(57)【要約】【課題】高速で電荷を読み出す場合であっても、信号読み出し用アンプに十分なダイナミックレンジを確保できる放射線検出器、及び放射線装置を簡易な構造にて低コストで提供すること。【解決手段】所定の行の画素１００から信号を読み出す場合、まず、ゲートドライバＣ１３１によるオフセット調整用ライン１６５への第３の電位の供給により、調整用ＴＦＴ１６１をオフとして、オフセット分だけ積分アンプ１０７の出力を負方向にシフトする。続いて、所定行についての垂直選択線１０６にオン電圧を印加し、これと略同一のタイミングで制御線１６３に第２の電位を供給して、選択線１０６及び制御線１６３が信号線１０５と形成する容量によって発生するオフセットを相殺する。その後、略同一タイミングで選択線１０６にオフ電圧を、制御線１６３に第１の電位を与え、その後オフセット調整用ライン１６５への第４の電位を供給して読み出し処理を行う放射線検出器である。【選択図】　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射した放射線を電荷に変換する電荷変換素子と、
前記電荷を蓄積するキャパシタと、
前記キャパシタから前記電荷を読み出して信号線に電気信号を出力するスイッチング素子と、
前記キャパシタに蓄積された電荷以外の電荷をキャンセルする第１の調整手段と、
前記信号線電位のオフセット調節を行う第２の調整手段と、
を具備することを特徴とする放射線検出器。
【請求項２】
前記信号線に接続され、前記電気信号を増幅するための積分アンプをさらに具備し、
前記第１の調整手段は、前記スイッチング素子のオン／オフの間での状態変化に起因して発生する電荷をキャンセルし、
前記第２の調整手段は、前記積分アンプのオフセット調節を行うこと、
を特徴とする放射線検出器。
【請求項３】
前記第２の調整手段は、前記スイッチング素子と同一基板上に形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の放射線検出器。
【請求項４】
前記第２の調整手段は、オフセット調整用スイッチング素子、オフセット調整用キャパシタのうち少なくとも一方を有することを特徴とする請求項１又は２記載の放射線検出器。
【請求項５】
前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか一項記載の放射線検出器。
【請求項６】
前記第２の調整手段は、前記積分アンプが複数ある場合には積分アンプ毎に、或いは前記信号線が複数設けられている場合には所定数の信号線単位毎に、前記オフセット調節を行うことを特徴とする請求項１記載の放射線検出器。
【請求項７】
被検体に対して放射線を照射する放射線発生源と、前記被検体を挟んで前記放射線発生源と対向配置され、前記被検体を透過した放射線を検出する放射線検出器と、この放射線検出器で得られた信号を画像として表示する画像表示装置と、これら全体を制御するシステム制御装置とを有する放射線診断装置において、
前記放射線検出器は、
入射した放射線を電荷に変換する電荷変換素子と、
前記電荷を蓄積するキャパシタと、
前記キャパシタから前記電荷を読み出すためのスイッチング素子と、
前記キャパシタに蓄積された電荷に基づく電気信号以外の電気信号をキャンセルする第１の調整手段と、
前記キャパシタから読み出した出力のオフセット調節を行う第２の調整手段と、を有し、
前記システム制御装置は、前記放射線検出器の動作を制御する制御信号を送り、その制御信号に基づいて得られた検出器信号を医用画像として表示することを特徴とする放射線診断装置。
【請求項８】
前記放射線検出器は、前記キャパシタに蓄積された電荷を読み出すための複数の積分アンプをさらに有し、
前記第１の調整手段は、前記スイッチング素子のオン／オフの間での状態変化に起因して発生する電荷に基づく電気信号をキャンセルし、
前記第２の調整手段は、前記各積分アンプの出力信号をオフセット調節すること、
を特徴とする請求項７記載の放射線診断装置。
【請求項９】
入射した放射線を電荷に変換する電荷変換素子と、前記電荷を蓄積するキャパシタと、前記キャパシタから前記電荷を読み出して第１の電気信号を出力するスイッチング素子と、を有し、マトリックス状に配列された複数の第１の電気信号発生手段と、
前記電荷変換素子と電気的に切断されているか又は放射線検出防止機能を備え、第２の電気信号を発生する少なくとも一つの第２の電気信号発生手段と、
前記電荷変換素子と電気的に切断されているか又は放射線検出防止機能を備え、第３の電気信号を発生する少なくとも一つの第３の電気信号発生手段と、
前記第１、第２、第３の電気信号発生手段を制御する制御手段と、
前記各電気信号発生手段から信号線を介して電気信号を入力し、積分する積分手段と、
を具備し、
前記制御手段は、前記第１の電気信号を読み出す場合、前記第１の電気信号発生手段の一の行についての各スイッチング素子に対してオン電位及びオフ電位を供給し、前記第２の電気信号発生手段に対して前記オン電位又は前記オフ電位の供給と逆相になるように第１の電位又は第２の電位を供給し、前記第３の電気信号発生手段に対して、前記オン電位供給前に前記キャパシタから読み出した出力のオフセットを低減させる方向に移動させる第３の電位を供給し、前記オフ電位供給後に第４の電位を供給すること、
を特徴とする放射線検出器。
【請求項１０】
前記第１の電気信号発生手段の一の行についての各スイッチング素子に前記オン電位を供給する前と前記オン電位からオフ電位に戻す前、又はオフ電位に戻した後とで、前記積分手段の出力をサンプリングするサンプリング手段をさらに具備し、
前記制御手段は、前記サンプリングの前に前記第３の電気信号発生手段に前記第３の電位を供給し、前記サンプリングの後に前記第３の電気信号発生手段に第４の電位を供給すること、
を特徴とする請求項９記載の放射線検出器。
【請求項１１】
前記第３の電気信号発生手段は、前記制御手段に接続され、前記信号線との間で電気容量を持つ少なくとも一本の制御線を有することを特徴とする請求項９記載の放射線検出器。
【請求項１２】
前記第３の電気信号発生手段は、前記制御線に接続されたスイッチング素子を有することを特徴とする請求項１１記載の放射線検出器。
【請求項１３】
前記スイッチング素子は、前記制御線に接続された薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１２記載の放射線検出器。
【請求項１４】
前記第３の電気信号発生手段は、前記制御線に接続されたダイオード或いはキャパシタを有することを特徴とする請求項１２記載の放射線検出器。
【請求項１５】
前記第１、第２、第３の電気信号発生手段は、同一基板状に形成されていることを特徴とする請求項９記載の放射線検出器。
【請求項１６】
