(57)【要約】【課題】交換部品のコストの上昇を抑制してランニングコストの低減を図りつつ、その温度制御性を従来に比べて向上させることができ、高精度なプラズマ処理を行うことのできる上部電極及びプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】真空チャンバ１に設けられた上部電極３は、電極基体３０と、冷却ブロック３１と、電極板３２とから構成されている。電極基体３０と、冷却ブロック３１との間には、処理ガス拡散用空隙３３が形成されている。冷却ブロック３１には、多数の透孔３４が形成され、これらの透孔３４の間に、細かく屈曲した形状とされた冷媒流路３５が形成されている。電極板３２は、冷却ブロック３１の下側に、柔軟性を有する伝熱部材であるシリコンラバーシート３６を介して着脱自在に固定されており、透孔３４に夫々対応して吐出口３７が形成されている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板が載置される載置台と対向するように配置され、前記載置台との間に処理ガスのプラズマを発生させるための上部電極であって、
内部に冷媒を流通させるための冷媒流路が形成されるとともに、前記処理ガスを通過させるための多数の透孔が形成された冷却ブロックと、
前記冷却ブロックの下面に、柔軟性を有する伝熱部材を介して着脱自在に固定され、前記処理ガスを前記載置台上の前記被処理基板に向けて吐出させるための多数の吐出口が形成された電極板と、
前記冷却ブロックの上側に設けられ、前記冷却ブロックとの間に前記処理ガスを拡散させるための処理ガス拡散用空隙を形成するよう構成された電極基体と
を具備したことを特徴とする上部電極。
【請求項２】
請求項１記載の上部電極であって、
前記冷媒流路が、各前記透孔に隣接して位置するように、冷却ブロック内を屈曲して配置されたことを特徴とする上部電極。
【請求項３】
請求項２記載の上部電極であって、
屈曲して配置された前記冷媒流路のうち、隣接した前記冷媒流路の冷媒の流れ方向が逆になるよう構成されたことを特徴とする上部電極。
【請求項４】
請求項３記載の上部電極であって、
前記冷却ブロックの最外周部に設けられた前記冷媒流路を除いて、内周部に設けられた前記冷媒流路は、直線部分の最大の長さが、前記透孔の配置ピッチの３ピッチ分までとなるように屈曲されて形成されていることを特徴とする上部電極。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか１項記載の上部電極であって、
前記冷媒流路が、複数に分割されて複数系統設けられていることを特徴とする上部電極。
【請求項６】
請求項５記載の上部電極であって、
複数系統の前記冷媒流路が、夫々前記冷却ブロックの中央方向に向かって冷媒を導入し、この後、次第に外周部に向かって冷媒を流すよう形成されていることを特徴とする上部電極。
【請求項７】
請求項１〜６いずれか１項記載の上部電極であって、
前記電極板が円板状に構成され、その外周部分に設けられた複数の外周側締結ネジと、これらの外周側締結ネジより内側部分に設けられた複数の内周側締結ネジとによって、前記冷却ブロックに固定されていることを特徴とする上部電極。
【請求項８】
請求項７記載の上部電極であって、
前記外周側締結ネジ及び前記内周側締結ネジが、前記電極基体の上側から前記電極板と螺合するよう設けられ、前記電極基体と前記電極板との間に前記冷却ブロックを挟持するよう構成されたことを特徴とする上部電極。
【請求項９】
請求項８記載の上部電極であって、
前記電極基体と前記電極板との間に所定のクリアランスが設けられ、前記冷却ブロックと前記電極板とが押圧された状態で、前記電極基体と前記冷却ブロックと前記電極板とが一体的に固定されるよう構成されたことを特徴とする上部電極。
【請求項１０】
被処理基板が載置される載置台と対向するように配置され、前記載置台との間に処理ガスのプラズマを発生させるための上部電極であって、
前記処理ガスを通過させるための多数の透孔が形成されるとともに、各前記透孔に隣接して位置するように、内部に冷媒を流通させるための冷媒流路が形成された冷却ブロックを具備し、
前記冷却ブロックの最外周部に設けられた前記冷媒流路を除いて、内周部に設けられた前記冷媒流路が、直線部分の最大の長さが、前記透孔の配置ピッチの３ピッチ分までとなるように屈曲されて形成され、
