(57)【要約】【課題】コロナ放電電極が消耗してパーティクルが発生したことを直接的に感知でき、パーティクルの発生防止に対応できる基板処理装置を提供する。【解決手段】本発明による基板処理装置は、基板１を搬入して処理する処理槽２０内にコロナ放電によりイオンを発生させて放出するイオン発生器１７と、このイオン発生器１７のイオン放出口３４の近傍に光ファイバ１２を介して発光素子１３から光を転送する発光手段１１と、この発光手段１１の光ファイバ１２からイオン放出口３４に放射した光を更なる光ファイバ１５により受光して受光素子１６まで転送する受光手段１４と、このイオン発生器１７、発光手段１１、受光手段１４からなる除電装置１０を処理槽２０に２つ設置することでイオン発生器１７のコロナ放電電極が磨耗した際に発光手段１１及び受光手段１４がパーティクル発生を感知して２つの除電装置１０Ａ、１０Ｂを切り替える制御部とを備える。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を搬入して処理する前記処理槽内にコロナ放電によりイオンを発生させて放出するイオン発生器と、
前記イオン発生器のイオン放出口の近傍に光ファイバを介して発光素子から光を転送する発光手段と、
前記発光手段の光ファイバから前記イオン放出口に放射した光を更なる光ファイバにより受光して受光素子まで転送する受光手段と、
前記イオン発生器及び発光手段並びに受光手段からなる除電装置を前記処理槽に複数設置することで、前記イオン発生器のコロナ放電電極が磨耗した際に前記発光手段及び受光手段がパーティクル発生を感知して前記複数の除電装置を切り替える制御部とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記除電装置は、前記処理槽の上部側面に前記イオン発生器及び発光手段並びに受光手段の一式を２組仕切って各々収納するケースを少なくとも１箇所以上設置し、このケース内から前記処理槽内に貫通する放出口を有して前記イオン発生器からイオンを放出するとともに、未使用時には前記放出口にシャッタを備えて前記制御部の制御により閉塞するように設けたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置において、
前記除電装置は、前記ケースの内部にキャリアガスを供給する配管及びバルブを接続し、前記制御部の制御により前記バルブを開閉して前記ケース内にキャリアガスを供給することで前記放出口から前記処理槽内に前記イオンが噴出するように設けたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記除電装置は、前記発光手段の光ファイバと前記受光手段の光ファイバとの先端が前記イオン発生器のイオン放出口近傍まで各々延在して所定の幅を有して離間させ、この幅を１．５〜３．５ｍｍに設定することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理槽は、前記基板を処理液により処理する液処理部、或いは液処理前または液処理後の基板を待機させる基板待機部などの処理部を連設または単一に設けたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板処理装置に係り、より詳細には、例えば、半導体ウェハ、液晶用ガラス、ハードディスク用基板、フォトマスク用基板などの基板が所定の製造工程中に帯電することを防止するためにコロナ放電により発生させたイオンを放出して除電する基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】
特開２０００−２７７４７６号公報
【特許文献２】
特開平０８−７８５００号公報
【０００３】
従来、基板処理装置は、例えば、半導体ウェハ、液晶用ガラス、ハードディスク用基板、フォトマスク用基板などの基板を製造する際、純水または薬液などの処理液による洗浄処理、エッチング処理、リンス処理などの種々の液処理を行い、この液処理後にも乾燥処理などの様々な処理を実行している。この際、従来の基板処理装置では、液処理時において基板上を流れる処理液と基板との摩擦により基板が帯電するという問題があった。基板が帯電すると、雰囲気中のパーティクルを引き寄せて基板がパーティクル汚染されたり、基板上に形成した素子類の破損が生じる。
