(57)【要約】【課題】半導体装置を加工して電源をＯＦＦする工程を別途設けることなく、不用な半導体装置に電源を供給しないようにすることを目的とする。【解決手段】半導体ウェハ３００上に搭載された全ての半導体装置１００に対して電源を供給する電源供給部７と、アナログスイッチ１１などの回路的に各々の半導体装置１００の電源をＯＮ／ＯＦＦできるスイッチを有し、電源制御信号１３によりアナログスイッチ１１をＯＮ／ＯＦＦして半導体装置１００への電源供給を半導体装置毎に制御できるため、半導体装置１００を加工して電源をＯＦＦする工程を別途設けることなく、不用な半導体装置１００に電源を供給しないようにすることができる。この時、アナログスイッチ１１を半導体装置１００の外に装備することにより、半導体装置１００のチップサイズをその分小さくすることができる。【選択図】    図１
2004319542.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体装置を形成する半導体ウェハの状態で前記各半導体装置を測定する際に前記各半導体装置の電源供給を制御する電源供給制御装置であって、
前記各半導体装置に電源を供給する電源供給部と、
前記電源供給部から前記半導体装置への電源の供給と停止を切り替える前記各半導体装置に備えられるスイッチと、
外部から前記各半導体装置毎の前記スイッチの制御信号を入力する前記半導体ウェハの制御信号入力端子と
を有し、前記スイッチの制御信号により、前記半導体装置の測定時に前記各半導体装置への電源の供給を制御することを特徴とする電源供給制御装置。
【請求項２】
前記半導体装置数分のフリップフロップを直列に接続して各フリップフロップの出力を前記各半導体装置のスイッチの制御信号とする前記半導体ウェハに備えられるシフトレジスタと、
前記シフトレジスタにクロック信号を入力する前記半導体ウェハの端子と
を有し、前記制御信号入力端子の入力信号としてシリアルの制御信号を前記シフトレジスタに入力し、前記半導体装置数分シフトした時の前記各半導体装置に対応するフリップフロップの出力値により、前記各半導体装置への電源の供給を制御することを特徴とする請求項１記載の電源供給制御装置。
【請求項３】
前記シリアルの制御信号を前記各半導体装置の測定結果に基づいて生成するパラレルシリアル変換回路を有し、前記半導体装置の再測定時に、以前の測定結果によって測定対象と判断される半導体装置にのみ電源を供給するように制御することを特徴とする請求項２記載の電源供給制御装置。
【請求項４】
前記パラレルシリアル変換回路から出力されるシリアル信号を前記各半導体装置に対応するパラレル信号に変換するシリアルパラレル変換回路と、
前記シフトレジスタの前記各半導体装置に対応する前記各フリップフロップの出力信号と前記各半導体装置に対応する前記シリアルパラレル変換回路からの出力信号のうちいずれかを選択して前記各半導体装置のスイッチの制御信号として出力するセレクタ回路と
を有し、前記シリアルパラレル変換回路からの出力信号を選択して前記スイッチの制御信号とすることにより、前記シフトレジスタでシフト動作することなく、前記各半導体装置の電源を制御することを特徴とする請求項３記載の電源供給制御装置。
【請求項５】
前記パラレルシリアル変換回路，前記シリアルパラレル変換回路および前記半導体装置の測定結果を判定する期待値比較回路とを前記半導体ウェハ領域に備えることを特徴とする請求項４記載の電源供給制御装置。
【請求項６】
前記スイッチを前記半導体ウェハのスクライブレーンに設けることを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３または請求項４または請求項５いずれかに記載の電源供給制御装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハの電源供給制御装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
通常の半導体ウェハ測定は、半導体装置毎にプローブカードにより電源・ＧＮＤ・信号を供給している。
【０００３】
