(57)【要約】【課題】誘導型電磁変換素子の磁極部分を精度よく形成すると共に、記録すべき領域以外の領域へのデータの書き込みを防止する。【解決手段】記録ヘッドは、下部磁極層１０、薄膜コイル１３、記録ギャップ層１７および上部磁極層１８を有している。下部磁極層１０は、磁極部分層１０ａとヨーク部分層１０ｂとを有している。磁極部分層１０ａは、第１の部分１０ａ1と、第１の部分１０ａ1の幅よりも大きい幅を有する第２の部分１０ａ2とを含んでいる。第１の部分１０ａ1における記録ギャップ層１７側の一部の幅は、第１の部分１０ａ1における他の部分の幅よりも小さく且つ記録トラック幅に等しい。第１の部分１０ａ1のトラック幅方向の両側には、絶縁層が配置され、第１の部分１０ａ1における上記他の部分の記録ギャップ層１７側の面と絶縁層の記録ギャップ層１７側の面は、平坦な面を形成している。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドであって、
前記第１の磁性層は、一端が媒体対向面に配置された第１の部分と、前記第１の部分よりも媒体対向面とは反対側に配置され、前記第１の部分の幅よりも大きい幅を有する第２の部分とを含み、
前記第２の磁性層は、一端が媒体対向面に配置され、トラック幅に等しい幅を有する部分を有し、
薄膜磁気ヘッドは、更に、前記第１の部分におけるトラック幅方向の両側に配置された絶縁層を備え、
前記第１の部分におけるギャップ層側の一部の幅は、前記第１の部分における他の部分の幅よりも小さく且つトラック幅に等しく、
前記第１の部分における他の部分のギャップ層側の面と前記絶縁層のギャップ層側の面は、平坦な面を形成していることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記第１の磁性層は、一方の面が前記ギャップ層に隣接し、前記第１の部分と第２の部分とを含む磁極部分層と、前記磁極部分層の他方の面に接続され、第１の磁性層におけるヨーク部分となるヨーク部分層とを有することを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記薄膜コイルの少なくとも一部は前記磁極部分層の側方に配置されていることを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記ヨーク部分層の媒体対向面側の端部は媒体対向面から離れた位置に配置されていることを特徴とする請求項２または３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
記録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記第１の磁性層を形成する工程と、
前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程と、
前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程と、
少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配置されるように、前記薄膜コイルを形成する工程とを備え、
前記第１の磁性層は、一端が媒体対向面に配置された第１の部分と、前記第１の部分よりも媒体対向面とは反対側に配置され、前記第１の部分の幅よりも大きい幅を有する第２の部分とを含み、
前記第２の磁性層は、一端が媒体対向面に配置され、トラック幅に等しい幅を有する部分を有し、
薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、
前記第１の部分におけるトラック幅方向の両側に配置された絶縁層を形成する工程と、
前記第２の磁性層の形成後に、前記第１の部分におけるギャップ層側の一部の幅が、前記第１の部分における他の部分の幅よりも小さく且つトラック幅に等しくなり、且つ前記第１の部分における他の部分のギャップ層側の面と前記絶縁層のギャップ層側の面が平坦な面を形成するように、前記第１の部分の一部および絶縁層の一部をエッチングする工程とを備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記第１の磁性層は、一方の面が前記ギャップ層に隣接し、前記第１の部分と第２の部分とを含む磁極部分層と、前記磁極部分層の他方の面に接続され、第１の磁性層におけるヨーク部分となるヨーク部分層とを有することを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記薄膜コイルの少なくとも一部は前記磁極部分層の側方に配置されることを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記ヨーク部分層の媒体対向面側の端部は媒体対向面から離れた位置に配置されることを特徴とする請求項６または７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵抗（以下、ＭＲ（Magneto-resistive）とも記す。）素子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。
【０００３】
ところで、記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必要がある。このためには、記録ギャップ層を挟んでその上下に形成された下部磁極および上部磁極のエアベアリング面での幅を数ミクロンからサブミクロン寸法まで狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、これを達成するために半導体加工技術が利用されている。
【０００４】
ここで、図９ないし図１２を参照して、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。なお、図９ないし図１２において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【０００５】
