(57)【要約】【課題】良好な結晶性のＩｎＧａＡｓ受光層を安定して製造することができる、化合物半導体ウエハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】ＩｎＰ基板１１とＩｎＧａＡｓ層１４との間に挟まれ、ＩｎＰ基板の上に位置する複数の層からなるＩｎｘＡｓ１−ｘＰグレーディドバッファ層１２と、そのグレーディドバッファ層の上に位置するＩｎｙＡｓ１−ｙＰバッファ層１３とを備え、グレーディドバッファ層およびバッファ層の各層の界面におけるＰＬ発光強度の最大値が、すべての界面で、バッファ層のＰＬ発光強度の最大値の３／１０未満である。【選択図】        図４
2004319765.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩｎＰ基板上に形成された受光層であるＩｎｚＧａ１−ｚＡｓ層を含む化合物半導体ウエハであって、
前記ＩｎＰ基板と前記ＩｎｚＧａ１−ｚＡｓ層との間に挟まれ、前記ＩｎＰ基板に接してその上に位置する複数の層からなるＩｎＡｓｘＰ１−ｘステップ層と、そのステップ層に接してその上に位置するＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層とを備え、
前記複数のステップ層およびバッファ層は、前記ＩｎＰ基板の格子定数から前記ＩｎｚＧａ１−ｚＡｓ層の格子定数に近づくように、段階的に、それぞれ互いに異なる格子定数を有し、
前記複数のステップ層およびバッファ層の各層の界面におけるＰＬ（Ｐｈｏｔｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光強度の最大値が、すべての界面で、前記バッファ層のＰＬ発光強度の最大値の３／１０未満である、化合物半導体ウエハ。
【請求項２】
ＩｎＰ基板上に形成された受光層であるＩｎｚＧａ１−ｚＡｓ層を含む化合物半導体ウエハであって、
前記ＩｎＰ基板と前記ＩｎｚＧａ１−ｚＡｓ層との間に挟まれ、前記ＩｎＰ基板に接してその上に位置する複数の層からなるＩｎＡｓｘＰ１−ｘステップ層と、そのステップ層に接してその上に位置するＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層とを備え、
前記複数のステップ層およびバッファ層は、前記ＩｎＰ基板の格子定数から前記ＩｎｚＧａ１−ｚＡｓ層の格子定数に近づくように、段階的に、それぞれ互いに異なる格子定数を有し、
前記ステップ層のＰＬ（Ｐｈｏｔｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光強度の最大値がすべての層で、前記バッファ層のＰＬ発光強度の最大値の７／１０以下である、化合物半導体ウエハ。
【請求項３】
ＩｎＰ基板上に形成された受光層であるＩｎｚＧａ１−ｚＡｓ層を含む化合物半導体ウエハであって、
前記ＩｎＰ基板と前記ＩｎｚＧａ１−ｚＡｓ層との間に挟まれ、前記ＩｎＰ基板に接してその上に位置する複数の層からなるＩｎＡｓｘＰ１−ｘステップ層と、そのステップ層に接してその上に位置するＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層とを備え、
前記複数のステップ層およびバッファ層は、前記ＩｎＰ基板の格子定数から前記ＩｎｚＧａ１−ｚＡｓ層の格子定数に近づくように、段階的に、それぞれ互いに異なる格子定数を有し、
前記複数のステップ層のうち、少なくとも、前記ＩｎＰ基板に接してその上に位置する第１ステップ層のＰＬ（Ｐｈｏｔｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光強度の最大値が、前記バッファ層のＰＬ発光のピーク強度の１／１０未満である、化合物半導体ウエハ。
【請求項４】
前記第１ステップ層に接してその上に位置する第２ステップ層のＰＬ（Ｐｈｏｔｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光強度の最大値が、前記バッファ層のＰＬ発光強度の最大値の１／１０未満である、請求項３に記載の化合物半導体ウエハ。
【請求項５】
前記バッファ層の格子定数と前記受光層の格子定数とが、前記バッファ層のＰＬ発光波長λｂが、前記受光層のＰＬ発光波長λｓに対して、λｓ−８００ｎｍ≦λｂ≦λｓ−６２０ｎｍの関係を満たしている、請求項１〜４のいずれかに記載の化合物半導体ウエハ。
【請求項６】
前記受光層のＰＬ発光波長が１７００ｎｍ以上である、請求項１〜５のいずれかに記載の化合物半導体ウエハ。
【請求項７】
ＩｎＰ基板上に形成された受光層であるＩｎｚＧａ１−ｚＡｓ層を含む化合物半導体ウエハであって、
前記ＩｎＰ基板と前記ＩｎｚＧａ１−ｚＡｓ層との間に挟まれ、前記ＩｎＰ基板に接してその上に位置する複数の層からなるＩｎＡｓｘＰ１−ｘステップ層と、そのステップ層に接してその上に位置するＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層とを備え、
前記複数のステップ層およびバッファ層は、前記ＩｎＰ基板の格子定数から前記ＩｎｚＧａ１−ｚＡｓ層の格子定数に近づくように、段階的に、それぞれ互いに異なる格子定数および組成比を有し、
前記複数のステップ層およびバッファ層の各層の間の少なくとも１つの界面におけるＡｓおよび／またはＰの組成比のピーク値が、その界面に前記ＩｎＰ基板側で接するステップ層およびそのステップ層に前記ＩｎＰ基板側で接するステップ層の対応する組成比よりも、ＩｎＰ基板の対応する組成比に近い、化合物半導体ウエハ。
【請求項８】
前記バッファ層と前記ステップ層との界面において、前記Ａｓおよび／またはＰの組成比のピーク値が、その界面に前記ＩｎＰ基板側で接するステップ層およびそのステップ層に前記ＩｎＰ基板側で接するステップ層の対応する組成比よりも、ＩｎＰ基板の対応する組成比に近いことを満たす、請求項７に記載の化合物半導体ウエハ。
【請求項９】
前記バッファ層と前記ステップ層との界面、および、その界面に最も近いステップ層間の界面の２つの界面の両方において、前記Ａｓおよび／またはＰの組成比のピーク値が、その界面に前記ＩｎＰ基板側で接するステップ層およびそのステップ層に前記ＩｎＰ基板側で接するステップ層の対応する組成比よりも、ＩｎＰ基板の対応する組成比に近いことを満たす、請求項７または８に記載の化合物半導体ウエハ。
