(57)【要約】【課題】絶縁基板から容易に剥離を行うことができる電気光学表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板１に形成されたＴＦＴ基板層をガラス基板から剥離する電気光学表示装置の製造方法において、ガラス基板の表面に第１のアモルファスシリコン薄膜２、ＳｉＯＮ膜３及び第２のアモルファスシリコン薄膜４を形成し、第２のアモルファスシリコン薄膜中の含有水素を加熱脱気した後に、エキシマレーザー等による再結晶化でポリシリコン薄膜形成し、周辺回路一体型ポリシリコンＴＦＴ基板層を形成する。その後、ガラス基板との境界領域近傍の第１のアモルファスシリコン薄膜内に水素イオン注入層を形成し、この水素イオン注入層を加熱して形成した歪み部から絶縁基板を分離する。【選択図】    図１
2004335968.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に形成された電気光学表示素子基板層を前記絶縁基板から剥離する電気光学表示装置の製造方法において、
絶縁基板の表面に第１の低級結晶性半導体薄膜を形成する工程と、
該第１の低級結晶性半導体薄膜の上層に絶縁膜を介して第２の低級結晶性半導体薄膜を形成する工程と、
少なくとも該第２の低級結晶性半導体薄膜中の含有水素を加熱脱気する工程と、
該第２の低級結晶性半導体薄膜を再結晶化して多結晶性半導体薄膜あるいは単結晶性半導体薄膜を形成する工程と、
前記多結晶性半導体薄膜あるいは単結晶性半導体薄膜に電気光学表示素子基板層を形成する工程と、
前記絶縁基板との境界領域近傍の前記第１の低級結晶性半導体薄膜内にイオン注入層を形成する工程と、
該イオン注入層を加熱して歪み部を形成する工程と、
該歪み部より絶縁基板を分離する工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２】
エキシマレーザーアニールによって前記第２の低級結晶性半導体薄膜を再結晶化して多結晶性半導体薄膜あるいは単結晶性半導体薄膜を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３】
フラッシュランプアニールによって前記第２の低級結晶性半導体薄膜を再結晶化して多結晶性半導体薄膜あるいは単結晶性半導体薄膜を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４】
光高調波変調レーザーアニールによって前記第２の低級結晶性半導体薄膜を再結晶化して多結晶性半導体薄膜あるいは単結晶性半導体薄膜を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５】
集光ランプアニールによって前記第２の低級結晶性半導体薄膜を再結晶化して多結晶性半導体薄膜あるいは単結晶性半導体薄膜を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６】
触媒ＣＶＤ法によるグラフォエピタキシャル成長によって単結晶性半導体薄膜を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７】
触媒ＣＶＤ法によるヘテロエピタキシャル成長によって単結晶性半導体薄膜を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記剥離は、前記絶縁基板裏面からのラピッドサーマルアニール、フラッシュランプアニール、または、レーザーあるいは紫外線照射によりイオン注入層に歪み部を発生させて剥離する
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６または請求項７に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記剥離は、前記イオン注入層の横方向からレーザー照射の局部加熱により歪み部を発生させて剥離する
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６または請求項７に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記剥離は、前記イオン注入層の横方向からレーザーウオータージェット照射の局部加熱により歪み部を発生させて剥離する
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６または請求項７に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記電気光学表示素子基板層表面に保護テープを貼り合わせ、前記絶縁基板を固定し、前記歪み部から引張り剥離することによって前記歪み部より前記絶縁基板を分離する
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８、請求項９または請求項１０に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記電気光学表示素子基板層表面に保護テープを貼り合わせ、前記歪み部から高圧流体ジェット噴射で剥離することによって前記歪み部より前記絶縁基板を分離する
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８、請求項９または請求項１０に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記電気光学表示素子基板表面に保護テープを貼り合わせ、前記歪み部からレーザーウオータージェットで剥離することによって前記歪み部より前記絶縁基板を分離する
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８、請求項９または請求項１０に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記保護テープは、紫外線が照射されることによって接着力が低下する
ことを特徴とする請求項１１、請求項１２または請求項１３に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記保護テープは、帯電防止機能を有する基材あるいは粘着剤である
ことを特徴とする請求項１１、請求項１２、請求項１３または請求項１４に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記電気光学表示素子基板層の絶縁膜下の第１の低級結晶性半導体薄膜を除去した後に、透明樹脂支持基板に貼り合わせる工程を備える
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１１、請求項１２、請求項１３、請求項１４または請求項１５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記透明樹脂支持基板は、その表面に透明導電性薄膜が形成されたことを特徴とする請求項１６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１の低級結晶性半導体薄膜を残存させた状態で樹脂支持基板に貼り合わせる工程を備える
