(57)【要約】【課題】単一の基板上に複数の機能領域を集積できる導波路構造体を提供する。【解決手段】ドープしたシリカ製の平面状導波路用の最適化構造体を提供する。この最適化導波路は、効率的な導波路−ファイバの結合とカプラと遅延要素の製造誤差の低減と小さな曲げ半径が可能となる。また共通の製造プロセスが、例えばドラゴンルータ，フーリエフィルタのような基本要素を高い歩留まりで集積することができる。本発明による最適化は、通常の矩形コア導波路よりも厚いコア層と光学回路の異なる機能領域毎に変化するコアの幅を用いることにより達成できる。したがって、コアの高さは、基板全体に亘って均一に維持しながら導波路性能を最適化するために、光リソグラフィ技術を用いてコアの幅を様々に変化させる。【選択図】      図１
2004234031.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）基板（２０）と、
（Ｂ）前記基板上に形成された、均一の高さと異なる機能領域で変化する幅とを有する第１導波路（１２）と、
（Ｃ）前記基板（１２）上に形成された均一の高さを有する第２導波路（１４）と、
からなり、前記第１導波路（１２）と第２導波路（１４）は、光学的に相互作用する
ことを特徴とする平面型光学導波路素子。
【請求項２】
前記第２導波路（１４）の幅は、異なる機能領域で変化する
ことを特徴とする請求項１の素子。
【請求項３】
（Ａ）基板（１２）と、
（Ｂ）前記基板上に堆積された下部クラッド層と、
（Ｃ）前記下部クラッド層上に形成された均一高さ（Ｈ）と可変幅（Ｗ）とを有するコアと、
（Ｄ）前記コアと前記下部クラッド層上に堆積された上部クラッド層と、
前記上部クラッド層は、前記上部クラッド層と前記下部クラッド層との間のコアを包囲し、
シングルモード領域で前記導波路素子は、高さ（Ｈ）／可変幅（Ｗ）＞１．２のアスペクト比を有し、
湾曲領域では、前記導波路は、０．８＜Ｗ／Ｈ＜１．１のアスペクト比を有し、
導波路−ファイバの結合領域では、前記導波路は、Ｗ／Ｈ＞１．２のアスペクト比を有することを特徴とする平面型光学導波路素子。
【請求項４】
前記導波路の高さは、６μｍ以上であることを特徴とする請求項３の素子。
【請求項５】
前記下部導波路と上部導波路との間に包囲された第２コアを有する第２導波路をさらに有し、
前記第２導波路は、前記導波路と光学的に相互作用するよう構成され、
前記第２コアは、前記コアに等しい高さと可変幅とを有することを特徴とする請求項３の素子。
【請求項６】
前記導波路と前記第２導波路とは、結合領域で光学的に結合され、
前記結合領域は、前記コアと第２コアの幅の製造上の変動とは無関係の結合長を有することを特徴とする請求項５の素子。
【請求項７】
前記導波路の湾曲領域の導波路の幅は、所定の均一の幅まで前記湾曲領域の間に増加し、前記導波路が曲げ損失を減少させるマルチモードを導波することを特徴とする請求項３の素子。
【請求項８】
基板上に様々な領域で光学的に相互作用する少なくとも２つの導波路を有し、前記各導波路は、高さと幅を有し、
前記導波路素子は、
前記導波路が光学的に結合される結合領域と、
前記導波路の結合領域における幅は、前記導波路の高さ対幅の比が１．２以上で、結合効率に関し前記幅の製造上の変動の影響を最低にし、前記導波路が光ファイバに接合されるインタフェース領域と、を有し、
前記導波路のインタフェース領域における幅は、前記導波路と光ファイバとの間のモードフィールドのミスマッチを減少させるよう前記導波路に対し、前記高さの１２０％以上増加していると有することを特徴とする平面型光学導波路素子。
【請求項９】
前記導波路が曲がる湾曲領域を有し、
前記導波路の幅は、曲げ損失を減少するために前記湾曲領域で所定の幅まで増加することを特徴とする請求項８の素子。
【請求項１０】
（Ａ）入力導波路を有する第１スターカプラと、
（Ｂ）複数の出力導波路を有する第２スターカプラと、
（Ｃ）前記第１スターカプラと第２スターカプラとを接続する位相グレーティング列と、
を有するドラゴンルータにおいて、
