(57)【要約】      （修正有）【課題】可撓性基板下に剛性の低い樹脂層等が存在する回路基板において安定した高精度な半導体素子等の接続を行う。【解決手段】補強板２０１に剥離可能な固定用材料２０２を介して回路パターン１０４を有する可撓性基板１０３が固定された回路基板用部材であって、補強板２０１の可撓性基板１０３の貼り合わせ側の表面の一部もしくは可撓性基板１０３の補強板２０１貼り合わせ側の表面の一部に、支持層１０４ａがあることを特徴とする回路基板用部材。【選択図】  図３
2004319660.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
補強板に剥離可能な固定用材料を介して、少なくとも片面に回路パターンを有する可撓性基板が回路パターン面を補強板側にして固定された回路基板用部材であって、補強板の可撓性基板の貼り合わせ側の表面の一部もしくは可撓性基板の補強板貼り合わせ側の表面の一部に、支持層があることを特徴とする回路基板用部材。
【請求項２】
補強板と支持層が同じ材質である請求項１記載の回路基板用部材。
【請求項３】
支持層が可撓性基板表面に形成されている金属層である請求項１記載の回路基板用部材。
【請求項４】
電子部品が実装されている請求項１記載の回路基板用部材。
【請求項５】
電子部品を実装する箇所に支持層がある請求項１記載の回路基板用部材。
【請求項６】
補強板表面の一部もしくは可撓性基板表面の一部に支持層を設け、支持層を補強板と可撓性基板で挟み込むように剥離可能な固定用材料を介して可撓性基板を補強板に固定し、可撓性基板に回路パターンを形成し、電子部品を実装してから補強板を剥離することを特徴とする回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路基板用部材および回路基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体素子の高性能化、小型に伴い、半導体素子を搭載する回路基板の配線密度の高密度化が重要な技術課題となっている。
【０００３】
フレキシブル回路基板は、ガラスエポキシ系のプリント基板と比較して表面が平滑であるため、ガラスエポキシ系のプリント基板上よりも微細な配線形成が可能である。配線を更に高密度化することが求められているが、フィルムの寸法安定性が課題となって、４０μｍピッチ未満のフレキシブル回路基板実現が難しくなっている。
【０００４】
そこでフレキシブル回路基板を剥離可能な有機物を介して補強板に貼り付け、寸法精度を維持する方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。この方法によると金属やガラス等の寸法変化が小さく、可逆的な材料を補強板に用いることで、フレキシブル回路基板上の回路パターンの寸法精度を±０．０１％以下に抑えることが可能である。
【０００５】
半導体素子とフレキシブル回路基板の接続方法は、多数の接続部を一括で接合する接合方法が採用されている。このような接合方法は、回路基板の接合部である端子部表面に形成された錫、金、ハンダ等の金属層と、半導体素子等の接合部である端子部に形成された金やハンダ等の金属層とを加熱圧着し、金属接合させる方法（例えば特許文献２参照）、回路基板の接合部である端子部表面に形成された錫、金、ハンダ等の金属層と、半導体素子等の接合部である端子部に形成された金やハンダ等の金属層とを圧着しつつ、回路基板と半導体素子の間に配置した異方導電性接着剤または非導電性接着剤を硬化させ、機械的に接合する方法が挙げられる（例えば特許文献３参照）。いずれの方法でも接合部分は局所的に１４０℃から４００℃の温度で１秒から数分加熱され、一端子あたり０．０５Ｎから０．５Ｎと大きな圧力がかけられる。このときフレキシブル回路基板下に剛性の低い樹脂層等が存在すると、接合端子の沈み込みが発生する恐れがある。端子の沈み込みは、端子の接続不良や半導体素子の端子部以外での回路パターンとの接触による絶縁不良等の原因になる。
【０００６】
【特許文献１】
国際公開第０３／００９６５７号パンフレット
【０００７】
【特許文献２】
特開２０００−３１１９２２号公報（第２〜３頁）
【０００８】
【特許文献３】
特開２０００−３２３５２３号公報（第２〜３頁）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
一方、特許文献１にあるように、可撓性基板を用いたフレキシブル回路基板を剥離可能な有機物を介して補強板に貼り付け寸法精度を維持する方法で両面回路基板を作製する場合、可撓性基板に、半導体素子等を実装する端子とは反対側の面に回路パターンが存在する。このため、可撓性基板と補強板との間に、端子の反対側にある回路パターンの有無に対応して、空隙部分ができる。さらには半導体素子等を実装する端子とは反対側の面の回路が、ソルダーレジストで被覆された場合は、回路パターンの有無に加えてソルダーレジストの有無も空隙発生箇所に関わるとともに、可撓性基板の下に剛性の低い樹脂層や空隙を設置することになり、加熱圧着による端子接合部分の沈み込みが発生しやすく、端子の接続不良や半導体素子の端子部以外での回路パターンとの接触による絶縁不良等の発生が高まる。
【００１０】
本発明の目的は、上記の問題点を解決し、信頼性が高い両面回路基板用部材および両面回路基板の製造方法を提供する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記本発明の目的を達成するために、本発明は以下の構成および製造方法からなる。
