(57)【要約】【課題】狭額縁化が可能であるとともに安定した気密性保持が可能な画像表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】画像表示装置の真空外囲器１０は、対向配置された前面基板１１および背面基板１２と、前面基板および背面基板の周辺部を互いに封着した封着部４０と、を備えている。封着部は、前面基板および背面基板の周縁部に沿って延びた枠体１３および封着材３２を含んでいる。枠体は、この枠体外面と前面基板および背面基板の少なくとも一方の基板内面との間隔が枠体の幅方向において変化した断面形状を有し、封着材は枠体と少なくとも一方の基板内面との間に設けられている。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された前面基板および背面基板と、上記前面基板および上記背面基板の周縁部同士を互いに封着した封着部と、を有した外囲器を備え、
上記封着部は、上記前面基板および背面基板の周縁部に沿って延びた枠体および封着材を含み、上記枠体は、この枠体の外面と上記前面基板および背面基板の少なくとも一方の基板内面との間隔が上記枠体の幅方向において変化した断面形状を有し、上記封着材は上記枠体と少なくとも一方の基板内面との間に設けられている画像表示装置。
【請求項２】
上記枠体は、円形または楕円形の断面形状を有している請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
上記枠体は、菱形の断面形状を有している請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項４】
上記枠体は、十字形の断面形状を有している請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項５】
上記枠体は、上記少なくとも一方の基板内面に対して非平行に対向する面を少なくとも一部に有した断面形状に形成されている請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項６】
上記枠体は中空に形成されている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項７】
上記枠体は中実に形成されている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項８】
上記封着材は、上記枠体と上記前面基板との間、および上記枠体と背面基板との間に設けられている請求項１ないし７のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項９】
上記封着材は、上記枠体断面の最大幅の範囲内に設けられている請求項１ないし８のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１０】
上記枠体は外面全体が上記封着材で覆われている請求項１ないし８のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１１】
上記封着材は低融点金属である請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１２】
上記封着材は導電性を有していることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１３】
上記封着材は、インジウムあるいはインジウムを含む合金であることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１４】
上記封着材は非導電性材料であることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１５】
上記封着材は、フリットガラス、有機接着材、あるいは、無機接着材であることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１６】
上記枠体は導電性を有している請求項１ないし１５のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１７】
上記前面基板の内面に設けられた蛍光体層と、上記背面基板の内面上に設けられ上記蛍光体層を励起する複数の電子源とを備え、上記外囲器の内部は真空に維持されていることを特徴とする請求項１ないし１６のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１８】
