(57)【要約】【課題】溶融したヒューズエレメントに対して十分な濡れ面積を確保し、ヒューズエレメントの溶断不良を解消する。【解決手段】ベース基板１上に形成された複数の電極４，５間に低融点金属体２が配され、低融点金属体２の溶断により電流が遮断される保護素子である。ベース基板１と対向して絶縁カバー板１３が設けられるとともに、少なくとも１の電極に対向して絶縁カバー板１３に金属パターン１５が形成されている。絶縁カバー板１３に金属パターン１５を形成することで、溶融した低融点金属体２に対して濡れ性を示す面の面積が実質的に拡大されることになり、溶融した低融点金属体２は電極４，５及び金属パターン１５とによって、これらの間隙に速やかに引き込まれる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板上に形成された複数の電極間に低融点金属体が配され、前記低融点金属体の溶断により電流が遮断される保護素子において、
前記ベース基板と対向して絶縁カバー板が設けられるとともに、少なくとも１の電極に対向して前記絶縁カバー板に金属パターンが形成されていることを特徴とする保護素子。
【請求項２】
前記低融点金属体に近接して発熱体が設けられ、当該発熱体の発熱により前記低融点金属体が溶断されることを特徴とする請求項１記載の保護素子。
【請求項３】
前記発熱体に最も近い位置の電極に対向して前記絶縁カバー板に金属パターンが形成されていることを特徴とする請求項２記載の保護素子。
【請求項４】
前記複数の電極に対応して複数の金属パターンが形成されていることを特徴とする請求項１記載の保護素子。
【請求項５】
前記金属パターン間の距離が前記電極間の距離よりも小であることを特徴とする請求項４記載の保護素子。
【請求項６】
前記金属パターン間の距離が０．２ｍｍ以上であることを特徴とする請求項４記載の保護素子。
【請求項７】
前記ベース基板と絶縁カバー板間の間隔は、前記低融点金属体の厚さの１．２倍〜４倍であることを特徴とする請求項１記載の保護素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、異常時に低融点金属体の溶断により電流を遮断する保護素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
過電流だけでなく過電圧も防止するために使用できる保護素子として、基板上に発熱体と低融点金属体を積層した保護素子が知られている（例えば、特許文献１や特許文献２等を参照）。これら特許文献に記載される保護素子では、異常時に発熱体に通電がなされ、発熱体が発熱することにより低融点金属体が溶融する。溶融した低融点金属体は、低融点金属体が載置されている電極表面に対する濡れ性の良さに起因して電極上に引き寄せられ、その結果、低融点金属体が溶断されて電流が遮断される。
【０００３】
このタイプの保護素子の低融点金属体と発熱体との接続態様としては、特許文献３や特許文献４等に記載されているように、発熱体上に低融点金属体を積層せずに、低融点金属体と発熱体とを基板上に平面的に配設して接続するという態様も知られているが、低融点金属体の溶断と同時に発熱体への通電が遮断されるようにするという効果は同じである。
【０００４】
ところで、携帯機器等の小型化に伴い、この種の保護素子にも薄型化が要求されており、その目的を達成するための一つの手段として、絶縁基板上にヒューズ（低融点金属体）を配置するとともに、これを絶縁カバー板と樹脂で封止することで薄型化する方法が提案されている（例えば、特許文献５等を参照）。特許文献５記載の基板型温度ヒューズでは、絶縁基板の片面にヒューズ取付用膜電極を形成し、その膜電極間に低融点可溶合金片を橋設し、低融点可溶合金片にフラックスを塗布し、絶縁基板よりも小なる外郭の絶縁カバー板を絶縁基板の片面上に配し、この絶縁カバー板の周囲端部と絶縁基板の周囲端部との間隙に封止樹脂を充填し、封止樹脂の絶縁カバー板周囲縁端と絶縁基板周囲縁端との間の外面を凹曲傾斜面または直線傾斜面としている。
【０００５】
【特許文献１】
特許２７９０４３３号公報
【０００６】
【特許文献２】
特開平８−１６１９９０号公報
【０００７】
【特許文献３】
特開平１０−１１６５４９号公報
【０００８】
【特許文献４】
特開平１０−１１６５５０号公報
【０００９】
【特許文献５】
