(57)【要約】【課題】光電変換素子の特性や回路部の特性に優れた固体撮像装置を確実に製造でき、また、撮像画素部及びその信号読み出し部や周辺回路の処理工程を、光電変換素子の特性や回路部の特性に影響を及ぼすことなく、光電変換素子や回路素子の特性を向上するために適したプロセスに容易に設計変更できる固体撮像装置の製造方法を提供すること。【解決手段】シリコン基板１２における撮像領域１４の処理工程と回路領域１８の処理工程とを別々にし、この処理工程のうち、画素形成用の処理工程により撮像領域１４に撮像部１６を形成した後、回路素子形成用の処理工程により回路領域１８に周辺回路２０を形成するようにした。【選択図】      図２
2004335911.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光量に応じた信号電荷を生成し蓄積する行列状に配列された複数の光電変換素子を含む撮像領域と、前記光電変換素子から読み出された信号電荷を処理する周辺回路を含む回路領域とが同一の半導体基板に設けられた固体撮像装置であって、
前記撮像領域と前記回路領域とはそれぞれ別の処理工程で形成されている、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記同一の半導体基板に、前記光電変換素子からの信号電荷を転送する電荷転送部が設けられ、前記電荷転送部は前記撮像領域と同一の処理工程で形成されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記電荷転送部は、前記光電変換素子の各列に対応する垂直電荷転送部と、前記各垂直転送部から転送される信号電荷を出力側へ転送する水平電荷転送部とを含むことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記電荷転送部は、前記光電変換素子からの信号電荷を列毎に蓄積する蓄積部と、前記蓄積部に蓄積された信号電荷を出力側へ転送する水平電荷転送部とを含むことを特徴とする請求項３記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記周辺回路は、少なくとも、クロック信号及び同期信号を供給することにより前記光電変換素子に蓄積された信号電荷を読み出すためのタイミングジェネレータと、前記光電変換素子から読み出された信号電荷を検出し映像信号として処理する出力回路とを含むことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記同一の半導体基板に、前記撮像領域と前記回路領域との間を電気的に分離する分離帯が設けられていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項７】
光電変換素子と読み出し回路を有する複数の行列状に配列された画素を含む撮像領域と、前記画素の選択と該選択された画素の光電変換素子から前記読み出し回路を経て読み出された信号電荷を処理する周辺回路を含む回路領域とが同一の半導体基板に設けられた固体撮像装置であって、
前記撮像領域と前記回路領域とはそれぞれ別の処理工程で形成されている、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項８】
前記同一の半導体基板に、前記各画素の読み出し回路を各画素行毎または各画素列毎に選択して光電変換素子の信号電荷を前記周辺回路へ向けて出力するための駆動回路が設けられ、前記駆動回路は前記撮像領域と同一の処理工程で形成されていることを特徴とする請求項７記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記駆動回路は、前記光電変換素子の信号電荷を読み出す画素行を選択するための垂直シフトレジスタと、前記光電変換素子の信号電荷を読み出す画素列を選択するための水平シフトレジスタとを含むことを特徴とする請求項８記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記駆動回路は、前記光電変換素子の信号電荷を読み出す画素行を選択するための垂直シフトレジスタと、電子シャッタ動作を行う画素行を選択するためのシャッタシフトレジスタと、前記光電変換素子の信号電荷を読み出す画素列を選択するための水平シフトレジスタとを含むことを特徴とする請求項８記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記周辺回路は、少なくとも前記各画素の読み出し回路にクロック信号及び同期信号を供給して該画素の選択と該選択された画素の光電変換素子に蓄積された信号電荷を読み出すためのタイミングジェネレータと、前記画素から読み出された信号電荷を検出し映像信号として処理する出力回路とを含むことを特徴とする請求項７記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記同一の半導体基板に、前記撮像領域と前記回路領域との間を電気的に分離する分離帯が設けられていることを特徴とする請求項７記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
受光量に応じた信号電荷を生成し蓄積する行列状に配列された複数の光電変換素子を含む撮像領域と、前記光電変換素子から読み出された信号電荷を処理する周辺回路を含む回路領域とが同一の半導体基板に設けられた固体撮像装置の製造方法であって、
前記撮像領域の処理工程と前記回路領域の処理工程のうち、一方の処理工程を他方の処理工程に先立って実行し、この一方の処理工程が終了した後に他方の処理工程を実行する、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
前記撮像領域または前記回路領域に対するそれぞれの処理工程が光電変換素子の特性または回路素子の特性に影響を及ぼす熱処理工程を含む場合、これら熱処理工程のうち、より高い熱で処理を行う工程が先に実行されることを特徴とする請求項１３記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１５】
前記撮像領域の処理工程で光電変換素子が形成される際に、前記回路領域を保護膜で保護し、また、前記回路領域の処理工程で回路素子が形成される際に、前記撮像領域を保護膜で保護することを特徴とする請求項１３記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１６】
光電変換素子と読み出し回路を有する行列状に配列された複数の画素を含む撮像領域と、前記画素の選択と該選択された画素の光電変換素子から前記読み出し回路を経て読み出された信号電荷を処理する周辺回路を含む回路領域とが同一の半導体基板に設けられた固体撮像装置の製造方法であって、
前記撮像領域の処理工程と前記回路領域の処理工程のうち、一方の処理工程を他方の処理工程に先立って実行し、この一方の処理工程が終了した後に他方の処理工程を実行する、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１７】
前記撮像領域または前記回路領域に対するそれぞれの処理工程が光電変換素子の特性または回路素子の特性に影響を及ぼす熱処理工程を含む場合、これら熱処理工程のうち、より高い熱で処理を行う工程が先に実行されることを特徴とする請求項１６記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１８】
前記撮像領域の処理工程で光電変換素子が形成される際に、前記回路領域を保護膜で保護し、また、前記回路領域の処理工程で回路素子が形成される際に、前記撮像領域を保護膜で保護することを特徴とする請求項１６記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、行列状に配列され、それぞれ光電変換素子を有する複数の画素を含む撮像領域と、光電変換素子から読み出された信号電荷を処理する周辺回路が形成される回路領域とが同一の半導体基板に形成されてなる固体撮像装置とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ビデオカメラや電子カメラが広く普及しており、これらのカメラには、ＣＣＤ型やＭＯＳ型の固体撮像装置が使用されている。
