(57)【要約】【課題】有機ＴＦＴ素子の信頼性を向上させ、安価に、大面積作製を達成し、次世代表示素子への応用を可能とさせることができる構造の有機ＴＦＴ素子を提供する。【解決手段】本発明の有機ＴＦＴ素子は、第１の基材１００上に第１の有機絶縁膜１２０を形成し、その上に有機半導体材料からなるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１３０を形成後、第２の有機絶縁膜１１０を積層した構造からなることを特徴とし、第１の有機絶縁膜１２０と第２の有機絶縁膜１１０を用いて有機ＴＦＴ１３０を挟み込む構造とし、有機ＴＦＴを不活性化させることにより、経時変化の少ない有機ＴＦＴ素子の提供が可能になる。また、第１の有機絶縁膜１２０と第２の有機絶縁膜１１０を同質の材料から構成することにより、製造工程が簡略化され、素子の製造コストの低減をもたらすことができる。【選択図】　　　　　　　図１
2004072049.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基材上に形成される有機ＴＦＴ素子において、
第１の基材上に第１の有機絶縁膜を形成し、その上に有機半導体材料からなるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成後、第２の有機絶縁膜を積層した構造からなることを特徴とする有機ＴＦＴ素子。
【請求項２】
請求項１記載の有機ＴＦＴ素子において、
前記第１の有機絶縁膜と前記第２の有機絶縁膜が同質の有機物材料から形成されることを特徴とする有機ＴＦＴ素子。
【請求項３】
請求項１記載の有機ＴＦＴ素子において、
ゲート絶縁膜が第１の有機物材料及び第２の有機物材料と同質であることを特徴とする有機ＴＦＴ素子。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一つに記載の有機ＴＦＴ素子において、
その構成部位である有機絶縁膜が、有機物原料または、そのガスを用いた化学気相堆積法により形成された有機物膜であることを特徴とする有機ＴＦＴ素子。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一つに記載の有機ＴＦＴ素子において、
前記有機絶縁膜がパリレン材料からなることを特徴とする有機ＴＦＴ素子。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一つに記載の有機ＴＦＴ素子を製造する際の製造方法において、
第１の基材上に第１の有機絶縁膜を形成する工程と、その上に有機半導体材料からなるＴＦＴを形成する工程と、その上に第２の有機絶縁膜を積層する工程を有し、前記有機絶縁膜の形成工程では、有機物原料または、そのガスを用いた化学気相堆積法により有機物膜を形成することを特徴とする有機ＴＦＴ素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至５の何れか一つに記載の有機ＴＦＴ素子を用い、該有機ＴＦＴ素子を第２の基材に接合した後、第１の基材と第１の有機絶縁膜界面で剥離して第２基材上に有機ＴＦＴを転写してなることを特徴とする有機ＴＦＴ素子。
【請求項８】
請求項６記載の有機ＴＦＴ素子の製造方法により有機ＴＦＴ素子を作製する工程と、該有機ＴＦＴ素子を第２の基材に接合する工程と、その接合後に第１の基材と第１の有機絶縁膜界面で剥離して第２基材上に有機ＴＦＴを転写する工程とを有することを特徴とする有機ＴＦＴ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機半導体材料を用いたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子に関するものであり、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）の信頼性を高め、また、構成材料の同一化を図り、製造コストを低減し、更に、使用する基板の制約を無くし、プラスチック基板などに有機ＴＦＴを形成してなる有機ＴＦＴ素子とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＴＦＴ素子はＳｉ半導体デバイスと異なり、安価で、大面積化が可能、プラスチック基板上に形成可能、さらに機械的衝撃に対し安定であるなどの事から、次世代表示素子などの応用を想定した研究が精力的になされている。
しかし、有機ＴＦＴ素子は、大気中の水分、酸素などの影響により特性劣化が著しいという問題がある。
ガラス基板上の有機ＴＦＴは素子形成後、パッシベーション膜にて、この水分、酸素を遮蔽することが試みられているが、パッシベーションとして発生する問題として、有機ＴＦＴの有機層が極めて高い温度（すなわち、一般に約１００℃を上回る温度）には絶えられないため、効果的なパッシベーション膜は得られていない。
【０００３】
特開平９−１６１９６７号公報においては、プラスチック基板上に形成される有機薄膜素子の不活性化方法が提案されている。この発明ではプラスチック基板固有の問題点、すなわち基板側からの透過酸素、および水分からの有機半導体素子不活性化が提案され、それは無機物、有機物の各々の積層多層膜を配置することを特徴としている。しかしながら、この従来技術においては、積層膜の高信頼性化にかかわる問題や、工程数の増加による煩雑さ、製造コストの上昇等の問題を含んでいる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、従来技術の問題点を解決し、有機ＴＦＴ素子の信頼性を向上させ、安価に、大面積作製を達成し、次世代表示素子への応用を可能とさせることができる構造の有機ＴＦＴ素子及びその製造方法を提供することを課題
（目的）とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための手段として、請求項１に係る発明は、第１の基材上に形成される有機ＴＦＴ素子において、第１の基材上に第１の有機絶縁膜を形成し、その上に有機半導体材料からなるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成後、第２の有機絶縁膜を積層した構造からなることを特徴としている。
また、請求項２に係る発明は、請求項１記載の有機ＴＦＴ素子において、前記第１の有機絶縁膜と前記第２の有機絶縁膜が同質の有機物材料から形成されることを特徴としている。
さらに請求項３に係る発明は、請求項１記載の有機ＴＦＴ素子において、ゲート絶縁膜が第１の有機物材料及び第２の有機物材料と同質であることを特徴としている。
さらに請求項４に係る発明は、請求項１乃至３の何れか一つに記載の有機ＴＦＴ素子において、その構成部位である有機絶縁膜が、有機物原料または、そのガスを用いた化学気相堆積法により形成された有機物膜であることを特徴としている。
さらに請求項５に係る発明は、請求項１乃至４の何れか一つに記載の有機ＴＦＴ素子において、前記有機絶縁膜がパリレン材料からなることを特徴としている。
【０００６】
請求項６に係る発明は、請求項１乃至５の何れか一つに記載の有機ＴＦＴ素子を製造する際の製造方法において、第１の基材上に第１の有機絶縁膜を形成する工程と、その上に有機半導体材料からなるＴＦＴを形成する工程と、その上に第２の有機絶縁膜を積層する工程を有し、前記有機絶縁膜の形成工程では、有機物原料または、そのガスを用いた化学気相堆積法により有機物膜を形成することを特徴としている。
【０００７】
請求項７に係る発明は、請求項１乃至５の何れか一つに記載の有機ＴＦＴ素子を用い、該有機ＴＦＴ素子を第２の基材に接合した後、第１の基材と第１の有機絶縁膜界面で剥離して第２基材上に有機ＴＦＴを転写してなることを特徴としている。
また、請求項８に係る発明は、請求項６記載の有機ＴＦＴ素子の製造方法により有機ＴＦＴ素子を作製する工程と、該有機ＴＦＴ素子を第２の基材に接合する工程と、その接合後に第１の基材と第１の有機絶縁膜界面で剥離して第２基材上に有機ＴＦＴを転写する工程とを有することを特徴としている。
【０００８】
【発明の実施の形態】
前述の課題を解決するため、本発明では、第１の実施形態として、第１の基材上に第１の有機絶縁膜を形成し、その上に有機ＴＦＴを作製し、第２の有機絶縁膜にてパッシベーションを行う。第１、第２の有機絶縁膜は、水、酸素の遮蔽性に優れた材料を用い、また、両者を共通材料にすることで、製造装置の簡略化、工程の簡素化を図り、製造コストの低減を実現させる。
本発明の有機ＴＦＴにシリコン（Ｓｉ）デバイスに用いられている電界効果型トランジスタを採用し、そのトランジスタ構成部位であるゲート絶縁膜を前記、第１、第２の有機絶縁膜と共通の材料にすることで、同様に製造装置の簡略化、工程の簡素化が図れる。
【０００９】
