(57)【要約】【課題】高強度の入射光に対しても、高周波での応答を可能とし、消光比の劣化を防止するとともに、伝送特性の優れた半導体光変調器を提供する。【解決手段】外部印可電圧による吸収係数の変化を利用し、フランツケルディッシュ効果又は量子閉じ込めシュタルク効果を利用した電界吸収型の半導体光変調器において、入射光（Ｌ１）を吸収して変調光を発生する光吸収層（１２）内に井戸層（１８）を設けることにより、光吸収により光変調器内に生成されるキャリアを井戸層内に蓄積し、井戸層のバンドギャップエネルギーに対応する励起光（Ｌ２）の入力により、井戸層内に蓄積されたキャリアを誘導放出する。【選択図】　　　　図１
2004037485.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の波長の入射光が入射される入射端面と、該入射端面に対向し変調光を出力する出力端面を有し、外部印可電圧による吸収係数の変化を利用して前記入射光の光変調を行う電界吸収型の半導体光変調器であって、
半導体基板上に形成され、前記入射光を吸収することによりキャリアを発生する光吸収層と、
前記発生したキャリアを蓄積するキャリア蓄積部と、
前記光吸収層内に形成された井戸層構造を有し、前記蓄積されたキャリアを外部に誘導放出するキャリア誘導放出部と、を具備し、
前記キャリア誘導放出部は、前記井戸層のバンドギャップエネルギーに対応する第２の波長の励起光の入射により、前記井戸層内に蓄積されたキャリアを誘導放出することを特徴とする半導体光変調器。
【請求項２】
フランツケルディッシュ効果を利用した光変調器であって、前記井戸層のバンドギャップエネルギーは前記光吸収層のバンドギャップエネルギーよりも小さい値であり、前記励起光は前記井戸層のエネルギー準位と実質等しいエネルギーを有する請求項１に記載の半導体光変調器。
【請求項３】
導波路を介在して互いに対向する前記入射端面と前記出力端面の両端面のそれぞれに平面反射膜を設けたファブリペロー共振器構成を有し、前記変調光の透過率が前記励起光の透過率よりも大きい請求項１に記載の半導体光変調器。
【請求項４】
量子閉じ込めシュタルク効果を利用した光変調器であって、前記励起光の波長は前記変調光の波長よりも短く、該励起光が前記光吸収層内に入射されることにより、前記井戸層内に蓄積されたキャリアのうち前記励起光のエネルギーよりも高い準位に存在するキャリアを誘導放出させることを特徴とする請求項１に記載の半導体光変調器。
【請求項５】
請求項１に記載の前記半導体光変調器と前記励起光を発生するための励起光用半導体レーザとを同一基板上に集積した半導体光装置。
【請求項６】
前記同一基板上に、さらに前記第１の波長の入射光を発生するための入射光用半導体レーザを集積した請求項５に記載の半導体光装置。
【請求項７】
前記変調光の進行方向と前記励起光の進行方向とが前記光吸収層内で対向するように配置した請求項５に記載の半導体光装置。
【請求項８】
請求項１に記載の前記半導体光変調器の上部に、前記光吸収層に前記励起光を照射するための面発光レーザを配置した半導体光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は高速動作が要求される光通信システムで使用される半導体光変調器に関し、特に、光吸収層内に蓄積したキャリアを励起光により誘導放出する半導体光変調器及びこの半導体光変調器と半導体レーザとを同一基板上に集積した半導体光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報通信機器の高性能化に伴う膨大なデータ通信量に対応するために、光ファイバを用いた光通信網の普及が不可欠となっている。光通信網のキーデバイスとして高速動作が可能な半導体レーザ等が使用され、この半導体レーザによる入射光の強度変調を行うために半導体光変調器が用いられている。以後の説明では、半導体レーザや半導体光変調器等の半導体光素子を組合せて同一基板上に集積した構成体を「半導体光装置」と呼ぶものとする。
【０００３】
一般に、半導体等の固体における光の基礎吸収では、光子のエネルギーｈνが禁制帯幅Ｅｇより大きければ、充満帯の電子が伝導帯に励起される。この基礎吸収帯の長波長側のＥｇに対応した基礎吸収端は、固体素子に高電界を印可することにより、長波長側にシフトする（フランツケルディッシュ効果）。
【０００４】
半導体材料を用いた光変調器は、フランツケルディッシュ効果や量子閉じ込めシュタルク効果などを利用することによって、吸収係数や屈折率に大きな変化を生じる。この場合、光変調器は発光素子と同一材料系であることから、集積化した小型で効率的な外部光変調器を構成できる。また、変調周波数帯域は誘電体光変調器と同程度の高速化が達成されている。
