(57)【要約】【課題】磁気異方性高めることができ、磁気的特性、電磁変換特性に優れた磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】非磁性基板１上に、少なくとも非磁性下地層２、磁性層５および保護層６をこの順で有する磁気記録媒体において、非磁性下地層２がＭｏ−Ｐ系合金を含む。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に、少なくとも非磁性下地層、磁性層および保護層をこの順で有する磁気記録媒体において、非磁性下地層がＭｏ−Ｐ系合金を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記Ｍｏ−Ｐ系合金が、Ｍｏの濃度が３０〜９０ａｔ％の範囲内であり、Ｐの濃度が１０〜６０ａｔ％の範囲内であり、かつ、ＭｏとＰの合計の濃度が６０〜１００ａｔ％の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
非磁性基板がガラス基板であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
非磁性基板が表面に条痕を有するガラス基板であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
非磁性下地層が２層以上の積層構造からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
非磁性下地層が、Ｍｏ−Ｐ系合金を含むＭｏ−Ｐ系合金層と、ＣｒからなるＣｒ層とを備え、Ｍｏ−Ｐ系合金層が非磁性基板側に位置することを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
非磁性下地層が、Ｍｏ−Ｐ系合金を含むＭｏ−Ｐ系合金層と、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、ＳｉおよびＶから選ばれる１種または２種以上とＣｒを含有するＣｒ合金層とを備え、Ｍｏ−Ｐ系合金層が非磁性基板側に位置することを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
非磁性基板が、アルミニウム、またはシリコンからなることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
非磁性基板が、アルミニウム、またはシリコンからなる基体の表面にＮｉ−Ｐ系合金をメッキしたものであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
磁性層が、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｘ系合金（ＸはＴａまたはＣｕ）から選ばれる１種または２種以上であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体を製造する方法であって、非磁性基板上に、非磁性下地層、磁性層および保護層をこの順で形成し、非磁性下地層がＭｏ−Ｐ系合金を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
非磁性下地層を形成する際に、Ｍｏ−Ｐ系合金を含む層の表面を酸素含有ガスに暴露することを特徴とする請求項１１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
酸素含有ガスの酸素分圧が、５×１０−４Ｐａ〜５×１０−２Ｐａの範囲内であることを特徴とする請求項１２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載の磁気記録媒体の製造方法によって製造されたことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１５】
請求項１〜１０、１４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体と、磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えたことを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハ−ドディスク装置などに用いられる磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録再生装置の１種であるハ−ドディスク装置（ＨＤＤ）は、現在その記録密度が年率６０％以上で増えており今後もその傾向は続くといわれている。そのため、高記録密度に適した磁気記録用ヘッドの開発、磁気記録媒体の開発が進められている。
ハ−ドディスク装置に用いられる磁気記録媒体は、高記録密度化が要求されており、これに伴い保磁力の向上、媒体ノイズの低減が求められている。
ハ−ドディスク装置に用いられる磁気記録媒体としては、磁気記録媒体用の基板に、スパッタリング法により金属膜を積層した構造が主流となっている。
基板としては、アルミニウム基板とガラス基板が広く用いられている。アルミニウム基板としては、鏡面研磨したＡｌ−Ｍｇ合金からなる基体上にＮｉ−Ｐ系合金膜を無電解メッキで１０μｍ程度の厚さに形成し、その表面を更に鏡面仕上げしたものが多く用いられる。ガラス基板にはアモルファスガラス基板と結晶化ガラス基板がある。いずれのガラス基板も鏡面仕上げしたものが用いられる。
【０００３】
