(57)【要約】【課題】ガラス基板に磁気異方性を付与するテクスチャを形成した場合であっても、高い磁気異方性が得られる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法並びに磁気ディスクの製造方法を提供する。【解決手段】磁性層に磁気異方性を付与するテクスチャを、ガラス基板の主表面に形成するテクスチャ工程と、前記テクスチャ工程の後に、ガラス基板の清浄工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、前記清浄工程は処理液によってガラス基板のテクスチャを清浄する工程を含み、前記処理液のｐＨを所定とすることにより、高い磁気異方性を得る。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性層に磁気異方性を付与するテクスチャを、ガラス基板の主表面に形成するテクスチャ工程と、前記テクスチャ工程の後に、ガラス基板の清浄工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、
前記清浄工程は、ｐＨが４．５〜１４の処理液によってガラス基板のテクスチャを清浄することを含むことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
処理液によってガラス基板のテクスチャを清浄する前に、
前記テクスチャ工程でガラス基板に付着した研磨剤を除去する工程を含むことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
前記ガラス基板を構成するガラスは、アルミノシリケートガラスであることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
前記アルミノシリケートガラスは、ＳｉＯ２を５８〜７５重量％、Ａｌ２Ｏ３を５〜２３重量％、Ｌｉ２Ｏを３〜１０重量％、Ｎａ２Ｏを４〜１３重量％、主成分として含有するガラスであることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
ガラス基板上に少なくとも磁性層を形成したときに、磁性層に１．２以上の残留磁化膜厚積による磁気異方性が付与されるよう製造する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によって製造されたガラス基板上に少なくとも磁性層を形成する磁気ディスクの製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の磁気ディスクの製造方法であって、
ガラス基板上に前記テクスチャを形成してから磁性層を形成するまでのガラス基板の全清浄工程における処理液はｐＨが４．５〜１４の処理液であることを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【請求項８】
ガラス基板上に少なくとも磁性層を形成したときに磁性層に磁気異方性を付与するテクスチャを主表面に有するガラス基板を処理液で処理し、少なくとも磁性層を形成する磁気異方性磁気ディスクの製造方法において、
予め、処理液のｐＨと、磁気異方性との相関関係を求めておき、
所定の磁気異方性を得るために、前記相関関係に基づいて処理液のｐＨを選定し、
前記選定条件に従って、ガラス基板を処理することを特徴とする磁気異方性磁気ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体に関し、特に、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）等に搭載される磁気ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】
今日、情報記録技術、特に磁気記録技術は、急速なＩＴ産業の発達に伴い飛躍的な技術革新が要請されている。ＨＤＤ等に搭載される磁気ディスクでは、高容量化の要請により４０Ｇｂｉｔ／ｉｎ２〜１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ２以上の情報記録密度を実現できる技術が求められている。
【０００３】
磁気ディスクでは、磁気記録ヘッドの浮上飛行方向の磁気特性が特に優れていることが求められる。このため、例えば特開昭６２−２７３６１９号等では、アルミ合金等の金属基板表面上に磁気異方性を付与するテクスチャを形成した上で、磁性層を成膜することによって、半径方向の磁気特性に対比して、磁気記録ヘッドの浮上飛行方向の磁気特性を向上させるなどされてきた。
【０００４】
ところで、近年、ＨＤＤのモバイル化、小型化の要請から、高剛性で耐衝撃性に優れ、また高い表面平滑性が得られるガラス基板が注目されている。
さらに、ガラス基板の場合であれば、耐衝撃性に優れているので、アルミ合金製基板のようにＮｉＰ等の金属膜を被着して剛性を補強する必要が無く、工程短縮できるので、廉価な磁気ディスクを提供でき、また、小型化が容易であるという利点がある。例えば、本出願人は、特開２００２−３２９０９号公報において、ガラス基板上に円周状のテクスチャを形成し、この上に磁性層等をスパッタリングした磁気記録媒体に関して開示している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ガラス基板の場合においても、半径方向の磁気特性に比べて、円周方向の磁気特性が優れていることが望まれる。例えば４０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上の記録密度を達成する場合では、残留磁化膜厚積による磁気異方性比（ＭｒｔＯＲ）は１．２以上であることが求められる。また、５０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上の記録密度を得るためには、ＭｒｔＯＲは１．３以上、特に、６０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上の高記録密度領域ではＭｒｔＯＲは１．３５以上が望ましいとされている。
【０００６】