【０００５】
電界吸収型光変調器内で、光吸収に伴って生成される電子・正孔（ホール）対より成るキャリアの量は、入射光の強さが増大するほど多くなる。この電子・正孔対は外部印可電界を打ち消すように内部電界を形成し、入射光の強度レベルが高くなると外部印可電界のスクリーニング効果が大きくなり、入射光の強度レベルと吸収係数の変化とは相関がある。
【０００６】
図１４は従来の電界吸収型半導体光変調器１００の概略斜視図を示す。同図において、参照番号１０１はｎ−導電型ＩｎＰ基板、１０２はＩｎＧａＡｓＰ光吸収層、１０３はｐ−導電型ＩｎＰクラッド層、１０４はｐ−導電型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、１０５はＳｉＯ２絶縁膜、１０６はＴｉ／Ａｕアノード電極、１０７はＴｉ／Ａｕカソード電極である。図１５は上記光吸収層１０２近傍のエネルギーバンドを示す模式図である。図１５において、バンドギャップエネルギーＥ１に対してバンドギャップ波長は、λ１＝ｈｃ／Ｅ１で表される。
【０００７】
以下、図１４、図１５を参照して従来の半導体光変調器１００の動作について説明する。光変調器１００の一方の端面に高強度の入射光として波長λ１の連続光Ｌｉｎ（以後、「ＣＷ光」と略称する）を入力し、対向する他端面から変調光Ｌｏｕｔ（波長λ１）を出力する。このとき、光変調器１００のアノード電極１０６とカソード電極１０７間に逆方向の電圧を印可する。この外部電界の印可により、図１５に示すように、フランツケルディッシュ効果により光吸収層１０２の実効的なバンドギャップエネルギーＥ１が小さくなり、バンドギャップ波長よりも長波長の光に対する吸収係数が大きくなる。この印可電圧による吸収係数の変化を利用して光の強度変調を行っている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体光変調器１００では、入射光の強度が２０ｍＷ以上になると、光吸収によって発生した電子と正孔の対より成るキャリアが光吸収層１０２のウェル部内に蓄積し、蓄積されたキャリアがガウスの法則により光吸収層１０２に加わる電界をスクリーニングして弱める。
【０００９】
また、光吸収層１０２内に蓄積されたキャリアを減らすには、アノード電極１０６とカソード電極１０７間に逆バイアス電圧を印可することで、キャリアはドリフトによりｐ−ＩｎＰクラッド層１０３およびｎ−ＩｎＰ基板１０１側に引き抜かれるが、そのキャリア引抜きの緩和時間は１ｎｓ程度であり、応答速度は比較的低速となる。したがって、４０Ｇｂｉｔ／ｓなどの高速動作が要求される光通信システムの用途においては、高周波での消光比が劣化し、光波形に歪が生じ、伝送特性が劣化するという問題があった。
【００１０】
本発明は上記課題を解決するためになされたもので、入射光の強度が２０ｍＷ以上の光を入力しても、高速で蓄積キャリアの誘導放出を行い、１００ＧＨｚ以上の高周波での応答を可能とし、消光比の劣化を防止するとともに、伝送特性の優れた高耐光入力特性を有する半導体光変調器と半導体光装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体光変調器の基本構成は、第１の波長の入射光が入射される入射端面と、入射端面に対向し変調光を出力する出力端面を有し、外部印可電圧による吸収係数の変化を利用して入射光の光変調を行う電界吸収型の半導体光変調器であって、半導体基板上に形成され、前記入射光を吸収することによりキャリアを発生する光吸収層と、発生したキャリアを蓄積するキャリア蓄積部と、光吸収層内に形成された井戸層構造を有し、蓄積されたキャリアを外部に誘導放出するキャリア誘導放出部と、を具備する。キャリア誘導放出部は前記井戸層のバンドギャップエネルギーに対応する第２の波長の励起光の入射により、井戸層内に蓄積されたキャリアを誘導放出する。
【００１２】
このように、励起光により井戸層内のキャリアを誘導放出する構成としたことにより、入射光の強度が２０ｍＷ以上の光を入力しても、高速で蓄積キャリアの誘導放出を行い、高周波での応答を可能とし、消光比の劣化を防止するとともに、伝送特性の優れた半導体光変調器を得ることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の態様による半導体光変調器は、前述の本発明の半導体光変調器の基本構成において、フランツケルディッシュ効果を利用した半導体光変調器であって、井戸層のバンドギャップエネルギーは光吸収層のバンドギャップエネルギーよりも小さい値であり、励起光は井戸層のエネルギー準位と実質等しいエネルギーを有することを特徴とする。
【００１４】
