(57)【要約】【課題】プラズマ式排ガス分解装置の上流側の圧力変動を抑制する。【解決手段】回転制御装置１２は、反応ガスが真空チャンバ１に導入されるタイミングで、粗引きポンプ１１の回転数を上昇させ、反応ガスの真空チャンバ１への導入が遮断されるタイミングで、粗引きポンプ１１の回転数を下降させる。【選択図】　　　図１
2004014699.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ式排ガス分解装置と、
前記プラズマ式排ガス分解装置の上流に接続される第１の真空ポンプと、
前記プラズマ式排ガス分解装置の下流に接続される第２の真空ポンプと、
前記第１の真空ポンプからの排気状態に基づいて、前記第２の真空ポンプ
の回転数を制御する回転制御手段とを備えることを特徴とする排ガス処理装置。
【請求項２】
前記回転制御手段は、前記第１の真空ポンプで排気されるチャンバ内に反応ガスが導入されるタイミングに基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を上昇させ、前記第１の真空ポンプで排気されるチャンバ内への反応ガスの導入が遮断されるタイミングに基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を下降させることを特徴とする請求項１記載の排ガス処理装置。
【請求項３】
プラズマ式排ガス分解装置と、
前記プラズマ式排ガス分解装置の上流に接続される第１の真空ポンプと、
前記プラズマ式排ガス分解装置の下流に接続される第２の真空ポンプと、
前記プラズマ式排ガス分解装置の動作状態に基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を制御する回転制御手段とを備えることを特徴とする排ガス処理装置。
【請求項４】
前記回転制御手段は、前記プラズマ式排ガス分解装置のプラズマがオンされるタイミングに基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を上昇させ、前記プラズマ式排ガス分解装置のプラズマがオフされるタイミングに基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を下降させることを特徴とする請求項３記載の排ガス処理装置。
【請求項５】
プラズマ式排ガス分解装置と、
前記プラズマ式排ガス分解装置の上流に接続される第１の真空ポンプと、
前記プラズマ式排ガス分解装置の下流に接続される第２の真空ポンプと、
前記第１の真空ポンプからの排気状態および前記プラズマ式排ガス分解装置の動作状態に基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を制御する回転制御手段とを備えることを特徴とする排ガス処理装置。
【請求項６】
前記回転制御手段は、前記第１の真空ポンプで排気されるチャンバ内に反応ガスが導入されるタイミングに基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を上昇させ、前記プラズマ式排ガス分解装置のプラズマがオフされるタイミングに基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を下降させることを特徴とする請求項５記載の排ガス処理装置。
【請求項７】
プラズマ式排ガス分解装置と、
前記プラズマ式排ガス分解装置の上流に接続される第１の真空ポンプと、
前記プラズマ式排ガス分解装置の下流に接続される第２の真空ポンプと、
前記プラズマ式排ガス分解装置の上流側のガス圧に基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を制御する回転制御手段とを備えることを特徴とする排ガス処理装置。
【請求項８】
前記回転制御手段は、前記プラズマ式排ガス分解装置の上流側のガス圧が上昇する前のタイミングに基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を上昇させ、前記プラズマ式排ガス分解装置の上流側のガス圧が所定置を下回った時のタイミングに基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を下降させることを特徴とする請求項７記載の排ガス処理装置。
【請求項９】
前記プラズマ式排ガス分解装置は、前記ガス圧が前記所定置を上回った時のタイミングに基づいてプラズマをオンし、前記ガス圧が前記所定置を下回った時のタイミングに基づいてプラズマをオフすることを特徴とする請求項７または８記載の排ガス処理装置。
【請求項１０】
反応ガスを導入する真空チャンバと、
前記真空チャンバ内を排気する第１の真空ポンプと、
第１の真空ポンプの下流に接続されるプラズマ式排ガス分解装置と、
前記プラズマ式排ガス分解装置の下流に接続される第２の真空ポンプと、
前記第１の真空ポンプの下流側のガス圧を検出する圧力計と、
前記圧力計で検出されたガス圧に基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を制御する回転制御手段と、
前記圧力計で検出されたガス圧に基づいて、前記真空チャンバ内での反応制御を行う反応制御手段とを備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１１】
前記反応制御手段は、前記ガス圧が安定状態に達した後に、前記真空チャンバ内での反応を開始させることを特徴とする請求項１０記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は排ガス処理装置および半導体製造装置に関し、特に、プラズマ式ＰＦＣ（パーフルオロカーボン）分解装置を用いて排ガス処理を行う場合に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体製造装置では、反応容器から排出されるＰＦＣガスを分解するため、反応容器の後段にプラズマ式ＰＦＣ分解装置を設けたものがあった。
図１１は、従来の排ガス処理装置の概略構成を示すブロック図である。
図１１において、真空チャンバ１０１は、開閉バルブ１０２を介してガス供給源１０３に接続されるとともに、圧力制御弁１０４を介してターボ分子ポンプ１０５に接続されている。
【０００３】
そして、ターボ分子ポンプ１０５は、配管１０６ａを介してプラズマ式ＰＦＣ分解装置１０７の上流側に接続され、プラズマ式ＰＦＣ分解装置１０７の下流側には配管１０６ｂを介して粗引きポンプ１１１が接続され、粗引きポンプ１１１の下流側には配管１０６ｃを介してスクラバが接続されている。
ここで、プラズマ式ＰＦＣ分解装置１０７には、電極１０８ａ、１０８ｂが設けられ、電極１０８ｂは、カップリングコンデンサ１０９を介してＲＦ電源１１０に接続されている。
【０００４】
そして、真空チャンバ１０１には、ガス供給源１０３からＣＦ４、ＳＦ６などの反応ガスが導入され、真空チャンバ１０１で所定の処理が行われた後、ターボ分子ポンプ１０５により真空チャンバ８１内が排気される。
そして、ターボ分子ポンプ１０５により排気されたＰＦＣガスは、配管１０６ａを介してプラズマ式ＰＦＣ分解装置１０７に導入され、プラズマ式ＰＦＣ分解装置１０７は、ＲＦ電源１１０をオンして、プラズマ式ＰＦＣ分解装置１０７内にプラズマを発生させることにより、ＰＦＣガスを分解する。
【０００５】
そして、分解されたＰＦＣガスは、粗引きポンプ１１１により排気され、配管１０６ｃを介してスクラバに導入され、後処理が行われる。
図１２は、従来の排ガス処理装置の動作を示すタイミングチャートである。
