(57)【要約】【課題】ワークの厚さにかかわらず適切なエッチング処理を行うことができ、多様なワークのエッチング処理に好適に使用することができるプラズマ発生装置を提供する。【解決手段】ワーク１６の処理面に対向する一方側にカソード電極６２とアノード電極６４とを配置し、カソード電極６２とアノード電極６４との間でプラズマを発生してワークをエッチング可能に設けたプラズマ発生装置であって、前記カソード電極６２が前記ワーク１６の処理面に端面を向けて配置され、前記アノード電極６４が、前記カソード電極６２の外縁に沿って配置された電気的な絶縁体６６を挟んで、前記ワークの処理面に端面を向けて配置され、前記カソード電極６２とアノード電極６６との間に高周波電圧を印加する高周波電源６８が設けられている。【選択図】          図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークの処理面に対向する一方側にカソード電極とアノード電極とを配置し、カソード電極とアノード電極との間でプラズマを発生してワークをエッチング可能に設けたプラズマ発生装置であって、
前記カソード電極が前記ワークの処理面に端面を向けて配置され、
前記アノード電極が、前記カソード電極の外縁に沿って配置された電気的な絶縁体を挟んで、前記ワークの処理面に端面を向けて配置され、
前記カソード電極とアノード電極との間に高周波電圧を印加する高周波電源が設けられていることを特徴とするプラズマ発生装置。
【請求項２】
前記カソード電極の端面が平面形状で長方形に形成され、前記絶縁体および前記アノード電極が、前記カソード電極の周囲を囲む配置に設けられていることを特徴とする請求項１記載のプラズマ発生装置。
【請求項３】
エッチング処理を行うチェンバー内に反応ガスを供給するガス供給部が付設されていることを特徴とする請求項１または２記載のプラズマ発生装置。
【請求項４】
ガス供給部が、カソード電極の端面に開口して設けられたガスの吐出口に連通して設けられていることを特徴とする請求項３記載のプラズマ発生装置。
【請求項５】
請求項１、２、３または４記載のプラズマ発生装置が設置されたプラズマエッチング装置であって、
ワークを供給するローダーチェンバーと、ワークをエッチング処理する処理チェンバーと、処理後のワークを収納するアンローダーチェンバーとがこの順に連通して、直列に配置されるとともに、前記処理チェンバー内でワークを搬送する搬送機構が設けられ、
前記プラズマエッチング装置は、前記処理チェンバーの前記搬送機構により搬送されるワークに対向する一方側に配置されるとともに、前記搬送機構によって搬送されるワークの処理面の全面が、ワークの搬送動作によってスキャンされる配置に設けられていることを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項６】
前記プラズマ発生装置が、前記搬送機構によって搬送されるワークの搬送方向と同方向に、前記処理チェンバーに複数配置されていることを特徴とする請求項５記載のプラズマエッチング装置。
【請求項７】
前記プラズマ発生装置には、カソード電極とアノード電極との間に高周波電圧を印加する高周波電源と、反応ガスを供給するためのガス供給部とが、プラズマ発生装置ごとに個別に設けられていることを特徴とする請求項６記載のプラズマエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプ樹脂配線基板、フレキシブル基板、液晶基板等のエッチングに使用するプラズマ発生装置およびプラズマエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマエッチング装置はプリント配線基板、液晶基板、半導体ウエハ等のエッチング等の処理に広く使用されている。図６は、従来使用されているプラズマエッチング装置の基本的な構成を示す。同図で１０が反応ガスが導入されるチェンバーであり、カソード（上部電極）１２とアノード（下部電極）１４とが互いに平行に所定距離離間してチェンバー１０内に配置されている。
【０００３】
エッチングの対象品であるプリント配線基板等のワーク１６はアノード１４上に配置され、高周波電源１８によりカソード１２とアノード１４との間に高周波電圧が印加されることによって、カソード１２とアノード１４との間にプラズマが発生し所要のエッチング等の処理がなされる。なお、チェンバー１０にはチェンバー１０を真空に吸引する真空ポンプ、およびチェンバー１０内に反応ガスを供給するガス供給部が接続されている。
【０００４】
