(57)【要約】【課題】生産性および経済性に優れ、導体層の形成においてめっきがめっきレジストの下に潜り込んだり、めっきレジストが剥がれたりすることによる配線回路パターンの形成不良を防止できる配線回路基板の製造方法を提供すること。【解決手段】ベース絶縁層１の上に導体薄膜２を形成し、その導体薄膜２の上に、感光性レジストの溶液を塗布乾燥させることにより第１めっきレジスト層３を形成し、第１めっきレジスト層３の上に、感光性レジストのフィルムを貼着して第２めっきレジスト層４を形成する。その後、第１めっきレジスト層および第２めっきレジスト層を、フォト加工により配線回路パターンの反転パターンに形成し、露出する導体薄膜２の上に、電解めっきにより導体層５を配線回路パターンとして形成し、第１めっきレジスト層３および第２めっきレジスト層４と、それらの除去部分の導体薄膜２とを除去する。【選択図】    図１
2004335807.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、前記絶縁層の上に配線回路パターンとして形成される導体層とを備える配線回路基板の製造方法であって、
前記絶縁層の上に、感光性レジストの溶液を塗布して、第１めっきレジスト層を形成する工程、
前記第１めっきレジスト層の上に、感光性レジストのフィルムを貼着して、第２めっきレジスト層を形成する工程、
前記第１めっきレジスト層および前記第２めっきレジスト層を、露光および現像して、所定パターンに形成する工程、
前記絶縁層の上において、所定パターンとして形成された前記第１めっきレジスト層および前記第２めっきレジスト層がない部分に、めっきにより、導体層を配線回路パターンとして形成する工程
を含むことを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１めっきレジスト層の厚みが、前記第２めっきレジスト層の厚みよりも薄いことを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１めっきレジスト層を形成する工程において、
前記絶縁層の上に、導体薄膜を形成し、前記導体薄膜の上に、感光性レジストの溶液を塗布し、
前記導体層を配線回路パターンとして形成する工程において、
所定パターンとして形成された前記第１めっきレジスト層および前記第２めっきレジスト層から露出する前記導体薄膜の上に、電解めっきにより、導体層を配線回路パターンとして形成し、
さらに、所定パターンとして形成された前記第１めっきレジスト層および前記第２めっきレジスト層を除去する工程と、
前記第１めっきレジスト層および前記第２めっきレジスト層が除去された部分の前記導体薄膜を除去する工程とを含んでいることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１めっきレジスト層を形成する工程において、
前記絶縁層の上に、直接、感光性レジストの溶液を塗布し、
前記導体層を配線回路パターンとして形成する工程において、
所定パターンとして形成された前記第１めっきレジスト層および前記第２めっきレジスト層から露出する前記絶縁層の上に、無電解めっきにより、導体層を配線回路パターンとして形成し、
さらに、所定パターンとして形成された前記第１めっきレジスト層および前記第２めっきレジスト層を除去する工程を含んでいることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線回路基板の製造方法、詳しくは、セミアディティブ法やアディティブ法による配線回路基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、フレキシブル配線回路基板などの配線回路基板において、配線回路パターンの形成方法として、サブトラクティブ法が広く知られている。
【０００３】
サブトラクティブ法では、絶縁層および銅箔からなる銅張積層板を用意し、その銅箔の表面に、フォト加工により所定パターンのエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄などのエッチング液を用いて、エッチングレジストから露出する銅箔の表面をエッチングすることにより、銅箔を配線回路パターンとして形成するようにしている。
【０００４】
しかるに、近年、液晶用半導体素子が搭載される配線回路基板などにおいては、配線回路パターンの微細化が進んでおり、めっきにより配線回路パターンを形成するセミアディティブ法やアディティブ法が注目されている。