また、第２の実施形態として、第１の基材にＳｉウェハ、ガラス基板、セラミックス基板を用い、形成した場合でも、その素子をプラスチック基板に転写することで、最終的にプラスチック基板上に配置した有機ＴＦＴ素子が得られる。このようにして出来上がる有機ＴＦＴ素子は、機械的衝撃に対して破壊されること無く、従って大画面表示のシート状ディスプレイに好適である。
【００１０】
本発明において、第１の基材にはＳｉウェハ、ガラス基板、セラミック基板や、プラスチックシートが用いられる。第１の有機絶縁膜の好ましい性質として、水、酸素などの透過に対する遮蔽性が優れていること、後述のＴＦＴ作製時の化学薬品に対する耐性に優れていること、ＴＦＴ作製時のプロセス温度に対し耐熱性を有すること、さらに本発明の第２の実施形態において、有機ＴＦＴ素子を形成後、接着剤にて第２の基材に接合し、その後、適切な条件の下、第１の基材から剥離・転写を行うため、機械的強度に優れていること、並びに、剥離時に容易に剥離可能であることを満たすものである。さらに、表示素子として有機ＥＬ材料を用いた場合、透明であることが要求される。また、第２の基材にプラスチックシートを用いた場合、これら有機膜の内部応力にて、基材が変形してしまうことがあるので、内部応力を持たないことが要求される．
【００１１】
この様な、好適な有機絶縁膜の形成方法として、化学気相堆積法（化学気相成膜法（ＣＶＤ法））にて成膜することが望ましい。この場合、有機絶縁膜の具体的な材料としてパリレン材料を用いることが可能である。
パリレン膜とは米国のユニオン・カーバイド・ケミカルズ・アンド・プラスチック社が開発したポリパラキシリレン樹脂からなる気相合成法によるコーティング膜である。このコーティング膜は原料であるジパラキシリレン固体ダイマーを気化、熱分解し、このとき発生した安定なジラジカルパラキシリレンモノマーが基材上において吸着と重合の同時反応を起こすことによって形成される。このコーティング膜は従来の液状コーティングや粉末コーティングでは不可能な精密コーティングが可能である他、コーティング時の被着物の形状、材質を選ばない、室温でのコーティングが可能であるなど、他に類の無い数々の優れた特質を有する事により、超精密部品のコーティングをはじめ、汎用品のコーティングに至るまで、最適なコンフォーマル（同型）コーティング被膜として知られている。具体的にはハイブリッドＩＣの絶縁膜コーティング、ディスクドライブ部品のダスト粉の発生防止、ステッピングモーターの潤滑用膜、生体材料の腐食防止膜にその応用例を見ることができる．
【００１２】
本発明において、この様な第１の有機絶縁膜上に有機ＴＦＴを形成する。その後、パッシベーション膜（第２の有機絶縁膜）を形成する。
第２の有機絶縁膜は下地段差を十分被覆できることが第１の有機絶縁膜性質に加味され、結果としてパリレン材を用いた化学気相成長法にて実施される。第１、第２の有機絶縁膜をこのパリレン膜で実施することにより、各要求性能を達成することが出来、さらに単一の製造装置にて作製され、工程の簡略化、低製造コストが実現される。また、同質の材料であるため、層間の密着力が優れていることは言うまでも無い。
【００１３】
有機ＴＦＴ素子の構成部材であるゲート絶縁膜もこのパリレン材にて行うことで、上述の効果が更に加速される。ＴＦＴゲート絶縁膜としては、高い絶縁破壊耐圧、低い誘電損失が要求され、パリレン材のそれらの値は、３ＭＶ／ｃｍ、０．０１５（１ＫＨｚ）である。この値は石英ガラス上に熱ＣＶＤで形成した多結晶シリコン膜の熱酸化膜と同等の性能を有する。
また、パリレン膜の酸素ガスバリア性（１００平方インチ当たりの１ミル換算、室温、１気圧、２４時間放置後；１ミルは１／１０００インチ）は７ｃｍ３であり、エポキシ系樹脂の５−１０と同等、また、シリコーン樹脂や尿素樹脂の約１０００分の１と小さい。
吸水率においてＡＳＴＭ（Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｆｏｒ　Ｔｅｓｔｉｎｇ　ａｎｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌ）試験Ｄ５７０の結果で、０．１％以下（ポリイミド樹脂のそれは１．４％）と各段に小さい値を示す。
【００１４】
