(57)【要約】【課題】本発明は、静電破壊あるいは静電気による磁気抵抗効果素子の劣化を引き起こすことがないようにした薄膜磁気ヘッド組立体の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、磁気抵抗効果素子がコアブロックＣ内において絶縁層に隣接された状態で設けられ、コアブロックが台板１３０に取り付けられ、台板の少なくとも一面に絶縁性の中継基板１３１が取り付けられ、中継基板に形成された接続端子部１４１にコアブロックの磁気抵抗効果素子に接続された配線１３５が接続されてなり、磁気抵抗効果素子を含めたコアブロックの容量がＣＭＲ、中継基板と台板を含めた部分の容量がＣＰＷＢとされた場合、ＣＰＷＢ／ＣＭＲ＜１．５の関係が満足されたことを特徴とすることを特徴とする。【選択図】　図１
2004062941.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアブロックに媒体摺動面が形成され、該コアブロックの内部に磁気抵抗効果素子が絶縁層に隣接された状態で設けられ、前記コアブロックが台板に取り付けられる一方、該台板の少なくとも一面に絶縁性の中継基板が取り付けられ、該中継基板に形成された接続端子部に前記コアブロックの磁気抵抗効果素子に接続された配線が接続されてなり、前記磁気抵抗効果素子を含めたコアブロックの容量がＣＭＲ、前記中継基板と台板を含めた部分の容量がＣＰＷＢとされた場合、
ＣＰＷＢ／ＣＭＲ　＜１．５の関係が満足されたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド組立体。
【請求項２】
前記磁気抵抗効果素子が前記コアブロックの内部において複数の絶縁層に挟まれた状態で設けられたことを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド組立体。
【請求項３】
前記磁気抵抗効果素子を含めたコアブロックの容量ＣＭＲと前記中継基板と台板を含めた部分の容量ＣＰＷＢの合計値が、５ｐＦ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッド組立体。
【請求項４】
前記磁気抵抗効果素子を含めたコアブロックの容量ＣＭＲと前記中継基板と台板を含めた部分の容量ＣＰＷＢの合計値が、１ｐＦ以上、５ｐＦ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッド組立体。
【請求項５】
回転シリンダの外周部に形成された凹部に請求項１〜４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド組立体が装着されてなることを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項６】
前記コアブロックが一対のコア半体を接合して構成され、一対のコア半体の接合部にコア内蔵層が形成され、該コア内蔵層中に、磁気抵抗効果素子とそれに接続される電極層とそれらを挟むように形成された絶縁層またはシールド層とが設けられるとともに、前記電極層が前記コア内蔵層の外部に形成されたパッド部に接続され、前記中継基板の接続端子部に接続された配線が前記パッド部に接続されてなり、前記コアブロックにおいて前記磁気抵抗効果素子を前記絶縁層またはシールド層が挟むことで容量が構成されてなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド組立体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はコアブロックに磁気抵抗効果素子を内蔵するとともにコアブロックを台板に取り付けた構造の薄膜磁気ヘッド組立体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＶＴＲ用、テープストレージ機器用などの磁気ヘッドにあっては、記録密度の向上と信号記録形態のデジタル化に伴い、トラック幅を年々狭トラック化している状況にある。このような背景から近年では、狭トラック化を目的として、薄膜コイルや磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッドがＶＴＲ用などのヘリカルスキャン方式の磁気ヘッドとして適用されてきている。
