(57)【要約】【課題】  プラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタと、その製造方法を提供する。【解決手段】  電解メッキのシード層の役割を行える金属板を含む基板を備えてその上面にメッシュ状パターンのメッキ層を形成し、メッキ層の上面に粘着性の高分子フィルムを付着し、基板から高分子フィルムを分離して高分子フィルムの下面にメッキ層が付着されて完成されるプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタ。プラズマディスプレイパネルの駆動中に発生する電磁気波を遮蔽するために設置される電磁波遮蔽層がメッシュ状パターンをなし、メッシュ状パターンは電解メッキ用金属板上でメッキによって形成されることによって、製造工程が単純化されて製造コストが下がる。【選択図】  図３
2004326108.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メッキ用金属板を備える段階と、
前記金属板の上面にメッシュ状パターンと対応する形状を有する絶縁体層を形成する段階と、
前記絶縁体層が形成されていないメッキ用金属板の残りの表面にメッキ層を形成する段階と、
前記絶縁体層とメッキ層とが形成された金属板上に粘着性の高分子フィルムを整列する段階と、
前記絶縁体層及びメッキ層の上面に高分子フィルムを付着する段階と、
前記金属板から高分子フィルムを分離して前記高分子フィルムの下面にメッシュ状パターンを有するメッキ層を付着する段階と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタの製造方法。
【請求項２】
前記金属板を備える段階では、
前記金属板は電解メッキのシード層の役割を行えるようにＳＵＳ、チタン合金、ニッケル合金、銅合金、鉄合金のうち選択されたいずれか一つの合金を利用することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタの製造方法。
【請求項３】
前記絶縁体層を形成する段階では、
前記絶縁体層は酸化物を利用してコーティングすることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタの製造方法。
【請求項４】
前記メッキ層を形成する段階では、
前記メッキ層は銅及び銀のうちいずれか一つであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタの製造方法。
【請求項５】
前記高分子フィルムを付着する段階では、
ＰＥＴよりなる高分子フィルムを付着することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタの製造方法。
【請求項６】
前記金属板から高分子フィルムを分離する段階では、
金属板に対して絶縁体層よりも相対的に結合力が弱いメッキ層のみ前記金属板から分離することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタの製造方法。
【請求項７】
メッキ用金属板を備える段階と、
前記金属板の上面にメッシュ状パターンと対応する形状を有するフォトレジスト層を形成する段階と、
前記フォトレジスト層が形成されていない金属板の残りの表面にメッキ層を形成する段階と、
前記金属板からフォトレジスト層を除去する段階と、
前記メッキ層が形成された金属板上に粘着性の高分子フィルムを整列する段階と、
前記メッキ層の上面に高分子フィルムを付着する段階と、
前記金属板から高分子フィルムを分離して前記高分子フィルムの下面にメッシュ状パターンを有するメッキ層を付着する段階と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタの製造方法。
【請求項８】
前記金属板を備える段階では、
前記金属板は電解メッキのシード層の役割を行えるようにＳＵＳ、チタン合金、ニッケル合金、銅合金、鉄合金のうちいずれか一つの合金を利用することを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタの製造方法。
【請求項９】
基板を備える段階と、
前記基板の上面に金属薄板を付着する段階と、
前記金属薄板の上面にメッシュ状パターンと対応する形状を有するフォトレジスト層を形成する段階と、
前記フォトレジスト層が形成されていない金属板の残りの表面にメッキ層を形成する段階と、
前記金属薄板からフォトレジスト層を除去する段階と、
前記メッキ層が形成された金属薄板上に粘着性の高分子フィルムを整列する段階と、
前記メッキ層の上面に高分子フィルムを付着する段階と、
