(57)【要約】【課題】装置の価格上昇を最小限に抑えつつ、ＶＨＦ　ＨｉｇｈバンドおよびＶＨＦ　Ｌｏｗバンドにおける周波数特性の改善を行なうことのできる電子チューナを提供する。【解決手段】増幅回路２の入力部とグランドとの間に、コイルＬ１とダイオードＤ１とが直列に接続され、上記コイルＬ１とダイオードＤ１の接続部とグランドとの間に、コンデンサＣ１が接続されている。ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ制御電源からの電圧がハイレベルのとき、上記ダイオードＤ１は導通状態となり、コイルＬ１と増幅回路２の入力容量とで、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの受信信号の周波数特性を改善するゲイン補正回路を形成し、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ制御電源からの電圧がローレベルのとき、上記ダイオードＤ１は非導通状態となり、コイルＬ１とコンデンサＣ１とで、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの受信信号の周波数特性を改善するトラップ回路を形成する。【選択図】　図２
2004072451.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＶＨＦをＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドとＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの２つの周波数バンドに切り替えて受信する電子チューナにおいて、
受信信号を増幅する増幅回路と、増幅した受信信号に対して局部発振信号を混合して周波数変換する混合回路とを備え、
上記増幅回路の入力部、出力部、上記混合回路の入力部の少なくとも１箇所とグランドとの間に、コイルとスイッチング素子とが該スイッチング素子がグランド側になるように直列に接続されると共に、上記コイルとスイッチング素子の接続部とグランドとの間に、コンデンサが接続され、
上記スイッチング素子は、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドに切り替えられたとき、導通状態となり、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドに切り替えられたとき、非導通状態となることを特徴とする電子チューナ。
【請求項２】
ＶＨＦをＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドとＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドとに切り替えるためのバンド切替制御電圧を発生する電源が設けられ、
上記スイッチング素子は、上記バンド切替制御電圧が印加されることで、導通・非導通状態になることを特徴とする請求項１記載の電子チューナ。
【請求項３】
上記スイッチング素子は、ダイオードであることを特徴とする請求項１記載の電子チューナ。
【請求項４】
上記スイッチング素子は、トランジスタであることを特徴とする請求項１記載の電子チューナ。
【請求項５】
ＶＨＦをＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドとＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの２つの周波数バンドに切り替えて受信する電子チューナにおいて、
受信したＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの信号の周波数特性の劣化を改善する第１改善部と、
受信したＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの信号の周波数特性の劣化を改善する第２改善部と、
ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの信号受信時には、上記第１改善部が動作し、ＶＨＦ　Ｌｏｗバンドの信号受信時には、上記第２改善部が動作するように、第１改善部と第２改善部とを切り替える切替部とを備えていることを特徴とする電子チューナ。
【請求項６】
ＶＨＦをＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドとＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドとに切り替えるためのバンド切替制御電圧を発生する電源が設けられ、
上記切替部は、上記バンド切替制御電圧が印加されることで、第１改善部と第２改善部とを切り替えることを特徴とする請求項５記載の電子チューナ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＴＶ，ＶＴＲ，ＣＡＴＶ機器において、ＴＶ放送局を選局するために使用される電子チューナに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、電子チューナは、各ＴＶ放送局より送信される多数の信号の一つを選局し、希望の番組を受信させる為の機器である。
【０００３】
上記電子チューナについて、図１０を参照しながら以下に説明する。図１０は、一般的な電子チューナのブロック図を示す。
【０００４】
図１０に示すように、選局部のＲＦ−ＩＮ端子から入力された受信信号は、まず、電源１０６からの同調電圧に連動するバンドパスフィルタ１０１（ＢＰＦ（１））により希望信号のみ選別され、その後、ＡＭＰ１０２に入り増幅される。
続いて、増幅された受信信号は、同様に電源１０６からの同調電圧に連動するバンドパスフィルタ１０３（ＢＰＦ（２））により更に選別され、ミキサ回路１０４（ＭＩＸ）に入る。
【０００５】
上記ミキサ回路１０４には、電源１０６からの同調電圧により発振周波数を変化させる事の出来る局部発振回路１０５（ＶＣＯ）が接続されている。この局部発振回路１０５は、同調電圧に連動した局部発振信号（ＬＯＣＡＬ）を発振し、上記ミキサ回路１０４に出力するようになっている。
【０００６】
上記ミキサ回路１０４では、受信信号に対して局部発振信号を混合する事により周波数変換を行い、ＩＦ−ＯＵＴ端子に出力する。
【０００７】
このＩＦ−ＯＵＴ端子に出力される信号をＩＦ信号と称する。このＩＦ信号の周波数は、局部発振信号の周波数と、受信信号の周波数との差により決定される。
【０００８】
したがって、局部発振信号の周波数は、ＲＦ−ＩＮ端子から入力される希望信号に比例して変更される為、ＩＦ信号は常に一定の周波数となる。
【０００９】
このように、ＩＦ信号の周波数は、常に一定の周波数である為、特定の放送局だけを選局し、受信する事が可能となる。
【００１０】
ところで、通常、ＴＶの放送局の周波数として使用されているＶＨＦの周波数帯域は範囲が広い為、２つの帯域に分けて受信するようにした回路構成の電子チューナが採用されている。この周波数帯域の下側の帯域をＶＨＦ　Ｌｏｗバンド、上側の帯域をＶＨＦ　Ｈｉｇｈバンドと称する。
