(57)【要約】【課題】過度に磁気異方性を高めることなくできる限り長期間にわたって磁化の劣化を抑制することができる磁気記録媒体を提供することを目的とする。【解決手段】磁気記録媒体は少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含む記録磁性層を備える。記録磁性層は、少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含む第１合金層の表面に受け止められる。第１合金層には２９［ａｔ％］以上のＣｒおよび１５［ａｔ％］以上のＰｔが含まれる。第１合金層は、２９［ａｔ％］以上のＣｒを含む第２合金層の表面に受け止められる。第２合金層は、７〜２８［ａｔ％］のＣｒを含む第３合金層の表面に受け止められる。こうした磁気記録媒体では、記録磁性層と同種類の材料で第１合金層は構成される。したがって、記録磁性層の膜厚は実質的に増大する。こういった膜厚の増大はいわゆる熱揺らぎの抑制に大いに貢献することができる。記録磁性層では長期間にわたって磁化の劣化は抑制されることができる。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含む記録磁性層と、表面で記録磁性層を受け止め、少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含む第１合金層と、表面で第１合金層を受け止め、少なくともＣｏおよびＣｒを含む第２合金層と、表面で第２合金層を受け止め、少なくともＣｏおよびＣｒを含む第３合金層とを備え、第１合金層には２９［ａｔ％］以上のＣｒおよび１５［ａｔ％］以上のＰｔが含まれ、第２合金層には２９［ａｔ％］以上のＣｒが含まれ、第３合金層には７〜２８［ａｔ％］のＣｒが含まれることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気記録媒体において、前記第１合金層には前記記録磁性層よりも大きな含有量で非磁性材料が含まれることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項２に記載の磁気記録媒体において、前記第１合金層の飽和磁束密度は０〜０．１［Ｔ］の範囲で設定されることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含む記録磁性層と、表面で記録磁性層を受け止め、少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含む熱安定化裏打ち層とを備え、熱安定化裏打ち層には記録磁性層よりも大きな含有量でＰｔが含まれることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項４に記載の磁気記録媒体において、前記熱安定化裏打ち層には１５［ａｔ％］以上のＰｔが含まれることを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）に組みまれる磁気ディスクといった磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハードディスク（ＨＤ）といった磁気記録媒体は広く知られる。こういった磁気記録媒体では、例えば特許文献１に記載されるように、記録磁性層はＣｏＣｒＰｔ合金で構成される。記録磁性層は、Ｐｔその他の添加物を含むＣｏＣｒ合金で構成される中間層の表面に受け止められる。記録磁性層では中間層の働きで磁気異方性は高められる。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−２５１２３７号公報
【非特許文献１】
Ｌｕ  ｅｔ  ａｌ．，「Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｉｎｓｔａｂｉｌｉｔｙ  ａｔ  １０Ｇｂｉｔ／ｉｎ２  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ」，ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．Ｖｏｌ  ３０，１９９４年，ｐ．４２３０
【非特許文献２】
Ｊ．Ｈ．Ｒｉｃｈｔｅｒ，「Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｃｏｅｒｃｉｖｉｔｙ  Ｅｆｆｅｃｔｓ  Ｉｎ  Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｍｅｄｉａ」，ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．Ｖｏｌ  ３４，１９９７年，ｐ．１５４０
