(57)【要約】【課題】比較的小さい容量値のキャパシタで製作され得るソフト・スタート回路を提供する。【解決手段】入力端が第１の電圧に接続された第１の電流源と、第１端が該第１の電流源の出力端に接続され、そして第２端が第２の電圧に接続されたトランジスタと、一端が該第１の電流源の出力端に接続され、他端が該トランジスタの入力端に接続されたキャパシタとを備えてなるソフト・スタート回路であって、  該トランジスタと該キャパシタとがカップリングして、該ソフト・スタート回路より発生したソフト・スタート電圧と時間とのレシオ値を低下することにより、該キャパシタの等価容量値を増加することで、該ソフト・スタート回路が比較的小さい容量値のキャパシタで製作され得ることを特徴とする。【選択図】      図２
2004326739.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端が第１の電圧に接続された第１の電流源と、
第１端が前記第１の電流源の出力端に接続され、そして第２端が第２の電圧に接続されたトランジスタと、
一端が前記第１の電流源の出力端に接続され、他端が前記トランジスタの入力端に接続されたキャパシタと、
を備えてなるソフト・スタート回路であって、
前記トランジスタと前記キャパシタとがカップリングして、前記ソフト・スタート回路より発生したソフト・スタート電圧と時間とのレシオ値を低下することにより、該キャパシタの等価容量値を増加することで、該ソフト・スタート回路が比較的小さい容量値のキャパシタで製作される、
ことを特徴とするソフト・スタート回路。
【請求項２】
前記第１の電流源は電流鏡であり、
この電流鏡は２個同一のＰ型モス電界効果トランジスタによりカップリングされてなり、
前記電流鏡の入力端は第２の電流源の入力端に接続され、該電流鏡の出力端は前記トランジスタの前記第１端及び前記キャパシタの一端に接続され、該電流鏡の共通ソース端は前記第１の電圧に接続され、及び前記第２の電流源の出力端は前記第２の電圧に接続されてなる、
請求項１記載のソフト・スタート回路。
【請求項３】
前記第１の電圧は前記第２の電圧よりも大きく設定され、
前記トランジスタはｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタであり、
前記トランジスタの前記第１端はコレクタ端、前記トランジスタの前記第２端はエミッタ端、前記トランジスタの制御端はベース端であり、及び／又は
前記トランジスタはダリントン・トランジスタであり、その中
前記ダリントン・トランジスタは第１のｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ及び第２のｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタをカップリングしてなるものであり、そして該第１のｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタのベース端は該トランジスタの入力端であり、該第１のｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタのエミッタ端は該第２のｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタのベース端に接続され、該第１のｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタのコレクタ端は該第２のｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタのコレクタ端に接続して該トランジスタの第１端が構成され、該第２のｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタのエミッタ端は該トランジスタの第２端である、
請求項１記載のソース・スタート回路。
【請求項４】
出力端が第１の電圧に接続されている電流源と、
入力端が前記電流源の入力端に接続され、そして共通ソース端が第２の電圧に接続されている第１の電流鏡と
ソース端が前記第２の電圧に接続され、ゲート端が前記第１の電流鏡の共通ゲート端に接続されている第１のモス電界効果トランジスタと、
ドレーン端が前記第１の電流鏡の出力端に接続され、そしてソース端が前記第１の電圧に接続されている第２のモス電界効果トランジスタと、
一端が前記第１の電流鏡の出力端及び前記第２のモス電界効果トランジスタのドレーン端に接続され、そしてその他端が前記第２のモス電界効果トランジスタのゲート端に接続されているキャパシタと、
