逆バイアス電圧源に対する電圧を加算して迅速にアーク放電を遮断することができる。
【００４０】
また、第２のインバータ出力（ＩＮＶ２）と第２のインダクタ（Ｌ２）と第３のスイッチング素子（Ｑ６）とを有する直列回路と、
前記インダクタに対して並列に設けられた第３の整流素子（Ｄ２）と第４のスイッチング素子（ＩＧＢＴ２）との直列回路と、
前記第３の整流素子と前記第４のスイッチング素子との接続中点に一端が接続され且つ前記第２のインバータ出力及び前記第３のスイッチング素子に対して並列に設けられた第４の整流素子と、
をさらに備え、
前記第３のスイッチング素子が閉状態且つ前記第４のスイッチング素子が開状態においては、前記第２インバータ出力から出力された電流が前記第２のインダクタを介して前記順方向出力の一部として外部負荷に出力され、
前記第３のスイッチング素子が開状態且つ前記第４のスイッチング素子が閉状態においては、前記第２のインバータ出力の前記外部負荷への出力が遮断され、前記第２のインダクタと前記第３の整流素子と前記第４のスイッチング素子とによる閉回路が形成され、前記第２のスイッチング素子と前記第２の整流素子と前記逆バイアス電圧源と前記第４のスイッチング素子と前記第４の整流素子と前記逆バイアス電圧源と前記外部負荷とを含む閉回路によって前記順方向出力とは逆方向の電圧が前記逆バイアス電圧源から前記外部負荷に逆方向電圧として印加され、前記第４の整流素子の整流方向は前記逆方向の電圧により生ずる逆方向電流とは反対の方向であるものとすれば、いわゆる多段インバータによる高電圧電源が可能となる。
【００４１】
一方、本発明のスパッタ用電源は、上記にいずれかの電源を備え、前記順方向電力をスパッタ用電力として出力することを特徴とする。
【００４２】
また、本発明のスパッタ装置は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な真空チャンバと、上記のスパッタ用電源と、を備え、
前記スパッタ用電力を前記真空チャンバに供給することによりスパッタを実施し、
真空チャンバ内において発生する前記アーク放電を前記逆方向電圧により遮断することを特徴とする。
【００４３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００４４】
（第１の実施の形態）
まず、本発明の第１の実施の形態として、インバータの整流アーム毎に逆方向アーク防止ダイオードを設けた電源について説明する。
【００４５】
図１は、本実施形態の概念を説明するための模式図である。すなわち、同図は、本実施形態の電源のうちで、一方のインバータＩＮＶ１に対応する部分のみを表したものである。
【００４６】
インバータＩＮＶ１は、直流電源ＤＣ１、トランジスタＱ１〜４、トランスＴ１及び整流器ＤＢ１を有する。整流器ＤＢ１は、互いに並列接続された第１の整流アーム（ａｒｍ１）と第２の整流アーム（ａｒｍ２）とからなる整流ブリッジ構造を有する。そして、これら整流アームに交互に電流が流れることにより、直流電力が供給される。
【００４７】
そして、本実施形態においては、インバータの整流アーム毎に、逆方向アーク防止ダイオードを直列に設ける。すなわち、第１の整流アーム（ａｒｍ１）には、ダイオードＤ１を直列に接続し、第２の整流アーム（ａｒｍ２）には、ダイオードＤ２を直列に接続する。また、これらダイオードＤ１、Ｄ２には、それぞれ電流制限用のコンデンサＣ１、Ｃ２が適宜並列に接続される。但し、これらコンデンサの代わりに抵抗を並列接続してもよい。
【００４８】
また、図１に表した電源の場合、整流アーム毎に、順方向電力の出力を遮断するためのスイッチング素子ＩＧＢＴ１、ＩＧＢＴ２が接続されている。これらスイッチング素子ＩＧＢＴ１・２は、順方向出力時は、開状態とされ、アーク遮断動作の際には、閉状態とされる。スイッチング素子ＩＧＢＴ１・２が閉状態とされると、インバータＩＮＶ１、インダクタＬ１を含む「内部閉回路」と、チャンバを含む「外部閉回路」とが形成される。そして、逆方向アーク防止ダイオードＤ１、Ｄ２は、インバータ側の内部閉回路ではなく、逆バイアス電源及びチャンバを含む外部閉回路の側に接続され、アーク遮断時においても、チャンバを流れる逆方向電流を制限することが可能となる。
