(57)【要約】【課題】キャリアフィルムによって搬送され凹凸を有する被積層材と溶融可能な樹脂積層材からなる回路基板やＩＣ基板等を真空条件下において積層成形する際に、シリコンゴム等からなるダイアフラムを用いずに加圧し、積層基板を得る。【解決手段】上下キャリアフィルム６，７とともに回路基板２を真空積層装置１０内に搬入し、上盤１９と下盤２０を当接することにより上盤１９と上部キャリアフィルム６との間に上部積層成形空間２５を区画形成するとともに、下盤２０と下部キャリアフィルム７との間に下部積層成形空間３４を区画形成し、上部積層成形空間２５と下部積層成形空間３４の両方の空間を減圧し、その後一方の積層成形空間の減圧を継続しつつ他方の積層成形空間を加圧することにより回路基板２をキャリアフィルムによって加圧する。【選択図】　　　　　　　　図４
2004058349.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアフィルムによって搬送され溶融可能な樹脂積層材が重ねられた基板を、真空条件下の積層成形空間にて加圧することにより積層成形する積層装置において、
相対向して配設され前記キャリアフィルムを介して当接および離間可能に設けられた上盤および下盤と、
前記上盤および下盤にそれぞれ固定された熱板と、
前記上盤および下盤の前記当接時に前記キャリアフィルムと前記熱板を含む上盤によって区画形成される上部積層成形空間と、
前記当接時に前記キャリアフィルムと前記熱板を含む下盤によって区画形成される下部積層成形空間と、
前記上部積層成形空間と前記下部積層成形空間とに設けられ前記積層成形空間を減圧可能な減圧手段と、
前記上部積層成形空間と前記下部積層成形空間のうち少なくとも前記下部積層成形空間に設けられ前記積層成形空間を加圧可能な加圧手段と、
が設けられたことを特徴とする積層装置。
【請求項２】
前記上盤に配設された熱板の周囲に前記熱板よりも相対向する前記下盤に向けて突出形成された枠体部と、
前記下盤に配設された熱板の周囲に前記熱板よりも相対向する前記上盤に向けて突出形成された枠体部とが設けられ、
該上盤の枠体部と下盤の枠体部がキャリアフィルムを介して当接時にキャリアフィルムによって挟持された前記基板がキャリアフィルムのみによって保持可能に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の積層装置。
【請求項３】
前記積層装置の後工程におけるキャリアフィルムの搬送路には、
少なくとも前記キャリアフィルムを介して相対的に近接および離間可能に設けられ、
平滑に形成された加圧面を有する上熱板および下熱板からなる加圧加熱装置が大気圧下に配設されたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の積層装置。
【請求項４】
前記積層装置または前記加圧加熱装置の後工程におけるキャリアフィルムの搬送路には、
少なくとも前記キャリアフィルムを介して相対的に近接および離間可能に設けられ、
平滑に形成された加圧面を有し前記積層装置および加圧加熱装置の熱板温度より相対的に温度が低い上冷却板および下冷却板からなる加圧冷却装置が大気圧下に配設されたことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の積層装置。
【請求項５】
キャリアフィルムによって搬送され溶融可能な樹脂積層材が重ねられた基板を、
積層装置の真空条件下の積層成形空間にて加圧する積層方法において、
前記キャリアフィルムとともに前記基板を前記積層装置内に搬入し、
上盤と下盤を当接することにより前記上盤と前記キャリアフィルムとの間に上部積層成形空間を区画形成するとともに、前記下盤と前記キャリアフィルムとの間に下部積層成形空間を区画形成し、
前記上部積層成形空間と前記下部積層成形空間の両方の空間を減圧し、
一方の積層成形空間の減圧を継続しつつ他方の積層成形空間を加圧することにより前記基板を前記キャリアフィルムによって加圧することを特徴とする積層方法。
【請求項６】
キャリアフィルムによって上下方向に挟持されつつ搬送され溶融可能な樹脂積層材が重ねられ凹凸を有する基板を、積層装置の真空条件下の積層成形空間にて加圧する積層方法において、
前記キャリアフィルムとともに前記基板を前記積層装置内に搬入し、
熱板が固定された上盤と熱板が固定された下盤を当接することにより前記熱板を含む上盤と前記キャリアフィルムとの間に上部積層成形空間を区画形成するとともに、前記熱板を含む下盤と前記キャリアフィルムとの間に下部積層成形空間を区画形成し、
前記上部積層成形空間と前記下部積層成形空間の両方の空間を減圧し、
一方の積層成形空間の減圧を継続しつつ他方の積層成形空間を加圧することにより他方のキャリアフィルムを介して前記基板を加圧するとともに一方のキャリアフィルムを介して前記基板を一方の熱板に当接させ、
次に他方の積層成形空間を大気開放又は減圧しつつ一方の積層成形空間を加圧することにより一方のキャリアフィルムを介して前記基板を加圧するとともに他方のキャリアフィルムを介して前記基板を他方の熱板に当接させることを特徴とする積層方法。
【請求項７】
前記熱板は前記溶融可能な樹脂積層材の融点より高い温度に加熱され、
前記キャリアフィルムの短期耐熱温度は前記熱板が加熱された温度以上であることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の積層方法。
【請求項８】
前記キャリアフィルムは、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエーテルイミド系樹脂、ポリエーテルスルフォン系樹脂、フッソ系樹脂、液晶ポリマー系樹脂、芳香族ポリアラミド系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、ポリイミド系樹脂の少なくとも一つから形成されていることを特徴とする請求項５ないし請求項７のいずれか１項に記載の積層方法。
【請求項９】
前記基板における溶融可能な樹脂積層材は、フッソ系樹脂またはポリイミド系樹脂からなることを特徴とする請求項５ないし請求項８のいずれか１項に記載の積層方法。
【請求項１０】
前記キャリアフィルムのいずれか一方のフィルムの前記基板が載置されない部分には空気抜き孔が形成されているか、又はいずれか一方のフィルムの幅が前記積層成形空間のキャリアフィルムの搬送方向と直角方向の幅より狭く設けられていることを特徴とする請求項５ないし請求項９のいずれか１項に記載の積層方法。
【請求項１１】
前記積層方法によって成形された凹凸を有する一次成形積層基板を、
加圧面が平滑に形成され前記積層成形空間を形成する盤に配設された熱板と同温ないし５０℃低い温度に設定された上熱板および下熱板によって大気圧下にて加圧し、
