(57)【要約】【課題】青色レーザなど短波長の低出力光を用いた高速かつ高密度記録でも、機械特性、記録感度が良く、ジッタなどのノイズが発生せず、オーバーライト特性に優れ、アーカイバル特性も良好な相変化型光記録媒体の提供。【解決手段】（１）曲げ弾性率が２０００〜４０００ＭＰａ、ヤング率が２．２〜１００ＧＰａの基板上に、反射放熱層、界面層、第１保護層、記録層、第２保護層、接着層、カバー基板を有し、記録層が少なくともＳｂＴｅ（更にはＧｅ）を含む合金からなり、第１、第２保護層がＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる相変化型光記録媒体。（２）第１保護層の膜厚ａと第２保護層の膜厚ｂの比「ａ／ｂ」が０．１以下であるか、（３）界面層が、ＴｉＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、ＳｉＣ、ＴｉＣ、Ｙ２Ｏ３の少なくとも１種を含有しているか、（４）反射放熱層がＡｇ又はＡｇ合金からなる（１）記載の相変化型光記録媒体。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
曲げ弾性率が２０００〜４０００ＭＰａ、ヤング率が２．２〜１００ＧＰａの基板上に、反射放熱層、界面層、第１保護層、記録層、第２保護層、接着層、カバー基板を有し、記録層がＳｂＴｅを主成分とする合金からなり、第１、第２保護層がＺｎＳ・ＳｉＯ２からなることを特徴とする相変化型光記録媒体。
【請求項２】
記録層が１０原子％以下のＧｅを含有していることを特徴とする請求項１記載の相変化型光記録媒体。
【請求項３】
第１保護層の膜厚ａと第２保護層の膜厚ｂの比「ａ／ｂ」が０．１以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の相変化型光記録媒体。
【請求項４】
界面層が、ＴｉＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、ＳｉＣ、ＴｉＣ、Ｙ２Ｏ３の中から選ばれた少なくとも１種を含有していることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
【請求項５】
反射放熱層がＡｇ又はＡｇ合金、Ｃｕ合金、Ａｌ合金の何れかからなることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、書換え可能な高密度記録用の相変化型光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般にコンパクトディスク（ＣＤ）やＤＶＤの再生は、凹ピットの底部及び鏡面部からの反射光の干渉により生じる反射率変化を利用して２値信号の記録及びトラッキング信号を検出することにより行われている。近年、ＣＤと再生互換性（互換性）のある媒体として、相変化型の書換え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ：ＣＤ−Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）が広く使用されつつあるほか、ＤＶＤについても相変化型の書換え可能なＤＶＤが各種提案されている。また、ＤＶＤの容量が４．７ＧＢであるのに対して、記録再生波長を３９０〜４２０ｎｍと短波長化し、開口数ＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ）を上げて２０ＧＢ以上の容量とするシステムＤＶＲが提案されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
これら相変化型の書換え可能なＣＤ、ＤＶＤ及びＤＶＲは、非晶質状態と結晶状態の屈折率差によって生じる反射率差及び位相差変化を利用して記録情報信号の検出を行う。通常の相変化型光記録媒体は、基板上に下部保護層、相変化型記録層、上部保護層、反射層を設けた構造を有し、これら構成層の多重干渉を利用して反射率差及び位相差を制御し、ＣＤやＤＶＤとの互換性を持たせることができる。ＣＤ−ＲＷにおいては、反射率を１５〜２５％程度に落とした範囲内ではＣＤと記録信号及び溝信号の互換性が確保でき、反射率の低いことをカバーする増幅系を付加したＣＤドライブでは再生が可能である。なお、相変化型光記録媒体は消去と再記録過程を１つの集束光ビームの強度変調のみによって行うことができるため、ＣＤ−ＲＷや書換え可能ＤＶＤ等の相変化型光記録媒体において、記録とは記録と消去を同時に行うオーバーライト（Ｏ／Ｗ）記録を含む。
相変化を利用した情報の記録には、結晶、非晶質又はそれらの混合状態を用いることができ、複数の結晶相を用いることもできるが、現在実用化されている書換可え可能相変化型光記録媒体は、未記録・消去状態を結晶状態とし、非晶質のマークを形成して記録するのが一般的である。
【０００４】
相変化型記録層の材料としてはカルコゲン元素、即ち、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅを含むカルコゲナイド系合金を用いることが多い。例えば、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３疑似二元合金を主成分とするＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３疑似二元合金を主成分とするＩｎＳｂＴｅ系、Ｓｂ０．７Ｔｅ０．３共晶合金を主成分とするＡｇＩｎＳｂＴｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系などである。このうち、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３疑似二元合金に過剰のＳｂを添加した系、特にＧｅＳｂ２Ｔｅ４、又はＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５などの金属間化合物近傍組成が主に実用化されている。これらの組成は、金属間化合物特有の相分離を伴わない結晶化を特徴とし、結晶成長速度が速いために初期化が容易で消去時の再結晶化速度が速い。このため従来から実用的なオーバーライト特性を示す記録層としては、疑似二元合金系や金属間化合物近傍組成が注目されていた（非特許文献２〜３等）。
