(57)【要約】【課題】処理時間を短くすることができるシミュレーションシステム、シミュレーション方法、及びシミュレーションプログラムを提供する。【解決手段】被測定回路の接続情報を記述した回路接続情報及び入力波形等を含む境界条件が設定され（Ｓ１１０）、解析対象時間及び解析対象時間を長く区切った第１の時間刻み幅を含む解析条件が設定される（Ｓ１２０）。回路接続情報、境界条件、及び解析条件を用いて概略シミュレーションして（Ｓ１３０）、概略シミュレーションの結果得られた波形データを出力させる（Ｓ１４０）。波形データを考察して、更に詳細なシミュレーションをする必要の有無を判定する（Ｓ１５０）。更に詳細なシミュレーションをする必要がある場合は、詳細シミュレーションして（Ｓ１６０）、詳細シミュレーションの結果得られた波形データを出力させる（Ｓ１７０）。【選択図】      図４
2004326614.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
解析対象時間、及び該解析対象時間を複数に分割する第１の時間刻み幅を用いて、被測定回路の動作を概略シミュレーションする概略シミュレーション実行処理手段と、
前記概略シミュレーションの結果を格納する主記憶装置と、
前記概略シミュレーションの結果に基づいた波形を表示可能な出力装置と、
前記解析対象時間の一部を指定する部分指定時間、及び該部分指定時間を複数に分割する、前記第１の時間刻み幅より短い第２の時間刻み幅を入力可能な入力装置と、
前記主記憶装置に格納された前記概略シミュレーションの結果から、前記部分指定時間の開始時刻における前記被測定回路中の複数のノードにおけるそれぞれの物理パラメータ、及び前記開始時刻における前記被測定回路への入力波形を抽出するデータ抽出手段と、
前記物理パラメータ、及び前記入力波形を用いて、前記部分指定時間について、前記第２の時間刻み幅で前記詳細シミュレーションする詳細シミュレーション実行処理手段
とを備えることを特徴とするシミュレーションシステム。
【請求項２】
前記概略シミュレーションの結果を前記出力装置の第１の波形表示ウィンドウに表示させ、前記詳細シミュレーションの結果を前記出力装置の第２の波形表示ウィンドウに表示させるシミュレーション結果出力手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のシミュレーションシステム。
【請求項３】
中央処理制御装置の概略シミュレーション実行処理手段により、解析対象時間、及び該解析対象時間を複数に分割する第１の時間刻み幅を用いて、被測定回路の動作を概略シミュレーションするステップと、
前記概略シミュレーションの結果を主記憶装置に格納するステップと、
入力装置を介して、前記解析対象時間の一部を指定する部分指定時間、及び該部分指定時間を複数に分割する、前記第１の時間刻み幅より短い第２の時間刻み幅を前記中央処理制御装置のデータ取得手段が取得するステップと、
前記主記憶装置に格納された前記概略シミュレーションの結果から、前記部分指定時間の開始時刻における前記被測定回路中の複数のノードにおけるそれぞれの物理パラメータ、及び前記開始時刻における前記被測定回路への入力波形を前記中央処理制御装置のデータ抽出手段が抽出するステップと、
前記物理パラメータ、及び前記入力波形を用いて、前記中央処理制御装置の詳細シミュレーション実行処理手段が前記部分指定時間について、前記第２の時間刻み幅で詳細シミュレーションするステップ
とを含むことを特徴とするシミュレーション方法。
【請求項４】
前記部分指定時間、前記物理パラメータ、及び前記入力波形を取得するステップは、出力装置に表示された第１の波形表示ウィンドウ上で前記部分指定時間の範囲を指定することにより、グラフィックに取得され、前記詳細シミュレーションが実行されることを特徴とする請求項３に記載のシミュレーション方法。
【請求項５】
前記詳細シミュレーションの結果を前記出力装置の前記第１の波形表示ウィンドウとは異なる第２の波形表示ウィンドウに表示させるステップを更に含むことを特徴とする請求項４に記載のシミュレーション方法。
【請求項６】
中央処理制御装置の概略シミュレーション実行処理手段により、解析対象時間、及び該解析対象時間を複数に分割する第１の時間刻み幅を用いて、被測定回路の動作を概略シミュレーションする手順と、
前記概略シミュレーションの結果を主記憶装置に格納する手順と、
入力装置を介して、前記解析対象時間の一部を指定する部分指定時間、及び該部分指定時間を複数に分割する、前記第１の時間刻み幅より短い第２の時間刻み幅を前記中央処理制御装置のデータ取得手段が取得する手順と、
前記主記憶装置に格納された前記概略シミュレーションの結果から、前記部分指定時間の開始時刻における前記被測定回路中の複数のノードにおけるそれぞれの物理パラメータ、及び前記開始時刻における前記被測定回路への入力波形を前記中央処理制御装置のデータ抽出手段が抽出する手順と、
