(57)【要約】【課題】処理槽内における基板の上方への移動を規制することにより、処理中における基板の浮きを防止して、基板の位置ズレ等を防止することができる。【解決手段】基板Ｗの収容・搬出の際には電磁石４３が移動部材３９を許容位置になるように磁界を切り換え、基板Ｗを処理する際には電磁石４３が移動部材３９を規制位置になるように磁界を切り換える。このように電磁石４３により磁界の極性を切り換えるだけで、基板Ｗの移動を規制することができるので、モータ等の他の複雑な駆動機構を設ける必要がなく、気泡に起因する基板Ｗの浮きを防止でき、発塵を防止しつつ基板Ｗの位置ズレ等を防止できる。したがって、処理中に基板Ｗに対して気泡を供給することで処理を施す基板処理装置において適切に処理を施すことができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液を貯留するための処理槽と、前記処理槽内で基板を起立姿勢で支持する支持アームとを備え、前記処理槽内の基板に所定の処理を施す基板処理装置において、
前記処理槽内に付設され、基板の通過を許容する許容位置と、基板に当接して基板の移動を規制する規制位置とにわたって移動可能な移動部材と、
前記移動部材に付設された永久磁石と、
前記処理槽に付設され、前記永久磁石に対して反発または吸引する磁界の極性を自在に切り換え可能であるとともに、前記処理槽に対する基板の収容・搬出の際には前記移動部材を許容位置になるように磁界を切り換え、前記処理槽内で基板を処理する際には前記移動部材を規制位置になるように磁界を切り換える磁界切換手段とを備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記磁界切換手段は、基板の整列方向に沿って複数個の電磁石を備え、
前記許容位置と前記規制位置とにわたって前記移動部材を移動させる際に、前記複数個の電磁石のうち一部の磁界を切り換えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
処理液を貯留するための処理槽と、前記処理槽内で基板を起立姿勢で支持する支持アームとを備え、前記処理槽内の基板に所定の処理を施す基板処理装置において、
前記支持アームの背板に配設された回転軸周りに回転可能であり、基板の移動が可能な許容位置と、基板に当接して基板の移動を規制する規制位置とにわたって移動可能な移動部材と、
前記移動部材に付設された永久磁石と、
前記処理槽内に配備され、前記永久磁石との反発または吸引によって前記移動部材を前記許容位置または前記規制位置に移動させる移動手段とを備え、
前記処理槽内で基板を処理する際には、前記移動手段により前記移動部材を規制位置に移動し、前記支持アームが処理槽に収容または処理槽から搬出される際には、前記移動手段により前記移動部材を許容位置に移動することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
処理液を貯留するための処理槽と、前記処理槽内で基板を起立姿勢で支持する支持アームとを備え、前記処理槽内の基板に所定の処理を施す基板処理装置において、
前記支持アームの背板に配設された回転軸周りに回転可能であり、基板の移動が可能な許容位置と、基板に当接して基板の移動を規制する規制位置とにわたって移動可能な移動部材と、
前記移動部材の回転軸とは反対側に配設された浮子と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
処理液を貯留するための処理槽と、基板の下部端縁に当接して基板を起立姿勢で支持する支持アームとを備え、前記処理槽内の基板に所定の処理を施す基板処理装置において、
前記処理槽に配設された回転軸周りに回転可能であり、基板の通過を許容する許容位置と、基板に当接して移動を規制する規制位置とにわたって移動可能な移動部材と、
前記移動部材の回転軸とは反対側に配設された浮子とを備え、
前記支持アームが処理槽に移動した後、処理液が処理槽に貯留された際には前記移動部材が規制位置に移動し、前記浮子の高さより低い位置に処理液面が位置している際には前記移動部材が許容位置に移動することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
処理液を貯留するための処理槽と、前記処理槽内で基板を起立姿勢で支持する支持アームとを備え、前記処理槽内の基板に所定の処理を施す基板処理装置において、
前記支持アームの背板から延出され、基板の下部端縁を溝部で当接支持する支持部材と、
前記支持部材の溝部に形成され、前記支持アームが処理槽内に収容された際には、基板の下部端縁を吸引する吸引孔とを備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理槽内の処理液を収容可能なバッファタンクを備え、
前記支持アームが基板を処理槽内に収容する前に処理槽内の処理液を前記バッファタンクに収容し、前記支持アームが処理済みの基板を処理槽から搬出する前に処理槽内の処理液を前記バッファタンクに収容するようにしたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理槽内に気体の気泡を発生させる気泡発生手段を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、光ディスク用の基板など（以下、単に基板と称する）に所定の処理を施す基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の装置として、硫酸を貯留する処理槽と、処理槽にオゾンガスの気泡を供給する気泡供給部と、基板の下部端縁を当接支持する支持アームとを備え、処理槽内に支持アームを収容して基板に処理を施すにあたり、基板の下方からオゾンガスの気泡を供給するものが挙げられる（例えば、特許文献１を参照）。この装置は、主として基板に被着されたフォトレジスト膜を除去するために用いられているが、処理時間を短縮するために大量のオゾンガスの気泡を供給することが行われる。
