(57)【要約】【課題】複数の導波管からマイクロ波を供給してプラズマを生成するプラズマ処理装置において、より広範囲に高い密度の均一なプラズマを電磁波源を破壊することなく生成させることができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供すること。【解決手段】プラズマ処理装置（１０）は、プラズマを生成する気密容器（１２）と、気密容器壁の一部となるように設けられた誘電性部材（１４）と、誘電性部材を介して気密容器内に電磁波を導入するように設けられた複数の導波管（１６）と、各導波管に接続された電磁波源と、誘電性部材に設けられた他の導波管から伝播される電磁波電力量を制限する電磁波制限手段（３０，３４，４２）とを具備してなる。【選択図】  図１
2004319870.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを生成する気密容器と、
この気密容器壁の一部となるように設けられた誘電性部材と、
この誘電性部材を介して前記気密容器内に電磁波を導入するように設けられた複数の導波管と、
この各導波管に接続された電磁波源と、
前記誘電性部材に設けられた他の導波管から伝播される電磁波電力量を制限する電磁波制限手段と
を具備してなることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
プラズマを生成する気密容器と、
この気密容器壁の一部となるように設けられた誘電性部材と、
この誘電性部材を介して前記気密容器内に電磁波を導入するように設けられた複数の導波管と、
この各導波管に接続された電磁波源と、
前記誘電性部材の内壁面に設けられた前記プラズマの表皮深さの２倍より大きい（２倍を含まず）幅寸法を有する溝と
を具備してなることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
プラズマを生成する気密容器と、
この気密容器壁の一部となるように設けられた第１の誘電性部材と、第２の誘電性部材と、
この第１および第２の誘電性部材を介して前記気密容器内に電磁波を導入するように設けられた複数の導波管と、
この各導波管に接続された電磁波源と、
前記第２の誘電性部材の内壁面に設けられた前記プラズマの表皮深さの２倍より大きい（２倍を含まず）幅寸法を有する溝と
を具備してなることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記第２の誘電性部材が複数の孔を有し、前記複数の孔より前記プラズマの原料ガスの少なくとも一部を導入することを特徴とする請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記溝は、各導波管の開口部間の前記誘電性部材内に位置させて設けることを特徴とする請求項２から請求項４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
プラズマを生成する気密容器と、
この気密容器壁の一部となるように設けられた誘電性部材と、
この誘電性部材を介して前記気密容器内に電磁波を導入するように設けられた複数の導波管と、
この各導波管に接続された電磁波源と、
前記誘電性部材内に設けられた導電体と
を具備してなることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
プラズマを生成する気密容器と、
この気密容器壁の一部となるように設けられた第１の誘電性部材と、第２の誘電性部材と、
この第１および第２の誘電性部材を介して前記気密容器内に電磁波を導入するように設けられた複数の導波管と、
この各導波管に接続された電磁波源と、
前記第２の誘電性部材内に設けられた導電体と
を具備してなることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記第２の誘電性部材が複数の孔を有し、前記複数の孔より前記プラズマの原料ガスの少なくとも一部を導入することを特徴とする請求項７に記載のプラズマ処理装置
【請求項９】
前記導電体は、各導波管の開口部間の前記誘電性部材内に位置させて設けることを特徴とする請求項６から８のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
複数の電磁波源からの電磁波を誘電性部材を介して気密容器内に伝播して前記気密容器内にプラズマを発生させ、このプラズマにより被処理基板をプラズマ処理するに際し、