前記物理パラメータ、及び前記入力波形を用いて、前記中央処理制御装置の詳細シミュレーション実行処理手段が前記部分指定時間について、前記第２の時間刻み幅で詳細シミュレーションする手順
とをシミュレーションシステムに実行させるためのシミュレーションプログラム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路の動作解析を行うためのシミュレーションシステム、シミュレーション方法、及びシミュレーションプログラムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路の動作解析を行う回路シミュレーション（以下において単に「シミュレーション」と言う。）においては、波形の時間変化を詳細に解析するために、解析ステップ（時間刻み幅）を短く設定してシミュレーションをする手法が知られている。このシミュレーションでは、測定対象のデバイスモデル及び接続情報を記述した回路接続情報を作成して、解析対象時間及び解析ステップ（時間刻み幅）を設定し、入力波形等の境界条件の基で解析し、出力波形等の出力結果を得る。もし、出力結果を考察して、所望のトランジェント変化が得られない等の不都合があれば、更に細かな解析ステップを設定してシミュレーションを初めからやり直す（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１０−１１６２９７号公報（第６−９頁、図１）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来技術においては、詳細な変化を観測できるように解析ステップ（時間刻み幅）を短く設定してシミュレーションする。このため、解析回数が多くなり、シミュレーションの処理時間が長くなる。又、シミュレーションをやり直す必要がある場合、最初のシミュレーションと同じ解析対象時間に対して更に細かな解析ステップを用いてシミュレーションする。このため、詳細な解析をするほど、逆比例の関係で、シミュレーションの処理時間が長くなる。又、シミュレーションの処理時間が長くなるため、シミュレーションの出力結果のデータ量が大きくなる。又、シミュレーションの結果を最終的にファイルに保存する場合に、シミュレーション実行処理中に使用する主記憶装置の記憶容量が大きくなり、中央処理制御装置（ＣＰＵ）の作業領域が大きくなる。このため、ＣＰＵの処理速度が遅くなる。
【０００５】
上記した従来技術の問題点を鑑み、本発明の目的は、処理時間を短くすることができるシミュレーションシステム、シミュレーション方法、及びシミュレーションプログラムを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達するために、本発明の第１の特徴は、（イ）解析対象時間、及びその解析対象時間を複数に分割する第１の時間刻み幅を用いて、被測定回路の動作を概略シミュレーションする概略シミュレーション実行処理手段と、（ロ）概略シミュレーションの結果を格納する主記憶装置と、（ハ）概略シミュレーションの結果に基づいた波形を表示可能な出力装置と、（ニ）解析対象時間の一部を指定する部分指定時間、及びその部分指定時間を複数に分割する、第１の時間刻み幅より短い第２の時間刻み幅を入力可能な入力装置と、（ホ）主記憶装置に格納された概略シミュレーションの結果から、部分指定時間の開始時刻における被測定回路中の複数のノードにおけるそれぞれの物理パラメータ、及び開始時刻における被測定回路への入力波形を抽出するデータ抽出手段と、（ヘ）物理パラメータ、及び入力波形を用いて、部分指定時間について、第２の時間刻み幅で詳細シミュレーションする詳細シミュレーション実行処理手段とを備えるシミュレーションシステムであることを要旨とする。
【０００７】
本発明の第２の特徴は、（イ）中央処理制御装置の概略シミュレーション実行処理手段により、解析対象時間、及びその解析対象時間を複数に分割する第１の時間刻み幅を用いて、被測定回路の動作を概略シミュレーションするステップと、（ロ）概略シミュレーションの結果を主記憶装置に格納するステップと、（ハ）入力装置を介して、解析対象時間の一部を指定する部分指定時間、及びその部分指定時間を複数に分割する、第１の時間刻み幅より短い第２の時間刻み幅を中央処理制御装置のデータ取得手段が取得するステップと、（ニ）主記憶装置に格納された概略シミュレーションの結果から、部分指定時間の開始時刻における被測定回路中の複数のノードにおけるそれぞれの物理パラメータ、及び開始時刻における被測定回路への入力波形を中央処理制御装置のデータ抽出手段が抽出するステップと、（ホ）物理パラメータ、及び入力波形を用いて、中央処理制御装置の詳細シミュレーション実行処理手段が部分指定時間について、第２の時間刻み幅で詳細シミュレーションするステップとを含むシミュレーション方法であることを要旨とする。
【０００８】