上記構成により、入射光として２０ｍＷ以上の高い強度の光を入力しても、光吸収層内で発生したキャリアは井戸層内から高速で誘導放出されるので、高周波の消光特性が劣化しない半導体光変調器が得られる。
【００１５】
本発明の第２の態様による半導体光変調器は、前述の本発明の半導体光変調器の基本構成において、導波路を介在して互いに対向する前記入射端面と出力端面の両端面のそれぞれに平面反射膜を設けたファブリペロー共振器構成を有し、変調光の透過率が励起光の透過率よりも大きくしたことを特徴とする。
【００１６】
上記構成により、連続光はファブリペロー共振器での反射が小さいので、変調光を効率よく取出すことができ、励起光は光変調器内で共振するので、キャリアの誘導放出を効率的に行うことができる。さらに、光変調器の出射端面から出力される励起光の強度が変調光に対して小さいため、外部に取りつける波長フィルタを簡易なものとすることができ、半導体光装置の低コスト化が可能となる。
【００１７】
本発明の第３の態様による半導体光変調器は、前述の本発明の半導体光変調器の基本構成において量子閉じ込めシュタルク効果を利用した光変調器であって、励起光の波長は変調光の波長よりも短く、励起光が吸収層内に入射されることにより、井戸層内に蓄積されたキャリアのうち励起光のエネルギーよりも高い準位に存在するキャリアを誘導放出させることを特徴とする。
【００１８】
これにより、各井戸層内のキャリアは励起光のエネルギーレベルよりも低い準位のキャリアのみが存在することになり、キャリア密度を入力される連続光の強度によらず一定に保つことが可能となる。よって、入射光強度の大小によらず常に一定の消光特性の得られる電界吸収型光変調器が実現できる。
【００１９】
本発明の第４の態様によれば、前述の基本構成を有する本発明の半導体光変調器と、励起光を発生するための励起光用半導体レーザとを同一基板上に集積した半導体光装置を提供する。
【００２０】
このように、励起光発生用光源と光変調器を同一基板上にモノリシックに集積したことにより、半導体光装置を小型化でき、製造コストを低減できる効果がある。
【００２１】
上記第４の態様による半導体光装置おいて、同一基板上に、さらに第１の波長の入射光を発生するための入射光用半導体レーザを集積してもよい。このように、連続光発生用光源と励起光発生用光源と光変調器を同一基板上にモノリシックに集積したことにより、半導体光装置をさらに小型化でき、製造コストを低減できる効果がある。
【００２２】
また、上記第４の態様による半導体光装置において、変調光の進行方向と励起光の進行方向とが光吸収層内で対向するように配置してもよい。このように変調光と励起光の進行方向を対向させることにより、励起光の出力が、連続光と合波部で変調光の出力方向にはほとんど反射されないので、変調光出力に混入する励起光の出力強度を更に小さくでき、外部に取りつける波長フィルタを簡易なものとすることができ、半導体光装置の低コスト化が可能となる。
【００２３】
本発明の第５の態様によれば、前述の基本構成を有する本発明の半導体光変調器の上部に、光吸収層に励起光を照射するための面発光レーザを配置した半導体光装置を提供する。
【００２４】
上記構成により、励起光は連続光及びその変調光の進行方向に対してほぼ直角に交差するので、変調器出射端面から出力される励起光の強度を変調光に対して更に小さくでき、外部に取りつける波長フィルタを簡易なものとすることができ、半導体光装置の低コスト化が可能となる。
【００２５】
以下、図１乃至図１３を用いて本発明の実施の形態について詳述する。なお、各図において共通する要素には同一の符号を付し、重複する説明については省略している。
【００２６】
（実施の形態１）
本発明の第１の実施の形態について、半導体光変調器を例に図１および図２を参照して以下に説明する。図１は、本発明の実施の形態１に係る電界吸収型半導体光変調器１０の概略構成を示す斜視図である。同図において、参照番号１１はｎ−導電型ＩｎＰ基板、１２はバルク結晶のＩｎＧａＡｓＰ光吸収層、１３はｐ−導電型ＩｎＰクラッド層、１４はｐ−導電型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、１５はＳｉＯ２絶縁膜、１６はＴｉ／Ａｕアノード電極、１７はＴｉ／Ａｕカソード電極である。
【００２７】
本実施の形態１では、例えば、ノンドープのＩｎＧａＡｓＰ井戸層１８を光吸収層１２内に形成したことを特徴とし、井戸層１８のバンドギャップエネルギーは光吸収層１２のバンドギャップエネルギーよりも小さい値としている。光変調器１０の同一入射端面には、波長λ１のＣＷ光Ｌ１の入射と同時に、波長が井戸層１８のバンドギャップエネルギーに対応する波長λ２の励起光Ｌ２（以後、「ポンプ光」と呼ぶ）もＣＷ光Ｌ１とともに入力される。
