(57)【要約】【課題】従来の露光装置における反射部材の支持方法では、自重変形を効率よく抑えることができず、所望の光学性能が得られなかった。【解決手段】原版のパターンを照明する照明光学系と、前記パターンからの光を基板上に導く投影光学系とを有し、前記基板を露光する露光装置であって、前記露光装置が少なくとも１つの反射部材と、前記少なくとも１つの反射部材の自重変形量が小さくなるように、前記少なくとも１つの反射部材に対して非接触に力を加える加力手段を有する。【選択図】      図２
2004319682.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版のパターンを照明する照明光学系と、前記パターンからの光を基板上に導く投影光学系とを有し、前記基板を露光する露光装置であって、
前記露光装置が少なくとも１つの光学部材と、前記少なくとも１つの光学部材の自重変形量が小さくなるように、前記少なくとも１つの光学部材に対して非接触に力を加える加力手段を有することを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造工程において用いられる露光装置で、レチクルパターンをシリコンウエハ上に投影して転写する投影露光装置に関するものであり、その中でも、特にＥＵＶ光（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  極紫外光）である１３〜１４ｎｍ程度の波長の露光光を光源として使用し、真空内をミラー光学系より投影露光するＥＵＶ露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来例を第１０、１１図に示す。
【０００３】
１０１は励起レーザーであり、この励起レーザーをガス化、液化、噴霧化した光源材料に向けて照射して、光源材料原子をプラズマ励起することにより発光させる。この励起レーザーにはＹＡＧ固体レーザー等を用いる。
【０００４】
１０２は内部は真空に維持された構造を持つ光源発光部である。ここで、１０２Ａは光源Ａで、実際の露光光源の発光ポイントを示す。
【０００５】
１０３は露光装置全体を格納する真空チャンバーで、真空ポンプ１０４により真空状態を維持することを可能にするチャンバーである。
【０００６】
１０５は光源発光部１０２からの露光光を導入成形する露光光導入部（照明光学系）で、ミラーＡ〜Ｄ（１０５Ａ〜１０５Ｄ）により構成され、露光光を均質化かつ整形する。
【０００７】
１０６はレチクルステージで、レチクルステージ上の可動部には、露光パターンの反射原盤である原版１０６Ａが搭載されている。
【０００８】
１０７は原版から反射した露光パターンを縮小投影する、縮小投影ミラー光学系で、ミラーＡ〜Ｅ（１０７Ａ〜１０７Ｅ）に順次投影反射し最終的に規定の縮小倍率比で縮小投影される。
【０００９】
１０８はウエハステージで、原版により反射縮小投影されたパターンを露光するＳｉ基板であるウエハ１０８Ａを、所定の露光位置に位置決めする為に、ＸＹＺ、ＸＹ軸回りのチルト、Ｚ軸回りの回転方向の６軸駆動可能に位置決め制御される。
【００１０】
１０９はレチクルステージ支持体で、レチクルステージ１０５を装置設置床に対して支持する。１１０は投影系本体で、縮小投影ミラー光学系１０７を装置設置床に対して支持する。１１１はウエハステージ支持体で、ウエハステージ１０８を装置設置床に対して支持する。
【００１１】
以上のレチクルステージ支持体と投影系本体とウエハステージ支持体により分離独立して支持されたレチクルステージと、縮小投影ミラー光学系とウエハステージとは、それぞれの位置計測を行い、それらを所定の相対位置に連続して維持制御する手段（不図示）が設けられている。
【００１２】
また、レチクルステージ支持体１０９と投影系本体１１０とウエハステージ支持体１１１はそれぞれ独立して設けられており、それぞれ装置設置床からの振動を絶縁するマウント（不図示）が設けられている。
【００１３】
１１２は装置外部から装置内部に搬入した原版１０６Ａ（レチクル）を一時的に保管するレチクルストッカーである。このレチクルストッカーは内部を密閉状態に保つ保管容器を備えており、この保管容器内には複数のレチクルが保管されている。
【００１４】
１１３はレチクルストッカー１１２から使用するレチクルを選択して搬送するレチクルチェンジャーである。
【００１５】