特開平１１−１１１１３８号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献５記載の発明のように、絶縁カバー板と樹脂とで封止し薄型化する方法では、低融点金属体が収容される空間が小さくなり、また、小型化に伴い電極面積も小さくなる傾向にあることから、溶断不良が生ずる虞れがある。すなわち、前述のような基板型ヒューズは、先にも述べたように、基板上の膜電極に溶融したヒューズエレメント（低融点金属体）が流れ込むことで溶断する。このとき、十分に電極面積が大きく、電極上の体積も確保されている場合はさほど問題は起こらないが、そうでない場合、ヒューズエレメントは溶融しても溶断できないという状況が発生する。これは、溶融したヒューズエレメントが電極に流れ込んだ時にその高さ方向に盛り上がるような現象が起こり、前記のような場合、電極だけでは溶融したヒューズエレメントを十分に引き寄せることができず、はみ出した溶融ヒューズエレメント間が接触する等の現象が生ずるからである。
【００１１】
近年、機器の小型化や薄型化は益々進められる方向にあり、これに伴い前記保護素子にも一層の小型化、薄型化が要求される中、前記問題は深刻なものとなっている。また、高電流定格化によりヒューズエレメントの断面積は拡大傾向にあり、この点からも前記問題は一層大きくなってきており、その解決が望まれている。
【００１２】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、溶融したヒューズエレメント（低融点金属体）に対して十分な濡れ面積を確保することができ、ヒューズエレメントの溶断不良が発生することがなく、異常時に確実に電流を遮断することが可能で安定した動作特性を有する保護素子を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明の保護素子は、ベース基板上に形成された複数の電極間に低融点金属体が配され、前記低融点金属体の溶断により電流が遮断される保護素子において、前記ベース基板と対向して絶縁カバー板が設けられるとともに、少なくとも１の電極に対向して前記絶縁カバー板に金属パターンが形成されていることを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の保護素子では、絶縁カバー板にも溶融した低融点金属に対して良好な濡れ性を示す金属パターンが形成されていることから、異常時に低融点金属体が溶融した際には、電極のみならず前記金属パターンも溶融した低融点金属を引き寄せる働きをする。したがって、例えば低融点金属体が収容される空間が小さい場合にも、いわば毛細管現象のような形で溶融した低融点金属が電極と金属パターン間の隙間に速やかに引き込まれ、確実に低融点金属体が溶断される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した保護素子について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１６】
図１に、本発明を適用した保護素子の一例（第１の実施形態）を示す。なお、図１は、絶縁カバー板を取り除いた状態での平面図である。本例の保護素子は、いわゆる基板型の保護素子（基板型ヒューズ）であり、所定の大きさのベース基板１上に、溶断により電流を遮断するヒューズとしての役割を果たす低融点金属体２と、異常時に発熱して前記低融点金属体２を溶融するための発熱体（ヒータ）３とが近接して並列に配置されている。
【００１７】
ここで、ベース基板１の材質としては、絶縁性を有するものであれば如何なるものであってもよく、例えば、セラミックス基板、ガラスエポキシ基板のようなプリント配線基板に用いられる基板、ガラス基板、樹脂基板、絶縁処理金属基板等を用いることができる。これらの中で、耐熱性に優れ、熱良伝導性の絶縁基板であるセラミックス基板が好適である。
【００１８】
また、ヒューズとしての機能を有する低融点金属体２の形成材料としては、従来よりヒューズ材料として使用されている種々の低融点金属体を使用することができ、例えば、特開平８−１６１９９０号公報の表１に記載の合金等を使用することができる。具体的には、ＢｉＳｎＰｂ合金、ＢｉＰｂＳｎ合金、ＢｉＰｂ合金、ＢｉＳｎ合金、ＳｎＰｂ合金、ＳｎＡｇ合金、ＰｂＩｎ合金、ＺｎＡｌ合金、ＩｎＳｎ合金、ＰｂＡｇＳｎ合金等を挙げることができる。また、低融点金属体２の形状は、薄片状でも棒状でもよい。
