(57)【要約】【課題】様々な基板処理を柔軟に行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】データ設定部の入力部（例えばタッチパネル）に、メインフローや仮フローに関するレシピの作成を入力して、基板処理を統括制御するメインコントローラ、さらには、各セルを制御するセルコントローラに転送する。一連の基板処理に関する選択肢ｆａ、ｆｂ、ｆｃを有するメインフローＭＦを作成する。そして、例えば処理する基板ごとに反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃ（ＢＡＲＣ（８ａ）〜ＢＡＲＣ（８ｃ））を指定して、メインフローＭＦおよび反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃに基づいて、メインフロー中の１つの選択肢ｆａ、ｆｂ、ｆｃを選択して仮フローを作成する。メインコントローラおよびセルコントローラは、作成された仮フローに基づいて基板処理を制御するので、作成された仮フローに合わせて、様々な基板処理を柔軟に行うことができる。【選択図】        図１２
2004319768.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理を行う処理部と、基板処理を制御する制御手段とを備えた基板処理装置であって、
一連の基板処理に関する選択肢を有したメインフローを作成するメインフロー作成手段と、
処理部を指定する処理部指定手段と、
メインフロー作成手段によって作成されたメインフロー、および処理部指定手段によって指定された処理部に基づいて、メインフロー中の１つの選択肢を選択して仮フローを作成する仮フロー作成手段とを備え、
制御手段は、仮フロー作成手段によって作成された仮フローに基づいて基板処理を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記処理部の少なくとも一部は、同一の処理について並行に行う複数の処理部であって、
前記処理部指定手段は、同一の処理について並行に行う複数の処理部から１つを選択することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
前記処理部指定手段は、基板ごとに指定可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置において、
前記処理部の少なくとも一部は、同一の処理について並行に行う複数の処理部であって、
前記処理部指定手段は、同一の処理について並行に行う複数の処理部から１つを選択し、基板が払い出された順に処理部を指定することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理部の少なくとも一部は、基板の検査を行う検査部であることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板（以下、単に基板と称する）に対して基板処理を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の基板処理装置では、基板処理を行う処理部（ユニット）の温度・湿度や処理時間の条件などといった基板処理条件や、どの処理部で行うかを設定するフローのレシピが複数個登録されている。オペレータ（術者）は、これら登録されたフローレシピを選択して基板処理を行っている。
【０００３】
例えば、処理部に未処理の基板を払い出して、処理済みの基板を受け取るインデクサ（Ｉｎｄｅｘｅｒ）と、露光処理を行う露光処理部（Ｅｘｐｏｓｕｒｅ）と、現像処理を行う４つの現像処理部（Ｓｐｉｎ  Ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ）とを備えた基板処理装置の場合には、図２８に示すようなフローレシピが登録されている。なお、図２８中の符号ＩＤはインデクサを示し、符号ＥＸＰは露光処理部を示し、符号ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４は４つの現像処理部をそれぞれ示している。また、符号ＥＸＰ中の『（３０ｓ）』は、露光処理部の露光処理時間が３０秒であることを示し、符号ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４中の各『（１２０ｓ）』は、現像処理部の現像処理時間が１２０秒であることを示す。
【０００４】
このようなレシピの場合、インデクサ（ＩＤ）から露光処理部（ＥＸＰ）に基板を払い出して、露光処理部で露光処理を行い、４つの現像処理部（ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４）のうちいずれか１つの現像処理部に露光処理済みの基板を渡して、その現像処理部で現像処理を行い、インデクサ（ＩＤ）で処理済みの基板を受け取る。
【０００５】
各処理部のタイミングチャートは、図２９に示すとおりである。なお、図２９中の符号Ｗ１は１枚目に処理される基板を示し、符号Ｗ２は２枚目に処理される基板を示し、符号Ｗ３は３枚目に処理される基板を示し、符号Ｗ４は４枚目に処理される基板を示し、符号Ｗ５は５枚目に処理される基板を示し、符号Ｗ６は６枚目に処理される基板を示す。また、図２９および後述する図３１では、基板の搬送時間を考慮せずに説明する。
【０００６】
１枚目の基板Ｗ１を露光処理部（ＥＸＰ）で３０秒間処理すると、それに続いて２枚目の基板Ｗ２を露光処理部で３０秒間処理するとともに、同時に、露光処理部で処理された基板Ｗ１を現像処理部（ＳＤ１）で１２０秒間処理する。２枚目の基板Ｗ２を露光処理部で３０秒間処理すると、それに続いて３枚目の基板Ｗ３を露光処理部で３０秒間処理するとともに、同時に、露光処理部で処理された基板Ｗ２を現像処理部（ＳＤ２）で１２０秒間処理する。同様に、基板Ｗ３も現像処理部（ＳＤ３）で１２０秒間、４枚目の基板Ｗ４も露光処理部で３０秒間、現像処理部（ＳＤ４）で１２０秒間、５枚目の基板Ｗ５も露光処理部で３０秒間の処理を行う。
【０００７】
基板Ｗ５の露光処理部が終了した際には、基板Ｗ１の現像処理部（ＳＤ１）での処理がちょうど終了する。従って、基板Ｗ１を現像処理部（ＳＤ１）からインデクサに渡して、空いた現像処理部（ＳＤ１）で露光処理部が終了した基板Ｗ５を１２０秒間処理する。このように、露光処理部の露光処理時間が３０秒で、現像処理部の現像処理時間が１２０秒の場合には、各現像処理（ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４）にまんべんなく基板を渡して処理することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようなレシピの場合には、次のような問題がある。
すなわち、図２８に示すフローレシピにおいて、図３０に示すように、現像処理部の現像処理時間が１２０秒のままで、露光処理部の露光処理時間が３０秒から９０秒に変更したときには、各処理部のタイミングチャートは、図３１に示すように処理される現像処理部がＳＤ１とＳＤ２とに偏ってしまう。
【０００９】
つまり、１枚目の基板Ｗ１を露光処理部（ＥＸＰ）で９０秒間処理すると、それに続いて２枚目の基板Ｗ２を露光処理部で９０秒間処理するとともに、同時に、露光処理部で処理された基板Ｗ１を現像処理部（ＳＤ１）で１２０秒間処理する。２枚目の基板Ｗ２を露光処理部で９０秒間処理すると、それに続いて３枚目の基板Ｗ３を露光処理部で９０秒間処理するとともに、同時に、露光処理部で処理された基板Ｗ２を現像処理部（ＳＤ２）で１２０秒間処理する。
【００１０】
基板Ｗ３の露光処理部が終了した際には、基板Ｗ１の現像処理部（ＳＤ１）での処理は既に終了している。従って、空いている現像処理部は、ＳＤ２以外のＳＤ１，ＳＤ３，ＳＤ４となるが、優先順位の高いＳＤ１で露光処理部が終了した基板Ｗ３を１２０秒間処理する。このように、処理される現像処理部がＳＤ１とＳＤ２とに偏り、ＳＤ３とＳＤ４とにはいつまでも基板が処理されないことになる。
【００１１】
かかる処理時間の場合には、例えば、基板処理条件を最適化するために基板処理条件を変更しながらダミーの基板を試験的に流して行う（以下、これを『条件出し』という）ときでも、ＳＤ１とＳＤ２とに偏り、ＳＤ３とＳＤ４とにはダミーの基板が流れないことになる。従って、条件出しも含めてＳＤ３とＳＤ４とに基板を流そうとすれば、従来のフローレシピからＳＤ１とＳＤ２とを削除して、ＳＤ３とＳＤ４とで並行に行うフローレシピを作成する必要がある。
【００１２】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、様々な基板処理を柔軟に行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の問題を解決するために鋭意研究した結果、次のような知見を得た。
すなわち、上記フローレシピの場合には、並行処理を行う処理部（上記の場合には現像処理部）ごとに優先順位があって、優先順位の高い処理部から処理が行われ、もし、優先順位の高い処理部で基板が処理されていれば次に優先順位の高い処理部で行うというフローに起因して、優先順位の高い処理部が一旦空けば、その処理部で基板を処理し続け、優先順位の低い処理部にはいつまでも基板が処理されない。
【００１４】
このように、優先順位の高い処理部から処理が行われ、もし、優先順位の高い処理部で基板が処理されていれば次に優先順位の高い処理部で行うという条件以外には、フローレシピは一見制限されていないようだが、この条件によってフローレシピ内で行える処理がかなり制限されるともいえる。してみれば、様々な基板処理を柔軟に行うという点から鑑みれば、並行処理に限らず、メインとなるフローについて選択肢を有するように設定しておいて、後は、指定された処理部に基づいてメインフロー中の１つの選択肢を選択すればよい。さすれば、新たにフローを作成し直したり、メインとなるフローレシピ（以下、単に『メインフロー』と略記する）自体を作成し直す必要はない。このような知見に基づく本発明は、次のような構成をとる。
【００１５】
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板処理を行う処理部と、基板処理を制御する制御手段とを備えた基板処理装置であって、一連の基板処理に関する選択肢を有したメインフローを作成するメインフロー作成手段と、処理部を指定する処理部指定手段と、メインフロー作成手段によって作成されたメインフロー、および処理部指定手段によって指定された処理部に基づいて、メインフロー中の１つの選択肢を選択して仮フローを作成する仮フロー作成手段とを備え、制御手段は、仮フロー作成手段によって作成された仮フローに基づいて基板処理を制御することを特徴とするものである。
【００１６】
〔作用・効果〕請求項１に記載の発明によれば、仮フロー作成手段は、メインフロー作成手段によって作成されたメインフロー、および処理部指定手段によって指定された処理部に基づいて、メインフロー中の１つの選択肢を選択して仮フローを作成する。そして、制御手段は、仮フロー作成手段によって作成された仮フローに基づいて基板処理を制御する。このように、メインフローに、一連の基板処理に関する選択肢を有するようにしたので、メインフロー自体を作成し直したり、メインフロー自体を変更することなく、メインフロー中の１つの選択肢によって仮フローを作成することができる。その結果、メインフロー自体を作成し直したり、メインフロー自体を変更することなく、作成された仮フローに合わせて、様々な基板処理を柔軟に行うことができる。
【００１７】
本発明は、並行処理を行う基板処理装置に有用である。すなわち、処理部の少なくとも一部は、同一の処理について並行に行う複数の処理部であって、同一の処理について並行に行う複数の処理部から１つを選択する（請求項２に記載の発明）ように構成することで、並行処理において、選択された処理部に応じて仮フローを作成することができる。従って、並行処理において、基板が処理される処理部が、ある処理部に偏ったり、別の処理部に基板が処理されないという事態を低減させることができる。
【００１８】
また、上述した各発明において、好ましくは、処理部指定手段は、基板ごとに指定可能（請求項３に記載の発明）に構成する。基板ごとに処理部を指定することで、基板ごとに仮フローを作成することができ、基板ごとに様々な基板処理を柔軟に行うことができる。
【００１９】
また、請求項３に記載の発明において、好ましくは、処理部の少なくとも一部は、同一の処理について並行に行う複数の処理部であって、処理部指定手段は、同一の処理について並行に行う複数の処理部から１つを選択し、基板が払い出された順に処理部を指定する（請求項４に記載の発明）ように構成する。つまり、並行処理を組み合わせて、基板が払い出された順に処理部を指定することで、並行処理において、同一の処理について並行に行う複数の処理部にまんべんなく基板を渡して処理することができる。
【００２０】
また、処理部の少なくとも一部を、基板の検査を行う検査部（請求項５に記載の発明）で構成することで、基板の検査を一連の基板処理に含む場合においても、様々な基板処理を柔軟に行うことができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
図１は実施例に係る基板処理装置の平面図、図２はその正面図、図３は熱処理部の正面図である。
【００２２】
ここでは、半導体ウエハ（以下、単に「基板」という）に、反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、露光された基板に現像処理などの薬液処理を行う基板処理装置を例に採って説明する。もちろん、本発明に係る基板処理装置が取り扱い得る基板は、半導体ウエハに限らず、液晶表示器用のガラス基板など種々の基板を含む。また、薬液処理は、フォトレジスト膜などの塗布形成処理や現像処理に限らず、種々の薬液処理を含む。
【００２３】
図１を参照する。本実施例に係る基板処理装置は大きく分けて、インデクサブロック１と、基板に対して所要の薬液処理を行う３つの処理ブロック（具体的には反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、および現像処理ブロック４）と、インターフェイスブロック５とからなり、これらのブロックを並設して構成されている。インターフェイスブロック５には、本実施例に係る基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置（ステッパー）ＳＴＰが並設される。以下、各ブロックの構成を説明する。
【００２４】
まず、インデクサブロック１について説明する。インンデクサブロック１は、基板Ｗを多段に収納するカセットＣからの基板の取り出しや、カセットＣへの基板Ｗの収納を行う機構である。具体的には、複数個のカッセトＣを並べて載置するカセット載置台６と、各カセットＣから未処理の基板Ｗを順に取り出すとともに、各カセットＣへ処理済の基板Ｗを順に収納するインデクサ用搬送機構７とを備えている。インデクサ用搬送機構７は、カセット載置台６に沿って（Ｙ方向に）水平移動可能な可動台７ａを備えている。この可動台７ａに基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム７ｂが搭載されている。保持アーム７ｂは、可動台７ａ上を昇降（Ｚ方向）移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。
【００２５】