【００１１】
したがって、上記電子チューナにおいては、バンド毎に制御電源のラインがあり、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドを受信する場合は、ＶＨＦ　Ｌｏｗ制御電源の電圧がＨｉｇｈとなり、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの回路が動作し、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈバンドを受信する場合は、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ制御電源の電圧がＨｉｇｈとなりＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの回路が動作するようにして、ＶＨＦの広い帯域の範囲の周波数を受信する事が可能となる。
【００１２】
図１１は、図１０に示すＡＭＰ部直前の回路構成のブロック図を示す。
【００１３】
例えば、図１０に示す電子チューナにおいて、図１１に示す回路（ゲイン補正回路１７）を用いて、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈバンドのゲインを補正している。
【００１４】
すなわち、図１１に示すゲイン補正回路１７では、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ制御電源の電圧がＨｉｇｈになった場合、その電圧はＲ１を通り、Ｄ１のカソード側に電圧が生じる為、Ｄ１は導通状態となる。このとき、ＡＭＰには幾らかの入力容量がある為、等価的に、図１２に示すような回路となる。
【００１５】
ここで、Ｌ１の値を適切な値にすると、Ｌ１とＣｉにてフィルタが生じ、ゲインの低い部分を持ち上げる事が出来る。つまり、ゲインの低い部分を持ち上げて、帯域（ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ）内の周波数特性をフラットに補正する事が可能となる。
【００１６】
このように、通常、電子チューナには、上述のようなゲイン補正回路が何らかの形で入っており、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈバンドの周波数特性を改善している。
【００１７】
また、図１０に示す電子チューナでは、ＶＨＦ　Ｌｏｗバンドにおいても、周波数特性の劣化、すなわち以下に示すＩＦ妨害を受けて周波数特性の性能劣化が生じる。
【００１８】
電子チューナのＩＦ−ＯＵＴ端子から出力されるＩＦ信号は、選局した特定の放送局だけの信号である事が望ましいが、色々な理由により他の妨害信号が入りこみ、性能が劣化する虞がある。
【００１９】
代表的な性能劣化を生じさせるものとして、ＩＦ妨害と呼ばれるものがあるが、これは、ＲＦ−ＩＮ端子にＩＦ信号と同一周波数の妨害信号があった場合、電子チューナ内の回路を直接又は間接的に通過しＩＦ−ＯＵＴ端子まで出力され、選局された特定の放送局の信号を劣化させる妨害である。このＩＦ妨害は、低い周波数、つまりＩＦ信号に近い周波数（ＶＨＦ　Ｌｏｗバンド）ほど起こりやすい。
【００２０】
そこで、ＩＦ妨害を改善する為に、例えば実開平４−１０５７２３号公報には、１段以上のトラップ回路（可変トラップ回路）を電子チューナ内に設ける技術が開示されている。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述のように、電子チューナには、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈバンドにおいて周波数特性を改善するためのゲイン補正回路が既に設けられているので、ＶＨＦ　ＬｏｗバンドにおいてＩＦ妨害を改善するためのトラップ回路を設けることは、回路構成の大型化及び装置の価格上昇を招来するという問題が生じる。特に、ＩＦ妨害を適切に改善するには、トラップ回路の段数を多くする必要があるが、このような場合には、さらに回路構成が大型化し、装置の価格情報を招くという問題が生じる。
【００２２】
そこで、本発明は、上記の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、装置の価格上昇を最小限に抑えつつ、ＶＨＦ　ＨｉｇｈバンドおよびＶＨＦ　Ｌｏｗバンドにおける周波数特性の改善を行なうことのできる電子チューナを提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明の電子チューナは、ＶＨＦをＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドとＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの２つの周波数バンドに切り替えて受信する電子チューナにおいて、受信信号を増幅する増幅回路と、増幅した受信信号に対して局部発振信号を混合して周波数変換する混合回路とを備え、上記増幅回路の入力部、出力部、上記混合回路の入力部の少なくとも１箇所とグランドとの間に、コイルとスイッチング素子とが該スイッチング素子がグランド側になるように直列に接続されると共に、上記コイルとスイッチング素子の接続部とグランドの間に、コンデンサが接続され、上記スイッチング素子は、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドに切り替えられたとき、導通状態となり、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドに切り替えられたとき、非導通状態となることを特徴としている。
【００２４】
上記の構成によれば、スイッチング素子が、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドに切り替えられたときに、導通状態となることで、上記コイルと、上記増幅回路の入力容量、出力容量、あるいは混合回路の入力容量の何れかとで、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの受信信号の周波数特性の劣化を改善するためのゲイン補正回路を形成し、スイッチング素子が、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドに切り替えられたときに、非導通状態となることで、上記コイルと、上記コンデンサとで、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの受信信号の周波数特性の劣化を改善するためのトラップ回路を形成することができる。
【００２５】
このように、各バンドの受信信号の周波数特性の劣化を改善するための回路（ゲイン補正回路、トラップ回路）を、共通の構成要素（コイル）で構成し、スイッチング素子によって切り替えて使用するようにすれば、ゲイン補正回路とトラップ回路とを別々に構成した場合に比べて、装置内の回路規模を小さくすることができる。
【００２６】