【請求項１０】
前記バッファ層と前記ステップ層との界面、その界面に最も近いステップ層間の界面、およびその次にその界面に近いステップ層間の界面の３つの界面すべてにおいて、前記Ａｓおよび／またはＰの組成比のピーク値が、その界面に前記ＩｎＰ基板側で接するステップ層およびそのステップ層に前記ＩｎＰ基板側で接するステップ層の対応する組成比よりも、ＩｎＰ基板の対応する組成比に近いことを満たす、請求項７〜９のいずれかに記載の化合物半導体ウエハ。
【請求項１１】
前記複数の層からなるＩｎＡｓｘＰ１−ｘステップ層と、前記ＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層とに１Ｅ＋１８以上のｎ型不純物が導入されている、請求項１〜１０のいずれかに記載の化合物半導体ウエハ。
【請求項１２】
前記複数の層からなるＩｎＡｓｘＰ１−ｘステップ層と、前記ＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層との各層を形成する毎に成長中断がなされている、請求項１〜１１のいずれかに記載の化合物半導体ウエハ。
【請求項１３】
前記受光層を含む側の前記ＩｎＰ基板の表面と反対側の裏面に、前記表面側と同等の層が形成されている、請求項１〜１２のいずれかに記載の化合物半導体ウエハ。
【請求項１４】
ＩｎＰ基板上に形成された受光層であるＩｎｚＧａ１−ｚＡｓ層を含み、前記ＩｎＰ基板と前記ＩｎｚＧａ１−ｚＡｓ層との間に挟まれ、前記ＩｎＰ基板に接してその上に位置する複数の層からなるＩｎＡｓｘＰ１−ｘステップ層と、そのステップ層に接してその上に位置するＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層とを備え、前記複数のステップ層およびバッファ層は、前記ＩｎＰ基板の格子定数から前記ＩｎｚＧａ１−ｚＡｓ層の格子定数に近づくように、段階的に、互いに異なる格子定数を有する、化合物半導体ウエハを製造する方法であって、
前記複数のステップ層およびバッファ層の各層を形成するごとに、成長を中断する、成長中断を行なう、化合物半導体ウエハの製造方法。
【請求項１５】
前記バッファ層と受光層との形成において、前記バッファ層の格子定数と前記受光層の格子定数との関係を、前記バッファ層のＰＬ発光波長λｂが、前記受光層のＰＬ発光波長λｓに対して、λｓ−８００ｎｍ≦λｂ≦λｓ−６２０ｎｍの関係を満たすように、形成する、請求項１４に記載の化合物半導体ウエハの製造方法。
【請求項１６】
前記ＩｎＡｓｘＰ１−ｘステップ層およびＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層の形成において原料ガスを製造中の基板に導く成膜スペースと、前記成膜スペースから退避させる退避スペースを有する成膜装置を用い、前記成長中断のとき、製造途中の前記化合物半導体ウエハを前記成膜スペースから退避スペースに退避させる、請求項１４または１５に記載の化合物半導体ウエハの製造方法。
【請求項１７】
前記ＩｎＡｓｘＰ１−ｘステップ層およびＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層の形成において、２成長室成長装置を用い、各成長室での成長中断のときに、その基板上への原料ガスの供給が停止されるように保護板をかぶせる、請求項１４または１５に記載の化合物半導体ウエハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、食品、医療、環境などの検査用の近赤外線センサーに用いられる化合物半導体ウエハおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
波長１．７μｍ〜２．６μｍの近赤外域に感度を有する近赤外センサーは、格子定数の大きなＩｎｚＧａ１−ｚＡｓ層（以後、ＩｎＧａＡｓ層とする）を受光層としたエピタキシャルウエハに亜鉛を拡散させてｐ型半導体層を形成し、その上下面に正負電極を配置した構造のものが知られている。有機物、水、ガスなど我々の周囲の物質の多くは、波長１．７μｍ〜２．６μｍの近赤外域を吸収するので、環境用、医療用、食品分析用、温度検知などの分野において広範な利用が見込まれている。
【０００３】
上記の近赤外センサーは、ＩｎＰ基板上に、そのＩｎＰ基板の格子定数より大きな格子定数を有するＩｎＧａＡｓ受光層を形成する。このため、ＩｎＰ基板とＩｎＧａＡｓ受光層との間に、複数のステップ層と、その上においてＩｎＧａＡｓ受光層に接するバッファ層とを設けて、格子定数の食い違いを調整する。基板と格子定数が異なるエピタキシャルウエハのことを格子不整合系エピタキシャルウエハと呼ぶ。上述のステップ層およびバッファ層を、基板と受光層との間に介在させる構造は、ＩｎＧａＡｓ受光層が近赤外域に感度を有することが見出されて以来、繰り返し提案されている（例えば、特許文献１、２、３参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−１５６３２４号公報
【０００５】
【特許文献２】
特開２００１−１０２６２０号公報
【０００６】
【特許文献３】
特開平０６−２１６４０３号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
（第３族／第３族／第５族）の元素で構成される３元系化合物半導体では、組成または組成によって決まる格子定数によって一義的にバンドギャップが決まる。このため、上述のように、ステップ層やバッファ層の各層ＩｎＡｓＰの構成元素の比率を変化させて格子定数を少しずつ大きくさせながら、ＩｎＰ基板の格子定数から所望の格子定数のＩｎＧａＡｓ受光層へと近づける。
【０００８】
上記の近赤外センサー用の格子不整合エピタキシャルウエハの成長技術として、ＯＭＶＰＥ（Ｏｒｇａｎｏ  Ｍｅｔａｌｌｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）やＶＰＥ（Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いた気相成長法がある。なかでもＶＰＥ法は、成長速度が大きいのが特徴である。