かつ、前記冷媒流路が、複数に分割されて複数系統設けられ、これら複数系統の前記冷媒流路が、夫々前記冷却ブロックの中央方向に向かって冷媒を導入し、この後、次第に外周部に向かって冷媒を流すよう形成されていることを特徴とする上部電極。
【請求項１１】
請求項１〜１０いずれか１項記載の上部電極を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理基板、例えば半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板等に、プラズマを作用させてエッチング処理や成膜処理等の所定のプラズマ処理を施すための上部電極及びプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、半導体装置の製造分野においては、真空チャンバ内にプラズマを発生させ、このプラズマを被処理基板、例えば半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板等に作用させて、所定の処理、例えば、エッチング処理、成膜処理等を行うプラズマ処理装置が用いられている。
【０００３】
このようなプラズマ処理装置、例えば、所謂平行平板型のプラズマ処理装置では、真空チャンバ内に、半導体ウエハ等を載置するための載置台（下部電極）が設けられるとともに、この載置台に対向して真空チャンバの天井部には上部電極が設けられ、これらの載置台（下部電極）と上部電極とによって一対の平行平板電極が構成されるようになっている。
【０００４】
そして、真空チャンバ内に所定の処理ガスを導入するとともに、真空チャンバの底部から真空排気することによって、真空チャンバ内を所定の真空度の処理ガス雰囲気とし、この状態で載置台と上部電極との間に所定周波数の高周波電力を供給することによって、処理ガスのプラズマを発生させ、このプラズマを半導体ウエハに作用させることによって、半導体ウエハのエッチング等の処理を行うよう構成されている。
【０００５】
上記のようなプラズマ処理装置では、上部電極が直接プラズマに晒される位置に設けられているため、上部電極の温度が不所望に高くなる可能性がある。このため、上部電極内に冷媒を流通させるための冷媒流路を形成し、この冷媒流路内に冷媒を流通させて上部電極を冷却するよう構成されたものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
また、上部電極に、上記のような冷媒流路を形成するとともに、処理ガスを被処理基板に向けてシャワー状に供給するための多数の吐出口を設けたプラズマ処理装置も知られている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００７】
【特許文献１】
特開昭６３−２８４８２０号公報（第２−３頁、第１図）。
【特許文献２】
米国特許第４５３４８１６号明細書（第２−３頁、第１−６図）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述したとおり、従来のプラズマ処理装置では、上部電極を冷却することによって、その温度を一定化することが行われている。
【０００９】
しかしながら、近年では、例えば半導体装置の構造の微細化等に伴い、プラズマ処理装置における処理精度を向上させることが必要となっている。このため、従来に比べてさらに、上部電極の温度制御の精度を上げ、また、上部電極全体の温度の均一性を向上させることによって、プラズマ処理装置の処理精度を向上させることが望まれている。
【００１０】
また、前述したとおり、上部電極は直接プラズマに晒される位置に設けられることから、プラズマによるダメージを受けて消耗する。このため、定期的に交換する等のメンテナンスが必要になるが、上部電極全体を交換すると、交換部品のコストがかかり、結果としてランニングコストの上昇を招くことから、例えば、上部電極のプラズマに晒される部分のみを、着脱自在として交換するようにすることも考えられている。
【００１１】
しかしながら、このように着脱自在の構造とすると、熱伝導性が悪くなり、精度良く温度を制御することが難しくなるという問題がある。
【００１２】