現在一般的に用いられているハ−ドディスク装置用磁気記録媒体においては、非磁性基板上に非磁性下地層（Ｎｉ−Ａｌ系合金、Ｃｒ、Ｃｒ系合金等）、非磁性中間層（Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金等）、磁性層（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金等）、保護層（カ−ボン等）が順次形成されており、その上に液体潤滑剤からなる潤滑層が形成されている。
磁性層に用いられるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金等はＣｏが主成分である合金である。Ｃｏ合金はＣ軸に磁化容易軸をもつ六方最密構造（ｈｃｐ構造）をとる。磁気記録媒体の記録方式には、面内記録と垂直記録があり、一般的に磁性層にはＣｏ合金が用いられている。面内記録の場合には、Ｃｏ合金のＣ軸が非磁性基板に対して平行に配向しており、垂直媒体の場合には、Ｃｏ合金のＣ軸が非磁性基板に対して垂直に配向している。したがって、面内記録の場合、Ｃｏ合金は（１０・０）面または（１１・０）面に配向していることが望ましい。
なお、結晶面表記の中の「・」は、結晶面を表すミラ−ブラベ−指数の省略形を示す。すなわち、結晶面を表わすのに、Ｃｏのような六方晶系では、通常（ｈｋｉｌ）と４つの指数で表わすが、この中で「ｉ」に関してはｉ＝−（ｈ＋ｋ）と定義されているため、この「ｉ」を省略し、（ｈｋ・ｌ）と表記する。
【０００４】
垂直記録の場合には、磁性層のＣｏ合金は（００・１）面に配向していることが望ましい。逆に、面内記録の場合、Ｃｏ合金の（１０・１）面や（００・１）面の垂直成分を含む配向が存在すると面内方向の磁化の低下が起こりやすいため好ましくない。
磁性層において、Ｃｏ合金の（１０・０）面や（１１・０）面を配向させることは難しいため、通常は体心立方構造（ｂｃｃ構造）をとるＣｒ合金からなる下地層が用いられている。Ｃｒ合金の（１００）面には、Ｃｏ合金の（１１・０）面が配向し易く、Ｃｒ合金の（１１２）面にはＣｏ合金の（１０・０）面が配向し易い。
Ｎｉ−Ｐ系合金膜が無電解メッキにより形成されているアルミニウム基板を加熱した後、その上にＣｒ合金からなる下地層を形成すると、Ｃｒ合金の（１００）面が配向し易く、その上にＣｏ合金からなる磁性層をエピタキシャル成長させると、磁性層においてＣｏ合金の（１１・０）面が配向するため、磁気特性が良好な磁気記録媒体が得られる。
【０００５】
一方、ガラス基板を加熱した後、その上にＣｒ合金層を直接形成すると、Ｃｒ合金の（１１０）面が配向し易く、その上に成長するＣｏ合金層は（１０・１）面が配向してしまう。
Ｃｏ合金の（１０・１）面は、磁化容易軸であるＣ軸が面内方向にも垂直方向にもベクトル成分を持ってしまっているので、面内記録にも垂直記録にも好ましくない。
このため、ガラス基板上に形成したＣｒ合金層を（１００）面、または（１１２）面に配向させる手法がこれまで提案されている（例えば特許文献１〜３）。
【０００６】
【特許文献１】
ヨ−ロッパ特許ＥＰ０７０４８３９Ａ１号公報
【特許文献２】
特許第３２１７０１２号公報
【特許文献３】
特開２０００−１１３４４３号公報
【０００７】
ヨ−ロッパ特許ＥＰ０７０４８３９Ａ１号公報で提案されている、Ｂ２構造を持つＡｌ合金（Ａｌ−Ｎｉ、Ａｌ−Ｃｏ、Ａｌ−Ｆｅ系合金等）を下地層に用いた磁気記録媒体では、Ａｌ−Ｎｉ系合金、Ａｌ−Ｃｏ系合金等により磁性層の結晶粒が小さくなり、ノイズが低減されることが確認されている。中でも、Ａｌ−Ｎｉ系合金は非磁性下地層として実用化されている。
これは、Ａｌ−Ｎｉ系合金の（１１２）面と、磁性層のＣｏ合金の（１０・０）面との結晶格子の整合性が良好であるために、Ｃｏ合金の（１０・０）面がＡｌ−Ｎｉ系合金の（１１２）面上にエピタキシャル成長するためである。その結果、Ｃｏ合金からなる磁性層が（１０・０）に配向するため、高い保磁力を得られる。
特許第３２１７０１２号公報では、Ｃｏを主成分とする下地層をＣｒ合金層の下に形成することにより、Ｃｒ合金層の（１００）面を成長させ、磁性層のＣｏ合金の（１１・０）面のエピタキシャル成長を促進させる手法が提案されている。
特開２０００−１１３４４３号公報では、配向については特に記述は無いが、Ｃｒを主成分とするＣｒ−Ｐ系合金またはＣｒ−Ｍｏ−Ｐ系合金からなる層を、非磁性基板（ガラス、カーボンおよびシリコン）とＣｒ系非磁性下地層との間に形成することにより、磁気記録媒体のＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ  ｔｏ  ＮｏｉｓｅＲａｔｉｏ）特性を向上させる手法が提案されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
前記ヨ−ロッパ特許ＥＰ０７０４８３９Ａ１号公報で提案されているように、Ｂ２構造を持つＡｌ合金（Ａｌ−Ｎｉ、Ａｌ−Ｃｏ、Ａｌ−Ｆｅ系合金等）を下地層として用いる手法では、Ａｌ−Ｎｉ系合金の（１１２）ピ−クは低く（１１２）面の配向が充分に発現しないおそれがある。そのため前記特許公報でも示されているようにＡｌ−Ｎｉ系合金の（１１２）面を配向させるためには、Ａｌ−Ｎｉ系合金層を厚くしなければならず、このためにＡｌ−Ｎｉ系合金の結晶粒が大きくなってしまうという欠点がある。
すなわち、Ａｌ−Ｎｉ系合金を用いた場合、保磁力を高くするためには層を厚くしなければならず、結晶粒を小さくして媒体ノイズを低下させるためには層を薄くしなければならないという相反する要求がある。そのため、好適な磁気記録媒体の層構成の設計が困難であった。
