(57)【要約】【課題】　固定床接触反応器における温度の不均衡分布を、簡単かつ比較的安価に最小限にすることができる固定床接触反応器およびそれを用いるプロセス流体の転化方法を提供する。【解決手段】　プロセス流体を転化するための固定床接触反応器が開示される。この反応器は上部および下部触媒床を有し、プロセス流体は、上部および下部触媒床を通って流れながら接触転化される。上部および下部触媒床間には混合域が配置され、また、プロセス流体の流れに対して傾斜した流体ジェットを混合域中に注入して、プロセス流体をジェットに同伴し、且つプロセス流体を混合域全域で半径方向に混合するための少なくとも一つのノズルが提供される。【選択図】　　　図１
2004058059.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　プロセス流体を転化するための固定床接触反応器であって、
（１）それらを通って流れるプロセス流体を転化するための上部および下部触媒床；
（２）前記上部および下部触媒床間の混合域；および
（３）少なくとも一つの流体ジェットを前記混合域に注入する手段
を含み、
　前記流体ジェットの方向は、前記プロセス流体を半径方向に混合するために、前記上部および下部触媒床間の前記プロセス流体の流れに対し傾斜していることを特徴とする接触反応器。
【請求項２】
　前記プロセス流体は、前記上部触媒床から、前記混合域および前記下部触媒床を通って下方に流れ、前記流体ジェットは、前記プロセス流体の流れに対して上向きに傾斜していることを特徴とする請求項１に記載の接触反応器。
【請求項３】
　前記混合域と前記下部触媒床の間に、分配域を更に含むことを特徴とする請求項１または２に記載の接触反応器。
【請求項４】
　前記注入手段は、内向き且つ上向きに傾斜した複数のノズルを含み、それらによって前記プロセス流体を同伴するための複数の対向流体ジェットを提供することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の接触反応器。
【請求項５】
　触媒床の周りにプロセス流体を流すためのバイパスを含み、前記バイパスは、前記流体ジェットに接続されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の接触反応器。
【請求項６】
　前記上部触媒床の上から、前記反応器の外側に沿って、前記混合域中まで下向きに伸びる複数のバイパス導管を含み、それらによって前記プロセス流体の一部を前記上部触媒床周りにバイパスし、また前記導管は、各々その端部にノズルを有し、それによって対向流体ジェットを提供することを特徴とする請求項５に記載の接触反応器。
【請求項７】
　円筒形であり、また前記ノズルは、前記混合域の側壁下部に設置され、且つ上向きに傾斜し、前記ノズルから、前記混合域上面をその直径に沿って横切りその直径の２／３〜その直径の距離だけ離れた、前記混合域上面上の位置を指していることを特徴とする請求項５または６に記載の接触反応器。
【請求項８】
　前記ノズルは、下記式：
【数１】
2004058059.tif 000005
（式中、Ｈは前記混合域上面から下向きにノズルまでの距離であり、Ｔは前記混合域の直径である）
で表されるθ゜とθ’゜の間の大きさの傾斜角を、水平面から上向きに有することを特徴とする請求項１に記載の接触反応器。
【請求項９】
　前記反応器は、円筒形であり、前記ノズルは、θ゜〜θ゜＋１０゜の傾斜角を有することを特徴とする請求項８に記載の接触反応器。
【請求項１０】
　前記反応器は、円筒形であり、前記ノズルは、下記式：
【数２】
2004058059.tif 000006
（式中、ｄはノズル出口の直径であり、Ｈは前記混合域上面から下向きにノズルまでの距離であり、θは水平面から上向きのノズルの傾斜角（°）である）
で規定される出口開口を有することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の接触反応器。
