(57)【要約】【課題】表面凹凸の大きい半導体回路面を保持基板に保持接着する。【解決手段】半導体ウェーハの回路面（Ａ面）と保持基板とをフィルムを用いて接着し、半導体ウェーハの露出面（Ｂ面）を研削・研磨を必須とする裏面処理工程を行って電子部品を形成した薄葉化ウェーハとし、該薄葉化ウェーハを保持基板から剥離する薄葉化ウェーハの製造法において、該フィルムが接着温度において、ウェーハ接着層よりも軟質である中間層を有する構成であることを特徴とする薄葉化ウェーハの製造法。【効果】凹凸回路面とフィルムとを隙間無く密着させることが可能であり、工程で使用される薬液等による回路を汚染や電極の腐食といった不具合を生じることは無くなった。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハの回路面（Ａ面）と保持基板とをフィルムを用いて接着し、半導体ウェーハの露出面（Ｂ面）を研削・研磨を必須とする裏面処理工程を行って電子部品を形成した薄葉化ウェーハとし、該薄葉化ウェーハを保持基板から剥離する薄葉化ウェーハの製造法において、該フィルムが接着温度において、ウェーハ接着層よりも軟質である中間層を有する構成であることを特徴とする薄葉化ウェーハの製造法。
【請求項２】
該フィルムの中間層が、ウェーハ接着面に比較して低いガラス転移温度、低い融点または低い軟化点のいずれか一つ以上を示すプラスチックス材料から選択したものである請求項１記載の薄葉化ウェーハの製造法。
【請求項３】
該保持基板が、平均気孔径が　０．１〜１０μｍの連続気孔を　２〜３５　ｖｏｌ％有する無機連続気孔焼結体に耐熱性樹脂を含浸し、硬化させたものもである請求項１記載の電子部品の製造法。
【請求項４】
該無機連続気孔焼結体が、窒化アルミニウム−窒化硼素（ＡｌＮ−ｈ−ＢＮ）、炭化珪素（ＳｉＣ）　、窒化アルミニウム−炭化珪素−窒化硼素（ＡｌＮ−ＳｉＣ−ｈ−ＢＮ）、アルミナ−窒化硼素（Ａｌ２Ｏ３−ｈ−ＢＮ）、窒化珪素−窒化硼素（Ｓｉ３Ｎ４−ｈ−ＢＮ）、酸化ジルコニア−窒化アルミニウム−窒化硼素（ＺｒＯ３−Ａｌ２Ｏ３−ｈ−ＢＮ）　またはアルミナ−酸化チタン−窒化硼素（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＯ−ｈ−ＢＮ）からなる選択したものである請求項３記載の電子部品の製造法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、薄葉化半導体ウェーハの製造法であり、特に、表面凹凸の大きい半導体回路面を保持基板に保持接着するに好適な多層フィルムを使用した薄葉化半導体ウェーハの製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器は、薄型、軽量化のニーズが要求され、携帯電話やＩＣカ−ドで代表されるように益々、薄型化が進展している。また、高速化や低消費電力との側面からも、半導体を薄くする事が要求されてきている。
予め薄くした半導体・ウェハーやセラミックス基板などを用いて、片面のみに電子回路を形成すると、回路形成に材料、特にアルミニウム、銅、金などの金属とシリコン・ウェハーやセラミックス基板との熱膨張率の差が　５〜１５×１０−６　Ｋ−１程度あり、この差によって、反りや歪みを生じる。その為、裏面に回路を形成することが不可能となるばかりでなく、表面の全工程すら実施不能な場合が発生する。このため、予め薄くした基板を使用することは実質的に不可能であった。
【０００３】
そこで、従来は、片面のみに電子回路を形成しても、その形状を十分に保持する厚さの基板、通常、厚み　２００μｍ以上の基板を使用して片面（表面）に主に、高温を必須とする電子回路形成工程を行った後、該表面を保持基板に接着して保護しつつ、反対面（裏面）を研磨して薄葉化する方法が取られていた。
従来、薄葉化法としては、ワックスやテープにて固定する方法の提案がある。
ワックスを用いる場合、ダミーウェハー（保持基板）にワックスを加熱塗布し、ウェハーと張り合わせ、研磨、更にポリッシングした後、ワックスを加熱溶融して横滑りさせて剥がしたり、冷却してワックスが脆くなった処を衝撃破壊して剥離する方法が提案されている。しかし、ワックス固定には、厚み精度、平行度、　平坦度に問題があった。
テープ固定としては、バックグラインド・テープの場合も表面側に張り、反対面を研磨し、薄葉化する方法があった。
【０００４】
