(57)【要約】【課題】多波長光発生装置を安価な構成部材により構成する。【解決手段】光パルス発生器１から発生した光パルス２を、光導波路３及び光カプラ４を介してリング型光導波路５に入射させて周回させる。周回している光パルスを、リング型光導波路５中に備えた半導体光増幅器６にて周波数をシフトさせる。更に、リング型光導波路５の周回長を調節して、異なる回数の周波数シフトを受けた光パルスを、光カプラ４にて時間的に一致させるようにしている。異なる回数の周波数シフトを受け、且つ、時間的に一致した光パルス７は、光カプラ４及び光導波路３を介して出力され、多波長光変調装置２４にて符号化されて外部に出力される。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光パルスを繰り返し発生する光パルス発生器と、
光パルスを周回させるリング型光導波路と、
前記光パルス発生器で発生した光パルスを前記リング型光導波路に入射させて周回させると共に、前記リング型光導波路を周回してきた光パルスを取り出して外部に射出する光カプラと、
前記リング型光導波路中に設置されており、光パルスが通過する度にこの光パルスの周波数をシフトさせる少なくとも１つ以上の半導体光増幅器からなり、
異なる回数の周波数シフトを受けた光パルスが前記光カプラにおいて時間的に一致して出力されるように前記リング型光導波路の周回長が調節されていることを特徴とする多波長光発生装置。
【請求項２】
光パルスを繰り返し発生する光パルス発生器と、
光パルスを周回させるリング型光導波路と、
前記光パルス発生器で発生した光パルスを前記リング型光導波路に入射させて周回させると共に、前記リング型光導波路を周回してきた光パルスを取り出して外部に射出する光カプラと、
前記リング型光導波路中に設置されており、光パルスが通過する度にこの光パルスの周波数をシフトさせる少なくとも１つ以上の半導体光増幅器からなり、
異なる回数の周波数シフトを受けた光パルスが前記光カプラにおいて時間的に一致して出力されるように、前記リング型光導波路に沿う周回長を調節する少なくとも１つ以上の光可変遅延線が、前記リング型光導波路中に設置されていることを特徴とする多波長光発生装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の多波長光発生装置において、
出力部分に多波長光変調装置を備え、多波長光を符号化して出力することを特徴とする多波長光発生装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の多波長光発生装置において、
前記リング型光導波路内に設けた少なくとも１つ以上の光ゲートと、
前記リング型光導波路を周回中の光パルスに対して前記光ゲートが光パルス通過時のみ開くように制御するタイミング調節器とを備えていることを特徴とする多波長光発生装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の多波長光発生装置において、
前記リング型光導波路としてリング型半導体光導波路を使用し、
前記光パルス発生器で発生した光パルスを前記光カプラに導くと共に前記光カプラから射出された光パルスを外部にまで導く光導波路として半導体光導波路を使用し、
前記リング型半導体光導波路及び前記半導体光導波路を前記半導体光増幅器と共に半導体基板上に集積化することを特徴とする多波長光発生装置。
【請求項６】
請求項５記載の多波長光発生装置において、
光パルス発生器として半導体パルス光源を使用し、
多波長光変調装置として半導体多波長光変調器を使用し、
前記半導体パルス光源及び前記半導体多波長光変調器を、前記半導体光増幅器、前記半導体光導波路と共に半導体基板上に集積化することを特徴とする多波長光発生装置。
【請求項７】
請求項４または請求項５記載の多波長光発生装置において、
前記リング型光導波路としてリング型半導体光導波路を使用し、
前記光パルス発生器で発生した光パルスを前記光カプラに導くと共に前記光カプラから射出された光パルスを外部にまで導く光導波路として半導体光導波路を使用し、
前記光ゲートとして電界吸収型半導体光変調器を使用し、
