(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体部品の更なる薄型化、量産性に適した半導体装置を提供する。更に、この半導体装置を複数積層し、スタック構造のシステムパッケージを実現する。同時に、このような薄型の樹脂封止型半導体装置の製造方法も提供する。【解決手段】加工用素材から、外部端子部１１１の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にして、内部端子部１１２をハーフエッチングにて薄肉にして、エッチング加工された端子部材を、複数個と、加工用素材の厚さより薄い半導体素子１２０とを用い、前記加工用素材の厚さ幅内に全体を収めて樹脂封止した樹脂封止型半導体装置で、外部端子部１１１の表裏面と外側側面とを端子面として露出させており、半導体素子を、その端子面側でない裏面を露出させるようにして、配置している。【選択図】  図１
2004319577.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部とを、連結部にて一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、内部端子部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、前記加工用素材の厚さより薄い半導体素子とを用い、半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、前記加工用素材の厚さ幅内に全体を収め、加工用素材の厚さ幅に揃えて樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材の内部端子部は、そのハーフエッチング面側を端子面とし、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、外部端子部の表裏面と外側側面とを端子面として露出させており、また、半導体素子を、各端子部材の内部端子部から離れた位置に、その端子面を、端子部材のハーフエッチング面側と同じ向きにして、且つ、その端子面でない側の面である裏面を、各端子部材のハーフエッチング面に対向する側の面に、揃えて、ダイパッドなしで、樹脂中に、前記裏面を露出させるようにして、配置していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置において、外部端子部の外側側面部に切り欠け部を設けていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】
請求項１ないし２のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置において、端子部材は、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置において、内部端子部の端子面および外部端子部の表裏の端子面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層を、接続用のめっき層として設けていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、順に、（ａ）１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工にて、端子部材の外部端子部側を支持部で連結した状態で、面付けして形成し、面付け形成された加工シートを得る加工工程と、（ｂ）接続用の表面めっきを施すめっき処理工程と、（ｃ）面付け形成された加工シートのハーフエッチング面側ではない側を、平板状の真空引き板にて真空引きし、加工シートを真空引き板に密着させた状態で、面付け分だけ、半導体素子を所定の位置に位置決めして、その端子面側ではない裏面を真空引きして、真空引き板に搭載する半導体素子搭載工程と、（ｄ）この状態で、各半導体素子について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、（ｅ）真空引き板を外し、これに代え、モールド用のテープを、加工シートのハーフエッチング面側ではない側を覆うように、平面状に貼り、半導体素子の裏面をテープにて貼り固定するテープ貼り工程と、（ｆ）表裏をモールド固定用の平板にて挟み、加工シート全体について、一括してモールドを行う、一括モールド工程と、（ｇ）表裏のモールド固定用の平板、テープを除去し、切断用のテープを貼り、該切断用のテープとは反対側からダイシングソーにて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る個片化工程と、を行うことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、平板状の真空引き板が、全面に真空吸着用の孔を配設したものであることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、順に、（Ａ）１つの樹脂封止型半導体装置の各端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工にて、端子部材の外部端子部側を支持部で連結した状態で、面付けして形成し、面付け形成された加工シートを得る加工工程と、（Ｂ）接続用の表面めっきを施すめっき処理工程と、（Ｃ）面付け形成された加工シートのハーフエッチング面側ではない側を覆うようにモールド用のテープを貼り、面付け分だけ、半導体素子を所定の位置に位置決めして、その端子面側ではない裏面を前記テープに貼り付け搭載する半導体素子搭載工程と、（Ｄ）この状態で、各半導体素子について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、（Ｅ）表裏をモールド固定用の平板にて挟み、加工シート全体について、一括してモールドを行う、一括モールド工程と、（Ｆ）表裏のモールド固定用の平板、テープを除去し、切断用のテープを貼り、該切断用のテープとは反対側からダイシングソーにて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る個片化工程と、を行うことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし４のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の１つ以上を、複数、積層したもので、それぞれ、上側の樹脂封止型半導体装置の下側の外部端子部の端子面と、下側の樹脂封止型半導体装置の上側の外部端子部の端子面とを、重ね合せて電気的に接続していることを特徴とする積層型樹脂封止型半導体装置。
【請求項９】
請求項８に記載の積層型樹脂封止型半導体装置において、樹脂封止型半導体装置の２つ以上が互いにその側面同志を合せて電気的に接続していることを特徴とする積層型樹脂封止型半導体装置。
【請求項１０】
請求項８ないし９のいずれかに記載の積層型樹脂封止型半導体装置において、上側の樹脂封止型半導体装置の外部端子部の側面の端子面と、下側の樹脂封止型半導体装置の外部端子部の側面の端子面とを、電気的に接続していることを特徴とする積層型樹脂封止型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エッチング形成した端子部を用いた、小型、薄型の樹脂封止型半導体装置と、そのような半導体装置を積層した構造の積層型樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化に対応するために、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装することが要求され、それにともなって、半導体部品の小型化、薄型化が進んでおり、更なる薄型化を廉価に達成できるパッケージが求められている。
このような状況のもと、薄型化に対応するものとして、特開平１１−３０７６７５号公報に記載の接続用リードの上面及び下面を露出させた構造の樹脂封止型半導体装置や、特開平１１−２６０９８９号公報に記載の接続用リードの一部を露出して外部端子としている樹脂封止型半導体装置が提案されている。
一方、システムＬＳＩのワンチップ化の開発が盛んであるが、  ２次元方向への配線展開となるため、配線の短縮による高速化には限界があり、また、その開発費、開発期間の増加を招いているのが実状で、最近では、これに代わり、半導体素子を３次元方向に積層したパッケージでシステムＬＳＩを実現しようとする試みがなされている。
このようなパッケージをシステムパッケージとも言う。
【０００３】
特開平１１−３０７６７５号公報には、これに記載の樹脂封止型半導体装置を積層し、その上面及び下面を露出させた接続用リードで電気的接続をとった、いわゆるスタック構造の積層型樹脂封止型半導体装置も記載されているが、ここに記載の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッドを備えたもので、薄型化は十分でない。
尚、特開平１１−２６０９８９号公報に記載の樹脂封止型半導体装置はスタック構造をとれるものではない。
また、特開平２００２−３３４３４号公報には、パッケージ内に半導体素子（チップ）を積層したパッケージが記載されているが、この構造では、自由度が少なく、汎用化しずらい。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−３０７６７５号公報
【特許文献２】
特開平１１−２６０９８９号公報
【特許文献３】
特開平２００２−３３４３４号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、近年、半導体部品の小型化、薄型化が進んでおり、更なる薄型化を廉価に達成できるパッケージが求められており、また、システムパッケージの作製が試みられている中、複数の樹脂封止型半導体装置が積層した、いわゆるスタック構造にてこれを実現するには、各樹脂封止型半導体装置を更に薄型化することが必要で、この対応が求められていた。
本発明はこれらに対応するもので、半導体部品の更なる薄型化を廉価に達成できるパッケージを提供しようとするものであり、更に具体的には、複数の樹脂封止型半導体装置を積層した、いわゆるスタック構造にてシステムパッケージを実現した積層型樹脂封止型半導体装置を提供しようとするものであり、このための薄型の樹脂封止型半導体装置で、量産性の良いものを提供しようとするものである。
半導体部品の更なる薄型化を廉価に達成でき、量産性に適した構造の半導体装置を提供しようとするものであり、更に、このような薄型の樹脂封止型半導体装置を複数積層し、いわゆるスタック構造にてシステムパッケージを実現できる積層型樹脂封止型半導体装置を提供しようとするものである。
同時に、このような薄型の樹脂封止型半導体装置の製造方法の提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の樹脂封止型半導体装置は、外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部とを、連結部にて一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、内部端子部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、前記加工用素材の厚さより薄い半導体素子とを用い、半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、前記加工用素材の厚さ幅内に全体を収め、加工用素材の厚さ幅に揃えて樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材の内部端子部は、そのハーフエッチング面側を端子面とし、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、外部端子部の表裏面と外側側面とを端子面として露出させており、また、半導体素子を、各端子部材の内部端子部から離れた位置に、その端子面を、端子部材のハーフエッチング面側と同じ向きにして、且つ、その端子面でない側の面である裏面を、各端子部材のハーフエッチング面に対向する側の面に、揃えて、ダイパッドなしで、樹脂中に、前記裏面を露出させるようにして、配置していることを特徴とするものである。
