(57)【要約】【課題】  半導体チップを備えた半導体パッケージに使用するリードフレームにおいて、半導体パッケージと回路基板との電気的な接続の信頼性向上を図ることができるようにする。【解決手段】  半導体チップ３を配置するためのステージ部５と、その周囲に配される複数のリード７と、これらリード７を連結するリード連結部９とを有する金属製薄板からなるリードフレームであって、前記リード７には、リードフレームの厚さ方向に貫通する貫通孔１７が形成され、前記各リード７を電気的に独立させるための切断線Ａが、前記貫通孔１７を通過することを特徴とするリードフレームを提供する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを配置するためのステージ部と、その周囲に配される複数のリードと、これらリードを連結するリード連結部とを有する金属製薄板からなるリードフレームであって、
前記リードもしくはリード連結部には、リードフレームの厚さ方向に貫通する貫通孔が形成され、前記各リードを電気的に独立させるための切断線が、前記貫通孔を通過することを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記貫通孔が、リード連結部に形成されている場合には、前記リードの配列方向に沿って、かつ、複数のリードにわたって形成されていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
ステージ部と、その周囲に配される複数のリードと、該リードを相互に連結するリード連結部とを有する金属製薄板からなるリードフレームを形成するリードフレーム加工工程と、
前記ステージ部に半導体チップを接着し、該半導体チップと前記リードとを配線するチップ搭載工程と、
これらステージ部、半導体チップ、およびリードを樹脂により一体的に固定する樹脂モールド部を形成するモールド工程と、
前記リードのうち、樹脂モールド部から外方に露出する表面にめっきを施すめっき工程と、
前記各リードを切断して、前記各リードを互いに電気的に独立させる切断工程とを備え、
前記リードフレーム加工工程時からめっき工程を行うまでに、リードフレームの厚さ方向に貫通し、切断工程における切断線が通過する貫通孔を前記各リードに形成する孔形成工程を行うことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】
ステージ部と、その周囲に配される複数のリードと、該リードを相互に連結するリード連結部とを有する金属製薄板からなるリードフレームを形成するリードフレーム加工工程と、
前記ステージ部に半導体チップを接着し、該半導体チップと前記リードとを配線するチップ搭載工程と、
これらステージ部、半導体チップ、およびリードを樹脂により一体的に固定する樹脂モールド部を形成するモールド工程と、
前記リードのうち、樹脂モールド部から外方に露出する表面にめっきを施すめっき工程と、
前記リード連結部を切断して、前記各リードを互いに電気的に独立させる切断工程とを備え、
前記リードフレーム加工工程時から前記めっき工程を行うまでに、リードフレームの厚さ方向に貫通し、切断工程における切断線が通過する貫通孔を前記リード連結部に形成する孔形成工程を行うことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
樹脂モールド部から外方に露出する複数のリードを備えた半導体パッケージであって、
前記樹脂モールド部から露出する前記各リードの厚さ方向の側面には、めっきを施しためっき面と、該めっき面に隣接し、前記各リードを電気的に独立させた切断面とが形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項６】
前記側面のめっき面に隣接し、めっきを施した前記各リードの表面が、前記樹脂モールド部の下面と共に同一平面を形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体チップを備え、回路基板に実装する半導体パッケージ、その製造方法、および、これに使用するリードフレームに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップを備えた半導体パッケージの組み立て用部材として用いられるリードフレーム５１は、図１３に示すように、半導体チップ５３を配置するためのステージ部５５と、ステージ部５５の周囲に配された複数のリード５７と、各リード５７を連結するダムバー５９とを備えている。このリードフレーム５１は、薄板状の金属板にプレス加工もしくはエッチング加工を施すことにより製造される。
【０００３】
