(57)【要約】【課題】より平坦性のある突起電極を効率良く製造することができる突起電極付き配線基板の製造方法の提供。【解決手段】離型性支持体を備えた金属層に、電解めっきにて導体回路を形成する工程と、当該導体回路側に絶縁基板を熱圧着して該絶縁層に導体回路を埋め込む工程と、当該回路形成後、離型性支持体を剥離して金属層を露出せしめる工程と、当該露出した金属層をエッチングして突起電極を形成する；前記製造方法において金属層を露出せしめた後、前記絶縁基板に非貫通穴を形成し、次いで全面に銅めっき処理を施し、次いで当該銅めっきをエッチングして突起電極、その反対面の導体回路及びブラインドバイアホールを同時に形成する。【選択図】　図１
2004072028.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
離型性支持体を備えた金属層に、電解めっきにて導体回路を形成する工程と、当該導体回路側に絶縁基板を熱圧着して該絶縁層に導体回路を埋め込む工程と、当該回路形成後、離型性支持体を剥離して金属層を露出せしめる工程と、当該露出した金属層をエッチングして突起電極を形成する工程とを有することを特徴とする突起電極付き配線基板の製造方法。
【請求項２】
離型性支持体を備えた金属層に、電解めっきにて導体回路を形成する工程と、当該導体回路側に絶縁基板を熱圧着して該絶縁層に導体回路を埋め込む工程と、当該回路形成後、離型性支持体を剥離して金属層を露出せしめる工程と、当該露出した金属層とは反対側の絶縁基板にレーザーにて非貫通穴を形成する工程と、当該非貫通穴形成後、全面に無電解・電解銅めっき処理を施す工程と、当該銅めっきのエッチングにより突起電極とその反対面の導体回路とブラインドバイアホールを同時に形成する工程とを有することを特徴とする突起電極付き配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は突起電極付き配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、突起電極付き配線基板は図３に示される工程により製造されていた。
すなわち、まず銅張りした基材１１を用意し（図３（１））、銅箔上に感光性エッチングレジスト１２を形成する（図３（２））。次いで、回路非形成部の感光性エッチングレジスト１２を露光・現像し、開口部を設ける（図３（３））。次いで、露出した銅をエッチングする（図３（４））。次いで、感光性エッチングレジスト１２を剥離する（図３（５））。次いで、全面に無電解銅めっき１３を施す（図３（６））。次いで、感光性めっきレジスト１４を形成する（図３（７））。次いで、ランド１５対応部の感光性めっきレジスト１４を露光・現像し、開口部を設ける（図３（８））。次いで、感光性めっきレジスト１４の当該開口部に電解銅めっきによる突起電極１６を形成する（図３（９））。次いで、感光性めっきレジスト１４を剥離する（図３（１０））。次いで、無電解銅めっきのみをエッチングして（図３（１１））、突起電極付き配線基板を製造していた。
【０００３】
斯様に、突起電極付き配線板を製造するには、従来は煩雑な工程を必要としていたため、そもそも生産性が低いと云う問題があった。
しかも、電解めっきにて１５μｍ前後の高さまで銅めっきを析出させるため、めっきのバラツキや突起電極の先端が丸くなり易く、平坦性を確保することが難しいという問題も発生していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の如き従来の問題に鑑みてなされたものであり、より平坦性のある突起電極を効率良く製造することができる突起電極付き配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、離型性支持体を備えた金属層に、電解めっきにて導体回路を形成する工程と、当該導体回路側に絶縁基板を熱圧着して該絶縁層に導体回路を埋め込む工程と、当該回路形成後、離型性支持体を剥離して金属層を露出せしめる工程と、当該露出した金属層をエッチングして突起電極を形成する工程とを有することを特徴とする突起電極付き配線基板の製造方法により上記目的を達成したものである。
【０００６】
また本発明は、離型性支持体を備えた金属層に、電解めっきにて導体回路を形成する工程と、当該導体回路側に絶縁基板を熱圧着して該絶縁層に導体回路を埋め込む工程と、当該回路形成後、離型性支持体を剥離して金属層を露出せしめる工程と、当該露出した金属層とは反対側の絶縁基板にレーザーにて非貫通穴を形成する工程と、当該非貫通穴形成後、全面に無電解・電解銅めっき処理を施す工程と、当該銅めっきのエッチングにより突起電極とその反対面の導体回路とブラインドバイアホールを同時に形成する工程とを有することを特徴とする突起電極付き配線基板の製造方法により上記目的を達成したものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の実施の形態を図１を用いて説明する。