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
記録磁性層で磁気異方性が高められると、長期間にわたって磁化の劣化は抑制されることができる。いわゆる熱揺らぎ耐性は高められる。しかしながら、こうして磁気異方性が高められると、情報の書き込みにあたって強い書き込み磁界が要求されてしまう。書き込みヘッドの負荷は増大する。
【０００５】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、過度に磁気異方性を高めることなくできる限り長期間にわたって磁化の劣化を抑制することができる磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、第１発明によれば、少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含む記録磁性層と、表面で記録磁性層を受け止め、少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含む第１合金層と、表面で第１合金層を受け止め、少なくともＣｏおよびＣｒを含む第２合金層と、表面で第２合金層を受け止め、少なくともＣｏおよびＣｒを含む第３合金層とを備え、第１合金層には２９［ａｔ％］以上のＣｒおよび１５［ａｔ％］以上のＰｔが含まれ、第２合金層には２９［ａｔ％］以上のＣｒが含まれ、第３合金層には７〜２８［ａｔ％］のＣｒが含まれることを特徴とする磁気記録媒体が提供される。
【０００７】
こういった磁気記録媒体では、記録磁性層と同種類の材料で第１合金層は構成される。したがって、記録磁性層の膜厚は実質的に増大する。こういった膜厚の増大はいわゆる熱揺らぎの抑制に大いに貢献することができる。記録磁性層では長期間にわたって磁化の劣化は抑制されることができる。
【０００８】
第１合金層には記録磁性層よりも大きな含有量で非磁性材料が含まれればよい。同様に、第１合金層には記録磁性層よりも大きな含有量でＰｔが含まれればよい。第１合金層の飽和磁束密度は０〜０．１［Ｔ］の範囲で設定されればよい。
【０００９】
こういった磁気記録媒体では、第３合金層には記録磁性層よりも小さい含有量で非磁性材料が含まれればよい。すなわち、第３合金層では記録磁性層に比べて非磁性材料の添加は抑制される。その結果、第３合金層では磁化容易軸は基板の表面に平行に良好に揃えられることができる。こういった第３合金層はいわゆる熱揺らぎの抑制に貢献することができる。第３合金層の飽和磁束密度は０．４〜０．９［Ｔ］の範囲で設定されればよい。
【００１０】
第２合金層には第３合金層よりも大きな含有量で非磁性材料が含まれればよい。すなわち、第２合金層には第３合金層に比べて十分な非磁性材料が添加される。第２合金層の飽和磁束密度Ｂｓは小さく抑え込まれる。こういった第２合金層の働きによれば、第３合金層と記録磁性層との間で強磁性相互作用すなわち交換結合は断ち切られることができる。記録磁性層では磁気異方性の低下は回避されることができる。
【００１１】
こういった磁気記録媒体では、記録磁性層はＢをさらに含んでもよい。同様に、第１合金層はＢをさらに含んでもよい。同様に、第３合金層はＴａをさらに含んでもよい。
【００１２】
以上のような磁気記録媒体は、表面で第３合金層を受け止め、Ｃｒに基づき構成される下地層をさらに備え、下地層には、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、ＷおよびＶからなる群から選択される１種以上の原子が添加されてもよい。こういった原子の添加によれば、下地層および記録磁性層の間で結晶格子の整合性は高められることができる。
【００１３】
その一方で、磁気記録媒体は、表面で第３合金層を受け止め、Ｃｒに基づき構成される第１下地層と、表面で第１下地層を受け止め、Ｃｒで構成される第２下地層とをさらに備え、第１下地層には、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、ＷおよびＶからなる群から選択される１種以上の原子が添加されてもよい。こういった原子の添加によれば、下地層および記録磁性層の間で結晶格子の整合性は高められることができる。
【００１４】
第２発明によれば少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含む記録磁性層と、表面で記録磁性層を受け止め、少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含む熱安定化裏打ち層とを備え、熱安定化裏打ち層には記録磁性層よりも大きな含有量でＰｔが含まれることを特徴とする磁気記録媒体が提供される。
