(57)【要約】【課題】  発光モードでシグナル電圧を光に転換でき、及び／または再発光モードで発光を抑制するように調整される発光抑制素子（ＰＱＤ）及びＰＱＤに基づいた画像表示装置を提供する。【解決手段】  画像表示装置のエミッタ層４と電極層２、５間に配置されたホール障壁層７及び／または電子障壁層６を含む。ホール障壁層７の最高占有分子軌道関数１２はエミッタ層４の最高占有分子軌道関数８よりエネルギー的に低く、及び／または電子障壁層６の最低非占有分子軌道関数１１はエミッタ層４の最低非占有分子軌道関数９よりエネルギー的に高い画像表示装置。本発明によってホール障壁層７及び／または電子障壁層６の分子軌道関数１１、１２のエネルギーレベルを調節することによって願わないキャリアが画像表示装置の再発光動作中に逆方向に注入されることを防止できる障壁が生成できる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１）、エミッタ層（４）、透明で前記エミッタ層（４）の前面上に配置された第１電極層（２）、及び前記エミッタ層（４）の背面に配置された第２電極層（５）を含む発光抑制素子に基づいた画像表示装置であって、
前記画像表示装置は前記エミッタ層（４）と電極層（２、５）との間に配置されたホール障壁層（７）及び／または電子障壁層（６）を含み、
前記ホール障壁層（７）の最高占有分子軌道関数（１２）がエミッタ層（４）の最高占有分子軌道関数（８）よりもエネルギー的に低く、及び／または、
前記電子障壁層（６）の最低非占有分子軌道関数（１１）がエミッタ層（４）の最低非占有分子軌道関数（９）よりもエネルギー的に高いことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記エミッタ層（４）の最低非占有分子軌道関数（９）はホール障壁層（７）の最低非占有分子軌道関数（１３）と一致し、及び／または電子障壁層（６）の最高占有分子軌道関数（１０）は前記エミッタ層（４）の最高占有分子軌道関数（８）と一致し、これによって画像表示装置の再発光動作中に前記第１電極層（２）はカソードを形成し、また前記第２電極層（５）はアノードを形成し、画像表示装置の発光動作中に前記第１電極層（２）はアノードを形成し、また前記第２電極層（５）はカソードを形成することを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記エミッタ層（４）の最低非占有分子軌道関数（９）はホール障壁層（７）の最低非占有分子軌道関数（１３）よりもエネルギー的に高く、及び／または電子障壁層（６）の最高占有分子軌道関数（１０）は前記エミッタ層（４）の最高占有分子軌道関数（８）よりもエネルギー的に高く、これによって画像表示装置の再発光動作中に前記第１電極層（２）はカソードを形成し、また前記第２電極層（５）はアノードを形成することを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記電子障壁層（６）の最高占有分子軌道関数（１０）と前記電子障壁層（６）の最低非占有分子軌道関数（１１）との間のエネルギー差、及び前記ホール障壁層（７）の最高占有分子軌道関数（１２）と前記ホール障壁層（７）の最低非占有分子軌道関数（１３）との間のエネルギー差は少なくとも３．３ｅＶであることを特徴とする請求項１ないし３のうちいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記電子障壁層（６）はトリフェニルアミン誘導体、ベンジジン誘導体、及びフェニレンジアミン誘導体よりなる群から選択された少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１ないし４のうちいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項６】
ホール障壁層（７）はオキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、トリアゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ナフタレンカルボキシル酸イミド誘導体、ナフタレンジカルボキシル酸ジイミド誘導体、ジルコニウム酸化物、タンタル酸化物、亜鉛硫化物、亜鉛セレン化物、錫酸化物、チタン酸化物及び亜鉛酸化物よりなる群から選択された少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１ないし５のうちいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記ホール障壁層（７）は前記エミッタ層（４）の前記基板（１）に向いた面上に配置されており、前記電子障壁層（６）は前記エミッタ層（４）の前記基板（１）に向いていない面上に配置されていることを特徴とする請求項１ないし６のうちいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項８】