【００２８】
図２は上記光吸収層１２近傍のエネルギーバンドギャップを示す模式図である。同図において、Ｅ１は光吸収層１２のバンドギャップエネルギー、Ｅ２は井戸層１８のバンドギャップエネルギーを示し、それぞれのバンドギャップに対応する波長λ１、λ２は、
λ１＝ｈｃ／Ｅ１、λ２＝ｈｃ／Ｅ２
で表され、Ｅ２＜Ｅ１であることから、λ１＜λ２となっている。
【００２９】
以下、図１及び図２を参照して本実施の形態１の半導体光変調器１０の動作について説明する。光変調器１０の一方の端面に入射光として波長λ１の連続光であるＣＷ光Ｌ１を入力し、光変調器１０の対向する他端面から出射光として波長λ１の変調光Ｌｏｕｔを出力する。この波長λ１のＣＷ光Ｌ１の入射と同時に、波長が井戸層１８のバンドギャップエネルギーＥ２に対応する波長λ２のポンプ光Ｌ２もＣＷ光Ｌ１とともに光変調器１０の同一入射端面に入力する。
【００３０】
このとき、光変調器１０のアノード電極１６とカソード電極１７間に逆方向の例えば３Ｖ等の一定電圧を印可する。これにより、フランツケルディッシュ効果によって光吸収層１２の実効的なバンドギャップが小さくなり、バンドギャップ波長よりも長波長の光に対する吸収係数が大きくなる。この印可電圧による吸収係数の変化を利用して光の強度変調を行って波長λ１の変調光Ｌｏｕｔを出力する。
【００３１】
光吸収層１２は入射ＣＷ光Ｌ１を吸収することにより、電子・正孔対のキャリアを発生し、光吸収層１２内に蓄積するが、これらのキャリアはエネルギーレベル（ポテンシャル）が低い井戸層１８内により多く蓄積される。井戸層１８は井戸層１８内に蓄積されたキャリアを光変調器外部に誘導放出するキャリア誘導放出部１８ａとしての機能を有する。これにより、井戸層１８内に蓄積されたキャリアは、そのエネルギー準位とほぼ等しいエネルギーを有するポンプ光Ｌ２の入射によって励起され、キャリア誘導放出部１８ａから外部に誘導放出され、蓄積されるキャリア密度が減少する。このとき井戸層１８からのキャリアの誘導放出により、波長λ２の誘導放出光が発生する。このポンプ光による誘導放出光は変調器出射端面から出力される変調光に混入するので、その強度は変調光出力に対して充分小さくしている。
【００３２】
このように、光吸収層１２内で発生したキャリアは井戸層１８内での誘導放出により消費され、光吸収層１２内にはほとんどキャリアは蓄積されず、したがって、印可電界がキャリアによりスクリーニングされて弱められることはない。また、井戸層１８内からのキャリアの誘導放出の緩和時間は０．１ｐｓ程度であり、１００ＧＨｚ以上の応答が可能となり、応答速度が４０Ｇｂｉｔ／ｓの光通信用としては十分高速である。
【００３３】
よって、本実施の形態１によれば、入射光として２０ｍＷ以上の高い強度の光を入力しても、光吸収層１２内で発生したキャリアは井戸層１８内から高速で誘導放出されるので、高周波の消光特性が劣化しない半導体光変調器が得られる。
【００３４】
なお、本実施の形態１では、光変調器１０の印可電圧をＤＣ電圧としたが、印可電圧に、サンプリング機能、波形成形機能及び雑音抑制機能等をもたせるための信号を重畳することもできる。
【００３５】
（実施の形態２）
本発明の第２の実施形態について図３及び図４（ａ），（ｂ）を参照して以下に説明する。本実施の形態２は、実施の形態１で説明した半導体光変調器と、ポンプ光を発生する光源用としてのＤＦＢレーザとを同一の半導体チップ基板上にモノリシックに集積化したものである。図３は本実施の形態２に係る集積化された半導体光装置の概略全体構成を示す斜視図であり、図４（ａ），（ｂ）は、それぞれ図３に示す切断線Ａ−Ａ’，Ｂ−Ｂ’における断面図である。
【００３６】
図３において、２０は光変調器部、２１はポンプ光発生用のＤＦＢレーザ部、２２は外部から入力されるＣＷ光Ｌ１と素子内部を導通するポンプ光Ｌ２とを合体するカップラ部、２３はＣＷ光導波部である。
【００３７】
図４（ａ）に示す光変調器部２０の断面構成は図１に示す実施の形態１と同様の構成である。即ち、ｎ−導電型ＩｎＰ基板１１上にＩｎＧａＡｓＰ光吸収層１２、ｐ−導電型ＩｎＰクラッド層１３、ｐ−導電型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１４、ＳｉＯ２絶縁膜１５、Ｔｉ／Ａｕアノード電極１６が形成され、基板１１の底面部にＴｉ／Ａｕカソード電極１７が形成されている。また、井戸層１８を光吸収層１２内に挟み込むように形成し、井戸層１８のバンドギャップエネルギーは光吸収層１２のバンドギャップエネルギーよりも小さい値としている。
【００３８】