このリードフレーム５１を用いて、例えば、半導体パッケージの一種であるＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）を製造する際には、はじめに、ステージ部５５の表面に半導体チップ５３を接着し、半導体チップ５３の各パッドと各リード５７とをボンディングワイヤにより電気的に接続する。次いで、図１４に示すように、半導体チップ５３、ステージ部５５、ボンディングワイヤ６１、およびリード５７のボンディング部分を樹脂により一体的に固定する樹脂モールド部６３を形成する。ここで、各リード５７の裏面５７ａは、樹脂モールド部６３の下面６３ａと共に同一平面を形成している。
【０００４】
そして、各リード５７のうち樹脂モールド部６３の外方に露出している表面５７ｂおよび裏面５７ａにめっきを施して、半田用のめっき膜６５を形成する。このめっき膜６５は、リード５７に対する半田のぬれ性を向上させるものである。
最後に、ダムバー５９、および各リード５７のうち樹脂モールド部６３の外方に突出する突出部５７ｃを切断線Ａにおいて切り落とし、各リード５７を互いに電気的に独立させて半導体パッケージの製造が終了する。
【０００５】
なお、リードが樹脂モールド部の外方に大きく突出する半導体パッケージ、所謂ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）である場合には、樹脂モールド部の外方に突出するリードの突出部の表裏面、およびこれら表裏面に隣接するリードの側面にめっき膜が形成され、ぬれ性を向上させている。このため、半田は、リードの裏面だけではなくリードの側面から表面にかけて付着することになる。
また、このＱＦＰにおいては、リードの突出部にハーフエッチングを施して薄肉部を形成し、リードに対する半田の付着面積を増加させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特許第３００８４７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のＱＦＮである半導体パッケージにおいては、切断線Ａにおいて各リード５７を切断しており、図１５に示すように、切断面となるリード５７の厚さ方向の側面５７ｄには、めっき膜６５が形成されていなかった。また、この側面５７ｄを除く他の側面は樹脂モールド部６３により覆い隠されていたため、これら側面に半田６７が接合しなかった。したがって、半田６７を介して半導体パッケージ８０を回路基板７１に実装する際には、回路基板７１のランド部７３がリード５７の下面５７ａにのみ電気的に接続されていた。また、この場合には、目視検査によるリード５７と半田６７との接合状態の判定が困難となるため、半導体パッケージ８０と回路基板７１との電気的接続の信頼性が低いという問題があった。
【０００７】
また、特許文献１のように、リードに対する半田の付着面積を増加させる方法が提案されているが、リードが樹脂モールド部の外方に殆ど突出しないＱＦＮにおいては、切断面の側面５７ｄに隣接する他の側面が樹脂モールド部６３により覆われていたため、リードと半田との接合力に寄与せず、上記の問題を解決するには至らなかった。
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、半導体パッケージと回路基板との電気的な接続の信頼性向上を図ることができる半導体パッケージ、その製造方法、および、これに使用するリードフレームを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
請求項１に係る発明は、半導体チップを配置するためのステージ部と、その周囲に配される複数のリードと、これらリードを連結するリード連結部とを有する金属製薄板からなるリードフレームであって、前記リードもしくはリード連結部には、リードフレームの厚さ方向に貫通する貫通孔が形成され、前記各リードを電気的に独立させるための切断線が、前記貫通孔を通過することを特徴とするリードフレームを提案している。
【０００９】
この発明に係るリードフレームによれば、リードもしくはリード連結部にめっきを施した後に、リードもしくはリード連結部を切断しても、リードの厚さ方向の側面を構成する貫通孔の内壁面にめっきが残るため、リードに対する半田の付着面積の増加を図って、リードと半田との接合力を向上させることができる。
【００１０】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載のリードフレームにおいて、前記貫通孔が、リード連結部に形成されている場合には、前記リードの配列方向に沿って、かつ、複数のリードにわたって形成されていることを特徴とするリードフレームを提案している。
