(57)【要約】【課題】透光性とシールド効果を両立させ、良好な外観と安定した品質を得ることのできる安価な電磁波シールド体及びその製造方法を提供する。【解決手段】剛性の透明基板１に金属箔２と紫外線硬化型のフォトレジスト層３とを順次積層形成する工程と、フォトレジスト層３に所定のパターンを有するフィルムマスク４を露光用治具を介して真空密着させ、フォトレジスト層３をパターン露光してフィルムマスク４を除去し、フォトレジスト層３を現像して所定のパターンに形成する工程と、金属箔２をエッチングして所定のパターンに形成し、パターン形成されたフォトレジスト層３を剥離して電磁波シールド層を導電パターン形成する工程とを備える。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板に電磁波シールド層を形成した電磁波シールド体であって、
透明基板に剛性を付与し、電磁波シールド層を、透明基板に設けた導電層をエッチングすることによりパターン形成してその線幅を２〜４０μｍとしたことを特徴とする電磁波シールド体。
【請求項２】
透明基板に導電層を設けてこの導電層には感光性のフォトレジスト層を重ね設け、フォトレジスト層に所定のパターンを有するフィルムマスクを密接し、フォトレジスト層をパターン露光してフィルムマスクを除去するとともに、フォトレジスト層を現像してパターン形成し、導電層をエッチングしてパターン形成し、パターン形成されたフォトレジスト層を除去して電磁波シールド層を形成するようにした請求項１記載の電磁波シールド体。
【請求項３】
透明基板を複数の測定領域に分割し、各測定領域に光線を透過して透明基板の略全透過面の光線透過率を測定する場合に、一回毎の測定領域を５〜１００ｍｍ２の面積とし、最大測定値から最小測定値を減算した測定値のバラツキを５％以下とするようにした請求項１又は２記載の電磁波シールド体。
【請求項４】
電磁波をシールドする電磁波シールド体の製造方法であって、
剛性の透明基板に導電層を設け、この導電層に感光性のフォトレジスト層を重ね設ける工程と、フォトレジスト層に所定のパターンを有するフィルムマスクを密接し、フォトレジスト層をパターン露光してフィルムマスクを取り除き、フォトレジスト層を現像してパターン形成する工程と、導電層をエッチングしてパターン形成し、パターン形成されたフォトレジスト層を除去して電磁波シールド層を形成する工程とを含んでなることを特徴とする電磁波シールド体の製造方法。
【請求項５】
フィルムマスクの引張弾性率を１００〜７００ｋｇｆ／ｍｍ２とするとともに、フィルムマスクの厚さを５０〜２５０μｍとし、このフィルムマスクをフォトレジスト層に減圧作用を用いて密着させる請求項４記載の電磁波シールド体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ブラウン管（以下、ＣＲＴという）  、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）  、フィールドエミッションディスプレイ（以下、ＦＥＤという）の表示画面等から放射される電磁波をシールドする電磁波シールド体及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器類等から放射される電磁波が人体や他の電子機器に及ぼす悪影響について様々な報告がなされているが、それに伴い電子機器類から放射される電磁波を効果的にシールド（遮蔽）する技術について関心が高まっている。一般に、この種の電磁波をシールドする場合には、電子機器類の筐体を金属製にしたり、あるいは電子機器類の筐体に金属板を装着する方法が採用されている。
しかしながら、ＣＲＴ  、ＰＤＰ  、ＦＥＤ等の表示画面から放射される電磁波を効果的にシールドする場合には、電磁波をシールドする効果に止まらず、表示画面の視認性を阻害しないよう、可視光の透過性（透光性）に優れることも求められるので、金属板を単に使用するのでは不十分である。
【０００３】
そこで、ＣＲＴ  、ＰＤＰ  、ＦＥＤ等の表示画面から放射される電磁波を視認性を損なうことなく効果的にシールドするため、（１）導電性の高い金属フィラメントを混入した繊維からなるメッシュ、（２）ステンレスやタングステン等の導電性の材料からなる繊維を内蔵した透明基板（特許文献１、特許文献２、特許文献３参照）、（３）金属や金属酸化物からなる蒸着膜を表面に備えた透明基板が採用されている（特許文献４、特許文献５、特許文献６参照）。
