(57)【要約】【課題】有機絶縁膜と金属配線の密着性が良好で、しかも、有機絶縁膜の耐酸化性が良好な、信頼性に優れた薄膜回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板１上に環状オレフィン系樹脂を含む有機絶縁膜２を形成するとともに、有機絶縁膜２上に無機絶縁膜１２を形成し、この無機絶縁膜１２を介して、有機絶縁膜２上に金属配線５を形成するまた、環状オレフィン系樹脂としてベンゾシクロブテンを用いる。また、無機絶縁膜の膜厚を５ｎｍ以上とし、この無機絶縁膜を有機絶縁膜全体を覆う連続膜として形成する。また、有機絶縁膜、無機絶縁膜、及び金属配線を備えた回路構造体を、表面に金属配線が形成された基板上に配設する。【選択図】　　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配設された、環状オレフィン系樹脂を含有する有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜上に配設された無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜上に配設された金属配線と
を具備することを特徴とする薄膜回路基板。
【請求項２】
前記有機絶縁膜が、ベンゾシクロブテンであることを特徴とする請求項１記載の薄膜回路基板。
【請求項３】
前記無機絶縁膜が、前記有機絶縁膜全体を覆う連続膜であり、膜厚が５ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜回路基板。
【請求項４】
前記無機絶縁膜が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミ、及び窒化アルミからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有していることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜回路基板。
【請求項５】
前記金属配線が、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、ＮｉＣｒ、Ｎｂ、及びＶからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有していることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の薄膜回路基板。
【請求項６】
前記金属配線が、リフトオフ法、エッチング法、及びメッキ法のいずれかの方法により形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の薄膜回路基板。
【請求項７】
前記有機絶縁膜、前記無機絶縁膜、及び前記金属配線を備えた回路構造体が、表面に金属配線が形成された基板上に配設されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の薄膜回路基板。
【請求項８】
前記有機絶縁膜、前記無機絶縁膜、及び前記金属配線を備えた回路構造体が、表面に金属配線が形成され、裏面の略全面が金属膜で覆われた基板上に配設されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の薄膜回路基板。
【請求項９】
前記有機絶縁膜、前記無機絶縁膜、及び前記金属配線を備えた回路構造体が、表面及び裏面に金属配線が形成された基板上に配設されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の薄膜回路基板。
【請求項１０】
前記基板に形成された金属配線及び／又は金属膜が、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、ＮｉＣｒ、Ｎｂ、及びＶからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有していることを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載の薄膜回路基板。
【請求項１１】
前記基板に形成された金属配線及び／又は金属膜が、リフトオフ法、エッチング法、及びメッキ法のいずれかの方法により形成されていることを特徴とする請求項７〜１０のいずれかに記載の薄膜回路基板。
【請求項１２】
前記有機絶縁膜、前記無機絶縁膜、及び前記金属配線を備えた回路構造体が、抵抗体を有する基板上に形成されていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の薄膜回路基板。
【請求項１３】
前記抵抗体が、窒化タンタル、窒化ジルコニウム、及びニクロムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有していることを特徴とする請求項１２記載の薄膜回路基板。
【請求項１４】
前記有機絶縁膜、前記無機絶縁膜、及び前記金属配線を備えた回路構造体が、基板の表裏を電気的に接続するためのスルーホールを備えた基板上に配設されていることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の薄膜回路基板。
【請求項１５】
前記スルーホールには、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、及びＷからなる群より選ばれる少なくとも１種を主成分とする電極が充填されていることを持徴とする請求項１４記載の薄膜回路基板。
【請求項１６】
前記スルーホールの電極が、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、及びＣｒからなる群より選ばれる少なくとも１種の材料を用いたメッキ法により形成されていることを特徴とする請求項１４記載の薄膜回路基板。
【請求項１７】
前記基板上に環状オレフィン系樹脂を含有する有機絶縁膜を形成する工程と、
前記有機絶縁膜上に無機絶縁膜を形成する工程と、
前記無機絶縁膜上に金属配線を形成する工程と
を具備することを特徴とする薄膜回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、薄膜回路基板及びその製造方法に関し、特にマイクロ波又はミリ波領域で用いられる有機絶縁膜上に金属配線を施した構造を有する薄膜回路基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
