(57)【要約】【課題】偶発放電や誘電体放電破壊が防止されたガス放電パネルを提供することを課題とする。【解決手段】放電空間を挟み隔壁により分離された一対の基板と、少なくとも一方の前記基板の放電空間側の表面上に形成された電極と、該電極を覆う誘電体層とを備え、該誘電体層が、導電性又は半導体特性を示すフィラーを含有し、０．８ＫＶ以下の電荷保持量を有することを特徴とするガス放電パネルにより上記の課題を解決する。【選択図】  図２
2004265719.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を挟み隔壁により分離された一対の基板と、少なくとも一方の前記基板の放電空間側の表面上に形成された電極と、該電極を覆う誘電体層とを備え、該誘電体層が、導電性又は半導体特性を示すフィラーを含有し、０．８ＫＶ以下の電荷保持量を有することを特徴とするガス放電パネル。
【請求項２】
前記フィラーが、平均粒径±３μｍの粒度分布の粒子からなり、前記誘電体層の表面から少なくとも一部が突出している請求項１に記載のガス放電パネル。
【請求項３】
前記誘電体層が、１０μｍ以上の厚さを有する請求項１又は２に記載のガス放電パネル。
【請求項４】
前記フィラーが、前記誘電体層の表面から１２μｍ以下の高さで突出している請求項２又は３に記載のガス放電パネル。
【請求項５】
前記フィラーが、前記誘電体層に対して１〜３体積％の量で存在する請求項１〜４のいずれかに記載のガス放電パネル。
【請求項６】
前記フィラーが、導電性膜又は半導体膜で覆われたシリコン化合物粒子である請求項１〜５のいずれかに記載のガス放電パネル。
【請求項７】
前記導電性膜又は半導体膜が、酸化スズ、酸化インジウムスズ、珪素、炭化珪素、酸化チタンからなる膜から選択される請求項６に記載のガス放電パネル。
【請求項８】
前記ガス放電パネルが、一対の表示電極を有する前面側基板と、表示電極と対向し誘電体層で覆われたアドレス電極を有する背面側基板とからなる３電極面放電構造のＡＣ型プラズマディスプレイパネルであり、前記フィラーを含有する誘電体層が、アドレス電極を覆う誘電体層である請求項１〜７のいずれかに記載のガス放電パネル。
【請求項９】
請求項１に記載のガス放電パネルの製造方法であって、フィラー及び誘電体材料を少なくとも含むペーストを電極を覆うように基板上に塗布し、得られた塗布膜を焼成することにより前記フィラーを含有する誘電体層を形成する工程を含むガス放電パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガス放電パネル及びその製造方法に関する。更に詳しくは、本発明は、偶発放電や誘電体放電破壊が防止されたガス放電パネル及びその製造方法に関する。本発明のガス放電パネルは、３電極面放電構造のＡＣ型プラズマディスプレイパネルに特に有用である。
【０００２】
【従来の技術】
ガス放電パネルとしては、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）やプラズマアドレス液晶装置（ＰＡＬＣ）等が知られている。この内、ＰＤＰは大型で、薄いという特徴を有しており、現時点で多く販売されている表示装置の一つである。
図１に実用化されている代表的な３電極面放電構造のＡＣ型ＰＤＰの概略斜視図を示す。図１のＰＤＰは、前面側基板と背面側基板とから構成される。
【０００３】
まず、前面側基板１０は、一般的にガラス基板１１上に形成された複数本の表示電極（Ｘ、Ｙ）、表示電極（Ｘ、Ｙ）を覆うように形成された誘電体層１７、誘電体層１７上に形成され放電空間に露出する保護膜１８とからなる。
表示電極（Ｘ、Ｙ）は、透明電極膜４１と、透明電極膜の抵抗を下げるための透明電極膜４１の端縁部上に積層される透明電極膜よりも幅狭のバス電極４２とからなる。
【０００４】
次に、背面側基板２０は、一般的に、ガラス基板２１上に形成された複数本のアドレス電極Ａ、アドレス電極Ａを覆う誘電体層２４、隣接するアドレス電極間で誘電体層２４上に形成された複数本の帯状の隔壁２９、隔壁２９間に壁面を含めて形成された蛍光体層（２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂ）とからなる。