【０００４】
また、上記の他にも、ＰＤＰ等の表示画面を被覆して電磁波をシールドする技術として、（４）透明基板の表面に、導電性の高い金属粉末を含有したインキをスクリーン印刷等によりパターン形成する方法（特許文献６、特許文献７参照）、（５）導電性インキからなる網目のパターンをスクリーン印刷して真空中で焼き付ける方法（特許文献８参照）、（６）紫外線硬化型のエポキシアクリレート樹脂に金属粉末を混合したインキを透明基板の表面に印刷し、これに紫外線を照射して硬化させる方法（特許文献９参照）が知られている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平３‐３５２８４号公報
【０００６】
【特許文献２】
特開平５‐２６９９１２号公報
【０００７】
【特許文献３】
特開平５‐３２７２７４号公報
【０００８】
【特許文献４】
特開平１‐２７８８００号公報
【０００９】
【特許文献５】
特開平５‐３２３１０１号公報
【００１０】
【特許文献６】
特開昭６２‐５７２９７号公報
【００１１】
【特許文献７】
特開平９‐２８３９７７号公報
【００１２】
【特許文献８】
特開平２‐５２４９９号公報
【００１３】
【特許文献９】
特公平２‐４８１５９号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ＰＤＰ等の表示画面から放射される電磁波をシールドする従来の技術については、以下のような問題がある。先ず、（１）の場合には、表示画面が暗くなってコントラストや解像度が低下するという問題が生じ、（２）の場合には、透明基板に導電性の繊維が内蔵されるので、表示画面が暗くなってコントラストや解像度が低下するだけではなく、製造方法が複雑化・煩雑化してコスト高となる。また、（３）の場合、十分な透光性を確保するために蒸着膜を薄くすると、蒸着膜の表面抵抗が上昇して電磁波の減衰特性が低下し、透光性とシールド効果を両立させることのできないおそれが少なくない。
【００１５】
次に、（４）、（５）、（６）の場合には、数十μｍ以下という細い線幅のパターンを形成することが非常に困難となる。さらに、細い線幅のパターンをあえて形成すると、パターンの線幅がばらついたり、パターンの部分的な切断が少なからず発生することとなる。
【００１６】
本発明は、上記に鑑みなされたもので、透光性とシールド効果を両立させることができ、良好な外観と安定した品質を得ることのできる安価な電磁波シールド体及びその製造方法を提供することを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明においては、上記課題を達成するため、透明基板に電磁波シールド層を形成したものであって、
透明基板に剛性を付与し、電磁波シールド層を、透明基板に設けた導電層をエッチングすることによりパターン形成してその線幅を２〜４０μｍとしたことを特徴としている。
なお、透明基板に導電層を設けてこの導電層には感光性のフォトレジスト層を重ね設け、フォトレジスト層に所定のパターンを有するフィルムマスクを密接し、フォトレジスト層をパターン露光してフィルムマスクを除去するとともに、フォトレジスト層を現像してパターン形成し、導電層をエッチングしてパターン形成し、パターン形成されたフォトレジスト層を除去して電磁波シールド層を形成することができる。
【００１８】
また、透明基板を複数の測定領域に分割し、各測定領域に光線を透過して透明基板の略全透過面の光線透過率を測定する場合に、一回毎の測定領域を５〜１００ｍｍ２の面積とし、最大測定値から最小測定値を減算した測定値のバラツキを５％以下とすることが好ましい。
【００１９】
また、本発明においては、上記課題を達成するため、電磁波をシールドするものの製造方法であって、
剛性の透明基板に導電層を設け、この導電層に感光性のフォトレジスト層を重ね設ける工程と、フォトレジスト層に所定のパターンを有するフィルムマスクを密接し、フォトレジスト層をパターン露光してフィルムマスクを取り除き、フォトレジスト層を現像してパターン形成する工程と、導電層をエッチングしてパターン形成し、パターン形成されたフォトレジスト層を除去して電磁波シールド層を形成する工程とを含んでなることを特徴としている。
