(57)【要約】【課題】磁性層の結晶粒径を微細化し、かつ均一化することで、高Ｓ／Ｎと熱ゆらぎ安定性の両立を達成すること。【解決手段】非磁性基板１上に非磁性アモルファス層３を設け、この非磁性アモルファス層３中に、加熱温度、加熱時間もしくは材料組成により、結晶粒成長核とする中距離秩序構造が形成されている。磁性層６の結晶粒径分布を制御するため、非磁性基板１上にスパッタ法で非磁性アモルファス層３を形成する。非磁性基板１上に非磁性アモルファス層３を形成し、エキシマレーザーにより非磁性アモルファス層３の表面を加熱し、レーザー照射条件及び非磁性アモルファス層３の材料を最適化することで結晶粒成長核となりうる中距離秩序構造の頻度を最適化することができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に非磁性アモルファス層を設け、該非磁性アモルファス層中に、結晶粒成長核とする中距離秩序構造を形成したことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記非磁性アモルファス層中に形成される中距離秩序構造が、中心原子から第４隣接まで規則性を有することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記非磁性アモルファス層中に形成される中距離秩序構造が、ｆｃｃ中距離秩序多面体、ｈｃｐ中距離秩序多面体、ｂｃｃ中距離秩序多面体のいずれかであることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記非磁性基板が、Ａｌ，Ｓｉ，ガラス，プラスチックのいずれかであることを特徴とする請求項１，２又は３に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記非磁性アモルファス層が、ＮｉＰ，ＮｉＰＢ，ＮｉＺｒ，ＮｉＺｒＢ，ＮｉＣｒＭｏＣ，ＦｅＢ，ＦｅＰ，ＦｅＰＣ，ＦｅＺｒＢ，ＦｅＣｒＭｏＰＣ，ＣｏＺｒ，ＣｏＺｒＢ，ＴｉＣｒ，ＣｒＢ，ＴａＢ，ＣｒＴａ，ＮｉＴａ，ＣｏＷ，ＣｏＴａのいずれかであることを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記非磁性アモルファス層の膜厚が０．５ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
非磁性基板上に非磁性アモルファス層を形成するとともに、該非磁性アモルファス層に、加熱温度、加熱時間もしくは材料組成により、結晶粒成長核とする中距離秩序構造を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
前記非磁性アモルファス層を、レーザーを用いて加熱することを特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
前記レーザーの波長が１３０ｎｍ〜３８０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項７又は８に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
前記レーザーの発振法がパルス発振であり、このパルス幅が、１０ｎｓ以上、１００ｎｓ以下であることを特徴とする請求項７、８又は９に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
前記非磁性アモルファス層をスパッタ法で形成することを特徴とする請求項７乃至１０のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