なお、上述のＭｒｔＯＲとは、残留磁化膜厚積（Ｍｒｔ）から算出する磁気異方性比ＯＲ（Ｏｒｉｅｎｔｅｄ　Ｒａｔｉｏ）のことである。磁気記録媒体主表面上の任意の点において、円周方向の残留磁化膜厚積をＭｒｔ（ｃ）、半径方向の残留磁化膜厚積をＭｒｔ（ｒ）としたときに、Ｍｒｔ（ｒ）に対するＭｒｔ（ｃ）の比Ｍｒｔ（ｃ）／Ｍｒｔ（ｒ）をＭｒｔＯＲとして定める。
【０００７】
ここで、Ｍｒｔとは、Ｍｒ（残留磁化）とｔ（媒体の磁性層厚さ）との積のことである。ＭｒｔＯＲがほぼ１であれば、円周方向と半径方向の磁気特性がほぼ等しい、等方性の磁気記録媒体である。ＭｒｔＯＲが１を越えて大きくなるに従って、円周方向の磁気異方性が向上していることを示している。
【０００８】
ところが、アルミ合金製基板や、ＮｉＰ等の金属膜を被着した基板など、金属表面上に磁気異方性を付与するテクスチャを形成した場合とは異なり、ガラス基板表面上に直接、磁気異方性を付与するテクスチャを形成し、この上に磁性層を形成した場合では、ＭｒｔＯＲは１．０〜１．１程度しか得られなかったため、ＨＤＤの高容量化と低価格化を阻害する要因となっていた。
【０００９】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、ガラス基板を用いた場合であっても１．２以上のＭｒｔＯＲが得られ、４０Ｇｂｉｔ／ｉｎ２以上の記録密度が達成できる、耐衝撃性に優れた、廉価な磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
また、ガラス基板を用いた場合であっても１．２以上のＭｒｔＯＲが得られ、４０Ｇｂｉｔ／ｉｎ２以上の記録密度が達成できる、耐衝撃性に優れた、廉価な磁気ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
（構成１）
磁性層に磁気異方性を付与するテクスチャを、ガラス基板の主表面に形成するテクスチャ工程と、前記テクスチャ工程の後に、ガラス基板の清浄工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、
前記清浄工程は、ｐＨが４．５〜１４の処理液によってガラス基板のテクスチャを清浄することを含むことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【００１２】
（構成２）
構成１記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
処理液によってガラス基板のテクスチャを清浄する前に、
前記テクスチャ工程でガラス基板に付着した研磨砥粒を除去する工程を含むことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【００１３】
（構成３）
構成１又は２に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
前記ガラス基板を構成するガラスは、アルミノシリケートガラスであることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【００１４】
（構成４）
構成３記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
前記アルミノシリケートガラスは、ＳｉＯ２を５８〜７５重量％、Ａｌ２Ｏ３を５〜２３重量％、Ｌｉ２Ｏを３〜１０重量％、Ｎａ２Ｏを４〜１３重量％、主成分として含有するガラスであることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【００１５】
（構成５）
構成１乃至４の何れか一に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、ガラス基板上に少なくとも磁性層を形成したときに、磁性層に１．２以上の残留磁化膜厚積による磁気異方性が付与されるよう製造する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【００１６】
（構成６）
構成１乃至５の何れか一に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によって製造されたガラス基板上に少なくとも磁性層を形成する磁気ディスクの製造方法。
【００１７】
（構成７）
構成６記載の磁気ディスクの製造方法であって、
ガラス基板上に前記テクスチャを形成してから磁性層を形成するまでのガラス基板の全清浄工程における処理液はｐＨが４．５〜１４の処理液であることを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【００１８】
（構成８）
ガラス基板上に少なくとも磁性層を形成したときに磁性層に磁気異方性を付与するテクスチャを主表面に有するガラス基板を処理液で処理し、少なくとも磁性層を形成する磁気異方性磁気ディスクの製造方法において、
予め、処理液のｐＨと、磁気異方性との相関関係を求めておき、
所定の磁気異方性を得るために、前記相関関係に基づいて処理液のｐＨを選定し、
前記選定条件に従って、ガラス基板を処理することを特徴とする磁気異方性磁気ディスクの製造方法。
【００１９】
本発明者らは、磁気ディスク用ガラス基板上に直接、磁性層に磁気異方性を付与するテクスチャを形成した場合では高いＭｒｔＯＲが得られない原因について様々な観点から研究を行った。
【００２０】
従来、磁気ディスク用ガラス基板を洗浄する工程においては、高い洗浄能力を得るために、強い酸性の洗浄液が用いられることが多かった。ここで言う強い酸性の洗浄液としては、例えば、硫酸、フッ酸、ケイフッ酸等が挙げられる。これら強い酸性による高い洗浄能力を得て、ガラス基板上からヘッドクラッシュやサーマルアスペリティ等の原因となる異物を除去している。
【００２１】
しかし本願発明者らによって得られた知見によれば、前記テクスチャが形成されたガラス基板の場合においては、洗浄能力に着眼した従来のガラス基板の洗浄工程を用いてしまうと、高い磁気異方性を得る目的に対して阻害要因となる事が判明した。
【００２２】
本発明者らが解明した事実では、ガラス基板上に前記テクスチャを形成した後から、磁性層を形成するまでの間に設けられている、ガラス基板の清浄工程の処理液のＰＨによって、ＭｒｔＯＲが変動することが判った。
【００２３】