これに対して、同一半導体ウェハの全半導体装置に共通の電源線により電源を供給する方法も開示されている。その際に、電源がショートしている半導体装置が１つでもあると良品の半導体装置にも充分な電源供給ができなくなるため、従来の技術では、不良の半導体装置の電源線の接続状態を切り換えるスイッチを設け、レーザで制御している（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、不良の場合に過電流を流してヒューズを溶断しているものもある。
以下、ヒューズを溶断する電源供給制御装置について説明する。
図７（ａ）は従来の電源供給制御装置を説明する図、図７（ｂ）は従来の半導体装置におけるヒューズを示す拡大図である。
【０００５】
図７において、１は半導体装置、２は半導体測定装置、３は半導体ウェハ、４は半導体ウェハ３内の半導体装置１を区画するためのスクライブレーン、５は半導体装置内電源線、６は半導体装置外電源線、７は電源供給部、８はヒューズ溶断用狭部である。
【０００６】
半導体ウェハ３は各半導体装置に区画するためのスクライブレーン４を有し、スクライブレーン４を隔てて複数の半導体装置１が形成されている。また、半導体装置１は半導体装置内電源線５を有し、半導体測定装置２によって測定される。さらに、半導体ウェハ３内の半導体装置１の半導体装置内電源線５は半導体装置外電源線６を介して電源供給部７と結線が行われれ、半導体装置内電源線５はヒューズ溶断用狭部８を有している。測定時に不良品であると判定された半導体装置は、電器信号を加えてヒューズ溶断用狭部８は過電流を流すことによりヒューズを溶断し、電源の供給を停止することができる（例えば、特許文献２参照）。
【０００７】
【特許文献１】
特許第３１４３９７３号公報（特開平５−５２９００号、第１−４頁、第一図）
【０００８】
【特許文献２】
特許第１８４３０４５号公報（特開昭６２−５５９４４号、抄録、第一図）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の測定方法によると、レーザをあてる工程や外部から電気信号を加える工程が別途必要となり、測定が煩雑になるという問題点を有していた。
【００１０】
そこで本発明の電源供給制御装置には、半導体装置を加工して電源をＯＦＦする工程を別途設けることなく、不用な半導体装置に電源を供給しないようにすることを目的とする。さらに、測定時間の短縮を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の請求項１記載の電源供給制御装置は、複数の半導体装置を形成する半導体ウェハの状態で前記各半導体装置を測定する際に前記各半導体装置の電源供給を制御する電源供給制御装置であって、前記各半導体装置に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記半導体装置への電源の供給と停止を切り替える前記各半導体装置に備えられるスイッチと、外部から前記各半導体装置毎の前記スイッチの制御信号を入力する前記半導体ウェハの制御信号入力端子とを有し、前記スイッチの制御信号により、前記半導体装置の測定時に前記各半導体装置への電源の供給を制御することを特徴とする。
【００１２】
請求項２記載の電源供給制御装置は、請求項１記載の電源供給制御装置において、前記半導体装置数分のフリップフロップを直列に接続して各フリップフロップの出力を前記各半導体装置のスイッチの制御信号とする前記半導体ウェハに備えられるシフトレジスタと、前記シフトレジスタにクロック信号を入力する前記半導体ウェハの端子とを有し、前記制御信号入力端子の入力信号としてシリアルの制御信号を前記シフトレジスタに入力し、前記半導体装置数分シフトした時の前記各半導体装置に対応するフリップフロップの出力値により、前記各半導体装置への電源の供給を制御することを特徴とする。
【００１３】
請求項３記載の電源供給制御装置は、請求項２記載の電源供給制御装置において、前記シリアルの制御信号を前記各半導体装置の測定結果に基づいて生成するパラレルシリアル変換回路を有し、前記半導体装置の再測定時に、以前の測定結果によって測定対象と判断される半導体装置にのみ電源を供給するように制御することを特徴とする。