入力端が前記第１のモス電界効果トランジスタのドレーン端に接続され、その共通ソース端は前記第１の電圧に接続され、その出力端は前記キャパシタの他端及び前記第２のトランジスタのゲート端に接続されている第２の電流鏡とを備え、その中
前記第１の電流鏡、前記第１のモス電界効果トランジスタ、前記第２の電流鏡及び前記モス電界効果トランジスタと前記キャパシタとのカップリングにより前記ソフト・スター回路より生じたソフト・スタート電圧と時間とのレシオ値が低下することで、前記キャパシタの等価容量値を増加させ、これにより前記ソフト・スタート回路及び比較的小さい容量値のキャパシタで製作され得る、
ことを特徴とするソフト・スタート回路。
【請求項５】
前記第１の電圧は前記第２の電圧よりも小さいものであり、
前記第１の電流鏡は２個同一の第１のモス電界効果トランジスタによりカップリングされてなるものであり、
前記第１のモス電界効果トランジスタはＰ型モス電界効果トランジスタであり、そしてそのチャネルのアスペクト・レシオは該第１のＰ型モス電界トランジスタのチャネルのアスペクト・レシオよりも小さいものとする、
請求項４記載のソフト・スタート回路。
【請求項６】
前記第２のモス電界効果トランジスタはＮ型モス電界効果トランジスタであり、
前記第２の電流鏡は前記第１のＮ型モス電界効果トランジスタ及び前記第２のＮ型モス電界効果トランジスタによりカップリングされてなるものであり、
前記第１のＮ型モス電界効果トランジスタのドレーンは前記第２の電流鏡の入力端であり、そして前記第２のＮ型モス電界効果トランジスタのドレーンは該第２の電流鏡の出力端であり、
前記第１のＮ型モス電界効果トランジスタのチャネルのアスペクト・レシオは前記第２のＮ型モス電界効果トランジスタのチャネルのアスペクト・レシオよりも大きいものとする、
請求項４に記載のソフト・スタート回路。
【請求項７】
出力端が第１の電圧に接続されている電流源と、
入力端が電流源の入力端に接続され、そして共通ソース端が第２の電圧に接続されている第１の電流鏡と、
ソース端が前記第２の電圧に接続され、ゲート端が前記第１の電流鏡の共通ゲート端に接続されている第１のモス電界効果トランジスタと、
ドレーン端が前記第１のモス電界効果トランジスタのドレーン端に接続され、そしてソース端が前記第１の電圧に接続されている第２のモス電界効果トランジスタと、
一端が前記第１のモス電界効果トランジスタのドレーン端及び前記第２のモス電界効果トランジスタのドレーン端に接続され、他端が前記第２のモス電界効果トランジスタのゲート端に接続されているキャパシタと、
入力端が前記第１の電流鏡の出力端に接続され、共通ソース端が前記第１の電圧に接続され、そして出力端が前記キャパシタの他端及び前記第２のモス電界効果トランジスタのゲート端に接続されている第２の電流鏡と、
を備え、その中
前記第１の電流鏡、前記第１のモス電界効果トランジスタ、前記第２の電流鏡及び前記第２のモス電界効果トランジスタと前記キャパシタとのカップリングにより、前記ソフト・スタート回路より生じたソフト・スタート電圧と時間とのレシオ値が低下することで、該キャパシタの等価容量値を増加させ、これにより該ソフト・スタート回路が比較的小さい容量値のキャパシタで製作され得る、
ことを特徴とするソフト・スタート回路。
【請求項８】
前記第１の電流鏡は第１のＰ型モス電界効果トランジスタ及び第２のＰ型モス電界効果トランジスタによりカップリングされてなるものであり、
前記第１のＰ型モス電界効果トランジスタのドレーンは前記第１の電流鏡の入力端であり、そして前記第２のＰ型モス電界効果トランジスタのドレーンは前記第１の電流鏡の出力端であり、
前記第１のＰ型モス電界効果トランジスタのチャネルのアスペクト・レシオは前記第２のＰ型モス電界効果トランジスタのチャネルのアスペクト・レシオより大きいものとし、
前記第１のモス電界効果トランジスタは、Ｐ型モス電界効果トランジスタであり、
前記第２のモス電界効果トランジスタはＮ型モス電界効果トランジスタであり、
前記第２の電流鏡は第１のＮ型モス電界効果トランジスタ及び第２のＮ型モス電界効果トランジスタによりカップリングされてなるものであり、
前記第１のＮ型モス電界効果トランジスタのドレーンは前記第２の電流鏡の入力端であり、そして前記第２のＮ型モス電界効果トランジスタのドレーンは該第２の電流鏡の出力端であり、
前記第１のＮ型モス電界効果トランジスタのチャネルのアスペクト・シレオは前記第２のＮ型モス電界効果トランジスタのチャネルのアスペクト・レシオより大きいものとする、
