(57)【要約】【課題】ラン科に属するディサ属植物の塊茎形成を調節する方法を提供する。【解決手段】ディサ属植物の生産方法であって、下記の工程：（１）例えば花芽分化以前の幼苗である幼苗期のディサ属植物体を低温処理する工程；（２）上記工程（１）で得られた植物体を栽培して塊茎を発生させる工程；及び（３）上記工程（２）で得られた塊茎より新たな植物体を発生させた後、該植物体を分離して栽培する工程を含む方法。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディサ属植物の生産方法であって、下記の工程：
（１）幼苗期のディサ属植物体を低温処理する工程；
（２）上記工程（１）で得られた植物体を栽培して塊茎を発生させる工程；及び
（３）上記工程（２）で得られた塊茎より新たな植物体を発生させた後、該植物体を分離して栽培する工程
を含む方法。
【請求項２】
幼苗期のディサ属植物体が花芽分化以前の幼苗である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
低温処理期間全体にわたり通常の生育温度を下回る温度で低温処理を行う請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
低温処理を補光下に行う請求項１ないし３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の方法により生産されたディサ属植物。
【請求項６】
ディサ属植物の塊茎の発生方法であって、下記の工程：
（１）幼苗期のディサ属植物体を低温処理する工程；及び
（２）上記工程（１）で得られた植物体を栽培して塊茎を発生させる工程
を含む方法。
【請求項７】
塊茎型ディサ属植物の生産方法であって、下記の工程：
（１）幼苗期のディサ属植物体を低温処理する工程；及び
（２）上記工程（１）で得られた植物体を栽培して塊茎を発生させる工程
を含む方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法により得られた塊茎型ディサ属植物。
【請求項９】
ディサ属植物の開花株の生産方法であって、幼苗期のディサ属植物体の栽培において低温遭遇を回避する工程を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はディサ属植物の栽培方法に関する。より詳しくは、ラン科に属するディサ属植物の塊茎形成を調節する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ラン科に属するディサ属植物はアフリカの中央部かた南部にかけて約１３０種の原種が分布している。園芸的に価値があるとされているのは数種にすぎないが、その中でも南アフリカを中心に分布しているディサ・ユニフロ−ラ（Ｄｉｓａ　ｕｎｉｆｌｏｒａ）は独特の花色や花型などの魅力的な性質で特に優れており、近年この種を中心に積極的に交配育種が進められている（加古舜冶編著（１９８８）：図解ランのバイオ技術）。一般にディサ属植物は他のラン科植物に比べて栽培が困難であることが知られているが、栽培法が確立すれば鉢物としても切り花としても広い用途での利用が可能である。その増殖方法としては実生や株分けなどの方法に加え、近年では茎頂培養や花蕾を用いた培養など組織培養による増殖方法が実用化されている（特開平１１−１８６０１号公報）。
【０００３】
自然条件下におけるディサ属植物の栄養繁殖の形態には、塊茎型、ストロン型、及び多芽体型の３つの型があり、これらのいずれかの形態により次世代が更新されていく。塊茎型は、地下部に生育肥大したいわゆる塊茎が形成され、その頂部より新たな個体を発生させるものである。塊茎型の株は一般に生育が旺盛で、地上部への出芽展葉後一年以内に開花に至ることが多い。ストロン型は主として上記塊茎型の展葉期にそのシュ−ト基部より生じ、肥大せず伸長した地下茎の先端に新たに個体を発生させるもので、塊茎型の株よりも小さく生育も劣り、開花までは１年以上かかることが多い。多芽体型は、親株の地際周辺に発生してくるもので、ストロン型よりさらに小さく、開花までは１年以上かかることが多い。
