(57)【要約】【課題】基板上に膜パターンを形成するに際し、薄膜で、微細且つ細線な膜を簡便に形成することが可能な方法を提供する。【解決手段】本発明の膜形成方法は、基板上に、液滴吐出装置を用いて膜材料を含む液滴を滴下する吐出（滴下）工程Ｓ３と、前記液滴を滴下した基板に対し、滴下された液滴を所定領域内において拡散させ、該領域内を液滴により均一に満たすための振動を付与する振動工程Ｓ４とを含むことを特徴とする。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に膜を形成する膜形成方法であって、
前記基板上に、液滴吐出装置を用いて膜材料を含む液滴を滴下する滴下工程と、
前記液滴を滴下した基板に対し、滴下された液滴を所定領域内において拡散させ、該領域内を液滴により均一に満たすための振動を付与する振動工程と、
を含むことを特徴とする膜形成方法。
【請求項２】
前記基板振動工程は、前記液滴の滴下と同時に、或いは前記液滴を滴下した後に行うことを特徴とする請求項１に記載の膜形成方法。
【請求項３】
前記滴下工程において、前記液滴吐出装置の吐出ヘッドの一方向への走査により複数の液滴が吐出される一方、該一方向への走査を複数回行うものとし、ｎ＋１回目以降のヘッド走査においては、ｎ回目以前のいずれかのヘッド走査により滴下された液滴の間に新たな液滴を滴下することを特徴とする請求項１又は２に記載の膜形成方法。
【請求項４】
前記滴下工程に先立ち、前記基板上の膜を形成する領域に対して親液処理を施す工程を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の膜形成方法。
【請求項５】
前記滴下工程に先立ち、前記基板に対し、膜を形成する領域を囲む形にて隔壁部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の膜形成方法。
【請求項６】
前記隔壁部を形成した後に、該隔壁部の表面に撥液処理を施す一方、隔壁部によって形成された溝の底面に親液処理を施すことを特徴とする請求項５に記載の膜形成方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の膜形成方法を用いた配線形成方法であって、
前記滴下工程において、前記膜材料として導電性材料を含む液滴を滴下する一方、
前記振動工程において、前記液滴を滴下した基板に対し、滴下された液滴を所定領域内において拡散させ、該領域内を液滴により均一に満たすための振動を付与することを特徴とする配線形成方法。
【請求項８】
前記導電性材料として有機銀化合物を含有するものを用いたことを特徴とする請求項７に記載の配線形成方法。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の配線形成方法を用いた配線形成工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の製造方法により得られたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電極、アンテナ、電子回路、集積回路などの配線に使われる導電膜配線や、シリコン膜パターン、さらには、強誘電体膜パターン等のように、所定パターンの膜を形成するのに好適な膜形成方法と、該形成方法を用いた配線形成方法、及び該配線形成方法を用いた電気光学装置の製造方法、並びに電気光学装置及び電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子回路または集積回路などに使われる配線の形成方法として、例えば、リソグラフィー法が知られている。該リソグラフィー法は、予め導電膜を塗布した基板上にレジストと呼ばれる感光材を塗布し、回路パターンを照射して現像するとともに、レジストパターンに応じて導電膜をエッチングすることで配線を形成するものである。リソグラフィー法は、真空装置などの大掛かりな設備と複雑な工程を必要とし、また、材料使用効率も数％程度でそのほとんどを廃棄せざるを得ず、製造コストが高かった。そこで、リソグラフィー法に替わるプロセスとして、パターン形成用材料を含む液状体をインクジェット法により基材に直接パターニングする方法が、例えば特許文献１に開示されている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−２７４６７１号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記特許文献１に開示された技術は、パターン形成用材料を含んだ液状体をインクジェットヘッドから基板上に吐出することにより、パターン形成面たる基板上に材料を配置して配線パターンを形成するものであり、少量多種生産に対応可能な技術とされている。
ところで、近年、デバイスを構成する回路の高密度化がますます進み、例えば配線パターンについてもさらなる微細化、細線化が要求されている。