【０００５】
また、従来からＧｅＳｂＴｅ三元組成合金、又はこの三元組成合金を母体として添加元素を含有する合金を用いた記録層に関して報告がなされている（特許文献１〜４参照）。しかしながら、このような組成の材料を書換え可能なＤＶＲなどの高密度記録用の光記録媒体へ適用するには、まだ開発が始まったばかりであるため、解決しなければならない問題が多々ある。
特に、青色レーザーなど短波長の光学系の場合にはビーム出力が低く、そのため記録層にノイズが出易いという欠点があり、オーバーライト特性を満足することが難しい。また従来の基板のまま高速記録する場合、高密度に記録するには、基板の高速回転における面振れやチルトが悪いとデフォーカスになり、良好な記録再生特性が得られないことになり、基板の機械特性が問題となる。
【０００６】
特許文献５には、発明の効果の項に「本発明のガラスを用いることにより、基板を薄くしても撓みや反りの問題が生じ難く、研磨がし易く、また大量生産が容易な情報記録媒体基板用ガラスを提供できる。」と記載されており、主にＨＤＤに使用されている。しかしながら光ディスクでは、ガラス基板そのものに溝を形成していては、コストがかかってしまう。
また特許文献６には、請求項１に「ガラス製基板上に、（１）紫外線硬化型樹脂組成物から成る案内溝及び／又は信号ピットの凹凸パターン形成層、（２）記録層、（３）保護層を順次積層した光ディスクにおいて、」と記載されており、発明の効果の項に「本発明によれば、ガラス２Ｐ基板上に設けられた記録層全面に渡って保護層を均一に形成することにより、耐湿熱性、機械特性、高速記録特性等の諸特性に優れたガラス基板の特長を有することに加えて、」とあるように、ガラス２Ｐ基板＋上記層構成で記録再生特性を向上することが記載されている。しかし、この層構成では、溝上に直接記録膜が設けられており、良好な記録再生特性が得られないと推定される。
【０００７】
学会発表でも、非特許文献４によれば、１００Ｍｂｐｓで、ポリカーボネート基板で高速記録ができていることになっているが、実際には高速での再生ではなく、再生は低速（３５Ｍｂｐｓ）で行っている。即ち、従来基板のままでは高速再生において、機械特性、特に面振れやチルトが悪いとノイズになり再生がうまくできないという問題が発生する。
特許文献７には高速ＨＤＤ用基板としてヤング率１１０ＧＰａ以上と規定しているが、高速では引っ張りのヤング率以外に面振れがあり、曲げ弾性率が問題となる。この曲げ弾性率については何も規定していない。
また従来技術では、機械特性を満足し記録再生特性がよくても保存特性（アーカイバル特性等）が良好でないなど、全てを満足する媒体がなかった。
【０００８】
【特許文献１】
特開昭６１−２５８７８７号公報
【特許文献２】
特開昭６２−１５２７８６号公報
【特許文献３】
特開平１−６３１９５号公報
【特許文献４】
特開平１−２１１２４９号公報
【特許文献５】
特開２００１−１３４９２５号公報
【特許文献６】
特開平６−４４６１０号公報
【特許文献７】
特開平１１−１１６２６７号公報
【非特許文献１】
ＩＳＯＭ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｄｉｇｅｓｔ，
’００（２０００），２１０
【非特許文献２】
Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，ｖｏｌ．６９（１９９１），
ｐ２８４９、
【非特許文献３】
ＳＰＩＥ，ｖｏｌ．２５１４（１９９５），ｐｐ２９４−３０１
【非特許文献４】
Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｄａｔａ  Ｓｔｏｒａｇｅ  Ｔｏｐｉｃａｌ
Ｍｅｅｔｉｎｇ  ２００１，Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｄｉｇｅｓｔ
ｐ４０
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上述のごとき実情に鑑みてなされたもので、その目的は、青色レーザなど短波長の低出力光を用いた高速かつ高密度記録でも、機械特性、記録感度が良く、ジッタなどのノイズが発生せず、オーバーライト特性に優れ、アーカイバル特性も良好な相変化型光記録媒体を提供できる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、次の１）〜５）の発明によって解決される。
１）  曲げ弾性率が２０００〜４０００ＭＰａ、ヤング率が２．２〜１００ＧＰａの基板上に、反射放熱層、界面層、第１保護層、記録層、第２保護層、接着層、カバー基板を有し、記録層がＳｂＴｅを主成分とする合金からなり、第１、第２保護層がＺｎＳ・ＳｉＯ２からなることを特徴とする相変化型光記録媒体。
２）  記録層が１０原子％以下のＧｅを含有していることを特徴とする１）記載の相変化型光記録媒体。
３）  第１保護層の膜厚ａと第２保護層の膜厚ｂの比「ａ／ｂ」が０．１以下であることを特徴とする１）又は２）記載の相変化型光記録媒体。
４）  界面層が、ＴｉＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、ＳｉＣ、ＴｉＣ、Ｙ２Ｏ３の中から選ばれた少なくとも１種を含有していることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
５）  反射放熱層がＡｇ又はＡｇ合金、Ｃｕ合金、Ａｌ合金の何れかからなることを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
本発明の相変化型光記録媒体は、基板上に、反射放熱層、界面層、第１保護層、記録層、第２保護層、接着層、カバー基板を有するが、製膜及び積層の順番は、光の入射方向によってこの順にしても逆順にしてもよい。
図１に層構成の一例を示すが、図１の各層の順序は、カバー基板を透明とし、カバー基板側から記録再生用の集束光ビームを照射する場合に適している。
また、基板１には通常、記録再生光を案内するピッチ０．８μｍ以下の溝を設けるが、この溝は必ずしも幾何学的に矩形又は台形状の溝である必要はなく、例えばイオン注入などによって、屈折率の異なる導波路のようなものを形成して光学的に溝が形成されていてもよい。
【００１２】
現在ＣＤやＤＶＤではポリカーボネート基板を用いて、ＣＤで３２倍速（３８ｍ／ｓ）、ＤＶＤで１２倍速（４１ｍ／ｓ）を達成しているが、光学系のＮＡが０．８５になったり、高密度記録になると僅かな面振れやチルトがあっても媒体にジャストフォーカスで記録されず、デフォーカスで記録されてしまい、エラーになる可能性がある。たとえ記録できても、ＮＡ＝０．８５ではフォーカスマージンが６μｍと言われているので、ＤＶＤの規格のように１００μｍ以上の面振れが許容される媒体では再生が不能となってしまう。
また、本発明の相変化型光記録媒体は高速記録可能な媒体であり、高速で回転させた際に遠心力が加わるため、基板の引っ張り強さに関係するヤング率を２．２ＧＰａ以上とする必要がある。しかし、一般的にヤング率を大きくすると曲げ弾性率は下がるので、ヤング率を特許文献７のように１１０ＧＰａ以上としてしまうと曲げ弾性率が下がってしまう。そこで、ＣＤやＤＶＤの更なる高速化や高ＮＡでの高速かつ高密度記録に対応するには、面振れに係わる力である曲げ弾性率を２０００ＭＰａ以上として、面振れを抑制する必要がある。図３に示すように、曲げ弾性率が２０００ＭＰａ以上ならば高速（１００００回転）での面振れ（絶対値）を５μｍ以下に抑えることができ、高ＮＡシステムでの再生でもデフォーカスにならずに済む。これに対し、単にヤング率を２．２ＧＰａ以上としただけでは、高速回転での面振れが大きくなってしまう。
ヤング率が１００Ｇｐａを超えた場合、１万回転等の高速回転には耐えられるが、ヤング率を上げるためにガラス基板に添加剤を添加したりすると光透過率が下がってしまうので、記録光が透過しづらくなり、記録パワーが不足して実用には適さない。
【００１３】
一方、曲げ弾性率が４０００ＭＰａ以上になるとヤング率が２．２ＧＰａ未満になり、高速で基板が割れたりするので問題がある。
従って、本発明では曲げ弾性率が２０００〜４０００ＭＰａ、ヤング率が２．２ＧＰａ〜１００ＧＰａの基板を用いる。これにより、高速記録再生での機械特性を良好に保ち、ジッタなどのノイズを抑え、オーバーライト特性を良好にすることができる。
上記物性を満足する基板としては、強化ガラス上に２Ｐ（フォトポリマー）樹脂を積層した基板（以下、ガラス２Ｐ基板という）が挙げられる。ポリカーボネートにテルペン樹脂等を添加したポリマー基板などでも上記条件を満たしさえすれば高速での機械特性が安定するので使用可能である。
【００１４】
記録層には、光照射により結晶とアモルファスの相転移を起す相変化型記録材料を用いるが、小さいマークを形成し易くして、高速かつ高密度記録への対応を図るために公知のＳｂＴｅを主成分とする合金を用いる。通常の場合、ＳｂＴｅの含有率は６５〜８５原子％とする。
ＳｂＴｅ合金に添加する元素としては、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎなど種々のものが知られている。例えばＧｅを添加すると保存特性が良好になるが、１０原子％以上添加すると（広い記録パワーで）良好に記録できる線速度が遅くなるので、１０原子％未満が良く、好ましくは２〜７原子％である。このようにＧｅ添加量を制限すれば、高速記録可能でかつ保存性に優れた媒体を提供できる。
また、媒体特性を改良するため必要に応じて公知の他の種々の元素を添加してもよいが、添加量は１０原子％程度までとする。更に、Ｏ、Ｎ、Ｓから選ばれる少なくとも一つの元素を０．１〜１０原子％添加することにより、記録層の光学定数を微調整することもできる。しかし１０原子％を超えて添加すると結晶化速度を低下させ、消去性能を悪化させるので好ましくない。
【００１５】
オーバーライト時の結晶化速度を低下させずに経時安定性を向上させるには、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｚｒから選ばれる少なくとも一種を８原子％以下、好ましくは０．１〜５原子％添加するとよい。ＳｂＴｅに対する、これらの添加元素とＧｅの合計添加量は１５原子％以下であることが望ましい。特に、Ｇｅ含有量が３〜１０原子％の場合には添加効果が大きい。しかし、１５原子％よりも多く添加するとＳｂ以外の元素の相分離を誘起してしまう。
経時安定性の向上と屈折率の微調整のためには、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂから選ばれる少なくとも一種を５原子％以下添加するのが好ましい。これらの添加元素とＧｅの合計添加量は１５原子％以下が望ましい。なお、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂの各元素は、Ｇｅと同じく４配位ネットワークを持った元素である。
【００１６】
また、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎを８原子％以下添加すると、結晶化温度を上昇させると同時にジッタを低減させたり記録感度を改善する効果があるが、偏析も生じ易いため、６原子％以下とすることが望ましい。これらの添加元素とＧｅとの合計添加量は１５原子％以下、好ましくは１３原子％以下である。
また、Ａｇを８原子％以下の量で添加すると記録感度を改善する上で効果があり、特にＧｅ添加量が５原子％を超える場合に用いれば効果が顕著である。しかし、Ａｇの添加量が８原子％を超えるとジッタを増加させたり、非晶質マークの安定性を損ねるので好ましくない。また、上記合計添加量が１５原子％を超えると偏析を生じ易いので好ましくない。Ａｇの添加量として特に好ましいのは５原子％以下である。
