(57)【要約】【課題】相補分割された開口パターンを有する露光用マスクのパターン欠陥を検査する場合において、その欠陥検査スループットの向上を可能にするとともに、マスク作製の歩留まり向上を実現可能とする。【解決手段】相補分割された開口パターンを有する露光用マスクのパターン欠陥を検査するのにあたり、検査対象となる露光用マスク１が有する開口パターンＰのパターン形状を検出し、検出したパターン形状を相補分割前の転写パターンにおける露光部分の形状と比較し、その比較結果を基に露光用マスク１にパターン欠陥があるか否かを判断するとともに、その判断に際して露光用マスク１における欠陥のうち前記露光部分に属する欠陥についてはパターン欠陥とみなさないようにする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
相補分割された開口パターンを有する露光用マスクのパターン欠陥を検査するためのマスク欠陥検査方法であって、
検査対象となる露光用マスクが有する開口パターンのパターン形状を検出する検出ステップと、
前記検出ステップで検出したパターン形状を相補分割前の転写パターンにおける露光部分の形状と比較する比較ステップと、
前記比較ステップでの比較結果を基に前記検査対象となる露光用マスクにパターン欠陥があるか否かを判断する判断ステップとを含むとともに、
前記判断ステップでは、前記検査対象となる露光用マスクの開口パターンの欠陥のうち、前記露光部分に属する欠陥についてはパターン欠陥とみなさない
ことを特徴とするマスク欠陥検査方法。
【請求項２】
前記比較ステップでは、前記検出ステップで検出したパターン形状に関するデータおよびその比較対象である前記露光部分の形状に関するデータをそれぞれ二値化し、当該二値化後のデータについて論理演算を行うことによって、互いの形状比較を行う
ことを特徴とする請求項１記載のマスク欠陥検査方法。
【請求項３】
相補分割された開口パターンを有する露光用マスクのパターン欠陥を検査するためのマスク欠陥検査プログラムであって、
コンピュータを、
検査対象となる露光用マスクが有する開口パターンのパターン形状を検出する検出手段と、
前記検出手段が検出したパターン形状を相補分割前の転写パターンにおける露光部分の形状と比較する比較手段と、
前記比較手段での比較結果を基に前記検査対象となる露光用マスクにパターン欠陥があるか否かを判断する判断手段として機能させるとともに、
前記判断手段は、前記検査対象となる露光用マスクの開口パターンの欠陥のうち、前記露光部分に属する欠陥についてはパターン欠陥とみなさない
ことを特徴とするマスク欠陥検査プログラム。
【請求項４】
前記比較手段は、前記検出手段が検出したパターン形状に関するデータおよびその比較対象である前記露光部分の形状に関するデータをそれぞれ二値化し、当該二値化後のデータについて論理演算を行うことによって、互いの形状比較を行うものである
ことを特徴とする請求項３記載のマスク欠陥検査プログラム。
【請求項５】
相補分割された開口パターンを有する露光用マスクのパターン欠陥を検査するためのマスク欠陥検査装置であって、
検査対象となる露光用マスクが有する開口パターンのパターン形状を検出する検出手段と、
前記検出手段が検出したパターン形状を相補分割前の転写パターンにおける露光部分の形状と比較する比較手段と、
前記比較手段での比較結果を基に前記検査対象となる露光用マスクにパターン欠陥があるか否かを判断する判断手段とを備えるとともに、
前記判断手段は、前記検査対象となる露光用マスクの開口パターンの欠陥のうち、前記露光部分に属する欠陥についてはパターン欠陥とみなさない
ことを特徴とするマスク欠陥検査装置。
【請求項６】
前記比較手段は、前記検出手段が検出したパターン形状に関するデータおよびその比較対象である前記露光部分の形状に関するデータをそれぞれ二値化し、当該二値化後のデータについて論理演算を行うことによって、互いの形状比較を行うものである
