(57)【要約】【解決手段】　ハロゲン化アニリン誘導体をパラジウム触媒、リガンド、水及び塩基の存在下、一酸化炭素と反応させることを特徴とする一般式（I）【化２】2004043474.tif 000021　（式中、Ｘは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。　Ｙは同一又は異なっても良く、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、Ｃ１−６アルキル基、ハロＣ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、ハロＣ１−６アルコキシ基又はＣ１−６アルキルカルボニル基から選択される１以上の置換基を示す。）で表される２−アミノ安息香酸誘導体の製造方法。【効果】　本発明により工業的に有利な２−アミノ安息香酸の製造が可能となった。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式(II)
【化１】
2004043474.tif 000013
　（式中、Ｘは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。
　Ｙは同一又は異なっても良く、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、Ｃ１−６アルキル基、ハロＣ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、ハロＣ１−６アルコキシ基又はＣ１−６アルキルカルボニル基から選択される１以上の置換基を示す。）で表されるハロゲン化アニリン誘導体をパラジウム触媒、リガンド、水及び塩基の存在下、一酸化炭素と反応させることを特徴とする一般式（I）
【化２】
2004043474.tif 000014
　（式中、Ｙは前記に同じ。）で表される２−アミノ安息香酸誘導体の製造方法。
【請求項２】
一般式(III)
【化３】
2004043474.tif 000015
　（式中、Ｘは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。
　Ｙは同一又は異なっても良く、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、Ｃ１−６アルキル基、ハロＣ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、ハロＣ１−６アルコキシ基又はＣ１−６アルキルカルボニル基から選択される１以上の置換基を示す。
　ＷはＣ１−６アルキル基を示す。）
で表されるハロゲン化アニリン誘導体をパラジウム触媒、リガンド、水及び塩基の存在下、一酸化炭素と反応させ、一般式（IV）
【化４】
2004043474.tif 000016
　（式中、Ｙ及びＷは前記に同じ。）
で表される安息香酸誘導体とし、該安息香酸誘導体を加水分解することを特徴とする一般式（I）
【化５】
2004043474.tif 000017
　（式中、Ｙは前記に同じ。）
で表される２−アミノ安息香酸誘導体の製造方法。　
【請求項３】
一般式(V)
【化６】
2004043474.tif 000018
　（式中、Ｘは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。
　Ｙは同一又は異なっても良く、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、Ｃ１−６アルキル基、ハロＣ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、ハロＣ１−６アルコキシ基又はＣ１−６アルキルカルボニル基から選択される１以上の置換基を示す。
　Ｒは水素原子又はＣ１−６アルキルカルボニル基を示す。）
で表されるハロゲン化アニリン誘導体をパラジウム触媒、リガンド、塩基及び一般式（VI）
　　　　Ｒ１ＯＨ　　（VI）
　（式中、Ｒ１はＣ１−６アルキル基を示す。）
で表されるアルコール類の存在下、一酸化炭素と反応させ、一般式（VII）
【化７】
2004043474.tif 000019
　（式中、Ｒ、Ｒ１及びＹは前記に同じ。）
で表される安息香酸エステル誘導体とし、該安息香酸エステル誘導体を加水分解することを特徴とする一般式（I）
【化８】
2004043474.tif 000020
　（式中、Ｙは前記に同じ。）
で表される２−アミノ安息香酸誘導体の製造方法。　
【請求項４】