【０００５】
すなわち、セミアディティブ法では、絶縁層の上に、スパッタリング法または無電解めっき法により、導体薄膜を形成し、その導体薄膜の上に、感光性レジストを積層して、フォト加工により所定パターンのめっきレジストを形成する。次いで、めっきレジストから露出する導体薄膜の上に、電解めっきにより、導体層を配線回路パターンとして形成した後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが形成されていた部分の導体薄膜を、エッチングにより除去する。
【０００６】
また、アディティブ法では、絶縁層の上に感光性レジストを積層して、フォト加工により所定パターンのめっきレジストを形成する。次いで、めっきレジストから露出する絶縁層の上に、無電解めっきにより、導体層を配線回路パターンとして形成した後、めっきレジストをエッチングにより除去する。
【０００７】
また、このようなセミアディティブ法やアディティブ法において用いられる感光性レジストは、液状レジストとフィルムレジストとに大別される。
【０００８】
液状レジストは、感光性レジストの溶液であって、それを塗布および乾燥することにより皮膜形成できるので、絶縁層や導体薄膜の表面凹凸に対する追従性がよく、高い密着性を得ることができる。しかし、形成されるめっきレジストには、めっきする導体層の厚みよりも、厚さが要求されるので、実際に、固形分として必要な厚さを得るためには、乾燥後の体積の数倍もの液状レジストが必要となるので、生産性および経済性に欠けるという不具合がある。
【０００９】
一方、フィルムレジストは、感光性レジストが予めフィルムに形成されているので、上記した観点において、生産性および経済性に優れている。しかし、絶縁層や導体薄膜の表面凹凸に対する追従性が不良で、密着性に関しては、液状レジストに及ぶものではなく、例えば、めっきにより導体層を形成するときに、めっきレジストの絶縁層または導体薄膜に対する密着不良に起因して、めっきがめっきレジストの下に潜り込んだり、めっきレジストが剥がれたりすることによる配線回路パターンの形成不良を生じるという不具合がある。
【００１０】
また、アディティブ法において、例えば、染料が含有されている第１の感光性めっきレジストの上に、染料が含有されていない第２の感光性めっきレジストを積層して、めっきレジストを二層構造とすることにより、パターンマスクで回折した光がめっきレジストを現像液に不溶となるまで光重合させない状態で、めっきレジストの底部の幅をパターンマスクの透光部の幅に形成することができ、結果として解像力の向上を図れることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【００１１】
【特許文献１】
特開平５−２７５８３３号公報
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献１に記載されるめっきレジストは、その実施例にも記載されるように、染料が含有されている第１の感光性めっきレジスト、および、染料が含有されていない第２の感光性めっきレジストともに、液状レジストであり、上記したように生産性および経済性に欠け、上記したすべての不具合を解決できるものではない。
【００１２】
本発明は、このような不具合に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、生産性および経済性に優れ、しかも、導体層の形成において、めっきがめっきレジストの下に潜り込んだり、めっきレジストが剥がれたりすることによる配線回路パターンの形成不良を防止することのできる、配線回路基板の製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板の製造方法は、絶縁層と、前記絶縁層の上に配線回路パターンとして形成される導体層とを備える配線回路基板の製造方法であって、前記絶縁層の上に、感光性レジストの溶液を塗布して、第１めっきレジスト層を形成する工程、前記第１めっきレジスト層の上に、感光性レジストのフィルムを貼着して、第２めっきレジスト層を形成する工程、前記第１めっきレジスト層および前記第２めっきレジスト層を、露光および現像して、所定パターンに形成する工程、前記絶縁層の上において、所定パターンとして形成された前記第１めっきレジスト層および前記第２めっきレジスト層がない部分に、めっきにより、導体層を配線回路パターンとして形成する工程を含むことを特徴としている。
