(57)【要約】【課題】基板上に積層膜を形成してなる半導体レーザ装置を構成する際に、例えば下地が表面荒れしている場合であっても、それに起因する表面モフォロジーの悪化を極力回避できるようにする。【解決手段】表面に規則的な凹凸が形成された構造基板１１上に一層または多層の積層膜１２が結晶成長により形成されてなる半導体レーザ装置１０において、前記構造基板１１として、その構造基板１１上にて前記積層膜１２が形成される結晶成長面１１ａの表面部分が、複数種類の元素が混在する非一様な原子配列を有するように構成されたものを用いる。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に規則的な凹凸が形成された構造基板上に一層または多層の積層膜が結晶成長により形成されてなる半導体レーザ装置であって、
前記構造基板は、前記積層膜が形成される結晶成長面の表面部分が、複数種類の元素が混在する非一様な原子配列を有するように構成されたものである
ことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記構造基板は、当該構造基板の凹凸によるストライプ方向が逆メサ方向に延びたものである
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
半導体装置を構成するのに用いられる半導体装置用構造基板であって、
表面に形成された規則的な凹凸の少なくとも一部に前記半導体装置を構成する一層または多層の積層膜を結晶成長により形成するための結晶成長面を有するとともに、
前記結晶成長面の表面部分が、複数種類の元素が混在する非一様な原子配列を有するように構成されている
ことを特徴とする半導体装置用構造基板。
【請求項４】
前記規則的な凹凸によるストライプ方向が逆メサ方向に延びている
ことを特徴とする請求項３記載の半導体装置用構造基板。
【請求項５】
表面に規則的な凹凸が形成された構造基板上に一層または多層の積層膜が結晶成長により形成されてなる半導体装置の製造方法であって、
前記積層膜が形成される前記構造基板の結晶成長面の表面部分を、複数種類の元素が混在する非一様な原子配列を有するように構成し、
前記結晶成長面上に前記積層膜を結晶成長により形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記構造基板として、当該構造基板の凹凸によるストライプ方向が逆メサ方向に延びたものを用いる
ことを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ装置、その半導体レーザ装置に代表される半導体装置に用いて好適な半導体装置用構造基板、およびその半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体装置の一つとして半導体レーザ装置が広く知られている。半導体レーザ装置は、レーザビームプリンタの光源や光ディスク用光ピックアップの光源等にも用いられるようになっている。このような半導体レーザ装置の中には、表面に規則的な凹凸が形成された構造基板を用いて構成されたものがある。
【０００３】
構造基板とは、例えば｛１００｝面の成長面を有するガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板において、ストライプ状の凹凸がそのＧａ面方向：逆メサ｛０−１−１｝方向に延びるように形成されたものである。さらに詳しくは、図７に示すように、｛１００｝面と｛１１１｝Ｂ面（Ａｓ面）とによって凹凸（ｒｉｄｇｅ）が形成されたものである。このうち、一般に｛１００｝面は、ＭＯＣＶＤ（ｍｅｔａｌ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を行う際の“結晶成長面”として知られている面である。また、｛１１１｝Ｂ面は、“非結晶成長面”として知られている面である。つまり、構造基板は、互いに相異なる２つの性質をもった結晶方位面を有したものであり、そのうちの一つの面、すなわち凹凸部分の少なくとも一部に結晶成長面を有したものである。以下、本明細書では、｛１００｝面が結晶成長面であるＧａＡｓ基板を、ＧａＡｓの（１００）ジャスト基板と呼ぶものとする。
