(57)【要約】【課題】被エッチング部材へのエッチング反応に影響を与えず、被エッチング部材のエッチングレートやエッチングの終点を正確にモニタリングすることが可能な、エッチングモニタリング装置およびエッチングモニタリング方法を提供する。【解決手段】ウエハ表面に入射するレーザ光の光強度と、検出された１次回折光の光強度とより、１次回折光の光強度の時間変化（干渉波形）が得られ、薬液４におけるｎ型アルミガリウム（ＡｌＧａＡｓ）層のエッチングレートが算出される（Ｓ１０５）。信号処理・制御系１４では、リアルタイムにエッチングレートを計算し、得られたエッチングレートがレーザ光の光強度に依らずほぼ一定になるまで、光減衰器１５に光を減少させるように機器を制御する（Ｓ１０６）。レーザ光の光強度が充分小さく、ウエハ２表面のエッチング反応に影響を及ぼさなくなると判別した場合、レーザ光の光強度を一定に保ち（Ｓ１０７）、ウエハ２表面のエッチングをモニタリングし続ける。【選択図】        図２
2004335759.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薬液を用いた被エッチング部材表面のウエットエッチング時に、前記被エッチング部材表面のエッチングレートおよびエッチングの終点を、光学的にモニタリングする被エッチング部材表面のエッチングモニタリング装置であって、
前記被エッチング部材表面にレーザ光を照射するための手段と、
前記被エッチング部材表面に照射する前記レーザ光の光強度を減衰させる手段と、
前記被エッチング部材表面からの前記レーザ光の反射光あるいは回折光の光強度を検出する手段と、
検出された光強度の時間変化に基づきエッチングレートを算出し、かつ、算出されたエッチングレートから前記レーザ光の減衰度合を算出し、この算出された減衰度合に基づき前記レーザ光の減衰度合の最適化を行なう手段と、
を備えたことを特徴とする、エッチングモニタリング装置。
【請求項２】
薬液を用いた被エッチング部材表面のウエットエッチング時に、前記被エッチング部材表面のエッチングレートおよびエッチングの終点を、光学的にモニタリングする被エッチング部材表面のエッチングモニタリング方法であって、
前記被エッチング部材を前記薬液に浸漬させた状態で、前記被エッチング部材表面にレーザ光を照射するレーザ光照射工程と、
前記被エッチング部材表面に照射する前記レーザ光の光強度を減衰させるレーザ光減衰工程と、
前記被エッチング部材表面からの前記レーザ光の反射光あるいは回折光の光強度を検出する光強度検出工程と、
検出された光強度の時間変化よりエッチングレートを算出し、かつ、算出されたエッチングレートから前記レーザ光の減衰度合を算出し、この算出された減衰度合に基づき前記レーザ光の減衰度合の最適化を行なう減衰度合最適化工程と、を備え、
前記レーザ光減衰工程は、前記被エッチング部材のエッチングが、前記レーザ光の照射に影響を受けなくなるまで光強度を減衰させることを特徴とする、エッチングモニタリング方法。
【請求項３】
前記光強度検出工程は、薬液中に前記被エッチング部材表面を浸漬した直後に、前記レーザ光の光強度を検出し続け、前記被エッチング部材のエッチングが前記レーザ光の光照射の影響を殆ど受けなくなる際の前記レーザ光の光強度の値を測定する工程を含み、
前記レーザ光減衰工程は、上記において認定された前記レーザ光の光強度の値以下に、前記レーザ光の光強度の値を設定する工程を含む、
請求項２に記載のエッチングモニタリング方法。
【請求項４】
前記被エッチング部材は、半導体ウエハおよびアルミガリウム砒素のいずれかであることを特徴とする、請求項２または３に記載のエッチングモニタリング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、薬液を用いて被エッチング部材表面のウエットエッチング処理を行う際に、表面のエッチングレートやエッチングの終点をモニタリングするための、エッチングモニタリング装置およびエッチングモニタリング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
