(57)【要約】【課題】本発明の目的はフッ素化ポリイミドを用いたマッハツエンダー型光スイッチの消光比特性を改善する導波路型光デバイスを提供することである。【解決手段】マッハツエンダー型ポリイミド光スイッチを構成する光導波路およびそれを支持する基板がポリイミドからなり、光出力の偏光依存性がないことを特徴とする導波路型光デバイスである。またマッハツエンダー型光スイッチを構成する光導波路およびクラッド部がポリイミドからなるフィルム状に形成され、光出力の偏光依存性がないことを特徴とする導波路型光デバイスである。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マッハツエンダー型ポリイミド光スイッチを構成する光導波路およびそれを支持する基板がポリイミドからなり、光出力の偏光依存性がないことを特徴とする導波路型光デバイス。
【請求項２】
マッハツエンダー型光スイッチを構成する光導波路およびクラッド部がポリイミドからなるフィルム状に形成され、光出力の偏光依存性がないことを特徴とする導波路型光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信用途の高分子を用いた光スイッチ、光変調器などの光学部品及び、光集積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光通信システムの高度化、経済化に向けて、様々な光部品の研究開発が進められている。中でも、光導波路は高密度光配線、導波路型光デバイス実現への基本技術として注目されている。一般に、光導波路材料に対しては、導波路作製の容易性、屈折率の制御性、耐熱性、耐水耐湿性等が要求される。現在、光導波路材料としては石英が最もよく利用されており、石英製光導波路は波長１．３μｍで０．１ｄＢ／ｃｍ以下の低光損失を示す。しかしながら、製造プロセスが複雑、大面積化が困難などの問題点を有し、経済性、汎用性に優れる導波路型光デバイスを得にくい。一方、高分子光導波路はスピンコート法による成膜プロセスを利用できるため、石英系光導波路と比較して、作製プロセスが簡単で、大面積化も容易である。更に高分子材料は石英に比べて１０倍以上大きな熱光学（ＴＯ）効果（屈折率の温度依存性）を持つ場合が多く、ＴＯ効果を利用した導波路型光デバイスへの応用が特に有望である。
【０００３】
例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）は屈折率の温度依存性が、−１．０×１０−４／℃と石英の１×１０−５／℃以下と比べて１０倍以上大きいため、ＰＭＭＡ光導波路をマッハツエンダー型ＴＯスイッチへ応用した場合には、スイッチング電力は石英系光導波路に比べて１／１００程度に大きく低減されることが知られている［ヒダ（Ｈｉｄａ）ほか、ＩＥＥＥフォトニクス　テクノロジー　レターズ（ＩＥＥＥ　Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｌｅｔｔｅｒｓ）、第５巻、第７８２項（１９９３）］。しかしながら、ＰＭＭＡは熱変形温度が１００℃程度と低いため［井出文雄著、”オプトエレクトロニクスと高分子“、第２８項、共立出版（１９９５）］、動作時の加熱・冷却の繰り返しによってスイッチング特性が劣化する。このためＰＭＭＡはＴＯ効果を利用した導波路型光デバイス形成に適しているとはいえない。
【０００４】
また、ＰＭＭＡは吸水率が約２％と大きく、屈折率が環境湿度によって大きく変化する。例えば、光部品の最も基本的な要素である方向性結合器をＰＭＭＡを用いて形成した場合には、設置環境によって出射光の分岐比は大きく変化してしまう。このように、導波路型光デバイスとしては耐熱性、耐水耐湿性を回避できるようなデバイス設計及び高分子材料が必要である。
【０００５】