【０００４】
このような構造基板を用いて半導体レーザ装置を構成する場合には、例えばサーマルクリーニング→バッファ層成長→クラッド層成長→活性層成長→クラッド層成長→キャップ層成長等の過程を経て、その構造基板上に一層または多層の積層膜を結晶成長により形成することになる。ただし、このとき、規則的な凹凸が形成された構造基板を用いてＭＯＣＶＤを行うことによって、例えば半導体レーザ装置として埋め込み構造ＢＨ（Ｂｕｒｉｅｄ　Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有するＳＤＨ（Ｓｅｐａｒａｔｅｄ　Ｄｏｕｂｌｅ　Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）レーザ装置を一回の結晶成長で構成することができる。さらには、１μｍ程度の幅の活性層に有効に電流を注入でき、横方向の光閉じ込めも確実にできるため、低閾値、低電力動作が可能となる。これらのことから、構造基板を用いて構成された半導体レーザ装置が提案されているのである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、構造基板を用いて半導体レーザ装置を構成する場合に、従来のように（１００）ジャスト基板を用いると、結晶成長を行った後の表面モフォロジー（結晶表面の状態）に問題が生じるおそれがある。すなわち、表面荒れした下地に起因して成長膜の局所的な膜質異常が発生することが考えられる。特に、基板上に厚膜（４μｍ以上）を積む場合、エッチング面に結晶の再成長を行う場合、半導体の成長によってミクロレベルで荒れた下地面上に別の材料層を積む場合等には、その傾向が顕著に表れる。
【０００６】
これは、例えばＧａＡｓの（１００）ジャスト基板においては、例えば図８に示すように、結晶成長面の表面部分が、一種類の元素、具体的にはＧａが一様に存在した原子配列を有するように構成されているため、結晶成長が如何様な態様でも行われ得ることとなり、その結晶成長の下地に異物等が存在していると、その下地の表面状態を敏感に反映した表面モフォロジーが得られてしまうからである。
【０００７】
このような表面モフォロジーの悪化は、構造基板上の積層膜（デバイス構造）の均一性を著しく損ない、デバイス特性（光学的特性や電気的特性等）のばらつきにもそのまま影響を及ぼす。また、例えば電流ブロック層の破損といったようなデバイス構造の破損に繋がることも考えられる。さらには、これらのことに起因して、半導体レーザ装置の信頼性低下やその製造工程における歩留まり（製品収率）低下等も招くため、結果として量産によるコストダウン化の障害にもなり得る。したがって、上述したような表面モフォロジーの悪化は、極力回避すべきである。
【０００８】
そこで、本発明は、例えば下地が表面荒れしている場合であっても、それに起因する表面モフォロジーの悪化を極力回避することができ、結晶成長後の表面モフォロジーの改善が可能な半導体レーザ装置、半導体装置用構造基板および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために案出された半導体レーザ装置である。すなわち、表面に規則的な凹凸が形成された構造基板上に一層または多層の積層膜が結晶成長により形成されてなる半導体レーザ装置であって、前記構造基板は、前記積層膜が形成される結晶成長面の表面部分が、複数種類の元素が混在する非一様な原子配列を有するように構成されたものであることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、上記目的を達成するために案出された半導体装置用構造基板である。