(57)【要約】　　　（修正有）【課題】　高輝度な蛍光体薄膜およびその製造方法ならびにこれを用いたＥＬパネルを提供する。【解決手段】　蛍光体薄膜は、組成式ＡｘＢｙＯｗＳｚで表される母材を有し、この母材に対し発光中心として機能する物質が含有されている。（上記組成式中のＡはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａおよびＺｎからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素、ＢはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素、Ｏは酸素原子、Ｓは硫黄原子をそれぞれ意味する。また、０＜ｘ＜５、０＜ｙ＜４、０≦ｚ＜８、０≦ｗ＜８であり、０＝ｚ＝ｗとなることはない。）該蛍光体薄膜は、前記の元素の硫化物又は酸化物と、発光中心として機能する物質から蒸着法により薄膜を形成し、アニール処理して製造され、ＥＬパネルに用いられる。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記組成式で表される母材を有し、
ＡｘＢｙＯｗＳｚ
［但し、ＡはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａおよびＺｎからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素、ＢはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素を表し、０＜ｘ＜５、０＜ｙ＜４、０≦ｚ＜８、０≦ｗ＜８であり、０＝ｚ＝ｗとなることはない。］
この母材に対し発光中心として機能する物質が含有されている蛍光体薄膜。
【請求項２】
前記発光中心として機能する物質が、ＭｎまたはＭｎ化合物である請求項１の蛍光体薄膜。
【請求項３】
前記発光中心として機能する物質が、ＥｕまたはＥｕ化合物である請求項１の蛍光体薄膜。
【請求項４】
前記発光中心として機能する物質が、ＣｅまたはＣｅ化合物である請求項１の蛍光体薄膜。
【請求項５】
前記母材は０．００１＜ｗ／（ｚ＋ｗ）＜０．６を満たす、請求項１〜４の何れか一項に記載の蛍光体薄膜。
【請求項６】
請求項１〜５の何れかの蛍光体薄膜を有するＥＬパネル。
【請求項７】
蒸発源として、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａおよびＺｎからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素と、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素の硫化物または酸化物と、発光中心として機能する物質と、が添加されている単一蒸発源を用い蒸着法により薄膜を形成する工程と、形成された薄膜にアニール処理を施す工程と、を有する蛍光体薄膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、蛍光体薄膜およびその製造方法ならびにＥＬパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
　近年、小型または、大型軽量のフラットパネルディスプレイ用の発光素子として、薄膜ＥＬパネルが盛んに研究されている。黄橙色発光のマンガン添加硫化亜鉛からなる蛍光体薄膜を有するＥＬパネルとして、薄膜の絶縁層を用いた２重絶縁型構造のＥＬパネルが知られており、このようなＥＬパネルを用いたモノクロ薄膜ＥＬディスプレイが実用化されている。
【０００３】
　具体的には、このＥＬパネルは、基板上に、所定のパターンの下部電極が形成されていて、この下部電極が形成されている基板上に第１の絶縁層が形成されている。また、この第１の絶縁層上には、蛍光体薄膜、第２の絶縁層が順次形成されるとともに、第２の絶縁層上に上記下部電極とマトリクス回路を構成するように上部電極が所定のパターンで形成されている。蛍光体薄膜の輝度向上のため、ガラス基板の歪み点以下で蛍光体薄膜のアニールを行うのが普通である。
【０００４】
　また、最近では、基板にセラミックス基板を用い、絶縁層に厚膜誘電体層を用いた構造のＥＬパネルが提案されている。さらに、基板に高誘電率のＢａＴｉＯ３薄板を用い、基板の裏側に電極を形成し、薄板を絶縁層兼基板として用いる構造も提案されている。これらの構造では、基板として、アルミナ、ＢａＴｉＯ３などのセラミックスを用いているため、蛍光体薄膜の高温アニールが可能で高輝度化が可能である。また、絶縁層に厚膜または薄板誘電体層を用いているため、絶縁層に薄膜を用いたＥＬパネルに較べて、絶縁破壊に強く、信頼性に強いことが特徴である。ここで、２重絶縁型構造のように蛍光体薄膜を絶縁層でサンドイッチにする構造は必ずしも必要ではない。絶縁層は、厚膜または薄板誘電体層の何れかが片側のみにあれば良い。
【０００５】
　このようなＥＬパネルを用いたディスプレイをパソコン用、ＴＶ用、その他表示用のカラーディスプレイに対応させるためにはＥＬパネルのカラー化が必要不可欠である。
【０００６】
　赤色、緑色、青色の３原色に発光するＥＬパネル用の蛍光体薄膜として、硫化物蛍光体薄膜等が知られている。硫化物蛍光体薄膜を用いた薄膜ＥＬパネルは、信頼性、耐環境性に優れている。硫化物蛍光体薄膜を例示すると、青色発光蛍光体としては、母材（母体材料）としてＳｒＳ、発光中心としてＣｅを用いたＳｒＳ：ＣｅやＺｎＳ：Ｔｍ、赤色発光蛍光体としてはＺｎＳ：Ｓｍ、ＣａＳ：Ｅｕ、緑色発光蛍光体としてはＺｎＳ：Ｔｂ、ＣａＳ：Ｃｅなどが知られており研究が続けられている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　しかしながら、これら赤色、緑色、青色に発光する蛍光体薄膜は、発光輝度が十分でなく、現在、ＥＬパネルを用いたカラーディスプレィは実用化には至っていない。
