(57)【要約】【課題】オーバーラン光量の少ない電子閃光装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、閃光管と、電源部と、電源部−閃光管間をスイッチするスイッチング素子と、スイッチング素子の導通に伴って電圧変化するノードに増圧コンデンサの一端側を接続し、増圧コンデンサの充電電圧分だけずれて増圧コンデンサの他端側に生じる電圧変化で閃光管の両端電圧を増圧する増圧回路と、スイッチング素子の導通によりトリガ電圧を発生して閃光管に発光トリガをかけるトリガ回路とを備える。さらに、この電子閃光装置には、トリガコンデンサおよび増圧コンデンサに対してリセット電流を流す経路を閃光管とは別ルートに設ける。このリセット電流の経路には、スイッチング素子の非導通に伴う電圧変化によって導通するリセット回路を設ける。【選択図】        図１
2004265822.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
閃光管と、
前記閃光管に閃光発光用の電力を供給する電源部と、
発光／消灯の制御信号に応じて、前記電源部および前記閃光管の間を導通／非導通に切り換えるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の導通に伴って電圧変化するノードに増圧コンデンサの一端側が接続され、前記増圧コンデンサの充電電圧分だけずれて前記増圧コンデンサの他端側に生じる電圧変化を前記閃光管に印加することで、前記閃光管の両端電圧を過渡的に増圧する増圧回路と、
前記スイッチング素子の導通に伴ってバイパス形成される電流経路上にトリガコンデンサおよびトリガトランスの一次側コイルが直列に設けられ、前記トリガトランスの二次側コイルに発生するトリガ電圧により前記閃光管に発光トリガをかけるトリガ回路とを備え、
前記トリガコンデンサおよび前記増圧コンデンサを発光開始前の状態にリセットするリセット電流の経路を前記閃光管とは別ルートに設け、
前記リセット電流の経路に、前記スイッチング素子の非導通に伴う電圧変化によって導通するリセット回路を設けた
ことを特徴とする電子閃光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電子閃光装置において、
前記電源部（１１，Ｃ１）の両極間に、前記閃光管（Ｘ１）、ダイオード（Ｄ１）のアノード側，カソード側、および前記スイッチング素子（Ｑ１）を直列接続し、
前記スイッチング素子（Ｑ１）のコレクタに、ダイオード（Ｄ１０）のカソード側を接続し，
前記ダイオード（Ｄ１０）のアノード側に、前記増圧コンデンサ（Ｃ３）の一端を接続し、
前記増圧コンデンサ（Ｃ３）の他端を、前記他端が負電圧になると導通するスイッチ回路（Ｑ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５）を介して、前記閃光管（Ｘ１）と前記ダイオード（Ｄ１）の接続点に接続し、
前記ダイオード（Ｄ１０）のアノード側に、前記トリガコンデンサ（Ｃ２）および前記トリガトランス（ＴＴ）の一次側コイルの直列接続を介して、前記電源部（１１，Ｃ１）の両極のどちらかに接続し、
前記トリガトランス（ＴＴ）の２次側コイルに生起する前記トリガ電圧を、前記閃光管（Ｘ１）の内部ガスの励起用電極に印加し、
さらに、前記ダイオード（Ｄ１０）のアノード側を、前記リセット回路（ＱＳ，Ｒ１０，Ｒ１１，Ｒ１２）を介して、前記電源部（１１，Ｃ１）の正極側に接続し、
前記増圧コンデンサ（Ｃ３）の前記他端側を、ダイオード（Ｄ３）のアノード側，カソード側を介して、前記電源部（１１，Ｃ１）の接地側に接続した
ことを特徴とする電子閃光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の電子閃光装置において、
前記閃光管を通過して、前記リセット回路を導通させる制御電流の経路に対して逆方向にダイオード（Ｄ２０）を設けた