薬液中で、たとえば被エッチング部材としてのウエハ表面のエッチング処理を行う際に、ウエハ表面のエッチングレートやエッチングの終点をその場で検出（モニタリング）することは、プロセスの再現性を高め、デバイスの製造歩留りを向上させるために必要となる技術である。ウエハ表面のエッチングレートやエッチングの終点をその場で検出（モニタリング）するエッチングモニタリング装置およびエッチングモニタリング方法が、たとえば、下記の非特許文献１に開示されている。
【０００３】
この非特許文献１には、所定のマスクパターンが形成されたレジストマスクで覆われたシリコン酸化（ＳｉＯ２）膜に対して、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）液中でエッチングを行う際に、レーザ光干渉法を用いてシリコン酸化（ＳｉＯ２）膜のエッチングレートおよびエッチングの終点を検出するモニタリング装置およびモニタリング方法が開示されている。
【０００４】
ここで、図５を参照して、エッチングモニタリング方法の採用されるレーザ光干渉法の原理について説明する。図５に示すように、薬液４中で、たとえば被エッチング部材として、ウエハ２上に形成されたの被エッチング膜２０の表面のエッチング処理を行う際に、モニタリングのために照射されるレーザ光１００Ａ，Ｂは被エッチング膜２０の表面で反射される。しかし、レジスト膜２２で覆われている領域２０Ａからの反射光１００Ａと、レジスト膜２２に覆われていない領域２０Ｂからの反射光１００Ｂとの間には、被エッチング膜２０の表面に段差が形成されているために光路長に差が生じる。このため、反射光１００Ａと反射光１００Ｂとの間で、位相差が発生する結果、光の干渉が起こり、位相差に応じて反射光が互いに強め合う、あるいは弱め合うといった現象が起こる。
【０００５】
これにより、ウエットエッチング時に被エッチング膜２０の表面からの反射光の光強度の時間変化を測定すると、強弱を繰り返すいわゆる干渉波形が観測される。レーザ光の入射が表面に対して垂直の場合には、この干渉波形の１周期の間に、被エッチング膜はλ／（２・ｎ）だけエッチングされていることになる。ここで、λはレーザ光の波長、ｎは薬液４の屈折率である。より厳密な解析は、たとえば非特許文献１中に見ることができる。
【０００６】
このように、レーザ光干渉法を用いることで、被エッチング膜２０のエッチングレートをモニタリングすることができる。また、反射光の光強度の周期的な振動が突然ストップすることにより、被エッチング膜２０のエッチングの終点を容易に検出することもできる。
【０００７】
次に、図６を参照して、エッチングモニタリング装置およびエッチングモニタリング方法について説明する。テフロン（登録商標）製のウエット槽１の内部には、シリコンウエハ２を保持するテフロン（登録商標）製のホルダ３が設置されている。シリコンウエハ２には、パターニングされたレジスト膜およびＳｉＯ２膜が成膜されている。ウエット槽１の内部においては、レジスト膜の開口部において露出したＳｉＯ２膜がＢＨＦ液４によりエッチングされる。
【０００８】
ウエット槽１の外部にはレーザ光発生装置５（Ｈｅ−Ｎｅ、波長６３３ｎｍ、パワー１ｍＷ）が設置され、発生したレーザ光Ｌは、光チョッパ６によりある一定の周波数でオン・オフ変調を受けた後、ミラー７と光学窓８を通じてウエット槽１内に導入され、シリコンウエハ２の表面にほぼ垂直に入射する。シリコンウエハ２に照射されたレーザ光Ｌは、シリコンウエハ２の表面に形成されたＳｉＯ２膜の溝パターンで反射あるいは回折される。
【０００９】
この従来のエッチングモニタリング装置においては、１次の回折光Ｌ１をウエット槽１の外部に設置された光検出器９（シリコンダイオード）により検出している。光検出器９の出力信号は、光チョッパ６のオン・オフ周波数を参照信号としているロックインアンプ１０により増幅され、その後アンプ内部の低域周波数フィルタでノイズ成分を除去し、表示部１１に出力される。
【００１０】
このようにして、表示部１１に表示される回折光の光強度の時間変化（干渉波形）から、ＳｉＯ２膜のエッチングレートやエッチングの終点をモニタリングすることができる。
【００１１】
【非特許文献１】
Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｅｔｃｈｉｎｇ  ｏｆ  ＳｉＯ２  ａｎｄ  Ｓｉ３Ｎ４  ｏｎ  Ｓｉ  ｂｙ  ｔｈｅ  Ｕｓｅ  ｏｆ  Ｇｒａｔｉｎｇ  Ｔｅｓｔ  ｐａｔｔｅｒｎｓ，  Ｈ．Ｐ．  Ｋｌｅｉｎｋｎｅｃｈｔ  ａｎｄ  Ｈ．Ｍｅｉｅｒ，  Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．：  ＳＯＬＩＤ−ＳＴＡＴＥ  ＳＣＩＥＮＣＥ  ＡＮＤ  ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ，Ｍａｙ  １９７８，  Ｖｏｌ．１２５，Ｎｏ．５，  ｐ．７９８．
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
従来のエッチングモニタリング装置およびエッチングモニタリング方法は、出力１ｍＷ前後の一般的なレーザ光をプローブ光として、ウエハ表面またはウエハ表面の被エッチング膜に照射し、表面からの反射あるいは回折光を検出して、その光強度の時間変化を測定することにより、被エッチング膜のエッチングレートやエッチングの終点をモニタリングしている。
【００１３】
しかしながら、このようなエッチングモニタリング装置およびエッチングモニタリング方法を、光・高周波デバイスにおいて、被エッチング膜として使用されているガリウム砒素（ＧａＡｓ）、アルミガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）、その他の化合物半導体材料（特にｎ型の場合）に適用すると、これらの材料のエッチング反応がレーザ光の影響を受けやすいため、プローブ光として用いているレーザ光の照射により、局所的にエッチングがストップしたり、あるいはエッチングのレートが低下するといった問題点が生じる。
【００１４】
このため、化合物半導体材料を用いた被エッチング膜に、従来のモニタリング装置およびモニタリング方法を適用した場合には、ウエハ表面のエッチングの正確なモニタリングが困難であり、ウエットエッチングにおけるプロセスの再現性が乏しいという問題点があった。
【００１５】
したがって、この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、薬液中での化合物半導体材料等の被エッチング部材へのエッチング反応に影響を与えず、被エッチング部材のエッチングレートやエッチングの終点を正確にモニタリングすることが可能な、エッチングモニタリング装置およびエッチングモニタリング方法を提供することを目的としている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
この発明に基づいたエッチングモニタリング装置においては、薬液を用いた被エッチング部材表面のウエットエッチング時に、上記被エッチング部材表面のエッチングレートおよびエッチングの終点を、光学的にモニタリングする被エッチング部材表面のエッチングモニタリング装置であって、以下の構成を有することを特徴とする。
【００１７】
上記被エッチング部材表面にレーザ光を照射するための手段と、上記被エッチング部材表面に照射する上記レーザ光の光強度を減衰させる手段と、上記被エッチング部材表面からの上記レーザ光の反射光あるいは回折光の光強度を検出する手段と、検出された光強度の時間変化に基づきエッチングレートを算出し、かつ、算出されたエッチングレートから上記レーザ光の減衰度合を算出し、この算出された減衰度合に基づき上記レーザ光の減衰度合の最適化を行なう手段とを備えている。
【００１８】
また、この発明に基づいたエッチングモニタリング方法においては、薬液を用いた被エッチング部材表面のウエットエッチング時に、上記被エッチング部材表面のエッチングレートおよびエッチングの終点を、光学的にモニタリングする被エッチング部材表面のエッチングモニタリング方法であって、以下の工程を備えることを特徴とする。
【００１９】
上記被エッチング部材を上記薬液に浸漬させた状態で、上記被エッチング部材表面にレーザ光を照射するレーザ光照射工程と、上記被エッチング部材表面に照射する上記レーザ光の光強度を減衰させるレーザ光減衰工程と、上記被エッチング部材表面からの上記レーザ光の反射光あるいは回折光の光強度を検出する光強度検出工程と、検出された光強度の時間変化よりエッチングレートを算出し、かつ、算出されたエッチングレートから上記レーザ光の減衰度合を算出し、この算出された減衰度合に基づき上記レーザ光の減衰度合の最適化を行なう減衰度合最適化工程とを備える。さらに、上記レーザ光減衰工程は、上記被エッチング部材のエッチングが、上記レーザ光の照射に影響を受けなくなるまで光強度を減衰させることを特徴とする。
