(57)【要約】【課題】ウォーターマークやパーティクルの残留を確実に防止した薬液処理を行うことが可能な基板洗浄方法および基板洗浄装置を提供する。【解決手段】回転軸Ｏを中心として回転可能な回転支持面１０１ａを有すると共に、回転支持面１０１ａからのガスＧの噴き出しによって回転支持面１０１ａの上方に基板Ｗを保持するベルヌーイチャック１０１と、回転支持面１０１ａに対して基板Ｗの処理面Ｗａを間隔ｄ自在に対向保持する対向チャック１０２と、回転支持面１０１ａの中央から薬液Ｌを吐出させる薬液供給ノズル１０３とを備えた基板洗浄装置１である。そして、ベルヌーイチャック１０１の回転支持面１０１ａに対して薬液処理された基板Ｗの処理面Ｗａを対向配置させた状態で、回転支持面１０１ａからのガスＧの噴き出しによって基板Ｗを回転支持面１０１ａに回転保持させることで基板Ｗの処理面Ｗａを乾燥させる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸を中心として回転可能な回転支持面を有すると共に、当該回転支持面からのガスの噴き出しによって当該回転支持面の上方に基板を保持するベルヌーイチャックと、
前記回転支持面に対して基板の処理面を間隔自在に対向保持する対向チャックと、
前記回転支持面の中央から薬液を吐出させる薬液供給ノズルとを備えた
ことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板洗浄装置において、
前記対向チャックは、前記ベルヌーイチャックの回転支持面と同軸で前記基板を回転保持する
ことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項３】
請求項２記載の基板洗浄装置において、
前記対向チャックと前記ベルヌーイチャックとは、同一回転数で回転する
ことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項４】
ベルヌーイチャックの回転支持面に対して薬液処理された基板の処理面を対向配置させた状態で、当該回転支持面からのガスの噴き出しによって当該基板を当該回転支持面に回転保持させることで当該基板の処理面を乾燥させる
ことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項５】
請求項４記載の基板洗浄方法において、
前記ガスは不活性ガスである
ことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項６】
ベルヌーイチャックの回転支持面に対向配置された基板の処理面を、当該ベルヌーイチャックの回転支持面の中央から吐出させた薬液によって処理する工程と、
前記薬液によって処理した基板を前記ベルヌーイチャックの回転支持面からのガスの噴き出しによって当該回転支持面に対して保持させると共に、当該回転支持面を回転させることで当該基板の処理面を乾燥させる工程とを行う
ことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項７】
請求項６記載の基板洗浄方法において、
前記ガスは不活性ガスである
ことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項８】
請求項６記載の基板洗浄方法において、
前記薬液による処理は、前記ベルヌーイチャックの回転支持面と同軸で前記基板の処理面を回転させた状態で行われる
ことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項９】
請求項８記載の基板洗浄方法において、
基板を前記ベルヌーイチャックの回転支持面に保持させる際には、当該ベルヌーイチャックの回転支持面を前記基板と同一回転数で回転させる
ことを特徴とする基板洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板や石英基板のような薄板状の基板の一主面側を薬液処理した後に乾燥させる基板洗浄装置およびこの基板洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の高集積化にともない素子構造の微細化が進み、半導体基板の表面に付着する異物に対しての許容値はますます小さくなっている。このため、半導体装置の製造工程においては、バッチ式の基板洗浄装置に換えて、処理表面への異物の再付着の少ない枚葉式の基板洗浄装置を用いることが検討されている。