前記誘電性部材内を伝播する電磁波電力量を制限した状態でプラズマ処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ処理装置、特に半導体装置、液晶表示装置等の製造過程において膜堆積、表面改質、エッチング等を行うために用いられるプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマ処理装置には、電磁波発振器のような電磁波源で生じさせた電磁波、特にマイクロ波を、導波管に設けられた複数の開口から誘電性部材を通してプラズマ生成容器内に導くようにしたものがある。
【０００３】
この種のプラズマ処理装置により半導体ウエハでは、８インチから１２インチのウエハのプラズマ処理装置が一部実用化されている。他方、液晶表示装置用ガラス基板は、大型化し、１ｍ角以上になっている。このように大型の被処理体に対してプラズマ処理装置には、複数の導波管により広範囲にマイクロ波を供給することが検討されている。即ち処理対象である基板の大型化に対処するため、複数の導波管を並べて配置したプラズマ処置装置が開発されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかし、複数の導波管を配置すると、各導波管から放射されたマイクロ波が互いに干渉し、あるいは前記電磁波源に引き込まれ、このために、プラズマの生成が不安定となり、あるいは前記電磁波源が破壊されるという問題が生じた。
【０００５】
この問題の解決のため、金属製の格子状の梁によって複数の区画に分割された誘電性部材（誘電体窓）を使用することが考えられている。このような複数分割は、前記導波管の各開口から放射されるマイクロ波は各誘電体窓を通して夫々独立に前記容器内に導かれ、マイクロ波の相互干渉が回避される。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−２８０１９６号公報（第３頁）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記格子状の梁を配置したこと、さらに前記誘電体窓と前記梁との間を封止するためのシール材の配置を必要とすること等から、前記梁を配置しない場合と比べて、前記誘電性部材における前記マイクロ波のための透過面積（開口率）は小さいものとなる。このため、プラズマ処置容器内におけるプラズマの生成領域が狭い範囲に制限され、また高密度のプラズマに曝される前記金属製の梁のために被処理基板に対する汚染が懸念される。
【０００８】
本発明の目的は、複数の導波管からマイクロ波を供給してプラズマを生成するプラズマ処理装置において、より広範囲に高い密度の均一なプラズマを電磁波源を破壊することなく生成させることができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るプラズマ処理装置は、プラズマを生成する気密容器と、この気密容器壁の一部となるように設けられた誘電性部材と、この誘電性部材を介して前記気密容器内に電磁波を導入するように設けられた複数の導波管と、この各導波管に接続された電磁波源と、前記誘電性部材に設けられた他の導波管から伝播される電磁波電力量を制限する電磁波制限手段とを具備してなることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る他のプラズマ処理装置は、前記気密容器と、前記誘電性部材と、前記複数の導波管と、前記電磁波源と、前記誘電性部材の内壁面に設けられた前記プラズマの表皮深さの２倍より大きい（２倍を含まず）幅寸法を有する溝とを具備してなることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係るさらに他のプラズマ処理装置は、前記気密容器と、この気密容器壁の一部となるように設けられた第１の誘電性部材と、第２の誘電性部材と、この第１および第２の誘電性部材を介して前記気密容器内に電磁波を導入するように設けられた複数の導波管と、この各導波管に接続された電磁波源と、前記第２の誘電性部材の内壁面に設けられた前記プラズマの表皮深さの２倍より大きい（２倍を含まず）幅寸法を有する溝とを具備してなることを特徴とする。前記第２の誘電性部材が複数の孔を有し、前記複数の孔より前記プラズマの原料ガスの少なくとも一部を導入するものとすることができる。また、前記溝は、各導波管の開口部間の前記誘電性部材内に位置させて設けることができる。
【００１２】
本発明に係るさらに他のプラズマ処理装置は、プラズマを生成する気密容器と、この気密容器壁の一部となるように設けられた誘電性部材と、この誘電性部材を介して前記気密容器内に電磁波を導入するように設けられた複数の導波管と、この各導波管に接続された電磁波源と、前記誘電性部材内に設けられた導電体とを具備してなることを特徴とする。
【００１３】
