(57)【要約】    【課題】  ベースプレートと、フレーム状のケーシングと、負荷ターミナル及び補助ターミナルのためのターミナル要素とを有する部分モジュールを多数用いて構成されるモジュール構成式のパワー半導体モジュールを紹介する。    【解決手段】  パワー半導体モジュール（１）が、個々の部分モジュール（１０）を接続させ且つ互いに固定させる唯一のカバーを有し、及び／又は、全ての部分モジュールが固定接続部を用いて互いに配設されていること。    【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦なボディ上に取り付けるパワー半導体モジュール（１０）であって、このパワー半導体モジュールが、多数の部分モジュール（１０）から構成され、これらの部分モジュールの方は、ベースプレート（２０）と、フレーム状のケーシング（３０）と、負荷ターミナル（４２）及び補助ターミナル（４４）のためのターミナル要素（４０）とを有し、更に各ケーシング（３０）内部で各々のベースプレート（２０）上に配設されている電気絶縁式の少なくとも１つの基板（５０）を備えていて、この基板の方は絶縁材料ボディ（５２）を有し、この絶縁材料ボディが、この絶縁材料ボディ上に設けられていて互いに絶縁されている金属性の多数の接続パス（５４）と、これらの接続パス上に設けられていて回路に適してこれらの接続パスと接続されている多数のパワー半導体素子（５６）とを備えている前記パワー半導体モジュールにおいて、
このパワー半導体モジュールが、個々の部分モジュールを接続させ且つ互いに固定させる唯一のカバー（７０）を有し、及び／又は、全ての部分モジュールが固定接続部（３４、３６）を用いて互いに配設されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項２】
カバー（７０）がスナップ・ロック接続部を用いて部分モジュール（１０）と接続されていて、更にはケーシング（３０）がロックノーズ（３２）を有し、カバー（７０）がそれらのロックノーズに対応する支持部を有することを特徴とする、請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項３】
各部分モジュール（１０）が、丸穴状又は長穴状であるが全ての方面では包囲されていない少なくとも２つの凹部（２２）を有し、これらの凹部が、部分モジュール（１０）をパワー半導体モジュール（１）として配置構成する場合に各々互いに境を接する側面にて丸穴又は長穴を完全なものとすることを特徴とする、請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項４】
カバー（７０）がネジ（８０）を受容するための丸穴状の凹部（７２）を有し、これらの凹部が部分モジュール（１０）の突合せ領域（２６）にてそこで丸穴又は長穴（２４）を形成する凹部（２２）と一列に並んで配設されていることを特徴とする、請求項２に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項５】
各部分モジュール（１０）が、他の部分モジュールに対する境界側にて少なくとも１つのロックノーズ（３４）を有し、並びに、反対側の対峙する境界側にてこのロックノーズに対応する少なくとも１つの支持部（３６）を有することを特徴とする、請求項１に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項６】
固定接続部が、直接的に隣接する全ての部分モジュールのスナップ・ロック接続部（３４、３６）として形成されていることを特徴とする、請求項５に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項７】
固定接続部が、各々の側面の全ての凹部（２２）並びにこれらの凹部から形成されている丸穴又は長穴（２４）を覆うレールとして形成されていることを特徴とする、請求項２に記載のパワー半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はモジュール構成式のパワー半導体モジュールに関する。基本的にこの種のパワー半導体モジュールは、ベースプレートを備えたケーシングと、このケーシング内に配設されている電気絶縁式の少なくとも１つの基板とを有する。この基板の方は絶縁材料ボディを有し、この絶縁材料ボディは、この絶縁材料ボディ上に設けられていて互いに絶縁されている金属性の多数の接続パスと、これらの接続パス上に設けられていて回路に適してこれらの接続パスと接続されている多数のパワー半導体素子とを備えている。この基板は、好ましくは、その下側面上にて、接続パスと比較することのできる平坦な金属性の層を有する。
【背景技術】
【０００２】
この種のパワー半導体モジュールは原理的に例えば特許文献１で開示されているように以前から知られている。本発明の出発点であり、高出力を有するこの種のパワー半導体モジュールにおいて構成サイズに関する様々な現代構成は例えば特許文献２から公知である。
