(57)【要約】【課題】エッチング処理時における開口の広がりによるパターンの後退を抑制することができ、所望通りの回路パターンが精度良く得られる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】露光用マスクを用いて形成された第１の回路パターン１に対し、部分的なエッチング処理によるトリミングを施して、所望する第２の回路パターンを得る半導体装置の製造方法において、前記第１の回路パターン１を前記エッチング処理のためのレジスト膜４で覆うのに先立ち、当該第１の回路パターン１のうちの前記第２の回路パターンとなる部分を、前記第１の回路パターン１の形成材料との選択比が得られる材料からなる保護膜３によって覆う。【選択図】        図１
2004319945.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光用マスクを用いて形成された第１の回路パターンに対し部分的なエッチング処理によるトリミングを施して所望する第２の回路パターンを得る半導体装置の製造方法において、
前記第１の回路パターンを前記エッチング処理のためのレジスト膜で覆うのに先立ち、当該第１の回路パターンのうちの前記第２の回路パターンとなる部分を、前記第１の回路パターンの形成材料との選択比が得られる材料からなる保護膜によって覆うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記保護膜は、酸化膜または窒化膜であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
露光用マスクを用いて形成された第１の回路パターンに対し部分的なエッチング処理によるトリミングを施して所望する第２の回路パターンを得る半導体装置の製造方法であって、
前記第１の回路パターンの形成後、当該第１の回路パターンを無機膜によって覆い、さらに前記無機膜上に前記エッチング処理のためのレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を用いて前記無機膜に対するエッチングを行い前記第１の回路パターンにおける不要なパターン部分を露出させ、
前記パターン部分以外を覆う前記無機膜を用いて前記エッチング処理を行い当該パターン部分をトリミングして前記第２の回路パターンを得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記無機膜の形成後、当該無機膜上に前記レジスト膜を形成する前に、当該無機膜の上面に平坦化処理を施すことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記パターン部分を露出させるための前記無機膜に対するエッチングがテーパエッチングとなるように当該エッチングの条件設定を行うことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体装置を構成する回路パターンを形成するためリソグラフィ工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置は、その高集積化に伴って、回路パターンの微細化が進んでいる。これに対応するため、半導体装置の製造工程、特にそのうちのリソグラフィ工程では、マスクを透過した光の位相差を利用することによって高解像度が得られる位相シフトマスクを用いたパターニングが行われている。位相シフトマスクとしては、例えば隣接するマスクパターンに対応するマスク開口部を透過する光を互いに反位相とするレベンソン型位相シフトマスクが広く知られている。
【０００３】
ところで、例えばＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）として用いられる半導体装置には、図３０に示すように、矩形パターンのワード線が規則的に配列されている回路パターンを有するものがある（例えば、特許文献１参照）。このような回路パターンの形成は、通常、以下のような手順で行われている。すなわち、従来は、ＳＲＡＭセルパターン等の回路パターンの形成にあたり、先ず、図３１（ａ）に示すように、レベンソン型位相シフトマスクを用いてラインアンドスペースからなる直線パターン３１を露光およびエッチングにより形成しておく。そして、その直線パターン３１上をレジスト膜３２で覆った後、図３１（ｂ）に示すように、不要なパターン部分に対応した開口３３を形成するために、その不要部分を除去（トリミング）するための露光、いわゆる二回露光を行う。その後、開口３３によって露出した直線パターン３１の部分に対してエッチング処理によるトリミングを施し、さらにレジスト膜３２を除去する。このようにして、図３０に示すような回路パターンを得る。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−３６５４３号公報（第４図、第６図）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような二回露光を行って回路パターンを得る場合には、エッチング処理によるトリミングを施す際に、そのトリミングの進行に伴って開口３３の広がりが生じてしまい、本来トリミングされるべきでない直線パターン３１の部分までがトリミングされてしまうおそれがある。具体的には、図３２（ａ）に示すようにトリミング箇所の開口３３を幅ｄとした場合に、図３２（ｂ）に示すようにトリミングの進行に伴って大きさαだけ開口３３が広がると、エッチング処理後に得られるパターンも片側α分だけ大きくトリミングされてしまい、図３２（ｃ）に示すように最終的に得られるトリミング幅がｄ＋２αとなってしまう。
【０００６】
これは、レジスト膜３２の開口３３における側壁部分が傾斜を有することに起因する。すなわち、開口３３における側壁部分がパターン形成される基板表面に対して垂直ではないため、エッチング処理時にその部分が優先的にエッチングされ、開口３３が広がり易くなってしまうのである。ところが、周知のように、レジスト膜３２において、側壁部分が傾斜を有さないように開口３３を形成することは非常に困難である。
【０００７】
