(57)【要約】【課題】カバー下面に処理液を接触させておくことにより、カバーに結露した処理液に起因する基板の汚染を防止することができる。【解決手段】処理槽３の上部を開閉自在に覆うカバー９は、閉止時に内槽３ａに貯留している処理液面に下面が接触する高さに配備されているので、常にカバー９の下面が処理液に触れていることになる。したがって、薬液を含む処理液がカバー９の下面に結露することはなく、カバー９への結露に起因して基板が汚染されるのを防止できる。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所定の処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留するとともに基板を収容して処理液で処理を行う内槽及び前記内槽から溢れた処理液を回収する外槽を有する処理槽と、
前記内槽へ処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理槽の上部を開閉自在に覆い、閉止時に前記内槽に貯留している処理液面に下面が接触する高さに配備されたカバーとを備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記処理液供給手段は、前記内槽に薬液を含む処理液を供給した後、前記内槽に純水を処理液として供給することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、光ディスク用の基板など（以下、単に基板と称する）を処理液で処理する基板処理装置に係り、特に処理槽を覆う開閉自在のカバーを備えた装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の装置として、例えば、処理液を貯留し、基板Ｗを処理液に浸漬させて処理を施す内槽と、この内槽から溢れた処理液を回収する外槽とを備えた処理槽を備え、さらに処理槽の上部が開閉自在のカバーによって覆われているものが挙げられる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
なお、上記のカバーは閉止された状態で、内槽の処理液面から数センチ（５〜１０ｃｍ）程度離間している。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−３３３３８８号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、薬液を含む処理液から蒸発した薬液雰囲気が、液面から離間しているカバーの下面に結露し、カバー下面の全面に薬液を含む液滴が付着する。内槽に貯留した処理液による基板への処理が完了し、基板を処理槽から搬出するのに先立って内槽の処理液を排出するが、その際にカバーに付着している液滴が落下して基板に付着する。この液滴には薬液が含まれている関係上、基板が汚染されてしまうという問題がある。
【０００６】
また、処理液による基板への処理後、同じ処理槽にて乾燥処理を行う場合があるが、その際に、カバーに付着している液滴が乾燥し、発生した薬液雰囲気によってやはり基板が汚染されてしまうという問題がある。
【０００７】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、カバー下面に処理液を接触させておくことにより、カバーに結露した処理液に起因する基板の汚染を防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留するとともに基板を収容して処理液で処理を行う内槽及び前記内槽から溢れた処理液を回収する外槽を有する処理槽と、前記内槽へ処理液を供給する処理液供給手段と、前記処理槽の上部を開閉自在に覆い、閉止時に前記内槽に貯留している処理液面に下面が接触する高さに配備されたカバーとを備えていることを特徴とするものである。
【０００９】
（作用・効果）処理槽の上部を開閉自在に覆うカバーは、閉止時に内槽に貯留している処理液面に下面が接触する高さに配備されているので、処理液が内槽に貯留している間は常にカバーの下面が処理液に触れていることになる。したがって、薬液を含む処理液がカバーの下面に結露することはないので、処理液のカバーへの結露に起因する基板の汚染を防止することができる。
【００１０】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記処理液供給手段が、前記内槽に薬液を含む処理液を供給した後、前記内槽に純水を処理液として供給することを特徴とするものである。
【００１１】
