(57)【要約】【課題】半導体組立工程に際して、速硬化性と保存安定性が良好なダイボンディング用接着剤、及びダイアタッチフィルムとダイシングフィルムの機能を併せ持つフィルムをウエハーに常温もしくは温和な条件で貼付けを行うことの出来るダイアタッチフィルムを提供すること。【解決手段】（Ａ）１分子内にイミド環を２個以上有する化合物、（Ｂ）１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物、（Ｃ）１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物及び（Ｄ）テトラ置換ホスホニウム（Ｘ）と１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）から１個の水素を除いたフェノキシド型化合物である共役塩基との分子会合体、を含有してなるダイボンディング用接着剤。【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）１分子内にイミド環を２個以上有する化合物、（Ｂ）１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物、（Ｃ）１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物及び（Ｄ）テトラ置換ホスホニウム（Ｘ）と１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）から１個の水素を除いたフェノキシド型化合物である共役塩基との分子会合体、を含有してなることを特徴とするダイボンディング用接着剤。
【請求項２】
１分子内にイミド環を２個以上有する化合物がポリイミド樹脂である請求項１記載のダイボンディング用接着剤。
【請求項３】
１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）がジヒドロキシベンゼン類、トリヒドロキシベンゼン類、ビスフェノール類、ビフェノール類、ジヒドロキシナフタレン類、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂の中から選択される１種以上である請求項１又は２記載のダイボンディング用接着剤。
【請求項４】
テトラ置換ホスホニウム（Ｘ）がテトラフェニルホスホニウムである請求項１〜３いずれか記載のダイボンディング用接着剤。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか記載のダイボンディング用接着剤、及び光透過性基材からなり、多数の半導体素子が形成されたウエハー裏面に５０℃以下の低温で貼付けすることが可能であるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルム。
【請求項６】
（Ａ）請求項５記載のダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムでシリコンウェハー裏面とを５０℃以下で貼り合わせる工程、
（Ｂ）該シリコンウェハーをダイシングし個片ダイに切り離す工程、
（Ｃ）ダイシング後に接着剤層面に紫外線を照射して接着剤層の光透過性基材との接触界面を硬化させる工程、
（Ｄ）接着剤層を紫外線硬化させた後、裏面に接着剤層を残存させたダイを光透過性基材から剥離し取り出すピックアップ工程、
（Ｅ）該ダイを、リードフレームまたは基板に、接着剤を介して加熱接着する工程とを、含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜４いずれか記載のダイボンディング用接着剤により半導体素子とリードフレーム又は基板とを接着してなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明に属する技術分野】
本発明は、硬化性、保存性が良好でダイボンディング用接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。さらに詳しくは、硬化性、保存性が良好でシリコン、ガリウム、ヒ素などの半導体ウエハーを加工する際に使用するウエハー加工用のダイボンディング用接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。これらの半導体装置の製造方法としては、ケイ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体ウエハーに粘着シートを貼付し、ダイシングにより個々の半導体素子に切断分離した後、エキスパンディング、個片チップのピックアップを行い、次いで、半導体チップを金属リードフレームあるいはテープ基板または有機硬質基板にダイボンディングする半導体装置の組立工程へ移送される。
