(57)【要約】【課題】この発明は、描画開始点と描画終了点との間に隙間や重複部分ができるという課題を解決しようとするものである。【解決手段】この発明は、円パターン発生装置２１を有する描画装置の描画位置制御方式において、円パターン発生装置２１を用いて、同一の中心を持ち半径の異なる複数の円を描画する際に、円の描画開始位置を該円に近接する別の円の描画開始位置からずらすように円パターン発生装置２１を制御するものである。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円パターン発生装置を有する描画装置の描画位置制御方式において、前記円パターン発生装置を用いて、同一の中心を持ち半径の異なる複数の円を描画する際に、円の描画開始位置を該円に近接する別の円の描画開始位置からずらすように前記円パターン発生装置を制御することを特徴とする描画位置制御方式。
【請求項２】
請求項１記載の描画位置制御方式において、円の描画開始位置と、該円に近接する別の円の描画開始位置とのずらし量を、円周を複数個に等分割できない角度に相当するずらし量に設定することを特徴とする描画位置制御方式。
【請求項３】
請求項１記載の描画位置制御方式において、円の描画開始位置と、該円に近接する別の円の描画開始位置とのずらし量を、乱数もしくは擬似乱数を用いて設定することを特徴とする描画位置制御方式。
【請求項４】
円パターン発生装置を有する描画装置の描画位置制御方式において、前記円パターン発生装置を用いて、同一の中心を持ち半径の異なる複数の円を描画する際に、円の描画を、１周で終らずに複数回周回して行うことを特徴とする描画位置制御方式。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の描画位置制御方式と請求項４記載の描画位置制御方式とを併用することを特徴とする描画位置制御方式。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載の描画位置制御方式を用いて描画により３次元形状に製作したことを特徴とする製品。
【請求項７】
請求項６記載の製品であって、光学素子からなることを特徴とする製品。
【請求項８】
請求項６記載の製品であって、金型からなることを特徴とする製品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、円パターン発生装置を有する描画装置の描画位置制御方式、及び描画により３次元形状に製作した光学素子、金型等の製品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
既存の電子ビーム描画装置は、円を描画する際の円パターン指定時にはドーズ量（荷電粒子ビーム照射量）と、円の中心位置及び半径のみを指定しており、円の描画開始位置は固定で、円の描画回数は１回（１周）に固定されている。
特許文献１には電子あるいはイオンビームを用いた円描画装置が記載され、特許文献２には円パターン描画装置が記載されている。これらは、円パターン発生装置に関するものであり、３次元形状については記載されていない。なお、既存の電子ビーム描画装置は、半導体プロセスや同露光用マスクの製作等、２次元の描画による用途で使用する目的で設計されている。
非特許文献１には、円パターンの描画については記載されていないが、電子ビーム描画によって作成される３次元形状の形状予測について記載されている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平８―２７３５８３号公報
【特許文献２】
特開平１１―１０９９０６号公報
【非特許文献１】
光学  ２９巻  ９号（２０００年）ｐ５６６〜５７２「回折光学素子作成のための電子ビーム近接効果補正法の有効性と限界」
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
現状では、３次元形状を製作するために専用に設計・製作された荷電粒子ビーム描画装置は存在せず、３次元形状の製作には既存の２次元形状製作用の荷電粒子ビーム描画装置が流用されている。
