(57)【要約】【課題】スループットを向上させることができる基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】この基板処理装置は、処理部と単一の主搬送機構とを含んでそれぞれが構成されている反射防止膜用処理ブロック２とレジスト膜用処理ブロック３と現像処理ブロック４とを並設してある。異常発生時に、その異常に関わるブロックに基板Ｗを受け入れ禁止に制御するので、異常が解消されて受け入れを再開しても、その処理ブロック基板Ｗを即座に受け入れることができ、スループットを向上させることができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理を行う処理部と、その処理部に対して基板の受け渡しを行う主搬送機構とを含んで単一の処理ブロックを構成し、処理ブロックを並設して構成される基板処理装置であって、
主搬送機構を制御する制御手段を備え、
各処理ブロックに、その処理ブロックに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その処理ブロックから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とを区別して配設し、
制御手段は、異常発生時に、その異常に関わる処理ブロックに基板を受け入れ禁止に制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板処理を行う処理部と、その処理部に対して基板の受け渡しを行う主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、被制御ユニットを並設して構成される基板処理装置であって、
各被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡し動作を制御する制御手段を各被制御ユニットごとに備え、
各被制御ユニットに、その被制御ユニットに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その被制御ユニットから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とを区別して配設し、
各制御手段は、処理部に対する基板の受け渡しおよび基板載置部に対する基板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、各々独立して行い、
異常発生時に、その異常に関わる被制御ユニットに基板を受け入れ禁止に制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記受け入れ禁止時には、前記異常に関わる処理ブロックまたは被制御ユニットの前記主搬送機構が、搬送方向に対して前記入口基板載置部よりも下手側で搬送処理を行うように制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
前記入口基板載置部は、各処理ブロック間または各被制御ユニット間にわたって基板を順方向に搬送するときに使われる送り用入口基板載置部と、各処理ブロック間または各被制御ユニット間にわたって基板を逆方向に搬送するときに使われる戻り用入口基板載置部とからなり、
前記出口基板載置部は、各処理ブロック間または各被制御ユニット間にわたって基板を順方向に搬送するときに使われる送り用出口基板載置部と、各処理ブロック間または各被制御ユニット間にわたって基板を逆方向に搬送するときに使われる戻り用出口基板載置部とからなることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記順方向に関して異常の発生が認められた場合に、前記受け入れ禁止時には、前記異常に関わる処理ブロックまたは被制御ユニットの前記主搬送機構が、前記逆方向の搬送処理を行い、順方向に対して前記入口基板載置部よりも下手側で順方向の搬送処理を行うように制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記逆方向に関して異常の発生が認められた場合に、前記受け入れ禁止時には、前記異常に関わる処理ブロックまたは被制御ユニットの前記主搬送機構が、前記順方向の搬送処理を行い、逆方向に対して前記入口基板載置部よりも下手側で逆方向の搬送処理を行うように制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、基板の搬送状況を読み取って、前記異常に関わる処理ブロックまたは被制御ユニットに基板を受け入れ禁止にするか否かを決定することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理装置において、
前記処理ブロックまたは被制御ユニットの前記主搬送機構に異常が発生し、かつ、その処理ブロックまたはその被制御ユニットの前記入口基板載置部に基板が載置されたときに、
前記制御手段は、処理ブロックまたは被制御ユニットに基板を受け入れ禁止に制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項７に記載の基板処理装置において、
前記処理ブロックまたは被制御ユニットの前記処理部に異常が発生し、かつ、その処理ブロックまたはその被制御ユニットの前記入口基板載置部に基板が載置されたときに、
前記制御手段は、処理ブロックまたは被制御ユニットに基板を受け入れ禁止に制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板処理装置において、
前記処理部は、薬液処理を行う薬液処理部であって、
薬液処理を行うための薬液槽で薬液が所定量以下の残量になったときに、前記制御手段は、前記処理ブロックまたは被制御ユニットに基板を受け入れ禁止に制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の基板処理装置において、
前記処理部は、熱処理を行う熱処理部であって、
熱処理部の温度が、所定の設定温度から変化したときに、前記制御手段は、前記処理ブロックまたは被制御ユニットに基板を受け入れ禁止に制御することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板（以下、単に基板と称する）に対して基板処理を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような基板処理装置は、例えば、フォトレジスト膜を基板に塗布形成し、フォトレジスト膜が塗布されたその基板に対して露光処理を行い、さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ工程に用いられている。かかる基板処理装置では、塗布処理や現像処理などの各処理を行う処理部を並設して構成し、各処理部の間にわたって基板を搬送する搬送機構を備えている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−３３２４７６号公報（第４−５頁、図４）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来装置の場合には、異常が発生したときに装置全体の稼動を停止したり、装置の入口側あるいは出口側で処理部への基板の受け入れを禁止する。処理部を並設している関係で、実際に異常に関わる処理部と受け入れを禁止する入口側あるいは出口側との間で多数の処理部が介在し、それら処理部において処理あるいは搬送されている基板が多数存在するので、異常が発生したときに基板の受け入れを禁止すると、間に介在する基板の影響により基板処理の効率が悪くなる。
【０００５】
特に、図１８に示すように、処理部と、その処理部に対して基板の受け渡しを行う主搬送機構とを含んで単一の処理ブロック１０１を構成し、処理ブロック１０１を並設して構成した装置の場合には、例えば装置に入口側に相当するインデクサ１０２で処理部ブロック１０１への基板Ｗの受け入れを異常発生時に禁止すると、実際に異常に関わる処理ブロック１０３（図１８では斜線で示す）とインデクサ１０２との間で、多数の処理ブロック１０１が介在し、それら処理ブロック１０１において基板が多数存在する。従って、異常が解消されて受け入れを再開させようにも、それらの基板を処理しないことには受け入れられた基板は次に処理することができずに、基板処理の効率が悪くなる。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板処理を行う処理部と、その処理部に対して基板の受け渡しを行う主搬送機構とを含んで単一の処理ブロックを構成し、処理ブロックを並設して構成される基板処理装置であって、主搬送機構を制御する制御手段を備え、各処理ブロックに、その処理ブロックに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その処理ブロックから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とを区別して配設し、制御手段は、異常発生時に、その異常に関わる処理ブロックに基板を受け入れ禁止に制御することを特徴とするものである。
【０００８】
〔作用・効果〕請求項１に記載の発明によれば、基板処理が、並設された複数個の処理ブロックで順に行われる。各処理ブロックでは各々の主搬送機構が、隣接する処理ブロックから入口基板載置部を介して受け入れられた基板の搬送、処理部に対して基板の受け渡し、および隣接する処理ブロックへ出口基板載置部を介して払い出す基板の搬送を並行して行う。つまり、各処理ブロックの主搬送機構は同時並行的に作動する。さらに、異常発生時に、その異常に関わる処理ブロックに基板を受け入れ禁止に制御するので、異常が解消されて受け入れを再開しても、その処理ブロックの処理部に基板を即座に受け入れることができ、スループットを向上させることができる。
【０００９】
また、請求項２に記載の発明は、基板処理を行う処理部と、その処理部に対して基板の受け渡しを行う主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、被制御ユニットを並設して構成される基板処理装置であって、各被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡し動作を制御する制御手段を各被制御ユニットごとに備え、各被制御ユニットに、その被制御ユニットに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その被制御ユニットから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とを区別して配設し、各制御手段は、処理部に対する基板の受け渡しおよび基板載置部に対する基板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、各々独立して行い、異常発生時に、その異常に関わる被制御ユニットに基板を受け入れ禁止に制御することを特徴とするものである。
【００１０】
この構成によれば、制御面からも基板処理装置のスループットを向上させることを意図している。請求項２に記載の発明の制御方式はいわゆる分散制御である。そのために、被制御ユニット間の基板の受け渡しを、区別された入口基板載置部と出口基板載置部とを介して行うようにしている。これにより、各被制御ユニットの制御手段は、入口基板載置部に置かれた基板の受け取りから始まって、出口基板載置部に基板を置くことによって完結する一連の制御を行うだけでよい。つまり、隣接する被制御ユニットの主搬送機構の動きを考慮する必要がない。従って、被制御ユニットの制御手段の負担が少なくなり、基板処理装置のスループットを向上させることができる。また、被制御ユニットの増減を比較的簡単に行うこともできる。これに対して、従来の基板処理は、基板搬送機構や各処理部を集中制御している関係で、基板搬送機構や各処理部の動作順序の決定作業（スケジューリング）が複雑であり、そのことがスループットの向上を妨げる一因ともなっている。
【００１１】
また、被制御ユニットにおいても請求項１に記載の発明と同様に、異常発生時に、その異常に関わる被制御ユニットに基板を受け入れ禁止に制御するので、異常が解消されて受け入れを再開しても、その被制御ユニットの処理部に基板を即座に受け入れることができ、スループットを向上させることができる。
【００１２】
なお、上述した各発明において、入口基板載置部および出口基板載置部は、１つの処理ブロック（または被制御ユニット）を基準にして、基板載置部の機能を捉えたものである。つまり、ある処理ブロック（または被制御ユニット）の出口基板載置部は、その処理ブロック（または被制御ユニット）に隣接する処理ブロック（または被制御ユニット）を基準にすれば入口基板載置部に相当する。このように、隣接する処理ブロック（または被制御ユニット）間では、出口基板載置部と入口基板載置部とが一致している。
【００１３】
また、上述した各発明において、受け入れ禁止時には、異常に関わる処理ブロックまたは被制御ユニットの主搬送機構が、搬送方向に対して入口基板載置部よりも下手側で搬送処理を行うように制御する（請求項３に記載の発明）ことで、受け入れを再開しても、搬送処理が既に行われているので、下手側の基板に邪魔されることなく下手側の処理を円滑に行うことができる。
【００１４】
上述した各発明において、好ましくは、前記入口基板載置部は、各処理ブロック間または各被制御ユニット間にわたって基板を順方向に搬送するときに使われる送り用入口基板載置部と、各処理ブロック間または各被制御ユニット間にわたって基板を逆方向に搬送するときに使われる戻り用入口基板載置部とからなり、前記出口基板載置部は、各処理ブロック間または各被制御ユニット間にわたって基板を順方向に搬送するときに使われる送り用出口基板載置部と、各処理ブロック間または各被制御ユニット間にわたって基板を逆方向に搬送するときに使われる戻り用出口基板載置部とからなる（請求項４に記載の発明）。
【００１５】
この構成によれば、各処理ブロック間または各被制御ユニット間にわたって基板を順方向に搬送するときには、送り用入口基板載置部と送り用出口基板載置部とを介して基板の受け渡しが行われる。また、各処理ブロック間または各被制御ユニット間にわたって基板を逆方向に搬送するときには、戻り用入口基板載置部と戻り用出口基板載置部とを介して基板の受け渡しが行われる。従って、各処理ブロック間または各被制御ユニット間にわたって順方向に搬送される基板と、逆方向に搬送される基板とが、基板載置部で干渉することなく、各処理ブロック間または各被制御ユニット間の基板搬送を双方向に円滑に行うことができる。
【００１６】
また、請求項４に記載の発明において、順方向に関して異常の発生が認められた場合に、受け入れ禁止時には、異常に関わる処理ブロックまたは被制御ユニットの主搬送機構が、逆方向の搬送処理を行い、順方向に対して入口基板載置部よりも下手側で順方向の搬送処理を行うように制御する（請求項５に記載の発明）ことで、受け入れ禁止の状況においても、逆方向の搬送処理を行うことができる。また、受け入れを再開しても、順方向の搬送処理が既に行われているので、順方向に対して下手側の基板に邪魔されることなく下手側の処理を円滑に行うことができる。
【００１７】
また、請求項４に記載の発明において、逆方向に関して異常の発生が認められた場合に、受け入れ禁止時には、異常に関わる処理ブロックまたは被制御ユニットの主搬送機構が、順方向の搬送処理を行い、逆方向に対して入口基板載置部よりも下手側で逆方向の搬送処理を行うように制御する（請求項６に記載の発明）ことで、受け入れ禁止の状況においても、順方向の搬送処理を行うことができる。また、受け入れを再開しても、逆方向の搬送処理が既に行われているので、逆方向に対して下手側の基板に邪魔されることなく下手側の処理を円滑に行うことができる。
【００１８】
また、本発明において、基板の搬送状況を読み取って、異常に関わる処理ブロックまたは被制御ユニットに基板を受け入れ禁止にするか否かを決定する（請求項７に記載の発明）ことで、より融通のきく現実の搬送状況に応じた基板処理を行うことができる。
【００１９】
基板の搬送状況の例として、処理ブロックまたは被制御ユニットの主搬送機構に異常が発生し、かつ、その処理ブロックまたはその被制御ユニットの入口基板載置部に基板が載置されたときに、制御手段が、処理ブロックまたは被制御ユニットに基板を受け入れ禁止に制御すること（請求項８に記載の発明）や、処理ブロックまたは被制御ユニットの処理部に異常が発生し、かつ、その処理ブロックまたはその被制御ユニットの入口基板載置部に基板が載置されたときに、制御手段が、処理ブロックまたは被制御ユニットに基板を受け入れ禁止に制御する（請求項９に記載の発明）ことが挙げられる。
