(57)【要約】【課題】耐圧の高い画像表示装置の製造を可能とする基板の耐圧処理方法および耐圧処理装置を提供する。【解決手段】互いに平行に配列された複数の細長い導体４６と基板１１の表面とを隙間を置いて平行に対向させた状態で、基板と複数の導体とを各導体の長手方向に対して傾斜した方向に相対移動させ、基板の表面全体を複数の導体により走査する。相対的移動の間、基板と複数の導体との間に電位差を与えて電界を印加し、基板を電界処理する。【選択図】    図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示装置に用いる基板を耐圧処理する基板の耐圧処理方法において、
複数の細長い導体と上記基板の表面とを隙間を置いて対向させた状態で、上記基板と上記複数の導体とを各導体の長手方向に対して傾斜した方向に相対移動させ、上記基板の表面全体を上記複数の導体により走査し、
上記相対移動の間、上記基板と上記複数の導体との間に電位差を与えて電界を印加し、上記基板を電界処理することを特徴とする基板の耐圧処理方法。
【請求項２】
真空雰囲気中で上記基板の電界処理を行うことを特徴とする請求項１に記載の基板の耐圧処理方法。
【請求項３】
上記複数の細長い導体は互いに平行に配列されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の耐圧処理方法。
【請求項４】
上記導体を上記基板の表面に平行に対向させた状態で走査することを特徴とする請求項３に記載の耐圧処理方法。
【請求項５】
画像表示装置に用いる基板を耐圧処理する基板の耐圧処理装置において、
上記基板の表面と隙間を置いて対向配置された複数の細長い導体と、
各導体の長手方向に対して傾斜した方向に相対移動させ上記基板の表面全体を上記複数の導体により走査する移動機構と、
上記基板に印加する電界を発生させる電圧印加部と、
を備えたことを特徴とする基板の耐圧処理装置。
【請求項６】
上記各導体の長手方向両端部を支持した支持枠を備え、
上記移動機構は、上記相対移動の方向に沿って移動可能に上記支持枠をガイドするガイド部と、上記支持枠を移動させる駆動部と、を備えていることを特徴とする請求項５に記載の基板の耐圧処理装置。
【請求項７】
上記ガイド部は上記基板の一辺と平行な方向に沿って延在し、上記各導体は、その長手方向が上記基板の一辺と平行な方向に対して傾斜して延びていることを特徴とする請求項６に記載の基板の耐圧処理装置。
【請求項８】
上記ガイド部は上記基板の一辺に対して傾斜した方向に沿って延在し、上記各導体は、その長手方向が上記基板の一辺と平行な方向に延びていることを特徴とする請求項６に記載の基板の耐圧処理装置。
【請求項９】
上記各導体の長手方向に沿った長さをＬ、上記相対移動の方向に対する上記導体の傾斜角をθとした場合、隣合う導体間の間隔Ｐは、Ｐ＝Ｌｓｉｎθの関係を満たしていることを特徴とする請求項５ないし８のいずれか１項に記載の基板の耐圧処理装置。
【請求項１０】
上記各導体は、導電性を有したワイヤにより形成されていることを特徴とする請求項５ないし９のいずれか１項に記載の基板の耐圧処理装置。
【請求項１１】
上記各導体は、導電性を有した平板により形成されていることを特徴とする請求項５ないし９のいずれか１項に記載の基板の耐圧処理装置。
【請求項１２】
上記複数の導体は互いに平行に配列されていることを特徴とする請求項１０又は１２に記載の基板の耐圧処理装置。
【請求項１３】
上記基板および複数の導体を収納した真空チャンバを備えていることを特徴とする請求項５ないし１２のいずれか１項に記載の基板の耐圧処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、画像表示装置に用いる基板を耐圧処理する耐圧処理方法および耐圧処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、次世代の画像表示装置として、電子放出素子を多数並べ、蛍光面と対向配置させた平面型の画像表示装置の開発が進められている。電子放出素子には様々な種類があるが、いずれも基本的には電界放出を用いており、これらの電子放出素子を用いた表示装置は、一般に、フィールド・エミッション・ディスプレイ（以下、ＦＥＤと称する）と呼ばれている。ＦＥＤの内、表面伝導型電子放出素子を用いた表示装置は、表面伝導型電子放出ディスプレイ（以下、ＳＥＤと称する）とも呼ばれているが、本願においてはＳＥＤも含む総称としてＦＥＤという用語を用いる。
【０００３】