（１）補強板に剥離可能な固定用材料を介して少なくとも片面に回路パターンを有する可撓性基板が回路パターン面を補強板側にして固定された回路基板用部材であって、補強板の可撓性基板の貼り合わせ側の表面の一部もしくは可撓性基板の補強板貼り合わせ側の表面の一部に支持層があることを特徴とする回路基板用部材。
（２）補強板と支持層が同じ材質である上記（１）記載の回路基板用部材。
（３）支持層が可撓性基板表面に形成されている金属層である上記（１）記載の回路基板用部材。
（４）電子部品が実装されている上記（１）記載の回路基板用部材。
（５）電子部品を実装する箇所に支持層がある上記（１）記載の回路基板用部材。
（６）補強板表面の一部もしくは可撓性基板表面の一部に支持層を設け、支持層を補強板と可撓性基板で挟み込むように剥離可能な固定用材料を介して可撓性基板を補強板に固定し、可撓性基板に回路パターンを形成し、電子部品を実装してから補強板を剥離することを特徴とする回路基板の製造方法。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の回路基板用部材および回路基板の製造方法について以下にさらに詳しく説明する。
【００１３】
本発明に用いる可撓性基板は、プラスチックフィルムであって、回路パターン製造工程およびＩＣチップやトランジスタ、コンデンサー、抵抗器などの電子部品実装での熱プロセスに耐えるだけの耐熱性を備えていることが好ましく、ポリカーボネート、ポリエーテルサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミド、ポリアミド、液晶ポリマーなどのフィルムを採用することができる。中でもポリイミドフィルムは、耐熱性に優れるとともに、耐薬品性にも優れているので好適に採用される。可撓性のガラス繊維補強樹脂板を可撓性基板に採用することも可能である。ガラス繊維補強樹脂板の樹脂は、エポキシ樹脂、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンエーテル、マレイミド、ポリアミド、ポリイミドなどが挙げられる。
【００１４】
可撓性基板の厚さは、電子機器の軽量化、小型化、あるいは微細なビアホール形成のためには薄い方が好ましく、一方、機械的強度を確保するためや平坦性を維持するためには厚い方が好ましいため、４μｍから１２５μｍの範囲が好ましい。
【００１５】
これらの可撓性基板には、片面の配線の寸法精度がそれほど要求されない場合は、補強板との貼り付けに先立って、片面に金属層による回路が形成されてもよい。金属層は、銅箔などの金属箔を接着剤層で貼り付けて形成することができる他、スパッタやめっき、あるいはこれらの組合せで形成することができる。また、銅などの金属箔の上に可撓性基板の原料樹脂あるいはその前駆体を塗布、乾燥、キュアすることで、金属層付き可撓性基板を得ることもできる。
【００１６】
また、可撓性基板上に回路形成後、絶縁樹脂層の原料あるいはその前駆体をコーティングして、さらにその上に回路を形成することで多層回路基板を作製することも可能である。
【００１７】
本発明は両面回路基板に関わり、可撓性基板の補強板に貼り合わせる側の面に回路パターンが形成されている形態で好ましく用いられる。
【００１８】
補強板に用いられる材料は、ソーダライムガラス、ホウケイ酸系ガラス、石英ガラスなどの無機ガラス類、銅、ステンレススチール、インバー合金、チタンなどの金属やガラス繊維補強樹脂板などが採用できる。いずれも線膨張係数や吸湿膨張係数が小さい点で好ましいが、回路パターン製造工程の耐熱性、耐薬品性に優れている点や、大面積で表面平滑性が高い基板が安価に入手しやすい点や、塑性変形しにくい点、あるいは接触によりパーティクルを発生しにくい点で、無機ガラス類が好ましい。中でもアルミノホウケイ酸塩ガラスに代表されるホウケイ酸系ガラスは、高弾性率でかつ熱膨張係数が小さいため特に好ましい。
【００１９】
金属やガラス繊維補強樹脂を補強板に採用する場合は、長尺連続体での製造もできるが、位置精度を確保しやすい点で、本発明の製造方法は枚葉式で行うことが好ましい。枚葉とは、長尺連続体でなく、個別のシート状でハンドリングされる状態を言う。
【００２０】
補強板にガラス基板を用いる場合、ガラス基板のヤング率が小さかったり、厚みが小さいと絶縁樹脂層の膨張・収縮力で反りやねじれが大きくなり、平坦なステージ上に真空吸着したときにガラス基板が割れることがある。また、真空吸着・脱着で可撓性基板が変形することになり、位置精度の確保が難しくなる。一方、ガラス基板が厚いと肉厚ムラにより平坦性が悪くなることがあり、露光精度が悪くなる。また、ロボットなどによるハンドリングに負荷が大きくなり、素早い取り回しが難しくなって生産性が低下する要因になる他、運搬コストも増大する。したがって、補強板であるガラス基板の厚さは０．３ｍｍから１．１ｍｍの範囲が好ましい。
【００２１】
補強板に金属板を用いる場合、金属板の厚みが小さいと可撓性基板上に回路形成したり、可撓性基板上に絶縁樹脂層を形成して多層基板を作製する際に、可撓性基板や絶縁樹脂層の膨張・収縮力で反りやねじれが大きくなり、平坦なステージ上に真空吸着しできなくなったり、金属板の反りやねじれ分、可撓性基板や絶縁樹脂層が変形することにより、位置精度の確保が難しくなる。また、折れがあるとその時点で不良品になる。一方、金属板が厚いと肉厚ムラにより平坦性が悪くなることがあり、露光精度が悪くなる。また、ロボットなどによるハンドリングに負荷が大きくなり、素早い取り回しが難しくなって生産性が低下する要因になる他、運搬コストも増大する。したがって、補強板である金属板の厚さは０．１ｍｍから１ｍｍの範囲が好ましい。