前記薄板から高分子フィルムを分離して前記高分子フィルムの下面にメッシュ状パターンを有するメッキ層を付着する段階と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタの製造方法。
【請求項１０】
前記金属薄板を備える段階では、
前記金属板は電解メッキのシード層の役割を行えるようにＳＵＳ、チタン合金、ニッケル合金、銅合金、鉄合金のうちいずれか一つの合金を利用することを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタの製造方法。
【請求項１１】
前記メッキ層を形成する段階では、
前記メッキ層は銅及び銀のうちいずれか一つであることを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタの製造方法。
【請求項１２】
前記メッキ層を形成した後にはコントラストを向上させるために前記メッキ層の表面を黒化処理する段階をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタの製造方法。
【請求項１３】
前記高分子フィルムを付着する段階では、
ＰＥＴよりなる高分子フィルムを付着することを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタの製造方法。
【請求項１４】
前記薄板から高分子フィルムを分離する段階では、
粘着性を有する高分子フィルムに対するメッキ層の結合力が前記基板または金属薄板に対するメッキ層の結合力よりも大きいことを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタの製造方法。
【請求項１５】
基板を備えてその上面にメッシュ状パターンのメッキ層を形成し、メッキ層の上面に粘着性の高分子フィルムを付着し、前記基板から高分子フィルムを分離して前記高分子フィルムの下面にメッキ層を付着して完成されるプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタ。
【請求項１６】
前記基板は電解メッキのシード層の役割を行える金属板であることを特徴とする請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタ。
【請求項１７】
前記金属板はＳＵＳ、チタン合金、ニッケル合金、銅合金、鉄合金のうちいずれか一つであることを特徴とする請求項１６に記載のプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタ。
【請求項１８】
前記メッキ層は銅または銀であることを特徴とする請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタ。
【請求項１９】
前記メッキ層の表面は黒化処理されたことを特徴とする請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタ。
【請求項２０】
前記高分子フィルムはＰＥＴフィルムであることを特徴とする請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタ。
【請求項２１】
前記メッキ層の上面にはメッシュ間の空隙を埋め込むためにアクリル系固形分を含む透明層がさらに形成されたことを特徴とする請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタ。
【請求項２２】
前記透明層はアクリレートまたはブチルカルビトールであることを特徴とする請求項２１に記載のプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタ。
【請求項２３】
前記透明層には１０％以下の粘着剤が介在されたことを特徴とする請求項２２に記載のプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電磁波遮蔽フィルタに係り、より詳細にはプラズマディスプレイパネルから放出される電磁波を効果的に遮蔽できるように基板上に設置されるメッシュ層の構造及び製造方法が改善されたプラズマディスプレイパネル用電磁波遮蔽フィルタと、その製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰ）は、複数の電極が形成された両回路基板上に放電ガスを封じ込めた後、放電電圧を印加し、放電電圧によって対向する両電極間に気体が発光すれば適切なパルス電圧を印加して両電極が交差する地点にアドレッシングして所望の数字、文字またはグラフを具現する平面表示装置である。
【０００３】
このようなＰＤＰは放電セルに印加する駆動電圧の形式、例えば放電形式によって直流型と交流型とに分類でき、電極の構成形態によって対向放電型と面放電型とに分類できる。