【０００３】
図１２はこの種の背景に基づく薄膜磁気ヘッドの一構成例を示し、図１３はその要部断面構造を示すもので、この例の薄膜磁気ヘッドＡは、コア半体１０１、１０２をコア内蔵層１０３と接着層１０４を介して接合一体化するとともに、コア半体１０１、１０２の間のコア内蔵層１０３に書込ヘッド部（インダクティブヘッド）１０８と読出ヘッド部１０９を内蔵させた構造とされている。なお、この例の構造においては、書込ヘッド部１０８と読出ヘッド部１０９の両方を備えた構造を例示したが、読出ヘッド部１０９のみの構成とした薄膜磁気ヘッドも使用されている。
この例の薄膜磁気ヘッドＡにあってはコア半体１０１、１０２の最上部に、磁気テープ等の磁気記録媒体に相対摺動するための細長い凸曲面状の磁気媒体摺動面１０５が形成されている。
【０００４】
この例の薄膜磁気ヘッドＡのコア部分の内部構造は図１３に示すように、アルミナチタンカーバイド製のコア半体１０２上に、絶縁層１１０、下部シールド層１１１、下部ギャップ層１１２、磁気抵抗効果素子１１３、電極層１１５、上部ギャップ層１１６を積層して読出ヘッド部１０９が形成され、その上に、上部シールド層１２０Ａ、絶縁層１２０Ｂ、ギャップ層１２１、平面視螺旋型のコイル層１２２、このコイル層１２２を覆う絶縁層１２３、上部コア層１２５、絶縁層１２６を積層して書込ヘッド部１０８が構成されている。
また、図１３において上部コア層１２５の上には絶縁層１２６を貫通して絶縁層１２６の上面側に延出された導体部１２８が形成され、絶縁層１２６の上には前記導体部１２８に接続されたパッド部１２９が形成されている。更に、電極層１１５側には読出ヘッド部１０９と書込ヘッド部１０８と絶縁層１２６の部分を貫通して絶縁層１２６の上面側に引き出された導体部１３７が形成され、絶縁層１２６の上面側の導体部１３０の先端部にはパッド部１３８が設けられている。
なお、媒体摺動面１０５側において磁気抵抗効果素子１１３が位置された部分が読出ギャップ部とされ、媒体摺動面１０５側において上部シールド層１２０Ａと上部コア層１２５とに挟まれたギャップ層１２１が位置された部分が書込ギャップ部とされている。
【０００５】
以上の如く構成された薄膜磁気ヘッドＡは、例えば図１４と図１５に示すような金属製の台板１３０の先端部に固定されて薄膜磁気ヘッド組立体として構成され、ＶＴＲ等の磁気記録再生装置の回転シリンダの外周部の所定の位置に個々に取り付けられ、回転シリンダに巻き掛けられて相対摺動される磁気テープに対して磁気情報の記録または再生を行うことができるようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
図１４に示す台板１３０に薄膜磁気ヘッドＡを取り付ける場合、磁気記録再生装置側の電気回路に薄膜磁気ヘッドＡを接続する必要があるので、一般には、エポキシ等の樹脂製の中継基板１３１を台板１３０の一面側に取り付け、中継基板１３１に端子部１３２を必要個数形成し、これらの端子部１３２と薄膜磁気ヘッドＡのパッド部１２９、１３８をワイヤボンディング等の配線１３５、１３５にて接続し、これらの端子部１３２を磁気記録装置の回転シリンダ側の電気回路に対して図示略のワイヤ等の配線により接続する構造を採用している。
【０００７】
ところが前述の構成の薄膜磁気ヘッドＡにあっては、図１３に示すように絶縁層１１０と絶縁層１２６の間に読出ヘッド部１０９と書込ヘッド部１０８が備えられた構成であり、これらのヘッド部の中でも下部ギャップ層１１２と上部ギャップ層１１６とギャップ層１２はいずれも絶縁材料からなり、読出ヘッド部１０９には磁気抵抗効果素子１１３が使用されているので、磁気抵抗効果素子１１３が設けられた部分は種々の絶縁層により挟まれた状態で静電容量を有する、いわばコンデンサ的な構造とされている。また、金属製の台板１３０の一面側に取り付けられた中継基板１３１は樹脂製であり、しかも配線１３５により薄膜磁気ヘッドＡと電気的に接続されているので、台板１３０と中継基板１３１と配線部分でもって小さい容量ではあるが静電容量を有していると考えられる。