そして、上記の樹脂封止型半導体装置において、外部端子部の外側側面部に切り欠け部を設けていることを特徴とするものである。
そしてまた、上記の樹脂封止型半導体装置において、端子部材は、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなることを特徴とするものである。
また、上記の樹脂封止型半導体装置において、内部端子部の端子面および外部端子部の表裏の端子面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層を、接続用のめっき層としていることを特徴とするものである。
尚、ここで、「ダイパッドなしで、樹脂中に、前記裏面を露出させるようにして、配置している」とは、半導体素子の支持部を設けずに、半導体素子の裏面を露出させ、樹脂中に配置していることで、樹脂のみにより半導体素子が支持されていることを意味する。
【０００７】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、順に、（ａ）１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工にて、端子部材の外部端子部側を支持部で連結した状態で、面付けして形成し、面付け形成された加工シートを得る加工工程と、（ｂ）接続用の表面めっきを施すめっき処理工程と、（ｃ）面付け形成された加工シートのハーフエッチング面側ではない側を、平板状の真空引き板にて真空引きし、加工シートを真空引き板に密着させた状態で、面付け分だけ、半導体素子を所定の位置に位置決めして、その端子面側ではない裏面を真空引きして、真空引き板に搭載する半導体素子搭載工程と、（ｄ）この状態で、各半導体素子について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、（ｅ）真空引き板を外し、これに代え、モールド用のテープを、加工シートのハーフエッチング面側ではない側を覆うように、平面状に貼り、半導体素子の裏面をテープにて貼り固定するテープ貼り工程と、（ｆ）表裏をモールド固定用の平板にて挟み、加工シート全体について、一括してモールドを行う、一括モールド工程と、（ｇ）表裏のモールド固定用の平板、テープを除去し、切断用のテープを貼り、該切断用のテープとは反対側からダイシングソーにて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る個片化工程と、を行うことを特徴とするものである。
そして、上記の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、平板状の真空引き板が、全面に真空吸着用の孔を配設したものであることを特徴とするものである。
あるいは、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、順に、（Ａ）１つの樹脂封止型半導体装置の各端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工にて、端子部材の外部端子部側を支持部で連結した状態で、面付けして形成し、面付け形成された加工シートを得る加工工程と、（Ｂ）接続用の表面めっきを施すめっき処理工程と、（Ｃ）面付け形成された加工シートのハーフエッチング面側ではない側を覆うようにモールド用のテープを貼り、面付け分だけ、半導体素子を所定の位置に位置決めして、その端子面側ではない裏面を前記テープに貼り付け搭載する半導体素子搭載工程と、（Ｄ）この状態で、各半導体素子について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、（Ｅ）表裏をモールド固定用の平板にて挟み、加工シート全体について、一括してモールドを行う、一括モールド工程と、（Ｆ）表裏のモールド固定用の平板、テープを除去し、切断用のテープを貼り、該切断用のテープとは反対側からダイシングソーにて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る個片化工程と、を行うことを特徴とするものである。
【０００８】
本発明の積層型樹脂封止型半導体装置は、上記本発明の樹脂封止型半導体装置の１つ以上を、複数、積層したもので、それぞれ、上側の樹脂封止型半導体装置の下側の外部端子部の端子面と、下側の樹脂封止型半導体装置の上側の外部端子部の端子面とを、重ね合せて電気的に接続していることを特徴とするものである。
そして、上記の積層型樹脂封止型半導体装置において、樹脂封止型半導体装置の２つ以上が互いにその側面同志を合せて電気的に接続していることを特徴とするものである。
そしてまた、上記の積層型樹脂封止型半導体装置において、上側の樹脂封止型半導体装置の外部端子部の側面の端子面と、下側の樹脂封止型半導体装置の外部端子部の側面の端子面とを、電気的に接続していることを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】
