(57)【要約】【課題】複数の半導体チップをフェイスアップ状態で積層状に配線基板上に搭載し、絶縁性基板のワイヤーボンディング電極パターン部と半導体チップのワイヤーボンディング電極パターンとをワイヤーボンディングにより接続するスタックドパッケージについて、低コスト、かつ、搭載する半導体チップの形状等の制限が緩和された半導体製造装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】上記のスタックドパッケージであって、半導体チップ同士を接着する絶縁性接着層の厚さを、少なくとも下側半導体チップの表面からボンディングワイヤーのワイヤーループの最頂点までの高さ以上に厚くし、上記絶縁性接着層の上記下側半導体チップの表面上に占める領域が、上記下側半導体チップのワイヤーボンディング電極パターン領域と少なくとも一部重複するように形成し、ボンディングワイヤーを上記接着層に内在させたことを特徴とする半導体装置及びその製造方法を提供することにより課題を解決する。【選択図】　　図１
2004072009.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、第１の半導体チップと、第２の半導体チップとが、表面側配線層が中間絶縁層を貫通して形成された貫通孔を通して裏面側配線層と電気的に接続された実装用外部端子を有する配線基板に搭載され、封止用樹脂にて封止されている半導体装置であって、
前記配線基板の表面と、前記第１の半導体チップの非回路形成面とが第１の絶縁性接着層を介して接着され、
前記第１の半導体チップのワイヤーボンディング電極パターンを有する回路形成面と前記第２の半導体チップの非回路形成面とが前記第１の半導体チップのワイヤボンディング電極パターンの領域の少なくとも一部を含むように、第２の絶縁性接着層を介して接着され、
前記配線基板の前記表面側配線層に形成されたワイヤーボンディング電極パターンと、前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップのワイヤーボンディング電極パターンを有する回路形成面のワイヤーボンディング電極パターンとが、ボンディングワイヤーで接続され、
かつ、前記第２の絶縁性接着層は少なくとも前記第１の半導体チップに接続形成されたボンディングワイヤーのワイヤーループ最頂点高さより厚く形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２の絶縁性接着層の全部又は一部に、前記ボンディングワイヤーを内在させることができる程度の粘度を与える工程と、
前記ボンディングワイヤーを前記第２の絶縁性接着層に内在させるとともに前記第２の半導体チップを前記第１の半導体チップの回路形成面上に搭載する工程と、
前記第２の絶縁性接着層を固化する工程を少なくとも含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の絶縁性接着層は、低粘度熱可塑性を有する絶縁性フィルム状接着層と高粘度可塑性を有する絶縁性フィルム状接着層とから構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の絶縁性接着層は、さらに、前記ボンディングワイヤーを内在させることができない程度の高硬度絶縁層を含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２の半導体チップの非回路形成面に請求項３及び請求項４に記載した第２の絶縁性接着層を形成する工程は、