【００１４】
この方法によると、絶縁層の上に、感光性レジストの溶液を塗布して、第１めっきレジスト層を形成するので、第１めっきレジスト層を、被塗布面に対して良好に追従させて形成することができる。そのため、第１めっきレジスト層を、被塗布面に対して高い密着性をもって形成することができ、導体層の形成において、めっきが第１めっきレジスト層の下に潜り込んだり、第１めっきレジスト層が剥がれたりすることによる配線回路パターンの形成不良を防止することができる。
【００１５】
次いで、この方法では、第１めっきレジスト層に、感光性レジストのフィルムを貼着して第２めっきレジスト層を積層するので、つまり、めっきレジスト層のすべてを、感光性レジストの溶液からなる第１めっきレジスト層によって形成するのではなく、感光性レジストのフィルムからなる第２めっきレジスト層とともに形成するので、第１めっきレジスト層を形成する感光性レジストの溶液の塗布量を低減することができる。そのため、生産性および経済性の向上を図ることができる。その結果、この方法によれば、生産性および経済性よく、確実な配線回路パターンを形成することができる。
【００１６】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記第１めっきレジスト層の厚みが、前記第２めっきレジスト層の厚みよりも薄いことが好ましい。
【００１７】
第１めっきレジスト層の厚みを、第２めっきレジスト層の厚みよりも薄くすることで、より一層の生産性および経済性の向上を図ることができる。
【００１８】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記第１めっきレジスト層を形成する工程において、前記絶縁層の上に、導体薄膜を形成し、前記導体薄膜の上に、感光性レジストの溶液を塗布し、前記導体層を配線回路パターンとして形成する工程において、所定パターンとして形成された前記第１めっきレジスト層および前記第２めっきレジスト層から露出する前記導体薄膜の上に、電解めっきにより、導体層を配線回路パターンとして形成し、さらに、所定パターンとして形成された前記第１めっきレジスト層および前記第２めっきレジスト層を除去する工程と、前記第１めっきレジスト層および前記第２めっきレジスト層が除去された部分の前記導体薄膜を除去する工程とを含んでいてもよい。
【００１９】
このような方法によると、本発明の配線回路基板の製造方法を、セミアディティブ法により実現することができる。
【００２０】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記第１めっきレジスト層を形成する工程において、前記絶縁層の上に、直接、感光性レジストの溶液を塗布し、前記導体層を配線回路パターンとして形成する工程において、所定パターンとして形成された前記第１めっきレジスト層および前記第２めっきレジスト層から露出する前記絶縁層の上に、無電解めっきにより、導体層を配線回路パターンとして形成し、さらに、所定パターンとして形成された前記第１めっきレジスト層および前記第２めっきレジスト層を除去する工程を含んでいてもよい。
【００２１】
このような方法によると、本発明の配線回路基板の製造方法を、アディティブ法により実現することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態として、フレキシブル配線回路基板をセミアディティブ法によって製造する方法の工程図である。
【００２３】
まず、この方法では、図１（ａ）に示すように、絶縁層としてベース絶縁層１を用意する。ベース絶縁層１としては、特に限定されず、フレキシブル配線回路基板のベース絶縁層として通常使用されるものを用いることができ、絶縁性および可撓性を有する、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの樹脂からなる樹脂フィルムなどが用いられる。
【００２４】
これらのうち、好ましくは、耐薬品性、耐熱性および寸法安定性の観点から、ポリイミド樹脂からなる樹脂フィルムが用いられる。なお、このような樹脂フィルムは、感光性樹脂を用いて、露光および現像することによりパターンニングして形成することもできる。また、ベース絶縁層１の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜３０μｍである。