ＦＥＤは、一般に、所定の隙間を置いて対向配置された前面基板および背面基板を有し、これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周縁部同士を互いに接合することにより真空外囲器を構成している。真空容器の内部は、真空度が１０−４Ｐａ程度以下の高真空に維持されている。また、背面基板および前面基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これらの基板の間には複数の支持部材が配設されている。
【０００４】
前面基板の内面には赤、青、緑の蛍光体層を含む蛍光面が形成され、背面基板の内面には、蛍光体を励起して発光させる電子を放出する多数の電子放出素子が設けられている。また、多数の走査線および信号線がマトリックス状に形成され、各電子放出素子に接続されている。そして、蛍光面にはアノード電圧が印加され、電子放出素子から出た電子ビームがアノード電圧により加速されて蛍光面に衝突することにより、蛍光体が発光し映像が表示される。
【０００５】
このようなＦＥＤでは、前面基板と背面基板との隙間を１〜３ｍｍ程度に設定することができ、現在のテレビやコンピュータのディスプレイとして使用されている陰極線管（ＣＲＴ）と比較して、大幅な軽量化、薄型化を達成することができる。
【０００６】
上記のように構成されたＦＥＤにおいて、実用的な表示特性を得るためには、通常のＣＲＴと同様の蛍光体を用い、更に、蛍光体の上にメタルバックと呼ばれるアルミ薄膜を形成した蛍光面を用いることが必要となる。この場合、蛍光面に印加するアノード電圧は最低でも数ｋＶ、できれば１０ｋＶ以上にすることが望まれる。
【０００７】
しかし、前面基板と背面基板との間の隙間は、解像度や電子放出効率の特性などの観点からあまり大きくすることはできず、１〜３ｍｍ程度に設定する必要がある。従って、ＦＥＤでは、前面基板と背面基板との小さい隙間に強電界が形成されることを避けられず、両基板間の放電（絶縁破壊）が問題となる。放電が起こると、電子放出素子、蛍光面、駆動回路の破壊あるいは劣化が起こりうる。そのため、ＦＥＤを実用化するには、放電発生電圧を動作時のアノード電圧よりも十分に高くし、動作中には放電が起こらないようにすることが必要である。なお、放電を起こすことなく印加できる電圧を耐圧と称することにする。
このような放電破壊への対策の一環として、例えば特許文献１に記載されたような技術が提案されている。
【０００８】
【特許文献１】
特開２０００−２５１７９７号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、ＦＥＤにおいては放電対策が重要であるが、放電が起きないようにする目的で、アノード電圧を下げたり、前面基板と背面基板とのギャップを大きくしたりすると、輝度や解像度などの性能を犠牲にせざるをえず、製品として望まれる性能を満たすことが困難となる。従って、性能の高いＦＥＤを実現するために、より耐圧を高くできる技術が強く望まれている。
【００１０】
本発明は、このような課題を解決するためのものであり、その目的は、基板を耐圧処理し、耐圧の高い画像表示装置を製造することが可能な基板の耐圧処理方法および耐圧処理装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
検討の結果、放電対策として、ＦＥＤを構成する基板に電界を印加することで放電源となる微粒子等を除去する処理が有効であることが結果わかった。本明細書では、このような基板に電界を印加することで耐圧を向上させるための処理を、耐圧処理と称することとし、これに対応し、耐圧処理方法、耐圧処理装置という用語を用いる。また、電界を印加するプロセスを特に区別して電界処理と称する。耐圧処理とは電界処理をその主要原理とする一連の処理のことである。この処理においては、基板と対向面との間で放電を起こすことは必ずしも必要ではない。ただ、単純に放電を起こすと基板にダメージが入ってしまうが、ダメージを十分小さくできれば放電を起こすようにしても良い。
【００１２】
耐圧処理が有効であるとはいえ、その具体的な方法についてはさまざまなバリエーションがありえ、未だ最適な方法が確立していない。単純に基板に対向面を設けて電界を印加する方法だと、除去された放電源が対向面に衝突してしまうことが、効果の制約になる。そこで、細長い電極を複数配置した対向面を使うことが考えられる。こうすると、除去された放電源は電極の間をすり抜けていくため、上述の課題を回避できる。また、処理時に放電を起こす場合、電極容量を小さくすることができるので、放電規模を抑制することが容易になる。しかし、細長い電極を基板全面に対向させる場合、機械的な面で難点がある。また、電界が場所により異なってしまうので効果の均一性確保も問題となる。
