(57)【要約】【課題】短時間に有機レジストを処理むらなく除去することが可能で、特に大型の被処理基板の処理に適した基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１は、被処理基板２００の端面を支持しつつ一方向に向かって被処理基板２００を搬送する搬送ローラ３０と、被処理基板２００から離間して位置する第１ノズル体１０および第２ノズル体２０とを備える。第１ノズル体１０には、第１噴出口１２および第１吸引口１３が設けられており、第１噴出口１２からは被処理基板２００の被処理面２０１に向けて有機レジストを分解除去する第１処理流体が噴出され、第１吸引口１３からは処理済みの第１処理流体が吸引される。第２ノズル体２０には、第２噴出口２２および第２吸引口２３が設けられており、第２噴出口２２からは被処理基板２００の裏面２０２に向けて第２処理流体が噴出され、第２吸引口２３からは処理済みの第２処理流体が吸引される。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板の被処理面に形成された有機薄膜を除去する基板処理装置であって、
前記被処理基板の端面を支持しつつ前記被処理基板を一方向に向かって搬送する搬送手段と、
前記被処理基板の被処理面から離間して位置する第１対向面を有する第１ノズル体と、
前記被処理基板の裏面から離間して位置する第２対向面を有する第２ノズル体と、
前記第１対向面に設けられた複数の第１噴出口を介して、前記被処理基板の被処理面に向けて前記有機薄膜を分解除去する第１処理流体を噴出する第１処理流体供給手段と、
前記第１対向面に設けられた複数の第１吸引口を介して、前記被処理基板の被処理面に向けて噴出された前記第１処理流体を吸引する第１処理流体回収手段と、
前記第２対向面に設けられた複数の第２噴出口を介して、前記被処理基板の裏面に向けて第２処理流体を噴出する第２処理流体供給手段と、
前記第２対向面に設けられた複数の第２吸引口を介して、前記被処理基板の裏面に向けて噴出された前記第２処理流体を吸引する第２処理流体回収手段とを備えた、基板処理装置。
【請求項２】
前記第１処理流体供給手段による前記第１処理流体の噴出圧、前記第１処理流体回収手段による前記第１処理流体の吸引圧、前記第２処理流体供給手段による前記第２処理流体の噴出圧および前記第２処理流体回収手段による前記第２処理流体の吸引圧を調整する噴出圧および吸引圧調整手段をさらに備えた、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１ノズル体および前記第２ノズル体の間に位置する間隙の前記被処理基板の搬送方向と交差する方向の端部に対して、ガスを噴射するガス噴射手段をさらに備えた、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１処理流体供給手段は、オゾン性流体を供給するオゾン性流体供給手段と、オゾン分解性流体を供給するオゾン分解性流体供給手段とを含み、
前記第１噴出口は、前記オゾン性流体を噴出するオゾン性流体噴出口と、前記オゾン分解性流体を噴出するオゾン分解性流体噴出口とを含む、請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第２処理流体供給手段は、超音波印加水を供給する超音波印加水供給手段と、前記第１処理流体の温度よりも高温の流体を供給する高温流体供給手段とを含み、
前記第２噴出口は、前記超音波印加水を噴出する超音波印加水噴出口と、前記高温の流体を噴出する高温流体噴出口とを含む、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記オゾン性流体噴出口と前記オゾン分解性流体噴出口とが、前記第１対向面の全面にわたって略均一に配置されており、
前記超音波印加水噴出口と前記高温流体噴出口とが、前記第２対向面の全面にわたって略均一に配置されている、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記被処理基板の被処理面に向けて噴出された前記第１処理流体に対して紫外光を照射する紫外光照射手段をさらに備えた、請求項４から６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
被処理基板の被処理面に形成された有機薄膜を除去する基板処理方法であって、
前記被処理基板の端面を支持することにより一方向に向かって前記被処理基板を搬送しつつ、前記被処理基板の被処理面に向かって第１ノズル体から前記有機薄膜を分解除去する第１処理流体を噴出するとともに、前記被処理基板の裏面に向かって第２ノズル体から第２処理流体を噴出し、これら第１および第２処理流体を用いて前記被処理基板を前記第１ノズル体および前記第２ノズル体に対して非接触で処理することを特徴とする、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶基板や半導体装置の製造工程において用いられる有機レジストの分解除去を行なう基板処理装置および基板処理方法に関し、より特定的には、オゾンによる有機物の酸化分解作用を利用した基板処理装置および基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶基板や半導体装置の製造プロセスにおけるリソグラフィ工程においては、パターニング用のマスクとして有機レジストが一般的に使用されている。有機レジストは、パターニングが終了した時点で基板から除去する必要がある。通常、有機レジストの除去には、１００℃以上に昇温した硫酸過酸化水素水混合液（ＳＰＭ：ｓｕｌｆｕｒｉｃ−ａｃｉｄ  ｈｙｄｒｏｇｅｎ−ｐｅｒｏｘｉｄｅ  ｍｉｘｔｕｒｅ）が用いられるか、あるいは有機溶剤が用いられる。これらＳＰＭまたは有機溶剤を用いた有機レジストの除去方法では、酸や有機物を含むリンス水の廃液処理に多額の費用を要するとともに、処理装置において発生する酸性ガスや有機揮発成分等の排気処理設備が必要となり、排気処理設備の設置コストやランニングコストにも多額の費用を要することになる。
【０００３】
これらコスト負担の大きい除去方法にかわり、低コストで有機レジストを除去することが可能な有機レジストの除去方法として、オゾンによる有機物の酸化分解作用を利用した除去方法が知られている。オゾンを用いた有機レジストの除去方法では、有機レジストを二酸化炭素と水とに完全に分解することが可能になるとともにオゾンも自己分解により酸素に完全に分解するため、排水と排気とに特別の処理を施す必要がなくなる。このため、従来のＳＰＭや有機溶剤を用いた有機レジストの除去方法に比べて特殊な処理設備の設置が必要なくなり、設置コストやランニングコストの面で非常に有利となる。
【０００４】
オゾンを用いた有機レジストの除去方法では、処理剤としてオゾン水やオゾンガス（これらを含めてオゾン性流体と称する。）が用いられる。このオゾン性流体のみを用いて処理を行なった場合にも有機レジストを分解することは可能であるが、一部にオゾン性流体のみでは分解しきれない飽和炭化水素も存在する。このため、より効果的に有機レジストを除去するためには、オゾン性流体に促進剤としてオゾン分解性流体を添加したり、オゾン性流体に紫外光を照射したりすることによって、ヒドロキシラジカルを主とするラジカル活性種の生成を促進させることが必要になる。このヒドロキシラジカルに代表されるラジカル活性種は酸化性に富んでおり、オゾン性流体のみでは完全に分解しきれない飽和炭化水素を完全に二酸化炭素と水とに分解する。その一方で、これらラジカル活性種は容易に他のラジカル種やオゾンと反応して酸素と水に変化してしまうことが知られている。
【０００５】