【００２２】
剥離可能な固定用材料は、工程中において補強板と可撓性基板もしくは多層化するために、可撓性基板上に形成された絶縁樹脂層を一時的に固定できるものであれば特に制限はなく、通常は、接着剤または粘着剤で、可撓性基板もしくは絶縁樹脂層を貼り付けて加工した後、可撓性基板または絶縁樹脂層を剥離し易いものが挙げられる。また、可撓性基板上もしくは絶縁樹脂層上に回路形成された場合でも同様に剥離し易いものが好ましい。
【００２３】
このような剥離可能な固定用材料は、アクリル系またはウレタン系の再剥離剤と呼ばれる粘着剤などを挙げることができる。加工中は十分な接着力があり、剥離時は容易に剥離でき、絶縁樹脂層や絶縁樹脂基板に歪みを生じさせないために、弱粘着と呼ばれる領域の粘着力のものが好ましい。また、剥離時には補強板の方にくっついて除去されるものであることが好ましい。このように、剥離時に補強板にくっついて除去されるようにするためには、補強板にシランカップリング剤塗布などのプライマー処理を行い、補強板と剥離可能な固定用材料との接着力を向上させる手段があげられる。プライマー処理以外の接着力向上の方法としては、補強板表面の紫外線処理、紫外線オゾン処理による洗浄や、ケミカルエッチング処理、サウンドブラスト処理、あるいは微粒子分散層形成などの表面処理も好適に用いられる。
【００２４】
シリコーン樹脂膜は離型剤として用いられることがあるが、本発明ではタック性があるシリコーン樹脂は、再剥離粘着剤として使用することができる。具体的にはテトラオキシムラシ、ビニルトリオキシムシランなどが好適に用いられる。また、タック性があるエポキシ系樹脂を再剥離粘着剤として使用することも可能である。
【００２５】
本発明において剥離可能な固定用材料が有する好ましい粘着力は、常温下における補強板に貼り付けた１ｃｍ幅の可撓性基板を剥離したときの１８０度方向ピール強度で測定される。粘着力を測定するときの剥離速度は３００ｍｍ／分とした。ここで、弱粘着領域とは、上記の条件で測定された粘着力が０．０１Ｎ／ｃｍから１Ｎ／ｃｍの範囲をいう。その中でも剥離可能な固定用材料として用いるには、剥離する際に０．０１Ｎ／ｃｍから０．５Ｎ／ｃｍの範囲であるものがより望ましい。補強板と可撓性基板の剥離力（粘着力）が１Ｎ／ｃｍより大きい場合は、剥離角が大きくなることで、金属層が変形し、反りが発生することがある。また逆に、固定材の粘着力が０．０１Ｎ／ｃｍより小さい場合、配線形成時の熱処理プロセスやウエットプロセス中に受ける応力により可撓性基板が補強板より剥離してしまうことがある。
【００２６】
本発明で用いる固定用材料は、低温領域で接着力、粘着力が減少するもの、紫外線照射で接着力、粘着力が減少するものや、加熱処理で接着力、粘着力が減少するものも好適に用いられる。これらの中でも紫外線照射によるものは、接着力、粘着力の変化が大きく好ましい。紫外線照射で接着力、粘着力が減少するものは、２液架橋型のアクリル系粘着剤が挙げられる。また、低温領域で接着力、粘着力が減少するものは、結晶状態と非結晶状態間を可逆的に変化するアクリル系粘着剤が挙げられる。
【００２７】
剥離可能な固定用材料に用いる液状のコーティング剤を塗布するには、ウエットコーティング法が好ましく用いられる。ウエットコーティング装置は、スピンコーター、ロールコーター、バーコーター、ブレードコーター、ダイコーター、スクリーン印刷、ディップコーター、スプレイコーターなどの種々のものが採用できるが、枚葉の補強板に剥離可能な固定用材料を直接塗布したり、枚葉の絶縁樹脂層や絶縁樹脂基板上に絶縁樹脂層に用いる液状の絶縁樹脂コーティング剤を直接塗布する場合、ダイコーターの採用が好ましい。
【００２８】
すなわち、枚葉基板へのウエットコーティング法は、スピンコーターが一般的であるが、基板の高速回転による遠心力と基板への吸着力とのバランスで厚みをコントロールするため、塗液の使用効率が１０％以下と非効率である。また、回転中心は遠心力が加わらないため、チクソ性がある塗液が均一に塗布できない欠点がある他、塗液の粘度が高いと濡れ拡がりが悪いため均一に塗布できないことがある。
【００２９】
また、ロールコーター、バーコーター、ブレードコーターには、様々なタイプが提案されているが、いずれも安定した塗布厚みを得るには、通常、塗液吐出開始後に数ｃｍから数ｍ以上の塗布長さが必要であるため、枚葉基板へのコーティングには適さない場合がある。
【００３０】
スクリーン印刷、ディップコーター、スプレイコーターは、コーティング厚み精度が出にくい点や、塗液流動特性に対する許容幅が狭い点、また、ディップコーター、スプレイコーターは、厚膜が塗布しにくい点で適用が難しい。
【００３１】
一方、ダイコーターは、他の方法と異なり、間欠動作できる定量ポンプ、基板と塗布ヘッドとを相対的に移動させる機構、および定量ポンプ、基板、塗布ヘッドを総合的に制御するシステムとを組合せることにより、塗布開始部分と塗布終了部分の膜厚ムラを０．１μｍから数μｍ未満に抑えて、枚葉基板に塗布することができる。間欠動作できる定量ポンプの例は、ギアポンプ、ピストンポンプなどが挙げられる。剥離可能な固定用材料は、一般的なフォトレジストに比べて、一般に粘度が高いため、スピンコーターの適用は難しく、特にダイコーターの採用が好ましい。
【００３２】