以上のことから薄膜磁気ヘッドＡを備えた台板１３０と中継基板１３１と配線１３５に対し、製造工程の途中において何らかの原因で静電荷が付加されて帯電状態とされていた場合、台板１３０に人体が触れたり、アースされている部材に台板１３０が触れた場合に、溜まっていた静電気の放電がなされ、磁気抵抗効果素子１１３に異常な電流が流れて発熱し、磁気抵抗効果素子１１３が静電破壊するか、あるいは、静電破壊しないまでも、磁気特性の劣化を引き起こすおそれを有していた。
【０００８】
本発明は前記の事情に鑑みてなされたもので、磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、静電破壊、あるいは静電気による磁気抵抗効果素子の特性劣化を引き起こすことがないようにした構造の薄膜磁気ヘッドの提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために本発明の薄膜磁気ヘッド組立体は、コアブロックに媒体摺動面が形成され、該コアブロックの内部に磁気抵抗効果素子が絶縁層に隣接された状態で設けられ、前記コアブロックが台板に取り付けられる一方、該台板の少なくとも一面に絶縁性の中継基板が取り付けられ、該中継基板に形成された接続端子部に前記コアブロックの磁気抵抗効果素子に接続された配線が接続されてなり、前記磁気抵抗効果素子を含めたコアブロックの容量がＣＭＲ、前記中継基板と台板を含めた部分の容量がＣＰＷＢとされた場合、ＣＰＷＢ／ＣＭＲ　＜１．５の関係が満足されたことを特徴とする。
【００１０】
コアブロックの内部に設けられている磁気抵抗効果素子は絶縁層に隣接配置されており、コアブロックに挟まれた状態であるので、コアブロック全体が帯電した場合に磁気抵抗効果素子に異常な電流が流れようとするおそれがある。
また、コアブロックを備えた台板には樹脂製の中継基板が取り付けられていて、中継基板側とコアブロック側でも各々静電容量を有するので、帯電した場合に磁気抵抗効果素子に対してコアブロック側の電荷と中継基板側の電荷に起因した異常な電流が流れようとするおそれがある。
しかし、先に記載のＣＰＷＢ／ＣＭＲ　＜１．５の関係が満足された場合、中継基板と台板を含めた部分の容量がコアブロックの容量よりもそれほど大きくないので、静電荷に起因して磁気抵抗効果素子に流れるおそれのある電流量を小さくすることができ、静電気に起因する磁気抵抗効果素子の静電破壊を防止することができるとともに、磁気抵抗効果素子の静電劣化の発生割合を小さくするすることができ、不良発生率の低減に寄与する。
【００１１】
本発明の薄膜磁気ヘッド組立体は、前記磁気抵抗効果素子が前記コアブロックの内部において複数の絶縁層に挟まれた状態で設けられたことを特徴とする
磁気抵抗効果素子がコアブロックの内部において絶縁層に挟まれた状態であると、磁気抵抗効果素子とその周囲の絶縁層で容量が形成され易い。このような構造においても静電気に起因する磁気抵抗効果素子の静電劣化あるいは静電破壊を確実に防止できる。
【００１２】
本発明の薄膜磁気ヘッド組立体は、前記磁気抵抗効果素子を含めたコアブロックの容量ＣＭＲと前記中継基板と台板を含めた部分の容量ＣＰＷＢの合計値が、５ｐＦ以下であることを特徴とする。
本発明の薄膜磁気ヘッド組立体は、前記磁気抵抗効果素子を含めたコアブロックの容量ＣＭＲと前記中継基板と台板を含めた部分の容量ＣＰＷＢの合計値が、１ｐＦ以上、５ｐＦ以下であることを特徴とする。
磁気抵抗効果素子を含めたコアブロックの容量と中継基板側の容量が上述の範囲であるならば、磁気抵抗効果素子が静電破壊を起こす虞れは少なく、静電気による磁気抵抗効果素子の特性劣化もほとんど生じない。
【００１３】
本発明の磁気記録再生装置は、回転シリンダの外周部に形成された凹部に先のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド組立体が装着されてなることを特徴とする。
