(57)【要約】【課題】磁気抵抗効果素子の研磨加工時に静電気放電等による素子の特性の劣化、素子破壊等を防止し、製造歩留まりの良好な磁気ヘッドウェハを提供する。また、高密度磁気記録再生に最適な、信頼性の高い複合型磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果型ヘッド素子の内部にコンデンサを形成し、そのコンデンサを磁気抵抗効果素子１１６と並列に接続した状態で、磁気ヘッドウェハ３０１の切断およびバー３０２の研磨加工を行う。磁気ヘッドウェハ３０１の切断後あるいはバー３０２の研磨加工後にコンデンサの接続配線１１４、１１５をレーザ等で切断する。【選択図】  図１
2004326980.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上部に複数の磁気抵抗効果型ヘッド素子が設けられた磁気ヘッドウェハであって、前記磁気抵抗効果型ヘッド素子は第１の導体層と、該第１の導体層の上部に設けられた第１の絶縁層と、第２の導体層と、第２の絶縁層と、下部磁気シールド層と、下部ギャップ層と、該下部ギャップ層の上部に設けられた磁気抵抗効果素子と該磁気抵抗効果素子の両側に位置する第１及び第２の引出し導体と、前記下部ギャップ層と磁気抵抗効果素子と第１及び第２の引出し導体の上部に設けられた上部ギャップ層と、上部磁気シールド層とを有し、前記第１及び第２の引出し導体の一方と前記第１及び第２の導体層の一方とが電気的に接続され、前記第１及び第２の引出し導体の他方と前記第１及び第２の導体層の他方とが電気的に接続されていることを特徴とする磁気ヘッドウェハ。
【請求項２】
基板の上部に複数の磁気抵抗効果型ヘッド素子と誘導型磁気ヘッド素子が積層された複合型磁気ヘッド素子が設けられた磁気ヘッドウェハであって、前記磁気抵抗効果型ヘッド素子は第１の導体層と、該第１の導体層の上部に設けられた第１の絶縁層と、第２の導体層と、第２の絶縁層と、下部磁気シールド層と、下部ギャップ層と、該下部ギャップ層の上部設けられた磁気抵抗効果素子と該磁気抵抗効果素子の両側に位置する第１及び第２の引出し導体と、前記下部ギャップ層と磁気抵抗効果素子と第１及び第２の引出し導体の上部に設けられた上部ギャップ層と、上部磁気シールド層とを有し、前記第１及び第２の引出し導体の一方と前記第１及び第２の導体層の一方とが電気的に接続され、前記第１及び第２の引出し導体の他方と前記第１及び第２の導体層の他方とが電気的に接続されており、前記誘導型磁気ヘッド素子は前記磁気抵抗効果型ヘッド素子に隣接して分離絶縁層を介して設けられた下部磁性層と、磁気ギャップ層と、該磁気ギャップ層の上部に層間絶縁層を介して設けられた導体コイルと、前記磁気ギャップ層と層間絶縁層の上部に設けられた後端部において前記下部磁性層に磁気的に接続された上部磁性層とを有することを特徴とする磁気ヘッドウェハ。
【請求項３】
基板の上部に複数の磁気抵抗効果型ヘッド素子と誘導型磁気ヘッド素子が積層された複合型磁気ヘッド素子が設けられた磁気ヘッドウェハであって、前記磁気抵抗効果型ヘッド素子は第１の導体層と、該第１の導体層の上部に設けられた第１の絶縁層と、第２の導体層と、第２の絶縁層と、下部磁気シールド層と、下部ギャップ層と、該下部ギャップ層の上部に設けられた磁気抵抗効果素子と該磁気抵抗効果素子の両側に位置する第１及び第２の引出し導体と、前記下部ギャップ層と磁気抵抗効果素子と第１及び第２の引出し導体の上部に設けられた上部ギャップ層と、上部磁気シールド層とを有し、前記第１及び第２の引出し導体の一方と前記第１及び第２の導体層の一方とが電気的に接続され、前記第１及び第２の引出し導体の他方と前記第１及び第２の導体層の他方とが電気的に接続されており、前記誘導型磁気ヘッド素子は前記上部磁気シールド層を下部磁性層として兼用し、該上部磁気シールド層兼下部磁性層の上部に設けられた磁気ギャップ層と、該磁気ギャップ層の上部に層間絶縁層を介して設けられた導体コイルと、前記磁気ギャップ層と層間絶縁層の上部に設けられた後端部において前記上部磁気シールド層兼下部磁性層に磁気的に接続された上部磁性層とを有することを特徴とする磁気ヘッドウェハ。
