(57)【要約】【課題】成膜速度や薄膜特性を安定させることが可能となる真空蒸着装置、および該真空蒸着装置を用いて成膜した光学素子、光学系、投影露光装置、デバイス製造方法を提供する。【解決手段】加熱ボート１上の蒸着材料６を蒸発させ、蒸気を基板に付着させて成膜を行う真空蒸着装置において、基板への成膜を行うために加熱ボート１上の蒸着材料６を加熱する成膜用蒸発源加熱機構と、基板への成膜を終了させた後に加熱ボート１上に残された蒸着材料５を再度加熱して蒸発させる蒸発源強制加熱機構とを持たせた。【選択図】　　　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸発源上の蒸着材料を蒸発させ、蒸気を基板に付着させて成膜を行う真空蒸着装置において、
前記基板への成膜を行うために蒸発源上の蒸着材料を加熱する成膜用蒸発源加熱機構と、前記基板への成膜を終了させた後に蒸発源上に残された蒸着材料を再度加熱して蒸発させる蒸発源強制加熱機構とを有することを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項２】
前記蒸発源強制加熱機構は、隔離室および局所排気装置を有し、これらにより前記残余の蒸着材料を、前記真空蒸着装置内へ拡散することなく蒸発させて、該真空蒸着装置外に排出することを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着装置。
【請求項３】
前記蒸発源強制加熱機構は、前記残余の蒸着材料が前記真空蒸着装置内に拡散することを防止する開閉自在の拡散防止板を有することを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着装置。
【請求項４】
前記蒸発源は、前記成膜用蒸発源加熱機構、前記蒸発源強制加熱機構、及び蒸着材料を供給する位置のそれぞれに１つ以上配置され、前記蒸着材料が前記蒸着材料を供給する位置、成膜用蒸発源加熱機構、蒸発源強制加熱機構の順に前記蒸発源間を循環して加熱されるように構成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の真空蒸着装置。
【請求項５】
前記成膜用蒸発源加熱機構及び蒸発源強制加熱機構は、蒸発源に電流を流して蒸発源を加熱する電気抵抗による加熱手段を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の真空蒸着装置。
【請求項６】
前記成膜用蒸発源加熱機構及び蒸発源強制加熱機構は、加速させた電子を蒸発源上の蒸着材料に衝突させて該蒸着材料を加熱する電子ビームによる加熱手段を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の真空蒸着装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の真空蒸着装置を用いて成膜したことを特徴とする光学素子。
【請求項８】
請求項７に記載の光学素子を有することを特徴とする光学系。
【請求項９】
請求項８に記載の光学系を有することを特徴とする投影露光装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の投影露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空蒸着装置、および該真空蒸着装置を用いて成膜した光学素子、光学系、投影露光装置、デバイス製造方法に関し、特に、蒸着材料を真空蒸着装置に供給するに際し、常に同じ状態の蒸着材料を安定に供給可能として真空蒸着装置の改善を目指すものである。
【０００２】
【従来の技術】
真空蒸着装置は、従来から広い分野で利用されている薄膜形成装置である。真空蒸着装置において、真空中で蒸発源を加熱する方法には、抵抗加熱を利用する方法（抵抗加熱蒸着法）、電子ビームを利用する方法（電子ビーム蒸着法）などがある。