【００２０】
請求項８，９に記載の発明の場合では、主搬送機構や処理部に異常が発生すれば、例えば、制御部が処理ブロックまたは被制御ユニットに受け入れ禁止信号を送信することで、基板を受け入れ禁止に制御することができる。
【００２１】
また、処理部に異常が発生する例として、処理部が薬液処理を行う薬液処理の場合には、薬液処理を行うための薬液槽で薬液が所定量以下の残量になったときに、処理ブロックまたは被制御ユニットに基板を受け入れ禁止に制御する（請求項１０に記載の発明）ことや、処理部が熱処理を行う熱処理部の場合には、熱処理の温度が、所定の設定温度から変化したときに、処理ブロックまたは被制御ユニットに基板を受け入れ禁止に制御する（請求項１１に記載の発明）ことが挙げられる。
【００２２】
前者（請求項１０に記載の発明）の場合には、薬液槽で薬液が所定量以下の残量の状態で基板が処理されるのを防止することができる。また、従来の場合には、間に介在する処理ブロックまたは被制御ユニットにおける基板が多数存在するので、それらの基板の分だけ所定量を多く設定しなければならないが、本発明の場合には、異常に関わる処理部（請求項１０の場合には薬液処理部）に基板を受け入れ禁止にしているので、間に他の基板が介在することなく、余裕をもって所定量を少なめに設定することができる。その結果、薬液槽の小型化も図ることができる。後者（請求項１１に記載の発明）の場合には、熱処理の温度が所定の設定温度から変化したときに基板が処理されるのを防止することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
図１は実施例に係る基板処理装置の平面図、図２はその正面図、図３は熱処理部の正面図である。
【００２４】
ここでは、半導体ウエハ（以下、単に「基板」という）に、反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、露光された基板に現像処理などの薬液処理を行う基板処理装置を例に採って説明する。もちろん、本発明に係る基板処理装置が取り扱い得る基板は、半導体ウエハに限らず、液晶表示器用のガラス基板など種々の基板を含む。また、薬液処理は、フォトレジスト膜などの塗布形成処理や現像処理に限らず、種々の薬液処理を含む。
【００２５】
図１を参照する。本実施例に係る基板処理装置は大きく分けて、インデクサブロック１と、基板に対して所要の薬液処理を行う３つの処理ブロック（具体的には反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、および現像処理ブロック４）と、インターフェイスブロック５とからなり、これらのブロックを並設して構成されている。インターフェイスブロック５には、本実施例に係る基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置（ステッパー）ＳＴＰが並設される。以下、各ブロックの構成を説明する。
【００２６】
まず、インデクサブロック１について説明する。インンデクサブロック１は、基板Ｗを多段に収納するカセットＣからの基板の取り出しや、カセットＣへの基板Ｗの収納を行う機構である。具体的には、複数個のカッセトＣを並べて載置するカセット載置台６と、各カセットＣから未処理の基板Ｗを順に取り出すとともに、各カセットＣへ処理済の基板Ｗを順に収納するインデクサ用搬送機構７とを備えている。インデクサ用搬送機構７は、カセット載置台６に沿って（Ｙ方向に）水平移動可能な可動台７ａを備えている。この可動台７ａに基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム７ｂが搭載されている。保持アーム７ｂは、可動台７ａ上を昇降（Ｚ方向）移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。
【００２７】
上述したインデクサブロック１に隣接して反射防止膜処理ブロック２が設けられている。図４に示すように、インデクサブロック１と反射防止膜処理ブロック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３にインデクサブロック１と反射防止膜処理ブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられている。
【００２８】
上側の基板載置部ＰＡＳＳ１はインデクサブロック１から反射防止膜処理ブロック２へ基板Ｗを払い出すために、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は反射防止膜処理ブロック２からインデクサブロック１へ基板Ｗを戻すために、それぞれ設けられている。反射防止膜処理ブロック２を基準にして言えば、基板載置部ＰＡＳＳ１は、反射防止膜処理ブロック２に基板Ｗを受け入れるための入口基板載置部に相当する。特に、インデクサブロック１から露光装置ＳＴＰに向かって流れる基板Ｗの搬送方向を順方向とした場合に、基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗを順方向に搬送するときに使われる送り用入口基板載置部に相当する。一方、基板載置部ＰＡＳＳ２は、反射防止膜処理ブロック２から基板Ｗを払い出すための出口基板載置部であり、特に、基板Ｗを逆方向（本実施例では、露光装置ＳＴＰからインデクサブロック１に向かって流れる基板Ｗの搬送方向）に搬送するときに使われる戻り用出口基板載置部に相当する。
【００２９】
基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は、隔壁１３を部分的に貫通して設けられている。なお、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は、固定設置された複数本の支持ピンから構成されており、この点は後述する他の基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０も同様である。また、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する図示しない光学式のセンサが設けられており、各センサの検出信号に基づいてインデクサ用搬送機構７や、後述する反射防止膜用処理ブロック２の第１の主搬送機構１０Ａが、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対して基板を受け渡しできる状態であるかどうかを判断するようになっている。同様のセンサは他の基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０にも設けられている。
【００３０】
反射防止膜処理ブロック２について説明する。反射防止膜処理ブロック２は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下部に反射防止膜を塗布形成するための機構である。具体的には、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成する反射防止膜用塗布処理部８と、反射防止膜の塗布形成に関連して基板Ｗを熱処理する反射防止膜用熱処理部９と、反射防止膜用塗布処理部８および反射防止膜用熱処理部９に対して基板Ｗの受け渡しをする第１の主搬送機構１０Ａとを備える。
【００３１】
反射防止膜処理ブロック２は、第１の主搬送機構１０Ａを挟んで反射防止膜用塗布処理部８と反射防止膜用熱処理部９とが対向して配置されている。具体的には、塗布処理部８が装置正面側に、熱処理部９が装置背面側に、それぞれ位置している。このように薬液処理部と熱処理部とを主搬送機構を挟んで対向配置する点は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４においても同様である。このような配置にすれば、薬液処理部と熱処理部とが隔たるので、薬液処理部が熱処理部から受ける熱的影響を抑えることができる。また、本実施例では、熱処理部９の正面側に図示しない熱隔壁を設けて、反射防止膜用塗布処理部８への熱的影響を回避している。同様な熱隔壁は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４にも設けられている。
【００３２】
反射防止膜用塗布処理部８は、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの反射防止膜用塗布処理部８ａ〜８ｃ（以下、特に区別しない場合は符号「８」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各塗布処理部８は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１１や、このスピンチャック１１上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を供給するノズル１２などを備えている。
【００３３】
反射防止膜用熱処理部９は、図３に示すように、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する複数個の加熱プレートＨＰ、加熱された基板Ｗを常温にまで冷却する複数個の冷却プレートＣＰ、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する複数個のアドヒージョン処理部ＡＨＬなどの熱処理部を含む。これらの熱処理部９の下部には、ヒータコントローラ（ＣＯＮＴ）が配設され、また熱処理部９の上部（図３中に「×」印で示した個所）には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている。
【００３４】
反射防止膜用熱処理部９は、各熱処理部（ＨＰ，ＣＰ，ＡＨＬ）を上下に積層配置して構成されているとともに、積層配置された一群の熱処理部が複数例（本実施例では２列）にわたり並設されている。薬液処理部を上下に積層配置している点、および上下に積層配置した一群の熱処理部を複数列にわたり並設している点は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブロック４においても同様である。
【００３５】
上述したように各処理ブロック２〜４で薬液処理部や熱処理部を上下に積層配置することにより、基板処理装置の占有スペースを小さくすることができる。また、積層配置した一群の記熱処理部を複数列にわたり並設することにより、熱処理部のメンテナンスが容易になるとともに、熱処理部に必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなるという利点がある。
【００３６】
第１の主搬送機構１０Ａについて説明する。なお、後述する他のレジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４、およびインターフェイスブロック５にそれぞれ備えられた第２、第３、第４の各主搬送機構１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄも同様に構成されている。以下、第１〜第４の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄを特に区別しない場合は、主搬送機構１０として説明する。
【００３７】
図６を参照する。同図（ａ）は主搬送機構１０の平面図、（ｂ）はその正面図である。主搬送機構１０は、基板Ｗを水平姿勢で保持する２個の保持アーム１０ａ、１０ｂを上下に近接して備えている。保持アーム１０ａ、１０ｂは、先端部が平面視で「Ｃ］の字状になっており、この「Ｃ」の字状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピン１０ｃで基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。主搬送機構１０の基台１０ｄは装置基台に対して固定設置されている。この基台１０ｄ上に螺軸１０ｅが回転可能に立設支持されている。基台１０ｄに螺軸１０ｅを回転駆動するモータ１０ｆが設けられている。螺軸１０ｅに昇降台１０ｇが螺合されており、モータ１０ｆが螺軸１０ｅを回転駆動することにより、昇降台１０ｇがガイド軸１０ｊに案内されて昇降移動するようになっている。昇降台１０ｇ上にアーム基台１０ｈが縦軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降台１０ｇにはアーム基台１０ｈを旋回駆動するモータ１０ｉが設けられている。アーム基台１０ｈ上に上述した２つの保持アーム１０ａ、１０ｂが上下に配設されている。各保持アーム１０ａ、１０ｂは、アーム基台１０ｈ内に装備された駆動機構（図示せず）によって、各々が独立してアーム基台１０ｈの旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。
【００３８】
上述した反射防止膜処理ブロック２に隣接してレジスト膜処理ブロック３が設けられている。図４に示すように、反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜処理ブロック３との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３に反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜処理ブロック３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられている。
【００３９】
上述した基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２の場合と同様に、上側の基板載置部ＰＡＳＳ３が基板Ｗの払出し用、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４が基板Ｗの戻し用になっているとともに、これらの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４は隔壁１３を部分的に貫通している。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ３は、反射防止膜処理ブロック２を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、レジスト膜処理ブロック３を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ４は、反射防止膜処理ブロック２を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、レジスト膜処理ブロック３を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。これらの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するために水冷式の２つの冷却プレートＷＣＰが隔壁１３を貫通して上下に設けられている。
【００４０】
レジスト膜用処理ブロック３について説明する。レジスト膜用処理ブロック３は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を塗布形成する機構である。なお、本実施例では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト膜用処理ブロック３は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗにフォトレジスト膜を塗布形成するレジスト膜用塗布処理部１５と、フォトレジスト膜の塗布形成に関連して基板を熱処理するレジスト膜用熱処理部１６と、レジスト膜用塗布処理部１５およびレジスト膜用熱処理部１６に対して基板Ｗの受け渡しをする第２の主搬送機構１０Ｂとを備える。
【００４１】
レジスト膜用塗布処理部１５は、図２に示すように、同様の構成を備えた３つのレジスト膜用塗布処理部１５ａ〜１５ｃ（以下、特に区別しない場合は符号「１５」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各塗布処理部１５は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１７や、このスピンチャック１７上に保持された基板Ｗ上にレジスト膜用の塗布液を供給するノズル１８などを備えている。
