(57)【要約】【課題】良好な電磁変換特性と耐久性を有する非磁性支持体および該非磁性支持体を具備する磁気記録媒体を提供する。【解決手段】支持体の両面に樹脂層を有し、それぞれの樹脂層上に突起形成層を有する非磁性支持体であって、前記突起形成層が微粒子を含有し、該微粒子により前記突起形成層の突起が形成されてなり、一方の面の前記突起形成層における前記微粒子の数と、他方の面の前記突起形成層における前記微粒子の数とが、略同一であることを特徴とする非磁性支持体である。支持体の両面のそれぞれの面に、樹脂層、突起形成層、磁性層を順次有する磁気記録媒体であって、前記磁性層が、前記支持体の両面のそれぞれの面に、樹脂層、突起形成層を形成して非磁性支持体を作製した後に、該非磁性支持体の両面に形成されてなり、前記非磁性支持体が、上記の非磁性支持体であることを特徴とする磁気記録媒体である。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体の両面に樹脂層を有し、それぞれの樹脂層上に突起形成層を有する非磁性支持体であって、
前記突起形成層が微粒子を含有し、該微粒子により前記突起形成層の突起が形成されてなり、
一方の面の前記突起形成層における前記微粒子の数と、他方の面の前記突起形成層における前記微粒子の数とが、略同一であることを特徴とする非磁性支持体。
【請求項２】
前記一方の面の前記突起形成層の１０μｍ角の領域における前記微粒子の数と、前記他方の面の前記突起形成層の１０μｍ角の領域における前記微粒子の数との差が、３００個以下であることを特徴とする非磁性支持体。
【請求項３】
前記突起形成層表面の１０μｍ角の領域における前記微粒子の数が、１００〜２０００個であることを特徴とする非磁性支持体。
【請求項４】
支持体の両面のそれぞれの面に、樹脂層、突起形成層、磁性層を順次有する磁気記録媒体であって、
前記磁性層が、前記支持体の両面のそれぞれの面に、樹脂層、突起形成層を形成して非磁性支持体を作製した後に、該非磁性支持体の両面に形成されてなり、前記非磁性支持体が、請求項１〜３のいずれかに記載の非磁性支持体であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】
前記磁性層が、真空成膜法により形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、非磁性支持体および磁気記録媒体に関し、特に、両面に磁性層を有する磁気記録媒体に使用される非磁性支持体および当該非磁性支持体を支持体とする磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気テープ、ハードディスク等の磁気記録媒体においては、スパッタリング法や蒸着法等の真空成膜法によって形成した強磁性金属薄膜を磁性層とする蒸着テープや薄膜型ハードディスク等の磁気記録媒体が実用化されている。このような磁気記録媒体では、高い磁気エネルギーが容易に得られるという利点がある。
【０００３】
ここで、磁気記録媒体に使用される非磁性支持体（以下、単に「支持体」ということがある）の表面は、ある程度平滑にすることが好ましい。平滑にすることによって、良好な表面性が容易に得られるためスペーシング損失が少なく、高い電磁変換特性を得ることができる。
【０００４】
一方で、どのような材料の支持体を使用したとしても、ある程度以上に表面を平滑にすると、支持体の搬送や巻き取りといった取り扱いが非常に困難となる。この問題を解決するためには支持体の端面近傍等に積極的に凹凸を設け、搬送部材や支持体裏面への貼り付きを防止する方法があるが、この方法を用いても支持体の幅をある程度広くすると、その効果が少なくなり、取り扱い特性（耐久性）が悪化する。
【０００５】
そこで、支持体の表面に部分的に突起を設ける方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。しかし、かかる方法でも、十分な平滑化効果が得られず、実用に供することが困難である。
【０００６】
上記方法とは別に、支持体上に微粒子（フィラー）と樹脂とからなる層を形成することが提案されている（例えば、特許文献２〜６参照）。しかしいずれも、特に両面に磁性層を有する、例えばフレキシブルディスクのような磁気記録媒体の支持体として用いるという観点からは、実用に供する程の充分な特性が得られない。
【０００７】
【特許文献１】
特開平５−２０６６０号公報
【特許文献２】
特開平５−３１４４５４号公報
【特許文献３】