【０００３】
ピックアップされた半導体チップは、ダイボンディング工程において、液状エポキシ接着剤などのダイアタッチ材を介してリードフレームあるいは基板に接着され、半導体装置が製造されている。しかしながら、モバイル用などチップが小さい場合、適量の接着剤を塗布することが困難であり、チップから接着剤がはみ出したり、大容量用途向けの大きいチップの場合には、反対に接着剤量が不足するなど十分な接着力を有することができないという問題点があった。また、接着剤の塗布工程は繁雑でもあり、プロセスを簡略化するためにも、改善・改良が要求されている。
【０００４】
この問題の解決のため、液状ダイアタッチ材の代わりに、フィルム状接着剤をダイアタッチ材として使用することが提案され、一部では、既に使用されているが、ダイアタッチ材として速硬化性、保存性の向上が求められるようになってきている。従来、電子・電気分野向けエポキシ樹脂には硬化促進剤としてイミダゾール系化合物、アミン類などの化合物が使用されている。
【０００５】
これらの一般に使用される硬化促進剤は常温等の比較的低温においても硬化促進作用を示す場合が多い。このことはダイボンディング用接着剤の初期接着性の低下、硬化性のばらつき等製品の品質を低下させる原因となっている。
【０００６】
またフィルム状接着剤をウエハーに貼り付ける際加熱が必要でありウエハーの薄型化に伴いダイアタッチ材の貼り付け時にウエハーの反りや割れが生じるという問題が起きる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、速硬化性と保存安定性とを両立させたダイボンディング用接着剤であり、ダイアタッチフィルムとダイシングフィルムの機能を併せ持つフィルムをウエハーに常温もしくは温和な条件で貼付けを行うことの出来るダイアタッチフィルムを提供するための技術であり、耐チッピング特性、クラック特性に優れたダイシングシートとしての機能を有し、ダイマウント時には接着剤として使用することができ、しかも、厚みの均一性、接着強度、剪断強度特性に優れ、厳しい湿熱条件に耐える耐リフロー性に優れたダイアタッチフィルム並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
（１）（Ａ）１分子内にイミド環を２個以上有する化合物、（Ｂ）１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物、（Ｃ）１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物及び（Ｄ）テトラ置換ホスホニウム（Ｘ）と１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）から１個の水素を除いたフェノキシド型化合物である共役塩基との分子会合体、を含有してなるダイボンディング用接着剤、
（２）１分子内にイミド環を２個以上有する化合物がポリイミド樹脂である（１）記載のダイボンディング用接着剤、
（３）１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）がジヒドロキシベンゼン類、トリヒドロキシベンゼン類、ビスフェノール類、ビフェノール類、ジヒドロキシナフタレン類、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂の中から選択される１種以上である（１）又は（２）記載のダイボンディング用接着剤、
（４）テトラ置換ホスホニウム（Ｘ）がテトラフェニルホスホニウムである（１）〜（３）いずれか記載のダイボンディング用接着剤、
（５）（１）〜（４）いずれか記載のダイボンディング用接着剤、及び光透過性基材からなり、多数の半導体素子が形成されたウエハー裏面に５０℃以下の低温で貼付けすることが可能であるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルム、
（６）（Ａ）請求項５記載のダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムでシリコンウェハー裏面とを５０℃以下で貼り合わせる工程、
（Ｂ）該シリコンウェハーをダイシングし個片ダイに切り離す工程、
（Ｃ）ダイシング後に接着剤層面に紫外線を照射して接着剤層の光透過性基材との接触界面を硬化させる工程、
（Ｄ）接着剤層を紫外線硬化させた後、裏面に接着剤層を残存させたダイを光透過性基材から剥離し取り出すピックアップ工程、
（Ｅ）該ダイを、リードフレームまたは基板に、接着剤を介して加熱接着する工程とを、含んでなる半導体装置の製造方法、
（７）（１）〜（４）いずれか記載のダイボンディング用接着剤により半導体素子とリードフレーム又は基板とを接着してなる半導体装置、
