(57)【要約】【課題】端面電極を有するモ−ルドチップ部品とするには、スルーホール穴に封止樹脂が侵入しないようにスルーホール穴の上面側に樹脂の侵入を阻止する部材を設けなければならない。上記の阻止部材を張り合わせる為、高密度化や端面電極の接続信頼性を低下していた。モ−ルドチップ部品の小型高密度化、端面電極の高い電気的及びはんだ接続信頼性が要求されている。【解決手段】上記の課題を解決するため、電子部品や電子部品素子を実装する部品接続ランドを備えた上部配線基板と、上記分割切断線上に配置する下部配線基板の第２のブラインドビア（Ｂ２）と、上記の上部配線基板の部品接続ランドと下部配線基板の第２のブラインドビア（Ｂ２）とを電気的に接続する第１のブラインドビア（Ｂ１）と、から構成されるダイシング用の分割切断線上に非貫通導通穴を有する多層基板とする。【選択図】      図１
2004342930.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイシング用の分割切断線上に端面電極用の非貫通導通穴を有する配線基板において、電子部品や電子部品素子を実装する部品接続ランドを備えた上部配線基板と、上記分割切断線上に配置する下部配線基板の第２のブラインドビア（Ｂ２）と、上記の上部配線基板の部品接続ランドと下部配線基板の第２のブラインドビア（Ｂ２）とを電気的に接続する第１のブラインドビア（Ｂ１）と、からなることを特徴とする非貫通導通穴を有する多層基板。
【請求項２】
ダイシング用の分割切断線上に端面電極用の非貫通導通穴を有する配線基板において、電子部品や電子部品素子を実装する配線基板の上面導体（Ｌ１）と、配線基板の下面導体（Ｌ３）と、配線基板の内層導体（Ｌ２）とからなる３層導体構造であって、
電子部品や電子部品素子を実装する部品接続ランドを備えた上部配線基板と、上記の分割切断線上の下部配線基板に配置する端面電極用の第２のブラインドビア（Ｂ２）と、上記の上部配線基板の部品接続ランドと下部配線基板の第２のブラインドビア（Ｂ２）とを電気的に接続する第１のブラインドビア（Ｂ１）と、からなることを特徴とする非貫通導通穴を有する多層基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント配線板に関するもので、特に端面電極を形成するモ−ルドチップ部品のベ−ス基板となる多層基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来は基板に端面電極を形成する場合、プリント配線板の外形側面の近傍に一直線上に貫通スルーホール穴を設け、貫通スルーホール穴のほぼ中心線上で分割切断して分割した貫通スルーホール穴の内部が半円筒状で外部に露呈した端面電極を形成する。
基板に半導体集積回路素子、電子部品素子、電子部品を実装し、その後基板の配線パタ−ンや半導体集積回路素子、電子部品素子、電子部品を樹脂で樹脂モ−ルドして樹脂封止をし端面電極を有するモ−ルドチップ部品とするには、貫通スルーホール穴の内部に封止樹脂が侵入しないように貫通スルーホール穴の上面側に樹脂の侵入を阻止する部材（フィルム、テ−プ、基材など）を設けなければならない。
【０００３】その一例として、特開平１０−６５２９８号公報に開示されている端面スルーホール配線板がある。
これは、スルーホール穴の一方の端縁部は開孔し、他方の端縁部は外層導体で閉鎖している非貫通導通スルーホール穴を形成した端面スルーホール配線板である。つまり、封止する樹脂の侵入を阻止する部材として外層導体を利用して貫通導通穴の上面を外層導体で塞いだものである。
この非貫通導通スルーホール穴の外層導体は、通常０．０５ｍｍ以下の薄い金属膜であるため樹脂で封止する圧力が高いトランスファモ−ルド法では、高い圧力によって非貫通導通穴の薄い金属膜が陥没したり、破損する。
【０００４】また、特開２００２−１６４６５８号公報に開示されているモジュ−ル基板では、多層基板の表面に電子部品が実装され、外部との接続に使用する電極を多層基板の側面の中間層基板と底面層基板に導通溝が形成され、電子部品が実装される表面の層には、上記導通溝が形成されていない表面層基板を設けるモジュ−ル基板である。
このモジュ−ル基板では中間層基板と底面層基板の側面には端面電極用スルーホールが形成されているが中間層基板の上に貼り合わせる表面層基板には端面電極用スルーホールは形成されていないものである。