本発明の樹脂封止型半導体装置は、このような構成にすることにより、、半導体部品の更なる薄型化を廉価に達成できるパッケージの提供を可能としており、特に、システムパッケージをスタック構造にて実現するための薄型の樹脂封止型半導体装置で、且つ、量産性の良い構造のものの提供を可能としている。
そして、これにより、システムパッケージをスタック構造にて実現する積層型樹脂封止型半導体装置の提供を可能としている。
即ち、ハーフエッチング法にて作製され、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、内部端子部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材と、前記加工用素材の厚さより薄い半導体素子とを用い、ダイパッドのない構造で、半導体素子の端子面側でない面を露出し、加工用素材の厚さ幅内に全体を収めて樹脂封止していることにより、半導体素子自体の厚さの薄化に対応して、薄型化が達成できるものとしている。
具体的には、各端子部材の内部端子部は、そのハーフエッチング面側を端子面とし、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにして、周辺部に、内部端子部側を内側に向け、各端子部材を配し、外部端子部の表裏面と外側側面とを端子面として露出させており、半導体素子を、各端子部材の内部端子部から離れた位置に、その端子面を、端子部材のハーフエッチング面側と同じ向きにして、且つ、その端子面でない側の面である裏面を、各端子部材のハーフエッチング面に対向する側の面に、揃えて、ダイパッドなしで、樹脂中に、前記裏面を露出させるようにして、配置していることにより、これを達成している。
また、ワイヤボンディング接続をとっていることにより、接続作業性を良いものとし、且つ、接続信頼性を良いものとしている。
また、後述する、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法により、面付け状態で作製でき、量産性の良い構造といえる。
外部端子部の外側側面部に切り欠け部を設けていることにより、個片化の際の切断を容易なものとしている。
特に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態で一括モールドが簡単に行え、量産性、設備の面からも好ましい構造と言える。
端子部材としては、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなるものが挙げられる。
また、内部端子部の端子面および外部端子部の表裏の端子面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層を、接続用のめっき層としていることにより、ワイヤボンディング接続を信頼性良いものとしている。
また、半導体素子の端子面側でない面を露出させるようにして、配置していることにより、ダイパッドレスからパッケージ内の半導体素子上のレジン厚を増し、組み立て加工し易いものとしており、より放熱性に優れるものとしている。
【００１０】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、このような構成にすることにより、請求項１の発明の薄型の樹脂封止型半導体装置を、量産性良く製造できるものとしている。
【００１１】
本発明の積層型樹脂封止型半導体装置は、このような構成にすることにより、システムパッケージを、樹脂封止型半導体装置を積層したスタック構造にて実現できる積層型樹脂封止型半導体装置の提供を可能としている。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例の一部断面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ１側から透視してみた図で、  図２（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例の一部断面図で、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ１側から透視してみた図で、図３は本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の第１の例の製造工程断面図で、図４は本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の第２の例の製造工程断面図で、図５は本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例の断面図で、図６は本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例の断面図で、図７は本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第３の例の断面図で、図８は本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例の断面図で、図９（ａ）（ロ）は本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例の断面図で、図９（ａ）（イ）は図９（ａ）（ロ）のＤ１側から透視してみた図で、図９（ｂ）（ロ）は本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例の断面図で、図９（ｂ）（イ）は図９（ｂ）（ロ）のＤ２側から透視してみた図で、図１０はダイシングソーによる切断状態を示した図である。
尚、図１（ａ）は図１（ｂ）のＡ１−Ａ２側から見た図で、図２（ａ）は図２（ｂ）のＢ１−Ｂ２側から見た図であり、図３〜図９においては、分かり易くするために、半導体素子の端子部は省略して示している。
また、図３（ｈ）、図４（ｉ）における両方向矢印は、ダイシングソーの昇降方向を示している。
