(57)【要約】【課題】集積型の太陽電池を生産性よく製造することができる製造方法を提供する。【解決手段】基板１１の一主面１１ｃ上に第１の電極膜１２を形成したのち第１の電極膜１２の一部をストライプ状に除去することによって第１の電極膜１２を短冊状に分割する工程を含む。この工程は、基板１１の一主面１１ｃ上に、ストライプ状のレジストパターン２１ａを形成する工程と、レジストパターン２１ａを覆うように第１の電極膜１２を形成する工程と、レジストパターン２１ａおよびレジストパターン２１ａ上に形成された第１の電極膜１２を共に除去することによって、第１の電極膜１２の一部をストライプ状に除去する工程と、第１の電極膜１２が除去された部分をスパッタリングする工程とを含む。【選択図】  図３
2004335981.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一主面が絶縁性である基板と、前記一主面上に形成され直列接続された２以上のユニットセルとを備える集積型太陽電池の製造方法であって、
（ｉ）前記基板の前記一主面上に第１の電極膜を形成したのち前記第１の電極膜の一部をストライプ状に除去することによって前記第１の電極膜を短冊状に分割する工程と、
（ｉｉ）前記第１の電極膜上にｐｎ接合を含む半導体膜を形成したのち、前記半導体膜の一部をストライプ状に除去することによって前記半導体膜を短冊状に分割する工程と、
（ｉｉｉ）前記半導体膜上および前記半導体膜が除去されて露出した前記第１の電極膜上に第２の電極膜を形成したのち、前記第２の電極膜の一部をストライプ状に除去することによって前記第２の電極膜を短冊状に分割する工程とを含み、
前記（ｉ）の工程は、
（Ａ）前記基板の前記一主面上に、ストライプ状のレジストパターンを形成する工程と、
（Ｂ）前記レジストパターンを覆うように前記第１の電極膜を形成する工程と、
（Ｃ１）前記レジストパターンおよび前記レジストパターン上に形成された前記第１の電極膜を共に除去することによって、前記第１の電極膜の一部をストライプ状に除去する工程と、
（Ｄ１）前記第１の電極膜が除去された部分をスパッタリングする工程とを含むことを特徴とする集積型太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記レジストパターンが水溶性の化合物を含み、前記（Ｃ１）の工程において、前記レジストパターンおよび前記レジストパターン上に形成された前記第１の電極膜を、水を含む液体を用いて除去する請求項１に記載の集積型太陽電池の製造方法。
【請求項３】
少なくとも一主面が絶縁性である基板と、前記一主面上に形成され直列接続された２以上のユニットセルとを備える集積型太陽電池の製造方法であって、
（ｉ）前記基板の前記一主面上に第１の電極膜を形成したのち前記第１の電極膜の一部をストライプ状に除去することによって前記第１の電極膜を短冊状に分割する工程と、
（ｉｉ）前記第１の電極膜上にｐｎ接合を含む半導体膜を形成したのち、前記半導体膜の一部をストライプ状に除去することによって前記半導体膜を短冊状に分割する工程と、
（ｉｉｉ）前記半導体膜上および前記半導体膜が除去されて露出した前記第１の電極膜上に第２の電極膜を形成したのち、前記第２の電極膜の一部をストライプ状に除去することによって前記第２の電極膜を短冊状に分割する工程とを含み、
前記（ｉ）の工程は、
（Ａ）前記基板の前記一主面上に、ストライプ状のレジストパターンを形成する工程と、
（Ｂ）前記レジストパターンを覆うように前記第１の電極膜を形成する工程と、
（Ｃ２）前記レジストパターンが形成された部分にレーザビームを照射することによって、前記レジストパターンおよび前記レジストパターン上に形成された前記第１の電極膜を共に除去する工程とを含むことを特徴とする集積型太陽電池の製造方法。
【請求項４】
前記レジストパターンが前記レーザビームの波長の光を吸収しやすい化合物を含む請求項３に記載の集積型太陽電池の製造方法。
【請求項５】
少なくとも一主面が絶縁性である基板と、前記一主面上に形成され直列接続された２以上のユニットセルとを備える集積型太陽電池の製造方法であって、
