(57)【要約】【課題】電磁ノイズに対する耐性を確保しつつ高い接続信頼性を有する回路基板を提供すること。【解決手段】回路パターン２１を有するプリント基板２０の貫通孔２３に、電子部品のリード３０を挿入した状態でフローはんだ付けを行い、回路パターン２１に導電接続されたランド２４とリード３０とをはんだ４０を介して接合してなる回路基板１０において、フロー面ランド２４ａは、非フロー面ランド２４ｂにおけるフローはんだ付け時のピーク温度がはんだ４０の融点よりも高い温度となる大きさを有している。ランド２４と回路パターン２１との間に幅の小さな低熱伝導領域を形成せずともはんだ上がり性を向上できるので、本発明の回路基板１０は電磁ノイズに対する耐性を確保しつつ高い接続信頼性を有する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも両表面に回路パターンを有する絶縁基板と、当該絶縁基板の両表面間を貫通する貫通孔と、前記回路パターンに接続されつつ前記貫通孔内壁及び前記絶縁基板表面の貫通孔形成部周囲を被覆するランドと、当該ランド形成部位以外の前記絶縁基板表面を被覆するソルダレジストとにより構成されるプリント基板と、
前記貫通孔に挿入される端子部としてのリードを有する電子部品とを備え、
フローはんだ付けにより、はんだを介して前記リードと前記ランドとを接合し、前記電子部品を前記プリント基板に搭載してなる回路基板であって、
前記絶縁基板表面の一方であるフロー面側の前記ランドは、前記フローはんだ付け時に、前記絶縁基板表面の他方である非フロー面側の前記ランドのピーク温度が、前記はんだの融点よりも高くなる大きさを備えることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
少なくとも両表面に回路パターンを有する絶縁基板と、当該絶縁基板の両表面間を貫通する貫通孔と、前記回路パターンに接続されつつ前記貫通孔内壁及び前記絶縁基板表面の貫通孔形成部周囲を被覆するランドと、当該ランド形成部位以外の前記絶縁基板表面を被覆するソルダレジストとにより構成されるプリント基板と、
前記貫通孔に挿入される端子部としてのリードを有する電子部品とを備え、
フローはんだ付けにより、はんだを介して前記リードと前記ランドとを接合し、前記電子部品を前記プリント基板に搭載してなる回路基板であって、
前記絶縁基板表面に沿う方向において、前記絶縁基板表面の一方であるフロー面側の前記ランドの面積が、前記絶縁基板表面の他方である非フロー面側の前記ランドの面積よりも大きいことを特徴とする回路基板。
【請求項３】
前記フロー面側のランドは、前記フローはんだ付け時に前記プリント基板が移動する方向に延びた伸長部を有していることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記絶縁基板表面に沿う方向において、前記フロー面側のランドの面積が、前記非フロー面側のランドの面積の略４．５倍以上であることを特徴とする請求項３に記載の回路基板。
【請求項５】
前記フロー面側に設けられた前記ソルダレジストの一部を剥離することにより、前記フロー面側のランドの大きさを調整することを特徴とする請求項１〜４いずれか１項に記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント基板の貫通孔に電子部品のリードを挿入し、フローはんだ付けによりはんだ接合してなる回路基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、プリント基板の貫通孔に電子部品のリードを挿入した状態でフローはんだ付けを行い、回路パターンの一部であるランドとリードとをはんだ接合することで電子部品をプリント基板に搭載してなる回路基板がある。このような回路基板において、はんだを介してランドとリードとが接合されるはんだ接合部の接合強度を確保するものが、特許文献１が開示されている。
