(57)【要約】【課題】良好な耐食性を有し、かつカッピング特性に優れた磁気記録媒体を得る。【解決手段】長尺状の非磁性支持体１の一主面上に、対向ターゲット式スパッタ法により成膜された窒化珪素膜よりなるシールド層２と、真空薄膜形成技術により形成された磁性層３とを有し、幅方向のカッピングをａとし、幅の長さをｗとしたとき、ａ／ｗの絶対値が、０．０５以下であるものとする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果型磁気ヘッド若しくは巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッドに対して摺動状態で信号再生が行われる磁気記録媒体であって、
長尺状の非磁性支持体の一主面上に、対向ターゲット式スパッタ法により成膜された窒化珪素膜よりなるシールド層と、真空薄膜形成技術により成膜された磁性層とが順次形成されてなり、
幅方向のカッピングをａとし、幅の長さをｗとしたとき、ａ／ｗの絶対値が、０．０５以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
上記シールド層は、膜厚２ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
磁気抵抗効果型磁気ヘッド若しくは巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッドに対して摺動状態で信号再生が行われる磁気記録媒体の製造方法であって、
長尺状の非磁性支持体上に、対向ターゲット式スパッタ法により窒化珪素膜よりなるシールド層を形成する工程と、
上記シールド層上に、真空薄膜形成技術により磁性層を形成する工程とを有し、
幅方向のカッピングをａ、幅の長さをｗとするとき、ａ／ｗの絶対値を、０．０５以下にすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属磁性薄膜型の磁気記録媒体及びその製造方法に関するものであり、特に保存安定性に優れ、かつ良好な平面性を有する磁気記録媒体を提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ビデオテープレコーダー等の分野においては、高画質化及び高記録密度化を図るため、直接非磁性支持体上に、金属材料、Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−ＣｏＯ系金属酸化物等の磁性材料を真空薄膜形成技術により被着させて磁性層を形成した金属薄膜型の磁気記録媒体が提案されている。
このような磁気記録媒体は、例えばハイバンド８ｍｍビデオテープレコーダー、デジタルビデオテープレコーダー用の蒸着テープ等として実用化されている。
【０００３】
このような金属薄膜型の磁気記録媒体は、保磁力や角型比に優れ、磁性層を極めて薄層に形成できることから、短波長領域での電磁変換特性に優れ、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さく、また、塗布型の磁気記録媒体と異なり磁性層中に非磁性材料であるバインダーが混入されないので、強磁性金属微粒子の充填密度を高めることができる等の種々の利点を有している。
【０００４】
また、磁気テープ等の磁気記録媒体のデータストリーマーとしての需要が高まるに伴い、さらなる磁気記録媒体の高記録密度化が要求されてきている。さらに、記録情報の再生を行う際に用いる磁気ヘッドとして、従来の誘導型ヘッドに代わり磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）や巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）が適用されるようになってきている。これらの磁気ヘッドは、磁性層からの微小な漏洩磁束を高感度に検出することができるので、記録密度の向上を達成できる。
【０００５】
ところで、上記のような高感度型の磁気ヘッドは、漏洩磁束に対する感度が飽和する検知上限があり、磁気ヘッドの設計以上に大きな漏洩磁束を検出することができないため、磁気記録媒体の磁性層膜厚を薄層化して最適化することが必要である。
【０００６】