耐熱性の優れた高分子材料としてはポリイミドがよく知られており、半導体部品の層間絶縁膜、フレキシブル配線基板などに用いられている。しかしながら、通常のポリイミドは吸湿性が大きいだけでなく、光通信波長帯である近赤外域（１．３μｍ、１．５５μｍ）の光透過性に劣る。そこで、ポリイミドの耐熱性を保持しつつ光学応用可能な材料として、フッ素置換基を導入したフッ素化ポリイミドが提案されている。フッ素化ポリイミドは近赤外で透明であること（特開平３−７２５２８号）、耐水耐湿性に優れることが明らかにされている。更に、このフッ素化ポリイミドを共重合体として用い共重合比を制御することにより容易に屈折率を変えられること（特開平４−８７３４号）と、この屈折率制御を利用したフッ素化ポリイミド光導波路の形成法（特開平４−２３５５０５号、同４−２３５５０６号）も示されている。
【０００６】
しかし、このようなフッ素化ポリイミドについても、ＴＥモード、ＴＭモードにおいて偏光特性が異なり複屈折が生じるという問題点がある。このような問題はポリイミドの化学構造中の芳香族環が配向しやすいため起こると考えられており、フッ素化ポリイミドと同様の熱膨張係数を有するポリイミド基板を用いることにより解消すると言われている（特許文献１：特開平９−１５６０８号）。
【０００７】
また、そのようなポリイミド基板の作製法に対しても、特開２０００−１９８８４２号、特開２０００−１９８８４３号、特開２０００−１９８８４４号、特開２０００−１９１７８４号において記述されている。また、特許文献２（特開平９−２１９２０号）には偏波方向に対する光導波特性の相関が小さい、ポリイミド光導波路の記述もある。しかし、フッ素化ポリイミドを用いたマッハツエンダー型光スイッチのような導波路型光デバイスにおいて偏光依存性を改善するような改善方法、及び改善方法を有したＴＯスイッチのような導波路型光デバイス装置を可能にした作成例はない。
【０００８】
【特許文献１】特開平９−１５６０８号公報
【０００９】
【特許文献２】特開平９−２１９２０号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明の目的はフッ素化ポリイミドを用いたマッハツエンダー型光スイッチの消光比特性を改善する導波路型光デバイスを提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、導波路の偏光依存性に伴い、マッハツエンダー干渉計などを用いた光スイッチ等のＴＯスイッチを作製した場合、偏光によりスイッチ特性が変化し消費電力が変化することで、消光比が悪化するということを見出した。
【００１２】
さらに本発明者らは、鋭意検討した結果、マッハツエンダー型ＴＯ光スイッチ基板にポリイミド基板を用いることと、あるいは基板をなくしフィルム状態を考案することにより、前記課題を解決することを見出し本発明を完成させた。
【００１３】
すなわち本発明は、マッハツエンダー型ポリイミド光スイッチを構成する光導波路およびそれを支持する基板がポリイミドからなり、光出力の偏光依存性がないことを特徴とする導波路型光デバイスである。
【００１４】
また本発明は、マッハツエンダー型光スイッチを構成する光導波路およびクラッド部がポリイミドからなるフィルム状に形成され、光出力の偏光依存性がないことを特徴とする導波路型光デバイスである。
【００１５】
光出力の偏光依存性がないとは、加熱するための投入電力（スイッチング電力）に対するＴＭ波とＴＥ波の出力の変動周期の比：Ｔ（ＴＥ）／Ｔ（ＴＭ）が０．９５〜１．０の範囲にあることをいう。さらにはＴ（ＴＥ）／Ｔ（ＴＭ）が０．９９〜１．０の範囲にあることが好ましい。
【００１６】
以下、本発明を具体的に説明する。まず、ポリイミド基板を用いたマッハツエンダー型ＴＯ光スイッチ回路について説明する。本発明に適用できるポリイミド基板にはガラス転移温度が３００℃以上で、かつ熱膨張係数が６０ｐｐｍ以上のすべてのポリイミドが使用できる。例えば、以下に示すテトラカルボン酸またはその誘導体とジアミンから製造されるポリイミド、ポリイミド共重合体、ポリイミド混合物でガラス転移温度が３００℃以上で、かつ熱膨張係数が６０ｐｐｍ以上のすべてのポリイミドが挙げられる。