【００４９】
このように、整流アーム（ａｒｍ１、ａｒｍ２）毎に逆方向アーク防止ダイオードＤ１、Ｄ２を接続すると、それぞれのダイオードを流れる電流は、出力電流のおよそ半分となるため、電源の出力電流をダイオードＤ１、Ｄ２の許容電流値のおよそ２倍まで増加することが可能となる。つまり、図１１の電源と比較した場合、ダイオードの電流容量を増加することなく、電源の出力容量を倍増できる。
【００５０】
また、アーク遮断動作の際には、スイッチング素子ＩＧＢＴ１・２が閉状態となり、逆バイアス電源ＣＢから逆バイアスがチャンバに印加され、この閉回路においても、ダイオードＤ１、Ｄ２が逆方向アークの発生を防止する役割を果たすことができる。
【００５１】
なお、図１においては、整流アームが２本すなわち単層インバータの場合を例示したが、整流アームを３本すなわち３相インバータの場合には、それぞれの整流アームに接続された逆方向アーク防止ダイオードの通電率は、１／３に低下する。つまり、電源の出力電流を、ダイオードの許容電流の約３倍にまで増大することができる。
【００５２】
図２は、本実施形態の電源の具体例を表す模式図である。すなわち、本具体例の電源は、直流電源ＤＣ１、トランスＴ１、トランジスタＱ１〜４を共有した２つのインバータＩＮＶ１、ＩＮＶ２を有する。これらインバータの出力電流は、インダクタＬ１とＬ２とによりそれぞれ平滑化されてチャンバ１０１及びターゲット１０４に供給される。但し、本発明の電源におけるインバータの数は、２つに限定されるものではなく、３つあるいはそれ以上のインバータを設けてもよい。
【００５３】
そして、図１に例示した電源と同様に、第１のインバータＩＮＶ１の整流アーム（ａｒｍ１，　ａｒｍ２）毎に、逆方向アーク防止ダイオードが直列に接続されている。すなわち、第１の整流アーム（ａｒｍ１）には、ダイオードＤ１、Ｄ２が直列に接続され、第２の整流アーム（ａｒｍ２）には、ダイオードＤ３、Ｄ４が直列に接続されている。また、これらダイオードに対して、電流制限用コンデンサＣ１〜Ｃ４がそれぞれ並列に接続されている。但し、図１に関して前述したように、これらコンデンサＣ１〜Ｃ４の代わりに、抵抗を並列に接続してもよい。
【００５４】
また、整流アーム毎に、順方向電力の出力を遮断するためのスイッチング素子ＩＧＢＴ１１、ＩＧＢＴ１２が接続されている。これらスイッチング素子ＩＧＢＴ１１・１２は、順方向出力時は、開状態とされ、アーク遮断動作の際には、閉状態とされる。そして、逆方向アーク防止ダイオードＤ１〜Ｄ４は、スイッチング素子ＩＧＢＴ１１・１２及びチャンバと「外部閉回路」を形成して、アーク遮断時においても、チャンバを流れる逆方向電流を制限するように接続される。
【００５５】
トランスＴ１のインバータ出力は整流器ＤＢ１で整流され、その電流はインダクタＬ１で平滑される。インダクタＬ１の出力は、スイッチング素子ＩＧＢＴ１１・１２のソース端子を経由し、チャンバへ出力される。
【００５６】
また、整流器ＤＢ１の他方出力はアーム毎に独立し、一方のアーム出力はＩＧＢＴ１１のドレイン端子を経て、逆アーク防止ダイオードＤ１とＤ２を通って次段のＬ２出力へ接続される。
【００５７】
残るアーム出力はＩＧＢＴ１２のドレイン端子を経て、逆アーク防止ダイオードＤ３とＤ４を通り次段のＬ２出力へ接続される。
【００５８】
一方、トランスＴ２のインバータの出力は、整流器ＤＢ２で整流され（ＩＮＶ２）、その電流はインダクタＬ２で平滑される。
【００５９】
インダクタＬ２の出力は、スイッチング素子ＩＧＢＴ２のソース端子を経由して、逆アーク防止ダイオードＤ２、Ｄ４と接続される。
【００６０】
整流器ＤＢ２の他方出力端子は、逆バイアス用電源の整流器ＤＢ３と逆バイアス用のコンデンサＣＢの各負側端子を経由してチャンバへ出力される。
【００６１】
バイアス用電源の整流器ＤＢ３の他方出力端子は、逆バイアス用のコンデンサＣＢの正側端子を経由して、スイッチング素子ＩＧＢＴ２のドレイン端子に接続される。
