(57)【要約】【課題】従来の気密端子のめっき法は、気密端子同士が擦れ合い接触することで接触傷が発生し外観上好ましくなく、ベースとリードとに選択的にめっきの被膜を施すことが困難である。【解決手段】ベースとリードとに選択めっき被膜を施した気密端子であり、貫通孔を有するベースとリードとを封着ガラスを介して気密絶縁的に封着した気密端子全面にめっき被膜Ａを形成する工程と、ベースに選択めっき被膜Ｂを形成する工程と、リードに選択めっき被膜Ｃを形成する工程とを備える。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔を有するベースと、前記貫通孔に挿通したリードと、前記ベースと前記リードとを封着ガラスを介して気密絶縁的に封着された気密端子において、前記ベースと前記リードのいずれか一方または両方に選択めっき被膜が施されたことを特徴とする気密端子。
【請求項２】
前記ベース表面に施されるめっき被膜が少なくとも二つの組成からなることを特徴とする請求項１に記載の気密端子。
【請求項３】
前記リード表面に施されるめっき被膜が少なくとも二つの組成からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の気密端子。
【請求項４】
貫通孔を有するベースとリードとを封着ガラスを介して気密絶縁的に封着した気密端子にめっきを施す気密端子のめっき方法において、前記気密端子全面にめっき被膜Ａを形成する工程と、前記ベースに選択めっき被膜Ｂを形成する工程と、前記リードに選択めっき被膜Ｃを形成する工程とを備えたことを特徴とする気密端子のめっき方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は気密端子および気密端子のめっき方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の気密端子およびそのめっき方法としては、気密端子ごとにリードの下端部同士をその相互間隔を保ったまま導電材によって固着短絡してめっきした後、リードをその導電材の近傍から切断しているものがあった（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図３は、前記特許文献１に記載された従来の気密端子を示すものである。
【０００４】
図３において、鉄−ニッケル合金からなるベース１０１に貫通孔１０２が形成されている。貫通孔１０２には鉄−ニッケル−コバルト合金（以下、コバールと称す）からなるリード１０３が挿通され封着ガラス１０４で気密絶縁に封着され気密端子１０５を構成している。さらに気密端子１０５には錫−鉛合金、ニッケル、金などのめっき被膜１０６が形成されている。
【０００５】
図４（ａ）は、前記特許文献１に記載された従来の気密端子のリードの下端部同士を導電材で固着短絡した状態の気密端子を示す断面図であり、図４（ｂ）は、めっき方法を示す製造工程ブロック図である。図４（ａ）において、図３と同じ構成の説明は省略する。１０７は気密端子の各々のリード１０３を固着短絡する導電材である。
【０００６】
所定厚さの鉄−ニッケル合金の金属板を押し出しプレス後に打ち抜いたベース１０１と、気密端子１０５の所定の長さよりも長い適宜の長さに切断したリード１０３と、タブレット状に成形した封着ガラス１０４とを、カーボン製の封着治具（図示せず。）を用いて所定の位置関係に組み立てる（図４（ｂ）▲１▼）。
【０００７】
中性ないし弱還元性の雰囲気中で約９８０〜１０００℃に加熱して、封着ガラス１０４を溶融させて、リード１０３を気密絶縁に封着する（図４（ｂ）▲２▼）。
【０００８】
以上により気密端子１０５を形成している。
【０００９】
気密端子１０５のリード１０３の外方端にリード１０３の間隔を保持したままボール状または溶融状態の導電材１０７で固着短絡する（図４（ａ）、図４（ｂ）▲３▼）。
【００１０】
リード１０３の下端部が導電材１０７で固着短絡された多数の気密端子１０５をバレル（図示省略）に収容し、このバレルをめっき液に浸漬して回転させる、いわゆるバレルめっき法によって、ベース１０１およびリード１０３露出部分にめっき被膜１０６を形成している（図４（ｂ）▲４▼）。
【００１１】
リード端子１０３を所定の長さに切断するとともに、固定短絡している導電材１０７を切り離す（図４（ｂ）▲５▼）。
【００１２】
【特許文献１】
