(57)【要約】【課題】ＬＳＩチップのテストにおいて、コンタクトパッドとプローブ針の接触不良によりＬＳＩチップが不良品と判定されることを防止する。【解決手段】プローブ針をコンタクトパッド内の第１の位置に第１の圧力で接触させてコンタクトテストを行うステップ（Ｓ１）と、第１の位置に対して行ったコンタクトテストでＬＳＩチップが不良と判断された場合に（Ｓ２）、コンタクトパッドを撮像した画像から（Ｓ３）、コンタクトパッド内の第１の位置以外の第２の位置を検出するステップ（Ｓ４〜Ｓ１１）と、プローブ針をコンタクトパッド内の第２の位置に第１の圧力より大きい第２の圧力で接触させてコンタクトテストを行うステップ（Ｓ１２〜Ｓ１４）とを含む。【選択図】    図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハに形成されたＬＳＩチップに設けられたコンタクトパッドに、プローブ針を接触させてコンタクトテストを行う半導体ウエハ検査方法であって、
前記プローブ針を前記コンタクトパッド内の第１の位置に接触させて前記コンタクトテストを行うステップと、
前記第１の位置に対して行った前記コンタクトテストで前記ＬＳＩチップが不良と判断された場合に、前記コンタクトパッドを撮像した画像から、前記コンタクトパッド内の第１の位置以外の第２の位置を検出するステップと、
前記プローブ針を前記コンタクトパッド内の前記第２の位置に接触させて前記コンタクトテストを行うステップとを含む半導体ウエハ検査方法。
【請求項２】
半導体ウエハに形成されたＬＳＩチップに設けられたコンタクトパッドに、プローブ針を接触させてコンタクトテストを行う半導体ウエハ検査方法であって、
前記プローブ針を前記コンタクトパッドに第１の圧力で接触させて前記コンタクトテストを行うステップと、
前記第１の位置に対して行った前記コンタクトテストで前記ＬＳＩチップが不良と判断された場合に、前記プローブ針を前記コンタクトパッドに前記第１の圧力より大きい第２の圧力で接触させて前記コンタクトテストを行うステップとを含む半導体ウエハ検査方法。
【請求項３】
半導体ウエハに形成されたＬＳＩチップに設けられたコンタクトパッドに、プローブ針を接触させてコンタクトテストを行う半導体ウエハ検査方法であって、
前記プローブ針を前記コンタクトパッド内の第１の位置に第１の圧力で接触させて前記コンタクトテストを行うステップと、
前記第１の位置に対して行った前記コンタクトテストで前記ＬＳＩチップが不良と判断された場合に、前記コンタクトパッドを撮像した画像から、前記コンタクトパッド内の第１の位置以外の第２の位置を検出するステップと、
前記プローブ針を前記コンタクトパッド内の前記第２の位置に前記第１の圧力より大きい第２の圧力で接触させて前記コンタクトテストを行うステップとを含む半導体ウエハ検査方法。
【請求項４】
請求項１または３記載の半導体ウエハ検査方法であって、
前記第２の位置を、前記第１の位置と前記コンタクトパッドの縁との間の位置に選択するステップを含む半導体ウエハ検査方法。
【請求項５】
請求項１または３記載の半導体ウエハ検査方法であって、
前記第２の位置を、前記プローブ針が接触した位置以外の位置に選択するステップを含む半導体ウエハ検査方法。
【請求項６】
請求項２または３記載の半導体ウエハ検査方法であって、
所定の基準値以下の深さの位置の選択して前記第２の圧力でコンタクトテストを行うステップを含む半導体ウエハ検査方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体ウエハ検査方法であって、
前記所定の基準値以下の深さの位置をレーザー光を用いて測定するステップを含む半導体ウエハ検査方法。
【請求項８】
半導体ウエハに形成されたＬＳＩチップに設けられたコンタクトパッドの画像を取得するカメラと、前記半導体ウエハを移動可能なチャックとを備え、前記コンタクトパッドにプローブ針を接触させてコンタクトテストを行う半導体ウエハ検査装置であって、
前記コンタクトパッド内の第１の位置に前記プローブ針を接触させて行った前記コンタクトテストで前記ＬＳＩチップが不良と判断された場合に、前記カメラで取得した画像から、前記コンタクトパッド内の第１の位置以外の第２の位置を検出する画像処理装置と、