少なくとも表面に所定の回路が形成されたウエハーの裏面に前記低粘度可塑性を有する絶縁性フィルム状接着層を貼り付ける工程と、前記高硬度フィルム状絶縁層を貼り付ける工程と、前記高粘度可塑性を有する絶縁性フィルム状接着層を貼り付ける工程と、ダイシングすることにより前記第２の半導体チップに分離する工程とにより構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数個の半導体チップを積層させ搭載することにより実装密度を高めたパッケージ構造を有する半導体装置（以下「スタックドパッケージ」という）及び製造方法に関し、特に、半導体チップをフェイスアップ状態で、表面側配線層が中間絶縁層を貫通して形成された貫通孔を通して裏面側配線層と電気的に接続された実装用外部端子を有する配線基板上に搭載され、前記配線基板の表面側配線面に形成されたワイヤーボンディング電極パターンとをワイヤーボンディングにより接続することを特徴とする半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯機器及びパソコン等の小型化にともない、半導体装置の実装基板への実装に際して、高密度化が要求されている。しかし、上記機器では半導体装置の低コストも求められており、低コストのスタックドパッケージ技術が注目されている。
【０００３】
図８に、低コストのスタックドパッケージ技術を適用した半導体装置の例を示す。ここで、図８の半導体装置は下側半導体チップ１と、上側半導体チップ２と、裏面に実装用外部端子（すなわち半田ボール５）を有する配線基板７と、ボンディングワイヤー４と、封止樹脂６と絶縁性フィルム状接着層３とから構成されており、上側半導体チップの裏面（非回路形成面）を、下側半導体チップ１の回路形成面上に、２０〜５０μｍ程度の厚さを有する上記絶縁性フィルム状接着層３を介して接着し、上記配線基板７の表面側配線形成面と下側半導体チップ１の裏面（非回路形成面）とを絶縁性フィルム状接着層３を介して接着し、下側半導体チップの回路形成面上のワイヤーボンディング電極パターン及び上側半導体チップのワイヤーボンディング電極パターンと、上記配線基板の表面側配線形成面上のワイヤーボンディング電極パターンとをボンディングワイヤー４で接続した後、封止樹脂６で封止することにより製造されている。
【０００４】
しかし、図８に示すように、スタックドパッケージ内に搭載し、積層した各半導体チップの回路形成面上のワイヤーボンディング電極パターンと実装用外部端子を有する配線基板上のワイヤーボンディング電極パターンとを接続する手段として、ワイヤーボンディングを使用する場合には、積層する半導体チップはすべて配線基板に対してフェイスアップ状態で搭載する必要があり、下側半導体チップ面上のワイヤーボンディング電極パターンに対しワイヤーボンディング時に、上側の半導体チップが障害とならないようにするには、上側の半導体チップのサイズ及び形状に制限があった。
【０００５】
そこで、上記制限を緩和する為、半導体チップの積層に係わる構造及びその製造方法には、様々なものが提案され、実現された。
例えば、図９に示す半導体装置もスタックドパッケージの例である。ここで、図９は半導体装置の断面構造を示しており、上記半導体装置は、下側半導体チップ１と、上側半導体チップ２と、裏面に実装用外部端子（すなわち半田ボール５）を有する配線基板７と、絶縁性フィルム状接着層３と、金属バンプ８と、ボンディングワイヤー４と、封止樹脂６から構成されており、上記上下の各半導体チップの裏面（非回路形成面）同士を絶縁性フィルム状接着層３を介して接着した半導体チップの組を、上記下側半導体チップの回路形成面と配線基板の上側配線面とを、金属バンプ８を介して積み重ね（以下「フリップチップ構造」という。）、下側半導体チップと配線基板の間にはアンダーフィル材を充填し、フェイスアップ状態である上側半導体チップ２のワイヤーボンディング電極パターンと配線基板７のワイヤーボンディング電極パターンはボンディングワイヤー４で接続した後、封止樹脂６で封止することにより、製造されている。
【０００６】
ところで、上記の説明中、アンダーフィル材とは、エポキシ樹脂等にフィラー（材質がＳｉＯ２等である、粒径２０〜１００μ程度の粒状物質をいう）を含ませ、熱硬化性を有するものをいう。