（作用・効果）処理液供給手段が薬液を含む処理液を内槽に供給するとカバーに処理液が接触するが、その後に純水を処理液として供給することにより、カバー下面に付着した処理液を純水で洗い流すことができる。したがって、特別にカバーの洗浄機構を必要とせず、装置の構成を簡単化することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
図１から図３はこの発明の一実施例に係り、図１は実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図であり、図２はカバー周りの拡大図である。また、図３は、処理中における処理液の流れを示した模式図である。
【００１３】
この基板処理装置は、保持アーム１と、処理槽３と、処理液配管５とを備えている。保持アーム１は、処理対象である複数枚の基板Ｗを起立姿勢で保持し、処理槽３の上方にあたる受け渡し位置と、図１に示す処理液に浸漬される処理位置との間を昇降可能に、また受け渡し位置から他の処理槽３への水平移動が可能に構成されている。処理槽３は、その底部に、処理液を注入する注入管７を備えている。処理槽３は、基板Ｗが浸漬される内槽３ａと、この内槽３ａから溢れた処理液を回収して排出する外槽３ｂを備えている。注入管７には、処理液配管５が連通接続されている。
【００１４】
処理槽３の上部には、カバー９が配備されている。このカバー９は、一対の板状部材がそれぞれ横向き（紙面方向）の回転軸Ｐ周りで取り付けられており、図中に二点鎖線矢印で示すように上下方向に開閉自在に構成されている。さらに、その閉止時における下面の高さは、内槽３ａの壁面の上面を基準として間隔ｄに設定されている。
【００１５】
上記の間隔ｄは、処理液が内槽３ａから外槽３ｂに溢れる際に液面が上昇するが、その際に液面がカバー９の下面に接触する程度の間隔に設定されている。具体的には、例えば、１〜５ｍｍ程度であり、より好ましくは１〜２ｍｍ程度である。１ｍｍ以下の極端に狭い間隔では、処理液が円滑に溢れないので不都合が生じる一方、５ｍｍを越えて極端に広い間隔では、カバー９の下面に処理液を接触させておくことができない。なお、この間隔ｄは、内槽３ａの容積や開口面積、供給する処理液の流量などに応じて適宜に設定されるものである。
【００１６】
処理液配管５は、流通する処理液の流量及び開閉を制御する制御弁１１と、フィルタ１３と、インラインヒータ１５と、ミキシングバルブ１７と、このミキシングバルブ１７に連通された第１供給配管１９及び第２供給配管２１と、循環ポンプ２３とを備えている。
【００１７】
フィルタ１３は処理液中のパーティクル等を除去するものであり、インラインヒータ１５は薬液及び純水を含む処理液を所定の温度に昇温するとともに一定温度となるように調節する。第１供給配管１９には純水供給源が連通接続され、その流量と開閉を制御する制御弁２５が取り付けられている。第２供給配管２１には薬液供給源が連通接続され、その流量と開閉を制御する制御弁２７が取り付けられている。
【００１８】
図示しないメモリやＣＰＵを備えた制御部２９は、予め規定されているレシピに応じて上述した各部を統括的に制御する。また、制御弁１１を開放し、制御弁２５，２７を制御して薬液を所定濃度とする処理液を生成し、ポンプ２３を作動させて処理液を内槽３ａに所定流量で供給・循環させつつ貯留させる。さらに、インラインヒータ１５を制御して、循環している処理液の温度を所定の処理温度となるように加熱する。注入管７から内槽３ａに供給された処理液は、内槽３ａ内を満たし、内槽３ａにおける処理液の液面を上昇させつつ外槽３ｂに溢れる。このとき処理液は、図３に示すようにカバー９の下面に接触しつつ間隔ｄを通ることになる。つまり、処理液が内槽３ａに貯留している間、内槽３ａの処理液面とカバー９の下面との間に空間が生じることはない。
【００１９】
次に、図４を参照して上述した構成の基板処理装置による動作について説明する。なお、図４は、処理の流れを示すフローチャートである。
【００２０】
ステップＳ１
処理液の供給を開始する。
具体的には、制御弁２５，２７をレシピに応じて開放し、薬液を含む処理液を処理液供給配管５に注入し始める。なお、このときカバー９は、閉止された状態である。
【００２１】
ステップＳ２
所定量の処理液を供給完了した場合には、処理液の供給を停止する。所定量とは、内槽３ａから処理液が溢れ、外槽３ｂ及び処理液配管５にまで処理液が行き渡っている状態をいう。このとき処理液は、図３に示すように、間隔ｄを通って外槽３ｂに溢れている。
【００２２】
ステップＳ３