剥離可能な固定用材料は、補強板に直接塗布しても良いし、長尺フィルムなどの別の基体に付与してから補強板に転写しても良い。転写を用いる場合は、塗布膜厚が均一な部分だけを採用することができるが、工程が増えたり、転写用の別の基体が必要になる。また、剥離可能な固定用材料を絶縁樹脂基板に付与してから、補強板に接合することもできる。この場合は、絶縁樹脂基板の剥離時に、剥離可能な固定用材料の層が補強板側に残るように、剥離可能な固定用材料の層と補強板表面の粘着力を大きくするための工程、あるいは、剥離後に絶縁樹脂層側に残った有機物層を除去する工程が付加され、生産性が低下することがある。
【００３３】
本発明では、補強板を酸やアルカリなどでエッチング除去することで回路基板を補強板から分離することも可能であり、回路基板に応力を加えずに剥離できるので好ましい。このとき剥離可能な固定用材料を用いることにより、分離後の回路基板からの固定用材料の除去が容易になる。補強板エッチングに先立ち配線や電子部品を保護するエッチングレジストを被覆することが望ましい。
【００３４】
本発明に用いる支持層とは、電子部品の接合時に接合用端子が沈み込まないように支持するための層で、少なくとも接合端子下部に設置する。支持層の材料は補強板と同様に高弾性率でかつ熱膨張係数が小さいものが好ましく、具体的にはソーダライムガラス、ホウケイ酸系ガラス、石英ガラスなどの無機ガラス類、銅、ステンレススチール、インバー合金、チタンなどの金属やガラス繊維補強樹脂等の補強板と同材質である材料が挙げられる。
【００３５】
支持層を設置する位置は、主に可撓性基板上に設置する場合と補強板上に設置する場合がある。可撓性基板上に支持層を形成する場合は、接続端子が設けられた面とは反対側の面であって、少なくとも接続端子直下を含む位置に支持層を設ける。支持層の厚みは、基板の平坦性を損なわない程度であることが好ましい。すなわち、裏面に回路パターンを被覆する樹脂層やソルダーレジストがある場合はその厚み以下、多層基板の場合は絶縁層の層厚み以下が望ましい。具体的には１〜１００μｍが望ましいが、裏面の回路パターンの厚みと同じすると平坦性が維持しやすいので、通常の回路パターン厚に相当する５〜３０μｍがより望ましい。支持層の設置方法は、板材を本発明で用いる固定用材料などを介して可撓性基板に貼り付ける方法と、支持層として回路パターンと同じ金属層を回路形成時に同時に設ける方法がある。
【００３６】
補強板と同じ材質の支持層を本発明で用いる固定用材料などを介して可撓性基板に貼り付ける方法では、接続端子が設けられた面とは反対側の面であって、少なくとも接続端子直下を含む位置では、ソルダーレジストを開口させることが好ましい。この開口させたエリアに、補強板と同じ材質の支持層を本発明で用いる固定用材料を介して可撓性基板に貼り付ける。支持層を貼り付けた後、可撓性基板は固定用材料を介して補強板に固定されるが、貼り付けた支持層の厚みは、補強板固定後の接続端子が設けられる可撓性基板表面の平坦性を損なわないものが望ましい。すなわち支持層の厚みは、ソルダーレジストの厚みと同じ程度であることが好ましい。
【００３７】
回路形成時に支持層を形成する場合は、支持層部はベタ電極パターンとして回路パターンの一部として形成できるため、製造プロセスを短くできる。このとき、接続用端子直下に金属を充填したビアを支持層に接続する形状で設置すると、端子の沈み込みが小さくできより好ましい。金属を充填するビア形成方法は、めっきによる方法と金属ペーストを充填する方法が挙げられる。また、支持層と放熱目的のヒートスラグを兼ねて、熱伝導率の優れた銅やアルミニウムなどの金属を用いることが好ましい。この場合は接続用端子直下に、熱伝導を目的としたサーマルビアを支持層に接続するように設置することが有効である。
【００３８】
補強板上に支持層を設置する場合は、少なくとも補強板上に固定される可撓性基板上の接続用端子が位置する場所に、支持層を設置する。この場合、支持層と可撓性基板の間にソルダーレジスト等の剛性の低い樹脂層が存在していないことが好ましい。可撓性基板と支持層の間に剛性の低い樹脂層が形成されると、支持層の効果が小さくなり接続用の端子の沈み込みが発生しやすいためである。支持層と可撓性基板の間を固定用材料を用いて接着させる場合は、固定用材料をできるだけ薄くすることが好ましい。この場合、固定用材料の厚みは０．１〜１０μｍであることが好ましく、０．３〜５μｍであることがさらに好ましい。
【００３９】
可撓性基板にソルダーレジスト等の樹脂層が被覆されている場合は、支持層の接触部にある樹脂層を除去することが好ましく、このとき可撓性基板は支持層接触部が凹む形状になる。補強板上に支持層が設置されたとき、支持層は凸状になる。可撓性基板を補強板に固定する際には、可撓性基板の支持層接触部の凹みと補強板上の支持層の凸部が噛み合う形態が好ましい。ここで支持層の厚みは基板の平坦性を損なわない程度のものが望ましい。裏面に回路パターンを被覆する樹脂層やソルダーレジストがある場合はその厚み以下、多層基板の場合は絶縁層の層厚み以下が望ましい。具体的には１〜１００μｍが望ましいが、裏面の回路パターンの厚みと同じすると平坦性が維持しやすいので、通常の回路パターン厚に相当する５〜３０μｍがより望ましい。支持層を補強板上に設ける方法は板材を本発明で用いる固定用材料などを介して補強板に貼り付ける方法と、凸部の有する補強板を作り、補強板上の凸部を支持層として使用する方法がある。凸部のある補強板は、平板の補強板を部分的にハーフエッチングする方法や、金属板を金型プレスすることで凸部を形成する方法などによって得ることができる。線膨張係数の異なる材料を貼り合わせたときに発生しやすい反りがないため、支持層を補強板上に設ける場合は支持層が補強板と同じ材質であることが好ましい。