また、一般に磁気記録テープシステムは、テープの磁化量の劣化が１６％以上である場合、劣化量が大きすぎて充分な再生信号が得られなくなるため、テープ磁化量の劣化が１５％以内であることを想定してシステムが形成されている。
【０００７】
ところが、磁性層の薄層化が進むと磁気記録媒体を高温多湿の環境下で保存した際に腐食による劣化の影響を受けやすくなるという問題を生じた。
一般に蒸着テープ等の磁気記録媒体においては、磁性層の耐食性と走行耐久性を向上させることを目的としてＤＬＣ膜等からなる保護層を磁性層上に形成しているが、腐食はＤＬＣ膜を形成した表面以外に非磁性支持体側からも進行し、また、テープ媒体として汎用されているポリエチレンテレフタレート等は、酸素、水分の透過性が大きいため、腐食が発生しやすいため、特に薄層型の磁気記録媒体においては、さらなる耐食性の向上が要求されてきた。
従来においては、非磁性支持体上にＣｕ膜等の金属薄膜を形成した構成の磁気テープについての提案がなされている（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００２−９２８６０号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献１において開示されている技術は、専ら非磁性支持体の機械的な強度を補填することを目的とするにとどまるものであり、今後さらに磁性層を薄層化させた高密度記録型の磁気記録媒体を作製する場合において、確実に腐食による磁気特性の劣化を防止することは困難であると考えられる。
【００１０】
また、非磁性支持体と磁性層との間に、金属薄膜による中間層を設けた磁気記録テープ媒体においては、テープの幅方向の反りを生じ、カッピングが大きくなってしまうという問題がある。磁気テープのカッピングは、所定の限度量を超えると、例えばビデオテープレコーダーで使用する際に、入口−出口での当たりが悪化したり、磁気テープがドラムに巻き付く際にドラムより突き出している磁気ヘッドとの干渉が起きてテープエッジにダメージが入る、いわゆるヘッド叩きが発生したりする。そのため、磁気テープは平面性が良好であることが必要である。
【００１１】
そこで本発明においては上述したような問題点に鑑み、耐食性の向上を図り、かつカッピングの少なく良好な平面性を有する磁気記録媒体を提供することとした。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気記録媒体は、磁気抵抗効果型磁気ヘッド若しくは巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッドに対して摺動状態で信号再生が行われるものであり、長尺状の非磁性支持体の一主面上に、対向ターゲット式スパッタ法により成膜された窒化珪素膜よりなるシールド層と、真空薄膜形成技術により形成された磁性層とが順次形成されてなり、幅方向のカッピングをａとし、幅の長さをｗとしたとき、ａ／ｗの絶対値が、０．０５以下であるものとする。
【００１３】
また、本発明方法においては、長尺状の非磁性支持体上に対向ターゲット式スパッタ法により窒化珪素膜よりなるシールド層を形成し、このシールド層上に真空薄膜形成技術により磁性層を形成するものとし、幅方向のカッピングをａ、幅の長さをｗとするとき、ａ／ｗの絶対値が０．０５以下となる磁気記録媒体を製造する。
【００１４】
本発明によれば、耐食性の向上及びカッピングの低減化が図られ、高密度記録型の磁気記録媒体としての実用特性の向上が図られる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の磁気記録媒体とその製造方法について、具体的な実施形態を図を参照して説明する。なお以下においては、主としてテープ記録システムの磁気記録媒体として構成される磁気テープに適用する例について説明する。
【００１６】
先ず、本発明の磁気記録媒体の一例の概略断面図を図１に示す。
磁気記録媒体１０は、非磁性支持体１の一主面上に、シールド層２、磁性層３、保護層４及びトップコート層６が順次形成され、他の主面上にバックコート層５が形成された構成を有している。
【００１７】
