(57)【要約】【課題】人間の視覚システムの観点から見掛けの解像度を上げ、これにより、例えば画素ピッチ等を今より格段に狭くすることなく良好な表示を可能にした、有機ＥＬ装置とこれを備えた電子機器を提供する。【解決手段】電極間に発光層を有してなる有機ＥＬ装置である。発光層のドットを構成するサブピクセルＳが赤、緑、青の３色からなり、ブピクセルＳの配置パターンＰが、青色のサブピクセルＢの一つあるいは複数を中心パターンＣとし、その両側にそれぞれ赤色のサブピクセルＲと緑色のサブピクセルＧとを配置し、かつ、これら両側にそれぞれ配置する赤色とサブピクセルＲと緑色のサブピクセルＧとを、中心パターンの中心点Ｏを中心として点対称の位置に配置した。【選択図】    図１
2004335169.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極間に発光層を有してなる有機ＥＬ装置において、
前記発光層のドットを構成するサブピクセルが赤、緑、青の３色からなり、
前記サブピクセルの配置パターンが、前記青色のサブピクセルの一つあるいは複数を中心パターンとし、その両側にそれぞれ赤色のサブピクセルと緑色のサブピクセルとを配置し、かつ、これら両側にそれぞれ配置する赤色とサブピクセルと緑色のサブピクセルとを、前記中心パターンの中心点を中心として点対称の位置に配置してなることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記サブピクセルが矩形状に形成されてなり、前記中心パターンが、二つの青色のサブピクセルによって形成されてなることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記サブピクセルが矩形状に形成されてなり、前記中心パターンが一つの青色のサブピクセルによって形成され、この青色のサブピクセルが、他の色のサブピクセルより長く形成されていることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記中心パターンが一つの正方形状の青色のサブピクセルによって形成され、前記配置パターンは、前記赤色および緑色のサブピクセルが、それぞれ前記青色のサブピクセルに対し該青色のサブピクセルの辺側を境界線として配置されて形成され、かつ、これら青色のサブピクセルと赤色のサブピクセルと緑色のサブピクセルとからなる配置パターンが、正方形状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機ＥＬ装置とこの有機ＥＬを備えた電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、表示装置においてはカラー表示を行うことが必要不可欠になっている。カラー表示を行う場合、通常は表示最小単位となるドット（サブピクセル）として赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色を呈するドット、すなわち赤色のドット、緑色のドット、青色のドットの三つを一組とする。そして、これら三つのドットを一画素（ピクセル）とし、カラー表示をなすための最小単位としている。
【０００３】
ところで、このような画素を構成するドット（サブピクセル）の配置としては、図１６（ａ）に示すようなストライプ配置、図１６（ｂ）に示すようなモザイク配置、図１６（ｃ）に示すようなデルタ配置が従来より知られている。
また、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色を呈するドット（セル）を４ドット（セル）略マトリクス状に組み合わせ、これら４ドット（セル）で一画素を構成させる配置も知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平６−１０２５０３号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前述したストライプ配置、モザイク配置、デルタ配置、さらには４ドット（セル）を略マトリクス状に組み合わせた配置は、基本的には各ドットを駆動させるための制御を簡易にするためになされたものである。そして、特に、ストライプ配置、モザイク配置、デルタ配置については、赤、緑、青をほぼ同じ量で配置し、一画素に関しても各色が同量となるように構成し、これによってその駆動方式を簡略化している。
【０００６】
しかしながら、人間工学的に見ると、赤、緑、青が同量となるようにして一画素を構成するのは、人間の視覚システム上からは不適当である
すなわち、人間の色を識別する能力は目の黄班部の中にある光感覚器官にあり、光センサーとなる網膜錐体にはＳ・Ｌ・Ｍ、それぞれ青・赤・緑の三つの種類がある。この黄班部の顕微鏡写真を見ると、網膜錐体はそれぞれ識別できるような染みになっている。そして、赤・緑の網膜錐体がそれぞれ１０あるとすると、青の網膜錐体は平均して１しかなく、したがって網膜錐体の比率は赤：緑：青＝１０：１０：１となっている。
よって、詳細情報（解像度）はもっぱら赤と緑とで検出（視認）され、青の網膜錐体は色の識別要素ではあるものの、詳細情報を読み取る要素ではないことが分かる。
【０００７】
また、４ドット（セル）を略マトリクス状に組み合わせた配置については、これによって例えば青の画素を増やすことはできるものの、基本的にはこの技術も駆動制御を容易にするためのもので、解像度を高くするのは困難である。さらに、この技術は、特にプラズマディスプレイ、ＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）、液晶ディスプレイ、蛍光表示管、エレクトロルミネッセンスディスプレイ及び発光ダイオードディスプレイ等の表示画面に適用される技術である。しかして、近年ではカラー表示装置として有機ＥＬ装置が注目されているものの、前記の技術では有機ＥＬ装置への適用について何等考慮がなされていない。
【０００８】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、人間の視覚システムの観点から見掛けの解像度を上げ、これにより、例えば画素ピッチ等を今より格段に狭くすることなく良好な表示を可能にした、有機ＥＬ装置とこれを備えた電子機器を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため本発明の有機ＥＬ装置は、電極間に発光層を有してなる有機ＥＬ装置において、前記発光層のドットを構成するサブピクセルが赤、緑、青の３色からなり、前記サブピクセルの配置パターンが、前記青色のサブピクセルの一つあるいは複数を中心パターンとし、その両側にそれぞれ赤色のサブピクセルと緑色のサブピクセルとを配置し、かつ、これら両側にそれぞれ配置する赤色のサブピクセルと緑色のサブピクセルとを、前記中心パターンの中心点を中心として点対称の位置に配置してなることを特徴としている。