【００４０】
回路パターンはセミアディティブ法またはフルアディティブ法で作製することが微細化に有利であるため望ましいが、サブトラクティブ法を用いることも可能である。また、回路パターン形成に用いる金属は特に限定されないが、金、銀、銅、アルミニウム等が挙げられ、中でも安価で電気伝導性の優れる銅が望ましい。以下、銅を例に説明する。
【００４１】
セミアディティブ法では可撓性基板である絶縁樹脂基板表面全体に、無電解銅めっきまたはスパッタにより薄い銅層を形成する。無電解銅の場合、銅の厚さは０．５〜２．０μｍが望ましい。スパッタの場合、１〜２０ｎｍのニッケルクロム合金層またはクロム金属層を形成後、厚さ２００ｎｍ程度の銅スパッタ層を形成する。
【００４２】
続いて薄い銅層の表面全体に感光性レジストを被覆させる感光性レジストは、液状のものをスピナー、ロールコーター、ダイコーター等で塗布する方法と、フィルム状の感光性レジストをラミネートする方法がある。感光レジストを被覆後、露光現像処理等して、ビア導体と回路パターンが形成される部分のレジストを除去してめっきレジストパターンを形成することができる。
【００４３】
この後、上記の銅スパッタ層の内、めっきレジストパターンから露出する部分に電解銅めっきにて銅層を形成する。この電解銅めっき層の膜厚は、厚い方が配線抵抗を小さくできるため望ましいが、めっきレジストパターン厚みと解像度により上限が決定される。解像度限界のめっきレジストパターン厚みは、回路パターンの配線間距離により決定される。例えば配線間距離が１０〜１５μｍの時、めっきレジストパターン厚は１５〜１８μｍ以下となり、電解銅めっき厚はそれ以下となる。ただし、銅めっきにて回路パターンと支持層を同時に形成する場合は支持層の剛性を大きくする必要があり、銅が厚いことが望ましく、１０μｍ以上が好ましい。
【００４４】
電解銅めっき後、剥離液を用いてめっきレジストパターンを剥離除去する。その後、銅スパッタ層の厚みだけ表面の銅をソフトエッチングすると、配線間に存在した不要な銅スパッタ層が除去され回路パターンが形成される。
【００４５】
可撓性基板には、補強板との貼り付けに先立って、貼り付け面である一方の面に、回路パターンおよび位置合わせ用マークが形成されていてもよい。位置合わせマークは、補強板が透明な補強板である場合は、補強板を通して読みとっても良いし、絶縁樹脂基板を通して読みとっても良いが、絶縁樹脂基板の接合した面とは反対側に金属層が形成されている場合は、金属層のパターンによらず読み取りができることから補強板側からの読み取りが好ましい。この位置合わせマークは、回路基板を補強板に固定する際の位置合わせにも利用することができる。位置合わせマークの形状は特に限定されず、露光機などで一般に使用される形状が好適に採用できる。
【００４６】
回路パターンの表面は、必要に応じて０．２〜３μｍの凹凸のある表面に粗化してもよい。回路パターンの表面粗化によって、回路パターン表面に設けられる樹脂との密着力が向上する。回路パターンを粗化する方法は、回路パターンに次亜燐酸を用いたニッケル銅合金の無電解めっきによる針状めっきを成長させる方法、過酸化水素ー硫酸系エッチング液、有機酸系エッチング液によるエッチングによる方法等が挙げられる。
【００４７】
本発明における実施の形態を下記に例を挙げて説明する。
【００４８】
まず本発明の実施の形態１を図１、図２、図３、図４を用いて説明する。可撓性基板である２５μｍ厚のポリイミドフィルム１０３を、剥離可能な固定用材料１０２を介して、平坦なガラス補強板１０１に固定する。可撓性基板１０３上に、回路パターン１０４を形成する（図１−（１））。回路パターン形成時に銅めっき層で支持層１０４ａを形成する。
【００４９】
回路パターン１０４と支持層１０４ａを、ソルダーレジスト層１０６で被覆しする（図１−（２））。ソルダーレジスト層１０６で被覆したので回路パターン１０４と支持層１０４ａによる凹凸が埋まり、表面が平坦になる。
【００５０】
次に、ソルダーレジスト層１０６を剥離可能な固定材料２０２を介して、第２のガラス補強板２０１に貼り付けてから（図１−（３））、第１のガラス補強板１０１と剥離可能な固定用材料１０２を基板１０３から剥離する（図１−（４））。
【００５１】
次に可撓性基板１０３にビア１０５を形成する（図２−（１））。ビア１０５の加工にはレーザー装置を用いる。レーザー加工後、ビア底の樹脂残りとレーザーの熱の影響により酸化したビア底に露出した金属表面に対し、清浄目的でデスミアとソフトエッチングを行う。
【００５２】
次にビアホール１０５と可撓性基板１０３上に、回路パターン２０４を形成する（図２−（２））。半導体素子と接合する端子部以外の回路パターン２０４をソルダーレジスト層２０６で被覆する（図２−（３））。次に半導体素子と接合する端子部に端子用被覆用めっき２０７を被覆する（図２−（４））。以上の工程で回路基板用部材の製造が完了する。この後、半導体素子を実装したときの形態を図３に、半導体素子を実装後に補強板２０１と固定材料２０２を剥離した形態を図４に示す。
【００５３】
以上説明した本実施形態１によれば、半導体素子を実装する端子の裏側に回路パターンと同じ材質の支持層があるため、加熱圧着して半導体端子実装する際に半導体素子を実装する端子の沈み込みを抑制することができる。