【請求項４】
前記第１の導体層と、第１の絶縁層と、第２の導体層とで構成されるコンデンサの容量は、１６０ＰＦ以上、１６０μＦ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気ヘッドウェハ。
【請求項５】
前記第１の絶縁層の面積は０．４９ｍｍ２以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気ヘッドウェハ。
【請求項６】
基板の上に第１導体層、第１絶縁層、第２導体層、第２絶縁層、下部磁気シールド層及び下部ギャップ層を順次形成し、該下部ギャップ層の上に磁気抵抗効果素子と該磁気抵抗効果素子の両側に第１及び第２の引出し導体を形成し、該第１及び第２の引出し導体の一方と前記第１及び第２導体層の一方を電気的に接続し、前記第１及び第２の引出し導体の他方と前記第１及び第２導体層の他方を電気的に接続し、前記下部ギャップ層と磁気抵抗効果素子と第１及び第２の引出し導体の上に上部ギャップ層と上部磁気シールド層を形成し、該上部磁気シールド層の上に分離絶縁層を形成し、該分離絶縁層の上に下部磁性層と磁気ギャップ層を形成し、該磁気ギャップ層の上に層間絶縁層を介して導体コイルを形成し、前記磁気ギャップ層及び層間絶縁層の上に後端部において前記下部磁性層に磁気的に接続された上部磁性層を形成して複数の複合型磁気ヘッド素子を形成し、前記基板を切断してバーを形成し、該バーの前記複合型磁気ヘッド素子の浮上面となる面を研磨し、前記第１及び第２の引出し導体と前記第１及び第２導体層の接続を切断し、該バーを個々の複合型磁気ヘッドに切断することを特徴とする複合型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
基板の上に第１導体層、第１絶縁層、第２導体層、第２絶縁層、下部磁気シールド層及び下部ギャップ層を順次形成し、該下部ギャップ層の上に磁気抵抗効果素子と該磁気抵抗効果素子の両側に第１及び第２の引出し導体を形成し、該第１及び第２の引出し導体の一方と前記第１及び第２導体層の一方を電気的に接続し、前記第１及び第２の引出し導体の他方と前記第１及び第２導体層の他方を電気的に接続し、前記下部ギャップ層と磁気抵抗効果素子と第１及び第２の引出し導体の上に上部ギャップ層と上部磁気シールド層を形成し、該上部磁気シールド層の上に磁気ギャップ層を形成し、該磁気ギャップ層の上に層間絶縁層を介して導体コイルを形成し、前記磁気ギャップ層及び層間絶縁層の上に後端部において前記上部磁気シールド層に磁気的に接続された上部磁性層を形成して複数の複合型磁気ヘッド素子を形成し、前記基板を切断してバーを形成し、該バーの前記複合型磁気ヘッド素子の浮上面となる面を研磨し、前記第１及び第２の引出し導体と前記第１及び第２導体層の接続を切断し、該バーを個々の複合型磁気ヘッドに切断することを特徴とする複合型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記第１導体層と、第１絶縁層と、第２導体層とで構成されるコンデンサの容量は、１６０ＰＦ以上、１６０μＦ以下であることを特徴とする請求項６または７記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記第１絶縁層の面積は０．