表面が平滑に形成された積層基板を得ることを特徴とする請求項５ないし請求項１０のいずれか１項に記載の積層方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は凹凸を有する被積層材からなる回路基板やＩＣ基板等に溶融可能な樹脂積層材を重ねて積層成形する積層装置および積層方法に関し、特に真空条件下における前記回路基板等の加圧時に、シリコンゴム等のダイアフラムからなる加圧手段を用いずに前記回路基板等に加圧を行う積層装置および積層方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来凹凸を有する被積層材からなる回路基板やＩＣ基板等に溶融可能な樹脂積層材を重ねて積層成形する積層装置としては、特開２０００−１５６５５号公報に記載されるものが知られている。前記公報によれば回路基板等の加圧時にボイドやしわの発生を防止するために、真空条件下にてシリコンゴム等からなるダイアフラムによって凹凸を有する被積層材に溶融可能な樹脂積層材を重ねて回路基板等の加圧が行われている。
しかし近年では回路基板の高密度化や回路基板に使用されるはんだの無鉛化のために、回路基板の接着層等となる樹脂積層材にエポキシ系樹脂を使用していたものに代えて、フッソ系樹脂やポリイミド系樹脂など融点の高い樹脂を使用したものが登場してきた。よってこれらのフッソ系樹脂等の溶融可能な樹脂積層材を使用した回路基板等の積層成形においては、これらの樹脂積層材の融点より高い温度条件下で加圧を行う必要がある。ところが、従来の積層装置に使用されている加圧用ダイアフラムはシリコンゴム等から形成されており、シリコンゴムは前記フッソ系樹脂等の融点より耐熱温度が低く、これらフッソ系樹脂等の樹脂積層材を使用した回路基板等の積層成形には、従来の加圧用ダイアフラムが設けられた積層装置を用いることができないという問題があった。
【０００３】
【発明の解決しようとする課題】
そこで本発明は積層装置において、キャリアフィルムによって搬送され凹凸を有する被積層材からなる回路基板やＩＣ基板等に溶融可能な樹脂積層材を重ねて真空条件下において積層成形する際に、シリコンゴム等からなるダイアフラムを用いずに加圧し、積層基板を得ることを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１の積層装置は、キャリアフィルムによって搬送され溶融可能な樹脂積層材が重ねられた基板を、真空条件下の積層成形空間にて加圧することにより積層成形する積層装置において、相対向して配設され前記キャリアフィルムを介して当接および離間可能に上盤と下盤とが設けられ、上盤と下盤には熱板がそれぞれ固定され、上盤と下盤の当接時にキャリアフィルムと熱板を含む上盤によって形成される上部積層成形空間と下部積層成形空間とが区画形成され、上部積層成形空間と前記下部積層成形空間とに設けられており、上部積層成形空間と下部積層成形空間をそれぞれ減圧可能な減圧手段と、
上部積層成形空間と下部積層成形空間のうち少なくとも下部積層成形空間に設けられ、少なくとも下部積層成形空間を加圧可能な加圧手段とを設けたことを特徴とする。よって積層装置の加圧用ダイアフラムを用いずにキャリアフィルムにより基板の加圧を行うことができる。
【０００５】
本発明の請求項２の積層装置は、前記請求項１の積層装置において、上盤と下盤にそれぞれ配設された熱板の周囲に熱板よりも相対向する下盤または上盤に向けて突出形成された枠体部をそれぞれ設け、上盤の枠体部と下盤の枠体部がキャリアフィルムを介して当接した際に、キャリアフィルムによって挟持された基板がキャリアフィルムのみによって保持可能に設けられたことを特徴とする。よって積層成形空間の減圧時に上盤と下盤にそれぞれ配設された熱板からの輻射熱を基板の上下の面に略均等に受けることができる。
【０００６】
本発明の請求項３の積層装置は、請求項１または請求項２の積層装置において、前記の積層装置の後工程におけるキャリアフィルムの搬送路には、少なくともキャリアフィルムを介して相対的に近接および離間可能に設けられ、平滑に形成された加圧面を有する上熱板および下熱板からなる加圧加熱装置が大気圧下に配設されたことを特徴とする。よって前記の請求項１ないし請求項２の積層装置において成形された凹凸を有する一次成形積層基板を平滑にすることができる。
【０００７】
本発明の請求項４の積層装置は、請求項１ないし請求項３のいずれか１項の積層装置において、前記の積層装置の後工程におけるキャリアフィルムの搬送路には、少なくともキャリアフィルムを介して相対的に近接および離間可能に設けられ、平滑に形成された加圧面を有し前記の積層装置および加圧加熱装置の熱板温度より相対的に温度が低い上冷却板および下冷却板からなる加圧冷却装置が大気圧下に配設されたことを特徴とする。よって前記の請求項１ないし請求項３の積層装置において成形された積層基板を冷却することができる。
【０００８】
本発明の請求項５に記載の積層方法は、キャリアフィルムによって搬送され溶融可能な樹脂積層材が重ねられた基板を、
積層装置の真空条件下の積層成形空間にて加圧する積層方法において、キャリアフィルムとともに基板を前記積層装置内に搬入し、上盤と下盤を当接することにより上盤とキャリアフィルムとの間に上部積層成形空間を区画形成するとともに、下盤とキャリアフィルムとの間に下部積層成形空間を区画形成し、その後上部積層成形空間と下部積層成形空間の両方の空間を減圧し、その後一方の積層成形空間の減圧を継続しつつ他方の積層成形空間を加圧することにより基板をキャリアフィルムによって加圧すること特徴とする。よって積層装置の加圧用ダイアフラムを用いずにキャリアフィルムにより基板の加圧を行うことができる。
【０００９】
本発明の請求項６に記載の積層方法は、キャリアフィルムによって上下方向に挟持されつつ搬送され溶融可能な樹脂積層材が重ねられ凹凸を有する基板を、
積層装置の真空条件下の積層成形空間にて加圧する積層方法において、キャリアフィルムとともに前記基板を積層装置内に搬入して、熱板が固定された上盤と熱板が固定された下盤を当接することにより熱板を含む上盤とキャリアフィルムとの間に上部積層成形空間を区画形成するとともに、熱板を含む下盤とキャリアフィルムとの間に下部積層成形空間を区画形成した後、上部積層成形空間と前記下部積層成形空間の両方の空間を減圧し、その後一方の積層成形空間の減圧を継続しつつ他方の積層成形空間を加圧することによって他方のキャリアフィルムを介して基板を加圧するとともに一方のキャリアフィルムを介して基板を一方の熱板に当接させ、次に他方の積層成形空間を大気開放又は減圧させながら一方の積層成形空間を加圧することによって一方のキャリアフィルムを介して基板を加圧するとともに他方のキャリアフィルムを介して基板を他方の熱板に当接させること特徴とする。よって積層装置の加圧用ダイアフラムを用いずに両面側から基板の加圧を行うことができる。