【００６２】
本具体例の電源の動作について説明すると、以下の如くである。
【００６３】
まず、スパッタ時には、整流器ＤＢ１の出力電流は、インダクタＬ１で平滑されるがインバータの正逆動作毎に電流が流れる整流アーム（ａｒｍ１，ａｒｍ２）が切り替わる。この際に、２つの整流アームでは、電流値及び通電時間は、同一または殆ど同じである。２本の整流アームの電流が、それぞれ別の逆方向アーク防止ダイオードを流れるので、図１１と比較してダイオードの電流が半減する。
【００６４】
一方、アーク遮断時には、図示しないアークセンサがアーク放電を検知するとスイッチング素子ＩＧＢＴ１１・１２およびＩＧＢＴ２を所定時間閉じる。すると、インダクタＬ１の電流は、ＤＢ１の左右アームを通り、ＩＧＢＴ１１とＩＧＢＴ１２を通って内部閉回路を構成する。
【００６５】
また、インダクタＬ２の電流は、ＤＢ２を通り、コンデンサＣＢとＩＧＢＴ２を通って内部閉回路を構成する。
【００６６】
そして、チャンバへの電流が所定時間の間は、電源Ｎ端子→Ｌ１→ＤＢ１→Ｄ１・Ｄ２（またはＤ３・Ｄ４）→Ｌ２→ＤＢ２→電源Ｐ端子、という外部閉回路により流れる。
【００６７】
チャンバへの電流が無くなると、電源Ｐ端子→逆バイアスコンデンサＣＢ→ＩＧＢＴ２→逆方向アーク防止ダイオード（またはＣ１〜Ｃ４）→ＩＧＢＴ１１またはＩＧＢＴ１２→電源Ｎ端子、という外部閉回路において電流が流れる。そして、逆方向アーク防止ダイオードＤ１〜Ｄ４の逆回復時間が終了し、コンデンサＣ１〜Ｃ４が充電されると、電流は停止する。
【００６８】
この状態を保持するとアーク放電は消滅するので、所定時間が経過したらＩＧＢＴ１１・１２・２を開いて、スパッタを再開する。
【００６９】
以上説明したように、本具体例の電源においても、インバータ出力の整流アーム毎に逆方向アーク防止ダイオードを直列接続することにより、順方向電流の出力時のダイオードの電流負荷を半減し、電流容量を倍増することが可能となる。
【００７０】
さらにまた、アーク遮断動作においても、それぞれの逆方向アーク防止ダイオードを機能させて、逆方向アークの発生を確実に阻止することできる。
【００７１】
図３は、本実施形態の変型例の電源の要部を表す模式図である。同図については、図１及び図２に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００７２】
本変型例の場合、整流器ＤＢ１の各整流アーム（ａｒｍ１，ａｒｍ２）に対して、アーク遮断用のスイッチング素子ＩＧＢＴ１が共通接続されている。そして、整流器ＤＢ１から見て、その接続点の外側に、逆方向アーク防止ダイオードＤ１〜Ｄ４が直列接続されている。
【００７３】
また、このようにスイッチング素子ＩＧＢＴ１を共通接続することにより生ずる、整流アーム（ａｒｍ１，ａｒｍ２）間の電流を遮断するため、ダイオードＤ５、Ｄ６が接続されている。
【００７４】
このように、スイッチング素子ＩＧＢＴ１を各整流アームに対して共通接続すれば、スイッチング素子の数を減らしつつ、図２の電源と同様の動作をさせることができる。
【００７５】
以上、図１乃至図３を参照しつつ説明したように、本実施形態においては、インバータ出力の整流アーム毎に逆方向アーク防止ダイオードを直列接続することによって、逆方向アーク防止ダイオードを流れる電流の通電時間が間欠になり、通電率はインバータ整流器のアーム数で分割される。すなわち、単相インバータの場合は２分割、３相の場合は３分割され、ダイオードの電流負荷を低減して、電源の出力容量を増大できる。
【００７６】
換言すると、逆方向アーク防止ダイオードを流れる平均電流は、インバータの整流器を構成するダイオードの電流と同じであり、電源の電流容量を整流器の電流容量と同一のレベルまで増大できる。
【００７７】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態として、アーク放電などが生じた場合の遮断動作に際してインバータ出力を遮断する回路を設けた電源において、順方向出力を増大可能とした電源について説明する。
【００７８】