本発明に係るさらに他のプラズマ処理装置は、プラズマを生成する気密容器と、この気密容器壁の一部となるように設けられた第１の誘電性部材と、第２の誘電性部材と、この第１および第２の誘電性部材を介して前記気密容器内に電磁波を導入するように設けられた複数の導波管と、この各導波管に接続された電磁波源と、前記第２の誘電性部材内に設けられた導電体とを具備してなることを特徴とする。前記第２の誘電性部材が複数の孔を有し、前記複数の孔より前記プラズマの原料ガスの少なくとも一部を導入するものとすることができる。また、前記導電体は、各導波管の開口部間の前記誘電性部材内に位置させて設けることができる。
【００１４】
本発明に係るプラズマ処理方法は、複数の電磁波源からの電磁波を誘電性部材を介して気密容器内に伝播して前記気密容器内にプラズマを発生させ、このプラズマにより被処理基板をプラズマ処理するに際し、前記誘電性部材内を伝播する電磁波電力量を制限した状態でプラズマ処理することを特徴とする。
【００１５】
本発明によれば、前記気密容器内に別途供給されるプラズマ生成のための原料ガスの存在の下、各導波管の開口から前記誘電性部材（第１の誘電性部材）を通して例えばマイクロ波が前記容器内に導入される。このとき、前記誘電性部材に設けられた他の導波管から伝播される電磁波電力量が前記電磁波制限手段により制限され、プラズマ処理される。
【００１６】
本発明にあっては、前記電磁波制限手段は、例えば前記誘電性部材の内壁面に設けられた溝からなり、該溝はプラズマの表皮深さの２倍より大きい（２倍を含まず）幅寸法を有する。前記溝を満たす前記プラズマは導電性を有し、前記マイクロ波は前記プラズマの表皮深さ以上の距離を伝播することができないという性質を有する。このことから、互いに隣接する両導波管から放射され前記誘電性部材中を両導波管の相互間下の溝に向けて伝播する２つのマイクロ波は、いずれも前記溝内を通過することができず、前記溝内のプラズマはいわば前記マイクロ波の伝播を遮断する壁をなす。その結果、マイクロ波同士の相互干渉の発生が防止される。また、他の導波管からのマイクロ波が導入されてマイクロ波源が破壊するのを防止することができる。さらに、前記プラズマ自体を遮断壁としたことから、従来における金属製梁によるプラズマ処理対象（基板）の汚染を回避するとともに、従来に比べてより大きい開口比、すなわち前記マイクロ波のためのより大きい透過面積を得ることができる。
【００１７】
このようなマイクロ波の相互干渉の発生防止は、前記第１の誘電性部材におけると同様に前記第２の誘電性部材の内壁面に設けられた溝によっても同様に達成することができる。また、前記第２の誘電性部材は、原料ガスを供給するための複数の孔を有することから、前記孔を通して、前記プラズマ生成空間への前記原料ガスの供給をより均一にすることができる。前記第１及び第２の誘電性部材に設けられた溝は、好ましくは、前記導波管の開口相互間下に設けられる。
【００１８】
また、前記第１の誘電性部材中に金属製の壁のような導電体を設けたときは、前記導電体が、前記溝内のプラズマと同様の作用をなす。すなわち、前記導電体が前記マイクロ波の伝播の遮断壁をなす。また、前記導電体は前記容器のプラズマ生成空間に露出していないため、前記導電体の前記プラズマに対する暴露及びこれに伴うプラズマ処理対象への汚染は生じない。
【００１９】
このようなマイクロ波の相互干渉の発生防止は、前記第１の誘電性部材におけると同様に設けられた前記第２の誘電性部材中の導電体によっても同様に達成することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
次に本発明に係るプラズマ処理装置１０を高密度プラズマ処理装置に適用した実施形態を図１及び図２を参照して説明する。
【００２１】
プラズマ処理装置１０は、プラズマの発生空間又は生成空間１１となる気密容器１２と、この気密容器１２の一部壁面を形成するように設けられたマイクロ波を通過させ、大気と隔離するための誘電性部材１４と、誘電性部材１４上に配置されたプラズマを生成するための電磁波、例えばマイクロ波を伝送するための複数（図示の例では４つ）の導波管１６とを備える。
【００２２】
図示の気密容器１２は、その横断面形状が矩形を呈し、気密容器１２の一部例えば上面が上方に向けて開放する矩形状の開口１７を有する。気密容器１２は、図示の例に代えて、矩形状以外の任意の横断面形状を有するものとすることができる。
【００２３】
気密容器１２には、前記プラズマの生成のために用いられる原料ガスを気密容器１２内に導入するための導入孔１８と、気密容器１２内の不要ガスをその外部に排出するための排気ポンプに接続された排出孔２０とが設けられている。前記原料ガスは、プラズマ処理装置１０による処理の内容に応じて選択的に供給されるガスであり、例えば酸素ガス、モノシランガス、アンモニアガス、塩素ガス等からなる。