【０００４】
そこで、従来の基板処理装置では、処理槽内の液処理部に軟Ｘ線照射式の除電装置（例えば、特許文献１参照）や、コロナ放電式のイオン発生器による除電装置（例えば、特許文献２参照）を備えることで槽内を除電していた。ここで、軟Ｘ線照射式の除電装置は、処理槽内で処理液噴射時に帯電する静電気を軟Ｘ線の照射により効果的に除電する方法としてよく知られている。一方、イオン発生器による除電装置は、コロナ放電を用いたイオン発生器によりイオンを発生させて除電する方法としてよく知られているが、このイオン発生器のコロナ放電電極に印加された電圧によって集塵作用があり、コロナ放電電極に吸引されたパーティクルによる基板の汚染を抑えるとが最も重要になる。図８は、このようなコロナ放電電極の集塵作用による汚染を防止する従来の基板処理装置の一実施形態を示す構成図である。
【０００５】
図８に示すように、従来の基板処理装置の一実施形態は、液処理または乾燥処理を終えた基板１を流れ方向から受けとって引き出すことで待機させるフォーク７２を備える待機部７０と、この待機部７０から基板１を受け取るとともに窒素８２、フィルタ８４、コロナ放電電極を備えたイオン発生器８６、基板１を収納するカセット８８、電源８１及びカセット８８を設置して昇降するテーブル８９によって構成されたアンローダ部８０とを備え、このアンローダ部８０のカセット８８に基板１が挿入または引き出される片側と反対側の端部にイオン発生器８２を設けている。そして、基板１は、フォーク７２に載置してカセット８８内に順次収納するとともに、このフォーク７２上でイオン発生器８６と同じ高さになり、このイオン発生器８６から吹き付けられるイオンにより表面と裏面とが除電される。
【０００６】
このように従来の基板処理装置の一実施形態では、基板１の挿入または引き出す側とは反対側にイオン発生器８６を設けているため、イオン発生器８６が集塵した空気中の浮遊パーティクルが基板１の表面に落下することがなく、基板１上に形成した回路の短絡や断線などのパーティクルによる欠陥を防止していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の基板処理装置では、コロナ放電式のイオン発生器を備えることで、このコロナ放電電極が次第に消耗して電極から直接パーティクルを発生させるという不具合、およびパーティクル発生を検知する機能が備えていないという不具合があった。この消耗したコロナ放電電極から発生したパーティクルは、基板に付着するとパーティクル汚染となるが、パーティクルの発生を直接的に検知する手段が開発されていなかった。また、基板除電処理中にパーティクルが発生した場合に、これに対応する方法も開発されていないという問題があった。
本発明はこのような課題を解決し、コロナ放電電極が消耗してパーティクルが発生したことを直接的に感知でき、パーティクルの発生防止に対応できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するために、本発明による基板処理装置は、基板を搬入して処理する処理槽内にコロナ放電によりイオンを発生させて放出するイオン発生器と、このイオン発生器のイオン放出口の近傍に光ファイバを介して発光素子から光を転送する発光手段と、この発光手段の光ファイバからイオン放出口に放射した光を更なる光ファイバにより受光して受光素子まで転送する受光手段と、イオン発生器及び発光手段並びに受光手段からなる除電装置を処理槽に複数設置することでイオン発生器のコロナ放電電極が磨耗した際に発光手段及び受光手段がパーティクル発生を感知して複数の除電装置を切り替える制御部とを備える。
【０００９】