この製造方法では、まず、図９に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで堆積する。次に、絶縁層１０２の上に、磁性材料よりなる再生ヘッド用の下部シールド層１０３を形成する。
【０００６】
次に、下部シールド層１０３の上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚みにスパッタ堆積し、絶縁層としての下部シールドギャップ膜１０４を形成する。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、再生用のＭＲ素子１０５を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、ＭＲ素子１０５に電気的に接続される一対の電極層１０６を形成する。
【０００７】
次に、下部シールドギャップ膜１０４およびＭＲ素子１０５の上に、絶縁層としての上部シールドギャップ膜１０７を形成し、ＭＲ素子１０５をシールドギャップ膜１０４，１０７内に埋設する。
【０００８】
次に、上部シールドギャップ膜１０７の上に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極層と記す。）１０８を、約３μｍの厚みに形成する。
【０００９】
次に、図１０に示したように、下部磁極層１０８の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録ギャップ層１０９を０．２μｍの厚みに形成する。次に、磁路形成のために、記録ギャップ層１０９を部分的にエッチングして、コンタクトホール１０９ａを形成する。次に、磁極部分における記録ギャップ層１０９の上に、記録ヘッド用の磁性材料よりなる上部磁極チップ１１０を、０．５〜１．０μｍの厚みに形成する。このとき同時に、磁路形成のためのコンタクトホール１０９ａの上に、磁路形成のための磁性材料からなる磁性層１１９を形成する。
【００１０】
次に、図１１に示したように、上部磁極チップ１１０をマスクとして、イオンミリングによって、記録ギャップ層１０９と下部磁極層１０８をエッチングする。図１１（ｂ）に示したように、上部磁極部分（上部磁極チップ１１０）、記録ギャップ層１０９および下部磁極層１０８の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形成された構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。
【００１１】
次に、全面に、例えばアルミナ膜よりなる絶縁層１１１を、約３μｍの厚みに形成する。次に、この絶縁層１１１を、上部磁極チップ１１０および磁性層１１９の表面に至るまで研磨して平坦化する。
【００１２】
次に、平坦化された絶縁層１１１の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１１２を形成する。次に、絶縁層１１１およびコイル１１２の上に、フォトレジスト層１１３を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト層１１３の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理する。次に、フォトレジスト層１１３の上に、第２層目の薄膜コイル１１４を形成する。次に、フォトレジスト層１１３およびコイル１１４上に、フォトレジスト層１１５を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト層１１５の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理する。
【００１３】
次に、図１２に示したように、上部磁極チップ１１０、フォトレジスト層１１３，１１５および磁性層１１９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパーマロイよりなる上部磁極層１１６を形成する。次に、上部磁極層１１６の上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１１７を形成する。最後に、上記各層を含むスライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面１１８を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００１４】
図１３は、図１２に示した薄膜磁気ヘッドの平面図である。なお、この図では、オーバーコート層１１７や、その他の絶縁層および絶縁膜を省略している。
【００１５】
図１２（ａ）において、ＴＨは、スロートハイトを表し、ＭＲ−Ｈは、ＭＲハイトを表している。なお、スロートハイトとは、２つの磁極層が記録ギャップ層を介して対向する部分の、エアベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。また、ＭＲハイトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。また、図１２（ｂ）において、Ｐ２Ｗは、磁極幅すなわち記録トラック幅を表している。薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因として、スロートハイトやＭＲハイト等の他に、図１２（ａ）においてθで示したようなエイペックスアングル（Apex  Angle）がある。このエイペックスアングルは、フォトレジスト層１１３，１１５で覆われて山状に盛り上がったコイル部分（以下、エイペックス部と言う。）における磁極側の側面の角部を結ぶ直線と絶縁層１１１の上面とのなす角度をいう。
【００１６】
薄膜磁気ヘッドの性能を向上させるには、図１２に示したようなスロートハイトＴＨ、ＭＲハイトＭＲ−Ｈ、エイペックスアングルθおよび記録トラック幅Ｐ２Ｗを正確に形成することが重要である。
【００１７】
特に、近年は、高面密度記録を可能とするため、すなわち狭トラック構造の記録ヘッドを形成するために、トラック幅Ｐ２Ｗには１．０μｍ以下のサブミクロン寸法が要求されている。そのために半導体加工技術を利用して上部磁極をサブミクロン寸法に加工する技術が必要となる。