【００１１】
この発明に係るリードフレームによれば、各リードに貫通孔を形成する場合と比較して、大きい貫通孔を形成するため、リード連結部を切断した後に各リードの側面に残るめっき領域を容易に増やすことができる。したがって、リードに対する半田の付着面積の増加を容易に図ることができる。
【００１２】
請求項３に係る発明は、ステージ部と、その周囲に配される複数のリードと、該リードを相互に連結するリード連結部とを有する金属製薄板からなるリードフレームを形成するリードフレーム加工工程と、前記ステージ部に半導体チップを接着し、該半導体チップと前記リードとを配線するチップ搭載工程と、これらステージ部、半導体チップ、およびリードを樹脂により一体的に固定する樹脂モールド部を形成するモールド工程と、前記リードのうち、樹脂モールド部から外方に露出する表面に半田用めっきを施すめっき工程と、前記各リードを切断して、前記各リードを互いに電気的に独立させる切断工程とを備え、前記リードフレーム加工工程時からめっき工程を行うまでに、リードフレームの厚さ方向に貫通し、切断工程における切断線が通過する貫通孔を前記各リードに形成する孔形成工程を行うことを特徴とする半導体パッケージの製造方法を提案している。
【００１３】
また、請求項４に係る発明は、ステージ部と、その周囲に配される複数のリードと、該リードを相互に連結するリード連結部とを有する金属製薄板からなるリードフレームを形成するリードフレーム加工工程と、前記ステージ部に半導体チップを接着し、該半導体チップと前記リードとを配線するチップ搭載工程と、これらステージ部、半導体チップ、およびリードを樹脂により一体的に固定する樹脂モールド部を形成するモールド工程と、前記リードのうち、樹脂モールド部から外方に露出する表面に半田用めっきを施すめっき工程と、前記リード連結部を切断して、前記各リードを互いに電気的に独立させる切断工程とを備え、前記リードフレーム加工工程時から前記めっき工程を行うまでに、リードフレームの厚さ方向に貫通し、切断工程における切断線が通過する貫通孔を前記リード連結部
に形成する孔形成工程を行うことを特徴とする半導体パッケージの製造方法を提案している。
【００１４】
この発明に係る半導体パッケージの製造方法によれば、リードもしくはリード連結部を切断しても、リードの厚さ方向の側面となる貫通孔の内壁面にめっきが残るため、リードに対する半田の付着面積の増加を容易に図ることができ、リードと半田との接合力を容易に向上させることができる。
【００１５】
また、請求項５に係る発明は、樹脂モールド部から外方に露出する複数のリードを備えた半導体パッケージであって、前記樹脂モールド部から露出する前記各リードの厚さ方向の側面には、めっきを施しためっき面と、該めっき面に隣接して前記各リードを電気的に独立させる切断面とが形成されていることを特徴とする半導体パッケージを提案している。
【００１６】
この発明に係る半導体パッケージによれば、樹脂モールド部から露出するリードの側面にめっき面が形成されているため、各リードに対する半田の付着面積の増加を図って、リードと半田との接合力を向上させることができる。
【００１７】
また、請求項６に係る発明は、請求項５に記載の半導体パッケージにおいて、前記側面のめっき面に隣接し、めっきを施した前記各リードの裏面が、前記樹脂モールド部の下面と共に同一平面を形成することを特徴とする半導体パッケージを提案している。
この発明に係る半導体パッケージによれば、半田を付着させるリードの表面が樹脂モールド部の下面と共に同一平面を形成しているため、樹脂モールド部の下面を回路基板の表面に対向させて半導体パッケージを回路基板に実装した状態において、回路基板の表面からの高さ寸法を低く設定することができる、すなわち、半導体パッケージの薄型化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、請求項１に係る発明によれば、リードもしくはリード連結部に貫通孔を形成することにより、リードと半田との接合力の向上させることができるため、このリードフレームを利用して半導体パッケージを製造し、この半導体パッケージを回路基板に実装する際には、リードと回路基板のランド部との電気的な接続の信頼性の向上を図ることができる。
【００１９】
また、請求項２に係る発明によれば、各リードに貫通孔を形成する場合と比較して、大きい貫通孔を形成するため、リードと半田との接合力の向上させることができ、リードと回路基板のランド部との電気的な接続の信頼性を確実に向上させることができる。
【００２０】