上述のオゾンを用いた除去方法を採用する場合には、処理時間の短縮化が重要な課題となる。処理時間の短縮化は、各種の処理条件を変更することによって実現可能である。たとえば、処理温度を高温に保つことによってオゾンによる有機レジストの酸化分解反応を促進させたり、被処理基板近傍におけるオゾン濃度やヒドロキシラジカル濃度を高くすることによって酸化分解反応を促進させたりすることにより、処理効率を向上させて処理時間の短縮化を図ることが可能である。
【０００６】
ところで、このヒドロキシラジカルを主とするラジカル活性種は、オゾン性流体にオゾン分解性流体を添加した場合に直ちに発生することが知られている。また、オゾンの自己分解速度は、オゾン性流体中におけるヒドロキシイオンやヒドロキシラジカルの濃度に比例する。このため、予めオゾン性流体にオゾン分解性流体を付与しておくと、被処理基板の被処理面近傍に処理流体（オゾン性流体とオゾン性分解剤との混合流体）が到達した時点で、すでにオゾン濃度やヒドロキシラジカル濃度が著しく低下していることがある。このように、予めオゾン性流体にオゾン分解性流体を付与しておいたのでは、処理効率が逆に低下してしまうおそれがある。この点を考慮した場合には、被処理基板の被処理面近傍においてオゾン性流体にオゾン分解性流体を付与することが必要になる。
【０００７】
この被処理面近傍でのオゾン分解性流体の付与を実現した基板処理装置として、特開２００１−１４４００６号公報（特許文献１）に開示の基板処理装置がある。この特許文献１には、回転する基板の被処理面にオゾン性流体であるオゾン溶解水とオゾン分解性流体であるオゾン分解触媒液とを別々に供給することにより、有機レジスト上にて両液が混合するように構成した基板処理装置が記載されている。この基板処理装置を用いることにより、短時間にて有機レジストの分解除去を行なうことが可能になる。
【０００８】
また、被処理基板の被処理面における均一な処理も重要な課題の一つである。均一な処理を実現するためには、たとえば、被処理基板の温度を被処理基板の全面にわたって均一に維持する必要があり、また、被処理基板の被処理面近傍におけるオゾン濃度やヒドロキシラジカル濃度を被処理基板の全面にわたって均一に保つ必要もある。
【０００９】
この被処理基板の被処理面における均一な処理を実現する基板処理装置として、特開２０００−１５０３４９号公報（特許文献２）に開示の基板処理装置がある。この特許文献２には、基板に対向して位置する供給板にレジスト膜除去溶液噴射孔およびオゾン化ガス供給管を設け、これらを用いて回転する基板に対してレジスト膜除去溶液およびオゾン化ガスを吹き付けることにより、基板上に形成された有機レジストを分解除去する基板処理装置が開示されている。このような構造の基板処理装置を用いた場合には、供給板の全面に設けられた微細なレジスト除去溶液噴射孔からレジスト除去溶液が均一に噴出されるため、被処理面における均一な処理が可能になる。
【００１０】
【特許文献１】
特開２００１−１４４００６号公報
【００１１】
【特許文献２】
特開２０００−１５０３４９号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の特許文献１および特許文献２に開示の基板処理装置は、いずれも被処理基板を回転させて処理を行なう回転方式の基板処理装置である。この種の基板処理装置では、処理対象物である被処理基板を１枚づつ処理することとなるため、基板を回転ステージに装着したり取外したりする作業に時間を要し、処理時間自体を短縮化することはできても全体としての作業時間を短縮化することは困難である。このため、結果として作業効率を飛躍的に向上させることはできない。
【００１３】
また、近年においては半導体ウェハの大型化や液晶基板の大型化が進んできており、特に液晶基板においては一辺の長さが１ｍ超の基板も登場している。このような大型基板を処理する場合には、回転方式の基板処理装置は不適である。通常、回転方式の基板処理装置においては、被処理基板は回転ステージに吸着保持されるが、大型基板を回転ステージに吸着させた場合には遠心力によって大型基板に割れや欠けが生じるおそれがあり、好ましい処理方法とは言えない。
【００１４】
また、上述の特許文献１および特許文献２に開示の基板処理装置においては、小型基板に適用した場合には確かに処理の均一化が可能にはなるものの、大型基板に適用した場合には被処理面近傍におけるオゾン性流体とオゾン分解性流体との混合状態が被処理面の全面にわたって均一に保たれるとは考え難く、処理むらが発生することが懸念される。
【００１５】
さらには、上述の特許文献１および特許文献２に開示の基板処理装置においては、いずれも加熱手段として回転ステージ中に埋設されたホットプレートが用いられている。このホットプレートを用いた場合には加熱むらが生じ易く、結果として処理むらが生じる原因となる。
【００１６】
以上において説明したように、回転方式の基板処理装置を採用した場合には、作業時間の短縮化に限界があった。このため、短時間で被処理基板を処理するためには、搬送ローラ等を用いて被処理基板を連続的に搬送しながら処理を行なういわゆる平流し方式の枚葉処理装置を用いることが好適である。しかしながら、従来の平流し方式の枚葉処理装置はいずれも小型の基板を対象としたものであり、大型の基板を対象としたものではなかった。これは、大型の基板を対象とした場合に、被処理基板の温度や処理流体の濃度等を被処理基板の全面にわたって均一に管理することが困難であったためであり、またそれほど大きな基板を処理する要請が少なかったことにもよる。
【００１７】
したがって、本発明は、上述の問題点を解決すべくなされたものであり、短時間に有機レジストを処理むらなく除去することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とし、特に、大型の被処理基板の処理に適した基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明に基づく基板処理装置は、被処理基板の被処理面に形成された有機薄膜を除去する基板処理装置であって、搬送手段と、第１ノズル体と、第２ノズル体と、第１処理流体供給手段と、第１処理流体回収手段と、第２処理流体供給手段と、第２処理流体回収手段とを備えている。搬送手段は、被処理基板の端面を支持しつつ被処理基板を一方向に向かって搬送する。第１ノズル体は、被処理基板の被処理面から離間して位置する第１対向面を有している。第２ノズル体は、被処理基板の裏面から離間して位置する第２対向面を有している。第１処理流体供給手段は、第１対向面に設けられた複数の第１噴出口を介して、被処理基板の被処理面に向けて有機薄膜を分解除去する第１処理流体を噴出する。第１処理流体回収手段は、第１対向面に設けられた複数の第１吸引口を介して、被処理基板の被処理面に向けて噴出された第１処理流体を吸引する。第２処理流体供給手段は、第２対向面に設けられた複数の第２噴出口を介して、被処理基板の裏面に向けて第２処理流体を噴出する。第２処理流体回収手段は、第２対向面に設けられた複数の第２吸引口を介して、被処理基板の裏面に向けて噴出された第２処理流体を吸引する。
【００１９】
上記構成の基板処理装置とすることにより、被処理基板を搬送しながら有機レジストを分解除去することが可能な平流し方式の枚葉処理装置を実現することが可能になる。これにより、短時間で大量の被処理基板を処理することが可能になる。
【００２０】
上記本発明に基づく基板処理装置にあっては、第１処理流体供給手段による第１処理流体の噴出圧、第１処理流体回収手段による第１処理流体の吸引圧、第２処理流体供給手段による第２処理流体の噴出圧および第２処理流体回収手段による第２処理流体の吸引圧を調整する噴出圧および吸引圧調整手段をさらに備えていることが好ましい。