本発明の磁気記録再生装によれば、静電気に起因する磁気抵抗効果素子の静電劣化あるいは静電破壊を確実に防止でき、信頼性の高い磁気記録再生装置を提供できる。
【００１４】
本発明は、前記コアブロックが一対のコア半体を接合して構成され、一対のコア半体の接合部にコア内蔵層が形成され、該コア内蔵層中に、磁気抵抗効果素子とそれに接続される電極層とそれらを挟むように形成された絶縁層とシールド層とが設けられるとともに、前記電極層が前記コア内蔵層の外部に形成されたパッド部に接続され、前記中継基板の接続端子部に接続された配線が前記パッド部に接続されてなり、前記コアブロックにおいて前記磁気抵抗効果素子を前記絶縁層が挟むことで容量が構成されてなることを特徴とする。
コア半体で挟まれたコア内蔵層に絶縁層で挟まれた状態の磁気抵抗効果素子にあって確実に容量を有する。また、台板と樹脂製中継基板と配線によっても確実に容量が形成される。以上の構成により、磁気抵抗効果素子に電荷が蓄積され易い構成とされ、帯電した場合に静電破壊あるいは静電劣化発生のおそれが高いので、本発明構造により静電破壊及び静電劣化のおそれを解消できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
「第１実施形態」
以下に本発明の第１実施形態について図面を参照して説明するが、本発明は以下の各実施形態に限定されるものではない。また、以下の図面においては各構成部材の縮尺を図面上において見やすいように適宜変更して記載した。
図１、２は本発明に係る薄膜磁気ヘッドＢをＶＴＲなどの磁気記録装置の回転シリンダの台板１３０に取り付けた状態の薄膜磁気ヘッド組立体を示す。
この実施形態の薄膜磁気ヘッド組立体における薄膜磁気ヘッドＢは、ブロック状のコア半体１０１、１０２をそれらの側端面どうしをコア内蔵層１０３を介して接着一体化して全体として板状に形成されたＬ型のコアブロックＣからなり、コア半体１０１、１０２の面積の大きな側面の１つを凸型の台板１３０の先端部一面側に当接させ、コア半体１０１、１０２の一側を台板１３０の端部から若干外側に突出させてコアブロックＣが台板１３０に接着固定されている。
これらのコア半体１０１、１０２はＣａＴｉＯ３（チタン酸カルシウム）、Ａｌ２Ｏ３＋ＴｉＣ（アルミナチタンカーバイド）などの耐摩耗性に優れたセラミック材料あるいはフェライトなどの磁性体からなる。
台板１３０の外側に突出された薄膜磁気ヘッドＢの一面は細長い凸曲面状に加工されて媒体摺動面１０５とされている。
【００１６】
次に、媒体摺動面１０５の中央部に設けられているコア内蔵層１０３には先に図１２と図１３を基に説明した書込ヘッド部（インダクティブヘッド）１０８と読出ヘッド部１０９とが内蔵された構造とされている。なお、本発明において、読出ヘッド部１０９のみの構成として読出専用ヘッドとすることもできる。なおまた、図１３を基に先に説明した構造において上部シールド層１２０Ａと絶縁層１２０Ｂを別々の層で構成したが、上部シールド層１２０Ａと絶縁層１２０Ｂを一体化して１つの層で構成することもできる。
前記読出ヘッド部１０９の磁気抵抗効果素子１１３は、非磁性膜を強磁性膜と磁気抵抗効果膜とで挟んだ構造のＭＲ素子あるいはスピンバルブ型の巨大磁気抵抗効果多層膜素子などからなるもので、電極層１１５から検出電流を流した状態の磁気抵抗効果素子１１３に磁気テープ等の磁気記録媒体からの漏れ磁場が作用すると抵抗変化を生じるものである。
前記書込ヘッド部１０８では、平面視螺旋状のコイル層１２２に記録電流が与えられ、コイル層１２２を挟む上部ギャップ層１１６と上部コア層１２５の磁極先端部側から磁界が与えられ、磁気テープ等の磁気記録媒体に磁気信号を記録することができ、磁気記録媒体からの磁気信号を磁気抵抗効果素子１１３の抵抗変化で読み取ることもできる。
【００１７】
また、先に説明したコア半体１０１はコア半体１０２の半分程の大きさとされ、大きい方のコア半体１０２の一端部側の側面のコア内蔵層５の露出部分には、図１３を基に先に説明したパッド部１２９、１３８に加えて他の必要なパッド部が必要個数、例えば３〜４個形成されている。
そして、これらのパッド部にはワイヤボンディング線等の配線１３５、１３５の一端側が半田付け等の接合手段で電気的に接続されている。
