(57)【要約】【課題】  簡便な方法で得られる、電界効果移動度が大きい電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】  式（１）で表される有機溶媒可溶性ポルフィリン化合物の塗膜を１８０〜２５０℃の加熱により変換して得られる式（２）で表されるベンゾポルフィリン化合物の結晶化膜からなる有機半導体層を有し、該有機半導体層が膜厚３０〜１５０ｎｍ、結晶粒の最大径が１μｍ以上であり、かつ６６０ｎｍ以上に強い吸収を持つ電界効果型トランジスタ。（式中、Ｒ1 、Ｒ2 は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、または炭素数１以上１２以下のアルキル基、Ｒ3 は水素原子またはアリール基、Ｍは２個の水素原子もしくは金属原子あるいは金属酸化物を示す。）【化１】2004319982.tif 000014【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）
【化１】
2004319982.tif 000010
（式中、Ｒ1 およびＲ2 はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、水酸基、または炭素数１以上１２以下のアルキル基、オキシアルキル基、チオアルキル基、アルキルエステル基より選ばれる少なくとも１種を示し、Ｒ3 は水素原子またはアリール基より選ばれる少なくとも１種を示す。）
で表されるポルフィリン化合物の塗膜を１８０〜２５０℃の加熱により変換して得られる下記一般式（２）
【化２】
2004319982.tif 000011
（式中、Ｒ2 、Ｒ3 は前記と同じものを示す。）
で表されるベンゾポルフィリン化合物の結晶化膜からなる有機半導体層を有し、該有機半導体層が膜厚３０〜１５０ｎｍ、結晶粒の最大径が１μｍ以上であり、かつ６６０ｎｍ以上に強い吸収を持つことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項２】
前記一般式（１）で表されるポルフィリン化合物のＲ1 およびＲ2 が水素原子であり、かつ一般式（２）で表されるベンゾポルフィリン化合物のＲ2 が水素原子であることを特徴とする請求項１記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項３】
前記一般式（１）で表されるポルフィリン化合物および前記一般式（２）で表されるベンゾポルフィリン化合物のＲ3 が水素原子であることを特徴とする請求項１または２記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項４】
前記有機半導体層の電界効果移動度が１×１０-3ｃｍ2 ／Ｖ・ｓ以上であり、かつＯｎ／Ｏｆｆ比が１００以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかの項に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項５】
有機半導体層を有する電界効果型トランジスタの製造方法であって、該有機半導体層を下記一般式（１）
【化３】
2004319982.tif 000012
（式中、Ｒ1 およびＲ2 はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、水酸基、または炭素数１以上１２以下のアルキル基、オキシアルキル基、チオアルキル基、アルキルエステル基より選ばれる少なくとも１種を示し、Ｒ3 は水素原子またはアリール基より選ばれる少なくとも１種を示す。）
で表されるポルフィリン化合物の有機溶媒溶液からなる塗膜を１８０〜２５０℃に加熱して得られる下記一般式（２）
【化４】
2004319982.tif 000013
（式中、Ｒ2 、Ｒ3 は前記と同じものを示す。）
