(57)【要約】【課題】ＧＭＲリード素子のピン・リセット効果を実現し、かつ素子の物理的破壊などの支障を未然に回避できる最適なピン・リセット動作を実行できるディスク記憶装置を提供する。【解決手段】リードリトライ動作によりリードエラー回復ができない場合に、ＧＭＲリード素子のピン・リセット動作を実行する。ＣＰＵ２００は、ＧＭＲリード素子の温度測定結果に基づいて、最適なバイアス電流とライト電流を決定し、これらの電流供給によりピン・リセット動作を実行する。【選択図】    図１
2004326969.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク媒体からデータを読出す巨大磁気抵抗効果型（ＧＭＲ）リード素子、及び当該ディスク媒体にデータを書き込むライト素子を有するヘッドと、
前記ヘッドを搭載し、前記ディスク媒体上の指定位置に移動するアクチュエータ機構と、
前記ＧＭＲリード素子のバイアス電流及び前記ライト素子のライト電流のそれぞれを供給する電流供給手段と、
前記ＧＭＲリード素子の抵抗値に基づいて、前記ＧＭＲリード素子のピン・リセット効果を得るための最適な前記バイアス電流及び前記ライト電流を決定し、当該最適なバイアス電流及びライト電流を前記ヘッドに供給させる制御手段と
を具備したことを特徴とするディスク記憶装置。
【請求項２】
前記制御手段は、
予め前記ＧＭＲリード素子の抵抗値、その温度係数、バイアス電流値及びライト電流値のそれぞれの関係を示す関係情報を記憶するメモリを含み、
前記バイアス電流及び前記ライト電流を供給したときに、前記ＧＭＲリード素子の抵抗値を測定し、当該抵抗値と前記関係情報とに基づいてピン・リセット効果を得るための最適なバイアス電流及びライト電流を決定することを特徴とする請求項１に記載のディスク記憶装置。
【請求項３】
前記制御手段は、予め前記ＧＭＲリード素子の抵抗値、その温度係数、バイアス電流値及びライト電流値のそれぞれの関係を示す関係情報を記憶するメモリを含み、
前記バイアス電流及び前記ライト電流を供給したときに、前記ＧＭＲリード素子の抵抗値を測定し、当該抵抗値に基づいて前記ＧＭＲリード素子の温度値を算出し、当該温度値と前記関係情報とに基づいてピン・リセット効果を得るための最適なバイアス電流及びライト電流を決定することを特徴とする請求項１に記載のディスク記憶装置。
【請求項４】
前記制御手段は、
前記ディスク媒体上からデータを読出すリード動作時にリードエラーが発生したときに、前記アクチュエータ機構により前記ディスク媒体上又はその範囲外のの指定位置に前記ヘッドを移動させて、前記最適なバイアス電流及びライト電流を前記ヘッドに供給させることを特徴とする請求項１に記載のディスク記憶装置。
【請求項５】
前記制御手段は、
前記ディスク媒体上からデータを読出すリード動作時にリードエラーが発生したときに、所定のリードリトライ動作を実行して当該リードエラーが回復しない場合に、前記アクチュエータ機構により前記ディスク媒体上又はその範囲外の指定位置に前記ヘッドを移動させて、前記最適なバイアス電流及びライト電流を前記ヘッドに供給させることを特徴とする請求項１に記載のディスク記憶装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記最適なバイアス電流及びライト電流を前記ヘッドに供給させた後に、前記リードエラーが回復しない場合には、前記バイアス電流値を変更してリード動作を再実行することを特徴とする請求項４又は請求項５のいずれか１項に記載のディスク記憶装置。
【請求項７】
ディスク媒体からデータを読出す巨大磁気抵抗効果型（ＧＭＲ）リード素子、及び当該ディスク媒体にデータを書き込むライト素子を有するヘッドを使用するディスク記憶装置に適用するリードエラー回復方法であって、
前記ＧＭＲリード素子により前記ディスク媒体上からデータを読出すリード動作を実行した後に、リードエラーの発生を判定するステップと、
