(57)【要約】【課題】高速動作に適した半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、主面に複数の電極を有する半導体チップと、前記半導体チップの主面を覆う樹脂封止体と、前記樹脂封止体に固定され、かつ前記半導体チップの複数の電極にバンプを介在して夫々電気的に接続された複数の電極部材と、前記複数の電極部材に夫々設けられ、かつ前記樹脂封止体から露出する複数の外部接続用端子部とを有する。【選択図】　　　　図４
2004015015.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に複数の電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップの主面を覆う樹脂封止体と、
前記樹脂封止体に固定され、かつ前記半導体チップの複数の電極にバンプを介在して夫々電気的に接続された複数の電極部材と、
前記複数の電極部材に夫々設けられ、かつ前記樹脂封止体から露出する複数の外部接続用端子部とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記複数の外部接続用端子部は、前記半導体チップの主面上に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記複数の電極部材は、前記樹脂封止体の側面よりも内側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記半導体チップは、その主面と反対側の裏面が前記樹脂封止体から露出し、その側面が前記樹脂封止体で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
主面に区画領域で境界が規定された複数のチップ形成領域を有し、前記各チップ形成領域に複数の電極が配置された半導体ウエハと、主面に前記各チップ形成領域の複数の電極に対応して配置された複数の電極部材を有する基板とを準備する工程と、
前記区画領域にこの区画領域に沿って溝を形成する工程と、
前記複数の電極と前記複数の電極部材との間に夫々バンプを介在した状態で前記複数の電極と前記複数の電極部材とを夫々電気的に接続する工程と、
前記半導体ウエハの主面と基板の主面との間、及び前記溝の内部に樹脂を注入して樹脂封止体を形成す工程と、
前記半導体ウエハの主面と反対側の裏面を前記溝の内部に充填された樹脂に到達するまで研削し、前記半導体ウエハを前記各チップ形成領域毎に分割して複数の半導体チップを形成する工程と、
前記樹脂封止体を前記各半導体チップ毎に分割する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置のパッケージング技術にするものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体チップを樹脂封止体で封止する半導体装置においては、種々なパッケージ構造のものが提案され、実用化されている。例えば、特開平１１−３３０３４３号公報には、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔｐａｃｋ　Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ　Ｐａｃｋａｇｅ　）型と呼ばれる半導体装置が開示されている。このＱＦＮ型半導体装置は、半導体チップの電極と電気的に接続された電極部材が樹脂封止体の裏面（実装面）から露出するパッケージ構造になっているため、半導体チップの電極と電気的に接続されたリードが樹脂封止体の側面から突出して所定の形状に折り曲げ成形されたパッケージ構造、例えばＱＦＰ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔｐａｃｋ　Ｐａｃｋａｇｅ）型と呼ばれる半導体装置と比較して平面サイズの小型化を図ることができる。
【０００３】