で表されるベンゾポルフィリン化合物の結晶化膜により形成する工程を有することを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記一般式（１）で表されるポルフィリン化合物の有機溶媒溶液がハロゲン溶媒を含むことを特徴とする請求項５記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電界効果型トランジスタおよびその製造方法に関し、特に有機溶媒可溶性のポルフィリン化合物の塗膜から加熱により得られるベンゾポルフィリン化合物の結晶化膜を活性層に用いることで、容易に作製可能で移動度の高い電界効果型トランジスタおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機半導体化合物の非線形光学特性、導電性、半導電性が有機エレクトロニクス、光エレクトロニクス分野において注目され、各種デバイス開発が盛んに行われてきた。有機半導体化合物の代表例がフタロシアニン系化合物、ポルフィリン化合物やポリアセン類である。それらの化合物を有機材料としてデバイス化する場合に必要となる非線形光学特性、導電性、半導電性などの特性は材料の純度のみでなく結晶性や配向性に大きく依存する。しかしながらπ共役系が拡張された多くの化合物が溶媒不溶、大気中で酸化を受けやすいなどの理由で高純度化が困難であった。また高い配向性を有する結晶化膜を得るために真空蒸着を行うなど製膜に大規模な装置を必要とした。
【０００３】
近年になって半導体層に有機半導体化合物を用いた電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ；Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子が注目されるようになると、有機半導体化合物がシリコンなどの無機系の材料に比較して柔軟な膜性を示すためプラスチックを基材としたフレキシブルな素子作製に適していると考えられるようになった。
【０００４】
しかしながら前述の通り、有機半導体化合物の代表例であるペンタセンなどは結晶性が高く溶媒に不溶なため、真空蒸着によってのみ基板上に膜作成が可能であった。一方、有機溶媒に可溶な有機半導体の溶液からスピンなどの塗布で薄膜を形成することでより簡便にＦＥＴが作製されている。このような例としては、π−共役系高分子を半導体層に使用されたものがある（非特許文献１参照）。π−共役系高分子の場合、分子鎖の配列状態が電気伝導特性に大きな影響を及ぼすことが知られているが、同様にπ−共役系高分子電界効果型トランジスタの電界効果移動度が半導体層中における分子鎖の配列状態に大きく依存することが報告されている（非特許文献２参照）。
【０００５】
しかしながら、π−共役系高分子の分子鎖の配列は溶液を塗布して乾燥するまでの間に行われるため、環境の変化や塗布方法の違いによって分子鎖の配列状態が大きく変化する可能性があった。ペンタセンの可溶性前駆体薄膜を塗布で形成し、熱処理によってペンタセンに変換した膜を用いたＦＥＴも報告されている（非特許文献３参照）。この場合、ペンタセンへの変換に高温処理が必要であったり、質量が大きい脱離成分を減圧によって取り除かなければならなかった。
【非特許文献１】「Ｊａｐａｎｅｓｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ」応用物理学会、１９９１年、第３０巻、ｐ．５９６−５９８
【非特許文献２】「Ｎａｔｕｒｅ」Ｎａｔｕｒｅ  Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ  Ｇｒｏｕｐ、１９９９年、第４０１巻、ｐ．６８５−６８７
【非特許文献３】「Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ」ＷＩＬＬＥＹ−ＶＣＨ  Ｖｅｒｌａｇ  ＧｍｂＨ、１９９９年、第１１巻、ｐ．４８０−４８３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
以上述べたように、従来、有機半導体を用いたＦＥＴ素子は真空製膜などの煩雑な工程が必要であるか、もしくは環境の影響を受け易いなどの問題があった。
本発明は、この問題を解決するためになされたもので、電界効果移動度が大きく、簡便な方法で形成された有機半導体層を有する電界効果型トランジスタおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、下記の一般式（１）で表されるポルフィリン化合物の有機溶剤溶液を基板表面に塗布した時に得られる塗膜から、熱処理により容易に結晶化膜を得ることができ、さらにこの結晶化膜を有機半導体層に用いた電界効果型トランジスタが、従来の蒸着により膜作成した有機半導体層と同等もしくはそれよりも大きい電界効果移動度を示すことを見いだし、本発明に至った。