薄葉化したウェハー裏面や基板裏面に、金属薄膜を必要とする場合には、通常、沸酸、硝酸等の前処理と、アルミニウムや金などの金属蒸着とその焼成処理などの温度　２５０〜４５０　゛℃で３０分〜１時間の高温処理工程を必要とする。
しかし、これらの工程は、ワックスやバックグラインド・テープで保持基板に接着した状態では実施できない。薄葉化にワックスやテープを用いる方法では、薄葉化した後、保持基板から剥離し、これを高温処理工程に用いることとなる。薄葉化されたウェハーは、極めて脆く、また、片面に基板とは熱膨張率のことなる半導体回路を有することなどから、歪みや破損による不良率の大幅な増大があり、また、厚みが５０μｍ程度と薄くなると高温処理工程に適用することが困難であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
半導体基板やセラミックス基板を使用した電子回路を、大型ワークサイズで、薄葉化したものとして能率良く制作出来れば、薄型化、高速化、省電力化した電子部品の実用的な製造が可能となる。
そこで、半導体基板を保持基板に保持接着して、薄葉化し、その状態で高温処理工程などに適用し、これらの工程の終了後、水などを用いて剥離する方法（特願２０００−１９４０７７　号、同２００１−３０７４６、同２０００−４０１０７７　、同２０００−４０１０７８　その他）　を提案した。
【０００６】
これらの技術の実用化の検討において、裏面の処理工程において処理液や水のしみ込みが見られた。しみ込みの発生は、回路面の腐食の原因となり好ましくなく、また、腐食の原因と成らないものの場合でも、規定の真空度に達して処理開始可能な状態となるまでに要する時間を大幅に遅延させ、結果として、生産性を低下させることとなる。
この原因を検討した結果、半導体ウェーハの回路面（Ａ面）が配線の多層化やバンプ（電極）の形成などにより、段差や凹凸が大きいものがあり、そのために通常のフィルムでは、これらの段差や凹凸を十分に吸収できないものであった。
そこで、この段差や凹凸を効率良く吸収し、かつ、安定に保持し、剥離が容易な方法について鋭意検討した結果、本発明を完成した。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は、半導体ウェーハの回路面（Ａ面）と保持基板とをフィルムを用いて接着し、半導体ウェーハの露出面（Ｂ面）を研削・研磨を必須とする裏面処理工程を行って電子部品を形成した薄葉化ウェーハとし、該薄葉化ウェーハを保持基板から剥離する薄葉化ウェーハの製造法において、該フィルムが接着温度において、ウェーハ接着層よりも軟質である中間層を有する構成であることを特徴とする薄葉化ウェーハの製造法である。
【０００８】
本発明において、該フィルムの中間層が、ウェーハ接着面に比較して低いガラス転移温度、低い融点または低い軟化点のいずれか一つ以上を示すプラスチックス材料から選択したものであること、該保持基板が、平均気孔径が　０．１〜１０μｍの連続気孔を　２〜３５　ｖｏｌ％有する無機連続気孔焼結体に耐熱性樹脂を含浸し、硬化させたものもであること、または該無機連続気孔焼結体が、窒化アルミニウム−窒化硼素（ＡｌＮ−ｈ−ＢＮ）、炭化珪素（ＳｉＣ）　、窒化アルミニウム−炭化珪素−窒化硼素（ＡｌＮ−ＳｉＣ−ｈ−ＢＮ）、アルミナ−窒化硼素（Ａｌ２Ｏ３−ｈ−ＢＮ）、窒化珪素−窒化硼素（Ｓｉ３Ｎ４−ｈ−ＢＮ）、酸化ジルコニア−窒化アルミニウム−窒化硼素（ＺｒＯ３−Ａｌ２Ｏ３−ｈ−ＢＮ）　またはアルミナ−酸化チタン−窒化硼素（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＯ−ｈ−ＢＮ）からなる選択したものである電子部品の製造法である。
【０００９】
以下、本発明の構成を説明する。
接着フィルム
本発明は、該Ａ面　（回路面）　の段差或いは凹凸を効率良く吸収する接着用の樹脂フィルムとして、接着温度において該回路接着面（以下「外層」と記す）よりも軟質である中間層を有する多層フィルムを用いる。外層よりも軟質である中間層とは、外層に比較して低いガラス転移温度、低い融点または低い軟化点のいずれか一つ以上を示すプラスチックス材料から選択したものであり、通常、３層以上の積み重ね或いは層構成のフィルムで、最も単純な構成はこのような樹脂層を中間層に配置した３層重ねフィルムである。
【００１０】