特開平６−２０８７１６号公報
【特許文献４】
特開平６−２０８７１７号公報
【特許文献５】
特開平５−２１２７８８号公報
【特許文献６】
特開平５−２２０８３５号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
以上から、本発明は、良好な電磁変換特性と耐久性を有する非磁性支持体および該非磁性支持体を具備する磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題に鑑み鋭意検討の結果、本発明者は、良好な電磁変換特性および耐久性が得られない原因が、支持体の両面に設けられたそれぞれの突起形成層の微粒子の数のバラツキにあることを見出し、本発明の想到した。
【００１０】
すなわち、本発明は、支持体の両面に樹脂層を有し、それぞれの樹脂層上に突起形成層を有する非磁性支持体であって、前記突起形成層が微粒子を含有し、該微粒子により前記突起形成層の突起が形成されてなり、一方の面の前記突起形成層における前記微粒子の数と、他方の面の前記突起形成層における前記微粒子の数とが、略同一であることを特徴とする非磁性支持体である。
前記一方の面の前記突起形成層の１０μｍ角の領域における前記微粒子の数と、前記他方の面の前記突起形成層の１０μｍ角の領域における前記微粒子の数との差は、３００個以下であることが好ましい。前記突起形成層表面の１０μｍ角の領域における前記微粒子の数は、１００〜２０００個であることが好ましい。
【００１１】
また、本発明は、支持体の両面のそれぞれの面に、樹脂層、突起形成層、磁性層を順次有する磁気記録媒体であって、前記磁性層が、前記支持体の両面のそれぞれの面に、樹脂層、突起形成層を形成して非磁性支持体を作製した後に、該非磁性支持体の両面に形成されてなり、前記非磁性支持体が、既述の非磁性支持体であることを特徴とする磁気記録媒体である。
前記磁性層は、真空成膜法により形成されていることが好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の非磁性支持体および磁気記録媒体について、詳細に説明する。
【００１３】
〔非磁性支持体〕
本発明の非磁性支持体は、支持体の両面に樹脂層を有し、それぞれの樹脂層上に突起形成層を有する。突起形成層には、微粒子が含有されており、当該微粒子の露出部分が突起形成層の突起を形成している。
【００１４】
支持体としては、ポリエチレンナフタレートフィルム、芳香族ポリイミドフィルム、芳香族ポリアミドフィルム、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、フッ素樹脂等のような耐熱性樹脂フィルムであることが好ましい。これらの中でも耐熱性の観点から、ポリエチレンナフタレートフィルム、芳香族ポリイミドフィルム、芳香族ポリアミドフィルムが好ましい。
これは後述のように、スパッタリング等で磁性層を形成する際に、加熱やプラズマの熱によって支持体表面が高温に達する場合があるためであり、耐熱性が不足すると熱変形、熱分解ガス放出、オリゴマー析出といった支障をきたすためである。
【００１５】
この耐熱性フィルムの支持体の表面における表面性は可能な限り平滑な表面であることが好ましい。これは磁気記録媒体がフロッピー（Ｒ）ディスク等の場合、その表面性はその電磁変換特性に非常に強い影響を与えるためである。
支持体の厚みは３〜９０μｍの範囲が好ましく、特に好ましくは１０〜８０μｍである。
【００１６】
樹脂層は、支持体表面に平滑性を付与する目的で、支持体の両面に形成される。
樹脂層の厚みは０．８〜５μｍであることが好ましく、１〜３μｍとすることがより好ましい。上記範囲より薄いと平滑化効果が不充分となることがあり、厚いとクラックや厚みムラの問題が生じることがある。また、樹脂層は複数の層からなっていてもよい。
【００１７】
樹脂層としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等の飽和ポリエステル樹脂；ナイロン６６等のポリアミド樹脂；ポリスチロール、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルブチラート、ポリフェニレンオキサイド、フェノキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂等を使用することが好ましい。