【０００３】
【特許文献１】
特許第２５２２８０５号
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、基板に対する処理中に、オゾンガスの気泡が基板面に付着すること等に起因して基板に浮力が付与されるので、基板の下部端縁を当接支持している支持アームから基板が浮いてしまうことがある。すると、支持アームにおける基板の位置がずれたり、支持アームから落下したりするという問題がある。基板が位置ズレすると、次の処理に移行する際に基板の移載ができなかったり、移載できても位置ズレに起因して次の処理において不都合が生じたりする。後者の場合、例えば、次の処理が回転式乾燥装置で乾燥処理である場合、位置ズレを起こした基板が落下して破損する等の問題が生じる。なお、上記の問題は、他の処理液に比較して比重が高い硫酸の場合に顕著に生じやすい。
【０００５】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、処理槽内における基板の移動を規制することにより、処理中における基板の浮きを防止して、基板の位置ズレ等を防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、処理液を貯留するための処理槽と、前記処理槽内で基板を起立姿勢で支持する支持アームとを備え、前記処理槽内の基板に所定の処理を施す基板処理装置において、前記処理槽内に付設され、基板の通過を許容する許容位置と、基板に当接して基板の移動を規制する規制位置とにわたって移動可能な移動部材と、前記移動部材に付設された永久磁石と、前記処理槽に付設され、前記永久磁石に対して反発または吸引する磁界の極性を自在に切り換え可能であるとともに、前記処理槽に対する基板の収容・搬出の際には前記移動部材を許容位置になるように磁界を切り換え、前記処理槽内で基板を処理する際には前記移動部材を規制位置になるように磁界を切り換える磁界切換手段とを備えていることを特徴とするものである。
【０００７】
（作用・効果）基板の収容・搬出の際には磁界切換手段が移動部材を許容位置になるように磁界を切り換え、基板を処理する際には磁界切換手段が移動部材を規制位置になるように磁界を切り換える。このように処理槽の外部から磁界切換手段により磁界の極性を切り換えるだけで、処理槽内における基板の移動を規制することができる。したがって、モータ等の他の複雑な駆動機構を設けることなく簡単な構成、かつ耐薬構造で気泡に起因する基板の浮きを防止することができ、発塵少なく基板の位置ズレ等を防止することができる。
【０００８】
また、移動部材と基板との当接が処理中に行われるため、処理液の乾燥による結晶が移動部材に付着することもなく、その結果、その結晶が基板に付着するようなこともない。さらに、磁界切換手段により移動部材を許容位置と規制位置とに切り換えているので、基板が処理槽の処理液に浸漬している間、常時基板の浮きを防止できる。
【０００９】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記磁界切換手段は、基板の整列方向に沿って複数個の電磁石を備え、前記許容位置と前記規制位置とにわたって前記移動部材を移動させる際に、前記複数個の電磁石のうち一部の磁界を切り換えることを特徴とするものである。
【００１０】
（作用・効果）磁界切換手段が複数個の電磁石を備え、許容位置と規制位置とにわたって移動部材を移動させるにあたり、一部の磁界だけを切り換える。これにより吸引と反発とを適度に作用させることができ、移動部材をゆっくりと作動させることができる。したがって、円滑に移動部材を移動させるとともに基板に適度に圧力を加えることができ、基板に当接して損傷を与える不都合を回避することができる。
【００１１】
また、請求項３に記載の発明は、処理液を貯留するための処理槽と、前記処理槽内で基板を起立姿勢で支持する支持アームとを備え、前記処理槽内の基板に所定の処理を施す基板処理装置において、前記支持アームの背板に配設された回転軸周りに回転可能であり、基板の移動が可能な許容位置と、基板に当接して基板の移動を規制する規制位置とにわたって移動可能な移動部材と、前記移動部材に付設された永久磁石と、前記処理槽内に配備され、前記永久磁石との反発または吸引によって前記移動部材を前記許容位置または前記規制位置に移動させる移動手段とを備え、前記処理槽内で基板を処理する際には、前記移動手段により前記移動部材を規制位置に移動し、前記支持アームが処理槽に収容または処理槽から搬出される際には、前記移動手段により前記移動部材を許容位置に移動することを特徴とするものである。
【００１２】
（作用・効果）基板を処理する際には、移動手段により移動部材を規制位置に移動し、支持アームが処理槽に収容または処理槽から搬出される際には、移動手段により移動部材を許容位置に移動する。このように処理槽内に配備された移動手段と移動部材との間に生じる反発または吸引によって、処理槽内における基板の移動を規制することができるので、モータ等の他の複雑な駆動機構を設けることなく気泡に起因する基板の浮きを防止することができ、発塵少なく基板の位置ズレ等を防止することができる。
【００１３】
また、移動部材と基板との当接が処理液中で行われるため、処理液の乾燥による結晶が移動部材に付着することもなく、その結果、その結晶が基板に付着するようなこともない。さらに、移動手段により移動部材を許容位置と規制位置との間で移動させているので、基板が処理槽の処理液に浸漬している間、常時基板の浮きが防止できる。
