(57)【要約】【課題】コピー紙等に対する読取りを行わないようにするフォトセンサを提供する。【解決手段】２次元フォトセンサ２と、この２次元フォトセンサ２上に設けられた透明導電層３とを具備し、前記透明導電層３は少なくとも互いに分離された一対の透明導電層３Ａ、３Ｂを含み、指５等の被読取体がこの一対の透明導電層３Ａ、３Ｂに同時に接触したとき、この接触された被読取体の抵抗を検出する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部及び凸部を有する被読取体を読み取る読取装置であって、光源と、この光源上に設けられた複数のフォトセンサを有するフォトセンサデバイスと、このフォトセンサデバイス上に設けられた透明導電層とを具備し、前記透明導電層は少なくとも互いに分離された一対の透明導電層を含み、この一対の透明導電層は、前記被読取体が同時に接触されたとき、この接触された前記被読取体の抵抗を検出することを特徴とする読取装置。
【請求項２】
請求項１記載の発明において、前記フォトセンサデバイスは、フォトセンサが２次元状に配列された２次元フォトセンサからなることを特徴とする読取装置。
【請求項３】
請求項１記載の発明において、前記一対の透明導電層の中の一方は接地されていることを特徴とする読取装置。
【請求項４】
請求項１記載の発明において、前記被読取体の抵抗値が所定値以下であることを検出したとき、読取動作を開始することを特徴とする読取装置。
【請求項５】
請求項１に記載の発明において、前記透明導電層は前記フォトセンサデバイスのセンサ領域内の外周部の複数箇所に各一対ずつ設けられていることを特徴とする読取装置。
【請求項６】
請求項１記載の発明において、前記透明導電層は、前記一対ずつの透明導電層のほか、静電気逃げ用の透明導電層を含むことを特徴とする読取装置。
【請求項７】
請求項１に記載の発明において、前記フォトセンサデバイスの各フォトセンサは、前記光源側に遮光性を有する材料からなる第１ゲート電極が配置され、前記透明導電層側に透光性を有する材料からなる第２ゲート電極が配置された光電変換薄膜トランジスタによって構成されていることを特徴とする読取装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、指紋等の微細な凹部及び凸部を有する被読取体を読み取るための読取装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、指紋等の微細な凹部及び凸部を有する被読取体を読み取るための読取装置として、面光源上に２次元フォトセンサが設けられ、２次元フォトセンサ上に光学部品が設けられた構造のものがある（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平８−１８０１７３号公報
【０００４】
ところで、最近では、光学部品を省き、基本的には、面光源上に２次元フォトセンサを設けた構造のものが考えられている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のこのような読取装置では、スイッチング素子に指を接触させることによりフォトセンサによる被読取体の読取を開始するので、例えば、指紋を読取る場合、指の指紋像をコピーしたコピー紙でも照合するための読取りを行ってしまい、照合結果として一致の検出信号を出力してしまうものであった。
この発明の課題は、コピー紙等に対する読取りを行わないようにするフォトセンサを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明は、凹部及び凸部を有する被読取体を読み取る読取装置であって、光源と、この光源上に設けられた複数のフォトセンサを有するフォトセンサデバイスと、このフォトセンサデバイス上に設けられた透明導電層とを具備し、前記透明導電層は少なくとも互いに分離された一対の透明導電層を含み、この一対の透明導電層は、前記被読取体が同時に接触されたとき、この接触された前記被読取体の抵抗を検出するようにしたものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、被読取体の抵抗を検出することにより、被読取体固有の抵抗であることを検出するので、これに該当しないコピー紙の読取を行わないようにすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（参考例）