図１２において、真空チャンバ１０１のアイドル時には、ターボ分子ポンプ１０５および粗引きポンプ１１１が起動され、粗引きポンプ１１１により配管１０６ａ、１０６ｂおよびプラズマ式ＰＦＣ分解装置１０７内の排気が行われるとともに、ターボ分子ポンプ１０５により真空チャンバ１０１内の排気が行われる。
【０００６】
そして、真空チャンバ１０１で処理を行う場合、図１０（ａ）に示すように、開閉バルブ１０２を開き、ガス供給源１０３からＣＦ４、ＳＦ６などの反応ガスを真空チャンバ１０１内に導入する（ｔ５０）。
そして、真空チャンバ１０１内での処理に使われた反応ガスは、ターボ分子ポンプ１０５により排気され、ＰＦＣガスが配管１０６ａを介してプラズマ式ＰＦＣ分解装置１０７に導入される。
【０００７】
このため、図１２（ｃ）に示すように、開閉バルブ１０２を開くと、配管１０６ａ内の圧力が上昇し、圧力Ｐ１で安定状態に達する。
そして、ＰＦＣガスがプラズマ式ＰＦＣ分解装置１０７に達すると、図１２（ｂ）に示すように、プラズマ式ＰＦＣ分解装置１０７のＲＦ電源１１０がオンされ、電極１０８ａ、１０８ｂ間に高周波電力が印加される（ｔ５１）。
【０００８】
なお、開閉バルブ１０２を開いてから、ＲＦ電源１１０をオンするまでの時間は、０〜１０ｍｉｎ程度であり、配管１０６ａなどの施行状況などを考慮して設定される。
電極１０８ａ、１０８ｂ間に高周波電力が印加されると、電極１０８ａ、１０８ｂ間にプラズマが発生し、プラズマ式ＰＦＣ分解装置１０７に導入されたＰＦＣガスが分解される。
【０００９】
ここで、プラズマ式ＰＦＣ分解装置１０７内にプラズマが発生すると、分解ガスの発生などにより、プラズマ式ＰＦＣ分解装置１０７内の圧力が上昇し、プラズマ式ＰＦＣ分解装置１０７内の圧力上昇の影響で、図１２（ｃ）に示すように、配管１０６ａ内の圧力も上昇して、圧力Ｐ２で安定状態に達する。
次に、真空チャンバ１０１での処理が終了すると、図１２（ａ）に示すように、開閉バルブ１０２が閉じられ（ｔ５２）、図１２（ｃ）に示すように、配管１０６ａ内の圧力も徐々に低下する。
【００１０】
そして、真空チャンバ１０１内の残留ガスがプラズマ式ＰＦＣ分解装置１０７に達すると、図１２（ｂ）に示すように、プラズマ式ＰＦＣ分解装置１０７のＲＦ電源１１０がオフされ、プラズマ式ＰＦＣ分解装置１０７に導入されたＰＦＣガスの分解が停止される（ｔ５３）。
なお、開閉バルブ１０２を閉じてから、ＲＦ電源１１０をオフするまでの時間は、０〜１０ｍｉｎ程度であり、配管１０６ａなどの施行状況などを考慮して設定される。
【００１１】
ここで、図１２（ｄ）に示すように、プラズマ式ＰＦＣ分解装置１０７の動作状態にかかわらず、粗引きポンプ１１１の回転数は一定に維持され、粗引きポンプ１１１の排気能力は一定に維持される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の排ガス処理装置では、粗引きポンプ１１１の排気能力は一定に維持されているため、プラズマ式ＰＦＣ分解装置１０７内でプラズマが発生すると、ターボ分子ポンプ８５に接続されている配管１０６ａ内の圧力が上昇し、ターボ分子ポンプ１０５の動作が不安定になる。
【００１３】
このため、真空チャンバ１０１内の真空度が変動し、真空チャンバ１０１での処理に悪影響を与えるという問題があった。
また、ターボ分子ポンプを用いず、粗引きポンプと圧力制御弁のみで真空チャンバ１０１の圧力を制御する装置も同様である。
そこで、本発明の目的は、プラズマ式排ガス分解装置の上流側の圧力変動を抑制することが可能な排ガス処理装置および半導体製造装置を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項１記載の排ガス処理装置によれば、プラズマ式排ガス分解装置と、前記プラズマ式排ガス分解装置の上流に接続される第１の真空ポンプと、前記プラズマ式排ガス分解装置の下流に接続される第２の真空ポンプと、前記第１の真空ンプからの排気状態に基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を制御する回転制御手段とを備えることを特徴とする。
【００１５】
これにより、プラズマ式排ガス分解装置に排ガスが導入される直前に、第２の真空ポンプの排気能力を上昇させることが可能となり、プラズマ式排ガス分解装置内の圧力が上昇した場合においても、プラズマ式排ガス分解装置の上流の圧力上昇を抑制して、第１の真空ポンプの排気能力の変動を抑制することが可能となる。
【００１６】
このため、第１の真空ポンプで排気される真空チャンバ内の圧力変動を抑制することが可能となり、プラズマ式排ガス分解装置を真空チャンバに取り付けた場合においても、真空チャンバでの処理を正常に行うことが可能となる。
また、請求項２記載の排ガス処理装置によれば、前記回転制御手段は、前記第１の真空ポンプで排気されるチャンバ内に反応ガスが導入されるタイミングに基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を上昇させ、前記第１の真空ポンプで排気されるチャンバ内への反応ガスの導入が遮断されるタイミングに基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を下降させることを特徴とする。
【００１７】
これにより、プラズマ式排ガス分解装置の圧力が上昇する前に、第２の真空ポンプの排気能力を予め上昇させることができ、プラズマ式排ガス分解装置内の圧力が上昇した場合においても、プラズマ式排ガス分解装置の圧力を急速に安定させることが可能となるとともに、第２の真空ポンプの高速回転状態の長時間化を抑制することが可能となる。
【００１８】
このため、プラズマ式排ガス分解装置を真空チャンバに取り付けた場合においても、エネルギー消費量の増大を抑制しつつ、真空チャンバ内の圧力変動を抑制することが可能となる。
また、請求項３記載の排ガス処理装置によれば、プラズマ式排ガス分解装置と、前記プラズマ式排ガス分解装置の上流に接続される第１の真空ポンプと、前記プラズマ式排ガス分解装置の下流に接続される第２の真空ポンプと、前記プラズマ式排ガス分解装置の動作状態に基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を制御する回転制御手段とを備えることを特徴とする。
【００１９】
これにより、プラズマ式排ガス分解装置内の圧力上昇に伴って、第２の真空ポンプの排気能力を上昇させることが可能となり、プラズマ式排ガス分解装置内の圧力が上昇した場合においても、第１の真空ポンプの排気能力の変動を抑制することが可能となるとともに、チャンバ内に残存する残留ガスがプラズマ式排ガス分解装置に到達してから、第２の真空ポンプの排気能力を下降させることが可能となる。
【００２０】
このため、第１の真空ポンプで排気される真空チャンバ内の圧力変動を抑制することが可能となり、プラズマ式排ガス分解装置を真空チャンバに取り付けた場合においても、真空チャンバでの処理を正常に行うことが可能となる。
また、請求項４記載の排ガス処理装置によれば、前記回転制御手段は、前記プラズマ式排ガス分解装置のプラズマがオンされるタイミングに基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を上昇させ、前記プラズマ式排ガス分解装置のプラズマがオフされるタイミングに基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を下降させることを特徴とする。
【００２１】
これにより、プラズマ式排ガス分解装置の圧力が上下するタイミングで、第２の真空ポンプの排気能力を上下させることができ、プラズマ式排ガス分解装置内の圧力が上昇した場合においても、プラズマ式排ガス分解装置の上流側の圧力変動を抑制することが可能となるとともに、排気配管内の残留ガスによる圧力変動も抑制することができる。