また、前記台板１３０は真ちゅう等の金属坂からなり、長方形板状の本体部１Ａとそこから突出された小さな板状の取付部１Ｂからなる凸型とされ、取付部１Ｂの先端部側に先のコアブロックＣが取り付けられているが、本体部１Ａの一面側には平面視倒コ字状のエポキシ樹脂基板等からなる中継基板（プリント配線板）１３１が取り付けられ、この中継基板１３１における前記取付部１Ｂ側に形成された接続端子部１４１、１４１に先の配線１３５、１３５の他端部側が半田付け等の接合手段で電気的に接続されている。更に、中継基板１３１において前記本体部１Ａ側の表面部には、先の接続端子部１４１に接続された外部接続用の端子パッド１４５が形成されている。
【００１８】
次に、図３は先のコアブロックＣを有する薄膜磁気ヘッドＢを備えた台板１３０を磁気記録再生装置の円筒状の回転シリンダ２０に取り付けた状態を示す。なお、図３においては図１と図２に記載されていた配線１３５、１３５を略している。
回転シリンダ２０の外周部の必要箇所に凹部２１が複数形成され、これらの凹部２１に台板１３０の先端部とコアブロックＣの先端部を収めるように、かつ、コアブロックＣの媒体摺動面１０５を回転シリンダ２０の周面に添わせて配置するようにして台板１３０が回転シリンダ２０に取り付けられている。この取り付け構造については図３では略しているが、例えば、台板１３０の中央部に形成されている透孔１３０Ａを介して回転シリンダ２０に設けられているネジ孔に取付ボルトを螺合する等の手段による。
【００１９】
以上の如く備えられた薄膜磁気ヘッドＢにおいて、コアブロックＣの内部に設けられている磁気抵抗効果素子１１３は、図１３に示す構造とされているので、絶縁層１１０と絶縁層１２６の間に読出ヘッド部１０９と書込ヘッド部（インダクティブヘッド）１０８が備えられた構成であり、これらのヘッド部の中でも下部ギャップ層１１２と上部ギャップ層１１６とギャップ層１２はいずれも絶縁材料からなり、読出ヘッド部１０９には磁気抵抗効果素子１１３が使用されているので、磁気抵抗効果素子１１３部分まわりは種々の絶縁層により挟まれた状態で静電容量を有する、いわばコンデンサ的な構造とされている。
【００２０】
そして本願発明ではコア半体１０１、１０２と接着層１０４とコア内蔵層１２６と薄膜磁気ヘッドＢを含めた部分の容量ＣをＣＭＲ　とし、台板１３０と中継基板１３１とを併せた部分の容量ＣをＣＰＷＢとすると、ＣＰＷＢ／ＣＭＲ　＜１．５の関係を満足させることが好ましい。また、容量ＣＭＲと容量ＣＰＷＢの合計値が、５ｐＦ以下であることが好ましく、容量ＣＭＲと容量ＣＰＷＢの合計値が、１ｐＦ以上、５ｐＦ以下の範囲であることがより好ましい。
【００２１】
このような容量を実現するために、コア半体２、３をアルミナチタンカーバイドから形成し、絶縁層１１０をＡｌ２Ｏ３あるいはＳｉＯ２等から厚さ２μｍとし、下部シールド層１１１をパーマロイ等の軟磁性材料から厚さ２．５μｍとし、下部ギャップ層１１２をＡｌ２Ｏ３あるいはＳｉＯ２等から厚さ０．０７μｍとし、面積を約３００μｍ２、磁気抵抗効果素子１１３としてＳＡＬ（Ｓｏｆｔ　ａｄｊａｃｅｎｔ　ｌａｙｅｒ：通電バイアス発生用軟磁性層）層をＣｏＺｒＮｂ、ＮｉＦｅＮｂ等から、磁気分離層をＴａ等から、ＭＲ層をＮｉＦｅからなる全体厚さ０．０３３μｍとし、電極層１１５をＣｕ等の導電材料から厚さ２〜３μｍとし、総面積を７８０００μｍ２、上部ギャップ層１１６をＡｌ２Ｏ３あるいはＳｉＯ２等から厚さ０．１μｍとして読出ヘッド部１０９を形成することができる。
【００２２】
更に、上部シールド層１２０Ａをパーマロイ等の軟磁性材料から厚さ２．５μｍとし、面積を１４００μｍ２、ギャップ層１２１をＡｌ２Ｏ３あるいはＳｉＯ２等から厚さ０．２μｍとし、平面視螺旋型のコイル層１２２をＣｕ等の導電材料から厚さ（２〜）３μｍとし、総面積を８５０００μｍ２、絶縁層１２３をＡｌ２Ｏ３あるいはＳｉＯ２等から厚さ０．５〜０．８μｍとし、上部コア層１２５をパーマロイ等の軟磁性材料から厚さ３〜４μｍとし、絶縁層１２６をＡｌ２Ｏ３あるいはＳｉＯ２等から厚さ１０〜１５μｍとして書込ヘッド部１０８を構成することができる。