荷電粒子ビーム描画装置において円パターン発生装置を使って円を描画する方式は、多角形近似法などにより円を描画する方式に比較して高精度であるが、描画開始点が描画終了点であるため、描画開始時と描画終了時の描画位置の計算誤差、制御誤差等により描画開始点付近のドーズ量がばらつき、図３（ａ）に示すように円１の描画開始点と描画終了点とが僅かに離れて描画開始点と描画終了点との間に隙間２ができたり、図４（ａ）に示すように円１の描画開始点と描画終了点の付近が僅かに重複して重複部分３ができたりし、３次元形状を製作する場合には図３（ｂ）及び図４（ｂ）に示すように３次元形状４の形状誤差５が生じる。
【０００５】
また、同じ中心を持つ半径の異なる複数の円を連続して描画する際には、図５に示すように各円１の描画開始位置が並んでしまうため、３次元形状４の形状誤差５が連続し、その部分の希望する形状からの誤差が大きくなってしまう。
本発明は、３次元形状の形状精度を向上させることができる描画位置制御方式及び製品を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に係る発明は、円パターン発生装置を有する荷電粒子ビーム描画装置の描画位置制御方式において、前記円パターン発生装置を用いて、同一の中心を持ち半径の異なる複数の円を描画する際に、円の描画開始位置を該円に近接する別の円の描画開始位置からずらすように前記円パターン発生装置を制御するものである。
【０００７】
請求項２に係る発明は、請求項１記載の描画位置制御方式において、円の描画開始位置と、該円に近接する別の円の描画開始位置とのずらし量を、円周を複数個に等分割できない角度に相当するずらし量に設定するものである。
請求項３に係る発明は、請求項１記載の描画位置制御方式において、円の描画開始位置と、該円に近接する別の円の描画開始位置とのずらし量を、乱数もしくは擬似乱数を用いて設定するものである。
【０００８】
請求項４に係る発明は、円パターン発生装置を有する荷電粒子ビーム描画装置の描画位置制御方式において、前記円パターン発生装置を用いて、同一の中心を持ち半径の異なる複数の円を描画する際に、円の描画を、１周で終らずに複数回周回して行うものである。
請求項５に係る発明は、請求項１〜３のいずれか１つに記載の描画位置制御方式と請求項４記載の描画位置制御方式とを併用するものである。
請求項６に係る発明は、請求項１〜５のいずれか１つに記載の描画位置制御方式を用いて描画により３次元形状に製作したものである。
【０００９】
請求項７に係る発明は、請求項６記載の製品であって、光学素子からなるものである。
請求項８に係る発明は、請求項６記載の製品であって、金型からなるものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施形態１を示す。この実施形態１は円パターン発生装置を有する荷電粒子ビーム描画装置の一実施形態である。荷電粒子ビームを発生する荷電粒子ビーム発生器１１は、例えば電子ビームを発生する電子銃が用いられるが、イオンビームを発生するイオンビーム銃などを用いてもよい。ブランキング偏向器１２は電子銃１１から出射された電子ビームを任意にオン／オフさせ、ビーム整形用絞り１３は電子銃１１からブランキング偏向器１２を経て到来した電子ビームの不要な部分を遮蔽して所望の形のビームに整形する。
【００１１】
ビーム整形用絞り１３により整形された電子ビームは、電子レンズ（群）１４、１５により収束され、偏向器１６によりＸ方向及びＹ方向に偏向されて描画対象となる基板１７上の任意の位置に照射される。ここに、Ｘ方向及びＹ方向は荷電粒子ビーム発生器１１から出射された電子ビームの進行方向に垂直な面内で直交する２つの方向である。基板１７は、位置決め用ステージ１８上にセットされて位置決めされ、電子ビームにより円が描画される。
【００１２】
制御手段としての制御用ＣＰＵ１９は、外部から入力された描画データに基づいて各ユニット２０〜２３を制御する。露光制御ユニット２０はＣＰＵ１９からの露光制御データまたは円パターン発生装置２１からの露光制御信号（またはデータ）に基づいてブランキング偏向器１２を制御する。Ｘ・Ｙ偏向器駆動ユニット２２はＣＰＵ１９からのＸ・Ｙ描画データ及び円パターン発生装置２１からのＸ・Ｙ円描画信号（またはデータ）に基づいて偏向器１６に駆動信号を出力して偏向器１６を駆動する。