ことを特徴とする電子閃光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子閃光装置の閃光管を少光量で高速に繰り返し発光させる回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、被写体の周囲に複数の電子閃光装置を配置して、多灯ライティングを行うカメラシステムが知られている。この種のカメラシステムでは、閃光管の微少発光を利用して、マスター側の電子閃光装置とスレーブ側の電子閃光装置との間で光通信を行うものが知られている。このような光通信は、撮影直前に短時間に完了する必要があるため、閃光管を数ＫＨｚ〜１０ＫＨｚ程度で高速に点滅させる必要がある。
また、カメラ撮影に先だって複数回の微少発光を高速に繰り返し、被写体からの反射光を測光して、露出を決定するカメラシステムも知られている。
従来、上述のような微少発光を高速に繰り返す用途に適した電子閃光装置として、下記の特許文献１，２が知られている。
【０００３】
（特許文献１の回路動作）
図５は、この特許文献１に記載される電子閃光装置６０の回路図である。
この電子閃光装置６０では、発光動作の起動前、抵抗Ｒ６１、トリガコンデンサＣ６２、およびトリガトランスＴＴの一次側コイルの経路に沿って電流が流れ、トリガコンデンサＣ６２にトリガ用の電圧が充電される。
【０００４】
さらに、抵抗Ｒ６６，増圧コンデンサＣ６３、およびダイオードＤ６３の順に電流が主に流れ、増圧コンデンサＣ６３に増圧用の電圧が充電される。
この状態で、発光制御部６２が発光動作を起動すると、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等からなるスイッチング素子Ｑ６１が導通する。すると、ダイオードＤ６２を介して、増圧コンデンサＣ６３の正極側の電位が引き下げられる。その結果、増圧コンデンサＣ６３の負極側の電位が引き下げられ、増圧コンデンサＣ６３の負極側には、ＧＮＤ電位よりも低い負電圧が発生する。
【０００５】
この負電圧によってトランジスタＱ６２が導通する。その結果、この負電圧は、トランジスタＱ６２および抵抗Ｒ６５を介して閃光管Ｘ１の陰極側に印加される。（このとき、ダイオードＤ６１は逆方向にバイアスされて非導通となる。）このような動作により、閃光管Ｘ１の両端電圧は、電源電圧Ｖｃｃのおよそ２倍程度の電圧まで一時的に増圧される。
【０００６】
一方、スイッチング素子Ｑ６１が導通することにより、トリガコンデンサＣ６２の充電電圧は、スイッチング素子Ｑ６１およびトリガトランスＴＴの一次側コイルを通して放電される。この放電電流により、トリガトランスＴＴの二次側コイルには、高いトリガ電圧が生起する。このトリガ電圧は、閃光管Ｘ１のトリガ端子に印加され、閃光管Ｘ１の内部ガスを励起する。その結果、閃光管Ｘ１の内部インピーダンスは低下し、閃光管Ｘ１は内部放電（発光）を開始する。
【０００７】
その後、増圧コンデンサＣ６３の放電に伴ってトランジスタＱ６２が非導通に変化する。すると、閃光管Ｘ１、ダイオードＤ６１，Ｄ６２、およびスイッチング素子Ｑ６１を通してメインコンデンサＣ６１の電荷が流れ、閃光管Ｘ１の発光が継続する。
微少発光を行う場合、発光制御部６２は、この状態からスイッチング素子Ｑ６１を非導通に変化させて、発光動作を中断する。
【０００８】
図６は、この発光動作の中断直後の回路動作を説明する図である。
発光動作の中断直後、閃光管Ｘ１の内部ガスはまだ励起状態にあり、閃光管Ｘ１の内部インピーダンスは極めて低い状態にある。そのため、閃光管Ｘ１、ダイオードＤ６１、増圧コンデンサＣ６３、およびダイオードＤ６３の経路に沿って電流が流れる。この電流によって、増圧コンデンサＣ６３が充電（発光開始前の状態にリセット）される。
【０００９】
さらに、閃光管Ｘ１、ダイオードＤ６１，Ｄ６２、トリガコンデンサＣ６２、およびトリガトランスＴＴの一次側コイルの経路に沿って電流が流れる。この電流により、トリガコンデンサＣ６２が充電（発光開始前の状態にリセット）される。