【００１０】
本発明の請求項７の積層方法は、請求項５または請求項６において、積層装置の熱板は、溶融可能な樹脂積層材の融点より高い温度に加熱されており、キャリアフィルムの短期耐熱温度は熱板の加熱された温度以上であることを特徴とする。よって樹脂積層材を溶融状態としてキャリアフィルムによって加圧を行うことができる。
【００１１】
本発明の請求項８の積層方法は、請求項５ないしは請求項７のいずれか１項において、キャリアフィルムは、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエーテルイミド系樹脂、ポリエーテルスルフォン系樹脂、フッソ系樹脂、液晶ポリマー系樹脂、芳香族ポリアラミド系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、ポリイミド系樹脂の少なくとも一つから形成されていることを特徴とする。よって前項同様に、樹脂積層材が溶融状態であっても、キャリアフィルムによって加圧を行うことができる。
【００１２】
請求項９の積層方法は、請求項５ないしは請求項８のいずれか１項において、基板における溶融可能な樹脂積層材は、フッソ系樹脂またはポリイミド系樹脂からなることを特徴とする。よって回路基板の高密度化や回路基板に使用されるはんだの無鉛化を図ることができる。
【００１３】
請求項１０の積層方法は、請求項５ないしは請求項９のいずれか１項において、キャリアフィルムのいずれか一方のフィルムの基板が載置されない部分には空気抜き孔が形成されているか、またはいずれか一方のフィルムの幅が前記積層成形空間のキャリアフィルムの搬送方向と直角方向の幅より狭く設けられていることを特徴とする。よって積層成形空間の減圧時に上部キャリアフィルムと下部キャリアフィルムの間の空気を完全に抜くことができ、良好な積層成形ができる。
【００１４】
請求項１１の積層方法は、請求項５ないしは請求項１０のいずれか１項において、これら前記請求項の積層方法によって成形された凹凸を有する一次成形積層基板を、加圧面が平滑に形成され前記の積層成形装置の熱板と同温ないし５０℃低い温度に設定された上熱板および下熱板によって大気圧下にて加圧して、表面が平滑に形成された積層基板を得ることを特徴とする。よって真空条件下でキャリアフィルムを用いた成形によって気泡の発生を除去し、なおかつ平滑な積層基板を得ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について図１ないし図６を参照して説明する。図１は本発明の積層装置の全体の構成を示す縦断面図である。図２は図１におけるＡ−Ａ断面であって第一の積層装置である真空積層装置の成形空間開放時の断面図である。図３は図２と同一断面であって真空積層装置の積層成形空間を減圧時の断面図である。図４は図２と同一断面であって真空積層装置の上部積層成形空間を減圧し下部積層成形空間を加圧時の断面図である。図５は図２と同一断面であって真空積層装置の下部積層成形空間を大気開放または減圧し上部積層成形空間を加圧時の断面図である。図６はキャリアフィルムの形態が異なる例である。
【００１６】
図１に示されるこの実施の形態の回路基板２は、コア層３に銅箔等からなる配線パターン４が接着されることにより凹凸を有する基板（被積層材）が形成されている。そして前記回路基板２の上下には前記回路基板２とほぼ同じ大きさの溶融可能な樹脂積層材５が前記回路基板２に重ねられている。そしてそれら回路基板２と樹脂積層材５は、その上方と下方を上部キャリアフィルム６と下部キャリアフィルム７によって挟持されて一側から他側に向けて搬送され、その間に各装置によって積層成形がなされるようになっている。よって上下キャリアフィルム６，７の幅Ｃは前記回路基板２の幅Ｂよりも広く設けられている。上下キャリアフィルム６，７による搬送路と各装置の配置について説明すると、下部キャリアフィルム７は一側下方のフィルムローラ８から繰り出される。そしてその搬送路上には、基板載置ステージ９、第一の積層装置である真空積層装置１０、第二の積層装置である加圧加熱装置１１、第三の積層装置である加圧冷却装置１２、基板取出ステージ１３が順に等間隔に配設されており、下部キャリアフィルム７は他側下方の巻取ローラ１４によって巻き取られる。
【００１７】
また上部キャリアフィルム６についても一側上方のフィルムローラ１５から繰り出され、前記下部キャリアフィルム７と平行に、真空積層装置１０、加圧加熱装置１１、加圧冷却装置１２を経て、他側上方の巻取ローラ１６によって巻き取られる。また加圧冷却装置１２の後工程には上下キャリアフィルム６，７の両側を挟持して基板取出ステージ１３側に移動させるチャック装置１７が設けられている。よって前記上下キャリアフィルム６，７は、チャック装置１７と前記巻取ローラ１４，１６の同期駆動によってたるみが生じないように引張られて後工程側に向けて移動可能となっている。なおチャック装置１７については、真空積層装置１０と加圧加熱装置１１の間、加圧加熱装置１１と加圧冷却装置１２の間にも配設してもよい。また、前記チャック装置１７の後工程にはキャリアフィルムから積層基板２ｃを剥離するキャリアフィルム剥離装置１８が設けられている。上部キャリアフィルム６、下部キャリアフィルム７の材質、幅等については後で詳述する。
【００１８】
次に第一の積層装置である真空積層装置１０について図２ないし図６により説明する。積層装置１の一部である真空積層装置１０は、真空条件下で上下キャリアフィルム６，７、回路基板２、および樹脂積層材５に対して加圧を行い、凹凸を有する回路基板２に対して樹脂積層材５を追従させ積層成形を行うための装置である。真空積層装置１０は、前記上部キャリアフィルム６の上方に上盤１９が配設されるとともに、前記下部キャリアフィルム７の下方に下盤２０が配設されている。そして上盤１９と下盤２０は上下キャリアフィルム６，７を介して相対向して配設されている。
【００１９】
真空積層装置１０の上盤１９の本体部２１の略中央部の下面には断熱板２２を介して熱板２３が図３に示され後述する上部積層成形空間２５に直接臨んで固定されている。熱板２３は加圧面である表面２３ａが平滑に形成され、積層成形される回路基板２の大きさよりも僅かに大きく形成されている。この実施の形態では熱板２３は熱板２３の中に内装されたカートリッジヒータ２４によって７０℃〜４５０℃まで加熱温度が調整可能に形成されている。なお、ヒータについては上記温度に制御可能なものであれば前記カートリッジヒータ２４に限定するものではなく、熱板自体を抵抗加熱板としてもよい。よって上盤１９の後述する上部積層成形空間２５内に設けられる部材はすべて固定的に設けられ、上盤１９にはシリコンゴム等からなるダイアフラムは設けられていない。