上述したインデクサブロック１に隣接して反射防止膜処理ブロック２が設けられている。図４に示すように、インデクサブロック１と反射防止膜処理ブロック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３にインデクサブロック１と反射防止膜処理ブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられている。
【００２６】
上側の基板載置部ＰＡＳＳ１はインデクサブロック１から反射防止膜処理ブロック２へ基板Ｗを払い出すために、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は反射防止膜処理ブロック２からインデクサブロック１へ基板Ｗを戻すために、それぞれ設けられている。反射防止膜処理ブロック２を基準にして言えば、基板載置部ＰＡＳＳ１は、反射防止膜処理ブロック２に基板Ｗを受け入れるための入口基板載置部に相当する。特に、インデクサブロック１から露光装置ＳＴＰに向かって流れる基板Ｗの搬送方向を順方向とした場合に、基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗを順方向に搬送するときに使われる送り用入口基板載置部に相当する。一方、基板載置部ＰＡＳＳ２は、反射防止膜処理ブロック２から基板Ｗを払い出すための出口基板載置部であり、特に、基板Ｗを逆方向（本実施例では、露光装置ＳＴＰからインデクサブロック１に向かって流れる基板Ｗの搬送方向）に搬送するときに使われる戻り用出口基板載置部に相当する。
【００２７】
基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は、隔壁１３を部分的に貫通して設けられている。なお、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は、固定設置された複数本の支持ピンから構成されており、この点は後述する他の基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０も同様である。また、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する図示しない光学式のセンサが設けられており、各センサの検出信号に基づいてインデクサ用搬送機構７や、後述する反射防止膜用処理ブロック２の第１の主搬送機構１０Ａが、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対して基板を受け渡しできる状態であるかどうかを判断するようになっている。同様のセンサは他の基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０にも設けられている。
【００２８】
反射防止膜処理ブロック２について説明する。反射防止膜処理ブロック２は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下部に反射防止膜を塗布形成するための機構である。具体的には、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成する反射防止膜用塗布処理部８と、反射防止膜の塗布形成に関連して基板Ｗを熱処理する反射防止膜用熱処理部９と、反射防止膜用塗布処理部８および反射防止膜用熱処理部９に対して基板Ｗの受け渡しをする第１の主搬送機構１０Ａとを備える。
【００２９】
反射防止膜処理ブロック２は、第１の主搬送機構１０Ａを挟んで反射防止膜用塗布処理部８と反射防止膜用熱処理部９とが対向して配置されている。具体的には、塗布処理部８が装置正面側に、熱処理部９が装置背面側に、それぞれ位置している。このように薬液処理部と熱処理部とを主搬送機構を挟んで対向配置する点は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４においても同様である。このような配置にすれば、薬液処理部と熱処理部とが隔たるので、薬液処理部が熱処理部から受ける熱的影響を抑えることができる。また、本実施例では、熱処理部９の正面側に図示しない熱隔壁を設けて、反射防止膜用塗布処理部８への熱的影響を回避している。同様な熱隔壁は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４にも設けられている。
【００３０】
反射防止膜用塗布処理部８は、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃ（以下、特に区別しない場合は符号「８」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各塗布処理部８は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１１や、このスピンチャック１１上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を供給するノズル１２などを備えている。
【００３１】
反射防止膜用熱処理部９は、図３に示すように、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する複数個の加熱プレートＨＰ、加熱された基板Ｗを常温にまで冷却する複数個の冷却プレートＣＰ、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する複数個のアドヒージョン処理部ＡＨＬなどの熱処理部を含む。これらの熱処理部９の下部には、ヒータコントローラ（ＣＯＮＴ）が配設され、また熱処理部９の上部（図３中に「×」印で示した個所）には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている。
【００３２】
反射防止膜用熱処理部９は、各熱処理部（ＨＰ，ＣＰ，ＡＨＬ）を上下に積層配置して構成されているとともに、積層配置された一群の熱処理部が複数例（本実施例では２列）にわたり並設されている。薬液処理部を上下に積層配置している点、および上下に積層配置した一群の熱処理部を複数列にわたり並設している点は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４においても同様である。
【００３３】
上述したように各処理ブロック２〜４で薬液処理部や熱処理部を上下に積層配置することにより、基板処理装置の占有スペースを小さくすることができる。また、積層配置した一群の記熱処理部を複数列にわたり並設することにより、熱処理部のメンテナンスが容易になるとともに、熱処理部に必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなるという利点がある。
【００３４】
第１の主搬送機構１０Ａについて説明する。なお、後述する他のレジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４、およびインターフェイスブロック５にそれぞれ備えられた第２、第３、第４の各主搬送機構１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄも同様に構成されている。以下、第１〜第４の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄを特に区別しない場合は、主搬送機構１０として説明する。
【００３５】
図６を参照する。同図（ａ）は主搬送機構１０の平面図、（ｂ）はその正面図である。主搬送機構１０は、基板Ｗを水平姿勢で保持する２個の保持アーム１０ａ、１０ｂを上下に近接して備えている。保持アーム１０ａ、１０ｂは、先端部が平面視で「Ｃ］の字状になっており、この「Ｃ」の字状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピン１０ｃで基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。主搬送機構１０の基台１０ｄは装置基台に対して固定設置されている。この基台１０ｄ上に螺軸１０ｅが回転可能に立設支持されている。基台１０ｄに螺軸１０ｅを回転駆動するモータ１０ｆが設けられている。螺軸１０ｅに昇降台１０ｇが螺合されており、モータ１０ｆが螺軸１０ｅを回転駆動することにより、昇降台１０ｇがガイド軸１０ｊに案内されて昇降移動するようになっている。昇降台１０ｇ上にアーム基台１０ｈが縦軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降台１０ｇにはアーム基台１０ｈを旋回駆動するモータ１０ｉが設けられている。アーム基台１０ｈ上に上述した２つの保持アーム１０ａ、１０ｂが上下に配設されている。各保持アーム１０ａ、１０ｂは、アーム基台１０ｈ内に装備された駆動機構（図示せず）によって、各々が独立してアーム基台１０ｈの旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。
【００３６】
上述した反射防止膜処理ブロック２に隣接してレジスト膜処理ブロック３が設けられている。図４に示すように、反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜処理ブロック３との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３に反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜処理ブロック３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられている。
【００３７】
上述した基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２の場合と同様に、上側の基板載置部ＰＡＳＳ３が基板Ｗの払出し用、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４が基板Ｗの戻し用になっているとともに、これらの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４は隔壁１３を部分的に貫通している。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ３は、反射防止膜処理ブロック２を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、レジスト膜処理ブロック３を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ４は、反射防止膜処理ブロック２を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、レジスト膜処理ブロック３を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。これらの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するために水冷式の２つの冷却プレートＷＣＰが隔壁１３を貫通して上下に設けられている。
【００３８】
レジスト膜用処理ブロック３について説明する。レジスト膜用処理ブロック３は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を塗布形成する機構である。なお、本実施例では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト膜用処理ブロック３は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗにフォトレジスト膜を塗布形成するレジスト膜用塗布処理部１５と、フォトレジスト膜の塗布形成に関連して基板を熱処理するレジスト膜用熱処理部１６と、レジスト膜用塗布処理部１５およびレジスト膜用熱処理部１６に対して基板Ｗの受け渡しをする第２の主搬送機構１０Ｂとを備える。
【００３９】
レジスト膜用塗布処理部１５は、図２に示すように、同様の構成を備えた３つのレジスト膜用塗布処理部１５ａ〜１５ｃ（以下、特に区別しない場合は符号「１５」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各塗布処理部１５は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１７や、このスピンチャック１７上に保持された基板Ｗ上にレジスト膜用の塗布液を供給するノズル１８などを備えている。
【００４０】
レジスト膜用熱処理部１６は、図３に示すように、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する基板仮置部付きの複数個の加熱部ＰＨＰ、基板Ｗを常温にまで高い精度で冷却する複数個の冷却プレートＣＰなどの熱処理部を含む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置されている点は、反射防止膜用処理ブロック２の場合と同様である。
【００４１】
基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰについて説明する。
図７を参照する。同図（ａ）は加熱部ＰＨＰの破断側面図、（ｂ）は破断平面図である。加熱部ＰＨＰは、基板Ｗを載置して加熱処理をする加熱プレートＨＰと、この加熱プレートＨＰから離れた上方位置または下方位置（本実施例では上方位置）に基板Ｗを載置しておく基板仮置部１９と、加熱プレートＨＰと基板仮置部１９との間で基板Ｗを搬送する熱処理部用のローカル搬送機構２０とを備えている。加熱プレートＨＰには、プレート表面に出没する複数本の可動支持ピン２１が設けられている。加熱プレートＨＰの上方には加熱処理時に基板Ｗを覆う昇降自在の上蓋２２が設けられている。基板仮置部１９には基板Ｗを支持する複数本の固定支持ピン２３が設けられている。
【００４２】
ローカル搬送機構２０は、基板Ｗを水平姿勢で保持する保持プレート２４を備え、この保持プレート２４がネジ送り駆動機構２５によって昇降移動されるとともに、ベルト駆動機構２６によって進退移動されるようになっている。保持プレート２４は、これが加熱プレートＨＰや基板仮置部１９の上方に進出したときに、可動支持ピン２１や固定支持ピン２３と干渉しないように複数本のスリット２４ａが形成されている。また、ローカル搬送機構２０は、加熱プレートＨＰから基板仮置部１９へ基板Ｗを搬送する過程で基板を冷却する手段を備えている。この冷却手段は、例えば保持プレート２４の内部に冷却水流路２４ｂを設け、この冷却水流路２４ｂに冷却水を流通させることによって構成されている。
【００４３】
上述したローカル搬送機構２０は、加熱プレートＨＰおよび基板仮置部１９を挟んで第２の主搬送機構１０Ｂとは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。そして、加熱プレートＨＰおよび基板仮置部１９を覆う筐体２７の上部、すなわち基板仮置部１９を覆う部位には、その正面側に第２の主搬送機構１０Ｂの進入を許容する開口部１９ａが、その背面側にはローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｂが、それぞれ設けられている。また、筐体２７の下部、すなわち加熱プレートＨＰを覆う部位は、その正面側が閉塞し、その背面側にローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｃが設けられている。