　２−アミノ−５−ヘプタフルオロイソプロピル安息香酸又は２−アセトアミノ−５−ヘプタフルオロイソプロピル安息香酸から選択される２−アミノ安息香酸誘導体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は医薬、農薬、電子材料等の中間体として有用な２−アミノ安息香酸誘導体及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　パラジウム触媒の存在下で一酸化炭素を用いてハロゲン化アリールをカルボン酸誘導体に変換することはヘック（Ｈｅｃｋ）反応として広く知られた技術である（例えば、非特許文献１参照。）。本発明類似の技術として４−アミノ安息香酸誘導体の製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。また、医薬品中間体として、ヘック（Ｈｅｃｋ）反応を用いた２−アミノ安息香酸誘導体の製造が知られている（例えば、非特許文献２参照。）。
　また、２−アミノ安息香酸誘導体は農薬中間体としても有用であることが知られており、例えば殺虫剤の原料として利用することができる（例えば、特許文献３又は４参照。）。
【０００３】
【特許文献１】国際公開第０１／７２６９０号パンフレット
【特許文献２】国際公開第００／７３２６０号パンフレット
【特許文献３】国際公開第０２／４８１３７号パンフレット
【特許文献４】特開平１１−２４０８５７号公報
【非特許文献１】Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，３９，３３１８（１９７４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　しかし、ハロゲン化アニリンをヘック（Ｈｅｃｋ）反応の基質として用いた場合、除去の難しいポリマーやアミド体等が副生し、工業的に効率良く２−アミノ安息香酸誘導体を製造することは現実としてかなり困難であった。そこで、工業的に効率良く２−アミノ安息香酸誘導体を製造する方法が求められていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
　本発明者らは上記課題を解決し、工業的に有利２−アミノ安息香酸誘導体の製造方法を開発すべく鋭意検討した結果、ハロゲン化アニリン誘導体をパラジウム触媒、リガンド、水及び塩基の存在下、一酸化炭素と反応させることにより効率的に２−アミノ安息香酸誘導体が製造できること及び特定の２−アミノ安息香酸誘導体が文献未記載の新規化合物であることを見出し、本発明を完成したものである。
　即ち本発明は、一般式(II)
【化１】
2004043474.tif 000002
　（式中、Ｘは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。
　Ｙは同一又は異なっても良く、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、Ｃ１−６アルキル基、ハロＣ１−６アルキル基、Ｃ１−６アルコキシ基、ハロＣ１−６アルコキシ基又はＣ１−６アルキルカルボニル基から選択される１以上の置換基を示す。）で表されるハロゲン化アニリン誘導体をパラジウム触媒、リガンド、水及び塩基の存在下、一酸化炭素と反応させることを特徴とする一般式（I）
【０００６】
【化２】
2004043474.tif 000003
　（式中、Ｙは前記に同じ。）
で表される２−アミノ安息香酸誘導体の製造方法、　
【０００７】
一般式(III)
【化３】
2004043474.tif 000004
　（式中、Ｘ、Ｙは前記に同じくし、ＷはＣ１−６アルキル基を示す。）
で表されるハロゲン化アニリン誘導体をパラジウム触媒、リガンド、水及び塩基の存在下、一酸化炭素と反応させ、一般式（IV）
【０００８】
【化４】
2004043474.tif 000005
　（式中、Ｙ及びＷは前記に同じ。）
で表される安息香酸誘導体とし、該安息香酸誘導体を酸加水分解することを特徴とする一般式（I）
【化５】
2004043474.tif 000006
　（式中、Ｙは前記に同じ。）
で表される２−アミノ安息香酸誘導体の製造方法及び、
【０００９】
一般式(V)
【化６】
2004043474.tif 000007
　（式中、Ｘ、Ｙは前記に同じくし、Ｒは水素原子又はＣ１−６アルキルカルボニル基を示す。）
で表されるハロゲン化アニリン誘導体をパラジウム触媒、リガンド、塩基及び一般式（VI）
　　　　Ｒ１ＯＨ　　（VI）
　（式中、Ｒ１はＣ１−６アルキル基を示す。）
で表されるアルコール類の存在下、一酸化炭素と反応させ、一般式（VII）
【００１０】
【化７】
2004043474.tif 000008
　（式中、Ｒ、Ｒ１及びＹは前記に同じ。）
で表される安息香酸エステル誘導体とし、該安息香酸エステル誘導体を加水分解することを特徴とする一般式（I）
【化８】
2004043474.tif 000009
　（式中、Ｙは前記に同じ。）