本発明の第２の実施形態として、有機ＴＦＴを第２の基材に転写することで、いかなる基板上にも素子形成が可能になる。例えば、有機ＴＦＴを第１の基材上に作製し、接着剤を介して第２の基材に転写する技術は第１の基材と第１の有機絶縁膜界面の密着力の低下を生じさせることにより実行される。すなわち、第２の基材を接合した後、所望する形状に切断し、新たな断面を形成し、この断面より先述の界面に液相を侵入させ、密着力を低減後、剥離を行うものである。液相として、水、アルコール、アセトン、または一般の有機溶剤で可能である。有機ＴＦＴにダメージを与えることなく剥離するには、おおむね９０°剥離試験で１０ｇ／ｃｍ以下の密着力になっていれば良い。剥離は界面で実行されるので、有機ＴＦＴへのダメージは軽減される。すなわち、本発明の第２の実施形態によれば、最終的に製品に搭載される基板として、大型の基板、安価な基板、軽い基板、変形に耐え得る基板、割れない基板を用いることができるので、安価、軽量、耐衝撃性等に優れた有機ＴＦＴ素子を構成することができる。
以下、図面を参照して、本発明の具体的な実施の形態を説明する。
【００１５】
［第１の実施の形態］
図１は本発明の第１の実施形態を示す有機ＴＦＴ素子の概略要部断面図であり、第１の基材１００上に形成される有機ＴＦＴ素子の構成例である。その特徴は水、酸素からダメージを受けやすい有機ＴＦＴ層１３０が第１の有機絶縁膜１２０と第２の有機絶縁膜１１０で挟まれている構造を有することにある。
この有機ＴＦＴ素子の製造方法としては、まず図２に示すように、第１の基材１００上に第１の有機絶縁膜１２０を形成し、その上に有機半導体材料からなるＴＦＴ層１３０を形成する。そして図１に示すように、その有機ＴＦＴ層１３０上に第２の有機絶縁膜１１０を積層する。
ここで、第１の有機絶縁膜１２０及び第２の有機絶縁膜１１０の形成方法としては、前述したようにパリレン材料を用いた化学気相堆積法（ＣＶＤ法）にて有機物膜を成膜する。
尚、有機ＴＦＴは、図３に示すように逆スタガー構造のＴＦＴ構造を例示しており、有機半導体層１３１、ゲート絶縁膜１３２、ゲート電極１３３、およびソース・ドレイン電極１３４を備えている。
【００１６】
［第２の実施の形態］
次に本発明の第２の実施形態では、図４に示すように、図１に示す構造の有機ＴＦＴ素子の第２の有機絶縁膜１１０上に接着層１４０を介して第２の基材１５０を接着する。
接着層１４０を構成する接着剤の好適な例としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤等の接着剤が挙げられる。この接着剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等、いかなるものでもよい。このような接着層１４０の形成は、例えば塗布法によりなされる。
【００１７】
ここで、接着層１４０に硬化型接着剤を用いる場合には、例えば第２の有機絶縁膜１１０上に接着剤を塗布し、その上に第２の基材１５０を接合した後、接着剤の特性に応じた硬化方法により接着剤を硬化させて第２の有機絶縁膜１１０と第２の基材１５０とを接着固定する。
【００１８】
また、接着層１４０に光硬化型接着剤を用いた場合には、例えば第２の有機絶縁膜１１０上に接着剤を塗布し、その上に第２の基材１５０を接合した後、第１の基材１００が光透過性であれば第１の基材１００側から、また第２の基材１５０が光透過性であれば第２の基材１５０側から、のうちの何れか一方の側から接着剤に光を照射することにより接着剤を硬化させて、第２の有機絶縁膜１１０と第２の基材１５０とを接着固定する。尚、光透過性の第１の基材１００の側、および光透過性の第２の基材１５０の側の双方から接着剤に光を照射してもよい。ここで用いる接着剤としては、第２の有機絶縁膜１１０やその下層のＴＦＴ素子に影響を与えにくい紫外線硬化型等の接着剤が望ましい。
【００１９】
尚、第２の有機絶縁膜１１０の側に接着層１４０を形成する代わりに、第２の基材１５０の側に接着層１４０を形成し、この接着層１４０を介して、第２の有機絶縁膜１１０に第２の基材１５０を接着してもよい。また、第２の基材１５０自体が接着機能を有する場合等には、接着層１４０の形成を省略してもよい。
【００２０】
第２の基材１５０の機械的特性としては、製造する機器の種類によっては、ある程度の剛性（強度）を有するものが用いられるが、可撓性、弾性を有するものであってもよい。
第２の基材１５０としては、例えば、融点がそれほど高くない安価なガラス基板、シート状の薄いプラスチック基板、あるいはかなり厚めのプラスチック基板など、製造する機器の種類によって最適なものが用いられる。また、第２の基材１５０は、平板でなく、湾曲しているものであってもよい．
【００２１】