【００２５】
次いで、この方法では、図１（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１の上に、導体薄膜２を形成する。導体薄膜２の形成は、特に限定されず、セミアディティブ法で通常使用される方法を用いることができ、例えば、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの蒸着法、例えば、無電解めっき法などが用いられる。これらのうち、好ましくは、スパッタリング法が用いられる。
【００２６】
また、導体薄膜２を形成する導体は、特に限定されないが、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ／Ｃｒ合金、Ｃｕ／Ｎｉ合金、Ｔｉおよびそれらの合金が用いられる。なお、導体薄膜２の厚みは、例えば、１０〜５００ｎｍ、好ましくは、５０〜３００ｎｍである。また、導体薄膜２は、２層以上の複数層として形成することもできる。
【００２７】
次いで、この方法では、図１（ｃ）に示すように、導体薄膜２の上に、感光性レジストの溶液を塗布して、これを乾燥させることにより、第１めっきレジスト層３を形成する。
【００２８】
第１めっきレジスト層３の形成に用いられる感光性レジストの溶液は、特に限定されず、公知の液状レジストが用いられる。液状レジストは、通常、感光性樹脂が有機溶媒に溶解されることによって調製されており、公知の液状レジストから適宜選択することができる。また、このような液状レジストは、その固形分が、例えば、２０〜８０重量％、好ましくは、３５〜６５重量％のものが用いられる。
【００２９】
また、感光性レジストの溶液は、レジストコータなどを用いる公知の方法により、ベース絶縁層１の上に塗布することができる。なお、感光性レジストの溶液の塗布厚みは、その固形分にもよるが、乾燥前で、例えば、２〜２０μｍ、好ましくは、４〜１４μｍである。
【００３０】
次いで、塗布された感光性レジストの溶液は、乾燥炉などを用いて、有機溶媒の乾燥温度以上、例えば、５０〜１５０℃、好ましくは、７０〜１２０℃で乾燥する。これによって、第１めっきレジスト層３が形成される。
【００３１】
なお、このようにして形成される第１めっきレジスト層３は、その厚みが、生産性および経済性の向上を図るべく、第２めっきレジスト層４の厚みよりも薄いことが好ましく、例えば、１〜１０μｍ、好ましくは、２〜７μｍとされる。第１めっきレジスト層３の厚みが、これより薄いと、塗布表面の十分な平滑性が得られず、第２めっきレジスト層４を形成するためのフィルムレジストの密着性が低下する場合がある。また、これより厚いと、生産性および経済性が低下する場合がある。
【００３２】
そして、この方法では、図１（ｄ）に示すように、第１めっきレジスト層３の上に、感光性レジストのフィルムを貼着して、第２めっきレジスト層４を形成する。
【００３３】
第２めっきレジスト層４の形成に用いられる感光性レジストのフィルムは、特に限定されず、公知のフィルムレジストが用いられる。フィルムレジストは、通常、感光性樹脂からなるドライフィルムレジストとして調製されており、公知のフィルムレジストから適宜選択することができる。
【００３４】
また、感光性レジストのフィルムは、ヒートローラを備える公知のラミネータなどを用いて、公知の方法により、第１めっきレジスト層３の上に積層することができる。これによって、第２めっきレジスト層４が形成される。
【００３５】
なお、このようにして形成される第２めっきレジスト層４は、その厚みが、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍとされる。第２めっきレジスト層４の厚みが、これより薄いと、導体層５を形成するために必要なアスペクト比を得ることができない場合がある。また、これより厚いと、生産性および経済性が低下する場合がある。
【００３６】
また、このようにして形成される第１めっきレジスト層３および第２めっきレジスト層４の合計の厚みは、導体層５の厚みより厚いことが必要であり、例えば、導体層５の厚みが３〜２５μｍである場合には、その合計の厚みが、６〜３０μｍであることが好ましい。
【００３７】
また、第１めっきレジスト層３に対する第２めっきレジスト層４の厚みの比（第２めっきレジスト層４／第１めっきレジスト層３）は、例えば、１〜２０、好ましくは、３〜８である。