【０００３】
この回路基板は、回路パターンとランドとの間に、低熱伝導領域として例えば回路パターンよりも幅の小さなパターン部を有している。すなわち、この低熱伝導領域によってランドから回路パターンへ逃げる熱量を極力小さくすることで、はんだを高温に維持し、貫通孔内のはんだ上がり性を向上している。この結果、リードとランドとのはんだ接合部が拡大するため、はんだ接合部の接合強度を高めることができ、それにより回路基板は高い接続信頼性を確保できる。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−２０６６２６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献１に示される回路基板の場合、低熱伝導領域であるパターン部の幅を小さくすればするほどはんだ上がり性に対して効果がある。しかしながら、パターン部の幅を小さくすると、電磁ノイズの影響を受けやすくなるとの問題が生じる。
【０００６】
本発明は上記問題点に鑑み、電磁ノイズに対する耐性を確保しつつ高い接続信頼性を有する回路基板を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する為に、請求項１に記載の回路基板は、少なくとも両表面に回路パターンを有する絶縁基板と、当該絶縁基板の両表面間を貫通する貫通孔と、回路パターンに接続されつつ貫通孔内壁及び絶縁基板表面の貫通孔形成部周囲を被覆するランドと、当該ランド形成部位以外の絶縁基板表面を被覆するソルダレジストとにより構成されるプリント基板と、貫通孔に挿入される端子部としてのリードを有する電子部品とを備え、フローはんだ付けにより、はんだを介してリードとランドとを接合し、電子部品をプリント基板に搭載してなるものである。そして、絶縁基板表面の一方であるフロー面側のランドは、フローはんだ付け時に、絶縁基板表面の他方である非フロー面側のランドのピーク温度が、はんだの融点よりも高くなる大きさを備えることを特徴とする。
【０００８】
ランドの内、フローはんだ付け時における非フロー面側の部位である非フロー面側のランドのピーク温度がはんだの融点よりも低ければ、はんだが貫通孔を上昇する際にはんだの熱が回路基板に奪われ、はんだの温度が融点以下に低下するので、貫通孔の途中ではんだが止まってしまう。
【０００９】
しかしながら、本発明の回路基板において、フローはんだと直接接するフロー面側の部位であるフロー面側のランドは、フローはんだ付け時の非フロー面側のランドのピーク温度がはんだの融点よりも高くなる大きさを有している。つまり、フロー面側のランドがフローはんだと直接接することにより得られた熱量が、フロー面側のランドから非フロー面側のランドに伝達され、その非フロー面側のランドのピーク温度をはんだの融点以上に上昇させる。このように、フロー面側のランドから一番遠い非フロー面側のランドのフローはんだ付け時のピーク温度がはんだの融点よりも高ければ、貫通孔内壁のランドのピーク温度もはんだの融点よりも高い値を示すこととなる。従って、貫通孔内を上昇するはんだは、その温度が融点以下となることはないので、貫通孔の途中で止まることなく、従来のようにランドと回路パターンとの間に幅の小さな低熱伝導領域を形成しなくとも、はんだを介してランドとリードとが接合されるはんだ接合部を広くとることができる。このため、本発明の回路基板は、回路パターン幅を狭めていないので電磁ノイズに対する耐性を確保しながら電子部品とプリント基板とのはんだ接合部に関して高い接続信頼性を有することができる。
【００１０】