本フィルムの外層としては、具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）　、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）　、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリサルフォン（ＰＳＵ）　、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）　、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）　、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）　、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）　、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、全芳香族ポリエステル、ポリアセタール（ＰＯＭ）　、ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）　等が例示される。
【００１１】
中間層は、上記外層として例示した樹脂の他、ポリエチレン（ＰＥ）、エチレンビニルアセテート共重合体（ＥＶＡｃ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、スチレン−アクリロニトリル共重合体（ＡＳ）、液晶性ポリエステル、液晶性ポリアリレート、ゴム、ゴムを含む共重合体（ＨＩ−ＰＳ，ＡＢＳ，ＭＢＳ，　他）　が例示される。
【００１２】
また、フィルムの外層の厚さは、１０〜１００　μｍ、より好ましくは２５〜５０μｍ、内層の厚さは１０〜３００　μｍ、より好ましくは２５〜１００　μｍの範囲から選択する。また、反りの抑制、研削精度等の観点からは、半導体回路面の段差や凹凸を吸収できる最小の厚さを選択することが好ましい。。
【００１３】
また、半導体ウェーハに直接接触するフィルム外層は、通常、熱可塑性樹脂に添加される可塑剤、滑剤、安定剤、発色剤、その他の添加物を添加していない樹脂であることが、半導体ウェーハへの不純物の転写を防止するために好ましい。但し、添加剤の種類や転写される添加剤の濃度、転写した場合の除去の容易性等を考慮した上で、半導体ウェーハの特性に支障を来さないことが判明すれば、これらの添加剤を適宜使用することが出来る。
【００１４】
上記の材料の組み合わせて本発明の接着フィルムとするが、その選択方法の一例を示せば、下記となる。
（１）．　まず、半導体ウェーハの保持基板への接着品の〔処理工程〕に応じて、フィルムの種類とその組み合わせは選択すべきものとなる。
この処理工程としては、半導体ウェーハの薄葉化の目的とする最終厚み、薄葉化後の裏面　（Ｂ面）　の処理であり、特に、後者は更に、（ａ）．予備処理の工程、特に、使用する薬品の種類→外層の〔必要な耐薬品性〕、（ｂ）．金属化など処理工程における最高温度と時間、雰囲気、その他であり、特に、最高温度から内外層の〔必要な耐熱性〕が決定される。
（２）．　次に、半導体ウェーハの突出部に応じて、その突出部を吸収できる厚みと組み合わせ、特に内層の種類と厚みとの選択範囲が決定される。
（３）．　最後に、該接着品の〔処理工程〕中に剥離せずに接着保持し、かつ、工程終了後に剥離可能な条件との観点から接着条件を決定することとなる。
【００１５】
本発明のフィルムは、通常、押出ラミネーションやドライラミネーション、キャスティング、ブロー成形などにより製造することができる。また、フィルムは、延伸、無延伸どちらでも使用できる。
また、予め製造されたフィルムを所定の大きさに切断した後、本発明の構成を満足するように積み重ねるか張り合わせることによって製造・使用することも当然にできる。この場合、ウェーハと保持基板との接着加熱時にフィルム中間層が流失することを防止するため、フィルム中間層をフィルム外層以下、特に、フィルム外層よりも小さくして外層にて包んだ構造とすることが、中間層の流失や流失に基づく汚染の防止の面から好ましい。
【００１６】
半導体ウェーハ
本発明の半導体ウェーハとしては、シリコン（Ｓｉ）に代表されるが、この他に、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、錫（Ｓｎ）、テルル（Ｔｅ）等の元素系半導体、ガリウム−砒素（ＧａＡｓ）の他、ＧａＰ　、ＧａＳｂ、ＡｌＰ　、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＰ　、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ　、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＩｎＡｓ、ＡｌＩｎＡｓ、ＩｎＧａＰ　、ＡｌＧａＩｎＡｓ等の化合物半導体が挙げられ、適宜使用出来る。