【００２４】
気密容器１２の内部には、前記プラズマ処理が施される被処理体２２、例えば液晶パネル用の１ｍ角のガラス基板を支持するための支持台２４が設けられている。気密容器１２に取り付けられた誘電性部材１４は、前記プラズマの発生に用いられるマイクロ波のような電磁波（符号２８を付して示す図２の矢印参照）を高効率で例えば９０％以上透過させる石英、アルミナ、窒化アルミニウム等からなる。
【００２５】
図示の誘電性部材１４は全体に矩形状のプレートからなり、気密容器１２の上端部においてその開口１７に気密に嵌合され、かつ気密容器１２の壁に支持されている。この気密容器１２には、気密容器１２の開口１７が誘電性部材１４により気密に塞がれたもので、気密容器１２内のプラズマ生成空間１１を真空状態とすることが可能とされている。
【００２６】
複数の導波管１６は、誘電性部材１４に接して、また等間隔で配置され、気密容器１２の前記横断面形状である矩形の一辺、したがって誘電性部材１４の１側縁と平行に伸びている。導波管１６は、その長手方向に互いに接触又は間隔をおいて設けられた複数（図示の例では５つ）の開口２６を有する。各開口２６は、誘電性部材１４に向けて開放している。導波管１６は、これに接続された電磁波発振器のような電磁波源（図示せず）から発信された電磁波２８例えばマイクロ波を低損失で伝送する機能を有し、アルミニウムのような金属からなる。
【００２７】
導波管１６を伝送されたマイクロ波のような電磁波２８は、導波管１６に設けられた複数の開口（スロット）２６を経て誘電性部材１４内に放され、この誘電性部材１４を伝播し、気密容器１２のプラズマ生成空間１１内に至る。誘電性部材１４の全面から電磁波２８が放出され、誘電性部材１４近傍に高密度プラズマが生成される。
【００２８】
前記プラズマは、気密容器１２のプラズマ生成空間１１内への前記原料ガスの供給及び電磁波２８の導入により生成される。このとき隣のスロット２６から放出された電磁波が流入し、帰置電磁波Ｍ（図３）となって電磁波源に大電力の電磁波が入射し、電磁波源は破壊されている。この破壊を防止するために隣り合うスロット２６間に電磁波流入量制限手段が設けられている。この電磁波流入量制限手段は、例えば誘電性部材１４に設けられた溝３０であり、他の例は導電体である。この溝３０は、各隣り合うスロット２６間に設けられる。この溝３０の深さは、電磁波の帰置流量によって電磁波源を破壊しない流量となる深さが選択される。溝３０の幅は、プラズマが侵入する幅であり、例えば、プラズマ表皮深さの２倍より大きい幅である。この溝３０により電磁波源に帰還されない電磁波は誘電性部材１４内を伝播し、均一なプラズマの発生に寄与する。
【００２９】
本発明に係るプラズマ処理装置１０にあっては、誘電性部材１４に複数（図示の例では３つ）の溝３０が設けられている。
【００３０】
各溝３０は、互いに隣接する両導波管１６間であって、両導波管１６に平行な方向における下方の高さ位置にあって、導波管１６に沿って伸びている。より詳細には、図示の例では４つの導波管１６が一体に形成されているところ、各溝３０は、隣り合う両導波管１６を仕切る壁３２の下方に位置し、誘電性部材１４の内壁面に設けられている。
【００３１】
図示の各溝３０は矩形の横断面形状を有し、誘電性部材１４の下方の面上で下方に向けて開放している。このことから、溝３０は容器のプラズマ生成空間１１に連なっている。
次に、この溝３０の作用について図３を参照して具体的に説明する。溝３０は、下方のプラズマ生成空間１１内に向けて開放している。このため、プラズマ生成空間１１に前記プラズマが生じると、各溝３０内に前記プラズマが進入し、溝３０は前記プラズマで満たされる。このとき、溝３０は、マイクロ波（電磁波）の伝播を遮断する作用を有するものである。マイクロ波の伝播を遮断する作用を有する溝３０の幅は、プラズマの表皮深さの２倍より大きい幅寸法ａ（２倍は含まず）を有し、溝３０の深さは伝播するマイクロ波Ｍの電力制限量によって定められる。
【００３２】
プラズマの表皮深さδは、式δ＝ｃ／ωｐで求めることができる。
【００３３】
上記式においてｃは光速、ωｐは電子プラズマ周波数（ωｐ＝（ｅ２ｎ０／ε０ｍｅ）１／２）、ｅは素電荷、ｎ０はプラズマ密度（プローブ法で測定）、ε０は真空の誘電率、ｍｅは電子の質量である。
【００３４】