【００２０】
上盤１９の本体部２１であって熱板２３が固定された部分の周囲には上盤１９の枠体部２６が形成されている。上盤１９の枠体部２６は、図２において示されるように熱板２３よりも所定寸法Ｅだけ相対向する下盤２０に向けて突出形成されている。よって上盤１９には、本体部２１と熱板２３と枠体部２６によって凹部が形成され、前記上部キャリアフィルム６とともに上部積層成形空間２５を形成する。そして枠体部２６の当接面２６ａには耐熱性を有するシール部材であるＯリング２７が固定されている。
そして前記上下キャリアフィルム６，７は上下キャリアフィルム６，７の搬送方向と直角方向の枠体部２６，３６のシール部材間の距離Ｄよりもキャリアフィルムの幅Ｃの方が広く設けられている。
また上盤１９には冷却機構が設けられている。冷却機構は上盤１９の本体部２１および枠体部２６に通孔２８が形成され、冷却水を通水することにより上盤１９の過熱を防止している。よって冷却機構により上盤１９が取付けられる部分や枠体部２６のＯリング２７の加熱による劣化等が防止される。そして上盤１９の上部積層成形空間２５には後述する加圧手段と減圧手段に接続される通孔２９，３０が設けられている。
【００２１】
真空積層装置１０の下盤２０についても、前記した上盤１９と基本構成はほぼ同じであり、下盤２０の大きさは上盤１９の大きさと略同一である。そして下盤２０の本体部３１の略中央部の上面には断熱板３２を介して熱板３３が図３に示され後述する下部積層成形空間３４に直接臨んで固定されている。熱板３３は加圧面である表面３３ａが平滑に形成され、積層成形される回路基板２の大きさよりも僅かに大きく、上盤１９に固定された熱板２３の大きさと同じ大きさに形成されている。この実施の形態では熱板３３は熱板３３に内装されたカートリッジヒータ３５によって７０℃〜４５０℃まで加熱温度が調整可能に形成されている。よって下盤２０は上盤１９と同様に、内部の下部積層成形空間３４内の部材はすべて固定的に設けられ、シリコンゴム等からなるダイアフラムは設けられていない。
【００２２】
下盤２０の本体部３１であって熱板３３が固定された部分の周囲には下盤２０の枠体部３６が形成されている。下盤２０の枠体部３６についても、図２において示されるように熱板３３よりも所定寸法Ｅだけ相対向する上盤１９に向けて突出形成されている。よって下盤２０には、熱板３３と本体部３１と枠体部３６によって凹部が形成され、図３ないし図５に示されるように下部キャリアフィルム７とともに下部積層成形空間３４を形成する。そしてこの下盤２０の枠体部３６の熱板３３に対する突出寸法は、上盤１９の枠体部２６の熱板２３に対する突出寸法と略同一に設けられている。また枠体部３６の当接面３６ａにも耐熱性を有するＯリング２７からなるシール部材が上盤１９のＯリング２７と上下方向に同じ位置に固定されている。そして下盤２０の下部積層成形空間３４には後述する加圧手段と減圧手段に接続される通孔３７と外界に接続される通孔３８が設けられている。また下盤２０の本体部３１にも通孔３９が形成され、上盤１９と同様の冷却機構が設けられている。
【００２３】
そして下盤２０には下盤２０を上盤１９に向けて移動させ、上下キャリアフィルム６，７を介して上盤１９と下盤２０を当接および離間可能な移動手段であるシリンダ４０のロッド４１が固定されている。そして上盤１９に対して下盤２０の下降時には、上盤１９の枠体部２６と下盤２０の枠体部３６の間には、前記上部キャリアフィルム６と下部キャリアフィルム７との間に挟持された回路基板２と樹脂積層材５が通過可能な間隔Ｆが形成可能に設けられる。そして上盤１９に対する下盤２０の上昇時には、上下キャリアフィルム６，７は前記上盤１９の枠体部２６と下盤２０の枠体部３６に挟持され、真空積層装置１０の内部に上盤１９と下盤２０によって囲繞される容積不変の積層成形空間を形成する。そして前記積層成形空間には、前記上下キャリアフィルム６，７を挟んで容積可変の上部積層成形空間２５と下部積層成形空間３４が区画形成される。
【００２４】
続いて図２により真空積層装置１０の加圧手段と減圧手段の構成について説明すると、真空積層装置１０には、上部積層成形空間２５と下部積層成形空間３４を加圧するコンプレッサ４２と、減圧する真空ポンプ４３とが、上部積層成形空間２５と下部積層成形空間３４に共用して使用されるよう各１基が設けられている。そしてコンプレッサ４２に接続される管路４４は、上部積層成形空間２５と後述する下部積層成形空間３４に向けて管路４５と管路４６に分岐される。そして前記管路４５には開閉弁４７が設けられ、前記開閉弁４７を介して上部積層成形空間２５に形成された通孔２９に連通する管路４８が設けられている。また前記管路４６には開閉弁４９が設けられ、開閉弁４９を介して管路５０に接続されている。そして前記管路５０には開閉弁５１が設けられ、前記開閉弁５１を介して下部積層成形空間３４に形成された通孔３７に連通する管路５２が接続されている。
【００２５】
一方真空ポンプ４３の側は、真空ポンプ４３に接続される管路５３には開閉弁５４が設けられ、開閉弁５４を介して管路５５に接続されている。そして管路５５には開閉弁５６が設けられ、前記開閉弁５６を介して上部積層成形空間２５の通孔３０に連通する管路５７が設けられている。更に前記管路５５からは管路５８が分岐されており、前記管路５８には開閉弁５９が設けられ、前記開閉弁５９を介して管路６０が接続され、前記管路６０は、前記管路５０に接続されている。そして下部積層成形空間３４に形成された通孔３８には大気開放用の管路６１が接続され、前記管路６１には開閉弁６２が設けられている。このことにより上部積層成形空間２５と下部積層成形空間３４を同時に減圧可能であり、また上部積層成形空間２５を減圧しつつ下部積層成形空間３４を加圧したり、上部積層成形空間２５を加圧しつつ下部積層成形空間３４を大気開放したり減圧することができる。
なお上記の実施の形態では上下キャリアフィルム６，７によって回路基板２を上下方向から挟持するが、上下キャリアフィルム６，７によって回路基板２を上下方向から挟持せずに、回路基板２を下部キャリアフィルム７のみによって載置にするようにしてもよい。その場合は回路基板２に対する加圧は、下部キャリアフィルム７を介した下部積層成形空間３４側からの加圧のみに限定される。よってその場合の真空積層装置１０は、減圧手段が上部積層成形空間２５と下部積層成形空間３４にそれぞれ設けられ、加圧手段は下部積層成形空間３４にのみ設けられる。よって本発明においては、加圧手段は少なくとも下部積層成形空間に設ければ、発明を実施することが可能である。
【００２６】