である。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明に用いる１分子内にイミド環を２個以上有する化合物（Ａ）としてはポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂などを挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。
【００１０】
また前記ポリイミド樹脂としては、芳香族テトラカルボン酸二無水物と、一般式（１）で表されるジアミノポリシロキサンと、芳香族もしくは脂肪族ジアミンとを反応させて得られる一般式（２）で表されるポリイミド樹脂が、より好ましい。
【００１１】
【化１】
2004043695.tif 000002
【００１２】
【化２】
2004043695.tif 000003
【００１３】
（式（１）及び式（２）中、Ｒ１及びＲ２は炭素数１〜４で二価の脂肪族基もしくは芳香族基、Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５及びＲ６は一価の脂肪族基もしくは芳香族基、Ｒ７及びＲ８は四価の脂肪族基もしくは芳香族基、Ｒ９は二価の脂肪族もしくは芳香族基を表し、ｍ：ｎは５〜８０：９５〜２０である。ｋは、１〜５０の整数であり、式（１）、式（２）とも同じ整数を示す。）
【００１４】
また、前記ジアミノポリシロキサンは、好ましくは、一般式（１）中のｋとして、１〜９および／または１０〜５０の繰り返し単位を有するジアミノポリシロキサンである。
【００１５】
本発明に用いる芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、３，３，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、エチレングリコールビストリトメット酸二無水物、４，４’−（４，４’−イソプロピデンジフェノキシ）フタル酸二無水物などが挙げられる。上記の芳香族テトラカルボン酸二無水物は単独で用いてもよく二種類以上組み合わせてもよい。
【００１６】
本発明に用いる一般式（１）で表されるジアミノポリシロキサンとしては、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルシロキサンやα，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン等が挙げられる。中でも、一般式（１）において、ｋが１〜９及び／又は１０〜５０であることが好ましい。１〜９のものを用いれば密着性が向上し、１０〜５０のものを用いれば流動性が向上し、目的に応じて選択できるが、両者を併用すると、より好ましい。
【００１７】
本発明に用いる芳香族もしくは脂肪族ジアミンとしては、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、４，６−ジメチル−ｍ−フェニレンジアミン、２，５−ジメチル−ｐ−フェニレンジアミン、２，４−ジアミノメシチレン、４，４’−メチレンジ−ｏ−トルイジン、４，４’−メチレンジアミン−２，６−キシリジン、４，４’−メチレン−２，６−ジエチルアニリン、２，４−トルエンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノジフェニルプロパン、４，４’−ジアミノジフェニルエタン、３，３’−ジアミノジフェニルエタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフォン、４，４’−ジアミノジフェニルエ−テル、３，３’−ジアミノジフェニルエ−テル、ベンジジン、３，３’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメトキシベンジジン、ビス（ｐ−アミノシクロヘキシル）メタン、ビス（ｐ−β−アミノ−ｔ−ブチルフェニル）エ−テル、ビス（ｐ−β−メチル−δ−アミノペンチル）ベンゼン、ｐ−ビス（２−メチル−４−アミノペンチル）ベンゼン、１，５−ジアミノナフタレン、２，６−ジアミノナフタレン、２，４−ビス（β−アミノ−ｔ−ブチル）トルエン、２，４−ジアミノトルエン、ｍ−キシレン−２，５−ジアミン、ｐ−キシレン−２，５−ジアミン、ｍ−キシリレンジアミン、ｐ−キシリレンジアミン、２，６−ジアミノピリジン、２，５−ジアミノピリジン、２，５−ジアミノ−１，３，４−オキサジアゾ−ル、１，４−ジアミノシクロヘキサン、ピペラジン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、２，５−ジメチルヘキサメチレンジアミン、３−メトキシヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、２，５−ジメチルヘプタメチレンジアミン、３−メチルヘプタメチレンジアミン、４，４−ジメチルヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、５−メチルノナメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、ビス−４−（４−アミノフェノキシ）フェニルスルフォン、ビス−４−（３−アミノフェノキシ）フェニルスルフォンなどを挙げることができる。上記のジアミンは、単独で用いても良く、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１８】