【０００４】
従って、ディサ属植物に対して人工的に塊茎生成を誘導して塊茎型ディサ属植物として次世代更新をすることにより、ディサ属植物の生産性を飛躍的に高めることができると期待される。しかしながら、従来、人工的に再現性よく塊茎生成を誘導できる方法は知られていなかった。一方、ディサ属植物の生育過程において、幼苗期の株が新葉の展開を停止していわゆる芯止りの状態になることがしばしば観察されるが、この原因は究明されておらず、再現性よく開花株に誘導する方法は知られていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、ディサ属植物株に対して塊茎形成を人工的に再現性よく誘導し、誘導された塊茎から新たに発生してくる個体を分離して栽培することによりディサ属植物を生産する手段を提供することにある。また、本発明の別の課題は、ディサ属植物の生育過程において発現するいわゆる芯止りの状態を回避し、再現性よく開花株に誘導する方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記の課題を解決すべく鋭意研究を行った結果、幼苗期のディサ属植物株に低温処理を施した後、通常の栽培温度に戻して栽培を継続すると塊茎生成が著しく促進されること、及びその塊茎より発生してくる新たな個体を分離して栽培することによりを効率的にディサ属植物株を生産できることを見出した。一方、幼苗期のディサ属植物株において低温遭遇を回避することにより、いわゆる芯止りの状態を回避することができ、再現性よく開花株に誘導することができることを見出した。本発明は上記の知見を基にして完成されたものである。
【０００７】
すなわち、本発明は、ディサ属植物の生産方法であって、下記の工程：
（１）幼苗期のディサ属植物体を低温処理する工程；
（２）上記工程（１）で得られた植物体を栽培して塊茎を発生させる工程；及び
（３）上記工程（２）で得られた塊茎より新たな植物体を発生させた後、該植物体を分離して栽培する工程
を含む方法を提供するものである。
本発明の好ましい態様によれば、工程（１）における幼苗期のディサ属植物体が花芽分化以前の幼苗である上記の方法；低温処理期間全体にわたり通常の生育温度を下回る温度で低温処理を行う上記の方法；低温処理を４〜１２週間行う上記の方法；低温処理を補光下に行う上記の方法；及び、補光を少なくとも１２時間行う上記の方法が提供される。また、本発明により、上記の方法により生産されたディサ属植物が提供される。
【０００８】
別の観点からは、本発明により、ディサ属植物の塊茎の発生方法であって、下記の工程：
（１）幼苗期のディサ属植物体を低温処理する工程；
（２）上記工程（１）で得られた植物体を栽培して塊茎を発生させる工程
を含む方法、及び塊茎型ディサ属植物の生産方法であって上記工程（１）及び工程（２）を含む方法が提供される。
この好ましい態様によれば、工程（１）における幼苗期のディサ属植物体が花芽分化以前の幼苗である上記の方法；低温処理期間全体にわたり通常の生育温度を下回る温度で低温処理を行う上記の方法；低温処理を４〜１２週間行う上記の方法；低温処理を補光下に行う上記の方法；及び補光を少なくとも１２時間行う上記の方法が提供される。また、本発明により、上記の方法により発生した塊茎型生ディサ属植物が提供される。
【０００９】
さらに別の観点からは、ディサ属植物の開花株の生産方法であって、幼苗期のディサ属植物体の栽培において低温遭遇を回避する工程を含む方法が本発明により提供される。この方法の好ましい態様によれば、低温が１５℃である上記の方法が提供される。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の方法は、ディサ属植物の生産方法であって、（１）幼苗期のディサ属植物体を低温処理する工程；（２）上記工程（１）で得られた植物体を栽培して塊茎を発生させる工程；及び（３）上記工程（２）で得られた塊茎より新たな植物体を発生させた後、該植物体を分離して栽培する工程を含んでおり、上記工程（１）において幼苗期のディサ属植物体を低温処理する工程を含むことを特徴としている。