【０００３】
特許文献１は、例として、ケーシング内部にハーフブリッジ回路を有する前記の形式のパワー半導体モジュールを開示している。この種の回路装置は直列に接続された２つのパワースイッチから構成され、これらのスイッチは、多くの場合、パワートランジスタ、好ましくは絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）の直列接続として実施されている。各々のパワースイッチには逆並列にフリーホイーリングダイオードが配設されている。このパワー半導体モジュールは更に直流負荷ターミナル及び交流負荷ターミナルのためのターミナル要素を有する。パワートランジスタを駆動するため並びに他の機能のためにこの種のパワー半導体モジュールは更に補助ターミナル要素を有する。
【０００４】
典型的なパワー半導体モジュールは、平坦なボディ、一般的には外部冷却体（外部ヒートシンク）上に取り付けるために多数の捩込接続部を有する。この種の捩込接続部のための穴は、好ましくはパワー半導体モジュールの角領域に配設されている。
【０００５】
例えば特許文献２からは、ケーシング内部に３つのハーフブリッジ回路、即ち３相フルブリッジ回路を有する他のパワー半導体モジュールが公知である。それらのハーフブリッジ回路装置はケーシングの３つの部分領域に配設されている。ここで各々の回路装置は同様に上述の従来技術に対応するものである。
【０００６】
ケーシングごとにハーフブリッジ回路を備えたパワー半導体モジュールの構成（特許文献１参照）における短所としては、これらの個別モジュールから３相フルブリッジ回路を構成する場合に各モジュールが別々に冷却体上に固定されなくてはならないということが挙げられる。従って３相フルブリッジ回路を備えたパワー半導体モジュール（特許文献２参照）を上記の個別モジュールで置き換えることも容易な交換性をもっては可能とされず、その理由は固定可能性が同一ではないためである。
【０００７】
他方では１つのケーシング内部の３相フルブリッジ回路は不利であるとされ、その理由は、その際には製造中にもたらされた１つのハーフブリッジ回路内部の故障が全モジュールの欠陥を意味するためである。更に不利なこととして、他の回路装置、例えばＨ型ブリッジのためには、ここでは例えば２つのハーフブリッジ回路を備えた他のケーシングが必要不可欠であり、従って少数の構成グループを用いた経済的な製造が可能ではないということが挙げられる。
【０００８】
【特許文献１】独国特許出願公開第3937045号明細書
【特許文献２】独国特許出願公開第10011633号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従って本発明が解決しようとする課題は、同種の多数の部分モジュールから成るモジュール構成を有するパワー半導体モジュールを紹介することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の課題は請求項１に記載したパワー半導体モジュールにより解決され、更なる特殊な構成は従属請求項にて示されている。
【００１１】
本発明の基本思想は、従来技術による、平坦なボディ上、好ましくは冷却体上に取り付けるベースプレートを備えたパワー半導体モジュールから出発し、このパワー半導体モジュールはフレーム状のケーシングを有し、このケーシングは、このケーシング内に配設されている電気絶縁式の少なくとも１つの基板を備えている。この基板の方は絶縁材料ボディを有し、この絶縁材料ボディは、その第１主面上に設けられていて互いに絶縁されている金属性の多数の接続パスを備え、この基板は好ましくは絶縁材料ボディの第２主面上に配設されている平坦な金属性の層を有する。第１主面の接続パス上には、回路に適してこれらの接続パスと接続されて多数のパワー半導体素子が配設されている。
【００１２】
本発明に従うパワー半導体モジュールは上記の形式の多数の部分モジュールから構成される。各部分モジュールは負荷ターミナル要素及び補助ターミナル要素を有し、この際、負荷ターミナルは好ましくは各々１つのプラスターミナル、マイナスターミナル、及び少なくとも１つの交流ターミナルとして形成されている。補助ターミナルは、パワー半導体素子の駆動のために並びに例えばコントロールターミナルとして又はパワー半導体モジュール内に配設されているセンサ機構構成部品の接触のために用いられる。
【００１３】
部分モジュールは固定要素によりパワー半導体モジュールとして接続される。固定要素としては、例えば、全ての部分モジュール上に係合するカバー、及び／又は、フレーム状のケーシングの領域における接続部、及び／又は、ベースプレートの領域における接続部である。
【００１４】
パワー半導体モジュールのこの構成における長所は以下の通りである：
