(57)【要約】【課題】可視光透過性が高く、外光反射を十分に低減した反射防止機能を備え、且つ均一性に優れた反射防止フィルムを得ることは難しい。其処で、プラズマＣＶＤ装置により、製造時のフィルムの全幅にわたって、均一性の高いシリカ薄膜を安定して得ることができ、またそのシリカ薄膜を用いた反射防止効果に優れた反射防止フィルム、シリカ薄膜の製造装置を提供することを目的とする。【解決手段】プラスティックフィルム基材上にシリカ膜を成膜する際に、プラズマＣＶＤ装置を用い、且つ反応系に水蒸気を原料ガスとは別系統で導入することで、基材の巻き取りの全幅にわたって、均一性の高いシリカ薄膜を得ることが出来た。これは、原料ガスと反応性の高い水蒸気を導入することで、プラズマ中の原料ガスの分解を促進し、膜質の均質化を行ったことに起因している。これにより、フィルム基材の分解、伸び、変形を生じることなく、シリカ膜を成膜できる。【選択図】　　　　図１
2004138762.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
含水酸基有機珪素化合物から成る酸化シリコン層の屈折率が１．４０〜１．４６（λ＝５５０ｎｍ）であり、その組成がＳｉＯｘＣｙ：Ｈ（ｘ＝１．６〜１．８，ｙ＝０．１〜０．３）、且つ２７００ｃｍ−１〜３６００ｃｍ−１の水酸基伸縮運動による赤外線吸収があり、３３００ｃｍ−１での吸光度が５．０〜８．０×１０−５（シリカ薄膜１ｎｍ当たり）となることを特徴とするシリカ薄膜。
【請求項２】
前記シリカ薄膜が、プラズマＣＶＤ装置内へ原料ガス以外に水蒸気を導入し、且つその導入流量を調整することにより製造されることを特徴とする請求項１に記載のシリカ薄膜。
【請求項３】
プラスティックフィルムからなる基材上に透明な金属酸化物膜を有する構造であり、該金属酸化物膜は請求項１または２に記載のシリカ薄膜で膜厚が１０〜２００ｎｍであることを特徴とする透明積層フィルム。
【請求項４】
プラスティックフィルムからなる基材上に屈折率が１．５〜１．８（波長λ＝５５０ｎｍ）、且つ膜厚が１０〜２００ｎｍである酸化シリコン層、屈折率が１．９〜２．４（波長λ＝５５０ｎｍ）、且つ膜厚が２０〜１５０ｎｍである金属酸化物層、請求項１または２に記載の膜厚が１０〜２００ｎｍであるシリカ薄膜の順に積層したことを特徴とする透明積層フィルム。
【請求項５】
プラスティックフィルムからなる基材上において、屈折率が１．９〜２．４（波長λ＝５５０ｎｍ）、且つ膜厚が１０〜１５０ｎｍである金属酸化物層、請求項１または２に記載の膜厚が１０〜２００ｎｍであるシリカ薄膜の順に積層、或いは上記の金属酸化物層、シリカ薄膜、金属酸化物層、シリカ薄膜をこの順に積層したことを特徴とする透明積層フィルム。
【請求項６】
基材と、該基材上に設けた層、すなわち反射防止膜との間にハードコート層が形成されていることを特徴とする請求項３〜５のいずれか一つに記載の透明積層フィルム。
【請求項７】
前記透明積層フィルムの反射防止膜の最表面に防汚層が形成されていることを特徴とする請求項３〜６のいずれか一つに記載の透明積層フィルム。
【請求項８】
前記基材が一軸または二軸延伸ポリエステルフィルム、或いはトリアセチルセルロースフィルムであることを特徴とする請求項３〜７のいずれか一つに記載の透明積層フィルム。
【請求項９】
前記基材が偏光板保護フィルムとして機能することを特徴とする請求項８に記載の透明積層フィルム。
【請求項１０】
請求項３〜９のいずれか一つに記載の透明積層フィルムが反射防止機能を有することを特徴とする反射防止フィルム。
【請求項１１】
請求項３〜１０のいずれか一つに記載の透明積層フィルムが液晶装置への組込が可能であることを特徴とする透明積層フィルム。
【請求項１２】
ガスを反応室内へ供給し、該ガスを放電させてプラズマ状態とし、前記反応室内に載置された基材上にシリカ薄膜を積層させるプラズマＣＶＤ装置において、有機珪素化合物の原料ガスの供給系以外に、水蒸気を導入する供給系を隣接し、且つその導入流量が可変となり得ることを特徴とするシリカ薄膜の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（陰極線管）ディスプレイ、もしくはプラズマディスプレイパネル等のディスプレイの前面に設ける反射防止フィルム等の光学部品に使用できるシリカ薄膜とその製造装置、及びこれを用いた反射防止フィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、ＣＲＴなどのコンピューター、ワープロ、テレビ、表示板に使用される各種ディスプレイや、計器等の表示体、バックミラー、ゴーグル、窓ガラスなどには、ガラスやプラスティックなどの透明な基板が使用されている。そして、それらの透明な基材を通して、文字や図形その他の情報を読み取るため、透明な基材の表面で光が反射すると、それらの情報が読み取り難くなるという欠点がある。
【０００３】
そこで、ディスプレイの前面に、基材に反射防止機能を付与することが行なわれる。例えば、透明基材に直接、真空成膜法により酸化ケイ素（以下、「シリカ」とする場合がある。）、酸化ジルコニウム、酸化チタン、フッ化マグネシウムなどの無機化合物からなる反射防止膜を形成する方法がある。真空成膜法は、真空環境下で基材の表面に対して成膜を行なうものである。真空環境下では、一般の大気環境下に比べて、雰囲気ガスの成分が著しく制限されるため、不純物の少ない良質な膜を形成することができる。たとえば、真空チャンバ内を排気しながら、特定の成膜処理用ガスを所定量だけ導入した場合、真空チャンバ内の雰囲気には、理論的には当該成膜処理用ガスが所定量だけ含まれることになるので、最適な条件での成膜処理が可能になる。
【０００４】