まず、本実施形態の電源について説明する前に、本発明者が本発明に至る過程で試作した電源について説明する。
【００７９】
図４は、本発明者が本発明に至る過程で試作した電源を表す模式図である。この電源が図１１に例示した電源と異なる点は、スイッチング素子Ｑ５、Ｑ６を設けて、アーク遮断動作の際に、インバータ出力を遮断する点である。すなわち、チャンバ１０１においてアーク放電が発生すると、アークセンサ（ＡＲＣｓｅｎｓ）がこれを検出し、図示しない制御回路を介して、スイッチング素子ＩＧＢＴ１・２を閉じるとともに、スイッチング素子Ｑ５・６を開ける。
【００８０】
すると、逆バイアス電源ＤＣ２からの逆バイアス電圧がチャンバに印加され、同時に、インバータＩＮＶ１・２の出力は遮断される。スイッチング素子Ｑ５・６を開けてインバータ出力を完全に遮断することにより、アーク遮断動作をより確実に行うことができる。
【００８１】
またこの際に、インダクタＬ１、Ｌ２は、それぞれ、ダイオードＤ１、Ｄ２とスイッチング素子ＩＧＢＴ１・２とにより閉回路を形成する。この閉回路によって、スパッタ状態におけるインダクタＬ１・Ｌ２の電流エネルギは、アーク遮断動作の間、保存される。このように、インダクタＬ１・２の電流エネルギを保存することにより、アーク遮断後のスパッタ電力の再投入を迅速に行うことができる。
【００８２】
さて、図４に表した電源においても、出力端に設けられたダイオードＤＡ１、ＤＡ２は、アーク遮断動作の際に、逆方向アークを防止する役割を有する。すなわち、スパッタ中にアーク放電が発生すると、スイッチング素子ＩＧＢＴ１・２を閉じて逆バイアス電源ＤＣ２から逆バイアス電圧をチャンバに印加し、スパッタ電流が遮断されると、ダイオードＤＡ１・２が逆バイアスされて、逆方向アークを防止する。
【００８３】
しかし、図４に表した電源の場合、これら逆方向アーク防止ダイオードＤＡ１・２と、ダイオードＤ１、Ｄ２とによって、順方向出力が制限されるという問題があった。
【００８４】
すなわち、インバータ整流器ＤＢ１、ＤＢ２は、複数の整流アームを交互に電流が流れるので、それぞれのダイオードの電流の通電率は、相対的に低くなる。これに対して、ダイオードＤ１・２およびＤＡ１・２の平均電流は、インバータ整流器ＤＢ１・２を構成する個々のダイオードの平均電流と比べ過大である。
【００８５】
電源の順方向出力の電流容量を、インバータ整流器ＤＢ１・２を構成する個々のダイオードの最大電流値まで大きくしようとしても、ダイオードＤ１・２、ＤＡ１・２の電流容量に制限されてしまう。
【００８６】
例えば、インバータの最大出力電圧が１５００ボルトの電源で、電源出力を３００ボルト２アンペアの条件で運転してアーク放電が無いとき、インバータはデューティ　３００÷１５００＝２０％で運転している。この時、各ダイオード素子の平均電流は、以下の如くである。
ＤＢ１・２　：２Ａ×２０％÷２＝０．２Ａ
Ｄ１・２　　：２Ａ×（１００％−２０％）＝１．６Ａ
ＤＡ１・２　：２Ａ×１００％＝２Ａ
つまり、インバータ整流器ＤＢ１・２を構成する各ダイオードに比べて、ダイオードＤ１・２、ＤＡ１・２を流れる電流は、一桁も大きい。
【００８７】
また、デューティ５０％でアーク遮断する場合の素子電流平均値は、それぞれＤＢ１・２＝０．１アンペア、Ｄ１・２＝１．８アンペア、ＤＡ１・２＝１アンペアであり、やはり一桁以上も大きくなる。
【００８８】
このように、ダイオードＤ１・２、ＤＡ１・２の電流容量によって電源の最大電流が制限されてしまう。
【００８９】
また、図１１に関して前述したように、ダイオードを並列接続しても完全な熱平衡は採れないので、いずれか一方の素子に電流が集中して電流容量は増えない。
【００９０】
一方、アーク遮断の際には、できるだけ高い逆方向電圧を印加したほうが、迅速にアークを遮断できるが、このための電源として、逆バイアス電圧源ＤＣ２しかないことも改善の余地がある。
【００９１】
本発明者は、かかる課題の認識に基づいて本実施形態の電源を発明をするに至った。
【００９２】
図５は、本実施形態にかかる電源の要部構成を表す模式図である。
【００９３】