【０００４】
図１は、通常的なＰＤＰ１０を図示した図面である。
【０００５】
図面を参照すれば、前記ＰＤＰ１０はパネル組立体１１と、前記パネル組立体１１の背面に設置される回路基板１２と、前記パネル組立体１１の前方に配置されるフィルタ組立体１３と、前記パネル組立体１１、回路基板１２、及びフィルタ組立体１３が収容されるケース１４と、を含んでいる。
【０００６】
前記ＰＤＰ１０を駆動させれば、電磁波、赤外線、約５９０ｎｍ領域でのネオン発光などが放射される。この時、電磁波は、人体に対する有害性を防止するために遮断せねばならず、赤外線領域の光はリモコンなどの携帯用電子機器間の誤作動を誘発するために遮断する必要がある。また、５９０ｎｍ領域でのネオン発光は画質の向上のために遮断する必要があり、外光の反射による視認性低下を防止するためにＡＲ処理も必要である。
【０００７】
前記フィルタ組立体１３は前述した現象を解決するために設置されるものであって、ガラスまたはプラスチック基板１５と、前記基板１５の前面に付着されるＡＲフィルム１６と、前記基板１５の背面に形成される電磁波遮蔽層１７と、前記電磁波遮蔽層１７の背面に付着される選択波長吸収フィルム１８と、を含んでいる。
【０００８】
このようなフィルタ組立体１３は透明な基板１５を備え、一面に導電膜や金属メッシュからなる電磁波遮蔽層１７を形成し、ＡＲフィルム１６と選択波長吸収フィルム１８とをそれぞれ付着する方式で製造される。帯電した電磁波遮蔽層１７は導電ライン１９を通じてケース１４内のシャーシ部分に連結されて接地される。
【０００９】
このうち、ＰＤＰ１０の駆動中にプラズマ発光及び回路によって生成される電磁波を遮蔽するために形成される電磁波遮蔽層１７は金属薄板をエッチングする方式によって形成されている。
【００１０】
図２を参照すれば、透明な基板２１の上面には金属薄板２２が位置している。前記金属薄板２２は粘着剤２３によって基板２１上に付着されており、ブラック効果を得るため黒化処理されている。前記金属薄板２２はメッシュ状のパターンを持つマスクを用いて所定のメッシュパターンに形成されている。このようなメッシュパターンはエッチング方式によりなされる。メッシュ間の空隙には紫外線硬化剤を利用して透明化処理を施しうる。代案としては、メッシュ状繊維に金属膜をコーティングして設置することもある。
【００１１】
このような電磁波遮蔽層を有するＰＤＰは、特許文献１ないし５に開示されている。
【００１２】
特許文献１及び２には紫外線硬化剤を利用してメッシュ間の空隙を埋め込んで透明化処理を施す技術が開示されており、特許文献３には無電解メッキ法でメッシュを約０．１μｍ程度の厚さを有するように製造し、粘着剤をその上面にコーティングしてメッシュ間の空間を埋め込む方法が開示されており、特許文献４及び５にはメッシュの両側に粘着剤物質が存在し、メッシュを接着する物質としてエチレン−ビニルアセテートコポリマーが開示されている。
【００１３】
ところで、前述した電磁波遮蔽層を有するＰＤＰは次のような問題点を有している。
【００１４】
第１に、エッチング方式で形成された電磁波遮蔽層はエッチング時に粘着剤の一部が透明な基板の表面から剥離されるか、溶けてくっつく現象が発生して工程収率が低く、これによって製造コストが上昇してしまう。
【００１５】
第２に、メッシュ状パターンを有する金属薄膜は粘着剤によって付着されているが、単純な粘着剤の付着だけでは粘着剤の不均一なコーティングによって透明度が悪くなる恐れがある。また、粘着剤内の溶剤などを十分に除去しなければコーティングの均一度を確保し難く、粘着剤に対する金属薄膜の湿潤性が十分でなければ気泡または発生したガスによる気泡を抑制できない。
【００１６】
第３に、メッシュ内部には空隙が存在するが、これによって電磁波遮蔽層のいかなる角度から見ても可視光領域の光でヘーズ現象が発生して透明度が確保されない。これにより、メッシュ間の空隙を埋め込む透明化処理が必要である。このために紫外線硬化剤を塗布した後に硬化させるが、このような一連の製造工程は複雑であるといえる。
【特許文献１】特開９９−１６７３５０号公報
【特許文献２】特開２００２−６２８１４号公報
【特許文献３】米国特許第６，２２９，０８５号明細書
【特許文献４】米国特許第６，０９０，４７３号明細書
【特許文献５】米国特許第６，２６２，３６４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は前記問題点を解決するためのものであって、パネル組立体から発生する電磁波を遮断するために基板上に形成される電磁波遮蔽層の構造とこれによる製造方法が改善されたＰＤＰ用電磁波遮蔽フィルタと、その製造方法を提供するところにその目的がある。
【００１８】