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１１、請求項１２、請求項１３、請求項１４または請求項１５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１の低級結晶性半導体薄膜は、導電性薄膜である
ことを特徴とする請求項１８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第１の低級結晶性半導体薄膜は、アモルファスシリコン薄膜、微結晶シリコン含有アモルファスシリコン薄膜またはアモルファスシリコン含有微結晶シリコン薄膜であることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１１、請求項１２、請求項１３、請求項１４、請求項１５、請求項１６、請求項１７、請求項１８または請求項１９に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第２の低級結晶性半導体薄膜は、アモルファスシリコン薄膜、微結晶シリコン含有アモルファスシリコン薄膜またはアモルファスシリコン含有微結晶シリコン薄膜である
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１１、請求項１２、請求項１３、請求項１４、請求項１５、請求項１６、請求項１７、請求項１８、請求項１９または請求項２０に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記絶縁基板との境界領域近傍の前記第１の低級結晶性半導体薄膜内に水素、窒素またはヘリウムなどの希ガスを注入することによって前記イオン注入層を形成することを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１１、請求項１２、請求項１３、請求項１４、請求項１５、請求項１６、請求項１７、請求項１８、請求項１９、請求項２０または請求項２１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記絶縁膜は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化シリコン／窒化シリコン積層膜、酸化シリコン／窒化シリコン／酸化シリコン積層膜、酸窒化シリコン膜の内、少なくとも１種以上であることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１１、請求項１２、請求項１３、請求項１４、請求項１５、請求項１６、請求項１７、請求項１８、請求項１９、請求項２０、請求項２１または請求項２２に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電気光学表示装置の製造方法に関する。詳しくは、絶縁基板上に形成された電気光学表示素子基板層（以下、ＴＦＴ基板層と称する）を絶縁基板から剥離し、樹脂支持基板に貼り合わせるプラスティック製電気光学表示装置の製造方法に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、基板にガラス材料では無くプラスティックフィルムを用いたプラスティックＬＣＤが薄膜化及び軽量化という観点から注目されているが、プラスティックフィルムの耐熱性が低いために、プロセスの最高温度を低くせざるを得ず、結果的にガラス基板上にＴＦＴを形成する場合と比較すると良好な電気特性のＴＦＴを形成できないという不具合があった。
【０００３】
このような不具合に対して、ガラス基板に形成されたＴＦＴ基板層をガラス基板から剥離し、剥離したＴＦＴ基板層をプラスティックフィルムに貼り合わせるといったプラスティックＬＣＤの製造方法が提案されている（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００４】
以下、ガラス基板に形成されたＴＦＴ基板層をガラス基板から剥離し、剥離したＴＦＴ基板層をプラスティックフィルムに貼り合わせるプラスティックＬＣＤの製造方法について説明する。
【０００５】
従来のプラスティックＬＣＤの製造方法では、先ず、図１０（ａ）で示す様に、ガラス基板１０１に第１のアモルファスシリコン薄膜１０２を形成し、この第１のアモルファスシリコン薄膜１０２の上層にＳｉＯ２膜１０３及び第２のアモルファスシリコン薄膜１０４を積層する。
【０００６】
次に、図１０（ｂ）で示す様に、第２のアモルファスシリコン薄膜１０４にＴＦＴ、抵抗、容量等の領域パターンを形成した後にエキシマレーザーアニールにより第２のアモルファスシリコン薄膜１０４を多結晶化、即ちポリシリコン膜化すると共に、このポリシリコン薄膜１０７にＴＦＴ、抵抗、容量等を形成してＴＦＴ基板層を形成する。
【０００７】
続いて、図１０（ｃ）で示す様に、ガラス基板の裏面からエキシマレーザーアニールを行って第１のアモルファスシリコン薄膜１０２を加熱して、第１のアモルファスシリコン薄膜内に含有される水素を急激に膨張させ、第１のアモルファスシリコン薄膜１０２とガラス基板１０１との境界面からＴＦＴ基板層を剥離し、剥離したＴＦＴ基板層を樹脂支持基板１０５に貼り合わせることによって図１０（ｄ）で示す様なＴＦＴ基板１０６を形成し、このＴＦＴ基板に透明対向基板を重ね合わせると共に液晶を注入封止することによってプラスティックＬＣＤを得ることができる。
【０００８】
【非特許文献１】
「ＡＭ−ＬＣＤ’０２」，セイコーエプソン社，ｐ３８
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、エキシマレーザーアニールにより第２のアモルファスシリコン薄膜を多結晶化する際に、第２のアモルファスシリコン薄膜のひび割れ等を防止すべく、エキシマレーザーアニールを行うに先だって、加熱を行い第２のアモルファスシリコン薄膜に含有される水素を脱気する必要があるが、この加熱によって、また更に多結晶化する際におけるエキシマレーザーアニールによって、第１のアモルファスシリコン薄膜に含有される水素が脱気するために、エキシマレーザーアニールによってガラス基板の裏面から第１のアモルファスシリコン薄膜を加熱したとしても、第１のアモルファスシリコン薄膜に含有される水素が不足しており、水素膨張による剥離作用が充分ではないという不具合があった。
【００１０】
本発明は、上記の点に鑑みて創案されたものであって、絶縁基板から容易に剥離を行うことができる高性能、高精細、軽量、小型、薄型のプラスティック製電気光学表示装置の製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、絶縁基板上に形成されたＴＦＴ基板層を前記絶縁基板から剥離する電気光学表示装置の製造方法において、絶縁基板の表面に第１の低級結晶性半導体薄膜を形成する工程と、該第１の低級結晶性半導体薄膜の上層に絶縁膜を介して第２の低級結晶性半導体薄膜を形成する工程と、少なくとも該第２の低級結晶性半導体薄膜中の含有水素を加熱脱気する工程と、前記第２の低級結晶性半導体薄膜を再結晶化して多結晶性半導体薄膜あるいは単結晶性半導体薄膜を形成する工程と、前記多結晶性半導体薄膜あるいは単結晶性半導体薄膜にＴＦＴ基板層を形成する工程と、前記絶縁基板との境界領域近傍の前記第１の低級結晶性半導体薄膜内にイオン注入層を形成する工程と、該イオン注入層を加熱して歪み部を形成する工程と、該歪み部より絶縁基板を分離する工程を備える。