また、請求項２に記載の回路基板は、少なくとも両表面に回路パターンを有する絶縁基板と、当該絶縁基板の両表面間を貫通する貫通孔と、回路パターンに接続されつつ貫通孔内壁及び絶縁基板表面の貫通孔形成部周囲を被覆するランドと、当該ランド形成部位以外の絶縁基板表面を被覆するソルダレジストとにより構成されるプリント基板と、貫通孔に挿入される端子部としてのリードを有する電子部品とを備え、フローはんだ付けにより、はんだを介してリードとランドとを接合し、電子部品をプリント基板に搭載してなるものである。そして、絶縁基板表面に沿う方向において、絶縁基板表面の一方であるフロー面側のランドの面積が、絶縁基板表面の他方である非フロー面側のランドの面積よりも大きいことを特徴とする。
【００１１】
通常、絶縁基板表面に沿う方向において、フロー面側のランドの面積と非フロー面側のランドの面積は略同一である。従って、フロー面側のランドの面積が非フロー面側のランドの面積よりも大きければ、フロー面側のランドがフローはんだから受ける熱量が増し、貫通孔内壁のランド及び非フロー面側のランドの温度が上昇するので、従来よりも貫通孔を上昇するはんだのはんだ上がり性を向上することができる。すなわち、はんだを介してランドとリードとが接合されるはんだ接合部を従来よりも広くとることができ、回路基板におけるプリント基板と電子部品との間の接続信頼性を向上することができる。
【００１２】
請求項３に記載のように、フロー面側のランドは、フローはんだ付け時にプリント基板が移動する方向に伸びた伸長部を有していることが好ましい。例えばはんだ槽上を回路基板を移動させながらフローはんだ付けを行う場合、フロー面側のランドがプリント基板の移動方向側に伸びた伸長部を有していると、先ず当該伸長部にフローはんだが接触する。従って、貫通孔内をはんだが上昇する前に、フロー面側のランドの伸長部が受けた熱が貫通孔内壁のランド及び非フロー面側のランドに伝達されるので、はんだ上がり性を向上することができ、はんだ接合部を広くとることができる。
【００１３】
その際、具体的には請求項４に記載のように、絶縁基板表面に沿う方向において、フロー面側のランドの面積を非フロー面側のランドの面積の略４．５倍以上とすると良い。この場合、はんだが貫通孔の非フロー面側の開口面以上に上昇するので、回路基板は高い接続信頼性を確保することができる。
【００１４】
また、請求項５に記載のように、フロー面側のランドは、フロー面側に設けられたソルダレジストの一部を剥離することによりその大きさを調整されても良い。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
（第１の実施の形態）
先ず、本実施の形態における回路基板について、図１（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。尚、図１（ａ）はフローはんだ付け前の回路基板の概略断面図、図１（ｂ）は（ａ）においてフロー面側から見た際のフロー面側のランド周囲の平面図、図１（ｃ）はフローはんだ付け後の回路基板の概略断面図である。
【００１６】
図１（ａ）に示すように、回路基板１０は、図示されない電子部品と当該電子部品を搭載するプリント基板２０とにより構成される。
【００１７】
プリント基板２０は、回路パターン２１を有する絶縁基板２２と、絶縁基板２２の両表面間を貫通する貫通孔２３と、はんだ接合部としてのランド２４と、ランド２４形成部位以外の絶縁基板２２表面を被覆するソルダレジスト２５とにより構成される。
【００１８】
絶縁基板２２は、従来のプリント基板形成に用いられる絶縁材料からなり、例えばガラスエポキシや熱可塑性樹脂等を用いて形成される。そしてその表面に、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌの少なくとも１種を含む低抵抗金属箔をエッチングによりパターン化した回路パターン２１を有している。尚、本実施の形態においては、図１（ａ）に示すように、絶縁基板２２と銅からなる回路パターン２１とが交互に積層された、４層（回路パターン２１が４層）の銅張ガラスエポキシ基板（ＦＲ−４）をプリント基板２０として用いるものとする。しかしながら、プリント基板２０の層数は特に限定されるものでなく、１層の絶縁基板２２と、その少なくとも両表面に形成された回路パターン２１とにより構成されるものでも良い。