また、本発明においては、該半導体ウェハーの回路面に、段差や凹凸のあるもの対して使用することを目的とすることから、当然にこれら段差や凹凸のあるものが好適な対象となる。
【００１７】
保持基板
また、本発明の保持基板は、裏面の処理工程の条件により適宜選択するが、耐熱性、耐薬品性が高いことが必要とされ、また、半導体基板の熱膨張率に近い事が、接着後の反りを小さくする為に必要である。
通常、窒化アルミニウム、炭化珪素、窒化珪素、サファイア、アルミナ、ジルコニア、ワラストナイト、アモルファスカーボン、グラッシィカーボン、炭化珪素複合Ｃ／Ｃ　コンポジット等の無機物ベースの材料が挙げられ、シリコーン・ウェハーも適用出来る。
【００１８】
また、連続気孔を好ましくは　２〜３５ｖｏｌ　％有し、平均気孔径が　０．１〜１０μｍの無機連続気孔焼結体に耐熱性の樹脂を含浸し、硬化させたものも好適に使用できる。用いる無機連続気孔焼結体としては、窒化アルミニウム−窒化硼素（ＡｌＮ−ｈ−ＢＮ）、窒化硼素（ｈ−ＢＮ）、炭化珪素（ＳｉＣ）　、窒化アルミニウム−炭化珪素−窒化硼素（ＡｌＮ−ＳｉＣ−ｈ−ＢＮ）、アルミナ−窒化硼素（Ａｌ２Ｏ３−ｈ−ＢＮ）、窒化珪素−窒化硼素（Ｓｉ３Ｎ４−ｈ−ＢＮ）、酸化ジルコニア−窒化アルミニウム−窒化硼素（ＺｒＯ３−Ａｌ２Ｏ３−ｈ−ＢＮ）　、アルミナ−酸化チタン−窒化硼素（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＯ−ｈ−ＢＮ）、アモルファスカ−ボン等が挙げられ、特に、特開２０００−３４４５８７　に記載のものが好適に使用できる。
【００１９】
含浸する耐熱性樹脂としては、本発明者らによる特開平８−２４４１６３公報、同９−３１４７３２、その他による、付加重合あるいは架橋型の耐熱性樹脂の芳香族多官能性シアン酸エステル化合物等があり、使用可能であるが、特に　３５０℃を超える高温で好適に使用出来るものとして高耐熱性シリコーン樹脂、例えばシリコーンラダーオリゴマー　（商品名；Ｇｌａｓｓ　Ｒｅｓｉｎ品番ＧＲ１００Ｆ、ＧＲ１５０　、ＧＲ６５０Ｆ、ＧＲ９０８Ｆ、ＧＲ９５０Ｆ他、Ｔｅｃｈｎｅｇｌａｓ製）　が挙げられる。
【００２０】
樹脂を含浸する際、該無機連続気孔焼結体の開気孔内表面を含む表面と樹脂親和性を改善するため、無機連続気孔焼結体の表面を適当な方法で処理することが好適である。表面処理として、アルミニウム、チタン、或は珪素を含む有機金属化合物又は有機金属錯体、或は重量平均分子量１０，０００未満のプレポリマーである有機金属化合物又は有機金属錯体の溶液を使用し、これを真空含浸し、風乾して溶媒を除去した後、予備加熱処理した後、更に最高温度　６００〜８５０　℃において熱分解させることが好ましい。
【００２１】
接着における密着性、作業性などを改善する為に、表面粗さＲａを　０．１〜５　μｍとすることが好ましい。表面平滑性が高過ぎると接着面の中央部分などに気体が残存する場合が生じやすくなり作業性が劣化する。接着層との密着性が悪くなると、剥離時に半導体基板と接着層との間が剥離するのではなく、保持基板と接着層との間が剥離することとなり、薄葉化半導体基板の剥離後の保持手段に工夫がない場合には、反りや割れを生じるので好ましくない。表面あらさＲａが　５μｍを越えると、接着層にて、その凹凸を吸収することの負荷が大きくなり、半導体ウェハーの回路面　（Ａ面）の段差や凹凸を吸収する能力が、通常、その大きさに応じて失われることとなるので好ましくない。
【００２２】
本発明においては、上記材料を主要な構成材料として使用し、通常、下記　（１）〜（４）　からなる薄葉化の工程を実施する。
（１）．半導体ウェーハの回路面と保持基板とをフィルムを用いて接着する。
（２）．半導体ウェーハの裏面を研削、研磨、ＣＭＰ　、エッチング等して半導　体ウェーハを薄葉化する。
（３）．所望により、半導体ウェーハの裏面の金属化や回路形成等を行う。
（４）．薄葉化半導体ウェーハを保持基板から剥離する。
【００２３】
工程（１）　の接着は、半導体ウェーハを保持基板に接着保持して、工程（２）　の裏面の加工時に剥離せず、工程（３）　にて接着力などが増加した場合にも、工程（４）　にて容易に剥離が可能であり、かつ、これが信頼性良く再現できることが必須である。