・  部分モジュールに分割することにより、これらの部分モジュールが故障の場合には個別に交換され得る。
・  同種の部分モジュールにより、様々なパワー半導体モジュールの製造がより少ない部品消費で実施可能である。
・  個々の部分モジュールから成る構成にもかかわらず、パワー半導体モジュールが例えば３相フルブリッジ回路の従来技術に対してコンパチブルである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
次に、図１〜図７に関連する実施形態に基づき、本発明を詳細に説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１には本発明に従うパワー半導体モジュールの部分モジュールが俯瞰図として示されている。ここでは冷却体（ヒートシンク）上に取り付けるベースプレート（２０）を有する部分モジュール（１０）が描かれている。冷却体上に取り付けるためにベースプレート（２０）は、その角の領域にて、各々、開口した長穴状の凹部（２２）を有する。これらの凹部は、縁領域にて、それらの開口が、ベースプレートにてパワー半導体モジュールの他の部分モジュール（１０）に割り当てられている側面に配設されているように配設されている（図２参照）。
【００１７】
更にこの部分モジュールはフレーム状のケーシング（３０）並びに電気絶縁式の２つの基板（５０）を有する。各々の基板の方は絶縁材料ボディ（５２）を有し、この絶縁材料ボディは、ベースプレートとは反対側のその第１主面上に設けられていて互いに絶縁されている金属性の多数の接続パス（５４）を備えている。基板（５０）は、絶縁材料ボディの冷却体側の第２主面上に、第１主面の接続パスと同種の平坦な金属被覆を有する。接続パス（５４）上には、ワイヤボンディング接続部（５８）を用いて回路に適してこれらの接続パスと接続され、パワー半導体素子（５６）が配設されている。電気接触のために部分モジュール（１０）は負荷ターミナル（４２）並びに補助ターミナル（４４）のための接続要素であるターミナル要素（４０）を有する。基板（５０）の接続パス（５４）は、ワイヤボンディング接続部（６２、６４、４６、４８）を用い、互いに且つターミナル要素（４０）と接続されている。当然のことであるが選択的にロウ付け接続部も可能である。
【００１８】
図２には、本発明に従うパワー半導体モジュール（１）として、図１に従う部分モジュール（１０）の３つの配置構成が俯瞰図として示されている。部分モジュール（１０）はそれらの長手側を用いて互いに配設されている。この際、開口した長穴状の凹部（２２）から、部分モジュール（１０）の接触箇所にて、各々、これらの凹部を半分ずつとして形成された長穴（２４）が得られている。これらの長穴は、パワー半導体モジュールの細幅側で残っている凹部（２２）と同様にパワー半導体モジュール（１）を冷却体上に固定するために用いられる。
【００１９】
図３には、本発明に従うパワー半導体モジュールの部分断面が俯瞰図（ａ）として並びに側面図（ｂ）として示されている。この際、ケーシング（３０）並びに図２に関連して既述した長穴（２４）の１つが描かれていて、この長穴は２つの部分モジュール（１０）の突合せエッジ（２６）のところに形成されている。更にカバー（７０）の丸穴（７２）が描かれている。このカバー（７０）は、両方の部分モジュール（１０）上に閉じられ、ネジ（８０）を用いてこれらの両方の部分モジュールを冷却体上に固定させる。そのためにカバー（７０）はストップ面を有し、このストップ面は、ベースプレート（２０）にてケーシング（３０）により凹形成された部分（２８）上に載置する。
【実施例２】
【００２０】
図４には、カバーのスナップ・ロック接続部を備えた本発明に従うパワー半導体モジュールの他の構成が示されている。各々の部分モジュール（１０）のベースプレート（２０）上に配設されているケーシング（３０）の各々は多数のロックノーズ（３２）を有する。これらのロックノーズは、カバー（７０）の対応する支持部と共にスナップ・ロック接続部を形成する。従って、カバー（７０）の取り付けにより、個々の部分モジュール（１０）から、互いに固定された部分モジュールを備えたモジュール構成式のパワー半導体モジュールが得られる。
【００２１】
当然のことであるが選択的にカバー（７０）がロックノーズを有し且つケーシング（３０）が対応する支持部を有することも可能である。
【実施例３】
【００２２】
図５には、部分モジュール（１０）のスナップ・ロック接続部を備えた本発明に従うパワー半導体モジュールの他の構成が示されている。部分モジュールを互いに固定する接続部の、互いに組み合わせ可能でもある様々なバリエーションが提供され得る。ベースプレート、ケーシング、及び／又は、カバーがこの種の固定接続部を有し得る。ここでは例えばケーシング（３０）の固定スナップ・ロック接続部が示されている。各ケーシングは、他の部分モジュール側にて、少なくとも１つのロックノーズ（３４）、好ましくは２つのロックノーズを有する。一方の部分モジュール（１０）のケーシングのロックノーズ（３４）は他方の部分モジュール（１０）のケーシングの支持部と共に固定接続部を形成する。従って多数の個々の部分モジュールから全パワー半導体モジュールが得られる。この構成では部分モジュールのベースプレート（２０）は互いに対向する半穴（２２）を有する。この半穴は取り付けによりパワー半導体モジュールを冷却体上に固定するための丸穴（２４）を形成する。