【００２１】
このように構成することにより、噴出圧および吸引圧が調整された第１処理流体と第２処理流体とによって、被処理基板が第１ノズル体および第２ノズル体から浮いた状態で搬送されるようになるため、被処理基板を全面にわたって均一に支持することが可能となり、被処理基板を破損することなく処理することができるようになる。
【００２２】
上記本発明に基づく基板処理装置にあっては、第１ノズル体および第２ノズル体の間に位置する間隙の被処理基板の搬送方向と交差する方向の端部に対してガスを噴射するガス噴射手段をさらに備えていることが好ましい。
【００２３】
このように構成することにより、被処理基板が搬送される第１ノズル体と第２ノズル体との間を半密閉状態とすることが可能になるため、処理が安定するようになる。また、被処理基板の端部近傍においても処理むらが生じ難くなり、被処理基板の被処理面の全面にわたって均一な処理ができるようになる。
【００２４】
上記本発明に基づく基板処理装置にあっては、第１処理流体供給手段は、オゾン性流体を供給するオゾン性流体供給手段と、オゾン分解性流体を供給するオゾン分解性流体供給手段とを含み、第１噴出口は、上記オゾン性流体を噴出するオゾン性流体噴出口と、上記オゾン分解性流体を噴出するオゾン分解性流体噴出口とを含むことが好ましい。
【００２５】
このように構成することにより、オゾン性流体とオゾン分解性流体とが被処理基板の被処理面近傍においてはじめて混合されるようになるため、被処理面近傍におけるヒドロキシラジカルを主とする活性種の濃度を高く維持することが可能になり、有機レジストの除去効率を高効率化することが可能になる。
【００２６】
上記本発明に基づく基板処理装置にあっては、第２処理流体供給手段は、超音波印加水を供給する超音波印加水供給手段と、第１処理流体の温度よりも高温の流体を供給する高温流体供給手段とを含み、第２噴出口は、上記超音波印加水を噴出する超音波印加水噴出口と、上記高温流体を噴出する高温流体噴出口とを含むことが好ましい。
【００２７】
このように構成することにより、被処理基板の被処理面近傍における第１処理流体の温度を高温に維持することが可能になるため、有機レジストの除去効率を高効率化することが可能になる。また、超音波印加水によって第１処理流体の被処理基板の被処理面近傍における攪拌作用が得られるため、有機レジストの除去効率をさらに高効率化させることができるようになる。
【００２８】
上記本発明に基づく基板処理装置にあっては、オゾン性流体噴出口とオゾン分解性流体噴出口とが、第１対向面の全面にわたって略均一に配置されており、超音波印加水噴出口と高温流体噴出口とが、第２対向面の全面にわたって略均一に配置されていることが好ましい。
【００２９】
このように構成することにより、被処理基板の被処理面の全面にわたって均一な処理が実現できるようになる。
【００３０】
上記本発明に基づく基板処理装置にあっては、被処理基板の被処理面に向けて噴出された第１処理流体に対して紫外光を照射する紫外光照射手段をさらに備えていることが好ましい。
【００３１】
このように構成することにより、有機レジストの除去効率がさらに向上するようになる。
【００３２】
本発明に基づく基板処理方法は、被処理基板の被処理面に形成された有機薄膜を除去する基板処理方法であって、被処理基板の端面を支持することにより一方向に向かってこの被処理基板を搬送しつつ、被処理基板の被処理面に向かって第１ノズル体から有機薄膜を分解除去する第１処理流体を噴出するとともに、被処理基板の裏面に向かって第２ノズル体から第２処理流体を噴出し、これら第１および第２処理流体を用いて被処理基板を上記第１および第２ノズル体に対して非接触で処理することを特徴とする。
【００３３】
このような処理方法を採用することにより、短時間に有機レジストを処理むらなく除去することが可能になる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照して説明する。
【００３５】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における基板処理装置の構成を示す模式図である。また、図２は、図１に示す基板処理装置の主要部である基板処理部の一部破断斜視図である。
【００３６】
（基板処理装置）
まず、図１を参照して、本実施の形態における基板処理装置のおおまかな構成について説明する。
【００３７】
図１に示すように、本実施の形態における基板処理装置１は、チャンバ３００内に位置する基板処理部と、チャンバ３００外に配置された周辺装置とを含んでいる。チャンバ３００内に位置する基板処理部は、主に、第１ノズル体１０と、第２ノズル体２０と、搬送ローラ３０と、ガス噴射部１１３とを備えている。チャンバ３００外に配置された周辺装置としては、主に、オゾン性流体生成装置４０と、オゾン分解性流体生成装置５０と、低圧水銀灯６０と、廃液処理装置７０と、高温蒸気生成装置８０と、純水生成装置９０と、廃液処理装置１００と、ガス供給装置１１０と、流量コントローラ１２０とがある。
【００３８】
以下においては、本実施の形態における基板処理装置の具体的な構造および構成について、基板処理部と周辺装置とに分けて説明する。
【００３９】
（基板処理部の構造）
まず、図２を参照して、本実施の形態における基板処理装置の主要部である基板処理部の構造について説明する。
【００４０】
図２に示すように、本実施の形態における基板処理装置１は、第１対向面１１を有する第１ノズル体１０と、第２対向面２１を有する第２ノズル体２０とを備えている。第１ノズル体１０と第２ノズル体２０とは互いに離間して配置されており、これらの間に間隙が形成されている。この第１ノズル体１０と第２ノズル体２０との間に位置する間隙の端部には、基板を搬送する搬送手段としての複数の搬送ローラ３０が配置されている。搬送ローラ３０は、被処理基板２００の端面を支持しつつ図中矢印Ｂ方向に向かって回転することにより、被処理基板２００を図中矢印Ａ方向に向かって搬送する。
【００４１】
被処理基板２００は、その被処理面２０１が第１ノズル体１０の第１対向面１１側を向いた状態で搬送される。このため、第１ノズル体１０の第１対向面１１は、被処理基板２００の被処理面２０１に面することになり、第２ノズル体２０の第２対向面２１は、被処理基板２００の裏面２０２に面することになる。
【００４２】
第１ノズル体１０の第１対向面１１には、複数の第１噴出口１２および第１吸引口１３が設けられている。第１噴出口１２は、被処理基板２００の被処理面２０１に向けて第１処理流体を噴出する噴き出し口である。また、第１吸引口１３は、被処理基板２００の被処理面２０１に向けて噴出された第１処理流体を吸引する吸い込み口である。なお、第１噴出口１２から噴出され、第１吸引口１３から回収される第１処理流体については、後述することとする。
【００４３】
第１噴出口１２は、後述する配管４４および５４（図１参照）に、第１ノズル体１０内部に形成された流路（図示せず）を介して接続されている。また、第１吸引口１３は、後述する配管７４（図１参照）に、第１ノズル体１０内部に形成された流路（図示せず）を介して接続されている。
【００４４】
他方、第２ノズル体２０の第２対向面２１には、複数の第２噴出口２２および第２吸引口２３が設けられている。第２噴出口２２は、被処理基板２００の裏面２０２に向けて第２処理流体を噴出する噴き出し口である。また、第２吸引口２３は、被処理基板２００の裏面２０２に向けて噴出された第２処理流体を吸引する吸い込み口である。なお、第２噴出口２２から噴出され、第２吸引口２３から回収される第２処理流体については、後述することとする。