【００１７】
本発明の導波路型光デバイス回路のうち、方向性結合器、及びマッハツエンダー干渉計の一般的な作製工程を図３に示す。最初にポリイミド基板１上に下部クラッド層２を形成する。次に下部クラッド層２上へ下部クラッド層２よりも屈折率の大きなコア層３を形成する。次に、コア層３にフォトリソグラフィー法によって方向性結合器、ＭＭＩ（Ｍｕｌｔｉｍｏｄｅ　Ｉｎｔｅｒｆｅｒａｎｃｅ）またはマッハツエンダー干渉計のマスクパターン４を形成する。マスクパターン４を形成されたコア層３対して、ＲＩＥ法を用いてエッチングを行い方向性結合器のコアパターン５に上部クラッド層６を形成する。このような方法によってフッ素化ポリイミド導波路による方向性結合器（図４（ａ））、及びＭＭＩ（Ｍｕｌｔｉｍｏｄｅ　Ｉｎｔｅｒｆｅｒａｎｃｅ）（図４（ｂ））及びマッハツエンダー干渉計（図５）が形成される。すなわち、図４及び図５は、それぞれの模式図である。
【００１８】
方向性結合器は導波路型光デバイスを構成する要素の中で、最も重要、かつ基本的なものの１つである。単体では出射光を任意の比率で分岐させる光部品として用いられ、その分岐比は相互作用長を変えることにより制御できる。
【００１９】
また、マッハツエンダー干渉計は導波路型光デバイスを構成する基本光回路であり、位相シフタとの組み合わせにより種々の光部品として利用できる。上部クラッド層６上に、リフトオフ法により加熱用電極（熱光学位相シフタ）のパターン９を形成する。このような方法によってポリイミド基板を用いたフッ素化ポリイミド光導波路によるマッハツエンダー型ＴＯスイッチ（図１、模式図）が形成される。なお、本発明では、任意の基板材料を用いることができるが、熱伝導率の大きなＡｌ、Ａｌ合金、ステンレス、銅、等の基板材料を用いることによって導波路型光デバイスを容易に加熱できるようになる。また、抵抗体薄膜形成用の材料としては、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ、金、銀、銅、白金、酸化スズ、及びこれらの混合物が使用できる。またこれらの薄膜の積層体であってもよい。
【００２０】
次にフィルム状マッハツエンダー型光スイッチ回路について説明する。本発明の導波路型光デバイス回路は先ほど述べたポリイミド基板上への作製法をシリコンウエハ上で行ったのち、フッ酸に浸漬し、シリコン基板を剥離することによっても作成できるが、成形方法により作製が可能なため、方向性結合器、及びマッハツエンダー干渉計の作製工程を図２に示す。マッハツエンダー型ＴＯスイッチのマスクパターンを形成したシリコンウエハ１上のポリイミド金型１０の転写型にＳｉＯｘの膜１１を蒸着により積層したのち、下部クラッド層となる樹脂層１２を形成する。熱硬化後、フッ酸溶液１３に浸漬することでＳｉＯｘ膜１１をエッチングし、剥離することで下部クラッド層１２を形成した。この次にコア層１４をスピンコート後、熱硬化させることにより作製し、コア層１４上にスピンコートし、同様に加熱イミド化させ、上部クラッド層１５を形成した。上部クラッド層６上に、リフトオフ法により加熱用電極（熱光学位相シフタ）のパターン１８を形成する。このようにしてフィルム状マッハツエンダー型ポリイミド光スイッチ回路が作製できる。
【００２１】
なお、スイッチングのための加熱用抵抗体薄膜形成用の材料としては、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ、金、銀、銅、白金、酸化スズ、及びこれらの混合物が使用できる。またこれらの薄膜の積層体であってもよい。
【００２２】
【発明の実施の形態】
引き続いて、いくつかの実施例を用いて本発明を更に詳しく説明する。なお、分子構造の異なる種々のポリイミドを基板材料に用いても、例えば、以下に示すテトラカルボン酸またはその誘導体とジアミンから製造されるポリイミド、ポリイミド共重合体、ポリイミド混合物でガラス転移温度が３００℃以上で、かつ熱膨張係数が６０ｐｐｍ以上であればマッハツエンダー型ＴＯ光スイッチの偏光依存性が改善されることは明らかである。したがって、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【００２３】