【００４２】
レジスト膜用熱処理部１６は、図３に示すように、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する基板仮置部付きの複数個の加熱部ＰＨＰ、基板Ｗを常温にまで高い精度で冷却する複数個の冷却プレートＣＰなどの熱処理部を含む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置されている点は、反射防止膜用処理ブロック２の場合と同様である。
【００４３】
基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰについて説明する。
図７を参照する。同図（ａ）は加熱部ＰＨＰの破断側面図、（ｂ）は破断平面図である。加熱部ＰＨＰは、基板Ｗを載置して加熱処理をする加熱プレートＨＰと、この加熱プレートＨＰから離れた上方位置または下方位置（本実施例では上方位置）に基板Ｗを載置しておく基板仮置部１９と、加熱プレートＨＰと基板仮置部１９との間で基板Ｗを搬送する熱処理部用のローカル搬送機構２０とを備えている。加熱プレートＨＰには、プレート表面に出没する複数本の可動支持ピン２１が設けられている。加熱プレートＨＰの上方には加熱処理時に基板Ｗを覆う昇降自在の上蓋２２が設けられている。基板仮置部１９には基板Ｗを支持する複数本の固定支持ピン２３が設けられている。
【００４４】
ローカル搬送機構２０は、基板Ｗを水平姿勢で保持する保持プレート２４を備え、この保持プレート２４がネジ送り駆動機構２５によって昇降移動されるとともに、ベルト駆動機構２６によって進退移動されるようになっている。保持プレート２４は、これが加熱プレートＨＰや基板仮置部１９の上方に進出したときに、可動支持ピン２１や固定支持ピン２３と干渉しないように複数本のスリット２４ａが形成されている。また、ローカル搬送機構２０は、加熱プレートＨＰから基板仮置部１９へ基板Ｗを搬送する過程で基板を冷却する手段を備えている。この冷却手段は、例えば保持プレート２４の内部に冷却水流路２４ｂを設け、この冷却水流路２４ｂに冷却水を流通させることによって構成されている。
【００４５】
上述したローカル搬送機構２０は、加熱プレートＨＰおよび基板仮置部１９を挟んで第２の主搬送機構１０Ｂとは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。そして、加熱プレートＨＰおよび基板仮置部１９を覆う筐体２７の上部、すなわち基板仮置部１９を覆う部位には、その正面側に第２の主搬送機構１０Ｂの進入を許容する開口部１９ａが、その背面側にはローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｂが、それぞれ設けられている。また、筐体２７の下部、すなわち加熱プレートＨＰを覆う部位は、その正面側が閉塞し、その背面側にローカル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｃが設けられている。
【００４６】
上述した加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの出し入れは以下のようにして行われる。まず、主搬送機構１０（レジスト膜用処理ブロック３の場合は、第２の主搬送機構１０Ｂ）が基板Ｗを保持して、基板仮置部１９の固定支持ピン２３の上に基板Ｗを載置する。続いてローカル搬送機構２０の保持プレート２４が基板Ｗの下側に進入してから少し上昇することにより、固定支持ピン２３から基板Ｗを受け取る。基板Ｗを保持した保持プレート２４は筐体２７から退出して、加熱プレートＨＰに対向する位置にまで下降する。このとき加熱プレートＨＰの可動支持ピン２１は下降しているとともに、上蓋２２は上昇している。基板Ｗを保持した保持プレート２４は加熱プレートＨＰの上方に進出する。可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを受け取った後に保持プレート２４が退出する。続いて可動支持ピン２１が下降して基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に載せるとともに、上蓋２２が下降して基板Ｗを覆う。この状態で基板Ｗが加熱処理される。加熱処理が終わると上蓋２２が上昇するとともに、可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを持ち上げる。続いて保持プレート２４が基板Ｗの下に進出した後、可動支持ピン２３が下降することにより、基板Ｗが保持プレート２４に受け渡される。基板Ｗを保持した保持プレート２４が退出して、さらに上昇して基板Ｗを基板仮置部１９に搬送する。基板仮置部１９内で保持プレート２４に支持された基板Ｗが、保持プレート２４が有する冷却機能によって冷却される。保持プレート２４は、冷却した（常温に戻した）基板Ｗを基板仮置部１９の固定支持ピン２３上に移載する。この基板Ｗを主搬送機構１０が取り出して搬送する。
【００４７】
以上のように、主搬送機構１０は、基板仮置部１９に対して基板Ｗの受け渡しをするだけで、加熱プレートＨＰに対して基板の受け渡しをしないので、主搬送機構１０が温度上昇するのを回避することができる。また、加熱プレートＨＰに基板Ｗを出し入れするための開口部１９ｃが、主搬送機構１０が配置された側とは反対側に位置しているので、開口部１９ｃから漏れ出た熱雰囲気で主搬送機構１０が温度上昇することがなく、またレジスト膜用塗布処理部１５が開口部１９ｃから漏れ出た熱雰囲気で悪影響を受けることもない。
【００４８】
上述したレジスト膜処理ブロック３に隣接して現像処理ブロック４が設けられている。図４に示すように、レジスト膜処理ブロック３と現像処理ブロック４との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられており、この隔壁１３に両処理ブロック３、４間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，６と、基板Ｗを大まかに冷却するために水冷式の２つの冷却プレートＷＣＰが上下に積層して設けられている。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト膜処理ブロック３を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、現像処理ブロック４を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ６は、レジスト膜処理ブロック３を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、現像処理ブロック４を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
【００４９】
現像処理ブロック４について説明する。現像処理ブロック４は、露光された基板Ｗに対して現像処理をする機構である。具体的には、露光された基板Ｗに現像処理をする現像処理部３０と、現像処理に関連して基板を熱処理する現像用熱処理部３１と、現像処理部３０および現像用熱処理部３１に対して基板Ｗの受け渡しをする第３の主搬送機構１０Ｃとを備える。
【００５０】
現像処理部３０は、図２に示すように、同様の構成を備えた５つの現像処理部３０ａ〜３０ｅ（以下、特に区別しない場合は符号「３０」で示す）を上下に積層配置して構成されている。各現像処理部３０は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３２や、このスピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル３３などを備えている。
【００５１】
現像用熱処理部３１は、図３に示すように、各々複数個の加熱プレートＨＰ、基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰ、冷却プレートＣＰなどの熱処理部を含む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置されている点は、他の処理ブロック２、３の場合と同様である。現像用熱処理部３１の右側（インターフェイスブロック５に隣接している側）の熱処理部の列には、現像処理ブロック４と、これに隣接するインターフェイスブロック５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７が基板Ｗの払出し用、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８が基板Ｗの戻し用になっている。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理ブロック４を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、インターフェイスブロック５を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ８は、現像処理ブロック４を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、インターフェイスブロック５を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
【００５２】
インターフェイスブロック５について説明する。インターフェイスブロック５は、本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しをする機構である。本実施例装置におけるインターフェイスブロック５には、露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しをするためのインターフェイス用搬送機構３５の他に、フォトレジストが塗布された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光部ＥＥＷと、現像処理ブロック４内に配設された基板仮置部付きの熱処理部ＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷに対して基板Ｗを受け渡しする第４の主搬送機構１０Ｄを備えている。
【００５３】
エッジ露光部ＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３６や、このスピンチャック３６上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器３７などを備えている。２つのエッジ露光部ＥＥＷは、インターフェイスブロック５の中央部に上下に積層配置されている。このエッジ露光部ＥＥＷと現像処理ブロック４の熱処理部とに隣接して配置されている第４の主搬送機構１０Ｄは、図６で説明した主搬送機構１０と同様の構成を備えている。
【００５４】
図２および図５を参照する。図５はインターフェイスブロック５の側面図である。２つのエッジ露光部ＥＥＷの下側に、基板戻し用のバッファＲＢＦがあり、さらにその下側に２つの基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０が積層配置されている。基板戻し用のバッファＲＢＦは、故障などのために現像処理ブロック４が基板Ｗの現像処理をすることができない場合に、現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰで露光後の加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。このバッファＲＢＦは、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０は、第４の主搬送機構１０Ｄとインターフェイス用搬送機構３５との間で基板Ｗの受け渡しを行うためのもので、上側が基板払出し用、下側が基板戻し用になっている。
【００５５】
インターフェイス用搬送機構３５は、図１および図５に示すように、Ｙ方向に水平移動可能な可動台３５ａを備え、この可動台３５ａ上に基板Ｗを保持する保持アーム３５ｂを搭載している。保持アーム３５ｂは、昇降・旋回および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。インターフェイス用搬送機構３５の搬送経路の一端（図５中に示す位置Ｐ１）は、積層された基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０の下方にまで延びており、この位置Ｐ１で露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行う。また、搬送経路の他端位置Ｐ２では、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、送り用バッファＳＢＦに対する基板Ｗの収納と取り出しとを行う。送り用バッファＳＢＦは、露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。
【００５６】
以上のように構成された基板処理装置は、インデクサブロック１、各処理ブロック２、３、４、およびインターフェイスブロック５内に清浄空気がダウンフローの状態で供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれて、外部環境からのパーティクルや汚染物質の侵入などを防いでいる。特に、反射防止膜用処理ブロック２内の気圧はインデクサブロク１内の気圧よりも高くなるように設定されている。これにより、インデクサブロック１内の雰囲気が反射防止膜用処理ブロック２に流入しないので、外部の雰囲気の影響を受けずに各処理ブロック２、３、４で処理を行うことができる。
【００５７】
次に本実施例に係る基板処理装置の制御系、特に基板搬送に係る制御手法について説明する。
上述したインデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック４、およびインターフェイスブロック５は、本実施例に係る基板処理装置を機構的に分割した要素である。具体的には、各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置が構成されている（図８（ａ）参照）。
【００５８】
一方、本発明の特徴の１つとして、基板搬送に係る被制御ユニットの単位を機械的要素である各ブロックとは別に構成している。すなわち、基板に所要の処理を行う処理部と、前記処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、前記被制御ユニットを並設して基板処理装置を構成している。各被制御ユニットには、その被制御ユニットに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その被制御ユニットから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられている。そして、各被制御ユニットの主搬送機構は、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して、互いに基板の受け渡しを行い、かつ、各被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡し動作を少なくとも制御するユニット制御手段を各被制御ユニットごとに備え、各ユニット制御手段は、前記処理部に対する基板の受け渡しおよび前記基板載置部に対する基板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、各々独立して行うようになっている。
【００５９】
以下、本実施例装置における被制御ユニットの単位を「セル」という。実施例装置の制御系を構成する各セルの配置を図８（ｂ）に示す。
【００６０】
インデクサセルＣ１は、カセット載置台６とインデクサ用搬送機構７とを含む。このセルＣ１は、結果として機械的に分割した要素であるインデクサブロック１と同じ構成になっている。反射防止膜用処理セルＣ２は、反射防止膜用塗布処理部８と反射防止膜用熱処理部９と第１の主搬送機構１０Ａとを含む。このセルＣ２も、結果として機械的に分割した要素である反射防止膜用処理ブロック２と同じ構成になっている。レジスト膜用処理セルＣ３は、レジスト膜用塗布処理部１５とレジスト膜用熱処理部１６と第２の主搬送機構１０Ｂとを含む。このセルＣ３も、結果として機械的に分割した要素であるレジスト膜用処理ブロック３と同じ構成になっている。
