(57)【要約】【目的】抵抗値を低減させ、且つ、熱処理による抵抗値の増大を抑制可能な薄膜磁気ヘッドの電極膜を得る。【構成】第１Ｔａキャップ膜３１と；第１Ｃｒ膜３２と；電極膜３３と；第２Ｃｒ膜３７と；第２Ｔａキャップ膜３８と；を順に積層した電極膜３０において、上記電極膜３３を、Ａｕ膜３５と、このＡｕ膜３５の上下面を挟むＡｕＸ膜３４、３６（ただし、Ｘは、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔのいずれか一種以上の元素である）とによって形成する。ＡｕＸ膜３４、３６の各膜厚は、Ａｕ膜３５の膜厚の０．０５倍以上０．２５倍以下とする。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１キャップ膜と；電極膜と；第２キャップ膜と；を順に積層した電極膜において、前記電極膜は、Ａｕ膜と、このＡｕ膜の上下面を挟むＡｕＸ膜（ただし、Ｘは、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔのいずれか一種以上の元素である）とによって形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの電極膜。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの電極膜において、前記第１キャップ膜と前記ＡｕＸ膜の間、及び前記ＡｕＸ膜と前記第２キャップ膜の間にそれぞれ、Ｃｒ膜を設けた薄膜磁気ヘッドの電極膜。
【請求項３】
請求項１又は２記載の薄膜磁気ヘッドの電極膜において、前記ＡｕＸ膜の各膜厚は、前記Ａｕ膜の膜厚の０．２５倍以下である薄膜磁気ヘッドの電極膜。
【請求項４】
請求項３記載の薄膜磁気ヘッドの電極膜において、前記ＡｕＸ膜の各膜厚は、前記Ａｕ膜の膜厚の０．０５倍以上０．２５倍以下である薄膜磁気ヘッドの電極膜。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドの電極膜において、前記第１キャップ膜及び前記第２キャップ膜は、Ｔａ膜によって形成されている薄膜磁気ヘッドの電極膜。
【請求項６】
第１キャップ膜と；電極膜と；第２キャップ膜と；を順に積層した電極膜において、前記電極膜は、Ａｕ膜とＡｕＸ膜（ただし、Ｘは、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔのいずれか一種以上の元素である）とにより形成されていて、前記第１キャップ膜側から順に前記ＡｕＸ膜、前記Ａｕ膜、前記ＡｕＸ膜、前記Ａｕ膜及び前記ＡｕＸ膜を積層した電極構造をなしていることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの電極膜。
【請求項７】
請求項６記載の薄膜磁気ヘッドの電極膜において、前記第１キャップ膜と前記ＡｕＸ膜の間、及び前記ＡｕＸ膜と前記第２キャップ膜の間にそれぞれ、Ｃｒ膜を設けた薄膜磁気ヘッドの電極膜。
【請求項８】
請求項６又は７記載の薄膜磁気ヘッドの電極膜において、前記各ＡｕＸ膜の各膜厚は、前記Ａｕ膜の各膜厚の０．２５倍以下である薄膜磁気ヘッドの電極膜。
【請求項９】
請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの電極膜において、前記各ＡｕＸ膜の各膜厚は、前記Ａｕ膜の膜厚の０．０５倍以上０．２５倍以下である薄膜磁気ヘッドの電極膜。
【請求項１０】
請求項６ないし９のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドの電極膜において、前記第１キャップ膜及び前記第２キャップ膜は、Ｔａ膜によって形成されている薄膜磁気ヘッドの電極膜。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、薄膜磁気ヘッドの電極膜に関する。