以上のようなリセット動作により、電子閃光装置６０は次の発光開始の準備を急速に完了することができる。
【００１０】
（特許文献２の回路動作）
図７は、特許文献２に記載される電子閃光装置７０の回路図である。
以下、図７を用いて、電子閃光装置７０の発光中断直後の回路動作について説明する。
まず、発光動作を中断するため、マイクロプロセッサ１５０は、スイッチング素子１２４を非導通に制御する。
【００１１】
この発光動作の中断直後、閃光管１２２の内部ガスはまだ励起状態にあり、閃光管１２２の内部インピーダンスは極めて低い状態にある。そのため、図７に示すように、インダクタ１０４、閃光管１２２、抵抗１４１、ダイオード１４０、トリガコンデンサ１０６、およびトリガトランス１０５の一次側コイルの経路に沿って電流が流れる。このような電流により、トリガコンデンサ１０６が充電（発光開始前の状態にリセット）される。
【００１２】
さらに、インダクタ１０４、閃光管１２２、抵抗１４１、ダイオード１４０、増圧コンデンサ１１４、ダイオード１１５の順に電流が流れる。このような電流により、増圧コンデンサ１１４が充電（発光開始前の状態にリセット）される。以上のようなリセット動作により、電子閃光装置７０は次の発光開始の準備を完了することができる。
【００１３】
【特許文献１】
特開平１１−３１２５９７号公報（図１など）
【特許文献２】
特開平１０−４１０９０号公報（図１，段落００５８など）
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
以上説明した２つの従来例はいずれも、発光動作の中断直後、閃光管を通って、トリガコンデンサおよび増圧コンデンサの各リセット電流が流れる。そのため、このリセット電流が流れる期間、発光中断直後の閃光管が余分に発光してしまう（以下、この発光中断直後の余分な発光を『オーバーラン発光』という）。このようなオーバーラン発光は、電子閃光装置の調光誤差となる。
【００１５】
特に、近接する被写体に対しては、照明光が強く当たるため、電子閃光装置は極めて微少な光量で発光する必要がある。この場合、上述したオーバーラン光量による調光誤差は、この微少発光量に比べて相対的に無視できず、顕著な露出オーバーを招くおそれがある。
【００１６】
一方、光通信の場合、オーバーラン発光のために、発光間隔を短縮することが難しくなる。仮に、オーバーラン発光を無視して光通信の発光間隔を短縮した場合、発光時と発光中断時の光量差がオーバーラン発光の分だけ小さくなる。そのため、光通信のＳ／Ｎが低下したり、光通信が環境光の妨害を受けやすくなる。
【００１７】
ちなみに、特許文献２の電子閃光装置７０は、図７に示すように、２つのスイッチング素子１２４，１０８を備える。一方のスイッチング素子１２４は、閃光管１２２の通過電流を直に断続する素子である。もう一方のスイッチング素子１０８は、トリガ電圧の生起、および増圧作用をコントロールする素子である。
そのため、特許文献２の電子閃光装置７０では、発光動作の開始直後に、スイッチング素子１０８のみを非導通に制御することができる（特許文献２の段落００５８を参照）。
このような動作では、閃光管１２２の発光期間中にも拘わらず、トリガコンデンサ１０６および増圧コンデンサ１１４のリセット動作を逸早く開始することができる。その結果、発光中断の直後に流すリセット電流を抑制し、オーバーラン発光を低減することができる。
【００１８】
しかしながら、上記のようにスイッチング素子１２４，１０８を時間差動作させる場合、電子閃光装置７０の制御シーケンスが複雑になるという問題点があった。特に、スイッチング素子１２４が非導通に変化した直後に、制御シーケンスを誤ってスイッチング素子１０８が一瞬でも導通すると、抵抗１４１に閃光管１２２の通過電流が一瞬にして流れるため、抵抗１４１が破損するおそれが生じる。
【００１９】