すなわち、半導体装置を構成するのに用いられる半導体装置用構造基板であって、表面に形成された規則的な凹凸の少なくとも一部に前記半導体装置を構成する一層または多層の積層膜を結晶成長により形成するための結晶成長面を有するとともに、前記結晶成長面の表面部分が、複数種類の元素が混在する非一様な原子配列を有するように構成されていることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明は、上記目的を達成するために案出された半導体装置の製造方法である。すなわち、表面に規則的な凹凸が形成された構造基板上に一層または多層の積層膜が結晶成長により形成されてなる半導体装置の製造方法であって、前記積層膜が形成される前記構造基板の結晶成長面の表面部分を、複数種類の元素が混在する非一様な原子配列を有するように構成し、前記結晶成長面上に前記積層膜を結晶成長により形成することを特徴とする。
【００１２】
上記構成の半導体レーザ装置、上記構成の半導体装置用構造基板、および上記手順の半導体装置の製造方法によれば、いずれも、構造基板における結晶成長面の表面部分が、複数種類の元素が混在する非一様な原子配列を有していることから、結晶成長の際のその態様がある程度当該原子配列に依存することになる。すなわち、結晶となる元素が結晶成長面上のどこにでも存在し得るわけではなく、その結晶成長面の表面部分の原子配列に依存して存在（成長）することになる。したがって、例えば結晶成長の下地に異物等が存在しているような場合であっても、その異物等の存在に拘わらず、結晶成長面の表面部分の原子配列に依存して結晶成長が行われるので、その結晶成長による積層膜の表面モフォロジーが下地の表面状態を敏感に反映したものとなってしまうことを抑制し得るようになる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づき本発明に係る半導体レーザ装置、半導体装置用構造基板および半導体装置の製造方法について説明する。
【００１４】
先ず、本発明に係る半導体レーザ装置の概略構成について簡単に説明する。ここでは、半導体レーザ装置として、埋め込み構造ＢＨを有するＳＤＨレーザ装置を例に挙げる。図１は、ＳＤＨレーザ装置の要部の概略構成の一例を示す模式図である。図例のように、ＳＤＨレーザ装置１０は、表面に規則的な凹凸が形成された構造基板１１上に、少なくともクラッド層、活性層およびキャップ層として機能する一層または多層の積層膜１２が、結晶成長により形成されてなるものである。なお、積層膜１２の詳細な構成、その機能、これらによるレーザ光の発生動作等については、既に公知であるため、ここではその説明を省略する。
【００１５】
ところで、ここで説明するＳＤＨレーザ装置１０は、その構造基板１１に大きな特徴がある。この構造基板１１が本発明に係る半導体装置用構造基板に相当する。
【００１６】
続いて、この構造基板１１について詳しく説明する。構造基板１１は、従来のものと同様に、“結晶成長面”と“非結晶成長面”とによって凹凸が形成されており（図７参照）、これにより凹凸部分の少なくとも一部に結晶成長面を有するように構成されたものである。ただし、この構造基板１１では、結晶成長面が従来のような｛１００｝面ではなく、その｛１００｝面から所定のオフ角（｛１００｝面からの基板表面の傾き）を有するように構成されている点で、従来のものとは異なる。以下、本明細書では、このオフ角を有した基板を（１００）オフ基板と呼ぶものとする。
【００１７】
このような従来との相違により、その構造基板１１では、詳細を後述するように、積層膜１２が形成される結晶成長面の表面部分が、複数種類の元素が混在する非一様な原子配列を有するように構成されている。
【００１８】
非一様な原子配列を実現するオフ角としては、｛１００｝面を基準とした場合に、例えば０．４°〜２７°が望ましい。ただし、非一様な原子配列を実現するオフ角であれば、必ずしもこの範囲に属している必要はない。
【００１９】