【０００２】
【従来技術およびその問題点】
薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子に電流を通すための電極膜を備え、この電極膜を介して磁気抵抗効果素子に電流が与えられているときに、磁気抵抗効果を利用して記録媒体からの漏れ磁界を検知することができる。このような薄膜磁気ヘッドでは、磁気抵抗効果素子以外の電気抵抗を極力抑えるため、比抵抗の小さい金属材料、例えばＡｕを用いて電極膜を形成することが望ましい。Ａｕを用いた従来の電極膜は、一般に、例えば８００Å程度の厚い膜厚で形成されたＡｕ電極膜と、このＡｕ電極膜の上下を挟んでＡｕの拡散を防止するＴａキャップ膜とを備えた構造をなしている。
【０００３】
しかしながら、Ａｕ電極膜が厚い膜厚で形成されていると、記録媒体との対向面に軟らかいＡｕが多く露出するため、該対向面を研磨加工する際に、スメアリングやＡｕ電極膜の表面が陥没又は突出するリセスが発生しやすい。また、研磨加工に用いた研磨剤がＡｕ電極膜の表面に残ってブラックスポットが発生しやすくなる。
【０００４】
また上記Ｔａ／Ａｕ／Ｔａによる電極構造では、Ａｕ膜のＥＭ（ｅｌｅｃｔｒｏ  ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）耐性が悪く、電極膜への通電時間（薄膜磁気ヘッドの使用時間）が長くなると、Ａｕ原子が電極膜を移動する電子との衝突により押し流されて電極膜に空洞が生じてしまう欠点がある。このＥＭ耐性を改善するために、Ｔａ膜とＡｕ膜との間にＣｒ膜を介在させてＴａ／Ｃｒ／Ａｕ／Ｃｒ／Ｔａによる電極構造としたものもあるが、Ａｕ膜とＣｒ膜を積層した構造では、レジストキュアやアニール等の熱処理を行なうことにより電極膜の抵抗値が増大してしまう。
【０００５】
【特許文献】
特開平７−３０２４１４号公報
特開２０００−１３７９０６号公報
特開２００２−２５０１４号公報
【０００６】
【発明の目的】
本発明は、硬度がより高く、且つ、熱処理による抵抗値の増大を抑制可能な薄膜磁気ヘッドの電極膜を得ることを目的とする。
【０００７】
【発明の概要】
本発明は、電極膜を構成するＡｕ膜の一部をＡｕ膜よりも硬い材料に組成変調させれば、電極膜全体の硬度を高くできると共にＡｕ膜の露出面積が少なくなり、この結果、スメアリングや突き出し及びブラックスポットの発生を抑制できることに着目したものである。
【０００８】
すなわち、本発明は、第１キャップ膜と；電極膜と；第２キャップ膜と；を順に積層した電極膜において、電極膜は、Ａｕ膜と、このＡｕ膜の上下面を挟むＡｕＸ膜（ただし、Ｘは、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔのいずれか一種以上の元素である）とによって形成されていることを特徴としている。
【０００９】
上記ＡｕＸ膜は、Ａｕ膜よりも硬度が高く、研磨加工が施されてもスメアや突き出し及びブラックスポットが生じない。ＡｕＸ膜の膜硬度は、ＡｕＸ膜とＡｕ膜を同一膜厚とした場合、例えば元素ＸがＮｉであるときＡｕ膜の約８倍となり、元素ＸがＣｕであるときＡｕ膜の約２倍となる。なお、ＡｕＸ膜の抵抗値はＡｕ膜よりは少し高くなるが、電極膜の抵抗値を大幅に増大するものではない。
【００１０】
第１キャップ膜とＡｕＸ膜の間、及びＡｕＸ膜と第２キャップ膜の間には、Ｃｒ膜をそれぞれ設けることができる。このＣｒ膜は、Ｃｒ原子とＡｕ原子の密着性が良好であることから、電極膜のＥＭ耐性を改善させることができる。
【００１１】
電極膜においてＡｕ膜とＣｒ膜が積層されている場合には、熱処理を行なうと、熱処理後の抵抗値が熱処理前よりも増大してしまう。ところが、Ａｕ膜の上下をＡｕＸで挟み込んだ組成変調構造とすると、熱処理を行なっても電極膜の抵抗値には変化が見られなかった。これは、ＡｕＸ膜がＡｕ膜の上下に存在することにより、Ａｕ原子とＣｒ原子との拡散が抑制されるためだと推測される。
