(57)【要約】【課題】半導体製造装置側の設備に影響を与えることなく、除害装置をオン／オフ制御する。【解決手段】プラズマ式除害装置５とターボポンプ３との間の配管４に、配管４内の圧力を監視する圧力計７を設置し、制御部８は、圧力計７により計測された圧力が所定の範囲内にある場合、プラズマ式除害装置５を動作させ、圧力計７により計測された圧力が所定の範囲外にある場合、プラズマ式除害装置５を停止させる。【選択図】      図１
2004342921.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
除害ガスを除害する除害手段と、
前記除害手段に導入されるガスの圧力を検出する圧力計と、
前記圧力の検出結果に基づいて前記除害手段の動作を制御する制御手段とを備えることを特徴とする除害装置。
【請求項２】
除害ガスを除害する除害手段と、
前記除害手段に導入されるガスの圧力を検出する圧力計と、
前記圧力の検出結果に基づいて前記除害手段の動作を制御する制御手段と、
前記制御手段による前記除害手段の動作の停止を遅延させる遅延手段とを備えることを特徴とする除害装置。
【請求項３】
除害ガスを分解するプラズマ式除害手段と、
前記プラズマ式除害手段に前記除害ガスを導入する配管と、
前記プラズマ式除害手段の排気を行う真空ポンプと、
前記配管内の圧力を検出する圧力計と、
前記圧力の検出結果に基づいて前記プラズマ式除害手段の動作を制御する制御手段とを備えることを特徴とする除害装置。
【請求項４】
除害ガスを燃焼する燃焼式除害手段と、
前記燃焼式除害手段の前段に設けられた真空ポンプと、
前記真空ポンプを介して前記燃焼式除害手段に前記除害ガスを導入する配管と、
前記真空ポンプの前段に設けられ、前記配管内の圧力を検出する圧力計と、
前記圧力の検出結果に基づいて前記燃焼式除害手段の動作を制御する制御手段とを備えることを特徴とする除害装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記圧力が所定の範囲内にある時に、前記除害手段を動作させ、前記圧力が所定の範囲外にある時に、前記除害手段を停止させることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の除害装置。
【請求項６】
除害ガスを除害する除害手段と、
前記除害手段の運転の制御信号を入力する入力手段と、
前記除害手段に導入されるガスの圧力を検出する圧力計と、
前記圧力の検出結果に基づいて前記制御信号のオン／オフを行う制御手段とを備えることを特徴とする除害装置。
【請求項７】
除害ガスを除害する除害手段と、
前記除害手段に導入される前記除害ガスを検出するガスセンサと、
前記除害ガスの検出結果に基づいて前記除害手段の動作を制御する制御手段とを備えることを特徴とする除害装置。
【請求項８】
除害装置に導入されるガスの圧力を検出するステップと、
前記圧力が所定の範囲内にある時に、前記除害装置を動作させるステップと、
前記圧力が所定の範囲外にある時に、前記除害装置を停止させるステップとを備えることを特徴とする除害方法。
【請求項９】
除害装置に導入されるガスの圧力データを取得するステップと、
前圧力データに基づいて前記除害手段の動作を制御するステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする除害プログラム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は除害装置、除害方法および除害プログラムに関し、特に、除害装置のオン／オフ制御方法に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造工程では、例えば、プロセスチャンバなどから排出されるプロセスガスを除害するために除害装置を用いる方法がある。ここで、半導体製造プロセスのシーケンスからプロセスのオン／オフ信号を取り出し、そのオン／オフ信号に基づいて除害装置の動作を制御することにより、アイドリング時に除害装置を停止させ、除害装置の省エネルギー化を図ることが行なわれている。
【０００３】
図６は、従来の除害装置の制御方法を示すブロック図である。