本発明の他の目的は、メッシュ状電磁波遮蔽層の透明度を向上させるように構造が改善されたＰＤＰ用電磁波遮蔽フィルタと、その製造方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
前記目的を達成するために本発明の一側面によるＰＤＰ用電磁波遮蔽フィルタの製造方法は、メッキ用金属板を備える段階と、前記金属板の上面にメッシュ状パターンと対応する形状を有する絶縁体層を形成する段階と、前記絶縁体層が形成されていないメッキ用金属板の残りの表面にメッキ層を形成する段階と、前記絶縁体層とメッキ層とが形成された金属板上に粘着性の高分子フィルムを整列する段階と、前記絶縁体層及びメッキ層の上面に高分子フィルムを付着する段階と、前記金属板から高分子フィルムを分離して前記高分子フィルムの下面にメッシュ状パターンを有するメッキ層を付着する段階と、を含むことを特徴とする。
【００２０】
本発明の他の側面によるＰＤＰ用電磁波遮蔽フィルタの製造方法は、メッキ用金属板を備える段階と、前記金属板の上面にメッシュ状パターンと対応する形状を有するフォトレジスト層を形成する段階と、前記フォトレジスト層が形成されていない金属板の残りの表面にメッキ層を形成する段階と、前記金属板からフォトレジスト層を除去する段階と、前記メッキ層が形成された金属板上に粘着性の高分子フィルムを整列する段階と、前記メッキ層の上面に高分子フィルムを付着する段階と、前記金属板から高分子フィルムを分離して前記高分子フィルムの下面にメッシュ状パターンを有するメッキ層を付着する段階と、を含むことを特徴とする。
【００２１】
本発明のさらに他の側面によるＰＤＰ用電磁波遮蔽フィルタの製造方法は、基板を備える段階と、前記基板の上面に金属薄板を付着する段階と、前記金属薄板の上面にメッシュ状パターンと対応する形状を有するフォトレジスト層を形成する段階と、前記フォトレジスト層が形成されていない金属板の残りの表面にメッキ層を形成する段階と、前記金属薄板からフォトレジスト層を除去する段階と、前記メッキ層が形成された金属薄板上に粘着性の高分子フィルムを整列する段階と、前記メッキ層の上面に高分子フィルムを付着する段階と、前記薄板から高分子フィルムを分離して前記高分子フィルムの下面にメッシュ状パターンを有するメッキ層を付着する段階と、を含むことを特徴とする。
【００２２】
本発明の一側面によるＰＤＰ用電磁波遮蔽フィルタは、基板を備えてその上面にメッシュ状パターンのメッキ層を形成し、メッキ層の上面に粘着性の高分子フィルムを付着し、前記基板から高分子フィルムを分離して前記高分子フィルムの下面にメッキ層を付着して完成される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明のＰＤＰ用電磁波遮蔽フィルタと、その製造方法は次のような効果を得られる。
【００２４】
第１に、ＰＤＰの駆動中に発生する電磁波を遮蔽するために設置される電磁波遮蔽層がメッシュ状パターンをなし、メッシュ状パターンは電解メッキ用金属板上でメッキによって形成されるために、製造工程が単純化されて製造コストが下がる。
【００２５】
第２に、メッシュ状パターンを有するメッキ層を形成するための電解メッキ用金属板を何回も繰り返して使用できるため、製造コストを下げることができる。
【００２６】
第３に、電解メッキ法によってメッシュ状パターンを形成することによって、定形化されたパターンの電磁波遮蔽層を製造できる。これにより、収率が向上する。
【００２７】
第４に、メッシュ状パターンを有するメッキ層間の空間をアクリル系高分子樹脂で埋め込むことによって、ヘーズ現象を防止できる。したがって、電磁波遮蔽層の透明度を大きく向上させうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、添付された図面を参照しながら本発明の望ましい実施例によるＰＤＰ用電磁波遮蔽フィルタと、その製造方法を詳細に説明する。
【００２９】
図３は、本発明の一実施例によるＰＤＰ３０を図示した図面である。
【００３０】
図面を参照すれば、前記ＰＤＰ３０は、パネル組立体３１と、前記パネル組立体３１を支持するシャーシベース３２と、前記パネル組立体３１に対してシャーシベース３２を結合させる接着部材３３と、前記シャーシベース３２の背面に設置される回路基板３４と、前記パネル組立体３１、シャーシベース３２、及び回路基板３４をともに収容するケース３５と、を含んでいる。
【００３１】
前記パネル組立体３１は、前面パネル３１ａと、背面パネル３１ｂと、からなっている。前記前面パネル３１ａは、複数の維持電極と、これと電気的に連結されたバス電極と、維持及びバス電極を埋め込む前面誘電体層と、前面誘電体層の表面にコーティングされる保護膜層と、を含んでいる。前記背面パネル３１ｂは前面パネル３１ａと対向して設置され、複数のアドレス電極と、アドレス電極を埋め込む背面誘電体層と、放電空間を限定してクロストークを防止する隔壁と、隔壁の内側に塗布される赤、緑、青色の蛍光体層と、を含んでいる。