４９ｍｍ２以上であることを特徴とする請求項６または７記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記第１及び第２の引出し導体と前記第１及び第２導体層の接続は、レーザで切断することを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気ヘッドウェハおよび複合型ヘッドの製造方法に係り、特に製造段階における過大電圧、過大電流の印加、静電気の放電による磁気抵抗効果素子の破壊を防止することができる磁気ヘッドウェハ及び周波数特性の良い複合型磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、コンピュータの外部記憶装置として用いられているハードディスク装置は大容量化が進み、その記録密度は年々高まっている。この要望を満たすハードディスク装置の磁気ヘッドとして、誘導型磁気ヘッドと、感度に優れた磁気抵抗効果型ヘッドとを同一の基板上に積層した、複合型磁気ヘッドが用いられている。
【０００３】
特許文献１には、基板上に１対の磁気シールド層と、磁気シールド層の間に磁気抵抗効果素子と磁気抵抗効果素子にセンス電流を流し信号による電圧変化を検出するための１対の電極とを配置し、この１対の電極の間に抵抗、コンデンサもしくはダイオードを設け、あるいは１対の電極の一方と１対の磁気シールド層の一方の間に抵抗、コンデンサもしくはダイオードを設け、電極間に突発的に印加される静電気による磁気抵抗効果素子部の破壊を防止する技術が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平９−４４８２０号公報（第３ー４頁、図１、図３、図５）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
磁気抵抗効果型ヘッドは１枚の基板上に多数の磁気ヘッド素子を構成する磁気抵抗効果素子、引出し導体、パッド等を薄膜プロセスにより形成し、この基板を短冊状に切断して複数の磁気ヘッド素子を一列に配置したバーを形成し、バーを研削、研磨することにより磁気抵抗効果素子を所定の寸法に研削、研磨し、その上に保護膜等をかぶせた後、バーを個々の磁気抵抗効果型ヘッドにカットして製造される。
【０００６】
この加工過程において磁気抵抗効果素子の両端には静電気が印加される場合がある。例えば磁気抵抗効果素子の研磨時に研磨定盤との摩擦により帯電し、その電荷が放電する際にきわめて高周波の電流が突発的に流れる場合がある。この電流の大きさによっては当該ヘッドの磁気抵抗効果素子部の破壊が生じる。このような静電気放電による磁気抵抗効果素子部の破壊は、磁気抵抗効果素子部が薄膜の積層体で、通常では低いと考えられるような静電圧でも非常に高密度の電流が容易に流れるという磁気抵抗効果型ヘッド特有の構造による現象と考えられる。
【０００７】
また、バーの研磨加工時に、磁気抵抗効果素子の抵抗値等の素子特性を測定しながら最適な素子特性状態で加工を終了させることにより、素子の特性をより均一なものにするとともに素子の歩留まりを向上することができるが、この場合、周囲の装置からのノイズや特性検出回路等からのノイズにより素子に突発的に高周波電流が流れ、磁気抵抗効果素子の破壊が生じる場合がある。
【０００８】
特許文献１に記載の技術は、磁気抵抗効果素子の電極端子間にコンデンサを設けた場合は、製造時において突発的な高周波電流が電極端子間に印加されても、この電流は一時的にコンデンサに蓄積されるので、磁気抵抗効果素子の破壊を防止することができる。しかしながら、電極端子間にコンデンサが接続されたまま磁気抵抗効果型ヘッドが磁気ディスク装置に組込まれるため、高周波信号を扱う磁気ディスク装置においては、その周波数特性が悪化し、近年の４００Ｍｂｐｓ以上に達する高速データ転送には耐えられない。
【０００９】