前記非磁性アモルファス層を蒸着で形成することを特徴とする請求項７乃至１１のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体及びその製造方法に関し、より詳細には、ＰＣ（パーソナルコンピュータ）やネットワーク端末機器、ＡＶ機器などで使用するＨＤＤ（ハードディスクドライブ）装置で使用される磁気記録媒体、特に高Ｓ／Ｎと高熱安定性を有した磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の磁気記録媒体は、非常な勢いで高記録密度化が進んでいる。現在、この記録媒体においては、通常基板として、Ａｌもしくはガラスを用いてＣｒ及びＣｒ合金上にＣｏＣｒ合金記録層を設け、記録磁化の方向を面内に向けて記録する長手記録方式が用いられている。
【０００３】
この長手記録方式において、線記録密度を向上させるには、記録時の反磁界の影響を減少するために記録媒体である磁性膜の残留磁化（Ｍｒ）と磁性膜厚（ｔ）の積（Ｍｒ・ｔ）を小さくし、保磁力を増大する必要がある（例えば、特許文献１参照）。また、磁化遷移領域から発生する媒体雑音を低減するために、磁性層の結晶粒径の微細化と、結晶粒間の交換相互作用の低減による活性化粒径の低減が必要である。結晶粒径の微細化には、下地層の薄膜化及び多層化が有効であり、また、結晶粒間の相互作用の低減に関しては、基板加熱を行なうことでＣｏＣｒ合金中のＣｒを結晶粒界に偏析させ、非磁性領域を形成することが有効である。
【０００４】
しかしながら、このような磁性層の結晶粒径の微細化や結晶粒間の相互作用の低減により、活性化粒径が低減した記録媒体では、熱的には不安定となり、残留磁化の減少とそれに伴う記録遷移幅の増大が生じ、結果として記録ヘッドの出力の時間減少を加速させてしまう。この熱揺らぎを改善するためには、磁性膜の磁気異方性エネルギー（Ｋｕ）を大きくすることが有効であり、現状ではＣｏＣｒ合金にＰｔを多く添加することで磁気異方性エネルギーを高めている。
【０００５】
また、最近においては、磁気異方性エネルギーを大きくすることなく、熱安定性を確保する反強磁性結合（ＡＦＣ：Ａｎｔｉ−Ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｃｏｕｐｌｉｎｇ  ）を用いたＡＦＣ媒体が実用化されつつある（例えば、特許文献２参照）。このＡＦＣ媒体は、記録層の下に１ｎｍ以下のスペーシング層と、安定化層と呼ばれる磁性層とを設けた記録媒体である。このＡＦＣ媒体は、記録層と安定化層間で反強磁性的な交換作用が働くため、安定化層分の磁性体積が増えて熱安定性が高まるという利点を有する。
【０００６】
【特許文献１】
特開平８−３２９４４４号公報
【０００７】
【特許文献２】
特開２００１−５６９２４号公報
【０００８】
【特許文献３】
特開２００２−１９７６４４号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
通常のＡｌ，ガラス基板（例えば、特許文献３参照）を用いたＣｏＣｒ合金磁性膜の長手記録媒体において、結晶粒径の微細化と結晶粒間の相互作用を低減して活性化粒径を低減しつつ熱揺らぎ特性を向上するためには、磁性層の組成や中間層の組成及び下地層の材料などの最適化が必要である。
【００１０】
しかしながら、現状の磁性層、中間層の材料や下地材料を用いたものでは、磁性層の結晶粒径は約１０ｎｍ〜８ｎｍであり、さらなる記録密度向上を達成するには不十分である。特に、結晶粒径分散（標準偏差／平均粒径）に関しては、現状約３０％前後のばらつきをもっており、ノイズの低下と熱揺らぎの両立を行なうには不十分である。
【００１１】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、磁性層、中間層、下地層などの材料を変更せずに、磁性層の結晶粒径を微細化し、かつ均一化することで、高Ｓ／Ｎと熱ゆらぎ安定性の両立を達成するようにした磁気記録媒体及びその製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項１に記載の磁気記録媒体の発明は、非磁性基板上に非磁性アモルファス層を設け、該非磁性アモルファス層中に、結晶粒成長核とする中距離秩序構造を形成したことを特徴とする。