【００１９】
発熱体３は、例えば、酸化ルテニウム、カーボンブラック等の導電材料と水ガラス等の無機系バインダ、あるいは熱硬化性樹脂等の有機系バインダからなる抵抗ペーストを塗布し、必要に応じて焼成することにより形成できる。また、酸化ルテニウム、カーボンブラック等の薄膜を印刷、メッキ、蒸着、スパッタで形成してもよく、これらのフィルムの貼付、積層等により形成してもよい。
【００２０】
ベース基板１の表面には、前記低融点金属体２用の一対の電極４，５、及び前記発熱体３用の一対の電極６，７が形成されており、これら電極４，５、あるいは電極６，７に接続される形で前記低融点金属体２や発熱体３が形成されている。また、各電極４，５，６，７には、それぞれリード８，９，１０，１１が接続されており、外部端子としての役割を果たす。
【００２１】
溶融した低融点金属体２が流れ込むこととなる電極、すなわち低融点金属体２用の電極４，５の構成材料についても特に制限はなく、溶融状態の低融点金属体２と濡れ性の良いものを使用することができる。例えば、銅等の金属単体や、少なくとも表面がＡｇ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ等から形成されているもの等である。発熱体３用の電極６，７については、溶融状態の低融点金属体２との濡れ性を考慮する必要はないが、通常は前記低融点金属体２用の電極４，５と一括して形成されるため、低融点金属体２用の電極４，５と同様の材料により形成される。
【００２２】
リード８，９，１０，１１には、扁平加工線や丸線等の金属製の線材が用いられ、半田付けや溶接等によって前記電極４，５，６，７に取り付けることにより、これらと電気的に接続される。このようなリード付きの形態を採用する場合、リードの位置を左右対称にすることにより、取り付け作業時に取り付け面を意識することなく作業することができる。
【００２３】
また、前記低融点金属体２の上には、その表面酸化を防止するために、フラックス等からなる内側封止部１２が設けられている。フラックスとしては、ロジン系フラックス等、公知のフラックスをいずれも使用することができ、粘度等も任意である。
【００２４】
以上が本実施形態の保護素子の内部構造であるが、本実施形態の保護素子においては、図２に示すように、前記低融点金属体２や発熱体３を覆って絶縁カバー板１３が設けられている。絶縁カバー板１３は、周囲に樹脂１４を配することによりベース基板１に対して所定の間隔を保って固定され、これら絶縁カバー板１３とベース基板１との間の空間に前記低融点金属体２や発熱体３が収容された形になっている。
【００２５】
前記絶縁カバー板１３を設けることにより、例えば封止樹脂の盛り上がり等を抑えることができ、保護素子全体の薄型化を実現することができる。ここで、絶縁カバー板１３の材質は、低融点金属体２の溶断に耐え得る耐熱性と機械的な強度を有する絶縁材料であれば如何なるものであってもよく、例えば、ガラス、セラミックス、プラスチック、ガラスエポキシ基板のようなプリント配線基板に用いられる基板材料等、様々な材質を適用することができる。さらには、金属板を用い、ベース基板１との対向面に樹脂やレジスト等の絶縁材料層を形成することで絶縁化し、絶縁カバー板１３としてもよい。特に、セラミックス板のような機械的強度の高い材質を使用した場合、絶縁カバー板１３自体の厚さも薄くすることができ、保護素子全体の薄型化に大きく寄与する。
【００２６】
前記絶縁カバー板１３をセラミック板のような熱伝導性に優れる材質とし、フラックスを介してベース基板１と接触するようにすることで、通常の取り付け接触面（ベース基板１側）以外からの熱に対しても、応答性の良いヒューズとすることができる。この場合、両面からの熱検出という意味からは、絶縁カバー板１３の大きさはベース基板１の大きさと同等であることが好ましいが、これに限らず、いずれか一方が小さくても、あるいは大きくても同様の効果を得ることができる。
【００２７】
なお、前記絶縁カバー板１３は、単なる平板状であってもよいし、周囲に立ち上がり壁を有する、いわゆるキャップ状のものであってもよい。前者の場合には、周囲を樹脂封止する必要があるが、後者の場合には、例えば絶縁カバー板１３をベース基板１に接着するだけでもよい。
【００２８】