しかしながら、このような微細な配線パターンを特許文献１に開示されたような方法によって形成しようとする場合、その配線幅の精度を十分にだすのが難しく、また、吐出する液滴の直径より狭い線幅が要求される場合などでは、その対応が極めて困難となるといった課題があった。そして、特に形成しようとする配線が予め設計したパターンと異なるものとなった場合、例えば基板上の配線形成領域内に液滴が十分に満たされなかった場合等には、当該配線を利用した電子機器等にあっては誤作動の原因となる場合もある。
【０００５】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、基板上に膜パターンを形成するに際し、薄膜で、微細且つ細線な膜を簡便に形成することが可能な方法であって、その線幅などを簡便な手法で精度良く形成することができる膜の形成方法を提供することを目的とする。
また、特に微細且つ高信頼性の配線パターンを形成するのに適した配線形成方法、及び該配線形成方法を用いた電気光学装置の製造方法を提供するとともに、高信頼性の電気光学装置及び電子機器を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明の膜形成方法は、基板上に膜を形成する膜形成方法であって、前記基板上に、液滴吐出装置を用いて膜材料を含む液滴を滴下する滴下工程と、前記液滴を滴下した基板に対し、滴下された液滴を所定領域内において拡散させ、該領域内を液滴により均一に満たすための振動を付与する振動工程と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
このような膜形成方法によると、振動工程により、所定領域内に液滴が均一に満たされることとなり、予め設計したパターンの膜をより確実に形成することが可能となる。しかも、振動により滴下された液滴が領域内で十分に拡散されるため、極めて不連続部分の少ない膜となる上、例えば液滴中に含まれる粒子（膜形成成分粒子）の凝集も防止ないし抑制され、一層信頼性の高い膜を形成することが可能となる。したがって、本発明によると、膜の形成時において、物理的強度低下、又は膜の性質の不均一化（膜の位置毎において性質が異なること）を防止ないし抑制することができ、薄膜で、微細且つ細線な上、目的の性質を設計し易い膜を簡便に形成することが可能となる。
【０００８】
本発明の膜形成方法において、前記基板振動工程は、前記液滴の滴下と同時に、或いは前記液滴を滴下した後に行うものとすることができる。いずれのタイミングで振動を行うにしても上記効果を達成することができるが、滴下と同時に基板を振動させると滴下位置にズレが生じる惧れがあるため、そのような危惧を考慮すると、滴下後において基板振動を行う方が好ましいが、製造効率向上の観点からは、滴下と基板振動とを同一工程で行うのが好ましい。なお、基板に対して行う振動としては、例えば超音波振動のような微細振動が好ましい。
【０００９】
前記滴下工程において、前記液滴吐出装置の吐出ヘッドの一方向への走査により複数の液滴が吐出される一方、該一方向への走査を複数回行うものとし、ｎ＋１回目以降のヘッド走査においては、ｎ回目以前のヘッド走査により滴下された液滴の間に新たな液滴を滴下するものとすることができる。この場合、一方向への走査を複数回行っている（すなわち重ね塗りを行っている）ため、該一方向により連続な膜が形成され易くなり、しかもｎ＋１回目以降のヘッド走査においては、ｎ回目以前のいずれかのヘッド走査により滴下された液滴の間に新たな液滴を滴下するものとしているため、より一層走査方向に連続な膜が形成され易くなる。しかも、本発明では、液滴の滴下後若しくは滴下と同時に基板を振動するものとしているため、形成される膜の不連続領域の発現回避は勿論のこと、例えば液滴中に含まれる粒子の凝集も防止ないし抑制され、一層信頼性の高い膜を形成することが可能となる。さらに、このような基板の振動を施すことにより、何度も重ね塗りを繰り返さずとも、連続で均一な膜を形成することが可能となる。
なお、本発明において「ｎ＋１回目以降のヘッド走査において、ｎ回目以前のいずれかのヘッド走査により滴下された液滴の間に新たな液滴を滴下する」とは、少なくともｎ＋１回目以降のヘッド走査において、ｎ回目以前のいずれかのヘッド走査により滴下された液滴の吐出パターンと、同一ではない吐出パターンで吐出を行うことを意味するものであって、少なくとも滴下された液滴の間のいずれかに新たな液滴を滴下することを言うものである。
【００１０】
前記滴下工程に先立ち、前記基板上の膜を形成する領域（膜形成領域）に対して親液処理を施す工程を含むものとすることができる。このような親液処理により、膜形成領域内へ滴下した液滴を、該領域内で好適に広げることが可能となり、しかも振動を加えることで領域内での均一な膜形成を一層確実にすることが可能となる。また、仮に液滴が膜形成領域からずれて吐出された場合にも、振動を加えることにより、液滴が親液処理された領域に移動し、設計通りの膜を形成することができる。なお、本発明に言う「膜形成領域」とは、膜パターンを形成すべき領域のことで、主として単一または複数の直線および曲線で構成されるものである。