また、図１０に示す半導体装置も例としてあげられる。ここで、図１０は半導体装置の断面構造を示しているが、上記半導体装置は、下側半導体チップ１と、上側半導体チップ２と、実装用外部端子（すなわち半田ボール５）を有する配線基板７と、スペーサー９と、ボンディングワイヤー４と、封止樹脂６と絶縁性フィルム状接着層３とから構成されており、ワイヤーボンディングができる程度の隙間をあくように、下側半導体チップ１の回路形成面上に２００μｍ〜３００μの高さのスペーサー９を搭載し、上側半導体チップ２の裏面（非回路形成面）を上記スペーサー９を介して、下側半導体チップの回路形成面上に搭載し、下側半導体チップ１裏面（非回路形成面）と配線基板７の上側配線面を絶縁性フィルム状接着層３を介して積み重ね（以下「スペーサー構造」という）、下側半導体チップの回路形成面上のワイヤーボンディング電極パターン及び上側半導体チップの回路形成面上のワイヤーボンディング電極パターンとを、配線基板の上側配線面のワイヤーボンディング電極パターンとをボンディングワイヤー４で接続した後、封止樹脂６で封止することにより製造されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
図９のフリップチップ構造をとる半導体装置の場合、上側半導体チップと下側半導体チップは裏面同士で接続していること、及び、下側半導体チップの回路形成面内のワイヤーボンディング電極パターンと配線基板の上側配線面のワイヤーボンディング電極パターンとは金属バンプで接続されるので、下側半導体チップのワイヤーボンディング電極パターンと配線基板のワイヤーボンディング電極パターンの接続において、上側半導体チップの形状及び大きさに係わる制限が緩和された。しかし、下側半導体チップ及び配線基板のワイヤーボンディング電極パターン上に金属バンプを形成する工程、上記金属バンプを接続する工程、アンダーフィル材の注入工程が増加し、コストアップは避けられない。また、金属バンプによる接合技術はワイヤーボンディングによる接合技術に比較し、成熟していない為、金属バンプによる接合点が増加すると歩留りの低下を招いていた。
【０００８】
他方、図１０のスペーサー構造をとる半導体装置の場合でも、上側半導体チップの回路形成面上のワイヤーボンディング電極パターンと配線基板の上側配線面上のワイヤーボンディング電極パターンをボンディングワイヤーによる接続を行う目的で、上側半導体チップと下側半導体チップの間にスペーサーを挟んだ為、その隙間を利用してボンディングが行えるから、上側半導体チップの形状及び大きさに係わる制限が緩和された。しかし、上記スペーサーを搭載する工程の追加、及び、スペーサーに使用する部材が追加となるので、コストアップは避けられない。
【０００９】
そこで、本発明は、上記課題に鑑み、それ程工程及び部材の追加がなく、低コスト、かつ、上側半導体チップの形状及び大きさに係わる制限が緩和されたスタックドパッケージを実現する半導体製造装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する為に、請求項１に係わる本発明は、少なくとも、第１の半導体チップと、第２の半導体チップとが、表面側配線層が中間絶縁層を貫通して形成された貫通孔を通して裏面側配線層と電気的に接続された実装用外部端子を有する配線基板に搭載され、封止用樹脂にて封止されている半導体装置であって、
前記配線基板の表面と、前記第１の半導体チップの非回路形成面とが第１の絶縁性接着層を介して接着され、前記第１の半導体チップのワイヤーボンディング電極パターンを有する回路形成面と前記第２の半導体チップの非回路形成面とが前記第１の半導体チップのワイヤボンディング電極パターンの領域の少なくとも一部を含むように、第２の絶縁性接着層を介して接着され、前記配線基板の前記表面側配線層に形成されたワイヤーボンディング電極パターンと、前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップのワイヤーボンディング電極パターンを有する回路形成面のワイヤーボンディング電極パターンとが、ボンディングワイヤーで接続され、かつ、前記第２の絶縁性接着層は少なくとも前記第１の半導体チップに接続形成されたボンディングワイヤーのワイヤーループ最頂点高さより厚く形成されていることを特徴とする半導体装置を提供する。
【００１１】
上記の発明によれば、上下の半導体チップの間の絶縁性フィルム状接着層の厚さを厚くして、下側半導体チップの表面に貼られたボンディングワイヤーを傷つけない程度に上下半導体チップ間の隙間を空けることができる。従って、下側半導体チップの形状及び大きさに対して、上側の半導体チップの形状及び大きさ制限を設けること必要がない。