特許第３２１７０１２号の実施例に記載されているように、Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃｒ−１０ａｔ％Ｚｒ、Ｃｏ−３６ａｔ％Ｍｎ−１０ａｔ％Ｔａ、Ｃｏ−３０ａｔ％Ｃｒ−１０ａｔ％ＳｉＯ２、Ｃｏ−２５ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％Ｗなどを用いる場合には、Ｃｒ合金層は（１００）面に配向して、磁性層のＣｏ合金の（１１・０）面のエピタキシャル成長は観察されるが、Ｃｒ合金層の結晶粒微細化が充分ではなく、媒体ノイズ低減に限界がある。
特開２０００−１１３４４３号に記載されているように、Ｃｒ−Ｐ系合金、Ｃｒ−Ｍｏ−Ｐ系合金を用いる場合には、Ｃｒ合金の結晶粒微細化が充分ではなく、媒体ノイズ低減に限界がある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、磁気異方性高めることができ、磁気的特性、電磁変換特性に優れた磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は上記問題を解決するために鋭意努力検討した結果、非磁性下地層に、ＭｏとＰを含むＭｏ−Ｐ系合金を用いることにより、磁気記録媒体の特性を向上できることを見出し、本発明を完成した。即ち本発明は以下に関する。
（１）非磁性基板上に、少なくとも非磁性下地層、磁性層および保護層をこの順で有する磁気記録媒体において、非磁性下地層がＭｏ−Ｐ系合金を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
（２）前記Ｍｏ−Ｐ系合金が、Ｍｏの濃度が３０〜９０ａｔ％の範囲内であり、Ｐの濃度が１０〜６０ａｔ％の範囲内であり、かつ、ＭｏとＰの合計の濃度が６０〜１００ａｔ％の範囲内であることを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）非磁性基板がガラス基板であることを特徴とする（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）非磁性基板が表面に条痕を有するガラス基板であることを特徴とする（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（５）非磁性下地層が２層以上の積層構造からなることを特徴とする（１）〜（４）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（６）非磁性下地層が、Ｍｏ−Ｐ系合金を含むＭｏ−Ｐ系合金層と、ＣｒからなるＣｒ層とを備え、Ｍｏ−Ｐ系合金層が非磁性基板側に位置することを特徴とする（５）に記載の磁気記録媒体。
（７）非磁性下地層が、Ｍｏ−Ｐ系合金を含むＭｏ−Ｐ系合金層と、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、ＳｉおよびＶから選ばれる１種または２種以上とＣｒを含有するＣｒ合金層とを備え、Ｍｏ−Ｐ系合金層が非磁性基板側に位置することを特徴とする（５）に記載の磁気記録媒体。
（８）非磁性基板が、アルミニウム、またはシリコンからなることを特徴とする（１）〜（７）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（９）非磁性基板が、アルミニウム、またはシリコンからなる基体の表面にＮｉ−Ｐ系合金をメッキしたものであることを特徴とする（１）〜（７）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１０）磁性層が、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｘ系合金（ＸはＴａまたはＣｕ）から選ばれる１種または２種以上であることを特徴とする（１）〜（９）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１１）（１）〜（１０）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体を製造する方法であって、非磁性基板上に、非磁性下地層、磁性層および保護層をこの順で形成し、非磁性下地層がＭｏ−Ｐ系合金を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（１２）非磁性下地層を形成する際に、Ｍｏ−Ｐ系合金を含む層の表面を酸素含有ガスに暴露することを特徴とする（１１）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１３）酸素含有ガスの酸素分圧が、５×１０−４Ｐａ〜５×１０−２Ｐａの範囲内であることを特徴とする（１２）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１４）（１２）または（１３）に記載の磁気記録媒体の製造方法によって製造されたことを特徴とする磁気記録媒体。
（１５）（１）〜（１０）、（１４）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体と、磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えたことを特徴とする磁気記録再生装置。
なお、本発明において、１（Ｏｅ）＝約７９Ａ／ｍである。
また、本発明において「系」とは、当該成分以外の成分が含有される場合も含むことを意味する。例えばＭｏ−Ｐ系合金は、ＭｏとＰ以外に他の成分を含んでいてもよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の磁気記録媒体の第１の実施形態を模式的に示すものである。