（ｉ）前記基板の前記一主面上に第１の電極膜を形成したのち前記第１の電極膜の一部をストライプ状に除去することによって前記第１の電極膜を短冊状に分割する工程と、
（ｉｉ）前記第１の電極膜上にｐｎ接合を含む半導体膜を形成したのち、前記半導体膜の一部をストライプ状に除去することによって前記半導体膜を短冊状に分割する工程と、
（ｉｉｉ）前記半導体膜上および前記半導体膜が除去されて露出した前記第１の電極膜上に第２の電極膜を形成したのち、前記第２の電極膜の一部をストライプ状に除去することによって前記第２の電極膜を短冊状に分割する工程とを含み、
前記（ｉ）の工程は、
（Ａ）前記基板の前記一主面上に、ストライプ状のレジストパターンを形成する工程と、
（Ｂ）前記レジストパターンを覆うように前記第１の電極膜を形成する工程と、
（Ｃ３）前記レジストパターンおよび前記レジストパターン上に形成された前記第１の電極膜を、プラズマにさらすことによって共に除去する工程とを含むことを特徴とする集積型太陽電池の製造方法。
【請求項６】
前記レジストパターンが有機化合物を含み、前記（Ｃ３）の工程において、酸素を含む雰囲気中でプラズマ処理を行う請求項５に記載の集積型太陽電池の製造方法。
【請求項７】
前記（Ｃ３）ののちに、前記基板に対して、フッ素系ガスまたは塩素系ガスを含む雰囲気中でプラズマ処理を行う工程をさらに含む請求項５に記載の集積型太陽電池の製造方法。
【請求項８】
前記基板は、前記一主面側に絶縁膜が形成された可撓性を有する基板、または前記一主面側が絶縁処理された可撓性を有する基板である請求項１ないし７のいずれかに記載の集積型太陽電池の製造方法。
【請求項９】
前記半導体膜がＩｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素とを含む化合物半導体層を含む請求項１ないし７のいずれかに記載の集積型太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の電極膜がモリブデンを含む請求項９に記載の集積型太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、集積型太陽電池の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、Ｉｂ族元素、ＩＩＩｂ族元素およびＶＩｂ族元素からなる化合物半導体薄膜（カルコパイライト構造半導体薄膜）であるＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳ）、またはこれにＧａを固溶したＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（ＣＩＧＳ）、あるいはＣｕＩｎＳ２を光吸収層に用いた薄膜太陽電池モジュールの構造および製造方法について、報告がなされている（例えば、非特許文献１参照）。このようなＣＩＳ系太陽電池では、直列接続された複数のユニットセルが基板上に形成された集積型構造が一般的である。
【０００３】
集積型のＣＩＳ系太陽電池を製造するための従来の方法について、図７を参照しながら一例を説明する。まず、ガラスなどの絶縁性基板１上に第１の電極膜２をスパッタリング法によって形成する。その後、連続発振のレーザビームＬ１を照射することによって、図７（ａ）に示すように第１の電極膜２の一部をストライプ状に除去し、第１の電極膜２を短冊状に分割する。その後、図７（ｂ）に示すように、第１の電極膜２上に、ｐ形Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２薄膜とｎ形ＣｄＳ薄膜とが積層された半導体膜３を形成する。次に、図７（ｃ）に示すように、メカニカルスクライブ法によって半導体膜３を短冊状に分割する。その後、図７（ｄ）に示すように、第２の電極膜４として透明導電膜を形成する。最後に、図７（ｅ）に示すように、メカニカルスクライブ法によって、第２の電極膜４を短冊状に分割する。このようにして集積型太陽電池が得られる。
【０００４】