【００１１】
ディサ属植物は、熱帯アフリカから南アフリカにかけて約１３０種が分布しており、またディサ・ユニフロ−ラ（Ｄｉｓａ　ｕｎｉｆｌｏｒａ）を中心とする６種のディサ属植物（Ｄ．　ｒａｃｅｍｏｓａ、Ｄ．　ｔｒｉｐｅｔａｌｏｉｄｅｓ、Ｄ．　ｃａｒｄｉｎａｌｉｓ、Ｄ．　ｃａｕｌｅｓｃｅｎｓ、Ｄ．　ｖｅｎｏｓａ）が複雑に交配された交配種が１００種類以上開発されている（例えばディサ・ユニプイ、ディサ・キューエンシス、ディサ・ユニラングレイなど）。本発明の方法の適用対象となるディサ属植物の種類は特に限定されず、ディサ属植物に属するものであればいかなる植物体を用いてもよい。
【００１２】
幼苗期にあるディサ属植物は、一般的に開花の兆候が外見的に認められるようになる以前の時期にある植物体のことを意味しており、より具体的には抽台（花茎の伸長）が外見的に認められるようになる以前の時期を意味している。この時期は当業者に容易に識別可能である。本発明の方法では幼苗期のディサ属植物体として花芽分化前の幼苗期にある植物体を用いることが好ましい。また、花芽原基が確認された時点は花芽分化開始期と呼ばれるが、花芽分化前とは花芽分化開始期より前の時期を意味しており、一般的にはディサ属植物の幼苗期が終わる数ヶ月前の時期である。花芽分化開始期は植物体を解剖して実体顕微鏡下で観察することにより当業者が確認可能であり、本発明の方法を適用するにあたり、あらかじめディサ属植物の種類に応じて花芽分化開始期を調べておくことが望ましい。
【００１３】
本発明の方法の第一工程は、幼苗期のディサ属植物体を低温処理する工程である。本明細書において「低温処理」という用語は、幼苗期のディサ属植物体を通常の生育温度よりも低い温度に遭遇させる処理を意味している。例えば、第二工程において適用する栽培温度よりも少なくとも５℃低い温度に遭遇させることができる〔本明細書において定義される温度は特に言及しない限り平均温度を意味しており、日内変動する温度の一点を意味するものではない。また、「少なくとも５℃低い温度」とは、ある２つの期間における平均温度を比較した場合に少なくとも５℃低いことを意味している。〕。もっとも、第一工程の処理は、植物体を通常の栽培温度よりも少なくとも５℃低い温度に遭遇させる処理に限定されることはない。低温処理を行う全期間にわたって通常の生育温度を下回る温度を維持することが望ましく、一日のうちのある時間帯において通常の生育温度を適用することや、あるいは低温処理を行う全期間のうちのある特定の期間において通常の生育温度を適用することは望ましくない。
【００１４】
低温処理の期間は特に限定されないが、例えば４〜１２週間行うことができる。処理期間は、例えば幼苗期にある植物体が花芽分化前にあるか否かなどの条件に応じて適宜選択することが望ましい。例えば、昼温と夜温を設定して栽培を行う場合には、昼温を１５℃以下とする低温処理及び／又は夜温を１０℃以下にする低温処理も好ましい。低温処理にあたっては１日あたり少なくとも８時間以上、より好ましくは１０時間以上、特に好ましくは１２時間以上にわたって補光をすることが好ましい。例えば、補光を行う時間帯の温度を昼温とし、この温度を１５℃以下に維持することが望ましい。また、補光を行わない時間帯の温度を夜温として１０℃以下に維持することが望ましい。
【００１５】
本発明の方法の第二工程は、低温処理を施した植物体を通常の栽培温度に戻して栽培することにより塊茎を発生させる工程である。いかなる特定の理論に拘泥するわけではないが、第一工程における低温処理の終了後、低温処理の温度よりも高い温度で継続すると、ある時点で処理株の新葉の展開が停止し、さらに栽培を継続すると見かけ上生育を停止した処理株の地下部に塊茎が発生する。その肥大した塊茎の頂部より新たに新芽や新根が発生し、やがて生育が進んで処理株の周辺より出芽展葉するようになる（図１）。以下、説明の便宜のため、低温処理後に生育が停止した株を「親株」、新たに発生した株を「子株」、さらに子株より発生するストロン型の株を「孫株」と呼ぶ。本発明の方法の第二工程は親株から塊茎を発生させる工程であり、第三工程は塊茎から子株を発生させ、その後、該子株を分離して栽培する工程である。塊茎及び子株は植物形態学的観点から当業者が容易に区別することができる。