【００１７】
記録層の膜厚は５〜１００ｎｍの範囲が好ましい。５ｎｍより薄いと十分なコントラストを得難く、また結晶化速度が遅くなる傾向があり、短時間での消去が困難となり易い。一方、１００ｎｍを越すとやはり光学的なコントラストが得難くなり、またクラックが生じ易くなる。コントラストとしては、ＤＶＤなどの再生専用ディスクと互換性が取れる程度にする必要がある。
また、最短マーク長が０．５μｍ以下となるような高密度記録では、記録層の膜厚は５〜２５ｎｍの範囲が好ましい。５ｎｍより薄いと反射率が低くなり過ぎ、また膜成長初期の不均一な組成や、疎らな膜の影響が現れ易いので好ましくない。一方、２５ｎｍより厚いと熱容量が大きくなり記録感度が悪くなる他、結晶成長が３次元的になるため、非晶質マークのエッジが乱れジッタが高くなる傾向にある。更に、記録層の相変化による体積変化が顕著になり、繰返しオーバーライト耐久性が悪くなるので好ましくない。マーク端のジッタ及び繰返しオーバーライト耐久性の観点からは２０ｎｍ以下とすることがより望ましい。
【００１８】
記録層の密度は、バルク密度の８０％以上とすることが好ましく、より好ましくは９０％以上である。
記録層の密度は、スパッタリング（スパッタ）成膜法においては、成膜時のスパッタガス（Ａｒ等の希ガス）の圧力を低くするか、或いはターゲット正面に近接して基板を配置するなどして記録層に照射される高エネルギーＡｒ量を多くすることが必要である。高エネルギーＡｒは、スパッタのためにターゲットに照射されるＡｒイオンが一部跳ね返されて基板側に到達するもの、又はプラズマ中のＡｒイオンが基板全面のシース電圧で加速されて基板に達するものの何れかである。このような高エネルギーの希ガスの照射効果を「アトミックピーニング（ａｔｏｍｉｃ  ｐｅｅｎｉｎｇ）効果」という。
【００１９】
一般的に使用されるＡｒガスでのスパッタでは、アトミックピーニング効果によってＡｒがスパッタ膜に混入される。この混入された膜中のＡｒ量により、アトミックピーニング効果を見積もることができる。即ち、Ａｒ量が少なければ高エネルギーＡｒの照射効果が少ないことを意味し、密度の疎らな膜が形成され易い。一方、Ａｒ量が多ければ高エネルギーＡｒの照射が激しく、密度は高くなるものの膜中に取り込まれたＡｒが繰返しオーバーライト時にボイド（ｖｏｉｄ）となって析出し、繰返しの耐久性を劣化させる。
記録層中の適当なＡｒ量は、０．１〜１．５原子％である。更に、直流スパッタよりも高周波スパッタを用いた方が、記録層中のＡｒ量を少なくして高密度膜を得ることができるので好ましい。
【００２０】
また、記録層の成膜後の状態は通常、非晶質である。従って、成膜後に記録層全面を結晶化して初期化された状態（未記録状態）とする必要がある。
初期化方法としては、固相でのアニールによる初期化も可能であるが、一旦記録層を溶融させ再凝固時に徐冷して結晶化させる、いわゆる溶融再結晶化による初期化が望ましい。記録層は成膜直後には結晶成長の核が殆どなく、固相での結晶化は困難であるが、溶融再結晶化によれば少数の結晶核が形成された後、結晶成長が主体となって高速で再結晶化が進む。
記録層の溶融再結晶化による結晶と、固相でのアニールによる結晶とは反射率が異なるため、混在するとノイズの原因となる。そして、実際のオーバーライト記録の際には、消去部は溶融再結晶化による結晶となるため、初期化も溶融再結晶化により行う方が好ましい。
【００２１】
溶融再結晶化による初期化の際、記録層の溶融は局所的かつ１ミリ秒程度以下の短時間で行うのがよい。この理由は、溶融領域が広かったり、溶融時間或いは冷却時間が長過ぎると熱によって各層が破壊されたりするためである。
初期化に適した熱履歴を与えるには、波長６００〜１０００ｎｍ程度の高出力半導体レーザー光を長軸１００〜３００μｍ、短軸１〜３μｍに集束して照射し、短軸方向を走査軸として１〜１０ｍ／ｓの線速度で走査することが望ましい。
同じ集束光でも円形に近いと溶融領域が広すぎ、再非晶質化が起き易く、また多層構成や基板へのダメージが大きいため好ましくない。
【００２２】
初期化が溶融再結晶化によって行われたことは以下のようにして確認できる。即ち、初期化後の媒体に直径約１．５μｍより小さいスポット径に集束された記録層を溶融するに足る記録パワーＰｗの記録光を、直流的に一定線速度で照射する。案内溝がある場合は、その溝又は溝間からなるトラックにトラッキングサーボ及びフォーカスサーボをかけた状態で行う。その後、同じトラック上に消去パワーＰｅ（Ｐｅ≦Ｐｗ）の消去光を直流的に照射して得られる消去状態の反射率が全く未記録の初期状態の反射率と殆ど同じであれば、該初期化状態は溶融再結晶状態と確認できる。何故ならば、記録光照射により記録層は一旦溶融されており、それを消去光照射で完全に再結晶化した状態は、記録光による溶融と消去光による再結晶化の過程を経ており、溶融再結晶化された状態にあるからである。
なお、初期化状態の反射率Ｒｉｎｉと溶融再結晶化状態Ｒｃｒｙの反射率がほぼ同じであるとは、（Ｒｉｎｉ−Ｒｃｒｙ）／｛（Ｒｉｎｉ＋Ｒｃｒｙ）／２｝×１００（％）で定義される両者の反射率差が２０％以下であることを言う。通常、アニール等の固相結晶化だけでは、その反射率差は２０％より大きい。
【００２３】
次に、保護層について説明する。
第１保護層は記録層と界面層の相互拡散を防止し、記録層の変形を抑制しつつ、反射放熱層へ効率的に熱を逃すという機能を併せ持つ。また、第２保護層は主として記録時の高温による接着層の表面の変形を防止するのに有効である。
第１、第２保護層の材料は、屈折率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して決定される。材料としては熱伝導率が低い方が望ましいが、その目安は１×１０−３ｐＪ／（μｍ・Ｎ・ｎｓｅｃ）である。なお、このような低熱伝導率材料の薄膜状態の熱伝導率を直接測定するのは困難であり、直接測定に代えて熱シミュレーションと実際の記録感度の測定結果から目安を得ることができる。
【００２４】
