(57)【要約】【課題】不正解読および歩留まり低下を防止する。【解決手段】一方の表面に回路パターンが形成された半導体チップ５が、電極板６上に、該回路パターンを対向させて設けられており、弾性力によって円弧状に湾曲する弾性体である板バネ１が平坦な状態で、半導体チップ５の回路パターンが形成されていない他方の表面上に第１の接着剤４を介して貼り合わされるとともに、弾性体である板バネ１に第２の接着剤３によって、弾性体である板バネ１を平坦な状態に保持する補強板２が貼り合わされており、半導体チップ５、板バネ１および補強板２が電極板６上に実装されている。【選択図】　図１
2004062572.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の表面に回路パターンが形成された半導体チップが、電極板上に、該回路パターンを対向させて設けられた半導体集積回路装置であって、
弾性力によって円弧状に湾曲する弾性体が平坦な状態で、該半導体チップの回路パターンが形成されていない他方の表面上に第１の接着剤を介して貼り合わされるとともに、該弾性体に第２の接着剤によって、該弾性体を平坦な状態に保持する補強板が貼り合わされており、
該半導体チップ、該弾性体および該補強板が該電極板上に実装されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
前記弾性体は、金属製の板バネから成る請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
前記弾性体は、形状記憶合金から成る請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】
前記弾性体の弾性力は、前記半導体チップの弾性力より大きい請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項５】
前記弾性体の弾性力は、５．０Ｎより大きい請求項４に記載の半導体集積回路装置。
【請求項６】
前記電極板上に搭載された前記該半導体チップ、前記弾性体および前記補強板が樹脂によって封止されている請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項７】
前記補強板は、前記樹脂が溶解する薬液に対して溶解する材料であって、該薬液による該補強板の溶解速度が、該薬液による該樹脂の溶解速度よりも速い材料によって構成されている請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項８】
前記補強板は、前記樹脂と同じ材料から成る請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項９】
前記補強板は、エポキシ系樹脂から成る請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１０】
前記第２の接着剤は、前記樹脂が溶解する薬液に対して溶解する材料であって、該薬液による該第２の接着剤の溶解速度が、該薬液による該樹脂の溶解速度よりも速い材料によって構成されている請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１１】
前記第２の接着剤は、エポキシ系樹脂から成る請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１２】
前記第１の接着剤は、前記樹脂が溶解する薬液に対して、耐溶解性を有する材質から成る請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１３】
前記第１の接着剤は、ポリイミド系樹脂から成る請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１４】
弾性力によって円弧状に湾曲する弾性体と平坦な状態の補強板とを第２の接着剤によって貼り合わせ、その後、該補強板を機械的研磨または湿式エッチングによって該補強板を薄くする工程と、
該弾性体を第１の接着剤によって半導体チップに貼り付ける工程と、
該半導体チップを、電極板上に搭載し、その後、電極板上の該半導体チップ、該弾性体および該補強板を樹脂によって封止する工程と、
を包含することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜１３のいずれかに記載の半導体集積回路装置を用いたＩＣカード。
【請求項１６】
