(57)【要約】【課題】従来の半導体レーザ装置は第１レーザ光を効率的に使用することができなかった。【解決手段】この発明のレーザ装置は、第１の端部から第１の波長を持つ第１のレーザ光が入力され波長変換処理が施されて第２の端部から第２の波長を持つ第２のレーザ光が出力されるコンバータと、コンバータの第１の端部に設けられ第１のレーザ光を透過し、第２のレーザ光を実質的に全反射する屈折率を備える第１の反射部および第１のレーザ光と第２のレーザ光を実質的に全反射する屈折率を備える第２の反射部の両者を備える第１のミラーと、コンバータの第２の端部に設けられ第１のレーザ光を実質的に全反射し第２のレーザ光の一部を前記第２の反射部よりも小さな反射率で反射し残りを実質的に透過する屈折率を備える第３の反射部を備える第２のミラーとを備えるようにしている。【選択図】  図１
2004319867.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光に波長変換処理を施して出力するレーザ装置において、
第１の波長を持つ第１のレーザ光を出力するレーザ光出力部と、
第１の端部および第１の端部に相対する第２の端部を備え、前記第１の端部から前記第１のレーザ光が入力され、波長変換処理が施されて前記第２の端部から第２の波長を持つ第２のレーザ光が出力されるコンバータと、
前記コンバータの第１の端部に設けられ、前記第１のレーザ光を透過し、前記第２のレーザ光を実質的に全反射する屈折率を備える第１の反射部および、前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光を実質的に全反射する屈折率を備える第２の反射部の両者を備える第１のミラーと、
前記コンバータの第２の端部に設けられ、前記第１のレーザ光を実質的に全反射し、前記第２のレーザ光の一部を前記第２の反射部よりも小さな反射率で反射し、残りを実質的に透過する屈折率を備える第３の反射部を備える第２のミラーとを備えることを特徴とするレーザ装置。
【請求項２】
半導体レーザから出力されたレーザ光に波長変換処理を施して出力する半導体レーザ装置において、
第１の波長を持つ第１のレーザ光を出力する半導体レーザと、
第１の端部および第１の端部に相対する第２の端部を備え、前記第１の端部から前記第１のレーザ光が入力され、波長変換処理が施されて前記第２の端部から第２の波長を持つ第２のレーザ光が出力されるコンバータと、
前記コンバータの第１の端部に設けられ、前記第１のレーザ光を透過し、前記第２のレーザ光を実質的に全反射する屈折率を備える第１の反射部および、前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光を実質的に全反射する屈折率を備える第２の反射部の両者を備える第１のミラーと、
前記コンバータの第２の端部に設けられ、前記第１のレーザ光を実質的に全反射し、前記第２のレーザ光の一部を前記第２の反射部よりも小さな反射率で反射し、残りを実質的に透過する屈折率を備える第３の反射部を備える第２のミラーとを備えることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項３】
半導体レーザから出力されたレーザ光に波長変換処理を施して出力する半導体レーザ装置において、
第１の波長を持つ第１のレーザ光を出力する半導体レーザと、
第１の端部および第１の端部に相対する第２の端部を備え、前記第１の端部から前記第１のレーザ光が入力され、波長変換処理が施されて前記第２の端部から第２の波長を持つ第２のレーザ光が出力される光ファイバで構成されるコンバータと、
前記光ファイバの第１の端部に設けられ、前記第１のレーザ光を透過し、前記第２のレーザ光を実質的に全反射する屈折率を備える第１の反射部および、前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光を実質的に全反射する屈折率を備える第２の反射部の両者を備える第１のミラーと、
前記コンバータの第２の端部に設けられ、前記第１のレーザ光を実質的に全反射し、前記第２のレーザ光の一部を前記第２の反射部よりも小さな反射率で反射し、残りを実質的に透過する屈折率を備える第３の反射部を備える第２のミラーとを備えることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項４】
半導体レーザから出力されたレーザ光に波長変換処理を施して出力する半導体レーザ装置において、
