(57)【要約】【課題】エネルギの熱変換効率が良く、温度分布の均一性が高く、高い温度が得られ、かつ枚葉式の半導体製造装置の基板加熱に適した加熱装置を提供すること。【解決手段】第１の導電体１、及び第１の導電体１を囲むように設けられた第２の導電体２を有し、それらが実質的に大気と遮断された空間３を形成する構造体と、空間を減圧するために構造体に形成された排気口５ｃとを備え、第１の導電体１と第２の導電体２の間に電力を印加して減圧された空間３を放電させ、放電を維持することにより昇温する第２の導電体２を、被加熱物を加熱する手段として用いる。【選択図】  図１
2004335194.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電体、及び前記第１の導電体を囲むように設けられた第２の導電体を有し、それらが実質的に外気と遮断された空間を形成する構造体と、前記空間を減圧するために前記構造体に形成された排気口とを備え、
前記第１の導電体と前記第２の導電体の間に電力を印加して減圧された前記空間で放電を起こさせ、該放電を維持することにより、昇温する前記第２の導電体を、被加熱物を加熱する手段として用いることを特徴とする加熱装置。
【請求項２】
前記構造体は、前記第１の導電体自体、或いは引出し導体を介して前記第１の導電体を前記第２の導電体の外部に引き出す引出し部を有し、該引出し部において前記第１の導電体と前記第２の導電体とを絶縁する絶縁体が設けられていることを特徴とする請求項１記載の加熱装置。
【請求項３】
前記空間に面する側の絶縁体の表面に凹凸を設けたことを特徴とする請求項２記載の加熱装置。
【請求項４】
前記第２の導電体の表面に被加熱物の載置部を有し、かつ該載置部に吸引孔を設けてなり、前記空間を減圧することにより前記載置部に載置した被加熱物を固定することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一に記載の加熱装置。
【請求項５】
第１の導電体と、前記第１の導電体自体、或いは引出し導体を介して前記第１の導電体を前記第２の導電体の外部に引き出す引出し部を除き、前記第１の導電体を囲むように設けられた第２の導電体と、前記引出し部において前記第１の導電体と第２の導電体とを絶縁する絶縁体とを有し、それらが外気と遮断された空間を形成し、かつ前記空間が予め減圧されている構造体を備え、
前記引出し部を通して前記第１の導電体と前記第２の導電体の間に電力を印加して前記減圧された空間で放電を起こさせ、該放電を維持することにより昇温する前記第２の導電体を、被加熱物を加熱する手段として用いることを特徴とする加熱装置。
【請求項６】
前記空間に面する第１の導電体の表面に、電子放射の仕事関数の小さい材料が露出してなることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一に記載の加熱装置。
【請求項７】
前記第２の導電体は耐熱性基体からなり、その表面に緻密で、かつ耐熱性を有する膜がコーティングされていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一に記載の加熱装置。
【請求項８】
前記空間内に放電用ガス以外のガスの吸着材を設けたことを特徴とする請求項５乃至７の何れか一に記載の加熱装置。
【請求項９】
第１の導電体、前記第１の導電体に向い合う第２の導電体、及び前記第１の導電体と第２の導電体を絶縁する絶縁体からなり、それらが外気と遮断された空間を形成する構造体と、前記空間を減圧するために前記構造体に形成された排気口とを備え、
前記第１の導電体と前記第２の導電体の間に電力を印加して減圧された前記空間を放電させ、該放電を維持することにより昇温する前記第１及び第２の導電体のうち少なくとも何れか一を、被加熱物を加熱する手段として用いることを特徴とする加熱装置。
【請求項１０】
前記第１及び第２の導電体のうち少なくとも何れか一の表面に被加熱物の載置部を有し、かつ該載置部に吸引孔を設けてなり、前記空間を減圧することにより、前記載置部に載置した被加熱物を固定することを特徴とする請求項９記載の加熱装置。
【請求項１１】
第１の導電体、前記第１の導電体に向い合う第２の導電体、及び前記第１の導電体と第２の導電体を絶縁する絶縁体からなり、それらが外気と遮断された空間を形成し、その空間が予め減圧されている構造体を備え、前記第１の導電体と前記第２の導電体の間に電力を印加して前記減圧された空間で放電を起こさせ、該放電を維持することにより昇温する前記第１及び第２の導電体のうち少なくとも何れか一を、被加熱物を加熱する手段として用いることを特徴とする加熱装置。
【請求項１２】
前記第１の導電体及び第２の導電体のうちカソード電極として用いる導電体の、前記空間に面する表面に、電子放射の仕事関数の小さい材料が露出してなることを特徴とする請求項９乃至１１の何れか一に記載の加熱装置。
【請求項１３】
前記第１の導電体及び第２の導電体のうち少なくとも何れか一は耐熱性基体からなり、かつその表面に、緻密で、かつ耐熱性を有する膜がコーティングされていることを特徴とする請求項９乃至１２の何れか一に記載の加熱装置。
【請求項１４】
前記空間に放電用ガスを供給するガス供給口を有することを特徴とする請求項１又は９の何れか一に記載の加熱装置。
【請求項１５】
前記放電用ガスは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、水素、窒素、二酸化炭素又は空気のうち少なくとも何れか一であることを特徴とする請求項１４記載の加熱装置。
【請求項１６】
前記減圧された空間の圧力は１０Ｐａ乃至１０００Ｐａの範囲であることを特徴とする請求項１乃至１５の何れか一に記載の加熱装置。
【請求項１７】
前記第１の導電体と前記第２の導電体の間に直流又は交流の電力を供給する電力供給源を有することを特徴とする請求項１乃至１６の何れか一に記載の加熱装置。
【請求項１８】
前記被加熱物を加熱する温度を検出し、前記加熱装置に印加する電力を調整することにより、前記被加熱物を加熱する温度を所定の範囲に保持するフィードバック手段を備えていることを特徴とする請求項１７記載の加熱装置。
【請求項１９】
第１の導電体を囲むように第２の導電体を形成して、外気と遮断された空間を形成し、
該空間を減圧し、
前記第１の導電体と前記第２の導電体の間に直流又は交流の電力を印加することにより前記減圧した空間で放電を起こさせて該放電を維持し、
前記放電を維持することにより昇温した第２の導電体により被加熱物を加熱することを特徴とする加熱方法。
【請求項２０】
第１の導電体、前記第１の導電体に向い合う第２の導電体、及び前記第１の導電体と前記第２の導電体を絶縁する絶縁体により外気と遮断された空間を形成し、
該空間を減圧し、
前記第１の導電体と前記第２の導電体の間に直流又は交流の電力を印加することにより前記減圧した空間で放電を起こさせて該放電を維持し、
前記放電を維持することにより昇温した第１及び第２の導電体のうち少なくとも何れか一により被加熱物を加熱することを特徴とする加熱方法。
【請求項２１】
前記減圧した空間の圧力は１０Ｐａ乃至１０００Ｐａの範囲であることを特徴とする請求項１９又は２０の何れか一に記載の加熱方法。
【請求項２２】
前記空間を排気することにより前記空間を減圧することを特徴とする請求項１９乃至２１の何れか一に記載の加熱方法。
【請求項２３】
前記空間に放電用ガスを供給しつつ前記空間を排気することにより前記空間を減圧することを特徴とする請求項１９乃至２１の何れか一に記載の加熱方法。
【請求項２４】
前記放電用ガスは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、水素、窒素、二酸化炭素又は空気のうち少なくとも何れか一であることを特徴とする請求項２３記載の加熱方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、加熱装置及び加熱方法に関し、より詳しくは、グロー放電を利用して被加熱物を加熱する加熱装置及び加熱方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造において、近年のプロセス技術の著しい進歩に比較し、使われてきた加熱方式は、抵抗加熱、高周波誘導加熱、ランプ加熱の３つが主である。３つの加熱方式にはそれぞれ一長一短があるが、これまでの小口径ウエハのバッチ式プロセス装置においては、３つの加熱方式を改良し、又は組み合わせることで種々の問題に対処してきている。
【０００３】
ところで、最近では、ウエハサイズが３００ｍｍと非常に大きくなり、バッチ式プロセス装置では対応が難しくなってきたため、酸化、拡散、エピタキシャル成長、アニール等のプロセスにおいて、ウエハを一枚ずつ処理する枚葉式が検討され、採用されるようになってきている。このような状況において、上記のプロセスを実施するための枚葉式装置に用いられる加熱装置は以下のような厳しい条件をすべて満たす必要がある。そのような条件として、
（ｉ）１０００℃前後の高温が出せること、
（ｉｉ）面内温度分布が均一であること、
（ｉｉｉ）高温を必要とするので重金属汚染が無いこと、
（ｉｖ）高温処理中にウエハに歪みが加わらないこと、
（ｖ）昇温／降温速度において５０℃／ｍｉｎ．以上が望めること、
（ｖｉ）省電力の向上が望めること
などが挙げられる。
【０００４】
これらの条件を満たすべく、従来の３つの加熱方式の改良等や、新たな加熱方式による加熱装置が種々検討されている。特許文献１に記載されている加熱装置はグロー放電を用いた新たな加熱方式による加熱装置の一つである。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１０−２２０６９号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の３つの加熱方式では、以下のような欠点が挙げられる。
【０００７】
（ａ）抵抗加熱方式では、７００℃以上のヒータ表面温度を得るためには内部の発熱抵抗線の温度が１０００℃を超えるため断線しやすくなり、また絶縁不良の問題が発生し、金属汚染、輻射損失が比較的大きいことなどが挙げられ、
（ｂ）高周波誘導加熱方式では、大型の基板では温度分布が不均一になりやすく、均一化を図るにはダミー発熱部を大きくする必要があり（中心部しか使えない）、電力も大きくなり、電波障害などによりプラズマＣＶＤ装置への適用に適していないことなどが挙げられ、
（ｃ）ランプ加熱方式では、基板表面状態により輻射率が変化するため温度分布が不均一であること、高温であればあるほど反射で失われる熱量が大きくなるためエネルギ消費量が大きいことなどが挙げられる。
【０００８】
このように、各加熱方式ではいずれも上記（ｉ）乃至（ｖｉ）の条件を満たすことが難しく、また技術改良が飽和の状態にあり、更なる改良も期待できない。
【０００９】
また、従来のグロー放電を用いた新たな加熱方式による加熱装置では、ガイスラー管のような形状の管からの発熱を利用しているので、エネルギの熱変換効率がよいとは言えないし、枚葉式の半導体製造装置の基板加熱に適していない。
【００１０】
本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて創作されたものであり、エネルギの熱変換効率が良く、温度分布の均一性が高く、高い温度が得られ、かつ枚葉式の半導体製造装置の基板加熱に適した加熱装置及び加熱方法を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記した課題を解決するため、請求項１記載の発明は、加熱装置に係り、第１の導電体、及び前記第１の導電体を囲むように設けられた第２の導電体を有し、それらが実質的に外気と遮断された空間を形成する構造体と、前記空間を減圧するために前記構造体に形成された排気口とを備え、前記第１の導電体と前記第２の導電体の間に電力を印加して減圧された前記空間で放電を起こさせ、該放電を維持することにより、昇温する前記第２の導電体を、被加熱物を加熱する手段として用いることを特徴とし、
請求項２記載の発明は、請求項１記載の加熱装置に係り、前記構造体は、前記第１の導電体自体、或いは引出し導体を介して前記第１の導電体を前記第２の導電体の外部に引き出す引出し部を有し、該引出し部において前記第１の導電体と前記第２の導電体とを絶縁する絶縁体が設けられていることを特徴とし、
請求項３記載の発明は、請求項２記載の加熱装置に係り、前記空間に面する側の絶縁体の表面に凹凸を設けたことを特徴とする。
【００１２】
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３の何れか一に記載の加熱装置に係り、前記第２の導電体の表面に被加熱物の載置部を有し、かつ該載置部に吸引孔を設けてなり、前記空間を減圧することにより前記載置部に載置した被加熱物を固定することを特徴とし、
請求項５記載の発明は、加熱装置に係り、第１の導電体と、前記第１の導電体自体、或いは引出し導体を介して前記第１の導電体を前記第２の導電体の外部に引き出す引出し部を除き、前記第１の導電体を囲むように設けられた第２の導電体と、前記引出し部において前記第１の導電体と第２の導電体とを絶縁する絶縁体とを有し、それらが外気と遮断された空間を形成し、かつ前記空間が予め減圧されている構造体を備え、前記引出し部を通して前記第１の導電体と前記第２の導電体の間に電力を印加して前記減圧された空間で放電を起こさせ、該放電を維持することにより昇温する前記第２の導電体を、被加熱物を加熱する手段として用いることを特徴とし、
請求項６記載の発明は、請求項１乃至５の何れか一に記載の加熱装置に係り、前記空間に面する第１の導電体の表面に、電子放射の仕事関数の小さい材料が露出してなることを特徴とし、