請求項１４に記載の半導体集積回路装置の製造方法によって製造された半導体集積回路装置を用いたＩＣカード。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報の不正解読を防止する半導体集積回路装置、その半導体集積回路装置の製造方法およびその半導体集積回路装置を用いたＩＣカードに関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体チップは、様々な回路パターンおよび製造技術に関する独創的なアイデア、不揮発性メモリに記憶されるプログラム情報等の知的財産情報が１つのシリコン片に高密度に集積されている。これらの回路パターンおよび情報は、他者への漏洩、不正または違法な模倣等から保護すべきものである。特に、半導体チップを搭載した半導体集積回路装置がＩＣカードに用いられ、個人に関する各種の情報および本人を同定する認証データがＩＣカードに情報として含まれると、これらの情報の機密保護は、極めて重要となる。
【０００３】
近年、ＩＣカードは、金銭の決済情報を含む個人情報等を記憶して処理する半導体チップの開発が急速に進むとともに実用化されつつある。このため、各種の情報を管理する観点より、不正な手段によって各種の情報の漏洩を防止する適切な防止策が必要となる。
【０００４】
不正行為者は、ＩＣカードを破壊することなくＩＣカードの電極からＩＣカード内の半導体チップの端子に種々の信号を入力し、半導体チップから出力される信号を解読し、ＩＣカード内部から情報を引き出すことを試みる。また、不正行為者は、ＩＣカードを分解して半導体チップを取り出し、半導体チップのレイアウトパターンの解読および半導体チップの動作時の電気、光、熱情報の解読からＩＣカードに記憶されている情報を引き出そうとする。
【０００５】
そこで、このような不正行為に対して、以下の対策が提案されている。
【０００６】
ＩＣカードの電極から種々の信号を入力して半導体チップから出力される情報を含む信号を解読しようとする行為には、半導体チップ内に規定外の電圧および電流が入力されると半導体チップ内の情報を破壊するような回路を組み込み、情報の流出を防止する方法が提案されている。
【０００７】
ＩＣカードを分解して半導体チップを取り出そうとする行為には、ＩＣカード内に組み込まれたセンサーにて不正行為を検知して、半導体チップ内の情報を消去し、半導体チップ内部の情報を読み出せないようにする方法が提案されている。
【０００８】
一方、半導体チップのレイアウトパターンの観察を防止する方法は、半導体チップの製造工程にて半導体チップの最上配線層にダミー配線を形成し、可視光および赤外光により半導体チップのレイアウトパターンを観察できないようにする等の方法が提案されている。
【０００９】
具体的な不正行為の対策として、特開平１１−３１２０８号公報には、主に薬液などを用いて化学的にエッチング処理によって、半導体チップ裏面の特定箇所の厚みを薄くし、半導体チップを取り外そうとすると半導体チップが破砕する構成が開示されている。以下に、この公報に開示された内容を簡単に説明する。
【００１０】
図２（ａ）は、上記公報に開示された半導体チップの斜視図である。図２（ａ）は、半導体チップを構成する半導体基板１１を示す。半導体基板１１は、厚さが３７０μｍであり、主表面側にＥＥＰＲＯＭの不揮発性メモリ等の半導体素子（図示せず）が形成されている。図２（ａ）の破線に囲まれた領域は、不揮発性メモリの形成された領域１２である。
【００１１】
図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す半導体基板１１における不揮発性メモリの形成された領域１２の裏面の拡大図である。図２（ｂ）に示すように、半導体基板１１の裏面にはマトリクス状に所定の開口部１４が形成されたエッチングマスク１３（例えば、二酸化珪素被膜）が設けられている。エッチングマスク１３である二酸化珪素被膜は、ＫｒＦエキシマレーザー等を用いたレーザー研削機によって、４００μｍ角の開口部１４が５００μｍピッチで形成されている。このような、半導体基板１１の裏面を、例えば濃度３０％の水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液に浸漬し、温度および浸漬時間をそれぞれ７０℃および４時間とした湿式エッチングを行う。
【００１２】
これにより、図２（ｃ）に示すように、半導体基板１１の裏面には、深さが２２０μｍであって裏面側から表面側にかけて断面積が順次小さくなった四角錐台形状の凹部１５が形成される。
