(57)【要約】【課題】均質性が良好で、しかもガス感度特性に優れたガス検知膜を有するガスセンサを提供する。【解決手段】基板と、この基板上に形成するガス検知膜と、そのガス検知膜に接触して形成する電極と、加熱用のヒータとを備えるガスセンサにおいて、ガス検知膜として、ゾルゲル法により形成した、白金を添加した酸化亜鉛薄膜を用いてなる。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板上に形成するガス検知膜と、そのガス検知膜に接触して形成する電極と、加熱用のヒータとを備えるガスセンサにおいて、前記ガス検知膜として、ゾルゲル法により形成した、白金を添加した酸化亜鉛薄膜を用いてなる、ガスセンサ。
【請求項２】
前記ガス検知膜として、亜鉛／白金（モル比）が１００／０．１〜１００／０．７５の割合で亜鉛に白金を添加して得られる、白金を添加した酸化亜鉛薄膜を用いてなる、請求項１に記載のガスセンサ。
【請求項３】
前記基板の下面または上面の少なくとも一部に絶縁層を設けてなる、請求項１に記載のガスセンサ。
【請求項４】
前記ガス検知膜のガス検知部分を空中に浮かした構造とする、請求項１〜３のいずれかに記載のガスセンサ。
【請求項５】
前記ガス検知膜のガス検知部分を橋状に空中に浮かした構造とする、請求項４に記載のガスセンサ。
【請求項６】
前記ガス検知膜のガス検知部分を梁状に空中に浮かした構造とする、請求項４に記載のガスセンサ。
【請求項７】
前記ガス検知膜が３５０℃以上で動作する、請求項１〜４のいずれかに記載のガスセンサ。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載のガスセンサを用いるガス漏れ警報器。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれかに記載のガスセンサを用いるガス漏れ警報システム。
【請求項１０】
基板上に絶縁層を形成し、その絶縁層上に電極およびヒータを形成し、
その上に保護用の絶縁層を形成し、この絶縁層にガス検知膜用窓を形成し、
次いで、前記基板に堀部分を形成し、
得られる構造体に、別途ゾルゲル法により調製した、白金を添加した酸化亜鉛薄膜材料の溶液を塗布してガス検知膜を形成した後焼結し、
前記電極に電極用リード線を、前記ヒータにヒータ用リード線を取り付けることよりなる、請求項４に記載のガスセンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、種々のガス検出や定量に用いることができるガスセンサに関する。
【従来の技術】
【０００２】
従来、酸化物半導体の表面に還元ガスが接触すると、酸化物半導体表面の抵抗が変化することを利用して、この抵抗値を測定してガスの種類や濃度を検知する半導体式ガスセンサが知られている。
【０００３】
特に近年は、ガスセンサ素材として酸化亜鉛を用いるガスセンサについてその実用化に向けて種々の研究がなされている。例えば、酸化亜鉛に、白金、パラジウムという触媒金属を添加したガスセンサが研究されており、白金添加の酸化亜鉛では炭化水素系ガスの感度が上昇し、また、パラジウム添加の酸化亜鉛ではＣＯ、Ｈ２の感度が上昇することが知られている（「セラミックス」第１８巻、第１１号（１９８３年１１月、窯業協会発行）、第９４１〜９４５頁の「酸化亜鉛ガスセンサー」と題する報文）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、これらの触媒金属の粒子を添加する方法として知られている、金属塩を用いる液相法（含浸法）には、触媒粒子が微細で凝集しやすいため、触媒粒子をガス検知材料中に均質に分散できないので、均質性が良好なガス検知膜を得ることができないという問題があった。
