(57)【要約】【課題】リッジストライプ型あるいは内部ストライプ型の横モード制御機構を備えた半導体レーザ素子において、ストライプ幅を高精度で制御し、高い信頼性を得る。【解決手段】ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ａｌｚ１Ｇａ１−ｚ１Ａｓ下部クラッド層２、ｎあるいはｉ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ光導波層３、ＧａＡｓ１−ｙ２Ｐｙ２引張歪障壁層４、圧縮歪Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３量子井戸活性層５、ＧａＡｓ１−ｙ２Ｐｙ２引張歪障壁層６、ｐあるいはｉ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ光導波層７、ｐ−ＧａＡｓ再成長保護層８、ｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐエッチング阻止層９、ｎ−Ａｌｚ２Ｇａ１−ｚ２Ａｓ電流狭窄層１０（０．６≦ｚ２＜０．８、厚さ５００ｎｍ程度、ｚ２は活性層から離れるにつれ０．６から０．８未満まで徐々に増加させる）、ｎ−ＧａＡｓキャップ層１１を積層し、ＳｉＯ２膜１２マスクにより１〜４μｍ程度幅のストライプ領域のキャップ層１１および電流狭窄層１０を除去する。ｐ−ＧａＡｓエッチング阻止層８とｎ−ＧａＡｓキャップ層１１を除去した後、ｐ−Ａｌｚ１Ｇａ１−ｚ１Ａｓクラッド層１３、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１４を形成する。【選択図】　　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、下部クラッド層、下部光導波層、活性層、上部光導波層、リッジ状に成形されたＡｌＧａＡｓまたはＡｌＧａＩｎＰからなる上部クラッド層をこの順に備えた半導体レーザ素子において、
前記上部クラッド層のＡｌの組成比が、前記活性層側から前記基板と反対方向に向かって徐々に大きくなっていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記上部光導波層と前記上部クラッド層との間に第二の上部クラッド層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
基板上に、下部クラッド層、下部光導波層、活性層、上部光導波層、ストライプ領域に開口を有するＡｌＧａＡｓまたはＡｌＧａＩｎＰからなる電流狭窄層、前記開口を埋め込むように形成された上部クラッド層をこの順に備えた半導体レーザ素子において、
前記電流狭窄層のＡｌの組成比が、前記活性層側から前記基板と反対方向に向かって徐々に大きくなっていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記上部光導波層と前記電流狭窄層との間に第二の上部クラッド層が形成されていることを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、横モード制御機構を備えた半導体レーザ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
横モード制御機構を備えた半導体レーザ素子として、全ての結晶成長終了後にフォトリソグラフィによりリッジ部を設けてなるリッジ型半導体レーザ素子、および、電流抑制層（電流狭窄層）の電流通路に相当する領域をエッチングにより除去した後、電流通路（クラッド層）を改めて再成長してなる内部ストライプ型半導体レーザ素子を挙げることができる。リッジ型半導体レーザ素子は、現在、通信分野を含め広く一般的に利用されている。一方、内部ストライプ型半導体レーザ素子においては、コンタクト層と電極との接触面積を広く取れるために、リッジ型あるいは絶縁膜ストライプ型と比較して、コンタクト抵抗が小さく、また製造の安定性に優れているという利点がある。このような内部ストライプ型の半導体レーザ素子は、例えば、１９９３年発行のＩＥＥＥ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｑｕａｎｔｕｍ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ．Ｖｏｌ．２９，Ｎｏ６，ｐ．１８８９に紹介されている。近年、フォトリソグラフィ技術の進展により、高精度で且つ再現性良く電流注入領域の線幅を制御することが可能となっているが、更なる高品質化が要望されている。
【０００３】
一方、半導体レーザ素子に用いられている化合物半導体材料として、例えばＡｌを含むＡｌＧａＡｓが、ＧａＡｓとの格子定数の差が少ないために広く使用されている。しかし、ＡｌＧａＡｓは性質上、等方的にウェットエッチングが進行するため、層の深さ方向および水平方向のエッチング速度を制御することが困難である。これを解決するために、高価なドライエッチング装置を用いても、コストが高くなり、量産に適さないという問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