【００１３】
そこで、この発明の形態に係る基板の耐圧処理方法は、複数の細長い導体と上記基板の表面とを隙間を置いて対向させた状態で、上記基板と上記複数の導体とを各導体の長手方向に対して傾斜した方向に相対移動させ、上記基板の表面全体を上記複数の導体により走査し、上記相対移動の間、上記基板と上記複数の導体との間に電位差を与えて電界を印加し、上記基板を電界処理することを特徴としている。
【００１４】
また、この発明の態様に係る基板の耐圧処理装置は、上記基板の表面と隙間を置いて対向配置された複数の細長い導体と、各導体の長手方向に対して傾斜した方向に相対移動させ上記基板の表面全体を上記複数の導体により走査する移動機構と、上記基板に印加する電界を発生させる電圧印加部と、を備えたことを特徴としている。
【００１５】
上記のように構成された基板の耐圧処理方法および耐圧処理装置によれば、真細長い複数の導体と基板とを隙間を置いて対向させ、これらの基板および導体を相対的に移動させながら基板と導体との間に電界を印加し、基板の表面全体を電界処理している。そして、各導体はその長手方向が相対移動の方向に対して傾斜しているため、基板の表面全体を均一に電界処理し、基板を効率良く耐圧処理することができる。これにより、基板に残留した異物、突起等を除去し、放電発生の要因を取り除くことができる。従って、上記基板を用いることにより、耐圧特性に優れ、表示性能および信頼性の向上した画像表示装置を製造することができる。
【００１６】
また、比較的長さの短い導体および比較的数の少ない導体を用いて基板の表面全体を均一に電界処理することができ、耐圧処理装置の軽量化および駆動系の簡素化を図ることが可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照しながら、この発明の実施の形態に係る基板の耐圧処理方法および耐圧処理装置について詳細に説明する。
始めに、本耐圧処理方法および耐圧処理装置により処理される基板を備えた画像表示装置として、表面伝導型の電子放出素子を備えたＦＥＤを例にとって説明する。
【００１８】
図１および図２に示すように、このＦＥＤは、絶縁基板としてそれぞれ板厚が１〜３ｍｍ程度の矩形状のガラス板からなる前面基板１１、および背面基板１２を備え、これらの基板は１〜２ｍｍの隙間を置いて対向配置されている。そして、前面基板１１および背面基板１２は、矩形枠状の側壁１３を介して周縁部同士が接合され、内部が１０−４Ｐａ程度の高真空に維持された扁平な矩形状の真空外囲器１０を構成している。
【００１９】
接合部材として機能する側壁１３は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材２５により、前面基板１１の周縁部および背面基板１２の周縁部に封着され、これらの基板同志を接合している。
【００２０】
真空外囲器１０の内部には、前面基板１１および背面基板１２に加わる大気圧荷重を支えるため、複数のスペーサ１４が設けられている。スペーサ１４としては、板状あるいは柱状のスペーサ等を用いることができる。
【００２１】
前面基板１１の内面の表示領域には、蛍光面として、赤、緑、青の蛍光体層１６とマトリックス状の黒色遮光層１７とを有した矩形状の蛍光体スクリーン１５が形成されている。蛍光体スクリーン１５上には、アルミニウム膜等からなる矩形状のメタルバック２０が形成され、更に、メタルバックに重ねてゲッター膜２２が形成されている。メタルバック２０はアノード電極として機能する。
【００２２】
背面基板１２の内面上には、蛍光体スクリーン１５の蛍光体層１６を励起する電子源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子１８が設けられている。これらの電子放出素子１８は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。各電子放出素子１８は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。また、背面基板１２の内面には、電子放出素子１８に電位を供給する多数本の配線２１がマトリックス状に設けられ、その端部は真空外囲器１０の外部に引出されている。
【００２３】
このようなＦＥＤにおいて、画像を表示する場合、メタルバック２０にアノード電圧を印加し、電子放出素子１８から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体スクリーンへ衝突させる。これにより、蛍光体スクリーン１５の蛍光体層１６が励起されて発光し、カラー画像を表示する。