【００１２】
ここで、絶縁基板との境界領域近傍の第１の低級結晶性半導体薄膜内に形成したイオン注入層を加熱して歪み部を形成することによって、イオン注入層の歪み部から絶縁基板を分離することができる。
この時に、注入するイオンは水素、窒素、ヘリウムなどの希ガスのいずれでもよいが、水素が望ましい。これは質量が軽い為に、低エネルギーでも深くまで注入でき、また表面層に与えるダメージが小さい為である。
また、イオン源で作製したイオンを質量分離器で選択し、この選択したイオンをイオンに応じた加速電圧で加速し、加速により得られたイオンビームで所定基板を走査して所定のドーズ量をイオン注入するイオン注入法、或いはプラズマイオン源から広いイオンビームを取り出し、質量分離なしでそのまま所定基板に所定のドーズ量をイオン注入するイオンドーピング法のいずれでもよいが、質量分離器不要、走査機構不要、注入時間短縮でしかも大面積イオン注入可能であるイオンドーピング法が本発明には望ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
【００１４】
図１及び図２は本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の一例である透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法を説明するための模式的な図である。
ここで、透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法では、先ず、図１（ａ）で示す様に、ほうけい酸ガラス、アルミノけい酸ガラスなどの低歪点ガラス基板１全面にＣＶＤ法により１〜２μｍのｎ型またはｐ型の導電性の第１のアモルファスシリコン薄膜２を形成し、続いて、図１（ｂ）で示す様に、第１のアモルファスシリコン薄膜を汎用のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて液晶表示装置のパネルサイズに分断する。
尚、触媒ＣＶＤ法によるアモルファスシリコン薄膜、微結晶シリコン含有アモルファスシリコン薄膜、アモルファスシリコン含有微結晶シリコン薄膜などでもよい。
【００１５】
次に、図１（ｃ）で示す様に、第１のアモルファスシリコン薄膜の上層全面にＣＶＤ法により２００〜３００ｎｍのＳｉＯＮ膜３を形成し、このＳｉＯＮ膜の上層に５０ｎｍの第２のアモルファスシリコン薄膜４、第２のアモルファスシリコン薄膜の上層に５０ｎｍのＳｉＯ２膜（図示せず）を積層する。
【００１６】
ここで、第１のアモルファスシリコン薄膜の上層に形成される薄膜は、絶縁膜として機能すれば充分であり、必ずしもＳｉＯＮ膜である必要は無く、ＳｉＯ２膜やＳｉＯ２／ＳｉＮｘ／ＳｉＯ２膜等であっても構わないが、基板側からのハロゲン元素汚染の低減とポリシリコン薄膜の平坦性の向上を図るべく、絶縁膜はＳｉＯＮ膜やＳｉＯ２／ＳｉＮｘ／ＳｉＯ２膜といった窒化系シリコン膜である方が好ましい。
【００１７】
更に、透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法においては、後述する様に、ＴＦＴ基板層の絶縁膜下に残存した第１のアモルファスシリコン薄膜をフッ酸／硝酸系エッチング液で除去する必要があるが、この際に、エッチングストッパーとして絶縁膜が機能できる様に、絶縁膜は窒化系シリコン膜である方が好ましい。
【００１８】
なお、第２のアモルファスシリコン薄膜の上層に形成されたＳｉＯ２膜約５０ｎｍは、必ずしも形成する必要は無いが、後述する工程で第２のアモルファスシリコン薄膜を多結晶化すべくエキシマレーザーアニールを行う際に、エキシマレーザーの反射低減を図るために、ＳｉＯ２膜は形成した方が好ましい。
【００１９】
次に、図１（ｄ）で示す様に、ＴＦＴ、抵抗、容量等の形成に必要な領域以外の第２のアモルファスシリコン薄膜４及びＳｉＯ２膜などを汎用のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いてエッチングを行った後に、４５０℃〜５００℃で数十分間加熱し、第１のアモルファスシリコン薄膜２及び第２のアモルファスシリコン薄膜４中に含有される水素の加熱脱気を行う。
この水素脱気処理は、一般的にエキシマレーザー等によるアモルファスシリコン薄膜の再結晶化時に、その含有する水素の急激な熱膨張爆発で膜剥がれ、膜クラックなどの不具合を防止する為に行う。
続いて、第２のアモルファスシリコン薄膜４にフォーカスを合わせた状態でエキシマレーザーアニールを行い、第２のアモルファスシリコン薄膜４をポリシリコン薄膜５化する。
尚、この時の加熱で第１アモルファスシリコン薄膜２も多少はポリシリコン膜化するが、イオン注入するので分離には悪影響はない。
【００２０】
次に、ポリシリコン層５内に、ＬＣＤの表示素子としてのＴＦＴ１９や配線などを、周辺回路としてのＴＦＴ、ダイオード、抵抗、キャパシタ、コイルや配線等の半導体素子および半導体集積回路のいずれかまたは両方を形成した後に、平坦化膜６を積層すると共に表示用ＴＦＴ１９のドレインに接続した透明画素電極７を形成し、図１（ｅ）で示す様な周辺回路一体型ポリシリコンＴＦＴ基板層を作製する。
【００２１】
尚、同時に周辺回路一体型ポリシリコンＴＦＴ基板層の周辺回路に接続する半田バンプなどの外部取り出し電極（図は省略）を形成するが、ＬＣＤパネル形成後に異方性導電膜接合や超音波接合、半田付けなどでフレキシブル基板との接合やＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）へのマウントするのが好ましい。
ここで、透過型ＬＣＤの場合は、画素開口部のポリシリコン薄膜をエッチングし、透明樹脂あるいはＳｉＯ２膜で埋め込み、その表面をＣＭＰなどで研磨して平坦化し、表示用ＴＦＴのドレインに接続した透明画素電極７を形成する。
一方、半透過型ＬＣＤの場合は、一画素内に反射／透過の二領域を持たせる為に、この反射画素電極の一部をパターニングし、そこに透明画素電極を形成する。