１１４はＸＹＺ及びＺ軸周りに回転可能な回転ハンドから成るレチクルアライメントユニットである。レチクルチェンジャー１１３から原版を受け取り、レチクルステージ１０６端部に設けられたレチクルアライメントスコープ１１５部分に１８０度回転搬送し、縮小投影ミラー光学系１０７基準に設けられたアライメントマーク１１５Ａに対して原盤上をＸＹＺ軸回転方向に微動してアライメントする。アライメントを終了した原版はレチクルステージ１０６上にチャッキングされる。
【００１６】
１１６は装置外部から一旦装置内部にウエハ１０８Ａを保管するウエハストッカーであり、このウエハストッカーは複数枚のウエハを保管可能な保管容器を備えている。
【００１７】
１１７はウエハ搬送ロボットで、ウエアストッカーから露光処理するウエハを選定し、ウエハメカプリアライメント温調機１１８に運ぶ。
【００１８】
このウエハメカプリアライメント温調機１１８では、ウエハの回転方向の送り込み粗調整を行うと同時に、ウエハ温度を露光装置内部温調温度に合わせ込む。
【００１９】
１１９はウエハ送り込みハンドで、ウエハメカプリアライメント温調機１１８にてアライメントと温調されたウエハをウエハステージ１０８に送り込む。
【００２０】
１２０及び１２１はゲートバルブで、装置外部からレチクル及びウエハを挿入するゲートを開閉する機構である。１２２も同じくゲートバルブで、装置内部でウエハストッカー１１６と露光空間及びウエハメカプリアライメント温調機１１８空間と露光空間を隔壁で分離し、ウエハ１０８Ａを搬送（搬入搬出）するときのみ開閉する。
【００２１】
このように、隔壁で分離することにより１０８Ａ、ウエハの装置外部との搬送搬出の際に、一旦大気開放される容積を最小限にして、速やかに真空平衡状態にすることを可能にしている。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の構成の露光装置において、図１１に示すように、ミラーＡ〜Ｅを鏡筒１０７Ｆに対して位置決めした場合、ミラーがミラー自身の重力により自重変形（図中矢印方向）が発生してしまう。ＥＵＶ光を用いた露光装置に用いるミラーの面形状精度は１ｎｍ程度以下と極めて厳しい面形状精度が要求されているため、ミラーが自重変形をしてしまうとミラーの面形状の精度を保証出来なくなる。
【００２３】
投影光学系内のミラーの面形状精度が悪化すると、投影光学系の結像性能の悪化（収差が大きくなる）及び照度低下を招く。
【００２４】
また照明光学系内のミラーの面形状精度が悪化した場合、マスクへの照度が低下してしまったり、照度ムラが発生してしまったり、特に光源ミラーが自重変形する場合は光源の集光不良等の照度悪化を招く結果となる。
【００２５】
そこで、本願発明では、ミラーの面形状を高精度に調整することが可能な光学系（照明光学系及び／又は投影光学系）、又はこのような光学系を有する露光装置を提供することを目的とする。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の露光装置は、原版のパターンを照明する照明光学系と、前記パターンからの光を基板上に導く投影光学系とを有し、前記基板を露光する露光装置であって、前記露光装置が少なくとも１つの光学部材と、前記少なくとも１つの光学部材の自重変形量が小さくなるように、前記少なくとも１つの光学部材に対して非接触に力を加える加力手段を有することを特徴としている。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施例を図１〜９を用いて説明する。
【００２８】
（実施例１）
１０１は励起レーザーであり、この励起レーザーをガス化、液化、噴霧化した光源材料に向けて照射して、光源材料原子をプラズマ励起することにより発光させる。この励起レーザーにはＹＡＧ固体レーザー等を用いる。
【００２９】
２は光源発光部で内部は真空に維持されている。ここで、２Ａは光源Ａであり、実際の露光光源の発光点を示している。
【００３０】
３は露光装置全体を格納する真空チャンバーであり、真空ポンプ４により内部を真空状態を維持するように構成されている。
【００３１】
５は光源発光部２からの露光光を導入成形する露光光導入部であり（光源発光部２からの照明光で原版６Ａを照明する照明光学系であり）、この露光光導入部はミラーＡ〜Ｄ（５Ａ〜５Ｄ）により構成され、原版を均一に照明するように照明光を整形する。ここで、この露光光導入部（照明光学系）は、４枚のミラーで構成されている必要は無く、４〜８枚のミラーで構成するようにすれば良い。それ以上多いと原版を照明する照明光の照度が落ちてしまうためあまり好ましく無い。