【００１３】
円パターン発生装置２１は、ＣＰＵ１９からの円描画データに基づいて、１つの円を描くために必要な露光制御信号（またはデータ）及びＸ・Ｙ円描画信号（またはデータ）を順次に露光制御ユニット２０及びＸ・Ｙ偏向器駆動ユニット２２へ出力する。ステージ駆動ユニット２３はＣＰＵ１９からのステージ駆動データに基づいて位置決め用ステージ１８を駆動する。
【００１４】
図２は本実施形態１の荷電粒子ビーム描画装置を用いて光学製品（光学素子、例えば図１０に示すようなマイクロレンズ凸）、金型などの製品を製作する場合を説明するための図である。基板１７は、光学製品を製作する場合には図２（ａ）に示すように石英、ガラス材、サファイア、シリコンなどの光学材料の基板２４上に電子線レジスト２５が塗布され、金型を製作する場合には基板２４の材料として金属材料が使用される。
【００１５】
この基板１７は、上述のように本実施形態１の荷電粒子ビーム描画装置にて、図２（ｂ）に示すように希望の形状に合わせたドーズ量で電子ビームにより描画され、これにより出来上がりの光学素子（又は金型）の形状精度が高くなる。  次に、基板２４上の電子線レジスト２５は図２（ｃ）に示すように現像されて３次元形状に形成される。次いで、この３次元形状に基づいてエッチングにより図２（ｄ）に示すように基板２６上に形状を転写して図２（ｅ）に示すような光学素子又は図２（ｆ）に示すような金型とし、図２（ｆ）に示すように金型を用いて所定の製品２７を製作する。この場合、本実施形態１の荷電粒子ビーム描画装置は、基板１７に対してＸ＝Ｘ０，Ｙ＝Ｙ０を中心とした半径ｒの円の図形をｒ＝１〜ｒ０の半径の複数の円の集合体として描画する。なお、基板１７に対してｒ＝ｒ１〜ｒ０の半径の複数の円の集合体としてドーナツ形状を描画する場合には、初期のｒ＝１をｒ＝ｒ１とする。また、光学素子として図１０に示すようなマイクロレンズ凸の代りに、図１１に示すようなマイクロレンズ凹、図１２に示すような非球面マイクロレンズ、図１３に示すような回折光学素子などを同様に製作することもできる。
【００１６】
本実施形態１の荷電粒子ビーム描画装置は、図６（ａ）及び図７（ａ）に示すように描画する複数の円１の描画開始位置を角度θまたはθｒｎｄ（θランダム）ずつ順次にずらしていくことにより、円１の描画開始点と描画終了点との間の隙間２や円１の描画開始点及び描画終了点の付近の重複部分３を図形全体に分散させて描画開始位置でのドーズ量のばらつきを分散させ、複数の円１の各部分の形状誤差を小さく抑えて３次元形状４の形状誤差５を小さく抑える。
【００１７】
図８は本実施形態１の描画開始点をずらす動作フローを示し、図９は本実施形態１で描画した円と、各円のドーズ量と、製作した三次元形状の例を示す。一連の円を描画する際の初期描画開始角をθ０、１回にずらす描画開始位置のずらし角をΔθとした場合、ＣＰＵ１９は、まず、ステップｓ１でｒ＝１（単位は荷電粒子ビーム描画装置の固有の描画単位（ドット間隔））、最初の円の描画開始角θｓｌをθ０に設定し、ステップｓ２で今回の描画でのドーズ量Ｄｒを図９に示すように円の半径ｒに応じて算出する。ここに、ドーズ量Ｄｒは、作成する形状に合わせた各半径ｒの円の描画での露光制御値（電子ビーム照射量）である。
【００１８】
次に、ＣＰＵ１９は、ステップｓ３で、次回描画する円の描画開始角θｓｒをθｓ（ｒ‐１）＋Δθに設定し、次回描画する円の描画終了角θｅｒを描画開始角θｓｒから３６０°ずらせた角度に設定する。次に、ＣＰＵ１９は、ステップｓ４で、円描画データとして、円の中心位置（Ｘ０、Ｙ０）、今回描画する円の半径１、上記算出したドーズ量Ｄ１、今回描画する円の描画開始角θｓ１及び描画終了角θｅ１を円パターン発生装置２１へ出力する。
【００１９】
円パターン発生装置２１は、ＣＰＵ１９からの円描画データに基づいて１つの円を描くために必要な露光制御信号（またはデータ）及びＸ・Ｙ円描画信号（またはデータ）を順次に露光制御ユニット２０及びＸ・Ｙ偏向器駆動ユニット２２へ出力する。露光制御ユニット２０は円パターン発生装置２１からの露光制御信号（またはデータ）に基づいてブランキング偏向器１２を制御して電子銃１１から出射された電子ビームをオンさせる。