【００１８】
ここで、問題となるのは、エイペックス部の上に形成される上部磁極層を微細に形成することが困難なことである。
【００１９】
ところで、上部磁極層を形成する方法としては、例えば、特許文献１に示されるように、フレームめっき法が用いられる。フレームめっき法を用いて上部磁極層を形成する場合は、まず、エイペックス部の上に全体的に、例えばパーマロイよりなる薄い電極膜を、例えばスパッタリングによって形成する。次に、その上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程によりパターニングして、めっきのためのフレーム（外枠）を形成する。そして、先に形成した電極膜をシード層として、めっき法によって上部磁極層を形成する。
【００２０】
ところが、エイペックス部と他の部分とでは、例えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイペックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が最低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォトレジストは低い方に集まることから、エイペックス部の下方では、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレジスト膜が形成される。
【００２１】
上述のようにサブミクロン寸法の記録トラック幅を実現するには、フォトレジスト膜によってサブミクロン寸法の幅のフレームパターンを形成する必要がある。従って、エイペックス部上で、８〜１０μｍ以上の厚みのあるフォトレジスト膜によって、サブミクロン寸法の微細なパターンを形成しなければならない。ところが、このような厚い膜厚のフォトレジストパターンを狭パターン幅で形成することは製造工程上極めて困難であった。
【００２２】
しかも、フォトリソグラフィの露光時に、露光用の光が、シード層としての下地電極膜で反射し、この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォトレジストパターンのくずれ等が生じ、シャープかつ正確なフォトレジストパターンが得られなくなる。
【００２３】
このように、従来は、磁極幅がサブミクロン寸法になると、上部磁性層を精度よく形成することが困難になるという問題点があった。
【００２４】
このようなことから、上述の従来例の図１０ないし図１２の工程でも示したように、記録ヘッドの狭トラックの形成に有効な上部磁極チップ１１０によって、１．０μｍ以下のトラック幅を形成した後、この上部磁極チップ１１０と接続されるヨーク部分となる上部磁極層１１６を形成する方法も採用されている（特許文献２、特許文献３参照）。このように、通常の上部磁極層を、上部磁極チップ１１０とヨーク部分となる上部磁極層１１６とに分割することにより、記録トラック幅を決定する上部磁極チップ１１０を、記録ギャップ層１０９の上の平坦な面の上に、ある程度微細に形成することが可能になる。
【００２５】
また、特許文献４には、上部磁極層と下部磁極層の双方を、磁極部分を含む層とヨーク部分となる層の２つの層で構成した薄膜磁気ヘッドが開示されている。
【００２６】
【特許文献１】特開平７−２６２５１９号公報
【特許文献２】特開昭６２−２４５５０９号公報
【特許文献３】特開昭６０−１０４０９号公報
【特許文献４】特開平６−３１４４１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２７】
しかしながら、図１２に示した薄膜磁気ヘッドにおいても、特許文献４に開示された薄膜磁気ヘッドにおいても、ヨーク部分となる層の先端面はエアベアリング面に露出している。そのため、このような薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分を含む層のみならず、ヨーク部分となる層側でも書き込みが行われ、記録媒体に対して、本来、記録すべき領域以外の領域にもデータを書き込んでしまう、いわゆるサイドライトが発生するという問題点があった。
【００２８】
また、特許文献４に開示された薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分において、上部磁極層の２つの層と下部磁極層の２つの層の合計４つの層の幅が等しく形成されている。このように磁極部分において幅が等しくなるように４つの層を形成する方法としては、各層の形成時において各層の磁極部分の形状が決まるように各層を形成する方法や、４つの層を形成した後に、磁極部分における４つの層の幅が等しくなるように４つの層を一括してエッチングする方法が考えられる。
【００２９】
しかしながら、各層の形成時において各層の磁極部分の形状が決まるように各層を形成する方法では、特に記録トラック幅を小さくしていった場合には、各層の磁極部分の形状を精度よく決定し、且つ各層の磁極部分の位置合わせを精度よく行うことが難しいという問題点がある。
【００３０】
また、４つの層を一括してエッチングする方法では、エッチングに多くの時間を要すると共に、４つの層の磁極部分の形状を精度よく決定することが難しいという問題点がある。
【００３１】
また、従来の薄膜磁気ヘッドでは、磁路長（Yoke  Length）を短くすることが困難であるという問題点があった。すなわち、コイルピッチが小さいほど、磁路長の短いヘッドを実現することができ、特に高周波特性に優れた記録ヘッドを形成することができるが、コイルピッチを限りなく小さくしていった場合、スロートハイトゼロ位置（スロートハイトを決定する絶縁層のエアベアリング面側の端部の位置）からコイルの外周端までの距離が、磁路長を短くすることを妨げる大きな要因となっていた。磁路長は、１層のコイルよりは２層のコイルの方が短くできることから、多くの高周波用の記録ヘッドでは２層コイルを採用している。しかしながら、従来の磁気ヘッドでは、１層目のコイルを形成した後、コイル間の絶縁膜を形成するために、フォトレジスト膜を約２μｍの厚みで形成している。そのため、１層目のコイルの外周端には丸みを帯びた小さなエイペックス部が形成される。次に、その上に２層目のコイルを形成するが、その際に、エイペックス部の傾斜部では、コイルのシード層のエッチングができず、コイルがショートするため、２層目のコイルは平坦部に形成する必要がある。