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、製造時の歩留まりの良好な磁気ヘッドウェハを提供することにある。
【００１０】
本発明の他の目的は、高密度磁気記録再生に最適な、信頼性の高い複合型磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の磁気ヘッドウェハは、基板の上部に複数の磁気抵抗効果型ヘッド素子を有し、前記磁気抵抗効果型ヘッド素子は第１の導体層と、該第１の導体層の上部に設けられた第１の絶縁層と、第２の導体層と、第２の絶縁層と、下部磁気シールド層と、下部ギャップ層と、該下部ギャップ層の上部に設けられた磁気抵抗効果素子と該磁気抵抗効果素子の両側に位置する第１及び第２の引出し導体と、前記下部ギャップ層と磁気抵抗効果素子と第１及び第２の引出し導体の上部に設けられた上部ギャップ層と、上部磁気シールド層とを有し、前記第１及び第２の引出し導体の一方と前記第１及び第２の導体層の一方とが電気的に接続され、前記第１及び第２の引出し導体の他方と前記第１及び第２の導体層の他方とが電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の磁気ヘッドウェハは、基板の上部に複数の磁気抵抗効果型ヘッド素子と誘導型磁気ヘッド素子が積層された複合型磁気ヘッド素子を有し、前記磁気抵抗効果型ヘッド素子は第１の導体層と、該第１の導体層の上部に設けられた第１の絶縁層と、第２の導体層と、第２の絶縁層と、下部磁気シールド層と、下部ギャップ層と、該下部ギャップ層の上部設けられた磁気抵抗効果素子と該磁気抵抗効果素子の両側に位置する第１及び第２の引出し導体と、前記下部ギャップ層と磁気抵抗効果素子と第１及び第２の引出し導体の上部に設けられた上部ギャップ層と、上部磁気シールド層とを有し、前記第１及び第２の引出し導体の一方と前記第１及び第２の導体層の一方とが電気的に接続され、前記第１及び第２の引出し導体の他方と前記第１及び第２の導体層の他方とが電気的に接続されており、前記誘導型磁気ヘッド素子は前記磁気抵抗効果型ヘッド素子に隣接して分離絶縁層を介して設けられた下部磁性層と、磁気ギャップ層と、該磁気ギャップ層の上部に層間絶縁層を介して設けられた導体コイルと、前記磁気ギャップ層と層間絶縁層の上部に設けられた後端部において前記下部磁性層に磁気的に接続された上部磁性層とを有することを特徴とする。
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明の磁気ヘッドウェハは、基板の上部に複数の磁気抵抗効果型ヘッド素子と誘導型磁気ヘッド素子が積層された複合型磁気ヘッド素子を有し、前記磁気抵抗効果型ヘッド素子は第１の導体層と、該第１の導体層の上部に設けられた第１の絶縁層と、第２の導体層と、第２の絶縁層と、下部磁気シールド層と、下部ギャップ層と、該下部ギャップ層の上部に設けられた磁気抵抗効果素子と該磁気抵抗効果素子の両側に位置する第１及び第２の引出し導体と、前記下部ギャップ層と磁気抵抗効果素子と第１及び第２の引出し導体の上部に設けられた上部ギャップ層と、上部磁気シールド層とを有し、前記第１及び第２の引出し導体の一方と前記第１及び第２の導体層の一方とが電気的に接続され、前記第１及び第２の引出し導体の他方と前記第１及び第２の導体層の他方とが電気的に接続されており、前記誘導型磁気ヘッド素子は前記上部磁気シールド層を下部磁性層として兼用し、該上部磁気シールド層兼下部磁性層の上部に設けられた磁気ギャップ層と、該磁気ギャップ層の上部に層間絶縁層を介して設けられた導体コイルと、前記磁気ギャップ層と層間絶縁層の上部に設けられた後端部において前記上部磁気シールド層兼下部磁性層に磁気的に接続された上部磁性層とを有することを特徴とする。
【００１４】