【００２０】
Ｘ・Ｙ偏向器駆動ユニット２２は、円パターン発生装置２１からのＸ・Ｙ円描画信号（またはデータ）に基づいて偏向器１６を駆動して電子ビームをＸ方向及びＹ方向に偏向させ、基板１７は電子ビームによりドーズ量Ｄ１で（Ｘ０、Ｙ０）を中心とする半径１の円が描画開始角をθｓ１、描画終了角をθｅ１として描画される。次に、ＣＰＵ１９は、ステップｓ５でｒをインクリメントし、ステップｓ６でｒがｒ０より大きくなったか否かを判断する。
【００２１】
ＣＰＵ１９は、ｒがｒ０より大きくなければステップｓ２に戻り、次の描画でのドーズ量Ｄｒを円の半径ｒに応じて算出する。次に、ＣＰＵ１９は、ステップｓ３で、次に描画する円の描画開始角θｓｒをθｓ（ｒ‐１）＋Δθに設定し、次に描画する円の描画終了角θｅｒを描画開始角θｓｒから３６０°ずらせた角度に設定する。次に、ＣＰＵ１９は、ステップｓ４で、円描画データとして、円の中心位置（Ｘ０、Ｙ０）、次に描画する円の半径２、上記算出したドーズ量Ｄ２、次に描画する円の描画開始角θｓ２及び描画終了角θｅ２を円パターン発生装置２１へ出力する。これにより、上述と同様に基板１７には電子ビームによりドーズ量Ｄ２で（Ｘ０、Ｙ０）を中心とする半径２の円が描画開始角をθｓ２、描画終了角をθｅ２として描画される。
【００２２】
以下ＣＰＵ１９が同様に処理を繰り返して円描画データを円パターン発生装置２１へ出力することにより、基板１７には電子ビームにより（Ｘ０、Ｙ０）を中心とする各半径の複数の円が順次に描画開始角及び描画終了角をずらせて描画される。ＣＰＵ１９は、（Ｘ０、Ｙ０）を中心とする半径ｒ０の円の描画が終了してｒがｒ０より大きくなると、ステップｓ６からステップｓ２へ戻らずに処理を終了する。なお、複数の円の描画順序は半径ｒの変化を上述とは逆順（ｒ０〜１）としてもよい。
【００２３】
この実施形態１によれば、同一の中心を持ち半径の異なる複数の円を描画する際に、円の描画開始位置を該円に近接する別の円の描画開始位置からずらすように円パターン発生装置を制御するので、つまり、複数の円の描画開始位置を順次にずらしていくので、描画開始位置でのドーズ量のばらつきを図形全体に分散することができ、各部分の形状誤差を小さく抑えることができる。このため、光学素子や金型の３次元形状の形状精度を向上させることができ、光学素子の光学性能を高めることができる。
【００２４】
図１４は本発明の実施形態２の描画開始点をずらす動作フローを示し、図１５は本実施形態２で描画した円と、各円のドーズ量と、製作した三次元形状の例を示す。本実施形態２では、上記実施形態１において、ＣＰＵ１９が図８に示す動作フローの代りに図１４に示す動作フローを行う。すなわち、ＣＰＵ１９は、ステップｓ１１で、一連の円を描画する際の描画開始角θｓを任意の角度θ０に固定し、描画終了角度θｅを描画開始角度θ０から３６０°のｎ倍（ｎは２以上の整数）回転した角度とする。
【００２５】
次に、ＣＰＵ１９は、ステップｓ１２で、今回の描画でのドーズ量Ｄｒを図１５に示すように円の半径ｒに応じて算出する。次に、ＣＰＵ１９は、ステップｓ１３で、円描画データとして、円の中心位置（Ｘ０、Ｙ０）、今回描画する円の半径１、上記算出したドーズ量Ｄ１、描画開始角θｓ及び描画終了角θｅを円パターン発生装置２１へ出力する。これにより、基板１７には電子ビームによりドーズ量Ｄ１で（Ｘ０、Ｙ０）を中心とする半径１の円が描画開始角をθｓ、描画終了角をθｅとして複数回周回して描画される。
【００２６】
次に、ＣＰＵ１９は、ステップｓ１４でｒをインクリメントし、ステップｓ１５でｒがｒ０より大きくなったか否かを判断する。ＣＰＵ１９は、ｒがｒ０より大きくなければステップｓ１２に戻り、次の描画でのドーズ量Ｄｒを円の半径ｒに応じて算出する。次に、ＣＰＵ１９は、ステップｓ１３で、円描画データとして、円の中心位置（Ｘ０、Ｙ０）、今回描画する円の半径２、上記算出したドーズ量Ｄ２、描画開始角θｓ及び描画終了角θｅを円パターン発生装置２１へ出力する。これにより、基板１７には電子ビームによりドーズ量Ｄ２で（Ｘ０、Ｙ０）を中心とする半径２の円が描画開始角をθｓ、描画終了角をθｅとして複数回周回して描画される。