【００３２】
６はレチクルステージで、このレチクルステージ上の可動部には、露光パターンの反射原盤である原盤６Ａが搭載されている。
【００３３】
７は原盤６Ａに形成されたパターンを縮小投影する縮小投影ミラー光学系である。この縮小投影ミラー光学系はミラーＡ〜Ｅ（７Ａ〜７Ｅ）により構成されており、前述のパターンからの光を前述のミラーＡ〜Ｅで反射することにより、原版に形成されたパターンを規定の縮小倍率比でウエハに縮小投影する。７ＦはミラーＡ〜Ｅを保持する鏡筒である。ここで、この縮小投影ミラー光学系は５枚のミラーで構成されている必要は無く、４枚、６枚、７枚、８枚等であっても構わない。
【００３４】
８はウエハステージで、原盤５Ａにより反射縮小投影されたパターンを露光するＳｉ基板であるウエハ８Ａを、所定の露光位置に位置決めする為に、ＸＹＺ、ＸＹ軸回りのチルト、Ｚ軸回りの回転方向の６軸駆動可能に位置決め制御される。
【００３５】
９はレチクルステージ支持体で、レチクルステージ５を装置設置床に対して支持する。１０は投影系本体で、縮小投影ミラー光学系７を装置設置床に対して支持する。１１はウエハステージ支持体で、ウエハステージ８を装置設置床に対して支持する。
【００３６】
さらに、前述のレチクルステージ支持体と投影系本体とウエハステージ支持体により分離独立して支持された、レチクルステージと投影光学系とウエハステージで、投影光学系とウエハステージ及びレチクルステージの間は、互いの相対位置を位置計測しその位置計測結果に従って相対位置を制御する手段（不図示）が設けられている。また、レチクルステージ支持体と投影系本体とウエハステージ支持体には、装置設置床からの振動を絶縁（減衰）するマウント（不図示）が設けられている。
【００３７】
１２は装置外部から装置内部に搬入した原版６Ａ（レチクル）を一時的に保管するレチクルストッカーである。このレチクルストッカーは内部を密閉状態に保つ保管容器を備えており、この保管容器内には異なるパターンを有するレチクルや異なる露光条件（照明条件等）に合わせたレチクル（パターン幅、縦横比等が互いに異なるレチクル等）が保管されている。
【００３８】
１３はレチクルストッカー１２から使用するレチクルを選択して搬送するレチクルチェンジャーである。
【００３９】
１４はＸＹＺ及びＺ軸周りに回転可能な回転ハンドから成るレチクルアライメントユニットで、レチクルチェンジャー１３から原盤６Ａを受け取り、レチクルステージ６端部に設けられた、レチクルアライメントスコープ１５部分に１８０度回転搬送し、縮小投影ミラー光学系７基準に設けられたアライメントマーク１５Ａに対して原盤６Ａ上をＸＹＺ軸回転方向に微動してアライメントする。アライメントを終了した原盤６Ａはレチクルステージ６上にチャッキングされる。
【００４０】
１６は装置外部から一旦装置内部にウエハ１０８Ａを保管するウエハストッカーであり、このウエハストッカーは複数枚のウエハを保管可能な保管容器を備えている。
【００４１】
１７はウエハ搬送ロボットで、ウエハストッカー１６から露光処理するウエハ８Ａを選定し、ウエハメカプリアライメント温調機１８に運ぶ。
【００４２】
このウエハメカプリアライメント温調機１８では、ウエハの回転方向の送り込み粗調整を行うと同時に、ウエハ温度を露光装置内部温調温度に合わせ込む。
【００４３】
１９はウエハ送り込みハンドで、ウエハメカプリアライメント温調機１８にてアライメントと温調されたウエハ８Ａをウエハステージ８に送り込む。
【００４４】
２０及び２１はゲートバルブで、装置外部からレチクル及びウエハを搬入するゲート、及び／又は装置内部からレチクル及びウエハを搬出するゲートを開閉する機構である。
【００４５】
２２、も同じくゲートバルブで、装置内部でウエハストッカー１６及びウエハメカプリアライメント温調機１８空間と露光空間を隔壁で分離し、ウエハ８Ａを搬送（搬入搬出）するときのみ開閉する。
【００４６】
このように、隔壁で分離することによりウエハ８Ａの装置外部との搬送（搬入搬出）の際に、一旦大気開放される容積を最小限にして、速やかに真空平行状態にすることを可能にしている。
【００４７】
ここで、図２に実施例１の概略図を示す。ここでは、縮小投影ミラー光学系７のミラーＣ（７Ｃ）及びミラーＥ（７Ｅ）を例に示す。
【００４８】