前記第１の導体層と、第１の絶縁層と、第２の導体層とで構成されるコンデンサの容量は、１６０ＰＦ以上、１６０μＦ以下に設定する。
【００１５】
前記第１の絶縁層の面積は０．４９ｍｍ２以上とする。
【００１６】
上記目的を達成するために、本発明の複合型磁気ヘッドの製造方法は、基板の上に第１導体層、第１絶縁層、第２導体層、第２絶縁層、下部磁気シールド層及び下部ギャップ層を順次形成し、該下部ギャップ層の上に磁気抵抗効果素子と該磁気抵抗効果素子の両側に第１及び第２の引出し導体を形成し、該第１及び第２の引出し導体の一方と前記第１及び第２導体層の一方を電気的に接続し、前記第１及び第２の引出し導体の他方と前記第１及び第２導体層の他方を電気的に接続し、前記下部ギャップ層と磁気抵抗効果素子と第１及び第２の引出し導体の上に上部ギャップ層と上部磁気シールド層を形成し、該上部磁気シールド層の上に分離絶縁層を形成し、該分離絶縁層の上に下部磁性層と磁気ギャップ層を形成し、該磁気ギャップ層の上に層間絶縁層を介して導体コイルを形成し、前記磁気ギャップ層及び層間絶縁層の上に後端部において前記下部磁性層に磁気的に接続された上部磁性層を形成して複数の複合型磁気ヘッド素子を形成し、前記基板を切断してバーを形成し、該バーの前記複合型磁気ヘッド素子の浮上面となる面を研磨し、前記第１及び第２の引出し導体と前記第１及び第２導体層の接続を切断し、該バーを個々の複合型磁気ヘッドに切断することを特徴とする。
【００１７】
上記目的を達成するために、本発明の複合型磁気ヘッドの製造方法は、基板の上に第１導体層、第１絶縁層、第２導体層、第２絶縁層、下部磁気シールド層及び下部ギャップ層を順次形成し、該下部ギャップ層の上に磁気抵抗効果素子と該磁気抵抗効果素子の両側に第１及び第２の引出し導体を形成し、該第１及び第２の引出し導体の一方と前記第１及び第２導体層の一方を電気的に接続し、前記第１及び第２の引出し導体の他方と前記第１及び第２導体層の他方を電気的に接続し、前記下部ギャップ層と磁気抵抗効果素子と第１及び第２の引出し導体の上に上部ギャップ層と上部磁気シールド層を形成し、該上部磁気シールド層の上に磁気ギャップ層を形成し、該磁気ギャップ層の上に層間絶縁層を介して導体コイルを形成し、前記磁気ギャップ層及び層間絶縁層の上に後端部において前記上部磁気シールド層に磁気的に接続された上部磁性層を形成して複数の複合型磁気ヘッド素子を形成し、前記基板を切断してバーを形成し、該バーの前記複合型磁気ヘッド素子の浮上面となる面を研磨し、前記第１及び第２の引出し導体と前記第１及び第２導体層の接続を切断し、該バーを個々の複合型磁気ヘッドに切断することを特徴とする。
【００１８】
前記第１導体層と、第１絶縁層と、第２導体層とで構成されるコンデンサの容量は、１６０ＰＦ以上、１６０μＦ以下に設定する。
【００１９】
前記第１絶縁層の面積は０．４９ｍｍ２以上とする。
【００２０】
前記第１及び第２の引出し導体と前記第１及び第２導体層の接続は、レーザで切断する。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の一実施例を、図面を参照しながら具体的に説明する。図３を参照するに、磁気ヘッドウェハ３０１は、１枚の基板の上に、薄膜形成プロセスにより磁気抵抗効果素子、引出し導体、パッド等を形成してなる磁気抵抗効果型ヘッド素子が多数形成されている。この磁気ヘッドウェハ３０１を短冊状に切断して複数の磁気抵抗効果型ヘッド素子を一列に配置したバー３０２を形成し、バー３０２の磁気抵抗効果型ヘッド素子の浮上面となる面を所定の寸法に研削・研磨して磁気抵抗効果素子の高さ（奥行き）寸法を決める。その上に保護膜等をかぶせた後、バー３０２を個々の磁気抵抗効果型ヘッド３０３にカットする。なお、バー３０２の研削・研磨の前に個々の磁気抵抗効果型ヘッド３０３にカットし、その後、研削・研磨を行っても良い。