【００１４】
また、請求項４に記載の発明は、処理液を貯留するための処理槽と、前記処理槽内で基板を起立姿勢で支持する支持アームとを備え、前記処理槽内の基板に所定の処理を施す基板処理装置において、前記支持アームの背板に配設された回転軸周りに回転可能であり、基板の移動が可能な許容位置と、基板に当接して基板の移動を規制する規制位置とにわたって移動可能な移動部材と、前記移動部材の回転軸とは反対側に配設された浮子と、を備えていることを特徴とするものである。
【００１５】
（作用・効果）処理液を貯留した処理槽内に支持アームを収容すると、浮子が処理液によって浮上し、支持アームの背板に配設された水平の回転軸周りで移動部材が回転される。これにより許容位置から規制位置に移動部材が移動され、処理槽内における基板の移動を規制することができるので、気泡に起因する基板の浮きを防止することができ、基板の位置ズレ等を防止することができる。また、支持アームを処理槽から引き上げると、浮子が下方に移動されるとともに、移動部材が規制位置から許容位置に移動され、基板の移動が許容されて他の搬送手段との間で移載が可能となる。したがって、モータ等の他の複雑な駆動機構が不要であり、発塵少なく目的を達することができる。
【００１６】
また、移動部材と基板との当接が処理液中で行われるため、処理液の乾燥による結晶が移動部材に付着することもなく、その結果、その結晶が基板に付着するようなこともない。さらに、浮子により移動部材を許容位置と規制位置との間で移動させているので、基板が処理槽の処理液に浸漬している間、常時基板の浮きが防止できる。
【００１７】
また、請求項５に記載の発明は、処理液を貯留するための処理槽と、基板の下部端縁に当接して基板を起立姿勢で支持する支持アームとを備え、前記処理槽内の基板に所定の処理を施す基板処理装置において、前記処理槽に配設された回転軸周りに回転可能であり、基板の通過を許容する許容位置と、基板に当接して移動を規制する規制位置とにわたって移動可能な移動部材と、前記移動部材の回転軸とは反対側に配設された浮子とを備え、前記支持アームが処理槽に移動した後、処理液が処理槽に貯留された際には前記移動部材が規制位置に移動し、前記浮子の高さより低い位置に処理液面が位置している際には前記移動部材が許容位置に移動することを特徴とするものである。
【００１８】
（作用・効果）支持アームが処理槽に移動した後、処理液が処理槽に貯留された際には浮子の浮力によって移動部材が規制位置に移動し、浮子の高さより低い位置に処理液面が位置している際には浮子によって移動部材が許容位置に移動する。このように、処理液を処理槽に貯留する量によって基板の移動を規制したり許容したりすることができる。したがって、処理中の液面レベルで基板の移動を規制することができるので、モータ等の他の複雑な駆動機構を設けることなく気泡に起因する基板の浮きを防止することができ、発塵少なく基板の位置ズレ等を防止することができる。
【００１９】
また、移動部材と基板との当接が処理液中で行われるため、処理液の乾燥による結晶が移動部材に付着することもなく、その結果、その結晶が基板に付着するようなこともない。さらに、浮子により移動部材を許容位置と規制位置との間で移動させているので、基板が処理槽の処理液に浸漬している間、常時基板の浮きが防止できる。
【００２０】
また、請求項６に記載の発明は、処理液を貯留するための処理槽と、前記処理槽内で基板を起立姿勢で支持する支持アームとを備え、前記処理槽内の基板に所定の処理を施す基板処理装置において、前記支持アームの背板から延出され、基板の下部端縁を溝部で当接支持する支持部材と、前記支持部材の溝部に形成され、前記支持アームが処理槽内に収容された際には、基板の下部端縁を吸引する吸引孔とを備えていることを特徴とするものである。
【００２１】
（作用・効果）支持アームが処理槽内に収容された際には、吸引孔を介して基板の下部端縁を吸引するので、処理中における基板の移動を規制することができる。このように吸引孔を介して吸引するだけで、基板の移動を規制することができるので、モータ等の他の複雑な駆動機構を設けることなく気泡に起因する基板の浮きを防止することができ、発塵を防止して基板の位置ズレ等を防止することができる。
【００２２】
また、常時吸引孔を介して基板の下部端縁を吸引すれば、基板が処理槽の処理液に浸漬している間、常時基板の浮きを防止できる。
【００２３】
また、請求項７に記載の発明は、請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理槽内の処理液を収容可能なバッファタンクを備え、前記支持アームが基板を処理槽内に収容する前に処理槽内の処理液を前記バッファタンクに収容し、前記支持アームが処理済みの基板を処理槽から搬出する前に処理槽内の処理液を前記バッファタンクに収容するようにしたことを特徴とするものである。
【００２４】
（作用・効果）移動部材の構成によっては、処理槽内に処理液が貯留していると移動部材が規制位置に移動するものがあるので、基板を処理槽から搬出する前に処理液を一時的にバッファタンクに収容することで、移動部材を許容位置に移動させることができ、そのような不都合を回避できる。また、処理後に移動部材が許容位置に移動されていると、処理によっては基板に気泡が付着したままの場合があって基板が浮いて位置ズレが生じる恐れがある。そこで、処理後に基板を搬出する前に処理槽内の処理液をバッファタンクに一時的に収容することで、気泡に起因する浮力が基板に作用しないようにすることができ、そのような不都合を防止できる。
【００２５】