図１〜図１０中、１０１〜１０４、１０１ａ〜１０４ａ、１０１ｂ〜１０４ｂ、１０１ｃ〜１０４ｃは樹脂封止型半導体装置、１１０は端子部材、１１１は外部端子部、１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃは端子面、１１２は内部端子部、１１２ａは端子面（ハーフエッチング面）、１１３は連結部、１１４は切り欠け部、１２０は半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）、１２１は端子、１３０はボンディングワイヤ、１４０は封止用樹脂、２１０は加工用素材、２１０Ａは加工シート、２２０はレジスト、２３０は端子部材、２３１は外部端子部、２３２は内部端子部、２３３は連結部、２３５は支持部（連結部とも言う）、２３７は凹部、２３７Ａは切り欠け部、２４０は平板状の多孔板（真空引き板とも言う）、２５０は半導体素子、２６０はボンディングワイヤ、２７０は（固定用、モールド用の）テープ、２７５は（ダイシング用の）テープ、２８０は封止用樹脂、３０１は単位の樹脂封止型半導体装置、３１０は加工用素材、３１０Ａは加工シート、３１５は枠部、３１６は治具孔、３１７は長孔部、３２０はレジスト、３３０は端子部材、３３５は支持部（連結部とも言う）、３３７は凹部、３３７Ａは切り欠け部、３４０は（固定用、モールド用の）テープ、３４５は（切断用の）テープ、３５０は半導体素子、３６０はボンディングワイヤ、３７１、３７２はモールド固定用の平板、３８０は封止用樹脂、３８５は切断ライン、４０１〜４０８は樹脂封止型半導体装置、４３０は端子部材、４５０は半導体素子、４６０はボンディングワイヤ、５０１〜５０８は樹脂封止型半導体装置、５３０は端子部材、５５０は半導体素子、５６０はボンディングワイヤである。
である。
【００１３】
はじめに、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例を図１に基づいて説明する。
第１の例は、加工用素材（図示していない）から、外部回路と接続するための外部端子部を加工用素材の厚さの厚肉にして、半導体素子と接続するための内部端子部をハーフエッチングにて薄肉にして、且つ、外部端子部と内部端子部とを一体的に連結してエッチング加工された端子部材１１０を、複数個と、前記加工用素材の厚さより薄い半導体素子１２０とを用い、半導体素子１２０の所定の端子部１２１と所定の端子部材１１０の内部端子部１１２とをワイヤボンディング１３０にて接続して、前記加工用素材の厚さ幅内に全体を収め、加工用素材の厚さ幅に揃えて樹脂封止した、平板状方形の、積層型樹脂封止型半導体装置用の樹脂封止型半導体装置である。
各端子部材１１０の内部端子部１１２は、そのハーフエッチング面側を端子面１１２ａとし、各端子部材１１０を同じ向きにし、外部端子部１１１の表裏の面１１１ａ、１１１ｂおよび内部端子部１１２の端子面１１２ａが、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、内部端子部１１２側を内側に向けて、各端子部材１１０を配しており、外部端子部１１１の表裏面と外側側面とを端子面（１１１ａ，１１１ｂ、１１１ｃ）として露出させている。
また、半導体素子１２０を、各端子部材１１０の内部端子部１１１から離れた位置に、その端子１２１側の面である端子面を、端子部材１１０のハーフエッチング面側と同じ向きにして、且つ、その端子面でない側の面である裏面を、各端子部材１１０のハーフエッチング面に対向する側の面に、揃えて、ダイパッドなしで、樹脂中に、前記裏面を露出させるようにして、配置している。
【００１４】
本例は、ダイパッドのない構造で、半導体素子の端子面側でない面を露出し、加工用素材の厚さ幅内に全体を収めて樹脂封止していることにより、半導体素子自体の厚さを薄化に対応して、薄型化が達成できる。
例えば、端子部材１１０の加工用素材の板厚を０．  ２ｍｍ厚とした場合、０．  １ｍｍ〜０．  ０２５ｍｍ厚の半導体素子を用いることにより、本例の樹脂封止型半導体装置を加工用素材の板厚０．  ２ｍｍにすることができる。
また、本例においては、ワイヤボンディング接続をとっていることにより、接続作業性を良いものとし、且つ、接続信頼性を良いものとしている。
また、本例は、後述する、（図３、図４に示す）本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法により、面付け状態で作製できる、量産性に適した構造といえる。
また、本例は、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
【００１５】
端子部材１１０は、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金等が挙げられるが、通常は、導電性等から、Ｃｕ、Ｃｕ系合金が用いられる。
第１の例においては、外部端子部１１１の外側側面の端子面１１１ｃは切断部で、それ以外の表面には、接続用のめっき層が設けられている。
接続用のめっき層としては、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層が用いられる。
封止用樹脂１４０としては、通常、エポキシ系のものが用いられるが、これに限定はされない。
【００１６】
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例を図２に基づいて説明する。