同図に表したように、本実施形態においては、インバータ出力の整流器ＤＢ１と、アーク時にインバータ出力をインダクタから分離するスイッチング素子Ｑ５との直列接続に対して、逆方向アーク防止ダイオードＤＡ１を並列に設けることにより、電流迂回路ＤＴが形成されている。
【００９４】
また、この逆方向アーク防止ダイオードＤＡ１は、アーク遮断時に形成されるインダクタ電流の閉回路（Ｌ１・Ｄ１・ＩＧＢＴ１）の外側に設けられている。
【００９５】
そして、逆方向アーク防止ダイオードＤＡ１と直列に電圧降下素子Ｒ１を設ける。こうすることにより、順方向電力を出力してスパッタを行っている状態で、インバータが電圧出力せずインダクタＬ１の電流が電流迂回路ＤＴを流れた時の電流を調節することができる。すなわち、電圧降下素子Ｒ１のインピーダンスを調整することにより、電流迂回路ＤＴにおける電圧降下が、整流器ＤＢ１とスイッチング素子Ｑ５の電圧降下よりも大きくなるように設定する。このようにすれば、順方向出力時に、電流迂回路ＤＴを流れる電流を制限することができる。つまり、ダイオードＤ１、ＤＡを流れる電流を制限することができる。
【００９６】
その結果として、電源の順方向電流の最大値を、ダイオードＤ１、ＤＡ１の許容値よりも大幅に増大することが可能となる。
【００９７】
本実施形態の電源の動作について具体例を挙げて説明すると以下の如くである。　例えば、インバータの最大出力電圧が１５００ボルトの電源を想定する。この場合、順方向出力が３００ボルト２アンペアの条件でスパッタしている時には、インバータと直列なスイッチング素子Ｑ５は、例えば０．５オーム（Ω）のオン（ＯＮ：閉状態）抵抗で動作し、インダクタと並列なスイッチング素子ＩＧＢＴ１はオフ（ＯＦＦ：開状態）する。
【００９８】
そして、インバータのトランス出力電圧が有る時は、インバータ出力を整流するＤＢ１・２の出力電流は、インダクタＬ１・２で平滑されてチャンバへ出力される。この時、ダイオードＤ１及び電流迂回路ＤＴ（ＤＡ１、Ｒ１）はトランス出力電圧が逆方向にかかり、その電圧の殆どはＤ１に対して逆方向にかかるので電流は流れない。
【００９９】
一方、インバータのトランスで出力電圧が無い時は、整流器ＤＢ１とスイッチング素子Ｑ５の電圧降下は　例えば、
１．３Ｖ×２＋２Ａ×０．５Ω＝３．６Ｖ
である。これと、ダイオード２個（Ｄ１、ＤＡ１）と電圧降下素子Ｒ１（５０Ωとする）とで電流を分割すると、電流迂回路ＤＴを流れる電流は、
（３．６Ｖ−２×１．３Ｖ）÷５０Ω＝０．０２Ａ
になる。
【０１００】
コンデンサＣ１がダイオードの逆方向に充電されている間は、インダクタＬ１からＤ１、Ｃ１、Ｒ１の経路を電流が流れるが、この電流でＣ１を放電してＤＡ１の順方向電圧と同じになったところでコンデンサ電流は無くなる。
【０１０１】
以上説明した条件から、順方向出力が３００ボルト２アンペアの条件でスパッタしている時には、整流器ＤＢ１・２の各ダイオード素子を流れる電流は平均で約１アンペアであり、ダイオードＤ１及びＤＡ１を流れる平均電流は０．０１６アンペアとなる。つまり、ダイオードＤ１、ＤＡ１を流れる電流成分を大幅に低減することができる。その結果として、電源の順方向出力を、整流器ＤＢ１・２の各ダイオード素子の電流許容範囲の上限まで増大することが可能となる。
【０１０２】
次に、図５の電源のアーク遮断動作について説明する。
【０１０３】
アークセンサ（ＡＲＣｓｅｎｓ）がアーク放電を検知すると、所定の時間、インバータと直列なスイッチング素子Ｑ５・６をオフ（ＯＦＦ）してインバータ電流は遮断される。また、インダクタＬ１・２と並列なスイッチング素子ＩＧＢＴ１・２をオン（ＯＮ）することにより、インダクタ電流はそれぞれの短絡回路（Ｌ１・２、Ｄ１・２、ＩＧＢＴ１・２）で保存される。
【０１０４】
逆方向バイアス電源ＤＣ２の電圧を１００ボルトとした場合、この電圧がスイッチング素子ＩＧＢＴ２と逆方向アーク防止回路とスイッチング素子ＩＧＢＴ１を通ってチャンバへ出力される。しかしこの時、電源とチャンバ間のケーブル１２０Ａ、１２０Ｂを流れていた電流は、ケーブルが有する寄生インダクタンス成分によって上記と逆なルートを流れる。この電流が電流迂回路ＤＴの電圧降下素子Ｒ１を流れるとき、最大で２Ａ×５０Ω＝１００Ｖの電圧降下を生じて逆方向バイアス電圧の出力が２００Ｖに上昇する。