また、請求項８に記載の発明は、請求項１から７のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理槽内に気体の気泡を発生させる気泡発生手段を備えていることを特徴とするものである。
【００２６】
（作用・効果）オゾンガス等の気体の気泡を気泡発生手段によって供給することで、例えば不要なフォトレジスト膜などの有機物除去能力を飛躍的に高めることができる。
【００２７】
また、濃度や温度の均一な処理液を供給して基板に対して均一な処理を行う必要がある場合、窒素ガス等の不活性ガスや空気などの気体を供給して気泡を撹拌すれば、基板に対する均一な処理が可能となる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
＜第１実施例＞
図１及び図２はこの発明の一実施例に係り、図１は本実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図であり、図２は処理槽の概略構成を示す平面図である。
【００２９】
本実施例に係る基板処理装置は、処理槽１を備えており、この処理槽１には支持アーム３によって基板Ｗが収容される。支持アーム３は、昇降自在に構成され、図示しない搬送ロボットとの間で基板Ｗを受け渡すものである。この支持アーム３は、背板３ａと、支持部材３ｂとを備えている。支持アーム３に受け取られた複数枚の基板Ｗは、背板３ａから突出して設けられた３本の支持部材３ｂによって起立姿勢で整列して保持される。昇降位置は、処理槽１の上方にあたる図示しない「基板受け渡し位置」及び、図１に示す「処理位置」である。処理槽１は、内槽５と外槽７を備えている。内槽５には処理液が貯留され、溢れた処理液が外槽７で回収される。内槽５と外槽７とは配管９で連通接続されており、外槽７に回収された処理液は循環ポンプ１１によって循環される。
【００３０】
配管９における循環ポンプ１１より下流側には、加熱ヒータ１３と、フィルタ１５とが配設されている。加熱ヒータ１３は処理液を所定温度（例えば、１４０℃以上であり、１５０〜１６０℃程度の温度）に加熱するものであり、フィルタ１５は処理液中のパーティクルを除去するものである。内槽５の下方側面には吹き出し管１７が設けられており、高温にされた処理液が吹き出し管１７を通して内槽５に供給される。また、内槽５の底部には、開閉弁１９を備えた配管２１が連通されており、開閉弁１９を開放することで内槽５の処理液を排出するようになっている。
【００３１】
また、図示省略しているが、内槽５には、液面センサと温度センサとが付設されている。液面センサは内槽５の液面レベルを検出する機能を備え、温度センサは内槽５における処理液の温度を検出する機能を備えている。これらの検出値は、後述する制御部４５に出力される。
【００３２】
外槽７には、供給管２３の先端部が導入されている。この供給管２３は、硫酸補充装置２５に連通されており、開閉弁２７の開閉によって外槽７に対して処理液である硫酸を補充するようになっている。
【００３３】
内槽５の底部付近には、気泡供給手段２９が配備されている。この気泡供給手段２９は、基板Ｗ面側から見て５個の泡発生部品３１を備えている。この泡発生部品３１は、例えば、石英粒子を焼結して構成されており、供給された気体を多数の細孔から噴出させる機能を備える。気泡供給手段２９には、オゾンガス発生装置３３に連通した配管３５が連結されている。この配管３５には、開閉弁３７が取り付けられている。したがって、開閉弁３７を開放すると、泡発生部品３１から処理液中にきめ細かいオゾンガスの泡が多数混入される。
【００３４】
内槽５の内面には、支持アーム３が処理位置にある際に基板Ｗの上方や側方への移動を許容する許容位置（図１中に実線で示す）と、基板Ｗの斜め上方の端縁に当接して基板Ｗの移動を規制する規制位置（図１中に点線で、図２中に実線で示す）とにわたって揺動可能な移動部材３９が配設されている。
【００３５】
この移動部材３９は、板状を呈し、その基端部側が処理槽５の内面に取付部材４１を介して取り付けられている。取付部材４１は、移動部材３９を、横向きの回転軸Ｐ周りに回転可能に保持している。移動部材３９は、許容位置にある際の外側面に永久磁石３９ａが埋設されている。
【００３６】
処理槽５の外面であって、板状部材３９の永久磁石３９ａに対向する位置には、本発明における磁界切換手段に相当する電磁石４３が複数個配設されている。この電磁石４３は、永久磁石３９ａに対して反発または吸引する磁界の極性が自在に切り換え可能なものである。また、その配設方向は、基板Ｗの整列方向に一致している。
【００３７】
制御部４５は、上述した循環ポンプ１１と、開閉弁１９と、加熱ヒータ１３と、硫酸補充装置２５と、開閉弁２７と、オゾンガス発生装置３３と、開閉弁３７と、電磁石４３とを制御する。この制御は、プロセスに基づき予め規定されているレシピに応じて行われる。
【００３８】
制御部４５による電磁石４３の制御について、図３を参照して説明する。なお、図３は、電磁石の制御例を示す模式図であり、（ａ）は許容位置を示し、（ｂ）は規制位置を示す。
【００３９】
なお、ここで、永久磁石３９ａは、移動部材３９が許容位置にある場合において、電磁石４３側にＮ極が位置するように磁極が設定されているものであるとする。
【００４０】
移動部材３９を許容位置にするためには、図３（ａ）に示すように、移動部材３９側がＳ極となるように電磁石４３の磁界を切り換え作動させる。これにより移動部材３９が磁力によって電磁石４３側に吸引され、基板Ｗを保持した保持アーム３が処理位置に移動可能な許容位置とされる。その一方、移動部材３９を規制位置にするためには、図３（ｂ）に示すように、移動部材３９側がＮ極となるように電磁石４３の磁界を切り換え作動させる。これにより移動部材３９が磁力によって電磁石４３側から反発し、基板Ｗの端縁に当接する規制位置に移動部材３９が移動される。