請求項７記載の発明は、請求項１乃至６の何れか一に記載の加熱装置に係り、前記第２の導電体は耐熱性基体からなり、その表面に緻密で、かつ耐熱性を有する膜がコーティングされていることを特徴とし、
請求項８記載の発明は、請求項５乃至７の何れか一に記載の加熱装置に係り、前記空間内に放電用ガス以外のガスの吸着材を設けたことを特徴とする。
【００１３】
請求項９記載の発明は、加熱装置に係り、第１の導電体、前記第１の導電体に向い合う第２の導電体、及び前記第１の導電体と第２の導電体を絶縁する絶縁体からなり、それらが外気と遮断された空間を形成する構造体と、前記空間を減圧するために前記構造体に形成された排気口とを備え、前記第１の導電体と前記第２の導電体の間に電力を印加して前記減圧された空間を放電させ、該放電を維持することにより、昇温する前記第１及び第２の導電体のうち少なくとも何れか一を、被加熱物を加熱する手段として用いることを特徴とし、
請求項１０記載の発明は、請求項９記載の加熱装置に係り、前記第１及び第２の導電体のうち少なくとも何れか一の表面に被加熱物の載置部を有し、かつ該載置部に吸引孔を設けてなり、前記空間を減圧することにより、前記載置部に載置した被加熱物を固定することを特徴とし、
請求項１１記載の発明は、加熱装置に係り、第１の導電体、前記第１の導電体に向い合う第２の導電体、及び前記第１の導電体と第２の導電体を絶縁する絶縁体からなり、それらが外気と遮断された空間を形成し、その空間が予め減圧されている構造体を備え、前記第１の導電体と前記第２の導電体の間に電力を印加して前記減圧された空間で放電を起こさせ、該放電を維持することにより、昇温する前記第１及び第２の導電体のうち少なくとも何れか一を、被加熱物を加熱する手段として用いることを特徴とし、
請求項１２記載の発明は、請求項９乃至１１の何れか一に記載の加熱装置に係り、前記第１の導電体及び第２の導電体のうちカソード電極として用いる導電体の、前記空間に面する表面に、電子放射の仕事関数の小さい材料が露出してなることを特徴とし、
請求項１３記載の発明は、請求項９乃至１２の何れか一に記載の加熱装置に係り、前記第１の導電体及び第２の導電体のうち少なくとも何れか一は耐熱性基体からなり、かつその表面に、緻密で、かつ耐熱性を有する膜がコーティングされていることを特徴とし、
請求項１４記載の発明は、請求項１又は９の何れか一に記載の加熱装置に係り、前記空間に放電用ガスを供給するガス供給口を有することを特徴とし、
請求項１５記載の発明は、請求項１４記載の加熱装置に係り、前記放電用ガスは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、水素、窒素、二酸化炭素又は空気のうち少なくとも何れか一であることを特徴とし、
請求項１６記載の発明は、請求項１乃至１５の何れか一に記載の加熱装置に係り、前記減圧された空間の圧力は１０Ｐａ乃至１０００Ｐａの範囲であることを特徴とし、
請求項１７記載の発明は、請求項１乃至１６の何れか一に記載の加熱装置に係り、前記第１の導電体と前記第２の導電体の間に直流又は交流の電力を供給する電力供給源を有することを特徴とし、
請求項１８記載の発明は、請求項１７記載の加熱装置に係り、前記被加熱物を加熱する温度を検出し、前記加熱装置に印加する電力を調整することにより、前記被加熱物を加熱する温度を所定の範囲に保持するフィードバック手段を備えていることを特徴とし、
請求項１９記載の発明は、加熱方法に係り、第１の導電体を囲むように第２の導電体を形成して、外気と遮断された空間を形成し、該空間を減圧し、前記第１の導電体と前記第２の導電体の間に直流又は交流の電力を印加することにより前記減圧した空間で放電を起こさせて該放電を維持し、前記放電を維持することにより昇温した第２の導電体により被加熱物を加熱することを特徴とし、
請求項２０記載の発明は、加熱方法に係り、第１の導電体、前記第１の導電体に向い合う第２の導電体、及び前記第１の導電体と前記第２の導電体を絶縁する絶縁体により外気と遮断された空間を形成し、該空間を減圧し、前記第１の導電体と前記第２の導電体の間に直流又は交流の電力を印加することにより前記減圧した空間で放電を起こさせて該放電を維持し、前記放電を維持することにより昇温した第１及び第２の導電体のうち少なくとも何れか一により被加熱物を加熱することを特徴とし、
請求項２１記載の発明は、請求項１９又は２０の何れか一に記載の加熱方法に係り、前記減圧した空間の圧力は１０Ｐａ乃至１０００Ｐａの範囲であることを特徴とし、
請求項２２記載の発明は、請求項１９乃至２１の何れか一に記載の加熱方法に係り、前記空間を排気することにより前記空間を減圧することを特徴とし、
請求項２３記載の発明は、請求項１９乃至２１の何れか一に記載の加熱方法に係り、前記空間に放電用ガスを供給しつつ前記空間を排気することにより前記空間を減圧することを特徴とし、
請求項２４記載の発明は、請求項２３記載の加熱方法に係り、前記放電用ガスは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、水素、窒素、二酸化炭素又は空気のうち少なくとも何れか一であることを特徴としている。
【００１４】
以下に、上記構成により奏される作用について説明する。
【００１５】
この発明の請求項１に係る第１の加熱装置では、第１の導電体、及び前記第１の導電体を囲むように設けられた第２の導電体を有し、それらが実質的に外気と遮断された空間を形成する構造体とを備え、外気と遮断された空間は予め減圧されておらず、空間を減圧する排気口を有する。また、この加熱装置では、排気口の他に、放電用ガス、例えばヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、水素、窒素、二酸化炭素又は空気のうち少なくとも何れか一を、外気と遮断された空間に供給するガス供給口を設けてもよい。
【００１６】
第１の加熱装置では、外気（減圧された外気も含む。）と遮断された空間は予め減圧されていないので、単に排気口から外気と遮断された空間を排気し、減圧するか、或いは、ガス供給口から放電用ガスを供給しながら、排気口から外気と遮断された空間を排気し、減圧する。また、排気口とガス供給口は逆にしても良い。次いで、例えば、第１の導電体と第２の導電体の間に第２の導電体の電圧が第１の導電体の電圧よりも高くなるように直流電力を印加して、減圧された空間で放電を起こさせ、空間中のガスを電子とイオンに解離させる。この場合、減圧された空間の圧力を例えば、１０Ｐａ乃至１０００Ｐａの範囲とすると、減圧された空間中の放電用ガスはグロー放電し、ガス分子の一部は電子とイオンに解離する。そして、その放電を維持する。
【００１７】
直流電力を印加した場合、電子は高い電圧を印加した第２の導電体に引き寄せられて衝突し、電子から第２の導電体にエネルギ交換が行われる。一方、イオンは低い電圧を印加した第１の導電体に引き寄せられて衝突し、イオンからその導電体にエネルギ交換が行われる。これにより、第１及び第２の導電体がそれぞれ昇温される。さらに、第１の導電体の温度が、その材料の仕事関数に匹敵する温度を超えると、それ自体から熱電子が発生するようになるため、空間内の電子量は気体の電離のみより発生する電子量を超えるようになる。従って、印加電力を増大させることで、最大限、材料の溶融または構造変化により決まる到達可能な温度まで第１及び第２導電体を容易に昇温することができる。
【００１８】
一方、交流電力を印加した場合、第１及び第２の導電体は、ともに電子及びイオンから交互にエネルギを付与されるため、ほぼ同じように、高い温度に昇温される。この場合、熱電子の効果はあまり期待できないが、印加電力を増大させることで、直流印加の場合と同様に、高い基板加熱温度に第１及び第２導電体を容易に昇温することができる。
【００１９】
このようにして、昇温した第１及び第２の導電体のうち、表面を外部に曝している第２の導電体を被加熱物を加熱する手段として用いることで、常温より１０００℃以上の高い基板加熱温度を容易に得ることができる。
【００２０】
また、第２の導電体を被加熱物を加熱する手段として用いているので、その導電体自体を基板の載置部とすることができる。従って、枚葉式の半導体製造装置の基板加熱に適した加熱装置を提供することができる。この場合、基板の載置部の導電体に空間と接続する貫通孔を形成し、基板の載置部に基板を載置して空間内を排気することにより、貫通孔を通して圧力差により基板を固定することが可能である。
【００２１】
さらに、別電源からの電力印加による加熱により金属中から電子を発生させるのではなく、即ち熱陰極カソードを用いるのではなく、空間中のガスを放電させて電子及びイオンを発生させているため、２極構成で良く、最小の電極構成で投入電力の１００％を熱変換できる。また、それらの電子及びイオンのうち少なくとも何れか一により、被加熱物を加熱する手段である導電体に直接エネルギが与えられるため、エネルギの熱変換効率が良い。従って、省電力化、及び装置の小型化を図ることができる。
【００２２】
さらに、第１の導電体と第２の導電体の間の空間に発生する電子及びイオンの衝突によるエネルギ交換を利用しているため、第１及び第２の導電体のうち内部の第１の導電体の形状を調整することにより、放電強度を調整し、電子及びイオンの衝突分布を比較的容易に調整することができる。このため、比較的容易に均一性の高い温度分布が得られる。
【００２３】
また、第１の加熱装置を構成する構造体として、第１の導電体自体、或いは引出し導体を介して第１の導電体を第２の導電体の外部に引き出す引出し部を有し、引出し部において第１の導電体と第２の導電体とを絶縁する絶縁体が設けられているような場合、放電により第１の導電体などからスパッタされた導電粒子が、第１の導電体或いは引出し導体と第２の導電体との間の空間に露出している絶縁体の表面に付着する虞がある。この場合、空間に面する側の絶縁体の表面に凹凸を設けることにより、第１の導電体或いは引出し導体から第２の導電体に至る絶縁体の表面の距離を長くし、堆積物が絶縁物表面上で連続薄膜導体とならないようにすることができる。これにより、その付着物を介して対向する導電体間に生じるリーク電流を抑制することができる。
【００２４】
この発明の請求項５に係る第２の加熱装置では、第１の導電体と、第１の導電体自体、或いは引出し導体を介して第１の導電体を第２の導電体の外部に引き出す引出し部を除き、第１の導電体を囲むように設けられた第２の導電体と、引出し部において第１の導電体と第２の導電体とを絶縁する絶縁体とを有し、それらが外気と遮断された空間を形成し、かつその空間が予め減圧されている構造体を備えている。
【００２５】
第２の加熱装置では、第１の加熱装置と異なり、外気と遮断された空間は予め減圧されている。そして、第１の加熱装置と同様に、第１の導電体と第２の導電体の間に直流又は交流の電力を印加して減圧された空間中のガスを放電させ、その放電を維持することにより第１及び第２の導電体を昇温させる。この場合、外気に露出した第２の導電体を被加熱物を加熱する手段として用いる。
【００２６】
このようにして、第２の加熱装置でも、第１の加熱装置と同様に、エネルギの熱変換効率を良くし、温度分布の均一性を高くし、基板加熱温度を高くし得る。また、第１の加熱装置と異なり、外気から遮断され、かつ予め減圧された空間を有する構造であるため、所謂携帯用の加熱装置とすることができる。上記第１及び第２の加熱装置において、第１の導電体は、空間に面する表面に電子放射の仕事関数の小さい材料が露出してなる。第１の導電体をカソード電極として用いることにより、放電空間内への電子の供給量を増やし、さらにエネルギの熱変換効率を向上させることができる。即ち、第２の導電体は外気や被加熱物に接しているため、第２の導電体に発生する熱は外気中に放射エネルギーとなって失われたり、被加熱物に伝導したりして失われる。また、第２の導電体と第１の導電体は共に昇温するが、第１の導電体は第２の導電体に囲まれている。このようなことから、第１の導電体の方が第２の導電体よりも温度が高くなる。さらに、イオン衝撃によってカソード電極から２次電子が発生し、電子放出も高温側からの方が起こりやすい。従って、内側の第１の導電体を負極（カソード電極）とすることにより、熱電子放出が起こりやすく、その熱電子により電離が促進されると共に、電子流が多くなり電流が流れやすくなる。このため、より低い電力で、効率よく第２の導電体を昇温させることができるので、エネルギの熱変換効率がよく、また、高いレスポンスが得られることになる。
【００２７】
さらに、第２の導電体は耐熱性基体の表面に耐熱性を有し、かつ緻密な膜がコーティングされたものである。ところで、耐熱性基体として例えば黒鉛を用いることができるが、黒鉛は１０００℃以上の熱に耐える高温材料であるが、通常の黒鉛はポーラスで放電空間の密閉性が保てない。従って、少なくとも外気に曝された第２の導電体の表面に、耐熱性を有し、かつ緻密な膜である黒鉛膜やＳｉＣ膜などをコーティングすることにより、第２の導電体内部の放電空間の密閉性を保持できる。これにより、内部圧力を放電が持続できるような状態に保ちながら、耐熱性の向上を図ったヒータを提供することができる。
【００２８】
また、予め減圧され、排気できない空間で放電を起こさせている第２の加熱装置では、特に、空間内に放電用ガス以外のガスの吸着材を設けることにより、放電により導電体などから発生し、空間の真空度を低下させるガスを吸着させて空間の圧力を放電に適した圧力に維持することができる。
【００２９】
この発明の請求項８に係る第３の加熱装置は、第１の導電体、第１の導電体に向い合う第２の導電体、及び第１の導電体と第２の導電体を絶縁する絶縁体を有し、それらが外気と遮断された空間を形成する構造体を備えている。この場合、第１の導電体及び第２の導電体のうち少なくとも基板加熱手段として用いる方を外気に露出させる。