【００１３】
このように、半導体基板１１の裏面に凹部１５が形成された結果、シリコン基板１１の強度は、凹部１５を形成する前の強度と比べて脆弱化したものとなる。この結果、半導体基板１１は、外部から不当な応力が付加されると簡単に破壊され、半導体チップに記憶されている情報の漏洩を防止することができる。
【００１４】
また、特開２０００−１１１２９号公報には、半導体チップ全体の厚みを極限まで薄くすることによって、半導体チップを取り外そうとすると半導体チップが破砕する構成が開示されている。この公報に開示された構成では、半導体チップの形成に使用される半導体ウエハが、まず、その裏面を研削装置で機械的に研削され薄膜化される。半導体ウエハの厚みは、研削装置の改良および研削時の回転数、砥石の降下速度等の研削条件の調整によって研削のみでも、１００μｍ程度まで薄膜化が可能である。
【００１５】
さらに、半導体ウエハの研削時に、半導体ウエハの回路面の保護用テープ材の適正化が図られたり、半導体ウエハの回路面側の補強用にガラス、セラミック材料または石英等の硬い材料から成る支持基板を貼る等の対策が講じられ、研削工程において、半導体ウエハの厚みは、５０μｍ程度まで薄膜化が可能である。
【００１６】
薄膜化された半導体ウエハは、研削後に、湿式エッチング装置によって、さらに薄膜化される。湿式エッチングは、フッ酸および硝酸の混合液を主体とした酸系薬液、または、水酸化カリウム（ＫＯＨ）およびアミン系のアルカリ系薬液を用いる。
【００１７】
このように、研削およびエッチング処理によって、半導体ウエハを０．１〜２０μｍにまで薄膜化することができる。
【００１８】
したがって、半導体ウエハを薄膜化して、半導体ウエハの機械的強度を低下させることによって、半導体ウエハからカットされた半導体チップを取り出すために、外力が加わると半導体チップ自身が破砕し、半導体チップに記憶されている情報の解析が実施できない。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の従来技術では、以下の問題点がある。
【００２０】
まず、特開平１１−３１２０８号公報で開示されている構成では、半導体チップの裏面の特定箇所を、エッチングによって凹部を形成するため、製造工程の工数が増加し、価格が上昇するおそれがある。さらに、水酸化カリウム（ＫＯＨ）などの薬液による長時間のエッチング処理により、半導体ウエハのエッジ部からのエッチングが進行し、半導体ウエハ周辺の半導体チップは、不良品となる可能性が高い。これにより、半導体ウエハ当たりの歩留まりが低下し、やはり価格が上昇するおそれがある。
【００２１】
特開２０００−１１１２９号公報で開示されている構成では、半導体ウエハ全面を薄膜化させている。現在、半導体チップの量産で主に用いられている６、８インチ等の口径の大きな半導体ウエハでは、薄膜化後のダイシング工程またはボンディング工程における機械的強度が不足する。これにより、半導体ウエハが各製造工程にて破砕する可能性が高くなり、歩留まりが低下するおそれがある。
【００２２】
本発明は、このような課題を解決するものであり、その目的は、歩留まり低下、製造工程の工数の増加および不正解読を防止する半導体集積回路装置、その半導体集積回路装置の製造方法およびその半導体集積回路装置を用いたＩＣカードを提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体集積回路装置は、一方の表面に回路パターンが形成された半導体チップが、電極板上に、該回路パターンを対向させて設けられた半導体集積回路装置であって、
弾性力によって円弧状に湾曲する弾性体が平坦な状態で、該半導体チップの回路パターンが形成されていない他方の表面上に第１の接着剤を介して貼り合わされるとともに、該弾性体に第２の接着剤によって、該弾性体を平坦な状態に保持する補強板が貼り合わされており、
該半導体チップ、該弾性体および該補強板が該電極板上に実装されているものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００２４】
さらに、好ましくは、本発明の半導体集積回路装置において、弾性体は、金属製の板バネから成る。
【００２５】
さらに、好ましくは、本発明の半導体集積回路装置において、弾性体は、形状記憶合金から成る。
【００２６】
さらに、好ましくは、本発明の半導体集積回路装置において、弾性体の弾性力は、前記半導体チップの弾性力より大きい。
【００２７】
さらに、好ましくは、本発明の半導体集積回路装置において、弾性体の弾性力は、５．０Ｎより大きい。