抵抗加熱蒸着法は、蒸発源に高融点の金属の板または線を蒸着材料が入るように任意の形状に加工したものを使用し、蒸発源に蒸着材料をのせ、蒸発源に電流を流し、蒸発源を加熱することにより蒸着材料を加熱し蒸発させ、蒸発させた蒸着材料を、蒸発源と対向する位置に配置した基板上に堆積させる真空成膜方法の一手段である。
【０００３】
また、電子ビーム蒸着法は、抵抗加熱蒸着法と異なり、蒸着材料を加熱する際、電子を使用する。電子ビーム蒸着法では、真空蒸着装置の中に電子を発生させる装置を配置し、電子発生装置から発生させた電子を加速させ、加速した電子を蒸着材料の一部分に集中して衝突させる。蒸着材料に電子を衝突させることにより、蒸着材料が加熱され蒸発する。蒸発した蒸着材料は、蒸発源と対向する位置に配置した基板上に堆積される。電子ビーム蒸着法は、電子により直接蒸着材料を加熱することができるため、電子を常に蒸着材料に当てるよう制御すれば、蒸着材料の蒸発速度は安定に制御される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の抵抗加熱蒸着法においては、蒸発源で蒸着材料を加熱し蒸発させる際、蒸着材料の量により、成膜速度が変動し、成膜速度が一定になり難い場合が生じる。この傾向は、蒸着工程を繰り返すごとに顕著に見られる。
また、従来の電子ビーム蒸着法では、蒸発源で蒸着材料を加熱し蒸発させる際、電子ビームを当てつづけた蒸着材料で蒸着工程を繰り返すと、成膜した薄膜の性能が劣化するという点に問題がある。
【０００５】
そこで、本発明は、上記課題を解決し、成膜速度や薄膜特性を安定させることが可能となる真空蒸着装置、および該真空蒸着装置を用いて成膜した光学素子、光学系、投影露光装置、デバイス製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を達成するために、次の（１）〜（１０）のように構成した真空蒸着装置、および該真空蒸着装置を用いて成膜した光学素子、光学系、投影露光装置、デバイス製造方法を提供するものである。
（１）蒸発源上の蒸着材料を蒸発させ、蒸気を基板に付着させて成膜を行う真空蒸着装置において、
前記基板への成膜を行うために蒸発源上の蒸着材料を加熱する成膜用蒸発源加熱機構と、前記基板への成膜を終了させた後に蒸発源上に残された蒸着材料を再度加熱して蒸発させる蒸発源強制加熱機構とを有することを特徴とする真空蒸着装置。
（２）前記蒸発源強制加熱機構は、隔離室および局所排気装置を有し、これらにより前記残余の蒸着材料を、前記真空蒸着装置内へ拡散することなく蒸発させて、該真空蒸着装置外に排出することを特徴とする上記（１）に記載の真空蒸着装置。
（３）前記蒸発源強制加熱機構は、前記残余の蒸着材料が前記真空蒸着装置内に拡散することを防止する開閉自在の拡散防止板を有することを特徴とする
上記（１）に記載の真空蒸着装置。
（４）前記蒸発源は、前記成膜用蒸発源加熱機構、前記蒸発源強制加熱機構、及び蒸着材料を供給する位置のそれぞれに１つ以上配置され、前記蒸着材料が前記蒸着材料を供給する位置、成膜用蒸発源加熱機構、蒸発源強制加熱機構の順に前記蒸発源間を循環して加熱されるように構成されていることを特徴とする
上記（１）〜（３）のいずれかに記載の真空蒸着装置。
（５）前記成膜用蒸発源加熱機構及び蒸発源強制加熱機構は、蒸発源に電流を流して蒸発源を加熱する電気抵抗による加熱手段を有することを特徴とする
上記（１）〜（４）のいずれかに記載の真空蒸着装置。
（６）前記成膜用蒸発源加熱機構及び蒸発源強制加熱機構は、加速させた電子を蒸発源上の蒸着材料に衝突させて該蒸着材料を加熱する電子ビームによる加熱手段を有することを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかに記載の真空蒸着装置。
（７）上記（１）〜（６）のいずれかに記載の真空蒸着装置を用いて成膜したことを特徴とする光学素子。
（８）上記（７）に記載の光学素子を有することを特徴とする光学系。
（９）上記（８）に記載の光学系を有することを特徴とする投影露光装置。