対向配置された前面基板および背面基板と、上記前面基板および上記背面基板の周縁部同士を互いに封着した封着部と、を有した外囲器を具備した画像表示装置の製造方法において、
上記前面基板の内面周縁部および背面基板の内面周縁部の少なくとも一方に全周に渡って封着材層を形成し、
上記封着材層の形成された上記前面基板および背面基板を対向して配置し、
上記前面基板および背面基板の内面周縁部間に、上記前面基板および背面基板の周縁部に沿って延びる枠体を配置するとともに、この枠体として、枠体の外面と上記前面基板および背面基板の少なくとも一方の内面周縁部との間隔が上記枠体の幅方向において変化した断面形状を有した枠体を用い、
上記封着材層を加熱して封着材を溶融あるいは軟化させるとともに、上記前面基板および背面基板を互いに接近する方向に加圧し、上記前面基板および背面基板の周縁部を封着することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項１９】
真空雰囲気中で上記前面基板および背面基板を加熱して、上記封着材層を溶融あるいは軟化することを特徴とする請求項１８に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項２０】
上記枠体を導電性を有した材料で形成し、真空雰囲気中で上記枠体に通電して上記封着材層を溶融あるいは軟化することを特徴とする請求項１８に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項２１】
上記封着材層を導電性を有した材料で形成し、真空雰囲気中で上記封着材層に通電して上記封着材層を溶融あるいは軟化することを特徴とする請求項１８に記載の画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、対向配置された基板を有した平坦な形状の画像表示装置、およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、陰極線管（以下、ＣＲＴと称する）に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々な平面型の画像表示装置が開発されている。このような画像表示装置には、液晶の配向を利用して光の強弱を制御する液晶ディスプレイ（以下、ＬＣＤと称する）、プラズマ放電の紫外線により蛍光体を発光させるプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称する）、電界放出型電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光させるフィールドエミッションディスプレイ（以下、ＦＥＤと称する）、更に、ＦＥＤの一種として、表面伝導型の電子放出素子を用いた表面伝導電子放出ディスプレイ（以下、ＳＥＤと称する）などがある。
【０００３】
例えばＦＥＤでは、一般に、所定の隙間を置いて対向配置された前面基板および背面基板を有し、これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周辺部同士を互いに接合することにより真空の外囲器を構成している。前面基板の内面には蛍光体スクリーンが形成され、背面基板の内面には蛍光体を励起して発光させる電子放出源として多数の電子放出素子が設けられている。
【０００４】
また、背面基板および前面基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これら基板の間には複数の支持部材が配設されている。背面基板側の電位はほぼアース電位であり、蛍光面にはアノード電圧が印加される。そして、蛍光体スクリーンを構成する赤、緑、青の蛍光体に多数の電子放出素子から放出された電子ビームを照射し、蛍光体を発光させることによって画像を表示する。
【０００５】
このような表示装置では、表示装置の厚さを数ｍｍ程度にまで薄くすることができ、現在のテレビやコンピュータのディスプレイとして使用されているＣＲＴと比較し、軽量化、薄型化を達成することができる。
【０００６】
上記ＦＥＤでは、外囲器の内部を高真空にすることが必要となる。また、ＰＤＰにおいても一度真空にしてから放電ガスを充填する必要がある。外囲器を真空にする手段として、外囲器を構成する前面基板と背面基板との最終組み立てを真空槽内にて行う方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
