(57)【要約】【課題】基板との密着後の離型性に優れ、気泡が入り難く、転写欠陥が発生し難く、寸法変化が無くて転写後の形状精度に優れた厚膜パターンを基板上に安価に歩留り良く高精度で形成する方法を提供する。【解決手段】目的パターンの反転形状たる凹部を表面に設けた凹型を回転体表面に曲面状に保持せしめた後、前記凹部にパターン形成材料を充填し、次いで、前記回転体に保持された前記凹型に基板を当接させながら前記回転体を回転させ、前記パターン形成材料を前記基板に転写することを特徴とする厚膜パターン形成方法。【選択図】  図１
2004335243.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
目的パターンの反転形状たる凹部を表面に設けた凹型を回転体表面に曲面状に保持せしめた後、前記凹部にパターン形成材料を充填し、次いで、前記回転体に保持された前記凹型に基板を当接させながら前記回転体を回転させ、前記パターン形成材料を前記基板に転写することを特徴とする厚膜パターン形成方法。
【請求項２】
前記回転体が円筒状であることを特徴とする請求項１に記載の厚膜パターン形成方法。
【請求項３】
前記回転体が円筒の一部であることを特徴とする請求項１に記載の厚膜パターン形成方法。
【請求項４】
前記凹型が可撓性を有する樹脂を主材として形成されたものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の厚膜パターン形成方法。
【請求項５】
前記凹型が少なくとも、凹部が形成された樹脂層と、凹部が設けられていない側に金属から成る補強層とから形成されていることを特徴とする請求項１ないし４に記載の厚膜パターン形成方法。
【請求項６】
前記パターン形成材料は光硬化性を有し、前記凹型の凹部に充填後、前記基板への転写前に光硬化させることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の厚膜パターン形成法。
【請求項７】
前記凹型の主材たる樹脂が光透過性を有することを特徴とする請求項６に記載の厚膜パターン形成方法。
【請求項８】
前記凹型の凹部が形成されていない側もしくは前記回転体の表面が光反射性を有することを特徴とする請求項７に記載の厚膜パターン形成方法。
【請求項９】
前記パターン形成材料を光硬化の後、凹部に充填されたパターン形成材料の外気に接する表層が半硬化もしくは未硬化の状態であることを特徴とする請求項６ないし８のいずれかに記載の厚膜パターン形成方法。
【請求項１０】
前記基板表面に予め易接着層が設けられていることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の厚膜パターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、混成集積回路、液晶表示装置、蛍光表示ディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネル等の製造工程における厚膜パターン形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
本発明は前記の通り、混成集積回路や各種フラットディスプレイパネル等の製造工程における厚膜パターン一般の形成方法であって、以下に詳述する例に用途を限定するものではないが、本発明の特徴がとりわけ有効に機能する一例として、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の隔壁パターンを形成する方法を取り上げて説明する。一般に、ＰＤＰは、２枚の対向するガラス基板にそれぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、その間にネオン、キセノン等を主体とするガスを封入した構造になっている。そして、これらの電極間に電圧を印加し、電極周辺の微小なセル内で放電を発生させることにより、各セルを発光させて表示を行うようにしている。特に情報表示をするためには、規則的に並んだセルを選択的に放電発光させている。
【０００３】
ここで、ＰＤＰの構成を、図９に示す一般的なＡＣ三電極面放電反射型ＰＤＰの一例をあげて説明しておく。図９はＰＤＰ構成斜視図であるが、分かり易くするため前面板（ガラス基板９０）と背面板（ガラス基板９１）を実際より離した状態で示してある。図９に示すように２枚のガラス基板９０、９１が互いに平行に且つ対向して配設されており、両者は背面板となるガラス基板９１上に互いに平行に設けられた隔壁（障壁あるいはリブとも言う）９２により、一定の間隔に保持されている。
前面板となるガラス基板９０の背面側には、透明電極よりなる放電維持電極９３と金属電極よりなる母電極（あるいはバス電極とも言う）９４とで構成される複合電極が互いに平行に形成され、これを覆って誘電体層９５が形成されており、さらにその上に保護層（ＭｇＯ層）９６が形成されている。
【０００４】
また、背面板となるガラス基板９１の前面側には、前記複合電極と直行するように隔壁９２の間に位置してアドレス電極９７が互いに平行に形成されており、さらにアドレス電極を覆うように背面基板の略全面に誘電体層９８が設けられている。隔壁９２はアドレス電極９７が設けられてない部分に設けられ、放電空間を区画する。なお、隔壁９２により区画された各放電空間をセルないし単位発光領域と言う。隔壁９２の壁面とセル底面には、これらを覆うように蛍光体層９９が設けられている。放電空間には放電用気体が封入されている。隔壁９２は、隣接する放電空間同士の間で光のクローストーク発生を防止するための構造体で、通常１００〜１５０μｍの高さを有し、配設のピッチは１２０〜３６０μｍ、頂部の幅は３０〜８０μｍである。
このＡＣ三電極面放電反射型ＰＤＰは、前面板上の複合電極間に交流電圧を印可して放電させる構造である。この場合、交流をかけているために電界の向きは周波数に対応して変化する。そして、この放電により生じる紫外線により蛍光体を発光させ、前面板を透過する光を観察者が視認できるものである。
【０００５】
従来、ＰＤＰの隔壁のごとき厚膜パターンの形成方法としては、基板上に厚膜パターン形成材料をスクリーン印刷によりパターン状に印刷を行なった後に、このペーストを乾燥、焼成する工程を繰り返して厚膜パターンを形成するスクリーン印刷法が採用されてきた。このスクリーン印刷による方法においては、上述のように複数回のスクリーン印刷により重ね刷りをして所定の厚さにする方法が採られているが、この方法では、ＰＤＰの隔壁を形成する場合、５〜２０回の重ね刷りを必要とし、その度ごとに乾燥工程が入ることとなり、その結果として極めて生産性が悪く、また歩留りを低下させ、パターンの寸法精度も損なわれるという問題点があった。