【０００９】
しかしながら、上記のように格子定数を大きくしてステップ層を段階的に設けて、ＩｎＧａＡｓ層の受光層を形成しても、良好な結晶性のＩｎＧａＡｓ層を安定して製造することができなかった。このため、暗電流が大きくなり、低感度の近赤外センサーを得ることはできても、安定して高感度でノイズの低い製品を得ることができなかった。
【００１０】
本発明は、良好な結晶性のＩｎＧａＡｓ受光層を安定して製造することができる、化合物半導体ウエハおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の化合物半導体ウエハは、ＩｎＰ基板上に形成された受光層であるＩｎＧａＡｓ層を含む化合物半導体ウエハである。このウエハは、ＩｎＰ基板とＩｎＧａＡｓ層との間に挟まれ、ＩｎＰ基板に接してその上に位置する複数の層からなるＩｎＡｓｘＰ１−ｘステップ層（ｘは複数の層ごとに異なる）と、そのステップ層に接してその上に位置するＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層とを備えている。これら複数のステップ層およびバッファ層は、ＩｎＰ基板の格子定数から前記ＩｎＧａＡｓ層の格子定数に近づくように、段階的に、それぞれ互いに異なる格子定数を有している。そして、複数のステップ層およびバッファ層の各層の界面におけるＰＬ発光強度の最大値が、すべての界面で、バッファ層のＰＬ発光強度の最大値の３／１０未満である。
【００１２】
ＰＬ発光強度は、発光部位の結晶性を反映して、結晶性が高い部位ほどＰＬ発光強度は高くなる。上記の構成では、ステップ層およびバッファ層の界面の結晶性は波状転位、貫通転位を集中させ、劣化させているが、バッファ層内の結晶性は、その界面よりＰＬ発光強度指標で３倍以上高い。このような積層構造では、界面からその上層へのミスフィット転位の引継ぎは行なわれていない。上層へのミスフィット転位の引継ぎが行なわれていないことは、本発明者により、断面の透過電子顕微鏡観察（ＴＥＭ：  Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）によって確認された。上層の膜厚が所定厚さ以下の場合は下地としての界面の乱れのために高度の結晶性は望めないが、界面の乱れの影響が小さくなる膜厚以上では、非常に結晶性の高いエピタキシャル膜を得ることができる。上記のバッファ層の膜厚も、各ステップ層の膜厚の２倍程度とされるのが普通である。
【００１３】
なお、ＰＬ発光強度の最大値は、ウエハの所定範囲についてＰＬ発光強度を測定して、そのＰＬ発光強度を１０段階程度に段階分けして、そのときの最大の段階の強度の平均的な値とする。
【００１４】
本発明の別の化合物半導体ウエハは、ＩｎＰ基板上に形成された受光層であるＩｎＧａＡｓ層を含む化合物半導体ウエハである。このウエハは、ＩｎＰ基板とＩｎＧａＡｓ層との間に挟まれ、ＩｎＰ基板に接してその上に位置する複数の層からなるＩｎＡｓｘＰ１−ｘステップ層と、そのステップ層に接してその上に位置するＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層とを備え、複数のステップ層およびバッファ層は、ＩｎＰ基板の格子定数からＩｎＧａＡｓ層の格子定数に近づくように、段階的に、それぞれ互いに異なる格子定数を有している。そして、ステップ層のＰＬ発光強度の最大値が、すべての層で、バッファ層のＰＬ発光強度の最大値の７／１０以下である。
【００１５】
この構成は、ステップ層およびバッファ層の層内の結晶性に着目して組み立てた構成である。ステップ層内のＰＬ発光強度と、バッファ層内のＰＬ発光強度との比は、従来のものより小さくなる。これは、ＩｎＰ基板に近く、かつ膜厚の薄いステップ層よりも、ＩｎＰ基板から遠いバッファ層のほうが結晶性がより一層優れていることを示している。
【００１６】
本発明のさらに別の化合物半導体ウエハは、ＩｎＰ基板上に形成された受光層であるＩｎＧａＡｓ層を含む化合物半導体ウエハである。このウエハは、ＩｎＰ基板とＩｎＧａＡｓ層との間に挟まれ、ＩｎＰ基板に接してその上に位置する複数の層からなるＩｎＡｓｘＰ１−ｘステップ層と、そのステップ層に接してその上に位置するＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層とを備え、複数のステップ層およびバッファ層は、ＩｎＰ基板の格子定数からＩｎＧａＡｓ層の格子定数に近づくように、段階的に、それぞれ互いに異なる格子定数を有している。そして、複数のステップ層のうち、少なくとも、ＩｎＰ基板に接する第１ステップ層のＰＬ発光強度の最大値が、上記バッファ層のＰＬ発光強度の最大値の１／１０未満である。
【００１７】
上記の構成では、ＩｎＰ基板に接する第１ステップ層などのＩｎＰ基板に近接する層に、層内および界面を問わず欠陥が集中している。このため、少なくとも第１ステップ層などに歪みが開放され、上層に伝播することがなくなる。この結果、上層のバッファ層や受光層で結晶性のよいエピタキシャル膜を形成することができ、結晶欠陥に起因する暗電流を抑制し、高感度の近赤外センサーを得ることができる。
【００１８】
上記の第１ステップ層の上に接して位置する第２ステップ層のＰＬ発光強度も、上記バッファ層のＰＬ発光のピーク強度の１／１０未満であってもよい。
【００１９】
上記の化合物半導体ウエハにおいて、バッファ層の格子定数と受光層の格子定数とが、バッファ層のＰＬ発光波長λｂが、受光層のＰＬ発光波長λｓに対して、λｓ−８００ｎｍ≦λｂ≦λｓ−６２０ｎｍの関係を満たすようにしてもよい。
【００２０】
上記のように、下地層と、その下地層の上に形成される受光層との間で、上記のＰＬ発光波長の関係を有する場合、下地層および受光層の格子定数の関係がＰＬ発光波長関係から一義的に決まる。上記のＰＬ発光波長関係が成り立つ格子定数の関係を満たすようにバッファ層の組成と受光層の組成とを選択して、積層することにより結晶性に優れた受光層を得ることができる。この理由は不明である。
【００２１】