上記前面側基板と背面側基板とを、表示電極とアドレス電極が直交するように、両電極を内側にして対向させ、基板周辺部をシールガラスにより封止し、隔壁２９により囲まれた空間に放電ガス（例えば、Ｎｅ−Ｘｅガス）を充填することによりＰＤＰ１００を形成することができる。図１中、Ｒ、Ｇ及びＢは、赤色、緑色及び青色の単位発光領域をそれぞれ示し、横方向に並ぶＲＧＢで画素を構成する。
【０００５】
上記構成のＰＤＰは、まず表示電極ＸとＹ間に大電圧を印加してリセットし、次いでスキャン電極を兼ねる表示電極Ｙとアドレス電極Ａ間でプラズマ放電させ、電極ＸとＹとの間に維持電圧を印加することで蓄積された壁電荷を利用して、所望する輝度に応じた維持放電を行う。この維持放電により放電ガスが励起されてイオン化することで真空紫外線が放出される。放出された真空紫外線が蛍光体にあたることで、蛍光体から可視光が放出され、この可視光が表示に利用される。
【０００６】
スキャン電極Ｙとアドレス電極Ａとの間で生じたプラズマ放電の結果、空間電荷が発生し、その大部分が電極ＸとＹ上の誘電体層上に蓄積される。更に、発生した空間電荷の一部は、隣のスキャン電極Ｙとアドレス電極Ａとの書き込み放電用の種火として利用される。
このように発生した空間電荷は、その一部が電極のスキャンと共にアドレス電極の伸長方向に移動し、最初と最後のスキャン電極Ｙ付近で蓄積されることとなる。この蓄積された空間電荷は、大きくなると偶発的に放電（偶発放電）する場合がある。また、偶発放電により誘電体層が破壊（誘電体放電破壊）され、その結果非点灯欠陥が発生することで画質が劣化する場合がある。
偶発放電及び誘電体放電破壊を防ぐために、誘電体層に導電性フィラーを混入することで、過剰に蓄積された空間電荷を逃がす技術が知られている（特開平１０−６４４３４号公報：特許文献１）
【０００７】
【特許文献１】
特開平１０−６４４３４号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
近年、ＰＤＰの大型化、高精細化、高速駆動化により、空間電荷の蓄積量が増加しており、より効果的に空間電荷を逃がすことができる誘電体層の提供が望まれている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の発明者等は、誘電体層の薄膜化、導電性フィラーの増量を試みた。しかし、前者の誘電体層の薄膜化は、電極材料の誘電体層中への拡散を招き、誘電体層の膜質が劣化することで電極間の耐圧が著しく劣化することが判明した。後者の導電性フィラーの増量は、フィラー自体の凝集を引き起こし、パネル全面にわたって電荷保持特性を得ることができないことが判明した。
【００１０】
本発明の発明者等は、更に検討した結果、誘電体層の電荷保持量が特定の範囲になるように導電性又は半導体特性を有するフィラーを誘電体層に含有させることで、偶発放電や誘電体放電破壊を効果的に防止することができることを意外にも見い出し本発明に至った。
【００１１】
かくして本発明によれば、放電空間を挟み隔壁により分離された一対の基板と、少なくとも一方の前記基板の放電空間側の表面上に形成された電極と、該電極を覆う誘電体層とを備え、該誘電体層が、導電性又は半導体特性を示すフィラーを含有し、０．８ＫＶ以下の電荷保持量を有することを特徴とするガス放電パネルが提供される。
【００１２】
更に本発明によれば、上記ガス放電パネルの製造方法であって、フィラー及び誘電体材料を少なくとも含むペーストを電極を覆うように基板上に塗布し、得られた塗布膜を焼成することにより前記フィラーを含有する誘電体層を形成する工程を含むガス放電パネルの製造方法が提供される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明のガス放電パネルは、放電空間を挟み隔壁により分離された一対の基板と、少なくとも一方の前記基板の放電空間側の表面上に形成された電極と、該電極を覆う誘電体層とを備え、ガス放電を利用して表示を行うパネルであれば特に限定されず、例えばＰＤＰ、ＰＡＬＣ等が挙げられる。