【０００３】
しかしながら、枚葉式の基板洗浄装置においては、半導体基板の処理面に対する異物付着の問題を解決することはできるが、今度はウォーターマークの発生が問題になる。すなわち、枚葉式の基板洗浄装置においては、回転保持体に回転保持させた半導体基板の処理面に洗浄液を供給して洗浄を行う方法であり、洗浄終了後には純水を供給して処理面のリンスを行い、その後半導体基板を高速回転してスピン乾燥する。このため、半導体基板の中央部の遠心力の小さい部分において十分に乾燥を行うことができずに水滴が残り、これがウォーターマークの発生原因となるのである。
【０００４】
そこで、枚葉式の基板洗浄装置でのウォーターマーク対策として、次の方式が提案されている。▲１▼基板の処理面に不活性ガスを供給し、酸化雰囲気を低減させウォーターマークを低減する。▲２▼基板の処理面にＩＰＡ（Ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ）を何らかの方式で気化させて供給し、水分と共沸させ残留水分の低減をさせる。▲３▼基板の処理面に噴霧化したＩＰＡを不活性ガスと共に供給する（下記特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−３８９７号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、▲１▼の方式は不活性ガスの供給方法が適切でないと、残留酸素を十分低減することができず、ウォーターマークが大量に発生する。また、▲２▼および▲３▼の方法は、ＩＰＡを気化させて供給しても基板の処理面上にパーティクルとして残留してしまうことがある。
【０００７】
そこで本発明は、ウォーターマークやパーティクルの残留を確実に防止した薬液処理を行うことが可能な基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するための本発明の基板洗浄装置は、ベルヌーイチャック、対向チャック、および薬液供給ノズルを備えている。このうち、ベルヌーイチャックは、回転軸を中心として回転可能な回転支持面を有し、当該回転支持面からのガスの噴き出しによって当該回転支持面に対して基板を保持する。また対向チャックは、ベルヌーイチャックの回転支持面に対して基板の処理面を間隔自在に対向保持する。さらに、薬液供給ノズルは、ベルヌーイチャックの回転支持面の中央から薬液を吐出させる。
【０００９】
このような構成の基板洗浄装置では、対向チャックによって基板Ｗの処理面をベルヌーイチャックの回転支持面に近接させて対向配置した状態で、ベルヌーイチャック側に設けられた薬液供給ノズルから薬液を吐出することで、当該基板の処理面が薬液処理される。また、ベルヌーイチャックの回転支持面からガスを噴き出すと共に、対向チャックによってベルヌーイチャックの回転支持面に対して所定間隔に近接させて基板の処理面を配置した状態で、当該対向チャックによる基板の保持を解除することにより、ベルヌーイチャックの回転支持面に対して当該基板が保持される。この状態においては、基板と回転支持面との隙間は、接触しない範囲で最小限に狭められてガスで満たされた状態となるため、基板の処理面の全面が完全にガスに晒された状態となる。またこの際、回転支持面を回転させることにより、当該回転支持面に対して保持された基板も回転して遠心力が加わるため、処理面の乾燥が行われる。
【００１０】
また本発明の基板洗浄方法は、ベルヌーイチャックを用いて薬液処理された基板の処理面を乾燥させることを特徴としている。この際、ベルヌーイチャックの回転支持面に対して薬液処理された基板の処理面を対向配置させる。そして、この回転支持面からのガスの噴き出しによって、当該基板を当該回転支持面に対して回転保持させ乾燥させる
【００１１】
このような基板洗浄方法では、極近接して配置された基板の処理面と回転支持面との間に、当該基板を回転支持面に対して保持（チャッキング）するためのガスが供給された状態で、回転支持面に対して基板が回転保持される。このため、接触しない範囲で最小限に狭められた基板と回転支持面との隙間に、回転支持面から噴き出されたガスが充填され、このガスに処理面が確実に晒された状態で、基板の回転による遠心力で当該基板の処理面の薬液が除去される。したがって、基板をベルヌーイチャックの回転支持面にチャッキングするためのガスとして不活性ガスを用いることにより、基板表面の酸化を確実に防止した状態で基板の乾燥が行われる。
