(57)【要約】【課題】半導体素子とセラミック基板、或いはセラミック基板とベース基板などは半田等のろう材によって接合されることが多い。接合によって生じるろう部材にヒケが発生することを防ぐことを目的とする。【解決手段】この発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子と基板の間にろう材を供給する工程と、ろう材を溶融させる工程と、ろう材が溶融した状態でろう材の周辺を酸化性雰囲気に保持する工程と、酸化性雰囲気に保持してからろう材を凝固させる工程を備えている。ろう材の融点は４００℃以下で、Ｓｎ，Ｐｂ、Ｂｉ、Ｚｎ，Ｉｎ、Ａｕ，Ａｇの何れか一つの金属を主成分として含むことが望ましい。この方法によって作成された半導体装置では、ろう部材の外周表面に厚さ５ｎｍ以上の酸化膜が形成されている。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、この半導体素子を搭載する基板と、半導体素子と基板の間に供給されたろう部材を備えてなり、前記ろう部材の外周表面に厚さ５ｎｍ以上の酸化膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体素子と、この半導体素子を搭載する基板と、半導体素子と基板の間に供給された第１のろう部材と、前記基板を搭載するベース板と、前記基板とベース板の間に供給された第２のろう部材を備えてなり、少なくとも前記第２のろう部材の外周表面に厚さ５ｎｍ以上の酸化膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体素子と基板の間にろう材を供給する工程と、前記ろう材を溶融させる工程と、前記ろう材が溶融した状態でろう材の周辺を酸化性雰囲気に保持する工程と、酸化性雰囲気に保持してからろう材を凝固させる工程を備えてなる半導体装置の製造方法。
【請求項４】
ろう材を溶融させる工程の前に、基板とベース板の間にろう材を供給する工程を備えていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
ろう材を溶融させる工程を、不活性雰囲気または還元性雰囲気で行うことを特徴とする請求項３または４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
ろう材の融点は、４００℃以下であることを特徴とする請求項３または４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
ろう材は、Ｓｎ，Ｐｂ、Ｂｉ、Ｚｎ，Ｉｎ、Ａｕ，Ａｇの何れか一つの金属を主成分として含むことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体素子をろう材で基板に接合した半導体装置に関し、特にその接合の信頼性を向上させる方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子とセラミック基板、或いはセラミック基板とベース基板などは半田等のろう材によって接合されることが多い。特許文献１は、半田を不活性雰囲気下（例えば窒素ガス中で）或いは還元性雰囲気下（例えば水素を４％程度含む窒素ガス中で）で溶融・凝固させる方法を開示している。こうすることによって、半導体素子とセラミック基板との接合面に酸化膜が形成されることを防いでいる。この時、固体の半田を接合部に供給してから外部より加熱し、半田を溶融させる方法と、予め溶融させた半田を接合部にあたる空隙に流し込む方法とがある。どちらの場合も、その後、冷却して半田を凝固させることによって接合が完成する。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１０−１６３６２０号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半田は、溶融状態から固体状態に変化する時に、凝固収縮によって体積が３％程度減少する。そのため、基板と基板との接続部では、半田が最後に凝固する部分に入江状に半田が後退したエリアが発生することがある。この後退したエリアをここではヒケと呼ぶことにする。ヒケには半田が存在しないため、セラミック基板からベース板へ熱が流れる時の抵抗となり、放熱特性に悪影響を及ぼす。さらにこのヒケは、製品の使用される環境下で温度変化が加わった時に、セラミック基板とベース板の熱膨張係数の差異によって半田に熱応力が作用し、半田に疲労亀裂が発生する場合の起点となる。
【０００６】