また、抵抗１０７を介してリセット電流を流すことで、リセット動作を行うという方策もある。しかしながら、そのためには抵抗１０７を極端に小さい抵抗値に設定する必要がある。この抵抗１０７を小さくすると、スイッチング素子１０８が導通した際、メインコンデンサ１０３のエネルギーが抵抗１０７を介して無駄に放電される。その結果、発光エネルギーの損失が増えるという問題が生じる。
【００２０】
そこで、本発明では、上述した問題点に鑑みて、更なる微少発光や、発光間隔の短縮化に好適な、オーバーラン光量の少ない電子閃光装置を提供することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
以下、本発明について説明する。
【００２２】
《請求項１》
請求項１の電子閃光装置は、閃光管と、閃光管に閃光発光用の電力を供給する電源部と、発光／消灯の制御信号に応じて、電源部および閃光管の間を導通／非導通に切り換えるスイッチング素子と、スイッチング素子の導通に伴って電圧変化するノードに増圧コンデンサの一端側が接続され、増圧コンデンサの充電電圧分だけずれて他端側に生じる電圧変化を閃光管に印加することによって、閃光管の両端電圧を過渡的に増圧する増圧回路と、スイッチング素子の導通に伴ってバイパス形成される電流経路上にトリガコンデンサおよびトリガトランスの一次側コイルが直列に設けられ、トリガトランスの二次側コイルに発生するトリガ電圧により閃光管に発光トリガをかけるトリガ回路とを備える。
【００２３】
さらに、請求項１の電子閃光装置には、トリガコンデンサおよび増圧コンデンサを発光開始前の状態（すなわち次回の発光が可能な状態）にリセットするためのリセット電流を流す経路を閃光管とは別ルートに設ける。このリセット電流の経路には、スイッチング素子の非導通に伴う電圧変化によって導通するリセット回路を設ける。
【００２４】
以上の構成により、請求項１の電子閃光装置では、スイッチング素子の非導通に伴って、リセット回路が導通する。このリセット回路の導通に従って、主なリセット電流が閃光管とは別ルートを流れ、トリガコンデンサおよび増圧コンデンサをリセットする。
このように、閃光管とは別ルートを設けてリセット電流が主に流れるため、発光動作の中断直後に、閃光管を流れるリセット電流が少なくなる。その結果、発光動作の中断直後におけるオーバーラン発光を低減することが可能になる。
【００２５】
《請求項２》
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の電子閃光装置において、回路を下記のように構成する。
【００２６】
［構成説明］
電源部（１１，Ｃ１）の両極間に、閃光管（Ｘ１）、ダイオード（Ｄ１）のアノード側，カソード側、およびスイッチング素子（Ｑ１）が直列に接続される。
このスイッチング素子（Ｑ１）のコレクタは、ダイオード（Ｄ１０）のカソード側に接続される。
【００２７】
このダイオード（Ｄ１０）のアノード側は、増圧コンデンサ（Ｃ３）の一端に接続される。この増圧コンデンサ（Ｃ３）の他端は、他端が負電圧になると導通するスイッチ回路（Ｑ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５）を介して、閃光管（Ｘ１）とダイオード（Ｄ１）の接続点に接続される。
このダイオード（Ｄ１０）のアノード側は、トリガコンデンサ（Ｃ２）およびトリガトランス（ＴＴ）の一次側コイルの直列接続を介して、電源部（１１，Ｃ１）の両極のどちらかに接続される。
【００２８】
このトリガトランス（ＴＴ）の２次側コイルに生起するトリガ電圧は、閃光管（Ｘ１）の内部ガスの励起用電極に印加される。
さらに、ダイオード（Ｄ１０）のアノード側は、リセット回路（ＱＳ，Ｒ１０，Ｒ１１，Ｒ１２）を介して、電源部（１１，Ｃ１）の正極側に接続される。
また、増圧コンデンサ（Ｃ３）の他端側は、ダイオード（Ｄ３）のアノード側，カソード側を介して、電源部（１１，Ｃ１）の接地側に接続される。
【００２９】
［動作説明］
このような構成では、スイッチング素子（Ｑ１）が導通すると、ダイオード（Ｄ１０）を介して、増圧コンデンサ（Ｃ３）の一端の電圧が引き下げられる。このとき、増圧コンデンサ（Ｃ３）の他端は、増圧コンデンサの充電電圧分だけずれて、接地電位よりも低い負電圧へ電圧が引き下げられる。
