(57)【要約】【課題】光ディスクの基板を作製するプロセスで従来用いられていたレジストは、露光する光スポットの強度分布にほぼ比例した反応性を有していたため、微小マークを記録するためには光スポットを微小にする必要があったこれには、光学超解像技術があるが、メインスポットの外側にサイドローブが生じる。このサイドローブによって露光されるため、従来技術で光学超解像を用いることは不可能であった。【解決手段】温度に対して高い非線形反応性を有する材料をレジスト或いはマスクとして用い、入射光を吸収することによって発生する熱でパターンを作製する。温度が反応閾値以上となった部分が反応し、記録パターンの縮小化が可能となる。このような材料を用いた試料と光学超解像技術を組み合わせることにより、光学超解像によって発生するサイドローブによる記録を抑制することができ、スポットサイズの縮小化を図ることが可能となる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
集光したレーザ光を入射することによって光ディスクの基板を作製する光ディスク基板作成方法において、該カッティング装置の対物レンズに入射する光の一部が遮光されており、かつ露光される試料が、
Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｍｏの少なくとも一種類の酸化物の薄膜か、
或いは／及びＡｌ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｗ、Ｒｕの少なくとも一種類の薄膜か、
或いは／及びＳｂ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｅ或いは該材料の複合材料の薄膜
を有することを特徴とする、光ディスク基板作成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光ディスク作製技術に関し、特にレーザ光を用いて基板を作製する装置及び作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ディスクには、その用途によって、大きく、再生専用（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ；  ＲＯＭ）、追記型（Ｗｒｉｔｅ  Ｏｎｃｅ  Ｒｅａｄ  Ｍａｎｙ；  ＷＯＲＭ）、多数回書き換え可能（Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ  Ｍｅｍｏｒｙ又はＲａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ；  ＲＡＭ）に分けられる。このうち、ＲＯＭは基板に記録データに対応する穴（ピット）が作製されている。ＷＯＲＭとＲＡＭは、その基板にトラックに対応する溝（グルーブ溝）が作製されており、ユーザデータはその溝に沿って記録される。ＷＯＲＭとＲＡＭには溝の他に、そのディスクの特性等の情報やアドレス情報を示すピットが作製されている。
【０００３】
上記のようなピットや溝を有するディスク基板は、大まかには次のようなプロセスで作製される；１．ガラス基板に感光性レジストを塗布する、２．その基板を回転させ、その基板に対物レンズで集光したレーザ光を入射し、レジストを感光させる、３．基板を現像し、パターンを形成する、４．Ｎｉメッキし、それを金型にして融解したポリカーボネートを流し込んで型を作製する。レーザ光によって露光する装置をカッティング装置と呼ぶ。
【０００４】
上記２において、溝を作製する場合には入射するレーザ光をＤＣ光とし、ピットを作製する場合には適切な条件のパルス光とする。その条件は、レジストの感光性等を考慮して最適化する。
【０００５】