【請求項１１】
　下流側端部が外向きにフレアされた単一のノズルを有する導管を含み、また前記ノズルからの前記流体ジェットを外向き且つ上向きに偏向させるための、前記導管の端部から間隔を置いて配置されたデフレクターを含むことを特徴とする請求項１に記載の接触反応器。
【請求項１２】
　前記フレアされたノズルおよびデフレクターの形態は、前記流体ジェットを、前記導管の端部と前記デフレクターの間に外向き且つ上向きに３６０゜流すものであることを特徴とする請求項１１に記載の反応器。
【請求項１３】
　上部および下部触媒床、並びに前記上部および前記下部触媒床間の混合域を含む固定床接触反応器中における、プロセス流体の転化方法であって、
　前記上部および下部触媒床、並びに前記混合域を通してプロセス流体を流し、前記プロセス流体を転化する工程；および
　前記混合域中に、少なくとも一つの流体ジェットを、前記上部触媒床からの前記プロセス流体の流れに対して傾斜させて注入し、前記プロセス流体が前記下部触媒床中に流れる前に、前記混合域全域で前記プロセス流体を半径方向に混合する工程
を含むことを特徴とする転化方法。
【請求項１４】
　前記プロセス流体は、前記上部触媒床から、前記混合域および前記下部触媒床を通って下方に流れ、前記流体ジェットは、前記混合域において、前記プロセス流体の下向きの流れに対して上向きに傾斜していることを特徴とする請求項１３に記載の転化方法。
【請求項１５】
　前記流体ジェットは、レイノルズ数が３０００を超える乱流であることを特徴とする請求項１３または１４に記載の転化方法。
【請求項１６】
　前記反応器は、円筒形であり、前記ノズルは、下記式：
【数３】
2004058059.tif 000007
（式中、Ｈは前記混合域上面から下向きにノズルまでの距離であり、Ｔは前記混合域の直径である）
で表されるθ゜とθ’゜の間の大きさの傾斜角を、水平面から上向きに有することを特徴とする請求項１３〜１５のいずれかに記載の転化方法。
【請求項１７】
　前記反応器は、円筒形であり、前記ノズルは、下記式：
【数４】
2004058059.tif 000008
（式中、ｄはノズル出口の直径であり、Ｈは前記混合域上面から下向きにノズルまでの距離であり、θは水平面から上向きのノズルの傾斜角（°）である）
で規定される出口開口部を有することを特徴とする請求項１６に記載の転化方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、固定床反応器におけるプロセス流体の混合に関する。より詳しくは、本発明は、固定床反応器における触媒床間にジェット力を注入して、プロセス流体の半径方向の混合を提供する方法および手段に関する。
【背景技術】
【０００２】
　固定床反応器は、石油精製および化学製品の分野において、水素化分解、水素処理、改質およびその他の処理（脱硫、脱窒素および芳香族飽和など）にしばしば用いられる。これらの反応器は通常円筒形で（そうではないこともあるが）、直径は約６ｍ（２０フィート）以上に至り、高さはしばしば約２０フィート、用途によっては３０ｍ（１００フィート）超に及ぶ。固定床反応器には触媒粒子が充填される。これは典型的には約１〜２ｍｍの大きさだが、それより小さくても、大きくてもよい。典型的には、反応器は複数の触媒床を有し、反応器の用途によっては二つ以上の触媒床を有する。石油精製および石油化学工業においては、反応器への通常の原料は油であり、またこれに水素が含まれる場合がある。水素の目的は、反応器の運転上の機能、例えば原料を水素化脱硫するか、窒素を除去するか、芳香族を飽和されるか、または原料を水素化分解するかに依存する。
【０００３】
　固定床装置内での反応に関する共通の問題は、殆どの反応が発熱性であること、即ち、原料が反応器を通って流れる際にプロセス流体の温度が上昇することである。更に、これらの処理は、半径方向の温度の不均衡分布のため制約を受ける。これらの温度の不均衡分布は、安全上および運転上の重大な問題を引き起こす。例えば、触媒床における温度の不均衡分布のため、水素化分解装置の安全運転用窓に関し制約を受けることがよくある。安全面の問題に加え、温度の不均衡分布は、触媒の早期失活を引き起こし、その運転期間を非常に短くしてしまう。また、温度の不均衡分布はしばしば、生成物選択性を不十分にしたり、水素消費をより高くする。