請求項７記載のソフト・スタート回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ソフト・スタート回路に関し、特に、ソフト・スタート回路の等価容量値を増加して比較的小さい容量値のキャパシタで製作できるようにしたソフト・スタート回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
ソフト・スタート回路の原理は、抵抗容量（ＲＣ）の充電回路と制御回路とを使用してカップリングさせ、ロードが電源にオンした瞬間、抵抗容量充電回路を利用して、ロードを流れる電流が比較的緩慢な速度で増加されるように制御し、これによりロードを通過した電流が制御されることにより、緩慢電源でロードにオンした場合に生ずる大電流のロード及びその他カップリング回路に対する傷害を制御できるように図ることにある。
【０００３】
従来のソフト・スタート回路は、図１に示すように、固定的な電流源１１及びキャパシタ１２により組成され、電流源１１とキャパシタ１２との間の直列節点（Ｎｏｄｅ）Ａをソフト・スタート電圧の測量節点としている。
ここで、電流源１１の電流をＩ、直列節点Ａのソフト・スタート電圧をＶ、キャパシタ１２の容量値をＣとすれば、公式
Ｖ（ソフト・スタート）／Ｔ＝Ｉ／Ｃ
から分かるように、電流Ｉが固定値であるので、もしソフト・スタート電圧Ｖの固定状況において比較的小さいＶ（ソフト・スタート）／Ｔ比を得たいならば、キャパシタ１２の容量値を十分に大きな大きさにする必要がある。目前このタイプの回路に適用した常用容量値として、この大きさは常に１ｎＦ〜０．１ｕＦの間に介しておるので、このような容量値が対応するキャパシタの体積が一般的な電気器具用品回路に置かれ，且つ、外接キャパシタの方式で活用すれば、勿論問題はないが、この技術を集積回路（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ；ＩＣ）に使用すると以下の両種の困難が出現する。
１．上記容量値を有するキャパシタの体積が大き過ぎるために集積回路の製造プロセスに整合できず、集積回路の体積が日増しに縮小された潮流に符合できない。
２．もし、集積回路の製造プロセス・サイズの要求に合うようにキャパシタを作製すると、当該容量値がソフト・スタート回路の保護機能を発揮するには十分でない問題が生ずる。
【０００４】
上記問題にかんがみ、本出願人はこれを解決するために、鋭意試験と研究を重ねた結果、ついに本発明の「ソフト・スタート回路」を案出した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の主たる目的は、ソフト・スタート回路を設計するに当って、その回路の配置方式が該ソフト・スタートより発生したソフト・スタート電圧と時間とのレシオ値を低下することにより、該ソフト・スタート回路に含まれるキャパシタの有効値を増幅することで、ソフト・スタート回路時に比較的小さい容量値（すなわち、比較的小さい体積）のキャパシタで製作できることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために本発明のソフト・スタート回路は、入力端が第１の電圧に接続された第１の電流源と、第１端が該第１の電流源の出力端に接続され、そして第２端が第２の電圧に接続されたトランジスタと、一端が該第１の電流源の出力端に接続され、他端が該トランジスタの入力端に接続されたキャパシタと、を備えてなるソフト・スタート回路であって、
該トランジスタと該キャパシタとがカップリングして、該ソフト・スタート回路より発生したソフト・スタート電圧と時間とのレシオ値を低下することにより、該キャパシタの等価容量値を増加することで、該ソフト・スタート回路が比較的小さい容量値のキャパシタで製作され得ることを特徴とする（請求項１に対応）。
【０００７】
上記本発明に係るソフト・スタート回路において、
該第１の電流源は電流鏡であり、
この電流鏡は２個同一のＰ型モス電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）によりカップリングされてなり、
該電流鏡の入力端は第２の電流源の入力端に接続され、該電流鏡の出力端は該トランジスタの該第１端及び該キャパシタの一端に接続され、該電流鏡の共通ソース端は該第１の電圧に接続され、及び該第２の電流源の出力端は該第２の電圧に接続されてなる（請求項２に対応）。
【０００８】
また、上記本発明に係るソフト・スタート回路において、