このための第一条件は、フィルムの選択であり上記に説明した。
次に、選択したフィルムに応じた接着条件を選択することとなる。
通常、接着は、より高温側或いは高圧側を選択すれば、より強固な接着、逆に、より低温側或いは高圧側を選択すれば、より弱い接着となる。また、接着温度がより高温側では、フィルム内層はより柔軟となり、凹凸への追従性、埋め込み性が高くなり、逆に、より低温側では、追従性、埋め込み性は低下する。接着圧力がより高圧側では、凹凸への追従性、埋め込み性が高くなり、逆に、より低圧側では、追従性、埋め込み性は低下する。
【００２４】
接着温度として、フィルム外層の軟化点温度、ガラス転移温度、その他の転移温度から＋１５０　℃の温度範囲、或はフィルム内層の軟化点温度、ガラス転移温度、融点、その他の転移温度から＋２００　℃の温度範囲であり、また、減圧雰囲気下に、最高面圧０．０５〜２ＭＰａ、より好ましくは最高面圧　０．１〜０．５ＭＰａ、最高温度および最高圧力での保持時間は　３〜９０分の範囲から、通常、選択する。
ここで、接着温度においては、柔軟なフィルム内層が容易に変形するので、接着に用いる最高圧力以下においても回路面の凹凸に追随して接着面となるフィルム外層も変形し、凹凸への追従性、埋め込み性が良好となる。
接着装置としては、減圧プレス機などが適宜使用出来るが、本発明ではエアプランジャー式加圧方式の減圧プレス機が好ましい。
【００２５】
本工程（２）　において、上記の方法で接着した半導体ウェーハ／保持基板の半導体ウェーハの裏面（Ｂ面）を目的厚みよりも通常、５〜５０μｍ程度厚い厚さまで、研削・研磨した後、ＣＭＰ　若しくはエッチングすることにより、目的厚みの薄葉化半導体ウェーハとする。厚み精度は、保持基板の厚み精度、研削・研磨或いはＣＭＰ　時の保持基板の接着固定層の厚み精度により主に決定されるので、この点を考慮したものとする。
【００２６】
工程（３）　は、半導体ウェーハの裏面　（Ｂ面）　の金属化等の処理工程であり、該工程がある場合には、該工程のための洗浄、整面その他の薬品による予備処理、高温、高真空などを伴う金属化などである。まず、工程（３）　の予備処理工程に用いる薬品などによっては、使用可能な接着フィルム、更に、保持基板の種類の選択が必須となり、また、高温、高真空などを伴う金属化では、当該条件にて工程に有害なガスその他が発生しないことの他に、該処理条件に応じて、通常、本願フィルムによる接着力が増加される。
従って、工程（３）　がある場合には、上記点を考慮した本願接着フィルムの選択および接着条件の選択が必要となる。
【００２７】
工程（４）　の薄葉化ウェーハを保持基板から剥離する方法としては、特願２０００−１９４０７７　号、同２００１−３０７４６、同２０００−４０１０７７　、同２０００−４０１０７８　などに記載の方法が、接着フィルムの相違を考慮すればそのまま適用可能である。
また、個々のチップサイズに切断した後に、剥離を促進し薄葉化半導体基板を保持基板より剥がすこと、薄葉化半導体基板を吸着保持した状態で、接着層付きとして保持基板より剥離し、その後、さらに、剥離促進処理を実施して接着層を剥がす方法も適宜適用できる。
なお、剥離促進法の選択が、保持面　（表面）　に形成した半導体回路の状態、例えば、アルミニウム金属露出によるその腐食など、によっては制限される場合があり、この場合には、腐食防止を考慮した剥離促進を行う。
【００２８】
【実施例】
以下、実施例により本発明を詳しく説明する。尚、実施例中の「部」、「％」は特に断らない限り重量基準である。
実施例１
厚み　０．６８５ｍｍ、直径　１５０ｍｍの回路付きシリコンウェーハ　（以下「Ｓｉ」と記す）　を使用した。回路面凹凸の高低差は、最大２０μｍであった。
【００２９】
厚さ　０．８ｍｍ、直径　１５０ｍｍの窒化アルミニウム−窒化硼素−炭化珪素焼結体（ｈ−ＢＮ　１３％、ＳｉＣ　１０％、嵩密度２．５５、全気孔率　１６．５ｖｏｌ％）　の円板を　７００℃で加熱洗浄した。室温においてアルミニウムトリス　（エチルアセトアセテート）（川研ファインケミカル製、商品名　ＡＬＣＨ−ＴＲ）　の濃度　５％のイソプロパノール（ＩＰＡ）　溶液をこの円板に真空含浸し、一夜風乾した後、最高温度　７５０℃で焼成して気孔内を含む表面にアルミニウム酸化物を生成させた。
この基板に、ラダーシリコーンオリゴマー　（Ｔｅｃｈｎｅｇｌａｓ製、商品名；　Ｇｌａｓｓ