【００６１】
一方、現像処理セルＣ４は、現像処理部３０と、露光後加熱に使われる熱処理部（実施例では、加熱部ＰＨＰ）を除いた現像用熱処理部３１と、第３の主搬送機構１０Ｃとを含む。このセルＣ３は、露光後加熱に使われる加熱部ＰＨＰを含んでいない点で、機械的に分割した要素である現像処理ブロック４とは異なる構成になっている。
【００６２】
露光後加熱用処理セルＣ５は、露光された基板Ｗを現像前に加熱処理する露光後加熱用の熱処理部（実施例では、現像処理ブロック４に設けられた加熱部ＰＨＰ）と、エッジ露光部ＥＥＷと、第４の主搬送機構１０Ｄとを含む。このセルＣ５は、機械的に分割した要素である現像処理ブロック４とインターフェイスブロック５とにまたがるもので、本実施例装置の特徴的なセルである。このように露光後加熱用の熱処理部（加熱部ＰＨＰ）と第４の主搬送機構１０Ｄとを含んで１つのセルを構成しているので、露光された基板を速やかに加熱部ＰＨＰに搬入して熱処理を行うことができる。これは露光後の加熱を速やかに行う必要がある化学増幅型フォトレジストを用いた場合に好適である。
【００６３】
なお、上述した基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８は、現像処理セルＣ４の第３の主搬送機構１０Ｃと、露光後加熱用処理セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄとの間の基板Ｗの受け渡しに介在する。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理セルＣ４を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ８は、現像処理セルＣ４を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
【００６４】
インターフェイスセルＣ６は、外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しをするインターフェイス用搬送機構３５を含む。このセルＣ６は、第４の主搬送機構１０Ｄやエッジ露光部ＥＥＷを含まない点で、機械的に分割した要素であるインターフェイスブロック５とは異なる構成になっている。なお、上述した基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０は、露光後加熱用処理セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄと、インターフェイス用搬送機構３５との間の基板Ｗの受け渡しに介在する。ここで、基板載置部ＰＡＳＳ９は、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部ＰＡＳＳ１０は、露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。
【００６５】
本実施例装置は、上述した６つのセルＣ１〜Ｃ６を並設して構成されており、各セルＣ１〜Ｃ６間の基板の受け渡しは、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０を介して行われる。換言すれば、本発明における単一の被制御ユニット（セル）は、単一の主搬送機構を含み、その主搬送機構が、特定の入口基板載置部から受け取った基板を特定の出口基板載置部に置くまでに、基板の受け渡しを行う処理部を含んで構成される。
【００６６】
図９（ａ）に示すように、セルＣ１〜Ｃ６は、各々のセルの主搬送機構（インデクサ用搬送機構７およびインターフェイス用搬送機構３５を含む）の基板受け渡し動作を少なくとも制御するセルコントローラ（ユニット制御手段）ＣＴ１〜ＣＴ６を個別に備えている。各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、所定の入口基板載置部に置かれた基板の受け取りから始まって、所定の出口基板載置部に基板を置くことによって完結する一連の制御を、各々独立して行うようになっている。具体的には、各セルＣ１〜Ｃ６のセルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、所定の基板載置部に基板を置いたという情報を、隣のセルのセルコントラーラに送り、その基板を受け取ったセルのセルコントローラは、所定の基板載置部から基板を受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラに返すという情報のやり取りを行う。このような情報のやり取りは、各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６に接続されて、これらを統括的に管理するメインコントローラ（主制御手段）ＭＣを介して行われる。メインコントローラＭＣは、後述するデータ設定部ＨＣに接続され、データ設定部ＨＣとの間で通信可能に構成されている。
【００６７】
各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、隣接するセル内での主搬送機構の動きを考慮することなく、各セル内の基板の受け渡しだけを対象にして制御を進めている。従って、各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御の負担が少なくなる。これに対して、従来の基板処理装置の制御手法によると、図９（ｂ）に示すように、各ブロック１〜５が基板処理のスケジュール管理用のコントローラＣＴ０に基板搬送に係る情報を与えて、コントローラＣＴ０が統括的に基板搬送を管理しているので、コントローラＣＴ１０の負担が多くなる。
【００６８】
以上のように本実施例によれば各セルのコントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御負担が少なくなるので、それだけ基板処理装置のスループットを向上させることができる。また、図９（ｂ）に示した従来の制御手法によると、新たに処理部を追加すると、コントローラＣＴ０のスケジュール管理用のプログラムを大幅に修正する必要が生じるが、本発明に係る制御手法によれば、新たにセルを追加しても、隣接するセルに影響を与えないので、セルの追加を容易に行うことができる。追加するセルの種類は特に限定されないが、例えば、レジスト膜用処理セルＣ３と現像処理セルＣ４との間に、基板Ｗに塗布されたレジスト膜の厚みを検査したり、あるいは現像後のレジスト膜の線幅を検査する検査用セルを追加してもよい。この場合、検査用セルは、本実施例装置の他のセルと同様に、基板を検査する基板検査部と、この検査部に対して基板を搬送する基板検査用の主搬送機構とを含んで構成される。また、検査用セルと隣接セルとの間の基板の受け渡しは、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して行われる。
【００６９】
本実施例に係る基板処理装置の他の特徴は、被制御ユニットである反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、および現像処理セルＣ４が、主搬送機構を使って基板Ｗを特定の位置から別の位置に搬送する工程を１工程とした場合に、各セルＣ２、Ｃ３、Ｃ４の第１、第２、第３の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、略同数の搬送工程を負担している点にある。詳しくは、後述する本実施例装置の動作説明で明らかにするが、図１０に示したように、上記主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、略６つの搬送工程を負担している。
【００７０】
本実施例装置において、主搬送機構１０が１搬送工程に要する時間は約４秒である。したがって、各セルＣ２〜Ｃ３において、主搬送機構１０は６搬送工程を負担するので、各セルＣ２〜Ｃ３は２４秒に１回の割合（２４秒の処理周期）で基板Ｗを隣接するセルに排出することになる。つまり、本実施例装置は、１時間あたり１５０枚の基板Ｗを処理することができる。仮に、１つの主搬送機構が負担する搬送工程の数が、他の主搬送機構に比べて多くなると、その主搬送機構が属するセルの処理周期によって、基板処理装置のスループットが決定される。例えば、セルＣ２、Ｃ４の各主搬送機構１０Ａ、１０Ｃが各々５つの搬送工程を負担し、セルＣ３の主搬送機構１０Ｂが８つの搬送工程を負担する場合、セルＣ２〜Ｃ４間では、セルＣ３の処理周期（この場合、３２秒）でしか基板Ｗが流れないので、セルＣ２、Ｃ４の主搬送機構１０Ａ、１０Ｃに余裕があったとしても、その基板処理装置は１時間あたり１１２．５枚しか基板Ｗを処理することができない。
【００７１】
これに対して本実施例装置では、反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、および現像処理セルＣ４の各主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃが略同数の搬送工程を負担するので、いずれか１つの主搬送機構が早く搬送処理の限界に陥ることが回避でき、結果として、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
【００７２】
一方、現像処理セルＣ４に隣接する露光後加熱用処理セルＣ５に関しては、そのセルＣ５に属する第４の主搬送機構１０Ｄの負担する搬送工程が５つに設定されている。露光後加熱用処理セルＣ５は、基板Ｗが露光されてから加熱処理を行うまでの時間を厳密に管理する必要があるので、第４の主搬送機構１０Ｄの搬送負担に余裕をもたせる意味で、その搬送負担を他のセルに比べて低く設定してある。第４の主搬送機構１０Ｄに特に余裕をもたせる必要がなければ、本処理セルＣ５は、１搬送工程分だけの空きをもっていることになる。この空き搬送工程を利用して、露光後加熱用処理セルＣ５に新たな処理部、例えば基板Ｗの検査部を追加することも可能である。基板検査部を追加してもセルＣ５の主搬送機構１０Ｄは、他のセルの主搬送機構と同様に６つの搬送工程を負担することになる。つまり、搬送工程に余裕のあるセルＣ５に基板検査部を追加しても、セルＣ５の処理周期は他のセルと同じ２４秒になるだけであるので、基板処理装置のスループットが低下することはない。
【００７３】
次に、本実施例に係る基板処理装置の動作を説明する。特に、反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、現像処理セルＣ４、および露光後加熱用処理セルＣ５の各主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄによる各搬送工程については図１０を参照されたい。
【００７４】
まず、インデクサセルＣ１（インデクサブロック１）のインデクサ用搬送機構７が、所定のカセットＣに対向する位置にまで水平移動する。続いて、保持アーム７ｂが昇降および進退移動することにより、そのカセットＣに収納されている未処理の基板Ｗを取り出す。保持アーム７ｂに基板Ｗを保持した状態で、インデクサ用搬送機構７が、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置にまで水平移動する。そして、保持アーム７ｂ上の基板Ｗを基板払出し用の上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板戻し用の下側の基板載置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合、インデクサ用搬送機構７は、その処理済みの基板Ｗを保持アーム７ｂ上に受け取って、所定のカッセトＣに処理済みの基板Ｗを収納する。以下、同様にカセットＣから未処理基板Ｗを取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送するとともに、処理済み基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２から受け取ってカセットＣに収納するという動作を繰り返し行う。
【００７５】
反射防止膜用処理セルＣ２（反射防止膜用処理ブロック２）の動作を説明する。基板載置部ＰＡＳＳ１（反射防止膜用処理セルＣ２を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）に未処理基板Ｗが置かれると、図１０に示すように、セルＣ２の第１の主搬送機構１０Ａは、保持アーム１０ａ、１０ｂを基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置にまで一体に昇降および旋回移動させる。そして、一方の保持アーム１０ｂに保持している処理済みの基板Ｗを下側の戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ２（反射防止膜用処理セルＣ２を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）に置き、その後、上側の送り用入口基板載置部ＰＡＳＳ１に置かれている未処理基板Ｗを、空の状態になった一方の保持アーム１０ｂを再び駆動して、その保持アーム１０ｂ上に受け取るという、保持アーム１０ｂだけを使った処理済み基板Ｗおよび未処理基板Ｗの受け渡し動作を行う。
【００７６】
具体的には、保持アーム１０ｂを前進移動させて戻り用出口基板載置部ＰＡＳＳ２上に処理済みの基板Ｗを置く。処理済みの基板Ｗを渡した保持アーム１０ｂは元の位置にまで後退する。続いて、保持アーム１０ａ、１０ｂを一体に少し上昇させた後、空の状態になった保持アーム１０ｂを再び前進移動させて送り用入口基板載置部ＰＡＳＳ１上の未処理基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。基板Ｗを受け取った保持アーム１０ｂは元の位置にまで後退する。
【００７７】
上述したように、本実施例では、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する処理済み基板Ｗおよび未処理基板Ｗの受け渡し動作を保持アーム１０ｂだけを使って行っている。一方の保持アーム１０ａに保持した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に渡した後は、両方の保持アーム１０ａ、１０ｂは空の状態になっているので、いずれの保持アーム１０ａ、１０ｂを使っても基板載置部ＰＡＳＳ１の基板Ｗを受け取ることができる。しかし、本実施例では、後述する説明から明らかになるように、加熱プレートＨＰで処理されて加熱された基板Ｗを、上側に配置された保持アーム１０ａで受け取るために、元々空の状態にあった保持アーム１０ａを使わずに、保持アーム１０ｂを再駆動して基板載置部ＰＡＳＳ１の基板Ｗを受け取るように構成してある。
【００７８】
以上の基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する未処理基板Ｗおよび処理済み基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（１＋α）で示されている。ここで、「α」は、未処理基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１から受け取るために、保持アーム１０ａ、１０ｂを基板載置部ＰＡＳＳ２に対向する位置から基板載置部ＰＡＳＳ１に対向する位置にまで少し上昇移動させた搬送工程を示している。上述したように、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は上下に近接して配置されているので、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２間の移動に要する時間は僅かであり無視することができる。したがって、搬送工程（１＋α）は、１搬送工程（本実施例では、主搬送機構を使って所定時間（例えば、４秒）以内に行われる基板の受け渡し動作）であるとして取り扱うことができる。
【００７９】