【００５４】
次に本発明の実施の形態２を図５、図６、図７、図８を用いて以下に説明する。可撓性基板である２５μｍ厚のポリイミドフィルム可撓性基板１０３を、剥離可能な固定用材料１０２を介して平坦なガラス補強板１０１に固定する。そして可撓性基板１０３上に、回路パターン１０４を形成する（図５−（１））。このとき半導体素子の接合されるエリア直下には回路パターンを形成しない。回路パターン１０４をソルダーレジスト層１０６で被覆する（図５−（２））。ソルダーレジスト層１０６は半導体素子の接合されるエリア直下には形成しない。
【００５５】
次にガラス板である支持層３０１の表面に剥離可能な固定材料３０２を形成し、同じ剥離可能な固定材料２０２を介して第２のガラス補強板２０１に貼り付けてから（図５−（３））、可撓性基板１０３表面が露出している凹部に支持層３０１を挿入するように固定材料２０２、固定材料３０２を介して可撓性基板を補強板２０１に固定する（図５−（４））。その後第１のガラス補強板１０１と剥離可能な固定用材料１０２を基板１０３から剥離する（図６−（１））。
【００５６】
次に実施の形態１と同様に可撓性基板１０３にビア１０５を形成し（図６−（２））、デスミアとソフトエッチングを行う。次にビアホール１０５と可撓性基板１０３上に回路パターン２０４を形成する（図６−（３））。半導体素子と接合する端子部以外の回路パターン２０４をソルダーレジスト層２０６で被覆する。次に半導体素子と接合する端子部に端子用被覆用めっき２０７を被覆するした（図６−（４））。以上の工程で回路基板用部材の製造が完了する。この後、半導体素子を実装したときの形態を図７に、実装後に補強板２０１と固定材料２０２を剥離した形態を図８に示す。
【００５７】
以上説明した本実施形態２によれば、半導体素子を実装する端子の裏側に補強板と同じ材質の支持層があるため、加熱圧着して半導体端子実装する際に半導体素子を実装する端子の沈み込みを抑制することができる。
【００５８】
次に、本発明の実施形態３を図１、図９、図１０を用いて説明する。実施の形態１と同様にして回路パターン１０４と支持層１０４ａを形成し、回路パターン１０４と支持層１０４ａをソルダーレジスト層１０６で被覆する（図１−（２））。実施の形態１と同じものをソルダーレジスト層１０６で被覆したことにより回路パターン１０４と支持層１０４ａからなる凹凸を緩和し、表面を平坦にできる。
【００５９】
次に、実施の形態１と同様にしてソルダーレジスト層１０６を剥離可能な固定材料２０２を介して第２のガラス補強板２０１に貼り付けてから（図１−（３））、第１のガラス補強板１０１と剥離可能な固定用材料１０２を基板１０３から剥離する（図１−（４））。
【００６０】
次に可撓性基板１０３にビア１０５および支持層接続用のビア１０５ａを形成する（図９−（１））。また、デスミアとソフトエッチングも実施の形態１と同様に行う。
【００６１】
次にビアホール１０５および支持層接続用のビア１０５ａと可撓性基板１０３上に回路パターン２０４を形成する（図９−（２））。このときビアは電解めっきにより充填する。支持層接続用のビア配線２０４ａも同時に形成する。
【００６２】
次にこの上に多層回路を形成する。まず絶縁樹脂層２０３を形成する。多層化に用いる絶縁樹脂層２０３はエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等を採用することが好ましい。絶縁樹脂層２０３は、レーザー加工によりビアホールを形成する。
【００６３】
次に回路パターン３０４、支持層接続用のビア配線、支持層３０４ａを形成する。このとき回路２０４と同様にビアは電解めっきにより充填する。
【００６４】
絶縁樹脂層の形成、ビルドアップ層間のビアホール形成、回路パターン形成を繰り返すことにより多層回路基板の形成が可能となる。そして最表層の接続端子を設置する位置の直下に支持層３０４ａを設ける（図９−（３））。回路パターン３０４、支持層接続用のビア配線、支持層３０４ａ上に、上記説明と同様の方法で絶縁樹脂層３０３を形成し、ビア形成してから支持層３０４ａの真上に半導体素子接合用端子配線４０４を形成する。
【００６５】
半導体素子と接合する端子部以外の回路パターン２０４をソルダーレジスト層２０６で被覆する。次に半導体素子と接合する端子部に端子用被覆用めっき２０７を被覆した（図９−（４））。以上の工程で回路基板用部材の製造が完了する。この後、半導体素子を実装したときの形態を図１０に示す。
【００６６】
以上説明した本実施形態３によれば、半導体素子を実装する端子の裏側に回路パターンと同じ材質の支持層があるため、加熱圧着して半導体端子実装する際に半導体素子を実装する端子の沈み込みを抑制することができる。
【００６７】
本発明の製造方法で製造された回路基板用部材は、例えば、電子機器の配線板、ＩＣパッケージ用インターポーザー、ウエハーレベルバーインソケット用配線板などに使用される。特に、ＩＣなどの電子部品を接続する際、電極パッドと回路パターンとの位置合わせ精度に効果が大きい。回路パターンに抵抗素子や容量素子を入れ込むことも適宜許される。
【００６８】
【実施例】
以下の実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６９】
実施例１
実施の形態１の製造工程を用いて以下の条件にて回路基板用部材を作製した。
【００７０】