【００４５】
第２噴出口２２は、後述する配管８４および９４（図１参照）に、第２ノズル体２０内部に形成された流路（図示せず）を介して接続されている。また、第２吸引口２３は、後述する配管１０４（図１参照）に、第２ノズル体２０内部に形成された流路（図示せず）を介して接続されている。
【００４６】
（周辺装置の構成）
次に、図１を参照して、本実施の形態における基板処理装置の周辺装置構成について説明する。
【００４７】
（Ａ．オゾン性流体供給手段）
図１に示すように、第１ノズル体１０には、配管４４を介してオゾン性流体生成装置４０が接続されている。オゾン性流体生成装置４０は、オゾン性流体であるオゾン水やオゾンガスを生成する装置である。第１ノズル体１０とオゾン性流体生成装置４０とを接続する配管４４には、オゾン性流体生成装置４０にて生成されたオゾン性流体を送出するポンプ４１と、このオゾン性流体の流量を調整するバルブ４２とが取付けられている。なお、本実施の形態における基板処理装置１においては、オゾン性流体生成装置４０と、ポンプ４１と、配管４４と、第１ノズル体１０内部に形成された流路とによって、オゾン性流体を基板処理部に供給するオゾン性流体供給手段が構成される。
【００４８】
（Ｂ．オゾン分解性流体供給手段）
また、第１ノズル体１０には、配管５４を介してオゾン分解性流体生成装置５０が接続されている。オゾン分解性流体生成装置５０は、オゾンの分解を促進するオゾン分解性流体を生成する装置である。第１ノズル体１０とオゾン分解性流体生成装置５０とを接続する配管５４には、オゾン分解性流体生成装置５０にて生成されたオゾン分解性流体を送出するポンプ５１と、このオゾン分解性流体の流量を調整するバルブ５２とが取付けられている。なお、本実施の形態における基板処理装置１においては、オゾン分解性流体生成装置５０と、ポンプ５１と、配管５４と、第１ノズル体１０内部に形成された流路とによって、オゾン分解性流体を基板処理部に供給するオゾン分解性流体供給手段が構成される。
【００４９】
（Ｃ．第１処理流体供給手段および第１処理流体）
本実施の形態における基板処理装置１においては、上述のオゾン性流体供給手段とオゾン分解性流体供給手段とによって、被処理基板２００の被処理面２０１に第１処理流体を噴出する第１処理流体供給手段が構成されることになる。なお、第１処理流体は、第１ノズル体１０の第１対向面１１に設けられた第１噴出口１２から被処理基板２００の被処理面２０１に向けて噴出される処理流体であり、有機薄膜である有機レジスト２０４を分解除去するオゾン性流体およびオゾン分解性流体からなる処理流体である。
【００５０】
（Ｄ．紫外光照射手段）
第１ノズル体１０には、光学系を介して低圧水銀灯６０が接続されている。低圧水銀灯６０は、オゾンの分解を促進する紫外光を出射する装置であり、たとえば光ファイバ６１によって第１ノズル体１０に接続される。第１ノズル体１０内部には光路（図示せず）が形成されており、この光路内を紫外光が伝播することにより、低圧水銀灯６０から出射された紫外光が紫外光照射口１６（図３参照）を介して基板処理部に照射されることになる。なお、本実施の形態における基板処理装置１においては、低圧水銀灯６０と、光ファイバ６１と、第１ノズル体１０内部に形成された光路とによって、被処理基板２００の被処理面２０１に向けて噴出された第１処理流体に対して紫外光を照射する紫外光照射手段が構成される。
【００５１】
（Ｅ．第１処理流体回収手段）
また、第１ノズル体１０には、配管７４を介して廃液処理装置７０が接続されている。廃液処理装置７０は、廃液である処理済みの第１処理流体を処理する装置である。第１ノズル体１０と廃液処理装置７０とを接続する配管７４には、廃液を送出するポンプ７１と、この廃液の流量を調整するバルブ７２とが取付けられている。なお、本実施の形態における基板処理装置１においては、廃液処理装置７０と、ポンプ７１と、配管７４と、第１ノズル体１０内部に形成された流路とによって、第１処理流体を基板処理部から吸引する第１処理流体回収手段が構成される。
【００５２】
（Ｆ．高温流体供給手段）
他方、第２ノズル体２０には、配管８４を介して高温蒸気生成装置８０が接続されている。高温蒸気生成装置８０は、純水を加熱することによって高温の蒸気を生成する装置である。第２ノズル体２０と高温蒸気生成装置８０とを接続する配管８４には、高温の蒸気を送出するポンプ８１と、この蒸気の流量を調整するバルブ８２とが取付けられている。なお、本実施の形態における基板処理装置１においては、高温蒸気生成装置８０と、ポンプ８１と、配管８４と、第２ノズル体２０内部に形成された流路とによって、第１処理流体の温度よりも高温の流体を基板処理部に供給する高温流体供給手段が構成される。
【００５３】
（Ｇ．超音波印加水供給手段）
また、第２ノズル体２０には、配管９４を介して純水生成装置９０が接続されている。純水生成装置９０は、純水を生成するための装置である。第２ノズル体２０と純水生成装置９０とを接続する配管９４には、純水を送出するポンプ９１と、この純水の流量を調整するバルブ９２とが取付けられている。第２ノズル体２０の内部には、超音波振動子９３（図５参照）が配置されており、この超音波振動子９３によって配管９４から第２ノズル体２０内部に流入した純水に超音波が印加される。なお、本実施の形態における基板処理装置１においては、純水生成装置９０、ポンプ９１、配管９４、超音波振動子９３および第２ノズル体２０内部に形成された流路によって、超音波印加水を基板処理部に供給する超音波印加水供給手段が構成される。
【００５４】
（Ｈ．第２処理流体回収手段）
さらに、第２ノズル体２０には、配管１０４を介して廃液処理装置１００が接続されている。廃液処理装置１００は、廃液である処理済みの第２処理流体を処理する装置である。第２ノズル体２０と廃液処理装置１００とを接続する配管１０４には、廃液を送出するポンプ１０１と、この廃液の流量を調整するバルブ１０２とが取付けられている。なお、本実施の形態における基板処理装置１においては、廃液処理装置１００と、ポンプ１０１と、配管１０４と、第２ノズル体２０内部に形成された流路とによって、第２処理流体を基板処理部から吸引する第２処理流体回収手段が構成される。
【００５５】
（Ｉ．第２処理流体供給手段および第２処理流体）
本実施の形態における基板処理装置１においては、上述の高温流体供給手段と超音波印加水供給手段とによって、被処理基板２００の裏面２０２に第２処理流体を噴出する第２処理流体供給手段が構成されることになる。なお、第２処理流体は、第２ノズル体２０の第２対向面２１に設けられた第２噴出口２２から被処理基板２００の裏面２０２に向けて噴出される処理流体であり、第１処理流体による有機レジスト２０４の分解作用を促進させるために添加される高温流体および超音波印加水を含む処理流体である。
【００５６】
（Ｊ．ガス噴射手段）
第１ノズル体１０と第２ノズル体２０との間に位置する間隙の端部に配設されたガス噴射部１１３には、配管１１４を介してガス供給装置１１０が接続されている。ガス供給装置１１０は、高圧のガスを供給するための装置である。ガス噴射部１１３とガス供給装置１１０とを接続する配管１１４には、高圧のガスを送出するポンプ１１１と、この高圧のガスの流量を調整するバルブ１１２とが取付けられている。なお、本実施の形態における基板処理装置１においては、ガス供給装置１１０と、ポンプ１１１と、配管１１４と、ガス噴射部１１３とによって、第１ノズル体１０および第２ノズル体２０の間に位置する間隙の被処理基板２００の搬送方向と交差する方向の端部に対してガスを噴射するガス噴射手段が構成される。
【００５７】
（Ｋ．噴出圧および吸引圧調整手段）