本発明では、誘電体層が、導電性又は半導体特性を有するフィラーを含有し、０．８ＫＶ以下の電荷保持量を有することを特徴の１つとする。
【００１４】
本発明で使用できる誘電体層は、特に限定されず所定の電荷保持量を得ることができさえすれば公知の誘電体層を使用することができる。例えば、ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ５−ＳｉＯ系やＺｎＯ−Ｂ２Ｏ５−Ｂｉ系等の低融点ガラスからなる誘電体層が挙げられる。
また、本発明に使用できるフィラーとしては、酸化スズ、酸化インジウムスズ等の導電性フィラー、珪素、炭化珪素、酸化チタン等の半導体特性を有するフィラーが挙げられる。また、酸化シリコン、窒化ホウ素等の絶縁性粒子の表面、酸化スズ、酸化インジウムスズ等の導電性被膜又は、珪素、炭化珪素、酸化チタン等の半導体特性を有する被膜（例えば、０．０５〜２μｍの厚さ）を形成したフィラーであってもよい。フィラーの形状は、所定の電荷保持量を得ることができさえすれば特に限定されない。具体的には球状であることが好ましい。
【００１５】
上記フィラーの内、誘電体層材料（ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ５−ＳｉＯやＺｎＯ−Ｂ２Ｏ５−Ｂｉ系材料）との反応性の観点から酸化スズからなるフィラー又は被膜が好ましい。
フィラーの製法としては、例えば、▲１▼バルクを砕いて作製する方法、▲２▼化学的な合成手法がμｍオーダーの粒子を得る方法として挙げられる。この内、後者の方法は、粒径のバラツキが少ないため好ましい。更に、フィラーへの被膜の形成方法としては、ゾルゲル法が挙げられる。具体的には、被膜の前駆体溶液にフィラーを浸漬し、焼成することにより被膜を形成することができる。
更に、本発明では誘電体層が０．８ＫＶ以下の電荷保持量を有している。この電荷保持量が規定された理由を以下で説明する。
【００１６】
図２に電荷保持量と不具合発生率（偶発放電及び誘電体放電破壊の発生率）の関係を示す。また、電荷保持量は、誘電体層膜上にコロナ放電を用いて１０ＫＶを印加し、飽和した時の値を読みとった。その時、導電性フィラーを介して、アドレス電極より電荷がリークするようにパネルを作製する。電荷保持量と不具合発生率の関係を測定するために使用したパネルの構成を図１０に示す。
なお、電荷保持量は、シンド静電気社製ＳＴＡＴＩＣ  ＨＯＮＥＳＴＭＥＴＥＲ  Ｈ−０１１０型を用いて測定し、不具合発生率は、電荷保持量を予め測定した基板と同一条件で作製した基板をパネル化し、実欠陥数をカウントすることにより測定した。
【００１７】
図２には、電荷保持量が０．８ＫＶを超えたあたりから、不具合発生率が上昇していることが示されており、誘電体膜の電荷保持量が０．８ＫＶ以下にする必要があることがわかる。なお、電荷保持量の下限は、書き込み放電が可能である電荷保持量で決まる。今回の実験においては、０．４ＫＶでも十分に放電が発生していた。図２中、縦軸に沿う点線は電荷保持量０．８ＫＶのラインを意味する。
誘電体層の厚さは、所定の電荷保持量を得ることができさえすれば、特に限定されない。好ましい厚さは８μｍ以上である。なお、本発明において厚さは平均厚さを意味する。
【００１８】
図３に誘電体層の厚さと誘電体層欠陥幅との関係を示す。ここで、誘電体層欠陥幅とは、図４（ｄ）のαを意味する。具体的には、電極ａの表面には通常酸化膜ｂが形成されている（図４（ａ））。電極ａを覆うように誘電体層形成材料膜ｃを形成する（図４（ｂ））。誘電体層形成材料膜ｃを焼成すると、酸化膜ｄが誘電体層ｅに拡散する（図４（ｃ））。酸化膜が拡散限界を超えると誘電体層ｅｎｏ表面に欠陥を生じさせる（図４（ｄ））。欠陥の生じた幅αが誘電体層欠陥幅となる。
【００１９】