（１０）上記（９）に記載の投影露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【０００７】
【発明の実施の形態】
上記構成を適用し、真空蒸着装置において、蒸発源加熱機構を二箇所設け、一方を成膜用蒸発源加熱機構、一方を蒸発源強制加熱機構とし、蒸発源強制加熱機構には隔離室および局所排気装置を設けて、蒸発させた蒸着材料が蒸着装置内へ拡散するのを完全に防止するように構成することにより、蒸着工程終了後、常に蒸発源内を空にしておくことができ、蒸着材料を供給する際、常に同じ状態の蒸着材料を安定に供給することが可能となる。これにより、抵抗加熱蒸着法において、成膜速度が安定し、成膜工程および薄膜を再現良く管理することが可能となる。また、電子ビーム蒸着法において、成膜後の薄膜の性能を安定させることが可能となる。さらに、再生用蒸発源加熱機構に隔離室と局所排気装置を設置することにより、あるいは開閉自在の拡散防止板を構成することにより、再生用蒸発源加熱機構で蒸発源に残った蒸着材料を蒸発させたときに発生する物質が真空蒸着室内に拡散することを防止し、蒸着工程において、成膜速度および薄膜の基本特性を安定させることができる。
【０００８】
これらは、本発明者が鋭意検討した結果によるつぎのような知見に基づくものである。
すなわち、まず、抵抗加熱蒸着法を用いて、種々の蒸着材料を検討した。すると、全ての蒸着材料において、蒸発源で蒸着材料を加熱し蒸発させる際、蒸着材料の量により、成膜速度が変動し、成膜速度が一定になりにくいことが確認された。さらにこの傾向は、蒸着工程を繰り返すごとに顕著に見られることが確認された。
【０００９】
次に、電子ビーム蒸着法を用いて、種々の蒸着材料を検討した。
電子ビーム蒸着法では、抵抗加熱蒸着法と異なり、全ての蒸着材料において、蒸発源で蒸着材料を加熱し蒸発させる際、蒸着材料の量が変化しても、成膜速度がほぼ一定になることが確認された。これは、出力を調整した電子ビームが蒸着材料に直接当たるためと考えられる。しかしながら、電子ビームを当てつづけた蒸着材料で蒸着工程を繰り返すと、成膜した薄膜の性能が劣化することが確認された。
【００１０】
そこで、抵抗加熱蒸着法と電子ビーム蒸着法、それぞれの蒸着材料の加熱工程に注目し、改善方法を検討した。この検討の結果、抵抗加熱蒸着法における、蒸着材料の加熱工程において、蒸発源に蒸着材料を追加する際、蒸発源に蒸着材料が残っていない状態で蒸着材料を追加して成膜を実施したところ、成膜速度が安定することが確認された。
また、電子ビーム蒸着法における、蒸着材料の加熱工程において、蒸発源に蒸着材料を追加する際、蒸発源に蒸着材料が残っていない状態で蒸着材料を追加して成膜を実施したところ、成膜した薄膜の性能が劣化しないことが確認された。
以上のことから、真空蒸着装置において、蒸着工程終了後、蒸発源に残った蒸着材料を強制的に加熱蒸発させる蒸発源を追加した。このとき、追加した蒸発源は、抵抗加熱蒸着法ならば抵抗加熱蒸発源とし、また、電子ビーム蒸着法ならば電子ビーム蒸発源とした。ここで、蒸発源強制加熱機構の蒸発源は、成膜用蒸発源と区別するため、再生用蒸発源と呼ぶこととする。その際、蒸発源は、蒸着材料供給位置に一個、成膜を行う蒸発源加熱位置に一個、再生用を行う強制加熱位置に一個の最低三個配置すれば、蒸着材料の供給、成膜、加熱蒸発を異なる蒸発源で間断なく行うことができ、作業効率が良くなる。
【００１１】
これにより、抵抗加熱蒸着法において、蒸着材料を、蒸着材料を供給する位置、成膜用蒸発源加熱機構、蒸発源強制加熱機構の順にこれらの蒸発源間を循環させて加熱するように構成することにより、蒸着材料を供給する位置において蒸着材料を追加する際には、残余の蒸着材料が常に存在しない状態とすることができ、蒸発源に蒸着材料を同じ状態で一定量投入することができるので、蒸着工程において、成膜速度を安定させることができる。
【００１２】
これにより、電子ビーム蒸着法において、蒸着材料を供給する位置において蒸着材料を追加する際には、残余の蒸着材料が常に存在しない状態とすることができ、蒸発源に蒸着材料を同じ状態で一定量投入することができるので、蒸着工程において、成膜後の薄膜の性能を安定させることができる。