【００１２】
課題を解決する為、請求項２に係わる発明は、
前記第２の絶縁性フィルム状接着層の全部又は一部に、前記ボンディングワイヤーを内在させることができる程度の粘度を与える工程と、前記ボンディングワイヤーを前記第２の絶縁性フィルム状接着層に内在させると同時に前記第２の半導体チップを前記第１の半導体チップの回路形成面上に搭載する工程と、前記第２の絶縁性フィルム状接着層を固まらせる工程を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【００１３】
上記の発明によれば、まず、下側半導体チップの裏面（非回路形成面）と配線基板の上側配線面とを接着した後、下側半導体チップの回路形成面上のボンディングワイヤー電極パターンと配線基板の上側配線面上のボンディングワイヤー電極パターンとをボンディングワイヤーにて接続し、上下の半導体チップを第２の絶縁性フィルム状接着層を介して接着するとき、ボンディングワイヤーを内在することができる程度に上記第２の絶縁性フィルム上接着層の粘度をさげておき、下側半導体チップ上のワイヤーボンディングを上記第２の絶縁性フィルム状接着層に取り込みながら接着し、その後、上記第２の絶縁性フィルム状接着層を固化させて、上記半導体装置を完成させれば、下側半導体チップ面上のワイヤーボンディング電極パターンに対し貼られているワイヤーを、上側半導体チップが傷つけることなく、半導体装置を組み立てることができる。
【００１４】
課題を解決する為、請求項３に係わる発明は、
前記第２の絶縁性フィルム状接着層は、低粘度熱可塑性の絶縁性フィルム状接着層と高粘度熱可塑性の絶縁性接着層とから構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置を提供する。
上記の半導体装置によれば、上下の半導体チップを接着する際に、上記第２の絶縁性フィルム状接着層が、上側半導体チップの裏面（非回路形成面）に近い側は高粘度層、下側半導体チップの回路形成面に近い側が低粘度層に分かれているので、下側の半導体チップの回路形成面に貼られているボンディングワイヤーを絶縁性フィルム状接着層に内在させる場合に、高粘度層による上記ボンディングワイヤーの取り込み量を少なくでき、上記ボンディングワイヤーのワイヤーループの頂点が上側半導体チップの裏面（非回路形成面）に接触しないことを担保することができる。
【００１５】
課題を解決する為、請求項４に係わる発明は、
前記第２の絶縁性フィルム状接着層は、さらに、前記ボンディングワイヤーを内在させることができない程度の高硬度層を含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置を提供する。
上記の半導体装置によれば、上下の半導体チップを接着する際に、絶縁性フィルム状接着層が、粘度の高い層と、上記ボンディングワイヤーを内在させることができない程度の高硬度層と、粘度の低い層に分かれているので、下側の半導体チップに貼られているボンディングワイヤーを前記第２の絶縁性フィルム状接着層に内在させる場合に、一定の深さ以上には取り込まないようにすることができ、上記ボンディングワイヤーのワイヤーループの頂点が上側半導体チップの裏面（非回路形成面）に接触しないことを担保することができる。
【００１６】
課題を解決する為、請求項５に係わる発明は、
前記第２の半導体チップの非回路形成面に請求項３及び請求項４に記載した第２の絶縁性接着層を形成する工程は、少なくとも表面に所定の回路が形成されたウエハーの裏面に前記低粘度可塑性を有する絶縁性フィルム状接着層を貼り付ける工程と、前記高硬度フィルム状絶縁層を貼り付ける工程と、前記高粘度可塑性を有する絶縁性フィルム状接着層を貼り付ける工程と、ダイシングすることにより前記第２の半導体チップに分離する工程とにより構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法を提供する。
【００１７】