【０００５】
また、半導体ガスセンサ素子薄膜素子の形成法として知られている、スパッタリング法等の気相法にも、雰囲気やスパッタリングの条件等により形成される薄膜の膜質が変化したり、特異な微細構造が現れるおそれがあり、これによりガス感度特性が大きく変化してしまうという問題があった。
【０００６】
そこで、この発明の課題は、均質性が良好で、しかもガス感度特性に優れたガス検知膜を有するガスセンサを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
そのため、請求項１に記載の発明は、基板と、この基板上に形成するガス検知膜と、そのガス検知膜に接触して形成する電極と、加熱用のヒータとを備えるガスセンサにおいて、前記ガス検知膜として、ゾルゲル法により形成した、白金を添加した酸化亜鉛薄膜を用いてなることを特徴とする。
【０００８】
請求項２に記載のものは、請求項１に記載のガスセンサにおいて、前記ガス検知膜として、亜鉛／白金（モル比）が１００／０．１〜１００／０．７５の割合で亜鉛に白金を添加して得られる、白金を添加した酸化亜鉛薄膜を用いてなることを特徴とする。
【０００９】
請求項３に記載のものは、請求項１に記載のガスセンサにおいて、前記基板の下面または上面の少なくとも一部に絶縁層を設けてなることを特徴とする。
【００１０】
請求項４に記載のものは、請求項１〜３のいずれかに記載のガスセンサにおいて、前記ガス検知膜のガス検知部分を空中に浮かした構造とすることを特徴とする。
【００１１】
請求項５に記載のものは、請求項４に記載のガスセンサにおいて、前記ガス検知膜のガス検知部分を橋状に空中に浮かした構造とすることを特徴とする。
【００１２】
請求項６に記載のものは、請求項４に記載のガスセンサにおいて、前記ガス検知膜のガス検知部分を梁状に空中に浮かした構造とすることを特徴とする。
【００１３】
請求項７に記載のものは、請求項１〜４のいずれかに記載のガスセンサにおいて、前記ガス検知膜が３５０℃以上で動作することを特徴とする。
【００１４】
そして、この請求項１〜７に記載の発明によれば、ガス検知膜として、ゾルゲル法により形成した、白金を添加した酸化亜鉛薄膜を用いるから、均質性が良好で、しかもガス感度特性にも優れたガス検知膜を有するガスセンサとなる。
【００１５】
請求項８に記載の発明は、請求項１〜７のいずれかに記載のガスセンサを用いるガス漏れ警報器である。ここで、ガス漏れ警報器とは、ガス漏れ時に、単体で、たとえば警報を発したり、ガスの供給を停止させたりするものをいう。
【００１６】
請求項９に記載の発明は、請求項１〜７のいずれかに記載のガスセンサを用いるガス漏れ警報システムである。ここで、ガス漏れ警報システムとは、ガス漏れ時に、単体ではなく、たとえばガスメータ等と連動して、警報を発したり、ガスの供給を停止させたりするものをいう。
【００１７】
請求項１０に記載の発明は、基板上に絶縁層を形成し、その絶縁層上に電極およびヒータを形成し、
その上に保護用の絶縁層を形成し、この絶縁層にガス検知膜用窓を形成し、
次いで、前記基板に堀部分を形成し、
得られる構造体に、別途ゾルゲル法により調製した、白金を添加した酸化亜鉛薄膜材料の溶液を塗布してガス検知膜を形成した後焼結し、
前記電極に電極用リード線を、前記ヒータにヒータ用リード線を取り付けることよりなる、請求項４に記載のガスセンサの製造方法である。
【００１８】
そして、この請求項１０に記載の発明によれば、ガス検知膜の検知部分を空中に浮かした構造とするとき、ゾルゲル法により形成した、白金を添加した酸化亜鉛薄膜材料の溶液を塗布して、ガス検知膜を形成することにより、均質性が良好で、しかもガス感度特性にも優れたガス検知膜を有するガスセンサが簡易に製造される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ、この発明の実施の形態について説明する。