【００１２】
以上のことから、Ａｕ膜の上下をＡｕＸ膜で挟み込んだ組成変調構造で電極膜を形成すれば、電極膜の硬度が高くなってスメア・突き出し・ブラックスポットの発生を防止できるだけでなく、熱処理による抵抗値の増大を抑制する効果も得られる。
【００１３】
ＡｕＸ膜の各膜厚は、熱処理による抵抗値の増大を抑制するため、Ａｕ膜の膜厚の０．２５倍以下であることが好ましい。より好ましくは、Ａｕ膜の膜厚の０．０５倍以上０．２５倍以下であることが好ましい。これは、ＡｕＸ膜の各膜厚がＡｕ膜の膜厚の０．０５倍未満であると、熱処理による抵抗値の増大を抑制することが難しく、また０．２５倍を超えると、電極膜においてＡｕよりも抵抗の大きいＡｕＸ膜の占有率が増え、電極膜全体としての抵抗値が大きくなってしまうからである。例えば電極膜の膜厚を８００Åとした場合、各ＡｕＸ膜は４０〜１３０Å程度の膜厚で形成する。このとき、Ａｕ膜の膜厚は約７２０〜５４０Åとなる。
【００１４】
また本発明は、第２の態様によれば、第１キャップ膜と；電極膜と；第２キャップ膜と；を順に積層した電極膜において、電極膜は、Ａｕ膜とＡｕＸ膜（ただし、Ｘは、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔのいずれか一種以上の元素である）とにより形成されていて、第１キャップ膜側から順にＡｕＸ膜、Ａｕ膜、ＡｕＸ膜、Ａｕ膜及びＡｕＸ膜を積層した電極構造をなしていることを特徴としている。
【００１５】
第１キャップ膜とＡｕＸ膜の間、及びＡｕＸ膜と第２キャップ膜の間には、電極膜のＥＭ抑制膜として機能するＣｒ膜をそれぞれ設けることができる。この第２の態様によっても、Ａｕ膜の上下をＡｕＸで挟み込んだ組成変調構造で電極膜が形成されているため、スメア・突き出し・ブラックスポットの発生を防止できるだけでなく、熱処理による抵抗値の増大は抑制される。
【００１６】
ＡｕＸ膜の各膜厚は、熱処理による抵抗値の増大を抑制するため、Ａｕ膜の各膜厚の０．２５倍以下であることが好ましい。より好ましくは、Ａｕ膜の膜厚の０．０５倍以上０．２５倍以下であることが好ましい。これは、ＡｕＸ膜の各膜厚がＡｕ膜の膜厚の０．０５倍未満であると、熱処理により電極膜全体の抵抗値が増大してしまい、また０．２５倍を超えると、電極膜においてＡｕよりも抵抗の大きいＡｕＸ膜の占有率が増え、電極膜全体としての抵抗値が大きくなってしまうからである。例えば電極膜の膜厚を８００Åとした場合、各ＡｕＸ膜は２０〜６５Å程度の膜厚で形成する。このとき、Ａｕ膜の各膜厚は約３８０〜３３５Åとなる。
【００１７】
上記各態様において、第１キャップ膜及び第２キャップ膜は、Ｔａ膜によって形成されていることが実際的である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明による電極膜を備えた薄膜磁気ヘッドＨの構造を、記録媒体との対向面側から見て示す部分断面図である。図１において、Ｘ方向はトラック幅方向、Ｙ方向は記録媒体からの漏れ磁界方向、Ｚ方向は記録媒体の移動方向である。
【００１９】
薄膜磁気ヘッドＨは、図示Ｘ−Ｚ平面で略台形形状をなす磁気抵抗効果素子１０と、この磁気抵抗効果素子１０の図示Ｘ方向（トラック幅方向）の両側部に積層形成されたバイアス下地層２１及びハードバイアス層２２を有し、このハードバイアス層２２の上に、電極膜３０を備えている。図示実施形態の磁気抵抗効果素子１０は、下から順に下地層１１、シード層１２、反強磁性層１３、固定磁性層１４、非磁性材料層１５及びフリー磁性層１６を備えたＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子であり、電極膜３０を介して電流が与えられたときにＧＭＲ効果を利用して記録媒体からの漏れ磁界を検知する。図示されていないが、磁気抵抗効果素子１０の上下には絶縁層を介して上部シールド層、下部シールド層がそれぞれ形成されている。なお、磁気抵抗効果素子１０としては、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲ（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子を用いてもよい。