【００４４】
上述した加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの出し入れは以下のようにして行われる。まず、主搬送機構１０（レジスト膜用処理ブロック３の場合は、第２の主搬送機構１０Ｂ）が基板Ｗを保持して、基板仮置部１９の固定支持ピン２３の上に基板Ｗを載置する。続いてローカル搬送機構２０の保持プレート２４が基板Ｗの下側に進入してから少し上昇することにより、固定支持ピン２３から基板Ｗを受け取る。基板Ｗを保持した保持プレート２４は筐体２７から退出して、加熱プレートＨＰに対向する位置にまで下降する。このとき加熱プレートＨＰの可動支持ピン２１は下降しているとともに、上蓋２２は上昇している。基板Ｗを保持した保持プレート２４は加熱プレートＨＰの上方に進出する。可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを受け取った後に保持プレート２４が退出する。続いて可動支持ピン２１が下降して基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に載せるとともに、上蓋２２が下降して基板Ｗを覆う。この状態で基板Ｗが加熱処理される。加熱処理が終わると上蓋２２が上昇するとともに、可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを持ち上げる。続いて保持プレート２４が基板Ｗの下に進出した後、可動支持ピン２３が下降することにより、基板Ｗが保持プレート２４に受け渡される。基板Ｗを保持した保持プレート２４が退出して、さらに上昇して基板Ｗを基板仮置部１９に搬送する。基板仮置部１９内で保持プレート２４に支持された基板Ｗが、保持プレート２４が有する冷却機能によって冷却される。保持プレート２４は、冷却した（常温に戻した）基板Ｗを基板仮置部１９の固定支持ピン２３上に移載する。この基板Ｗを主搬送機構１０が取り出して搬送する。
【００４５】
以上のように、主搬送機構１０は、基板仮置部１９に対して基板Ｗの受け渡しをするだけで、加熱プレートＨＰに対して基板の受け渡しをしないので、主搬送機構１０が温度上昇するのを回避することができる。また、加熱プレートＨＰに基板Ｗを出し入れするための開口部１９ｃが、主搬送機構１０が配置された側とは反対側に位置しているので、開口部１９ｃから漏れ出た熱雰囲気で主搬送機構１０が温度上昇することがなく、またレジスト膜用塗布処理部１５が開口部１９ｃから漏れ出た熱雰囲気で悪影響を受けることもない。
【００４６】
上述したレジスト膜処理ブロック３に隣接して現像処理ブロック４が設けられている。図４に示すように、レジスト膜処理ブロック３と現像処理ブロック４との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられており、この隔壁１３に両処理ブロック３、４間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，６と、基板Ｗを大まかに冷却するために水冷式の２つの冷却プレートＷＣＰが上下に積層して設けられている。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト膜処理ブロック３を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、現像処理ブロック４を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ６は、レジスト膜処理ブロック３を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、現像処理ブロック４を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
【００４７】
現像処理ブロック４について説明する。現像処理ブロック４は、露光された基板Ｗに対して現像処理をする機構である。具体的には、露光された基板Ｗに現像処理をする現像処理部３０と、現像処理に関連して基板を熱処理する現像用熱処理部３１と、現像処理部３０および現像用熱処理部３１に対して基板Ｗの受け渡しをする第３の主搬送機構１０Ｃとを備える。
【００４８】
現像処理部３０は、図２に示すように、同様の構成を備えた５つの現像処理部３０ａ〜３０ｅ（以下、特に区別しない場合は符号「３０」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各現像処理部３０は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３２や、このスピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル３３などを備えている。
【００４９】
現像用熱処理部３１は、図３に示すように、各々複数個の加熱プレートＨＰ、基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰ、冷却プレートＣＰなどの熱処理部を含む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置されている点は、他の処理ブロック２、３の場合と同様である。現像用熱処理部３１の右側（インターフェイスブロック５に隣接している側）の熱処理部の列には、現像処理ブロック４と、これに隣接するインターフェイスブロック５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７が基板Ｗの払出し用、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８が基板Ｗの戻し用になっている。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理ブロック４を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、インターフェイスブロック５を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ８は、現像処理ブロック４を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、インターフェイスブロック５を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
【００５０】
インターフェイスブロック５について説明する。インターフェイスブロック５は、本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しをする機構である。本実施例装置におけるインターフェイスブロック５には、露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しをするためのインターフェイス用搬送機構３５の他に、フォトレジストが塗布された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光部ＥＥＷと、現像処理ブロック４内に配設された基板仮置部付きの熱処理部ＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷに対して基板Ｗを受け渡しする第４の主搬送機構１０Ｄを備えている。
【００５１】
エッジ露光部ＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３６や、このスピンチャック３６上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器３７などを備えている。２つのエッジ露光部ＥＥＷは、インターフェイスブロック５の中央部に上下に積層配置されている。このエッジ露光部ＥＥＷと現像処理ブロック４の熱処理部とに隣接して配置されている第４の主搬送機構１０Ｄは、図６で説明した主搬送機構１０と同様の構成を備えている。
【００５２】
図２および図５を参照する。図５はインターフェイスブロック５の側面図である。２つのエッジ露光部ＥＥＷの下側に、基板戻し用のバッファＲＢＦがあり、さらにその下側に２つの基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０が積層配置されている。基板戻し用のバッファＲＢＦは、故障などのために現像処理ブロック４が基板Ｗの現像処理をすることができない場合に、現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰで露光後の加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。このバッファＲＢＦは、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０は、第４の主搬送機構１０Ｄとインターフェイス用搬送機構３５との間で基板Ｗの受け渡しを行うためのもので、上側が基板払出し用、下側が基板戻し用になっている。
【００５３】
インターフェイス用搬送機構３５は、図１および図５に示すように、Ｙ方向に水平移動可能な可動台３５ａを備え、この可動台３５ａ上に基板Ｗを保持する保持アーム３５ｂを搭載している。保持アーム３５ｂは、昇降・旋回および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。インターフェイス用搬送機構３５の搬送経路の一端（図５中に示す位置Ｐ１）は、積層された基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０の下方にまで延びており、この位置Ｐ１で露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行う。また、搬送経路の他端位置Ｐ２では、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、送り用バッファＳＢＦに対する基板Ｗの収納と取り出しとを行う。送り用バッファＳＢＦは、露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。
【００５４】
以上のように構成された基板処理装置は、インデクサブロック１、各処理ブロック２、３、４、およびインターフェイスブロック５内に清浄空気がダウンフローの状態で供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれて、外部環境からのパーティクルや汚染物質の侵入などを防いでいる。特に、反射防止膜用処理ブロック２内の気圧はインデクサブロク１内の気圧よりも高くなるように設定されている。これにより、インデクサブロック１内の雰囲気が反射防止膜用処理ブロック２に流入しないので、外部の雰囲気の影響を受けずに各処理ブロック２、３、４で処理を行うことができる。
【００５５】
次に本実施例に係る基板処理装置の制御系、特に基板搬送に係る制御手法について説明する。
上述したインデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４、およびインターフェイスブロック５は、本実施例に係る基板処理装置を機構的に分割した要素である。具体的には、各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置が構成されている（図８（ａ）参照）。
【００５６】
一方、本発明の特徴の１つとして、基板搬送に係る被制御ユニットの単位を機械的要素である各ブロックとは別に構成している。すなわち、基板に所要の処理を行う処理部と、前記処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、前記被制御ユニットを並設して基板処理装置を構成している。各被制御ユニットには、その被制御ユニットに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その被制御ユニットから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられている。そして、各被制御ユニットの主搬送機構は、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して、互いに基板の受け渡しを行い、かつ、各被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡し動作を少なくとも制御するユニット制御手段を各被制御ユニットごとに備え、各ユニット制御手段は、前記処理部に対する基板の受け渡しおよび前記基板載置部に対する基板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、各々独立して行うようになっている。
【００５７】
以下、本実施例装置における被制御ユニットの単位を「セル」という。実施例装置の制御系を構成する各セルの配置を図８（ｂ）に示す。
【００５８】
インデクサセルＣ１は、カセット載置台６とインデクサ用搬送機構７とを含む。このセルＣ１は、結果として機械的に分割した要素であるインデクサブロック１と同じ構成になっている。反射防止膜用処理セルＣ２は、反射防止膜用塗布処理部８と反射防止膜用熱処理部９と第１の主搬送機構１０Ａとを含む。このセルＣ２も、結果として機械的に分割した要素である反射防止膜用処理ブロック２と同じ構成になっている。レジスト膜用処理セルＣ３は、レジスト膜用塗布処理部１５とレジスト膜用熱処理部１６と第２の主搬送機構１０Ｂとを含む。このセルＣ３も、結果として機械的に分割した要素であるレジスト膜用処理ブロック３と同じ構成になっている。
【００５９】
一方、現像処理セルＣ４は、現像処理部３０と、露光後加熱に使われる熱処理部（実施例では、加熱部ＰＨＰ）を除いた現像用熱処理部３１と、第３の主搬送機構１０Ｃとを含む。このセルＣ３は、露光後加熱に使われる加熱部ＰＨＰを含んでいない点で、機械的に分割した要素である現像処理ブロック４とは異なる構成になっている。
【００６０】
露光後加熱用処理セルＣ５は、露光された基板Ｗを現像前に加熱処理する露光後加熱用の熱処理部（実施例では、現像処理ブロック４に設けられた加熱部ＰＨＰ）と、エッジ露光部ＥＥＷと、第４の主搬送機構１０Ｄとを含む。このセルＣ５は、機械的に分割した要素である現像処理ブロック４とインターフェイスブロック５とにまたがるもので、本実施例装置の特徴的なセルである。このように露光後加熱用の熱処理部（加熱部ＰＨＰ）と第４の主搬送機構１０Ｄとを含んで１つのセルを構成しているので、露光された基板を速やかに加熱部ＰＨＰに搬入して熱処理を行うことができる。これは露光後の加熱を速やかに行う必要がある化学増幅型フォトレジストを用いた場合に好適である。
【００６１】
なお、上述した基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８は、現像処理セルＣ４の第３の主搬送機構１０Ｃと、露光後加熱用処理セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄとの間の基板Ｗの受け渡しに介在する。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理セルＣ４を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ８は、現像処理セルＣ４を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