低熱伝導率の保護層材料としては、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＴａＳ２、希土類硫化物のうちの少なくとも一種を５０〜９０モル％含み、かつ透明性が高くて融点又は分解点が１０００℃以上の耐熱性化合物を含む複合誘電体が望ましい。特に、ＺｎＳ、ＺｎＯを７０〜９０モル％含む複合誘電体、或いは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｙ等の希土類硫化物を６０〜９０モル％含む複合誘電体が望ましい。
融点又は分解点が１０００℃以上の耐熱化合物材料としては、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂ等の酸化物、窒化物、炭化物やＣａ、Ｍｇ、Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。
なお、上記酸化物、硫化物、窒化物、炭化物、フッ化物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成を制御したり、混合して用いることも有効である。
第１、第２保護層材料としては、上記留意点及び記録層材料との整合性を考慮すると、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合系組成が最も好ましい。また、第１、第２保護層に同じ材料を用いると製造上のコスト低減の面からも有利である。また、第１、第２保護層を積層化することもできる。
【００２５】
次に、保護層の機能等について更に詳述する。
本発明の層構成は、急冷構造と呼ばれる層構成の一種に属する。急冷構造では、放熱を促進して記録層再凝固時の冷却速度を高める層構成を採用することにより、非晶質マーク形成の際の再結晶化の問題を回避しつつ、高速結晶化による高消去比を実現する。
第１保護層の膜厚は、繰返しオーバーライトにおける耐久性に大きく影響し、特にジッタの悪化を抑制する上でも重要である。膜厚は一般的に３〜３０ｎｍとする。３ｎｍ未満では、第１保護層部での熱伝導の遅延効果が不十分で記録感度低下が著しくなり好ましくない。膜厚が３０ｎｍより厚いとマーク幅方向の温度分布の十分な平坦化効果が得られないほか、記録時に記録層側と界面層側とで温度差が大きくなり、保護層の両側における熱膨張差から保護層自体が非対称に変形し易くなる。この繰返しは、保護層内部に微視的塑性変形を蓄積させ、ノイズの増加を招くので好ましくない。
第１保護層の詳細な膜厚は、記録レーザー光の波長が６００〜７００ｎｍでは１５〜２５ｎｍが好ましく、波長が３５０〜６００ｎｍでは３〜２０ｎｍが好ましく、より好ましくは３〜１５ｎｍである。
【００２６】
第２保護層の膜厚は３０〜１６０ｎｍとする。好ましくは４５〜１３０ｎｍである。３０ｎｍより薄いと記録層溶融時の変形等によって破壊され易くオーバーライト特性が悪くなる。また、１６０ｎｍを超えると反射率変動が大きくなり均一に記録し難くなる。
第１保護層の膜厚をａ、第２保護層の膜厚をｂとすると、膜厚の比「ａ／ｂ」が０．１以下であることが、オーバーライト特性が良好となる条件である。
図２に、第１保護層と第２保護層の膜厚比とオーバーライト（Ｏ／Ｗ）回数の関係を示した。ここで言うＯ／Ｗ回数は、初期のジッタよりも５０％悪くなった時点の回数である。例えば初期のジッタが１０％であれば、ジッタが１５％以上となったＯ／Ｗ回数である。
図２から分るように、膜厚比「ａ／ｂ」が０．１５未満になるとＯ／Ｗ回数が急激に良くなり、０．１以下では実用上十分な回数を確保できる。
【００２７】
前述したような相変化型記録材料を用いると、最短マーク長０．３μｍ以下の高密度記録において低ジッタを実現できるが、本発明者らの検討によれば高密度記録を実現するために短波長のレーザー光（例えば、波長４１０ｎｍ以下）を用いる場合には、上記急冷構造の層構成についても一層の配慮が必要になる。特に、波長が５００ｎｍ以下、開口数ＮＡが０．５５以上の小さな集束光ビームを用いた１ビームオーバーライト特性の検討において、マーク幅方向の温度分布を平坦化することが高消去比及び消去パワーマージンを広く取るために重要であることが分った。この傾向は、波長３５０〜４２０ｎｍ、ＮＡ＝０．８５前後の光学系を用いた、ＤＶＲ対応の光学系においても同様である。
【００２８】
本発明者らは上記要求に適合するような層構成を検討し、入射光の少ない記録層を熱伝導率の低い第１、第２保護層で挟むと共に、第１保護層と反射放熱層の間に光透過性があると共に高熱伝導率で放熱性もある界面層を設けて、記録感度を良好にする設計を行った。
前述したように高密度記録のため３５０〜６００ｎｍの短波長のレーザ光を用いる場合には、第１保護層の膜厚を３〜２０ｎｍと薄くすることが好ましいが、このような場合でも、第１保護層に隣接して高熱伝導率の界面層を設けることにより、高速記録時に熱が急激に逃げず、かつ反射放熱層に熱が伝わり、高速記録が可能となる。
界面層として、ＴｉＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、ＳｉＣ、ＴｉＣ、Ｙ２Ｏ３の中から選ばれた少なくとも１種を含有する材料を用いれば、より反射放熱層に熱を逃がし易くなり、小さいマークが形成でき、一層の高密度記録が可能となるので好ましい。
界面層の膜厚は後述する反射放熱層の保護効果も考慮して１〜１００ｎｍとする。１ｎｍ未満では保護効果が不十分で、１００ｎｍを超えると放熱効果が犠牲になる。また、この膜厚を５ｎｍ以上とすれば、層が島状構造とならず均一に形成され易い。
【００２９】
熱伝導性のみを考えた場合には、第１保護層の熱伝導率を高くしても放熱は促進されるが、あまり放熱が促進され過ぎると記録に要する照射パワーが高くなり、記録感度が著しく低下してしまうという問題が生ずるため、低熱伝導率である必要がある。