【０００８】
　具体的には、例えば、赤色用の蛍光体薄膜として、ＣａＳ：Ｅｕを用いた蛍光体薄膜が知られており、比較的色純度の良い発光が得られている。そして、この蛍光体薄膜はさらに特開平１−２０６５９４号公報、特開平２−１４８６８８号公報などによって改良されている。しかしながら、この蛍光体薄膜は、フルカラーディスプレー用の赤色としては、輝度、効率などの発光特性が不足している。なお、特開平２−５１８９１号公報、テレビジョン学会技術報告Ｖｏｌ．１６、Ｎｏ．７６、ｐ７−１１に述べられているように、この蛍光体薄膜は、応答時間として、数秒から数十秒を要するという問題もあり、駆動信号に対してリアルタイムで応答することが要求される動画表示のフルカラーディスプレー用の赤色のＥＬパネルとしてはそのままでは、実用になりにくい。
【０００９】
　一方、輝度と効率の高いオレンジ色の蛍光体薄膜であるＺｎＳ：Ｍｎ膜から発光させたＥＬスペクトルから、カラーフィルタを用いて赤色の波長帯域を切り出して赤色光を得る方法も試みられている。しかし、フィルタを備えるＥＬディスプレイの製造工程は複雑であり、さらに最も問題なのはフィルタによって輝度が低下してしまうことである。具体的には、フィルタを用いて赤色光を取り出すことにより、輝度が１０〜２０％低下してしまう。従って、輝度が不十分となり実用になりにくい。
【００１０】
　また、近年では、各色発光用の蛍光体薄膜として、希土類添加アルカリ土類チオガレート蛍光体［ＭＧａ２Ｓ４：ＲＥ〔Ｍはアルカリ土類元素、ＲＥはセリウム（Ｃｅ）〕］の開発（特開平５−６５４７８号参照）や希土類添加アルカリ土類チオアルミネート蛍光体［ＭＡｌ２Ｓ４：ＲＥ〔Ｍはアルカリ土類元素、ＲＥはセリウム（Ｃｅ）およびユーロピウム（Ｅｕ）〕］の開発（特許第２８４０１８５号）が報告されているが、実用上十分な輝度が得られていない。
【００１１】
　本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、高輝度な蛍光体薄膜およびその製造方法ならびにこれを用いたＥＬパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
　発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、ユーロピウム添加硫化カルシウム（ＣａＳ：Ｅｕ）にイットリウムを加えた複合化合物（例えば、チオイットレート化合物、ＣａＹ２Ｓ４：Ｅｕ）を用いた新組成の蛍光体薄膜から放射される光の輝度が、従来に比して飛躍的に高くなることを見いだし、本発明に想到するに至った。
【００１３】
　本発明に係る蛍光体薄膜は、組成式ＡｘＢｙＯｗＳｚで表される母材を有し、この母材に対し発光中心として機能する物質が含有されている。ここで、上記組成式中のＡはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａおよびＺｎからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素、ＢはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群から選ばれた少なくとも一つの希土類元素、Ｏは酸素原子、Ｓは硫黄原子をそれぞれ意味する。また、０＜ｘ＜５、０＜ｙ＜４、０≦ｚ＜８、０≦ｗ＜８であり、０＝ｚ＝ｗとなることはない。
【００１４】
　このような蛍光体薄膜の発光輝度は、従来に比して十分に高くなる。なお、このような蛍光体薄膜から放射される光の波長は、成分Ａ、成分Ｂ、および発光中心として機能する物質Ｍの組合せに応じて様々である。
【００１５】
　ここで、発光中心として好適に機能する物質としては、例えば、ＭｎまたはＭｎ化合物、ＥｕまたはＥｕ化合物、ＣｅまたはＣｅ化合物が挙げられる。
【００１６】
　また、母材は０．００１＜ｚ／（ｚ＋ｗ）＜０．６を満たすことが好ましく、これにより蛍光体薄膜の寿命が延びる。
【００１７】
　本発明に係る蛍光体薄膜の製造方法は、蒸発源として、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａおよびＺｎからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素と、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素の硫化物または酸化物と、発光中心として機能する物質と、を含む単一蒸発源を用いて蒸着法により薄膜を形成する工程と、形成された薄膜にアニール処理を施す工程と、を有する。
【００１８】
　このような方法によれば、複数蒸発源を用いる際に必要な各蒸発源個々の制御をすることなく、上述の蛍光体薄膜を容易に製造できる。
【００１９】
　また、本発明に係るＥＬパネルは、上述の蛍光体薄膜を有する。
【発明の効果】
【００２０】
　本発明によれば、高輝度に発光するＥＬパネルを提供できるので、高性能なＥＬカラーディスプレイを実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
