(57)【要約】【課題】ウエハの処理空間における雰囲気の清浄化が必要なプロセスにおいて、ウエハの表面に付着する不純物を低減する。【解決手段】処理室１内でウエハＷの表面に対しウエハＷと略平行に処理用ガスを流しながら、ウエハＷを処理する基板処理装置において、ウエハＷを処理する処理用ガスでコーティングした不純物捕獲用のプレート１６を、ウエハＷの周囲にウエハＷと略平行に配置した状態で、ウエハＷに処理を施すようにした基板処理装置を提供する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内で基板の表面に対し該基板と略平行に処理用ガスを流しながら、該基板を処理する基板処理装置において、前記基板の周囲に処理用ガスにてコーティングしたプレートを設置したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記基板表面と前記プレート表面は略同一平面上にあることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記プレートの基材は石英からなることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記プレートはリング形状であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記プレートは前記処理室内に発生した不純物を捕獲することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記処理用ガスはシラン系ガスを含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記処理用ガスとはモノシランであり、前記処理とはＨＳＧの形成であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記処理とは、ゲート電極の形成、またはシリコン膜の形成、またはシリコン膜もしくはシリコンゲルマニウム膜のエピタキシャル成長、またはＨＳＧの形成のいずれかであることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項９】
処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内で基板の周囲に処理用ガスにてコーティングしたプレートを配置した状態で基板に対して処理用ガスを供給して、基板を処理する工程と、基板を処理室から搬出する工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
前記処理とは、ゲート電極の形成、またはシリコン膜の形成、またはシリコン膜もしくはシリコンゲルマニウム膜のエピタキシャル成長、またはＨＳＧの形成のいずれかであることを特徴とする請求項９記載の基板処理方法。
【請求項１１】
処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内で基板の周囲に処理用ガスにてコーティングしたプレートを配置した状態で基板に対して処理用ガスを供給して、基板を処理する工程と、基板を処理室から搬出する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記処理とは、ゲート電極の形成、またはシリコン膜の形成、またはシリコン膜もしくはシリコンゲルマニウム膜のエピタキシャル成長、またはＨＳＧの形成のいずれかであることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板表面にて高清浄度が要求される基板処理方法または半導体装置の製造方法と、その方法の実施に使用する基板処理装置とに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置（デバイス）の高性能化に伴い、成膜時に高清浄度な基板表面が要求されるプロセスが多くなってきている。例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）ではゲート電極形成時及びゲート、ソース、ドレイン部におけるシリコン膜のエピタキシャル成長時、チャネル部へのＳｉＧｅ膜エピタキシャル成長時、Ｂｉｐｏｌａｒ  ＴｒａｎｓｉｓｔｏｒではＢａｓｅ層へのＳｉＧｅエピタキシャル成長時、ＤＲＡＭではキャパシタ下部電極の表面積を増加させるＨＳＧ形成時等である。