ことを特徴とする請求項５記載のマスク欠陥検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置製造プロセスのリソグラフィ工程にて用いられる露光用マスクについてのマスク欠陥検査方法、マスク欠陥検査プログラムおよびマスク欠陥検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体装置製造プロセスは、露光用マスクを用いて被露光体であるウエハ基板上に所望の回路パターンを転写するリソグラフィ工程を含んでいる。このリソグラフィ工程で形成される回路パターンは、例えば露光用マスクが荷電粒子線に対応した透過型のいわゆるステンシルマスクである場合には、そのステンシルマスクが有する開口パターンによって特定される。したがって、所望する通りの回路パターンを得るためには、マスク上の開口パターンに欠陥があるか否かを事前に検査し、リソグラフィ工程で用いる際に無欠陥の状態にしておくことが必要である。
【０００３】
従来、このような欠陥検査は、検査対象となる露光用マスクの開口パターンを光学的に撮像した結果と、その開口パターンの基になった設計データとを、それぞれ比較検査することによって行われる（例えば、特許文献１参照）。この比較検査により、荷電粒子線を透過させるべき箇所に開口があるか、その他の箇所に欠けやピンホールが存在していないか等、マスク上の開口パターンにおける欠陥の有無が分かるようになる。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−３４６６２７号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、開口パターンを有するステンシルマスクでは、その性質上、自己保持が不可能なパターン形状（例えば、ドーナッツ形状）あるいは困難なパターン形状（例えば、リーフ、タン、片持ち梁形状）がある。つまり、荷電粒子線を透過させる開口が必要となるため、対応可能なパターン形状には制約がある。このことから、ステンシルマスクについては、いわゆる相補分割（コンプリメンタリー分割）が適用される。相補分割は、形成不可能なパターン形状を相補的に分割し、分割後の開口パターンを有したそれぞれのマスクを用い、各マスクによる転写結果を組み合わせることで、ウエハ上に目的のパターンを転写する、というものである。
【０００６】
このような相補分割された開口パターンを有するマスクの場合、通常の相補分割されていないマスクとは異なり、マスク上の開口パターンに欠陥が生じた場合であっても、ウエハ上へのパターン転写時には欠陥の影響が解消されてしまうこともあり得る。例えば、図５（ａ）に示すようなパターン形状が、パターンＡとパターンＢとに相補分割され、図５（ｂ）に示すように、パターンＡに対応する開口パターンのマスクＡと、パターンＢに対応する開口パターンのマスクＢとが形成された場合を考える。この場合、マスクＡにピンホール欠陥Ｃが発生していても、そのピンホール欠陥Ｃの位置がもう一方のマスクＢにおける開口パターン上に存在していれば、マスクＢの開口パターンを透過した荷電粒子線がウエハ上のレジストを感光させるため、図５（ｃ）に示すように、そのレジスト感光とピンホール欠陥Ｃを透過した荷電粒子線によるレジスト感光とが実効的に見分けられなくなる。そのため、当該ピンホール欠陥Ｃについては、これを欠陥としなくても、ウエハ上に転写されるパターンに悪影響を及ぼすことはない。
【０００７】
しかしながら、上述した従来の手法による露光用マスクについてのマスク欠陥検査では、開口パターンの撮像結果と設計データとの間で不一致箇所があると、その位置、サイズまたは種類等に依らずに、全ての不一致箇所をパターン欠陥とするようになっている。すなわち、相補分割によって転写性に影響を与えることのない欠陥であっても、これを欠陥として検出してしまう。そのために、欠陥部分のレビューを余分に行うことによる欠陥検査スループットの低下を招いてしまうおそれがある。
【０００８】