図１はこの発明の参考例としての読取装置の要部の断面図を示したものである。なお、この読取装置は、微細な凹部及び凸部を有する被読取体を読み取ることができるものであるが、以下の実施形態では指紋を読み取るための指紋読取装置として説明する。この指紋読取装置は、面光源１上に２次元フォトセンサ（フォトセンサデバイス）２が設けられ、２次元フォトセンサ２上にＩＴＯ等からなる透明導電層３が設けられた構造となっている。このうち面光源１は、エレクトロルミネセンスパネルや液晶表示装置で用いられているエッジライト方式のバックライト等からなっている。エッジライト方式のバックライトの場合には、図示していないが、典型的には、導光板の下面に反射板を設け、導光板の横に発光ダイオード等からなる点光源を１個設け、この点光源を反射シートで被った構造とする。透明導電層３は、静電気を逃がすためのものであって、接地されている。透明導電層３は、蒸着等により、２次元フォトセンサ２の後述するオーバーコート膜２３の上面に形成されている。この場合、透明導電層３は、２次元フォトセンサ２の図２において一点鎖線で示す方形状のセンサ領域４よりもやや大きめに設けられている。なお、図２において二点鎖線で示し且つ符合５で示すものは指である。
【０００９】
次に、２次元フォトセンサ２について説明する。２次元フォトセンサ２は、複数のフォトセンサ１１がマトリックス状に配列されたものからなり、アクリル樹脂やガラス等からなる透明基板１２を備えている。透明基板１２の上面には、各フォトセンサ１１ごとに、クロムやアルミニウム等の遮光性電極からなるボトムゲート電極１３が設けられ、その上面全体には窒化シリコンからなるボトムゲート絶縁膜１４が設けられている。ボトムゲート絶縁膜１４の上面においてボトムゲート電極１３に対応する部分にはアモルファスシリコンからなる半導体層１５が設けられている。半導体層１５の両側におけるボトムゲート絶縁膜１４の上面にはｎ+ シリコン層１６、１７が設けられている。半導体層１５の上面には窒化シリコンからなるブロッキング層１８が設けられている。ブロッキング層１８の上面両側、ｎ+ シリコン層１６、１７の上面及びボトムゲート絶縁膜１４の上面にはクロムやアルミニウム等の遮光性電極からなるソース電極１９及びドレイン電極２０が設けられ、その上面全体には窒化シリコンからなるトップゲート絶縁膜２１が設けられている。トップゲート絶縁膜２１の上面において半導体層１５に対応する部分にはＩＴＯ等の透明電極からなるトップゲート電極２２が設けられ、その上面全体には窒化シリコンからなるオーバーコート膜２３が設けられている。そして、この２次元フォトセンサ２では、その下面側から光がランダムに入射されると、この光は、遮光性電極からなるボトムゲート電極１３、ソース電極１９及びドレイン電極２０の部分以外からなる透過部を透過するとともに、ボトムゲート電極１３によって遮光されて半導体層１５に直接入射しないようになっている。
【００１０】
次に、この指紋読取装置の動作について簡単に説明する。面光源１の上面からランダムに出射された光が２次元フォトセンサ２の透過部及び透明導電層３を透過し、この透過光が透明導電層３上に接触された指５（図２参照）を下方からランダムに照射し、指５の表面で反射された光が透明導電層３及びその近傍の透明電極からなるトップゲート電極２２を透過してその下の半導体層１５のソース電極１９及びドレイン電極２０間の入射面より入射される。この場合、透明導電層３の表面に接触された指５の指紋の凸部（隆線）に対応する部分が明状態となり、指５の指紋の凹部（降線）に対応する部分が暗状態となる。かくして、指５の指紋の凹凸に応じた光学的に明暗の強調された画像が得られ、指５の指紋が読み取られることになる。
【００１１】
ところで、この指紋読取装置では、２次元フォトセンサ２上に透明導電層３を設け、この透明導電層３を接地しているので、２次元フォトセンサ２上の透明導電層３上に接触された指５から放出される静電気を透明導電層３を介して逃がすことができ、したがってこの静電気により２次元フォトセンサ２が誤動作したり破損したりしないようにすることができる。
【００１２】
次に、この指紋読取装置の要部の回路ブロックを図３に示す。この指紋読取装置は、フォトセンサ部３１、フォトセンサドライバ３２、ＣＴＲ（コントローラ）３３、クロック発生部３４、Ａ／Ｄ（アナログ−デジタル）変換部３５、Ｓ／Ｐ（シリアル−パラレル）変換部３６、標準パターンメモリ３７、照合部３８、判断部３９等を備えている。