前記チャックを駆動し、前記プローブ針を前記コンタクトパッド内の前記第２の位置に接触させる制御装置とを備える半導体ウエハ検査装置。
【請求項９】
コンタクトパッドを設けたＬＳＩチップが形成された半導体ウエハを移動可能なチャックを備え、前記コンタクトパッドにプローブ針を接触させてコンタクトテストを行う半導体ウエハ検査装置であって、
前記プローブ針を前記コンタクトパッドに第１の圧力で接触させて行った前記コンタクトテストで前記ＬＳＩチップが不良と判断された場合に、前記チャックを駆動し、前記プローブ針を前記コンタクトパッドに前記第１の圧力より大きい第２の圧力で接触させる制御装置を備える半導体ウエハ検査装置。
【請求項１０】
半導体ウエハに形成されたＬＳＩチップに設けられたコンタクトパッドの画像を取得するカメラと、前記半導体ウエハを移動可能なチャックとを備え、前記コンタクトパッドにプローブ針を接触させてコンタクトテストを行う半導体ウエハ検査装置であって、
前記コンタクトパッド内の第１の位置に第１の圧力で前記プローブ針を接触させて行った前記コンタクトテストで前記ＬＳＩチップが不良と判断された場合に、前記カメラで取得した画像から、前記コンタクトパッド内の第１の位置以外の第２の位置を検出する画像処理装置と、
前記チャックを駆動し、前記プローブ針を前記コンタクトパッド内の前記第２の位置に前記第１の圧力より大きい第２の圧力で接触させる制御装置とを備える半導体ウエハ検査装置。
【請求項１１】
請求項８または１０記載の半導体ウエハ検査装置であって、
前記画像処理装置は、前記第２の位置を、前記第１の位置と前記コンタクトパッドの縁との間で検出する半導体ウエハ検査装置。
【請求項１２】
請求項８または１０記載の半導体ウエハ検査装置であって、
前記画像処理装置は、前記第２の位置を、前記プローブ針が接触した位置以外の位置で検出する半導体ウエハ検査装置。
【請求項１３】
請求項９または１０記載の半導体ウエハ検査装置であって、
前記制御装置は、前記第２の圧力で接触させて行うコンタクトテストを、前記所定の基準値以下の深さの位置で行うように前記チャックを駆動させる半導体ウエハ検査装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体ウエハ検査装置であって、
前記所定の基準値以下の深さの位置を測定するレーザー光測定装置を備える半導体ウエハ検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ検査方法および半導体ウエハ検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハ上のＬＳＩチップのテストは、半導体ウエハ検査装置によって行われ、ＬＳＩチップの良品・不良品が判断される。図５は、従来の半導体ウエハ検査装置３００の概略構成を示す図である。図５に示すように、半導体ウエハ検査装置３００は、検査対象の半導体ウエハ３０８をＸ、Ｙ、Ｚ方向に移動可能なチャック３０５と、半導体ウエハ３０８に設けられたコンタクトパッドに接触して電気測定を行うプローブ針３０７を備えたプローブカード３０４と、半導体ウエハ３０８の位置決めのための画像を取得するカメラ３０３とを備えるプローバー装置３０２と、得られた測定データを基準データと比較し、ＬＳＩチップの良品・不良品を判断するＬＳＩテスタ３０１と、プローバー装置３０２とＬＳＩテスタ３０１とのデータのやり取りを行うテスタヘッド３０６とを備える。
【０００３】
このような半導体ウエハ検査装置３００では、ＤＣテスト、ファンクションテストの他に、コンタクトテストと呼ばれるテストが行われる。コンタクトテストは、先端が所定角度に折り曲げられた金属針からなるプローブ針３０７の先端を、ＬＳＩチップのコンタクトパッドに接触させることによって行われ、ＬＳＩテスタ３０１とＬＳＩチップの内部回路との接続を確認するためのものである（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平７−２２４７８号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の半導体ウエハ検査装置にあっては、接続検査であるコンタクトテストにおいてプローブ針の針圧不足などの接触不良によってＬＳＩチップが不良品と判定されたのか、ＬＳＩチップの内部回路自体の故障で不良品と判定されたのか区別することができない。