【０００６】
現在、このような問題を解決し、スクリーン印刷法に代わる方法として、サンドブラスト法、あるいは、感光性ペースト法が用いられている。
サンドブラスト法は、基板の略全面に所定の膜厚に厚膜パターン形成材料を一括塗布して塗膜を形成し、その上に、耐研削性を有するフォトレジスト材料をフォトリソグラフィ法により加工して、所望する厚膜パターンに対応したブラストマスクパターンを形成し、そののち、研削材を噴射して厚膜パターン形成材料から成る塗膜の不要部分を研削除去し、続いてフォトレジストを剥離して所望の厚膜パターンを得るものである。
一方、感光性ペースト法は、感光性を有せしめた厚膜パターン形成材料を基板の略全面に所定の膜厚に一括塗布し、この塗膜を直接フォトリソグラフィ法により加工して、得たい厚膜パターンに対応する部分のみを残すものである。
これらの感光性ペースト法およびサンドブラスト法は、フォトリソグラフィ技術を用いているため、スクリーン印刷法に比べて寸法精度に優れるものの、基板上略全面に厚膜パターン形成材料を一様に塗布してから不要部分を除去するため（サブトラクティブ法）、材料の無駄が多いという問題があった。また、サンドブラスト法では、ブラストマスク材たるフォトレジストもサブトラクティブに加工するため、さらに材料の無駄が発生するという問題があった。
【０００７】
そこで、かかる問題を解消する方法として、近年、目的パターンの反転形状を有する凹型を利用して厚膜パターンを形成する型プレス法または型転写法が提案されている。
型プレス法は、基板上に厚膜パターン形成材料を塗布しておき、目的パターンの反転形状を有する凹型を押しつけて成形したのち、凹型を脱離させて厚膜パターンを形成するものである（例えば、特許文献１参照。）。
型転写法は、同様の凹型に厚膜パターン形成材料を充填してから基板に凹型を密着させて同材料を基板上に転写し、そののち凹型を脱離させて厚膜パターンを形成するものである（例えば、特許文献２、特許文献３参照。）。
さらに、凹型を離型しやすいように可撓性の型を用いる方法も開発されている（例えば、特許文献４参照。）。
【０００８】
【特許文献１】
特開２０００−３４０１０４号公報
【特許文献２】
特開２０００−２４５８０号公報
【特許文献３】
特開２００１−４９４６５号公報
【特許文献４】
特開２００１−５８３５２号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記の型プレス法では、工程数が少なく生産性に優れるものの、図６に示すように、凹型６１により基板６２上の隔壁材料塗布膜６３をプレスし（図６（ｂ））、次いで凹型６１を基板６２から離型した時に、厚膜パターンである隔壁６４の間隙に厚膜パターン形成材料が一層残ることが避けられないという問題があった（図６（ｃ））。これは、プラズマディスプレイの隔壁パターンを形成する場合、電極上の誘電体層と、電極間の隔壁が同一材料で形成されることになる。しかし、誘電体層と隔壁層に異なる機能や特性が要求される場合、例えば、電気的特性として異なる誘電率が求められる場合には問題となり、また光学的特性として、誘電体層は輝度向上のために白色材料を用いて反射率を高くし、隔壁はコントラスト向上のために暗色で形成したい場合などに対応することが不可能になるという問題があった。
【００１０】
一方、前記の型転写法の場合は、誘電体層と隔壁を個別の材料で形成できるという利点を有している。しかし、図７に示すように、厚膜パターン形成材料を充填した凹型７１を基板に均一に気泡を噛むこと無く基板７２に密着させる必要があるが、全面がほとんど同時に基板７２に密着するので気泡を噛みやすく、減圧脱泡等の余計な工程が必要で生産性が悪く、基板や型のうねりや表面構成層の膜厚分布の影響を受けやすく、密着を均一にするのが困難で転写不良が発生しやすいという問題があった。また、全面押圧ゆえ、大面積基板の製造にあっては、極めて大きな圧力による加圧が必要となり、また、型を脱離（離型）する場合においても、同様に大きな剥離力を必要とし、転写すべきパターンや型に損傷を与えやすいという問題があった。
【００１１】
このため、図８に示すように、基板への追従性を改善し、気泡も噛み難く、離型しやすい可撓性の凹型８１を用いる方法が提案されている。しかしながら、可撓性の凹型８１を用いる方法においては、基板８２からの離型時に凹型に強い変形力が加わり、凹型８１が塑性変形してしまう危険性や、寸法維持の点で問題があった。
【００１２】
そこで、本発明はこのような問題点を解消するためになされたものである。その目的は、基板との密着後の離型性に優れ、気泡が入り難く、転写欠陥が発生し難く、寸法変化が無くて転写後の形状精度に優れた厚膜パターンを基板上に安価に歩留り良く高精度で形成する方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明に係わる厚膜パターン形成方法は、目的パターンの反転形状たる凹部を表面に設けた凹型を回転体表面に曲面状に保持せしめた後、前記凹部にパターン形成材料を充填し、次いで、前記回転体に保持された前記凹型に基板を当接させながら前記回転体を回転させ、前記パターン形成材料を前記基板に転写するようにしたものである。
そして、本発明の厚膜パターン形成方法は、上記において、回転体が円筒状であるか、あるいは、回転体が円筒の一部であることを好ましい形態としたものである。
【００１４】
また、本発明の厚膜パターン形成方法は、前記凹型が可撓性を有する樹脂を主材として形成されたものとしたものである。また、本発明の厚膜パターン形成方法は、上記において、凹型が少なくとも、凹部が形成された樹脂層と、凹部が設けられていない側に金属から成る補強層とから形成されているようにしたものである。また、上記において、パターン形成材料は光硬化性を有し、前記凹型の凹部に充填後、前記基板への転写前に光硬化させるようにしたものである。そしてまた、上記において、凹型の主材たる樹脂が光透過性を有するようにしたものである。また、上記において、回転体の表面が光反射性を有するようにしたものである。
また、本発明の厚膜パターン形成方法は、上記において、凹型の、凹部が形成されていない側が光反射性を有するようにしたものである。  そして、上記において、パターン形成材料を光硬化の後、凹部に充填されたパターン形成材料の外気に接する表層が半硬化もしくは未硬化の状態であるようにしたものである。また、上記において、基板表面に予め易接着層が設けられているようにしたものである。