図４（ｂ）に示すポンプ光発生用ＤＦＢレーザ部２１とＣＷ光導波部２３を含む断面構成では、ポンプ光発生用ＤＦＢレーザ部３１の下部領域を含む基板１１内に、ＩｎＧａＡｓＰの多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層２５が形成され、さらにその下部に回折格子で形成されたＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層２４が形成されている。ポンプ光発生用ＤＦＢレーザ部２１の上部は、絶縁膜１５を介してｐ−導電型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１４の上部と部分的に接するＤＦＢレーザ用Ｔｉ／Ａｕアノード電極２７を有する。
【００３９】
一方、ＣＷ光導波部２３の下部領域を含む基板１１内には、ＩｎＧａＡｓＰのコア層２６が、活性層２５と同じ深さレベルに形成され、ｐ−導電型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１４の上部はＳｉＯ２絶縁膜１５で被膜されている。コア層２６の組成ＩｎＧａＡｓＰは使用波長に対して光吸収の小さい組成よりなる。
【００４０】
以下、本実施の形態２の動作・作用について図３及び図４（ａ），（ｂ）を参照して説明する。外部から入力されたＣＷ光Ｌ１とポンプ光発生用ＤＦＢレーザ部２１で発生された素子内部のポンプ光Ｌ２は、カップラ部２２で合波されて光変調器部２０に到達する。ＣＷ光Ｌ１は光変調器部２０で強度変調されて変調光Ｌｏｕｔとして出力される。この動作過程で光吸収層１２内で発生したキャリアは、実施の形態１で説明したように、井戸層１８内での誘導放出により消費され、光吸収層１２内にはほとんどキャリアは蓄積されず、出射端面からは前述の強度変調された変調光Ｌｏｕｔが得られる。
【００４１】
よって、本実施の形態２によれば、入射光として２０ｍＷ以上の高い強度の光を入力しても、光吸収層１２内で発生したキャリアは井戸層１８内から高速で誘導放出されるので、高周波の消光特性が劣化しない半導体光変調器が得られる。さらに、ポンプ光発生用光源と光変調器を同一基板上にモノリシックに集積したので、半導体光装置を小型化でき、製造コストを低減できる効果がある。
【００４２】
（実施の形態３）
本発明の第３の実施の形態について図５及び図６を参照して以下に説明する。本実施の形態３は、実施の形態２で説明した半導体光変調器と、ポンプ光発生用光源としてのＤＦＢレーザと、ＣＷ光発生用光源としてのＤＦＢレーザ等の半導体光素子を同一の半導体チップ基板上にモノリシックに集積化したものである。図５は本実施の形態３に係る集積化された半導体光装置の概略全体構成を示す斜視図であり、図６は図５に示す切断線Ｂ−Ｂ’における断面図である。図５の切断線Ａ−Ａ’　における断面図は，実施の形態２の図４（ａ）に示す断面構成と同一であるので、ここではその説明を省略している。
【００４３】
図５において、２０は光変調器部、２１はポンプ光発生用ＤＦＢレーザ部、２２はＣＷ光Ｌ１とチップ素子内部を導通するポンプ光Ｌ２とを合体するカップラ部、３１はＣＷ光発生用ＤＦＢレーザ部である。
【００４４】
図６に示すポンプ光発生用ＤＦＢレーザ部２１とＣＷ光発生用ＤＦＢレーザ部３１を含む断面構成では、ポンプ光発生用ＤＦＢレーザ部２１の下部領域を含む基板１１内に、ＩｎＧａＡｓＰの多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層２５が形成され、さらにその下部に回折格子で形成されたＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層２４が形成されている。ポンプ光発生用ＤＦＢレーザ部２１は、絶縁膜１５を介してｐ−導電型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１４の上部と部分的に接するＤＦＢレーザ用Ｔｉ／Ａｕアノード電極２７を有する。
【００４５】
一方、ＣＷ光発生用ＤＦＢレーザ部３１の下部領域を含む基板１１内には、ＩｎＧａＡｓＰの多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層３３が形成され、さらにその下部に回折格子で形成されたＩｎＧａＡｓＰの光ガイド層３２が形成されている。ｐ−導電型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１４の上部には、ＳｉＯ２絶縁膜１５を介して部分的に接しているＤＦＢレーザ用Ｔｉ／Ａｕアノード電極３４が形成されている。
【００４６】