【０００６】
従って、プローブ針の接触不良の為に本来は良品であるはずのＬＳＩチップが不良品と判定される場合が生じ、半導体ウエハの製造における歩留が低下するなどの問題点を有していた。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、ＬＳＩチップのテストにおいて、コンタクトパッドとプローブ針の接触不良によりＬＳＩチップが不良品と判定されることを防止する半導体ウエハ検査方法および半導体ウエハ検査装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１の半導体ウエハ検査方法は、半導体ウエハに形成されたＬＳＩチップに設けられたコンタクトパッドに、プローブ針を接触させてコンタクトテストを行う半導体ウエハ検査方法であって、前記プローブ針を前記コンタクトパッド内の第１の位置に接触させて前記コンタクトテストを行うステップと、前記第１の位置に対して行った前記コンタクトテストで前記ＬＳＩチップが不良と判断された場合に、前記コンタクトパッドを撮像した画像から、前記コンタクトパッド内の第１の位置以外の第２の位置を検出するステップと、前記プローブ針を前記コンタクトパッド内の前記第２の位置に接触させて前記コンタクトテストを行うステップとを含むものである。
【０００９】
請求項８の半導体ウエハ検査装置は、半導体ウエハに形成されたＬＳＩチップに設けられたコンタクトパッドの画像を取得するカメラと、前記半導体ウエハを移動可能なチャックとを備え、前記コンタクトパッドにプローブ針を接触させてコンタクトテストを行う半導体ウエハ検査装置であって、前記コンタクトパッド内の第１の位置に前記プローブ針を接触させて行った前記コンタクトテストで前記ＬＳＩチップが不良と判断された場合に、前記カメラで取得した画像から、前記コンタクトパッド内の第１の位置以外の第２の位置を検出する画像処理装置と、前記チャックを駆動し、前記プローブ針を前記コンタクトパッド内の前記第２の位置に接触させる制御装置とを備えるものである。
【００１０】
上記構成によれば、プローブ針をコンタクトパッドの異なる位置に接触させて複数回のコンタクトテストを行うので、プローブ針の接触不良のためにＬＳＩチップが不良品と判定されることを防止し、コンタクトテストにおける半導体ウエハの歩留を向上させることができる。
【００１１】
請求項２の半導体ウエハ検査方法は、半導体ウエハに形成されたＬＳＩチップに設けられたコンタクトパッドに、プローブ針を接触させてコンタクトテストを行う半導体ウエハ検査方法であって、前記プローブ針を前記コンタクトパッドに第１の圧力で接触させて前記コンタクトテストを行うステップと、前記第１の位置に対して行った前記コンタクトテストで前記ＬＳＩチップが不良と判断された場合に、前記プローブ針を前記コンタクトパッドに前記第１の圧力より大きい第２の圧力で接触させて前記コンタクトテストを行うステップとを含むものである。
【００１２】
請求項９の半導体ウエハ検査装置は、コンタクトパッドを設けたＬＳＩチップが形成された半導体ウエハを移動可能なチャックを備え、前記コンタクトパッドにプローブ針を接触させてコンタクトテストを行う半導体ウエハ検査装置であって、前記プローブ針を前記コンタクトパッドに第１の圧力で接触させて行った前記コンタクトテストで前記ＬＳＩチップが不良と判断された場合に、前記チャックを駆動し、前記プローブ針を前記コンタクトパッドに前記第１の圧力より大きい第２の圧力で接触させる制御装置を備えるものである。
【００１３】
上記構成によれば、プローブ針をコンタクトパッドに異なる圧力で接触させて複数回のコンタクトテストを行うので、コンタクトパッドとプローブ針との接触信頼性を向上させることができるとともに、コンタクトテストにおける半導体ウエハの歩留を向上させることができる。
【００１４】