該第１の電圧は第２の電圧よりも大きく設定され、
該トランジスタはｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ（ＢＪＴ）であり、
該トランジスタの該第１端はコレクタ端、該トランジスタの該第２端はエミッタ端、該トランジスタの制御端はベース端であり、及び／又は
該トランジスタはダリントン・トランジスタであり、その中
該ダリントン・トランジスタは第１のｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ及び第２のｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタをカップリングしてなるものであり、そして該第１のｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタのベース端は該トランジスタの入力端であり、該第１のｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタのエミッタ端は該第２のｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタのベース端に接続され、該第１のｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタのコレクタ端は該第２のｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタのコレクタ端に接続して該トランジスタの第１端が構成され、該第２のｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタのエミッタ端は該トランジスタの第２端である（請求項３に対応）。
【０００９】
さらに上記目的を達成するために、本発明に係る他の発明のソフト・スタート回路は、
出力端が第１の電圧に接続されている電流源と、
入力端が該電流源の入力端に接続され、そして共通ソース端が第２の電圧に接続されている第１の電流鏡と、
ソース端が該第２の電圧に接続され、ゲート端が該第１の電流鏡の共通ゲート端に接続されている第１のモス電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）と、
ドレーン端が該第１の電流鏡の出力端に接続され、そしてソース端が該第１の電圧に接続されている第２のモス電界効果トランジスタと、
一端が該第１の電流鏡の出力端及び該第２のモス電界効果トランジスタのドレーン端に接続され、そしてその他端が該第２のモス電界効果トランジスタのゲート端に接続されているキャパシタと、
入力端が該第１のモス電界効果トランジスタのドレーン端に接続され、その共通ソース端は該第１の電圧に接続され、その出力端は該キャパシタの他端及び該第２のトランジスタのゲート端に接続されている第２の電流鏡とを備え、その中
該第１の電流鏡、該第１のモス電界効果トランジスタ、該第２の電流鏡及び該第２のモス電界効果トランジスタと該キャパシタとのカップリングにより該ソフト・スター回路より生じたソフト・スタート電圧と時間とのレシオ値が低下することで、該キャパシタの等価容量値を増加させ、これにより該ソフト・スタート回路が比較的小さい容量値のキャパシタで製作され得ることを特徴とする（請求項４に対応）。
【００１０】
上記本発明の他の発明のソフト・スタート回路において、
該第１の電圧は前記第２の電圧よりも小さいものであり、
該第１の電流鏡は２個同一の第１のＰ型モス電界効果トランジスタによりカップリングされてなるものであり、
該第１のモス電界効果トランジスタはＰ型モス電界効果トランジスタであり、そしてそのチャネルのアスペクト・レシオは第１のＰ型モス電界トランジスタのチャネルのアスペクト・レシオよりも小さいものとする（請求項５に対応）。
【００１１】
また上記本発明の他の発明のソフト・スタート回路において、
該第２のモス電界効果トランジスタはＮ型モス電界効果トランジスタであり、
該第２の電流鏡は第１のＮ型モス電界効果トランジスタ及び第２のＮ型モス電界効果トランジスタによりカップリングされてなるものであり、
該第１のＮ型モス電界効果トランジスタのドレーンは第２の電流鏡の入力端であり、そして該第２のＮ型モス電界効果トランジスタのドレーンは該第２の電流鏡の出力端であり、
該第１のＮ型モス電界効果トランジスタのチャネルのアスペクト・レシオは該第２のＮ型モス電界効果トランジスタのチャネルのアスペクト・レシオよりも大きいものとする（請求項６に対応）。