ワーク１６をチェンバー１０内にセットして処理する形態としては、ワークを１枚ずつチェンバーに搬入・搬出してバッチ処理する方法、多段にワークを収納したカセットから順次ワークをチェンバー内に搬入し、処理後、ワークを収納用のカセットに順次収納するというワークの搬入・搬出を自動化した方法（たとえば、特許文献１参照）、長尺状のままワークを処理室間で搬送してインラインによってワークを処理する方法（たとえば、特許文献２参照）等がある。
【０００５】
【特許文献１】
特開平８−３７２２０号公報
【特許文献２】
特開２００１−２６７２５６号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図６に示す従来のプラズマエッチング装置では、カソード１２とアノード１４とを対向させて配置し、アノード１４にワークをセットしてエッチングする配置となっているために、プラズマを安定的に発生させることが困難になる場合があるという問題がある。プラズマエッチングではワーク１６に確実にプラズマを作用させる必要があるのであるが、ワーク１６がプリント基板等の絶縁体である場合は、ワーク１６の厚さが１ｍｍ程度のものであればさほど問題ではないが、ワーク１６の厚さが１０ｍｍ程度にもなると、僅かな隙間があったような場合や、弱い個所にプラズマが集中するようになり、プラズマが安定的にワーク１６に作用しないために、高周波電源のパワーを増大させるといったことが必要になってくる。
【０００７】
また、常温プロセスによってワークにプラズマを作用させてエッチング作用を生じさせるためには、一定以上の密度（閾値）でプラズマを発生させる必要があり、プラズマ密度が低いと所要のエッチング作用が生じない。たとえば、ワークが４０ｃｍ×５０ｃｍの大きさで、高周波電源として２ｋＷのパワーを加えたとすると、ワークの単位面積あたりには１（Ｗ／ｃｍ２）のパワーとなる。このとき、ワークをエッチングするに十分なプラズマが発生しないとすると、高周波電源のパワーを増大させ、たとえばワークの単位面積あたりに１０（Ｗ／ｃｍ２）といったパワーを加えるようにするが、このように単にパワーを増大させる方法では、ワーク自体が高温に加熱され、ワークが損傷してしまうという別の問題が生じる。
【０００８】
このように、従来のプラズマエッチング装置では、ワークの厚さが異なる製品を処理するような場合に安定してプラズマを発生させることが困難であったり、高周波電源のパワーによってはワークを損傷させてしまうという問題があり、多様な製品のプラズマエッチングに汎用的に使用することが難しいという問題があった。なお、最近のプリント基板では、多層に積層した製品が提供されるようになってきており、製品の厚さが厚くなるとともに、多様な製品が提供されるようになってきていることから、より汎用的に使用でき、かつ確実なエッチング処理ができるプラズマエッチング装置が求められている。
【０００９】
また、従来のプラズマエッチング装置では、アノード１４にワーク１６をセットして高周波電圧を印加するから、ワーク１６を処理する際には、そのつどアノード１４にワーク１６をセットし、アノード１４からワーク１６を搬出する操作が必要となる。したがって、バッチ方式によって処理する場合も、インライン方式によって処理する場合もワークの搬送機構の構成が複雑になるという課題もあった。
【００１０】
そこで、本発明はこれらの課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、厚さが異なる異種ワークを取り扱う場合であっても、ワークに合わせて適切なエッチング等の処理を行うことができ、また、ワークの搬送操作が容易にできることからワークの搬送機構の構成を簡素化することができ、ワークのプラズマエッチング処理を容易に行うことができるプラズマ発生装置およびプラズマエッチング装置を提供するにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は次の構成を備える。
すなわち、ワークの処理面に対向する一方側にカソード電極とアノード電極とを配置し、カソード電極とアノード電極との間でプラズマを発生してワークをエッチング可能に設けたプラズマ発生装置であって、前記カソード電極が前記ワークの処理面に端面を向けて配置され、前記アノード電極が、前記カソード電極の外縁に沿って配置された電気的な絶縁体を挟んで、前記ワークの処理面に端面を向けて配置され、前記カソード電極とアノード電極との間に高周波電圧を印加する高周波電源が設けられていることを特徴とする。
また、前記カソード電極の端面が平面形状で長方形に形成され、前記絶縁体および前記アノード電極が、前記カソード電極の周囲を囲む配置に設けられていることを特徴とする。
また、前記エッチング処理を行うチェンバー内に反応ガスを供給するガス供給部が付設されていることを特徴とする。