【００２８】
さらに、好ましくは、本発明の半導体集積回路装置は、電極板上に搭載された該半導体チップ、弾性体および補強板が樹脂によって封止されている。
【００２９】
さらに、好ましくは、本発明の半導体集積回路装置において、補強板は、樹脂が溶解する薬液に対して溶解する材料であって、薬液による補強板の溶解速度が、薬液による樹脂の溶解速度よりも速い材料によって構成されている。
【００３０】
さらに、好ましくは、本発明の半導体集積回路装置において、補強板は、樹脂と同じ材料から成る。
【００３１】
さらに、好ましくは、本発明の半導体集積回路装置において、補強板は、エポキシ系樹脂から成る。
【００３２】
さらに、好ましくは、本発明の半導体集積回路装置において、第２の接着剤は、樹脂が溶解する薬液に対して溶解する材料であって、薬液による第２の接着剤の溶解速度が、薬液による該樹脂の溶解速度よりも速い材料によって構成されている。
【００３３】
さらに、好ましくは、本発明の半導体集積回路装置において、第２の接着剤は、エポキシ系樹脂から成る。
【００３４】
さらに、好ましくは、本発明の半導体集積回路装置において、第１の接着剤は、樹脂が溶解する薬液に対して、耐溶解性を有する材質から成る。
【００３５】
さらに、好ましくは、本発明の半導体集積回路装置において、第１の接着剤は、ポリイミド系樹脂から成る。
【００３６】
本発明の半導体集積回路装置の製造方法は、弾性力によって円弧状に湾曲する弾性体と平坦な状態の補強板とを第２の接着剤によって貼り合わせ、その後、補強板を機械的研磨または湿式エッチングによって補強板を薄くする工程と、弾性体を第１の接着剤によって半導体チップに貼り付ける工程と、半導体チップを、電極板上に搭載し、その後、電極板上の半導体チップ、弾性体および補強板を樹脂によって封止する工程と、を包含するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３７】
本発明のＩＣカードは、請求項１〜１３のいずれかに記載の半導体集積回路装置を用いたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３８】
本発明のＩＣカードは、請求項１４に記載の半導体集積回路装置の製造方法によって製造された半導体集積回路装置を用いたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３９】
上記構成により、以下、その作用を説明する。
【００４０】
本発明の半導体集積回路装置は、補強板上に弾性体および半導体チップが順番に貼り付けられているために、半導体チップに対する機械的強度不足も解消するため、各工程での歩留まり低下も防止できる。
【００４１】
また、本発明の半導体集積回路装置は、半導体チップを取り出すためにモールド樹脂を薬液によってエッチングすると、弾性体と補強板とを貼り合わせているモールド樹脂と同じ材質の第１の接着剤もエッチングされ、弾性体が補強板から外れ、弾性体の弾性力によって半導体チップが破砕され、半導体チップ内の情報の不正解読を防止できる。
【００４２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。
【００４３】
図１は、本発明の実施形態である半導体集積回路装置の断面図である。図１に示す半導体集積回路装置は、電極板６上に所定の間隔をあけて複数の電極端子７が設けられており、各電極端子７上に、バンプ８を介して矩形状の半導体チップ５が搭載されている。
【００４４】
半導体チップ５は、各コーナー部近傍にバンプ８が接続されて各バンプ８にて電極板上に支持されている。半導体チップ５は、回路パターンが形成された主表面が電極板６と対向するように配置される。半導体チップ５の回路パターンが形成されていない裏面側には、第１の接着剤４を介して所定の弾性力を有する板バネ１が貼り合わされおり、さらに板バネ１には、第２の接着剤３を介して補強板２が貼り合わされている。板バネ１は、力が付与されていない状態では弾性力によって円弧状に湾曲している形状である。半導体チップ５、板バネ１および補強板２は、それぞれ互いに平行状態を保持するように、第１の接着剤４および第２の接着剤３によって貼り合わされ、補強板２が最上部に配置される。
【００４５】
力が付与されていない状態では弾性力によって円弧状に湾曲している板バネ１は、半導体チップ５の裏面に沿った平坦な状態で、半導体チップ５に第１の接着剤４によって張り合わされて、第２の接着剤３によって貼り合わされた補強板２によって、平坦な状態に保持されている。