可撓性基板である２５μｍ厚のポリイミドフィルム（”カプトン”１００ＥＮ東レ・デュポン（株）製）を、剥離可能な固定用材料である紫外線硬化型粘着剤（”ＳＫダイン”ＳＷ２２  線研化学（株）製）を介して、平坦なガラス補強板に固定した。ガラス補強板（補強板Ａとする）を固定した後に、１Ｊ／ｃｍ２のＵＶ照射を行い、固定用材料の粘着力を低下させた。
【００７１】
次に絶縁樹脂基板上に銅の回路パターンを形成した。この回路パターン形成時に銅めっき層で支持層も同時に形成した。回路パターンはセミアディティブ法で行い、用いた条件は以下の通りである。
【００７２】
（セミアディティブ法による配線形成条件）
下地給電層：６ｎｍ厚のニッケル−０．１クロムスパッタ後に１００ｎｍ厚の銅スパッタ層を形成
めっきレジスト：東京応化（株）製  ＰＭＥＲ  Ｐ−ＬＡ９００ＰＭ
電解銅めっき：
（めっき液）硫酸銅五水和塩５０ｇ／Ｌ、硫酸２００ｇ／Ｌ、塩素５０ｐｐｍ、メルテックス（株）製添加剤（”カパーグリーム”ＳＴ−９０１Ａ  ２ｍｌ／Ｌ、”カパーグリーム”ＳＴ−９０１Ｂ  ２０ｍｌ／Ｌ）
（めっき厚）１０μｍ厚
エッチング液：過硫酸ソーダ  １００ｇ／Ｌ、硫酸１０ｍｌ／Ｌ
回路パターンと支持層は、ソルダーレジスト層（太陽インキ（株）製ＴＦ−２００ＹＦ１／ＭＫ−２０Ｓ）をスクリーン印刷法で塗布することにより被覆した。
【００７３】
次に、ソルダーレジスト層を剥離可能な固定材料である紫外線硬化型粘着剤（”ＳＫダイン”ＳＷ２２  線研化学（株）製）を介して、第２のガラス補強板（補強板Ｂとする）に貼り付けてから、補強板Ａと剥離可能な固定用材料を基板から剥離した。補強板Ｂを固定した後に、１Ｊ／ｃｍ２のＵＶ照射を行い、補強板Ｂに付着している剥離可能な固定材料の粘着力を低下させた。
【００７４】
次に可撓性基板にビアを形成した。ビアの加工にはＹＡＧレーザー装置（ｅｓｉ社製  ＭＯＤＥＬ５３１０）を用いた。レーザー加工後、ビア底の樹脂残りとレーザーの熱の影響により酸化したビア底に露出した金属表面に対し、清浄目的でアルカリ過マンガン酸によるデスミアとソフトエッチングを行った。
【００７５】
次にビアホールと可撓性基板上に、回路パターンを形成した。ビア内のめっきと回路パターンは、上記と同じ条件のセミアディティブ法で作製した。
【００７６】
その後、半導体素子と接合する端子部以外の回路パターンをソルダーレジスト層（太陽インキ（株）製ＴＦ−２００ＹＦ１／ＭＫ−２０Ｓ）で被覆した。
【００７７】
半導体素子と接合する端子部に端子用被覆用めっきとしては上村工業（株）の錫めっき”プレサ”ＲＭＫ−２０を用いた。錫めっき厚は０．６μｍとした。
【００７８】
以上の工程により得られた回路基板用部材に半導体素子を以下の条件により実装し、接続用端子の沈み込み試験を行った。
【００７９】
５０μｍピッチで１列４００個の金めっきバンプが１．５ｍｍ間隔を置いて２列配置された半導体素子を、素子側から３００℃に加熱しつつ圧着し、回路基板用部材上の接続用端子と半導体素子上の金めっきバンプを金属拡散結合させた。このとき１バンプあたりの圧力を０．２９４Ｎとした。バンプの沈み込みは１．９μｍであった。接続用端子の沈み込みによる不具合は発生しなかった。
【００８０】
また、可撓性基板が平坦なガラス補強板に固定されているため、製造工程中の基板の寸法変化がなく位置精度に優れたフレキシブル回路基板を得ることができた。
【００８１】
実施例２
実施の形態２の製造工程を用いて以下の条件にて回路基板用部材を作製した。
【００８２】
可撓性基板である２５μｍ厚のポリイミドフィルム（”カプトン”１００ＥＮ東レ・デュポン（株）製）を、剥離可能な固定用材料である紫外線硬化型粘着剤（”ＳＫダイン”ＳＷ２２  線研化学（株）製）を介して、平坦なガラス補強板に固定した。ガラス補強板（補強板Ａとする）を固定した後に、１Ｊ／ｃｍ２のＵＶ照射を行い、固定用材料の粘着力を低下させた。可撓性基板のガラス補強板面とは反対側に回路パターンを形成した。このとき半導体素子の接合されるエリア直下には回路パターンを形成しなかった。
【００８３】
実施例１と同様にして、回路パターンを形成した。次に回路パターンをソルダーレジスト層で被覆した。ソルダーレジストは実施例１と同じものを用いた。ソルダーレジスト層は半導体素子の接合されるエリア直下には形成しなかった。
【００８４】
次に３０μｍ厚のガラス板である支持層の表面に剥離可能な固定材料である紫外線硬化型粘着剤（”ＳＫダイン”ＳＷ２２  線研化学（株）製）を形成し、同じ剥離可能な固定材料を介して第２のガラス補強板（補強板Ｂとする）に貼り付けてから、可撓性基板表面が露出している凹部のガラス板である支持層を挿入するように固定材料を介して可撓性基板を補強板Ｂに固定した。その後補強板Ａと剥離可能な固定用材料を可撓性基板を剥離した。補強板Ｂを固定した後に、１Ｊ／ｃｍ２のＵＶ照射を行い、剥離可能な固定材料の粘着力を低下させた。
【００８５】
次に実施例１と同様に可撓性基板にビアを形成し、デスミアとソフトエッチングを行った。ビア内のめっきと回路パターン形成は実施例１と同じのセミアディティブ法で作製した。
【００８６】
半導体素子と接合する端子部以外を被覆するソルダーレジスト層と端子用被覆用めっきは実施例１と同じものを用いた。錫めっき厚は０．６μｍとした。
【００８７】
以上の工条件により得られた回路基板用部材に半導体素子を以下の条件により実装し、接続用端子の沈み込み試験を行った。
【００８８】