また、前記絶縁カバー板１３のベース基板１との対向面には、溶融した低融点金属体２に対して良好な濡れ性を示す金属パターン１５が形成されており、これが本発明の保護素子における最も特徴的な事項である。以下、この金属パターン１５について詳述する。
【００２９】
絶縁カバー板１３のベース基板１との対向面に形成される金属パターン１５は、図３に示すように、ベース基板１上の低融点金属体２用の電極４，５に対応して、ほぼ同じ位置にほぼ同じ大きさで形成されている。この金属パターン１５の材質は、絶縁カバー板１３よりも溶融した低融点金属体２に対して濡れ性が良ければ必ずしも金属に限らないが、その機能を考えた場合、金属材料でないと十分な濡れ性を得ることが難しいことから、金属材料とすることが実効的である。
【００３０】
前記金属パターン１５は、かかる観点から溶融した低融点金属体２に対して良好な濡れ性を有する金属材料を選択して使用すればよく、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ等、様々な材質を適用することができる。
【００３１】
金属パターン１５の形成方法としては、例えば絶縁カバー板１３がセラミックス板からなる場合には、前記金属材料を含む導電ペーストを印刷し、これを焼成することによって形成することができる。絶縁カバー板１３がプラスチック等の耐熱性に劣る材料からなる場合には、例えば絶縁カバー板１３上に金属膜を蒸着やスパッタ等の手法により成膜し、これをエッチングによりパターニングすることで形成することができる。絶縁カバー板１３にガラスエポキシ基板のようなプリント配線基板に用いられる基板材料を用いる場合には、例えば銅箔を貼った銅張り基板を用い、これをウエットエッチング等でパターニングすることにより形成することができる。さらに、絶縁カバー板１３としてベース基板１との対向面に樹脂やレジスト等の絶縁材料層を形成した金属板を用いた場合には、前記絶縁材料層を選択的に除去し（例えばレジスト層を印刷等の手法によりパターニングし）、露出した金属板を金属パターン１５として利用することも可能である。
【００３２】
このように、低融点金属体２が溶融した時に溶融低融点金属が流れ込むベース基板１上の低融点金属体２用の電極４，５に対応して、絶縁カバー板１３のベース基板１との対向面に前記溶融低融点金属が濡れ易い性質の金属パターン１５を形成することにより、保護素子を薄型素子としながら素子内部に十分な溶融低融点金属濡れ面積を確保することが可能であり、高い定格電流（低融点金属体２の断面積が大）であっても安定した動作特性を得ることができる。
【００３３】
図４は、金属パターン１５の有無による溶融低融点金属の電極４，５上への流れ込み状態の相違を示すものである。溶融した低融点金属体２に対して濡れ性が良い面が電極４，５のみである場合、図４（ａ）に示すように、電極４，５上に水滴状に盛り上がった形で引き寄せられる。このとき、溶融した低融点金属体２の量が多かったり、ベース基板１と絶縁カバー板１３の間隔が狭く溶融した低融点金属体２の頂部を絶縁カバー板１３で押さえ込まれた場合、電極４，５上の溶融低融点金属体２は横方向にはみ出し、電極４上の低融点金属体２と電極５上の低融点金属体２とが互いに接触する可能性がある。これら電極４，５上の低融点金属体２が接触すると、電気的に導通してしまい、低融点金属体２が溶断されたことにはならない。
【００３４】
これに対して、絶縁カバー板１３に金属パターン１５が形成されている場合、溶融した低融点金属体２に対して濡れ性を示す面の面積が実質的に拡大されることになり、図４（ｂ）に示すように、溶融した低融点金属体２は電極４，５及び金属パターン１５とによって、これらの間隙に速やかに引き込まれる。このとき、いわゆる毛細管現象のような状態となり、溶融した低融点金属体２はメニスカスを形成するような状態に保持され、横方向へのはみ出しが抑えられる。したがって、溶融した低融点金属体２のはみ出しによる接触が解消され、低融点金属体２は確実に溶断される。
【００３５】
金属パターン１５は、ここでは電極４，５と対向する位置に電極４，５と同じ大きさに形成しているが、これに限らない。ただし、金属パターン１５の形成位置としては、ベース基板１側の電極４，５の溶融低融点金属体２に対する濡れ有効面積の中央（溶融後の低融点金属体２溜まりの頂点）を含むように形成することが好ましい。
