(57)【要約】【課題】少ない記憶容量で、ルックアップテーブルのデータを発生するとともに、データを算出するための測定も容易にする。【解決手段】フラッシュメモリ９にルックアップテーブル５Ｒ，５Ｇ，５Ｂにおいて記憶されるためのデータの基になる係数データを記憶しておく。そして、ＣＰＵ８が係数データを利用して、所定の計算式で、ルックアップテーブル５Ｒ，５Ｇ，５Ｂにおけるテーブルデータを発生し、書き込む。計算式を用いるため、記憶するデータ量が少なくて済み、また計算式を求めるために必要が測定は、計算式を用いない場合より少なくてよい。【選択図】　　　　図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された有機ＥＬ素子の電流量を入力画像信号に応じ個別に制御して、表示を行う有機ＥＬ表示装置であって、
入力画像信号を入力として、ガンマ補正がなされた出力を得るルックアップテーブルと、
入力画像信号のガンマ補正を行うための計算式を記憶する記憶手段と、
この記憶手段に記憶されている計算式に基づき、前記ルックアップテーブルにおいて記憶するテーブルデータを発生するテーブルデータ発生手段と、
を有し、
初期設定動作において、テーブルデータ発生手段により発生したテーブルデータをルックアップテーブルに記憶させ、入力画像信号のガンマ補正を行うことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置において、
前記テーブルデータ発生手段は、前記計算式の係数を記憶する不揮発性メモリと、
この不揮発性メモリに記憶された係数を利用して、前記計算式を発生する処理手段と、
を含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記テーブルデータ記憶手段に記憶される計算式は、
複数の段階の入力画像信号レベルに応じた発光量で有機ＥＬパネルを発光させ、その発光量を検出し、これによって、入力画像信号レベルと発光量の関係を調べ、その結果に従って、両者の関係を示す近似式、又は前記近似式の所定の係数のみを算出し、得られた前記近似式又は前記係数に基づいて得られたものであることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記テーブルデータ記憶手段に記憶される計算式は、
複数の段階の入力画像信号を供給して前記有機ＥＬ素子を発光させた際に該素子に流れた駆動電流を測定し、電流測定値から、前記有機ＥＬ素子の発光効率に基づいて、入力画像信号レベルと有機ＥＬ素子の発光量との関係を調べ、その結果に従って、前記入力画像信号と前記有機ＥＬ素子の発光量との関係を示す近似式、又は予め決めておいた近似式の係数を算出し、得られた前記近似式又は前記係数に基づいて得られたものであることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか一つに記載の有機ＥＬ表示装置において、
さらに、前記マトリクス状に配置された有機ＥＬ素子全体に流れる全電流を検出する全電流検出手段を備え、
前記全電流検出手段により検出した全電流に応じて、前記入力画像信号の黒レベルに対応して有機ＥＬ素子に電流が流れ始める電圧となるように入力画像信号をオフセットさせるオフセット電圧を設定することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マトリクス状に配置された有機ＥＬ素子の電流量を入力画像信号に応じ個別に制御して、表示を行う有機ＥＬ表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、有機ＥＬ表示装置が知られており、自発光のフラットパネル表示装置として注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子をマトリクス状に配置して画素とし、各画素の有機ＥＬ素子の発光を個別に制御して表示を行う。ここで、有機ＥＬ表示装置には、アクティブ型とパッシブ型があるが、各画素に有機ＥＬ素子の電流を制御するための画素回路を有するアクティブ型の有機ＥＬ表示装置の方が高精細の表示が行える。