【００２４】
次に、上記のように構成されたＦＥＤの前面基板および背面基板を耐圧処理する耐圧処理方法および耐圧処理装置について、前面基板１１の場合を例に説明する。図３および図４に示すように、耐圧処理装置は、真空処理槽で構成された真空チャンバ３０を備え、この真空チャンバには、内部を真空排気する排気ポンプ３２が接続されている。
【００２５】
真空チャンバ３０内には、処理電極３４、ゲッター装置３６、並びに処理対象となる前面基板１１を処理電極３４と対向する電界処理位置、およびゲッター装置３６と対向するゲッター蒸着位置４０の間で搬送する基板搬送機構４２が設けられている。
【００２６】
処理電極３４は、細長い矩形状の支持枠４４と、この支持枠に固定された複数本の導電性を有したワイヤ４６と、を備えている。支持枠４４は、電界処理位置に搬送された前面基板１１の短辺よりも長い長辺と、前面基板の長辺よりも短い短辺と、を有している。そして、支持枠４４は、水平に配置されているとともに、その長辺が前面基板１１の短辺と平行に位置するように配置されている。更に、支持枠４４は、その長手方向両端部が前面基板１１の長辺を越えて両側へ突出するように配置されている。
【００２７】
細長い導体として機能する複数本のワイヤ４６は、それぞれ長手方向両端部が支持枠４４の長辺部に固定され、これら長辺部間に架設されている。そして、ワイヤ４６は、所定の隙間を置いて互いに平行に配列されていとともに、電界処理位置に搬送された前面基板１１の表面と隙間を置いて平行に対向している。
【００２８】
また、真空チャンバ３０内には、処理電極３４を支持しているとともに、電界処理位置に搬送された前面基板１１に対して処理電極を相対的に移動させる移動機構が設けられている。本実施の形態において、移動機構は、電界処理位置に搬送された前面基板１１の長辺と平行な方向Ｘに沿って延在した一対のガイド部４８を有している。そして、処理電極３４の支持枠４４は、その長手方向両端部がガイド部４８に沿って移動自在に支持されている。また、移動機構は、ガイド部４８に沿って処理電極３４を往復移動させる駆動部５０を備えている。従って、駆動部５０を作動させることにより、処理電極３４は、電界処理位置に搬送された前面基板１１に対して、前面基板の長辺と平行な方向Ｘに沿って相対移動される。
【００２９】
一方、処理電極３４のワイヤ４６は、図４および図５に示すように、処理電極の移動方向Ｘに対して傾斜して延びている。各ワイヤ４６の長手方向に沿った長さをＬ、処理電極３４の移動方向Ｘに対するワイヤの傾斜角をθとした場合、隣合うワイヤ間の間隔Ｐは、Ｐ＝Ｌｓｉｎθに設定されている。また、ワイヤ４６は、前面基板１１の短辺方向の表面全域に対応する本数分設けられている。
【００３０】
ワイヤ４６および支持枠４４は接地電位に接続されている。なお、ある１本のワイヤ４６で放電が生じた際、周囲のワイヤの電圧降下による放電拡大を抑制するために、高抵抗素子を介してワイヤ同士を結束してもよい。
【００３１】
更に、耐圧処理装置は、電界処理位置に搬送された基板の処理表面とワイヤ４６との間に電圧を印加する電圧印加部として機能する電源５２を備えている。なお、電位の与え方は、これに限らず、基板と処理電極間に電界を印加できさえすれば良い。
【００３２】
図３に示すように、ゲッター装置３６は、ゲッター蒸着位置４０に向かって開放したカバー５４、カバー内の底部に設けられたゲッター材５６、およびゲッター材を加熱する加熱機構５８を備えている。加熱機構５８としては、高周波加熱方式あるいは抵抗加熱方式を用いることができる。
【００３３】
次に、上記耐圧処理装置により基板を処理する方法について説明する。まず、排気ポンプ３２により真空チャンバ３０内を所望の真空度まで真空排気する。続いて、真空チャンバ３０内に前面基板１１を搬入し、電界処理位置に設置する。電界処理位置において、前面基板１１は、メタルバック２０側の表面が処理電極３４と所望の隙間、例えば、２ｍｍ程度の隙間を置いて対向配置される。また、前面基板１１は、その長軸方向が処理電極３４の移動方向Ｘと一致した状態で配置される。更に、処理電極３４は、前面基板１１の長軸方向一端部、例えば、左端部の表面と対向する初期位置に移動させておく。
【００３４】
次に、前面基板１１の処理表面、ここではメタルバック２０に電源５２を接続し、電源５２からメタルバックに電圧を印加する。これにより、前面基板１１のメタルバック２０と各ワイヤ４６との間に電界が発生し、ワイヤと対向している前面基板１１の表面領域が電界処理される。