前記第３の電気信号発生手段は、前記積分アンプが複数ある場合には積分アンプ毎に、或いは前記信号線が複数設けられている場合には所定数の信号線単位毎に設けられていることを特徴とする請求項９記載の放射線検出器。
【請求項１７】
被検体に対して放射線を照射する放射線発生源と、前記被検体を挟んで前記放射線発生源と対向配置され、前記被検体を透過した放射線を検出する放射線検出器と、この放射線検出器で得られた信号を画像として表示する画像表示装置と、これら全体を制御するシステム制御装置とを有する放射線診断装置において、
前記放射線検出器は、入射した放射線を電荷に変換する電荷変換素子と、前記電荷を蓄積するキャパシタと、前記キャパシタから前記電荷を読み出して第１の電気信号を出力するスイッチング素子と、を有し、マトリックス状に配列された複数の第１の電気信号発生手段と、
前記電荷変換素子と電気的に切断されているか又は放射線検出防止機能を備え、第２の電気信号を発生する少なくとも一つの第２の電気信号発生手段と、
前記電荷変換素子と電気的に切断されているか又は放射線検出防止機能を備え、第３の電気信号を発生する少なくとも一つの第３の電気信号発生手段と、
前記第１、第２、第３の電気信号発生手段を制御する制御手段と、
前記各電気信号発生手段から信号線を介して電気信号を入力し、積分する積分手段と、
を具備し、
前記制御手段は、前記第１の電気信号を読み出す場合、前記第１の電気信号発生手段の一の行についての各スイッチング素子に対してオン電位及びオフ電位を供給し、前記第２の電気信号発生手段に対して前記オン電位又は前記オフ電位の供給と逆相になるように第１の電位又は第２の電位を供給し、前記第３の電気信号発生手段に対して、前記オン電位供給前に前記キャパシタから読み出した出力のオフセットを低減させる方向に移動させる第３の電位を供給し、前記オフ電位供給後に待機電位としての第４の電位を供給し、
前記システム制御装置は、前記放射線検出器の動作を制御する制御信号を送り、その制御信号に基づいて得られた検出器信号を画像として表示すること、
を特徴とする放射線診断装置。
【請求項１８】
前記放射線検出器は、前記第１の電気信号発生手段の一の行についての各スイッチング素子に前記オン電位を供給する前と前記オン電位からオフ電位に戻す前、又はオフ電位に戻した後とで、前記積分手段の出力値をサンプリングするサンプリング手段をさらに有し、
前記制御手段は、前記第１の電気信号を読み出す場合、前記第１の電気信号発生手段の一の行についての各スイッチング素子に対してオン電位及びオフ電位を供給し、前記第２の電気信号発生手段に対して前記オン電位又は前記オフ電位の供給と逆相になるように第１の電位又は第２の電位を供給し、前記第３の電気信号発生手段に対して、前記オン電位供給前に前記キャパシタから読み出した出力のオフセットを低減させる方向に移動させる第３の電位を供給し、前記オフ電位供給後に第４の電位を供給すること、
を特徴とする請求項１７記載の放射線診断装置。
【請求項１９】
前記第３の電気信号発生手段は、前記制御手段に接続され、前記信号線と電気容量を持つ少なくとも一本の制御線を有することを特徴とする請求項１７記載の放射線診断装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を読み出し用のスイッチング素子として用いている放射線検出器、及び当該検出器を有する放射線診断装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＴＦＴを各画素のスイッチング素子として使用する放射線検出器は、ガラス基板の片側面に薄膜を生成し、エッチングによりパターンニングし、薄膜を重ねて形成し、再びパターンニングするという工程を繰り返すことにより形成される。
【０００３】
図１７は、従来の放射線検出器の構成を示している。放射線検出器は、格子状に配列された複数の画素３００を有する。各画素３００は、入射放射線（例えばＸ線）を直接的に電荷に変換できるセレンで形成される光電変換素子３０２と、発生された電荷を蓄積するキャパシタ３０３と、信号読み出し用ＴＦＴ３０１とから構成される。各ＴＦＴ３０１のゲート電極は、垂直選択線３０６に接続されており、この垂直選択線３０６を介して信号読み出し用ＴＦＴ３０１のスイッチング制御を行う。各画素のキャパシタ３０３に蓄積された電荷は、ＴＦＴ３０１及び信号線３０５を介して、積分回路３１１に読み出される。
【０００４】
この様な従来のＸ線平面検出器では、ＴＦＴ３０１のオン／オフで発生する配線容量からのチャージインジェクションや、当該チャージインジェクションのＴＦＴアレイ全体でのばらつきにより、透視時の読み出し用アンプ３０７の容量が飽和してしまい、画素電極による検出信号が読み出せないという現象が発生することがあった。
【０００５】
これに対し、特願平２０００−１０８０９９では、全ての読み出し用のＴＦＴと逆相で動く補正用ライン（図１７ライン３６３参照）をＴＦＴアレイに設けることで、ある程度のチャージインジェクションをキャンセルする方法を提案している。さらに、同出願では、信号読み出し用アンプにオフセット調整機能を持たせることでチャージインジェクションのばらつきによるオフセットのばらつきを低減させ、透視の場合であってもアンプ容量が飽和しない方法も提案されている。
【０００６】
しかしながら、補正ラインをＴＦＴアレイに設け、信号読み出し用アンプにオフセット調整機能を設けた場合であっても、例えば３０フレーム／秒等の高速で電荷を読み出す場合には、ＴＦＴを駆動するパルス（すなわち、読み出し用ＴＦＴと補正ライン）のなまり方の違い、及びチャージインジェクション量の面内のばらつきにより、信号読み出し用アンプのダイナミックレンジが小さくなることがある。その結果、電荷変換手段によって取得され各画素に蓄積された検出信号が読み出せない可能性がある。
【０００７】
また、信号読み出し用アンプにオフセット調整機能がないＸ線平面検出器の場合、特にアンプの容量が小さい場合には、チャージインジェクションのばらつきによるオフセットのばらつきだけでダイナミックレンジを損なう可能性がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたもので、信号読み出し用アンプに十分なダイナミックレンジを確保できるＸ線平面検出器、及びＸ線診断装置を簡易な構造にて低コストで提供することを目的としている。
【０００９】
また、本発明は、信号読み出し用アンプにオフセット調整機能がなくても、オフセットのばらつきを適切に補正することができ、信号読み出し用アンプに十分なダイナミックレンジを確保できる放射線検出器、及び放射線診断装置を簡易な構造にて低コストで提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するため、次のような手段を講じている。
【００１１】