【００４１】
なお、規制位置に移動部材３９を位置させる際には、複数個の電磁石４３の磁極を全てＮ極になるように磁界を切り換えるのではなく、図３（ｂ）に示すように、大部分の磁極をＮ極として反発させ、残りをＳ極のままとして吸引させるようにするのが好ましい。このようにすることにより、移動部材３９に対して吸引と反発とを適度に作用させることができ、移動部材３９をゆっくりと作動させることができる。したがって、円滑に移動部材３９を移動させることができ、移動部材３９が規制位置に移動した際に基板Ｗの端縁に当接する際に損傷を与えといった不具合を回避することができる。また、これに代えて、電磁石４３に付与する電圧または電流を徐々に変えることにより、移動部材３９の移動を円滑に行うようにしても同様の効果を得ることができる。
【００４２】
次に、図４を参照して、上述した構成の基板処理装置における動作について説明する。なお、図４は、処理の流れを説明するフローチャートである。
【００４３】
ステップＳ１
処理液の供給を開始する。
具体的には、開閉弁２７を開放して、硫酸補充装置２５から外槽７に硫酸を直接的に供給するとともに、配管９を通して内槽５に硫酸を間接的に供給する。
【００４４】
ステップＳ２
処理に要する処理液が供給された時点で開閉弁２９を閉止する。
【００４５】
ステップＳ３
循環ポンプ１１を作動させて、内槽５及び外槽７に貯留している処理液を循環させるとともに、加熱ヒータ１３をオンにして処理液をレシピに応じた所定温度を目標値として加熱を開始する。
【００４６】
ステップＳ４
制御部４５は、図示しない温度センサを監視し、レシピに応じた所定温度に達したか否かに応じて処理を分岐する。達していない場合には監視を継続し、達した場合にはステップＳ５に処理を移行して、加熱ヒータ１３をオフにする。
【００４７】
ステップＳ６
処理液の準備が完了した後、制御部４５は、基板Ｗを支持して基板受け渡し位置に待機している支持アーム３を処理位置にまで下降させる（図１及び図３（ａ）参照）。
【００４８】
ステップＳ７
基板押さえをセットする。
具体的には、電磁石４３を作動させて移動部材３９を規制位置にまで移動させる。これにより基板Ｗの斜め上方にあたる端縁に移動部材３９の先端部が当接し、基板Ｗの移動が規制される（図３（ｂ））。
【００４９】
ステップＳ８
開閉弁３７を開放し、オゾンガス発生装置３３からオゾンガスを内槽５に供給する。これにより気泡発生手段２９からオゾンガスの細かい気泡が処理液中に混入され、熱硫酸とともに基板Ｗに作用する。このときオゾンガスの気泡に起因して、基板Ｗに対して浮力が作用するが、その上方への移動が移動部材３９によって規制されているので、基板Ｗが浮き上がったり、側方に位置ズレを起こしたりする不都合を防止できる。
【００５０】
ステップＳ９
レシピに応じた設定時間が経過したか否かによって処理を分岐する。つまり、経過していない場合にはステップＳ９を繰り返し、経過した場合には次のステップＳ１０に移行する。
【００５１】
ステップＳ１０
設定時間が経過した場合には、開閉弁３７を閉止してオゾンガスの供給を停止する。
【００５２】
ステップＳ１１
基板押さえを解除する。
具体的には、電磁石３２の磁界を切り換えて、移動部材３９を許容位置に戻す（図１及び図３（ａ）参照）。
【００５３】
ステップＳ１２
支持アーム３を基板受け渡し位置にまで上昇させる。次いで、図示しない他の搬送手段との間で処理済みの基板Ｗを受け渡す。
【００５４】
上述したように上記第１実施例装置では、基板Ｗの収容・搬出の際には電磁石４３が移動部材３９を許容位置になるように磁界を切り換え、基板Ｗを処理する際には電磁石４３が移動部材３９を規制位置になるように磁界を切り換える。このように電磁石４３により磁界の極性を切り換えるだけで、基板Ｗの移動を規制することができるので、モータ等の他の複雑な駆動機構を設ける必要がなく、気泡に起因する基板Ｗの浮きを防止でき、発塵を防止しつつ基板Ｗの位置ズレ等を防止できる。したがって、処理中に基板Ｗに対して気泡を供給することで処理を施す基板処理装置において適切に処理を施すことができる。
【００５５】
また、移動部材３９と基板Ｗの端縁との当接が内槽５の処理液中で行われるため、処理液の乾燥による結晶が移動部材３９に付着することもなく、その結果、その結晶が基板Ｗに付着するようなこともない。さらに、基板Ｗの収容・搬出の際には、電磁石４３が移動部材４３を許容位置になるように磁界を切り換えているので、基板Ｗが内槽５の処理液に浸漬している間、常時移動部材３９により基板Ｗの浮きを防止できる。
【００５６】
＜第２実施例＞
図５及び図６を参照して第２実施例について説明する。なお、図５は第２実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図であり、図６は内槽の内部を側面から見た図である。以下の説明においては、処理槽１付近の構成についてのみ説明し、上記第１実施例と共通する構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略したり図示を省略したりしている。
【００５７】
支持アーム３の背板３ａには、移動部材３９Ａが配設されている。この移動部材３９Ａは、背板３ａに設けられた水平の回転軸Ｐ周りに回転可能である。その位置は、基板Ｗの移動が可能な許容位置（図６中に実線で示す）と、基板Ｗの端縁に当接して基板Ｗの移動を規制する規制位置（図６中に二点鎖線で示す）とにわたって変位可能である。
【００５８】
具体的には、移動部材３９Ａは平面視でＬの字状に形成され、基端部３９Ａ１が背板３ａに平行する位置に設けられている。基端部３９Ａ１は、その基部が上述した回転軸Ｐに同軸に取り付けられ、背板３ａと反対側に位置する面には磁石３９Ａ２が埋設されている。