樹脂層は、グラビアコート法、バーコート法、リバースロールコート法、マイクログラビアコート法、エクストルージョンコート法等により形成することができる。なお、樹脂層の表面粗さＲａ（ＡＦＭにて測定）は、０．１〜１．０ｎｍであることが好ましく、０．３〜０．５ｎｍであることがより好ましい。
【００１８】
既述のように、支持体の両面に形成されたそれぞれの樹脂層上には、突起形成層が形成されている。支持体上に突起形成層を設けることで、非常に低い微小突起が形成される。その結果、磁気記録媒体と摺動部材との真実接触面積が低滅し、摺動特性を改善することができる。また、突起形成層は、接着後の支持体のハンドリング性も著しく高める効果がある。
【００１９】
ここで、一方の面の突起形成層における微粒子の数と、他方の面の突起形成層における微粒子の数とは、略同一とする。
略同一としないと、両面で微粒子の数が異なり、一方の面でスペーシングロス等が生じて、磁気記録媒体とした場合に、全体として良好な電磁変換特性が得られない。また、一方の面で摩擦力が増大し、走行耐久性が悪化するという問題が生じることもある。
【００２０】
「略同一」としては、一方の面の突起形成層における微粒子の数と、他方の面の突起形成層における微粒子の数との差が、それぞれの１０μｍ角の領域において、３００個以下である状態とすることが好ましい。３００個以下とすることで、特に、両面とも良好な電磁変換特性が得られ、充分な耐久性が確保することができる。
より好ましくは、２８０個以下とし、さらに好ましくは、２５０個以下とする。
【００２１】
既述のように両面の微粒子の数を略同一とするには、予めほぼ同数の微粒子を既述の突起形成層中に含有させておけばよい。突起形成層には、後述するように微粒子を固定するための樹脂が含有されている。従って、かかる樹脂により固定された微粒子は、その後の工程で重ねられたり、巻き取られたりしても欠落することがなく、最後まで両面の微粒子の数を略同一の状態に維持することができる。
【００２２】
また、前記突起形成層の１０μｍ角の領域における前記微粒子の数は、１００〜２０００個であることが好ましい。かかる範囲とすることで良好な電磁変換特性を維持しながら、耐久性をより大きく向上させることができる。
当該微粒子の数は、ＳＥＭ（走査型電気顕微鏡）により、例えば、２５０００倍で５視野について測定し、その平均により求めることができる。また、微粒子の分散状態等もＳＥＭ等により観察することができる。
【００２３】
突起形成層には、樹脂が含有されていることが好ましい。当該樹脂により微粒子を樹脂層上に固定することができる。
突起形成層の樹脂の厚みは、０．００１〜０．０５μｍとすることが好ましく、０．００５〜０．０３μｍとすることがより好ましい。
上記範囲より薄いと微粒子の固定が不充分となることがあり、厚いと微粒子が埋もれてしまい、突起がなくなってしまうことがある。
【００２４】
突起形成層に含有される樹脂は、クロロホルム、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、ジオキサン、トルエン、メチルエチルケトン、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、ベンゼン、キシレン、フェノール等の溶媒に溶解する樹脂が好ましい。好ましい重量平均分子量は５０００〜２０００００であり、Ｔｇは４０℃〜４００℃である。
具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル樹脂；ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン６１０、ナイロン１１、ナイロン１２等のポリアミド樹脂；ポリスチロール、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルブチラート、ポリフェニレンオキサイド、フェノキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、イミド樹脂、アミド樹脂等各種樹脂等が挙げられ、これらの単体、共重合体、混合物、変性樹脂、架橋樹脂が好ましい。
【００２５】
突起形成層は、以下に説明するようにして形成することができる。すなわち、まず、上記樹脂を溶媒に溶解した溶液中に所定量の上記微粒子を含有させた塗布液を調製する。溶媒としては、微粒子の分散性が良好になることを考慮して、上記溶媒の中でもシクロヘキサノンを主たる溶媒として用いることが好ましい。調製した塗布液を、グラビアコート法、バーコート法、リバースロールコート法、マイクログラビアコート法、エクストルージョンコート法等により樹脂層上に塗布して、乾燥処理などを施して突起形成層を形成する。