【００６２】
インターフェイスセルＣ６は、外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しをするインターフェイス用搬送機構３５を含む。このセルＣ６は、第４の主搬送機構１０Ｄやエッジ露光部ＥＥＷを含まない点で、機械的に分割した要素であるインターフェイスブロック５とは異なる構成になっている。なお、上述した基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０は、露光後加熱用処理セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄと、インターフェイス用搬送機構３５との間の基板Ｗの受け渡しに介在する。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ９は、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ１０は、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
【００６３】
本実施例装置は、上述した６つのセルＣ１〜Ｃ６を並設して構成されており、各セルＣ１〜Ｃ６間の基板の受け渡しは、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０を介して行われる。換言すれば、単一の被制御ユニット（セル）は、単一の主搬送機構を含み、その主搬送機構が、特定の入口基板載置部から受け取った基板を特定の出口基板載置部に置くまでに、基板の受け渡しを行う処理部を含んで構成される。
【００６４】
図９（ａ）に示すように、セルＣ１〜Ｃ６は、各々のセルの主搬送機構（インデクサ用搬送機構７およびインターフェイス用搬送機構３５を含む）の基板受け渡し動作を少なくとも制御するセルコントローラ（ユニット制御手段）ＣＴ１〜ＣＴ６を個別に備えている。各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、所定の入口基板載置部に置かれた基板の受け取りから始まって、所定の出口基板載置部に基板を置くことによって完結する一連の制御を、各々独立して行うようになっている。具体的には、各セルＣ１〜Ｃ６のセルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、所定の基板載置部に基板を置いたという情報を、隣のセルのセルコントラーラに送り、その基板を受け取ったセルのセルコントローラは、所定の基板載置部から基板を受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラに返すという情報のやり取りを行う。このような情報のやり取りは、各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６に接続されて、これらを統括的に管理するメインコントローラ（主制御手段）ＭＣを介して行われる。メインコントローラＭＣは、後述するデータ設定部ＨＣに接続され、データ設定部ＨＣとの間で通信可能に構成されている。
【００６５】
各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、隣接するセル内での主搬送機構の動きを考慮することなく、各セル内の基板の受け渡しだけを対象にして制御を進めている。従って、各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御の負担が少なくなる。これに対して、従来の基板処理装置の制御手法によると、図９（ｂ）に示すように、各ブロック１〜５が基板処理のスケジュール管理用のコントローラＣＴ０に基板搬送に係る情報を与えて、コントローラＣＴ０が統括的に基板搬送を管理しているので、コントローラＣＴ１０の負担が多くなる。
【００６６】
以上のように本実施例によれば各セルのコントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御負担が少なくなるので、それだけ基板処理装置のスループットを向上させることができる。また、図９（ｂ）に示した従来の制御手法によると、新たに処理部を追加すると、コントローラＣＴ０のスケジュール管理用のプログラムを大幅に修正する必要が生じるが、本発明に係る制御手法によれば、新たにセルを追加しても、隣接するセルに影響を与えないので、セルの追加を容易に行うことができる。追加するセルの種類は特に限定されないが、例えば、レジスト膜用処理セルＣ３と現像処理セルＣ４との間に、基板Ｗに塗布されたレジスト膜の厚みを検査したり、あるいは現像後のレジスト膜の線幅を検査する検査用セルを追加してもよい。この場合、検査用セルは、本実施例装置の他のセルと同様に、基板を検査する基板検査部と、この検査部に対して基板を搬送する基板検査用の主搬送機構とを含んで構成される。また、検査用セルと隣接セルとの間の基板の受け渡しは、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して行われる。
【００６７】
なお、図９（ａ）に示した制御手法は、いわゆる分散制御と呼ばれるものである。本実施例では、この分散制御を本発明に適用しているが、図９（ｂ）に示した従来の制御手法にも本発明を適用することができる。
【００６８】
次に、データ設定部ＨＣの具体的構成について図１０を参照して説明する。データ設定部ＨＣの入力部３８は、マウスやキーボード３８ａやタッチパネル３８ｂやボタンなどのポインティングデバイスで構成されており、オペレータが入力したデータを、メインコントローラＭＣ、さらには各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６に転送して、各セルに関する基板制御をそれぞれ行っている。また、メインコントローラＭＣには、図示を省略するＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）などに代表される記憶部を備えており、各種のデータが記憶されている。
【００６９】
データ設定部ＨＣの画面は、このタッチパネル３８ｂで表示され、タッチパネル３８ｂの操作表示にしたがって、オペレータはタッチパネル３８ｂに直接触って、データの入力を行う。
【００７０】
本実施例の場合には、データ設定部ＨＣの入力部３８にオペレータが入力することで、後述するメインフローや仮フローに関するレシピの作成を行ったり、処理部の指定を行い、入力されたメインフローなどのデータをメインコントローラＭＣ、さらには各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６に転送している。また、作成されたメインフローは上述した記憶部に記憶されており、必要に応じて適宜読み出し、読み出されたメインフローを変更したり、読み出されたメインフローに基づいて仮フローを作成することも可能である。マウスやキーボード３８ａやタッチパネル３８ｂやボタンなどの入力部３８は、本発明におけるメインフロー作成手段と処理部指定手段と仮フロー作成手段とに相当する。
【００７１】
次に、本実施例に係る基板処理装置の基本的な動作について図１１を参照して説明する。図１１（ａ）は反射防止膜用処理セルＣ２に関する基板のフローチャート、図１１（ｂ）はレジスト膜用処理セルＣ３に関する基板のフローチャート、図１１（ｃ）は現像処理セルＣ４に関する基板のフローチャート、図１１（ｄ）は露光後加熱用処理セルＣ５に関する基板のフローチャートである。
【００７２】
まず、インデクサセルＣ１（インデクサブロック１）のインデクサ用搬送機構７が、所定のカセットＣに対向する位置にまで水平移動する。続いて、保持アーム７ｂが昇降および進退移動することにより、そのカセットＣに収納されている未処理の基板Ｗを取り出す。保持アーム７ｂに基板Ｗを保持した状態で、インデクサ用搬送機構７が、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置にまで水平移動する。そして、保持アーム７ｂ上の基板Ｗを基板払出し用の上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板戻し用の下側の基板載置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合、インデクサ用搬送機構７は、その処理済みの基板Ｗを保持アーム７ｂ上に受け取って、所定のカッセトＣに処理済みの基板Ｗを収納する。以下、同様にカセットＣから未処理基板Ｗを取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送するとともに、処理済み基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２から受け取ってカセットＣに収納するという動作を繰り返し行う。
【００７３】
図１１（ａ）に示すように反射防止膜用処理セルＣ２では、順方向においては、基板載置部ＰＡＳＳ１（反射防止膜用処理セルＣ２を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）、冷却プレートＣＰ、反射防止膜用塗布処理部８、加熱プレートＨＰ、冷却プレートＷＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ３（反射防止膜用処理セルＣ２を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）の順に基板Ｗが処理される。逆方向においては、ＰＡＳＳ４（反射防止膜用処理セルＣ２を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）、基板載置部ＰＡＳＳ２（反射防止膜用処理セルＣ２を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）の順に基板Ｗが処理される。なお、図１１（ａ）中の符号ＢＡＲＣは反射防止膜用塗布処理部８を示している。
【００７４】
基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理基板Ｗが置かれると、セルＣ２の第１の主搬送機構１０Ａは、保持アーム１０ａ、１０ｂを基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置にまで一体に昇降および旋回移動させる。そして、一方の保持アーム１０ｂに保持している処理済みの基板Ｗを下側の戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ２に置き、その後、上側の送り用入口基板載置部ＰＡＳＳ１に置かれている未処理基板Ｗを、空の状態になった一方の保持アーム１０ｂを再び駆動して、その保持アーム１０ｂ上に受け取るという、保持アーム１０ｂだけを使った処理済み基板Ｗおよび未処理基板Ｗの受け渡し動作を行う。
【００７５】
具体的には、保持アーム１０ｂを前進移動させて戻り用出口基板載置部ＰＡＳＳ２上に処理済みの基板Ｗを置く。処理済みの基板Ｗを渡した保持アーム１０ｂは元の位置にまで後退する。続いて、保持アーム１０ａ、１０ｂを一体に少し上昇させた後、空の状態になった保持アーム１０ｂを再び前進移動させて送り用入口基板載置部ＰＡＳＳ１上の未処理基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。基板Ｗを受け取った保持アーム１０ｂは元の位置にまで後退する。
【００７６】
上述したように、本実施例では、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する処理済み基板Ｗおよび未処理基板Ｗの受け渡し動作を保持アーム１０ｂだけを使って行っている。一方の保持アーム１０ａに保持した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に渡した後は、両方の保持アーム１０ａ、１０ｂは空の状態になっているので、いずれの保持アーム１０ａ、１０ｂを使っても基板載置部ＰＡＳＳ１の基板Ｗを受け取ることができる。しかし、本実施例では、後述する説明から明らかになるように、加熱プレートＨＰで処理されて加熱された基板Ｗを、上側に配置された保持アーム１０ａで受け取るために、元々空の状態にあった保持アーム１０ａを使わずに、保持アーム１０ｂを再駆動して基板載置部ＰＡＳＳ１の基板Ｗを受け取るように構成してある。この基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する未処理基板Ｗおよび処理済み基板Ｗの受け渡しは、図１１（ａ）中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（１）に相当する。
【００７７】
基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第１の主搬送機構１０Ａは、基板Ｗを保持していない空の状態の保持アーム１０ａと、未処理基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、反射防止膜用熱処理部９の所定の冷却プレートＣＰに対向させる。通常、この冷却プレートＣＰには、先行処理されている基板Ｗが入っている。そこで、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。続いて未処理基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。冷却プレートＣＰに載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に、常温にまで精度よく冷却される。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ａ）中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（２）に相当する。
【００７８】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、所定の反射防止膜用塗布処理部８に対向させる。通常、この反射防止膜用塗布処理部８には、先行処理されている基板Ｗが入っている。そこで、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その反射防止膜用塗布処理部８にあるスピンチャック１１上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。続いて基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、基板Ｗをそのスピンチャック１１上に置く。スピンチャック１１上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に、反射防止膜が塗布形成される。このスピンチャック１１に対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ａ）中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（３）に相当する。
【００７９】