ここに示す磁気記録媒体は、非磁性基板１上に、非磁性下地層２と、磁性層５と、保護層６とをこの順で有する。
非磁性基板１としては、磁気記録媒体用基板として一般的に用いられているガラス基板や、Ｎｉ−Ｐ系合金メッキ膜が形成されたアルミニウム合金基板（以下、ＮｉＰメッキＡｌ基板と呼ぶ）が好適である。
さらに、セラミックス、シリコン、シリコンカ−バイド、カ−ボン、樹脂などの非金属材料からなるものや、この非金属材料基板の上にＮｉＰまたはＮｉ−Ｐ系合金の膜を形成したものを挙げることができる。
【００１１】
磁気記録再生装置では、記録密度の上昇に伴い、磁気ヘッドの低フライングハイト化が要求されているため、非磁性基板１には、高い表面平滑性が要求されている。このため、非磁性基板１の平均表面粗さＲａは２ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以下であるとことが望ましい。
非磁性基板１は、表面の微小うねり（Ｗａ）を０．３ｎｍ以下（より好ましくは０．２５ｎｍ以下）とすると、記録再生時に磁気ヘッドの浮上高さを低くすることができるため高密度記録に適している点から好ましい。微小うねり（Ｗａ）は、例えば、表面粗さ測定装置Ｐ−１２（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用い、測定範囲８０μｍでの表面平均粗さとして測定することができる。
また、端面のチャンファー部の面取り部、側面部の少なくとも一方の表面平均粗さＲａが１０ｎｍ以下（好ましくは９．５ｎｍ以下）であることが、磁気ヘッドの飛行安定性にとって好ましい。
【００１２】
非磁性基板１としては、コスト、耐久性の点からガラス基板を用いるのが好ましい。表面平滑性の点からはガラス基板、シリコン基板を用いることが好ましい。
非磁性基板１としては、アルミニウムまたはシリコンからなるものを用いることもできる。また、アルミニウムまたはシリコンからなる基体の表面にＮｉ−Ｐ系合金膜をメッキにより形成したものも使用可能である。
【００１３】
ガラス基板としては、結晶化ガラスまたはアモルファスガラスからなるものを用いることができる。アモルファスガラスとしては汎用のソ−ダライムガラス、アルミノほう珪酸ガラス、アルミノシリケ−トガラスを使用できる。また結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることができる。
非磁性基板１には、表面に条痕を形成するのが好ましい。特に、ガラス基板を用いる場合には条痕を形成するのが好ましい。条痕の形成によって、磁気的特性（例えば保磁力）、電磁変換特性（例えばＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）、ＰＷ５０）を良好にすることができる。
条痕は、主に基板１の円周方向に形成すると、円周方向の磁気異方性を高めることができるため好ましい。
条痕は、半径方向の断面において山と谷との間の高低差（平均値）が０．０２ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内（より好ましくは、０．０５ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内）の表面凹凸であることが好ましい。条痕の形状（高低差）をこの範囲とすることによって、磁気異方性を高め、電磁変換特性を向上させることができる。高低差が２０ｎｍを越える条痕は、形状が不均一となりやすい。
条痕の線密度は、７５００本／ｍｍ以上（好ましくは２００００本／ｍｍ以上）とするのが好ましい。
条痕は、例えば固定砥粒を用いたラッピングテープや遊離砥粒によるメカニカルテクスチャー加工などにより形成することができる。
セラミックス基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体やそれらの繊維強化物が挙げられる。
【００１４】
非磁性下地層２は、非磁性基板１側に形成された第１下地層３の上に、第２下地層４を形成した積層構造を有する。
非磁性下地層２を構成する第１および第２下地層３、４のうち、非磁性基板１側に位置する第１下地層３は、Ｍｏ−Ｐ系合金により構成されたＭｏ−Ｐ系合金層である。
なお、非磁性下地層は、１層構造としてもよいし、３層以上の積層構造としてもよい。１層構造である場合には、非磁性下地層がＭｏ−Ｐ系合金を含むように構成する。２層以上の積層構造である場合には、これらの層のうち少なくとも１つ（好ましくは最も非磁性基板側に位置するもの）がＭｏ−Ｐ系合金を含むように構成する。
【００１５】
第１下地層３を構成するＭｏ−Ｐ系合金は、Ｍｏの濃度が３０〜９０ａｔ％の範囲内であり、Ｐの濃度が１０〜６０ａｔ％の範囲内であり、かつ、ＭｏとＰの合計の濃度が６０〜１００ａｔ％の範囲内であることが好ましい。
Ｍｏの濃度またはＰの濃度がこの範囲を外れる場合は、その直上に位置する層（第２下地層４）において結晶粒径が大きくなり、ＳＮＲ特性の劣化を招く。
【００１６】
非磁性下地層２に用いられるＭｏ−Ｐ系合金には、補助的効果（第２下地層４および磁性層５における配向性向上や結晶粒微細化など）を有する元素を添加しても良い。添加元素としてはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｒｕ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｗから選ばれた１種または２種以上が例示される。