具体的な真空成膜の方法としては、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、イオンプレーティング、プラズマ放電、グロー放電、電子線照射、紫外線照射、材料噴霧など種々の方法が知られている。また、成膜対象となる基材としては、金属板、ガラス板、金属フィルム、プラスティックフィルム、紙など多岐に渡っており、既に成膜が完了した基材に対して、更に上層の成膜を形成する処理を繰り返して行ない、多層構造を得る工程が行われることも少なくない。真空成膜法では、成膜対象となる基材を真空チャンバ内に収容し、チャンバ内を排気して一定の真空度に維持した状態で所定の成膜方法を実行することになる。必要に応じて、チャンバ内には成膜処理用ガスが導入される。
しかし、上記の真空成膜法を行なう場合、使用できる基材に対し、耐溶剤性、耐熱性等の限定された条件がある。
【０００５】
従来、光の反射防止技術には、ガラスやプラスティック表面に反射防止塗料を塗布する方法、ガラス等の透明基板の表面にＭｇＦ２等の極薄膜や金属蒸着膜を設ける方法、プラスティックレンズ等のプラスティック表面に電離放射線硬化型樹脂を塗工し、その上に蒸着によりＳｉＯ２やＭｇＦ２の膜を形成する方法、電離放射線硬化型樹脂の硬化型膜上に低屈折率の塗膜を形成する方法等があった。
また、プラスティックフィルム上に高屈折率層の酸化チタン層をプラズマＣＶＤ法で形成し、その最外層に低屈折率層のシリカ膜をプラズマＣＶＤ法で形成した反射防止フィルムが知られている。（例えば、特許文献１参照）
【０００６】
【特許文献１】
特開２０００−３３６１９６号公報
【０００７】
上記の従来の反射防止技術では、均一性の高い薄膜を安定して得ることは難しく、例えば、特許文献１では視感反射率の低い反射防止フィルムが得られるが、製造時における反射防止フィルムの全幅にわたって、視感反射率が０．３程度に安定したものを得ることができない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題に鑑みなされたものであり、プラズマＣＶＤ装置により、製造時のフィルムの全幅にわたって、均一性の高いシリカ薄膜を安定して得ることができ、またそのシリカ薄膜を用いた反射防止効果に優れた反射防止フィルム、シリカ薄膜の製造装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するための手段として、請求項１として、シリカ薄膜は含水酸基有機珪素化合物から成る酸化シリコン層の屈折率が１．４０〜１．４６（λ＝５５０ｎｍ）であり、その組成がＳｉＯｘＣｙ：Ｈ（ｘ＝１．６〜１．８，ｙ＝０．１〜０．３）、且つ２７００ｃｍ−１〜３６００ｃｍ−１の水酸基伸縮運動による赤外線吸収があり、３３００ｃｍ−１での吸光度が５．０〜８．０×１０−５（シリカ薄膜１ｎｍ当たり）となることを特徴とする。但し、Ａは吸光度、Ｉ０は入射光の強度、Ｉは透過光の強度として、Ａ＝ｌｏｇ（Ｉ０／Ｉ）の関係であり、またランベルト・ベールの式より、吸光度は薄膜の厚さに比例するものである。
請求項２として、請求項１に記載のシリカ薄膜が、プラズマＣＶＤ装置内へ原料ガス以外に水蒸気を導入し、且つその導入流量を調整することにより製造されることを特徴とする。
【００１０】
請求項３として、本発明の透明積層フィルムは、プラスティックフィルムからなる基材上に透明な金属酸化物膜を有する構造であり、該金属酸化物膜は請求項１または２に記載のシリカ薄膜で膜厚が１０〜２００ｎｍであることを特徴とする。
請求項４として、本発明の透明積層フィルムは、プラスティックフィルムからなる基材上に屈折率が１．５〜１．８（波長λ＝５５０ｎｍ）、且つ膜厚が１０〜２００ｎｍである酸化シリコン層、屈折率が１．９〜２．４（波長λ＝５５０ｎｍ）、且つ膜厚が２０〜１５０ｎｍである金属酸化物層、請求項１または２に記載の膜厚が１０〜２００ｎｍであるシリカ薄膜の順に積層したことを特徴とする。
【００１１】
請求項５として、プラスティックフィルムからなる基材上において、屈折率が１．９〜２．４（波長λ＝５５０ｎｍ）、且つ膜厚が１０〜１５０ｎｍである金属酸化物層、請求項１または２に記載の膜厚が１０〜２００ｎｍであるシリカ薄膜の順に積層、或いは上記の金属酸化物層、シリカ薄膜、金属酸化物層、シリカ薄膜をこの順に積層したことを特徴とする。
請求項６として、請求項３〜５のいずれか一つに記載の透明積層フィルムにおいて、基材と、該基材上に設けた層、すなわち反射防止膜との間にハードコート層が形成されていることを特徴とする。
【００１２】
請求項７として、請求項３〜６のいずれか一つに記載の透明積層フィルムの反射防止膜の最表面に防汚層が形成されていることを特徴とする。
請求項８として、請求項３〜７のいずれか一つに記載の基材が一軸または二軸延伸ポリエステルフィルム、或いはトリアセチルセルロースフィルムであることを特徴とする。
請求項９として、請求項８に記載の基材が偏光板保護フィルムとして機能することを特徴とする。
請求項１０として、請求項３〜９のいずれか一つに記載の透明積層フィルムが反射防止機能を有することを特徴とする。
【００１３】
請求項１１として、請求項３〜１０のいずれか一つに記載の透明積層フィルムが液晶装置への組込が可能であることを特徴とする。
請求項１２として、本発明のシリカ薄膜の製造装置は、ガスを反応室内へ供給し、該ガスを放電させてプラズマ状態とし、前記反応室内に載置された基材上にシリカ薄膜を積層させるプラズマＣＶＤ装置において、有機珪素化合物の原料ガスの供給系以外に、水蒸気を導入する供給系を隣接し、且つその導入流量が可変となり得ることを特徴とする。
【００１４】
プラスティックフィルムからなる基材上に、シリカ薄膜を成膜する際に、プラズマＣＶＤ装置を用い、且つ有機珪素化合物の原料ガスの供給系以外に、水蒸気を導入する供給系を隣接し、且つその導入流量を調整するすることで、巻き取りの基材の全幅にわたって、均一性の高いシリカ薄膜を得ることが出来た。これは、原料と反応性の高い水蒸気を導入することで、プラズマ中の原料ガスの分解を促進し、膜質の均質化を行ったことに起因している。これにより、フィルムの分解、伸び、変形を生じることなく、シリカ薄膜を成膜することが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の透明積層フィルムは、プラスティックフィルムからなる基材上に透明な金属酸化物膜を有する構造であり、該金属酸化物膜が少なくも以下に示すシリカ薄膜である。