【００１１】
また、前記滴下工程に先立ち、前記基板に対し、膜を形成する領域を囲む形にて隔壁部を形成する工程を含むものとすることができる。この場合、該隔壁部により、膜形成領域以外への液状体の進入を防止ないし抑制することが可能となり、目的とした膜パターンを一層確実に形成することが可能となるとともに、特に振動工程において液状体がパターンを崩してしまう等の不具合発生を確実に防止することができるようになる。
【００１２】
さらに、本発明の膜形成方法においては、前記隔壁部を形成した後に、該隔壁部の表面に撥液処理を施す一方、隔壁部によって形成された溝の底面に親液処理を施すものとすることができる。この場合、隔壁部の表面への液状体（液滴）の付着が防止され、隔壁部に囲まれた基板上に形成された親液処理領域（溝の底面）に対し一層確実に膜を形成することが可能となり、該隔壁部形状に応じたパターンの膜を形成することが可能となる。
【００１３】
次に、本発明の膜形成方法は、シリコン膜パターンの形成や、ポリイミド等の絶縁膜パターンの形成、レジスト膜パターンの形成等に好適に使用できるが、特に導電膜の配線パターンの形成に適している。
すなわち、本発明の配線形成方法は、上述の膜形成方法を用いたことを特徴とし、前記滴下工程において、前記膜材料として導電性材料を含む液滴を滴下する一方、前記振動工程において、前記液滴を滴下した基板に対し、滴下された液滴を所定領域内において拡散させ、該領域内を液滴により均一に満たすための振動を付与することを特徴とする。
つまり、上記膜形成方法において、液状体の膜形成成分として導電性材料を含有させることにより、微細な導電性の膜パターン（配線パターン）を好適に形成することが可能となる。しかも、本発明の方法によると、滴下した液滴を所定領域内に均一に満たすべく振動を施すものとしているため、形成される膜は不連続領域が発生し難く、したがって断線や短絡或いは局所的な抵抗値の増大を防止ないし抑制することができ、良好な導電性を確保することが可能となる。なお、上記導電性材料としては、種々の金属性導電材料を用いることができ、具体的には有機銀化合物を含有するものを用いることができる。
【００１４】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法は、上記配線形成方法を用いた配線形成工程を含むことを特徴とする。このような方法によると、微細で且つ導電不良の少ない配線を備えた電気光学装置を提供することが可能となり、該電気光学装置を備えた電子機器は非常に信頼性の高いものとなる。なお、本発明の電気光学装置としては、例えば、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等を例示することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る実施形態について説明する。
［第１実施形態］
第１実施形態として、本発明の膜形成方法の一例である配線形成方法について説明する。本実施形態に係る配線形成方法は、図１に示すように、表面処理工程Ｓ１と、分散液（液状体）調製工程Ｓ２と、吐出（滴下）工程Ｓ３と、振動工程Ｓ４と、乾燥工程Ｓ５とを含んで構成される。以下、各工程について説明する。
【００１６】
（表面処理工程Ｓ１）
導電膜配線を形成すべき基板Ｓとしては、Ｓｉウエハー、石英ガラス、ガラス、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものを、導電膜配線を形成すべき基板として用いてもよい。この導電膜配線を形成すべき基板Ｓの表面は、導電膜配線を形成する領域については、後述する導電性微粒子を含有した分散液（液状体）に対して親液性を有することが好ましく、導電膜配線を形成しない領域については、該分散液（液状体）に対して撥液性を有することが好ましい。
このように表面の濡れ性を制御するためには、以下に説明する種々の表面処理方法が採用できる。
【００１７】
表面処理の方法の一つとして、導電膜配線を形成すべき基板の表面に、有機分子膜などからなる自己組織化膜を形成する方法が挙げられる。
基板表面を処理するための有機分子膜は、基板に結合可能な官能基と、その反対側に親液基あるいは撥液基といった基板の表面性を改質する（表面エネルギーを制御する）官能基と、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖を備えており、基板に結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜を形成するものである。
【００１８】