第１の波長を持つ第１のレーザ光を出力する半導体レーザと、
前記出力されたレーザ光を集光するレンズ手段と、
第１の端部および第１の端部に相対する第２の端部を備え、前記第１の端部から前記レンズ手段によって集光された第１のレーザ光が入力され、波長変換処理が施されて前記第２の端部から第２の波長を持つ第２のレーザ光が出力されるコンバータと、
前記コンバータの第１の端部に設けられ、前記第１のレーザ光を透過し、前記第２のレーザ光を実質的に全反射する屈折率を備える第１の反射部および、前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光を実質的に全反射する屈折率を備える第２の反射部の両者を備える第１のミラーと、
前記コンバータの第２の端部に設けられ、前記第１のレーザ光を実質的に全反射し、前記第２のレーザ光の一部を前記第２の反射部よりも小さな反射率で反射し、残りを実質的に透過する屈折率を備える第３の反射部を備える第２のミラーとを備えることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記第１の反射部は半導体レーザの出力に関するファースト軸方向よりもスロー軸方向に長くなるように構成されることを特徴とする請求項２乃至４に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記レンズ手段はシリンドリカルレンズと集光レンズで構成されることを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記第１の反射部の大きさと位置が前記第１のレーザ光の前記第１の端部における像の大きさと位置にほぼ等しいことを特徴とする請求項１に記載のレーザ装置。
【請求項８】
前記第１のミラーと前記第２のミラーによって第２の波長を持つ第２のレーザ光の共振が行われることを特徴とする請求項２乃至６に記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記コンバータはコア部に希土類が添加されることを特徴とする請求項８に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１０】
前記コンバータのコア部に添加された希土類はＰｒ３＋とＹｂ３＋を含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１１】
半導体レーザ装置から出力されたレーザ光を用いて映像を表示する映像表示装置において、
第１の波長を持つ第１のレーザ光を出力する半導体レーザと、
第１の端部および第１の端部に相対する第２の端部を備え、前記第１の端部から前記第１のレーザ光が入力され、波長変換処理が施されて前記第２の端部から第２の波長を持つ第２のレーザ光が出力されるコンバータと、
前記コンバータの第１の端部に設けられ、前記第１のレーザ光を透過し、前記第２のレーザ光を実質的に全反射する屈折率を備える第１の反射部および、前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光を実質的に全反射する屈折率を備える第２の反射部の両者を備える第１のミラーと、
前記コンバータの第２の端部に設けられ、前記第１のレーザ光を実質的に全反射し、前記第２のレーザ光の一部を前記第２の反射部よりも小さな反射率で反射し、残りを実質的に透過する屈折率を備える第３の反射部を備える第２のミラーと、
映像信号を受信し、受信した映像信号に映像処理を施して出力する映像処理手段と、
前記映像処理手段で映像処理が施された映像信号を、前記第２のミラーを透過して出力された前記第２のレーザ光を用いて表示する映像表示部とを備えることを特徴とする映像表示装置。
【請求項１２】
第１の波長を持つ第１のレーザ光を出力するステップと、
前記出力された第１のレーザ光がコンバータに入力され、波長変換処理が施されて第２の波長を持つ第２のレーザ光を出力するステップと、
前記コンバータの第２の端部に設けられ、前記第１のレーザ光を実質的に全反射し、前記第２のレーザ光の一部を前記第２の反射部よりも小さな反射率で反射し、残りを実質的に透過する屈折率を備える第３の反射部を備える第２のミラーによって前記第１のレーザ光を反射するステップと、