本発明の第３の特徴は、（イ）中央処理制御装置の概略シミュレーション実行処理手段により、解析対象時間、及びその解析対象時間を複数に分割する第１の時間刻み幅を用いて、被測定回路の動作を概略シミュレーションする手順と、（ロ）概略シミュレーションの結果を主記憶装置に格納する手順と、（ハ）入力装置を介して、解析対象時間の一部を指定する部分指定時間、及びその部分指定時間を複数に分割する、第１の時間刻み幅より短い第２の時間刻み幅を中央処理制御装置のデータ取得手段が取得する手順と、（ニ）主記憶装置に格納された概略シミュレーションの結果から、部分指定時間の開始時刻における被測定回路中の複数のノードにおけるそれぞれの物理パラメータ、及び開始時刻における被測定回路への入力波形を中央処理制御装置のデータ抽出手段が抽出する手順と、（ホ）物理パラメータ、及び入力波形を用いて、中央処理制御装置の詳細シミュレーション実行処理手段が部分指定時間について、第２の時間刻み幅で詳細シミュレーションする手順とをシミュレーションシステムに実行させるためのシミュレーションプログラムであることを要旨とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきである。
【００１０】
（システム構成）
本発明の実施の形態に係る半導体集積回路の動作解析を行うためのシミュレーションシステムは、図１に示すように、入力装置１、出力装置２、主記憶装置３、及び中央処理制御装置（ＣＰＵ）５等を備える。
【００１１】
ＣＰＵ５は、図１に示すように、データ取得手段６、概略シミュレーション実行処理手段７、詳細シミュレーション実行処理手段８、シミュレーション結果出力手段９、及びデータ抽出手段１０等を有する。
【００１２】
データ取得手段６は、解析対象時間、第１の解析ステップ（第１の時間刻み幅）、解析対象時間の一部を指定する部分指定時間、及び第１の解析ステップ（第１の時間刻み幅）より短い第２の解析ステップ（第２の時間刻み幅）等のデータを取得する。ここで、「解析ステップ」とは、解析対象時間を特定の時間刻み幅で区切り、時間刻み幅の各ステップごとに解析を行う場合の時間刻み幅のことである。
【００１３】
又、概略シミュレーション実行処理手段７は、解析対象時間、及び第１の解析ステップを用いて、被測定回路の動作を概略シミュレーションする。一方、詳細シミュレーション実行処理手段８は、部分指定時間の開始時刻における物理パラメータ、及び開始時刻における被測定回路への入力波形を用いて、部分指定時間について、第２の解析ステップで詳細シミュレーションする。ここで、「物理パラメータ」とは、被測定回路の各ノードにおける電流値又は電圧値等の物理パラメータのことである。被測定回路が光集積回路等の光学的な回路であれば、「物理パラメータ」は光強度でも良い。更に、シミュレーション結果出力手段９は、概略シミュレーションの結果等を出力装置２の波形表示ウィンドウに表示させる。更に、データ抽出手段１０は、主記憶装置３に格納された概略シミュレーションの結果から、物理パラメータ、及び詳細シミュレーションの入力波形等を抽出する。
【００１４】
なお、ＣＰＵ５は、図示を省略した制御手段を更に備える。制御手段は、入力装置１、出力装置２、主記憶装置３、データ取得手段６、概略シミュレーション実行処理手段７、詳細シミュレーション実行処理手段８、及びシミュレーション結果出力手段９等の動作やこれらに対する信号等の入出力を制御する。
【００１５】
主記憶装置３は、図２に示すように、デバイスモデルを格納するデバイスモデル記憶部４１、回路接続情報を格納する回路接続情報記憶部４２、回路動作の境界条件を格納する境界条件記憶部４３、解析対象時間及び第１の解析ステップを含む概略シミュレーションに必要な解析条件を格納する概略解析条件記憶部４４、概略シミュレーションの結果を格納する概略シミュレーション結果記憶部５１、詳細シミュレーションの結果を格納する詳細シミュレーション結果記憶部５２、部分指定時間を格納する部分指定時間記憶部６１、第２の解析ステップを格納する詳細解析条件記憶部６２、物理パラメータを格納する初期値情報記憶部６３、及び詳細シミュレーションの入力波形を格納する入力波形情報記憶部６４等の各種の記憶部を備えている。
【００１６】
図１に示した入力装置１は、部分指定時間及び第２の解析ステップ等を入力可能である。入力装置１としては、キーボード及びマウス等が使用できる。図１に示した出力装置２は、概略シミュレーションの結果に基づいた波形等を表示可能である。出力装置２としては、ディスプレイ等が使用できる。
【００１７】
（シミュレーション方法）
図１に示したシミュレーションシステムの測定対象として、図３に、複数のインバータ回路３０ａ〜３０ｈを直列接続したインバータ直列回路（被測定回路）３０を例示している。以下、図３に例示した被測定回路３０についてシミュレーションする場合におけるシミュレーション方法の手順を、図４及び図５のフローチャートを参照して説明する。
【００１８】