しかも、トラップ回路は、ゲイン補正回路に対して、コイルを一つ設けただけで構成されるようになっているので、最小限のコストアップ（約コンデンサ１個分）で装置にゲイン補正回路の他にトラップ回路を追加することが可能となる。
【００２７】
以上のことから、上記構成の電子チューナによれば、装置の価格上昇を最小限に抑えつつ、ＶＨＦ　ＨｉｇｈバンドおよびＶＨＦ　Ｌｏｗバンドにおける周波数特性の改善を行なうことができる。
【００２８】
また、ＶＨＦをＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドとＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドとに切り替えるためのバンド切替制御電圧を発生する電源が設けられ、上記スイッチング素子は、上記バンド切替制御電圧が印加されることで、導通・非導通状態になるようにしてもよい。
【００２９】
この場合、スイッチング素子に、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドとＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドとを切り替えるのに使用されるバンド切替制御電圧が印加されることで、導通・非導通の状態を切り替えるようになっているので、スイッチング素子の導通・非導通の状態を切り替えるための電圧を別に生成しないで済む。
【００３０】
これにより、スイッチング素子の導通・非導通状態の切替に必要な電圧は、既存の電源（バンド切替制御電圧を発生する電源）を使用することができるので、さらに、装置の回路規模の簡略化および低価格化を図ることができる。
【００３１】
上記スイッチング素子を、ダイオードで構成してもよく、また、トランジスタで構成してもよい。
【００３２】
本発明の電子チューナは、上記の課題を解決するために、ＶＨＦをＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドとＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの２つの周波数バンドに切り替えて受信する電子チューナにおいて、受信したＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの信号の周波数特性の劣化を改善する第１改善部と、受信したＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの信号の周波数特性の劣化を改善する第２改善部と、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの信号受信時には、上記第１改善部が動作し、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの信号受信時には、上記第２改善部が動作するように、第１改善部と第２改善部とを切り替える切替部とを備えていることを特徴としている。
【００３３】
上記の構成によれば、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの信号受信時には、第１改善部が動作し、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの信号受信時には、上記第２改善部が動作するように、第１改善部と第２改善部とを切り替える切替部を有しているので、ＶＨＦの信号を受信する際に、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドとＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドとの切り替えに連動して、各バンドの受信信号の周波数特性の劣化を改善するようになる。
【００３４】
このように、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの受信信号の周波数特性の劣化の改善と、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの受信信号の周波数特性の劣化の改善とを切り替えて行なうようにすれば、各バンドの受信信号の周波数特性の劣化の改善をそれぞれが独立した回路で実現する場合に比べて、回路の構成要素の共通化を図ることが可能となり、回路規模を小さく、しかも簡素な構成にすることができる。
【００３５】
したがって、ＶＨＦ　ＨｉｇｈバンドおよびＶＨＦ　Ｌｏｗバンドにおける周波数特性の改善を行なうために回路を追加した場合であっても、装置の価格上昇を最小限に抑えることが可能となる。
【００３６】
また、ＶＨＦをＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドとＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドとに切り替えるためのバンド切替制御電圧を発生する電源が設けられ、上記切替部は、上記バンド切替制御電圧が印加されることで、第１改善部と第２改善部とを切り替えるようにしてもよい。
【００３７】
この場合、切替部の第１改善部と第２改善部との切替動作が、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドとＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドとを切り替えるのに使用されるバンド切替制御電圧が、該切替部に印加されることで行なわれるので、切替部の切替動作を制御するための電圧を別に生成しないで済む。
【００３８】
これにより、切替部の切替動作を制御するのに必要な電圧を発生させる電圧発生部を別に設ける必要がなく、既存の電源を使用することができるので、さらに、装置の回路規模の簡略化および低価格化を図ることができる。
【００３９】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態について説明すれば、以下の通りである。
【００４０】
本実施の形態に係る電子チューナについて、図１ないし図３を参照しながら以下に説明する。図１は、電子チューナのブロック図を示し、図２は、図１に示す電子チューナに備えられた周波数特性を改善するための回路のブロック図を示し、図３は、図２に示すブロック回路の等価回路図を示す。
【００４１】
本実施の形態に係る電子チューナは、ＶＨＦをバンド切替制御電圧によって２つの周波数バンドに切り替えて受信する電子チューナであって、図１に示すように、ＲＦ−ＩＮ端子とＩＦ−ＯＵＴ端子の間に、バンドパスフィルタ１（ＢＰＦ（１））、増幅回路２（ＡＭＰ）、バンドパスフィルタ３（ＢＰＦ（２））、ミキサ回路４（ＭＩＸ）が直列に接続された構成となっている。
【００４２】
上記ミキサ回路（混合回路）４には、電源６からの同調電圧に連動した局部発振信号（ＬＯＣＡＬ）を発生して、該ミキサ回路４に出力する局部発振回路５（ＶＣＯ）が接続されている。
【００４３】