例えば、リッジ型半導体レーザ素子のクラッド層、および内部ストライプ型半導体レーザ素子の電流狭窄層は、横モード制御のために加工が施されるが、これらの層にＡｌＧａＡｓあるいはＡｌを含む半導体材料を用いた場合、サイドエッチング量が大きくストライプ幅を高精度に制御することが困難である。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みて、ストライプが高精度で且つ再現性良く作りつけられた、信頼性の高い低コストで作製可能な半導体レーザ素子を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の半導体レーザ素子は、基板上に、下部クラッド層、下部光導波層、活性層、上部光導波層、リッジ状に成形されたＡｌＧａＡｓまたはＡｌＧａＩｎＰからなる上部クラッド層をこの順に備えた半導体レーザ素子において、上部クラッド層のＡｌの組成比が、活性層側から基板と反対方向に向かって徐々に大きくなっていることを特徴とするものである。なお、上部光導波層と上部クラッド層との間に第二の上部クラッド層が形成されていてもよい。
【０００７】
本発明の第２の半導体レーザ素子は、基板上に、下部クラッド層、下部光導波層、活性層、上部光導波層、ストライプ領域に開口を有するＡｌＧａＡｓまたはＡｌＧａＩｎＰからなる電流狭窄層、前記開口を埋め込むように形成された上部クラッド層をこの順に備えた半導体レーザ素子において、電流狭窄層のＡｌの組成比が、活性層側から基板と反対方向に向かって徐々に大きくなっていることを特徴とするものである。なお、上部光導波層と電流狭窄層との間に第二の上部クラッド層が形成されていてもよい。
【０００８】
【発明の効果】
本発明の第１の半導体レーザ素子によれば、上記のような層構成であって、上部クラッド層のＡｌの組成比が、活性層側から基板と反対方向に向かって徐々に大きくなっていることにより、精度高く形成されたリッジストライプを有するものとすることができるので、高出力まで高い信頼性を得ることができる。これまで上部クラッド層のＡｌ組成比が一定の場合、ウェットエッチングが等方的に進行していたために、サイドエッチング量が大きくストライプ幅の制御性が悪いという問題があったが、Ａｌ組成比を活性層側から基板と反対方向に向かって徐々に大きくしたことにより、ウェットエッチングに異方性を持たせることができる。すなわち、上部クラッド層の表面付近のサイドエッチング量を小さくできるので、ストライプ幅の制御性を高めることができる。よって、所望のストライプ幅を再現性良く高歩留りで得ることができるので、信頼性の高い半導体レーザ素子を低コストで作製することが可能である。
【０００９】
また、本発明の第２の半導体レーザ素子によれば、上記のような層構成であって、電流狭窄層のＡｌの組成比が、活性層側から基板と反対方向に向かって徐々に大きくなっていることにより、精度高く形成された内部ストライプ溝を有するものとすることができ、高出力まで高い信頼性を得ることができる。すなわち、電流狭窄層をウェットエッチングによってエッチングし内部ストライプ溝を形成する工程において、上記同様、該ウェットエッチングに異方性を持たせて、サイドエッチング量を小さくすることができるので、内部ストライプ溝幅の制御性を高めることができ、信頼性の高い半導体レーザ素子を低コストで得ることができる。
【００１０】
また、上記本発明の第１の半導体レーザ素子におけるクラッド層あるいは本発明の第２の半導体レーザ素子における電流狭窄層の平均屈折率を、従来（屈折率を一定にして作製した場合の該屈折率）より小さくなくなるようにすれば、必然的に層厚を小さくすることとなるので、ストライプ幅の制御性を高めることができる。
【００１１】
またさらに、本発明の第１および第２の半導体レーザ素子において、第二の上部クラッド層を設けることにより、水平方向の等価屈折率差の制御性が高くなるので、信頼性の高い屈折率導波機構を作りつけることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。
【００１３】
本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ素子についてその製造方法に沿って説明する。図１は、その半導体レーザ素子の製造過程の断面図であり、図２は、その半導体レーザ素子の屈折率ダイャグラムである。
【００１４】