開口３３の側壁部分が傾斜を有し、その側壁部分が裾を引いた状態になってしまうのは、主に開口３３を形成する際の露光裕度が低いことによる。露光裕度とは、露光焦点精度等といった露光に関する精度についての余裕度をいう。レジスト膜３２は直線パターン３１上を覆うものであるため、そのレジスト膜３２に対する露光時、すなわち開口３３を形成する際には、パターン段差上への露光となる。したがって、露光裕度が低くなり、開口３３の側壁部分が裾を引いた状態となり易い。このような裾の部分は、エッチング（トリミング）が早く進行するため、パターン広がりの増大（パターンの後退）を招く要因となり得る。
【０００８】
この点については、露光裕度向上のために、いわゆる多層レジストを用いることも考えられる。すなわち、下層レジスト膜でパターン段差を埋め込むことで、露光裕度を向上させた後に、中間層（酸化膜等）と上層レジスト膜によりパターニングを行うようにする。ただし、その場合であっても、通常レジスト膜に用いられる有機材料は、回路パターンを形成する直線パターン３１の形成材料（例えばポリシリコンやアモルファスシリコン）との選択比が得られにくい。そのため、下層レジストのエッチングの際に、パターン広がりが生じてしまい、結果的に回路パターンの後退を招くおそれがある。
【０００９】
これらのことから、二回露光を行って回路パターンを得る場合には、パターン設計の際に予め開口３３が広がることによるトリミングの後退分を考慮しておく必要がある。このことは、回路パターンの実装面積（例えば、ＳＲＡＭにおけるセル面積）の増加をもたらし、結果として半導体装置の高集積化への障壁となってしまうことが考えられる。
【００１０】
そこで、本発明は、露光用マスクを用いて形成された第１の回路パターンに対し部分的なエッチング処理によるトリミングを施して所望する第２の回路パターンを得る場合であっても、エッチング処理時に生じる開口の広がりによるパターンの後退を抑制することができ、所望通りの回路パターンが精度良く得られる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために案出された半導体装置の製造方法である。すなわち、露光用マスクを用いて形成された第１の回路パターンに対し部分的なエッチング処理によるトリミングを施して所望する第２の回路パターンを得る半導体装置の製造方法において、前記第１の回路パターンを前記エッチング処理のためのレジスト膜で覆うのに先立ち、当該第１の回路パターンのうちの前記第２の回路パターンとなる部分を、前記第１の回路パターンの形成材料との選択比が得られる材料からなる保護膜によって覆うことを特徴とする。
【００１２】
上記手順の半導体装置の製造方法によれば、第２の回路パターンとなる部分、すなわちトリミングを施す箇所以外の部分を、予め保護膜によって覆っておくので、例えばエッチング処理のためのレジスト膜における開口パターンがトリミング中に広がってしまい、本来トリミングされるべきでない箇所が露出した場合であってもトリミングが進行せず、いわゆるパターンの後退を抑制できる。
このことは、保護膜が、第１の回路パターンの形成材料、すなわち被トリミング膜の形成材料との選択比が得られる材料からなることによって実現可能となる。例えば、被トリミング膜がポリシリコンやアモルファスシリコン等からなる場合には、トリミング時に高い選択比が得られ易い酸化膜または窒化膜を保護膜として用いることが考えられる。
【００１３】
また、本発明は、上記目的を達成するために、露光用マスクを用いて形成された第１の回路パターンに対し部分的なエッチング処理によるトリミングを施して所望する第２の回路パターンを得る半導体装置の製造方法であって、前記第１の回路パターンの形成後、当該第１の回路パターンを無機膜によって覆い、さらに前記無機膜上に前記エッチング処理のためのレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を用いて前記無機膜に対するエッチングを行い前記第１の回路パターンにおける不要なパターン部分を露出させ、前記パターン部分以外を覆う前記無機膜を用いて前記エッチング処理を行い当該パターン部分をトリミングして前記第２の回路パターンを得ることを特徴とする。
【００１４】
上記手順の半導体装置の製造方法によれば、第１の回路パターンを無機膜によって覆っておき、その無機膜に対するエッチングを行って第１の回路パターンの不要なパターン部分を露出させた上で、その無機膜を用いて第２の回路パターンを得るためのエッチング処理を行うようになっている。ここで、無機膜とは、無機材料からなる膜をいう。無機材料は、例えば第１の回路パターンの形成材料がポリシリコンやアモルファスシリコン等からなる場合には、その形成材料との選択比が得られる材料である。したがって、無機膜を用いてエッチング処理を行えば、選択比を得るのが困難であるレジスト膜のみの場合とは異なり、不要なパターン部分をトリミングするための開口パターンが広がってしまうのを抑えられる。すなわち、本来トリミングされるべきでない箇所が露出してしまうのを防ぎ、トリミングの進行に伴ってパターン部分が後退してしまうのを抑制できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づき本発明に係る半導体装置の製造方法について説明する。
【００１６】
〔第１の実施の形態〕
先ず、本発明に係る半導体装置の製造方法の第１の実施の形態の概要について説明する。図１は、本発明に係る半導体装置の製造方法の第１の実施の形態の手順を説明するための概念図である。なお、ここでは、例えばＳＲＡＭセルパターンのように、矩形パターンの配線（ゲート電極）が規則的に配列されてなる回路パターンを形成する場合を例に挙げて説明する（図１７参照）。
【００１７】
ＳＲＡＭセルパターン等の回路パターンの形成にあたっては、先ず、従来と同様、図１（ａ）に示すように、レベンソン型位相シフトマスクを用いてラインアンドスペースからなる直線パターン１を露光およびエッチングにより形成しておく。この直線パターン１は、露光用マスクを用いて形成された第１の回路パターンに相当するものであり、例えばポリシリコンやアモルファスシリコンによって形成することが考えられる。
【００１８】
直線パターン１の形成後は、図１（ｂ）に示すように、後工程にてトリミングされるべき箇所、すなわち直線パターン１の被トリミング箇所を、例えばレジスト膜２で被覆する。このとき、例えば被トリミング箇所が幅ｄであれば、レジスト膜２も幅ｄとなる。なお、レジスト膜２は、後述するレジスト膜の開口を同形状とすることが考えられるが、少なくとも被トリミング箇所を覆えれば、開口と異なる形状に形成しても構わない。