上記のプロセスにおいて用いるレジストは、光が照射された領域の大部分が光反応をするため、小さなパターンを作製するためには、入射光のスポットサイズを小さくする必要がある。集光した場合のスポットの直径は、光の波長をλ、対物レンズの開口数をＮＡと書くと、ほぼλ／ＮＡに等しくなる。よって、スポットを小さくするには、短波長化、及び／又は、高ＮＡ化を図る必要がある。次世代の光ディスクは、直径１２０ｍｍのディスクに２０〜３０ＧＢの容量を記録する方式が検討されている。この容量を実現するには、最短マーク長が０．１５〜０．２ｍｍ、トラックピッチが０．３〜０．３５ｍｍ程度である必要がある。このサイズのピットを作製するために、光の波長を２５０〜２７０ｎｍ、ＮＡを０．９程度にしている。
【０００６】
一方、書き換え可能媒体としては相変化記録が考えられている。相変化記録は、初期状態が結晶状態の記録膜に、入射したレーザ光を吸収して発生する熱によって記録膜の一部が融解し、急激に冷却する過程でアモルファスになる現象を用いてマークを記録する方法である。この方法は、例えばＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷにおいて用いられており、記録は再生と同様、ドライブで行う。次世代のドライブは、波長４００〜４１０ｎｍの青紫色レーザと、ＮＡ０．６５〜０．８５の対物レンズを用いることが検討されている。
【０００７】
上記のことを図２に纏める。図２（ａ）には、カッティング装置の例が記されている。強度プロファイル２１の光スポットで、反応閾値２２のレジストを露光すると、光スポットサイズ２３に対してマークサイズ２４のマークが記録される。これに対し、相変化記録などの、反応閾値が高い場合が（ｂ）に記されている。上記のようにドライブの光スポットはカッティング装置のそれに比べて大きいので、強度プロファイル２５のサイズは大きいが、閾値２６が高いので、大きな光スポットサイズ２７でマークサイズ２４とほぼ同等の大きさのマーク２８が記録される。
【０００８】
また、対物レンズの一部を遮光することによってスポットサイズを小さくする、光学超解像技術が、例えば、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｏｐｔｉｃｓ  第２９巻  ３０４６頁〜３０５１頁（１９９０年）において報告されている。この方法では、入射光学系の光路の一部をマスクによって遮光し、マスクを通過した光の干渉効果を利用して、光スポットサイズを縮小する。このことにより、光スポットの強度プロファイルは、図３（ｂ）のようになる。メインスポット３４は、（ａ）に示す通常の光スポットのプロファイル３１よりも縮小される。それと同時に、（ｂ）の光スポットには遮光マスクにおける回折効果に起因するサイドローブ３５が発生する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
現在のカッティング装置では、上記のように短波長化と高ＮＡ化によって記録データの高密度化を図っているが、λ／ＮＡは２８０〜２９０ｎｍ程度であり、記録マークよりも大きい。一方、感光性レジストの反応性は、露光した光量にほぼ比例するので、このスポットサイズで次世代光ディスクの基板を作製するには、マージンが非常に少なかった。詳細に装置や露光条件を調節しても、直径１２０ｍｍで２５ＧＢ相当の容量を有するＲＯＭ基板を作製して測定すると、ジッタは９％以上であった。一方、光源の波長が４００ｎｍ、対物レンズのＮＡが０．８５のドライブで同じ容量の相変化記録を行うと、λ／ＮＡは約１．６倍であるにもかかわらず、ジッタは７％程度であった。
【００１０】
また光学超解像では、上記のようにサイドローブが発生する。通常の露光では、図３（ａ）に示すように、レジストの反応閾値３２で決定されるサイズ３３のマークが記録される。光学超解像では、図３（ｂ）に示すように、メインスポット３４によるマーク３７と、サイドローブ３５によるマーク３８とが形成される。マーク３８を形成しないためには、サイドローブ３５の高さがレジストの反応閾値３６よりも小さいことが必要である。そのためには、記録レーザパワーを小さくするか、光スポットのプロファイルにおけるメインスポット３４とサイドローブ３５の強度比を大きくすることである。然るに、レーザパワーを小さくすると、露光量が少なくなるため、レジストの感度の制限により、十分にレジストの反応が進行せず、パターンが形成されない。また、メインスポットのサイズとサイドローブ強度はトレードオフの関係にあるため、メインスポットとサイドローブの強度比を大きくすると、結局メインスポットのサイズが大きくなるため、光学超解像の効果が小さくなり、記録データの高密度化が不可能となる。これらの理由から、光学超解像技術をドライブやカッティング装置に用いることは不可能であった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