【００１５】
こういった磁気記録媒体では、記録磁性層と同種類の材料で熱安定化裏打ち層は構成される。したがって、記録磁性層の膜厚は実質的に増大する。こういった膜厚の増大はいわゆる熱揺らぎの抑制に大いに貢献することができる。記録磁性層では長期間にわたって磁化の劣化は抑制されることができる。
【００１６】
しかも、熱安定化裏打ち層には記録磁性層よりも大きな含有量でＰｔが含まれればよい。熱安定化裏打ち層には１５［ａｔ％］以上のＰｔが含まれればよい。熱安定化裏打ち層の飽和磁束密度は０〜０．１［Ｔ］の範囲で設定されればよい。熱安定化裏打ち層には記録磁性層よりも大きな含有量で非磁性材料が含まれればよい。同様に、熱安定化裏打ち層には記録磁性層よりも大きな含有量でＣｒが含まれればよい。
【００１７】
こういった磁気記録媒体では、記録磁性層にはＢおよびＴａの少なくともいずれか一方がさらに含まれればよい。同様に、熱安定化裏打ち層にはＢおよびＴａの少なくともいずれか一方がさらに含まれればよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１９】
図１は磁気記録媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は、例えば平たい直方体の収容空間を区画する箱形の筐体本体１２を備える。収容空間には、磁気記録媒体としての１枚以上の磁気ディスク１３が収容される。磁気ディスク１３はスピンドルモータ１４の回転軸に装着される。スピンドルモータ１４は例えば７２００ｒｐｍや１００００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１３を回転させることができる。筐体本体１２には、筐体本体１２との間で収容空間を密閉する蓋体すなわちカバー（図示されず）が結合される。
【００２０】
収容空間では、垂直方向に延びる支軸１５にヘッドアクチュエータ１６が装着される。ヘッドアクチュエータ１６は、支軸１５から水平方向に延びる剛体のアクチュエータアーム１７と、このアクチュエータアーム１７の先端に取り付けられてアクチュエータアーム１７から前方に延びる弾性サスペンション１８とを備える。周知の通り、弾性サスペンション１８の先端では、いわゆるジンバルばね（図示されず）の働きで浮上ヘッドスライダ１９は片持ち支持される。浮上ヘッドスライダ１９には、磁気ディスク１３の表面に向かって弾性サスペンション１８から押し付け力が作用する。磁気ディスク１３が回転すると、磁気ディスク１３の表面で生成される気流の働きで浮上ヘッドスライダ１９には浮力が作用する。弾性サスペンション１８の押し付け力と浮力とのバランスで磁気ディスク１３の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ１９は浮上し続けることができる。
【００２１】
浮上ヘッドスライダ１９には、周知の通りに、磁気ヘッドすなわち電磁変換素子（図示されず）が搭載される。この電磁変換素子は、例えば、スピンバルブ膜やトンネル接合膜の抵抗変化を利用して磁気ディスク１３から情報を読み出す巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子やトンネル接合磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子といった読み出し素子と、薄膜コイルパターンで生成される磁界を利用して磁気ディスク１３に情報を書き込む誘導書き込みヘッドといった書き込み素子とで構成されればよい。
【００２２】
浮上ヘッドスライダ１９の浮上中に、ヘッドアクチュエータ１６が支軸１５回りで回転すると、浮上ヘッドスライダ１９は半径方向に磁気ディスク１３の表面を横切ることができる。こうした移動に基づき浮上ヘッドスライダ１９上の電磁変換素子は磁気ディスク１３上の所望の記録トラックに位置決めされる。ヘッドアクチュエータ１６の回転は例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）といった駆動源２１の働きを通じて実現されればよい。周知の通り、複数枚の磁気ディスク１３が筐体本体１２内に組み込まれる場合には、隣接する磁気ディスク１３同士の間で２本のアクチュエータアーム１７すなわち２つの浮上ヘッドスライダ１９が配置される。
【００２３】