添加元素の合計含有率は４０ａｔ％以下であることが好ましい。合計含有率が４０ａｔ％を超えると、上述の効果（配向性向上や結晶粒微細化）が低くなる。合計含有量は０．１ａｔ％以上とするのが好ましく、この含有量が０．１ａｔ％未満では上述の効果が低くなる。
【００１７】
第１下地層３を形成するには、スパッタリング用ターゲットを用いたＤＣまたはＲＦマグネトロンスパッタリング法を採用できる。スパッタリング法により層を形成する際には、スパッタリングガスとして通常Ａｒガスを用いて放電をおこなう。スパッタリングガス圧は０．１Ｐａ〜５Ｐａが好ましい。
【００１８】
第２下地層４は、ＣｒからなるＣｒ層としてもよいし、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、ＳｉおよびＶから選ばれる１種または２種以上とＣｒを含有するＣｒ合金からなるＣｒ合金層としてもよい。Ｃｒ合金としては、特に、Ｃｒ−Ｍｏ系合金、Ｃｒ−Ｗ系合金、Ｃｒ−Ｖ系合金、Ｃｒ−Ｔｉ系合金が好適である。
第２下地層４をＣｒ合金層とする場合には、Ｃｒ層とする場合に比べ、第２下地層４の格子定数を磁性層５の格子定数に近い値とすることができるため、第２下地層４と磁性層５との間の格子の整合性を高め、ＳＮＲ特性を向上させることができる。
【００１９】
第２下地層４は、（１００）面を優先配向面とするのが好ましい。これによって、磁性層５を構成するＣｏ合金の結晶配向がより強く（１１・０）を示すため、磁気的特性（例えば保磁力（Ｈｃ））の向上効果、記録再生特性（例えばＳＮＲ）の向上効果が得られる。
【００２０】
磁性層５は、非磁性下地層２の配向面、例えば（１００）面との間で、格子の整合性が高い材料であるＣｏを主成分とするＣｏ合金であって、ｈｃｐ構造である材料からなるのが好ましい。
例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｘ系合金（ＸはＴａまたはＣｕ）から選ばれる１種または２種以上を含むことが好ましい。
特に、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金から選ばれた１種または２種以上を含むことが好ましい。
【００２１】
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金を用いる場合には、Ｃｒの含有量は５ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲内、Ｔａの含有量は１ａｔ％〜１０ａｔ％の範囲内とするのがＳＮＲ特性向上の点から好ましい。
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金を用いる場合には、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内とするのがＳＮＲ特性向上の点から好ましい。
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金を用いる場合には、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は１ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内とするのがＳＮＲ特性向上の点から好ましい。
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系合金を用いる場合には、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は１ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内、Ｔａの含有量は１ａｔ％〜４ａｔ％の範囲内とするのがＳＮＲ特性向上の点から好ましい。Ｂの含有量は２ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内とするのがより好ましい。
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金を用いる場合には、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は２ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内、Ｃｕの含有量は１ａｔ％〜４ａｔ％の範囲内とするのがＳＮＲ特性向上の点から好ましい。
【００２２】
磁性層５の厚さは、熱揺らぎ特性の観点から１０ｎｍ以上（好ましくは１５ｎｍ以上）とするのが好ましく、高記録密度化の観点から４０ｎｍ以下であるのが好ましい。この厚さが４０ｎｍを越えると、磁性層５において結晶粒径が大きくなり、好ましい記録再生特性が得られないからである。
磁性層５は、１層構造とすることもできるし、多層構造とすることもできる。多層構造とする場合には、各層の材料として上述の材料（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｘ系合金）を用いることができる。
磁性層５を多層構造とする場合、非磁性下地層２の直上に位置する層（最下層）は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金、またはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金からなることが、記録再生特性（特にＳＮＲ特性）の改善の点から好ましい。