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので、交換部品のコストの上昇を抑制してランニングコストの低減を図りつつ、その温度制御性を従来に比べて向上させることができ、高精度なプラズマ処理を行うことのできる上部電極及びプラズマ処理装置を提供しようとするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
すなわち、請求項１記載の上部電極は、被処理基板が載置される載置台と対向するように配置され、前記載置台との間に処理ガスのプラズマを発生させるための上部電極であって、内部に冷媒を流通させるための冷媒流路が形成されるとともに、前記処理ガスを通過させるための多数の透孔が形成された冷却ブロックと、前記冷却ブロックの下面に、柔軟性を有する伝熱部材を介して着脱自在に固定され、前記処理ガスを前記載置台上の前記被処理基板に向けて吐出させるための多数の吐出口が形成された電極板と、前記冷却ブロックの上側に設けられ、前記冷却ブロックとの間に前記処理ガスを拡散させるための処理ガス拡散用空隙を形成するよう構成された電極基体とを具備したことを特徴とする。
【００１４】
請求項２記載の上部電極は、請求項１記載の上部電極であって、前記冷媒流路が、各前記透孔に隣接して位置するように、冷却ブロック内を屈曲して配置されたことを特徴とする。
【００１５】
請求項３記載の上部電極は、請求項２記載の上部電極であって、屈曲して配置された前記冷媒流路のうち、隣接した前記冷媒流路の冷媒の流れ方向が逆になるよう構成されたことを特徴とする。
【００１６】
請求項４記載の上部電極は、請求項３記載の上部電極であって、前記冷却ブロックの最外周部に設けられた前記冷媒流路を除いて、内周部に設けられた前記冷媒流路は、直線部分の最大の長さが、前記透孔の配置ピッチの３ピッチ分までとなるように屈曲されて形成されていることを特徴とする。
【００１７】
請求項５記載の上部電極は、請求項１〜４いずれか１項記載の上部電極であって、前記冷媒流路が、複数に分割されて複数系統設けられていることを特徴とする。
【００１８】
請求項６記載の上部電極は、請求項５記載の上部電極であって、複数系統の前記冷媒流路が、夫々前記冷却ブロックの中央方向に向かって冷媒を導入し、この後、次第に外周部に向かって冷媒を流すよう形成されていることを特徴とする。
【００１９】
請求項７記載の上部電極は、請求項１〜６いずれか１項記載の上部電極であって、前記電極板が円板状に構成され、その外周部分に設けられた複数の外周側締結ネジと、これらの外周側締結ネジより内側部分に設けられた複数の内周側締結ネジとによって、前記冷却ブロックに固定されていることを特徴とする。
【００２０】
請求項８記載の上部電極は、請求項７記載の上部電極であって、前記外周側締結ネジ及び前記内周側締結ネジが、前記電極基体の上側から前記電極板と螺合するよう設けられ、前記電極基体と前記電極板との間に前記冷却ブロックを挟持するよう構成されたことを特徴とする。
【００２１】
請求項９記載の上部電極は、請求項８記載の上部電極であって、前記電極基体と前記電極板との間に所定のクリアランスが設けられ、前記冷却ブロックと前記電極板とが押圧された状態で、前記電極基体と前記冷却ブロックと前記電極板とが一体的に固定されるよう構成されたことを特徴とする。
【００２２】
請求項１０記載の上部電極は、被処理基板が載置される載置台と対向するように配置され、前記載置台との間に処理ガスのプラズマを発生させるための上部電極であって、前記処理ガスを通過させるための多数の透孔が形成されるとともに、各前記透孔に隣接して位置するように、内部に冷媒を流通させるための冷媒流路が形成された冷却ブロックを具備し、前記冷却ブロックの最外周部に設けられた前記冷媒流路を除いて、内周部に設けられた前記冷媒流路が、直線部分の最大の長さが、前記透孔の配置ピッチの３ピッチ分までとなるように屈曲されて形成され、かつ、前記冷媒流路が、複数に分割されて複数系統設けられ、これら複数系統の前記冷媒流路が、夫々前記冷却ブロックの中央方向に向かって冷媒を導入し、この後、次第に外周部に向かって冷媒を流すよう形成されていることを特徴とする。
【００２３】
請求項１１記載のプラズマ処理装置は、請求項１〜１０いずれか１項記載の上部電極を有することを特徴とする。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を、実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２５】