また、導体部１２８をＣｕ等の導電材料から形成し、パッド部１２９をＰｔ、Ａｕ、Ｃｕ等の導電材料から厚さ２〜３μｍとすることができる。更に、導体部１３７をＣｕ等の導電材料から形成し、パッド部１３８をＰｔ、Ａｕ、Ｃｕ等の導電材料から厚さ２〜３μｍ、両パッド総面積３４０００μｍ２とすることができる。
以上の構造を採用することで、磁気抵抗効果素子１１３を具備する薄膜磁気ヘッドＢを備えたコアブロックＣとしての容量ＣＭＲを、１．５〜３ｐＦ程度とすることができる。
【００２３】
次に、台板１３０を真ちゅうから形成し、中継基板１３１をエポキシ樹脂製の厚さ０．２ｍｍのものとし、導体部面積を約４．６ｍｍ２とし、これを台板１３０に接着することで、中継基板１３１と台板１３０を含めた部分の容量ＣＰＷＢを１．３〜１．７ｐＦ程度とすることができる。
ところで、中継基板１３１として例えば、ポリイミド製のＦＰＣ（可撓性配線基板）とガラスエポキシタイプの基板を適用することができる。ＦＰＣの一例として、接着層０．０５ｍｍ厚、ガラスエポキシ層０．１５ｍｍ厚、接着層０．０５ｍｍ厚、ポリイミド層０．０１３ｍｍ厚、接着層０．０５ｍｍ厚、銅箔０．０１８ｍｍ厚、保護用レジスト層から構成されるものがある。ガラスエポキシタイプの基板としては、接着層０．０５ｍｍ厚、ガラスエポキシ層０．２〜０．３ｍｍ厚、接着層０．０５ｍｍ厚、銅箔０．０１８ｍｍ厚、保護用レジスト層から構成されるものがある。これらの基板のなかで、補強材や接着層あるいはガラスエポキシ層の厚さを調整することで容量は適宜の範囲で調整することができる。
【００２４】
以上説明の各容量において、本発明で規定する如くＣＰＷＢ／ＣＭＲ　＜１．５の関係を満足させた場合、中継基板１３１と台板１３０を含めた部分の容量がコアブロックの容量の１．５倍未満であり、それほど大きくないので、静電荷に起因して磁気抵抗効果素子１１３に流れるおそれのある電流を小さくすることができ、静電気に起因する磁気抵抗効果素子１１３の静電劣化あるいは静電破壊を確実に防止できる。ここで静電劣化とは、磁気抵抗効果素子１１３の出力特性に後述するように凹部状の歪が生じることを意味する。
また、容量ＣＭＲと容量ＣＰＷＢの合計値を５ｐＦ以下としておくことで、帯電した場合の静電荷の量の絶対値をできるだけ少なくし、静電荷に起因して磁気抵抗効果素子１１３に流れるおそれのある電流量を小さくすることができる。また、磁気抵抗効果素子Ｂ側と中継基板１３１側の合計容量は小さい方が好ましく、構造上０にすることはできないが、合計容量で１ｐＦよりも低くすることは難しいので、磁気抵抗効果素子Ｂと中継基板１３１の合計容量は１ｐＦ以上となる。
以上の関係とすることで、静電気に起因する磁気抵抗効果素子１１３の静電破壊を防止できるのは勿論、静電劣化の発生も確実に防止できる。
【００２５】
図４と図５は本発明に係る薄膜磁気ヘッド組立体の第２の実施の形態を示すもので、この形態の薄膜磁気ヘッド組立体は、薄膜磁気ヘッドＢを長方形状の台板１３０’に取り付け、この台板１３０’の一面側から他面側に折り返し形状に設けた可撓性配線基板１５０を設けてなり、この構成の薄膜磁気ヘッド組立体に本発明を適用した例である。
先の第１の実施形態の如きワイヤ状の配線１３５を個別に設けることなく、この形態のごとく可撓性配線基板１５０に複数設けた配線１５１の一端部１５１ａを薄膜磁気ヘッドＢのパッド部１２９、１３８に半田付け等の接合手段で接続し、複数の配線１５１を可撓性配線基板１５０に沿って台板１３０’の他面側に引き回し、他面側の可撓性配線基板１５０の一部に前記複数の配線１５１用の端子部１５２を設けた構成においても先の形態の場合と全く同等に容量を設定することで目的を達成することができる。即ちこの形態では可撓性配線基板１５０と台板１３０側の容量をＣＰＷＢと見立て、コアブロックＣ側の容量をＣＭＲと見立てれば良い。
【００２６】
【実施例】