【００５９】
移動部材３９Ａの基端部３９Ａ１を挟んだ背板３ａの反対側には、本発明の移動手段に相当する内槽柱４７が内槽５に二本立設されている。各内槽柱４７の背板３ａ側には、永久磁石４７ａが埋設されている。永久磁石４７ａと、移動部材３９Ａの各永久磁石３９Ａ２とは、互いに吸引する磁極の向きとなるように配設されている。
【００６０】
次に、上述した構成の基板処理装置の動作について、図７を参照して説明する。なお、図７は、基板処理装置の動作を示す模式図であり、（ａ）は支持アームを下降させ始めた状態であり、（ｂ）は支持アームを処理位置に下降した状態を示す。
【００６１】
支持アーム３を下降させ始め、移動部材３９Ａの永久磁石３９Ａ２が内槽柱４７の永久磁石４７ａの高さ位置に達すると、図７（ａ）に示すように永久磁石３９Ａ２が吸引されて移動部材３９Ａがその高さを維持しようとする。さらに支持アーム３を下降させて、処理位置にまで下降させると、図７（ｂ）に示すように移動部材３９Ａの先端部が基板Ｗの斜め上方に位置するように円弧を描いて移動する。このように支持アーム３を処理位置に移動した後、オゾンガスの気泡を供給して処理を施す。また、処理を終えた後は、上記と逆の作用が生じ、移動部材３９Ａが基板Ｗの斜め下方位置にあたる許容位置に戻る。
【００６２】
本実施例装置によると、基板Ｗを処理する際には、内槽柱４７により移動部材３９Ａが規制位置に移動され、支持アーム３が処理槽１に収容または処理槽１から搬出される際には、移動部材３９Ａが許容位置に移動される。このように処理槽１内に配備された内槽柱４７と移動部材３９Ａとの間に生じる吸引によって、処理槽１内における基板Ｗの移動を規制することができるので、モータ等の他の複雑な駆動機構を設けることなく気泡に起因する基板Ｗの浮きを防止することができ、発塵少なく基板Ｗの位置ズレ等を防止することができる。
【００６３】
また、移動部材３９Ａと基板Ｗの端縁との当接が内槽５の処理液中で行われるため、処理液の乾燥による結晶が移動部材３９Ａに付着することもなく、その結果、その結晶が基板Ｗに付着するようなこともない。支持アーム３が処理槽１に収容または処理槽１から搬出される際には、内槽柱４７により移動部材３９Ａが許容位置に移動されるので、基板Ｗが処理槽１の処理液に浸漬している間、常時移動部材３９Ａにより基板Ｗの浮きを防止できる。
【００６４】
なお、内槽柱４７の永久磁石４７ａと移動部材３９Ａの永久磁石３９Ａ２との間に反発を生じさせて移動させるようにしてもよい。また、内槽柱４７の永久磁石４７ａに代えて電磁石を採用してもよい。
【００６５】
＜第３実施例＞
図８及び図９を参照して第３実施例について説明する。なお、図８は第３実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図であり、図９は内槽の内部を側面から見た図である。以下の説明においては、処理槽１付近の構成についてのみ説明し、上記各実施例と共通する構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略したり図示を省略したりしている。
【００６６】
支持アーム３の背板３ａには、移動部材３９Ｂが配設されている。この移動部材３９Ｂは、背板３ａに設けられた水平の回転軸Ｐ周りに回転可能である。その位置は、基板Ｗの移動が可能な許容位置（図８中に実線で示す）と、基板Ｗの端縁に当接して基板Ｗの移動を規制する規制位置（図８中に点線で示す）とにわたって変位可能である。
【００６７】
移動部材３９Ｂは平面視でＬの字状に形成され、基端部３９Ｂ１が背板３ａに平行する位置に設けられている。基端部３９Ｂ１は、その基部が上述した回転軸Ｐに取り付けられている。また、移動部材３９Ｂは、基端部３９Ｂ１の先端部側（回転軸Ｐの反対側）であって基板Ｗの整列方向に沿って浮子３９Ｂ２を備えている。
【００６８】
本実施例装置によると、処理液を貯留した処理槽１内に支持アーム３を収容すると、浮子３９Ｂ２が処理液によって浮上し、支持アーム３の背板３ａに配設された水平の回転軸Ｐ周りで移動部材３９Ｂが回転される。これにより許容位置から規制位置に移動部材３９Ｂが移動され、処理槽１内における基板Ｗの移動を規制することができるので、オゾンガスの気泡に起因する基板Ｗの浮きを防止することができ、基板Ｗの位置ズレ等を防止することができる。また、支持アーム３を処理槽５から引き上げると、浮子３９Ｂ２が下方に移動されるとともに、移動部材３９Ｂが規制位置から許容位置に移動され、基板Ｗの移動が許容されて他の搬送手段との間で移載が可能となる。したがって、モータ等の他の複雑な駆動機構が不要であり、発塵少なく目的を達することができる。
【００６９】
また、移動部材３９Ｂと基板Ｗの端縁との当接が処理槽１の処理液中で行われるため、処理液の乾燥による結晶が移動部材３９Ｂに付着することもなく、その結果、その結晶が基板Ｗに付着するようなこともない。さらに、浮子３９Ｂ２の移動により移動部材３９Ｂを許容位置と規制位置との間で移動させているので、基板Ｗが処理槽１の処理液に浸漬している間、常時移動部材３９Ｂにより基板Ｗの浮きを防止できる。
【００７０】
＜第４実施例＞
図１０を参照して第４実施例について説明する。なお、図１０は第４実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。以下の説明においては、処理槽１付近の構成についてのみ説明し、上記第１実施例と共通する構成については詳細な説明を省略する。
【００７１】