上記の半導体装置の製造方法によれば、
上記第２の半導体チップの裏面に、複数の性質が異なる絶縁性フィルム状接着層を容易に形成できる。
以上より、図８に示した、従来例の半導体装置を組み立て工程に比較し、それ程工程の追加はなく、また、使用する部材の増加もないので、基本的には、図８に示した従来例と同程度の低い組み立てコストにより、上側に積層される半導体チップの形状及び大きさの制限を緩和した半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
図１及び図２は請求項１の発明が提供する半導体装置の第１の実施例を示す。図１は断面図であり、上記半導体装置が、下側半導体チップ１と、上側半導体チップ２と、第１の絶縁性フィルム状接着層と、ボンディングワイヤー４と、半田ボール５と、封止樹脂６と、配線基板７と、第２の絶縁性フィルム状接着層１０とで構成されているところを示している。また、下側半導体チップの裏面と絶縁性基板の表面は第１の絶縁性フィルム状接着層を介して接着され、上側半導体チップの裏面は下側半導体チップの表面と１００μｍ〜２００μｍ程度の厚さを有する第２の絶縁性フィルム状半導体層を介して接着され、上側半導体チップ及び下側半導体チップの表面側回路形成面上のワイヤーボンディング電極パターンと配線基板表面のワイヤーボンディング電極パターンとはボンディングワイヤーにて接続されている。
【００１９】
図２は斜視図の例による立体構造図であり、半導体装置の構成要素は図１に示す要素と、完全に一致しており、各要素については、同一の番号を付している。次に図３は、請求項２の発明が提供する製造方法の実施例を示し、特に図１及び図２に示す請求項１に係わる半導体装置を請求項２に示す製造方法により製造する時の工程及び上側半導体チップに絶縁性フィルム状接着層を貼り付ける工程を示す。ここで、図３中の数字１〜１０は半導体装置の構成要素を示し、図１及び図２において示した、数字と構成要素の対応がそのまま使用されている。また、図１及び図２にない、数字１５はダイシングシートを示す。ダイシングシートとは、ウエハー状態の半導体をチップ状にダイシング装置により、個片化する際にウエハーの裏面に貼り付け、主に、ダイシング時の応力緩衝の為に使用されるものをいう。
【００２０】
以下、まず、図面左側の流れに沿って、半導体装置の製造工程について各工程毎に説明をする。
工程１は下側の半導体チップの裏面に絶縁性フィルム状接着層を作成し、配線基板と接着する工程を示す。
工程２は、下側半導体チップの表面側回路形成面上のワイヤーボンディング電極パターンと配線基板の表面上のワイヤーボンディング電極パターンをボンディングワイヤーで接続する工程を示す。
【００２１】
工程３は、上側半導体チップに絶縁性フィルム状接着層を、図面の右側に示す工程にて貼り付けし、そのまま、絶縁性フィルム接着層とともに１５０℃〜２００℃で１０秒程度熱処理を施し、絶縁性フィルム状接着層の粘度を　１００Ｐａ・ｓ程度から３０Ｐａ・ｓ程度へ軟化させるた後、徐々に上側半導体チップを下側半導体チップの表面に近づけ、下側半導体チップの表面にあるボンディングワイヤーを第２の絶縁性フィルム状接着層に内在させながら、上下の半導体チップを接着し、１５０℃〜２００℃で１時間〜２時間程度熱処理をして、第２の絶縁性フィルム状接着層を硬化させる工程を示す。
【００２２】
工程４は、上側半導体チップの表面に形成されているワイヤーボンディング電極パターンと配線基板状のワイヤーボンディング電極パターンをボンディングワイヤーで接続する工程を示す。
工程５は、全体を封止樹脂で覆い、硬化させて固める工程を示す。
上記の工程中、第２の絶縁性フィルム状接着層は、エポキシ樹脂とポリイミド樹脂を混合させて作成する。その粘度は、常温において、混合比率により変化し、エポキシ樹脂の混合比率が低い時は粘度は約１００Ｐａ・ｓ程度であり、混合比率が数十％程度では１００００Ｐａ・ｓ程度である。また、上記第２の絶縁性フィルム状接着層は、１５０℃〜２００℃で１〜２Ｓ程度の加熱処理後には、粘度は３０Ｐａ・Ｓ程度に下がるが、さらに、１５０℃〜２００℃で１時間から２時間の熱処理を行うと硬化する樹脂であることが望ましい。ここで、上記第２の絶縁性フィルム状接着層を構成するエポキシ樹脂は、例えば、化１及び化２に示す化学構造をもち、上記ポリイミド樹脂については、例えば、化３に示すような化学構造をもっており、表１に示すような諸元をもっているものが望ましい。