【０００３】
図１に、アクティブ型の有機ＥＬ表示装置の画素回路の一例を示す。駆動ＴＦＴ１はｐチャンネル型であり、ソースが垂直方向に延びる電源ＰＶｄｄに接続され、ドレインが有機ＥＬ素子２のアノードに接続されている。また、有機ＥＬ素子２のカソードはカソード電源ＣＶに接続されている。
【０００４】
駆動ＴＦＴ１のゲートには、ｎチャンネル型の選択ＴＦＴ３のソースに接続されている。この選択トランジスタのドレインは垂直方向に延びるデータラインＤａｔａに接続され、そのゲートは水平方向に延びるゲートラインＧａｔｅに接続されている。さらに、駆動ＴＦＴ１のゲートには、他端が容量電源ラインＶｓｃに接続された保持容量Ｃの一端が接続されている。
【０００５】
このため、ゲートラインＧａｔｅをハイレベルとすることで、選択ＴＦＴ３がオンし、そのときにデータラインＤａｔａにその画素の輝度についての画像信号を印加すると、その画像信号の電圧が保持容量Ｃに保持され、その電圧が駆動ＴＦＴ１のゲートに印加される。従って、画像信号により駆動ＴＦＴ１のゲートの電圧を制御され、有機ＥＬ素子２に流れる電流が制御される。なお、保持容量Ｃがあるため、選択ＴＦＴ３がオフした後も駆動ＴＦＴ１のゲート電圧は保持される。
【０００６】
そして、有機ＥＬ素子２の発光量は、その駆動電流とほぼ比例関係にある。従って、画像信号に応じて有機ＥＬ素子２が発光する。
【０００７】
ここで、表示装置は、入力信号のレベルと表示輝度の関係（ガンマ）が直線ではない。そこで、この関係を適切なものにするためにガンマ補正が行われる。　また、図１に示した画素回路における駆動ＴＦＴ１をオンさせるためには、ゲートソース間電圧Ｖｇｓが所定しきい値電圧（Ｖｔｈ）以上にならなければならない。画像信号は、基本的に発光輝度に対応するデータであり、最低レベルが黒レベルに対応している。そこで、画素回路に供給するデータ電圧は、しきい値電圧Ｖｔｈに対応した電圧だけ、画像信号をオフセットさせる黒レベルオフセット設定を行う必要がある。
【０００８】
図２に、従来の黒レベル設定とガンマ補正を行う構成の一例を示す。ＲＧＢの各信号は、それぞれ別のガンマ補正用ルックアップテーブル（ＬＵＴ）５Ｒ，５Ｇ，５Ｂによりガンマ補正された後、Ｄ／Ａ変換器６Ｒ，６Ｇ，６Ｂでアナログ信号に変換され、表示パネル７に入力される。ＬＵＴ５Ｒ，５Ｇ，５Ｂの内容は、表示パネル７に表示する前にＣＰＵ８により、フラッシュメモリ９に記憶されているテーブルデータが書き込まれる。
【０００９】
この例では、黒信号に対して表示パネル７の黒入力電圧を出力できるように、Ｄ／Ａ変換器６Ｒ，６Ｇ，６Ｂで黒レベルオフセットを調整する。なお、ＬＵＴ５Ｒ，５Ｇ，５Ｂの内容を、黒信号に対してパネルの黒入力電圧が出力されるような値にしておくことによりＤ／Ａ変換器６Ｒ，６Ｇ，６Ｂでの調整を省くこともできる。
【００１０】
いずれにしろ、各色に対して最適なガンマテーブルの値と黒レベルの値を工場出荷前にパネルごとに測定する必要がある。ＴＦＴの特性が各色ともにほぼ同じであれば、黒レベルオフセット電圧の値はＲＧＢ共通でもよい。
【００１１】
表示パネル７のガンマ及び黒レベルオフセット電圧を測定するには、ＬＵＴ５Ｒ，５Ｇ，５Ｂに入出力特性が直線となるようなデータを書き込み、この状態で入力信号を変化させた時のパネルの輝度特性をＲＧＢ各色について測定する。
【００１２】
図３に、この測定系の概略図を示す。このように、駆動回路１１から所定の入力信号を表示パネル７に供給し、発光させる。そして、表示パネル７の発光量を輝度計１２で検出する。上述のように、ＲＧＢの各色について、入力信号を所定の範囲で変化させて、各色の入力信号レベルと発光輝度を関係を調べる。これによって、例えば図４に示すような信号レベルと輝度の関係が得られる。
【００１３】
このように、有機ＥＬパネルの場合、入力信号レベルが高くなるに従って、輝度の上昇率が大きくなる。そこで、これを補償するようなデータをルックアップテーブルに書き込む。例えば、図５に示す横軸の画像信号の０〜２５５の入力に対し、縦軸の０〜２５５を出力するデータをルックアップテーブルに書き込む。これによって、ガンマ補正が行える。