【００１３】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記非磁性アモルファス層中に形成される中距離秩序構造が、中心原子から第４隣接まで規則性を有することを特徴とする。
【００１４】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の発明において、前記非磁性アモルファス層中に形成される中距離秩序構造が、ｆｃｃ中距離秩序多面体、ｈｃｐ中距離秩序多面体、ｂｃｃ中距離秩序多面体のいずれかであることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１，２又は３に記載の発明において、前記非磁性基板が、Ａｌ，Ｓｉ，ガラス，プラスチックのいずれかであることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４いずれかに記載の発明において、前記非磁性アモルファス層が、ＮｉＰ，ＮｉＰＢ，ＮｉＺｒ，ＮｉＺｒＢ，ＮｉＣｒＭｏＣ，ＦｅＢ，ＦｅＰ，ＦｅＰＣ，ＦｅＺｒＢ，ＦｅＣｒＭｏＰＣ，ＣｏＺｒ，ＣｏＺｒＢ，ＴｉＣｒ，ＣｒＢ，ＴａＢ，ＣｒＴａ，ＮｉＴａ，ＣｏＷ，ＣｏＴａのいずれかであることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５いずれかに記載の発明において、前記非磁性アモルファス層の膜厚が０．５ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲であることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項７に記載の発明は、磁気記録媒体の製造方法であって、非磁性基板上に非磁性アモルファス層を形成するとともに、該非磁性アモルファス層に、加熱温度、加熱時間もしくは材料組成により、結晶粒成長核とする中距離秩序構造を形成することを特徴とする。
【００１９】
また、請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記非磁性アモルファス層を、レーザーを用いて加熱することを特徴とする。
【００２０】
また、請求項９に記載の発明は、請求項７又は８に記載の発明において、前記レーザーの波長が１３０ｎｍ〜３８０ｎｍの範囲であることを特徴とする。
【００２１】
また、請求項１０に記載の発明は、請求項７，８又は９に記載の発明において、前記レーザーの発振法がパルス発振であり、このパルス幅が、１０ｎｓ以上、１００ｎｓ以下であることを特徴とする。
【００２２】
また、請求項１１に記載の発明は、請求項７乃至１０いずれかに記載の発明において、前記非磁性アモルファス層をスパッタ法で形成することを特徴とする。
【００２３】
また、請求項１２に記載の発明は、請求項７乃至１１いずれかに記載の発明において、前記非磁性アモルファス層を蒸着で形成することを特徴とする。
【００２４】
このように、本発明では、非磁性基板に非磁性アモルファス膜を形成し、レーザー照射条件及び非磁性アモルファス層の材料組成を変化させることで、非磁性アモルファス層中に中距離秩序構造を形成し、磁性層、中間層、下地層などの材料を変更せずに配向を維持しつつ磁性層の結晶粒径を微細化し、かつ均一化することができるようにしたものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する。
図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施例を説明するための断面図で、図中符号１は非磁性基板、２はＮｉＰ無電界メッキ膜、３は非磁性アモルファス層、４は非磁性下地層、５は非磁性中間層、６は磁性層（ＣｏＣｒ基磁性層）、７は保護層、８は潤滑層を示している。図２（ａ）〜（ｃ）は、中距離秩序構造の例を示す図で、図２（ａ）は、ｆｃｃ  中距離秩序多面体、図２（ｂ）は、ｈｃｐ  中距離秩序多面体、図２（ｃ）は、ｂｃｃ  中距離秩序多面体を示している。