【００１３】
フォトセンサ部３１は、図４に示すように、図１に示すフォトセンサ１１が複数マトリックス状に配列された部分からなっている。ところで、図１に示すように、１つのフォトセンサ１１では、ボトムゲート電極（ＢＧ）１３、半導体層１５、ソース電極（Ｓ）１９及びドレイン電極（Ｄ）２０等によってボトムゲート型トランジスタが構成され、トップゲート電極（ＴＧ）２２、半導体層１５、ソース電極（Ｓ）１９及びドレイン電極（Ｄ）２０等によってトップゲート型トランジスタが構成されている。すなわち、フォトセンサ１１は、半導体層１５の下側及び上側にそれぞれボトムゲート電極（ＢＧ）１３及びトップゲート電極（ＴＧ）２２が配置された光電変換薄膜トランジスタによって構成され、その等価回路は図５のように示すことができる。
【００１４】
図４に戻って説明を続けると、各フォトセンサ１１のボトムゲート電極（ＢＧ）は、行方向に延びて配列されたボトム電極線４１に接続されている。各フォトセンサ１１のドレイン電極（Ｄ）は、列方向に延びて配列された信号線４２に接続されている。各フォトセンサ１１のトップゲート電極（ＴＧ）は、行方向に延びて配列されたトップ電極線４３に接続されている。各フォトセンサ１１のソース電極（Ｓ）は接地されている。
【００１５】
図３に示すフォトセンサドライバ３２は、図４に示すように、ボトム電極線４１に接続された垂直走査回路であるボトムアドレスデコーダ４４と、信号線４２に接続された水平走査回路であるコラムスイッチ４５と、トップ電極線４３に接続されたトップアドレスデコーダ４６とを備えている。ボトムアドレスデコーダ４４は、行ごとに配列されたフォトセンサ１１のボトムゲート電極（ＢＧ）に対してボトム電極線４１を介してボトムゲート電圧ＶBGを印加するようになっている。トップアドレスデコーダ４６は、行ごとに配列されたフォトセンサ１１のトップゲート電極（ＴＧ）に対してトップ電極線４３を介してトップゲート電圧ＶTGを印加するようになっている。
【００１６】
コラムスイッチ４５には、プリチャージトランジスタ４７を介してドレイン電圧ＶDDが入力されるようになっている。また、このコラムスイッチ４５からバッファ４８を介して出力信号ＶOUT が出力されるようになっている。すなわち、コラムスイッチ４５は、プリチャージトランジスタ４７がプリチャージ電圧ＶPCを入力されてオンする度に、各信号線４２に接続された各フォトセンサ１１の出力をバッファ４８を介して、出力信号ＶOUT として出力するようになっている。
【００１７】
図３に示すクロック発生部３４は、発振回路や分周回路等を備え、ＣＴＲ３３に所定周波数のクロック信号及びリセット信号を出力するようになっている。ＣＴＲ３３は、クロック発生部３４から入力されるクロック信号及びリセット信号に基づいて、フォトセンサドライバ３２にセンス信号及びリセット信号として、ボトムゲート電圧ＶBG及びトップゲート電圧ＶTGを出力し、また図４に示すプリチャージトランジスタ４７にプリチャージ電圧ＶPC及びドレイン電圧ＶDDを出力するようになっている。
【００１８】
図３に示すＡ／Ｄ変換部３５は、フォトセンサ部３１からフォトセンサドライバ３２（つまり、図４に示すコラムスイッチ４５）を介して出力される出力信号ＶOUT をＡ／Ｄ変換するようになっている。Ｓ／Ｐ変換部３６は、Ａ／Ｄ変換部３５からの出力信号をＳ／Ｐ変換するようになっている。標準パターンメモリ３７は、複数の特定者の指紋に対応する指紋画像信号を標準パターン信号として予めメモリしたものである。照合部３８は、Ｓ／Ｐ変換部３６からの出力信号を標準パターンメモリ３７から順次呼び出される標準パターン信号と照合し、各照合信号を判断部３９に出力するようになっている。判断部３９は、照合部３８からの各照合信号に基づき、そのときのフォトセンサ部３１からの出力信号ＶOUT に応じた指紋画像信号が標準パターンメモリ３７に予めメモリされた特定者のものであるか否かを判断し、判断信号を出力するようになっている。
【００１９】