また、前記ガス供給部が、カソード電極の端面に開口して設けられたガスの吐出口に連通して設けられていることを特徴とする。
【００１２】
前記プラズマ発生装置が設置されたプラズマエッチング装置であって、ワークを供給するローダーチェンバーと、ワークをエッチング処理する処理チェンバーと、処理後のワークを収納するアンローダーチェンバーとがこの順に連通して、直列に配置されるとともに、前記処理チェンバー内でワークを搬送する搬送機構が設けられ、前記プラズマエッチング装置は、前記処理チェンバーの前記搬送機構により搬送されるワークに対向する一方側に配置されるとともに、前記搬送機構によって搬送されるワークの処理面の全面が、ワークの搬送動作によってスキャンされる配置に設けられていることを特徴とする。
また、前記プラズマ発生装置が、前記搬送機構によって搬送されるワークの搬送方向と同方向に、前記処理チェンバーに複数配置されていることを特徴とする。
また、前記プラズマ発生装置には、カソード電極とアノード電極との間に高周波電圧を印加する高周波電源と、反応ガスを供給するためのガス供給部とが、プラズマ発生装置ごとに個別に設けられていることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明に係るプラズマエッチング装置の全体構成を示す説明図である。同図で２０がローダーチェンバー、３０がアンローダーチェンバー、４０が処理チェンバーである。ローダーチェンバー２０はワーク１６を多段に配置した状態で収納し、ワーク１６を順次、処理チェンバー４０に供給するためのものである。処理チェンバー４０はローダーチェンバー２０から送出されたワーク１６に所要のプラズマエッチング処理をなすためのものである。アンローダーチェンバー３０は処理チェンバー４０で所要の処理がなされたワーク１６を、順次、多段に配置して収納するためのものである。
【００１４】
本実施形態においては、ローダーチェンバー２０と処理チェンバー４０とアンローダーチェンバー３０を一連の連通するチェンバーとして設け、チェンバーに接続した真空ポンプ４２によってチェンバー内の全体が真空排気されるように形成されている。
【００１５】
図２に、ローダーチェンバー２０とアンローダーチェンバー３０と処理チェンバー４０の平面配置を示す。図のように、ローダーチェンバー２０と処理チェンバー４０とアンローダーチェンバー３０とは、この順に直線的に配置されている。このようにローダーチェンバー２０と処理チェンバー４０とアンローダーチェンバー３０とを直列に配置することにより、ワーク１６をローダーチェンバー２０からアンローダーチェンバー３０に向けて直線的に搬送する操作を行うことによって所要のプラズマエッチング処理を施すことが可能となる。
【００１６】
図１において、５０ａ、５０ｂ、５０ｃは、連通して設けられたチェンバー内でワーク１６を搬送するための搬送機構である。本実施形態ではローダーチェンバー２０と処理チェンバー４０とアンローダーチェンバー３０の各々に個別に搬送機構５０ａ、５０ｂ、５０ｃとしてベルトコンベアを配置している。搬送機構５０ａはワーク１６を搬送機構５０ｂに供給するためのもの、搬送機構５０ｂは処理チェンバー４０内でワーク１６を所定速度で搬送するためのもの、搬送機構５０ｃは処理チェンバー４０からアンローダーチェンバー３０にワーク１６を搬出するためのものである。
もちろん、本実施形態のようにチェンバーごとに搬送機構を別個に設けずに、各チェンバーに一連に搬送機構を設置してワークを搬送するように構成することも可能である。
【００１７】
なお、ワークの搬送機構としては、ベルトコンベアに限らず種々の搬送装置を利用することができる。ワークの搬送方法としては、たとえば、所定間隔で送りローラを配置し、送りローラを回転駆動することによってワークを順送りする方法、きわめて大判のワークを使用するような場合にはワークを送り用のキャリアフレームに支持し、キャリアフレームとともにワークを搬送する方法、裁断されたフレキシブル基板からなるワークのように可撓性のあるワークの場合は搬送用の基板に粘着テープにより粘着して搬送する方法、長尺体のフレキシブル基板等の可撓性を有する長尺ワークの場合は、ロール状に巻回したワークをローダーチェンバー２０内にセットし、アンローダーチェンバー３０内に配置した巻取りローラによりワークを順次巻き取るようにして搬送する方法等を利用することができる。
【００１８】
本実施形態では、ローダーチェンバー２０内にワーク１６を多段に積み重ねるようにして収納し、エレベータ２２によりワーク１６を昇降移動させて、ワーク１６を搬送機構５０ａに移載するようにしている。また、アンローダーチェンバー３０においても、搬送機構５０ｂから搬出されてくるワーク１６をエレベータ３２に移載して、アンローダーチェンバー３０内で順次ワーク１６を多段に収納している。エレベータ２２、３２を用いてワーク１６を移載する機構は従来公知の方法によるものである。
