(57)【要約】【課題】  薄膜磁気ヘッドとハードディスクとのクラッシュを防止して、薄膜磁気ヘッドの低浮上化を実現可能とする。【解決手段】  磁気ヘッドバー３における複数の薄膜磁気ヘッド１のヒータ１７同士を電気的に接続すると共に、個々のヒータ１７に可変抵抗３３を並列接続する。そして、個々の薄膜磁気ヘッド１における媒体対向面Ｓの突出させる量に応じて、可変抵抗３３の抵抗値をヒータ１７毎に変化させ、磁気ヘッドバー３におけるヒータ１７の全てに対し、同一電源によって通電しながら磁気ヘッドバー３における薄膜磁気ヘッド１の媒体対向面Ｓを研磨する。【選択図】  図９
2004335073.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法であって、
再生用の磁気抵抗効果素子と、書込用の誘導型電磁変換素子と、通電することにより発熱するヒータとを有する前記薄膜磁気ヘッドが列状に配置され、複数の前記薄膜磁気ヘッドの前記ヒータ同士が電気的に直列接続された磁気ヘッドバーを準備し、
個々の前記ヒータに可変抵抗を並列接続し、
個々の前記薄膜磁気ヘッドにおける前記媒体対向面の突出させる量に応じて、前記可変抵抗の抵抗値を前記ヒータ毎に変化させ、
前記各ヒータに対し通電しながら前記磁気ヘッドバーにおける前記薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を研磨することを特徴とする薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法。
【請求項２】
前記薄膜磁気ヘッドは、基台上に形成されており、前記薄膜磁気ヘッドにおける前記基台の反対側の表面上に前記ヒータを備えることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法。
【請求項３】
通電することにより発熱するヒータを有する薄膜磁気ヘッドが列状に配置された磁気ヘッドバーを保持するバー保持部と、
個々の前記ヒータにそれぞれ並列接続される可変抵抗とを備えることを特徴とする磁気ヘッドバー保持ユニット。
【請求項４】
通電することにより発熱するヒータを有する薄膜磁気ヘッドが列状に配置された磁気ヘッドバーを保持するバー保持部と、個々の前記ヒータにそれぞれ並列接続される可変抵抗とを有する磁気ヘッドバー保持ユニットと、
前記磁気ヘッドバー保持ユニットに保持された前記磁気ヘッドバーにおける媒体対向面を研磨する研磨ユニットとを備えたことを特徴とするラッピング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法、磁気ヘッドバー保持ユニット及びラッピング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、可撓性を有するアーム部材の先端部に、薄膜磁気ヘッドが形成されたヘッドスライダを取り付けることによってヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ；Head Gimbals Assembly）が構成される。このヘッドジンバルアセンブリは、ハードディスク装置に組み込まれ、記録媒体であるハードディスクへの記録再生を行う。記録再生時には、ハードディスクの回転に伴う空気流が薄膜磁気ヘッドの下方に流れることでアーム部材が撓み、薄膜磁気ヘッドが浮上する。薄膜磁気ヘッドとハードディスクとの空隙、すなわちヘッド浮上量は、ハードディスクの高密度化に伴って微小化され、１０ｎｍ及びそれ以下と極限まで達しつつある。
【０００３】
このような状況下において、基台上に再生用の磁気抵抗効果素子と書込用の誘導型電磁変換素子とをこの順で積層した複合型の薄膜磁気ヘッドでは、電磁変換素子に通電すると、電磁変換素子を構成するコイルが発熱する。すると、薄膜磁気ヘッドにおけるハードディスクの記録面に対向する面、すなわち媒体対向面（ABS；Air Bearing Surface）における電磁変換素子の近傍が熱膨張してハードディスク側に突出する。このため、薄膜磁気ヘッドの浮上量が低下し、薄膜磁気ヘッドとハードディスクとがクラッシュを起こす虞がある。従って、薄膜磁気ヘッドの浮上量は、電磁変換素子の近傍が膨張しても薄膜磁気ヘッドとハードディスクとがクラッシュを起こさない程度に保たなければならない。このため、薄膜磁気ヘッドの低浮上化を十分に達成することは困難であった。