【００１５】
【作用】
本発明では、曲面に凹部を保持させることにより、基板と凹型の接触を線状に行ないながら曲面を回転させるので、凹型全面を同時に押圧する手法と比較して、小さな力で均一な型と基板間の密着が実現でき、小さい力で離型でき、しかも型は常に一定の面に保持されているので離型時に型に加わる変形力も小さくて伸びや歪みを発生させず、密着→転写→離型が一連の連続動作で可能なため生産性がよいという長所を有する。
また、本発明において、パターン形成材料を光硬化性、凹型を光透過性、凹型の保持面（非凹部）を光反射性にした場合には、パターン形成材料の硬化が速くて生産性が良くなり、熱による寸法変化の懸念が無く、充填された光硬化性材料の内部の硬化が効率的に、充分に進行する。その結果、密着後の離型性に優れ、転写後の形状精度に優れた厚膜パターン形成方法が得られる。
さらに、充填された光硬化性材料の凹部開口表層は外気にさらされて酸素による硬化阻害を受けて、半硬化または未硬化で流動性を有したままであるから、基板表面への密着・転写を容易にし、気泡も入り難く、転写欠陥が発生し難くすることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。図１は本発明の厚膜パターン形成方法を示す工程概略図である。
まず、図１（ａ）に示すように、本発明で用いる転写用凹型１１について説明する。
目的パターンの反転形状である凹型１１は、厚膜パターン形成材料を充填するための凹部１２を設けたものである。本発明において、回転体表面に凹型を保持せしめられれば凹型１１の材料には特に限定されないが、凹型１１を曲面を有する回転体に密着させるために、可撓性を有する材料が好ましい。可撓性としては、回転体の曲面に十分に密着して保持し得る程度の柔軟性があればよい。
上記の凹型１１の材料としては、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、金属が用いられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート等が挙げられる。本発明で、元型（目的パターンの凸型）からの型取りの容易さや、型取り時の寸法精度、型の製造コストを考慮した場合、熱可塑性樹脂あるいは電鋳型等の金型による凹型よりも、硬化性樹脂、例えば、ＵＶ、その他、光、放射線に感光する感光性硬化性樹脂、反応性硬化性樹脂、熱硬化性樹脂等を主材とする凹型がより好ましい。硬化性樹脂とする理由は、元型からの型取りが容易で、元型から型取った転写用の型を複数用意しておくことにより、型の交換の必要性が生じた場合に迅速に交換出来、常に同じ品質の転写パターンが得られるからである。また、樹脂製の型では、基板との密着時に基板や型のうねりに追従して均一な密着が実現して好ましいからでもある。硬化性樹脂は、型取りの容易性、型取り時の寸法精度の点で、熱可塑性樹脂に優りより好適であり、電鋳型は、転写用型の作製工程が複雑でコストも高く、時間を要してしまうからである。
【００１７】
転写用凹型１１の主材となる感光性硬化性樹脂としては、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、エポキシアクリレート等が挙げられ、反応性硬化性樹脂としては、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられ、熱硬化性樹脂としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
本発明において、転写用凹型１１からのパターン形成材料の離型性を高めるには、フッ素系あるいはシリコーン系の離型剤を上記の樹脂主材に混錬して離型性を有せしめたり、あるいは主材にシリコーン樹脂を用いることで離型性を発現することができる。
【００１８】
表層に凹部１２が形成された凹型１１の樹脂層の厚みは、凹凸形状の１〜３倍が適当である。厚過ぎると、基板との密着時に樹脂が変形する絶対量がパターンの寸法精度に影響を与え易くなり、逆に薄過ぎると、強度的な問題のほか、密着時の基板への追従性が不充分となるからである。
なお、厚膜パターン形成材料が光硬化性の場合には、凹型１１が光透過性であることが好ましい。凹型１１の非凹部から入射した光が凹部の側面から凹部に充填されたパターン形成材料に到達するようにし、パターン形成材料の硬化が効率的に進むようにするためである。なお、ここで「光透過性」というのは、パターン形成用材料を硬化させるための硬化用露光光に対して透明であることを意味する。
【００１９】
さらに、凹型１１の凹部１２が形成されていない側の面に光反射性を有していれば、凹型１１の中を透過してきた光を凹部１２側に戻すことにより、さらに硬化を効率的に進めることができる。このような光反射層は、凹型１１の主材たる硬化性樹脂層の凹部１２が設けられていない側に金属薄膜を形成することにより作製することができる。蒸着法やスパッタリング法では、装置が高価で準備が煩雑であり、なおかつ樹脂から成る凹型への熱的な影響も懸念されるので、Ａｌ箔や、金属板よりなる光反射層を接着剤や粘着剤を介して貼りつけるのが簡便で安価である。
【００２０】
凹型が樹脂で形成される場合は、環境温度による熱膨張や収縮、あるいは転写を繰り返した際の寸法変動が懸念されるが、凹型の別な実施形態として、図２に示すように、凹型２１の凹部２２が設けられていない側に補強層２３を設けることで、寸法の変動を抑制することができる。補強層２３としては、樹脂よりも熱膨張率が小さい金属、具体的には鉄、銅、ＳＵＳ板等のシートが用いられる。補強層２３に金属を用いれば、前記のような光反射層を兼ねることができるからである。凹型と補強層を一体化するには、図２のように接着剤や粘着剤等の接着層２４を介して凹型２１の背面に貼り付け、樹脂製凹部２２／接着層２４／補強層（光反射層）２３の三層構成体とする形態と、樹脂凹型自体が接着性を有していて直接補強層と貼り合わせ、樹脂製凹部／補強層（光反射層）の二層構成体とする形態とが用いられる。ただし、いずれの構成体も全体として可撓性を失わないようにすることが重要である。このため、補強層２３の厚さは、０．１〜３ｍｍの範囲が好ましい。
【００２１】
図１（ａ）において、凹部１２に樹脂を用いた場合の寸法変化をさらに抑制するために、樹脂に炭酸カルシウム等の骨材を添加してもよい。通常、添加量は８〜８０％の範囲内であり、選択した樹脂との相性や、硬化後の可撓性、光透過性を考慮して適宜決定すればよい。