【００１４】
請求項４記載の電源供給制御装置は、請求項３記載の電源供給制御装置において、前記パラレルシリアル変換回路から出力されるシリアル信号を前記各半導体装置に対応するパラレル信号に変換するシリアルパラレル変換回路と、前記シフトレジスタの前記各半導体装置に対応する前記各フリップフロップの出力信号と前記各半導体装置に対応する前記シリアルパラレル変換回路からの出力信号のうちいずれかを選択して前記各半導体装置のスイッチの制御信号として出力するセレクタ回路とを有し、前記シリアルパラレル変換回路からの出力信号を選択して前記スイッチの制御信号とすることにより、前記シフトレジスタでシフト動作することなく、前記各半導体装置の電源を制御することを特徴とする。
【００１５】
請求項５記載の電源供給制御装置は、請求項４記載の電源供給制御装置において、前記パラレルシリアル変換回路，前記シリアルパラレル変換回路および前記半導体装置の測定結果を判定する期待値比較回路とを前記半導体ウェハ領域に備えることを特徴とする。
【００１６】
請求項６記載の電源供給制御装置は、請求項１または請求項２または請求項３または請求項４または請求項５いずれかに記載の電源供給制御装置において、前記スイッチを前記半導体ウェハのスクライブレーンに設けることを特徴とする。
【００１７】
半導体装置を加工して電源をＯＦＦする工程を別途設けることなく、不用な半導体装置に電源を供給しないようにすることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本実施の形態の電源供給制御装置は、アナログスイッチ等回路的に電源をＯＮ／ＯＦＦできるスイッチを内部に有するものである。
【００１９】
このことにより、半導体装置を加工して電源をＯＦＦする工程を別途設けることなく、不用な半導体装置に電源を供給しないようにすることができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
図１は実施の形態１における電源供給制御装置を説明する図である。
【００２０】
図１において、１００は半導体装置、２００は半導体測定装置、３００は半導体ウェハ、４は半導体ウェハ３００内の半導体装置１００を区画するためのスクライブレーン、５は半導体装置内電源線、６は半導体装置外電源線、７は電源供給部、１１は回路的に電源をＯＮ／ＯＦＦすることが可能なアナログスイッチ、１２は電源制御信号線、１３は電源制御信号、１４は測定結果出力信号線、１５は測定結果出力信号、１６は期待値比較回路である。ここでは、アナログスイッチ１１を用いて説明するが、その他のスイッチを用いることは可能である。
【００２１】
半導体ウェハ３００は各半導体装置に区画するためのスクライブレーン４を有し、スクライブレーン４を隔てて複数の半導体装置１００が形成されている。また、半導体装置１１００は半導体装置内電源線５を有し、半導体測定装置２００によって測定される。ここで、半導体ウェハ３００内の半導体装置１００の半導体装置内電源線５は半導体装置外電源線６を介して電源供給部７と結線が行われ、半導体装置内電源線５はアナログスイッチ１１を介して半導体装置外電源線６と結線が行われている。さらに、アナログスイッチ１１は半導体装置毎に設けられ、電源制御信号線１２より入力される各半導体装置に対応した電源制御信号１３によりＯＮ／ＯＦＦすることができる。
【００２２】
以上において、測定時に、電源制御信号１３によりアナログスイッチ１１がＯＮされた測定対象の半導体装置１００には電源が供給され、測定結果出力信号線１４を通じて測定結果出力信号１５が出力される。測定結果出力信号１５は期待値比較回路１６により期待値比較が行われる。また、不良品等の測定対象とならない半導体装置１００は、電源制御信号１３によりアナログスイッチ１１がＯＦＦされて電源が供給されず、測定が行われない。
【００２３】
以上によれば、電源制御信号１３によりアナログスイッチ１１をＯＮ／ＯＦＦして半導体装置１００への電源供給を半導体装置１００毎に制御できるため、半導体装置を加工して電源をＯＦＦする工程を別途設けることなく、不用な半導体装置に電源を供給しないようにすることができる。