【００２６】
本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板１上に非磁性アモルファス層３を設け、この非磁性アモルファス層３中には、加熱温度、加熱時間もしくは材料組成により、結晶粒成長核とする中距離秩序構造が形成されている。
【００２７】
一般的に、従来のＡｌ基板を用いた長手磁気記録媒体では、Ａｌ基板上にＮｉＰ無電界メッキのアモルファス膜、ＣｒもしくはＣｒ合金からなる非磁性下地層、Ｃｏ基非磁性中間層、Ｃｏ基磁性層を順次スパッタ法で形成している。
【００２８】
それぞれの効果として、ＮｉＰ無電界メッキは、磁性層ｃ軸の面内配向に必要な非磁性Ｃｒ下地の（２００）配向を実現し、かつ、アモルファスであるため表面を平坦に保つ効果がある。また、円周方向へのテクスチャー加工の加工性が良いという効果もある。Ｃｒ下地はＣｏ基非磁性中間層及びＣｏ基磁性層のｃ軸を良好に面内に配向させるために用いられる。
【００２９】
本発明では、これらの効果を阻害せずに磁性層の結晶粒径分布を制御するため、非磁性基板１上にスパッタ法で非磁性アモルファス層３を形成する。スパッタ法でアモルファス構造を得るためには、少なくとも２種類以上の材料を用いる必要がある。例えば、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｔｉなどの金属元素を主要元素とした場合には、Ｂ，Ｐ，Ｚｒ，Ｃなどと合金化させることが望ましい。また、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉは、磁性材料であるのでアモルファス構造でかつ非磁性にするためには、前述したＢ，Ｐ，Ｚｒ，Ｃ及び他の材料を用いた場合でも１０％以上含有されることが望ましい。
【００３０】
非磁性アモルファス層３の膜厚は、Ａｌ／ＮｉＰ基板のテクスチャーを施した非磁性基板１上に形成する場合には、テクスチャーの効果である適度な表面凹凸によるヘッド吸着の予防及び磁性層ｃ軸の円周方向配向を維持するために、２ｎｍ以上、１０ｎｍ以下にすることが望ましい。ガラス基板を用いて基板にダイレクトにテクスチャーを施す場合には、前述と同様に非磁性アモルファス層３を２ｎｍ以上、１０ｎｍ以下とすることが望ましい。テクスチャーを施さない場合には、基板によらず非磁性アモルファス層３の長さを厚くすることができ、生産性の観点から０．５ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲で設けることができる。
【００３１】
一般的に、結晶粒径を微細化するには、結晶成長核の密度を多くする必要がある。そこで非磁性アモルファス層３に結晶成長核とする中距離秩序構造を形成するため、加熱処理を行なう。この加熱処理は、通常の基板加熱で行なうとアモルファス層３の膜厚方向で均一に加熱されるため、膜表面のみに温度変化をもたらすように、エキシマレーザーで表面のみの温度を向上させ、無秩序なアモルファス構造中の表面に中距離の秩序構造を形成させる。
【００３２】
この時のレーザーの波長としては、紫外域が好ましく１３０ｎｍ〜３８０ｎｍの領域で用いることができる。これは長波長領域であると熱的なエネルギー変換が大きいため、非磁性アモルファス層のみでなく、基板も加熱してしまうことになり、例えば、ＮｉＰ無電界メッキを付与したＡｌ基板であれば基板の磁化を防ぐことができ、プラスチック基板を用いた場合には、基板の変形を防ぐことができる。また、即座に熱が断たれ表面部は急冷却状態になるため、中距離秩序構造の形成が起こりやすくなる。
【００３３】
レーザーの発振方法としては、パルスレーザーを用いることが望ましい、パルス幅は短い方が望ましく、１０ｎｓ以上、１００ｎｓ以下で用いることができる。パルス幅を短くすることはより急峻に熱が断たれる効果があるため、中距離秩序構造を形成しやすくなる効果がある。また、レーザーパワーが大きすぎる場合には、いわゆるバンプが形成されてしまうため、バンプが形成されないパワーで用いる必要がある。