【００２３】
【化１】
2004072009.tif 000003
【００２４】
【化２】
2004072009.tif 000004
【００２５】
【化３】
2004072009.tif 000005
【００２６】
【表１】
2004072009.tif 000006
【００２７】
次に、図３の右側の流れに沿って、上側半導体チップに絶縁性フィルム状接着層を貼り付ける工程を説明する。
工程１は、上側半導体チップが個片化される前のウエハー状態であるときに、絶縁性フィルム状接着層をウエハー裏面に貼り付ける工程を示す。
工程２は、上記、絶縁性フィルム状接着層を貼り付けたウエハーをダイシングシート上に貼り付ける工程を示す。
【００２８】
工程３は、上側半導体チップをダイシング装置により、個片化する工程を示す。
以上、図８に示す従来の半導体装置を製造する工程に比較し、図３の左側の工程フロー中、工程２において、下側半導体チップの回路形成面上のボンディングワイヤー電極パターンと配線基板の表側配線面上のボンディングワイヤー電極パターンとをワイヤーボンディングにて接続した後、工程３で、ボンディングワイヤーを第２の絶縁性フィルム状接着層に内在させること及び図３の右側の工程フロー中、工程１で貼り付ける絶縁性フィルム状接着層の厚さが厚いことが相違点である。しかし、その相違点によるコストの上昇はそれ程でもなく、図８に示す半導体装置の製造コストとほぼ同程度のコストで、請求項２の発明が提供する製造方法によれば図３に示す半導体装置を製造することができる。
【００２９】
次に図４において、請求項３の発明が提供する半導体装置に係わる第２の実施例を示す。ここで、図４は、すべての半導体装置を表しているわけではなく、上側半導体チップ２と、下側半導体チップ１が第２の絶縁性フィルム状接着層１０を介して接着されているところを示している。また、ワイヤーが表示されているのは、第２の絶縁性フィルム状接着層１０が粘度の高い５０μｍ程度の厚さを有する第３の絶縁性フィルム状接着層１２と粘度の低い１００μｍ程度の第４の絶縁性フィルム状接着層１１とで構成されており、ワイヤーは粘度の低い絶縁性フィルム状接着層内に内在させている状態を示す為である。
【００３０】
第２の実施例によれば、ワイヤーは粘度の高い第３の絶縁性フィルム状接着層には、その粘度から考えて、それ程内在させることができず、上側半導体チップの裏面と接触しない利点がある。
さらに、図５において、請求項４の発明が提供する半導体装置に係わる第３の実施例を示す。ここで、図５は、すべての半導体装置を表しているわけではなく、上側半導体チップ２と、下側半導体チップ１が第２の絶縁性フィルム状接着層９を介して接着されているところを示している。また、ワイヤーが表示されているのは、第２の絶縁性フィルム状接着層が粘度の高い５０μｍ程度の厚さを有する第３の絶縁性フィルム状接着層１２と、一定の硬度を有する５０μｍ程度の厚さの第５の層１３と、粘度の低い１００μｍ程度の厚さを有する第４の絶縁性フィルム状接着層１１とで構成されており、ワイヤーは粘度の低い絶縁性フィルム状接着層内に内在させている状態を示す為である。
【００３１】
第３の実施例によれば、ワイヤーは第２の絶縁性フィルム状接着層１０が一定の硬度を有する第５の層１３を間に含んでいるので、一定の硬度を有する第５の層１３によって、上側半導体チップの裏面と接触しない利点がある。
さらに、図６において、請求項４の発明が提供する半導体装置に係わる第４の実施例を示す。ここで、図６は、すべての半導体装置を表しているわけではなく、上側半導体チップ２と、下側半導体チップ１が第２の絶縁性フィルム状接着層１０を介して接着されているところを示している。また、ワイヤーが表示されているのは、第２の絶縁性フィルム状接着層が粘度の高い第３の絶縁性フィルム状接着層１２であって層状態にフィラーを配置した部分１４が存在する層と、粘度の低い第４の絶縁性フィルム状接着層１１とで構成されており、ワイヤーは粘度の低い絶縁性フィルム状接着層内に内在させている状態を示す為である。