非磁性支持体１は、通常磁気テープ用の基体として用いられている公知の材料をいずれも適用できる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテートなどのセルロース誘導体、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド等のプラスチック等が挙げられる。
【００１８】
非磁性支持体１の磁性層形成面側には、バインダー樹脂、フィラー及び界面活性剤を含有する塗料によりコーティング層を形成してもよく、これにより表面に微細な凹凸を付加したり、機械的な強度を高めたりすることができる。
バインダー樹脂には、例えば水性ポリエステル樹脂、水性アクリル樹脂、水性ポリウレタン樹脂等を適用できる。フィラーの種類としては、耐熱性ポリマーからなる粒子、二酸化ケイ素、炭酸カルシウム等が挙げられる。コーティング層に含まれるフィラーの平均粒径は５〜３０ｎｍ、フィラーによる表面突起の密度は５０〜３０００万個／ｍｍ２程度とすることが好ましく、これにより良好な走行耐久性と電磁変換特性の両立が図られる。
【００１９】
非磁性支持体１の磁性層形成面上には、耐食性の向上を図るためにシールド層２を形成する。
シールド層２は窒化珪素膜よりなるものとし、膜厚は２ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好適である。シールド層２の膜厚が２ｎｍより薄いと、充分な被覆性を得ることができず、所望の耐食性改善の効果が得られず、また膜厚が５０ｎｍより厚いと、磁性層表面の粗度が大きくなってしまい、最終的に得られる磁気記録媒体の媒体ノイズが増加し電磁変換特性が劣化してしまうためである。
【００２０】
従来においては、成膜用ターゲットと非磁性支持体１とが対向するように設けられた構成のマグネトロンスパッタ装置を用いて非磁性支持体１上に金属膜を形成する技術についての提案がなされていたが、かかる場合、テープの幅方向に反りが発生し、カッピングが大きくなってしまいヘッド当たりが悪化する。本発明においては、磁気テープのカッピング量に関しての規定を行うこととし、カッピングをａとし、磁気テープの幅をｗとしたとき、これらの値の比ａ／ｗの絶対値を０．０５以下に特定する。
【００２１】
磁気テープのカッピングをａとしテープの幅をｗとしたとき、これらの値の比ａ／ｗの絶対値が０．０５以下になるようにするためには、シールド層２を対向ターゲット式スパッタ法により成膜することが好適である。
対向ターゲット式スパッタ法は、他のスパッタ法により作製された薄膜に比べ、被処理体が直接プラズマに曝されないので、薄膜の応力を低く保つことができ、カッピングが小さく形状の良い磁気テープが得られるという利点を有している。
【００２２】
磁性層３は、真空薄膜形成技術により作製する。真空薄膜形成技術としては、真空下で強磁性金属材料を加熱蒸発させ、前記非磁性支持体上に付着させる真空蒸着法、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行うイオンプレーティング法及びアルゴンを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こし、生じたアルゴンイオンでターゲットの表面原子をたたき出すスパッタリング法等、いわゆる物理的成膜法（ＰＶＤ法：Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を適用することができる。
【００２３】
真空蒸着法は、成膜性が良好で、生産性が高く、操作も容易であるという利点を有している。スパッタリング法は、容易に生産することが可能で、成膜性も良好である。また、イオンプレーティング法は、成膜における制御が容易で、成膜性も良好である。
【００２４】
本発明の磁気記録媒体は、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドを有する記録再生装置に適用するものであるので、ノイズの低減を図り、Ｃ／Ｎ（キャリア／ノイズ比）の向上を図るため、磁性層３は極めて薄層に形成することが望ましく、特に５〜５５ｎｍ以下に形成することが好適である。磁性層３を５ｎｍ未満とすると、例えば高感度のＧＭＲヘッドを用いても充分に再生出力を得られないことがあり、一方において膜厚が５５ｎｍを超えるとＭＲヘッド若しくはＧＭＲヘッドを用いて記録再生を行う際に、所望の記録密度の得られないおそれがあるからである。