【００３２】
前記シャーシベース３２は前記パネル組立体３１の背面に設置されてそれを支持している。
【００３３】
前記接着部材３３は、前記パネル組立体３１に対してシャーシベース３２を接着させるためにその間に介在されている。前記接着部材３３は、両面テープ３３ａと、パネル組立体３１から発生する熱をシャーシベース３２を経由して排出できるように放熱が可能な放熱シート３３ｂと、をともに備えている。
【００３４】
前記回路基板３４は前記シャーシベース３２の背面に設置され、前記パネル組立体３１の各電極に電気的信号を伝達するための多数の電子部品が設置されている。
【００３５】
前記ケース３５は、前記パネル組立体３１の前方に設置されるフロントキャビネット３５ａと、前記回路基板３４が付着されたシャーシベース３２の後方に設置されるカバーバッグ３５ｂと、からなっており、前記接着部材３３を媒介として結合されるパネル組立体３１とシャーシベース３２とをともに収容して外部からこれを保護している。
【００３６】
一方、前記パネル組立体３１の前面にはＰＤＰ３０から発生する電磁波や、赤外線や、ネオン発光や、外光の反射を遮断するためにフィルタ組立体３００が設置されている。
【００３７】
前記フィルタ組立体３００には透明なガラス又はプラスチックからなる透明基板３１０が備えられている。
【００３８】
前記透明基板３１０の前面には、図４に図示されたように外光の反射による視認性低下を防止するためのＡＲフィルム３２０が付着されている。前記ＡＲフィルム３２０はＡＲ処理されている。
【００３９】
前記透明基板３１０の背面にはＰＤＰ３０の駆動中に発生する電磁波を効果的に遮断するために電磁波遮蔽層３３０が形成されている。
【００４０】
前記電磁波遮蔽層３３０の表面には、例えば５９０ｎｍ領域でのネオン発光及び画面発光時に使われる不活性気体のプラズマによる近赤外線の不要な発光を遮蔽するために選択波長吸収フィルム３４０が設置されている。
【００４１】
本発明の特徴によれば、前記電磁波遮蔽層３３０は、メッキ用金属板の上面にメッシュ状パターンを形成し、露出される金属板の上部にメッキ層を形成した後にフィルムを利用してこれを金属板から分離して電磁波遮蔽用として使用するものである。
【００４２】
図５Ａないし図５Ｆは、本発明の第１実施例による電磁波遮蔽層を製造する過程を順次に示した図面である。
【００４３】
まず、図５Ａに図示されたように、電解メッキを行えるメッキ用金属板５１を備える。前記メッキ用金属板５１は電解メッキのシード層の役割を行える金属材、例えば、ＳＵＳ、チタン合金、ニッケル合金、銅板、及び鉄合金のうちいずれか一つの合金板を使用できる。
【００４４】
前記メッキ用金属板５１の上面には絶縁体層５２を形成する。前記絶縁体層５２は今後形成しようとするメッシュ状パターンと相応する形状を有しており、メッキされていない領域のパターンである。前記絶縁体層５２は、ＳｉＯ２などの酸化物を用いて前記メッキ用金属板５１をコーティングした後、焼成して形成する（図５Ｂ）。
【００４５】
絶縁体層５２が形成されていないメッキ用金属板５１の残りの表面にはメッキ層５３を形成する。前記メッキ層５３は、絶縁体層５２間の空隙に該当するメッキ用金属板５１の上面に選択的に形成される。前記メッキ層５３はメッシュ状パターン形状になっている。このようなメッキ層５３は銅や、銀などの導電性を有する金属よりなっている。一方、前記メッキ層５３の表面はコントラストを向上させうるように黒化処理工程を追加的に行うこともある（図５Ｃ）。
【００４６】
メッシュ状パターンに形成されたメッキ層５３がメッキされた金属板５１の上部には高分子フィルム５４を整列させる。前記高分子フィルム５４は絶縁性素材であり、ＰＥＴからなることが望ましい。この時、前記高分子フィルム５４の下面には粘着剤５５が塗布されている。前記粘着剤５５が塗布された高分子フィルム５４の表面は前記メッキ層５３が形成された金属板５１の上部に付着する。代案としては、フィルタ組立体を全体的に薄くするために、前記高分子フィルム５４として基板の前後面に付着されるＡＲフィルム又は選択波長吸収フィルムを使用することもありうる（図５Ｄ）。
【００４７】
前記高分子フィルム５４が金属板５１の上部に付着された後には前記高分子フィルム５４を金属板５１から分離する。この時、前記高分子フィルム５４の下面にはメッシュ状パターンに形成されたメッキ層５３が付着される。
【００４８】
これは、前記絶縁体層５２は、前記メッキ用金属板５１上にコーティングされた後、一連の焼成工程を通じて結合されて前記メッキ用金属板５１に対して結合力が強い一方、メッキ層５３は、異種金属からなるメッキ用金属板５１上に電解メッキで形成されていて、金属板５１とメッキ層５３との境界面での結合力が前記金属板５１と絶縁体層５２との結合力に比べて顕著に落ちるからである。これにより、前記高分子フィルム５４の分離時、前記高分子フィルム５４の下面には前記メッキ用金属板５１からメッキ層５３のみ分離されて付着される（図５Ｅ）。
【００４９】
前述した方法で電解メッキのシード層の役割を行うメッキ用金属板５１を用いて高分子フィルム５４の一面にはメッシュ状パターンを有するメッキ層５３が完成される（図５Ｆ）。
【００５０】
一方、高分子フィルム５４の下面にメッキ層５３を付着する工程（図５Ｅ）が進められた後には、再び、図５Ｃに示したメッキ層５３を前記メッキ用金属板５１に形成する工程から繰り返して行うことができる。
【００５１】
図６Ａないし図６Ｇは、本発明の第２実施例による電磁波遮蔽層を製造する過程を図示した図面である。
【００５２】
まず、電解メッキのシード層の役割を行える導電性金属板６１が備えられる。前記金属板６１はＳＵＳ、チタン合金、ニッケル合金、銅合金、及び鉄合金のうちいずれか一つの合金を使用できる（図６Ａ）。
【００５３】
前記メッキ用金属板６１の上面にはフォトレジスト層６２が形成される。前記フォトレジスト層６２はメッシュ状パターンを有するフォトマスクを利用して金属板６１の上面にフォトレジストをコーティングし、露光、現象、硬化させて形成される。前記フォトレジスト層６２はメッキされていない領域のパターンである（図６Ｂ）。
【００５４】
前記フォトレジスト層６２が形成されたメッキ用金属板６１上にはメッキ層６３を形成する。前記メッキ層６３は前記フォトレジスト層６２が形成されていない金属板６１の上面に選択的に形成される。これにより、前記メッキ層６３はメッシュ状パターン形状を有する。この時、前記メッキ層６３の元素材としては銅や、銀などの導電性を有する金属材を利用できる（図６Ｃ）。
【００５５】
メッキ層６３が金属板６１にメッキされた後にはフォトレジスト層６２を除去する。これにより、前記金属板６１の上面にはメッシュ状パターンよりなるメッキ層６３のみが残る（図６Ｄ）。
【００５６】
前記メッキ層６３のみ残っている金属板６１の上部にはＰＥＴなどの高分子フィルム６４を整列させる。この時、前記高分子フィルム６４の下面には粘着性物質が塗布されている状態である。これにより、前記高分子フィルム６４は前記メッキ層６３の表面に付着可能である（図６Ｅ）。
【００５７】
前記高分子フィルム６４がメッキ層６３の表面に付着された後には前記高分子フィルム６４を金属板６１から分離する。前記高分子フィルム６４が分離されれば、前記高分子フィルム６４の下面にはメッキ層６３が金属板６１の表面から転移される。この時、前記金属板６１に対するメッキ層６３の結合力は前記高分子フィルム６４の粘着層に対するメッキ層６３の結合力よりも弱い。これにより、前記メッキ層６３は金属板６１から容易に分離できるといえる（図６Ｆ）。
【００５８】
前述した方法を利用して、高分子フィルム６４の下面にはメッシュ状パターンを有するメッキ層６３の形成が可能である（図６Ｇ）。
【００５９】
図７Ａないし図７Ｈは、本発明の第３実施例による電磁波遮蔽層を製造する過程を順次に図示した図面である。
【００６０】
まず、図７Ａに図示されたように、基板７１を備える。前記基板７１は平坦度の優れたガラス基板である。代案としては、第１及び第２実施例で説明された電解メッキを施しうるメッキ用金属板を使用することもありうる（図７Ａ）。
【００６１】
前記基板７１の上面には粘着剤を利用して金属薄板７２を付着する。前記金属薄板７２は導電性を有する金属材、例えば、ＳＵＳ、チタン合金、ニッケル合金、銅合金、及び鉄合金のうちいずれか一つの合金板である。また、前記金属薄板７２は０．０３ないし０．５ミリメートル程度の厚さを有している（図７Ｂ）。
【００６２】
金属薄板７２上には、フォトリソグラフィー工程によってフォトレジスト層７３を形成する。前記フォトレジスト層７３はメッシュ状パターンと相応する形状を有しており、メッキされていない領域のパターンである。また、前記フォトレジスト層７３の厚さは今後形成されるメッキ層７４の厚さと実質的に同一である必要がある。これは、メッキ層７４の厚さがさらに厚い場合にはメッキ層が四方に進んでパターンに誤差を発生させる恐れがあるからである（図７Ｃ）。
【００６３】
前記金属薄板７２上にフォトレジスト層７３を形成した後には前記金属薄板７２上にメッキ層７４を形成する。前記メッキ層７４はフォトレジスト層７３間に露出される金属薄板７２の上面に選択的に形成される。この時、前記メッキ層７４は導電性の銅や、銀メッキよりなる。また、前記メッキ層７４の厚さは１０ないし１５μｍ程度である。
【００６４】
一方、前記基板７１上にメッキ層７４を形成した後には、前記メッキ層７４の表面に酸化を防止し、ブラック効果を向上させるために黒化処理を追加的に施しうる。例えば、前記メッキ層７４は水酸化ナトリウム溶液に浸漬して表面を酸化させれば黒色に変わる（図７Ｄ）。