有機発光材料、透明で前記有機発光材料の前面上に配置された第１電極層、及び前記有機発光材料の背面上に配置された第２電極層を含む発光抑制素子であって、
前記発光抑制素子は前記発光材料と電極との間に配置されたホール障壁層及び／または電子障壁層を含み、
前記ホール障壁層の最高占有分子軌道関数が前記発光材料の最高占有分子軌道関数よりもエネルギー的に低く、及び／または
前記電子障壁層の最低非占有分子軌道関数が前記発光材料の最低非占有分子軌道関数よりもエネルギー的に高いことを特徴とする発光抑制素子。
【請求項９】
前記発光材料の最低非占有分子軌道関数は前記ホール障壁層の最低非占有分子軌道関数と一致し、及び／または前記電子障壁層の最高占有分子軌道関数は前記発光材料の最高占有分子軌道関数と一致し、これによって前記発光抑制素子の再発光動作中に前記第１電極はカソードを形成し、また前記第２電極層はアノードを形成し、前記発光抑制素子の発光動作中に前記第１電極はアノードを形成し、また前記第２電極はカソードを形成することを特徴とする請求項８に記載の発光抑制素子。
【請求項１０】
前記発光材料の最低非占有分子軌道関数は前記ホール障壁層の最低非占有分子軌道関数よりもエネルギー的に高く、及び／または前記電子障壁層の最高占有分子軌道関数は前記発光材料の最高占有分子軌道関数よりもエネルギー的に高くて、前記発光抑制素子の再発光動作中に前記第１電極はカソードを形成し、また前記第２電極はアノードを形成することを特徴とする請求項８に記載の発光抑制素子。
【請求項１１】
前記電子障壁層の最高占有分子軌道関数と前記電子障壁層の最低非占有分子軌道関数との間のエネルギー差及び前記ホール障壁層の最高占有分子軌道関数と前記ホール障壁層の最低非占有分子軌道関数との間のエネルギー差は少なくとも３．３ｅＶであることを特徴とする請求項８ないし１０のうちいずれか１項に記載の発光抑制素子。
【請求項１２】
前記電子障壁層はトリフェニルアミン誘導体、ベンジジン誘導体及びフェニレンジアミン誘導体よりなる群から選択された少なくともいずれか一つを含み、
前記ホール障壁層はオキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、トリアゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ナフタレンカルボキシル酸イミド誘導体、ナフタレンジカルボキシル酸ジイミド誘導体、ジルコニウム酸化物、タンタル酸化物、亜鉛硫化物、亜鉛セレン化物、錫酸化物、チタン酸化物及び亜鉛酸化物よりなる群から選択された少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項８ないし１１のうちいずれか１項に記載の発光抑制素子。
【請求項１３】
発光を抑制する再発光モードで動作される発光抑制素子に基づいた画像表示装置を利用してシグナル電圧を光学画像情報に転換する方法であって、
カソードから自由電子のアノード方向への移動が電子障壁層によって妨害され、及び／または、
アノードから電子欠乏領域のカソード方向への移動がホール障壁層によって妨害されることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシグナル電圧を光に転換する発光モード及び発光を抑制する再発光モードで駆動される発光抑制素子（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｑｕｅｎｃｈｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅ；ＰＱＤ）及びＰＱＤに基づいた画像表示装置及びシグナル電圧を光学画像情報に転換するプロセスに関する。
【背景技術】
【０００２】
以下の議論で発光モードまたは動作は電界発光モードまたは動作と同じ意味であり、再発光モードまたは動作は発光モードまたは動作と同じ意味である。
【０００３】
有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ；ＯＬＥＤ）に基づいた平板画像表示装置は高輝度及び光視野角の特性を有する。自己発光技術ＯＬＥＤ画像表示装置はバックライトを必要とせずに、また低いレベルから中間レベルの周囲光量の条件でエネルギー的に有利に機能できる。
【０００４】