スピンチャック１１への基板Ｗの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、反射防止膜が塗布された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、所定の加熱プレートＨＰに対向させる。通常、この加熱プレートＨＰにも先行処理されている基板Ｗが入っているので、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱プレートＨＰ上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に置く。加熱プレートＨＰ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に熱処理されて、基板Ｗ上の反射防止膜に含まれる余剰の溶剤が除去される。この加熱プレートＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ａ）中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（４）に相当する。
【００８０】
加熱プレートＨＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、隔壁１３に設置された水冷式の冷却プレートＷＣＰに対向させる。上述したと同様に、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＷＣＰ上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。続いて、保持アーム１０ａを前進移動させて、基板Ｗを冷却プレートＷＣＰ上に置く。冷却プレートＷＣＰ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に大まかに冷却処理される。この冷却プレートＷＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ａ）中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（５）に相当する。
【００８１】
冷却プレートＷＣＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、大まかに冷却された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に上昇させて、冷却プレートＷＣＰの上方に配設されている基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対向させる。そして、保持アーム１０ｂを前進移動させて上側の基板載置部ＰＡＳＳ３上に基板Ｗを置く。通常、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４に、レジスト膜用処理セルＣ３を介して現像処理セルＣ４から送られてきた現像処理済みの基板Ｗが置かれている。そこで、保持アーム１０ａ、１０ｂを一体に少し下降させた後、空の状態になった保持アーム１０ｂを再び前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ４上の現像処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。この基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ａ）中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（６）に相当する。
【００８２】
反射防止膜用処理セルＣ２に備えられた第１の主搬送機構１０Ａは、上述した各搬送工程を繰り返し行う。ここで、図１１（ａ）に示す順方向と逆方向とを合計すると、６つの搬送工程を負担することになる。
【００８３】
上述した説明から明らかなように、加熱プレートＨＰで加熱処理された基板Ｗは、常に上側の保持アーム１０ａで保持される。加熱された基板Ｗからの熱的影響は上方に強く及ぶので、加熱された基板Ｗの影響で下側の保持アーム１０ｂが温度上昇するのを抑制することができる。この熱的影響をあまり受けていない下側の保持アーム１０ｂを使って、反射防止膜用処理セルＣ２から次のレジスト膜用処理セルＣ３に基板Ｗを払い出すようにしているので、レジスト膜の塗付処理を受ける基板Ｗの温度変動を抑制することができる。
【００８４】
なお、本実施例の反射防止膜用処理セルＣ２は、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する基板Ｗの受け渡しと、基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しとの間に、偶数回の基板Ｗの受け渡し（すなわち図１１（ａ）で「ＣＰ］、「ＢＡＲＣ」、「ＨＰ」、「ＷＣＰ」で表した各処理に伴う基板Ｗの受け渡し）を行う。このような場合、必ずしも上述したように、一方の保持アーム１０ｂだけを使って基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗの受け渡しを行う必要はなく、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対してそれぞれ２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを使って基板Ｗの受け渡しを行っても、加熱処理された直後の基板Ｗを保持する保持アームを、一方の保持アーム１０ａに固定することはできる。
【００８５】
しかし、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する基板Ｗの受け渡しと基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しとの間に行われる基板Ｗの受け渡し回数（基板の受け渡しを伴う処理の回数）が奇数回になった場合（後述する露光後加熱用処理セルＣ５のような場合）に、上記のように基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４の両方に対して２つの保持アーム１０ａ、１０ｂ（１つの保持アームのみを使う場合も同様であるが）を使って基板Ｗの受け渡しを行うと、搬送行程の１サイクルごとに、基板Ｗを扱う保持アームが交互に入れ代わるので、加熱処理後の基板Ｗを一方の保持アーム１０ａだけで取り扱うことができなくなる。その結果、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂが加熱された基板Ｗから熱的影響を受けて蓄熱し、他の基板Ｗに熱的悪影響を与えるという不具合を招く。
【００８６】
これに対して、本実施例では、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂのいずれかに基板Ｗを保持した状態で、２つの基板載置部に対して基板Ｗの受け渡しを行うにあたり、一方の保持アーム上の基板Ｗを先に一方の基板載置部に渡すことにより、一時的に２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを空の状態にしているので、他方の基板載置部上の基板Ｗをいずれの保持アーム１０ａ、１０ｂを使っても受け取ることができる。従って、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する基板Ｗの受け渡しと基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しとの間に、奇数回の基板Ｗの受け渡し（基板の受け渡しを伴う処理）がある場合には、一方の２つの基板載置部（例えば、上下に近接配置された送り用入口基板載置部と戻り用出口基板載置部）に対しては１つの保持アーム（例えば、保持アーム１０ｂ）を使って基板Ｗの受け渡しを行い、他方の２つの基板載置部（例えば、送り用出口基板載置部と戻り用入口基板載置部）に対しては２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを使って基板Ｗの受け渡しを行うことにより、各処理に伴う基板Ｗの受け渡しを常に同じ保持アームを使って行うことができる。すなわち、保持アーム１０ａ、１０ｂのうち、加熱プレートＨＰで加熱処理がなされた基板Ｗを受け取る保持アームが毎搬送サイクルとも同じになるという条件を満たすように、空の状態の保持アーム１０ａ、１０ｂのうちの１つを駆動して、入口基板載置部に置かれている基板を受け取るようにしているのである。従って、保持アーム１０ａ、１０ｂから基板Ｗに与える熱的影響を抑制することができ、また、保持アーム１０ａ、１０ｂから基板Ｗに対して何らかの熱的影響が仮にあったとしても、その熱的影響が基板Ｗごとに変動するということがなく、基板Ｗに対する熱的影響の「変動」を最小限度に抑えることができ、もって基板処理の品質を安定させることができる。
【００８７】
上記のような２つの基板載置部に対して一方の保持アーム１０ｂだけを使って基板Ｗの受け渡しをする手法は、後述する他の処理セルＣ２〜Ｃ４（ただし、露光後加熱用処理セルＣ５を除く）においても同様である。なお、本発明はこのような基板Ｗの受け渡し手法に限定されるものでなく、保持アームから基板Ｗに与える熱的影響を考慮する必要がない場合などでは、全ての基板載置部に対して２つの保持アームを使って基板Ｗの受け渡しを行っても良い。
【００８８】
図１１（ｂ）に示すようにレジスト膜用処理セルＣ３では、順方向においては、基板載置部ＰＡＳＳ３（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）、冷却プレートＣＰ、レジスト膜用塗布処理部１５、加熱部ＰＨＰ、冷却プレートＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ５（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）の順に基板Ｗが処理される。逆方向においては、基板載置部ＰＡＳＳ６（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）、基板載置部ＰＡＳＳ４（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）の順に基板Ｗが処理される。なお、図１１（ｂ）中の符号ＰＲはレジスト膜用塗布処理部１５を示している。
【００８９】
反射防止膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に置かれると、セルＣ３の第２の主搬送機構１０Ｂは、上述した第１の主搬送機構１０Ａの場合と同様に、一方の保持アーム１０ｂに保持した現像処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４上に置く。そして、基板載置部ＰＡＳＳ３上の基板Ｗを再び保持アーム１０ｂ上に受け取る。この基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｂ）中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（１）に相当する。
【００９０】
基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第２の主搬送機構１０Ｂは、空の状態の保持アーム１０ａと基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用熱処理部１６の所定の冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｂ）中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（２）に相当する。
【００９１】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、所定のレジスト膜用塗布処理部１５に対向する位置にまで移動させる。先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、そのレジスト膜用塗布処理部１５にあるスピンチャック１７上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、その基板Ｗをスピンチャック１７上に置く。スピンチャック１７上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｂが他の搬送動作を行っている間に、レジスト膜が塗布形成される。このスピンチャック１７に対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｂ）中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（３）に相当する。
【００９２】
スピンチャック１７への基板Ｗの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、レジスト膜が塗布形成された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、所定の基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰに対向させる。先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱部ＰＨＰ上の基板仮置部１９に載置されている処理済みの基板Ｗを受け取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗを基板仮置部１９上に置く。基板仮置部１９上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｂが他の搬送動作を行っている間に、その加熱部ＰＨＰのローカル搬送機構２０によって、その加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰ上に移されて熱処理される。この加熱プレートＨＰ上で熱処理された基板Ｗは、同じローカル搬送機構２０によって基板仮置部１９に戻される。その基板Ｗは、ローカル搬送機構２０の保持プレート２４に保持されて基板仮置部１９に戻され、基板載置部２０内で保持プレート２４の冷却機構によって冷却される。この加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｂ）中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（４）に相当する。
【００９３】
加熱部ＰＨＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用熱処理部１６の冷却プレートＣＰに対向させる。そして、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗを冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｂ）中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（５）に相当する。