以下、本実施の形態３の動作・作用について図５及び図６を参照して説明する。ＣＷ光発生用ＤＦＢレーザ部３１で発生されたＣＷ光Ｌ１とポンプ光発生用ＤＦＢレーザ部２１で発生されたポンプ光Ｌ２は、カップラ部２２で合波されて光変調器部２０に到達する。ＣＷ光Ｌ１は光変調器部２０で強度変調されて変調光Ｌｏｕｔとして出力される。この変調動作過程で光吸収層１２内で発生したキャリアは、実施の形態１で説明したように、井戸層１８内での誘導放出により消費され、光吸収層１２内にはほとんどキャリアは蓄積されず、出射端面からは前述の強度変調された変調光Ｌｏｕｔが得られる。
【００４７】
よって、本実施の形態３によれば、入射光として２０ｍＷ以上の高い強度の光を入力しても、光吸収層１２内で発生したキャリアは井戸層１８内から高速で誘導放出されるので、高周波の消光特性が劣化しない半導体光変調器が得られる。さらに、ＣＷ光発生用光源とポンプ光発生用光源と光変調器を同一基板上にモノリシックに集積したので、半導体光装置を小型化でき、製造コストを低減できる効果がある。
【００４８】
（実施の形態４）
本実施の形態４は、実施の形態１で説明した半導体光変調器において、変調器素子の端面に反射膜を形成して２枚の平面反射膜を対向させて配置したファブリペロー共振器構成を有し、光を閉じ込め誘導放出を起こし易くしたことを特徴としている。
【００４９】
本実施の形態４について図７及び図８を参照して以下に説明する。図７は、本実施の形態４に係る電界吸収型半導体光変調器４０の概略構成を示す斜視図、図８は、本実施の形態４に係るファブリペロー共振器構成における入射光波長と透過率との関係を示すグラフ図である。
【００５０】
一般に、ファブリペロー共振器構成では、外側から光周波数νで単位強度の光を反射膜に対し垂直に入射させた場合、入射光は２つの反射膜の間で反射を繰返して多重干渉が起こる。このような共振器構成の光変調器を透過した光の強度は光周波数νに対し周期的に変動し、特定の光周波数（即ち、共振光周波数）において大きさ１のピークを持つ。
【００５１】
即ち、図７及び図８に示すように、光変調器の長さをＬ、光変調器の実効屈折率をｎとして、ＣＷ光Ｌ１の波長λ１は、反射膜と光変調器の長さとで決まるファブリペロー共振器の透過領域内の透過率ピーク位置（Ｐ１）近傍にあり、ポンプ光Ｌ２の波長λ２はその反射領域内の透過率最小位置（Ｐ２）近傍にあるように構成している。この場合、透過率ピーク波長間隔（Δλ）は、λ２／ｎＬで表される。
【００５２】
図７において、４１と４２は、それぞれ光変調器４０の光出射面および光入射面にＳｉＯ２とシリコンを積層して形成された多層反射膜である。ＣＷ光Ｌ１はファブリペロー共振器での反射が小さいので、変調光を効率よく取出すことができる。一方、ポンプ光Ｌ２は、光変調器内で共振するので、キャリアの誘導放出を効率的に行うことができる。
【００５３】
よって、本実施の形態４によれば、入射光として２０ｍＷ以上の高い強度の光を入力しても、高周波の消光特性が劣化しない半導体光変調器が得られる。さらに、光変調器の出射端面から出力されるポンプ光の強度が変調光に対して小さいため、外部に取りつける波長フィルタを簡易なものとすることができ、半導体光装置の低コスト化が可能となる。
【００５４】
（実施の形態５）
本発明の第５の実施例について図９及び図１０を参照して以下に説明する。本実施の形態５は、実施の形態１において、ポンプ光を発生する光源として面発光レーザ、好ましくは面発光レーザのアレイを用い、これらの面発光レーザのアレイを光変調器の上部に配置したことを特徴とする。図９は本実施の形態５に係る半導体光装置の全体構成を示す斜視図であり、図１０は、図９の切断線Ａ−Ａ’における断面図である。
【００５５】
図９及び図１０において、５１は光変調器１０の上部に配置した面発光レーザアレイであり、各面発光レーザ単体の断面構成を示す図１０において、５２は半絶縁性ＩｎＰ基板、５３はｎ−導電型ＩｎＰクラッド層、５４はＩｎＧａＡｓＰ活性層、５５はｐ−導電型ＩｎＰクラッド層、５６はｐ−導電型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、５７及び５８はＴｉＯ２／ＳｉＯ２を集積した多層反射膜、５９はＴｉ／Ａｕアノード電極、６０はＳｉＯ２絶縁膜、６１はＴｉ／Ａｕ台ボンド用メタル、６２はＴｉ／Ａｕカソード電極である。
【００５６】
以下、本実施の形態５の動作・作用について図９及び図１０を参照して説明する。各面発光レーザ５１のアノード電極５９からカソード電極６２間に順方向電流を注入すると、基板５２の裏面からレーザ光が射出される。これをポンプ光Ｌ２として使用し、光変調器１０の光吸収層１２に照射することにより、光吸収層１２内の井戸層１８に蓄積したキャリアを誘導放出させる。ポンプ光Ｌ２はＣＷ光Ｌ１及びその変調光Ｌｏｕｔの進行方向に対してほぼ直角に交差するので、変調器出射端面から出力されるポンプ光の強度を変調光に対して更に小さくできる。