【００２０】
図２に示されるように電極膜３０は、下から順に第１Ｔａキャップ膜３１、第１Ｃｒ膜３２、Ａｕを主体とする電極膜３３、第２Ｃｒ膜３７及び第２Ｔａキャップ膜３８を積層して形成されている。第１Ｔａキャップ膜３１及び第２Ｔａキャップ膜３８は、電極膜３０の拡散を防止する。第１Ｃｒ膜３２及び第２Ｃｒ膜３７は、電極膜３３と良好に密着してＡｕ原子の移動を妨げるＥＭ抑制膜である。この第１Ｃｒ膜３２及び第２Ｃｒ膜３７によって電極膜３３が挟まれることにより、電極膜３３のＥＭ耐性は改善され、長時間通電による電極膜３０の抵抗変化は少ない。
【００２１】
上記電極膜３０において、電極膜３３は、Ａｕ膜３５と、このＡｕ膜３５の上下面を挟むＡｕＸ膜３４、３６とによって形成されている。ここで、ＡｕＸ膜３４、３５に含まれる元素Ｘは、Ａｕの抵抗値をあまり大きくさせずに硬度を高くさせる元素であって、具体的にはＮｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔのいずれか一種以上の元素である。
【００２２】
ＡｕＸ膜３４、３６は、Ａｕ膜３５よりも硬度が高く、研磨加工が施される図示Ｘ−Ｚ平面（記録媒体との対向面）に露出していてもスメアや突き出し及びブラックスポットが生じない。ＡｕＸ膜の膜硬度は、ＡｕＸ膜とＡｕ膜を同一膜厚とした場合、例えば元素ＸがＮｉであるときＡｕ膜の約８倍となり、元素ＸがＣｕであるときＡｕ膜の約２倍となる。この硬いＡｕＸ膜３４、３６が電極膜３３中に含まれていると、電極膜３３全体の硬度が高くなり、また、研磨加工が施される図示Ｘ−Ｚ平面（記録媒体との対向面）に露出するＡｕ膜３５の面積が、電極膜３３をすべてＡｕ膜で形成した場合よりも小さくなる。これにより、スメアや突き出し及びブラックスポットの発生頻度は、大幅に減少する。
【００２３】
また、本実施形態のようにＡｕ膜３５と第１Ｃｒ膜３２及び第２Ｃｒ膜３７との間にＡｕＸ膜３４、３６がそれぞれ介在していると、熱処理による電極膜３０の抵抗値増大が抑制されることが判明した（図３参照）。熱処理後の抵抗値は、ＡｕＸ膜３４、３６が存在していない（Ｃｒ／Ａｕ／Ｃｒ構造）場合、熱処理前の約２．３倍となる。これに対し、ＡｕＸ膜３４、３６としてＡｕＮｉ膜を備えた場合は熱処理前の約１．０２倍、ＡｕＣｕ膜を備えた場合は熱処理前の約１．２８倍にそれぞれ抑えられる。熱処理による電極膜３０の抵抗値増大が抑制される理由としては、Ａｕ膜３５と第１Ｃｒ膜３２及び第２Ｃｒ膜３７とが接触しておらず、ＡｕＸ膜３４、３６によってＡｕとＣｒの拡散が抑制されるためだと推測される。
【００２４】
ＡｕＸ膜３４、３６はそれぞれ、Ａｕ膜３５の膜厚の０．０５倍以上０．２５倍以下の膜厚で形成されている。ＡｕＸ膜３４、３６の各膜厚がＡｕ膜３５の膜厚の０．０５倍未満であると、熱処理により電極膜全体（３１〜３８）の抵抗値が増大してしまうからである。またＡｕＸ膜３４、３６の各膜厚がＡｕ膜３５の膜厚の０．２５倍を超えると、電極膜全体においてＡｕ膜３５よりも抵抗の大きいＡｕＸ膜３４、３６の占有率が高くなり、電極膜全体としての抵抗値が大きくなってしまうからである。本実施形態では、電極膜３３を約８００Åの膜厚で形成し、各ＡｕＸ膜３４、３６を約４０〜１３０Å程度の膜厚で形成している。このときＡｕ膜３５の膜厚は、約７２０〜５４０Å程度となる。
【００２５】