図６において、クリーンルームＣＲ４はリターンチャンバＲＣ４を介してユーティリティＵＴ４に接続され、クリーンルームＣＲ４には半導体製造装置３１が設けられている。そして、半導体製造装置３１には、半導体ウェハの成膜やエッチングなどを行うプロセスチャンバ３２が設けられ、プロセスチャンバ３２には、プロセスチャンバ３２内の排気を行うターボポンプ３３が接続されている。そして、プロセスチャンバ３２の排気側には、配管３４を介してプラズマ式除害装置３５が接続され、プラズマ式除害装置３５には、プラズマ式除害装置３５内の排気を行うドライポンプ３６が設けられている。
【０００４】
ここで、半導体製造装置３１には、半導体製造装置３１で行われるプロセスシーケンスを監視するセンサ３７が設けられている。そして、センサ３７は、配線３９を介して、プラズマ式除害装置３５のオン／オフ制御を行なう制御部３８に接続されている。そして、制御部３８は、センサ３７からの出力に基づいて半導体製造装置３１が現在アイドル中かプロセス中かを判別する。そして、制御部３８は、半導体製造装置３１が現在アイドル中の場合、プラズマ式除害装置３５を停止させ、半導体製造装置３１が現在プロセス中の場合、プラズマ式除害装置３５を動作させる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の除害装置のオン／オフ制御方法では、半導体製造装置３１が現在アイドル中かプロセス中かを判別するために、半導体製造装置３１で行われるプロセスシーケンスを監視する必要があり、半導体製造装置３１の改造が必要になるという問題があった。
【０００６】
また、センサ３７からの出力を制御部３８に送るために、リターンチャンバＲＣ４内に配線３９を引き回す必要があり、配線スペースが増大するという問題があった。
そこで、本発明の目的は、半導体製造装置側の設備に影響を与えることなく、除害装置をオン／オフ制御することが可能な除害装置、除害方法および除害プログラムを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る除害装置によれば、除害ガスを除害する除害手段と、前記除害手段に導入されるガスの圧力を検出する圧力計と、前記圧力の検出結果に基づいて前記除害手段の動作を制御する制御手段とを備えることを特徴とする。
【０００８】
これにより、除害手段に導入される除害ガスの有無を除害手段の前段で検出することが可能となる。このため、半導体製造装置でプロセスが行なわれたために、半導体製造装置から除害ガスが排出された場合には、除害手段を動作させることが可能となるとともに、半導体製造装置がアイドル状態にあるために、半導体製造装置から除害ガスが排出されない場合には、除害手段を停止させることが可能となる。この結果、半導体製造装置が現在アイドル中かプロセス中かを判別するための信号を半導体製造装置側から受け取ることなく、除害手段のオン／オフ制御を行なうことが可能となり、半導体製造装置の改造を不要として、改造コストを削減することが可能となるとともに、配線長を短縮することを可能として、配線スペースを節約することが可能となる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係る除害装置によれば、除害ガスを除害する除害手段と、前記除害手段に導入されるガスの圧力を検出する圧力計と、前記圧力の検出結果に基づいて前記除害手段の動作を制御する制御手段と、前記制御手段による前記除害手段の動作の停止を遅延させる遅延手段とを備えることを特徴とする。
これにより、除害手段に導入される除害ガスの圧力が低下した場合においても、除害手段の動作を延長することが可能となる。このため、圧力計で計測される除害ガスの圧力と、除害手段による除害ガスの除害状況とにタイムラグがある場合においても、除害手段に残っている除害ガスを完全に処理させることが可能となり、除害手段のオン／オフ制御を除害装置側で行なうことを可能としつつ、除害ガスが未処理のまま排出されることを防止することができる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る除害装置によれば、除害ガスを分解するプラズマ式除害手段と、前記プラズマ式除害手段に前記除害ガスを導入する配管と、前記プラズマ式除害手段の排気を行う真空ポンプと、前記配管内の圧力を検出する圧力計と、前記圧力の検出結果に基づいて前記プラズマ式除害手段の動作を制御する制御手段とを備えることを特徴とする。
【００１１】