（イ）ステップＳ１１０において、図３に例示した被測定回路３０のそれぞれのインバータ回路（デバイス）３０ａ〜３０ｈの特性を記述したデバイスモデル、及びそれぞれのデバイス相互の接続関係を規定する接続情報を記述したネットリスト（回路接続情報）が、図１に示した入力装置１を介して、図２に示した主記憶装置３のデバイスモデル記憶部４１及び回路接続情報記憶部４２にそれぞれ格納される。なお、デバイスモデルには、それぞれのデバイスの伝達特性や閾値等のデバイス情報等も含まれる。更に、被測定回路３０の電源電圧、入力波形、及び動作温度等の回路動作の境界条件が、主記憶装置３の境界条件記憶部４３に格納される。
【００１９】
（ロ）ステップＳ１２０において、図１に示した入力装置１を介して、解析対象時間及び概略解析の第１の解析ステップ等の解析条件が入力され、図２に示した主記憶装置３の概略解析条件記憶部４４に格納される。概略シミュレーションでは、図３に例示した被測定回路３０の基本動作が確認できれば良いので、第１の解析ステップが長く設定される。
【００２０】
（ハ）ステップＳ１３０において、まず、図１に示したデータ取得手段６が、図２に示したデバイスモデル記憶部４１、回路接続情報記憶部４２、境界条件記憶部４３、及び概略解析条件記憶部４４から、デバイスモデル、回路接続情報、境界条件、及び解析条件をそれぞれ取得する。次に、図１に示した概略シミュレーション実行処理手段７が、これらのデバイスモデル、回路接続情報、境界条件、及び解析条件を用いて、概略シミュレーションする。概略シミュレーションの結果得られた波形データや各ノードにおける電圧値のデータ等は、図２に示した主記憶装置３の概略シミュレーション結果記憶部５１に格納される。例えば、図６に示すように、それぞれの時刻に対応した、各ノードにおける電圧値のデータ等が概略シミュレーション結果記憶部５１に格納される。
【００２１】
（ニ）ステップＳ１４０において、図１に示したシミュレーション結果出力手段９が、図２に示した概略シミュレーション結果記憶部５１に格納された概略シミュレーションの結果（波形データ）を読み出して、図１に示した出力装置２に出力させる。ここでは、波形表示ツールを用いることにより、シミュレーション結果出力手段９が、出力装置２を介して、図７に示す波形表示ウィンドウ７０に波形データを表示する。
【００２２】
（ホ）ステップＳ１５０において、概略シミュレーションの結果得られた波形データに基づき、更に詳細なシミュレーションをする必要の有無を判定する。判定した結果、更に詳細なシミュレーションをする必要がある場合は、ステップＳ１６０に進む。一方、更に詳細なシミュレーションをする必要が無い場合は、ここでシミュレーションを終了する。ステップＳ１６０における詳細シミュレーション実行処理は、図５に示すように、ステップＳ１６１〜Ｓ１６５の手順に従って行われる。
【００２３】
（ヘ）ステップＳ１６１において、まず、図７に示すように、波形表示ウィンドウ７０のメニューバー７１から「シミュレーション」のメニュー項目を図１に示した入力装置１を用いて選択（クリック）すると、選択項目（コマンドの一覧）を表示したプルダウンメニュー（選択ウィンドウ）７２が表示される。コマンドの一覧には、詳細シミュレーションの解析対象時間となる「部分指定時間設定」、及び詳細シミュレーションに用いる第２の解析ステップを設定する「解析ステップ設定」がある。コマンドの一覧から部分指定時間設定の項目をクリックすると、入力フォームを備える部分指定時間の設定ウィンドウ（図示省略）が表示される。そして、この設定ウィンドウを用いて、概略シミュレーションに用いた解析対象時間の一部を指定する部分指定時間を入力装置１を用いて入力する。部分指定時間は、ここでは、例えば開始時刻ｔ１〜終了時刻ｔ２と入力装置１を用いて入力フォームに入力する。次に、図１に示したデータ取得手段６が、入力した部分指定時間を取得する。部分指定時間は、図２に示した主記憶装置３の部分指定時間記憶部６１に格納される。
【００２４】
（ト）ステップＳ１６２において、まず、図７に示した選択ウィンドウ７２のコマンドの一覧から解析ステップ設定の項目をクリックすると、第２の解析ステップを設定するのに必要な設定ウィンドウ（図示省略）が表示される。そして、この設定ウィンドウを用いて、概略シミュレーションに用いた第１の解析ステップより時間刻み幅が短くなるように、詳細シミュレーションに用いる第２の解析ステップを入力装置１を用いて入力する。次に、データ取得手段６が、入力した第２の解析ステップを取得する。第２の解析ステップは、主記憶装置３の詳細解析条件記憶部６２に格納される。
【００２５】
（チ）ステップＳ１６３において、データ抽出手段１０が、概略シミュレーション結果記憶部５１に格納された概略シミュレーションの結果から、詳細シミュレーションの開始時刻ｔ１時点での物理パラメータを抽出する。物理パラメータとしては、例えば、図６に示す開始時刻ｔ１（５７ｎｓ）における被測定回路３０のノードｉｎの電圧値（０Ｖ）、ノードｎ１の電圧値（２．４９９９７Ｖ）、ノードｎ２の電圧値（−７６．７１５１μＶ）、・・・・・、及びノードｏｕｔの電圧値（１．８５４２７ｍＶ）等が抽出される。抽出した各ノードにおける物理パラメータ（ここでは、電圧値）は、主記憶装置３の初期値情報記憶部６３に初期値情報として格納される。
【００２６】