ここで、除電装置は、処理槽の上部側面にイオン発生器及び発光手段並びに受光手段の一式を２組仕切って各々収納するケースを少なくとも１箇所以上設置し、このケース内から処理槽内に貫通する放出口を有してイオン発生器からイオンを放出するとともに、未使用時には放出口にシャッタを備えて制御部の制御により閉塞するように設けることが好ましい。また、除電装置は、ケースの内部にキャリアガスを供給する配管及びバルブを接続し、制御部の制御によりバルブを開閉してケース内にキャリアガスを供給することで放出口から処理槽内にイオンが噴出するように設けることが好ましい。また、除電装置は、発光手段の光ファイバと受光手段の光ファイバとの先端がイオン発生器のイオン放出口近傍まで各々延在して所定の幅を有して離間させ、この幅を１．５〜３．５ｍｍに設定することが好ましい。また、処理槽は、基板を処理液により処理する液処理部、或いは液処理前または液処理後の基板を待機させる基板待機部などの処理部を連設または単一に設けることが好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明による基板処理装置の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明による基板処理装置の一実施形態を示す構成図である。また、図２は、図１に示した除電装置１０Ａ、１０Ｂの詳細を示す拡大図である。また、図３は、図１に示した除電装置１０Ａ、１０Ｂの電気的構成を示す電気系統図である。図４は、図１に示した基板処理装置の動作を示す制御フローチャートである。また、図５は、図４に示した動作の続きを示す制御フローチャートである。また、図６は、図４及び図５に示した動作における各構成要素の動作タイミングを示すチャート図である。また、図７は、本発明による基板処理装置の他の実施形態を示す構成図である。
【００１１】
図１に示すように、本発明による基板処理装置の一実施形態は、例えば、半導体ウェハ、液晶用ガラス、ハードディスク用基板、フォトマスク用基板などの基板１を保持して回転させて洗浄液を噴射することで洗浄処理する処理槽２０に除電装置１０を設けたものであり、基板１を搬入して処理する処理槽２０内にコロナ放電によりイオンを発生させて放出するイオン発生器１７と、このイオン発生器１７のイオン放出口３４近傍に光を照射する発光手段１１と、この発光手段１１がイオン放出口３４に放射した光を受光する受光手段１４とを備え、このイオン発生器１７及び発光手段１１並びに受光手段１４からなる除電装置１０を液処理部２０の側面に複数（図１では２箇：１０Ａ、１０Ｂ）設置している。従って、本実施の形態では、基板１の処理中にイオン発生器１７のコロナ放電電極が磨耗すると、発光手段１１及び受光手段１４がパーティクル発生を感知して複数の除電装置１０Ａ、１０Ｂを制御部５０（図３参照）により制御して切り替えられるように設けている。
【００１２】
ここで、処理槽２０内には、基板１を内部で保持して回転させる回転台４２と、この回転する基板１の表面及び裏面に洗浄液を噴射するノズル４４と、このノズル４４から噴射した洗浄液が基板１に当接して飛散する外側を覆う排水カップ４３とを各々備えている。また、処理槽２０には、側面から基板１を搬送手段（図示せず）により保持して出し入れする搬入口２２を備え、この上部にフィルタ２４を介して清浄な空気を供給するクリーンエア供給器２３を配置している。
【００１３】
また、除電装置１０は、イオン発生器１７のイオン放出口３４の近傍に光ファイバ１２を介して発光素子１３から光を転送する発光手段１１と、この発光手段１３がイオン放出口３４に放射した光を更なる光ファイバ１５により受光して受光素子１６まで転送する受光手段１４とを各々備えている。そして、除電装置１０は、処理槽２０の上部側面にイオン発生器１７及び発光手段１１並びに受光手段１４の一式を２組（１０Ａ、１０Ｂ）仕切って各々収納するケース３０を少なくとも１箇所以上（図１では１箇所）設置し、このケース３０内から処理槽２０内に貫通するイオン放出口３４を有してイオン発生器１７からイオンを放出するとともに、未使用時にはイオン放出口３４にシャッタ３２を備えて制御部５０（図３参照）の制御により閉塞するように設けている。また、除電装置１０は、ケース３０の内部にキャリアガスを供給する配管１８及びバルブ１９を接続し、制御部５０（図３参照）の制御によりバルブ１９を開閉してケース３０内にキャリアガスを供給することでイオン放出口３４から処理槽２０内にイオンが噴出するように設けている。