【００１０】
この有機ＥＬ装置によれば、サブピクセルの配置パターンを、特に青色のサブピクセルを中心パターンとし、その両側にそれぞれ赤色のサブピクセルと緑色のサブピクセルとを点対称で配置した構成としたので、一画素を単に赤、緑、青の三つのサブピクセルで構成することなくそれより多くのサブピクセルで構成することにより、画素ピッチ等を従来に比べ比べ格段に狭くすることなく、見掛けの解像度を上げることが可能となる。したがって、良好な表示を行うことができ、これにより高品質化や品質安定化、歩留まりの向上等を図ることができる。
【００１１】
また、前記有機ＥＬ装置においては、前記サブピクセルが矩形状に形成されてなり、前記中心パターンが、二つの青色のサブピクセルによって形成されていてもよい。
このようにすれば、従来のストライプ配置やモザイク配置を応用して各色のサブピクセルを容易に形成することができる。
【００１２】
また、前記有機ＥＬ装置においては、前記サブピクセルが矩形状に形成されてなり、前記中心パターンが一つの青色のサブピクセルによって形成され、この青色のサブピクセルが、他の色のサブピクセルより長く形成されていてもよい。
このようにしても、従来のストライプ配置やモザイク配置を応用して各色のサブピクセルを容易に形成することができ、また、青色のサブピクセルについては他の色のサブピクセルより粗いピッチで形成することができる。
【００１３】
また、前記有機ＥＬ装置においては、前記中心パターンが一つの正方形状の青色のサブピクセルによって形成され、前記配置パターンは、前記赤色および緑色のサブピクセルが、それぞれ前記青色のサブピクセルに対し該青色のサブピクセルの辺側を境界線として配置されて形成され、かつ、これら青色のサブピクセルと赤色のサブピクセルと緑色のサブピクセルとからなる配置パターンが、正方形状に形成されていてもよい。
このようにすれば、例えば青色のサブピクセルを一つ備えかつ三つより多い（例えば六つの）サブピクセルで一画素を構成することにより、画素ピッチ等を従来に比べ比べ格段に狭くすることなく、見掛けの解像度をより良好に上げることが可能となる。
【００１４】
本発明の電子機器は、前記有機ＥＬ装置を備えたことを特徴としている。
この電子機器によれば、良好な表示を行うことができる有機ＥＬ装置を備えているので、電子機器自体も良好な表示をなすものとなる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳しく説明する。
図１は、本発明の有機ＥＬ装置の一実施形態を示す図であり、発光層のサブピクセルの配置を示す図である。図１中符号Ｓは発光層のドットを構成するサブピクセルを示し、これらサブピクセルＳは赤色のサブピクセル（図１中にＲで示す。以下、サブピクセルＲと記す。）、緑色のサブピクセル（図１中にＧで示す。以下、サブピクセルＧと記す。）、青色のサブピクセル（図１中にＢで示す。以下、サブピクセルＢと記す。）の３色からなっている。
【００１６】
これら３色のサブピクセルＳ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、全て同じ大きさの矩形に形成されたもので、本例ではその配置パターンＰが六つのサブピクセルによって構成されている。そして、このようにして構成された配置パターンＰが縦横に整列配置されたことにより、本実施形態の発光層が形成されている。
【００１７】
ここで、配置パターンＰは、図１に示したように縦に並んで配置された二つの青色のサブピクセルＢを中心パターンＣとし、その両側にそれぞれ赤色のサブピクセルＲと緑色のサブピクセルＧとを配置したものである。また、前記中心パターンＣの両側にそれぞれ配置された赤色のサブピクセルＲと緑色のサブピクセルＧとは、前記中心パターンＣの中心点Ｏを中心として、点対称の位置に配置されている。
なお、本発明において配置パターンＰは、単に製造する際に各色のサブピクセルをどのように配置するかを規定しただけのものであり、表示を行う際の単位となるピクセル、すなわち単位画素を構成するものではない。
【００１８】
ピクセルとなる画素（単位画素）Ｌは、例えば図２（ａ）〜（ｅ）に示すように六つのサブピクセルＳ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成される。ここで、図２（ａ）〜（ｅ）は一つの緑色のサブピクセルＧを含む５通りの画素（ピクセル）Ｌを示すもので、横に並んだ四つのサブピクセルＳと、この横に並んだ四つのサブピクセルのうちの一つに対してその上下に配置されたサブピクセルＳと、から各画素Ｌが構成されている。
【００１９】
なお、これら画素Ｌは論理画素と呼ばれる情報画素であり、図１６（ａ）〜（ｃ）に示したような従来のＲＧＢシステムより効率的にサブピクセルＳが活用されるようになっている。すなわち、例えばＲＧＢストライプ配置での論理画素は、赤・緑・青の各サブピクセルがそれぞれ固定的に配列されているが、図２（ａ）〜（ｅ）に示した例では論理画素Ｌが六つのサブピクセルＳ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）で構成されており、特に緑色のサブピクセルＧや赤色のサブピクセルＲは複数の論理画素（五つの論理画素）Ｌに共有されたものとなっている。なお、この五つの論理画素Ｌにおいて、これらに共有される一つの緑色のサブピクセルＧは、一つの論理画素においてはその中心位置に、他の四つの論理画素においてはその周辺位置に活用されるようになっている。
【００２０】
ここで、図２（ａ）で示した論理画素Ｌ、すなわち緑色のサブピクセルＧが中心に位置している論理画素Ｌの、白色を表示する場合のエネルギー分布を図３に示す。図３に示すように、周辺にあるサブピクセル（この場合、赤と青）のエネルギーが調整されて緑と融合したときに、この論理画素Ｌは白点を表示する。すなわち、白点として視認（知覚）されるのである。なお、赤色のサブピクセルＲと緑色のサブピクセルＧとが入れ替わり、赤色のサブピクセルＲが中心に位置している論理画素（図２（ｂ）〜図２（ｅ）に示した論理画素）にあっても、白点を表示する場合のエネルギー分布については、緑と赤が入れ替わるだけで基本的に図３と同様となる。