また、非一様な原子配列を実現するオフ方向としては、Ａ面（Ｇａ面）方向：｛０−１−１｝逆メサ方向オフさせたものや、Ｂ面（Ａｓ面）方向：｛０　１−１｝順メサ方向オフさせたものが挙げられる。ここで、Ａ面とは、｛１１１｝Ａ面の略である。すなわち、｛１１１｝面の一つである（１１１）面がＡ面、またはＧａＡｓ基板であればＧａ面と定義される。したがって、例えばＧａＡｓ基板において、Ａ面方向に｛１００｝面を徐々にオフさせていくと、その表面部分にてＧａの原子の数が徐々に増え、｛１１１｝面（＝｛１００｝面から５４．７°オフした面）でＧａだけの面となる。また、Ｂ面とは、｛１１−１｝Ｂ面の略であり、｛｝内の“−１”が“１個”の結晶面とされる。ただし、非一様な原子配列を実現するオフ方向であれば、必ずしもこれらの方向にオフさせたものである必要はない。
【００２０】
また、非一様な原子配列を構成する複数種類の元素としては、その代表的なものとしてＧａとＡｓが挙げられる。すなわち、構造基板１１としてＧａＡｓの（１００）オフ基板を用いる。ただし、この点についても、必ずしもＧａＡｓ基板でなければならない訳ではない。例えば、ＧａＡｓ基板の他に、ガリウム窒素（ＧａＮ）基板、ガリウム窒素ヒ素（ＧａＮＡｓ）基板、インジウムリン（ＩｎＰ）基板、ガリウムリン（ＧａＰ）基板、ガリウム窒素リン（ＧａＮＰ）基板等を用いても構わない。さらには、ケイ素（Ｓｉ）を用いたものや、いわゆるジンクブレンド構造を持つ材料を用いたもの、あるいはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いたものであっても構わない。
【００２１】
図２は、構造基板における原子配列の一具体例を示す模式図である。既に説明したように、ＧａＡｓの（１００）ジャスト基板であれば、結晶成長面の表面部分にＧａが一様に整列する原子配列を有する（図８参照）。これに対して、ＧａＡｓの（１００）オフ基板の場合には、上述したようなオフ角、オフ方向および構成材料によって、結晶成長面１１ａの表面部分にて、ＧａとＡｓとが混在することになる。つまり、上述したようなオフ角、オフ方向および構成材料によって、構造基板１１は、結晶成長面１１ａの表面部分が非一様な原子配列を有するように構成されるのである。
【００２２】
さらに、構造基板１１では、結晶成長面１１ａの他に非結晶成長面をも有しており、これらによって凹凸が形成されているが、その凹凸によるストライプ方向が逆メサ方向に延びている。ここで、逆メサ方向とは、Ａ面（例えばＧａ面）が支配的になる方向のことをいう。したがって、構造基板１１がＧａＡｓの（１００）オフ基板を用いたものであれば、その構造基板１１は、ストライプ状の凹凸がＡ面（Ｇａ面）方向：｛０−１−１｝逆メサ方向に延びるように形成されることになる。なお、Ｂ面（例えばＡｓ面）が支配的になる方向については、順メサ方向というものとする。
【００２３】
次に、以上のような構造基板１１を用いてＳＤＨレーザ装置１０を構成する場合の手順、すなわち本発明に係る半導体装置の製造方法について説明する。
【００２４】
ＳＤＨレーザ装置１０の製造にあたっては、先ず、上述したような構成の構造基板１１を用意する。すなわち、規則的な凹凸によるストライプ方向が逆メサ方向に延びており、かつ、その凹凸中の結晶成長面１１ａの表面部分にて例えばＧａとＡｓとが混在する非一様な原子配列を有するような構造基板１１を用意する（なお、ＳＤＨレーザ装置１０は逆メサ方向ストライプであるが、形状としては順メサｌｉｋｅにプロセス加工を施した凹凸構造基板も作製できる）。
【００２５】
このような構造基板１１は、例えば表面が平面状のＧａＡｓの（１００）オフ基板に対して、その表面に規則的な凹凸を形成するプロセス加工を施すことによって得ることが考えられる。また、平面状のＧａＡｓの（１００）ジャスト基板に対して、その表面に規則的な凹凸を形成するプロセス加工と、その凹凸中の結晶成長面１１ａにオフ角を与えるプロセス加工との両方を施し、（１００）オフ基板の場合と同様な状態を得るようにしてもよい。これらの場合におけるプロセス加工としては、化学時または物理的なエッチング処理（ドライエッチングとウエットエッチングのいずれであっても構わない）等のような公知技術を利用したものが挙げられる。このプロセス加工の際に、マスクをＢ面方向に掛けると、凸部の断面形状が順メサ形状（台形状）になる。逆に、Ａ面方向に掛けると、凸部の断面形状が逆メサ形状になる。また、エッチング処理の後は、必要に応じて、スピンドライ、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）乾燥等といった乾燥処理が行われるものとする。