前記位相グレーティング列は、前記第１スターカプラの第一端と、前記第２スターカプラの第二端とに接続される複数の不等長導波路を有し、
前記導波路は、コアの幅対高さの比が１．１５以上で、
高次モード信号を除去するために、前記第一端と第二端のそれぞれに配置されたシングルモード領域とを有し、
前記位相グレーティング列は、コアの幅に関し製造誤差に対し安定であることを特徴とするドラゴンルータ。
【請求項１１】
平面型光学導波路素子の製造方法において、
（Ａ）シリコン製あるいはシリカ製基板を提供するステップと、
（Ｂ）前記基板上にシリカ製の下部クラッド層を堆積するステップと、
（Ｃ）前記下部クラッド層上にドープしたシリカ製のコア層を堆積するステップと、
（Ｄ）前記コア層を光リソグラフ技術を用いて、光学回路に必要とされる構造にパターン化するステップと、
前記光学回路の異なる機能領域でコアの幅が変化し、
（Ｅ）前記下部クラッド層と上部クラッド層との間のコア層を包囲するために、前記コア層と前記下部クラッド層上に上部クラッド層を堆積するステップとからなることを特徴とする平面上光学導波路素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は平面上の光学導波路に関し、特に大量生産に適した単一の基板上に、様々な種類の受動型光学要素を高性能の機能的集積を行うために、導波路の機能領域に応じて変化する均一のコア高さとコア幅を有する最適化された導波路構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学回路は、通常例えばレーザあるいはフォトダイオードのような光学的活性素子と、相互接続と受動型光学要素を提供する光学導波路と、制御された包囲体と外部素子への通路を提供するパッケージとを有する。通常ドラゴンルータあるいはフーリエフィルタのような受動型光学要素は複数の導波路を有し、例えばカプラ領域あるいは位相制御されたアレイ領域のような１つあるいは複数の機能領域を構成している。市場においては、共通の大量生産技術でもって、単一の基板上に受動型光学素子と相互接続機能を集積することが望ましい。
【０００３】
現在最新のそして技術的に最も優れた平面型導波路は、シリコン光学ベンチ（silicon optical bench （ＳｉＯＢ））技術を用いて形成したドープしたシリカ製導波路である。このドープしたシリカ製導波路は、低コスト，低損失，低複屈折，安定性，光ファイバへの結合可能性等の様々な特徴を有しているために通常最も好ましいものである。さらにまたその製造処理技術は、シリコン製の集積回路（ＩＣ）技術と適合性があり、そして大量生産に適し公知のものである。
【０００４】
通常、このドープしたシリカ製導波路は、シリコン製あるいはシリカ製基板上に低屈折率のシリカ製のベース即ち下部クラッド層を先ず堆積することにより形成される。その後、高屈折率のドープしたシリカ層即ちコア層をこの下部クラッド層の上部表面に堆積する。その後このコア層をパターン化して、光リソグラフィ技術（集積回路の製造技術に用いられるものと類似のものである）を用いて光学回路に必要とされる構造体を形成する。最後に上部クラッド層をこのパターン化した導波路コアをカバーするよう堆積する。この技術は、米国特許第４，９０２，０８６号に開示されている。
【０００５】
平面上光学導波路の性能に取って重要な点は、導波路の寸法、即ち導波路コアの高さと幅および導波路のコアとクラッド層との間の屈折率差（Δ）である。コアの高さ（Ｈ）即ち厚みはコア層の厚みにより決定され、コアの幅（Ｗ）は、光リソグラフマスクと化学エッチングのアンダカットにより決定される。
【０００６】
先ず標準的なＰドープ導波路は、約５μｍ幅の対称正方形コア構造体と約１５μｍの下部クラッド層と約１５μｍの上部クラッド層媒体の０．６％の中間Δを有する。幅と高さの等しい正方形のコアが選択される主な理由は、環状光学ファイバを最もよくエミュレート（近似）し、モデル化とマスクレイアウトが容易となるためである。このコアの寸法は、光学閉じ込め効果を強化し、伝送損失を低下させるためにできるだけ大きい方が好ましいが、導波路がシングルモードを維持する程度充分小さくなければならない。しかし、この導波路は、約０．３％のΔと約８μｍのコア直径を有する標準のシングルモード光ファイバとは、モードフィールドがかなりミスマッチする。上記の導波路を用いたファイバ−導波路−ファイバの結合損失はλ＝１．３μｍの波長で約０．８ｄＢである。以下の説明においては、低Δとは０．２％と０．５％の間で、中間Δとは０．５％から０．８％の間で、高Δとは０．８％から２．５％の間を表すものとする。