【００１２】
さらにまた上記目的を達成するために本発明にかかる他の発明のソフト・スタート回路は、
出力端が第１の電圧に接続されている電流源と、
入力端が電流源の入力端に接続され、そして共通ソース端が第２の電圧に接続されている第１の電流鏡と、
ソース端が該第２の電圧に接続され、ゲート端が該第１の電流鏡の共通ゲート端に接続されている第１のモス電界効果トランジスタと、
ドレーン端が該第１のモス電界効果トランジスタのドレーン端に接続され、そしてソース端が該第１の電圧に接続されている第２のモス電界効果トランジスタと、
一端が該第１のモス電界効果トランジスタのドレーン端及び該第２のモス電界効果トランジスタのドレーン端に接続され、他端が該第２のモス電界効果トランジスタのゲート端に接続されているキャパシタと、
入力端が該第１の電流鏡の出力端に接続され、共通ソース端が該第１の電圧に接続され、そして出力端が該キャパシタの他端及び該第２のモス電界効果トランジスタのゲート端に接続されている第２の電流鏡とを備え、その中
該第１の電流鏡、該第１のモス電界効果トランジスタ、該第２の電流鏡及び該第２のモス電界効果トランジスタと該キャパシタとのカップリングにより、該ソフト・スタート回路より生じたソフト・スタート電圧と時間とのレシオ値が低下することで、該キャパシタの等価容量値を増加させ、これにより該ソフト・スタート回路が比較的小さい容量値のキャパシタで製作され得ることを特徴とする（請求項７に対応）。
【００１３】
本発明における他の発明のソフト・スタート回路において、
該第１の電流鏡は第１のＰ型モス電界効果トランジスタ及び第２のＰ型モス電界効果トランジスタによりカップリングされてなり、
該第１のＰ型モス電界効果トランジスタのドレーンは該第１の電流鏡の入力端であり、該第２のＰ型モス電界効果トランジスタのドレーンは該第１の電流鏡の出力端であり、
該第１のＰ型モス電界効果トランジスタのチャネルのアスペクト・レシオは該第２のＰ型モス電界効果トランジスタのチャネルのアスペクト・レシオより大きいものとし、
該第１のモス電界効果トランジスタは、Ｐ型モス電界効果トランジスタであり、
該第２のモス電界効果トランジスタはＮ型モス電界効果トランジスタであり、
該第２の電流鏡は第１のＮ型モス電界効果トランジスタ及び第２のＮ型モス電界効果トランジスタによりカップリングされてなり、
該第１のＮ型モス電界効果トランジスタのドレーンは該第２の電流鏡の入力端であり、そして該第２のＮ型モス電界効果トランジスタのドレーンは該第２の電流鏡の出力端であり、
該第１のＮ型モス電界効果トランジスタのチャネルのアスペクト・シレオは該第２のＮ型モス電界効果トランジスタのチャネルのアスペクト・レシオより大きいものとする（請求項８に対応）。
【００１４】
本発明は添付の図面を参照しながら最良な実施の形態を説明することにより、一歩進んで理解され得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図２は本発明の第１の実施の形態のソフト・スタート回路の見取図である。この図に示すように、ソフト・スタート回路２０は電流源２１と、電流鏡２２と、キャパシタ２３と、ｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ（ＢＪＴ）２４とをカップリングしてなるものである。その中、電流鏡２２は２個の同一Ｐ型モス電界効果トランジスタ２２１及び２２２によりカップリングされてなり、かつＰ型モス電界効果トランジスタ２２１及び２２２のゲート端は互いに接続し、ソース端は共に高電圧２５に接続されている。そしてＰ型モス電界効果トランジスタ２２１のドレーン端は電流鏡２２の入力端を形成し、Ｐ型モス電界トランジスタ２２２のドレーン端は電流鏡２２の出力端を形成している。
【００１６】
また別に、電流鏡２２の入力端は電流源２１の入力端に接続され、電流鏡２２の出力端はキャパシタ２３の一端及びｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ２４のコレクタに接続され、そしてキャパシタ２３の他端はｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ２４のベース端に接続され、電流源２１の出力端及びｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ２４のエミッタ端は共に低電圧２６に接続されている。
【００１７】