【００１９】
そして、レジスト膜２の形成後は、その上から、図１（ｃ）に示すように、保護膜３の形成を行う。保護膜３は、直線パターン１の形成材料、すなわち被トリミング箇所における形成材料との選択比が得られる材料によって形成する。ここで、「選択比」とは、直線パターン１の形成材料のエッチング速度と、保護膜３の形成材料のエッチング速度との比をいう。また、「選択比が得られる」とは、保護膜３のエッチング速度に対して直線パターン１のエッチング速度が十分に大きいこと、すなわちエッチング処理の際に直線パターン１の形成材料は除去されるが保護膜３については除去されない状態のことをいう。このような保護膜３としては、例えば直線パターン１の形成材料がポリシリコンやアモルファスシリコン等であれば、窒化シリコンや酸化シリコン等の膜を用いることが考えられる。また、例えばＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏ−Ｐｈｏｓｐｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜といった、無機材料からなる無機膜を用いることも考えられる。このような保護膜２は、周知技術である窒化処理または酸化処理を施したり、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やスパッタリング法等で成膜を行うことによって形成すればよい。
【００２０】
その後、レジスト膜２を除去すると、直線パターン１は、図１（ｄ）に示すように、そのうちの被トリミング箇所を除く部分、すなわちＳＲＡＭセルパターン等の回路パターンを構成する部分が、保護膜３によって覆われることになる。この保護膜３が覆う回路パターンの部分は、形成を所望する回路パターンとなる部分であり、二回露光を行って得られる第２の回路パターンに相当するものである。
【００２１】
保護膜３の形成後は、従来と同様、図１（ｅ）に示すように、保護膜３の上から直線パターン１をレジスト膜４で覆い、そのうちの不要部分を除去（トリミング）するための露光およびエッチングを行って、不要部分に対応した開口５を形成する。この開口５は、直線パターン１の被トリミング箇所に対応した位置に形成する。また、被トリミング箇所が幅ｄであれば、これに対応して幅ｄとなるように形成する。
【００２２】
開口５を形成すると、その後は、その開口５によって露出した直線パターン１の部分に対してエッチング処理によるトリミングを施す。このとき、図１（ｆ）に示すように、トリミングの進行に伴って大きさαだけ開口５が広がってしまい、本来トリミングされるべきでない箇所が露出してしまうことも考えられるが、その場合であっても露出箇所、すなわち被トリミング箇所以外の部分は保護膜３によって覆われているため、被トリミング箇所以外の部分のトリミングが進行することはない。つまり、本来トリミングされるべきでない箇所が露出しても、被トリミング箇所のみがトリミングされる。
【００２３】
そして、エッチング処理によるトリミングの終了後、レジスト膜４を除去すれば、図１（ｇ）に示すように、被トリミング箇所のみがトリミングされた回路パターン、すなわちＳＲＡＭセルパターン等のような所望の回路パターンが得られることになる。
【００２４】
以上に説明したように、上述した手順による回路パターンの形成工程を含む半導体装置の製造方法によれば、トリミングの進行に伴って開口５が広がってしまい、本来トリミングされるべきでない箇所が露出しても、被トリミング箇所以外の部分は保護膜３によって覆われているため、トリミングが進行せず、パターンの後退を抑制できる。つまり、トリミングのためのレジスト膜４の開口５の側壁部分が傾斜を有していても、エッチング処理時に生じる開口５の広がりによるパターンの後退を抑制することができ、所望通りの回路パターンが精度良く得られるようになる。したがって、二回露光を行って回路パターンを得る場合であっても、パターン設計の際にトリミングの後退分を考慮しておく必要がなく、回路パターンの実装面積（ＳＲＡＭのセル面積）の縮小、およびこれに伴う半導体装置の高集積化が非常に容易となる。
【００２５】
〔第２の実施の形態〕
続いて、本発明に係る半導体装置の製造方法の第２の実施の形態の概要について説明する。図２は、本発明に係る半導体装置の製造方法の第２の実施の形態の手順を説明するための概念図である。なお、ここでは、上述した第１の実施の形態との相違点についてのみ説明する。
【００２６】
ＳＲＡＭセルパターン等の回路パターンの形成にあたって、先ず、図２（ａ）に示すように、直線パターン１を露光およびエッチングにより形成する点は、第１の実施の形態と同様である。直線パターン１の形成後は、図２（ｂ）に示すように、その直線パターン１の全体を覆うように、無機膜６を成膜する。無機膜６は、無機材料からなる膜である。無機材料は、直線パターン１の形成材料、すなわち被トリミング箇所における形成材料との選択比が得られる材料である。具体的には、酸化シリコン、ＢＰＳＧ、窒化シリコン等が無機材料として挙げられる。このような無機膜６は、ＣＶＤ法や塗布法、スパッタリング法等で成膜を行うことによって形成すればよい。
【００２７】
無機膜６の形成後は、その無機膜６の上面に平坦化処理を施すことが望ましい。平坦化処理を施せば、無機膜６が直線パターン１を覆うものであっても、その平坦化処理によってその直線パターン１に起因する段差が低減するからであり、それ以降に行う露光の際の露光裕度が向上するからである。この平坦化処理は、化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈ、以下「ＣＭＰ」と略す）、リフロー、エッチバック等の手法によって行うことが考えられる。
【００２８】
そして、無機膜６の形成後は、図２（ｃ）に示すように、直線パターン１が埋め込まれた無機膜６の上をレジスト膜７で覆い、そのうちの不要部分を除去（トリミング）するための露光およびエッチングを行って、不要部分に対応した開口８を形成する。この開口８は、直線パターン１の被トリミング箇所に対応した位置に形成する。また、被トリミング箇所が幅ｄであれば、これに対応して幅ｄとなるように形成する。なお、開口８の形成時は、無機膜６に平坦化処理が施されていれば、これに伴ってレジスト膜７についても直線パターン１に起因する段差が低減されていることから、段差が存在する場合と比較して露光裕度が向上しており、狭い幅の開口８の形成が可能となる。