【０００５】上記のモジュ−ル基板では表面層基板と中間層基板と底面層基板の３枚の基板を貼り合わせた３層基板であり、薄板化には問題がある。
また、中間層基板と底面層基板を貫通する端面電極用スルーホールの上に表面層基板を貼り合わせる際にプリプレグ等の接着樹脂がスルーホール内に流れ込むことやスルーホールから形成する導通溝の上面である表面層基板の裏面には導体層が形成されていない。
従って、薄板化が要求される高精細な電子部品用のベ−ス基板としては問題があり、端面電極としても、はんだ濡れ性不良が生じ易い。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１０−６５２９８号公報。
【特許文献２】
特開２００２−１６４６５８号公報。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】基板に電子部品素子、電子部品を実装し、その後実装した電子部品素子や電子部品を樹脂封止して端面電極を有するモ−ルドチップ部品とするには、基板に設けた貫通スルーホール穴の内部に封止樹脂が侵入しないように貫通スルーホール穴の上面側に樹脂の侵入を阻止する部材（絶縁基材、絶縁テ−プ、フィルム状、シ−ト状などの阻止部材）を設けなければならない。
上記の阻止部材を張り合わせる為、高密度化や端面電極の接続信頼性を低下していた。
特に、最近ではモ−ルドチップ部品の小型高密度化、端面電極の高い電気的及びはんだ接続信頼性が要求されている。
特に、薄型高密度のモ−ルド樹脂部品を高温高圧（１４０〜１８０℃、２０〜３０トン）で大量生産するトランスファモ−ルド法では高い信頼性が要求される。
【０００８】特開平１０−６５２９８号公報に示す外層導体を利用して貫通導通穴の上面を塞ぐ非貫通導通穴構造の配線基板では、貫通導通穴の上面を塞ぐ樹脂阻止ランド、電子部品接続ランド、配線パタ−ンが同一表面層に集中し高密度実装に問題がある。
又、この非貫通導通穴の上面を塞ぐ外層導体は、通常薄い金属被膜であるためワイヤ−ボンデング用の電子部品接続ランドには不可であり、かつ樹脂で封止する圧力が高くなると、この圧力によって非貫通導通穴の金属被膜が陥没したり、破けたり、非貫通導通穴が破損する。
さらに、薄板の非貫通導通穴構造の配線基板では、電子部品素子、電子部品を実装する際に配線基板の強度不足により、そりやねじれが生じ実装不良やはんだ濡れ性不良が生じる。
【０００９】特開２００２−１６４６５８号公報に開示されているモジュ−ル基板とは、１つの組立体系の中での分離可能なユニット（日本プリント回路工業会発行のプリント回路用語）となる基板である。
しかし、モ−ルドチップ部品の小型高密度化、端面電極の高い電気的及びはんだ接続信頼性が要求される薄板のベ−ス基板としては問題点が多く不可となっていた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、ダイシング用の分割切断線上に端面電極用の非貫通導通穴を有する配線基板において、電子部品や電子部品素子を実装する部品接続ランドを備えた上部配線基板と、上記分割切断線上に配置する下部配線基板の第２のブラインドビア（Ｂ２）と、上記の上部配線基板の部品接続ランドと下部配線基板の第２のブラインドビア（Ｂ２）とを電気的に接続する第１のブラインドビア（Ｂ１）と、から構成される非貫通導通穴を有する多層基板とする。
【００１１】また、ダイシング用の分割切断線上に端面電極用の非貫通導通穴を有する配線基板において、電子部品や電子部品素子を実装する配線基板の上面導体（Ｌ１）と、配線基板の下面導体（Ｌ３）と、配線基板の内層導体（Ｌ２）とからなる３層導体構造であって、
電子部品や電子部品素子を実装する部品接続ランドを備えた上部配線基板と、上記の分割切断線上の下部配線基板に配置する端面電極用の第２のブラインドビア（Ｂ２）と、上記の上部配線基板の部品接続ランドと下部配線基板の第２のブラインドビア（Ｂ２）とを電気的に接続する第１のブラインドビア（Ｂ１）と、からなることを特徴とする非貫通導通穴を有する多層基板とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の非貫通導通穴を有する多層基板を形成する製造工程を図２を参照して説明する。