近年の無線通信分野においては、マイクロ波、及びミリ波領域への対応が可能で、小型・高性能かつ、低価格の高周波デバイスが求められている。
また、このような高周波デバイスでは、伝送損失が小さく効率のよい伝送線路が要求されており、配線には抵抗が小さい電極材料が用いられている。また、配線間の層間絶縁膜には比誘電率が小さく、かつ誘電正接が小さい誘電体材料が要求されている。
【０００３】
上記要求を満たすため、電極材料にはＡｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ等の低抵抗材料を、誘電体材料にはポリイミド、エポキシ、ベンゾシクロブテン、ビスマレイミドトリアジンなどの低誘電率・低誘電正接の有機樹脂を用いた各種配線基板が開発されている。
【０００４】
しかしながら、上記電極材料と有機樹脂を組み合わせた薄膜回路基板にあっては、有機樹脂と電極材料の密着強度が不十分で、配線形成プロセスや、配線上へのワイヤーボンディング工程において、電極膜の剥がれが発生するという問題（有機樹脂と電極材料の密着性に関する問題）がある。
【０００５】
また、有機絶縁膜には、分子構造中に３級炭素が含まれる有機樹脂が用いられており、この３級炭素が、１００℃以上の高温雰囲気で容易に酸化され、有機樹脂の比誘電率・誘電正接（ｔａｎδ）などの電気特性を劣化させるという有機絶縁膜の酸化の問題がある。
【０００６】
そこで、上記の問題点を改善するための方法として、以下に述べるような方法が提案されている。
（１）密着層として金属膜を形成する方法
有機絶縁膜と電極膜の密着性を改善するために、電極膜と有機絶縁膜の間に密着層として比較的有機樹脂との密着強度の大きい金属膜を形成する方法がある。なお、密着層には、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｖなどが多く用いられており、この密着層の効果により、配線形成プロセスにおける電極膜のはがれを抑制、防止することが可能になる。
しかしながら、この方法の場合、超音波や高温負荷がかかるワイヤーボンディング工程においては電極膜のはがれが生じるおそれがあり、必ずしも十分な対策とはなり得ていないのが実情である。
【０００７】
（２）有機絶縁膜上に極性ポリマーを形成する方法
特開平９−２１９５８６号には、有機樹脂（有機絶縁膜）と金属（電極膜）との密着性を改善するために、有機樹脂上に極性ポリマーを形成して金属との密着性を改善する方法が開示されている。この方法によれば、金属と有機樹脂との密着性は向上するが、有機樹脂の表面を活性化する工程及びその後の有機樹脂と極性モノマーとを重合させる工程が必要になるため、製造プロセスが複雑になり、コストの増大を招くなどの問題点がある。
【０００８】
（３）有機膜表面をプラズマで改質して密着性を向上させる方法
金属膜との密着性を向上させるために、有機膜表面をプラズマで改質する装置が開発されており、この装置を用いることにより、有機膜表面の洗浄、活性化、粗化を行うことが可能になり、有機膜と金属膜との密着性を向上させることが可能になる。
しかしながら、この方法の場合、有機膜表面の表面粗さが粗く、有機膜上に形成された金属配線にも表面粗さが継承され、ミリ波やマイクロ波領域では抵抗値が増大して目標とする高周波モジュール特性が得られなくなるなどの問題点がある。
【０００９】
（４）気密パッケージを用いて有機膜の酸化を防止する方法
有機膜の酸化を防止する方法としては、モジュールごと、窒素雰囲気のパッケージに収納して封止する方法が知られているが、この方法の場合、高気密パッケージが必要になりコストの増大を招くという問題点がある。また、モジュールが大型化するとパッケージの歩留まりが低下するという問題点がある。
【００１０】
本願発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、有機絶縁膜と金属配線との密着性及び有機絶縁膜の耐酸化性が高く、信頼性に優れ、しかも、特性の良好な薄膜回路基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願発明（請求項１）の薄膜回路基板は、
基板と、
前記基板上に配設された、環状オレフィン系樹脂を含有する有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜上に配設された無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜上に配設された金属配線と
を具備することを特徴としている。
【００１２】
本願発明（請求項１）の薄膜回路基板においては、基板上に有機絶縁膜として、環状オレフィン系樹脂を含む有機絶縁膜を形成するとともに、有機絶縁膜上に無機絶縁膜を形成し、この無機絶縁膜を介して、有機絶縁膜上に金属配線を形成するようにしているので、無機絶縁膜が有機絶縁膜と金属配線との密着性を向上させるとともに有機絶縁膜を保護する機能を果たし、有機絶縁膜と金属配線との密着性が向上するとともに、有機絶縁膜の耐酸化性が改善される。
さらに、有機絶縁膜として、誘電正接（ｔａｎδ）の小さい環状オレフィン系樹脂（ｔａｎδ≦０．１％）を含む有機絶縁膜が用いられているので、有機絶縁膜の誘電正接（ｔａｎδ）を小さくして、信号の損失を抑制することが可能になる。
したがって、有機絶縁膜と金属配線との密着性が良好で、有機絶縁膜の耐酸化性に優れ、しかも信号の損失の少ない薄膜回路基板を実現することが可能になる。
【００１３】
なお、本願発明において、好適に用いることが可能な環状オレフィン系樹脂としては、ノボルネン、テトラシクロドデセン、エチレンとテトラシクロドデセンの共重合体であるエチレン・テトラシクロドデセン、ベンゾシクロブテンなどの種々の環状オレフィン系樹脂が挙げられる。
【００１４】
また、請求項２の薄膜回路基板は、前記有機絶縁膜が、ベンゾシクロブテンであることを特徴としている。
【００１５】
ベンゾシクロブテンを有機絶縁膜として用いることにより、有機絶縁膜と金属配線との密着性が良好で、有機絶縁膜の耐酸化性に優れ、しかも信号の損失の少ない、信頼性に優れた薄膜回路基板を確実に実現することが可能になる。特に、ベンゾシクロブテンをミリ波、マイクロ波デバイスの層間絶縁膜（有機絶縁膜）として用いた場合、ベンゾシクロブテンの誘電正接（ｔａｎδ）が０．１％以下であることから、信号の損失を効率よくしかも確実に低く抑えることが可能になり有意義である。