自己組織化膜とは、基板など下地層等構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、該直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を配向させて形成された膜である。自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。即ち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性や親液性を付与することができる。
【００１９】
上記の高い配向性を有する化合物として、例えばフルオロアルキルシラン（以下「ＦＡＳ」と表記する）を用いた場合には、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向されて自己組織化膜が形成されるので、膜の表面に均一な撥液性が付与される。
ＦＡＳは、一般的に構造式ＲｎＳｉＸ（４−ｎ）で表される。ここで、ｎは１以上３以下の整数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子などの加水分解基である。またＲはフルオロアルキル基であり、（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｘ（ＣＨ２）ｙの（ここでｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す）構造を持ち、複数個のＲ又はＸがＳｉに結合している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでも良いし、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加水分解によりシラノールを形成して、基板（ガラス、シリコン）等の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合で基板と結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ３）等のフルオロ基を有するため、基板等の下地表面を濡れない（表面エネルギーが低い）表面に改質する。
【００２０】
本実施形態では、基板Ｓ全面に対して酸素プラズマ処理により親液性を付与した後、基板上の導電膜配線を形成しない領域に上記ＦＡＳにより撥液処理を施し、その結果、導電膜配線を形成しない領域（配線パターン非形成領域）は上記分散液（液状体）に対して撥液性を示し、導電膜配線の形成予定領域は上記分散液（液状体）に対して親液性を示すこととなる。なお、基板Ｓ全面への酸素プラズマ等により親液処理は必須ではなく、導電膜配線を形成しない領域に対して選択的に上記ＦＡＳにより撥液性を付与することのみで、導電膜配線の形成予定領域を上記分散液（液状体）に対して相対的に親液化することも可能である。なお、本実施形態では、導電膜配線の形成予定領域は例えば線幅約１０μｍ程度のパターンとして形成することができる。
【００２１】
（分散液調製工程Ｓ２）
次に、表面処理後の基板上に吐出する導電性微粒子を含有する分散液（液状体）について説明する。
導電性微粒子を含有する液状体としては、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液を用いる。ここで用いられる導電性微粒子としては、金、銀、銅、パラジウム、ニッケルのいずれかを含有する金属微粒子の他、有機銀化合物等の有機金属化合物物や導電性ポリマー、超電導体等の微粒子などが挙げられる。
【００２２】
導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の表面にコーティングするコーティング材としては、例えば、キシレン、トルエン等の有機溶剤やクエン酸等が挙げられる。導電性微粒子の粒径は５ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、ノズルの目詰まりが起こりやすく、後述するインクジェット法による吐出が困難になるからである。また、５ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング材の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となるからである。
【００２３】