また、転写用凹型１１からのパターン転写材料の離型性をさらに高めるために、凹型１１の表面には、必要に応じてフッ素系あるいはシリコーン系の離型剤を塗布してパターン形成材料を転写する際の型の脱離を容易にしてもよい。
【００２２】
なお、凹型１１を型取るための元型（目的パターンの凸型）の作製法としては、電鋳法、サンドブラスト法、機械的あるいは化学的切削法等の公知の手法を用いることができる。
【００２３】
このようにして得られた転写用凹型１１を図１（ｂ）に示すように、回転体１３、あるいは図３に示すように、回転体の一部から成る曲面体３３に保持する。
回転体１３への凹型１１の保持法については、凹型１１の四辺のうちの一辺、ないしは複数の辺をクランプで固定したり、あるいは凹型１１端部にパンチ穴を設けて、回転体１３の対応する部分に設けたピンと係合したり、回転体１３の表面に複数の真空吸着用の溝や孔を設けて凹型１１の背面を吸着したり、あるいはこれらの方法の複数を組み合わせて用いることができる。
本発明によれば、可撓性を有する型を用いるので、回転体１３の表面に倣って保持することができる。
【００２４】
次に、回転体１３について説明する。
本発明に用いる凹型１１保持用の回転体１３は、特に材質を限定するものではないが、剛性が高く機械精度に優れることから、金属が好ましい。回転体１３の形状としては、基板と当接させた際に、略線状に接する形状を成すものであり、基板進行方向に対する回転体１３の断面形状が、円、楕円、放物線、サインカーブ状、もしくはそれらの一部をなす曲線を有する回転体が使用可能であるが、回転体および凹型の製造が容易でコスト面から、断面が円もしくは円弧を有する回転体がより好ましい。すなわち、円筒体あるいは、図３に示すように、円筒体を一部切り取った形状の曲面体３３を成すものが好ましい。本発明においては円筒の曲率を特に限定するものではなく、凹型１１の可撓性や後述するパターン形成材料の凹型１１への充填工程の作業性に応じて適宜決定すれば良い。
本発明によれば、回転体１３表面に凹型１１を保持させるので、型自体が可撓性を有していても、基板との密着、離型時に型が変形する懸念が少ない。
また、本発明によれば、基板と型は略線状に接するので、密着させるための押圧力や離型時の引き剥がし力が小さくて済み、装置がコンパクトになり、型に加わる負荷も少なくて済み、凹型１１の変形、損傷、基板の損傷の懸念が少ない。
【００２５】
パターン形成材料に光硬化性材料を用い、なおかつ凹型１１の説明で言及したような光反射層を凹型１１の背面に設けない場合には、回転体１３の表面は硬化用露光光に対して反射性を有せしめ、凹型１１を透過してきた露光光を凹型１１側に戻してやることにより効率良く硬化を進めることができる。このような目的からも回転体１３は金属であることが好ましく、回転体１３表面をバフ研磨法等により研磨して光反射性を高めたり、回転体１３構造の主材とは別に、硬質Ｃｒ鍍金等の処理を施して、表面に光反射性を有し、なおかつ耐擦傷性を高めた被覆層を設けるとさらに好適である。
【００２６】
次に、本発明で用いる厚膜パターン形成材料について説明する。
本発明の厚膜パターン形成材料は、目的パターンの機能上必須となる材料に、凹型１１への充填適性、凹型１１と基板が密着した際の接着適性、型が脱離する際の離型適性、離型後の形状維持性、などの各適性を具現化するための素材を混合した組成物である。
この場合、具体的には、厚膜パターンが電極配線であるならば、導電性材料、すなわちＡｇ、Ｎｉ、Ｐｄといった金属粉体や、ＩＴＯなどの導電性金属酸化物から成る機能上必須の構成材料であり、また、厚膜パターンが隔壁パターン等絶縁材料であるならば、酸化鉛、酸化亜鉛、酸化ビスマス等を主成分とする低融点ガラスフリット、および骨材となる酸化アルミニウム、シリカ、酸化チタン、酸化ホウ素、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、炭酸カルシウム、等の無機粉体が機能上必須の構成材料となる。このような無機粉体から成る骨材は、焼成時の形状維持の他、所望の反射率や誘電率を発現するために必要な構成材料でもある。
【００２７】
上記のガラスフリットとしては、例えば、軟化点温度が３５０〜６５０℃であり、熱膨張係数α３００が６０×１０−７〜１００×１０−７  ／℃であるガラスフリットを使用することができる。ガラスフリットの軟化点温度が６５０℃を超えると後工程の焼成温度を高くする必要が生じ、基板が一般のガラス基板である場合は、熱変形を生じることになり好ましくない。また、ガラスフリットの軟化点温度が３５０℃未満では、焼成により有機成分が完全に分解、揮発して除去される前にガラスフリットが融着するため、空隙を生じやすく、好ましくない。また、ガラスフリットの熱膨張係数が上記の範囲外であると、ガラス基板の熱膨張係数との差が大きくなり過ぎる場合があり、パターンが基板から浮いたり、クラックを生じたり、形状に歪みを生じることになり、好ましくない。
このようなガラスフリットの平均粒径は、０．１〜１０μｍの範囲が好ましい。
上記のような目的で混合された組成物は、特に、凹部に気泡を生じずに充填するための流動性と、凹部に充填された際の形状を型が脱離した後も保持している形状維持性が重要であり、このためには、硬化性の樹脂組成物であることが好ましい。
【００２８】
本発明においては、充填→転写→離型が一連の工程で繰り返し行なわれので、パターン形成材料を凹部に充填後に速やかに硬化させることが必要であることから、パターン形成材料は光硬化性樹脂を含むことが好適である。
ここで言う光硬化性樹脂は、少なくともポリマー、モノマーおよび光開始剤を含有するものである。ＰＤＰの隔壁パターンや電極パターンを形成する目的であれば、パターン形成後、焼成によって揮発、分解して、焼成膜中に炭化物を残存させることのないことも必要である。このような目的のために用いられる材料の例を以下に挙げる。
【００２９】