例えば、画素開口部のポリシリコン薄膜をエッチングし、透明樹脂あるいはＳｉＯ２膜で埋め込み、その表面をＣＭＰなどで研磨して平坦化した画素開口部の一部に汎用リソグラフィ技術により適度な凹凸形状の感光性樹脂膜を形成し、加熱でリフローした後に、表示用ＴＦＴのドレインに接続した高反射率のアルミニウム膜を形成して適度な凹凸形状の反射画素電極を形成し、アルミニウム膜を含む画素開口部に透明画素電極を形成することで一画素内に反射／透過の二領域を持たせた画素電極を形成する。又は、画素開口部に表示用ＴＦＴのドレインに接続したＩＴＯ（インジウム−錫系透明導電膜）またはＩＺＯ（インジウム−酸化亜鉛系透明導電膜）などの透明画素電極を形成し、透明画素電極の一部に汎用リソグラフィ技術により適度な凹凸形状の感光性樹脂膜を形成し、加熱でリフローした後に、透明画素電極と接続した高反射率のアルミニウム膜を形成して適度な凹凸形状の反射画素電極を形成することで一画素内に反射／透過の二領域を持たせた画素電極を形成する。この透過と反射の画素面積比をコントロールすることにより、透過／反射の光学特性のバランスを取ることができる。この半透過型ＬＣＤの透過表示には透過型ＬＣＤと同様にバックライト光源を用い、反射表示には反射型ＬＣＤと同様に太陽光を用いるのは言うまでもない。そして、半透過型ＬＣＤではより明るい表示のために、反射画素電極を配線やＴＦＴの上などの不透明領域にも覆い被せて開口率を高め、透明画素電極を不透明配線がない部分に配置し、全体の開口率を高くするなどの工夫が必要である。
又、反射型ＬＣＤ及び半透過型ＬＣＤでのペーパーホワイトの見栄えを実現する為に、反射光の正反射成分を減らして光を拡散散乱させる機能として、反射画素電極に形成した凹凸形状の傾斜角度を特定の範囲内に限定し、角度の分布形状を最適化する必要がある。
又、凹凸を規則的に配置すると太陽光下で反射画像に虹色の光干渉が発生し、視認性低下するので、フィボナッチ数列で表される配列を凹凸パターンに適用するなどで凹凸配置をランダム化する必要がある。
尚、画素表示部のポリシリコン薄膜の光透過率が使用上問題ない場合は、画素開口部をエッチングせずに、分離したＴＦＴ基板層の下の第１アモルファスシリコン膜をエッチングして透明支持基板に貼り合わせてもよい。
【００２２】
次に、ガラス基板との境界領域近傍の第１のアモルファスシリコン薄膜２内に、注入エネルギー１００〜２００ｋｅＶ、ドーズ量５．０×１０１６〜５．０×１０１７／ｃｍ３の条件で水素イオン注入し、ガラス基板との境界領域近傍の第１のアモルファスシリコン薄膜２内に高濃度水素イオン注入層を形成する。
尚、剥離促進の為に、ＴＦＴの注入イオン活性化工程以降にガラス基板との境界領域近傍の第１のアモルファスシリコン薄膜２内に高濃度水素イオン注入層を形成し、配線等の工程を経て周辺回路一体型ポリシリコンＴＦＴ基板層を形成してもよい。
【００２３】
続いて、ラピッドサーマルアニールにて約７００℃〜８００℃で数秒間、Ｘｅフラッシュランプアニールにて１０００℃で数ミリ秒、またはエキシマレーザーや紫外線ＣＷ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｗａｖｅ）をガラス基板裏面から照射して第１のアモルファスシリコン薄膜２を加熱し、注入水素イオンを熱膨張させて第１のアモルファスシリコン薄膜２とガラス基板１との境界領域近傍に歪み部を形成する。即ち、高濃度水素イオン注入層を局部的に加熱することによりイオン注入した高濃度水素を膨張させ、微小気泡内の圧力作用及び結晶再配列作用によって高濃度水素イオン注入層に歪みを発生させ、第１のアモルファスシリコン薄膜２とガラス基板１との境界領域近傍に歪み部を形成する。
尚、ＴＦＴ基板層のデバイス特性変動防止の為に、表面を流体冷却しながら、裏面から短時間の加熱処理により注入水素イオンを熱膨張させて第１のアモルファスシリコン薄膜２とガラス基板１との境界領域近傍に歪み部を形成してもよい。
更に、ポリシリコン膜化した後に、ガラス基板との境界領域近傍の第１のアモルファスシリコン薄膜２内に高濃度水素イオン注入層を形成し、短時間の加熱処理により注入水素イオンを熱膨張させて第１のアモルファスシリコン薄膜２とガラス基板１との境界領域近傍に歪み部を形成させた後に、前記同様の周辺回路一体型ポリシリコンＴＦＴ基板層を作製してもよい。
【００２４】
次に、図２（ｆ）で示す様に、表面に糊残りの少ない帯電防止機能を有する基材８ａ及び粘着剤８ｂから成るＵＶ照射硬化型テープ（以下、ＵＶテープと称する）８を貼り合わせ、ガラス基板を真空吸着等によって固定した状態で図２（ｇ）で示す様に引張り剥離を行う。
【００２５】
ここで、上記した透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法では、熱処理を施して高濃度水素イオン注入層に歪み部を形成した後に、ＵＶテープを貼り合わせて引張り剥離を行っているが、ガラス基板からの剥離は必ずしも上記した方法に限定される必要は無く、以下に説明する高圧流体ジェット噴射剥離法、レーザー加工剥離法またはレーザーウオータージェット加工剥離法であっても構わない。
【００２６】
上記した、高圧流体ジェット噴射剥離法とは、ＵＶテープを貼り合わせ、上記した透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法と同様に熱処理を施して高濃度水素イオン注入層に形成した歪み部に高圧流体ジェット噴射を当てることによって剥離を行う方法である。
ここで、高圧流体ジェット噴射剥離装置は、図３で示す様に、ガラス基板及びＵＶテープを真空吸着して回転させる一対のホルダ９と、高圧流体ジェットを噴射する微細ノズル１０とを備える。また、ホルダの周囲を囲む円筒状の治具であるガードリングストッパ１１には、微細ノズルから噴射される高圧流体ジェットの幅を制御して通過させる１０〜５０μｍ程度の径のスリット孔１２が形成されている。なお、スリット孔の径については、高圧流体ジェットの水圧及び風圧との相関によって決定する。
この様な高圧流体ジェット噴射剥離装置において、微細ノズルから噴射される高圧流体ジェットが高濃度水素イオン注入層に形成した歪み部に正確に当たる様に微調整を行い、ホルダを回転させ、微細ノズルから噴射する高圧流体ジェットの圧力を歪み部の横方向から作用させて剥離を行う。
尚、高圧流体ジェットは、ウオータージェット、エアージェットの他、水、エッチング液やアルコールなどの液体、空気、窒素ガスやアルゴンガスなどの気体や、前記液体に前記気体を適当比率で混在させた液体と気体との混合体などのジェットの噴射により行うこともできる。特に液体と気体との混合体のジェットの噴射、いわゆるウオーターエアージェットでは、液体に気体のバブルが混入し、このバブル破裂時の衝撃作用によってより効果的に分離を行える。
また、高圧流体ジェットを吹き付ける場合には、流体に超音波を印加すると、超音波振動がイオン注入層の歪み部に作用するため、より効果的にイオン注入層の歪み部からの分離を行える。さらに、この高圧流体ジェット８２に、さらに微細な固体としての粒体や粉体（研磨剤、氷、プラスティック片など）の超微粉末を添加してもよい。このように高圧流体ジェットに、微細な固体を添加すれば、この微細な固体がイオン注入層の歪み部に直に衝突することによって、より効果的に分離を行える。
【００２７】
また、レーザー加工剥離法とは、表面にＵＶテープを貼り合わせ、ＵＶテープを介した流体冷却を行いながら、エキシマレーザー照射等で高濃度水素イオン注入層を横方向から局部的に加熱し、注入水素イオンを熱膨張させてガラス基板１との境界領域近傍の第１のアモルファスシリコン薄膜２内に歪み部を形成し、この歪み部を引張り剥離を行う方法であり、ＴＦＴやＵＶテープ等の熱ダメージを低減することができる。