　以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００２２】
　本実施形態の蛍光体薄膜は、組成式ＡｘＢｙＯｗＳｚ：Ｍで表される蛍光体薄膜である。すなわち、この蛍光体薄膜は、組成式ＡｘＢｙＯｗＳｚで示される母材に、発光中心として機能する物質Ｍが添加されている。
【００２３】
　ここで、元素Ａは、アルカリ土類元素であるマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、あるいは亜鉛のいずれか１種類または２種類以上の組合せである。元素Ｂは、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウ、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム及びルテチウムからなる希土類元素群から選択される１種類又は２種類以上の組合せである。また、Ｏは酸素原子を、Ｓは硫黄原子を示す。さらに、発光中心として機能する物質Ｍは、Ｅｕ、Ｃｅなどの上述の希土類元素や、Ｍｎなどの遷移金属元素、又は、これらの元素を含む化合物である。
【００２４】
　母材の各構成元素のモル比を表すｘ、ｙ、ｚ、ｗは、０＜ｘ＜５、０＜ｙ＜４、０≦ｚ＜８、０≦ｗ＜８であり、ｚとｗとが同時に０になることはない。
【００２５】
　発光中心として機能する物質Ｍとしては、例えば、ＭｎやＭｎ化合物、ＥｕやＥｕ化合物、ＣｅやＣｅ化合物が挙げられる。
【００２６】
　Ｍｎ化合物としては、硫化マンガン、酸化マンガン、塩化マンガン、フッ化マンガン等が挙げられる。
【００２７】
　Ｅｕ化合物としては、硫化ユーロピウム、酸化ユーロピウム、塩化ユーロピウム、フッ化ユーロピウム等が挙げられる。
【００２８】
　Ｃｅ化合物としては、硫化セリウム、酸化セリウム、塩化セリウム、フッ化セリウム等が挙げられる。
【００２９】
　このような構成の蛍光体薄膜は、電界が与えられると従来に比して高輝度に発光する。
【００３０】
　母材の各構成元素のモル比を表すｘ、ｙ、ｚ、ｗのより好適な範囲は、各々、０．５≦ｘ≦１．５、１．５≦ｙ≦２．５、１．５≦ｚ≦４．５、０≦ｗ≦４．５である。
【００３１】
　また、上記母材において、ＯまたはＳのいずれかが存在していればよいが、母材はＳを有する硫化物であることが好ましく、さらに、その場合Ｓの一部がＯに置換されている、すなわち、Ｓ及びＯを両方含む事がより好ましい。Ｏ（酸素原子）は、蛍光体薄膜の寿命を向上させる。母材中のＯの量は、０．００１＜ｚ／（ｚ＋ｗ）＜０．６の範囲が良く、これにより、寿命を長くできる効果が著しい。
【００３２】
　蛍光体薄膜の組成は、蛍光Ｘ線分析（ＸＲＦ）、Ｘ線光電子分析（ＸＰＳ）、ＴＥＭ−ＥＤＳ（Transmission Electron Microscopy - Energy Dispersive X-ray Spectroscopy）等により確認することができる。
【００３３】
　母材の元素Ａとして、好ましいのものは、Ｓｒ，Ｃａである。
【００３４】
　また、母材の元素Ｂとして、好ましいものは、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ等である。
【００３５】
　本発明において、赤色に発光する蛍光体薄膜を得るには、元素ＡをＭｇ、ＣａあるいはＳｒから１種類以上選択し、発光中心として機能する物質ＭとしてＥｕやＥｕ化合物あるいはＭｎやＭｎ化合物を用いることが好ましい。また、元素Ａとして、Ｍｇ、ＣａあるいはＳｒから１種類以上選択し、さらに、ＢａやＺｎを加えてもよい。また、物質Ｍの上記元素Ａに対する含有量は０．１〜１０原子％になるようにすることが好ましい。
【００３６】
　特に、元素ＡとしてＣａを含むと、輝度が高くなる事に加えて、好適な赤の色純度の発光となり、さらに、応答速度が高くなる。元素ＡとしてＣａを含む蛍光体薄膜としては、ＣａｘＹｙＯｗＳｚ：Ｅｕが特に好ましい。中でも、ＣａＹ２Ｓ４：Ｅｕがきわめて好ましく、極めて良好な赤色の発光が得られる。
【００３７】
　また、元素ＡとしてＳｒを含む蛍光体薄膜としては、ＳｒｘＹｙＯｗＳｚ：Ｅｕ、ＳｒｘＹｙＯｗＳｚ：Ｍｎが好ましく、例えば、ＳｒＹ２Ｓ４：Ｅｕ、ＳｒＹ２Ｓ４：Ｍｎが挙げられる。中でも、ＳｒｘＹｙＯｗＳｚ：Ｅｕ、特にＳｒＹ２Ｓ４：Ｅｕは、極めて良好な赤色の発光が得られる。
【００３８】
　また、元素ＡとしてＭｇを含む蛍光体薄膜としては、ＭｇｘＹｙＯｗＳｚ：Ｍｎが好ましく、例えば、ＭｇＹ２Ｓ４：Ｍｎが挙げられる。
【００３９】
　緑色に発光する蛍光体を得るには、元素ＡをＺｎとし、発光中心として機能する物質ＭとしてＭｎやＭｎ化合物を用いることが好ましい。元素Ａとして、Ｚｎに対して、さらにＭｇ、Ｃａ、ＳｒあるいはＢａから選択された１種類以上の元素を加えたものを用いてもよい。また、物質Ｍの上記Ａに対する含有量は０．１〜１０原子％になるようにすることが好ましい。元素ＡとしてＺｎを含む蛍光体薄膜としては、ＺｎｘＹｙＯｗＳｚ：Ｅｕが好ましく、中でもＺｎＹ２Ｓ４：Ｅｕが輝度及び緑の色純度が特に好ましい。このような蛍光体薄膜は、極めて良好な緑色の発光が得られる。
【００４０】
　青色に発光する蛍光体を得るには、元素ＡをＢａとし、発光中心として機能する物質ＭとしてＭｎやＭｎ化合物を用いることが好ましい。元素Ａとして、Ｂａに対して、さらに、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒあるいはＺｎから選択された１種類以上の元素を加えてもよい。また、物質Ｍの上記Ａに対する含有量は０．１〜１０原子％になるようにすることが好ましい。元素ＡとしてＢａを含む蛍光体薄膜としては、ＢａｘＹｙＯｗＳｚ：Ｍｎが好ましく、中でも、ＢａＹ２Ｓ４：Ｍｎは、輝度及び青の色純度が特に好ましい。上記蛍光体薄膜は、極めて良好な青色の発光を得ることが可能である。