ポリマーとしては、メチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−プロピルメタクリレート、イソプロピルアクリレート、イソプロピルメタクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、イソブチルアクリレート、イソブチルメタクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート、ｎ−ペンチルアクリレート、ｎ−ペンチルメタクリレート、ｎ−ヘキシルアクリレート、ｎ−ヘキシルメタクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、ｎ−オクチルメタクリレート、ｎ−デシルアクリレート、ｎ−デシルメタクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、スチレン、α―メチルスチレン、Ｎ−ビニル−２−ピロリドンの１種以上と、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸の二量体、コハク酸２−メククリロイルオキシエチル、コハク酸２−アクリロイルオキシエチル、フタル酸２−メタクリロイルオキシエチル、フタル酸２−アクリロイルオキシエチル、ヘキサヒドロフタル酸２−メタクリロイルオキシエチル、ヘキサヒドロフタル酸２−アクリロイルオキシエチル、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、ビニル酢酸、これらの酸無水物等の１種以上から成るポリマーまたはコポリマー、カルボキシル基含有セルロース誘導体等が挙げられる。
また、上記のコポリマーにグリシジル基または水酸基を有するエチレン性不飽和化合物を付加させたポリマー等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
上記のポリマーの分子量は、５，０００〜３００，０００、好ましくは３０，０００〜１５０，０００の範囲である。また、上記ポリマーに他のポリマー、例えば、メタクリル酸エステルポリマー、ポリビニルアルコール誘導体、Ｎ−メチル−２−ピロリドンポリマー、セルロース誘導体、スチレンポリマー等を混合することが出来る。
【００３０】
光硬化性樹脂組成物を構成する反応性モノマーとしては、少なくとも１つの重合可能な炭素−炭素不飽和結合を有する化合物を用いることができる。具体的には、アリルアクリレート、ベンジルアクリレート、ブトキシエチルアクリレート、ブトキシエチレングリコールアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、グリセロールアクリレート、グリシジルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，５−ペンタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，３−プロパンジオールアクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジアクリレート、２，２−ジメチロールプロパンジアクリレート、グリセロールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、グリセロールトリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ポリオキシエチル化トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、エチレンオキサイド変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、エチレンオキサイド変性ペンタエリスリトールテトラアクリレート、プロピレンオキサイド変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、プロピレンオキサイド変性ペンタエリスリトールテトラアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリオキシプロピルトリメチロールプロパントリアクリレート、ブチレングリコールジアクリレート、１，２，４−ブタントリオールトリアクリレート、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールジアクリレート、ジアリルフマレート、１，１０−デカンジオールジメチルアクリレート、ペンタエリスリトールヘキサアクリレート、および、上記のアクリレートをメタクリレートに変えたもの、γ―メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、１−ビニル−２−ピロリドン等が挙げられる。上記の反応性モノマーは、１種または２種以上の混合物として、あるいは、その他の化合物として使用することができる。
【００３１】
光硬化性樹脂組成物を構成する光重合開始剤としては、ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４，４−ビス（ジメチルアミン）ベンゾフェノン、４，４−ビス（ジエチルアミン）ベンゾフェノン、α―アミノ・アセトフェノン、４，４−ジクロロベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、２，２−ジエトキシアソトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、ベンジルメトキシエチルアセタール、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、２−アミルアントラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンズスベロン、メチレンアントロン、４−アジドベンジルアセトフェノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）シクロヘキサン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサン、２−フェニル−１，２−ブタジオン−２−（ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１，３−ジフェニル−プロパントリオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−３−エトキシ−プロパントリオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、ミヒラーケトン、２−メチル−〔４−＜メチルチオ＞フェニル〕−２−モルフォリノ−１−プロパン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、ｎ−フェニルチオアクリドン、４，４−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、カンファーキノン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイン、エオシン、メチレンブルー等の光導元性の色素とアスコルビン酸、トリエタノールアミン等の還元剤の組み合わせ等が挙げられ、これらの光重合開始剤を１種または２種以上使用することができる。