前記リードエラーが発生したときに、前記ヘッドを前記ディスク媒体上又はその範囲外の指定位置に移動させるステップと、
前記ＧＭＲリード素子の抵抗値に基づいて、前記ＧＭＲリード素子のピン・リセット効果を得るための最適なバイアス電流及びライト電流を決定するステップと、
前記ＧＭＲリード素子に前記最適なバイアス電流を供給し、前記ライト素子に前記最適なライト電流のそれぞれを供給するステップと
を有することを特徴とするリードエラー回復方法。
【請求項８】
予め前記ＧＭＲリード素子の抵抗値、その温度係数、バイアス電流値及びライト電流値のそれぞれの関係を示す関係情報を用意し、
前記決定ステップは、
前記バイアス電流及び前記ライト電流を供給したときに、前記ＧＭＲリード素子の抵抗値を測定し、当該抵抗値と前記関係情報とに基づいてピン・リセット効果を得るための最適なバイアス電流及びライト電流を決定することを特徴とする請求項７に記載のリードエラー回復方法。
【請求項９】
予め前記ＧＭＲリード素子の抵抗値、その温度係数、バイアス電流値及びライト電流値のそれぞれの関係を示す関係情報を用意し、
前記決定ステップは、
前記バイアス電流及び前記ライト電流を供給したときに、前記ＧＭＲリード素子の抵抗値を測定し、当該抵抗値に基づいて前記ＧＭＲリード素子の温度値を算出し、当該温度値と前記関係情報とに基づいてピン・リセット効果を得るための最適なバイアス電流及びライト電流を決定することを特徴とする請求項７に記載のリードエラー回復方法。
【請求項１０】
前記リードエラーが発生したときに、所定のリードリトライ動作を実行するステップを有し、
前記リードリトライ動作で前記リードエラーが回復しないときに、前記移動ステップ、前記決定ステップ、及び前記供給ステップを実行することを特徴とする請求項７に記載のリードエラー回復方法。
【請求項１１】
前記供給ステップにより、前記最適なバイアス電流及びライト電流を前記ヘッドに供給させた後に、前記リードエラーが回復しない場合には、前記バイアス電流値を変更してリード動作を再実行するステップを有することを特徴とする請求項７又は請求項１０のいずれか１項に記載のリードエラー回復方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的には磁気ヘッドを使用するディスク記憶装置の分野に関し、特に、ＧＭＲリード素子によるリード動作でのリードエラー回復技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスクドライブを代表とするディスク記憶装置（ディスクドライブと表記する場合がある）では、高記録密度化を推進するために、巨大磁気抵抗効果型（ｇｉａｎｔ  ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  ：ＧＭＲ）リード素子（ＧＭＲセンサとも呼ぶ）と、ライト素子とを分離して同一スライダに実装した構造の磁気ヘッドが採用されている。
【０００３】
ＧＭＲリード素子は、ディスク媒体上に記録されたデータを読出すための読出し専用リードヘッド素子として動作する。ライト素子は、ライト電流に従って記録磁界を発生し、ディスク媒体上にデータを磁気記録するライトヘッド素子である。
【０００４】
ＧＭＲリード素子は、概略的には、非磁性層を挟んで、２つの強磁性層が配置された構造である。一方の強磁性層は、フリー層と呼ばれており、その磁化方向が外部磁界のない状態では一定方向に向いている。外部磁界が印加されると、その外部磁界の方向に応じて自由に回転することができる。
【０００５】
他方の強磁性層は、ピン層と呼ばれており、その磁化方向は外部磁界のない状態でフリー層の磁化方向と９０度になる方向に固定されている。一般的には、ピン層の磁化方向は、外部磁界が印加されても変化しない。ピン層の磁化方向を固定するために、ピン層に直接接触するように固定層という反強磁性層が積層されている。固定層は、交換結合によりピン層の磁化方向を固定するために固定用磁界を与える。
【０００６】