で表される２−アミノ安息香酸誘導体の製造方法並びに２−アミノ−５−ヘプタフルオロイソプロピル安息香酸又は２−アセトアミノ−５−ヘプタフルオロイソプロピル安息香酸から選択される２−アミノ安息香酸誘導体に関するものである。
【発明の効果】
【００１１】
　本発明は、医薬、農薬、電子材料等の中間体として有用な２−アミノ安息香酸及びその工業的に有利な製造方法を提供するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
　本発明の一般式（I）〜（V）で表される化合物の置換基の定義中、「Ｃ１−６アルキル基」とは、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ネオペンチル、ｎ−ヘキシル等の直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキル基を示し、「ハロＣ１−６アルキル基」とは、例えばトリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２，３−ジブロモプロピル基等の同一又は異なっても良い１以上のハロゲン原子により置換された直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキル基を示し、「Ｃ１−６アルコキシ基」とは、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、２−プロポキシ基、ブトキシ基、２−ブトキシ基、ペンチルオキシ基等の直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキル基が酸素原子に結合した基を示し、「ハロＣ１−６アルコキシ基」とは、例えばジフロロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエトキシ基、２，２，２−トリフルオロエトキシ基等の同一又は異なっても良い１以上のハロゲン原子により置換された直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルコキシ基を示し、「Ｃ１−６アルキルカルボニル基」とは、例えばアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基等の直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキル基で置換されたカルボニル基を示す。
【００１３】
　本発明を例えば図示的に示すと以下の通り示すことができる。
製造方法１．
【化９】
2004043474.tif 000010
　（式中、Ｘ及びＹは前記に同じ。）
　一般式（II）で表されるハロゲン化アニリン誘導体をパラジウム触媒、リガンド、水及び塩基の存在下、不活性溶媒の存在下又は非存在下に一酸化炭素と反応させることにより、一般式（I）で表される２−アミノ安息香酸誘導体を製造することができる。
【００１４】
　本反応で触媒として使用できるパラジウム化合物としては、例えば金属パラジウム、パラジウムカーボン、パラジウムアルミナ等の担体にパラジウム金属を担持させたもの、塩化パラジウム、臭化パラジウム、沃化パラジウム、酢酸パラジウム等のパラジウム塩、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、[１,４− ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン]ジクロロパラジウム、ジクロロビスベンゾニトリルパラジウム、ジクロロビスアセトニトリルパラジウム、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム等のパラジウム錯体を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。パラジウム化合物の使用量は一般式（II）で表されるハロゲン化アニリン誘導体１モルに対して、０．１〜０．００００１倍モルの範囲で、好ましくは０．０１〜０．００００５倍モルの範囲で使用するのが良い。
【００１５】
　本反応で使用できるリガンドとしては、例えばトリｔ−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリo-トリルホスフィン、1,２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン 、１,３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１,４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン等のホスフィン類を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。リガンドの使用量は一般式（II）で表されるハロゲン化アニリン誘導体１モルに対して、０．３ 〜０．００００１倍モルの範囲で、好ましくは０．１〜０．０００１倍モルの範囲で使用するのが良い。