（リ）更に、ステップＳ１６４おいて、データ抽出手段１０が、概略シミュレーション結果記憶部５１に格納された概略シミュレーションの結果得られた波形データから、開始時刻ｔ１〜終了時刻ｔ２における入力波形を抽出する。抽出した詳細シミュレーションの入力波形は、主記憶装置３の入力波形情報記憶部６４に格納される。
【００２７】
（ヌ）ステップＳ１６５において、図１に示した詳細シミュレーション実行処理手段８が、デバイスモデル記憶部４１、回路接続情報記憶部４２、部分指定時間記憶部６１、詳細解析条件記憶部６２、初期値情報記憶部６３、及び入力波形情報記憶部６４にそれぞれ格納されたデバイスモデル、回路接続情報、部分指定時間、第２の解析ステップ、初期値情報、及び詳細シミュレーションの入力波形を用いて、詳細シミュレーションする。詳細シミュレーションの実行結果得られた波形データは、主記憶装置３の詳細シミュレーション結果記憶部５２に格納される。
【００２８】
（ル）ステップＳ１７０において、シミュレーション結果出力手段９は、詳細シミュレーション結果記憶部５２に格納された詳細シミュレーションの波形データを読み出し、図１に示した出力装置２を介して、図８に示す波形表示ウィンドウ７０に表示する。この波形データは、第２の解析ステップを短く設定しているため、リンギング波形がはっきり見られる。もし、更に詳細なシミュレーションをする必要がある場合は、ステップＳ１６０の手順から繰り返せば良い。一方、更に詳細なシミュレーションをする必要が無い場合は、ここでシミュレーションを終了する。
【００２９】
本実施の形態に係るシミュレーション方法によれば、概略シミュレーションにおいては、被測定回路３０の概略の基本動作を確認する粗いシミュレーションをすれば良い。すなわち、第１の解析ステップを比較的長く設定して概略シミュレーションすることができる。このため、演算回数が従来のシミュレーションにおける１回目のシミュレーション演算回数よりも少なくなる。すなわち、図９（ｂ）に示す本実施の形態に係る概略シミュレーション実行処理の時間Ｔ２１を、図９（ａ）に示す従来のシミュレーション方法による１回目のシミュレーション実行処理の時間Ｔ１１よりも短くすることができる。そして、本実施の形態に係る詳細シミュレーションにおいては、１回目のシミュレーション（概略シミュレーション）を再びやり直すのではなく、概略シミュレーションによって得られた時間依存波形の一部を指定して、詳細なシミュレーションをすれば良い。すなわち、概略シミュレーションの解析対象時間の一部となる部分指定時間に対して詳細シミュレーションすることができる。このため、図９（ｂ）に示す詳細シミュレーション実行処理の時間Ｔ２３を、図９（ａ）に示す２回目のシミュレーション実行処理の時間Ｔ１３よりも大幅に短くすることができる。この結果、本実施の形態に係るシミュレーション方法による全体の処理時間Ｔｐｒｏｐを、従来のシミュレーション方法による全体の処理時間Ｔｃｏｎｖよりも短くすることができる。
【００３０】
又、概略シミュレーションでは、第１の解析ステップを長く設定しているため、演算途中で用いるデータ量を従来のシミュレーション演算に用いるデータ量よりも小さくすることができる。
【００３１】
更に、シミュレーションの結果を最終的にファイルに保存するような場合に、演算途中で用いるデータ量を小さくすることができるので、図１に示したシミュレーションシステムにおける主記憶装置３の記憶容量を小さくすることができる。その結果、ＣＰＵ５の作業領域を小さくし、その処理速度が早くなり、効率よく作業をすることができる。
【００３２】
（本実施の形態の変形例１）
本実施の形態の変形例１では、シミュレーション方法の手順において、ステップＳ１６０における詳細シミュレーション実行処理は、図１０に示すように、Ｓ２６１〜Ｓ２６４の手順に従って行われる。
【００３３】
（イ）ステップＳ２６１において、まず、図１１に示すように、波形表示ウィンドウ７０のメニューバー７１から「シミュレーション」のメニュー項目を図１に示した入力装置１を用いてクリックすると、対話形式のそれぞれの項目からなる設定ウィンドウ７３が表示される。設定ウィンドウ７３は、それぞれの項目に対応した入力フォームを備える。設定ウィンドウ７３のそれぞれの項目を順に、詳細シミュレーションの解析対象時間となる部分指定時間の開始時刻及び終了時刻と、詳細シミュレーションに用いる第２の解析ステップとをそれぞれの入力フォームに入力装置１を用いて入力する。次に、設定ウィンドウ７３の一番下の項目の“ＯＫ”を入力装置１を用いてクリックすると、データ取得手段６が、入力した部分指定時間及び第２の解析ステップを取得する。部分指定時間及び第２の解析ステップは、図２に示した主記憶装置３の部分指定時間記憶部６１及び詳細解析条件記憶部６２にそれぞれ格納される。
【００３４】
（ロ）ステップＳ２６２において、データ抽出手段１０が、概略シミュレーション結果記憶部５１に格納された概略シミュレーションの結果から、詳細シミュレーションの開始時刻ｔ１時点での各ノードにおける物理パラメータ（電圧値）を抽出する。抽出した各ノードにおける電圧値は、主記憶装置３の初期値情報記憶部６３に初期値情報として格納される。