【００２９】
開口８を形成すると、その後は、その開口８によって露出した無機膜６の部分に対してエッチング処理によるトリミングを施す。これにより、図２（ｄ）のように、無機膜６にも、開口８に対応した形状の開口９が形成され、その開口９により直線パターン１の不要部分が露出することになる。
【００３０】
このとき、直線パターン１の不要部分を露出させるための無機膜６に対するエッチング処理は、いわゆるテーパエッチングとなるように、そのエッチングの条件設定を行うことが望ましい。テーパエッチングとは、トリミング箇所が徐々に狭くなるテーパ形状となり、かつ、そのテーパ形状のテーパ角度が制御性を有しているエッチング処理のことをいう。テーパエッチングは、エッチング処理の際の環境ガスに、側壁保護膜を形成する成分を過剰に含めるよう、その条件設定を行うことで実現することができる。つまり、側壁保護膜の形成成分を過剰に含めれば、側壁保護膜が厚くなるので、これによりそのトリミング箇所がテーパ形状を有するようになる。しかも、その条件設定によっては、トリミングの進行速度と側壁保護膜の形成速度との関係、すなわちテーパ形状におけるテーパ角度を、所望のものとすることができる。このようなテーパエッチングを行えば、その幅が極狭の開口９であっても形成することが容易となる。また、エッチング処理の進行に伴ってレジスト膜７における開口８が広がっても、無機膜６における開口９については、開口８と同様に全体的に広がってしまうのではなく、テーパ形状の分だけその幅を狭めることが可能となる。
【００３１】
開口９の形成後は、図２（ｅ）に示すように、レジスト膜７を除去するとともに、無機膜６の開口９によって露出した直線パターン１の部分に対してエッチング処理によるトリミングを施す。このとき、無機膜６は直線パターン１の形成材料との選択比が得られる無機材料からなるため、直線パターン１の被トリミング箇所以外の部分のトリミングが進行することはない。つまり、本来トリミングされるべきでない箇所がトリミングされることはなく、被トリミング箇所のみがトリミングされる。
【００３２】
そして、エッチング処理によるトリミングの終了後、無機膜６を除去すれば、図２（ｆ）に示すように、被トリミング箇所のみがトリミングされた回路パターン、すなわちＳＲＡＭセルパターン等のような所望の回路パターンが得られることになる。
【００３３】
以上に説明したように、上述した手順による回路パターンの形成工程を含む半導体装置の製造方法によれば、直線パターン１を無機膜６によって覆っておき、その無機膜６に対するエッチングを行って直線パターン１の被トリミング箇所を露出させた上で、その無機膜６を用いて所望の回路パターンを得るためのエッチング処理を行うので、選択比を得るのが困難であるレジスト膜７のみの場合とは異なり、被トリミング箇所のトリミングが進行しても開口９が広がってしまうのを抑えられる。すなわち、本来トリミングされるべきでない箇所が露出してしまうのを防いで、トリミングの進行に伴ってパターン部分が後退してしまうのを抑制することができ、所望通りの回路パターンが精度良く得られるようになる。したがって、二回露光を行って回路パターンを得る場合であっても、パターン設計の際にトリミングの後退分を考慮しておく必要がなく、回路パターンの実装面積（ＳＲＡＭのセル面積）の縮小、およびこれに伴う半導体装置の高集積化が非常に容易となる。
【００３４】
しかも、直線パターン１を無機膜６で覆うだけでなく、その無機膜６の上面に平坦化処理を施せば、直線パターン１に起因する段差が低減され、露光裕度が向上するため、平坦化していないときと比較して狭い幅の開口８，９を形成することが可能となり、所望通りの回路パターンを精度良く得る上でより一層好適となる。さらには、直線パターン１を無機膜６で覆うことで、無機膜６の開口９を形成するエッチングの際に、テーパエッチングを行うことが容易となる。テーパエッチングを行えば、テーパエッチングしていないときと比較して開口９の幅を狭めてトリミング時のパターン後退を抑えることが可能となるので、より一層所望通りの回路パターンを精度良く得ることが容易となる。
【００３５】
【実施例】
次に、以上のような手順による回路パターンの形成について、好適な実施例を挙げて具体的に説明する。
【００３６】
〔第１の実施例〕
先ず、第１の実施例について説明する。この第１の実施例は、上述した第１の実施の形態の具体例に相当するものである。図３〜１１は、本発明の第１の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図である。
【００３７】
本実施例では、先ず、図３に示すように、シリコンウエハ１１上にゲート絶縁膜材料である酸化シリコン膜１２と酸化アルミニウム膜１３とをそれぞれ１ｎｍ、３ｎｍ積層させ、その上にゲート電極材料であるポリシリコン膜１４を１５０ｎｍの膜厚で成膜した基板を用意する。そして、その基板のポリシリコン膜１４に対して、レベンソン型位相シフトマスクを用いたフォトリソグラフィおよびドライエッチングを行って、図４（ａ）に示すような直線パターン１４ａ，１４ｂを形成する。図４（ｂ）は、直線パターン１４ａ，１４ｂを平面から見た図である。ここまでの手順は、従来と略同様である。
【００３８】
その後は、図５に示すように、直線パターン１４ａ，１４ｂが形成された基板上に、フォトレジスト膜１５を５００ｎｍの膜厚で塗布し、さらに保護膜形成用のパターニングを行う。このパターニングは、直線パターン１４ａ，１４ｂの被トリミング箇所に対応したものとなる。ここで、図５中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。
【００３９】