前記コンバータの他端部に設けられ、前記第１のレーザ光を透過し、前記第２のレーザ光を実質的に全反射する屈折率を備える第１の反射部および、前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光を実質的に全反射する屈折率を備える第２の反射部の両者を備える第１のミラーによって前記第１のレーザ光を反射するステップと、
前記第１のミラーと前記第２のミラーによって前記第２のレーザ光を共振させて出力するステップとを備えることを特徴とするレーザの共振方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はレーザ装置に係り、特にレーザ光出力部から出力されたレーザ光に波長変換処理を施して出力するレーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のレーザから出力された第１レーザ光に波長変換処理を施して第２レーザ光を出力する技術は、フッ化物ファイバの両端にレーザ光を反射する反射部を設け、ファイバ内で第２レーザ光を効率的に共振させるようにしている。（例えば特許文献１）。
【０００３】
また、従来のレーザから出力されたレーザ光に波長変換処理を施して第２レーザ光を出力する技術は、対となったブラッググレーティングをファイバレーザキャビティの互いに対抗する端部に設け、ファイバレーザキャビティには２種類の希土類ドーパントがドープされるようにしている。（例えば特許文献２）。
【０００４】
また、従来のレーザから出力されたレーザ光に波長変換処理を施して第２レーザ光を出力する技術は、光ファイバ増幅素子の前後に第１、第２光ファイバミラー部を設け、両ミラー部間でレーザ光を往復反射させることでレーザ発振を行わせるようにしている。（例えば特許文献３）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−８７８１１号公報（第３−４頁、図１、図２）
【特許文献２】
特開平１１−５０１７７０号公報（第８−１７頁、図１、図２、図３、図４）
【特許文献３】
特開平７−２４５４３９号公報（第３−５頁、図１）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記特許文献１、特許文献２、特許文献３の技術は第２レーザ光を効率的に共振させるものであり、第１レーザ光を効率的に使用する技術ではなかった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体レーザ装置は、第１の波長を持つ第１のレーザ光を出力する半導体レーザと、第１の端部および第１の端部に相対する第２の端部を備え、前記第１の端部から前記第１のレーザ光が入力され、波長変換処理が施されて前記第２の端部から第２の波長を持つ第２のレーザ光が出力されるコンバータと、前記コンバータの第１の端部に設けられ、前記第１のレーザ光を透過し、前記第２のレーザ光を実質的に全反射する屈折率を備える第１の反射部および前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光を実質的に全反射する屈折率を備える第２の反射部の両者を備える第１のミラーと、前記コンバータの第２の端部に設けられ、前記第１のレーザ光を実質的に全反射し、前記第２のレーザ光の一部を前記第２の反射部よりも小さな反射率で反射し、残りを実質的に透過する屈折率を備える第３の反射部を備える第２のミラーとを備えるように構成している。
【０００８】
またこの発明に係る映像表示装置は、第１の波長を持つ第１のレーザ光を出力する半導体レーザと、第１の端部および第１の端部に相対する第２の端部を備え、前記第１の端部から前記第１のレーザ光が入力され、波長変換処理が施されて前記第２の端部から第２の波長を持つ第２のレーザ光が出力されるコンバータと、前記コンバータの第１の端部に設けられ、前記第１のレーザ光を透過し、前記第２のレーザ光を実質的に全反射する屈折率を備える第１の反射部および、前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光を実質的に全反射する屈折率を備える第２の反射部の両者を備える第１のミラーと、前記コンバータの第２の端部に設けられ、前記第１のレーザ光を実質的に全反射し、前記第２のレーザ光の一部を前記第２の反射部よりも小さな反射率で反射し、残りを実質的に透過する屈折率を備える第３の反射部を備える第２のミラーと、映像信号を受信し、受信した映像信号に映像処理を施して出力する映像処理手段と、前記映像処理手段で映像処理が施された映像信号を、前記第２のミラーを透過して出力された前記第２のレーザ光を用いて表示する映像表示部とを備えるように構成している。
