(57)【要約】【課題】従来の開封装置に関する発明（樹脂封止体の開封装置及びその開封方法：特開２００１−０５３０９５）を例に挙げると、本発明は上述したような半導体集積装置内部を腐食させることなく、有機溶剤を使わず、電気特性を悪化させない、簡単、低コストの半導体集積装置の開封を行うことを目的とする。【解決手段】層膜部材を被覆した集積回路の封止樹脂を、金属製やすり等による第１の掘削工程とレーザ照射による第２の掘削工程と圧搾気体による第３の掘削工程により除去する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
層膜部材を被覆した集積回路と、集積回路とリードを接続する金ワイヤと、集積回路と金ワイヤを接続する金ボールを、封止樹脂により封止した樹脂封止体の開封方法であって、
まず金属製のやすり、紙やすり、水ペーパ、電動グラインダ、エンドミルの一つからなる第１の掘削手段により、金ボールの高さまで封止樹脂を掘削する工程と、続いて観察手段により第１の掘削手段による掘削状態を拡大して観察することで金ボールの表面が見えてきたら第１の掘削手段による掘削を終了する工程と、続いて第２の掘削手段であるレーザ照射により金ボールの高さから層膜部材まで掘削する工程と、続いて観察手段により第２の掘削手段による掘削状態を拡大して観察することで層膜部材の表面が見えてきたら第２の掘削手段による掘削を終了する工程と、続いて第３の掘削手段である層膜部材を損傷しない圧力に調整された圧搾気体または層膜部材を損傷しない粉を含んだ層膜部材を損傷しない圧力に調整された圧搾気体を吹き付ける事により層膜部材上に残留する封止樹脂を除去する工程と、続いて観察手段により第３の掘削手段による掘削状態を拡大して観察することで層膜部材上に残留する封止樹脂が除去できたら第３の掘削手段による掘削を終了する工程とを具備することを特徴とする半導体集積装置の封止樹脂開封方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、化学反応を利用しない半導体集積装置の封止樹脂開封装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、保護膜及び層間膜にポリイミドを用いた集積回路を樹脂封止した構造の半導体集積装置の開封においては、すでに、図６の特開２００１−０５３０９５号公報（樹脂封止体の開封装置及びその開封方法）にあるように、掘削手段により封止樹脂を所定厚さ（金ボールの直径に等しい深さ）まで掘削する工程と、観察手段により掘削の状態を拡大して観察する工程と、レーザ照射手段により層膜部材まで部分的に掘削する工程と、容器手段により層膜部材上に残留する封止樹脂を液体に浸して超音波振動を加えて除去する工程と、を具備する方法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この方法では、液体に浸すため、集積回路内部が汚染されたり異物が付着する。そのため化学分析ができないという問題があった。
【０００４】
また、この方法では、超音波洗浄器で振動させるため、層膜部材に剥離が発生して電気的特性が悪化するという問題があった。
【０００５】
また、この液体に有機溶剤を使う場合は、専用装置内か風通しの良い場所で作業をする必要があり、手間がかかるという問題があった。
【０００６】
また、その有機溶剤の廃液処理は専門業者に処理を委託する必要がありコスト高になるという問題があった。
【０００７】
従来の開封装置に関する発明（樹脂封止体の開封装置及びその開封方法：特開２００１−０５３０９５号公報）を例に挙げると、本発明は上述したような、液体や超音波洗浄器を使わないため、集積回路内部の化学分析が可能であり、電気特性を悪化させない、簡単、低コストの半導体集積装置の封止樹脂開封方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前述の課題を解決するため本発明の半導体集積装置の封止樹脂開封方法は、層膜部材を被覆した集積回路と、集積回路とリードを接続する金ワイヤと、集積回路と金ワイヤを接続する金ボールを、封止樹脂により封止した樹脂封止体の開封方法であって、まず金属製のやすり、紙やすり、水ペーパ、電動グラインダ、エンドミルの一つからなる第１の掘削手段により、金ボールの高さまで封止樹脂を掘削する工程と、続いて観察手段により第１の掘削手段による掘削状態を拡大して観察することで金ボールの表面が見えてきたら第１の掘削手段による掘削を終了する工程と、続いて第２の掘削手段であるレーザ照射により金ボールの高さから層膜部材まで掘削する工程と、続いて観察手段により第２の掘削手段による掘削状態を拡大して観察することで層膜部材の表面が見えてきたら第２の掘削手段による掘削を終了する工程と、続いて第３の掘削手段である層膜部材を損傷しない圧力に調整された圧搾気体または層膜部材を損傷しない粉を含んだ層膜部材を損傷しない圧力に調整された圧搾気体を吹き付ける事により層膜部材上に残留する封止樹脂を除去する工程と、続いて観察手段により第３の掘削手段による掘削状態を拡大して観察することで層膜部材上に残留する封止樹脂が除去できたら第３の掘削手段による掘削を終了する工程とを具備することを特徴とする。
【０００９】