【０００３】
これらのプロセスを行う場合、基板表面に例えば酸素などの不純物が存在すると成長不良及び欠陥の形成などに繋がる。例えばＨＳＧの形成においては、ウエハの表面状態によりＨＳＧの出来方が異なりやすいという困難性があり、そのため、ＨＳＧを形成するまでのウエハの表面状態を、如何に清浄に保つかが非常に重要な課題となっている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１５０８１５号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このため、例えば高真空にて前記のプロセスを行いウエハ上における不純物等の汚染物質を低減させるが、処理室をシールするために用いられているＯリングから発生するＣ（炭素）やＯ（酸素）等を含むガスやシリコンウエハ上に形成されているＣＶＤ酸化膜から発生するＨ２Ｏ（水分）などによりウエハ上に不純物が付着する可能性がある。
【０００６】
本発明の目的は、基板の処理空間における雰囲気の清浄化が必要なプロセスにおいて、基板の表面に付着する酸素等の不純物を低減する技術を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の特徴とするところは、処理室内で基板の表面に対し該基板と略平行に処理用ガスを流しながら、該基板を処理する基板処理装置において、前記基板の周囲に処理用ガスにてコーティングしたプレートを設置したことを特徴とする基板処理装置にある。
【０００８】
本発明の第２の特徴とするところは、第１の特徴において、前記基板表面と前記プレート表面は略同一平面上にあることを特徴とする基板処理装置にある。
【０００９】
本発明の第３の特徴とするところは、第１の特徴において、前記プレートの基材は石英からなることを特徴とする基板処理装置にある。
【００１０】
本発明の第４の特徴とするところは、第１の特徴において、前記プレートはリング形状であることを特徴とする基板処理装置にある。
【００１１】
本発明の第５の特徴とするところは、第１の特徴において、前記プレートは前記処理室内に発生した不純物を捕獲することを特徴とする基板処理装置にある。
【００１２】
本発明の第６の特徴とするところは、第１の特徴において、前記処理用ガスはシラン系ガスを含むことを特徴とする基板処理装置にある。
【００１３】
本発明の第７の特徴とするところは、第１の特徴において、前記処理用ガスとはモノシランであり、前記処理とはＨＳＧの形成であることを特徴とする基板処理装置にある。
【００１４】
本発明の第８の特徴とするところは、第１の特徴において、前記処理とは、ゲート電極の形成、またはシリコン膜の形成、またはシリコン膜もしくはシリコンゲルマニウム膜のエピタキシャル成長、またはＨＳＧの形成のいずれかであることを特徴とする基板処理装置にある。
【００１５】
本発明の第９の特徴とするところは、処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内で基板の周囲に処理用ガスにてコーティングしたプレートを配置した状態で基板に対して処理用ガスを供給して、基板を処理する工程と、基板を処理室から搬出する工程と、を有することを特徴とする基板処理方法にある。
【００１６】
本発明の第１０の特徴とするところは、第９の特徴において、前記処理とは、ゲート電極の形成、またはシリコン膜の形成、またはシリコン膜もしくはシリコンゲルマニウム膜のエピタキシャル成長、またはＨＳＧの形成のいずれかであることを特徴とする基板処理方法にある。
【００１７】
本発明の第１１の特徴とするところは、処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内で基板の周囲に処理用ガスにてコーティングしたプレートを配置した状態で基板に対して処理用ガスを供給して、基板を処理する工程と、基板を処理室から搬出する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法にある。
【００１８】
本発明の第１２の特徴とするところは、第１１の特徴において、前記処理とは、ゲート電極の形成、またはシリコン膜の形成、またはシリコン膜もしくはシリコンゲルマニウム膜のエピタキシャル成長、またはＨＳＧの形成のいずれかであることを特徴とする半導体装置の製造方法にある。