（実施例１）
２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）と２，２−ビス（トリフルオロメチル）−４，　４’　−ジアミノビフェニル（ＴＦＤＢ）の１５ｗｔ％ポリアミド酸溶液をポリイミド基板上にスピンコートした後、オーブン中３８０℃で加熱イミド化を行い下部クラッド層となるポリイミド基板１を形成した。次にコア材料となる６ＦＤＡと４，　４’　−オキシジアニリン（ＯＤＡ）の１５ｗｔ％ポリアミド酸溶液を下部クラッド層６上にスピンコートし、同様に加熱イミド化させコア層７を形成した。コア層７上へフォトレジストをスピンコートした後、マッハツエンダー干渉型光回路のＣｒマスクパターンをフォトリソグラフ法によってレジストに転写させた。次にフォトレジストの現像を行うことにより、コア層７上にマッハツエンダー型ＴＯスイッチのマスクパターン８を形成した。マスクパターン８が形成されたコア層７に対して、ＲＩＥ法を用いてエッチングを行いマッハツエンダー干渉型光回路のコアパターン９を形成した。
【００２４】
次にマッハツエンダー干渉型光回路のコアパターン９上に、下部クラッド６と同じ（６ＦＤＡ／ＴＦＤＢ）：（６ＦＤＡ・４，４−ＯＤＡ）の１５ｗｔ％ポリアミド酸溶液をコア層７上にスピンコートし、同様に加熱イミド化させ、上部クラッド層１０を形成した。上部クラッド層１０にリフトオフ用レジスト１１を厚み約２．０μｍになるようにスピンコートし、９０℃で約３０分でプリベーク後、露光機により約１１０ｍＪ／ｃｍ２紫外光を照射し、現像することにより、上部クラッド層１０直上に線幅約４０μｍのネガ型状の加熱用電極（熱光学位相シフタ）のレジストマスクを形成する。次に酸素ガスプラズマによって、約１μｍエッチングを行い、表面の粗化及び凹型形状を形成する。
【００２５】
次に抵抗加熱真空蒸着機を用いて約０．１μｍ、クロム膜１２を表面に堆積する。つぎにリフトオフ用の溶媒を用いてレジストを除去し、加熱用電極以外のクロム膜を除去する。この際にレジストが除去しづらい場合には超音波洗浄機を用いる場合もある。このようにして線幅４０μｍの加熱用電極（熱光学位相シフタ）付きマッハツエンダー型ＴＯスイッチが得られた。
得られたポリイミド基板上のマッハツエンダー型ＴＯスイッチの偏光依存性について偏波面保持ファイバーを用いて測定した。結果を図８に示す。その結果ＴＥモート゛、ＴＭモート゛においてもスイッチ特性において周期の違いはほとんど見られず、偏光依存性は大幅に低減していることがわかる。
また、このマッハツエンダー型ＴＯスイッチについて消光比特性を評価した結果を図９に示す。測定は偏波面保持ファイハ゛ーを回転させ、様々な角度において図８に示したスイッチ特性の最大値、最小値から消光比を求めた。０°においてはＴＥモート゛時、９０°においてはＴＭモート゛時を表す。その他はそれらが混ざった状態である。その結果、どの偏波においても消光比は２０ｄＢ以上あることがわかり、消光比が改善していることがわかる。この時、電力に対する光出力の変動周期の比Ｔ（ＴＥ）／Ｔ（ＴＭ）は０．９８４であった。
【００２６】
（実施例２）
マッハツエンダー型ＴＯスイッチのマスクパターンを形成したポリイミド金型１０の転写型にＳｉＯｘ１１の膜を蒸着により積層したのち、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）と２，２−ビス（トリフルオロメチル）−４，　４’　−ジアミノビフェニル（ＴＦＤＢ）の１５ｗｔ％ポリアミド酸溶液を転写型上にスピンコートした後、オーブン中３８０℃で加熱イミド化を行い硬化させた。硬化後、フッ酸溶液１３に浸漬することでＳｉＯｘ膜をエッチングし、剥離することで下部クラッド層１２を形成した。
【００２７】