【００１３】
ここで、再生用蒸発源加熱機構は、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法ともに、蒸発源加熱中に蒸着材料を真空蒸着装置内に拡散させない構造とするために、再生用蒸発源加熱機構には隔離室あるいは開閉自在の拡散防止板を設ける。さらに、隔離室には局所排気装置を設ける。これにより、再生用蒸発源加熱機構から蒸着材料および膜性能に悪影響を与える物質を真空蒸着装置内に拡散させることを防止でき、蒸着工程において、成膜速度および薄膜の基本特性を安定させることができる。
【００１４】
つぎに、本実施の形態を図１および図２を用いて説明する。図１では抵抗加熱蒸着法を、図２では電子ビーム蒸着法を表している。また図１および図２では、それぞれの蒸着法における本発明の構成の適用前後を比較している。
【００１５】
まず、図１の抵抗加熱蒸着法について説明する。図１（Ａ）は、本発明の構成適用前の抵抗加熱蒸着法を表し、図１（Ｂ）は、本発明の構成の適用後の抵抗加熱蒸着法を表している。
図１において、１は加熱ボート（蒸発源）である。加熱ボート１には、高融点の金属（例えば、タングステン、モリブデン、タンタルなど）を使用する。加熱ボート１の材質を決定する際には、蒸着材料との相性を考慮する必要がある。特に、加熱ボート１を加熱した際、加熱ボート１と蒸着材料との濡れ性には気をつけなければならない。
【００１６】
また、２は加熱電極である。加熱電極２の材質は、電気伝導度の低い銅が良く用いられる。さらに、３は蒸発源回転板である。蒸発源回転板３は、加熱ボート１と加熱電極２を蒸着材料供給位置、成膜用蒸発源加熱位置および再生用蒸発源加熱位置に移動させるための回転板である。
【００１７】
図１（Ａ）の本発明の構成の適用前では、成膜用蒸発源加熱位置から蒸着材料供給位置に加熱ボート１が戻ってきたとき、加熱ボート１には、成膜時に一度加熱された蒸着材料５が存在している。このとき、加熱ボート１に存在する蒸着材料５の状態は、蒸着材料供給量と成膜条件により変動する。このため、成膜用蒸発源加熱位置における蒸着材料４の量および性状は、成膜ごとに変動している。これにより、本発明の構成の適用前の抵抗加熱蒸着法による成膜では、成膜速度が安定しない。
【００１８】
図１（Ａ）の本発明の構成の適用前の状態で、成膜工程後、加熱ボート１に残る蒸着材料５の量および性状を制御するには、成膜工程で消費される蒸着材料の量を正確に予測し、蒸着材料供給位置において蒸着材料を予測した量投入すればよい。しかしながら、成膜工程条件およびバックグラウンド条件の変動により、成膜工程で消費される蒸着材料の量を正確に予測するのは困難である。
【００１９】
そこで、図１（Ｂ）の本発明の構成の適用後にある、再生用蒸発源加熱位置に蒸発源加熱機構を設置する。これにより、成膜用蒸発源加熱位置で成膜工程後、加熱ボート１を再生用蒸発源加熱位置に移動させ、再生用蒸発源加熱機構により、成膜工程において残った蒸着材料５を全て蒸発させることができる。このため、蒸着材料供給位置に加熱ボート１が戻ってきたとき、加熱ボート１には蒸着材料が残っていない状態になる。このため、加熱ボート１に蒸着材料供給位置で蒸着材料を供給し、成膜用蒸発源加熱位置に移動させたときには、成膜前蒸着材料６は常に量および性状が一定となっている。
【００２０】
次に、図２の電子ビーム蒸着法について説明する。図２（Ａ）は、本発明の構成の適用前の電子ビーム蒸着法を表し、図２（Ｂ）は、本発明の構成の適用後の電子ビーム蒸着法を表している。
図２において、７はハースライナー（蒸発源）である。ハースライナー７は、冷却水機構を持ったハースデッキに設置し蒸着材料を入れるための容器である。ハースライナー７を置くことでハースデッキを電子ビームに直接さらすことを防止する。
【００２１】