【００１９】
【発明の実施の形態】
図１に、実施の形態による基板処理装置を示す。この基板処理装置は、一度に１枚または２枚の被処理基板としてのウエハＷ（Ｗ１、Ｗ２）を処理可能なホットウォール型の枚葉式装置として構成されている。ウエハＷを処理する処理室１と、処理室１内に処理用ガスを供給するガス供給口２と、処理室１内で１枚または２枚のウエハＷを支持する支持具３と、支持具３を挟んでガス供給口２と反対側に設けられた排気口９とを備え、ウエハＷの周囲に処理用ガスによりコーティングされたプレート１６を配置した状態で、ウエハＷ表面と略並行に処理用ガスを流してウエハＷを処理するようにしたことを特徴とするものである。本実施の形態では、この基板処理装置を用いてＨＳＧを形成する処理を行う場合について説明する。
【００２０】
反応管１５により形成される処理室１は、ゲートバルブ７を介して搬送室８と連結されている。処理室１のガス供給口２には、処理用ガスとしてのモノシランガス（ＳｉＨ４）やパージ用ガスとしての窒素ガス等の不活性ガスを供給する供給ラインが接続されている。モノシランは、ジシランよりも成長速度が遅いので、ＨＳＧの形成を制御し易い。またモノシランは、シリコンを含む化合物ガスの中でジクロルシランよりも低温で成長するので、下地のアモルファスシリコン膜が結晶化されないようにするのに有効である。尚、モノシランガスの流量は、所定流量となるように図示せぬ流量制御手段によって制御される。
【００２１】
一方、処理室１内におけるウエハＷ１、Ｗ２を挟んでガス供給口２の反対側には、真空ポンプ１０に通じる排気口９が接続されている。従って、ガス供給口２から供給されたＳｉＨ４ガスは、ウエハＷ１、Ｗ２に対し該ウエハＷ１、Ｗ２の平坦面と略平行に一方向に流された後、排気口９を経由し真空ポンプ１０で吸引される。
【００２２】
支持具３は、ウエハＷ１、Ｗ２を上下２段に中心を揃えて棚状に保持する。支持具３はウエハＷ１、Ｗ２の周囲に配置されるリング状のプレート１６を具備している（詳細は後述する）。このリング状プレート１６のリングの内側に設けられた後述する支持部１７によってウエハＷ１、Ｗ２が支持される。なおプレート１６の形状は、特に限定されるものではなく、平面視において、その外形が四角形、楕円形、又は非対称な円形等であってもよい。
【００２３】
さらに支持具３は、ウエハＷ１、Ｗ２の間に、これらウエハＷ１、Ｗ２と並列に、後述するヒータ４、５からの熱を遮断する熱遮断プレート６を保持している。熱遮断プレート６は、ウエハＷ１、Ｗ２と同様に平面視円形に形成されており、その径はプレート１６の外径と等しくされている。但し、熱遮断プレート６の径はプレート１６の外径より大きくしてもよい。また、熱遮断プレート６の形状は、特に限定されるものではなく、平面視において、四角形、楕円形、又は非対称な円形等であってもよい。
【００２４】
ヒータ４、５は、処理室１の外において該処理室１を上下に挟み込むように配置されている。上側のヒータ４は、上側のウエハＷ１の上平坦面に対向する位置に配置されている。下側のヒータ５は、下側のウエハＷ２の下平坦面に対向する位置に配置されている。
【００２５】
これら対面式のヒータ４、５は上下で構造が同じである。ヒータ４、５の各々は、複数（例えば５つ）に分割されてなる分割型抵抗加熱ヒータである。加熱源として、分割抵抗加熱ヒータを採用したことにより、温度均一性を短時間で確保することが容易である。また、分割された各部を独立して通電制御することにより、ＨＳＧ膜の安定形成に必要なウエハＷの温度分布を±０．５℃に保てる。尚、ヒータ４、５は、図示せぬ温度制御手段によって、それぞれ独立に通電制御される。
【００２６】
また、これらヒータ４、５の周りには、それぞれ該ヒータを取り囲むようにしてそれぞれ断熱材１１、１２が設けられている。
【００２７】
図２（ａ）は、支持具３のプレート１６を平面方向からみた図であり、図２（ｂ）は、その断面図を示す。図２（ａ）に示すように、プレート１６はリング形状であり、ウエハＷの周囲に同心円状に配置されている。プレート１６には、ウエハＷが平面方向に遊びをもって通過し得るサイズを有し、当該プレート１６の厚さ方向に貫通する貫通口１８が形成されている。この貫通口１８の下側の開口部には、ウエハＷの裏面を支持する少なくとも３つ（ここでは４つ）の支持爪１７が設けられている。これら支持爪１７によってウエハＷの支持部が構成されている。