しかし、周囲光量の多い条件下で、例えば直射太陽光線下では適当な輝度を得るために過度に多くの電力量が必要である。したがって、発光成分をコントロールするのに必要な電流量も多い。したがって、液晶画像表示装置のような反射及び再発光技術に優れた技術が用いられる。しかし、このような技術は周囲光の小さい条件で動作するためにはバックライトを必要とし、したがってエネルギー消費が増加する問題点がある。
【０００５】
有機発光ダイオードに基づいて発光モードだけでなく再発光モードでも動作される成分は既に特許文献１に知られている。そのようなＰＱＤは有機発光ダイオードに類似した構造を有し、自己発光モード、すなわち周囲光なしに動作でき、また再発光モードでも動作できる。再発光モードでの発光の強度はＰＱＤの逆方向に電圧を印加することによって調節される。コンタクト材料及びエミッタ材料を適切に選択すれば、これら材料を具備した画像表示装置は発光モードだけでなく再発光モードで動作できる。他の長所は画像表示装置がバックライトを必要としないことである。再発光動作の条件は十分な周囲光が周囲から吸収されねばならないという点である。画像表示装置構成要素に（＋）だけでなく（−）ゲート電圧を印加できなければならないということもその条件である。
【０００６】
ＰＱＤは基本的に透明伝導性コンタクト、エミッタ層及び対向コンタクトよりなっている。画像表示装置の輝度を調節するために金属コンタクトは前記透明コンタクトに対して（＋）に帯電されるが、これは逆方向（再発光動作）に該当する。しかし、この構造は再発光動作中に効率面で限界を有するが、これは注入障壁がまた逆方向で有限であり、したがって顕著な暗電流が流れるためである。この暗電流はエネルギーバランスを減少させるが、特に画像表示装置が低輝度で動作する時にそうである。また、前記金属コンタクトは腐食から保護するために複雑なカプセル化を要求するアルミニウムまたはカルシウムのようなベース金属でなければならない。
【０００７】
特許文献２及び３から、多層構造がエネルギーバランスを向上させうるということが知られている。これら構造は発光ダイオードの発光動作中に最適の性能、すなわち電荷キャリアの最適な注入のために最適化されている。同様に、発光動作中に電子注入を向上させるために有機発光ダイオードに無機材料を適用することが従来技術から知られている。
【０００８】
電子注入を向上させるためにアルカリ金属及びアルカリ土類金属のフッ化物または酸化物を適用することが特許文献４に開示されている。しかし、従来技術として知られた有機発光ダイオード用のあらゆる多層システムは単に発光モードで有効な電子注入を実現しただけである。現在までに知られた画像表示装置において発光ダイオードの再発光動作中に電子注入を減少させることは不可能である。
【特許文献１】独国特許発明第１００４２９７４号明細書
【特許文献２】米国特許第５，２９４，８１０号明細書
【特許文献３】米国特許第６，０９７，１４７号明細書
【特許文献４】欧州特許第１０８３６１２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
したがって、本発明の目的は発光モード及び／または再発光モードで駆動されるＰＱＤ及びＰＱＤに基づいて再発光動作中に非常に少ない暗電流を表す画像表示装置を提供することである。これにより低輝度で画像表示装置またはＰＱＤの効率が高まる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するために本発明は、基板１、エミッタ層４、透明で前記エミッタ層４の前面上に配置された第１電極層２、及び前記エミッタ層４の背面に配置された第２電極層５を含むＰＱＤに基づいた画像表示装置であって、前記画像表示装置は前記エミッタ層４と電極層２、５との間に配置されたホール障壁層７及び／または電子障壁層６を含み、前記ホール障壁層７の最高占有分子軌道関数１２がエミッタ層４の最高占有分子軌道関数８よりもエネルギー的に低く、及び／または、前記電子障壁層６の最低非占有分子軌道関数１１がエミッタ層４の最低非占有分子軌道関数９よりもエネルギー的に高いことを特徴とする画像表示装置を提供する。
【００１１】
本発明の画像表示装置において、前記エミッタ層４の最低非占有分子軌道関数９はホール障壁層７の最低非占有分子軌道関数１３と一致し、及び／または電子障壁層６の最高占有分子軌道関数１０は前記エミッタ層４の最高占有分子軌道関数８と一致し、これによって画像表示装置の再発光動作中に前記第１電極層２はカソードを形成し、また前記第２電極層５はアノードを形成し、画像表示装置の発光動作中に前記第１電極層２はアノードを形成し、また前記第２電極層５はカソードを形成することが望ましい。
【００１２】