【００１６】
また、請求項３の薄膜回路基板は、前記無機絶縁膜が、前記有機絶縁膜全体を覆う連続膜であり、膜厚が５ｎｍ以上であることを特徴としている。
【００１７】
無機絶縁膜の膜厚を５ｎｍ以上とし、この無機絶縁膜を、有機絶縁膜全体を覆う連続膜として形成することにより、有機絶縁膜と金属配線との密着強度を向上させることが可能になるとともに、有機絶縁膜全体を保護して、有機絶縁膜の耐酸化性を確実に向上させることが可能になり、信頼性に優れた薄膜回路基板を確実に実現することが可能になる。
なお、無機絶縁膜の膜厚が５ｎｍ未満になると、有機絶縁膜と金属配線との密着強度を向上させる効果や有機絶縁膜の耐酸化性を改善する効果が低下するため、無機絶縁膜の膜厚は５ｎｍ以上とすることが望ましい。
【００１８】
また、請求項４の薄膜回路基板は、前記無機絶縁膜が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミ、及び窒化アルミからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有していることを特徴としている。
【００１９】
無機絶縁膜として、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミ、及び窒化アルミからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むものを用いることにより、有機絶縁膜と金属配線との密着強度を向上させることが可能になるとともに、有機絶縁膜の耐酸化性を改善することが可能になり、本願発明を実効あらしめることができる。
【００２０】
また、請求項５の薄膜回路基板は、前記金属配線が、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、ＮｉＣｒ、Ｎｂ、及びＶからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有していることを特徴としている。
【００２１】
金属配線として、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、ＮｉＣｒ、Ｎｂ、及びＶからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む材料からなるものを用いることにより、低抵抗で、かつ有機絶縁膜に対する密着強度に優れた金属配線を備えた信頼性の高い薄膜回路基板を得ることが可能になる。
【００２２】
また、請求項６の薄膜回路基板は、前記金属配線が、リフトオフ法、エッチング法、及びメッキ法のいずれかの方法により形成されていることを特徴としている。
【００２３】
金属配線を、リフトオフ法、エッチング法、及びメッキ法のいずれかの方法で形成することにより、低抵抗で、かつ有機絶縁膜に対する密着強度に優れた金属配線を形成することが可能になる。
【００２４】
また、請求項７の薄膜回路基板は、前記有機絶縁膜、前記無機絶縁膜、及び前記金属配線を備えた回路構造体が、表面に金属配線が形成された基板上に配設されていることを特徴としている。
【００２５】
有機絶縁膜、無機絶縁膜、及び金属配線を備えた回路構造体を、表面に金属配線が形成された基板上に配設することにより、配線密度が高く、小型、高性能で信頼性の高い薄膜回路基板を実現することが可能になる。
【００２６】
また、請求項８の薄膜回路基板は、前記有機絶縁膜、前記無機絶縁膜、及び前記金属配線を備えた回路構造体が、表面に金属配線が形成され、裏面の略全面が金属膜で覆われた基板上に配設されていることを特徴としている。
【００２７】
有機絶縁膜、無機絶縁膜、及び金属配線を備えた回路構造体を、表面に金属配線が形成され、裏面の略全面が金属膜で覆われた基板の表面に配設することにより、配線密度が高く、小型、高性能で信頼性の高い薄膜回路基板を実現することが可能になる。
【００２８】
また、請求項９の薄膜回路基板は、前記有機絶縁膜、前記無機絶縁膜、及び前記金属配線を備えた回路構造体が、表面及び裏面に金属配線が形成された基板上に配設されていることを特徴としている。
【００２９】
有機絶縁膜、無機絶縁膜、及び金属配線を備えた回路構造体を、表面に金属配線が形成され、裏面にも金属配線が施された基板上に配設することにより、さらに配線密度が高く、小型、高性能で信頼性の高い薄膜回路基板を実現することが可能になる。なお、有機絶縁膜、無機絶縁膜、及び金属配線を備えた回路構造体は、基板の表面側及び裏面側の両方に配設することも可能であり、その場合、さらなる高密度化、小型化を実現することが可能になる。
【００３０】
また、請求項１０の薄膜回路基板は、前記基板に形成された金属配線及び／又は金属膜が、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、ＮｉＣｒ、Ｎｂ、及びＶからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有していることを特徴としている。
【００３１】
また、請求項１１の薄膜回路基板は、前記基板に形成された金属配線及び／又は金属膜が、リフトオフ法、エッチング法、及びメッキ法のいずれかの方法により形成されていることを特徴としている。
【００３２】
基板の金属配線及び／又は金属膜を、リフトオフ法、エッチング法、及びメッキ法のいずれかの方法を用いて形成することにより、基板への密着性に優れた信頼性の高い金属配線や金属膜を確実に形成することが可能になり、本願発明を実効あらしめることができる。
【００３３】
また、請求項１２の薄膜回路基板は、前記有機絶縁膜、前記無機絶縁膜、及び前記金属配線を備えた回路構造体が、抵抗体を有する基板上に形成されていることを特徴としている。
【００３４】
有機絶縁膜、無機絶縁膜、及び金属配線を備えた回路構造体を、抵抗体を有する基板上に形成することにより、抵抗素子上に配線を形成できることから、素子全体を小型化することが可能になり有意義である。
【００３５】
また、請求項１３の薄膜回路基板は、前記抵抗体が、窒化タンタル、窒化ジルコニウム、及びニクロムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有していることを特徴としている。
【００３６】