【００３０】
外気と遮断された空間は予め減圧されておらず、空間を減圧する排気口を備えている。この加熱装置では、排気口の他に、放電用ガス、例えばヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、水素、窒素、二酸化炭素又は空気のうち少なくとも何れか一を、外気と遮断された空間に供給するガス供給口を設けてもよい。
【００３１】
そして、第３の加熱装置では、第１の加熱装置と同様に、外気と遮断された空間は予め減圧されていないので、単に排気口から外気と遮断された空間を排気し、減圧するか、或いは、ガス供給口から放電用ガスを供給しながら排気口から外気と遮断された空間を排気し、減圧する。そして、第１の導電体と第２の導電体の間に直流又は交流の電力を印加して減圧された空間中のガスを放電させ、その放電を維持することにより、第１及び第２の導電体が昇温する。第１の導電体及び第２の導電体がともに外気中に露出している場合、第１及び第２の導電体のうち少なくとも何れか一を、被加熱物を加熱する手段として用いることができる。
【００３２】
直流電力を印加した場合、アノードとして用いる導電体に対して電子により、カソードとして用いる導電体に対してイオンによりそれぞれエネルギ交換が行われる。これにより、第１及び第２の導電体がそれぞれ昇温される。一方、交流電力を印加した場合、第１及び第２の導電体は、ともに電子及びイオンから交互にエネルギを付与されるため、ほぼ同じように、高い温度に昇温される。
【００３３】
この場合、第１及び第２の導電体は少なくともいずれかが外気に露出しているため、それらの導電体の両方或いは何れか一を被加熱物の加熱手段として用いることで、１０００℃以上のより高い基板加熱温度を容易に得ることができる。
【００３４】
このようにして、第３の加熱装置では、第１の加熱装置と同様に、エネルギの熱変換効率を良くし、温度分布の均一性を高くし、加熱温度を高くし得る。また、第１の加熱装置と同様に、枚葉式の半導体製造装置の基板加熱に適した加熱装置を提供することができる。
【００３５】
この発明の請求項１０に係る第４の加熱装置では、上記の第３の加熱装置に対して、外気と遮断された空間が予め減圧されている。
【００３６】
第４の加熱装置では、第２の加熱装置と同様に、外気と遮断された空間は予め減圧されているので、そのまま、第１の導電体と第２の導電体の間に直流又は交流の電力を印加して、減圧された空間で放電を起こさせ、その放電を維持する。そして、放電を維持することにより、第１及び第２の導電体が昇温する。従って、第１及び第２の導電体のうち少なくとも何れか一を、被加熱物を加熱する手段として用いることができる。
【００３７】
このようにして、第４の加熱装置によれば、第１の加熱装置と同様に、エネルギの熱変換効率を良くし、温度分布の均一性を高くし、基板加熱温度を高くし得る。また、第２の加熱装置と同様に、外気から遮断され、かつ予め減圧された空間を有する構造であるため、特に、所謂携帯用の加熱装置として有用である。
【００３８】
上記第３及び第４の加熱装置において、第１の導電体及び第２の導電体のうちカソード電極として用いる方は、空間に面する表面に電子放射の仕事関数の小さい材料が露出してなる。これにより、上記第１及び第２の加熱装置と同様に、電子の供給を増やすことができるため、さらにエネルギの熱変換効率を向上させることができる。
【００３９】
さらに、第１の導電体及び第２の導電体のうち少なくとも何れか一は耐熱性基体の表面に耐熱性を有し、かつ緻密な膜がコーティングされたものである。従って、第１の導電体及び第２の導電体のうち少なくとも何れか一が外気に露出している場合でも、上記第１及び第２の加熱装置と同様に、耐熱性の向上を図ることができる上、外部の圧力変化の影響を受けることなく、放電空間の圧力の安定化を図ることができる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００４１】
（第１の実施の形態）
（ｉ）加熱装置の構成
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る加熱装置の全体の構成を示す側断面図であり、図２は、同じく加熱装置の上面図である。図３（ａ）はカソード電極の構造を示す図であり、左側の図が上面図であり、右側の図が側断面図である。なお、以下の説明では、直流印加を想定しているため、第１の導電体をカソード電極１と呼び、第２の導電体をアノード電極２と呼んでいるが、交流印加の場合は、カソード電極１及びアノード電極２の名称は適当ではない。
【００４２】
加熱装置の全体の構成は、図１に示すように、カソード電極（第１の導電体）１と、カソード電極１を囲むように設けられてその内部に外気と遮断された空間３を形成するアノード電極（第２の導電体）２とを備えている。
【００４３】
カソード電極１は、図３（ａ）に示すような円形状導電板（板状導電体）１ａと、円形状導電板１ａの裏面に接続された円柱状導電棒（柱状導電体）１ｂとを備えたきのこ形状を有している。カソード電極１の円柱状導電棒１ｂの中心部を通る排気管５ａが設けられ、排気管５ａは、一端で円形状導電板１ａを貫通する孔５ｂを介して円形状導電板１ａ上部の空間３に開口し、他端が排気口５ｃに接続されている。排気口５ｃに真空ポンプなどの排気手段が接続される。
【００４４】
なお、カソード電極１として図３（ｂ）に示すようなものを用いてもよい。同図の左側は上面図、右側は側断面図である。このカソード電極１の円形状導電板１ａには、少なくとも１つ以上の貫通孔１ｃが設けられている。貫通孔１ｃを設けることによって放電強度分布を調整することができる。従って、円形状導電板１ａ内で貫通孔１ｃを適当に分布させることにより、放電強度分布を調整し、それを通して円形状導電板１ａの外側表面、特に被加熱物の載置部２ａの温度分布を調整することができる。さらには、カソード電極１の一部に針状の突起物を設け（たとえばキノコの枝の横）、放電のきっかけを作るための起電電極（図示せず）を工夫することもできる。カソードの鋭い場所に電界が集中することにより、電界放射を起こし易くするためである。
【００４５】
アノード電極２は、図１に示すように、きのこ形状のカソード電極１に沿ってそれを囲むように設けられ、さらにアノード電極２はカソード電極１と適当な間隔を保って対向するように設けられている。そして、カソード電極１の円形状導電板１ａの上面上方のアノード電極２の表面が、図２に示すような被加熱物の載置面２ａとなっている。被加熱物は載置面２ａの上に直に載せてもよいし、絶縁物を介して載せてもよい。通常はアノード電極２を接地して使うことにより、絶縁物を省略することができる。
【００４６】
また、カソード電極１のきのこ形状の柄の部分に相当する円柱状導電棒１ｂと、円柱状導電棒１ｂと対向するアノード電極２との間の空間に、絶縁体４、例えば、窒化ボロン（ＢＮ）、アルミナセラミック、石英などの何れか一を介在させてこの部分では放電が起こらないようにしている。この絶縁体４は電極１、２間の空間３を外気と遮断する機能も有する。この絶縁体４は、図１のように、空間と接する部分と外気と接する部分とに分けて形成してもよいし、一体的に形成されてもよい。さらに、放電により電極１、２などからスパッタされた導電粒子が電極１、２間の空間３に露出している絶縁体４の表面に付着することにより、その付着物を介して対向する電極１、２間に生じるリーク電流を抑制するため、電極１、２間の空間３に露出する絶縁体４の表面に凹凸４ａを形成し、アノード電極２の側壁内面（Ａ）からカソード電極１の円柱状導電棒１ｂの表面（Ｂ）に至る絶縁体４の表面の距離を長くし、堆積物が絶縁物表面上で連続薄膜導体とならないようしている。
【００４７】
さらに、カソード電極１のきのこ形状の柄の部分に相当する円柱状導電棒１ｂの表面に対向するアノード電極２の側壁には、電極１、２間の空間３に放電用ガスを供給するガス供給口６が設けられている。ガス供給口６はバリアブルリークバルブ８などを介して放電用ガスの供給源と接続されている。放電用ガスとして、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンなどの希ガス、水素、窒素、二酸化炭素又は空気のうち少なくとも何れか一が用いられる。放電用ガスを供給しつつ排気するか、又は放電用ガスを導入せずに単に排気することで、電極１、２間の空間３を、例えばグロー放電に必要な圧力１０Ｐａ乃至１０００Ｐａの範囲に減圧する。このようにガス供給口６を配置することで、ガス供給口６からカソード電極１に設けられた排気管５ａに至るガスの流れを作り、電極からスパッタ現象や昇温によって第１導電体および第２導電体内部から生成するガス、特に放電空間中のガスが酸素を含む空気であり、炭素電極を用いた場合、ＣＯやＣＯ２が発生するが、これを流れの中で運び出すことができる。
【００４８】
なお、排気口５ｃとガス供給口６とは位置が逆でも良く、また、２つをカソード電極１だけ、アノード電極２だけ、或いは絶縁体４の部分だけに限定して配置しても良い。また、排気口５ｃとガス供給口６を共通にしてＴ字管を用いて、ここで圧力調整してもよい。この場合は、円柱状導電棒１ｂには排気管を設けず、単なる棒状でもよい。
【００４９】
また、カソード電極１の円柱状導電棒１ｂの表面に対向するアノード電極２の側壁には、電極１、２間の空間３の真空度を測定するためのダイヤフラム（真空）ゲージ９接続用の開口部７が設けられている。
【００５０】
また、加熱装置はアノード電極２とカソード電極１との間に直流又は交流の電力を供給する電力供給源１０を有する。電力供給源１０は、１００Ｖ乃至１０００Ｖの電圧を印加でき、かつ電圧印加による放電により流れる電流を許容できるような電力供給能力を有する。さらには、アノード電極２の一部に熱計測手段（熱電対温度）を取り付けて温度を測定し、基板加熱温度が一定になるように、供給電源の電流強度を制御するフィードバック回路（図示しない）を設ける。
【００５１】
アノード電極２とカソード電極１の間への電力供給源１０の接続は、直流の場合は、通常はアノード電極２に電力供給源の正の出力端子を接続し、空間３内部のカソード電極１に負の出力端子を接続する。その理由は、熱電子放射は起こるが、熱イオン放射は起こらないためである。直流電力印加により、アノード電極２とカソード電極１は共に昇温するが、外気に曝されているアノード電極２の方がカソード電極１よりも低温となる傾向がある。これは次のような理由による。即ち、アノード電極２は外気や被加熱物に接しているため、アノード電極２に発生する熱は外気中に放射エネルギーとなって失われたり、被加熱物に伝導したりして失われる。また、アノード電極２とカソード電極１は共に昇温するが、カソード電極はアノード電極２に囲まれている。このようなことから、カソード電極の方がアノード電極２よりも温度が高くなる。さらに、実験によれば、カソード電極１を内外どちらにした場合でも両電極を昇温することは可能であるが、内部の電極を負極（カソード電極）にした方が逆の場合よりも安定して放電が起こる傾向がある。これは以下の理由による。即ち、イオン衝撃によってカソード電極１から２次電子が発生し、加熱装置の内部は外部より高温になるため電子放出も高温側からの方が起こりやすい。従って、内側の電極を負極（カソード電極１）にした方がイオン衝撃による２次電子放射や熱電子放射が起こりやすく、それらの電子により、放電だけの時より、電離が増し、かつ電子流が多くなって電流が流れやすくなるためである。さらに、これにより、内側の電極を負極（カソード電極１）にした方が、より低い電力で、安定した放電を起こすことが可能となる。エネルギの熱変化効率が良い。
【００５２】
これに対して、交流の場合は、熱電子の効果はあまり期待できない代わりに、特に制限はない。交流電力印加により、電子及びイオンが交互にアノード電極２及びカソード電極１のそれぞれに衝突するため、アノード電極２とカソード電極１はともに昇温する。この場合にも、カソード電極はアノード電極２に囲まれていることから、カソード電極１の方がアノード電極２よりも温度が高くなる。そして、印加電力を調整することにより、常温以上、数１０００℃程度までの非常に広い加熱温度範囲が得られる。
【００５３】
このような加熱装置では、カソード電極１として、電子放射の仕事関数の小さい材料、例えば、トリウム入りタングステン、酸化イットリウム焼結体、ランタンボライド結晶、酸化トリウムや酸化イットリウムとカーボンおよび導電性セラミックとの複合体、カーボン単体など自体からなるものを用いる。又は、高融点材料、例えば、チタン、タングステン、タンタル、レニウム、モリブデン、イリジウム、ハフニウムなどの特に放電空間に面した表面に、電子放射の仕事関数の小さい材料、例えば、酸化トリウム、酸化イットリウム、酸化バリウム、酸化カルシウム、酸化カリウムなどがコーティングされてなるものを用いることが好ましい。
【００５４】
これにより、それらのコーティング材の持つ仕事関数に匹敵する温度以上で、カソード電極１から電子の供給を増やしてアノード電極２の昇温を容易にし、さらにエネルギ変換効率を向上させることができる。なお、仕事関数は小さければ小さいほど、より低い昇温温度から熱電子効果が得られ、昇温しやすくなる。しかし、現実には仕事関数の小さい材料ほど、活性化（一度温度を上げること）後、外気や水を含むと死活化し、効果がなくなってしまう。また、イオン衝撃を受ける側にコーティングするので、イオン衝撃でも死活化され、さらにはイオンスパッタでたちまち剥げてしまうので、何が最適かは実際に実験して確かめる必要がある。ただし、電極自体の物質の仕事関数が小さければ、剥げてもその働きは持続できるので、さらにはスパッタにより、よりクリーンな状態が保て、電極自体の材料としてそのような物質を用いることにより、その加熱装置はその効果をより一層発揮することができる。
【００５５】