そして、フォトレジスト膜１５によるパターニングの上から、直線パターン１４ａ，１４ｂに対して、窒素プラズマ照射を行うことで窒化処理を施す。窒化処理の条件は、ガス：窒素５０ｓｃｃｍ、アルゴン５０ｓｃｃｍ、ソース高周波（２．４５ＧＨｚ）電力：５００Ｗ、バイアス高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力：５０Ｗ、圧力：０．５Ｐａ、温度：２０℃とすることが考えられる。その結果、フォトレジスト膜１５に覆われていない部分のパターン表層２ｎｍは、図６に示すように、窒化シリコン膜１６ａ，１６ｂとなる。ここで、図６中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。なお、窒化シリコンは、直線パターン１４ａ，１４ｂの形成材料、すなわちゲート電極材料であるポリシリコンとの選択比が得られるものである。
【００４０】
窒化処理による窒化シリコン膜１６ａ，１６ｂの形成後は、続いて、図７に示すように、有機溶剤（例えば、シクロヘキサノン）を用いた洗浄により、フォトレジスト膜１５を除去する。ここで、図７中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。
【００４１】
その後は、図８に示すように、部分的に窒化シリコン膜１６ａ，１６ｂで覆われた直線パターン１４ａ，１４ｂ上を、さらにトリミングに対応した開口１８を有したフォトレジスト膜１７で覆う。開口１８は、直線パターン１４ａ，１４ｂの被トリミング箇所に対応した位置に形成され、また被トリミング箇所が幅ｄであれば、これに対応して幅ｄとなるように形成されているものとする。ここで、図８中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。
【００４２】
そして、フォトレジスト膜１７の開口１８によって露出した直線パターン１４ａ，１４ｂの部分に対してエッチング処理によるトリミングを施す。このときのトリミング条件は、ガス：塩素３０ｓｃｃｍ，臭化水素９０ｓｃｃｍ，酸素５ｓｃｃｍ、ソース高周波（２．４５ＧＨｚ）電力：４００Ｗ、バイアス高周波（４００ｋＨｚ）電力：２５Ｗ、圧力：０．５Ｐａ、温度：３０℃とすることが考えられる。
【００４３】
その結果、フォトレジスト膜１７の開口１８は、図９に示すように、トリミングの進行に伴って大きさαだけ広がってしまい、そのために本来トリミングされるべきでない箇所が露出してしまう。ここで、図９中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。
【００４４】
ところが、パターン広がりにより露出した直線パターン１４ａ，１４ｂ上には、保護膜である窒化シリコン膜１６ａ，１６ｂが形成されている。そのため、トリミングの進行に伴って開口１８の大きさが広がっても、被トリミング箇所以外の部分のトリミングが進行することはない。これによりパターンの後退を抑制することができる。すなわち、トリミング後に有機溶剤（例えば、シクロヘキサノン）を用いた洗浄によりフォトレジスト膜１７を除去すれば、図１０に示すように、窒化シリコン膜１６ａ，１６ｂで覆われた以外の部分のみがトリミングされた直線パターン１４ａ，１４ｂが得られる。ここで、図１０中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。
【００４５】
そして、最後に、窒化シリコン膜１６ａ，１６ｂを熱りん酸洗浄により除去すれば、図１１に示すように、被トリミング箇所のみがトリミングされた直線パターン１４ａ，１４ｂが得られる。ここで、図１１中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。このようにして、所望する回路パターンの形成工程が終了する。
【００４６】
〔第２の実施例〕
次に、第２の実施例について説明する。この第２の実施例も、上述した第１の実施の形態の具体例に相当するものである。図１２〜１７は、本発明の第２の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図である。本実施例においても、ポリシリコンからなる直線パターン１４ａ，１４ｂ上に、被トリミング箇所に対応したフォトレジスト膜１５を形成する手順までは、上述した第１の実施例の場合と同様である（図３〜図５参照）。
【００４７】
その後は、図１２に示すように、フォトレジスト膜１５によるパターニングの上から、直線パターン１４ａ，１４ｂに対して、ＣＶＤ法を用いて酸化シリコン膜１９を１０ｎｍの膜厚で形成する。ＣＶＤの条件は、ガス：テトラエトキシシラン８００ｓｃｃｍ，酸素６００ｓｃｃｍ、ソース高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力：９００Ｗ、圧力：１１３３Ｐａ、温度：３００℃とすることが考えられる。ここで、図１２中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。なお、酸化シリコンは、直線パターン１４ａ，１４ｂの形成材料、すなわちゲート電極材料であるポリシリコンとの選択比が得られるものである。
【００４８】
ＣＶＤ法を用いた酸化シリコン膜１９の形成後は、続いて、図１３に示すように、有機溶剤（例えば、シクロヘキサノン）を用いた洗浄により、フォトレジスト膜１５を除去する。これにより、フォトレジスト膜１５の表面部分に形成されていた酸化シリコン膜１９も、フォトレジスト膜１５と同時に除去されることになる。ここで、図１３中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。
【００４９】
その後は、図１４に示すように、部分的に酸化シリコン膜１９で覆われた直線パターン１４ａ，１４ｂ上を、さらにトリミングに対応した開口１８を有したフォトレジスト膜１７で覆う。開口１８は、直線パターン１４ａ，１４ｂの被トリミング箇所に対応した位置に形成され、また被トリミング箇所が幅ｄであれば、これに対応して幅ｄとなるように形成されているものとする。ここで、図１４中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。
【００５０】
そして、フォトレジスト膜１７の開口１８によって露出した直線パターン１４ａ，１４ｂの部分に対してエッチング処理によるトリミングを施す。このときのトリミング条件は、ガス：塩素３０ｓｃｃｍ，臭化水素９０ｓｃｃｍ，酸素５ｓｃｃｍ、ソース高周波（２．４５ＧＨｚ）電力：４００Ｗ、バイアス高周波（４００ｋＨｚ）電力：２５Ｗ、圧力：０．５Ｐａ、温度：３０℃とすることが考えられる。
【００５１】