図２は磁気ディスク１３の断面構造を詳細に示す。この磁気ディスク１３は面内磁気記録媒体として構成される。磁気ディスク１３は、支持体としての基板３１と、基板３１の表裏面に広がる多結晶構造膜３２とを備える。基板３１は、例えばディスク形のＡｌ本体３３と、Ａｌ本体３３の表裏面に広がるＮｉＰ膜３４とで構成されればよい。Ａｌ本体３３の表面にはテクスチャ構造が確立されてもよい。ただし、基板３１にはガラス基板やシリコン基板、セラミック基板が用いられてもよい。多結晶構造膜３２に磁気情報は記録される。多結晶構造膜３２は、例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜といった保護膜３５や、例えばパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）膜といった潤滑膜３６で被覆される。
【００２４】
多結晶構造膜３２は記録磁性層３７を備える。記録磁性層３７は相互に隣接する磁性結晶粒の集合体から構成される。記録磁性層３７は少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含む合金から構成されればよい。こういった合金にはＢおよびＴａの少なくともいずれか一方がさらに含まれてもよい。ここでは、記録磁性層３７にはＣｏＣｒＰｔＢ膜が用いられる。記録磁性層３７に含まれるＰｔの含有量は６〜２０［ａｔ％］程度に設定されればよい。記録磁性層３７の飽和磁束密度Ｂｓは例えば０．１〜０．８［Ｔ］の範囲で設定されればよい。
【００２５】
多結晶構造膜３２は、表面で記録磁性層３７を受け止める第１合金層すなわち第１中間層３８を備える。第１中間層３８は相互に隣接する結晶粒の集合体から構成される。第１中間層３８は少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含む合金から構成されればよい。こういった合金にはＢおよびＴａの少なくともいずれか一方がさらに含まれてもよい。第１中間層３８は記録磁性層３７と同種類の材料から構成されればよい。ここでは、第１中間層３８にはＣｏＣｒＰｔＢ膜が用いられる。第１中間層３８には記録磁性層３７よりも大きな含有量で非磁性材料が含まれる。第１中間層３８には記録磁性層３７よりも大きな含有量でＰｔが含まれる。第１中間層３８には例えば２９〜３０［ａｔ％］のＣｒおよび１５〜１７［ａｔ％］のＰｔが含まれればよい。第１中間層３８の飽和磁束密度Ｂｓは例えば０〜０．１［Ｔ］の範囲で設定される。ただし、第１中間層３８の飽和磁束密度Ｂｓは記録磁性層３７のそれよりも小さく設定されればよい。第１中間層３８の膜厚は例えば０．５ｎｍ〜５．０ｎｍの範囲で設定されればよい。
【００２６】
第１中間層３８は第２合金層すなわち第２中間層３９の表面に受け止められる。第２中間層３９は相互に隣接する結晶粒の集合体から構成される。第２中間層３９は少なくともＣｏおよびＣｒを含む合金から構成されればよい。ここでは、第２中間層３９には例えばＣｏＣｒ膜が用いられる。第２中間層３９には２９［ａｔ％］以上のＣｒが含まれる。第２中間層３９では飽和磁束密度Ｂｓは例えば０〜０．４［Ｔ］の範囲で設定される。第２中間層３９の膜厚は例えば０．５ｎｍ〜５．０ｎｍの範囲で設定されればよい。
【００２７】
第２中間層３９は第３合金層すなわち第３中間層４１の表面に受け止められる。第３中間層４１は相互に隣接する結晶粒の集合体から構成される。第３中間層４１は少なくともＣｏおよびＣｒを含む合金から構成されればよい。第３中間層４１にはＰｔ、ＢおよびＴａの少なくともいずれかがさらに含まれてもよい。ここでは、第３中間層４１には例えばＣｏＣｒＴａ膜が用いられる。第３中間層４１には記録磁性層３７よりも小さな含有量で非磁性材料が含まれる。同様に、第３中間層４１には第２中間層３９よりも小さな含有量で非磁性材料が含まれればよい。すなわち、第３中間層４１には７〜２８［ａｔ％］の含有量でＣｒが含まれる。第３中間層４１では飽和磁束密度Ｂｓは例えば０．４〜０．９［Ｔ］の範囲で設定される。第３中間層４１の膜厚は例えば０．５ｎｍ〜５．０ｎｍの範囲で設定されればよい。
【００２８】
第３中間層４１は下地層４２の表面に受け止められる。この下地層４２は、Ｃｒに基づき構成される第１下地層すなわち第１非磁性下地層４２ａと、表面で第１非磁性下地層４２ａを受け止め、Ｃｒで構成される第２下地層すなわち第２非磁性下地層４２ｂとの積層体から構成される。第１非磁性下地層４２ａには、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、ＷおよびＶからなる群から選択される１種以上の原子が例えば１［ａｔ％］以上の含有量で添加されてもよい。こういった原子の添加によれば、下地層４２および記録磁性層３７の間で結晶格子の整合性は高められることができる。ここでは、第１非磁性下地層４２ａにはＣｒＭｏ膜が用いられる。第１非磁性下地層４２ａの膜厚は例えば２．０ｎｍ程度に設定されればよい。第２非磁性下地層４２ｂにはＣｒ膜が用いられる。第２非磁性下地層４２ｂの膜厚は例えば４．０ｎｍ程度に設定されればよい。