【００２０】
上述したエッチングモニタリング装置およびエッチングモニタリング方法によれば、エッチング時にレーザ光照射の影響を受ける被エッチング部材のエッチング処理時において、被エッチング部材のエッチングに影響を与えないレーザ光の光強度を求め、この光強度よりも小さくなるように、被エッチング部材の表面に入射させるレーザ光の光強度の制御を行なうことを可能としている。
【００２１】
これにより、レーザ光の照射によっても、エッチングには何ら影響を与えないため、被エッチング部材のエッチング時に１次回折光の明瞭な干渉波形が得られ、被エッチング部材のエッチングのレートおよび終点を、この干渉波形から容易に検出することができ、ウエットエッチング処理の再現性を高めることが可能になる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図１および図２を参照しながら、本発明に基づいた実施の形態１におけるエッチングモニタリング装置およびエッチングモニタリング方法ついて説明する。本実施の形態では、一例として、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）ウエハ２上に成膜されたｎ型アルミガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）層（上層）／ｐ型アルミガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）層（下層）の積層膜を、酒石酸と過酸化水素との混合薬液４中でエッチングする際に、上層に位置するｎ型アルミガリウム（ＡｌＧａＡｓ）層のエッチングの終点をモニタリングする場合について説明する。
【００２３】
なお、図１は、本実施の形態におけるエッチングモニタリング装置の構成を示す図であり、図２は、図１に示すエッチングモニタリング装置を用いたエッチングモニタリング方法のフローを示す図である。なお、図１中において、従来のエッチングモニタリング装置と同一または相当部分については、同一の参照符号を付し重複する説明は繰返さないものとする。
【００２４】
（エッチングモニタリング装置）
本実施の形態におけるエッチングモニタリング装置の特徴的構成としては、レーザ光発生装置５から照射されたレーザ光Ｌの一部を反射して取り出すビームスプリッタ１２と、ビームスプリッタ１２により分割されたレーザ光Ｌａの光強度を測定するパワーメータ１３と、このパワーメータ１３の出力部やロックインアンプ１０の出力部と電気的に接続された信号処理・制御系１４と、レーザ光発生装置５から照射されたレーザ光Ｌの光強度を減衰させる光減衰器１５とを備えている点にある。
【００２５】
信号処理・制御系１４は、分割されたレーザ光Ｌａの光強度や１次の回折光Ｌ１の光強度を入力し、各種の演算処理やフィッティング等の演算を行い、得られた結果に基づいて、電気的に接続された光減衰器１５を制御するための制御信号を出力する。また、光減衰器１５は、信号処理・制御系１４からの制御信号を受けて、レーザ光発生装置５から照射されるレーザ光Ｌをある一定の光強度にまで減衰させるためのものである。なお、ビームスプリッタ１２および光減衰器１５は、レーザ光発生装置５と光チョッパ６との間において、レーザ光の進行方向に沿って、レーザ光発生装置５、光減衰器１５、ビームスプリッタ１２、および光チョッパ６の順となるように配設されている。
【００２６】
（エッチングモニタリング方法）
次に、上記構成からなるエッチングモニタリング装置を用いたエッチングモニタリング方法について、図１および図２参照しながら説明する。まず、薬液４が充填されていない状態で、ウエット槽１に、ウエハホルダ３に固定されたガリウム砒素（ＧａＡｓ）ウエハ２（以下、単にウエハ２と称する）を設置する（ステップ１０１、以下単にＳ１０１と称する）。
【００２７】