この時に、回転中の高濃度水素イオン注入層にレーザー出力部から照射するレーザー光を当てて剥離するレーザー加工剥離装置を用いることもでき、このレーザー加工剥離装置では、図４で示す様に、ガラス基板及びＵＶテープを真空吸着して回転させる一対のホルダ９によって回転中の水素イオン注入層の横方向からレーザー出力部１３から照射される１つ以上のレーザーよるアブレーション加工や熱加工等のレーザー加工によって剥離を行う。
ここで、レーザーとしては、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー、光高調波変調レーザー等からなる可視光、近紫外線、遠紫外線、近赤外線、遠赤外線等のレーザー光を使用でき、レーザー加工では、加工対象物が吸収する少なくとも１つ以上のパルス波または連続波のレーザー光を照射して、熱加工やアブレーション加工で剥離する方法と、加工対象物に対して透明な波長を有する少なくとも１つ以上のパルス波または連続波の近赤外線レーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザー、Ｎｄ：ＹＬＦレーザー、チタンサファイアレーザー等）を加工対象物内部に焦点を合わせて照射し、多光子吸収による光学的損傷現象を発生させて改質領域（例えばクラック領域、溶融処理領域、屈折率変化領域等）を形成し、そこを起点として比較的小さな力で剥離する方法とがある。また、レーザー加工の場合には、レーザー光線を集光レンズで加工対象物内部（高濃度水素イオン注入層の内部）に焦点を合わせ、その焦点を徐々に回転中の加工対象物内部に移動させることで剥離することができる。特に、今回の場合には加工対象物が高濃度水素イオン注入層なので、このレーザー光による剥離を高精度で効率良く行うことができる。この際に、必要に応じて流体冷却した支持治具を用いて、ＵＶテープを介して冷却しながらガラス基板を剥離しても良い。
尚、上記のレーザー加工では回転中のイオン注入層に横方向からレーザー照射したが、固定したイオン注入層の横方向からレーザービームを走査させて局部的加熱による歪み部を形成してもよい。
【００２８】
また、レーザーウオータージェット加工剥離法とは、ウォータージェットとレーザーの利点を組み合わせ、水と空気の境界面でレーザー光が完全に反射することを利用し、グラスファイバー内と同じ様に、ウォータージェットがレーザー光を全反射して平行にガイドし、このレーザー光の吸収による熱加工やアブレーション加工により剥離する方法であり、従来の熱変形が問題となるレーザー加工剥離法とは違い、レーザーウオータージェット加工剥離法は常時水による冷却がされているので、剥離面の熱影響及び熱変形が低減される。
この時に、回転中の高濃度水素イオン注入層に、出力部からレーザー光とウオータージェットを組み合わせたレーザーウオータージェットを照射して剥離するレーザーウオータージェット加工剥離装置を用いることもでき、このレーザーウオータージェット加工剥離装置では、少なくとも１つ以上のパルス波または連続波の近赤外線レーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザー、Ｎｄ：ＹＬＦレーザー、チタンサファイアレーザー等）が任意の水圧の純粋または超純粋の水柱内に封じ込まれた１つ以上のレーザーウオータージェットを回転中の高濃度水素イオン注入層の横方向からレーザーウオータージェット出力部３３により照射し、アブレーション加工や熱加工等によって剥離することができる。なお、レーザーとしては、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー、高調波変調レーザー等からなる可視光、近赤外線、遠赤外線、近紫外線、遠紫外線等のレーザー光が使用でき、任意の水圧のウオータージェットの水柱は水道水でも良いが、レーザーの種類によってはレーザーを乱反射で散乱させずに減衰させない純水または超純水によるウオータージェットの水柱が望ましい。
尚、上記のレーザーウオータージェット加工では回転中のイオン注入層に横方向からレーザーウオータージェット照射したが、固定したイオン注入層の横方向からレーザーウオータージェットを走査させて局部的加熱による歪み部を形成してもよい。
【００２９】
次に、引張り剥離を行うことによってガラス基板から剥離されたＴＦＴ基板層１４の絶縁膜下に残存した第１のアモルファスシリコン薄膜２をＨＦ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ混合液，ＨＦ＋ＨＮＯ３＋ＣＨ３ＣＯＯＨ混合液などのフッ酸／硝酸系エッチング液によりエッチングを行った後に、図２（ｈ）で示す様に、その表面にＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電性膜１５が形成された厚みが０．１〜０．５ｍｍで耐湿性及び耐熱性のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリオレフィン、アクリルなどの透明樹脂支持基板１６に耐熱性のＵＶ照射硬化型接着剤１７を用いて貼り合わせ、同時にＵＶ照射硬化によって表面に貼り合わせられたＵＶテープの剥離を行う。なお、ＴＦＴ基板層の絶縁膜下に残存した第１のアモルファスシリコン薄膜２をフッ酸／硝酸系エッチング液によりエッチングを行うために、表面に貼り合わせるＵＶテープは耐酸性であることが好ましい。また、透明低温硬化接着剤やＵＶ照射硬化型及び透明低温硬化型接着剤を用いても構わない。尚、この時に、ＴＦＴ基板層の絶縁膜として酸窒化シリコン膜、酸化シリコン／窒化シリコン積層膜、酸化シリコン／窒化シリコン／酸化シリコン積層膜などのエッチングストッパー作用を有する窒化系シリコン膜があるので、エッチングムラによる不具合発生はない。
【００３０】
続いて、図２（ｉ）で示す様に、有機系または無機系の配向膜（１）１８を形成し、配向処理を施す。
ここで、配向膜（１）としてポリイミド等のラビング用有機配向膜またはノンラビング用光有機配向膜を用いる場合には、ロールコーティングやスピンコーティングで塗布を行った後に、後述する対向基板のラビング方向と４５°または９０°の方向にバフラビング、または後述する対向基板の偏光ＵＶ照射配向方向に対して４５°または９０°の方向にＴＦＴ基板層に対して斜目方向から偏光ＵＶ照射して配向処理を施す。また、配向膜（１）として無機配向膜を用いる場合には、ＴＦＴ基板層あるいは対向基板に対して最適化された例えば６０°の斜目方向にＳｉＯ斜方蒸着することによって配向処理を施したり、ＤＬＣ膜の最適化された斜方蒸着及びイオンブローすることによって配向処理を施したりする。
【００３１】
次に、厚みが０．１〜０．５ｍｍで耐湿性及び耐熱性のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリオレフィン、アクリルなどの透明樹脂基板２０にＩＴＯやＩＸＯ等の透明電極２１を形成すると共に有機系または無機系の配向膜（２）２２を形成し、配向処理を施した透明樹脂対向基板２３とシール剤２４を用いて重ね合わせる。なお、重ね合わせの際には、必要に応じてミクロパール等のスペーサー２５を散布することによってＴＦＴ基板層と透明樹脂対向基板との液晶間隙の調整を行う。