また、図３において、誘電体層の厚さは触針型段差測定機で測定した。更に、誘電体層は、ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスを使用し、焼成温度は、５９０℃とした。また、図３中、電極条件１は電極酸化膜約１０μｍを意味し、電極条件２は電極酸化膜約８μｍを意味し、電極条件３は電極酸化膜約５μｍを意味し、電極条件４は電極酸化膜約２μｍを意味し、電極条件５は電極酸化膜約０μｍを意味する。電極酸化膜厚は、電極断面をＳＥＭで観察し、ＳＥＭ付属の線幅測定器で測定した。電極条件は５から１にむかって酸化膜の拡散量が多くなる条件である。拡散量は、誘電体表面を金属顕微鏡で観察し、付属のスケールにより測定した値を意味する。
【００２０】
図３から、電極の材料の酸化膜の拡散量が変化しても、誘電体層欠陥幅αを抑制しうる、即ち、誘電体層の膜質が劣化しない誘電体層のより好ましい厚さは１０μｍ以上であり、特に好ましくは１１μｍ以上である。図３中、縦軸に沿う点線は厚さ１１μｍのラインを意味する。
次に、フィラーは、誘電体層の表面から突出していることが好ましい。
誘電体層の表面からフィラーが突出した量と電荷保持量の関係を図５及び６に示す。使用したフィラーは、球状の酸化シリコンの表面に酸化スズを０．２μｍの厚さで被覆した導電性フィラーである。図５では、平均粒径１２μｍのものを、図６では、平均粒径１８μｍのものを、それぞれ分級処理することで、粒径分布が１２±３μｍと１８±３μｍとした粒子を誘電体層に対して１体積％使用している。電荷保持量の測定方法は図１と同じである。
【００２１】
図５及び６から０．８ＫＶ以下の電荷保持量を確保するには、０μｍより大きな突出量が好ましいことがわかる。更に、隔壁形成工程での製造不良の発生を抑制するために突出量は１２μｍ以下であることが好ましいことがわかる。図５及び図６の左側の縦軸に沿う点線は、フィラーが誘電体層から突出した量が２μｍのラインを意味し、図６の右側の縦軸に沿う点線は１２μｍのラインを意味する。
誘電体層中のフィラーの含有量は、所定の電荷保持量を得ることができさえすれば、特に限定されない。
【００２２】
フィラー含有量と電荷保持量との関係を図７に示す。図７の測定条件は、フィラー含有量を変化させること以外は図５の条件と同じである。図７から０．８ＫＶ以下の電荷保持量を確保するには、１体積％以上含ませることが好ましいことがわかる。この含有量は、同じ電荷保持量を得ようとする場合、フィラーの粒度分布を調整していないものより少ない値であることを発明者等は確認している。なお、含有量の上限は、粒子凝集による工程不具合の観点から、３体積％である。図７中、縦軸に沿う点線はフィラー含有量が１体積％のラインを意味する。
【００２３】
誘電体層の形成方法は、特に限定されず公知の方法をいずれも使用することができる。例えば、フィラー及び誘電体材料を少なくとも含むペーストを電極を覆うように基板上に塗布し、得られた塗布膜を焼成することにより前記フィラーを含有する誘電体層を形成する方法が挙げられる。上記ペーストには、その粘度を調製するための増粘剤や溶剤を添加していもよい。
【００２４】
本発明のガス放電パネルを構成する基板、電極及び隔壁は、特に限定されず、当該分野で公知の基板、電極及び隔壁をいずれも使用することができる。
更に、本発明は、一対の表示電極を有する前面側基板と、表示電極と対向し誘電体層で覆われたアドレス電極を有する背面側基板とからなる３電極面放電構造のＡＣ型ＰＤＰにおいて、フィラーを含有する誘電体層を、アドレス電極を覆う誘電体層に使用することが好ましい。
以下では、本発明を使用可能な３電極ＡＣ型面放電ＰＤＰを図１を用いて説明する。
【００２５】
図１のＰＤＰ１００は、前面側基板と背面側基板とから構成される。
まず、前面側基板は、基板１１上に形成された複数本の表示電極、表示電極を覆うように形成された誘電体層１７、誘電体層１７上に形成され放電空間に露出する保護層１８とからなる。
基板１１は、特に限定されず、ガラス基板、石英ガラス基板、シリコン基板等が挙げられる。
【００２６】