【００４１】
　このような材料を用いた蛍光体薄膜の膜厚としては、５０ｎｍ〜７００ｎｍが好ましく、１００ｎｍ〜３００ｎｍがより好ましい。蛍光体薄膜が厚すぎると駆動電圧が上昇し、薄すぎると逆に発光効率が低下する。特にこの範囲にすることにより輝度、発光効率共に優れた蛍光体薄膜、特にＥＬパネルが得られる。
【００４２】
　本発明の蛍光体薄膜は通常結晶状態で存在するが、非晶質状態であってもよい。
【００４３】
　このような蛍光体薄膜を得るには、例えば、スパッタ法や蒸着法等の方法を適応でき、特に以下の蒸着法によることが好ましい。ここでは、Ｃａ１Ｙ２Ｓ４：Ｅｕの組成の蛍光体薄膜を例に説明する。
【００４４】
　まず、硫化カルシウム粉末、硫化イットリウム粉末および硫化ユーロピウム粉末を混合したものを加圧成型した後、アルゴンガスあるいは硫化水素を含むアルゴンガス中で焼き固めて単一のペレット（蒸発源）を得る。そして、電子ビーム蒸発法、すなわち、このペレットに電子ビームを照射してペレットを蒸発させることにより基板上に蛍光体薄膜を形成する。また、硫化イットリウムと硫化ユーロピウムの代わりに、ブラウン管用などで広く用いられているＹ２Ｏ３：Ｅｕ蛍光体粉末やＹ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ蛍光体粉末を用いてペレットを形成すると硫黄の一部を酸素に置き換えたＣａ１Ｙ２ＯｐＳ４−ｐ：Ｅｕの蛍光体薄膜を容易に得ることができる。
【００４５】
　電子ビーム蒸着装置の真空槽には、Ｈ２Ｓガスを導入することが好ましい。ここでＨ２Ｓガスは、作製される蛍光体薄膜のイオウ不足を避けるためや、イオウを蒸発物質と反応させるために用いている。
【００４６】
　このようにして、Ｃａ１Ｙ２Ｓ４：Ｅｕの蛍光体薄膜を得た後、窒素中、Ａｒ中、真空中などの還元雰囲気、酸素中または空気中などの酸化雰囲気で、蛍光体薄膜のアニール処理を行うことが好ましい。アニールの条件としては、好ましくは５００℃〜１０００℃、特に６００℃〜８００℃の範囲の温度で行うとよい。酸化雰囲気中でのアニールは、前述のＳをＯで置換した蛍光体薄膜の組成を合成するときに有効である。これにより、蛍光体薄膜中のＳの一部がＯに置換される。
【００４７】
　発光中心として機能させるべく母材に添加するＥｕは、硫化物ではなく、金属、フッ化物または酸化物の形でペレット中に添加してもよい。添加量は、ペレット中の原料や形成される蛍光体薄膜の組成により異なるので、適当な添加量となるように原料の組成を調整する。
【００４８】
　蒸着中の基板温度は、室温〜６００℃、好ましくは、１５０℃〜５００℃とすればよい。基板温度が高すぎると、蛍光体薄膜の表面の凹凸が激しくなり、蛍光体薄膜中にピンホールが発生し、ＥＬパネルに電流リークの問題が発生してくる。また、蛍光体薄膜が褐色に色づいたりもする。このため、上述の温度範囲が好ましい。
【００４９】
　蒸着時の圧力は好ましくは１．３３×１０−４〜１．３３×１０−１Ｐａ（１×１０−６〜１×１０−３Ｔｏｒｒ）である。またＨ２Ｓなどのガスを導入する際、圧力を調整して６．６５×１０−３〜６．６５×１０−２Ｐａ（５×１０−５〜５×１０−４Ｔｏｒｒ）とするとよい。圧力がこれより高くなると、Ｅガンの動作が不安定となり、組成制御が極めて困難になってくる。ガスの導入量としては、真空系の能力にもよるが５〜２００ＳＣＣＭ、特に１０〜３０ＳＣＣＭが好ましい。
【００５０】
　また、必要により蒸着時に基板を移動、または回転させてもよい。基板を移動、回転させることにより、蛍光体薄膜の組成が均一となり、膜厚分布のバラツキが少なくなる。
【００５１】
　基板を回転させる場合、基板の回転数としては、好ましくは１０回／ｍｉｎ以上、より好ましくは１０〜５０回／ｍｉｎ、特に好ましいのが１０〜３０回／ｍｉｎ程度である。基板の回転数が速すぎると、真空チャンバーのシール性が低下する傾向がある。また、基板の回転数が遅すぎると蛍光体薄膜の膜厚方向に組成ムラが生じたり膜厚が不均一となったりして、作製した蛍光体薄膜の特性が低下してくる。基板を回転させる回転手段としては、モータ、油圧回転機構等の動力源と、ギア、ベルト、プーリー等を組み合わせた動力伝達機構・減速機構等を用いた公知の回転機構により構成することができる。
【００５２】
　ペレットや基板を加熱する加熱手段は所定の熱容量、反応性等を備えたものであればよく、例えばタンタル線ヒータ、シースヒータ、カーボンヒータ等が挙げられる。加熱手段による加熱温度は、好ましくは１００〜１４００℃程度、温度制御の精度は、１０００℃で±１℃が好ましく、±０．５℃程度がより好ましい。
【００５３】
　形成されたＣａ１Ｙ２Ｓ４：Ｅｕ等の蛍光体薄膜は、高結晶性の薄膜であることが好ましい。結晶性の評価は、例えばＸ線回折により行うことができる。結晶性をあげるためには、できるだけ蛍光体薄膜の成膜中の基板温度を高温にすることが好ましい。また、薄膜形成後に、真空中、Ｎ２中、Ａｒ中、Ｓ蒸気中、Ｈ２Ｓ中などで蛍光体薄膜をアニールすることも結晶性をあげるためには効果的である。特に、上述の方法により、硫化物である蛍光体薄膜を得、その後酸化雰囲気中でこの蛍光体薄膜をアニール処理をすることにより、高輝度に発光しかつ寿命の長い蛍光体薄膜が得られる。
【００５４】