本発明の画像表示装置において、前記エミッタ層４の最低非占有分子軌道関数９はホール障壁層７の最低非占有分子軌道関数１３よりもエネルギー的に高く、及び／または電子障壁層６の最高占有分子軌道関数１０は前記エミッタ層４の最高占有分子軌道関数８よりもエネルギー的に高く、これによって画像表示装置の再発光動作中に前記第１電極層２はカソードを形成し、また前記第２電極層５はアノードを形成することが望ましい。
【００１３】
本発明の画像表示装置において、前記電子障壁層６の最高占有分子軌道関数１０と前記電子障壁層６の最低非占有分子軌道関数１１との間のエネルギー差、及び前記ホール障壁層７の最高占有分子軌道関数１２と前記ホール障壁層７の最低非占有分子軌道関数１３との間のエネルギー差は少なくとも３．３ｅＶであることが望ましい。
【００１４】
本発明の画像表示装置において、前記ホール障壁層７は前記エミッタ層４の前記基板１に向いた面上に配置されており、前記電子障壁層６は前記エミッタ層４の前記基板１に向いていない面上に配置されていることが望ましい。
【００１５】
前記目的を達成するために本発明はまた、有機発光材料、透明で前記有機発光材料の前面上に配置された第１電極層、及び前記有機発光材料の背面上に配置された第２電極層を含むＰＱＤであって、前記ＰＱＤは前記発光材料と電極との間に配置されたホール障壁層及び／または電子障壁層を含み、前記ホール障壁層の最高占有分子軌道関数が前記発光材料の最高占有分子軌道関数よりもエネルギー的に低く、及び／または前記電子障壁層の最低非占有分子軌道関数が前記発光材料の最低非占有分子軌道関数よりもエネルギー的に高いことを特徴とするＰＱＤを提供する。
【００１６】
本発明のＰＱＤにおいて、前記発光材料の最低非占有分子軌道関数は前記ホール障壁層の最低非占有分子軌道関数と一致し、及び／または前記電子障壁層の最高占有分子軌道関数は前記発光材料の最高占有分子軌道関数と一致し、これによって前記ＰＱＤの再発光動作中に前記第１電極はカソードを形成し、また前記第２電極層はアノードを形成し、前記ＰＱＤの発光動作中に前記第１電極はアノードを形成し、また前記第２電極はカソードを形成することが望ましい。
【００１７】
本発明のＰＱＤにおいて、前記発光材料の最低非占有分子軌道関数は前記ホール障壁層の最低非占有分子軌道関数よりもエネルギー的に高く、及び／または前記電子障壁層の最高占有分子軌道関数は前記発光材料の最高占有分子軌道関数よりもエネルギー的に高くて、これによって前記ＰＱＤの再発光動作中に前記第１電極はカソードを形成し、また前記第２電極はアノードを形成することが望ましい。
【００１８】
本発明のＰＱＤにおいて、前記電子障壁層の最高占有分子軌道関数と前記電子障壁層の最低非占有分子軌道関数との間のエネルギー差及び前記ホール障壁層の最高占有分子軌道関数と前記ホール障壁層の最低非占有分子軌道関数との間のエネルギー差は少なくとも３．３ｅＶであることが望ましい。
【００１９】
前記目的を達成するために本発明はまた、発光を抑制する再発光モードで動作されるＰＱＤに基づいた画像表示装置を利用してシグナル電圧を光学画像情報に転換する方法であって、カソードから自由電子のアノード方向への移動が電子障壁層によって妨害され、及び／またはアノードから電子欠乏領域のカソード方向への移動がホール障壁層によって妨害されることを特徴とする方法を提供する。
【００２０】
本発明の望ましい具現例は従属項に含まれている。
【００２１】
本発明は再発光動作中にＰＱＤ及びＰＱＤに基づいた画像表示装置の暗電流を減少させた点に独特な長所を有する。
【００２２】
このような目的を達成するための本発明の画像表示装置はホール障壁層及び／または電子障壁層を含み、前記ホール障壁層及び／または電子障壁層は前記画像表示装置のエミッタ層と電極層との間に配置されており、前記ホール障壁層の最高占有分子軌道関数（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ：ＨＯＭＯ）はエネルギー的に前記エミッタ層のＨＯＭＯよりも低く、及び／または前記電子障壁層の最低非占有分子軌道関数（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ：ＬＵＭＯ）はエネルギー的に前記エミッタ層のＬＵＭＯよりも高い。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によって前記ホール障壁層及び／または電子障壁層の分子軌道関数のエネルギーレベルを調節することによって、画像表示装置の再発光動作中に誤った方向に電荷キャリアの願わない注入が流れることを防止する障壁が立てられうる。
【００２４】