第２の例の樹脂封止型半導体装置も、第１の例と、同様、加工用素材（図示していない）から、外部回路と接続するための外部端子部を加工用素材の厚さの厚肉にして、半導体素子と接続するための内部端子部をハーフエッチングにて薄肉にして、且つ、外部端子部と内部端子部とを一体的に連結してエッチング加工された端子部材１１０を、複数個と、前記加工用素材の厚さより薄い半導体素子１２０とを用い、半導体素子１２０の所定の端子部１２１と所定の端子部材１１０の内部端子部１１２とをワイヤボンディング１３０にて接続して、前記加工用素材の厚さ幅内に全体を収め、加工用素材の厚さ幅に揃えて樹脂封止した、平板状方形の、積層型樹脂封止型半導体装置用の樹脂封止型半導体装置で、第１の例において、半導体素子を、第１の例とは異なり、端子をその中心に１列にその対向する２辺に沿うように設けたものに代えて、ワイヤボンディング接続したものである。
それ以外は、第１の例と同じで、各部についても同じものを用いた。
【００１７】
本例における半導体素子１２０はその周辺の対向する２辺に沿い端子１２１を設けているため、これに合せて、端子部材１１０を半導体装置の周辺２辺に沿い配しているが、これに限定はされない。
第１の例、第２の例の樹脂封止型半導体装置の変形例としては、その周辺４辺に沿い端子を設けた半導体素子を用い、端子部材を半導体装置の周辺４辺に沿い配しているものも挙げられる。
【００１８】
第１の例の樹脂封止型半導体装置は、例えば、図５のように、同サイズのもの４個を積層して、積層型樹脂封止型半導体装置として用いられる。
また、第２の例の樹脂封止型半導体装置は、例えば、図６のように、同サイズのもの４個を積層して、積層型樹脂封止型半導体装置として用いられる。
これらの積層型樹脂封止型半導体装置の場合、それぞれ、上側の樹脂封止型半導体装置の下側の外部端子部の端子面と、下側の樹脂封止型半導体装置の上側の外部端子部の端子面とを、重ね合せて電気的に接続している。
また、例えば、図７に示すように、同サイズの、第１の例の樹脂封止型半導体装置と第２の例の樹脂封止型半導体装置とを用いて、これらを重ね、積層型樹脂封止型半導体装置として用いられる。
あるいはまた、例えば、図８に示すように、第１の例の樹脂封止型半導体装置、第２の例の樹脂封止型半導体装置の、異サイズのものを重ね、積層型樹脂封止型半導体装置として用いられる。
【００１９】
更に、例えば、図９（ａ）に示すように、同サイズの、８個の第１の例の樹脂封止型半導体装置４０１〜４０８を用いて、横方向に２個を互いに向きを逆にして、その側面同志を合せて電気的に接続したものを更に４層重ねした構造の積層型樹脂封止型半導体装置も挙げられる。
また、図９（ｂ）に示すように、同サイズの、８個の第２の例の樹脂封止型半導体装置５０１〜５０８を用いて、横方向に２個を互いに向きを同じにして、その側面同志を合せて電気的に接続したものを更に４層重ねした構造の積層型樹脂封止型半導体装置も挙げられる。
接続される側面同志は導電性ペーストにより接続される。
この場合、図９（ａ）、図９（ｂ）において、各外部端子部▲１▼〜▲８▼については、例えば、▲１▼を電源端子、▲２▼をグランド端子、▲３▼〜▲７▼をＩ／Ｏ端子、▲８▼をスイッチ端子とし、側面同志の接続、ワイヤボンディング接続は回路的に問題のないようにする。
尚、重ねる樹脂封止型半導体装置の層数としては、４層に限定はされない。
また、第１の例の、あるいは第２の例の樹脂封止型半導体装置を３つ以上を互いにその側面同志を合せて電気的に接続したものも挙げられ、更に、これを２層以上にしたものも挙げられる。
更に、上記のものに、上下の樹脂封止型半導体装置の側面を接続用に用いる形態を併用したものも挙げられる。
【００２０】
次いで、第１の例の樹脂封止型半導体装置の製造方法の１例を図３に基づいて説明する。
尚、これを以って、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の１例の説明に代える。
先ず、加工用素材２１０の両面に所定形状にレジスト２２０を配設し（図３（ａ））、１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、この配置状態に、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工法にて、両面からエッチングを行い、端子部材２３０を、支持部２３５にて連結した状態で、面付けして形成する。（図３（ｂ））
これにより、１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、これが支持部２３５にて連結され面付けされた、加工シート２１０Ａを得る。
加工用素材２１０としては、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２合金（Ｎｉ４２％−Ｆｅ合金）等が用いられ、エッチング液としては、塩化第二鉄溶液が用いられる。
また、レジスト２２０としては、耐エッチング性のもので、所望の解像性を有し、処理性の良いものであれば特に限定はされない。
次いで、レジスト２２０を除去後、洗浄処理等を施し、全面に接続用の表面めっきを施した（図示していない）後、面付け形成され、表面めっきが施された加工シート２１０Ａのハーフエッチング面側ではない側を平板状の多孔板２４０にて真空引きし、加工シート２１０Ａを多孔板２４０に密着させた状態で（図３（ｃ））、面付け分の数だけ、半導体素子２５０を所定の位置に位置決めして、その端子面側ではない裏面を真空引き用の多孔板２４０にて真空引きして、該多孔板２４０に搭載する。（図３（ｄ））
尚、真空ポンプ、真空配管等、真空引き用の多孔板２４０の真空引き源は別にあるが、ここでは図示していない。
次いで、この状態で、各半導体素子２５０について、その端子（図１の１２１に相当）と端子部材２３０の内部端子部（図１の１１２に相当）のハーフエッチング面である端子面とをワイヤボンディング接続する。（図３（ｅ））