請求項３の半導体ウエハ検査方法は、半導体ウエハに形成されたＬＳＩチップに設けられたコンタクトパッドに、プローブ針を接触させてコンタクトテストを行う半導体ウエハ検査方法であって、前記プローブ針を前記コンタクトパッド内の第１の位置に第１の圧力で接触させて前記コンタクトテストを行うステップと、前記第１の位置に対して行った前記コンタクトテストで前記ＬＳＩチップが不良と判断された場合に、前記コンタクトパッドを撮像した画像から、前記コンタクトパッド内の第１の位置以外の第２の位置を検出するステップと、前記プローブ針を前記コンタクトパッド内の前記第２の位置に前記第１の圧力より大きい第２の圧力で接触させて前記コンタクトテストを行うステップとを含むものである。
【００１５】
請求項１０の半導体ウエハ検査装置は、半導体ウエハに形成されたＬＳＩチップに設けられたコンタクトパッドの画像を取得するカメラと、前記半導体ウエハを移動可能なチャックとを備え、前記コンタクトパッドにプローブ針を接触させてコンタクトテストを行う半導体ウエハ検査装置であって、前記コンタクトパッド内の第１の位置に第１の圧力で前記プローブ針を接触させて行った前記コンタクトテストで前記ＬＳＩチップが不良と判断された場合に、前記カメラで取得した画像から、前記コンタクトパッド内の第１の位置以外の第２の位置を検出する画像処理装置と、前記チャックを駆動し、前記プローブ針を前記コンタクトパッド内の前記第２の位置に前記第１の圧力より大きい第２の圧力で接触させる制御装置とを備えるものである。
【００１６】
上記構成によれば、プローブ針をコンタクトパッドの異なる位置に異なる圧力で接触させて複数回のコンタクトテストを行うので、プローブ針の接触不良のためにＬＳＩチップが不良品と判定されることを防止し、コンタクトパッドとプローブ針との接触信頼性を向上させることができ、コンタクトテストにおける半導体ウエハの歩留を向上させることができる。
【００１７】
請求項４の半導体ウエハ検査方法は、請求項１または３記載の半導体ウエハ検査方法において、前記第２の位置を、前記第１の位置と前記コンタクトパッドの縁との間の位置に選択するステップを含むものである。
【００１８】
請求項１１の半導体ウエハ検査装置は、請求項８または１０記載の半導体ウエハ検査装置であって、前記画像処理装置は、前記第２の位置を、前記第１の位置と前記コンタクトパッドの縁との間で検出するものである。
【００１９】
上記構成によれば、第２の位置を、第１の位置とコンタクトパッドの縁との間の位置に選択することで、画像処理における簡単な演算で第２の位置を求めることができ、コンタクトテストにかかる時間を短縮することができる。
【００２０】
請求項５の半導体ウエハ検査方法は、請求項１または３記載の半導体ウエハ検査方法において、前記第２の位置を、前記プローブ針が接触した位置以外の位置に選択するステップを含むものである。
【００２１】
請求項１２の半導体ウエハ検査装置は、請求項８または１０記載の半導体ウエハ検査装置であって、前記画像処理装置は、前記第２の位置を、前記プローブ針が接触した位置以外の位置で検出するものである。
【００２２】
上記構成によれば、第２の位置を、既に行ったコンタクトテストでプローブ針が接触した位置以外の位置に選択することで、コンタクトパッドとプローブ針との接触信頼性を向上させることができる。
【００２３】
請求項６の半導体ウエハ検査方法は、請求項２または３記載の半導体ウエハ検査方法において、所定の基準値以下の深さの位置の選択して前記第２の圧力でコンタクトテストを行うステップを含むものである。
【００２４】
請求項１３の半導体ウエハ検査装置は、請求項９または１０記載の半導体ウエハ検査装置であって、前記制御装置は、前記第２の圧力で接触させて行うコンタクトテストを、前記所定の基準値以下の深さの位置で行うように前記チャックを駆動させるものである。
【００２５】
上記構成によれば、第２の圧力で接触させて行うコンタクトテストを、所定の基準値以下の深さの位置で行うことで、コンタクトパッドとプローブ針との接触信頼性を向上させることができる。
【００２６】
請求項７の半導体ウエハ検査方法は、請求項６記載の半導体ウエハ検査方法において、前記所定の基準値以下の深さの位置をレーザー光を用いて測定するステップを含むものである。
【００２７】
請求項１４の半導体ウエハ検査装置は、請求項１３記載の半導体ウエハ検査装置であって、前記所定の基準値以下の深さの位置を測定するレーザー光測定装置を備えるものである。
【００２８】