上記バンドパスフィルタ１と増幅回路２の間には、受信した信号の周波数特性を改善するための特性改善回路７が接続されている。さらに、増幅回路２とバンドパスフィルタ３の間、バンドパスフィルタ３とミキサ回路４の間にも、それぞれ受信した信号の周波数特性を改善するための特性改善回路７が設けられている。なお、上記特性改善回路７の詳細については、後述する。
【００４４】
また、上記電源６は、局部発振回路５の他に、バンドパスフィルタ１、３に対しても同調電圧を印加するようになっている。そして、電源６は、上述したバンド切替制御電圧を、上記バンドパスフィルタ１、３と、特性改善回路７に印加するようになっている。したがって、電源６は、同調電圧発生手段とバンド切替制御電圧発生手段の両機能を備えていることになる。
【００４５】
上記構成の電子チューナの動作について以下に説明する。
【００４６】
図１に示すように、選局部としての電子チューナのＲＦ−ＩＮ端子から入力された受信信号は、まず、電源６からの同調電圧に連動するバンドパスフィルタ１により希望信号のみ選別され、その後、増幅回路２に入り増幅される。続いて、増幅された受信信号は、同様に電源６からの同調電圧に連動するバンドパスフィルタ３により更に選別され、ミキサ回路４に入る。
【００４７】
上記ミキサ回路４には、受信信号の他に、局部発振回路５からの局部発振信号が入力されるようになっており、受信信号に対して局部発振信号を混合することにより周波数変換を行って、ＩＦ−ＯＵＴ端子に出力するようになっている。
【００４８】
このＩＦ−ＯＵＴ端子に出力される信号をＩＦ信号と称する。このＩＦ信号の周波数は、局部発振信号の周波数と、受信信号の周波数との差により決定される。
【００４９】
したがって、局部発振信号の周波数は、ＲＦ−ＩＮ端子から入力される希望信号に比例して変更される為、ＩＦ信号は常に一定の周波数となる。
【００５０】
このように、ＩＦ信号の周波数は、常に一定の周波数である為、特定の放送局だけを選局し、受信する事が可能となる。
【００５１】
ところで、通常、ＴＶの放送局の周波数として使用されているＶＨＦの周波数帯域は範囲が広い為、２つの帯域に分けて受信するようにした回路構成の電子チューナが採用されている。この周波数帯域の下側の帯域をＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンド、上側の帯域をＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドと称する。
【００５２】
したがって、上記電子チューナにおいては、バンドパスフィルタ１、３に対して、電源６からのバンド切替制御電圧を印加することにより、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドとＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの信号の受信を切り替えるようになっている。例えば、バンド切替制御電圧がハイレベルのとき、バンドパスフィルタ１、３は、ＶＨＦＨｉｇｈ　バンドの信号を受信するための回路を構成し、バンド切替制御電圧がローレベルのとき、バンドパスフィルタ１、２は、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの信号を受信するための回路を構成するようになっている。
【００５３】
上記のバンド切替制御電圧は、電源６に入力される制御信号（ユーザがチャンネル操作をした際に生成されるチャンネルに対応した制御信号）に基づいて制御される。
【００５４】
ところで、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの受信信号は、ゲインが低下して信号の周波数特性が劣化するという問題が生じ、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの受信信号は、ＩＦ妨害の影響を受けて信号の周波数特性が劣化するという問題が生じる。
【００５５】
そこで、上述したように、各バンドにおける受信信号の周波数特性の劣化を改善するために、周波数特性改善手段としての特性改善回路７が設けられている。
【００５６】
周波数特性の劣化は、バンドパスフィルタ１と増幅回路２の間、増幅回路２とバンドパスフィルタ３の間、バンドパスフィルタ３とミキサ回路４の間において生じるので、全ての箇所において周波数特性の劣化を改善するのが望ましいが、少なくとも１箇所周波数特性の劣化を改善するようにすればよい。
【００５７】
以下に、特性改善回路７の具体的な構成および動作について説明する。
【００５８】
まず、バンドパスフィルタ１と増幅回路２の間に設けられた特性改善回路７について図２ない図４を参照しながら以下に説明する。すなわち、増幅回路２の入力部に特性改善回路７が設けられた例について説明する。
【００５９】
図２は、特性改善回路７の具体的な回路図を示し、図３は、図２に示す回路のＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの信号を受信している時の等価回路を示し、図４は、図２に示す回路のＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの信号を受信している時の等価回路を示す。
【００６０】
図２に示す特性改善回路７は、増幅回路２の入力部とグランドとの間にコイルＬ１と、スイッチング素子（切替部）としてのダイオードＤ１とが直列に接続されており、上記コイルＬ１とダイオードＤ１との接続部とグランドとの間に、コンデンサＣ１が接続されている。つまり、ダイオードＤ１とコンデンサＣ１とは並列に接続されていることになる。
【００６１】
また、上記ダイオードＤ１には、抵抗Ｒ１を介してＶＨＦ　Ｈｉｇｈ制御電源が接続されている。つまり、ダイオードＤ１は、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ制御電源によって印加される電圧によってオン・オフするようになっている。このＶＨＦ　Ｈｉｇｈ制御電源は、図１に示す電子チューナの電源６であり、発生する電圧は、バンド切替制御電圧である。
【００６２】
ここでは、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ制御電圧がハイレベルのとき、バンドパスフィルタ１、３はＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの信号を受信する回路に切り替えられ、ローレベルのとき、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの信号を受信する回路に切り替えられるものとする。
【００６３】
したがって、図２の回路において、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ制御電源からの電圧がハイレベルの時は、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの信号を受信する回路に切り替えられると共に、スイッチング素子であるダイオードＤ１が導通状態となる。この場合、コンデンサＣ１は、回路的に影響を与えず、図３に示すようなゲイン補正回路（コイルＬ１と増幅回路が有する入力容量Ｃｉ）を構成し、ゲイン補正回路（第１改善部）として動作する。このゲイン補正回路は、従来技術の欄で説明した図１２に示すゲイン補正回路と同じであり、その詳細については省略する。