シリカ薄膜は含水酸基有機珪素化合物から成る酸化シリコン層の屈折率が１．４０〜１．４６（λ＝５５０ｎｍ）であり、その組成がＳｉＯｘＣｙ：Ｈ（ｘ＝１．６〜１．８，ｙ＝０．１〜０．３）、且つ２７００ｃｍ−１〜３６００ｃｍ−１の水酸基伸縮運動による赤外線吸収があり、３３００ｃｍ−１での吸光度が５．０〜８．０×１０−５（シリカ薄膜１ｎｍ当たり）となるものである。
【００１６】
以下、本発明の透明積層フィルムについて図面を参照して具体的に説明する。図３は、本発明の透明積層フィルムの一例を示すものである。この例に示される透明積層フィルムは、プラスティックフィルム基材２０としてポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用い、このＰＥＴフィルム基材２０上にハードコート層２４、中屈折率層２３、高屈折率層２２、低屈折率層２１を順次積層されてなるものである。
低屈折率層２１の形成位置は、特に限定されるものでなく、高屈折率層２２の上層に形成されていても下層に形成されていてもよいが、最外層に上記に規定したシリカ薄膜の低屈折率層２１が形成されるような層構成とすることが好ましい。シリカ薄膜２１は高屈折率層２２と比べ屈折率が低く、反射率も小さいことから、反射防止フィルムの最外層として用いた場合に、反射防止効果が大きいからである。また、シリカ薄膜は、比較的その表面エネルギーが小さいため防汚性、撥水性を備えている。従って、反射防止フィルムに防汚性、撥水性をも付与することができるからである。
【００１７】
本発明の透明積層フィルムにおいては、基材上に高屈折率層、低屈折率層を順次積層した２層からなる反射防止膜を設けたり、上記の図３に示す例のように、中屈折率層２３、高屈折率層２２、低屈折率層２１の積層で、各々１層ずつ形成された、３層からなる反射防止膜のものであってもよいが、例えば、図４に示すような高屈折率層２２と低屈折率層２１のシリカ薄膜とが各々２層ずつ、つまり基材２０／高屈折率層２２／低屈折率層２１／高屈折率層２２／低屈折率層２１の構成のように、プラスティックフィルム基材２０上に複数層ずつ形成されたものであってもよい。このような構成とすることにより、反射防止効果が向上するからである。
【００１８】
本発明における反射防止膜は、プラスティックフィルム上の基材上に、真空成膜法により少なくとも２層以上の構成で形成される。この２層以上の反射防止膜は、各層の光学特性がそれぞれ異なるもので、各層の光学特性（特に屈折率）や層構成により、積層体全体として効果的に反射を防止するように構成されている。通常、反射防止膜の積層体を構成する層は、その屈折率により、低屈折率層、中屈折率層、高屈折率層に大別される。
【００１９】
上記の低屈折率層、中屈折率層、高屈折率層は、反射防止膜を構成する薄膜において、その屈折率を相対的に比べた場合の違いから区別して名づけたものである。本発明では、低屈折率層は、比較的屈折率が低い層であり、１．５未満で好ましくは１．４０〜１．４６の屈折率を有する。また、高屈折率層は比較的が高い層で、１．８０以上で好ましくは１．９〜２．４の屈折率をもつ。中屈折率層は、低屈折率層と高屈折率層の中間の屈折率を有するもので、１．５以上１．９未満で好ましくは１．５〜１．８の屈折率を有するものである。但し、本発明で規定する屈折率は、断りのない限り、試料温度を２５℃として、波長λ＝５５０ｎｍにおけるＪＩＳ　Ｋ　７１０５に基づいて測定したものである。
【００２０】
また、本発明においては、上記図３及び図４の例に示すようにプラスティックフィルム基材２０上にハードコート層２４を設けてもよい。このようにハードコート層２４を設けることにより、反射防止膜の機械的強度を増加することができるからである。このハードコート層の形成位置は、プラスティックフィルム基材上であって、例えば高屈折率層の下側の層として形成されることが好ましい。
更に、本発明の透明積層フィルムにおいては、例えば図３に示すように、必要に応じて中屈折率層２３を形成してもよい。この中屈折率層２３は、本発明のシリカ薄膜に低屈折率層２１の屈折率と高屈折率層２２の屈折率との中間の屈折率を有するものであり、このような中屈折率層２３を高屈折率層２２とプラスティックフィルム基材２０との間に設けることにより、さらに反射防止効果を向上させることができる。
【００２１】
次に、上記本発明の透明積層フィルムを構成する各層について説明する。
（プラスティックフィルム基材）
本発明の透明積層フィルムに使用することができるプラスティックフィルム基材２０は、可視光域で透明なプラスティックフィルムであれば特に限定されるものではない。例えば、トリアセチルセルロースフィルム、ジアセチルセルロースフィルム、アセテートブチレートセルロースフィルム、ポリエーテルサルホンフィルム、ポリアクリル系フィルム、ポリウレタン系フィルム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネイトフィルム、ポリスルホンフィルム、ポリエーテルフィルム、トリメチルペンテンフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、アクリロニトリルフィルム、メタクリロニトリルフィルム等が挙げられる。さらには、無色透明のフィルムがより好ましく使用できる。中でも、一軸または二軸延伸ポリエステルフィルムが透明性、耐熱性に優れ、好適に用いられ、光学異方性のない点でトリアセチルセルロースも好適に用いられる。プラスティックフィルムの厚みは、通常は６μｍ〜１８８μｍ程度のものが好適に用いられる。
【００２２】
（低屈折率層）