請求項１に記載の発明は、入射した放射線を電荷に変換する電荷変換素子と、前記電荷を蓄積するキャパシタと、前記キャパシタから前記電荷を読み出して信号線に電気信号を出力するスイッチング素子と、前記キャパシタに蓄積された電荷以外の電荷をキャンセルする第１の調整手段と、前記信号線電位のオフセット調節を行う第２の調整手段とを具備することを特徴とする放射線検出器である。
【００１２】
請求項７に記載の発明は、被検体に対して放射線を照射する放射線発生源と、前記被検体を挟んで前記放射線発生源と対向配置され、前記被検体を透過した放射線を検出する放射線検出器と、この放射線検出器で得られた信号を画像として表示する画像表示装置と、これら全体を制御するシステム制御装置とを有する放射線診断装置において、前記放射線検出器は、入射した放射線を電荷に変換する電荷変換素子と、前記電荷を蓄積するキャパシタと、前記キャパシタから前記電荷を読み出すためのスイッチング素子と、前記キャパシタに蓄積された電荷に基づく電気信号以外の電気信号をキャンセルする第１の調整手段と、前記キャパシタから読み出した出力のオフセット調節を行う第２の調整手段と、を有し、前記システム制御装置は、前記放射線検出器の動作を制御する制御信号を送り、その制御信号に基づいて得られた検出器信号を医用画像として表示することを特徴とする放射線診断装置である。
【００１３】
請求項９に記載の発明は、入射した放射線を電荷に変換する電荷変換素子と、前記電荷を蓄積するキャパシタと、前記キャパシタから前記電荷を読み出して第１の電気信号を出力するスイッチング素子と、を有し、マトリックス状に配列された複数の第１の電気信号発生手段と、前記電荷変換素子と電気的に切断されているか又は放射線検出防止機能を備え、第２の電気信号を発生する少なくとも一つの第２の電気信号発生手段と、前記電荷変換素子と電気的に切断されているか又は放射線検出防止機能を備え、第３の電気信号を発生する少なくとも一つの第３の電気信号発生手段と、前記第１、第２、第３の電気信号発生手段を制御する制御手段と、前記各電気信号発生手段から信号線を介して電気信号を入力し、積分する積分手段と、を具備し、前記制御手段は、前記第１の電気信号を読み出す場合、前記第１の電気信号発生手段の一の行についての各スイッチング素子に対してオン電位及びオフ電位を供給し、前記第２の電気信号発生手段に対して前記オン電位又は前記オフ電位の供給と逆相になるように第１の電位又は第２の電位を供給し、前記第３の電気信号発生手段に対して、前記オン電位供給前に前記キャパシタから読み出した出力のオフセットを低減させる方向に移動させる第３の電位を供給し、前記オフ電位供給後に第４の電位を供給することを特徴とする放射線検出器である。
【００１４】
請求項１７に記載の発明は、被検体に対して放射線を照射する放射線発生源と、前記被検体を挟んで前記放射線発生源と対向配置され、前記被検体を透過した放射線を検出する放射線検出器と、この放射線検出器で得られた信号を画像として表示する画像表示装置と、これら全体を制御するシステム制御装置とを有する放射線診断装置において、前記放射線検出器は、入射した放射線を電荷に変換する電荷変換素子と、前記電荷を蓄積するキャパシタと、前記キャパシタから前記電荷を読み出して第１の電気信号を出力するスイッチング素子と、を有し、マトリックス状に配列された複数の第１の電気信号発生手段と、前記電荷変換素子と電気的に切断されているか又は放射線検出防止機能を備え、第２の電気信号を発生する少なくとも一つの第２の電気信号発生手段と、前記電荷変換素子と電気的に切断されているか又は放射線検出防止機能を備え、第３の電気信号を発生する少なくとも一つの第３の電気信号発生手段と、前記第１、第２、第３の電気信号発生手段を制御する制御手段と、前記各電気信号発生手段から信号線を介して電気信号を入力し、積分する積分手段と、を具備し、前記制御手段は、前記第１の電気信号を読み出す場合、前記第１の電気信号発生手段の一の行についての各スイッチング素子に対してオン電位及びオフ電位を供給し、前記第２の電気信号発生手段に対して前記オン電位又は前記オフ電位の供給と逆相になるように第１の電位又は第２の電位を供給し、前記第３の電気信号発生手段に対して、前記オン電位供給前に前記キャパシタから読み出した出力のオフセットを低減させる方向に移動させる第３の電位を供給し、前記オフ電位供給後に待機電位としての第４の電位を供給し、前記システム制御装置は、前記放射線検出器の動作を制御する制御信号を送り、その制御信号に基づいて得られた検出器信号を画像として表示することを特徴とする放射線診断装置である。
【００１５】
このような構成によれば、信号読み出し用アンプに十分なダイナミックレンジを確保できる放射線平面検出器、及び放射線診断装置を簡易な構造にて低コストで実現することができる。
【００１６】
また、信号読み出し用アンプにオフセット調整機能がなくても、オフセットのばらつきを適切に補正することができ、信号読み出し用アンプに十分なダイナミックレンジを確保できる放射線平面検出器、及び放射線診断装置を簡易な構造にて低コストで実現することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第１実施形態〜第６実施形態を図面に従って説明する。以下の各実施形態においては、放射線診断装置を例えばＸ線診断装置として、具体的に説明する。しかし、本発明の技術的思想は、Ｘ線診断装置に限定する趣旨ではなく、他の放射線診断装置に対しても適用可能である。なお、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。
【００１８】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るＸ線診断装置１の構成図である。図１に示すように、Ｘ線診断装置１は、Ｘ線検出器１０、Ｘ線発生部１２、Ｃアーム駆動部１３、制御部１４、補正データ記憶部１５、データ収集部１６、前処理部１７、画像作成部１８、画像表示部１９、画像メモリ２０、操作部２１を有している。
【００１９】
Ｘ線検出器１０は、図示していないＣアーム等の一端に設けられ、入射した放射線、例えばＸ線を検出する。このＸ線検出器１０の構成については、後で詳しく説明する。
【００２０】
Ｘ線発生部１２は、図示してないＣアームの他端にＸ線検出器１０と対向して設けられる。Ｘ線発生部１２は、被検体に対しＸ線を曝射するＸ線管球と、当該Ｘ線管球から曝射されたＸ線をコリメートするＸ線絞り装置を有している。Ｘ線管球は、Ｘ線を発生する真空管であり、図示していない高電圧発生装置で発生された高電圧により電子を加速させ、ターゲットに衝突させることでＸ線を発生させる。
【００２１】
Ｃアーム駆動部１３は、図示していないＣアームを種々の方向に移動させる。
【００２２】