【００３２】
ここで、フィラーとは、ＳｉＯ２等の絶縁物を粒状にしたもので、その粒径はおよそ３０μｍ〜１００μｍ程度である粒状物質をいう。また、フィラーの層状態配置は、第３の絶縁性フィルム状接着層を製造する際に、予めフィラーを配置しておいた容器の中に第３の絶縁性フィルム状接着層の材料である接着剤を流しこむ方法または、上記容器の中に上記接着剤を流し入れた後、フィラーを加え沈殿するまで待つ方法により達成可能である。
【００３３】
第４の実施例によれば、ワイヤーは第２の絶縁性フィルム状接着層１０がフィラーを層状態に配置した部分を間に含んでいるので、フィラーを層状態に配置した部分がある程度の硬度を有する為、上側半導体チップの裏面と接触しない利点がある。
加えて、図７に、第２の実施例及び第３の実施例において必要な、上側半導体チップに第２の絶縁性フィルム状接着層を貼り付ける工程を示す。
【００３４】
まず、左側の工程フローに沿って、第２の実施例において、上側半導体チップに絶縁性フィルム状接着層を貼り付ける工程を以下に説明する。
工程１は、上側半導体チップ２が形成されているウエハーの裏面に、接着層作成工程を経た、粘度の高い絶縁性フィルム状接着層と粘度の低い絶縁性フィルム状接着層を貼り合わせて作成された絶縁性フィルム状接着層を、貼り付けることにより一体化させる工程を示す。
【００３５】
工程２は、工程１で一体化したものに、さらに、ダイシングシート１５を貼り付ける工程を示す。
工程３は、上側半導体チップが形成されているウエハーをダイシングして、絶縁性フィルム状接着層が裏面に形成されている半導体チップとして個片化する工程を示す。
【００３６】
次に、図７の右側に、第３の実施例において、上側半導体チップに絶縁性フィルム状接着層を貼り付ける工程を示す。以下、図７の右側に示す工程に沿って工程を説明する。
工程１は、上側半導体チップ２が形成されているウエハーの裏面に、接着層作成工程を経た、粘度の高い絶縁性フィルム状接着層と、一定の硬度を有する層と、粘度の低い絶縁性フィルム状接着層を、順次、貼り合わせて作成された絶縁性フィルム状接着層を、貼り付けることにより一体化させる工程を示す。
【００３７】
工程２は、工程１で一体化したものに、さらに、ダイシングシート１５を貼り付ける工程を示す。
工程３は、上側半導体チップが形成されているウエハーをダイシングして、絶縁性フィルム状接着層が裏面に形成されている半導体チップとして個片化する工程を示す。
【００３８】
上記の図７に示す工程から構成される、製造方法によれば、容易に、上側半導体チップの裏面に絶縁性フィルム状接着層１０を構成する層を貼り付けることができる。ここで、絶縁性フィルム状接着層１１、１２はエポキシ樹脂及びポリイミド樹脂を混合して制作し、上記混合比率を変えて粘度を調節することが望ましい。また、一定の硬度を有する層１３はポリイミド樹脂のみで作成することが望ましく、それにより、一定の硬度だけでなく、熱耐性をもつことができる。
【００３９】
以上、実施例１〜実施例４に示す半導体装置及びそれらを製造する方法によれば、複数の半導体チップを積層的に、１のスタックドパッケージに低コストで搭載でき、半導体装置を実装基板上に実装うえで、高密度化が達成できる。
（付記１）　　少なくとも、第１の半導体チップと、第２の半導体チップとが、表面側配線層が中間絶縁層を貫通して形成された貫通孔を通して裏面側配線層と電気的に接続された実装用外部端子を有する配線基板に搭載され、封止用樹脂にて封止されている半導体装置であって、前記配線基板の表面と、前記第１の半導体チップの非回路形成面とが第１の絶縁性接着層を介して接着され、前記第１の半導体チップのワイヤーボンディング電極パターンを有する回路形成面と前記第２の半導体チップの非回路形成面とが前記第１の半導体チップのワイヤボンディング電極パターンの領域の少なくとも一部を含むように、第２の絶縁性接着層を介して接着され、前記配線基板の前記表面側配線層に形成されたワイヤーボンディング電極パターンと、前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップのワイヤーボンディング電極パターンを有する回路形成面のワイヤーボンディング電極パターンとが、ボンディングワイヤーで接続され、かつ、前記第２の絶縁性接着層は少なくとも前記第１の半導体チップに接続形成されたボンディングワイヤーのワイヤーループ最頂点高さより厚く形成されていることを特徴とする半導体装置。