次に第二の積層装置である加圧加熱装置１１について説明する。加圧加熱装置１１は、前記真空積層装置１０によって１次成形された凹凸を有する一次成形積層基板２ａに上下キャリアフィルム６，７を介して大気圧下で加圧を行う平板プレス装置である。加圧加熱装置１１は、前記真空積層装置１０の後工程の上下キャリアフィルム６，７の搬送路上に設けられている。加圧加熱装置１１は、前記上部キャリアフィルム６の上方に上盤７１が配設されるとともに、前記下部キャリアフィルム７の下方に下盤７２が配設されている。そして上盤７１と下盤７２は上下キャリアフィルム６，７または上下キャリアフィルム６，７と一次成形積層基板２ａを介して相対向して配設されている。上盤７１の略中央部の下面には断熱板７３を介して上熱板７４が固定されている。上熱板７４は表面側からステンレス板７４ａ、クッション板７４ｂ、加熱板７４ｃの順に形成されている。そして前記ステンレス板７４ａの下面は平滑に形成された加圧面７４ｄとなっている。上熱板７４は加圧成形される一次成形積層基板２ａの大きさよりも僅かに大きく形成されている。この実施の形態では上熱板７４の加熱板７４ｃにはカートリッジヒータ７５が内装されている。そして前記カートリッジヒータ７５によって上熱板７４は、４０℃〜４５０℃まで加熱温度が調整可能に形成されている。そして上盤７１には冷却機構が設けられている。冷却機構は上盤７１に通孔７６が形成され、冷却水を通水することにより上盤７１の過熱を防止し、各部材の劣化等を防止している。
【００２７】
また加圧加熱装置１１の下盤７２の略中央部の上面には断熱板７７を介して下熱板７８が固定されている。下熱板７８は表面側からステンレス板７８ａ、クッション板７８ｂ、加熱板７８ｃの順に形成されている。そして前記ステンレス板７８ａの上面は平滑に形成された加圧面７８ｄとなっている。下熱板７８は加圧成形される一次成形積層基板２ａの大きさよりも僅かに大きく前記上熱板７４の大きさと同じ大きさに形成されている。この実施の形態では下熱板７８の加熱板７８ｃにはカートリッジヒータ７９が内装されている。そして前記カートリッジヒータ７９によって４０℃〜４５０℃まで加熱温度が調整可能に形成されている。そして下盤７２には冷却機構が設けられている。冷却機構は下盤に通孔８０が形成され、冷却水を通水することにより下盤７２の過熱を防止し、各部材が劣化すること等を防止している。
【００２８】
また下盤７２には下盤７２に固定された下熱板７８を上盤７１に固定された上熱板７４に向けて近接・離間可能に移動させ、上熱板７４の加圧面７４ｄと下熱板７８の加圧面７８ｄとの間で一次成形積層基板２ａを加圧する、加圧手段であるシリンダ８１のラム８２が固定されている。
【００２９】
次に第三の積層装置である加圧冷却装置１２について説明する。加圧冷却装置１２は、大気圧下で上下キャリアフィルム６，７とともに加圧加熱装置１１によって二次成形され表面が平滑に成形された積層基板２ｂに加圧と冷却を行うための平板プレス装置であって、前記した加圧加熱装置１１の後工程の上下キャリアフィルム６，７の搬送路上に設けられている。加圧冷却装置１２は、前記上下キャリアフィルム６，７の上方に上盤８３が配設されるとともに、前記キャリアフィルムの下方に下盤８４が配設されている。そして前記上盤８３と下盤８４は、上下キャリアフィルム６，７または上下キャリアフィルム６，７と積層基板２ｂを介して相対向して配設されている。上盤８３の略中央部の下面には断熱板８５を介して上冷却板８６が固定されている。上冷却板８６は表面側からステンレス板８６ａ、クッション板８６ｂ、加熱板８６ｃの順に形成されている。そして前記ステンレス板８６ａの下面は平滑に形成された加圧面８６ｄとなっている。この実施の形態では上冷却板８６の加熱板８６ｃにはカートリッジヒータ８６ｅが内装されている。そして上冷却板８６は、前記カートリッジヒータ８６ｅによって３０℃〜１５０℃まで温度が調整可能に形成され、上記の加圧加熱装置１１によって二次成形された積層基板２ｂに対して積層基板２ｂの温度よりも相対的に低い温度で積層基板２ｂの冷却を行う。なお加圧冷却装置１２においては断熱板８５、カートリッジヒータ８６ｅが内装された加熱板８６ｃは必須のものではない。上冷却板８６は、加圧および冷却される積層基板２ｂの大きさよりも僅かに大きく形成されている。この実施の形態では上盤８３には冷却水を通水可能な通孔８７が形成されており、この通水による温度調整手段により上盤８３および上冷却板８６を冷却または温度調整可能に設けられている。
【００３０】
また下盤８４の略中央部には断熱板８８を介して下冷却板８９が固定されている。下冷却板８９は表面側からステンレス板８９ａ、クッション板８９ｂ、加熱板８９ｃの順に形成されている。そして前記ステンレス板８９ａの下面は平滑に形成された加圧面８９ｄとなっている。この実施の形態では下冷却板８９の加熱板８９ｃにはカートリッジヒータ８９ｅが内装されている。そして下冷却板８９は、前記上冷却板８６と同様の温度に調整可能に形成されている。また下冷却板８９は、加圧および冷却される積層基板２ｂの大きさよりも僅かに大きく上冷却板８６と同じ大きさに形成されている。この実施の形態では下盤８４には冷却水を通水可能な通孔９０が形成されており、この通水による温度調整手段により下冷却板８９を冷却または温度調整可能に設けられている。そして加圧冷却装置１２の下盤８４には、下冷却板８９を上盤８３に固定された上冷却板８６に向けて近接・離間可能に移動させ、下冷却板８９と上冷却板８６との間で積層基板２ｂを加圧するための加圧手段であるシリンダ９１のラム９２が固定されている。
【００３１】
なお本発明については、前記した真空積層装置１０のみによっても発明を構成することができる。そして回路基板の積層成形を行う場合は、加圧冷却装置１２を配設しない場合も多く、後述するＩＣ基板の積層成形を行う場合は、前記加圧冷却装置１２を真空積層装置１０の後工程に配設し、加圧加熱装置１１を配設しない場合もある。そして上記した真空積層装置１０、加圧加熱装置１１、加圧冷却装置１２の移動手段および加圧手段については、記載したもの以外に上盤８３等を下盤８４等に向けて移動させてもよく、上盤８３等と下盤８４等の両方を移動させるようにしてもよい。また移動手段および加圧手段の駆動手段については、シリンダ以外に電動機構等を用いたものでもよい。
【００３２】
次に本発明の積層装置１を用いた回路基板２と溶融可能なフィルム状の樹脂積層材５の積層方法について説明する。この実施の形態において積層成形される回路基板２は、ポリイミド系樹脂からなるコア層３に銅箔等からなる配線パターン４が接着され凹凸を有するものである。そして樹脂積層材５としては、フッソ系樹脂（一例としてＰＴＦＥ：融点３２７℃前後）が用いられ、前記回路基板２の上下に樹脂積層材５を上下に重ねて積層成形を行うものである。ただし樹脂積層材５についてはフッソ系樹脂に替えてポリイミド系樹脂、とりわけ熱可塑ポリイミド（ＴＰＩ：融点３８８℃前後）等を用いたものでもよく、その場合、真空積層装置１０の熱板２３，３３の設定温度は３９０℃〜４２０℃に設定される。そしてまた従来のようなガラスエポキシからなるコア層３に銅箔等からなる配線パターン４を接着した回路基板２に、エポキシ系樹脂からなる樹脂積層材５（中間接着層）を積層成形する場合に本発明の積層装置１を用いてもよく、その場合の熱板２３，３３の設定温度は従来の通り７０℃〜１００℃である。