また、各溝３０は、プラズマ生成空間１１で生成されるプラズマの表皮深さの２倍より大きい幅寸法ａ（２倍を含まず）を有する。従って、電磁波、特にマイクロ波は、導電性を有するプラズマ中においてその表皮深さ以上のプラズマ空間を伝播することができない。このため、互いに隣接する２つの導波管１６の開口２６から放射され、誘電性部材１４中を両導波管１６下の溝３０に向けてそれぞれ伝播する２つのマイクロ波があるとき、各マイクロ波は溝３０内のプラズマ中を溝幅ａの半分の距離を進むことができずに消滅する。このようにして、これらのマイクロ波の相互干渉が防止され、生成される前記プラズマの安定化を図ることができる。また、両マイクロ波の一方の導波管１６から伝播されたマイクロ波が他方の導波管１６に導入されてこの導波管１６に接続されたマイクロ波源を破壊しないマイクロ波量に制限する必要がある。この制限量は、溝３０の深さによって行う。
【００３５】
各導波管１６からの電磁波であるマイクロ波は、各スロット２６を介して、誘電性部材１４からなる窓に伝播される。伝播されたマイクロ波の一部は、気密容器１２内に伝播し、他の一部のマイクロ波は誘電性部材１４を伝播する。気密容器１２内に伝播されたマイクロ波は原料ガスを励起してプラズマを発生させる。誘電性部材１４内を伝播するマイクロ波の一部は、溝３０により遮断され、残部のマイクロ波は、誘電性部材１４内を伝播し、気密容器１２内に供給される原料ガスを励起して発生した高密度プラズマを均一化させる。この高密度プラズマは、被処理基板２２の表面に絶縁膜、例えばＳｉＯ２膜を成長させる。原料ガスがエッチングガスであれば、プラズマエッチングプロセスである。
【００３６】
各導波管１６から気密容器１２内に１ｋＷのマイクロ波を供給し、電子密度が１×１０１２ｃｍ−３の電子密度を有するプラズマを生成する場合における溝３０の幅寸法及び深さ寸法は、例えば１５ｍｍ及び３ｍｍに設定する。なお、前記プラズマの表皮深さは、プラズマの電子密度の大きさによって異なるが、前記電子密度の値の下では約５ｍｍである。また、溝３０が形成される板状の誘電性部材１４の厚さ寸法を４０ｍｍに設定する。
【００３７】
誘電性部材１４に溝３０を設けることに代えて、図４に示すように、気密容器１２内において誘電性部材（第１の誘電性部材）１４の下方に配置されかつ気密容器１２に支持された他の誘電性部材（第２の誘電性部材）３３に溝３４を設けることができる。
【００３８】
第２の誘電性部材３３は、第１の誘電性部材１４と同じ材質のものでもあっても、また異なる材質のものであってもよい。図示の例では、第２の誘電性部材３３は第１の誘電性部材１４と同じ材料で形成された、第１の誘電性部材１４より小さい厚さ寸法を有するプレートからなる。
【００３９】
第２の誘電性部材３３の溝３４は、図１に示す例における溝３０と同じ大きさの横断面形状を有し、互いに隣り合う両導波管１６を仕切る壁３２の下方に位置し、また気密容器１２のプラズマ生成空間１１に開放し、これと連なっている。したがって、溝３４も、溝３０と同様の機能を有する。すなわち、溝３４は、その内部に前記マイクロ波のような電磁波の遮断壁が形成されるように、プラズマ生成空間１１で生じたプラズマの一部を受け入れる。
【００４０】
第２の誘電性部材３３と第１の誘電性部材１４との間には、気密容器１２のプラズマ生成空間１１に供給される前記原料ガス（符号Ｇを付した矢印で示す。）を通すためのわずかな隙間３６が設けられている。また、第２の誘電性部材３３には、これを上下に貫通する複数の孔３８が設けられている。これらの孔３８は、隙間３６と気密容器１２のプラズマ生成空間１１とに連通している。したがって、隙間３６に通された前記原料ガスは、第２の誘電性部材３３の個々の孔３８を経て、孔３８からプラズマ生成空間１１内にシャワーのように降り注ぐ。これにより、プラズマ生成空間１１に前記原料ガスを比較的均一に供給することができる。
【００４１】
図４に示す例では、さらに、第１の誘電性部材１４に金属製（例えばステンレス製）の複数の梁４０が埋め込まれている。より詳細には、複数の梁４０により第１の誘電性部材１４が複数の部分に分割されている。各梁４０は、互いに隣接する両導波管１６相互間の下方位置、具体的には両導波管１６の仕切り壁３２の下方にあってこれに接しており、また第２の誘電性部材３３の孔３８の上方に位置する。梁４０は、仕切り壁３２にしたがって導波管１６に沿って伸びている。この例によれば、梁４０により、第１の誘電性部材１４の曲げに対する補強を図ることができる。
【００４２】
第２の誘電性部材３３の厚さ寸法は、例えば２０ｍｍであり、また孔３８の横断面における幅寸法及び深さ寸法の大きさはそれぞれ１５ｍｍ及び１３ｍｍとすることができる。
【００４３】
第１及び第２の誘電性部材１４，３３にそれぞれ溝３０，３４を設ける図１及び図４に示す例に代えて、図５に示すように、誘電性部材１４に導電体例えば金属製の複数の壁４２（具体的にはアルミニウム、ステンレス、金、銅など）を埋め込んで設けたものである。