次に、レーザ発生装置５から照射されるレーザ光Ｌの光強度を初期値に設定する（Ｓ１０２）。その後、レーザ発生装置５から出射したレーザ光Ｌｂをウエハ２の表面に入射させるが（レーザ光照射工程）、本実施の形態においては、ミラー７の角度を調整して、ウエハ２の表面に対してレーザ光Ｌｂを垂直に入射させた。レーザ光源として一般的なＨｅ−Ｎｅレーザ（波長６３３ｎｍ、パワー１ｍＷ）を用いたが、その他のレーザ光源（レーザダイオード、Ａｒイオンレーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ等）でも良く、特にＨｅ−Ｎｅレーザに限定されるものではない。
【００２８】
本実施の形態におけるエッチングモニタリング方法においては、従来の技術と同様、光チョッパ６を用いてレーザ光Ｌをオン・オフ変調しており、変調周波数を１ｋＨｚに設定した。この状態でのレーザ光Ｌをビームスプリッタ１２によりレーザ光Ｌａに分割し、このレーザ光Ｌａの光強度をパワーメータ１３により測定するとＩ０であった。
【００２９】
ウエハ２の表面にレーザ光Ｌｂが入射すると、表面に形成されているレジストパターンからの１次回折光Ｌ１が発生する。この回折光Ｌ１を最大限検出できるよう、シリコンダイオードから成る光検出器９の位置や角度を調整する。ここでは図示しないが、レンズ等を用いて、１次回折光Ｌ１を検出器９の受光面に集光すると検出感度は向上する。
【００３０】
次に、酒石酸と過酸化水素との混合液からなる薬液４をウエット槽１内に導入し（Ｓ１０３）、ウエハ２の表面に成膜されたｎ型アルミガリウム（ＡｌＧａＡｓ）層のエッチング処理を開始する。直ちに、光減衰器１５を用いて、ウエハ２の表面に入射するレーザ光Ｌ（Ｌｂ）の光強度を段階的に減少させる（Ｓ１０４；レーザ光減衰工程）。本実施の形態においては、光減衰器１５として、光学濃度が０．１から５．０まで可変のＮＤフィルタを用いたが、光強度を減少させることができれば良く、特にこれに限定するものではない。
【００３１】
減衰されたレーザ光Ｌの光強度は、ビームスプリッタ１２により分割されたレーザ光Ｌａの光強度信号をパワーメータ１３によりモニタし、信号処理・制御系１４にパワーメータ１３により得られた結果を送信する。光検出器９により同時に測定された１次回折光Ｌ１の光強度信号は、ロックインアンプ１０により増幅され、ロックインアンプ１０内部の低域周波数フィルタでノイズ成分を除去した後、信号処理・制御系１４に送信される。この信号処理・制御系１４では、ウエハ表面に入射するレーザ光Ｌｂの光強度と、検出された１次回折光Ｌ１の光強度とより、１次回折光Ｌ１の光強度の時間変化（干渉波形）が得られ、薬液４におけるｎ型アルミガリウム（ＡｌＧａＡｓ）層のエッチングレートが算出される（Ｓ１０５）。
【００３２】
図３に、算出されたエッチングレートとレーザ光Ｌの光強度との関係を示す。レーザ光Ｌを減衰させない初期状態ではレーザ光の光強度はＩ０であり、この時にはｎ型アルミガリウム（ＡｌＧａＡｓ）層のエッチングレートはゼロであった（すなわち、レーザ光Ｌの照射の影響によりエッチングが停止している）。光強度をＩ０から減少させ、光強度がＩ１になると、酒石酸と過酸化水素との薬液４中でエッチング反応が起こり始め、Ｉ２以下になるとエッチングレートの増加がほとんど飽和し、レーザ光の照射の影響が無くなることがわかる（すなわち、レーザ光Ｌの照射の影響に関係無く、エッチングが行なわれている）。
【００３３】
このように、信号処理・制御系１４では、リアルタイムにエッチングレートを計算し、得られたエッチングレートがレーザ光Ｌの光強度に依らずほぼ一定になるまで（エッチングレートの増加が飽和するまで）、光減衰器１５に光を減少させるように機器を制御する（Ｓ１０６；光強度検出工程）。そして、レーザ光Ｌの光強度が充分小さく、ウエハ２表面のエッチング反応に影響を及ぼさなくなると判別した場合、レーザ光Ｌの光強度を一定に保ち（レーザ光Ｌの光強度の減少を止める（Ｓ１０７））、ウエハ２表面のエッチングをモニタリングし続ける（減衰度合最適化工程）。
【００３４】
本実施の形態では、被エッチング部材であるｎ型アルミガリウム（ＡｌＧａＡｓ）層の下にはｐ型アルミガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）層が設けられており、このｐ型アルミガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）層でエッチングが殆ど完全にストップするため、ｎ型アルミガリウム（ＡｌＧａＡｓ）層が全て無くなった際に、１次回折光Ｌ１の光強度の時間変化から干渉波形が消え（振動が無くなる）、エッチングの終点が容易に検出される（Ｓ１０８）。その後、ウエット槽１内から薬液４を抜き、ｎ型アルミガリウム（ＡｌＧａＡｓ）層のエッチング処理を終了させる（Ｓ１０９）。