【０００４】
このような事態を防止して薄膜磁気ヘッドの低浮上化を図るものとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドにおけるオーバーコート層の媒体対向面側の先端部分を一部削って段差を付けたものや、電磁変換素子を構成するコイルの絶縁層のガラス転移温度を７０〜１００℃程度にしてヤング率を低減させ、コイル部分に発生する熱応力を低減させるものが知られている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２０００−３０６２１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来のものでは、媒体対向面の突出を十分に抑えることはできず、今後の薄膜磁気ヘッドの更なる低浮上化を実現するのは困難である。
【０００６】
また、本発明者等は、磁気抵抗効果素子とハードディスクとの間隔を調整するためのヒータを薄膜磁気ヘッド内に形成することを検討しているが（未公知）、この場合においても、上述したような問題が起こる可能性がある。
【０００７】
本発明の目的は、薄膜磁気ヘッドとハードディスクとのクラッシュを防止して、薄膜磁気ヘッドの低浮上化を実現可能とする薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法、磁気ヘッドバー保持ユニット及びラッピング装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法であって、再生用の磁気抵抗効果素子と、書込用の誘導型電磁変換素子と、通電することにより発熱するヒータとを有する薄膜磁気ヘッドが列状に配置され、複数の薄膜磁気ヘッドのヒータ同士が電気的に直列接続された磁気ヘッドバーを準備し、個々のヒータに可変抵抗を並列接続し、個々の薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面の突出させる量に応じて、可変抵抗の抵抗値をヒータ毎に変化させ、各ヒータに対し通電しながら磁気ヘッドバーにおける薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を研磨することを特徴とするものである。
【０００９】
実際にハードディスクに記録する際、薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子は、通電により発熱する。すると、電磁変換素子の周囲の層が膨張して媒体対向面が突出する。本発明では、薄膜磁気ヘッドをハードディスク装置に組み込むのに先立ち、薄膜磁気ヘッドに備えられたヒータを発熱させることにより、ヒータ近傍の媒体対向面を膨張させ、その膨張した部分を研磨する。
【００１０】
ヒータの発熱に際しては、磁気ヘッドバーにおける複数の薄膜磁気ヘッドのヒータ同士を電気的に直列接続すると共に個々のヒータに可変抵抗を並列接続し、その各ヒータに対し通電する。これにより、可変抵抗の抵抗値をヒータ毎に変化させてヒータに流れる電流量を調整し、個々の薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面の突出させる量を調整することができる。また、少ない通電設備で複数の薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を一度に研磨することができる。このため、個々の薄膜磁気ヘッドにおいて媒体対向面を良好かつ効率的にラッピングすることができる。従って、ハードディスクへの実際の記録時において、電磁変換素子への通電により媒体対向面が膨張しても、薄膜磁気ヘッドの浮上量を適度な値にすることができるため、薄膜磁気ヘッドとハードディスクとのクラッシュを防止することができ、薄膜磁気ヘッドの低浮上化を実現することができる。
【００１１】