制御部１４は、Ｘ線画像データの収集に関する制御、及び収集した画像データの画像処理に関する制御を行う。例えば、制御部１４は、信号読み出しタイミングの制御、及び後述する垂直選択線、制御線、オフセット調整用ラインへの電圧制御を後述する内容に従って実行する。
【００２３】
補正データ記憶部１５は、後述するＣＤＳによって、データ補正のためサンプリングされたデータ（以下、「サンプリングデータ」と称する。）を格納する。具体的には、後述するように、１回の検出信号読み出し動作において２回のサンプリングが実行される。まず、積分アンプ１０７のリセット直後に第１回目のサンプリングが実行され、そのサンプリング値が補正データ記憶部１５に記憶される。続いて、検出信号読み出し後に第２回目のサンプリングが実行され、第１回目のサンプリングと第２回目のサンプリングとの差分値が求められ、補正データ記憶部１５に記憶される。　データ収集部１６は、上記Ｘ線検出器１０から入力されるデジタルデータを収集し、種々のキャリブレーション処理等を行う。また、必要に応じて、撮影されたＸ線画像データに対して所定の処理を施し、マスク像、コントラスト像、サブトラクション像等を生成する。これらの画像は、画像メモリ２０に記憶される。
【００２４】
画像表示部１９は、データ収集部１６により生成された画像データを表示する。
【００２５】
画像メモリ２０は、データ収集部１６によって得られたＸ線画像を記憶する。
【００２６】
操作部２１は、キーボードや各種スイッチ、マウス等を備えた入力装置である。
【００２７】
（Ｘ線検出器）
図２は、Ｘ線検出器１０の構成を説明するための図である。同図を参照しながら、Ｘ線検出器１０の構成について詳しく説明する。
【００２８】
Ｘ線検出器１０は、検出領域Ａ、第１の調整領域Ｂ、第２の調整領域Ｃ、読み出し部Ｄを有している。
【００２９】
検出領域Ａは、２次元マトリクス状に配置された複数の画素１００と、画素１００から信号を読み出すための信号線１０５と、画素１００からの信号読み出しを選択するための垂直選択線１０６と、で構成される。
【００３０】
各画素１００は、入射放射線をその強度に応じた量の電荷に変換する光電変換素子１０２と、光電変換素子１０２で発生した電荷を蓄積するキャパシタ１０３と、信号読出用の薄膜トランジスタ（以下、読出用ＴＦＴという）１０１とからなる。
【００３１】
光電変換素子１０２としては、例えば、Ｘ線を直接電荷に変換するセレンが用いられる。また、キャパシタ１０３の一端は接地又は所定の電位に維持されている。また、光電変換素子１０２の端子１０２ａは所定の電位に保たれている。
【００３２】
なお、光電変換素子１０２としては、入射放射線をその強度に応じた量の電荷に間接的に変換するタイプであってもよい。この場合、光電変換素子１０２は、入射放射線を光に変換する蛍光体と、その変換された光を電荷に変換するフォトダイオードとから構成される。
【００３３】
第１の調整領域Ｂは、複数のダミー画素１０９からなる。複数のダミー画素１０９は、複数の信号線１０５に対してそれぞれ接続されている。各ダミー画素１０９は、調整用薄膜トランジスタ（以下、調整用ＴＦＴという）１６１と、キャパシタ１６２とからなる。各ダミー画素１０９は、画素１００とは異なり、光電変換素子を備えていない、又は光電変換素子が調整用ＴＦＴ１６１に電気的に接続されていないかＸ線を検出不可能な構成となっている。このため、各ダミー画素１０９は、光電変換素子１０２からの信号電荷を発生しないで、ＴＦＴのスイッチングに伴うオフセット電荷だけを発生する。各調整用ＴＦＴ１６１のゲート電極は、制御線１６３に共通接続されている。
【００３４】
第２の調整領域Ｃは、複数の信号線１０５に対してそれぞれ接続された、複数のダミー画素１０９からなる。各調整用ＴＦＴ１６１のゲート電極は、オフセット調整用ライン１６５に接続されており、その構成は上述した通りである。
【００３５】
なお、第１及び第２の調整領域の調整用ＴＦＴ１６１は、読出用ＴＦＴ１０１と同一プロセスにより読出用ＴＦＴ１０１と共に形成される。これにより調整用ＴＦＴ１６１は、読出用ＴＦＴ１０１と略同一の特性を有する。また、第１及び第２の調整領域のキャパシタ１６２は、信号電荷蓄積用のキャパシタ１０３と同一プロセスにより信号電荷蓄積用のキャパシタ１０３と共に形成される。従って、キャパシタ１６２は、信号電荷蓄積用のキャパシタ１０３と略同一の容量を有している。しかしながら、これらのＴＦＴ、キャパシタ等の構成や容量は、必ずしも同一である必要はない。
【００３６】
読出し部Ｄは、ゲートドライバＡ１０８、ゲートドライバＢ１３０、ゲートドライバＣ１３１、積分回路１１９、マルチプレクサ１２０、Ａ／Ｄコンバータ１２２、タイミングコントローラ１３２、ゲート電圧源１３６、ゲート電圧制御部１３４を有する。
【００３７】
ゲートドライバＡ１０８は、検出領域Ａ内の各読み出し用ＴＦＴ１０１をオン／オフするために、垂直選択線１０６に選択的に電圧を印加する。
【００３８】
ゲートドライバＢ１３０は、検出領域Ｂ内の各調整用ＴＦＴ１６１を制御するために、各制御線１６３に所定のタイミングにて所定の電位を供給する。
【００３９】
ゲートドライバＣ１３１は、検出領域Ｃ内の各調整用ＴＦＴ１６１を制御するために、各オフセット調整用ライン１６５に所定のタイミングにて所定の電位を供給する。
【００４０】
すなわち、ゲートドライバＢ１３０は、信号線１０５と制御線１６３との間で形成されるキャパシタの容量と制御線１６３に生ずる電位差との積が、信号線１０５と垂直選択線１０６とが形成するキャパシタの容量と、ゲートドライバＡ１０８によって供給される電位差との積と等しくなるように、制御線１６３に所定値の電位を供給する。また、ゲートドライバＣ１３１は、信号線１０５とオフセット調整用ライン１６５とが形成するキャパシタの容量とオフセット調整用ライン１６５に供給される２種類の電位の差との積との積で発生する電荷で、積分アンプ１０７のオフセットを調整する。
【００４１】
積分回路１１９は、読出用ＴＦＴ１０１から読み出された信号を増幅する積分アンプ１０７と、積分用のキャパシタ１１０とを有する。
【００４２】
マルチプレクサ１２０は、積分アンプ１０７によって増幅された信号を順次選択し、後続のＡ／Ｄコンバータ１２２に送り出す。
【００４３】
Ａ／Ｄコンバータ１２２は、マルチプレクサ１２０から入力したアナログ信号をディジタル信号へと変換する。
【００４４】
タイミングコントローラ１３２は、垂直選択線１０６に対し選択的に駆動電位を供給するために、ゲートドライバＡを制御する。また、タイミングコントローラ１３２は、制御線１６３に、垂直選択線１０６と逆相にて駆動電位を供給するために、ゲートドライバＢを制御する。さらに、タイミングコントローラ１３２は、オフセット調整用ライン１６５で積分アンプ１０７のオフセットを調整できるように、ゲートドライバＣを制御する。
【００４５】