【０００８】
すなわち、本発明は、下記一般式（１）
【０００９】
【化１】
2004319982.tif 000002
【００１０】
（式中、Ｒ1 およびＲ2 はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、水酸基、または炭素数１以上１２以下のアルキル基、オキシアルキル基、チオアルキル基、アルキルエステル基より選ばれる少なくとも１種を示し、Ｒ3 は水素原子またはアリール基より選ばれる少なくとも１種を示す。）
で表されるポルフィリン化合物の塗膜を１８０〜２５０℃の加熱により変換して得られる下記一般式（２）
【００１１】
【化２】
2004319982.tif 000003
【００１２】
（式中、Ｒ2 、Ｒ3 は前記と同じものを示す。）
で表されるベンゾポルフィリン化合物の結晶化膜からなる有機半導体層を有し、該有機半導体層が膜厚３０〜１５０ｎｍ、結晶粒の最大径が１μｍ以上であり、かつ６６０ｎｍ以上に強い吸収を持つことを特徴とする電界効果型トランジスタである。
【００１３】
前記一般式（１）で表されるポルフィリン化合物のＲ1 およびＲ2 が水素原子であり、かつ一般式（２）で表されるベンゾポルフィリン化合物のＲ2 が水素原子であることが好ましい。
【００１４】
前記一般式（１）で表されるポルフィリン化合物および前記一般式（２）で表されるベンゾポルフィリン化合物のＲ3 が水素原子であることが好ましい。
前記有機半導体層の電界効果移動度が１×１０-3ｃｍ2 ／Ｖ・ｓ以上であり、かつＯｎ／Ｏｆｆ比が１００以上であることが好ましい。
【００１５】
また、本発明は、有機半導体層を有する電界効果型トランジスタの製造方法であって、該有機半導体層を下記一般式（１）
【００１６】
【化３】
2004319982.tif 000004
【００１７】
（式中、Ｒ1 およびＲ2 はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、水酸基、または炭素数１以上１２以下のアルキル基、オキシアルキル基、チオアルキル基、アルキルエステル基より選ばれる少なくとも１種を示し、Ｒ3 は水素原子またはアリール基より選ばれる少なくとも１種を示す。）
で表されるポルフィリン化合物の有機溶媒溶液からなる塗膜を１８０〜２５０℃に加熱して得られる下記一般式（２）  
【００１８】
【化４】
2004319982.tif 000005
【００１９】
（式中、Ｒ2 、Ｒ3 は前記と同じものを示す。）
で表されるベンゾポルフィリン化合物の結晶化膜により形成する工程を有することを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法である。
【００２０】
前記一般式（１）で表されるポルフィリン化合物の有機溶媒溶液がハロゲン溶媒を含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、従来に比べてはるかに簡便な方法で、電界効果移動度が大きい電界効果型トランジスタを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明における電界効果型トランジスタは、下記一般式（１）
【００２３】
【化５】
2004319982.tif 000006
【００２４】
（式中、Ｒ1 およびＲ2 はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、水酸基、または炭素数１以上１２以下のアルキル基、オキシアルキル基、チオアルキル基、アルキルエステル基より選ばれる少なくとも１種を示し、Ｒ3 は水素原子またはアリール基より選ばれる少なくとも１種を示す。）
で表される有機溶媒可溶性ポルフィリン化合物の塗膜を１８０〜２５０℃の加熱により変換して得られる下記一般式（２）
【００２５】
【化６】
2004319982.tif 000007
【００２６】
（式中、Ｒ2 、Ｒ3 は前記と同じものを示す。）
で表されるベンゾポルフィリン化合物の結晶化膜からなる有機半導体層を有し、該有機半導体層が膜厚３０〜１５０ｎｍ、結晶粒の最大径が１μｍ以上であり、かつ６６０ｎｍ以上に強い吸収を持つことを特徴とする。
【００２７】