図７（ｅ）に示す太陽電池において、各ユニットセル５における第２の電極膜４は、隣接するユニットセル５の第１の電極膜２と接続されており、各ユニットセル５は互いに直列接続している。なお、図７（ｃ）や図７（ｅ）に示す工程において、上述したメカニカルスクライブ法でなく、分割する膜にレーザビームを照射することによって各膜を短冊状に分割することもできる。
【０００５】
このような集積型の薄膜太陽電池では、基板として、ステンレス基板などの可撓性を有する基板を用いることによって汎用性を高くすることができる。また、可撓性を有する基板を用いる場合には、ロール状に巻かれた基板を引き出し、その上に太陽電池を連続的に形成することができるため、製造上有利な点が多い。
【０００６】
【非特許文献１】
第１３回  ユーロピアン  フォトヴォルテック  ソーラー  カンファレンス（１３ＴＨ  ＥＵＲＯＰＥＡＮ  ＰＨＯＴＯＶＯＬＴＡＩＣ  ＳＯＬＡＲ  ＣＯＮＦＥＲＥＮＣＥ）１９９５  Ｐ．１４５１−１４５５
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ステンレスなどの金属材料からなる導電性の基板を用いる場合、集積型の太陽電池を製造するためには、基板の表面に絶縁性を付与する必要がある。絶縁性を付与した基板としては、たとえば、表面に絶縁膜が形成された導電性基板が用いられる。しかしながら、ステンレス基板などの透明でない基板を用いた場合には、レーザビームによって電極膜の一部をストライプ状に除去する際に、短絡が発生しやすいという問題があった。ステンレス基板上の電極膜に対してレーザビームを照射したときの電極膜の状況を、図８を用いて説明する。
【０００８】
図８（ａ）に示すように、基板１は、導電性を有するステンレス基板１ａとＳｉＯ２からなる絶縁膜１ｂとを備える。基板１上には、第１の電極膜２が形成されている。この基板にレーザビームＬ１を照射すると、図８（ｂ）に示すように、第１の電極膜２が除去されるのと同時に、ステンレス基板１ａや絶縁膜１ｂが加工されてしまう。その結果、溝を挟んで隣接する２つの第１の電極膜２が、ステンレス基板１ａを介して導通してしまう。
【０００９】
一方、フォトリソ・エッチング工程によって電極膜をストライプ状に加工することは可能であるが、この方法は、（１）多くのプロセスを必要とする、（２）基板寸法や形状に制約がある、（３）連続一貫生産が困難であるという問題がある。
【００１０】
このような状況に鑑み、本発明は、集積型の太陽電池を生産性よく製造することができる製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の第１の製造方法は、少なくとも一主面が絶縁性である基板と、前記一主面上に形成され直列接続された２以上のユニットセルとを備える集積型太陽電池の製造方法であって、（ｉ）前記基板の前記一主面上に第１の電極膜を形成したのち前記第１の電極膜の一部をストライプ状に除去することによって前記第１の電極膜を短冊状に分割する工程と、（ｉｉ）前記第１の電極膜上にｐｎ接合を含む半導体膜を形成したのち、前記半導体膜の一部をストライプ状に除去することによって前記半導体膜を短冊状に分割する工程と、（ｉｉｉ）前記半導体膜上および前記半導体膜が除去されて露出した前記第１の電極膜上に第２の電極膜を形成したのち、前記第２の電極膜の一部をストライプ状に除去することによって前記第２の電極膜を短冊状に分割する工程とを含み、前記（ｉ）の工程は、（Ａ）前記基板の前記一主面上に、ストライプ状のレジストパターンを形成する工程と、（Ｂ）前記レジストパターンを覆うように前記第１の電極膜を形成する工程と、（Ｃ１）前記レジストパターンおよび前記レジストパターン上に形成された前記第１の電極膜を共に除去することによって、前記第１の電極膜の一部をストライプ状に除去する工程と、（Ｄ１）前記第１の電極膜が除去された部分をスパッタリングする工程とを含むことを特徴とする。
【００１２】
上記第１の製造方法では、前記レジストパターンが水溶性の化合物を含み、前記（Ｃ１）の工程において、前記レジストパターンおよび前記レジストパターン上に形成された前記第１の電極膜を、水を含む液体を用いて除去してもよい。
【００１３】