先に図１２と図１３を基に各々詳述したコア半体２、３（アルミナチタンカーバイト製）、絶縁層１１０（Ａｌ２Ｏ３製）、下部シールド層１１１（パーマロイ製）、下部ギャップ層１１２（Ａｌ２Ｏ３製）、磁気抵抗効果素子１１３（ＳＡＬ層＋磁気分離層＋ＭＲ層）、電極層１１５（Ｃｕ製）、上部ギャップ層１１６（Ａｌ２Ｏ３製）、上部シールド層１２０Ａ（パーマロイ製）、ギャップ層１２１（Ａｌ２Ｏ３製）、コイル層１２２（Ｃｕ製）、絶縁層１２３（Ａｌ２Ｏ３製）、上部コア層１２５（パーマロイ製）、絶縁層１２６（Ａｌ２Ｏ３製）、導体部１２８（Ｃｕ製）、パッド部１２９（Ａｕ製）、導体部１３７（Ｃｕ製）、パッド部１３８（Ａｕ製）を適用して薄膜磁気ヘッドを製造し、これに図１に示す形状の真ちゅう製の台板１３０、エポキシ製の中継基板１３１をエポキシ系の接着剤で貼着して複数の薄膜磁気ヘッド組立体試料を製造した。
【００２７】
これら複数の薄膜磁気ヘッド組立体試料の薄膜磁気ヘッド部分の容量と台板と中継基板部分の容量とを各々測定した。また、各薄膜磁気ヘッド試料の出力を測定した。
図６と図７は得られた薄膜磁気ヘッド試料により磁気記録媒体に信号を書き込みした場合のマイクロトラックプロファイルによる出力特性と再生出力信号のアシンメトリ（信号の対称性）を測定した結果を示す。また、図８と図９は静電劣化した薄膜磁気ヘッドに対して同様の測定を行った場合に得られた信号波形を示す。
図８と図９に示す測定結果では、薄膜磁気ヘッドは静電破壊はしていないものの、出力波形のピーク付近に大きな欠損部分（ピーク出力に凹部を生じている領域）が入っている。これは上述の薄膜磁気ヘッドの製造途中において帯電により薄膜磁気ヘッドに静電荷が作用し、磁気抵抗効果素子に異常な電流が流れた結果であると思われる。
【００２８】
図６あるいは図７に示すようにマイクロトラックプロファイル測定値で正常な波形が得られた薄膜磁気ヘッドを良品と判断し、図８あるいは図９に示すようにマイクロトラックプロファイルで異常な波形が得られ、アシンメトリが悪い薄膜磁気ヘッド試料を不良品と判断して、マイクロトラックプロファイル特性不良率と、各薄膜磁気ヘッドの容量ＣＰＷＢと容量ＣＭＲの比の値、即ちＣＰＷＢ／ＣＭＲとの関係を調査した結果を図１０に示す。なお、マイクロトラックプロファイルとは、磁気記録媒体の規定幅のトラックに沿って磁気情報を書き込んだ後、そのトラックの幅方向に横切るように他の読出ヘッドを走査してトラックの幅方向位置毎の出力信号の強さを測定して信号出力を解析する手法として広く知られているものである。
図１０において◆印は薄膜磁気ヘッド側の静電容量が３ｐＦの試料の測定結果を示し、■印は薄膜磁気ヘッド側の静電容量が２ｐＦの試料の測定結果を示す。
図１０に示す結果から、ＣＰＷＢ／ＣＭＲの値において１．５未満の範囲であるならば、不良率を確実に０．５％以下にできることが判明した。従ってＣＰＷＢ／ＣＭＲ　＜１．５の関係を満足させることが好ましい。
【００２９】
図１１は先の薄膜磁気ヘッド試料における容量ＣＭＲと容量ＣＰＷＢの合計値に対するマイクロトラックプロファイル特性不良率の関係を示す。図１１において◆印は薄膜磁気ヘッド側の静電容量が３ｐＦの試料の測定結果を示し、■印は薄膜磁気ヘッド側の静電容量が２ｐＦの試料の測定結果を示す。
図１１に示す結果から、容量ＣＭＲと容量ＣＰＷＢの合計値が５ｐＦ以下となるならば、マイクロトラックプロファイル特性不良率が０．５％を確実に下回ることが判明した。また、これらの薄膜磁気ヘッド試料では容量ＣＭＲと容量ＣＰＷＢの合計値の最低が３ｐＦであった。
従って容量ＣＭＲと容量ＣＰＷＢの合計値が５ｐＦ以下であり、より低い範囲が好ましいと思われる。
【００３０】
以上説明の実施例において、素子側の静電容量を変えるには、ＭＲ素子側のリード線のパターン面積を通常の面積から１／２程度に変更する方法、基板側としては可撓性配線基板の配線面積の異なるものを組み合わせる方法を採用した。
また、中継基板はベースの外形、ランドサイズでほぼ面積が決まるので、より面積を小さくすること、ガラスエポキシ層の基板部自体の厚さを厚くすること、ＭＲ素子側としては、アルミナチタンカーバイト製の磁気コア半体から下部シールドまでの寸法を決めているアルミナ製の絶縁層を厚くすること、シールド層面積、リードの面積を縮小すること、またアルミナチタンカーバイド製の磁気コア半体からの距離を大きくする（例えばスペーサを設ける）等の方法を採用することでも容量を調整することができるので、これらの手法により容量を調整して先に記載の低容量を実現した。