【００２９】
ただし、下地層４２にはＣｒに基づき構成される合金層が単層で用いられてもよい。このとき、下地層４２にはＭｏ、Ｔａ、Ｔｉ、ＷおよびＶからなる群から選択される１種以上の原子が例えば１［ａｔ％］以上の含有量で添加されてもよい。その他、下地層４２は、Ｃｒを含む合金層の積層体から構成されてもよい。合金層にはＭｏ、Ｔａ、Ｔｉ、ＷおよびＶからなる群から選択される１種以上の原子が例えば１［ａｔ％］以上の含有量で添加されてもよい。このとき、表面で第３中間層４１を受け止める合金層には、基板３１の表面に形成される合金層に比べて大きな含有量でＣｒが含まれればよい。
【００３０】
磁気ディスク１３では、記録磁性層３７と同種類の材料で第１中間層３８は構成される。したがって、記録磁性層３７の膜厚は実質的に増大する。こういった膜厚の増大はいわゆる熱揺らぎの抑制に大いに貢献することができる。記録磁性層３７では長期間にわたって磁化の劣化は抑制されることができる。
【００３１】
しかも、第３中間層４１では記録磁性層３７に比べて非磁性材料の添加は抑制される。その結果、第３中間層４１では磁化容易軸は基板３１の表面に平行に良好に揃えられることができる。こういった第３中間層４１はいわゆる熱揺らぎの抑制に貢献することができる。
【００３２】
その一方で、第２中間層３９には第３中間層４１に比べて十分な非磁性材料が添加される。第２中間層３９の飽和磁束密度Ｂｓは小さく抑え込まれる。こういった第２中間層３９の働きによれば、第３中間層４１と記録磁性層３７との間で強磁性相互作用すなわち交換結合は断ち切られることができる。記録磁性層３７では磁気異方性の低下は回避されることができる。
【００３３】
次に磁気ディスク１３の製造方法について簡単に説明する。まず、ディスク型の基板３１は用意される。基板３１の表面には予めテクスチャ構造が確立される。基板３１の表面にはＮｉＰ膜３４が積層形成される。ＮｉＰ膜３４の形成にあたって例えば無電解めっき法は用いられる。基板３１は例えばスパッタリング装置に装着される。ＮｉＰ膜３４の表面には多結晶構造膜３２が形成される。形成方法の詳細は後述される。その後、多結晶構造膜３２の表面には膜厚５ｎｍ程度の保護膜３５が積層形成される。積層形成にあたって例えばＣＶＤ法（化学的気相蒸着法）が用いられる。保護膜３５の表面には膜厚１．０ｎｍ程度の潤滑膜３６が塗布される。塗布にあたって基板３１は例えばパーフルオロポリエーテルを含む溶液に溶液に浸されればよい
スパッタリング装置では例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法に基づき多結晶構造膜３２は成膜される。成膜にあたってスパッタリング装置のチャンバ内にはＡｒガスが導入される。チャンバ内は例えば０．６７［Ｐａ］の圧力下に保持される。Ａｒガスの導入に先立ってチャンバ内には１．０ｘ１０−５［Ｐａ］程度の真空環境が確立される。成膜に先立って基板３１は１６０℃〜３００℃に加熱されればよい。ここでは、基板３１は例えば２４０℃程度に加熱される。
【００３４】
図３に示されるように、基板３１の表面には第２非磁性下地層４２ｂが成膜される。成膜にあたってＣｒターゲットは用いられる。Ｃｒ原子は基板３１の表面に堆積する。Ｃｒ原子は基板３１の表面で結晶粒を形成する。基板３１は高温に維持されることから、こうして膜厚４．０ｎｍの第２非磁性下地層４２ｂは形成される。
【００３５】
続いて、図４に示されるように、第２非磁性下地層４２ｂの表面に第１非磁性下地層４２ａが成膜される。成膜にあたってＣｒＭｏターゲットが用いられる。ＣｒＭｏターゲットには所定の含有量でＭｏが添加される。ＣｒＭｏターゲットには例えば１［ａｔ％］以上のＭｏが含まれればよい。Ｃｒ原子およびＭｏ原子はＣｒ膜の表面に堆積する。こうして第２非磁性下地層４２ｂの表面には膜厚２．０ｎｍの第１非磁性下地層４２ａが形成される。第１非磁性下地層４２ａでは第２非磁性下地層４２ｂの結晶粒に基づきエピタキシャル成長が確立される。
【００３６】
続いて、図５に示されるように、第１非磁性下地層４２ａの表面には第３中間層４１が成膜される。第３中間層４１の成膜にあたってＣｏＣｒＴａターゲットが用いられる。このとき、ＣｏＣｒＴａターゲットには７〜２８［ａｔ％］のＣｒが含まれればよい。こうして、第１非磁性下地層４２ａの表面には膜厚２．０ｎｍの第３中間層４１が形成される。第３中間層４１では第１非磁性下地層４２ａの結晶粒に基づきエピタキシャル成長が確立される。第３中間層４１では０．４〜０．９［Ｔ］の範囲で飽和磁束密度Ｂｓが確保されればよい。
【００３７】