【０００７】
低い挿入損失のアプリケーション用に、モードフィールドのミスマッチを減少するために、低三角導波路が求められている。しかし、高度に複雑化した光学回路のチップサイズを低減するためには、高三角導波路が望ましい。その理由は、より強い光閉じ込め作用がより小さな曲げ半径を可能にするからである。このため異なるアプリケーションに対する要件を満足するために、異なる導波路構造体用に異なるプロセスが用いられている。例えば、Δが約０．３％，０．７％，１．５％であり、四角のコアの寸法が８μｍ，６μｍ，４μｍである３種類の異なる導波路構造体を用いて、各機能領域で性能を最適化するために異なる機能領域を有する光学回路を実現する。しかしこのような多重導波路構造体は、単一の基板上に集積することは、極めて困難でさらにまた共通の製造プロセスを用いることは、ほとんど不可能である、その理由は、特にコアの高さ即ち厚さは、機能領域の間で変化しなければならないからである。
【０００８】
第２に制御不可能な製造上の誤差に起因する結合長さのロット毎、あるいはウェハ毎の結合長さの変動は、異なる長さのカプラを有する数個のグループに分けた素子を、単一の光リソグラフマスク上に配置する事により現在のところ解決している。しかし、このアプローチは、歩留まりが悪く、その理由は、通常グループの中の１つのみがウェハの各ロットに対し有効に作用する素子を形成するに過ぎないからである。さらにまたこのアプローチは、導波路の断面の変動あるいはウェハのスケールの非均一性に関連する素子の性能問題のいずれをも解決していない。
【０００９】
最後にドラゴンルータのクロストークは、位相グレーティング導波路のランダム位相エラーに対し感受性がある。このような導波路の幅の変動に起因するエラーを低減するためにΔが０．６％で、幅が８μｍ、高さが３．５μｍの導波路を用いている。しかし、５μｍの矩形の導波路に比較してこの導波路構造体は、標準の光ファイバとのモードフィールドミスマッチはさらに大きく、そしてカプラは導波路の高さと幅の制御不能の変動にさらにまた敏感である。さらにドラゴンルータ，フーリエフィルタ，他の光学素子等は、コアの厚さが異なる導波路構造体上に形成されるために、これらの素子を同一のウェハあるいは構造体上に複数の機能回路として組み込むことは不可能である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
したがって本発明の目的は、単一の基板上に複数の機能領域を集積できる導波路構造体を提供することであり、さらにまた高密度の集積光回路を実現するために大量生産に適した集積回路技術を用いて上記のような導波路構造体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、ドープしたシリカ製の平面状導波路用の最適化構造体を提供することである。このような本発明の最適化導波路は、効率的な導波路−ファイバの結合とカプラと遅延要素の製造誤差の低減と小さな曲げ半径が可能となる。さらにまた本発明によれば、共通の製造プロセスが、例えばドラゴンルータ，フーリエフィルタのような基本要素を高い歩留まりで集積することができる。本発明による最適化は、通常の矩形コア導波路よりもより厚いコア層と光学回路の異なる機能領域毎に変化するコアの幅を用いることにより（光リソグラフィ製造技術を用いて）達成できる。例えば、約０．６％のΔを有する最適化したシングルモードＰドープシリカ性導波路は、波長λが１．２から１．７μｍに対し、Ｈが６．７μｍで幅が４μｍのコア寸法を有する。光ファイバとの結合領域においては、この導波路は、その幅Ｗが９μｍに広がり、コアの高さは一定である。そして曲げ領域においては、導波路は幅Ｗが５．５μｍに広がり、コアの高さは一定である。さらにまたドラゴンルータの位相列領域においては、各導波路は幅Ｗが１０μｍに広がり、コアの高さは一定である。したがって、本発明によればコアの高さは、基板全体に亘って均一に維持しながら導波路性能を最適化するために、光リソグラフィ技術を用いてコアの幅を様々に変化させることができる。