この次にコア材料となる６ＦＤＡと４，　４’　−オキシジアニリン（ＯＤＡ）の１５ｗｔ％ポリアミド酸溶液を下部クラッド層上にスピンコートし、同様に加熱イミド化させコア層１４を形成した。次に下部クラッド１２と同じ（６ＦＤＡ／ＴＦＤＢ）：（６ＦＤＡ・４，４−ＯＤＡ）の１５ｗｔ％ポリアミド酸溶液をコア層１４上にスピンコートし、同様に加熱イミド化させ、上部クラッド層１５を形成した。上部クラッド層１５にリフトオフ用レジスト１１を厚み約２．０μｍになるようにスピンコートし、９０℃で約３０分でプリベーク後、露光機により約１１０ｍＪ／ｃｍ２紫外光を照射し、現像することにより、上部クラッド層１５直上に線幅約４０μｍのネガ型状の加熱用電極（熱光学位相シフタ）のレジストマスク１６を形成する。次に酸素ガスプラズマによって、約１μｍエッチングを行い、表面の粗化及び凹型形状を形成する。次に抵抗加熱真空蒸着機を用いて約０．１μｍ、クロム膜１７を表面に堆積する。つぎにリフトオフ用の溶媒を用いてレジストを除去し、加熱用電極以外のクロム膜を除去する。この際にレジストが除去しづらい場合には超音波洗浄機を用いる場合もある。このようにして線幅４０μｍの加熱用電極（熱光学位相シフタ）付きマッハツエンダー型ＴＯスイッチ回路が得られた。
得られたフィルム状マッハツエンダー型ＴＯスイッチの非加熱時の偏光依存性について偏波面保持ファイバーを用いて測定した。なお測定の際フィルム状態では放熱等問題がでるため、放熱板としてペルチェ状にマッチングオイルを塗り、貼りつけることでスイッチ特性を評価した。結果を図６に示す。その結果ＴＥモート゛、ＴＭモート゛においてもスイッチ特性において周期の違いはほとんど見られず、偏光依存性は大幅に低減していることがわかる。また、このマッハツエンダー型ＴＯスイッチについて消光比特性を評価した結果を図７に示す。測定は偏波面保持ファイハ゛ーを回転させ、様々な角度において図８に示したスイッチ特性の最大値、最小値から消光比を求めた。その結果どの偏波においても１５ｄＢ以上あることがわかり、消光比が改善していることがわかる。この時、電力に対する光出力の変動周期の比Ｔ（ＴＥ）／Ｔ（ＴＭ）は０．９８０であった。
【００２８】
（比較例１）
２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）と２，２−ビス（トリフルオロメチル）−４，　４’　−ジアミノビフェニル（ＴＦＤＢ）の１５ｗｔ％ポリアミド酸溶液をシリコンウエハ上にスピンコートした後、オーブン中３８０℃で加熱イミド化を行い下部クラッド層２を形成した。なおシリコンウエハ上は前処理としてフッ酸処理を約３０秒した後、ＯＰＩカプラをスピンコートしたのち、加熱硬化させ、接着層として形成している。次にコア材料となる６ＦＤＡと４，　４’　−オキシジアニリン（ＯＤＡ）の１５ｗｔ％ポリアミド酸溶液を下部クラッド層６上にスピンコートし、同様に加熱イミド化させコア層３を形成した。コア層３上へフォトレジスト４をスピンコートした後、マッハツエンダー干渉型光回路のＣｒマスクパターンをフォトリソグラフ法によってレジストに転写させた。次にフォトレジストの現像を行うことにより、コア層３上にマッハツエンダー型ＴＯスイッチのマスクパターンを形成した。マスクパターン４が形成されたコア層３に対して、ＲＩＥ法を用いてエッチングを行いマッハツエンダー干渉型光回路のコアパターン５を形成した。
【００２９】
次にマッハツエンダー干渉型光回路のコアパターン５上に、下部クラッド２と同じ（６ＦＤＡ／ＴＦＤＢ）：（６ＦＤＡ・４，４−ＯＤＡ）の１５ｗｔ％ポリアミド酸溶液をコア層５上にスピンコートし、同様に加熱イミド化させ、上部クラッド層６を形成した。上部クラッド層６にリフトオフ用レジスト７を厚み約２．０μｍになるようにスピンコートし、９０℃で約３０分でプリベーク後、露光機により約１１０ｍＪ／ｃｍ２紫外光を照射し、現像することにより、上部クラッド層６直上に線幅約４０μｍのネガ型状の加熱用電極（熱光学位相シフタ）のレジストマスクを形成する。次に酸素ガスプラズマによって、約１μｍエッチングを行い、表面の粗化及び凹型形状を形成する。次に抵抗加熱真空蒸着機を用いて約０．１μｍ、クロム膜８を表面に堆積する。つぎにリフトオフ用の溶媒を用いてレジストを除去し、加熱用電極以外のクロム膜を除去する。この際にレジストが除去しづらい場合には超音波洗浄機を用いる場合もある。このようにして線幅４０μｍの加熱用電極（熱光学位相シフタ）付きマッハツエンダー型ＴＯスイッチが得られた。