この場合、薄膜磁気ヘッドが基台上に形成されており、薄膜磁気ヘッドにおける基台の反対側の表面上にヒータを備えてもよい。これにより、薄膜磁気ヘッド内にヒータを形成する必要がないため、薄膜磁気ヘッドの製造が容易となる。
【００１２】
本発明の磁気ヘッドバー保持ユニットは、通電することにより発熱するヒータを有する薄膜磁気ヘッドが列状に配置された磁気ヘッドバーを保持するバー保持部と、個々のヒータにそれぞれ並列接続される可変抵抗とを備えることを特徴とするものである。
【００１３】
本発明に係る磁気ヘッドバー保持ユニットによって薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピングを行う場合は、まず、ヒータを有する薄膜磁気ヘッドが列状に配置された磁気ヘッドバーをバー保持部によって保持し、個々のヒータに対して抵抗値制御部における可変抵抗を並列接続する。このとき、磁気ヘッドバーにおける複数の薄膜磁気ヘッドのヒータ同士は、電気的に直列接続させた状態とする。そして、個々の薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面の突出させる量に応じて、抵抗値制御部における可変抵抗の抵抗値をヒータ毎に変化させる。その状態で、バー保持部に保持された磁気ヘッドバーにおける各ヒータに対し通電しながら、薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を研磨機などによって研磨する。
【００１４】
以上により、可変抵抗の抵抗値をヒータ毎に変化させてヒータに流れる電流量を調整して、個々の薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面の突出させる量を調整することができると共に、少ない通電設備で複数の薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を一度に研磨することができる。このため、個々の薄膜磁気ヘッドについて媒体対向面を良好かつ効率的にラッピングすることができる。従って、ハードディスクへの実際の記録時において、薄膜磁気ヘッドに備えられた電磁変換素子への通電により媒体対向面が膨張しても、薄膜磁気ヘッドの浮上量を適度な値にすることができるため、薄膜磁気ヘッドとハードディスクとのクラッシュを防止することができ、薄膜磁気ヘッドの低浮上化を実現することができる。
【００１５】
本発明のラッピング装置は、通電することにより発熱するヒータを有する薄膜磁気ヘッドが列状に配置された磁気ヘッドバーを保持するバー保持部と、個々のヒータにそれぞれ並列接続される可変抵抗とを有する磁気ヘッドバー保持ユニットと、磁気ヘッドバー保持ユニットに保持された磁気ヘッドバーにおける媒体対向面を研磨する研磨ユニットとを備えたことを特徴とするものである。
【００１６】
このようなラッピング装置は、上記した磁気ヘッドバー保持ユニットによって磁気ヘッドバーを保持し、磁気ヘッドバーにおける薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を研磨するので、個々の薄膜磁気ヘッドについて媒体対向面を良好かつ効率的にラッピングすることができる。従って、薄膜磁気ヘッドとハードディスクとのクラッシュを防止することができ、薄膜磁気ヘッドの低浮上化を実現することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、薄膜磁気ヘッドとハードディスクとのクラッシュを防止して、薄膜磁気ヘッドの低浮上化を実現可能とする薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法、磁気ヘッドバー保持ユニット及びラッピング装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。尚、同一要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略する。
【００１９】