その結果、フォトレジスト膜１７の開口１８は、図１５に示すように、トリミングの進行に伴って大きさαだけ広がってしまい、そのために本来トリミングされるべきでない箇所が露出してしまう。ここで、図１５中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。
【００５２】
ところが、パターン広がりにより露出した直線パターン１４ａ，１４ｂ上には、保護膜である酸化シリコン膜１９が形成されている。そのため、トリミングの進行に伴って開口１８の大きさが広がっても、被トリミング箇所以外の部分のトリミングが進行することはない。これによりパターンの後退を抑制することができる。すなわち、トリミング後に有機溶剤（例えば、シクロヘキサノン）を用いた洗浄によりフォトレジスト膜１７を除去すれば、図１６に示すように、酸化シリコン膜１９で覆われた以外の部分のみがトリミングされた直線パターン１４ａ，１４ｂが得られる。ここで、図１６中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。
【００５３】
そして、最後に、酸化シリコン膜１９をふっ酸洗浄により除去すれば、図１７に示すように、被トリミング箇所のみがトリミングされた直線パターン１４ａ，１４ｂが得られる。ここで、図１７中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。このようにして、所望する回路パターンの形成工程が終了する。
【００５４】
〔第３の実施例〕
次に、第３の実施例について説明する。この第３の実施例は、上述した第２の実施の形態の具体例に相当するものである。図１８〜２３は、本発明の第３の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図である。本実施例においても、シリコンウエハ１１上にポリシリコンからなる直線パターン１４ａ，１４ｂを形成する手順までは、上述した第１または第２の実施例の場合と同様である（図３〜図４参照）。
【００５５】
その後は、図１８に示すように、直線パターン１４ａ，１４ｂが形成された基板上に、無機膜として酸化シリコン膜２１を３００ｎｍの膜厚で成膜する。成膜条件は、ガス：シラン（ＳｉＨ４）５０ｓｃｃｍ、一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）２５ｓｃｃｍ、ソース高周波（２．４５ＧＨｚ）電力：８００Ｗ、バイアス高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力：１００Ｗ、圧力：３３０Ｐａ、温度：３６０℃とすることが考えられる。ここで、図１８中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。
【００５６】
酸化シリコン膜２１の成膜後は、続いて、図１９に示すように、その酸化シリコン膜２１の上面を研磨し、平坦化する。研磨条件は、研磨パッド：多孔質ウレタン樹脂、スラリー：シリカスラリー（固形分：１３重量％）、圧力：３０ｋＰａ、研磨パッドおよびウエハの回転数：５０ｒｐｍとすることが考えられる。ここで、図１９中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。
【００５７】
その後は、図２０に示すように、平坦化された酸化シリコン膜２１で覆われた直線パターン１４ａ、１４ｂ上を、さらにトリミングに対応した開口２２を有したフォトレジスト膜２３で覆う。開口２２は、直線パターン１４ａ、１４ｂの被トリミング箇所に対応した位置に形成されているものとする。ここでは、直線パターン１４ａ、１４ｂに起因する酸化シリコン膜２１上の段差が平坦化されており、露光裕度が向上しているため、平坦化していないときと比較して、狭い幅の開口２２を形成することが可能である。ここで、図２０中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。
【００５８】
そして、フォトレジスト膜２３の開口２２によって露出した酸化シリコン膜２１の部分に対してエッチング処理を行い、酸化シリコン膜２１にも開口２２に対応した形状の開口２４を形成することで、直線パターン１４ａ，１４ｂの不要部分（被トリミング箇所）を露出させる。このときのエッチング条件は、酸化シリコン膜２１に対するテーパエッチングとなるように、その条件設定を行う。具体的には、ガス：トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）５０ｓｃｃｍ、酸素（Ｏ２）５ｓｃｃｍ、高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力：１０００Ｗ、圧力：７Ｐａ、温度：２０℃とすることが考えられる。その結果、酸化シリコン膜２１の開口２４は、図２１に示すように、酸化シリコン膜２１のエッチングの進行に伴って開口幅が徐々に狭くなるテーパ形状となる。ここで、図２１中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。
【００５９】
開口２４の形成後は、図２２に示すように、有機溶剤（例えば、シクロヘキサノン）を用いた洗浄によりフォトレジスト膜２３を除去し、さらに開口２４によって露出した直線パターン１４ａ，１４ｂの部分に対してエッチング処理によるトリミングを施す。このときのトリミング条件は、ガス：塩素３０ｓｃｃｍ、臭化水素９０ｓｃｃｍ、酸素５ｓｃｃｍ、ソース高周波（２．４５ＧＨｚ）電力：４００Ｗ、バイアス高周波（４００ｋＨｚ）電力：２５Ｗ、圧力：０．５Ｐａ、温度：３０℃とすることが考えられる。ここで、図２２中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。
【００６０】
そして、最後に、酸化シリコン膜２１をふっ酸洗浄により除去すれば、図２３に示すように、被トリミング箇所がトリミングされた直線パターン１４ａ、１４ｂが得られる。ここで、図２３中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。このようにして、所望する回路パターンの形成工程が終了する。
【００６１】
〔第４の実施例〕