【０００４】
　半径方向の温度の不均衡分布、即ち、触媒床の直径に沿った温度変動が非常に有意な場合があり、この変動が、触媒床の長さに沿った温度上昇と同程度の大きなものとなることもしばしばある。横方向の温度の不均衡分布は、多くの原因によって起こりうる。不均一な流れがある（触媒床のある領域における垂直方向の流れが、触媒床の他の領域より高いことを意味する）ことによる場合もある。流体がより長時間触媒床中におかれると、温度がより高いレベルに上昇し、従って装置の断面部分に沿って温度勾配を引き起こすことがある。このような不均一な流れが、局所的なファウリング、例えば触媒床におけるポリマーまたはコークの形成に起因する障害物によって引き起こされることもある。不均一な流れはまた、均一でなく、従って、より高密度に充填された領域においてより迅速に障害物を生じさせるような触媒の充填によって引き起こされることもある。半径方向の温度の不均衡分布を引き起こす原因には、その他多くの十分に理解されないものもありうる。しかし、非常に大きな半径方向の温度の不均衡分布があり得る点に関しては疑問の余地がない。
【０００５】
　通常、触媒床における温度の不均衡分布は下流側の次の触媒床に伝播されるが、これは触媒床における半径方向の混合が不十分なことによる。反応速度（熱発生速度）は温度と共に増大するので、この伝播された不均衡分布は更に増幅される。この「雪だるま」効果が危険な温度をもたらし、上記の安全上および運転上の問題、暴走反応、触媒の失活および触媒の溶融凝集をもたらす結果になりかねない。
【０００６】
　上流の触媒床から下流の触媒床に温度の不均衡分布が伝播されないようにするため、反応温度を制御し、半径方向の混合をもたらすクエンチボックス（例えば、特許文献１に開示される）が、しばしば触媒床間に配置される。しかし、クエンチボックスは高価である。またクエンチボックスは、既存の反応器に後付けすることが困難である。
【０００７】
　固定床接触反応器における温度の不均衡分布を最小限にするための簡単かつ比較的安価な技術に対する必要性があることは明らかである。
【０００８】
【特許文献１】米国特許第４，９６０，５７１号明細書
【特許文献２】米国特許第５，４８４，５７８号明細書
【特許文献３】米国特許第５，７９９，８７７号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
　本発明によれば、プロセス流体を転化するための固定床接触反応器は、それらを通って流れるプロセス流体を転化するための上部および下部触媒床を含む。触媒床の間には混合域が配置され、また、触媒床間のプロセス流体の流れに対し傾斜している少なくとも一つの流体ジェットを混合域中に注入して、プロセス流体をジェット中に同伴し、且つプロセス流体を混合域全域で半径方向に混合する手段が提供される。この反応器は、触媒床および混合域を通してプロセス流体を流してプロセス流体を転化し、次いで少なくとも一つの流体ジェットを混合域中に、プロセス流体の流れに対して傾斜させて注入し、プロセス流体をジェットに同伴させ、混合域全域でプロセス流体を半径方向に混合する、という方法により、プロセス流体を転化するのに用いることができる。
【００１０】
　流下式反応器においては、流体ジェットを混合域の下部に配置し、プロセス流体の流れに対して上向きに傾斜させる。流上式反応器においては、流体ジェットを混合域の上部に配置し、プロセス流体の流れに対して下向きに傾斜させる。
【００１１】