図１は、本発明の実施形態に係るラッピング方法を適用する薄膜磁気ヘッドが基台上に複数形成された状態を示す図である。図１（ａ）は、薄膜磁気ヘッド１が、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等からなる一枚の基台２上に形成された状態を示し、図１（ｂ）は、該基台２を切断して、薄膜磁気ヘッド１が列状に配置された複数本の磁気ヘッドバー（以下、バーという）３を作製した状態を示している。
【００２０】
本実施形態のラッピング方法でいう研磨とは、図１（ｂ）に示す段階のバー３に対し、更にＭＲハイト等を調整するためのラッピング加工の前後又は最中での薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面に施す研磨のことである。尚、ＭＲハイトとは、媒体対向面から見た再生用の磁気抵抗効果素子における奥行き方向の距離をいう。また、媒体対向面は、ハードディスクの記録面に対向する面であり、一般にエアベアリング面（ＡＢＳ：Air Bearing Surface）と称される。図２に、ＭＲハイト調整後のバー３を示す。
【００２１】
次に、本実施形態のラッピング方法を適用する薄膜磁気ヘッド１の構成について説明する。
【００２２】
図３は、図２に示すバー３の薄膜磁気ヘッド１における媒体対向面Ｓに対して垂直な方向の概略断面図である。図３において、薄膜磁気ヘッド１は、基台２上に、再生用のＧＭＲ素子（磁気抵抗効果素子；Giant Magneto Resistive）１０を有する再生ヘッド部１１と、書込用の誘導型の電磁変換素子としての記録ヘッド部１２とを積層した複合型薄膜磁気ヘッドとなっている。ＧＭＲ素子は、磁気抵抗変化率が高い巨大磁気抵抗効果を利用したものである。尚、ＧＭＲ素子の代わりに、異方性磁気抵抗効果を利用するＡＭＲ（Anisotropy Magneto Resistive）素子、トンネル接合で生じる磁気抵抗効果を利用するＴＭＲ（Tunnel-type Magneto Resistive）素子、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子等を利用してもよい。
【００２３】
基台２は、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等からなる基板２２上に、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の絶縁材料からなる下地層２１が形成されることにより構成されている。
【００２４】
下地層２１の上には、下部シールド層２３が形成されており、この下部シールド層２３の上方には、上述したＧＭＲ素子１０が形成されている。尚、ＧＭＲ素子１０は、実際は複数の膜から構成されるが、図においては単層で示している。
【００２５】
ＧＭＲ素子１０は、Ａｌ2Ｏ3等からなる絶縁層２４によって囲まれている。絶縁層２４上には、上部シールド層２５が形成されている。
【００２６】
記録ヘッド部１２は、いわゆる面内記録方式を採用しており、下部磁極１３と、ＭＲ素子１０との間に下部磁極１３を挟むとともに下部磁極１３に磁気的に連結された上部磁極１４と、一部が下部磁極１３と上部磁極１４との間に位置する薄膜コイル１５とを主として備えている。
【００２７】
上部磁極１４は、媒体対向面Ｓ側に位置する磁極部分層１４ａと、これに接続されると共に薄膜コイル１５の上方を迂回するヨーク部分層１４ｂとから構成されている。なお、磁極部分層１４ａとヨーク部分層１４ｂとは一体であってもよい。
【００２８】
上部磁極１４上には、オーバーコート層１６が形成されている。そして、オーバーコート層１６上には、Ｃｕ，ＮｉＦｅ，Ｔａ，Ｔｉ，ＣｏＮｉＦｅ合金，ＦｅＡｌＳｉ合金等で形成されたヒータ１７が形成されている。このヒータ１７は、通電による発熱で周囲の層を熱膨張させ、ＧＭＲ素子１０とハードディスクとの間隔を調整する機能を有している。また、ヒータ１７上には、更にオーバーコート層１８が形成されている。
【００２９】
ヒータ１７には、図中上方に伸びたＣｕ等の導電材料からなる２つの導電部１９ａ，１９ｂが電気的に接続されている。該導電部１９ａ，１９ｂの上端（オーバーコート層１８の表面）にはそれぞれヒータ用電極パッド２０ａ，２０ｂが取り付けられている（図７参照）。