前記リング型半導体光導波路及び前記半導体光導波路を、前記電界吸収型半導体光変調器及び前記半導体光増幅器と共に半導体基板上に集積化することを特徴とする多波長光発生装置。
【請求項８】
請求項７記載の多波長光発生装置において、
前記光パルス発生器として半導体パルス光源を使用し、
前記多波長光変調装置として半導体多波長光変調器を使用し、
前記半導体パルス光源及び前記半導体多波長光変調器を、前記電界吸収型半導体光変調器、前記半導体光増幅器、前記半導体光導波路と共に半導体基板上に集積化することを特徴とする多波長光発生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信や光計測の分野において利用される多波長光発生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光通信の波長分割多重伝送や光計測の高精度光周波数測定を行う上で、周波数間隔が高精度で等しく並んだ櫛型のスペクトルを持つ光を発生させる多波長光源の需要性が高まっている。櫛型スペクトルとして光パルス列のスペクトルを利用するパルス型多波長光源では、光源を駆動する高周波発振器の精度で光周波数間隔が決まり、その間隔精度は、例えばマイクロ波発振器を使用すれば、１ｋＨｚ以下となるため、上記の要求に応える多波長光源として注目されている。
【０００３】
多波長光源を波長分割多重伝送用光源、あるいは光周波数測定用基準光源として利用するためには、スペクトルの広帯域性も重要である。パルス型多波長光源の場合、そのスペクトル幅は光パルスの時間幅の逆数程度であり、この時間幅が狭い程、広帯域スペクトルとなる。実用レベルの通信用光源技術では、時間幅１０ｐｓの光パルスを発生させることは比較的容易であるが、１．５５μｍ帯でのそのスペクトル拡がりは０．３５ｎｍと狭い。
【０００４】
スペクトル幅を拡大させる方法としては、これまでに非線型光学効果の１つである自己位相変調効果を利用したスーパーコンティニウム発生が研究されている（例えば、特許文献１参照）。スーパーコンティニウム発生を利用した多波長光発生装置の典型的な構成は図１０のようになる。ここで、光パルス発生器０１から生成された光パルスは、高出力の光増幅器０２でピーク強度が増強される。その後、波長分散が特殊に制御された光非線型媒質０３を通ると自己位相変調効果のため、スペクトルが自発的に拡大する。
【０００５】
それらの高出力光増幅器０２、光非線型媒質０３は特殊であるため、極めて高額であり、多波長光源装置を構成する際の大きな問題であった。
【０００６】
【特許文献１】
特開平８−２３４２４９号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
周波数間隔の等しい櫛型のスペクトルを持つ光を広帯域化する従来のスーパーコンティニウム発生は、上述のような高出力の光増幅器や波長分散が特殊に制御された光非線型媒質を必要とし、高コストである。
【０００８】
本発明では、従来よりも一般的な光部品を使用して安価に構成できる多波長光発生装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する本発明の請求項１記載の多波長光発生装置によれば、光パルスを繰り返し発生する光パルス発生器と、光パルスを周回させるリング型光導波路と、前記光パルス発生器で発生した光パルスを前記リング型光導波路に入射させて周回させると共に、前記リング型光導波路を周回してきた光パルスを取り出して外部に射出する光カプラと、前記リング型光導波路中に設置されており、光パルスが通過する度にこの光パルスの周波数をシフトさせる少なくとも１つ以上の半導体光増幅器からなり、異なる回数の周波数シフトを受けた光パルスが前記光カプラにおいて時間的に一致して出力されるように前記リング型光導波路の周回長が調節されている多波長光発生装置であることを特徴とする。
【００１０】
請求項２記載の多波長光発生装置によれば、光パルスを繰り返し発生する光パルス発生器と、光パルスを周回させるリング型光導波路と、前記光パルス発生器で発生した光パルスを前記リング型光導波路に入射させて周回させると共に、前記リング型光導波路を周回してきた光パルスを取り出して外部に射出する光カプラと、前記リング型光導波路中に設置されており、光パルスが通過する度にこの光パルスの周波数をシフトさせる少なくとも１つ以上の半導体光増幅器からなり、異なる回数の周波数シフトを受けた光パルスが前記光カプラにおいて時間的に一致して出力されるように、前記リング型光導波路に沿う周回長を調節する少なくとも１つ以上の光可変遅延線が、前記リング型光導波路中に設置されている多波長光発生装置であることを特徴とする。