【００５７】
よって、本実施の形態５によれば、入射光として２０ｍＷ以上の高い強度の光を入力しても、高周波の消光特性が劣化しない半導体光変調器が得られる。さらに、光変調器の出射端面から出力されるポンプ光の強度が変調光に対して小さいため、外部に取りつける波長フィルタを簡易なものとすることができ、半導体光装置の低コスト化が可能となる。
【００５８】
（実施の形態６）
本発明の第６の実施形態について図１１を参照して以下に説明する。本実施の形態６は、実施の形態２と同様に、半導体光変調器と、ポンプ光を発生する光源用としてのＤＦＢレーザとを同一の半導体チップ基板上にモノリシックに集積化したものであり、実施の形態２との相違点は、ポンプ光発生用ＤＦＢレーザ２１の出力光Ｌ２の進行方向とＣＷ光Ｌ１の進行方向とが互いに逆方向となるように集積配置したことである。図１１は本実施の形態６に係る集積化された半導体光装置の全体構成を示す斜視図であり、その動作は実施の形態２で述べたものと同じであるので、ここではその説明を省略する。
【００５９】
本実施の形態６よれば、ポンプ光の出力が、ＣＷ光と合波するカップラ部２２で変調光の出力Ｌｏｕｔ方向にはほとんど反射されないので、変調光出力に混入するポンプ光の出力強度を実施の形態２の場合よりも更に小さくできる。
【００６０】
よって、本実施の形態によれば、入射光として２０ｍＷ以上の高い強度の光を入力しても、高周波の消光特性が劣化しない半導体光変調器が得られる。さらに、光変調器の出射端面から出力されるポンプ光の強度が変調光に対してより小さくできるため、外部に取りつける波長フィルタを簡易なものとすることができ、半導体光装置の低コスト化が可能となる。
【００６１】
（実施の形態７）
本発明の第７の実施形態について図１２を参照して以下に説明する。本実施の形態７は、実施の形態３と同様に、半導体光変調器２０と、ポンプ光発生用光源としてのＤＦＢレーザ２１と、ＣＷ光発生用光源としてのＤＦＢレーザ３１とを同一の半導体チップ基板上にモノリシックに集積化したものである。
【００６２】
実施の形態３との相違点は、実施の形態６と同様に、ポンプ光発生用ＤＦＢレーザ２１の出力光Ｌ２の進行方向とＣＷ光Ｌ１の進行方向とが互いに逆方向となるように集積配置したことである。図１２は本実施の形態７に係る集積化された半導体光装置の全体構成を示す斜視図であり、その動作は実施の形態３で述べたものと同じであるので、ここではその説明を省略する。
【００６３】
本実施の形態７よれば、ポンプ光の出力が、ＣＷ光と合波するカップラ部２２で変調光の出力Ｌｏｕｔ方向にはほとんど反射されないので、変調光出力に混入するポンプ光の出力強度を実施の形態３の場合よりも更に小さくできる。
【００６４】
よって、本実施の形態によれば、入射光として２０ｍＷ以上の高い強度の光を入力しても、高周波の消光特性が劣化しない半導体光変調器が得られる。さらに、光変調器の出射端面から出力されるポンプ光の強度が変調光に対してより小さくできるため、外部に取りつける波長フィルタを簡易なものとすることができ、半導体光装置の低コスト化が可能となる。
【００６５】
（実施の形態８）
実施の形態１〜７では、フランツケルディッシュ効果を用いた電界吸収型光変調器について記載したが、本発明はこれに限定されるものではなく、外部印可電圧によって光変調器内部に発生される電界を用いて、光吸収により光変調器内に生成されるキャリアを熱的拡散よりも速く外部に強制的に排出する機能を具備する吸収型光変調器であればよい。例えば、半導体の多重量子井戸（ＭＱＷ）の量子シュタルク効果を用いる導波路型ＭＱＷ光変調器でもよい。
【００６６】
本実施の形態８は、量子閉じ込めシュタルク効果を用いた電界吸収型光変調器に関し、図１３を参照して以下に説明する。図１３は、本発明の実施の形態８に係る電界吸収型半導体光変調器の光吸収層近傍のエネルギーバンドギャップを示す模式図である。図１３に示すように、本実施の形態では光吸収層１２はＩｎＧａＡｓＰの多重量子井戸（ＭＱＷ）構成を有している。量子閉じ込めシュタルク効果を用いた電界吸収型光変調器では、光吸収層１２内に形成された多重量子井戸（ＭＱＷ）層１８の内部に光吸収により発生したキャリアが蓄積する。
【００６７】
このキャリア密度の増大を抑制するために、使用波長λ１（＝ｈｃ／Ｅ１）よりも波長の短いλ２（＝ｈｃ／Ｅ２）の光をポンプ光として用いる。したがって、ここではλ１＞λ２であり、ポンプ光のエネルギーの方が使用入力ＣＷ光のエネルギーよりも高く、Ｅ１＜Ｅ２としている。このようなポンプ光を用いて、各井戸層１８内に蓄積されたキャリアのうちポンプ光のエネルギーＥ２よりも高い準位に存在するキャリアを誘導放出させて消費する。
【００６８】