なお、フィルムマスクの引張弾性率を１００〜７００ｋｇｆ／ｍｍ２とするとともに、フィルムマスクの厚さを５０〜２５０μｍとし、このフィルムマスクをフォトレジスト層に減圧作用を用いて密着させることが好ましい。
【００２０】
ここで特許請求の範囲における透明基板としては、強化ガラスや半強化ガラスの他、歪みの問題を生じなければ、例えばアクリル基板等が使用される。この透明基板には、電磁波シールド層の他、無反射処理層や電子機器の誤作動を防止する近赤外線吸収層を適宜形成することができる。透明基板と導電層との間には、接着層を選択的に介在させることができ、これら導電層及び又は接着層には、黒化処理等の黒色処理を適宜施すことができる。導電層や電磁波シールド層は、例えばストライプ形状、格子形状、幾何学模様（例えば、三角形、四角形、六角形、八角形、長方形、正方形、菱形、水玉模様等）等にパターン形成することができる。
【００２１】
透明基板の略全透過面とは、透明基板の全透過面でも良いし、おおよそ透明基板の全透過面と認められるもののいずれもが含まれる。おおよそ透明基板の全透過面と認められるものが含まれるのは、測定エリアが必ずしも矩形ではなく、透過部の寸法との関係で隙間（余り）が生じる場合があるので、個々の測定エリアが接する程度で測定し、隙間が発生した場合には無視するからである。また、フォトレジスト層のパターン露光に際しては、露光用治具を用いるのが良い。
【００２２】
露光用治具は、少なくとも負圧発生手段に接続されて透明基板を搭載するキャビティ板と、透明基板のフォトレジスト層上のフィルムマスクに重なる枠体と、キャビティ板に枠体を押し付けるクランプ部材とを備えてなるのが好ましい。本発明に係る電磁波シールド体は、主にＰＤＰの前面パネルの一部として使用されるが、何らこれに限定されるものではない。例えば、ＣＲＴやＦＥＤ等の他の機器に応用することもできる。ＰＤＰには、ＤＣ型、ＡＣ型、ハイブリッド型があるが、何ら限定されるものではない。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明すると、本実施形態における電磁波シールド体の製造方法は、図１ないし図７に示すように、透明基板１に金属箔２と感光性のフォトレジスト層３とを順次積層形成する工程と、フォトレジスト層３にフィルムマスク４を真空密着させ、フォトレジスト層３をパターン露光してフィルムマスク４を除去し、フォトレジスト層３を現像して所定のパターンに形成する工程と、金属箔２をエッチングして所定のパターンに形成し、パターン化されたフォトレジスト層３を剥離して電磁波シールド層５を導電パターン形成する工程とを備えている。
【００２４】
透明基板１は、ＰＭＭＡからなる透明の樹脂板、ソーダライムガラスからなるガラス板等からなり、表示パネル本体を保護する観点から剛性が付与される。この透明基板１は、樹脂板の場合には、２ｍｍ以上、好ましくは３ｍｍ以上の厚さに形成され、ガラス板の場合には、１ｍｍ以上、好ましくは強化処理されて２ｍｍ以上の厚さに形成される。透明基板１は、厚すぎると機器全体が大型化し、重量も増大するので、８ｍｍ以下、好ましくは５ｍｍ以下の厚さが良い。
【００２５】
金属箔２は、例えば薄い銅箔、鉄箔、アルミニウム箔、ステンレス箔、ニッケル箔、錫箔等からなり、視認性を確保するための黒化処理（プリント基板業界で通常使用されている用語）や粗面化処理が適宜施され、透明基板１の片面に接着剤を介して積層形成されたり、あるいは直接形成により一体化される。この金属箔２としては、具体的には、加工性、導電性、黒色化処理の観点から銅箔が最適である。金属箔２の厚さは、厚すぎると微細なパターンの加工が困難化し、薄すぎるとシールド効果が減退するので、４〜２０μｍの範囲が好ましい。また、金属箔２は、視認される側の面に、反射を抑制し、視認性向上の観点から黒色が塗布形成されることが好ましい。
【００２６】
金属箔２の表面は、高い接着強度を得る場合には、粗面化処理が施されるが、この粗面化処理の際、金属箔２の除去面に曇りの生じることがある。この場合には、接着面を形成する材料と屈折率の近い透明材料により平坦化したり、あるいは所定の溶媒により除去可能な接着剤を使用し、露出部を除去すれば、曇りを解消することができる。