【０１０５】
つまり、逆方向バイアス電源ＤＣ２の電源電圧であるＤＣ１００Ｖよりも高い逆方向バイアス電圧を印加するこことができる。その結果として、電源ＤＣ２のみから逆バイアス電圧を出力する場合よりも短時間でアーク放電を遮断することができる。
【０１０６】
なおこの場合、ケーブル１２０Ａ・Ｂからの電流値によっては、Ｒ１における電圧が過大となり、回路素子（例えば、スイッチング素子Ｑ５など）に負担をかける場合もあり得る。これに対しては、Ｒ１の抵抗値を調節して電圧の上限を調節したり、また、ツェナー・ダイオードＺＤなどの電圧緩和素子を接続することにより、回路素子を保護することができる。ここで、ツェナー・ダイオードＺＤの代わりにバリスタなどの各種の電圧緩和素子を用いることもできる。
【０１０７】
さて、順方向スパッタ電流が停止すると、コンデンサＣ１がダイオードＤＡ１の逆方向に充電されて逆方向電流が停止する。
【０１０８】
このようにしてアーク放電を遮断した後、所定時間が経過すると、インバータと直列なスイッチング素子Ｑ５・６をオン（ＯＮ）し、インダクタＬ１・２と並列なスイッチング素子ＩＧＢＴ１・２をオフ（ＯＦＦ）すると、チャンバへの順方向出力電流の供給が復旧し、スパッタが再開される。
【０１０９】
以上説明したアーク遮断動作において、電源運転時間の５０パーセントでアーク遮断した場合の各ダイオードの平均電流は、以下の如くとなる。すなわち、整流器ＤＢ１・２の各ダイオード素子を流れる電流は０．５アンペアであり、ダイオードＤ１を流れる電流は１アンペア、逆方向アーク防止ダイオードＤＡ１を流れる電流は０．１アンペアＡ程度である。
【０１１０】
つまり、アーク遮断動作の際にも、ダイオードＤ１、ＤＡ１を流れる電流を、整流器ＤＢ１・２の各ダイオード素子の電流よりも大幅に低下させることができる。つまり、電源の動作範囲が、ダイオードＤ１、ＤＡ１の許容範囲に制限されるという問題がなくなる。
【０１１１】
また、上述の如く、本実施形態においては、アーク遮断動作の際に、ケーブル１２０Ａ・Ｂの寄生インダクタンスによる電流を利用して、電流迂回路ＤＴの電圧降下素子Ｒ１において電圧降下を生じさせ、この電圧を逆バイアス電圧として加算することができる。その結果として、逆バイアス電圧源ＤＣ２のみから逆バイアス電圧を出力する場合よりも、より短時間で迅速にアーク放電を遮断することができる。
【０１１２】
なお、本実施形態においては、複数のインバータを直列に設けた、いわゆる「多段インバータ構造」の電源とした場合に、それぞれのインバータについて上述のような電流迂回路を設けることができる。例えば、図５に例示した電源について、第１のインバータ出力ＩＮＶ１と第２のインバータ出力ＩＮＶ２との間に、ひとつあるいは２つ以上のインバータ出力を直列に追加することができる。この場合、これらの追加されたインバータ出力のそれぞれについて、本実施形態の電流迂回路を設けることにより、上述した作用効果を同様に得ることができる。
【０１１３】
図６は、本実施形態にかかる電源の変型例を表す模式図である。同図については、図５に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１１４】
本変形例においては、電流迂回路ＤＴの電圧降下素子Ｒ１に対して、コンデンサＣ２が並列に接続されている。このコンデンサは、アーク遮断動作の際に、ケーブル１２０Ａ・Ｂの寄生インダクタンスによる電流が流れた場合に、電圧降下素子Ｒ１において過大電圧を吸収する役割を有する。
【０１１５】
また、本変型例におけるコンデンサＣ１とＣ２とは、図７に例示した如く、ひとつのコンデンサＣ１としてまとめて設けることも可能である。
【０１１６】
図８は、本実施形態にかかる電源のもうひとつの変型例を表す模式図である。同図についても、図５乃至図７に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１１７】