５０μｍピッチで１列４００個の金めっきバンプが１．５ｍｍ間隔を置いて２列配置された半導体素子を、素子側から３００℃に圧着加熱しつつ、回路基板用部材上の接続用端子と半導体素子上のＡｕめっきバンプを金属拡散結合させた。このとき１バンプあたりの圧力を０．２９４Ｎとした。このときバンプの沈み込みは１．３μｍであった。接続用端子の沈み込みによる不具合は発生しなかった。
【００８９】
また、可撓性基板が平坦なガラス補強板に固定されているため、製造工程中の基板の寸法変化がなく位置精度に優れたフレキシブル回路基板を得ることができた。
【００９０】
実施例３
実施の形態３の製造工程を用いて以下の条件にて回路基板用部材を作製した。
【００９１】
可撓性基板、剥離可能な固定材料、ビアホールの穴あけ、ソルダーレジスト層と端子被覆用めっきの形成方法については実施例１と同じとした。
【００９２】
回路パターン形成はサブトラクティブ法で行った。めっきは以下の条件で行いビアホールをめっきで充填した。
（めっき条件）
下地給電層：６ｎｍ厚のニッケル−０．１クロムスパッタ後に１００ｎｍ厚の銅スパッタ層を形成
電解銅めっき：
（めっき液）硫酸銅五水和塩２２５ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ、塩素５０ｐｐｍ、荏原ユージライトのビアフィル用の添加剤
（めっき厚）１０μｍ厚
多層回路用の絶縁樹脂層としてはエポキシ樹脂（太陽インキ（株）製ＨＢＩ−２００Ｂ）を使用した。絶縁樹脂層の形成は、液状の樹脂をスピナーにてコーティングし熱硬化させた。絶縁樹脂層は、実施例１と同じくレーザー加工によりビアホールを形成した。
【００９３】
絶縁樹脂層の形成、絶縁樹脂層間のビアホール形成、回路パターン形成を２回繰り返し可撓性基板上に絶縁樹脂層が２層ある多層回路基板を形成した。そして実施の形態３のように最表層の接続端子を設置する位置の直下に支持層を設けた。
【００９４】
以上の工条件により得られた多層の回路基板用部材に半導体素子を以下の条件により実装し、接続用端子の沈み込み試験を行った。
【００９５】
５０μｍピッチで１列４００個の金めっきバンプが１．５ｍｍ間隔を置いて２列配置された半導体素子を、素子側から３００℃に圧着加熱しつつ、回路基板用部材上の接続用端子と半導体素子上の金めっきバンプを金属拡散結合させた。このとき１バンプあたりの圧力を０．２９４Ｎとした。このときバンプの沈み込みは１．７μｍであった。接続用端子の沈み込みによる不具合は発生しなかった。
【００９６】
また、可撓性基板が平坦なガラス補強板に固定されているため、製造工程中の基板の寸法変化がなく位置精度に優れたフレキシブル回路基板を得ることができた。
【００９７】
比較例１
実施例１において支持層を形成しない基板を作製した。このときの断面模式図を図１１に示す。この回路基板用部材に半導体素子を以下の条件により実装し、接続用端子の沈み込み試験を行った。。実施例１で用いた半導体素子を、素子側から３００℃に加熱に加熱しつつ、回路基板用部材上の接続用端子と半導体素子上の金めっきバンプを金属拡散結合させた。１バンプあたりの圧力を０．２９４Ｎとした。このときバンプの沈み込みは１１．８μｍであった。このとき半導体素子の端子以外の部分で配線２０４との接触があり、さらにパンプ周辺で配線パターンの折れや断線が発生した。
【００９８】
【発明の効果】
補強板表面の一部もしくは可撓性基板表面の一部に支持層を設け、支持層を補強板と可撓性基板で挟み込むように剥離可能な固定用材料を介して可撓性基板を補強板に固定し、可撓性基板に回路パターンを形成し、電子部品を実装してから補強板を剥離するので、製造工程中の基板の寸法変化がなく位置精度に優れたフレキシブル回路基板を得ることができ、さらに半導体素子等の接合時の加圧圧着による接続端子の沈み込みを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１および実施例３の工程について示す概略断面図。
【図２】実施形態１の工程について示す概略断面図（図１のつづき）。
【図３】実施形態１の工程について示す概略断面図（図２のつづき）。
【図４】実施形態１の工程について示す概略断面図（図３のつづき）。
【図５】実施形態２の工程について示す概略断面図。
【図６】実施形態２の工程について示す概略断面図（図５のつづき）。
【図７】実施形態２の工程について示す概略断面図（図６のつづき）。
【図８】実施形態２の工程について示す概略断面図（図８のつづき）。
【図９】実施形態３の工程について示す概略断面図（図１のつづき）。
【図１０】実施形態３の工程について示す概略断面図（図９のつづき）。
【図１１】比較例１の基板用部材の概略断面図。
【符号の説明】
１０１、２０１：補強板
１０２、２０２、３０２：剥離可能な固定用材料
１０３：可撓性基板
２０３、３０３：絶縁樹脂層
１０４、２０４、３０４、４０４：回路パターン
１０５：ビアホール
１０６、２０６：ソルダーレジスト
２０７：錫めっき
７０１：半導体素子
７０２：アンダーフィル材
１０４ａ、３０１：支持層
２０４ａ、３０４ａ：支持層接続用ビアホール
【図１】
2004319660.tif 000003
【図２】
2004319660.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004319660.tif 000009
【図８】
2004319660.tif 000010
【図９】
2004319660.tif 000011
【図１０】
2004319660.tif 000012
【図１１】
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