続いて、図６に示されるように、第３中間層４１の表面には第２中間層３９が成膜される。第２中間層３９の成膜にあたってＣｏＣｒターゲットが用いられる。このとき、ＣｏＣｒターゲットには２９［ａｔ％］以上のＣｒが含まれればよい。こうして、第３中間層４１の表面には膜厚１．５ｎｍの第２中間層３９が形成される。第２中間層３９では第３中間層３９の結晶粒に基づきエピタキシャル成長が確立される。第２中間層３９では０〜０．４［Ｔ］の範囲で飽和磁束密度Ｂｓが確保されればよい。
【００３８】
続いて、図７に示されるように、第２中間層３９の表面には第１中間層３８が成膜される。第１中間層３８の成膜にあたってＣｏＣｒＰｔＢターゲットが用いられる。このとき、ＣｏＣｒＰｔＢターゲットには２９［ａｔ％］以上のＣｒおよび１５［ａｔ％］以上のＰｔが含まれればよい。こうして、第２中間層３９の表面には膜厚２．０ｎｍの第１中間層３８が形成される。第１中間層３８では第２中間層３９の結晶粒に基づきエピタキシャル成長が確立される。第１中間層３８では０〜０．１［Ｔ］の範囲で飽和磁束密度Ｂｓが確保されればよい。
【００３９】
続いて、図８に示されるように、第１中間層３８の表面には記録磁性層３７が成膜される。記録磁性層３７の成膜にあたって用いられるＣｏＣｒＰｔＢターゲットでは、第１中間層３８の成膜にあたって用いられるＣｏＣｒＰｔＢターゲットに比べてＣｒおよびＰｔの含有量［ａｔ％］は抑制される。このとき、ＣｏＣｒＰｔＢターゲットには６〜２０［ａｔ％］の範囲でＰｔが含まれればよい。こうして、第１中間層３８の表面には膜厚２．０ｎｍの記録磁性層３７が形成される。記録磁性層３７では第１中間層３８の結晶粒に基づきエピタキシャル成長が確立される。記録磁性層３７では、第２および第１中間層３９、３８に基づきＣｒが拡散する。記録磁性層３７では０．１〜０．８［Ｔ］の範囲で飽和磁束密度Ｂｓが確保されればよい。
【００４０】
次に、本発明者は磁気ディスク１３の再生信号出力減衰率を検証した。検証にあたって前述の製造方法に基づき第１〜第３具体例は製造された。第１具体例では第１中間層３８の膜厚は０．５ｎｍに設定された。第２具体例では第１中間層３８の膜厚は１．０ｎｍに設定された。第３具体例では第１中間層３８の膜厚は２．０ｎｍに設定された。第１中間層３８には、２９［ａｔ％］のＣｒ、１７［ａｔ％］のＰｔおよび２［ａｔ％］のＢが添加された。同様に本発明者は比較例を用意した。比較例では第１中間層は省略された。個々の具体例および比較例で第２中間層３９の膜厚は１．５ｎｍに設定された。第２中間層３９には４２［ａｔ％］のＣｒが添加された。４００［ｋＦＣＩ］の線記録密度で磁気情報は書き込まれた。その後、特定の時間間隔で再生出力は測定された。こうしてＳ／Ｎｔ減衰率［％］は算出された。その結果、図９に示されるように、第１〜第３具体例では、比較例に比べて良好なＳ／Ｎｔ減衰率が得られることが確認された。第１中間層３８によれば、記録磁性層３７では磁化の劣化は十分に阻止されることが確認された。
【００４１】
次に、本発明者は磁気ディスク１３の孤立波Ｓ／Ｎ比（Ｓｉｓｏ／Ｎｍ）を検証した。検証にあたって前述の製造方法に基づき複数の第４具体例は製造された。個々の具体例では第１中間層３８の膜厚は４．０ｎｍ以下の範囲で個別に設定された。第１中間層３８には、２９［ａｔ％］のＣｒ、１７［ａｔ％］のＰｔおよび２［ａｔ％］のＢが添加された。同様に本発明者は比較例を用意した。比較例では第１中間層は省略された。個々の具体例および比較例で第２中間層３９の膜厚は１．５ｎｍに設定された。第２中間層３９には４２［ａｔ％］のＣｒが添加された。孤立波に基づき磁気情報は書き込まれた。こうして書き込まれた磁気情報に基づきＳ／Ｎ比は算出された。その結果、図１０に示されるように、第１中間層３８の膜厚が３．５ｎｍ以下に設定されると、比較例に比べて良好な孤立波Ｓ／Ｎ比が得られることが確認された。特に、第１中間層３８の膜厚が０．５〜２．０ｎｍの範囲に設定されると、特に良好な孤立波Ｓ／Ｎ比が得られることが確認された。
【００４２】
次に、本発明者は磁気ディスク１３の再生出力分解能を検証した。検証にあたって前述の製造方法に基づき複数の第５具体例は用意された。個々の具体例では第１中間層３８の膜厚は４．０ｎｍ以下の範囲で個別に設定された。第１中間層３８には、２９［ａｔ％］のＣｒ、１７［ａｔ％］のＰｔおよび２［ａｔ％］のＢが添加された。同様に本発明者は比較例を用意した。比較例では第１中間層は省略された。個々の具体例および比較例で第２中間層３９の膜厚は１．５ｎｍに設定された。第２中間層３９には４２［ａｔ％］のＣｒが添加された。３８５［ｋＦＣＩ］の線記録密度で磁気情報は書き込まれた。こうして書き込まれた磁気情報に基づき再生出力分解能は算出された。その結果、図１１に示されるように、第１中間層３８の膜厚が４．０ｎｍ以下の範囲に設定されると、比較例に比べて良好な再生出力分解能が得られることが確認された。特に、第１中間層３８の膜厚が２．０〜３．５ｎｍの範囲に設定されると、特に良好な再生出力分解能が得られることが確認された。