カッティング装置の光源波長λと対物レンズのＮＡの比λ／ＮＡよりも小さなマークを再現性良く記録するために、露光に対する反応性が、照射した光の強度に対して大きな非線形性を示す物質をレジスト或いはマスクとして用いる。上記の課題で述べたように、相変化記録ではλ／ＮＡよりも小さなマークを再現性良く記録することができるが、その理由は、照射した光スポットの強度プロファイルのうち、強度が強い領域において記録膜が融解し、マークサイズはそれと同等か、或いはそれよりも小さくなるからである。通常、露光に用いられるレジストも非線形性を有するが、非線形性が小さく、よって小さなマークを記録することができない。
【００１２】
この方策の一つは、温度に対して非線形化学反応性を示す物質をレジストとして用いることである。例えば、Ａｕ２Ｏ３は２５０℃の温度で酸素を放出してＡｕとなる。よって、Ａｕ２Ｏ３を基板に製膜し、これにレーザ光を入射すると、光吸収による発熱が生ずるので、適切なパワーの光を入射すると、入射光スポットの一部が２５０℃以上となり、図２（ｂ）のように、光スポットよりも小さな大きさの領域がＡｕとなる。Ａｕ２Ｏ３とＡｕは酸やアルカリに対する反応性が異なるので、適切な薬品で現像すれば、Ａｕ２Ｏ３かＡｕの一方を溶かして、他方のパターンを残すことが可能である。このような材料としては、Ａｕ２Ｏ３の他に、ＰｔＯ、Ａｇ２Ｏが可能である。
【００１３】
また、上記と同じ構成・原理で、ある温度以上で酸化する材料をレジストとして用いることもできる。そのような材料として、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｗ、Ｒｕが可能である。
【００１４】
上記の材料について、反応温度、反応後の物質、現像液の例、及び現像後に残るパターンの物質を表に纏めたものを図４に挙げる。
【００１５】
上記の方法において、上記の材料或いは上記の材料が反応した物質がパターンとして残るが、このパターンそのものを溝やピットとしてもいいし、このパターンをマスクとして反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ；  ＲＩＥ）処理をして、凹凸パターンを形成することも可能である。
【００１６】
光スポットよりも小さなマークを記録する別の方策として、温度によって著しい屈折率変化を示す材料をマスクとして露光する方法が考えられる。例えば、基板上にレジストを塗布し、その上に金属や半導体のマスク膜を形成する。その試料にレーザ光を入射し、マスク膜が光を吸収することによって発熱し、屈折率が変化する。ここで、例えば昇温した領域の光の透過率が高くなるように試料を作製すれば、光スポットの一部の領域で光が透過して、レジストが露光される。この閾値と透過率は、マスク膜の材料、膜厚、及び入射する光のパワー等の露光条件に依存する。このようなマスク材料としては、例えばＳｂ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｅ、或いはＧｅＳｂＴｅやＡｇＩｎＳｂＴｅ等、相変化記録膜に用いられる複合材料が考えられる。これらの材料の融点を図５に挙げる。これらの材料が融解すると透過率が高くなる。適切な条件の下では、入射レーザ光によって、光スポット内の一部の領域が融解し、レジストが露光される。
【００１７】
これらの材料の屈折率変化は、全て可逆である。不可逆変化を示す物質をマスク層として用いることも原理的には可能であるが、この場合、あるトラックを露光した後、その隣接トラックを露光すると、一つ前に露光したトラックにおいて透過率が高くなっているため、そのトラックが再び露光されてしまう、即ちクロスライトが発生してしまうため、狭トラックピッチ化が不可能となる。