本変形例においては、電流迂回路ＤＴの電圧降下素子Ｒ１の代わりに、第２のダイオードＤＡ２が設けられている。これは、アーク遮断動作の際に、逆方向アークの抑止をさらに確実にするために有効な構成である。
【０１１８】
また、この場合には、ダイオードＤ１、ＤＡ１、ＤＡ２の順方向抵抗成分を適宜調節することにより、順方向出力時にこれらダイオードを流れる電流成分を適宜低下させて、電源の出力範囲を増大することができる。
【０１１９】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【０１２０】
例えば、図２乃至図８においては、２つのインバータを設けた電源を例示したが、本発明はこれに限定されない。すなわち、本発明は、３つあるいはそれ以上のインバータを設けた、いわゆる「多段インバータ構成」の電源についても本発明の第１あるいは第２実施形態を同様に適用して同様の作用効果を得ることができる。
【０１２１】
また、上述した具体例に関しては、スパッタ用電源を例に挙げて説明したが、本発明の電源はスパッタ用に限定されるものではなく、マグネトロンの発振用電源としても同様に用いて同様の作用効果が得られる。すなわち、マグネトロンに順方向電力を供給して発振動作を生じさせ、何らかの原因により、突発的な短絡電流が生じた場合にも、逆バイアス電圧源から逆電圧を印加して、短絡電流を迅速に遮断することができる。
【０１２２】
図９は、本発明の電源をマグネトロンの発振に用いた構成を例示する概念図である。本発明の第１及び第２の実施の形態として前述した電源は、マグネトロン２００を駆動する電源としても用いることができる。
【０１２３】
すなわち、図９は、マグネトロンを用いたマイクロ波発生システムを表す。本発明の電源１１０は、所定の直流高電圧をマグネトロン２００に印加して発振させる。マグネトロン２００の発振により生じたマイクロ波電力は、導波管を伝送路としてアイソレータ３１０、マイクロ波センサ３２０、マイクロ波整合器３４０を介して、負荷５００に供給される。また、センサ３２０からはフィードバック信号ＦＳが、電源１１０のインバータに与えられ、マイクロ波の出力電力の制御が行われる。
【０１２４】
このようなシステムの場合にも、本発明の第１あるいは第２実施形態にかかる電源を用いることにより、順方向電力を増大することができ、高出力のシステムを実現できる。またさらに、本発明の第２実施形態によれば、マグネトロン２００において突発的な短絡的電流が生じた場合にも、より迅速に電流を遮断することができる。
【０１２５】
また一方、本発明の電源、スパッタ用電源及びスパッタ装置における各部の構成、構造、数、配置、形状、材質などに関しては、上記具体例に限定されず、当業者が適宜選択採用したものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に包含される。
【０１２６】
より具体的には、例えば、スイッチング回路としてＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ　Ｇａｔｅ　Ｂｉｐｏｌａｒ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の記号により例示したものや、抵抗素子、あるいは保護用素子としてツェナー・ダイオードの記号により例示したものなどは、これら特定の電気素子には限定されず、同様の機能または作用を有する単一の電気素子あるいは複数の電気素子を含む電気回路として構成することができ、これらすべての変形は、本発明の範囲に包含される。
【０１２７】
また、同様に、インバータやコンパレータ、論理回路、保護回路などの具体的な構成や、ダイオード、抵抗、トランジスタをはじめとする各回路素子の数や配置関係などについても、当業者が適宜設計変更したものは本発明の範囲に包含される。
【０１２８】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての電源、スパッタ用電源及びスパッタ装置は本発明の範囲に包含される。
【０１２９】
【発明の効果】