【００１２】
また本発明の基板洗浄方法は、次の工程を行う基板洗浄方法でもある。すなわち、先ず、ベルヌーイチャックの回転支持面に対向配置された基板の処理面を、当該ベルヌーイチャックの回転支持面の中央から吐出させた薬液によって処理する工程を行う。その後、ベルヌーイチャックの回転支持面からのガスの噴き出しによって当該回転支持面に基板を保持させると共に、当該回転支持面を回転させることで当該基板の処理面を乾燥させる工程を行う。
【００１３】
このような基板洗浄方法では、ベルヌーイチャックの回転支持面１０１ａから吐出させた薬液によって、この回転支持面に対向配置された基板の処理面を処理しているため、この薬液処理の後、直ちに、回転支持面から基板の処理面との間にガスを供給して、基板をベルヌーイチャック側に保持させることができる。したがって、薬液処理を終了した後の処理面をほとんど大気に晒すことなく、確実にガスに晒した状態とすることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の基板洗浄装置および基板洗浄方法の実施の形態を図面に基づいて説明する。ここでは、半導体基板や石英基板のような薄板状の基板の一主面側を処理面とし、この処理面を薬液処理した後に乾燥させる基板洗浄装置、およびこの基板洗浄装置を用いた基板洗浄方法の実施の形態を説明する。
【００１５】
＜基板洗浄装置＞
図１は、実施形態の基板洗浄装置の構成図であり、先ずこの図を用いて実施形態の基板洗浄装置の構成を説明する。
【００１６】
この図に示す基板洗浄装置１は、ベルヌーイチャック１０１、このベルヌーイチャック１０１に対向配置された対向チャック１０２、ベルヌーイチャック１０１に設けられた薬液供給ノズル１０３、および対向チャック１０２に設けられた裏面用ノズル１０４を備えている。
【００１７】
このうち、ベルヌーイチャック１０１は、このベルヌーイチャック１０１によって保持する基板Ｗよりも一回り大きく成形された回転支持面１０１ａを有しており、この回転支持面１０１ａが回転軸Ｏを中心として回転可能に構成されている。また、このベルヌーイチャック１０１には、回転支持面１０１ａに基板ＷをチャッキングするためのガスＧを噴き出すガス供給ノズル１０５が設けられている。そして、この回転支持面１０１ａの周縁部上には、当該回転支持面１０１ａの上方に支持された基板Ｗの移動を制限するための突起１０６が、少なくとも３箇所に設けられている。
【００１８】
また、ガス供給ノズル１０５は、例えば、回転支持面１０１ａの回転軸Ｏを中心とした環状にガスＧを噴き出すように、また回転支持面１０１ａの外周方向に向かってガスＧを噴き出すように、ベルヌーイチャック１０１に配設されている。このようなガス供給ノズル１０５には、ガスＧの供給量を制御するための流量制御手段（図示省略）が設けられていることとする。
【００１９】
そして、対向チャック１０２は、そのチャッキング形式が特に限定されることはないが、例えば基板Ｗの周縁を複数箇所で挟み込むことで、基板Ｗを狭持する形式であることとする。そこで、対向チャック１０２は、例えば支持面１０２ａを有し、この支持面１０２に複数のチャック部材１０７を突設させ、これらのチャック部材１０７間で基板Ｗの周縁部を抑えることで、基板Ｗを保持する構成であることとする。また、ここでは、対向チャック１０２に基板Ｗを保持した状態で、基板Ｗと支持面１０２ａとの間に隙間が形成され、支持面１０２ａと基板Ｗとの接触による基板Ｗの汚染が防止されように構成されていることとする。
【００２０】
このような構成の対向チャック１０２は、保持した基板Ｗの処理面Ｗａが、ベルヌーイチャック１０１の回転支持面１０１ａに対向配置され、さらにベルヌーイチャック１０１の回転支持面１０１ａと同軸で基板Ｗを回転保持する構成となっている。
【００２１】
さらに、この対向チャック１０２には、ベルヌーイチャック１０１の上方から外周にかけて（図面上左右方向に）この対向チャック１０２を移動させる移動手段（図示省略）と、処理面Ｗａと回転支持面１０１ａとの間隔ｄが自在に調整されるような駆動手段（図示省略）が備えられていることとする。ただし、この駆動機構は、ベルヌーイチャック１０１側に設けられても良く、ベルヌーイチャック１０１と対向チャック１０２との両方に設けられても良い。