そしてこの実施の形態では樹脂積層材５は、回路基板２の大きさと同じ大きさに切断されたものが上下に重ねられて積層成形されるが、回路基板２の片方のみに樹脂積層材５を重ねたものであってもよい。更に樹脂積層材５を連続したフィルム状として他のポリエチレンテレフタレート系樹脂やポリイミド系樹脂からなる連続フィルムとともに層化し、回路基板２とともに積層装置１に搬送し積層成形するようにしてもよい。
【００３３】
そして本発明において使用される上下キャリアフィルム６，７については、前記した樹脂積層材５の融点よりも短期耐熱温度の高いものが用いられる。なお本発明において「短期耐熱温度」の「短期」とは、上下キャリアフィルム６，７が回路基板２の成形に必要な時間であり、その時間の目安は約１５０秒間である。そしてこの実施の形態ではポリイミド系樹脂のフィルムが使用される。ポリイミド系樹脂のフィルムの一例としてはユーピレックス−Ｓ（宇部興産（株）製）：短期耐熱温度約５００℃、カプトン（東レ・デュポン（株）製）：短期耐熱温度約４１０℃があり、それぞれ厚み２５μｍのフィルムが好適に使用される。なお本発明に使用される上下キャリアフィルム６，７の厚みについては、フィルムが耐熱性と強度の条件を満たせば成形性の観点からは薄い方が望ましい。また従来のようなエポキシ系樹脂等を樹脂積層材５（中間接着層）とした回路基板２等の場合は、エポキシ系樹脂等の融点が低いから、ポリエチレンテレフタレート系樹脂（ＰＥＴ）、ポリエーテルイミド系樹脂（ＰＥＩ）、ポリエーテルスルフォン系樹脂（ＰＥＳ）、フッソ系樹脂（ＰＴＦＥ）、液晶ポリマー系樹脂（ＥＣＰ）、芳香族ポリアラミド系樹脂（ＡＲＡＭＩＤ）、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂（ＰＥＥＫ）、ポリイミド系樹脂（ＰＩ）等からなるキャリアフィルムを本発明に使用することができる。
【００３４】
また上下キャリアフィルム６，７については上部キャリアフィルム６と下部キャリアフィルム７とに違う材料を使用してもよく、上方からのみエアにより加圧を行う場合は、下方のキャリアフィルム７については、フィルムに替えてガラスクロスを用いてもよい。更に上下キャリアフィルム６，７については、前記した樹脂のうち２種類以上の樹脂を貼り合わせて層化したものを使用してもよい。
【００３５】
そしてこの実施の形態では上部キャリアフィルム６の搬送方向両側の回路基板２が当接しない位置に、フィルム側端と平行に所定の間隔ごとに小さい空気抜き孔６ａが開けられている。この空気抜き孔６ａは上下キャリアフィルム６，７と回路基板２を真空積層装置１０の積層成形空間に搬入し、前記積層成形空間を減圧して真空条件下としたときに、上部キャリアフィルム６と下部キャリアフィルム７の間の空気を除去するために形成されている。なお上部キャリアフィルム６の空気抜き孔６ａについては下部キャリアフィルム７のみに設けてもよいが最初に加圧を行う積層成形空間でない側のキャリアフィルムに設けることが望ましい。またこの実施の形態のように上部キャリアフィルム６の幅Ｃと下部キャリアフィルム７の幅Ｃを真空積層装置１０のシール部材間の距離Ｄより大きく設けずに、図６に示されるように上部キャリアフィルム６の幅Ｃ１を真空積層装置１０の上部積層成形空間２５の上部キャリアフィルム６の搬送方向と直角方向の幅Ｇより短くしてもよい。このことにより、上部キャリアフィルム６に空気抜き孔６ａを設けるのと同様に、積層成形空間を減圧したときに、上部キャリアフィルム６の側端側から上部キャリアフィルム６と下部キャリアフィルム７の間の空気を除去することができる。
【００３６】
この実施の形態では第一の積層装置である真空積層装置１０、第二の積層装置である加圧加熱装置１１、第三の積層装置である加圧冷却装置１２の成形時間はそれぞれ１３０秒に設定されているから、上下キャリアフィルム６，７は、前記成形時間の経過し、各積層装置の成形が完了するとともに間欠的に各積層装置間を移動される。なお成形時間については回路基板２に用いられる樹脂積層材５の樹脂の種類や回路基板２の厚さ等によっても相違するが、１１０秒ないし１５０秒が必要である。
【００３７】
次に回路基板２の積層成形の手順について説明すると、まず最初に図示しない把持装置を備えた多軸ロボット装置によって凹凸を有する回路基板２と、溶融可能なフッソ樹脂からなる樹脂積層材５を重ねたものが、下部キャリアフィルム７の載置ステージ上９に載置される。そして前回までに積層装置１の下部キャリアフィルム７の搬送路上においてそれぞれ第一の積層装置である真空積層装置１０、第二の積層装置である加圧加熱装置１１、第三の積層装置である加圧冷却装置１２によって一次成形積層基板２ａ、積層基板２ｂ、積層基板２ｃの成形が完了すると、各積層装置は開放され、上下キャリアフィルム６，７はフリーの状態になる。同時にチャック装置１７により上下キャリアフィルム６，７の両側を挟持し、巻取ローラ１４，１６をチャック装置１７の移動に同期して駆動させることにより、上下キャリアフィルム６，７に挟持された一次成形積層基板２ａ，２ｂ，２ｃと載置ステージ上に載置した回路基板２をひとつづつ後工程に向けて搬送する。よって回路基板２は樹脂積層材５とともに真空積層装置１０の上盤１９と下盤２０の間に移動される。
【００３８】
図２に示されるように、回路基板２等が真空積層装置１０の上盤１９と下盤２０の間に移動されると、下盤２０に設けられたシリンダ４０のロッド４１を伸長させ、下盤２０の枠体部３６の当接面３６ａを上盤１９の枠体部２６の当接面２６ａに上下キャリアフィルム６，７とを介して当接させる。真空積層装置１０の枠体部２６，３６の当接面２６ａ，３６ａにはそれぞれシール部材であるＯリング２７が設けられているから、前記した枠体部２６の当接面２６ａと、枠体部３６の当接面３６ａの当接によって、図３に示されるように上盤１９と下盤２０の間には容積不変の積層成形空間が形成される。なおこの実施の形態において上下キャリアフィルム６，７の幅Ｃは、上盤１９および下盤２０の幅方向の長さ以上に設けられているから、前記積層成形空間は容積可変の上部積層成形空間２５と下部積層成形空間３４に区画形成される。
【００３９】
この実施の形態では上盤１９に固定された熱板２３と下盤２０に固定された熱板３３は回路基板２の樹脂積層材５であるフッソ樹脂の融点よりも高い３８０℃にそれぞれ設定されている。そして前記した上盤１９の枠体部２６の当接面２６ａと下盤２０の枠体部３６の当接面３６ａが当接された時点では上下キャリアフィルム６，７とその間に挟持された回路基板２と樹脂積層材５は、上盤１９に固定された熱板２３とも下盤２０に固定された熱板３３ともほぼ同間隔を隔てた位置に保持され、前記熱板２３，３３からの輻射熱を上下の面に略均等に受ける。