【００１１】
請求項３記載の多波長光発生装置によれば、出力部分に多波長光変調装置を備え、多波長光を符号化して出力する多波長光発生装置であることを特徴とする。
【００１２】
請求項４記載の多波長光発生装置によれば、前記リング型光導波路内に設けた少なくとも１つ以上の光ゲートと、前記リング型光導波路を周回中の光パルスに対して前記光ゲートが光パルス通過時のみ開くように制御するタイミング調節器とを備えている多波長光発生装置であることを特徴とする。
【００１３】
請求項５記載の多波長光発生装置によれば、前記リング型光導波路としてリング型半導体光導波路を使用し、前記光パルス発生器で発生した光パルスを前記光カプラに導くと共に前記光カプラから射出された光パルスを外部にまで導く光導波路として半導体光導波路を使用し、前記リング型半導体光導波路及び前記半導体光導波路を前記半導体光増幅器と共に半導体基板上に集積化する多波長光発生装置であることを特徴とする。
【００１４】
請求項６記載の多波長光発生装置によれば、光パルス発生器として半導体パルス光源を使用し、多波長光変調装置として半導体多波長光変調器を使用し、前記半導体パルス光源及び前記半導体多波長光変調器を、前記半導体光増幅器、前記半導体光導波路と共に半導体基板上に集積化する多波長光発生装置であることを特徴とする。
【００１５】
請求項７記載の多波長光発生装置によれば、前記リング型光導波路としてリング型半導体光導波路を使用し、前記光パルス発生器で発生した光パルスを前記光カプラに導くと共に前記光カプラから射出された光パルスを外部にまで導く光導波路として半導体光導波路を使用し、前記光ゲートとして電界吸収型半導体光変調器を使用し、前記リング型半導体光導波路及び前記半導体光導波路を、前記電界吸収型半導体光変調器及び前記半導体光増幅器と共に半導体基板上に集積化する多波長光発生装置であることを特徴とする。
【００１６】
請求項８記載の多波長光発生装置によれば、前記光パルス発生器として半導体パルス光源を使用し、前記多波長光変調装置として半導体多波長光変調器を使用し、前記半導体パルス光源及び前記半導体多波長光変調器を、前記電界吸収型半導体光変調器、前記半導体光増幅器、前記半導体光導波路と共に半導体基板上に集積化する多波長光発生装置であることを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を、図を参照して説明する。
【００１８】
＜第１の実施の形態＞
図１は、本発明における第１の実施の形態の多波長光発生装置の構成図である。光パルス発生器１から繰り返し生成される光パルス２のスペクトルは図２（ａ）  のような櫛型スペクトルとなる。光パルス２は、光導波路３を通り、光カプラ４を介してリング型光導波路５に入射し、リング内を周回する。その光パルスが半導体光増幅器６に入射すると光周波数がシフトし、図２（ｂ）  のようなスペクトルを持つ光パルスとなる。ここで、半導体光増幅器６で光パルスの周波数がシフトする原因は、次の理由による。
【００１９】
即ち、光パルスが半導体光増幅器６に入射し、光増幅が開始されるとキャリアが消滅していき、キャリア密度が低下する。これによりキャリアのプラズマ効果で屈折率が増加し、光の位相φ（ｔ）  も図３のように増大する。この時、光パルス中心付近の位相変化はφ（ｔ）  ＝αｔ（α：定数）となるので、周波数ωの光の位相ｅｘｐ（−ｉωｔ）はｅｘｐ（−ｉωｔ  ＋ｉφ（ｔ））＝ｅｘｐ（−ｉ（ω−α）ｔ）と変化し、周波数（ω−α）へシフトすることになる。
かかる現象（光パルスの周波数シフト現象）は、次に示す非特許文献にも示されており、特にこの文献のＦｉｇ．３、Ｆｉｇ．１３に顕著に示されている。
【００２０】