【００２２】
そして、薬液供給ノズル１０３は、ベルヌーイチャック１０１の回転支持面１０１ａの中央、すなわち回転軸Ｏ上から薬液Ｌを吐出させるように、ベルヌーイチャック１０１に配設されている。この薬液供給ノズル１０３にも、薬液Ｌの供給量を制御するための流量制御手段（図示省略）が設けられていることとする。
【００２３】
また、裏面用ノズル１０４は、対向チャック１０２の支持面１０２ａの中央、すなわち回転軸Ｏ部分から洗浄液Ｌ’を吐出させるように、対向チャック１０２に配設されている。この裏面用ノズル１０４にも、洗浄液Ｌ’の供給量を制御するための流量制御手段（図示省略）が設けられていることとする。
【００２４】
以上のように構成された基板洗浄装置１では、対向チャック１０２での支持によって、基板Ｗの処理面Ｗａをベルヌーイチャック１０１の回転支持面１０１ａに近接させて対向配置した状態で、ベルヌーイチャック１０１側に設けられた薬液供給ノズル１０３から薬液Ｌを吐出する。これにより、基板Ｗの処理面Ｗａに薬液Ｌが供給され、処理面Ｗａが薬液Ｌによって処理される。この際、対向チャック１０２によって基板Ｗを回転させることで、薬液Ｌによる処理面Ｗａのスピン処理を行うことができる。
【００２５】
また、ガス供給ノズル１０３によって、ベルヌーイチャック１０１の回転支持面１０１ａからガスＧを噴き出させると共に、対向チャック１０２によってベルヌーイチャック１０１の回転支持面１０１ａに対して所定間隔に近接させて基板Ｗの処理面Ｗａを配置した状態において、当該対向チャック１０２による基板Ｗの保持を解除することにより、ベルヌーイチャック１０１の回転支持面１０１ａに対して基板Ｗが保持される。この際、ベルヌーイチャック１０１と対向チャック１０２とを、同一回転数で回転させておくことで、基板Ｗの回転状態を保ったまま、ベルヌーイチャック１０１から対向基板１０２に基板Ｗを移載させることができる。
【００２６】
そして、ベルヌーイチャック１０１に基板Ｗを保持させた状態においては、基板Ｗと回転支持面１０１ａとの間隔ｄは、接触しない範囲で最小限に狭く保たれてガス供給ノズル１０３から噴き出させたガスＧで満たされる。このため、基板Ｗの処理面Ｗａの全面が完全にガスＧに晒された状態となる。そしてこの際、回転支持面１０１ａを回転させることにより、回転支持面１０１ａに対して保持された基板Ｗも回転して遠心力が加わるため、基板Ｗのスピン乾燥を行うことができる。
【００２７】
＜基板洗浄方法＞
次に、本発明の基板洗浄方法の実施の形態を、上述した構成の基板洗浄装置１を用いた基板洗浄方法として説明する。図２は、実施形態の基板洗浄方法の一例を示す工程図である。また下記表１には、基板洗浄における各処理シーケンスを示す。ここでは、これらの図２および表１を用いて、基板表面の自然酸化膜を除去する場合の基板洗浄方法を説明する。
【００２８】
【表１】
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【００２９】
先ず、図２（１）に示すように、対向チャック１０２に基板Ｗを保持させる。この際、基板Ｗの処理面Ｗａの裏面側を対向チャック１０２の支持面１０２ａと対向させる状態で、対向チャック１０２に基板Ｗを保持させる。そして、対向チャック１０２の移動手段および駆動手段により、対向チャック１０２とベルヌーイチャック１０１の回転軸を一致させ、基板Ｗの処理面Ｗａをベルヌーイチャック１０１の回転支持面１０１ａに対して対向配置する。またこの状態で、基板Ｗの処理面Ｗａとベルヌーイチャック１０１の回転支持面１０１ａとを第１の所定間隔ｄ１に保つ。第１の所定間隔ｄ１は、ベルヌーイチャック１０１に設けた薬液供給ノズル１０３から吐出させた薬液（Ｌ）が、処理面Ｗａに対して十分に供給される間隔であることとする。
【００３０】
次に、図２（２）に示すように、対向チャック１０２を回転させた状態で、薬液供給ノズル１０３から吐出させた薬液Ｌを処理面Ｗａに供給し、薬液Ｌによる処理面Ｗａのスピン処理を行う。
【００３１】