【００１４】
ここで、図５の曲線は原点を通る曲線であり、入力の０から立ち上がっている。即ち、Ｄ／Ａ変換器６Ｒ，６Ｇ，６Ｂに於いて黒レベルオフセットの調整がなされていることを前提としている。
【００１５】
なお、特許文献１等にはディスプレイにおけるガンマ補正回路について提案があるが、有機ＥＬパネルの場合においてどのようなガンマ補正をするかについて提案されていない。
【００１６】
【特許文献１】
特開平６−２４５２２２号公報
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、このようなルックアップテーブルに記憶するデータを得るには、表示パネルの黒信号入力レベルよりもさらに低いレベルの信号から白レベルの信号までの多くのポイントを測定し、ガンマカーブを作成する必要がある。また、このガンマカーブから黒入力信号レベルを読み取り、黒レベルオフセット電圧を調整するため手間がかかる。ガンマカーブを作成した後はこのカーブの逆特性のテーブルを作成し、表示装置のもつ不揮発性メモリーに記憶させ、表示装置の電源が立ち上がる毎にＬＵＴに書き込むが、不揮発性メモリーの容量も多く必要とする。
【００１８】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、効率的にルックアップテーブルの利用を図ることができる有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、マトリクス状に配置された有機ＥＬ素子の電流量を入力画像信号に応じ個別に制御して、表示を行う有機ＥＬ表示装置であって、入力画像信号を入力として、ガンマ補正がなされた出力を得るルックアップテーブルと、入力画像信号のガンマ補正を行うための計算式についてのデータを記憶する記憶手段と、この記憶手段に記憶されている計算式に基づき、前記ルックアップテーブルにおいて記憶するテーブルデータを発生するテーブルデータ発生手段と、を有し、初期設定動作において、テーブルデータ発生手段により発生したテーブルデータをルックアップテーブルに記憶させ、入力画像信号のガンマ補正を行うことを特徴とする。
【００２０】
このように、本発明では、テーブルデータ発生手段が、記憶手段に記憶されている計算式についてのデータに基づいてテーブルデータを発生し、ルックアップテーブルにデータを書き込む。従って、テーブルデータをすべて記憶しておく必要がなくなり、記憶手段の容量が小さくてよい。また、計算式を求めるために必要な測定ポイントは、計算式を使わない場合に比べ少なくてよく、工場などにおける設定が容易になる。
【００２１】
また、前記テーブルデータ発生手段は、前記計算式の係数を記憶する不揮発性メモリと、この不揮発性メモリに記憶された係数を利用して、前記計算式を発生する処理手段と、を含むことが好適である。
【００２２】
また、前記テーブルデータ記憶手段に記憶される計算式は、複数の段階の入力画像信号レベルに応じた発光量で有機ＥＬパネルを発光させ、その発光量を検出し、これによって、入力画像信号レベルと発光量の関係を調べ、その結果に従って、両者の関係を示す近似式、又は前記近似式の所定の係数のみを算出し、得られた前記近似式又は前記係数に基づいて得られたものであることが好適である。
【００２３】
あるいは、上記テーブルデータ記憶手段に記憶される計算式は、複数の段階の入力画像信号を供給して前記有機ＥＬ素子を発光させた際に該素子に流れた駆動電流を測定し、電流測定値から、前記有機ＥＬ素子の発光効率に基づいて、入力画像信号レベルと有機ＥＬ素子の発光量との関係を調べ、その結果に従って、前記入力画像信号と前記有機ＥＬ素子の発光量との関係を示す近似式、又は予め決めておいた近似式の係数を算出し、得られた前記近似式又は前記係数に基づいて得られたものとすることも好適である。
【００２４】