【０００９】
またこの発明に係る半導体レーザの共振方法は、第１の波長を持つ第１のレーザ光を出力するステップと、前記出力された第１のレーザ光がコンバータに入力され、波長変換処理が施されて第２の波長を持つ第２のレーザ光を出力するステップと、前記コンバータの１端部に設けられ、前記第１のレーザ光を実質的に全反射し、前記第２のレーザ光の一部を反射し、残りを実質的に透過する前記第１の反射部の屈折率よりも小さい屈折率を備える第３の反射部を備える第２のミラーによって前記第１のレーザ光を反射するステップと、前記コンバータの他端部に設けられ、前記第１のレーザ光を透過し、前記第２のレーザ光を実質的に全反射する屈折率を備える第１の反射部および、前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光を実質的に全反射する屈折率を備える第２の反射部の両者を備える第１のミラーによって前記第１のレーザ光を反射するステップと、前記第１のミラーと前記第２のミラーによって前記第２のレーザ光を共振させて出力するステップとを備えるように構成している。
【００１０】
【発明の実施の形態】
上記のように従来の半導体レーザ装置においては、半導体レーザ３から出力された第１レーザ光を光ファイバへ入射させ、光ファイバ内で波長変換処理が行なわれた第２レーザ光を効率的に共振させる技術が開示されていた。
【００１１】
しかしさらに発振効率を高めるためには、第１レーザ光を効率的に光ファイバ内のイオンに吸収させる必要がある。
【００１２】
以下、図面を参照してこの発明に係る実施の形態を説明する。
【００１３】
図２はこの発明に係る半導体レーザ装置に用いられる光ファイバの構成を説明する図である。
【００１４】
ここではケーブル状に構成される光ファイバの光伝送方向に対する断面を示している。
【００１５】
符号１は光ファイバである。符号１ａはクラッド部、符号１ｂはコア部である。コア部１ｂは半導体レーザから入力されるレーザ光を伝送させる動作を行い、クラッド部１ａはコア部１ｂを包み込むように構成され、コア部１ｂから外へ広がるレーザ光をコア部１ｂへ戻す動作を行う。
【００１６】
図１はこの発明に係る半導体レーザ装置を説明する図である。
【００１７】
符号３は半導体レーザ、符号４は第１のレーザ光、符号５はシリンドリカルレンズ、符号６はシリンドリカルレンズ、符号７は集光レンズ、符号１２は第１レーザ光の入力側ファイバ端部、符号１３は第２レーザ光の出力側ファイバ端部、符号１４は入力側ミラー（第１のミラー）、１４ａは第２の反射部、符号１４ｂは第１の反射部、符号１５は出力側ミラー（第２のミラー、第３の反射部）、符号３０は半導体レーザ載置部である。
【００１８】
半導体レーザ載置部３０に備えられた半導体レーザ３から図示しない励起動作によって励起レーザ光（第１のレーザ光４）が出力される。
【００１９】
半導体レーザ３から出力された第１のレーザ光４はシリンドリカルレンズ５、シリンドリカルレンズ６、集光レンズによって集光され、波長が整えられて、入力側ミラー（第１のミラー）１４を通して光ファイバ１のコア部１ｂへ入力される。後述するようにこの発明の実施の形態においては、入力側ミラー（第１のミラー）１４には第１の反射部１４ｂが設けられ、第１のレーザ光（半導体レーザ３から出力されたレーザ光、波長λ＝８３５ｎｍ）を透過するように構成されている。
【００２０】
光ファイバ１のコア部１ｂには、Ｐｒ３＋およびＹｂ３＋が添加されており、光ファイバ１はコア部１ｂとクラッド部１ａと合わせて希土類（フッ化物）ファイバが構成されている。光ファイバ１のコア部１ｂに入力された波長λ＝８３５ｎｍのレーザ光（第１のレーザ光４）は光ファイバ１のコア部１ｂに添加されたイオンに吸収される。
【００２１】
この後、波長変換処理すなわちアップコンバージョンが行われ、Ｐｒ３＋から波長λ＝６３５ｎｍの光子が放出され光ファイバ１の両端面に設置されたミラーによって形成される共振器によって、波長λ＝６３５ｎｍの第２のレーザ光１６が出力される（コンバータ）。
【００２２】
ここで上記アップコンバージョンの動作について説明する。光ファイバ１（コンバータ）へ第１のレーザ光４が入力される側の一端部１２（入力側）上には入力側ミラー（第１のミラー）１４が設けられる。上記のようにアップコンバージョンは特にコア部１で実行されるので、入力側ミラー（第１のミラー）１４は少なくともコア部１ｂをカバーする必要がある。