特開２００１−２６７１９０号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の構成では、ベース１０１およびリード１０３各々のめっき被膜１０６の膜厚をある程度抑えることができるが、バレルめっき法であるため、気密端子同士が擦れ合い接触することで接触傷が発生し外観上好ましくない。さらに、バレルめっき法では、ベース１０１とリード１０３とに選択的にめっきの被膜を施すことが困難であるため、不必要な部分にめっき被膜が施され、めっき主材料費が高くなり製造コストの上昇を招くという課題を有していた。
【００１４】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、気密端子同士が擦れ合うことで外観上発生する接触傷を防ぐと共に、ベース１０１とリード１０３とのめっき被膜１０６を各々の特性に応じためっき被膜１０６を施した気密端子と気密端子のめっき方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
前記従来の課題を解決するために、本発明の気密端子は、貫通孔を有するベースと、貫通孔に挿通したリードと、ベースとリードとを封着ガラスを介して気密絶縁的に封着された気密端子において、ベースとリードのいずれか一方または両方に選択めっき被膜を施したものであり、さらに、ベース表面に施されるめっき被膜が少なくとも二つの組成からなり、また、リード表面に施されるめっき被膜が少なくとも二つの組成からなるものである。
【００１６】
本発明の気密端子のめっき方法は、貫通孔を有するベースとリードとを封着ガラスを介して気密絶縁的に封着した気密端子全面にめっき被膜Ａを形成する工程と、ベースに選択めっき被膜Ｂを形成する工程と、リードに選択めっき被膜Ｃを形成する工程とを備えたものである。
【００１７】
本構成によって、ベースとリードとに選択的にめっきの被膜を施すことができ、且つ製造コストを抑えることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１９】
（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態における気密端子として半導体素子を搭載する気密端子の断面図である。
【００２０】
図１において、１はベース、２はベース１に設けられた貫通孔、３はリード、４は貫通孔２において、ベース１とリード３とを気密絶縁に封着する封着ガラス、５は前記構成からなる気密端子、６は気密端子５のベース１およびリード３に施されためっき被膜Ａ、７はベース１およびリード３の半導体素子が搭載される側に施されためっき被膜Ｂ、８はリード３の外部端子となる側に施されためっき被膜Ｃである。めっき被膜形成前の気密端子５は、例えば、ベース１およびリード３に鉄−ニッケル−コバルト合金（以下、コバールと称する）を用い、ベース１とリード３とを封着する封着ガラス４に硬質ガラスを用いた整合タイプ、ベース１に低炭素鋼を用い、リード３に鉄−ニッケル合金を用い、ベースとリードとを封着する封着ガラス４に軟質ガラスを用いた圧縮タイプなど従来からある構成同様であるので詳細な説明は省略する。
【００２１】
詳細な構成を下記に説明する。
【００２２】
気密端子５のベース１およびリード３にはめっき被膜Ａとして例えばニッケルめっきが施され、さらに半導体素子（図示せず。）が搭載されるインナー側にはめっき被膜Ｂとして金めっきが施され、インナーと相対するアウター側にめっき被膜Ｃとして金めっきが施されている。このとき、気密端子５の各構成箇所に必要な膜厚で機能めっきが施されており、要求されるめっき被膜を適切な箇所に施されており、材料コストを削減するものである。
【００２３】
次に、本発明の実施の形態における気密端子のめっき方法を説明する。図２は本発明の実施の形態における気密端子のめっき方法を示した工程の断面図であり、図２（ａ）はめっき被膜Ａのめっき方法、図２（ｂ）はめっき被膜Ｂのめっき方法、図２（ｃ）はめっき被膜Ｃのめっき方法を示した工程断面図である。
【００２４】
図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）において、９は気密端子５を固定する固定治具、１０ａ、１０ｂ、１０ｃはめっき液、１１ａ、１１ｂ、１１ｃはめっき被膜を施すためのめっき液１０ａ、１０ｂ、１０ｃを充満した処理槽、１２ａ、１２ｂ，１２ｃは処理槽１１ａ、１１ｂ、１１ｃの外囲に設けた管理槽、１３ａ、１３ｂ、１３ｃは処理槽１１ａ、１１ｂ、１１ｃへめっき液１０ａ、１０ｂ、１０ｃを供給する循環ポンプである。
【００２５】
また、めっき被膜施行前の気密端子５は、整合タイプおよび圧縮タイプなど従来から用いられている方法からなるため、詳細な説明は省略する。
【００２６】
詳細な構成を下記に説明する。