【００９４】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、冷却された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対向させる。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ５上に基板Ｗを置くとともに、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ６に載置されている現像処理済みの基板Ｗを再び保持アーム１０ｂで受け取る。この基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｂ）中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（６）に相当する。
【００９５】
レジスト膜用処理セルＣ３に備えられた第２の主搬送機構１０Ｂは、上述した各搬送工程を繰り返し行う。ここで、図１１（ｂ）に示す順方向と逆方向とを合計すると、第１の主搬送機構１０Ａと同様に６つの搬送工程を負担することになる。
【００９６】
図１１（ｃ）に示すように現像処理セルＣ４では、順方向においては、基板載置部ＰＡＳＳ５（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）、基板載置部ＰＡＳＳ７（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）の順に基板Ｗが処理される。逆方向においては、ＰＡＳＳ８（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）、冷却プレートＣＰ、現像処理部３０、加熱プレートＨＰ、冷却プレートＷＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ６（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）の順に基板Ｗが処理される。なお、図１１（ｃ）中の符号ＳＤは現像処理部３０を示している。
【００９７】
レジスト膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に置かれると、セルＣ４の第３の主搬送機構１０Ｃは、先ず保持アーム１０ｂに保持した現像処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６上に置き、その後、基板載置部ＰＡＳＳ５上の基板Ｗを再び保持アーム１０ｂ上に受け取る。この基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｃ）中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（１）に相当する。
【００９８】
基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０Ｃは、空の状態の保持アーム１０ａと基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の積層構造の中に配設された基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対向する位置にまで移動させる。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ７上に、レジスト膜が塗付形成された基板Ｗを置き、その後、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ８に載置されている露光後の加熱処理済みの基板Ｗを再び保持アーム１０ｂで受け取る。この基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｃ）中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（２）に相当する。
【００９９】
基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０Ｃは、空の状態の保持アーム１０ａと、露光後の加熱処理済みの基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の所定の冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｃ）中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（３）に相当する。
【０１００】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、所定の現像処理部３０に対向する位置にまで移動させる。先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その現像処理部３０にあるスピンチャック３２上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、その基板Ｗをスピンチャック３２上に置く。スピンチャック３２上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｃが他の搬送動作を行っている間に、現像処理される。このスピンチャック３２に対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｃ）中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（４）に相当する。
【０１０１】
スピンチャック３２への基板Ｗの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、現像処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の所定の加熱プレートＨＰに対向させる。先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱プレートＨＰ上に載置されている処理済みの基板Ｗを受け取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に置く。この加熱プレートＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｃ）中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（５）に相当する。
【０１０２】
加熱プレートＨＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、加熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用処理セルＣ３の側にある隔壁１３に設置された水冷式の冷却プレートＷＣＰに対向させる。そして、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＷＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗを冷却プレートＷＣＰ上に置く。この冷却プレートＷＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｃ）中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（６）に相当する。
【０１０３】
現像処理セルＣ４に備えられた第３の主搬送機構１０Ｃは、上述した各搬送工程を繰り返し行う。ここで、図１１（ｃ）に示す順方向と逆方向とを合計すると、第１、第２の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂと同様に６つの搬送工程を負担することになる。
【０１０４】
図１１（ｄ）に示すように露光後加熱用処理セルＣ５では、順方向においては、基板載置部ＰＡＳＳ７（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）、エッジ露光部ＥＥＷ、冷却プレートＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ９（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）の順に基板Ｗが処理される。逆方向においては、基板載置部ＰＡＳＳ１０（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）、加熱部ＰＨＰ、基板載置部ＰＡＳＳ８（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）の順に基板Ｗが処置される。なお、図１１（ｄ）中の符号ＰＥＢは、露光済みの基板Ｗを加熱するための加熱部ＰＨＰを示しており、露光後加熱（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）を行うためのものである。
【０１０５】
レジスト膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ７に置かれると、セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄは、保持アーム１０ｂに保持した露光後加熱処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８上に置き、その後で基板載置部ＰＡＳＳ７上の基板Ｗを再び保持アーム１０ｂ上に受け取る。この基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｄ）中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（１）に相当する。
【０１０６】
基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、空の状態の保持アーム１０ａと基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、所定のエッジ露光部ＥＥＷに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、そのエッジ露光部ＥＥＷのスピンチャック３６上にある周辺露光済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをそのスピンチャック３６上に置く。スピンチャック３６上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｄが他の搬送動作を行っている間に、その周縁部が露光される。このスピンチャック３６に対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｄ）中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（２）に相当する。
【０１０７】
スピンチャック３６に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、周辺露光された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１にある冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ａを前進移動させて、周辺露光された基板Ｗを冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｄ）中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（３）に相当する。
【０１０８】
冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、空の状態の保持アーム１０ａと、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対向する位置にまで移動させる。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ９上に基板Ｗを置くとともに、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置されている、露光装置ＳＴＰで露光された基板Ｗを保持アーム１０ａで受け取る。この基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｄ）中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（４）に相当する。
【０１０９】
なお、本実施例では、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対してだけ、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを使って基板Ｗの受け渡しを行っている。これは、反射防止膜用処理セルＣ２で説明したように、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８との間に後述する加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの受け渡しを（１回：奇数回）行う関係で、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対して一方の保持アーム１０ｂだけを使って基板の受け渡しを行うと、基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しに使う保持アームが、搬送行程の１サイクルごとに入れ代わるので、これを避けるためである。
【０１１０】
基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｃは、露光済みの基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１にある所定の基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その加熱部ＰＨＰ（具体的には、基板仮置部１９の上）にある露光後の加熱処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ａを前進移動させて、露光済みの基板Ｗを加熱部ＰＨＰ（具体的には、基板仮置部１９の上）に置く。基板仮置部１９に置かれた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｄが他の搬送動作を行っている間に、ローカル搬送機構２０によって加熱プレートＨＰに移されて加熱処理された後に、同じくローカル搬送機構２０によって基板仮置部１９に戻され、基板仮置部１９内で冷却される。この加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１１（ｄ）中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（５）に相当する。
【０１１１】
露光後加熱用処理セルＣ５に備えられた第４の主搬送機構１０Ｄは、上述した各搬送工程を繰り返し行う。ここで、図１１（ｄ）に示す順方向と逆方向とを合計すると、第１〜第３の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｃよりも１つ少ない５つの搬送工程を負担することになる。
【０１１２】