【００３０】
この負電圧により、スイッチ回路（Ｑ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５）が導通し、ダイオード（Ｄ１）およびダイオード（Ｄ３）が非導通となる。その結果、閃光管（Ｘ１）の両端電圧は、負電圧分だけ過渡的に増圧する。
さらに、スイッチング素子（Ｑ１）が導通すると、トリガコンデンサ（Ｃ２）、トリガトランス（ＴＴ）の一次側コイル、ダイオード（Ｄ１０）、およびスイッチング素子（Ｑ１）を介して、電流経路がバイパス形成される。この電流経路に、トリガコンデンサ（Ｃ２）の充電電流（または放電電流）が流れることにより、トリガトランスＴＴの二次側コイルにトリガ電圧が発生する。このトリガ電圧は、閃光管（Ｘ１）の内部ガスを励起し、閃光管（Ｘ１）の内部インピーダンスを低下させる。このとき、上述した増圧電圧に従って、閃光管（Ｘ１）は放電すなわち発光を確実に開始する。
【００３１】
その後、上述した負電圧の消滅に伴って、スイッチ回路（Ｑ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５）が非導通に変化し、ダイオード（Ｄ１）が導通する。その結果、閃光管（Ｘ１）の通過電流は、ダイオード（Ｄ１）を通過して、スイッチング素子（Ｑ１）を流れる。そのため、閃光管（Ｘ１）の通過電流を、スイッチング素子（Ｑ１）によって直に断続制御できる状態となる。
【００３２】
この状態で、スイッチング素子（Ｑ１）を非導通に切り換えると、閃光管（Ｘ１）の通過電流は、逆バイアスのダイオード（Ｄ１０）に妨げられる。また、閃光管（Ｘ１）の通過電流は、非導通状態のスイッチ回路（Ｑ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５）によっても妨げられる。
そのため、発光動作の中断直後に閃光管（Ｘ１）を流れる通過電流を大幅にカットすることが可能になり、閃光管（Ｘ１）のオーバーラン発光を有効に低減できる。
【００３３】
一方、このスイッチング素子（Ｑ１）の非導通による電圧変化により、リセット回路（ＱＳ，Ｒ１０，Ｒ１１，Ｒ１２）が導通する。すると、電源部（１１，Ｃ１）からのリセット電流が、リセット回路、増圧コンデンサ（Ｃ３）、およびダイオード（Ｄ３）の経路を通って流れ、増圧コンデンサ（Ｃ３）を充電する。この動作により、増圧コンデンサ（Ｃ３）は、次回の発光が可能な状態にリセットされる。
【００３４】
さらに、このリセット回路の導通により、トリガコンデンサ（Ｃ２）、トリガトランス（ＴＴ）の一次側コイル、およびリセット回路などからなるリセット電流の経路が形成される。この経路を通してリセット電流が流れることにより、トリガコンデンサ（Ｃ２）が、次回の発光が可能な状態にリセットされる。
【００３５】
《請求項３》
請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の電子閃光装置において、閃光管を通過して、リセット回路を導通させる制御電流の経路に対して逆方向にダイオード（Ｄ２０）を設けたことを特徴とする。
【００３６】
このダイオード（Ｄ２０）により、閃光管からリセット回路に流れる制御電流をカットできる。その結果、発光動作の中断直後に閃光管（Ｘ１）を流れる通過電流を更にカットすることが可能になり、閃光管（Ｘ１）のオーバーラン発光を有効に低減できる。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明にかかる実施形態を説明する。
【００３８】
《第１の実施形態》
第１の実施形態は、請求項１，２に対応する実施形態である。
図１および図２は、第１の実施形態における電子閃光装置１０を示す図である。
【００３９】
［回路構成］
以下、図１を用いて、電子閃光装置１０の回路構成について説明する。