ここで言うガラス基板の清浄工程の処理液とは、ガラス基板の洗浄工程の洗浄液、ガラス基板の保管工程の保管液、ガラス基板の搬送工程の保管液など、テクスチャの形成されたガラス基板を清浄する作用を備える処理液のことである。ガラス基板の主表面に前記テクスチャが形成されたガラス基板においては、処理液は、磁気異方性を低下させることのないよう、ＰＨの厳密な制御を要することが判った。
【００２４】
具体的には、処理液のｐＨを４．５〜１４と選定すると、高いＭｒｔＯＲが得られるようになることが判明した。この場合１．２以上の高いＭｒｔＯＲが得られるようにする事ができるので好適である。さらに、処理液のｐＨを６．３〜１３と選定すると特に好適である。この場合１．３以上の高いＭｒｔＯＲが得られるようにする事ができるからである。
【００２５】
本発明者が考察するところでは、このような現象が発生する理由は以下のように考えられている。通常、アルカリ金属イオン等のプラスイオン（カチオン）を含むガラスを、液体に接触させると、液中に含まれる水素イオン（Ｈ＋）が、ガラスに対してリーチング作用を働くので、ガラス表面のプラスイオンは、水素イオン（Ｈ＋）と置換される。
【００２６】
このリーチング作用により、ガラス基板の相対的にイオン半径の大きなアルカリ金属イオンが、液中に含まれる相対的にイオン半径の小さな水素イオンと置換されてしまうため、ガラス基板表面が侵され、ガラス基板表面に形成された、磁性層に磁気異方性を付与するための微細なテクスチャ形状を乱してしまうと考察されている。従って、テクスチャ工程後のガラス基板に接触する液体はガラス基板に対して磁気異方性を低下させるリーチング作用を働かないものが好ましいと考えられる。
【００２７】
従来、磁気ディスク用ガラス基板において、リーチング作用によるガラス基板表面形状の乱れが問題とされなかった理由は、リーチング作用によるガラス基板表面の乱れが極めて微細であるので、磁気記録ヘッドの浮上特性に影響を与えたり、サーマルアスペリティ障害を発生させることがなかったためであると考えられる。
【００２８】
液体に含まれる前記水素イオン（Ｈ＋）の濃度は、ｐＨにより数値化できるが、処理液のｐＨを４．５以上とすることにより高いＭｒｔＯＲが得られる理由は、ｐＨが４．５以上の場合、前記リーチング作用が抑制できるからであると考えられる。
【００２９】
次に、ガラス基板と液中に含まれる水酸基イオン（ＯＨ−）との関係を考察する。水酸基イオンは、ガラスの基本骨格であるＳｉ−Ｏの共有結合を浸食するエッチング作用を備えると考えられるので、水酸基イオンが過多になると、ガラス基板表面に形成された、磁性層に磁気異方性を付与するための微細なテクスチャ形状を乱してしまうと考えられる。従って、テクスチャ工程後のガラス基板に接触する液体はガラス基板に対して磁気異方性を低下させるエッチング作用を働かないものが好ましいと考えられる。
【００３０】
従来、磁気ディスク用ガラス基板において、水酸基イオンのエッチング作用によるガラス基板表面形状の乱れが問題とされなかった理由は、ガラス基板表面の乱れが極めて微細であるので、磁気記録ヘッドの浮上特性に影響を与えたり、サーマルアスペリティ障害を発生させることがなかったためであると考えられる。
【００３１】
液体に含まれる前記水酸基イオン（ＯＨ−）の濃度は、ｐＨにより数値化できるが、処理液のｐＨを１３以下とすることにより高いＭｒｔＯＲが得られる理由は、ｐＨが１３以下の場合、前記水酸基イオンによるエッチング作用が抑制できるからであると考えられる。
【００３２】
処理液のｐＨを中性に近づける程、ガラス基板に対するリーチング作用やエッチング作用は抑制されるので好ましい。
但し、洗浄工程の洗浄液の場合にあっては、同時に洗浄性能が低下するので、洗浄液のｐＨは、前述の範囲内で、好適な洗浄性能が得られるよう適宜調整するのが好ましい。
【００３３】
洗浄工程の場合では、洗浄液のｐＨを中性に近づけると、洗浄性能が低下するので、この場合は、洗浄性能を補うために、ジェット水流による洗浄、スピン洗浄、スクラブ洗浄など物理的エネルギーを付加する洗浄手段を併用することが好ましい。洗浄液として水を用いる場合、或いは洗浄液を水で希釈する場合は超純水（ＤＩ水、ＲＯ水）等の異物対策、残留イオン対策の施された水を用いることが好ましい。このように洗浄することで、ヘッドクラッシュやサーマルアスペリティを防止しつつ、高い磁気異方性比が得られるようにできる。
【００３４】
ヘッドクラッシュやサーマルアスペリティを好適に抑制し、かつ、高い磁気異方性比を得るために、処理液によってガラス基板のテクスチャを清浄する前に、前記テクスチャ工程でガラス基板に付着した研磨剤を除去する工程を備える事が好ましい。
【００３５】
ガラス基板に前記テクスチャを形成するために用いる研磨剤（ダイヤモンドなどからなる研磨砥粒と、グリセリンなどからなる湿潤剤などを含む）は、ヘッドクラッシュやサーマルアスペリティの原因となる場合がある。従って、処理液によってガラス基板のテクスチャを清浄する前に研磨剤を除去しておくと、清浄工程の作用効果が高められるので好ましい。
【００３６】
洗浄液による洗浄工程の前に、前記テクスチャ工程でガラス基板に付着した研磨剤を除去する工程を備えると、該洗浄液のｐＨを中性に近づけられるので、高い磁気異方性比を得られるようになり特に好ましい。
【００３７】
ガラス基板に付着した研磨剤を除去する工程としては、超純水（ＲＯ水、ＤＩ水）でテクスチャ工程後のガラス基板をシャワー洗浄して研磨剤を除去する工程が挙げられる。
【００３８】
洗浄液による洗浄工程としては、洗浄液は、ＫＯＨ水溶液、ＮａＯＨ水溶液、リン酸ナトリウム水溶液などが好ましい。洗浄液としてＫＯＨを含有する洗浄液を用いる場合は、ＫＯＨが８重量％以下とすると洗浄性能が高く好適である。中でも、ＫＯＨとＮａＯＨの両方を含有するものは、ガラス基板上のパーティクルや、油脂分、金属イオン、研磨剤の除去に優れているので特に好ましい。この場合、ＫＯＨとＮａＯＨの含有量の比は体積％の比で、６０：４０〜４０：６０の範囲内で調整すると、洗浄性能が高く好適である。ガラス基板上に前記テクスチャを形成する工程においてダイヤモンド砥粒や、グリセリン等の湿潤剤が配合されている遊離砥粒を用いる場合に関して、これらの除去能力が高くなるので好適である。
【００３９】
なお、洗浄工程における洗浄液の温度については、実用上２０℃〜６０℃とすることが好ましい。２０℃未満の場合は洗浄能力が低く、磁気ディスク上に磁気記録ヘッドを走行たときにヘッドクラッシュやサーマルアスペリティーなどの障害を発生させる可能性がある。また６０℃を越えるとガラス表面に乾きが発生するために好ましくない。