【００３６】
また、金属パターン１５間の距離ｗ１をベース基板１側の電極４，５間距離ｗ２よりも近づけることで、低融点金属体２溶融時の分断特性を向上することが可能である。ただし、前記距離ｗ１として、完全な溶断を保証し得る最低限の距離（例えば０．２ｍｍ以上）の確保は必要である。
【００３７】
一方、絶縁カバー板１３とベース基板１との距離ｔであるが、十分な濡れ面積の確保が可能であれば、低融点金属体２に絶縁カバー板１３が密着する状態（低融点金属体２の厚さの１倍）であってもよいが、前記距離ｔを低融点金属体２の厚さの１．２倍〜４倍とすることが好ましい。前記距離ｔが低融点金属体２の厚さの１．２倍未満であると、低融点金属体２の溶融流動による速やかな溶断を保証することが難しい。逆に、前記距離ｔが低融点金属体２の厚さの４倍を越えると、距離が大きすぎて金属パターン１５への濡れが発生しない虞れがあり、また本来の目的である薄型化も実現することが難しい。
【００３８】
以上のように、本実施形態の保護素子では、絶縁カバー板１３側のスペースを最大限に利用し、溶融した低融点金属体２に対して実効的な濡れ面積を拡大しているので、定格電流を高く（低融点金属体２の断面積を大きく）しても、その分の溶融流れ込み面積を確保することができ、安定した溶断を保証することができる。
【００３９】
次に、本発明を適用した保護素子の他の実施形態（第２の実施形態）について説明する。なお、本実施形態の保護素子は、発熱体と低融点金属体とを平面的に配置するのではなく、これらを重ね合わせた状態で配置するようにした保護素子の例である。
【００４０】
本実施形態の保護素子は、図５（ａ）乃至図５（ｃ）に示すように、ベース基板２１上に低融点金属体用電極２２ａ、２２ｂ、２２ｃが設けられ、これらの電極２２ａ、２２ｂ、２２ｃ間に架け渡されるように低融点金属体２３（２３ａ、２３ｂ）が設けられている。また、中央の電極２２ｃの下面側には、絶縁層２４を介して発熱体２５が設けられている。発熱体２５は、発熱体用電極２６ａから導出された配線２６ｘ、２６ｙと発熱体用電極２６ｂとの間で通電加熱される。発熱体用電極２６ｂは、低融点金属体用電極２２ｃと電気的に接続されている。したがって、発熱体２５が発熱すると、電極２２ａ、２２ｃ間の低融点金属体２３ａ、及び電極２２ｂ、２２ｃ間の低融点金属体２３ｂがそれぞれ溶断し、被保護装置への通電が遮断され、発熱体２５への通電も遮断される。以上のように構成される保護素子の回路図を図６に示す。
【００４１】
本実施形態の保護素子においても、先の第１の実施形態の保護素子の場合と同様、絶縁カバー板２７が設けられ、保護素子全体の薄型化が図られるとともに、前記絶縁カバー板２７のベース基板２１との対向面には、図７に示すように、各低融点金属体用電極２２ａ、２２ｂ、２２ｃに対応して溶融した低融点金属体２３に対して良好な濡れ性を示す金属パターン２８ａ，２８ｂ，２８ｃが形成されている。
【００４２】
ここで、金属パターン２８ａ，２８ｂ，２８ｃは、低融点金属体用電極２２ａ、２２ｂ、２２ｃに対応して３カ所に形成するのが理想的であるが、これに限らず、例えば、中央の低融点金属体用電極２２ｃにのみ対応する形で金属パターン２８ｃのみを形成してもよい。本実施形態の保護素子の場合、発熱体２５は前記中央の低融点金属体用電極２２ｃの直下に形成されており、発熱体２５が発熱した場合に、この低融点金属体用電極２２ｃ上の部分の低融点金属体２３から溶融が始まる。したがって、この部分で前記金属パターン２８ｃの働きにより溶融した低融点金属体２３を引き寄せれば、速やかに溶断が起こり、被保護装置への通電が遮断される。
【００４３】
本実施形態（第２の実施形態）の保護素子においても、先の実施形態（第１の実施形態）と同様、金属パターン２８ａ，２８ｂ，２８ｃの形成により、溶融した低融点金属体２３に対する実効的な濡れ面積を拡大することができ、低融点金属体２３の安定した溶断を保証することができる。
【００４４】
【実施例】
次に、本発明を適用した具体的な実施例について、実験結果に基づいて説明する。
【００４５】
実施例
本実施例は、先の第１の実施形態の構成に準じて保護素子を作製した例である。すなわち、６ｍｍ×６ｍｍの大きさを有する厚さ０．５ｍｍのセラミックス基板をベース基板とし、この上に電極を形成した。各電極としては、Ａｇ−Ｐｄ電極を印刷形成した。
【００４６】