（実施の形態２）
図２は実施の形態２における電源供給制御装置を説明する図である。
【００２４】
図２において、１００Ａは半導体装置であり、３００Ａは半導体ウェハであり、複数の半導体装置１００Ａを形成している。２００Ａは半導体測定装置であり、半導体装置１００Ａを測定する。半導体装置１００Ａ、半導体測定装置２００Ａ、半導体ウェハ３００Ａの構成要素は、図１を参照して前述した半導体装置１００、半導体測定装置２００、半導体ウェハ３００の構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。前述した半導体装置１００、半導体測定装置２００、半導体ウェハ３００と異なる点は、アナログスイッチ１１が半導体装置１００Ａの外部のスクライブレーン４に設けられている点である。この構成により、アナログスイッチ１１が半導体装置１００Ａの外に装備されるため、半導体装置１００Ａのチップサイズをその分小さくすることができる。
【００２５】
以上によれば、従来の半導体装置と比較してチップサイズを増大させることなく、電源制御信号１３によりアナログスイッチ１１をＯＮ／ＯＦＦして半導体装置１００Ａへの電源供給を半導体装置１００Ａ毎に制御できるため、半導体装置を加工して電源をＯＦＦする工程を別途設けることなく、不用な半導体装置に電源を供給しないようにすることができる。
（実施の形態３）
図３は実施の形態３における電源供給制御装置を説明する図である。
【００２６】
図３において、１００Ｂは半導体装置であり、３００Ｂは半導体ウェハであり、複数の半導体装置１００Ｂを形成している。２００Ｂは半導体測定装置であり、半導体装置１００Ｂを測定する。２１は電源制御用シフトレジスタ、２２は電源制御シリアル信号、２３は電源制御シリアル信号線、２４は電源制御シフトレジスタ用ＣＬＫ線、２５は電源制御シフトレジスタ用ＣＬＫである。半導体装置１００Ｂ、半導体測定装置２００Ｂ、半導体ウェハ３００Ｂのその他の構成要素は、図２を参照して前述した半導体装置１００Ａ、半導体測定装置２００Ａ、半導体ウェハ３００Ａの構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。
【００２７】
前述した半導体装置１００Ａ、半導体測定装置２００Ａ、半導体ウェハ３００Ａと異なる点は、半導体装置１００Ｂのアナログスイッチ１１を制御する電源制御信号線１２を制御するために電源制御用シフトレジスタ２１を有し、電源制御シリアル信号２２により電源を半導体装置毎にＯＮ／ＯＦＦできる点である。
【００２８】
電源制御用シフトレジスタ２１は電源制御シリアル信号線２３から電源制御シリアル信号２２が入力され、電源制御シフトレジスタ用ＣＬＫ線２４から入力される電源制御シフトレジスタ用ＣＬＫ２５に同期して電源制御信号線１２から電源制御信号１３が出力される。
【００２９】
ここで、シフトレジスタの段数に応じて、複数の半導体装置１００Ｂの電源を制御することができる。つまり、シリアルに入力される電源制御シリアル信号２２を電源制御シフトレジスタ用ＣＬＫ２５に同期してシフトし、電源用シフトレジスタ２１を構成するフリップフロップの出力端子と接続された半導体装置１００Ｂの電源を制御することができる。
【００３０】
以上によれば、電源制御用の信号が電源制御シリアル信号２２のみで済むため、電源制御信号を入力するための端子数を大幅に削減することが可能となると共に、電源制御信号１３によりアナログスイッチ１１をＯＮ／ＯＦＦして半導体装置１００Ｂへの電源供給を半導体装置１００Ｂ毎に制御できるため、半導体装置を加工して電源をＯＦＦする工程を別途設けることなく、不用な半導体装置に電源を供給しないようにすることができる。
【００３１】
この時、アナログスイッチを半導体装置１００Ｂ内部に搭載することも可能であるが、半導体装置１００Ｂ外の半導体ウェハ３００Ｂに搭載することにより、チップ面積を削減することができる。
（実施の形態４）
図４は実施の形態４における電源供給制御装置を説明する図である。
【００３２】