【００１２】
本発明による最適化された導波路は、材料の堆積、化学プロセスをほとんど複雑にすることがないマスクデザインを用いることができるために極めて実用的である。さらにまた本発明の最適化方法は、同様に他の導波路システムにも適応可能である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の平面上光学導波路は、例えばスパッタリング電子ビーム蒸着，反応性イオンエッチング等の様々な製造技術を用いて製造することができる。本発明は、現在の光ファイバと結合することができ、その低損失，低複屈折のためにドープしたシリカ製導波路でもって実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
１．導入
本発明は高い適合性と高い素子効率と高い歩留まりを有する集積光回路用の導波路構造体を開示する。本発明は、光ファイバ通信システム、特にポイントトゥマルチポイント構成を用いたローカル分散ネットワーク用にドラゴンルータ，フーリエフィルタ，Ｙ型ブランチ等の様々な種類の光学素子を機能受動型回路に集積するものである。本発明のプロセスは、コアの厚さは共通で異なる機能領域（例えば、ファイバ−導波路−ファイバの結合領域，カプラの結合領域，あるいは曲げ領域）毎にコアの幅が異なるものである。本発明は、波長が１．２から１．７μｍ用のＰドープのシリカ性導波路を例にして説明する。しかし当業者であれば、本発明は、他の導波路システム、例えばガラス系あるいは有機材料系あるいは半導体系のいずれにも適応可能であることが分かるであろう。
【００１５】
図１において、フーリエフィルタ１０は本発明の最適化導波路１２，１４を有する。特に同図は、それぞれ最適化導波路１２，１４のコア１６，１８の平面上のパターンを表し、これらは基板２０上のフーリエフィルタ１０の製造の際のフォトリソグラフマスクを用いて規定されたものである。このコア１６，１８はほぼ同一で、同一の高さ（Ｈ）を有するが、以下に説明するように最適化導波路１２，１４の性能を最適化するために、異なる領域で変化する幅（Ｗ）を有する。
【００１６】
２．最適化プロセス
Ａ．シングルモード動作
多くの光学素子は、シングルモード導波路上に形成されるか、あるいはシングルモード領域を有している。例えば、フーリエフィルタ１０の領域２２，２４，２６，２８は、この実施例ではシングルモードである。特に領域２２，２４，２６は、シングルモードの最適化導波路１２，１４のカプラであり、領域２８は光ファイバ３２に結合される導波路端部３０の高次モードを取り除くものである。フーリエフィルタ１０の他の導波路領域は、シングルモードではなく、マルチモードを用いることができる。ただし、モード変換は少ないかあるいは変換された高次モードは領域２８により除去されるものとする。
【００１７】
弱い導波機能の導波路に対しては、（基本モードの）光強度の空間分布はほぼ対称のガウス分布であり、シングルモードの条件は、最低時の近似までコアの断面積は最大値以下であることが必要である。Δが約０．６％のＰドープのシリカ製導波路は、導波路に対しては、最大コア面積は１．３ないし１．７μｍの波長に対しては約３０μｍ２ である。そのため様々なコア寸法を用いることができ、断面積が３０μｍ２ 以下となるような様々なコア寸法、例えば５×５μｍ２ ，３×８μｍ２，６．７×４μｍ２を用いることができる。しかし、導波路コアの高さは、製造時のコア層の厚さにより決定されるために、複数の高さを有する導波路コアを、単一の基板上に製造することは極めて困難である。したがって、コアの高さは一定で、基板全体に亘りコアの高さが一定の導波路構造を得ることは極めて望ましい。このコアの高さは、導波路の異なる機能領域でも同一であるので、コアの幅は、各領域で性能を最適化するために異なる機能領域で変化させなければならない。