【００２０】
図１は、この発明の一実施例であるガスセンサ１の概略構成説明図である。
図２はこのガスセンサ１の斜視図で、（ａ）は表側から、（ｂ）は裏側から見た説明図である。
【００２１】
このガスセンサ１は、基板２と、この基板２上に形成したガス検知膜３と、そのガス検知膜３に接触してその上面に形成した電極４と、基板２の下面に形成した加熱用のヒータ５とを備える。この例では、電極４を、ガス検知膜３上に形成したが、電極４は、ガス検知膜３と接触していればどのような態様で形成してもよい。
【００２２】
ガス検知膜３としては、ゾルゲル法により形成した、白金を添加した酸化亜鉛薄膜を用いる。このガス検知膜３は、基板２上にゾルゲル法により形成する。
【００２３】
基板２としては、たとえばシリコン基板を用いる。この例では、絶縁膜処理を施したシリコン基板を使用する。
【００２４】
電極４としては、白金等の金属電極を用い、この電極４には、抵抗を測定するための電極用リード線１１・１２を取り付ける。
【００２５】
ヒータ５としては、白金等を用い、このヒータ５には、電力を加えるためのヒータ用リード線１３・１４を取り付ける。
【００２６】
この発明のガスセンサを製造するに際しては、まず、基板２上にゾルゲル法によりガス検知膜３を形成する。ゾルゲル法によりガス検知膜３を形成するには、まず、表１に示す亜鉛／白金（モル比）、Ｚｎ＝０．５ｍｏｌ／ｌとなるように、たとえば、酢酸亜鉛二水和物を１１ｇ、２−メトキシエタノールを１００ｍｌ、モノエタノールアミンを６ｍｌ、およびビスアセチルアセトナト白金をそれぞれ表１に示す各量ずつフラスコに入れ、７０℃で１時間加熱し、ガス検知膜材料の溶液を調製する。
【００２７】
【表１】
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【００２８】
次いで、このガス検知膜材料の溶液を用いて、洗浄、熱処理をしたシリコン基板の表面に塗布した後、３００℃で１分間乾燥する。これを１０回繰り返し、最後に５００℃で１時間熱処理する。得られる、約１００ｎｍ厚の、白金を添加した酸化亜鉛薄膜をガス検知膜３とする。シリコン基板の表面への塗布法としては、たとえば、スピンコーティング法、ドクターブレード法、浸漬塗布法等が用いられる。
【００２９】
ガス検知膜３の作成時に、亜鉛／白金（モル比）が１００／０．１〜１００／１０の割合で用いるのが好ましく、この亜鉛１００に対する白金の添加割合（モル）が０．１未満の場合には、ガス感度の発現に問題があり、１０を越える場合には、ゾルゲル溶液の安定性が低くなる。
【００３０】
こうして得られる、ガス検知膜３上に、たとえば、白金をスパッタリング法で堆積させ、エッチングによりパターニングして、電極４を形成する。この電極４には、電極用リード線１１・１２を取り付ける。
【００３１】
一方、前記シリコン基板２の下面に、たとえば、白金をスパッタリング法で堆積させ、エッチングによりパターニングして、ヒータ５を形成する。このヒータ５には、ヒータ用リード線１３・１４を取り付ける。
【００３２】
こうして得られるこの発明のガスセンサ１のセンサ特性を、次ぎのようにして測定した。
【００３３】
５００ｍｍ×５００ｍｍ×５００ｍｍのアルミニウム製箱の中に、上記例で得られたガスセンサ１を入れ、密封する。電極４にはガスセンサ１の抵抗を測定するために、約１Ｖの定電圧をかけ、ガス検知膜３に流れる電流を読み、抵抗に換算する。箱内を窒素８０％および酸素２０％からなる合成空気にしたときのガス検知膜３の抵抗と、この合成空気にそれぞれイソブタンガス濃度０〜１８００ｐｐｍになるようにイソブタンガスを加えた評価用気体中のガス検知膜３の抵抗との比をガス感度（Ｒａｉｒ／Ｒｇａｓ）とした。