上述のバルブ４２，５２，７２，８２，９２および１０２は、いずれも流量コントローラ１２０によってその動作が制御される。流量コントローラ１２０は、これらすべてのバルブの開閉調節を行なうことにより、上述の各種流体の流量を変動調整する。なお、本実施の形態における基板処理装置１においては、流量コントローラ１２０と、バルブ４２，５２，７２，８２，９２および１０２とによって、第１処理流体および第２処理流体の噴出圧および吸引圧を調整する噴出圧および供給圧調整手段が構成される。
【００５８】
さらに、本実施の形態における流量コントローラ１２０は、ガス供給装置１１０とガス噴射部１１３とを接続する配管１１４に設けられたバルブ１１２の動作もあわせて制御するように構成されている。流量コントローラ１２０は、バルブ１１２の開閉調節を行なうことにより、基板処理部の端部に噴射される高圧ガスの流量を変動調整する。
【００５９】
（第１および第２対向面の開口レイアウト）
次に、上述の構成の基板処理装置の第１ノズル体および第２ノズル体に設けられる各種開口のレイアウト例について説明する。図３は、本実施の形態における基板処理装置の第１ノズル体の第１対向面に設けられた各種開口の繰り返しパターンの一単位を示す拡大平面図である。また、図４は、図３に示す繰り返しパターンのレイアウト例を示す第１ノズル体の第１対向面の模式平面図である。
【００６０】
上述のとおり、第１ノズル体１０の第１対向面１１には、複数の開口が配置されている。図３に示すように、複数の開口としては、第１噴出口１２としてのオゾン性流体噴出口１４およびオゾン分解性流体噴出口１５と、紫外光照射口１６と、第１吸引口１３とが含まれる。本実施の形態における基板処理装置１においては、これら複数の開口が直線状に配置されたパターンを繰り返しパターンの一単位とし、その繰り返しパターンを第１対向面１１の全面にわたって規則的に整列して配置している。
【００６１】
図３に示す繰り返しパターン１８Ａを行列状に配置したものが図４（ａ）に示すレイアウトパターンであり、行列状に配置したレイアウトパターンを列方向に所定の距離だけずらして配置したものが図４（ｂ）および図４（ｃ）に示すレイアウトパターンである。いずれのレイアウトパターンを用いた場合にも、第１ノズル体１０の第１対向面１１には、オゾン性流体噴出口１４と、オゾン分解性流体噴出口１５と、紫外光照射口１６と、第１吸引口１３とが全面にわたって均一に配置されることになる。
【００６２】
また、図示することは省略しているが、第２ノズル体２０の第２対向面２１においても、第２噴出口としての高温流体噴出口２４および超音波印加水噴出口２５と、第２吸引口２３とが、上述の第１対向面の場合と同様に、直線状に配置されたパターンを繰り返しパターンの一単位として、第２対向面２１の全面にわたって行列状に配置されている。このため、第２対向面２１においても、高温流体噴出口２４と、超音波印加水噴出口２５と、第２吸引口２３とが全面にわたって均一に配置されることになる。
【００６３】
（基板処理装置の動作等）
次に、上述の構成の基板処理装置を用いて実際に基板を処理する場合の基板処理装置の動作について説明するとともに、本基板処理装置によって被処理基板から有機レジストが分解除去される様子についてあわせて説明する。図５は、本実施の形態における基板処理装置の基板処理部を含む模式断面図であり、図３に示すＶ−Ｖ線に沿って基板処理部を切断した場合の断面図である。また、図６は、本実施の形態における基板処理装置の基板処理部の端部を含む模式断面図である。
【００６４】
図５および図６に示すように、第１ノズル体１０と第２ノズル体２０とは微小な間隙を介して対向配置されており、この間隙中を被処理基板２００が一方向に向かって移動するように構成されている。この間隙中を通過する間、被処理基板２００の被処理面２０１は常に第１処理流体４０１に晒された状態となっており、被処理基板２００の裏面２０２は常に第２処理流体４０２に晒された状態となっている。
【００６５】
処理される被処理基板２００としては、半導体ウェハや液晶パネル用のマザー基板などが挙げられる。たとえば、被処理基板２００として液晶パネルのマザー基板を採用した場合には、マザー基板の厚みがおおよそ０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度であることから、第１ノズル体１０と第２ノズル体２０との間に形成される間隙の大きさは、概ね１ｍｍ〜５ｍｍ程度に設定される。本実施の形態における基板処理装置１にあっては、被処理基板２００の被処理面２０１のサイズに関わらず効率よく処理することが可能であるが、特に従来の基板処理装置においては処理が難しかった一辺が１ｍを超えるような大型基板についても有効に処理することが可能である。
【００６６】
上述したように、第１ノズル体１０の第１対向面１１には、オゾン性流体噴出口１４、オゾン分解性流体噴出口１５および第１吸引口１３が全面にわたって均一に配置されている。また、第２ノズル体２０の第２対向面２１には、高温流体噴出口２４、超音波印加水噴出口２５および第２吸引口２３が全面にわたって均一に配置されている。これら噴出口および吸引口を介して噴出または吸引される各種流体は、その噴出圧または吸引圧が上述の噴出圧および吸引圧調整手段によって調整されている。このため、被処理基板２００は、第１ノズル体１０および第２ノズル体２０に接触することなく間隙中に浮いた状態で位置することになる。そして、搬送ローラ３０による回転推進力を受けて所定の速度で一方向に搬送される。この搬送過程において、第１噴出口１２から噴出された第１処理流体４０１により、被処理基板２００の被処理面２０１に形成された有機レジスト２０４が分解されて除去される。
【００６７】
第１ノズル体１０の第１対向面１１に設けられたオゾン性流体噴出口１４からは、被処理基板２００の被処理面２０１に向けてオゾン性流体が供給される。オゾン性流体としは、高濃度のオゾンガスまたは高濃度のオゾン水もしくはこれらの混合体が利用される。このオゾン性流体に含まれるオゾンと、オゾンが分解することによって生成するヒドロキシラジカルに代表されるラジカル活性種とが、被処理基板２００の被処理面２０１に形成された有機レジスト２０４と反応し、有機レジスト２０４中に含まれる有機物成分を水と二酸化炭素とに完全に分解する。
【００６８】
上述の高濃度のオゾンガスとしては、オゾン濃度が１５０ｇ／ｍ３以上のオゾンガス−酸素ガス混合気体か、あるいはオゾン濃度が１５０ｇ／ｍ３以上のオゾンガス−空気混合気体を用いる。また、オゾン水を用いる場合には、オゾンが３０ｐｐｍ以上含まれた純水を用いる。
【００６９】
これらオゾン性流体を高圧で被処理基板２００の被処理面２０１に向けて噴出することにより、被処理面２０１の近傍におけるオゾン濃度を高濃度に維持することが可能になる。この結果、有機レジスト２０４の分解処理を促進させることが可能になる。なお、オゾン性流体噴出口１４から噴出されるオゾン性流体の噴出圧は、基板処理部内の圧力よりも０．１ｋｇ／ｃｍ２〜５ｋｇ／ｃｍ２程度高く設定すると効果的である。
【００７０】
被処理基板２００へのオゾン性流体の供給にあわせて、第１ノズル体１０の第１対向面１１に設けられたオゾン分解性流体噴出口１５からは、オゾン分解性流体が被処理基板２００の被処理面２０１に向かって噴出される。このオゾン分解性流体は、オゾン性流体中に含まれるオゾンの分解反応を促進させる促進剤として機能するものであり、この促進剤の添加によってヒドロキシラジカルに代表されるラジカル活性種が効果的に生成されるようになる。これらラジカル活性種はオゾンよりも反応性が高いためにオゾンのみでは分解することができない飽和炭化水素をも分解する。このため、完全に有機レジストを二酸化炭素と水とに分解することが可能になる。したがって、加圧されたオゾン分解性流体をオゾン性流体とともに噴出することにより有機レジストの分解が促進され、より効率的に有機レジストを分解することが可能になる。