ＱＦＮ型半導体装置は、リードフレームを用いた組立プロセスによって製造される。例えば、ダイパッドに半導体チップを搭載するパッケージ構造の場合、主に、リードフレームのフレーム本体に吊りリードを介して支持されたダイパッド（タブとも言う）に半導体チップを搭載し、その後、半導体チップの電極と、リードフレームのフレーム本体にタイバー（ダムバーとも言う）を介して支持されたリードとをボンディングワイヤで電気的に接続し、その後、半導体チップ、リード、ダイパッド、吊りリード及びボンディングワイヤ等を樹脂封止体で封止し、その後、リードフレームのフレーム本体からリード、タイバー及び吊りリード等を切断分離することによって製造される。ボンディングワイヤの一端側は半導体チップの電極に接続され、その他端側はリードの互いに反対側の主面及び裏面のうちの主面（ワイヤ接続面）に接続される。リードの主面は樹脂封止体で覆われ、その裏面は樹脂封止体の互いに反対側の主面及び裏面（実装面）のうちの裏面から露出される。リードフレームのリードは、電極部材として使用される電極部分と、切断工程において除去される除去部分とを有する構成になっており、リードの電極部分から除去部分を切断分離することによって電極部材が形成される。
【０００４】
電極部材は、その主面に内部接続用端子部、その裏面に外部接続用端子部を有し、内部接続用端子部はボンディングワイヤを介して半導体チップの電極と電気的に接続され、外部接続用端子部は、ＱＦＮ型半導体装置の実装工程において、実装基板の電極（パッド、ランド、フットプリント）に半田付けされる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来のＱＦＮ型半導体装置は、半導体チップの電極と、半導体チップの周囲に配置された電極部材とをボンディングワイヤで電気的に接続したパッケージ構造になっている。このようなパッケージ構造の場合、半導体チップの電極と外部接続用端子とを電気的に接続する導電経路が長く、この導電経路におけるインピーダンスが大きいため、高速動作の妨げになりつつある。
【０００６】
本発明の目的は、高速動作に適した半導体装置を提供することにある。
【０００７】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【０００９】
手段（１）：本発明の半導体装置は、主面に複数の電極を有する半導体チップと、前記半導体チップの主面を覆う樹脂封止体と、前記樹脂封止体に固定され、かつ前記半導体チップの複数の電極にバンプを介在して夫々電気的に接続された複数の電極部材と、前記複数の電極部材に夫々設けられ、かつ前記樹脂封止体から露出する複数の外部接続用端子部とを有する。
前記複数の外部接続用端子部は、前記半導体チップの主面上に配置されている。前記複数の電極部材は、前記樹脂封止体の側面よりも内側に配置されている。前記半導体チップは、その主面と反対側の裏面が前記樹脂封止体から露出し、その側面が前記樹脂封止体で覆われている。
【００１０】
手段（２）：本発明の半導体装置の製造方法は、主面に区画領域で境界が規定された複数のチップ形成領域を有し、前記各チップ形成領域に複数の電極が配置された半導体ウエハと、主面に前記各チップ形成領域の複数の電極に対応して配置された複数の電極部材を有する基板とを準備する工程と、
前記区画領域にこの区画領域に沿って溝を形成する工程と、
前記複数の電極と前記複数の電極部材との間に夫々バンプを介在した状態で前記複数の電極と前記複数の電極部材とを夫々電気的に接続する工程と、
前記半導体ウエハの主面と基板の主面との間、及び前記溝の内部に樹脂を注入して樹脂封止体を形成す工程と、
前記半導体ウエハの主面と反対側の裏面を前記溝の内部に充填された樹脂に到達するまで研削し、前記半導体ウエハを前記各チップ形成領域毎に分割して複数の半導体チップを形成する工程と、
前記樹脂封止体を前記各半導体チップ毎に分割する工程とを有する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００１２】
図１は本発明の一実施形態である半導体装置の平面図であり、図２は図１に示す半導体装置の底面図であり、図３は図１のＡ−Ａ線に沿う断面図であり、図４は図３の一部を拡大した断面図である。
【００１３】
図１乃至図３に示すように、本実施形態の半導体装置１は、１つの半導体チップ２、複数のバンプ４、複数の電極部材５、樹脂封止体６等を有する構成になっている。
【００１４】
半導体チップ２は、その厚さ方向と交差する平面形状が方形状になっており、本実施形態では例えば正方形になっている。半導体チップ２は、これに限定されないが、例えば、単結晶シリコンからなる半導体基板と、この半導体基板の主面上において絶縁層、配線層の夫々を複数段積み重ねた多層配線層と、この多層配線層を覆うようにして形成された表面保護膜（最終保護膜）とを有する構成になっている。半導体チップ２には、集積回路として例えば制御回路が内蔵されている。この制御回路は、主に、半導体基板の主面に形成されたトランジスタ素子及び多層配線層に形成された配線によって構成されている。