これにより、プラズマ式除害方式を用いた場合においても、プラズマ式除害手段に導入される除害ガスの有無をプラズマ式除害手段の前段で検出することが可能となり、半導体製造装置が現在アイドル中かプロセス中かを判別するための信号を半導体製造装置側から受け取ることなく、プラズマ式除害手段のオン／オフ制御を行なうことが可能となる。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る除害装置によれば、除害ガスを燃焼する燃焼式除害手段と、前記燃焼式除害手段の前段に設けられた真空ポンプと、前記真空ポンプを介して前記燃焼式除害手段に前記除害ガスを導入する配管と、前記真空ポンプの前段に設けられ、前記配管内の圧力を検出する圧力計と、前記圧力の検出結果に基づいて前記燃焼式除害手段の動作を制御する制御手段とを備えることを特徴とする。
【００１３】
これにより、燃焼式除害方式を用いた場合においても、燃焼式除害手段に導入される除害ガスの有無を燃焼式除害手段の前段で検出することが可能となり、半導体製造装置が現在アイドル中かプロセス中かを判別するための信号を半導体製造装置側から受け取ることなく、燃焼式除害手段のオン／オフ制御を行なうことが可能となる。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る除害装置によれば、前記制御手段は、前記圧力が所定の範囲内にある時に、前記除害手段を動作させ、前記圧力が所定の範囲外にある時に、前記除害手段を停止させることを特徴とする。
これにより、半導体製造装置でプロセスが行なわれたために、半導体製造装置から除害ガスが排出された場合には、除害手段を動作させることが可能となる。また、半導体製造装置がアイドル状態にあるために、半導体製造装置から除害ガスが排出されない場合には、除害手段を停止させることが可能となるとともに、半導体製造装置の大気開放が行なわれたために、圧力が上昇した場合においても、除害手段を停止させることが可能となり、除害装置の省エネルギー化を図ることが可能となる。
【００１５】
また、本発明の一態様に係る除害装置によれば、除害ガスを除害する除害手段と、前記除害手段の運転の制御信号を入力する入力手段と、前記除害手段に導入されるガスの圧力を検出する圧力計と、前記圧力の検出結果に基づいて前記制御信号のオン／オフを行う制御手段とを備えることを特徴とする。
これにより、運転の制御信号を必要とする様々の方式の除害装置について、半導体製造装置が現在アイドル中かプロセス中かを判別するための信号を半導体製造装置側から受け取ることなく、除害手段のオン／オフ制御を行なうことが可能となる。このため、半導体製造装置の改造を不要として、改造コストを削減することが可能となるとともに、配線長を短縮することを可能として、配線スペースを節約することが可能となる。
【００１６】
また、本発明の一態様に係る除害装置によれば、除害ガスを除害する除害手段と、前記除害手段に導入される前記除害ガスを検出するガスセンサと、前記除害ガスの検出結果に基づいて前記除害手段の動作を制御する制御手段とを備えることを特徴とする。
これにより、除害手段に導入される除害ガスの有無を除害手段の前段で検出することが可能となり、半導体製造装置が現在アイドル中かプロセス中かを判別するための信号を半導体製造装置側から受け取ることなく、除害手段のオン／オフ制御を行なうことが可能となる。このため、半導体製造装置の改造を不要として、改造コストを削減することが可能となるとともに、配線長を短縮することを可能として、配線スペースを節約することが可能となる。
【００１７】
また、本発明の一態様に係る除害方法によれば、除害装置に導入されるガスの圧力を検出するステップと、前記圧力が所定の範囲内にある時に、前記除害装置を動作させるステップと、前記圧力が所定の範囲外にある時に、前記除害装置を停止させるステップとを備えることを特徴とする。
これにより、除害装置に導入されるガスの圧力を検出することで、半導体製造装置でプロセスが行なわれたために、半導体製造装置から除害ガスが排出された場合には、除害手段を動作させることが可能となるとともに、半導体製造装置がアイドル状態にあるために、半導体製造装置から除害ガスが排出されない場合には、除害手段を停止させることが可能となる。このため、半導体製造装置が現在アイドル中かプロセス中かを判別するための信号を半導体製造装置側から受け取ることなく、除害手段の省エネルギー化を図ることが可能となり、半導体製造装置の改造を不要として、改造コストを削減することが可能となるとともに、配線長を短縮することを可能として、配線スペースを節約することが可能となる。