【００１８】
上記の非線形マスクを用いた方法と、光学超解像技術を組み合わせることにより、更なるデータ高密度化が可能となる。図１に説明図を示す。（ｂ）のように、レジストの反応閾値１２がサイドローブ１５よりも高い位置にあれば、サイドローブは露光には関与せず、メインスポット１４が通常のスポット１１よりも縮小されたことにより、形成されるマーク１６は、通常の光スポット１１によって形成されるマーク１３よりも小さくなる。この効果により、更なる大容量化を達成することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
（第１形態）
本発明の実施形態について述べる。ここでは、Ａｕ２Ｏ３をレジストとした場合について述べる。プロセスの説明図を図６に記す。（ａ）のように、ガラス基板６２上に、Ａｕを酸素を含むＡｒガス中でスパッタし、Ａｕ２Ｏ３膜６１を形成する。ここでＡｕ２Ｏ３の厚さは約２０ｎｍとした。次に（ｂ）のように、レーザ光を照射し、そのことによって発生する熱によって、Ａｕ２Ｏ３膜中にＡｕマーク列６３を形成する。
【００２０】
カッティング装置には、光学超解像効果を利用するために、対物レンズに入射する直径約４ｍｍの平行光束の中心部分を、直径２ｍｍの円で遮光した。遮光マスクにはＣｒを用いた。この時、メインスポットの直径は、遮光しない場合に比べて８０％となり、メインスポットと再度ローブの強度比は約５：１であった。カッティング装置の光源波長は２６０ｎｍ、対物レンズの開口数（ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  ａｐｅｒｔｕｒｅ；ＮＡ）は０．９である。
【００２１】
記録時には、相変化記録において用いられるような、少なくともマーク長よりも短いレーザパルスの列からなる記録波形を用いた。その理由は、マーク記録は温度によって反応性が発現する現象を利用するので、記録する際のＡｕ２Ｏ３膜内の温度分布を制御することによって、記録マークの品質を向上させる必要があるからである。図７に、２Ｔｗマークと５Ｔｗマークの記録波形の例を記す。図に示したように、ｎＴｗマークはｎ−１個のレーザパルスで記録した。レーザパルス列のパワーレベルＰ１、Ｐ２、Ｐ３を図のように定義した。またパルス長さについては、第１パルスの長さをｔｆｐ、マルチパルス部分のＰ１レベルとＰ２レベルの長さをそれぞれｔｐ１、ｔｐ２と定義した。ここでは、Ｔｗの長さが０．０７５μｍ、トラックピッチが０．３２μｍ、ｔｆｐ＝ｔｐ１＝ｔｐ２＝Ｔｗ／２とし、Ｐ１＝４ｍＷ、Ｐ２＝Ｐ３＝０．５ｍＷとした。この条件により、直径１２０ｍｍのディスクで約２５ＧＢの記録容量を達成することができる。記録時には、ディスク線速を３ｍ／ｓとした。
【００２２】
図６（ｂ）の処理後の基板を塩酸に浸し、Ａｕ２Ｏ３を溶解して、（ｃ）のようにＡｕのパターンのみを残した。これをＣ２Ｆ６ガスを用いて反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ；ＲＩＥ）処理し、ガラス基板６２をエッチングした。この時、ＡｕもＲＩＥによってエッチングされるが、そのエッチングレートはガラス基板のエッチングレートと比較すると非常に遅いので、Ａｕがマスクとなり、（ｄ）のようなパターンを形成することができる。ＲＩＥの条件を最適化することにより、所望の深さのピットを作製することができる。ここでは深さ８０ｎｍのピットを形成した。このようにして作製した基板を、基板作製のための原盤とした。
【００２３】
（ｄ）の原盤から作製したポリカーボネ−ト基板にＡｇ合金をスパッタし、０．１ｍｍ厚さのポリカーボネ−トシートを貼り付けたディスクを、光源波長４００ｎｍ、対物レンズのＮＡ０．８５のディスク評価機で線速４．９２ｍ／ｓで再生したところ、約４．５％のジッタが得られた。
【００２４】