【００１５】
半導体チップ２の互いに反対側に位置する主面（回路形成面）２ｘ及び裏面２ｙのうちの主面２ｘには、半導体チップ２の外周囲の各辺に沿って複数の電極３が配置されている。この複数の電極３の夫々は、制御回路を構成するトランジスタ素子と電気的に接続されている。
【００１６】
樹脂封止体６は、その厚さ方向と交差する平面形状が方形状になっており、本実施形態では例えば正方形になっている。樹脂封止体６は低応力化を図る目的として、例えば、フェノール系硬化剤、シリコーンゴム及びフィラー等が添加されたエポキシ系の熱硬化性樹脂で形成されている。
【００１７】
半導体チップ２の主面２ｘ及び側面は樹脂封止体６で覆われ、半導体チップ２の裏面２ｙは樹脂封止体６から露出している。樹脂封止体６の平面サイズは半導体チップ２の平面サイズよりも若干大きくなっている。
【００１８】
樹脂封止体６は半導体チップ２の主面２ｘと同一側に実装面６ｘを有し、この実装面６ｘには樹脂封止体６の外周囲の各辺に沿って複数の電極部材５が配置されている。複数の電極部材５は、樹脂封止体６に固定され、半導体チップ２の複数の電極３に対応して半導体チップ２の主面２ｘ上に配置されている。
【００１９】
複数の電極部材５の夫々は、バンプ４を介在して半導体チップ２の複数の電極３と夫々電気的にかつ機械的に接続されている。バンプ４としては、例えばＰｂ（鉛）フリー組成（例えばＳｎ（錫）−Ａｇ（銀）−Ｃｕ（銅）組成）の半田材からなるバンプを用いている。
【００２０】
複数の電極部材５の夫々は、図４に示すように、互いに反対側に位置する第１の面５ｘ及び第２の面５ｙを有し、第１の面５ｘは樹脂封止体６の内部に位置し、第２の面５ｙは樹脂封止体６の実装面６ｘから外部に露出している。第１の面５ｘには内部接続用端子部５ａが構成され、第２の面５ｙには外部接続用端子部５ｂが構成されている。即ち、複数の電極部材５の夫々は、樹脂封止体６の実装面６ｘから外部に露出する外部接続用端子部５ｂを有する構成になっている。内部接続用端子部５ａはバンプを介して半導体チップ２の電極３と電気的に接続されている。外部接続用端子部５ａは、半導体装置１の実装工程において、実装基板の電極（パッド、ランド、フットプリント）に半田付けされる。
【００２１】
本実施形態の半導体装置１において、外部接続用端子部５ｂは電極部材５の第２の面５ｙの全面に構成されており、半導体チップ２の電極３と向かい合う位置、即ち半導体チップ２の電極３上に配置されている。このようなパッケージ構造の場合、半導体チップの電極と、この半導体チップの周囲に配置された電極部材とをボンディングワイヤで電気的に接続したパッケージ構造や、リードの一端側が半導体チップの電極にバンプを介して電気的に接続され、リードの一端側とは反対側に位置する他端側に外部接続用端子部が構成されたパッケージ構造と比べて、半導体チップ２の電極３と外部接続用端子部５ｂとを電気的に接続する導電経路が短くなるため、この導電経路におけるインピーダンスが小さくなる。従って、高速動作に適した半導体装置１を提供できる。
【００２２】
本実施形態の半導体装置１において、電極部材５の第１の面５ｘは樹脂封止体６の内部に位置し、電極部材５の第２の面５ｙは樹脂封止体６の実装面６ｘから外部に露出している。また、電極部材５は、樹脂封止体６の側面から離間して樹脂封止体６の側面よりも内側に配置されている。このようなパッケージ構造の場合、樹脂封止体の側面から電極部材の一部が露出するパッケージ構造と比べて、樹脂封止体６の樹脂と電極部材５との接触面積が増加するため、樹脂封止体６に対する電極部材５の固定強度が高くなる。従って、実装に対する信頼性の高い半導体装置１を提供できる。
【００２３】
本実施形態の半導体装置１において、半導体チップ２の裏面２ｙは樹脂封止体６から外部に露出している。このようなパッケージ構造の場合、半導体チップ２の熱を樹脂封止体６の外部に放出する放熱効果が向上するので、熱に対する信頼性の高い半導体装置１を提供できる。
【００２４】
次に、半導体装置１の製造に使用される半導体ウエハ及び電極付与基板について、図５乃至図８を用いて説明する。図５は半導体ウエハの平面図であり、図６は図５の一部を拡大した平面図であり、図７は電極付与基板の平面図であり、図８は図７の一部を拡大した平面図である。
【００２５】