ミラー７Ｃ側には、鏡筒と連結されたミラー保持エレメント２５Ｄが配置されている。さらに、このミラー保持エレメント上に設けられたミラー変位計測手段２５Ｆと、ミラーの鉛直方向の自重変形を補償する自重補償や自重変形による位置を補償する位置補償を行うための自重補償力発生手段２５Ｇ及びＺ推力発生手段２５Ｊと、ミラー７Ｃの水平方向（ＸＹ方向）の位置を補償する水平位置補償推力発生手段２５Ｈとを有しており、２５Ｇ，２５Ｊ，２５Ｈは、駆動コイルとマグネットより成るローレンツ力発生手段より構成されている。
【００４９】
ミラー７Ｅ側には、鏡筒と連結されたミラー保持エレメント２６Ｄが配置されている。さらに、このミラー保持エレメント上に設けられたミラー変位計測手段２６Ｆと、ミラーの鉛直方向の自重変形を補償する自重補償や自重変形による位置を補償する位置補償を行うための自重補償力発生手段２５６及びＺ推力発生手段２６Ｊと、ミラー７Ｅの水平方向（ＸＹ方向）の位置を補償する水平位置補償推力発生手段２６Ｈとを有しており、２６Ｇ，２６Ｊ，２６Ｈは、駆動コイルとマグネットより成るローレンツ力発生手段より構成されている。
【００５０】
ここで、投影光学系の全射ミラーを通しての収差目標値の計測実施方法を説明する。
【００５１】
図３に示すように、レチクルステージ６のレチクルチャックスライダー６Ｂ（レチクルステージスライダー）が退避した状態で、図３のように波面計測光源供給光ファイバー２３Ａ（波面計測光供給ファイバー）から供給された計測光を波面計測光源出射口２３から出射して、計測光が投影系ミラー反射面の全面で反射し、ウエハステージ８可動部に搭載された波面計測受光センサー２４にて受光する。この波面計測受光センサーによる検出結果に基いて、投影系（反射ミラー全体）の波面収差を計測している。
【００５２】
次に、波面計測受光センサー２４にて計測された波面計測値を用いて、波面計測値演算回路２８にて波面収差量を算出する。この波面収差量に基いて、ミラー自重補償＋鉛直水平補償補正駆動テーブル演算回路２９にて、ミラーＡ〜Ｅ（７Ａ〜７Ｅ）の補正駆動方向及び駆動量（又は力の印可方向及び印加量）を算出し、上記２５Ｇ、２５Ｊ、２５Ｈ、２６Ｇ、２６Ｊ、２６Ｈ等（ミラーＡ〜Ｅすべてに関して位置計測、位置補償、力の印加手段を備えるのが好ましいが、すべてのミラーではなく、一部のミラーに対してのみ位置計測、位置補償、力の印加手段等を備えるように構成しても良い。）を有するミラー自重補償＋水平鉛直補償駆動手段３０へ目標値として伝達される。
【００５３】
同時にミラーＡ〜Ｅ（７Ａ〜７Ｅ）の各位置情報は、２５Ｆ、２６Ｆ等のミラー変位計測手段からの信号をミラー系変位計測演算回路２７によってまとめることにより、鏡筒からのミラー位置及びミラー間の相対位置が計測する。
【００５４】
上述のように、２５Ｇ、２５Ｊ、２５Ｈ、２６Ｇ、２６Ｊ、２６Ｈ等を有するミラー自重補償＋水平鉛直補償駆動手段３０により各ミラーを目標位置に駆動した後（さらにミラーの鏡筒からの相対位置を計測した後）、再度波面計測（波面計測判定確認）を行い、波面収差が規格値を満たしていれば（波面収差が所定量以下ならば）補正終了となり、波面収差が規格値を満たしていなければ（波面収差が所定量より大きければ）再度残留波面収差量を波面計測演算回路で算出して、上記補正を繰り返すことにより波面収差を目標規格値に追い込む。
【００５５】
ちなみに、目標とする波面収差量は、ミラー位置を投影系単体で初期に調整して、収差を適正な目標量以下に追い込んだ値とする為、このとき発生している波面収差量が装置の目標収差量となり、またこのときの各ミラーの位置及び形状がミラー位置及びミラー形状の原点となる。勿論、目標とする波面収差量は別の値を用いても良いし、ミラー位置、ミラー形状の原点も初期調整時のものでなくても構わない。また、波面収差量のみに関して目標値を設定し、ミラー位置、ミラー形状に関しては特に原点という概念は導入しなくても良い。
【００５６】
ミラー位置原点に対して、２５Ｇ、２５Ｊ、２５Ｈ、２６Ｇ、２６Ｊ、２６Ｈ等を有するミラー自重補償＋水平鉛直補償駆動手段３０（ミラー駆動手段）によりミラーを駆動することにより、収差を目標位置に追い込むことが可能になる。
【００５７】
（実施例２）
実施例２を図４を用いて説明する。
【００５８】
自重補償力発生手段として、実施例１ではローレンツ力を用いたが、ローレンツ力以外に、永久磁石による吸引力を用いる方法もある。この実施例２では永久磁石を用いた点が実施例１と異なる。
【００５９】