この方法では、最初に真空槽内に配置された前面基板および背面基板を十分に加熱しておく。これは、外囲器真空度を劣化させる主因となっている外囲器内壁からのガス放出を軽減するためである。次に、前面基板と背面基板が冷えて真空槽内の真空度が十分に向上したところで、外囲器真空度を改善、維持させるためのゲッター膜を蛍光面スクリーン上に形成する。その後、封着材が溶解する温度まで前面基板と背面基板とを再び加熱し、前面基板および背面基板を所定の位置に組み合わせた状態で封着材が固化するまで冷却する。
【０００８】
このような方法で作成された真空外囲器は、封着工程および真空封止工程を兼ねるうえ、排気管を用いて外囲器内を排気する場合のような時間を必要とせず、かつ、極めて良好な真空度を得ることができる。
【０００９】
一方、上記の方法では、封着材として、封着、封止一括処理に適したインジウム等の低融点金属材料が用いられている。しかし、基板同士の封着はインジウムが溶融した状態で行うため、溶融したインジウムが基板内部の表示領域や基板周辺の配線領域にはみ出る恐れがある。この解決策として、例えば、封着時、溶融したインジウムを基板のコーナー部から積極的に流出する方法が提案されている（例えば、特許文献２）。
【００１０】
【特許文献１】
特開２００１−２２９８２５号
【００１１】
【特許文献２】
特開２００２−１８４３２９号
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、基板の各辺中央部付近のインジウムは、基板サイズが大きくなるほど、基板のコーナー部まで移動することができず、途中で所望の封着領域から基板の内側あるいは外側にはみでてしまう場合がある。インジウムがはみ出すと、基板上に設けられた配線等に接触し、ショート等の問題が発生する。そのため、インジウムがはみ出しても側壁の幅内に収まるように、側壁の幅を広く確保しておくことが余儀なくされた。しかし、平面型の画像表示装置では、表示領域以外は極力少ないこと、つまり、表示領域の周囲に位置した額縁部分が極力少ないことが望ましく、側壁の幅および封着幅は狭いほど望ましい。
【００１３】
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、狭額縁化が可能であるとともに安定した気密性保持が可能な画像表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、この発明の態様に係る画像表示装置は、対向配置された前面基板および背面基板と、上記前面基板および上記背面基板の周辺部同士を互いに封着した封着部と、を有した外囲器を備え、上記封着部は、上記前面基板および背面基板の周縁部に沿って延びた枠体および封着材を含み、上記枠体は、この枠体と上記前面基板および背面基板の少なくとも一方の基板との隙間が上記枠体の幅方向において変化した断面形状を有し、上記封着材は上記枠体と少なくとも一方の基板との間に設けられていることを特徴としている。
【００１５】
また、この発明の態様に係る画像表示装置の製造方法は、対向配置された前面基板および背面基板と、上記前面基板および上記背面基板の周縁部同士を互いに封着した封着部と、を有した外囲器を具備した画像表示装置の製造方法において、
上記前面基板の内面周縁部および背面基板の内面周縁部の少なくとも一方に全周に渡って封着材層を形成し、上記封着材層の形成された上記前面基板および背面基板を対向して配置し、上記前面基板および背面基板の内面周縁部間に、上記前面基板および背面基板の周縁部に沿って延びる枠体を配置するとともに、この枠体として、枠体の外面と上記前面基板および背面基板の少なくとも一方の内面周縁部との間隔が上記枠体の幅方向において変化した断面形状を有した枠体を使用し、上記封着材層を加熱して封着材を溶融あるいは軟化させるとともに、上記前面基板および背面基板を互いに接近する方向に加圧し、上記前面基板および背面基板の周縁部を封着することを特徴としている。
【００１６】
上記構成の画像表示装置および製造方法によれば、封着時において前面基板および背面基板を接合して所定圧力で加圧した際、溶融した封着材は、基板と枠体との間隔の広い領域に流れる。そのため、溶融した封着材が画像表示領域または配線領域にはみだすことがなく、配線ショート等の不具合を生じることなく封着することができる。同時に、封着材のはみ出しを考慮して封着幅を広く確保する必要がなく、狭額縁の画像表示装置を得ることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照ながら、この発明に係る画像表示装置をＦＥＤに適用した実施の形態について詳細に説明する。