【００２５】
磁性層３の強磁性金属材料としては、通常磁気記録媒体作製用の公知の金属材料や合金をいずれも適用できる。例えばＣｏ、Ｎｉ等の強磁性金属、Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｃｏ−Ｆｅ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系合金等の材料、あるいはこれらの材料を酸素雰囲気中で成膜し、膜中に酸素を含有させたもの、または、これらの材料に一種類若しくは二種類以上のその他の元素を含有させたものが挙げられる。
【００２６】
また、上記強磁性材料と非固溶であるＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＩｎＯ２、ＺｒＯ２等を同時成膜することにより得られる、Ｃｏ−Ｐｔ−ＳｉＯ２、Ｃｏ−Ｐｔ−Ａｌ２Ｏ３等のグラニュラー材料によって磁性層３を形成しても良い。
【００２７】
なお、磁性層は単層であるものに限らず、複数の磁性層が積層されたものであっても良い。
【００２８】
磁性層３上には、より良好な走行耐久性及び耐食性を確保するために、ＤＬＣ膜等からなる保護層４を形成することが望ましい。
保護層４は、上述したシールド層２と同様に対向ターゲット式スパッタ法によって形成することができる。また、その他マグネトロンスパッタ法、物理的成膜法（ＰＶＤ法）、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）等によって形成することもできる。
【００２９】
また、非磁性支持体１上の磁性層形成面とは反対側の主面に、磁気記録媒体の走行性の向上や帯電防止を目的としてバックコート層５を設ける。バックコート層５の膜厚は０．２〜０．７μｍとすることが好適である。
バックコート層５は、例えば無機顔料等の固体粒子を結合在中に分散させ、結合剤の種類に応じて選定された有機溶剤と共に混練して調整されたバックコート層用塗料を調整し、これを非磁性支持体の裏面に塗布することによって形成できる。
【００３０】
さらに、磁性層形成面側及び磁性層形成面とは反対側の主面の最表層には、潤滑剤や防錆剤によってコーティングすることによりトップコート層６を形成することが望ましい。
【００３１】
なお、本発明に基づく磁気記録媒体は、ＭＲ再生ヘッドを用いたヘリカルスキャン磁気記録システム磁気テープとして適用できる。
ＭＲヘッドとは、磁気記録媒体からの信号を磁気抵抗効果を利用して検出する再生専用の磁気ヘッドであり、一般に電磁誘導を利用して記録再生を行うインダクティブ型磁気ヘッドよりも感度が高く再生出力が大きいので、高密度記録に適している。
【００３２】
ＭＲヘッドは、例えばＮｉ−Ｚｎ多結晶フェライト等のような軟磁性材料からなる一対の磁気シールドに絶縁体を介して挟持された略矩形状のＭＲ素子部を備えている。なお、ＭＲ素子部の両端からは一対の端子が導出されており、これらの端子を介してＭＲ素子部にセンス電流を供給できるようになされている。
【００３３】
ＭＲヘッドを用いて磁気テープからの信号を再生する際は、磁気テープをＭＲ素子部に摺動させる。そして、磁気テープをＭＲ素子部に摺動させた状態で、ＭＲ素子部の両端に接続された端子を介してＭＲ素子部にセンス電流を供給し、当該センス電流の電圧変化を検出する。磁気テープを摺動させた状態でＭＲ素子部にセンス電流を供給すると、磁気テープからの磁界に応じてＭＲ素子部の磁化方向が変化し、ＭＲ素子部に供給されたセンス電流と磁化方向との相対角度が変化する。そして、ＭＲ素子部の磁化方向とセンス電流の方向とがなす相対角度に依存して抵抗値が変化することとなる。このため、ＭＲ素子部に供給するセンス電流の電流値を一定にすることによりセンス電流に電圧変化を生ずることとなる。そこで、このセンス電流の電圧変化を検出することにより、磁気テープからの信号磁界が検出され、磁気テープに記録されている信号が再生される。
【００３４】