【００３８】
また、第１めっきレジスト層３および第２めっきレジスト層４は、それら両方が同じタイプであれば、ポジタイプまたはネガタイプのいずれのタイプを用いてもよい。
【００３９】
次いで、この方法では、図１（ｅ）に示すように、第１めっきレジスト層３および第２めっきレジスト層４を、次に形成する導体層５の配線回路パターンの反転パターンに形成する。
【００４０】
第１めっきレジスト層３および第２めっきレジスト層４を、配線回路パターンの反転パターンに形成するには、特に限定されず、ポジタイプまたはネガタイプに応じて、露光および現像する公知のフォト加工によって、配線回路パターンの逆パターンとして形成すればよい。
【００４１】
そして、この方法では、図１（ｆ）に示すように、導体薄膜２における第１めっきレジスト層３および第２めっきレジスト層４が形成されていない部分、すなわち、逆パターンとして形成された第１めっきレジスト層３および第２めっきレジスト層４から露出する導体薄膜２の上に、電解めっきにより、導体層５を配線回路パターンとして形成する。
【００４２】
導体層５を形成する金属は、特に限定されないが、例えば、銅、クロム、ニッケル、アルミニウム、ステンレス、銅−ベリリウム、リン青銅、鉄−ニッケル、および、それらの合金などが用いられる。好ましくは、銅が用いられる。また、導体層５の厚みは、例えば、３〜２５μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。
【００４３】
次いで、この方法では、図１（ｇ）に示すように、逆パターンとして形成された第１めっきレジスト層３および第２めっきレジスト層４を除去する。第１めっきレジスト層３および第２めっきレジスト層４の除去は、特に限定されず、セミアディティブ法で通常使用される方法を用いることができ、例えば、アルカリ剥離液などの剥離液を用いる剥離法や、化学エッチング（ウェットエッチング）などのエッチング法が用いられる。
【００４４】
その後、この方法では、図１（ｈ）に示すように、第１めっきレジスト層３および第２めっきレジスト層４が除去された部分の導体薄膜２を除去することによって、フレキシブル配線回路基板を形成する。
【００４５】
導体薄膜２の除去は、特に限定されず、セミアディティブ法で通常使用される方法を用いることができ、例えば、酸エッチング液などのエッチング液を用いる化学エッチング（ウェットエッチング）など、公知のエッチング法が用いられる。
【００４６】
なお、この方法では、図１（ｉ）に示すように、導体層５の上に、カバー絶縁層６を被覆してもよい。
【００４７】
カバー絶縁層６としては、ベース絶縁層１と同様の樹脂を用いることができ、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。また、カバー絶縁層６の形成は、特に限定されず、例えば、溶液状または溶融状の樹脂を、導体層５を含むベース絶縁層１の上に塗布または印刷して、乾燥および硬化させればよい。また、樹脂を、公知の粘着シートを介して、導体層５を含むベース絶縁層１の上に貼着してもよい。さらには、感光性樹脂を用いて、露光および現像することによりパターンニングして形成することもできる。なお、カバー絶縁層６の厚みは、例えば、３〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
【００４８】
また、このようなカバー絶縁層６の形成においては、図示していないが、例えば、フレキシブル配線回路基板の端部など、適宜の位置に開口部を形成して、所定の配線回路パターンとして形成される導体層５の端子部分を、カバー絶縁層６から露出させるようにする。開口部の形成は、特に限定されず、例えば、ドリル加工、パンチング加工、レーザ加工、エッチング法などの公知の方法が用いられ、また、感光性樹脂を用いてパターンニングする場合には、カバー絶縁層６の形成と同時に形成することができる。
【００４９】
そして、このようなセミアディティブ法によってフレキシブル配線回路基板を製造すれば、ベース絶縁層１の上に、導体薄膜２を形成して、その導体薄膜２の上に、感光性レジストの溶液を塗布して、第１めっきレジスト層３を形成するので、第１めっきレジスト層３を、導体薄膜２の表面に対して良好に追従させて形成することができる。そのため、第１めっきレジスト層３を導体薄膜２の表面に対して高い密着性をもって形成することができ、導体層５の形成において、めっきが第１めっきレジスト層３の下に潜り込んだり、第１めっきレジスト層３が剥がれたりすることによる配線回路パターンの形成不良を防止することができる。