【００１６】
　本反応で使用できる塩基としては、例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン等の有機塩基類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム 、炭酸水素ナトリウム 、炭酸カリウム等の無機塩基類、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。使用する塩基の量としては、生成するハロゲン化水素を中和するのに必要な量を使用するのが好ましいが、過剰に使用し、また溶剤として使用することもできる。
　本反応は常圧〜加圧下に反応することができ、一酸化炭素の圧は０．１〜１０ＭＰａの範囲で適宜選択すれば良いが、好ましくは１．５〜４．０ＭＰａである。
　本反応で使用する水の量は、理論的には一般式（II）で表されるハロゲン化アニリン誘導体に対して等モルあれば良いが、大過剰量用いることが好ましく、溶媒として用いても良い。
【００１７】
　本反応で使用できる溶媒としては、反応の進行を著しく阻害しないものであれば良く、例えばヘプタン、ヘキサン、トルエン、キシレン等の炭化水素類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド、水等を挙げることができる。これらの溶媒は単独で使用しても良く、二種以上混合して使用することもできる。反応温度は通常５０〜２５０℃の範囲で行うことができ、好ましくは１００〜２００℃である。反応時間は反応規模、反応温度により一定しないが、１時間乃至４８時間の範囲で適宜選択すれば良い。
　反応終了後、一般式（I）で表される２−アミノ安息香酸誘導体を含む内容物から常法により単離し、必要に応じて精製して目的物を製造することができる。
　原料である一般式（II）で表されるハロゲン化アニリンは公知の方法（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ.，４４，４７３３（１９７９））に準じて、４−置換アニリンをハロゲン化剤により選択的に２位にハロゲン化することにより製造することができる。
【００１８】
製造方法２．
【化１０】
2004043474.tif 000011
　（式中、Ｘ、Ｙ及びＷは前記に同じ。）
　一般式（III）で表されるハロゲン化アニリン誘導体をパラジウム触媒、リガンド、水及び塩基の存在下、不活性溶媒の存在下又は非存在下に一酸化炭素と反応させ、一般式（IV）で表される安息香酸誘導体とし、該安息香酸誘導体のアミド結合を酸加水分解することにより、一般式（I）で表される２−アミノ安息香酸誘導体を製造することができる。
【００１９】
一般式（III）→　一般式（IV）.
　本反応は一般式（II）で表されるハロゲン化アニリン誘導体に代えて、一般式（III）で表されるハロゲン化アニリン誘導体を用いることにより、製造法１．に準じて行うことができる。反応終了後、一般式（IV）で表される安息香酸誘導体を含む内容物から常法により単離又は単離せずして次の反応に使用することができる。
一般式（IV）→　一般式（I）.
　本反応は酸を用いた通常の加水分解反応の条件で行えば良い。反応終了後、一般式（I）で表される２−アミノ安息香酸誘導体を含む内容物から常法により単離し、必要に応じて精製して目的物を製造することができる。
　原料である一般式（III）で表されるハロゲン化アニリン誘導体は対応するアニリンを常法に準じて、例えば酸無水物、酸クロリド等でアシル化することにより製造することができる。
【００２０】
製造方法３．
【化１１】
2004043474.tif 000012
　（式中、Ｘ、Ｙ、Ｒ及びＲ１は前記に同じ。）
　一般式（V）で表されるハロゲン化アニリン誘導体をパラジウム触媒、リガンド、一般式（VI）で表されるアルコール類及び塩基の存在下、不活性溶媒の存在下又は非存在下に一酸化炭素と反応させ、一般式（VII）で表される安息香酸エステル誘導体とし、該安息香酸エステル誘導体のエステル結合及びアミド結合を加水分解することにより、一般式（I）で表される２−アミノ安息香酸誘導体を製造することができる。
【００２１】
一般式（V）→　一般式（VII）.
　本反応は一般式（II）で表されるハロゲン化アニリン誘導体に代えて、一般式（V）で表されるハロゲン化アニリン誘導体を、水に代えて一般式（VI）で表されるアルコール類を用いることにより、製造法１．に準じて行うことができる。反応終了後、一般式（VII）で表される安息香酸エステル誘導体を含む内容物から常法により単離又は単離せずして次の反応に使用することができる。
一般式（VII）→　一般式（I）.