なお、バッファ層と受光層とのＰＬ発光波長が上記の関係を満たすようにするためには、ステップ層およびバッファ層においても、上記の関係を可能とするような組成の配列をしておく必要がある。
【００２２】
上記の受光層のＰＬ発光波長は、１７００ｎｍ以上の波長とすることができる。所望の波長が得られるように、組成を選択し、近赤外センサーを得ることができる。
【００２３】
本発明のさらに異なる化合物半導体ウエハは、ＩｎＰ基板上に形成された受光層であるＩｎｚＧａ１−ｚＡｓ層を含む化合物半導体ウエハである。この化合物半導体ウエハは、ＩｎＰ基板とＩｎｚＧａ１−ｚＡｓ層との間に挟まれ、ＩｎＰ基板に接してその上に位置する複数の層からなるＩｎＡｓｘＰ１−ｘステップ層と、そのステップ層に接してその上に位置するＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層とを備える。また、複数のステップ層およびバッファ層は、ＩｎＰ基板の格子定数からＩｎｚＧａ１−ｚＡｓ層の格子定数に近づくように、段階的に、それぞれ互いに異なる格子定数および組成比を有している。そして、複数のステップ層およびバッファ層の各層の間の少なくとも１つの界面におけるＡｓおよび／またはＰの組成比のピーク値が、その界面にＩｎＰ基板側で接するステップ層およびそのステップ層にＩｎＰ基板側で接するステップ層の対応する組成比よりも、ＩｎＰ基板の対応する組成比に近い。
【００２４】
この構成によれば、ＩｎＰ基板からバッファ層に向けて組成を調整して格子定数を合わせるようにしたステップ層が形成されておりながら、その界面ではそれに逆行する組成を有することになる。組成と格子定数とは１対１に対応するので、界面において格子定数が逆行することになり、界面にミスフィット転位が集中することになる。界面にミスフィット転位が集中すれば、ステップ層内やバッファ層内にはミスフィット転移が少なくなり、良好な結晶性の受光層を得ることができるようになる。
【００２５】
上記の構成において、バッファ層とステップ層との界面において、Ａｓおよび／またはＰの組成比のピーク値が、その界面にＩｎＰ基板側で接するステップ層およびそのステップ層にＩｎＰ基板側で接するステップ層の対応する組成比よりも、ＩｎＰ基板の対応する組成比に近いことを満たすようにできる。
【００２６】
また、バッファ層とステップ層との界面、および、その界面に最も近いステップ層間の界面の２つの界面の両方において、Ａｓおよび／またはＰの組成比のピーク値が、その界面にＩｎＰ基板側で接するステップ層およびそのステップ層にＩｎＰ基板側で接するステップ層の対応する組成比よりも、ＩｎＰ基板の対応する組成比に近いことを満たしてもよい。さらに、バッファ層とステップ層との界面、その界面に最も近いステップ層間の界面、およびその次にその界面に近いステップ層間の界面の３つの界面すべてにおいて、前記Ａｓおよび／またはＰの組成比のピーク値が、その界面にＩｎＰ基板側で接するステップ層およびそのステップ層にＩｎＰ基板側で接するステップ層の対応する組成比よりも、ＩｎＰ基板の対応する組成比に近いことを満たしてもよい。
【００２７】
上記のように、バッファ層により近い界面でミスフィット転位の集中を形成することにより、バッファ層および受光層の結晶性を良好にすることができる。
【００２８】
上記の複数の層からなるＩｎＡｓｘＰ１−ｘステップ層と、ＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層とに１Ｅ＋１８以上のｎ型不純物が導入されてもよい。上記の不純物導入により欠陥が、隣接する層に拡張して伝わりにくくなる。
【００２９】
上記の複数の層からなるＩｎＡｓｘＰ１−ｘステップ層と、ＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層との各層を形成する毎に成長中断がなされて形成されてもよい。
【００３０】
上記のように成長中断を行なうことにより、層ごとに変える組成の切り換えの急峻性を高めることができる。この結果、格子定数の変化の急峻性も高めることができる。界面において格子定数の変化の急峻性が高くなると、格子定数は１つの層から他の層へとステップ状に変化することになる。このような場合、下層で発生したミスフィット転位は、そのステップ状の格子定数の変化部でブロックされて隣接する上層へと拡張伝播しにくくなる。
【００３１】
このため、成長中断しないで連続的組成が変化する場合と異なり、下地としての界面の欠陥密度が緩和されることはないが、下地からＩｎＧａＡｓ受光層への欠陥の拡張や伝播がないエピタキシャル膜を得ることができる。この結果、膜厚を所定厚さ以上とする場合に結晶性に優れたエピタキシャル層を得ることができる。
【００３２】
上記の受光層を含む側の前記ＩｎＰ基板の表面と反対側の裏面に、表面側と同等の層が形成されてもよい。この構成により、このウエハの反りの発生を防止することができる。
【００３３】
本発明の化合物半導体ウエハの製造方法は、次のようなウエハを製造する方法である。すなわち、ＩｎＰ基板上に形成された受光層であるＩｎＧａＡｓ層を含み、ＩｎＰ基板と前記ＩｎＧａＡｓ層との間に挟まれ、ＩｎＰ基板に接してその上に位置する複数の層からなるＩｎＡｓｘＰ１−ｘステップ層と、そのステップ層に接してその上に位置するＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層とを備える。そして、複数のステップ層およびバッファ層は、ＩｎＰ基板の格子定数からＩｎＧａＡｓ層の格子定数に近づくように、段階的に、それぞれ互いに異なる格子定数を有する。このような化合物半導体ウエハの製造において、複数のステップ層およびバッファ層の各層を形成する毎に、成長中断を行なう。
【００３４】
上記のように成長中断を行なうことにより、ステップ層およびバッファ層の各層ごとに変化する組成の界面における急峻性を高めることができる。この層ごとに変化する組成の界面における組成変化の急峻性も、格子定数の急峻性を高めるので、上記欠陥の拡張や伝播を抑制する作用を有する。
【００３５】
ここで、成長中断とは、所定の時間、例えば１分間以上、成長しない状態を作りだし、その状態にウエハを保持することをいう。具体的には、その成長基板に一定時間原料ガスを供給しないようにして成長中断し、その間に、その基板に供給される原料ガスが確実に所定の組成となるようにし、その後でその原料ガスをその基板に供給する。このような成長中断により、組成および格子定数が急峻に変化する界面を得ることができる。