【００３４】
ヒータ５には、ガス検知膜３を任意の温度に加熱できるように電圧をかけ、非接触の温度計でガス検知膜３の表面温度を測定した。
【００３５】
図３に、ガス検知膜として、その添加量を変えて白金を添加した酸化亜鉛薄膜を用いるこの発明のガスセンサと、白金を添加しない酸化亜鉛薄膜を用いるガスセンサ（比較）とについて、ガス感度を比較した結果を示す。いずれもヒータは約４００℃になるように加熱した。
【００３６】
図３から、白金を添加した酸化亜鉛薄膜を用いる、この発明のガスセンサの方が、白金を添加しない酸化亜鉛薄膜を用いるガスセンサ（比較）より、ガス感度が高いこと、特に亜鉛／白金（モル比）が１００／０．２５の割合で亜鉛に白金を添加した酸化亜鉛薄膜を用いる場合に、ガス感度が著しく高いことが明らかである。ガス感度の点から、亜鉛／白金（モル比）が１００／０．１〜１００／０．７５の割合で亜鉛に白金を添加した酸化亜鉛薄膜が好ましいことが明らかである。
【００３７】
次ぎに、５００ｍｍ×５００ｍｍ×５００ｍｍのアルミニウム製箱内を、窒素８０％および酸素２０％からなる合成空気にし、ガス検知膜表面が室温から４００℃になるようにヒータ５を加熱して、上記と同様に作成したガスセンサについて、電気特性を測定し、その結果を図４に示す。
【００３８】
図４から、室温から２２０℃位迄で、酸化亜鉛薄膜の抵抗が低下していることが明らかである。これは、高温での半導体の特性であり、キャリアの運動エネルギーの影響で、イオン化不純物の散乱が弱くなるためと考えられる。そして、２２０℃を越えると、ガス検知膜表面に酸素が活性化吸着し、抵抗が増大すると考えられる。
【００３９】
さらに、前記箱内を、窒素８０％および酸素２０％からなる合成空気にイソブタンガス濃度１０００ｐｐｍになるようにイソブタンガスを加えた評価用気体について、前記と同様に測定して、ガスセンサの電気特性を得た。この測定結果を、図４に示す窒素８０％および酸素２０％からなる合成空気の電気特性と比較して図５に示す。図６は、図５内の四角部分の拡大図である。
【００４０】
表面温度が約３１０℃を越えると、窒素８０％および酸素２０％からなる合成空気中の抵抗値と比較して、評価用気体中の抵抗値が減少していることが図５および図６より明らかである。これは、吸着酸素が可燃性ガスと反応して除去されたためと考えられる。
【００４１】
表２に、膜表面温度が３００℃、３５０℃および４００℃のときの、湿度を変化させた場合のガス感度の値を示す。この際、窒素８０％および酸素２０％からなる合成空気中のガス検知膜の抵抗と、この合成空気にイソブタンガス濃度１０００ｐｐｍになるようにイソブタンガスを加えた評価用気体中のガス検知膜の抵抗との比をガス感度とした。
【００４２】
【表２】
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【００４３】
表２より、ガス検知膜の膜表面温度が３５０℃を越えると、湿度の影響を殆ど受けることなく、安定したガス感度が得られることが明らかである。
【００４４】
図７および図８は、それぞれ、この発明でガス検知膜として用いる白金を添加した酸化亜鉛薄膜、および白金を添加しない酸化亜鉛薄膜（比較）の表面の結晶構造を示す電子顕微鏡写真である。
【００４５】
図７および図８より、白金を添加した酸化亜鉛薄膜は、白金を添加しない酸化亜鉛薄膜（比較）より粒径が小さく、白金粒子が酸化亜鉛に均一に固溶しており、均質性が良好であることが明らかである。
【００４６】
上記例では、基板２として、絶縁膜処理を施したものを使用し、絶縁層を特に設けていないが、図９〜図１１に示すように、絶縁処理を施さない基板２を使用し、基板２の下面または上面の少なくとも一部に絶縁層６を設けることもできる。