　本反応は酸又はアルカリを用いた通常の加水分解反応の条件で行えば良いが、アミド結合の加水分解に関しては酸加水分解が好ましい。反応終了後、一般式（I）で表される２−アミノ安息香酸誘導体を含む内容物から常法により単離し、必要に応じて精製して目的物を製造することができる。
【実施例】
【００２２】
　次に本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１．　２−アミノ−５−フルオロ安息香酸の製造
　２−ブロモ−４−フルオロアニリン９．５０ｇ（５０ミリモル)、トリエチルアミン６．０７ｇ（６０ミリモル)、塩化パラジウム８８．７ｍｇ（０．１％モル)、１,４−ビスジフェニルホスフィノブタン２１３．２ｍｇ（１％モル)、メタノール７５ｍｌを２００ｍｌ耐圧容器に取り、一酸化炭素を導入し徐々に加熱した。１３０℃で２時間、一酸化炭素圧を３．０〜３．５ＭＰａの範囲に保って反応させた。冷却後脱圧し、容器より反応液を抜き出した。反応液を減圧濃縮し、酢酸エチルを加え析出した不溶物をろ過し、ろ液を減圧濃縮した。残渣に１０％ＮａＯＨ水を加え、５０℃で３０分間攪拌した。トルエンで加水分解溶液を洗浄した後、濃塩酸で酸性とし、析出した結晶をろ過、水洗し乾燥した。収量４．１９ｇで目的物を得た。
　　収率：５４．０％
　　物性：融点　１８７〜１８８℃
【００２３】
実施例２．　２−アミノ−５−トリフルオロメチル安息香酸の製造
　２−ブロモ−４−トリフルオロメチルアニリン１２．００ｇ（５０ミリモル)、炭酸水素ナトリウム４．６２ｇ（６０ミリモル)、塩化パラジウム８８．７ｍｇ（０．１％モル)、１,４−ビスジフェニルホスフィノブタン２１３．２ｍｇ（１％モル)、メタノール７５ｍｌを２００ｍｌ耐圧容器に取り、一酸化炭素を導入し徐々に加熱した。１５０℃で２ 時間、一酸化炭素圧を３．０〜３．５ＭＰａの範囲に保って反応させた。冷却後脱圧し、容器より反応液を抜き出した。反応液に１０％ＮａＯＨ水を加え、５０℃で３０分間攪拌した。トルエンで加水分解溶液を洗浄した後、濃塩酸で酸性とし、析出した結晶をろ過、水洗し乾燥した。収量５．５１ｇで目的物を得た。
　　収率：５３．８％
　　物性：融点　３００℃＜
【００２４】
実施例３．　２−アミノ−５−クロロ安息香酸の製造
　２−ブロモ−４−クロロアセトアニリド２４．８５ｇ（０．１モル)、炭酸ソーダ１１．６６ｇ（０．１１モル)、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．２１ｇ（０．０００３モル)、トリフェニルホスフィン０．５２５ｇ（０．００２モル)、トルエン ５０ｍｌ、水９０ｇを３００ｍｌ耐圧容器に取り、一酸化炭素を導入し徐々に加熱した。１３０℃で、一酸化炭素圧を３．０〜３．５ＭＰａの範囲に保って反応させた。冷却後脱圧し、容器より反応液を抜き出した.トルエン層を分液し、水層にトルエンを加え洗浄分液をした。水層から不溶物をろ過し、濃塩酸で酸性とした。析出した結晶をろ過、水洗し乾燥して、融点２７４〜２７８℃の２−アセトアミノ−５−クロロ安息香酸を得た。この酸を１８％塩酸中、６０℃で２時間加温し、原料の無いことを確認し冷却した。２０％苛性ソーダ水で弱酸性とした。析出した結晶をろ過、水洗し乾燥した。収量１０．２ｇで目的物を得た。
　　収率：５９．５％
　　物性：融点　２０９〜２１３℃
【００２５】
実施例４.　２−アミノ−４−トリフルオロメチル安息香酸の製造