【００４０】
そしてこの状態から減圧手段によって約３０秒かけて図３に示されるように上部積層成形空間２５と下部積層成形空間３４を同時に減圧する。上部積層成形空間２５と下部積層成形空間３４の減圧は、図２に示される開閉弁５１，５４，５６，５９を開とし、他の開閉弁を閉の状態として真空ポンプ４３を駆動させながら行う。この実施の形態では前記上部積層成形空間２５と下部積層成形空間３４がそれぞれ４ｈＰａとなるまで減圧を行う。
【００４１】
前記上部積層成形空間２５と下部積層成形空間３４が前記の所定の値に減圧されると、次に開閉弁５９を閉として下部積層成形空間への減圧を中止し、同時に開閉弁４９を開き、下部積層成形空間３４へコンプレッサ４２から加圧空気を送り込む。前記により図４に示されるように、上部積層成形空間２５の減圧が継続され、下部積層成形空間３４が加圧されたことにより上部積層成形空間２５と下部積層成形空間３４の容積バランスが崩れ、上下キャリアフィルム６，７は回路基板２と樹脂積層材５とともに上盤１９に向けて移動され、回路基板２等は上部キャリアフィルム６を介して上盤１９の熱板２３に当接される。
【００４２】
よって上部積層成形空間２５が真空条件下において、加圧手段の加圧空気の力のみによって下部キャリアフィルム７を介して凹凸を有する回路基板２に対して溶融可能な樹脂積層材５を加熱しながら押圧するから、回路基板２の表面の凹凸に沿って樹脂積層材５を追従・密着させることができ、回路基板２と樹脂積層材５の間に空間が残ることがない。また下部キャリアフィルム７と樹脂積層材５の間にも気泡が残ることがなく、上下キャリアフィルム６，７にしわが発生することがない。なおこの実施の形態ではコンプレッサ４２による加圧力は１ＭＰａに設定されており、５０秒の間下部キャリアフィルム７側から加圧空気のみによって回路基板２の加圧が行われる。なおコンプレッサ４２による加圧力については、０．３ＭＰａ〜１．５ＭＰａ程度が望ましく、加圧時間については４０秒〜６０秒程度が望ましい。
【００４３】
次に下部キャリアフィルム７側から回路基板２等の加圧が完了すると、開閉弁４７を開とし、開閉弁４９，５１、５４，５６を閉とする。そして大気開放用の管路６１の開閉弁６２を開とする。そのことにより上部積層成形空間２５にコンプレッサ４２から加圧空気が送り込まれる。一方下部積層成形空間３４は外界に接続される開閉弁６２が開放されていることから、加圧空気が抜けて今度は図５に示されるように、上下キャリアフィルム６，７は回路基板２と樹脂積層材５とともに下盤２０に向けて移動され、回路基板２等は下部キャリアフィルム７を介して下盤２０の熱板３３に当接される。そして前記下部積層成形空間３４を加圧したときと同様にコンプレッサ４２からの加圧空気により上部キャリアフィルム６側から１ＭＰａの加圧力で５０秒間加圧が行われる。
【００４４】
なおコンプレッサ４２による加圧力や加圧時間の望ましい範囲についても、前記下部積層成形空間３４を加圧したときと同様の範囲が好適である。またこの場合、大気開放用の管路６１を設けずに、下部積層成形空間３４を真空ポンプ４３によって減圧して積層成形を行ってもよい。更に本発明の技術思想は真空積層装置１０において従来の真空積層装置に設けられたシリコンゴムからなるダイアフラムによる基板の加圧に代えて、キャリアフィルムによって回路基板２等の加圧を行う点にあるので、キャリアフィルムによって上盤１９に向けてか、或いは下盤２０に向けてのいずれか一方のみ加圧を行うものでもよく、上盤１９に向けての加圧と下盤２０に向けての加圧の両方を行う場合は、いずれか一方を先に行い他方を後に行うかは選択自由である。
【００４５】
そして回路基板２に対して上方向からの加圧時間が終了すると、開閉弁４７を閉鎖し、下盤２０を下方に向けて移動する。なおこの実施の形態では真空積層装置１０の制御はタイマーによってシーケンス的に行うが、加圧力や真空度を測定してクローズド制御をするようにしてもよい。
【００４６】
そして再度巻取ローラ１４，１６とチャック装置１７を同期移動させることにより、上下キャリアフィルム６，７によって上下方向が挟持された凹凸を有する一次成形積層基板２ａは、上下キャリアフィルム６，７の移動とともに次の加圧加熱装置１１に搬送される。
【００４７】
図１に示されるように、加圧加熱装置１１に、前記一次成形積層基板２ａが搬入されると、下盤７２を上盤７１に向けて移動させ、上盤７１に固定された上熱板７４と下盤７２に固定された下熱板７８の間で前記一次成形積層基板２ａの加熱および加圧を行う。この実施の形態ではこの際の上熱板７４と下熱板７８の温度は前記した真空積層装置１０の熱板の温度と同じ３８０℃に設定されており、１３０秒間加熱および加圧が行われる。また一次成形積層基板２ａに加えられる加圧力は１ＭＰａである。よって前記した凹凸を有する一次成形積層基板２ａは、加圧面７４ｄ，７８ｄが平滑に形成された上熱板７４と下熱板７８との間で加圧されることにより、完全に平滑な積層基板２ｂに成形される。
【００４８】
なお加圧加熱装置１１の成形条件としては、上熱板７４と下熱板７８の温度は真空積層装置１０の熱板２３，３３の温度と同温〜５０℃低い温度、加圧時間は１１０秒〜１５０秒、加圧力は０．３ＭＰａから５ＭＰａの範囲のものが望ましい。そして加圧加熱装置１１によって成形の完了した積層基板２ｂは、上下キャリアフィルム６，７の移動とともに次の加圧冷却装置１２に搬送される。
【００４９】
加圧冷却装置１２に、前記積層基板２ｂが搬入されると、下盤８４を上盤８３に向けて移動させ、上盤８３に固定された上冷却板８６と下盤８４に固定された下冷却板８９の間で前記積層基板２ｂの冷却および加圧を行う。この際の上冷却板８６と下冷却板８９の温度は３０℃に設定されており、１３０秒間加圧が行われる。またこの際、積層基板２ｂに加えられる加圧力は１ＭＰａである。なお加圧冷却装置１２の熱板の温度は２０℃〜１５０℃であって、前記の真空積層装置１０と加圧加熱装置１１の熱板の温度より低い温度であることが望ましい。また加圧冷却装置１２の加圧時間は１１０秒〜１５０秒、加圧力は０．１ＭＰａから５ＭＰａの範囲のものが望ましい。よって前記した加圧加熱装置１１で平滑に形成された積層基板２ｂは加圧冷却装置１２によって前記加圧加熱装置１１より相対的に低い温度で冷却され、冷却の完了した積層基板２ｃから上下キャリアフィルム６，７が剥がしやすい状態になるとともに、積層基板２ｃの反りの発生が除去される。
【００５０】