【００５０】
また、この方法では、第１めっきレジスト層３に、感光性レジストのフィルムを貼着して第２めっきレジスト層４を積層するので、つまり、めっきレジスト層のすべてを、感光性レジストの溶液からなる第１めっきレジスト層３によって形成するのではなく、感光性レジストのフィルムからなる第２めっきレジスト層４とともに形成するので、第１めっきレジスト層３を形成する感光性レジストの溶液の塗布量を低減することができる。そのため、塗布工程および乾燥工程における作業効率の向上により、生産性および経済性の向上を図ることができる。その結果、この方法によれば、生産性および経済性よく、確実な配線回路パターンを形成することができる。
【００５１】
また、本発明の配線回路基板の製造方法は、上記したセミアディティブ法に限らず、アディティブ法に適用することもできる。
【００５２】
次に、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態として、フレキシブル配線回路基板をアディティブ法によって製造する方法について、図２を参照して説明する。
【００５３】
まず、この方法では、図２（ａ）に示すように、絶縁層として、上記と同様に、ベース絶縁層１を用意する。
【００５４】
次いで、この方法では、図２（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１の上に、上記と同様に、感光性レジストの溶液を塗布して、これを乾燥させることにより、第１めっきレジスト層３を形成する。
【００５５】
そして、この方法では、図２（ｃ）に示すように、第１めっきレジスト層３の上に、上記と同様に、感光性レジストのフィルムを貼着して、第２めっきレジスト層４を形成する。
【００５６】
次いで、この方法では、図２（ｄ）に示すように、第１めっきレジスト層３および第２めっきレジスト層４を、上記と同様に、次に形成する導体層５の配線回路パターンの反転パターンに形成する。
【００５７】
そして、この方法では、図２（ｅ）に示すように、ベース絶縁層１における第１めっきレジスト層３および第２めっきレジスト層４が形成されていない部分、すなわち、逆パターンとして形成された第１めっきレジスト層３および第２めっきレジスト層４から露出するベース絶縁層１の上に、無電解めっきにより、導体層５を配線回路パターンとして形成する。なお、導体層５を形成する金属や厚みは、上記と同様である。
【００５８】
次いで、この方法では、図２（ｆ）に示すように、逆パターンとして形成された第１めっきレジスト層３および第２めっきレジスト層４を、上記と同様に、除去することによって、フレキシブル配線回路基板を形成する。
【００５９】
なお、この方法では、図２（ｇ）に示すように、導体層５の上に、上記と同様に、カバー絶縁層６を被覆してもよい。
【００６０】
そして、このようなアディティブ法によってフレキシブル配線回路基板を製造しても、ベース絶縁層１の上に、感光性レジストの溶液を塗布して、第１めっきレジスト層３を形成するので、第１めっきレジスト層３を、ベース絶縁層１の表面に対して良好に追従させて形成することができる。そのため、第１めっきレジスト層３をベース絶縁層１の表面に対して高い密着性をもって形成することができ、導体層５の形成において、めっきが第１めっきレジスト層３の下に潜り込んだり、第１めっきレジスト層３が剥がれたりすることによる配線回路パターンの形成不良を防止することができる。
【００６１】
また、この方法では、第１めっきレジスト層３に、感光性レジストのフィルムを貼着して第２めっきレジスト層４を積層するので、つまり、めっきレジスト層のすべてを、感光性レジストの溶液からなる第１めっきレジスト層３によって形成するのではなく、感光性レジストのフィルムからなる第２めっきレジスト層４とともに形成するので、第１めっきレジスト層３を形成する感光性レジストの溶液の塗布量を低減することができる。そのため、塗布工程および乾燥工程における作業効率の向上により、生産性および経済性の向上を図ることができる。その結果、この方法によれば、生産性および経済性よく、確実な配線回路パターンを形成することができる。
【００６２】
【実施例】