　２−クロロ−５−トリフルオロメチルアセトアニリド９．２７ｇ（０．０３９モル) 、トリエチルアミン８．７０ｇ（０．０８６モル)、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．１６ｇ（０．０００２モル) 、１,４−ビスジフェニルホスフィノブタン０．３４ｇ（０．０００８モル)、トルエン２０ｍｌ、水４０ｇを２００ｍｌ耐圧容器に取り、一酸化炭素を導入し徐々に加熱した。１７０℃で一酸化炭素圧を３．０ 〜３．５ＭＰａの範囲に保って反応させた。冷却後脱圧し、容器より反応液を抜き出した。トルエン層を分液し、水層にトルエンを加え洗浄分液をした。水層から不溶物をろ過し、濃塩酸で酸性とし、析出した結晶をろ過、水洗し乾燥して、融点２０１〜２０２℃の２−アセトアミノ−４−トリフルオロメチル安息香酸を得た。この酸をこの酸を１８％塩酸中、６０℃で２時間加温し、原料の無いことを確認し冷却した。２０％苛性ソーダ水で弱酸性とし、析出した結晶をろ過、水洗し乾燥した。収量２．８６ｇで目的物を得た。
　　収率：３５．７％
　　物性：融点　１６５〜１７５℃
【００２６】
実施例５．　２−アミノ−５−ヘプタフルオロイソプロピル 安息香酸の製造
　４−ヘプタフルオロイソプロピルアニリン３．６２ｇ（０．０１４モル)を酢酸エチル１００ｍｌに溶解した液へ、１,３−ジブロモ−５,５−ジメチルヒダントイン１．９８ｇ（０．００７モル)のジメチルホルムアミド溶液を１０℃以下で滴下した。２時間、１０℃で撹拌した。反応液を濃縮し、トルエン１００ｍｌを加え残査を抽出し、トルエン層を水洗した。２−ブロモ−４−ペンタフルオロイソプロピルアニリンのトルエン溶液に無水酢酸を加え７０℃でアセチル化した。反応液を減圧濃縮して得た粗製の２−ブロモ−４−ペンタフルオロイソプロピルアセトアミド４．８６ｇ（０．０１３モル)、炭酸ソーダ１．６２ｇ（０．０１５モル)、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム ５８．４ｍｇ（０．００００８モル)、トリフェニルホスフィン１４８．８ｍｇ（０．０００５５モル) 、トルエン２５ｍｌ、水３０gを２００ｍｌ耐圧容器に取り、一酸化炭素を導入し徐々に加熱した。１３０℃で３時間、一酸化炭素圧を３．０〜３．５ＭＰａの範囲に保って反応させた。冷却後脱圧し、容器より反応液を抜き出した。トルエン層を分液し、水層をさらにトルエンで洗浄した。水層から不溶物をろ過し、濃塩酸で酸性とし、析出した結晶をろ過、水洗し乾燥して、融点１７３．９〜１７８．４℃の２−アセトアミノ−５−ヘプタフルオロイソプロピル安息香酸を得た。この安息香酸をメタノールに加温溶解し、１８％塩酸を加え、６０℃で２時間加水分解した後、２０％苛性ソーダ水で弱酸性とし、析出した結晶をろ過、水洗し乾燥した。収量３．２０ｇで目的物を得た。
　　収率：７５．６％
　　物性：融点　１４８．１〜１５３．３℃
【００２７】
実施例６．　２−アミノ−５−トリフルオロメトキシ安息香酸の製造
　２−ブロモ−４−トリフルオロメトキシアセトアニリドを用いて実施例３．に準じて製造した。
　　収率：７８．２％
　　物性：融点　１４１．５〜１４１．９℃
実施例７．　２−アミノ−５−シアノ安息香酸の製造
　２−ブロモ−４−シアノアセトアニリドを用いて実施例３．に準じて製造した。
　　収率：４８．７％
　　物性：融点　３００℃＜
【００２８】
実施例８．　２−アミノ−５−メチル安息香酸の製造
　２−ブロモ−４−メチルアセトアニリドを用いて実施例３．に準じて製造した。
　　収率：４８．７％
　　物性：融点　１７１〜１７５℃
実施例９．　２−アミノ−５−イソプロピル安息香酸の製造
　２−ブロモ−４−イソプロピルアセトアニリドを用いて実施例３．に準じて製造した。
　　収率：７３．１％
　　物性：融点　９４〜９６℃