表示電極は、ＩＴＯのような透明電極４１からなる。また、表示電極の抵抗を下げるために、透明電極４１上にバス電極（例えば、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造）４２を形成してもよい。
誘電体層１７は、ＰＤＰに通常使用されている材料から形成される。具体的には、低融点ガラスとバインダとからなるペーストを基板上に塗布し、焼成することにより形成することができる。
保護層１８は、表示の際の放電により生じるイオンの衝突による損傷から誘電体層１７を保護するために設けられる。保護層１８は、例えば、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ等からなる。
【００２７】
次に、背面側基板は、基板２１上に前記表示電極と交差する方向に形成された複数本のアドレス電極Ａ、アドレス電極Ａを覆う誘電体層２７、隣接するアドレス電極Ａ間で誘電体層２７上に形成された複数のストライプ状の隔壁２９、隔壁２９間に壁面を含めて形成された蛍光体層２８とからなる。なお、図１中、Ｒ、Ｇ及びＢは赤色、緑色及び青色の発光を生じる単位発光領域（放電セル）を意味する。
基板２１には、前記前面側基板を構成する基板１１と同種類のものを使用することができる。
【００２８】
誘電体層２７には、フィラーを含み、０．８ＫＶ以下の電荷保持特性の上記本発明の誘電体層を使用することができる。
アドレス電極Ａは、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ等の金属層や、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造からなる。
隔壁２９は、低融点ガラスとバインダとからなるペーストを誘電体層２７上に塗布し、乾燥した後、サンドブラスト法で切削することにより形成することができる。また、バインダに感光性の樹脂を使用した場合、所定形状のマスクを使用して露光及び現像した後、焼成することにより形成することも可能である。
【００２９】
蛍光体層２８の形成方法は、特に限定されず、公知の方法が挙げられる。例えば、溶媒中にバインダが溶解された溶液に蛍光体と無機酸化物とを分散させたペーストを、隔壁２９間に塗布し、不活性雰囲気下で焼成することにより蛍光体層２８を形成することができる。
次に、上記前面側基板と背面側基板を、表示電極（４１、４２）とアドレス電極Ａが直交するように、両電極を内側にして対向させ、隔壁２９により囲まれた空間に放電ガスを充填することによりＰＤＰ１００を形成することができる。
【００３０】
【実施例】
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１
球状の酸化シリコン粒子１の表面に酸化スズ２を０．２μｍコーティングした平均粒径１２μｍの粒子を、分級処理することで、粒度分布１２±３μｍのフィラー３ａを得た。次に、アドレス電極Ａ（材質：Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）が膜厚２μｍで形成された基板２１上に、フリットガラス（７８重量％）、前記フィラー（１重量％）、エチルセルロース系バインダ（〜２重量％）を混合したペーストを印刷することで塗布膜を形成し、コンベア型焼成炉で５９０℃で３０分間焼成することにより、厚さ８μｍの誘電体層２７を形成した。得られた誘電体層２７には、フィラー３ａが平均４μｍ表面から露出していた。誘電体層２７の電荷保持量を測定したところ０．７８ＫＶであった。
【００３１】
次に、公知の方法にて隔壁２９及び蛍光体層２８を形成することで背面側基板を得た。
更に、公知の方法にて得られた基板１１上に透明電極とバス電極からなる表示電極４、誘電体層１７（厚さ３０μｍ）及び保護膜１８を有する前面側基板と対向させて、周囲を封止し、放電ガスを注入することで図８（ａ）及びその一部拡大図である８（ｂ）に示す構成の３電極面放電ＰＤＰを得た。
【００３２】
なお、具体的なＰＤＰの構成を下記する。
表示電極    透明電極幅：２８０μｍ、バス電極幅１００μｍ