【００１８】
また、本発明の一態様に係る除害プログラムによれば、除害装置に導入されるガスの圧力データを取得するステップと、前圧力データに基づいて前記除害手段の動作を制御するステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする。
これにより、除害装置に導入されるガスの圧力データを取得することで、除害装置のオン／オフ制御を行なうことが可能となり、除害装置のコンパクト化を可能としつつ、除害装置の省エネルギー化を図ることが可能となる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る除害装置について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態の除害装置の制御方法を示すブロック図である。
【００２０】
図１において、クリーンルームＣＲ１はリターンチャンバＲＣ１を介してユーティリティＵＴ１に接続され、クリーンルームＣＲ１には半導体製造装置１が設けられている。そして、半導体製造装置１には、半導体ウェハの成膜やエッチングなどを行うプロセスチャンバ２が設けられ、プロセスチャンバ２には、プロセスチャンバ２内の排気を行うターボポンプ３が接続されている。そして、プロセスチャンバ２の排気側には、配管４を介してプラズマ式除害装置５が接続され、プラズマ式除害装置５には、プラズマ式除害装置５内の排気を行うドライポンプ６が設けられている。
【００２１】
ここで、プラズマ式除害装置５とターボポンプ３との間の配管４には、配管４内の圧力を監視する圧力計７が設置されている。なお、配管４に圧力計７を設置する場合、プラズマ式除害装置５に可能な限り近い方が好ましい。また、圧力計７は、プラズマ式除害装置５のオン／オフ制御を行なう制御部８に接続されている。そして、制御部８は、圧力計７により計測された圧力が所定の範囲内にある場合、プラズマ式除害装置５を動作させ、圧力計７により計測された圧力が所定の範囲外にある場合、プラズマ式除害装置５を停止させる。
【００２２】
これにより、半導体製造装置１が現在アイドル中かプロセス中かを判別するための信号を半導体製造装置１側から受け取ることなく、プラズマ式除害装置５のオン／オフ制御を行なうことが可能となり、半導体製造装置１の改造を不要として、改造コストを削減することが可能となるとともに、配線長を短縮することを可能として、配線スペースを節約することが可能となる。
【００２３】
図２は、本発明の第１実施形態の除害装置の制御方法を示すタイミングチャートである。
図２において、半導体製造装置１がアイドル中の場合、プロセスチャンバ２内はターボポンプ３を介して排気されるとともに、配管４内およびプラズマ式除害装置５内はドライポンプ６を介して排気され、プロセスチャンバ２からの除害ガスの排出が行われなくなる。このため、配管４内の除害ガスの流量は低下し、配管４内の圧力は低下する。ここで、制御部８は、圧力計７により計測された圧力がＨ２〜Ｈ４の範囲内にある場合、プラズマ式除害装置５を動作させ、圧力計７により計測された圧力がＨ２〜Ｈ４の範囲外にある場合、プラズマ式除害装置５を停止させるものとする。
【００２４】
なお、Ｈ２は、半導体製造装置１がアイドル中で配管４内の圧力が安定している時の圧力Ｈ１より大きく、半導体製造装置１がプロセス中で配管４内の圧力が安定している時の圧力Ｈ３より小さな値に設定することができる。また、Ｈ４は、半導体製造装置１がプロセス中で配管４内の圧力が安定している時の圧力Ｈ３より大きく、半導体製造装置１が大気開放中で配管４内の圧力が安定している時の圧力Ｈ５より小さな値に設定することができる。
【００２５】
そして、制御部８は、配管４内の圧力が低下し、配管４内の圧力がＨ２を下回ると、制御部８はプラズマ式除害装置５を停止させる。
次に、半導体製造装置１がプロセス中に移行すると、プロセスチャンバ２内がターボポンプ３を介して排気されるとともに、配管４内およびプラズマ式除害装置５内がドライポンプ６を介して排気されている状態で、プロセスチャンバ２から除害ガスが排出される。このため、配管４内の除害ガスの流量は上昇し、配管４内の圧力は上昇する。ここで、配管４の長さが長く、圧力計７がプラズマ式除害装置５の近くに設置されると、プロセスチャンバ２と圧力計７と間の距離が大きくなり、圧力計７を流れる除害ガスの流量はタイムラグを伴って上昇し、圧力計７の設置場所での配管４内の圧力もタイムラグを伴って上昇する。