【００３６】
上記のＩｎＡｓｘＰ１−ｘステップ層およびＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層の形成において原料ガスを製造中の基板に導く成膜スペースと、前記成膜スペースから退避させる退避スペースを有する成膜装置を用い、成長中断のとき、製造途中の化合物半導体ウエハを成膜スペースから退避スペースに退避させてもよい。
【００３７】
この方法によれば、組成を変えてその上に成膜する場合に組成の急峻性を向上させることができ、また格子定数の急峻性を高め、ミスフィット転位などの欠陥の上層への伝播や拡張を抑制することができる。
【００３８】
また、上記のＩｎＡｓｘＰ１−ｘステップ層およびＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層の形成において、２成長室成長装置を用い、各成長室での成長中断のときに、その基板上への原料ガスの供給が停止されるように保護板をかぶせてもよい。
【００３９】
この方法によれば、原料ガスの供給および停止を瞬時に行なうことができ、上記界面における組成の急峻性を容易に確保することが可能となる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
次に、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形態における化合物半導体ウエハ５０を用いた近赤外センサーを示す断面図である。この化合物半導体ウエハ５０では、ＩｎＰ基板１１の上に接してＩｎＡｓＰのステップ層１２が形成され、さらにその上にＩｎＡｓ０．６Ｐ０．４のバッファ層１３が配置されている。ステップ層１２とバッファ層１３とは、Ｉｎ０．８２Ｇａ０．１８Ａｓからなる受光層１４の格子定数と、ＩｎＰ基板の格子定数との食い違いを緩和するために配置されている。
【００４１】
ステップ層１２の各層は、その格子定数が受光層の近くに位置する層ほど大きくなるように、組成の選択がなされている。図１では、バッファ層１３に近いステップ層からＩｎＰ基板の方向に向って、順に、１２ａ，１２ｂ，１２ｃ．．．．などとしている。また、ＩｎＰ基板に接してその上に位置するステップ層を第１ステップ層Ｆと、その上に接して位置する第２ステップ層Ｓが配置される。本発明の実施の形態では、第１ステップ層Ｆおよび第２ステップ層Ｓにおいて、ＰＬ発光が発生するか否かが問題とされる。また、本実施の形態の化合物半導体ウエハでは、とくにステップ層およびバッファ層における界面がが問題とされる。図１に示すように、これら界面は、バッファ層からＩｎＰ基板の方向に向って、３０ａ，３０ｂ，３０ｃ．．．．などと符号を付してある。
【００４２】
この化合物半導体ウエハ５０の各部位に光を照射してＰＬ発光を得ることができる。本実施の形態においては、複数のステップ層およびバッファ層の各層の界面におけるＰＬ発光強度の最大値が、すべての界面において、バッファ層のＰＬ発光のピーク強度の３／１０未満である。
【００４３】
また、変形例として、複数のステップ層のＰＬ発光強度の最大値が、バッファ層のＰＬ発光強度の最大値の７／１０以下とする場合もある。
【００４４】
さらに、他の変形例では、複数のステップ層のうち、少なくとも、ＩｎＰ基板に接してその上に位置する第１ステップ層のＰＬ発光強度の最大値が、バッファ層のＰＬ発光のピーク強度の１／１０未満である場合もある。この場合、第１ステップ層に接してその上に位置する第２ステップ層のＰＬ発光強度の最大値が、バッファ層のＰＬ発光のピーク強度の１／１０未満であってもよい。
【００４５】
上記の化合物半導体ウエハ５０を、近赤外センサーとして使用するためには、まず、窓層１６にＺｎ拡散マスク１７を配置する。次いで、ＩｎＰ基板１１の裏面にオーミック接触となるようにｎ型電極２２を形成し、また窓層１６の上にオーミック接触となるようにｐ型電極２１を形成する。次いで、その上を反射防止膜１８で被覆する。
【００４６】
近赤外域の入射光は、窓層１６を通り抜け、受光層１４で価電子帯の電子を励起する。このためにｐ型電極２１とｎ型電極２２との間に電流が流れ、近赤外領域のセンサーとして機能することができる。
【００４７】
図２は、本発明の化合物半導体ウエハを製造する方法を示す図である。図２に示す装置はクロライド気相装置である。クロライド法では、搬送ガスに水素を用いて、ＩｎＧａＡｓ膜を形成するときは、ＡｓＣｌ３を装置内に搬送する。その装置内でＡｓＣｌ３とＨ２とが熱分解し、Ａｓ４とＨＣｌとになる。ＨＣｌが、ＧａおよびＩｎと個別に反応して、ＧａＣｌおよびＩｎＣｌを形成し、基板上にＩｎＧａＡｓ膜を形成することができる。組成を変化させる場合は、Ｇａと反応させるＡｓＣｌ３の量、Ｉｎと反応させるＡｓＣｌ３の量などを変化させる。ＩｎＡｓＰ膜を成膜するとき、上記と同様に水素ガスを搬送ガスとしてＡｓＣｌ３およびＰＣｌ３と個別に反応させて、基板上にＩｎＡｓＰ膜を形成する。ＩｎＡｓＰ膜のＡｓ組成およびＰ組成は、原料ガス供給量により制御する。
【００４８】
クロライド法は、一般に用いられているＯＭＶＰＥ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｍｅｔａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ）法に比べて成長速度が５倍以上と大きい。このため、厚い層の結晶成長に有利であり、また結晶性のよい膜を得ることができる。
【００４９】
図２に示す装置は次の特徴を有する。
（１）ＩｎＡｓＰ膜の成膜スペースとＩｎＧａＡｓ膜の成膜スペースとが、衝立状の隔壁で隔てられている。
（２）成膜時には、上記のいずれかの成膜スペースに基板を配置し、独立に成膜し、また成長中断を行なうことができる。とくに、所定の組成でステップ層を形成した後、成長中断を行なうことができる。このとき、成膜終了したばかりの基板に保護板で覆うようにして、原料ガスから短時間で遮蔽することができる。このため、組成が変化する原料ガス中に暴露されている時間を除くことができる。