【００３２】
従って、例えば、コイルの厚みを２〜３μｍとし、コイル間絶縁膜の厚みを２μｍとし、エイペックスアングルを４５°〜５５°とすると、磁路長としては、コイルに対応する部分の長さに加え、コイルの外周端からスロートハイトゼロ位置の近傍までの距離である３〜４μｍの距離の２倍（上部磁極層と下部磁極層とのコンタクト部からコイル内周端までの距離も３〜４μｍ必要。）の６〜８μｍが必要である。このコイルに対応する部分以外の長さが、磁路長の縮小を妨げる要因となっていた。
【００３３】
ここで、例えば、コイルの線幅が１．２μｍ、スペースが０．８μｍの１１巻コイルを２層で形成する場合を考える。この場合、図１２に示したように、１層目を６巻、２層目を５巻とすると、磁路長のうち、１層目のコイル１１２に対応する部分の長さは１１．２μｍである。磁路長には、これに加え、１層目のコイル１１２の外周端および内周端より、１層目のコイル１１２を絶縁するためのフォトレジスト層１１３の端部までの距離として、合計６〜８μｍの長さが必要になる。従って、磁路長は１７．２〜１９．２μｍとなる。また、もし１１巻コイルを１層で形成するとなると、磁路長は２７．２〜２９．２μｍとなる。なお、本出願では、磁路長を、図１２において符号Ｌ0で示したように、磁極層のうちの磁極部分およびコンタクト部分を除いた部分の長さで表す。このように、従来は、磁路長の縮小が困難であり、これが高周波特性の改善を妨げていた。
【００３４】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、誘導型電磁変換素子の磁極部分を精度よく形成することができると共に、記録すべき領域以外の領域へのデータの書き込みを防止することができるようにした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【００３５】
本発明の第２の目的は、上記第１の目的に加え、磁路長の縮小を可能にした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３６】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に連結され、媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が第１および第２の磁性層の間に、第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドであって、
第１の磁性層は、一端が媒体対向面に配置された第１の部分と、第１の部分よりも媒体対向面とは反対側に配置され、第１の部分の幅よりも大きい幅を有する第２の部分とを含み、
第２の磁性層は、一端が媒体対向面に配置され、トラック幅に等しい幅を有する部分を有し、
薄膜磁気ヘッドは、更に、第１の部分におけるトラック幅方向の両側に配置された絶縁層を備え、
第１の部分におけるギャップ層側の一部の幅は、第１の部分における他の部分の幅よりも小さく且つトラック幅に等しく、
第１の部分における他の部分のギャップ層側の面と絶縁層のギャップ層側の面は、平坦な面を形成しているものである。
【００３７】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
第１の磁性層を形成する工程と、
第１の磁性層の上にギャップ層を形成する工程と、
ギャップ層の上に第２の磁性層を形成する工程と、
少なくとも一部が第１および第２の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配置されるように、薄膜コイルを形成する工程とを備え、
第１の磁性層は、一端が媒体対向面に配置された第１の部分と、第１の部分よりも媒体対向面とは反対側に配置され、第１の部分の幅よりも大きい幅を有する第２の部分とを含み、
第２の磁性層は、一端が媒体対向面に配置され、トラック幅に等しい幅を有する部分を有している。
【００３８】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、
第１の部分におけるトラック幅方向の両側に配置された絶縁層を形成する工程と、
第２の磁性層の形成後に、第１の部分におけるギャップ層側の一部の幅が、第１の部分における他の部分の幅よりも小さく且つトラック幅に等しくなり、且つ第１の部分における他の部分のギャップ層側の面と絶縁層のギャップ層側の面が平坦な面を形成するように、第１の部分の一部および絶縁層の一部をエッチングする工程とを備えている。
【００３９】
本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法において、第１の磁性層は、一方の面がギャップ層に隣接し、第１の部分と第２の部分とを含む磁極部分層と、磁極部分層の他方の面に接続され、第１の磁性層におけるヨーク部分となるヨーク部分層とを有していてもよい。この場合、薄膜コイルの少なくとも一部は磁極部分層の側方に配置されていてもよい。また、ヨーク部分層の媒体対向面側の端部は媒体対向面から離れた位置に配置されていてもよい。
【発明の効果】
【００４０】
本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、第１の磁性層は、一端が媒体対向面に配置された第１の部分と、第１の部分よりも媒体対向面とは反対側に配置され、第１の部分の幅よりも大きい幅を有する第２の部分とを含み、第２の磁性層は、一端が媒体対向面に配置され、トラック幅に等しい幅を有する部分を有している。また、第１の部分におけるトラック幅方向の両側には絶縁層が配置され、第１の部分におけるギャップ層側の一部の幅は、第１の部分における他の部分の幅よりも小さく且つトラック幅に等しく、第１の部分における他の部分のギャップ層側の面と絶縁層のギャップ層側の面は、平坦な面を形成している。これにより、本発明によれば、第２の磁性層におけるトラック幅に等しい幅を有する部分の幅と、第１の磁性層の第１の部分におけるギャップ層側の一部の幅とを、トラック幅に等しくすることを、容易に且つ精度よく行うことができる。従って、本発明によれば、誘導型電磁変換素子の磁極部分を精度よく形成することが可能になるという効果を奏する。また、本発明によれば、媒体対向面における磁束の広がりを防止でき、その結果、記録すべき領域以外の領域へのデータの書き込みを防止することができるという効果を奏する。