ここで、図２に見るように、電流源２１より発生した定電流（その大きさをＩ′とする）は電流鏡２２を経由して映射されるので、ｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ２４のエミッタ端より流れ出る電流の大きさもＩ′である。ｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタの素子特性により、ｎｐｎ双極ジャンクション・トランジスタ２４のベース端に流れ込んだ電流とｎｐｎ双極ジャンクション・トランジスタ２４のコレクタ端に流れ込んだ電流とｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ２４のエミッタ端を流れ出る電流との間には一比例関係１：ｂ：（ｂ＋１）が存在するので、キャパシタ２３を流れる電流（即ち、ｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタのベース端に流れ込む電流）の大きさはＩ′／（ｂ＋１）であり、ｂが十分大きい場合（現代のｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタでは１００ないし２００の間）、キャパシタ２３を流れる電流の大きさをＩ′／ｂと見なすことができる。このＩ′／ｂを公式
Ｖ（ソフト・スタート）／Ｔ＝Ｉ／Ｃの電流Ｉに代入すれば、
Ｖ（ソフト・スタート）／Ｔ＝（Ｉ′／ｂ）／Ｃとなり、
Ｖ（ソフト・スタート）／Ｔ＝Ｉ′／（ｂＣ）を得ることが出来る。
【００１８】
Ｖ／Ｔ＝Ｉ′（ｂＣ）と見なすこともできる。
これから分かるように、ソフト・スタート電圧Ｖが固定の状況下で、比較的小さいＶ／Ｔ比を得たい場合、もし本発明に記載のソフト・スタート回路を利用すれば、キャパシタ２３の等価容量値をｂ倍増幅できることにより、吾人に比較的小さい容量値のキャパシタを利用させ、ソフト・スタート電圧と時間との比（Ｖ（ソフト・スタート）／Ｉ）が十分に小さいソフト・スタート回路を製作することができる。
【００１９】
図３は本発明に係る第２の好適な実施の形態のソフト・スタート回路を示す回路見取図である。この図に示すように、ソフト・スタート回路３０は、電流源３１と、キャパシタ３３と、ダリントン・トランジスタ３４とをカップリングしてなるものである。その中、電流鏡３２は２個の同一のＰ型モス電界効果トランジスタによりカップリングされてなり、そしてＰ型モス電界効果トランジスタ３２１及び３２２のゲート端は互に接続し、ソース端は共に高電圧３５に接続され、そしてＰ型モス電界効果トランジスタ３２１のドレーン端は電流鏡３２の入力端を形成し、Ｐ型モス電界効果トランジスタ３２２のドレーン端は電流鏡３２の出力端を形成する。
【００２０】
また、ダリントン・トランジスタ３４は２個同一のｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ３４１及び３４２によりカップリングされてなり、その中、ｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ３４１のベース端はダリントン・トランジスタ３４の入力端であり、ｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ３４１及び３４２のコレクタ端は相互接した後電流鏡３２の出力端に接続され、ｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ３４１のエミッタ端はｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ３４２のベース端に接続され、そしてｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ３４２のエミッタ端は低電圧３６に接続されている。
【００２１】
さらには、電流鏡３２は電流源３１の入力端に接続され、電流鏡３２の出力端はキャパシタ３３の一端及びｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ３４１及び３４２の共通コレクタ端に接続され、そしてキャパシタの他端はダリントン・トランジスタ３４の入力端に接続されており、トランジスタ３４２のエミッタは低電圧３６に接続されている。
【００２２】