図１ないし図３に示すように、このＦＥＤは、絶縁基板としてそれぞれ矩形状のガラスからなる前面基板１１、および背面基板１２を備え、これらの基板は約１〜２ｍｍの隙間を置いて対向配置されている。前面基板１１および背面基板１２は、矩形枠状の側壁１３を介して周縁部同士が接合され、内部が真空状態に維持された偏平な矩形状の真空外囲器１０を構成している。
【００１８】
前面基板１１および背面基板１２の周縁部は封着部４０により互いに接合されている。すなわち、前面基板１１の内面周縁部に位置した封着面と、背面基板１２の内面周縁部に位置した封着面との間には、枠体として機能する側壁１３が配置されている。また、前面基板１１と側壁１３との間、および背面基板１２と側壁１３との間は、各基板の封着面上に形成された下地層３１とこの下地層上に形成されたインジウム層３２とが融合した封着層３３によってそれぞれ封着されている。これら封着層３３および側壁１３により封着部４０が構成されている。
【００１９】
本実施の形態において、側壁１３の断面形状は円形に形成されている。ここで、断面形状とは、側壁１３の長軸と直交した横断面の形状を示している。そして、前面基板１１の封着面と側壁１３外面との間隔、および背面基板１２の封着面と側壁１３外面との間隔は、側壁の幅方向において変化している。すなわち、側壁１３が円形断面に形成されている場合、これらの間隔は、側壁の幅方向において、中央部が狭く、両側に行くほど徐々に広くなっている。そして、インジウム層３２は、前面基板１１の封着面と側壁１３外面との間、および背面基板１２の封着面と側壁画面との間に充填されている。この際、各インジウム層３２の幅は、側壁１３の最大幅の範囲内に収めされている。
【００２０】
真空外囲器１０の内部には、背面基板１２および前面基板１１に加わる大気圧荷重を支えるため、複数の板状の支持部材１４が設けられている。これらの支持部材１４は、真空外囲器１０の短辺と平行な方向に延在しているとともに、長辺と平行な方向に沿って所定の間隔を置いて配置されている。なお、支持部材１４の形状については特にこれに限定されるものではなく、柱状の支持部材を用いてもよい。
【００２１】
図４に示すように、前面基板１１の内面上には蛍光体スクリーン１６が形成されている。この蛍光体スクリーン１６は、赤、青、緑の３色に発光するストライプ状の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、およびこれらの蛍光体層間に位置した非発光部としてのストライプ状の黒色光吸収層２０を並べて構成されている。蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂは、真空外囲器１０の短辺と平行な方向に延在しているとともに、長辺と平行な方向に沿って所定の間隔を置いて配置されている。蛍光体スクリーン１６上には、アルミニウムからなるメタルバック１７が蒸着されているとともに、メタルバック上には図示しないゲッター膜が形成されている。
【００２２】
背面基板１２の内面上には、蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂを励起する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の電界放出型の電子放出素子２２が設けられている。これらの電子放出素子２２は、各画素に対応して複数列および複数行に配列されている。また、背面基板１２の内面上には、電子放出素子２２に駆動信号を供給する多数の配線２１がマトリックス状に形成され、その端部は背面基板の周縁部に引出されている。
【００２３】
次に、上記のように構成されたＦＥＤの製造方法について詳細に説明する。  まず、前面基板１１となる板ガラスに蛍光体スクリーン１６を形成する。これは、前面基板１１と同じ大きさの板ガラスを準備し、この板ガラスにプロッターマシンで蛍光体層のストライプパターンを形成する。この蛍光体ストライプパターンを形成された板ガラスと前面基板用の板ガラスとを位置決め治具に載せて露光台にセットすることにより、露光、現像して蛍光体スクリーン１６を生成する。
【００２４】