【００３４】
中距離秩序構造の定義としては、第３，第４隣接までの規則性を考慮し、最近接配置のみの配置を考慮した短距離の秩序構造と同じく固有の回折像は示されないが、それよりは秩序を持った範囲が広がっているものと定義できる。中距離秩序構造の特定は、ボロノイ多面体解析を用いることができる。この方法は、アモルファス構造の配位多面体局所構造の様子を調べるのに有効な方法である。
【００３５】
中心原子とその隣接原子に関する２原子間垂直２等分面をつくり、面交線をつないでできる多面体がボロノイ多面体である。多面体でのｉ角形（ｉ＝３，４，５，…）の面を構成する面の数ｎｉの並びをボロノイインデックスと呼び（ｎ３，ｎ４，ｎ５，…）のように表示し、第３，第４隣接の規則性を考慮して中距離秩序構造とする。例えば、ｂｃｃの環境だと、（０，６，０，８，０，０）となる。中距離秩序構造としては、図２（ａ）〜（ｃ）に示すものが考えられる。これらは主要元素の安定な結晶構造によって存在しやすい構造が変わってくると考えられる。
【００３６】
例えば、Ｆｅが主要元素であれば、図２（ｃ）に示すｂｃｃ中距離多面体、Ｃｏが主要元素であれば、図２（ａ）に示すｆｃｃ中距離秩序多面体か図２（ｂ）に示すｈｃｐ中距離秩序多面体、主要元素がＮｉであれば、図２（ａ）に示すｆｃｃ中距離秩序多面体の存在が多くなると考えられる。
【００３７】
この中距離秩序構造である図２（ａ）〜（ｃ）は、それぞれｆｃｃ，ｂｃｃ，ｈｃｐの構造を代表しており、非磁性アモルファス層３の上層に形成する非磁性下地層４の結晶成長核になると考えられる。非磁性下地層４の結晶構造と同様な中距離秩序構造を選択することにより、非磁性下地層４の配向を劣化させることなく、結晶粒径分布の制御が行なえる。
【００３８】
ここで基板加熱温度は、ＣｏＣｒ基磁性層６のＣｒ偏析を促進するために必要であるが、高すぎる場合には、結晶領域が形成されてしまうので加熱温度としては、１５０℃以上、２８０℃以下が望ましい。最適加熱温度は、選択する基板によっても異なり、例えば、プラスチックを用いた場合には、５０℃以上、１００℃以下が望ましい。この時、主要元素に対する第二添加元素もしくは第三添加元素の添加量が多すぎる場合には、秩序構造が形成されにくいので添加元素の量を減らすことで中距離秩序構造を形成することができる。
【００３９】
非磁性下地層４上の非磁性中間層５、ＣｏＣｒ基磁性層６は、良好なエピタキシャル成長を促すため、適切な格子定数となる組成を選択し、順次形成することが望ましい。この時の非磁性下地層４は、Ｃｒ単層膜であることはなく、純Ｃｒ非磁性下地層、Ｃｒ合金下地層として積層しても良い。
【００４０】
［実施例１］
非磁性基板１をＡｌとし、ＮｉＰ無電界メッキ膜２を１０μｍ形成し、予備加熱を２００°で行なった。その後、非磁性アモルファス層３をＦｅ８５Ｚｒ１０Ｂ５（ａｔ％）５ｎｍとし、ＡｒＦエキシマレーザーをレーザーパワー５０ｍＷ、パルス幅５０ｎｓ〜１００ｎｓで２０ｐｐｓ繰り返し照射し、次に、非磁性下地層４をＣｒ５ｎｍ、Ｃｒ８０Ｍｏ２０５ｎｍの順に２層とし、非磁性中間層５をＣｏ６７Ｃｒ２８Ｔａ５１．５ｎｍとし、Ｃｏ基磁性層６をＣｏ６０Ｃｒ２４Ｐｔ１２Ｂ４６ｎｍ、Ｃｏ５８Ｃｒ２０Ｐｔ１２Ｂ１０６ｎｍの順に２層とし、順次、ＤＣマグネトロンスパッタ法で形成した。
【００４１】
その後、ダイヤモンドライクカーボン保護層７を３ｎｍＣＶＤ法で形成し、この保護層７上にフロロカーボン系の液体潤滑剤を１．４ｎｍ塗布して潤滑層８を形成し、磁気記録媒体を作製した。
【００４２】
こうして得られた磁気記録媒体のＳ／Ｎ比と出力減衰の測定及び透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）による磁性層の結晶粒径の評価を行なった。また、非磁性アモルファス層３の中距離秩序構造の存在を確認するため、この非磁性アモルファス層３まで同様に作成し、エキシマレーザー照射を行なった試料をイオンミリング法により平面ＴＥＭ試料を作成し、エネルギーフィルタリングＴＥＭを用いて非弾性散乱電子を除いた制限視野電子線回折図形を取得した。