また、カソード電極１の耐熱性材料のうち特にチタンは、塩素系やフッ素系の反応ガスに対する耐腐食性に優れているにもかかわらず、熱伝導が悪いため、基板のヒータ材料として用いられていないが、本発明の実施の形態によれば、高速昇温が可能であり、非常に均一性の高い温度分布を得ることができる。従って、カソード電極１の耐熱性材料としてチタンを用いることで、塩素系やフッ素系の反応ガスに対する耐腐食性に優れ、かつ温度分布の均一性が高い加熱装置を提供することができる。
【００５６】
アノード電極２として、耐熱性基体の表面、例えば少なくとも外気に曝された側の表面に耐熱性を有し、かつ緻密な膜がコーティングされたものを用いることが好ましい。耐熱性基体として黒鉛、タングステン、モリブデン、インコネル、及びステンレスなどのうち何れか一を用い、黒鉛膜、ＳｉＣ膜、窒化ボロン膜、窒化アルミ膜、アルミナ膜などのうち何れか一を用いることができる。これにより、加熱手段であるアノード電極２の耐熱性を増すことができる上、外気に対して放電空間をより完全に密閉することができるため、アノード電極２の外側の圧力変化の影響を受けることなく、放電空間の圧力の安定化を図ることができる。
【００５７】
また、絶縁体４としてＢＮ、アルミナセラミック、窒化珪素セラミック、石英など耐熱性を有する材料からなるものが用いられるが、きのこ形状の柄の部分に対応するアノード電極２の材料の肉厚を薄くすることにより、きのこ形状の傘の部分に対応するアノード電極２で発生する熱が絶縁体４の方に伝導しにくくするようにして、絶縁物の温度上昇による絶縁低下を防ぎ絶縁の信頼性を増加させてもよい。或いは、外気側の絶縁体４を例えばフィン状に切削し、これを冷却しても良い。
【００５８】
（ｉｉ）上記加熱装置を用いた加熱方法
次に、上記加熱装置を用いた加熱方法について図１を参照して説明する。
【００５９】
上記加熱装置のアノード電極（第２の導電体）２により囲まれてなる、外気と遮断された電極１、２間の空間３に放電用ガスを導入しつつ、減圧する。そして、電極１、２間の空間３の圧力を１０乃至１０００Ｐａの範囲に保持する。なお、特に放電用ガスを導入することなく、空気が充満し、大気圧であった電極１、２間の空間３を単に排気することだけで当該空間３の圧力を１０乃至１０００Ｐａの範囲に保持してもよい。
【００６０】
次いで、カソード電極１とアノード電極２の間に直流又は交流の電力を印加する。これにより、減圧した空間３で放電を起こさせ、放電を維持してアノード電極２を昇温させる。電力の印加により放電用ガスが所謂グロー放電し、空間３内の放電用ガスの一部は電子とイオンに解離する。電子は小さくて軽いため、すぐに加速されて次々に気体を電離させ、電子の雪崩現象により空間全体に、かつ一様に放電空間が形成される。カソード電極１の一部に針状の突起物を設けている場合には、電界放射がより起き易くなる。
【００６１】
直流電力を印加した場合、電極１、２間に生じる電界により、電子はアノード電極２の方に加速されてアノード電極２に衝突する。一方、イオンは、電子と反対にカソード電極１の方に加速されてカソード電極１に衝突する。このことにより、グロー放電においては、両電極１、２とも温度が上昇する。さらに、カソード電極１の仕事関数に匹敵する温度を超えると、熱電子がカソード電極１表面からどんどん供給されるようになる。熱電子も気体の電離に寄与するため、加熱はより容易になる。いずれにしても、電極１、２に衝突する電子及びイオンが電流となり、放電気体（プラズマ）は一種の抵抗体となるため、得られる温度は、印加する電力により決まり、数十℃乃至数千℃の範囲が可能である。
【００６２】
一方、交流電力を印加した場合、電極１、２には、交互に正及び負の電圧が印加されるので、電子及びイオンが交互に衝突することになる。これにより、電極１、２は電子及びイオンからのエネルギ交換が行なわれるため、ほぼ同じように高い温度に昇温される。
【００６３】
このようにして昇温したアノード電極２により被加熱物を加熱する。
【００６４】
（ｉｉｉ）上記加熱装置を用いた加熱調査
次に、上記加熱装置を用いて種々調査した結果について、図面を参照して説明する。カソード電極１のきのこ形状の傘の部分に相当する円形状導電板として直径２５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの導電性円板で、かつ図３（ｂ）に示す形状のものを用いている。アノード電極の直径は２８０ｍｍで、その肉厚は上面側面下面の全てが均一で５ｍｍである。また、カソード電極１及びアノード電極２の材料として共に等方性黒鉛（カーボン）を用いた。カソード電極１の円形状導電板１ａとアノード電極２との間の間隔は、上下を共に８ｍｍとした。ＢＮをはさんだ柄の部分の間隔を５ｍｍとした。
【００６５】
調査は、放電気体として空気を用い、空気の放電圧力と放電電圧との関係（図４）、ヘリウムの放電圧力と放電電圧との関係（図５）、空気に関する放電電流と放電電圧の関係（図６）、及び電力印加直後から測定したアノード電極上面の温度の昇温／降温特性（図７）について行なった。
【００６６】
なお、本調査は上述のオールカーボン構造の寸法のヒータ（図１の構造）をアルミニウムの減圧容器（図示せず）に入れ、第２電極であるアノード電極のカーボンの外圧による破損を防止するため、その周辺の圧力を５００Ｐａの一定減圧外気状態に保って調査実験を行った。
【００６７】
まず、空気の放電圧力と放電電圧との関係を調査するため、空間に空気を導入しつつ、空間を排気して、空間の放電圧力をほぼ一定に保ちながら、放電により一旦所定の温度まで昇温する。その温度は図４では５４０℃、図５では４００℃、図６では１８０℃である。なお、昇温により空間に電極材料からガスが放出されるようになり、このガス放出と排気のバランスにより放電圧力が保たれる。従って、実際は放電を起こす気体は空気だけではないと考えられる。
【００６８】
その温度において、放電を安定して持続することができるためのパラメータ（気体の圧力、気体の種類、放電電圧、放電電流）の条件を調査した。即ち、本発明のヒータに投入できる電力は、電圧と電流の積（Ｉ×Ｖ）で与えられるが、放電を安定に持続させことのできる気体の圧力は、ある範囲に限定され、その範囲は気体の種類さらには電極構造により異なる。そして、放電の開始電圧は高ければ高いほど容易であるが、放電が一旦始まると放電気体の抵抗は極端に小さくなり、放電電流（Ｉ）を一定に保った場合、投入電力（Ｉ×Ｖ）は起動時の数分の１まで落ちる。ヒータ加熱のために準備できる電源のコストは、Ｉ×Ｖの大きさで決まる。装置コストを抑えるためには、電源電圧をなるべく低く抑え、電流を大きくする方が有利である。つまり、起動電圧を低く抑え、電流の大きさを調整することにより、ヒータの温度（投入パワー）をコントロールする方が有利である。このような理由から、最大出力電圧６２０Ｖ，最大出力電流２．１Ａの定電圧定電流電源を準備し、図１の装置の調査を行った。即ち、電極１、２の間に直流電力を印加して放電させ、温度が５４０℃に達した状態で、この電源の最大電流が２．１Ａを保持できるような状態にしておき、圧力を変化させたときに安定放電持続電圧が変化する様子を観察した。その結果を図４に示す。なお、上記の定電圧定電流電源はたまたま入手できたものを用いているが、さらに電圧電流供給能力の高い電源が準備できれば、２．１Ａでなく、１０Ａでも可能である。
【００６９】
図４の縦軸は線形目盛で表した放電電圧（Ｖ）を示し、横軸は線形目盛で表した空気の放電圧力（Ｐａ）を示す。
【００７０】
図４に示すように、気体の圧力を徐々に低くしてやると、放電持続電圧はどんどん高くなり、投入できる電力を大きくできる。この理由は、内部の圧力が低くなると、電子が気体に衝突するまでの平均距離が増し、この間に電子はより加速されるためである。３０Ｐａ位になると調査のために準備した電源装置の最大電圧に達し、フルパワーの電力投入ができる。しかし、これ以下の圧力では、放電は不安定になり、一旦放電が停止してしまうと、再起動が難しくなることが分かった。また逆に３００Ｐａ以上の圧力でも放電は不安定になった。これに対して、１００Ｐａから３００Ｐａの間では、圧力が多少変化しても、起動は非常に容易で、常に３７０〜３８０Ｖで安定して電流を流すことができた。このように、本実施形態の加熱装置では６００Ｖの起動電圧が必要であるが、放電維持電圧は４００Ｖでよい。例えば、放電維持電源とは別に起動用電源として小電流の起動専用電源を準備し、メインの電源である放電維持電源として４００Ｖの定電流電源を準備すればよい。なお、定電圧電源では放電で起動するとたちまち電圧が下がるのでこの装置の電源として適さない。
【００７１】
また、放電のガス種として最も放電が起こりにくいヘリウムガスを用いて上記と同じ調査を行った。その結果を図５に示す。図５は、上記加熱装置を用いてヘリウムの放電圧力と放電電圧との関係を調査した結果について示すグラフである。縦軸は線形目盛で表した放電電圧（Ｖ）を示し、横軸は線形目盛で表したヘリウムの放電圧力（Ｐａ）を示す。
【００７２】
この場合は、準備すべきメインの定電流電源は、３００Ｖの出力が可能なものであればよいことが分かる。逆に、安定な圧力は３００Ｐａ〜７００Ｐａと高く、減圧を容易に行なえる。しかし、安定領域の圧力範囲における放電電圧は２４０Ｖ〜２８０Ｖと空気に比べて低く、空気と同じ電力（Ｉ×Ｖ）を投入するためには、電圧の低い分、電流を大きくしなければならなくなることが分かった。
【００７３】
次に、放電ガスは空気で、圧力を６３Ｐａに維持したままで、投入した電流に対して、必要な電圧がどのように変化するかを調べた。図６は、投入電流をどんどん高めて行ったときの電圧の上昇の様子を示す。図６の縦軸は線形目盛で表した放電電圧（Ｖ）を示し、横軸は線形目盛で表した放電電流（Ａ）を示す。
【００７４】
図６に示すように、図１の装置では、１．５Ａまでは電流と電圧はほぼ比例関係にあり、通常の抵抗体として扱うことができることが分かる。放電電流が凡そ２Ａに達すると、電圧の上昇は飽和に達し、これ以上では電圧の上昇は小さくなる。その電圧値は起動電圧（６００Ｖ）内に治まっている。このように、６００Ｖ以下の電源で相当に高い加熱温度が得られ、かつ６００Ｖ以上の電源を用いるとコスト高になるため、可能な限り６００Ｖ以下の電圧範囲を用いることが望ましい。この場合、投入電力を増大（より高い温度）するには、電流を制御するようにする。
【００７５】
このように、電流を制御するだけで投入電力（温度）をコントロールすることができる。即ち、温度のフィードバック制御は、この電源の電流制御によって行うことができる。放電気体が空気の場合も、ヘリウムの場合も、気体の圧力が低い方が放電電圧を高くできるので、投入電力を大きくできることは図４と図５の調査から明らかである。しかし、その分、起動電圧がより高くなり、そして放電が停止ししやすくなることが分かった。
【００７６】
次に、加熱装置としての基本特性であるヒータの上面温度を調査するため、放電空間に空気を導入しつつ空間を排気して、空間の圧力を７３乃至８１Ｐａの範囲で一定に保つ。そして、最初に、放電電圧６０８Ｖ、放電電流２．１Ａに保って、準備した電源の最大電力を投入した状態での昇温特性を調べた。その後、放電電流を低下させて、降温特性、及び放電維持電圧について調査した。なお、１００Ｐａ〜２００Ｐａの圧力にした方が放電はより安定であるが、準備した電源装置の最大能力に近い条件で実験するために、このような中途半端な圧力になった。さらに、図４では６００Ｖの放電電圧を維持出来る空気圧力が３０Ｐａであるのに対して、図６、図７ではその圧力が異なっているのは、放電特有の不安定性のためである。逆に言えば、このように圧力に幅があっても、電流制御さえしっかりやれば、投入電力（温度）を精度良く制御できることを示している。
【００７７】
その結果を図７に示す。図７の縦軸は線形目盛で表したアノード電極２上面の温度（℃）を示し、横軸は線形目盛で表した経過時間（ｍｉｎ．）を示す。グラフ中、○印は図２の導電性円形状平板の中心の周りの円周２６０ｍｍφ上の４点で測定した温度であり、●印は図２の導電性円形状平板の中心の周りの円周５０ｍｍφ内の５点で測定した温度である。
【００７８】
まず、加熱装置を室温（２０℃）に保ち、内部の放電空間を約８０Ｐａまで減圧した状態で、電源スイッチを入れて電流２．１Ａとし、放電を開始する。電源電圧は６０８Ｖを示した。このとき、加熱装置として約５０℃／ｍｉｎの昇温特性を得ることができた。直径２８０ｍｍと大きく、かつ電極２の両側が黒鉛で輻射率（熱放射）が大きいにもかかわらず、２．１Ａ×６０８Ｖ＝〜１．３ｋＷ程度の投入電力でこのような大きな昇温速度が得られたことは驚異的であるといえる。
【００７９】
次いで、温度４９０℃に達した状態で、温度を一定に保ったときの特性モード調査を続いて行った。加熱装置をアルミ真空容器に入れた本調査の状態では、４８０℃を維持するのに必要な電流は約１．４Ａであった。このとき電圧は５２４Ｖまで下がったので、この温度を維持する電力は１．４Ａ×５２４Ｖ＝〜０．７３ｋＷとなり、従来のヒータと比べて省電力化を図ることができる。
【００８０】
次に、電源を完全にオフにすると、加熱装置は速やかに温度降下し、途中４００℃まで下がった状態において、再び電源のスイッチを入れた。放電は速やかに起動し、この４００℃を維持するに必要な電力は０．９６Ａ×４７２Ｖ＝〜０．４５ｋＷであった。その後は電源を完全に切って、放置した。それ以降は、降温の様子を示す。
【００８１】