図５及び図６に示すように、半導体ウエハ１０は、その主面に境界が区画領域１２によって規定された複数のチップ形成領域１１を有し、複数のチップ形成領域１１は互いに離間された状態で行列状に配置されている。複数のチップ形成領域１１は、半導体ウエハ１０の主面に、電界効果トランジスタ等の半導体素子、配線層、絶縁膜等を形成するウエハ前処理工程を施すことによって形成される。各チップ形成領域１１は、図１乃至図４に示す半導体チップ２と同様の構造及び平面形状になっており、各チップ形成領域１１にはその外周囲の各辺に沿って複数の電極３が配置されている。
【００２６】
図７及び図８に示すように、電極付与基板２０は、その主面に半導体ウエハ１０の複数のチップ形成領域１１と対応して配置された複数の電極配置領域２１を有し、複数の電極配置領域２１は互いに離間された状態で行列状に配置されている。各電極配置領域２１には、半導体ウエハ１０のチップ形成領域１１に配置された複数の電極３と対応して複数の電極部材５が配置されている。
【００２７】
複数の電極部材５は、電極付与基板２０の主面に粘着層を介在して固定されている。複数の電極部材５は、これに限定されないが、例えば、電極付与基板２０の主面に粘着層を介在して貼り付けられた金属板にエッチング加工を施すことによって形成される。金属板としては、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）系の合金材、又は銅（Ｃｕ）、若しくは銅系の合金材からなる金属板を用いている。電極付与基板２０としては、例えば主面に粘着層を有する可撓性樹脂フィルムを用いている。
【００２８】
なお、後で詳細に説明するが、半導体装置の製造において、電極付与基板２０から電極部材５を分離する必要がある。従って、粘着層としては、電極付与基板２０から電極部材５を分離する前の段階において、電極付与基板２０から電極部材５が容易に剥がれない程度の粘着力を有し、電極付与基板２０から電極部材５を分離する工程において、電極付与基板２０から電極部材５が容易に剥がれる程度の粘着力を有することが望ましい。本実施形態では、例えば、紫外線の照射によって粘着力が低下する材質のものを粘着層として用いる。
【００２９】
次に、半導体装置１の製造について、図９乃至図１４を用いて説明する。図９乃至図１４は製造工程中の断面図であり、図１２は図１１の一部を拡大した断面図であり、図９、図１０及び図１４においては２つの図（（ａ），（ｂ））を図示している。
【００３０】
まず、図５、図６及び図９（ａ）に示す半導体ウエハ１０を準備すると共に、図７及び図８に示す電極付与基板２０を準備する。半導体ウエハ１０は、その主面に区画領域１２で境界が規定された複数のチップ形成領域１１を有し、各チップ形成領域１１には複数の電極３が配置されている。電極付与基板２０は、その主面に半導体ウエハ１０の複数のチップ形成領域１１に対応して配置された複数の電極配置領域２１有し、各電極配置領域２１には各チップ形成領域の複数の電極３に対応して複数の電極部材５が配置されている。
【００３１】
次に、図９（ｂ）に示すように、半導体ウエハ１０の区画領域１２に、半導体ウエハ１０の主面からその深さ方向に窪む溝１３を形成する。溝１３は区画領域１２の延在方向に沿って形成する。本実施形態において、溝１３は、例えば半導体ウエハ１０の厚さの１／２程度の深さで形成する。
【００３２】
次に、図１０（ａ）に示すように、各チップ形成領域１１に配置された複数の電極３上に、例えばＰｂ（鉛）フリー組成（例えばＳｎ（錫）−Ａｇ（銀）−Ｃｕ（銅）組成）の半田材からなるバンプ４を形成する。
【００３３】
次に、各チップ形成領域１１の複数の電極３と各電極配置領域２１の複数の電極部材５とが向かい合うように半導体ウエハ１０と電極付与基板２０とを位置決めし、その後、電極３と電極部材５との間にバンプ４を介在した状態でバンプ４を溶融し、その後、バンプ４を硬化させて、図１０（ａ）に示すように、各チップ形成領域１１に配置された複数の電極３と、この各チップ形成領域１１の複数の電極３に対応して各電極配置領域２１に配置された複数の電極部材５とを夫々電気的にかつ機械的に接続する。
【００３４】
次に、図１１及び図１２に示すように、電極３と電極部材５とが接続された半導体ウエハ１０及び電極付与基板２０を成型金型の上型３０ａと下型３０ｂとの間に位置決めする。位置決めは、上型３０ａと下型３０ｂとで形成されるキャビティ３１の内部に、半導体ウエハ１０及び電極付与基板２０が配置される状態で行う。
【００３５】