ここで図３に見るように、電流源３１より発生した定電流（その大きさをＩ″とする）は電流鏡３２を経由して映射されるので、ｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ３４２のエミッタ端より流れ出る電流の大きさもＩ″である。ダリントン・トランジスタの素子特性（ｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ３４１のコレクタ端及びベース端のレシオ値をｂとし、そしてｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ３４２も同様）により、ｎｐｎ双極ジャンクション・トランジスタ３４１のベース端に流れ込む電流とｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ３４２のエミッタ端を流れ出る電流との間には一比例関係１：（ｂ＋１）２が存在するので、キャパシタ３３を流れる電流（即ち、ｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ３４１のベース端に流れ込む電流）の大きさはＩ″／（ｂ＋１）２であり、ｂが十分大きな場合（現代のｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタでは１００ないし２００の間にある）、キャパシタ３３を流れる電流の大きさをＩ″／ｂ２とすることが出来る。このＩ″／ｂ２値を公式
Ｖ（ソフト・スタート）／Ｔ＝Ｉ／Ｃの電流Ｉに代入すれば
Ｖ（ソフト・スタート）／Ｔ＝（Ｉ″／ｂ２）／Ｃを得ることが出来、
又、Ｖ（ソフト・スタート）／Ｔ＝Ｉ″／（ｂ２Ｃ）と見なすことが出来る。
【００２３】
これから分るように、ソフト・スタート電圧Ｖが固定の状況下で比較的小さいＶ／Ｔ比を得たい場合、もし本発明に記載のソフト・スタート回路を利用すれば、キャパシタ３３の等価容量値をｂ倍増幅できることにより、吾人に比較的小さい容量値のキャパシタを利用させ、ソフト・スタート電圧と時間との比（Ｖ（ソフト・スタート）／Ｉ）が十分に小さいソフト・スタート回路を製作することができる。
【００２４】
図４は本発明に係る第３の好適な実施形態のソフト・スタート回路を示す回路見取図である。本実施形態の第１及び第２の好適な実施の形態と異なる所は、第３の実施の形態が相補型モス（ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  ＭＯＳ；ＣＭＯＳ）製造プロセスの回路設計にある。図４に示すように、該ソフト・スタート回路４０は電流源４１と、３Ｐ型モス電界効果トランジスタ（４２，４３，４４）と、３Ｎ型モス電界効果トランジスタ（４５，４６，４７）と、キャパシタ４８とによりカップリングされてなるものである。その中、Ｐ型モス電界効果トランジスタ４２及び４４のドレーン、ソース端間のチャネルのアスペクト・レシオは互いに同一であるが、いずれもＰ型モス電界効果トランジスタ４３のチャネルのアスペクト・レシオの倍数（ｎ倍とする）、そしてＮ型モス電界効果トランジスタ４５のチャネルのアスペクト・レシオはＮ型モス電界効果トランジスタ４６の倍数（ｍ倍とする）である。
【００２５】
ここで図４で見るように、Ｐ型モス電界効果トランジスタ４２，４３及び４４のソース端はいずれも高電圧４９１に接続され、そして三者のゲート端は相互に連接していると共に、Ｐ型モス電界効果トランジスタ４２のドレーンに共通的にショートする。なお、Ｐ型モス電界効果トランジスタ４２のドレーン端と電流源４１の入力端とが互いに接続し、電流源４１の出力端は低電圧４９２に接続している。したがって、Ｐ型モス電界効果トランジスタ４２及び４３は共に一個の電流映射倍率がＩ／ｎの電流鏡を組成し、そしてＰ型モス電界効果トランジスタ４２及び４４も共に一個の電流映射倍率が１の電流鏡を組成する。
【００２６】
なお、Ｎ型モス電界効果トランジスタ４５はゲート、ドレーン端のショート方式でＰ型モス電界効果トランジスタ４３のトレーン端と互いに接続し、そして、Ｎ型モス電界効果トランジスタ４５は共通ゲート端の方式でＮ型モス電界効果トランジスタ４６と、電流映射倍率が１／ｍの電流鏡を組成する。共通ソース端は低電圧４９２と互に接続する。
【００２７】
最後、Ｎ型モス電界効果トランジスタ４７のドレーン端及びキャパシタ４８の一端はＰ型モス電界効果トランジスタ４４のドレーン端に接続され、Ｎ型モス電界効果トランジスタ４７のゲート端及びキャパシタの他端はショート後共にＮ型モス電界効果トランジスタ４６のドレーン端に接続される。Ｎ型モス電界効果トランジスタ４７のソース端も又低電圧４９２と互に接続する。
【００２８】