【００１９】
また、絶縁基板２２の所定の位置に、両表面間を貫通し、電子部品の端子部としてのリード３０を挿入すべき貫通孔２３が形成されている。貫通孔２３の形成方法としては特に限定されるものではないが、本実施の形態においては一般的なドリル加工により形成されるものとする。
【００２０】
そして、貫通孔２３の内壁及び絶縁基板２２表面の貫通孔２３形成部周囲（開口部周囲）には、回路パターン２１と電気的に接続するランド２４が形成されている。ランド２４は、言わば回路パターン２１におけるはんだとの接合部であり、絶縁基板２２表面においては、回路パターン２１の内、後述するソルダレジストにより被覆されていない貫通孔２３形成部周囲をランド２４とする。特にフローはんだ付け時にはんだ槽に対向する絶縁基板２２表面のランド部分を、フロー面側のランド２４ａ（以下フロー面ランドという）とし、他方の絶縁基板２２表面のランド部分を非フロー面側のランド２４ｂ（以下非フロー面ランドという）と呼ぶこととする。尚、ランド２４も回路パターン２１同様、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌの少なくとも１種を含む低抵抗金属を用いて形成され、本実施の形態においては、少なくとも貫通孔２３の内壁部分がＣｕメッキにより形成されている。
【００２１】
本実施の形態におけるフロー面ランド２４ａは、図１（ａ），（ｂ）に示すように、フローはんだ付け時に回路基板１０が移動する方向に伸びた伸長部を有しており、絶縁基板２２表面に沿う方向において、非フロー面ランド２４ｂよりも大きな面積を有している。尚、この効果については後述する。
【００２２】
ソルダレジスト２５は、絶縁基板２２表面（回路パターン２１を含む）に設けられ、図１（ａ）に示すように、上述したフロー面ランド２４ａ及び非フロー面ランド２４ｂ形成部分以外を被覆保護している。
【００２３】
上述の構成からなるプリント基板２０の貫通孔２３に、電子部品のリード３０を挿入しフローはんだ付けを行うことにより、図１（ｃ）に示されるように、はんだ４０を介してリード３０とランド２４とが接合され、電子部品がプリント基板２０に搭載されてなる回路基板１０が形成される。従って、回路基板１０が高い接続信頼性を有するためには、リード３０とランド２４をはんだ４０を介して接合するはんだ接合部を広くとることが重要である。
【００２４】
尚、はんだ４０を構成する材料は特に限定されないが、本実施の形態においてはＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕからなり、融点が２２１℃である無鉛はんだを用いるものとし、例えば図示されないはんだ槽内に設けられたヒータにより、はんだ４０を略２６０℃程度に加熱し、フローはんだ付けを行うものとする。はんだ４０としては、それ以外にも他の無鉛はんだを用いて良いし、Ｓｎ−３７Ｐｂ（錫−鉛共晶はんだ）等の有鉛はんだを用いても良い。
【００２５】
フローはんだ付け方法も特に限定されないが、本実施の形態においては噴流式はんだ付け装置を用い、回路基板１０を移動しながらはんだ付けをおこなうものとする。それ以外にも回路基板１０を移動せずにはんだ付けを行っても良いし、噴流式ではなく静止はんだ付け装置によりはんだ付けを行っても良い。
【００２６】
ここで、フローはんだ付け時において、はんだ４０が上昇する側である非フロー面ランド２４ｂのピーク温度とはんだ上がり率との関係を調査した。その結果を、図２（ａ），（ｂ）を用いて説明する。尚、図２（ａ）は非フロー面ランド２４ｂにおける温度測定ポイントを示す図であり、図２（ｂ）ははんだ付け時のピーク温度とはんだ上がり率との関係を示す図である。尚、はんだ上がり率とは、貫通孔２３のフロー面側の開口面を基準として、はんだ４０が貫通孔２３のどの位置まで上昇したかを示すものである。因みに、貫通孔２３の非フロー面側の開口面まではんだが上昇した状態をはんだ上がり率１００％とする。