【００２１】
また、図２（ａ）に示した論理画素Ｌや図２（ｃ）に示した論理画素Ｌと、これらと同等のサブピクセル（ＴＦＴ）密度を有する従来式ＲＧＢストライプ配置における画素とを、それぞれ白点を表示する状態（ＯＮの状態）にし、そのときの輝度を調べた結果を図４に示す。なお、図４（ａ）は図２（ａ）に示した論理画素Ｌについて、図４（ｂ）は図２（ｃ）に示した論理画素Ｌについて、図４（ｃ）は従来式ＲＧＢストライプ配置における画素について示している。
【００２２】
各画素を光測定器で測定することで得られた、実際の輝度を図４中のＢに示す。また、人間の目は図４中のＣに示すガウシアンフィルタを用いて実際に感知・処理する。そして、ガウシアンフィルタを介して人間に実際に知覚される輝度を図４中のＤに示す。
【００２３】
図４中のＤに示した結果より、図２（ａ）、（ｃ）に示した本実施形態における論理画素Ｌで知覚されるカーブは、従来の画素で知覚されるカーブに比べて細いことが分かった。これは、人間が視覚を処理する仕組みと、中心の光の強さとの関係から得られる効果である。
したがって、本実施形態における論理画素は、従来の画素に比べ同等のサブピクセル（ＴＦＴ）密度により、実際に知覚される輝度、すなわち見掛け上の解像度を高くすることができ、これにより高解像度なものとなる。
【００２４】
なお、本実施形態では、図２（ａ）、（ｃ）に示したように緑色のサブピクセルＧを四つ有した論理画素Ｌと、赤色のサブピクセルＲを四つ有した論理画素Ｌとから発光層の表示単位である画素（論理画素）Ｌを構成しているが、このように画素Ｌ中に占める緑と赤の割合を大とすることにより、人間の視覚システムにマッチした表示を行うことができる。すなわち、詳細情報（解像度）をもっぱら担う赤と緑の網膜錐体に対してより表示量を大きくし、単に色の識別要素であるだけで、詳細情報を読み取る要素ではない青の網膜錐体に対しては相対的に表示量を少なくすることで、従来と同程度のサブピクセル（ＴＦＴ）密度にもかかわらず、実際に知覚される輝度、すなわち見掛け上の解像度を従来以上に高くすることができるのである。
【００２５】
次に、このようにサブピクセルＳを配置してなる発光層を有した有機ＥＬ装置の配線構造を、図５を参照して説明する。
図５に示す有機ＥＬ装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下ではＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。
【００２６】
この有機ＥＬ装置１は、図５に示すように、複数の走査線１０１…と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２…と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３…とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１…と信号線１０２…の各交点付近に、画素領域Ｘ…が設けられている。
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００２７】
さらに、画素領域Ｘ各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）２３と、この画素電極２３と陰極（電極）５０との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。
【００２８】
この有機ＥＬ装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極２３に電流が流れ、さらに機能層１１０を介して陰極５０に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００２９】
次に、このような有機ＥＬ装置の全体の概略構成を説明する。
本実施形態の有機ＥＬ装置１は、図６に示すように電気絶縁性を備えた基板２０と、スイッチング用ＴＦＴ（図示せず）に接続された画素電極が基板２０上にマトリックス状に配置されてなる画素電極域（図示せず）と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線（図示せず）と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図６中一点鎖線枠内）とを具備して構成されたアクティブマトリクス型のものである。
【００３０】
画素部３は、中央部分の実表示領域４（図２中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
実表示領域４には、それぞれ画素電極を有する矩形状のサブピクセルＲ、Ｇ、ＢがＡ−Ｂ方向およびＣ−Ｄ方向にそれぞれ離間してマトリックス状に配置されている。
また、実表示領域４の図２中両側には、走査線駆動回路８０、８０が配置されている。これら走査線駆動回路８０、８０は、ダミー領域５の下側に配置されたものである。
【００３１】
さらに、実表示領域４の図６中上側には、検査回路９０が配置されている。この検査回路９０は、有機ＥＬ装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されたものである。なお、この検査回路９０も、ダミー領域５の下側に配置されたものである。
【００３２】
走査線駆動回路８０および検査回路９０は、その駆動電圧が、所定の電源部から駆動電圧導通部３１０（図７参照）および駆動電圧導通部（図示せず）を介して、印加されるよう構成されている。また、これら走査線駆動回路８０および検査回路９０への駆動制御信号および駆動電圧は、この有機ＥＬ装置１の作動制御を行う所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部３２０（図７参照）および駆動電圧導通部３５０（図示せず）を介して、送信および印加されるようになっている。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。
【００３３】
また、この有機ＥＬ装置１は、図７に示すように基体２００上に、画素電極２３と発光層６０と陰極５０とを有してなる発光素子（有機ＥＬ素子）を多数形成したものである。