本発明における低屈折率層２１は、プラスティックフィルム基材上に形成され、これにより透明積層フィルムの反射防止フィルムとしての反射防止効果を向上させるものである。低屈折率層の中でも、シリカ薄膜がプラズマＣＶＤ法により形成されたものが好ましく、特に好ましくは、プラスティックフィルム基材の温度が−１０〜１５０℃に制御されて、シリカが積層された反射防止フィルムが好ましい。また、原料ガス供給系に対して、別系統から水蒸気を導入することで、膜厚分布に優れたシリカ薄膜が得られ、反射防止フィルムとして好適である。また、低屈折率層としては屈折率が１．３〜１．５のものが好ましく、その範囲にあるものとしては、例えば前記シリカ薄膜以外にも、フッ化マグネシウムや酸フッ化ケイ素等を用いてもよい。光学特性に関し、低屈折率材料に求められる物性はフッ化マグネシウムや酸フッ化ケイ素の方が前記シリカ薄膜よりも優れている。
【００２３】
しかしながら、フッ化マグネシウム等は、機械強度や耐湿性等がシリカ薄膜に比べ劣るので、その用途によっては、強度向上層やバリア向上層を積層する等の手段との併用が好ましい。その点において、シリカ薄膜については、前記フッ化マグネシウム等のように、強度向上層等の併用手段等を特に必要とせず、総合的には最も好適である。
本発明においてシリカ薄膜を形成するための原料としては、シラン、ジシラン、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）、メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＯＳ）、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、テトラメトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラエトキシシラン等のＳｉ系化合物を用いることが可能である。特に、水蒸気との反応性が高い方が好ましい。
このような低屈折率層は、プラスティック基材上に、膜厚が１０〜２００ｎｍで設けることができる。
【００２４】
（高屈折率層）
本発明の透明積層フィルムでは、基材上に設ける透明積層膜（反射防止膜）の構成要素として高屈折率層２２を利用することができ、低屈折率層のシリカ薄膜と合わせて用いることにより、それぞれの屈折率の違いにより光の反射を効率よく防止することができる。この高屈折率層の透明積層膜中に占める位置は、特に限定するものではないが、低屈折率層と高屈折率層とは互いに接触している方が効率よく光の反射を防止することができ、低屈折率層の下に（低屈折率層よりも基材側に近い位置に）設けることが好ましい。
【００２５】
高屈折率層として用いることが可能な薄膜としては、可視光域で透明性を有し、その屈折率を１．９〜２．４程度（波長λ＝５５０ｎｍ）、且つ膜厚が２０〜１５０ｎｍである薄膜であれば特に限定されるものではない。
高屈折率層としては、具体的には、酸化チタン、ＩＴＯ（インジウム／スズ酸化物）層、Ｙ２Ｏ３層、Ｉｎ２Ｏ３層、Ｓｉ３Ｎ４層、ＳｎＯ２層、ＺｒＯ２層、ＨｆＯ２層、Ｓｂ２Ｏ３層、Ｔａ２Ｏ５層、ＺｎＯ層、ＷＯ３層等の金属酸化物層を挙げることができ、この中でも特に酸化チタン又は高抵抗を示すＩＴＯ層を用いることが好ましい。
高屈折率層の形成方法は、プラズマＣＶＤ法、蒸着法、もしくはスパッタリング法等により形成でき、高屈折率層の膜厚は２０〜１５０ｎｍである。その膜厚が少なすぎると、屈折率の異なる層と積層させて反射防止効果がほとんど期待できなくなり、また膜厚が多すぎると、層の圧力により基材変形や層剥がれの発生する場合があり好ましくない。
【００２６】
高屈折率層として、プラズマＣＶＤ法により酸化チタン膜を形成する場合、その屈折率は上記における１．９〜２．４（波長λ＝５５０ｎｍ）の範囲の中でも、２．０〜２．４（λ＝５５０ｎｍ）が好ましく、２．０〜２．３（λ＝５５０ｎｍ）が最も好ましい。反射防止フィルムとして透明積層フィルムを形成する際においては、酸化チタン膜の屈折率は他の透明積層膜との関係で相対的に決定することが好ましく、積層膜全体としてのバランスにより反射防止効果を奏するものであるが、一般的な積層構造とした場合における酸化チタン膜の屈折率は上記のような範囲であることが好ましい。
また、本発明ではプラズマＣＶＤ法による酸化チタン層に限定されず、スパッタリング法、イオンプレーティング法を用いても、屈折率が１．９〜２．４（波長λ＝５５０ｎｍ）、且つ膜厚が２０〜１５０ｎｍである高屈折率層としての特徴が発揮できる場合、例えば、スパッタリング法によるＩＴＯ層を用いれば、屈折率が１．９〜２．１（波長λ＝５５０ｎｍ）の薄膜が得られ、本発明の高屈折率層に使用が可能となる。
【００２７】
また、連続的に製造可能、且つプラスティックフィルム基材の温度制御も正確に行うことができる点等の理由から、少なくとも原料ガスが導入される反応室と、温度コントロール可能な成膜用ドラムと、上記成膜用ドラムとの間にプラズマを発生させるプラズマ発生手段を有し、上記成膜用ドラムによりウェッブ状のプラスティックフィルム基材が連続的に原料ガスが導入された反応室内に搬送されることにより、上記プラスティックフィルム基材の温度制御が行なわれると同時に上記プラスティックフィルム基材上に膜が形成されるプラズマＣＶＤ装置及びガス供給系、具体的には図１に示すような装置により形成される酸化チタン膜等の高屈折率層を有する透明積層フィルムであることが好ましい。
【００２８】
（中屈折率層）
本発明における透明積層フィルムで使用される中屈折率層２３は、反射防止機能を高めるために用いられる層であるが、ハードコート層と同様に必ずしも必要なものではない。このような中屈折率層は、可視光域で透明であり、かつ屈折率が波長λ＝５５０ｎｍで１．５〜１．８程度の範囲内となる物質で形成された層であれば特に限定されるものではない。具体的な中屈折率層を形成するための物質としては、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮ、ＳｉＯＮや、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２、ＺｎＯ２の微粒子を有機ケイ素化合物等に分散したもの等が好適に用いられる。また、中屈折率層は必ずしも一層である必要もなく、複数の異なった層を積層して全体として上記の屈折率となるような層構成とすることにより、当該積層膜を中屈折率層とすることも可能である。