【００２２】
このため、プラズマ式排ガス分解装置を真空チャンバに取り付けた場合においても、真空チャンバ内の圧力変動を抑制して、真空チャンバ内での処理を安定して行うことが可能となる。
また、請求項５記載の排ガス処理装置によれば、プラズマ式排ガス分解装置と、前記プラズマ式排ガス分解装置の上流に接続される第１の真空ポンプと、前記プラズマ式排ガス分解装置の下流に接続される第２の真空ポンプと、前記第１の真空ポンプからの排気状態および前記プラズマ式排ガス分解装置の動作状態に基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を制御する回転制御手段とを備えることを特徴とする。
【００２３】
これにより、プラズマ式排ガス分解装置に排ガスが導入される直前に、第２の真空ポンプの排気能力を上昇させることが可能となるとともに、プラズマ式排ガス分解装置に導入される排ガスが排出された後に、第２の真空ポンプの排気能力を下降させることが可能となる。
このため、プラズマ式排ガス分解装置の作動時および停止時のいずれにおいても、第１の真空ポンプで排気される真空チャンバ内の圧力変動を安定化させることが可能となる。
【００２４】
また、請求項６記載の排ガス処理装置によれば、前記回転制御手段は、前記第１の真空ポンプで排気されるチャンバ内に反応ガスが導入されるタイミングに基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を上昇させ、前記プラズマ式排ガス分解装置のプラズマがオフされるタイミングに基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を下降させることを特徴とする。
【００２５】
これにより、プラズマ式ＰＦＣ分解装置内のプラズマが発生する前に、プラズマ式ＰＦＣ分解装置上流側の圧力を事前に下げておくことが可能となるとともに、チャンバ内などに残存する残留ガスを排出させてから、第２の真空ポンプの回転数を低下させることが可能となる。
このため、プラズマ式ＰＦＣ分解装置内のプラズマがオンした場合においても、プラズマ式ＰＦＣ分解装置上流側の圧力を急速に安定させることが可能となるとともに、第２の真空ポンプの回転数を低下させた場合においても、チャンバ内などの残存する残留ガスによる圧力上昇を抑制することが可能となり、第１の真空ポンプの不安定性を迅速に解消することが可能となる。
【００２６】
また、請求項７記載の排ガス処理装置によれば、プラズマ式排ガス分解装置と、前記プラズマ式排ガス分解装置の上流に接続される第１の真空ポンプと、前記プラズマ式排ガス分解装置の下流に接続される第２の真空ポンプと、前記プラズマ式排ガス分解装置の上流側のガス圧に基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を制御する回転制御手段とを備えることを特徴とする。
【００２７】
これにより、第１の真空ポンプの排気状態を直接監視して、第２の真空ポンプの排気能力を制御することが可能となり、第２の真空ポンプの回転数の切り替えタイミングを容易に最適化することが可能となる。
このため、第１の真空ポンプで排気される真空チャンバ内の圧力変動を抑制しつつ、プラズマ式排ガス分解装置内の圧力も急速に安定させることが可能となり、真空チャンバでの処理を正常に維持しつつ、排ガス処理も安定して行うことが可能となる。
【００２８】
また、請求項８記載の排ガス処理装置によれば、前記回転制御手段は、前記プラズマ式排ガス分解装置の上流側のガス圧が上昇する前のタイミングに基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を上昇させ、前記プラズマ式排ガス分解装置の上流側のガス圧が所定置を下回った時のタイミングに基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を下降させることを特徴とする。
【００２９】
これにより、プラズマ式排ガス分解装置の圧力が上昇する前に、第２の真空ポンプの排気能力を予め上昇させることができ、プラズマ式排ガス分解装置内の圧力が上昇した場合においても、プラズマ式排ガス分解装置の圧力を急速に安定させることが可能となるとともに、排気配管の施行状況などの影響を受けることなく、第２の真空ポンプの回転数の切り替えタイミングを設定することが可能となる。
【００３０】
また、請求項９記載の排ガス処理装置によれば、前記プラズマ式排ガス分解装置は、前記ガス圧が前記所定置を上回った時のタイミングに基づいてプラズマをオンし、前記ガス圧が前記所定置を下回った時のタイミングに基づいてプラズマをオフすることを特徴とする。
これにより、プラズマ式排ガス分解装置への排ガスの流入状態に基づいて、プラズマのオン／オフを行うことができ、排気配管の施行状況などの影響を受けることなく、排ガスの分解を安定して行うことが可能となる。
【００３１】
また、請求項１０記載の半導体製造装置によれば、反応ガスを導入する真空チャンバと、前記真空チャンバ内を排気する第１の真空ポンプと、第１の真空ポンプの下流に接続されるプラズマ式排ガス分解装置と、前記プラズマ式排ガス分解装置の下流に接続される第２の真空ポンプと、前記第１の真空ポンプの下流側のガス圧を検出する圧力計と、前記圧力計で検出されたガス圧に基づいて、前記第２の真空ポンプの回転数を制御する回転制御手段と、前記圧力計で検出されたガス圧に基づいて、前記真空チャンバ内での反応制御を行う反応制御手段とを備えることを特徴とする。
【００３２】
これにより、第１の真空ポンプの排気能力の変動中に、真空チャンバ内での処理が開始されることを防止することができ、排ガス処理を安定して行いつつ、真空チャンバ内での処理も正常に行うことが可能となる。
また、請求項１１記載の半導体製造装置によれば、前記反応制御手段は、前記ガス圧が安定状態に達した後に、前記真空チャンバ内での反応を開始させることを特徴とする。
【００３３】
これにより、プラズマ式排ガス分解装置内で排ガスの分解が開始された場合においても、第１の真空ポンプの排気能力が安定してから、真空チャンバ内での処理を開始することができ、真空チャンバでの処理を精度よく行うことが可能となる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る排ガス処理装置および半導体製造装置について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る排ガス処理装置の概略構成を示すブロック図である。なお、この第１実施形態は、開閉バルブ２の開閉状態に基づいて、粗引きポンプ１１の回転数を制御するようにしたものである。
【００３５】
図１において、真空チャンバ１は、開閉バルブ２を介してガス供給源３に接続されるとともに、圧力制御弁４を介してターボ分子ポンプ５に接続されている。そして、ターボ分子ポンプ５は、配管６ａを介してプラズマ式ＰＦＣ分解装置７の上流側に接続され、プラズマ式ＰＦＣ分解装置７の下流側には配管６ｂを介して粗引きポンプ１１が接続され、さらに、粗引きポンプ１１の下流側には配管６ｃを介してスクラバが接続されている。
【００３６】
なお、粗引きポンプ１１としては、ドライポンプや油回転ポンプなどを使用することができる。
ここで、プラズマ式ＰＦＣ分解装置７には、電極８ａ、８ｂが設けられ、電極８ｂは、カップリングコンデンサ９を介してＲＦ電源１０に接続されている。
また、粗引きポンプ１１には回転制御装置１２が設けられ、回転制御装置１２は、開閉バルブ２の開閉状態に基づいて、粗引きポンプ１１の回転数を制御することができる。
【００３７】