まず、発光用の昇圧電圧Ｖｃｃを出力する電源１１に対して、昇圧電圧Ｖｃｃを蓄えるメインコンデンサＣ１が並列に接続される。このメインコンデンサＣ１の両極間には、閃光管Ｘ１、ダイオードＤ１のアノード側，カソード側、およびスイッチング素子Ｑ１が直列に接続される。この閃光管Ｘ１は、例えばキセノン管が好ましい。また、スイッチング素子Ｑ１は、例えばＩＧＢＴが好ましい。
【００４０】
このスイッチング素子Ｑ１の制御端子（ＩＧＢＴの場合はゲート）には、発光制御部１２が接続される。
このスイッチング素子Ｑ１のコレクタは、ダイオードＤ１０のカソード側に接続される。このダイオードＤ１０のアノード側は、増圧コンデンサＣ３の一端に接続される。この増圧コンデンサＣ３の他端は、この他端が負電圧になると導通するスイッチ回路を介して、閃光管Ｘ１とダイオードＤ１の接続点に接続される。このスイッチ回路は、図１に示すトランジスタＱ２、抵抗Ｒ３〜Ｒ５によって構成される。
【００４１】
このダイオードＤ１０のアノード側は、トリガコンデンサＣ２およびトリガトランスＴＴの一次側コイルの直列接続を介して、メインコンデンサＣ１の正極側にも接続される。一方、トリガトランスＴＴの２次側コイルに発生するトリガ電圧は、閃光管Ｘ１の内部ガスの励起用電極に印加される。
さらに、ダイオードＤ１０のアノード側は、リセット回路を介して、メインコンデンサＣ１の正極側に接続される。このリセット回路は、図１に示すトランジスタＱＳ、抵抗Ｒ１０〜Ｒ１２によって構成される。
また、増圧コンデンサＣ３の他端側は、ダイオードＤ３のアノード側，カソード側を介して、メインコンデンサＣ１の接地側ＧＮＤに接続される。
【００４２】
［発光開始時の回路動作］
図１には、電子閃光装置１０の発光開始時の様子を示す。以下、図１を用いて、この発光開始時の動作を説明する。
まず、発光制御部１２は、スイッチング素子Ｑ１のゲートをＨｉｇｈレベルに引き上げ、スイッチング素子Ｑ１を導通させる。
【００４３】
この導通動作により、スイッチング素子Ｑ１のコレクタ電位は、接地電位０Ｖまで引き下げられる。そのため、ダイオードＤ１０を介して、増圧コンデンサＣ３の一端の電圧は、ほぼ接地電位０Ｖまで引き下げられる（ここでは、ダイオードの順方向電圧は電圧Ｖｃｃに比べて小さいため、説明上は無視する）。
予め、増圧コンデンサＣ３は、一端側を正、他端側を負にする向きに、ほぼＶｃｃまで充電されている。スイッチング素子Ｑ１が導通すると、増圧コンデンサＣ３の他端側には、ほぼ［−Ｖｃｃ］程度の負電圧が発生する。
【００４４】
この負電圧により、ダイオードＤ３が非導通になり、かつトランジスタＱ２のエミッタ電位がベース電位よりも十分に下がって、トランジスタＱ２が導通する。その結果、この負電圧は、トランジスタＱ２およびサージ保護の抵抗Ｒ５を介して、閃光管Ｘ１の陰極側に印加される。ダイオードＤ１は、この負電圧によって逆バイアスされ、非導通となる。その結果、閃光管Ｘ１の両端電圧は、最大幅でほぼ２Ｖｃｃまで過渡的に増圧される。
【００４５】
一方、スイッチング素子Ｑ１が導通した瞬間、トリガコンデンサＣ２、トリガトランスＴＴの一次側コイル、ダイオードＤ１０、およびスイッチング素子Ｑ１の電流経路を介して、トリガコンデンサＣ２の充電電流が一気に流れる。この瞬間的に流れる充電電流により、トリガトランスＴＴの二次側コイルには、極めて高いトリガ電圧（例えば３〜７ｋＶ）が発生する。このトリガ電圧は、閃光管Ｘ１の励起用電極に印加される。
この『トリガ電圧の印加』と『閃光管Ｘ１の両端電圧の増圧作用』との相乗作用によって、閃光管Ｘ１は確実に発光を開始する。
【００４６】
（ちなみに、メインコンデンサＣ１の充電電圧Ｖｃｃは発光動作の起動時は例えば３３０Ｖ程度である。しかしながら、閃光管Ｘ１の微少発光を短時間に繰り返すと、メインコンデンサＣ１の充電が十分に間に合わず、徐々に充電電圧Ｖｃｃが低下する。上述した増圧作用は、この充電電圧Ｖｃｃの低下を倍圧化によって補い、充電電圧Ｖｃｃの予想される低下時にあっても確実な発光動作を保証するものである。なお、この充電電圧Ｖｃｃの低下に伴ってトリガ電圧も低下する。そこで、充電電圧Ｖｃｃの予想される低下時にも発光トリガに必要十分なトリガ電圧が得られるよう、トリガコンデンサＣ２およびトリガトランスＴＴを設定することが好ましい。）