【００３５】
電界を発生させた後、移動機構の駆動部５０を駆動し、処理電極３４を前面基板１１のメタルバック２０と所定の隙間を置いて対向した状態で、前面基板の長軸方向に沿ってその左端部から右端部に向かって一定の速度で移動させる。このように、前面基板１１および処理電極３４を相対的に移動させ、前面基板１１の表面を電界処理しながら、ワイヤ４６によって前面基板表面を走査する。
【００３６】
その後、処理電極３４が前面基板１１の表面右端を越え、前面基板外まで移動した時点で、処理電極を停止するとともにメタルバック２０への電圧印加を停止する。これにより、前面基板１１の表面全域を電界処理し、メタルバック２０上に残留していた異物等を除去することができる。
【００３７】
そして、電界処理が終了した後、基板搬送機構４２により前面基板１１を電界処理位置からゲッター蒸着位置４０へ移動させる。なお、本実施の形態では、処理電極３４を前面基板１１表面の左端から右端へ片道だけ走査する構成としたが、上記と同様の方法により、処理電極３４を往復移動させ、前面基板１１の左端を越え前面基板外まで移動させた後に停止する構成としてもよい。この場合、電界処理が完了した前面基板１１は、処理電極３４の下を通過することなくゲッター蒸着位置４０に移動することが可能となる。
【００３８】
ゲッター蒸着位置４０において、前面基板１１はそのメタルバック２０側の表面が上を向いた状態でゲッター装置３６のカバー５４の下部開口と対向する。この状態で、カバー５４の底部に設けられたゲッター材５６を加熱機構５８により加熱して蒸発させ、ゲッターフラッシュを行う。これにより、前面基板１１のメタルバック２０上にゲッターを蒸着しゲッター膜２２を形成する。
【００３９】
ゲッター膜２２の成膜後、基板搬送機構４２により前面基板１１をゲッター蒸着位置４０から再び電界処理位置に搬送する。そして、ゲッター膜２２の形成された前面基板１１を上記と同様の工程により電界処理する。
【００４０】
一方、配線２１および電子放出素子１８等が形成された背面基板１２については、ゲッター蒸着を除いて上記と同様の工程により表面全体を電界処理する。
そして、電界処理された前面基板１１および背面基板１２を大気に晒すことなく真空雰囲気中に維持した状態で図示しない封着位置へ搬送し、ここで互いに封着して真空外囲器１０を形成する。なお、基板の封着は、上述した電界処理と同一の真空チャンバ内、あるいは、真空状態で連通した他の真空チャンバ内のいずれで行ってもよい。
【００４１】
上記のように構成された耐圧処理方法および耐圧処理装置によれば、真空チャンバへ投入される前に前面基板１１、背面基板１２に付着した粉塵などの異物および前面基板、背面基板の生産過程で形成された不要な突起などを除去することができる。また、これらの基板を真空チャンバへ投入した後、ゲッター蒸着工程で発生した異物や真空チャンバ内の浮遊物質等の基板に付着した異物を除去することができる。
【００４２】
更に、処理電極３４の各ワイヤ４６は、処理電極の移動方向、つまり、基板とワイヤとの相対移動方向に対し傾斜して設けられている。そのため、比較的長さの短いワイヤおよび比較的数の少ないワイヤを用いて基板表面の各領域を積算的に同一条件で電界処理し、基板の表面全体を均一に電界処理することができる。また、クーロン力により基板表面から除去した異物等が処理電極に衝突することがほとんどなくなるので、放電を起こすことなく強い電界を印加できるようになるとともに、対向面の汚染・劣化もほとんどなくすことができる。さらに、処理電極および耐圧処理装置全体の軽量化を図ることができ、処理電極の軽量化に伴い駆動系の簡素化も図ることが可能となる。
【００４３】
上述した耐圧処理により放電発生のトリガを取り除き、耐圧の向上したＦＥＤを得ることができる。また、アノード電位を高く設定することが可能となり、高輝度で表示性能の高いＦＥＤを得ることができる。
【００４４】
次に、この発明の他の実施の形態に係る耐圧処理装置について説明する。図６に示すように、第２の実施の形態によれば、処理電極３４の支持枠４４は、その長辺が処理対象となる基板の長辺と平行となるように設けられている。また、処理電極３４は、移動機構により、基板の短辺と平行な方向に沿って移動される。そして、処理電極３４の各ワイヤ４６は、処理電極の移動方向、つまり、基板の短辺と平行な方向に対し傾斜して設けられている。
【００４５】
図７に示すように、第３の実施の形態によれば、処理電極３４の支持枠４４は、その長辺が処理対象となる基板の辺に対し傾斜して設けられている。また、処理電極３４は、移動機構により、基板の１辺と平行な方向に沿って移動される。そして、処理電極３４の各ワイヤ４６は、支持枠４４の長辺部に対して垂直に設けられ、かつ、処理電極の移動方向、つまり、基板の１辺と平行な方向に対し傾斜して設けられている。