【００４６】
第１の接着剤４および第２の接着剤３によって貼り合わされた半導体チップ５、板バネ１および補強板２は、補強板２が最上部に配置され、半導体チップ５が電極板６と対向するように、電極板６上に電極端子７およびバンプ８を介して支持され、電極板６の表面とともに、モールド樹脂９（例えば、エポキシ樹脂）によって封止されている。
【００４７】
板バネ１は、形状記憶合金に代表される所定の弾性力を有する弾性体であれば良い。補強板２は、表面が平坦な薄板状であり、モールド樹脂９と同じ材質から成る。補強板２は、モールド樹脂９が溶解する薬液によって溶解し、その薬液による補強板２の溶解速度が、モールド樹脂９の溶解速度よりも速い材料であることが好ましい。
【００４８】
また、第２の接着剤３は、モールド樹脂９と同じ材質から成る。第２の接着剤３は、モールド樹脂９が溶解する薬液に対して溶解し、その薬液による第２の接着剤３の溶解速度が、モールド樹脂９の溶解速度よりも速い材料であることが好ましい。第１の接着剤４は、できる限り酸系の薬液にて溶解しにくいポリイミド系樹脂等を使用する。
【００４９】
続いて、図１に示す半導体集積回路装置の製造方法を以下に説明する。
【００５０】
まず、弾性力によって円弧状に湾曲している金属等の弾性体である板バネ１を平坦な平面状態にするために、板バネ１の一方の表面を第２の接着剤３によって補強板２の一方の表面に貼り付ける。この板バネ１は、厚さ１００μｍ程度、１０×６ｍｍ角の半導体チップ５を破壊するために必要な５．０Ｎ以上の弾性力があれば良い。このため、補強板２と板バネ１とを貼り合わす第２の接着剤３は、板バネ１の弾性力以上の接着力が必要となる。その後、補強板２の他方の表面に機械的研磨または湿式エッチングを行い、補強板２を所定の厚さまで薄くする。
【００５１】
次に、補強板２に貼り付けられた板バネ１の他方の表面に、第１の接着剤４を介して、ダイシングされた半導体チップ５の回路パターンが形成されていない裏面を貼り付ける。半導体チップ５は、半導体ウエハの状態にて、回路パターンが形成されていない裏面を研磨等によって、所定の厚さまで薄膜化されている。これにより、補強板２、板バネ１および半導体チップは、第２の接着剤３および第１の接着剤４によって順番に貼り付けられ、それぞれ互いに平行状態を保持する。
【００５２】
次に、電極板６上に所定の間隔をあけて複数の電極端子７に、バンプ８を介して上記平行状態に貼り付けられた補強板２、板バネ１および半導体チップを搭載する。半導体チップ５は、半導体チップ５の回路パターンが形成された主表面側の各コーナー部近傍にバンプ８が接続されて、バンプ８にて電極板６上に支持される。その後、電極板６上および電極板上に搭載した補強板２、板バネ１および半導体チップをモールド樹脂９にて被覆し、半導体チップモジュール（半導体集積回路装置）を形成する。
【００５３】
このような構成により、本発明の半導体集積回路装置は、補強板２上に板バネ１および半導体チップ５が順番に貼り付けられているために、半導体チップ５に対する機械的強度不足も解消するため、各工程での歩留まり低下も防止できる。本発明の半導体集積回路装置は、半導体チップ５を取り出すためにモールド樹脂９を薬液によってエッチングすると、板バネ１と補強板２とを貼り合わせている第２の接着剤３もエッチングされ、板バネ１が補強板２から外れ、板バネ１の弾性力によって半導体チップ５が破砕され、半導体チップ５内の情報の不正解読を防止できる。この場合、板バネ１と補強板２との間の第２の接着剤３の材質がモールド樹脂９と同等の材質であるために、容易に板バネ１と補強板２とが外れ、短時間にて半導体チップ５が破砕される。
【００５４】
本発明の半導体集積回路装置の製造方法では、半導体チップ５を含む半導体ウエハに対して、特別なエッチング処理が必要としないため、工数増加が防止できる。
【００５５】
本発明の半導体集積回路装置は、板バネ１が貼り付けられている補強板２をモールド樹脂９と同等の材質にすると、更に、容易に板バネ１が補強板２から外れ、一層短時間にて板バネ１の弾性力が開放され、半導体チップ５が破砕される。一方、本発明の半導体集積回路装置は、酸系等の薬液を使用せず機械的な研磨によって、補強板２上のモールド樹脂９を除去して、半導体チップ５を取り出そうとすると、補強板２が研磨され、補強板２の強度が板バネ１の弾性力に耐えられない厚さに到達した時点で、板バネ１の弾性力により半導体チップ５が破壊される。
【００５６】