【００７１】
このオゾン分解性流体としては、代表的にはアンモニア水が用いられる。また、有機アンモニウム塩、リチウム塩、ベリリウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、マグネシウム塩、カルシウム塩等の強アルカリ水酸化物を含む水溶液を用いることも可能である。オゾン分解性流体としてこれらの水溶液を用いた場合には、ポンプ等の設備を設けるという簡便な構成にて、被処理基板２００の被処理面２０１に対して、加圧した状態でオゾン分解性流体を吹き付けることが可能になる。
【００７２】
しかしながら、有効にオゾンの分解反応を促進させるためには、オゾン性流体に含まれるオゾン量に対して大量のオゾン分解性流体が必要となる。このため、オゾン分解性流体として水溶液ではなく溶解ガスを用いることが好ましい。溶解ガスを用いた場合には、水溶液を用いた場合に比べて、第１処理流体４０１におけるオゾン濃度の低下を効果的に防止することができるようになる。このため、より有効にオゾンの分解を促進させることが可能になる。この場合には、代表的にはアンモニアガスが用いられる。また、有機アンモニウム塩、リチウム塩、ベリリウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、マグネシウム塩、カルシウム塩等の強アルカリ水酸化物を含むミストや蒸気等の気体を用いることも可能である。
【００７３】
オゾン分解性流体の噴出圧としては、基板処理部内の圧力よりも０．１５ｋｇ／ｃｍ２〜５ｋｇ／ｃｍ２程度高く設定することが好ましい。また、より好ましくは、オゾン性流体の噴出圧と同程度に設定するか、あるいはオゾン分解性流体の噴出圧よりも０．０１ｋｇ／ｃｍ２〜１ｋｇ／ｃｍ２程度高く設定する。これにより、オゾン性流体がオゾン分解性流体噴出口１５から逆流することが防止されるようになる。
【００７４】
以上において説明したように、第１対向面１１に設けられたオゾン性流体噴出口１４およびオゾン分解性流体噴出口１５からは、別々にオゾン性流体とオゾン分解性流体が噴出される。このため、被処理基板２００の被処理面２０１近傍にてはじめてオゾン性流体とオゾン分解性流体とが混合されることになり、被処理面２０１表面におけるヒドロキシラジカルに代表される活性種濃度が常に高く維持されるようになる。
【００７５】
第１ノズル体１０に設けられた紫外光照射口１６からは、低圧水銀灯６０にて出射された紫外光が第１処理流体４０１に向けて照射される。これにより、被処理基板２００の被処理面２０１近傍に位置するオゾンの分解が促進され、ヒドロキシラジカルに代表されるラジカル活性種が効果的に生成されるようになる。この結果、有機レジスト２０４の除去効率が向上するようになる。
【００７６】
この反応機構はオゾンの光励起によって生じるものであるため、オゾンの光吸収効率の高い波長を含む紫外光を照射する必要がある。オゾンの光吸収率の高い波長の紫外光としては、たとえば波長２５４ｎｍの紫外光が知られている。したがって、低圧水銀灯の他にも紫外光を出射する光源として、半導体レーザ、発光ダイオード、エキシマＵＶランプ、ハロゲンランプ等を用いることが可能である。また、本実施の形態においては、光ファイバ６１や第１ノズル体１０内部に設けられた光路としての導波路や導光板等により、外部に設置された光源から紫外光が誘導される構成としているが、第１ノズル体１０自体に光源を埋設してもよい。
【００７７】
第１ノズル体１０の第１対向面１１に設けられた第１吸引口１３からは、被処理基板２００の被処理面２０１近傍に滞留する第１処理流体４０１が吸引される。これより、被処理基板２００の被処理面２０１近傍において第１処理流体が速やかに置換されるようになり、常に高濃度のラジカル活性種が被処理面２０１に供給されるようになる。また、第１対向面１１と被処理面２０１との間の微小間隙中において、第１処理流体４０１を高速で流動させることが可能になるため、第１処理流体４０１の流れを乱流状態に維持することが可能になる。このように被処理面２０１上における第１処理流体４０１の流れを乱流状態に維持することにより、有機レジスト２０４を効率的に剥離除去することが可能になる。
【００７８】
第２ノズル体２０の第２対向面２１に設けられた高温流体噴出口２４からは、被処理基板２００の裏面２０２に向けて高温流体である高温蒸気が噴出される。ラジカル活性種による有機レジストの分解反応は反応温度に依存し、高温であるほど反応速度は高い。しかし、オゾン性流体の温度が高いほどオゾンの自己分解が促進されるため、オゾン性流体を予め加熱しておくことは処理効率の低下につながる。このため、本実施の形態における基板処理装置１においては、被処理基板２００の裏面２０２に高温の蒸気を供給することにより、被処理基板２００を所定温度に昇温せしめ、被処理基板２００の被処理面２０１近傍に位置する第１処理流体４０１のみを効果的に加熱して、有機レジストの分解反応を促進させている。
【００７９】
この高温蒸気の温度は５０℃〜１５０℃程度とすることが好ましい。特に１００℃を超える温度の高温蒸気を用いれば、被処理基板２００の裏面２０２において高温蒸気が凝縮し、凝縮潜熱によって急速かつ均一に被処理基板２００を１００℃程度の高温に加熱することが可能となるため、処理効率が飛躍的に向上するようになる。この高温蒸気の噴出圧としては、基板処理部内の圧力よりも０．１ｋｇ／ｃｍ２〜５ｋｇ／ｃｍ２程度高く設定すると効果的である。
【００８０】
また、第２ノズル体２０の第２対向面２１に設けられた超音波印加水噴出口２５からは、超音波印加水が噴出される。超音波印加水噴出口２５の近傍には、超音波振動子９３が配置されている。この超音波振動子９３は、被処理基板２００の裏面２０２に向けて噴出される純水に対して、０．１ＭＨｚ〜１０ＭＨｚ程度の振動数の超音波を印加する。これにより、被処理基板２００の被処理面２０１近傍に位置する第１処理流体４０１を効果的に攪拌することが可能になるため、有機レジスト２０４表面でのラジカル活性種の濃度低下が防止され、有機レジストの分解が促進されるようになる。
【００８１】
なお、超音波印加水の温度は、好ましくは５０℃から１００℃程度とする。これにより、高温蒸気によって加熱された被処理基板２００の基板温度の低下が防止されるようになる。超音波印加水の噴出圧は、基板処理部内の圧力よりも０．１５ｋｇ／ｃｍ２〜５ｋｇ／ｃｍ２程度高く設定することが好ましい。また、より好ましくは、高温蒸気の噴出圧と同程度に設定するか、あるいは高温蒸気の噴出圧よりも０．０１ｋｇ／ｃｍ２〜１ｋｇ／ｃｍ２程度高く設定する。これにより、高温蒸気が超音波印加水噴出口２５から逆流することが防止されるようになる。
【００８２】
以上において説明したように、第２対向面２１に設けられた高温流体噴出口２４および超音波印加水噴出口２５から高温蒸気および超音波印加水が被処理基板２００の裏面２０２に向けて噴出されるように構成することにより、オゾンの分解が促進されて有機レジストの除去効率が大幅に向上するようになる。
【００８３】
第２ノズル体２０の第２対向面２１に設けられた第２吸引口２３からは、被処理基板２００の裏面２０２近傍に滞留する第２処理流体４０２が吸引される。これより、被処理基板２００の裏面２０２近傍において第２処理流体４０２が速やかに置換されるようになり、被処理基板２００の温度が一定に保たれるようになるとともに、超音波印加水による第１処理流体４０１の攪拌作用が常に高く維持されるようになる。
【００８４】