図１は、本発明を、半導体ウエハのエッチングを行うプラズマエッチング装置に適用した実施の形態の構成の概略を模式的に示すものであり、同図において、符号１は、材質が例えばアルミニウム等からなり、内部を気密に閉塞可能に構成された円筒状の真空チャンバを示している。
【００２６】
この真空チャンバ１内には、半導体ウエハＷを載置するための載置台２が設けられており、この載置台２は下部電極を兼ねている。また、真空チャンバ１内の天井部には、シャワーヘッドを構成する上部電極３が設けられており、これらの載置台（下部電極）２と上部電極３によって、一対の平行平板電極が構成されるようになっている。この上部電極３の構造については、後で詳述する。
【００２７】
載置台２には、２つの整合器４，５を介して２つの高周波電源６，７が接続されており、載置台２に、２種類の所定周波数（例えば、１００ＭＨｚと３．２ＭＨｚ）の高周波電力を重畳して供給可能とされている。なお、載置台２に高周波電力を供給する高周波電源を１台のみとして、１種類の周波数の高周波電力のみを供給する構成としても良い。
【００２８】
また、載置台２の半導体ウエハＷの載置面には、半導体ウエハＷを吸着保持するための静電チャック８が設けられている。この静電チャック８は、絶縁層８ａ内に静電チャック用電極８ｂを配設した構成とされており、静電チャック用電極８ｂには、直流電源９が接続されている。さらに、載置台２の上面には、半導体ウエハＷの周囲を囲むように、フォーカスリング１０が設けられている。
【００２９】
真空チャンバ１の底部には、排気ポート１１が設けられ、この排気ポート１１には、真空ポンプ等から構成された排気系１２が接続されている。
【００３０】
また、載置台２の周囲には、導電性の材料から環状に形成され、多数の透孔１３ａが形成された排気リング１３が設けられている。この排気リング１３は、電気的に接地電位に接続されている。そして、排気リング１３を介して、排気系１２により、排気ポート１１から真空排気することによって、真空チャンバ１内を所定の真空雰囲気に設定できるよう構成されている。
【００３１】
また、真空チャンバ１の周囲には、磁場形成機構１４が設けられており、真空チャンバ１内の処理空間に、所望の磁場を形成できるようになっている。この磁場形成機構１４には、回転機構１５が設けられており、真空チャンバ１の周囲で磁場形成機構１４を回転させることにより、真空チャンバ１内の磁場を回転可能に構成されている。
【００３２】
次に、前述した上部電極３の構成について説明する。図３にも示すように、上部電極３は、電極基体３０と、この電極基体３０の下側に設けられた冷却ブロック３１と、さらに冷却ブロック３１の下側に設けられた電極板３２とからその主要部分が構成され、全体形状が略円板状に形成されている。
【００３３】
最も下側に設けられた電極板３２は、プラズマに晒される位置にあり、プラズマの作用によって消耗する。このため、上部電極３から電極板３２のみを取り外して交換することにより、交換部品のコストを抑えて、ランニングコストを低減できるようになっている。なお、冷却ブロック３１内には、後述する冷媒流路３５が形成されており、その製造コストが高くなる。このため、冷却ブロック３１と電極板３２とを別体とし、電極板３２のみを交換可能とすることによって、交換部品のコストを抑制することができる。
【００３４】
上記電極基体３０と、冷却ブロック３１との間には、処理ガス供給系１６から供給され、電極基体３０の上部から導入された処理ガスを拡散させるための処理ガス拡散用空隙３３が形成されている。
【００３５】
また、冷却ブロック３１には、上記処理ガス拡散用空隙３３からの処理ガスを通過させるための多数の透孔３４が形成されており、これらの透孔３４の間には、図２にも示すように、細かく屈曲した形状とされ、内部に冷媒を流通させるための冷媒流路３５が形成されている。
【００３６】
さらに、電極板３２は、冷却ブロック３１の下側に、柔軟性を有する伝熱部材、例えば、高熱伝導性のシリコンラバーシート３６を介して着脱自在に固定されており、冷却ブロック３１に設けられた多数の透孔３４に夫々対応して、処理ガスを吐出させるための吐出口３７が、透孔３４と同数形成されている。なお、シリコンラバーシート３６にも、これらの吐出口３７及び透孔３４に合わせた開口が形成されている。
【００３７】