【００４０】
洗浄時間については、ガラス基板の表面形状を乱さない範囲内であればよいが、実用上１０秒以上でないと洗浄効果が不十分であり、また１時間を越えると生産性が低下し製造コストが増大するため好ましくない。
【００４１】
本発明における洗浄工程では超音波を付加することが好ましい。超音波を付加することにより、高い洗浄効果が得られるので、ヘッドクラッシュやサーマルアスペリティ等の障害を防止することができる。
【００４２】
本発明において用いるガラス基板の構成するガラスは、アルミノシリケートガラスが好適である。アルミノシリケートガラスは、前述したＰＨの範囲内であれば、前記リーチング作用、エッチング作用を厳密に制御することができるので、高いＭｒｔＯＲを得るようにすることができる。
【００４３】
アルミノシリケートガラスとしては、アルカリ金属元素を含有するガラスが好ましい。アルカリ元素を含有するガラス基板は、化学強化に適し、優れたＬＵＬ特性、耐衝撃性を得ることができる。本発明ではリーチング作用が抑止されているため、アルカリ元素を含有したガラス基板であっても高いＭｒｔＯＲを得ることができるので好適である。
【００４４】
なお、上記アルミノシリケートガラスの中でも特に、その組成比は、ＳｉＯ２：５８〜７５重量％、Ａｌ２Ｏ３：５〜２３重量％、Ｌｉ２Ｏ：３〜１０重量％、Ｎａ２Ｏ：４〜１３重量％を主成分として含有するガラスからなることが好ましい。
【００４５】
更に、前記ガラス基板の組成を、ＳｉＯ２：６２〜７５重量％、Ａｌ２Ｏ３：５〜１５重量％、Ｌｉ２Ｏ：４〜１０重量％、Ｎａ２Ｏ：４〜１２重量％、ＺｒＯ２：５．５〜１５重量％を主成分として含有するとともに、Ｎａ２Ｏ／ＺｒＯ２の重量比が０．５〜２．０、Ａｌ２Ｏ３／ＺｒＯ２の重量比が０．４〜２．５であるアルミノシリケートガラスであることが好ましい。
【００４６】
また、ＺｒＯ２の未溶解物が原因で生じるガラス基板表面の突起を無くすためには、モル％表示で、ＳｉＯ２を５７〜７４％、ＺｎＯ２を０〜２．８％、Ａｌ２Ｏ３を３〜１５％、ＬｉＯ２を７〜１６％、Ｎａ２Ｏを４〜１４％含有する化学強化用ガラス等を使用することが好ましい。
【００４７】
このようなアルミノシリケートガラスは、化学強化することによって、抗折強度が増加し、圧縮応力層の深さも深く、ヌープ硬度にも優れるとともに、前記リーチング作用、エッチング作用の制御性においても大変優れているので、高いＭｒｔＯＲが得られるようになり特に好ましい。なお、上述のアルミノシリケートガラスの代表的なものとしては、ＨＯＹＡ株式会社製のＮ５が挙げられる。
【００４８】
本発明において、ガラス基板は化学強化されたものであることが好ましい。化学強化されたガラス基板は、ガラス基板表面上に応力層が形成されているため、強度が高く、また平坦度も高いので、ＬＵＬ特性、耐衝撃性に優れ、モバイル用途のＨＤＤに特に好適である。
【００４９】
なお、この化学強化工程は、ガラス基板表面上に前記テクスチャを形成する工程より前に施すことが好ましい。化学強化工程では、イオン交換の過程でガラス基板表面の圧縮応力分布に微小な乱れが生じたり、或いは化学強化塩がガラス基板表面に固く結着するなどして、ガラス基板の表面粗さを乱す場合がある。このため、ガラス基板上に前記テクスチャを形成した後に化学強化工程を施した場合では、磁性層に磁気異方性を付与するためのテクスチャ形状が化学強化によって乱され、所望のＭｒｔＯＲが得られない場合がある。従って、化学強化工程は、前記テクスチャを形成する前に施すことが好ましい。
【００５０】
本発明においては、磁気ディスクの製造方法として、ガラス基板上に前記テクスチャを形成してから磁性層を形成するまでのガラス基板の全清浄工程における処理液はｐＨが４．５〜１４の処理液であることが好ましい。このようにすることで、ガラス基板上に直接前記テクスチャを形成した場合であっても、高い１．２以上の高いＭｒｔＯＲを備える磁気ディスクを得られるようになるので好適である。
更に好ましくは、該処理液のＰＨを６．３〜１３．０とすることが好ましい。このようにすることで、ガラス基板上に直接前記テクスチャを形成した場合であっても、高い１．３以上の高いＭｒｔＯＲを備える磁気ディスクを得られるようになるので好適である。
【００５１】
本発明においては、ガラス基板上に少なくとも磁性層を形成したときに磁性層に磁気異方性を付与するテクスチャを主表面に有するガラス基板を処理液で処理し、少なくとも磁性層を形成する磁気異方性磁気ディスクの製造方法において、予め、処理液のｐＨと、磁気異方性との相関関係を求めておき、所定の磁気異方性を得るために、前記相関関係に基づいて処理液のｐＨを選定し、前記選定条件に従って、ガラス基板を処理することを特徴とする磁気異方性磁気ディスクの製造方法についても提供される。
【００５２】
このように磁気ディスクを製造することにより、再現性よく所望の残留磁化膜厚積による磁気異方性比（ＭｒｔＯＲ）を得ることができるので、磁気ディスクを大量生産した場合においても、磁気ディスク毎のＭｒｔＯＲのバラツキを抑制することができ、製造歩留まりを向上させることができるので、磁気ディスクの低コスト化と、低価格化を実現することができる。
【００５３】
本発明において磁性層の組成は特に限定されないが、ｈｃｐ結晶構造をもつＣｏ合金からなる材料は、結晶磁気異方性が高いので好ましい。Ｃｏ系合金の内、ＣｏＰｔ系合金の場合、３０００エルステッド以上の高い保磁力を得ることのできるので、好ましい。またＣｏＣｒ系合金の場合では、Ｃｒによって磁性粒子間の交換相互作用を抑制することができるので、媒体ノイズを低減することができ、好ましい。これらＣｏ系合金としては、例えば、ＣｏＰｔ合金やＣｏＣｒ合金の他、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＮｂ系合金などが挙げられる。これらの中でもＣｏＣｒＰｔＢ合金は媒体ノイズが低く高記録密度化に好適である。ＣｏＣｒＰｔＢ合金の場合のＣｒの含有量として好適な範囲は１３ａｔ％〜２５ａｔ％、Ｐｔの好適な含有量は、６ａｔ％〜１５ａｔ％、Ｂの好適な含有量としては、２ａｔ％〜１０ａｔ％、残部をＣｏとする事が好ましい。
【００５４】