ここで、配向膜（２）としてポリイミド等のラビング用有機配向膜またはノンラビング用光有機配向膜を用いる場合には、ロールコーティングやスピンコーティングで塗布を行った後にラビング、または基板に対して最適化された斜目方向から偏光ＵＶ照射して配向処理を施す。また、配向膜（２）として無機配向膜を用いる場合には、対向基板に対して最適化された斜目方向からＳｉＯ斜方蒸着することによって配向処理を施したり、最適化されたＤＬＣ膜の斜方蒸着及びイオンブローすることによって配向処理を施したりする。
【００３２】
続いて、個々のＬＣＤパネルとなる様に図２（ｊ）中符号Ａで示す個所より切断を行った後に、シール剤で囲まれた領域に液晶の注入封止を行うことによって透過型あるいは半透過型液晶表示装置を得ることができる。
【００３３】
なお、上記した本発明を適用した透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法では、ガラス基板からＴＦＴ基板層を分離し、ＴＦＴ基板層の絶縁層下に残存する低級結晶性半導体薄膜をエッチングした後に透明樹脂支持基板に貼り合わせ、透明対向基板を重ね合わせて切断した後に液晶注入している。
これに対して、ガラス基板からＴＦＴ基板層を分離する前に透明樹脂対向基板を重ね合わせ、その後にガラス基板からＴＦＴ基板層の分離を行い、ＴＦＴ基板層の絶縁層下に残存する低級結晶性半導体薄膜をエッチングした後に、透明樹脂支持基板を貼り合わせて切断した後に液晶注入してもよい。
また、この時に、ガラス基板からＴＦＴ基板層を分離する前に良品のＴＦＴチップに良品の透明樹脂対向基板チップを重ね合わせて液晶注入封止し、その後にガラス基板からＴＦＴ基板層の分離を行い、ＴＦＴ基板層の絶縁層下に残存する低級結晶性半導体薄膜をエッチングした後に、透明樹脂支持基板に貼り合わせて切断してもよい。
更に、この時に、ガラス基板からＴＦＴ基板層を分離する前に良品のＴＦＴチップに良品の透明樹脂対向基板チップを重ね合わせて液晶注入封止し、その後にガラス基板からＴＦＴ基板層の分離を行い、ＴＦＴ基板層の絶縁層下に残存する低級結晶性半導体薄膜をエッチングした後に、良品のＴＦＴチップに良品の透明樹脂支持基板チップを貼り合せて切断してもよい。
【００３４】
図５及び図６は本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の他の一例である反射型液晶表示装置の製造方法を説明するための模式的な図である。
ここで、反射型液晶表示装置の製造方法では、上記した透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法と同様の方法で図５（ａ）で示す様な周辺回路一体型ポリシリコンＴＦＴ基板層を形成し、イオン注入によってガラス基板との境界領域近傍の第１のアモルファスシリコン薄膜内に高濃度水素イオン注入層を形成した後に、熱処理によって剥離の歪み部を形成する。
【００３５】
続いて、図５（ｂ）で示す様に、有機系または無機系の配向膜（１）１８を形成し、配向処理を施した後に、図５（ｃ）で示す様に、透明樹脂支持基板２０にＩＴＯやＩＸＯ等の透明電極２１を形成すると共に有機系または無機系の配向膜（２）２２を形成し、配向処理を施した厚みが０．１〜０．５ｍｍの透明樹脂対向基板２３をシール剤２４を用いて重ね合わせる。なお、重ね合わせの際には、必要に応じてミクロパール等のスペーサー２５を散布することによってＴＦＴ基板層と透明樹脂対向基板との液晶間隙の調整を行う点は上記した透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法と同様である。
【００３６】
続いて、透明樹脂対向基板８をレーザーや超硬カッター等で切断し、単個のＬＣＤパネルにし、シール剤で囲まれた領域に液晶の注入封止を行うことによって図５（ｄ）で示す様なＬＣＤを形成する。
【００３７】
次に、図６（ｅ）で示す様に、透明樹脂対向基板にＵＶテープを貼り合わせ、ガラス基板を真空吸着等によって固定した状態で図６（ｆ）で示す様に引張り剥離を行う。この時に、ＵＶテープの糊厚みを厚くして、透明樹脂対向基板の切断部を充填した方が、コンタミ防止と作業性の面で有利である。
なお、ガラス基板からの剥離は上記した高圧流体ジェット噴射剥離法、レーザー加工剥離法またはレーザージェット剥離法であっても構わない点は上記した透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法と同様である。
【００３８】
続いて、ＴＦＴ基板層の絶縁膜下に第１のアモルファスシリコン薄膜２が残存した状態で透明樹脂支持基板１６にＵＶ照射硬化型接着剤を用いて貼り合わせ、同時にＵＶ照射硬化によって透明樹脂対向基板２０に貼り合わせられたＵＶテープ８の剥離を行った後に、個々のＬＣＤパネルとなる様に図６（ｇ）中符号Ｂで示す個所より透明樹脂支持基板１をレーザーや超硬カッター等で切断することによって反射型液晶表示装置を得ることができる。
【００３９】
なお、貼り合わせる支持基板は、不透明樹脂支持基板であっても良く、不透明樹脂支持基板に貼り合わせる場合には、低温熱硬化性接着剤を用いる。
【００４０】
また、上記した本発明を適用した反射型液晶表示装置の製造方法では、ガラス基板から分離する前に透明樹脂対向基板を重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、その後にガラス基板から分離を行い、樹脂支持基板に貼り合わせ切断している。
これに対して、ガラス基板からＴＦＴ基板層を分離し、ＴＦＴ基板層を樹脂支持基板に貼り合わせた後に透明樹脂対向基板を重ね合わせてシールし、切断して液晶注入封止しても良い。
また、この時に、ガラス基板からＴＦＴ基板層を分離する前に良品のＴＦＴチップに良品の透明樹脂対向基板チップを重ね合わせて液晶注入封止し、その後にガラス基板からＴＦＴ基板層の分離を行い、樹脂支持基板に貼り合わせて切断してもよい。
更に、ガラス基板からＴＦＴ基板層を分離する前に良品のＴＦＴチップに良品の透明樹脂対向基板チップを重ね合わせて液晶注入封止し、その後にガラス基板からＴＦＴ基板層の分離を行い、良品のＴＦＴチップに良品の樹脂支持基板チップを貼り合せて切断してもよい。
【００４１】
なお、上記では、水素イオンをガラス基板と第１のアモルファスシリコン薄膜の境界領域近傍にイオン注入し、ガラス基板との境界領域近傍の第１のアモルファスシリコン薄膜内に高濃度水素イオン注入層を形成しているが、必ずしも水素を用いる必要は無く、窒素、ヘリウムその他の希ガスを用いても良い。
また、イオン源で作製したイオンを質量分離器で選択し、この選択したイオンをイオンに応じた加速電圧で加速した後に、加速により得られたイオンビームで所定基板を走査して所定のドーズ量をイオン注入するイオン注入法、或いはプラズマイオン源から広いイオンビームを取り出し、質量分離なしでそのまま所定基板に所定のドーズ量をイオン注入するイオンドーピング法のいずれでもよいが、質量分離器不要、走査機構不要、注入時間短縮でしかも大面積イオン注入可能であるイオンドーピング法が本発明には望ましい。