基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第１の主搬送機構１０Ａは、基板Ｗを保持していない空の状態の保持アーム１０ａと、未処理基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、反射防止膜用熱処理部９の所定の冷却プレートＣＰに対向させる。通常、この冷却プレートＣＰには、先行処理されている基板Ｗが入っている。そこで、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。続いて未処理基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。冷却プレートＣＰに載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に、常温にまで精度よく冷却される。なお、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを使った冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しは、保持アーム１０ａ、１０ｂの昇降動作を伴わずに行われるので、この冷却プレートＣＰに対する基板の受け渡しは、第１の主搬送機構１０Ａの１搬送工程内に行われる（図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（２）参照）。
【００８０】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、所定の反射防止膜用塗布処理部８に対向させる。通常、この反射防止膜用塗布処理部８には、先行処理されている基板Ｗが入っている。そこで、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その反射防止膜用塗布処理部８にあるスピンチャック１１上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。続いて基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、基板Ｗをそのスピンチャック１１上に置く。スピンチャック１１上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に、反射防止膜が塗布形成される。スピンチャック１１に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（３）に相当する。なお、図１０中の「ＢＡＲＣ」は反射防止膜用塗布処理部８を意味する。
【００８１】
スピンチャック１１への基板Ｗの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、反射防止膜が塗布された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、所定の加熱プレートＨＰに対向させる。通常、この加熱プレートＨＰにも先行処理されている基板Ｗが入っているので、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱プレートＨＰ上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に置く。加熱プレートＨＰ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に熱処理されて、基板Ｗ上の反射防止膜に含まれる余剰の溶剤が除去される。この加熱プレートＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（４）に相当する。
【００８２】
加熱プレートＨＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、隔壁１３に設置された水冷式の冷却プレートＷＣＰに対向させる。上述したと同様に、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＷＣＰ上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。続いて、保持アーム１０ａを前進移動させて、基板Ｗを冷却プレートＷＣＰ上に置く。冷却プレートＷＣＰ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行っている間に大まかに冷却処理される。この冷却プレートＷＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（５）に相当する。
【００８３】
冷却プレートＷＣＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、大まかに冷却された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に上昇させて、冷却プレートＷＣＰの上方に配設されている基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対向させる。そして、保持アーム１０ｂを前進移動させて上側の基板載置部ＰＡＳＳ３（反射防止膜用処理セルＣ２を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）上に基板Ｗを置く。通常、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４（反射防止膜用処理セルＣ２を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）に、レジスト膜用処理セルＣ３を介して現像処理セルＣ４から送られてきた現像処理済みの基板Ｗが置かれている。そこで、保持アーム１０ａ、１０ｂを一体に少し下降させた後、空の状態になった保持アーム１０ｂを再び前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ４上の現像処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。
【００８４】
基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（６＋α）に相当する。「α」は上述したと同様に、保持アーム１０ａ、１０ｂが僅かに昇降する短時間の搬送工程である。したがって、搬送工程（６＋α）は１搬送工程であるとして取り扱うことができる。
【００８５】
反射防止膜用処理セルＣ２に備えられた第１の主搬送機構１０Ａは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）を合計すると、第１の主搬送機構１０Ａは、略６つの搬送工程を負担することになる。１搬送工程に要する搬送時間を４秒とすると、第１の主搬送機構１０Ａは略２４秒で基板搬送の１周期を完了する。換言すれば、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣のレジスト膜用処理セルＣ３に払い出される。
【００８６】
上述した説明から明らかなように、加熱プレートＨＰで加熱処理された基板Ｗは、常に上側の保持アーム１０ａで保持される。加熱された基板Ｗからの熱的影響は上方に強く及ぶので、加熱された基板Ｗの影響で下側の保持アーム１０ｂが温度上昇するのを抑制することができる。この熱的影響をあまり受けていない下側の保持アーム１０ｂを使って、反射防止膜用処理セルＣ２から次のレジスト膜用処理セルＣ３に基板Ｗを払い出すようにしているので、レジスト膜の塗付処理を受ける基板Ｗの温度変動を抑制することができる。
【００８７】
なお、本実施例の反射防止膜用処理セルＣ２は、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する基板Ｗの受け渡しと、基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しとの間に、偶数回の基板Ｗの受け渡し（すなわち、図１０で「ＣＰ］、「ＢＡＲＣ」、「ＨＰ」、「ＷＣＰ」で表した各処理に伴う基板Ｗの受け渡し）を行う。このような場合、必ずしも上述したように、一方の保持アーム１０ｂだけを使って基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗの受け渡しを行う必要はなく、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対してそれぞれ２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを使って基板Ｗの受け渡しを行っても、加熱処理された直後の基板Ｗを保持する保持アームを、一方の保持アーム１０ａに固定することはできる。
【００８８】
しかし、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する基板Ｗの受け渡しと基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しとの間に行われる基板Ｗの受け渡し回数（基板の受け渡しを伴う処理の回数）が奇数回になった場合（後述する露光後加熱用処理セルＣ５のような場合）に、上記のように基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４の両方に対して２つの保持アーム１０ａ、１０ｂ（１つの保持アームのみを使う場合も同様であるが）を使って基板Ｗの受け渡しを行うと、搬送行程の１サイクルごとに、基板Ｗを扱う保持アームが交互に入れ代わるので、加熱処理後の基板Ｗを一方の保持アーム１０ａだけで取り扱うことができなくなる。その結果、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂが加熱された基板Ｗから熱的影響を受けて蓄熱し、他の基板Ｗに熱的悪影響を与えるという不具合を招く。
【００８９】
これに対して、本実施例では、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂのいずれかに基板Ｗを保持した状態で、２つの基板載置部に対して基板Ｗの受け渡しを行うにあたり、一方の保持アーム上の基板Ｗを先に一方の基板載置部に渡すことにより、一時的に２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを空の状態にしているので、他方の基板載置部上の基板Ｗをいずれの保持アーム１０ａ、１０ｂを使っても受け取ることができる。従って、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対する基板Ｗの受け渡しと基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しとの間に、奇数回の基板Ｗの受け渡し（基板の受け渡しを伴う処理）がある場合には、一方の２つの基板載置部（例えば、上下に近接配置された送り用入口基板載置部と戻り用出口基板載置部）に対しては１つの保持アーム（例えば、保持アーム１０ｂ）を使って基板Ｗの受け渡しを行い、他方の２つの基板載置部（例えば、送り用出口基板載置部と戻り用入口基板載置部）に対しては２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを使って基板Ｗの受け渡しを行うことにより、各処理に伴う基板Ｗの受け渡しを常に同じ保持アームを使って行うことができる。すなわち、保持アーム１０ａ、１０ｂのうち、加熱プレートＨＰで加熱処理がなされた基板Ｗを受け取る保持アームが毎搬送サイクルとも同じになるという条件を満たすように、空の状態の保持アーム１０ａ、１０ｂのうちの１つを駆動して、入口基板載置部に置かれている基板を受け取るようにしているのである。従って、保持アーム１０ａ、１０ｂから基板Ｗに与える熱的影響を抑制することができ、また、保持アーム１０ａ、１０ｂから基板Ｗに対して何らかの熱的影響が仮にあったとしても、その熱的影響が基板Ｗごとに変動するということがなく、基板Ｗに対する熱的影響の「変動」を最小限度に抑えることができ、もって基板処理の品質を安定させることができる。
【００９０】
上記のような２つの基板載置部に対して一方の保持アーム１０ｂだけを使って基板Ｗの受け渡しをする手法は、後述する他の処理セルＣ２〜Ｃ４（ただし、露光後加熱用処理セルＣ５を除く）においても同様である。なお、本発明はこのような基板Ｗの受け渡し手法に限定されるものでなく、保持アームから基板Ｗに与える熱的影響を考慮する必要がない場合などでは、全ての基板載置部に対して２つの保持アームを使って基板Ｗの受け渡しを行っても良い。
【００９１】
レジスト膜用処理セルＣ３（レジスト膜用処理ブロック３）の動作を説明する。反射防止膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）に置かれると、図１０に示すように、セルＣ３の第２の主搬送機構１０Ｂは、上述した第１の主搬送機構１０Ａの場合と同様に、一方の保持アーム１０ｂに保持した現像処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）上に置く。そして、基板載置部ＰＡＳＳ３上の基板Ｗを再び保持アーム１０ｂ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（１＋α）で示されている。上述したように、「α」は時間には無視することができるので、搬送工程（１＋α）は１搬送工程として取り扱うことができる。
【００９２】
基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第２の主搬送機構１０Ｂは、空の状態の保持アーム１０ａと基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用熱処理部１６の所定の冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（２）に相当する。
【００９３】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、所定のレジスト膜用塗布処理部１５に対向する位置にまで移動させる。先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、そのレジスト膜用塗布処理部１５にあるスピンチャック１７上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、その基板Ｗをスピンチャック１７上に置く。スピンチャック１７上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｂが他の搬送動作を行っている間に、レジスト膜が塗布形成される。スピンチャック１７に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（３）に相当する。なお、図１０中の「ＰＲ」はレジスト膜用塗布処理部１５を意味する。
【００９４】
スピンチャック１７への基板Ｗの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、レジスト膜が塗布形成された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、所定の基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰに対向させる。先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱部ＰＨＰ上の基板仮置部１９に載置されている処理済みの基板Ｗを受け取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗを基板仮置部１９上に置く。基板仮置部１９上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｂが他の搬送動作を行っている間に、その加熱部ＰＨＰのローカル搬送機構２０によって、その加熱部ＰＨＰの加熱プレートＨＰ上に移されて熱処理される。この加熱プレートＨＰ上で熱処理された基板Ｗは、同じローカル搬送機構２０によって基板仮置部１９に戻される。その基板Ｗは、ローカル搬送機構２０の保持プレート２４に保持されて基板仮置部１９に戻され、基板載置部２０内で保持プレート２４の冷却機構によって冷却される。この加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（４）に相当する。