【００２７】
以下ＣＰＵ１９が同様に処理を繰り返して円描画データを円パターン発生装置２１へ出力することにより、基板１７には電子ビームにより（Ｘ０、Ｙ０）を中心とする各半径の複数の円が順次に複数周回ずつ描画される。ＣＰＵ１９は、（Ｘ０、Ｙ０）を中心とする半径ｒ０の円の描画が終了してｒがｒ０より大きくなると、ステップｓ１５からステップｓ１２へ戻らずに処理を終了する。なお、複数の円の描画順序は半径ｒの変化を上述とは逆順（ｒ０〜１）としてもよい。
【００２８】
この実施形態２によれば、例えばｎ＝２とした場合には図１８（ａ）に示すように円１の描画開始点と描画終了点との間に小さな隙間ができて図１８（ｂ）に示すように３次元形状２６の形状誤差５が生じるが、円の描画を、１周で終らずに複数回周回して行うことにより、描画開始位置でのドーズ量のばらつきを相対的に小さくすることができ、形状誤差を小さく抑えることができる。このため、光学素子や金型の３次元形状の形状精度を向上させることができ、光学素子の光学性能を高めることができる。
【００２９】
図１６は本発明の実施形態３の描画開始点をずらす動作フローを示し、図１７は本実施形態３で描画した円と、各円のドーズ量と、製作した三次元形状の例を示す。一連の円を描画する際の初期描画開始角をθ０、１回にずらす描画開始位置のずらし角をΔθとした場合、ＣＰＵ１９は、まず、ステップｓ２１でｒ＝１、最初の円の描画開始角θｓｌをθ０に設定し、ステップｓ２２で今回の描画でのドーズ量Ｄｒを図１７に示すように円の半径ｒに応じて算出する。
【００３０】
次に、ＣＰＵ１９は、ステップｓ２３で、次回描画する円の描画開始角θｓｒをθｓ（ｒ‐１）＋Δθに設定し、次回描画する円の描画終了角θｅｒを描画開始角θｓｒから３６０°のｎ倍（ｎは２以上の整数）に設定する。次に、ＣＰＵ１９は、ステップｓ４で、円描画データとして、円の中心位置（Ｘ０、Ｙ０）、今回描画する円の半径１、上記算出したドーズ量Ｄ１、今回描画する円の描画開始角θｓ１及び描画終了角θｅ１を円パターン発生装置２１へ出力する。これにより、基板１７には電子ビームによりドーズ量Ｄ１で（Ｘ０、Ｙ０）を中心とする半径１の円が描画開始角をθｓ１、描画終了角をθｅ１として複数周回して描画される。
【００３１】
次に、ＣＰＵ１９は、ステップｓ２５でｒをインクリメントし、ステップｓ２６でｒがｒ０より大きくなったか否かを判断する。ＣＰＵ１９は、ｒがｒ０より大きくなければステップｓ２２に戻り、次の描画でのドーズ量Ｄｒを円の半径ｒに応じて算出する。次に、ＣＰＵ１９は、ステップｓ２３で、次に描画する円の描画開始角θｓｒをθｓ（ｒ‐１）＋Δθに設定し、次に描画する円の描画終了角θｅｒを描画開始角θｓｒから３６０°のｎ倍回転した角度に設定する。次に、ＣＰＵ１９は、ステップｓ２４で、円描画データとして、円の中心位置（Ｘ０、Ｙ０）、次に描画する円の半径２、上記算出したドーズ量Ｄ２、次に描画する円の描画開始角θｓ２及び描画終了角θｅ２を円パターン発生装置２１へ出力する。これにより、上述と同様に基板１７には電子ビームによりドーズ量Ｄ２で（Ｘ０、Ｙ０）を中心とする半径２の円が描画開始角をθｓ２、描画終了角をθｅ２として複数周回して描画される。
【００３２】
以下ＣＰＵ１９が同様に処理を繰り返して円描画データを円パターン発生装置２１へ出力することにより、基板１７には電子ビームにより（Ｘ０、Ｙ０）を中心とする各半径の複数の円が順次に描画開始角及び描画終了角をずらせて複数周回ずつ描画される。ＣＰＵ１９は、（Ｘ０、Ｙ０）を中心とする半径ｒ０の円の描画が終了してｒがｒ０より大きくなると、ステップｓ２６からステップｓ２２へ戻らずに処理を終了する。なお、複数の円の描画順序は半径ｒの変化を上述とは逆順（ｒ０〜１）としてもよい。また、ＣＰＵ１９が描画終了角θｅとして描画開始角θｓからの相対角移動量で指定する場合には描画終了角θｅは３６０°のｎ倍に固定となる。
【００３３】