【００２８】
また、図２（ｂ）に示すように、プレート１６は、ウエハＷと略同じ厚さであり、貫通口１８の上側の開口部から支持爪１７のウエハ載置面までの深さを、ウエハＷの厚さと略一致させている。これにより、当該各支持爪１７によってウエハＷが支持されたときには、該ウエハＷの表面と、プレート１６の表面とが略同一平面上に配置されることになる。
【００２９】
また、貫通口１８は、平面視においてプレート１６の略中央に形成されている。従って、各支持爪１７によってウエハＷが支持されたときには、該ウエハＷの周囲に当該プレート１６が配置される（ウエハＷはその全周がプレート１６によって取り囲まれる）ことになる。すなわち、プレート１６は、該プレート１６の支持爪１７によりウエハＷを支持したときに、平面視においてウエハＷがプレート１６からはみ出さないサイズを有している。
【００３０】
このプレート１６は、処理室１内におけるウエハＷ１、Ｗ２及び処理室１内雰囲気に含まれるＣ（炭素）やＯ（酸素）やＨ２Ｏ（水分）等の不純物等の汚染物質を捕獲するための不純物捕獲プレートとして構成されている。効率良く不純物を捕獲（ゲッタリング）するために、プレート１６は不純物の捕獲確率がシリコンと同等かそれ以上の物質の原料ガスでコーティングするのが好ましい。本実施形態では、ウエハＷ１、Ｗ２の処理用ガスと同一のガス（ここではＳｉＨ４ガス）でプレート１６をコーティングしている。
【００３１】
またプレート１６の素材（基材）としては、石英（ＳｉＯ２）やＳｉＣ等が挙げられるが、Ｃによる汚染を防止できるという観点からは石英が好ましい。本実施形態では基材を石英としている。またプレート１６の表面には凹凸を形成するのが好ましい。例えば、石英からなる板状体の平坦面に凹凸を形成し、該凹凸が形成された面を処理用ガス（ここではＳｉＨ４ガス）でコーティングしてなるプレート１６を用いてもよい。
【００３２】
またウエハＷ１、Ｗ２の間に配置される熱遮断プレート６についても、ゲッタリング用プレート１６と同様に、不純物の捕獲確率がシリコンと同等かそれ以上の物質の原料ガスでコーティングするのが好ましい。本実施では、ウエハＷ１、Ｗ２の処理用ガスと同一のガス（ここではＳｉＨ４ガス）で熱遮断プレート６をコーティングしている。また熱遮断プレート６の素材（基材）については、石英やＳｉＣ等が挙げられるが、Ｃ（炭素）による汚染を防止できるという観点からは石英が好ましい。本実施形態では基材を石英としている。また熱遮断プレート６の表面には凹凸を形成するのが好ましい。本実施形態では、石英からなる板状体の平坦面に凹凸を形成し、該凹凸が形成された面を処理用ガス（ここではＳｉＨ４ガス）でコーティングしてなる熱遮断プレート６を用いる。ここで、凹凸の形状は任意である。
【００３３】
以下、半導体デバイスの製造工程の一工程として、本基板処理装置を用いてＨＳＧを形成する方法について説明する。
【００３４】
前提として、ウエハＷ１、Ｗ２には、ＨＳＧの下地となるアモルファスシリコン膜を形成しておく。また、アモルファスシリコン膜が形成されたウエハＷ１、Ｗ２を、例えば希釈フッ酸水溶液で洗浄しておく。これにより、ウエハＷ１、Ｗ２上における自然酸化膜やＮＨ４ＯＨ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ等の混合液によって形成される化学酸化膜等が除去される。
【００３５】
まず、搬送室８と処理室１との圧力を窒素パージにより近似させる。そして、ゲートバルブ７を開けた後、上記の洗浄済みウエハＷ１、Ｗ２を搬送室８に配置されたウエハ搬送ロボットにより処理室１内に搬入する（基板搬入工程）。搬送室８は、常に窒素でパージされており、該搬送室８内の不純物物質がウエハＷ１、Ｗ２の表面に付着しないようにしている。
【００３６】
次いで、これら２枚のウエハＷ１、Ｗ２を、ウエハ搬送ロボットにより支持具３に移載する。ウエハＷ１、Ｗ２は、処理室１内において、熱遮断プレート６を挟み込むように配置される。ウエハＷ１、Ｗ２は、それぞれプレート１６の貫通口１８に設けられた各支持爪１７により支持される。これにより、ウエハＷ１、Ｗ２はプレート１６の貫通口１８内部に収まり、リング状のプレート１６がウエハＷ１、Ｗ２の周囲に配置された状態となる。
【００３７】