願わない暗電流を十分に抑制するためには電子障壁層の価電子帯またはＨＯＭＯをエミッタ層のＨＯＭＯにエネルギー的にマッチングさせるだけでなくホール障壁層の伝導帯またはＬＵＭＯをエミッタ層のＬＵＭＯにエネルギー的にマッチングさせることが有利である。これによって再発光動作中にエミッタ層で生成された電荷キャリアが障壁なしにドレインされうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の望ましい具現例で、エミッタ層のＬＵＭＯはホール障壁層のＬＵＭＯに該当し、及び／または電子障壁層のＨＯＭＯはエミッタ層のＨＯＭＯに該当し、これによって再発光動作中に第１電極層（基板に向う電極層）は画像表示装置のカソードを形成し、第２電極層（基板に向わない電極層）はアノードを形成し、また発光動作中に第１電極層はアノードを、第２電極層はカソードを形成する。エミッタ層とホール障壁層との伝導帯のエネルギーが同一であり、エミッタ層と電子障壁層との価電子帯のエネルギーも同一であれば、発光動作及び再発光動作がいずれも可能である。
【００２６】
電荷キャリアが発光動作中に注入障壁を克服しなければならないが、再発光動作中に障壁を克服する必要なしにドレインされるようにホール障壁層、エミッタ層及び電子障壁層のエネルギーレベルが調節されれば、再発光動作だけ可能である。
【００２７】
このような場合、金属コンタクト用材料の選択はベースメタルのみに限定されず、腐食にさらに耐性のある材料が使われうる。このように電極材料を自由に選択できるために逆層構造が生産されることがあるが、ここで透明コンタクトは金属コンタクトの役割に代えて電子を抽出するのに寄与する。再発光動作中に透明コンタクトは電荷キャリアの注入なしに金属コンタクトに対して（＋）に帯電される。またＨＯＭＯとＬＵＭＯとの間には適当な距離（いわゆるバンドギャップ）が必要である。逆方向への電荷キャリア注入の障壁を最大化するために、前記バンドギャップはホール障壁層だけでなく電子障壁層に対しても十分に大きい必要がある。したがって、該当材料は可視光線スペクトルの光を吸収してはならない。
【００２８】
または、電極層は少なくともホール障壁層及び／または電子障壁層の一部よりなることも可能である。
【００２９】
前記画像表示装置と類似に、発光抑制素子はホール障壁層及び／または電子障壁層を含み、ホール障壁層の価電子帯はＰＱＤの発光材料の価電子帯よりもエネルギー的に低く、及び／または電子障壁層の伝導帯はＰＱＤの発光材料の伝導帯よりもエネルギー的に高い。
【００３０】
以下、本発明を本発明の具現例によって詳細に説明する。
【００３１】
図１は概略的な断面図で図示された本発明による画像表示装置を示す。透明コンタクト２がガラス基板１上に配置されている。この透明コンタクト２は画像表示装置の発光動作中にアノードを形成し、再発光動作中にカソードを形成する。電子障壁層６は透明コンタクト２層の上部に配置されている。有機エミッタ層４は電子障壁層６の上部に配置されており、ホール障壁層７は有機エミッタ層４の上部に配置されている。仕事関数が小さな金属コンタクト層５によって画像表示装置が完成される。（発光動作中に）画像表示装置で暗電流が逆方向に流れることを減少させるために、エミッタ層４、電子障壁層６及びホール障壁層７の材料は各層４、６、７の価電子帯及び伝導帯のエネルギーレベルが図２による状態にあるように選択される。
【００３２】
エミッタ層４の伝導帯９（ＬＵＭＯ）がホール障壁層７の伝導帯１３と同一であり、エミッタ層４の価電子帯８（ＨＯＭＯ）が電子障壁層６の価電子帯１０と同一であり、また電子障壁層６の伝導帯１１がエミッタ層４の伝導帯９よりもエネルギー的に高く、エミッタ層４の価電子帯８がホール障壁層７の価電子帯１２よりもエネルギー的に高いように電子障壁層６、ホール障壁層７及びエミッタ層４の材料が選択される。このような調節によってエミッタ層で生成された電荷キャリアが障壁なしにドレインされる。これによって画像表示装置は再発光動作だけでなく発光動作が可能になる。
【００３３】
画像表示装置が単に再発光動作に使われる場合、この画像表示装置は本発明によって図３に図示されたように、エミッタ層４の伝導帯９がホール障壁層７の伝導帯１３よりもエネルギー的に高く、電子障壁層６の価電子帯１０がエミッタ層４の価電子帯８よりもエネルギー的に高く調節される。この場合、このような配列によって生じた障壁のためにいずれかの順方向動作は不可能である。このような具現例で金属コンタクト層５用材料の選択はベース金属に限定されず、したがって向上した腐食抵抗性を有する材料も使用できる。これによって逆層構造を形成することもできるが、ここで透明コンタクトは金属コンタクトの役割に代えて電子を抽出するのに寄与する。ホール障壁層だけが使われる具現例で行われたように、前記障壁層のうち一つを省略することもできる。電荷キャリアの注入なしに透明コンタクトは再発光動作中に金属コンタクトに対して（＋）に帯電される。