この実施形態３によれば、円の描画開始位置を該円に近接する別の円の描画開始位置からずらすとともに、円の描画を、１周で終らずに複数回周回して行うので、図１９に示すように上記実施形態１、２よりも更に形状誤差を小さく抑えることができ、光学素子や金型の３次元形状２６の形状精度を向上させることができる。
【００３４】
本発明の実施形態４は、上記実施形態１または３において、描画開始位置のずらし角Δθを、円周を整数個に分割できない角度（円周を分割しても整数にならない角度）に設定するようにしたものであり、互いに数個ずれた円の描画開始位置が近接することを回避することができる。
【００３５】
本発明の実施形態４では、上記実施形態１または３において、ＣＰＵ１９は描画開始位置のずらし角Δθを、乱数（または擬似乱数）を使用してランダムに設定するようにしたものであり、互いに数個ずれた円の描画開始位置が近接することを回避することができる。
なお、本発明は、荷電粒子ビームを用いて描画を行う円パターン発生装置を有する３次元加工装置や、収束したレーザビームなどの非荷電粒子ビームを用いて３次元形状を製作するための露光装置などにも同様に適用することが可能である。
【００３６】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、描画開始位置でのドーズ量のばらつきを小さくすることができて形状誤差を小さく抑えることができ、３次元形状の形状精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１を示す概略図である。
【図２】同実施形態１の荷電粒子ビーム描画装置を用いて光学製品、金型などの製品を製作する場合を説明するための図である。
【図３】従来の円パターン発生装置を使って円を描画する方式を説明するための図である。
【図４】従来の円パターン発生装置を使って円を描画する方式を説明するための図である。
【図５】従来の円パターン発生装置を使って円を描画する方式を説明するための図である。
【図６】従来の円パターン発生装置を使って円を描画する方式を説明するための図である。
【図７】従来の円パターン発生装置を使って円を描画する方式を説明するための図である。
【図８】上記実施形態１の描画開始点をずらす動作フローを示すフローチャートである。
【図９】上記実施形態１で描画した円と、各円のドーズ量と、製作した三次元形状の例を示す図である。
【図１０】マイクロレンズ凸の一例を示す平面図及び側面図である。
【図１１】マイクロレンズ凹の一例を示す平面図及び側面図である。
【図１２】非球面マイクロレンズの一例を示す平面図及び側面図である。
【図１３】フレネルレンズの一例を示す平面図及び側面図である。
【図１４】本発明の実施形態２の描画開始点をずらす動作フローを示すフローチャートである。
【図１５】同実施形態２で描画した円と、各円のドーズ量と、製作した三次元形状の例を示す図である。
【図１６】本発明の実施形態３の描画開始点をずらす動作フローを示すフローチャートである。
【図１７】同実施形態３で描画した円と、各円のドーズ量と、製作した三次元形状の例を示す図である。
【図１８】上記実施形態２を説明するための図である。
【図１９】上記実施形態３を説明するための図である。
【符号の説明】
１１      荷電粒子ビーム発生器
１２      ブランキング偏向器
１３      ビーム整形用絞り
１４、１５      電子レンズ
１６      偏向器
１７      基板
１８      位置決め用ステージ
１９      制御用ＣＰＵ
２０      露光制御ユニット
２１      円パターン発生装置
２２      Ｘ・Ｙ偏向器駆動ユニット
２３      ステージ駆動ユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2004157483.tif 000017
【図１６】
2004157483.tif 000018
【図１７】
2004157483.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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