　本発明の発光層としての蛍光体薄膜を形成するための装置の構成例の一つを図１に示す。ここでは、硫化バリウムと硫化イットリウムとを含み、さらに発光中心として機能する物質としてのＥｕが添加された混合ペレットを蒸発源とし、Ｈ２Ｓを導入しつつ、蛍光体薄膜を作製する方法を例にとる。図１において、真空層１１内には、発光層としての蛍光体薄膜が形成される基板１２と、ＥＢ蒸発源１４が配置されている。
【００５５】
　ＥＢ蒸発源１４は、発光中心として機能する物質が添加されたペレット１４ａが収納される”るつぼ”４０と、電子放出用のフィラメント４１ａを内蔵した電子銃４１とを有する。
【００５６】
　なお、図示例では、説明を容易にするために蒸発源１４の配置が基板に対して偏在しているようにもみえるが、実際には蒸着される蛍光体薄膜の組成および膜厚が均一となるような位置に配置される。
【００５７】
　真空槽１１は、排気ポート１１ａを有し、この排気ポート１１ａからの排気により、真空槽１１内を所定の真空度にできるようになっている。また、この真空槽１１は、硫化水素などのガスを導入する原料ガス導入ポート１１ｂを有している。
【００５８】
　基板１２は基板ホルダー１２ａに固定され、この基板ホルダー１２ａの固定軸１２ｂは図示しない回転軸固定手段により、真空槽１１内の真空度を維持しつつ、外部から回転自在に固定されている。そして、図示しない回転手段により、必要に応じて所定の回転数で基板１２を回転可能なようになっている。また、基板ホルダー１２ａには、ヒーター線などにより構成される加熱手段１３が密着・固定されていて、基板１２を所望の温度に加熱、保持できるようになっている。
【００５９】
　このような装置を用い、ＥＢ蒸発源１４から蒸発させた材料を基板１２上に堆積結合させ、Ｅｕ添加カルシウムイットレート等の蛍光体薄膜が形成される。そのとき、必要により基板１２を回転させることにより、堆積される蛍光体薄膜の組成と膜厚分布をより均一なものとすることができる。
【００６０】
　本発明の蛍光体薄膜を用いて無機ＥＬパネルを得るには、例えば、図２に示すような構造とすればよい。
【００６１】
　図２は、本発明の蛍光体薄膜を用いた無機ＥＬパネルの構造の一例を示す一部断面図である。図２において、基板１上にはストライプ状パターンの下部電極５が形成されていて、この下部電極５上に誘電体である下部絶縁層２が形成されている。また、この下部絶縁層２上には、発光層としての蛍光体薄膜３、誘電体である薄膜絶縁層４が順次形成されている。薄膜絶縁層４上には、前記下部電極５とマトリクス回路を構成すべく、下部電極５と交差する方向のストライプ状パターンを有する上部電極６が形成されている。
【００６２】
　下部絶縁層２は、厚膜の誘電体である厚膜絶縁層２ａと、この厚膜絶縁層２ａの表面を平坦化するための平坦化層として、ゾルゲル法やＭＯＤ法など溶液塗布焼成法により形成された絶縁層２ｂと、を備えている。なお、下部絶縁層２において絶縁層２ｂがなくても動作は可能である。この場合、厚膜絶縁層２ａを平坦化をすべく、厚膜絶縁層２ａの表面が研磨されていることが好ましい。
【００６３】
　また、基板１、下部電極５、上部電極６、厚膜絶縁層２ａ、絶縁層２ｂ、薄膜絶縁層４のそれぞれの間には、密着性を上げるための層、応力を緩和するための層、反応を防止するバリア層、などの中間層を設けてもよい。
【００６４】
　ここで、特に絶縁層２ｂと蛍光体薄膜３の間にバリア層としてＢａＴｉＯ３薄膜層を設けることが好ましい。また、場合により基板１、下部電極５、上部電極６、厚膜絶縁層２ａ、絶縁層２ｂ、薄膜絶縁層４のそれぞれの間にＢａＴｉＯ３薄膜層を形成しても良い。
【００６５】
　また、さらに、蛍光体薄膜３をＺｎＳ薄膜でサンドイッチすることが好ましく、これにより、蛍光体薄膜の電荷の注入特性、耐電圧特性が向上し、より高輝度なＥＬ素子を得ることができる。ＺｎＳ薄膜の膜厚は、３０ｎｍ〜４００ｎｍが好ましく、１００〜３００ｎｍがより好ましい。
【００６６】
　すなわち、ＥＬパネルは、ＺｎＳ薄膜／蛍光体薄膜／ＺｎＳ薄膜の構造であることが好ましい。また、ＥＬパネルは、ＺｎＳ薄膜／蛍光体薄膜／ＺｎＳ薄膜／・・・／蛍光体薄膜／ＺｎＳ薄膜のように、ＺｎＳ薄膜と蛍光体薄膜とを交互に積層し、かつ、最外層をＺｎＳ薄膜とするような構造であってもよい。
【００６７】
　また、無機ＥＬパネルの構造は、厚膜絶縁層２ａを有さず、蛍光体薄膜３を、例えば、タンタル酸バリウムなどの一対の薄膜誘電体で挟んだ積層構造の両端に薄膜状の電極を形成したものでもよい。
【００６８】
　基板として用いる材料は、厚膜絶縁層２ａの形成温度、絶縁層２ｂや薄膜絶縁層４の形成温度、および蛍光体薄膜３の形成温度、蛍光体薄膜３のアニール温度に耐えうる耐熱温度以上のものであり、所定の強度を維持できるものであれば特に限定されるものではない。厚膜絶縁層２ａを用いる場合には、融点が６００℃以上、好ましくは７００℃以上、特に８００℃以上の耐熱温度を有する基板を用いる。具体的には、ガラス基板やアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ２）、ステアタイト（ＭｇＯ・ＳｉＯ２）、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）、ベリリア（ＢｅＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、炭化シリコン（ＳｉＣ＋ＢｅＯ）等のセラミック基板、結晶化ガラスなど耐熱性ガラス基板を挙げることができる。これらのなかでも特にアルミナ基板、結晶化ガラスが好ましく、熱伝導性が必要な場合にはベリリア、窒化アルミニウム、炭化シリコン等が好ましい。