内槽５の内面上部であって、基板Ｗの整列方向に沿う面には、移動部材３９Ｃが取り付けられている。この移動部材３９Ｃは、支持アーム３が処理位置にある際に基板Ｗの上方や側方への移動を許容する許容位置（図１０中に実線で示す）と、基板Ｗの斜め上方の端縁に当接して基板Ｗの移動を規制する規制位置（図１０中に点線で示す）とにわたって揺動可能な移動部材３９Ｃが配設されている。この移動部材３９Ｃは、上述した第１実施例と同様に板状、または上述した第２、第３実施例と同様に平面視Ｌの字状を呈する。
【００７２】
この移動部材３９Ｃは、その基端部側が処理槽５の内面に取付部材４９を介して取り付けられている。取付部材４９は、移動部材３９Ｃを、横向きの回転軸Ｐ周りに回転可能に保持している。板状部材３９Ｃは、回転軸Ｐとは反対側に浮子５１が配設されている。また、取付部材４９の内側下部には、移動部材３９Ｃの回転角度を規制する規制片４９ａが突出して配設されている。ここにおける規制とは、移動部材３９Ｃの浮子５１側が基板Ｗの斜め上方の端縁に当接する回転角度である。
【００７３】
この装置では、配管２１に連通したバッファタンク５３と、このバッファタンク５３内の処理液を排出する開閉弁５５と、バッファタンク５３の処理液を内槽５に戻す配管５７と、この配管５７に配設されたポンプ５９と、配管５７に配設された開閉弁６１とをさらに備えている。開閉弁５５，６１と、ポンプ５９とは、制御部４５によって制御される。
【００７４】
次に、図１１を参照して本実施例装置における動作について説明する。なお、図１１は、基板処理装置の動作を示す模式図であり、（ａ）は支持アームを処理位置に移動させた状態を示し、（ｂ）は処理液を供給した状態を示す。
【００７５】
本実施例装置では、上述した第１実施例装置と同様に各部が制御されるが、支持アーム３が基板受け渡し位置と処理位置との間を移動するのに先立って、まず内槽５内の処理液をバッファタンク５３との間で移動させる点において相違する。
【００７６】
すなわち、保持アーム３を基板受け渡し位置から処理位置に移動する際には、開閉弁１９を開放して内槽５内の処理液をバッファタンク５３に移動する。すると、図１１（ａ）に示すように移動部材３９Ｃは浮力を失うので、許容位置に移動する。保持アーム３が処理位置に移動した後、開閉弁１９を閉止するとともに、開閉弁６１を開放してポンプ５９を作動させる。これによりバッファタンク５３に一時的に移動しておいた処理液を内槽５に戻す。すると、図１１（ｂ）に示すように移動部材３９Ｃは浮子５１の浮力により、規制位置に移動する。この状態で、オゾンガスの気泡を供給しつつ所定時間の処理を施す。所定時間が経過すると、再びバッファタンク５３に処理液を移動して移動部材３９Ｃを許容位置に移動させた後（図１１（ａ））、支持アーム３を基板受け渡し位置に上昇させる。
【００７７】
本実施例装置によると、支持アーム３が処理位置に移動した後、処理液を内槽５に戻すと浮子５１の浮力によって移動部材３９Ｃが規制位置に移動し、内槽５の処理液をバッファタンク５３に移動すると移動部材３９Ｃが許容位置に移動する。このように、処理液を内槽５とバッファタンク５３との間で移動させることによって基板Ｗの移動を規制したり許容したりすることができる。したがって、処理液の移動で基板Ｗの移動を規制することができるので、モータ等の他の複雑な駆動機構を設けることなくオゾンガスの気泡に起因する基板Ｗの浮きを防止することができ、発塵少なく基板Ｗの位置ズレ等を防止することができる。
【００７８】
しかも、処理液を無駄に排出することなくバッファタンク５３に一時的に貯留しているので、処理液を有効に利用することができる。ところで、処理後に移動部材３９Ｃ等がすぐに許容位置に移動されると、処理によっては基板Ｗに気泡が付着したままの場合があって基板Ｗが浮いて位置ズレが生じる恐れがある。そこで、処理後に基板Ｗを搬出する前に内槽５内の処理液をバッファタンク５３に一時的に収容することで、気泡に起因する浮力が基板Ｗに作用しないようにすることができ、そのような不都合を防止できる。
【００７９】
また、移動部材３９Ｃと基板Ｗの端縁との当接が内槽５の処理液中で行われるため、処理液の乾燥による結晶が移動部材３９Ｃに付着することもなく、その結果、その結晶が基板Ｗに付着するようなこともない。さらに、浮子５１の移動により移動部材３９Ｃを許容位置と規制位置との間で移動させているので、基板Ｗが処理槽１の処理液に浸漬している間、常時移動部材３９Ｃにより基板Ｗの浮きを防止できる。
【００８０】
なお、バッファタンク５３を設けることなく、内槽５の処理液を排出することによって上記同様に移動部材３９Ｃの移動を行わせるようにしてもよい。
【００８１】
すなわち、移動部材３９Ｃが許容位置に移動するように、開閉弁１９を開放して内槽５内の処理液を排出し、移動部材３９Ｃが許容位置にある際の浮子５１の高さ位置よりも処理液の液面レベルを下方に移動させる。これにより移動部材３９Ｃは、浮力が作用せず許容位置に移動する。そして、移動部材３９Ｃを規制位置に移動させるには、処理液を内槽５に供給して、内槽５から溢れるまで供給する。これにより移動部材３９Ｃには液面レベルに応じて浮力が作用し、規制位置に移動する。
【００８２】
＜第５実施例＞
図１２及び図１３を参照して第５実施例について説明する。なお、図１２は第５実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図であり、図１３は支持アームの要部を示す平面図である。以下の説明においては、処理槽１付近の構成についてのみ説明し、上記第１実施例と共通する構成については詳細な説明を省略する。
【００８３】
本実施例装置は、基板Ｗを上方から押さえるのではなく、基板Ｗの下部を吸着することで浮きを防止する点において上述した第１から第４実施例とは相違する。
【００８４】