【００４０】
（付記２）　前記第２の絶縁性接着層の全部又は一部に、前記ボンディングワイヤーを内在させることができる程度の粘度を与える工程と、前記ボンディングワイヤーを前記第２の絶縁性接着層に内在させると同時に前記第２の半導体チップを前記第１の半導体チップの回路形成面上に搭載する工程と、前記第２の絶縁性フィルム状接着層を固まらせる工程を少なくとも含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【００４１】
（付記３）　前記第２の半導体チップの裏面に第２の絶縁性接着層形成する工程は、少なくとも、表面に所定の回路が形成されたウエハーの裏面に絶縁性フィルム状接着層を貼り付ける工程と、ダイシングすることにより前記第２の半導体チップに分離する工程とにより構成されていることを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【００４２】
（付記４）　前記第２の絶縁性接着層は、低粘度熱可塑性を有する絶縁性フィルム状接着層と高粘度熱可塑性を有する絶縁性フィルム上接着層とから構成されていることを特徴とする付記１に記載の半導体装置。
（付記５）　前記第２の絶縁性接着層は、さらに、前記ワイヤーを内在させることができない程度の高硬度層を含むことを特徴とする付記４に記載の半導体装置。
【００４３】
（付記６）　前記高硬度層はポリイミド樹脂で構成されていることを特徴とする付記５に記載の半導体装置。
（付記７）　前記高硬度層は前記第２の絶縁性接着層内にフィラーを含有させ、層状態に配置させることにより形成したことを特徴とした付記５に記載の半導体装置。
【００４４】
（付記８）　前記第２の半導体チップの裏面に付記４及び付記５に記載した第２の絶縁性フィルム状接着層を形成する工程は、少なくとも表面に所定の回路が形成されたウエハーの裏面に前記高粘度熱可塑性を有する絶縁性フィルム状接着層を貼り付ける工程と、前記高硬度層を貼り付ける工程と、前記低粘度熱可塑性を有する絶縁性フィルム状接着層を貼り付ける工程と、ダイシングすることにより前記第２の半導体チップに分離する工程とにより構成されていることを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【００４５】
【発明の効果】
以上の詳細説明したように、本発明の半導体装置及びその製造方法によれば、工程の増加なく、それ程部材費用の追加がない為、低コストなスタックドパッケージを実現でき、低コストな半導体製造装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１
【図２】実施例１の斜視図の例による立体構造図
【図３】実施例１に係わる半導体装置の製造工程
【図４】実施例２
【図５】実施例３
【図６】実施例４
【図７】実施例２及び実施例３に係わる半導体装置の製造工程
【図８】従来例１
【図９】従来例２
【図１０】従来例３
【符号の説明】
１　下側半導体チップ
２　上側半導体チップ
３　第１の絶縁性フィルム状接着層
４　ワイヤー
５　半田ボール
６　封止樹脂
７　配線基板
８　金属バンプ
９　スペーサー
１０　第２の絶縁性フィルム状接着層
１１　粘度の低い第４の絶縁性フィルム状接着層
１２　粘度の高い第３の絶縁性フィルム状接着層
１３　一定の硬度を有する第５の層
１４　フィラーを層状に配置した部分
１５　ダイシングシート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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