ＧＭＲリード素子は、ディスク媒体の表面からの磁気記録の磁束方向に応じてフリー層の磁化方向が変化し、ピン層との磁化角度に応じて抵抗率が変化する。このとき、ＧＭＲリード素子は、予めバイアス電流（センス電流）が供給されているため、磁化方向の変化としてディスク媒体上に磁気記録されたデータを読出すことができる。
【０００７】
ところで、ＧＭＲリード素子は、例えばＥＳＤ（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ  ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  ：静電気）や外乱ノイズ（クロストーク等）により、反強磁性層のブロッキング温度を上回る高温状態になると、反強磁性層の磁化方向が反転する。このため、当該反強磁性層と交換結合しているピン層の磁化方向も、反転してしまう事態となる。、ブロッキング温度とは、反強磁性層の交換異方性が消滅する温度である。
【０００８】
また、ディスクドライブ内において、ＧＭＲリード素子とディスク媒体との物理的接触や、バイアス電流による加熱等での温度ストレスを長時間受けると、周囲に存在する磁界の影響により、ピン層の初期方向を固定化できなくなる。このため、ＧＭＲリード素子は、リード動作時に、リード信号出力の劣化や、出力信号波形の変形が発生し、所定の性能を発揮できなくなる。
【０００９】
このようなＧＭＲリード素子のピン層の反転による性能劣化が発生すると、ディスク媒体からユーザデータやサーボデータを読出すリード動作時に、リードエラーの発生要因となる。
【００１０】
このような問題を解決するために、ＧＭＲリード素子のピン層の磁化方向が反転したことを検知し、所定の電流パルスを加えて、その磁化方向を元に回復させる方法が提案されている（例えば、特許文献１，２を参照）。また、磁気ヘッドに対して、バイアス電流とライト電流を同時に流して、ピン層の磁化方向を元に回復させる方法が提案されている（例えば、特許文献３，４を参照）。
【００１１】
【特許文献１】
特開平１１−１９１２０１号公報
【００１２】
【特許文献２】
米国特許第５，６５０，８８７号（明細書及び図面）
【００１３】
【特許文献３】
特開平１０−４９８３７号公報
【００１４】
【特許文献４】
米国特許第５，９６９，８９６号（明細書及び図面）
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記のような先行技術の方法では、ピン層の磁化方向を元に回復させるピン・リセットを実行する際に、そのリセットパルスとして電流パルスを印加させると、ＧＭＲリード素子の物理的な破壊（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）を招く危険性が大きい。また、バイアス電流とライト電流を同時に印加する方法では、通常のバイアス電流値より過大なバイアス電流を供給した場合でも、同様の支障を招くことがある。
【００１６】
そこで、本発明の目的は、ＧＭＲリード素子のピン・リセット効果を実現し、かつ素子の物理的破壊などの支障を未然に回避できる最適なピン・リセット動作を実行できるディスク記憶装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の観点は、ＧＭＲリード素子を有する磁気ヘッドに対して、ピン・リセット効果を得るために、最適なバイアス電流値とライト電流値を決定して、ピン・リセット動作を実行するディスク記憶装置に関する。
【００１８】
本発明の観点に従ったディスク記憶装置は、ディスク媒体からデータを読出す巨大磁気抵抗効果型（ＧＭＲ）リード素子、及び当該ディスク媒体にデータを書き込むライト素子を有するヘッドと、前記ヘッドを搭載し、前記ディスク媒体上の指定位置に移動するアクチュエータ機構と、前記ＧＭＲリード素子のバイアス電流及び前記ライト素子のライト電流のそれぞれを供給する電流供給手段と、前記ＧＭＲリード素子の抵抗値に基づいて、前記ＧＭＲリード素子のピン・リセット効果を得るための最適な前記バイアス電流及び前記ライト電流を決定し、当該最適なバイアス電流及びライト電流を前記ヘッドに供給させる制御手段とを備えたものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【００２０】