次に、第４の実施例について説明する。この第４の実施例も、上述した第２の実施の形態の具体例に相当するものである。図２４〜２９は、本発明の第４の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図である。本実施例においても、ポリシリコンからなる直線パターン１４ａ，１４ｂを形成する手順までは、上述した第３の実施例の場合と同様である（図３〜図４参照）。
【００６２】
その後は、図２４に示すように、直線パターン１４ａ，１４ｂが形成された基板上に、無機膜としてＢＰＳＧ膜２５を３００ｎｍの膜厚で成膜する。成膜条件は、ガス：ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン：Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）１０００ｍｇ／ｍｉｎ、ＴＥＢ（トリエチルボレート：Ｂ（ＯＣ２Ｈ５）３）４００ｍｇ／ｍｉｎ、ＴＥＰＯ（トリエチルフォスフェイト：ＰＯ（ＯＣ２Ｈ５）３）１５０ｍｇ／ｍｉｎ、オゾン（Ｏ３）（濃度：１３重量％）８ｓｌｍ、ヘリウム（Ｈｅ）２ｓｌｍ、窒素（Ｎ２）４ｓｌｍ、圧力：２７ｋＰａ、温度：５００℃とすることが考えられる。ここで、図２４中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。
【００６３】
ＢＰＳＧ膜２５の成膜後は、続いて、図２５に示すように、そのＢＰＳＧ膜２５をリフローし、さらにエッチバックすることにより、平坦化する。リフロー条件は、ガス：酸素（Ｏ２）５ｓｌｍ、水素（Ｈ２）５ｓｌｍ、圧力：１０１ｋＰａ、温度：７００℃、エッチバック条件は、ガス：八フッ化シクロブタン（ｃ−Ｃ４Ｆ８）１５ｓｃｃｍ、アルゴン（Ａｒ）１５ｓｃｃｍ、高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力：１５００Ｗ、圧力：５Ｐａ、温度：２０℃とすることが考えられる。ここで、図２５中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。
【００６４】
その後は、図２６に示すように、平坦化されたＢＰＳＧ膜２５で覆われた直線パターン１４ａ、１４ｂ上を、さらにトリミングに対応した開口２２を有したフォトレジスト膜２３で覆う。開口２２は、直線パターン１４ａ、１４ｂの被トリミング箇所に対応した位置に形成されているものとする。ここでは、直線パターンに起因するＢＰＳＧ膜２５上の段差が平坦化されており、露光裕度が向上しているため、平坦化していないときと比較して、狭い幅の開口２２を形成することが可能である。ここで、図２６中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。
【００６５】
そして、フォトレジスト膜２３の開口２２によって露出したＢＰＳＧ膜２５の部分に対してエッチング処理を行い、酸化シリコン膜２１にも開口２２に対応した形状の開口２６を形成することで、直線パターン１４ａ，１４ｂの不要部分（被トリミング箇所）を露出させる。このときのエッチング条件は、酸化シリコン膜２１に対するテーパエッチングとなるように、その条件設定を行う。具体的には、ガス：八フッ化シクロブタン（ｃ−Ｃ４Ｆ８）１０ｓｃｃｍ、酸素（Ｏ２）５ｓｃｃｍ、高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力：１０００Ｗ、圧力：７Ｐａ、温度：２０℃とすることが考えられる。その結果、ＢＰＳＧ膜２５の開口２６は、図２７に示すように、ＢＰＳＧ膜２５のエッチングの進行に伴って開口幅が徐々に狭くなるテーパ形状となる。ここで、図２７中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。
【００６６】
開口２６の形成後は、図２８に示すように、有機溶剤（例えば、シクロヘキサノン）を用いた洗浄によりフォトレジスト膜２３を除去し、さらに開口２４によって露出した直線パターン１４ａ，１４ｂの部分に対してエッチング処理によるトリミングを施す。このときのトリミング条件は、ガス：塩素３０ｓｃｃｍ、臭化水素９０ｓｃｃｍ、酸素５ｓｃｃｍ、ソース高周波（２．４５ＧＨｚ）電力：４００Ｗ、バイアス高周波（４００ｋＨｚ）電力：２５Ｗ、圧力：０．５Ｐａ、温度：３０℃とすることが考えられる。ここで、図２８中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。
【００６７】
そして、最後に、ＢＰＳＧ膜２５をふっ酸洗浄により除去すれば、図２９に示すように、被トリミング箇所がトリミングされた直線パターン１４ａ、１４ｂが得られる。ここで、図２９中、（ａ）はこのときの平面図、（ｂ）は後のトリミング工程でトリミングされる領域を含む断面図（（ａ）におけるＡ−Ａ′断面）、（ｃ）はトリミングされない部分の断面図（（ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面）を、それぞれ示している。このようにして、所望する回路パターンの形成工程が終了する。
【００６８】
なお、ここでは、本発明の半導体装置の製造方法における回路パターンの形成手順について、好適な具体的として４つの実施例を挙げて説明したが、これらの実施例は本発明の好ましい一態様を示すものに過ぎず、本発明の技術的範囲がこれらの実施例に限定されないことはいうまでもない。
【００６９】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、本来トリミングされるべきでない箇所が露出しても、被トリミング箇所以外の部分は保護膜によって覆われているため、トリミングが進行せずにパターンの後退を抑制することができ、所望通りの回路パターンを精度良く得られる。したがって、露光用マスクを用いて形成された第１の回路パターンに対し部分的なエッチング処理によるトリミングを施して所望する第２の回路パターンを得る場合であっても、パターン後退分を考慮しておく必要がなく、回路パターンの実装面積の縮小化や半導体装置の高集積化等が非常に容易となる。