次いで、多孔板２４０を外し、これに代え、モールド用のテープ２７０を、加工シート２１０Ａのハーフエッチング面側ではない側を覆うように、平面状に貼り、半導体素子２５０の裏面をテープ２７０にて貼り固定、表裏をモールド固定用の平板（図示していない）にて挟み、加工シート２１０Ａ全体について、一括してモールドを行い、表裏のモールド固定用の平板を取り外す。（図３（ｆ））尚、加工シート２１０Ａの端子部材２３０を支持する支持部２３５は、通りぬけ孔等を設けたもので、モールドの際、各面付け間モールド用の樹脂が通りぬけできるような形状になっている。
次いで、モールド用のテープ２７０を剥がし、切断用のテープ２７５を貼り、（図３（ｇ））該切断用のテープ２７５とは反対側からダイシングソー（図示していない）にて切断して（図３（ｈ））、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る。（図３（ｉ））
ダイシングソー（図示していない）による切断は、（図３（ｈ）に示すように、凹部２３７にて行うもので、この部分は加工用素材の厚さより薄肉で、容易に切断できるものとしている。
ダイシングソー（図示していない）による切断状態は、例えば、図１０（ａ）や、図１０（ｂ）のようになる。
尚、図１０において、単位の樹脂封止型半導体装置３０１は、切断ライン３８５にて互いに分けられた各領域であり、ここでは、説明を分かり易くするため図示していないが、図３の支持部２３５を凹部２３７で切断する。
加工シート３１０Ａは、フレームとも呼ばれる。
また、この切断面が、作製される樹脂封止型半導体装置の外部端子の外側側面となる。
尚、切り欠け部２３７Ａの切断された面でない面には接続用のめっきが配設されておりこの部分は接続用に利用し易い。
このようにして、図１に示す第１の例の樹脂封止型半導体装置は製造することができる。
【００２１】
次いで、第１の例の樹脂封止型半導体装置の製造方法の別の１例を図４に基づいて説明する。
尚、これを以って、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の１例の説明に代える。
先ず、加工用素材３１０の両面に所定形状にレジスト３２０を配設し（図４（ａ））、１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、この配置状態に、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工法にて、両面からエッチングを行い、端子部材３３０を、支持部３３５にて連結した状態で、面付けして形成する。（図４（ｂ））
これにより、１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、これが支持部２３５にて連結され面付けされた、加工シート２１０Ａを得る。
次いで、レジスト３２０を除去後、洗浄処理等を施し、全面に接続用の表面めっきを施した（図示していない）後、面付け形成され、表面めっきが施された加工シート３１０Ａのハーフエッチング面側ではない側を覆うようにモールド用のテープ３４０を貼り（図４（ｃ））、面付け分の数だけ、半導体素子３５０を所定の位置に位置決めして、その端子面側ではない裏面を前記テープ３４０に貼り付け搭載する。（図４（ｄ））
次いで、この状態で、各半導体素子について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続する。（図４（ｅ））
次いで、表裏をモールド固定用の平板３７１、３７２にて挟み、加工シート３１０Ａ全体について、一括してモールドを行う。（図４（ｆ））
次いで、表裏のモールド固定用の平板３７１、３７２を除去し（図４（ｇ））、更にテープ３４０を除去し、切断用のテープ３４５を貼り（図４（ｈ））、該切断用のテープ３４５とは反対側からダイシングソー（図示していない）にて切断して（図４（ｉ））、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る。（図４（ｊ））
尚、図４に示す製造方法においても、各工程の処理、各部材等は基本的に図３に示す製造方法に準じるもので、ここでは、説明を省いている。
このようにして、図１に示す第１の例の樹脂封止型半導体装置は製造することができる。
【００２２】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、更なる薄型化を廉価に達成でき、且つ、量産性に適した構造の樹脂封止型半導体装置の提供を可能とした。
更に、このよう薄型の樹脂封止型半導体装置を複数積層した、積層型樹脂封止型半導体装置の提供を可能とした。
これにより、いわゆるスタック構造にてシステムパッケージを実現できるものとした。
これと同時に、このような薄型の樹脂封止型半導体装置の製造方法の提供を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例の一部断面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ１側から透視してみた図である。
【図２】図２（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例の一部断面図で、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ１側から透視してみた図である。
【図３】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の第１の例の製造工程断面図である。
【図４】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の第２の例の製造工程断面図である。
【図５】本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例の断面図である。
【図６】本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例の断面図である。