【００２７】
めっき被膜Ａとして例えばニッケルめっき被膜を施すため、めっき液１０ａを入れた処理槽１１ａに固定治具９を上下方向に移動しニッケルめっきを行い、気密端子５のベース１およびリード３にめっき被膜Ａを施す（図２（ａ））。このとき、固定治具９はカソード電極としての機能を有するとともに気密端子５を磁力や挟持などにより整列固定する手段を備えている。
【００２８】
次に、固定治具９に整列固定した気密端子５を上下方向に所定の距離を移動し、めっき被膜Ｂとして例えば金めっき被膜を施すため、液面制御機能を備えた処理槽１１ｂにめっき液１０ｂを入れ、ベース１およびリード３の選択した箇所のみ金めっき液に浸漬し、選択した箇所にめっき被膜Ｂを施す（図２（ｂ））。めっき被膜Ｂは、半導体素子や水晶片などの電子部品を適正に搭載するための機能めっきであり、搭載される電子部品に応じて、銀やロジウムなどのめっき被膜を形成すればよく、電子部品搭載に必要とされる高価な金、銀、ロジウムなどのめっき被膜を選択的に形成するものである。
【００２９】
次に、固定治具９に整列固定した気密端子５を上下方向に所定の距離を移動し、めっき被膜Ｃとして、例えば金めっき被膜を施すため、液面制御機能を備えた処理槽１１ｃにめっき液１０ｃを入れ、リード３の選択した箇所のみ金めっきに浸漬し、選択した箇所にめっき被膜Ｃを施す（図２（ｃ））。めっき被膜Ｃは、気密端子５と外部回路との導通を適正に接続するための機能めっきであり、金や錫−鉛合金などのめっき被膜を形成すればよく、導通接続に必要とされるめっき被膜を選択的に形成するものである。
【００３０】
かかる構成によれば、気密端子５に形成するめっき被膜を選択めっきとすることにより、気密端子５の各構成箇所に必要な膜厚で機能めっきを形成し、気密端子５として必要とされる電子部品（図示せず。）搭載や外部回路（図示せず。）への接続などの機能が要求されるめっき被膜を適切な箇所に形成することができ、且つめっき主材料コストを削減するものである。
【００３１】
なお、液面制御機能とは、めっき液を溢れさせながらめっき液の流入量で液面高さを可変し、管理槽から処理槽へ循環ポンプを介して循環させ、めっき液の処理槽への流量を検出する流量センサと、流量センサの出力値を指定流量になるように制御する流量制御部とを備えるなどした液面自体を制御する方法はもちろんのこと、気密端子５を整列固定した固定治具９の上下移動距離を制御することで気密端子５に対する液面を制御する方法を用いてもよい。
【００３２】
また、本実施の形態においてめっき被膜Ａは、気密端子５を一旦整列固定した後、めっき液１０ａに浸漬し、めっき被膜を形成したが、その方法に限るものではない。
【００３３】
以上、本発明による気密端子と気密端子のめっき方法について説明したが、本発明の思想に逸脱しない限り適宜変更可能である。
【００３４】
【発明の効果】
以上のように、本発明の気密端子および気密端子のめっき方法によれば、気密端子の電子部品搭載や外部回路への接続など、それぞれの必要機能に応じためっき被膜を形成した気密端子であり、気密端子として必要とされる機能を有しためっき被膜を適切な箇所に形成することができ、且つ材料コストを削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における気密端子の断面図
【図２】本発明の実施の形態における気密端子のめっき方法を示した工程の（ａ）はめっき被膜Ａのめっき方法を示した工程の断面図
（ｂ）はめっき被膜Ｂのめっき方法を示した工程の断面図
（ｃ）はめっき被膜Ｃのめっき方法を示した工程の断面図
【図３】従来の気密端子を示した断面図
【図４】（ａ）はリードを導電材で固着短絡した状態の気密端子を示す断面図
（ｂ）は従来の気密端子のめっき方法を示す製造工程ブロック図
【符号の説明】
１  ベース
２  貫通孔
３  リード
４  封着ガラス
５  気密端子
６  めっき被膜Ａ
７  めっき被膜Ｂ
８  めっき被膜Ｃ
９  固定治具
１０ａ  めっき液
１０ｂ  めっき液
１０ｃ  めっき液
１１ａ  処理槽
１１ｂ  処理槽
１１ｃ  処理槽
１２ａ  管理槽
１２ｂ  管理槽
１２ｃ  管理槽
１３ａ  循環ポンプ
１３ｂ  循環ポンプ
１３ｃ  循環ポンプ
１０１  ベース
１０２  貫通孔
１０３  リード
１０４  封着ガラス
１０５  気密端子
１０６  めっき被膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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