本発明においては、前記一般式（１）に示されるポルフィリン化合物のジシクロオクタエン環に結合した置換基Ｒ1 は熱処理によって一般式（２）に示されるベンゾポルフィリン化合物に変換される時にＲ1 −ＣＨ＝ＣＨ−Ｒ1 となって脱離する。そのためＲ1 はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、水酸基、または炭素数１以上１２以下のアルキル基、オキシアルキル基、チオアルキル基、アルキルエステル基より選ばれる少なくとも１種であれば良く、２種以上が組み合わされていても良い。炭素数が１２を越えると脱離成分の分子量が増して、ベンゾポルフィリン膜中に脱離成分が残存して十分な半導体特性が得られない。最も好ましくはＲ1 が水素原子である。
【００２８】
一般式（１）で表されるポルフィリン化合物の置換基Ｒ2 は熱処理後に得られるベンゾポルフィリン化合物にも置換基として残る。そのため置換基Ｒ2 はベンゾポルフィリンの配向に影響を与える。Ｒ2 はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、水酸基、または炭素数１以上１２以下のアルキル基、オキシアルキル基、チオアルキル基、アルキルエステル基より選ばれる少なくとも１種であれば良く、２種以上が組み合わされていても良い。Ｒ2 の炭素数が１２を越えると分子全体に対するポルフィリン環の存在率が下がるためポルフィリン環同士が配向し難くなり十分な半導体特性が得られない。最も好ましくはＲ2 が水素原子であり、ポルフィリン環同士のスタッキングがより起こりやすく膜の結晶性が向上する。
【００２９】
有機半導体層の作製法としては、一般式（１）で表されるポルフィリン化合物を有機溶媒に溶解させてから基材に塗布し、その後に加熱することで一般式（２）で表されるベンゾポルフィリン化合物の結晶化膜を得る方法が好ましい。
【００３０】
ポルフィリン化合物を溶解するために用いられる有機溶媒はポルフィリン化合物が反応したり、析出しなければ特に限定されない。また、２種以上の有機溶媒を混合して用いても良い。塗膜表面の平滑性や膜厚の均一性を考慮に入れるとハロゲン溶媒を使用することが好ましい。ハロゲン溶媒の例としてはクロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、クロロベンゼン、１，２−ジクロロエチレンなどが挙げられる。溶液の濃度は所望の膜厚によって任意に調節されるが、好ましくは０．０１〜５重量％である。
【００３１】
塗布方法としては、スピンキャスト法、ディッピング法、滴下法、オフセットあるいはスクリーンなどの印刷法、インクジェット法などが挙げられる。また、半導体層中に極力ゴミなどを混入させないために事前にメンブランフィルタで濾過することが望ましい。なぜならば、不溶分や外部からのゴミの混入は均一な配向を妨げ、オフ電流の増加やオン／オフ比の低下を引き起こすからである。ベンゾポルフィリンの塗膜は１３０℃以下で予備乾燥することもできる。
【００３２】
塗布形成されたポルフィリン化合物の膜は加熱によってレトロディールスアルダー反応を引き起こし、Ｒ1 −ＣＨ＝ＣＨ−Ｒ1 の脱離を伴うベンゾポルフィリン化合物への変換が起こる。ベンゾポルフィリンの生成と同時にポルフィリン環同士のスタッキングによる結晶生長を引き起こし、ベンゾポルフィリンの結晶化膜が得られる。また、脱離反応は１５０℃以上で起こるが、より高い電界効果移動度を得るための加熱温度としては１８０〜２５０℃、好ましくは２００〜２３０℃の範囲が望ましい。１８０℃未満では結晶生長が十分な結晶化膜が得られず、２５０℃を越えると急激な膜収縮のためにクラックが発生する。
【００３３】
加熱はホットプレート上、熱風循環型オーブンや真空オーブン中で行われるが、均一配向を得るためにはホットプレート上で瞬時に加熱する方法が好ましい。
また、より高い結晶性を得るためには加熱前の塗膜を布などで軽く擦るラビング処理を行うことが好ましい。ラビング処理に使用する布はレーヨン、木綿、絹などが挙げられるが、これらに限定されない。
【００３４】
これらの操作によって得られるベンゾポルフィリン配向膜を用いた有機半導体層の膜厚は３０〜１５０ｎｍ、好ましくは５０〜１２０ｎｍの範囲が望ましい。膜厚が３０ｎｍ未満であると膜厚の均一性が損なわれ、一方１５０ｎｍを越えると膜表面の平滑性が損なわれることで電界効果移動度が低下する。
【００３５】
