(57)【要約】【課題】プラズマ密度の分布を調整できるようにする。【解決手段】被処理体Ｗが配置される載置面を有するサセプタ２と、サセプタ２を収容するとともにサセプタ２の載置面に対向する側に開口部を有する容器１と、容器１の開口部を閉塞する誘電体板７と、誘電体板７を介して容器１の内部に高周波電磁界を供給する電磁界供給装置１０とを備えている。電磁界供給装置１０は、誘電体板７と対向配置されたアンテナ２０と、アンテナ２０の表面２４Ａから誘電体板７に向かって突出する突起３１Ａとを備えている。突起３１Ａは、少なくともその表面に導電性を有している。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体が配置される載置面を有するサセプタと、このサセプタを収容するとともに前記載置面に対向する側に開口部を有する容器と、前記開口部を閉塞する誘電体板と、この誘電体板を介して前記容器の内部に高周波電磁界を供給する電磁界供給装置とを備えるプラズマ処理装置において、
前記電磁界供給装置は、
前記誘電体板と対向配置されたアンテナと、
このアンテナの表面から前記誘電体板に向かって突出する突起とを備え、
この突起は、少なくともその表面に導電性を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載されたプラズマ処理装置において、
前記突起は、その中心を前記アンテナの前記誘電体板との対向面の中心に合わせてリング状に配置されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載されたプラズマ処理装置において、
前記突起は、幾つかに分割され、リング状をなすように配置されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項２に記載されたプラズマ処理装置において、
リング状に配置される前記突起を少なくとも１個有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載されたプラズマ処理装置において、
前記突起は、前記誘電体板と対向する側が凸状になっていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載されたプラズマ処理装置において、
前記アンテナは、前記誘電体板との前記対向面にスロットが形成されたスロットアンテナであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
容器の開口部を閉塞する誘電体板に対向配置され、前記誘電体板を介して前記容器の外部から内部へ高周波電磁界を供給するプラズマ処理装置用アンテナにおいて、
前記誘電体板との対向面から前記誘電体板に向かって突出する突起を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置用アンテナ。
【請求項８】
容器の内部に被処理体を配置し、前記容器の開口部を閉塞する誘電体板を介して前記容器の外部から内部へ高周波電磁界を供給することにより前記容器の内部にプラズマを生成し、前記被処理体に対して所定の処理を行うプラズマ処理方法において、
前記誘電体板と対向配置されて前記容器の内部に高周波電磁界を供給するアンテナの表面から前記誘電体板に向かって突出する突起を設け、この突起の少なくとも表面に導電性をもたせたことを特徴とするプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ処理装置および方法に関し、より詳しくは高周波電磁界を用いてプラズマを生成し、半導体やＬＣＤ（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｅｓｐｌａｙ）、有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏ  ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  ｐａｎｅｌ）などの被処理体を処理するプラズマ処理装置および方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置やフラットパネルディスプレイの製造において、絶縁膜の形成や半導体層の結晶成長、エッチング、またアッシングなどの処理を行うために、プラズマ処理装置が多用されている。このプラズマ処理装置の一つに、処理容器内に高周波電磁界を供給することにより、処理容器内のガスを電離、励起、解離させてプラズマを生成する高周波プラズマ処理装置がある。この高周波プラズマ処理装置は、低圧力で高密度のプラズマを生成できるので、効率のよいプラズマ処理が可能である。