通常、ポリイミド樹脂を合成する際に、使用される溶剤は、Ｎ−メチルピロリドンのような、非常に沸点の高い溶剤であるため、従来、半導体装置の製造で使用することは困難である。しかし、本発明で用いるポリイミド樹脂の溶媒として、アニソールなど低沸点溶媒を用いることで、フィルム加工時の乾燥温度を低く設定できる。
【００１９】
本発明において、一般式（２）で表されるポリイミド樹脂のように、シリコーン変性されたポリイミド樹脂が、より好ましいが、アニソールなど低沸点溶媒に可溶であることが、更に好ましく、シリコーン変性の割合としては、溶媒への溶解性やフィルム特性から、一般式（２）におけるｍとｎの割合が、５〜８０：９５〜２０であることが好ましい。
【００２０】
本発明に用いられる１分子内に２個以上のエポキシ基を有する化合物（Ｂ）は、モノマー、オリゴマー、及びポリマー全般を言う。例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。
【００２１】
これらのエポキシ樹脂の内では、融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂が好ましい。このような結晶性エポキシ樹脂は、ビフェニル骨格、ビスフェノール骨格、スチルベン骨格等の剛直な構造を主鎖に有し、比較的低分子であるために結晶性を示すものである。結晶性エポキシ樹脂は、常温では結晶化している固体であるが、融点以上の温度域では急速に融解して低粘度の液状に変化するものである。結晶性エポキシ樹脂の融点は、示差走査熱量計を用いて、常温から昇温速度５℃／分で昇温した結晶融解の吸熱ピークの頂点の温度を示す。
【００２２】
イミド環を有する樹脂１００重量部に対して１分子内に２個以上のエポキシ基を有する化合物は、通常１０〜１００重量部、好ましくは３０〜７０重量部である。
【００２３】
本発明に用いる１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｃ）は、１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ｂ）の硬化剤として作用するものである。具体的には、フェノール類とアルデヒド類又はケトン類の共縮反応物であるフェノール樹脂やビスフェノール類、フェノール類とジメトキシパラキシレン等の共縮反応物であるフェニレン又はジフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂が含まれ、単核のレゾルシン、カテコール等も硬化反応を生じるならば使用できるが、「フェノール」の定義が一般に芳香環に結合する水素原子が水酸基で置換された化合物であることから、ナフトール等の縮合多環芳香族由来の水酸基含有化合物とカルボニル化合物の共縮反応物なども含まれる。これらのフェノール樹脂の内では、分子内の水酸基が少ないために硬化物の吸水率が小さく、分子が適度の屈曲性を有するために硬化反応における反応性も良く、又、低粘度化も可能であることから、特にフェノールアラルキル樹脂が好ましい。本発明の１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ｂ）と、硬化剤として作用する１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｃ）との比率は、エポキシ基１モルに対し、フェノール性水酸基を０．５〜２モル、好ましくは、０．８〜１．２程度のモル比となるように調整することにより硬化性、硬化物の耐熱性、電気特性等がより良好となる。
【００２４】
本発明に用いる分子会合体（Ｄ）は、テトラ置換ホスホニウム（Ｘ）と１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）の共役塩基との分子会合体（Ｄ）であって、該共役塩基が前記フェノール性水酸基を１分子内に２個以上有する化合物（Ｙ）から１個の水素を除いたフェノキシド型化合物である。
【００２５】