また、通常の半導体装置製造プロセスにおいては、欠陥検査によって検出された欠陥数がある一定数以上のマスク、または検出された欠陥サイズがある一定サイズ以上のマスクについて、その欠陥の修正を行うことなく、新たなマスクの再作製を行うことが多い。そのため、転写性に影響を与えない欠陥についても欠陥とカウントしてしまった場合、本来ならば修正を行う一定数以下であるものが、余計に欠陥をカウントしてしまうために当該一定数を上回ってしまい、再作製する必要がないにも拘わらず新たなマスクを再作製してしまうことも考えられる。このことは、欠陥数だけでなく、欠陥サイズについても同様のことがいえる。このような新たなマスクの再作製は、実質的な歩留まり低下を誘発してしまうため、極力回避すべきである。
【０００９】
そこで、本発明は、相補分割された開口パターンを有する露光用マスクのパターン欠陥を検査する場合に、転写後のパターン形状に影響を及ぼす欠陥のみを欠陥として検出し、そうでないものについては欠陥として検出しないようにすることで、欠陥検査スループットの向上およびマスク作製の歩留まり向上を実現可能とする、マスク欠陥検査方法、マスク欠陥検査プログラムおよびマスク欠陥検査装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために案出されたマスク欠陥検査方法である。すなわち、相補分割された開口パターンを有する露光用マスクのパターン欠陥を検査するためのマスク欠陥検査方法であって、検査対象となる露光用マスクが有する開口パターンのパターン形状を検出する検出ステップと、前記検出ステップで検出したパターン形状を相補分割前の転写パターンにおける露光部分の形状と比較する比較ステップと、前記比較ステップでの比較結果を基に前記検査対象となる露光用マスクにパターン欠陥があるか否かを判断する判断ステップとを含むとともに、前記判断ステップでは、前記検査対象となる露光用マスクの開口パターンの欠陥のうち、前記露光部分に属する欠陥についてはパターン欠陥とみなさないことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明は、上記目的を達成するために案出されたマスク欠陥検査プログラムである。すなわち、相補分割された開口パターンを有する露光用マスクのパターン欠陥を検査するためのマスク欠陥検査プログラムであって、コンピュータを、検査対象となる露光用マスクが有する開口パターンのパターン形状を検出する検出手段と、前記検出手段が検出したパターン形状を相補分割前の転写パターンにおける露光部分の形状と比較する比較手段と、前記比較手段での比較結果を基に前記検査対象となる露光用マスクにパターン欠陥があるか否かを判断する判断手段として機能させるとともに、前記判断手段が、前記検査対象となる露光用マスクの開口パターンの欠陥のうち、前記露光部分に属する欠陥についてはパターン欠陥とみなさないことを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明は、上記目的を達成するために案出されたマスク欠陥検査装置である。すなわち、相補分割された開口パターンを有する露光用マスクのパターン欠陥を検査するためのマスク欠陥検査装置であって、検査対象となる露光用マスクが有する開口パターンのパターン形状を検出する検出手段と、前記検出手段が検出したパターン形状を相補分割前の転写パターンにおける露光部分の形状と比較する比較手段と、前記比較手段での比較結果を基に前記検査対象となる露光用マスクにパターン欠陥があるか否かを判断する判断手段とを備えるとともに、前記判断手段が、前記検査対象となる露光用マスクの開口パターンの欠陥のうち、前記露光部分に属する欠陥についてはパターン欠陥とみなさないことを特徴とするものである。
【００１３】
上記手順のマスク欠陥検査方法、上記構成のマスク欠陥検査プログラムおよびマスク欠陥検査装置によれば、検査対象となる露光用マスクに対する欠陥検査の際に、露光部分に属する欠陥についてはパターン欠陥とみなさないようにする。ここで、露光部分とは、相補分割前の転写パターンにおける露光部分、すなわち相補分割されたいずれかの露光用マスクによって露光されるべき部分が相当する。また、欠陥には、例えば開口があるべき部分になかったり、開口でない部分に開口が存在したりすることが該当する。このような露光部分に属する欠陥については、結果的に相補分割されたいずれかの露光用マスクによって露光されるので、パターン欠陥とみなさなくても、転写後のパターンに悪影響を及ぼすことがない。したがって、露光部分に属する欠陥をパターン欠陥とみなさなくても、目的のパターン転写を実現し得るようになる。また、パターン欠陥とみなさない分だけ、欠陥検査のスループット向上等が図れるようになる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づき本発明に係るマスク欠陥検査方法、マスク欠陥検査プログラムおよびマスク欠陥検査装置について説明する。