【００６９】
　また、このほかに、石英、熱酸化シリコンウエハー等、チタン、ステンレス、インコネル、鉄系などの金属基板を用いることもできる。金属等の導電性基板を用いる場合には、基板上に内部に電極を有した厚膜を形成した構造が好ましい。
【００７０】
　厚膜絶縁層２ａの材料としては、公知の厚膜誘電体材料を用いることができる。さらに比較的誘電率の大きな材料が好ましい。
【００７１】
　例えばチタン酸鉛系、ニオブ酸鉛系、チタン酸バリウム系等の材料を用いることができる。
【００７２】
　厚膜絶縁層２ａの抵抗率としては、１０８Ω・ｃｍ以上、特に、１０１０〜１０１８Ω・ｃｍ程度が好ましい。また比較的高い誘電率を有する物質であることが好ましく、その誘電率εとしては、好ましくはε＝１００〜１００００程度である。厚膜絶縁層２ａの膜厚としては、５〜５０μｍが好ましく、１０〜３０μｍが特に好ましい。
【００７３】
　厚膜絶縁層２ａの形成方法は、特に限定されず、１０〜５０μｍ厚の膜が比較的容易に得られる方法が良いが、ゾルゲル法、印刷焼成法などが好ましい。
【００７４】
　印刷焼成法による場合には、まず、材料の粒度を適当に揃え、バインダーと混合し、適当な粘度のペーストとする。つづいて、このペーストを基板上にスクリーン印刷法により形成し、乾燥させる。その後、このグリーンシートを適当な温度で焼成し、厚膜絶縁層２ａを得る。
【００７５】
　薄膜絶縁層４の構成材料としては、例えばタンタル酸バリウム（ＢａＴａ２Ｏ６）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）、ＰＺＴ、ジルコニア（ＺｒＯ２）、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ニオブ酸鉛、ＰＭＮ−ＰＴ系材料等およびこれらの多層または混合薄膜を挙げることができ、これらの材料で薄膜絶縁層４を形成する方法としては、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法、印刷焼成法など既存の方法を用いればよい。この場合の薄膜絶縁層４の膜厚としては、好ましくは５０〜１０００ｎｍ、特に１００〜５００ｎｍ程度である。
【００７６】
　下部電極５は、少なくとも基板１上または厚膜絶縁層２ａ内に形成される。厚膜絶縁層２ａの形成時や、さらに蛍光体薄膜の熱処理時に高温下にさらされる下部電極５は、主成分としてパラジウム、ロジウム、イリジウム、レニウム、ルテニウム、白金、タンタル、ニッケル、クロム、チタン等の１種または２種以上の金属を含む通常用いられている金属電極を用いればよい。厚膜絶縁層２ａを用いず一対の薄膜誘電体で蛍光体薄膜３を挟みこんだＥＬ素子の場合は、下部電極５にはＺｎＯやＩＴＯなどの透明電極を用いることができる。
【００７７】
　また、上部電極６としては、通常、発光を基板と反対側から取り出すため、所定の発光波長域で透光性を有する透明電極であることが好ましい。なお、基板１および厚膜絶縁層２が透光性を有するものである場合は、発光光を基板１側から取り出すべく、下部電極５を透明電極としてもよい。
【００７８】
　透明電極としては、ＺｎＯ、ＩＴＯなどを用いることが特に好ましい。ＩＴＯは、通常Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯとを化学量論組成で含有するが、Ｏ量は多少これから偏倚していてもよい。Ｉｎ２Ｏ３に対するＳｎＯ２の混合比は、１〜２０質量％、さらには５〜１２質量％が好ましい。また、ＩＺＯでのＩｎ２Ｏ３に対するＺｎＯの混合比は、通常、１２〜３２質量％程度である。
【００７９】
　また、これらの電極は、シリコンを有するものでも良い。このシリコン電極層は、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）であっても、アモルファス（ａ−Ｓｉ）であってもよく、必要により単結晶シリコンであってもよい。
【００８０】
　シリコンを有する電極は、主成分のシリコンに加え、導電性を確保するため物質をドーピングする。物質として用いられるドーパントは、所定の導電性を確保しうるものであればよく、シリコン半導体に用いられている通常のドーパントを用いることができる。具体的には、Ｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ａｌ等が挙げられ、これらのなかでも、特にＢ、Ｐ、Ａｓ、ＳｂおよびＡｌが好ましい。ドーパントの濃度としては０．００１〜５原子％程度が好ましい。
【００８１】
　これらの材料で電極層を形成する方法としては、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法、印刷焼成法など既存の方法を用いればよいが、特に、基板１上に内部に下部電極５を有した厚膜絶縁層２ａを形成した構造を作製する場合、厚膜絶縁層２ａの形成と同じ方法で電極層を形成することが好ましい。
【００８２】
　上部・下部電極層４、５の好ましい抵抗率としては、発光層３に効率よく電界を付与するため、１Ω・ｃｍ以下、特に０．００３〜０．１Ω・ｃｍが好ましい。これらの電極層の膜厚としては、形成する材料にもよるが、好ましくは５０〜２０００ｎｍ、特に１００〜１０００ｎｍ程度が好ましい。
【００８３】
　以上、Ｃａ１Ｙ２Ｓ４：Ｅｕ蛍光体薄膜を用いたＥＬパネルについて、説明したが、本発明において元素ＡはＣａに限定されるものではなく、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａおよびＺｎのいずれか１種または２種以上であればよい。また、元素ＢもＹに限定されるものではなく、上述の希土類元素の何れか１種または２種以上であればよい。