第２の基材１５０としてプラスチック基板を用いる場合に、それを構成する合成樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれでもよい。例えば、ポリエチレン、ポロプロピレン、エチレン−プレピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
【００２２】
第２の基材１５０としてプラスチック基板を用いた場合には、大型の第２の基材１５０を一体的に成形することができる。また、第２の基材１５０がプラスチック基板であれば、湾曲面や凹凸を有するもの等、複雑な形状であっても容易に製造することができる。さらに、第２の基材１５０がプラスチック基板であれば、材料コストや製造コストが低く済むという利点もある。それ故、第２の基材１５０がプラスチック基板であれば、大型で安価なデバイスを製造する際に有利である。
【００２３】
次に、図５に示すように、第１の基材１００と第１の有機絶縁膜膜１２０の界面から剥離を行う。この工程では、図４の積層体の端部を切断し、破断面の端部より液層を進入させて第１の有機絶縁膜１２０の密着力を低減させることが可能である。液層として水、アルコール類、一般の有機溶剤を用いることが可能である。また、これら液相は蒸気でもあっても良い。
従って、第１の基材１００と第１の有機絶縁膜膜１２０の界面に液層を進入させて第１の有機絶縁膜１２０の密着力を低減させることにより、図５に示すように、第１の基材１００を剥がすように力を加えれば、第１の基材１００を第１の有機絶縁膜１２０との界面で容易に剥がすことができる。
また、剥離後の第１の基材１００を再利用（リサイクル）することにより、製造コストの低減を図ることができる。
【００２４】
【実施例】
［実施例１］
本発明の第１の実施の形態の具体的な実施例として、第１の基材１００の側に、有機ＴＦＴ層１３０を形成した。
まずＳｉ基板からなる第１の基材１００上にパリレン膜からなる第１の有機絶縁膜１２０を形成する。本実施例では、４インチＳｉウェハを用い、パリレン膜を化学気相堆積法（ＣＶＤ法）にて成膜した。
パリレン膜は第三化成社製のｄｉＸ＿Ｃを原材料に、減圧下１００〜１７０℃の温度にて昇華させ、引き続き熱分解炉に導入する。熱分解温度は６５０℃にし、ダイマーの解離処理をさせた後、Ｓｉウェハを設置した成膜室に導入し、室温にて成膜する。この様にして膜厚１０μｍのパリレン膜を形成する。
【００２５】
次に、第１の有機絶縁膜（パリレン膜）１２０上に、有機ＴＦＴ層１３０を形成する。
有機ＴＦＴ１３０層の形成方法としては、まずゲート電極１３３として、Ｃｒ金属膜をスパッタリング法により、膜厚５０ｎｍ堆積させ、フォトリソグラフィー・エッチングにより所望するパターンのゲート電極１３３を形成する。
次にそのゲート電極１３３の上にゲート絶縁膜１３２を形成する。この膜は有機絶縁体膜をスピンコーティング法により形成する。具体例としては、有機絶縁体膜としてポリビニルブチラールを用い、１００ｎｍの膜厚のゲート絶縁膜１３２を形成する。
次にゲート絶縁膜１３２の上に有機半導体膜１３１を形成する。具体例としては、ポリヘキシルチオフェン有機半導体材料をスピンコーティング法により膜厚８０ｎｍ厚に形成する。
尚、素子のパターン化や、ゲート電極コンタクトはフォトリソグラフィーとエッチングによりなされる。また、或るレジストパターンはエッチング工程終了後、除去することなく、そのままコンタクトホールを有する層間絶縁膜として使用する。
次に有機半導体膜１３１の上にソース・ドレイン電極１３４を形成する。
次に以上のようにして形成された有機ＴＦＴ層１３０の上に、パッシベーション膜となる第２の有機絶縁膜１１０をパリレン材料を用いた化学気相堆積法（ＣＶＤ法）にて成膜する。
【００２６】
［比較例１］
実施例１で第１、第２の有機絶縁膜に用いたパリレン膜をポリイミド膜に代えて同様の構成の有機ＴＦＴ素子を作製し、有機ＴＦＴ素子の特性の経時変化を比較した。評価項目はトランジスタ静特性のソース・ドレイン間電圧を２０Ｖとし、ゲート電圧０Ｖ印加時にソース・ドレイン電流間に流れる電流（Ｉｏｆｆ）と、ゲート電圧２０Ｖ印加時にソース・ドレイン電流間に流れる電流（Ｉｏｎ）の比（オン・オフ比）を求め、先の実施例１で示した素子、及び比較例１で示した素子における経時変化を求めた。試料保管条件は、暗室、温度５０℃、湿度５０％である。
実施例１のパリレン膜試料の初期オン・オフ比は５×１０４、１０００時間後の値は３×１０４であり、ほぼ初期値と同等の値であった。一方、比較例１のポリイミド膜試料では初期オン・オフ比５．５×１０４、１０００時間後の値は５×１０３であり、１桁の減少が認められた。このオン・オフ比の低減はオフ電流値の上昇に起因していた。