【００１８】
Ｈ＝６．７μｍのコア高さが、Ｐドープのシリカ製導波路に対し最適なものと決定できる。シングルモード導波路に対応するコア幅は、Ｗ＝４μｍであるが、このコアの幅は、以下の設計事項を考慮することにより変化するものである。前述したようにここに開示した寸法は、単なる一実施例で本発明の範囲を制限するよう解釈されるべきものではない。しかし本明細書に開示した説明、例えばコアの高さと幅のアスペクト比は、他の導波路システムにも同様に適応できるものである。したがって、本発明による最適化導波路は、そのコア高さが約Ｈ＝６．７μｍで、その幅は約４μｍから１０μｍの間で、これは以下に述べる設計事項に基づいて決まるものである。
【００１９】
Ｂ．ファイバ結合損失
導波路が光ファイバに結合されると、導波路と光ファイバとの間のモードフィールドミスマッチとファイバと導波路との間の不整合のためにファイバ結合損失が発生する。前者のモードフィールドミスマッチは、導波路と光ファイバとのサイズとΔの差に起因する。例えば、１．３μｍと１．５５μｍの波長通信用の通常使用されるシングルモードファイバは、ＡＴ＆Ｔ社製の５Ｄファイバがあり、これはΔが０．３％でコアの直径が約８μｍである。しかし、大部分の平面上導波路のΔは、それ以上高く例えばＰドープのシリカ製導波路では０．６％である。このことは実際の導波路製造のサイズの制限のため、およびより高いΔは、基板上により高い集積密度が可能となるために好ましい。より高いΔの結果、コアサイズとガイドされた光学モードのサイズとは、通常のシングルモード導波路においては、例えばＡＴ＆Ｔ社製の５Ｄファイバのような通常使用されるファイバのそれよりも小さい。
【００２０】
λ＝１．３μｍでＰドープのシリカ製導波路と、ＡＴ＆Ｔ社製の５Ｄシングルモードファイバとを用いると、コアの高さ（Ｈ）と幅（Ｗ）に関連する計算上のファイバ−導波路−ファイバ（２つの接合面）のモードフィールドミスマッチ損失を図２に示す。例えば、Ｈ＝５μｍ，Ｗ＝５μｍの寸法のコアを有する導波路の結合損失は約０．８ｄＢで、Ｈ＝３μｍ，Ｗ＝４μｍの寸法のコアを有する導波路は１．０ｄＢである。
【００２１】
コアのサイズが大きくなると、光学モードも大きくなりファイバのそれにより適合する。正確な整合（マッチ）が発生するのは、導波路のΔが、光ファイバのそれに有効に拡散（diluted） する時にのみ発生し、このことを達成するのは現在の製造技術では困難である。しかし、図２に示すようにＨ＝６．７μｍ，Ｗ＝９μｍの寸法のコアを有する導波路に対しては、デルタΔを減少させずに、矩形のボックス３４に示すように結合損失は０．２５ｄＢ以下であることが分かる。この損失量は多くの応用例においては、満足すべきものであり、以前では低Δの導波路を用いた場合のみ達成可能であった。またコアの高さが９μｍまで増加すると、結合損失は０．１ｄＢまでさらに減少する。しかし、シングルモードを維持するためには、Ｈ＝９μｍの導波路は現在の製造技術で信頼性よく製造するためには、コアの幅が狭くなりすぎる。さらにまた従来の導波路と同様にコアの高さを５μｍにした場合には、コアの幅を大きくしたとしても結合損失は、０．５ｄＢ以上である。ファイバ−導波路−ファイバの結合損失が０．３ｄＢ以下で−５０ｄＢのクロストークの粗波長分割マルチプレクサ（ＷＤＭ）は、Ｈ＝６．７μｍで達成できる。
【００２２】
図１に示すように、ファイバ−導波路−ファイバの結合損失を減少するために導波路端部領域３２は、Ｗ＝９μｍまで広げられる。その結果、導波路はＨ＝６．７μｍでＷ＝９μｍの端部領域ではマルチモードであり、このため不整合がある状態では光は高次モードとなる。そのため領域２８が、高次モードを取り除くためにつけ加えられる。通常長さが５００μｍのモード不変換テーパが遷移領域として用いられ、その領域では、導波路の幅は徐々に拡張するかあるいは狭くなる。この遷移領域は、通常、図１の領域２８と導波路端部３０との間である。したがって、領域２８と導波路端部３０は、拡張モードテーパと称する。