【０００３】
図１１は、従来の高周波プラズマ処理装置の全体構成を示す図である。このプラズマ処理装置は、上部が開口した有底円筒形の処理容器１を有している。処理容器１の内部にはサセプタ２が収容されている。サセプタ２の上面（載置面）には、被処理体として例えば半導体やＬＣＤ、有機ＥＬなどの基板Ｗが配置される。サセプタ２にはまた、マッチングボックス３を介して高周波電源４が接続されている。
処理容器１の底部には、真空排気用の排気口５が設けられている。処理容器１の側壁には、処理容器１内にガスを導入するガス導入用ノズル６が設けられている。例えばプラズマ処理装置がエッチング装置として用いられる場合には、ノズル６からＡｒなどのプラズマガスと、ＣＦ４  などのエッチングガスとが導入される。
【０００４】
処理容器１の上部開口は、そこから高周波電磁界を導入しつつ、処理容器１内で生成されるプラズマＰを外部に漏らさないように、誘電体板７で閉塞されている。なお、処理容器１の側壁上面と誘電体板７の周縁部下面との間にＯリングなどのシール部材８を介在させ、処理容器１内の気密性を確保している。
誘電体板７の上には、処理容器１内に高周波電磁界を供給する電磁界供給装置１０の例えばラジアルラインスロットアンテナ（以下、ＲＬＳＡと略記する）２０が配置されている。ＲＬＳＡ２０は、誘電体板７によって処理容器１の内部から隔離され、プラズマＰから保護されている。誘電体板７およびＲＬＳＡ２０の外周は、処理容器１の側壁上に環状に配置されたシールド材９によって覆われ、ＲＬＳＡ２０から処理容器１の内部に供給される高周波電磁界が外部に漏れない構造になっている。
【０００５】
電磁界供給装置１０は、例えば０．９ＧＨｚ〜十数ＧＨｚの範囲内の所定周波数の高周波電磁界を生成する高周波電源１１と、上述したＲＬＳＡ２０と、高周波電源１１とＲＬＳＡ２０との間を接続する矩形導波管１２、矩形円筒変換器１３および円筒導波管１４とを有している。矩形導波管１２または円筒導波管１４には、電源側と負荷側とのインピーダンスを整合させる負荷整合器１５が設けられている。また、円筒導波管１４には、その軸線に垂直な面内で高周波電磁界を回転させて円偏波にする円偏波変換器１６が設けられている。
【０００６】
ここで、ＲＬＳＡ２０は、ラジアル導波路２１を形成する互いに平行な２枚の円形導体板２２，２４と、これら２枚の導体板２２，２４の外周部を接続してシールドする導体リング２３とを有している。ラジアル導波路２１の上面となる導体板２２の中心部には、円筒導波管１４に接続される開口２５が形成され、この開口２５からラジアル導波路２１内に高周波電磁界が導入される。また、ラジアル導波路２１の下面となる導体板２４には、ラジアル導波路２１内を伝搬する高周波電磁界を誘電体板７を介して処理容器１内に供給するスロット２６が複数形成されている。これらのスロット２６によりスロットアンテナが構成される。スロット２６が形成される導体板２４の誘電体板７側の面をＲＬＳＡ２０のアンテナ面と呼ぶ。
【０００７】
ラジアル導波路２１の下面となる導体板２４の中心部には、上面となる導体板２２の開口２５に向かって突出するバンプ２７が設けられている。バンプ２７は略円錐状に形成され、その先端は球面状に丸められている。バンプ２７は導体または誘電体のいずれで形成してもよい。このバンプ２７により、円筒導波管１４からラジアル導波路２１へのインピーダンスの変化が緩やかになり、円筒導波管１４とラジアル導波路２１との結合部での高周波電磁界の反射が抑制される。
【０００８】
このような構成のプラズマ処理装置において、高周波電源１１を駆動して高周波電磁界を発生させると、この高周波電磁界は矩形導波管１２、矩形円筒変換器１３および円筒導波管１４を介してＲＬＳＡ２０に至る。この際、円偏波変換器１６により高周波電磁界は直線偏波から円偏波に変換され、ＲＬＳＡ２０のラジアル導波路２１内に導入される。ラジアル導波路２１内に導入された高周波電磁界は、ラジアル導波路２１の中心部から周縁部へ向かって放射状に伝搬しつつ、ラジアル導波路２１の下面である導体板２４に複数形成されたスロット２６から徐々に処理容器１内に供給される。処理容器１内では、供給された高周波電磁界により、ノズル６から導入されたガスが電離、励起または解離してプラズマＰが生成され、基板Ｗに対する処理が行われる（例えば、特許文献１を参照）。