これに対し、粗面化処理を施さない場合には、平坦化処理を特に必要としない。この場合、ＪＩＳ  Ｂ０６０１に規定されている中心線平均粗さ（Ｒａ）を用いたとき、金属箔２の表面粗さをカットオフ値０．０８ｍｍで０．２μｍ以下とすれば、金属箔２の除去面の曇りを抑制することができる。
【００２７】
接着剤は、透明基板１又は金属箔２に塗布してロール等により圧着されたり、あるいは透明基板１と金属箔２の間に充填されてロール等により圧着・ラミネートされる。この接着剤を使用する場合、金属箔２のエッチング後に透明基板１に残存した接着剤を除去するときには、接着剤の色彩は特に制限されるものではない。これに対し、金属箔２のエッチング後に透明基板１に残存した接着剤を除去しないときには、無色透明とされる。
但し、接着面が表示機器の視認側となる場合には、透明基板１に残存した接着剤を除去するときでも、無色透明又は無彩色の接着剤が使用される。この際、黒色の接着剤を使用すれば、予め金属箔２を黒色化する作業が不要となる。
【００２８】
金属箔２は、接着剤により接着することもできるが、透明基板１に積層一体化することも可能である。この場合には、透明基板１の軟化点付近の温度で加熱プレスする方法、接着剤により接着する方法等が適宜採用される。また、フォトレジスト層３は、例えばネガタイプのフォトレジストフィルム等からなり、紫外線の照射により現像液に対して不溶化する。
【００２９】
フィルムマスク４は、所定のパターンが形成され、解像度を向上させる観点から露光時にフォトレジスト層３に露光用治具４０を介して真空密着される。このフィルムマスク４は、引張弾性率が１００〜７００ｋｇｆ／ｍｍ２、好ましくは４００〜７００ｋｇｆ／ｍｍ２の範囲とされ、厚さが５０〜２５０μｍ、好ましくは５０〜１２５μｍとされる。これは、係る範囲内であれば、真空密着時におけるフィルムマスク４の伸びによるパターン乱れやフィルムマスク４自体の損傷を防止することができるからである。また、透明基板１の厚さのバラツキや表面の凹凸に追従し、良好な密着状態が期待できるからである。
【００３０】
露光用治具４０は、図６や図７に示すように、透明基板１を搭載する平面矩形のキャビティ板４１と、このキャビティ板４１に接続された真空ポンプのチューブ４２と、キャビティ板４１の表面周縁部に周設されて透明基板１を囲む平面枠形のパッキン４３と、フィルムマスク４の周縁部に重なる枠体４４と、キャビティ板４１と枠体４４の周縁部を挟持してキャビティ板４１に枠体４４を圧接する螺子式で複数のクランプ４５とから構成される。
【００３１】
上記において、電磁波シールド体を製造する場合には、先ず、透明基板１を用意（図１参照）し、この透明基板１の片側表面に金属箔２を接着剤を介して接着する。この金属箔２に黒化処理を施す場合には、予め金属箔２の接着面に黒化処理を施しておくと良い。また、金属箔２の接着に際しては、例えばロールラミネータ等を用いることができる。こうして透明基板１に金属箔２を接着したら、この金属箔２の表面にフォトレジスト層３を貼着して積層する（図２参照）。
【００３２】
次いで、露光用治具４０を用意し、この露光用治具４０に積層化された透明基板１を収納してそのフォトレジスト層３の表面にはパターン付きのフィルムマスク４を着脱自在に重ね、露光用治具４０のクランプ４５を螺合して透明基板１のフォトレジスト層３にフィルムマスク４を圧接するとともに、真空ポンプを作動させてフォトレジスト層３にフィルムマスク４を減圧作用により真空密着させる（図７参照）。フィルムマスク４を密着させたら、フォトレジスト層３をパターン露光し、露光用治具４０を分解して透明基板１を取り出し、フィルムマスク４を取り外す（図３参照）。上記作業に使用する露光装置は、特に限定されるものではないが、図３に矢印で示す紫外線を照射して一括露光するタイプが好ましい。
【００３３】
次いで、フォトレジスト層３を現像して所定のパターンに形成する（図４参照）。フォトレジスト層３は、現像時に露光されない不要領域が除去され、格子形、ストライプ形、幾何学模様等にパターン形成される。フォトレジスト層３の現像に際しては、例えば炭酸ナトリウム水溶液等を使用することができる。こうしてフォトレジスト層３を所定のパターンに形成したら、フォトレジスト層３から露出した金属箔２の露出部をエッチングして所定のパターンに形成するとともに、金属箔２を洗浄してパターン形成されたフォトレジスト層３を剥離し、金属箔２からなる電磁波シールド層５を導電パターン形成すれば、電磁波シールド体を製造することができる（図５参照）。