導電性微粒子に好適な分散媒としては、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上２００ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上２６６００Ｐａ以下）であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇより高い場合には、吐出後に分散媒が急激に蒸発してしまい、良好な膜を形成することが困難となるためである。また、分散媒の蒸気圧は０．００１ｍｍＨｇ以上５０ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上６６５０Ｐａ以下）であることがより好ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより高い場合には、後述するインクジェット法で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こり易く、安定な吐出が困難となるためである。一方、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い分散媒の場合、乾燥が遅くなり膜中に分散媒が残留しやすくなり、乾燥後に良質の導電膜が得られにくい。
【００２４】
上記導電性微粒子を分散媒に分散する場合の分散質濃度は、例えば１質量％以上８０質量％以下程度であり、所望の導電膜の膜厚に応じて調整することができる。８０質量％を超えると凝集をおこしやすくなり、均一な膜が得にくい。
そして、上記導電性微粒子を分散させた後の分散液の粘度は、１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。後述するインクジェット法にて吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合には用いるインクジェット装置のノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、該インクジェット装置のノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるためである。
【００２５】
（吐出工程Ｓ３）
次に、調製した導電性微粒子の分散液を、インクジェット法によりパターニング吐出する。本吐出工程では、図６に示すようなインクジェット装置（液滴吐出装置）３００を用いて行った。
【００２６】
図６は、インクジェット装置３０の概略構成を示す斜視図である。このインクジェット装置３０は、ベース３１、基板移動手段３２、ヘッド移動手段３３、インクジェットヘッド（ヘッド）３４、インク（液状体）供給手段３５等を有して構成されたものである。ベース３１は、その上に前記基板移動手段３２、ヘッド移動手段３３を設置したものである。
【００２７】
基板移動手段３２は、ベース３１上に設けられたもので、Ｙ軸方向に沿って配置されたガイドレール３６を有したものである。この基板移動手段３２は、例えばリニアモータにより、スライダ３７をガイドレール３６に沿って移動させるよう構成されたものである。スライダ３７には、θ軸用のモータ（図示せず）が備えられている。このモータは、例えばダイレクトドライブモータからなるものであり、これのロータ（図示せず）はテーブル３９に固定されている。このような構成のもとに、モータに通電するとロータおよびテーブル３９は、θ方向に沿って回転し、テーブル３９をインデックス（回転割り出し）するようになっている。
【００２８】
テーブル３９は、基板Ｓ（下基板１０に該当）を位置決めし、保持するものである。すなわち、このテーブル３９は、公知の吸着保持手段（図示せず）を有し、この吸着保持手段を作動させることにより、基板Ｓをテーブル３９の上に吸着保持するようになっている。基板Ｓは、テーブル３９の位置決めピン（図示せず）により、テーブル３９上の所定位置に正確に位置決めされ、保持されるようになっている。テーブル３９には、インクジェットヘッド３４がインク（液状組成物）を捨打ちあるいは試し打ちするための捨打ちエリア４１が設けられている。この捨打ちエリア４１は、Ｘ軸方向に延びて形成されたもので、テーブル３９の後端部側に設けられたものである。さらに、テーブル３９には、該テーブル３９上に保持された基板Ｓを微振動させるための超音波発振装置４９が設けられている。
【００２９】
ヘッド移動手段３３は、ベース３１の後部側に立てられた一対の架台３３ａ、３３ａと、これら架台３３ａ、３３ａ上に設けられた走行路３３ｂとを備えてなるもので、該走行路３３ｂをＸ軸方向、すなわち前記の基板移動手段３２のＹ軸方向と直交する方向に沿って配置したものである。走行路３３ｂは、架台３３ａ、３３ａ間に渡された保持板３３ｃと、この保持板３３ｃ上に設けられた一対のガイドレール３３ｄ、３３ｄとを有して形成されたもので、ガイドレール３３ｄ、３３ｄの長さ方向にインクジェットヘッド３４を保持させるスライダ４２を移動可能に保持したものである。スライダ４２は、リニアモータ（図示せず）等の作動によってガイドレール３３ｄ、３３ｄ上を走行し、これによりインクジェットヘッド３４をＸ軸方向に移動させるよう構成されたものである。
【００３０】