【００１４】
即ち、本実施の形態では、図２に示すように、イオン発生器１７ａ、光ファイバ１２ａ，１５ａ、発光素子１３ａ、受光素子１６ａ、バルブ１９ａ、及び配管１８ａからなる除電装置１０Ａと、イオン発生器１７ｂ、光ファイバ１２ｂ，１５ｂ、発光素子１３ｂ、受光素子１６ｂ、バルブ１９ｂ、及び配管１８ｂからなる除電装置１０Ｂとの２組をケース３０内で上下に仕切って収納し、処理槽  に設置した構造を備えている。この２組の除電装置１０Ａ、１０Ｂは、図１に示したように、処理槽２０の側面１箇所だけ設けることに限定されず、例えば、処理槽２０の両側面に配置してイオンを槽内の両側から均等に噴出させることも可能である。
【００１５】
また、除電装置１０Ａ、１０Ｂは、図２に示したように、発光手段１３ａ、１３ｂの光ファイバ１２ａ、１２ｂと、受光手段１６ａ、１６ｂの光ファイバ１５ａ、１５ｂとの先端がイオン発生器１７ａ、１７ｂのイオン放出口３４、３８近傍まで各々延在して図２に示した幅Ａを有して離間しており、この幅Ａ内を介してイオンが放出するように設けている。そして、この幅Ａは、好ましくは１．５〜３．５ｍｍに設定することが望ましい。
【００１６】
また、除電装置１０Ａ、１０Ｂは、図３に示すように、イオン発生器１７ａ，１７ｂ、受光手段１６ａ，１６ｂ、発光手段１３ａ，１３ｂ、シャッタ３２，３６、及びバルブ１９ａ，１９ｂの各々全てが制御部５０に接続され、この制御部５０の制御により各々動作するように設けている。ここで、イオン発生器１７ａは、電源５２に接続して駆動し、この電源５２との間に過剰な電流が流れることを防止するブレーカ５４ａ，５４ｂと、制御部５０からの信号により開閉して電流の流れを制御する電子開閉器５６ａ，５６ｂとを各々接続している。
【００１７】
このように形成された本発明による基板処理装置の一実施形態は、まず、図１に示した処理槽２０の搬入口２２から基板１を搬入して回転台４２に保持させて洗浄処理する状態に設置する。そして、除電装置１０は、図２及び４に示すように、シャッタ３２を開き（Ｓ１）、バルブ１９ａを開く（Ｓ２）とともに、電子開閉器５６ａ（図３参照）を開いて電流を流すことによりイオン発生器１７ａを作動（Ｓ３）させる。以上の制御により図２に示したケース３０内の片側（１０Ａ側）にイオンが発生するとともに配管１８ａを介してキャリアガスが供給され、イオンがケース３０内から処理槽２０に噴出されて除電処理が行われる。この時、図２に示した発光素子１３ａからの光が光ファイバ１２ａを介してイオン発生器１７ａのイオン放出口３４の近傍に放射され、この光が他方の光ファイバ１５ａを介して受光素子１６ａに転送されてパーティクル発生の監視を行う（Ｓ４）。パーティクルが検出されない場合（受光素子１６ａがＯＦＦ）処理を継続して行う（Ｓ５）。除電処理を正常終了させる場合（処理中がＮＯ）は、電子開閉器５６ａを遮断してイオン発生器１７ａを停止させる（Ｓ６）。そして、バルブ１９ａを閉じてキャリアガスの供給を停止する（Ｓ７）とともに、シャッタ３２を閉じる（Ｓ８）。
【００１８】
また、受光素子１６ａ（Ｓ４）でパーティクルが検出された場合（受光素子１６ａがＯＮ）は、直ちに電子開閉器５６ａを遮断してイオン発生器１７ａを停止させる（Ｓ９）。ここで、受光素子１６ａは、イオン発生器１７ａのコロナ放電電極が磨耗して電極からパーティクルを発生させた時、このパーティクルが光ファイバ１２ａ，１５ａの光路途中（図２に示した幅Ａ）に通過して検出している光強度に減衰が観測されるため、コロナ放電電極からのパーティクル発生が容易に検知できる。その後、電子開閉器５６ａを遮断してイオン発生器１７ａを停止させると同時に、バルブ１９ａを閉じてキャリアガスの供給を停止（Ｓ１０）し、シャッタ３２を閉じる（Ｓ１１）。
【００１９】
一方、他方のイオン発生器１７ｂを作動させて除電処理を継続するため、シャッタ３６を開け（Ｓ１３）、バルブ１９ｂを開いてケース３０内にキャリアガスを供給する（Ｓ１４）とともに、電子開閉器５６ｂ（図３参照）を開いて電流を流すことでイオン発生器１７ｂを作動させる（Ｓ１５）。