本発明において、ガラス基板上に形成する、磁性層に磁気異方性を付与するテクスチャは磁気記録ヘッドの浮上走行方向の磁気異方性を高められる規則性のある形態であればよいが、磁気ディスクの場合、磁気記録ヘッドの走行方向は円周方向であるので、円周状の規則性を持ったテクスチャ、あるいは、これに交差する形状成分を持つクロステクスチャ、楕円状テクスチャ、らせん状テクスチャまたはこれら形状成分の複合形態であってよい。中でも円周状のテクスチャは、磁性粒子を磁気記録ヘッドの走行方向へ配列させる作用が高いので好ましい。
【００５５】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施形態になる製造方法により製造した磁気ディスク用ガラス基板１に、成膜工程により磁性層等を形成した磁気ディスク１０を図１に示す。磁気ディスク１０は以下の構造を有している。
【００５６】
磁気ディスク用ガラス基板１は、化学強化されたアルミノシリケートガラスに、研磨、及び円周状テクスチャ、精密洗浄が施されたガラス基板である。このガラス基板１上に、シード層２、下地層３、磁性層４、保護層５、潤滑層６が順次積層されている。シード層２はシード層２ａ及びシード層２ｂからなる。シード層２及び下地層３は非磁性層である。
【００５７】
本発明者らは、同一のテクスチャ条件による製造方法により、ガラス基板上に円周状のテクスチャを形成した磁気ディスク用ガラス基板１に対して様々なｐＨの洗浄液を用いて洗浄を行い、洗浄後に同一の製造条件でシード層２、下地層３、磁性層４、保護層５、潤滑層６を順次形成した磁気ディスクを製造し、洗浄液のｐＨとＭｒｔＯＲとの相関関係を調査した。結果を図２に示す。
【００５８】
ここで洗浄に用いた洗浄液は、ＰＨが７を越える領域はＫＯＨ水溶液を希釈することによりｐＨを変化させたものであり、ＰＨが７を下回る領域はＨＣｌ水溶液を希釈することによりｐＨを変化させたものである。
また、洗浄方法は後述の実施例１と同様の洗浄方法である。ｐＨ及びＭｒｔＯＲの測定方法は後述する方法と同一である。
【００５９】
シード層２は、Ｃｒ合金薄膜（膜厚６００オングストローム）からなる、第１のシード層２ａと、ＡｌＲｕ薄膜（膜厚：３００オングストローム）からなる、第２のシード層２ｂとからなる。なお、このＡｌＲｕ薄膜はＡｌ：５０ａｔ％、Ｒｕ：５０ａｔ％の組成比で構成されている。
【００６０】
下地層３は、ＣｒＷ薄膜（膜厚：１００オングストローム）であり、Ｃｒ：９０ａｔ％、Ｗ：１０ａｔ％の組成比で構成されている。
【００６１】
磁性層４は、ＣｏＣｒＰｔＢ合金からなり、膜厚は、１５０オングストロームである。この磁性層のＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｂの各含有量は次のとおりである。すなわち、Ｃｏ：６２ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｐｔ：１２ａｔ％、Ｂ：６ａｔ％である。
【００６２】
図２より、ガラス基板洗浄における洗浄液のｐＨと、ＭｒｔＯＲとの間には相関関係が認められた。従って、所定のＭｒｔＯＲを得るために、図２の相関関係に基づいて洗浄液のｐＨを選定しガラス基板の洗浄を行うことで、所定の磁気異方性比を備えるよう磁気ディスク用ガラス基板を製造することができることが判った。
【００６３】
次に、図２で得られた相関関係を基に、所定のＭｒｔＯＲが得られる洗浄液のｐＨを選定して、以下の実施例及び比較例の磁気ディスク用ガラス基板を製造した。
【００６４】
【実施例１】
実施例１の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、
（１）粗ラッピング工程（粗研削工程）、（２）形状加工工程、（３）精ラッピング工程（精研削工程）、（４）端面鏡面加工工程、（５）第１研磨工程、（６）第２研磨工程、（７）化学強化工程、（８）テクスチャ工程、（９）精密洗浄工程、をこの順で含む。
実施例１では図２の相関関係に基づいてＭｒｔＯＲ＝１．３３が得られるよう、（９）精密洗浄工程の洗浄液のｐＨは１２．４に選定した。
【００６５】
（１）粗ラッピング工程
まず、溶融ガラスから上型、下型、胴型を用いたダイレクトプレスにより直径６６ｍｍφ、厚さ１．５ｍｍの円盤状のアルミノシリケートガラスからなるガラス基板を得た。なお、この場合、ダイレクトプレス以外に、ダウンドロー法やフロート法で形成したシートガラスから研削砥石で切り出して円盤状のガラス基板を得てもよい。
アルミノシリケートガラスはＳｉＯ２：６３．６量％、Ａｌ２Ｏ３：１４．２重量％、Ｎａ２Ｏ：１０．４重量％、Ｌｉ２Ｏ：５．４重量％、ＺｒＯ２：６．０重量％、Ｓｂ２Ｏ３：０．４重量％の組成を有するアルミノシリケートガラスである。
【００６６】
次いで、ガラス基板に寸法精度及び形状精度を向上させるためラッピング工程を行った。このラッピング工程は両面ラッピング装置を用い、粒度＃４００の砥粒を用いて行なった。具体的には、はじめに粒度＃４００のアルミナ砥粒を用い、荷重を１００ｋｇ程度に設定して、サンギアとインターナルギアを回転させることによって、キャリア内に収納したガラス基板の両面を面精度０〜１μｍ、表面粗さ（Ｒｍａｘ）６μｍ程度にラッピングした。
【００６７】
（２）形状加工工程
次に、円筒状の砥石を用いてガラス基板の中央部分に孔を空けると共に、外周端面の研削をして直径を６５ｍｍφとした後、外周端面および内周端面に所定の面取り加工を施した。このときのガラス基板端面の表面粗さは、Ｒｍａｘで４μｍ程度であった。
なお、一般に、２．５インチ型ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）では、外径が６５ｍｍの磁気ディスクを用いる。
【００６８】
（３）精ラッピング工程
次に、砥粒の粒度を＃１０００に変え、ガラス基板表面をラッピングすることにより、表面粗さをＲｍａｘで２μｍ程度、Ｒａで０．２μｍ程度とした。上記ラッピング工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、水の各洗浄槽（超音波印加）に順次浸漬して、超音波洗浄を行なった。
【００６９】
（４）端面鏡面加工工程
次いで、ブラシ研磨により、ガラス基板を回転させながらガラス基板の端面（内周、外周）の表面の粗さを、Ｒｍａｘで１μｍ、Ｒａで０．３μｍ程度に研磨した。そして、上記端面鏡面加工を終えたガラス基板の表面を水洗浄した。