循環ポンプ２３を作動させて処理液を循環させるとともに、インラインヒータ１５を作動させて所定温度となるように処理液の加熱を開始する。
【００２３】
ステップＳ４
所定温度に達したか否かに応じて処理を分岐する。つまり、所定温度に達するまでこのステップＳ４を繰り返し、所定温度に達した場合には次のステップＳ５に移行する。
【００２４】
ステップＳ５
所定温度に達した時点でインラインヒータ１５をオフにする。
【００２５】
ステップＳ６
未処理の基板Ｗを受け入れるため、カバー９を開放する。
【００２６】
ステップＳ７
保持アーム１を下降する。
カバー９が開放されている状態で、制御部２９の制御の下、保持アーム１を受け渡し位置から処理位置にまで移動する。
【００２７】
ステップＳ８
カバー９を閉止する。
基板Ｗが処理位置に移動した後、カバー９を閉止する。このとき、カバー９の下面には内槽３ａに貯留している処理液面が接触している。したがって、薬液を含む処理液から蒸発した薬液がカバー９の下面に結露することはない。
【００２８】
ステップＳ９
制御部２９は、レシピに規定されている設定時間を内蔵タイマ等で計時する。そして、レシピに応じた設定時間が経過したか否かに応じて処理を分岐する。つまり、設定時間が経過するまでこのステップＳ９を繰り返し、経過した時点で次のステップＳ１０に処理を移行する。
【００２９】
ステップＳ１０
薬液を含む処理液による処理に続いて、純水洗浄を行う。
制御弁２７を閉止するとともに、制御弁２５を開放して純水を供給する。これにより内槽３ａ内の薬液を含む処理液が、純水のみの処理液によって置換されてゆくことになる。
【００３０】
この純水洗浄により、基板Ｗの洗浄とともに、薬液が付着したカバー９の下面を洗浄することができる。したがって、特別にカバー９の洗浄機構を備える必要がない。
【００３１】
ステップＳ１１
処理済みの基板Ｗを搬出するために、カバー９を開放する。
【００３２】
ステップＳ１２
保持アーム１を上昇させて、処理位置から受け渡し位置にまで移動させる。これにより、基板Ｗに対する処理が完了する。
【００３３】
上記の本実施例装置によると、処理槽３の上部を開閉自在に覆うカバー９は、閉止時に内槽３ａに貯留している処理液面に下面が接触する高さに配備されているので、常にカバー９の下面が処理液に触れていることになる。したがって、薬液を含む処理液がカバー９の下面に結露することはなく、カバー９への結露に起因して基板Ｗが汚染されることを防止することができる。
【００３４】
さらに、処理液による処理後に純水を処理液として供給しているので、カバー９の下面に付着した処理液を純水で洗い流すことができる。したがって、カバー９の洗浄機構を特に必要とせず、装置の構成を簡単化できる。
【００３５】
なお、本発明は、上述した実施例装置に限定されるものではなく、以下のように変形実施が可能である。
【００３６】
（１）上述したようなバッチ式の基板処理装置に限定されるものではなく、基板を一枚ずつ浸漬させて処理する枚葉式の基板処理装置であっても適用可能である。
【００３７】
（２）薬液処理、純水処理に続いて乾燥処理を行う基板処理装置であっても適用することができる。
【００３８】
（３）処理液を循環させるタイプではなく、内槽３ａから外槽３ｂに溢れた処理液を排出するタイプの基板処理装置であっても適用することが可能である。
【００３９】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、処理槽の上部を開閉自在に覆うカバーは、閉止時に内槽に貯留している処理液面に下面が接触する高さに配備されているので、常にカバーの下面が処理液に触れていることになる。したがって、薬液を含む処理液がカバーの下面に結露することはなく、カバーへの結露に起因する基板の汚染を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図２】カバー周りの拡大図である。
【図３】処理中における処理液の流れを示した模式図である。
【図４】処理の流れを示すフローチャートである。
【符号の説明】
Ｗ  …  基板
ｄ  …  間隔
１  …  保持アーム
３  …  処理槽
３ａ  …  内槽
３ｂ  …  外槽
５  …  処理液配管
７  …  注入管
９  …  カバー
１１  …  制御弁
１３  …  フィルタ
１５  …  インラインヒータ
１７  …  ミキシングバルブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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