【００３０】
得られたマッハツエンダー型ＴＯスイッチの加熱時の偏光依存性について偏波面保持ファイバーを用いて測定した。結果を図１０に示す。偏光をＴＥモードに合わせた際とＴＭモードに合わせた際では電力と光出力の関係に大きな違いが出る。偏光依存性は約９ｄＢ大きいことがわかった。また、図１１に示すようにこのマッハツエンダー型ＴＯスイッチについて消光比特性を評価した結果、偏光により消光比に差が現れ、ＴＥモードに合わせた際には約１５ｄＢの消光比が得られるが、ＴＥモード、ＴＭモードが混ざった状態では消光比が約６ｄＢと小さく、９ｄＢも変化することがわかり、偏光依存性が大きいことがわかった。この時、電力に対する光出力の変動周期の比Ｔ（ＴＥ）／Ｔ（ＴＭ）は０．６９であった。
【００３１】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明によって方向性結合器またはＭＭＩ（Ｍｕｌｔｉｍｏｄｅ　Ｉｎｔｅｒｆｅｒａｎｃｅ）を含む導波路型光デバイスにおいて、ポリイミド基板を用いることと、フィルム状態にすることで偏光依存性が解消し、以前と比べて高消光比を得ることができ、安定した導波路型光デバイスが作製できるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】フッ素化ポリイミドＴＯスイッチの模式図である。（ａ）方向性結合器を利用したもの（ｂ）　ＭＭＩ（Ｍｕｌｔｉｍｏｄｅ　Ｉｎｔｅｒｆｅｒａｎｃｅ）を利用したものである。
【図２】成形を用いたフッ素化ポリイミドによるＴＯスイッチの作製工程を示す図である。
【図３】フッ素化ポリイミドによるＴＯスイッチの作製工程を示す図である。
【図４】（ａ）方向性結合器（ｂ）　ＭＭＩ（Ｍｕｌｔｉｍｏｄｅ　Ｉｎｔｅｒｆｅｒａｎｃｅ）の模式図である。
【図５】（ａ）方向性結合器（ｂ）　ＭＭＩ（Ｍｕｌｔｉｍｏｄｅ　Ｉｎｔｅｒｆｅｒａｎｃｅ）を用いたマッハツエンダー干渉計の模式図である。
【図６】フィルム状に作製したマッハツエンダー型ＴＯ光スイッチにおけるＴＥモード、ＴＭモード時におけるスイッチ特性を示したグラフである。
【図７】フィルム状に作製したマッハツエンダー型ＴＯ光スイッチにおける偏光による消光比特性を示したグラフである。
【図８】ポリイミド基板上に作製したマッハツエンダー型ＴＯ光スイッチにおけるＴＥモード、ＴＭモード時におけるスイッチ特性を示したグラフである。
【図９】ポリイミド基板上に作製したマッハツエンダー型ＴＯ光スイッチにおける偏光による消光比特性を示したグラフである。
【図１０】シリコンウエハ基板上に作製したマッハツエンダー型ＴＯ光スイッチにおけるＴＥモード、ＴＭモード時におけるスイッチ特性を示したグラフである。
【図１１】シリコンウエハ基板上に作製したマッハツエンダー型ＴＯ光スイッチにおける偏光による消光比特性を示したグラフである。
【符号の説明】
１：ポリイミド基板、２：下部クラッド層、３：コア層、４：マスクパターン、
５：コアパターン、６：上部クラッド層、７：リフトオフ用レジスト、８：金属膜、
９：電極　、１０：ポリイミド金型、１１：ＳｉＯｘ膜、１２：下部クラッド層、
１３：フッ酸水溶液、１４：コア層、１５：上部クラッド層、１６：リフトオフ用レジスト、
１７：金属膜、１８：電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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