次に、図５及び図１を参照して、フォトセンサ１１の動作について説明する。フォトセンサ１１のソース電極（Ｓ）−ドレイン電極（Ｄ）間に正電圧（例えば＋５Ｖ）が印加された状態において、ボトムゲート電極（ＢＧ）に正電圧（例えば＋１０Ｖ）が印加されると、半導体層１５にチャネルが形成され、ドレイン電流が流れる。この状態で、トップゲート電極（ＴＧ）にボトムゲート電極（ＢＧ）の電界によるチャネルを消滅させるレベルの負電圧（例えば−２０Ｖ）が印加されると、トップゲート電極（ＴＧ）からの電界がボトムゲート電極（ＢＧ）の電界によるチャネル形成に対してそれを妨げる方向に働き、チャネルがピンチオフされる。このとき、トップゲート電極（ＴＧ）側から半導体層１５に光が照射されると、半導体層１５のトップゲート電極（ＴＧ）側に電子−正孔対が誘起される。この電子−正孔対は半導体層１５のチャネル領域に蓄積され、トップゲート電極（ＴＧ）の電界を打ち消す。このため、半導体層１５にチャネルが形成され、ドレイン電流が流れる。このドレイン電流は半導体層１５への入射光量に応じて変化する。このように、この２次元フォトセンサ２では、トップゲート電極（ＴＧ）からの電界がボトムゲート電極（ＢＧ）の電界によるチャネル形成に対してそれを妨げる方向に働き、チャネルをピンチオフするものであるので、光無入射時に流れるドレイン電流を極めて小さくすることができ、例えば１０−１４Ａ程度にすることができる。この結果、光入射時と光無入射時とで流れるドレイン電流の差を十分大きくすることができる。また、このときのボトムゲート型トランジスタの増幅率は、入射された光量によって変化し、Ｓ／Ｎ比を大きくすることができる。
【００２０】
ところで、この２次元フォトセンサ２では、１つのフォトセンサ１１にセンサ機能と選択トランジスタ機能とを兼用させることができる。次に、これらの機能について簡単に説明する。ボトムゲート電極（ＢＧ）に正電圧（＋１０Ｖ）が印加された状態において、トップゲート電極（ＴＧ）を例えば０Ｖにすると、半導体層１５とトップゲート絶縁膜１９との間のトラップ準位から正孔を吐き出させてリフレッシュ、つまりリセットすることができる。すなわち、連続して使用されると、半導体層１５とトップゲート絶縁膜１９との間のトラップ準位が光照射により発生する正孔とドレイン電極（Ｄ）から注入される正孔とによって埋められていき、光無入射状態でのチャネル抵抗が小さくなり、光無入射時にドレイン電流が増加する。そこで、トップゲート電極（ＴＧ）を０Ｖとし、この正孔を吐き出させてリセットする。
【００２１】
また、ボトムゲート電極（ＢＧ）に正電圧が印加されていない場合には、ボトムゲート型トランジスタにチャネルが形成されず、光入射が行われても、ドレイン電流が流れず、非選択状態とすることができる。すなわち、ボトムゲート電極（ＢＧ）に印加する電圧を制御することにより、選択状態と非選択状態とを制御することができる。また、非選択状態において、トップゲート電極（ＴＧ）に０Ｖを印加すると、上記同様に、半導体層１５とトップゲート絶縁膜１９との間のトラップ準位から正孔を吐き出させてリセットすることができる。
【００２２】
以上の結果、例えば図６に示すように、トップゲート電圧ＶTGを０Ｖと−２０Ｖとに制御することにより、センス状態とリセット状態とを制御することができる。また、ボトムゲート電圧ＶBGを０Ｖと＋１０Ｖとに制御することにより、選択状態と非選択状態とを制御することができる。すなわち、トップゲート電圧ＶTG及びボトムゲート電圧ＶBGを制御することにより、１つのフォトセンサ１１にフォトセンサとしての機能と選択トランジスタとしての機能とを兼ね備えさせることができる。
【００２３】
次に、図３及び図４を参照して、２次元フォトセンサ２の動作について説明する。クロック発生部３４は所定周波数のクロック信号及びリセット信号をＣＴＲ３３に出力する。ＣＴＲ３３は、クロック発生部３４からのクロック信号及びリセット信号に基づいて、フォトセンサドライバ３２にセンス信号及びリセット信号として、ボトムゲート電圧ＶBG及びトップゲート電圧ＶTGを出力し、またプリチャージトランジスタ４７にプリチャージ電圧ＶPC及びドレイン電圧ＶDDを出力する。
【００２４】
そして、まず、第１行目の各フォトセンサ１１に対して、ボトムゲート電圧ＶBG及びトップゲート電圧ＶTGを０Ｖとし、リセットする。また、このリセット中にプリチャージトランジスタ４７に所定時間だけプリチャージ電圧ＶPCを印加して、すべての信号線４２にドレイン電圧ＶDD（＋５Ｖ）を印加することによりプリチャージする。次に、トップゲート電圧ＶTGを−２０Ｖとし、各フォトセンサ１１をセンス状態とする。次に、ボトムゲート電圧ＶBGを＋１０Ｖとし、各フォトセンサ１１を選択状態とする。すると、光入射量（光量）に応じて、各フォトセンサ１１の出力信号ＶOUT が０Ｖに変化したり、＋５Ｖのままであったりする。この各フォトセンサ１１の出力信号ＶOUT はコラムスイッチ４５からバッファ４８を介して出力される。これ以降、第２行目〜最終行目の各フォトセンサ１１に対して、上記と同様の動作を行う。これ以後の動作については省略する。