【００３４】
金属箔２のエッチングに際しては、例えば塩化鉄、塩化銅、加硫酸アンモニア、アンモニアアルカリ、クロム硫酸、硝酸等のエッチング液を適宜用いることができる。また、フォトレジスト層３を剥離する場合には、例えば水酸化ナトリウム水溶液等を用いると良い。
【００３５】
電磁波シールド層５におけるパターンの線幅は２〜４０μｍ、好ましくは２〜３０μｍ以下が良い。これは、線幅が２μｍ未満の場合には、電磁波のシールド特性が劣化し、パターンの断線を招くおそれがあるからである。逆に、線幅が４０μｍを超える場合には、透光性とシールド特性の両立が困難化するという理由に基づく。また、線幅を３０μｍ以下とすれば、全体としての光透過性を維持するためにパターンピッチを大きくする必要がなく、ピッチを小さくすることができるので、シールド性の低下がなく、透光性とシールド性を両立させることができるからである。電磁波シールド層５は、均一な透光性とシールド効果の両立の観点から略５００μｍ以下のパターンピッチが好ましい。
【００３６】
透明基板１の略全透過面の光線透過率を測定する場合、透明基板１を複数の測定領域に分割して各測定領域には測定波長５５０ｎｍ（可視光線の代表値）の光線を透過するとともに、一回毎の測定領域を５〜１００ｍｍ２の面積としたとき、最大測定値から最小測定値を減算した測定値のバラツキが５％以下が良い。一回毎の測定領域を５〜１００ｍｍ２の範囲としたのは、５ｍｍ２以上であれば、実用上問題のない局部的な透光性のバラツキを排除し、合格率を無意味に低下させるおそれを回避することができるからである。逆に、１００ｍｍ２以下であれば、バラツキが平均化され、濃淡ムラを検出できない危険性を排除することができる。このように測定値のバラツキが５％以下であれば、外観上高品質で濃淡ムラのない電磁波シールド体を得ることができる。
【００３７】
電磁波シールド体を製造したら、透明基板１の裏面に近赤外線吸収層を透明の接着剤により接着し、電磁波シールド層５に無反射処理層を透明の接着剤により接着し、図示しない枠フレーム等と組み合わせる。こうすれば、ＰＤＰの前面パネルを得ることができる。
なお、無反射処理層については、必要がなければ、適宜省略することができる。
【００３８】
上記構成によれば、金属箔２の露出部をエッチングして所定のパターンに形成し、パターン形成されたフォトレジスト層３を除去して金属箔２からなる電磁波シールド層５を導電パターン形成し、金属本来の高い導電性を有効に活用するので、透光性と電磁波シールド効果を十分に両立させることができる。したがって、表示画面が暗くなってコントラストや解像度が低下するという問題をきわめて有効に解消することができる。また、透明基板１に導電性の繊維を内蔵する必要が全くないので、コントラストや解像度の低下防止が期待できるだけでなく、製造方法を簡素化・容易化してコストを大幅に低減することができる。また、電磁波の減衰特性が低下して透光性とシールド効果を両立させることができないという弊害を有効に解消することが可能になる。
【００３９】
また、エッチング法を採用するので、スクリーン印刷法では達成できない数十μｍ以下という細く、高精細の線幅のパターンを高精度、かつ簡易に形成することができ、しかも、パターンの線幅がばらついたり、パターンの部分的な切断を招くおそれもない。また、従来のフィルム基材上におけるエッチング法とは異なり、透明基板１上で電磁波シールド層５を直接パターン形成するので、生産性に優れ、品質の安定した製造が可能になる。さらに、金属箔２の裏面に、光線を吸収する無彩色の黒色層を形成するので、透明基板１が全体として曇ることがない。
【００４０】
さらにまた、露光用治具４０を用い、フォトレジスト層３にフィルムマスク４を負圧作用により真空密着させるので、光線透過率の測定値のバラツキが５％以下の良好な電磁波シールド体を得ることが可能になる。この点を説明すると、測定値のバラツキを５％以下とするためには、フォトレジスト層３の露光時にフィルムマスク４を密着させることが重要な要件となる。
【００４１】