第１の実施形態の加熱装置では、図７に示すように、電極１と電極２の間の空間に一様に広がる放電電流によって加熱されるため、図２の▲１▼〜▲５▼で示す、電極２上面の中心、及びその周囲中央部の同周円上での温度のばらつきは４９０℃の昇温状態でもわずか１〜２℃（０．２〜０．４％）であった。また、図２の▲６▼〜▲９▼で示す、電極１の真上付近のヒータ上面外周４点での温度のばらつきも１〜２℃であり、非常に均一な温度分布が得られた。ただし、この電極２上面の外周部分では側面から外部に放射される熱が大きいため、中央部に比べて多少温度が低くなっている。即ち、図７の○印と●印を比較して分かるように、外周部では中心部に比べて約１０℃温度が低かった。一方、図３の（ａ）の場合は偏差は３０℃もあった。従って、中央部の電極１の部分を孔で抜くか（または金網）で作ることによって、周辺部分の温度を上昇させて、均一化し得ることを確認することができた。また、電極２上面の温度が昇降温に非常に良く追従していることが分かる。
【００８２】
以上のように、本発明の実施の形態の加熱装置によれば、カソード電極１の形状を調整することにより、面内温度分布を数％以下に抑え、かつ昇温レート５０℃／ｍｉｎの高速昇温が可能で、各点の温度追従性が非常に良い。６００Ｖ程度の電圧の電源を準備して電流制御をするだけで、目的の温度に加熱物を昇降温することができる。例えば、６００Ｖ、１０Ａ程度の電源を用いれば、アノード電極２を１０００℃以上に昇温することも可能である。
【００８３】
また、図示していないが、本調査とは別の方法で、カソード電極（第１の導電体）１を直径１００ｍｍのモリブデン薄肉円板で作り、アノード電極（第２の導電体）２を直径１２０ｍｍ、高さ２０ｍｍ（電極１、２の間隔は上下とも４ｍｍ）の同じくモリブデンで製作し、放電用ガスとしてヘリウムを用いた調査では、わずか８００Ｖ×０．８Ａの電流投入で１０００℃の昇温を得ることができた。
【００８４】
以上のように、この発明の第１の実施の形態によれば、カソード電極１を囲むように設けられ、外気中に露出したアノード電極２を、被加熱物を加熱する手段として用いている。従って、アノード電極２の上面を基板の載置面２ａとすることができ、このため、枚葉式の半導体製造装置の基板加熱に適した加熱装置を提供することができる。
【００８５】
また、カソード電極１とアノード電極２の間に直流電力を印加して放電用ガスをグロー放電させることにより、放電用ガスから解離した電子の衝突によりアノード電極２を昇温することができる。さらに、カソード電極１の温度が、その材料の仕事関数に匹敵する温度を超えると、それ自体から熱電子が発生するようになるため、放電空間内の総電子量は気体の電離だけで発生する電子量以上に増える。これにより、電離が促進され、かつ放電電流が増す。従って、印加電力を増やすことで、材料の溶融により決まる到達可能な温度まで第１及び第２導電体を容易に、かつ効率よく昇温することができる。
【００８６】
また、加熱により金属中から電子を発生させるのではなく、減圧された空間内の放電用ガスなどをグロー放電させて電子を発生させているため、グロー放電を起こさせる電圧を兼ね備えた電源を準備し、放電電流をコントロールするだけでアノード電極２を昇温することができ、また、アノード電極２に直接エネルギを付与している。このため、エネルギの熱変換効率が良く、断線や絶縁不良の様な問題の発生がない略抵抗体として、従って、省電力化、及び装置の小型化を図ることができる。
【００８７】
また、カソード電極１とアノード電極２の間の放電用ガスをグロー放電させて、それにより発生する電子の衝突によるエネルギ交換を利用しているため、カソード電極１の導電性円形状平板１ａに貫通孔１ｃなどを設けてその形状を調整することにより、放電強度分布を調整することができる。これにより、電子の衝突分布を比較的容易に調整することができるため、比較的容易に均一性の高い温度分布が得られる。従って、大型の基板に適用することも可能となる。
【００８８】
（第２の実施の形態）
図８は、本発明の第２の実施の形態の加熱装置の構成について示す側断面図である。
【００８９】
第２の実施の形態の加熱装置は、図１の加熱装置に対してさらに構成が付加されたものである。詳しくは、図８に示すように、カソード電極１のきのこ形状の傘の部分に相当する円形状導電板１ａに対して裏面下方のアノード電極２から上面上方のアノード電極２に至る貫通孔２ｃが設けられている。貫通孔２ｃの側面はアノード電極２と同じ材料の筒状の仕切り壁２ｂにより覆われており、この仕切り壁２ｂにより電極１、２間の空間３の気密性が保たれている。アノード電極２の上面に載置された被加熱物１２を持ち上げるリフトピン１１をその貫通孔２ｃに挿入することができるようになっている。
【００９０】
また、上記筒状の仕切り壁２ｂはまた、カソード電極１の貫通孔１ｄを通して設けられている。貫通孔２ｃの仕切り壁２ｂと仕切り壁２ｂ周囲のカソード電極１との間で異常放電が起きないように、貫通孔１ｄの大きさが決められ、貫通孔２ｃの仕切り壁２ｂとカソード電極１との間に適当な間隔が保持されている。
【００９１】
以上のように、第２の実施の形態によれば、貫通孔２ｃにリフトピン１１を挿入し、必要なときにリフトピン１１を押し上げることにより、アノード電極２上の載置面２ａに真空吸着や静電吸着などにより固定したウエハなどの被加熱物１２を容易に取り外すことが可能となる。
【００９２】
また、貫通孔２ｃの仕切り壁２ｂは、カソード電極１上下のアノード電極２の支持体としても機能し、加熱物が大気圧状態の高い圧力で用いられた場合、または一辺が１メートル以上の方形状の大きな液晶加熱基盤ヒータの場合など、ヒータ中央のへこみを防止し（大気中では１平方センチメートル当たり約一気圧の圧力がかかる）、アノード電極２の強度の向上を図る一石二鳥の効果が期待できる。
【００９３】
（第３の実施の形態）
図９は、本発明の第３の実施の形態の加熱装置の構成について示す側断面図である。
【００９４】
第３の実施の形態の加熱装置は、図１の加熱装置に対してさらに構成が付加されたものである。詳しくは、図９に示すように、カソード電極１のきのこ形状の傘の部分に相当する円形状導電板１ａの周縁部に、アノード電極２の側壁に沿って、かつ適当な間隔を保ってアノード電極２の側壁と対向するようにカソード電極１の一部となる板状導電体１ｅが設けられている。
【００９５】
この構成は、面内温度分布をより一層均一にすることに有効である。即ち、電極１の側面の表面積を増して放電強度を強化し、ヒータの周辺部の側面からの放射によって失われる熱を補償するとともに、さらに孔１ｃのパターンの組み合わせによって放電強度分布を調整して、面内温度分布をより一層均一にすることができる。
【００９６】
このような構成によれば、第１の実施の形態の場合と同様な効果が得られる他に、図１のアノード電極２側面も高温にできるので、リフレクタが不要となる。以下に、その理由を説明する。一般の平板型ヒータでは抵抗発熱体が中心にあり、上と下を金属またはセラミックではさむ、または包むような構造になっている。このため、発熱表面は最も温度の高い発熱体から発生する熱を、それを包んでいる物質を介して輻射、熱伝導、輻射のいずれかにより最表面に伝える。ヒータの熱は全ての表面から放射されるので、ヒータにとっては全ての面が冷却表面になる。これを防ぐ方法として、従来のヒータでは、裏面に低輻射率のモリブデンなどからなるドーナツ型薄肉板を５〜２０枚積層したリフレクタにより放熱を抑える必要があった。このため、ヒータの構造が複雑で、また、このリフレクタの熱容量が大きいため、高速の昇降温が難しかった。
【００９７】
これに対して、本発明のヒータは全ての面（上面、側面、下面）が発熱体であるため（板の厚さ分は熱伝導ですが）、上面から側面を伝わって下面に逃げる熱量が小さい。即ち、ヒータの周辺温度が下がり難い。従って、ダミーヒータ部（温度の低い部分）を極小にすることができ、リフレクタも不要になる。これにより、高速昇降温が容易で、かつリフレクタにより消費される熱を低減でき、従って省エネが達成できることになる。
【００９８】
（第４の実施の形態）
図１０は、本発明の第４の実施の形態の加熱装置の構成について示す側断面図である。
【００９９】
この実施の形態に係る加熱装置においては、図１０に示すように、カソード電極（第１の導電体）２１を囲むようにアノード電極（第２の導電体）２２が設けられていることは第１の実施の形態の加熱装置と同じであるが、第１の実施の形態の加熱装置とは電極２１、２２の形状が異なる。
【０１００】
即ち、カソード電極２１は、上方に開口した凹状の容器状導電体２１ａ、および容器状導電体２１ａの底部裏面に接続された円柱状導電棒（柱状導電体）２１ｂを有し、アノード電極２２はカソード電極２１と類似の形状を有する。カソード電極２１の容器状導電体２１ａの凹部に対応するアノード電極２２の凹部２５が被加熱物２６の収納部となっている。
【０１０１】
その他の構成に関しては、カソード電極２１の円柱状導電棒２１ｂの中心部に排気管２４ａが設けられ、排気管２４ａは容器状導電体２１ａを貫通する孔２４ｂを介して、一端でカソード電極２１の凹部の底部に形成された電極２１、２２間の空間２３に開口し、他端が排気手段に接続される排気口に接続されている。なお、この加熱装置のカソード電極２１の円柱状導電棒２１ｂを含む下側部分は、図１０には図示されていないが、図１の加熱装置のカソード電極１の円柱状導電棒１ｂを含む下側部分と同様な構成を有している。
【０１０２】
また、カソード電極２１の容器状導電体２１ａには、図１０には図示されていないが、第１の実施の形態と同様に、放電分布を調整する少なくとも１つ以上の貫通孔が設けられている。
【０１０３】
この実施の形態の加熱装置は、加熱手段が容器形状を有するので、アノード電極２２の凹部２５内に被加熱物２６を収納し、その被加熱物２６を加熱して溶融させる場合に適している。
【０１０４】
また、この実施の形態の加熱装置においては、電極２１、２２の形状を除き、第１の実施の形態の加熱装置と同様な構造を有しているので、第１の実施の形態の加熱装置と同様な作用、効果を得ることができる。
【０１０５】
（第５の実施の形態）
図１１は、本発明の第５の実施の形態の加熱装置の構成について示す側断面図である。
【０１０６】
半導体工業の枚葉式処理装置に備えられたヒータのほとんどは、ヒータの基板載置面が上向きになるように設置され、ウエハは基板載置面に直接その裏面を当てて置かれることが多い。このため、反応室内の内壁などに付着した反応生成物が温度の昇降時に剥がれてウエハ表面に落ち、歩留まりを悪くする虞がある。本発明の第５の実施の形態に係る加熱装置ではこの問題の解決に有効である。
【０１０７】
その加熱装置は、図１１に示すように、図１に類似した構造を有するが、図１の加熱装置に対してアノード電極２の基板載置面２ａに内部の放電空間３に達する多数の貫通孔（吸引孔）１３を有している。また、アノード電極２の基板載置面２ａが下向きになるように加熱装置が逆さまに取り付けられている。なお、図１１中、他の符号は、図１と同じ符号で示すものは図１と同じものを示す。
【０１０８】
なお、上記加熱装置では、アノード電極２の基板載置面２ａに内部の放電空間３に達する多数の貫通孔（吸引孔）１３を有しているが、アノード電極２の基板載置面２ａに対応する部分を多孔質焼結体で形成してもよい。多孔質焼結体として、金属材料や非金属材料を用いることができる。金属材料として、タングステンやモリブデンの焼結金属を用い、これを、同質材料で形成したアノード電極２の基板載置面に対応する部分に電子ビーム溶接などで溶接する。また、非金属材料として多孔質黒鉛材を用い、これを、表面にカーボン膜を被覆した黒鉛材、又は多孔質黒鉛にフェノールを含浸させて焼結したガラス状コートカーボンなどの密封性の高い黒鉛材で形成したアノード電極２の基板載置面に対応する部分に黒鉛接着剤（フェノール）により接着し、焼結する。特に、後者の場合、完全な非金属構成で、かつ完全な密着性を保持してウエハを下向きに取り付けることができるので、金属汚染の全くない理想的な加熱ヒータを提供することができる。また、基板載置面に多数の貫通孔を開けた場合には、放電により発生した電子の一部が貫通孔を通過してウエハに当たり、ウエハにダメージを耐える虞があるが、多孔質導電材を用いた場合は、電子のウエハ側への通過はなくなるので、そのような虞はない。
【０１０９】
次に、ＣＶＤ装置に備えられたこの実施形態の加熱装置を用いて、加熱装置の動作を以下に説明する。
【０１１０】
まず、反応室内に設置された加熱装置内部の放電空間３を排気し、減圧していくと同時に基板載置面２ａにウエハ（基板）１２を近づける。ウエハ１２は吸引孔１３により吸引されて基板載置面２ａに吸着し、圧力差により基板載置面２ａに固定される。これにより吸引孔１３が塞がれるため、放電空間３は急激に真空度が上がっていく。言い換えれば、圧力が下がっていく。続いて、キャリアガス（水素、アルゴン、窒素など）を反応室内に導入しつつ、反応室内を排気し、一定の圧力（通常は、数１００Ｐａから１０００Ｐａ）を維持する。反応物質はまだ流さない。これに連動させて、加熱装置の放電空間３に接続された真空ポンプのコンダクタンスを調整し、放電に最も適した圧力にする。この場合、真空ポンプのコンダクタンスは、吸引孔１３とウエハ１２の間から漏れてくるキャリアガスも勘案して調整する。気体によってその圧力は異なるが、窒素の場合、同じく３０〜３００Ｐａに維持する。
【０１１１】
次いで、電極１、２に、例えば直流電力を印加して放電を起こさせ、放電を維持することにより加熱装置を昇温する。このように、ウエハ１２を吸着し、固定した状態で、ウエハ１２を加熱することが可能になる。目的の温度に達したならば、キャリアガスに反応物質を混入し、ウエハ１２上に膜を形成する。
【０１１２】
このようにして、所定の温度に加熱したウエハ１２上にＣＶＤ膜を堆積させることができる。
【０１１３】
なお、成膜の代わりにアニール処理を行なう場合は、加熱装置にウエハ１２を載置し、適当な不活性ガスを数１００Ｐａから大気圧までの範囲でチャンバ内に導入し、ウエハ１２を吸引して固定する。その後、吸引孔１３とウエハ１２の間から漏れてくる不活性ガスを勘案して加熱装置に繋がる真空ポンプのコンダクタンスを調整し、放電空間を放電に最も適した圧力にする。ついで、放電空間で放電を起こし、放電を維持することによりウエハ１２を加熱する。