図４において、１００Ｃは半導体装置であり、３００Ｃは半導体ウェハであり、複数の半導体装置１００Ｃを形成している。２００Ｃは半導体測定装置であり、半導体装置１００Ｃを測定する。また、３１はパラレルシリアル変換回路、３２は測定結果パラシリ変換後の電源制御シリアル信号、３３は期待値比較結果出力信号、３４は期待値比較結果出力信号線、３５は測定結果パラシリ変換後の出力信号線である。図３を参照して前述した半導体装置１００Ｂ、半導体測定装置２００Ｂ、半導体ウェハ３００Ｂの構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。
【００３３】
前述した半導体装置１００Ｂ、半導体測定装置２００Ｂ、半導体ウェハ３００Ｂと異なる点は、半導体装置１００Ｃの測定結果である測定結果出力信号１５をパラレルシリアル変換回路３１で変換した電源制御シリアル信号３２によって半導体装置１００Ｃの電源をＯＮ／ＯＦＦできる点である。
【００３４】
以下、その動作を説明する。
アナログスイッチ１１を１つずつＯＮすることにより半導体装置１００Ｃの電源を１つずつＯＮしていく。アナログスイッチ１１がＯＮされた測定対象の半導体装置１００Ｃからは、測定結果出力信号線１４を通じて測定結果出力信号１５が出力される。各半導体装置１００Ｃの測定結果出力信号１５は期待値比較回路１６により期待値比較が行われる。期待値比較回路１６によって期待値比較を行った結果である期待値比較結果出力信号３３は期待値比較結果出力信号線３４から出力される。期待値比較結果出力信号３３はパラレルシリアル変換回路３１でパラレルシリアル変換される。変換結果である測定結果パラシリ変換後の電源制御シリアル信号３２は測定結果パラシリ変換後の出力信号線３５から出力される。冗長救済後等、再度測定する場合、テスタが保持する測定結果パラシリ変換後の電源制御シリアル信号３２を、電源制御シリアル信号線２３を介して入力する。測定結果パラシリ変換後の電源制御シリアル信号３２により、各半導体装置１００Ｃの電源をアナログスイッチ１１でＯＮ／ＯＦＦする。期待値比較回路１６によって良品と判断された半導体装置１００Ｃの電源はＯＮし、不良品と判断された半導体装置１００Ｃの電源はＯＦＦする。
【００３５】
以上によれば、半導体装置１００Ｃを加工して電源をＯＦＦする工程を別途設けることなく既存のテスタのみで測定を行う際に冗長救済後等再度測定する場合、電源制御信号１３によりアナログスイッチ１１をＯＮ／ＯＦＦして半導体装置１００Ｂへの電源供給を半導体装置１００Ｂ毎に制御できるため、半導体装置を加工して電源をＯＦＦする工程を別途設けることなく、不良品と判断された半導体装置に電源を供給しないようにすることができる。そのため、次測定の１番最初の工程で不良と判定され、測定時間を削減することができる。
【００３６】
この時、アナログスイッチを半導体装置１００Ｃ内部に搭載することも可能であるが、半導体装置１００Ｃ外の半導体ウェハ３００Ｃに搭載することにより、チップ面積を削減することができる。
（実施の形態５）
図５は実施の形態５における電源供給制御装置を説明する図である。
【００３７】
図５において、１００Ｄは半導体装置であり、３００Ｄは半導体ウェハであり、複数の半導体装置１００Ｄを形成している。２００Ｄは半導体測定装置であり、半導体装置１００Ｄを測定する。また、４１はシリアルパラレル変換回路、４２は電源制御パラレル信号、４３は電源制御パラレル信号線、４４は電源制御信号セレクタである。図４を参照して前述した半導体装置１００Ｃ、半導体測定装置２００Ｃ、半導体ウェハ３００Ｃの構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。
【００３８】
前述した半導体装置１００Ｃ、半導体測定装置２００Ｃ、半導体ウェハ３００Ｃと異なる点は、半導体装置１００Ｄの測定結果である測定結果出力信号１５をパラレルシリアル変換回路３１で変換した電源制御シリアル信号３２を、シリアルパラレル変換回路４１でシリアルパラレル変換した電源制御パラレル信号４２によって半導体装置１００Ｄの電源を一斉にＯＮ／ＯＦＦできる点である。
【００３９】