つまり、自重補償力発生手段２５Ｋ、２６Ｋがマグネットを有しており、このマグネットを用いてミラーの略重心軸上に重力と反対方向の力をミラーに対して発生させる。このようにミラーの重力とマグネットの磁力とを相殺することにより、ミラーの自重変形を補償（ミラーの自重変形を小さくするように補償）する。
【００６０】
ここで、実施例２のように永久磁石を用いた自重補償では、マグネット吸引力制御をマグネット間（ミラーに取り付けたマグネットと鏡筒又は鏡筒に連結したミラー保持エレメントに取り付けたマグネットとの間）のギャップ調整手段（不図示）により行う必要がある。
【００６１】
（実施例３）
実施例３を図５を用いて説明する。
【００６２】
自重補償力発生手段として、ローレンツ力以外に、静電吸着力による吸引力を用いる方法もある。実施例３では、自重補償力発生手段２５Ｌ，２６Ｌが静電吸引力を用いてミラーの自重補償（ミラーの自重変形を小さくするように補償する）を行うように構成した。
【００６３】
ここでは、ミラーの略重心軸上に重力と反対方向の静電吸引力（自重補償力）を発生させることにより、ミラーの自重変形を補償している。つまり、ミラーの重力と静電吸引力をほぼ相殺することにより、ミラーの自重変形量を小さくしている。
【００６４】
ここで、実施例３のように静電吸引力を用いて自重補償を行う場合には、静電チャック等の印加電位の制御が必要である。
【００６５】
（実施例４）
実施例４を図６を用いて説明する。
【００６６】
実施例１では、自重補償力発生手段とＸＹＺ位置補償手段を併設して、反射ミラーを非接触で保持、位置制御を行っているが、この実施例４（図６）のようにＸＹＺ位置制御を行わず自重補償のみ行うことも考えられる。ここではミラー変位計測手段２５Ｆ及び自重補償力発生手段２５Ｍは、実施例１と同じ構成で、ミラーＣ（７Ｃ）自身はミラー保持エレメント２５Ｄに位置変位手段等を介さずに固定されている。
【００６７】
また、同じくミラー変位計測手段２６Ｆ及び自重補償力発生手段２６Ｍは実施例１と同じ構成であり、ミラーＥ（７Ｅ）自身はミラー保持エレメント２６Ｄに位置変位手段等を介さずに固定されている。
【００６８】
以上のように、自重補償手段のみ設けるミラーの場合、最終補正精度が比較的低い部位のミラー（そのミラーに対して必要とされる位置精度、面形状精度が相対的に低いミラー）に用いられる。しかしながら、自重補償力のミラー面内での分布を高精度に調整する際に、図７に示すように、複数の自重補償力発生手段２５Ｎをミラー背面に適宜分散して設けることにより、ミラーの面形状を微調整することが可能となるため、高精度な自重補償（ミラー面の自重変形量を高精度に補償する）が可能となる。
【００６９】
この実施例４における作業の流れを示すフローチャートが図８である。ここで、レチクルステージ６のレチクルステージスライダー（レチクルチャックスライダー）６Ｂが退避した状態で、図示のように波面計測光源光供給光ファイバー２３Ａから供給された計測光を波面計測光源出射口２３から出射して、計測光が投影系ミラー反射面の全面で反射し、図に示すようにウエハステージ８可動部に搭載された波面計測受光センサー２４にて検出された検出結果に基づいて、投影系（反射ミラー全面）の波面収差が計測される。
【００７０】
次に、波面計測受光センサー２４にて計測された波面計測値に基いて波面計測値演算回路２８にて波面収差量を算出する。この波面収差量（波面計測演算値）に基いてミラー自重補償補正駆動テーブル演算回路３１にて、ミラーＡ〜Ｅ（７Ａ〜７Ｅ）の補正駆動方向及び駆動量及び力印可量が算出され、２５Ｎ、２６Ｎ等より成るミラー自重補償駆動手段３２へ目標値として伝達される。
【００７１】
同時にミラーＡ〜Ｅ（７Ａ〜７Ｅ）の各位置情報は、ミラー変位計測手段２５Ｆ、２６Ｆからの信号をミラー系変位計測演算回路２７にまとめることにより、鏡筒からのミラー位置及びミラー間の相対位置が計測される。
【００７２】
２５Ｎ、２６Ｎ等を有するミラー自重補償駆動手段３０により各ミラーを目標位置に駆動した後、再度波面収差計測（波面計測判定確認）を行い、波面収差が規格値を満たしていれば補正終了となり、波面収差が規格値を満たしていなければ、再度残留波面収差量を波面計測演算回路で算出して、上記補正を繰り返すことにより目標規格値に追い込む。
【００７３】