インターフェイスセルＣ６の動作を説明する。周辺露光された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ９（インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）に置かれると、インターフェイスセルＣ６のインターフェイス用搬送機構３５が基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを受け取って、隣接する露光装置ＳＴＰに渡す。さらに、インターフェイス用搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰから露光済みの基板Ｗを受け取って、その基板を基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ１０（インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）に載せる。インターフェイス用搬送機構３５は、このような基板搬送動作を繰り返し行う。
【０１１３】
次に、基板のメインフローおよび仮フローについて図１２（ａ）を参照して説明する。例えば、反射防止膜用処理セルＣ２において、反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃのうち、反射防止膜用塗布処理部８ａ、８ｃで処理された基板Ｗについて、基板Ｗ上の反射防止膜に含まれる余剰の溶剤が自然に揮発して除去されて、その後の加熱プレートＨＰでの加熱処理をスキップできて、反射防止膜用塗布処理部８ｂで処理された基板Ｗについて、その後の加熱プレートＨＰでの加熱処理を行わないと、基板Ｗ上の反射防止膜に含まれる余剰の溶剤を除去することができないとする。
【０１１４】
この場合には、図１１（ａ）中の基本的な動作の基板のフローチャートに基づいて、図１２（ａ）に示す反射防止膜用処理セルＣ２のメインフローを作成する。反射防止膜用処理セルＣ２のメインフローＭＦは、図１２（ａ）に示すように、反射防止膜用処理セルＣ２に関する選択肢ｆａ、ｆｂ、ｆｃを反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃごとに有している。
【０１１５】
選択肢ｆａは、反射防止膜用塗布処理部８ａで処理された基板Ｗについて、反射防止膜用塗布処理部８ａを指定したときに加熱プレートＨＰでの加熱処理をスキップする仮フローでもある。また、選択肢ｆｃも、反射防止膜用塗布処理部８ｃで処理された基板Ｗについて、選択肢ｆａと同様に反射防止膜用塗布処理部８ｃを指定したときに加熱プレートＨＰでの加熱処理をスキップする仮フローでもある。選択肢ｆｂは、反射防止膜用塗布処理部８ｂで処理された基板Ｗについて、反射防止膜用塗布処理部８ｂを指定したときに加熱プレートＨＰでの加熱処理を行う仮フローでもある。
【０１１６】
先ず、オペレータは、図１３に示すように、データ設定部ＨＣのタッチパネル３８ｂを操作して、反射防止膜用処理セルＣ２のメインフローを作成する。なお、反射防止膜用処理セルＣ２のメインフローが記憶部（図示省略）に予め記憶されていれば、図１３に示すように、『１．メインフローを読み出しますか？』の領域に直接触って、反射防止膜用処理セルＣ２のメインフローを記憶部から読み出す。なお、上述したように読み出されたメインフローを変更したり、読み出されたメインフローに基づいて仮フローを作成することも可能である。反射防止膜用処理セルＣ２のメインフローを作成する場合には、『２．メインフローを作成しますか？』の領域に直接触る。
【０１１７】
メインフローを作成する場合には、『２．メインフローを作成しますか？』の領域に直接触ると、図１４に示すような表示画面に変わる。図１４のメインフロー作成画面では、各選択肢を作成するための処理部を指定する。反射防止膜用処理セルＣ２の場合には、セルＣ２内の処理部の一覧が、図１４の画面に表示される。図１４中の符号ＢＡＲＣ（８ａ）は反射防止膜用塗布処理部８ａを、符号ＢＡＲＣ（８ｂ）は反射防止膜用塗布処理部８ｂを、符号ＢＡＲＣ（８ｃ）は反射防止膜用塗布処理部８ｃをそれぞれ示している。
【０１１８】
例えば、反射防止膜用塗布処理部８ａに関する選択肢ｆａ（図１２（ａ）参照）を作成する場合には、図１４に示すように、『ＢＡＲＣ（８ａ）』の領域に直接触る。反射防止膜用塗布処理部８ｂに関する選択肢ｆｂや、反射防止膜用塗布処理部８ｃに関する選択肢ｆｃを作成する場合も、それぞれ『ＢＡＲＣ（８ｂ）』や『ＢＡＲＣ（８ｃ）』の領域に直接触る。このように、図１４の処理部の一覧から各処理部を指定して、その処理部に相当する領域を直接触ると、図１５に示すような表示態様に変わる。
【０１１９】
図１５のメインフロー作成画面では、『１．全工程を行いますか？』および『２、工程をスキップしますか？』の２画面が表示される。反射防止膜用処理セルＣ２において全工程を行う場合には、『１．全工程を行いますか？』の領域に直接触る。もし、反射防止膜用処理セルＣ２において工程をスキップする場合には、『２．工程をスキップしますか？』の領域に直接触る。
【０１２０】
例えば、反射防止膜用塗布処理部８ａに関する選択肢ｆａを作成する場合には、加熱プレートＨＰでの加熱処理をスキップするので、『２．工程をスキップしますか？』の領域に直接触る。すると、図１６に示すような表示態様に変わる。反射防止膜用塗布処理部８ｃに関する選択肢ｆｃを作成する場合においても、加熱プレートＨＰでの加熱処理をスキップするので、『２．工程をスキップしますか？』の領域に直接触る。
【０１２１】
図１６のメインフロー作成画面では、スキップする工程の一覧が、図１６の画面に表示される。選択肢ｆａ，ｆｃでは加熱プレートＨＰでの加熱処理をスキップするので、図１６に示すように、『ＨＰ』の領域に直接触る。このように、図１６のスキップする工程の一覧から各工程を指定して、その工程に相当する領域を直接触ると、図１７に示すような表示態様に変わる。
【０１２２】
一方、反射防止膜用塗布処理部８ｂに関する選択肢ｆｂを作成する場合には、加熱プレートＨＰでの加熱処理を含め、反射防止膜用処理セルＣ２における全工程を行うので、『１．全工程を行いますか？』の領域に直接触る。すると、図１７に示すような表示態様に変わる。
【０１２３】
図１７では、『これでＯＫですか？』の画面が表示される。もし、ＯＫならば、『ＹＥＳ』の領域に直接触ると、図１８の表示態様に変わる。もし、ＯＫでなければ、『ＮＯ』の領域に直接触ると、図１４の表示態様に戻って、各選択肢を作成するために処理部を指定する処理を繰り返し行う。
【０１２４】
このように、各選択肢が作成されて、全選択肢の作成が済めば、すなわち図１７の画面でＯＫならば、上述したように図１８の表示態様に変わる。図１８では、選択肢を処理部ごとに有したメインフローが表示される。図１８の左端には、反射防止膜用塗布処理部８ａに関する選択肢ｆａが作成されて表示される。図１８の中ほどには、反射防止膜用塗布処理部８ｂに関する選択肢ｆｂが作成されて表示される。そして、図１８の右端には、反射防止膜用塗布処理部８ｃに関する選択肢ｆｃが作成されて表示される。各選択肢ｆａ、ｆｂ、ｆｃをまとめて有したのが、図１２（ａ）に示す反射防止膜用処理セルＣ２のメインフローＭＦとなる。
【０１２５】
このように作成されたメインフローＭＦは記憶部に適宜記憶される。また、このようなメインフローが記憶部に予め記憶されていれば、図１３の画面において、『１．メインフローを読み出しますか？』の領域に直接触って、反射防止膜用処理セルＣ２のメインフローを記憶部から読み出す。すると、図１８の表示態様に直接変わる。また、図示を省略するが、図１３の画面において、メインフローが作成、あるいは読み出されると、その作成あるいは読み出されたメインフローについて変更を行うか否かの確認画面が表示されて、そのメインフローを変更することも可能である。
【０１２６】
このように、メインフローが作成されれば、次に、処理部と処理される基板とを互いに割り当てる。先ず、図１８に示すメインフロー画面から図１９に示す表示態様に変わる。
【０１２７】
図１９では、『並行処理ですか？』の画面が表示される。もし、ＯＫならば、『ＹＥＳ』の領域に直接触ると、後述する図２３の表示態様に変わる。もし、ＯＫでなければ、『ＮＯ』の領域に直接触ると、図２０の表示態様に変わる。本実施例では、各セル（被制御ユニット）Ｃ１〜Ｃ６は、単一の主搬送機構を備えている関係で、時間の無駄なく基板処理を行うためには並行処理を行うのは難しい。従って、本実施例では、並行処理を行わずに『ＮＯ』の領域に直接触る。もちろん、時間があいても単一の主搬送機構で並行処理を行うときや、条件出しを行うために並行処理を行うときには、本実施例の場合においても並行処理の『ＹＥＳ』の領域を選択することは可能である。
【０１２８】
本実施例のように並行処理を行わない場合には、上述したように図２０の表示態様に変わる。図２０では、『基板ごとに指定』という画面が表示される。そして、処理する基板Ｗごとに処理部を指定する。
【０１２９】
例えば、１枚目の基板Ｗを、反射防止膜用塗布処理部８ａに関する選択肢ｆａで処理する場合には、１枚目の基板Ｗには反射防止膜用塗布処理部８ａを指定する。図２０では、『１枚目の基板はどのＢＡＲＣ？』に対して『ＢＡＲＣ（８ａ）』の領域に直接触って、１枚目の基板Ｗには反射防止膜用塗布処理部８ａを指定する。これによって、１枚目の基板Ｗについては、指定された処理部として反射防止膜用塗布処理部８ａが割り当てられ、加熱プレートＨＰでの加熱処理をスキップする仮フロー（選択肢ｆａ）に基づいて、１枚目の基板Ｗの基板処理が制御される。そして、図２１の表示態様に変わる。
【０１３０】
また、例えば、２枚目の基板Ｗを、反射防止膜用塗布処理部８ｃに関する選択肢ｆｃで処理する場合には、２枚目の基板Ｗには反射防止膜用塗布処理部８ｃを指定する。図２１では、『２枚目の基板はどのＢＡＲＣ？』に対して『ＢＡＲＣ（８ｃ）』の領域に直接触って、２枚目の基板Ｗには反射防止膜用塗布処理部８ｃを指定する。これによって、２枚目の基板Ｗについては、指定された処理部として反射防止膜用塗布処理部８ｃが割り当てられ、加熱プレートＨＰでの加熱処理をスキップする仮フロー（選択肢ｆｃ）に基づいて、２枚目の基板Ｗの基板処理が制御される。そして、図２２の表示態様に変わる。
【０１３１】
また、例えば、３枚目の基板Ｗを、反射防止膜用塗布処理部８ｂに関する選択肢ｆｂで処理する場合には、３枚目の基板Ｗには反射防止膜用塗布処理部８ｂを指定する。図２２では、『３枚目の基板はどのＢＡＲＣ？』に対して『ＢＡＲＣ（８ｂ）』の領域に直接触って、３枚目の基板Ｗには反射防止膜用塗布処理部８ｂを指定する。これによって、３枚目の基板Ｗについては、指定された処理部として反射防止膜用塗布処理部８ｂが割り当てられ、加熱プレートＨＰでの加熱処理を含め、反射防止膜用処理セルＣ２における全工程を行う仮フロー（選択肢ｆｂ）に基づいて、３枚目の基板Ｗの基板処理が制御される。以下、それ以降に処理する各基板Ｗについても同様の操作を繰り返す。
【０１３２】
なお、図１３〜図２２に関するこれらの操作は、タッチパネル３８ｂに限定されず、マウスやタッチパネル３８ｂやボタンなどのポインティングデバイスでも可能であるのは言うまでもない。
【０１３３】
図１３〜図２２の画面にしたがって入力された、メインフローや仮フローのデータは、上述したようにメインコントローラＭＣに転送される。メインコントローラＭＣは、転送されたメインフローをフローレシピとして登録し、スケジューラとしての機能を果たす。また、メインコントローラＭＣは、データ設定部ＨＣの画面に図１３〜図２２の表示態様を表示させるように制御する。図１２（ａ）のメインフローＭＦは、反射防止膜用処理セルＣ２に関するものであるので、メインコントローラＭＣは、メインフローや仮フローのデータを、反射防止膜用処理セルＣ２の基板受け渡し動作を少なくとも制御するセルコントローラＣＴ２に転送して、セルＣ２内の第１の主搬送機構１０Ａなどを操作して基板処理を制御する。なお、セルコントローラＣＴ２は、反射防止膜用処理セルＣ２に関するスケジュール管理のみを行い、その他の処理（例えばレジスト膜用処理セルＣ３や現像処理セルＣ４に関する処理）のスケジュール管理については行わない。
【０１３４】
以上、反射防止膜用処理セルＣ２に関するメインフローおよび仮フローについて説明したが、レジスト膜用処理セルＣ３、現像処理セルＣ４、露光後加熱用処理セルＣ５に関するメインフローおよび仮フローについても同様の操作を行えばよい。また、順方向／逆方向のいずれにも適用することができる。
【０１３５】
また、選択肢の数はｆａ、ｆｂ、ｆｃのように３つに限定されるものではなく、処理部の数によって変更される。
【０１３６】
以上のように、本実施例によれば、タッチパネル３８ｂなどの入力部３８は、図１４〜図１７のメインフロー作成画面によって作成されたメインフロー（本実施例の場合には図１２（ａ）のメインフローＭＦ）、および図１９〜図２２の処理部指定画面などによって指定された処理部（本実施例の場合には反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃ）に基づいて、メインフローＭＦ中の１つの選択肢ｆａ、ｆｂ、ｆｃを選択して仮フローを作成する。そして、メインコントローラＭＣや各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６（本実施例の場合にはセルコントローラＣＴ２）は、作成された仮フローに基づいて基板処理を制御する。このように、メインフローＭＦに、一連の基板処理（本実施例の場合には反射防止膜処理）に関する選択肢（本実施例の場合には選択肢ｆａ、ｆｂ、ｆｃ）を有するようにしたので、メインフローＭＦ自体を作成し直したり、メインフロー自体を変更することなく、メインフローＭＦ中の１つの選択肢によって、仮フローを作成することができる。その結果、メインフロー自体を作成し直したり、メインフロー自体を変更することなく、作成された仮フローに合わせて、様々な基板処理を柔軟に行うことができる。
【０１３７】
図１２（ａ）の場合には、例えば、基板Ｗ上の反射防止膜に含まれる余剰の溶剤を除去するための、加熱プレートＨＰでの加熱処理をスキップすることができるなどの様々な基板処理を柔軟に行うことができる。
【０１３８】
また、本実施例の場合には、図１９〜図２２の処理部指定画面などでは、基板Ｗごとに処理部を指定可能に構成しているので、基板Ｗごとに仮フローを作成することができ、基板Ｗごとに様々な基板処理を柔軟に行うことができる。
【０１３９】
本発明は、上述した実施例のものに限らず、例えば次のように変形実施することができる。
（１）上記実施例では、各々のセルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６が、各セル内の基板の受け渡しだけを対象にした制御、いわゆる分散制御であったが、処理ブロックを並設して構成される基板処理装置にも本発明を適用することができる。この場合には、並設された複数個の処理ブロックで順に行われる。各処理ブロックでは各々の主搬送機構が、隣接する処理ブロックから入口基板載置部を介して受け入れられた基板の搬送、処理部に対して基板の受け渡し、および隣接する処理ブロックへ出口基板載置部を介して払い出す基板の搬送を並行して行う。つまり、各処理ブロックの主搬送機構は同時並行的に作動する。
【０１４０】
（２）本発明は、並行処理を行う基板処理装置にも適用することができる。
【０１４１】