【００６４】
一方、図２に示す回路において、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ制御電源からの電圧がローレベルの時は、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの信号を受信する回路に切り替えられるが、ダイオードＤ１には電圧が印加されないため、該ダイオードＤ１は非導通状態となる。この場合、ダイオードＤ１は等価的に無いのと同じになり、図４に示すような回路となると考えられる。
【００６５】
図４に示す回路において、コイルＬ１の長さと、コンデンサＣ１の容量とを適切な値にすると、ＩＦ信号の周波数に対応するトラップ回路（第２改善部）を形成することが可能となる。つまり、ＩＦ妨害を改善するためのトラップ回路を追加したのと同様の効果を得ることができる。
【００６６】
また、増幅回路２の出力部にも、入力部と同様な容量、すなわち出力容量が存在するため、図５に示すように、増幅回路２とバンドパスフィルタ３の間に特性改善回路７を設けても、上記と同様の効果を得ることができる。
【００６７】
すなわち、図５に示す回路において、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ制御電源からの電圧がハイレベルの時は、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの信号を受信する回路に切り替えられると共に、スイッチング素子であるダイオードＤ１が導通状態となる。この場合、コンデンサＣ１は、回路的に影響を与えず、図３に示すようなゲイン補正回路を構成し、ゲイン補正回路として動作する。但し、この場合には、図３に示すように増幅回路２の入力部に容量Ｃｉが形成されるのではなく、出力部に容量Ｃｉが形成される。
【００６８】
一方、図５に示す回路において、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ制御電源からの電圧がローレベルの時は、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの信号を受信する回路に切り替えられるが、ダイオードＤ１には電圧が印加されないため、該ダイオードＤ１は非導通状態となる。この場合、ダイオードＤ１は等価的に無いのと同じになり、図４に示すなような回路となると考えられる。
【００６９】
この場合、コイルＬ１の長さと、コンデンサＣ１の容量とを適切な値にすると、ＩＦ信号の周波数に対応するトラップ回路を形成することが可能となる。つまり、ＩＦ妨害を改善するためのトラップ回路を追加したのと同様の効果を得ることができる。
【００７０】
また、ミキサ回路４の入力部においても、増幅回路２の入力部と同様に入力容量が存在するため、図６に示すように、バンドパスフィルタ３とミキサ回路４との間に特性改善回路７を設けても、上記と同様の効果を得ることができる。
【００７１】
すなわち、図６に示す回路において、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ制御電源からの電圧がハイレベルの時は、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの信号を受信する回路に切り替えられると共に、スイッチング素子であるダイオードＤ１が導通状態となる。この場合、コンデンサＣ１は、回路的に影響を与えず、図３に示すようなゲイン補正回路を構成し、ゲイン補正回路として動作する。但し、この場合には、図３に示すように増幅回路２の入力部に容量Ｃｉが形成されるのではなく、ミキサ回路４の入力部に容量Ｃｉが形成される。
【００７２】
一方、図６に示す回路において、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ制御電源からの電圧がローレベルの時は、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの信号を受信する回路に切り替えられるが、ダイオードＤ１には電圧が印加されないため、該ダイオードＤ１は非導通状態となる。この場合、ダイオードＤ１は等価的に無いのと同じになり、図４に示すなような回路となると考えられる。
【００７３】
この場合、コイルＬ１の長さと、コンデンサＣ１の容量とを適切な値にすると、ＩＦ信号の周波数に対応するトラップ回路を形成することが可能となる。つまり、ＩＦ妨害を改善するためのトラップ回路を追加したのと同様の効果を得ることができる。
【００７４】
また、スイッチング素子として上記のダイオードＤ１の代わりに、図７ないし図９に示すように、トランジスタＴｒ１を使用しても同様の効果を得ることができる。
【００７５】
図７は、図２に示す回路において、ダイオードＤ１をトランジスタＴｒ１に置き換えた特性改善回路１７を示し、図８は、図５に示す回路において、ダイオードＤ１をトランジスタＴｒ１に置き換えた特性改善回路１７を示し、図９は、図６に示す回路において、ダイオードＤ１をトランジスタＴｒ１に置き換えた特性改善回路１７を示す。
【００７６】
このように、特性改善回路１７において、ダイオードＤ１をトランジスタＴｒ１に置き換えても、基本的な動作はほとんど同じである。すなわち、ダイオードＤ１では、カソード−アノード間の電位差に動作していたのに対して、トランジスタＴｒ１では、ベース−エミッタ間の電位差でコレクタ−エミッタ間のスイッチングを行なっている。
【００７７】
図７に示す回路において、前述通りＶＨＦ　Ｈｉｇｈ制御電源からの電圧がハイレベルの時、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの信号を受信する回路に切り替えられると共に、スイッチング素子であるトランジスタＴｒ１のコレクタ−エミッタ間が導通状態となる。この場合、コンデンサＣ１は、回路的に影響を与えず、図３に示すようなゲイン補正回路（コイルＬ１と増幅回路が有する入力容量Ｃｉ）を構成し、ゲイン補正回路として動作する。
【００７８】
一方、図７に示す回路において、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ制御電源からの電圧がローレベルの時は、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの信号を受信する回路に切り替えられるが、トランジスタＴｒ１のコレクタ−エミッタ間は非導通状態となる。この場合、トランジスタＴｒ１は等価的に無いのと同じになり、図４に示すような回路となると考えられる。
【００７９】
図４に示す回路において、コイルＬ１の長さと、コンデンサＣ１の容量とを適切な値にすると、ＩＦ信号の周波数に対応するトラップ回路を形成することが可能となる。つまり、ＩＦ妨害を改善するためのトラップ回路を追加したのと同様の効果を得ることができる。
【００８０】