具体的には、タイミングコントローラ１３２は、読出用ＴＦＴ１０１のオン／オフ動作に対して、調整用ＴＦＴ１６１の駆動が逆相になるように、ゲートドライバＢ１３０を制御する。すなわち、制御線１６３に供給される駆動電位のうち、高い方の電位を第１の電位、低い方の電位を第２の電位とすれば、垂直選択線１０６にオン電圧が印加されるとき、それに同期して制御線１６３には第２の電位が供給される。一方、垂直選択線１０６にオフ電圧が印加されるとき、それに同期して制御線１６３には第１の電気が供給される。
【００４６】
また、タイミングコントローラ１３２は、後述するＣＤＳ処理を実行する場合には、オフセット調整用ライン１６５に対し、図３に示す期間Ｔ１において、オフセットを調整すべき方向（今の場合、積分アンプ１０７の出力を下げる方向）に移動させるための所定の電位を供給する。これにより、オフセット調整用ライン１６５の電位は、もとの電位（以下、「第４の電位」と称する）から所定値だけ移動した電位（以下、「第３の電位」と称する）へとシフトする。また、オフセット調整用ライン１６５の電位は、後述するタイミングにおいてもとの第４の電位に戻される。一方、タイミングコントローラ１３２は、ＣＤＳ処理を実行しない場合には、オフセット調整用ライン１６５に対し、図５に示す期間Ｔ３においてオフセットを調整する方向に移動させるための電位を供給する。これにより、、オフセット調整用ライン１６５の電位は、第４の電位から所定値だけ移動した第３の電位へとシフトする。オフセット調整用ライン１６５の電位は、後述するタイミングにおいてもとの第４の電位に戻される。
【００４７】
さらに、タイミングコントローラ１３２は、調整用ＴＦＴ１６１が上記各調整を実施する以外の期間に、リセット用制御線１６６にリセット信号を供給することによって各積分回路１１９をリセットする。
【００４８】
ゲート電圧源１３６は、各ゲートドライバが垂直選択線１０６、制御線１６３、調整用ライン１６５に供給するためのゲート電圧を発生する。
【００４９】
ゲート電圧制御部１３４は、ゲート電圧源１３６が発生するゲート電圧を所定の値で所定のタイミングにてタイミングコントローラ１３２に供給する。
【００５０】
次に、ＣＤＳ（Ｃｏｒｒｅｌａｔｅｄ　Ｄｏｕｂｌｅ　Ｓａｍｐｌｉｎｇ）処理を実施する場合と実施しない場合のＸ線診断装置１の動作について、図面を参照しながら説明する。
【００５１】
ここで、ＣＤＳ処理について説明する。ＣＤＳ処理とは、検出領域Ａの各画素１００からの電荷読み出し前及び後に積分アンプ１０７の出力電圧のサンプリングを行い、その差を出力信号とみなす処理である。
【００５２】
一般に、信号線とゲート線との交差部によって形成される容量やＴＦＴのゲート・ドレイン間容量（或いはゲート・ソース間容量）に蓄積された電荷は、ゲート電荷のオン／オフの変化によって信号線に放出される。信号読み出し時にアンプ帰還容量に入力される電荷には、検出器によって検出された電荷以外に、この放出される電荷を含む。信号線に連なる寄生容量からの電荷注入は、透視線量等の微弱なＸ線を高感度に検出するために小さなアンプ帰還容量が選択される場合に、増幅可能な範囲の大部分を占めてしまうことによって、上記検出器にて生成される信号を殆ど変換できないという問題を生じさせる。
【００５３】
このＣＤＳ処理では、読出用ＴＦＴ１０１のオン・オフ動作が含まれる。従って、当該読出用ＴＦＴ１０１によるチャージインジェクションが自己のオン・オフによってキャンセルされるため、検出器にて生成された電荷のみを出力電圧に変換することができる。その結果、ＴＦＴの個々のばらつきによるＳ／Ｎ比低下を低減することができる。
【００５４】
（１）ＣＤＳ処理を実施する場合
図３は、ＣＤＳ処理を実施する場合の積分アンプ１０７の出力波形と、読出用ＴＦＴ１０１のゲート信号、制御線１６３に接続されたＴＦＴ１６１のゲート信号、オフセット調整用ライン１６５に接続されたＴＦＴ１６１のゲート信号、積分アンプ１０７のリセット信号の各タイミングチャートとを示している。
【００５５】
図３に示すように、まず、積分アンプのリセット終了後、ＣＤＳ処理としてのサンプリングホールド（Ｓ／Ｈ０）を実行する。
【００５６】
続いて、タイミングコントローラ１３２の制御の下、ゲートドライバＣ１３１は、調整用ＴＦＴ１６１のゲートに接続されているオフセット調整用ライン１６５にオフセットを調整する方向に移動させるための第３の電位を供給する。この電位の供給タイミングは、サンプリングホールド（Ｓ／Ｈ０）以後（Ｓ／Ｈ２）まで（図３の期間Ｔ１）であればいつでもよいが、サンプリングホールド（Ｓ／Ｈ０）直後であることが好ましい。オフセット調整用ライン１６５への第３の電位の供給から（Ｓ／Ｈ２）までの期間が長くなり、オフセット調整用ライン１６５への駆動パルスのなまりによる影響が低減できるからである。
【００５７】
続いて、タイミングコントローラ１３２の制御の下、ゲートドライバＢ１３０が、調整用ＴＦＴ１６１のゲートに接続されている制御線１６３に第２の電位を供給する。
【００５８】
この各調整用ＴＦＴ１６１の駆動と略同時に、ゲートドライバＡ１０８が、例えば、１行目の垂直選択線１０６にオン電圧を印加して、この垂直選択線１０６に繋がる画素１００の読出用ＴＦＴ１０１をオンとする。これによって各画素１００のキャパシタ１０３に蓄積された電荷が読出用ＴＦＴ１０１を介して信号線１０５に流れ、積分回路１１９において読み出される。
【００５９】
ゲートドライバＡ１０８は、所定の読出時間が経過すると１行目の垂直選択線１０６にオフ電圧を印加する。これと略同時に、ゲートドライバＢ１３０が、制御線１６３に第１の電位を供給する。
【００６０】
垂直選択線１０６にオフ電圧、制御線１６３に第１の電位が供給された後、ＣＤＳ処理としてのサンプリングホールド（Ｓ／Ｈ２）を実行する。なお、サンプリングホールド（Ｓ／Ｈ０）及び（Ｓ／Ｈ２）によるデータ、又はこれらより得られる差分値データは、補正データ記憶部１５内に格納される。
【００６１】
続いて、ゲートドライバＣ１３１は、オフセット調整用ライン１６５に第４の電位を供給する。この第４の電位の供給タイミングは、サンプリングホールド（Ｓ／Ｈ２）以後積分アンプ１０７の次の信号読みだしのためのサンプリングホールド（Ｓ／Ｈ０）開始までであればいつでもよいが、サンプリングホールド（Ｓ／Ｈ２）直後であることが好ましい。オフセット調整用ライン１６５への第４の電位供給開始から次の（Ｓ／Ｈ０）までの期間が長くなり、次の信号読みだしのためのサンプリングホールド（Ｓ／Ｈ０）に対し、オフセット調整用ライン１６５への駆動パルスのなまりによる影響が低減できるからである。
【００６２】
次に、サンプリングホールド（Ｓ／Ｈ２）が実行された後、タイミングコントローラ１３２は、リセット用制御線１６６にリセット信号を供給して、上記所定の読出時間の前後の期間において、各積分回路１１９のリセットを開始する。
【００６３】