そして、真空チャンバ１のアイドル時には、ターボ分子ポンプ５および粗引きポンプ１１が起動され、粗引きポンプ１１により配管６ａ、６ｂおよびプラズマ式ＰＦＣ分解装置７内の排気が行われるとともに、ターボ分子ポンプ５により真空チャンバ１内の排気が行われる。
そして、開閉バルブ２を開くことにより、ＣＦ４、ＳＦ６などの反応ガスがガス供給源３から真空チャンバ１に導入されるとともに、開閉バルブ２の開信号が回転制御装置１２に送出される。
【００３８】
そして、反応ガスが真空チャンバ１に導入されると、真空チャンバ１内がターボ分子ポンプ５により排気されつつ、真空チャンバ１で所定の処理が行われる。一方、開閉バルブ２の開信号が回転制御装置１２に送出されると、回転制御装置１２は、粗引きポンプ１１の回転数を上昇させる。
そして、ターボ分子ポンプ５により排気されたＰＦＣガスは、配管６ａを介してプラズマ式ＰＦＣ分解装置７に導入され、プラズマ式ＰＦＣ分解装置７は、ＲＦ電源１０をオンして、プラズマ式ＰＦＣ分解装置７内にプラズマを発生させることにより、ＰＦＣガスを分解する。
【００３９】
ここで、粗引きポンプ１１の回転数は既に上昇しているので、プラズマ式ＰＦＣ分解装置７内にプラズマが発生した場合においても、配管６ａ内の圧力上昇を抑制して、配管６ａ内の圧力変動を急速に低減させることが可能となる。
このため、ターボ分子ポンプ５の動作を安定させることが可能となり、真空チャンバ１内の真空度を安定させて、真空チャンバ１内での処理を正常に行うことが可能となる。
【００４０】
そして、プラズマ式ＰＦＣ分解装置７により分解されたＰＦＣガスは粗引きポンプ１１により排気され、配管６ｃを介してスクラバに導入され、後処理が行われる。
その後、真空チャンバ１での処理が終了すると、開閉バルブ２を閉じることにより、真空チャンバ１内への反応ガスの導入が遮断されるとともに、開閉バルブ２の閉信号が回転制御装置１２に送られる。
【００４１】
回転制御装置１２は、閉バルブ２の閉信号が送られると、粗引きポンプ１１の回転数を元に戻す。
そして、プラズマ式ＰＦＣ分解装置７は、真空チャンバ１内の残留ガスがプラズマ式ＰＦＣ分解装置７に達すると、ＲＦ電源１０をオフする。
このように、上述した第１実施形態によれば、開閉バルブ２の開閉状態に基づいて、粗引きポンプ１１の回転数を制御することにより、プラズマ式ＰＦＣ分解装置７内のプラズマが発生する前に、配管６ｃ内の圧力を事前に下げておくことが可能となる。
【００４２】
このため、プラズマ式ＰＦＣ分解装置７内のプラズマがオンした場合においても、配管６ｃ内の圧力を急速に安定させることが可能となり、ターボ分子ポンプ５の不安定動作時間を短縮することが可能となる。
図２は、本発明の第１実施形態に係る排ガス処理装置の動作を示すタイミングチャートである。
【００４３】
図２において、真空チャンバ１のアイドル時には、ターボ分子ポンプ５および粗引きポンプ１１が起動され、粗引きポンプ１１により配管６ａ、６ｂおよびプラズマ式ＰＦＣ分解装置７内の排気が行われるとともに、ターボ分子ポンプ５により真空チャンバ１内の排気が行われる。
そして、真空チャンバ１で処理を行う場合、図２（ａ）に示すように、開閉バルブ２を開き、ガス供給源３からＣＦ４、ＳＦ６などの反応ガスを真空チャンバ１内に導入するとともに、図２（ｄ）に示すように、粗引きポンプ１１の回転数を上昇させる（ｔ０）。
【００４４】
そして、反応ガスが真空チャンバ１内に導入されると、真空チャンバ１内で所定の処理が行われた後、ターボ分子ポンプ５により真空チャンバ１内が排気され、ＰＦＣガスが配管６ａを介してプラズマ式ＰＦＣ分解装置７に導入される。
このため、開閉バルブ２を開くと、図２（ｃ）に示すように、配管６ａ内の圧力が上昇するが、粗引きポンプ１１の回転数は上っているので、配管６ａ内の圧力は、図１２の圧力Ｐ１よりも低い圧力Ｐ３で安定する。
【００４５】
そして、ＰＦＣガスがプラズマ式ＰＦＣ分解装置７に達すると、図２（ｂ）に示すように、プラズマ式ＰＦＣ分解装置７のＲＦ電源１０がオンされ、電極８ａ、８ｂ間に高周波電力が印加される（ｔ１）。
なお、開閉バルブ２を開いてから、ＲＦ電源１０をオンするまでの時間は、０〜１０ｍｉｎ程度であり、配管６ａなどの施行状況などを考慮して設定することができる。
【００４６】
電極８ａ、８ｂ間に高周波電力が印加されると、電極８ａ、８ｂ間にプラズマが発生し、プラズマ式ＰＦＣ分解装置７に導入されたＰＦＣガスが分解される。ここで、粗引きポンプ１１の回転数は既に上っているので、プラズマ式ＰＦＣ分解装置７内でのプラズマの発生により、配管６ａ内の圧力が上昇した場合においても、配管６ａ内を急速に排気して、配管６ａ内の圧力上昇を抑制することができ、ターボ分子ポンプ５の動作を安定させることが可能となる。
【００４７】
次に、真空チャンバ１での処理が終了すると、図２（ａ）に示すように、開閉バルブ２を閉じることにより、真空チャンバ１内への反応ガスの導入を遮断するとともに、粗引きポンプ１１の回転数を元に戻す（ｔ２）。
ここで、開閉バルブ２を閉じても、真空チャンバ１および配管６ａには、残留ガスが残っているので、粗引きポンプ１１の回転数を元に戻すと、図２（ｃ）に示すように、配管６ａ内の圧力は若干増加する。
【００４８】
そして、真空チャンバ１内の残留ガスがプラズマ式ＰＦＣ分解装置７に達すると、図２（ｂ）に示すように、プラズマ式ＰＦＣ分解装置７のＲＦ電源１０をオフし、プラズマ式ＰＦＣ分解装置７に導入されたＰＦＣガスの分解を停止させる（ｔ３）。
なお、開閉バルブ２を閉じてから、ＲＦ電源１０をオフするまでの時間は、０〜１０ｍｉｎ程度であり、配管６ａなどの施行状況などを考慮して設定することができる。
【００４９】
図３は、本発明の第２実施形態に係る排ガス処理装置の概略構成を示すブロック図である。なお、この第２実施形態は、ＲＦ電源３０のオン・オフ状態に基づいて、粗引きポンプ１１の回転数を制御するようにしたものである。
図３において、真空チャンバ２１は、開閉バルブ２２を介してガス供給源２３に接続されるとともに、圧力制御弁２４を介してターボ分子ポンプ２５に接続されている。
【００５０】
そして、ターボ分子ポンプ２５は、配管２６ａを介してプラズマ式ＰＦＣ分解装置２７の上流側に接続され、プラズマ式ＰＦＣ分解装置２７の下流側には配管２６ｂを介して粗引きポンプ１１が接続され、さらに、粗引きポンプ３１の下流側には配管２６ｃを介してスクラバが接続されている。
ここで、プラズマ式ＰＦＣ分解装置２７には、電極２８ａ、２８ｂが設けられ、電極２８ｂは、カップリングコンデンサ２９を介してＲＦ電源３０に接続されている。
【００５１】
また、粗引きポンプ３１には回転制御装置３２が設けられ、回転制御装置３２は、ＲＦ電源３０のオン・オフ状態に基づいて、粗引きポンプ３１の回転数を制御することができる。
そして、真空チャンバ３１のアイドル時には、ターボ分子ポンプ２５および粗引きポンプ３１が起動され、粗引きポンプ３１により配管２６ａ、２６ｂおよびプラズマ式ＰＦＣ分解装置２７内の排気が行われるとともに、ターボ分子ポンプ２５により真空チャンバ２１内の排気が行われる。
【００５２】
そして、開閉バルブ２２を開くことにより、ＣＦ４、ＳＦ６などの反応ガスがガス供給源２３から真空チャンバ２１に導入され、真空チャンバ２１内がターボ分子ポンプ２５により排気されつつ、真空チャンバ２１で所定の処理が行われる。そして、ターボ分子ポンプ２５により排気されたＰＦＣガスは、配管２６ａを介してプラズマ式ＰＦＣ分解装置２７に導入され、プラズマ式ＰＦＣ分解装置２７は、ＲＦ電源３０をオンして、プラズマ式ＰＦＣ分解装置２７内にプラズマを発生させることにより、ＰＦＣガスを分解する。
【００５３】
ここで、回転制御装置３２は、ＲＦ電源３０がオンされると、粗引きポンプ３１の回転数を上昇させる。