また、図８に示す回路において、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ制御電源からの電圧がハイレベルの時は、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの信号を受信する回路に切り替えられると共に、スイッチング素子であるトランジスタＴｒ１のコレクタ−エミッタ間が導通状態となる。この場合、コンデンサＣ１は、回路的に影響を与えず、図３に示すようなゲイン補正回路を構成し、ゲイン補正回路として動作する。但し、この場合には、図３に示すように増幅回路２の入力部分に容量Ｃｉが形成されるのではなく、出力部分に容量Ｃｉが形成される。
【００８１】
一方、図８に示す回路において、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ制御電源からの電圧がローレベルの時は、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの信号を受信する回路に切り替えられるが、トランジスタＴｒ１のコレクタ−エミッタ間は非導通状態となる。この場合、トランジスタＴｒ１は等価的に無いのと同じになり、図４に示すなような回路となると考えられる。
【００８２】
この場合、コイルＬ１の長さと、コンデンサＣ１の容量とを適切な値にすると、ＩＦ信号の周波数に対応するトラップ回路を形成することが可能となる。つまり、ＩＦ妨害を改善するためのトラップ回路を追加したのと同様の効果を得ることができる。
【００８３】
また、図９に示す回路において、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ制御電源からの電圧がハイレベルの時は、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの信号を受信する回路に切り替えられると共に、スイッチング素子であるトランジスタＴｒ１のコレクタ−エミッタ間が導通状態となる。この場合、コンデンサＣ１は、回路的に影響を与えず、図３に示すようなゲイン補正回路を構成し、ゲイン補正回路として動作する。但し、この場合には、図３に示すように増幅回路２の入力部分に容量Ｃｉが形成されるのではなく、ミキサ回路４の入力部分に容量Ｃｉが形成される。
【００８４】
一方、図９に示す回路において、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ制御電源からの電圧がローレベルの時は、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの信号を受信する回路に切り替えられるが、トランジスタＴｒ１のコレクタ−エミッタ間は非導通状態となる。この場合、トランジスタＴｒ１は等価的に無いのと同じになり、図４に示すなような回路となると考えられる。
【００８５】
この場合、コイルＬ１の長さと、コンデンサＣ１の容量とを適切な値にすると、ＩＦ信号の周波数に対応するトラップ回路を形成することが可能となる。つまり、ＩＦ妨害を改善するためのトラップ回路を追加したのと同様の効果を得ることができる。
【００８６】
上記のように、特性改善回路７または１７を、電子チューナ内に設けることにより、受信したＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの信号の周波数特性の劣化を防止すると共に、受信したＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの信号の周波数特性の劣化を防止することができる。
【００８７】
しかも、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの信号の周波数特性の劣化を改善するためのトラップ回路は、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの信号の周波数特性の劣化を改善するためのゲイン補正回路にコンデンサを一つ設けるだけで実現することができ、さらに、このトラップ回路とゲイン補正回路との切り替えは、バンド切替制御電圧によって行なわれるので、特別な切替回路を必要としない。
【００８８】
したがって、トラップ回路をゲイン補正回路とは別の回路構成とする必要がなくなるので、装置の回路規模を大ききすることなく、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドおよびＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの信号の周波数特性を改善することができる。
【００８９】
また、トラップ回路を別途設けるのではなく、ゲイン補正回路にコンデンサを一つ設けるだけでよいので、単純に、トラップ回路を増設する場合に比べて装置の価格上昇を低く抑えることができる。
【００９０】
なお、本実施の形態では、図１に示すように、特性改善回路７、１７を、バンドパスフィルタ１と増幅回路２の間、増幅回路２とバンドパスフィルタ３の間、バンドパスフィルタ３とミキサ回路４の間の全てに設けた例について説明したが、少なくとも１箇所設ければ、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの信号およびＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの信号の両方の周波数特性を改善することができる。
【００９１】
したがって、特性改善回路７、１７を１箇所づつ設けた場合、以下のような構成になる。
【００９２】
すなわち、本発明の電子チューナは、ＶＨＦを２バンドにて受信する事を特徴とした電子チューナであって、ＲＦアンプ（増幅回路２）の入力部とグランド間にコイルＬ１とスイッチング用のダイオードＤ１を直列に接続し、上記ダイオードＤ１に並列にコンデンサＣ１を接続し、上記ダイオードＤ１はＶＨＦのバンドを切り替える為の制御電圧（バンド切替制御電圧）にて切り替わる事を特徴としている。この構成は、図２に示す回路構成に相当している。
【００９３】
また、本発明の電子チューナは、ＶＨＦを２バンドにて受信する事を特徴とした電子チューナであって、ＲＦアンプ（増幅回路２）の出力部とグランド間にコイルＬ１とスイッチング用のダイオードＤ１を直列に接続し、上記ダイオードＤ１に並列にコンデンサＣ１を接続し、上記ダイオードＤ１はＶＨＦのバンドを切り替える為の制御電圧（バンド切替制御電圧）にて切り替わる事を特徴としている。この構成は、図５に示す回路構成に相当している。
【００９４】
さらに、本発明の電子チューナは、ＶＨＦを２バンドにて受信する事を特徴とした電子チューナであって、ミキサ回路４の入力部とグランド間にコイルＬ１とスイッチング用のダイオードＤ１を直列に接続し、上記ダイオードＤ１に並列にコンデンサＣ１を接続し、上記ダイオードＤ１はＶＨＦのバンドを切り替える為の制御電圧（バンド切替制御電圧）にて切り替わる事を特徴としている。この構成は、図６に示す回路構成に相当している。
【００９５】