【０１１４】
以上のように、本発明の第５の実施の形態に係る加熱装置によれば、ウエハ１２の基板載置面２ａへの密着性が非常に良いため、熱損失が少なく、ウエハ１２面内温度分布の均一性がよく、このため基板載置面２ａの温度とウエハ１２温度とがよく一致する加熱装置を提供することが可能になる。
【０１１５】
なお、加熱装置の基板載置面２ａが上向きになるように加熱装置が設置される場合にも、この加熱装置を適用することができることは言うまでもない。例えば、加熱装置の基板載置面２ａが上向きになるように加熱装置が設置されるときに、上記真空チャックを備えていない場合、ウエハ１２と基板載置面２ａとの密着性が確保できないため、たとえ加熱装置の面内温度分布が均一であってもウエハ１２の周辺部はどうしても温度が低くなる虞がある。これを改善するため、わざわざ加熱装置の面内温度部分布を不均一にするなどの必要がある。
【０１１６】
一方、このような密着性向上のための機構として、上記真空チャックの他に静電チャックがあるが、静電チャックでは昇温の限界が３００℃と非常に低い。
【０１１７】
これに対して、この実施の形態に係る加熱装置では、１０００℃以上の基板加熱を行なうことができ、かつ優れた密着性を確保できるために熱損失が少なく、面内温度分布の均一性がよい。従って、加熱装置の基板載置面２ａが上向きになるように設置される加熱装置に適用しても、この実施の形態に係る加熱装置は有用である。
【０１１８】
（第６及び第７の実施の形態）
図１２は、本発明の第６の実施の形態の加熱装置の構成について示す側断面図である。
【０１１９】
第６の実施の形態の加熱装置は、図１２に示すように、導電性円形状平板からなる第１の電極（第１の導電体）３１と、第１の電極３１と適当な間隔をおいて対向する導電性円形状平板からなる第２の電極（第２の導電体）３２と、第１の電極３１と第２の電極３２の間の空間３４の周辺部に形成された絶縁体３３とにより構成されている。第１の電極３１と第２の電極３２と絶縁体３３とにより囲まれた内部に外気と遮断された空間３４が形成されており、その空間３４が予め減圧されている。減圧された空間３４は、空間を外気と遮断する前の構造体を別の減圧真空装置に組み立て前に挿入し、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、窒素、水素、二酸化炭素又は空気のうち少なくとも何れか一の雰囲気中で減圧し、所定の圧力が得られた後に、封入して作製される。又は、外気と遮断する前の空間３４の一部に予めガス吸収体を挿入させておき、封入後において、このガス吸収体からガスを噴出させたり、また逆に吸収させて、放電に適した圧力を維持出来るようにしても良い。
【０１２０】
さらに、第１の実施の形態と異なり、第１及び第２の電極３１、３２ともに片面は外気中に露出しているので、第１の電極３１及び第２の電極３２のうち、両方或いは何れか一を加熱手段として用いことができる。この場合、第１の電極３１及び第２の電極３２のうち、両方或いは何れか一の外部表面が被加熱物の載置部３５とすることができる。
第１の電極３１及び第２の電極３２のうち、カソード電極として用いる方は、電子放射の仕事関数の小さい材料自体からなるか、又は高融点材料の表面、少なくとも空間に面した表面に電子放射の仕事関数の小さい材料をコーティングしてなるものを用いる。一方、アノード電極として用いる方は、黒鉛の表面、少なくとも外気に曝される側の表面に黒鉛膜又はＳｉＣ膜がコーティングされたものを用いる。交流電力を印加する場合、第１の電極３１及び第２の電極３２の材料として、適宜上記の電極の材料を選択して用いる。また、絶縁体３３の材料として、例えば、窒化ボロン（ＢＮ）、アルミナ、石英を用いる。
【０１２１】
次に、上記加熱装置を用いて加熱する方法について説明する。
【０１２２】
まず、電力供給源に接続された電極端子を有する電力供給装置に対して、加熱装置の第１の電極３１及び第２の電極３２が当該電極端子に接触するように加熱装置を電力供給装置にセットする。
【０１２３】
次いで、この加熱装置の第１の電極３１と第２の電極３２の間に放電を維持可能な程度の電力を印加する。印加する電力として直流電力でも交流電力でも用いることができるが、直流電力を用いる場合、第１の電極３１、第２の電極３２への電力供給源の正及び負の出力端子の接続は、何れでもよい。これにより、減圧された空間３４中のガスを放電させ、かつ放電を維持して第１の電極３１及び第２の電極３２を昇温させる。
【０１２４】
直流電力印加の場合、放電により解離した電子及びイオンによるエネルギ交換により電極３１、３２が昇温する。一方、交流電力印加の場合、第１の電極３１と第２の電極３２には正及び負の電圧が交互に印加されるので、第１の電極３１と第２の電極３２はともに電子及びイオンの衝突を受けて、同じように昇温する。
【０１２５】
このようにして昇温した第１の電極３１及び第２の電極３２のうち少なくとも何れか一により被加熱物を加熱する。
【０１２６】
上記の第６の実施の形態の加熱装置によれば、加熱装置を電力供給装置にセットし、電力供給源から電力を供給するだけで、第１の電極３１及び第２の電極３２のうち少なくとも何れか一により加熱することができる。従って、特に、４００〜５００℃程度までの携帯用の簡易な加熱装置に適している。
【０１２７】
そのほか、第６の実施の形態の加熱装置によれば、第１の実施の形態と同様に減圧された空間３４中のガスを放電させ、放電を維持することにより、第１の電極３１及び第２の電極３２のうち少なくとも何れか一を昇温させている。従って、第１の実施の形態と同様な作用、効果を有する。
【０１２８】
なお、上記した図１２の加熱装置の構成に対して、図１３に示す様な構造も可能である。図１３は、本発明の第７の実施の形態の加熱装置の構成について示す側断面図である。
【０１２９】
その実施の形態の加熱装置は、図１２に示すような、平板状の上下電極３１、３２を有する箱状の加熱装置の構成に対して、図１３に示すように、上側の電極（第１の導電体）３２ａを側面下部まで延在させ（逆凹状）、上側の電極３２ａの両側面下部にわたる幅を有する板状の絶縁体３３ａを設けている。上側の電極３２ａと絶縁体３３ａにより形成された空間３４ａが外気と遮断された空間となる。下側の電極（第２の導電体）３１ａは上側の電極３２ａと接触しないように絶縁体３３ａ上、空間３４ａ内部に置かれている。下側の電極３１ａは絶縁体３３ａに接触していてもよいし、離れていてもよい。さらに、下側の電極３１ａの一部である棒状の電極３１ｃが平板状の電極３１ｂ裏面から絶縁体３３ａの切除部を通して、かつ空間が外気と遮断されるように外部に引き出されている。
【０１３０】
第７の実施の形態では、第６の実施の形態とほぼ同様な構成を有するため、第６の実施の形態と同様な作用、効果を有する。
【０１３１】
（第８の実施の形態）
図１４は、本発明の第８の実施の形態の加熱装置の構成について示す側断面図である。
【０１３２】
第８の実施の形態の加熱装置は、図１４に示すように、導電性円形状平板４１ａ、及び導電性円形状平板４１ａの裏面に接続された円柱状導電棒４１ｂからなるカソード電極（第１の導電体）４１と、カソード電極４１を囲むように設けられたアノード電極（第２の導電体）４２とを有している。アノード電極４２は適当な間隔を保ってカソード電極４１と対向するように設けられている。さらに、外部からカソード電極４１に電力供給源を接続するため、アノード電極４２の一部が切除され、その切除部から窒化ボロン（ＢＮ）からなる絶縁体４３を介してその円柱状導電棒４１ｂの端部が外部に引き出されている。アノード電極４２とアノード電極４２の切除部の絶縁体４３とで囲まれた内部は、外気と遮断された空間４４を形成し、かつその空間４４が第６の実施の形態と同様にして減圧されている。
【０１３３】
この実施の形態の加熱装置では、アノード電極４２を加熱手段として用い、アノード電極４２の上部表面が被加熱物の載置面４５となっている。
【０１３４】
なお、空間が予め減圧され、排気が不可能な場合、放電によりガスはカソード電極４１にたたき込まれるか、または別の所に吸着され（不活性ガスならばこれはないが）、徐々に減ってくる。即ち、放電に必要な圧力範囲から外れてくる。これを避けるには不活性ガスを用いるのがよい。また、放電用ガスとして不活性ガスを用いても、温度が高くなると、電極材料などからガス（多分、水素、一酸化炭素、二酸化炭素など）が発生して圧力が高くなり、放電に最適な圧力範囲から外れてくる恐れがある。これを避けるには、温度の上がらない空間、たとえば絶縁体４近傍に別に枝間を付けて、放電ガス（不活性ガス）以外のガスを吸着するような、バリウム金属や非蒸発型ゲッター剤（吸着材）を封じ込んでもよい。
【０１３５】
この実施の形態の加熱装置により被加熱物を加熱するには、まず、第６の実施の形態の場合と同様に、電力供給源に接続された電極端子を有する電力供給装置に対して、加熱装置のカソード電極４１及びアノード電極４２が当該電極端子に接触するように加熱装置を電力供給装置にセットする。
【０１３６】
次いで、第１の実施の形態と同様にして、カソード電極４１とアノード電極４２の間に放電を維持可能な直流又は交流の電力を印加する。直流電力を印加する場合、アノード電極４２の方がカソード電極４１よりも電位が高くなるようにする。このようにして、減圧された空間４４を放電させ、放電を維持することによりアノード電極４２を昇温させる。これにより、アノード電極４２上の被加熱物を加熱することができる。
【０１３７】
この第８の実施の形態の加熱装置も、第６の実施の形態の場合と同様に、加熱装置を電力供給装置にセットし、電力供給源から電力を供給するだけで、カソード電極４１及びアノード電極４２のうち何れか一による加熱が可能である。従って、特に、携帯用の簡易な加熱装置に適している。
【０１３８】
そのほか、排気口やガス供給口を有しないことを除き、第１の実施の形態と同様に、減圧された空間４４中のガスを放電させ、放電を維持することにより、アノード電極４２を昇温させている。従って、第１の実施の形態と同様な作用、効果を有する。
【０１３９】
（第９の実施の形態）
図１５は、本発明の第９の実施の形態の加熱装置の構成について示す側断面図である。
【０１４０】
この実施の形態の加熱装置は、図１５に示すように、第１の電極（第１の導電体）５１及び第２の電極（第２の導電体）２２の片面がともに外気中に露出していることは第６の実施の形態の加熱装置と同じであるが、第６の実施の形態の加熱装置とは電極５１、５２の形状が異なる。
【０１４１】
即ち、第１の電極（第１の導電体）５１及び第２の電極（第２の導電体）５２は上方に開口した凹状の容器状導電体からなる。第２の電極５２の凹部５５開口端の側部に位置する第１の電極５１と第２の電極５２の間の空間５４に、窒化ボロン（ＢＮ）、アルミナ、石英、高耐熱性ガラスからなる絶縁体５３が形成されている。第１の電極５１と第２の電極５２と絶縁体５３とにより囲まれた内部は外気と遮断された空間５４となっており、その空間５４は第６の実施の形態と同様にして減圧されている。
【０１４２】
この実施の形態の加熱装置では、第２の電極５２を加熱手段として用い、第２の電極５２の凹部５５が被加熱物の収納部となっている。
【０１４３】
この実施の形態の加熱装置により、被加熱物を加熱するには、まず、第６の実施の形態と同様にして、電力供給源に接続された電極端子を有する電力供給装置に対して、加熱装置の第１及び第２の電極５１、５２が当該電極端子に接触するように加熱装置を電力供給装置にセットする。この加熱装置においては印加する電力として直流電力でも交流電力でも用いることができるが、第２の電極５２の凹部５５に被加熱物を収納するので、直流電力を印加する場合には、特に第２の電極５２がより高い温度に昇温するように、第２の電極５２に正電圧がかかるようにセットする。
【０１４４】
次いで、第６の実施の形態と同様にして、第１の電極５１と第２の電極５２の間に直流又は交流の電力を印加して減圧された空間を放電させ、放電を維持することにより、第２の電極５２を昇温させる。これにより、第２の電極５２の凹部５５内の被加熱物を加熱することができる。
【０１４５】
この第９の実施の形態の加熱装置も、第６の実施の形態の場合と同様に、加熱装置を電力供給装置にセットし、電力供給源から電力を供給するだけで、第２の電極５２による加熱が可能である。従って、特に、液体を加熱するための、或いは固体を溶融するための携帯用の簡易な加熱装置に適している。尚、この場合は感電防止のために５１の表面には、絶縁膜を施すこともできる。
【０１４６】
そのほか、この第９の実施の形態の加熱装置では、電極５１、５２の形状を除き、第６の実施の形態の場合と同様な構造を有しているので、第６の実施の形態の加熱装置と同様な効果を得ることができる。
【０１４７】
（第１０の実施の形態）
図１６は、本発明の第１０の実施の形態の加熱装置の構成について示す側断面図である。
【０１４８】
この実施の形態の加熱装置は、図１６に示すように、カソード電極（第１の導電体）６１を囲むようにアノード電極（第２の導電体）６２が設けられていることは第６の実施の形態の加熱装置と同じであるが、第６の実施の形態の加熱装置とは電極６１、６２の形状が異なる。
【０１４９】
即ち、カソード電極６１は、上方に開口した凹状の容器状導電体６１ａ、および容器状導電体６１ａの底部裏面に接続された円柱状導電棒（柱状導電体）６１ｂを有し、アノード電極６２はカソード電極６１と類似の形状を有する。カソード電極６１の容器状導電体６１ａの凹部に対応するアノード電極６２の凹部６５が被加熱物の収納部となっている。
【０１５０】