また、最上層は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金またはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金からなることが、記録再生特性（特にＳＮＲ特性）の改善の点から好ましい。
【００２３】
保護層６には、従来の公知の材料、例えばカ−ボンまたはＳｉＣを主成分とする材料を使用することができる。
保護層６の厚さは、１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であるのが、記録再生時のスペ−シングロス、および耐久性の点から好ましい。
保護層６上には、必要に応じて、例えばパ−フルオロポリエ−テル等のフッ素系潤滑剤からなる潤滑層を設けることができる。
【００２４】
次に、上記磁気記録媒体を製造する方法の一例を説明する。
非磁性基板１の表面には、条痕を形成することが好ましい。
条痕は、例えば固定砥粒を用いたラッピングテープや遊離砥粒によるメカニカルテクスチャー加工などにより形成するのが好ましい。
例えば、基板１の表面に研磨テープを押し当て、研磨砥粒を含む研磨スラリーを基板１と研磨テープとの間に供給し、基板１を回転させるとともに、研磨テープを基板１上で走行させる方法をとることができる。
テクスチャー加工の際には、オッシレーションを行うことができる。オッシレーションとは、研磨テープを基板１の円周方向に走行させる際に、この研磨テープを基板１の半径方向に揺動させる操作のことである。オッシレーション回数は６０回／分〜１２００回／分とすると、表面研削量が均一になるため好ましい。
テクスチャー加工の方法としては、研磨テープを用いたメカニカルテクスチャー加工以外に、固定砥粒を用いた方法、固定砥石を用いた方法、レーザー加工を挙げることができる。
【００２５】
次いで、非磁性基板１を洗浄後、成膜装置（スパッタ装置）のチャンバ内に設置する。基板１は必要に応じて１００℃〜４００℃の範囲内で加熱する。
非磁性基板１上に、第１下地層３、第２下地層４、磁性層５を、ＤＣまたはＲＦマグネトロンスパッタリング法により形成する。
上記各層を形成する際の操作条件は、例えば次のとおりとすることができる。
チャンバ内の真空度は１×１０−３Ｐａ〜１×１０−７Ｐａとすることができる。スパッタ用ガスとしてはＡｒガスを用いることができる。供給電力は０．２ｋＷ〜２．０ｋＷとするのが好ましい。各層を形成する際には、放電時間と供給電力を調節することによって、形成する層の厚さを調節することができる。
各層を形成する際には、各層の材料と同じ組成の材料からなるスパッタリング用ターゲットを用いることができる。
【００２６】
第１下地層３を形成した後には、第１下地層３の表面を酸素含有ガスに暴露するのが好ましい。この酸素含有ガスとしては、酸素分圧が５×１０−４Ｐａ以上（好ましくは５×１０−３Ｐａ〜５×１０−２Ｐａの範囲内）であるもの（例えば空気）が好ましい。酸素含有ガスとしては、水を含むものを用いることもできる。暴露時間は、０．５秒〜１５秒の範囲内とするのが好ましい。
暴露処理を行うには、第１下地層３を形成した基板１をチャンバから取り出し、外気または酸素含有ガスに暴露させる方法をとることができる。また、この基板１をチャンバから取り出さず、チャンバ内に酸素含有ガス（空気など）を導入する方法をとることもできる。チャンバ内で第１下地層３を酸素含有ガスに暴露させる方法は、基板１をチャンバから取り出す操作が不要であるため、効率的な製造が可能となる。その場合には、例えばチャンバ内の真空度が１×１０−５Ｐａ未満において、５×１０−４Ｐａ以上の酸素ガスを含む酸素含有ガスを用いるのが好ましい。暴露処理時の酸素含有ガス中の酸素分圧は５×１０−２Ｐａ以下とするのが好ましい。
【００２７】
磁性層５に、Ｂを含む合金（例えばＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｘ系合金）を用いる場合には、非磁性下地層２と磁性層５との境界付近において、Ｂ濃度が１ａｔ％以上となる領域におけるＣｒ濃度が４０ａｔ％以下となるような条件で磁性層５を形成するのが好ましい。
【００２８】
次いで、保護層６を、従来公知のスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、またはそれらの組み合わせにより形成する。保護層６上には、潤滑層を、従来公知のディップ法やスピンコート法により形成することができる。
【００２９】
上記磁気記録媒体では、非磁性下地層２がＭｏ−Ｐ系合金を含むので、磁性層５に高い磁気異方性を与えることができる。
従って、磁気的特性（例えば保磁力）、電磁変換特性（例えばＳＮＲ、ＰＷ５０）向上させることができ、記録密度を高めることが可能となる。
また、金属基板に比べて平坦性が高いガラス基板を用いることによって、グライドハイト特性が良好となる。従って、エラー特性を悪化させることなく高記録密度化が可能となる。
【００３０】
図２は、本発明の磁気記録媒体の第２の実施形態を示すもので、この磁気記録媒体では、非磁性下地層２と磁性層５との間に、磁性層５におけるＣｏ合金のエピタキシャル成長を助長する目的で、非磁性中間層７が設けられている。
非磁性中間層７は、Ｃｏ、Ｃｒを含むもの、すなわちＣｏ−Ｃｒ系合金からなることが好ましい。Ｃｏ−Ｃｒ系合金を用いる場合には、Ｃｒの含有量は２５ａｔ％〜４５ａｔ％の範囲内であるのがＳＮＲ向上の点から好ましい。
非磁性中間層７の厚さは０．５ｎｍ〜３ｎｍの範囲内であるのがＳＮＲ向上の点から好ましい。
この磁気記録媒体では、非磁性中間層７が設けられているので、磁気的特性（例えば保磁力）の向上効果、記録再生特性（例えばＳＮＲ）の向上効果が得られる。
【００３１】