また、本発明の第２の製造方法は、少なくとも一主面が絶縁性である基板と、前記一主面上に形成され直列接続された２以上のユニットセルとを備える集積型太陽電池の製造方法であって、（ｉ）前記基板の前記一主面上に第１の電極膜を形成したのち前記第１の電極膜の一部をストライプ状に除去することによって前記第１の電極膜を短冊状に分割する工程と、（ｉｉ）前記第１の電極膜上にｐｎ接合を含む半導体膜を形成したのち、前記半導体膜の一部をストライプ状に除去することによって前記半導体膜を短冊状に分割する工程と、（ｉｉｉ）前記半導体膜上および前記半導体膜が除去されて露出した前記第１の電極膜上に第２の電極膜を形成したのち、前記第２の電極膜の一部をストライプ状に除去することによって前記第２の電極膜を短冊状に分割する工程とを含み、前記（ｉ）の工程は、（Ａ）前記基板の前記一主面上に、ストライプ状のレジストパターンを形成する工程と、（Ｂ）前記レジストパターンを覆うように前記第１の電極膜を形成する工程と、（Ｃ２）前記レジストパターンが形成された部分にレーザビームを照射することによって、前記レジストパターンおよび前記レジストパターン上に形成された前記第１の電極膜を共に除去する工程とを含むことを特徴とする。
【００１４】
上記第２の製造方法では、前記レジストパターンが前記レーザビームの波長の光を吸収しやすい化合物を含んでもよい。
【００１５】
また、本発明の第３の製造方法は、少なくとも一主面が絶縁性である基板と、前記一主面上に形成され直列接続された２以上のユニットセルとを備える集積型太陽電池の製造方法であって、（ｉ）前記基板の前記一主面上に第１の電極膜を形成したのち前記第１の電極膜の一部をストライプ状に除去することによって前記第１の電極膜を短冊状に分割する工程と、（ｉｉ）前記第１の電極膜上にｐｎ接合を含む半導体膜を形成したのち、前記半導体膜の一部をストライプ状に除去することによって前記半導体膜を短冊状に分割する工程と、（ｉｉｉ）前記半導体膜上および前記半導体膜が除去されて露出した前記第１の電極膜上に第２の電極膜を形成したのち、前記第２の電極膜の一部をストライプ状に除去することによって前記第２の電極膜を短冊状に分割する工程とを含み、前記（ｉ）の工程は、（Ａ）前記基板の前記一主面上に、ストライプ状のレジストパターンを形成する工程と、（Ｂ）前記レジストパターンを覆うように前記第１の電極膜を形成する工程と、（Ｃ３）前記レジストパターンおよび前記レジストパターン上に形成された前記第１の電極膜を、プラズマにさらすことによって共に除去する工程とを含むことを特徴とする。
【００１６】
上記第２の製造方法では、前記レジストパターンが有機化合物を含み、前記（Ｃ３）の工程において、酸素を含む雰囲気中でプラズマ処理を行ってもよい。また、前記（Ｃ３）ののちに、前記基板に対して、フッ素系ガスまたは塩素系ガスを含む雰囲気中でプラズマ処理を行う工程をさらに含んでもよい。
【００１７】
上記製造方法では、前記基板は、前記一主面側に絶縁膜が形成された可撓性を有する基板、または前記一主面側が絶縁処理された可撓性を有する基板であってもよい。
【００１８】
上記製造方法では、前記半導体膜がＩｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素とを含む化合物半導体層を含んでもよい。
【００１９】
上記製造方法では、前記第１の電極膜がモリブデンを含んでもよい。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、同一の部分については同一の符号を付して重複する説明を省略する場合がある。
【００２１】
（実施形態１）
実施形態１では、集積型薄膜太陽電池を製造するための本発明の第１の製造方法について説明する。
【００２２】
まず、図１（ａ）に示すように、基板１１の一主面１１ｃ上に第１の電極膜１２を形成したのち、第１の電極膜１２の一部をストライプ状に除去して溝１２ａを形成することによって第１の電極膜１２を短冊状に分割する（工程（ｉ））。このときの平面図を図２（ａ）に示す。
【００２３】