【００３２】
前述のような電極パターンや隔壁パターン用厚膜パターン形成材料の場合、その必須構成材料たる無機成分に対するこのような光硬化性樹脂組成物の含有量は、無機成分１００重量部に対して、３〜５０重量部、好ましくは５〜３０重量部の範囲で設定することができる。光硬化性樹脂が少な過ぎると厚膜パターン形成材料の形状維持性が低く、転写の確実性が損なわれるおそれが生じる。一方、多過ぎると、後工程の焼成時に、有機成分を完全に除去できなくなり、焼成後の膜中に炭化物が残り、製品の信頼性に悪影響を与えるので好ましくない。
さらに上述の光硬化性樹脂組成物には、添加剤として、増感剤、重合停止剤、連鎖移動剤、レベリング剤、分散剤、転写性付与剤、安定剤、消泡剤、増粘剤、沈殿防止剤、剥離剤等を必要に応じて含有することができる。
【００３３】
転写性付与剤は、転写性、流動性を向上させることを目的として添加され、例えば、ジメチルフタレート、ジブチルフタレート、ジ−ｎ−オクチルフタレート等のノルマルアルキルフタレート類、ジ−２−エチルヘキシルフタレート、ジイソデシルフタレート、ブチルベンジルフタレート、ジイソノニルフタレート、エチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート等のフタル酸エステル類、トリ−２−エチルベキシルトリノリテート、トリ−ｎ−アルキルトリメリテート、トリイソノニルトリメリテート、トリイソデシルトリノリテート等のトリメリット酸エステル、ジメチルアジペート、ジブチルアジペート、ジ−２−エチルヘキシルアジペート、ジイソデシルアジペート、ジ−２−エチルヘキシルアジテート、ジメチルセパケート、ジブチルセパケート、ジ−２−エチルヘキシルセパケート、ジ−２−エチルヘキシルマレート、アセチル−トリ−（２−エチルヘキシル）シトレート、アセチル−トリ−ｎ−ブチルシトレート、アセチルトリブチルシトレート等の脂肪族ニ塩基酸エステル類、ポリエチレングリコールベンゾエート、トリエチレングリコール−ジ−（２−エチルヘキソエート）、ポリグリコールエーテル等のグリコール誘導体、グリセロールトリアセテート、グリセロールジアセチルモノラウレート等のグリセリン誘導体、セバシン酸、アジピン酸、アゼライン酸、フタル酸等から成るポリエステル系、分子量３００〜３３０００の低分子量ポリエーテル、同低分子量ポリ−α−スチレン、同低分子量ポリスチレン、トリメチルホスフェート、トリブチルホスフェート、トリ−２−エチルヘキシルボスフェート、トリブトキシエチルホスフェート、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリキシレニルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、キシレニルジフェニルホスフェート、２−エチルヘキシルジフェニルホスフェート、キシレニルジフェニルホスフェート、２−エチルヘキシルジフェニルホスフェート等の正リン酸エステル類、メチルアセチルリシノレート等のリシノ−ル酸エステル類、ポリ−１，３−ブタンジオールアジペート、エポキシ化大豆油等のポリエステル・エポキシ化エステル類、グリセリントリアセテート、２−エチルヘキシルアセテート等の酢酸エステル類を挙げることが出来る。
【００３４】
また、分散剤、沈降防止剤は、上記無機粉体の分散性、沈降防止性の向上を目的とするものであり、例えば、リン酸エステル系、シリコーン系、ひまし油エステル系、各種界面活性剤等が挙げられ、消泡剤としては、例えば、シリコーン系、アクリル系、各種界面活性剤等が挙げられ、剥離剤としては、例えば、シリコーン系、フッ素油系、パラフィン系、脂肪酸系、脂肪酸エステル系、ひまし油系、ワックス系、コンパウンドタイプ等が挙げられ、レベリング剤としては、例えば、フッ素系、シリコーン系、各種界面活性剤等が挙げられ、それぞれ適量添加することが出来る。
【００３５】
また、厚膜パターン形成材料の作製のために光硬化性樹脂組成物とともに用いる溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール類、α−もしくはβ−テルピネオール等のテルペン類等、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジエチルケトン、２−ヘプタノン、４−ヘプタノン等のケトン類、トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、セロソルブ、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、カルビトール、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、２−メトキシエチルアセテート、シクロヘキシルアセテート、２−エトキシエチルアセテート、３−メトキシブチルアセテート等の酢酸エステル類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、ジプロピレングリコールジアルキルエーテル、３−エトキシプロピオン酸エチル、安息香酸メチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等が挙げられる。
ただし、一般に、転写用のパターン形成材料は、無溶剤型とするのが好ましい。なぜならば、凹型への充填後、溶剤の揮発によって凹部に充填されたパターン形成材料の体積が減じて表層がすり鉢状に落ち込むと、凹型と基板の密着時に、パターン形成材料と基板との接触面積が足りず、転写不良を招き易くなるためである。また、凹型が樹脂で形成されている場合、パターン形成材料中の溶剤が凹型を構成する樹脂を膨潤させて寸法性に悪影響を与える可能性があるからでもある。
【００３６】
次に、図１（ｂ）に示す、本発明の充填工程について説明する。