窒化タンタル、窒化ジルコニウム、ニクロムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有する抵抗体を用いることにより、温度変化率の小さい抵抗素子を形成することが可能になり有意義である。
【００３７】
また、請求項１４の薄膜回路基板は、前記有機絶縁膜、前記無機絶縁膜、及び前記金属配線を備えた回路構造体が、基板の表裏を電気的に接続するためのスルーホールを備えた基板上に配設されていることを特徴としている。
【００３８】
有機絶縁膜、無機絶縁膜、及び金属配線を備えた回路構造体が配設される基板として、スルーホールを備えた基板を用いることにより、基板の両面を効率よく利用することが可能になり、さらなる高密度化、小型化を図ることが可能になる。
【００３９】
また、請求項１５の薄膜回路基板は、前記スルーホールには、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、及びＷからなる群より選ばれる少なくとも１種を主成分とする電極が充填されていることを持徴としている。
【００４０】
スルーホールにＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｗからなる群より選ばれる少なくとも１種を主成分とする電極が充填された構成とすることにより、基板の表裏の導通信頼性に優れた小型、高性能の薄膜回路基板を実現することが可能になる。
【００４１】
また、請求項１６の薄膜回路基板は、前記スルーホールの電極が、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、及びＣｒからなる群より選ばれる少なくとも１種の材料を用いたメッキ法により形成されていることを特徴としている。
【００４２】
スルーホールの電極を、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒからなる群より選ばれる少なくとも１種の材料を用いて、メッキ法により形成することにより、基板の表裏の導通信頼性に優れた小型、高性能の薄膜回路基板を実現することが可能になる。
【００４３】
また、本願発明（請求項１７）の薄膜回路基板の製造方法は、
前記基板上に環状オレフィン系樹脂を含有する有機絶縁膜を形成する工程と、
前記有機絶縁膜上に無機絶縁膜を形成する工程と、
前記無機絶縁膜上に金属配線を形成する工程と
を具備することを特徴としている。
【００４４】
本願発明の薄膜回路基板の製造方法は、基板上に環状オレフィン系樹脂を含有する有機絶縁膜を形成する工程と、有機絶縁膜上に、該有機絶縁膜と金属配線との密着性を向上させ、かつ、前記有機絶縁膜を保護する無機絶縁膜を形成する工程と、無機絶縁膜上に金属配線を形成する工程とを備えているので、基板上に環状オレフィン系樹脂を含む有機絶縁膜が形成され、その上に無機絶縁膜を介して金属配線が配設された構造を有する薄膜回路基板を確実に、しかも効率よく製造することが可能になる。
なお、この請求項１７の薄膜回路基板の製造方法により、本願請求項１〜１６の薄膜回路基板を効率よく製造することが可能になる。
【００４５】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態を示して、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００４６】
［実施形態１］
＜薄膜回路基板の製造＞
以下、本願発明の薄膜回路基板の製造方法について、図１を参照しながら説明する。なお、図１（ａ）〜（ｆ）は、基板上に有機絶縁膜（ベンゾシクロブテンからなる有機絶縁膜）を形成し、その上に無機絶縁膜を形成するとともに、無機絶縁膜上に薄膜金属（Ｃｕ／Ｔｉ金属）からなる金属配線を施して薄膜回路基板を製造する工程を示す図である。なお、この実施形態１では、有機絶縁膜上への金属配線の形成にリフトオフ工法を用いている。
【００４７】
（１）まず、基板１（図１（ａ））として、Ｓｉ基板を用意する。なお、基板１としては、アルミナなどからなるセラミック基板、ＳｉやＧａＡｓなどからなる金属基板を用いることが可能であり、さらに他の種類の基板を用いることも可能である。
そして、この基板１の表面を、プラズマアッシングや、アセトン、イソプロピルアルコール、メタノール、エタノールなどを用いた有機溶剤洗浄などの方法により洗浄する。
（２）次に、基板１上に３ＡＰＳ（３アミノプロピルシラン）などの密着性向上剤を塗布した後、ワニス状のベンゾシクロブテン（固形成分４６％）を１０００ｒｐｍにて３０秒間スピン塗布し、９５℃のホットプレートにて１２０秒間ベークする。さらに、酸素濃度１００ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中にて、２００℃で１時間キュアーすることにより、ベンゾシクロブテンを熱重合させ、基板１上に有機絶縁膜（膜厚１５μｍ）２を形成する（図１（ｂ））。
（３）次に、図１（ｃ）に示すように、有機絶縁膜（ベンゾシクロブテン）２の表面に無機絶縁膜１２を形成し、有機絶縁膜２の表面を無機絶縁膜（ＳｉＯ２膜）１２で被覆する。この実施形態１では、スパッタリング装置を使用し、ＲＦパワー１．２５ＫＷ、アルゴン酸素混合ガス（酸素濃度１０％）流量２０ｓｃｃｍ、背圧５×１０−４ｐａ、基板温度１００℃の条件にて９０分間の成膜を行い、膜厚１μｍの無機絶縁膜（ＳｉＯ２膜）１２を形成した。
（４）次に、図１（ｄ）に示すように、クロロベンゼン法にてリフトオフ用レジストパターン３を形成する。
この実施形態１では、クロロベンゼン法にて、無機絶縁膜（ＳｉＯ２膜）１２上にリフトオフ用レジストパターン３を形成する。
このリフトオフ用レジストパターン３を形成するにあたっては、まず、無機絶縁膜（ＳｉＯ２膜）１２上に、厚膜用ポジ型レジスト（ＡＺＰ４６２０、クラリアント社製）を１５００ｒｐｍ×３０秒のスピン塗布にて膜厚６μｍのレジスト膜を形成し、９０℃のクリーンオーブンにて３０分間プリベークする。
次いで、約４０℃に保ったクロロベンゼン中に１０分間基板を浸し、レジスト表面に対現像液難溶化層を形成した後、９０℃のホットプレート上に９０秒間放置して余剰のクロロベンゼンを蒸発させる。
それから、密着露光機にて、ｈ線を用いた露光を行い、アルカリ現像液ＡＺ４００Ｋ（クラリアント社製）中に基板１を２分間浸漬する。その後、純水にて５分間以上洗浄し、スピン乾燥機にて基板１を乾燥させる。これにより、有機絶縁膜２上に、リフトオフ用レジストパターン３が形成される。