インクジェットヘッド３４には、揺動位置決め手段としてのモータ４３、４４、４５、４６が接続されている。そして、モータ４３を作動させると、インクジェットヘッド３４はＺ軸に沿って上下動し、Ｚ軸上での位置決めが可能になっている。なお、このＺ軸は、前記のＸ軸、Ｙ軸に対しそれぞれに直交する方向（上下方向）である。また、モータ４４を作動させると、インクジェットヘッド３４は図６中のβ方向に沿って揺動し、位置決め可能になり、モータ４５を作動させると、インクジェットヘッド３４はγ方向に揺動し、位置決め可能になり、モータ４６を作動させると、インクジェットヘッド３４はα方向に揺動し、位置決め可能になる。
【００３１】
このようにインクジェットヘッド３４は、スライダ４２上において、Ｚ軸方向に直線移動して位置決め可能となり、かつ、α、β、γに沿って揺動し、位置決め可能となっている。したがって、インクジェットヘッド３４のインク吐出面を、テーブル３９側の基板Ｓに対する位置あるいは姿勢を、正確にコントロールすることができるようになっている。
【００３２】
ここで、インクジェットヘッド３４は、図７（ａ）に示すように例えばステンレス製のノズルプレート１１２と振動板１１３とを備え、両者を仕切部材（リザーバプレート）１１４を介して接合したものである。ノズルプレート１１２と振動板１１３との間には、仕切部材１１４によって複数の空間１１５と液溜まり１１６とが形成されている。各空間１１５と液溜まり１１６の内部はインク（上述した分散液に該当）で満たされており、各空間１１５と液溜まり１１６とは供給口１１７を介して連通したものとなっている。また、ノズルプレート１１２には、空間１１５からインク（分散液）を噴射するためのノズル孔１１８が一列に配列された状態で複数形成されている。一方、振動板１１３には、液溜まり１１６にインクを供給するための孔１１９が形成されている。
【００３３】
また、振動板１１３の空間１１５に対向する面と反対側の面上には、図７（ｂ）に示すように圧電素子（ピエゾ素子）１２０が接合されている。この圧電素子１２０は、一対の電極１２１の間に位置し、通電するとこれが外側に突出するようにして撓曲するよう構成されたものである。そして、このような構成のもとに圧電素子１２０が接合されている振動板１１３は、圧電素子１２０と一体になって同時に外側へ撓曲するようになっており、これによって空間１１５の容積が増大するようになっている。したがって、空間１１５内に増大した容積分に相当するインクが、液溜まり１１６から供給口１１７を介して流入する。また、このような状態から圧電素子１２０への通電を解除すると、圧電素子１２０と振動板１１３はともに元の形状に戻る。したがって、空間１１５も元の容積に戻ることから、空間１１５内部のインクの圧力が上昇し、ノズル孔１１８から基板Ｓに向けてインクの液滴１２２が吐出される。なお、インクジェットヘッド３４のインクジェット方式としては、前記の圧電素子１２０を用いたピエゾジェットタイプ以外の方式のものとしてもよい。
【００３４】
図６に戻り、インク供給手段３５は、インクジェットヘッド３４にインクを供給するインク供給源４７と、このインク供給源４７からインクジェットヘッド３４にインクを送るためのインク供給チューブ４８とからなるものである。すなわちステンレス製等の容器からなるインク供給源４７にインクを一時保管して、そこよりインクをインク供給チューブ４８によりヘッドまで供給する方式を採用している。
【００３５】
本実施形態の場合、インク滴下対象たる基板Ｓの表面には、上述したように表面処理が施されており、該基板Ｓのうち親液処理された領域に沿ってインクを吐出するものとしている。そして、吐出に際し、基板Ｓの同一領域上に対しインクジェットヘッド３４を複数回走査して、所謂重ね塗りを行うものとしている。
【００３６】
図２及び図３は、基板Ｓの親液処理された領域Ｈ近傍を拡大して示す平面模式図（ａ）及び断面模式図（ｂ）である。まず、図２に示すように、本実施形態では、第１の吐出ステップにより、親液領域Ｈに対して所定の間隔（約６０μｍピッチ）毎にインクＩ１を滴下し、続いて図３に示すように、第２の吐出ステップにより、既に吐出されたインクＩ１、Ｉ１の間（親液領域Ｈ内の隣り合う液滴Ｉ１、Ｉ１の間）に、インクＩ２を滴下するものとしている。このように複数ステップの吐出により、導電膜形成領域たる親液領域Ｈに対して、ムラ無く、連続なインク滴を形成することが可能となる。
【００３７】
（振動工程Ｓ４）
吐出工程に続いて、振動工程を行う。この振動工程は、インクを吐出した基板Ｓに対して微振動を加えることにより、基板Ｓの親液領域Ｈ（図３参照）内に均一な膜厚の導電膜を形成するために行っている。具体的には、図６に示したインクジェット装置３０のテーブル３９に設けられた超音波発振装置４９により、基板Ｓに対して超音波振動を加えるものとしている。
【００３８】
この場合の振動は、図６に示したＸ軸方向及びＹ軸方向、並びにＺ軸方向に対しても行うもので、このように基板Ｓに対して振動を付与することで、図３に示したようなインクＩ１，Ｉ２が、図４に示すように親液領域Ｈ内に均一に拡散され、表面上の凹凸が解消されるとともに、一層均一な膜厚で、不連続部分の少ない導電膜Ｍを形成することが可能となる。しかも、親液領域Ｈの周りの領域である撥液領域Ｇ（図４参照）に滴下されたインクについても、上記振動により親液領域Ｈに移動ないし寄せ付けることも可能となる。