【００２６】
そして、圧力計７の設置場所での配管４内の圧力が上昇し、時刻ｔ１において、圧力計７の設置場所での配管４内の圧力がＨ２を超えると、制御部８はプラズマ式除害装置５を動作させる。
次に、半導体製造装置１がアイドル中に再び移行すると、プロセスチャンバ２内はターボポンプ３を介して排気されるとともに、配管４内およびプラズマ式除害装置５内はドライポンプ６を介して排気され、プロセスチャンバ２からの除害ガスの排出が行われなくなる。このため、配管４内の除害ガスの流量は低下し、配管４内の圧力は低下する。
【００２７】
ここで、配管４の長さが長く、圧力計７がプラズマ式除害装置５の近くに設置されると、プロセスチャンバ２と圧力計７と間の距離が大きくなり、圧力計７を流れる除害ガスの流量はタイムラグを伴って低下し、圧力計７の設置場所での配管４内の圧力もタイムラグを伴って低下する。
そして、圧力計７の設置場所での配管４内の圧力が低下し、時刻ｔ２において、圧力計７の設置場所での配管４内の圧力がＨ２を下回ると、制御部８はプラズマ式除害装置５を再び停止させる。
【００２８】
次に、半導体製造装置１が大気開放中に移行すると、プロセスチャンバ２内の排気が停止され、配管４内に大気が流れ込むため、配管４内のガスの流量は上昇し、配管４内の圧力は上昇する。
そして、圧力計７の設置場所での配管４内の圧力が上昇し、時刻ｔ３において、圧力計７の設置場所での配管４内の圧力がＨ２を超えると、制御部８はプラズマ式除害装置５を一旦動作させる。そして、圧力計７の設置場所での配管４内の圧力がさらに上昇し、時刻ｔ４において、圧力計７の設置場所での配管４内の圧力がＨ４を超えると、制御部８はプラズマ式除害装置５を停止させる。
【００２９】
これにより、半導体製造装置１でプロセスが行なわれたために、半導体製造装置１から除害ガスが排出された場合には、プラズマ式除害装置５を動作させることが可能となる。また、半導体製造装置１がアイドル状態にあるために、半導体製造装置１から除害ガスが排出されない場合には、プラズマ式除害装置５を停止させることが可能となるとともに、半導体製造装置１の大気開放が行なわれたために、配管４内の圧力が上昇した場合においても、プラズマ式除害装置５を停止させることが可能となり、プラズマ式除害装置５の省エネルギー化を図ることが可能となる。
【００３０】
図３は、本発明の第２実施形態の除害装置の制御方法を示すブロック図である。
図３において、クリーンルームＣＲ２はリターンチャンバＲＣ２を介してユーティリティＵＴ２に接続され、クリーンルームＣＲ２には半導体製造装置１１が設けられている。そして、半導体製造装置１１には、半導体ウェハの成膜やエッチングなどを行うプロセスチャンバ１２が設けられ、プロセスチャンバ１２には、プロセスチャンバ１２内の排気を行うターボポンプ３が接続されている。そして、プロセスチャンバ１２の排気側には、配管１４を介してプラズマ式除害装置１５が接続され、プラズマ式除害装置１５には、プラズマ式除害装置１５内の排気を行うドライポンプ１６が設けられている。
【００３１】
ここで、プラズマ式除害装置１５とターボポンプ１３との間の配管１４には、配管１４内の圧力を監視する圧力計１７が設置されている。なお、配管１４に圧力計１７を設置する場合、プラズマ式除害装置１５に可能な限り近い方が好ましい。また、圧力計１７は、プラズマ式除害装置１５のオン／オフ制御を行なう制御部１８に接続されている。ここで、制御部１８にはタイマ１９が設けられ、制御部１８は、圧力計１７により計測された圧力が所定値を下回った場合、タイマ１９の計時を開始させる。
【００３２】
そして、制御部１８は、圧力計１７により計測された圧力が所定の範囲内にある場合、プラズマ式除害装置１５を動作させ、圧力計１７により計測された圧力が所定の範囲外にある場合、プラズマ式除害装置１５を停止させる。さらに、制御部１８は、圧力計１７により計測された圧力が所定値を下回った場合においても、タイマ１９がタイムアップするまで、プラズマ式除害装置１５の停止を遅延させる。
【００３３】
これにより、プラズマ式除害装置１５に導入される除害ガスの圧力が低下した場合においても、プラズマ式除害装置１５の動作を延長することが可能となる。このため、圧力計１７で計測される除害ガスの圧力と、プラズマ式除害装置１５による除害ガスの除害状況とにタイムラグがある場合においても、プラズマ式除害装置１５に残っている除害ガスを完全に処理させることが可能となり、プラズマ式除害装置１５のオン／オフ制御をラズマ式除害装置１５側で行なうことを可能としつつ、除害ガスが未処理のまま排出されることを防止することができる。