この発明は以上のような不具合を解決するためになされたもので、ろう材を使用して半導体装置を製作する際に、ろう材にヒケが発生することを防ぐことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体装置は、半導体素子と、この半導体素子を搭載する基板と、半導体素子と基板の間に供給されたろう部材を備えており、ろう部材の外周表面に厚さ５ｎｍ以上の酸化膜が形成されているものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１は、本発明に係わる半導体装置の断面を表す側面図である。シリコン基板等に形成された半導体素子１はセラミック基板２に搭載されている。セラミック基板２は、ＡｌＮ等の熱伝導性の良いセラミック板で芯材が構成され、このセラミック板の上面と下面にはＣｕ等の導体層１１が形成されている。セラミック基板２はガラスエポキシなどの複合材料を基材とした基板であってもよく、リードフレームやブロック状の金属であってもよい。ベース板３はセラミック基板２を固定するための基材で、例えばＣｕ合金、Ａｌ合金、あるいはＳｉＣなどのセラミックスとの複合材料からなる。
【０００９】
ソルダレジスト４はエポキシ樹脂等で形成され、ろう部材６の拡散範囲を制限する。ろう部材５、６はＳｎを主成分とするＳｎ−３７Ｐｂ合金半田で、その外周表面（通称フィレット）には厚さ５ｎｍ以上のＳｎの酸化膜８が形成されている。ろう部材５は半導体素子１とセラミック基板２とを接続し、ろう部材６はセラミック基板２とベース板３とを接続している。
【００１０】
なお、ろう部材５、６はＳｎ−３７Ｐｂ合金に限られるものではなく、Ｓｎ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ａｕ，Ａｇの何れかを主成分とする、融点が４００℃以下の合金であれば本発明に同様に適用出来る。中でも、Ｓｎを基合金とする半田は酸化膜が形成され易いので、好ましい。例えば金を主成分とする半田（例えば８０Ａｕ−２０Ｓｎ）であっても、酸素が十分な環境であれば、Ｓｎの酸化膜がフィレットを覆うことができる。また、ろう部材５とろう部材６は、同じ材質である必要はなく、異なる種類のものを適宜選択することが出来る。半導体素子１とセラミック基板２との間の熱伝導に比べ、セラミック基板２とベース板３との間の熱伝導の方が重要であるため、より酸化膜の形成され易いろう材をセラミック基板２とベース板３の間に供給してもよい。
【００１１】
図２は、ろう部材５、６のフィレット部を拡大した図であり、酸化膜８ａはろう部材５、６が溶融している時、酸化膜８ｂはろう部材５、６が凝固した時の形状を示している。図３は、ろう部材６のフィレットの外周形状を上面側から見た時の模式図であり、フィレット９ａはろう部材６が溶融している時の形状を、フィレット９ｂはろう部材６が凝固した時の形状を示している。
【００１２】
次に図４に従って、この半導体装置の製造方法を説明する。まず、大気中、不活性雰囲気中または還元性雰囲気中で、半導体素子１，板状半田５ａ，セラミック基板２，板状半田６ａ，ベース板３を重ね合わせる。このとき、電子部品の半田付け工程ではロジン系フラックスを用いることが一般的であるが、半導体素子の汚損を防ぐためにフラックスの使用を避けてもよい。
【００１３】
その後、この重ね合わせた物を不活性雰囲気または還元性雰囲気中において半田の融点である１８３℃以上に加熱し、板状半田５ａ，６ａを溶融させる。ここで、事前に、半導体素子１，セラミック基板２，ベース板３の接続面を清浄にしておく必要がある。溶融半田５ｂ，６ｂは、それぞれ半導体素子１とセラミック基板２の間、セラミック基板２とベース板３の間に濡れ拡がり、空隙を満たす。
【００１４】
その後、溶融半田５ｂ，６ｂが溶融したままの状態で、雰囲気を大気に開放するなどして酸素を導入すると、溶融半田５ｂ，６ｂの表面は直ちに強制酸化され、酸化膜８ａが形成される。冷却して溶融半田５ｂ，６ｂを凝固させると酸化膜８ａは溶融半田５ｂ，６ｂの凝固収縮によって変形し、酸化膜８ｂになる。この時、酸化膜８ｂが存在するために、溶融半田５ｂ，６ｂは自由な変形を抑制されるので、半田接合部の全周で一様に収縮し、酸化膜８ｂの形状になるだけで、ヒケは発生しなくなる。
【００１５】
すなわちフィレットの酸化膜８が溶融半田５ｂ，６ｂから剥離しない限り溶融半田５ｂ，６ｂの変形は抑制され、体積変化が生じても溶融半田５ｂ，６ｂは自由に形状を変えることができない。その結果、酸化膜８ａが酸化膜８ｂの形状に変形することでフィレットが一様に収縮するので一部分に凝固収縮が集中してヒケを形成することがなくなる。
【００１６】