低熱伝導率の薄膜保護層を用いることにより、記録パワー照射開始時点の数秒〜数１０秒において、記録層から反射放熱層への熱伝導に時間的な遅延を与え、その後に反射放熱層への放熱を促進することができるため、保護層の熱伝導率が低いことにより必要以上に記録感度を低下させることがない。このような理由から、従来公知のＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＮ等を主成分とする保護層材料は、それ自身の熱伝導率が高すぎるために単体で使用することは好ましくない。
更に界面層は、反射放熱層のＡｇ又はＡｇ合金と第１保護層のＳ（硫黄）との反応によるＡｇの硫化を防止するためにも必要である。これにより、高密度記録におけるアーカイバル特性の向上を図ることができる。
【００３０】
次に、反射放熱層について説明する。
反射放熱層に高熱伝導率の材料を用いると、消去比及び消去パワーマージンを改善することができる。更に、検討の結果、広い消去パワー範囲において本発明の記録層が持つ良好な消去特性を発揮させるには、膜厚方向の温度分布や時間変化を少なくするだけでなく、膜面方向（記録ビーム走査方向に対して垂直方向）の温度分布もできるだけ平坦化できるような層構成を用いるとよいことが分った。従って、非常に高熱伝導率で３００ｎｍ以下の薄い反射放熱層を用い、横方向の放熱効果を促進することが好ましい。
薄膜の熱伝導率はバルク状態の熱伝導率と大きく異なり、小さくなっているのが普通である。特に、膜厚３０ｎｍ未満の薄膜では成長初期の島状構造の影響で熱伝導率が１桁以上小さくなる場合があり好ましくない。更に、成膜条件によって結晶性や不純物量が異なり、これが同じ組成でも熱伝導率が異なる要因になる。
【００３１】
反射放熱層における放熱は、その膜厚を厚くしても達成できるが、膜厚が３００ｎｍを超えると記録層の膜面方向よりも膜厚方向の熱伝導が顕著になり、膜面方向の温度分布改善効果が得られない。また、反射放熱層自体の熱容量が大きくなり、反射放熱層ばかりでなく、記録層の冷却にも時間がかかるようになって非晶質マークの形成が阻害される。従って、最も好ましいのは、高熱伝導率の反射放熱層を薄く設けて横方向への放熱を選択的に促進することである。
従来用いられていた急冷構造は、膜厚方向の１次元的な熱の逃げのみに注目し、記録層から反射放熱層に速く熱を逃すことのみを意図しており、この平面方向の温度分布の平坦化を十分に考慮していなかった。
【００３２】
反射放熱層の材料としてはＡｇ又はＡｇ合金、Ｃｕ合金、Ａｌ合金等が挙げられる。
Ａｇ合金としては、ＡｇにＣｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｍｎから選ばれる少なくとも１種を０．２〜５原子％含む合金が挙げられる。経時安定性をより重視する場合には添加成分としてＴｉ、Ｍｇが好ましい。
Ａｇ又はＡｇ合金を用いる場合の好ましい膜厚は、３０〜２００ｎｍである。３０ｎｍ未満では純Ａｇでも放熱効果が不十分である。２００ｎｍを超えると熱が水平方向より垂直方向に逃げてしまい水平方向の熱分布改善に寄与しないし、不必要な厚膜は生産性を低下させる。また膜表面の微視的な平坦性も悪くなる。
Ｃｕ合金としては、Ｃｕ−Ｐｄ系合金やＣｕを０．３〜５．０原子％含有するＡｌ−Ｃｕ系合金が挙げられる。特に、ＺｎＳ・ＳｉＯ２層とＴａ２Ｏ５層との２層構成保護層に対しては、Ｃｕを０．５〜４．０原子％含有するＡｌ−Ｃｕ系合金が耐食性、密着性、高熱伝導率の全てをバランス良く満足するので望ましい。また、Ｓｉを０．３〜０．８原子％、Ｍｇを０．３〜１．２原子％含有するＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金も有効である。
【００３３】
Ａｌ合金としては、ＡｌにＴａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｍｎから選ばれる少なくとも１種を０．２〜２原子％含む合金が挙げられる。
これらは添加元素濃度に比例して体積抵抗率が増加し、また耐ヒロック性が改善されるので、耐久性、体積抵抗率、成膜速度等を考慮して用いることができる。しかし添加不純物量０．２原子％未満では、成膜条件にもよるが、耐ヒロック性は不十分であることが多い。また、２原子％より多いと体積抵抗率の低いものが得難い。経時安定性をより重視する場合には添加成分としてはＴａが好ましい。
上記Ａｌ合金を反射放熱層として用いる場合の好ましい膜厚は１５０〜３００ｎｍである。１５０ｎｍ未満では純Ａｌでも放熱効果は不十分である。また３００ｎｍを超えると熱が水平方向より垂直方向に逃げて水平方向の熱分布改善に寄与しないし、反射放熱層そのものの熱容量が大き過ぎて記録層の冷却速度が遅くなってしまう。また、膜表面の微視的な平坦性も悪くなる。
【００３４】
上記Ａｌ合金又はＡｇ合金は、その添加元素濃度に比例して体積抵抗率が増加する。一方、不純物の添加は一般的に結晶粒径を小さくし、粒界の電子散乱を増加させて熱伝導率を低下させると考えられる。添加不純物量を調節することは、結晶粒径を大きくして材料本来の高熱伝導率を得るために必要である。
反射放熱層は通常スパッタ法や真空蒸着法で形成されるが、ターゲットや蒸着材料そのものの不純物量もさることながら、成膜時に混入する水分や酸素量も含めて全不純物量を２原子％以下とする必要がある。このためにプロセスチャンバの到達真空度は１×１０−３Ｐａ以下とすることが望ましい。また、１０−４Ｐａより悪い到達真空度で成膜する場合には、成膜レートを１ｎｍ／秒以上、好ましくは１０ｎｍ／秒以上として不純物が取り込まれるのを防ぐことが望ましい。或いは、意図的な添加元素を１原子％より多く含む場合は、成膜レートを１０ｎｍ／秒以上として付加的な不純物混入を極力防ぐことが望ましい。
【００３５】
成膜条件が、不純物量とは無関係に結晶粒径に影響を及ぼす場合もある。例えば、ＡｌにＴａを２原子％程度混入した合金膜は、結晶粒の間に非晶質相が混在するが、結晶相と非晶質相の割合は成膜条件に依存する。また、低圧でスパッタするほど結晶部分の割合が増え、体積抵抗率が下がり、熱伝導率が増加する。
膜中の不純物組成や結晶性は、スパッタに用いる合金ターゲットの製法やスパッタガス（Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅ等）にも依存する。