以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００６３】
実施例１
ベース絶縁層として、ポリイミド樹脂フィルム（幅２５０ｍｍ、厚さ２５μｍ、宇部興産社製ユーピレックスＳ）を用意して（図１（ａ）参照）、その片面に、スパッタリング法によって、厚さ１５０Åのクロム薄膜と、厚さ１０００Åの銅薄膜とを、導体薄膜として順次形成した（図１（ｂ）参照）。
【００６４】
次いで、導体薄膜の上に、ネガタイプの液状レジスト（日本ペイント社製、ＯＰＴＯ−ＥＲ  Ｎ−４００）を、レジストコータによって塗布し、そのまま１００℃の乾燥炉を通過させて、厚さ３μｍの第１めっきレジスト層を形成した（図１（ｃ）参照）。
【００６５】
それに続いて、真空ラミネータを用いて、ネガタイプのフィルムレジスト（旭化成社製、フィルムレジストＳＰＧ１５２）を、１１５℃に加熱されたヒートローラを通過させることにより、第１めっきレジスト層の上にラミネートし、これによって、厚さ１５μｍの第２めっきレジスト層を形成した（図１（ｄ）参照）。なお、第１めっきレジスト層および第２めっきレジスト層の合計の厚みは、１８μｍであった。
【００６６】
次に、所定パターンのフォトマスクを介して、第１めっきレジスト層および第２めっきレジスト層を、露光量２００ｍＪ／ｃｍ２で露光した後、１重量％の炭酸ナトリウム水溶液で現像することにより、これら第１めっきレジスト層および第２めっきレジスト層を所定パターンに形成した（図１（ｅ）参照）。
【００６７】
そして、第１めっきレジスト層および第２めっきレジスト層から露出する導体薄膜の上に、電解銅めっきにより、銅からなる導体層を、厚さ１５μｍの配線回路パターンとして形成した（図１（ｆ）参照）。
【００６８】
その後、第１めっきレジスト層および第２めっきレジスト層を、エッチングにより溶解除去した後（図１（ｇ）参照）、その第１めっきレジスト層および第２めっきレジスト層が除去された部分の導体薄膜を、エッチングにより溶解除去することによって、フレキシブル配線回路基板を得た（図１（ｈ）参照）。
【００６９】
実施例１のフレキシブル配線回路基板においては、導体層を、最小配線幅１５μｍ、最小間隔１５μｍの微細な配線回路パターンとして形成したが、製造工程中において、めっきが第１めっきレジスト層の下に潜り込んだり、第１めっきレジスト層が剥がれたりすることがなかった。
【００７０】
実施例２
ベース絶縁層として、ポリイミド樹脂フィルム（幅２５０ｍｍ、厚さ２５μｍ、宇部興産社製ユーピレックスＳ）を用意して（図２（ａ）参照）、その片面に、ネガタイプの液状レジスト（日本ペイント社製、ＯＰＴＯ−ＥＲ  Ｎ−４００）を、レジストコータによって塗布し、そのまま１００℃の乾燥炉を通過させて、厚さ３μｍの第１めっきレジスト層を形成した（図２（ｂ）参照）。
【００７１】
それに続いて、真空ラミネータを用いて、ネガタイプのフィルムレジスト（旭化成社製、フィルムレジストＳＰＧ１５２）を、１１５℃に加熱されたヒートローラを通過させることにより、第１めっきレジスト層の上にラミネートし、これによって、厚さ１５μｍの第２めっきレジスト層を形成した（図２（ｃ）参照）。なお、第１めっきレジスト層および第２めっきレジスト層の合計の厚みは、１８μｍであった。
【００７２】
次に、所定パターンのフォトマスクを介して、第１めっきレジスト層および第２めっきレジスト層を、露光量２００ｍＪ／ｃｍ２で露光した後、１重量％の炭酸ナトリウム水溶液で現像することにより、これら第１めっきレジスト層および第２めっきレジスト層を所定パターンに形成した（図２（ｄ）参照）。
【００７３】
そして、第１めっきレジスト層および第２めっきレジスト層から露出するベース絶縁層の上に、無電解銅めっきにより、銅からなる導体層を、厚さ１５μｍの配線回路パターンとして形成した（図２（ｅ）参照）。
【００７４】
その後、第１めっきレジスト層および第２めっきレジスト層を、エッチングにより溶解除去することによって、フレキシブル配線回路基板を得た（図２（ｆ）参照）。
【００７５】
実施例２のフレキシブル配線回路基板においては、導体層を、最小配線幅１５μｍ、最小間隔１５μｍの微細な配線回路パターンとして形成したが、製造工程中において、めっきが第１めっきレジスト層の下に潜り込んだり、第１めっきレジスト層が剥がれたりすることがなかった。
【００７６】
比較例１