【００２７】
プリント基板２０としては、回路パターン２１の厚さが両表層で３５μｍ、内層で１０５μｍの４層ベタパターンを有する１．６ｍｍ厚の銅張ガラスエポキシ基板（ＦＲ−４）を用いた。また、貫通孔２３の径（ランド２４を含む）が１．３ｍｍ、フロー面ランド２４ａ，非フロー面ランド２４ｂの外径がともに２．５ｍｍ、電子部品としてピン数が３８Ｐｉｎでリード３０の径が０．６５ｍｍのコネクタを使用した。そして、プリヒート温度を８０℃とし、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ（融点２２１℃）からなる溶融されたはんだ４０の温度を変化させて、非フロー面ランド２４ｂにおいて貫通孔２３に最も近い部位（図２（ａ）の破線矢印で示す部位）における温度を測定した。尚、温度測定部位は非フロー面ランド２４ｂ上であれば特に限定されるものではない。
【００２８】
図２（ｂ）に示されるように、非フロー面ランド２４ｂにおけるピーク温度が上昇すると、はんだ上がり率も上昇を示した。特に、非フロー面ランド２４ｂにおけるピーク温度がはんだ４０の融点よりも高い場合には、はんだ上がり率が１００％以上を示した。従って、回路基板１０の接続信頼性を向上するためには、非フロー面ランド２４ｂのピーク温度を上昇させれば良く、より好ましくは、非フロー面ランド２４ｂにおけるフローはんだ付け時のピーク温度がはんだ４０の融点よりも高くすれば良いことが示された。
【００２９】
この条件を満たすためには、ランド２４への入熱量を増すかあるいはランド２４からの放熱量を減らせばよい。従来は、放熱量を減らすために、ランドと回路パターンとの間に例えば幅の小さい低熱伝導領域としてのパターン部を設け、ランドを介して回路パターンへ逃げる熱量を減少させていた。しかしながら、この方法の場合、パターン部が小さくなるにつれて電磁ノイズの影響を受けやすくなるという問題がある。
【００３０】
そこで、電磁ノイズに対する耐性を確保しつつ回路基板１０の高い接続信頼性を確保するために、噴流するはんだ４０に直接接触するフロー面ランド２４ａの大きさを調整し入熱量を増やすこととした。すなわち、フロー面ランド２４ａの大きさを、はんだ４０の融点よりも非フロー面ランド２４ｂのフローはんだ付け時のピーク温度が高くなる大きさに設定した。フロー面ランド２４ａが噴流するはんだ４０と直接接することにより得た熱量は、フロー面ランド２４ａから非フロー面ランド２４ｂに伝達される。この熱量の伝達により、フロー面ランド２４ａから一番遠く伝熱量も少ない非フロー面ランド２４ｂのピーク温度がはんだ４０の融点よりも高くなれば、ランド２４の貫通孔２３内壁部位のピーク温度もはんだ４０の融点より高い温度を示すこととなる。これは、貫通孔２３内を上昇するはんだ４０が、貫通孔２３の途中で止まることなく非フロー面側の開口面以上に上昇することを意味している。すなわち、はんだ４０を介してランド２４とリード３０とが接合されるはんだ接合部を広くとることができるので、本実施の形態における回路基板１０は、電磁ノイズに対する耐性を確保しつつ高い接続信頼性を確保することができる。
【００３１】
また、非フロー面ランド２４ｂのピーク温度を高めるためには、図１（ａ），（ｃ）に示すように，フロー面ランド２４ａの面積を非フロー面ランド２４ｂの面積よりも大きくすることが好ましい。
【００３２】
フロー面ランド２４ａの面積を大きくすれば、噴流するはんだ４０から得られる熱量が増加するので、ランド２４の貫通孔２３内壁部位及び非フロー面ランド２４ｂのピーク温度が従来よりも上昇する。従って、はんだ４０が上昇する際に少なくとも従来よりは貫通孔２３内をはんだ４０が上昇することとなり、回路基板１０は従来よりも高い接続信頼性を有することができる。
【００３３】