ＣＣＤ型の固体撮像装置は、半導体基板と、この半導体基板の撮像領域に二次元的に配列され、入射光を光電変化してその信号電荷を蓄積する複数の光電変換素子と、半導体基板の撮像領域に形成され、各光電変換素子から読み出された信号電荷を転送する垂直及び水平電荷転送部と、半導体基板の回路領域に形成された、光電変換素子及び電荷転送部の制御等に用いられるタイミングジェネレータや出力回路などの周辺回路を含んで構成されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、ＭＯＳ型の固体撮像装置は、半導体基板と、この半導体基板の撮像領域に二次元的に配列して構成される撮像画素部と、半導体基板の撮像領域に形成され、各画素の読み出し回路を各画素行毎または各画素列毎に選択して、蓄積信号電荷の読み出しを行う垂直及び水平シフトレジスタと、半導体基板の回路領域に形成された、垂直及び水平シフトレジスタの制御等に用いられるタイミングジェネレータや出力回路などの周辺回路を含んで構成されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特許第３２７１２２２号公報
【特許文献２】
特開平１１−１２２５３２号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の固体撮像装置では、撮像画素部及びその信号読み出し部と、これら撮像画素部及び信号読み出し部の制御などに用いられるイミングジェネレータなどの周辺回路を同一の半導体基板上に形成するようにしているため、固体撮像装置を小型化できるという利点がある。
しかしながら、従来の固体撮像装置における撮像画素部及び信号読み出し部と周辺回路（ＣＭＯＳ・ＩＣなど）等の半導体基板への形成に際しては、撮像画素部及び信号読み出し部の処理工程の一部または全部を利用して周辺回路を半導体基板の撮像領域に形成するようにしているため、例えば画素を構成する光電変換素子の特性を向上する目的で、その処理工程（特にアニ−ル等の熱処理工程）を変更しようとすると、周辺回路を構成するＭＯＳトランジスタの特性に影響を及ぼす場合がある。その結果、周辺回路の回路構成を見直す必要が生じるほか、最悪の場合には、必要な回路特性が得られないというおそれがある。また、逆に周辺回路の特性を向上するためにＭＯＳトランジスタにかかわる処理工程を変更すると光電変換素子の特性に影響を与え、光電変換素子の特性を悪化させるというおそれがある。
【０００６】
本発明は、上記のような従来の問題を解決するためになされたもので、光電変換素子の特性や回路部の特性に優れた固体撮像装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、光電変換素子の特性や回路部の特性に優れた固体撮像装置を確実に製造でき、また、撮像画素部及びその信号読み出し部や周辺回路の処理工程を、光電変換素子の特性や回路部の特性に影響を及ぼすことなく、光電変換素子や回路素子の特性を向上するために適したプロセスに容易に設計変更できる固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するため、受光量に応じた信号電荷を生成し蓄積する行列状に配列された複数の光電変換素子を含む撮像領域と、前記光電変換素子から読み出された信号電荷を処理する周辺回路を含む回路領域とが同一の半導体基板に設けられた固体撮像装置であって、前記撮像領域と前記回路領域とはそれぞれ別の処理工程で形成されていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明は、光電変換素子と読み出し回路を有する複数の行列状に配列された画素を含む撮像領域と、前記画素の光電変換素子から前記読み出し回路を経て読み出された信号電荷を処理する周辺回路を含む回路領域とが同一の半導体基板に設けられた固体撮像装置であって、前記撮像領域と前記回路領域とはそれぞれ別の処理工程で形成されていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明は、受光量に応じた信号電荷を生成し蓄積する行列状に配列された複数の光電変換素子を含む撮像領域と、前記光電変換素子から読み出された信号電荷を処理する周辺回路を含む回路領域とが同一の半導体基板に設