基体２００を構成する基板２０としては、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の場合、この基板２０の対向側である封止部（図示せず）側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。
【００３４】
また、いわゆるバックエミッション型の有機ＥＬ装置の場合には、基板２０側から発光光を取り出す構成であるので、基板２０としては、透明あるいは半透明のものが採用される。例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特にガラス基板が好適に用いられる。なお、本実施形態では、保護層３０側から発光光を取り出すトップエミッション型とし、よって基板２０としては前記した不透明のもの、例えば不透明のプラスチックフィルムなどが用いられる。
【００３５】
また、基板２０上には、画素電極２３を駆動するための駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部１１が形成されており、その上に発光素子（有機ＥＬ素子）が多数設けられている。発光素子は、図８に示すように、陽極として機能する画素電極２３と、この画素電極２３からの正孔を注入／輸送する正孔輸送層７０と、電気光学物質の一つである有機ＥＬ物質を備える発光層６０と、陰極５０とが順に形成されたことによって構成されたものである。
このような構成のもとに、発光素子はその発光層６０において、正孔輸送層７０から注入された正孔と陰極５０からの電子とが結合することにより、発光光を生じるようになっている。
【００３６】
画素電極２３は、本実施形態ではトップエミッション型であることから透明である必要がなく、したがって適宜な導電材料によって形成されている。
正孔輸送層７０の形成材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体などが用いられる。具体的には、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）［商品名；バイトロン−ｐ（Ｂｙｔｒｏｎ−ｐ）：バイエル社製］の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液などが用いられる。
【００３７】
発光層６０を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。
また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
なお、前記の高分子材料に代えて、従来公知の低分子材料を用いることもできる。
また、必要に応じて、このような発光層６０の上に電子注入層を形成してもよい。
【００３８】
また、本実施形態において正孔輸送層７０と発光層６０とは、図７、図８に示すように基体２００上にて格子状に形成された親液性制御層２５と有機バンク層２２１とによって囲まれて配置されており、これによって平面視矩形状に囲まれた正孔輸送層７０および発光層６０は、単一の発光素子（有機ＥＬ素子）を構成する素子層となっている。
【００３９】
陰極５０は、図７、図８に示すように、実表示領域４およびダミー領域５の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されたもので、前記発光層６０と有機バンク層２２１及び囲み部材２０１の上面、さらには囲み部材２０１の外側部を形成する面２０１ａを覆った状態で基体２００上に形成されたものである。
【００４０】
陰極５０を形成するための材料としては、本実施形態はトップエミッション型であることから光透過性である必要があり、したがって透明導電材料が用いられる。透明導電材料としてはＩＴＯが好適とされるが、これ以外にも、例えば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ  ：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー）（登録商標））（出光興産社製）等を用いることができる。なお、本実施形態ではＩＴＯを用いるものとする。
【００４１】
このような陰極５０の上には、この陰極５０の基体２００上で露出する部位を覆った状態で保護層３０が設けられている。この保護層３０は、その内側に酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより陰極５０や発光層６０への酸素や水分の浸入を防止し、酸素や水分による陰極５０や発光層６０の劣化等を抑えるようにしたものである。
【００４２】
前記の発光素子の下方には、図８に示したように回路部１１が設けられている。この回路部１１は、基板２０上に形成されて基体２００を構成するものである。すなわち、基板２０の表面にはＳｉＯ２  を主体とする下地保護層２８１が下地として形成され、その上にはシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ２  および／またはＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２が形成されている。
【００４３】
また、前記シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は、図示しない走査線１０１の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、ＳｉＯ２を主体とする第１層間絶縁層２８３が形成されている。
【００４４】
また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ  ）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、前述した電源線１０３（図５参照、図８においてはソース電極２４３の位置に紙面垂直方向に延在する）の一部として構成されている。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００４５】
ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層は、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とする第２層間絶縁層２８４によって覆われている。この第２層間絶縁層２８４は、アクリル系の絶縁膜以外の材料、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ２  などを用いることもできる。そして、ＩＴＯからなる画素電極２３が、この第２層間絶縁層２８４の表面上に形成されるとともに、該第２層間絶縁層２８４に設けられたコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続されている。