【００６５】
次いで、フォトレジスト層７３を除去する。これにより、金属薄板７２上にはメッシュ状パターンのメッキ層７４のみが存在する。この時、前記メッキ層７４は金属薄板７２とは異なる異種金属からなっているために、金属薄板７２に対する結合力が非常に弱いといえる（図７Ｅ）。
【００６６】
乾燥が完了した後には、前記基板７１上に高分子フィルム７５を整列させ、前記メッキ層７４の表面に付着する。この時、前記高分子フィルム７５の下面には粘着性物質が形成されている。したがって、前記メッキ層７４の表面に高分子フィルム７５が接着される。この時、前記高分子フィルム７５はフィルタ組立体を全体的に薄くするために、基板の前後面に付着されるＡＲフィルム又は選択波長吸収フィルムを使用することもありうる（図７Ｆ）。
【００６７】
前記高分子フィルム７５が基板７１上のメッキ層７４の上部に付着された後には前記高分子フィルム７５を基板７１から分離する。この時、前記高分子フィルム７５の下面にはメッシュ状パターンよりなるメッキ層７４が付着された状態で前記金属薄板７２の表面から剥離される（図７Ｇ）。
【００６８】
このような方法で高分子フィルム７５の一面にはメッシュ状パターンを有するメッキ層７４が完成される（図７Ｈ）。
【００６９】
電解メッキのシード層の役割を行う金属薄板７２が付着された基板７１は、メッキ層７４が形成された高分子フィルム７５を製造した後で何回も反復的に再使用可能である。
【００７０】
一方、メッシュ状パターンが形成されたフィルムにはメッシュ間に空隙が存在する。このような空隙の存在によって、ＰＤＰの駆動時、可視光領域の光がヘーズ現象により透明な形態に観察されないことを防止するために透明化処理を施すことが望ましい。
【００７１】
一例として、図８を参照すれば、基板７１上にはメッキ層８２がパターン化されている。前記メッキ層８２は基板７１に対して粘着層によって付着可能である。この時、前記基板７１は透明なガラス基板及び高分子フィルムのうちいずれか一つである。
【００７２】
前記メッキ層８２はメッシュ状パターンであるため、メッシュ間には空隙Ｓが存在する。前記メッキ層８２は線幅ｗを５〜２０μｍ程度、高さｈを２０μｍ以下に形成することが電磁波遮蔽に有利であるといえる。
【００７３】
前記メッキ層８２の上部にはこれを埋め込むために透明層８３が形成されている。前記透明層８３は空隙Ｓを埋め込んでヘーズ現象を除去するために形成されるものであって、透明な樹脂材からなっている。このような樹脂材としては、アクリレートや、ブチルカルビトールなどのアクリル系統の固形分を含有したアクリル系樹脂が望ましい。前記樹脂材は約５％程度のアクリル系の固形分を含有している。前記透明層８３がメッキ層８２上にコーティングされた後には所定の熱を加えて硬化させる。この時、前記透明層８３はほぼ１０〜１００μｍ程度の高さにコーティングする。
【００７４】
図９は、透明層８３の上面に別途の粘着層９１をコーティングした場合を示したものである。
【００７５】
前記基板７１上にメッシュ状パターンに形成されたメッキ層８２はアクリル系樹脂などの透明性に優れた素材からなる透明層８３によって埋め込まれている。これにより、メッシュ間に形成された空隙は透明層８３によって埋め込まれている。前記メッキ層８２を埋め込む透明層８３の上面には粘着層９１が形成されている。前記粘着層９１は他の基板又はフィルムとの接着のために形成される層である。この時、前記透明層８３はほぼ１０〜１００μｍ程度の高さにコーティングし、前記粘着層９１は５μｍ以下にコーティングする。
【００７６】
一方、図１０の場合のように、透明層８３内に粘着剤１１０を介在させることもある。すなわち、前記基板７１上にメッシュ状パターンに形成されたメッキ層８２は、アクリル系樹脂などの透明性に優れた素材からなる透明層８３によって埋め込まれている。この時、前記透明層８３内には前記透明層８３が粘着性を有するように粘着剤１１０が少量、約１０％以下の割合で添加されうる。このような粘着剤１１０が介在された透明層８３は１０〜１００μｍ程度にコーティングし、７０〜１５０℃程度の温度条件で１分以上乾燥させて完成する。
【００７７】
それ以外にも、前記透明層８３内に約５９０ｎｍ近辺の光吸収剤を追加することもありうる。また、前述した透明層８３に埋め込まれたメッシュ状パターンのメッキ層８２は高分子フィルム上に形成されてガラスまたはプラスチック基板上に付着されることもあり、接着剤の基板上に直接的に付着されることもありうるなど、多様な変形例が具現可能である。
【００７８】