そして、これら電極のうち、一対の電極間に酸化ルテニウム系の発熱抵抗材料を印刷し、焼成することにより発熱抵抗体を形成した。形成した発熱抵抗体の電気抵抗は４Ωであった。もう一方の一対の電極間には、低融点金属（幅１ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ）を溶接にて接続し、ロジン系フラックスで封止した。また、各電極には、ＮｉメッキＣｕリード線（幅１ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を半田付けにて接続した。
【００４７】
次いで、セラミックス基板の外周に２液性エポキシ樹脂を塗布し、セラミックス製の絶縁カバー板（大きさ６ｍｍ×６ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）を置き、リード線に接触するまで押し込んで、４０℃、８時間なる条件で硬化した。
【００４８】
前記絶縁カバー板には、低融点金属を接続した電極と対向して同じ寸法の金属パターンを形成した。金属パターンは、電極と同様、Ａｇ−Ｐｄペーストを印刷し、焼成することにより形成した。
【００４９】
比較例
【００５０】
基本的な保護素子の構成は、先の実施例と同様である。ただし、絶縁カバー板に金属パターンを形成していないことが実施例とは異なる。
【００５１】
評価結果
【００５２】
以上により作製した実施例、及び比較例の保護素子（各１０個）について、発熱抵抗体に２Ｗの電力を印加して低融点金属体の溶断を確認した。その結果、実施例の保護素子では、１０個の保護素子全てにおいて平均３０秒で低融点金属体が溶断されたことがわかった。
【００５３】
これに対し、比較例の保護素子では、同様に２Ｗの電力を印加しても、１０個中３個において低融点金属体が電極に流れ込めず、溶断されていないことがわかった。溶断不良を起こした保護素子について、分解して内部を観察したところ、溶融した低融点金属体（ヒューズエレメント）が絶縁カバー板側に接触して押し出された形になっており、溶断のための空間が足りないことが確認された。
【００５４】
【発明の効果】
以上の説明からも明らかなように、本発明によれば、絶縁カバー板に金属パターンを形成しているので、溶融したヒューズエレメント（低融点金属体）に対して十分な濡れ面積を確保することができ、ヒューズエレメントの溶断不良の発生を抑えることができる。したがって、異常時に確実に電流を遮断することが可能で、安定した動作特性を有する保護素子を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態の保護素子の内部構造を示す平面図である。
【図２】絶縁カバー板による封止状態を示す概略断面図である。
【図３】絶縁カバー板のベース基板との対向面を示す平面図である。
【図４】溶融した低融点金属の電極上での状態を示す模式図であり、（ａ）は絶縁カバー板に金属パターンが形成されていない場合、（ｂ）は絶縁カバー板に金属パターンが形成されている場合をそれぞれ示す。
【図５】第２の実施形態の保護素子の内部構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はｘ−ｘ線における断面図、（ｃ）はｙ−ｙ線における断面図である。
【図６】第２の実施形態の保護素子の回路構成を示す回路図である。
【図７】第２の実施形態の絶縁カバー板のベース基板との対向面を示す平面図である。
【符号の説明】
１，２１  ベース基板
２，２３  低融点金属体
３，２５  発熱体
４，５，６，７  電極
８，９，１０，１１  リード
１３，２７  絶縁カバー板
１４  樹脂
１５，２８ａ，２８ｂ，２８ｃ  金属パターン
【図１】
2004265617.tif 000003
【図２】
2004265617.tif 000004
【図３】
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【図４】
2004265617.tif 000006
【図５】
2004265617.tif 000007
【図６】
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【図７】
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