（５）次いで、図１（ｅ）に示すように、基板１を真空蒸着装置に投入し、無機絶縁膜（ＳｉＯ２膜）１２を介して、有機絶縁膜（ベンゾシクロブテン）２上に、Ｔｉを１００ｎｍ成膜した後、Ｔｉ膜（図示せず）上に、Ｃｕを５μｍ成膜することにより、金属配線用の電極膜（Ｃｕ／Ｔｉ金属膜）４を形成する。なお、ここでＴｉ膜は密着層としての役割を果たす。
（６）それから、図１（ｆ）に示すように、基板１をアセトンに浸漬し、さらに超音波洗浄することによって、リフトオフ用レジストパターン３とその上に形成された不要の電極膜４をリフトオフし、目標とする金属配線（電極パターン）５（４）を形成する。
これにより、基板１と、基板１の表面に配設された有機絶縁膜２と、有機絶縁膜２上に無機絶縁膜１２を介して形成された、所定のパターンの金属配線５を備えた本願発明の薄膜回路基板が得られる。
【００４８】
＜有機絶縁膜と金属配線の密着性の評価＞
次に、有機絶縁膜２と、その表面に無機絶縁膜１２を介して形成された金属配線５の密着性を評価した。以下、金属配線５の密着性を評価する方法について説明する。
【００４９】
（１）密着性評価試験
金属配線５の密着性を評価するにあたっては、図２に示すように、有機絶縁膜（ベンゾシクロブテン）２、無機絶縁膜（ＳｉＯ２膜）１２及び金属配線（Ｃｕ／Ｔｉ金属膜）５が形成された基板１上に、密着強度評価用のテープ（強度６０ｍＮ／ｃｍ）６を貼り付けた後、テープ６を基板５に対して直角を保ったまま剥がしてゆくテープ剥離試験を行った。
なお、このテープ剥離試験においては、有機絶縁膜２とその表面に無機絶縁膜１２を介して形成された金属配線５の密着強度が不十分な場合には、金属配線５がテープ６に付着して剥がれることになる。
【００５０】
この実施形態１では、有機絶縁膜上に無機絶縁膜を設けずに、有機絶縁膜上に直接に金属配線を形成した比較例１の試料と、有機絶縁膜上に無機絶縁膜を形成し、この無機絶縁膜を介して有機絶縁膜上に金属配線を形成した実施例１の試料を用意し、これらについて、テープ剥離試験を行い、密着性を評価した。
ただし、このテープ剥離試験に供した比較例１及び実施例１の各試料は、金属配線５の幅（電極ライン幅）が５μｍのものである。また、試料数（ｎ）は４００とした。
【００５１】
（２）密着性評価結果
上記テープ剥離試験において、有機絶縁膜上に無機絶縁膜を設けずに、有機絶縁膜上に直接に金属配線を形成した比較例１の試料では、膜剥がれ率５７．９％であったが、有機絶縁膜上に無機絶縁膜を設け、無機絶縁膜を介して有機絶縁膜上に金属配線を形成した本願発明の実施例１の試料では、膜剥がれが認められず、膜剥がれ率は０．０％であった。これにより、有機絶縁膜上に無機絶縁膜を設け、無機絶縁膜を介して有機絶縁膜上に金属配線を形成することにより、金属配線の密着性が大幅に向上することが確認された。
【００５２】
＜特性の評価＞
（１）誘電正接（ｔａｎδ）の経時変化
次に、図３に示すように、表面に電極２０が形成された基板２１上に有機絶縁膜（ベンゾシクロブテン）２２を配設し、この有機絶縁膜２２上にさらに無機絶縁膜（ベンゾシクロブテン）３２を形成し、無機絶縁膜（ＳｉＯ２膜）３２を介して有機絶縁膜２２上に電極２５を配設することにより、有機絶縁膜２２及び無機絶縁膜３２を誘電体膜とするＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　Ｍｅｔａｌ）キャパシタ２４を形成し、高温放置試験（１２５℃，１００時間，５００時間，１０００時間）後の有機絶縁膜（ベンゾシクロブテン）２２の誘電正接（ｔａｎδ）の変化をネットワークアナライザにて測定した。なお、無機絶縁膜を設けていない比較例１のキャパシタについても同様にして、有機絶縁膜（ベンゾシクロブテン）の誘電正接（ｔａｎδ）の変化を調べた（１ＭＨｚで測定、（サンプル数：ｎ＝１０））。その結果を表１及び図４に示す。
【００５３】
【表１】
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【００５４】
表１及び図４より、無機絶縁膜を設けた実施例１のキャパシタでは、無機絶縁膜を設けていない比較例１のキャパシタに比べて、誘電正接（ｔａｎδ）の変化率（増大率）が小さくなっていることがわかる。
【００５５】
（２）有機絶縁膜の耐酸化性評価
また、実施例１及び比較例１のキャパシタについて、有機絶縁膜（ベンゾシクロブテン）の酸化の状態をＦＴ−ＩＲ分析（フーリエ変換赤外分光法）にて評価した。その結果を図５及び図６に示す。
図５及び図６より、無機絶縁膜（ＳｉＯ２膜）を設けた実施例１の場合にはベンゾシクロブテンの酸化のピークが認められず、酸化が進行していないのに対して、無機絶縁膜（ＳｉＯ２膜）を設けていない比較例１の場合には、波数１７００ｃｍ−１でベンゾシクロブテンの酸化のピークが認められ、酸化が進行していることがわかる。この結果から、高温放置試験において、実施例１にかかるキャパシタの誘電正接（ｔａｎδ）の変化率が抑えられているのは、無機絶縁膜（ＳｉＯ２膜）により有機絶縁膜の耐酸化性が向上したことによるものであることがわかる。
なお、この実施形態１の薄膜回路基板では、有機絶縁膜として、誘電正接（ｔａｎδ）の小さいベンゾシクロブテンを用いた有機絶縁膜を備えているので、有機絶縁膜のｔａｎδを小さくして、信号の損失を抑制することができる。
【００５６】
［実施形態２］
＜薄膜回路基板の製造＞
この実施形態２では、基板上に環状オレフィン系樹脂（日本ゼオン社製Ｚｃｏａｔ）からなる有機絶縁膜を形成し、その上に無機絶縁膜を形成するとともに、無機絶縁膜上に薄膜金属（Ｃｕ／Ｔｉ金属）からなる金属配線を施すことにより薄膜回路基板を製造した。なお、この実施形態２の薄膜回路基板も上記実施形態１の薄膜回路基板と同様の構造を有するものであることから、図１を参照しつつその製造方法を説明する。
【００５７】
（１）まず、基板１（図１（ａ））として、Ｓｉ基板を用意する。なお、基板１としては、アルミナなどからなるセラミック基板、ＳｉやＧａＡｓなどからなる金属基板を用いることが可能であり、さらに他の種類の基板を用いることも可能である。
そして、この基板１の表面を、プラズマアッシングや、アセトン、イソプロピルアルコール、メタノール、エタノールなどを用いた有機溶剤洗浄などの方法により洗浄する。