【００４７】
その直後、閃光管Ｘ１の通過電流が増圧コンデンサＣ３を流れることによって、上述した負電圧が消滅する。この負電圧の消滅に伴って、トランジスタＱ２は非導通に変化し、ダイオードＤ１が順バイアスに変化して導通する。
その結果、閃光管Ｘ１の通過電流は、ダイオードＤ１側へ流れを変え、導通状態のスイッチング素子Ｑ１を通過する。その結果、閃光管Ｘ１は発光を継続する。この状態において、発光制御部１２は、スイッチング素子Ｑ１を断続制御することによって、閃光管Ｘ１の通過電流を直に断続することが可能になる。
【００４８】
［発光中断直後における閃光管Ｘ１の通過電流について］
図２は、電子閃光装置１０の発光中断直後の様子を示す図である。以下、図２を用いて、この発光中断直後の回路動作を説明する。
まず、発光制御部１２は、スイッチング素子Ｑ１のゲートをＬｏｗレベルに引き下げ、スイッチング素子Ｑ１を非導通に変化させる。
【００４９】
このとき、閃光管Ｘ１は内部ガスがまだ励起されており、極めてインピーダンスの低い状態である。そのため、閃光管Ｘ１自体は通過電流を継続して流しやすい状態である。
ところが、この通過電流は、逆バイアス状態のダイオードＤ１０に遮断されるため、トリガコンデンサＣ２および増圧コンデンサＣ３の方向へは流れない。また、トランジスタＱ２も既に非導通状態にあるため、閃光管Ｘ１の通過電流は、トランジスタＱ２側へ流れることはない。
【００５０】
その結果、閃光管Ｘ１の通過電流は、寄生容量などに流れる分を除けば、トランジスタＱＳのベース電流（コレクタ電流の１／ｈｆｅ倍，ｈｆｅ：トランジスタＱｓの電流増幅率）の一部となるのみである。
このように本実施形態では、発光動作の中断直後に閃光管Ｘ１を流れる通過電流を大幅にカットできる。したがって、発光中断後のオーバーラン発光を瞬時に停止させることが可能になる。
【００５１】
なお、電子閃光装置１０では、抵抗Ｒ１２とスイッチング素子Ｑ１のコレクタとの経路に、ベース電流（制御電流）を遮断する向きのダイオード等を挿入することが好ましい。このダイオード等により、トランジスタＱＳのベースへ流れる通過電流までもカットし、オーバーラン発光を更に抑制することができる。
【００５２】
［発光中断直後におけるリセット動作について］
発光中断直後にスイッチング素子Ｑ１が非導通に変化することにより、スイッチング素子Ｑ１のコレクタ電位が上昇する。その結果、トランジスタＱＳのベース電位が上昇し、トランジスタＱＳは導通状態に変化する。
すると、メインコンデンサＣ１からのリセット電流は、抵抗Ｒ１１、トランジスタＱＳ、増圧コンデンサＣ３、およびダイオードＤ３の経路を通って流れ、増圧コンデンサＣ３を充電する。その結果、増圧コンデンサＣ３は、次回の発光開始の準備を完了する。
【００５３】
この増圧コンデンサＣ３の充電動作と同時並行に、トリガコンデンサＣ２の電荷は、抵抗Ｒ１１、トランジスタＱＳ、およびトリガートランスＴＴの一次側コイルを通って放電される。その結果、トリガコンデンサＣ２は、次回の発光開始の準備を完了する。
特に、トランジスタＱＳ（リセット回路）は、上述したリセット動作が完了すると（すなわちエミッタ電位がＶｃｃ付近まで電圧変化すると）非導通に変化するため、発光エネルギーのロスを極めて少なくできる。
【００５４】
なお、発光中断から再び発光するまでの時間がある程度短い場合、閃光管Ｘ１のインピーダンスは十分に低く維持されている。このようなケースでは、閃光管Ｘ１の再発光に際して、トリガ電圧は不要となる。そこで、トリガコンデンサＣ２のリセット所要時間を適度に引き延ばすことで、短い時間間隔でトリガ電圧を発生しないようにすることが好ましい。このように無駄なトリガ電圧の発生を抑制することにより、電磁波ノイズを防止することもできる。
次に、別の実施形態について説明する。
【００５５】
《第２の実施形態》