【００７０】
（５）第１研磨工程
次に、上述したラッピング工程で残留した傷や歪みの除去するため第１研磨工程を両面研磨装置を用いて行なった。両面研磨装置においては、研磨パッドが貼り付けられた上下上盤の間にキャリアにより保持したガラス基板を密着させ、このキャリアをサンギアとインターナルギアとに噛合させ、上記ガラス基板を上下定番によって挟圧する。その後、研磨パッドとガラス基板の研磨面との間に研磨液を供給して回転させることによって、ガラス基板が定盤上で自転しながら公転して両面を同時に研磨加工するものである。以下、実施例で使用する両面研磨装置としては同一装置を用いた。
【００７１】
具体的には、ポリシャとして硬質ポリシャ（硬質発泡ウレタン）を用い、研磨工程を実施した。研磨条件は、研磨液として酸化セリウム（平均粒径１．３μｍ）とし、荷重：１００ｇ／ｃｍ２、研磨時間：１５分とした。上記第１研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、超音波洗浄し、乾燥した。
【００７２】
（６）第２研磨工程
次に第１研磨工程で使用したものと同じタイプの両面研磨装置を用い、ポリシャを軟質ポリシャ（スウェードパット）に変えて、第２研磨工程を実施した。この第２研磨工程は、上述した第１研磨工程で得られた平坦な表面を維持しつつ、例えば表面粗さＲａを１．０〜０．３μｍ程度以下まで低減させることを目的とするものである。研磨条件は、研磨液として酸化セリウム（平均粒径０．８μｍ）とし、荷重：１００ｇ／ｃｍ２、研磨時間を５分とした。
上記第２研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、超音波洗浄し、乾燥した。
【００７３】
（７）化学強化工程
上記洗浄を終えたガラス基板に、ガラス基板表面の圧縮応力値を所定の数値とするために、以下条件で低温型イオン交換法による化学強化工程を施した。化学強化は硝酸カリウム（６０％）と硝酸ナトリウム（４０％）の混合した化学強化溶融塩を用意し、この化学強化溶融塩を３８０℃に加熱し、上記洗浄・乾燥済みのガラス基板を２４０分間浸漬して化学強化処理を行なった。化学強化を終えたガラス基板を硫酸、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、超音波洗浄し、乾燥した。
【００７４】
次に、上記洗浄を終えたガラス基板表面の目視検査及び光の反射・散乱・透過を利用した精密検査を実施した。
その結果、ガラス基板表面に付着物による突起や、傷等の欠陥は発見されなかった。
また、上記工程を経て得られたガラス基板の主表面の表面粗さを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて測定したところ、Ｒｍａｘ＝２．１３ｎｍ、Ｒａ＝０．２０ｎｍと超平滑な表面を持つ磁気ディスク用ガラス基板を得た
また、ガラス基板の外径は６５ｍｍ、内径は２０ｍｍ、板圧は０．６３５ｍｍであった。
【００７５】
（８）テクスチャ工程
テープ（Ｔａｐｅ）式のテクスチャ装置を用いて、研磨、及び円周状テクスチャ処理を施した。テープには織物タイプのテープを、硬質研磨剤には平均粒径０．１２５μｍの多結晶ダイヤモンドが分散剤・湿潤剤（グリセリン）に溶かしてあるスラリーを用いて行った。
また、その他のテクスチャ装置の加工条件は、
・加工加重　　　　　１．４ｋｇ
・加工圧力　　　　　１２ｇ／ｍｍ２
・基板回転数　　　　１０００ｒｐｍ
・テープの送り速度　２ｍｍ／ｓｅｃ
・加工時間　　　　　３０ｓｅｃ
とした。
【００７６】
このテクスチャ工程の後に、ダイヤモンドスラリーと分散剤（湿潤剤）を洗い流すため、超純水（ＲＯ水）シャワーによる前洗を５秒間行った。
得られた磁気ディスク用ガラス基板表面をＡＦＭで高精細に測定した。測定条件は以下の通りである。
測定領域：１μｍ×１μｍ
サンプリングモード：２５６×２５６
測定形状の波長帯域：３．９ｎｍ〜１０００ｎｍ
カンチレバー（探針）：先端曲率半径１０ｎｍ
【００７７】
ＡＦＭ測定の結果、磁気ディスク用ガラス基板表面には、円周状のテクスチャが形成されていた。なお、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｂ０６０１規定による表面特性値については、Ｒｍａｘ＝２．２０ｎｍ、Ｒａ＝０．２５ｎｍであった。
また、円周方向表面粗さＲａ（ｃ）に対する半径方向の表面粗さＲａ（ｒ）の比は６．２５であった。
なお、ＡＦＭで測定したガラス基板表面の鳥瞰図を図４に掲げる。
【００７８】
（９）精密洗浄工程
次に、ガラス基板の精密洗浄を行った。これは、ヘッドクラッシュやサーマルアスペリティ障害の原因となる研磨剤残渣や外来の鉄系コンタミなどを除去し、表面が平滑、清浄なガラス基板を得るためのものである。
【００７９】
精密洗浄工程は以下の順で一連の洗浄工程を含む。
まず、以下のようにして洗浄液による洗浄工程を実施した。
ＫＯＨとＮａＯＨを１００：１００に混合した薬液を超純水（ＤＩ水）で希釈し、洗浄能力を高めるために非イオン界面活性剤を添加した洗浄液を用いた。
洗浄液のｐＨは、ＤＩ水による希釈により１２．４となるよう調整した。
ｐＨはｐＨ計で測定した。
ガラス基板をこの洗浄液に浸漬させた上で揺動させ、２分間洗浄した。このとき洗浄液の温度は５０℃とし、超音波を加えて洗浄効果を高めた。
【００８０】
次に、水リンス洗浄工程を２分間行なった。これは前述の洗浄で用いた洗浄液の残渣を除去するためのものである。
次に、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）洗浄工程を２分間行った。これはガラス基板を洗浄するとともに、基板上の水を除去するためのものである。
最後に、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気乾燥工程を２分間行った。これは基板に付着している液状ＩＰＡをＩＰＡ蒸気により除去しつつ乾燥させるためのものである。
【００８１】
この精密洗浄工程の後に、前述の同一の測定条件によりガラス基板表面をＡＦＭにて測定した。
結果、Ｒｍａｘ＝２．２５ｎｍ、Ｒａ＝０．２６ｎｍであった。
また、円周方向表面粗さＲａ（ｃ）に対する半径方向の表面粗さＲａ（ｒ）の比は５．５２であった。