（２）次に、基板１上にワニス状の環状オレフィン系樹脂（日本ゼオン社製Ｚｃｏａｔ（固形成分２５％））を１０００ｒｐｍにて３０秒間スピン塗布し、９５℃のホットプレートにて９０秒間ベークする。さらに、酸素濃度１００ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中にて、３００℃で１時間キュアーすることにより、環状オレフィン系樹脂（Ｚｃｏａｔ）を熱重合させ、基板１上に有機絶縁膜（膜厚１０μｍ）２を形成する（図１（ｂ））。
（３）次に、図１（ｃ）に示すように、有機絶縁膜（Ｚｃｏａｔ）２の表面に無機絶縁膜（ＳｉＯ２膜）１２を形成し、有機絶縁膜２の表面を無機絶縁膜（ＳｉＯ２膜）で被覆する。この実施形態では、スパッタリング装置を使用し、ＲＦパワー１．２５ＫＷ、アルゴン酸素混合ガス（酸素濃度１０％）流量２０ｓｃｃｍ、背圧５×１０−４ｐａ、基板温度１００℃の条件にて９０分間の成膜を行い、膜厚１μｍの無機絶縁膜（ＳｉＯ２膜）１２を形成した。
（４）次に、図１（ｄ）に示すように、クロロベンゼン法にてリフトオフ用レジストパターン３を形成する。
この実施形態では、クロロベンゼン法にて、無機絶縁膜（ＳｉＯ２膜）１２上にリフトオフ用レジストパターン３を形成する。
このリフトオフ用レジストパターン３を形成するにあたっては、まず、無機絶縁膜（ＳｉＯ２膜）１２上に、厚膜用ポジ型レジスト（ＡＺＰ４６２０、クラリアント社製）を１５００ｒｐｍ×３０秒のスピン塗布にて膜厚６μｍのレジスト膜を形成し、９０℃のクリーンオーブンにて３０分間プリベークする。
次いで、約４０℃に保ったクロロベンゼン中に１０分間基板を浸し、レジスト表面に対現像液難溶化層を形成した後、９０℃のホットプレート上に９０秒間放置して余剰のクロロベンゼンを蒸発させる。
それから、密着露光機にて、ｈ線を用いた露光を行い、アルカリ現像液ＡＺ４００Ｋ（クラリアント社製）中に基板１を２分間浸漬する。その後、純水にて５分間以上洗浄し、スピン乾燥機にて基板１を乾燥させる。これにより、有機絶縁膜２上に、リフトオフ用レジストパターン３が形成される。
（５）次いで、図１（ｅ）に示すように、基板１を真空蒸着装置に投入し、無機絶縁膜（ＳｉＯ２膜）１２を介して、有機絶縁膜（Ｚｃｏａｔ）２上に、Ｔｉを１００ｎｍ成膜した後、Ｔｉ膜（図示せず）上に、Ｃｕを５μｍ成膜することにより、金属配線用の電極膜（Ｃｕ／Ｔｉ金属膜）４を形成する。なお、Ｔｉ膜は密着層としての役割を果たす。
（６）それから、図１（ｆ）に示すように、基板１をアセトンに浸漬し、さらに超音波洗浄することによって、リフトオフ用レジストパターン３とその上に形成された不要の電極膜４をリフトオフし、目標とする金属配線（電極パターン）５（４）を得る。
これにより、基板１と、基板１の表面に配設された環状オレフィン系樹脂（Ｚｃｏａｔ）からなる有機絶縁膜２と、該有機絶縁膜２上に無機絶縁膜１２を介して形成された、所定のパターンの金属配線５を備えた薄膜回路基板が得られる。
【００５８】
＜有機絶縁膜と金属配線の密着性の評価＞
この実施形態２で得た薄膜回路基板（実施例２）と、有機絶縁膜（環状オレフィン系樹脂（Ｚｃｏａｔ））上に無機絶縁膜を設けずに、有機絶縁膜上に直接に金属配線を形成した比較例２の薄膜回路基板について、上記実施形態１の場合と同様の方法及び条件でテープ剥離試験を行い、金属配線５の密着性を評価した。ただし、このテープ剥離試験に供した実施例２及び比較例２の各試料は、金属配線５の幅（電極ライン幅）が５μｍのものである。また、試料数（ｎ）は４００とした。
【００５９】
テープ剥離試験において、有機絶縁膜（環状オレフィン系樹脂（Ｚｃｏａｔ））上に無機絶縁膜を設けずに、有機絶縁膜上に直接に金属配線を形成した比較例２の試料では、膜剥がれ率が４７．３％であったが、有機絶縁膜上に無機絶縁膜を設け、無機絶縁膜を介して有機絶縁膜（環状オレフィン系樹脂（Ｚｃｏａｔ））上に金属配線を形成した本願発明の実施例２の試料では、膜剥がれが認められず、膜剥がれ率は０．０％であった。これにより、有機絶縁膜（環状オレフィン系樹脂（Ｚｃｏａｔ））上に無機絶縁膜を設け、無機絶縁膜を介して有機絶縁膜上に金属配線を形成することにより、金属配線の密着性が大幅に向上することが確認された。
【００６０】
＜特性の評価＞
（１）誘電正接（ｔａｎδ）の経時変化
上記実施形態１の場合と同様にして、有機絶縁膜（環状オレフィン系樹脂（Ｚｃｏａｔ））及び無機絶縁膜（ＳｉＯ２膜）を誘電体膜とするＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　Ｍｅｔａｌ）キャパシタを形成し、高温放置試験（１２５℃，１００時間，５００時間，１０００時間）後の有機絶縁膜（環状オレフィン系樹脂（Ｚｃｏａｔ））の誘電正接（ｔａｎδ）の変化をネットワークアナライザにて測定した。なお、無機絶縁膜を設けていない比較例２のキャパシタについても同様にして、有機絶縁膜（環状オレフィン系樹脂（Ｚｃｏａｔ））の誘電正接（ｔａｎδ）の変化を調べた（１ＭＨｚで測定、（サンプル数：ｎ＝１０））。その結果を表２及び図７に示す。
【００６１】
【表２】
2004014848.tif 000004
【００６２】
表２より、無機絶縁膜を設けた実施例２のキャパシタでは、無機絶縁膜を設けていない比較例２のキャパシタに比べて、誘電正接（ｔａｎδ）の変化率（増大率）が小さくなっていることがわかる。
なお、高温放置試験において、実施例２にかかるキャパシタの誘電正接（ｔａｎδ）の変化率が少ないことから、実施例２の場合にも、無機絶縁膜により、有機絶縁膜（環状オレフィン系樹脂（Ｚｃｏａｔ））の酸化が抑制されているものと推測される。
また、この実施形態２の薄膜回路基板では、有機絶縁膜として、誘電正接（ｔａｎδ）の小さい環状オレフィン系樹脂（Ｚｃｏａｔ）を用いた有機絶縁膜を備えているので、有機絶縁膜のｔａｎδを小さくして、信号の損失を抑制することができる。
【００６３】
［実施形態３］
図８は、本願発明の実施形態にかかる薄膜回路基板（多層基板）を示す断面図である。
この薄膜回路基板（多層基板）Ａは、図８に示すように、表面及び裏面にＴｉ及びＣｕ薄膜を順に形成してなる金属配線４１，４２が配設された基板（アルミナ基板）５１と、基板５１上に配設されたベンゾシクロブテンからなる有機絶縁膜５２と、有機絶縁薄膜５２上に配設されたＳｉＯ２からなる無機絶縁膜６２と、無機絶縁膜６２上に、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｕ薄膜を順に形成してなる電極（金属配線）５５とを備えている。
【００６４】