【００４６】
なお、走査線駆動回路８０および検査回路９０に含まれるＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）、すなわち、例えばこれらの駆動回路のうち、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型のＴＦＴは、画素電極２３と接続されていない点を除いて前記駆動用ＴＦＴ１２３と同様の構造とされている。
【００４７】
画素電極２３が形成された第２層間絶縁層２８４の表面には、画素電極２３と、前記した親液性制御層２５及び有機バンク層２２１とが設けられている。親液性制御層２５は、例えばＳｉＯ２  などの親液性材料を主体とするものであり、有機バンク層２２１は、アクリルやポリイミドなどからなるものである。そして、画素電極２３の上には、親液性制御層２５に設けられた開口部２５ａ、および有機バンク２２１に囲まれてなる開口部２２１ａの内部に、正孔輸送層７０と発光層６０とがこの順に積層されている。なお、本実施形態における親液性制御層２５の「親液性」とは、少なくとも有機バンク層２２１を構成するアクリル、ポリイミドなどの材料と比べて親液性が高いことを意味するものとする。
以上に説明した基板２０上の第２層間絶縁層２８４までの層が、回路部１１を構成するものとなっている。
【００４８】
ここで、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、前述したように各発光層６０が、その発光波長帯域が光の三原色、すなわち発光波長帯域が赤色に対応した赤色用発光層６０Ｒ、緑色に対応した緑色用発光層６０Ｇ、青色に対応した青色用有機ＥＬ層６０Ｂからなっており、これらがそれぞれに対応するサブピクセルＲ、Ｇ、Ｂに設けられることで構成されている。なお、これらサブピクセルＲ、Ｇ、Ｂは、本実施形態では図２（ａ）〜（ｅ）に示したようにその六つの集合によってカラー表示をなす単位画素（論理画素）Ｌを構成している。
【００４９】
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１の製造方法の一例を、図９〜図１３を参照して説明する。なお、本実施形態においては、有機ＥＬ装置１がトップエミッション型である場合について説明する。また、図９〜図１３に示す各断面図は、図６中のＡ−Ｂ線の断面図に対応した図である。
【００５０】
まず、図９（ａ）に示すように、基板２０の表面に、下地保護層２８１を形成する。次に、下地保護層２８１上に、ＩＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などを用いてアモルファスシリコン層５０１を形成した後、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシリコン層とする。
【００５１】
次いで、図９（ｂ）に示すように、ポリシリコン層をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、島状のシリコン層２４１、２５１および２６１を形成する。これらのうちシリコン層２４１は、表示領域内に形成され、画素電極２３に接続される駆動用ＴＦＴ１２３を構成するものであり、シリコン層２５１、２６１は、走査線駆動回路８０に含まれるＰチャネル型およびＮチャネル型のＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）をそれぞれ構成するものである。
【００５２】
次に、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法などにより、シリコン層２４１、２５１および２６１、下地保護層２８１の全面に厚さが約３０ｎｍ〜２００ｎｍのシリコン酸化膜によって、ゲート絶縁層２８２を形成する。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層２８２を形成する際には、シリコン層２４１、２５１および２６１の結晶化も行い、これらのシリコン層をポリシリコン層とすることができる。
【００５３】
また、シリコン層２４１、２５１および２６１にチャネルドープを行う場合には、例えば、このタイミングで約１×１０１２／ｃｍ２  のドーズ量でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリコン層２４１、２５１および２６１は、不純物濃度（活性化アニール後の不純物にて算出）が約１×１０１７／ｃｍ３  の低濃度Ｐ型のシリコン層となる。
【００５４】
次に、Ｐチャネル型ＴＦＴ、Ｎチャネル型ＴＦＴのチャネル層の一部にイオン注入選択マスクを形成し、この状態でリンイオンを約１×１０１５／ｃｍ２  のドーズ量でイオン注入する。その結果、パターニング用マスクに対してセルフアライン的に高濃度不純物が導入されて、図９（ｃ）に示すように、シリコン層２４１及び２６１中に高濃度ソース領域２４１Ｓおよび２６１Ｓ並びに高濃度ドレイン領域２４１Ｄおよび２６１Ｄが形成される。
【００５５】
次に、図９（ｃ）に示すように、ゲート絶縁層２８２の表面全体に、ドープドシリコンやシリサイド膜、あるいはアルミニウム膜やクロム膜、タンタル膜という金属膜からなるゲート電極形成用導電層５０２を形成する。この導電層５０２の厚さは概ね５００ｎｍ程度である。その後、パターニング法により、図９（ｄ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２５２、画素用ＴＦＴを形成するゲート電極２４２、Ｎチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２６２を形成する。また、駆動制御信号導通部３２０（３５０）、陰極電源配線の第１層１２１も同時に形成する。なお、この場合、駆動制御信号導通部３２０（３５０）はダミー領域５に配設するものとされている。
【００５６】