【００２２】
複合型磁気ヘッドの場合は、基板の上に上記磁気抵抗効果型ヘッド素子を形成した後、磁気抵抗効果型ヘッド素子の上に書込用の誘導型磁気ヘッド素子を積層して複合型磁気ヘッド素子を形成し、上記と同じようにウェハ切断、浮上面研削・研磨、保護膜形成、バー切断、を行う。
【００２３】
図４及び図５は上記磁気ヘッドウェハ３０１の上に形成される複合型磁気ヘッド素子の構成例を示す図である。図４は上部磁気シールド層／下部磁性層分離型複合型磁気ヘッド素子の浮上面側から見た概略構成図である。まず、磁気抵抗効果型ヘッド素子の構成を説明する。アルミナ・チタン・カーバイト等の基板１０１と、その上に形成された下地絶縁層１０２とで基板部分が構成される。この基板部分の上部に下部磁気シールド層１１２が形成され、その上に下部ギャップ層１１３を介して磁気抵抗効果素子１１６が形成される。磁気抵抗効果素子１１６の両側には第１の引出し導体１１７と第２の引出し導体１１８が形成される。磁気抵抗効果素子１１６と第１の引出し導体１１７および第２の引出し導体１１８の上に上部ギャップ層１１９が形成され、上部ギャップ層１１９の上に上部磁気シールド層１２０が形成される。
【００２４】
続いて誘導型磁気ヘッド素子の構成を説明する。上記磁気抵抗効果型ヘッド素子の上に分離絶縁層２００が形成され、その上に下部磁性層２０１、磁気ギャップ層２０２が形成される。磁気ギャップ層２０２の上に層間絶縁層２０３、導体コイル２０４が形成され、導体コイル２０４のコイル間及び上部に層間絶縁層２０３が形成される。磁気ギャップ層２０２と層間絶縁層２０３の上に上部磁性層２０５が形成される。上部磁性層２０５は浮上面側において下部磁性層２０１との間に磁気ギャップ２０６を形成し、図示はしていないが浮上面と反対側において下部磁性層２０１と磁気的に接続されて磁気回路を構成する。導体コイル２０４は磁気回路を交叉するように配置される。さらに図示はしていないが誘導型磁気ヘッド素子の上部に保護層が形成される。
【００２５】
図５は上部磁気シールド層／下部磁性層兼用型複合型磁気ヘッド素子の浮上面側から見た概略構成図である。図４に示される上部磁気シールド層／下部磁性層分離型複合型磁気ヘッド素子との違いは、上部磁気シールド層１２０が下部磁性層と兼用されていることである。したがって、分離絶縁層２００は存在しない。その他の構成は図４の上部磁気シールド層／下部磁性層分離型複合型磁気ヘッド素子と同じである。
【００２６】
次に本実施例の詳細な構成について図１及び図２を参照して説明する。図１及び図２は上記図４及び図５に示された複合型磁気ヘッド素子の磁気抵抗効果型ヘッド素子の構成を示す分解斜視図と断面図である。図４及び図５と同じ構成については同じ参照符号を使用する。
【００２７】
アルミナ・チタン・カーバイト（Ａｌ２Ｏ３−Ｔｉｃ）等からなる基板１０１とアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等からなる下地絶縁層１０２とからなる基板部分の上部に、第１導体層１０３と、第１絶縁層１０４と、第２と導体層１０５とからなるコンデンサ部が形成される。コンデンサ部の上部には第２の絶縁層１１１、下部磁気シールド層１１２、下部ギャップ層１１３が形成される。下部ギャップ層１１３の上には磁気ディスク等の磁気記録媒体からの信号磁束を検出する磁気抵抗効果素子１１６と、磁気抵抗効果素子１１６にセンス電流を流し磁気信号による電圧変化を検出するための１対の引出し導体１１７および１１８が形成される。
【００２８】
引出し導体１１７、１１８の後端部には、磁気抵抗効果素子１１６を外部の回路と接続するための端子部１０９、１１０が形成される。また、引出し導体１１７は、引出し導体１１７とコンデンサ部の第１導体層１０３とを電気的に接続するための細線１１４を有し、引出し導体１１８は、引出し導体１１８とコンデンサ部の第２導体層１０５を電気的に接続するための細線１１５を有する。これら端子部１０９、１１０および細線１１４、１１５は、引出し導体１１７、１１８が薄膜形成プロセスにて形成される際に形成される。