【０００８】
まず、離型性支持体１ａに金属層１ｂを備えたキャリア付金属箔１を用意する（図１（１））。ここで使用する離型性支持体１ａは、絶縁性のフィルムタイプのもの、あるいは銅箔キャリア、ステンレス等の金属でも構わない。また、金属層１ｂは、後工程で突起電極をエッチングで形成できる材料であれば特に金属の種類は問わないが、通常使用されている銅あるいは銅箔を用いた方が材料の入手のしやすさ、値段の安さ、エッチング液の処理のし易さ等で好ましい。ここに金属層１ｂの厚さとしては、例えば、銅箔を用いる場合は、突起電極の高さに合わせて９μｍから３５μｍの銅箔を使用するのが、単純に後工程で銅箔をエッチングするだけで突起電極が形成できる点で有利である。
【０００９】
次いで、金属層１ｂ側にめっきレジスト２を形成する（図１（２））。次いで、導体回路形成部のめっきレジスト２を露光・現像し、開口部を設ける（図１（３））。
【００１０】
次いで、めっきレジスト２の当該開口部に銅以外の金属、例えばＮｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｎ等で０．１〜１０μｍ程度電解めっき３ａを施し、更に銅めっき処理３ｂを施して導体回路３とする（図１（４））。因に、離型性支持体１ａの金属層１ｂとして銅あるいは銅箔を使用した場合、後工程でエッチングすることにより突起電極を形成するため、この例では銅以外の金属を薄く形成し、２種以上の金属で転写用の導体回路を形成したが、銅以外の金属１種を形成しても構わない。
【００１１】
次いで、析出した金属めっきを粗化した後、めっきレジスト２を剥離する（図１（５））。尚、この例ではめっきレジスト２を剥離したが、そのままめっきレジスト２を永久レジストとして残しても構わない。
【００１２】
次いで、導体回路３側に絶縁基板４を熱圧着することによって、導体回路３を当該絶縁基板４に埋め込む（図１（６））。尚、ここに絶縁基板４の材料は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂あるいは液晶ポリマー等の如何を問わない。
【００１３】
次いで、離型性支持体１ａを剥離する（図１（７））。次いで、露出した金属層１ｂに写真法にてエッチングレジストを形成後、エッチングにて導体回路３の真上に突起電極５を形成して（図１（８））、突起電極付き配線基板を得る。
【００１４】
本発明の第２の実施の形態を図１及び図２を用いて説明する。
【００１５】
まず、上記第１の実施の形態における図１（１）〜（７）に示す工程に従い、導体回路３を形成した後、離型性支持体１ａを剥離して金属層１ｂを露出せしめる。
【００１６】
次いで、当該露出した金属層１ｂとは反対側の絶縁基板４にレーザで非貫通穴６を形成する（図２（１））。次いで、全面に無電解・電解銅めっき７を施す（図２（２））。
【００１７】
次いで、当該両面の銅めっき７に写真法にてエッチングレジストを形成後、エッチングにて、導体回路３の真上に突起電極５を形成すると共に、その反対面に導体回路（図示せず）を形成し、更にブラインドバイアホール８をも同時に形成して、突起電極付き配線板を得る。
【００１８】
因に、この第２の実施の態様においては、金属層１ｂとして極薄銅箔（３から５μｍ）を使用する場合は、後工程で、絶縁基板４に埋め込まれた導体回路３を多層化するために非貫通穴６に、銅めっきを施す際に、該極薄銅箔上にも銅めっき７が形成されるので、その銅めっき７の厚さで突起電極の高さを調節することもできる。
【００１９】
【発明の効果】
本発明方法は、離型性支持体を備えた金属層を利用して、電解めっきにて導体回路を形成すると共に、転写により絶縁基板に導体回路を埋め込んでいるため、微細なランドが平坦に形成され、かつ当該金属層を利用してエッチングにより突起電極を形成するものであるため、本発明方法によれば煩雑な工程が省け、しかも平坦な突起電極を効率良く形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す断面工程説明図。
【図２】本発明の第２の実施の形態を示す断面工程説明図。
【図３】従来方法による製造例を示す断面工程説明図。
【符号の説明】
１：キャリア付き金属箔
１ａ：離型性支持体
１ｂ：金属層
２，１４：めっきレジスト
３：導体回路
３ａ：銅以外のめっき処理
３ｂ：銅によるめっき処理
４：絶縁基板
５，１６：突起電極
６：非貫通穴
７：無電解・電解銅めっき
８：ブラインドバイアホール
１１：銅張りした基材
１２：感光性エッチングレジスト
１３：無電解銅めっき
【図１】
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【図２】
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【図３】
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