本発明は、以上説明した形態で実施され、以下に説明する効果を奏する。
【０１３０】
まず、本発明の第１実施形態によれば、逆方向アーク防止ダイオードの電流は通電時間が間欠になり、通電率はインバータ整流器のアーム数で分割される。例えば、単相の場合は２分割、３相の場合は３分割の如くである。このダイオードの平均電流はインバータの整流ダイオードと同じであるので、整流器を構成するダイオードの電流容量まで出力電流を増大できる。
【０１３１】
また、本発明の第２実施形態によれば、インダクタ電流を短絡するダイオードの電流を低下させ、また、電流迂回路に設けた逆方向アーク防止ダイオードの電流も低下させることができる。また、整流器を構成するダイオードの電流は、電源の出力電流を相数で分割される。その結果として、特定のダイオードに対する電流の集中度を軽減することができ、同じ電流容量のダイオードで回路を構成しても、電源の出力電流を増大することができる。
【０１３２】
またさらに、第２実施形態においては、アーク放電が発生し、チャンバへの電流供給を遮断する特、電源の出力電圧が逆バイアス電源より大きくなるので、より短時間に遮断できる。
【０１３３】
以上説明したように、本発明によれば、ダイオードなどの回路素子を大幅に変更することなく出力を増大した電源、スパッタ電源及びスパッタ装置を提供することができ、産業上のメリットは多大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の概念を説明するための模式図である。
【図２】第１実施形態の電源の具体例を表す模式図である。
【図３】第１実施形態の変型例の電源の要部を表す模式図である。
【図４】本発明者が本発明に至る過程で試作した電源を表す模式図である。
【図５】本発明の第２実施形態にかかる電源の要部構成を表す模式図である。
【図６】第２実施形態にかかる電源の変型例を表す模式図である。
【図７】図６の電流迂回路において、ひとつのコンデンサＣ１としてまとめて設けた電源を表す模式図である。
【図８】第２実施形態にかかる電源のもうひとつの変型例を表す模式図である。
【図９】本発明の電源をマグネトロンの発振に用いた構成を例示する概念図である。
【図１０】ＤＣ（ｄｉｒｅｃｔ　ｃｕｒｒｅｎｔ）スパッタ装置の要部構成を表す模式図である。
【図１１】本発明者が本発明に至る過程で試作したスパッタ用電源を表す模式図である。
【符号の説明】
１００　基板
１０１　真空チャンバ
１０４　ターゲット
１０６　真空排気ポンプ
１０７　ガス供給源
１０８　グロー放電
１１０　電源（スパッタ用電源、マグネトロン用電源）
１２０Ａ、１２０Ｂ　ケーブル
１５０　アーク放電
２００　マグネトロン
３１０　アイソレータ
３２０　センサ
３２０　マイクロ波センサ
３４０　マイクロ波整合器
５００　負荷
Ｃ１〜Ｃ４　コンデンサ
ＣＢ　逆バイアス電圧源
Ｄ１〜Ｄ５　ダイオード
ＤＡ１、ＤＡ２　逆方向アーク防止ダイオード
ＤＢ１、ＤＢ２　整流器
ＤＣ　直流電源
ＤＣ１　直流電源
ＤＣ２　逆バイアス電圧源
ＤＴ　電流迂回路
ＩＧＢＴ１、２、１１、１２　スイッチング素子
ＩＮＶ１、ＩＮＶ２　インバータ
Ｌ１、Ｌ２　インダクタ
Ｑ１〜Ｑ４　トランジスタ
Ｑ５、Ｑ６　スイッチング素子
Ｒ１　電圧降下素子
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３　トランス
ＺＤ　ツェナー・ダイオード
【図１】
2004043891.tif 000003
【図２】
2004043891.tif 000004
【図３】
2004043891.tif 000005
【図４】
2004043891.tif 000006
【図５】
2004043891.tif 000007
【図６】
2004043891.tif 000008
【図７】
2004043891.tif 000009
【図８】
2004043891.tif 000010
【図９】
2004043891.tif 000011
【図１０】
2004043891.tif 000012
【図１１】
2004043891.tif 000013