図１（ｂ）のように、回転体に保持された凹型１１に対して金属製のドクターブレードやゴム製あるいはプラスチック製のスキージ等の充填手段１４を押し当てるように配置し、厚膜パターン形成材料１５を必要量供給し、回転体１３を回転させて、凹部にパターン形成材料１５を充填する。このとき、充填手段１４と回転体１３の成す角度や、充填手段１４の押し込み量、回転体１３の回転速度等の条件は、パターン形成材料１５の流動性、充填手段１４の厚み、硬度等に応じて適切に定める。場合によっては、充填手段１４通過後の凹型１１表面の非凹部に、パターン形成材料１５が地汚れとして残ることがあるので、充填後にフィルムやテープ等により地汚れを掻き取ってもよい。ただし、強く掻き取り過ぎると、凹部に充填されたパターン形成材料の表層まで除去されて、基板と凹型１１の密着時に、パターン形成材料と基板の接触面積が減じて転写不良を招く可能性があるので注意が必要であり、掻き取りの条件は慎重に定める必要がある。
【００３７】
次に、図１（ｃ）に示す本発明の硬化工程について説明する。
厚膜パターンが光硬化性の場合、硬化手段として硬化光を放射する光源を利用することができる。光源１６には、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、ケミカルランプ等のＵＶ光源が適しているが、この中でも、ケミカルランプを、回転体１３の表面に沿って、回転体１３から所定の間隔をあけて複数配設するのが安価で簡便であり、保守管理性にも優れて最も好適である。ケミカルランプ同士の間隔や本数は、厚膜パターンの感度に応じて適宜定めればよい。
凹部に充填されたパターン形成材料が、ＵＶ光源１６から発せられた光の照射領域を通過することにより、パターン形成材料が硬化する。硬化のための露光量は、回転体の回転速度と光照射領域の回転方向における長さと光の照度によって定まる。
このように本発明よれば、光源１６を固定して回転体１３を回転させることで、凹型１１全面の凹部に充填されたパターン形成材料の光硬化が可能であり、極めて省スペースである。
また、本発明によれば、図４に示す光硬化に関わる部分の拡大説明図のごとく、凹型１１を形成する樹脂が光透過性を有しているので、凹型１１の非凹部に入射したＵＶ光４１も硬化に寄与することになり、硬化が効率的に進行する。
さらに、本発明によれば、凹型１１の背面、または、回転体１３の表面が光反射性を有するようにすることにより、凹型１１を通過してきたＵＶ光４１が反射して凹部に充填された厚膜パターン形成材料４５の硬化に寄与することになり、無駄なく硬化光を利用することが出来、硬化をさらに効率的に進行させることができる。
ここで、光源１６の回転体１３とは反対側に光の環境への漏れを防止する遮光カバー１６’を設けることが安全上必要であるが、このカバー１６’の内面を光反射性にしておくことにより、光源１６から発せられて回転体１３とは反対の方向に進行するＵＶ光４１を回転体１３側に振り向けることが出来て一層好適である。
【００３８】
さらにその上、本発明によれば、凹部に充填された厚膜パターン形成材料４５のうち、外気に接している表面近傍は、酸素による重合阻害を受けるため、硬化処理後も未硬化あるいは半硬化状態にとどまり、硬化が不充分のままであるので充分硬化した表面以外の内部に比べて流動性を残している。すなわち、次の転写工程において、パターン形成材料の基板と接する部分は基板と密着しやすい状態であり、なおかつ、内部は型から脱離しやすい状態であることになり、確実な転写が行なわれることになる。
【００３９】
次に、図１（ｄ）に示す本発明の転写工程において、支持台１９上の被転写体である転写用基板１７について説明する。
本発明では、基板１７の表面に易接着層１８を設けることにより、転写をより確実に行なうことができる。
易接着層１８の設け方としては、予め基板１７の表面に接着剤・粘着剤を塗布しておくことができる。このような目的の処理材料としては、有機溶剤タイプ、水溶性タイプ、エマルジョンタイプ、熱硬化タイプ、光硬化タイプ、二液硬化タイプ等の接着剤・粘着剤が挙げられ、スプレー法、刷毛塗り法、スクリーン印刷法、ロールコート法等、公知の手法にて基板１７上に塗布することができる。ただし、後工程で焼成を行なうＰＤＰ用の厚膜パターン形成が目的である場合においては、この接着剤・粘着剤に完全な焼失性を持たせる必要があり、材料の選定には注意が必要である。また、塗布厚が厚くなり過ぎないようにすることが必要であり、接着剤・粘着剤の焼失によって転写された厚膜パターンの基板１７への固着が妨げられないよう、厚くなり過ぎないように、好ましくは１０μｍ以下に抑える。
【００４０】
転写工程おいて、既に基板１７表面に目的パターン以外の構成層が設けられている場合には、この構成層自体を易接着層１８として用いることができる。
すなわち、ＰＤＰの隔壁パターンを形成する場合においては、誘電体層を易接着層１８とすることができる。
ＰＤＰの誘電体層は、基本的には先に述べた隔壁パターン組成と同様に、低融点ガラスフリットを機能上の必須構成材料とし、必要に応じて、無機粉体から成る骨材を含んでいる。ただし、隔壁と比較して、焼成後により緻密になる材料が適宜選ばれるのが一般的である。
この誘電体層を基板上に塗膜するにあたって、ガラスフリット、骨材から成る無機成分に、粘着性やタック性を発現させ、なおかつ後の焼成工程で焼失する有機分組成を適切に選択して誘電体形成用樹脂組成物と成せば、上記の目的が達せられる。
【００４１】
この誘電体形成用樹脂としては、隔壁材料として先に詳述した光硬化性樹脂を用いても良いし、このほか、熱可塑性樹脂を用いても良い。
このような熱可塑性樹脂の例としては、例えば、メチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−プロピルメタクリレート、イソプロピルアクリレート、イソプロピルメタクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、イソブチルアクリレート、イソブチルメタクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート、ｎ−ペンチルアクリレート、ｎ−ペンチルメタクリレート、ｎ−ヘキシルアクリレート、ｎ−ヘキシルメタクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、ｎ−オクチルメタクリレート、ｎ−デシルアクリレート、ｎ−デシルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、スチレン、α―メチルスチレン、Ｎ−ビニル−２−ピロリドン等の１種以上から成るポリマーまたはコポリマー、エチルセルロース等のセルロース誘導体が挙げられる。特に、上記の中で、メチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−プロピルメタクリレート、イソプロピルアクリレート、イソプロピルメタクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、イソブチルアクリレート、イソブチルメタクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレートの１種以上から成るポリマー、コポリマー、エチルセルロースが好ましい。