　特定の形態においては、流下式固定床接触反応器は円筒形であり、ノズルは混合域内の、混合域の底面と側壁の交点近傍に配設される。ノズルは上向きに傾斜し、ノズルから、混合域上面をその直径に沿って横切りその直径の２／３〜その直径の距離だけ離れた、混合域上面上の位置を指している。この配置においてノズルは、上部触媒床からのプロセス流体の流れに対して上向きの流体ジェットを注入し、プロセス流体をジェット中に同伴し、プロセス流体が下部触媒床中に流れる前に、混合域全域でプロセス流体を半径方向に混合する。
【００１２】
　ジェットは、周囲の流体をジェット中に同伴することによって混合する。従って、混合域内に誘発された流れは、ジェット流れ自体より大きく、急速な混合をもたらす。ジェットによって同伴される流体の量は、レイノルズ数、ジェットの膨張角度およびジェットの長さの関数である。
【００１３】
　よって、本発明によれば、ジェット混合を用いることによって、触媒床間で半径方向の温度の均一性が達成される。以下に述べるように、ジェット流体源は、反応器外部のもの、および／または高速で上部触媒床を横切ってバイパスされるプロセス流体の一部であってよい。ジェットは一つ以上用いることができる。更に、混合を最大限にするためバッフル板およびジェットノズルを用いてもよい。またジェット流体源は、注入されたクエンチ流体であってもよい。
【００１４】
　従って本発明は、ジェット混合を用いることによって、触媒床間に半径方向の混合を提供し、固定床接触反応器における温度の不均衡分布を最少にするための簡単かつ比較的安価な手段および方法を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
　図１および２を参照すると、プロセス流体を転化するための円筒形の固定床接触反応器１０が示されている。反応器１０は、上部触媒床１２、および上部触媒床１２の下の下部触媒床１４を有する。これらは、入口導管１１を通って反応器１０に入り、上部触媒床１２、混合域１６、下部触媒床１４を通って流下して、出口導管２６より反応器を出るプロセス流体を転化する。混合域１６は、プロセス流体が通過するための多孔質上板（面）１８および多孔質底（面）２０を有する。或いは、下部床１４の上面は、混合域１６の底面として機能するものであってもよい。上部触媒床１２からのプロセス流体の流れ（下方向の矢印で表される）に対して上向きに傾斜した少なくとも一つの流体ジェット２４を混合域１６中に注入し、プロセス流体が底面２０を通って下部触媒床中１４に流れる前に、プロセス流体を半径方向に混合するための、ノズル２２を含む手段が混合域１６に提供される。
【００１６】
　混合域１６は、反応器１０内を横方向に広がっており、断面積は上部および下部触媒床１２、１４と実質的に同じであり、ノズル２２と上面１８の間にも、ノズル２２と反応器１０の内壁表面の間にも、流体ジェット２４を邪魔する障害物が全くない単一の仕切りのない室を形成する。
【００１７】
　好ましくは、混合域１６と下部触媒床１４の間に分配域３０が配置される。固定床反応器においては、複数の触媒床を用い、各対の触媒床の間にガスまたは液体を注入することは一般的である。触媒床間への注入は、消費された反応体を補充し、発熱反応後のプロセス流体を急冷し、または異なる原料ストリームを導入するのに必要とされることがある。触媒床が異なる触媒を含む場合には、幾分異なる反応を単一の槽内で行うことが可能である。全ての場合において、各触媒床の上部で良好な流体分配を確立することは重要である。適切な分配器系はよく知られており、例えば特許文献１、２および３に開示されるものである。
【００１８】
　ノズル２２は、ノズルは混合域１６内の、反応器１０の底面２０と側壁２３の交点近傍に配設される。ノズル２２は、好ましくは、利用および保守が容易にできるように側壁２３に設置される。しかし、混合域１６の底面２０上にノズルを配置してもよい。
【００１９】
　ノズル２２によって形成される流体ジェット２４の放出速度およびノズル２２の出口開口は、流体ジェットが混合域１６の内部を横切り、混合域１６の上面１８（ノズルの反対側）まで貫通するのに適切な値を有する。流体ジェットは乱流であり、レイノルズ数が３０００より大である。好ましくは、ノズル２２の出口開口は下記式で規定される。