このように薄膜状態の体積抵抗率は、金属材料の種類や組成のみによっては決まらない。また、高熱伝導率を得るためには、上記のように不純物量を少なくすることが望ましいが、一方でＡｌやＡｇの純金属は耐食性や耐ヒロック性に劣る傾向があるため、両者のバランスを考慮して最適組成を決める必要がある。
【００３６】
更なる高熱伝導と高信頼性を得るために反射放熱層を多層化することも有効である。この場合、少なくとも１層は全反射放熱層膜厚の５０％以上の膜厚を有する高熱伝導性材料（低体積抵抗率材料）からなり、実質的に放熱効果に寄与し、他の層が耐食性や保護層との密着性、耐ヒロック性の改善に寄与するように構成する。
しかし、金属中最も高熱伝導率及び低体積抵抗率であるＡｇを用いた場合には、Ａｇに隣接する保護層中にＳ（硫化物等）が含まれていると、硫化によるＡｇの腐食を起し易く、繰返しオーバーライトした場合の劣化がやや速いという傾向がある。また、高温高湿の加速試験環境下で腐食を生じ易い傾向がある。
そこで、低体積抵抗率材料としてＡｇ又はＡｇ合金を用いる際には、隣接保護層との間に界面層としてＡｌを主成分とする合金層を設けることも有効である。
更に、Ａｇ合金反射放熱層とＡｌ合金界面層を併用する場合、ＡｇとＡｌは比較的相互拡散し易い組み合わせであるから、Ａｌ表面を厚さ１ｎｍ以上酸化して界面酸化層を設けることが一層好ましい。なお、界面酸化層が５ｎｍ、特に１０ｎｍを超えると、それが熱抵抗となり本来の趣旨である極めて放熱性の高い反射放熱層としての機能が損なわれるので好ましくない。
【００３７】
本発明において良好な特性を示す高熱伝導率の反射放熱層を規定するために、それぞれの熱伝導率を直接測定することも可能であるが、その熱伝導の良否を電気抵抗を利用して見積もることができる。これは、金属膜のように電子が熱又は電気伝導を主として司る材料においては、熱伝導率と電気伝導率との間に良好な比例関係があるためである。
薄膜の電気抵抗は、その膜厚や測定領域の面積で規格化された抵抗率値で表す。体積抵抗率と面積抵抗率は、通常の４探針法で測定でき、ＪＩＳ  Ｎ  ７１９４によって規定されている。この方法により、薄膜の熱伝導率そのものを実測するよりも遥かに簡便かつ再現性の良いデータが得られる。
【００３８】
好ましい反射放熱層の体積抵抗率は、２０〜１５０ｎΩ・ｍであり、より好ましくは２０〜１００ｎΩ・ｍである。２０ｎΩ・ｍ未満の薄膜を作製することは実質上難かしい。また、１５０ｎΩ・ｍより体積抵抗率が大きい場合でも、例えば３００ｎｍを超える厚膜とすれば面積抵抗率を下げることはできるが、本発明者らの検討によれば、このような高体積抵抗率材料で面積抵抗率のみを下げても十分な放熱効果は得られなかった。厚膜では単位面積当りの熱容量が増大してしまうためと考えられる。また、このような厚膜では成膜に時間がかかり、材料費も増えるため製造コストの観点から好ましくないばかりでなく、更に膜表面の微視的な平坦性も悪くなってしまう。
膜厚３００ｎｍ以下で面積抵抗率０．２〜０．９Ω／□であるような低体積抵抗率材料を用いるのが好ましく、面積抵抗率０．５Ω／□が最も好ましい。
【００３９】
前述した反射放熱層の多層化は、高体積抵抗率材料と低体積抵抗率材料を組み合わせて所望の膜厚で所望の面積抵抗率を得るためにも有効である。合金化による体積抵抗率調節は、合金ターゲットの使用によりスパッタ工程を簡素化できるが、ターゲット製造コストひいては媒体の原材料比を上昇させる要因になる。
従って、純Ａｌや純Ａｇの薄膜と前記添加元素そのものの薄膜を多層化して所望の体積抵抗率を得ることも有効である。層数が３層程度までであれば初期の装置コストは増加するものの、個々の媒体コストは却って抑制できる場合がある。
反射放熱層を複数の金属膜からなる多層構造とし、全膜厚を４０〜３００ｎｍとし、全膜厚の５０％以上が体積抵抗率２０〜１５０ｎΩ・ｍの金属薄膜層（多層であってもよい）とするのが好ましい。
【００４０】
カバー基板の材料としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。
ＮＡが０．８５のような高ＮＡの対物レンズを用いる場合には、カバー基板の厚さは０．３ｍｍ以下、好ましくは０．０６〜０．２０ｍｍの厚さが要求されるため、シート状であることが望ましい。ＮＡが０．６５程度の対物レンズの場合にはカバー基板の厚さは０．６ｍｍとする。
カバー基板を積層するための接着層材料としては、ＵＶ樹脂又はアクリル系接着材が挙げられる。
上記のようなシートを用いて薄型基板を形成する方法としては、紫外線硬化性樹脂或いは透明な両面粘着シートを介して、シートを貼り付ける方法が挙げられる。また、紫外線硬化性樹脂を保護層上に塗布し、これを硬化させて接着層兼用の薄型のカバー基板としてもよい。
【００４１】
【実施例】
以下、実施例及び比較例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
【００４２】
実施例１
青板ガラスを化学強化した強化ガラス上に紫外線硬化性樹脂層を形成した後、スタンパで溝を形成して、曲げ弾性率が３０００ＭＰａ、ヤング率が８５ＧＰａのガラス２Ｐ基板１を作成した。
この基板上に、反射放熱層２（Ａｇ９７Ｃｕ１Ｐｔ１Ｐｄ１）、界面層８（ＴｉＣ）、第１保護層３〔ＺｎＳ（８０モル％）・ＳｉＯ２（２０モル％）〕、記録層４（Ｇｅ１０Ｓｂ６５Ｔｅ２５）、第２保護層５〔ＺｎＳ（８０モル％）・ＳｉＯ２（２０モル％）〕、接着層６〔変性アクリル系粘着材（日東電工：ＤＡ８３１０−Ａ５０）〕、カバー基板７（ポリカーボネート）を設けて、図１に示す層構成の評価用相変化型光記録媒体を作製した。接着層６以外はスパッタ法により膜厚を制御しながら基板１側から順次形成した。
各構成層の厚さは次の通りである。
基板１：１．１ｍｍ、反射放熱層２：１２０ｎｍ、界面層８：４ｎｍ、第１保護層３：７ｎｍ、記録層４：１０ｎｍ、第２保護層５：１２０ｎｍ、接着層６：３０μｍ、カバー基板７：７０μｍ
【００４３】
実施例２