【００１５】
図１は本発明に係るマスク欠陥検査装置の概略構成例を示す模式図であり、図２は本発明に係るマスク欠陥検査方法を含むマスク検査手順の一例を示すフローチャートであり、図３および図４は本発明に係るマスクの欠陥判定例の一具体例を示す説明図である。なお、当然のことではあるが、図１〜４を用いて以下に説明する実施の形態は、本発明の好適な実施具体例に過ぎず、本発明がこれに限定されるものでないことは勿論である。
【００１６】
先ず、はじめに、本発明に係るマスク欠陥検査装置の概略構成について説明する。ここで説明するマスク欠陥検査装置が検査対象とする露光用マスクは、図１（ａ）に示すように、相補分割された開口パターンＰを有するもので、その開口パターンＰを透過する荷電粒子線によってウエハ上へのパターン転写を行うように構成されたステンシルマスク１である。荷電粒子線としては、電子線やイオンビーム等が挙げられるが、例えばＬＥＥＰＬ（Ｌｏｗ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｅ−ｂｅａｍ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）技術に対応した低エネルギーの電子線や、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）と呼ばれる極短紫外光をも含むものとする。
【００１７】
このようなステンシルマスク１についての欠陥検査を行うために、ここで説明するマスク欠陥検査装置は、図１（ｂ）に示すように、荷電粒子線の発光源２と、その受光器３と、画像処理部４と、パターンデータ記憶部５と、比較処理部６と、結果出力部７と、を備えて構成されている。
【００１８】
荷電粒子線の発光源２は、ステンシルマスク１を用いてパターン転写を行う際と同等の荷電粒子線を、検査対象となるステンシルマスク１に対して照射するものである。これに対して、荷電粒子線の受光器３は、発光源２が照射した荷電粒子線のうち、検査対象となるステンシルマスク１の開口パターンＰを透過したものを受光し、到達した荷電粒子線を電気信号に変換するものである。なお、発光源２および受光器３は、例えば通常の光源およびＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）等の撮像素子によって代替することも考えられる。
【００１９】
画像処理部４は、受光器３から受け取った電気信号に対して、所定の信号処理を行って、検査対象となるステンシルマスク１が有する開口パターンＰのパターン形状を検出するものである。このパターン形状を検出するための信号処理については詳細を後述するが、周知の画像処理技術やパターン認識技術を利用して行うようにしても構わない。
【００２０】
パターンデータ記憶部５は、検査対象のステンシルマスク１における開口パターンＰを形成する基になった設計データを予め記憶保持しているものである。ただし、パターンデータ記憶部５では、少なくとも、相補分割前のパターン形状、すなわちウエハ上に最終的に転写すべきパターン形状について、その設計データを記憶保持しているものとする。
【００２１】
比較処理部６は、画像処理部４が検出したパターン形状を、パターンデータ記憶部５に記憶保持された設計データにおけるパターン形状と比較するものである。このとき、設計データにおけるパターン形状には欠陥が存在しない。したがって、比較処理部６では、パターン形状の比較照合の結果を基に、検査対象のステンシルマスク１にパターン欠陥があるか否かを判断するようにもなっている。なお、この比較処理部６によるパターン欠陥の判定については、その詳細を後述する。