【００２６】
実用的な突起の形成とスペーシング損失低減の観点から、微粒子の平均粒径は１０〜５０ｎｍとすることが好ましい。
ここで、平均粒径は、例えば光の散乱や回折を利用した測定法により、粒度分布の測定を行い、その累積粒度分布が５０％となる径を平均粒径とする。
【００２７】
微粒子としては、特に限定されず、有機微粒子や無機微粒子等を使用することができる。
有機微粒子としては、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリル酸エステル、エポキシ樹脂、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリアクリル酸ソーダ、ポリビニルエーテル、フッ素樹脂等の架橋高分子からなるミクロゲル粒子等が挙げられる。
無機微粒子としては、コロイド粒子；Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｄＯ、ＮｉＯ、ＣａＷＯ４、ＢａＴｉＯ３等の金属酸化物；ＣａＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＣｏＣＯ３等の炭酸塩；Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ等の金属粒子；等が挙げられる。
なお、上記有機微粒子および無機微粒子は、それぞれ混合して使用してもよい。
【００２８】
突起形成層の１０μｍ角の領域における微粒子の数は、１００〜２０００個であることが好ましい。かかる範囲とすることで良好な電磁変換特性を維持しながら、耐久性をより大きく向上させることができる。
当該範囲におけるより好ましい微粒子の数は、１５０〜１５００個である。
【００２９】
なお、支持体上に樹脂層および突起形成層を形成する順序は特に限定されるものではないが、生産性を考慮すると、以下に説明する順序で行うことが好ましい。
すなわち、まず、支持体の一方の面に樹脂層および突起形成層を順次形成する。その後、支持体の他方の面に樹脂層および突起形成層を順次形成する順序とすることが好ましい。樹脂層は平滑性が高いため、両面に樹脂層が存在する状態となると支持体が滑りやすくなることがある。その結果、その後の層形成を行おうとすると、シワや折れなどが発生する場合があり、かかる現象を避けるためにも上記の順序で層形成をすることが好ましいからである。
【００３０】
〔磁気記録媒体〕
本発明の磁気記録媒体は、支持体の両面のそれぞれの面に、樹脂層、突起形成層、磁性層を順次有する。
前記磁性層は、前記支持体の両面のそれぞれの面に、樹脂層、突起形成層を形成して非磁性支持体（既述の本発明の非磁性支持体）を作製した後に、その両面に形成されてなる。
【００３１】
磁性層となる強磁性金属薄膜は、スパッタリング法や真空蒸着法等の真空製膜法によって形成されることが好ましい。真空製膜法により形成された磁性層は、高い磁気エネルギーを容易に得られる点で、非常に有意である。
【００３２】
磁性層の組成としては、コバルトを主体とした金属または合金、あるいはコバルトを主とした金属／合金と非磁性酸化物からなるものが挙げられる。コバルトを主とした金属／合金としては、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｓｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ、Ｃｏ−Ｏ等が使用できる。
特に電磁変換特性を改善するために、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａが好ましい。
非磁性酸化物としては、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｎａ、Ｌａ、Ｉｎ、Ｐｂ等の酸化物を用いることができるが、電磁変換特性を良好にするためにはＳｉの酸化物が好ましい。
【００３３】
磁性層の厚みは１０〜３０ｎｍとすることが好ましい。また、この場合、磁性層の静磁気特性を改善するための下地層を設けることが好ましく、この下地層の組成としては金属または合金などが挙げられ、具体的にはＣｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｓｉ等またはこれらの合金が使用でき、なかでもＴａ、Ｔａ−Ｓｉ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ａｌ、Ｃｒ−Ｔｉが特に好ましい。