けられた固体撮像装置の製造方法であって、前記撮像領域の処理工程と前記回路領域の処理工程のうち、一方の処理工程を他方の処理工程に先立って実行し、この一方の処理工程が終了した後に他方の処理工程を実行することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、光電変換素子と読み出し回路を有する行列状に配列された複数の画素を含む撮像領域と、前記画素の光電変換素子から前記読み出し回路を経て読み出された信号電荷を処理する周辺回路を含む回路領域とが同一の半導体基板に設けられた固体撮像装置の製造方法であって、前記撮像領域の処理工程と前記回路領域の処理工程のうち、一方の処理工程を他方の処理工程に先立って実行し、この一方の処理工程が終了した後に他方の処理工程を実行することを特徴とする。
【００１１】
本発明の固体撮像装置では、同一の半導体基板における撮像領域と回路領域が別々の処理工程で実行され、撮像領域に少なくとも光電変換素子含む画素が形成され、かつ回路領域に回路素子が形成されている。
よって、本発明によれば、光電変換素子の特性や回路部の特性に優れた固体撮像装置が得られる。また、このように優れた特性の固体撮像装置を確実に製造できる。
【００１２】
本発明にかかる固体撮像装置の製造方法では、撮像領域の処理工程と回路領域の処理工程のうち、一方の処理工程を他方の処理工程に先立って実行し、この一方の処理工程が終了した後に他方の処理工程を実行する。これにより、撮像領域に少なくとも光電変換素子含む画素が形成され、かつ回路領域に回路素子が形成される。
よって、本発明によれば、優れた特性の固体撮像装置を確実に製造でき、また、撮像画素部及び信号読み出し部や周辺回路の各処理工程を、光電変換素子の特性や回路部の特性に影響を及ぼすことなく、それらの特性を向上するために最適なプロセスに容易に変更することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態例について図面を参照して説明する。
図１は本発明の第１の実施の形態によるインターライン転送方式のＣＣＤ型固体撮像装置の概略構成図、図２は本発明の第１の実施の形態における半導体基板への撮像画素部及び周辺回路の成形処理工程の一部を示す説明図である。
【００１４】
この実施の形態に示すＣＣＤ型の固体撮像装置１０は、図１に示したように、半導体基板１２の撮像領域１４に設けられた撮像部１６と、撮像領域１４の外側に位置する半導体基板１２の回路領域１８に設けられた周辺回路２０とを含む構成になっている。
上記撮像部１６は、撮像領域１４内に水平及び垂直方向に二次元に配列され、すなわち行列状に配列され、入射光に応じた信号電荷を蓄積する複数の光電変換素子１６１と、光電変換素子１６１の列毎に設けられ、この列の光電変換素子１６１から読み出しゲート１６２を介して読み出された信号電荷を垂直転送クロックにより垂直方向に転送する複数の垂直電荷転送部１６３と、各垂直電荷転送部１６３からの信号電荷を受け取って水平転送クロックにより水平方向に転送する１つの水平電荷転送部１６４と、この水平電荷転送部１６４の出力端に設けられ、水平電荷転送部１６４によって転送されてきた信号電荷を検出するＦＤ（フローティングディフュージョン）検出部１６５とから構成されている。
【００１５】
上記周辺回路２０は、図１に示すように、ＦＤ検出部１６５で検出された信号電荷量を電圧に変換して、映像信号として取り出す出力回路２０１と、撮像部１６の垂直電荷転送部１６３及び水平電荷転送部１６４にクロック信号及び同期信号を供給するとともに出力回路２０１に動作タイミング信号を供給するタイミングジェネレータ２０２等を含んで構成されている。上記出力回路２０１は、ドライブ用ＭＯＳトランジスタを複数段縦接続した形のオンチップアンプから構成されている。
なお、周辺回路２０は、出力回路２０１及びタイミングジェネレータ２０２の他に、撮像部１６の信号電荷の読み出し及び読み出された信号電荷量の検出、すなわち映像信号である出力信号の検出に必要な回路などを含むものであってもよい。
【００１６】
次に、半導体基板１２に撮像部１６及び周辺回路２０を形成する場合について、図２を参照して説明する。