図１（ａ）に示すように、有機金属気相成長法により、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ａｌｚ１Ｇａ１−ｚ１Ａｓ下部クラッド層（０．６≦ｚ１＜０．８）２、ｎあるいはｉ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ光導波層３、ＧａＡｓ１−ｙ２Ｐｙ２引張歪障壁層４（０≦ｙ２≦０．４）、圧縮歪Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３量子井戸活性層５（０＜ｘ３≦０．３，０≦ｙ３≦０．６）、ＧａＡｓ１−ｙ２Ｐｙ２引張歪障壁層６、ｐあるいはｉ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ光導波層７、ｐ−ＧａＡｓ再成長保護層（１０ｎｍ程度）８、ｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐエッチング阻止層９、ｎ−Ａｌｚ２Ｇａ１−ｚ２Ａｓ電流狭窄層１０（０．６≦ｚ２＜０．８、厚さ５００ｎｍ程度、ｚ２は活性層から離れるにつれ０．６から０．８未満まで徐々に増加させる）およびｎ−ＧａＡｓキャップ層（１０ｎｍ程度）１１を積層する。この上にＳｉＯ２膜１２を形成し、＜０１１＞方向に通常のリソグラフィーにより１〜４μｍ程度幅のストライプ領域のＳｉＯ２膜を除去する。
【００１５】
次に、図１（ｂ）に示すように、ＳｉＯ２膜１２をマスクとして、硫酸系エッチャントでＧａＡｓキャップ層１１、ｎ−Ａｌｚ２Ｇａ１−ｚ２Ａｓ電流狭窄層１０をエッチングすることによりｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐエッチング阻止層９を露出させる。引き続き、塩酸系エッチャントで、ｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐエッチング阻止層９を、ＳｉＯ２膜１２をフッ酸系のエッチャントで除去し、ｐ−ＧａＡｓ再成長保護層（１０ｎｍ程度）８とｎ−ＧａＡｓキャップ層（１０ｎｍ程度）１１を露出させる。
【００１６】
次に、図１（ｃ）に示すように、ｐ−Ａｌｚ１Ｇａ１−ｚ１Ａｓ上部クラッド層１３、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１４を形成する。ｐ側電極１５を形成し、基板１の研磨を行いｎ側電極１６を形成する。その後、試料をへき開して形成した共振器面に高反射率コート、低反射率コートを行い、チップ化して半導体レーザ素子を完成させる。
【００１７】
ｐあるいはｉ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ光導波層７の厚みは基本横モード発振が高出力まで維持できる値とする。
【００１８】
下部クラッド層２および上部クラッド層１２は、Ｉｎ０．４９（Ｇａ１−ｚ３Ａｌｚ３）０．５１Ｐ層（０．２≦ｚ３≦１）であってもよい。
【００１９】
ｐ−ＧａＡｓ再成長保護層８、ｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐエッチング阻止層９、及びｎ−ＧａＡｓキャップ層１１の導電性はｎ及びｐ型のどちらであってもよい。
【００２０】
本実施の形態では引張歪を有する障壁層を用いているが、ＧａＡｓに格子整合する組成の障壁層を用いてもよい。
【００２１】
本実施の形態の半導体レーザ素子は、図２に示すように、電流狭窄層のＡｌ組成比が活性層から離れるに従って０．６から０．８未満まで徐々に大きくなっているため屈折率が徐々に小さくなるものである。この電流狭窄層の平均屈折率を、屈折率を一定にして作製した場合の屈折率より小さくした場合は、層厚を小さくすることとなるので、ストライプ幅の制御性を高くすることができる。
【００２２】
図３に上記実施の形態の半導体レーザ素子と従来例としての半導体レーザ素子のストライプ幅分布を示す。図３に示すように、本発明の半導体レーザ素子は、従来例と比較して２インチ基板内のストライプ幅の分散が従来の約１／２以下であり、設計通りのストライプ幅が安定に作りつけられていることがわかる。このため、キンク発生光出力の面内分布を大幅に改善することができる。また、歩留りを上げることができるので、信頼性の高い半導体レーザ素子を低コストで作製することが可能である。
【００２３】
次に、本発明の第２の実施の形態による半導体レーザ素子についてその製造方法に沿って説明する。図４は、その半導体レーザ素子の製造過程の断面図である。
【００２４】
図４（ａ）に示すように、有機金属気相成長法により、ｎ−ＧａＡｓ基板２１上に、ｎ−Ａｌｚ１Ｇａ１−ｚ１Ａｓ下部クラッド層２２（０．６≦ｚ１＜０．８）、ｎあるいはｉ−Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ１−ｙ１Ｐｙ１光導波層２３（０＜ｘ１≦０．２，０≦ｙ１≦０．４）、圧縮歪Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３量子井戸活性層２４（０＜ｘ３≦０．３，０≦ｙ３≦０．６）、ｐあるいはｉ−Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ１−ｙ１Ｐｙ１光導波層２５（０＜ｘ１≦０．２，０≦ｙ１≦０．４）、ｐ−Ａｌ０．６５Ｇａ０．３５Ａｓ上部第一クラッド層（２００ｎｍ程度）２６、ｐ−ＧａＡｓ再成長保護層（１０ｎｍ程度）２７、ｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐエッチング阻止層２８、ｎ−Ａｌｚ４Ｇａ１−ｚ４Ａｓ電流狭窄層２９（０．６≦ｚ４＜０．８、厚さ５００ｎｍ程度、ｚ４は活性層から離れるにつれ０．６から０．８未満まで徐々に増加させる）、ｎ−ＧａＡｓキャップ層（１０ｎｍ程度）３０を積層する。この上にＳｉＯ２膜３１を形成し、＜０１１＞方向に通常のリソグラフィーにより１〜４μｍ程度幅のストライプ領域のＳｉＯ２膜３１を除去する。