次いで、基板処理工程を行う。まず処理室１内に搬入されたウエハＷ１、Ｗ２は、ヒータ４、５によって、予め設定された温度（例えば５５０〜６２０℃）で温度安定化が図られる。このとき、ヒータ４、５をそれぞれ個別に給電制御する。ここで、温度安定時間は例えば５分である。また、温度安定化のときにおける処理室１内の雰囲気は、高真空又はアモルファスシリコン膜と反応しない非反応性ガス（例えば窒素ガス等の不活性ガス）雰囲気とする。
【００３８】
次いで、ガス供給口２からＳｉＨ４ガスを供給する。すると、ウエハＷ１、Ｗ２の表面に対し該ウエハと略平行にＳｉＨ４ガスが流れる。これにより、ウエハＷ１、Ｗ２におけるアモルファスシリコン膜の表面に微細な結晶核が形成される。ここで、ＳｉＨ４ガスは、例えば毎分２５〜２００ｃｃの割合で、２〜４０分流す。
【００３９】
次いで、ＳｉＨ４ガスの供給を止め、アモルファスシリコンの表面に形成した結晶核をシリコン原子のマイグレーションにより成長させる。これにより、アモルファスシリコン膜上にＨＳＧが形成される。ここで、ＨＳＧの成長時間は、例えば３〜３０分である。
【００４０】
次いで、処理室１にてＨＳＧ形成した後、ゲートバルブ７を開け、搬送室８に配置されたウエハ搬送ロボットにより処理室１内の処理済みウエハＷ１、Ｗ２を搬出して、当該処理を終了する。
【００４１】
本基板処理装置によれば、次のような効果が得られる。
（１）プレート１６をウエハＷの周囲に配置した状態で処理するようにしたので、ウエハＷに付着しようとする不純物を該ウエハＷではなくプレート１６に付着させることができる。これにより、プレート１６を用いない場合に比べると、ウエハＷに付着する不純物を飛躍的に低減できる。また、プレート１６は、ウエハＷと略平行に配置されるので、処理室１内におけるＳｉＨ４ガスの流れを乱さずに、不純物を適切に捕獲できる。
【００４２】
（２）プレート１６はリング状に形成されており、このリング形状のプレート表面が、不純物を付着させる不純物付着領域として機能する。これにより例えば、未処理ウエハＷを処理室１へ搬送する際に、カセット室や搬送室８等から該処理室１内へ流れ込んでしまった不純物、処理室１内を外部からシールするＯリング（図示せず）等のシール部材におけるリークによって処理室１内に侵入した不純物、又は該Ｏリングその他の部品から放出したガス中の不純物等が、ウエハＷに付着する前に、プレート１６における不純物付着領域で捕獲される。従って、ウエハＷに付着する不純物を低減でき、その結果、ウエハ表面の清浄度が向上して、ＨＳＧ成長阻害を防止できる。
【００４３】
（３）処理室１で行われるＨＳＧの形成処理は、ウエハＷ表面状態に大きく影響を受けるプロセスである。ここで、ウエハＷ表面の清浄度は、処理室１の雰囲気に依存するところが大きい。そのため処理室１の構造的な改善並びに使用部品の見直しによる、例えばＯ２、Ｈ２Ｏ等外部からのリークや放出ガスの低減を図り、高清浄化を図ることが望まれる。この要請に対して本実施の形態によれば、不純物を捕獲するためのプレート１６を用いることにより、従来の処理室の構造並びに使用部品を何ら変更することなく、ウエハＷ表面の高清浄化を図ることを達成できる。
【００４４】
以上において、プレート１６には、ウエハＷの処理ガスと同一のガスであるＳｉＨ４ガス、もしくは不純物の捕獲確率がシリコンと同等かそれ以上の物質のガスを用いてシリコン（Ｓｉ）のコーティングを施しておくのが好ましい。Ｓｉのコーティングは、プレート１６の表面だけに施しても良いが、全表面をシリコンでコーティングしてもよい。このようにすれば、プレート１６の不純物付着効果を一層向上できる。
【００４５】
（４）また、並列に支持されたウエハＷ１、Ｗ２の間に、これらウエハと並列に熱遮断プレート６を配置した状態で、当該各ウエハＷ１、Ｗ２をヒータ４、５によって加熱するようにしたので、ヒータ４が下段のウエハＷ２に与える熱、及びヒータ５が上段のウエハＷ１に与える熱が、それぞれ熱遮断プレート６によって遮断されるか又は少なくとも緩和される。従って、ウエハＷ１、Ｗ２の表面（被処理面）の温度をそれぞれヒータ４、５によって個別に温度制御できる。これにより、ウエハ内及びウエハ間の温度分布を容易に均一にできる。その結果、ウエハ内、ウエハ間、及びバッチ間におけるＨＳＧ形成処理の均一性を向上できる。
【００４６】