【００９５】
加熱部ＰＨＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用熱処理部１６の冷却プレートＣＰに対向させる。そして、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗを冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（５）に相当する。
【００９６】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、冷却された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対向させる。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ５（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）上に基板Ｗを置くとともに、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ６（レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）に載置されている現像処理済みの基板Ｗを再び保持アーム１０ｂで受け取る。
【００９７】
基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（６＋α）に相当する。搬送工程（６＋α）は１搬送工程であるとして取り扱われる。
【００９８】
レジスト膜用処理セルＣ３に備えられた第２の主搬送機構１０Ｂは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）を合計すると、第２の主搬送機構１０Ｂは、第１の主搬送機構１０Ａと同様に略６つの搬送工程を負担することになる。したがって、第２の主搬送機構１０Ｂは、第１の主搬送機構１０Ａと同じ周期（この実施例では、略２４秒）で基板搬送の１周期を完了する。換言すれば、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣の現像処理セルＣ４に払い出される。
【００９９】
現像処理セルＣ４の動作を説明する。レジスト膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）に置かれると、図１０に示すように、セルＣ４の第３の主搬送機構１０Ｃは、先ず保持アーム１０ｂに保持した現像処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）上に置き、その後、基板載置部ＰＡＳＳ５上の基板Ｗを再び保持アーム１０ｂ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（１＋α）で示されている。
【０１００】
基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０Ｃは、空の状態の保持アーム１０ａと基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の積層構造の中に配設された基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対向する位置にまで移動させる。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ７（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）上に、レジスト膜が塗付形成された基板Ｗを置き、その後、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ８（現像処理セルＣ４を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）に載置されている露光後の加熱処理済みの基板Ｗを再び保持アーム１０ｂで受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（２＋α）で示されている。
【０１０１】
基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０Ｃは、空の状態の保持アーム１０ａと、露光後の加熱処理済みの基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の所定の冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（３）に相当する。
【０１０２】
冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが終わると、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、所定の現像処理部３０に対向する位置にまで移動させる。先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その現像処理部３０にあるスピンチャック３２上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、その基板Ｗをスピンチャック３２上に置く。スピンチャック３２上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｃが他の搬送動作を行っている間に、現像処理される。スピンチャック３２に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（４）に相当する。なお、図１０中の「ＳＤ」は現像処理部３０を意味する。
【０１０３】
スピンチャック３２への基板Ｗの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム１０ａと、現像処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の所定の加熱プレートＨＰに対向させる。先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱プレートＨＰ上に載置されている処理済みの基板Ｗを受け取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に置く。この加熱プレートＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（５）に相当する。
【０１０４】
加熱プレートＨＰへの基板Ｗの載せ換えが終わると、加熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用処理セルＣ３の側にある隔壁１３に設置された水冷式の冷却プレートＷＣＰに対向させる。そして、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＷＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗを冷却プレートＷＣＰ上に置く。この冷却プレートＷＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（６）に相当する。
【０１０５】
現像処理セルＣ４に備えられた第３の主搬送機構１０Ｃは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（６）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（１＋α）から搬送工程（６）を合計すると、第３の主搬送機構１０Ｃは、第１、第２の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂと同様に略６つの搬送工程を負担することになる。したがって、第３の主搬送機構１０Ｂは、第１、第２の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂと同じ周期（この実施例では、略２４秒）で基板搬送の１周期を完了する。換言すれば、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣の露光後加熱用処理セルＣ５に払い出される。
【０１０６】
露光後加熱用処理セルＣ５の動作を説明する。レジスト膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ７（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）に置かれると、図１０に示すように、セルＣ５の第４の主搬送機構１０Ｄは、保持アーム１０ｂに保持した露光後加熱処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）上に置き、その後で基板載置部ＰＡＳＳ７上の基板Ｗを再び保持アーム１０ｂ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（１＋α）に相当する。
【０１０７】
基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、空の状態の保持アーム１０ａと基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、所定のエッジ露光部ＥＥＷに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、そのエッジ露光部ＥＥＷのスピンチャック３６上にある周辺露光済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗをそのスピンチャック３６上に置く。スピンチャック３６上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｄが他の搬送動作を行っている間に、その周縁部が露光される。このスピンチャック３６に対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（２）に相当する。
【０１０８】
スピンチャック３６に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、周辺露光された基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１にある冷却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１０ａを前進移動させて、周辺露光された基板Ｗを冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（３）に相当する。
【０１０９】
冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、空の状態の保持アーム１０ａと、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対向する位置にまで移動させる。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ９（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」）上に基板Ｗを置くとともに、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ１０（露光後加熱用処理セルＣ５を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」）に載置されている、露光装置ＳＴＰで露光された基板Ｗを保持アーム１０ａで受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（４＋α）に相当する。
【０１１０】
なお、本実施例では、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対してだけ、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを使って基板Ｗの受け渡しを行っている。これは、反射防止膜用処理セルＣ２で説明したように、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８との間に、後述する加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの受け渡しを（１回：奇数回）行う関係で、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対して一方の保持アーム１０ｂだけを使って基板の受け渡しを行うと、基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しに使う保持アームが、搬送行程の１サイクルごとに入れ代わるので、これを避けるためである。
【０１１１】
基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｃは、露光済みの基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の状態の保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１にある所定の基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その加熱部ＰＨＰ（具体的には、基板仮置部１９の上）にある露光後の加熱処理済みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ａを前進移動させて、露光済みの基板Ｗを加熱部ＰＨＰ（具体的には、基板仮置部１９の上）に置く。基板仮置部１９に置かれた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｄが他の搬送動作を行っている間に、ローカル搬送機構２０によって加熱プレートＨＰに移されて加熱処理された後に、同じくローカル搬送機構２０によって基板仮置部１９に戻され、基板仮置部１９内で冷却される。この加熱部ＰＨＰに対する基板の受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（５）に相当する。
【０１１２】
露光後加熱用処理セルＣ５に備えられた第４の主搬送機構１０Ｄは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送工程（５）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（１＋α）から搬送工程（５）を合計すると、第４の主搬送機構１０Ｄは、第１〜第３の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｃよりも１つ少ない略５つの搬送工程を負担することになる。露光後加熱用処理セルＣ５だけをみれば、第４の主搬送機構１０Ｄは、１搬送工程に要する時間を４秒とした場合に、２０秒周期で動作可能であるが、他の第１〜第３の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｃが２４秒周期で動くので、結局、露光後加熱用処理セルＣ５からは、他のセルと同様に、２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣のインターフェイスセルＣ６に払い出される。
【０１１３】
インターフェイスセルＣ６の動作を説明する。周辺露光された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ９（インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」）に置かれると、インターフェイスセルＣ６のインターフェイス用搬送機構３５が基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを受け取って、隣接する露光装置ＳＴＰに渡す。さらに、インターフェイス用搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰから露光済みの基板Ｗを受け取って、その基板を基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ１０（インターフェイスセルＣ６を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」）に載せる。インターフェイス用搬送機構３５は、このような基板搬送動作を繰り返し行う。