【００２６】
構造基板１１を用意した後は、その構造基板１１を下地基板として結晶成長を開始する。すなわち、その構造基板１１の結晶成長面１１ａ上に、積層膜１２を結晶成長により形成する。具体的には、下地基板に対するサーマルクリーニング→バッファ層成長→クラッド層成長→活性層成長→クラッド層成長→キャップ層成長等の過程を経て、構造基板１１上に積層膜１２を形成する。このとき、凹凸中の非結晶成長面である｛１１１｝Ｂ面では、結晶成長が行われない。したがって、上述した過程を経た後には、例えば図１に示すような形状のＳＤＨレーザ装置１０が構成されることになるのである。
【００２７】
積層膜１２を形成する際には、凸部上での結晶成長が、いわゆるヒルロックが発生し、その結晶性が問題となり得る可能性がある。そこで、結晶成長にあたっては、凸部上での結晶成長速度を他の部分の場合よりも遅くするといったように、結晶条件の最適化を図ることが望ましい。なお、結晶成長や結晶条件最適化等の詳細については、既に公知であるため、ここではその説明を省略する。
【００２８】
次に、以上のような手順で得られたＳＤＨレーザ装置１０の表面モフォロジーについて説明する。ここでは、従来のように結晶成長面が｛１００｝面であり、その表面部分にＧａが一様に整列する原子配列である場合の表面モフォロジーを比較例（以下、この比較例を「従来例」という）として挙げる。
【００２９】
図３は表面モフォロジーの断面ＳＥＭ観察結果の一具体例を示す説明図であり、図４は表面モフォロジーの光学顕微鏡観察の一具体例を示す説明図である。これらの図に示すように、（１００）オフ基板（またはこれに準ずる状態のものを含む。以下同様とする。）を下地とした場合には、従来例のように薄膜化や断層化、あるいは表面の荒れが生じることがなく、従来例に比べて構造基板１１上に成膜した膜質について改善効果があることが分かる。
【００３０】
これは、（１００）オフ基板を下地とした場合には、結晶成長面１１ａの表面部分が、例えばＧａとＡｓとが混在する非一様な原子配列を有していることから、結晶成長の際のその態様がある程度その原子配列に依存することになるためと考えられる。すなわち、例えばＡｓと結合しやすい結晶元素は原子配列中のＡｓの部分にて成長するといったように、結晶となる元素が結晶成長面１１ａ上のどこにでも存在し得るわけではなく、その結晶成長面１１ａの表面部分の原子配列に依存して存在（成長）することになる。したがって、例えば結晶成長の下地に異物等が存在しているような場合であっても、その異物等の存在に拘わらず、結晶成長面１１ａの表面部分の原子配列に依存して結晶成長が行われるので、その結晶成長による積層膜１２の表面モフォロジーが下地の表面状態を敏感に反映したものとなってしまうことを抑制できるからである。
【００３１】
図５は、一般的な半導体レーザ装置（積層膜の膜厚が約３μｍ）よりも２倍以上の厚膜の結晶成長を行なった場合における表面モフォロジーの光学顕微鏡観察の一具体例を示す説明図である。この図に示すように、一般的な半導体レーザ装置におけるトータル膜厚に比べて２倍以上の厚膜を積んでみたところ、（１００）オフ基板を下地とした場合には、従来例のようにうろこ状の表面の荒れが生じることがなく、従来例に比べて明らかに表面モフォロジーが良好であることが分かる。
【００３２】
これは、特に積層膜が厚膜である場合には、下地の表面状態が敏感に反映されてしまうと異物等の影響が厚膜によって増長されてしまうことになるが、（１００）オフ基板を下地とすれば、その下地の表面状態が表面モフォロジーに反映され難くなるので、厚膜を積んだ場合であっても良好な表面モフォロジーが得られるものと考えられる。したがって、（１００）オフ基板を下地とすることは、ＳＤＨレーザ装置１０で必要となり得るように、積層膜１２が厚膜（例えば、４μｍ〜５μｍ程度、または５μｍ以上）である場合に、特に有効であるといえる。