また本発明において、上記有機ＥＬ表示装置がさらに前記マトリクス状に配置された有機ＥＬ素子全体に流れる全電流を検出する全電流検出手段を備え、前記全電流検出手段により検出した全電流に応じて、前記入力画像信号の黒レベルに対応して有機ＥＬ素子に電流が流れ始める電圧となるように入力画像信号をオフセットさせるオフセット電圧を設定することも好適である。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面に基づいて説明する。
【００２６】
図７に、実施形態の概略構成のブロック図を示す。有機ＥＬ表示パネル７は、その内部の表示領域に、上述の図１に示した画素回路がマトリクス状に配置されている。そして、表示領域の周辺部に、垂直ドライバ回路および水平ドライバ回路が配置されており、これらドライバ回路によって、データラインＤａｔａ、ゲートラインＧａｔｅの電圧印加が制御される。
【００２７】
また、有機ＥＬ素子は、ＲＧＢのそれぞれのものに分かれており、垂直方向に同じ色の画素が配列されている。すなわち、垂直方向にＲの列、Ｇの列、Ｂの列がそれぞれ並び、これらＲ，Ｇ，Ｂの列が水平方向に順番に繰り返し配列されており、各列に対応するデータラインＤａｔａにＲＧＢの画像信号がそれぞれ印加される。なお、有機ＥＬ素子自体がＲ、ＧまたはＢに発光してもよいし、有機ＥＬ素子自体は白色発光とし、カラーフィルタで各色に変換してもよい。
【００２８】
表示パネル７には、ＲＧＢ各色についての画像信号がそれぞれ別々に入力される。その入力端子がＲｉｎ、Ｇｉｎ、Ｂｉｎである。入力画像信号Ｒ信号、Ｇ信号、Ｂ信号は、ルックアップテーブル（ＬＵＴ）５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ、Ｄ／Ａ変換器６Ｒ，６Ｇ，６Ｂを介し、入力端子Ｒｉｎ、Ｇｉｎ、Ｂｉｎに入力される。また、表示パネル７には、電源ＰＶｄｄが供給されており、これが各駆動ＴＦＴ１のソースに接続されている。一方、各画素の有機ＥＬ素子２のカソードは、表示パネルから取り出され、カソード電源ＣＶに接続されるが、この間に電流検出抵抗Ｒ１が配置されており、この電流検出抵抗Ｒ１の両端に表示パネル７に形成されている全有機ＥＬ素子２に流れる電流の合計値に応じた電圧が得られる。
【００２９】
抵抗Ｒ１の両端電圧は、Ａ／Ｄ変換器１３に入力され、ここでデジタルデータに変換され、ＣＰＵ８に供給される。また、ＣＰＵ８には、フラッシュメモリ９が接続されている。このフラッシュメモリ９には、基本的な黒レベルオフセット電圧である黒レベル調整電圧が記憶されているとともに、ルックアップテーブル５に書き込むＲＧＢ各色のガンマ補正データを発生するための基礎となる各色のガンマカーブについてのデータが記憶されている。なお、フラッシュメモリ９には、ガンマカーブ又はガンマ補正カーブの係数だけを記憶しておき、ＣＰＵ８の実行するプログラムにより計算式を発生してもよいし、フラッシュメモリ９に式自体を記憶しておいてもよい。
【００３０】
そして、システムの立ち上がり時において、ＣＰＵ８はフラッシュメモリ９内のガンマカーブ又はガンマ補正カーブについてのデータを読み出し、ガンマ補正カーブについてのルックアップテーブル用データを発生し、ルックアップテーブル５Ｒ，５Ｇ，５Ｂに書き込む。また、フラッシュメモリ９から黒レベル調整電圧のデータを読み出し、これを黒レベルオフセット電圧として、Ｄ／Ａ変換器６Ｒ，６Ｇ，６Ｂに供給する。これによって、入力されてくるＲＧＢ信号は、ルックアップテーブル５Ｒ，５Ｇ，５Ｂにより、ガンマ補正され、Ｄ／Ａ変換器６Ｒ，６Ｇ，６Ｂによって、アナログ信号に変換されるとともに、黒レベル調整がなされ、表示パネル７に供給される。
【００３１】
また、ＣＰＵ８は、Ａ／Ｄ変換器１３から供給される表示パネル７における有機ＥＬ素子に流れる電流量Ｉｃｖに応じて、黒レベルオフセット電圧を変更する。これによって、温度上昇によって、駆動ＴＦＴ１のＶｔｈが低くなった場合において、黒レベルオフセット電圧を小さくして、有機ＥＬ素子の駆動電流が不当に大きくなりすぎないようにすることができる。
【００３２】
「工場における設定」