ハースライナー７は、高融点の金属（例えば、タングステン、モリブデン、タンタルなど）を使用する。ハースライナー７の材質を決定する際には、蒸着材料との相性を考慮する必要がある。特に、電子ビームを当て蒸着材料を加熱した際、蒸着材料がハースライナー７と化学反応をしないことが重要である。
また、８は電子ビーム発生装置である。電子ビーム発生装置８には、いろいろな形式があるが、本発明では、コンパクトでハースライナー７の付近に装置をまとめることができる磁場偏向型を採用した。
【００２２】
図２（Ａ）の本発明の構成の適用前では、成膜用蒸発源加熱位置から蒸着材料供給位置にハースライナー７が戻ってきたとき、ハースライナー７の中には、成膜時に一度電子ビームにより加熱された蒸着材料５が存在している。このとき、ハースライナー７に存在する蒸着材料５の状態は、成膜条件により変動する。このため、成膜用蒸発源加熱位置における蒸着材料４の性状は、成膜ごとに変動している。
【００２３】
これにより、本発明の構成の適用前の電子ビーム蒸着法による成膜では、薄膜の性能が安定しない。これは、電子ビーム蒸着法において、成膜工程の際、蒸着材料を電子ビームで加熱すると、電子ビームを長く当てつづけた蒸着材料の性状は、加熱初期の性状と異なるためである。この現象は、蒸着材料が化合物であるときに多く確認され、さらに、金属原子との結合力の弱い化合物において顕著に確認された。
【００２４】
図２（Ａ）の本発明の構成の適用前の状態で、成膜工程後、ハースライナー７に残る蒸着材料５の性状を制御するには、成膜工程で消費される蒸着材料の量を正確に予測し、蒸着材料供給位置において蒸着材料を予測した量投入し、成膜工程終了後には、ハースライナー７には蒸着材料５が全く存在させない状況を作り、次の成膜工程では常に新しい蒸着材料を使用しなければならない。しかしながら、成膜工程条件およびバックグラウンド条件の変動により、成膜工程で消費される蒸着材料の量を正確に予測するのは困難である。
【００２５】
そこで、図２（Ｂ）の本発明の構成の適用後にある、再生用蒸発源加熱位置に蒸発源加熱機構を設置する。これにより、成膜用蒸発源加熱位置で成膜工程後、ハースライナー７を再生用蒸発源加熱位置に移動させ、再生用蒸発源加熱機構により、成膜工程において残った蒸着材料５を全て蒸発させることができる。したがって、蒸着材料供給位置にハースライナー７が戻ってきたとき、ハースライナー７には蒸着材料が残っていない状態になる。これにより、ハースライナー７に蒸着材料供給位置で蒸着材料を供給し、成膜用蒸発源加熱位置に移動させたときには、成膜前蒸着材料６は常に性状が一定になっている。
【００２６】
【実施例】
つぎに、本発明の具体的な実施例について説明する。ここでは、図１を用いて説明した抵抗加熱蒸着法を採用した真空蒸着装置について説明するが、電子ビーム蒸着法を採用した真空蒸着装置にも適用可能なのは言うまでもない。
さて、図３は、本実施例の抵抗加熱蒸着法による再生用蒸発源加熱機構に隔離室と局所排気装置を設けた構成を示す図である。図１と同符号のものは同一の部材なので、説明を省略する。
図３において、９はシャッターである。シャッター９は、通常閉じており、成膜中およびメンテナンス時に開いた状態で使用する。また、シャッター９の開閉機構として、シャッター駆動軸１２とシャッター駆動機構１３を設置する。
【００２７】
また、１０は隔離室である。隔離室１０は、再生用蒸発源加熱位置に配置させ、再生用蒸発源加熱機構により、成膜工程において残った蒸着材料５を全て蒸発させる際、真空蒸着装置内に蒸着材料を拡散させないための部屋である。ここで、隔離室１０は、加熱ボート１を完全に覆うことが望ましい。しかしながら、隔離室１０の壁は、回転板３と加熱ボート１に干渉しないよう配置させる必要がある。このため、隔離室１０の空間と真空蒸着装置の空間とを完全に区切ることはできない。
【００２８】