【００３５】
（ハ）ステップＳ２６３において、データ抽出手段１０が、概略シミュレーションの結果得られた波形データにから、開始時刻ｔ１〜終了時刻ｔ２における入力波形を抽出する。抽出した詳細シミュレーションの入力波形は、主記憶装置３の入力波形情報記憶部６４に格納される。
【００３６】
（ニ）ステップＳ２６４において、図１に示した詳細シミュレーション実行処理手段８が、デバイスモデル記憶部４１、回路接続情報記憶部４２、部分指定時間記憶部６１、詳細解析条件記憶部６２、初期値情報記憶部６３、及び入力波形情報記憶部６４にそれぞれ格納されたデバイスモデル、回路接続情報、部分指定時間、第２の解析ステップ、初期値情報、及び詳細シミュレーションの入力波形を用いて、詳細シミュレーションする。詳細シミュレーションの結果得られた波形データは、主記憶装置３の詳細シミュレーション結果記憶部５２に格納される。
【００３７】
このようにして、本実施の形態の変形例１によれば、詳細シミュレーションにおいては、対話形式のそれぞれの項目からなる設定ウィンドウ７３が表示される。このため、コマンドの一覧から、それぞれの項目を選ぶ必要がなくなる。すなわち、図９（ｂ）に示す本実施の形態に係る詳細シミュレーション情報設定抽出処理の時間Ｔ２２を、図９（ａ）に示す従来のシミュレーション方法による２回目のシミュレーション解析条件設定の時間Ｔ１２よりも短くすることができる。
【００３８】
（本実施の形態の変形例２）
本実施の形態の変形例２では、シミュレーションシステムの構成において、図１に示したシミュレーション結果出力手段９は、詳細シミュレーションの結果得られた波形データを、概略シミュレーションの結果得られた波形データが表示された波形表示ウィンドウ（第１の波形表示ウィンドウ）７０とは異なる波形表示ウィンドウ（第２の波形表示ウィンドウ）に表示させる命令を出す。又、シミュレーション方法の手順において、ステップＳ１６０における詳細シミュレーション実行処理は、図１２に示すように、Ｓ３６１〜Ｓ３６５の手順に従って行われる。
【００３９】
（イ）ステップＳ３６１において、まず、図１３に示すように、第１の波形表示ウィンドウ７０上で、詳細シミュレーションの解析対象時間となる部分指定時間の範囲を図１に示した入力装置１を用いて指定することにより、第１の波形表示ウィンドウ７０上にグラフィック７４として取得される。そして、図１に示したデータ取得手段６は、グラフィック７４から部分指定時間を取得する。部分指定時間は、図２に示した主記憶装置３の部分指定時間記憶部６１に格納される。
【００４０】
（ロ）ステップＳ３６２において、データ抽出手段１０が、概略シミュレーション結果記憶部５１に格納されている概略シミュレーションの結果から、詳細シミュレーションの開始時刻ｔ１時点での各ノードにおける物理パラメータ（電圧値）を抽出する。抽出した各ノードにおける電圧値は、主記憶装置３の初期値情報記憶部６３に初期値情報として格納される。
【００４１】
（ハ）ステップＳ３６３において、データ抽出手段１０が、概略シミュレーションの結果得られた波形データから、開始時刻ｔ１〜終了時刻ｔ２における入力波形を抽出する。抽出した詳細シミュレーションの入力波形は、主記憶装置３の入力波形情報記憶部６４に格納される。
【００４２】
（ニ）ステップＳ３６４において、入力フォームを備える設定ウィンドウ（図示省略）が表示されるので、詳細シミュレーションに用いる第２の解析ステップを設定ウィンドウの入力フォームに入力装置１を用いて入力する。次に、データ取得手段６が、入力した第２の解析ステップを取得する。第２の解析ステップは、主記憶装置３の詳細解析条件記憶部６２に格納される。
【００４３】
（ホ）ステップＳ３６５において、図１に示した詳細シミュレーション実行処理手段８が、デバイスモデル記憶部４１、回路接続情報記憶部４２、部分指定時間記憶部６１、詳細解析条件記憶部６２、初期値情報記憶部６３、及び入力波形情報記憶部６４にそれぞれ格納されたデバイスモデル、回路接続情報、部分指定時間、第２の解析ステップ、初期値情報、及び詳細シミュレーションの入力波形を用いて、詳細シミュレーションする。詳細シミュレーションの結果得られた波形データは、主記憶装置３の詳細シミュレーション結果記憶部５２に格納される。
【００４４】
（ト）図４に示したステップＳ１７０において、図１に示したシミュレーション結果出力手段９が、詳細シミュレーション結果記憶部５２に格納された詳細な波形データを読み出して、出力装置２に出力させる。変形例２では、詳細な波形データは、図１３に示した第１の波形表示ウィンドウ７０とは異なる第２の波形表示ウィンドウ（図示省略）に表示される。部分指定時間を開始時刻ｔ１〜終了時刻ｔ２とは異なる時間に指定して、更に詳細シミュレーションする場合は、引き続き、第１の波形表示ウィンドウ７０上で、異なる複数の詳細シミュレーションをすることができる。更に詳細シミュレーションしない場合は、ここでシミュレーションを終了する。