【００３３】
図６は、構造基板のオフ角の違いによる表面モフォロジー改善効果の相違の一具体例を示す説明図である。図例では、オフ角がＡ面方向に２°の（１００）オフ基板、Ａ面方向に４°の（１００）オフ基板、Ａ面方向に１０°の（１００）オフ基板およびＡ面方向に１５°の（１００）オフ基板における表面モフォロジーの光学顕微鏡観察結果と、従来例における表面モフォロジーの光学顕微鏡観察結果とを示している。これらの図に示すように、（１００）オフ基板を下地とした場合には、いずれのオフ角であっても、従来例に比べて、結晶成長による規則正しい原子配列が促進され、複雑なプロセスを必要とする半導体デバイスの表面モフォロジーの改善が可能になることが分かる。
【００３４】
このことから、オフ角がＡ面方向に２°〜１５°の（１００）オフ基板を下地とすれば、ＳＤＨレーザ装置１０における積層膜１２の品質等に多大な好影響を与えることが可能になるといえる。ただし、オフ角は、上述したようにＡ面方向に２°〜１５°であれば良好であることが確認されたが、基板構成材料の原子配列等を考慮すると、０．４°〜２７°であれば同様の効果が得られると推定される。また、オフ方向についても、同様の理由により、Ａ面方向ではなくＢ面方向であっても同様の効果が得られると考えられる。
【００３５】
特に、ＳＤＨレーザ装置１０のような“基板のオフ方向”と“ストライプ方向”とが同じ方向になるような半導体レーザ装置の場合、へき開面（レーザ出射端面）が傾斜することを考えると、なるべくオフ角を小さくする（できれば１°オフ以下にする）ことによって端面反射率への影響が抑制され、かつ、モフォロジーの改善が可能になる。
【００３６】
以上のように、本実施形態で説明したＳＤＨレーザ装置１０、これに用いられる構造基板１１およびそのＳＤＨレーザ装置１０の製造方法によれば、積層膜１２の結晶成長の下地に異物等が存在しているような場合であっても、その異物等の存在に拘わらず、結晶成長面１１ａの表面部分の原子配列に依存して結晶成長が行われるので、その結晶成長による積層膜１２の表面モフォロジーが下地の表面状態を敏感に反映してしまうのを抑制でき、その表面モフォロジーの改善が図れるようになる。
【００３７】
したがって、結晶成長面１１ａの表面部分を非一様な原子配列とすれば、積層膜１２に局所的な膜質異常が発生したり、その均一性が著しく損なわれたりすることがなくなり、ＳＤＨレーザ装置１０におけるデバイス特性（光学的特性や電気的特性等）がばらついてしまうのを未然に防止し得るようになる。また、極端な厚膜の結晶成長を行っても、例えば電流ブロック層の破損といったようなデバイス構造の破損を招くこともない。さらには、これらに伴って、ＳＤＨレーザ装置１０の信頼性向上やその製造工程における歩留まり（製品収率）向上等も実現可能となる。つまり、高品質のＳＤＨレーザ装置１０の量産が容易となり、これによりＳＤＨレーザ装置１０の低コスト化も実現し得るようになる。
【００３８】
このようなＳＤＨレーザ装置１０の高品質化に繋がる表面モフォロジーの改善は、特に、積層膜１２が厚膜（４μｍ〜５μｍ以上）である場合、エッチング面に結晶の再成長を行なう場合、結晶成長によってミクロのレベルで荒れた下地面上に別の材料層を積む場合等に、非常に有効である。
【００３９】
本実施形態で説明したＳＤＨレーザ装置１０、これに用いられる構造基板１１およびそのＳＤＨレーザ装置１０の製造方法によれば、構造基板１１の凹凸によるストライプ方向が逆メサ方向に延びているが、この場合、オフ角をなるべく小さく抑え、その構造基板１１を用いて例えばＡｌＧａＡｓ系の近赤外レーザ装置を構成することが可能となる。すなわち、近赤外レーザに対応したＳＤＨレーザ装置１０を構成する場合であっても、表面モフォロジーの改善効果が得られるようになる。勿論、ＡｌＧａＡｓ系の近赤外レーザに加えて、ＩｎＰ系の赤色レーザにも対応した、いわゆる２波長レーザ装置を構成するようにしてもよく、その場合であっても表面モフォロジーがひどく荒れてしまうのを回避することができる。