【００３０】
また同様に、再生ヘッド部１１及び記録ヘッド部１２に関しても、導電材料からなる２つの導電部（図示せず）が電気的に接続されており、導電部の上端において、それぞれ再生用電極パッド、記録用電極パッドに接続されている。再生用電極パッド及び記録用電極パッドについては後述する。
【００３１】
図４は、ヒータ１７の一例を示す平面図である。ヒータ１７は、一本のラインを蛇行させた構造となっており、ラインの両端にはそれぞれ引出し電極８６ａ，８６ｂが接続されている。引出し電極８６ａ，８６ｂは、それぞれ図３に示した導電部１９ａ，１９ｂに接続されている。
【００３２】
図５は、薄膜磁気ヘッド１の媒体対向面Ｓとハードディスクの記録面Ｄとの関係を示す図である。
【００３３】
薄膜磁気ヘッド１のヒータ１７に通電させると、媒体対向面Ｓにおけるヒータ１７の近傍が膨張してハードディスクの記録面Ｄ側に突出する（図中、二点鎖線で示す。）。このとき、オーバーコート層１８の基台２と反対側の面における角部Ｔ付近が最も突出し、媒体対向面Ｓとハードディスクの記録面Ｄとの間隔Ｆが縮小される。このため、角部Ｔがハードディスクの記録面Ｄが接触する恐れがある。
【００３４】
そこで、本実施形態のラッピング方法では、薄膜磁気ヘッド１をハードディスク装置に組み込むのに先立って、媒体対向面Ｓにおけるヒータ１７の近傍を膨張させた状態、すなわちヒータ１７に通電させた状態で、オーバーコート層１８の角部Ｔから図５中の点線Ｌで示す部位までを研磨する。
【００３５】
以下に、本実施形態のラッピング方法について具体的に説明する。
【００３６】
図６は、図２に示すバー３に外部電源３１が電気的に接続された状態を示す概略図であり、図７は、図６に示すバー３の領域ＶＩＩの部分拡大図である。本実施形態では、バー３における複数の薄膜磁気ヘッド１のヒータ１７同士が電気的に直列接続されており（接続方法は後述する）、個々のヒータ１７には、可変抵抗３３が並列に接続されている。そして、外部電源３１をＯＮにすると、可変抵抗３３と、バー３における各薄膜磁気ヘッド１のヒータ１７とに通電されるようになっている。
【００３７】
図７に示すように、薄膜磁気ヘッド１のオーバーコート層１８上には、ヒータ用電極パッド２０ａ，２０ｂ、記録用電極パッド４０ａ，４０ｂ、再生用電極パッド４１ａ，４１ｂが取り付けられている。尚、図では、記録用電極パッド４０ａ，４０ｂ及び再生用電極パッド４１ａ，４１ｂの外側にヒータ用電極パッド２０ａ，２０ｂが配されているが、これに限定されるものではなく、例えば、ヒータ用電極パッド２０ａ，２０ｂのいずれか一方が、記録用電極パッド４０ａ，４０ｂまたは、再生用電極パッド４１ａ，４１ｂの外側に取り付けられていてもよいし、記録用電極パッド４０ａ，４０ｂ及び再生用電極パッド４１ａ，４１ｂの内側にヒータ用電極パッド２０ａ，２０ｂが配されていてもよい。また、記録用電極パッド４０ａ，４０ｂと再生用電極パッド４１ａ，４１ｂは、左右逆に取り付けられていてもよい。
【００３８】
また、隣接する薄膜磁気ヘッド１同士のヒータ用電極パッド２０ａ，２０ｂは、例えば配線４５によって電気的に接続されている。従って、バー３における全てのヒータ１７は電気的に直列に接続されており、図６に示す外部電源３１をＯＮにすると、バー３における全ての薄膜磁気ヘッド１のヒータ１７に通電される。
【００３９】
ヒータ１７への通電方法は、図７に示す形態に限られない。例えば、図８に示すように、隣接する薄膜磁気ヘッド１のヒータ１７同士が、例えば内設された配線４５によって直接接続されてあってもよい。
【００４０】
図９（ａ）は、本実施形態に係る磁気ヘッドバー保持ユニットを示す図であり、図９（ｂ）は、その側面図である。この磁気ヘッドバー保持ユニットは、後述する研磨ユニットと共に、本実施形態に係るラッピング方法に適用されるラッピング装置を構成する。
【００４１】
図９において、磁気ヘッドバー保持ユニット５１は、研磨用治具５２と、該研磨用治具５２の下部に備えられバー３を保持する保持ラバー部５３とを備えている。また、研磨用治具５２は、バー３に通電するための一対の電極５４及び一対の配線５５を備えたプリント配線板（PCB；Printed Circuit Board）５６を有している。また、プリント配線板５６には、抵抗値制御部５７が備えられている。この抵抗値制御部５７は、配線５８を介して個々のヒータ１７に並列接続される可変抵抗３３を有しており、個々の薄膜磁気ヘッド１における媒体対向面Ｓの突出させる量に応じて、可変抵抗３３の抵抗値を変化させるものである。