【００７０】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、第１の回路パターンを無機膜によって覆っておき、その無機膜に対するエッチングを行って第１の回路パターンの不要なパターン部分を露出させた上で、その無機膜を用いて第２の回路パターンを得るためのエッチング処理を行うので、不要なパターン部分をトリミングするための開口パターンが広がってしまうのを抑えられ、所望通りの回路パターンを精度良く得られる。したがって、露光用マスクを用いて形成された第１の回路パターンに対し部分的なエッチング処理によるトリミングを施して所望する第２の回路パターンを得る場合であっても、パターン後退分を考慮しておく必要がなく、回路パターンの実装面積の縮小化や半導体装置の高集積化等が非常に容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体装置の製造方法の第１の実施の形態における手順を説明するための概念図である。
【図２】本発明に係る半導体装置の製造方法の第２の実施の形態における手順を説明するための概念図である。
【図３】本発明の第１の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その１）である。
【図４】本発明の第１の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その２）である。
【図５】本発明の第１の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その３）である。
【図６】本発明の第１の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その４）である。
【図７】本発明の第１の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その５）である。
【図８】本発明の第１の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その６）である。
【図９】本発明の第１の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その７）である。
【図１０】本発明の第１の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その８）である。
【図１１】本発明の第１の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その９）である。
【図１２】本発明の第２の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その１）である。
【図１３】本発明の第２の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その２）である。
【図１４】本発明の第２の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その３）である。
【図１５】本発明の第２の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その４）である。
【図１６】本発明の第２の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その５）である。
【図１７】本発明の第２の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その６）である。
【図１８】本発明の第３の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その１）である。
【図１９】本発明の第３の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その２）である。
【図２０】本発明の第３の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その３）である。
【図２１】本発明の第３の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その４）である。
【図２２】本発明の第３の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その５）である。
【図２３】本発明の第３の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その６）である。
【図２４】本発明の第４の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その１）である。
【図２５】本発明の第４の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その２）である。
【図２６】本発明の第４の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その３）である。
【図２７】本発明の第４の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その４）である。
【図２８】本発明の第４の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その５）である。
【図２９】本発明の第４の実施例におけるパターンの形成手順を説明するための工程断面図（その６）である。
【図３０】二回露光を行って得る回路パターンの一具体例を示す概略図である。
【図３１】従来における回路パターンの形成手順を説明するための概念図である。
【図３２】トリミングの進行に伴って生じてしまう開口の広がりを説明するための概念図である。
【符号の説明】
１…直線パターン、２，４，７…レジスト膜、３…保護膜、５，８，９…開口、６…無機膜、１１…シリコンウエハ、１２，２１…酸化シリコン膜、１３…酸化アルミニウム膜、１４…ポリシリコン膜、１４ａ，１４ｂ…直線パターン、１５，１７…フォトレジスト膜、１６ａ，１６ｂ…窒化シリコン膜、１８，２２、２４，２６…開口、１９…酸化シリコン膜、２３…フォトレジスト膜、２５…ＢＰＳＧ膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004319945.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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