更に上記の方法及び上記のカッティング装置を用いて、Ｔｗ長さが０．０５μｍ、トラックピッチが０．２４μｍで記録して基板を作製した。この基板を上記と同じディスク評価機で再生し、ＰＲＭＬ（Ｐａｒｔｉａｌ  Ｒｅｓｐｏｎｓｅ  Ｍｏｓｔ  Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ）信号処理を用いてエラー率を測定したところ、エラー訂正処理なしで約１０−６となり、実用的なレベルであることが確認できた。この条件により、直径１２０ｍｍのディスクで、約５０ＧＢの記録容量を達成することができる。
【００２５】
次に、Ｔｗの長さを０．０４μｍ、トラックピッチを０．２μｍとして露光した。この条件は、直径１２０ｍｍのディスクにおいて、約７５ＧＢの容量に相当する。露光条件は上記のそれと同じである。マークのエッジの揺らぎを原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＡＦＭ）によって測定したところ、揺らぎの標準偏差とＴｗの比（ジッタに対応する）は約７．２％であった。
【００２６】
（第２形態）
ここでは、第１形態における、Ａｕ２Ｏ３を塩酸で溶解するプロセスを省略した。Ａｕ及びＡｕ２Ｏ３は両者ともＣ２Ｆ６ガスを用いたＲＩＥによってエッチングされるが、エッチレートはＡｕ２Ｏ３の方が大きい。よって、Ａｕ２Ｏ３の部分が全てエッチングされてＳｉＯ２までエッチングされる間、Ａｕのパターンは残る。ＳｉＯ２のエッチレートは非常に大きいため、Ａｕ２Ｏ３が全てエッチングされた後は、非常に高速にエッチングが進行する。よってＡｕ２Ｏ３の膜厚を適切に設定すれば、適切な深さのピットを作製することができる。このことにより、プロセスを１過程減らすことができ、マスタリングがより簡単になる。
【００２７】
ここでは、Ａｕ２Ｏ３の膜厚を３０ｎｍ、Ｐ１＝７ｍＷとした。他の条件は、第１形態のそれと同じである。露光後ＲＩＥ処理を行い、８０ｎｍの深さのピットを作製した。２５ＧＢの容量に相当する条件で露光した基板を、第１形態の場合と同じ条件で測定したところ、ジッタは約４．９％となった。
【００２８】
（第３形態）
レジストとして、ＰｔＯ２、Ａｇ２Ｏ、ＭｏＯ３を用いた例について述べる。上記それぞれの材料を、ガラス基板上にスパッタした。膜厚は全て約２０ｎｍとした。Ｐ１は、ＰｔＯ２では８．５ｍＷ、Ａｇ２Ｏでは３ｍＷ、ＭｏＯ３では４．８ｍＷとした。露光後、それぞれの試料を、図４に示した液体に浸し、それぞれＰｔ、Ａｇ、ＭｏＯ３のパターンを残した。その試料を原盤とし、ディスク基板を作製した。その他の条件は、第１形態のそれと同じとした。そのディスクを、第１形態と同様の条件で再生したところ、第１形態で述べた容量２５ＧＢのマークサイズにおけるジッタは、ＰｔＯ２では４．４％、Ａｇ２Ｏでは４．９％、ＭｏＯ３では５．２％であった。
【００２９】
（第４形態）
レジストとして、Ａｌ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｗ、Ｒｕを用いた例について述べる。上記それぞれの材料を、ガラス基板上にスパッタした。膜厚は全て２０ｎｍとした。露光後、それぞれの試料を、図４に示した液体に浸し、パターンを形成した。その試料を原盤とし、ディスク基板を作製した。露光パワーＰ１の条件以外は、第１形態のそれと同じとした。マークサイズは、第１形態で述べた、１２０ｍｍのディスクでの容量が２５ＧＢとなる条件とした。そのディスクを、第１形態と同様の条件で再生した。それぞれの材料に対するＰ１の値と、再生の結果得られたジッタの値を図８に示す。全ての材料で、実用的なジッタ値が得られていることがわかる。
【００３０】
（第５形態）
Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｓｂ７Ｔｅ３を用いた場合について述べる。これらの材料を用いた場合のプロセスの説明図を図９に示す。露光前の試料の状態が（ａ）である。ガラス基板９４上にレジスト９３をスピンコータによって塗布し、その上にマスク層９２、保護膜９１をスパッタによって製膜する。ここでレジスト９３は、光吸収によって反応する、通常の有機レジスト材料である。保護膜９１は、マスク層９２の酸化を防ぐために必要である。この試料を、（ｂ）のようにカッティング装置によって露光する。レーザ光スポットは（ｂ）の矢印方向に走査する。マスク材料９２の透過率は、室温においてはほぼ０％であるが、レーザ光を入射することによってマスク層の一部が融解し、高透過率の領域９５が生じる。よってレジスト９３は、レーザパルスを与えたところのみが露光され、露光パターン９６が形成される。（ｃ）（ｄ）のように保護膜９１、マスク層９２を溶解した後、露光されたレジストを現像することにより、凹凸パターン（ｅ）が得られる。