【００４２】
配線５５は、可変抵抗３３とヒータ１７とを接続する配線５８のうち外側に配された配線５８に一端側が接続され、他端側が電極５４に接続されている。そして、電極５４は、外部電源３２に電気的に接続されている。これにより、外部電源３２からの電力が配線５５，５８を通じてヒータ１７と可変抵抗３３とに供給されるようになっている。
【００４３】
尚、図では、説明を容易にするため、可変抵抗３３の数を７個としているが、抵抗値制御部５７には、バー３におけるヒータ１７と同じ数の可変抵抗３３が備えられるため、実際にはより多くの可変抵抗３３が備えられる。
【００４４】
図１０は、本実施形態に係るラッピング装置を示す図である。ラッピング装置６５は、磁気ヘッドバー保持ユニット５１と研磨ユニット６１とから構成される。このラッピング装置６５では、磁気ヘッドバー保持ユニット５１に保持されたバー３を降下させ、研磨ユニット６１における回転研磨面Ｒにバー３を当接させて研磨を行う。
【００４５】
次に、図１１を参照して、図１０に示すラッピング装置を用いたラッピング工程を説明する。
【００４６】
まず、磁気ヘッドバー保持ユニット５１の保持ラバー部５３にバー３を取り付ける（図１１（ａ）参照）。次に、保持ラバー部５３に取り付けられたバー３のヒータ用電極パッド２０ａ，２０ｂに配線５８をボンディングする（図１１（ｂ）参照）。そして、磁気ヘッドバー保持ユニット５１と共にバー３を降下させ、研磨ユニット６１における回転研磨面Ｒにバー３を当接させて粗研磨を行う（図１１（ｃ）参照）。
【００４７】
粗研磨を行った後、一旦、バー３を研磨ユニットから離し、観測装置８５を用いて、バー３における各薄膜磁気ヘッド１についての媒体対向面Ｓを観測する。この観測は、光学方式やレーザ方式などにより行う。図１１（ｄ）では、バー３にレーザ光Ｌを照射して観測している状態を示している。なお、観測装置８５としては、例えば、原子間力顕微鏡（AFM；Atomic Force Microscope）や光学干渉計（Optical Interferometer）などが用いられる。
【００４８】
図１２（ａ）は、バー３における媒体対向面Ｓを観測している状態を示し、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）において観測した結果に基づいて、可変抵抗３３の抵抗値を変化させて通電した状態を示す図である。本実施形態では、観測装置８５でバー３の媒体対向面Ｓの凹凸状態を観測し、その結果に基づいて、媒体対向面Ｓを平坦にするための媒体対向面Ｓの突出量を割り出す。そして、その突出量に応じた可変抵抗３３の抵抗値を決定し、抵抗値制御部５７によって可変抵抗３３の抵抗値を変化させる。
【００４９】
可変抵抗３３の抵抗値を上げた場合、その可変抵抗３３に並列接続されたヒータ１７に流れる電流値が大きくなり、ヒータ１７の発熱量が大きくなる。このため、媒体対向面Ｓの突出量が大きくなる。一方、可変抵抗３３の抵抗値を下げた場合は、その逆の現象が起こり、媒体対向面Ｓの突出量が小さくなる。
【００５０】
抵抗値制御部５７によって可変抵抗３３の抵抗値を変化させた後、外部電源３２によってヒータ１７に通電させると、図１２（ｂ）に示すように、各薄膜磁気ヘッド１に対応した媒体対向面Ｓがそれぞれの可変抵抗３３の抵抗値に応じて膨張する。これにより、バー３における媒体対向面Ｓが平坦となる。
【００５１】
なお、図１２（ａ）では、抵抗値制御部５７と観測装置８５とは別体となっており、観測装置８５で観測された結果を受け、抵抗値制御部５７を手動で操作するなどして可変抵抗３３の抵抗値を変化させる。しかし、抵抗値制御部５７と観測装置８５とは、連動するようになっていてもよい。すなわち、観測装置８５での観測結果情報が抵抗値制御部５７に送られ、その情報に基づいて、自動的に抵抗値制御部５７が可変抵抗３３の抵抗値を変化させるようになっていてもよい。