【００２２】
結果出力部７は、比較処理部６によるパターン欠陥の判定結果を外部へ出力するものである。この結果出力部７による判定結果の出力先としては、例えばＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）等の画像表示装置や、プリンタ等の印刷装置が考えられる。これにより、ステンシルマスク１のパターン欠陥が検出されると、そのパターン欠陥について目視可能となり、その欠陥の種別やサイズ等を特定することができるので、その欠陥を観察した結果に応じて、修正可能なものであれば修正を行い、修正不可能なものはステンシルマスク１の再作製を行う、といった対応を採り得るようになる。
【００２３】
ところで、上述した各部、特に画像処理部４、パターンデータ記憶部５、比較処理部６および結果出力部７は、その機能をコンピュータ上で実現することが考えられる。したがって、これらの各部４〜７が実現する各機能は、マスクのパターン欠陥を検査するためのマスク欠陥検査プログラムというソフトウエアが、コンピュータというハードウエア資源を用いて情報処理を行うことによって、具体的に実現することも可能である。この場合、マスク欠陥検査プログラムは、コンピュータ内にインストールされているのではなく、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納されて提供されるものであっても、または有線若しくは無線による通信手段を介して配信されるものであってもよい。つまり、以上に説明したマスク欠陥検査装置は、コンピュータをマスク欠陥検査装置として機能させるためのマスク欠陥検査プログラムによっても実現することが可能である。
【００２４】
次に、以上のように構成されたマスク欠陥検査装置（マスク欠陥検査プログラムを含む）における欠陥検査の流れについて説明する。図２に示すように、欠陥検査にあたっては、先ず、検査対象となるステンシルマスク１をマスク欠陥検査装置にセットして、そのステンシルマスク１についての欠陥検査（ステップ１０１、以下ステップを「Ｓ」と略す）および欠陥の観察（Ｓ１０２）を行う。なお、欠陥検査（Ｓ１０１）の詳細については後述する。また、欠陥の観察（Ｓ１０２）については、マスク欠陥検査装置の結果出力部７からの出力結果を目視することで行えばよい。
【００２５】
そして、検査対象のステンシルマスク１にパターン欠陥がなければ（Ｓ１０３）、そのステンシルマスク１に対する洗浄を行った後（Ｓ１０４）、そのステンシルマスク１を出荷（またはリソグラフィ工程で使用）する（Ｓ１０５）。ただし、パターン欠陥がある場合には（Ｓ１０３）、そのパターン欠陥が修正可能なものであるか否かを判断する（Ｓ１０６）。そして、修正可能であれば修正を行って（Ｓ１０７）、そのステンシルマスク１に対する洗浄を行った後に（Ｓ１０４）、そのステンシルマスク１の出荷（または使用）を行う（Ｓ１０５）。一方、パターン欠陥が修正不可能なものであれば、ステンシルマスク１の再作製を行う（Ｓ１０８）。なお、修正可能であるか否かの判断および修正可能な場合の修正については、従来と略同様であるため、ここではその説明を省略する。
【００２６】
続いて、以上のような流れの中における欠陥検査（Ｓ１０１）の詳細、すなわち本発明に係るマスク欠陥検査方法について説明する。
【００２７】
既に説明したように、相補分割された開口パターンを有するステンシルマスク１の場合、その開口パターンＰに欠陥が生じた場合であっても、ウエハ上へのパターン転写時には欠陥の影響が解消されてしまうこともあり得る（図５参照）。図３には、開口パターンに生じた欠陥がパターン転写に影響を及ぼさない場合の一具体例を示す。一方、図４には、開口パターンに生じた欠陥がパターン転写に影響を及ぼす場合の一具体例を示す。そこで、欠陥検査にあたっては、図３に示すようなパターン転写に影響を及ぼさない欠陥についてはパターン欠陥とせず、図４に示すようなパターン転写に影響を及ぼす欠陥についてのみパターン欠陥とする。
【００２８】