【００２９】
中屈折率層の形成方法は、プラズマＣＶＤ法、蒸着法、もしくはスパッタリング法等により形成することができ、中屈折率層の膜厚は１０〜２００ｎｍの範囲が好ましい。その膜厚が少なすぎると、屈折率の異なる層と積層させて反射防止効果がほとんど期待できなくなり、また膜厚が多すぎると、層の圧力により基材変形や層剥がれの発生する場合があり好ましくない。
【００３０】
（ハードコート層）
本発明に用いられるハードコート層２４は、本発明の透明積層フィルムに強度を持たせることを目的として形成される層である。従って、透明積層フィルムの用途によっては、必ずしも必要なものではない。
このようなハードコート層を形成するための材料としては、同様に可視光域で透明な材料であり反射防止フィルムに強度をもたせることができるものであれば特に限定されるものではなく、例えばＵＶ硬化型アクリル系ハードコートや熱硬化型シリコーン系コーティング等を用いることができる。
本発明に用いられるハードコート層の肉厚は、通常１〜３０μｍの範囲内である。また、このようなハードコート層の製造方法は、通常のコーティング方法を用いることも可能であり特に限定されるものではない。
【００３１】
（防汚層）
本発明の透明積層フィルムには、最上層に、反射防止フィルムの上面の汚染を防止するための防汚層を設けてよい。防汚層は、ディスプレイパネルの前面に配置した反射防止フィルムにごみや汚れが付着するのを防止し、あるいは付着しても除去しやすくするために形成される。具体的には、反射防止機能を低下させない範囲で、フッ素系界面活性剤等の界面活性剤、フッ素系樹脂を含む塗料、シリコーンオイル等の剥離剤、もしくはワックス等をごく薄く塗布し、余剰分を拭い除去しておく。防汚層は、恒久的な層として形成してもよいが、必要の都度、塗布して形成してもよい。防汚層の厚みは、１〜１０ｎｍ程度が好ましい。
その形成方法は、通常のコーティング方法を用いることが可能であり、特に限定されるものではない。
【００３２】
本発明の透明積層フィルムは、その構成する基材が偏光板保護フィルムとして機能することができる。例えば、図５に示すように、本発明の基材フィルム２０（トリアセチルセルロースフィルム、略してＴＡＣフィルム）／中屈折率層２３／高屈折率層２２／低屈折率層２１から構成しているような透明積層フィルム２５を、偏光素子２６と基材フィルム２０が接するように、偏光素子２６上にラミネートし、また一方で、偏光素子２６の他面に基材フィルム２０（トリアセチルセルロースフィルム）をラミネートして、偏光板として利用することができる。尚、上記のラミネートには接着剤層を用いることが望ましい。また、中屈折率層は光学的に等価となる高屈折率層／低屈折率層の組合せを用いても良い。
【００３３】
また、本発明の透明積層フィルムは、液晶装置への組込を行なって使用することができる。図６に本発明の反射防止フィルムが使用された液晶表示装置の一例を示す。液晶表示素子２７上に、図５に示した偏光板、即ち、ＴＡＣフィルム２０／偏光素子２６／反射防止フィルム２５からなる層構成の偏光板がラミネートされており、また液晶表示素子２７の他方の面には、ＴＡＣフィルム２０／偏光素子２６／ＴＡＣフィルム２０からなる層構成の偏光板がラミネートされている。
【００３４】
図６の液晶表示装置において、最下面のＴＡＣフィルム２０側にさらに高屈折率層が、さらにその高屈折率層の外側に低屈折率層が形成されていてもよい。図６に示した液晶表示装置において、バックライトは図６の下側から照射される。なお、ＳＴＮ型の液晶表示装置には、液晶表示素子と偏光板との間に、位相差板が挿入される。この液晶表示装置の各層間には必要に応じて接着剤層が設けられる。
【００３５】
（シリカ薄膜の製造装置）
本発明における低屈折率層であるシリカ薄膜は、プラズマＣＶＤ装置を用いて製造される。そのプラズマＣＶＤ装置としては、プラスティックフィルム基材の温度制御が可能なものであれば特に限定されるものでなく、電源周波数やプラズマ生成方式においても特に制限はない。このようなプラズマＣＶＤ装置を用いてプラスティックフィルム基材上にシリカ薄膜を形成する製造装置について、図１を用いて説明する。
【００３６】
まず、ウェッブ状のプラスティックフィルム基材１が基材巻き出し部２より巻き出されて、真空容器３中のプラズマＣＶＤの反応室４に導入される。この反応容器３の全体は、真空ポンプ５により排気される。また、同時に反応室４には、原料ガス導入口６より規定流量の有機珪素化合物ガスと酸素ガスが供給され、また水蒸気を導入する供給系６’が隣接されて、反応室４の内部は、常に一定圧力のこれらのガスで満たされている。
但し、反応室４には有機珪素化合物の原料ガスの他に、水蒸気を導入することが本発明の特徴であり、またその水蒸気の反応室への導入流量を調整することにより、形成されるシリカ薄膜１２の屈折率、膜厚等を広範囲に制御することが可能である。
また、プラズマＣＶＤ装置においては、上記の水蒸気流量だけでなく、材料ガス流量・圧力、放電条件、プラスティックフィルム基材１の送りスピートのコントロールにより、形成されるシリカ薄膜１２の屈折率、膜厚等を広範囲でコントロールしうるため、材料を変更することなく、所望の光学特性の膜を得ることができる。
【００３７】