Ｒｅｓｉｎ　ＧＲ６５０Ｆ）の濃度４０％のメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）溶液を真空含浸し、乾燥することを繰り返した後、　３５０℃において熱硬化した。基板両面を研磨し、厚み　０．６２５ｍｍ、表面粗さＲａ　０．３μｍ、平行度±２　μｍ以下の保持基板　（以下「ＡＮＢ　」と記す）　を得た。
【００３０】
厚み２５μｍの熱可塑性ポリイミドフィルム　（商品名；カプトン　１００ＫＪ、ガラス転移温度　２２０℃、東レ・デュポン製）　を直径　１５０ｍｍの円　（以下「１００ＫＪ　」と記す）　に切り出した。
厚み５０μｍの液晶ポリマーフィルム　（商品名；ＦＡフィルム、融点　２８０℃、　（株）　クラレ製）　を直径　１４８ｍｍの円　（以下「ＬＣＦＡ５０」と記す）　に切り出した。
に切り出した。
【００３１】
アルミニウム合金製の凹型内に、中心の位置合わせに注意を払いつつ、下から、ＡＮＢ　、１００ＫＪ　、ＬＣＦＡ５０、１００ＫＪ　、Ｓｉの順序に積み重ね、最後にアルミニウム合金製の凸型を重ねて積層セットとした。次に、この積層セットをエアプランジャー式減圧プレス機の温度　３１０℃の熱盤間に配置した。
直ちに、真空チャンバーを閉じてプレス雰囲気の減圧を開始し、また、上熱盤を降下させて積層セット接触させた。雰囲気圧力が１．３ｋＰａ以下に達した時点で、圧力負荷を開始し、最高面圧が０．２ＭＰａで　８分間保持した。
次に、雰囲気中に窒素ガスを吹き込み雰囲気を大気開放、プレス圧力を解圧した後、積層セットを取り出した。放冷した後、半導体ウェーハ／保持基板の一体化物　（以下「Ｓｉ／ＡＮＢ」と記す）　を得た。
【００３２】
得られたＳｉ／ＡＮＢの反りは＋４８０　μｍであった。また、Ｓｉ／ＡＮＢを常温の純水中に入れ、３０分間の超音波照射を行ったが、剥離は起こらなかった。
尚、反りは、Ｓｉ／ＡＮＢの半導体ウェーハ側を上にして３次元測定器　（東測精密製）　のテーブル上に置き、半導体ウェーハ裏面の高さを１７点　（直径上　９点、該直径に直角な直径上　４点、その他中間点　４点）　測定し、最高値と最低値の差と定義した。反りの符号は、半導体ウェーハ側が凸を　（＋）　、半導体ウェーハ側が凹を　（−）　と定義した。
【００３３】
研削機で、Ｓｉ／ＡＮＢのＳｉウェーハ厚みが　１０５μｍとなるまで研削、その後、Ｓｉウェーハ厚みが　１００μｍとなるまで研磨した。
研削は、横型精密平面研削盤　（岡本工作機械製作所製、機種ＧＲＩＮＤ−Ｘ　ＳＲＧ−２００）を使用し、粗研削を＃３２０のダイアモンド砥石、仕上げ研削を＃２０００　のダイアモンド砥石で行った。研磨は、ＣＭＰ　仕様卓上ラップ盤　（岡本工作機械製作所製、機種ＳＰＬ１５Ｔ　型）　を使用し、研磨布にＳＵＢＡ８００（ロデール・ニッタ製）　、スラリーにＣＯＭＰＯＬ８０　（フジミインコーポレーテッド製）　を使用して薄葉化Ｓｉ／ＡＮＢを得た。
【００３４】
薄葉化Ｓｉ／ＡＮＢを８０℃の純水中に浸漬し、３　時間保持した。その後、剥離機にかけて薄葉化Ｓｉを保持基板（ＡＮＢ）　から剥離した。この時、接着フィルムは、相互接着して一体化した状態であり、保持基板（ＡＮＢ）　側に残った。
薄葉化Ｓｉの厚み精度は、±２μｍであった。
また、薄葉化Ｓｉウェーハの回路面の表面観察を行い、研削水、ＣＭＰ　研磨液、緩和処理液等の液浸透の無いことを確認した。表面観察では、デジタルＨＤマイクロスコープ　（キーエンス製、形式ＶＨ−７０００）を使用した。
【００３５】
実施例２
実施例１において、厚み５０μｍの液晶ポリマーフィルム（ＬＣＦＡ５０）にかえて、厚み２５μｍの液晶ポリマーフィルム　（以下「ＬＣＦＡ２５」と記す）　を用いる他は同様とした。その結果、得られたＳｉ／ＡＮＢの反りは＋３００　μｍであった。
次に、実施例１と同様に厚み　１００μｍまでの薄葉化し、剥離し、得られた薄葉化Ｓｉ回路面の表面を観察したところ、研削水、ＣＭＰ　研磨液、緩和処理液等の液浸透は認められなかった。
【００３６】
実施例３
実施例１において、厚み５０μｍの液晶ポリマーフィルム（ＬＣＦＡ５０）にかえて、厚み５０μｍの液晶ポリマーフィルム　（商品名；ＣＴフィルム、融点　３２５℃、　（株）　クラレ製、以下「ＬＣＣＴ５０」と記す）　を、接着温度を　３１０℃を　３３０℃に変更することの他は同様とし、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。反りは、＋４３０　μｍであった。