【００４５】
このようにして、本実施の形態の変形例２によれば、詳細シミュレーションにおいては、波形表示ウィンドウ７０上で、詳細シミュレーションの解析対象時間となる部分指定時間の範囲を図１に示した入力装置１を用いて指定することにより、波形表示ウィンドウ７０上にグラフィック７４として取得される。その結果、データ取得手段６は、グラフィック７４から部分指定時間を取得する。このため、部分指定時間を設定する必要がなくなる。すなわち、図９（ｂ）に示した本実施の形態に係る詳細シミュレーション情報設定抽出処理の時間Ｔ２２を変形例１よりも更に短くすることができる。
【００４６】
（シミュレーションプログラム）
本実施の形態に係る半導体集積回路の動作解析を行うためのシミュレーション方法を実現するためのプログラムは、図１に示したシミュレーションシステムの主記憶装置３のプログラム記憶部（プログラムメモリ）に記憶させれば良い。又、このプログラムは、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納し、この記憶媒体を主記憶装置３のプログラムメモリに読み込ませることにより、シミュレーション方法の一連の処理を実行することができる。以下、シミュレーションプログラムの詳細を説明する。
【００４７】
シミュレーションプログラムは、（イ）データ取得手段６が、主記憶装置３のデバイスモデル記憶部４１、回路接続情報記憶部４２、境界条件記憶部４３、及び概略解析条件記憶部４４からデバイスモデル、回路接続情報、回路動作の境界条件、及び解析対象時間及び第１の解析ステップを含む概略シミュレーションに必要な解析条件をそれぞれ取得する手順と、（ロ）概略シミュレーション実行処理手段７が、デバイスモデル、回路接続情報、境界条件、及び解析条件を用いて、概略シミュレーションをする手順と、（ハ）概略シミュレーションの結果得られた波形データを主記憶装置３の概略シミュレーション結果記憶部５１に格納する手順と、（ニ）シミュレーション結果出力手段９が、概略シミュレーション結果記憶部５１に格納された波形データを読み出して、出力装置２を介して、出力波形を波形表示ウィンドウ７０に表示する手順と、（ホ）入力装置１を介して、データ取得手段６が、部分指定時間及び詳細シミュレーションに必要な第２の解析ステップを取得する手順と、（へ）部分指定時間及び第２の解析ステップを主記憶装置３の部分指定時間記憶部６１及び詳細解析条件記憶部６２にそれぞれ格納する手順と、（ト）データ抽出手段１０が、各ノードにおける電圧値からなる初期値情報及び詳細シミュレーションの入力波形を抽出する手順と、（チ）初期値情報及び詳細シミュレーションの入力波形を主記憶装置３の初期値情報記憶部６３及び入力波形情報記憶部６４にそれぞれ格納する手順と、（リ）詳細シミュレーション実行処理手段８が、デバイスモデル記憶部４１、回路接続情報記憶部４２、部分指定時間記憶部６１、詳細解析条件記憶部６２、初期値情報記憶部６３、入力波形情報記憶部６４にそれぞれ格納されたデバイスモデル、回路接続情報、部分指定時間、第２の解析ステップ、初期値情報、及び詳細シミュレーションの入力波形を用いて、詳細シミュレーションをする手順と、（ヌ）詳細シミュレーションの結果得られた波形データを主記憶装置３の詳細シミュレーション結果記憶部５２に格納する手順と、（ル）シミュレーション結果出力手段９が、詳細シミュレーション結果記憶部５２に格納された波形データを読み出して、出力装置２を介して、出力波形を波形表示ウィンドウ７０に表示する手順とをシミュレーションシステムに実行させる。
【００４８】
なお、コンピュータ読み取り可能な記録媒体とは、例えばコンピュータの外部メモリ装置、半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、磁気テープ等のプログラムを記録することができるような媒体などを意味する。具体的には、フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＭＯディスク、カセットテープ、オープンリールテープ等がコンピュータ読み取り可能な記録媒体に含まれる。例えば、シミュレーションシステムは、フレキシブルディスク装置（フレキシブルディスクドライブ）及び光ディスク装置（光ディスクドライブ）を内蔵若しくは外部接続するように構成できる。フレキシブルディスクドライブに対してはフレキシブルディスクを、又、光ディスクドライブに対してはＣＤ−ＲＯＭをその挿入口から挿入し、所定の読み出し操作を行うことにより、これらの記録媒体に格納されたプログラムを、プログラムメモリにインストールすることができる。又、所定のドライブ装置を接続することにより、例えばゲームパック等に利用されているメモリ装置としてのＲＯＭや、磁気テープ装置としてのカセットテープを用いることもできる。更に、インターネット及びイントラネット等の情報処理ネットワークを介して、このプログラムをプログラムメモリに格納することが可能である。