【０００９】
図１２は、図１１に示した従来のプラズマ処理装置を用いて、処理容器１内の圧力を１３３Ｐａ、供給電力を２．５ＫＷとして生成されたプラズマＰの密度の分布を示す図である。横軸はサセプタ２の載置面に平行な面内における中心からの距離ｒ［ｃｍ］、縦軸はプラズマ空間電位における飽和電子電流Ｉｓをその最大値Ｉｓｍａｘで正規化した値（Ｉｓ／Ｉｓｍａｘ）を示している。飽和電子電流Ｉｓはプラズマ中の電子密度Ｎｅすなわちプラズマ密度に比例するので、図１２はプラズマ密度の分布にほぼ一致する。図１２から、従来のプラズマ処理装置では、プラズマ密度が中心部で高く、周縁部へ行くほど低くなることが分かる。
【００１０】
【特許文献１】
特開２００２−２１７１８７号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
プラズマＰを利用した基板Ｗに対する処理では、基板Ｗに平行な面内におけるプラズマ密度の分布が処理速度に影響する。すなわち、図１２に示すようにプラズマ密度の分布が不均一の場合、中心部よりもプラズマ密度が低い周縁部で処理速度が遅くなり、所定時間内で基板Ｗの表面全域に均一な処理を施せない。この場合には、プラズマ密度の分布がより均一になるように調整する必要がある。
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、プラズマ密度の分布を調整できるようにすることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
ＲＬＳＡ２０のアンテナ面２４ＡとプラズマＰの表面とシールド材９とに囲まれた空間では、電界強度の分布は図４に示すようなベッセル関数に準拠すると考えられる。ｘ軸がプラズマＰの表面に平行な面内における中心からの距離に対応し、ｙ軸が電界強度に対応している。この図に示すように、電界強度は上記空間の中心部で大きく、周縁部へ行くほど小さくなる。電界強度が大きいほどプラズマの生成は促進されるので、図１１に示した従来のプラズマ処理装置では、図１２に示すように中心部で高く、周縁部へ行くほど低くなるプラズマ密度の分布が得られたと考えられる。
このように、電界強度とプラズマ密度との間には相関関係がある。したがって、プラズマ密度の分布を調整するには、電界強度の分布を制御すればよい。本発明は、このような知見に基づいてなされたものである。
【００１３】
本発明のプラズマ処理装置は、被処理体が配置される載置面を有するサセプタと、このサセプタを収容するとともに載置面に対向する側に開口部を有する容器と、開口部を閉塞する誘電体板と、この誘電体板を介して容器の内部に高周波電磁界を供給する電磁界供給装置とを備え、この電磁界供給装置が、誘電体板と対向配置されたアンテナと、このアンテナの表面から誘電体板に向かって突出する突起とを備え、この突起が、少なくともその表面に導電性を有することを特徴とする。突起の先端とプラズマの表面との距離はアンテナの表面とプラズマの表面との距離よりも小さくなるので、突起が配置された位置に電界が集中し、その位置の電界強度が大きくなる。
【００１４】
ここで、突起は、その中心をアンテナの誘電体板との対向面の中心にほぼ合わせてリング状に配置される構成としてもよい。この際、突起は、幾つかに分割され、リング状をなすように配置されてもよい。また、リング状に配置される突起を少なくとも１個有していてもよい。
また、突起は誘電体板と対向する側が凸状になっていてもよい。例えば、突起の最先端部は曲面で構成するが、誘電体板と対向する側を尖らせてもよい。これにより、電界が集中しやすくなる。
また、アンテナは、誘電体板との対向面にスロットが形成されたスロットアンテナであってもよい。
【００１５】
また、本発明のプラズマ処理装置用アンテナは、容器の開口部を閉塞する誘電体板との対向面から誘電体板に向かって突出する突起を備えたことを特徴とする。