なお、ＭＲ素子部に形成されるＭＲ素子は、磁気抵抗効果を示す素子であれば良く、例えば複数の薄膜を積層することにより、より大きな磁気抵抗効果を得られるようにした、いわゆる巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）も使用可能である。また、ＭＲ素子にバイアス磁界を印加する手法は、ＳＡＬバイアス方式でなくても良く、例えば、永久磁石バイアス方式、シャント電流バイアス方式、自己バイアス方式、交換バイアス方式、バーバーポール方式、分割素子方式、サーボバイアス方式等、種々の手法が適用可能である。なお、巨大磁気抵抗効果並びに各種バイアス方式については、例えば、丸善株式会社発行の「磁気抵抗ヘッド−基礎と応用−  林和彦訳」に詳細に記載されている。
【００３５】
次に、磁気記録媒体の製造方法について説明する。
先ず、長尺状の非磁性支持体１を用意し、次にシールド層２を対向ターゲット式スパッタ法により成膜する。
シールド層２は、例えばアルゴンを主成分とする雰囲気中で放電を起こし、生じたアルゴンイオンで窒化珪素からなるターゲットの表面原子を叩き出し、反応スパッタリングにより成膜することができる。
【００３６】
シールド層２の成膜工程について、図２に対向ターゲット式スパッタ装置を示して説明する。
対向ターゲット式スパッタ装置２０においては、所定圧力のアルゴンガス雰囲気下に設定されたチャンバー２１内に、所定距離隔てて対向させた窒素珪素ターゲット２２、２３が配置されてなり、ターゲット２２、２３の夫々の周囲に沿って磁界発生手段２４、２５が設けられている。
ターゲット２２、２３のそれぞれに電気的に接続された電源２６によって所定の電位をかけることにより、ターゲット対向方向の垂直磁界が発生し、ターゲットの表面原子が叩き出され、ターゲット２２、２３間の対向空間の側方に配置され連続搬送されている非磁性支持体１上に窒化珪素膜が形成される。
【００３７】
次に、上述のようにして成膜したシールド層２上に磁性層３を形成する。
磁性層３は真空薄膜形成技術により成膜する。真空薄膜形成技術としては、真空下で強磁性金属材料を加熱蒸発させ付着させる真空蒸着法、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行うイオンプレーティング法、及びアルゴンを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こし生じたアルゴンイオンでターゲットの表面原子を叩き出すスパッタリング法等が挙げられる。磁性層３を形成する強磁性金属材料としては、上述した通常磁気記録媒体作製用の公知の金属材料や合金をいずれも適用できる。
【００３８】
磁性層３を形成した後、磁性層３上に、例えばＤＬＣ膜よりなる保護層４を形成する。成膜方法は、例えばプラズマＣＶＤ法が挙げられる。
さらにパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を塗布することによってトップコート層６を形成し、必要に応じて例えばカーボンを含有する塗料を塗布してバックコート層５を形成することによって、本発明の磁気記録媒体１０が作製される。
【００３９】
【実施例】
以下、具体的な実施例を挙げて説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４０】
〔実施例１〕
非磁性支持体１として、厚６．３μｍ、幅１５０ｍｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意した。
非磁性支持体１上の磁性層形成面側に、厚さ５ｎｍのコーティング層を形成した。コーティング層は、アクリルエステルを主成分とする水溶性ラテックスに直径１０ｎｍのシリカ粒子を攪拌して作製した塗料を塗布することにより、突起密度が１×１０７個／ｍｍ２程度となるように形成した。
次に、非磁性支持体１上に窒化珪素からなるシールド層２を、対向ターゲット式スパッタ法により膜厚５０ｎｍに形成した。
具体的には、非磁性支持体１とターゲットとの距離を１５ｍｍに設定して、非磁性支持体を１０ｍ／ｍｉｎの送り速度で搬送させ、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）ターゲットをスパッタリングして、窒化珪素膜よりなるシールド層２を形成した。