この下地層の厚みとしては、好ましくは、５ｎｍ〜５０ｎｍであり、より好ましくは１０ｎｍ〜３０ｎｍである。
【００３４】
さらに下地層の結晶配向性を制御するために、下地層の下にシード層を用いることが好ましい。具体的にはＴａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｔｉまたはこれらの合金、特に好ましくはＴａ、Ｃｒ、Ｔｉまたはこれらの合金であり、厚みとしては１５〜６０ｎｍであることが好ましい。また、これらは下地層と異なり、アモルファス状態または下地層よりも結晶子が小さい状態で使用される。
【００３５】
さらに突起形成層と下地層もしくは磁性層との密着性を高めるために密着層を導入してもよい。密着層としては具体的にはＣｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｓｉ等またはこれらの合金が使用できる。
【００３６】
本発明の磁気記録媒体においては、強磁性金属薄膜（磁性層）上に保護膜が設けることが好ましい。この保護膜によって走行耐久性、耐食性を著しく改善することができる。
【００３７】
保護膜としては、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化コバルト、酸化ニッケルなどの酸化物；窒化チタン、窒化ケイ素、窒化ホウ素などの窒化物；炭化ケイ素、炭化クロム、炭化ホウ素等の炭化物；グラファイト、無定型カーボンなどの炭素；からなる保護膜が挙げられる。この保護膜としては、ヘッド材質と同等またはそれ以上の硬度を有する硬質膜が好ましく、さらに摺動中に焼き付きを生じ難く、その効果が安定して持続するものが最も好ましく、そのような保護膜としてはダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）と称される硬質炭素膜が挙げられる。
【００３８】
ダイヤモンド状炭素膜は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法等で作製したアモルファス炭素膜であり、微視的にはｓｐ２結合によるクラスターとｓｐ３結合によるクラスターの混合物である。この膜の硬度はビッカース硬度で１０×１０３ＭＰａ以上、好ましくは２０×１０３ＭＰａ以上である。ダイヤモンド状炭素膜をラマン光分光分析によって測定した場合には、１５４０−１ｃｍ付近にいわゆるＧピークと呼ばれるメインピークが、１３９０ｃｍ−１にいわゆるＤピークと呼ばれるショルダーが検出されることによって確認することができる。これらのダイヤモンド状炭素膜はスパッタリング法やＣＶＤ法によって作製することができるが、生産性、品質の安定性および厚み１０ｎｍ以下の超薄膜でも良好な耐磨耗性を確保できるという点からＣＶＤ法によって作製することが好ましく、とくにプラズマによってメタン、エタン、プロパン、ブタン等のアルカン、あるいはエチレン、プロピレン等のアルケン、またはアセチレン等のアルキンをはじめとした炭素含有化合物を分解して生成した化学種を磁性層またはその手前に設けた電極に負バイアス電圧を印加して加速して堆積する手法が好ましい。
【００３９】
さらに原料ガスに窒素ガスを混合し、Ｃ、Ｈ、Ｎからなるダイヤモンド状炭素とすることでヘッドに対する摩擦係数を低減できる。硬質炭素保護膜の膜厚が厚いと電磁変換特性の悪化や磁性層に対する密着性の低下が生じ、膜厚が薄いと耐磨耗性が不足するために、膜厚は２〜３０ｎｍが好ましく、特に好ましくは５〜２０ｎｍである。
【００４０】
本発明の磁気記録媒体において、走行耐久性および耐食性を改善するため、上記磁性層もしくは保護膜上に潤滑剤や防錆剤を付与することが好ましい。
潤滑剤としては、公知の炭化水素系潤滑剤、フッ素系潤滑剤、極圧添加剤などが使用できる。炭化水素系潤滑剤としてはステアリン酸、オレイン酸等のカルボン酸類、ステアリン酸ブチル等のエステル類、オクタデシルスルホン酸等のスルホン酸類、リン酸モノオクタデシル等のリン酸エステル類、ステアリルアルコール、オレイルアルコール等のアルコール類、ステアリン酸アミド等のカルボン酸アミド類、ステアリルアミン等のアミン類などが挙げられる。
【００４１】