また、本発明の電子チューナは、ＶＨＦを２バンドにて受信する事を特徴とした電子チューナであって、ＲＦアンプ（増幅回路２）の入力部とグランド間にコイルＬ１とスイッチング用トランジスタＴｒ１のエミッタ−コレクタを直列に接続し、上記トランジスタＴｒ１のエミッタ−コレクタ間にコンデンサＣ１を接続し、上記トランジスタＴｒ１のベースにＶＨＦのバンドを切り替える為の制御電圧（バンド切替制御電圧）を印加し、該制御電圧にて上記トランジスタＴｒ１のオン・オフが切り替わる事を特徴としている。この構成は、図７に示す回路構成に相当している。
【００９６】
また、本発明の電子チューナは、ＶＨＦを２バンドにて受信する事を特徴とした電子チューナであって、ＲＦアンプ（増幅回路２）の出力部とグランド間にコイルとスイッチング用トランジスタＴｒ１のエミッタ−コレクタを直列に接続し、上記トランジスタＴｒ１のエミッタ−コレクタ間にコンデンサＣ１を接続し、上記トランジスタＴｒ１のベースにＶＨＦのバンドを切り替える為の制御電圧（バンド切替制御電圧）を印加し、該制御電圧にて上記トランジスタＴｒ１のオン・オフが切り替わる事を特徴としている。この構成は、図８に示す回路構成に相当している。
【００９７】
また、本発明の電子チューナは、ＶＨＦを２バンドにて受信する事を特徴とした電子チューナであって、ミキサ回路４の入力部とグランド間にコイルＬ１とスイッチング用トランジスタＴｒ１のエミッタ−コレクタを直列に接続し、上記トランジスタＴｒ１のエミッタ−コレクタ間にコンデンサＣ１を接続し、上記トランジスタＴｒ１のベースにＶＨＦのバンドを切り替える為の制御電圧（バンド切替制御電圧）を印加し、該制御電圧にて上記トランジスタＴｒ１のオン・オフが切り替わる事を特徴としている。この構成は、図９に示す回路構成に相当している。
【００９８】
また、上記の特性改善回路７、１７は、混合して使用することもできる。例えば、図２に示す特性改善回路７と、図５に示す特性改善回路７と、図９に示す特性改善回路１７とを用いて電子チューナを構成してもよい。同様に、図２に示す特性改善回路７と、図８に示す特性改善回路１７と、図６に示す特性改善回路７とを用いて電子チューナを構成してもよい。また、図２に示す特性改善回路７と、図８に示す特性改善回路１７と、図９に示す特性改善回路１７とを用いて電子チューナを構成してもよい。さらに、図７に示す特性改善回路１７と、図５に示す特性改善回路７と、図６に示す特性改善回路７とを用いて電子チューナを構成してもよい。また、図７に示す特性改善回路１７と、図５に示す特性改善回路７と、図９に示す特性改善回路１７とを用いて電子チューナを構成してもよい。さらに、図７に示す特性改善回路１７と、図８に示す特性改善回路１７と、図６に示す特性改善回路７とを用いて電子チューナを構成してもよい。
【００９９】
以上のように、本発明の電子チューナをＴＶやＶＴＲやＣＡＴＶ等の装置の受信機に使用すれば、価格を抑えつつ、性能アップを図った装置を提供することが可能となる。
【０１００】
また、本実施の形態では、スイッチング素子として、ダイオードとトランジスタとを用いた例について説明したが、ダイオード使用の場合の方がトランジスタを使用した場合より安価に出来るため、通常はダイオードを使用する。
【０１０１】
しかしながら、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ制御電圧が０Ｖの場合では、ダイオードに電圧がかからない状態となるので、この状態で強電界の信号が入ってきた場合、動作が不安定となる。したがって、この場合には、スイッチング素子として、トランジスタを使用する。ただし、かなり強い電界でない限り不具合は発生しないので、通常は、スイッチング素子としてダイオードを使用する。
【０１０２】
【発明の効果】
以上のように、本発明の電子チューナは、ＶＨＦをＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドとＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの２つの周波数バンドに切り替えて受信する電子チューナにおいて、受信信号を増幅する増幅回路と、増幅した受信信号に対して局部発振信号を混合して周波数変換する混合回路とを備え、上記増幅回路の入力部、出力部、上記混合回路の入力部の少なくとも１箇所とグランドとの間に、コイルとスイッチング素子とが該スイッチング素子がグランド側になるように直列に接続されると共に、上記コイルとスイッチング素子の接続部とグランドの間に、コンデンサが接続され、上記スイッチング素子は、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドに切り替えられたとき、導通状態となり、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドに切り替えられたとき、非導通状態となる構成である。
【０１０３】
それゆえ、スイッチング素子が、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドに切り替えられたときに、導通状態となることで、上記コイルと、上記増幅回路の入力容量、出力容量、あるいは混合回路の入力容量の何れかとで、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの受信信号の周波数特性の劣化を改善するためのゲイン補正回路を形成し、スイッチング素子が、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドに切り替えられたときに、非導通状態となることで、上記コイルと、上記コンデンサとで、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの受信信号の周波数特性の劣化を改善するためのトラップ回路を形成することができる。
【０１０４】
このように、各バンドの受信信号の周波数特性の劣化を改善するための回路（ゲイン補正回路、トラップ回路）を、共通の構成要素（コイル）で構成し、スイッチング素子で切り替えて使用するようにすれば、ゲイン補正回路とトラップ回路とを別々に構成した場合に比べて、装置内の回路規模を小さくすることができる。
【０１０５】
しかも、トラップ回路は、ゲイン補正回路に対して、コイルを一つ設けただけで構成されるようになっているので、最小限のコストアップ（約コンデンサ１個分）で装置にゲイン補正回路の他にトラップ回路を追加することが可能となる。
【０１０６】
以上のことから、上記構成の電子チューナによれば、装置の価格上昇を最小限に抑えつつ、ＶＨＦ　ＨｉｇｈバンドおよびＶＨＦ　Ｌｏｗバンドにおける周波数特性の改善を行なうことができるという効果を奏する。
【０１０７】
また、ＶＨＦをＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドとＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドとに切り替えるためのバンド切替制御電圧を発生する電源が設けられ、上記スイッチング素子は、上記バンド切替制御電圧が印加されることで、導通・非導通状態になるようにしてもよい。
【０１０８】