【００２５】
（第１実施形態）
図７はこの発明の第１実施形態における指紋読取装置の要部の平面図を示したものである。この指紋読取装置では、２次元フォトセンサ２のオーバーコート膜２３の上面においてセンサ領域４内及びその周囲に一対の櫛刃状の透明導電膜３Ａ、３Ｂが設けられている。この一対の透明導電膜３Ａ、３Ｂは、当該一対の透明導電膜３Ａ、３Ｂを含む２次元フォトセンサ２上に指５が接触されたとき、後述するように、この接触された指５の抵抗を検出し、この検出信号により指紋読取動作を開始させるためのものであるが、静電保護機能を兼ね備えることもできる。この場合、一対の透明導電膜３Ａ、３Ｂを櫛刃状としたのは、指５の比較的小さい抵抗を感度良く検出するためである。
【００２６】
次に、この指紋読取装置の回路の要部を図８に示す。この図において、図４と同一部分には同一の符合を付し、その説明を適宜省略する。一方の透明導電膜３Ａは抵抗５１を介してドレイン電圧ＶDDを出力するＣＴＲ３３（図３参照）に接続され、他方の透明導電膜３Ｂは接地されている。一方の透明導電膜３Ａと抵抗５１との間はインバータ回路５２を介してＣＴＲ３３に接続されている。ＣＴＲ３３は、インバータ回路５２からＨレベル信号が入力されたとき、スイッチ切換信号をスイッチ制御部５３に出力するようになっている。スイッチ制御部５３は、ＣＴＲ３３からスイッチ切換信号が入力されたとき、スイッチ制御信号をスイッチ回路５４に出力するようになっている。スイッチ回路５４は、常開スイッチからなり、コラムスイッチ４５とプリチャージトランジスタ４７との間に設けられている。
【００２７】
さて、この指紋読取装置において、一対の透明導電膜３Ａ、３Ｂを含む２次元フォトセンサ２上に指５が接触された場合には、一対の透明導電膜３Ａ、３Ｂ間に指５の接触部に応じた抵抗が挿入され抵抗５１との間の電位は抵抗５１と指の抵抗値とによって分割された電位に低下する。このため、インバータ回路５２の入力がＨレベルからＬレベルとなり、インバータ回路５２の出力がＨレベルに変化し、このＨレベルの信号がＣＴＲ３３に出力される。ＣＴＲ３３は、インバータ回路５２からＨレベル信号が入力されると、スイッチ切換信号をスイッチ制御部５３に出力する。スイッチ制御部５３は、ＣＴＲ３３からスイッチ切換信号が入力されると、スイッチ制御信号をスイッチ回路５４に出力し、スイッチ回路５４が閉状態となる。すると、コラムスイッチ４５とプリチャージトランジスタ４７とがスイッチ回路５４を介して接続され、図４に示す場合と同様の状態となり、指紋読取動作が開始されることになる。
【００２８】
このように、この指紋読取装置では、一対の透明導電膜３Ａ、３Ｂを含む２次元フォトセンサ２上に指５が接触されたとき、この接触された指５の抵抗を検出し、この検出信号により指紋読取動作を開始しているので、指紋読取動作を自動的に開始することができ、便利である。また、図７に示すように、２次元フォトセンサ２のセンサ領域４の大部分を被っている他方の透明導電膜３Ｂを接地しているので、静電保護機能を発揮することができる。なお、例えば指５の指紋像をコピーしたコピー紙が一対の透明導電膜３Ａ、３Ｂを含む２次元フォトセンサ２上に載置された場合、コピー紙は絶縁物であるので、一対の透明導電膜３Ａ、３Ｂによる抵抗検出が行われず、コピー紙による不正を未然に防止することができる。
【００２９】
（第２実施形態）
図９はこの発明の第２実施形態における指紋読取装置の要部の平面図を示したものである。この指紋読取装置では、２次元フォトセンサ２のオーバーコート膜２３の上面において方形状のセンサ領域４内の四隅及びその各外側にそれぞれ各一対の櫛刃状の透明導電膜３Ａ、３Ｂが設けられている。この４組の透明導電膜３Ａ、３Ｂは、当該４組の透明導電膜３Ａ、３Ｂを含む２次元フォトセンサ２上に指５が接触されたとき、後述するように、この接触された指５の抵抗を検出し、この検出信号により指紋読取動作を開始させるためのものであるが、静電保護機能を兼ね備えることもできる。
【００３０】