続いて、図９（ｄ）に示すように、ゲート電極２４２、２５２および２６２をマスクとして用い、シリコン層２４１、２５１および２６１に対してリンイオンを約４×１０１３／ｃｍ２  のドーズ量でイオン注入する。その結果、ゲート電極２４２、２５２および２６２に対してセルフアライン的に低濃度不純物が導入され、図９（ｄ）に示すように、シリコン層２４１および２６１中に低濃度ソース領域２４１ｂおよび２６１ｂ、並びに低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび２６１ｃが形成される。また、シリコン層２５１中に低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄが形成される。
【００５７】
次に、図１０（ｅ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴ２５２以外の部分を覆うイオン注入選択マスク５０３を形成する。このイオン注入選択マスク５０３を用いて、シリコン層２５１に対してボロンイオンを約１．５×１０１５／ｃｍ２  のドーズ量でイオン注入する。結果として、Ｐチャネル型駆動回路用ＴＦＴを構成するゲート電極２５２もマスクとして機能するため、シリコン層２５２中にセルフアライン的に高濃度不純物がドープされる。したがって、低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄはカウンタードープされ、Ｐ型チャネル型の駆動回路用ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域となる。
【００５８】
次いで、図１０（ｆ）に示すように、基板２０の全面にわたって第１層間絶縁層２８３を形成するとともに、フォトリソグラフィ法を用いて該第１層間絶縁層２８３をパターニングすることにより、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極に対応する位置にコンタクトホールＣを形成する。
【００５９】
次に、図１０（ｇ）に示すように、第１層間絶縁層２８３を覆うように、アルミニウム、クロム、タンタルなどの金属からなる導電層５０４を形成する。この導電層５０４の厚さは概ね２００ｎｍないし８００ｎｍ程度である。この後、導電層５０４のうち、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極が形成されるべき領域２４０ａ、駆動電圧導通部３１０（３４０）が形成されるべき領域３１０ａ、陰極電源配線の第２層が形成されるべき領域１２２ａを覆うようにパターニング用マスク５０５を形成するとともに、該導電層５０４をパターニングして、図１１（ｈ）に示すソース電極２４３、２５３、２６３、ドレイン電極２４４、２５４、２６４を形成する。
【００６０】
次いで、図１１（ｉ）に示すように、これらが形成された第１層間絶縁層２８３を覆う第２層間絶縁層２８４を、例えばアクリル系樹脂などの高分子材料によって形成する。この第２層間絶縁層２８４は、約１〜２μｍ程度の厚さに形成されることが望ましい。なお、ＳｉＮ、ＳｉＯ２  により第２層間絶縁膜を形成することも可能であり、ＳｉＮの膜厚としては２００ｎｍ、ＳｉＯ２  の膜厚としては８００ｎｍに形成することが望ましい。
【００６１】
次いで、図１１（ｊ）に示すように、第２層間絶縁層２８４のうち、駆動用ＴＦＴのドレイン電極２４４に対応する部分をエッチングにより除去してコンタクトホール２３ａを形成する。
その後、基板２０の全面を覆うように画素電極２３となる導電膜を形成する。そして、この透明導電膜をパターニングすることにより、図１２（ｋ）に示すように、第２層間絶縁層２８４のコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４と導通する画素電極２３を形成すると同時に、ダミー領域のダミーパターン２６も形成する、なお、図７では、これら画素電極２３、ダミーパターン２６を総称して画素電極２３としている。
【００６２】
ダミーパターン２６は、第２層間絶縁層２８４を介して下層のメタル配線へ接続しない構成とされている。すなわち、ダミーパターン２６は、島状に配置され、実表示領域に形成されている画素電極２３の形状とほぼ同一の形状を有している。もちろん、表示領域に形成されている画素電極２３の形状と異なる構造であってもよい。なお、この場合、ダミーパターン２６は少なくとも前記駆動電圧導通部３１０（３４０）の上方に位置するものも含むものとする。
【００６３】
次いで、図１２（ｌ）に示すように、画素電極２３、ダミーパターン２６上、および第２層間絶縁膜上に絶縁層である親液性制御層２５を形成する。なお、画素電極２３においては一部が開口する態様にて親液性制御層２５を形成し、開口部２５ａ（図７も参照）において画素電極２３からの正孔移動が可能とされている。逆に、開口部２５ａを設けないダミーパターン２６においては、絶縁層（親液性制御層）２５が正孔移動遮蔽層となって正孔移動が生じないものとされている。
【００６４】
次いで、図１２（ｍ）に示すように、親液性制御層２５の所定位置に有機バンク層２２１を形成する。具体的な有機バンク層の形成方法としては、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などのレジストを溶媒に溶解したものを、スピンコート法、ディップコート法などの各種塗布法により塗布して有機質層を形成する。なお、有機質層の構成材料は、後述するインクの溶媒に溶解せず、しかもエッチングなどによってパターニングし易いものであればどのようなものでもよい。
【００６５】
続いて、有機質層をフォトリソグラフィ技術、エッチング技術を用いてパターニングし、有機質層にバンク開口部２２１ａを形成することにより、開口部２２１ａに壁面を有した有機バンク層２２１を形成する。
次いで、有機バンク層２２１の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域とを形成する。本実施形態においては、プラズマ処理によって各領域を形成する。具体的には、該プラズマ処理を、予備加熱工程と、有機バンク層２２１の上面および開口部２２１ａの壁面ならびに画素電極２３の電極面、親液性制御層２５の上面をそれぞれ親液性にする親インク化工程と、有機バンク層の上面および開口部の壁面を撥液性にする撥インク化工程と、冷却工程とで構成する。
【００６６】