【００３１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、薄膜磁気ヘッドが帯電した場合に磁気抵抗効果素子に異常な電流が流れようとするおそれがあり、コアブロックを備えた台板には樹脂製の中継基板が取り付けられていて、中継基板側とコアブロック側の両方で容量を有するので、帯電した場合に磁気抵抗効果素子に対して異常な電流が流れようとするおそれがある。
そこで本発明の如くＣＰＷＢ／ＣＭＲ　＜１．５の関係を満足させた場合、中継基板と台板を含めた部分の容量をコアブロック側の容量よりもそれほど大きくしないので、静電荷に起因して磁気抵抗効果素子に流れるおそれのある電流量をできるだけ小さくすることができ、静電気に起因する磁気抵抗効果素子の静電劣化あるいは静電破壊を防止できる。
【００３２】
本発明によりコアブロックの容量ＣＭＲと中継基板と台板を含めた部分の容量ＣＰＷＢの合計値を５ｐＦ以下とするならば、
磁気抵抗効果素子が静電破壊を起こす虞れは少なく、静電気による磁気抵抗効果素子の特性劣化もほとんど生じることがなく、不良率を確実に小さくすることができる。
【００３３】
また、本発明の磁気記録再生装置においてコアブロックの容量ＣＭＲと中継基板と台板を含めた部分の容量ＣＰＷＢの合計値を５ｐＦ以下とするならば、磁気抵抗効果素子が静電破壊を起こす虞れは少なく、静電気による磁気抵抗効果素子の特性劣化もほとんど生じることがなく、不良率を確実に小さくすることができ、性能の安定した磁気記録再生装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１はコアブロックを台板に取り付けた状態の本発明に係る薄膜磁気ヘッドを示す平面図。
【図２】図２はコアブロックを台板に取り付けた状態の本発明に係る薄膜磁気ヘッドを示す裏面図。
【図３】図３はコアブロックを台板に取り付けた状態の本発明に係る薄膜磁気ヘッドを回転シリンダに取り付けた状態を示す平面図。
【図４】図４はコアブロックを台板に取り付けた状態の本発明に係る薄膜磁気ヘッドの他の例を示す斜視図。
【図５】図５はコアブロックを台板に取り付けた状態の本発明に係る薄膜磁気ヘッドの他の例を示す裏面図。
【図６】図６は薄膜磁気ヘッドを台板に取り付けた実施例で得られた出力特性を示すグラフである。
【図７】図７は薄膜磁気ヘッドを台板に取り付けた他の実施例で得られた出力特性とアシンメトリーを示すグラフである。
【図８】図８は薄膜磁気ヘッドを台板に取り付けた比較例で得られた出力特性を示すグラフである。
【図９】図９は薄膜磁気ヘッドを台板に取り付けた他の比較例で得られた出力特性とアシンメトリーを示すグラフである。
【図１０】図１０はマイクロトラックプロファイル特性不良率と静電容量比（ＣＰＷＢ／ＣＭＲ）の関係を示す図である。
【図１１】図１１はマイクロトラックプロファイル特性不良率と合計静電容量（ＣＰＷＢ＋ＣＭＲ）の関係を示す図である。
【図１２】図１２は薄膜磁気ヘッドの一構造例を示す斜視図である。
【図１３】図１３は図１２に示す薄膜磁気ヘッドの部分断面拡大図である。
【図１４】図１４は従来の一般的な薄膜磁気ヘッドを台板に取り付けた状態を示す平面図である。
【図１５】図１５は図１４に示す薄膜磁気ヘッドの裏面図である。
【符号の説明】
Ａ、Ｂ…薄膜磁気ヘッド、Ｃ…コアブロック、２０…回転シリンダ、２１…凹部、１０１、１０２…コア半体、１０３…コア内蔵層、１０４…接着層、１０５…媒体摺動面、１０８…書込コア部、１０９…読出コア部、１１０…絶縁層、１１１…下部シールド層、１１２…下部ギャップ層、１１３…磁気抵抗効果素子、１１５…電極層、１１６…上部ギャップ層、１２０Ａ…上部シールド層、１２１…ギャップ層、１２２…コイル層、１２３…絶縁層、１２５…上部コア層、１２６…絶縁層、１３０…台板、１３１…中継基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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