ちなみに、目標とする波面収差量は、ミラー位置を投影系単体で初期に調整して、収差を適正な目標量以下に追い込んだ値とする為、このとき発生している波面収差量が装置の目標収差量となり、またこのときの各ミラーの位置及び形状がミラー位置及びミラー形状の原点となる。勿論、目標とする波面収差量は別の値を用いても良いし、ミラー位置、ミラー形状の原点も初期調整時のものでなくても構わない。また、波面収差量のみに関して目標値を設定し、ミラー位置、ミラー形状に関しては特に原点という概念は導入しなくても良い。
【００７４】
ミラー位置原点に対して、２５Ｎ、２６Ｎ等を有するミラー自重補償駆動手段３０によりミラーを駆動することにより、収差を目標位置に追い込むことが可能になる。
【００７５】
（実施例５）
実施例５を図９を用いて説明する。本実施例は実施例４とほぼ構成が同じである。異なる点は、自重補償力発生手段２５Ｐ、２６Ｐとして、実施例２、３のように、永久磁石あるいは静電力等を用いている点である。その他の点においては略実施例４と同じである。
【００７６】
ここで、各ミラーＣ，Ｅは鏡筒に対して固定して連結された（変位手段等を介さずに連結された）ミラー保持エレメントに直接支持されている。
【００７７】
ここまで、実施例１乃至５について説明してきたが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００７８】
例えば、力を印加したり、変位させたりするミラーは、ミラーＣ，Ｅに限らずミラーＡ〜Ｆのいずれのミラーであっても構わないし、勿論ミラーは６枚に限らない。また、力を印加したり、変位させたりするミラーは、投影系のミラーに限らず照明系のミラーであっても構わない。
【００７９】
また、本実施例では波面収差に着目して、波面収差に基いてミラーに力を加えたり、ミラーを変位させたりしていたが、波面収差の検出結果ではなく他の基準値（例えば他の収差、特定のミラーの変形量）に基いてミラーに力を加えたり、ミラーを変位させたりしても構わない。
【００８０】
次に、図１２及び図１３を参照して、上述の露光装置３０００を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図１２は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。本実施形態においては、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップ７）される。
【００８１】
図１３は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置５００によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置３０００を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
【００８２】
以上、本冷却装置を露光装置に適応した例を示した。本発明の冷却装置はＥＵＶ光に限定することなく、他のエキシマレーザ光にも適応することが可能である。また、マスクやウエハなどにも適応することが可能である。
【００８３】
本願実施態様は以下のように記載することができる。
【００８４】
（実施態様１）  原版のパターンを照明する照明光学系と、前記パターンからの光を基板上に導く投影光学系とを有し、前記基板を露光する露光装置であって、
前記露光装置が少なくとも１つの光学部材と、前記少なくとも１つの光学部材の自重変形量が小さくなるように、前記少なくとも１つの光学部材に対して非接触に力を加える加力手段を有することを特徴とする露光装置。
【００８５】
（実施態様２）  前記加力手段は、永久磁石あるいは電磁石あるいはローレンツ力あるいは静電力のいずれか又はそれらの組み合わせを用いていることを特徴とする実施態様１記載の露光装置。
【００８６】
（実施態様３）  前記投影光学系の波面収差を計測する波面収差計測手段と、該波面収差計測手段の計測結果に基づいて、前記加力手段を制御する制御手段とを有することを特徴とする実施態様１又は２記載の露光装置。
【００８７】
（実施態様４）  前記制御手段が、前記計測結果に基づいて前記少なくとも１つの光学部材の自重方向の変形に対する補正量を算出し、該算出結果に従って前記加力手段を制御することを特徴とする実施態様３記載の露光装置。
【００８８】
（実施態様５）  前記基板を駆動する基板駆動ステージを有し、前記波面収差計測手段は前記基板駆動ステージ上に設けられたことを特徴とする実施態様３又は４記載の露光装置。
【００８９】
（実施態様６）  前記少なくとも１つの光学部材に対して非接触に、前記少なくとも１つの光学部材の位置を調整することが可能な位置調整手段を有することを特徴とする実施態様１乃至５いずれかに記載の露光装置。