本発明は図面に図示された一実施例を参考として説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者であればこれより多様な変形及び均等な他の実施例が可能であるという点を理解できる。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲の技術的思想により定められねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明は、電磁波を遮蔽するために設置される電磁波遮蔽層が、電解メッキ用金属板上でメッキによって形成されたメッシュ状パターンよりなるＰＤＰ用電磁波遮蔽フィルタを提供して、製造工程が単純化されて製造コストが下がる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】従来の一例によるＰＤＰの概略的な構成図である。
【図２】従来の電磁波遮蔽層を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施例によるＰＤＰを示す分離斜視図である。
【図４】図３のＡ部分の拡大図である。
【図５Ａ】本発明の第１実施例による電磁波遮蔽層を製造するための状態を順次に示す断面図である。
【図５Ｂ】本発明の第１実施例による電磁波遮蔽層を製造するための状態を順次に示す断面図である。
【図５Ｃ】本発明の第１実施例による電磁波遮蔽層を製造するための状態を順次に示す断面図である。
【図５Ｄ】本発明の第１実施例による電磁波遮蔽層を製造するための状態を順次に示す断面図である。
【図５Ｅ】本発明の第１実施例による電磁波遮蔽層を製造するための状態を順次に示す断面図である。
【図５Ｆ】本発明の第１実施例による電磁波遮蔽層を製造するための状態を順次に示す断面図である。
【図６Ａ】本発明の第２実施例による電磁波遮蔽層を製造するための状態を順次に示す断面図である。
【図６Ｂ】本発明の第２実施例による電磁波遮蔽層を製造するための状態を順次に示す断面図である。
【図６Ｃ】本発明の第２実施例による電磁波遮蔽層を製造するための状態を順次に示す断面図である。
【図６Ｄ】本発明の第２実施例による電磁波遮蔽層を製造するための状態を順次に示す断面図である。
【図６Ｅ】本発明の第２実施例による電磁波遮蔽層を製造するための状態を順次に示す断面図である。
【図６Ｆ】本発明の第２実施例による電磁波遮蔽層を製造するための状態を順次に示す断面図である。
【図６Ｇ】本発明の第２実施例による電磁波遮蔽層を製造するための状態を順次に示す断面図である。
【図７Ａ】本発明の第３実施例による電磁波遮蔽層を製造するための状態を順次に示す断面図である。
【図７Ｂ】本発明の第３実施例による電磁波遮蔽層を製造するための状態を順次に示す断面図である。
【図７Ｃ】本発明の第３実施例による電磁波遮蔽層を製造するための状態を順次に示す断面図である。
【図７Ｄ】本発明の第３実施例による電磁波遮蔽層を製造するための状態を順次に示す断面図である。
【図７Ｅ】本発明の第３実施例による電磁波遮蔽層を製造するための状態を順次に示す断面図である。
【図７Ｆ】本発明の第３実施例による電磁波遮蔽層を製造するための状態を順次に示す断面図である。
【図７Ｇ】本発明の第３実施例による電磁波遮蔽層を製造するための状態を順次に示す断面図である。
【図７Ｈ】本発明の第３実施例による電磁波遮蔽層を製造するための状態を順次に示す断面図である。
【図８】本発明の第４実施例による電磁波遮蔽層を示す断面図である。
【図９】本発明の第５実施例による電磁波遮蔽層を示す断面図である。
【図１０】本発明の第６実施例による電磁波遮蔽層を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８１】
３０  ＰＤＰ
３１  パネル組立体
３１ａ  前面パネル
３１ｂ  背面パネル
３２  シャーシベース
３３  接着部材
３３ａ  両面テープ
３３ｂ  放熱シート
３４  回路基板
３５  ケース
３５ａ  フロントキャビネット
３５ｂ  カバーバッグ
３００  フィルタ組立体
【図１】
2004326108.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
2004326108.tif 000008
【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図６Ｇ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図７Ｇ】
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【図７Ｈ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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