【００３５】
（作用・効果）
ここで、図４に、本実施の形態で得られたエッチング中の干渉波形の一例を示す。本実施の形態におけるエッチングモニタリング装置およびエッチングモニタリング方法では、酒石酸と過酸化水素との混合薬液４を用いたｎ型アルミガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）層のエッチングに影響を与えないレーザ光Ｌの光強度Ｉ２を求め、ウエハ２の表面に入射させレーザ光Ｌｂの光強度を光強度Ｉ２の値以下に設定することを可能としている。
【００３６】
これにより、レーザ光Ｌｂの照射によっても、エッチングには何ら影響を与えないため、ｎ型アルミガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）層のエッチング時に１次回折光Ｌ１の明瞭な干渉波形（図４中の領域Ａに示す波状波形）が得られ、ｎ型アルミガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）層のエッチングの終点Ｂを、この干渉波形から容易に検出することができ、ウエットエッチング処理の再現性を高めることが可能になる。
【００３７】
よって、従来の技術では困難であったガリウム砒素（ＧａＡｓ）やアルミガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）等の化合物半導体材料のように、レーザ光照射の影響を受ける材料に対しても、ウエハ表面のエッチングの正確なモニタリングが可能となる。なお、上記実施の形態においては、被エッチング部材として、アルミガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）を用いた場合について説明したが、これに限定されるものでなく、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）ウエハ等の半導体ウエハ、その他のエッチング時にレーザ光照射の影響を受ける材料であれば、本発明のモニタリング装置およびこの装置を用いたモニタリング方法を同様に適用することが可能である。
【００３８】
したがって、上述した各実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００３９】
【発明の効果】
以上、この発明に基づいたエッチングモニタリング装置およびエッチングモニタリング方法によれば、レーザ光の照射によりエッチング処理に悪影響を受ける被エッチング部材のエッチング処理においても、容易にエッチング処理に悪影響を受けない光強度を求めることができるため、半導体装置の製造工程におけるウエットエッチング処理の再現性を高めることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態におけるエッチングモニタリング装置の構成を示す図である。
【図２】図１に示すエッチングモニタリング装置を用いたエッチングモニタリング方法のフローを示す図である。
【図３】本実施の形態における、算出されたエッチングレートとレーザ光Ｌの光強度との関係を示す図である。
【図４】本実施の形態で得られたエッチング中の干渉波形の一例を示す図である。
【図５】レーザ光干渉法によるエッチングのモニタリングの原理を説明する模式図である。
【図６】従来のエッチングモニタリング装置および方法を説明するための図である。
【符号の説明】
１  ウエット槽、２  ウエハ、３  ホルダ、４  薬液、５  レーザ光発生装置、６  光チョッパ、７  ミラー、８  光学窓、９  光検出器、１０  ロックインアンプ、１１  表示部、１２  ビームスプリッタ、１３  パワーメータ、１４  信号処理・制御系、１５  光減衰器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2004335759.tif 000006
【図５】
2004335759.tif 000007
【図６】
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