【００５０】
次いで、組成の異なるステップ層を形成する場合、原料ガス組成の調整が終了し、目標とする所定組成にした後に、上記保護板を外して基板にその原料ガスを供給することができる。
【００５１】
このため、界面において組成における急峻性を高め、したがって格子定数における急峻性を向上させることができる。この結果、ミスフィット転位などを界面に集積させることができ、隣接する層に転位などを拡張させたり、伝播させたりすることを避けることができ、結晶性に優れた受光層を得ることができる。
【００５２】
【実施例】
図２に示すクロライドＶＰＥ装置を用いて、図１に示す化合物半導体ウエハ５０を製造した。受光層の受光対象波長、すなわちＰＬ発光波長は、例えば２２００ｎｍである。バッファ層のＰＬ発光波長は、後述する図１１において示す。また、ＩｎＡｓｘＰ１−ｘステップ層１２と、ＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層１３とに１Ｅ＋１８以上のｎ型不純物が導入されている。
【００５３】
製造方法は、図２で説明したように、ステップ層およびバッファ層を形成する際、各層を形成する毎に成長中断を行ない、組成および格子定数の急峻性を高めるようにした。
【００５４】
図３は、その本発明例の化合物半導体サンプル１の断面を示す透過電子顕微鏡写真である。ＩｎＰ基板１１の上に、第１ステップ層Ｓおよび第２ステップ層Ｆが形成され、その上に５層のステップ層１２ｅ〜１２ａが形成されている。これらのステップ層１２の上にはバッファ層１３が形成され、さらに受光層１４および窓層１６が設けられている。
【００５５】
上記本発明例のサンプル１は、後に示すように、ＩｎＧａＡｓ受光層１４のＰＬ発光強度が非常に高いものである。図３において、ＩｎＡｓｘＰ１−ｘステップ層の各界面にひずみによる明暗のコントラストが明瞭に認められる。しかし、このようなひずみによる明暗のコントラストは、ＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層１３とＩｎＧａＡｓ受光層１４との界面にも、またＩｎＡｓＰ窓層１６とＩｎＧａＡｓ受光層１４との界面にも認められない。
【００５６】
図４は、本発明例のサンプル１のステップ層を拡大した透過電子顕微鏡写真である。図４に示すように、サンプル１では各ステップ層の界面に高密度の転位を示すコントラスト３６が形成され、ステップ層の層内にまで拡張しているのが観察される。しかしながら、図５に示すように、図３の説明でも述べたように、ＩｎＧａＡｓ受光層１４と、それに隣接するＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層１３およびＩｎＡｓＰ窓層１６との界面におけるコントラストは明瞭ではなく、転位密度が高くないことを示している。
【００５７】
図６は、成長中断を行なわず、ステップ層の界面における組成の急峻性には配慮せずに成長させた、サンプル２の化合物半導体ウエハの断面を示す透過電子顕微鏡写真である。図６によれば、ステップ層の各界面からの転位の拡張は認められず、また転位密度に起因する明暗のコントラストの強度は低い。図６の倍率は、図３の倍率とほぼ同じなので、図６と図３とを比較することにより、図３におけるステップ層の各界面の、よりシャープなコントラストが識別できる。しかし、ＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層１３の内部にひずみに起因する明暗のコントラスト３１が認められる。
【００５８】
図７に示すように、ＩｎＧａＡｓ受光層１４の内部に明暗のコントラスト３２が、またＩｎＡｓＰ層１６の内部にも明暗のコントラスト３３が認められる。そして、ＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層１３およびＩｎＡｓＰ窓層１６との界面における転位密度によるコントラストは、図５におけるそれと比較して高いことが分る。すなわち、本発明の化合物半導体ウエハのサンプル１では、サンプル２と比較して、ステップ層の各界面における転位密度はより高く、各ステップ層内に拡張している様子が観察され、受光層１４に隣接するバッファ層や窓層との界面では転位密度はより低い。
【００５９】
本発明例の化合物半導体ウエハのサンプル１の断面についてＰＬ発光強度分布を測定した。その結果を、図８に示す。図８の横軸はＰＬ発光の波長（ｎｍ）を表示し、また縦軸は長さ（μｍ）または基準位置からの距離を表示している。したがって、縦軸からは各層の厚みが分る。ＰＬ発光の強度は、実際のデータでは色で表示するが、図８に示すように白黒で表示して強度の段階を数値で示すことによっても強度分布を知ることができる。
【００６０】
図８では、ＰＬ発光の最高強度が８単位であり、その８単位を１０段階に区分けして、その１０段階の数値を図中に記入してある。上記の８単位における単位はこの測定装置に特有の単位である。図８では、ＩｎＰ基板１１の発光波長からバッファ層１３の発光波長までをカバーする波長域を表示してある。すなわち、受光層１３の波長２２００ｎｍの範囲はカバーしていない。これは、波長２２００ｎｍの測定をするためには、本発明の実施の形態が対象とする化合物半導体ウエハを用いた近赤外センサーを用いる必要があり、センサーを特別なものに変えないと測定できないからである。
【００６１】
図８から、次のことが分る。
（ａ１）第１ステップ層Ｆおよび第２ステップ層Ｓでは、ＰＬ発光が認められない。すなわち、バッファ層のＰＬ発光強度の最大値である段階１０に対し、第１ステップ層Ｆおよび第２ステップ層Ｓは、少なくとも段階１ではなく、少なくとも段階１未満の発光強度であると言える。
（ａ２）２つのステップ層１２ｂ，１２ｃの界面、および２つのステップ層１２ｄ，１２ｅの界面において、界面における最大値である段階２が得られている。界面における結晶性は、バッファ層における最大ＰＬ発光強度の段階１０と比較すると非常に小さく、２／１０となっている。
（ａ３）ステップ層の内部のＰＬ発光強度は最も高いものでも段階３であり、バッファ層１３の最高値の３／１０である。
【００６２】