ローダーチェンバー２０には開閉扉２４からワーク１６が供給され、処理後のワーク１６はアンローダーチェンバー３０に設けられた開閉扉３４から取り出される。開閉扉２４、３４はローダーチェンバー２０とアンローダーチェンバー３０にエアシール可能に取り付けられている。
【００１９】
本実施形態のプラズマエッチング装置において、もっとも特徴的な構成は、処理チェンバー４０に設置したプラズマ発生装置の構成にある。図１において、６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ、６０ｅは、処理チェンバー４０に設置したプラズマ発生装置である。これらのプラズマ発生装置６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ、６０ｅは処理チェンバー４０の長手方向（ワーク１６の搬送方向）に所定間隔をあけて複数個配置され、処理チェンバー４０内を搬送されるワーク１６に対向する一方のチェンバー面側（天井面側）に配置されている。
【００２０】
従来のプラズマエッチング装置におけるプラズマ発生装置は、カソードとアノードとを対向配置してワークにエッチング処理を施す構成となっているのに対して、本実施形態のプラズマエッチング装置におけるプラズマ発生装置は、カソードとアノードをワークの処理面に対向する同一面側に配置してエッチングを施すことができるようにしたことが特徴的である。
【００２１】
図３に、本実施形態のプラズマエッチング装置で使用されるプラズマ発生装置６０の構成を示す。同図で６２がカソード電極、６４がアノード電極であり、６６がカソード電極６２とアノード電極６４とを電気的に絶縁して設けた絶縁体である。カソード電極６２とアノード電極６４との中間に絶縁体６６を配置したことにより、カソード電極６２とアノード電極６４とは絶縁体６６の厚さ分（ギャップ）だけ空間的に離間する。カソード電極６２とアノード電極６４の端面は平坦状に形成され、チェンバー４０内に配置されるワーク１６の処理面に端面を対向させるようにして配置される。
【００２２】
図４に、プラズマ発生装置６０の電極部分の平面配置を示す。図のように、本実施形態のプラズマ発生装置６０は長方形の平板状に形成されたカソード電極６２の周囲を絶縁体６６を介してアノード電極６４が囲む配置に設けられている。図４（ａ）はカソード電極６２を細幅の長方形状に形成した例、図４（ｂ）はカソード電極６２の幅寸法をやや幅広に形成し、絶縁体６６の厚さ（ギャップ）も広く設定した例である。なお、プラズマ発生装置の形態としては、カソード電極をアノード電極で包囲する形態の他に、カソード電極の対向辺に絶縁体を挟んでアノード電極を配置する形態も可能である。
【００２３】
図３に示すように、カソード電極６２には高周波電源６８が接続され、接地電位に設定されているアノード電極６４との間に高周波電圧が印加される。これによって、プラズマは絶縁体６６を厚さ方向に挟んでカソード電極６２の端面（下面）からアノード電極６４の端面（下面）に向けて発生する。同図で円弧状の矢印がプラズマが発生する様子を説明的に示している。すなわち、本実施形態のプラズマ発生装置は、カソード電極６２の長辺方向に沿った線状（リニア状）にプラズマを発生させる。したがって、プラズマが発生している領域を横切るようにワーク１６を移動させることによってワーク１６をエッチングすることができる。
【００２４】
本プラズマ発生装置によって発生するプラズマ発生領域およびプラズマの発生密度は、カソード電極６２の端面部分の幅寸法、絶縁体６６の厚さ（ギャップ）によって変動する。たとえば、カソード電極６２の幅寸法が１０ｍｍ、絶縁体６６の厚さが１０ｍｍとすると、プラズマは電極の端面から１０ｍｍ程度離間する範囲内で発生するから、ワーク１６をプラズマ発生装置の電極端面から２〜１０ｍｍ程度離間させた高さ位置を保って電極に平行に搬送することによってエッチングすることができる。
なお、高周波電源６８は高周波発生装置、共振回路等の従来公知の所要の回路構成を備えているものである。
【００２５】
このように、プラズマ発生領域を横切るようにワーク１６を移動させてエッチングする方法によれば、ワーク１６の厚さが変動した場合でも、ワーク１６の移動高さ位置（ワーク１６の被処理面の高さ位置）を調節するだけでワーク１６をエッチングすることができる。ワーク１６の厚さが異なる場合に、従来装置では、カソード電極とアノード電極との間でプラズマを安定させて発生させることが困難であるという問題があったのに対して、本プラズマ発生装置の場合はワーク１６に関わりなくプラズマを発生させることができるから、プラズマが安定して発生し、電極配置、高周波電源等を適当に設計することにより所要のプラズマ密度を得ることができるという利点がある。