【００２３】
図３はこの発明に係る半導体レーザ装置に用いられる光ファイバの入力側端部のようすを示す図である。ここでは半導体レーザ３から光ファイバ１を見た図を示している。
【００２４】
符号１４ｂは第１の反射部、符号１４ａは第２の反射部である。入力側ミラー（第１のミラー）１４はそれぞれ、第１の反射部１４ｂ、第２の反射部１４ａを備えている。第１の反射部１４ｂは、光ファイバ１のコア部１ｂ（コンバータ）の入力側端部（第１の端部）に設けられる。そして、第１のレーザ光（λ＝８３５ｎｍ）は透過し、第２のレーザ光（λ＝６３５ｎｍ）は実質的に全反射する屈折率（例えば９９％以上）となるように構成されている。また、第２の反射部１４ａは第１のレーザ光（λ＝８３５ｎｍ）と第２のレーザ光（λ＝６３５ｎｍ）の両方を実質的に全反射する屈折率（例えば９９％以上）となるように構成されている。
【００２５】
第１のレーザ光を第２のレーザ光に変換するためには、第１のレーザ光が光ファイバに入射される際に、第１のミラーによって妨げられないことが望ましい。そのために、第１レーザ光の光ファイバ１の入射端での光像位置は、第１のレーザ光を透過させる第１の反射部で覆われていることが望ましい。また、第１の反射部が大きいほどファイバ内部を伝播し、端面１２に到達したレーザ光を戻し、第１レーザ光を第２レーザ光への変換効率が小さくなるので、第１の反射部は上記光像とほぼ同じ大きさで同じ位置にあることが望ましい。
【００２６】
また、半導体レーザから出射された第１のレーザ光４のビーム形状は光ファイバ１に最適に入射されるように光学システムで変換されるが、レンズ等の光学系システムでの変換においては、半導体レーザの活性層に垂直な方向であるファースト軸方向（符号Ｆ）と半導体レーザの活性層に水平な方向であるスロー軸方向（符号Ｓ）のそれぞれの方向について、（（レーザの像幅）×ｓｉｎ（半導体レーザの出射端位置での広がり角））の値は常に一定で、（（半導体レーザの活性層幅）×ｓｉｎ（半導体レーザの出射端位置での広がり角））に等しい。また、（（半導体レーザの活性層幅）×ｓｉｎ（半導体レーザの出射端位置での広がり角））の値はスロー軸方向の方がファースト軸方向より大きい。
【００２７】
このため、開口数が方向に依存しない、略一様な光ファイバ１に入射するために、第１レーザ光４の光ファイバ入射端での集光角度をファースト軸方向とスロー軸方向で同じにすると、光ファイバの入射端での像幅はファースト軸方向よりもスロー軸方向の方が大きくなってしまう。
【００２８】
この発明の実施の形態においては、上記第１の反射部の形態を、第１レーザ光４の光ファイバの入射端面における像の形状と同じになるようにファースト軸方向よりもスロー軸方向に長くなるように構成している。
【００２９】
このため、この発明の実施の形態においては、上記第１の反射部の形態を、半導体レーザの出力に関するファースト軸方向Ｆよりもスロー軸方向Ｓに長くなるように構成している。このように構成することで半導体レーザ光の広がりにより対応することができる。
【００３０】
また光ファイバ１（コンバータ）から上記第２のレーザ光が出力される側の他端部１３には出力側ミラー（第２のミラー）１５が設けられる。上記のようにアップコンバージョンは特にコア部１から出力されるので、出力側ミラー（第２のミラー）１５は少なくともコア部１ｂをカバーする必要がある。
【００３１】
図４はこの発明に係る半導体レーザ装置に用いられる光ファイバの出力側端部のようすを示す図である。ここでは光ファイバ１を半導体レーザ３とは反対方向から見た図を示している。
【００３２】
符号１５は出力側ミラー（第２のミラー、第３の反射部）である。出力側ミラー（第２のミラー）１５は光ファイバ１のコア部１ｂ（コンバータ）の出力側端部（第２の端部）１３上に設けられる。そして、第１のレーザ光（λ＝８３５ｎｍ）を実質的に全反射し、前記第２のレーザ光（λ＝６３５ｎｍ）の例えば３０％程度を反射し、残りの７０％程度を実質的に透過する屈折率となるように構成されている。
【００３３】
尚、第２のミラーは、屈折率が５０％を超えてもよく、前記第１のレーザ光を実質的に全反射し、前記第２のレーザ光の一部を反射し、残りを実質的に透過する、第１の反射部の屈折率よりも小さい屈折率となるように構成されてもよい。
【００３４】