【００４２】
また、上記では、エキシマレーザーアニールを行って第２のアモルファスシリコン薄膜をポリシリコン薄膜化する例を挙げて説明を行ったが、特開２００２−２５２１７４号公報に記載のフラッシュランプアニールや特開２００２−３５１６２８号公報に記載の光高調波変調レーザーアニール、更には特開２００２−２４６３１０号公報に記載の集光ランプアニール等によってポリシリコン膜あるいは単結晶シリコン膜形成しても良く、また、触媒ＣＶＤ法による特開２０００−６８５１４号公報に記載のグラフォエピタキシャル成長や特開２０００−８９２４９号公報に記載のヘテロエピタキシャル成長によって単結晶性シリコン膜を形成しても良い。
【００４３】
ここで、図７で示す様な、グラフォエピタキシャル成長による単結晶性シリコン薄膜の形成方法は、先ず、ガラス基板１全面に１〜２μｍの第１のアモルファスシリコン薄膜２を形成し、このアモルファスシリコン薄膜２をＬＣＤパネルサイズにエッチングする。次に、全面に膜ＳｉＯ２／ＳｉＮｘ／ＳｉＯ２から成る絶縁積層（１）２６を形成し、絶縁積層膜（１）のＳｉＯ２にＴＦＴ、Ｄｉ、抵抗、容量等の領域の凹段差２７を形成する。また、全面に第２のアモルファスシリコン薄膜４とキャップ用絶縁膜ＳｉＯ２３１を形成した後に、Ｘｅフラッシュランプアニール、または光高調波変調ＵＶ／ＤＵＶレーザーアニール、またはＣＷ紫外線ランプアニールなどで低級結晶性半導体薄膜例えばアモルファスシリコン薄膜を溶融させ徐冷却させる時に、凹段差の底辺の角をシードにグラフォエピタキシャル成長させて単結晶性シリコン薄膜を形成する。なお、含有水素を脱気するために、４５０〜５００℃の加熱前処理を行う。
形成した単結晶性シリコン薄膜に、ＴＦＴ、ダイオード、抵抗、容量等を形成し、周辺回路一体型単結晶性シリコンＴＦＴ基板層を形成する。
これ以降のプロセスは、前記の周辺回路一体型ポリシリコンＴＦＴ基板の実施例に準ずる。
【００４４】
また、図８で示す様な、ヘテロエピタキシャル成長による単結晶性シリコン薄膜の形成方法は、ガラス基板１全面に第１のアモルファスシリコン薄膜２を形成し、このアモルファスシリコン薄膜２をＬＣＤパネルサイズにエッチングする。次に、全面にＳｉＯ２／ＳｉＮｘ／ＳｉＯ２から成る絶縁積層膜（２）２８を形成し、触媒ＣＶＤ法、或いはＥＣＲ、ＩＣＰ、ヘリコン波等の高密度プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法などにより全面に結晶性サファイア薄膜２９を形成する。また、第２のアモルファスシリコン薄膜４及びＳｉＯ２３１膜を形成した後に、Ｘｅフラッシュランプアニール、または光高調波変調レーザーアニール、またはＣＷ紫外線ランプアニールで低級結晶性半導体薄膜例えばアモルファスシリコン薄膜を溶融させ徐冷却させる時に、結晶性サファイア薄膜をシードにヘテロエピタキシャル成長させて単結晶性シリコン薄膜を形成する。なお、含有水素を脱気するために、４５０〜５００℃の加熱前処理を行う。
形成した単結晶性シリコン薄膜に、ＴＦＴ、ダイオード、抵抗、容量等を形成し、周辺回路一体型単結晶シリコンＴＦＴ基板層を形成する。
これ以降のプロセスは、前記の周辺回路一体型ポリシリコンＴＦＴ基板の実施例に準ずる。
【００４５】
また、上記では、本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法として透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法及び反射型液晶表示装置の製造方法を例に挙げて説明を行っているが、電気光学表示装置としては透過型あるいは半透過型液晶表示装置や反射型液晶表示装置などの液晶表示装置に限定されることは無く、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ）等であっても構わないのは勿論である。
【００４６】
有機ＥＬには上面発光型と下面発光型の２種類がある。
有機ＥＬ層には、単層型、二層型、三層型があるが、低分子化合物の三層型を示すとその構造は、陽極／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、または、陽極／ホール輸送性発光層／キャリアブロック層／電子輸送性発光層／陰極となる。
【００４７】
例えば、上面発光型有機ＥＬの電気光学表示素子基板の表示部は、各画素毎の電流駆動用ＴＦＴのドレインに接続されたＬｉ−ＡＬやＭｇ−Ａｇなどの陰極（金属電極）上に、各画素毎に赤、青、緑などの有機ＥＬ発光層が被着され、その上部にＩＴＯ膜などの陽極（透明電極）が形成され（必要に応じて全面に陽極が形成される。）、全面を耐湿性透明樹脂で覆っている構造となっている。
上面発光型有機ＥＬの場合は、表示用ＴＦＴのドレインに接続されたＬｉ−ＡＬやＭｇ−Ａｇなどの陰極を画素表示部に形成する。このとき、陰極が電流駆動用ＭＯＳＴＦＴ上を覆っている場合は発光面積が大きくなり、陰極が遮光膜となるため、自発光光等がＭＯＳＴＦＴに入射しない。そのため、リーク電流発生がなく、ＴＦＴ特性悪化が避けられる。
【００４８】
例えば図９で示す様な上面発光型有機ＥＬ基板層の形成方法は、ガラス基板１全面にアモルファスシリコン膜２を形成し、このアモルファスシリコン膜２をパネルサイズにエッチングする。次に全面にＳｉＯ２／ＳｉＮｘ／ＳｉＯ２から成る絶縁積層膜（２）２８を形成する。その後、アモルファスシリコン薄膜及びキャップ用ＳｉＯ２膜を形成し、ＴＦＴ、Ｄｉ、抵抗、容量等の領域をエッチングで形成し、エキシマレーザー等で再結晶化してポリシリコン薄膜化する。
この時に、前記のようなグラフォエピタキシャル成長或いはヘテロエピタキシャル成長により単結晶性シリコン薄膜化してもよい。
そして、前記同様に周辺回路一体型ＴＦＴ基板層を形成し、ガラス基板との境界領域近傍の第１アモルファスシリコン膜２内に高濃度水素イオン注入層を形成する。
この表示部のポリシリコンＴＦＴ或いは単結晶性シリコンＴＦＴのドレインに接続されたＬｉ−ＡＬやＭｇ−Ａｇなどの陰極（金属電極）上に、各画素毎に赤、青、緑などの有機ＥＬ発光層が被着され、その上部にＩＴＯ膜などの陽極（透明電極）が形成された（必要に応じて全面に陽極が形成される）有機ＥＬ層３０の全面に耐湿性透明樹脂保護膜３２を形成することによって有機ＥＬ基板層を形成する。
その後に、前記同様のレーザー加工剥離法或いはレーザーウオータージェット加工剥離法などによりガラス基板を分離し、有機ＥＬ基板層に接着剤で樹脂支持基板を貼り合せ、切断してプラスティック有機ＥＬパネルを形成する。
【００４９】
一方、下面発光型有機ＥＬの電気光学表示素子基板の表示部は、各画素毎の電流駆動用ＴＦＴのソースに接続されたＩＴＯ膜などの陽極（透明電極）上に、各画素毎に赤、青、緑などの有機ＥＬ発光層が被着され、その上部にＬｉ−ＡＬやＭｇ−Ａｇなどの陰極（金属電極）が形成され（必要に応じて全面に陰極が形成される。）、さらに全面を耐湿性透明樹脂２１で覆っている構造となっている。この密封により、外部からの湿気浸入が防止でき、湿気に弱い有機ＥＬ発光層の劣化や電極酸化を防止し、長寿命、高品質、高信頼性が可能となる。