剛性の透明基板１は数μｍ〜数十μｍレベルで厚さがばらつき、表面が凹凸であるが、このような透明基板１の厚さバラツキを吸収してマスクを密着させるためには、剛性を有するガラス基材のマスクで押圧する方法では良好な効果が期待できない。特に、透明基板が強化処理されたガラス板の場合、加熱、急冷によりガラス板に歪みを残すことで強化している関係上、歪みが特に大きく、ガラス基材のマスク使用では良好な密着を到底期待することはできないばかりか、露光時にボケを招くおそれが少なくない。
【００４２】
これに対し、本実施形態によれば、マスクを可撓性を有する薄いフィルムマスク４とするとともに、このフィルムマスク４の押圧をフィルムマスク４の撓みを許容する開口付きの枠体４４に委ね、かつ負圧作用を活用して密着させるので、透明基板１の厚さバラツキを適切に吸収してフィルムマスク４を良好に密着させることができ、測定値のバラツキが５％以下の実に良好な電磁波シールド体を得ることが期待できる。
【００４３】
【実施例】
以下、本発明に係る電磁波シールド体及びその製造方法の実施例について比較例と共に説明する。
実施例１〜３、比較例１〜３で電磁波シールド体をそれぞれ作製し、各電磁波シールド体のシールド効果、透光性、外観を検討・評価してその結果を表１にまとめた。
【００４４】
実施例１〜３
先ず、半強化ソーダライムガラス板からなる透明基板を用意し、この透明基板の片側全表面に、厚さ９μｍｍの電解銅箔からなる金属箔を接着剤を介して接着した。透明基板の大きさは、縦６００ｍｍ×横１０００ｍｍ、厚さ２．５ｍｍとした。金属箔のシャイニー面（光沢面：電解Ｃｕ箔を製造する際、ロールに密着する側）を接着面としてその全接着面には中心線の平均粗さが０．０８μｍｍの黒化処理を施すとともに、全接着面に、無色透明の紫外線硬化型エポキシアクリレート系接着剤を塗布した。
【００４５】
接着に際しては、ロールラミネータを用いて透明基板に金属箔を８０℃に加熱しながら貼着し、透明基板の裏面側から紫外線を照射して接着剤を硬化させた。こうして透明基板に金属箔を接着したら、この金属箔の表面に、ドライフォトレジストフィルム〔ニチゴーモートン株式会社製  商品名ＮＩＴ２１５〕からなるフォトレジスト層をロールラミネータを介し６０℃に加熱しながら貼着し、積層した。
【００４６】
次いで、図７の露光用治具を用意し、この露光用治具に積層化された透明基板を収納してそのフォトレジスト層の表面にはパターンが透明のフィルムマスクと枠体とを順次重ねて積層し、複数のクランプをそれぞれ螺合して透明基板のフォトレジスト層にフィルムマスクを圧接するとともに、真空ポンプを作動させて５ｔｏｒｒまで減圧し、フォトレジスト層にフィルムマスクを真空密着させた。フィルムマスクは、線幅１０μｍ、ピッチ２５０μｍ、３０°のバイアスを有する格子形のパターンを備え、全周部に幅３０ｍｍのアース用電極を有するネガタイプとした。フィルムマスクの引張弾性率や厚さについては、表１に示すように実施例毎に変更した。
【００４７】
次いで、フォトレジスト層をパターン露光し、露光用治具を分解して透明基板を取り出し、フィルムマスクを剥離した。パターン露光に使用する露光装置としては、３ｋＷメタルハライドランプを備えたフルネルレンズ使用の平行光露光装置を使用することとし、紫外線の露光量を２００ｍＪ／ｃｍ２に設定した。フォトレジスト層を露光したら、フォトレジスト層を１．０％の炭酸ナトリウム水溶液を使用してスプレー現像し、パターン化されたフォトレジスト層から露出した金属箔の露出部を塩化第二銅水溶液でエッチングして金属箔を水洗いし、その後、水酸化ナトリウムの１．０％水溶液に浸漬してパターン形成されたフォトレジスト層を剥離し、電磁波シールド層が格子形に導電パターン形成された電磁波シールド体を製造した。
【００４８】
比較例１
基本的には実施例に準じたが、フィルムマスクの代わりにガラス板からなるマクス板を使用した。
比較例２
基本的には実施例に準じたが、フィルムマスクの厚さを本発明の範囲外に設定した。
比較例３
基本的には実施例に準じたが、フィルムマスクの引張り弾性率や厚さを本発明の範囲外に設定した。
【００４９】
シールド効果試験
各電磁波シールド体を縦横２０×２０ｃｍにカットし、アドバンテスト法により周波数０．１ＭＨｚ〜１ＧＨｚの範囲における電磁波の減衰率（ｄＢ）を測定し、上記周波数における各電磁波シールド体のシールド効果を評価した。表１には、シールド効果の指標として、周波数２００ＭＨｚにおける電磁波の減衰率（ｄＢ）を以下の評価基準で評価した結果を記載した。