すなわち、基材（バンクなどを含む基板２０）を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、次いで親インク化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ２  プラズマ処理）を行う。次いで、撥インク化工程として大気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４  プラズマ処理）を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基材を室温まで冷却することで、親液性および撥液性が所定箇所に付与されることとなる。
【００６７】
なお、このＣＦ４  プラズマ処理においては、画素電極２３の電極面および親液性制御層２５についても多少の影響を受けるが、画素電極２３の材料であるＩＴＯおよび親液性制御層２５の構成材料であるＳｉＯ２  、ＴｉＯ２  などはフッ素に対する親和性に乏しいため、親インク化工程で付与された水酸基がフッ素基で置換されることがなく、親液性が保たれる。
【００６８】
次いで、正孔輸送層形成工程によって正孔輸送層７０の形成を行う。この正孔輸送層形成工程では、例えばインクジェット法等の液滴吐出法や、スピンコート法などにより、正孔輸送層材料を画素電極の上に塗布し、その後、乾燥処理および熱処理を行い、画素電極２３上に正孔輸送層７０を形成する。正孔輸送層材料を例えばインクジェット法で選択的に塗布する場合には、まず、インクジェットヘッド（図示略）に正孔輸送層材料を充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを親液性制御層２５に形成された前記開口部２５ａ内に位置する画素電極２３の電極面に対向させ、インクジェットヘッドと基材（基板２０）とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴を電極面に吐出する。次に、吐出後の液滴を乾燥処理し、正孔輸送層材料に含まれる分散媒や溶媒を蒸発させることにより、正孔輸送層７０を形成する。
【００６９】
ここで、吐出ノズルから吐出された液滴は、親液性処理がなされた電極面上にて広がり、親液性制御層２５の開口部２５ａ内に満たされる。その一方で、撥インク処理された有機バンク層２２１の上面では、液滴がはじかれて付着しない。したがって、液滴が所定の吐出位置からはずれて有機バンク層２２１の上面に吐出されたとしても、該上面が液滴で濡れることがなく、弾かれた液滴が親液性制御層２５の開口部２５ａ内に転がり込む。
なお、この正孔輸送層形成工程以降は、正孔輸送層７０および発光層６０の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うのが好ましい。
【００７０】
次いで、発光層形成工程によって発光層６０の形成を行う。この発光層形成工程では、例えば前記のインクジェット法により、発光層形成材料を正孔輸送層７０上に吐出し、その後、乾燥処理および熱処理を行うことにより、有機バンク層２２１に形成された開口部２２１ａ内に発光層６０を形成する。この発光層形成工程では、正孔輸送層７０の再溶解を防止するため、発光層形成材料に用いる溶媒として、正孔輸送層７０に対して不溶な無極性溶媒を用いる。
【００７１】
なお、この発光層形成工程では、前記のインクジェット法によって例えば青色（Ｂ）の発光層形成材料を青色の表示領域に選択的に塗布し、乾燥処理した後、同様にして緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）についてもそれぞれその表示領域に選択的に塗布し、乾燥処理する。
また、必要に応じて、前述したようにこのような発光層６０の上に電子注入層を形成してもよい。
次いで、図１３（ｎ）に示すように、陰極層形成工程によって陰極５０の形成を行う。この陰極層形成工程では、例えば蒸着法等の物理的気相蒸着法によりＩＴＯを成膜し、陰極５０とする。
【００７２】
その後、図１３（ｎ）に示すように陰極５０を覆って、すなわち基体２００上にて露出する陰極５０の全ての部位を覆った状態に保護層３０を形成し、さらに従来一般的になされている封止基板や封止缶による封止（図示せず）を行い、本発明の有機ＥＬ装置（電気光学装置）を得る。
【００７３】
このような有機ＥＬ装置１にあっては、サブピクセルＳ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の配置パターンＰを図１に示したようにし、一画素（論理画素）Ｌを六つのサブピクセルＳで構成するようにしたので、従来の画素に比べ同等のサブピクセル（ＴＦＴ）密度により、実際に知覚される輝度、すなわち見掛け上の解像度を高くすることができる。したがって、高解像度化を達成して良好な表示を行うことができ、これにより高品質化や品質安定化、歩留まりの向上等を図ることができる。また、従来と同等の解像度に抑えた規格で形成した場合には、消費電力や製造コストを従来に比べ低くすることができる。
【００７４】
また、特にサブピクセルＳ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の配置パターンＰを図１に示したようにしたことにより、例えば有機バンク層２２１などについては従来のストライプ配置やモザイク配置を応用して形成することができ、したがって各色のサブピクセルを容易に形成することができる。
【００７５】
なお、前記実施形態では、サブピクセルＳ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の配置パターンＰを図１に示したようにしたが、本発明はこれに限定されることなく、図１４（ａ）に示す配置パターンＰ１や図１４（ｂ）に示す配置パターンＰ２としてもよい。図１４（ａ）に示した配置パターンＰ１が図１に示した配置パターンＰと異なるのところは、図１に示した配置パターンＰでは中心パターンＣが二つの青色のサブピクセルＢからなっているのに対し、図１４（ａ）に示した配置パターンＰ１では一つの大きな青色のサブピクセルＢ１、すなわち図１に示した中心パターンＣを構成する二つの青色のサブピクセルＢを一つにまとめた点である。
【００７６】
このようにすれば、前記配置パターンＰの場合と同様に従来のストライプ配置やモザイク配置を応用して形成することができ、したがって各色のサブピクセルを容易に形成することができる。また、図１に示した場合に比べて二つの青色のサブピクセルＢを一つにまとめているので、その分スイッチング素子等の駆動素子の数を減らすことができ、したがってコストダウンや小型化を図ることができる。
【００７７】