並行処理を行う基板処理装置に適用した場合の基板のメインフローおよび仮フローについて図１２（ｂ）を参照して説明し、そのときの表示態様について図２３を参照して説明する。なお、この変形例（２）では、反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃでの反射防止膜用塗布処理について並行に行うとする。
【０１４２】
並行処理を行う場合において、反射防止膜用処理セルＣ２のメインフローＭＦは、図１２（ｂ）に示すように、反射防止膜用処理セルＣ２に関する選択肢ｆａ、ｆｂ、ｆｃを反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃごとに有している。
【０１４３】
各選択肢ｆａ、ｆｂ、ｆｃは、実施例の図１２（ａ）と相違し、加熱プレートＨＰでの加熱処理を含め、反射防止膜用処理セルＣ２における全工程を行う仮フローでもある。図１２（ｂ）では、反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃでの並行処理を強調するために、反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃ（図１２（ｂ）中の符号ＢＡＲＣ（８ａ）は反射防止膜用塗布処理部８ａを、符号ＢＡＲＣ（８ｂ）は反射防止膜用塗布処理部８ｂを、符号ＢＡＲＣ（８ｃ）は反射防止膜用塗布処理部８ｃをそれぞれ示している）をそれぞれ独立に分けて図示している。
【０１４４】
図１９での並行処理を訊く画面までは、本実施例と同様の操作を図１３〜図１８の画面において行う。すなわち、図１３に示す画面から『２．メインフローを作成しますか？』の領域を選択して、図１４のメインフロー作成画面において、反射防止膜用処理セルＣ２内の処理部の一覧から各処理部を指定する。図１２（ｂ）の選択肢８ａ、８ｂ、８ｃを作成する場合には、それぞれ『ＢＡＲＣ（８ａ）』、『ＢＡＲＣ（８ｂ）』、『ＢＡＲＣ（８ｃ）』の領域を選択する。図１５のメインフロー作成画面では、各選択肢ｆａ、ｆｂ、ｆｃは、反射防止膜用処理セルＣ２における全工程を行うので、それぞれにおいて『１．全工程を行いますか？』の領域を選択して、図１７に示す『ＹＥＳ』の領域を選択して、図１２（ｂ）のメインフローＭＦを作成する。
【０１４５】
このように、メインフローが作成されれば、次に、処理部と処理される基板とを互いに割り当てる。先ず、図１８に示すメインフロー画面から図２３の表示態様に変わる。
【０１４６】
すなわち、『並行処理ですか？』の画面に対して『ＹＥＳ』の領域を選択することで、同一の処理について並行に行う複数の処理部（変形例（２）では反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃ）から１つを選択し、基板Ｗごとにその処理部を指定する、図２３の表示態様に変わる。
【０１４７】
図２３の並行処理画面では、『１．払い出し順？』および『２．基板ごとに指定？』の２画面が表示される。実施例のように基板Ｗごとに反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃを指定する場合には、『２．基板ごとに指定？』の領域を直接触る。そして、実施例の図２０〜図２２の処理部指定画面と同じような操作を行う。
【０１４８】
『１．払い出し順？』の領域を直接触った場合には、基板Ｗが払い出された順に反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃを指定することができる。
【０１４９】
例えば、冷却プレートＣＰでの処理、加熱プレートＨＰでの処理、冷却プレートＷＣＰでの処理は、ほぼ同じ周期の２４秒で行われ、反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃでの処理は３２秒で行われるものとする。このときの基板のフローチャートを図２４に示す。図２４中の符号ＣＰ，符号ＨＰ，および符号ＷＣＰ中の『（２４ｓ）』は、これらの処理時間が２４秒であることを示し、図２４中の符号ＢＡＲＣ（８ａ），ＢＡＲＣ（８ｂ），ＢＡＲＣ（８ｃ）中の『（３２ｓ）』は、これらの処理時間が３２秒であることを示す。
【０１５０】
基板Ｗが払い出された順に反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃを指定するときには、各処理部のタイミングチャートは、図２５に示すとおりである。なお、図２５中の符号Ｗ１は１枚目に処理される基板Ｗを示し、符号Ｗ２は２枚目に処理される基板を示し、符号Ｗ３は３枚目に処理される基板を示し、符号Ｗ４は４枚目に処理される基板を示す。また、図２５では、基板の搬送時間を考慮せずに説明する。
【０１５１】
１枚目の基板Ｗ１を冷却プレートＣＰで２４秒間処理すると、それに続いて２枚目の基板Ｗ２を冷却プレートＣＰで２４秒間処理するとともに、同時に反射防止膜用塗布処理部８ａ（図２５中の符号『ＢＡＲＣ（８ａ）』）で３２秒間処理する。２枚目の基板Ｗ２を冷却プレートＣＰで２４秒間処理すると、それに続いて３枚目の基板Ｗ３を冷却プレートＣＰで２４秒間処理するとともに、同時に、冷却プレートＣＰで処理された基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部８ｂ（図２５中の符号『ＢＡＲＣ（８ｂ）』）で３２秒間処理する。
【０１５２】
基板Ｗ３の冷却プレートＣＰでの冷却処理が終了した際には、基板Ｗ１の反射防止膜用塗布処理部８ａでの処理は既に終了している。従って、空いている反射防止膜用塗布処理部８は、反射防止膜用塗布処理部８ｂ以外の反射防止膜用塗布処理部８ａ，８ｃとなるが、反射防止膜用塗布処理部８ａで先ほど処理された基板Ｗ１は加熱プレートＨＰに１６秒前に払い出されたばかりであり、払い出された順に基板Ｗが処理されるので、未だ処理さえも行われていない反射防止膜用塗布処理部８ｃで冷却プレートＣＰでの冷却処理が終了した基板Ｗ３を３２秒間処理する。以下、４枚目の基板Ｗ４は、反射防止膜用塗布処理部８での処理では、反射防止膜用塗布処理部８ａで行われ、５枚目の基板は、反射防止膜用塗布処理部８での処理では、反射防止膜用塗布処理部８ｂで行われ、６枚目の基板は、反射防止膜用塗布処理部８での処理では、反射防止膜用塗布処理部８ｃで行われる。
【０１５３】
このように、並行処理において、処理される反射防止膜用塗布処理部８が、ある反射防止膜用塗布処理部８（例えば優先順位の高い反射防止膜用塗布処理部８ａや８ｂ）に偏ったり、反射防止膜用塗布処理部８ｃに基板Ｗが処理されないという事態を低減させることができる。従って、並行処理において、同一の処理について並行に行う複数の反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃにまんべんなく基板Ｗを渡して処理することができる。
【０１５４】
また、条件出しを行うためにダミーの基板を試験的に流すときでも、反射防止膜用塗布処理部８ａや８ｂに偏り、反射防止膜用塗布処理部８ｃにダミーの基板が流れないという事態を低減させることができる。また、条件出しも含めて、反射防止膜用塗布処理部８ｃに基板を流す場合においても、従来のようにフローレシピから、優先順位の高い反射防止膜用塗布処理部８ａや８ｂを削除して、反射防止膜用塗布処理部８ｃでの処理を行うフローレシピを作成する必要もない。
【０１５５】
また、実施例と同様に、選択肢の数はｆａ、ｆｂ、ｆｃのように３つに限定されるものではなく、並行処理を行う処理部の数によって変更される。
【０１５６】
（３）上述した実施例と、変形例（２）とを組み合わせてもよい。すなわち、図２６に示すように、図１２（ａ）のフローと図１２（ｂ）のフローとを組み合わせてもよい。この場合には、反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃでの反射防止膜用塗布処理について並行に行いつつ、反射防止膜用塗布処理部８ａ、または８ｃで処理した場合には加熱プレートＨＰでの加熱処理をスキップし、反射防止膜用塗布処理部８ｂで処理した場合には加熱プレートＨＰでの加熱処理を含め、反射防止膜用処理セルＣ２における全工程を行う。
【０１５７】
（４）実施例では、各セルＣ１〜Ｃ６内の一連のメインフローおよび仮フローについてであったが、各セルを処理部の単位としてみた場合には、基板処理は、インデクサセルＣ１、反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、露光後加熱用処理セルＣ５、インターフェイスセルＣ６、露光後加熱用処理セルＣ５、現像処理セルＣ４、インデクサセルＣ１の順に処理されるメインフローからなるとも言える。従って、例えば、処理時間の長いセルを複数備えて、それらのセルで同一の処理について並行に行う並行処理を行ってもよい。なお、この場合には、各セルＣ１〜Ｃ６が単一の主搬送機構を備えても、並行処理を行うことが容易となる。
【０１５８】
例えば、他のセルと比較して現像処理セルＣ４での処理時間が長い場合には、現像処理セルＣ４を複数備えて、現像処理セルＣ４での一連の現像処理（ＰＡＳＳ８、冷却プレートＣＰ、現像処理部３０、加熱プレートＨＰ、冷却プレートＷＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ６の逆方向の処理）について並行に行えばよい。このときの基板Ｗのフローチャートは、図２７（ａ）に示すとおりとなる。図２７（ａ）の場合には、インデクサセルＣ１、反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、露光後加熱用処理セルＣ５、インターフェイスセルＣ６、露光後加熱用処理セルＣ５、現像処理セルＣ４、インデクサセルＣ１の順に処理されるメインフローＭＦは、選択肢ｆａ、ｆｂ、ｆｃを各現像処理セルＣ４ごとに有している。
【０１５９】
変形例（２）と同様に、基板Ｗごとにどの現像処理セルＣ４を指定するかを決定してもよいし、基板Ｗが払い出された順にどの現像処理セルＣ４を指定するかを決定してもよい。
【０１６０】
（５）上述した変形例（４）では、各セルを処理部の単位としてみて、かつ、並行処理を行う場合について説明したが、各セルを処理部の単位としてみた場合には、並行処理に限定されない。例えば、露光時に発生する定在波やハレーションが少ない基板の場合には、反射防止膜用処理セルＣ２での処理をスキップすることができる。従って、図２７（ｂ）に示すように、反射防止膜用処理セルＣ２での一連の処理（基板載置部ＰＡＳＳ１、冷却プレートＣＰ、反射防止膜用塗布処理部８、加熱プレートＨＰ、冷却プレートＷＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ３の順方向の処理）を行わない選択肢ｆａと、一連の処理を行う選択肢ｆｂとをメインフローＭＦに含ませる。そして、基板Ｗごとに上述の一連の処理を行うか否かを指定し、指定された結果に基づいて、上述の一連の処理をスキップする仮フロー（図２７中の選択肢ｆａ）および上述の一連の処理を行う仮フロー（図２７（ｂ）中の選択肢ｆｂ）を作成すればよい。
【０１６１】
（６）実施例でも述べたように、例えば、基板Ｗに塗布されたレジスト膜の厚みを検査したり、あるいは現像後のレジスト膜の線幅を検査する検査用セルを追加してもよい。また、上述のような検査部をセル内に追加してもよい。この場合には、検査を行うフローを含ませた状態でメインフローを作成し、検査用セルあるいは検査部で検査を行う選択肢と、検査を行わない選択肢とをメインフローに含ませる。そして、検査用セルあるいは検査部で検査を行うか否かを指定し、指定された結果に基づいて、検査用セルあるいは検査部で検査を行う仮フローおよび検査を行わない仮フローを作成すればよい。
【０１６２】
このように、基板の検査を一連の基板処理に含む場合においても、様々な基板処理を柔軟に行うことができる。
【０１６３】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、一連の基板処理に関する選択肢を有するメインフローにおいて、仮フロー作成手段は、メインフロー作成手段によって作成されたメインフロー、および処理部指定手段によって指定された処理部に基づいて、メインフロー中の１つの選択肢を選択して仮フローを作成し、制御手段は、仮フロー作成手段によって作成された仮フローに基づいて基板処理を制御するので、作成された仮フローに合わせて、様々な基板処理を柔軟に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る基板処理装置の概略構成を示した平面図である。
【図２】実施例装置の概略構成を示した正面図である。
【図３】熱処理部の正面図である。
【図４】隔壁に設けられた基板載置部の周辺構成を示す破断正面図である。
【図５】インターフェイスブロックの概略構成を示す側面図である。
【図６】（ａ）は主搬送機構の概略構成を示す平面図、（ｂ）はその正面図である。
【図７】（ａ）は基板仮置部付きの加熱部の破断側面図、（ｂ）は破断平面図である。
【図８】（ａ）は実施例装置のブロック配置を示した平面図、（ｂ）は実施例装置のセル配置を示した平面図である。
【図９】（ａ）は実施例装置の制御系を示したブロック図、（ｂ）は比較のために示した従来装置の制御系のブロック図である。
【図１０】実施例装置のデータ設定部の構成を示した図である。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は、基板処理装置の基本的な動作の説明に供するフローチャートである。
【図１２】メインフローおよび仮フローに関する基板のフローチャートであって、（ａ）は本実施例に係るフローチャート、（ｂ）は変形例に係る並行処理のフローチャートである。
【図１３】本実施例のタッチパネルの一表示態様を示す図である。
【図１４】本実施例のタッチパネルの一表示態様を示す図である。
【図１５】本実施例のタッチパネルの一表示態様を示す図である。
【図１６】本実施例のタッチパネルの一表示態様を示す図である。
【図１７】本実施例のタッチパネルの一表示態様を示す図である。
【図１８】本実施例のタッチパネルの一表示態様を示す図である。
【図１９】本実施例のタッチパネルの一表示態様を示す図である。
【図２０】本実施例のタッチパネルの一表示態様を示す図である。
【図２１】本実施例のタッチパネルの一表示態様を示す図である。
【図２２】本実施例のタッチパネルの一表示態様を示す図である。
【図２３】変形例に係る並行処理のタッチパネルの一表示態様を示す図である。
【図２４】変形例に係る並行処理であって、処理時間を考慮した基板のフローチャートである。
【図２５】変形例に係る並行処理の基板のタイミングチャートである。
【図２６】図１２（ａ）のフローと図１２（ｂ）のフローとを組み合わせた、変形例に係るメインフローおよび仮フローに関する基板のフローチャートである。
【図２７】（ａ），（ｂ）は、各セルを処理部の単位としてみた場合の変形例に係る基板のフローチャートである。
【図２８】従来における基板のフローチャートである。
【図２９】従来における基板のタイミングチャートである。
【図３０】従来における基板のフローチャートである。
【図３１】従来における基板のタイミングチャートである。
【符号の説明】
ＣＴ１〜ＣＴ６  …セルコントローラ
ＭＣ  …メインコントローラ
ＨＣ  …データ設定部
３８  …入力部
３８ｂ  …タッチパネル
ＭＦ  …メインフロー
ｆａ、ｆｂ、ｆｃ  …選択肢
Ｗ  …基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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