本発明のうち、層膜部材を損傷しない圧力に調整された圧搾気体または層膜部材を損傷しない粉を含んだ層膜部材を損傷しない圧力に調整された圧搾気体を吹き付ける事により、集積回路内部の化学分析が可能であり、電気特性を悪化させない、簡単、低コストの半導体集積装置の封止樹脂の開封を行うことができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の特徴を最もよく表すフローチャートであり、また図２から図５は図１の内容を説明するための概念図を表す。特に図２は本発明を説明するための半導体集積装置の概念図を表す。同図において、７は層膜部材、２は層膜部材７を被覆した集積回路、３は集積回路２を固定するダイフレーム、６は導電性金属で作られたリード、５は金ワイヤ、４は金ボールであり、リード６と集積回路２は金ワイヤ５と金ボール４を経由して電気的に接続されている。
【００１１】
以下に図１及び図２・図３・図４・図５を用いて、本発明の手順を説明する。
【００１２】
まず、金属製のやすり、紙やすり、水ペーパ、電動グラインダ、エンドミルの一つからなる第１の掘削手段により、図２の半導体集積装置の上面から、金ボールの高さまでその封止樹脂を掘削する。その時の掘削状態の概念図を図３に示す。ただし、掘削状態はこの図３にとどまらず、例えばエンドミルを使って金ボールや金ワイヤを傷つけずに掘削する工程も含まれる。
【００１３】
次に図１において、観察手段により第１の掘削手段による掘削状態を拡大して観察することで金ボールの表面が見えてきたら第１の掘削手段による掘削を終了する。ただし、この終了する基準には、封止樹脂の表面からの深さを基準にする工程も含まれる。
【００１４】
次に図１において、第２の掘削手段であるレーザ照射により金ボールの高さから層膜部材まで掘削する。その時の掘削状態の概念図を図４に示す。
【００１５】
次に図１において、観察手段により第２の掘削手段による掘削状態を拡大して観察することで層膜部材の表面が見えてきたら第２の掘削手段による掘削を終了する。
【００１６】
次に図１において、第３の掘削手段である層膜部材を損傷しない圧力に調整された圧搾気体または層膜部材を損傷しない粉を含んだ層膜部材を損傷しない圧力に調整された圧搾気体を吹き付ける事により層膜部材上に残留する封止樹脂を除去する。その時の掘削状態の概念図を図５に示す。
【００１７】
次に図１において、観察手段により第３の掘削手段による掘削状態を拡大して観察することで層膜部材上に残留する封止樹脂が除去できたら第３の掘削手段による掘削を終了する。ただし、第３の掘削手段では層膜部材上に残留する封止樹脂が除去しきれない場合は、第１の掘削手段や第２の掘削手段を用いて除去する工程も含まれる。
【００１８】
【発明の効果】
本願の請求項１に記載した発明によれば、層膜部材を被覆した集積回路と、集積回路とリードを接続する金ワイヤと、集積回路と金ワイヤを接続する金ボールを、封止樹脂により封止した樹脂封止体の開封方法であって、まず金属製のやすり、紙やすり、水ペーパ、電動グラインダ、エンドミルの一つからなる第１の掘削手段により、金ボールの高さまで封止樹脂を掘削する工程と、続いて観察手段により第１の掘削手段による掘削状態を拡大して観察することで金ボールの表面が見えてきたら第１の掘削手段による掘削を終了する工程と、続いて第２の掘削手段であるレーザ照射により金ボールの高さから層膜部材まで掘削する工程と、続いて観察手段により第２の掘削手段による掘削状態を拡大して観察することで層膜部材の表面が見えてきたら第２の掘削手段による掘削を終了する工程と、続いて第３の掘削手段である層膜部材を損傷しない圧力に調整された圧搾気体または層膜部材を損傷しない粉を含んだ層膜部材を損傷しない圧力に調整された圧搾気体を吹き付ける事により層膜部材上に残留する封止樹脂を除去する工程と、続いて観察手段により第３の掘削手段による掘削状態を拡大して観察することで層膜部材上に残留する封止樹脂が除去できたら第３の掘削手段による掘削を終了する工程とを具備することを特徴とする。
【００１９】
本発明のうち、層膜部材を損傷しない圧力に調整された圧搾気体または層膜部材を損傷しない粉を含んだ層膜部材を損傷しない圧力に調整された圧搾気体を吹き付ける事により、集積回路内部の化学分析が可能であり、電気特性を悪化させない、簡単、低コストの半導体集積装置の封止樹脂の開封を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体集積装置の封止樹脂開封方法の特徴を最もよく表すフローチャートである。
【図２】図１のフローチャートの説明に用いる図であり、半導体集積装置の構造を示した概念図である。
【図３】図１のフローチャートの説明に用いる図であり、第１の掘削手段にて金ボールまで封止樹脂を掘削した状態を表す概念図である。
【図４】図１のフローチャートの説明に用いる図であり、第２の掘削手段にて層膜部材まで封止樹脂を掘削した状態を表す概念図である。
【図５】図１のフローチャートの説明に用いる図であり、第３の掘削手段にて層膜部材上の封止樹脂を除去した状態を表す概念図である。
【図６】特開２００１−０５３０９５号公報（樹脂封止体の開封装置及びその開封方法）の特徴を表すフローチャートである。
【符号の説明】
１  封止樹脂
１ａ  層膜部材上に残った封止樹脂
２  集積回路
３  ダイフレーム
４  金ボール
５  金ワイヤ
６  リード
７  層膜部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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