【００４６】
図８に示すように、第４の実施の形態によれば、処理電極３４の支持枠４４は、その長辺が処理対象となる基板の１辺と平行に設けられている。また、処理電極３４は、移動機構により、基板の１辺に対して傾斜した方向に沿って移動される。そして、処理電極３４の各ワイヤ４６は、支持枠４４の長辺部に対して垂直に設けられ、かつ、処理電極の移動方向に対し傾斜して設けられている。
【００４７】
図９および図１０に示すように、第５の実施の形態によれば、処理電極３４は、細長い導体として、ワイヤに代え、導電性を有した細長い矩形状の平板電極６０を備えている。複数枚の平板電極６０は、所定の隙間を置いて互いに平行に配列されている。各平板電極６０は、その長手方向両端部が支持枠４４の長辺部に固定され、支持枠の長辺部間に架設されている。また、各平板電極６０は、その長手方向が処理電極３４の移動方向に対し傾斜して設けられているとともに、その幅方向が処理対象となる基板の表面に対してほぼ垂直に延びている。
【００４８】
上述した第２ないし第５の実施の形態において、他の構成および基板の耐圧処理方法は前述した第１の実施の形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。そして、第２ないし第５の実施の形態においても、基板の表面全体を均一に耐圧処理することができ、第１の実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００４９】
その他、この発明は上述した実施の形態に限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能である。例えば、上述した実施の形態において、基板側を固定とし処理電極を移動させる構成としたが、逆に、処理電極を固定とし基板側を移動させることにより、処理電極と基板とを相対的に移動させる構成としてもよい。
【００５０】
上述した実施の形態では、前面基板および背面基板の両方を真空雰囲気中で電界処理する構成としたが、少なくとも一方の基板を電界処理することによっても耐圧の向上した画像表示装置を得ることができる。また、真空中の方が高い電圧を印加できる点や封着と一貫して処理ができる点で好適ではあるが、真空中であることが必ずしも必要なわけではなく、大気中で処理を行うことでもある程度の効果が期待できることを確認している。
【００５１】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、対向面に細長い電極を使用しつつ基板を均一に耐圧処理することができ、耐圧の高い画像表示装置の製造を可能とする基板の耐圧処理方法および耐圧処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態に係る耐圧処理方法および耐圧処理装置により処理される基板を備えたＦＥＤの一例を示す斜視図。
【図２】図１の線Ａ−Ａに沿った上記ＦＥＤの断面図。
【図３】この発明の第１の実施の形態に係る基板の耐圧処理方法および耐圧処理装置を概略的に示す断面図。
【図４】上記耐圧処理装置の処理電極および移動機構を概略的に示す平面図。
【図５】上記処理電極の一部を拡大して示す平面図。
【図６】この発明の第２の実施の形態に係る耐圧処理装置の処理電極および移動機構を概略的に示す平面図。
【図７】この発明の第３の実施の形態に係る耐圧処理装置の処理電極および移動機構を概略的に示す平面図。
【図８】この発明の第４の実施の形態に係る耐圧処理装置の処理電極および移動機構を概略的に示す平面図。
【図９】この発明の第５の実施の形態に係る耐圧処理装置の処理電極および移動機構を概略的に示す平面図。
【図１０】上記第５の実施の形態に係る耐圧処理装置の平板電極を概略的に示す斜視図。
【符号の説明】
１０…真空外囲器、    １１…前面基板、    １２…背面基板、
１５…蛍光体スクリーン、    １８…電子放出素子、
２０…メタルバック、    ２２…ゲッター膜、    ３０…真空チャンバ、
３４…処理電極、    ３８…ゲッター装置、    ４６…ワイヤ、
４８…ガイド部、    ５０…駆動部、    ６０…平板電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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