この薬液処理は、表１を参照し、ステップ▲１▼においては、ベルヌーイチャック１０１の薬液供給ノズル１０３から薬液Ｌとして希フッ酸（ＤＨＦ）を吐出させ、処理面Ｗａを希フッ酸で処理する。また、対向チャック１０２の裏面用ノズル１０４からも洗浄液Ｌ’として希フッ酸（ＤＨＦ）を供給して基板Ｗの裏面側の薬液処理を行う。この際、対向チャック１０２の回転数を２００ｒｐｍとして、６０秒間の処理を行う。またこの間、ベルヌーイチャック１０１のガス供給ノズル１０５からは、ガスＧとして窒素（Ｎ２）ガスＧを５リットル／分の流量で流しておくこととする。尚、ガスＧとしては、窒素（Ｎ２）ガスＧに限定されることはなく、不活性なガスであれば良い。尚、ここ用いる薬液Ｌおよび洗浄液Ｌ’は、希フッ酸（ＤＨＦ）に限定されることはなく、目的に応じた薬液を用いることができる。
【００３２】
その後、ステップ▲２▼では、ベルヌーイチャック１０１の薬液供給ノズル１０３から供給する薬液Ｌを純水に切り換え、基板Ｗの処理面Ｗａのリンスを３０秒間行う。また、対向チャック１０２の裏面用ノズル１０４からも洗浄液Ｌ’として希フッ酸（ＤＨＦ）を供給して基板Ｗの裏面側のリンスを行う。この際、対向チャック１０２の回転数およびベルヌーイチャック１０１のガス供給ノズル１０５からの窒素（Ｎ２）ガスの流量はステップ▲１▼と同様で良い。
【００３３】
次いで、ステップ▲３▼では、ベルヌーイチャック１０１の薬液供給ノズル１０３からの薬液Ｌの供給をストップし、基板Ｗを保持した対向チャック１０２の回転数を５００ｒｐｍに上昇させ、基板Ｗの処理面Ｗａの薬液Ｌを振り切る予備乾燥−１を５秒間行う。この際、ベルヌーイチャック１０１のガス供給ノズル１０５からの窒素（Ｎ２）ガスの流量はステップ▲１▼，▲２▼と同様で良い。
【００３４】
以上のステップ▲３▼を終了した後、図２（３）に示すように、基板Ｗを保持した対向チャック１０２の駆動手段を駆動させることにより、基板Ｗの処理面Ｗａとベルヌーイチャック１０１の回転支持面１０１ａとを第２の所定間隔ｄ２に保つ。また、ベルヌーイチャック１０１の回転数を対向チャック１０２の回転数（５００ｒｐｍ）と一致させ、ベルヌーイチャック１０１のガス供給ノズル１０５からの噴き出させる窒素（Ｎ２）ガスＧの流量を１００リットル／分に増加させる。尚、第２の所定間隔ｄ２は、ベルヌーイチャック１０１のガス供給ノズル１０５から、上述した流量でガスＧを噴き出すことによって基板Ｗがベルヌーイチャック１０１の回転支持面１０１ａに支持される間隔であることとする。
【００３５】
以上の後、図２（４）に示すように、対向チャック１０２による基板Ｗの保持を解除し、対向チャック１０２とベルヌーイチャック１０１との間隔を広げる。これにより、基板Ｗをベルヌーイチャック１０１側に支持させる。そして、この状態で、基板Ｗの処理面Ｗａの乾燥処理を行う。
【００３６】
この乾燥処理は、表１を参照し、ステップ▲４▼においては、ベルヌーイチャック１０１の回転数を５００ｒｐｍに保った２秒間の予備乾燥−２を行う。この際、ベルヌーイチャック１０１のガス供給ノズル１０５からの窒素（Ｎ２）ガスの流量も１００リットル／分に保ち、ベルヌーイチャック１０１による基板Ｗの保持状態を確保する。尚、上述したステップ▲３▼の予備乾燥−１とステップ▲４▼の予備乾燥−２とは、対向チャック１０２からベルヌーイチャック１０１に基板Ｗを移載する時間内に含めて良い。
【００３７】
その後、ステップ▲５▼では、ベルヌーイチャック１０１の回転数を２０００ｒｐｍに上昇させることで、基板Ｗのスピン乾燥（乾燥−１）を３０秒間行う。この際、ベルヌーイチャック１０１のガス供給ノズル１０５からの窒素（Ｎ２）ガスの流量はステップ▲４▼と同様に保ち、ベルヌーイチャック１０１による基板Ｗの保持状態を確保する。
【００３８】
次いで、ステップ▲６▼では、ベルヌーイチャック１０１の回転数を２００ｒｐｍに降下させて５秒間保ってさらにスピン乾燥（乾燥−２）を行った後、さらにベルヌーイチャック１０１の回転を停止させて乾燥処理を終了させる。この際、ベルヌーイチャック１０１のガス供給ノズル１０５からの窒素（Ｎ２）ガスＧの流量はステップ▲４▼と同様に保ち、ベルヌーイチャック１０１による基板Ｗの保持状態を確保する。
【００３９】
そして、以上の乾燥処理が終了した後、再び対向チャック１０２側に基板Ｗを保持させて、次の工程に基板Ｗを移動させる。
【００４０】