本発明の半導体集積回路装置は、上記の板バネ１を形状記憶合金に置き換えても同様の効果が得られる。この場合、形状記憶合金は、熱により凹状または凸状の形状に変形するため、モールド樹脂９を硫酸および発煙硝酸の強酸の薬液等によって溶解させると、形状記憶合金が加熱する熱にも反応して弾性力を解放し易くなり、半導体チップ５を早く破砕できる。尚、本発明の半導体集積回路装置は、形状記憶合金を使用する場合でも、高温における通常使用状態を想定し、形状記憶合金を第２の接着剤３等を介して補強板２に貼り付けておく必要がある。
【００５７】
本発明の半導体集積回路装置は、カード用容器等に組み込まれることによって、不正解読を防止する機能を有するＩＣカードとして使用される。
【００５８】
以上説明したように、本発明の半導体集積回路装置である半導体チップモジュールは、補強板２に第２の接着剤３によって板バネ１または形状記憶合金等の弾性体を貼り付け、さらにその上に第１の接着剤４を介して薄膜化された半導体チップ５を貼り付けることにより、モジュール内より半導体チップ５を取り出そうとすると、板バネ１または形状記憶合金等の弾性体の弾性力によって半導体チップ５が破壊され、半導体チップ５内部の情報の解読を防止でき、機密保持の信頼性が向上する。ここで、板バネ１または形状記憶合金等の弾性体は、厚さ１００μｍ程度、１０×６ｍｍ角の典型的な大きさの半導体チップ５を破壊するために必要な５．０Ｎ以上の弾性力を有している。
【００５９】
特に、半導体チップモジュールは、補強板２にモールド樹脂９と同じ材料（例えば、エポキシ樹脂）を用いることにより、不正行為者が硫酸または発煙硝酸等の強酸の薬液を使用して、モールド樹脂９を除去しようとすると、補強板２も同時に除去され、円弧状に湾曲している板バネ１、または、形状記憶合金の弾性力によって、容易に半導体チップ５を破砕することができ、機密保持が可能となる。
【００６０】
また、半導体チップモジュールは、補強板２と板バネ１または形状記憶合金等の弾性体とを貼り付ける第２の接着剤３にモールド樹脂９と同じ材料を用いることにより、上記と同様の効果が得られ、不正行為者に対する機密保持が可能となる。
【００６１】
さらに、半導体チップモジュールは、板バネ１または形状記憶合金等の弾性体と半導体チップ５を貼り付ける第１の接着剤４にポリイミド樹脂等の酸系の薬液によって溶解しにくい材料を用いることにより、上記と同様の効果が得られ、不正行為者に対する機密保持が可能となる。
【００６２】
さらに、半導体チップモジュールは、補強板２上に板バネ１および半導体チップ５が順番に貼り付けられた積層構造部において、補強板２を積層構造部の最上部に配置したことによって、補強板２を酸系の薬液によって溶解するだけではなく、機械的研磨によって半導体チップを剥離する不正行為に対しても、補強板２が研磨されてしまうと同時に、上記と同様の効果が得られ、不正行為者に対する機密保持が可能となる。
【００６３】
さらに、半導体チップモジュールは、弾性体として熱に対して弾性力を解放する形状記憶合金を用いることにより、モールド樹脂９等を酸系の薬液にて溶解する時に、加熱する熱によって形状記憶合金の弾性力の解放が早まり、容易に半導体チップを破砕することができ、不正行為者に対する機密保持が可能となる。
【００６４】
さらに、半導体チップモジュールは、ＩＣカードに組み込まれることにより、極めて安全性の高いＩＣカードが実現できる。
【００６５】
【発明の効果】
本発明の半導体集積回路装置は、弾性力によって円弧状に湾曲する弾性体が平坦な状態で、半導体チップの回路パターンが形成されていない他方の表面上に第１の接着剤を介して貼り合わされるとともに、弾性体に第２の接着剤によって、弾性体を平坦な状態に保持する補強板が貼り合わされており、半導体チップ、弾性体および補強板が電極板上に実装されていることにより、不正解読および歩留まり低下を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態である半導体集積回路装置の断面図である。
【図２】（ａ）は、従来技術の半導体チップの斜視図、（ｂ）および（ｃ）は、（ａ）の要部を拡大した斜視図である。
【符号の説明】
１　　板バネ
２　　補強板
３　　第２の接着剤
４　　第１の接着剤
５　　半導体チップ
６　　電極板
７　　電極端子
８　　バンプ
９　　モールド樹脂
１１　半導体基板
１２　不揮発性メモリの形成された領域
１３　エッチングマスク
１４　開口部
１５　四角錐台形状の凹部
【図１】
2004062572.tif 000003
【図２】
2004062572.tif 000004