図２において、１２はＮ型のシリコン基板（図１の半導体基板に相当）であり、このシリコン基板１２は、撮像領域１４と回路領域１８を有し、この撮像領域１４と回路領域１８との間は、シリコン基板１２上に形成したＰ＋型の分離帯２２によって電気的に分離されている。
【００１７】
シリコン基板１２上への撮像部１６及び周辺回路２０の形成に際しては、撮像領域１４への画素形成用処理工程と回路領域１８への回路素子形成用処理工程が別々に実行され、これらの処理工程によって撮像部１６及び周辺回路２０が別々に形成される。
例えば、ＣＣＤ型の撮像部１６を形成する処理工程で、注入イオンの拡散処理工程における加熱温度が周辺回路２０のＭＯＳトランジスタを形成する熱処理工程の加熱温度より高い場合は、図２（Ａ）に示すように、最初に撮像領域１４に、予め最適に設計された画素形成用処理工程に従って撮像部１６が形成される。
この時、回路領域１８はレジストなどの保護膜２３に覆われ、この保護膜２３により、画素形成用処理が回路領域１８に作用されないように保護する。
また、この場合の撮像部１６は、シリコン基板１２上に形成されたＰ−型ウエル層１２１及びこのＰ−型ウエル層１２１に形成したＮ＋型の蓄積層１２２とからなる光電変換素子１６１と、Ｐ−型ウエル層１２１及びこのＰ−型ウエル層１２１に形成したＮ型の信号電荷転送領域１２３とからなる垂直電荷転送部１６３（または水平電荷転送部１６４）を備え、そして、撮像領域１４の上面には絶縁層１２４を介して転送用のゲート電極１２５が設けられている。
【００１８】
撮像領域１４への撮像部１６の作り込みが終了したならば、回路領域１８への回路素子形成用処理工程へ移行される。すなわち、図２（Ｂ）に示すように、予め最適に設計された回路素子形成用処理工程に従って回路領域１８に周辺回路２０が形成される。
この時、ゲート電極１２５を含む撮像部１６はレジストなどの保護膜２４に覆われ、この保護膜２４により、回路素子形成用処理が撮像部１６に作用されないように保護する。
また、この場合の周辺回路２０は、シリコン基板１２上に形成されたＰ−型ウエル層１２６及びこのＰ−型ウエル層１２６に形成した２つのＮ＋型層１２７とを有するＰ型ＭＯＳトランジスタと、シリコン基板１２上に形成されたＮ−型ウエル層１２８及びこのＮ−型ウエル層１２８に形成した２つのＰ＋型層１２９とを有するＮ型ＭＯＳトランジスタとからなるＣ−ＭＯＳタイプの出力回路を構成し、そして、回路領域１８の上面には絶縁層１２４を介して一対のゲート電極１３０が設けられている。
【００１９】
回路領域１８への周辺回路２０の作り込みが終了したならば、図２（Ｂ）に示すようにゲート電極１２５を含む撮像部１６を覆っている保護膜２４を除去することにより、図２（Ｃ）に示すように、撮像領域１４に撮像部１６を、回路領域１８に周辺回路２０をそれぞれ作り込んだ固体撮像装置１０を構成できる。
【００２０】
このような第１の実施の形態によれば、同一のシリコン基板１２における撮像領域１４への画素形成用処理工程と回路領域１８への回路素子形成用処理工程のうち、画素形成用処理工程により撮像領域１４に撮像部１６を形成した後、回路素子形成用処理工程により回路領域１８に周辺回路２０を形成するようにしたので、光電変換素子の特性や回路部の特性に影響を及ぼすことなく、固体撮像装置１０を製造でき、したがって、光電変換素子の特性や回路部の特性に優れた固体撮像装置１０が得られる。
また、撮像領域１４と回路領域１８とが別の処理工程で形成されるので、撮像画素部及び信号読み出し部や周辺回路の各処理工程を光電変換素子や回路素子の特性を向上するために適したプロセスに短時間にかつ容易に設計変更することができる。特に、周辺回路において、ＭＯＳ系で開発した最新のプロセス技術をそのまま使用することが可能になる。したがって、光電変換素子の特性や回路部の特性に優れた固体撮像装置１０を得る上できわめて有利となる。
【００２１】
次に、図３及び図４により本発明の第２の実施の形態にかかる固体撮像装置について説明する。
図３は本発明の第２の実施の形態によるＭＯＳ型固体撮像装置の概略構成図、図４は図３に示すＭＯＳ型固体撮像装置の画素の構成を示す等価回路図である。
【００２２】
この実施の形態に示すＭＯＳ型の固体撮像装置４０は、図４に示したように、半導体基板４２と、この半導体基板４２上に互いに電気的に分離して設けられた撮像領域４４及び回路領域４６を備えている。