【００５２】
図１１に戻り、図１２（ｂ）に示す状態、すなわち、バー３における薄膜磁気ヘッド１のヒータ１７及び可変抵抗３３に通電し、バー３における媒体対向面Ｓを平坦にした状態で、再び、研磨ユニット６１における回転研磨面Ｒにバー３を当接させ、媒体対向面Ｓを研磨する（図１１（ｅ）参照）。そして、図５に示すオーバーコート層１８の角部Ｔから点線Ｌで示す部位までを研磨する。
【００５３】
ラッピングが終了したら、バー３を磁気ヘッドバー保持ユニット５１の保持ラバー部５３から取り外す（図１１（ｆ）参照）。
【００５４】
以上のようにしてラッピングを施した後における薄膜磁気ヘッド１の媒体対向面Ｓに対して垂直な方向の概略断面図を図１３に示す。図１３において、二点鎖線は、本実施形態のラッピングによって削り取られた部分を示している。尚、図１３は、ラッピング後の形状の一例を示しており、場合によっては、オーバーコート層１８の角部Ｔから記録ヘッド部１２或いは再生ヘッド部１１まで研磨される。
【００５５】
バー３における媒体対向面Ｓを平坦にしない状態で研磨した場合、バー３において回転研磨面Ｒに当接しない部分が生じるため、各薄膜磁気ヘッド１について研磨量にばらつきが生じる。本実施形態のように、バー３における媒体対向面Ｓを平坦にした状態で研磨することにより、バー３における媒体対向面Ｓが回転研磨面Ｒにほぼ均一に当接させることができるため、全ての薄膜磁気ヘッド１における媒体対向面Ｓを図１３に示すような形状にラッピングすることができる。
【００５６】
以上のように、本実施形態に係るラッピング装置によるラッピング方法によれば、可変抵抗３３の抵抗値をヒータ１７毎に変化させてヒータ１７に流れる電流量を調整することによって、個々の薄膜磁気ヘッド１における媒体対向面Ｓの突出させる量を調整することができる。このため、個々の薄膜磁気ヘッド１において媒体対向面Ｓを良好にラッピングすることができる。これにより、記録ヘッド部１２に通電した際に媒体対向面Ｓが膨張した場合であっても、浮上量が適度な値となる薄膜磁気ヘッド１を製造することができる。従って、薄膜磁気ヘッド１とハードディスクの記録面Ｄとのクラッシュを防止することができ、薄膜磁気ヘッド１の低浮上化を実現することが可能となる。
【００５７】
また、全てのヒータ１７に対し同一電源によって通電しながらラッピングを行うことにより、複数の薄膜磁気ヘッド１の媒体対向面Ｓを一度に研磨することができる。従って、薄膜磁気ヘッド１の媒体対向面Ｓを少ない通電設備で効率的にラッピングすることができる。
【００５８】
尚、ヒータ１７の位置は、図５に示す位置に限られず、例えば、媒体対向面Ｓから見て記録ヘッド部１２の後方に備えてもよい。しかしながら、図５に示すように、再生ヘッド部１１、記録ヘッド部１２及びヒータ１７がこの順に基台２側から積層されているのが望ましい。これにより、媒体対向面Ｓにおける再生ヘッド部１１の近傍を膨張させることなく、記録ヘッド部１２の近傍のみを膨張させることができる。従って、薄膜磁気ヘッド１とハードディスクの記録面Ｄとのクラッシュを確実に防止することができる。なお、図５に示すように、オーバーコート層１８内にヒータ１７を設ける場合は、媒体対向面Ｓや記録ヘッド部１２からの距離にかかわらず、オーバーコート層１８内のどの位置に設けられてもよい。
【００５９】
また、ヒータ１７は、上述した位置に一つだけ配置してもよいし、２つに分割して配置してもよい。図１４は、ヒータが分割して配置された薄膜磁気ヘッド１の一例を示す概略断面図である。同図において、分割配置されたヒータ６０は、図３に示すオーバーコート層１８内に設けられたヒータ１７と同じ高さ位置に配されている。
【００６０】
上記した本実施形態では、薄膜磁気ヘッド１のオーバーコート層１８内にヒータ１７を設けているが、図１５に示すように、オーバーコート層１８における基台２の反対側の面上に接着剤等によってシート状のヒータ１７を張り付けてもよい。これにより、薄膜磁気ヘッド１内にヒータ１７を形成する必要がないため、薄膜磁気ヘッド１の製造が容易となる。この場合のバー３を本実施形態に係るラッピング装置に適用した状態を図１６に示す。なお、ヒータ１７は、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）を利用したフィルムヒータなどを用い、厚さは、例えば、５０〜１００μｍ程度である。