図１は、本実施形態に関するディスクドライブの要部を示す図である。また、図２は、同ディスクドライブの外観を示す図である。
【００２１】
（ディスクドライブの構成）
ディスクドライブは、図２に示すように、筐体１０の中に、ディスク媒体１１、スピンドルモータ（ＳＰＭ）１２、磁気ヘッド１３、アクチュエータ１４、及び特にヘッド１３の駆動に必要な各種回路を実装した回路基板３０が組み込まれて構成されている。
【００２２】
ディスク媒体１１は、図１に示すように、ＳＰＭ１２により回転される。アクチュエータ１４はヘッド１３を搭載し、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１５の駆動力により、ヘッド１３をディスク媒体１１上の半径方向に移動させる。ヘッド１３は、ＧＭＲリード素子（ＧＭＲセンサ）と、ライト素子とを分離して同一スライダに実装した構造の磁気ヘッドが採用されている。
【００２３】
さらに、ディスクドライブは、例えば回路基板３０上に実装されたバイアス電流制御回路１６、ライト電流制御回路１７、素子抵抗測定回路１８、及びコントローラ２０を有する。また、ディスクドライブは、回路基板３０とは異なる回路基板上に実装されたマイクロプロセッサ（ＣＰＵ）２００及びメモリ１９を有する。
【００２４】
ＣＰＵ２００は、ディスクドライブのメイン制御装置であり、本実施形態に関係するＧＭＲリード素子のピン・リセット動作や、リードエラー回復処理、及びヘッド１３の移動制御を実行する。
【００２５】
コントローラ２０は、ＣＰＵ２００の制御に従って、ヘッド１３に含まれるＧＭＲリード素子に対してバイアス電流制御回路１６を介してバイアス電流の供給を制御する。また、ヘッド１３に含まれるライト素子に対して、ライト電流制御回路１７を介してライト電流の供給を制御する。さらに、コントローラ２０は、素子抵抗測定回路１８を制御して、バイアス電流及びライト電流の供給時に、ＧＭＲリード素子の抵抗値を測定し、そり測定結果をメモリ１９に格納する。
【００２６】
メモリ１９は、ＣＰＵ２００によりアクセスされて、ＧＭＲリード素子の抵抗値以外に、バイアス電流値、ライト電流値、及び抵抗値、各電流値、温度係数の関係を示す関係情報を格納している。
【００２７】
（ＧＭＲリード素子の構造）
ＧＭＲリード素子は、図３（ディスク媒体の表面との対向面を示す図）に示すように、反強磁性層１１０、ピン層１２０、非磁性中間層１３０、及びフリー層１４０を有する。これらの各層を上下から挟むようにシールド１５０が配置されている。さらに、ＧＭＲリード素子は、フリー層１４０にバイアス磁界を印加し、バルクハウゼンノイズ等を抑制するための硬磁性層１６０を有する。また、バイアス電流を通電する電極層１７０を有する。
【００２８】
ここで、通常では、ピン層１２０の磁化方向は、反強磁性層１１０との交換結合により、フリー層１４０の磁化方向（矢印）と膜面内で直交する方向に固定化（ピン止め）されている。
【００２９】
ＧＭＲリード素子は、ディスク媒体の表面に接近すると、表面上の磁気記録の磁束の方向に応じてフリー層１４０の磁化方向が変化し、ＧＭＲ素子の電気抵抗が変化する。このとき、バイアス電流を供給しておくことにより、磁化方向の変化（出力電流波形の変化）により、ディスク媒体に磁気記録されたデータを読出すことができる。
【００３０】
図４は、本実施形態に関係するＧＭＲリード素子のピン・リセットを説明するための図である。図４（Ｄ）は、ヘッド１３の構造を示す側面図であり、ディスク媒体１１との位置関係を示す。図４（Ｄ）に示すように、ヘッド１３は、ＧＭＲリード素子２６０と分離して、ライト素子２５０を含む。ライト素子２５０は、コイル２５１にライト電流が供給されると、ギャップ２５２から記録磁界を発生する。このとき、ＧＭＲリード素子２６０は、ライト電流に従って発生する加熱（矢印）の影響を受けて、素子温度の上昇を招く。