また、請求項３および請求項４に係る発明によれば、孔形成工程の後にめっき工程を行うことにより、半導体パッケージのリードと半田との接合力を容易に向上させることができるため、この半導体パッケージを回路基板に実装する際には、リードと回路基板のランド部との電気的な接続の信頼性の向上を容易に図ることができる。
【００２１】
また、請求項５に係る発明によれば、樹脂モールド部から露出するリードの側面にめっき面を形成することにより、リードと半田との接合力を向上させることができるため、この半導体パッケージを回路基板に実装する際には、リードと回路基板のランド部との電気的な接続の信頼性の向上を図ることができる。
さらに、請求項６に係るによれば、リードの表面が樹脂モールド部の下面と共に同一平面を形成しているため、半導体パッケージの薄型化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１から図３は、本発明の実施形態を示しており、この実施の形態に係る半導体パッケージの製造方法について、以下に説明する。
はじめに、薄板状の銅材等からなる金属板にプレス加工もしくはエッチング加工、あるいはこの両方の加工を施すことにより、図１に示すように、半導体チップ３を配置するためのステージ部５と、ステージ部５の周囲に配された複数のリード７と、これらリード７を連結するダムバー（リード連結部）９とを備えたリードフレーム１を形成する。
この際には、プレス加工もしくはエッチング加工によりリードフレーム１の厚さ方向に貫通する貫通孔１７が、各リード７に同時に形成されており、これら貫通孔１７は、リード７の配列方向に並べて配置されている。
【００２３】
次いで、ステージ部５の表面５ａに半導体チップ３を接着すると共に、金属製のボンディングワイヤにより、半導体チップ３の各パッドとリード７とを電気的に接続する。なお、リード７にボンディングワイヤをボンディングする位置は、貫通孔１７の形成位置からステージ部５側にずれた表面７ａとなっている。
そして、このリードフレーム１を所定の金型内に配置し、この金型内に溶融樹脂を射出することにより、図２に示すように、半導体チップ３、ステージ部５、ボンディングワイヤ１１、およびリード７のボンディング部分を一体的に固定する樹脂モールド部１３が形成される。
【００２４】
ここで、樹脂モールド部１３の下面１３ａは、各リード７の裏面（表面）７ｂと共に同一平面を形成している。また、樹脂モールド部１３の厚さ方向の側面は、後述するリード７の切断線Ａに位置している、すなわち、リード７の長手方向（ＣＤ方向）に関する貫通孔１７の長さ寸法が半分となる位置に形成されている。さらに、この樹脂モールド部１３は、貫通孔１７に樹脂が入り込まないように形成されている。
【００２５】
この樹脂モールド部１３の形成後に、各リード７のうち樹脂モールド部１３の外方に露出している表面７ａ、裏面７ｂ、および貫通孔１７の内壁面（表面）１７ａにめっきを施して、半田用のめっき膜１５を形成する。
最後に、各リード７のうち樹脂モールド部１３の側面から外方（Ｄ方向）に突出する突出部７ｃ、およびダムバー９を切断線Ａにおいて切り落とし、各リード７を互いに電気的に独立させて半導体パッケージの製造が終了する。
【００２６】
以上のように製造された半導体パッケージ３０は、図３に示すように、リード７が樹脂モールド部１３の側面１３ｂから突出しない、所謂ＱＦＮである。この半導体パッケージ３０において、外方に露出するリード７の厚さ方向の側面７ｄは、前述した切断線Ａにおいてリード７を切断して形成されるものである。この側面７ｄは、樹脂モールド部１３の側面１３ｂと同一平面を形成する切断面７ｅと、前述した貫通孔１７の内壁面１７ａの一部である窪み面（めっき面）７ｆとから構成されている。この窪み面７ｆには、めっき膜１５が形成されている。
【００２７】
この半導体パッケージ３０を回路基板２１に実装する際には、樹脂モールド部１３の下面１３ａを回路基板２１に対向させ、半田２５により各リード７と回路基板２１のランド部２３とを互いに電気的に接続する。この状態においては、半田２５がリード７の裏面７ｂおよび窪み面７ｆに接合する。
【００２８】
上記の半導体パッケージ３０の製造方法によれば、各リード７に貫通孔１７を備えたリードフレーム１を形成した後にめっきを施していたため、各リード７を切断線Ａにおいて切断した際には、リード７の側面の窪み面７ｆにめっき膜１５が形成された半導体パッケージ３０を容易に製造することができる。