そのために、図３（ａ）または図４（ａ）に示すように、検査対象となるステンシルマスク１ａ，１ｂのパターン形状についての欠陥検査に際して、先ず、画像処理部４は、荷電粒子線の発光源２および受光器３により得られる電気信号の信号強度、すなわち欠陥検査時の荷電粒子線のエネルギー強度Ｓ０を抽出する。このとき、エネルギー強度Ｓ０は、ステンシルマスク１ａ，１ｂを主走査方向の１ライン毎に走査し、その走査ライン毎に得るようにする。そして、画像処理部４が各走査ラインのエネルギー強度Ｓ０を抽出すると、比較処理部６は、そのエネルギー強度Ｓ０を予め設定された閾値を基に二値化し、二値化欠陥信号ＳＤを生成する。
【００２９】
その一方で、比較処理部６は、図３（ｂ）または図４（ｂ）に示すように、パターンデータ記憶部５にアクセスして、例えば各走査ラインの座標値を基に、相補分割前のパターン形状１ｃであり、二値化欠陥信号ＳＤに対応する部位のものを、そのパターンデータ記憶部５から取得する。そして、二値化欠陥信号ＳＤの場合と同様に二値化を行い、比較用信号ＳＲを生成する。
【００３０】
このようにして、二値化欠陥信号ＳＤおよび比較用信号ＳＲを得ると、続いて、比較処理部６は、図３（ｃ）または図４（ｃ）に示すように、これら二値化欠陥信号ＳＤおよび比較用信号ＳＲについて、次に述べるような論理演算を行い、評価信号ＳＥを生成する。
【００３１】
ＳＥ＝ＳＤ（ＯＲ）ＳＲ
ここで、（ＯＲ）は論理和を表す。
【００３２】
さらに、比較処理部６は、比較用信号ＳＲおよび評価信号ＳＥについて、次に述べるような論理演算を行い、比較用信号ＳＲと評価信号ＳＥとの間に差があるか否かを判断するための判断信号Ｓを生成する。
【００３３】
Ｓ＝ＳＥ（ＸＯＲ）ＳＲ
ここで、（ＸＯＲ）は排他的論理和を表す。
【００３４】
この論理演算の結果、図３（ｃ）に示すように、判断信号Ｓが「０」であれば、比較用信号ＳＲと評価信号ＳＥとの間に差がないことが分かる。これは、検査対象となるステンシルマスク１ａのパターン形状に欠陥がないか、または欠陥があってもその欠陥が相補分割前のパターン形状１ｃの開口部分に属するか、若しくは当該開口部分と完全に一致することを意味する。したがって、判断信号Ｓ＝０の場合には、比較処理部６は、例えばステンシルマスク１ａのパターン形状に欠陥があっても、その欠陥はパターン転写に影響を及ぼさないものであると判断し、その欠陥をステンシルマスク１ａのパターン欠陥とみなさないようにする。そして、この判定結果を受けて、結果出力部７は、検査対象となるステンシルマスク１ａにパターン欠陥が無い旨を外部へ出力する。
【００３５】
これに対して、図４（ｃ）に示すように、判断信号Ｓが「１」の部分を含む場合には、比較用信号ＳＲと評価信号ＳＥとの間に差があることになる。すなわち、検査対象となるステンシルマスク１ｂのパターン形状に欠陥があり、しかもその欠陥が相補分割前のパターン形状１ｃの開口部分に属していないことを意味する。したがって、判断信号Ｓ＝１の場合には、比較処理部６は、ステンシルマスク１ｂのパターン形状に、パターン転写に影響を及ぼす欠陥があると判断する。そして、この判定結果を受けて、結果出力部７は、検査対象となるステンシルマスク１ｂにパターン欠陥がある旨を外部へ出力する。
【００３６】
以上のように、本実施形態で説明したマスク欠陥検査装置、マスク欠陥検査プログラムおよびマスク欠陥検査方法では、検査対象となるステンシルマスク１に対する欠陥検査の際に、相補分割前の転写パターンにおける露光部分、すなわち相補分割されたいずれかの露光用マスクによって露光されるべき部分に属する欠陥については、パターン欠陥とみなさないようにしている。このような露光部分に属する欠陥については、結果的に相補分割されたいずれかのステンシルマスクによって露光されるので、パターン欠陥とみなさなくても、転写後のパターンに悪影響を及ぼすことがなく、目的のパターン転写を実現し得るからである。
【００３７】
したがって、本実施形態で説明したマスク欠陥検査装置、マスク欠陥検査プログラムおよびマスク欠陥検査方法によれば、露光部分に属する欠陥をパターン欠陥とみなさない分だけ、欠陥検査のスループット向上が期待できる。余分な欠陥の観察を行わずに済み、その種別・大きさ等を判断するための観察時間を削減できるからである。