さらに、外部からカソード電極６１に電力供給源を接続するため、アノード電極６２の一部が切除され、その切除部から、窒化ボロン（ＢＮ）アルミナ、石英、高耐熱性ガラスの絶縁体６３を介してその円柱状導電棒６１ｂの端部が外部に引き出されている。アノード電極６２とアノード電極６２の切除部の絶縁体６３とで囲まれた内部は、外気と遮断された空間６４を形成し、かつその空間６４が、第５の実施の形態と同様にして減圧されている。
【０１５１】
この実施の形態の加熱装置では、アノード電極６２を加熱手段として用い、アノード電極６２の凹部６５に被加熱物を収納するようになっている。
【０１５２】
この実施の形態の加熱装置により、被加熱物を加熱するには、第５の実施の形態と同様に、まず、電力供給源に接続された電極端子を有する電力供給装置に対して、加熱装置のカソード電極６１及びアノード電極６２が当該電極端子に接触するように加熱装置を電力供給装置にセットする。
【０１５３】
次いで、カソード電極６１とアノード電極６２の間に放電を維持可能な直流又は交流の電力を印加する。直流電力を印加する場合、アノード電極６２の方がカソード電極６１よりも電位が高くなるようにする。このようにして、減圧された空間を放電させ、放電を維持することによりアノード電極６２を昇温させる。これにより、アノード電極６２の凹部６５内の被加熱物を加熱することができる。
【０１５４】
この第１０の実施の形態の加熱装置も、第５の実施の形態の場合と同様に、加熱装置を電力供給装置にセットし、電力供給源から電力を供給するだけで、アノード電極６２による加熱が可能である。従って、特に、液体を加熱するための、或いは固体を溶融するための携帯用の簡易な加熱装置に適している。
【０１５５】
そのほか、この第１０の実施の形態の加熱装置では、排気口やガス供給口を有しないことを除き、第４の実施の形態と同様に、減圧された空間６４中のガスを放電させ、放電を維持することにより、アノード電極６２を昇温させている。従って、第４の実施の形態と同様な作用、効果を有する。
【０１５６】
（第１１の実施の形態）
図１７（ａ）は、本発明の第１１の実施の形態の加熱装置について示す上面図である。同図（ｂ）は、同じく側断面図である。
【０１５７】
図１７（ａ）、（ｂ）に示すように、放電空間の内部であって、カソード電極を構成する円形状導電板（板状導電体）１ｆの周囲を囲むようにアノード電極２が設けられていることは図１の第１の実施の形態と同様であるが、そのアノード電極２と円形状導電板１ｆの間で、円形状導電板１ｆの周囲を囲むようにカソード電極を構成するドーナツ状導電板（板状導電体）１ｇが設けられていることが図１の第１の実施の形態と異なる。
【０１５８】
この場合、円形状導電板１ｆとドーナツ状導電板１ｇは、これらを囲むアノード電極２の外にそれぞれ円柱状導電棒（柱状導電体）１ｈ、１ｉを介して相互に独立に引き出されている。円形状導電板１ｆとアノード電極２の間、及びドーナツ状導電板１ｇとアノード電極２の間にそれぞれ別々の電源１０ａ、１０ｂが接続される。そして、ドーナツ状導電板１ｇと接続する円柱状導電棒１ｉの引出し部にも、円柱状導電棒１ｈの引出し部と同様に絶縁体４により空間３を外気と遮断している。円形状導電板１ｆと接続する円柱状導電棒１ｈのみに一端が排気口５ｃとなり、他端が放電空間３に開口している排気管５ａが設けられている。場合により、ドーナツ状導電板１ｇと接続する円柱状導電棒１ｉにも端部が排気口となり、多端が放電空間に開口している排気管を設けてもよい。
【０１５９】
なお、図１７（ａ）、（ｂ）中、図１と同じ符号で示すものは、図１と同じものを示す。
【０１６０】
さらに、円形状導電板１ｆとドーナツ状導電板１ｇを仕切るため、図８に示すような支柱となる仕切り壁２ｂを設けてもよい。
【０１６１】
上記第１１の実施の形態によれば、円形状導電板１ｆとドーナツ状導電板１ｇにそれぞれ別々の電源１０ａ、１０ｂを独立に接続することができるため、放電電流を独立に制御することができる。所謂ゾーンヒーティングを行なうことができる。これにより、アノード電極２の表面の内外での温度不均一を補正しながら、昇温、温度維持、降温を制御することができる。
【０１６２】
また、図１８は、本発明の第１１の実施の形態の他の加熱装置について示す上面図である。図１７（ｂ）では、基板載置部が円形状の加熱装置にこの実施の形態の構造を適用しているが、図１８では、基板載置部が方形状の加熱装置に適用している。
【０１６３】
図１８の加熱装置では、図１７（ａ）に示す円形状導電板１ｆの代わりに、方形状導電板１ｊを用い、円形状導電板１ｆの周囲を囲む円形のドーナツ状導電板１ｇの代わりに、方形状導電板１ｊに対応させて方形のドーナツ状導電板１ｋを用いている。さらに、方形状導電板１ｊ及びドーナツ状導電板１ｋを囲むアノード電極２ｄも、それらの形状にあわせて、四角い箱状を有する。
【０１６４】
図１８の加熱装置では、基板載置部は方形状を有するので、特に、方形状の大型基板、例えば液晶表示装置のＴＦＴ基板などの大型基板の加熱を伴う処理に適している。
【０１６５】
以上、実施の形態によりこの発明を詳細に説明したが、この発明の範囲は上記実施の形態に具体的に示した例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の上記実施の形態の変更はこの発明の範囲に含まれる。
【０１６６】
例えば、上記実施の形態では、カソード電極又は第１の電極（第１の導電体）１、２１、３１、３１ａ、４１、５１、６１の形状を平板状、逆凹状或いは容器状とし、その形状にあわせてアノード電極又は第２の電極（第２の導電体）２、２２、３２、３２ａ、４２、５２、６２を設けているが、カソード電極又は第１の電極、及びアノード電極又は第２の電極の形状はこれに限られない。一例として、アノード電極又は第２の電極（第２の導電体）が内部が放電空間となった球状であり、カソード電極又は第１の電極（第１の導電体）が球の中心にある小球状であるような構造でもよい。この場合、外部の電源と接続するため、小球に接続する棒状の引出し電極によりアノード電極と接触しないように、かつ球内の放電空間が外気と遮断されるようにカソード端子を球外に引き出すことができる。
【０１６７】
また、カソード電極又は第１の電極（第１の導電体）１、２１、３１、３１ａ、４１、５１、６１とアノード電極又は第２の電極（第２の導電体）２、２２、３２、３２ａ、４２、５２、６２の間隔に関し、実施の形態に具体的に記載した間隔に限られない。カソード電極又は第１の電極（第１の導電体）とアノード電極又は第２の電極（第２の導電体）の間に電力を印加した場合にその間でグロー放電が起こるような間隔であればよい。
【０１６８】
また、図１２及び図１５の加熱装置は、外気と遮断された空間に対する排気口やガス供給口を備えていないが、第１の電極３１、５１と第２の電極３２、５２の間の外気と遮断された空間３４、５４を排気する排気口やその空間に放電ガスを導入するガス供給口を設けてもよい。この場合、排気口等に接続される排気管等が導電体である場合、排気管等は第１の電極３１、５１及び第２の電極３２、５２とそれぞれ絶縁されていてもよいし、第１の電極３１、５１と第２の電極３２、５２とが接触しないように第１の電極３１、５１及び第２の電極３２、５２のうち何れか一と接続されていてもよい。
【０１６９】
上記発明の詳細な説明により開示した発明の構成を付記として以下にまとめる。
【０１７０】
（付記１）第１の導電体、及び前記第１の導電体を囲むように設けられた第２の導電体を有し、それらが実質的に外気と遮断された空間を形成する構造体と、前記空間を減圧するために前記構造体に形成された排気口とを備え、前記第１の導電体と前記第２の導電体の間に電力を印加して減圧された前記空間で放電を起こさせ、該放電を維持することにより、昇温する前記第２の導電体を、被加熱物を加熱する手段として用いることを特徴とする加熱装置。
【０１７１】
（付記２）前記構造体は、前記第１の導電体自体、或いは引出し導体を介して前記第１の導電体を前記第２の導電体の外部に引き出す引出し部を有することを特徴とする付記１記載の加熱装置。
【０１７２】
（付記３）前記第１の導電体は複数に分離して設けられ、かつ前記構造体は、前記分離した各々の第１の導電体自体、或いは引出し導体を介して前記分離した各々の第１の導電体を前記第２の導電体の外部に、相互に独立に、引き出す引出し部を有することを特徴とする付記１又は２の何れか一に記載の加熱装置。
【０１７３】
（付記４）前記引出し部における前記第１の導電体と前記第２の導電体の間の隙間が前記排気口となっていることを特徴とする付記２又は３の何れか一に記載の加熱装置。
【０１７４】
（付記５）前記引出し部において前記第１の導電体と前記第２の導電体とを絶縁する絶縁体が設けられていることを特徴とする付記２又は３の何れか一に記載の加熱装置。
【０１７５】
（付記６）前記空間に面する側の絶縁体の表面に凹凸を設けたことを特徴とする請求項５記載の加熱装置。
【０１７６】
（付記７）前記第１の導電体は前記引出し部から前記空間に至る貫通孔を有し、前記貫通孔の引出し部側の開口端が前記排気口となっていることを特徴とする付記２乃至６の何れか一に記載の加熱装置。
【０１７７】
（付記８）前記絶縁体に前記排気口が設けられていることを特徴とする付記２乃至６の何れか一に記載の加熱装置。
【０１７８】
（付記９）前記第２の導電体は吸引孔を設けた被加熱物の載置部を有し、前記空間を減圧することにより前記載置部に載置した被加熱物を固定することを特徴とする付記１乃至８の何れか一に記載の加熱装置。
【０１７９】
（付記１０）前記吸引孔を設けた被加熱物の載置部は、前記第２の導電体に貫通孔を設けてなり、或いは前記第２の導電体に多孔質焼結体をはめ込んでなることを特徴とする付記９記載の加熱装置。
【０１８０】
（付記１１）第１の導電体と、前記第１の導電体自体、或いは引出し導体を介して前記第１の導電体を前記第２の導電体の外部に引き出す引出し部を除き、前記第１の導電体を囲むように設けられた第２の導電体と、前記引出し部において前記第１の導電体と第２の導電体とを絶縁する絶縁体とを有し、それらが外気と遮断された空間を形成し、かつその空間が予め減圧されている構造体を備え、前記引出し部を介して前記第１の導電体と前記第２の導電体の間に電力を印加して前記減圧された空間で放電を起こさせ、該放電を維持することにより昇温する前記第２の導電体を、被加熱物を加熱する手段として用いることを特徴とする加熱装置。
【０１８１】
（付記１２）前記空間に面する第１の導電体の表面に、電子放射の仕事関数の小さい材料が露出してなることを特徴とする付記１乃至１１の何れか一に記載の加熱装置。
【０１８２】
（付記１３）前記第２の導電体は耐熱性基体からなり、その表面に緻密で、かつ耐熱性を有する膜がコーティングされていることを特徴とする請求項１乃至１２の何れか一に記載の加熱装置。
【０１８３】
（付記１４）前記空間内に放電用ガス以外のガスの吸着材を設けたことを特徴とする請求項１１乃至１３の何れか一に記載の加熱装置。
【０１８４】
（付記１５）第１の導電体、前記第１の導電体に向い合う第２の導電体、及び前記第１の導電体と第２の導電体を絶縁する絶縁体からなり、それらが外気と遮断された空間を形成する構造体と、前記空間を減圧するために前記構造体に形成された排気口とを備え、前記第１の導電体と前記第２の導電体の間に電力を印加して減圧された前記空間を放電させ、該放電を維持することにより、昇温する前記第１及び第２の導電体のうち少なくとも何れか一を、被加熱物を加熱する手段として用いることを特徴とする加熱装置。
【０１８５】
（付記１６）前記第１及び第２の導電体のうち少なくとも何れか一の表面に被加熱物の載置部を有し、かつ該載置部に吸引孔を設けてなり、前記空間を減圧することにより、前記載置部に載置した被加熱物を固定することを特徴とする付記１５記載の加熱装置。
【０１８６】
（付記１７）前記吸引孔を有する載置部は、前記第２の導電体に貫通孔を設けてなり、或いは第２の導電体に多孔質焼結体をはめ込んでなることを特徴とする付記１６記載の加熱装置。
【０１８７】
（付記１８）第１の導電体、前記第１の導電体に向い合う第２の導電体、及び前記第１の導電体と第２の導電体を絶縁する絶縁体を有し、それらが外気と遮断された空間を形成し、その空間が予め減圧されている構造体を備え、前記第１の導電体と前記第２の導電体の間に電力を印加して前記減圧された空間で放電を起こさせ、該放電を維持することにより昇温する前記第１及び第２の導電体のうち少なくとも何れか一を、被加熱物を加熱する手段として用いることを特徴とする加熱装置。
【０１８８】
（付記１９）前記第１の導電体及び第２の導電体のうちカソード電極として用いる導電体の、前記空間に面する表面に、電子放射の仕事関数の小さい材料が露出してなることを特徴とする付記１５乃至１８の何れか一に記載の加熱装置。
【０１８９】
（付記２０）前記第１の導電体及び第２の導電体のうち少なくとも何れか一は耐熱性基体からなり、かつその表面に、緻密で、かつ耐熱性を有する膜がコーティングされていることを特徴とする付記１５乃至１９の何れか一に記載の加熱装置
（付記２１）前記構造体は、前記空間に放電用ガスを供給するガス供給口を有することを特徴とする付記１又は１５の何れか一に記載の加熱装置。
【０１９０】
（付記２２）前記放電用ガスは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、水素、窒素、二酸化炭素又は空気のうち少なくとも何れか一であることを特徴とする付記２１記載の加熱装置。
【０１９１】
（付記２３）前記減圧された空間の圧力は１０Ｐａ乃至１０００Ｐａの範囲であることを特徴とする付記１乃至２２の何れか一に記載の加熱装置。
【０１９２】
（付記２４）前記第１の導電体と前記第２の導電体の間に直流又は交流の電力を供給する電力供給源を有することを特徴とする付記１乃至２３の何れか一に記載の加熱装置。
【０１９３】