上記構成によれば、レーザー光により測定することで、プローブ針の針跡の深さをを正確に検出することができ、コンタクトパッドとプローブ針との接触信頼性を向上させることができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明の一実施形態の半導体ウエハ検査装置の概略構成を示す図である。図１に示すように、半導体ウエハ検査装置１００は、検査対象の半導体ウエハ１１０をＸ、Ｙ、Ｚ方向に移動可能なチャック１０５と、半導体ウエハ１１０に設けられたコンタクトパッドに接触して電気測定を行うプローブ針１０９を備えたプローブカード１０４と、半導体ウエハ１１０の画像を取得するカメラ１０３と、コンタクトパッドに付けられたプローブ針１０９の針跡の深さを測定可能なレーザー光測定装置１１１とを含むプローバー装置１０２を備える。
【００３０】
さらに、半導体ウエハ検査装置１００は、カメラ１０３で取得した画像をコンタクトパッドのＸ、Ｙ座標と重ね合わせ、コンタクトパッドにおいてプローブ針１０９を接触させる位置を検出する画像処理装置１０６と、所定のプログラムによって動作するプロセッサを主体に構成されて装置全体を制御するとともに、プローブ針１０９を接触させる位置を示すＸ、Ｙ座標にチャック１０５を動かす制御装置１０７と、得られた測定データを基準データと比較し、ＬＳＩチップの良品・不良品を判断するＬＳＩテスタ１０１と、プローバー装置１０２とＬＳＩテスタ１０１とのデータのやり取りを行うテスタヘッド１０８とを備える。
【００３１】
図２は、検査対象である半導体ウエハ１１０を示す図である。半導体ウエハ１１０には、図２（ａ）に示すように、ＬＳＩチップ１１０−１、１１０−２、…１１０−２００が形成されている。また、各ＬＳＩチップ１１０−１、１１０−２、…１１０−２００には、図２（ｂ）に示すように、プローブ針１０９を接触させてコンタクトテストを行うコンタクトパッド２０１−１、２０１−２、…２０１−４４が形成されている。
【００３２】
図３は、コンタクトテストを行った後のコンタクトパッド２０１の状態を示す図である。図３に示すように、コンタクトテストを行うと、コンタクトパッド２０１にはプローブ針１０９の針跡２０２が残される。なお、図３には、針跡の無い部分２０３、コンタクトパッド２０１の左縁中心２０４、針跡と左縁中心２０４との中心２０５等が示されているが、その説明は後述する。
【００３３】
次に、図４に示すコンタクトテストの概略フローチャートを参照して半導体ウエハ検査装置の動作について説明する。コンタクトテストでは、まず、プローブ針１０９をコンタクトパッド２０１の所定の位置（第１の位置）に接触させ、ＬＳＩテスタ１０１とＬＳＩチップの内部回路との接続を確認する（ステップＳ１）。
【００３４】
コンタクトテストの結果、ＬＳＩチップの良品・不良品が判断され（ステップＳ２）、良品と判断された場合（Ｙｅｓ）は他のテストに移行し、不良品と判断された場合（Ｎｏ）は、カメラ１０３によりコンタクトパッド２０１の画像を取得する（ステップＳ３）。
【００３５】
次に、再コンタクトテストを行うためのコンタクトパッド２０１の接触位置（第２の位置）を選択するために、コンタクトパッド２０１の左縁中心２０４（図３参照）と針跡２０２との中心２０５を求める（ステップＳ４）。
【００３６】
そして、その中心２０５にプローブ針１０９を接触させるスペースがあるか否かを判断し（ステップＳ５）、スペースがある場合（Ｙｅｓ）は、制御装置１０７がチャック１０５を動かし、その中心２０５にプローブ針１０９を接触させて再コンタクトテストを行う（ステップＳ１４）。
【００３７】
一方、コンタクトパッド２０１の左縁中心２０４と針跡２０２との間にプローブ針１０９を置けるスペースが無い場合（Ｎｏ）は、コンタクトパッド２０１の上縁中心２０６と針跡２０２との中心を求め（ステップＳ６）、その位置にプローブ針１０９を接触させるスペースがあるか否かを判断し（ステップＳ７）、スペースがある場合（Ｙｅｓ）は、制御装置１０７がチャック１０５を動かし、その位置にプローブ針１０９を接触させて再コンタクトテストを行う（ステップＳ１４）。
【００３８】
一方、コンタクトパッド２０１の上縁中心２０６と針跡２０２との間にプローブ針１０９を置けるスペースが無い場合（Ｎｏ）は、コンタクトパッド２０１の右縁中心２０７と針跡２０２との中心を求め（ステップＳ８）、その位置にプローブ針１０９を接触させるスペースがあるか否かを判断し（ステップＳ９）、スペースがある場合（Ｙｅｓ）は、制御装置１０７がチャック１０５を動かし、その位置にプローブ針１０９を接触させて再コンタクトテストを行う（ステップＳ１４）。