Ｇ．  Ｐ．  Ａｇｒａｗａｌ  ｅｔ  ａｌ．，  ”Ｓｅｌｆ−ｐｈａｓｅ  ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ  ａｎｄ  ｓｐｅｃｔｒａｌ  ｂｒｏａｄｅｎｉｎｇ  ｏｆ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｐｕｌｓｅｓ  ｉｎ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｌａｓｅｒ  ａｍｐｌｉｆｉｅｒｓ  ”，ＩＥＥＥ  ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  ｖｏｌ  ．２５，ｎｏ．１１，２２９７−２３０６，１９８９．
【００２１】
さて、半導体光増幅器６を通過した光パルスが光カプラ４に到達し、光パルス発生器１から生成された図２（ａ）  と同じスペクトルを持つ次の光パルスと合成されると図２（ｃ）  のようなスペクトルになる。ここで、リングを周回した光パルスが、光パルス発生器１から生成された次の光パルスと光カプラ４で時間的に一致するようにリング（リング型光導波路５）の周回長を調節しておく。
【００２２】
なお、リング（リング型光導波路５）の周回長を調節する代わりに、リング型光導波路５に沿う周回長を調節する光可変遅延線を、リング型光導波路５中に設置するようにしてもよい。
【００２３】
図２（ｃ）  のようにスペクトルの合成された光パルスは再びリングを周回し、半導体光増幅器６で再度周波数シフトを受けると図２（ｄ）  のようなスペクトルになる。さらに、そのようなスペクトルを持つ光パルスが光カプラ４に達し、再びスペクトルの合成が行われると図２（ｅ）  のようなスペクトルになる。このようにしてスペクトルは光パルスがリングを周回する度に拡大されていき、図２（ｆ）  のようになる。そのようなスペクトルを持つ光は、光パルス７として光カプラ４を通して外部に取り出される。光パルス７が多波長光変調装置２４を通過すると符号化された多波長光となって出力される。
【００２４】
以上のような構成により、符号化された多波長光を生成する多波長光発生装置を構成することができる。
【００２５】
なお、半導体光増幅器６は、リング内で発振せず、リングの光損失を補償するように利得値を設定する。
光導波路３、リング型光導波路５は、線型光媒質で作製する。
また、光カプラ４、半導体光増幅器６の出力特性に偏波依存性がある場合は、光導波路３、リング型光導波路５を偏波保持光ファイバ、あるいは偏波コントローラを内蔵した光ファイバ、あるいは半導体光導波路で作製する。
また、本多波長光発生装置は、リング部分では発振しないため、温度上昇はほとんどなく、特別な温度調節装置を必要としない特徴を持つ。
【００２６】
＜第２の実施の形態＞
図４に第２の実施の形態にかかわる多波長光発生装置を示す。第１の実施の形態における多波長光発生装置において、リング中に光ゲート８を設置し、更に光パルス通過時のみ開くように光ゲート８を制御するタイミング調節器を備えることにより、第２の実施の形態にかかわる多波長光発生装置を構成することができる。
【００２７】
このタイミング調節器は、高周波信号を生成する高周波発振器９と、前記高周波信号を光ゲート８および光パルス発生器１に伝えて駆動する高周波ケーブル１０，１１と、前記高周波信号に従って開閉される光ゲート８と前記高周波信号に従った光パルス列を同期させるように位相関係を調節する位相調節器１２で構成される。位相調節器１２は、高周波ケーブル１０、または高周波ケーブル１１の上に設置することができる。または、位相調節のために高周波ケーブル１０あるいは高周波ケーブル１１の長さを調整してもよい。また、光ゲート８としては、電界吸収型半導体光強度変調器、あるいはマッハ−ツェンダ型ＬｉＮｂＯ３  光強度変調器を使用することができる。
【００２８】
図５に示すように周期的な高周波信号で生成された光パルス列と光ゲート８の開閉動作は共に周期的である。位相調節器１２により前記光パルス列と光ゲート８の開閉位置を図５のように調節すれば、光ゲート開放時には光パルスはリング内を周回し、それ以外の時には光ゲート８は閉鎖され、半導体光増幅器６から発生する自然放出光などの光雑音が削減された光パルスを得ることができる。そのため、リング内の自然放出光の蓄積による半導体光増幅器６の発振も同時に抑制することができる。
【００２９】