ただし、酸化膜８が常温の空気中で自然に形成されたいわゆる自然酸化膜であると、その厚さは２〜３ｎｍ程度にしかならず、膜強度が不十分になって破れてしまう。その結果，溶融半田５ｂ，６ｂの自由な変形を許してしまい、ヒケを防止できない。フィレットの一様な収縮を確保するには、酸化膜８の厚さは５ｎｍ以上必要であるが、特に１０ｎｍ以上であると効果がより確実になった。図５は図３と対比して比較されるべき図で、溶融半田６ｂの自由な変形によって、ヒケ７が形成されている状態を示している。半導体素子１に比べると、セラミック基板２の面積の方がかなり大きいため、ヒケ７はセラミック基板２とベース基板３の間で発生しやすいが、本発明によればセラミック基板２とベース基板３の間でもヒケの発生を防ぐことが出来た。
【００１７】
なお、酸化膜を強制的に形成した後に冷却する過程で、溶融したろう材が中央部よりも先に接続部の外周部から凝固が開始しない様に、ベース板の中央部の温度を外周部よりも低くしておくことが好ましい。例えば、中央部の温度を周辺部よりも低温度に保持可能なヒートシンクをベース板に接触させることが考えられる。
【００１８】
実施の形態２．
図６は、本発明の実施の形態２にかかわる半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。図に従って、工程を説明する。まず、大気中、不活性雰囲気または還元性雰囲気中で、予め表面を清浄にしたベース板３の上に半田６ｃを供給し、加熱して溶融させる。この時、供給する半田６ｃの形態はペレット状でもワイヤ状でもリボン状でもあるいは液状でもよい。また、加熱は、半田６ｃを供給する前から行っても、供給後に行ってもよい。その後に、予め表面を清浄にしたセラミック基板２を重ね合わせると、溶融した半田６ｃはベース板３とセラミック基板２の間で広がって溶融半田６ｂの形状となり、濡れが完了する。
【００１９】
さらに、セラミック基板２の上に半田５ｃを供給し、溶融させる。この時も、供給する半田の形態はペレット状でもワイヤ状でもリボン状でもあるいは液状でもよい。その後、予め表面を清浄にした半導体素子１を重ね合わせると、溶融した半田５ｃは半導体素子１とセラミック基板２の間で広がって溶融半田５ｂの形状となり、濡れが完了する。次いで、溶融半田５ｂ，６ｂが溶融したままの状態で、雰囲気を大気に開放するなどして酸素を導入すると、溶融半田５ｂ，６ｂの表面が強制酸化され、酸化膜８ａが形成される。
【００２０】
その後、冷却して溶融半田５ｂ，６ｂを凝固させると酸化膜８ａは半田５ｂ，６ｂの凝固収縮によって変形し、酸化膜８ｂの形状になる。この時、酸化膜８ａが存在するために、溶融半田５ｂ，６ｂは自由な変形を抑制され、半田接続部の全周で一様に収縮するため、酸化膜８ｂの形状になるだけで、ヒケ７の発生を防止することができる。
【００２１】
実施の形態３．
図７は、本発明の実施の形態３にかかわる半導体装置の製造方法における冷却工程を表す図である。図においてノズル１０は冷却ガスを噴出する。実施の形態１または２に従って、工程を進めてきた後、最終工程において、ここに示すノズル１０から酸化性のガス、例えば空気、酸素等を噴出させ、溶融半田５ｂ，６ｂのフィレットに吹き付け、急冷する。これによって、溶融半田５ｂ，６ｂはフィレットの周辺から凝固が始まり、最終凝固部分が半田接合部の内部に収まるため、実施の形態１または２の場合よりも、さらにヒケ７を防止しやすくなる。
【００２２】
【発明の効果】
この発明に係る半導体装置は、半導体素子と、この半導体素子を搭載する基板と、半導体素子と基板の間に供給されたろう部材を備え、ろう部材の外周表面に厚さ５ｎｍ以上の酸化膜が形成されていることにより、ヒケの発生を抑止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係わる半導体装置の断面を表す側面図である。
【図２】半導体装置のフィレットを説明するための拡大図である。
【図３】ヒケが形成されていないフィレットの形状を説明するための図である。
【図４】実施の形態１に係わる製造方法を説明するための図である。
【図５】ヒケが形成されているフィレットの形状を説明するための図である。
【図６】実施の形態２に係わる製造方法を説明するための図である。
【図７】実施の形態３に係わる製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
１  半導体素子、２  セラミック基板、３  ベース板、４  ソルダレジスト、５  ろう部材、  ６  ろう部材、  ７  ヒケ、  ８  酸化膜、  ９  フィレット、  １０  ノズル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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