この薄膜回路基板（多層基板）Ａでは、有機絶縁膜５２上に無機絶縁膜６２が形成されており、この無機絶縁膜６２が有機絶縁膜５２と金属配線５５との密着性を向上させるとともに有機絶縁膜５２を保護する機能を果たす。また、有機絶縁膜５２として、誘電正接（ｔａｎδ）の小さいベンゾシクロブテン（ｔａｎδ≦０．１％）が用いられているので、有機絶縁膜の誘電正接（ｔａｎδ）を小さくして、信号の損失を抑制することが可能になる。
したがって、この実施形態３の薄膜回路基板（多層基板）Ａは、金属配線５５の密着性が良好で、有機絶縁膜５２の耐酸化性に優れ、しかも信号の損失の少ないことから、種々の用途に広く利用することが可能である。
【００６５】
［実施形態４］
図９は、本願発明の他の実施形態にかかる薄膜回路基板（多層基板）を示す断面図である。
この多層基板Ｂは、図９に示すように、表面にＴｉ及びＣｕ薄膜を順に形成してなる金属配線４１が配設され、裏面の全面が、Ｔｉ及びＣｕ薄膜を順に形成してなる電極膜（金属膜）４３により覆われた基板（アルミナ基板）５１と、基板５１上に配設されたベンゾシクロブテンからなる有機絶縁膜５２と、有機絶縁薄膜５２上に配設されたＳｉＯ２からなる無機絶縁膜６２と、無機絶縁膜６２上に、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｕ薄膜を順に形成してなる電極（金属配線）５５と、Ｔａ２Ｎからなる抵抗５６を備えており、表面の金属配線４１と裏面の電極膜４３はスルーホール５７により接続されている。
【００６６】
この多層基板Ｂにおいても、有機絶縁膜５２上に形成された無機絶縁膜６２が有機絶縁膜５２と金属配線５５との密着性を向上させるとともに有機絶縁膜５２を保護する機能を果たすため、金属配線５５の密着性と、有機絶縁膜５２の耐酸化性を改善することが可能になる。さらに、有機絶縁膜５２として、誘電正接（ｔａｎδ）の小さいベンゾシクロブテン（ｔａｎδ≦０．１％）が用いられているため、有機絶縁膜の誘電正接（ｔａｎδ）を小さくして、信号の損失を抑制することが可能になる。
したがって、有機絶縁膜と金属配線との密着性が良好で、有機絶縁膜の耐酸化性に優れ、しかも信号の損失の少ない薄膜回路基板を提供することが可能になる。
【００６７】
なお、上記実施形態１及び２では、金属配線材料としてＣｕ／Ｔｉを用い、実施形態３及び４ではＣｕ／Ｔｉ及びＡｕ／Ｔｉ／Ｃｕ／Ｔｉを用いた場合を例にとって説明したが、金属配線材料としては、その他にも、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、ＮｉＣｒ、Ｎｂ、及びＶの少なくとも１種を含む種々の材料を用いることが可能である。
【００６８】
また、上記実施形態１及び２では、有機絶縁膜上への金属配線の形成にリフトオフ工法を用いているが、エッチング法、メッキ法などを用いることも可能である。
【００６９】
また、上記実施形態１，３，及び４では、有機絶縁膜材料としてベンゾシクロブテン用い、実施形態１，３，及び４では、有機絶縁膜材料としてＺｃｏａｔ（環状オレフィン系樹脂）を用いた場合について説明したが、有機絶縁膜材料としては、その他にも、ノボルネン、テトラシクロドデセン、エチレンとテトラシクロドデセンの共重合体であるエチレン・テトラシクロドデセンなどの環状オレフィン系樹脂を用いることが可能である。
【００７０】
本願発明はさらにその他の点においても、上記実施形態に限定されるものではなく、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【００７１】
【発明の効果】
上述のように、本願発明（請求項１）の薄膜回路基板は、基板上に有機絶縁膜として、環状オレフィン系樹脂を含む有機絶縁膜を形成するとともに、有機絶縁膜上に無機絶縁膜を形成し、この無機絶縁膜を介して、有機絶縁膜上に金属配線を形成するようにしているので、無機絶縁膜が有機絶縁膜と金属配線との密着性を向上させるとともに有機絶縁膜を保護する機能を果たし、有機絶縁膜と金属配線との密着性が向上するとともに、有機絶縁膜の耐酸化性が改善される。
さらに、有機絶縁膜として、誘電正接（ｔａｎδ）の小さい環状オレフィン系樹脂（ｔａｎδ≦０．１％）を含む有機絶縁膜が用いられているので、有機絶縁膜の誘電正接（ｔａｎδ）を小さくして、信号の損失を抑制することが可能になる。
したがって、有機絶縁膜と金属配線との密着性が良好で、有機絶縁膜の耐酸化性に優れ、しかも信号の損失の少ない薄膜回路基板を実現することが可能になる。
【００７２】
また、請求項２のように、環状オレフィン系樹脂としてベンゾシクロブテンを用いることにより、有機絶縁膜と金属配線との密着性が良好で、有機絶縁膜の耐酸化性に優れ、しかも信号の損失の少ない、信頼性に優れた薄膜回路基板を確実に実現することが可能になる。特に、ベンゾシクロブテンをミリ波、マイクロ波デバイスの層間絶縁膜（有機絶縁膜）として用いた場合、ベンゾシクロブテンの誘電正接（ｔａｎδ）が０．１％以下であることから、信号の損失を効率よくしかも確実に低く抑えることが可能になり有意義である。
【００７３】
また、請求項３の薄膜回路基板のように、無機絶縁膜の膜厚を５ｎｍ以上とし、この無機絶縁膜を、有機絶縁膜全体を覆う連続膜として形成することにより、有機絶縁膜と金属配線との密着強度を向上させることが可能になるとともに、有機絶縁膜全体を保護して、有機絶縁膜の耐酸化性を確実に向上させることが可能になり、信頼性に優れた薄膜回路基板を確実に実現することが可能になる。
【００７４】
また、請求項４の薄膜回路基板のように、無機絶縁膜として、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミ、及び窒化アルミからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むものを用いることにより、有機絶縁膜と金属配線との密着強度を向上させることが可能になるとともに、有機絶縁膜を確実に保護して耐酸化性を改善することが可能になり、本願発明を実効あらしめることができる。
【００７５】
また、請求項５の薄膜回路基板のように、金属配線として、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、ＮｉＣｒ、Ｎｂ、及びＶからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む材料からなるものを用いることにより、低抵抗で、かつ有機絶縁膜に対する密着強度に優れた金属配線を備えた信頼性の高い薄膜回路基板を得ることが可能になる。