パラレルシリアル変換回路３１によって変換された、測定結果パラシリ変換後の電源制御シリアル信号３２をシリアルパラレル変換回路４１に入力する。シリアルパラレル変換回路４１によって測定結果パラシリ変換後の電源制御シリアル信号３２を電源制御パラレル信号４２に変換する。変換された電源制御パラレル信号４２は電源制御パラレル信号線４３から出力される。電源制御信号セレクタ４４は電源制御シリアル信号線２３と電源制御パラレル信号線４３が入力信号線として接続され、電源制御信号線１２が出力信号線として接続されている。電源制御信号セレクタ４４は電源制御シリアル信号２２と電源制御パラレル信号４２が入力され、電源制御信号１３として電源制御パラレル信号４２と電源制御シリアル信号２２のどちらかの信号を選択して出力することができる。
【００４０】
以上の構成により、期待値比較結果出力信号３３を、所定の半導体装置に対応して良品は電源ＯＮ，不良品は電源ＯＦＦとなるように制御する電源制御パラレル信号４２に変換し、電源制御信号セレクタ４４により、電源制御用シフトレジスタ２１の出力信号または電源制御パラレル信号４２を選択して対応する各半導体装置に入力することにより、電源制御パラレル信号４２を選択した場合は、各半導体装置毎に電源供給のＯＮ／ＯＦＦを制御することができる。
【００４１】
以上によれば、半導体装置１００Ｄを加工して電源をＯＦＦする工程を別途設けることなく既存のテスタのみで測定を行う際に、期待値比較結果出力信号３３より、各半導体装置に対応する電源制御パラレル信号４２を生成し、電源制御信号セレクタ４４にて電源制御パラレル信号４２を選択することにより、期待値比較回路１６によって良品と判断された半導体装置１００Ｄの電源はＯＮし、不良品と判断された半導体装置１００Ｄの電源はＯＦＦすることを半導体装置１００Ｄ一斉に制御することが可能になる。そのため、半導体装置を加工して電源をＯＦＦする工程を別途設けることなく、不良品と判断された半導体装置に電源を供給しないようにすることができる。
【００４２】
この時、アナログスイッチを半導体装置１００Ｄ内部に搭載することも可能であるが、半導体装置１００Ｄ外の半導体ウェハ３００Ｄに搭載することにより、チップ面積を削減することができる。
（実施の形態６）
図６は実施の形態６における電源供給制御装置を説明する図である。
【００４３】
図６において、１００Ｅは半導体装置であり、３００Ｅは半導体ウェハであり、複数の半導体装置１００Ｅを形成している。２００Ｅは半導体測定装置であり、半導体装置１００Ｅを測定する。また、図５を参照して前述した半導体装置１００Ｄ、半導体測定装置２００Ｄ、半導体ウェハ３００Ｄの構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。
【００４４】
前述した半導体装置１００Ｄ、半導体測定装置２００Ｄ、半導体ウェハ３０Ｄと異なる点は、半導体装置１００Ｅの測定結果である測定結果出力信号１５を変換するパラレルシリアル変換回路３１、シリアルパラレル変換回路４１を半導体ウェハ３００Ｅに設けることにより、ウェハに入出力する端子数が削減できる点である。
【００４５】
以上によれば、半導体装置１００Ｅを加工して電源をＯＦＦする工程を別途設けることなく既存のテスタのみで測定を行う際に、パラレルシリアル変換回路３１、シリアルパラレル変換回路４１を半導体ウェハ３００Ｅに設ることにより測定用の端子数を抑制しながら、半導体装置を加工して電源をＯＦＦする工程を別途設けることなく、不良品と判断された半導体装置に電源を供給しないようにすることができる。
【００４６】
この時、アナログスイッチを半導体装置１００Ｅ内部に搭載することも可能であるが、半導体装置１００Ｅ外の半導体ウェハ３００Ｅに搭載することにより、チップ面積を削減することができる。
【００４７】
【発明の効果】
以上のように、本発明の電源供給制御装置によると、電源制御信号によりアナログスイッチをＯＮ／ＯＦＦして半導体装置への電源供給を半導体装置毎に制御できるため、半導体装置を加工して電源をＯＦＦする工程を別途設けることなく、不用な半導体装置に電源を供給しないようにすることができる。この時、アナログスイッチを半導体装置の外に装備することにより、半導体装置のチップサイズをその分小さくすることができる。