【００４４】
壁４２は矩形の横断面形状を有する板状体又は棒状体からなり、互いに隣接する導波管１６相互間の下方の位置、図示の例では両導波管１６の仕切り壁３２下にあってこれと接しかつ導波管１６に沿って伸びている。壁４２は、誘電性部材１４の前記１の側縁と同じ長さ寸法を有する。
【００４５】
この例によれば、図６に示すように、導電性を有する壁４２は、前記溝３０，３４内のプラズマのように誘電性部材１４内を伝播する前記マイクロ波のような電磁波に対して遮断壁である。このため、前記マイクロ波の相互干渉及び前記マイクロ波発振源への引き込み現象の発生を図６に示すように阻止することができる。
【００４６】
壁４２は、気密容器１２のプラズマ生成空間１１に露出しないように誘電性部材１４内に埋め込まれ、この誘電性部材１４と一体に設けられている。このことから、プラズマ生成空間１１に生じる前記プラズマに曝されることはなく、前記プラズマに曝される場合に懸念される試料２２の汚染は生じない。また、壁４２は誘電性部材１４の補強材としての機能をも併せ有する。
【００４７】
誘電性部材１４の厚さ寸法は例えば４０ｍｍとし、壁４２の幅寸法及び高さ寸法をそれぞれ５ｍｍおよび３０ｍｍに設定することができる。
【００４８】
図７に示す例では、複数の梁４０により第１の誘電性部材１４が複数の部分に分割されている。
【００４９】
各梁４０は、互いに隣接する両導波管１６相互間の下方位置、具体的には両導波管１６の仕切り壁３２の下方にあってこれに接しており、また第２の誘電性部材３３の金属製の壁４２の上方に位置する。梁４０は、壁４２したがって導波管１６に沿って伸びている。この例によれば、梁４０により、第１の誘電性部材１４の曲げに対する補強を図ることができる。
【００５０】
壁４２は、気密容器１２のプラズマ生成空間１１に露出しないように第２の誘電性部材３３内に埋め込まれ、この誘電性部材３３と一体にされている。このことから、プラズマ生成空間１１に生じるプラズマに曝されることはなく、前記プラズマに曝される場合に懸念される汚染は生じない。また、壁４２は第２の誘電性部材３３の補強材としての機能をも併せ有する。
【００５１】
また、第２の誘電性部材３３には、複数の孔３８が設けられている。前記原料ガスは、第２の誘電性部材３３の個々の孔３８を経て、この孔３８からプラズマ生成空間１１内にシャワーのように降り注ぐ。これにより、プラズマ生成空間１１に前記原料ガスを比較的均一に供給することができる。
【００５２】
第２の誘電性部材３３の厚さ寸法は、例えば２０ｍｍとし、また壁４２の横断面における幅寸法及び深さ寸法の大きさはそれぞれ２ｍｍ及び１３ｍｍとすることができる。
【００５３】
上記実施形態では、プラズマ処理装置として説明したが、プラズマを発生させて被処理体を処理する装置であれば、プラズマＣＶＤ、プラズマエッチング装置、プラズマアッシング装置など、いずれにも適用できることは説明するまでもないことである。
【００５４】
【発明の効果】
本発明によれば、より広範囲に高い密度の均一なプラズマを、電磁波源を破壊することなく生成させることができるプラズマ処理装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の概略的な縦断面図である。
【図２】図１の線２−２に沿って得た横断面図である。
【図３】溝の作用を示す説明図である。
【図４】本発明の他の例に係る部分拡大縦断面図である。
【図５】本発明のさらに他の例に係る部分拡大断面図である。
【図６】導電体の作用を示す説明図である。
【図７】本発明のさらに他の例に係る部分拡大断面図である。
【符号の説明】
１０・・・プラズマ処理装置    １１・・・プラズマ生成空間    １２，１７・・・気密容器及びその開口    １４，３３・・・誘電性部材（第１及び第２の誘電性部材）    １６・・・導波管    ２６・・・開口（スロット）    ３０，３４・・・誘電性部材に設けられた溝    ３６・・・隙間    ３８・・・第２の誘電性部材に設けられた孔    ４０・・・梁    ４２・・・導電体（壁）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
2004319870.tif 000005
【図４】
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【図５】
2004319870.tif 000007
【図６】
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【図７】
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