このようにして光雑音が少なく、半導体光増幅器６の発振が抑制できる多波長光発生装置を構成することができる。
【００３０】
＜第３の実施の形態＞
図６に第３の実施の形態にかかわる多波長光発生装置を示す。第１の実施の形態における図１の光導波路３、リング型光導波路５の代わりに、半導体光導波路１３、リング型半導体光導波路１４を備えて、第３の実施の形態にかかわる多波長光発生装置を構成することができる。また、直線部分（半導体光導波路）１３がリング部分（リング型半導体光導波路）１４に最接近する部分を光の波長程度離して設計すれば、モード結合が生じて光カプラ４ａとなる。また、直線部分１３とリング部分１４をモノリシックに接合し、ＭＭＩカプラとしてもよい。
【００３１】
半導体光導波路１３、リング型半導体光導波路１４を半導体光増幅器６と共に半導体基板１５の上に作製している。このため、異なる回数の周波数シフトを受けた光パルスが光カプラ４ａ（またはＭＭＩカプラ）で時間的に一致して出力されるように周回長を正確に作製できる小型の多波長光発生装置を構成することができる。
【００３２】
光パルス発生器１からの光パルスが半導体光導波路１３に入射する際、半導体端面での反射光を削減するために低反射膜１６，１７を設ける。また、半導体光導波路１３へ入射する光および半導体光導波路１３から射出される光は、光ファイバ１８で導波されるが、光ファイバ１８を用いずに直接入射、射出させることもできる。
【００３３】
図７に図６の多波長光発生装置の半導体部分の構成を示す。半導体光導波路１３、リング型半導体光導波路１４をＩｎＰクラッド層１９、ＩｎＧａＡｓＰコア層２０、ＩｎＰクラッド層２１で構成し、ＩｎＧａＡｓＰコア層２０のバンドギャップ波長を入射光に対して光導波路が透明になるように入射光波長よりも小さい値に設定する。また、半導体光増幅器６とリング型半導体光導波路１４は、バットジョイント接合することにより、光結合損失を低減することができる。これらの構造をＩｎＰの埋め込み層２５の中に作製すれば、導波路は保護、補強される。あるいは、半導体光導波路１３、リング型半導体光導波路１４をハイメサ構造にすると、光導波路の横方向の光閉じ込めが強くなり、リング型光導波路はさらに小さな半径を有する。これらの構造をガラスあるいは有機材料の埋め込み層２５に埋め込んでもよい。これにより光導波路を保護、補強することができる。
【００３４】
また、光パルス発生器１として半導体パルス光源を、多波長光変調装置２４として半導体多波長光変調器を使用することにより、半導体光導波路１３、リング型半導体光導波路１４、半導体光増幅器６と併せて半導体基板１５の上に作製することができ、装置を小型にすることができる。なお、半導体パルス光源としては、ＥＡ−ＤＦＢレーザあるいは半導体モード同期レーザを、半導体多波長光変調器としてはモノリシック集積型多チャネル変調器（ＡＷＧ−ＥＡ−ＳＯＡ）を使用することができる。
【００３５】
図７では、半導体材料としてＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰを使用したが、ＩｎＰの代わりにＡｌＧａＡｓを、ＩｎＧａＡｓＰの代わりにＧａＡｓを使用して同様の構造を作製してもよい。これにより使用波長λの範囲を、λ＞λ１（λ１：ＩｎＧａＡｓＰのバンドギャップ波長）から、λ＞λ２（λ１＞λ２、λ２：ＧａＡｓのバンドギャップ波長）と拡大することができる。
以上のような構成により、図６のような多波長光発生装置を構成することができる。
【００３６】
＜第４の実施の形態＞
図８に第４の実施の形態にかかわる多波長光発生装置を示す。第２の実施の形態における図４の光導波路３、リング型半導体光導波路５の代わりに、半導体光導波路１３、リング型半導体光導波路１４を備えて、第４の実施の形態にかかわる多波長光発生装置を構成することができる。また、リング部分１４が直線部分１３に再接近する部分を光の波長程度離して設計すれば、モード結合が生じて光カプラ４ａとなる。または、ＭＭＩカプラとしてもよい。
【００３７】
さらに、図４における光ゲート８の代わりに、電界吸収型半導体光変調器２２を備える構成とすることにより半導体光導波路１３、リング型半導体光導波路１４、半導体光増幅器６と併せて半導体基板１５の上に作製できるようになるため、小型で周回長の正確な多波長光発生装置を構成することができる。なお、電界吸収型半導体光変調器２２は、リング型半導体光導波路１４にバットジョイント接合し、光結合損失を低減することができる。