【００２９】
この上に図４及び図５で説明したように、上部ギャップ層１１９、上部磁気シールド層１２０、誘導型磁気ヘッド素子が形成される。なお、図１における端子部１０７、１０８は、誘導型磁気ヘッド素子の導体コイル２０４の引出し線端子である。
【００３０】
図２に示すように、細線１１４および１１５により第１および第２の引出し導体層１１７、１１８と、コンデンサを形成する第１導体層１０３、第２導体層１０５とを接続することにより、磁気抵抗効果素子１１６に並列にコンデンサが搭載されることになる。したがって、引出し導体層１１７、１１８の端子部１０９、１１０に、静電気等の突発的なノイズ電流が印加されても、この電流をコンデンサに蓄えることで、磁気抵抗効果素子１１６に流れる電流を抑制することができる。
【００３１】
また、バー３０２の研磨加工時に、端子部１０９、１１０あるいは磁気抵抗効果素子１１６に蓄えられた静電気などが放電する場合も、コンデンサに電流が蓄えられ、突発的な電流が磁気抵抗効果素子１１６を流れるのを防ぐことができる。
【００３２】
ここで、搭載するコンデンサの容量について検討する。コンデンサの容量は除去したい外部からの電流の周波数帯域によって決まる。たとえば１００ＭＨｚ以上の周波数帯域の信号を除去したい場合で、さらに磁気抵抗効果型素子１１６の抵抗が１０Ω以上の場合を考えると、必要な素子容量は１６０ｐＦ以上となる。第１絶縁層１０４は薄膜形成プロセスを使用して形成するため、膜厚は１００ｎｍ程度で形成可能である。比誘電率が４程度の材料を第１絶縁層１０４として使用した場合、１６０ｐＦの容量を実現するためには７００μｍ×７００μｍ（０．４９ｍｍ２）程度の領域が必要である。実装面積の関係上この領域が確保できない場合は、さらにコンデンサを多層化し、その間を並列に接続することにより実現してもよい。また、第１絶縁層１０４の膜厚をさらに薄くすることにより、実装面積を低減することができる。
【００３３】
また、バー３０２の研磨加工中あるいは研磨加工後に、磁気抵抗効果素子１１６の特性を評価するための直流あるいは低周波での特性測定時には、コンデンサはほとんど無視できるため、素子特性評価においてはコンデンサが搭載されていることは特に問題にならない。たとえば、バー３０２の研磨加工時あるいは研磨加工後の特性評価は１００Ｈｚ以下の信号周波数範囲で測定することが多く、磁気抵抗効果素子１１６の抵抗値が１０Ω以上である場合、コンデンサの容量値が１６０μＦ以下であればコンデンサ部分を並列に接続することによる影響はほとんど無い。
【００３４】
このような大きな容量を実装するためには大きな実装面積が必要となり、素子サイズを考えると、事実上不可能である。すなわち、容量値を１μＦ以上にすることは事実上不可能であり、研磨加工中あるいは研磨加工後の素子特性評価においてコンデンサが問題になることは無い。したがって、磁気抵抗効果素子１１６の特性を測定しながら加工することが可能であり、磁気抵抗効果素子１１６の特性をより均一なものにできるとともに、磁気抵抗効果型ヘッドおよび複合型磁気ヘッドの製造歩留まりを向上することができる。
【００３５】
ところで、磁気ディスク装置に搭載され、実際に使用される環境では、近年の高記録密度化、磁気ディスク媒体の高速回転化により、信号の周波数帯域は４００Ｍｂｐｓ以上になってきており、コンデンサの容量値が無視できない値になる。すなわち、磁気抵抗効果素子１１６の周波数特性が劣化する原因になる。これを防ぐために、加工処理終了後、実使用状態になる以前の工程でレーザ等を用い、細線１１４、１１５を切断することにより、磁気抵抗効果素子１１６の周波数特性を劣化させることも無くなり、より特性の良い磁気抵抗効果型ヘッドあるいは複合型磁気ヘッドを実現することができる。