次に、実施例１同様の条件で、厚み　１００μｍまでの薄葉化し、剥離し、薄葉化Ｓｉ回路面の表面を観察したところ、研削水、ＣＭＰ　研磨液、緩和処理液等の液浸透は認められなかった。
【００３７】
実施例４
実施例３において、厚み５０μｍの液晶ポリマーフィルム（ＬＣＣＴ５０）にかえて、厚み２５μｍのの液晶ポリマーフィルム　（商品名；ＣＴフィルム、融点　３２５℃、　（株）　クラレ製、以下「ＬＣＣＴ２５」と記す）　を、接着温度を　３３０℃を　３２５℃に変更することの他は同様とし、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。反りは、＋３４０　μｍであった。
次に、実施例１同様の条件で、厚み　１００μｍまでの薄葉化し、剥離し、薄葉化Ｓｉ回路面の表面を観察したところ、研削水、ＣＭＰ　研磨液、緩和処理液等の液浸透は認められなかった。
【００３８】
実施例５
実施例３において、厚み５０μｍの液晶ポリマーフィルム（ＬＣＣＴ５０）にかえて、厚み５０μｍの液晶ポリマーフィルム　（商品名；ＯＣフィルム、融点　３２５℃、　（株）　クラレ製、以下「ＬＣＯＣ５０」と記す）　を使用する他は同様とし、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。反りは、＋５００　μｍであった。
次に、実施例１同様の条件で、厚み　１００μｍまでの薄葉化し、剥離し、薄葉化Ｓｉ回路面の表面を観察したところ、研削水、ＣＭＰ　研磨液、緩和処理液等の液浸透は認められなかった。
【００３９】
実施例６
実施例３において、厚み５０μｍの液晶ポリマーフィルム（ＬＣＣＴ５０）にかえて、厚み５０μｍのポリサルホンフィルム　（商品名；スミライト　ＦＳ−１２００、ガラス転移温度　１９０℃、住友ベークライト　（株）　製、以下「ＰＳＦ５０　」と記す）　を使用する他は同様とし、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。反りは、＋４４０　μｍであった。
次に、実施例１同様の条件で、厚み　１００μｍまでの薄葉化し、剥離し、薄葉化Ｓｉ回路面の表面を観察したところ、研削水、ＣＭＰ　研磨液、緩和処理液等の液浸透は認められなかった。
【００４０】
実施例７
実施例３において、厚み５０μｍの液晶ポリマーフィルム（ＬＣＣＴ５０）にかえて、厚み５０μｍのポリエーテルイミドフィルム　（商品名；スミライト　ＦＳ−１４００、ガラス転移温度　２１６℃、住友ベークライト　（株）　製、以下「ＰＥＩ５０　」と記す）　を使用する他は同様とし、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。反りは、＋３８０　μｍであった。
次に、実施例１同様の条件で、厚み　１００μｍまでの薄葉化し、剥離し、薄葉化Ｓｉ回路面の表面を観察したところ、研削水、ＣＭＰ　研磨液、緩和処理液等の液浸透は認められなかった。
【００４１】
実施例８
実施例３において、厚み５０μｍの液晶ポリマーフィルム（ＬＣＣＴ５０）にかえて、厚み５０μｍのポリエーテルサルホンフィルム　（商品名；スミライト　ＦＳ−１３００、ガラス転移温度　２２３℃、住友ベークライト　（株）　製、以下「ＰＥＳ５０　」と記す）　を使用する他は同様とし、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。反りは、＋３８０　μｍであった。
次に、実施例１同様の条件で、厚み　１００μｍまでの薄葉化し、剥離し、薄葉化Ｓｉ回路面の表面を観察したところ、研削水、ＣＭＰ　研磨液、緩和処理液等の液浸透は認められなかった。
【００４２】
実施例９
実施例３において、厚み５０μｍの液晶ポリマーフィルム（ＬＣＣＴ５０）にかえて、厚み５０μｍのポリエーテルエーテルケトンフィルム　（商品名；スミライト　ＦＳ−１１００、融点　２８０℃、住友ベークライト　（株）　製、以下「ＰＥＥＫ５０」と記す）　を直径　１４６ｍｍの円に切り出したものを使用する他は同様とし、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。
反りは、＋４２０　μｍであった。
次に、実施例１同様の条件で、厚み　１００μｍまでの薄葉化し、剥離し、薄葉化Ｓｉ回路面の表面を観察したところ、研削水、ＣＭＰ　研磨液、緩和処理液等の液浸透は認められなかった。
【００４３】
実施例１０