図３は、本発明の磁気記録媒体の第３の実施形態を示すもので、この磁気記録媒体では、非磁性下地層２と磁性層５との間に、熱減磁を改善することを目的として、反強磁性結合層８が設けられている。
反強磁性結合層８は、安定化層９上に非磁性結合層１０を形成した構成とすることができる。
安定化層９には、磁性材料であるＣｏ−Ｒｕ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金などを用いることができる。
非磁性結合層１０にはＲｕを用いることが好ましい。非磁性結合層１０の厚さは０．８ｎｍ前後（例えば０．６ｎｍ〜１．０ｎｍ）であると反強磁性結合強度が極大値になるため好ましい。
この磁気記録媒体は、反強磁性結合層８が設けられているので、熱揺らぎ特性に優れている。
【００３２】
図４は、上記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録再生装置は、上記各実施形態のうちいずれかの磁気記録媒体２０と、磁気記録媒体２０を回転駆動させる媒体駆動部２１と、磁気記録媒体２０に情報を記録再生する磁気ヘッド２２と、この磁気ヘッド２２を磁気記録媒体２０に対して相対運動させるヘッド駆動部２３と、記録再生信号処理系２４とを備えている。記録再生信号処理系２４は、外部から入力されたデ−タを処理して記録信号を磁気ヘッド２２に送ったり、磁気ヘッド２２からの再生信号を処理してデ−タを外部に送ることができるようになっている。本発明の磁気記録再生装置に用いる磁気ヘッド２２には、再生素子として異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）を利用したＭＲ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子だけでなく、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用したＧＭＲ素子などを有する、高記録密度に適したものを用いることができる。
【００３３】
この磁気記録再生装置では、上記磁気記録媒体を用いるので、磁性層５に高い磁気異方性を与え、優れた磁気的特性および電磁変換特性を得ることができ、記録密度を高めることが可能となる。
【００３４】
【実施例】
（実施例１）
図２に示す磁気記録媒体を作製した。
非磁性基板１としては、ガラス基板（日本板硝子製アモルファスガラスＧＤ−７）を使用した。基板１のサイズは外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚さ０．６３５ｍｍである。
基板１にメカニカルテクスチャー加工を施した。メカニカルテクスチャー加工の条件は以下の通りである。スラリーに含まれる砥粒としてはＤ９０（累積質量％が９０質量％に相当する時の粒径値）が０．１５μｍであるダイアモンド砥粒を使用した。スラリーは加工開始前に５０ｍｌ／分で２秒間滴下した。ガラス基板１を回転させるとともに、研磨テープを基板１上で走行させた。研磨テープにはポリエステル製の織物布を使用した。研磨テープの送り速度は７５ｍｍ／分とした。基板１の回転数は６００ｒｐｍとした。オッシレーション回数は１２０回／分とした。研磨テープの押付力は２．０ｋｇｆ（１９．６Ｎ）とした。加工時間は１０秒とした。
基板１表面を、Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ社製ＡＦＭで測定したところ、表面平均粗さＲａが０．４ｎｍであり、線密度が２５０００本／ｍｍである円周方向の条痕が形成されたことが確認された。
なお、表面平均粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９８２、またはＩＳＯ
Ｒ  ４６８−１９６６に準じて測定することができる。
基板１を十分に洗浄し乾燥した後、ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社（日本）製Ｃ３０１０）のチャンバ内に収容し、チャンバ内の真空到達度を２×１０−７Ｔｏｒｒ（２．７×１０−５Ｐａ）とした後、Ｍｏ−Ｐ合金（Ｍｏ：９０ａｔ％、Ｐ：１０ａｔ％）からなるターゲットを用いて、このＭｏ−Ｐ合金からなる第１下地層３（厚さ５ｎｍ）を常温にて形成した。
【００３５】
基板１を２５０℃に加熱した後、チャンバ内に酸素ガスを導入することによって第１下地層３を暴露処理した。酸素ガス圧は０．０５Ｐａとし、暴露処理時間は５秒間とした。
Ｃｒ−Ｔｉ―Ｂ合金（Ｃｒ：８３ａｔ％、Ｔｉ：１５ａｔ％、Ｂ：２ａｔ％）からなるターゲットを用いて、第２下地層４（厚さ８ｎｍ）を形成した。
Ｃｏ―Ｃｒ合金（Ｃｏ：６５ａｔ％、Ｃｒ：３５ａｔ％）からなるターゲットを用いて、非磁性中間層７（厚さ２ｎｍ）を形成した。
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金（Ｃｏ：６０ａｔ％、Ｃｒ：２２ａｔ％、Ｐｔ：１２ａｔ％、Ｂ：６ａｔ％）からなるターゲットを用いて、ＣｏＣｒＰｔＢ合金層である磁性層５（厚さ２０ｎｍ）を形成した。
次いで、カーボンからなる保護層６（厚さ５ｎｍ）を形成した。
上記各層を形成する際には、スパッタ用ガスとしてＡｒを用い、その圧力は３ｍＴｏｒｒ（０．４Ｐａ）とした。
次いで、パーフルオロポリエーテルからなる潤滑剤を用い、ディップ法により潤滑層（厚さ２ｎｍ）を形成し、磁気記録媒体を得た。
【００３６】
（実施例２〜２０）
第１下地層３の組成および厚さを表１に示すとおりにした以外は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
【００３７】
（実施例２１）