なお、本実施の形態における基板処理装置１においては、被処理基板２００を第１対向面１１および第２対向面２１と非接触で搬送する必要があるため、第１対向面１１側の空隙内の圧力と、第２対向面２１側の空隙内の圧力とのバランスを保つ必要がある。この圧力バランスの維持は、上述の供給圧および吸引圧調整手段を用いて各種処理流体の供給圧および吸引圧を調整することによって実現される。
【００８５】
また、図６に示すように、基板処理部の端部には、ガス噴射部１１３が配置されている。このガス噴射部１１３からは、第１対向面１１および第２対向面２１の間に位置する間隙に向かって高圧のガスが噴射される。これにより、基板処理部内が半密閉状態に保たれるようになり、処理が安定するようになる。また、被処理基板２００の端部近傍においても、第１対向面１１側の空隙内の圧力と、第２対向面２１側の空隙内の圧力とのバランスが保たれるようになり、被処理基板２００の被処理面２０１全面にわたって均一な処理を施すことが可能になる。
【００８６】
なお、噴射されるガスとしては、たとえば、窒素やアルゴンなどの不活性ガスや空気など、ラジカル活性種と有機レジストとの反応に影響を与えないガスが用いられる。ガスの噴射圧としては、基板処理部内の圧力よりも０．１ｋｇｃｍ２〜５ｋｇ／ｃｍ２程度高く設定することが好ましい。
【００８７】
（効果）
以上において説明したように、本実施の形態の如くの基板処理装置を用いて有機レジストの除去処理を行なうことにより、液晶パネルのマザー基板などに代表される大型基板に対しても平流し方式の枚葉処理が適用できるようになる。これにより、短時間で大量の処理が実現されるようになる。また、大型基板を用いた場合にも被処理基板が破損するおそれがなく、被処理基板の全面にわたって均一な処理が実現されるようになる。
【００８８】
（第１および第２対向面の開口レイアウトの他の例）
図７ないし図１３は、第１および第２対向面に形成される各種開口の他のレイアウト例を示す図である。上述の基板処理装置１においては、第１および第２対向面１１，２１に設けられる各種開口を直線状に配置したパターンを繰り返しパターンの一単位とした場合を例示して説明を行なったが、他のレイアウトパターンを採用することも当然に可能である。以下においては、他のレイアウト例を幾つか例示する。
【００８９】
（他のレイアウト例１）
図７は、他のレイアウト例１における基板処理装置の第１ノズル体の第１対向面に設けられた各種開口の繰り返しパターンの一単位を示す拡大平面図であり、図８は、図７に示す繰り返しパターンのレイアウト例を示す第１ノズル体の第１対向面の模式平面図である。
【００９０】
図７に示すように、本レイアウト例においては、オゾン性流体噴出口１４を囲むように、オゾン分解性流体噴出口１５と、紫外光照射口１６と、第１吸引口１３とが配置され、全体として矩形形状の繰り返しパターンの一単位が構成されている。この図７に示す繰り返しパターン１８Ｂを行列状に配置したものが図８（ａ）に示すレイアウトパターンであり、行列状に配置したレイアウトパターンを列方向に所定の距離だけずらして配置したものが図８（ｂ）および図８（ｃ）に示すレイアウトパターンである。いずれのレイアウトパターンを用いた場合にも、第１ノズル体１０の第１対向面１１には、オゾン性流体噴出口１４と、オゾン分解性流体噴出口１５と、紫外光照射口１６と、第１吸引口１３とが全面にわたって均一に配置されることになる。なお、本レイアウト例の変形例として、図９に示す如くの繰り返しパターン１８Ｃを利用することも可能である。
【００９１】
（他のレイアウト例２）
図１０は、他のレイアウト例２における基板処理装置の第１ノズル体の第１対向面に設けられた各種開口の繰り返しパターンの一単位を示す拡大平面図であり、図１１は、図１０に示す繰り返しパターンのレイアウト例を示す第１ノズル体の第１対向面の模式平面図である。
【００９２】
図１０に示すように、本レイアウト例においては、オゾン性流体噴出口１４を囲むように、オゾン分解性流体噴出口１５と、紫外光照射口１６と、第１吸引口１３とが配置され、全体として円形状の繰り返しパターンの一単位が構成されている。この図１０に示す繰り返しパターン１８Ｄを行列状に配置したものが図１１（ａ）に示すレイアウトパターンであり、行列状に配置したレイアウトパターンを列方向に所定の距離だけずらして配置したものが図１１（ｂ）に示すレイアウトパターンである。いずれのレイアウトパターンを用いた場合にも、第１ノズル体１０の第１対向面１１には、オゾン性流体噴出口１４と、オゾン分解性流体噴出口１５と、紫外光照射口１６と、第１吸引口１３とが全面にわたって均一に配置されることになる。
【００９３】
（他のレイアウト例３）
図１２は、他のレイアウト例３における基板処理装置の第１ノズル体の第１対向面に設けられた各種開口の繰り返しパターンの一単位を示す拡大平面図であり、図１３は、図１２に示す繰り返しパターンのレイアウト例を示す第１ノズル体の第１対向面の模式平面図である。
【００９４】
図１２に示すように、本レイアウト例においては、オゾン性流体噴出口１４を囲むように、オゾン分解性流体噴出口１５と、紫外光照射口１６と、第１吸引口１３とが配置され、全体として六角形形状の繰り返しパターンの一単位が構成されている。この図１２に示す繰り返しパターン１８Ｅを蜂の巣状に配置したものが図１３に示すレイアウトパターンである。このレイアウトパターンを用いた場合にも、第１ノズル体１０の第１対向面１１には、オゾン性流体噴出口１４と、オゾン分解性流体噴出口１５と、紫外光照射口１６と、第１吸引口１３とが全面にわたって均一に配置されることになる。
【００９５】
以上において説明したレイアウト例は、いずれもオゾン性流体噴出口１４から吐出したオゾン性流体に対してオゾン分解性流体が添加されかつ紫外光が照射された後に第１吸引口１３から吸引されるように各種開口の配置を工夫したものである。このような規則を採用した開口レイアウトとすることにより、処理効率を大幅に高めることが可能になる。
【００９６】
なお、図示することは省略しているが、第２ノズル体２０の第２対向面２１においても、高温流体噴出口２４と、超音波印加水噴出口２５と、第２吸引口２３とを、上述の他のレイアウト例１から３と同様のレイアウト手法にて配置することが可能である。これにより、第２対向面２１においても、高温流体噴出口２４と、超音波印加水噴出口２５と、第２吸引口２３とが全面にわたって均一に配置されることになる。
【００９７】
（実施の形態２）
図１４は、本発明の実施の形態２における基板処理装置の要部である基板処理部の一部破断斜視図である。なお、上述の実施の形態１と同様の部分については図中同一の符号を付し、その説明はここでは繰り返さない。
【００９８】
図１４に示す基板処理装置は、基本的には上述の実施の形態１における基板処理装置と同様の構成であるが、被処理基板２００が略垂直に立った状態で搬送されるように基板処理部の構成を変更した点で上述の実施の形態１における基板処理装置と相違する。このように、被処理基板２００が略垂直に起立した姿勢で搬送されるように構成するためには、第１ノズル体１０の第１対向面１１と第２ノズル体２０の第２対向面２１とが起立した姿勢となるように第１ノズル体１０および第２ノズル体２０を配置することによって実現される。
【００９９】
このように構成することにより、被処理基板２００の自重が下方に位置する搬送ローラ３０にすべてかかるようになるため、上述の実施の形態１の基板処理装置に比べ、第１処理流体の噴出圧および吸引圧ならびに第２処理流体の噴出圧および吸引圧の制御がより容易に行なえるようになる。また、被処理基板２００の搬送方向（図中矢印Ａ方向）と交差する方向の間隙の端部のうち、被処理基板２００の下方側にのみ搬送ローラ３０を設置すればよく、装置構成を簡素化することができるようになる。さらには、基板処理装置自体のフットプリントも大幅に縮小するため、工場内における設置レイアウトの自由度も高まるようになる。