【数１】
2004058059.tif 000003
（式中、ｄはノズル出口の直径であり、Ｈは混合域上面から下向きにノズルまでの距離であり、θは水平面から上向きのノズルの傾斜角（°）である）
　この方程式において、ノズルの出口直径および距離Ｈはいずれも、通常そうであるように同じ単位（例えばメートルまたはフィート）である。
【００２０】
　特に図３および４を参照すると、好ましくは、ノズル２２は上向きに傾斜し、ノズル２２から、混合域１６上面をその直径に沿って横切りその直径の２／３〜その直径の距離だけ離れた、混合域１６上面上の位置を指す。ノズルは、上部触媒床１２からのプロセス流体の流下する流れに対して流体ジェット２４を注入し、図２〜４の湾曲矢印で示されているように、流体ジェット２４内にプロセス流体を同伴する。それによってプロセス流体は、プロセス流体が下部触媒床１４中に流れる前に、混合域１６全域で半径方向に混合される。
【００２１】
　図３および４を参照すると、ノズル２２は下記式：
【数２】
2004058059.tif 000004
（式中、Ｈは混合域上面から下向きにノズルまでの距離であり、Ｔは混合域の直径である）
で表されるθ゜（図４）とθ’゜（図３）の間の大きさの傾斜角を、水平面から上向きに有する。
【００２２】
　好ましくは、ノズル２２は、水平面から上向きにθ゜（図４に示される）〜θ゜＋１０゜の傾斜角を有する（θは上記に定義されている通りである）。より好ましくは、ノズル２２は、水平面から上向きに、図４に示されている傾斜角θ°を有する。
【００２３】
　本発明の一実施形態においては、ジェット流体は、外部源１９から注入されるクエンチ流体である（図１）。容易に理解されるように、本発明は種々の接触処理で適切に用いられる。それにより、反応体または部分的に反応した反応体、およびクエンチ流体は均一に混合され、このような物質の温度プロフィールまたはこれらの組成、或いはその両方が制御される。実際、クエンチ流体は、反応器で行われる処理の性質に応じて、いかなるガス、液体またはガスおよび液体の混合物であってもよい。クエンチ流体はしばしば水素を含む。
【００２４】
　従って本発明は、ジェットの速度および方向が全ての流れを混合するクエンチストリームを提供し、プロセス流体が次の触媒床１４に入る前に、より均一な半径方向の温度を有する混合された全ての流れを提供する。上記のように、流体ジェット２４の放出速度およびノズル２２の出口開口は、流体ジェットが混合域１６の内部を横切り、混合域１６の上面１８（ノズルの反対側）まで貫通するのに適切な値を有し、またレイノルズ数が３０００より大の乱流である流体ジェットを提供することが必要である。ノズルを出るクエンチストリームは非常に高速（例えば３００フィート／秒）であり、この速度が、上部触媒床１２からのプロセス流体の流れに対して乱流の流体ジェットに方向付けを行うエネルギーを提供し、その結果、プロセス流体の一部を流体ジェット２４に同伴し、プロセス流体が下部触媒床１４中に流れる前に、プロセス流体を混合域全域で半径方向に混合する。
【００２５】
　本発明によるプロセス流体のジェット混合は、全てのプロセス流体を混合域１６で混合するのに十分な速い噴出速度を有する注入クエンチストリームを提供する。従って本発明は、クエンチ流体を注入することを提供するが、それはプロセス流体流れの一部と混合するためだけでなく、全ての全プロセス流体流れと混合し、プロセス流体流れを、それが次の触媒床１４に入る前に、温度の点からより均一にするためのものともなる。
【００２６】
　図５および６を参照すると、プロセス流体を同伴（湾曲矢印で示されている）するために、内向きに方向付けられ且つ上向きに傾斜した複数のノズル４０〜４３を用いてプロセス流体が注入され、複数の対向流体ジェット４４〜４７が提供される。この実施形態においては、ノズル４０〜４３は、混合域１６の内周に等間隔に配置される。
【００２７】