【００２６】
前述したように、本プラズマ発生装置では、プラズマは線状に発生するから、基板等のワークをエッチングする際には、プラズマ発生装置に対してワークの全面がスキャンされるようにワークを移動させてエッチングする。
図４に示したように、カソード電極６２を細長い長方形状に形成しているのは、基板等のワークを移動させた際に、ワークの全面をスキャンすることができるようにカソード電極６２の長さ寸法を設定したためである。
【００２７】
なお、処理チェンバー４０には、処理チェンバー４０の内部を真空にした後、反応ガスを導入してプラズマを発生させる。図３に示すプラズマ発生装置において、７０は反応ガスのガス供給部であり、７２はカソード電極６２の端面で開口するように設けた反応ガスの吐出口である。カソード電極６２の吐出口７２と反応ガスのガス供給部７０とは、カソード電極６２の内部に設けた流路７４および配管を介して連通し、ガス供給部７０から所要のガスが処理チェンバー４０に供給されるように設けられている。
【００２８】
プラズマ発生装置のカソード電極６２にガスの吐出口７２を設けてカソード電極６２から反応ガスを供給するように構成しているのは、ワークをエッチング処理する際の処理内容に応じて、プラズマ装置ごとに適宜反応ガスを選択して処理できるようにするためである。
たとえば、プリント基板の処理工程で感光性レジストのデスミア処理を施す際等においては、反応ガスとして酸素ガス、窒素ガス、ＣＦ４ガス等の混合ガスが用いられる。
【００２９】
図１、２に示すプラズマエッチング装置は、上述したプラズマ発生装置６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ、６０ｅを所定間隔をあけて処理チェンバー４０に取り付けて構成したものである。図１は、個々のプラズマ発生装置６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ、６０ｅに個別に高周波電源６８ａ、６８ｂ、６８ｃ、６８ｄ、６８ｅを配置し、個別に高周波電圧を印加して制御できるようにしたことを示す。図２は、プラズマ発生装置６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ、６０ｅを、その長手方向の向きを処理チェンバー４０内でのワーク１６の搬送方向と直交する向きとなるように配置し、プラズマ発生装置６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ、６０ｅに個別にガス供給部７０ａ、７０ｂ、７０ｃ、７０ｄ、７０ｅを接続し、個別にガス供給できるように設定したことを示す。
【００３０】
プラズマ発生装置は、線的（リニア）にプラズマを発生するから、ワーク１６が処理チェンバー４０内をローダーチェンバー２０側からアンローダーチェンバー３０側に搬送される際に、個々のプラズマ発生装置６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ、６０ｅによってエッチング処理がなされる。図２は、プラズマ発生装置６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ、６０ｅを、その長手方向の向きを処理チェンバー４０でのワーク１６の搬送方向と直交する向きとして配置し、各々のプラズマ発生装置６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ、６０ｅに個別にガス供給部７０ａ、７０ｂ、７０ｃ、７０ｄ、７０ｅを接続したことを示す。
【００３１】
このように、プラズマ発生装置６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ、６０ｅを処理チェンバー４０内でのワーク１６の搬送方向と同方向に直列に配置し、個別に制御できるように設定したことにより、ワーク１６が処理チェンバー４０内を搬送されることによって所要のエッチング処理を行うことができる。図５は、処理チェンバー４０内で搬送機構５０によってワーク１６が順次移送されることにより、個々のプラズマ発生装置６０をワーク１６が通過する様子を説明的に示している。
【００３２】