上記撮像領域４４には、撮像画素部４７、垂直シフトレジスタ４８、水平シフトレジスタ５０及びシャッタシフトレジスタ５２等が所定の画素形成用処理工程に従って形成されている。また、上記回路領域４６には、周辺回路５４が所定の回路素子形成用処理工程に従って形成されている。
【００２３】
上記撮像画素部４７は、図３に示すように、多数の画素４７Ａが二次元マトリクス状に配列されていおり、この各画素４７Ａは、図４に示すように、受光量に応じた信号電荷を生成し蓄積する光電変換素子（フォトダイオード）ＰＤと、この光電変換素子ＰＤが蓄積した信号電荷を読み出す読み出し回路４７２を備えている。
また、上記読み出し回路４７２は、フローティングディフュージョン部ＦＤに転送する転送トランジスタＴＲｔと、フローティングディフュージョン部ＦＤの電圧をリセットするリセットトランジスタＴＲｒと、フローティングディフュージョン部ＦＤの電圧に対応する出力信号を送出する増幅トランジスタＴＲａと、この増幅トランジスタＴＲａの出力信号を出力信号線４７３に送出する選択（アドレス）トランジスタＴＲｘと、転送トランジスタＴＲｔの動作を選択する転送選択トランジスタＴＲｘｙとの５つのＭＯＳトランジスタから構成されている。
【００２４】
上記垂直シフトレジスタ４８は、撮像画素部４７を垂直方向に水平ライン（画素行）単位で走査して各画素行を選択するものであり、垂直シフトレジスタ４８の駆動回路により各画素行の読み出し回路４７２のトランジスタを制御して画像信号を出力信号線４７３に出力する動作を行う。
また、水平シフトレジスタ５０は、撮像画素部４７を水平方向に走査して各画素列を選択するものであり、水平シフトレジスタ５０の駆動回路により各画素列の読み出し回路４７２のトランジスタを制御して画像信号を出力する動作を行う。
また、シャッタシフトレジスタ５２は、撮像画素部４７を垂直方向に水平ライン（画素行）単位で走査して各画素行を選択するものであり、垂直シフトレジスタ４８の駆動回路により各画素行の読み出し回路４７２のトランジスタを制御することにより、各画素４７Ａの光電変換素子ＰＤの信号電荷がリセットされ、電子シャッタ動作を行う。
【００２５】
上記周辺回路５４は、図３に示すように、撮像画素部４７から出力信号線４７３を通して、電流信号の形で出力される画素信号を電圧信号に変換して、映像信号として取り出す出力回路５４１と、撮像画素部４７の垂直シフトレジスタ４８、水平シフトレジスタ５０及びシャッタシフトレジスタ５２にクロック信号及び同期信号を供給するとともに出力回路５４１に動作タイミング信号を供給するタイミングジェネレータ５４２等を含んで構成されている。出力回路５４１は、ドライブ用ＭＯＳトランジスタを複数段縦接続した形のオンチップアンプから構成されている。
なお、周辺回路５４は、図３に示すように、出力回路５４１及びタイミングジェネレータ５４２の他に、撮像画素部４７の信号電荷の読み出し及び読み出された信号電荷量の検出、すなわち映像信号である出力信号の検出に必要な回路などを含むものであってもよい。
【００２６】
上述する撮像画素部４７及び周辺回路５４の半導体基板４２への形成は、上記図１に示すＣＣＤ型固体撮像装置の場合と同様に行われる。
すなわち、半導体基板４２上への撮像画素部４７及び周辺回路５４の形成に際しては、撮像領域４４への画素形成用処理工程と回路領域４６への回路素子形成用処理工程とを別々に設計し、これらの処理工程によって撮像画素部４７及び周辺回路５４を別々に形成する。
例えば、撮像画素部４７を形成する処理工程で、注入イオンの拡散処理工程における加熱温度が周辺回路５４のＭＯＳトランジスタを形成する熱処理工程の加熱温度より高い場合は、最初に撮像領域４４に、予め最適に設計された画素形成用処理工程に従って撮像画素部４７及びこれに付随する垂直シフトレジスタ４８、水平シフトレジスタ５０及びシャッタシフトレジスタ５２を形成する。
この時、回路領域４６はレジストなどの保護膜に覆われ、この保護膜により、画素形成用処理が回路領域４６に作用されないように保護される。
【００２７】