基板１１は、少なくとも一主面１１ｃが絶縁性である基板である。図１の基板１１は、可撓性を有する導電性の基板１１ａと基板１１ａ上に形成された絶縁膜１１ｂとを含む。基板１１ａには、たとえば可撓性を有するステンレスの薄板を用いることができる。絶縁膜１１ｂにはＡｌ２Ｏ３膜やＳｉＯ２膜などを用いることができ、ゾル−ゲル法、スパッタリング法やＣＶＤ法などによって形成できる。なお、基板１１として、太陽電池を形成する一主面側に対して絶縁処理を行った導電性基板を用いてもよい。また、基板１１として、絶縁性の材料（たとえばポリイミド）からなる絶縁性基板を用いてもよい。
【００２４】
基板１１ａがステンレス基板である場合、その厚さは、たとえば２０μｍ〜２００μｍの範囲である。また、絶縁膜１１ｂの厚さは、たとえば０．０５μｍ〜１．０μｍの範囲である。第１の電極膜１２は、モリブデン（Ｍｏ）などの金属からなり、スパッタリング法や蒸着法によって形成できる。第１の電極膜１２の一部を除去する方法、およびその後の処理については後述する。
【００２５】
次に、図１（ｂ）に示すように、第１の電極膜１２上にｐｎ接合を含む半導体膜１３を形成したのち、図１（ｃ）に示すように、半導体膜１３の一部をストライプ状に除去して溝１３ａを形成することによって、半導体膜１３を短冊状に分割する（工程（ｉｉ））。このときの平面図を図２（ｂ）に示す。溝１３ａは、溝１３ａによって第１の電極膜１２の一部が露出するような位置に形成され、たとえば、溝１２ａに隣接されるように形成される。半導体膜１３の一部の除去は、メカニカルスクライブ法やレーザスクライブ法で行うことができる。
【００２６】
半導体膜１３は、ｐ形の半導体層とｎ形の半導体層とを含む。ｐ形の半導体としては、たとえば、カルコパイライト構造半導体を用いることができ、具体的には、Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素とを主要な構成元素として含み、カルコパイライト構造を有する半導体を用いることができる。より具体的には、ＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳ）、またはこれにＧａを固溶したＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（ＣＩＧＳ）、あるいはこれらのＳｅの一部を硫黄（Ｓ）で置き換えた半導体を用いることができる。これらは、蒸着法またはスパッタリング法によって形成できる。ｎ形の半導体としては、特に限定はないが、たとえば、ＣｄＳ、ＺｎＯ、Ｚｎ（Ｏ，ＯＨ）、Ｚｎ（Ｏ，ＯＨ，Ｓ）といった、少なくともＩＩ族元素とＶＩｂ族元素とを含む化合物を用いることができる。これらは、化学浴析出法またはスパッタリング法で形成できる。
【００２７】
次に、図１（ｄ）に示すように、半導体膜１３上および半導体膜１３が除去されて露出した第１の電極膜１２上に第２の電極膜１４を形成したのち、図１（ｅ）に示すように、第２の電極膜１４の一部をストライプ状に除去して溝１４ａを形成することによって、第２の電極膜１４を短冊状に分割する（工程（ｉｉｉ））。このときの平面図を図２（ｃ）に示す。第２の電極膜１４は溝１３ａの部分にも形成され、この溝１３ａの部分を通じて第１の電極膜１２と第２の電極膜１４とが電気的に接続される。工程（ｉｉｉ）では、図１（ｅ）に示すように、第２の電極膜１４とともに半導体膜１３の一部を除去してもよい。第２の電極膜１４には、ＺｎＯ膜、ＺｎＯ：Ａｌ膜、ＩＴＯ膜などの透明導電膜を用いることができ、スパッタリング法やＣＶＤ法などによって形成できる。
【００２８】
このようにして、直列接続された２以上のユニットセル（太陽電池ユニットセル）１５が基板１１上に形成された集積型太陽電池を製造できる。各ユニットセル１５の第２の電極膜１４は、隣接するユニットセル１５の第１の電極膜１２と接続されており、これによって隣接するユニットセルが直列接続されている。
【００２９】
以下に、第１の電極膜１２の一部を除去する方法について一例を説明する。この工程を図３に示す。
【００３０】