比較例として、図２に示すクロライドＶＰＥ装置を用いて、成長中断を行なうことなく、ステップ層およびバッファ層を形成した場合の化合物半導体ウエハ（サンプル２についてＰＬ発光強度分布を測定した。結果を図９に示す。図９に示されている表示では、最高強度の９０％を３．５単位としている。したがって、最高強度は３．８９単位（３．５単位／０．９）である。この単位については、上述のとおりステップ層の内部のＰＬ発光強度は最も高いものでも段階３であり、バッファ層１３のそれに比べて小さいと言える。である。図９では最高強度３．８９単位を１０段階に分けて各段階の数値を図中に表示してある。図９では、図８の測定よりも感度を上げたとみることができる。この図９を、図８の本発明例と対比させてみると次のことが分る。
（ｂ１）第１ステップ層Ｆおよび第２ステップ層Ｓでも、ＰＬ発光が認められる。ＰＬ発光強度の絶対値についてみた場合、感度を上げたためと見ることができる。しかし、バッファ層の最高強度との比較では、第１ステップ層Ｆでは段階２であり、第２ステップ層Ｓでは段階７が得られている。すなわち、バッファ層の最高強度との比では、それぞれ２／１０および７／１０ということができる。この比は、本発明例における１／１０未満と比較して大きな相違である。
（ｂ２）図９によれば、界面におけるＰＬ発光の最高値は段落４である。したがって、バッファ層の最高値との比較では４／１０の比ということになる。この比は、本発明例の比２／１０より歴然と大きくなっている。
（ｂ３）ステップ層の内部のＰＬ発光強度は最も高いものは、ステップ層１２ｅの段階１０であり、バッファ層１３の最高段階と同じであり、比は１０／１０であり、１となる。これは、本発明例と比較例との大きな相違である。
【００６３】
最も重要な受光層のＰＬ発光強度は、比較例との比で表示してつぎの値が得られた。
（図８に示すウエハの受光層１４のＰＬ発光の最大強度）／（図９に示すウエハの受光層のＰＬ発光の最大強度）＝１６／１
上記によれば、本発明例の化合物半導体ウエハの受光層１４は、比較例の受光層と比較して、１６倍の受光感度を有するということができる。これは、単純に本発明例の欠陥密度が、比較例の欠陥密度の１／１６ということを意味するわけではないが、比較例に比べて本発明例では受光層の欠陥密度が画期的に低下して、優れた結晶性の受光層が得られた、ということは言える。この結果、暗電流が大幅に減少し、近赤外域の感度を飛躍的に高めることができる。
【００６４】
図１０は、本発明例の図８のＰＬ発光強度を縦方向軸にとり、立体的にＰＬ発光強度を表示したものである。ステップ層内のＰＬ発光強度の最大は、バッファ層のＰＬ発光強度の最大値の４０％程度であり、図８における表示と一致する。
【００６５】
図１１は、横軸に所定範囲におけるＩｎＡｓｘＰ１−ｘステップ層でのひずみによるコントラスト数をとり、縦軸にＩｎＧａＡｓ受光層１４におけるＰＬ発光強度比をとり、サンプル１〜３についてプロットした図である。サンプル２は、成長中断がほとんどないもので、組成の急峻性をサンプル１ほど厳格に管理しなかった本発明例に属さない化合物半導体ウエハである。
【００６６】
図１１によれば、ステップ層におけるひずみコントラスト数と受光層におけるＰＬ発光強度とは比例関係にあり、ステップ層におけるひずみコントラスト数が高いほど受光層のＰＬ発光強度は高くなることが分る。これは、これまで説明してきたように、受光層より下層におけるミスフィット転位を受光層にまで引き継いだり、拡張したりせず、ステップ層の界面およびステップ層内に局在させたために、受光層の結晶性が向上し、そのＰＬ発光強度が向上したという説明によく合致する。
【００６７】
図１２は、ＩｎＧａＡｓ受光層１４のＰＬ発光波長λｓと、ＩｎＡｓＰバッファ層１３のＰＬ発光波長λｂとの関係において、受光層のＰＬ発光の強度が高くなる範囲を示している。上記の実施例もこの範囲内の点としてプロットされている。この範囲は、λｓ−８００ｎｍ≦λｂ≦λｓ−６２０ｎｍと表示することができる。この関係を満たす場合、ＩｎＧａＡｓ受光層の格子と、ＩｎＡｓＰバッファ層およびＩｎＡｓＰ窓層の格子との間にミスフィット転位が発生しにくい関係の範囲内にあると考えられる。
【００６８】
実際に、化合物半導体ウエハを作製する場合、次の手順により図１２に示す範囲を満たす化合物半導体ウエハを製造することができる。
（ｓ１）受光層１４が受光する波長を決める。これはセンサーの対象とする波長を決めることに他ならない。またこれはＰＬ発光波長を決めることと同じである。ＰＬ発光波長を決めるということは、バンドギャップを決めることと等価であり、組成および格子定数が自ずと定まる。
（ｓ２）図１２に基づいてバッファ層１３のＰＬ発光波長を決める。これは窓層１６のＰＬ発光波長を決めることと同じである。したがって、バッファ層および窓層の組成と格子定数とが定まる。
（ｓ３）（ｓ２）において定めたバッファ層の格子定数と、ＩｎＰ基板の格子定数とから、間に挿入するステップ層の層数とそれらの格子定数とを設計する。この格子定数の設計は、組成の設計を決めることになる。
【００６９】
上記の（ｓ１）〜（ｓ３）の手順を踏むことにより、図１２に示す受光層およびバッファ層のＰＬ発光波長の関係を満たすことができる。この結果、結晶性に優れた受光層を得ることができ、暗電流が小さい高感度の近赤外域センサーを得ることができる。
【００７０】
次に、上記サンプル１（本発明例）とサンプル２（比較例）とに対して、その断面のＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を行なった結果を説明する。ＳＩＭＳは微小部分の質量分析を行なうことができ、本発明の実施の形態で重要な各ステップ層の界面の質量分析を行なうことが可能である。図１３はサンプル１（本発明例）のＳＩＭＳ分析結果を示すチャートである。図１３によればステップ層１２は、ＩｎＡｓｘＰ１−ｘの組成を各ステップ層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄごとに変えていることが分る。すなわち、ＩｎＡｓｘＰ１−ｘ中のＰの組成比はＩｎＰ基板１１からバッファ層１３に向って減少し、逆にＩｎＡｓｘＰ１−ｘ中のＡｓの組成比はＩｎＰ基板１１からバッファ層１３に向って増大している。これは格子定数をＩｎＰ基板１１からバッファ層１３へと徐々に適合させるためである。