【００４３】
その後、原子２体分布関数を求め、リバースモンテカルロ計算により構造モデルを計算し、ボロノイ多面体解析を行なった結果、主要元素であるＦｅを中心とした多面体局所構造は、図２（ｃ）に示すｂｃｃ  中距離秩序多面体に相当する構造頻度が多かった。
【００４４】
［比較例１］
上述した実施例１に示した磁気記録媒体において、非磁性アモルファス層３を形成せずエキシマレーザー照射を行なわない以外は、実施例１と同様に作製した磁気記録媒体を得た。
【００４５】
こうして得られた磁気記録媒体を実施例１と同様にＳ／Ｎ比と出力減衰の測定及び透過電子顕微鏡による磁性層の結晶粒径の評価を行なった。表１に評価結果を示す。
【００４６】
【表１】
2004326844.tif 000003
【００４７】
また、ＮｉＰ無電界メッキ膜２の中距離秩序構造の存在を確認するため、実施例１と同様にオンミリング法により平面ＴＥＭ試料を作成し、エネルギーフィルタリングＴＥＭを用いて非弾性散乱電子を除いた制限視野電子線回折図形を取得した。
【００４８】
その後、原子２体分布関数を求め、リバースモンテカルロ計算により構造モデルを計算し、ボロノイ多面体解析を行なった結果、主要元素であるＮｉを中心とした多面体局所構造において、中距離秩序多面体に相当するものの頻度は少なかった。
【００４９】
［比較例２］
上述した実施例１に示した磁気記録媒体において、非磁性基板１をガラス、ＮｉＰ無電界メッキ膜２を設けず、非磁性アモルファス層３をＮｉ８５Ｐ１５１００ｎｍとしてＤＣマグネトロンスパッタで形成し、エキシマレーザー照射を行なわない以外は実施例１と同様に作製した磁気記録媒体を得た。
【００５０】
こうして得られた磁気記録媒体を実施例１と同様にＳ／Ｎ比と出力減衰の測定及び透過電子顕微鏡による磁性層の結晶粒径の評価を行なった。表１に評価結果を示す。
【００５１】
また、非磁性アモルファス層３の中距離秩序構造の存在を確認するため、実施例１と同様にイオンミリング法により平面ＴＥＭ試料を作成し、エネルギーフィルタリングＴＥＭを用いて非弾性散乱電子を除いた制限視野電子線回折図形を取得した。
【００５２】
その後、原子２体分布関数を求め、リバースモンテカルロ計算により構造モデルを計算し、ボロノイ多面体解析を行なった結果、主要元素であるＮｉを中心とした多面体局所構造において、中距離秩序多面体に相当するものの頻度は少なかった。
【００５３】
［比較例３］
上述した実施例１に示した磁気記録媒体において、非磁性基板１をプラスチック、ＮｉＰ無電界メッキ膜２を設けず、予熱加熱無しとして非磁性アモルファス層３をＴａ８０Ｂ２０５ｎｍとし、エキシマレーザー照射を行なわず、非磁性下地層４をＴｉ５０Ｗ５０１０ｎｍ、非磁性中間層５をＲｕ２０ｎｍとして順次ＤＣマグネトロンスパッタ法で形成し、磁性層６を８８モル％（Ｃｏ７０Ｃｒ１０Ｐｔ２０）−１２モル％（ＳｉＯ２）１０ｎｍとしてＲＦマグネトロンスパッタ法で形成した以外は、実施例１と同様に作製した磁気記録媒体を得た。
【００５４】
こうして得られた磁気記録媒体を実施例１と同様にＳ／Ｎ比と出力減衰の測定及び透過電子顕微鏡による磁性層の結晶粒径の評価を行なった。表１に評価結果を示す。Ｔａ膜の中距離秩序構造の存在を確認するため、実施例１と同様にイオンミリング法により平面ＴＥＭ試料を作成し、エネルギーフィルタリングＴＥＭを用いて非弾性散乱電子を除いた制限視野電子線回折図形を取得した。
【００５５】
その後、原子２体分布関数を求め、リバースモンテカルロ計算により構造モデルを計算し、ボロノイ多面体解析を行なった結果、Ｔａの多面体局所構造において、中距離秩序多面体に相当するものの頻度は少なかった。
【００５６】
［実施例２］