そして、この半導体パッケージ３０によれば、リード７の裏面７ｂの他に、リード７の先端にあたる側面７ｄの窪み面７ｆにもめっき膜１５が形成されているため、ぬれ性が向上し、リード７に対する半田２５の付着面積が増加して、リード７と半田２５との接合力を向上させることができる。また、半導体パッケージ３０を回路基板２１に配置した状態では、窪み面７ｆに形成されためっき膜１５が外方及び上方に露出しているため、目視検査によるリード７と半田２５との接合状態の判定が容易となる。したがって、半導体パッケージ３０を回路基板２１に実装した際に、リード７とランド部２３との電気的な接続の信頼性の向上を図ることができる。
また、この半導体パッケージ３０によれば、リード７の裏面７ｂが樹脂モールド部１３の下面１３ａと共に同一平面を形成しているため、半導体パッケージ３０を回路基板２１に実装した状態において、回路基板２１の表面からの高さ寸法を低く設定することができる、すなわち、半導体パッケージ３０の薄型化を図ることができる。
【００２９】
なお、上記の実施の形態においては、リード７の切断面７ｅが、樹脂モールド部１３の側面１３ｂと同一平面に位置するように形成されるとしたが、これに限ることはなく、例えば、図４に示すように、側面１３ｂから外方に突出した位置に形成されるとしてもよい。この場合には、リード７の表面７ａが外方に露出するため、この表面７ａにもめっき膜１５が残る。したがって、半導体パッケージ３０を回路基板２１に実装した際には、半田２５をリード７の裏面７ｂ、窪み面７ｆおよび表面７ａに接合させることができるため、リード７とランド部２３との電気的な接続の信頼性の向上をさらに図ることができる。
【００３０】
ただし、この場合には、図５に示すように、貫通孔１７を樹脂モールド部１３の側面１３ｂから外方に離れた位置に形成する、もしくは、側面１３ｂから離れる方向に拡大して形成する必要がある。
また、リード７の切断位置は、リード７の長手方向に関する貫通孔１７の長さ寸法の半分としたが、これに限ることはなく、貫通孔１７を通過していればよい。
【００３１】
さらに、貫通孔１７は、各リード７に形成されるとしたが、これに限ることはなく、各リード７を連結するダムバー９に形成されるとしてもよい。
この場合には、例えば、図６に示すように、リードフレームの形成時に、貫通孔１８をリード６の配列方向に沿って、かつ、複数のリード６にわたって形成する。そして、貫通孔１８の内壁面（表面）１８ａを含むリード６およびダムバー９にめっきを施した後に、切断線Ｂにおいてダムバー９を切断する。以上により、図７に示すように、各リード６を互いに電気的に独立させた半導体パッケージ３１が製造される。
この半導体パッケージ３１では、リード６の厚さ方向の側面６ａは、めっき膜１５が形成され、リード６の先端にあたるめっき面６ｆと、このめっき面６ｆに隣接すると共に相互に隣接する他のリード６に対向する切断面６ｄとから構成されている。なお、このリード６の側面６ａに隣接する表面６ｂにもめっきが施されている。
この場合には、各リード７に貫通孔１７を形成する場合と比較して大きい貫通孔１８が形成されるため、リード６のめっき面６ｆの面積を容易に増加できる。このため、リード６に対する半田の付着面積の増加をさらに図り、リード６と半田との接合力を確実に向上できる。
【００３２】
また、ダムバー９に貫通孔１８を形成する場合には、貫通孔１８の形成時に、半導体パッケージ３１におけるリード６の先端部を予め形成するとしてもよい。すなわち、例えば、図８に示すように、リード６の長手方向（Ｅ方向）に向けて貫通孔１８側に突出する先端部６ｂを形成するとしてもよく、さらに、この先端部６ｂから突出する凸部６ｃを形成しておくとしてもよい。
なお、めっき面６ｆの面積を増加させる方法としては、凸部６ｃを形成することに限らず、例えば、先端部６ｂに凹部を形成するとしてもよい。
【００３３】
また、ダムバー９に、リード６の配列方向に沿って、かつ、複数のリード６にわたって１つの貫通孔１８を形成するとしたが、これに限ることはなく、少なくとも各リード６を互いに電気的に独立させる切断線が通過する位置に貫通孔が形成されていればよく、したがって、例えば、隣り合う各リード６の間を通過する切断線Ｂにそれぞれ貫通孔を形成するとしてもよい。
【００３４】
また、これら貫通孔は、リードフレームの形成時に同時に形成するとしたが、これに限ることはなく、リードフレームの形成時からめっきを施すまでの間に形成すればよい。すなわち、例えば、樹脂モールド部１３を形成する際に、金型により貫通孔を形成するとしてもよい。このような貫通孔を設ける場合には、めっき面の面積を増加させるだけでなく、各リードを互いに電気的に独立させるための切断面積を小さくするができ、半導体パッケージを容易に加工できるという効果も奏する。
【００３５】