まず、図２（ａ）として下面の銅箔４がある片面銅張積層板の基材２側に乳液状、フィルム状、シ−ト状などの接着剤３を張り合わせ下部配線基板１とする。図２（ｂ）接着剤を半硬化してから下部配線基板１の所定の箇所にＮＣドリリングマシンにより、穴明け加工を施して貫通穴９とする。次に図２（ｃ）に示すように、下部配線基板１の所定の箇所に穴明け加工を施して貫通穴９を形成した下部配線基板１の接着剤３の上に銅箔６を積層プレスをして張り合わせる。
次に図２（ｄ）に示すように、下部配線基板１の上面の銅箔６の所定の箇所にエッチングして内層パタ−ン（Ｌ２）を回路形成する。
【００１３】図２（ｅ）は下部配線基板１の上面の銅箔６の所定の箇所に内層パタ−ン（Ｌ２）を回路形成した上面に絶縁層７と銅箔８を積層プレスをして上部配線基板１０を形成する。
次に図２（ｆ）に示すように、上部配線基板１０の所定の箇所に上面外層の銅箔８と内層パタ−ン（Ｌ２）の間だの絶縁層７を炭酸ガスレーザー加工により絶縁樹脂を除去し非貫通穴１１を形成する。
その次に、図２（ｇ）に示すように無電解銅めっきを施し、めっき層１２を形成して所定の上部配線基板１０の非貫通導通穴１５と下部配線基板１の非貫通導通穴１６を形成する。その後、所定の箇所をエッチングして上面外層パタ−ン（Ｌ１）と下面外層パタ−ン（Ｌ３）とを回路形成する。
【００１４】配線基板の片側だけに開口しているビアをブラインドビアと呼ばれ、外層導体と内層導体を電気的に接続する非貫通導通穴である。上面外層パタ−ン（Ｌ１）と内層パタ−ン（Ｌ２）とを電気的に接続する上部配線基板１０に形成した非貫通導通穴１５を第１のブラインドビア（Ｂ１）とし、内層パタ−ン（Ｌ２）と下面外層パタ−ン（Ｌ３）とを電気的に接続する非貫通導通穴１６を第２のブラインドビア（Ｂ２）とするもである。また、信頼性の向上、はんだ付性の向上、ワイヤーボンデング作業等の必要性からソルダーレジストの形成やＮｉ−Ａｕめっき等を行う場合もある。
【００１５】本発明の非貫通導通穴を有する多層基板の構成について図１で説明する。配線基板の上面導体（Ｌ１）と、配線基板の下面導体（Ｌ３）と、配線基板の内層導体（Ｌ２）とからなる３層導体構造であって、電子部品や電子部品素子を実装する部品接続ランド１７を配線基板の上面導体（Ｌ１）に設ける。分割切断線１８上の下部配線基板１に配置する端面電極用の非貫通導通穴である第２のブラインドビア（Ｂ２）と、上記の上部配線基板１０の部品接続ランド１７と下部配線基板１の第２のブラインドビア（Ｂ２）とを電気的に接続する非貫通導通穴である上部配線基板１０の第１のブラインドビア（Ｂ１）と、からなる非貫通導通穴を有する多層基板とする。
この下部配線基板１に形成する内層パタ−ン（Ｌ２）と下面外層パタ−ン（Ｌ３）とを電気的に接続する非貫通導通穴の略中央部を通る分割切断線でダイシング切断して端面電極を形成するためのブラインドビアである。
【００１６】モ−ルドチップ部品の小型高密度化、端面電極の高い電気的及びはんだ接続信頼性に対応し、特に薄型高密度のチップ部品をトランスファモ−ルド法で大量生産するベ−ス基板として、上部配線基板の絶縁層の厚さ０．０３〜０．２００ｍｍとする。端面電極用の非貫通導通穴を形成する下部配線基板の基材の厚さは０．２０〜０．５０ｍｍとする。また、非貫通導通穴の穴径は端面電極用の第２のブラインドビア（Ｂ２）はφ０．３０〜φ１．００ｍｍが良好である。第１のブラインドビア（Ｂ１）はφ０．１０〜φ０．３０ｍｍが良好である。
つまり、本発明の非貫通導通穴を有する多層基板は配線基板の上面と下面を貫通するスル−ホ−ル穴を設けないものである。
【００１７】
【発明の効果】配線基板の上面と下面を貫通するスル−ホ−ル穴を設けない非貫通導通穴を有する多層基板は電気的及びはんだ接続信頼性が高い下部配線基板の端面電極用のブラインドビア（Ｂ２）が形成できる。  また、上部配線基板には端面電極用のブラインドビア（Ｂ２）は形成されなく部品接続ランドが主体であるから高密度にチップ部品を確実に実装できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の非貫通導通穴を有する多層基板の実施例。
【図２】本発明の非貫通導通穴を有する多層基板を説明する製造工程図。
【符号の説明】
１…下部配線基板、２…基材、３…接着剤、４…下面の銅箔、
６…銅箔、７…絶縁層、８…銅箔、９…貫通穴、
１０…上部配線基板、１１…非貫通穴、１２…めっき層、
１５，１６…非貫通導通穴、１７…部品接続ランド、１８…分割切断線。
【図１】
2004342930.tif 000003
【図２】
2004342930.tif 000004