この場合、スイッチング素子に、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドとＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドとを切り替えるのに使用されるバンド切替制御電圧が印加されることで、導通・非導通の状態を切り替えるようになっているので、スイッチング素子の導通・非導通の状態を切り替えるための電圧を別に生成しないで済む。
【０１０９】
これにより、スイッチング素子の導通・非導通状態の切替に必要な電圧は、既存の電源（バンド切替制御電圧を発生する電源）を使用することができるので、さらに、装置の回路規模の簡略化および低価格化を図ることができるという効果を奏する。
【０１１０】
本発明の電子チューナは、以上のように、ＶＨＦをＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドとＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの２つの周波数バンドに切り替えて受信する電子チューナにおいて、受信したＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの信号の周波数特性の劣化を改善する第１改善部と、受信したＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの信号の周波数特性の劣化を改善する第２改善部と、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの信号受信時には、上記第１改善部が動作し、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの信号受信時には、上記第２改善部が動作するように、第１改善部と第２改善部とを切り替える切替部とを備えている構成である。
【０１１１】
それゆえ、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの信号受信時には、第１改善部が動作し、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの信号受信時には、上記第２改善部が動作するように、第１改善部と第２改善部とを切り替える切替部を有しているので、ＶＨＦの信号を受信する際に、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドとＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドとの切り替えに連動して、各バンドの受信信号の周波数特性の劣化を改善するようになる。
【０１１２】
このように、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドの受信信号の周波数特性の劣化の改善と、ＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドの受信信号の周波数特性の劣化の改善とを切り替えて行なうようにすれば、各バンドの受信信号の周波数特性の劣化の改善をそれぞれが独立した回路で実現する場合に比べて、回路の構成要素の共通化を図ることが可能となり、回路規模を小さく、しかも簡素な構成にすることができる。
【０１１３】
したがって、ＶＨＦ　ＨｉｇｈバンドおよびＶＨＦ　Ｌｏｗバンドにおける周波数特性の改善を行なうために回路を追加した場合であっても、装置の価格上昇を最小限に抑えることが可能となるという効果を奏することができる。
【０１１４】
また、ＶＨＦをＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドとＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドとに切り替えるためのバンド切替制御電圧を発生する電源が設けられ、上記切替部は、上記バンド切替制御電圧が印加されることで、第１改善部と第２改善部とを切り替えるようにしてもよい。
【０１１５】
この場合、切替部の第１改善部と第２改善部との切替動作が、ＶＨＦ　Ｈｉｇｈ　バンドとＶＨＦ　Ｌｏｗ　バンドとを切り替えるのに使用されるバンド切替制御電圧が、該切替部に印加されることで行なわれるので、切替部の切替動作を制御するための電圧を別に生成しないで済む。
【０１１６】
これにより、切替部の切替動作を制御するのに必要な電圧を発生させる電圧発生部を別に設ける必要がなく、既存の電源を使用することができるので、さらに、装置の回路規模の簡略化および低価格化を図ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る電子チューナの概略ブロック図である。
【図２】図１に示す電子チューナの増幅回路の入力部に接続され、スイッチング素子としてダイオードを使用した特性改善回路のブロック図である。
【図３】図２に示す特性改善回路のゲイン補正回路に対する等価回路図である。
【図４】図２に示す特性改善回路のトラップ回路に対する等価回路図である。
【図５】図１に示す電子チューナの増幅回路の出力部に接続され、スイッチング素子としてダイオードを使用した特性改善回路のブロック図である。
【図６】図１に示す電子チューナのミキサ回路の入力部に接続され、スイッチング素子としてダイオードを使用した特性改善回路のブロック図である。
【図７】図１に示す電子チューナの増幅回路の入力部に接続され、スイッチング素子としてトランジスタを使用した特性改善回路のブロック図である。
【図８】図１に示す電子チューナの増幅回路の出力部に接続され、スイッチング素子としてトランジスタを使用した特性改善回路のブロック図である。
【図９】図１に示す電子チューナのミキサ回路の入力部に接続され、スイッチング素子としてトランジスタを使用した特性改善回路のブロック図である。
【図１０】従来の電子チューナの一般的なブロック図である。
【図１１】図１０に示す電子チューナに備えられているゲイン補正回路のブロック図である。
【図１２】図１１に示すゲイン補正回路の等価回路である。
【符号の説明】
１　　バンドパスフィルタ
２　　増幅回路
３　　バンドパスフィルタ
４　　ミキサ回路（混合回路）
５　　局部発振回路
６　　電源
７　　特性改善回路（第１改善部、第２改善部）
１７　　特性改善回路（第１改善部、第２改善部）
Ｃ１　　コンデンサ
Ｄ１　　ダイオード（スイッチング素子、切替部）
Ｌ１　　コイル
Ｒ１　　抵抗
Ｔｒ１　トランジスタ（スイッチング素子、切替部）
【図１】
2004072451.tif 000003
【図２】
2004072451.tif 000004
【図３】
2004072451.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004072451.tif 000009
【図８】
2004072451.tif 000010
【図９】
2004072451.tif 000011
【図１０】
2004072451.tif 000012
【図１１】
2004072451.tif 000013
【図１２】
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