実施例１０．　２−アミノ−５−ブチル安息香酸の製造
　２−ブロモ−４−ブチルアセトアニリドを用いて実施例３．に準じて製造した。
　　収率：６１．７％
　　物性：融点　９０〜９２℃
【００２９】
実施例１１．　２−アミノ−５−ｔｅｒｔ−ブチル安息香酸の製造
　２−ブロモ−４−ｔｅｒｔ−ブチルアセトアニリドを用いて実施例３．に準じて製造した。
　　収率：３６．０％
　　物性：融点　１５０．５〜１５２℃
実施例１２．　２−アミノ−５−クロル−３−メチル安息香酸の製造
　２−ブロモ−４−クロル−６−メチルアセトアニリドを用いて実施例３．に準じて製造した。
　　収率：９１．３％
　　物性：融点　２４１〜２４２℃
【００３０】
参考例１．　２−ブロモ−４−フルオロアセトアニリドの製造
　Ｎ−ブロモコハク酸イミド４９．５２ｇ（０．２７８モル）のジメチルホルムアミド溶液を４−フルオロアニリン３０．９２ｇ（０．２７８モル）のジメチルホルムアミドに冷却下、ゆっくり滴下した。２時間熟成後、濃縮し、残渣をトルエンで抽出し、トルエン層を１０％ＮａＯＨ水溶液で洗浄して粗製の２−ブロモ−４−フルオロアニリンのトルエン溶液を得た。トルエン層を脱水後、無水酢酸３１．２２ｇ（０．３モル）を滴下した。攪拌熟成し、トルエンを減圧濃縮し残査に水を加え結晶を懸濁させ、ろ過、水洗し乾燥した。収量４８．７１ｇで目的のアセトアニリドを針状結晶として得た。
　　収率：８１．１％
　　物性：融点　１２０．０〜１２１．５℃
【００３１】
参考例２．　２−ブロモ−４−トリフルオルメトキシアセトアニリドの製造
　４−トリフルオロメトキシアニリンを用いて参考例１．に準じて製造した。
　　収率：８１．５％
　　物性：融点　１２５．５〜１２７．０℃
参考例３．　２−ブロモ−４−トリフルオルメチルアセトアニリドの製造
　４−トリフルオロメチルアニリンを用いて参考例１．に準じて製造した。
　　収率：８８．２％　
　　物性：融点　１４８〜１５０℃
参考例４．　２−ブロモ−４−クロロアセトアニリドの製造
　４−クロロアニリンを用いて参考例１．に準じて製造した。
　　収率：９０．３％
　　物性：融点　１３８〜１４０℃
【００３２】
参考例５．　２−ブロモ−４−シアノアセトアニリドの製造
　４−シアノアニリンを用いて参考例１．に準じて製造した。
　　収率：８０．７％
　　物性：融点　１０５〜１０８℃
参考例６．　２−ブロモ−４−メチルアセトアニリドの製造
　４−メチルアニリンを用いて参考例１．に準じて製造した。
　　収率：７８．９％
　　物性：融点　１１６〜１１８℃
参考例７．　２−ブロモ−４−イソプロピルアセトアニリドの製造
　４−イソプロピルアニリンを用いて参考例１．に準じて製造した。
　　収率：８５．５％
　　物性：融点　１３３〜１３４℃
【００３３】
参考例８．　２−ブロモ−４−ブチルアセトアニリドの製造
　４−ブチルアニリンを用いて参考例１．に準じて製造した。
　　収率：８９．７％
　　物性：融点　８４〜８５℃
参考例９．　２−ブロモ−４−ｔｅｒｔ−ブチルアセトアニリドの製造
　４−ｔｅｒｔ−ブチルアニリンを用いて参考例１．に準じて製造した。
　　収率：９５．２％
　　物性：融点　１６１〜１６２℃
参考例１０．　２−ブロモ−５−トリフルオロメチルアセトアニリドの製造
　参考例１の後半の操作に準じて２−ブロモ−５−トリフルオロメチルアニリンをアセチル化して製造した。
　　収率：９９．０％
　　物性：融点　１４６〜１４８℃
参考例１１．　２−ブロモ−４−クロロ−６−メチルアセトアニリドの製造
　４−クロル−２−メチルアニリンを用いて参考例１．に準じて製造した。
　　収率：９０．４％
　　物性：融点　２００〜２０１℃