【００２７】
［実施例２］
実施例１の有機ＴＦＴ１３０のゲート絶縁膜１３２にパリレン膜を用いた。ゲート絶縁膜１３２の成膜前までは実施例１と同様に作製した。用いたパリレン材料は蒸気圧が低いことにより成膜制御性に優れたフッ素含有のパリレンで、第三化成社製のｄｉＸ−Ｆを用い５００ｎｍの膜厚のゲート絶縁膜１３２を化学気相堆積法（ＣＶＤ法）で成膜した。
この実施例２の有機ＴＦＴ素子のオン・オフ比は４．５×１０４であり、従来品と同等の性能を示した。
【００２８】
［実施例３］
実施例１，２ではＳｉ基板上に形成した有機ＴＦＴ素子であったが、本実施例では、第２の実施の形態で述べた転写による第２の基材上の有機ＴＦＴ素子の作製例について説明する。
第１の基材１００上に有機ＴＦＴを作製する方法は、実施例２と同じである。ただし第１の有機絶縁膜１２０のパリレン膜厚は２０μｍとした。
次に図４に示すように、有機ＴＦＴ素子の第２の有機絶縁膜１１０上に形成する接着層として、エポキシ樹脂からなる接着層１４０を形成した後、この接着層１４０を介して、有機ＴＦＴ素子に対して、プラスチックシート（第２の基材）１５０を貼り付ける。次に、接着層１４０に８０℃以下の熱を加えてエポキシ樹脂を硬化させ、第２の基材１５０と有機ＴＦＴ素子の側とを接着する。尚、接着層１４０は紫外線硬化型接着剤でもよく、この場合には、第２の基材１５０側から紫外線を照射して紫外線硬化型接着剤を硬化させる。次に、第１の基材１００の一端部を切断し、第１の有機絶縁膜１２０との界面への液相進入経路を確保し、図５に示すように、剥離工程を実施する。液層としてはイソプロピルアルコールを用いた。
このようにして第１の基材１００と第１の有機絶縁膜（パリレン膜）１２０との界面で剥離現象を起こさせてから、第１の基材１００を剥がし、プラスチックシート（第２の基材）１５０に有機ＴＦＴを転写する。このようにして製造された有機ＴＦＴ素子は、曲げに強く、軽量であるために落下にも強いという利点を有する。
【００２９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明においては、第１の有機絶縁膜と第２の有機絶縁膜を用いて有機ＴＦＴを挟み込む構造とし、有機ＴＦＴを不活性化させることにより、経時変化の少ない有機ＴＦＴ素子の提供が可能になる。また、第１、第２の有機絶縁膜を同質の材料から構成することにより、製造工程が簡略化され、素子の製造コストの低減をもたらすことができる。さらに、有機ＴＦＴ素子を構成するゲート絶縁膜も第１、第２の有機絶縁膜と同質の材料にすることにより、さらなるコスト低減が図れる。また、第１の基材から有機ＴＦＴ素子を第２の基材（例えばプラスチック基材）に転写することにより、プラスチック基材上に有機ＴＦＴ素子の作製が可能になり、機械的強度に優れた大面積の有機ＴＦＴ素子を提供することができる。したがって、本発明によれば、有機ＴＦＴ素子の信頼性を向上させ、安価に、大面積作製を達成し、次世代表示素子への応用を可能とさせることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態を示す有機ＴＦＴ素子の概略要部断面図である。
【図２】第１の基材上に第１の有機絶縁膜と有機ＴＦＴ層を積層した状態を示す概略要部断面図である。
【図３】有機ＴＦＴの構造例を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施形態の説明図であり、図１に示す構造の有機ＴＦＴ素子に接着層を介して第２の基材を接着した状態を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施形態の説明図であり、図４に示す積層構造の状態から第１の基材を剥離して、第２の基材に有機ＴＦＴを転写した状態を示す図である。
【符号の説明】
１００：第１の基材
１１０：第２の有機絶縁膜
１２０：第１の有機絶縁膜
１３０：有機ＴＦＴ層
１３１：有機半導体
１３２：ゲート絶縁膜
１３３：ゲート電極
１３４：ソース・ドレイン電極
１４０：接着層
１５０：第２の基材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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