ここで図４に見るように、電流源４１より発生した定電流（その大きさをＩ’’’とする）はＰ型モス電界効果トランジスタ４２及び４４により組成された電流鏡を経由して映射されるので、Ｐ型モス電界効果トランジスタのドレーンから流れ出る電流の大きさもＩ’’’である。なお、Ｐ型モス電界効果トランジスタ４２及び４３により組成された電流鏡を経由して映射されることにより、Ｐ型モス電界効果トランジスタから流れ出す電流の大きさをＩ’’’／ｎにさせ、この電流が再度Ｎ型モス電界効果トランジスタ４５及び４６により共同して組成された電流鏡を経由して映射されることにより、Ｎ型モス電界効果トランジスタ４６のドレーン端に流れ込む電流の大きさをＩ’’’／（ｍｎ）に変えさせる。流れ込んだＮ型モス電界効果トランジスタ４７のドレーン端の電流とＩ’’’／（ｍｎ）との比が極めて小さいので、キャパシタ４８に流れ込む電流の大きさをＩ’’’／（ｍｎ）としてもよい。
【００２９】
（１）Ｐ型モス電界効果トランジスタ４４のドレーンより流れ出る電流の大きさはＩ’’’であり、そして（２）キャパシタ４８を流れる電流の大きさはＩ’’’／（ｍｎ）と見なせるので、ｍ及びｎが十分に大きい場合（現代のモス電界効果トランジスタでは２５以上）、キャパシタ４８を流れる電流値Ｉ’’’／（ｍｎ）を公式
Ｖ（ソフト・スタート）／Ｔ＝Ｉ／Ｃの電流Ｉに代入すれば、
Ｖ（ソフト・スタート）／Ｔ＝（Ｉ’’’／ｍｎ）／Ｃとなり、
また、Ｖ（ソフト・スタート）／Ｔ＝Ｉ’’’（ｍｎＣ）と見なすことも出来る。
【００３０】
これから分かるように、ソフト・スタート電圧が固定の状況下で、比較的小さいＶ／Ｔ比を得たい場合、もし本発明に記載のソフト・スタート回路を利用すれば、キャパシタ４８の等価容量値をｍｎ倍増幅できることにより、吾人に極めて小さい容量値を有するキャパシタを利用させ、ソフト・スタート電圧と時間との比（Ｖ（ソフト・スタート）／Ｔ）が十分に小さいソフト・スタート回路を製作することができる。
【００３１】
上記３種の好適な実施の形態から分かるように、本発明に記載のソフト・スタート回路の配置方式は確かに大キャパシタの有効値を増幅できることにより、吾人がソフト・スタート回路を製作する場合に比較的小さい容量値（即ち比較的小さい体積）のキャパシタで比較的小さいソフト・スタート電圧と時間との比に達することが出来る。つまり、緩慢にロードを通過した電流の増加速率を制御し、系統がスタート時により安全に作用するように達することが出来る。特に第３の好適な実施の形態のソフト・スタート回路はＣＭＯＳの製造プロセスを回路の実施の環境とし、集積回路の製造プロセス・サイズの要求に応じて製作されたキャパシタと組めるようにして、有効容量値をソフト・スタート回路の保護機能が発揮するに足る大きさにしたので、効果的に集積回路の製造プロセス中に整合でき、全く集積回路が日増にコンパクト化して行く世界潮流に符合することが出来る。したがって、本発明は確実に従来のソフト・スタート回路の技術的欠陥を解決でき、ひいては本発明の目的を達成することが出来る。
【００３２】
上記実施の形態は本発明の技術的手段をより具体的に説明するもので、当然本発明の技術的思想はこれに限定されず、添付のクレームの範囲を逸脱しない限り、当業者による単純な設計変更、付加、修飾、置換等はいずれも本発明の技術的範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】従来のソフト・スタート回路の回路見取図である。
【図２】本発明に係る第１の好適な実施の形態のソフト・スタート回路を示す見取図である。
【図３】本発明に係る第２の好適な実施の形態のソフト・スタート回路を示す見取図である。
【図４】本発明に係る第３の好適な実施の形態のソフト・スタート回路を示す見取図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０，２０，３０，４０…ソフト・スタート回路  １１，２１，３１，４１…電流源  ２２，３２…電流鏡  １２，２３，３３，４８…キャパシタ  ２４，３４１，３４２…ｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ  ２２１，２２２，３２１，３２２，４２，４３，４４…Ｐ型モス電界効果トランジスタ  ２５，３５，４９１…高電圧  ２６，３６，４９２…低電圧  ３４…ダリントン・トランジスタ  ４５，４６，４７…Ｎ型モス電界効果トランジスタ
【図１】
2004326739.tif 000003
【図２】
2004326739.tif 000004
【図３】
2004326739.tif 000005
【図４】
2004326739.tif 000006