【００７６】
また、請求項６の薄膜回路基板のように、金属配線を、リフトオフ法、エッチング法、及びメッキ法のいずれかの方法で形成することにより、低抵抗で、かつ有機絶縁膜に対する密着強度に優れた金属配線を形成することが可能になる。
【００７７】
また、請求項７の薄膜回路基板のように、有機絶縁膜、無機絶縁膜、及び金属配線を備えた回路構造体を、表面に金属配線が形成された基板上に配設することにより、配線密度が高く、小型、高性能で信頼性の高い薄膜回路基板を実現することが可能になる。
【００７８】
また、請求項８の薄膜回路基板のように、有機絶縁膜、無機絶縁膜、及び金属配線を備えた回路構造体を、表面に金属配線が形成され、裏面の略全面が金属膜で覆われた基板の表面に配設することにより、配線密度が高く、小型、高性能で信頼性の高い薄膜回路基板を実現することが可能になる。
【００７９】
また、請求項９の薄膜回路基板のように、有機絶縁膜、無機絶縁膜、及び金属配線を備えた回路構造体を、表面に金属配線が形成され、裏面にも金属配線が施された基板上に配設することにより、さらに配線密度が高く、小型、高性能で信頼性の高い薄膜回路基板を実現することが可能になる。
【００８０】
また、請求項１１の薄膜回路基板のように、基板の金属配線及び／又は金属膜を、リフトオフ法、エッチング法、及びメッキ法のいずれかの方法を用いて形成することにより、基板への密着性に優れた信頼性の高い金属配線や金属膜を確実に形成することが可能になり、本願発明を実効あらしめることができる。
【００８１】
また、請求項１２の薄膜回路基板のように、有機絶縁膜、無機絶縁膜、及び金属配線を備えた回路構造体を、抵抗体を有する基板上に形成することにより、抵抗素子上に配線を形成できることから、素子全体を小型化することが可能になる。
【００８２】
また、請求項１３の薄膜回路基板のように、窒化タンタル、窒化ジルコニウム、ニクロムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有する抵抗体を用いることにより、温度変化率の小さい抵抗素子を形成することが可能になる。
【００８３】
また、請求項１４の薄膜回路基板のように、有機絶縁膜、無機絶縁膜、及び金属配線を備えた回路構造体が配設される基板として、スルーホールを備えた基板を用いることにより、基板の両面を効率よく利用することが可能になり、さらなる高密度化、小型化を図ることが可能になる。
【００８４】
また、請求項１５の薄膜回路基板のように、スルーホールにＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｗからなる群より選ばれる少なくとも１種を主成分とする電極が充填された構成とすることにより、基板の表裏の導通信頼性に優れた小型、高性能の薄膜回路基板を実現することが可能になる。
【００８５】
また、請求項１６の薄膜回路基板のように、スルーホールの電極を、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒからなる群より選ばれる少なくとも１種の材料を用いて、メッキ法により形成することにより、基板の表裏の導通信頼性に優れた小型、高性能の薄膜回路基板を実現することが可能になる。
【００８６】
また、本願発明（請求項１７）の薄膜回路基板の製造方法は、基板上に環状オレフィン系樹脂を含有する有機絶縁膜を形成する工程と、有機絶縁膜上に、該有機絶縁膜と金属配線との密着性を向上させ、かつ、前記有機絶縁膜を保護する無機絶縁膜を形成する工程と、無機絶縁膜上に金属配線を形成する工程とを備えているので、基板上に環状オレフィン系樹脂を含む有機絶縁膜が形成され、その上に無機絶縁膜を介して金属配線が配設された構造を有する薄膜回路基板を効率よく製造することが可能になる。
なお、この請求項１７の薄膜回路基板の製造方法により、本願請求項１〜１６の薄膜回路基板を確実にかつ効率よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｆ）は本願発明の一実施形態にかかる薄膜回路基板を製造する工程を示す図である。
【図２】金属配線（電極）の密着強度を評価するテープ剥離試験を説明するための図である。
【図３】実施例１及び比較例１の試料の有機絶縁膜（ベンゾシクロブテン）のｔａｎδの変化を調べる方法を説明するための図である。
【図４】（ａ）は実施例１の試料の有機絶縁膜（ベンゾシクロブテン）について調べたｔａｎδの変化の状態を示すグラフ、（ｂ）は比較例１の試料の有機絶縁膜（ベンゾシクロブテン）について調べたｔａｎδの変化の状態を示すグラフである。
【図５】実施例１の試料の有機絶縁膜（ベンゾシクロブテン）の酸化の状態をＦＴ−ＩＲ分析により調べた結果を示す図である。
【図６】比較例１の試料の有機絶縁膜（ベンゾシクロブテン）の酸化の状態をＦＴ−ＩＲ分析により調べた結果を示す図である。
【図７】（ａ）は実施例２の試料の有機絶縁膜（環状オレフィン系樹脂（Ｚｃｏａｔ））について調べたｔａｎδの変化の状態を示すグラフ、（ｂ）は比較例２の試料の有機絶縁膜（環状オレフィン系樹脂（Ｚｃｏａｔ））について調べたｔａｎδの変化の状態を示すグラフである。
【図８】本願発明の実施形態（実施形態３）にかかる薄膜回路基板（多層基板）を示す断面図である。
【図９】本願発明の他の実施形態（実施形態４）にかかる薄膜回路基板（多層基板）を示す断面図である。
【符号の説明】
１　　　　基板
２　　　　有機絶縁膜
３　　　　リフトオフ用レジストパターン
４　　　　電極膜
５　　　　金属配線（電極パターン）
６　　　　密着強度評価用のテープ
１２　　　無機絶縁膜
２０　　　電極
２１　　　基板
２２　　　有機絶縁膜
２４　　　ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　Ｍｅｔａｌ）キャパシタ
２５　　　電極
３２　　　無機絶縁膜
４１，４２　　金属配線
４３　　　裏面の電極膜
５１　　　基板（アルミナ基板）
５２　　　有機絶縁膜
５５　　　電極（金属配線）
５６　　　抵抗
５７　　　スルーホール
６２　　　無機絶縁膜
Ａ，Ｂ　　薄膜回路基板（多層基板）
【図１】
2004014848.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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