また、本発明のプラズマ処理方法は、容器の内部に被処理体を配置し、容器の開口部を閉塞する誘電体板を介して容器の外部から内部へ高周波電磁界を供給することにより容器の内部にプラズマを生成し、被処理体に対して所定の処理を行うにあたって、誘電体板と対向配置されて容器の内部に高周波電磁界を供給するアンテナの表面から誘電体板に向かって突出する突起を設け、この突起の少なくとも表面に導電性をもたせたことを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、後掲する図面において、図１１に示した構成要素に相当する構成要素については図１１と同一符号で示し、適宜その説明を省略する。
【００１７】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るプラズマ処理装置の全体構成を示す図である。図２は、図１におけるＲＬＳＡ２０のアンテナ面２４Ａを示す平面図である。図１および図２に示すプラズマ処理装置は、被処理体としての基板Ｗが配置されるサセプタ２と、サセプタ２を収容する処理容器１と、処理容器１の上部開口を閉塞する誘電体板７と、誘電体板７を介して外部から処理容器１内に高周波電磁界を供給する電磁界供給装置１０とを有している。ここで、電磁界供給装置１０は、高周波電源１１と、矩形導波管１２と、矩形円筒変換器１３と、円筒導波管１４と、負荷整合器１５と、円偏波変換器１６と、ＲＬＳＡ２０とを有している。本実施の形態ではさらに、ＲＬＳＡ２０のアンテナ面２４Ａの中心部でスロット２６が形成されていない領域に、凹形部材３１が設けられている。
【００１８】
図３は、凹形部材３１の形状および寸法の一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ′線方向の断面図である。凹形部材３１は、高さが低い円柱の下面がその周縁部を残して球面状に刳り抜かれた形状をしている。凹形部材３１の上面をＲＬＳＡ２０のアンテナ面２４Ａに固定することにより、アンテナ面２４Ａから誘電体板７に向かって凹形部材３１の周縁部が突出する構成となる。この凹形部材３１の周縁部を突起部３１Ａと呼ぶ。なお、凹形部材３１をアンテナ面２４Ａに固定する際には、凹形部材３１の上面の中心をアンテナ面２４Ａの中心にほぼ合わせる。
【００１９】
凹形部材３１は、銅またはアルミニウムなどの金属材料で形成される。通常は、ＲＬＳＡ２０と同じ材料で形成される。凹形部材３１は全体を金属材料で形成してもよいが、少なくともその表面が導電性を有していればよい。例えば、コア部分を金属よりも軽い絶縁材料で形成し、その表面を金属薄膜で覆って凹形部材３１を形成してもよい。また、凹形部材３１を中空にしてもよい。このようにして凹形部材３１を軽量化することにより、凹形部材３１が取り付けられるアンテナ面２４Ａにかかる荷重を小さくすることができる。なお、通常は凹形部材３１をアンテナ面２４Ａに電気的に接続させるが、両者の間に電気的な接続がなくてもよい。
【００２０】
凹形部材３１が設けられていない場合、ＲＬＳＡ２０のアンテナ面２４Ａと、誘電体板７に沿って生成されるプラズマＰの表面と、シールド材９とに囲まれた空間では、電界強度の分布はベッセル関数に準拠すると考えられる。図４は、次数０の第一種のベッセル関数を示す図である。ｘ軸がプラズマＰの表面に平行な面内における中心からの距離に対応し、ｙ軸が電界強度に対応している。この図に示すように、電界強度は上記空間の中心部で大きく、周縁部へ行くほど小さくなる。
しかし、ＲＬＳＡ２０のアンテナ面２４Ａに凹形部材３１を設けることにより、凹形部材３１の突起部３１ＡとプラズマＰの表面との距離が、アンテナ面２４ＡとプラズマＰの表面との距離よりも小さくなる。その結果、アンテナ面２４ＡとプラズマＰの表面との間の電界が突起部３１Ａの位置に集中して電界強度が大きくなり、その位置でのプラズマ生成が促進される。
【００２１】
図５は、本実施の形態に係るプラズマ処理装置におけるプラズマ密度の分布を示す図である。横軸はサセプタ２の載置面に平行な面内における中心からの距離ｒ［ｃｍ］、縦軸はプラズマ空間電位における飽和電子電流Ｉｓをその最大値Ｉｓｍａｘで正規化した値（Ｉｓ／Ｉｓｍａｘ）を示している。縦軸がプラズマ密度に比例することは上述したとおりである。
測定には、ＲＬＳＡ２０のアンテナ面２４Ａの中心部でスロット２６が形成されていない領域に配置可能な凹形部材３１を用いた。具体的には、図３に示したような突起部３１Ａの直径（ＰＣＤ）が７５ｍｍφ、幅が１０ｍｍ、高さが２０ｍｍの凹形部材３１を用いた。この凹形部材３１を直径５４ｃｍのアンテナ面２４Ａの中央部に取り付け、処理容器１内の圧力を１３３Ｐａ、供給電力を２．５ＫＷとしてプラズマＰを生成した。生成されたプラズマＰの密度をプローブ法で測定した結果を図５に実線で示す。また、比較のため、凹形部材３１を取り付けなかった場合の測定結果を点線で示す。