【００３８】
さらには、マスク作製における歩留まり向上も期待できるようになる。なぜならば、転写に影響を与えない欠陥についてはパターン欠陥とみなさないため、パターン欠陥として検出される欠陥数が実質的に減少する。これにより、マスク再作製を行うべき欠陥数を下回る可能性が高くなり、再作製を行わなくてもよいステンシルマスクの数が増加すると考えられるからである。また、例え修正不可能なサイズの欠陥であっても、転写に影響を与えなければパターン欠陥とされないため、欠陥サイズに起因するマスク再作製の機会をも減らし得ると考えられるからである。つまり、新たなマスクの再作製を極力回避し得るため、実質的な歩留まり低下の誘発を抑制することができる。
【００３９】
また、本実施形態で説明したマスク欠陥検査装置、マスク欠陥検査プログラムおよびマスク欠陥検査方法では、検査対象となるステンシルマスク１ａ，１ｂのパターン形状についての欠陥検査に際し、そのパターン形状についての検出結果である電気信号と、その比較対象である相補分割前のパターン形状１ｃについてのデータとを、それぞれ二値化した後に論理演算することによって、互いの形状比較を行っている。したがって、欠陥検査の際に処理すべき信号（データ）処理量が二値化により削減されるので、その処理負荷の軽減が可能となり、結果として迅速な欠陥検査処理を実現し得るようになる。また、処理負荷の軽減に伴って、欠陥検査処理を行うハードウエア資源の構成（回路構成やメモリ容量等）についても、その簡素化が図れるようになる。
【００４０】
さらに、二値化した後に論理演算する場合には、その二値化の際に用いる閾値を任意に設定し得るようにすれば、どの程度の精度を持って欠陥検査を行うかを、その閾値の設定によって調整し得るようになる。すなわち、二値化閾値の設定し応じて、欠陥検査の精度を容易に調整し得るようになる。したがって、欠陥検査を行う者にとっては、非常に利便性の高いものとなる。
【００４１】
なお、本実施形態では、欠陥検査に際して二値化後に論理演算を行う場合を例に挙げたが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば画像処理技術を利用したパターン認識といった、他の照合技術を用いて欠陥検査を行ってもよいことはいうまでもない。
【００４２】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明に係るマスク欠陥検査方法、マスク欠陥検査プログラムおよびマスク欠陥検査装置によれば、相補分割された開口パターンを有する露光用マスクのパターン欠陥を検査する場合に、転写後のパターン形状に影響を及ぼす欠陥のみを欠陥として検出し、そうでないものについては欠陥として検出しないようにするので、欠陥検査スループットの向上およびマスク作製の歩留まり向上が実現可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るマスク欠陥検査装置の概略構成例を示す模式図である。
【図２】本発明に係るマスク欠陥検査方法を含むマスク検査手順の一例を示すフローチャートである。
【図３】本発明に係るマスクの欠陥判定例の一具体例を示す説明図（その１）であり、開口パターンに生じた欠陥がパターン転写に影響を及ぼさない場合の一具体例を示す図である。
【図４】本発明に係るマスクの欠陥判定例の一具体例を示す説明図（その２）であり、開口パターンに生じた欠陥がパターン転写に影響を及ぼす場合の一具体例を示す図である。
【図５】相補分割された開口パターンを有する露光用マスクにおける欠陥とパターン転写との関係の一具体例を示す説明図である。
【符号の説明】
１，１ａ，１ｂ…ステンシルマスク、１ｃ…相補分割前のパターン形状、２…発光源、３…受光器、４…画像処理部、５…パターンデータ記憶部、６…比較処理部、７…結果出力部、Ｐ…開口パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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