その構成成分の一つであるテトラ置換ホスホニウム（Ｘ）の置換基については何ら限定されず、置換基は互いに同一であっても異なっていてもよい。例えば、置換又は無置換のアリール基やアルキル基を置換基に有するテトラ置換ホスホニウムイオンが、熱や加水分解に対して安定であり好ましい。具体的には、テトラフェニルホスホニウム、テトラトリルホスホニウム、テトラエチルフェニルホスホニウム、テトラメトキシフェニルホスホニウム、テトラナフチルホスホニウム、テトラベンジルホスホニウム、エチルトリフェニルホスホニウム、ｎ−ブチルトリフェニルホスホニウム、２−ヒドロキシエチルトリフェニルホスホニウム、トリメチルフェニルホスホニウム、メチルジエチルフェニルホスホニウム、メチルジアリルフェニルホスホニウム、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム等を例示できる。
【００２６】
本発明の分子会合体（Ｄ）の構成成分である、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）としては、例えば、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノール及び、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタン及びこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）・製、ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。
更に、他の構成成分である共役塩基は、上記の化合物（Ｙ）から１個の水素を除いたフェノキシド型化合物である。
本発明の分子会合体（Ｄ）は、前述のようにホスホニウム−フェノキシド型の塩を構造中に有するが、従来の技術におけるホスホニウム−有機酸アニオン塩型の化合物と異なる点は、本発明の分子会合体（Ｄ）では水素結合による高次構造がイオン結合を取り囲んでいる点である。従来の技術における塩では、イオン結合の強さのみにより反応性を制御しているのに対し、本発明の分子会合体（Ｄ）では、常温ではアニオンの高次構造による囲い込みが活性点の保護を行う一方、成形の段階においては、この高次構造が崩れることで活性点がむき出しになり、反応性を発現する、いわゆる潜伏性が付与されている。
又、硬化促進剤として作用する、分子会合体（Ｄ）は、前述の化合物（Ｂ）、化合物（Ｃ）の合計重量１００重量部に対して、０．５〜２０重量部程度が硬化性、保存性、他特性のバランスがよく好適である。
【００２７】
本発明は接着剤層（粘接着層）、光透過性基材からなるダイシング機能付きダイアタッチフィルムであり、粘接着層は２５℃においてもタック性を有し５０℃以下の低温でウエハーを貼り付けることを特徴とする。
【００２８】
本発明に用いられる光透過性基材の膜厚は、２０〜２００μｍであることが好ましく、特に好ましくは２５〜１５０μｍである。
【００２９】
本発明に用いる光透過性基材としては、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、等があげられるが、３０〜７０重量部、好ましくは４０〜６０重量部のポリプロピレン樹脂と７０〜３０重量部、好ましくは６０〜４０重量部のポリスチレンブロックとビニルイソプレンブロックからなる共重合体との混合物であることが好ましい。
【００３０】
本発明において、粘接着層に用いる粘接着剤は、未硬化時に十分な粘接着性を有し、３７０ｎｍ以下の紫外線を照射することにより硬化する成分を含み、紫外線照射され硬化した粘接着層と被接着物との界面において粘着性を持たなくなるという特徴を有することが好ましい。
【００３１】
粘接着層は３７０ｎｍ以下の紫外光の吸収率が６０％以上であることが好ましく、紫外光照射された面のみ硬化が進行する。吸収率は、より好ましくは７０％以上であり、更に好ましくは８０％以上である。
【００３２】
また、粘接着剤には、更に紫外線硬化型粘着成分を含むことが好ましい。
【００３３】
本発明に用いる紫外線硬化型接着成分としては、アクリル系化合物（Ｅ−１）が好ましく、例えば、アクリル酸もしくはメタクリル酸エステルモノマーやアクリル酸もしくはメタクリル酸誘導体の共重合体などが挙げられる。
アクリル酸またはメタクリル酸エステルとしては、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル等のアルキルエステル、ベンジルエステル、シクロアルキルエステル、ジアクリル酸エチレングリコール、ジメタクリ酸エチレングリコール、ジアクリル酸１，６−ヘキサンジオール、ジメタクリル酸１，６−ヘキサンジオール、ジアクリル酸グリセリン、ジメタクリル酸グリセリン、ジアクリル酸１，１０−デカンジオール、ジメタクリル酸１，１０−デカンジオール等の２官能アクリレート、トリアクリル酸トリメチロールプロパン、トリメタクリル酸トリメチロールプロパン、トリアクリ酸ペンタエリスリトール、トリメタクリ酸ペンタエリスリトール、ヘキサアクリル酸ジペンタエリスリトール、ヘキサメタクリル酸ジペンタエリスリトール等の多官能アクリレートなどが挙げられる。これらの内、アルキルエステルが好ましく、特に好ましくはエステル部位の炭素数が１〜１５のアクリル酸、メタクリル酸アルキルエステルである。