基板１をポリカーボネートにテルペン樹脂を５重量％添加した基板に変えた点以外は、実施例１と全く同様にして評価用相変化型光記録媒体を作製した。
【００４４】
実施例３
記録層材料のＧｅを５原子％、Ｓｂを７０原子％にした点以外は、実施例１と全く同様にして評価用相変化型光記録媒体を作製した。
【００４５】
実施例４
接着層６を膜厚３０μｍの紫外線硬化性樹脂に変えた点以外は、実施例１と全く同様にして評価用相変化型光記録媒体を作製した。
【００４６】
実施例５
界面層材料をＺｎＯに変更した点以外は、実施例１と全く同様にして評価用相変化型光記録媒体を作成した。
【００４７】
実施例６
界面層材料をＺｒＯ２に変更した点以外は、実施例１と全く同様にして評価用相変化型光記録媒体を作成した。
【００４８】
実施例７
界面層材料をＹ２Ｏ３に変更した点以外は、実施例１と全く同様にして評価用相変化型光記録媒体を作成した。
【００４９】
実施例８
界面層材料をＳｉＣに変更した点以外は、実施例１と全く同様にして評価用相変化型光記録媒体を作成した。
【００５０】
実施例９
界面層材料をＴｉＯに変更した点以外は、実施例１と全く同様にして評価用相変化型光記録媒体を作成した。
【００５１】
実施例１０
反射放熱層材料をＣｕ９８Ｐｄ２に変更した点以外は、実施例１と全く同様にして評価用相変化型光記録媒体を作成した。
【００５２】
実施例１１
反射放熱層材料をＡｌ９８．５Ｔｉ１．５に変更した点以外は、実施例１と全く同様にして評価用相変化型光記録媒体を作成した。
【００５３】
比較例１
基板１をポリカーボネート製のもの（通常のＣＤ又はＤＶＤで使用されているもの）に変えた点以外は、実施例１と全く同様にして評価用相変化型光記録媒体を作製した。
【００５４】
比較例２
記録層材料のＧｅを１５原子％、Ｓｂを６０原子％にした点以外は、実施例１と全く同様にして評価用相変化型光記録媒体を作製した。
【００５５】
比較例３
曲げ弾性率が４２００ＭＰａ、ヤング率が５０ＭＰａのガラス２Ｐ基板に変えた点以外は、実施例１と全く同様にして評価用相変化型光記録媒体を作製した。
【００５６】
上記各実施例及び比較例の曲げ弾性率とヤング率と一万回転での面振れを表１に示した。なお測定は、島津オートグラフＡＧＳ−１０ＫＮＤ（島津製作所製）を用い、２３℃、５０％（ＲＨ）で行った。
曲げ弾性率は、幅２０ｍｍ×長さ１００ｍｍ×厚さ０．６ｍｍの試験片を用い、曲げ速度：３ｍｍ／ｍｉｎで測定し、ヤング率は、幅２０ｍｍ×長さ１００ｍｍ×厚さ０．６ｍｍの試験片を用い、引張速度：２ｍｍ／ｍｉｎで測定した。
【表１】
2004327000.tif 000003
【００５７】
＜評価＞
上記実施例１〜１１及び比較例１〜２で作製した評価用相変化型光記録媒体について、波長４０２ｎｍ、開口数ＮＡ０．８５の光学系を用いて集束光ビームを照射し、線速：５．７ｍ／ｓ、０．１３０μｍ／ｂｉｔの条件で、初期ジッタ、記録感度（ジッタ最小を示す記録パワー）、アーカイバル特性、Ｏ／Ｗ特性を評価した。
評価判断基準は次の通りである。
・アーカイバル特性：８０℃、８５％（ＲＨ）の保存でジッタ上昇が２０％以上となる時間（Ｈ）。
・Ｏ／Ｗ特性：オーバーライト（Ｏ／Ｗ）によるジッタ上昇が２０％に到達したオーバーライト回数（回）。
アーカイバル特性とＯ／Ｗ特性の結果を表２に示す。
【表２】
2004327000.tif 000004
【００５８】
表１、２から分るように、実施例１〜１１では何れも優れたアーカイバル特性（１０００〜２０００Ｈ）、Ｏ／Ｗ特性（１００００〜２００００回）を示した。また、記録感度（８．５〜９．５ｍＷ）も良好であった。
これに対し、通常のポリカーボネート基板を用いた比較例１では保存特性（アーカイバル特性）が悪く、高速回転（一万回転での）面振れが大きいため記録再生特性も悪かった。
また、比較例２に示すように、Ｇｅ組成が１０原子％を超えてくると、５．７ｍ／ｓ程度の線速でも記録再生特性であるジッタが１５％台となり、読み出せない範囲となる（一般的にジッタ１４〜１５％以上がエラーになる範囲である）。
【００５９】
実施例１２、比較例３
ガラス２Ｐ基板を曲げ弾性率が４０００ＭＰａ、ヤング率が９９ＧＰａのものに変え、反射放熱層としてＡｇを用い、第１保護層の膜厚を１０ｎｍとし、記録層材料をＧｅ５Ａｇ５Ｉｎ５Ｓｂ６５Ｔｅ２０に変えた点以外は、実施例１と同様にして相変化型光記録媒体を作製した（実施例１２）。
また、界面層を無くした点以外は上記と同様の層構成の相変化型光記録媒体を比較例３として作製した。
これらの媒体に対し、レーザ波長４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５の光学系を用い、記録線速度５．７ｍ／ｓ、記録線密度：０．１３μｍ／ｂｉｔ、記録パワー５．５ｍＷ（ジッタが最小となる記録パワー）、１−７変調でランダム信号を記録した後、再生パワー：０．３ｍＷで再生し、記録感度特性を調べた。
結果を表３に示す。なお、ジッタはσ／Ｔｗ（ウインドウ幅）である。
表３から、界面層がある実施例５の方がアーカイバル特性の評価（８０℃、８５％、３００時間）を行ってもジッタ変化が無く良好な媒体であることが分る。
【表３】
2004327000.tif 000005
【００６０】
【発明の効果】
本発明によれば、青色レーザなど短波長の低出力光を用いた高速かつ高密度記録でも、機械特性、記録感度が良く、ジッタなどのノイズが発生せず、オーバーライト特性に優れ、アーカイバル特性も良好な相変化型光記録媒体を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の相変化型光記録媒体の一例を示す層構成断面図。
【図２】第１保護層と第２保護層の膜厚比「ａ／ｂ」とＯ／Ｗ回数の関係を示す図。
【図３】曲げ弾性率と一万回転での面振れの関係を示す図。
【符号の説明】
１  基板
２  反射放熱層
３  第１保護層
４  記録層
５  第２保護層
６  接着層
７  カバー基板
８  界面層
【図１】
2004327000.tif 000006
【図２】
2004327000.tif 000007
【図３】
2004327000.tif 000008