撮像領域４４への撮像画素部４７の作り込みが終了したならば、回路領域４６の処理工程へ移行される。すなわち、予め最適に設計された回路素子形成用処理工程に従って回路領域４６に周辺回路５４が形成される。
この時、先に形成された撮像画素部４７はレジストなどの保護膜に覆われ、この保護膜により、回路素子形成用処理が撮像画素部４７に作用されないように保護する。
そして、回路領域４６への周辺回路５４の作り込みが終了したならば、撮像画素部４７を覆っている保護膜を除去することにより、撮像領域４４に撮像画素部４７を、回路領域４６に周辺回路５４をそれぞれ作り込んだ固体撮像装置１０を構成できる。
【００２８】
このような第２の実施の形態によれば、半導体基板４２における撮像領域４４への画素形成用処理工程と回路領域４６への回路素子形成用処理工程のうち、画素形成用処理工程により撮像領域４４に撮像画素部４７を形成した後、回路素子形成用処理工程により回路領域４６に周辺回路５４を形成するようにしたので、光電変換素子の特性や回路部の特性に影響を及ぼすことなく、固体撮像装置４０を製造でき、したがって、光電変換素子の特性や回路部の特性に優れた固体撮像装置４０が得られる。
また、撮像領域４４と回路領域４６とが別の処理工程で形成されるので、撮像画素部及び信号読み出し部や周辺回路の各処理工程を光電変換素子や回路素子の特性を向上するために適したプロセスに短時間にかつ容易に設計変更することができる。特に、周辺回路において、ＭＯＳ系で開発した最新のプロセス技術をそのまま使用することが可能になる。したがって、光電変換素子の特性や回路部の特性に優れた固体撮像装置４０を得る上できわめて有利となる。
【００２９】
なお、本発明は、上記実施の形態に示すような構造の固体撮像装置に限定されず、本発明の請求項に記載した範囲を逸脱しない限り、種々に変更できることは勿論である。
【００３０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の固体撮像装置では、同一の半導体基板における撮像領域と回路領域が別々の処理工程で実行され、撮像領域に少なくとも光電変換素子含む画素が形成され、かつ回路領域に回路素子が形成されている。
よって、本発明によれば、光電変換素子の特性や回路部の特性に優れた固体撮像装置が得られ、また、このように優れた特性の固体撮像装置を確実に製造できる。
また、本発明にかかる固体撮像装置の製造方法では、撮像領域の処理工程と回路領域の処理工程のうち、一方の処理工程を他方の処理工程に先立って実行し、この一方の処理工程が終了した後に他方の処理工程を実行する。
よって、本発明によれば、優れた特性の固体撮像装置を確実に製造でき、また、撮像画素部及び信号読み出し部や周辺回路の各処理工程を、光電変換素子の特性や回路部の特性に影響を及ぼすことなく、それらの特性を向上するために最適なプロセスに容易に変更することができ、光電変換素子の特性や回路部の特性に優れた固体撮像装置を得る上できわめて有利となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態によるインターライン転送方式のＣＣＤ型固体撮像装置の概略構成図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態における半導体基板への撮像画素部及び周辺回路の成形処理工程の一部を示す説明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態によるＭＯＳ型固体撮像装置の概略構成図である。
【図４】図３に示すＭＯＳ型固体撮像装置の画素の構成を示す等価回路図である。
【符号の説明】
１０，４０……固体撮像装置、１２，４２……半導体基板、１４，４４……撮像領域、１６……撮像部、１８，４６……回路領域、２０，５４……周辺回路、１６１，ＰＤ……光電変換素子、１６３……垂直電荷転送部、１６４……水平電荷転送部、４４……撮像領域、４７……撮像画素部、４７Ａ……画素、４８……垂直シフトレジスタ、５０……水平シフトレジスタ、５２……シャッタシフトレジスタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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