続いて、背面基板用の板ガラスに電子放出素子２２を形成する。この場合、板ガラス上にマトリックス状の導電性カソード層を形成し、この導電性カソード層上に、例えば熱酸化法、ＣＶＤ法、あるいはスパッタリング法により二酸化シリコン膜の絶縁膜を形成する。その後、絶縁膜上に、例えばスパッタリング法や電子ビーム蒸着法によりモリブデンやニオブなどのゲート電極形成用の金属膜を形成する。次に、この金属膜上に、形成すべきゲート電極に対応した形状のレジストパターンをリソグラフィーにより形成する。このレジストパターンをマスクとして金属膜をウェットエッチング法またはドライエッチング法によりエッチングし、ゲート電極２８を形成する。
なお、蛍光体スクリーン１６には高電圧が印加されるため、前面基板１１、背面基板１２、および支持部材１４用の板ガラスには、高歪点ガラスを使用している。
【００２５】
続いて、レジストパターン及びゲート電極をマスクとして絶縁膜をウェットエッチングまたはドライエッチング法によりエッチングして、キャビティ２５を形成する。レジストパターンを除去した後、背面基板表面に対して所定角度傾斜した方向から電子ビーム蒸着を行うことにより、ゲート電極２８上に、例えばアルミニウムやニッケルからなる剥離層を形成する。この後、背面基板表面に対して垂直な方向から、カソード形成用の材料として、例えばモリブデンを電子ビーム蒸着法により蒸着する。これによって、各キャビティ２５の内部に電子放出素子２２を形成する。続いて、剥離層をその上に形成された金属膜とともにリフトオフ法により除去する。
【００２６】
続いて、基板周縁部に配置される側壁１３を形成する。側壁１３は、断面が円形状をした金属製の丸棒またはワイヤーを用い、必要なサイズに合わせて矩形枠状に折り曲げ加工する。金属としては、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｔｉの何れか含む単体もしくは合金等の導電性を有した金属、あるいはガラス、セラミック等の導電性を持たない金属を用いることができる。ここでは、Ｆｅを用いた。
【００２７】
折り曲げ個所は、側壁の３つの角部に相当する３個所である。側壁１３の残り１つの角部に相当する部分は、丸棒またはワイヤーの両端をレーザ溶接機により互い溶接して形成する。この際、レーザ溶接機により、溶接部のみを瞬間的に溶融させることで側壁を作製する。また、溶接の際、連結個所に凹凸が残らないことが望ましいが、仮に凹凸が生じた場合には、金ヤスリなどで平坦にすることで、十分側壁として利用することができる。
【００２８】
次に、前面基板１１の内面周縁部に位置した封着面、および背面基板１２の内面周縁部に位置した封着面に、スクリーン印刷法により銀ペーストをそれぞれ塗布し、枠状の下地層３１を形成する。続いて、各下地層３１の上に、導電性を有した金属封着材としてのインジウムを塗布し、それぞれ下地層の全周に亘って延びたインジウム層３２を形成する。
【００２９】
なお、金属封着材としては、融点が約３５０℃以下で密着性、接合性に優れた低融点金属材料を使用することが望ましい。本実施の形態で用いるインジウム（Ｉｎ）は、融点１５６．７℃と低いだけでなく、蒸気圧が低い、軟らかく衝撃に対して強い、低温でも脆くならないなどの優れた特徴がある。しかも、条件によってはガラスに直接接合することができるので、本発明の目的に好適した材料である。
【００３０】
次に、図５に示すように、封着面に下地層３１およびインジウム層３２が形成された背面基板１２と、インジウム層３２の上に側壁１３が載置された前面基板１２とを、封着面同士が向かい合った状態で、かつ、所定の距離をおいて対向した状態で治具等により保持する。この際、例えば、前面基板１１を上向きとして背面基板１２の下方に配置する。そして、この状態で前面基板１１および背面基板１２を真空処理装置に投入する。
【００３１】
図６に示すように、この真空処理装置１００は、順に並んで設けられたロード室１０１、ベーキング、電子線洗浄室１０２、冷却室１０３、ゲッター膜の蒸着室１０４、組立室１０５、冷却室１０６、およびアンロード室１０７を有している。これら各室は真空処理が可能な処理室として構成され、ＦＥＤの製造時には全室が真空排気されている。また、隣合う処理室間はゲートバルブ等により接続されている。
【００３２】
側壁１３が載置された前面基板１１および背面基板１２は、ロード室１０１に投入され、ロード室１０１内を真空雰囲気とした後、ベーキング、電子線洗浄室１０２へ送られる。べーキング、電子線洗浄室１０２では、１０−５Ｐａ程度の高真空度に達した時点で、背面側組立体および前面基板を３００℃程度の温度に加熱してベーキングし、各部材の表面吸着ガスを十分に放出させる。
【００３３】