【００４０】
これらのことから、本実施形態で説明したＳＤＨレーザ装置１０、構造基板１１およびＳＤＨレーザ装置１０の製造方法は、特にレーザビームプリンタ用や光通信技術用等として今後需要が高まる可能性のある「複数本独立駆動集積型のファブリペロー型レーザ装置（通称：マルチビームレーザ装置）」に適用すると、その製造プロセスの難易度が非常に高いこと、また単体レーザに比べてマルチビームレーザでは歩留まりが掛け算式に効いてくること等の観点からも、特段の効果（信頼性向上や歩留まり向上等）を発揮すると考えられる。また、２元、３元、４元、５元、６元といった異種の半導体材料を組み合わせた、歪み系または歪み補償型のデバイス、あるいはそれらを組み合わせたデバイス（モノリシック型、ハイブリッド型）に適用することも、非常に有効であると考えられる。
【００４１】
なお、本実施形態では、本発明をＳＤＨレーザ装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、ＳＤＨレーザ装置のように“ストライプ方向”と構造基板の“オフ方向”とが同じの場合の半導体レーザ装置においても、そうでない場合の半導体レーザ装置においても、僅かにオフした（０．４°〜２°にオフした）基板を用いることによって、表面モフォロジーがひどく荒れてしまうのを回避することができる。
【００４２】
また、複雑なプロセス加工を繰り返すことが要求される半導体装置、プロセス加工後の再成長を必要とする半導体装置、これらの組み合わせによって厚膜化した半導体装置等で、オフ基板を使用していなかったものであれば、本発明を適用することによって、表面モフォロジー改善や積層構造破損防止等を通じて、半導体装置の特性改善を実現することが期待される。
【００４３】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明の半導体レーザ装置、半導体装置用構造基板および半導体装置の製造方法は、結晶成長面の表面部分を非一様な原子配列としているので、例えば下地が表面荒れしている場合であっても、それに起因する表面モフォロジーの悪化を極力回避することができる。したがって、その結晶成長後の表面モフォロジーの改善を通じて、半導体レーザ装置または半導体装置の信頼性向上や製造容易化等を図れるという効果を奏することになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体レーザ装置の要部の概略構成の一例を示す模式図である。
【図２】本発明に係る構造基板における原子配列の一具体例を示す模式図である。
【図３】表面モフォロジーの断面ＳＥＭ観察結果の一具体例を示す説明図であり、（ａ）は本発明に係る半導体レーザ装置についての図、（ｂ）は比較となる従来例についての図である。
【図４】表面モフォロジーの光学顕微鏡観察の一具体例を示す説明図であり、（ａ）は本発明に係る半導体レーザ装置についての図、（ｂ）は比較となる従来例についての図である。
【図５】一般的な半導体レーザ装置（積層膜の膜厚が約３μｍ）よりも２倍以上の厚膜の結晶成長を行なった場合における表面モフォロジーの光学顕微鏡観察の一具体例を示す説明図であり、（ａ）は本発明に係る半導体レーザ装置についての図、（ｂ）は比較となる従来例についての図である。
【図６】構造基板のオフ角の違いによる表面モフォロジー改善効果の相違の一具体例を示す説明図である。
【図７】構造基板における凹凸形状の概略構成を示す模式図である。
【図８】従来の構造基板における原子配列の一具体例を示す模式図である。
【符号の説明】
１０…ＳＤＨレーザ装置、１１…構造基板、１１ａ…結晶成長面、１２…積層膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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