　図７を参照すると、反応器には、上部触媒床１２を下向きに通過し、それをバイパスする導管７０が含まれる。導管７０は、ノズル部分７１および外向きにフレアされた端部７２（ノズル部分７１の下流側）を有する。フレアされた端部７２から間隔を置いて偏向台７３が配置され、湾曲矢印で示されているように、フレアされた端部を出る流体ジェットを外向き且つ上向きに偏向させる。フレアされた端部７２を出る流体ジェットは、フレアされた端部７２および偏向台７３の間に、半径方向に外向き且つ上向きに３６０°流れる。
【００２８】
　図８は、導管８０が上部触媒床１２を通過し、それをバイパスしている他の実施形態を示す。導管８０は、その下側端部にノズル部分８１を有する。ノズル部分８１の下にある、上向きに尖った円錐形構造物の形状を有する偏向手段８３は、湾曲矢印で示されているように、ノズル部分８１を出る流体ジェットを外向き且つ上向きに偏向するように提供される。
【００２９】
　図７および８の実施形態は、触媒床の上部が、プロセス流体でない物質（例えば、粉塵粒子、スラッジなど）の蓄積の結果非常に汚染された場合、自動的なバイパスを提供することができるものである。そのような非プロセス流体物質の蓄積が原因で、新鮮触媒を充填した反応器を始動させて数ヶ月以内に、触媒床全域の圧力降下が増大する。この増大に対しては、反応器を停止して、反応器の清浄化（および場合によっては反応器への触媒の再補充）のために、反応器内への再入を可能にすることが必要となることもある。再入を遅らせるために、図７および８の実施形態を、まず浅い触媒床で用いることができる。触媒床が清浄なときは、殆どの流れは触媒床に行き、バイパスチューブに行く流れは殆どない。しかし、触媒床が汚染するにつれて、触媒床およびチューブ全域の圧力降下が増大し、結果として、チューブに入り触媒床をバイパスするプロセス流体流れがより多くなる。
【００３０】
　図２に示されるように、流体ジェット源は、上部触媒床１２を通過する上部触媒床バイパス導管２９、上部触媒床１２の上流側で反応器を出るバイパス導管２８、および／または反応器外部の供給源２７を通じて導入することができる。
【００３１】
　先行技術では、効率を最大にするため、このようなバイパスチューブにおいて高いエネルギーを用いることはなかった。しかし、図７および８の実施形態は、このエネルギーを用いて、プロセス流体を、プロセス流体が次の触媒床に入る前に混合域１６で混合するものである。
【００３２】
　本発明の反応器は、いかなる固定床処理においても（例えば、水素添加、水素化脱硫、水素化脱窒素、水素化、水素仕上げおよび水素化分解よりなる群から選ばれる一種以上の処理において、プロセス流体を転化する水素化処理装置など）用いることができる。またこの反応器は、芳香族飽和処理によるプロセス流体の転化や、改質処理（水素を用いても用いなくてもよい）によるプロセス流体の転化にも用いることができる。
【００３３】
　ジェット流体混合は、例えば図９に示されるようにして、流上式反応器でも行うことができる。図９では、反応体は、反応器１１０の底部１２６またはその近傍に入り、矢印で示されるように、下部触媒床１１４および上部触媒床１１２を通って上向きに流れる。そして反応生成物は、反応器１１０の頂部１１１またはその近傍で除去される。この実施形態においては、ノズル１２２を含む手段は、混合域１１６の頂部または上部に提供され、下部触媒床１１４からのプロセス流体の上向きの流れに対して、少なくとも一つの下向きに傾斜された流体ジェット１２４を混合域１１６中に注入して、プロセス流体が混合域１１６の上面１１８を通って上部触媒床１１２中に流れる前に、プロセス流体を半径方向に混合する。
【実施例】
【００３４】
　次は、図２の単一ジェットの実施形態の一例として為された算出値である。
　　反応器の直径：３．６６ｍ（１２フィート）
　　混合域の高さ：０．９ｍ（３フィート）
　　触媒床の面速度：０．１５ｍ秒−１（０．５フィート／秒）
　　流体ジェットの密度（ρ）：３２ｋｇ．ｍ−３（２ｌｂ／フィート３）