まず、図３（ａ）に示すように、基板１１の一主面１１ｃ上に、レジスト液２１をストライプ状に塗布する。配置されたレジスト液２１の幅は、たとえば５０μｍ〜２００μｍの範囲であり、その間隔（ピッチ）はたとえば３ｍｍ〜８ｍｍの範囲で且つほぼ等間隔である。レジスト液２１の塗布は、たとえば定量吐出装置（ディスペンス装置）を用いて行うことができる。定量吐出装置は、容器内のレジスト液を加圧し、所定量のレジストを精密ノズルから吐出することができる。レジスト液２１が吐出される圧力は、レジスト液２１の粘度と定量吐出装置による制御で調整でき、通常、０．１〜５ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で吐出される。
【００３１】
次に、ストライプ状に配置されたレジスト液２１を定着させる。定着の方法はレジスト液２１の種類によって異なるが、光照射や加熱や自然乾燥によって定着させることができる。このようにして、図３（ｂ）に示すように、基板１１の一主面１１ｃ上にストライプ状のレジストパターン２１ａを形成する（工程（Ａ））。
【００３２】
次に、図３（ｃ）に示すように、レジストパターン２１ａを覆うように第１の電極膜１２を形成する（工程（Ｂ））。このとき、レジストパターン２１ａ上に形成された第１の電極膜１２は、レジストパターン２１ａの厚さだけ浮いた形で形成される。
【００３３】
次に、図３（ｄ）に示すように、レジストパターン２１ａおよびレジストパターン２１ａ上に形成された第１の電極膜１２を共に除去することによって、第１の電極膜１２を短冊状に分割する（工程（Ｃ１））。レジストパターン２１ａ上に形成された第１の電極膜１２は、レジストパターン２１ａを除去することによって同時に除去でき、その結果、第１の電極膜１２を短冊状に分割できる。
【００３４】
レジスト液２１が水溶性の化合物（水溶性の樹脂など）を含む場合やレジスト液２１が水溶性インクである場合には、水を含む液体（たとえば水）を用いることによってレジストパターン２１ａを除去できる。水溶性の化合物としては、たとえば炭酸バリウムや硫酸バリウムが挙げられる。
【００３５】
レジストパターン２１ａを除去する方法の１つとして、液体中で超音波洗浄を行う方法を用いてもよい。ただし、レジスト液の粘性が高い場合は、ブラシを用いた洗浄するなど、機械的な手段によってレジストパターン２１ａを除去してもよい。また、洗浄の前に、レジストパターン２１ａの大部分を予め研削などして剥離させ、その後、液体を用いた洗浄で残留物を除去してもよい。
【００３６】
次に、第１の電極膜１２が除去された部分（溝１２ａの部分）をスパッタリングする（工程（Ｄ１））。この工程によって、図３（ｅ）の拡大図に示すように、溝１２ａ内部に残る残留物（たとえばレジストパターンの一部）を除去できる。スパッタリングは一般的なスパッタ装置で行うことができる。一例のスパッタ装置４０を図４に示す。
【００３７】
スパッタ装置４０は、チャンバ内に存在するガスに高周波を印加することによってスパッタリングを行う装置である。スパッタ装置４０は、チャンバ４１と、チャンバ４１内に配置された高周波電極４２および電極４３とを備える。電極４３は、高周波電極４２に対向するように配置されており、接地されている。ターゲット以外で放電が起こることを防止するため、高周波電極４２のうち基板１１が配置される部分以外は、接地電位のカソードシールド（図示せず）で覆われている。高周波電極４２は、整合回路４４を介して高周波電源４５に接続されている。整合回路４４は、高周波電源４５と負荷とのインピーダンスの整合をとるための回路である。高周波電源４５は、１３．５６ＭＨｚの高周波を出力する。
【００３８】
チャンバ４１には、ガス導入系４６およびガス排気系４７が接続されている。ガス導入系４６によって、チャンバ４１内にＡｒガスなどのガスが導入される。ガス排気系４７には、低真空用の油回転ポンプと、高真空用の油拡散ポンプとが接続されている。第１の電極膜１２が短冊状に分割された基板１１は、ターゲットとして高周波電極４２に装着される。
【００３９】