【００３１】
図４（Ａ）から（Ｃ）は、同図（Ｄ）のＧＭＲリード素子２６０を右方向から見たピン層１２０とフリー層１４０の概念図である。
【００３２】
図４（Ａ）に示すように、初期状態では、ピン層１２０の磁化方向２１０は、フリー層１４０の磁化方向２２０と直交する方向に固定されている。次に、同図（Ｂ）に示すように、ＥＳＤや外乱ノイズ等の影響により、ピン層１２０の磁化２１０が反転する。
【００３３】
ピン層１２０の磁化方向２１０が反転した状態で、同図（Ｃ）に示すように、フリー層１４０にバイアス電流２３０を流すと、電流磁界２４０がピン層１２０に付与されて、かつバイアス電流２３０により加熱される。このとき、同図（Ｄ）に示すように、ライト素子２５０に対してライト電流を供給すると、ライト素子２５０のコイル２５１がヒータとして機能し、ＧＭＲ素子２６０に対して加熱する（矢印）。
【００３４】
このようなプロセスにより、磁化方向が反転したピン層１２０は、同図（Ａ）に示すように、その磁化方向２１０は元の位置に戻る。これを、ピン・リセット
（効果）と呼ぶ。本実施形態では、ディスクドライブのコントローラ２０は、ＣＰＵ２００の制御に従って、前記のようなバイアス電流とライト電流の最適値を決定して供給し、当該ピン・リセットを実現する。このとき、ライト電流によるＧＭＲリード素子への誘導電圧、いわゆるクロストークを避けるために、ライト電流は直流（ＤＣ）であることが好ましい。また、バイアス電流はブレークダウンを避けるために、電圧値として例えば４００ｍＶを超えないように設定することが好ましい。さらに、バイアス電流およびライト電流は、連続的に相対的に長時間流し続ける方が好ましい。
【００３５】
ここで、図７は、実際にピン・リセット動作を実行した実験結果である。ピン反転により出力低下したＧＭＲリード素子に対して、７．５ｍＡのバイアス電流を供給し、かつ６０ｍＡのライト電流を同時に２分間流した前後のＱＳＴ（Ｑｕａｓｉ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｔｅｓｔｅｒ）により測定したρ−Ｈカーブである。ここで、ＱＳＴ測定条件は５００Ｏｅ、４．５ｍＡである。
【００３６】
図７において、バイアス電流およびライト電流を流す前の測定結果７００に対して、流した後の測定結果７０１から明白であるように、ＧＭＲリード素子の出力（振幅）が１５００ｕＶから５０００ｕＶに回復している。
【００３７】
（リードエラー回復方法）
以下、図５のフローチャートを参照して、本実施形態のディスクドライブにおいて、特に、ＥＳＤや外乱ノイズ等によりピン反転を起こしたＧＭＲリード素子をピン・リセットすることにより、リード・エラーを回復させる方法について説明する。
【００３８】
まず、ＣＰＵ２００は、通常のリード動作を実行したときに、リードエラーが発生すると、リードリトライ動作を実行させる（ステップＳ１）。通常では、リトライ動作は、所定の回数だけ繰り返し実行される。
【００３９】
リトライ動作を実行しても、リードエラーが回復されない場合には、本実施形態では、ＣＰＵ２００は、前述したように、ＥＳＤや外乱ノイズ等によりヘッド１３に含まれるＧＭＲリード素子のピン層での磁化方向が反転し、これによりリード信号の出力低下などによりリードエラーが発生しているものと想定する（ステップＳ２のＮＯ）。なお、当然ながら、リトライ動作により、リードエラーが回復した場合には、通常動作（例えば、次のリード動作やライト動作）に移行する（ステップＳ２のＹＥＳ）。
【００４０】
ＣＰＵ２００は、コントローラ２０に対して、ＧＭＲリード素子のバイアス電流値の変更を指示する（ステップＳ３）。そして、バイアス電流が変更されたＧＭＲリード素子により、再度のリード動作（通常のリトライ動作とは異なる）を実行させる（ステップＳ４）。このリード動作により、リードエラーが回復した場合には、通常動作に移行する（ステップＳ５のＹＥＳ）。