支持アーム３は、各支持部材３ｂに、基板Ｗの端縁を当接支持するための溝３ｃが所定間隔で形成されている。各溝３ｃの中央部には、基板Ｗの厚さよりも小径の吸引孔３ｄが形成されている。各吸引孔３ｄは、支持部材３ｂ及び背板３ａに形成されている吸引通路（図示省略）に連通接続されている。吸引通路は、吸引配管６３の一端側に連通接続され、他端側は外槽７に連通している。吸引配管６３は、吸引ポンプ６５と気液分離ユニット６７とを備えている。
【００８５】
本実施例装置では、例えば、基板Ｗが支持アーム３の支持部材３ｂに載置された時点から吸引ポンプ６５が作動される。これにより基板Ｗが支持部材３ｂに吸着保持される。この状態で処理位置にまで下降され、所定時間だけ処理が施される。このときオゾンガスが基板Ｗに浮力を与えることになるが、基板Ｗは支持部材３ｂに吸着されているので、基板Ｗが位置ズレすることを防止できる。なお、吸引孔３ｄを介して処理液の一部が吸引されることがあるが、これは気液分離ユニット６７で分離されて外槽７に戻される。
【００８６】
本実施例装置によると、吸引孔３ｄを介して基板Ｗの下部端縁を吸引するので、処理中における基板Ｗの移動を規制することができる。このように吸引孔３ｄを介して吸引するだけで、基板Ｗの移動を規制することができるので、モータ等の他の複雑な駆動機構を設けることなく気泡に起因する基板Ｗの浮きを防止することができ、発塵を防止して基板Ｗの位置ズレ等を防止することができる。また、吸引により基板Ｗを吸着しているので、支持アーム３の昇降移動を高速で行っても基板Ｗの位置ズレが生じることがないという利点もある。
【００８７】
また、常時吸引ポンプ６５を作動させて、吸引孔３ｄを介して基板Ｗの下部端縁を吸引すれば、基板Ｗが処理槽１の処理液に浸漬している間、常時吸引孔３ｄからの吸引により基板Ｗの浮きを防止できる。
【００８８】
なお、本実施例装置における吸引孔３ｄを介しての吸引は、支持アーム３が処理位置に移動した時点からでもよく、また基板Ｗが処理液に触れ始める時点からであってもよい。
【００８９】
なお、本発明は、オゾンガスの気泡を発生させる気泡発生手段２９を備えている必要はない。例えば、処理液と基板Ｗとの反応により基板Ｗ面に気泡が付着し、これに起因して基板Ｗが位置ズレするような装置であっても適用することができる。
【００９０】
また、上述した第１〜第３、第５実施例装置は、上記第４実施例装置のようにバッファタンク５３を備えるようにしてもよい。つまり、処理によっては基板Ｗが処理液中に浸漬されている限り基板Ｗに気泡が付着したままの場合がある。この場合には、基板Ｗが処理液中に浸漬されている間に基板押さえを解除すると基板Ｗが浮いて位置ズレが生じる恐れがある。そこで、処理後に基板Ｗを搬出する前に内槽得５内の処理液をバッファタンク５３に一時的に収容することで、気泡に起因する浮力が基板Ｗに作用しないようにすることができ、そのような不都合を防止できる。
【００９１】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、基板の収容・搬出の際には磁界切換手段が移動部材を許容位置になるように磁界を切り換え、基板を処理する際には磁界切換手段が移動部材を規制位置になるように磁界を切り換える。このように磁界切換手段により磁界の極性を切り換えるだけで、基板の移動を規制することができるので、モータ等の他の駆動機構を設けることなく気泡に起因する基板の浮きを防止でき、発塵を防止しつつ基板の位置ズレ等を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】処理槽の概略構成を示す平面図である。
【図３】電磁石の制御例を示す模式図であり、（ａ）は許容位置を示し、（ｂ）は規制位置を示す。
【図４】処理の流れを説明するフローチャートである。
【図５】第２実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図６】内槽の内部を側面から見た図である。
【図７】基板処理装置の動作を示す模式図であり、（ａ）は支持アームを下降させ始めた状態であり、（ｂ）は支持アームを処理位置に下降した状態を示す。
【図８】第３実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図９】内槽の内部を側面から見た図である。
【図１０】第４実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図１１】基板処理装置の動作を示す模式図であり、（ａ）は支持アームを処理位置に移動させた状態を示し、（ｂ）は処理液を供給した状態を示す。
【図１２】第５実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図１３】支持アームの要部を示す平面図である。
【符号の説明】
Ｗ  …  基板
１  …  処理槽
３  …  支持アーム
３ａ  …  背板
３ｂ  …  支持部材
５  …  内槽
７  …  外槽
２９  …  気泡発生手段
３９  …  移動部材
３９ａ  …  永久磁石
４１  …  取付部材
４３  …  電磁石（磁界切換手段）
４５  …  制御部
【図１】
2004319880.tif 000003
【図２】
2004319880.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004319880.tif 000009
【図８】
2004319880.tif 000010
【図９】
2004319880.tif 000011
【図１０】
2004319880.tif 000012
【図１１】
2004319880.tif 000013
【図１２】
2004319880.tif 000014
【図１３】
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