【００４３】
次に、本発明者は、再生出力分解能と第１中間層３８の飽和磁束密度Ｂｓとの関係を検証した。検証にあたって前述の製造方法に基づき第６および第７具体例は製造された。第６具体例では第１中間層３８に２９［ａｔ％］の含有量でＣｒが添加された。第７具体例では第１中間層３８に３０［ａｔ％］の含有量でＣｒが添加された。第６および第７具体例では第１中間層３８で異なる飽和磁束密度Ｂｓは設定された。３８５［ｋＦＣＩ］の線記録密度で磁気情報は書き込まれた。こうして書き込まれた磁気情報に基づき再生出力分解能は算出された。その結果、図１２に示されるように、第１中間層３８の飽和磁束密度Ｂｓが小さく設定されるほど良好な再生出力分解能が得られることが確認された。
【００４４】
次に、本発明者は第１中間層３８の飽和磁束密度ＢｓとＰｔの含有量［ａｔ％］との関係を検証した。検証にあたって第１〜第３試料は用意された。第１〜第３試料では、下地層４２の表面に膜厚５０ｎｍのＣｏＣｒＰｔＢ膜が単層で形成された。第１試料ではＣｏＣｒＰｔＢ膜に２８［ａｔ％］の含有量でＣｒが添加された。第２試料ではＣｏＣｒＰｔＢ膜に２９［ａｔ％］の含有量でＣｒが添加された。第３試料ではＣｏＣｒＰｔＢ膜に３０［ａｔ％］の含有量でＣｒが添加された。ただし、個々の試料でＢの含有量は２［ａｔ％］に設定された。個々の試料ではＰｔの含有量［ａｔ％］は１５〜１７［ａｔ％］の範囲で個別に設定された。飽和磁束密度Ｂｓの測定にあたって室温でＶＳＭ（振動試料型磁力計）は用いられた。飽和磁束密度Ｂｓは測定された。その結果、図１３に示されるように、ＣｏＣｒＰｔＢ膜でＣｒの含有量が増やされると小さな飽和磁束密度Ｂｓが得られることが確認された。その一方で、Ｐｔの含有量が増やされると小さな飽和磁束密度Ｂｓが得られることが確認された。しかも、２９［ａｔ％］以上のＣｒおよび１５［ａｔ％］以上のＰｔが含まれると、ＣｏＣｒＰｔＢ膜では０．１以下の飽和磁束密度Ｂｓが得られることが確認された。
【００４５】
（付記１）  少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含む記録磁性層と、表面で記録磁性層を受け止め、少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含む第１合金層と、表面で第１合金層を受け止め、少なくともＣｏおよびＣｒを含む第２合金層と、表面で第２合金層を受け止め、少なくともＣｏおよびＣｒを含む第３合金層とを備え、第１合金層には２９［ａｔ％］以上のＣｒおよび１５［ａｔ％］以上のＰｔが含まれ、第２合金層には２９［ａｔ％］以上のＣｒが含まれ、第３合金層には７〜２８［ａｔ％］のＣｒが含まれることを特徴とする磁気記録媒体。
【００４６】
（付記２）  付記１に記載の磁気記録媒体において、前記第１合金層には前記記録磁性層よりも大きな含有量で非磁性材料が含まれることを特徴とする磁気記録媒体。
【００４７】
（付記３）  付記２に記載の磁気記録媒体において、前記第１合金層には前記記録磁性層よりも大きな含有量でＰｔが含まれることを特徴とする磁気記録媒体。
【００４８】
（付記４）  付記３に記載の磁気記録媒体において、前記第１合金層の飽和磁束密度は０〜０．１［Ｔ］の範囲で設定されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００４９】
（付記５）  付記４に記載の磁気記録媒体において、前記第３合金層には前記記録磁性層よりも小さい含有量で非磁性材料が含まれることを特徴とする磁気記録媒体。
【００５０】
（付記６）  付記５に記載の磁気記録媒体において、前記第３合金層の飽和磁束密度は０．４〜０．９［Ｔ］の範囲で設定されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００５１】
（付記７）  付記６に記載の磁気記録媒体において、前記第２合金層には前記第３合金層よりも大きな含有量で非磁性材料が含まれることを特徴とする磁気記録媒体。
【００５２】
（付記８）  付記１に記載の磁気記録媒体において、前記記録磁性層にはＢがさらに含まれることを特徴とする磁気記録媒体。
【００５３】
（付記９）  付記８に記載の磁気記録媒体において、前記第１合金層にはＢがさらに含まれることを特徴とする磁気記録媒体。
【００５４】
（付記１０）  付記９に記載の磁気記録媒体において、前記第３合金層にはＴａが含まれることを特徴とする磁気記録媒体。
【００５５】