【００６１】
このように、オーバーコート層１８における基台２の反対側の面上にヒータ１７を張り付けた場合も、ヒータ１７を薄膜磁気ヘッド１のオーバーコート層１８内に設けた場合と同様の効果を得ることができる。すなわち、図１５に示すように、ヒータ１７を通電により発熱させることによって媒体対向面Ｓにおけるヒータ１７の近傍を膨張させることができる。
【００６２】
なお、上述した本実施形態では、ラッピングを行う際に媒体対向面を膨張させるものとしてヒータ１７を使用しているが、ヒータ１７は他の用途にも使用することができる。すなわち、ハードディスクへの記録再生時に、通電により発熱させ、再生ヘッド部１１近傍の媒体対向面Ｓを膨張させて再生ヘッド部１１とハードディスクとの間隔を調整するものとして使用することもできる。このとき、ヒータ１７の発熱により、薄膜磁気ヘッド１の意図しない部分が膨張してしまうことがある。しかし、この場合にも、上述した本実施形態のラッピング方法を適用すれば、意図しない膨張部位を予め除去することができる。
【００６３】
以上、本発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、薄膜磁気ヘッドを面内記録方式としているが、もちろん垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】図１（ａ）は、本発明の実施形態に係るラッピング方法を適用する薄膜磁気ヘッドが基台上に複数形成された状態を示す図であり、図１（ｂ）は、基台を切断して、薄膜磁気ヘッドが列状に配置された複数本のバーを作製した状態を示す図である。
【図２】ＭＲハイト調整後のバーを示す図である。
【図３】図２に示すバーの薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面に対して垂直な方向の概略断面図である。
【図４】ヒータの一例を示す平面図である。
【図５】薄膜磁気ヘッドの媒体対向面とハードディスクの記録面との関係を示す図である。
【図６】図２に示すバーに外部電源が接続されている状態を示す概略図である。
【図７】図６に示すバーの領域ＶＩＩの部分拡大図である。
【図８】ヒータの通電形態の一例を示す図である。
【図９】図９（ａ）は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドバー保持ユニットを示す図であり、図９（ｂ）は、その側面図である。
【図１０】本発明の実施形態に係るラッピング装置を示す図である。
【図１１】図１０に示すラッピング装置を用いたラッピング工程を示す図である。
【図１２】図１２（ａ）は、バーにおける媒体対向面を観測している状態を示し、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）において観測した結果に基づいて、可変抵抗の抵抗値を変化させて通電した状態を示す図である。
【図１３】本発明の実施形態に係るラッピングを施した後における薄膜磁気ヘッドの媒体対向面に対して垂直な方向の概略断面図である。
【図１４】ヒータが分割して配置された薄膜磁気ヘッドの一例を示す概略断面図である。
【図１５】薄膜磁気ヘッドにおけるヒータの位置の他の例を示す図である。
【図１６】図１５に示すバーを本発明の実施形態に係るラッピング装置に適用した状態を示す図である。
【符号の説明】
【００６５】
１…薄膜磁気ヘッド、２…基台、３…バー（磁気ヘッドバー）、１７…ヒータ、３３…可変抵抗、５１…磁気ヘッドバー保持ユニット、５３…保持ラバー部（バー保持部）、５７…抵抗値制御部、６０…ヒータ、６１…研磨ユニット、６５…ラッピング装置、８５…観測装置、Ｄ…記録面、Ｌ…レーザ光、Ｒ…回転研磨面、Ｓ…媒体対向面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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