【００３６】
図６に上述した磁気抵抗効果型ヘッドあるいは複合型磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置の概略構成を示す。上記実施例による磁気抵抗効果型ヘッドあるいは複合型磁気ヘッド５０２は、アーム状のサスペンション５０３に支持され、回転する磁気ディスク５０１の上を浮上しており、図示しないヘッド位置決め機構により磁気ディスク５０１の半径方向に移動され、情報の記録および／または再生を行う。
【００３７】
以上本発明の一実施例を説明したが、磁気ヘッドウェハ上の磁気抵抗効果型ヘッド素子の内部にコンデンサを形成し、そのコンデンサを磁気抵抗効果素子と並列に接続した状態でウェハの切断およびバーの研磨加工を行うので、素子内部に発生する突発的な、過大電圧、過大電流または静電気による放電等の高周波ノイズは一時的にコンデンサに蓄積されることになり、磁気抵抗効果素子部を瞬間的に流れる電流を大幅に低減することができ、磁気抵抗効果素子を守る事が可能となる。
【００３８】
また、磁気抵抗効果素子の抵抗等の特性を測定しながら、加工することが可能であり、素子の特性をより均一なものにできるとともに、素子の製造歩留まりを向上することができる。
【００３９】
また、ウェハの切断後あるいはバーの研磨加工後にコンデンサと引出し導体との接続配線をレーザ等で切断することにより、磁気抵抗効果型ヘッドあるいは複合型磁気ヘッドとして実使用時に素子の周波数特性を劣化させることはない。
【００４０】
【発明の効果】
以上の説明のとおり本発明によれば、磁気抵抗効果型ヘッド素子の両端の引出し導体間に突発的に静電気が印加された場合でも磁気抵抗効果素子部を流れる電流は瞬間的に大幅に低下するので、磁気抵抗効果素子部は静電気による破壊を免れることができる。したがって、磁気抵抗効果型ヘッドあるいは複合型磁気ヘッドの製造歩留まりを向上することができる。
【００４１】
また、バー加工後に、コンデンサと磁気抵抗効果素子の間の接続をレーザ等を用いて切断することにより、実使用状態での磁気抵抗効果素子の周波数特性を劣化させることも無く、より特性の良い磁気抵抗効果型ヘッドあるいは複合型磁気ヘッドを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による磁気抵抗効果型ヘッド素子の分解斜視図である。
【図２】図１に示される磁気抵抗効果型ヘッド素子の断面図である。
【図３】本発明が適用される磁気ヘッドウェハを示す図である。
【図４】本発明が適用される複合型磁気ヘッドの浮上面側から見た概略構成図である。
【図５】本発明が適用される複合型磁気ヘッドの浮上面側から見た概略構成図である。
【図６】本発明による磁気ヘッドが搭載される磁気ディスク装置の概略構成図である。
【符号の説明】
１０１…基板、１０２…下地絶縁層、１０３…第１の導体層、
１０４…第１の絶縁層、１０５…第２の導体層、１０９、１１０…端子部、
１１１…第２の絶縁層、１１２…下部磁気シールド層、１１３…下部ギャップ層、
１１４、１１５…細線、１１６…磁気抵抗効果素子、
１１７、１１８…引出し導体、２００…分離絶縁層、２０１…下部磁性層、
２０２…磁気ギャップ層、２０３…層間絶縁層、２０４…導体コイル、
２０５…上部磁性層、２０６…磁気ギャップ、３０１…磁気ヘッドウエハ、
３０２…バー、３０３…磁気ヘッド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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