そして、上記電極基体３０と、冷却ブロック３１と、電極板３２は、上部電極３の外周部分に、周方向に沿って等間隔で複数設けられた外周側締結ネジ３８と、これらの外周側締結ネジ３８より内側部分に、周方向に沿って等間隔で複数設けられた内周側締結ネジ３９とによって、一体的に固定されている。これらの外周側締結ネジ３８及び内周側締結ネジ３９は、電極基体３０の上方から挿入され、電極板３２に螺合されて、この電極板３２を上方に引き上げるように作用し、電極基体３０と電極板３２との間に冷却ブロック３１を挟持する構成となっている。また、この時、上記の挟み込む力が確実に作用し、電極板３２と冷却ブロック３１とが良好な状態で接触するように、電極基体３０と電極板３２との間には、図３に示すように一定のクリアランスＣ（例えば、０．５ｍｍ以上。）が設けられている。
【００３８】
上記のように、本実施形態では、冷却ブロック３１の上方に処理ガス拡散用空隙３３を形成し、この処理ガス拡散用空隙３３内で拡散させた処理ガスを、冷却ブロック３１に形成された多数の透孔３４、及び電極板３２に形成された吐出口３７を経由して、シャワー状に吐出させる構成となっている。
【００３９】
このため、冷却ブロック３１と電極板３２とを近接させ、広い接触面積でこれらを接触させることができ、冷却ブロック３１によって電極板３２を効率良く均一に冷却することができる。また、冷却ブロック３１と電極板３２との間には、高熱伝導性のシリコンラバーシート３６等の柔軟性を有する伝熱部材が設けられているので、硬質な冷却ブロック３１と電極板３２と（例えば、アルミニウム等から構成されている。）を直接接触させる場合に比べて、これらの間の密着性を向上させ、熱伝導を促進させることができ、冷却ブロック３１によって電極板３２を効率良く均一に冷却することができる。さらに、外周側締結ネジ３８のみではなく、内周側締結ネジ３９によって内周部も締結する構成となっているので、熱膨張による歪み等によって冷却ブロック３１と電極板３２との密着性が悪化することも抑制することができる。
【００４０】
また、本実施形態では、上述した冷却ブロック３１に形成された冷媒流路３５は、図２に示すように、冷却ブロック３１の略半分の領域（図２中上半部）に冷媒を流通させるための冷媒流路３５ａと、残りの略半分の領域（図２中下半部）に冷媒を流通させるための冷媒流路３５ｂの２系統に分けられている。これら２系統の冷媒流路３５ａ，３５ｂは、対称的に形成されており、冷媒流路３５ａの冷媒入口４０ａ及び冷媒出口４１ａと、冷媒流路３５ｂの冷媒入口４０ｂ及び冷媒出口４１ｂは、略１８０度離れた反対側の位置に配置されている。このように、２系統の冷媒流路３５ａ，３５ｂを設けることによって、より効率的に、かつ、電極板３２全体を均一な温度に制御できる。
【００４１】
そして、冷媒入口４０ａと冷媒入口４０ｂとから導入された冷媒が、反対方向からまず中央部に向かって流れ込み、その後、次第に外周方向に向かい、夫々冷媒出口４１ａと冷媒出口４１ｂとから外部に導出される構成となっている。このように、冷媒入口４０ａ，４０ｂから導入された冷媒が、まず、中央部に向かって流れることにより、より密度の高いプラズマが発生し易く温度が上がり易い電極板３２の中央部の温度の上昇を抑制することができ、結果として、均一な温度制御を行うことができる。
【００４２】
さらに、冷却ブロック３１に形成された全ての透孔３４の近傍を通過するように、上記冷媒流路３５ａ，３５ｂが形成されており、これらの冷媒流路３５ａ，３５ｂにおいて、透孔３４を挟んで隣り合う冷媒流路は、冷媒の流通方向が互いに逆になるように、形成されている。このような冷媒の流れを形成することによって、より効率的に、かつ、電極板３２全体を均一な温度に制御できる。
【００４３】
また、冷媒流路３５ａ，３５ｂは、最外周部の冷媒流路の部分を除いて、これより内側部分では、透孔３４の配置ピッチの３ピッチ分より長い直線部分が形成されないように細かく屈曲した形状とされている。なお、本実施形態では、透孔３４の配置ピッチ（隣接する透孔３４の中心間の距離）は、１５ｍｍとされているが、この場合、電極板３２の当然吐出口３７の配置ピッチも同一である。
【００４４】
このように、冷媒流路３５ａ，３５ｂを、細かく屈曲した構造とすることによって、この中を冷媒が流通する途中で充分に撹拌され、より効率的に温度制御を行うことができる。
【００４５】