尚、入熱量を増やす方法として、ランド２４にＡｕ等の熱伝導性の良い材料を用いたり、プリヒート温度及び溶融はんだの温度を上げることが考えられる。しかしながら、この場合、コストやプリント基板及び電子部品の耐熱性の点で問題がある。
【００３４】
次に、フロー面ランド２４ａの大きさを調整することによる効果を、シミュレーション及び実機にて検証した。初期条件として、フロー面ランド２４ａと非フロー面ランド２４ｂが、ともに内径１．３ｍｍ、外径が２．５ｍｍの図１（ｂ）の破線で示される同心円状を有するものとし、その際の絶縁基板２２表面に沿う面積を基準面積とした。そして、フロー面ランド２４ａに、図１（ｂ）に示す伸長部を設けることによりフロー面ランド２４ａの面積を変化させ、その時の非フロー面ランド２４ｂのピーク温度若しくははんだ上がり率を確認した。
【００３５】
先ず、シミュレーション（ＦＥＭ）による検証結果を図３に示す。図３は、フロー面ランド２４ａに伸長部を設けた後の面積を基準面積で除した値をフロー面ランド面積比として横軸にとり、その時の非フロー面ランド２４ｂのフローはんだ付け時のピーク温度を縦軸にとったものである。
【００３６】
シミュレーション条件としては、上述の図２と略同等であり、異なる点は、プリヒート時間を略６０ｓ、溶融されたはんだ４０の温度を略２５５℃とし、浸漬時間を略３ｓとした点である。そして、回路基板１０がはんだ槽上を移動し、フローはんだ付けされる実際のフロー工程を模擬し、３次元非定常熱伝導解析を行った。尚、フロー面ランド２４ａの大きさは、ソルダレジスト２５をミニター等により機械的に剥離することにより調整した。
【００３７】
図３に示されるように、フロー面ランド２４ａの面積を基準面積（非フロー面ランド２４ｂの面積）よりも大きくすることにより、非フロー面ランド２４ｂのフローはんだ付け時のピーク温度が上昇した。特に、フロー面ランド２４ａの面積を基準面積（非フロー面ランド２４ｂの面積）の略４．５倍以上とすると、非フロー面ランド２４ｂのピーク温度がはんだ４０の融点（２２１℃）よりも高くなることが示された。しかしながら、フロー面ランド２４ａの伸長部を回路基板１０の移動方向と逆方向に設けた場合、非フロー面ランド２４ｂにおけるピーク温度の上昇は殆ど見られなかった。
【００３８】
従って、回路基板１０を移動させながらフローはんだ付けを行う場合には、フロー面ランド２４ａの伸長部を回路基板１０の移動方向に設けることが好ましい。この場合、先ずフロー面ランド２４ａの伸長部に噴流するはんだ４０が接触し、貫通孔２３内をはんだ４０が上昇する前に、はんだ４０と接するランド２４が従来よりも熱を保持した状態となる。従って、非フロー面ランド２４ｂのピーク温度が上昇するものと考えられる。
【００３９】
尚、フロー面ランド２４ａは、回路基板１０の移動方向のみでなく、伸長部と同じ長さ分、同心円状の形状を維持したまま全体的に大きくしても良い。しかしながら、この場合フロー面ランド２４ａ全体が大きくなるので、特にフロー面ランド２４ａ間のピッチが狭い場合には、隣接するフロー面ランド２４ａとの間でブリッジ等が発生しやすくなり、形成自体も困難となるので注意が必要である。
【００４０】
次に、実機による検証結果を図４に示す。尚、図４は図３同様フロー面ランド２４ａの面積比を横軸とし、その際の貫通孔２３をはんだ４０が上昇するはんだ上がり率を縦軸としたものである。検証条件は、シミュレーション条件と略同等であり、電子部品として３８Ｐｉｎ、リード３０の径が０．６５ｍｍのコネクタを使用した。
【００４１】
図４に示すように、実機においてもフロー面ランド２４ａの面積を基準面積（非フロー面ランド２４ｂの面積）よりも大きくすることにより、はんだ上がり率が上昇した。特に、シミュレーションの結果同様、フロー面ランド２４ａの面積が基準面積（非フロー面ランド２４ｂの面積）の略４．５倍以上の場合に、はんだ上がり率が１００％以上を示した。
【００４２】