以下、同様の動作が２行目以下の読出用ＴＦＴ１０１についても順次実行され、１枚の画像が読み出される。
【００６４】
上記動作は、次の様な作用を生ずる。
【００６５】
図３の期間Ｔ１においてオフセット調整用ライン１６５の電位を制御することにより、オフセットを所望の方向に調整すること、すなわち、オフセットのばらつき全体を例えば負の出力方向へ補正することができる。
【００６６】
図４は、オフセット調整用ライン１６５へのオフセットを調整すべき方向に移動させるための電位の供給による、積分アンプ１０７出力の負方向へのシフトを示した図である。オフセット調整用ライン１６５へのオフセットを調整すべき方向に移動させるための電位（第３の電位）の供給により、信号線１０５上にオフセット調整するための正の電荷が発生する。ここでは、信号電荷が負であるため、第３の電位供給に伴って、積分アンプ１０７の出力波形は、図４に示すようにオフセット分だけ負方向にシフトされる。その結果、積分アンプ１０７のダイナミックレンジを広げることができる。
【００６７】
また、制御線１６３への読み出しＴＦＴ１０１の駆動とは逆相となる電位の供給により、積分アンプ１０７からの出力波形は、調整用ＴＦＴ１６１によるオフセット分だけ低下する。さらに、積分アンプ１０７からの信号読み出し後、制御線１６３への第４の電位に戻すことにより、積分アンプ１０７の出力波形は、調整用ＴＦＴ１６１によるオフセット分上昇する。すなわち、調整用ＴＦＴ１６１を、読出用ＴＦＴ１０１と逆相にて動作させることで、それぞれのオフセット電圧又はチャージインジェクションを相殺している。これにより、スイッチングによるオフセット電圧を実効的に低減させることができる。
【００６８】
（２）ＣＤＳ処理を実施しない場合
次に、ＣＤＳ処理を実行しない場合について説明する。この場合には、ＣＤＳ処理による読出用ＴＦＴ１０１や制御線１６３が有する寄生容量の面内ばらつき補正を行わないため、積分アンプ１０７のダイナミックレンジは狭くなりやすい。
【００６９】
図５は、ＣＤＳ処理を実施する場合の積分アンプ１０７の出力波形と、読出用ＴＦＴ１０１のゲート信号、制御線１６３に接続されたＴＦＴ１６１のゲート信号、オフセット調整用ライン１６５に接続されたＴＦＴ１６１のゲート信号、積分アンプ１０７のリセット信号の各タイミングチャートとを示している。
【００７０】
図５に示すように、ＣＤＳ処理を実施しない場合には、２回目のサンプリングホールド（Ｓ／Ｈ１）を読出用ＴＦＴ１０１のオフ直前において実行し、１回目のサンプリングホールド（Ｓ／Ｈ０）との差を積分回路１１９の出力とする。なお、サンプリングホールド（Ｓ／Ｈ０）及び（Ｓ／Ｈ１）によるデータは、補正データ記憶部１５内に格納される。
【００７１】
上記サンプリングホールド（Ｓ／Ｈ１）のタイミング以外は、Ｘ線検出器１０はＣＤＳ実行時と同様に制御される。従って、図５の期間Ｔ３におけるオフセット調整用ライン１６５へのオフセットを調整すべき方向に移動させるための電位の供給により、オフセットのばらつき全体を例えば負の出力方向へ補正することができる。また、制御線１６３に接続された調整用ＴＦＴ１６１を、読出用ＴＦＴ１０１と逆相にて動作させることで、それぞれのオフセット電圧又はチャージインジェクションを相殺している。これにより、スイッチングによるオフセット電圧を実効的に低減させることができる。
【００７２】
また、以上述べたＸ線診断装置１によれば、Ｘ線検出器１０から高速で（例えば３０フレーム／秒（ｆｐｓ）、或いは６０フレーム／秒（ｆｐｓ））電荷を読み出す場合においても、読み残しの少ない信号検出することが出来る。
【００７３】
図６（ａ）は、図１７に示す従来のＸ線検出器において、ＣＤＳ処理を実行する場合の積分アンプ３０７の出力波形と、垂直選択線３０６に接続された読出用ＴＦＴ３０１のゲート信号、制御線３６３に接続されたＴＦＴ３６１のゲート信号、積分アンプ３０７のリセット信号の各タイミングチャートとを示している。また、図６（ｂ）は、図１７に示す従来のＸ線検出器において、ＣＤＳ処理を実行しない場合の積分アンプ３０７の出力波形等を示している。
【００７４】
同図において、ＴＦＴ３０１のゲート電極には、ゲートドライバ３０８によってＴＦＴ３０１をオン・オフするための矩形波がＶｏｎ及びＶｏｆｆの値で印加される。また、ＴＦＴ３６１のゲート電極についても、ゲートドライバ３３０によってＴＦＴ３０１と逆相となるように矩形波が第１の電位及び第２の電位として供給される。
【００７５】
このＴＦＴ３０１、３６１制御のための矩形波は、ゲート線３０５及び制御線３６３の配線抵抗や寄生容量により、実際にはゲートドライバ３０８、３３０から離れるにつれ減衰してしまう。その結果、例えばゲートドライバ３０８、３３０から離れたＴＦＴ３０１、３６１においては、図６（ａ）及び（ｂ）中の点線で示すような鈍った矩形波にて電圧が印加されることになる。
【００７６】
すなわち、ゲートドライバ３０８、３３０から離れた信号線では、Ｖｏｆｆがゲート電極に印加された後の所定時間はＴＦＴ３０１、３６１が十分電位に相当した状態に変化しておらず、寄生容量からの電荷注入分が完全にリセットされない。従って、この所定時間中に次のサンプリングが実行されると、不完全なリセットによって電荷が残留してしまい、アンプのダイナミックレンジは狭くなる。また、ＴＦＴの一般的な特性として、ゲート電極にゲート電圧Ｖｏｆｆが印加されても、すぐにＴＦＴがオフされないという、時定数以上の要因も存在する。
【００７７】
これに対し、本Ｘ線検出器１０を有するＸ線診断装置１によれば、読出用ＴＦＴ１０１からの信号読み出し前にオフセット調整用ライン１６５へ第３の電位を供給することで、オフセットのばらつき全体を負の出力方向へ補正することができる。その結果、積分アンプ１０７のダイナミックレンジを広げることができる。この機能は、ＣＤＳ処理を実行しない場合、或いは積分アンプ１０７の容量が小さい場合、透視等信号が小さい場合等に特に実益がある。
【００７８】
なお、ＴＦＴ１０１は、図７に示すように、一本、又は数本の制御線１６３が水平方向（信号線１０５が並んでいる方向）の片側又は両側から一定の電位を供給することで駆動される。従って、既述の垂直方向（垂直選択線１０６が並んでいる方向）のばらつきに加えて、水平方向のＴＦＴ１０１のチャージインジェクションのばらつきを原因とする、積分アンプ１０７の出力の水平方向のばらつきも発生する。この水平方向のばらつきについては、後述する第４乃至第６の実施形態によって是正することができる。　（第２実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。
【００７９】