このような構成により、図８のような多波長光発生装置を構成することができる。
【００３８】
＜第５の実施の形態＞
図９に第５の実施の形態にかかわる多波長光発生装置を示す。第４の実施の形態における図８の光パルス発生器１の代わりに半導体パルス光源２３を備えて、第５の実施の形態にかかわる多波長光発生装置を構成することができる。また、多波長光変調装置２４を半導体多波長光変調器２６とすることにより、電界吸収型半導体光変調器２２、半導体光導波路１３、リング型半導体光導波路１４、半導体光増幅器６と併せて半導体基板１５の上に作製できるため、小型で周回長の正確な多波長光発生装置を構成することができる。なお、半導体パルス光源２３としては、ＥＡ−ＤＦＢレーザあるいは半導体モード同期レーザを、半導体多波長光変調器としてはモノリシック集積型多チャンネル変調器（ＡＷＧ−ＥＡ−ＳＯＡ）を使用することができる。
このような構成により、図９のような多波長光発生装置を構成することができる。
【００３９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、周波数間隔の等しい櫛型スペクトルを持つ光の広帯域化のために、従来よりも一般的な光部品である光ファイバ、半導体光増幅器、半導体光導波路、電界吸収型半導体光変調器などを使用し、安価に構成できる多波長光発生装置を提供することができる。
つまり、従来の多波長の光発生装置であるコヒーレント白色光源と比較して、本発明では安価な光部品を用いて構成できるという特徴を有する。
【００４０】
また本発明では、リング型光導波路内に光ゲートを設け、リング型光導波路内を周回する光パルスが光ゲートを通過するタイミングで、光ゲートを開くように調整することで、光雑音を抑制することができる。
【００４１】
さらに本発明では、構成要素の一部を半導体で形成し、半導体で形成した構成要素を集積化することにより、小型な多波長光発生装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の多波長光発生装置を示す構成図。
【図２】本発明の第１の実施の形態の多波長光発生装置におけるスペクトル拡大原理を示す説明図。
【図３】本発明の第１の実施の形態の多波長光発生装置に用いた半導体光増幅器での光パルスの位相変化を示す説明図。
【図４】本発明の第２の実施の形態の多波長光発生装置を示す構成図。
【図５】本発明の第２の実施の形態の多波長光発生装置に用いた光ゲートの機能を示す説明図。
【図６】本発明の第３の実施の形態の多波長光発生装置を示す構成図。
【図７】本発明の第３の実施の形態の多波長光発生装置に用いた半導体部分の構成を示す構成図。
【図８】本発明の第４の実施の形態の多波長光発生装置を示す構成図。
【図９】本発明の第５の実施の形態の多波長光発生装置を示す構成図。
【図１０】従来の多波長光発生装置を示す構成図。
【符号の説明】
１  光パルス発生器
２  光パルス
３  光導波路
４，４ａ  光カプラ
５  リング型光導波路
６  半導体光増幅器
７  光パルス
８  光ゲート
９  高周波発振器
１０  高周波ケーブル
１１  高周波ケーブル
１２  位相調節器
１３  半導体光導波路
１４  リング型半導体光導波路
１５  半導体基板
１６  低反射膜
１７  低反射膜
１８  光ファイバ
１９  ＩｎＰクラッド層
２０  ＩｎＧａＡｓＰコア層
２１  ＩｎＰクラッド層
２２  電界吸収型半導体光変調器
２３  半導体パルス光源
２４  多波長光変調装置
２５  埋め込み層
２６  半導体多波長光変調装置
０１  光パルス発生器
０２  光増幅器
０３  光非線型媒質
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004347639.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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