このため、プラズマ式ＰＦＣ分解装置２７内にプラズマが発生した場合においても、配管２６ａ内の圧力上昇を抑制して、配管２６ａ内の圧力変動を低減させることが可能となる。
【００５４】
このため、ターボ分子ポンプ２５の動作を安定させることが可能となり、真空チャンバ２１内の真空度を安定化させて、真空チャンバ２１内での処理を正常に行うことが可能となる。
そして、プラズマ式ＰＦＣ分解装置２７により分解されたＰＦＣガスは粗引きポンプ３１により排気され、配管２６ｃを介してスクラバに導入され、後処理が行われる。
【００５５】
その後、真空チャンバ２１での処理が終了すると、開閉バルブ２２を閉じることにより、真空チャンバ２１内への反応ガスの導入を遮断する。
そして、真空チャンバ２１内の残留ガスがプラズマ式ＰＦＣ分解装置２７に達すると、プラズマ式ＰＦＣ分解装置２７のＲＦ電源３０をオフするとともに、粗引きポンプ３１の回転数を元に戻す。
【００５６】
このように、上述した第２実施形態によれば、ＲＦ電源３０のオン・オフ状態に基づいて、粗引きポンプ３１の回転数を制御することにより、真空チャンバ２１および配管２６ｃ内の残留ガスを排出させてから、粗引きポンプ３１の回転数を低下させることが可能となる。
このため、粗引きポンプ３１の回転数を低下させた場合においても、真空チャンバ２１および配管２６ｃ内の残留ガスによる圧力上昇を抑制することが可能となり、ターボ分子ポンプ５の不安定動作時間を短縮することが可能となる。
【００５７】
図４は、本発明の第２実施形態に係る排ガス処理装置の動作を示すタイミングチャートである。
図４において、真空チャンバ２１のアイドル時には、ターボ分子ポンプ２５および粗引きポンプ３１が起動され、粗引きポンプ３１により配管２６ａ、２６ｂおよびプラズマ式ＰＦＣ分解装置２７内の排気が行われるとともに、ターボ分子ポンプ２５により真空チャンバ２１内の排気が行われる。
【００５８】
そして、真空チャンバ２１で処理を行う場合、図４（ａ）に示すように、開閉バルブ２２を開き、ガス供給源２３からＣＦ４、ＳＦ６などの反応ガスを真空チャンバ２１内に導入するとともに、図４（ｄ）に示すように、粗引きポンプ３１の回転数を上昇させる（ｔ１０）。
そして、反応ガスが真空チャンバ２１内に導入されると、ターボ分子ポンプ２５により真空チャンバ２１内が排気されつつ、真空チャンバ２１内で所定の処理が行われ、ＰＦＣガスが配管２６ａを介してプラズマ式ＰＦＣ分解装置２７に導入される。
【００５９】
このため、開閉バルブ２２を開くと、図４（ｃ）に示すように、配管２６ａ内の圧力が上昇し、配管２６ａ内の圧力は、図１２の圧力Ｐ１で安定する。
そして、ＰＦＣガスがプラズマ式ＰＦＣ分解装置７に達すると、図４（ｂ）に示すように、プラズマ式ＰＦＣ分解装置２７のＲＦ電源３０がオンされ、電極２８ａ、２８ｂ間に高周波電力が印加されるとともに、粗引きポンプ３１の回転数が上昇させられる。（ｔ１１）。
【００６０】
なお、開閉バルブ２２を開いてから、ＲＦ電源３０をオンするまでの時間は、０〜１０ｍｉｎ程度であり、配管２６ａなどの施行状況などを考慮して設定することができる。
そして、電極２８ａ、２８ｂ間に高周波電力が印加されると、電極２８ａ、２８ｂ間にプラズマが発生し、プラズマ式ＰＦＣ分解装置２７に導入されたＰＦＣガスが分解される。
【００６１】
ここで、プラズマ式ＰＦＣ分解装置２７のプラズマ発生とともに、粗引きポンプ３１の回転数が上がるので、プラズマ式ＰＦＣ分解装置２７内でのプラズマの発生により、配管２６ａ内の圧力が上昇した場合においても、配管２６ａ内を急速に排気して、配管２６ａ内の圧力上昇を抑制することができ、ターボ分子ポンプ２５の動作を安定させることが可能となる。
【００６２】
次に、真空チャンバ２１での処理が終了すると、図４（ａ）に示すように、開閉バルブ２２を閉じることにより、真空チャンバ２１内への反応ガスの導入を遮断する（ｔ１２）。
ここで、粗引きポンプ３１の高速回転が維持されているので、開閉バルブ２２を閉じると、図４（ｃ）に示すように、配管２６ａ内の圧力は徐々に低下する。
【００６３】
そして、真空チャンバ２１内の残留ガスがプラズマ式ＰＦＣ分解装置２７に達すると、図４（ｂ）に示すように、プラズマ式ＰＦＣ分解装置２７のＲＦ電源３０をオフし、プラズマ式ＰＦＣ分解装置２７に導入されたＰＦＣガスの分解を停止させるとともに、粗引きポンプ３１の回転数を元に戻す（ｔ２３）。
ここで、粗引きポンプ３１の回転数を元に戻した場合においても、真空チャンバ２１および配管２６ａ内の残留ガスは、プラズマ式ＰＦＣ分解装置２７を介して排出されているので、配管２６ａ内の圧力が上昇することを抑制することができる。
【００６４】
なお、開閉バルブ２２を閉じてから、ＲＦ電源３０をオフするまでの時間は、０〜１０ｍｉｎ程度であり、配管２６ａなどの施行状況などを考慮して設定することができる。
図５は、本発明の第３実施形態に係る排ガス処理装置の概略構成を示すブロック図である。なお、この第３実施形態は、開閉バルブ４２の開閉状態およびＲＦ電源５０のオン・オフ状態に基づいて、粗引きポンプ５１の回転数を制御するようにしたものである。
【００６５】
図５において、真空チャンバ４１は、開閉バルブ４２を介してガス供給源４３に接続されるとともに、圧力制御弁４４を介してターボ分子ポンプ４５に接続されている。
そして、ターボ分子ポンプ４５は、配管４６ａを介してプラズマ式ＰＦＣ分解装置４７の上流側に接続され、プラズマ式ＰＦＣ分解装置４７の下流側には配管４６ｂを介して粗引きポンプ５１が接続され、さらに、粗引きポンプ５１の下流側には配管４６ｃを介してスクラバが接続されている。
【００６６】
ここで、プラズマ式ＰＦＣ分解装置４７には、電極４８ａ、４８ｂが設けられ、電極４８ｂは、カップリングコンデンサ４９を介してＲＦ電源５０に接続されている。
また、粗引きポンプ５１には回転制御装置５２が設けられ、回転制御装置５２は、開閉バルブ４２の開閉状態およびＲＦ電源５０のオン・オフ状態に基づいて、粗引きポンプ５１の回転数を制御することができる。
【００６７】
そして、真空チャンバ４１のアイドル時には、ターボ分子ポンプ４５および粗引きポンプ５１が起動され、粗引きポンプ５１により配管４６ａ、４６ｂおよびプラズマ式ＰＦＣ分解装置４７内の排気が行われるとともに、ターボ分子ポンプ４５により真空チャンバ４１内の排気が行われる。
そして、開閉バルブ４２を開くことにより、ＣＦ４、ＳＦ６などの反応ガスがガス供給源４３から真空チャンバ４１に導入されるとともに、開閉バルブ４２の開信号が回転制御装置５２に送出される。
【００６８】
そして、反応ガスが真空チャンバ４１に導入されると、真空チャンバ４１で所定の処理が行われた後、ターボ分子ポンプ４５により真空チャンバ４１内が排気される。
一方、開閉バルブ４２の開信号が回転制御装置５２に送出されると、回転制御装置５２は、粗引きポンプ５１の回転数を上昇させる。
【００６９】
そして、ターボ分子ポンプ４５により排気されたＰＦＣガスは、配管４６ａを介してプラズマ式ＰＦＣ分解装置４７に導入され、プラズマ式ＰＦＣ分解装置４７は、ＲＦ電源５０をオンして、プラズマ式ＰＦＣ分解装置４７内にプラズマを発生させることにより、ＰＦＣガスを分解する。
ここで、粗引きポンプ５１の回転数は既に上昇しているので、プラズマ式ＰＦＣ分解装置４７内にプラズマが発生した場合においても、配管４６ａ内の圧力上昇を抑制して、配管４６ａ内の圧力変動を急速に低減させることが可能となる。
【００７０】
そして、プラズマ式ＰＦＣ分解装置４７により分解されたＰＦＣガスは粗引きポンプ５１により排気され、配管４６ｃを介してスクラバに導入され、後処理が行われる。
その後、真空チャンバ４１での処理が終了すると、開閉バルブ４２を閉じることにより、真空チャンバ４１内への反応ガスの導入を遮断する。
【００７１】