【００２２】
この図から、アンテナ面２４Ａの中央部に凹形部材３１を取り付けることにより、プラズマ密度のピークが中心から凹形部材３１の突起部３１Ａの近くにシフトすることが分かる。したがって、アンテナ面２４Ａに突起部３１Ａを有する凹形部材３１を取り付け、アンテナ面２４ＡとプラズマＰの表面との間の電界強度の分布を制御することにより、プラズマ密度の分布が調整可能であることが分かる。
【００２３】
（第２の実施の形態）
図６は、本発明の第２の実施の形態に係るプラズマ処理装置の要部構成を示す断面図である。図７は、図６におけるＲＬＳＡ２０のアンテナ面２４Ａを示す平面図である。本実施の形態では、第１の実施の形態で用いた凹形部材３１よりも半径が大きいリング部材３２を用いる。
図８は、リング部材３２の形状および寸法の一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＶＩＩＩｂ−ＶＩＩＩｂ′線方向の断面図である。リング部材３２は、金属材料を平面視円形のリング状に形成したものであり、その断面形状は矩形をしている。なお、第１の実施の形態で用いた凹形部材３１と同様に、リング部材３２もまた全体を金属材料で形成してもよいが、少なくともその表面が導電性を有していればよい。
【００２４】
図６に示すように、このような構成のリング部材３２の上面をＲＬＳＡ２０のアンテナ面２４Ａに固定する。これにより、リング部材３２がアンテナ面２４Ａから誘電体板７に向かって突出し、リング部材３２が突起部材として作用することになる。
この際、図７に示すように、リング部材３２の中心をアンテナ面２４Ａの中心にほぼ合わせる。リング部材３２の半径は第１の実施の形態で用いた凹形部材３１の半径よりも大きいので、リング部材３２はアンテナ面２４Ａのスロット２６が形成されている領域に配置されることになる。リング部材３２によりスロット２６が一部塞がれてもよいが、できるだけ塞がれないように配置することが望ましい。なお、リング部材３２の一部を切り欠き、リング部材３２でスロット２６を塞がないようにしてもよい。
通常はリング部材３２をアンテナ面２４Ａに電気的に接続させるが、両者の間に電気的な接続がなくてもよい。
【００２５】
図９は、本実施の形態に係るプラズマ処理装置におけるプラズマ密度の分布を示す図である。横軸および縦軸は図５と同じである。
測定には図８に示したような、直径（ＰＣＤ）が１７５ｍｍφ、幅が１０ｍｍ、高さが６．５ｍｍのリング部材３２を用いた。このリング部材３２を直径５４ｃｍのアンテナ面２４Ａに取り付け、処理容器１内の圧力を１３３Ｐａ、供給電力を２．５ＫＷとしてプラズマＰを生成した。生成されたプラズマＰの密度をプローブ法で測定した結果を図９に実線で示す。また、比較のため、リング部材３２を取り付けなかった場合の測定結果を点線で示す。
【００２６】
この図から、アンテナ面２４Ａにリング部材３２を取り付けることにより、中心部からリング部材３２を超えた位置までプラズマ密度の分布が平坦化することが分かる。したがって、アンテナ面２４Ａにリング部材３２を取り付け、アンテナ面２４ＡとプラズマＰの表面との間の電界強度の分布を制御することにより、プラズマ密度の分布が調整可能であることが分かる。
なお、本実施の形態のようにリング部材３２の中心をアンテナ面２４Ａの中心に合わせることにより、処理容器１の軸線に対して同心円状の分布となるプラズマ密度の分布を調整することができる。処理容器１の側壁が多角形をしている場合など、プラズマ密度の分布が円形にならない場合には、その分布の形状に合わせてリング部材３２の形状を決めてもよい。第１の実施の形態で用いた凹形部材３１についても同様であり、プラズマ密度の分布の形状に合わせて凹形部材３１の外周の形状を決めてもよい。
【００２７】
本実施の形態の変形例として、リング部材３２の半径を小さくし、アンテナ面２４Ａの中心部でスロット２６が形成されていない領域に配置してもよい。また、複数のリング部材３２をアンテナ面２４Ａに同心円状に配置してもよい。また、幾つかに分割された少なくとも表面に導電性を有する部材をリング状をなすように配置してもよい。