【００９０】
（実施態様７）  前記位置調整手段は、永久磁石あるいは電磁石あるいはローレンツ力あるいは静電力のいずれか又はそれらの組み合わせを用いていることを特徴とする実施態様６記載の露光装置。
【００９１】
（実施態様８）  前記投影光学系の波面収差を計測する波面収差計測手段と、該波面収差計測手段の計測結果に基づいて、前記位置調整手段を制御する制御手段とを有することを特徴とする実施態様６又は７記載の露光装置。
【００９２】
（実施態様９）  前記制御手段が、前記計測結果に基づいて前記少なくとも１つの光学部材の位置に対する補正量を算出し、該算出結果に従って前記位置調整手段を制御することを特徴とする実施態様８記載の露光装置。
【００９３】
（実施態様１０）  前記基板を駆動する基板駆動ステージを有し、前記波面収差計測手段は前記基板駆動ステージ上に設けられたことを特徴とする実施態様８又は９記載の露光装置。
【００９４】
（実施態様１１）  原版のパターンを照明し、前記パターンからの光を基板上に導いて前記基板を露光する露光装置であって、
前記露光装置が少なくとも１つの光学部材と、前記少なくとも１つの光学部材の自重変形量が小さくなるように、前記少なくとも１つの光学部材に対して非接触に支持する支持手段を有することを特徴とする露光装置。
【００９５】
（実施態様１２）  前記支持手段は、永久磁石あるいは電磁石あるいはローレンツ力あるいは静電力のいずれか又はそれらの組み合わせを用いていることを特徴とする実施態様１１記載の露光装置。
【００９６】
（実施態様１３）  前記投影光学系の波面収差を計測する波面収差計測手段と、該波面収差計測手段の計測結果に基づいて、前記位置調整手段を制御する制御手段とを有することを特徴とする実施態様１１又は１２記載の露光装置。
【００９７】
（実施態様１４）  前記制御手段が、前記計測結果に基づいて前記少なくとも１つの光学部材の自重方向の変形に対する補正量を算出し、該算出結果に従って前記支持手段を制御することを特徴とする実施態様１３記載の露光装置。
【００９８】
（実施態様１５）  前記基板を駆動する基板駆動ステージを有し、前記波面収差計測手段は前記基板駆動ステージ上に設けられたことを特徴とする実施態様１３又は１４記載の露光装置。
【００９９】
（実施態様１６）  前記少なくとも１つの光学部材に対して非接触に、前記少なくとも１つの光学部材の位置を調整することが可能な位置調整手段を有することを特徴とする実施態様１１乃至１５いずれかに記載の露光装置。
【０１００】
（実施態様１７）  前記位置調整手段は、永久磁石あるいは電磁石あるいはローレンツ力あるいは静電力のいずれか又はそれらの組み合わせを用いていることを特徴とする実施態様１６記載の露光装置。
【０１０１】
（実施態様１８）  前記投影光学系の波面収差を計測する波面収差計測手段と、該波面収差計測手段の計測結果に基づいて、前記位置調整手段を制御する制御手段とを有することを特徴とする実施態様１６又は１７記載の露光装置。
【０１０２】
（実施態様１９）  前記制御手段が、前記計測結果に基づいて前記少なくとも１つの光学部材の位置に対する補正量を算出し、該算出結果に従って前記位置調整手段を制御することを特徴とする実施態様１８記載の露光装置。
【０１０３】
（実施態様２０）  前記基板を駆動する基板駆動ステージを有し、前記波面収差計測手段は前記基板駆動ステージ上に設けられたことを特徴とする実施態様１８又は１９記載の露光装置。
【０１０４】
（実施態様２１）  前記少なくとも１つの光学部材が、該露光装置で用いる光を反射する反射部材であることを特徴とする実施態様１乃至２０いずれかに記載の露光装置。
【０１０５】
（実施態様２２）  実施態様１乃至２１いずれかに記載の露光装置を用いて前記基板を露光する工程と、前記露光された基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【０１０６】
【発明の効果】
本発明により、露光装置上でのミラーの自重変形及び面内並進シフト方向及び鉛直方向の微小変位及び回転軸倒れの補正が可能になり、投影系反射ミラーの波面補正をすることが可能になり、ミラー面精度（光学収差）の悪化を防ぎ、投影光学系の場合ウエハへの結像性能の悪化及び照度低下を防ぐ効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例に示す露光装置全体図