【００４１】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法において、第１の磁性層が磁極部分層とヨーク部分層とを有し、薄膜コイルの少なくとも一部が磁極部分層の側方に配置されている場合には、磁路長の縮小が可能になるという効果を奏する。
【００４２】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法において、第１の磁性層が磁極部分層とヨーク部分層とを有し、ヨーク部分層の媒体対向面側の端部が媒体対向面から離れた位置に配置されている場合には、記録すべき領域以外の領域へのデータの書き込みをより防止することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
まず、図１ないし図７を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。なお、図１ないし図６において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【００４４】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層２を、約５μｍの厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド層３を、約３μｍの厚みに形成する。下部シールド層３は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層３１を、例えば４〜５μｍの厚みに形成し、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、下部シールド層３が露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【００４５】
次に、下部シールド層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素子５を、数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子５は、例えば、スパッタによって形成したＭＲ膜を選択的にエッチングすることによって形成する。なお、ＭＲ素子５には、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される一対の電極層６を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶縁膜としての上部シールドギャップ膜７を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子５をシールドギャップ膜４，７内に埋設する。シールドギャップ膜４，７に使用する絶縁材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。また、シールドギャップ膜４，７は、スパッタ法によって形成してもよいし、化学的気相成長（ＣＶＤ）法によって形成してもよい。アルミナ膜よりなるシールドギャップ膜４，７をＣＶＤ法によって形成する場合には、材料としては例えばトリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3）3）およびＨ2Ｏを用いる。ＣＶＤ法を用いると、薄く、且つ緻密でピンホールの少ないシールドギャップ膜４，７を形成することが可能となる。
【００４６】
次に、上部シールドギャップ膜７の上に、磁性材料、例えばパーマロイよりなる、再生ヘッド用の上部シールド層８を、例えば１．０μｍの厚みで、選択的に形成する。次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層３２を、約２〜３μｍの厚みに形成し、例えばＣＭＰによって、上部シールド層８が露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【００４７】
次に、上部シールド層８および絶縁層３２の上に、再生ヘッドと記録ヘッドとを磁気的に絶縁するための、例えばアルミナよりなる絶縁膜９を、例えば０．１〜０．２μｍの厚みに形成する。
【００４８】
次に、図２に示したように、絶縁膜９の上に、磁性材料によって、記録ヘッド用の下部磁極層１０におけるヨーク部分となるヨーク部分層１０ｂを、例えば１．０〜１．５μｍの厚みで、選択的に形成する。なお、下部磁極層１０は、このヨーク部分層１０ｂと、後述する磁極部分層１０ａおよび接続部分層１０ｃとで構成される。ヨーク部分層１０ｂのエアベアリング面３０側の端部は、エアベアリング面３０から離れた位置に配置されている。
【００４９】
ヨーク部分層１０ｂは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
【００５０】
次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層を、約２〜３μｍの厚みに形成し、例えばＣＭＰによって、ヨーク部分層１０ｂが露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。これにより、図２に示したように、ヨーク部分層１０ｂのエアベアリング面３０側の端部からエアベアリング面３０までの部分において、絶縁膜９の上に絶縁層１１が形成される。
【００５１】
次に、図３に示したように、絶縁層１１とヨーク部分層１０ｂの上に下部磁極層１０の磁極部分層１０ａを形成すると共に、ヨーク部分層１０ｂの上に接続部分層１０ｃを形成する。磁極部分層１０ａは、下部磁極層１０における磁極部分を含む。接続部分層１０ｃは、後述する薄膜コイルの中心の近傍の位置に配置される。磁極部分層１０ａと接続部分層１０ｃの厚みは、例えば１．０〜１．５μｍとする。