次に、この指紋読取装置の回路の要部を図１０に示す。この図において、図８と同一名称部分には同一の符合を付し、その説明を適宜省略する。４組の透明導電膜３Ａ、３Ｂに対応する４つのインバータ回路５２の各出力側は、ＣＴＲ３３に接続されているとともに、１つのアンド回路５５の入力側に接続されている。アンド回路５５の出力側はＣＴＲ３３に接続されている。
【００３１】
さて、この指紋読取装置において、４組の透明導電膜３Ａ、３Ｂを含む２次元フォトセンサ２上に指５が接触された場合には、各組の透明導電膜３Ａ、３Ｂ間に指５の接触部に応じた抵抗が発生し、４つのインバータ回路５２の各出力がＬレベル信号からＨレベル信号に変化し、これらのＨレベル信号がアンド回路５５に出力される。アンド回路５５は、４つのインバータ回路５２のすべてからＨレベル信号が入力されると、アンド信号をＣＴＲ３３に出力する。この場合、インバータ回路５２からＨレベル信号がＣＴＲ３３に直接出力されるが、ＣＴＲ３３はこのＨレベル信号を無視する。そして、以下、図８を参照して説明すると、ＣＴＲ３３は、アンド回路５５からアンド信号が入力されると、スイッチ切換信号をスイッチ制御部５３に出力する。スイッチ制御部５３は、ＣＴＲ３３からスイッチ切換信号が入力されると、スイッチ制御信号をスイッチ回路５４に出力し、スイッチ回路５４が閉状態となる。すると、コラムスイッチ４５とプリチャージトランジスタ４７とがスイッチ回路５４を介して接続され、図４に示す場合と同様の状態となり、指紋読取動作が開始されることになる。
【００３２】
ところで、この指紋読取装置では、２次元フォトセンサ２のセンサ領域４に対する指５の接触位置及び接触態様（十分に接触させている否か）が正常でない場合、つまり、４組の透明導電膜３Ａ、３Ｂのすべてに指５が接触されない場合、アンド回路５５からアンド信号が出力されないことになる。このような場合には、４組の透明導電膜３Ａ、３Ｂのうちいずれかの１組乃至３組の透明導電膜３Ａ、３Ｂに指５が接触されることになるので、この指５の接触された組の透明導電膜３Ａ、３Ｂに対応するインバータ回路５２からＨレベル信号がＣＴＲ３３に出力される。すると、ＣＴＲ３３は、アンド回路５５からのアンド信号の入力が無いことと、いずれかのインバータ回路５２からのＨレベル信号の入力が有ることに基づき、指接触不良信号を図示しない制御部に出力する。すると、制御部は、２次元フォトセンサ２のセンサ領域４に対する指５の接触位置または接触態様が正常でないことを、例えば「再度指を置きなおしてください」という表示や音声等の報知手段によって報知させる。
【００３３】
また、この指紋読取装置では、図１０に示すように、各組の他方の透明導電膜３Ｂを接地しているので、静電保護機能を発揮することができる。しかし、この実施形態の場合には、図９に示すように、２次元フォトセンサ２の方形状のセンサ領域４内の四隅及びその各外側にそれぞれ各一対の透明導電膜３Ａ、３Ｂを設けているので、センサ領域４内の中央部が静電気に対してやや弱くなる。そこで、例えば図１１に示すこの発明の第３４４実施形態のように、センサ領域４内の中央部にほぼ十字状の静電気逃げ用の透明導電膜３Ｃを設けるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】この発明の参考例としての指紋読取装置の要部の断面図。
【図２】図１に示す指紋読取装置の要部の平面図。
【図３】図１に示す指紋読取装置の要部の回路ブロック図。
【図４】図３に示すフォトセンサ部及びフォトセンサドライバの部分の回路図。
【図５】図１に示すフォトセンサの透過回路図。
【図６】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ図５に示すフォトセンサの各電極に印加する電圧とその状態の変化を説明するために示す図。
【図７】この発明の第１実施形態における指紋読取装置の要部の平面図。
【図８】図７に示す指紋読取装置の要部の回路図。
【図９】この発明の第２実施形態における読取装置の要部の平面図。
【図１０】図９に示す指紋読取装置の要部の回路図。
【図１１】この発明の第３実施形態における読取装置の要部の平面図。
【符号の説明】
【００３５】
１  面光源
２  ２次元フォトセンサ
３  透明導電層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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