結晶の生長はＸ線回折や光学顕微鏡、レーザー顕微鏡などを用いた膜表面観察、膜の紫外−可視吸収スペクトルで確認することができる。有機半導体層中の結晶粒の最大径は１μｍ以上、好ましくは２〜５０μｍの範囲が望ましい。１μｍ未満であると十分な電界効果移動度が得られない。
【００３６】
また、有機半導体層の紫外−可視吸収スペクトル観察において６６０ｎｍ以上に強い吸収を示すことが好ましい。６６０ｎｍ以上に吸収を持たないもしくは弱い吸収しか示さない場合、ポルフィリン環同士のスタッキングが弱く、十分に配向しないため電界効果移動度が低下する。
【００３７】
本発明において得られる有機半導体層の電界効果移動度は１×１０-3ｃｍ2 ／Ｖ・ｓ以上である。それより低いとゲート電圧の印加によって得られるソース−ドレイン間の電流値が小さすぎるため、液晶素子などの駆動に適さない。また、前記有機半導体層のＯｎ／Ｏｆｆ比は１００以上であることが好ましい。
【００３８】
図１は本発明の電界効果型トランジスタの一部を拡大して示す模式図である。本発明の電界効果型トランジスタは、ゲート電極１とゲート絶縁層２とソース電極３とドレイン電極４と有機半導体層４から構成される。
【００３９】
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極としては、導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、アルミニウム、亜鉛、マグネシウム、およびこれらの合金や、インジウム・錫酸化物等の導電性金属酸化物、あるいはドーピング等で導電率を向上させた無機および有機半導体、例えばシリコン単結晶、ポリシリコン、アモルファスシリコン、ゲルマニウム、グラファイト、ポリアセチレン、ポリパラフェニレン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチエニレンビニレン、ポリパラフェニレンビニレン等が挙げられる。電極の作製方法としてはスパッタ法、蒸着法、溶液やペーストからの印刷法、インクジェット法などが挙げられる。また、電極材料としては、上に挙げた中でも半導体層との接触面において電気抵抗が少ないものが好ましい。
【００４０】
ゲート絶縁層としては、一般式（１）で表される有機溶媒可溶性ポルフィリン化合物の溶液が均一に塗布できるものであれば何でもよいが、誘電率が高く、導電率が低いものが好ましい。例としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタルなどの無機酸化物や窒化物、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリエーテル、シロキサン含有ポリマー等の有機高分子が挙げられる。また、上記絶縁材料の中でも、表面の平滑性の高いものが好ましい。
【００４１】
一般式（１）で表される有機溶媒可溶性ポルフィリン化合物の溶液の絶縁層上での塗膜均一性を向上させたり、加熱により一般式（２）で表されるベンゾポルフィリン化合物の膜の配向を均一にするために、絶縁層表面のみを改質することもできる。その方法としてはオゾン、プラズマ、ヘキサメチルジシラザンガスを用いた乾式処理や、有機溶剤にテトラアルコキシシラン、トリクロロシラン、界面活性剤などを溶解した溶液を用いた湿式処理などが挙げられる。
【００４２】
本発明における電界効果型トランジスタの構造は薄膜型に限定されるものではなく、立体型でもよい。
【実施例】
【００４３】
以下に合成例および実施例を示すが、本発明はそれらの実施例に限られるものではない。
合成例１
ビシクロポルフィリンの合成
エチル４，７−ジヒドロ−４，７−エタノ−２Ｈ−イソインドール−１―カルボキシレート０．１０９ｇ（０．５ｍｍｏｌ）とＴＨＦ（テトラヒドロフラン）１５ｍＬの混合物に水素化リチウムアルミニウム粉０．１４４ｇ（３．７６ｍｍｏｌ）を０℃で加えた。反応混合物を０℃で２時間攪拌した後、水中に注ぎ、クロロホルムで抽出した。抽出溶液にｐ−トルエンスルホン酸０．０１０ｇを加え、室温で１２時間攪拌した。さらにｐ−クロラニル０．１５０ｇ（０．６１ｍｍｏｌ）を加えて、室温で１２時間攪拌した。反応混合物を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、純水、飽和食塩水の順で洗浄し無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶液を濃縮後、アルミナカラムクロマトグラフィーと再結晶により精製を行い、０．０９６ｇの下記の式（３）で表わされるビシクロポルフィリン結晶を得た。