そして、受光素子１６ｂは、図５に示すように、受光素子１６ａ（図４に示したＳ４）と同様にパーティクルの発生を監視する（Ｓ１６）。パーティクルが検出されない場合（受光素子１６ｂがＯＦＦ）は処理を継続する（Ｓ１７）。除電処理を正常終了させる場合（処理中がＮＯ）は，電子開閉器５６ｂを遮断してイオン発生器１７ｂを停止（Ｓ１８）させるとともに、電子開閉器５６ｂを閉じてキャリアガスの供給を停止させ（Ｓ１９）、シャッタ３６を閉じる（Ｓ２０）。
【００２０】
一方、受光素子１６ｂ（Ｓ１６）でパーティクルが検出された場合（受光素子１６ｂがＯＮ）には、電子開閉器５６ｂを遮断してイオン発生器１７ｂを停止させる（Ｓ２１）。そして、バルブ１９ｂを閉じる（Ｓ２２）とともに、シャッタ３６を閉じ（Ｓ２３）、電子開閉器５６ｂを遮断してイオン発生器１７ｂを停止させる。以上の制御によりパーティクルが発生しても片方のイオン発生器に切り替えて他方のイオン発生器をメンテナンス（Ｓ１２，Ｓ２４）することで、継続して除電処理が可能となる。
【００２１】
即ち、このような動作は、図２及び図６に示すように、まず、シャッタ３２を開けた後、バルブ１９ａを開いてケース３０内にキャリアガスを供給し、次に電子開閉器５６ａが開いて電流を流してイオン発生器１７ａを作動させるタイミングで除電処理を行っている。そして、この間、受光素子１６ａがパーティクルの発生を常時監視する。
ここで、パーティクルが検出された場合には、図６に示したように、最初に電子開閉器５６ａを遮断してイオン発生器１７ａの動作を停止し、その後、バルブ１９ａを閉じてキャリアガスの供給を停止するとともに、最後にシャッタ３２を閉じている。
【００２２】
そして、このパーティクルの検出時には、図６に示した点線のように、シャッタ３２が閉じると同時に他方のシャッタ３６が開き、その後、バルブ１９ｂを開けてキャリアガスをケース３０内に供給していることが分かる。また、キャリアガスを供給した後、電子開閉器５６ｂを開いて新たなイオン発生器１７ｂを作動させて除電処理を継続している。この際、パーティクルの検出と同時または少し送れて受光素子１６ａを駆動させてパーティクルの発生を監視している。
また、更なるパーティクルが検出された場合は、電子開閉器５６ｂを遮断してイオン発生器１７ｂを停止させた後、バルブ１９ｂを閉じてキャリアガスの供給を停止し、最後にシャッタ３６を閉じている。以後、これを繰り返すことでパーティクルが発生しても継続して除電処理が可能となる。
【００２３】
このように本発明による基板処理装置の一実施形態によると、イオン発生器のイオン放出口近傍に光ファイバを介した発光素子及び受光素子による光走査を行ってパーティクルを感知する除電装置を設けているため、コロナ放電電極が消耗してパーティクルが発生しても容易に検知できるとともに、この除電装置を複数設置してコロナ放電電極が消耗した際に入れ替えて用いることで基板の処理中にイオン放出を中断することなく継続して除電処理することができる。
【００２４】
ところで、図１に示した基板１を回転させて処理液により洗浄処理する処理槽２０に除電装置１０Ａ，１０Ｂを設けた基板処理装置の一実施形態を詳細に説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、基板を回転させて処理液により洗浄処理する液処理部と、液処理前または液処理後の基板を待機させる基板待機部とを連設した処理槽に除電装置を設けることも可能である。このように液処理部及び基板待機部を連設した処理槽に除電装置を設けた本発明による基板処理装置の他の実施形態は、図７に示すように、所定の工程から搬送された基板１を載置する基板周容器６０ａと、この基板１を枚葉式に保持して回転させてノズル４４から処理液を噴射させて洗浄処理する液処理部６０ｃと、この液処理部６０ｃでの液処理前または液処理後の基板１を待機させる基板待機部６０ｂとにより処理槽６０を形成し、この処理槽６０の基板待機部６０ｂ及び液処理部６０ｃに各々除電装置１０を設けている。この除電装置１０は、図２に示した除電装置１０Ａ、１０Ｂと同じものであり、同一の構成要素には同じ符号を記載するとともに、重複する説明は省略する。また、液処理部６０ｃ内には、図１に示した基板処理装置と同じ構成要素を用いており、同一の符号を記載するとともに、重複する説明は省略する。