【００２５】
次に、図４（ｂ）に示すように、ＳｉＯ２膜３１をマスクとして、硫酸系エッチャントでＧａＡｓキャップ層３０およびｎ−Ａｌｚ４Ｇａ１−ｚ４Ａｓ電流狭窄層２９をエッチングすることにより、ｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐエッチング阻止層２８を露出させる。引き続き塩酸系エッチャントで、ｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐエッチング阻止層２８を、フッ酸系のエッチャントでＳｉＯ２膜３１を除去し、ｐ−ＧａＡｓ再成長保護層２７とｎ−ＧａＡｓキャップ層３０を露出させる。
【００２６】
次に、図４（ｃ）に示すように、その後、ｐ−Ａｌｚ１Ｇａ１−ｚ１Ａｓ上記第二クラッド層３２、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層３３を形成する。ｐ側電極３４を形成し、基板の研磨を行いｎ側電極３５を形成する。その後、上記のようにして作製した試料をへき開して形成した共振器面の一方に高反射率コート、他方に低反射率コートを行い、チップ化して半導体レーザ素子を完成させる。
【００２７】
ｐあるいはｉ−Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ１−ｙ１Ｐｙ１光導波層２５の厚さ、およびｐ−Ａｌ０．６５Ｇａ０．３５Ａｓ上部第一クラッド層２６の厚さは基本横モード発振が高出力まで維持できる値とする。
【００２８】
下部クラッド層２２、上部第一クラッド層２６および上部第二クラッド層３２は、ＡｌＧａＡｓの代わりにＩｎ０．４９（Ｇａ１−ｚ３Ａｌｚ３）０．５１Ｐ層（０．２≦ｚ３≦１）であってもよい。
【００２９】
ｐ−ＧａＡｓ再成長保護層２７、ｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐエッチング阻止層２８、及びｎ−ＧａＡｓキャップ層３０の導電性は、基板の導電性に関わらず、ｎ型およびｐ型のどちらであってもよい。
【００３０】
上記のようにして作製された本実施の形態による半導体レーザ素子においても、電流狭窄層のＡｌ組成比を活性層から離れるに従って徐々に増加させているので、電流狭窄層をウェットエッチングによってエッチングし内部ストライプ溝を形成する工程において、該ウェットエッチングに異方性を持たせて、サイドエッチング量を小さくすることができるので、内部ストライプ溝幅の制御性を高めることができ、信頼性の高い半導体レーザ素子を低コストで得ることができる。
【００３１】
上記第１と第２の実施の形態においては、ストライプ幅が１〜４μｍ程度の基本横モード発振する半導体レーザ素子について述べたが、ストライプ幅を４μｍより大きくして屈折率導波型幅広半導体レーザ素子としてもよく、この幅広半導体レーザ素子は、マルチモード発振においても低雑音な発振を得ることができる。
【００３２】
次に、本発明の第３の実施の形態による半導体レーザ素子についてその製造方法に沿って説明する。図５は、その半導体レーザ素子の断面図である。
【００３３】
図５に示すように、有機金属気相成長法により、ｎ−ＧａＡｓ基板４１上に、ｎ−Ａｌｚ１Ｇａ１−ｚ１Ａｓ下部クラッド層（０．６≦ｚ１＜０．８）４２を成長し、ｎあるいはｉ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ光導波層４３を成長し、ＧａＡｓに格子整合するＩｎｘ４Ｇａ１−ｘ４Ａｓ１−ｙ４Ｐｙ４量子井戸活性層（０＜ｘ４≦０．２，０≦ｙ４≦０．４）４４、ｐあるいはｉ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ光導波層４５、ｐ−Ａｌｚ１Ｇａ１−ｚ１Ａｓ上部第一クラッド層４６、ｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐエッチング阻止層（１０ｎｍ程度）４７、ｐ−Ａｌｚ２Ｇａ１−ｚ２Ａｓ上部第二クラッド層４８（０．６≦ｚ２＜０．８、厚さ２０００ｎｍ程度、ｚ２は活性層から離れるにつれ０．６から０．８未満まで徐々に増加させる）、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層４９を積層する。
【００３４】
この上にＳｉＯ２膜（図示せず）を形成し、＜０１１＞方向に通常のリソグラフィーにより５０μｍ程度の幅のストライプ領域以外のＳｉＯ２膜を除去する。