表示電極間の放電ギャップ  １００μｍ
隔壁の高さ  １００μｍ
隔壁の配列ピッチ  ３６０μｍ
Ｎｅ−Ｘｅ（５％）の放電ガス
ガス圧  ５００Ｔｏｒｒ
得られたＰＤＰは、偶発放電や誘電体層放電破壊の発生はなかった。
【００３３】
実施例２
粒度分布１４±３μｍのフィラーを使用し、誘電体層の厚さを１２μｍとしたこと以外は実施例１と同様にして背面側基板を得た。得られた誘電体層には、フィラーが平均２μｍ表面から露出していた。誘電体層の電荷保持量を測定したところ０．７１ＫＶであった。
実施例１と同様にしてＰＤＰを作製したところ、偶発放電や誘電体層放電破壊の発生はなかった。
なお、実施例１のＰＤＰは、誘電体層の厚さが薄いため、アドレス電極に発生する酸化膜の拡散による誘電体層に欠陥が発生し、表示特性が問題が生じる場合があったが、実施例２のＰＤＰでは、そのような問題は生じなかった。
【００３４】
比較例１
平均粒径８μｍのＣｒ粒子からなるフィラー３ｂを２重量％使用し、誘電体層の厚さを１０μｍとすること以外は、実施例１と同様にして背面側基板を得た。誘電体層の電荷保持量を測定したところ１．５７ＫＶであった。
実施例１と同様にしてＰＤＰを作製したところ、偶発放電や誘電体層放電破壊が発生していた。図９（ａ）は比較例１のＰＤＰの断面図、図９（ｂ）は図９（ａ）の一部拡大図である。
【００３５】
比較例２
平均粒径８μｍのＣｒ粒子からなるフィラーを６重量％使用すること以外は、実施例１と同様にして背面側基板を得た。得られた誘電体層中にはフィラーの凝集状態が確認された。誘電体層の電荷保持量を測定したところ、面内でばらついており測定不能であった。
実施例１と同様にしてＰＤＰを作製したところ、偶発放電や誘電体層放電破壊が発生していた。
【００３６】
【発明の効果】
本発明によれば、ガス放電パネルを構成する誘電体層が、導電性又は半導体特性を有するフィラーを含有し、０．８ＫＶ以下の電荷保持量を有することで、偶発放電や誘電体放電破壊が防止されたガス放電パネルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】３電極面放電構造のＡＣ型ＰＤＰの概略斜視図である。
【図２】電荷保持量と不具合発生率（偶発放電及び誘電体放電破壊の発生率）の関係を示すグラフである。
【図３】誘電体層の厚さと誘電体層欠陥幅との関係を示すグラフである。
【図４】誘電体層欠陥幅を説明するための図である。
【図５】フィラーが誘電体層の表面から突出した量と電荷保持量の関係を示すグラフである。
【図６】フィラーが誘電体層の表面から突出した量と電荷保持量の関係を示すグラフである。
【図７】フィラー含有量と電荷保持量との関係を示すグラフである。
【図８】実施例１のＰＤＰの断面図である。
【図９】比較例１のＰＤＰの断面図である。
【図１０】電荷保持量と不具合発生率の関係を測定するために使用したパネルの構成図である。
【符号の説明】
１  酸化シリコン粒子
２  酸化スズ
３ａ、３ｂ  フィラー
４  表示電極
１１、２１  基板
１７、２７  誘電体層
１８  保護層
２８  蛍光体層
２９  隔壁
４１  透明電極
４２  バス電極
１００  ＰＤＰ
Ａ  アドレス電極
Ｒ  赤色の発光を生じる領域
Ｇ  緑色の発光を生じる領域
Ｂ  青色の発光を生じる領域
ａ  電極
ｂ  酸化膜
ｃ  誘電体層形成材料膜
ｄ  拡散した酸化膜
ｅ  誘電体層
α  誘電体層欠陥幅
【図１】
2004265719.tif 000003
【図２】
2004265719.tif 000004
【図３】
2004265719.tif 000005
【図４】
2004265719.tif 000006
【図５】
2004265719.tif 000007
【図６】
2004265719.tif 000008
【図７】
2004265719.tif 000009
【図８】
2004265719.tif 000010
【図９】
2004265719.tif 000011
【図１０】
2004265719.tif 000012