【００２３】
隣接する個々の部分モジュール（１０）を接続させるための選択肢として、パワー半導体モジュールの各々の長手側に配設されケーシングにより凹形成された面（２８、図３）を覆い且つそのためにストップ面を有する好ましくは金属性のレーンが挙げられる。部分モジュールをパワー半導体モジュールとして固定するこれらの要素は冷却体との捩込接続のための丸穴を有する。これらの丸穴は、好ましくは、各々の側面の全ての凹部（２２）並びにそれらから形成される丸穴又は長穴（２４）の一列の並びで配設されている。
【００２４】
図６には、図５に従う両方の部分モジュールの固定接続部を備えた本発明に従うパワー半導体モジュールが俯瞰図として示されている。両方の丸穴（２４）並びに半穴（２２）は冷却体上の固定（図７）のために用いられる。このパワー半導体モジュールは部分モジュールごとに各々のカバー（非図示）を有し、その理由は、ここでは固定接続部が既にケーシング（３０）のスナップ・ロック接続部により提供されているためである。
【実施例４】
【００２５】
図７には、３つの部分モジュール（１０）と重なり合うカバー（７０）を備えた本発明に従うパワー半導体モジュール（１）が示されている。カバー（７０）はその各々の角にて継続部（７４）を有し、これらの継続部はベースプレートから突出し、冷却体に至るまで伸びていて、それにより、冷却体との、カバー（７０）の丸穴（７２ａ）並びに半穴（２２、図６参照）による確実な捩込接続が保証される。補助ターミナル（４４）はパワー半導体モジュール（１）のこの構成では部分モジュール（１０）の細幅側ではなくそれらの長手側に沿って配設されている。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明に従うパワー半導体モジュールの部分モジュールを俯瞰図として示す図である。
【図２】本発明に従うパワー半導体モジュールとして３つの部分モジュールを配置構成した図である。
【図３】本発明に従うパワー半導体モジュールの部分断面を俯瞰図（ａ）として並びに側面図（ｂ）として示す図である。
【図４】カバーのスナップ・ロック接続部を備えた本発明に従うパワー半導体モジュールの他の構成を示す図である。
【図５】部分モジュールのスナップ・ロック接続部を備えた本発明に従うパワー半導体モジュールの他の構成を断面図として示す図である。
【図６】図５に従う部分モジュールの接続部を備えた本発明に従うパワー半導体モジュールを示す図である。
【図７】３つの部分モジュールと重なり合うカバーを備えた本発明に従うパワー半導体モジュールを示す図である。
【符号の説明】
【００２７】
１                  パワー半導体モジュール
１０                部分モジュール
２０                ベースプレート
２２                凹部（又は半穴）
２４                長穴（又は丸穴）
２６                突合せエッジ
２８                凹形成された部分（面）
３０                ケーシング
３２                ロックノーズ
３４                ロックノーズ
３６                支持部
４０                ターミナル要素
４２                負荷ターミナル
４４                補助ターミナル
４６、４８          ワイヤボンディング接続部
５０                基板
５２                絶縁材料ボディ
５４                接続パス
５６                パワー半導体素子
５８                ワイヤボンディング接続部
６２、６４          ワイヤボンディング接続部
７０                カバー
７２、７２ａ        丸穴
７４                継続部
８０                ネジ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2004319992.tif 000006
【図５】
2004319992.tif 000007
【図６】
2004319992.tif 000008
【図７】
2004319992.tif 000009