次に、成形金型３０のポットからランナー及び樹脂注入ゲート３２を通してキャビティ３１の内部に熱硬化性の樹脂を加圧注入して、図１３に示すように、樹脂封止体３３を形成する。この工程において、樹脂は、半導体ウエハ１０の主面と電極付与基板２０の主面との間、及び溝１３の内部に注入される。従って、各チップ形成領域１１、溝１３、バンプ４、及び電極部材５等は樹脂封止体３３によって封止される。また、この工程において、電極部材５は粘着層を介在して電極付与基板２０の主面に固定されているので、電極部材５の第２の面（５ｙ）がレジンバリによって覆われてしまうといった不具合の発生を抑制することができる。
【００３６】
次に、成型金型３０から半導体ウエハ１０及び電極付与基板２０を取り出し、その後、半導体ウエハ１０の主面とは反対側の裏面を研削して、図１４（ａ）に示すように、半導体ウエハ１０の厚さを薄くする。この半導体ウエハ１０の裏面研削は、溝１３の内部に充填された樹脂封止体３３の樹脂に到達するまで、換言すれば溝１３の底面が無くなるまで行う。この工程により、半導体ウエハ１０の各チップ形成領域１１は個々に分割され、これらのチップ形成領域１１からなる複数の半導体チップ２が形成される。
【００３７】
次に、図１４（ｂ）に示すように、樹脂封止体３３を各半導体チップ２毎に分割して、各半導体チップ２に対応する複数の樹脂封止体６を形成する。樹脂封止体３３の分割はダイシング装置で行う。本実施形態では、半導体チップ２間の離間幅（溝１３の幅、区画領域１２の幅）よりも狭いダイシングブレードを使用し、半導体チップ２間における樹脂封止体３３の樹脂をダイシングする。これにより、図１乃至図４に示す半導体装置１がほぼ完成する。
【００３８】
この後、電極付与基板２０から樹脂封止体６と共に複数の電極部材５を分離し、収納トレイに半導体装置１を収納する。電極付与基板２０からの分離は、紫外線を照射して電極付与基板２０の主面に設けられた粘着層の粘着力を低下させた後、ピックアップ装置の吸着コレットで行う。収納トレイに収納された半導体装置１は、製品完成後の環境試験である温度サイクル試験、選別試験、マーキング工程等が施された後、製品として出荷される。製品として出荷された半導体装置１は、例えば、携帯電話、携帯型情報処理端末機器、携帯型パーソナル・コンピュータ等の小型電子機器に組み込まれる実装基板に実装される。半導体装置１の実装は、樹脂封止体６の実装面６ｘに配置された電極部材５の外部接続用端子部５ｂと実装基板の電極（パッド、ランド、フットプリント）とを半田付けすることによって行われる。
【００３９】
本実施形態の半導体装置１の製造では、半導体ウエハ１０のチップ形成領域１１に配置された複数の電極３と電極付与基板２０の電極配置領域２１に配置された複数の電極部材５とをこれらの間にバンプ４を介在して夫々電気的に接続し、その後、半導体ウエハ１０と電極付与基板２０との間に樹脂を注入して樹脂封止体３３を形成し、その後、半導体ウエハ１０を各チップ形成領域１１毎に分割して複数の半導体チップ２を形成し、その後、樹脂封止体３３を各半導体チップ２毎に分割しているので、半導体チップ２の電極３と外部接続用端子部５ｂとを電気的に接続する導電経路が短く、この導電経路におけるインピーダンスが小さいパッケージ構造の半導体装置１を製造できる。従って、高速動作に適した半導体装置１を提供できる。
【００４０】
本実施形態の半導体装置１の製造では、半導体ウエハ１０の区画領域１２にこの区画領域１２に沿って溝１３を形成し、その後、半導体ウエハ１０の各チップ形成領域１１の複数の電極３と電極付与基板２０の各電極配置領域２１の複数の電極部材５との間に夫々バンプ４を介在した状態で、各半導体チップ形成領域１１の複数の電極３と各電極配置領域２１の複数の電極部材５とを夫々電気的に接続し、その後、半導体ウエハ１０の主面と電極付与基板２０の主面との間、及び溝１３の内部に樹脂を注入して樹脂封止体３３を形成し、その後、半導体ウエハ１０の主面と反対側の裏面を溝１３の内部に充填された樹脂に到達するまで研削し、半導体ウエハ１０を各チップ形成領域１１毎に分割して複数の半導体チップ２を形成し、その後、樹脂封止体３３を各半導体チップ２毎に分割しているので、パッケージの平面サイズが半導体チップの平面サイズとほぼ同一のＣＳＰ（Ｃｈｉｐ　Ｓｉｚｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）構造の半導体装置１を製造できる。
【００４１】
本実施形態の半導体装置１の製造では、樹脂封止体３３を形成した後、半導体ウエハ１０の裏面を研削して複数の半導体チップ２を形成しているので、半導体チップ２の裏面２Ｙが樹脂封止体６から外部に露出したパッケージ構造の半導体装置１を製造できる。
【００４２】