【００３９】
そして、特に本実施形態では、インク内に導電性材料粒子が含有されており、上記振動により、該導電性材料粒子についても導電膜Ｍ内において均一に拡散されることとなる。したがって、本実施形態の方法により形成される導電膜配線は、親液処理されたパターンに相当する配線パターンを有し、しかも均一な膜厚で、不連続部分も少なく、断線、短絡の少ない配線とすることができる。
【００４０】
なお、本振動工程において、基板Ｓに対して付与する振動の振幅及び周波数は、インク及びインク内に含まれる導電性材料粒子を動かし得る振幅及び周波数であれば良い。また、振動発生装置としては、超音波発振装置４９に限らず、例えばピエゾ素子によるもの、機械的駆動によるもの等を採用することも可能である。
【００４１】
さらに、本実施形態では、インク吐出後に基板振動工程を行うものとしているが、吐出工程と振動工程とを同時に行うことも可能である。つまり、基板Ｓに対して微振動を加えつつ、インクを吐出することによっても、上述したように均一な膜厚で、不連続部分の少ない導電膜を形成することができる。
【００４２】
（乾燥工程Ｓ５）
インク吐出及び基板振動を行った後、分散媒を除去するために、必要に応じて乾燥処理を行う。乾燥処理は、例えば、基板Ｓを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行うこともでき、通常、１００℃程度の加熱を数分行えば良い。
【００４３】
以上の工程により所定の膜パターンとしての導電性配線が形成される。この場合の配線は、細線化を達成するとともに、膜厚が均一化され、エッジ形状が良好となる。したがって、本実施形態の方法によれば、電気伝導性に優れ、断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも微細な導電膜配線を形成することが可能となる。
【００４４】
［第２実施形態］
第２実施形態として、本発明の膜形成方法の一例である配線形成方法について、その異なる実施形態を説明する。本実施形態に係る配線形成方法は、図５に示すように、バンク形成工程Ｓ１１と、表面処理工程Ｓ１２と、分散液（液状体）調製工程Ｓ１３と、吐出振動工程Ｓ１４と、乾燥工程Ｓ１５とを含んで構成される。以下、各工程について説明する。但し、本第２実施形態において、分散液（液状体）調製工程Ｓ１３と、乾燥工程Ｓ１５とについては上記第１実施形態と同様の方法を採用しているため説明を省略する。
【００４５】
（バンク形成工程Ｓ１１）
本第２実施形態では、基板表面処理に先立ち、基板上の膜形成領域を取り囲む形にてバンク（隔壁）を形成するものとしている。具体的には、膜を形成する基板Ｓ上に、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機系感光性材料を全面塗布し、次いで、必要に応じレジスト技術を用い、さらにフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いてパターニングすることにより、膜形成領域を溝とした深さ２μｍ程度のバンクを形成した。なお、このようにして形成するバンクとしては、その上部側の幅が狭く、底部側の幅が広いテーパ状とするのが、溝内にインクが流れ込み易くなることから好ましい。
【００４６】
このようなバンク形成後、バンク溝底面に感光性材料の残渣が残っている可能性があるため、酸素プラズマ処理又は２５４ｎｍ若しくは１７２ｎｍの紫外線照射により残渣を除去する工程を行った。
【００４７】
（表面処理工程Ｓ１２）
次いで、形成したバンクに対し撥液処理を行い、その表面を撥液性にする。撥液処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ４  プラズマ処理法）が採用される。ＣＦ４  プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが１００〜８００ｋＷ、４フッ化メタンガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０℃〜９０℃とされる。なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。
【００４８】
このような撥液処理を行うことにより、バンクにはこれを構成する樹脂中にフッ素基が導入され、撥液性が付与され、溝部分は相対的に親液性を示すこととなる。なお、バンクについては、撥水性を有する材料（例えばフッ素基を有する樹脂材料）によって形成することにより、その撥水処理を省略するようにしてもよい。
【００４９】
（分散液調製工程Ｓ１３）
分散液調製工程は、第１実施形態と同様の調製方法を採用した。
【００５０】
（吐出振動工程）