【００７１】
これらステップ層の界面３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄなどでは、ＰおよびＡｓの組成比は、上記の組成の変化に逆行するような変化を示している。すなわち、ステップ層の界面におけるＡｓおよびＰの組成比のピークは、その界面が接しているステップ層より１つ前のステップ層、すなわちその界面より１つＩｎＰ基板側に近いステップ層におけるＡｓおよびＰの組成比よりもＩｎＰ基板に近い組成比を有している。界面では、徐々にバッファ層の組成に近づくというより、その逆の傾向を示している。
【００７２】
図１４は、サンプル２（比較例）のＳＩＭＳ分析結果を示すチャートである。この結果は、ステップ層の界面で、上記のようにＡｓおよびＰの組成比は変動はするが、図１３に示すように、１つ前のステップ層の組成比よりもＩｎＰ基板に近いピーク値を示す界面は存在しない。
【００７３】
図１３と図１４とを比較して、ステップ層の界面におけるＡｓおよびＰの組成比のピークが上記の程度にＩｎＰ基板に近い組成比を有していることは、成長中断の作用によってもたらされたものということができる。このような界面における組成比の変動は、成長中断を行ない、組成を各ステップ層で急峻に変化させたためにもたらされ、ミスフィット転位の集中をともなっていることを示している。
【００７４】
すなわち、格子定数と組成比とは１対１に対応しており、上記のような界面における組成比の逆行は、格子定数の逆行をも意味しており、ミスフィット転位の集中を証拠づけるものである。ミスフィット転位が界面に集中するほどステップ層やバッファ層ではミスフィット転位は少なくなり、良好な結晶性の発光層の形成に寄与することになる。
【００７５】
（実施の形態に対する付言）
１．  本実施例では、次の（ｃ１）〜（ｃ３）のすべてが満たされたウエハの例を示した。
（ｃ１）複数のステップ層およびバッファ層の各層の界面におけるＰＬ発光強度の最大値が、すべての界面において、バッファ層のＰＬ発光強度の最大値の３／１０未満であるウエハ
（ｃ２）複数のステップ層のＰＬ発光強度の最大値が、バッファ層のＰＬ発光強度の最大値の７／１０以下であるウエハ
（ｃ３）複数のステップ層のうち、少なくとも、ＩｎＰ基板に接してその上に位置する第１ステップ層のＰＬ発光強度の最大値が、前記バッファ層のＰＬ発光強度の最大値の１／１０未満であるウエハ
しかし、本発明は、最も広くは、上記（ｃ１）〜（ｃ３）のいずれか１つを満たすウエハであればよい。
【００７６】
２．本実施の形態では、成長中断を行なう場合、保護板を用いて原料ガスの供給を遮断して界面の急峻性を高める方法を説明した。しかし、成長中断はこの方法に限定されず、成膜中の基板に、異なるステップ層を形成する際に、基板に供給される原料ガスの組成が異なるようにできれば、どのような方法によってもよい。
【００７７】
上記において、本発明の実施の形態について説明を行なったが、上記に開示された本発明の実施の形態はあくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むことを意図するものである。
【００７８】
【発明の効果】
本発明の化合物半導体ウエハおよびその製造方法を用いることにより、ＩｎＰ基板上に形成された結晶性に優れたＩｎＧａＡｓ受光層を得ることができ、暗電流の少ない高感度の近赤外センサーを得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における化合物半導体ウエハを組み込んだ近赤外センサーを示す図である。
【図２】本発明の実施の形態における化合物半導体ウエハを製造する際に用いる成膜装置を示す図である。
【図３】本発明例の化合物半導体ウエハ（サンプル１）の断面を示す透過電子顕微鏡写真である。
【図４】サンプル１のステップ層付近を示す透過電子顕微鏡写真である。
【図５】サンプル１の受光層付近を示す透過電子顕微鏡写真である。
【図６】比較例（サンプル２）のステップ層付近を示す透過電子顕微鏡写真である。
【図７】サンプル２の受光層付近を示す透過電子顕微鏡写真である。
【図８】本発明例の化合物半導体ウエハ（サンプル１）のＰＬ発光強度分布を示す図である。
【図９】比較例の化合物半導体ウエハ（サンプル２）のＰＬ発光強度分布を示す図である。
【図１０】本発明例の化合物半導体ウエハのＰＬ発光強度分布を立体的に示す図である。
【図１１】ステップ層におけるひずみによるコントラスト数とＰＬ発光強度比との関係を示す図である。
【図１２】化合物半導体ウエハの受光層とバッファ層とのＰＬ発光波長の関係において、受光層の結晶性が優れたものになる、範囲を示す図である。
【図１３】本発明例のサンプル１のＳＩＭＳ分析結果を示す図である。
【図１４】比較例のサンプル２のＳＩＭＳ分析結果を示す図である。
【符号の説明】
１１  ＩｎＰ基板、１２，１２ａ〜１２ｅ  ＩｎＡｓｘＰ１−ｘステップ層、１３ＩｎＡｓｙＰ１−ｙバッファ層、１４  ＩｎｚＧａ１−ｚＡｓ受光層、１６  ＩｎＡｓｙＰ１−ｙ窓層、１７  Ｚｎ拡散マスク、１８  反射防止膜、２１  ｐ型電極、２２ｎ型電極、３０ａ〜３０ｅ  界面、３１，３２，３３，３６  透過電子顕微鏡明視野像におけるコントラスト、５０  化合物半導体ウエハ、Ｆ  第１ステップ層、Ｓ  第２ステップ層。
【図１】
2004319765.tif 000003
【図２】
2004319765.tif 000004
【図３】
2004319765.tif 000005
【図４】
2004319765.tif 000006
【図５】
2004319765.tif 000007
【図６】
2004319765.tif 000008
【図７】
2004319765.tif 000009
【図８】
2004319765.tif 000010
【図９】
2004319765.tif 000011
【図１０】
2004319765.tif 000012
【図１１】
2004319765.tif 000013
【図１２】
2004319765.tif 000014
【図１３】
2004319765.tif 000015
【図１４】
2004319765.tif 000016