【００２５】
ここで、基板待機部６０ｂ及び液処理部６０ｃには、上部にフィルタ２４を介して清浄な空気を供給するクリーンエア供給器２３を各々配置している。また、基板待機部６０ｂには、基板収容器６０ａから基板１を枚葉式に保持して液処理部６０ｃまで搬送する板搬送機構６２を設けている。このように形成した本発明による基板処理装置の他の実施形態は、基板収容器６０ａから基板１を取り出し液処理部６０ｃへ収容し、この液処理部６０ｃで液処理を施した後、再び基板収容器６０ａへ収容する。この際、基板１の搬送には基板搬送機構６２を使用する。
【００２６】
上述したように液処理した基板１は、帯電している可能性がありパーティクル付着する可能性が高い。従って、基板１の除電処理が必要となるが、除電処理が完了するまで液処理部６０ｃで基板１を留めておくと単位時間当たりの基板１の処理枚数が減少してしまい生産性が低くなる。このため、液処理部６０ｃと基板待機部６０ｂとの両方に、除電装置１０を備えることにより液処理部６０ｃから基板待機部６０ｂに搬送している間に除電処理が可能となり生産性が向上する。
【００２７】
このように本発明による基板処理装置の他の実施形態によると、処理槽６０に除電装置１０を設けることで、図１に示した基板処理装置と同様の効果を得ることができるとともに、液処理部６０ｃに加えて基板待機部６０ｂなどの他の処理部を連設した処理槽６０にも除電装置１０を配置できるため、基板１の製造工程で十分な除電処理が可能となり生産性が向上する。
【００２８】
以上、本発明による基板処理装置の実施の形態を詳細に説明したが、本発明は前述した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。
例えば、イオン発生器及び発光手段並びに受光手段の一式を２組仕切って各々収納するケースの実施例を詳細に説明したが、これに限定されるものではなく、２組以上設けることも可能である。
【００２９】
【発明の効果】
このように本発明による基板処理装置によれば、イオン発生器のイオン放出口近傍に光ファイバを介した発光素子及び受光素子による光走査を行ってパーティクルを感知する除電装置を設けるため、コロナ放電電極が消耗してパーティクルが発生しても容易に検知できるとともに、この除電装置を複数設置してコロナ放電電極が消耗した際に入れ替えて用いることで基板の処理中にイオン放出を中断することなく継続して除電処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による基板処理装置の一実施形態を示す構成図。
【図２】図１に示した除電装置の詳細を示す拡大図。
【図３】図１に示した除電装置の電気的構成を示す電気系統図。
【図４】図１に示した基板処理装置の動作を示す制御フローチャート。
【図５】図４に示した動作の続きを示す制御フローチャート。
【図６】図４及び図５に示した動作における各構成要素の動作タイミングを示すチャート図。
【図７】本発明による基板処理装置の他の実施形態を示す構成図。
【図８】従来の基板処理装置の一実施形態を示す構成図。
【符号の説明】
１    基板
１０    除電装置
１１    発光手段
１２    光フィアバ
１３    発光素子
１４    受光手段
１５    光フィアバ
１６    受光素子
１７    イオン発生器
１８    配管
１９    バルブ
２０    処理槽
２２    搬入口
２３    クリーンエア供給器
２４    フィルタ
３０    ケース
３２、３６    シャッタ
３４、３８    イオン放出口
４２    回転台
４３    排水カップ
４４    ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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