次に、基材巻き出し部２より巻き出され、反応室４に導入されたプラスティックフィルム１は、反転ロール７を経て、成膜用ドラム８に巻き付き、成膜用ドラム８の回転と同期しながら反転ロール７’の方向に送られていく。この時、成膜用ドラム８は、温度コントロールが可能であり、この時、プラスティックフィルム１の表面温度と成膜用ドラム８の表面温度はほぼ等しい。従って、プラズマＣＶＤ時に酸化チタンが堆積するプラスティックフィルム１の表面温度、すなわちプラズマＣＶＤの成膜温度を任意にコントロールできる。この例においては、プラズマＣＶＤによりシリカ薄膜１２をプラスティックフィルム基材１上に成膜する場合の成膜温度を、その時の成膜用ドラム８の表面温度により表示する。
【００３８】
電極９と成膜用ドラム８との間には、電源１０によりＲＦ電圧が印加される。このとき、電源の周波数は、ラジオ波に限らず、直流からマイクロ波まで適当な周波数を使用することも可能である。そして、電極９と成膜用ドラム８の間にＲＦ電圧を印加することにより、この両電極の周辺にプラズマ１１が発生する。そして、このプラズマ１１中で有機珪素化合物ガスと酸素ガスが反応し、かつその原料ガスの他に水蒸気を導入し、その導入流量を調整して、プラズマ中の原料ガスの分解を促進し、シリカを生成して成膜用ドラム８に巻き付いたプラスティックフィルム基材１上に堆積して、巻取り基材の全幅にわたって、均一性の高いシリカ薄膜１２が形成される。その後、シリカ薄膜１２が表面に形成されたプラスティックフィルム基材１は、反転ロール７’を経て、基材巻き取り部２’で巻き取られる。
【００３９】
上記のように、本発明においては、プラズマ１１により有機珪素化合物ガスと酸素ガス及び水蒸気が化学反応して生成したシリカが、成膜用ドラム８により適切な温度に冷却されたプラスティックフィルム基材１上に堆積して、シリカ薄膜を形成するので、プラスティックフィルム基材１が高温にさらされ、伸び、変形、カール等することなく、シリカ薄膜１２の形成が可能である。
【００４０】
上記のように製造されるシリカ薄膜は、水酸基を含有した有機珪素化合物から成る酸化シリコン層であり、その屈折率が１．４０〜１．４６（λ＝５５０ｎｍ）であり、その組成がＳｉＯｘＣｙ：Ｈ（ｘ＝１．６〜１．８，ｙ＝０．１〜０．３）であり、且つ２７００ｃｍ−１〜３６００ｃｍ−１の水酸基伸縮運動による赤外線吸収があり、３３００ｃｍ−１での吸光度が５．０〜８．０×１０−５（シリカ薄膜１ｎｍ当たり）となるものである。
【００４１】
また、シリカ薄膜を含む反射防止膜の作製には、図２に示すようなプラズマＣＶＤ装置を用いることも可能である。当該プラズマＣＶＤ装置は容量結合型のプラズマＣＶＤ装置であり、その基本的構造及び原理は図１の装置と同様である。従って、当該装置においてもウェッブ状のプラスティックフィルム基材１は基材巻き出し部２より巻き出されて、真空容器３中の反応室（ａ，ｂ，ｃ）に導入される。そして、当該反応室内の成膜用ドラム８上で所定の膜が形成され、基材巻き取り部２’により巻き取られる。
【００４２】
図２に示す装置と図１に示す装置との差は、図１に示す装置においては、フィルム上にシリカ薄膜等の薄膜を形成するための反応室は一つしか設置されていないが、図２に示すプラズマＣＶＤ装置は、複数（３つ）の反応室を有している点にある。夫々の反応室（ａ，ｂ，ｃ）は隔離壁１３で隔離されることで形成されている。ここで、以下の説明の便宜上、当該３つの反応室を右側から反応室ａ、反応室ｂ、反応室ｃとする。そして、各反応室には、夫々電極版ａ１、ｂ１、ｃ１及び原料ガス導入口ａ２、ｂ２、ｃ２が設置されている。
【００４３】
各反応室（ａ，ｂ，ｃ）は、成膜用ドラム８の外周に沿って設置されている。これは、積層膜が形成されるプラスティックフィルムは、図１に示す例で説明したように成膜用ドラム８と同期しながら反応室内に挿入され、かつ成膜用ドラム上において積層膜を形成するものであることから、このように配置することにより連続して各膜を積層することができるからである。なお、図２に示す装置では反応室の数を３室としたが、本発明の積層フィルムの製造方法に用いるプラズマＣＶＤ装置としては、これに限定されるものではなく、必要に応じて変更することができる。
【００４４】
上述したようなプラズマＣＶＤ装置によれば、各反応室へ導入する原料ガスを変化させることにより、夫々の反応室内で独立して膜を形成することが可能であることから、例えば、シリカ薄膜と酸化チタン膜との積層膜をプラスティックフィルム基材上に形成する場合は、例えば反応室ａに有機珪素化合物を含むガスを導入し、反応室ｂに有機チタン化合物を含むガスを導入し、反応室ｃには有機珪素化合物を含む原料ガスをｃ２から導入し、かつ水蒸気をｃ２’の供給系から導入することにより、プラスティックフィルム基材１が成膜用ドラム８を経て、基材巻き取り部２’へ巻き取られるまでに当該プラスティックフィルム１上に、酸化シリコン層の中屈折率層、酸化チタン層の高屈折率層、本発明のシリカ薄膜である低屈折率層が順次形成された透明積層フィルムを形成することが可能となる。
【００４５】
さらに、上記の場合において、各々の反応室内の条件、例えばガスの流量や圧力、放電条件等を変化させることにより、各反応室で形成される薄膜の特性を変化させることも可能である。当該装置により得られる各層の膜の厚さや屈折率等を自在に組み合わせることも可能となる。
また、必ずしも夫々の反応室に異なる原料ガスを導入する必要もなく、例えば図２に示す反応室ａ，ｂ，ｃ全てに有機チタン化合物を含むガスを導入することで酸化チタン膜を形成し、その後に一旦反応室ａ，ｂ，ｃに導入されたガスを全て抜き、改めて有機珪素化合物を含むガスを反応室ａ，ｂ，ｃに導入して、酸化チタン膜の上にシリカ薄膜を形成することも可能である。
【００４６】
本発明においては、上述した図１に示すような装置で複数回プラスティックフィルム基材を処理することにより、プラスティックフィルム基材上に酸化チタン膜等の高屈折率層とシリカ薄膜の低屈折率層とが形成された積層フィルムを形成するようにしてもよいし、上述したように図２に示す装置を用いて、プラズマＣＶＤ装置を一回使用して、プラスティックフィルム基材を処理することにより、プラスティックフィルム基材上にシリカ薄膜の中屈折率層、酸化チタン膜等の高屈折率層、シリカ薄膜の低屈折率層が形成された積層フィルムを形成するようにしてもよい。