フッ素系潤滑剤としては上記炭化水素系潤滑剤のアルキル基の一部または全部をフルオロアルキル基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑剤が挙げられる。パーフルオロポリエーテル基としてはパーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピレンオキシド重合体（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ、パーフルオロイソプロピレンオキシド重合体（ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２０）ｎ、またはこれらの共重合体等である。具体的は分子量末端に水酸基を有するパーフルオロメチレン−パーフルオロエチレン共重合体（ＦＯＭＢＬＩＮ  Ｚ−ＤＯＬ）等が挙げられる。極圧添加剤としてはリン酸トリラウリル等のリン酸エステル類、亜リン酸トリラウリル等の亜リン酸エステル類、トリチオ亜リン酸トリラウリル等のチオ亜リン酸エステルやチオリン酸エステル類、二硫化ジベンジル等の硫黄系極圧剤などが挙げられる。
【００４２】
上記潤滑剤は単独もしくは複数を併用して使用される。これらの潤滑剤を磁性層もしくは保護膜上に付与する方法としては潤滑剤を有機溶剤に溶解し、ワイヤーバー法、グラビアコート法、スピンコート法、ディップコート法等で塗布するか、真空蒸着法によって付着させればよい。潤滑剤の塗布量としては１〜３０ｍｇ／ｍ２が好ましく、２〜２０ｍｇ／ｍ２が特に好ましい。
【００４３】
本発明で使用できる防錆剤としてはベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、プリン、ピリミジン等の窒素含有複素環類およびこれらの母核にアルキル側鎖等を導入した誘導体、ベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、テトラザインデン環化合物、チオウラシル化合物等の窒素および硫黄含有複素環類およびこの誘導体等が挙げられる。これらは潤滑剤に混合して保護膜上に塗布しても良いし、潤滑剤を塗布する前に保護膜上に塗布し、その上に潤滑剤を塗布しても良い。防錆剤の塗布量としては０．１〜１０ｍｇ／ｍ２が好ましく、０．５〜５ｍｇ／ｍ２が特に好ましい。
【００４４】
このような目的で使用可能なテトラザインデン環化合物には、下記に示すものが挙げられる。
【００４５】
【化１】
2004319018.tif 000002
【００４６】
ここで、上記式中のＲは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミド基から選ばれる炭化水素基であり、好ましくは、炭素数３以上２０以下の炭化水素基である。
なお、上記Ｒがアルコキシ基（Ｒ４ＯＣＯＣＨ２−）の場合、Ｒ４は、Ｃ３Ｈ７−、Ｃ６Ｈ１３−、フェニルであることが好ましい。また、上記Ｒがアルキル基の場合、Ｃ６Ｈ１３−、Ｃ９Ｈ１９−、Ｃ１７Ｈ３５−であることが好ましい。さらに、上記Ｒがアルキルアミド（Ｒ５ＮＨＣＯＣＨ２−）の場合、Ｒ５はフェニル、Ｃ３Ｈ７−であることが好ましい。また、チオウラシル環化合物には、下記に示すものが挙げられる。
【００４７】
【化２】
2004319018.tif 000003
【００４８】
ここで、上記式中のＲは、上記したテトラザインデン環化合物におけるものと同様のものから選ばれる。
【００４９】
【実施例】
本発明を以下の実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５０】
〔実施例１〕
フェニルトリエトキシシラン（信越化学工業社製  ＫＢＥ−１０３）とγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業社製  ＫＢＭ−４０３）とを、質量比を１：１として、塩酸とともにエタノールに溶解した。その後、硬化剤としてアルミニウムアセチルアセトネートを添加して、塗布液を調製した。
【００５１】
調製した塗布液を、厚み５０μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（支持体）の一方の面（Ａ）上にグラビアコート法で塗布した。その後、１００℃で乾燥して厚み２μｍの樹脂層を支持体上に形成した。
【００５２】
次に、シクロヘキサノンに、平均粒径２５ｎｍのオルガノシリカゾル粒子（触媒化成工業社製  ＯＳＣＡＬ）を０．００００５ｗｔ％、ウレタン樹脂（Ｔｇ＝９０℃）を０．００５ｗｔ％、になるよう添加して塗布液を調製した。調製した塗布液をグラビアコート法で塗布した後、１００℃で乾燥して樹脂部の厚みが０．０１μｍの突起形成層を樹脂層上に形成した。