【００３４】
ｐｉ−共役電子システムを有する有機材料が電子障壁層６及びホール障壁層７のための材料として使われうるが、これに相応するエネルギーレベル状態は分子構造の選択によって決定される。電子障壁層６のための望ましい種類の材料はそのうちでもトリフェニルアミン、ベンジジン、及びフェニレンジアミンの誘導体を含む。ホール障壁層７のための望ましい種類の材料はオキサジアゾール、オキサゾール、トリアゾール、キノキサリン及びナフタレンカルボキシル酸イミド及びナフタレンジカルボキシル酸ジイミドの誘導体を含む。前記材料は低分子または高分子である。しかし、本発明はこれら材料に限定されない。
【００３５】
特に、ホール障壁層７のためにジルコニウム酸化物、タンタル酸化物、亜鉛硫化物、亜鉛セレン化物、錫酸化物、チタン酸化物及び亜鉛酸化物を含む広帯域ギャップ無機半導体が使われうる。これら材料は層構造内に導入され、特に逆層構造を製造するのに有用である。
【００３６】
図４は本発明による画像表示装置を図示するが、これは単に再発光動作だけのためのものである。これに該当するエネルギーレベルの概略図は図５に図示されている。ホール障壁層７の価電子帯１２のエネルギーは、エミッタ層の価電子帯８のエネルギー及び透明コンタクト２のエネルギーよりもさらに低い。金属コンタクト５の仕事関数は金属コンタクト５とエミッタ層４の伝導帯９との間のエネルギーオフセットを最大化させるように選択される。
【００３７】
インジウム錫酸化物（透明コンタクト２層）がコーティングされたガラス基板１上にポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸を３０〜１００ｎｍの厚さにスピンコーティングすることによってホール輸送層３が形成される。次いで、真空内での反応蒸着によって約１０〜８０ｎｍ厚さの錫酸化物（ＳｎＯ２）層でホール障壁層７がコーティングされる。このために、錫酸化物は約１０−４ないし１０−３ｍｂａｒの圧力下で熱蒸着される。エミッタ層４はポリ（フェニレンビニレン）の誘導体よりなっており、この有機溶液をスピンコーティングすることによって約３０〜１２０ｎｍの厚さに形成される。金属コンタクト５層を形成するために２０〜１００ｎｍ厚さの金層が真空雰囲気下で蒸着されるが、金属コンタクト層５は大きな仕事関数を有する。この構造は水及びガスが漏れないカプセル化（図示せず）によって完成される。
【００３８】
本発明はここで説明された具現例に限定されない。また本発明の範囲及び精神を離脱せずに多様な変形、付加及び省略が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明によるＰＱＤはシグナル電圧を光に転換する発光モード及び発光を抑制する再発光モードいずれででも駆動される。したがって、本発明によるＰＱＤは、特に有機電界発光装置をはじめとする多様な画像表示装置に有用に使われる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】電子障壁層及びホール障壁層を具備した本発明による画像表示装置の概略的な断面図である。
【図２】画像表示装置の電子障壁層、エミッタ層及びホール障壁層の価電子帯及び伝導帯のエネルギー状態の概略図であるが、これは発光動作及び再発光動作の間でトグルされる。
【図３】画像表示装置の電子障壁層、エミッタ層及びホール障壁層の価電子帯及び伝導帯のエネルギー状態の概略図であるが、これは再発光動作で駆動される。
【図４】無機物に基づいたホール障壁層を具備した本発明による画像表示装置の概略的な断面図である。
【図５】画像表示装置のエミッタ層及びホール障壁層の価電子帯及び伝導帯のエネルギー状態の概略図であるが、これは再発光動作で駆動され、逆層構造を有する。
【符号の説明】
【００４１】
１  ガラス基板
２  透明コンタクト層
３  ホール輸送層
４  エミッタ層
５  金属コンタクト層
６  電子障壁層
７  ホール障壁層
８  エミッタ層の価電子帯（ＨＯＭＯ）
９  エミッタ層の伝導帯（ＬＵＭＯ）
１０  電子障壁層の価電子帯（ＨＯＭＯ）
１１  電子障壁層の伝導帯（ＬＵＭＯ）
１２  ホール障壁層の価電子帯（ＨＯＭＯ）
１３  ホール障壁層の伝導帯（ＬＵＭＯ）
【図１】
2004342582.tif 000003
【図２】
2004342582.tif 000004
【図３】
2004342582.tif 000005
【図４】
2004342582.tif 000006
【図５】
2004342582.tif 000007