また、第１および第２の実施の形態において、凹形部材３１およびリング部材３２の誘電体板７と対向する側は凸状になっている。特に、凹形部材３１の突起部３１Ａおよびリング部材３２の下側は角を有し尖っている。この角を丸めることにより電界の集中が緩和される。したがって、凹形部材３１の突起部３１Ａおよびリング部材３２の角を適宜丸めることにより、電界強度の分布を制御し、プラズマ密度の分布を調整することができる。
【００２８】
また、凹形部材３１またはリング部材３２は、図１および図６に示したような平面的なアンテナ面２４Ａだけでなく、図１０（ａ），（ｂ）に示すような上に凸または下に凸の円錐面状のアンテナ面２４Ｂ，２４Ｃに取り付けてもよい。
また、このようなアンテナ面２４Ａ〜２４Ｃを有するＲＬＳＡに限らず、導波管スロットアンテナなど、他のスロットアンテナのアンテナ面に凹形部材３１またはリング部材３２を取り付けてもよい。
また、パッチアンテナの共振器として作用する導体板に凹形部材３１またはリング部材３２を取り付けてもよい。
【００２９】
なお、本発明では、上述したアンテナ面２４Ａ〜２４Ｃを有するスロットアンテナやパッチアンテナなどを含めて、平面アンテナと呼ぶ。
本発明のプラズマ処理装置は、エッチング装置、ＣＶＤ装置、アッシング装置などに利用することができる。
【００３０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、アンテナの表面から誘電体板に向かって突出する突起を設けることにより、突起の先端とプラズマの表面との距離はアンテナの表面とプラズマの表面との距離よりも小さくなる。その結果、突起の位置に電界が集中し、電界強度が大きくなる。電界強度が大きいほどプラズマの生成は促進されるので、突起を所定の位置に配置して電界強度の分布を制御することにより、プラズマ密度の分布を調整することができる。
また、突起をリング状にし、その中心をアンテナの誘電体板との対向面の中心にほぼ合わせることにより、容器の軸線に対して同心円状の分布となるプラズマ密度の分布を調整することができる。
また、突起の誘電体板と対向する側を凸状にすることにより、電界が集中しやすくなるので、プラズマ分布の調整を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るプラズマ処理装置の全体構成を示す図である。
【図２】図１におけるＲＬＳＡのアンテナ面を示す平面図である。
【図３】凹形部材の形状および寸法の一例を示す図である。
【図４】次数０の第一種のベッセル関数を示す図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係るプラズマ処理装置におけるプラズマ密度の分布を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係るプラズマ処理装置の要部構成を示す断面図である。
【図７】図６におけるＲＬＳＡのアンテナ面を示す平面図である。
【図８】リング部材の形状および寸法の一例を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係るプラズマ処理装置におけるプラズマ密度の分布を示す図である。
【図１０】ＲＬＳＡのアンテナ面の構成例を示す斜視図である。
【図１１】従来の高周波プラズマ処理装置の全体構成を示す図である。
【図１２】従来のプラズマ処理装置におけるプラズマ密度の分布を示す図である。
【符号の説明】
１…処理容器、２…サセプタ、３…マッチングボックス、４…高周波電源、５…排気口、６…ガス導入用ノズル、７…誘電体板、８…シール部材、９…シールド材、１０…電磁界供給装置、１１…高周波電源、１２…矩形導波管、１３…矩形円筒変換器、１４…円筒導波管、１５…負荷整合器、１６…円偏波変換器、２０…ＲＬＳＡ（ラジアルラインスロットアンテナ）、２１…ラジアル導波路、２２，２４…円形導体板、２３…導体リング、２４Ａ〜２４Ｃ…アンテナ面、２５…開口、２６…スロット、２７…バンプ、３１…凹形部材、３１Ａ…突起部、３２…リング部材、Ｐ…プラズマ、Ｗ…基板（被処理体）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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