以上説明した洗浄方法によれば、図２（４）を用いて説明したように、極近接して配置された基板Ｗの処理面Ｗａとベルヌーイチャック１０１の回転支持面１０１ａとの間に、基板Ｗを回転支持面１０１ａに対して保持（チャッキング）するためのガスＧが供給された状態で、回転支持面１０１ａに対して基板Ｗが回転保持される。このため、接触しない範囲で最小限に狭められた基板と回転支持面との隙間にガスＧが充填されることになり、回転支持面１０１ａから噴き出されたガスＧに処理面Ｗａが確実に晒された状態で、基板Ｗの回転による遠心力で基板Ｗの処理面Ｗａの薬液Ｌが除去される。そしてここでは、基板Ｗをベルヌーイチャック１０１の回転支持面１０１ａにチャッキングするためのガスＧとして窒素（Ｎ２）ガスを用いているため、基板Ｗ表面の酸化を確実に防止した状態で基板Ｗのスピン乾燥を行うことができる。
【００４１】
特に、図２（２）を用いて説明したように、薬液処理を行う際には、ベルヌーイチャック１０１の回転支持面１０１ａから吐出させた薬液Ｌによって、この回転支持面１０１ａに対向配置された基板Ｗの処理面Ｗａを処理しているため、この薬液処理の後、直ちに、回転支持面１０１ａから基板Ｗの処理面Ｗａとの間にガスＧを供給して、基板Ｗをベルヌーイチャック１０１側に保持させることができる。したがって、薬液処理を終了した後の処理面Ｗａをほとんど大気に晒すことなく、確実に窒素（Ｎ２）ガスＧに晒した状態とすることができる。
【００４２】
以上の結果、薬液処理された基板Ｗの処理面Ｗａを大気に晒すことなく、不活性な雰囲気で基板を１枚ずつ乾燥処理することができ、ウォーターマークやパーティクルの残留を確実に防止した薬液処理を行うことが可能になる。
【００４３】
図３には、洗浄処理を行った後の基板の処理面におけるウォーターマークの発生図を示した。図３（１）は上述した実施の形態の洗浄方法を行った基板であり、ウォーターマークを示す黒点が僅かに見られる程度である。また図３（２）は薬液処理の後、通常のスピン乾燥処理を行った基板であり、ウォーターマークを示す多数の黒点が見られるほか、中央部分においては多数の黒点がカウントされてダイシングラインが消失している部分が見られる。このように、本実施形態の洗浄方法を行うことにより、ウォーターマークの発生が従来のスピン処理と比較して極めて低く抑えられることが確認された。
【００４４】
尚、以上の実施形態においては、基板洗浄方法として図１を用いて説明した構成の基板洗浄装置１を用いた基板洗浄方法を説明した。しかし本発明の基板洗浄方法は、このような基板洗浄装置を用いる方法に限定されることはない。本発明の基板洗浄方法は、ベルヌーイチャックに基板を回転保持することで基板のスピン乾燥を行うこと方法であり、基板の処理面の薬液処理方法はどのような処理方法であっても良い。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の基板洗浄装置によれば、基板の処理面をベルヌーイチャックの回転支持面に近接させて対向配置した状態で、処理面の薬液によるスピン処理を行い、またべルヌーイチャックの回転支持面からガスを噴き出させることで、接触しない範囲で最小限に狭められた基板と回転支持面との隙間にガスを重訂し、基板の処理面を完全にガスに晒した状態でベルヌーイチャックの回転支持面に対して基板を回転保持してスピン乾燥させることができる。
また本発明の基板洗浄方法によれば、薬液処理された基板の処理面をベルヌーイチャックの回転支持面に対向配置させて保持することでスピン乾燥させるため、接触しない範囲で最小限に狭められた基板と回転支持面との隙間にガスが充填された状態でスピン乾燥処理を行うことが可能になる。
以上の結果、本発明の基板洗浄装置および基板洗浄方法によれば、基板の処理面を大気に晒すことなく不活性な雰囲気で枚葉式の乾燥処理を行うことが可能になり、ガスとして不活性ガスを用いることでウォーターマークの発生を確実に防止した薬液処理を行うことが可能になる。また、以上の洗浄は枚葉処理であるためパーティクルの残留を防止することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態の基板洗浄装置の構成図である。
【図２】実施形態の基板洗浄方法を示す工程図である。
【図３】洗浄処理を行った後の基板の処理面におけるウォーターマークとパーティクルの発生図である。
【符号の説明】
１…基板洗浄装置、１０１…ベルヌーイチャック、１０１ａ…回転支持面、１０２…対向チャック、１０３…薬液供給ノズル、Ｗ…基板、Ｗａ…処理面、Ｇ…ガス、Ｌ…薬液
【図１】
2004319720.tif 000004
【図２】
2004319720.tif 000005
【図３】
2004319720.tif 000006