そして、第２のレーザ光（λ＝６３５ｎｍ）については、光ファイバ１の両端に設けられた上記第１のミラー１４および第２のミラー１５によって共振器が形成され、６３５ｎｍのレーザ光が発振され、出力される。
【００３５】
また、第１のレーザ光４（λ＝８３５ｎｍ）は、光ファイバ１の端面１２からファイバ内に入力され、コア部１ｂを伝播している間に、上記添加イオンに吸収され、だんだんその強度が弱まっていくが、この第１のレーザ光４（λ＝８３５ｎｍ）のエネルギーの全てが吸収される前に、光ファイバ１の端面１３に設けられた第２のミラー１５に到達する。
【００３６】
この光ファイバ１の端面１３に取り付けられた第２のミラー１５によって第１のレーザ光４（λ＝８３５ｎｍ）は実質的に全反射される。この全反射された第１のレーザ光４（λ＝８３５ｎｍ）は光ファイバの端面１３から端面１２に向かって伝播し、その過程でだんだん上記添加イオンに吸収されるが、添加イオンに吸収されない第１のレーザ光４（λ＝８３５ｎｍ）は光ファイバの端面１２に設けられた第１のミラー１４に到達する。
【００３７】
上記図３を用いて説明したように、入力側ミラー（第１のミラー）１４の第２の反射部１４ａは第１のレーザ光（λ＝８３５ｎｍ）を実質的に全反射するように構成されており、上記と同様に第２の反射部１４ａによって第１のレーザ光４（λ＝８３５ｎｍ）は再度反射され、光ファイバ１の端面１２から端面１３に向けて伝播し、上記添加イオンに吸収される。
【００３８】
また、第１の反射部１４ｂは、第１のレーザ光（λ＝８３５ｎｍ）を透過するので、光ファイバ１のコア部１ｂへ第１のレーザ光（λ＝８３５ｎｍ）を入力することが可能となる。
【００３９】
半導体レーザでは、活性層に垂直な方向と、水平な方向での活性層幅、ビームの広がり角が大きく異なるために、集光点での像が非対称になってしまう。この非対称な光像のレーザ光をほぼ断面が円形でステップインデックス型のマルチモードファイバに入射させようとすると、ファイバのコア部１ｂの一部分からしかレーザ光が入射しない状態になる。
【００４０】
しかしながら、一度光ファイバ１内に入射されたレーザ光４は、光ファイバ１内の様々なモードに結合して伝播するために、光ファイバ１のコア部１ｂを伝播し、端面１２に到達したレーザ光４のファイバ端面でのニアフィールドパターンはファイバのコア部１ｂ全体広がっている。
【００４１】
このように、半導体レーザから光ファイバ１に入射する光のファイバ端面１２でのレーザ光４の像の大きさは、ファイバ内部を伝播し端面１２に到達したレーザ光の大きさよりも小さいので、ファイバ端面１２のコア部１ｂの内、半導体レーザから出力されたレーザ光４がファイバ端面１２を通過する以外の領域に第１のレーザ光（波長λ＝８３５ｎｍ）をほぼ反射させるミラーをつけることによって、ファイバ内部を伝播し、端面１２に到達したレーザ光の一部をファイバ内に反射させることができる。これによってイオンに吸収される第１のレーザ光（波長λ＝８３５ｎｍ）の強度を増加させる事が可能になり大出力の第２レーザ光（波長λ＝６３５ｎｍ）のレーザ光を得られる。
【００４２】
すなわち、光ファイバ１の端面１３に上記第２のミラー１５を構成することによって、コア部１の添加イオンに吸収されず端面１３に達した第１のレーザ光（λ＝８３５ｎｍ）の伝播方向を変え、再び光ファイバ１内を伝播させることができる。
【００４３】
また、光ファイバ１の端面１２に上記第１のミラー１４を構成することによって、光ファイバ１への第１のレーザ光（λ＝８３５ｎｍ）の入力と第１のミラー１４における第１のレーザ光（λ＝８３５ｎｍ）の反射を行うことができる。このため、第１のレーザ光（λ＝８３５ｎｍ）を効率的に利用することができる。このため、半導体レーザ装置から出力される第２のレーザ光（λ＝６３５ｎｍ）の出力を高めることができる。
【００４４】
図５はこの発明に係る半導体レーザ装置を用いた映像表示装置を説明する図である。
【００４５】
符号１６Ｒは上記説明した半導体レーザ装置から出力されたレーザ光、符号５７Ｒはフィルタ、符号５８Ｒはプリズム、符号５９Ｒは偏光板、符号６０Ｒは液晶表示装置、符号４１Ｒは映像信号である。ここでＲはＲｅｄ（赤）を示している。
【００４６】