【００１６】
第二工程の栽培期間は塊茎が発生するのに充分な期間であれば特に限定されることはない。例えば、８〜１６週間程度の栽培を行うことができる。栽培温度は通常の栽培温度であれば特に限定されないが、例えば、第一工程における低温処理で適用した温度を少なくとも５℃上回る温度を適用することも可能である。一例として、第一工程の低温処理を昼温１５℃以下及び夜温１０℃以下で行った場合には、第二工程の栽培温度を昼温２０℃以上及び夜温１５℃以上とすることもできるが、この例に限定されることはない。ディサ属植物の栽培に適した通常の栽培温度としては、例えば、昼温２３℃及び夜温１５℃程度などの条件を例示することができるが、ディサ属植物は１５〜３０℃の広い範囲で栽培可能であることが知られており、上記の例示温度に限定されることはない。
【００１７】
第三工程では、一般的には、親株に発生した塊茎から子株が出芽展葉するまで親株と子株との共存状態での栽培を行い、子株が十分に生育した後に子株を親株の基部から切り離して子株のみを栽培することができる。子株は概して生育が旺盛であり、出芽展葉が確認された後、通常は９〜１２ヶ月程度の栽培期間で開花に至る。第三工程の培養は、ディサ属植物の栽培に適した通常の温度で行えばよく、例えば、昼温２３℃及び夜温１５℃程度で行うことが可能であるが、第二工程で適用した温度をそのまま適用し続けてもよい。例えば、湿度を５０％〜７０％程度とし、植物体に太陽光が十分にあたる環境で栽培を行い（ただし夏期は４０％〜５０％の遮光を行うことが好ましい）、低濃度の液肥を頻繁に与えることが好ましい。水苔植の場合、生育期には洋ラン用液体肥料（Ｎ：Ｐ：Ｋ＝６：６：６　１，５００倍程度）を週１回、灌水の代わりに施すことができる。また、水苔植の場合、２〜３ヶ月に一度、ひとまわり大きなはちに植え替え、古い水苔のまわりに新しい水苔を足すことが望ましい。なお、子株からはその次世代となる孫株が旺盛に発生してくるが、場合によっては子株と生育上の競合をすることがあるため、子株を開花させるときには必要に応じて孫株数を調整することが望ましい。
【００１８】
別の観点からは、本発明により、ディサ属植物の開花株の生産方法であって、幼苗期のディサ属植物体の栽培において低温遭遇を回避する工程を含む方法が提供される。この方法では、幼苗期のディサ属植物体の栽培の全期間にわたって植物体が低温に遭遇することを回避することが望ましい。低温とは通常の栽培温度を下回る温度を意味するが、例えば１５℃以下などを例示することができる。この方法により、幼苗期の株が新葉の展開を停止するいわゆる芯止りの発生を抑制することができ、再現性よく開花株を生産することが可能になる。
【００１９】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の範囲は下記の実施例に限定されることはない。
例１
Ｄ．　Ｕｎｉｐｕｉ‘７０１１’を１０月１日に順化し、次の２つの異なる温度条件区で栽培した。恒温区；通常の生育適温と考えられる昼温２３℃・１２時間−夜温１５℃・１２時間（以下、昼温２３℃の１２時間適用及び夜温１５℃の１２時間適用を「２３℃−１５℃」と表示する。他の栽培例における適用温度についても同様である。）で全期間栽培した。温度変化区；自生地である南アフリカのケ−プ地方の温度変化に擬して５月から９月を２５℃−２０℃、１０月から１１月を２０℃−１５℃、１２月から２月を１５℃−１０℃、３月から４月を２０℃−１５℃（いずれも昼夜温をそれぞれ１２時間ずつ）に設定して栽培した。翌年５月２１日時点での株の生育状態を表１に示した。
【００２０】
【表１】
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【００２１】