これにより、各井戸層内のキャリアはポンプ光のエネルギーレベルよりも低い準位のキャリアのみが存在することになり、キャリア密度を入力ＣＷ光の強度によらず一定に保つことが可能となる。
【００６９】
よって、本実施の形態８によれば、入射光強度の大小によらず常に一定の消光特性の得られる電界吸収型光変調器が実現でき、２０ｍＷ以上の高い強度の光を入力しても、高周波の消光特性が劣化しない半導体光変調器が得られる。
【００７０】
なお、本実施の形態８では、光吸収層に多重量子井戸（ＭＱＷ）構成を用いて量子閉じ込めシュタルク効果を利用した電界吸収型光変調器としているが、光吸収層はバルク結晶であってもよく、この場合は、電圧印可によるバンド端シフトはフランツケルディッシュ効果となる。
【００７１】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、入射光として２０ｍＷ以上の高い強度の光を入力しても、光吸収層内で発生したキャリアは井戸層内から高速で誘導放出されるので、高周波の消光特性が劣化しない半導体光変調器が得られる。また、ＣＷ光発生用光源とポンプ光発生用光源と光変調器を同一基板上にモノリシックに集積した場合、半導体光装置を小型化でき、製造コストを低減できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電界吸収型半導体光変調器の概略構成を示す斜視図。
【図２】図１に示す電界吸収型半導体光変調器の光吸収層近傍のエネルギーバンドギャップを説明するための模式図。
【図３】本発明の実施の形態２に係る集積化された半導体光装置の概略全体構成を示す斜視図。
【図４】（ａ）は図３に示す切断線Ａ−Ａ’、（ｂ）は図３に示す切断線Ｂ−Ｂ’における断面図。
【図５】本発明の実施の形態３に係る集積化された半導体光装置の概略全体構成を示す斜視図。
【図６】図５に示す切断線Ｂ−Ｂ’における断面図。
【図７】本発明の実施の形態４に係る電界吸収型半導体光変調器の概略構成を示す斜視図。
【図８】本発明の実施の形態４に係るファブリペロー共振器構成における入射光波長と透過率との関係を示すグラフ図。
【図９】本発明の実施の形態５に係る半導体光装置の全体構成を示す斜視図。
【図１０】図９の切断線Ａ−Ａ’における断面図。
【図１１】本発明の実施の形態６に係る集積化された半導体光装置の全体構成を示す斜視図。
【図１２】本発明の実施の形態７に係る集積化された半導体光装置の全体構成を示す斜視図。
【図１３】本発明の実施の形態８に係る電界吸収型半導体光変調器の光吸収層近傍のエネルギーバンドギャップを説明するための模式図。
【図１４】従来の電界吸収型半導体光変調器の概略斜視図。
【図１５】図１４に示す従来の光吸収層近傍のエネルギーバンドギャップを示す模式図。
【符号の説明】
１０，２０，４０　半導体光変調器、　　１１　ＩｎＰ基板、　　１２　ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層、　　１３　ＩｎＰクラッド層、　　１４　ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、　　１５　ＳｉＯ２絶縁膜、　　１６　Ｔｉ／Ａｕアノード電極、　　１７　Ｔｉ／Ａｕカソード電極、　　１８　ＩｎＧａＡｓＰ井戸層、　　２１　ポンプ光発生用ＤＦＢレーザ部、　　２２　カップラ部、　　２３　ＣＷ光導波部、　　２４　光ガイド層、　　２５　多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層、２６　ＩｎＧａＡｓＰコア層、　　２７　ＤＦＢレーザ用Ｔｉ／Ａｕアノード電極、　　３１　ＣＷ光発生用ＤＦＢレーザ、　　３２　ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層、　　３３　多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層、　　３４　ＤＦＢレーザ用Ｔｉ／Ａｕアノード電極、　　４１，４２　多層反射膜、　　５１　面発光レーザアレイ、　　５２　半絶縁性ＩｎＰ基板、　　５３　ＩｎＰクラッド層、　　５４　ＩｎＧａＡｓＰ活性層、　　５５　ＩｎＰクラッド層、　　５６　ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、　　５７、５８　多層反射膜、　　５９　Ｔｉ／Ａｕアノード電極、　　６０　ＳｉＯ２絶縁膜、　　６１　Ｔｉ／Ａｕ台ボンド用メタル、　　６２　Ｔｉ／Ａｕカソード電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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