【００３９】
一方、コンタクトパッド２０１の右縁中心２０７と針跡２０２との間にプローブ針１０９を置けるスペースが無い場合（Ｎｏ）は、コンタクトパッド２０１の下縁中心２０８と針跡２０２との中心を求め（ステップＳ１０）、その位置にプローブ針１０９を接触させるスペースがあるか否かを判断し（ステップＳ１１）、スペースがある場合（Ｙｅｓ）は、制御装置１０７がチャック１０５を動かし、その位置にプローブ針１０９を接触させて再コンタクトテストを行う（ステップＳ１４）。
【００４０】
一方、コンタクトパッド２０１の下縁中心２０８と針跡２０２との間にプローブ針１０９を置けるスペースが無い場合（Ｎｏ）は、カメラ１０３、レーザー光測定装置１１１および画像処理装置１０６を用いてプローブ針１０９の針跡の深さを計算して所定の基準値以下の深さの位置を選択し、複数の針跡の中から最も浅い針跡を検出し（ステップＳ１２）、その針跡にプローブ針１０９の針圧を増加させて接触させ（ステップＳ１３）、再コンタクトテストを行う（ステップＳ１４）。
【００４１】
再コンタクトテストでは、再度ＬＳＩチップの良品・不良品を判断し（ステップＳ１５）、良品と判断された場合（Ｙｅｓ）は他のテストに移行し、不良品と判断された場合は、処理の終了となる。
【００４２】
本実施形態の半導体ウエハ検査装置によれば、プローブ針１０９をコンタクトパッド２０１の異なる位置に接触させて複数回のコンタクトテストを行うので、プローブ針１０９の接触不良のためにＬＳＩチップが不良品と判定されることを防止し、コンタクトテストにおける半導体ウエハ１０５の歩留を向上させることができる。
【００４３】
また、本実施形態の半導体ウエハ検査装置によれば、プローブ針１０９をコンタクトパッド２０１に異なる圧力で接触させて複数回のコンタクトテストを行うので、コンタクトパッド２０１とプローブ針１０９との接触信頼性を向上させることができるとともに、コンタクトテストにおける半導体ウエハの歩留を向上させることができる。
【００４４】
【発明の効果】
本発明によれば、プローブ針をコンタクトパッドの異なる位置に接触させて複数回のコンタクトテストを行うので、プローブ針の接触不良のためにＬＳＩチップが不良品と判定されることを防止し、コンタクトテストにおける半導体ウエハの歩留を向上させることができる。また、プローブ針をコンタクトパッドに異なる圧力で接触させて複数回のコンタクトテストを行うので、コンタクトパッドとプローブ針との接触信頼性を向上させることができるとともに、コンタクトテストにおける半導体ウエハの歩留を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の半導体ウエハ検査装置の概略構成を示す図。
【図２】検査対象である半導体ウエハを示す図。
【図３】コンタクトテストを行った後のコンタクトパッドの状態を示す図。
【図４】半導体ウエハ検査装置で行われるコンタクトテストの処理の示すフローチャート。
【図５】従来の半導体ウエハ検査装置の概略構成を示す図。
【符号の説明】
１００、３００  半導体ウエハ検査装置
１０１、３０１  ＬＳＩテスタ
１０２、３０２  プローバー装置
１０３、３０３  カメラ
１０４、３０４  プローブカード
１０５、３０５  チャック
１０６  画像処理装置
１０７  制御装置
１０８、３０６  テストヘッド
１０９、３０７  プローブ針
１１０、３０８  半導体ウエハ
１１０−１、１１０−２  ＬＳＩチップ
１１１  レーザー光測定装置
２０１  コンタクトパッド
２０２  針跡
２０３  針跡の無い部分
２０４  コンタクトパッドの左縁中心
２０５  針跡とコンタクトパッドの左縁中心との中心
２０６  コンタクトパッドの上縁中心
２０７  コンタクトパッドの右縁中心
２０８  コンタクトパッドの下縁中心
【図１】
2004342676.tif 000003
【図２】
2004342676.tif 000004
【図３】
2004342676.tif 000005
【図４】
2004342676.tif 000006
【図５】
2004342676.tif 000007