【図２】実施例に示す投影系ミラー詳細図
【図３】実施例に示すミラー波面計測手段構成図
【図４】他の実施例１に示す投影系ミラー詳細図
【図５】他の実施例２に示す投影系ミラー詳細図
【図６】他の実施例３に示す投影系ミラー詳細図
【図７】他の実施例３に示す投影系ミラー詳細図
【図８】他の実施例３に示すミラー波面計測手段構成図
【図９】他の実施例４に示す投影系ミラー詳細図
【図１０】従来例に示す露光装置全体図
【図１１】従来例に示す投影系ミラー詳細図
【図１２】デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである
【図１３】図１２に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである
【符号の説明】
１  励起レーザー
２  光源発光部
２Ａ  光源Ａ
３  真空チャンバー
４  真空ポンプ
５  露光光導入部（照明光学系）
５Ａ  ミラーＡ
５Ｂ  ミラーＢ
５Ｃ  ミラーＣ
５Ｄ  ミラーＤ
６  レチクルステージ
６Ａ  原盤
７  縮小投影ミラー光学系
７Ａ  ミラーＡ
７Ｂ  ミラーＢ
７Ｃ  ミラーＣ
７Ｄ  ミラーＤ
７Ｅ  ミラーＥ
７Ｆ  鏡筒
８  ウエハステージ
８Ａ  ウエハ
９  レチクルステージ支持体
１０  露光装置本体
１１  ウエハステージ支持体
１２  レチクルストッカー
１３  レチクルチェンジャー
１４  レチクルアライメントユニット
１５  レチクルアライメントスコープ
１６  ウエハストッカー
１７  ウエハ搬送ロボット
１８  ウエハメカプリアライメント温調機
１９  ウエハ送り込みハンド
２０  ゲートバルブ
２１  ゲートバルブ
２２  ゲートバルブ
２３  波面計測光源出射口
２３Ａ  波面計測光源光供給光ファイバー
２４  波面計測受光センサー
２５Ｄ  ミラー保持エレメント
２５Ｆ  ミラー変位計測手段
２５Ｇ  自重補償力発生手段（ローレンツ）
２５Ｈ  ＸＹ水平位置補償推力発生手段
２５Ｊ  Ｚ推力発生手段
２５Ｋ  自重補償力発生手段（マグネット）
２５Ｌ  自重補償力発生手段（静電吸引力）
２５Ｍ  自重補償力発生手段（ローレンツ）
２５Ｎ  自重補償力発生手段（ローレンツ）
２５Ｐ  自重補償力発生手段（マグネット）
２６Ｄ  ミラー保持エレメント
２６Ｆ  ミラー変位計測手段
２６Ｇ  自重補償力発生手段（ローレンツ）
２６Ｈ  ＸＹ水平位置補償推力発生手段
２６Ｊ  Ｚ推力発生手段
２６Ｋ  自重補償力発生手段（マグネット）
２６Ｌ  自重補償力発生手段（静電吸引力）
２６Ｍ  自重補償力発生手段（ローレンツ）
２６Ｎ  自重補償力発生手段（ローレンツ）
２６Ｐ  自重補償力発生手段（マグネット）
２７  ミラー系変位計測演算回路
２８  波面計測値演算回路
２９  ミラー自重補償＋鉛直水平補正駆動テーブル演算回路
３０  ミラー自重補償＋水平鉛直補償駆動制御手段
１０１  励起レーザー
１０２  光源発光部
１０２Ａ  光源Ａ
１０２Ｂ  露光光
１０３  真空チャンバー
１０４  真空ポンプ
１０５  露光光導入部
１０５Ａ  ミラーＡ
１０５Ｂ  ミラーＢ
１０５Ｃ  ミラーＣ
１０５Ｄ  ミラーＤ
１０６  レチクルステージ
１０６Ａ  原版
１０７  縮小投影ミラー光学系
１０７Ａ  ミラーＡ
１０７Ｂ  ミラーＢ
１０７Ｃ  ミラーＣ
１０７Ｄ  ミラーＤ
１０７Ｅ  ミラーＥ
１０７Ｆ  鏡筒
１０８  ウエハステージ
１０８Ａ  ウエハ
１０９  レチクルステージ支持体
１１０  露光装置本体
１１１  ウエハステージ支持体
１１２  レチクルストッカー
１１３  レチクルチェンジャー
１１４  レチクルアライメントユニット
１１５  レチクルアライメントスコープ
１１６  ウエハストッカー
１１７  ウエハ搬送ロボット
１１８  ウエハメカプリアライメント温調機
１１９  ウエハ送り込みハンド
１２０  ゲートバルブ
１２１  ゲートバルブ
１２２  ゲートバルブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2004319682.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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