（付記１１）  付記１〜１０のいずれかに記載の磁気記録媒体において、表面で第３合金層を受け止め、Ｃｒに基づき構成される下地層をさらに備え、下地層には、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、ＷおよびＶからなる群から選択される１種以上の原子が添加されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００５６】
（付記１２）  付記１〜１０のいずれかに記載の磁気記録媒体において、表面で第３合金層を受け止め、Ｃｒに基づき構成される第１下地層と、表面で第１下地層を受け止め、Ｃｒで構成される第２下地層とをさらに備え、第１下地層には、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、ＷおよびＶからなる群から選択される１種以上の原子が添加されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００５７】
（付記１３）  少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含む記録磁性層と、表面で記録磁性層を受け止め、少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含む熱安定化裏打ち層とを備え、熱安定化裏打ち層には記録磁性層よりも大きな含有量でＰｔが含まれることを特徴とする磁気記録媒体。
【００５８】
（付記１４）  付記１３に記載の磁気記録媒体において、前記熱安定化裏打ち層には１５［ａｔ％］以上のＰｔが含まれることを特徴とする磁気記録媒体。
【００５９】
（付記１５）  付記１４に記載の磁気記録媒体において、前記熱安定化裏打ち層には前記記録磁性層よりも大きな含有量で非磁性材料が含まれることを特徴とする磁気記録媒体。
【００６０】
（付記１６）  付記１５に記載の磁気記録媒体において、前記熱安定化裏打ち層の飽和磁束密度は０〜０．１［Ｔ］の範囲で設定されることを特徴とする磁気記録媒体。
【００６１】
（付記１７）  付記１６に記載の磁気記録媒体において、前記熱安定化裏打ち層には前記記録磁性層よりも大きな含有量でＣｒが含まれることを特徴とする磁気記録媒体。
【００６２】
（付記１８）  付記１７に記載の磁気記録媒体において、前記記録磁性層にはＢおよびＴａの少なくともいずれか一方がさらに含まれることを特徴とする磁気記録媒体。
【００６３】
（付記１９）  付記１８に記載の磁気記録媒体において、前記熱安定化裏打ち層にはＢおよびＴａの少なくともいずれか一方がさらに含まれることを特徴とする磁気記録媒体。
【００６４】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、過度に磁気異方性を高めることなくできる限り長期間にわたって磁化の劣化を抑制することができる磁気記録媒体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】磁気記録媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】本発明に係る磁気ディスクの構造を詳細に示す拡大垂直断面図である。
【図３】第２下地層の成膜工程を概略的に示す基板の垂直部分断面図である。
【図４】第１下地層の成膜工程を概略的に示す基板の垂直部分断面図である。
【図５】第３中間層の成膜工程を概略的に示す基板の垂直部分断面図である。
【図６】第２中間層の成膜工程を概略的に示す基板の垂直部分断面図である。
【図７】第１中間層の成膜工程を概略的に示す基板の垂直部分断面図である。
【図８】記録磁性層の成膜工程を概略的に示す基板の垂直部分断面図である。
【図９】第１中間層の膜厚とＳ／Ｎｍとの関係を示すグラフである。
【図１０】第１中間層の膜厚と再生出力分解能との関係を示すグラフである。
【図１１】記録磁性層のＳ／Ｎｔ減衰率を示すグラフである。
【図１２】第１中間層の飽和磁束密度と再生出力分解能との関係を示すグラフである。
【図１３】ＣｏＣｒＰｔＢ膜に含まれるＰｔの含有量と飽和磁束密度Ｂｓとの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１３  磁気記録媒体（磁気ディスク）、３１  基板、３７  記録磁性層、３８第１合金層および熱安定化裏打ち層（第１中間層）、３９  第２合金層（第２中間層）、４１  第３合金層（第３中間層）、４２  下地層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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