次いで、支持体の他方の面（Ｂ）にも同様に、樹脂層、突起形成層を形成し、支持体の両面に樹脂層および突起形成層を有する非磁性支持体を作製した。
【００５３】
〔実施例２〕
ウレタン樹脂の代わりにポリエステル樹脂（Ｔｇ＝６０℃）を０．００５ｗｔ％とした以外は実施例１と同様にして、非磁性支持体を作製した。
【００５４】
〔実施例３〕
ウレタン樹脂をポリイミド樹脂（丸善石油化学社製ＰＩ−１００）として突起形成層を形成した以外は実施例１と同様にして、非磁性支持体を作製した。
【００５５】
〔比較例１〕
ウレタン樹脂を添加せずに突起形成層を形成した以外は実施例１と同様にして、非磁性支持体を作製した。
【００５６】
〔比較例２〕
オルガノシリカゾル粒子を０．０００４ｗｔ％として突起形成層を形成した以外は実施例１と同様にして、非磁性支持体を作製した。
【００５７】
実施例１〜３および比較例１，２の非磁性支持体を連続巻き取り式スパッタ装置に設置し、１００℃に加熱した熱ドラム上に密着させ、搬送しながら、ＤＣマグネトロンスパッタ法でＴａ−Ｓｉ下地層、Ｃｒ−Ｔｉ下地層、ＣｏＰｔＣｒ磁性層をそれぞれ膜厚３０ｎｍ、６０ｎｍ、３０ｎｍで順次形成した。
【００５８】
引き続き、形成した磁性層上に、エチレンガスを原料としたプラズマＣＶＤ法でカーボン保護膜（厚さ：１０ｎｍ）を形成した。
次に、この保護膜上にパーフルオロポリエーテル系潤滑剤（アウジモント社製；ＦＯＭＢＬＩＮ  Ｚ−ＤＯＬ）をフッ素系溶剤（住友３Ｍ社製；ＨＦＥ−７２００）に溶解した溶液をグラビアコート法で塗布して、厚み１ｎｍの潤滑膜を形成した。
そして、この試料を３．５ｉｎｃｈ（８８．９ｍｍ）の磁気ディスク形状に打ち抜き、フロッピー（Ｒ）ディスクを作製した。作製したフロッピー（Ｒ）ディスクを富士写真フイルム社製Ｚｉｐ１００カートリッジに組み込んだ。
【００５９】
〔評価〕
（１）表面性：
各々の非磁性支持体を切り出して、一方の面（Ａ）および他方の面（Ｂ）の各々についてＰｔをコートした後、ＳＥＭ（日立製作所、Ｓ−８００）で２５０００倍で５視野、５０００倍で３視野について表面観察を行った。
具体的には、２５０００倍の観察像中の微粒子（オルガノシリカゾル粒子）数を目視でカウントし、５視野の平均を微粒子数とし１００μｍ２（１０μｍ角）あたりの個数に換算した。
また、２５０００倍の観察像中に２個以上の微粒子が近接して存在していないか、５０００倍の観察像中の微粒子の分散に偏りがないかを目視で評価し、分散の程度を評価した。
【００６０】
なお、評価指標は下記の通りである。
○：２５０００倍の観察で近接して存在する微粒子が１視野に５個程度存在するが、５０００倍の観察でも微粒子に偏りがない。
△：２５０００倍の観察で近接して存在する微粒子が１視野に１０個〜数１０個程度存在するが、５０００倍の観察で偏りがない。
×：２５０００倍の観察で近接して存在するフィラーが１視野に多数（数１０個超）存在し、５０００倍の観察で偏りが認められる。
【００６１】
（２）電磁変換特性（Ｃ／Ｎ）：
作製したフロッピー（Ｒ）ディスクを３０００ｒ．ｐ．ｍで回転させ、加重５ｇｆ（４９×１０−３Ｎ）でＭＲヘッドを上下からロードし、線記録密度１３０ｋＦＣｌで記録再生を行った。他方の面（Ｂ）の再生信号をスペクトラムアナライザーで観察し、信号とノイズとの比（Ｃ／Ｎ）を測定した。測定結果は実施例１の磁気記録媒体を０ｄＢとして、それぞれについて相対比較を行った。
【００６２】
（３）耐久性：
作製したフロッピー（Ｒ）ディスクを２３℃５０％ＲＨの環境下、Ｚｉｐ１００ドライブで走行させ、信号の記録性を繰り返し行って耐久性を評価した。他方の面（Ｂ）の出力信号が初期値の−３ｄＢとなった時点でテストを終了し、その時間を耐久性とした。試験は最大３００時間まで行った。
【００６３】
上記評価（１）〜（３）の結果を、下記表１に示す。
【００６４】
【表１】
2004319018.tif 000004
【００６５】
表１より、両面で微粒子の数を略同一とした実施例１〜３では、微粒子の分散状態が良好で、電磁変換特性は比較例に比べて高い結果となっていた。また、耐久性も良好であった。
なお、比較例１では、微粒子の固定に樹脂を使用しなかったため、各工程の置ける巻取りなどの操作でこれらの一部が欠落し、最終的には、微粒子の数が両面で大きく異なる結果となっていた。
【００６６】
【発明の効果】
以上、本発明によれば、良好な電磁変換特性と耐久性を有する非磁性支持体および該非磁性支持体を具備する磁気記録媒体を提供することができる。