【００３１】
実際に作製した試料の構造は、ガラス基板／レジスト（８０ｎｍ）／マスク材料（４０ｎｍ）／ＳｉＯ２（４０ｎｍ）とした。カッティング装置の仕様は、第１形態と同様、波長２６０ｎｍ、対物レンズのＮＡが０．９とした。また記録波形も第１形態と同じものを使用した。ただし、記録パワーＰ１のみを材料によって最適化した。マークサイズは、第１形態で述べた、容量２５ＧＢの条件とした。図９（ｅ）の試料を原盤とし、ディスク基板を作製した。
【００３２】
それぞれの材料のＰ１の値と、ディスク基板を再生して得られたジッタ値を図１０に示す。全ての材料において、実用的なジッタ値が得られた。
【００３３】
【発明の効果】
光学超解像技術をドライブやカッティング装置に用いることが可能となり、記録データの高密度化を達成できる。
【００３４】
【図面の簡単な説明】
【図１】光学超解像と非線形レジスト或いは非線形マスクの組み合わせによる記録マークの縮小の説明図。（ａ）非線形レジスト或いは非線形マスクを用いた場合、（ｂ）（ａ）と併せて光学超解像を用いた場合。
【図２】カッティング装置及び光ディスクドライブを用いた場合の光スポットサイズと記録マークサイズ。（ａ）カッティング装置、（ｂ）光ディスクドライブ。
【図３】従来技術において光学超解像を用いた場合の記録マーク。（ａ）従来技術、（ｂ）従来のレジストに光学超解像を用いて記録した場合。
【図４】非線形レジスト材料とその特性。
【図５】非線形マスク材料とその融点。
【図６】非線形レジストを用いた場合のプロセスの説明図。
【図７】本発明における記録レーザ波形。
【図８】それぞれの非線形レジスト材料に対するレーザ記録パワーＰ１と、記録マークを再生した場合のジッタ値。
【図９】非線形マスクを用いた場合のプロセスの説明図。
【図１０】それぞれの非線形レジスト材料に対するレーザ記録パワーＰ１と、記録マークを再生した場合のジッタ値。
【符号の説明】
１１：従来技術における光スポットの強度分布、１２：非線形レジスト或いは非線形マスクの反応閾値、１３：従来技術に非線形レジスト或いは非線形マスクを用いた場合の記録マーク、１４：光学超解像におけるメインスポット、１５：光学超解像におけるサイドローブ、１６：光学超解像と非線形レジスト或いは非線形マスクを用いた場合の記録マーク、
２１：カッティング装置における光スポットの強度分布、２２：従来のレジストの反応閾値、２３：カッティング装置の光スポットサイズ、２４：カッティング装置で記録したマーク、２５：光ディスクドライブの光スポットの強度分布、２６：光ディスクドライブで記録する媒体の記録膜の反応閾値、２７：光ディスクドライブの光スポットサイズ、２８：光ディスクドライブで記録したマーク、
３１：従来のカッティング装置の光スポットの強度分布、３２：従来のレジストの反応閾値、３３：従来のカッティング装置で記録したマーク、３４：カッティング装置に光学超解像を用いた場合の光スポットのメインスポット、３５：光学超解像におけるサイドローブ、３６：非線形レジスト或いは非線形マスクの反応閾値、３７：メインスポットで記録されたマーク、３８：サイドローブで記録された部分、
６１：非線形レジスト、６２：基板、６３：非線形レジスト内の露光された部分、
９１：保護膜、９２：非線形マスク層、９３：レジスト、９４：基板、９５：非線形マスク内の高透過率領域、９６：レジスト内の露光された部分。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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