この温度ではインジウム層（融点約１５６℃）３２が溶融する。しかし、インジウム層３２は親和性の高い下地層３１上に形成されているため、インジウムが流動すること下地層上に保持される。そして、溶融したインジウムにより、側壁１３と前面基板１２とが接合される。以後、側壁１３が接合された前面基板１１を前面基板側組立体と称する。
【００３４】
また、べーキング、電子線洗浄室１０２では、加熱と同時に、べーキング、電子線洗浄室１０２に取り付けられた図示しない電子線発生装置から、前面基板側組立体の蛍光体スクリーン面、および背面基板１２の電子放出素子面に電子線を照射する。この電子線は、電子線発生装置外部に装着された偏向装置によって偏向走査されるため、蛍光体スクリーン面、および電子放出素子面の全面を電子線洗浄することが可能となる。
【００３５】
加熱、電子線洗浄後、前面基板側組立体および背面基板１２は冷却室１０３に送られ、例えば約１００℃の温度まで冷却される。続いて、前面基板側組立体および背面基板１２はゲッター膜の蒸着室１０４へ送られ、ここで蛍光体スクリーンおよびメタルバック上にゲッター膜としてＢａ膜が蒸着形成される。このＢａ膜は、表面が酸素や炭素などで汚染されることが防止され、活性状態を維持することができる。
【００３６】
次に、前面基板側組立体および背面基板１２は組立室１０５に送られ、ここで２００℃まで加熱される。これにより、インジウム層３２が再び液状に溶融あるいは軟化する。この状態で、インジウム層３２を挟んで側壁１３と背面基板１２とを接合し、互いに接近する方向に所定の圧力で加圧する。この際、加圧された溶融インジウムの一部は、背面基板１２の表示領域または配線領域の方向へ流れようとするが、側壁１３が円形断面を有しているため、溶融インジウムは背面基板１２の封着面と側壁外面との間隔の広い箇所に留まり、側壁の幅を超えて表示領域側または配線領域側へ流れることが防止される。前面基板側組立体においても、再度溶融したインジウムは、前面基板１１の封着面と側壁１３外面との間隔の広い箇所に留まり、側壁の幅を超えて表示領域側または外側へ流れることが防止される。従って、インジウムは、前面基板１１側および背面基板１２側のいずれにおいても、側壁１３断面の最大幅の範囲内に維持される。
【００３７】
その後、インジウムを除冷して固化させる。これにより、背面基板１２と側壁１３とが、インジウム層３２および下地層３１を融合した封着層３３によって封着される。同時に、前面基板１１と側壁１３とが、インジウム層３２および下地層３１を融合した封着層３３によって封着され、真空外囲器１０が形成される。
このようにして形成された真空外囲器１０は、冷却室１０６で常温まで冷却された後、アンロード室１０７から取り出される。以上の工程により、ＦＥＤが完成する。
【００３８】
以上のように構成されたＦＥＤおよびその製造方法によれば、真空雰囲気中で前面基板１１および背面基板１２の封着を行なうことにより、ベーキングおよび電子線洗浄の併用によって基板の表面吸着ガスを十分に放出させることができ、ゲッター膜も酸化されず十分なガス吸着効果を得ることができる。これにより、高い真空度を維持可能なＦＥＤを得ることができる。
【００３９】
また、封着時において、前面基板１１および背面基板１２を接合して所定圧力で加圧した際、溶融した封着材は、基板封着面の側壁外面との間隔の広い領域に流れる。そのため、溶融した封着材が画像表示領域または配線領域にはみだすことがなく、配線ショート等の不具合を生じることなく確実な封着を行うことができる。同時に、封着材のはみ出しを考慮して封着幅を広く確保する必要がなく、狭額縁のＦＥＤを得ることができる。更に、上記構成によれば、５０インチ以上の大型の画像表示装置であっても、容易にかつ確実に封着でき、優れた量産性を得ることができる。
【００４０】
上述した実施の形態において、側壁１３の断面形状は円形としたが、これに限らず、側壁外面と前面基板および背面基板の少なくとも一方の封着面との間隔が側壁の幅方向において変化する断面形状であれば良く、また、前面基板および背面基板の少なくとも一方の封着面に対して非平行に対向する面、つまり、封着面と平行でない面を少なくとも一部に有した断面形状に形成されていれば良い。例えば、図７（ａ）、７（ｂ）、７（ｃ）、７（ｄ）に示すように、側壁１３は、楕円形、十文字形、あるいは、菱形の断面形状に形成してもよい。
【００４１】
側壁１３は中実のものに限らず、図８に示すように、中空の構造としてもよい。この場合においても、側壁１３の断面形状は、円形に限らず、図７（ａ）、７（ｂ）、７（ｃ）、７（ｄ）で示した実施例と同様に、楕円形、十文字形、あるいは、菱形の断面形状に形成してもよい。