【００４８】
また、シリアルに入力される電源制御シリアル信号を電源制御シフトレジスタ用ＣＬＫに同期してシフトする電源制御用シフトレジスタを設け、電源制御用シフトレジスタを構成するフリップフロップの出力信号を電源制御信号とすることにより、電源制御用の信号が電源制御シリアル信号のみで済むため、電源制御信号を入力するための端子数を大幅に削減することが可能となると共に、電源制御信号によりアナログスイッチをＯＮ／ＯＦＦして半導体装置への電源供給を半導体装置毎に制御できるため、半導体装置を加工して電源をＯＦＦする工程を別途設けることなく、不用な半導体装置に電源を供給しないようにすることができる。この時、期待値比較結果出力信号をシリアル変換した信号を電源制御シリアル信号とすることにより、冗長救済後等再度測定する場合、不良品と判断された半導体装置に電源を供給しないようにすることができるため、次測定の１番最初の工程で不良と判定され、測定時間を削減することができる。
【００４９】
さらに、期待値比較結果出力信号より、各半導体装置に対応する電源制御パラレル信号を生成し、電源制御信号セレクタにより、電源制御パラレル信号を選択することにより、期待値比較回路によって良品と判断された半導体装置の電源はＯＮし、不良品と判断された半導体装置の電源はＯＦＦすることを複数または全数の半導体装置一斉に制御することが可能になる。そのため、半導体装置を加工して電源をＯＦＦする工程を別途設けることなく、不良品と判断された半導体装置に電源を供給しないようにすることができる。この時、パラレルシリアル変換回路、シリアルパラレル変換回路を半導体ウェハに設けることにより測定用の端子数を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１における電源供給制御装置を説明する図
【図２】実施の形態２における電源供給制御装置を説明する図
【図３】実施の形態３における電源供給制御装置を説明する図
【図４】実施の形態４における電源供給制御装置を説明する図
【図５】実施の形態５における電源供給制御装置を説明する図
【図６】実施の形態６における電源供給制御装置を説明する図
【図７】（ａ）従来の電源供給制御装置を説明する図
（ｂ）従来の半導体装置におけるヒューズを示す拡大図
【符号の説明】
１    半導体装置
２    半導体測定装置
３    半導体ウェハ
４    スクライブレーン
５    半導体装置内電源線
６    半導体装置外電源線
７    電源供給部
８    ヒューズ溶断用狭部
１１    アナログスイッチ
１２    電源制御信号線
１３    電源制御信号
１４    測定結果出力信号線
１５    測定結果出力信号
１６    期待値比較回路
２１    電源制御用シフトレジスタ
２２    電源制御シリアル信号
２３    電源制御シリアル信号線
２４    電源制御シフトレジスタ用ＣＬＫ線
２５    電源制御シフトレジスタ用ＣＬＫ
３１    パラレルシリアル変換回路
３２    電源制御シリアル信号
３３    期待値比較結果出力信号
３４    期待値比較結果出力信号線
３５    出力信号線
４１    シリアルパラレル変換回路
４２    電源制御パラレル信号
４３    電源制御パラレル信号線
４４    電源制御信号セレクタ
１００    半導体装置
２００    半導体測定装置
３００    半導体ウェハ
１００Ａ    半導体装置
２００Ａ    半導体測定装置
３００Ａ    半導体ウェハ
１００Ｂ    半導体装置
２００Ｂ    半導体測定装置
３００Ｂ    半導体ウェハ
１００Ｃ    半導体装置
２００Ｃ    半導体測定装置
３００Ｃ    半導体ウェハ
１００Ｄ    半導体装置
２００Ｄ    半導体測定装置
３００Ｄ    半導体ウェハ
１００Ｅ    半導体装置
２００Ｅ    半導体測定装置
３００Ｅ    半導体ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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