　　Ｖｆｌｏｗ／Ｖｊｅｔ：＞１０
　　反応器の流速（Ｖｆｌｏｗ）：１．６ｍ３秒−１（５６．５フィート３／秒）
　　ジェットの流速（Ｖｊｅｔ）：０．９ｍ３秒−１（３フィート３／秒）
　　ジェットノズルの大きさ：４６ｍｍ（１．８インチ）
　　ジェットノズルにおける圧力降下（ΔＰ）：４７ｋＰａ（６．９ｐｓｉ）
　　一回転の時間：６秒
【００３５】
　ノズルを出るジェットストリーム２４の速度は少なくとも１０．６ｍ秒−１（３５フィート／秒）であり、５２ｍ秒−１（１７０フィート／秒）のオーダーとすることができる。ノズルの放出速度は、乱流の流体ジェットを上部触媒床１２からのプロセス流体の流れに対して方向付け、その結果プロセス流体の一部を流体ジェット２４に同伴させ、且つプロセス流体が下部触媒床１４中に流れる前に、プロセス流体を混合域１６全域で半径方向に混合するのに十分なエネルギーを提供するため、好ましくは１０．６ｍ秒−１（３５フィート／秒）〜９９ｍ秒−１（３２５フィート／秒）の範囲である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】固定床反応器の側面図であり、一部は、上部および下部触媒床間の、プロセス流体を半径方向に混合するための単一のノズルを有する領域を示す断面図である。
【図２】図１の混合域の概略図であり、単一のノズルで形成された流体ジェットによるプロセス流体の同伴を示す。
【図３】図１の実施形態における、プロセス流体を半径方向に混合するための好ましい最大ノズル仰角を表す図である。
【図４】図１の実施形態における、プロセス流体を半径方向に混合するための好ましい最少ノズル仰角を表す図である。
【図５】触媒床間の領域でプロセス流体を半径方向に混合するために、内向き且つ上向きの複数のノズルが提供され、ノズルが上部触媒床を通過する導管の下端にある、本発明の他の実施形態の概略図である。
【図６】図５の線６−６に沿った断面図である。
【図７】ノズルが上部触媒床を通過する導管の下端にある、本発明の他の実施形態の概略図である。
【図８】ノズルが上部触媒床を通過する導管の下端にある、プロセス流体を触媒床間の領域で半径方向に混合するための本発明の更に他の実施形態の概略図である。
【図９】プロセス流体を半径方向に混合するための、下向きの単一のノズルを有する領域を、上部および下部触媒床間に有する固定床反応器の側面図（一部は断面図）である。
【符号の説明】
【００３７】
　１０、１１０　固定床接触反応器
　１１、１１１　入口導管（反応器頂部）
　１２、１１２　上部触媒床
　１４、１１４　下部触媒床
　１６、１１６　混合域
　１８、１１８　多孔質上板（面）（＝混合域の上面）
　１９　　　　　外部源
　２０　　　　　多孔質底板（面）（＝混合域の底面）
　２２、１２２　ノズル
　２３　　　　　側壁
　２４、１２４　流体ジェット
　２６、１２６　出口導管（反応器底部）
　２７　　　　　外部供給源
　２８　　　　　バイバス導管
　２９　　　　　上部触媒床バイバス導管
　３０　　　　　分配域
　４０〜４３　　ノズル
　４４〜４７　　対向流体ジェット
　７０、８０　　導管
　７１、８１　　ノズル部分
　７２　　　　　導管７０のフレアされた端部
　７３　　　　　偏向台（デフレクター）
　８３　　　　　偏向手段（デフレクター）
【図１】
2004058059.tif 000009
【図２】
2004058059.tif 000010
【図３】
2004058059.tif 000011
【図４】
2004058059.tif 000012
【図５】
2004058059.tif 000013
【図６】
2004058059.tif 000014
【図７】
2004058059.tif 000015
【図８】
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【図９】
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