このように、シミュレーション及び実機での検証結果から、フロー面ランド２４ａの面積（大きさ）を基準面積（非フロー面ランド２４ｂの面積）よりも大きくすることにより、非フロー面ランド２４ｂのピーク温度が上昇し、はんだ上がり率が向上することが判明した。この場合、はんだ接合部を従来よりも広くとることができるので、回路基板１０の接続信頼性を向上することができる。
【００４３】
特に、フロー面ランド２４ａの面積を、はんだ４０の融点よりも非フロー面ランド２４ｂのピーク温度が高くなるような面積（本実施の形態においてはフロー面ランド面積比略４．５）とした際に、はんだ４０が貫通孔２３の非フロー面側の開口面以上に上昇することが示された。この場合、貫通孔２３内を完全にはんだ４０が上昇するので、より広いはんだ接合部を確保することができ、それにより回路基板１０は高い接続信頼性（高い接合強度、長寿命）を有することができる。尚、この場合、はんだ４０が貫通孔２３の非フロー面側の開口面まで上昇しているので、検査時の確認が容易である。
【００４４】
また、回路基板１０を移動しながらフローはんだ付けを行う場合、フロー面ランド２４ａの形状を回路基板１０の移動方向に伸びた伸長部を有する形状とすることで、はんだ上がり性を向上でき、接続信頼性を高めることができることが示された。
【００４５】
尚、フロー面ランド２４ａは、シミュレーション或いは試作等のデータをもとに、ランド２４形成時に予め所定の大きさ及び形状に形成しても良いし、すでに形成されている回路基板１０に対して、上述したように後からソルダレジスト２５を除去することで、所定の大きさ及び形状に調整しても良い。
【００４６】
以上本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態のみに限定されず、種々変更して実施する事ができる。
【００４７】
本実施の形態においては、回路基板１０を移動させながらフローはんだ付けを行うものとしたので、フロー面ランド２４ａの形状は、回路基板１０の移動方向に伸びた伸長部を備える形状とした。しかしながら、フロー面ランド２４ａの形状は、上記形状に限定されるものではない。種々のフローはんだ付けの特性に合わせてフロー面ランド２４ａの大きさを調整すればよい。例えば静止状態でフローはんだ付けを行う場合、調整前のフロー面ランド２４ａの形状を維持しつつ面積を拡大すれば良い。
【００４８】
また、本実施の形態において、はんだ上がり性を向上させるために、フロー面側ランド２４ａの大きさ及び形状を調整した。しかしながら、はんだ上がり性を向上させるために、ランド２４と回路パターン２１との間に電磁ノイズの影響を受けない程度の低熱伝導領域を形成しても良い。両者を併用することで、はんだ上がり性をさらに向上することができ、回路基板１０の接続信頼性も向上される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態における回路基板の概略構成を示す図であり、（ａ）はフローはんだ付け前の断面図、（ｂ）は（ａ）をフロー面側から見たフロー面ランド周辺の平面図、（ｃ）フローはんだ付け後の断面図である。
【図２】（ａ）は非フロー面ランドにおける温度測定ポイントを示す図であり、（ｂ）はフローはんだ付けにおける非フロー面ランドのピーク温度とはんだ上がり率との関係を示す図である。
【図３】フロー面ランド面積比と非フロー面ランド温度との関係を示す図である。
【図４】フロー面ランド面積比とはんだ上がり率との関係を示す図である。
【符号の説明】
１０・・・回路基板
２０・・・プリント基板
２１・・・回路パターン
２３・・・貫通孔
２４・・・ランド
２４ａ・・・フロー面ランド
２４ｂ・・・非フロー面ランド
２５・・・ソルダレジスト
３０・・・リード
４０・・・はんだ
【図１】
2004342776.tif 000003
【図２】
2004342776.tif 000004
【図３】
2004342776.tif 000005
【図４】
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