【００３４】
本発明に用いるモノマー以外のアクリル系化合物（Ｅ−１）の分子量は、好ましくは８万以上であり、特に好ましくは１５万〜５０万である。また、アクリル系化合物のガラス転移温度は、通常３０℃以下、好ましくは−５０〜０℃程度であり、室温近辺の温度領域で粘着性を示す化合物が良い。
【００３５】
本発明に用いるアクリル酸又はメタクリル酸誘導体を構成単位とする共重合体としては、少なくとも１種類のアクリル酸またはメタクリル酸アルキルエステルと、ビスフェノールＡ型（メタ）アクリル酸エステルとの共重合体が好ましい。また、２官能ジ（メタ）アクリル酸エステルと（メタ）アクリル酸グリシジルとの組み合わせも好ましい。
【００３６】
イミド環を有する樹脂１００重量部に対して、アクリル酸またはメタクリル酸エステルから誘導される成分単位の含有量は、通常２０〜５５重量部、好ましくは３０〜４０重量部である。またアクリル酸およびメタクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル等が挙げられる。２０重量部未満であると粘着力に乏しくなり５５重量部を超えると保護フィルムとの密着力が必要以上となる。
【００３７】
また、分子内にヒドロキシ基などの水酸基を有する紫外線硬化型樹脂のアクリル酸又はメタクリル酸エステルを導入することで被着体との密着性や粘接着剤の特性を容易に制御することができる。
【００３８】
紫外線硬化粘着成分には、更に、光重合開始剤（Ｅ−２）を混在させることにより、紫外線照射時の硬化時間および光線照射量を減らすことができる。また、基材から剥離し、ダイアタッチフィルムとして使用するためにも、重要な成分である。
【００３９】
このような光重合開始剤（Ｅ−２）としては、具体的にはベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾインメチルエーテル、ベンジルフィニルサルファイド、ベンジル、ジベンジル、ジアセチルなどが挙げられる。
【００４０】
本発明で用いられる紫外線硬化型粘着成分は、好ましくは上記成分（Ｅ−１）〜（Ｅ−２）からなり、それらの配合比は各成分の特性に応じて、適宜に設定されるが、一般的には成分（Ｅ−１）１００重量部に対して、成分（Ｅ−２）は好ましくは３〜３０重量部、より好ましくは５〜１５重量部程度で用いることが好ましい。３重量部未満であると光開始剤の効果が弱く３０重量部を超えると反応性が高くなり保存性が悪くなる。
【００４１】
本発明の粘接着層には、フィラーを含有していてもよくそのフィラーの平均粒径は０．１〜２５μｍであることが好ましい。平均粒径が０．１μｍ未満であるとフィラー添加の効果が少なく、２５μｍを超えるとフィルムとしての接着力の低下をもたらす可能性がある。
【００４２】
本発明の粘接着層に用いるフィラーとしては、銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等が好ましい。
【００４３】
フィラーの含有量は０％〜３０重量％が好ましく、３０％を超えるとフィルムとしてもろくなり接着性が低下する。
【００４４】
本発明のダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムの製造方法としては、先ず離型シート上に、上記成分からなる粘接着剤樹脂組成物をワニス状で、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーターなど、一般に周知の方法に従って、塗工し、乾燥させて粘接着剤層を形成する。その後離型シートを除去することによって粘接着剤フィルムとし、これに光透過性基材に積層し、更に接着剤フィルムに保護フィルムを積層して保護フィルム、粘接着層、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムを得ることができる。
又は、離型シート上に形成された粘接着剤層に、光透過性基材に積層して、保護フィルム（離型シート）、粘接着層、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムを得ることができる。
【００４５】
または、光透過性基材上に、直接、粘接着剤組成物を同様の方法で塗工し、乾燥させて、接着剤フィルムに保護フィルムを積層して保護フィルム、粘接着層、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムに得ることができる。