【００２３】
ファイバ−導波路結合損失を減少するために、別個のモードテーパが提案されているが、これはその挿入損失により、０．３ｄＢ以下のファイバ−導波路−ファイバ結合損失を提供するには実際的ではない。この別個のモードテーパに比較して、本発明の拡張モードテーパ構成は、挿入損失がはるかに低く、アンダーカットとチップダイスの位置の製造誤差に対し、許容度があり不利な点はない。
【００２４】
ファイバと導波路との不整合に起因するファイバ結合損失に関しては、この結合損失は導波路とファイバのモードサイズに影響される。より大きなモードサイズにおいては、結合損失は、横方向の不整合に対しては小さくなり、角度的な不整合に対しては大きくなる。このため横方向の不整合がファイバの取付とウェハのテストでは支配的なために、導波路端部３０における性能を最適化するためには、導波路の寸法を拡大し、したがってモードサイズを増加させることは、全体の不整合損失を減少させることになる。
【００２５】
したがって、Ｐドープのシリカ製導波路の端部領域（導波路が光ファイバに結合される領域）においては、コアの幅と高さとのアスペクト比は１．２以上である。
【００２６】
Ｃ．結合効率
近接して配置されたシングルモード導波路（図１の領域２２，２４，２６）を含むカプラの結合効率は、光が導波路から他の導波路に結合するのに必要な最低カプラ長さである結合長さにより特徴づけられる。この結合長さは、２つの最適化導波路１２，１４のコアの幅とずれ（separation）に極めて敏感である。その理由は、結合は２つの導波路の光学フィールドのテールのオーバラップから得られるからである。製造に対しては、中心間のずれは、比較的一定であるが、コアの幅と端部間のずれは変化する、その理由は光リソグラフの条件とエッチングのアンダーカットの変化を制御できないからである。かくして高い歩留まりを得るためには、この結合長さは、製造誤差に対して安定していなければならない。
【００２７】
次に、図３においてＰドープのシリカ製導波路に対し、λ＝１．５５μｍに対し中心間のずれＣ＝９．０μｍとＣ＝９．５μｍのカプラに対し、計算された結合長をそれぞれＡ，Ｂとして示す。
【００２８】
図３Ａにおいては、コアの幅Ｗ＝４μｍの周辺でのＷ軸に対してカーブは平行になる。このことは結合長は、この寸法の幅における変動が最も敏感ではないことを意味する。隣接するカーブの間の結合長のステップと大きさは、図３のＡ，Ｂ両方とも１００μｍである。しかし、図３のＡの隣接するカーブ間の垂直方向のスペースは、図３Ｂのそれよりも約２倍以上大きく最適の導波路に対する結合長さは、矩形の導波路に対してよりもコアの高さ方向の変化に対し、より感受性が少ないことを意味する。図３Ａの点線の矩形３６に示すように、最適化された導波路のコア高さは６．７μｍで、コア幅は４μｍである。比較のために図３Ｂでは、導波路のコアの寸法は、５×５μｍ２ を中心にしてこれは、矩形の箱３８に示すとおりである。
【００２９】
このような安定した形状が存在することを次に説明する。一定の中心間のずれに対しては、両方の導波路の幅が減少した時には、２つの影響がある。その１つは光学フィールドの閉じ込めが少なくなり拡張して２つの導波路のギャップ内に拡張し、その結果より強い結合が得られる結果となる。他の影響は２つの導波路の間のギャップがさらに大きくなるとこれはより弱い結合となる。この２つの影響は上記の安定した構成においては、互いにバンランスしている。結合波長は、この形状ではコアの高さに敏感ではなくなるが、その理由はモード閉じ込めは、最低時の近似ではコアの領域に依存し、高さを変化させることは幅を変化させるのと同様な２つの相反する影響を有する。
【００３０】
この安定したコアの幅は、中心間のずれ（Ｃ）の関数であり、コアの高さと波長λには余り依存しない。この中心間のずれは、カプラの設計の便宜上λ＝１．５５μｍにおいて結合長が約２０００μｍであるように選択される。そしてコアの高さは、この安定した形状において導波路はシングルモードであるが、ほとんどダブルモードとなるように選択される。一般的にこのことはカプラ領域においては、コアの高さはコアの幅以上であり、これにより四角形の導波路よりもより厚いコアの層が必要であり、このことは同時に拡張したテーパ部を用いてファイバへのよりよい結合が可能となる。好ましくはＰドープのシリカ製導波路の結合領域においては、コアの高さ対幅のアスペクト比は１．２以上である。