上述した実施例１に示した磁気記録媒体において、非磁性アモルファス層３をＣｏＺｒ５ｎｍとした以外は同様に作製した磁気記録媒体を得た。
【００５７】
こうして得られた磁気記録媒体を実施例１と同様にＳ／Ｎ比と出力減衰の測定及び透過電子顕微鏡による磁性層の結晶粒径の評価を行なった。表１に評価結果を示す。実施例１と同様に非磁性アモルファス層３の中距離秩序構造の存在を確認するため、イオンミリング法により平面ＴＥＭ試料を作成し、エネルギーフィルタリングＴＥＭを用いて非弾性散乱電子を除いた制限視野電子線回折図形を取得した。
【００５８】
その後、原子２体分布関数を求め、リバースモンテカルロ計算により構造モデルを計算し、ボロノイ多面体解析を行なった結果、主要元素であるＣｏの多面体局所構造において、図２（ｂ）に示すｈｃｐ  中距離秩序多面体に相当するものの頻度が多かった。
【００５９】
［実施例３］
上述した実施例１に示した磁気記録媒体において、非磁性アモルファス層３をＣｒ２０Ｂ８０５ｎｍとし、ＡｒＦエキシマレーザーのパルス幅を３０ｎｓ〜５０ｎｓとして２０ｐｐｓ繰り返し照射した以外は、実施例１と同様に作製した磁気記録媒体を得た。
【００６０】
こうして得られた磁気記録媒体を実施例１と同様にＳ／Ｎ比と出力減衰の測定及び透過電子顕微鏡による磁性層の結晶粒径の評価を行なった。表１に評価結果を示す。
【００６１】
［実施例４］
上述した実施例１に示した磁気記録媒体において、ＫｒＦエキシマレーザーをレーザーパワー６０ｍＷ、パルス幅を５０ｎｓ〜８０ｎｓとして５０ｐｐｓ繰り返し照射した以外は、実施例１と同様に作製した磁気記録媒体を得た。
【００６２】
こうして得られた磁気記録媒体を実施例１と同様にＳ／Ｎ比と出力減衰の測定及び透過電子顕微鏡による磁性層の結晶粒径の評価を行なった。表１に評価結果を示す。また、非磁性アモルファス層３の中距離秩序構造の存在を確認するため、この非磁性アモルファス層３まで同様に作成し、エキシマレーザー照射を行なった試料をイオンミリング法により平面ＴＥＭ試料を作成し、エネルギーフィルタリングＴＥＭを用いて非弾性散乱電子を除いた制限視野電子線回折図形を取得した。
【００６３】
その後、原子２体分布関数を求め、リバースモンテカルロ計算により構造モデルを計算し、ボロノイ多面体解析を行なった結果、主要元素であるＦｅを中心とした多面体局所構造は、図２（ｃ）に示すｂｃｃ  中距離秩序多面体に相当する構造頻度が多かった。
【００６４】
［実施例５］
上述した実施例１に示した磁気記録媒体において、非磁性アモルファス層３をＮｉ８０Ｐ２０２ｎｍとした以外は、実施例１と同様に作製した磁気記録媒体を得た。
【００６５】
こうして得られた磁気記録媒体を実施例１と同様にＳ／Ｎ比と出力減衰の測定及び透過電子顕微鏡による磁性層の結晶粒径の評価を行なった。表１に評価結果を示す。また、非磁性アモルファス層３の中距離秩序構造の存在を確認するため、この非磁性アモルファス層３まで同様に作成し、エキシマレーザー照射を行なった試料をイオンミリング法により平面ＴＥＭ試料を作成し、エネルギーフィルタリングＴＥＭを用いて非弾性散乱電子を除いた制限視野電子回折図形を取得した。
【００６６】
その後、原子２体分布関数を求め、リバースモンテカルロ計算により構造モデルを計算し、ボロノイ多面体解析を行なった結果、主要元素であるＮｉを中心とした多面体局所構造は、図２（ａ）に示すｆｃｃ  中距離秩序多面体に相当する構造頻度が多かった。
【００６７】
［実施例６］
上述した比較例２に示した磁気記録媒体において、非磁性基板１をＳｉ、非磁性アモルファス層３をＦｅ８０Ｐ２０としてＤＣマグネトロンスパッタで１００ｎｍ形成し、ＡｒＦエキシマレーザーをレーザーパワー８０ｍＷ、パルス幅を１０ｎｓ〜３０ｎｓとして５０ｐｐｓ繰り返し照射した以外は、実施例１と同様に作製した磁気記録媒体を得た。
【００６８】