【００４１】
一方、リードエラーが回復できない場合には、ＣＰＵ２００は、本実施形態のピン・リセット動作に移行する（ステップＳ５のＮＯ）。まず、ＣＰＵ２００は、アクチュエータ１４（実際にはＶＣＭ１５）を駆動制御して、ヘッド１３をディスク媒体１１上のユーザデータが記録されていない領域、またはアンロード位置まで移動させる（ステップＳ６）。ユーザデータが記録されていない領域とは、例えばディスク媒体１１上の最外周又は最内周の領域であり、当然ながら、システムエリアの領域を除く。また、アンロード位置とは、ディスク媒体１１の外側に設けられたヘッド１３をパーキングさせる位置であり、ランプ部材またはパーキング部材と呼ばれるヘッドを保持する部材が配置されている。
【００４２】
ＣＰＵ２００は、コントローラ２０を介して、ヘッド１３に対してバイアス電流およびライト電流を供給して、ＧＭＲリード素子に対して加熱する。このとき、コントローラ２０は、バイアス電流制御回路１６及びライト電流制御回路１７から供給した各電流値をメモリ１９に格納する。また、コントローラ２０は、素子抵抗測定回路１８を制御して、バイアス電流値及びライト電流値に対応付けて、ＧＭＲリード素子の抵抗値を測定し、その測定結果をメモリ１９に格納する。
【００４３】
ＣＰＵ２００は、予めメモリ１９に格納されたＧＭＲリード素子の抵抗値、バイアス電流値、ライト電流値、及び温度係数の関係を示す関係情報を参照し、バイアス電流値、ライト電流値、及び抵抗値との関係を算出する（ステップＳ７）。さらに、ＣＰＵ２００は、メモリ１９に格納された関係情報を参照して、バイアス電流値、ライト電流値、抵抗値、温度係数との関係から、ＧＭＲリード素子に発生している実際の温度（素子温度の上昇）を測定（算出）する（ステップＳ８）。
【００４４】
ＣＰＵ２００は、ＧＭＲリード素子の温度状態とピン・リセット効果との関係から、有効なピン・リセットに必要な最適なバイアス電流値とライト電流値を決定する（ステップＳ９）。
【００４５】
コントローラ２０は、ＣＰＵ２００により決定された最適なバイアス電流値とライト電流値に基づいて、バイアス電流制御回路１６及びライト電流制御回路１７からバイアス電流及びライト電流を供給して、ピン・リセット動作を実行する（ステップＳ１０）。ＣＰＵ２００は、アクチュエータ１４を駆動制御して、ヘッド１３をディスク媒体１１上の元のリード位置まで移動させる（ステップＳ１１）。そして、ＣＰＵ２００は、再度のリード動作を実行させる（ステップＳ１２）。
【００４６】
このリード動作により、リードエラーが回復した場合には、通常動作に移行する（ステップＳ１３のＹＥＳ）。一方、リードエラーが回復できない場合には、ＣＰＵ２００は、リードエラーの回復は不可能と判断し、いわゆるハードエラーとして確定する（ステップＳ１３のＮＯ）。
【００４７】
以上要するに本実施形態のリードエラー回復方法であれば、通常のリードリトライ動作により、リードエラーの回復ができない場合には、ＧＭＲリード素子のピン・リセット動作によりリードエラーの回復を図る。本実施形態では、ピン・リセット動作の実行前に、ＧＭＲリード素子の温度状態（抵抗値）に基づいて、最適なバイアス電流値とライト電流値を決定する。従って、有効なピン・リセット効果を実現することができる。また、ＧＭＲリード素子の物理的破壊を招くことがないように、最適なバイアス電流値とライト電流値を設定できる。
【００４８】
なお、最適なバイアス電流とライト電流を、ヘッド１３に対して同時に供給することが好ましい。また、ライト電流によるＧＭＲ素子への誘導電圧、いわゆるクロストークを避けるために、ライト電流は直流（ＤＣ）であることが好ましい。さらに、バイアス電流はブレークダウンを避けるために、電圧値として例えば４００ｍＶを超えないように設定することが好ましい。さらに、バイアス電流およびライト電流は連続的に長時間流し続ける方が好ましい。
【００４９】