以上の電極膜３０は、磁気抵抗効果素子１０の図示Ｘ方向の両側部にバイアス下地層２１及びハードバイアス層２２を積層形成した後で、ハードバイアス層２２上に形成される。すなわち電極膜３０は、磁気抵抗効果素子１０の上面をレジスト層で覆った状態で、ハードバイアス層２２の上に第１Ｔａキャップ膜３１、第１Ｃｒ膜３２、ＡｕＸ膜３４、Ａｕ膜３５、ＡｕＸ膜３６、第２Ｃｒ膜３６及び第２Ｔａキャップ膜３７を真空中で連続成膜し、その後に、不要な電極材料とレジスト層をリフトオフにより除去して形成される。本実施形態では、第１Ｔａキャップ膜３１、第１Ｃｒ膜３２、第２Ｃｒ膜３６及び第２Ｔａキャップ膜３８の膜厚をそれぞれ約５０Åとしてある。電極膜３０の成膜後には、レジストキュアやアニール処理等の熱処理が施され、さらに図示Ｘ−Ｚ平面（記録媒体との対向面）に研磨加工が施される。
【００２６】
図３は、熱処理後の電極膜３０の抵抗値とＡｕＸ膜３４、３６の各膜厚（Å）の関係を示している。ＡｕＸ膜３４、３６はＡｕＮｉ膜である。電極膜３０の抵抗値は、電極膜３０中のＡｕＸ膜３４、３６の両膜厚を０Å〜１５０Åの間で変化させ、同一測定条件の下で測定した。本実施形態では、電極膜３０の形成後に、熱処理としてレジストキュア（約２３０℃）及びアニール処理（約２１０℃）を施した。なお、電極膜３０の下に位置するハードバイアス層２２はＣｏＰｔにより約１９０Åで形成され、バイアス下地層２１は約Ｃｒにより５０Åで形成されているものとする。
【００２７】
図３では、ＡｕＸ膜３４、３６が共に存在しないときの電極膜３０の抵抗値を１として規格化した抵抗値Ｒｓで示してある。すなわち、抵抗値Ｒｓが１を超えていれば、ＡｕＸ膜３４、３６が存在しないときよりも抵抗値Ｒｓが増大したことを意味する。また抵抗値Ｒｓが１未満であれば、ＡｕＸ膜３４、３６が存在しないときよりも抵抗値Ｒｓが減少したことを意味する。
【００２８】
図３を見ると、抵抗値Ｒｓは、ＡｕＸ膜３４、３６の膜厚が約４０Åに達するまでは急激に減少し、同膜厚が４０Åを超えると逆に緩やかに増大している。具体的には、例えばＡｕＸ膜３４、３６の膜厚が約１３０〜１４０Å程度であるとき、抵抗値Ｒｓは約１．０であり、電極膜３０の抵抗値はＡｕＸ膜３４、３６が存在しない場合とほぼ同等となっている。また、ＡｕＸ膜３４、３６が４０〜５０Å程度であるとき、抵抗値Ｒｓは０．９であり、電極膜３０の抵抗値はＡｕＸ膜３４、３６が存在しない場合よりも１割程度低減されている。
【００２９】
ここで、電極膜３３の合計膜厚は約８００Åであるから、ＡｕＸ膜３４、３６の膜厚が約１３０〜１４０Å程度であれば、Ａｕ膜３５の膜厚は５４０〜５２０Åとなり、ＡｕＸ膜３４、３６の膜厚はＡｕ膜３５の約０．２４〜０．２７倍に相当する。またＡｕＸ膜３４、３６が４０〜５０Å程度であれば、Ａｕ膜３５の膜厚は７２０〜７００Åとなり、ＡｕＸ膜３４、３６の膜厚はＡｕ膜３５の約０．０５６〜０．０７１倍に相当する。
【００３０】
以上の結果から明らかなように、熱処理後の電極膜３０の抵抗値は、ＡｕＸ膜３４、３６の各膜厚が１３０Å以下であるとき（ＡｕＸ膜３４、３６の膜厚がＡｕ膜３５の０．２５倍以下であるとき）、ＡｕＸ膜３４、３６が存在しない場合よりも低減されることがわかる。ただし、ＡｕＸ膜３４、３６の膜厚が４０Å未満（Ａｕ膜３５の０．０５倍未満）となる範囲では抵抗値Ｒｓが急激に減少していて不安定なので、ＡｕＸ膜３４、３６の各膜厚は、４０Å以上１３０Å以下（Ａｕ膜３５の０．０５倍以上０．２５倍以下）とすることがより好ましいと考えられる。
【００３１】
以上の本実施形態によれば、Ａｕ膜３５と、このＡｕ膜３５の上下を挟むＡｕＸ膜３４、３６によって電極膜３３が形成されているので、電極膜３３全体の硬度が高くなり、さらに研磨加工が施される図示Ｘ−Ｚ平面に露出するＡｕ膜３５の面積を、電極膜３３をすべてＡｕ膜で形成した場合よりも小さくすることができる。これにより、電極膜３０の電極材料としてＡｕを用いても、スメアや突き出し及びブラックスポットが発生することがない。あるいは発生しても、その頻度を大幅に減少することができる。
【００３２】