【００３１】
Ｄ．安定な有効屈折率
ある種の素子においては、その素子に含まれる導波路の有効屈折率が製造上の誤差にも関わらず安定（一定）であることが必要である。例えば、図４において、ドラゴンルータ４０は２つの誘電体性のスラブ（スターカプラ）４４の間に配置された位相グレーティング列４２と１つあるいは複数の入力導波路４６と複数の出力導波路４８とを有する。ドラゴンルータ４０内のクロストークは、フォトリソグラフマスクのデジタルエラーとエッチングのアンダーカットの非規則性に起因する導波路コアの幅の変動により引き起こされる位相グレーティング列４２内のランダム位相エラーに敏感である。例えば、１６００Ｇｈｚ自由スペクトル領域の８×８ルータにおいては、各グレーティング導波路の全長は１ｃｍ以上であるが、パス長の０．０５μｍに等しい位相エラーがあれば、クロストークの性能を非常に劣化させるのに充分である。そのため各グレーティング導波路のパス長（実際の長さ×有効屈折率）は、極めて正確に制御しなければならない。したがって、導波路の有効屈折率の変動は、クロストークの性能を劣化させその結果低歩留まりとなる。
【００３２】
λ＝１．５５μｍのＰドープ導波路（クラッド層の屈折率ｎｃｌａｄ＝１．４４５）に対する有効屈折率ｎｅｆｆをコアの幅とコアの高さの関数として計算し図５に示す。隣接するカーブの間の水平方向のスペースは、有効屈折率ｎｅｆｆを０．００１だけ変えるのに必要なコアの幅の変化を表す。本発明によれば、図５の矩形の囲み５０に示されるように、Ｈ＝６．７μｍ，Ｗ＝１０μｍの寸法を有するコアが、ここでいう安定なカプラと低損失ファイバ−導波路カプラ用に得られた高さのコアと一致する。好ましくはドラゴンルータ４０の位相グレーティング列４２を有する各導波路は、コアの幅対コアの高さに対するアスペクト比が１．１５以上である。
【００３３】
図５から明かなように、６．７×１０μｍ２の寸法のコアを有する導波路のｎｅｆｆは、ドラゴンルータの高さが３μｍで幅が８μｍの寸法のコアを有する従来の導波路よりも、コアの幅の変化に対し感受性が少ない。このためこのような導波路構造体は、低クロストークを生成するのに必要なコアの幅に関して、製造誤差に対しより安定性がある。しかし導波路は、コアの高さとコアの幅が増加するためにマルチモードとなるので、シングルモード領域５２が付加されて高次モードを取り除く。別の構成としては、各グレーティング導波路を小さな曲げ半径でもって湾曲させ、その結果全ての高次モードを有効に放射するようにしてシングルモード領域５２を取り除くこともできる。
【００３４】
図６は２００Ｇｈｚのチャネル間隔の３個の８×８ドラゴンルータから測定された伝送スペクトラムを表す図である。このスペクトラムは、５番目の入力から５番目の出力の間で測定され、その際ファイバ−導波路の結合損失はないものとする。この素子は、同一基板上でコアの高さＨ＝６．７μｍのＰドープのシリカ製導波路でもって形成された。この３個の素子は、グレーティング導波路のコアの幅が違うだけでそのコアの幅はそれぞれ８．５μｍ，６．５μｍ，５．５μｍである。この伝送スペクトラムは、ピークのクロストークは、それぞれＷ＝８．５，６．５，５．５μｍの導波路に対し、−２６ｄＢ，−２２ｄＢ，−１４ｄＢである。上記のことからコアの幅が広くなればランダム位相エラーが小さくなり、ここに開示したコア高さの最適化導波路でもって、高性能のドラゴンルータが形成できる可能性があることを示すことになる。
【００３５】
Ｅ．曲げ損失
曲げ領域は、多くの導波路素子にとって必要不可欠なものである。例えば、図１に示すフーリエフィルタ１０は、湾曲領域５４，５６を有し、図４のドラゴンルータ４０は、位相グレーティング列４２内に湾曲領域を有する複数の導波路を有する。これらの湾曲部の曲げ半径は、充分に大きくその結果挿入損失が許される程度のものである。多くの場合これらの湾曲領域が素子が組み込まれる光学回路の大きさを決定するので小さな曲げ半径程好ましい。