そこで、隔離室１０には排気配管１１および局所排気装置を取り付ける。隔離室１０に取り付けた排気配管１１および局所排気装置により、再生用蒸発源加熱機構で発生した蒸着材料や膜性能に悪影響を与える物質を、隔離室１０から強制的に排気し、真空蒸着装置内へ拡散することを完全に防止することができる。また、隔離室１０には、加熱ボート１を加熱している際、蒸着材料が完全になくなったことを確認するモニタ機構を取り付けることが望ましい。なお、このような隔離室に代えて、図４に示すような開閉自在の拡散防止板１０’を設けても良い。その際、拡散防止板駆動軸１２’と拡散防止板駆動機構１３’により拡散防止板の開閉機構を構成し、通常は閉じた状態で使用し、メンテナンス時等において開いた状態とする。
【００２９】
さらに、１４は、蒸着材料供給装置である。蒸着材料供給装置１４により、加熱ボート１に蒸着材料を供給する。これにより、蒸着材料を供給する際、真空蒸着装置の真空を破ることなく、常に同じ状態の蒸着材料を常に供給することができる。
【００３０】
図３および図４により、本実施例における一連動作を説明すると、加熱ボート１が回転板３により蒸着材料供給位置から成膜用蒸発源加熱位置に移動した後、成膜工程が行われ、さらに、成膜用蒸発源加熱位置から再生用蒸発源加熱位置に移動した後、加熱ボート１の再生工程が行われる。そして、再生用蒸発源加熱位置から再び蒸着材料供給位置に移動する。これにより、加熱ボート１が蒸着材料供給位置に戻ってきた際には、加熱ボート１を常に空の状態とすることができ、常に同じ状態の蒸着材料を安定に供給することが可能となる。
【００３１】
次に本実施例の真空蒸着装置を用いて成膜した光学素子を用いた光学系の実施形態について説明する。
図５は露光装置の光学系の概略構成図である。図中、１０１はランプやレーザ等の光源、１０２は光源１０１からの光でレチクルＲを均一に照明するための照明光学系、１０３はレチクルＲに形成された投影パターンをウエハＷに投影するための投影光学系である。上述した真空蒸着装置を用いて成膜した光学素子は、照明光学系１２や投影光学系１３中に設けられる。このように本実施例の真空蒸着装置を用いて安定した光学薄膜を施された光学素子を露光装置の光学系に用いることにより、露光装置の光学性能を全体として向上させることができる。
また、図５に示した露光装置によって、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子、液晶素子、ＣＣＤ等の撮像素子、磁気ヘッド等の磁気素子等のデバイスを精度良く製造することができる。
【００３２】
【発明の効果】
本発明によれば、成膜速度や薄膜特性を安定させることが可能となる真空蒸着装置、および該真空蒸着装置を用いて成膜した光学素子、光学系、投影露光装置、デバイス製造方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における抵抗加熱蒸着法を説明するための図であり、（Ａ）は本発明の構成の適用前の抵抗加熱蒸着法を示す図、（Ｂ）は本発明の構成の適用後の抵抗加熱蒸着法を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態における電子ビーム蒸着法を説明するための図であり、（Ａ）は本発明の構成の適用前の電子ビーム蒸着法を示す図、（Ｂ）は本発明の構成の適用後の電子ビーム蒸着法を示す図である。
【図３】本発明の実施例における再生用蒸発源加熱機構に隔離室と局所排気装置を設けた構成を示す図である。
【図４】本発明の実施例における再生用蒸発源加熱機構に開閉自在の拡散防止板を設けた構成を示す図である。
【図５】露光装置の光学系の概略構成図である。
【符号の説明】
１：加熱ボート
２：加熱電極
３：回転板
４：成膜前蒸着材料（新旧混在）
５：成膜後残留蒸着材料
６：成膜前蒸着材料（新たに追加された蒸着材料のみ）
７：ハースライナー
８：電子銃
９：シャッター
１０：隔離室
１０’：拡散防止板
１１：排気配管
１２：シャッター駆動軸
１２’：拡散防止板駆動軸
１３：シャッター駆動機構
１３’：拡散防止板駆動機構
１４：蒸着材料供給装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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