導体薄膜の上に、ネガタイプの液状レジストにより第１めっきレジスト層を形成することなく、真空ラミネータを用いて、ネガタイプのフィルムレジスト（旭化成社製、フィルムレジストＳＰＧ１５２）を、１１５℃に加熱されたヒートローラを通過させることにより、ラミネートして、厚さ２０μｍの第２めっきレジスト層のみを形成した以外は、実施例１と同様の方法により、フレキシブル配線回路基板を得た。
【００７７】
比較例１のフレキシブル配線回路基板においては、導体層を、最小配線幅１５μｍ、最小間隔１５μｍの微細な配線回路パターンとして形成したところ、めっきが第２めっきレジスト層の下に潜り込んで、配線回路パターンの形成不良を生じた。
【００７８】
比較例２
ベース絶縁層の上に、ネガタイプの液状レジストにより第１めっきレジスト層を形成することなく、真空ラミネータを用いて、ネガタイプのフィルムレジスト（旭化成社製、フィルムレジストＳＰＧ１５２）を、１１５℃に加熱されたヒートローラを通過させることにより、ラミネートして、厚さ２０μｍの第２めっきレジスト層のみを形成した以外は、実施例２と同様の方法により、フレキシブル配線回路基板を得た。
【００７９】
比較例２のフレキシブル配線回路基板においては、導体層を、最小配線幅１５μｍ、最小間隔１５μｍの微細な配線回路パターンとして形成したところ、めっきが第２めっきレジスト層の下に潜り込んで、配線回路パターンの形成不良を生じた。
【００８０】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の配線回路基板の製造方法によれば、導体層の形成において、めっきが第１めっきレジスト層の下に潜り込んだり、第１めっきレジスト層が剥がれたりすることによる配線回路パターンの形成不良を防止することができる。しかも、第１めっきレジスト層を形成する感光性レジストの溶液の塗布量を低減することができるので、生産性および経済性の向上を図ることができる。その結果、この方法によれば、生産性および経済性よく、確実な配線回路パターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態として、フレキシブル配線回路基板をセミアディティブ法によって製造する方法の工程図であって、
（ａ）は、ベース絶縁層を用意する工程、
（ｂ）は、ベース絶縁層の上に、導体薄膜を形成する工程、
（ｃ）は、導体薄膜の上に、感光性レジストの溶液を塗布して、これを乾燥させることにより、第１めっきレジスト層を形成する工程、
（ｄ）は、第１めっきレジスト層の上に、感光性レジストのフィルムを貼着して、第２めっきレジスト層を形成する工程、
（ｅ）は、第１めっきレジスト層および第２めっきレジスト層を配線回路パターンの反転パターンに形成する工程、
（ｆ）は、第１めっきレジスト層および第２めっきレジスト層から露出する導体薄膜の上に、電解めっきにより導体層を配線回路パターンとして形成する工程、
（ｇ）は、第１めっきレジスト層および第２めっきレジスト層を除去する工程、
（ｈ）は、第１めっきレジスト層および第２めっきレジスト層が除去された部分の導体薄膜を除去する工程、
（ｉ）は、導体層の上に、カバー絶縁層を被覆する工程
を示す。
【図２】本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態として、フレキシブル配線回路基板をアディティブ法によって製造する方法の工程図であって、
（ａ）は、ベース絶縁層を用意する工程、
（ｂ）は、ベース絶縁層の上に、感光性レジストの溶液を塗布して、これを乾燥させることにより、第１めっきレジスト層を形成する工程、
（ｃ）は、第１めっきレジスト層の上に、感光性レジストのフィルムを貼着して、第２めっきレジスト層を形成する工程、
（ｄ）は、第１めっきレジスト層および第２めっきレジスト層を配線回路パターンの反転パターンに形成する工程、
（ｅ）は、第１めっきレジスト層および第２めっきレジスト層から露出するベース絶縁層の上に、無電解めっきにより導体層を配線回路パターンとして形成する工程、
（ｆ）は、第１めっきレジスト層および第２めっきレジスト層を除去する工程、
（ｇ）は、導体層の上に、カバー絶縁層を被覆する工程
を示す。
【符号の説明】
１    ベース絶縁層
２    導体薄膜
３    第１めっきレジスト層
４    第２めっきレジスト層
５    導体層
【図１】
2004335807.tif 000003
【図２】
2004335807.tif 000004