【００３５】
次に、ＳｉＯ２膜をマスクとして、硫酸系エッチャントでｐ−Ａｌｚ２Ｇａ１−ｚ２Ａｓ上部第二クラッド層４８、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層４９を除去しリッジストライプを形成する。エッチングは自動的にｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐエッチング阻止層４７で停止する。ＳｉＯ２膜をフッ酸系のエッチャントで除去後、新たにＳｉＯ２膜５０を形成し、通常のフォトリソグラフィで、リッジ頂上部のＳｉＯ２膜５０をストライプ状に除去する。ｐ側電極５１を形成し、その後基板の研磨を行いｎ側電極５２を形成する。その後、試料をへき開して形成した共振器面の一方に高反射率コート、他方に低反射率コートを行い、その後、チップ化して半導体レーザ素子を形成する。
【００３６】
ｐ−Ａｌｚ１Ｇａ１−ｚ１Ａｓ上部第一クラッド層４６の厚みと組成は基本横モード発振が高出力まで維持できる値とする。
【００３７】
下部クラッド層４２、上部第一クラッド層４６および上部第二クラッド層４８は、ＡｌＧａＡｓの代わりにＩｎ０．４９（Ｇａ１−ｚ３Ａｌｚ３）０．５１Ｐ層（０．２≦ｚ３≦１）であってもよく、この場合、エッチング阻止層４７にはＧａＡｓを用いればよい。
【００３８】
上記のようにして作製された本実施の形態の半導体レーザ素子においては、ｐ−Ａｌｚ２Ｇａ１−ｚ２Ａｓ上部第二クラッド層４８のＡｌ組成比を、活性層から離れるにつれ０．６から０．８未満まで徐々に増加させているので、リッジ形成の際のウェットエッチングに異方性を持たせてサイドエッチング量を小さくすることができるので、ストライプ幅の制御性を高めることができ、信頼性の高い半導体レーザ素子を低コストで得ることができる。
【００３９】
上記すべての実施の形態において、発振する波長帯に関しては、ＧａＡｓに格子整合するＩｎｘ４Ｇａ１−ｘ４Ａｓ１−ｙ４Ｐｙ４量子井戸活性層（０＜ｘ４≦０．２，０≦ｙ４≦０．４）あるいは圧縮歪Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３量子井戸活性層（０＜ｘ３≦０．３，０≦ｙ３≦０．６）より、７５０＜λ＜１２００（ｎｍ）の範囲での制御が可能である。
【００４０】
また、上記すべての実施の形態において、屈折率導波機構付き半導体レーザのみについて記載しているが、本発明は、回折格子付きの半導体レーザ素子や光集積回路に組み込まれた半導体レーザ素子にも適用することが可能である。
【００４１】
また、ＧａＡｓ基板はｎ型の導電性のもので記述しているが、ｐ型の導電性の基板を用いてもよく、この場合上記すべての半導体層の導電性を反対にすればよい。
【００４２】
また、各半導体層の成長法として、固体あるいはガスを原料とする分子線エピタキシャル成長法であってもよい。
【００４３】
本発明による半導体レーザ素子は、ストライプ幅が制御高く作りつけられた高信頼性の半導体レーザ素子であるので、高速な情報・画像処理及び通信、計測、医療、印刷の分野での光源として応用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ素子を示す製造過程の断面図
【図２】第１の実施の形態による半導体レーザ素子の屈折率ダイアグラム
【図３】本発明と従来例による半導体レーザ素子のストライプ幅分布を示すグラフ
【図４】本発明の第２の実施の形態による半導体レーザ素子を示す製造過程の断面図
【図５】本発明の第３の実施の形態による半導体レーザ素子を示す断面図
【符号の説明】
１　　ｎ−ＧａＡｓ基板
２　　ｎ−Ａｌｚ１Ｇａ１−ｚ１Ａｓ下部クラッド層
３　　ｎあるいはｉ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ光導波層
４　　ＧａＡｓ１−ｙ２Ｐｙ２引張歪障壁層
５　　圧縮歪Ｉｎｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ１−ｙ３Ｐｙ３量子井戸活性層
６　　ＧａＡｓ１−ｙ２Ｐｙ２引張歪障壁層
７　　ｐあるいはｉ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ光導波層
８　　ｐ−ＧａＡｓ再成長保護層
９　　ｐ−Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐエッチング阻止層
１０　　ｎ−Ａｌｚ２Ｇａ１−ｚ２Ａｓ電流狭窄層
１１　　ｎ−ＧａＡｓキャップ層
１３　　ｐ−Ａｌｚ１Ｇａ１−ｚ１Ａｓ上部クラッド層
１４　　ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
１５　　ｐ側電極
１６　　ｎ側電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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