また本実施形態では、Ａｕ膜３５のＥＭ抑制膜として機能する第１Ｃｒ膜３２及び第２Ｃｒ膜３６とＡｕ膜３５との間に、ＡｕＸ膜３４、３６がそれぞれ介在するので、熱処理による電極膜３０の抵抗値増大が抑制されるという効果も得られる。熱処理を施しても電極膜３０の抵抗値が増大しなければ、Ａｕよりも比抵抗の高いＡｕＸ膜３４、３６が電極膜３３に含まれていても、電極膜３０の抵抗値は、ＡｕＸ膜３４、３６を有さない場合よりも低減される。
【００３３】
本実施形態では、Ａｕ膜３５の上下にのみＡｕＸ膜３４、３６を備えているが、例えば図４に示すように、Ａｕ膜とＡｕＸ膜とを互いに積層して電極膜４０を形成することも可能である。
【００３４】
図４では、第１Ｔａキャップ膜３１側から順にＡｕＸ膜４１、Ａｕ膜４２、ＡｕＸ膜４１、Ａｕ膜４２及びＡｕＸ膜４１が積層されて電極膜４０が形成されている。この態様によれば、電極膜４０中に含まれるＡｕＸ膜４１が本実施形態よりも増えるので、電極膜４０の硬度をより高めることができる。また、図示Ｘ−Ｚ平面に露出するＡｕ膜４２の面積がより小さくなるので、スメアや突き出し及びブラックスポットの発生をより確実に防止することができる。
【００３５】
また図４に示す態様では、第１Ｃｒ膜３２及び第２Ｃｒ膜３３は、ＡｕＸ膜４１に接触していてＡｕ膜４２には接触しないので、本実施形態と同様に、熱処理による電極膜の抵抗値増大を抑制できる効果も得られる。ＡｕＸ膜４１の膜厚は、Ａｕ膜４２の０．０５倍以上０．２５倍以下程度であることが好ましい。これは、０．０５倍未満であると熱処理による抵抗値の増大を抑制することができず、また０．２５倍を超えると電極膜全体においてＡｕ膜４２よりも抵抗値の大きいＡｕＸ膜４１の占有率が増大し、電極膜全体としての抵抗値が大きくなってしまうためである。例えば電極膜の膜厚を８００Åとした場合、各ＡｕＸ膜は２０〜６５Å程度の膜厚で形成する。このとき、Ａｕ膜の各膜厚は約３８０〜３３５Åとなる。
【００３６】
以上、図示実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明の電極膜は図示実施形態に限定されるものではない。
【００３７】
【発明の効果】
本発明によれば、Ａｕ膜と、このＡｕ膜の上下面を挟むＡｕＸ膜（ただし、Ｘは、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔのいずれか一種以上の元素である）とによって電極膜が形成されているので、電極膜の硬度を高くすることができ、製造工程においてスメアや突き出し及びブラックスポットの発生を防止することができる。さらに、熱処理による電極膜の抵抗値増大が抑制される効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態である電極膜を備えた薄膜磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）の構造を、記録媒体との対向面から見て示す縦断面図である。
【図２】図１の電極断面構造を示す概念図である。
【図３】熱処理後に測定した電極膜の抵抗値Ｒｓ’とＡｕＮｉ膜の膜厚（Å）との関係を示すグラフである。
【図４】本発明の別実施形態による電極断面構造を示す概念図である。
【符号の説明】
１０  磁気抵抗効果素子
２１  バイアス下地層
２２  ハードバイアス層
３０  電極膜
３１  第１Ｔａキャップ膜
３２  第１Ｃｒ膜
３３  電極膜
３４  ＡｕＸ膜
３５  Ａｕ膜
３６  ＡｕＸ膜
３７  第２Ｃｒ膜
３８  第２Ｔａキャップ膜
４０  電極膜
４１  ＡｕＸ膜
４２  Ａｕ膜
Ｈ  薄膜磁気ヘッド
【図１】
2004335059.tif 000003
【図２】
2004335059.tif 000004
【図３】
2004335059.tif 000005
【図４】
2004335059.tif 000006