分散液（インク）を調製した後、第１実施形態と同様、図６に示したインクジェット装置３０を用いてインクの吐出を行うのであるが、本第２実施形態では、基板Ｓに対して振動を加えつつ吐出を行うものとした。
第１実施形態では、インクの吐出後に基板Ｓを振動させるものとしていた。この場合、インクの吐出時には振動が加えられていないため、着弾位置が安定する。一方、本第２実施形態のように、基板Ｓの振動と同時にインクを吐出した場合には、工程数を削減することとなるため、製造効率の向上に繋がることとなる。なお、吐出に関する詳細な方法、及び振動に関する詳細な方法は、第１実施形態と同様である。
【００５１】
（乾燥工程Ｓ５）
吐出・振動を行った後、分散媒を除去するために、必要に応じて乾燥処理を行う。乾燥処理は、例えば、基板Ｓを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行うこともでき、通常、１００℃程度の加熱を数分行えば良い。
【００５２】
以上の工程により所定の膜パターンとしての導電性配線が形成される。この場合の配線は、第１実施形態と同様、細線化を達成するとともに、膜厚が均一化され、エッジ形状が良好となる。したがって、本実施形態の方法によれば、電気伝導性に優れ、断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも微細な導電膜配線を形成することが可能となる。
【００５３】
［第３実施形態］
第３実施形態として、本発明の電気光学装置の一例である液晶装置について説明する。図８は、本実施形態に係る液晶装置の第１基板上の信号電極等の平面レイアウトを示すものである。本実施形態に係る液晶装置は、この第１基板と、走査電極等が設けられた第２基板（図示略）と、第１基板と第２基板との間に封入された液晶（図示略）とから概略構成されている。
【００５４】
図８に示すように、第１基板３００上の画素領域３０３には、複数の信号電極３１０…が多重マトリクス状に設けられている。特に各信号電極３１０…は、各画素に対応して設けられた複数の画素電極部分３１０ａ…とこれらを多重マトリクス状に接続する信号配線部分３１０ｂ…とから構成されており、Ｙ方向に伸延している。
【００５５】
符号３５０は、１チップ構造の液晶駆動回路であり、該液晶駆動回路３５０と信号配線部分３１０ｂ…の一端側（図中下側）とが第１引き回し配線３３１…を介して接続されている。また、符号３４０…は、上下導通端子であり、該上下導通端子３４０…と、図示しない第２基板上に設けられた端子とが上下導通材３４１…によって接続されている。また、上下導通端子３４０…と液晶駆動回路３５０とが第２引き回し配線３３２…を介して接続されている。
【００５６】
本実施形態では、上記第１基板３００上に設けられた信号配線部分３１０ｂ…、第１引き回し配線３３１…、第２引き回し配線３３２…が、それぞれ上述の第１実施形態又は第２実施形態に係る配線形成方法を用いて形成されている。
すなわち、本実施形態の液晶装置は、上記配線形成方法を含む製造方法により製造されるものであって、上記各配線類の断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも、小型化、薄型化が可能な液晶装置とすることができる。
【００５７】
［第４実施形態］
次に、上記実施形態で示した液晶装置を備えた電子機器の具体例について説明する。図９は携帯電話の一例を示した斜視図である。図９において、符号５００は携帯電話本体を示し、符号５０１は上記実施の形態の液晶装置を備えた液晶表示部を示している。このように、図９に示すそれぞれの電子機器は、上記実施形態の液晶装置を備えたものであるので、表示品位に優れた表示部を有する電子機器となる。なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、上記配線形成方法を採用した製造方法により製造される有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態の配線形成方法を示す説明図。
【図２】インクの吐出態様を具体的に示す平面模式図及び断面模式図。
【図３】図２に続いて、吐出態様を具体的に示す平面模式図及び断面模式図。
【図４】振動工程を施した後のインクの形成態様を具体的に示す平面模式図及び断面模式図。
【図５】第２実施形態の配線形成方法を示す説明図。
【図６】液滴吐出装置の構成を示す斜視図。
【図７】図６の要部斜視図及び要部断面図。
【図８】第３実施形態に係る液晶装置の第１基板上の平面図。
【図９】第４実施形態に係る電子機器の一例を示す斜視図。
【符号の説明】
Ｈ…親液領域（膜形成領域）、Ｍ…導電膜、３０…インクジェット装置、４９…超音波発振装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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