以下に、スパッタ装置４０を用いたスパッタリングの一例について説明する。まず、基板１１を高周波電極４２上に取り付ける。基板１１は、第１の電極膜１２が電極４３に面するように配置される。次に、ガス排気系４７を用いて、チャンバ４１内を１０−４Ｐａ程度の真空状態にする。次にガス導入系４６よりＡｒガスを導入し、チャンバ内の圧力を０．１〜１０Ｐａ程度にし、高周波電源４５によってプラズマ４８を発生させる。プラズマ４８中で発生したＡｒイオンは基板１１に叩きつけられ、それによって基板１１の表面がエッチングされる。このときに溝１２ａ内に残留していたレジストパターン２１ａを除去することができる。また、スパッタリングによって、第１の電極膜１２上の表面酸化膜や有機物の汚れも共に除去することができる。なお、スパッタリングは、第１の電極膜１２のエッチングによる特性低下が生じない範囲で行われる。
【００４０】
（実施形態２）
実施形態２では、集積型薄膜太陽電池を製造するための本発明の第２の製造方法について説明する。なお、実施形態２の製造方法は、第１の電極膜１２の分割工程（工程（ｉ））のみが実施形態１の製造方法と異なるため、重複する説明は省略する。以下に、第１の電極膜１２の分割工程を説明する。
【００４１】
まず、実施形態１で説明した工程（Ｂ）までを行い、図５（ａ）に示すように、レジストパターン２１ａを覆うように第１の電極膜１２を形成する。ここまでの工程は、実施形態１で説明した工程と同様である。
【００４２】
次に、図５（ｂ）に示すように、レジストパターン２１ａが形成された部分にレーザビームＬ２を照射することによって、レジストパターン２１ａおよびレジストパターン２１ａ上に形成された第１の電極膜１２を共に除去する（工程（Ｃ２））。この工程によって、第１の電極膜１２が短冊状に分割される。
【００４３】
レーザとしては、Ｎｄ：ＹＡＧレーザまたはＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波や第３高調波などを用いることができる。照射されたレーザビームＬ２はレジストパターン２１ａ上の第１の電極膜１２に吸収され、第１の電極膜１２とレジストパターン２１ａとを共に除去することができる。レジストパターン２１ａがない場合にはレーザビームを照射した際に第１の電極膜１２と共に絶縁膜１１ｂにもダメージを与えることになるため、基板１１ａと電極膜１２との間で短絡が発生する可能性がある。本発明の方法では、絶縁層１１ｂの上に形成されたレジストパターン２１ａにレーザビームを吸収させることによって、絶縁層１１ｂにダメージを与えることなく第１の電極膜１２の分割をおこなうことができる。なお、使用するレーザの波長は第１の電極膜１２の光吸収・反射特性によって選択することが望ましい。第１の電極膜１２がＭｏ膜の場合は、反射率を考慮すると、波長が１．３μｍ以下のレーザを用いることが望ましい。
【００４４】
実施形態２の製造方法では、レジストパターン２１ａがレーザビームＬ２の波長の光を吸収しやすい化合物を含むことが好ましい。このような化合物としては、たとえば、有機系化合物が挙げられる。また、工程（Ｃ２）を大気中で行うことによって、設備コストを低減できる。
【００４５】
なお、第１の電極膜１２の分割後に、水などの液体を用いて洗浄を行い、残留物を除去してもよい。また、実施形態１で説明したスパッタリングによる処理や実施形態３で説明するプラズマによる処理を行ってもよい。第１の電極膜１２を分割したのちは、実施形態１と同様の方法で太陽電池を製造できる。
【００４６】
（実施形態３）
実施形態３では、集積型薄膜太陽電池を製造するための本発明の第２の製造方法について説明する。なお、実施形態２の製造方法は、第１の電極膜１２の分割工程（工程（ｉ））のみが実施形態１の製造方法と異なるため、重複する説明は省略する。以下に、第１の電極膜１２の分割工程を説明する。
【００４７】
まず、実施形態１で説明した工程（Ｂ）までを行い、レジストパターン２１ａを覆うように第１の電極膜１２を形成する。ここまでの工程は、実施形態１で説明した工程と同様である。
【００４８】
次に、レジストパターン２１ａおよびレジストパターン２１ａ上に形成された第１の電極膜１２を、プラズマにさらすことによって共に除去する（工程（Ｃ３））。この工程によって、第１の電極膜１２が短冊状に分割される。
【００４９】