半導体レーザ装置から出力されたレーザ光１６Ｒはフィルタ５７Ｒで所定のフィルタリング処理が行われ、プリズム５８Ｒへ入力される。プリズム５８Ｒではレーザ光１６Ｒの角度が変えられ偏光板５９へ出力される。偏光板５９ではレーザ光１６Ｒの位相を４５°変更し、液晶表示装置６０Ｒへ出力する。液晶表示装置６０Ｒには映像信号４１Ｒが入力されており、この映像信号４１Ｒに基づいたレーザ光１６Ｒが偏光板５９Ｒへ出力される。偏光板５９ではレーザ光１６Ｒの位相を４５°変更し、４５°位相が変更されたレーザ光１６Ｒがプリズム５８Ｒへ入力される。プリズム５８Ｒは入力されたレーザ光１６Ｒをダイクロイックプリズム６１へ出力する。
【００４７】
符号１６Ｇは上記説明した半導体レーザ装置から出力されたレーザ光、符号５７Ｇはフィルタ、符号５８Ｇはプリズム、符号５９Ｇは偏光板、符号６０Ｇは液晶表示装置、符号４１Ｇは映像信号である。ここでＧはＧｒｅｅｎ（緑）を示している。
【００４８】
半導体レーザ装置から出力されたレーザ光１６Ｇはフィルタ５７Ｇで所定のフィルタリング処理が行われ、プリズム５８Ｇへ入力される。プリズム５８Ｇではレーザ光１６Ｇの角度が変えられ偏光板５９へ出力される。偏光板５９ではレーザ光１６Ｇの位相を４５°変更し、液晶表示装置６０Ｇへ出力する。液晶表示装置６０Ｇには映像信号４１Ｇが入力されており、この映像信号４１Ｇに基づいたレーザ光１６Ｇが偏光板５９Ｇへ出力される。偏光板５９ではレーザ光１６Ｇの位相を４５°変更し、４５°位相が変更されたレーザ光１６Ｇがプリズム５８Ｇへ入力される。プリズム５８Ｇは入力されたレーザ光１６Ｇをダイクロイックプリズム６１へ出力する。
【００４９】
符号１６Ｂは上記説明した半導体レーザ装置から出力されたレーザ光、符号５７Ｂはフィルタ、符号５８Ｂはプリズム、符号５９Ｂは偏光板、符号６０Ｂは液晶表示装置、符号４１Ｂは映像信号である。ここでＢはＢｌｕｅ（青）を示している。
【００５０】
半導体レーザ装置から出力されたレーザ光１６Ｂはフィルタ５７Ｂで所定のフィルタリング処理が行われ、プリズム５８Ｂへ入力される。プリズム５８Ｂではレーザ光１６Ｂの角度が変えられ偏光板５９へ出力される。偏光板５９ではレーザ光１６Ｂの位相を４５°変更し、液晶表示装置６０Ｂへ出力する。液晶表示装置６０Ｂには映像信号４１Ｂが入力されており、この映像信号４１Ｂに基づいたレーザ光１６Ｂが偏光板５９Ｂへ出力される。偏光板５９ではレーザ光１６Ｂの位相を４５°変更し、４５°位相が変更されたレーザ光１６Ｂがプリズム５８Ｂへ入力される。プリズム５８Ｂは入力されたレーザ光１６Ｂをダイクロイックプリズム６１へ出力する。
【００５１】
符号６１はダイクロイックプリズム、符号１７は映像信号に基づいたレーザ光を合成したレーザ光、符号６２は表示装置である。
【００５２】
ここでは、上記説明した半導体レーザ装置からそれぞれＲ、Ｇ、Ｂのレーザ光を得て映像を表示する。
【００５３】
ダイクロイックプリズム６１はそれぞれ入力されたレーザ光１６Ｒ、レーザ光１６Ｇ、レーザ光１６Ｇを合成し、合成レーザ光１７を表示装置６２へ送信する。表示装置６２は受信した合成レーザ光１７を表示する。
【００５４】
【発明の効果】
上記説明したように、この発明の実施の形態においては、第１のレーザ光を効率的に利用することができる。
【００５５】
また、この発明の実施の形態においては、光ファイバ（コンバータ）に入力された第１のレーザ光が外部に出る量を低減することができる。
【００５６】
また、この発明の実施の形態においては、第２のレーザ光の出力を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る半導体レーザ装置を説明する図。
【図２】この発明に係る光ファイバの構成を説明する図。
【図３】この発明に係る光ファイバの入力側端部のようすを示す図。
【図４】この発明に係る光ファイバの出力側端部のようすを示す図。
【図５】この発明に係る映像表示装置を説明する図。
【符号の説明】
１  …  光ファイバ
１ａ  …  クラッド部
１ｂ  …  コア部
３  …  半導体レーザ
４  …  第１のレーザ光
５  …  シリンドリカルレンズ
６  …  シリンドリカルレンズ
７  …  集光レンズ
１２  …  入力側ファイバ端部
１３  …  出力側ファイバ端部
１４  …  入力側ミラー（第１のミラー）
１４ａ  …  第２の反射部
１４ｂ  …  第１の反射部
１５  …  出力側ミラー（第２のミラー、第３の反射部）
１６  …  第２のレーザ光
３０  …  半導体レーザ載置部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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