【００８４】
　ここで、元素Ａとして、Ｃａ以外のＭｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎの元素を用いる場合には、これらの硫化物や酸化物を含むペレットを用いればよい。また、元素Ｂとして、Ｙ以外の希土類元素を用いる場合も、Ｙ以外の希土類元素の硫化物、酸化物等を含むペレットを用いればよい。
【００８５】
　さらに、発光中心として機能する物質もＥｕでなく、Ｅｕの化合物でもよく、Ｃｅやその化合物、Ｍｎやその化合物等を用いても良い。この場合も、これらの金属や、金属の酸化物、硫化物等を含むペレットを用いればよい。
【００８６】
　さらに、母対材料が硫黄を含まない、すなわち、ｚ＝０の蛍光体薄膜を作製するためには、電子ビーム蒸着装置の真空層内にＨ２Ｓガスを導入せず、かつ、アニール時にもＨ２Ｓガスを導入しなければよい。この場合、例えば、ＣａＹ２Ｏ４：Ｅｕであれば、ＣａＯ、Ｙ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３等を含むペレットによる電子ビーム蒸着や、ＣａＯ、Ｙ２Ｏ３の混合ペレット及びＥｕ２Ｏ３のペレットを用いた２元蒸着法を利用できる。
【００８７】
　そして、このようなＥＬパネルの発光層３において、ＲＧＢの３色に対応する蛍光体薄膜を並設することにより、フルカラーＥＬパネルが得られる。
【００８８】
　このようなＥＬパネルは、主にディスプレイ用のフルカラーパネル、マルチカラーパネル、部分的に３色を表示するパーシャリーカラーパネルに応用することができる。
【実施例】
【００８９】
　以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
【００９０】
　〔実施例１〕
　本発明の蛍光体薄膜を用いたＥＬパネル（ＥＬ素子）を作製した。ガラス基板上にＩＴＯ透明電極を１００ｎｍスパッタリング法により形成し、この上にタンタル酸バリウム薄膜誘電体をスパッタリング法により３００ｎｍ形成した。この上に、ＥＬ薄膜／タンタル酸バリウム薄膜（２００ｎｍ）の構造体を作製した。ＥＬ薄膜は、ＺｎＳ膜（２００ｎｍ）／蛍光体薄膜（３００ｎｍ）／ＺｎＳ膜（２００ｎｍ）の構造とした。
【００９１】
　蛍光体薄膜の作製にあたって、以下のような電子ビーム蒸着法を用いた。
【００９２】
　Ｅｕを０．５ｍｏｌ％添加したＣａ１Ｙ２Ｓ４ペレットを入れたＥＢ源をＨ２Ｓガスを導入した真空槽内に設け、この源より所定の蒸発速度でペレットを蒸発させ、４００℃に加熱し回転させた基板上に蛍光体薄膜を成膜した。蒸発源の蒸発速度は、基板上に成膜される膜の成膜速度が１ｎｍ／ｓｅｃになるように調節した。このときＨ２Ｓガスを２０ＳＣＣＭ導入し、蛍光体薄膜を得た。
【００９３】
　このようにして、ＢａＴａ２Ｏ６膜（２００ｎｍ）／ＺｎＳ膜（２００ｎｍ）／蛍光体薄膜（４００ｎｍ）／ＺｎＳ膜（２００ｎｍ）／ＢａＴａ２Ｏ６膜（３００ｎｍ）／透明電極（１００ｎｍ）／基板の構造の積層体を得た後、７００℃のアルゴン中で１０分間アニールした。
【００９４】
　さらに、得られた積層体上にＩＴＯ酸化物ターゲットを用いＲＦマグネトロンスパッタリング法により、基板温度２５０℃で、膜厚２００ｎｍのＩＴＯ透明電極を形成し、ＥＬパネルを完成した。
【００９５】
　得られたＥＬパネルの２つの電極間に１ｋＨｚ、パルス幅５０μＳの電界を印加することにより、４００ｃｄ／ｍ２、ＣＩＥ １９３１色度図で（０．６７，０．３３）のＮＴＳＣレベルの赤色発光輝度が再現良く得られた。本ＥＬパネルでは、電圧を印加してから発光が安定するまでの応答時間が、従来例では数秒から数十秒であったものが、２０ｍｓ以下まで向上していた。図３に発光スペクトルを、図４にＬ−Ｖ特性を示す。従来に較べ、高輝度のＥＬパネルが得られることがわかる。
【００９６】
　ここで、蛍光体薄膜の組成を蛍光Ｘ線分析により調べたところ、各元素のモル比は、Ｃａ：Ｙ：Ｓ：Ｅｕ＝１０．３６：２９．２４：４３．４９：０．５７であった。
【００９７】
　〔比較例１〕
　蛍光体薄膜を、従来赤色ＥＬ材料として優れていると言われているＣａＳ：Ｅｕとする以外は、実施例１と同様にしてＥＬパネルを得た。得られたＥＬパネルの発光輝度は、１ｋＨｚ駆動で８０ｃｄ／ｍ２程度であり、かつ、電圧を印加してから発光が安定するまでの応答時間が、数秒から数十秒であり、カラーディスプレイのＥＬパネルとするためには、より高輝度化と応答性の改善が必要であった。発光スペクトルを図３に示す。
【００９８】
　〔実施例２〕
　実施例１において、蛍光体薄膜の材料をＣａ１Ｙ２Ｓ４：Ｅｕから種々のイットレート蛍光体に変えることにより各種のＥＬパネルを作製した。具体的には、各イットレート蛍光体をＢａ１Ｙ２Ｓ４：Ｅｕ、Ｓｒ１Ｙ２Ｓ４：Ｅｕ、Ｂａ１Ｙ２Ｓ４：Ｍｎ、Ｓｒ１Ｙ２Ｓ４：Ｍｎ、Ｍｇ１Ｙ２Ｓ４：Ｍｎ、Ｚｎ１Ｙ２Ｓ４：Ｍｎとした。これらのチオイットレート蛍光体を用いたＥＬパネルの発光ピーク波長とＣＩＥ １９３１色度値とを表１に示す。ここで、発光ピーク波長及び色度値についてはＰＬ（Photo Luminescence）スペクトルから算出した。各蛍光体薄膜のＰＬスペクトルの測定結果を図５，６に示す。
【表１】
2004137480.tif 000002
　これらのＥＬパネルは、いずれも、実施例１と同等程度の高輝度の発光を呈した。中でも、Ｓｒ１Ｙ２Ｓ４：Ｅｕの輝度は７００ｃｄ／ｍ２と著しく高くなった。