実施例３において、厚み５０μｍの液晶ポリマーフィルム（ＬＣＣＴ５０）にかえて、厚み５０μｍのポリイミドフィルム　（商品名；ＳＮ−２０　、新日本理化　（株）　製、以下「ＳＮ５０」と記す）　を直径　１４９ｍｍの円に切り出したものを使用する他は同様とし、Ｓｉ／ＡＮＢを得た。反りは、＋３２μｍであった。
次に、実施例１同様の条件で、厚み　１００μｍまでの薄葉化し、剥離し、薄葉化Ｓｉ回路面の表面を観察したところ、研削水、ＣＭＰ　研磨液、緩和処理液等の液浸透は認められなかった。
【００４４】
実施例１１
実施例３において、平均厚み　０．６８５ｍｍ、直径　１５０ｍｍの回路付きシリコンウェーハに代えて、平均厚み　０．３００ｍｍ、直径　１００ｍｍの回路付きシリコンウェーハを使用すること、直径　１５０ｍｍの保持基板（ＡＮＢ）　に代えて、直径　１００ｍｍの保持基板（ＡＮＢ１００）を使用すること、外層用フィルムの切り取り直径　１００ｍｍ、内層用フィルムの切り取り直径　　９８ｍｍに変更することの他は同様とし、Ｓｉ／ＡＮＢ１００　を得た。
反りは、＋２２０　μｍであった。
次に、実施例１同様の条件で、厚み　１００μｍまでの薄葉化し、剥離し、薄葉化Ｓｉ回路面の表面を観察したところ、研削水、ＣＭＰ　研磨液、緩和処理液等の液浸透は認められなかった。
【００４５】
比較例１
実施例１において、接着用のフィルムとして、厚み２５μｍの熱可塑性ポリイミドフィルム　（１００ＫＪ　、厚み２５μｍ）　を直径　１５０ｍｍの円に切り取ったものを一枚用いる他は同様にしてＳｉ／ＡＮＢを作製し、厚み　１００μｍまで研削、研磨した。反りは、＋１００　μｍであった。
次に、実施例１同様の条件で、厚み　１００μｍまでの薄葉化し、剥離し、薄葉化Ｓｉ回路面の表面を観察したところ、薄葉化Ｓｉの周囲端部から内側へ３０ｍｍ程度の範囲において、研削水、ＣＭＰ　研磨液、緩和処理液等の液浸透が認められ、電極も一部腐食していた。
【００４６】
比較例２
実施例１において、接着用のフィルムとして、厚み　１００μｍの熱可塑性ポリイミドフィルム　（１００ＫＪ　、厚み　１００μｍ）　を直径　１５０ｍｍの円に切り取ったものを一枚用いる他は同様にしてＳｉ／ＡＮＢを作製し、厚み　１００μｍまで研削、研磨した。反りは、＋１２０　μｍであった。
次に、実施例１同様の条件で、厚み　１００μｍまでの薄葉化し、剥離し、薄葉化Ｓｉ回路面の表面を観察したところ、薄葉化Ｓｉの周囲端部から内側へ１０ｍｍ程度の範囲において、研削水、ＣＭＰ　研磨液、緩和処理液等の液浸透が認められ、電極も一部腐食していた。
【００４７】
比較例３
比較例１において、接着温度　３１０℃を　３３０℃と変更することの他は同様にしてＳｉ／ＡＮＢを作製し、厚み　１００μｍまで研削、研磨した。反りは、＋２８０　μｍであった。
次に、実施例１同様の条件で、厚み　１００μｍまでの薄葉化し、剥離し、薄葉化Ｓｉ回路面の表面を観察したところ、薄葉化Ｓｉの周囲端部から内側へ１０ｍｍ程度の範囲において、研削水、ＣＭＰ　研磨液、緩和処理液等の液浸透が認められ、電極も一部腐食していた。
【００４８】
比較例４
比較例１において、接着圧力０．２ＭＰａを０．３ＭＰａと変更することの他は同様にしてＳｉ／ＡＮＢを作製し、厚み　１００μｍまで研削、研磨した。反りは、＋１００　μｍであった。
次に、実施例１同様の条件で、厚み　１００μｍまでの薄葉化し、剥離し、薄葉化Ｓｉ回路面の表面を観察したところ、薄葉化Ｓｉの周囲端部から内側へ１０ｍｍ程度の範囲において、研削水、ＣＭＰ　研磨液、緩和処理液等の液浸透が認められ、電極も一部腐食していた。
【００４９】
比較例５
実施例１１において、接着用のフィルムとして、厚み２５μｍの熱可塑性ポリイミドフィルム　（１００ＫＪ　、厚み２５μｍ）　を直径　１００ｍｍの円に切り取ったものを一枚用いる他は同様にしてＳｉ／ＡＮＢを作製し、厚み　１００μｍまで研削、研磨した。反りは、＋２５０　μｍであった。
次に、実施例１同様の条件で、厚み　１００μｍまでの薄葉化し、剥離し、薄葉化Ｓｉ回路面の表面を観察したところ、薄葉化Ｓｉの周囲端部から内側へ１０ｍｍ程度の範囲において、研削水、ＣＭＰ　研磨液、緩和処理液等の液浸透が認められ、電極も一部腐食していた。
【００５０】
2004014691.tif 000002
【００５１】
【発明の効果】
以上、本発明により、半導体ウェーハ回路面の凹凸に対する追従性が高められた結果、回路面とフィルムとを隙間無く密着させることが可能となった。これにより、研削、研磨、緩和の工程で使用される薬液等による回路を汚染や電極の腐食といった不具合を生じることは無くなったものであり、その工業的意義は極めて高い。