こうして得られた磁気記録媒体を実施例１と同様にＳ／Ｎ比と出力減衰の測定及び透過電子顕微鏡による磁性層の結晶粒径の評価を行なった。表１に評価結果を示す。非磁性アモルファス層３の中距離秩序構造の存在を確認するため、この非磁性アモルファス層３まで同様に作成し、エキシマレーザー照射を行なった試料をイオンミリング法により平面ＴＥＭ試料を作成し、エネルギーフィルタリングＴＥＭを用いて非弾性散乱電子を除いた制限視野電子線回折図形を取得した。
【００６９】
その後、原子２体分布関数を求め、リバースモンテカルロ計算により構造モデルを計算し、ボロノイ多面体解析を行なった結果、主要元素であるＦｅを中心とした多面体局所構造は、図２（ｃ）に示すｂｃｃ  中距離秩序多面体に相当する構造頻度が多かった。
【００７０】
［実施例７］
上述した実施例１に示した磁気記録媒体において、非磁性アモルファス層３のＦｅ８５Ｚｒ１０Ｂ５５ｎｍを蒸着法で形成した以外は、実施例１と同様に作製した磁気記録媒体を得た。
【００７１】
こうして得られた磁気記録媒体を実施例１と同様にＳ／Ｎ比と出力減衰の測定及び透過電子顕微鏡による磁性層の結晶粒径の評価を行なった。表１に評価結果を示す。また、非磁性アモルファス層３の中距離秩序構造の存在を確認するため、この非磁性アモルファス層３まで同様に作成し、エキシマレーザー照射を行なった試料をイオンミリング法により平面ＴＥＭ試料を作成し、エネルギーフィルタリングＴＥＭを用いて非弾性散乱電子を除いた制限視野電子線回折図形を取得した。
【００７２】
その後、原子２体分布関数を求め、リバースモンテカルロ計算により構造モデルを計算し、ボロノイ多面体解析を行なった結果、主要元素であるＦｅを中心とした多面体局所構造は、図２（ｃ）に示すｂｃｃ  中距離秩序多面体に相当する構造頻度が多かった。
【００７３】
［実施例８］
上述した比較例３に示した磁気記録媒体において、非磁性アモルファス層３のＴａ８０Ｂ２０５ｎｍを形成後、実施例１と同様なエキシマレーザー照射を行なった以外は、比較例３と同様に作製した磁気記録媒体を得た。
【００７４】
こうして得られた磁気記録媒体を実施例１と同様にＳ／Ｎ比と出力減衰の測定及び透過電子顕微鏡による磁性層の結晶粒径の評価を行なった。表１に評価結果を示す。また、非磁性アモルファス層３の中距離秩序構造の存在を確認するため、この非磁性アモルファス層３まで同様に作成し、エキシマレーザー照射を行なった試料をイオンミリング法により平面ＴＥＭ試料を作成し、エネルギーフィルタリングＴＥＭを用いて非弾性散乱電子を除いた制限視野電子線回折図形を取得した。
【００７５】
その後、原子２体分布関数を求め、リバースモンテカルロ計算により構造モデルを計算し、ボロノイ多面体解析を行なった結果、主要元素であるＦｅを中心とした多面体局所構造は、図２（ｃ）に示したｂｃｃ  中距離秩序多面体に相当する構造頻度が多かった。
【００７６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、非磁性基板上に非磁性アモルファス層を形成し、エキシマレーザーにより非磁性アモルファス層の表面を加熱し、レーザー照射条件及び非磁性アモルファス層の材料を最適化することで結晶粒成長核となりうる中距離秩序構造の頻度を最適化することができる。このため磁性層の結晶粒径を微細化し、かつ均一化することができる。これにより、近年の磁気記録媒体の必要特性である高Ｓ／Ｎと熱的安定化の両立を行うことが可能となり、情報記録密度の高い大容量記憶装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の一実施例を説明するための断面図である。
【図２】中距離秩序構造の例を示す図で、（ａ）はｆｃｃ  中距離秩序多面体、（ｂ）はｈｃｐ  中距離秩序多面体、（ｃ）はｂｃｃ  中距離秩序多面体を示す図である。
【符号の説明】
１  非磁性基板
２  ＮｉＰ無電界メッキ膜
３  非磁性アモルファス層
４  非磁性下地層
５  非磁性中間層
６  磁性層
７  保護層
８  潤滑層
【図１】
2004326844.tif 000004
【図２】
2004326844.tif 000005