また、図１４（ｂ）に示した配置パターンＰ２は、前記配置パターンＰや配置パターンＰ１とは全く異なる形態としている。すなわち、この配置パターンＰ２では、中心パターンＣとして一つの正方形状の青色のサブピクセルＢ２を形成し、これの両側に配置され、かつ点対称に配置される赤色のサブピクセルＲ１および緑色のサブピクセルＧ１として、五角形状のものを形成している。これら五角形状の赤色のサブピクセルＲ１と緑色のサブピクセルＧ１とは、それぞれ前記青色のサブピクセルＢ２に対し該青色のサブピクセルＢ２の辺側を境界線として配置されている。そして、これら青色のサブピクセルＢ２と赤色のサブピクセルＲ１と緑色のサブピクセルＧ１とからなる配置パターンＰ２は、全体が正方形状に形成されたものとなっている。
【００７８】
このような構成からなる配置パターンＰ２を有した発光層において、表示を行う際の単位となるピクセル、すなわち単位画素（論理画素）Ｌは、図１４（ｂ）に示したように、一つの青色のサブピクセルＢ２と、これに隣接する一つの緑色のサブピクセルＧ１と、このサブピクセルＧ１に隣接する四つの赤色のサブピクセルＲとからなる。また、図２に示した場合と同様に、赤色のサブピクセルＲ１と緑色のサブピクセルＧ１を入れ替えることでも単位画素（論理画素）Ｌを形成することができる。
【００７９】
そして、このように赤色のサブピクセルＲ１を四つ有する論理画素Ｌと、緑色のサブピクセルＧ１を四つ有する論理画素Ｌとにより、図１に示した配置パターンＰの場合と同様に、従来の画素と同等のサブピクセル（ＴＦＴ）密度により、実際に知覚される輝度、すなわち見掛け上の解像度を格段に高くすることができる。
【００８０】
なお、前記有機ＥＬ装置１では、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型のものとしたが、特に図１４（ｂ）に示したようにサブピクセルＳ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）が複雑な形状になった場合には、ＴＦＴ回路形成や発光層形成のための製膜が煩雑になり、工程が増えてしまう可能性がある。そこで、その場合にアクティブ駆動に代えてパッシブ駆動を採用することにより、このデメリットを解決することができる。
【００８１】
また、前記有機ＥＬ装置１ではトップエミッション型を例にして説明したが、本発明はこれに限定されることなく、バックエミッション型にも、また、両側に発光光を出射するタイプのものにも適用可能である。
また、バックエミッション型、あるいは両側に発光光を出射するタイプのものとした場合、基体２００に形成するスイッチング用ＴＦＴ１１２や駆動用ＴＦＴ１２３については、発光素子の直下ではなく、親液性制御層２５および有機バンク層２２１の直下に形成するようにし、開口率を高めるのが好ましい。
【００８２】
次に、本発明の電子機器を説明する。本発明の電子機器は、前記の有機ＥＬ装置１を表示部として有したものであり、具体的には図１５に示すものが挙げられる。
図１５は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１５において符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は前記の有機ＥＬ装置を用いた表示部を示している。
この携帯電話（電子機器）は、前記有機ＥＬ装置１を有した表示部を備えているので、良好な表示をなすものとなる。
なお、本発明の電子機器としては、携帯電話に限ることなく、腕時計型電子機器やワープロ、パソコン等の携帯型情報処理装置などにも適用可能なのはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機ＥＬ装置の、サブピクセルの配置を示す図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）はサブピクセルによる画素を示す図である。
【図３】画素が白色を表示する場合のエネルギー分布を示す図３である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は白点を表示したときの輝度を示す図である。
【図５】本発明の有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図である。
【図６】本発明の有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す平面図である。
【図７】図６のＡ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図８】図７の要部拡大断面図である。
【図９】有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に説明する断面図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図である。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図である。
【図１３】図１２に続く工程を説明するための断面図である。
【図１４】（ａ）、（ｂ）はサブピクセルの他の配置を示す図である。
【図１５】本発明の電子機器を示す斜視図である。
【図１６】（ａ）〜（ｃ）は従来の画素を示す図である。
【符号の説明】
１…有機ＥＬ装置、２３…画素電極（電極）、５０…陰極（電極）、６０…発光層、
Ｓ…サブピクセル、Ｒ…赤色のサブピクセル、Ｇ…緑色のサブピクセル、
Ｂ…青色のサブピクセル、Ｃ…中心パターン、Ｌ…画素（論理画素）、Ｏ…中心点
【図１】
2004335169.tif 000003
【図２】
2004335169.tif 000004
【図３】
2004335169.tif 000005
【図４】
2004335169.tif 000006
【図５】
2004335169.tif 000007
【図６】
2004335169.tif 000008
【図７】
2004335169.tif 000009
【図８】
2004335169.tif 000010
【図９】
2004335169.tif 000011
【図１０】
2004335169.tif 000012
【図１１】
2004335169.tif 000013
【図１２】
2004335169.tif 000014
【図１３】
2004335169.tif 000015
【図１４】
2004335169.tif 000016
【図１５】
2004335169.tif 000017
【図１６】
2004335169.tif 000018