【００５２】
下部磁極層１０の磁極部分層１０ａおよび接続部分層１０ｃは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
【００５３】
次に、図４に示したように全体に、例えばアルミナよりなる絶縁膜１２を、約０．３〜０．５μｍの厚みに形成する。次に、絶縁膜１２の上に、フレームめっき法によって、例えば銅よりなる薄膜コイル１３を、例えば０．８〜１．０μｍの厚みに形成する。薄膜コイル１３は、接続部分層１０ｃを中心にして巻回されるように形成される。なお、図中、符号１３ａは、薄膜コイル１３を後述するリード層１９に接続するための接続部を示している。次に、薄膜コイル１３を囲うようにフォトレジスト層１４を形成する。
【００５４】
次に、全体に、例えばアルミナよりなるコイル絶縁層１５を、約３〜４μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部磁極層１０の磁極部分層１０ａおよび接続部分層１０ｃが露出するまで、コイル絶縁層１５を研磨して、表面を平坦化処理する。ここで、図４は、薄膜コイル１３は露出していないが、薄膜コイル１３が露出するようにしてもよい。図４（ｂ）に示したように、コイル絶縁層１５は、磁極部分層１０ａにおけるトラック幅方向の両側にも配置されている。
【００５５】
次に、図５に示したように、エアベアリング面３０より所定の距離だけ離れた位置からエアベアリング面３０までの部分を除く全体の上に、スロートハイトを規定するための、例えばアルミナよりなる絶縁層１６を、例えば０．８μｍの厚みに形成する。
【００５６】
次に、全体に、絶縁材料よりなる記録ギャップ層１７を、例えば０．１〜０．１５μｍの厚みに形成する。記録ギャップ層１７に使用する絶縁材料としては、一般的に、アルミナ、窒化アルミニウム、シリコン酸化物系材料、シリコン窒化物系材料、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。また、記録ギャップ層１７は、スパッタ法によって形成してもよいし、化学的気相成長（ＣＶＤ）法によって形成してもよい。アルミナ膜よりなる記録ギャップ層１７をＣＶＤ法によって形成する場合には、材料としては例えばトリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3）3）およびＨ2Ｏを用いる。ＣＶＤ法を用いると、薄く、且つ緻密でピンホールの少ない記録ギャップ層１７を形成することが可能となる。
【００５７】
次に、下部磁極層１０の接続部分層１０ｃの上の部分と薄膜コイル１３の接続部１３ａの上の部分において、記録ギャップ層１７および絶縁層１６を部分的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。
【００５８】
次に、図６に示したように、記録ギャップ層１７の上において、エアベアリング面３０から下部磁極層１０の接続部分層１０ｃの上の部分にかけて上部磁極層１８を例えば２．０〜３．０μｍの厚みに形成すると共に、薄膜コイル１３の接続部１３ａに接続されるようにリード層１９を例えば３〜４μｍの厚みに形成する。上部磁極層１８は、下部磁極層１０の接続部分層１０ｃに接続される。
【００５９】
上部磁極層１８は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。また、高周波特性の改善のため、上部磁極層１８を、無機系の絶縁膜とパーマロイ等の磁性層とを何層にも重ね合わせた構造としてもよい。
【００６０】
次に、上部磁極層１８の磁極部分の周辺において、上部磁極層１８をマスクとして、ドライエッチングにより、記録ギャップ層１７を選択的にエッチングする。このときのドライエッチングには、例えば、ＢＣｌ2，Ｃｌ2等の塩素系ガスや、ＣＦ4，ＳＦ6等のフッ素系ガス等のガスを用いた反応性イオンエッチング（以下、ＲＩＥと記す。）が用いられる。次に、上部磁極層１８の磁極部分の周辺において、上部磁極層１８をマスクとして、例えばアルゴン系ガスを用いたイオンミリングによって、下部磁極層１０の磁極部分層１０ａの一部および絶縁層１５の一部を選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッチングして、図６（ｂ）に示したようなトリム構造とする。これにより、上部磁極層１８の磁極部分の周辺において、磁極部分層１０ａにおける記録ギャップ層１７側の一部の幅は、磁極部分層１０ａにおける他の部分の幅よりも小さく且つ記録トラック幅に等しくなる。また、磁極部分層１０ａにおける上記の他の部分の記録ギャップ層１７側の面とコイル絶縁層１５の記録ギャップ層１７側の面は、平坦な面を形成する。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時にエアベアリング面３０において発生する磁束の広がりによる実効トラック幅の増加を防止することができ、その結果、記録すべき領域以外の領域へのデータの書き込みを防止することができる。
【００６１】
次に、全体に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層２０を、例えば２０〜４０μｍの厚みに形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、上記各層を含むスライダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面３０を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００６２】
図７は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける下部磁極層１０および上部磁極層１８の磁極部分の近傍を示す斜視図である。
【００６３】
本実施の形態では、下部磁極層１０が本発明における第１の磁性層に対応し、上部磁極層１８が本発明における第２の磁性層に対応する。