次に図１に示されるように、チャック装置１７により上下キャリアフィルム６，７の両側が挟持され、チャック装置１７の他側への移動により上下キャリアフィルム６，７とともに加圧冷却装置１２から取出された積層基板２ｃは、キャリアフィルム剥離装置１８によって積層基板２ｃから上下キャリアフィルム６，７が剥離される。キャリアフィルム剥離装置１８のうち上部キャリアフィルム６の積層基板２ｃからの剥離は、テンションローラを兼ねた剥離用ローラ９３によって行われる。そして剥離用ローラ９３によって剥離された上部キャリアフィルム６は巻取ローラ１６によって巻取られる。また下部キャリアフィルム７の積層基板２ｃからの剥離は、剥離用ローラ９４によって剥離される。
【００５１】
その後下部キャリアフィルム７はテンションローラ９５，９６を経て再度剥離前の下部キャリアフィルム７の搬送路と同じ高さを他側に向けて水平に送られる。これは剥離された積層基板２ｃを下部キャリアフィルム７によって基板取出ステージ１３に送るためである。そして基板取出ステージ１３に送られた積層基板２ｃは図示しない吸着具を備えた多軸ロボット装置によって吸着され積層装置外に搬送される。そして下部キャリアフィルム７はテンションローラを経て巻取ローラ１４によって巻取られる。そして前記積層装置１によって積層成形された積層基板２ｃについては、更に銅箔等を積層してビルドアップするようにしてもよい。
【００５２】
また別の実施の形態として積層装置１によってＩＣ基板を積層成形する場合は、溶融可能な樹脂積層材５としてポリエチレンテレフタレートや塩化ビニール樹脂が用いられ、真空積層装置１０の熱板２３，３３の温度はそれぞれ１６０℃に加熱される。そして積層成形されるＩＣ基板を搬送する上下キャリアフィルム６，７は、前記熱板２３，３３の温度より、短期耐熱温度が高い、ポリエーテルイミド系樹脂（ＰＥＩ）、ポリエーテルスルフォン系樹脂（ＰＥＳ）、フッソ系樹脂（ＰＴＦＥ）、液晶ポリマー系樹脂（ＥＣＰ）、芳香族ポリアラミド系樹脂（ＡＲＡＭＩＤ）、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂（ＰＥＥＫ）、ポリイミド系樹脂（ＰＩ）等が使用される。そして真空積層装置１０によって成形された後工程に、加圧加熱装置１１を設けずに、加圧冷却装置１２による処理を行うことも行われる。
また本発明において積層成形される基板については、本発明の積層装置１で積層成形可能なものであれば、上記のものに限定されない。
【００５３】
【発明の効果】
本発明の積層装置および積層方法は、キャリアフィルムによって搬送され溶融可能な樹脂積層材が重ねられた基板を、積層装置内に搬入し、上盤と下盤を当接することにより上盤とキャリアフィルムとの間に上部積層成形空間を区画形成するとともに、下盤とキャリアフィルムとの間に下部積層成形空間を区画形成し、その後上部積層成形空間と下部積層成形空間の両方の空間を減圧し、その後一方の積層成形空間の減圧を継続しつつ他方の積層成形空間を加圧することにより前記基板をキャリアフィルムによって加圧することにより、積層装置の加圧用ダイアフラムを用いずにキャリアフィルムにより基板の加圧を行うことができる。
【００５４】
そして特に真空積層装置のシリコンゴム等からなるダイアフラムの耐熱温度よりも、樹脂積層材の融点の温度が高い基板の成形において、短期耐熱温度が前記樹脂積層材の融点よりも高いキャリアフィルムにより基板の加圧を行うことにより、凹凸を有する被積層材に対して樹脂積層材の追従・密着性を良好にし、気泡等の発生を防止することができる。そしてそれらの融点の高い樹脂積層材を使用することにより、回路基板の高密度化やはんだの無鉛化を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の積層装置の全体の構成を示す縦断面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ断面であって第一の積層装置である真空積層装置の成形空間開放時の断面図である。
【図３】図２と同一断面であって真空積層装置の積層成形空間を減圧時の断面図である。
【図４】図２と同一断面であって真空積層装置の上部積層成形空間を減圧し下部積層成形空間を加圧時の断面図である。
【図５】図２と同一断面であって真空積層装置の下部積層成形空間を減圧し上部積層成形空間を加圧時の断面図である。
【図６】図６はキャリアフィルムの形態が異なる例である。
【符号の説明】
１　………　積層装置
２　………　回路基板
２ａ　………　一次成形積層基板
２ｂ，２ｃ　………　積層基板
３　………　コア層
４　………　配線パターン
５　………　樹脂積層材
６　………　上部キャリアフィルム
６ａ………　空気抜き孔
７　………　下部キャリアフィルム
８，１５　……　フィルムローラ
９　………　基板載置ステージ
１０　……　真空積層装置
１１　……　加圧加熱装置
１２　……　加圧冷却装置
１３　……　基板取出ステージ
１４，１６　……　巻取ローラ
１７　……　チャック装置
１８　……　キャリアフィルム剥離装置
１９，７１，８３　……　上盤
２０，７２，８４　……　下盤
２１，３１……　本体部
２２，３２，７３，７７，８５，８８　……　断熱板
２３，３３　……　熱板
２３ａ，３３ａ　……　表面
２４，３５，７５，７９，８６ｅ，８９ｅ　……　カートリッジヒータ
２５……　上部積層成形空間
２６，３６　……　枠体部
２６ａ，３６ａ……　当接面
２７　……　Ｏリング
２８，２９，３０，３７，３８，３９，７６，８０，８７，９０……　通孔
３４　……　下部積層成形空間
４０，８１，９１……　シリンダ
４１　……　ロッド
４２　……　コンプレッサ
４３　……　真空ポンプ
４４，４５，４６，４８，５０，５２，５３，５５，５７，５８，６０，６１……　管路
４７，４９，５１，５４，５６，５９，６２　……　開閉弁
７４　……　上熱板
７４ａ，７８ａ，８６ａ，８９ａ　……　ステンレス板
７４ｂ，７８ｂ，８６ｂ，８９ｂ　……　クッション板
７４ｃ，７８ｃ，８６ｃ，８９ｃ　……　加熱板
７４ｄ，７８ｄ，８６ｄ，８９ｄ　……　加圧面
７８　……　下熱板
８２，９２　……　ラム
８６　……　上冷却板
８９　……　下冷却板
９３、９４　……　剥離用ローラ
９５，９６　……　テンションローラ
Ｂ　………　回路基板の幅
Ｃ　………　キャリアフィルムの幅
Ｄ　………　シール部材間の距離
Ｅ　………　所定寸法（枠体部の突出寸法）
Ｆ　………　基板が通過可能な間隔
Ｇ　………　上部積層成形空間の上部キャリアフィルムの搬送方向と直角方向の幅
【図１】
2004058349.tif 000003
【図２】
2004058349.tif 000004
【図３】
2004058349.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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