〔評価基準〕
××：  ０〜１０ｄＢ未満
×  ：１０ｄＢを超え、２０ｄＢ未満
△  ：２０ｄＢを超え、４０ｄＢ未満
○  ：４０ｄＢを超え、５０ｄＢ未満
◎  ：５０ｄＢ超
【００５０】
透光性試験
各電磁波シールド体の可視光線（波長４００〜７００ｎｍ）の分光透過率を測定し、その最低値を指標として、各電磁波シールド体の透光性を以下の評価基準で評価した。測定に際しては、日本分光社製の紫外可視分光度計を用い、１００ｍｍ間隔で１サンプル当たり６０点測定した。
〔評価基準〕
××：  ０〜５０％未満
×  ：５０％を超え、６０％未満
△  ：６０％を超え、７０％未満
○  ：７０％を超え、８０％未満
◎  ：８０％超
【００５１】
外観試験
各電磁波シールド体の電磁波シールド層を内側にし、これをＰＤＰの表示画面の前面に５ｍｍの間隔を空けて設置し、表示画面の外観を以下の評価基準で評価した。
〔評価基準〕
×  ：全面に亘ってムラやメッシュを確認した。
△  ：かすかにムラやメッシュを確認した。
○  ：ムラやメッシュを全く確認することがなく、しかも、コントラストも十分に高く、良好な画像を得た。
◎  ：  ムラやメッシュを全く確認することがなく、しかも、コントラストが著しく高く、きわめて良好な画像を得た。
【００５２】
【表１】
2004335652.tif 000003
【００５３】
結  果
実施例１、２の電磁波シールド体については、全評価項目できわめて良好な結果が得られた。また、露光作業を５００回繰り返したが、マスクの損傷は認められなかった。
実施例３の電磁波シールド体については、透過率がばらついたものの、実用上問題のない電磁波シールド体を得ることができた。また、露光作業を５００回繰り返したが、マスクの損傷は認められなかった。
【００５４】
これに対し、比較例１の電磁波シールド体については、ガラス板からなるマクス板を使用した関係上、透過率がばらつき、視認性が著しく悪化した。
比較例２の電磁波シールド体についても、透過率がばらつき、視認性が著しく悪化した。
比較例３の電磁波シールド体については、透過率がばらつき、視認性が大幅に悪化するに止まらず、露光作業を１５０回繰り返したところでマスクが損傷した。
【００５５】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、透光性とシールド効果とを両立させることができ、しかも、良好な外観と安定した品質を得ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る電磁波シールド体の製造方法の実施形態における透明基板を示す模式説明図である。
【図２】本発明に係る電磁波シールド体の製造方法の実施形態における透明基板に金属箔、フォトレジスト層を順次貼着して積層した状態を示す模式説明図である。
【図３】本発明に係る電磁波シールド体の製造方法の実施形態におけるフォトレジスト層をパターン露光する状態を示す模式説明図である。
【図４】本発明に係る電磁波シールド体の製造方法の実施形態におけるフォトレジスト層を現像して所定のパターンに形成した状態を示す模式説明図である。
【図５】本発明に係る電磁波シールド体及びその製造方法の実施形態における電磁波シールド層を導電パターン形成した状態を示す模式説明図である。
【図６】本発明に係る電磁波シールド体の製造方法の実施形態における露光用治具を示す斜視説明図である。
【図７】図６の断面説明図である。
【符号の説明】
１          透明基板
２          金属箔（導電層）
３          フォトレジスト層
４          フィルムマスク
５          電磁波シールド層
４０        露光用治具
４１        キャビティ板
４２        チューブ
４３        パッキン
４４        枠体
４５        クランプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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