【００４４】
【化７】
2004319982.tif 000008
【００４５】
実施例１
図１に本実施例における電界効果型トランジスタの構造を示す。
まず、Ｎ型のシリコン基板をゲート電極１とした。シリコン基板表層を熱酸化して得られる５０００Åの酸化シリコン膜をゲート絶縁層２とした。その上にクロム、金の順に蒸着を行い、通常の光リソグラフィー技術でソース電極３、ドレイン電極４を形成した。この基板上に合成例１で合成したビシクロポルフィリンの１重量％クロロホルム溶液をスピンキャストした。さらに基板を２００℃で加熱して下記の式（４）で表されるベンゾポルフィリン薄膜からなる有機半導体層５を形成した。有機半導体層の膜厚は６０ｎｍで、光学顕微鏡を用いた観察の結果、結晶粒の最大径は２μｍであった。
【００４６】
【化８】
2004319982.tif 000009
【００４７】
以上の手順でチャネル長５０μｍ、チャネル幅１０ｍｍ、半導体層の厚さ約５００Åの電界効果型トランジスタを作成した。作成したトランジスタのＶｄ−Ｉｄ曲線をＡｇｉｌｅｎｔ社（製）のパラメーターアナライザー４１５６Ｃ（商品名）を用いて測定したところ、図２のような結果を得た。得られた結果からこのトランジスタは電界効果移動度が２×１０-3ｃｍ2 ／Ｖ・ｓであり、Ｏｎ／Ｏｆｆ比は１０００であった。
【００４８】
同様の製膜条件で石英基板上にベンゾポルフィリン膜を形成した。その膜の紫外−可視吸収スペクトルを日立製作所（製）のスペクトロフォトメーターＵ３３１０（商品名）を用いて観察すると、６９０ｎｍ付近をピークとする強い吸収が観測された。
【００４９】
実施例２
図３に本実施例における電界効果型トランジスタの構造を示す。
まず、Ｎ型のシリコン基板をゲート電極１とした。シリコン基板表層を熱酸化して得られる５０００Åの酸化シリコン膜をゲート絶縁層２とした。その上に合成例１で合成したビシクロポルフィリンの１重量％クロロホルム溶液をスピンキャストした。さらに基板を２００℃で加熱して式（４）で表されるベンゾポルフィリン薄膜からなる有機半導体層５を形成した。有機半導体層の膜厚は６０ｎｍで、光学顕微鏡を用いた観察の結果、結晶粒の最大径は２μｍであった。その上に金の蒸着を行い、ソース電極３、ドレイン電極４を形成した。
【００５０】
以上の手順でチャネル長５０μｍ、チャネル幅１０ｍｍ、半導体層の厚さ約５００Åの電界効果型トランジスタを作成した。作成したトランジスタのＶｄ−Ｉｄを測定したところ、このトランジスタは電界効果移動度が４×１０-3ｃｍ2 ／Ｖ・ｓであり、Ｏｎ／Ｏｆｆ比は１０００であった。
【００５１】
比較例１
実施例１に記載の加熱温度を１７０℃にした以外は実施例１に準じてベンゾポルフィリン薄膜からなる電界効果型トランジスタを作製した。このトランジスタは電界効果移動度が５×１０-5ｃｍ2 ／Ｖ・ｓであり、Ｏｎ／Ｏｆｆ比は１０であった。有機半導体層の膜厚は６０ｎｍで、結晶粒の最大径は０．５μｍ以下であった。
【００５２】
石英板上に作成したベンゾポルフィリン薄膜からなる有機半導体膜は６５０ｎｍ付近をピークとする弱い吸収のみを示した。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明の電界効果型トランジスタは、電界効果移動度が大きい電界効果型トランジスタであるので、液晶パネル、有機ＥＬパネル、電子ペーパー、センサ等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施例１における電界効果型トランジスタの一部を拡大して示す模式図である。
【図２】本発明の実施例１における電界効果型トランジスタの電気特性を示す図である。
【図３】本発明の実施例２における電界効果型トランジスタの一部を拡大して示す模式図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  ゲート電極
２  ゲート絶縁層
３  ソース電極
４  ドレイン電極
５  有機半導体層
【図１】
2004319982.tif 000015
【図２】
2004319982.tif 000016
【図３】
2004319982.tif 000017