【図７】本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第３の例の断面図である。
【図８】本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例の断面図である。
【図９】図９（ａ）（ロ）は本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例の断面図で、図９（ａ）（イ）は図９（ａ）（ロ）のＤ１側から透視してみた図で、図９（ｂ）（ロ）は本発明の積層型樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例の断面図で、図９（ｂ）（イ）は図９（ｂ）（ロ）のＤ２側から透視してみた図である。
【図１０】ダイシングソーによる切断状態を示した図である。
【符号の説明】
１０１〜１０４              樹脂封止型半導体装置
１０１ａ〜１０４ａ          樹脂封止型半導体装置
１０１ｂ〜１０４ｂ          樹脂封止型半導体装置
１０１ｃ〜１０４ｃ          樹脂封止型半導体装置
１１０                      端子部材
１１１                      外部端子部
１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ  端子面
１１２                      内部端子部
１１２ａ                    端子面（ハーフエッチング面）
１１３                      連結部
１１４                      切り欠け部
１２０                      半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）
１２１                      端子
１３０                      ボンディングワイヤ
１４０                      封止用樹脂
２０１                      単位の樹脂封止型半導体装置
２１０                      加工用素材
２１０Ａ                    加工シート
２２０                      レジスト
２３０                      端子部材
２３１                      外部端子部
２３２                      内部端子部
２３３                      連結部
２３５                      支持部（連結部とも言う）
２３７                      凹部
２３７Ａ                    切り欠け部
２４０                      平板状の多孔板（真空引き板とも言う）
２５０                      半導体素子
２６０                      ボンディングワイヤ
２７０                    （固定用、モールド用の）テープ
２７５                    （ダイシング用の）テープ
２８０                      封止用樹脂
３０１                      単位の樹脂封止型半導体装置、
３１０                      加工用素材
３１０Ａ                    加工シート
３１５                      枠部
３１６                      治具孔
３１７                      長孔部
３２０                      レジスト
３３０                      端子部材
３３５                      支持部（連結部とも言う）
３３７                      凹部
３３７Ａ                    切り欠け部
３４０                    （固定用、モールド用の）テープ
３４５                    （切断用の）テープ
３５０                      半導体素子
３６０                      ボンディングワイヤ
３７１、３７２              モールド固定用の平板
３８０                      封止用樹脂
３８５                      切断ライン
４０１〜４０８              樹脂封止型半導体装置
４３０                      端子部材
４５０                      半導体素子
４６０                      ボンディングワイヤ
５０１〜５０８              樹脂封止型半導体装置
５３０                      端子部材
５５０                      半導体素子
５６０                      ボンディングワイヤ
【図１】
2004319577.tif 000003
【図２】
2004319577.tif 000004
【図３】
2004319577.tif 000005
【図４】
2004319577.tif 000006
【図５】
2004319577.tif 000007
【図６】
2004319577.tif 000008
【図７】
2004319577.tif 000009
【図８】
2004319577.tif 000010
【図９】
2004319577.tif 000011
【図１０】
2004319577.tif 000012