【００３４】
図４は、本発明の第２実施形態の除害装置の制御方法を示すタイミングチャートである。
図４において、半導体製造装置１１がアイドル中の場合、プロセスチャンバ１２内はターボポンプ１３を介して排気されるとともに、配管１４内およびプラズマ式除害装置１５内はドライポンプ１６を介して排気され、プロセスチャンバ１２からの除害ガスの排出が行われなくなる。このため、配管１４内の除害ガスの流量は低下し、配管１４内の圧力は低下する。ここで、制御部１８は、圧力計１７により計測された圧力がＨ１２〜Ｈ１４の範囲内にある場合、プラズマ式除害装置１５を動作させ、圧力計１７により計測された圧力がＨ１２〜Ｈ１４の範囲外にある場合、プラズマ式除害装置１５を停止させるものとする。さらに、制御部１８は、圧力計１７により計測された圧力がＨ１２を下回った場合においても、タイマ１９がタイムアップするまで、プラズマ式除害装置１５の停止を遅延させるものとする。
【００３５】
なお、Ｈ１２は、半導体製造装置１１がアイドル中で配管１４内の圧力が安定している時の圧力Ｈ１１より大きく、半導体製造装置１１がプロセス中で配管１４内の圧力が安定している時の圧力Ｈ１３より小さな値に設定することができる。また、Ｈ１４は、半導体製造装置１１がプロセス中で配管１４内の圧力が安定している時の圧力Ｈ１３より大きく、半導体製造装置１１が大気開放中で配管１４内の圧力が安定している時の圧力Ｈ１５より小さな値に設定することができる。
【００３６】
そして、制御部１８は、配管１４内の圧力が低下し、配管１４内の圧力がＨ１２を下回ると、制御部１８はプラズマ式除害装置１５を停止させる。
次に、半導体製造装置１１がプロセス中に移行すると、プロセスチャンバ１２内がターボポンプ１３を介して排気されるとともに、配管１４内およびプラズマ式除害装置１５内がドライポンプ１６を介して排気されている状態で、プロセスチャンバ２から除害ガスが排出される。このため、配管１４内の除害ガスの流量は上昇し、配管１４内の圧力は上昇する。ここで、配管１４の長さが長く、圧力計１７がプラズマ式除害装置１５の近くに設置されると、プロセスチャンバ１２と圧力計１７と間の距離が大きくなり、圧力計１７を流れる除害ガスの流量はタイムラグを伴って上昇し、圧力計１７の設置場所での配管１４内の圧力もタイムラグを伴って上昇する。
【００３７】
そして、圧力計１７の設置場所での配管１４内の圧力が上昇し、時刻ｔ１１において、圧力計１７の設置場所での配管１４内の圧力がＨ１２を超えると、制御部１８はプラズマ式除害装置１５を動作させる。
次に、半導体製造装置１１がアイドル中に再び移行すると、プロセスチャンバ１２内はターボポンプ１３を介して排気されるとともに、配管１４内およびプラズマ式除害装置１５内はドライポンプ１６を介して排気され、プロセスチャンバ１２からの除害ガスの排出が行われなくなる。このため、配管１４内の除害ガスの流量は低下し、配管１４内の圧力は低下する。
【００３８】
ここで、配管１４の長さが長く、圧力計１７がプラズマ式除害装置１５の近くに設置されると、プロセスチャンバ１２と圧力計１７と間の距離が大きくなり、圧力計１７を流れる除害ガスの流量はタイムラグを伴って低下し、圧力計１７の設置場所での配管１４内の圧力もタイムラグを伴って低下する。
そして、圧力計１７の設置場所での配管１４内の圧力が低下し、時刻ｔ１２において、圧力計１７の設置場所での配管１４内の圧力がＨ１２を下回ると、制御部１８はタイマ１９による計時を開始させる。そして、時刻ｔ１３において、タイマ１９がタイムアップすると、制御部１８はプラズマ式除害装置１５を再び停止させる。なお、タイマ１９がタイムアップするまでの時間は、例えば、圧力計１７の設置場所での配管１４内の圧力がＨ１２を下回った後、プラズマ式除害装置１５に残っている除害ガスを完全に処理させることが可能なように設定することができる。
【００３９】
次に、半導体製造装置１１が大気開放中に移行すると、プロセスチャンバ１２内の排気が停止され、配管１４内に大気が流れ込むため、配管１４内のガスの流量は上昇し、配管１４内の圧力は上昇する。