第２の調整領域Ｃは、オフセット調整用ライン１６５に接続され、ＴＦＴ１６１、キャパシタ１６２、光電変換素子１０２を有する複数の画素１００によって構成されていてもよい。このとき、例えば光電変換素子１０２が電気的に切断されている等、Ｘ線などによる信号を検出しない構造とする。図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、それぞれキャパシタ１６２、光電変換素子１０２を持たない構成であってもよい。特に図８（ｂ）及び（ｃ）の例については、第１の調整領域Ｂ及び第２の調整領域ＣのＴＦＴ１６１をオフ領域で駆動、若しくは信号線と同電位を供給することが好ましい。
【００８０】
また図８の各例に限定されず、それぞれ第１の実施形態で説明した機能を有するものであれば、第１の調整領域Ｂと第２の調整領域Ｃとは、必ずしも同一の構成である必要はない。
【００８１】
（第３実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。
【００８２】
第１の調整領域Ｂ及び第２の調整領域Ｃは、ＴＦＴ１６１を有する構成とせず、オフセット調整用ライン１６５或いは制御線１６３と信号線１０５との間にできる寄生容量Ｃによってオフセット調整を行う構成であってもよい。
【００８３】
すなわち、調整すべきオフセットは、信号線１０５とオフセット調整用ライン１６５との寄生容量Ｃとオフセット調整用ライン１６５で振る電圧差Ｖとの積で発生する電荷が、積分アンプ１０７のオフセットをどれだけ変更するかに依存する。従って、寄生容量Ｃや電圧差Ｖを適切に調整することでも、オフセット調整を行うことができる。寄生容量Ｃは、オフセット調整用ライン１６５或いは制御線１６３の形状や本数によって調整することができる。
【００８４】
図９、図１０は、本実施形態における、オフセット調整用ライン１６５或いは信号線１０５の例を示している。図９（ａ）、一般的なオフセット調整用ライン１６５と信号線１０４とによって寄生容量Ｃが形成される例をしめしている。図９（ｂ）、（ｃ）は、制御線１０４と調整用ライン１６５との交差部において、いずれか一方を太くすることで寄生容量Ｃを制御する例を示している。
【００８５】
図１０（ａ）は、オフセット調整用ライン１６５の太さを調整（同図では、太くしている）して寄生容量Ｃを制御する例を示している。図１０（ｂ）は、オフセット調整用ライン１６５を複数本設けることで、寄生容量Ｃを制御する例を示している。
【００８６】
なお、信号線１０５に寄生する容量が大きくなると、信号に載るノイズも増加する傾向がある。従って、信号線１０５に寄生する容量は、出来る限り小さくする構成であることが好ましい。
【００８７】
この様に第１の調整領域Ｂ又は第２の調整領域Ｃにおいて、ＴＦＴ、キャパシタ、光電変換素子を設けない構成によっても、オフセット調整を適切に実行することが可能である。
【００８８】
（第４実施形態）
次に、第４の実施形態について説明する。一般に、オフセットのばらつき量は水平方向で分布を持つ。従って、分布に応じた適切なオフセット補正の観点から、オフセット調整用ライン１６５は、可能な限り分割することが望ましい。
【００８９】
例えば、図１７に示す従来のＸ線検出器１０では、各垂直選択線３０６で発生するチャージインジェクションのばらつきを、垂直方向（すなわち、垂直選択線３０６が並んでいる方向。では、制御線３６３の電位を変えることで調整することが可能である。しかし、１本又は数本の制御線３６３は、水平方向（すなわち、信号線３０５が並んでいる方向。）の片側或いは両側から一定の電圧で駆動される。従って、水平方向のＴＦＴ３０１のチャージインジェクションのばらつきには、対応することができない。
【００９０】
これに対し、本実施形態では、水平方向のばらつきに対応したオフセット調整が可能な、分割されたオフセット調整用ライン１６５を有するＸ線検出器１０について説明する。
【００９１】
図１１は、分割されたオフセット調整用ライン１６５を説明するための図である。図１１に示すように、例えば、ＴＡＢ１６８毎にオフセット調整用ライン１６５を設ける。また、図示していないが、積分アンプ１０７毎にオフセット調整用ライン１６５を設ける構成であってもよい。各オフセット調整用ライン１６５は、例えば積分アンプ１０７側からの駆動によりオフセット制御される。このときのオフセット調整用ライン１６５は、既述の如く、ＴＦＴ１６１を用いた画素構造を持っても良いし、ＴＦＴ１６１だけをもつ構造であってもよい。また、信号線１０５に対して寄生容量Ｃを持つだけの配線であってもよい。
【００９２】
なお、この様にオフセット調整用ライン１６５を分割した場合、オフセット調整用電圧の供給方法は、例えば、図１２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すようにいろいろな方法をとることができる。特に図１２（ｃ）では、パッド付近で寄生容量Ｃを持たせている。しかし、これに限定する趣旨ではなく、どのような形態であっても構わない。
【００９３】
オフセット調整用ライン１６５への電位供給は、積分アンプ１０７毎、若しくはＴＡＢ１６８毎に異なる値で供給される。
【００９４】
図１３は、オフセット調整用ライン１６５を分割したＸ線検出器１０にてＸ線検出を行った場合の、ＴＡＢ１６８毎の積分アンプ１０７出力を示した図である。図１３に示すように、本Ｘ線検出器１０によれば、ＴＡＢ１６８毎に異なる値のオフセット調整が可能である。従って、水平方向のばらつきに対応したオフセット調整を実行することができる。その結果、積分アンプ１０７のダイナミックレンジを、よりフレキシブルに、且つ十分に確保することができる。
【００９５】
（第５実施形態）
次に、第５の実施形態について説明する。
【００９６】
オフセット調整用ライン１６５は、例えば図２に示すような特定場所に設ける必要はない。すなわち、オフセット調整用ライン１６５は、全信号線１０５で同じオフセット量を与える構成であれば、その目的を果たすことができる。従って、例えば図１４に示すように、斜め配線部１６７、制御線１６３とオフセット調整用ライン１６５との場所を入れ替えた等の構成であってもよい。また、電圧供給場所は、ゲートドライバＡ１０８のＴＡＢ１６８や積分アンプ１０７のＴＡＢ１６８から必ずしも供給する必要はない。例えば、図１５に示すように、電圧供給用Ｐａｄ１７０を設け、オフセット調整用ライン１６５に単独で電位を供給する構成であってもよい。
【００９７】
（第６実施形態）
次に、第６の実施形態について説明する。本第６の実施形態は、各信号線に対してさらに複雑なオン／オフ駆動を可能にするものである。
【００９８】
例えば第１の実施形態において、制御線１６３とオフセット調整用ライン１６５との二種類の信号線を設けたのは、駆動するタイミングが互いに異なるからである。さらに他のタイミング等で更にオフセットを補正する必要がある場合には、図１６に示すように、当該制御線１６３とオフセット調整用ライン１６５と二種類の信号線以外にも、ＴＦＴアレイ内にＮ本、Ｍ種類の別の目的の制御線を設ける構成であってもよい。