第２の実施形態は、請求項１〜３に対応する実施形態である。
図３は、第２の実施形態における電子閃光装置２０の発光開始時の様子を示す図である。
図４は、電子閃光装置２０の発光中断直後の様子を示す図である。
電子閃光装置２０の構成上の特徴は、次の点である。
【００５６】
（１）  トリガコンデンサＣ２およびトリガトランスＴＴの一次側コイルの直列接続を、メインコンデンサＣ１の接地側に接続する。
【００５７】
（２）  スイッチング素子Ｑ１のコレクタと、ダイオードＤ１０のカソードとの間に、トランジスタＱＳのベース電流を遮断するダイオードＤ２０を挿入する。
【００５８】
このような構成では、発光開始に際して、トリガコンデンサＣ２がスイッチング素子Ｑ１を介して放電することにより、トリガ電圧が発生する。
また、発光中断の直後、トリガコンデンサＣ２は、トランジスタＱＳを介して充電されることにより、次回の発光開始に備える。
なお、その他の回路構成や回路動作については、第１の実施形態（図１，図２）と同じため、ここでの説明を省略する。
【００５９】
このような第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
特に、第２の実施形態では、ダイオードＤ２０が、発光中断直後に閃光管Ｘ１からトランジスタＱＳのベースへ流れる通過電流を遮断する。その結果、発光中断直後のオーバーラン発光を一段と低減することができる。
【００６０】
《実施形態の補足事項》
なお、本発明は、その精神またはその主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。例えば、請求項中の『ダイオード』などは単なる部品名称の限定ではなく、その機能を有する等価回路全般を意味する。
【００６１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、閃光管とは別ルートにリセット回路を設け、発光動作の中断に同期してリセット回路を導通変化させることで、トリガコンデンサおよび増圧コンデンサをリセットする。
このリセット回路の作用により、発光中断直後の閃光管を流れる通過電流が大幅に低減され、余計なオーバーラン発光を効果的に抑制することができる。
【００６２】
したがって、電子閃光装置において、微少発光時の調光誤差を改善することが可能になる。また、電子閃光装置を光通信に使用する場合、発光中断直後にオーバーラン光量が少ない分だけ、閃光管の点滅周波数を高速化することが可能になる。また、オーバーラン発光が少ない分だけ、点灯時／消灯時の光量差が大きくできるので、光通信のＳ／Ｎを高めたり、環境光の妨害を受けにくくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】電子閃光装置１０の発光開始時の様子を示す図である。
【図２】電子閃光装置１０の発光中断直後の様子を示す図である。
【図３】電子閃光装置２０の発光開始時の様子を示す図である。
【図４】電子閃光装置２０の発光中断直後の様子を示す図である。
【図５】特許文献１に記載される電子閃光装置について、発光動作の起動前の回路動作を示す図である。
【図６】特許文献１に記載される電子閃光装置について、発光動作の中断直後の回路動作を説明する図である。
【図７】特許文献２に記載される電子閃光装置について、発光動作の中断直後の回路動作を説明する図である。
【符号の説明】
Ｑ１  ＩＧＢＴなどのスイッチング素子
ＱＳ  リセット回路のトランジスタ
Ｃ２  トリガコンデンサ
Ｃ３  増圧コンデンサ
Ｄ１  ダイオード
Ｄ３  ダイオード
Ｄ１０  ダイオード
Ｄ２０  ダイオード
Ｘ１  閃光管
Ｃ１  メインコンデンサ
ＴＴ  トリガトランス
１０  電子閃光装置
１２  発光制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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