【００６４】
以上説明したように、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面（エアベアリング面３０）と、再生ヘッドと、記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）とを備えている。再生ヘッドと記録ヘッドは、絶縁膜９によって磁気的に絶縁されている。
【００６５】
再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、エアベアリング面３０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置され、ＭＲ素子５をシールドする下部シールド層３および上部シールド層８とを有している。
【００６６】
記録ヘッドは、互いに磁気的に連結され、エアベアリング面３０側において互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む下部磁極層１０および上部磁極層１８と、これら２つの磁極層１０，１８の各磁極部分の間に設けられた記録ギャップ層１７と、少なくとも一部がこれら２つの磁極層１０，１８の間に、２つの磁極層１０，１８に対して絶縁された状態で配設された薄膜コイル１３とを有している。
【００６７】
下部磁極層１０は、一方の面（上面）が記録ギャップ層１７に隣接し、下部磁極層１０における磁極部分を含む磁極部分層１０ａと、磁極部分層１０ａの他方の面（下面）に接続され、下部磁極層１０におけるヨーク部分となるヨーク部分層１０ｂとを有している。ヨーク部分層１０ｂのエアベアリング面３０側の端部はエアベアリング面３０から離れた位置に配置されている。ヨーク部分層１０ｂのエアベアリング面３０側の端部からエアベアリング面３０までの部分には、絶縁層１１が配置されている。上部磁極層１８は、トラック幅を規定する部分を有する１つの層からなる。
【００６８】
また、図７に示したように、下部磁極層１０における磁極部分層１０ａは、一端がエアベアリング面３０に配置され、少なくとも一部が記録トラック幅に等しい幅を有する第１の部分１０ａ1と、第１の部分１０ａ1よりもエアベアリング面３０とは反対側に配置され、記録トラック幅よりも大きい幅を有する第２の部分１０ａ2とを含んでいる。第１の部分１０ａ1における記録ギャップ層１７側の一部の幅は、第１の部分１０ａ1における他の部分の幅よりも小さく且つ記録トラック幅に等しい。また、図６（ｂ）から分かるように、第１の部分１０ａ1のトラック幅方向の両側には、コイル絶縁層１５が配置されている。そして、第１の部分１０ａ1における上記の他の部分の記録ギャップ層１７側の面とコイル絶縁層１５の記録ギャップ層１７側の面は、平坦な面を形成している。
【００６９】
上部磁極層１８は、エアベアリング面３０側から順に配置された第１の部分１８Ａ、第２の部分１８Ｂおよび第３の部分１８Ｃを有している。第１の部分１８Ａの幅は記録トラック幅に等しく、第２の部分１８Ｂの幅は第１の部分１８Ａの幅よりも大きく、第３の部分１８Ｃの幅は第２の部分１８Ｂの幅よりも大きくなっている。第３の部分１８Ｃの幅は、エアベアリング面３０に近づく従って徐々に小さくなっている。
【００７０】
また、薄膜コイル１３は、下部磁極層１０の磁極部分層１０ａの側方に配置されている。薄膜コイル１３は、フォトレジスト層１４とコイル絶縁層１５とによって覆われ、コイル絶縁層１５の上面は、磁極部分層１０ａの上面と共に平坦化されている。
【００７１】
以上説明したように、本実施の形態では、下部磁極層１０は磁極部分層１０ａとヨーク部分層１０ｂとを有している。従って、本実施の形態によれば、磁極部分を含む磁極部分層１０ａを微細に精度よく形成することが可能になる。また、本実施の形態では、薄膜コイル１３を、下部磁極層１０の磁極部分層１０ａの側方に配置し、薄膜コイル１３を覆うコイル絶縁層１５の上面を下部磁極層１０の磁極部分層１０ａの上面と共に平坦化し、この平坦化された面の上に絶縁層１６および記録ギャップ層１７を介して、上部磁極層１８を形成している。従って、本実施の形態によれば、１つの層からなる上部磁極層１８を平坦または平坦に近い状態で形成することができ、その結果、磁極部分を含む上部磁極層１８を微細に精度よく形成することが可能になる。
【００７２】
また、本実施の形態では、下部磁極層１０のヨーク部分層１０ｂのエアベアリング面３０側の端部はエアベアリング面３０から離れた位置に配置されている。そのため、本実施の形態では、エアベアリング面３０における上部磁極層１８の磁極部分の幅と下部磁極層１０の磁極部分の幅を等しくする場合、上部磁極層１８と下部磁極層の磁極部分層１０ａおよびヨーク部分層１０ｂの３つの層についてではなく、上部磁極層１８と磁極部分層１０ａとの２つの層のみについて磁極部分の幅を等しくすればよい。従って、本実施の形態によれば、上部磁極層１８の磁極部分の幅と下部磁極層１０の磁極部分の幅を等しくすることを、容易に且つ精度よく行うことができる。
【００７３】
以上のことから、本実施の形態によれば、記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）の磁極部分を精度よく形成することが可能になる。
【００７４】
また、本実施の形態によれば、ヨーク部分層１０ｂのエアベアリング面３０側の端部をエアベアリング面３０から離れた位置に配置したので、記録すべき領域以外の領域へのデータの書き込み、すなわちサイドライトを防止することができる。
【００７５】
ところで、従来、記録ヘッドの下部磁極層が再生ヘッドの上部シールド層を兼ねた構造の複合型薄膜磁気ヘッドでは、記録ヘッドにおける記録動作の直後に、再生ヘッドにおける再生信号にノイズが発生したり、再生信号の変動が大きくなるという問題点があった。その原因の一つは、記録ヘッドの記録動作に伴って記録ヘッド側で発生する残留磁気およびその変動であると考えられる。
【００７６】