【００９９】
　また、ＰＬスペクトルの結果から、特にＳｒ１Ｙ２Ｓ４：Ｅｕからきわめて色純度の良い高輝度赤色発光が得られ、Ｂａ１Ｙ２Ｓ４：Ｍｎから高輝度な青色発光が得られたのがわかる。Ｓｒ１Ｙ２Ｓ４：Ｅｕの電圧−輝度特性を図７に示す。
【０１００】
　さらに、ＺｎＹ２Ｓ４：Ｍｎからはきわめて色純度の良い緑色の高輝度発光が得られた。
【０１０１】
　なお、実施例１で得られたＣａ１Ｙ２Ｓ４：ＥｕのＥＬパネルについてのＰＬスペクトルも図５に、このＰＬスペルトルにより得られた実施例１のＥＬパネルの発光ピーク波長及び色度値についても表１に各々示す。
【０１０２】
　これによって、Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｍｇからなるアルカリ土類金属やＺｎと、イットリウムと、を含む複合硫化物に、発光中心として機能する物質を添加した蛍光体薄膜は、従来に比してきわめて高輝度に発光することが確認された。ここで、イットリウムに代えて、イットリウムと同様の性質を有する他の希土類金属を添加しても、同様の効果があるものと類推される。
【０１０３】
　〔実施例３〕
　実施例１において、蛍光体薄膜の材料をＣａ１Ｙ２Ｓ４：ＥｕからＣａ１Ｙ２Ｏ２Ｓ２：Ｅｕ蛍光体に代えたＥＬパネルを作製した。
【０１０４】
　具体的には、ＣａＳ、Ｙ２Ｓ３、Ｙ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｓ３を含むターゲットを用いて蒸着法により形成した。図８に、ＥＬパネルの発光スペクトルを示す。この蛍光体も、実施例１と同様の輝度及び応答性を示した。
【０１０５】
　〔実施例４〕
　実施例１の蛍光体薄膜を用いて厚膜絶縁層を有するＥＬパネル（ＥＬ素子）を作製した。基板、厚膜絶縁体層とも同じ材料であるＢａＴｉＯ３系の誘電体材料（誘電率ε：５０００）を用い、下部電極としてＰｄ電極を用いた。
【０１０６】
　まず、基板のシートを作製し、この上に下部電極、厚膜絶縁層をスクリーン印刷してグリーンシートとし、同時に焼成した。得られた複合基板の表面を研磨し、３０μｍ厚の厚膜絶縁層付き基板を得た。さらに、この上にバリア層としてＢａＴｉＯ３膜をスパッタリング法により膜厚４００ｎｍに形成し、７００℃の空気中でアニールし、複合基板とした。
【０１０７】
　この複合基板上に、ＥＬパネルとして安定に発光させるため、Ａｌ２Ｏ３膜（５０ｎｍ）／ＥＬ薄膜／Ａｌ２Ｏ３膜（５０ｎｍ）の構造体を作製した。ＥＬ薄膜は、ＺｎＳ膜（２００ｎｍ）／蛍光体薄膜（３００ｎｍ）／ＺｎＳ膜（２００ｎｍ）の構造とした。
【０１０８】
　蛍光体薄膜の作製にあたって、実施例１と同様にＣａ１Ｙ２Ｓ４：Ｅｕ薄膜を作製して用いた。
【０１０９】
　得られた積層薄膜は、Ａｌ２Ｏ３膜（５０ｎｍ）／ＺｎＳ膜（２００ｎｍ）／蛍光体薄膜（３００ｎｍ）／ＺｎＳ膜（２００ｎｍ）／Ａｌ２Ｏ３膜（５０ｎｍ）の構造にしてから、７００℃の空気中で１０分間アニールした。
【０１１０】
　さらに、得られた積層薄膜上にＩＴＯ酸化物ターゲットを用いＲＦマグネトロンスパッタリング法により、基板温度２５０℃で、膜厚２００ｎｍのＩＴＯ透明電極を形成し、ＥＬパネルを完成した。
【０１１１】
　得られたＥＬパネルの２つの電極間に１ｋＨｚ、パルス幅５０μＳの電界を印加することにより、５００ｃｄ／ｍ２、ＣＩＥ １９３１色度図で（０．６７，０．３３）の赤色発光輝度が得られた。本ＥＬ素子では、応答性が比較例１で、数秒から数十秒であったものが、２０ｍｓ以下まで向上していた。従来の赤色材料であるＣａＳ：Ｅｕを用いた比較例１のＥＬパネルでは８０ｃｄ／ｍ２程度であったものに対して高輝度のＥＬ素子が得られることがわかる。
【０１１２】
　以上の実施例から明らかなように本発明の蛍光体薄膜を有するＥＬパネルは、高輝度に発光する。
【０１１３】
　このような蛍光体薄膜を用いたＥＬパネルを利用することにより、特に、輝度の高い多色ＥＬパネルやフルカラーＥＬパネルを実現でき、実用的価値は大きい。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】本実施形態の蛍光体薄膜を用いた無機ＥＬパネルの構成例を示す一部断面図である。
【図２】本実施形態の蛍光体薄膜を成膜するための装置の構成例を示す概略断面図である。
【図３】実施例１の一方のＥＬパネル及び比較例１のＥＬパネルの発光スペクトルを示したグラフである。
【図４】実施例１の一方のＥＬパネルのＬ−Ｖ特性を示したグラフである。
【図５】実施例２における発光中心がＥｕのＥＬパネル及び実施例１のＥＬパネルのＰＬスペクトルを示したグラフである。
【図６】実施例２における発光中心がＭｎのＥＬパネルのＰＬスペクトルを示したグラフである。
【図７】実施例２のＳｒ１Ｙ２Ｓ４：ＥｕのＥＬパネルの電圧−輝度特性を示すグラフである。
【図８】実施例３のＥＬパネルの発光スペクトルを示したグラフである。
【符号の説明】
【０１１５】
１…基板、２…下部絶縁層、２ａ…厚膜絶縁体層、２ｂ…溶液塗布焼成法により形成された絶縁層、３…蛍光体薄膜（発光層）、４…薄膜絶縁体層、５…下部電極、６…上部電極（透明電極）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004137480.tif 000007
【図６】
2004137480.tif 000008
【図７】
2004137480.tif 000009
【図８】
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