【０１１４】
以上のように、本実施例に係る基板処理装置は、各セルＣ１〜Ｃ６が各コントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御の下で、主搬送機構１０（ただし、インデクサセルＣ１の場合はインデクサ用搬送機構７、インターフェイスセルＣ６の場合はインターフェイス用搬送機構３５）を使って基板Ｗの搬送を行い、隣接するセル間では、基板搬送に関しては、基板載置部ＰＡＳＳに基板Ｗを置いたという情報と、基板を受け取ったという情報とをやり取りするだけである。つまり、各セルは、隣接するセルにおける基板搬送の状態を監視することなく、各セルが独立してセル内の基板搬送を独立して行っている。そのために各セルからの基板の払出しは必ずしも同時には行われず、多少の時間的ズレが生じる。しかし、この時間的ズレは、隣接セル間で基板を受け渡すために設けられた基板載置部に置かれる時間が多少長くなるか、あるいは短くなるかによって吸収されるので、セル間に基板受け渡しの時間的ズレが生じたために基板搬送に支障をきたすということはない。
【０１１５】
従って、本実施例装置によれば、各セルＣ１〜Ｃ６を制御するセルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６の負担が小さくなり、それだけ基板処理装置のスループットが向上するとともに、装置構成を簡素化することができる。また、適当なセル間に基板検査部と主搬送機構とを含む基板検査用セルを容易に設置することができるので、汎用性の高い基板処理装置を実現することもできる。さらに、他のセルに比べて、搬送工程の数が少ないセルを設けておくと（実施例装置では、露光後加熱用処理セルＣ５）、他のセルに影響を与えることなく、当該セルに新たな処理部（例えば、基板検査部）を容易に追加することができる。
【０１１６】
次に、レジスト膜用処理セルＣ３において、例えばレジスト膜用塗布処理部１５で基板Ｗにレジスト膜を塗布形成するためのレジスト膜用の塗布液に関する残量アラームによる異常が発生した場合の基板搬送制御について、図１１および図１２に示したフローチャートを参照して説明する。
【０１１７】
まず、セルＣ３の第２の主搬送機構１０Ｂは、一方の保持アーム１０ａが空の状態、他方の保持アーム１０ｂに現像処理済みの基板Ｗを保持した状態で、基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に移動して、保持アーム１０ｂから基板載置部（戻り用出口基板載置部）ＰＡＳＳ４に処理済みの基板Ｗを渡す（ステップＳ１）。
【０１１８】
空になった保持アーム１０ｂに基板Ｗを受け取る前に、順方向に対してセルＣ３に基板Ｗが受け入れ禁止か否かの判定を行う（ステップＳ２）。このような判定は、セルＣ３に対応するセルコントローラＣＴ３が行う。受け入れ禁止でなければ、すなわち異常が発生していなければ、基板載置部ＰＡＳＳ３から保持アーム１０ｂに基板Ｗを受け取り（ステップＳ３）、続いて、上述した動作説明と同様に、冷却プレートＣＰとの基板Ｗの受け渡し（ステップＳ４）、レジスト膜用塗布処理部１５のスピンチャック１７から保持アーム１０ｂに基板Ｗを受け取り（ステップＳ５ａ）、保持アーム１０ａからスピンチャック１７に基板Ｗを渡し（ステップＳ５ｃ）、加熱部ＰＨＰとの基板Ｗの受け渡し（ステップＳ６）、冷却プレートＣＰとの基板Ｗの受け渡し（ステップＳ７）、基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６との基板Ｗの受け渡し（ステップＳ８）をその順に行う。
【０１１９】
なお、ステップＳ２において、セルＣ３に基板Ｗが受け入れ禁止か否かの判定は以下のようにして行われる。図１３に示すように、レジスト膜用の塗布液３８を貯留したタンク３９には、塗布液３８の液切れを防止するために、塗布膜３８が所定量Ｘ以下の残量になったときに検知する空センサ４０が設けられている。
【０１２０】
塗布膜３８が所定量Ｘ以下の残量になれば、セルＣ３に対応するセルコントローラＣＴ３に空センサ４０は液切れを示す残量アラームを送信し（ステップＴ１）、セルコントローラＣＴ３はメインコントローラＭＣに残量アラームを送信する（ステップＴ２）。メインコントローラＭＣは残量アラームをデータ設定部ＨＣに送信し、データ設定部ＨＣはアラームコードよりアラーム停止モードを確認する（ステップＴ３）。データ設定部ＨＣはメインコントローラＭＣにセル受け入れ禁止信号を送信し、メインコントローラＭＣはセルコントローラＣＴ３にセル受け入れ禁止信号を送信する（ステップＴ４）。セルコントローラＣＴ３は、基板載置部ＰＡＳＳ３に基板Ｗが載置されてもセルＣ３内にその基板Ｗを受け入れ禁止に制御する（ステップＴ５）。この受け入れ禁止は、異常が解消されるまで、すなわち図１３の場合では所定量Ｘを超えて塗布膜３８がタンク３９に貯留されるまで行われる。
【０１２１】
一方、受け入れ禁止であれば、すなわち残量アラームによる異常が発生していれば、基板載置部ＰＡＳＳ３から保持アーム１０ｂに基板Ｗを受け取らない。図１３の場合には、送り方向（順方向）の基板処理部であるレジスト膜用塗布処理部１５に異常が発生しているので、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを空の状態にした主搬送機構１０Ｂは、戻り方向（逆方向）の搬送を行い、順方向に対して基板載置部（送り用入口基板載置部）ＰＡＳＳ３よりも下手側で順方向の搬送を行う。図１３ではレジスト膜用塗布処理部１５に異常が発生しているので、順方向に対してレジスト膜用塗布処理部１５よりも下手側で順方向の搬送を行う。
【０１２２】
レジスト膜用塗布処理部１５よりも下手側で順方向の搬送を行うのは、タンク３９において塗布膜３８が所定量Ｘ以下の残量になったとはいえども、レジスト膜用塗布処理部１５のスピンチャック１７で、残量アラーム発生時に塗布形成処理されている基板Ｗについては塗布膜３８が所定量Ｘ以下の残量でも処理できるからである。もし、残量アラーム発生時に塗布形成処理されている基板Ｗでさえも処理できない程度の残量であれば、順方向に対してレジスト膜用塗布処理部１５よりも下手側にある加熱部ＰＨＰにおいて、その加熱部ＰＨＰよりも下手側で順方向の搬送を行う。
【０１２３】
レジスト膜用塗布処理部１５よりも下手側で順方向の搬送を行うために、レジスト膜用塗布処理部１５のスピンチャック１７から保持アーム１０ｂに基板Ｗを受け取る（ステップＳ５ｂ：図１１中の分岐▲１▼）。一方の保持アーム１０ａにはスピンチャック１７に渡すべき基板ＷがないのでステップＳ５ｃを行わず、ステップＳ５ｂで受け取った基板Ｗを加熱部ＰＨＰに搬送して、この加熱部ＰＨＰとの基板Ｗの受け渡し（ステップＳ６）、冷却プレートＣＰとの基板Ｗの受け渡し（ステップＳ７）、基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６との基板Ｗの受け渡しを行う（ステップＳ８）。基板載置部ＰＡＳＳ６から現像処理済みの基板Ｗを受け取った主搬送機構１０Ｂは、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に渡す（ステップＳ１）。異常が解消されて受け入れが再開されるまで、上記の基板搬送制御を繰り返し行う。
【０１２４】
このことからも受け入れ禁止時であれば、ステップＳ１、Ｓ２、図１１の分岐▲１▼を通ってステップＳ５ｂ、ステップＳ６〜Ｓ８の順に基板搬送制御を繰り返し行う。異常に関わるレジスト膜用処理セルＣ３の主搬送機構１０Ｂは、逆方向の搬送をステップＳ８からステップＳ１に戻って行い、順方向に対して基板載置部ＰＡＳＳ３よりも下手側で順方向の搬送をステップＳ５ｂ、ステップＳ６〜Ｓ８で行う。
【０１２５】
なお、異常に関わるレジスト膜用処理セルＣ３以外のセルＣ１、Ｃ２、Ｃ４〜Ｃ６については通常の基板搬送制御を行う。ただし、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗはレジスト膜用処理セルＣ３内に受け入れ禁止となっており、異常が解消されるまでは基板載置部ＰＡＳＳ３に基板Ｗが載置された状態になるので、反射防止膜用処理セルＣ２の基板搬送制御のうち、基板載置部ＰＡＳＳ３への基板Ｗの載置は行わない。
【０１２６】
次に、レジスト膜用処理セルＣ３において、例えば加熱部ＰＨＰの設定温度からの変化による異常が発生した場合の基板搬送制御について、図１４および図１５のフローチャートを参照して説明する。
【０１２７】
ステップＵ１、Ｕ２については図１２のフローチャートと同じである。すなわち、保持アーム１０ｂから基板載置部ＰＡＳＳ４に処理済みの基板Ｗを渡し（ステップＵ１）、空になった保持アーム１０ｂに基板Ｗを受け取る前に、順方向に対してセルＣ３に基板Ｗが受け入れ禁止か否かの判定を行う（ステップＵ２）。受け入れ禁止でなければ、基板載置部ＰＡＳＳ３から保持アーム１０ｂに基板Ｗを受け取り（ステップＵ３）、続いて、上述した動作説明と同様に、冷却プレートＣＰとの基板Ｗの受け渡し（ステップＵ４）、レジスト膜用塗布処理部１５のスピンチャック１７との基板Ｗの受け渡し（ステップＵ５）、加熱部ＰＨＰとの基板Ｗの受け渡し（ステップＵ６）、冷却プレートＣＰから保持アーム１０ｂに基板Ｗを受け取り（ステップＵ７ａ）、保持アーム１０ａから冷却プレートＣＰに基板Ｗを渡し（ステップＵ７ｃ）、基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６との基板Ｗの受け渡し（ステップＵ８）をその順に行う。
【０１２８】
なお、ステップＵ２において、セルＣ３に基板Ｗが受け入れ禁止か否かの判定は以下のようにして行われる。図７に示す加熱部ＰＨＰの上蓋２２内の温度が、所定の設定温度から変化したとき、セルＣ３に対応するセルコントローラＣＴ３に温度アラームを送信し（ステップＶ１）、セルコントローラＣＴ３はメインコントローラＭＣに温度アラームを送信する（ステップＶ２）。メインコントローラＭＣは温度アラームをデータ設定部ＨＣに送信し、データ設定部ＨＣはアラームコードよりアラーム停止モードを確認する（ステップＶ３）。データ設定部ＨＣはメインコントローラＭＣにセル受け入れ禁止信号を送信し、メインコントローラＭＣはセルコントローラＣＴ３にセル受け入れ禁止信号を送信する（ステップＶ４）。セルコントローラＣＴ３は、基板載置部ＰＡＳＳ３に基板Ｗが載置されてもセルＣ３内にその基板Ｗを受け入れ禁止に制御する（ステップＶ５）。この受け入れ禁止は、異常が解消されるまで、すなわち図７の場合では上蓋２２内の温度が所定の設定温度前後に安定するまで行われる。
【０１２９】
一方、受け入れ禁止であれば、すなわち加熱部ＰＨＰの設定温度からの変化による異常が発生していれば、基板載置部ＰＡＳＳ３から保持アーム１０ｂに基板Ｗを受け取らない。図７の場合には、送り方向（順方向）の基板処理部である加熱部ＰＨＰに異常が発生しているので、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを空の状態にした主搬送機構１０Ｂは、戻り方向（逆方向）の搬送を行い、順方向に対して基板載置部（送り用入口基板載置部）ＰＡＳＳ３よりも下手側で順方向の搬送を行う。図７では加熱部ＰＨＰに異常が発生しているので、順方向に対して冷却プレートＣＰよりも下手側で順方向の搬送を行う。
【０１３０】
冷却プレートＣＰよりも下手側で順方向の搬送を行うのは、加熱部ＰＨＰの上蓋２２内の温度が、所定の設定温度から変化すれば、温度アラーム発生時に加熱処理されている基板Ｗについては所定の設定温度からの変化による影響を被るからである。従って、図１３の残量アラームとは相違し、順方向に対して加熱部ＰＨＰよりも下手側にある冷却プレートＣＰにおいて、その冷却プレートＣＰよりも下手側で順方向の搬送を行う。
【０１３１】
冷却プレートＣＰよりも下手側で順方向の搬送を行うために、冷却プレートＣＰから保持アーム１０ｂに基板Ｗを受け取る（ステップＵ７ｂ：図１４中の分岐▲１▼）。一方の保持アーム１０ａには冷却プレートＣＰに渡すべき基板ＷがないのでステップＵ７ｃを行わず、ステップＵ７ｂで受け取った基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に搬送して、この基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６との基板Ｗの受け渡しを行う（ステップＵ８）。基板載置部ＰＡＳＳ６から現像処理済みの基板Ｗを受け取った主搬送機構１０Ｂは、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に渡す（ステップＵ１）。異常が解消されて受け入れが再開されるまで、上記の基板搬送制御を繰り返し行う。
【０１３２】
このことからも受け入れ禁止時であれば、ステップＵ１、Ｕ２、図１４の分岐▲１▼を通ってステップＵ７ｂ、Ｕ８の順に基板搬送制御を繰り返し行う。異常に関わるレジスト膜用処理セルＣ３の主搬送機構１０Ｂは、逆方向の搬送をステップＵ８からステップＵ１に戻って行い、順方向に対して基板載置部ＰＡＳＳ３よりも下手側で順方向の搬送をステップＵ７ｂ、ステップＵ８で行う。
【０１３３】
次に、現像処理セルＣ４において、例えば現像処理部３０で基板Ｗに現像処理を施すための現像液に関する残量アラームによる異常が発生した場合の基板搬送制御について、図１６のフローチャートを参照して説明する。
【０１３４】
まず、セルＣ４の第３の主搬送機構１０Ｃは、一方の保持アーム１０ａが空の状態、他方の保持アーム１０ｂにレジスト膜が塗布形成された基板Ｗを保持した状態で、基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に移動して、保持アーム１０ｂから基板載置部（送り用出口基板載置部）ＰＡＳＳ７に処理済みの基板Ｗを渡す（ステップＷ１）。
【０１３５】
空になった保持アーム１０ｂに、露光後の加熱処理済みの基板Ｗを受け取る前に、逆方向に対してセルＣ４に基板Ｗが受け入れ禁止か否かの判定を行う（ステップＷ２）。このような判定は、セルＣ４に対応するセルコントローラＣＴ４が行う。受け入れ禁止でなければ、すなわち異常が発生していなければ、基板載置部（戻り用入口基板載置部）ＰＡＳＳ８から保持アーム１０ｂに基板Ｗを受け取り（ステップＷ３）、続いて、上述した動作説明と同様に、冷却プレートＣＰとの基板Ｗの受け渡し（ステップＷ４）、現像処理部３０のスピンチャック３２から保持アーム１０ｂに基板Ｗを受け取り（ステップＷ５ａ）、保持アーム１０ａからスピンチャック３２に基板Ｗを渡し（ステップＷ５ｃ）、加熱プレートＨＰとの基板Ｗの受け渡し（ステップＷ６）、水冷式の冷却プレートＷＣＰとの基板Ｗの受け渡し（ステップＷ７）、基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６との基板Ｗの受け渡し（ステップＷ８）をその順に行う。
【０１３６】
なお、ステップＳ２において、セルＣ４に基板Ｗが受け入れ禁止か否かの判定は、レジスト膜用の塗布液に関する残量アラームと同様に、現像液を貯留するタンクにおいて現像液が所定量以下の残量になれば残量アラームを送信して、基板載置部ＰＡＳＳ８に基板Ｗが載置されてもセル４Ｃ内にその基板Ｗを受け入れ禁止に制御する。この受け入れ禁止は、異常が解消されるまで行われる。
【０１３７】
一方、受け入れ禁止であれば、すなわち残量アラームによる異常が発生していれば、基板載置部ＰＡＳＳ８から保持アーム１０ｂに基板Ｗを受け取らない。現像液に関する残量アラームの場合には、戻し方向（逆方向）の基板処理部である現像処理部３０に異常が発生しているので、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを空の状態にした主搬送機構１０Ｃは、送り方向（順方向）の搬送を行い、逆方向に対して基板載置部（戻し用入口基板載置部）ＰＡＳＳ８よりも下手側で逆方向の搬送を行う。現像液に関する残量アラームでは現像処理部３０に異常が発生しているので、逆方向に対して現像処理部３０よりも下手側で逆方向の搬送を行う。
【０１３８】