【００４７】
たとえば、図９に示すガスセンサ１では、基板２の下面に絶縁層６を設け、その絶縁層６にヒータ５を形成してなり、そして、前記例と同様に、基板２の上面にはガス検知膜３を形成し、そのガス検知膜３上には電極４を形成してなる。
【００４８】
このガスセンサ１のヒータ５に電力を加えて発熱させ、ガス検知膜３を３５０℃以上に加熱させると、高感度のガスセンサ１となる。
【００４９】
また、図１０に示すガスセンサ１では、ガス検知膜３を、ヒータ５を含む絶縁層６が挟む構成となっている。すなわち、このガスセンサ１は、基板２の上面にヒータ５を形成し、少なくともヒータ５を含む基板２の上面の一部に絶縁層６を設け、基板２の上面の残部にガス検知膜３を形成してなり、そして、前記例と同様に、ガス検知膜３上には電極４を形成してなる。
【００５０】
この図１０のガスセンサ１を作成するには、たとえば、シリコン基板２上に白金をスパッタリング法で堆積させ、ヒータ５をパターニングする。次いで、少なくともヒータ５を含む基板２の上面の一部にＴａ２Ｏ５、ＳｉＯ２等の絶縁層６を堆積し不要な部分をエッチングにより削って形成する。
【００５１】
このように形成した、隣接する絶縁層６の間の基板２の上面に、前記例と同様に、ガス検知膜３を形成する。
【００５２】
このガス検知膜３上に、前記例と同様に、電極４を形成して図１０に示す構成のガスセンサ１を得る。
【００５３】
さらに、図１１に示すガスセンサ１では、基板２とガス検知膜３との間に絶縁層６を設けた構成となっている。すなわち、このガスセンサ１は、基板２の上面にヒータ５を形成し、そのヒータ５を含む基板２の上面の全部に絶縁層６を設け、その絶縁層６上にガス検知膜３を形成してなり、そして、前記例と同様に、ガス検知膜３上には電極４を形成してなる。
【００５４】
この図１１のガスセンサ１を作成するには、たとえば、シリコン基板２上に白金をスパッタリング法で堆積させ、ヒータ５をパターニングする。次いで、ヒータ５を含む基板２の上面の全部にＴａ２Ｏ５、ＳｉＯ２等の絶縁層６を堆積し不要な部分をエッチングにより削って形成する。
【００５５】
このように形成した絶縁層６上に、前記例と同様に、ガス検知膜３を形成する。
【００５６】
このガス検知膜３上に、前記例と同様に、電極４を形成して図１１に示す構成のガスセンサ１を得る。
【００５７】
この発明のガスセンサでは、低消費電力ガスセンサを目的としたマイクロガスセンサへの適用が可能なように、ガス検知膜のガス検知部分（電極およびヒータが存在する部分）を空中に浮かした構造とするように構成することもできる。たとえば、図１２に示すガス検知部分を橋状に空中に浮かした構造や、図１３に示すガス検知部分を梁状に空中に浮かした構造とすることができる。
【００５８】
上記のいずれの構造とする場合にも、マイクロマシニングプロセス上の工程は同様であるので、以下に、図１２のガス検知部分を橋状に空中に浮かした構造とする場合について説明する。図１４はその製造工程の一例を示す。なお、図１４中ではヒータを省略している。また、図１４中のＣＤＥは、ケミカルドライエッチングを意味する。
【００５９】
まず、アンダーカットエッチングが容易な、たとえば結晶方位（１１０）の絶縁膜処理を施したシリコン基板２２を利用し、そのシリコン基板２２の上面の酸化膜をフッ酸を用いて除去する（図１４の工程イ）。このシリコン基板２２の表面に、Ｔａ２Ｏ５をスパッタリング法で、約１．２μｍの厚さで製膜して絶縁層２６ａを形成する（図１４の工程ロ）。
【００６０】