そして、圧力計１７の設置場所での配管１４内の圧力が上昇し、時刻ｔ１４において、圧力計１７の設置場所での配管１４内の圧力がＨ１２を超えると、制御部１８はプラズマ式除害装置１５を一旦動作させる。そして、圧力計１７の設置場所での配管１４内の圧力がさらに上昇し、時刻ｔ１５において、圧力計１７の設置場所での配管１４内の圧力がＨ１４を超えると、制御部１８はプラズマ式除害装置５を停止させる。
【００４０】
これにより、半導体製造装置１１がアイドル状態にあるために、半導体製造装置１１から除害ガスが排出されない場合には、プラズマ式除害装置１５を停止させることが可能となる。また、圧力計１７で計測される除害ガスの圧力と、プラズマ式除害装置１５による除害ガスの除害状況とにタイムラグがある場合においても、プラズマ式除害装置１５に残っている除害ガスを完全に処理させることが可能となり、除害ガスが未処理のまま排出されることを防止しつつ、プラズマ式除害装置１５の省エネルギー化を図ることが可能となる。
【００４１】
図５は、本発明の第３実施形態の除害装置の制御方法を示すブロック図である。
図５において、クリーンルームＣＲ３はリターンチャンバＲＣ３を介してユーティリティＵＴ３に接続され、クリーンルームＣＲ３には半導体製造装置２１が設けられている。そして、半導体製造装置２１には、半導体ウェハの成膜やエッチングなどを行うプロセスチャンバ２２が設けられ、プロセスチャンバ２２には、プロセスチャンバ２２内の排気を行うターボポンプ２３が接続されている。そして、ターボポンプ２３は配管２４を介してドライポンプ２６に接続され、ドライポンプ２６の下流側には燃焼式除害装置２５が接続されている。
【００４２】
ここで、ターボポンプ２３とドライポンプ２６の間の配管２４には、配管２４内の圧力を監視する圧力計２７が設置されている。なお、配管２４に圧力計２７を設置する場合、ドライポンプ２６に可能な限り近い方が好ましい。また、圧力計２７は、燃焼式除害装置２５のオン／オフ制御を行なう制御部２８に接続されている。そして、制御部２８は、圧力計２７により計測された圧力が所定の範囲内にある場合、燃焼式除害装置２５を動作させ、圧力計２７により計測された圧力が所定の範囲外にある場合、燃焼式除害装置２５を停止させる。
【００４３】
これにより、燃焼式除害装置２５を用いた場合においても、燃焼式除害装置２５に導入される除害ガスの有無をドライポンプ２６の上流で検出することが可能となり、半導体製造装置２１が現在アイドル中かプロセス中かを判別するための信号を半導体製造装置２１側から受け取ることなく、燃焼式除害装置２５のオン／オフ制御を行なうことが可能となる。
【００４４】
なお、図５の制御部２８にタイマを設け、圧力計２７により計測された圧力が所定値を下回った場合においても、タイマがタイムアップするまで、燃焼式除害装置２５の停止を遅延させるようにしてもよい。
また、図５の実施形態では、半導体製造装置２１から排出された除害ガスを除害するために燃焼式除害装置２５を用いる方法について説明したが、触媒式除害装置または吸着式除害装置を用いるようにしてもよい。
【００４５】
また、上述した実施形態では、配管内の除害ガスの有無を検出するために圧力計を用いる方法について説明したが、圧力計以外にも、例えば、除害ガスを検出するガスセンサなどを用いるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態の除害装置の制御方法を示すブロック図。
【図２】第１実施形態の除害装置の制御方法を示すタイミングチャート。
【図３】第２実施形態の除害装置の制御方法を示すブロック図。
【図４】第２実施形態の除害装置の制御方法を示すタイミングチャート。
【図５】第３実施形態の除害装置の制御方法を示すブロック図。
【図６】従来の除害装置の制御方法を示すブロック図。
【符号の説明】
ＣＲ１、ＣＲ２、ＣＲ３  クリーンルーム、ＲＣ１、ＲＣ２、ＲＣ３  リターンチャンバ、ＵＴ１、ＵＴ２、ＵＴ３  ユーティリティ、１、１１、２１  半導体製造装置、２、１２、２２  プロセスチャンバ、３、１３、２３  ターボポンプ、４、１４、２４  配管、５、１５、２５  プラズマ式除害装置、６、１６、２６  ドライポンプ、７、１７、２７  圧力計、８、１８、２８  制御部、１９タイマ、２５  燃焼式除害装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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