また、図２に示す装置を用いて複数回プラスティックフィルムを処理することにより、酸化チタン膜等の高屈折率層とシリカ薄膜の低屈折率層とが交互に複数層積層された積層フィルムを得ることも可能である。
【００４７】
また、このプラズマＣＶＤ製造装置は、原料供給系以外にも、水蒸気供給系を併設し、膜厚分布改善の為に、幅方向に３箇所ほど水蒸気供給系を設置した。（図示はしていない。）これにより、水蒸気との反応性が高い有機珪素化合物の膜厚管理の精度、特にプラスティックフィルム基材の幅方向の膜厚の均一性を向上させることが可能となる。
更に、透明積層フィルムの作製において、幅方向での均一性向上の為、膜厚モニター及び検査装置を設置することが好ましい。その手法は限定されるものではないが、例えば、蛍光Ｘ線を用いた物理的膜厚測定や光学系を用いた透過光及び反射光から光学的膜厚測定などが上げられる。
また、透明積層フィルムの製造作製において、検査手法に関しても特に限定されず、ＣＣＤを用いた点欠陥測定などを行うことが可能である。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４８】
【実施例】
本発明を実施例により更に詳細に説明する。
（実施例１）
図１のプラズマＣＶＤ装置を使用して、基材のプラスティックフィルムである厚さ７５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上にシリカ膜を形成した。また、連続成膜時の基材となるプラスティックフィルムの送り速度は、１ｍ／ｍｉｎである。その他の条件は、以下に記す。
【００４９】
＜成膜条件＞
印加電力　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１．０ｋＷ
ＴＭＯＳ流量　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１．０ｓｌｍ
酸素ガス流量　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３．０ｓｌｍ
水蒸気流量　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２７ｓｃｃｍ
成膜用ドラム表面温度（成膜温度）　　　　　　　　　　　　　　　　３０℃
【００５０】
前記ガス流量単位ｓｌｍは、ｓｔａｎｄａｒｄ　ｌｉｔｅｒ　ｐｅｒ　ｍｉｎｕｔｅ、またｓｃｃｍは、ｓｔａｎｄａｒｄ　ｃｕｂｉｃ　ｃｍ　ｐｅｒ　ｍｉｎｕｔｅのことである。
以上の条件でポリエチレンテレフタレートフィルム上に形成したシリカ薄膜の測定結果を以下に示す。
【００５１】
＜シリカ薄膜測定結果＞
膜厚（点Ａ／点Ｂ／点Ｃ）　　　　　　２００ｎｍ／２１０ｎｍ／２００ｎｍ
上記の膜厚の測定点Ａ、Ｂ、Ｃは図７を参照のこと。
屈折率（λ＝５５０ｎｍ）　　１．４６
吸光度（３３００ｃｍ−１）　　６．０×１０−５（シリカ薄膜１ｎｍ当たり）
シリカ薄膜の組成：ＳｉＯ１．７Ｃ０．２：Ｈ
【００５２】
＜シリカ薄膜測定に使用した装置＞
膜厚測定　エリプソメーター
型番　ＵＶＩＳＥＬＴＭ　メーカー　ＪＯＢＩＮ　ＹＶＯＮ
屈折率測定　エリプソメーター
型番　ＵＶＩＳＥＬＴＭ　メーカー　ＪＯＢＩＮ　ＹＶＯＮ
吸光度測定　ＦＴ−ＩＲ
型番　ＦＴ／ＩＲ−６１０　メーカー　ＪＡＳＣＯ
なお、上記の組成分析には光電子分光分析装置を用いた。
【００５３】
以上に示したシリカ薄膜の測定結果の如く、成膜温度３０℃において、屈折率１．４６のシリカ薄膜がポリエチレンテレフタレートフィルム基材の幅方向で均一な状態で形成できた。シリカ膜の成膜後の、ポリエチレンテレフタレートフィルムは、わずかな伸び、変形も無く良好な状態であった。
また、上記のシリカ薄膜の赤外分光スペクトルを測定すると、図８に示す結果が得られた。これにより、実施例１のシリカ薄膜は、２７００ｃｍ−１〜３６００ｃｍ−１に水酸基伸縮運動による赤外線吸収がある。また、赤外吸収域３３００ｃｍ−１での吸光度をシリカ薄膜１ｎｍ当たりで換算すると、６．０×１０−５であり、５．０〜８．０×１０−５の範囲内であった。
【００５４】
（比較例１）
図１の装置を使用して、基材のプラスティックフィルムである厚さ７５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上にシリカ膜を形成した。また、連続成膜時の基材となるプラスティックフィルムの送り速度は、１ｍ／ｍｉｎである。その他の条件は、以下に記す。
【００５５】
＜成膜条件＞
印加電力　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１．０ｋＷ
ＴＭＯＳ流量　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１．０ｓｌｍ
酸素ガス流量　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３．０ｓｌｍ
成膜用ドラム表面温度（成膜温度）　　　　　　　　　　　　　　　　３０℃
【００５６】
以上の条件でポリエチレンテレフタレートフィルム上に形成したシリカ薄膜の測定結果を以下に示す。
【００５７】
＜シリカ薄膜測定結果＞
膜厚（点Ａ／点Ｂ／点Ｃ）　　　　　　２２０ｎｍ／２３０ｎｍ／２００ｎｍ
上記の膜厚の測定点Ａ、Ｂ、Ｃは図７を参照のこと。
屈折率（λ＝５５０ｎｍ）　　１．４６
吸光度（３３００ｃｍ−１）　　３．０×１０−５（シリカ薄膜１ｎｍ当たり）
【００５８】
＜シリカ薄膜測定に使用した装置＞
膜厚測定　　　　エリプソメーター
型番　ＵＶＩＳＥＬＴＭ　メーカー　ＪＯＢＩＮ　ＹＶＯＮ
屈折率測定　エリプソメーター
型番　ＵＶＩＳＥＬＴＭ　メーカー　ＪＯＢＩＮ　ＹＶＯＮ
吸光度測定　　　　ＦＴ−ＩＲ
型番　ＦＴ／ＩＲ−６１０　メーカー　ＪＡＳＣＯ
【００５９】