（付記２５）前記被加熱物を加熱する温度を検出し、前記加熱装置に印加する電力を調整することにより、前記被加熱物を加熱する温度を所定の範囲に保持するフィードバック手段を備えていることを特徴とする付記２４記載の加熱装置。
【０１９４】
（付記２６）第１の導電体を囲むように第２の導電体を形成して、外気と遮断された空間を形成し、該空間を減圧し、前記第１の導電体と前記第２の導電体の間に直流又は交流の電力を印加することにより前記減圧した空間で放電を起こさせて該放電を維持し、前記放電を維持することにより昇温した第２の導電体により被加熱物を加熱することを特徴とする加熱方法。
【０１９５】
（付記２７）第１の導電体、前記第１の導電体に向い合う第２の導電体、及び前記第１の導電体と前記第２の導電体を絶縁する絶縁体により外気と遮断された空間を形成し、該空間を減圧し、前記第１の導電体と前記第２の導電体の間に直流又は交流の電力を印加することにより前記減圧した空間で放電を起こさせて該放電を維持し、前記放電を維持することにより昇温した第１及び第２の導電体のうち少なくとも何れか一により被加熱物を加熱することを特徴とする加熱方法。
【０１９６】
（付記２８）前記減圧した空間の圧力は１０Ｐａ乃至１０００Ｐａの範囲であることを特徴とする付記２６又は２７の何れか一に記載の加熱方法。
【０１９７】
（付記２９）前記空間を排気することにより前記空間を減圧することを特徴とする付記２６乃至２８の何れか一に記載の加熱方法。
【０１９８】
（付記３０）前記空間に放電用ガスを供給しつつ前記空間を排気することにより前記空間を減圧することを特徴とする付記２６乃至２８の何れか一に記載の加熱方法。
【０１９９】
（付記３１）前記放電用ガスは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、水素、窒素、二酸化炭素又は空気のうち少なくとも何れか一であることを特徴とする付記３０記載の加熱方法。
【０２００】
（付記３２）前記第１の導電体は、板状導電体と、該板状導電体の裏面に接続された柱状導電体とからなるきのこ形状を有し、前記第２の導電体は前記第１の導電体と所定の間隔を保持しつつ、前記きのこ形状に沿ってそれを囲むように設けられていることを特徴とする付記１乃至１４の何れか一に記載の加熱装置。
【０２０１】
（付記３３）前記第１の導電体の板状導電体には、少なくとも１つ以上の貫通孔が設けられていることを特徴とする付記３２記載の加熱装置。
【０２０２】
（付記３４）前記第１の導電体の板状導電体の周縁部に、前記第２の導電体の側壁に沿ってかつ前記第２の導電体の側壁と対向するように前記第１の導電体の一部となる板状導電体が設けられていることを特徴とする付記３２又は３３の何れか一に記載の加熱装置。
【０２０３】
（付記３５）前記第１の導電体の板状導電体の上面上方の前記第２の導電体の表面が前記被加熱物の載置部となっていることを特徴とする付記３２乃至３３の何れか一に記載の加熱装置。
【０２０４】
（付記３６）前記第１の導電体の板状導電体に対して裏面下方の第２の導電体から上面上方の第２の導電体に至るパイプ状の貫通孔が設けられ、該貫通孔に前記第２の導電体の被加熱体の載置部に載置された前記被加熱物を持ち上げるリフトピンを挿入することができるようになっていることを特徴とする付記３５記載の加熱装置。
【０２０５】
（付記３７）前記第１の導電体は上方に開口した容器状導電体と該容器状導電体の底部裏面に接続された柱状導電体とを有し、前記第２の導電体は前記第１の導電体と所定の間隔を保持しつつ、前記容器状導電体に沿って前記第１の導電体を囲むように設けられていることを特徴とする付記１又は１１の何れか一に記載の加熱装置。
【０２０６】
（付記３８）前記第１の導電体の容器状導電体には、少なくとも１つ以上の貫通孔が設けられていることを特徴とする付記３７記載の加熱装置。
【０２０７】
（付記３９）前記第１の導電体の柱状導電体の中心部に排気管が設けられ、該排気管は前記容器状導電体を貫通する孔を介して前記空間に開口していることを特徴とする付記３７又は３８の何れか一に記載の加熱装置。
【０２０８】
（付記４０）前記第１の導電体の容器状導電体の凹部に対応する前記第２の導電体の凹部が前記被加熱物の収納部となっていることを特徴とする付記３７乃至３９の何れか一に記載の加熱装置。
【０２０９】
【発明の効果】
以上のように、この発明の第１の加熱装置では、第１の導電体を囲むように設けられてその内部に外気と遮断された空間を形成する第２の導電体とを備えている。第２の導電体内の空間は減圧されておらず、空間を減圧する排気口を備えている。さらに、排気口の他に、放電用ガス、例えばヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、水素、窒素、二酸化炭素又は空気のうち少なくとも何れか一を、外気と遮断された空間に供給するガス供給口を設けてもよい。
【０２１０】
第１の加熱装置では、第２の導電体内の空間は当初減圧されていないため、ガス供給口から放電用ガスを供給しながら、或いは単に、排気口から外気と遮断された空間を排気し、減圧した後、第１の導電体と第２の導電体の間に直流又は交流の電力を印加して減圧された空間内でガスを放電させ、その放電を維持する。放電を維持することにより第１及び第２の導電体が昇温する。さらに、カソード電極として用いる導電体の物質の仕事関数に匹敵する温度を超えると、自動的に熱電子が飛び出すようになり、放電電流との相乗効果によりアノード電極の融点近くまでの高温の昇温が可能になる。
【０２１１】
従って、外気に露出した第２の導電体を加熱手段として用いることで、１０００℃以上の高い温度での基板加熱が可能となる。また、第２の導電体を基板の載置部とすることができ、従って、枚葉式の半導体製造装置の基板加熱に適した加熱装置を提供することができる。
【０２１２】
また、主として空間中でガスを放電させて電子及びイオンを発生させているため２極構成でよく、最小の電極構成で投入電力の１００％を熱変換できる。また、被加熱物を加熱する手段である第２の導電体にはその電子又はイオンにより直接エネルギが与えられるため、エネルギの熱変換効率が良い。これにより、省電力化、及び装置の小型化を図ることができる。
【０２１３】
さらに、第１の導電体と第２の導電体の間の空間に発生する電子及びイオンの衝突によるエネルギ交換を利用しているため、第１及び第２の導電体の形状を調整することにより、放電強度分布を調整し、電子の衝突分布を比較的容易に調整することができる。このため、均一性の高い温度分布を比較的容易に得ることができる。
【０２１４】
この発明の第２の加熱装置では、第１の加熱装置に対して、排気口を備えず、外気と遮断された空間は予め減圧されている。第１の導電体と第２の導電体の間に直流又は交流の電力を印加して減圧された空間中のガスを放電させ、放電を維持することにより第１及び第２の導電体が昇温する。このうち、外気に露出した第２の導電体を加熱手段として用いることで、エネルギの熱変換効率を良くし、温度分布の均一性を高くし、加熱温度を高くし得る。さらに、外気と遮断された空間が予め減圧されているため、特に所謂携帯に適した加熱装置を得ることができる。
【０２１５】
また、本発明の第３の加熱装置では、第１の導電体、第１の導電体に向い合う第２の導電体、及び第１のとを電体と第２の導電体を絶縁する絶縁体を有し、それらが外気と遮断された空間を形成する構造体を備えている。構造体内の空間は減圧されておらず、空間を減圧する排気口を備えている。さらに、第３の加熱装置では、排気口の他に、放電用ガス、例えばヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、水素、窒素、二酸化炭素又は空気のうち少なくとも何れか一を、外気と遮断された空間に供給するガス供給口を設けてもよい。
【０２１６】
第３の加熱装置では、構造体内の空間は減圧されておらず、第２の加熱装置のように、外気と遮断された空間を減圧した後、第１の導電体と第２の導電体の間に直流又は交流の電力を印加して、減圧された空間中のガスを放電させ、その放電を維持することにより第１及び第２の導電体を昇温させる。従って、第１及び第２の導電体のうち少なくとも何れか一を加熱手段として用いることで、第１の加熱装置と同様に、エネルギの熱変換効率を良くし、温度分布の均一性を高くし、かつ加熱温度を高くし得る。また、第１及び第２の導電体はいずれも外気に露出しているため、第１及び第２の導電体のうち少なくとも何れか一を基板の載置部とすることができ、従って、枚葉式の半導体製造装置の基板加熱に適した加熱装置を提供することができる。
【０２１７】
この発明の第４の加熱装置によれば、第３の加熱装置に対して、外気と遮断された空間は予め減圧されており、第１の導電体と第２の導電体の間に直流又は交流の電力を印加して減圧された空間中に残留するガスを放電させ、放電を維持する。そして放電を維持することにより第１及び第２の導電体を昇温させる。従って、第３の加熱装置と同様に、第１及び第２の導電体のうち少なくとも何れか一を被加熱物を加熱する手段として用いることで、エネルギの熱変換効率を良くし、温度分布の均一性を高くし、かつ加熱温度を高くし得る。また、第２の加熱装置と同様に、外気と遮断された空間が予め減圧されているため、特に所謂携帯に適した加熱装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態である加熱装置の全体の構成について示す側断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態である加熱装置の基板の載置面について示す上面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）の左側の図は、本発明の第１の実施の形態である加熱装置のカソード電極の構成について示す上面図であり、（ａ）、（ｂ）の右側の図は断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態である加熱装置を用いて行なった加熱調査結果を示すグラフ（その１）である。
【図５】本発明の第１の実施の形態である加熱装置を用いて行なった加熱調査結果を示すグラフ（その２）である。
【図６】本発明の第１の実施の形態である加熱装置を用いて行なった加熱調査結果を示すグラフ（その３）である。
【図７】本発明の第１の実施の形態である加熱装置を用いて行なった加熱調査結果を示すグラフ（その４）である。
【図８】本発明の第２の実施の形態である加熱装置の全体の構成について示す側断面図である。
【図９】本発明の第３の実施の形態である加熱装置の全体の構成について示す側断面図である。
【図１０】本発明の第４の実施の形態である加熱装置の全体の構成について示す側断面図である。
【図１１】本発明の第５の実施の形態である加熱装置の全体の構成について示す側断面図である。
【図１２】本発明の第６の実施の形態である加熱装置の全体の構成について示す側断面図である。
【図１３】本発明の第７の実施の形態である加熱装置の全体の構成について示す側断面図である。
【図１４】本発明の第８の実施の形態である加熱装置の全体の構成について示す側断面図である。
【図１５】本発明の第９の実施の形態である加熱装置の全体の構成について示す側断面図である。
【図１６】本発明の第１０の実施の形態である加熱装置の全体の構成について示す側断面図である。
【図１７】（ａ）は本発明の第１１の実施の形態である加熱装置の構成について示す上面図であり、（ｂ）は側断面図である。
【図１８】本発明の第１１の実施の形態である他の加熱装置の構成について示す上面図である。
【符号の説明】
１、２１、４１、６１  カソード電極（第１の導電体）
１ａ、１ｆ、４１ａ  円形状導電板（板状導電体）
１ｂ、１ｈ、１ｉ、２１ｂ、４１ｂ、６１ｂ  円柱状導電棒（柱状導電体）
１ｃ、１ｄ、２ｃ、５ｂ  貫通孔
１ｅ  板状導電体
１ｇ  円形のドーナツ状導電体（板状導電体）
１ｊ  方形状導電板（板状導電体）
１ｋ  方形のドーナツ状導電体（板状導電体）
２、２２、４２、６２  アノード電極（第２の導電体）
２ａ、３５、４５  被加熱物の載置面
２ｂ  仕切り壁
３、２３、３４、３４ａ、４４、５４、６４  空間
４、３３、３３ａ、４３、５３、６３  絶縁体
４ａ  凹凸
５ａ、２４ａ  排気管
５ｃ  排気口
６  ガス供給口
１０  電力供給源
１１  リフトピン
１２、２６  被加熱物
１３  吸引孔（貫通孔）
２１ａ、６１ａ  容器状導電体
２５、５５、６５  被加熱物の収納部（凹部）
３１、３１ａ、５１  第１の電極（第１の導電体）
３１ｂ  平板状の電極
３１ｃ  棒状の電極
３２、３２ａ、５２  第２の電極（第２の導電体）
【図１】
2004335194.tif 000003
【図２】
2004335194.tif 000004
【図３】
2004335194.tif 000005
【図４】
2004335194.tif 000006
【図５】
2004335194.tif 000007
【図６】
2004335194.tif 000008
【図７】
2004335194.tif 000009
【図８】
2004335194.tif 000010
【図９】
2004335194.tif 000011
【図１０】
2004335194.tif 000012
【図１１】
2004335194.tif 000013
【図１２】
2004335194.tif 000014
【図１３】
2004335194.tif 000015
【図１４】
2004335194.tif 000016
【図１５】
2004335194.tif 000017
【図１６】
2004335194.tif 000018
【図１７】
2004335194.tif 000019
【図１８】
2004335194.tif 000020