なお，円周状テクスチャについてはＲｍａｘを５．０ｎｍ以下とすることが望ましい、Ｒｍａｘを５．０ｎｍ以下とすることにより、タッチダウンハイトを５ｎｍ以下とすることができる。
【００８２】
次に、上記洗浄を終えたガラス基板表面の目視検査及び光の反射・散乱・透過を利用した精密検査を実施した。
その結果、ガラス基板表面に付着物による突起や、傷等の欠陥は発見されなかった。
サーマルアスペリティーやヘッドクラッシュの原因となる異物も発見されなかった。
【００８３】
以上の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によって得られたガラス基板に対して、枚葉式スパッタリング装置を用いて、シード層２、下地層３、磁性層４、保護層５を、Ａｒガスによるスパッタリング法で順次形成した。
【００８４】
シード層２は、Ｃｒ合金薄膜（膜厚６００オングストローム）からなる、第１のシード層２ａと、ＡｌＲｕ薄膜（膜厚：３００オングストローム）からなる、第２のシード層２ｂとからなる。なお、このＡｌＲｕ薄膜はＡｌ：５０ａｔ％、Ｒｕ：５０ａｔ％の組成比で構成されている。
【００８５】
下地層３は、ＣｒＷ薄膜（膜厚：１００オングストローム）で、磁性層の結晶構造を良好にするために設けられている。なお、このＣｒＷ薄膜は、Ｃｒ：９０ａｔ％、Ｗ：１０ａｔ％の組成比で構成されている。また、結晶粒子の微細化を促進するために、ＡｒガスとＣＯ２ガスとの混合ガス雰囲気中で成膜した。このときＡｒガスに対するＣＯ２ガスとの混合比は０．７５％とした。
【００８６】
磁性層４は、ＣｏＣｒＰｔＢ合金からなり、膜厚は、１５０オングストロームである。この磁性層のＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｂの各含有量は次のとおりである。すなわち、Ｃｏ：６２ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｐｔ：１２ａｔ％、Ｂ：６ａｔ％である
【００８７】
保護層５は、磁性層が磁気ヘッドとの接触によって劣化することを防止するためのものであり、膜厚５０オングストロームの水素化カーボンからなる。
保護層５まで成膜した磁気ディスクに対して、次のようにして潤滑層６を形成した。
潤滑層６は、パーフルオロポリエーテルの液体潤滑剤をディップ法により形成した。
潤滑層の膜厚は９オングストロームである。
【００８８】
次に、得られた磁気ディスクを以下のようにして評価した。
（磁気特性評価）
磁気特性は、ＶＳＭ（振動試料型磁化測定法）により測定した。磁気ディスクから８ｍｍ直径の円形試料を切り出し、基板の円周方向、基板の半径方向にそれぞれ外部磁場を印加し（±１０ｋＯｅ）て磁化曲線を求め、Ｍｒｔ（残留磁化膜厚積）を算出した。
結果は表１に掲げる。ＭｒｔＯＲは１．３３であった。
【００８９】
（信頼性評価）
得られた磁気記録媒体について、グライド特性評価を行ったところ、タッチダウンハイトは、４．２ｎｍであった。通常、４０Ｇｂｉｔ／ｉｎ２以上の記録密度が求められるＨＤＤでは、タッチダウンハイトは５ｎｍ以下であることが求められる。
【００９０】
またＬＵＬ耐久性試験について試験したところ、６０万回のＬＵＬ連続試験に耐久し障害は発生しなかった。また、この間、ヘッドクラッシュや、サーマルアスペリティなどの故障は発生しなかった。通常に使用されるＨＤＤの使用環境では、ＬＵＬ回数が６０万回を越えるには１０年間程度の使用が必要とされている。実施例１では、高い信頼性をもつ耐久性の高い磁気ディスクを得ることができた。
【００９１】
【実施例２及び実施例３】
次に、実施例２及び実施例３の製造方法により磁気ディスクを製造した。
このとき、図２に基づき、（９）精密洗浄工程において、ＭｒｔＯＲ＝１．３１が得られるよう、洗浄液を用いた洗浄工程における洗浄液のｐＨを１３（実施例２）、ＭｒｔＯＲ＝１．２１となるようｐＨを１４（実施例３）と選定した。
この点以外は実施例１と同一製造条件による製造方法である。なお洗浄液のｐＨはＤＩ水による希釈量により調節した。
【００９２】
精密洗浄工程の後に、前述の同一の測定条件によりガラス基板表面をＡＦＭにて測定した。
結果、実施例２では、Ｒｍａｘ＝２．２２ｎｍ、Ｒａ＝０．２５ｎｍであった。
また、円周方向表面粗さＲａ（ｃ）に対する半径方向の表面粗さＲａ（ｒ）の比は４．１０であった。
ＭｒｔＯＲは１．３１であった。
【００９３】
結果、実施例３では、Ｒｍａｘ＝２．３１ｎｍ、Ｒａ＝０．２２ｎｍであった。
また、円周方向表面粗さＲａ（ｃ）に対する半径方向の表面粗さＲａ（ｒ）の比は２．２９であった。
ＭｒｔＯＲは１．２１であった。
グライド特性、ＬＵＬ特性は実施例２、実施例３ともに、実施例１と同様に良好な結果が得られ、また、ヘッドクラッシュやサーマルアスペリティ障害も発生しなかった。
【００９４】
【実施例４】
次に、実施例４の製造方法により磁気ディスクを製造した。
実施例４は、実施例１の（９）精密洗浄工程における洗浄液を用いた洗浄工程について、洗浄液をＤＩ水のみとした以外は、実施例１と同一製造条件による製造方法である。ＤＩ水のｐＨは６．３であった。図２記載の相関関係に基づくと、ｐＨ＝６．３の洗浄液を用いた場合、ＭｒｔＯＲは１．３５が得られている。
【００９５】
精密洗浄工程の後に、前述の同一の測定条件によりガラス基板表面をＡＦＭにて測定した。
結果、Ｒｍａｘ＝３．１１ｎｍ、Ｒａ＝０．３０ｎｍであった。
また、円周方向表面粗さＲａ（ｃ）に対する半径方向の表面粗さＲａ（ｒ）の比は６．２３であった。
ＭｒｔＯＲは１．３５であった。
【００９６】
ＬＵＬ特性は実施例１と同様に良好な結果が得られたが、タッチダウンハイトは５．０ｎｍとなり、グライド特性は実施例１に比べて大きくなった。
従って、洗浄液をＤＩ水など超純水とする場合、高いＭｒｔＯＲを得ることができるが、グライド特性が悪化する場合があるので、ジェット水流による洗浄、スピン洗浄、スクラブ洗浄など物理的エネルギーを付加する洗浄手段を併用することが好ましいと言える。
【００９７】
なお、本実施例において、洗浄液をＤＩ水のみとした上記洗浄液を用いた洗浄の後に、スクラブ洗浄を行ったところ、タッチダウンハイトは４．８ｎｍとなり、グライド特性を改善することができた。
【００９８】
【実施例５】
次に、実施例５の製造方法により磁気ディスクを製造した。