本実施形態の半導体装置１の製造では、半導体チップ２間の離間幅（溝１３の幅、区画領域１２の幅）よりも狭いダイシングブレードを使用し、半導体チップ２間における樹脂封止体３３の樹脂をダイシングしているので、半導体チップ２の側面が樹脂封止体６で覆われたパッケージ構造の半導体装置１を製造できる。
【００４３】
なお、本実施形態では、樹脂封止体３３を複数の樹脂封止体６に分割する工程の後に、電極付与基板２０から樹脂封止体６と共に複数の電極部材５を分離する例について説明したが、電極付与基板２０から電極部材５を分離する工程は、樹脂封止体３３を形成する工程の後であって、樹脂封止体３３を複数の樹脂封止体６に分割する工程の前に実施してもよい。
【００４４】
また、本実施形態では、半導体ウエハ１０の電極３上にバンプ４を形成する例ついて説明したが、バンプ４は電極付与基板２０の電極部材５上に形成しても良い。
【００４５】
また、本実施形態では、バンプ４として半田材からなるバンプを用いた例について説明したが、バンプ４としては例えばＡｕからなるスタッドバンプを用いてもよい。
【００４６】
また、本実施形態では、紫外線の照射によって粘着力が低下する材質のものを粘着層として用いた例について説明したが、粘着層としては、電極付与基板２０から電極部材５を分離する前の段階において、電極部材５が電極付与基板２０から容易に剥がれない程度の粘着力を有し、電極付与基板２０から電極部材５を分離する工程において、電極部材５が電極付与基板２０から容易に剥がれる程度の粘着力を有するものであれば他のものであってもよい。
【００４７】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【００４８】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００４９】
本発明によれば、高速動作に適した半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態である半導体装置の平面図である。
【図２】本発明の一実施形態であるＣＳＰ型半導体装置の底面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図４】図３の一部を拡大した断面図である。
【図５】本発明の一実施形態である半導体装置の製造に用いられる半導体ウエハの平面図である。
【図６】図５の一部を拡大した平面図である。
【図７】本発明の一実施形態である半導体装置の製造に用いられるシートの平面図である。
【図８】図７の一部を拡大した平面図である。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態である半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態である半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態である半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図１２】図１１の一部を拡大した断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態である半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図１４】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態である半導体装置の製造工程中における断面図である。
【符号の説明】
１…半導体装置、２…半導体チップ、３…電極、４…バンプ、５…電極部材、６…樹脂封止体、
１０…半導体ウエハ、１１…チップ形成領域、１２…区画領域、１３…溝
２０…電極付与基板、２１…電極配置領域、
３０…成型金型、３０ａ…上型、３０ｂ…下型、３１…キャビティ、３２…樹脂注入ゲート、３３…樹脂封止体。
【図１】
2004015015.tif 000003
【図２】
2004015015.tif 000004
【図３】
2004015015.tif 000005
【図４】
2004015015.tif 000006
【図５】
2004015015.tif 000007
【図６】
2004015015.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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