【０１００】
（実施の形態３）
図１５は、上述の実施の形態１における基板処理装置を含む被処理基板の処理ラインの構成例を示す模式図である。以下においては、この図を参照して、被処理基板の処理ラインの構成例について説明する。
【０１０１】
まず、被処理基板２００は、フォーク等のロボットか前の工程からの平流しにより、基板ローダ部１００１へと搬送される。ここで、被処理基板２００は、基板ローダ部１００１に設けられた吸引口によって非接触にて吸着される。そして、非接触にて吸着された被処理基板２００は、搬送ローラ３０によって図中矢印Ａ方向に搬送され、前処理洗浄部１００２へと到達する。
【０１０２】
前処理洗浄部１００２では、上下に配置されたノズル体より被処理基板２００の被処理面２０１および裏面２０２に純水が供給されて大きい粉塵や有機レジスト２０４のバリ等が洗浄除去される。前処理洗浄部１００２にて処理された被処理基板２００は、搬送ローラ３０によってレジスト剥離部１００３へと送出される。
【０１０３】
レジスト剥離部１００３では、上述の基板処理装置１によって被処理基板２００に形成された有機レジスト２０４の剥離除去が行なわれる。この剥離処理については上述のとおりである。レジスト剥離部１００３にて処理された被処理基板２００は、搬送ローラ３０によってリンス洗浄部１００４へと送出される。
【０１０４】
リンス洗浄部１００４では、被処理基板２００の被処理面に残留する処理流体が純水によって洗い流される。リンス洗浄部１００４にて処理された被処理基板２００は、搬送ローラ３０によって基板乾燥部１００５へと送出される。
【０１０５】
基板乾燥部１００５では、エアナイフやマイクロ波等の乾燥方法により、被処理基板２００の表面に付着した水分の除去が行なわれる。そして、乾燥処理が施された被処理基板２００は、搬送ローラ３０によって最終的に基板アンローダ部１００６へと搬送され、フォーク等のロボットか平流し搬送により次工程のラインへと送出される。
【０１０６】
このように、上述の実施の形態１の如くの基板処理装置とすることにより、平流し方式の処理ラインを構築することが可能になるため、飛躍的に処理作業が高効率化するようになる。
【０１０７】
上述の実施の形態においては、第２ノズル体に設けられた第２噴出口から高温流体を噴出するように構成した場合を例示して説明を行なったが、第１ノズル体の第１噴出口から高温流体を噴出する構成としてもよい。通常、高温流体としては蒸気が用いられるため、被処理基板の被処理面側に向けて高温流体を噴出する構成とした場合にも、被処理基板の被処理面近傍における活性種濃度が低下するおそれは少なく、処理効率に影響を及ぼす程度が小さいためである。しかしながら、超音波印加水としては液体が用いられる場合が一般的であり、被処理基板の被処理面側に向けて超音波印加水を吐出した場合には、活性種濃度の低下が懸念されるため、あまり好ましい構成とは考えられない。
【０１０８】
また、上述の実施の形態においては、第１ノズル体および第２ノズル体に設けられる各種開口が規則的に配置された場合を例示して説明を行なったが、特にこれらのレイアウトに限定されるものではなく、各種開口のレイアウトは自由に設計することが可能である。
【０１０９】
さらに、上述の実施の形態においては、被処理基板の被処理面が水平または垂直の状態にて処理が実施される被処理基板の構成とした場合を例示したが、特にこれに限定されるものではない。被処理基板の被処理面が傾いた状態で処理されるように構成することも当然に可能である。
【０１１０】
このように、今回開示した上記各実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって画定され、また特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【０１１１】
【発明の効果】
本発明によれば、被処理基板に形成された有機レジストを短時間にむらなく除去することが可能な基板処理装置を提供することが可能になる。また、液晶パネルのマザー基板のような大型の被処理基板の処理に適した基板処理装置を提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における基板処理装置の構成を示す模式図である。
【図２】図１に示す基板処理装置の主要部である基板処理部の一部破断斜視図である。
【図３】図１に示す基板処理装置の第１対向面に設けられた各種開口の繰り返しパターンの一単位を示す拡大平面図である。
【図４】図３に示す繰り返しパターンのレイアウト例を示す第１ノズル体の第１対向面の模式平面図である。
【図５】図１に示す基板処理装置の基板処理部を含む模式断面図である。
【図６】図１に示す基板処理装置の基板処理部の端部を含む模式断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１に基づく他のレイアウト例１における各種開口の繰り返しパターンの一単位を示す拡大平面図である。
【図８】図７に示す繰り返しパターンのレイアウト例を示す第１ノズル体の第１対向面の模式平面図である。
【図９】本発明の実施の形態１に基づく他のレイアウト例１における各種開口の繰り返しパターンの一単位のさらに他の例を示す拡大平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態１に基づく他のレイアウト例２における各種開口の繰り返しパターンの一単位を示す拡大平面図である。
【図１１】図１０に示す繰り返しパターンのレイアウト例を示す第１ノズル体の第１対向面の模式平面図である。
【図１２】本発明の実施の形態１に基づく他のレイアウト例３における各種開口の繰り返しパターンの一単位を示す拡大平面図である。
【図１３】図１２に示す繰り返しパターンのレイアウト例を示す第１ノズル体の第１対向面の模式平面図である。
【図１４】本発明の実施の形態２における基板処理装置の要部である基板処理部の一部破断斜視図である。
【図１５】本発明の実施の形態３における被処理基板の処理ラインの構成例を示す模式図である。
【符号の説明】
１  基板処理装置、１０  第１ノズル体、１１  第１対向面、１２  第１噴出口、１３  第１吸引口、１４  オゾン性流体噴出口、１５  オゾン分解性流体噴出口、１６  ＵＶ照射口、１８Ａ〜１８Ｅ  レイアウトパターン、２０  第２ノズル体、２１  第２対向面、２２  第２噴出口、２３  第２吸引口、２４  高温蒸気噴出口、２５  超音波印加水噴出口、３０  搬送ローラ、４０  オゾン性流体生成装置、４１，５１，７１，８１，９１，１０１，１１１  ポンプ、４２，５２，７２，８２，９２，１０２，１１２  バルブ、４４，５４，７４，８４，９４，１０４，１１４  配管、５０  オゾン分解性流体生成装置、６０  低圧水銀灯、６１  光ファイバ、７０  廃液処理装置、８０  高温蒸気生成装置、９０純水生成装置、９３  超音波振動子、１００  廃液処理装置、１１０  ガス供給装置、１１３  ガス噴射部、１２０  流量コントローラ、２００  被処理基板、２０１  被処理面、２０２  裏面、２０４  有機レジスト、３００  チャンバ、４０１  第１処理流体、４０２  第２処理流体、１００１  基板ローダ部、１００２  前処理洗浄部、１００３  レジスト剥離部、１００４  リンス洗浄部、１００５  基板乾燥部、１００６  基板アンローダ部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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