これに対し、本実施の形態では、再生ヘッドの上部シールド層８と記録ヘッドの下部磁極層１０とを分離すると共に、これらの間に絶縁膜９を配置している。これにより、記録ヘッド側で発生する残留磁気のＭＲ素子５に対する影響を低減することができる。更に、本実施の形態では、下部磁極層１０のヨーク部分層１０ｂのエアベアリング面３０側の端部をエアベアリング面３０から離れた位置に配置し、ヨーク部分層１０ｂのエアベアリング面３０側の端部からエアベアリング面３０までの部分に絶縁層１１を配置しているため、記録ヘッドの磁極部分と再生ヘッドのＭＲ素子５との間を絶縁層１１によって磁気的に分離することができる。その結果、本実施の形態によれば、絶縁層１１によって、記録ヘッド側で発生する残留磁気のＭＲ素子５に対する影響をより一層低減することができる。従って、本実施の形態によれば、記録ヘッドの記録動作に起因して再生ヘッドにおける再生信号に発生するノイズや変動を低減することができる。
【００７７】
また、本実施の形態では、薄膜コイル１３を下部磁極層１０の磁極部分層１０ａの側方に配置し、平坦な絶縁膜１２の上に形成している。そのため、本実施の形態によれば、薄膜コイル１３を微細に精度よく形成することが可能になる。また、本実施の形態によれば、磁極部分層１０ａのエアベアリング面３０とは反対側の端部の近くに、薄膜コイル１３の端部を配置することができる。これらのことから、本実施の形態によれば、従来に比べて磁路長の縮小が可能となる。更に、薄膜コイル１３で発生した起磁力が途中で飽和することを防止でき、薄膜コイル１３で発生した起磁力を効率よく記録に利用することができる。従って、本実施の形態によれば、記録ヘッドの高周波特性や、非線形トランジションシフト（Non-linear  Transition  Shift；ＮＬＴＳ）や、重ね書きする場合の特性であるオーバーライト特性の優れた薄膜磁気ヘッドを提供することが可能となる。
【００７８】
また、本実施の形態では、薄膜コイル１３を下部磁極層１０の磁極部分層１０ａの側方に配置し、薄膜コイル１３を覆うコイル絶縁層１５の上面を、磁極部分層１０ａの上面と共に平坦化している。そのため、本実施の形態によれば、コイル絶縁層１５に隣接する層を精度よく形成することが可能になる。
【００７９】
また、本実施の形態では、薄膜コイル１３を下部磁極層１０の磁極部分層１０ａの側方に配置したことから、上部磁極層１８をほぼ平坦な１つの層で構成することができる。従って、本実施の形態によれば、上部磁極層を複数の層で構成する場合に比べて、工数を減らすことができる。
【００８０】
［第２の実施の形態］
次に、図８を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。図８は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示し、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【００８１】
本実施の形態では、図８（ｂ）に示したように、エアベアリング面３０における上部磁極層１８の幅と磁極部分層１０ａの幅を、厚み方向の全体にわたって等しくしたものである。このように両者の幅を等しくする方法としては、上部磁極層１８をマスクとして記録ギャップ層１７と磁極部分層１０ａとをエッチングする方法でもよいし、上部磁極層１８の上に形成したマスク層をマスクとして、上部磁極層１８、記録ギャップ層１７および磁極部分層１０ａをエッチングする方法でもよい。エッチング方法としては、例えばＲＩＥが用いられる。また、マスク層は、例えば、アルミナ層の上に、パターニングされた金属層を形成し、この金属層をマスクとして、ＲＩＥによってアルミナ層をエッチングすることによって形成される。
【００８２】
また、本実施の形態において、上部磁極層１８、記録ギャップ層１７および下部磁極層１０の磁極部分層１０ａを集束イオンビームによってエッチングするようにしてもよい。
【００８３】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００８４】
本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば上記各実施の形態では、基体側に読み取り用のＭＲ素子を形成し、その上に、書き込み用の誘導型電磁変換素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
【００８５】
つまり、基体側に書き込み用の誘導型電磁変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介して、それに対向するように上記実施の形態に示した下部磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成することにより実現できる。
【００８６】
また、本発明は、誘導型電磁変換素子のみを備えた記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型電磁変換素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける下部磁極層および上部磁極層の磁極部分の近傍を示す斜視図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図９】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図である。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図である。
【図１３】従来の磁気ヘッドの平面図である。
【符号の説明】
【００８８】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ素子、８…上部シールド層、９…絶縁膜、１０…下部磁極層、１０ａ…磁極部分層、１０ｂ…ヨーク部分層、１１…絶縁層、１３…薄膜コイル、１５…コイル絶縁層、１６…絶縁層、１７…記録ギャップ層、１８…上部磁極層、２０…オーバーコート層、３０…エアベアリング面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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