次に、このように構成されたプラズマエッチング装置におけるエッチング処理について説明する。
【００４６】
まず、真空チャンバ１の図示しない搬入・搬出口に設けられた図示しないゲートバルブを開放し、搬送機構等により半導体ウエハＷを真空チャンバ１内に搬入し、載置台２上に載置する。載置台２上に載置された半導体ウエハＷは、この後、静電チャック８の静電チャック用電極８ｂに、直流電源９から所定の直流電圧を印加することにより、吸着保持される。
【００４７】
次に、搬送機構を真空チャンバ１外へ退避させた後、ゲートバルブを閉じ、排気系１２の真空ポンプ等により真空チャンバ１内を排気し、真空チャンバ１内が所定の真空度になった後、真空チャンバ１内に、ガス拡散用の空隙３３、透孔３４、吐出口３７を介して、処理ガス供給系１６から所定のエッチング処理用の処理ガスを、例えば１００〜１０００ｓｃｃｍの流量で導入し、真空チャンバ１内を所定の圧力、例えば１．３〜１３３Ｐａ（１０〜１０００ｍＴｏｒｒ）程度に保持する。
【００４８】
この状態で、高周波電源６，７から載置台２に、所定周波数（例えば、１００ＭＨｚと３．２ＭＨｚ）の高周波電力を供給する。
【００４９】
上記のように、載置台２に高周波電力が印加されることにより、上部電極３と載置台（下部電極）２との間の処理空間には高周波電界が形成される。また、処理空間には、磁場形成機構１４よる所定の磁場が形成される。これにより処理空間に供給された処理ガスから所定のプラズマが発生し、そのプラズマにより半導体ウエハＷ上の所定の膜がエッチングされる。
【００５０】
この際、上部電極３は、所定温度（例えば６０℃）となるまでは、上部電極３内に設けられたヒータ（図示せず）によって加熱される。そして、プラズマが発生した後は、ヒータによる加熱を停止し、冷媒流路３５ａ，３５ｂに冷却水等の冷媒を流通させて冷却し、上部電極３の温度を所定温度に制御する。本実施形態では、前述したとおり、上部電極３の温度を精度良く、均一に制御することができるため、安定した均一なプラズマによって、所望のエッチング処理を高精度で実施することができる。
【００５１】
実際に、処理ガスがＣ４  Ｆ６  ／Ａｒ／Ｏ２  ＝３０／１０００／３５ｓｃｃｍ、圧力が６．７Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）、電力がＨＦ／ＬＦ＝５００／４０００Ｗの条件で１０分間半導体ウエハＷのエッチングを行い、この時の上部電極３の中央部と周辺部等の各部の温度を測定したところ、全体の温度差が５℃以内になるように均一に温度制御されていた。
【００５２】
そして、所定のエッチング処理が実行されると、高周波電源６，７からの高周波電力の供給を停止し、エッチング処理を停止して、上述した手順とは逆の手順で、半導体ウエハＷを真空チャンバ１外に搬出する。
【００５３】
なお、上記実施の形態においては、本発明を半導体ウエハのエッチングを行うプラズマエッチング装置に適用した場合について説明したが、本発明はかかる場合に限定されるものではない。例えば、半導体ウエハ以外の基板を処理するものであっても良く、エッチング以外の処理、例えばＣＶＤ等の成膜処理装置にも適用することができる。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明の上部電極及びプラズマ処理装置によれば、交換部品のコストの上昇を抑制してランニングコストの低減を図りつつ、その温度制御性を従来に比べて向上させることができ、高精度なプラズマ処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の全体概略構成を示す図。
【図２】図１のプラズマ処理装置の要部概略構成を示す図。
【図３】図１のプラズマ処理装置の要部概略構成を示す図。
【符号の説明】
Ｗ……半導体ウエハ、１……真空チャンバ、２……載置台、３……上部電極、６，７……高周波電源、３０……電極基体、３１……冷却ブロック、３２……電極板、３３……処理ガス拡散用空隙、３４……透孔、３５……冷媒流路、３６……シリコンラバーシート、３７……吐出口、３８……外周側締結ネジ、３９……内周側締結ネジ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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