現像処理部３０よりも下手側で逆方向の搬送を行うのは、タンクにおいて現像液が所定量以下の残量になったとはいえども、現像処理部３０のスピンチャック３２で、残量アラーム発生時に現像処理されている基板Ｗについては現像液が初手量以下の残量でも処理できるからである。もし、残量アラーム発生時に現像処理されている基板Ｗでさえも処理できない程度の残量であれば、逆方向に対して現像処理部３０よりも下手側にある加熱プレートＨＰにおいて、その加熱プレートＨＰよりも下手側で逆方向の搬送を行う。
【０１３９】
現像処理部３０よりも下手側で逆方向の搬送を行うために、現像処理部３０のスピンチャック３２から保持アーム１０ｂに基板Ｗを受け取る（ステップＷ５ｂ：図１６中の分岐▲１▼）。一方の保持アーム１０ａにはスピンチャック３２に渡すべき基板ＷがないのでステップＷ５ｃを行わず、ステップＷ５ｂで受け取った基板Ｗを加熱プレートＨＰに搬送して、この加熱プレートＨＰとの基板Ｗの受け渡し（ステップＷ６）、水冷式の冷却プレートＷＣＰとの基板Ｗの受け渡し（ステップＷ７）、基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６との基板Ｗの受け渡しを行う（ステップＷ８）。基板載置部ＰＡＳＳ５から基板Ｗを受け取った主搬送機構１０Ｃは、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に渡す（ステップＷ１）。異常が解消されて受け入れが再開されるまで、上記の基板搬送制御を繰り返し行う。
【０１４０】
このことからも受け入れ禁止時であれば、ステップＷ１、Ｗ２、図１６の分岐▲１▼を通ってステップＷ５ｂ、ステップＷ６〜Ｗ８の順に基板搬送制御を繰り返し行う。異常に関わる現像処理セルＣ４の主搬送機構１０Ｃは、順方向の搬送をステップＷ８からステップＷ１に戻って行い、逆方向に対して基板載置部ＰＡＳＳ８よりも下手側で逆方向の搬送をステップＷ５ｂ、ステップＷ６〜Ｗ８で行う。
【０１４１】
なお、異常に関わる現像処理セルＣ４以外のセルＣ１〜Ｃ３、Ｃ５、Ｃ６ついては通常の基板搬送制御を行う。ただし、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは現像処理セルＣ４内に受け入れ禁止となっており、異常が解消されるまでは基板載置部ＰＡＳＳ８に基板Ｗが載置された状態となるので、露光後加熱用処理セルＣ５の基板搬送制御のうち、基板載置部ＰＡＳＳ８への基板Ｗの載置は行わない。
【０１４２】
以上のように、本実施例によれば、例えば塗布液や現像液に代表される薬液が所定量以下の残量になったときや加熱部に代表される熱処理部の温度が所定の温度から変化したときなどの異常発生時に、その異常に関わる被制御ユニット（セル）に基板Ｗを受け入れ禁止に制御するので、異常が解消されて受け入れを再開しても、そのセルの処理部に基板Ｗを即座に受け入れることができ、スループットを向上させることができる。
【０１４３】
このようなセル内に基板Ｗを受け入れ禁止にする基板搬送制御は、レジスト膜用処理セルＣ３や現像処理セルＣ４だけに限らず、他のセルにおいても有効である。
【０１４４】
本実施例では、セルＣ３のレジスト膜用塗布処理部１５や加熱部ＰＨＰに異常が認められる場合、すなわち順方向に関して異常の発生が認められた場合に、受け入れ禁止時には、異常に関わるセルＣ３の第２の主搬送機構１０Ｂが、戻り方向（逆方向）の搬送処理を行い、送り方向（順方向）に対して送り用入口基板載置部ＰＡＳＳ３よりも下手側で順方向の搬送処理を行うように制御することで、受け入れ禁止の状況においても、逆方向の搬送処理を行うことができる。また、受け入れを再開しても、順方向の搬送処理が既に行われているので、順方向に対して下手側の基板Ｗに邪魔されることなく下手側の処理を円滑に行うことができる。
【０１４５】
また、本実施例では、セルＣ４の現像処理部３０に異常が認められる場合、すなわち逆方向に関して異常の発生が認められた場合に、受け入れ禁止時には、異常に関わるセルＣ４の第３の主搬送機構１０Ｃが、送り方向（順方向）の搬送処理を行い、戻り方向（逆方向）に対して戻り用入口基板載置部ＰＡＳＳ８よりも下手側で逆方向の搬送処理を行うように制御することで、受け入れ禁止の状況においても、順方向の搬送処理を行うことができる。また、受け入れを再開しても、逆方向の搬送処理が既に行われているので、逆方向に対して下手側の基板Ｗに邪魔されることなく下手側の処理を円滑に行うことができる。
【０１４６】
また、本実施例では、塗布液や現像液に代表される薬液が所定量以下の残量の状態で基板が処理されるのを防止することができる。また、従来の場合には、例えばインデクサセルＣ１から異常に関わるセルＣ３、Ｃ４までの間に介在するブロックやセルにおいて基板が多数存在するので、それらの基板の分だけ所定量を多く設定しなければならないが、本実施例の場合には、レジスト膜用処理セルＣ３のレジスト膜用塗布処理部１５や現像処理セルＣ４の現像処理部３０に基板を受け入れ禁止にしているので、間に他の基板が介在することなく、余裕をもって所定量を少なめに設定することができる。その結果、図１３に示すタンク３９などに代表される薬液槽の小型化も図ることができる。
【０１４７】
また、本実施例では、熱処理の温度が所定の設定温度から変化したときに基板が処理されるのを防止することができる。
【０１４８】
本発明は、上述した実施例のものに限らず、例えば次のように変形実施することができる。
（１）上記実施例では、各処理ブロック２〜４や、各処理セルＣ２〜Ｃ５は、各々４つに基板載置部（すなわち、送り用入口基板載置部、戻り用入口基板載置部、送り用出口基板載置部、戻り用出口基板載置部）を備えていたが、少なくとも１つの処理ブロック（または、処理セル）が、さらに別の入口基板載置部と出口基板載置部）とを備えていてもよい。例えば、図１７に示した基板処理装置は、反射防止膜用処理ブロック２が、送り用入口基板載置部ＰＡＳＳ１、戻り用入口基板載置部ＰＡＳＳ４、送り用出口基板載置部ＰＡＳＳ３、戻り用出口基板載置部ＰＡＳＳ２の他に、別の入口基板載置部ＰＡＳＳ６と出口基板載置部ＰＡＳＳ５とを備えている。この反射防止膜用処理ブロック２に基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４を共用するように現像処理ブロック４が隣接するとともに、基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６を共用するようにレジスト膜用処理部ブロック３が隣接している。この例によれば、反射防止膜用処理ブロック２で処理された基板Ｗは、出口基板載置部ＰＡＳＳ５を介してレジスト膜用処理部ブロック３に送られ、このブロック３で処理された基板Ｗが入口基板載置部ＰＡＳＳ６を介して反射防止膜用処理ブロック２に戻され、さらに基板載置部ＰＡＳＳ３を介して現像処理ブロック４に送られる。現像処理された基板Ｗは、基板載置部ＰＡＳＳ４を介して反射防止膜用処理ブロック２に戻された後、レジスト膜用処理部ブロック３を介さずに直接にインデクサブロック１に戻される。このように少なくとも１つの処理ブロック（処理セル）に、６つの、あるいはそれ以上の基板載置部を設けると、処理ブロック（あるいは、処理セル）の配置の自由度を向上させることができる。
【０１４９】
（２）実施例では、送り用入口基板載置部と戻り用出口基板載置部とを上下に近接配置されるとともに、戻り用入口基板載置部と送り用出口基板載置部とを上下に配置されたが、上記一対の基板載置部をそれぞれ横に並べて近接配置させてもよい。
【０１５０】
（３）実施例では各基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０は、それぞれ基板Ｗを１枚だけ載置する構造であったが、少なくともいずれか１つの基板載置部を複数枚の基板を多段に積層載置する、いわゆる棚構造を備えるようにしてもよい。こようにすれば、ある基板載置部に基板が置かれても、その基板をすぐに取りに行かなくても、後続の基板は別の段に載置される。これにより主搬送機構の制御に余裕ができるので、基板搬送の制御が容易になる。また、インターフェイスブロック５において、基板載置部ＰＡＳＳ９を多段の棚構造に代えれば、これを送り用バッファＳＢＦとして兼用させることができる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１０を多段の棚構造に代えれば、これを基板戻し用のバッファＲＢＦとして兼用させることができる。
【０１５１】
（４）実施例では各基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗが通過する開口部が開放状態のままであったが、これらの基板載置部を介して隣接する処理ブロック（処理セル）間で雰囲気の流入が問題になる場合には、そのような基板載置部の開口部にシャッタ機構を取りつけ、主搬送機構の保持アームが基板の受け渡しをするときだけシャッタ機構を開放し、その他のときはシャッタ機構を閉じるように構成しても良い。
【０１５２】
（５）実施例では各基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗを単に載置するだけであったが、基板載置部に基板Ｗを大まかに冷却する冷却手段（例えば、水冷式の冷却プレート）を設けても良い。例えば、反射防止膜用処理ブロック２の基板載置部ＰＡＳＳ３や、現像処理ブロック４の基板載置部ＰＡＳＳ６に、冷却手段を備えると、基板載置部に基板が置かれて待機している間に、基板を適正な温度にまで冷却して維持することができ、また、これらを冷却プレートＷＣＰとして兼用させることもできる。
【０１５３】
（６）実施例では各基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０は固定設置されたものであったが、必要に応じて主搬送機構に向けて水平移動する水平移動機構に搭載するようにしてもよい。この構成によれば、主搬送機構の水平移動ストロークをあまり長く設定しなくても、基板載置部が水平移動することにより、基板受け渡し位置にまで基板を移動させることができるので、主搬送機構の構成上、あるいは配置上の制約が少なくなる。
【０１５４】
（７）実施例では、第１〜第４の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄは水平方向には移動せずに、保持アームだけが昇降・旋回・進退移動可能に構成したが、これらの主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄが水平方向に移動するものであってもよい。
【０１５５】
（８）第１〜第４の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄは、それぞれ２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを備えていたが、単一の保持アーム、あるいは３つ以上の保持アームを備えるものであってもよい。
【０１５６】
（９）実施例では、露光後加熱用処理セルＣ５を、現像処理ブロック４とインターフェイスブロック５とに跨って配設したが、露光後加熱用処理セルＣ５を独立したブロック（個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられた要素）として構成してもよい。
【０１５７】
（１０）実施例では、反射防止膜用処理ブロック２とレジスト膜用処理ブロック３とを個別に設けたが、単一の処理ブロックで反射防止膜塗付処理とレジスト膜塗付処理を行うようにしてもよい。また、反射防止膜の塗布処理が不要である場合は、反射防止膜用処理ブロック２を備えなくてもよい。
【０１５８】
（１１）実施例では、レジスト膜用塗布処理部１５や加熱部ＰＨＰや現像処理部３０に異常が発生した場合を例に採って説明したが、例えば冷却プレートＣＰやエッジ露光部ＥＥＷなどの処理部に異常が発生した場合にも本発明を適用することができる。また、処理部に異常が発生するのは、薬液の残量アラームや処理部の設定温度の変化に関する温度アラームに限定されない。
【０１５９】
（１２）実施例では、処理部に異常が発生した場合を例に採って説明したが、例えば搬送系に異常が発生した場合にも、本発明を適用することができる。例えば、レジスト膜用処理セルＣ３の第２の主搬送機構１０Ｂに異常が発生した場合には、レジスト膜用処理セルＣ３を基準にして言えば送り用入口基板載置部ＰＡＳＳ３や戻り用入口基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗを受け入れ禁止にする。この場合には、レジスト膜用処理セルＣ３において、順方向や逆方向の搬送処理を行うことはできないが、受け入れを再開するまで、セルＣ３以外のセルＣ１、Ｃ２、Ｃ４〜Ｃ６については通常の基板搬送制御を行うことができる。
【０１６０】
（１３）実施例では、各々のセルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６が、各セル内の基板の受け渡しだけを対象にした制御、いわゆる分散制御であったが、処理ブロックを並設して構成される基板処理装置にも本発明を適用することができる。この場合には、並設された複数個の処理ブロックで順に行われる。各処理ブロックでは各々の主搬送機構が、隣接する処理ブロックから入口基板載置部を介して受け入れられた基板の搬送、処理部に対して基板の受け渡し、および隣接する処理ブロックへ出口基板載置部を介して払い出す基板の搬送を並行して行う。つまり、各処理ブロックの主搬送機構は同時並行的に作動する。
【０１６１】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、異常発生時に、その異常に関わる処理ブロックまたは被制御ユニットに基板を受け入れ禁止に制御するので、異常が解消されて受け入れを再開しても、その処理ブロックまたはその被制御ユニットの処理部に基板を即座に受け入れることができ、スループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る基板処理装置の概略構成を示した平面図である。
【図２】実施例装置の概略構成を示した正面図である。
【図３】熱処理部の正面図である。
【図４】隔壁に設けられた基板載置部の周辺構成を示す破断正面図である。
【図５】インターフェイスブロックの概略構成を示す側面図である。
【図６】（ａ）は主搬送機構の概略構成を示す平面図、（ｂ）はその正面図である。
【図７】（ａ）は基板仮置部付きの加熱部の破断側面図、（ｂ）は破断平面図である。
【図８】（ａ）は実施例装置のブロック配置を示した平面図、（ｂ）は実施例装置のセル配置を示した平面図である。
【図９】（ａ）は実施例装置の制御系を示したブロック図、（ｂ）は比較のために示した従来装置の制御系のブロック図である。
【図１０】第１〜第４の主搬送機構による基板搬送の流れを示した図である。
【図１１】レジスト膜用の塗布液に関する残量アラームによる異常が発生した場合の基板搬送制御の動作説明に供するフローチャートである。
【図１２】塗布液や現像液に関する残量アラームが発生してから受け入れ禁止に制御するまでのフローチャートである。
【図１３】塗布液を貯留したタンクの概略図である。
【図１４】設定温度からの変化による異常が発生した場合の基板搬送制御の動作説明に供するフローチャートである。
【図１５】設定温度からの変化に関する温度アラームが発生してから受け入れ禁止に制御するまでのフローチャートである。
【図１６】現像液に関する残量アラームによる異常が発生した場合の基板搬送制御の動作説明に供するフローチャートである。
【図１７】変形例に係る基板処理装置のレイアウトを示す図である。
【図１８】従来の基板処理装置の概略構成を示した平面図である。
【符号の説明】
１  …インデクサブロック
２  …反射防止膜用処理ブロック
３  …レジスト膜用処理ブロック
４  …現像処理ブロック
５  …インターフェイスブロック
７  …インデクサ用搬送機構
１０Ａ〜１０Ｄ  …第１〜第４の主搬送機構
３５  …インターフェイス用搬送機構
Ｃ１  …インデクサセル
Ｃ２  …反射防止膜用処理セル
Ｃ３  …レジスト膜用処理セル
Ｃ４  …現像処理セル
Ｃ５  …露光後加熱用処理セル
Ｃ６  …インターフェイスセル
Ｗ  …基板
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０  …基板載置部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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