次いで、この絶縁層２６ａ上に電極２４やヒ−タ２５を形成するため、たとえば、白金等の金属薄膜をスパッタリング法で製膜し（図１４の工程ロ）、さらにマスクとしてたとえばＴａ２Ｏ５をスパッタリング法で製膜し（図１４の工程ロ）、電極やヒ−タの形状にフォトリソグラフィでパターニングした（図１４の工程ハ）後、ケミカルドライエッチングによりＴａ２Ｏ５を除去して、電極やヒータ形状のマスクとする。このマスクを利用して、逆スパッタリング等のドライエッチング法により、電極２４およびヒータ２５を形成する（図１４の工程ニ）。
【００６１】
こうして形成した電極２４およびヒータ２５を保護するため、たとえばＴａ２Ｏ５をスパッタリング法で製膜して保護用の絶縁層２６ｂを形成する（図１４の工程ホ）。
【００６２】
次いで、後に形成するガス検知膜２３が直接電極２４に接触できるように、フォトリソグラフィでパターニングした（図１４の工程ヘ）後、ケミカルドライエッチング等のドライエッチングにより、ガス検知膜用窓２７を形成する（図１４の工程ト）。
【００６３】
さらに、堀形状にフォトリソグラフィでパターニングした後、ケミカルドライエッチング等のエッチングにより、堀のマスクを形成する（図１４の工程チ）。次いで、エッチャントとして、たとえばＫＯＨ溶液を用いて、エッチャント温度７５〜８０℃で２１０分間シリコン基板２２をアンダーカットエッチング（異方性エッチング）して、堀部分２８を形成する（図１４の工程リ）。
【００６４】
この際、エッチャントとしては、上記ＫＯＨ溶液以外に、たとえば、ＮａＯＨ溶液、ヒドラジン溶液、エチレンジアミンーピロカテコールー水溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム溶液等を用いてもよい。
【００６５】
上記で得られる構造体に、前記と同様にして調製したガス検知膜材料の溶液を用いて塗布した後、焼結する（図１４の工程ヌ）。塗布法としては、たとえば、スピンコーティング法、ドクターブレード法、浸漬塗布法等が用いられる。
【００６６】
最後に、電極２４のパッド部分に電極用リード線２９・２９を取り付け、ヒータ２５のパッド部分にヒータ用リード線３０・３０を取り付けると、ガス検知部分を橋状に空中に浮かした橋状部３１上に設ける構造とする、この発明のガスセンサが得られる。
【００６７】
上記例では、絶縁層としてＴａ２Ｏ５を用いるが、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２等を用いてもよい。また、上記例では、電極やヒータとして白金を用いるが、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｒ等の金属薄膜を用いてもよい。
【００６８】
ここで、センサ前面にガス検知膜材料の溶液を塗布することによりリード線とパッド間の導電性が懸念されるが、ガス検知膜は十分薄いため、通常のワイヤーボンディングで貫通し導電性には何ら問題を生じない。また、電極やヒータへの電圧印加時に、ガス検知膜を介したリークが懸念されるが、電極やヒータ材料は、ガス検知膜材料より抵抗が小さいため、ガス検知膜材料への電流のリークは無視できる程度であり、何ら問題はない。しかし、これらの懸念を無視できない場合には、橋状構造を感光性材料で覆い、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、ガス検知膜用窓２７以外の部分のガス検知膜材料を取り除けばよい。
【００６９】
図１３に示すガス検知部分を梁状に空中に浮かした構造とするガスセンサも、上記で説明した図１２に示すガス検知部分を橋状に空中に浮かした構造とするガスセンサの場合と同様な工程により製造することができる。図１３中、３２はシリコン基板、３３はガス検知膜、３４は電極、３５はヒータ、３６ａおよび３６ｂは絶縁層、３７はガス検知膜用窓、３８は堀部分、３９は電極用リード線、４０はヒータ用リード線、４１は梁状部を示す。
【００７０】
【発明の効果】