図６に、レジスト除去装置の一例を示す。図６のレジスト除去装置６０は、真空チャンバ６１を備える。真空チャンバ６１の内部は、排気系６２によって減圧される。排気系６２には、低真空用の油回転ポンプと高真空用の油拡散ポンプとが接続されており（ともに図示せず）、この２種類のポンプを組み合わせて真空チャンバ６１内を減圧する。また、真空チャンバ６１は、プラズマ６３が発生するプラズマ発生部６４を備える。プラズマ発生部６４の周囲には２つの平行電極６５が配置されている。平行電極６５の１つには、整合回路６６を介して高周波発生装置６７が接続されている。プラズマ発生部６４には、ガス導入系６８からガスが導入される。
【００５０】
以下に、レジスト除去装置６０を用いて第１の電極膜１２を分割する工程の一例について説明する。まず、レジストパターン２１ａを覆うように第１の電極膜１２が形成された状態の基板１１を真空チャンバ６１内に配置する。そして、チャンバ内部を１０−４Ｐａ程度の真空状態にする。次に、ガス導入系６７より酸素ガスを導入し、チャンバ内の圧力を０．１〜１０Ｐａ程度にする。同時に、平行電極６５で酸素ガスをプラズマ化する。発生した酸素プラズマは、基板１１に達して、レジストパターン２１ａと反応する。レジストパターンは、主に炭素、酸素および水素によって形成されているため、これが酸素プラズマと化学反応すると、ＣＯ２、Ｈ２Ｏ、Ｏ２といった気体となって除去される。レジストパターン２１ａを覆うように形成されている第１の電極膜１２は、酸素プラズマによって微粒子化する。酸素プラズマ処理を行ったのち、基板を装置内から取り出し、微粒子化した第１の電極膜１２をエアーブローなどで取り除くことによって、第１の電極膜１２を短冊状にパターニングできる。
【００５１】
なお、酸素プラズマ処理を行ったのちに、フッ素（Ｆ）系ガスもしくは塩素（Ｃｌ）系ガスを含んだ加工ガスを用いたプラズマ処理を行い、溝１２ａ内部に残留する残留物を除去してもよい。また、第１の電極膜１２の分割後に、水などの液体を用いて洗浄を行い、残留物を除去してもよい。第１の電極膜１２を分割したのちは、実施形態１と同様の方法で太陽電池を製造できる。
【００５２】
上述した本発明の製造方法によれば、溝１２ａ内に残留するレジストパターンを十分に除去でき、可撓性を有する基板を用いた場合でも歩留まりおよび生産性よく集積型太陽電池を製造できる。
【００５３】
以上、本発明の実施の形態について例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されず本発明の技術的思想に基づき他の実施形態に適用することができる。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の薄膜太陽電池およびその製造方法によれば、汎用性に優れた集積型太陽電池を歩留まりおよび生産性よく製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の集積型太陽電池の製造方法について一例を示す工程断面図である。
【図２】本発明の集積型太陽電池の製造方法について工程の例を示す平面図である。
【図３】本発明の集積型太陽電池の製造方法について一工程の一例を示す工程断面図である。
【図４】本発明の集積型太陽電池の製造方法に用いる製造装置について一例を模式的に示す概略図である。
【図５】本発明の集積型太陽電池の製造方法について一工程の他の一例を示す工程断面図である。
【図６】本発明の集積型太陽電池の製造方法に用いる製造装置について他の一例を模式的に示す概略図である。
【図７】従来の集積型太陽電池の製造方法について一例を示す工程断面図である。
【図８】従来の集積型太陽電池の製造方法の一工程の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１１  基板
１１ａ  基板
１１ｂ  絶縁膜
１１ｃ  一主面
１２  第１の電極膜
１２ａ、１３ａ、１４ａ  溝
１３  半導体膜
１４  第２の電極膜
１５  ユニットセル
２１  レジスト液
２１ａ  レジストパターン
４０  スパッタリング装置
６０  レジスト除去装置
６１  真空チャンバ
６３  プラズマ
Ｌ１、Ｌ２  レーザビーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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