【００９９】
以上説明したように、第１乃至第６のいずれかの実施形態によれば、オフセット調整用ライン１６５を設け、これに積分回路１１９の出力がオフセット電圧を低減させる方向に移動するように、所定のタイミングで所定の電位を供給する。これにより、様々な要因で発生するオフセット電圧を実効的に低減させることができる。
【０１００】
従って、読み出したい信号が小さく、積分回路１１９の容量を小さくした場合であっても、積分アンプ１０７に十分なダイナミックレンジを確保することができる。また、例えば、透視などの小信号を検出する場合に、積分回路１１９のダイナミックレンジを無駄にすることなく、信号を読み出すことができる。その結果、Ｓ／Ｎ比も向上させることができ、さらに、アレイ設計上従来の製造技術を用いることができるために、例えば新たな工程を加えることなく容易に製造することができる。
【０１０１】
以上、本発明を実施形態に基づき説明したが、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変形例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０１０２】
例えば、上記実施形態においては、積分回路１１９のダイナミックレンジが、オフセット電圧により上限値において飽和する場合の解決について説明した。しかしながら、本発明の技術的思想によれば、積分回路１１９のダイナミックレンジが、オフセット電圧により下限値において負の飽和（逆飽和）する場合においても、解決することができる（図４参照）。この場合には、積分回路１１９の出力を増加させ適切なダイナミックレンジが確保できるように、オフセット調整用ライン１６５に所定のタイミングで所定の電位を供給する。例えば、第１の実施形態においては、オフセット調整用ライン１６５に接続されたＴＦＴ１６１に対し、図３、図５に示すものと逆相になるようにゲート信号を供給すればよい。
【０１０３】
また、各実施形態は可能な限り適宜組み合わせて実施してもよく、その場合組合わせた効果が得られる。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも１つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【０１０４】
【発明の効果】
以上本発明によれば、信号読み出し用アンプに十分なダイナミックレンジを確保できる放射線検出器、及び放射線装置を簡易な構造にて低コストで実現できる。
【０１０５】
また、本発明によれば、信号読み出し用アンプにオフセット調整機能がなくても、オフセットのばらつきを適切に補正することができ、信号読み出し用アンプに十分なダイナミックレンジを確保できる放射線検出器、及び放射線診断装置を簡易な構造にて低コストで実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態によるＸ線診断装置１の構成図である。
【図２】図２は、Ｘ線検出器１０の構成を説明するための図である。
【図３】図３は、ＣＤＳ処理を実施する場合の積分アンプ１０７の出力波形と、読出用ＴＦＴ１０１のゲート信号、制御線１６３に接続されたＴＦＴ１６１のゲート信号、オフセット調整用ライン１６５に接続されたＴＦＴ１６１のゲート信号、積分アンプ１０７のリセット信号の各タイミングチャートとを示している。
【図４】図４は、オフセット調整用ライン１６５へのオフ電圧供給による、積分アンプ１０７出力の負方向へのシフトを示した図である。
【図５】図５は、ＣＤＳ処理を実施しない場合の積分アンプ１０７の出力波形と、読出用ＴＦＴ１０１のゲート信号、制御線１６３に接続されたＴＦＴ１６１のゲート信号、オフセット調整用ライン１６５に接続されたＴＦＴ１６１のゲート信号、積分アンプ１０７のリセット信号の各タイミングチャートとを示している。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）は、従来のＸ線検出器における積分アンプ３０７の出力波形と、読出用ＴＦＴ３０１のゲート信号、制御線１６３に接続されたＴＦＴ１６１のゲート信号、オフセット調整用ライン１６５に接続されたＴＦＴ１６１のゲート信号、積分アンプ１０７のリセット信号の各タイミングチャートとを示している。
【図７】図７は、従来のＸ線検出器における制御線３６３への電圧供給形態を説明するための図である。
【図８】図８は、第１の調整領域及びＢ第２の調整領域Ｃの幾つかの変形例を示した図である。
【図９】図９は、オフセット調整用ライン１６５或いは信号線１０５の変形例を示している。
【図１０】図１０は、オフセット調整用ライン１６５或いは信号線１０５の変形例を示している。
【図１１】図１１は、分割されたオフセット調整用ライン１６５を説明するための図である。
【図１２】図１２は、オフセット調整用ライン１６５を分割した場合のオフセット調整用電圧の供給方法を説明するための図である。
【図１３】図１３は、オフセット調整用ライン１６５を分割したＸ線検出器１０にてＸ線検出を行った場合の、ＴＡＢ１６８毎の積分アンプ１０７出力を示した図である。
【図１４】図１４は、斜め配線部１６７、制御線１６３の位置とオフセット調整用ライン１６５の位置とを入れ替えたＸ線検出器１０を示した図である。
【図１５】図１５は、電圧供給用Ｐａｄ１７０を設け、オフセット調整用ライン１６５に単独で電位を供給する方法を説明するための図である。
【図１６】図１６は、制御線１６３とオフセット調整用ライン１６５と二種類の信号線以外にも、ＴＦＴアレイ内にＮ本、Ｍ種類の別の目的の制御線を設けたＸ線検出器を示した図である。
【図１７】図１７は、従来の放射線検出器の構成を示した図である。
【符号の説明】
１…Ｘ線診断装置
１０…Ｘ線検出器
１２…Ｘ線発生部
１３…Ｃアーム駆動部
１４…制御部
１５…補正データ記憶部
１６…データ収集部
１７…前処理部
１８…画像表示部
１９…画像表示部
２０…画像メモリ
２０…積分アンプ
２１…操作部
１００…画素
１０１…読出用ＴＦＴ
１０２…光電変換素子
１０３…キャパシタ
１０５…信号線
１０６…垂直選択線
１０７…積分アンプ
１０９…ダミー画素
１１９…積分回路
１２０…マルチプレクサ
１２２…Ａ／Ｄコンバータ
１３２…タイミングコントローラ
１３４…ゲート電圧制御部
１３６…ゲート電圧源
１６１…調整用ＴＦＴ
１６２…キャパシタ
１６３…制御線
１６５…オフセット調整用ライン
１６６…リセット用制御線
１６７…斜め配線部
１６８…ＴＡＢ
１６９…Ｐａｄ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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