図３に示す磁気記録媒体を作製した。
第１下地層３は、Ｍｏ−Ｐ合金（Ｍｏ：７０ａｔ％、Ｐ：３０ａｔ％）からなるターゲットを用いて常温にて形成した（厚さ５ｎｍ）。
非磁性中間層７を形成せず、これに代えて反強磁性結合層８を形成した。安定化層９は、Ｃｏ−Ｒｕ合金（Ｃｏ：８０ａｔ％、Ｒｕ：２０ａｔ％）からなるターゲットを用いて形成した（厚さ２ｎｍ）。非磁性結合層１０は、Ｒｕからなるターゲットを用いて形成した（厚さ０．８ｎｍ）。その他の条件は実施例１に準じた。
【００３８】
（実施例２２）
ガラス基板にメカニカルテクスチャー加工を施さないこと以外は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
【００３９】
（実施例２３〜２６）
第１下地層３の組成を表１に示すとおりにしたこと以外は、実施例２２と同様にして磁気記録媒体を作製した。
【００４０】
（比較例１〜２）
第１下地層３に代えて、Ｃｒ−Ｍｏ−Ｐ系合金からなるＣｒ−Ｍｏ−Ｐ系合金層を形成した磁気記録媒体を作製した。その他の条件は実施例１に準じた。
【００４１】
（比較例３）
Ｃｒ−Ｍｏ−Ｐ系合金層の組成と厚さを表２に示すとおりにした以外は、実施例２２と同様にして磁気記録媒体を作製した。
【００４２】
上記各実施例および比較例について、グライドテスタ−を用い、グライド高さを０．４μｉｎｃｈ（１μｉｎｃｈ≒２５．４ｎｍ）としてグライドテストを行ない、このテストで問題が生じなかった磁気記録媒体について、リ−ドライトアナライザ−ＲＷＡ１６３２（ＧＵＺＩＫ社（米国）製）を用いて記録再生特性を調べた。
記録再生特性については、電磁変換特性（再生信号出力（ＴＡＡ）、孤立波再生出力の半値幅（ＰＷ５０）、ＳＮＲ、オ−バライト（ＯＷ））を測定した。
記録再生特性の評価には、再生部に巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子を有する複合型薄膜磁気記録ヘッドを用いた。
ノイズについては、５００ｋＦＣＩのパタ−ン信号を書き込んだ時の、１ＭＨｚから３７５ｋＦＣＩ相当周波数までの積分ノイズを測定した。再生出力は２５０ｋＦＣＩで測定した。ＳＮＲは２０×ｌｏｇ（再生出力／１ＭＨｚから３７５ｋＦＣＩ相当周波数までの積分ノイズ）として算出した。
保磁力（Ｈｃ）および角形比（Ｓ＊）の測定にはカー効果式磁気特性測定装置（ＲＯ１９００、日立電子エンジニアリング社（日本）製）を用いた。
保磁力の磁気的異方性指数（ＯＲ）、および残留磁化量の磁気的異方性指数（ＭｒｔＯＲ）の測定にはＶＳＭ（ＢＨＶ−３５、理研電子社（日本）製）を用いた。
結果を表１および表２に示す。
【００４３】
【表１】
2004265462.tif 000003
【００４４】
【表２】
2004265462.tif 000004
【００４５】
実施例１〜５より、第１下地層３（Ｍｏ−Ｐ系合金層）のＰ濃度が１０〜５０ａｔ％のとき、良好な電磁変換特性が得られたことがわかる。Ｐ濃度が２０〜４０ａｔ％の範囲内では、さらに良好な電磁変換特性が得られた。
実施例３、６〜１０より、Ｍｏ−Ｐ系合金（Ｍｏ：７０ａｔ％、Ｐ：３０ａｔ％）からなる第１下地層３の厚さが２．５〜３０ｎｍの範囲である場合には、良好な円周方向の磁気異方性が得られ、電磁変換特性に優れていることがわかる。この厚さが２．５〜１０ｎｍの範囲では、さらに良好な円周方向の磁気異方性が得られ、電磁変換特性が良好となった。
実施例１１〜２０より、Ｍｏ−Ｐ系合金に第３元素を添加した場合、この第３元素がＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｗのいずれである場合でも優れた電磁変換特性が得られたことがわかる。
実施例２２〜２６では、ガラス基板１がメカニカルテクスチャー加工を施されていないために、異方性が発現していない。実施例２２〜２６では、実施例１〜２１と比較すると特性は劣るが、Ｃｒ−Ｍｏ−Ｐ系合金を用いた比較例３と比較すると、優れた電磁変換特性が得られたことがわかる。
比較例１〜３は、Ｍｏ−Ｐ系合金に代えて、Ｃｒ−Ｍｏ−Ｐ系合金を用いた場合である。ガラス基板にメカニカルテクスチャー加工を施した比較例１、２およびメカニカルテクスチャー加工を施さない比較例３は、ともに実施例よりも劣った結果となっている。
【００４６】
【発明の効果】
本発明の磁気記録媒体は、非磁性下地層がＭｏ−Ｐ系合金を含むので、磁性層に高い磁気異方性を与えることができる。
従って、磁気的特性（例えば保磁力）、電磁変換特性（例えばＳＮＲ、ＰＷ５０）向上させることができ、記録密度を高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の第１の実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の磁気記録媒体の第２の実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明の磁気記録媒体の第３の実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明の磁気記録再生装置の一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
１…非磁性基板、２…非磁性下地層、３…第１下地層、４…第２下地層、５…磁性層、６…保護層、２０…磁気記録媒体
【図１】
2004265462.tif 000005
【図２】
2004265462.tif 000006
【図３】
2004265462.tif 000007
【図４】
2004265462.tif 000008