【００４６】
このようにして形成される粘接着層の厚さは、好ましくは３〜１００μｍで、１０〜７５μｍであることがより好ましい。厚さが３μｍ未満であると粘接着剤としての効果が少なくなり、１００μｍを超えると製品の作成上難しく厚み精度が悪くなる。
【００４７】
本発明の半導体装置の製造方法は、まず、シリコンウエハーの裏面に本発明のダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムの粘接着層を室温あるいは温和な条件で貼付した後、ダイアタッチフィルム付きシリコンウエハーを、ダイアタッチフィルムをダイシングフィルムとして介してダイシング装置上に固定し、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、上記のダイアタッチフィルム付きシリコンウエハーを、個片単位に切断して個片ダイとした半導体チップを得る。
【００４８】
続いて、上記のようにして得られた半導体チップに貼付したダイアタッチフィルムの光透過性基材面に、紫外線（中心波長＝約３６５ｎｍ）を照射する。通常、照度は２０〜５００ｍＪ／ｃｍ２、さらに照射時間は、５〜６００秒の範囲内に設定される。上記の紫外線照射の場合準じて諸条件を設定することができる。
【００４９】
次いで、ダイアタッチフィルムを半導体チップの裏面に固着残存させたままで、光透過性基材のみを剥離する。
【００５０】
このようにして、ダイアタッチフィルムの粘接着層が固着されている半導体チップを、そのまま金属リードフレームや基板に、粘接着層を介して、加熱・圧着することで、ダイボンディングすることができる。加熱・圧着の条件として、通常は、１００〜３００℃の加熱温度、１〜１０秒の圧着時間であり、好ましくは１００〜２００℃の加熱、１〜５秒の圧着時間である。つづいて、加熱にすることにより、ダイアタッチフィルム中のエポキシ樹脂を硬化させ、半導体チップとリードフレームや基板等とを、強固に接着させた半導体装置を得ることができる。この場合の加熱温度は、通常は１００〜３００℃程度、好ましくは１５０〜２５０℃程度であり、加熱時間は通常は１〜２４０分間、好ましくは１０〜６０分間である。
【００５１】
最終的に硬化したダイアタッチフィルムは、高い耐熱性を有するとともに、該ダイアタッチフィルム中に含まれる熱硬化に関与しないイミド環を有する樹脂成分、例えば、耐熱性の高いポリイミド樹脂の硬化物は、脆質性が低く、優れた剪断強度と高い耐衝撃性、耐熱性を有する。
【００５２】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００５３】
（Ａ）イミド環を含む樹脂成分
（Ｃ−１）シリコーン変性ポリイミド樹脂、詳しくは、ジアミン成分として２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（０．１５モル）とα，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（平均分子量８３７）（０．１５モル）に対して、酸成分に４，４’−オキシジフタル酸二無水物（０．１５モル）３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を用いたアニソールに可溶なポリイミド樹脂を得た。分子量はＭｗ＝５００００である。
【００５４】
（Ｂ）エポキシ基を含む樹脂成分
〔（Ｂ−１）エポキシ樹脂〕
（Ｂ−１−１）クレゾールノボラックエポキシ樹脂（商品名：ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量：２００ｇ／ｅｑ、メーカー：日本化薬（株））
（Ｃ）フェノール性水酸基を含む樹脂成分
フェノールアラルキル樹脂（商品名：ＸＬ−２２５−ＬＬ、メーカー：三井化学）
（Ｄ）分子会合体成分
（Ｄ−１）テトラ置換ホスホニウム（Ｘ）がテトラフェニルホスホニウム、化合物（Ｙ）が４，４’−スルホニルジフェノール
（Ｄ−２）テトラ置換ホスホニウム（Ｘ）がテトラフェニルホスホニウム、化合物（Ｙ）がビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン
（Ｅ）紫外線硬化型粘着成分
〔（Ｅ−１）（メタ）アクリル酸エステルモノマー〕１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート（メーカー：共栄社化学（株））
〔（Ｅ−２）光重合開始剤〕２，２−ジメトキシキ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン（メーカー：チバガイギ（株））
（Ｆ）フィラー
（Ｆ−１）シリカフィラーＳＰ−４Ｂ（平均粒径４μｍ）（メーカー：扶桑化学（株）　）
（Ｇ）イミダゾール
（Ｇ−１）イミダゾール化合物（商品名：１Ｂ２ＭＺ、メーカー：四国化成）