この請求項１〜７に記載の発明によれば、ガス検知膜として、ゾルゲル法により形成した、白金を添加した酸化亜鉛薄膜を用いるから、白金粒子をガス検知材料中に均質に分散することができ、均質性が良好で、しかもガス感度特性に優れたガス検知膜を有するガスセンサを提供することができる。
【００７１】
また、請求項４〜６に記載の発明によれば、ガス検知膜のガス検知部分を空中に浮かした構造とするから、消費電力を低く抑えることができるマイクロガスセンサへの適用が可能なガスセンサを提供することができる。
【００７２】
さらに、請求項８〜９に記載の発明によれば、請求項１〜７のいずれかに記載のガスセンサを用いることにより、ガス漏れ時に単体で警報を発したりガスの供給を停止させたりするガス漏れ警報器や、ガス漏れ時に、たとえばガスメータ等と連動して警報を発したりガスの供給を停止させたりするガス漏れ警報システムを、簡易に提供することができる。
【００７３】
さらに、請求項１０に記載の発明によれば、ガス検知膜の検知部分を空中に浮かした構造とするとき、ゾルゲル法により形成した、白金を添加した酸化亜鉛薄膜材料の溶液を塗布してガス検知膜を形成することにより、均質性が良好で、しかもガス感度特性にも優れたガス検知膜を有するガスセンサを簡易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例であるガスセンサの概略構成説明図である。
【図２】そのガスセンサの斜視図で、（ａ）は表側から、（ｂ）は裏側から見た説明図である。
【図３】この発明のガスセンサの、白金の添加量を変えた酸化亜鉛薄膜を用いるときのガス感度を示す図である。
【図４】この発明のガスセンサの、窒素８０％および酸素２０％からなる合成空気中における電気特性を示す図である。
【図５】この発明のガスセンサの、窒素８０％および酸素２０％からなる合成空気にイソブタン濃度１０００ｐｐｍになるようにイソブタンガスを加えた評価用気体中における電気特性を示す図である。
【図６】その四角部分の拡大図である。
【図７】この発明のガスセンサのガス検知膜である白金を添加した酸化亜鉛薄膜の表面の結晶構造を示す電子顕微鏡写真である。
【図８】白金を添加しない酸化亜鉛薄膜の表面の結晶構造を示す電子顕微鏡写真である。
【図９】この発明の別のガスセンサの概略構成説明図である。
【図１０】この発明のまた別のガスセンサの概略構成説明図である。
【図１１】この発明のさらにまた別のガスセンサの概略構成説明図である。
【図１２】ガス検知部分を橋状に空中に浮かした構造とするこの発明のガスセンサの、（ａ）は上面概略構成説明図、（ｂ）はそのＡ、Ａ断面概略構成説明図である。
【図１３】ガス検知部分を梁状に空中に浮かした構造とするこの発明のガスセンサの、（ａ）は上面概略構成説明図、（ｂ）はそのＢ、Ｂ断面概略構成説明図である。
【図１４】ガス検知部分を橋状に空中に浮かした構造とするこの発明のガスセンサの製造工程の一例を示す工程説明図である。
【符号の説明】
１　　ガスセンサ
２、２２、３２　　基板
３、２３、３３　　ガス検知膜
４、２４、３４　　電極
５、２５、３５　　ヒータ
６、２６ａ、２６ｂ、３６ａ、３６ｂ　　絶縁層
２７、３７　　ガス検知膜用窓
２８、３８　　堀部分
１１、１２、２９、３９　　電極用リード線
１３、１４、３０、４０　　ヒータ用リード線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004037224.tif 000011
【図８】
2004037224.tif 000012
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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