そして、真空チャンバ４１内の残留ガスがプラズマ式ＰＦＣ分解装置４７に達すると、プラズマ式ＰＦＣ分解装置４７のＲＦ電源５０をオフするとともに、粗引きポンプ５１の回転数を元に戻す。
このように、上述した第３実施形態によれば、開閉バルブ４２の開閉状態およびＲＦ電源５０のオン・オフ状態の両方を考慮して、粗引きポンプ５１の回転数を制御することにより、プラズマ式ＰＦＣ分解装置４７内のプラズマが発生する前に、配管４６ｃ内の圧力を事前に下げておくことが可能となるとともに、真空チャンバ４１および配管４６ｃ内の残留ガスを排出させてから、粗引きポンプ５１の回転数を低下させることが可能となる。
【００７２】
このため、プラズマ式ＰＦＣ分解装置４７内のプラズマがオンした場合においても、配管４６ｃ内の圧力を急速に安定させることが可能となるとともに、粗引きポンプ５１の回転数を低下させた場合においても、真空チャンバ４１および配管４６ｃ内の残留ガスによる圧力上昇を抑制することが可能となり、ターボ分子ポンプ４５の不安定動作時間をより一層短縮することが可能となる。
【００７３】
図６は、本発明の第３実施形態に係る排ガス処理装置の動作を示すタイミングチャートである。
図６において、真空チャンバ４１のアイドル時には、ターボ分子ポンプ４５および粗引きポンプ５１が起動され、粗引きポンプ５１により配管４６ａ、４６ｂおよびプラズマ式ＰＦＣ分解装置４７内の排気が行われるとともに、ターボ分子ポンプ４５により真空チャンバ４１内の排気が行われる。
【００７４】
そして、真空チャンバ４１で処理を行う場合、図６（ａ）に示すように、開閉バルブ４２を開き、ガス供給源４３からＣＦ４、ＳＦ６などの反応ガスを真空チャンバ４１内に導入するとともに、図６（ｄ）に示すように、粗引きポンプ５１の回転数を上昇させる（ｔ２０）。
そして、反応ガスが真空チャンバ４１内に導入されると、真空チャンバ４１内で所定の処理が行われた後、ターボ分子ポンプ４５により排気され、ＰＦＣガスが配管４６ａを介してプラズマ式ＰＦＣ分解装置４７に導入される。
【００７５】
このため、開閉バルブ４２を開くと、図６（ｃ）に示すように、配管４６ａ内の圧力が上昇するが、粗引きポンプ５１の回転数は上っているので、配管４６ａ内の圧力は、図１２の圧力Ｐ１よりも低い圧力Ｐ３で安定する。
そして、ＰＦＣガスがプラズマ式ＰＦＣ分解装置４７に達すると、図６（ｂ）に示すように、プラズマ式ＰＦＣ分解装置４７のＲＦ電源５０がオンされ、電極４８ａ、４８ｂ間に高周波電力が印加される（ｔ２１）。
【００７６】
なお、開閉バルブ４２を開いてから、ＲＦ電源５０をオンするまでの時間は、０〜１０ｍｉｎ程度であり、配管４６ａなどの施行状況などを考慮して設定することができる。
電極４８ａ、４８ｂ間に高周波電力が印加されると、電極４８ａ、４８ｂ間にプラズマが発生し、プラズマ式ＰＦＣ分解装置４７に導入されたＰＦＣガスが分解される。
【００７７】
ここで、粗引きポンプ５１の回転数は既に上っているので、プラズマ式ＰＦＣ分解装置４７内でのプラズマの発生により、配管４６ａ内の圧力が上昇した場合においても、配管４６ａ内を急速に排気して、配管４６ａ内の圧力上昇を抑制することができ、ターボ分子ポンプ４５の動作を安定させることが可能となる。
次に、真空チャンバ４１での処理が終了すると、図６（ａ）に示すように、開閉バルブ４２を閉じることにより、真空チャンバ４１内への反応ガスの導入を遮断する（ｔ２２）。
【００７８】
ここで、粗引きポンプ５１の高速回転が維持されているので、開閉バルブ４２を閉じると、図６（ｃ）に示すように、配管４６ａ内の圧力は徐々に低下する。そして、真空チャンバ４１内の残留ガスがプラズマ式ＰＦＣ分解装置４７に達すると、図６（ｂ）に示すように、プラズマ式ＰＦＣ分解装置４７のＲＦ電源５０をオフし、プラズマ式ＰＦＣ分解装置４７に導入されたＰＦＣガスの分解を停止させるとともに、粗引きポンプ５１の回転数を元に戻す（ｔ２３）。
【００７９】
ここで、粗引きポンプ５１の回転数を元に戻した場合においても、真空チャンバ４１および配管４６ａ内の残留ガスは、プラズマ式ＰＦＣ分解装置４７を介して排出されているので、配管４６ａ内の圧力が上昇することを抑制することができる。
なお、開閉バルブ４２を閉じてから、ＲＦ電源５０をオフするまでの時間は、０〜１０ｍｉｎ程度であり、配管４６ａなどの施行状況などを考慮して設定することができる。
【００８０】
図７は、本発明の第４実施形態に係る排ガス処理装置の概略構成を示すブロック図である。なお、この第４実施形態は、配管６６ａ内の圧力に基づいて、粗引きポンプ７１の回転数を制御するようにしたものである。
図７において、真空チャンバ６１は、開閉バルブ６２を介してガス供給源６３に接続されるとともに、圧力制御弁６４を介してターボ分子ポンプ６５に接続されている。
【００８１】
そして、ターボ分子ポンプ６５は配管６６ａを介してプラズマ式ＰＦＣ分解装置６７の上流側に接続され、プラズマ式ＰＦＣ分解装置６７の下流側には配管６６ｂを介して粗引きポンプ７１が接続され、さらに、粗引きポンプ７１の下流側には配管６６ｃを介してスクラバが接続されている。
ここで、配管６６ａには、配管６６ａ内のガス圧を検出する圧力計７３が設けられている。
【００８２】
また、プラズマ式ＰＦＣ分解装置６７には、電極６８ａ、６８ｂが設けられ、電極６８ｂは、カップリングコンデンサ６９を介してＲＦ電源７０に接続され、ＲＦ電源７０は、配管６６ａ内のガス圧を考慮してオン・オフすることができる。
さらに、粗引きポンプ７１には回転制御装置７２が設けられ、回転制御装置７２は、配管６６ａ内のガス圧に基づいて、粗引きポンプ７１の回転数を制御することができる。
【００８３】
そして、真空チャンバ６１のアイドル時には、ターボ分子ポンプ６５および粗引きポンプ７１が起動され、粗引きポンプ７１により配管６６ａ、６６ｂおよびプラズマ式ＰＦＣ分解装置６７内の排気が行われるとともに、ターボ分子ポンプ６５により真空チャンバ６１内の排気が行われる。
そして、圧力計７３は配管６６ａ内のガス圧を監視し、回転制御装置７２は、配管６６ａ内のガス圧がアイドル時の所定のタイミングに基づいて、粗引きポンプ７１の回転数を上昇させる。
【００８４】
ここで、粗引きポンプ７１の回転数を上昇させるための所定のタイミングとしては、真空チャンバ６１内で処理される披処理材料の搬送開始時点などに合わせることができる。
そして、開閉バルブ６２を開くことにより、ＣＦ４、ＳＦ６などの反応ガスがガス供給源６３から真空チャンバ６１に導入され、真空チャンバ６１で所定の処理が行われた後、ターボ分子ポンプ６５により真空チャンバ６１内が排気される。
【００８５】
そして、ターボ分子ポンプ６５により排気されたＰＦＣガスは、配管６６ａを介してプラズマ式ＰＦＣ分解装置６７に導入され、プラズマ式ＰＦＣ分解装置６７は、ＲＦ電源７０をオンして、プラズマ式ＰＦＣ分解装置６７内にプラズマを発生させることにより、ＰＦＣガスを分解する。
ここで、粗引きポンプ７１の回転数は既に上昇しているので、プラズマ式ＰＦＣ分解装置６７内にプラズマが発生した場合においても、配管６６ａ内の圧力上昇を抑制して、配管６６ａ内の圧力変動を急速に低減させることが可能となる。
【００８６】
そして、プラズマ式ＰＦＣ分解装置６７により分解されたＰＦＣガスは粗引きポンプ７１により排気され、配管６６ｃを介してスクラバに導入され、後処理が行われる。
その後、真空チャンバ６１での処理が終了すると、開閉バルブ６２を閉じることにより、真空チャンバ６１内への反応ガスの導入を遮断する。
【００８７】
そして、配管６６ａ内のガス圧が所定値以下になると、プラズマ式ＰＦＣ分解装置６７のＲＦ電源７０をオフするとともに、粗引きポンプ７１の回転数を元に戻す。