【００５５】
光透過性基材
ハイブラ６０重量部ポリプロピレン４０重量部からなるクリアテックＣＴ−Ｈ８１７（クラレ製）を、押し出し機で、厚み１００μｍのフィルムを形成した。
【００５６】
《実施例１》
表１に記載の割合で各成分を調合し、粘接着剤組成物を得た。この粘接着剤組成物を、ポリエチレンテレフタレート基材１００μｍに塗布し、乾燥し粘接着剤フィルムを得た。この粘接着剤フィルムに、光透過性基材を合わせてラミネートすることで保護フィルム（ポリエチレンテレフタレート基材）、粘接着層、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムを作製した。
このダイアタッチフィルムの保護フィルムを剥離した後、粘接着層面に半導体ウエハーを貼り付け、固定保持しダイシングソーを用いて、スピンドル回転数５０，０００ｒｐｍ、カッティングスピード５０ｍｍ／ｓｅｃで、５×５ｍｍ角のチップサイズにカットした。次いで、紫外線を２０秒で２５０ｍＪ／ｃｍ２の積算光量を照射後ダイアタッチフィルムの残着した半導体チップから、光透過性基材を剥離し、次いで、半導体チップを粘接着層を介して、４２−アロイ合金のリードフレームに、１８０℃−１ＭＰａ−１．０ｓｅｃの条件で圧着して、ダイボンディングし、ダイシングシート及びダイアタッチフィルムとしての各項目の評価を行った。結果を表２、３に示す。
【００５７】
《実施例２》
粘接着剤成分の配合割合を表１のように変更した以外は、実施例１と同様の操作を行った。
【００５８】
《比較例１》
粘接着剤成分の配合割合を、表１のように変更した以外は実施例１と同様の操作を行った。
【００５９】
【表１】
2004043695.tif 000004
【００６０】
【表２】
2004043695.tif 000005
【００６１】
【表３】
2004043695.tif 000006
【００６２】
実施例および比較例の評価は、以下の評価方法を用いた。
（１）硬化特性評価
１）硬化発熱残存量（保存性評価）
フィルムサンプルを用いて作成直後ＵＶを３００ｍＪ／ｃｍ２照射後の初期硬化発熱量、及び４０℃で４日間保存処理した後の硬化発熱量を測定し、初期硬化発熱量（ｍＪ／ｍｇ）に対する保存処理後の硬化発熱量（ｍＪ／ｍｇ）の百分率を計算した。単位は％。この値が１００％に近いほど保存性が高い。
２）硬化開始温度と硬化ピーク温度（速硬化性評価）
同様に発熱量を測定し発熱反応ピークが立ち上がる部分を硬化開始温度としピークトップを硬化ピーク温度とした。この差が小さいほど速硬化性が高い。硬化特性の評価は示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて測定した。
（２）　ダイシング後のチップの飛散
半導体ウェハーをダイシングした後に、粘着が弱いためにダイアタッチフィルム上から剥離する半導体チップの個数を計測することにより評価した。（３）チッピング特性
○：チップのかけの幅が最大で３０μｍ以下のもの。
△：チップのかけの幅が最大で３０〜５０μｍのもの。
×：チップのかけの幅が最大で５０μｍ以上のもの。
（４）　ピックアップ性
半導体ウェハーのダイシング後に紫外線照射し、ダイアタッチフィルム付き半導体チップを光透過性基材から取り上げること（ピックアップ）ができるかを評価した。
○：ほぼ全てのチップがピックアップ可能なもの
△：ダイシングしたチップの５０〜９０％がピックアップ可能なもの
×：ピックアップが５０％以下のもの
（５）　ダイアタッチフィルムとしての初期接着性
ダイアタッチフィルム付き半導体チップを４２−アロイ合金のリードフレームに１８０℃−１ＭＰａ−１．０ｓｅｃの条件でダイボンディングし、そのまま未処理の状態でチップとリードフレームとの剪断強度を測定し評価した。
（６）　吸湿後の接着性
上記（３）でダイボンディングした測定サンプルを８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、チップとリードフレームとの剪断強度を測定し評価した。
○：剪断強度が１ＭＰａ以上
△：剪断強度が０．５〜１．０ＭＰａ
×：剪断強度が０．５ＭＰａ未満
（７）ＵＶ吸収率
ＵＶ吸収率の測定方法は、紫外光吸収率として、２００ｎｍから３７５ｎｍの紫外光を粘接着層にあて、吸光度計により、その吸収率を測定した。
【００６３】
【発明の効果】
本発明によれば、速硬化性と保存安定性に優れるダイボンディング用接着剤が得られ、厚みの均一性、接着強度、剪断強度特性に優れ、ウエハーを温和な条件で貼付を行いダイシング時にはダイシングフィルムとして耐チッピング特性、クラック特性に優れたダイシングシートとしての機能を提供できる。また、これを用いた半導体装置は、これまでの液状エポキシ系のダイアタッチ材と同等または、それ以上の耐衝撃性、耐熱性を有する。