ここで、工場出荷前における設定について説明する。工場においては、次の手順であらかじめ黒レベルオフセット電圧と補正用ガンマの近似式の係数を作成しておく。
【００３３】
ｉ）入出力が直線の関係となるようなテーブルをＣＰＵ８により各ＬＵＴ５Ｒ，５Ｇ，５Ｂへ書き込む。
【００３４】
ｉｉ）Ｄ／Ａ変換器６Ｒ，６Ｇ，６Ｂから十分低い電圧が出力できるように低い黒レベルオフセット電圧をＣＰＵ８により設定する。
【００３５】
ｉｉｉ）ＲＧＢ入力信号の値を０とする。
【００３６】
ｉｖ）ＣＰＵ８によりＡ／Ｄ変換器１３の出力データ、即ち表示パネル７の有機ＥＬ素子に流れた電流の総電流量Ｉｃｖを監視しながら、Ｇ入力信号を徐々に大きくしていく。このＧ入力信号の増大に応じて有機ＥＬ素子に流れる電流量が増大してＡ／Ｄ変換器１３からの出力データ（Ｄｏｕｔ）が増大し、この出力データＤｏｕｔがあらかじめ決めておいた範囲（０＜Ｄｏｕｔ＜Ｄｂｌａｃｋ）に入った時におけるＧ用のＤ／Ａ変換器６Ｇの出力の値を表示パネル７の黒信号入力レベルとする。ここで、有機ＥＬ素子の駆動電流Ｉｃｖと輝度とはほぼ比例関係にある。したがって、素子の比例係数（発光効率）を求めておけば、実際に輝度を測定しなくても、有機ＥＬ素子に流れた電流量Ｉｃｖの測定結果に応じて輝度を知ることができる。そこで、本実施形態では、上述のように黒信号入力レベルを決定するに際し、入力画像信号に対して素子の発光状況などに応じて最適な黒レベルが得られるよう、有機ＥＬ素子に流れた電流（Ｉｃｖ）の値（出力データＤｏｕｔ）を監視し、その値が上記条件を満たしたときの入力信号（Ｄ／Ａ出力）を黒信号入力レベルとしている。
【００３７】
なお、有機ＥＬ素子２では、発光材料の関係でＧの発光量が他より大きい場合が多い。そこで、以上のように黒レベルの測定にＧ用の信号を用いるとよい。しかし、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色別々に行い、それぞれの色について黒信号入力電圧を個別に設定してもよい。
【００３８】
ｖ）Ｄ／Ａ変換器に０を入力した時、ｉｖ）で求めた黒信号入力電圧が出力されるように各色の黒レベルオフセット電圧をＣＰＵ８により設定する。
【００３９】
ｖｉ）図３の測定系を用い、ＲＧＢそれぞれについて数ポイントのＬ−Ｖ（輝度−入力電圧）特性を測定する。これによって、例えば図６に示すような関係が得られる。
【００４０】
ｖｉｉ）図６のように、得られたポイントと原点（黒レベル）とを通る曲線の式、Ｌ＝ｆ（Ｖ）を作成する。この式からガンマの逆特性の式、Ｖ＝ｇ（Ｌ）を求め、この式の係数、ａ、ｂ、ｃ、ｄ・・・、を求める。
【００４１】
例えば、ＲＧＢそれぞれについて次式を満足するａ及びｂの係数を求める。
【００４２】
Ｌ＝ｆ（Ｖ）＝ａ×Ｖｂ
ｖｉｉｉ）この式より、パネルのガンマの逆特性の式を求めると、
Ｖ＝ｇ（Ｌ）＝Ａ×ＬＢ
となる。このＡとＢの値を不揮発性メモリであるフラッシュメモリ９に記憶しておく。ここで、Ａ＝（１／ａ　）（１／ｂ），Ｂ＝（１／ｂ）である。
【００４３】
このようにして、フラッシュメモリ９に必要なデータが書き込まれる。
【００４４】
なお、特性についての式は、必ずしも上述のものに限定されず、他の式でもよい。
【００４５】
「初期設定」
システムの立ち上がり時には、上述のように、ＣＰＵ８により、Ｄ／Ａ変換器６Ｒ，６Ｇ，６Ｂにフラッシュメモリ９に記憶されている黒レベル調整電圧に基づく、黒レベルオフセット電圧をセットする。また、フラッシュメモリ９内の係数Ａ，Ｂを用い、ＣＰＵ８がテーブルデータをＶ＝ＡｘＬＢの式から作成し、ＬＵＴ５Ｒ，５Ｇ，５Ｂに書き込む。
【００４６】
「使用時の黒レベルの調整」
本実施形態では、上述のように、電流検出抵抗Ｒ１によって検出した有機ＥＬ素子の全電流に応じて、使用時において黒レベルオフセット電圧を調整する。これについて説明する。
【００４７】