上記の熱可塑性樹脂の分子量は、１０，０００〜５００，０００の範囲が好ましい。
【００４２】
このような熱可塑性樹脂あるいは感光性樹脂組成物の易接着層１８における含有量は、上述の無機成分１００重量部に対して３〜５０重量部、好ましくは５〜３０重量部の範囲で設定できる。樹脂が少な過ぎると厚膜パターン形成材料の形状維持性が低く、転写の確実性が損なわれる恐れが生じる。いっぽう、多過ぎると、後工程の焼成時に、有機成分を完全に除去できなくなり、焼成後の膜中に炭化物が残り、製品の信頼性に悪影響を与えるので好ましくない。
易接着層１８としての誘電体層には、上述の無機成分と硬化性樹脂成分に、さらに上述の転写性付与剤を必須成分として含む。また、必要に応じて、その他の添加剤として先に挙げた成分を含むことができる。
溶剤成分も先に例示したものの中から適宜選択して用いることができる。
【００４３】
このようにして得られた誘電体形成用樹脂組成物を、スクリーン印刷法、ブレードコート法、ダイコート法、ロールコート法等により基板上に塗膜する。ＰＤＰ用背面板の製造にあっては、誘電体層の形成は、予めアドレス電極パターンが形成された基板に対して施される。誘電体層の厚みは、一般に焼成後で５〜２０μｍの範囲に設定され、さらに好ましくは８〜１５μｍである。塗布後、加熱して溶剤成分を除去する。樹脂成分に光硬化性樹脂を用いた場合には、パターン形成材料を転写する前に、誘電体層を塗布した基板を露光して硬化させることができる。あるいは、転写後に露光してもよい。露光は、基板全面にわたって露光光を照射するようにする。
このように誘電体層自体を易接着層１８として用いて隔壁パターンを本発明の転写法により形成した場合、誘電体層と隔壁層は同時焼成となるので、焼成工程における脱バインダー過程の条件設定には注意が必要である。各層個別の焼成に比べ、脱バインダー量が各段に多くなるからである。一般には、脱バインダー過程の時間を個別焼成時より長く設定し、焼成装置の排気量を多めに設定するのが好ましい。
【００４４】
図５は本発明における転写工程の説明図である。図５において、凹型１１を回転体１３に保持し、凹型１１の凹部に厚膜パターン形成材料を充填し、硬化したパターン形成材料５５を、易接着層１８が塗膜され、支持台１９に固定された転写用基板１７の一端に当接して押し付け、所定の速度で回転体１１を回転させながらパターン形成材料５５を基板１７に転写し、厚膜パターン５５’を形成する。回転体１５を押し付ける押圧力と回転速度は、厚膜パターン形成材料５５、易接着層１８、凹型１１を形成する樹脂の特性に応じて適宜適切な、すなわち転写の確実性が高い条件を選択するようにする。
転写により形成する厚膜パターン５５’と基板１７の間で精密な位置合わせが必要な場合は、基板１７と凹型１１のそれぞれに予め位置合わせ用マークを設けておき、転写後の厚膜パターン５５’と基板１７とが所定の精度で位置合わせされるように、転写前に基板１７と凹型１１の位置関係を定めておけばよい。
【００４５】
本発明によれば、基板への凹型の密着と離型が、凹型を保持した回転体の回転により一連の動作として繰り返し行なわれるので、生産性良い厚膜パターンの形成方法を提供できる。
厚膜パターンがＰＤＰ用隔壁や電極パターンの場合には、転写工程の後、基板を５００〜６００℃で焼成してパターン形成材料中の有機成分を焼失せしめると同時に無機成分中のガラスフリットを融着させることにより、基板に固着した厚膜パターンが得られる。
【００４６】
【発明の効果】
上述のように、本発明の厚膜パターン形成方法は、凹部を設けた凹型を曲面に保持させることにより、小さな力で型と基板間の均一な密着が実現でき、小さい力で離型でき、しかも離型時に型に加わる変形力も小さくて伸びや歪みを発生させず、密着し転写し離型する一連の連続動作で厚膜パターンを形成するために、生産性がよいという利点を有する。
また、本発明において、パターン形成材料を光硬化性、凹型を光透過性、凹型の保持面（非凹部）を光反射性にした場合には、密着後の離型性に優れ、転写後形状精度に優れた厚膜パターン形成方法が得られる。
さらに、充填された光硬化性材料の凹部開口表層は外気にさらされて酸素による硬化阻害を受けて、半硬化または未硬化で流動性を有したままであるから、基板表面への密着・転写を容易にし、気泡も入り難く、転写欠陥が発生し難く、寸法変化が無くて転写後の形状精度に優れた厚膜パターンが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の厚膜パターン形成方法を示す工程概略図
【図２】本発明で用いる凹型の一例
【図３】本発明で用いる凹型を保持する曲面の一例
【図４】本発明の光硬化に関わる部分の説明図
【図５】本発明における転写工程の説明図
【図６】従来の型プレス法の説明図
【図７】従来の平型転写法の説明図
【図８】従来の可撓性型転写法の説明図
【図９】ＡＣ型ＰＤＰの一構成例を示す分解斜視図
【符号の説明】
１１、２１、３１  凹型
１２、２２  凹部
１３  回転体
１４  充填手段
１５、４５  厚膜パターン形成材料
１６  光源
１７  基板
１８  易接着層
１９  支持台
２３  補強層
２４  接着層
３３  曲面体
３４  回転軸
４１  ＵＶ光
４５  充填された厚膜パターン形成材料
５５  硬化した厚膜パターン形成材料
５５’    転写された厚膜パターン
６１、７１、８１  凹型
６２、７２、８２  基板
６３  隔壁材料塗布膜
６４  隔壁
９０、９１  ガラス基板
９２  隔壁
９３  放電維持電極
９４  バス電極
９５  誘電体層
９６  保護層（ＭｇＯ層）
９７  アドレス電極
９８  誘電体層
９９  蛍光体層
【図１】
2004335243.tif 000003
【図２】
2004335243.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2004335243.tif 000008
【図７】
2004335243.tif 000009
【図８】
2004335243.tif 000010
【図９】
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