この結果、恒温区では塊茎形成株は全く発生しなかったが、温度変化区ではすべて塊茎形成株となった。これは生育期間中に適用した低温処理によるものと考えることができ、夜温１５℃以上を保った恒温区では塊茎形成株が発生しなかったことから、塊茎形成には１２月から２月にかけて適用した１５℃−１０℃の温度によるものと考えられた。
【００２２】
実施例２
品種　Ｄ．　Ｕｎｉｌａｎｇｌｅｙ‘８５１１’を温室内で２月１８日に順化し、３月１９日に６ｃｍ鉢に
上げて栽培し、４月１６日から１２．５℃・１２時間の低温処理を補光下で４週間及び８週間行った。対照は昼温２３℃−夜温１５℃（１６時間日長）の人工気象室内で栽培した。処理終了後は温室で慣行栽培した。各区１４個体を供試した。株の生育状態を順次観察した結果を表２に示す。対照区では大部分の個体が開花したのに対して、処理区では大部分が塊茎形成株となった。この供試材料では、１２．５℃・４週間の低温処理で塊茎形成が誘導された。
【００２３】
【表２】
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【００２４】
実施例３
Ｄｉｓａ　Ｐｕｉ　Ｙ’ｓ‘Ｓａｎ　Ｆｒａｎｃｉｓｃｏ’を材料とした。５月２２日に順化し、順化３ヶ月後の８月２１日より８週間と１２週間、及び５ヶ月後の１０月１６日より１２週間の低温処理を行った。低温処理は１２．５℃・１２時間補光下で行った。低温処理期間を除き、すべて最低１５℃に設定したガラス室内で慣行栽培を行った。対照は同一材料を２３℃−１５℃・自然日長の人工気象室で慣行栽培した。各区１８個体を供試した。株の生育状態を順次観察した結果を表３に示す。対照区で塊茎形成した個体は認められなかった。低温処理区では塊茎形成した株が認められたが、３ヶ月苗・８週間処理では２０％、１２週間処理では１００％と、この供試材料で完全に塊茎形成させるためには１２週間の低温処理が必要であった。一方、処理開始時期を５ヶ月後とした苗では１２週間処理でも５％しか塊茎形成せず、ほとんどの株が開花したことから、低温処理には花芽分化が進んでいない段階の幼苗が適すると考えられた。
【００２５】
【表３】
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【００２６】
実施例４
Ｄｉｓａ　Ｐｕｉ　Ｙ’ｓ‘Ｓａｎ　Ｆｒａｎｃｉｓｃｏ’を材料とした。１月２６日に順化し、３月８日に６ｃｍ鉢に上げ、４月２３日から５℃・１２時間補光区、５℃・暗黒区及び１０℃・１２時間補光区の３区において１２週間の低温処理を行った。補光には植物育成用蛍光灯を用い、植物体近辺での明るさを５００〜７００ルクスに設定した。対照は低温無処理区とした。処理終了後は温室で慣行栽培した。各区２０個体を供試した。株の生育状態を順次観察した結果を表４に示す。低温処理区ではいずれも塊茎形成株が発生したが、その発生程度には補光の影響が認められ、補光区ではほぼすべての株が塊茎形成したのに対し、暗黒区では塊茎形成せずに生育を継続した株が４４％程度認められた。この結果は、低温処理と組み合わせて補光を行うことにより、さらに確実に塊茎形成を誘導できることを示している。
【００２７】
【表４】
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【００２８】
【発明の効果】
本発明の方法によれば、ディサ属植物に人工的に確実に塊茎形成を誘導することができ、誘導された塊茎から新たに発生してくる個体を分離して栽培することによりディサ属植物を効率的に生産することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ディサ属植物の模式図である。図中、Ｐは低温処理することにより生育が停止した親株、Ｔは親株の地下部に発生した塊茎、Ｃは新たに発生した子株、Ｇは子株より発生したストロン型の孫株を示す。
【図１】
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