（５）詳細には、本基板処理装置において、一対のヒータ４、５は、処理室１の外に配置されている。即ち、本基板処理装置は、ホットウォール型である。そのため、基板処理工程においては、処理室１の壁温度も高温になり、この壁からの輻射熱がウエハに与えられることになる。これに対し、熱遮断プレート６を用いることにより、ウエハＷ１の上平坦面に対向する壁からウエハＷ２に至る輻射熱、及びウエハＷ２の下平坦面に対向する壁からウエハＷ１に至る輻射熱が、それぞれ熱遮断プレート６によって、遮断されるか又は少なくとも緩和される。従って、各ヒータ４（５）の給電制御の応答が、ウエハＷ２（Ｗ１）の表面温度にあらわれにくい。そこで、ヒータ４（５）を用いてウエハＷ１（Ｗ２）の表面温度を個別に制御できるから、各ウエハの表面温度の制御が容易になる。その結果、２枚葉処理の均一性を向上できる。
【００４７】
（６）ウエハＷ１、Ｗ２を、これらウエハＷ１、Ｗ２の間に熱遮断プレート６を配置した状態で処理するようにしたので、ウエハＷ１、Ｗ２に付着しようとする不純物を該ウエハＷではなく熱遮断プレート６に付着させることができる。従って、不純物捕獲用のプレート１６による不純物除去作用と相俟って、ウエハＷに付着する不純物を更に低減できる。その結果、ウエハ表面の清浄度が向上して、ＨＳＧ成長阻害を防止できる。熱遮断プレート６は、ウエハＷの処理ガスでコーティングされているから、コーティングの無いプレートに比べると、不純物の捕獲確率を向上できる。
【００４８】
〔実施例〕
不純物捕獲用プレート１６を用いた場合と用いない場合とにおける面内でのＨＳＧの大きさのバラツキ具合を表すグラフを図３に示した。縦軸には、ＨＳＧに光を当てたときの反射率をとっている。反射率が高い程、ＨＳＧが大きいということを表す。横軸には、ウエハの面上におけるガス上流側をＦ（Ｆｒｏｎｔ）、ガス下流側をＢ（Ｂａｃｋ）とした場合のＦからＢにわたる位置座標（Ｆ→Ｂ座標）をとっている。ここでは、ウエハのノッチがＦに、トップがＢにそれぞれ対応している。
【００４９】
プレート１６を用いてＨＳＧを形成した場合には、図３において白丸にて示すように、グラフが略水平となった。これは、ＨＳＧの大きさのウエハ面内均一性が良好であることを示す。
【００５０】
一方、プレート１６を用いずにＨＳＧを形成した場合には、図３においてＸにて示すように、グラフに変動がみられた。特に、ガス最上流側（ノッチの部分）と最下流側（トップの部分）のＨＳＧ反射率がその他の部分に比べ低下している。これは、ウエハ面上における周端部のＨＳＧが、中央部のＨＳＧよりも小さくなってしまっており、ＨＳＧの大きさのウエハ面内均一性が良好ではないことを示す。
【００５１】
尚、プレート１６は、特に上記のもの限定される訳ではなく、適宜設計変更可能である。例えば、プレート１６には、上記貫通口１８に代えて、ザグリ等の有底の凹部を形成することとしてもよい。この場合は、支持爪１７が不要になり、ウエハＷが凹部の底面で支持されることになる。また、該凹部の深さをウエハＷの厚さと略一致させることにより、この凹部の底面によりウエハＷが支持されたときには、該ウエハＷの表面と、プレートの表面とが略同一平面上に配置されることになる。
【００５２】
また、本発明は、ＨＳＧの形成処理のみならず、成膜時に高清浄度の基板表面が要求されるプロセス、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）におけるゲート電極形成処理、及びゲート、ソース、ドレイン部におけるシリコン膜のエピタキシャル成長処理、チャネル部へのＳｉＧｅ膜エピタキシャル成長処理、Ｂｉｐｏｌａｒ  ＴｒａｎｓｉｓｔｏｒにおけるＢａｓｅ層へのＳｉＧｅエピタキシャル成長処理等にも適用できる。
【００５３】
【発明の効果】
本発明によれば、基板の処理空間における雰囲気の清浄化が必要なプロセスにおいて、該基板の表面に付着する不純物を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態による基板処理装置を示す図である。
【図２】プレートの一態様を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はその断面図である。
【図３】本発明の一実施例と比較例のウエハの面内におけるＨＳＧの大きさのバラツキを表したグラフである。
【符号の説明】
１  処理室
２  ガス供給口
３  支持具
４、５  ヒータ（加熱源）
９  排気口
１６  プレート
Ｗ（Ｗ１、Ｗ２）  ウエハ（基板）
【図１】
2004319693.tif 000003
【図２】
2004319693.tif 000004
【図３】
2004319693.tif 000005