【００３６】
導波路にシングルモードが必要な場合には、より大きなコアの寸法を用いると、より小さな曲げ半径が可能となる。より大きなコア寸法は、光学フィールドの閉じ込めが強くなり、その結果光学パスはより簡単に曲げることができる。
【００３７】
従来の導波路素子においては、１５ｍｍの最低曲げ半径は、５×５μｍ２ の正方形コアを有するＰドープシリカ製導波路上で達成できた。しかしＨ＝６．７μｍで、Ｗ＝５μｍの寸法のコアを有する導波路を用いることによって、カプラのシングルモード動作には影響を及ぼすことなく、その曲げ半径は約１０ｍｍまで減少できた。さらに大きなコアの幅を用いることにより、曲げ半径をさらに減少することもできるが、湾曲部でのモード変換により図４のドラゴンルータ４０のシングルモード領域５２の高次モードの除去が必要となる。このためＰドープのシリカ製導波路の湾曲領域では、コアの幅対高さのアスペクト比は、０．８以上且つ１．１以下が好ましい。
【００３８】
３．製造
本発明のＰドープシリカ製導波路構造体の製造方法を以下に示す。
【００３９】
先ず、アンドープＳｉＯ２（ＨｉＰＯＸ）製の第１の１５μｍ厚の下部クラッド層を、高圧スチーム下でＳｉを酸化することにより形成する。７％のＰドープのＳｉＯ２（Ｐガラス）を含む所定厚のコア層を、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）を用いてその後堆積する。このステップにより、導波路コアが基板全体に亘って均一の厚さ即ち高さを規定する。その後このコア層をアニールし、約１０００℃で蒸気をかける。
【００４０】
その後このコア層を、コンピュータにより生成されたフォトリソグラフマスクを用いてパターン化し形成する。かくして、このコアの幅は、導波路の特性を最適化するために、導波路の異なる機能領域で変化する。ＢとＰをドープしたＳｉＯ２（ＢＰＴＥＯＳ）製の１．５μｍ厚のフロー層をＬＰＣＶＤで堆積し、９００℃でアニールして、カプラ領域の２つの導波路コアの間の狭いギャップを充填する。最後に７．５μｍ厚のＢＰＴＥＯＳの２つの層を上部クラッド層として堆積しアニールする。上部クラッド層は、下部クラッド層とほぼ同一の屈折率を有し、コアは、下部クラッド層と上部クラッド層よりも０．６３％高い屈折率を有する。したがって、コア層は基板全体に亘って均一の厚さを有するため様々な種類の素子、例えばドラゴンルータ，フーリエフィルタ，Ｙ型ブランチ等を同一の光リソグラフマスク上に機能回路として集積し、単一基板上に共通のプロセスで製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明による導波路の機能領域を表した最適導波路の上面図である。
【図２】本発明の導波路を用いたファイバ−導波路−ファイバのモードフィールドのミスマッチ損失を表した図である。
【図３】Ａは、中心間の距離が９．０μｍの本発明によるカプラ用の結合距離を表した図である。Ｂは、中心間の距離が９．５μｍの従来のカプラの結合距離を表した図である。
【図４】本発明によるドラゴンルータの上面図である。
【図５】コアの幅と高さの関数として有効屈折率を表した図である。
【図６】グレーティング導波路コアの幅がそれぞれ８．５，６．５，５．５μｍの本発明による３種類のドラゴンルータから測定された伝送スペクトルを表す図である。
【符号の説明】
【００４２】
１０  フーリエフィルタ
１２、１４  最適化導波路
１６、１８  コア
２０  基板
２２、２４、２６、２８  領域
３０  導波路端部
３２  光ファイバ
４０  ドラゴンルータ
４２  位相グレーティング列
４４  誘電体性スラブ（スターカプラ）
４６  入力導波路
４８  出力導波路
５２  シングルモード領域
５４、５６  湾曲領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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