このように、上述した第４実施形態によれば、配管６６ａ内のガス圧に基づいて、粗引きポンプ６１の回転数を制御することにより、プロセスガスの総流量、排気配管の施行状況、粗引きポンプ７１の排気能力などの影響を排除しつつ、ターボ分子ポンプ６５の動作の安定性を向上させることが可能となり、様々の半導体製造装置への転用を容易に行うことが可能となる。
【００８８】
図８は、本発明の第４実施形態に係る排ガス処理装置の動作を示すタイミングチャートである。
図８において、真空チャンバ６１のアイドル時には、ターボ分子ポンプ６５および粗引きポンプ７１が起動され、粗引きポンプ７１により配管６６ａ、６６ｂおよびプラズマ式ＰＦＣ分解装置６７内の排気が行われるとともに、ターボ分子ポンプ６５により真空チャンバ６１内の排気が行われる。
【００８９】
そして、回転制御装置７２は、図８（ｄ）に示すように、開閉バルブ６２が開かれる前の所定のタイミングに従って、粗引きポンプ７１の回転数を上昇させる（ｔ３０）。
そして、真空チャンバ６１で処理を行う場合、図８（ａ）に示すように、開閉バルブ６２を開き、ガス供給源６３からＣＦ４、ＳＦ６などの反応ガスを真空チャンバ６１内に導入する（ｔ３１）。
【００９０】
そして、反応ガスが真空チャンバ６１内に導入されると、真空チャンバ６１内で所定の処理が行われた後、ターボ分子ポンプ６５により排気され、ＰＦＣガスが配管６６ａを介してプラズマ式ＰＦＣ分解装置６７に導入される。
このため、開閉バルブ６２を開くと、図８（ｃ）に示すように、配管６６ａ内の圧力が上昇するが、粗引きポンプ７１の回転数は既に上っているので、配管６６ａ内の圧力は、図１２の圧力Ｐ１よりも低い圧力Ｐ３で安定する。
【００９１】
そして、配管６６ａ内の圧力が圧力Ｐ３で安定すると、図８（ｂ）に示すように、プラズマ式ＰＦＣ分解装置６７のＲＦ電源７０がオンされ、電極６８ａ、６８ｂ間に高周波電力が印加される（ｔ３２）。
電極６８ａ、６８ｂ間に高周波電力が印加されると、電極６８ａ、６８ｂ間にプラズマが発生し、プラズマ式ＰＦＣ分解装置６７に導入されたＰＦＣガスが分解される。
【００９２】
ここで、粗引きポンプ７１の回転数は既に上っているので、プラズマ式ＰＦＣ分解装置６７内でのプラズマの発生により、配管６６ａ内の圧力が上昇した場合においても、配管６６ａ内を急速に排気して、配管６６ａ内の圧力上昇を抑制することができ、ターボ分子ポンプ６５の動作を安定させることが可能となる。
次に、真空チャンバ６１での処理が終了すると、図８（ａ）に示すように、開閉バルブ６２を閉じることにより、真空チャンバ６１内への反応ガスの導入を遮断する（ｔ３３）。
【００９３】
ここで、粗引きポンプ７１は高速回転が維持されているので、開閉バルブ６２を閉じると、図８（ｃ）に示すように、配管６６ａ内の圧力は徐々に低下する。そして、配管６６ａ内のガス圧が所定値Ｐ４以下になると、図８（ｂ）に示すように、プラズマ式ＰＦＣ分解装置６７のＲＦ電源７０をオフし、プラズマ式ＰＦＣ分解装置６７に導入されたＰＦＣガスの分解を停止させるとともに、図８（ｄ）に示すように、粗引きポンプ７１の回転数を元に戻す（ｔ３４）。
【００９４】
ここで、粗引きポンプ７１の回転数を元に戻した場合においても、真空チャンバ６１および配管６６ａ内の残留ガスは、プラズマ式ＰＦＣ分解装置６７を介して排出されているので、配管６６ａ内の圧力が上昇することを抑制することができる。
また、配管６６ａ内の圧力に基づいて、粗引きポンプ７１の回転数を制御することにより、プロセスガスの総流量、排気配管の施行状況、粗引きポンプ７１の排気能力などの影響を排除することができ、粗引きポンプ７１の回転数の切り替えタイミングを容易に最適化することができる。
【００９５】
図９は、本発明の第５実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示すブロック図である。なお、この第５実施形態は、配管８６ａ内の圧力に基づいて、粗引きポンプ９１の回転数を制御するともに、真空チャンバ８１での処理の開始タイミングを制御するようにしたものである。
図９において、真空チャンバ８１は、開閉バルブ８２を介してガス供給源８３に接続されるとともに、圧力制御弁８４を介してターボ分子ポンプ８５に接続されている。
【００９６】
また、真空チャンバ８１は、カップリングコンデンサ９４を介してＲＦ電源９５に接続され、ＲＦ電源９５は、配管８６ａ内のガス圧を考慮してオン・オフすることができる。
そして、ターボ分子ポンプ８５は、配管８６ａを介してプラズマ式ＰＦＣ分解装置８７の上流側に接続され、プラズマ式ＰＦＣ分解装置８７の下流側には配管８６ｂを介して粗引きポンプ９１が接続され、さらに、粗引きポンプ９１の下流側には配管８６ｃを介してスクラバが接続されている。
【００９７】
ここで、配管８６ａには、配管８６ａ内のガス圧を検出する圧力計９３が設けられている。
また、プラズマ式ＰＦＣ分解装置８７には、電極８８ａ、８８ｂが設けられ、電極８８ｂは、カップリングコンデンサ８９を介してＲＦ電源９０に接続され、ＲＦ電源９０は、配管８６ａ内のガス圧を考慮してオン・オフすることができる。
【００９８】
さらに、粗引きポンプ９１には回転制御装置９２が設けられ、回転制御装置９２は、配管８６ａ内のガス圧に基づいて、粗引きポンプ９１の回転数を制御することができる。
そして、真空チャンバ８１のアイドル時には、ターボ分子ポンプ８５および粗引きポンプ９１が起動され、粗引きポンプ９１により配管８６ａ、８６ｂおよびプラズマ式ＰＦＣ分解装置８７内の排気が行われるとともに、ターボ分子ポンプ８５により真空チャンバ８１内の排気が行われる。
【００９９】
そして、圧力計９３は配管８６ａ内のガス圧を監視し、回転制御装置９２は、配管８６ａ内のガス圧がアイドル時の所定のタイミングに基づいて、粗引きポンプ９１の回転数を上昇させる。
ここで、粗引きポンプ９１の回転数を上昇させるための所定のタイミングとしては、真空チャンバ８１内で処理される披処理材料の搬送開始時点などに合わせることができる。
【０１００】
そして、開閉バルブ９２を開くことにより、ＣＦ４、ＳＦ６などの反応ガスがガス供給源８３から真空チャンバ８１に導入され、真空チャンバ８１で所定の処理が行われた後、ターボ分子ポンプ８５により真空チャンバ８１内が排気される。そして、ターボ分子ポンプ８５により排気されたＰＦＣガスは、配管８６ａを介してプラズマ式ＰＦＣ分解装置８７に導入され、プラズマ式ＰＦＣ分解装置８７は、ＲＦ電源９０をオンして、プラズマ式ＰＦＣ分解装置８７内にプラズマを発生させることにより、ＰＦＣガスを分解する。
【０１０１】
ここで、粗引きポンプ９１の回転数は既に上昇しているので、プラズマ式ＰＦＣ分解装置８７内にプラズマが発生した場合においても、配管８６ａ内の圧力上昇を抑制して、配管８６ａ内の圧力変動を急速に低減させることが可能となる。そして、プラズマ式ＰＦＣ分解装置８７により分解されたＰＦＣガスは粗引きポンプ９１により排気され、配管８６ｃを介してスクラバに導入され、後処理が行われる。
【０１０２】
また、圧力計９３で計測された配管８６ａ内のガス圧データは、真空チャンバ８１のＲＦ電源９５に送られる。そして、プラズマ式ＰＦＣ分解装置８７のＲＦ電源９０がオンされた後、配管８６ａ内のガス圧が所定値Ｐ３に落ち着いた段階で、真空チャンバ８１のＲＦ電源９５がオンして、真空チャンバ８１内での処理が開始される。
【０１０３】
これにより、ターボ分子ポンプ８５の動作が不安定な時に、真空チャンバ８１での処理が開始されることを防止することができ、真空チャンバ８１での処理精度を向上させることが可能となる。
その後、真空チャンバ８１での処理が終了すると、真空チャンバ８１のＲＦ電源９５をオフした後、開閉バルブ８２を閉じることにより、真空チャンバ８１内への反応ガスの導入を遮断する。
【０１０４】