また、図９に示すように、側壁１３および前面基板１１間の封着層３３と、側壁１３および背面基板１２間の封着層３３とが側壁の周囲で繋がり、封着層３３内に側壁１３が埋め込まれた構成としてもよい。
【００４２】
側壁１３は金属に限らず、上述した実施の形態に添った側壁形状であれば、ガラス、セラミック等の他の材料で形成してもよい。
【００４３】
また、封着材はインジウムに限るものではなく、ガラスパネルの封着では、ガラスパネルと封着材との熱膨張係数差を小さくする、または熱膨張の影響を緩和するものを、封着材として使用することができる。例えば、導電性材料であれば少なくともＩｎまたはＧａのいずれかを含む合金、非導電性材料であればフリットガラス、有機接着材、無機接着材を封着材として用いることができる。
【００４４】
更に、上述した実施の形態において、真空外囲器の製造時、真空雰囲気中で側壁と前面基板との間、および側壁と背面基板との間をインジウム等の封着材で封着する構成としたが、予め、側壁と前面基板との間、あるいは、側壁と背面基板との間を、インジウム等の封着材、あるいは低融点ガラスにより大気中で接合した後、残った接合部を前述した工程により真空雰囲気中で接合する構成としてもよい。
【００４５】
また、前述した実施の形態において、前面基板および背面基板を接合する際、これらの基板を組立室内で２００℃程度まで加熱してインジウム層を溶融あるいは軟化させる構成としたが、基板全体を加熱する代わりに、通電加熱によりインジウム層を溶融あるいは軟化させてもよい。すなわち、前面基板および背面基板を互いに接近する方向に加圧しインジウム層間に側壁を挟んだ状態で、側壁１３に通電してジュール熱により発熱させ、この熱によりインジウム層３２を溶解して基板を封着する構成としてもよい。この場合、側壁１３は導電性を有した材料を形成する。また、この場合、側壁１３を図８に示したような中空構造とすることにより、抵抗が高く発熱し易い構造とすることができ、通電量の低減を図ることが可能となる。同時に、側壁１３の熱容量が小さくなり、前面基板および背面基板の封着後、短時間で側壁を冷却することができる。その結果、製造効率向上を図ることが可能となる。
あるいは、側壁１３に代えて、直接、インジウム層３２に通電しジュール熱によりインジウム層３２を溶融あるいは軟化させ、基板を封着する構成としてもよい。
【００４６】
その他、この発明は上述した実施の形態に限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能である。例えば、上述した実施の形態では、電子放出素子として電界放出型の電子放出素子を用いたが、これに限らず、ｐｎ型の冷陰極素子あるいは表面伝導型の電子放出素子等の他の電子放出素子を用いてもよい。また、この発明は、ＦＥＤやＳＥＤなどの真空外囲器を必要とする表示装置に限るものではなく、ＰＤＰのように一度真空にしてから放電ガスを注入するような他の画像表示装置にも有効である。
【００４７】
【発明の効果】
以上詳述したように、この発明によれば、狭額縁化が可能であるとともに安定した気密性保持が可能な画像表示装置およびその製造方法を提供することガできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態に係るＦＥＤを示す斜視図。
【図２】上記ＦＥＤの前面基板を取り外した状態を示す斜視図。
【図３】図１の線Ａ−Ａに沿った断面図。
【図４】上記ＦＥＤの蛍光体スクリーンを示す平面図。
【図５】上記ＦＥＤの製造工程において、前面基板および背面基板を対向して配置した状態を示す断面図。
【図６】上記ＦＥＤの製造に用いる真空処理装置を概略的に示す図。
【図７】この発明の他の実施の形態に係るＦＥＤの封着部をそれぞれ示す断面図。
【図８】この発明の更に他の実施の形態に係るＦＥＤの封着部を示す断面図。
【図９】この発明の他の実施の形態に係るＦＥＤの封着部を示す断面図。
【符号の説明】
１０…真空外囲器、  １１…前面基板、  １２…背面基板、
１３…側壁、  １４…支持部材、  １６…蛍光体スクリーン、
２２…電子放出素子、  ３１…下地層、  ３２…インジウム層、
３３…封着層、  ４０…封着部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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