電流検出抵抗Ｒ１の両端電圧は、Ａ／Ｄ変換器１２によりデジタルデータとしてＣＰＵ８に供給される。ＣＰＵ８では、電流検出抵抗Ｒ１に流れる電流Ｉｃｖ（有機ＥＬパネル７の有機ＥＬ素子に流れる全電流）が所定のしきい値Ｉｃｖ１に至ったかを判定し、図８に示すように、しきい値以下の場合には、黒レベルオフセット電圧をそのまま出力し、電流Ｉｃｖがしきい値Ｉｃｖ１を越えると、電流Ｉｃｖに応じて増加する信号を黒レベルオフセット電圧としてＤ／Ａ変換器６Ｒ，６Ｇ，６Ｂに供給する。これによって、図９に示されるような画像信号の黒レベルがシフトされる。
【００４８】
そして、ｐチャンネル型の駆動ＴＦＴ１のゲート印加電圧がＩｃｖが大きくなるに従って、上側にシフトされる。そこで、駆動ＴＦＴ１のしきい値電圧Ｖｔｈが温度等の影響によって小さくなっても、これを黒レベルオフセット電圧の変更によって補償することができる。すなわち、電流Ｉｃｖの増大に従って、黒レベルの設定値をより黒くなる方向に変化させる。結果的に有機ＥＬ表示パネル７の消費電流（ＣＶ電流）は設定値を越えることはなくなり、温度変化による黒の浮きも制限される。
【００４９】
「他の実施例、他の用途への転用例」
上述の例では、黒レベルの設定は、ＲＧＢ共通としているが、ＲＧＢそれぞれについて測定しそれぞれ別の値を設定することもできる。
【００５０】
上述したように、有機ＥＬ素子の駆動電流Ｉｃｖと輝度との関係はほぼ比例関係にある。したがって、その比例係数（発光効率）がわかっていれば輝度計を用いて輝度を測定する代わりに電流を測定することによって輝度を計算することができる。有機ＥＬ素子の駆動電流Ｉｃｖの測定は、上述の通り図７に示す電流検出抵抗Ｒ１を利用して実行できる。即ち、図７の構成を用いることで、Ｒ１の両端の電圧から輝度を計算することができ、輝度計を用いずに有機ＥＬ素子の駆動電流Ｉｃｖに基づいてガンマ補正カーブを作成することができる。
【００５１】
即ち、工場出荷前に、Ｒ，Ｇ，Ｂそれぞれについて、複数レベルの入力画像信号を供給したときに有機ＥＬ素子に流れた駆動電流Ｉｃｖを測定し、既知の（予め調べておいた）有機ＥＬ素子の発光効率に基づいて、電流測定値から、複数レベルの入力画像信号レベルに応じた有機ＥＬ素子の輝度（発光量）を算出することで、輝度を実際に測定することなく駆動電流値から図６に示すような関係を求める。そして、得られた関係、つまり、駆動電流から求めた輝度と、入力信号電圧との関係を示す近似式（又は予め決めておいた近似式の係数）をフラッシュメモリ９等に記憶しておき、後の初期設定時、使用時に用いる方法を採用してもよい。
【００５２】
【発明の効果】
このように、本発明では、テーブルデータ発生手段が、記憶手段に記憶されている計算式についてのデータに基づいてテーブルデータを発生し、ルックアップテーブルにデータを書き込む。従って、テーブルデータをすべて記憶しておく必要がなくなり、記憶手段の容量が小さくてよい。また、計算式を用いるため、ガンマ補正カーブを少ない測定ポイントで作成でき、工場などにおける設定が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】有機ＥＬ画素回路の構成を示す図である。
【図２】従来の有機ＥＬ表示装置の全体構成を示す図である。
【図３】表示パネルの輝度測定系を示す図である。
【図４】信号レベルと輝度の関係を示す図である。
【図５】ルックアップテーブルにおける入出力の関係を示す図である。
【図６】信号レベルと輝度の関係を示す計算式を示す図である。
【図７】実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体構成を示す図である。
【図８】全電流と黒レベルオフセット電圧の関係を示す図である。
【図９】表示パネルへの入力画像信号の一例を示す図である。
【符号の説明】
５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ　ルックアップテーブル、６Ｒ，６Ｇ，６Ｂ　Ｄ／Ａ変換器、７　表示パネル、８　ＣＰＵ、９　フラッシュメモリ、１３　Ａ／Ｄ変換器、Ｒ１　電流検出抵抗。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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