そして、配管８６ａ内のガス圧が所定値以下になると、プラズマ式ＰＦＣ分解装置８７のＲＦ電源９０をオフするとともに、粗引きポンプ９１の回転数を元に戻す。
このように、上述した第５実施形態によれば、プラズマ式ＰＦＣ分解装置８７のプラズマをオンした後、配管８６ａ内のガス圧が所定値Ｐ３に安定してから、真空チャンバ８１内での処理を開始することにより、プラズマ式ＰＦＣ分解装置８７を真空チャンバ８１に取り付けた場合においても、真空チャンバ８１内での処理を安定して行うことができる。
【０１０５】
図１０は、本発明の第５実施形態に係る半導体製造装置の動作を示すタイミングチャートである。
図１０において、真空チャンバ８１のアイドル時には、ターボ分子ポンプ８５および粗引きポンプ９１が起動され、粗引きポンプ９１により配管８６ａ、８６ｂおよびプラズマ式ＰＦＣ分解装置８７内の排気が行われるとともに、ターボ分子ポンプ８５により真空チャンバ８１内の排気が行われる。
【０１０６】
そして、回転制御装置９２は、図１０（ｄ）に示すように、開閉バルブ８２が開かれる前の所定のタイミングに従って、粗引きポンプ９１の回転数を上昇させる（ｔ４０）。
そして、真空チャンバ８１で処理を行う場合、図１０（ａ）に示すように、開閉バルブ８２を開き、ガス供給源８３からＣＦ４、ＳＦ６などの反応ガスを真空チャンバ８１内に導入する（ｔ４１）。
【０１０７】
そして、反応ガスが真空チャンバ８１内に導入されると、真空チャンバ８１内で所定の処理が行われた後、ターボ分子ポンプ８５により排気され、ＰＦＣガスが配管８６ａを介してプラズマ式ＰＦＣ分解装置８７に導入される。
このため、開閉バルブ８２を開くと、図１０（ｃ）に示すように、配管８６ａ内の圧力が上昇するが、粗引きポンプ９１の回転数は既に上っているので、配管８６ａ内の圧力は、図１２の圧力Ｐ１よりも低い圧力Ｐ３で安定する。
【０１０８】
そして、配管８６ａ内の圧力が圧力Ｐ３で安定すると、図１０（ｂ）に示すように、プラズマ式ＰＦＣ分解装置８７のＲＦ電源９０がオンされ、電極８８ａ、８８ｂ間に高周波電力が印加される（ｔ４２）。
電極８８ａ、８８ｂ間に高周波電力が印加されると、電極８８ａ、８８ｂ間にプラズマが発生し、プラズマ式ＰＦＣ分解装置８７に導入されたＰＦＣガスが分解される。
【０１０９】
ここで、粗引きポンプ９１の回転数は既に上っているので、プラズマ式ＰＦＣ分解装置８７内でのプラズマの発生により、配管８６ａ内の圧力が上昇した場合においても、配管８６ａ内を急速に排気して、配管８６ａ内の圧力上昇を抑制することができ、ターボ分子ポンプ８５の動作を安定させることが可能となる。
また、配管８６ａ内のガス圧は圧力計９３により監視され、圧力計９３で計測された配管８６ａ内のガス圧データは、真空チャンバ８１のＲＦ電源９５に送られる。そして、図１０（ｅ）に示すように、プラズマ式ＰＦＣ分解装置８７のＲＦ電源９０がオンされた後、配管８６ａ内のガス圧が所定値Ｐ３に落ち着いた段階で、真空チャンバ８１のＲＦ電源９５がオンして、真空チャンバ８１内での処理が開始される（ｔ４３）。
【０１１０】
これにより、プラズマ式ＰＦＣ分解装置８７のＲＦ電源９０がオンされた後、配管８６ａ内のガス圧が不安定な段階で、真空チャンバ８１での処理が開始されることを防止することができる。
次に、真空チャンバ８１での処理が終了すると、図１０（ｅ）に示すように、真空チャンバ８１のＲＦ電源９５がオフして、真空チャンバ８１内での処理を終了する。
【０１１１】
そして、図１０（ａ）に示すように、開閉バルブ８２を閉じることにより、真空チャンバ８１内への反応ガスの導入を遮断する（ｔ４５）。
ここで、粗引きポンプ９１の高速回転が維持されているので、開閉バルブ８２を閉じると、図１０（ｃ）に示すように、配管８６ａ内の圧力は徐々に低下する。
【０１１２】
そして、配管８６ａ内のガス圧が所定値Ｐ４以下になると、図１０（ｂ）に示すように、プラズマ式ＰＦＣ分解装置８７のＲＦ電源９０をオフし、プラズマ式ＰＦＣ分解装置８７に導入されたＰＦＣガスの分解を停止させるとともに、図１０（ｄ）に示すように、粗引きポンプ９１の回転数を元に戻す（ｔ４６）。
ここで、粗引きポンプ８１の回転数を元に戻した場合においても、真空チャンバ８１および配管８６ａ内の残留ガスは、プラズマ式ＰＦＣ分解装置８７を介して排出されているので、配管８６ａ内の圧力が上昇することを抑制することができる。
【０１１３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、プラズマ式排ガス分解装置で排ガス処理が行われる際に、プラズマ式排ガス分解装置内の排気能力を上昇させることが可能となり、プラズマ式排ガス分解装置の上流側の圧力変動を抑制することが可能となることから、プラズマ式排ガス分解装置を真空チャンバに取り付けた場合においても、真空チャンバでの処理を正常に行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る排ガス処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る排ガス処理装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図３】本発明の第２実施形態に係る排ガス処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る排ガス処理装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図５】本発明の第３実施形態に係る排ガス処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係る排ガス処理装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図７】本発明の第４実施形態に係る排ガス処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図８】本発明の第４実施形態に係る排ガス処理装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図９】本発明の第５実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示すブロック図である。
【図１０】本発明の第５実施形態に係る半導体製造装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図１１】従来の排ガス処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図１２】従来の排ガス処理装置の動作を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
１、２１、４１、６１、８１　真空チャンバ
２、２２、４２、６２、８２　開閉バルブ
３、２３、４３、６３、８３　ガス供給源
４、２４、４４、６４、８４　圧力制御弁
５、２５、４５、６５、８５　ターボ分子ポンプ
６ａ〜６ｃ、２６ａ〜２６ｃ、４６ａ〜４６ｃ、６６ａ〜６６ｃ、８６ａ〜８６ｃ　配管
７、２７、４７、６７、８７　プラズマ式ＰＦＣ分解装置
８ａ、８ｂ、２８ａ、２８ｂ、４８ａ、４８ｂ、６８ａ、６８ｂ、８８ａ、８８ｂ　電極
９、２９、４９、６９、８９、９４　カップリングコンデンサ
１０、３０、５０、７０、９０、９５　ＲＦ電源
１１、３１、５１、７１、９１　粗引きポンプ
１２、３２、５２、７２、９２　回転制御装置
７３、９３　圧力計
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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