図８及び図９は、それぞれ本実施形態でのピン・リセット時に、ライト電流およびバイアス電流によるＧＭＲリード素子の温度（素子温度の上昇）を計算した結果の一例である。
【００５０】
（変形例）
図６は、本実施形態の変形例に関するフローチャートである。
【００５１】
本変形例は、図５のステップＳ１０で示すピン・リセット動作を実行した後に、リードエラーを回復できない場合に、再度のバイアス電流を変更させる処理を追加した方法である。
【００５２】
即ち、ＣＰＵ２００は、図６に示すように、ピン・リセット動作後に、アクチュエータ１４を駆動制御して、ヘッド１３をディスク媒体１１上の元のリード位置まで移動させる（ステップＳ２１）。そして、ＣＰＵ２００は、再度のリード動作を実行させる（ステップＳ２２）。このリード動作により、リードエラーが回復した場合には、通常動作に移行する（ステップＳ２３のＹＥＳ）。
【００５３】
一方、リードエラーが回復できない場合には、ＣＰＵ２００は、ＧＭＲリード素子の動作バイアス電流を変更させる（ステップＳ２４）。これは、ピン・リセット後に、ＧＭＲリード素子の感度が元の状態とは異なる場合がある。従って、動作バイアス電流値を変更することにより、ＧＭＲリード素子の感度が元の状態に回復させる。
【００５４】
そして、再度のリード動作を実行して、リードエラーが回復した場合には、通常動作に移行する（ステップＳ２５，Ｓ２６のＹＥＳ）。これでも、リードエラーが回復しない場合には、ハードエラーとして確定する（ステップＳ２６のＮＯ）。
【００５５】
以上本実施形態及び本変形によれば、ＥＳＤや外乱ノイズ等によりピン反転を起こしたＧＭＲリード素子のピン・リセットを実行することにより、リード・エラーを回復させる可能性が大きくなる。
【００５６】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、ＧＭＲリード素子のピン・リセット効果を実現し、かつ素子の物理的破壊などの支障を未然に回避できる最適なピン・リセット動作を実行できるディスク記憶装置を提供できる。特に、ＧＭＲリード素子のピン層の磁化反転を要因とするリードエラー回復に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に関するディスクドライブの要部を示すブロック図。
【図２】本実施形態に関するディスクドライブの外観を示す図。
【図３】本実施形態に関するＧＭＲリード素子の構造を説明するための図。
【図４】本実施形態に関するＧＭＲリード素子の動作を説明するための図。
【図５】本実施形態に関するリードエラー回復方法を説明するためのフローチャート。
【図６】本実施形態の変形例に関するフローチャート。
【図７】本実施形態に関するＧＭＲリード素子の特性を説明するための図。
【図８】本実施形態に関するＧＭＲリード素子の特性を説明するための図。
【図９】本実施形態に関するＧＭＲリード素子の特性を説明するための図。
【符号の説明】
１１…ディスク媒体、１２…スピンドルモータ（ＳＰＭ）、１３…磁気ヘッド、１４…アクチュエータ、１５…ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、１６…バイアス電流制御回路、１７…ライト電流制御回路、１８…素子抵抗測定回路、１９…メモリ、２０…コントローラ、１２０…ピン層、１４０…フリー層、２００…マイクロプロセッサ（ＣＰＵ）
２５０…ライト素子、２６０…ＧＭＲリード素子。
【図１】
2004326969.tif 000003
【図２】
2004326969.tif 000004
【図３】
2004326969.tif 000005
【図４】
2004326969.tif 000006
【図５】
2004326969.tif 000007
【図６】
2004326969.tif 000008
【図７】
2004326969.tif 000009
【図８】
2004326969.tif 000010
【図９】
2004326969.tif 000011