以上に示したシリカ薄膜の作製結果の如く、成膜温度３０℃において、屈折率１．４６のシリカ膜がポリエチレンテレフタレートフィルム上に形成できた。しかし、シリカ薄膜がポリエチレンテレフタレートフィルム基材の幅方向で均一な状態で形成できず、反射防止フィルムを作製するに当り、高精度の膜厚分布を得ることが出来なかった。
【００６０】
（実施例２）
図３に示すようにプラスティックフィルム基材２０上にハードコート層２４、中屈折率層２３、高屈折率層２２、低屈折率層２１を形成し、反射防止フィルムを作成した。各層の形成条件を以下に記す。
【００６１】
＜プラスティックフィルム（２０）＞
トリアセチルセルロース　厚さ８０μｍ
【００６２】
＜ハードコート層（２４）＞
紫外線硬化型樹脂　ＰＥＴ−Ｄ３１（大日精化工業（株））
塗工により形成
紫外線硬化条件　４８０ｍＪ
厚さ　６μｍ（乾燥時）
【００６３】
＜中屈折率層（２３）＞
炭素含有酸化シリコン層をプラズマＣＶＤ法により形成。
【００６４】
＜高屈折率層（２２）＞
酸化シリコン層をプラズマＣＶＤ法で形成。
【００６５】
＜低屈折率層（２１）＞
実施例１と同様の条件で形成。
【００６６】
上記条件で形成した透明積層フィルムは、プラスティックフィルムのわずかな伸び、変形も無く、良好な状態であった。上記条件で作成した透明積層フィルムの反射分光特性を図９に示す。図９より、人間が感知し易い５５０ｎｍ近傍での反射率が低く、反射防止効果が良好であった。このときの視感度反射率は、０．３％と反射防止フィルムとして十分な値を示した。幅方向における膜厚分布も良好であった。
【００６７】
分光反射率は、以下の装置で測定した。
分光反射率測定　　分光光度計
型番　ＵＶ−３１００ＰＣ　メーカー　島津製作所
【００６８】
なお、上記の実施例及び比較例において形成された積層膜の膜厚は、各層の光学特性を考慮して視感度反射率が最小になるように設定した。例えば、実施例２に示す高屈折率層や低屈折率層においては、図１に示す装置を用いて各層を形成する際にフィルム送り速度等の調整により所望の膜厚を得ている。
【００６９】
【発明の効果】
プラスティックフィルム基材上にシリカ膜を成膜する際に、プラズマＣＶＤ装置を用い、且つ反応系に水蒸気を原料ガスとは別系統で導入することで、基材の巻き取りの全幅にわたって、均一性の高いシリカ薄膜を得ることが出来た。これは、原料ガスと反応性の高い水蒸気を導入することで、プラズマ中の原料ガスの分解を促進し、膜質の均質化を行ったことに起因している。これにより、フィルム基材の分解、伸び、変形を生じることなく、シリカ膜を成膜することが可能となる。
但し、シリカ薄膜は、その屈折率が１．４０〜１．４６（λ＝５５０ｎｍ）であり、その組成がＳｉＯｘＣｙ：Ｈ（ｘ＝１．６〜１．８，ｙ＝０．１〜０．３）、且つ２７００ｃｍ−１〜３６００ｃｍ−１の水酸基伸縮運動による赤外線吸収があり、３３００ｃｍ−１での吸光度が５．０〜８．０×１０−５（シリカ薄膜１ｎｍ当たり）となるものである。
【００７０】
従来の反射防止技術では、プラズマＣＶＤ装置により、フィルム基材の全幅にわたって、均一性の高い薄膜を安定して得ることは難しかったが、本発明のシリカ薄膜を適用することにより、プラズマＣＶＤ装置により、製造時のフィルム基材の全幅にわたって、均一性の高いシリカ薄膜を安定して得ることができ、反射防止フィルムとして、基材フィルムの全幅にわたって、視感反射率が０．３程度の反射率が安定して低いものを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のシリカ薄膜の製造装置の一例を示すプラズマＣＶＤ装置の概略構成図である。
【図２】本発明のシリカ薄膜の製造装置の他例を示すプラズマＣＶＤ装置の概略構成図である。
【図３】本発明の透明積層フィルムの一例を示す概略断面図である。
【図４】本発明の透明積層フィルムの他例を示す概略断面図である。
【図５】本発明の透明積層フィルムがラミネートされた偏光板の一つの実施形態を示す概略図である。
【図６】本発明の透明積層フィルムがラミネートされた偏光板を使用した液晶表示装置の一つの実施形態を示す概略図である。
【図７】シリカ薄膜のフィルム基材の全幅に対する膜厚の測定位置を示す概略図である。
【図８】実施例１のシリカ薄膜の赤外分光スペクトルである。
【図９】実施例２の透明積層フィルムの反射分光特性を示すグラフである。
【符号の説明】
１　　　　　　　　　　プラスチックフィルム基材
２　　　　　　　　　　基材巻き出し部
２’　　　　　　　　　基材巻き取り部
３　　　　　　　　　　真空容器
４、ａ、ｂ、ｃ　　　　反応室
５　　　　　　　　　　真空ポンプ
６、ａ２、ｂ２、ｃ２　原料ガス導入口
６’、ｃ２’　　　　　水蒸気導入の供給系
７　　　　　　　　　　反転ロール
７’　　　　　　　　　反転ロール
８　　　　　　　　　　成膜用ドラム
９、ａ１、ｂ１、ｃ１　電極
１０　　　　　　　　　　電源
１１　　　　　　　　　　プラズマ
１２　　　　　　　　　　シリカ薄膜
１３　　　　　　　　　　隔離壁
２０　　　　　　　　　　基材
２１　　　　　　　　　　低屈折率層
２２　　　　　　　　　　高屈折率層
２３　　　　　　　　　　中屈折率層
２４　　　　　　　　　　ハードコート層
２５　　　　　　　　　　透明積層フィルム（反射防止フィルム）
２６　　　　　　　　　　偏光素子
２７　　　　　　　　　　液晶表示素子
【図１】
2004138762.tif 000003
【図２】
2004138762.tif 000004
【図３】
2004138762.tif 000005
【図４】
2004138762.tif 000006
【図５】
2004138762.tif 000007
【図６】
2004138762.tif 000008
【図７】
2004138762.tif 000009
【図８】
2004138762.tif 000010
【図９】
2004138762.tif 000011