【００４９】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００５０】
例えば、既に述べた実施の形態に係るシミュレーションシステムにおいては、デバイスモデル、回路接続情報、境界条件、及び解析条件等の概略シミュレーションに必要なデータを格納した外部メモリ装置から、情報処理ネットワークを介して、これらの概略シミュレーションに必要なデータを取得しても良い。情報処理ネットワークを介して概略シミュレーションに必要なデータを取得する場合は、外部メモリ装置と情報処理ネットワークを介して接続し、概略シミュレーションに必要なデータ等の送受信を制御する通信制御装置等をシミュレーションシステムが更に備える必要がある。
【００５１】
又、既に述べた実施の形態に係るシミュレーションシステムの測定対象としてインバータ直列回路を例示したが、例えば、オペアンプ等のアナログ演算回路等についてシミュレーションしても良い。
【００５２】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態及び変形例等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【００５３】
【発明の効果】
本発明によれば、処理時間を短くすることができるシミュレーションシステム、シミュレーション方法、及びシミュレーションプログラムを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係るシミュレーションシステムの構成を示すブロック図である。
【図２】図２は、図１に示した主記憶装置の詳細なデータ構造を示すブロック図である。
【図３】本発明の実施の形態に係るシミュレーションシステムの測定対象を例示する被測定回路図である。
【図４】本発明の実施の形態に係るシミュレーション方法の手順を示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施の形態に係るシミュレーション方法における詳細シミュレーション実行処理の手順を示すフローチャートである。
【図６】本発明の実施の形態に係るシミュレーション方法における概略シミュレーションの結果得られた被測定回路の各ノードにおける電圧値を示す表である。
【図７】本発明の実施の形態に係るシミュレーション方法における概略シミュレーションの結果得られた波形データが表示された表示ウィンドウである。
【図８】本発明の実施の形態に係るシミュレーション方法における詳細シミュレーションの結果得られた波形データが表示された表示ウィンドウである。
【図９】本発明のシミュレーション方法における処理時間と、従来のシミュレーション方法における処理時間との時間削減効果を示すグラフである。
【図１０】本発明の実施の形態の変形例１に係るシミュレーション方法における詳細シミュレーション実行処理の手順を示すフローチャートである。
【図１１】本発明の実施の形態の変形例１に係るシミュレーション方法における概略シミュレーションの結果得られた波形データが表示された表示ウィンドウである。
【図１２】本発明の実施の形態の変形例２に係るシミュレーション方法における詳細シミュレーション実行処理の手順を示すフローチャートである。
【図１３】本発明の実施の形態の変形例２に係るシミュレーション方法における概略シミュレーションの結果得られた波形データが表示された表示ウィンドウである。
【符号の説明】
１      入力装置
２      出力装置
３      主記憶装置
５      中央処理制御装置（ＣＰＵ）
６      データ取得手段
７      概略シミュレーション実行処理手段
８      詳細シミュレーション実行処理手段
９      シミュレーション結果出力手段
１０    データ抽出手段
３０    インバータ直列回路（被測定回路）
３０ａ〜３０ｈ  インバータ回路
４１    デバイスモデル記憶部
４２    回路接続情報記憶部
４３    境界条件記憶部
４３    概略解析条件記憶部
５１    概略シミュレーション結果記憶部
５２    詳細シミュレーション結果記憶部
６１    部分指定時間記憶部
６２    詳細解析条件記憶部
６３    初期値情報記憶部
６４    入力波形情報記憶部
７０    表示ウィンドウ（第１の波形表示ウィンドウ）
７１    メニューバー
７２    プルダウンメニュー（選択ウィンドウ）
７３    設定ウィンドウ
７４    グラフィック
Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３、Ｔ２１、Ｔ２２、Ｔ２３            時間
Ｔｃｏｎｖ、Ｔｐｒｏｐ  処理時間
ｉｎ、ｎ１、ｎ２、ｏｕｔ        ノード
ｔ１    開始時刻
ｔ２    終了時刻
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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