このとき、図２に基づいてＭｒｔＯＲ＝１．２０が得られるよう、（９）精密洗浄工程における洗浄液を用いた洗浄工程における洗浄液のｐＨを４．５と選定した。
洗浄液は硫酸を用い、ｐＨ＝４．５となるようにＤＩ水で希釈した。
この時の硫酸の濃度は１．６×１０−５ｍｏｌ／ｌである。
この点以外は実施例１と同一製造条件による製造方法である。
【００９９】
精密洗浄工程の後に、前述の同一の測定条件によりガラス基板表面をＡＦＭにて測定した。
結果、Ｒｍａｘ＝２．３３ｎｍ、Ｒａ＝０．２３ｎｍであった。
また、円周方向表面粗さＲａ（ｃ）に対する半径方向の表面粗さＲａ（ｒ）の比は２．１３であった。
ＭｒｔＯＲは１．２０であった。
グライド特性、ＬＵＬ特性は実施例１と同様に良好な結果が得られ、また、ヘッドクラッシュやサーマルアスペリティ障害も発生しなかった。
【０１００】
【比較例１及び比較例２】
次に比較例１及び比較例２の磁気ディスクを製造した。
比較例１では、（９）精密洗浄工程において、洗浄液を用いた洗浄工程にける洗浄液のｐＨを２．０と選定した。比較例２では、ｐＨを１．０と選定した。
図２の相関関係に基づけば、ｐｈ＝２．０の洗浄液を用いた場合、ＭｒｔＯＲ＝１．０２である。
また、洗浄液のｐＨが１．０の場合、ＭｒｔＯＲは１である。
比較例１では、洗浄液としてＤＩ水で希釈した硫酸を用いた。洗浄液中の硫酸の濃度は６．７×１０−３ｍｏｌ／ｌである。
比較例２では、洗浄液としてＤＩ水で希釈した塩酸を用いた。洗浄液中の塩酸の濃度は１．０×１０−１ｍｏｌ／ｌである。
この点以外は実施例１と同一製造条件による製造方法である。
【０１０１】
精密洗浄工程の後に、前述の実施例１と同一の測定条件によりガラス基板表面をＡＦＭにて測定したところ、比較例１においては、
結果、Ｒｍａｘ＝２．３５ｎｍ、Ｒａ＝０．２４ｎｍであった。
また、円周方向表面粗さＲａ（ｃ）に対する半径方向の表面粗さＲａ（ｒ）の比は１．２２であった。
ＭｒｔＯＲは１．０２であった。
ＡＦＭで測定した、比較例１のガラス基板表面の鳥瞰図を図５に掲げる。
【０１０２】
比較例２においては、Ｒｍａｘ＝２．３８ｎｍ、Ｒａ＝０．２４ｎｍであった。
また、円周方向表面粗さＲａ（ｃ）に対する半径方向の表面粗さＲａ（ｒ）の比は１．１５であった。
ＭｒｔＯＲは１．００であった。
グライド特性、ＬＵＬ特性は、比較例１及び比較例２の磁気ディスク共に、実施例１と同様に良好な結果が得られ、また、ヘッドクラッシュやサーマルアスペリティ障害も発生しなかった。
【０１０３】
図３の表１において、実施例１〜実施例５及び、比較例１〜比較例２の結果を対比すると、ガラス基板上に磁性層に磁気異方性を付与するテクスチャを形成した後に、磁性層を形成するまでの間の洗浄工程において洗浄液のｐＨを４．５〜１４と選定することにより、１．２以上の高いＭｒｔＯＲを得られるようになり、このｐＨの領域以外の洗浄液を用いた場合、高いＭｒｔＯＲは得られないことが判る。これは、洗浄液によるリーチング作用及びエッチング作用により、ＭｒｔＯＲに寄与するガラス基板表面上の前記テクスチャの微細形状が乱されてしまうことによるものと考えられる。図４（実施例１）のガラス基板表面形状と図５（比較例１）のガラス基板表面状態とを対比すると、前記テクスチャの微細形状が乱されていることが判る。
【０１０４】
なお、実施例１〜実施例５及び比較例１〜比較例２の各々の磁気ディスク製造工程において、（９）精密洗浄工程における洗浄液を用いた洗浄工程と同様のｐＨを備える保管液で前記テクスチャが形成された磁気ディスク用ガラス基板を１時間保管したところ、実施例１〜実施例５及び比較例１〜比較例２と同様の結果が得られた。
【０１０５】
【実施例６及び実施例７】
次に、アルミノシリケートガラスとして、ＳｉＯ２を６５．５重量％、Ａｌ２Ｏ３を１７．７重量％、Ｌｉ２Ｏを３．３重量％、Ｎａ２Ｏを７．９重量％、Ｋ２Ｏを０．３重量％、ＭｇＯを１．７重量％、ＣａＯを３．６重量％含有するガラスを用いたガラス基板とした（実施例６）。また、ソーダライムガラスとして、ＳｉＯ２を７２．５重量％、Ｎａ２Ｏを１５．０重量％、Ａｌ２Ｏ３を１．０重量％、ＣａＯを９．０重量％、ＭｇＯを２．５重量％含有するガラスを用いたガラス基板とした（実施例７）。ガラスの組成以外の点においては、実施例１と同様の製造方法による。
【０１０６】
実施例６においては、Ｒａ（ｒ）／Ｒａ（ｃ）が４．０２、ＭｒｔＯＲは１．３０が得られた。実施例１には劣るが、好適な結果が得られた。
実施例７においては、Ｒａ（ｒ）／Ｒａ（ｃ）が２．１１、ＭｒｔＯＲは１．２１が得られた。実施例１、実施例６にはには劣るが好適な結果が得られた。実施例１と実施例７の結果を対比すると、本発明においてガラス基板に用いる硝種としては、アルミノシリケートガラスの方が好適であることが判る。
【０１０７】
【発明の効果】
本発明によれば、ガラス基板上に少なくとも磁性層を形成したときに、磁性層に高い磁気異方性を付与することのできるガラス基板を提供することができる。
本発明によれば、ガラス基板上に少なくとも磁性層を形成したときに、磁性層に所望の磁気異方性を付与することのできるガラス基板を提供することができる。
【０１０８】
本発明によれば、高い磁気異方性を備え、耐衝撃性に優れた磁気ディスクを廉価に提供することができる。
本発明によれば、所望の磁気異方性を備え、耐衝撃性に優れた磁気ディスクを廉価に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態による磁気ディスクの層構成を模式的に示す断面図である。
【図２】ＭｒｔＯＲとｐＨとの相関関係を示す図である。
【図３】実施例と比較例の結果を示す表１である。
【図４】実施例１に係る磁気ディスク用ガラス基板の表面をＡＦＭにより測定した結果である。
【図５】比較例１に係る磁気ディスク用ガラス基板の表面をＡＦＭにより測定した結果である。
【符号の説明】
１　　磁気ディスク用ガラス基板
２　　シード層
３　　下地層
４　　磁性層
５　　保護層
６　　潤滑層
１０　磁気ディスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
2004086930.tif 000004
【図４】
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【図５】
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