【００５０】
例えば図９で示す様な上面発光型有機ＥＬ基板層の形成方法は、ガラス基板１全面にアモルファスシリコン膜２を形成し、このアモルファスシリコン膜２をパネルサイズにエッチングする。次に全面にＳｉＯ２／ＳｉＮｘ／ＳｉＯ２から成る絶縁積層膜（２）２８を形成する。その後、アモルファスシリコン薄膜及びキャップ用ＳｉＯ２膜を形成し、ＴＦＴ、Ｄｉ、抵抗、容量等の領域をエッチングで形成し、エキシマレーザー等で再結晶化してポリシリコン薄膜化する。
この時に、前記のようなグラフォエピタキシャル成長或いはヘテロエピタキシャル成長により単結晶性シリコン薄膜化してもよい。
そして、前記同様に周辺回路一体型ＴＦＴ基板層を形成し、ガラス基板との境界領域近傍の第１アモルファスシリコン膜２内に高濃度水素イオン注入層を形成する。
この表示部のポリシリコンＴＦＴ或いは単結晶性シリコンＴＦＴのソースに接続されたＩＴＯ膜などの陽極（透明電極）上に、各画素毎に赤、青、緑などの有機ＥＬ発光層が被着され、その上部にＬｉ−ＡＬやＭｇ−Ａｇなどの陰極（金属電極）が形成された（必要に応じて全面に陰極が形成される。）有機ＥＬ層３０及び耐湿性透明樹脂保護膜３２を形成することによって有機ＥＬ基板層を形成する。
その後に、前記同様のレーザー加工剥離法或いはレーザーウオータージェット加工剥離法などによりガラス基板を分離し、有機ＥＬ基板層の絶縁膜下に残存する第１のアモルファスシリコン薄膜をエッチングし、有機ＥＬ基板層に透明接着剤で透明樹脂支持基板を貼り合せ、切断してプラスティック有機ＥＬパネルを形成する。
尚、上記ではシリコン系半導体薄膜の実施例を述べたが、ＧａＡｓ，ＳｉＣなどの化合物半導体系薄膜でもよいことは言うまでもない。
【００５１】
【発明の効果】
上記した本発明を適用した透過型、半透過型及び反射型液晶表示装置、更に有機ＥＬの製造方法では、ガラス基板との境界領域近傍の第１のアモルファスシリコン薄膜内に高濃度イオン注入層を形成し、この局部加熱により注入した高濃度イオンを膨張させ、微小気泡内の圧力作用及び結晶再配列作用により高濃度イオン注入層に歪みを発生させるために、ガラス基板から容易にＴＦＴ基板層を剥離して、例えば形成した超薄型多結晶性シリコンＴＦＴ或いは単結晶性シリコンＴＦＴ基板を透明樹脂対向基板と重ね合わせ、樹脂支持基板と貼り合せることで、高性能、高精細、小型、安価な薄型の透過型或いは半透過型、更には反射型プラスティック液晶表示装置を容易に製造することができる。
更に、同様な方法により、高性能、高精細、小型、安価な薄型の上面発光型或いは下面発光型プラスティック有機ＥＬを容易に製造することができる。
【００５２】
また、本発明を適用した透過型、半透過型及び反射型液晶表示装置、更に有機ＥＬの製造方法では、ＴＦＴ基板層の絶縁膜下に第１のアモルファスシリコン薄膜または透明樹脂支持基板に透明導電性膜といった導電性膜を形成すると共に、透明樹脂対向基板などに導電性膜である透明電極などを形成することによって、周辺回路及び表示部の全体が導電性膜で挟まれ、外部からの静電気ダメージや電磁波障害に強い電気光学表示装置を得ることができる。
【００５３】
更に、糊残りの少ない帯電防止機能を有するＵＶ照射硬化型テープで表面を保護した状態で剥離を行うために、ＴＦＴ基板層の静電気ダメージを抑制することができる。
また、ＴＦＴ基板層が保護ガラスから剥離されたとしても、ＵＶテープでＴＦＴ基板層を保持しているために、割れ、欠け、クラック等を抑制することができ、歩留り、品質及び生産性の向上が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の一例である透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法を説明するための模式的な図（１）である。
【図２】本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の一例である透過型あるいは半透過型液晶表示装置の製造方法を説明するための模式的な図（２）である。
【図３】高圧流体ジェット噴射剥離装置を説明するための模式的な図である。
【図４】レーザー加工剥離装置、レーザーウオータージェット加工剥離装置を説明するための模式的な図である。
【図５】本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の他の一例である反射型液晶表示装置の製造方法を説明するための模式的な図（１）である。
【図６】本発明を適用した電気光学表示装置の製造方法の他の一例である反射型液晶表示装置の製造方法を説明するための模式的な図（２）である。
【図７】グラフォエピタキシャル成長による単結晶性シリコン膜を説明するための模式的な図である。
【図８】ヘテロエピタキシャル成長による単結晶性シリコン膜を説明するための模式的な図である。
【図９】有機ＥＬ基板層を説明するための模式的な図である。
【図１０】従来のプラスティックＬＣＤを説明するための模式的な図である。
【符号の説明】
１    ガラス基板
２    第１のアモルファスシリコン薄膜
３    ＳｉＯＮ膜
４    第２のアモルファスシリコン薄膜
５    ポリシリコン薄膜
６    平坦化膜
７    透明画素電極
８    ＵＶテープ
９    ホルダ
１０    微細ノズル
１１    ガードリングストッパ
１２    スリット孔
１３    レーザー出力部
１４    ＴＦＴ基板層
１５    透明導電性膜
１６    透明樹脂支持基板
１７    ＵＶ照射硬化型接着剤
１８    配向膜（１）
２０    透明樹脂基板
２１    透明電極
２２    配向膜（２）
２３    透明樹脂対向基板
２４    シール剤
２５    スペーサー
２６    絶縁積層膜（１）
２７    凹段差
２８    絶縁積層膜（２）
２９    結晶性サファイア薄膜
３０    有機ＥＬ層
３１    ＳｉＯ２膜
３２    耐湿性透明樹脂保護膜
３３    レーザーウオータージェット出力部
【図１】
2004335968.tif 000003
【図２】
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【図３】
2004335968.tif 000005
【図４】
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【図５】
2004335968.tif 000007
【図６】
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【図７】
2004335968.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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