さらに、リード６〜８の厚さ方向にわたってめっきを施しためっき面６ｆや窪み面７ｆ，８ｆが形成されるとしたが、これに限ることはなく、例えば、図９に示すように、リード１０の裏面（表面）１０ｂ側に位置するリード１０の側面１０ｄの一部が、めっきを施しためっき面１０ｆに形成されるとしてもよい。この構成の場合でも、半導体パッケージ３２を回路基板２１に実装した際には、半田２５をリード１０の裏面１０ｂに加えてめっき面１０ｆに接合させることができるため、リード１０とランド部２３との電気的な接続の信頼性の向上を図ることができる。
ただし、この場合には、リードフレームに貫通孔１７，１８を形成する代わりに、例えば、図１０に示すように、各リード１０を電気的に独立させる切断線Ａが位置するリードフレームの裏面１０ｂに、ハーフエッチングにより凹部１２を形成する必要がある。なお、この凹部１２の内壁面１２ａの一部が前述しためっき面１０ｆを形成することになる。
【００３６】
また、上述の半導体パッケージ３０〜３２はＱＦＮとしたが、半導体パッケージの薄型化を考慮しない場合には、これに限ることはなく、樹脂モールド部１３の外方に突出するリード８を備えたＱＦＰであってもよい。すなわち、例えば、図１１に示すように、リード８のうち、半田２５に接合する接合部８ａに貫通孔１７を形成して、貫通孔１７の内壁面１７ａにめっきを施し、切断線Ａにおいて切断する。これにより、図１２に示すように、接合部８ａの側面８ｄを構成する窪み面（めっき面）８ｆに半田２５を接合できるため、リード８とランド部２３との電気的な接続の信頼性の向上を図ることができる。
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の一実施形態に係るリードフレームを示す平面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る製造方法において、リードを切断する前の状態を示す拡大断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体パッケージを回路基板に搭載した状態を示しており、（ａ）は拡大断面図、（ｂ）は拡大平面図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係る半導体パッケージを回路基板に搭載した状態を示す拡大断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る製造方法において、リードを切断する前の状態を示す拡大断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る製造方法において、リード連結部を切断する前の状態を示す拡大平面図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る半導体パッケージの要部を示す拡大平面図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係る製造方法において、リード連結部を切断する前の状態を示す拡大平面図である。
【図９】本発明の他の実施形態に係る半導体パッケージの要部を示す拡大断面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態に係る製造方法において、リードを切断する前の状態を示す拡大断面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態に係る製造方法において、リードを切断する前の状態を示す拡大断面図である。
【図１２】本発明の他の実施形態に係る半導体パッケージを回路基板に搭載した状態を示す拡大断面図である。
【図１３】従来のリードフレームの一例を示す平面図である。
【図１４】従来の半導体パッケージの製造方法において、リードを切断する前の状態を示す拡大断面図である。
【図１５】この発明の他の実施形態に係る半導体パッケージを回路基板に搭載した状態を示す拡大断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１・・・リードフレーム、３・・・半導体チップ、５・・・ステージ部、６，７，８，１０・・・リード、６ａ，７ｄ，８ｄ，１０ｄ・・・側面、６ｄ，７ｅ・・・切断面、６ｆ，１０ｆ・・・めっき面、６ｂ，７ａ・・・表面、７ｂ，１０ｂ・・・裏面（表面）、７ｆ，８ｆ・・・窪み面（めっき面）、９・・・ダムバー（リード連結部）、１３・・・樹脂モールド部、１３ａ・・・下面、１７，１８・・・貫通孔、１７ａ，１８ａ・・・内壁面（表面）、３０，３１，３２・・・半導体パッケージ、Ａ，Ｂ・・・切断線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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