ワーク１６が通過する順序に合わせてプラズマ発生装置６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ、６０ｅの処理内容を適宜設定することにより、処理チェンバー４０を通過することで所要のエッチング処理が完了するように設定することができる。この場合、はじめの４段のプラズマ発生装置６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、６０ｄについてはギャップ間隔が狭い電極構成とし、最終段のプラズマ発生装置６０ｅについてはギャップ間隔が広い電極構成とするといったように、プラズマ発生装置の電極構成を選択することもできるし、プラズマ発生装置で使用する反応ガス種を選択することによって、個別のプラズマ発生装置での処理内容を制御することができる。
【００３３】
ワーク１６に対して、複数の異なる処理を施す必要があるような場合には、このようにプラズマ発生装置を複数段に配置して個別に制御できるように構成することは有効である。もちろん、個々のプラズマ発生装置を同一形態で同一の反応ガスを用いて処理することも可能である。その場合は、高周波電源を共通化し、個別のプラズマ発生装置にガス供給部を設けずに、処理チェンバー４０に共通にガス供給部を設けてもよい。
また、処理チェンバー４０を１回通過することで、所要の処理が完了するように設定する他に、処理チェンバー４０を通過させて処理を行ったワーク１６を、再度ローダーチェンバー２０にセットして、バッチ方式によって処理することもできる。
また、処理チェンバー４０に配置するプラズマ発生装置の数も適宜選択可能であり、複数段に配置する他に、単一のプラズマ発生装置を取り付けて処理する構成とすることもできる。
【００３４】
また、ワーク１６を搬送する搬送機構によるワーク１６の搬送速度を適宜設定することによって、ワーク１６に対する処理内容を制御することができる。
本実施形態のプラズマエッチング装置の場合は、ワーク１６を搬送機構５０に支持したまま処理チェンバー４０内でワーク１６を搬送して処理を行うから、ワーク１６の品種が変わった場合でも、搬送機構５０を調節するだけで最適なエッチング処理をすることが可能である。ワーク１６の搬送機構にキャリア等のワーク１６の搬送高さ位置を調節する調節機構を設けることで、ワーク１６の高さ位置を調節することも簡単にできる。
【００３５】
このように、本実施形態のプラズマエッチング装置によれば、多様なワークに対して適切なプラズマエッチング処理を施すことが可能になる。多様なエッチング処理が可能であることから、プリント基板の他に、ポリイミドフィルム等の樹脂フィルムを基材とするフレキシブル基板、液晶用フラットパネル、半導体ウエハ等の成膜工程、エッチング工程が必要とされるワーク全般を対象とすることができる。前述したように、本実施形態のプラズマエッチング装置は、ワークの厚さ、大きさ等に関わらずエッチング処理することが可能であり、種々ワークに対して汎用的に利用することが可能となる。
【００３６】
【発明の効果】
本発明に係るプラズマ発生装置によれば、ワークの厚さ等に関わらず、的確なエッチング処理を行うことができ、多様なワークのプラズマエッチングに好適に使用することができる。また、本発明に係るプラズマエッチング装置によれば、種々のワークに対して汎用的にかつ的確なエッチング処理を行うことができ、種々用途に好適に利用できるプラズマエッチング装置として提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るプラズマエッチング装置の一実施形態の構成を示す説明図である。
【図２】プラズマエッチング装置におけるプラズマ発生装置の平面配置を示す説明図である。
【図３】プラズマ発生装置の構成を示す断面図である。
【図４】プラズマ発生装置の電極の平面図である。
【図５】処理チェンバー内でワークが移送される状態を示す説明図である。
【図６】プラズマエッチング装置の従来の構成を示す説明図である。
【符号の説明】
１０  チェンバー
１２  カソード
１４  アノード
１６  ワーク
１８  高周波電源
２０  ローダーチェンバー
２２、３２      エレベータ
３０  アンローダーチェンバー
４０  処理チェンバー
４２  真空ポンプ
５０ａ、５０ｂ、５０ｃ  搬送機構
６０、６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ、６０ｅ  プラズマ発生装置
６２  カソード電極
６４  アノード電極
６６  絶縁体
６８、６８ａ、６８ｂ、６８ｃ、６８ｄ、６８ｅ  高周波電源
７０、７０ａ、７０ｂ、７０ｃ、７０ｄ、７０ｅ  ガス供給部
７２  吐出口
７４  流路
【図１】
2004265627.tif 000003
【図２】
2004265627.tif 000004
【図３】
2004265627.tif 000005
【図４】
2004265627.tif 000006
【図５】
2004265627.tif 000007
【図６】
2004265627.tif 000008