次に、磁性層３を蒸着装置を用いて形成した。原料である金属磁性材料としてＣｏを適用し、酸素ガス導入管から酸素を６．０×１０−４ｍ３／ｍｉｎ導入し、電子銃から電子線を照射して加熱し、反応性真空蒸着によりＣｏ−ＣｏＯ系磁性層を５０ｎｍの膜厚に形成した。このとき、シャッターによってＣｏ蒸着粒子の最小入射角度を４５°、最大入射角度を９０°に設定した。
次に、磁性層３上にＤＬＣ膜からなる保護層４を、プラズマＣＶＤ法により膜厚１０ｎｍに形成した。
次に、保護層４上にパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を用いて膜厚２ｎｍのトップコート層６を形成し。
また、磁性層３形成面とは反対側の主面に、走行耐久性を向上させるために、無機顔料として平均粒径２０ｎｍのカーボン粒子とウレタン樹脂からなるバックコート層用塗料を用い、ダイレクトグラビア法による塗布装置を用いて、バックコート層５を膜厚０．５μｍに形成した。
上述のようにして作製した磁気テープ原反を８ｍｍ幅に裁断し、サンプルとなる磁気テープを作製した。
【００４１】
〔実施例２〕
シールド層２を膜厚２ｎｍに形成した。その他の条件は実施例１と同様としてサンプル磁気テープを作製した。
【００４２】
〔実施例３〕
シールド層２を膜厚１００ｎｍに形成した。その他の条件は実施例１と同様としてサンプル磁気テープを作製した。
【００４３】
〔比較例１〕
シールド層２を、図３に示すようなチャンバー２１内にターゲット３２と非磁性支持体１とが対向するように配置されてなるマグネトロンスパッタ装置３０を用いて膜厚２ｎｍに形成した。その他の条件は実施例１と同様としてサンプル磁気テープを作製した。
【００４４】
〔比較例２〕
シールド層２を膜厚１ｎｍに形成した。その他の条件は実施例１と同様としてサンプル磁気テープを作製した。
【００４５】
〔比較例３〕
シールド層２を膜厚１１０ｎｍに形成した。その他の条件は実施例１と同様としてサンプル磁気テープを作製した。
【００４６】
〔比較例４〕
シールド層２を形成しなかった。その他の条件は実施例１と同様としてサンプル磁気テープを作製した。
【００４７】
〔比較例５〕
ターゲット材としてＣｕを適用し、シールド層２を膜厚２ｎｍのＣｕ膜とした。その他の条件は実施例１と同様としてサンプル磁気テープを作製した。
【００４８】
上述のようにして作製した各サンプル磁気テープについて、以下に示す方法により、磁気テープのカッピング及び耐食性についての評価を行った。
（カッピングの評価）
磁気テープの幅方向の反り、すなわちカッピングをａとし、磁気テープの幅をｗとし、これらの比ａ／ｗの絶対値を算出した。ａ／ｗの絶対値が０〜０．０５の範囲にある場合を許容とした。
磁気テープのカッピングに関する影響を確認するため、エッジダメージの評価を行った。エッジダメージは、磁気テープのロード、アンロードを１００回繰り返した後、磁気テープの幅方向の両端部に発生した傷を肉眼で観察することにより評価した。評価基準はエッジダメージが確認されない場合を○、エッジダメージが確認された場合を×とした。
（耐食性の評価）
腐食試験後の磁性層の磁化劣化率を測定することによって評価した。
磁化劣化率は、温度６５℃、相対湿度９０％の環境下で６日間放置して、放置前の磁化量（Ｍｓ０：飽和磁化）と放置後磁化量（Ｍｓ１）とを測定し、下記〔数１〕を用いて算出した。
【００４９】
【数１】
磁化劣化率（％）＝〔（Ｍｓ０−Ｍｓ１）／Ｍｓ０〕×１００
【００５０】
〔実施例１〜３〕、〔比較例１〜５〕のサンプル磁気テープの作製条件、及びカッピングと耐食性の評価結果について下記表１に示す。
【００５１】
【表１】
2004326851.tif 000003
【００５２】
上記表１に示すように、対向ターゲット式スパッタ法によって窒化珪素膜よりなるシールド層２を形成し、幅方向のカッピングをａとし、幅の長さをｗとしたとき、ａ／ｗの絶対値が、０．０５以下となるようにした〔実施例１〜３〕の磁気テープにおいては、いずれもエッジダメージが確認されず、テープの平面性が良好であり、かつ磁化劣化率が１５％以内に低減化されており良好な耐食性を示した。
また、特に〔実施例３〕により、対向ターゲット式スパッタ法を適用すればシールド層２を比較的厚く形成しても、カッピング評価が良好であることが分かった。但し、シールド層２を厚く形成すると磁性層表面が粗くなりすぎるため、シールド層２は磁気テープの実用上５０ｎｍ程度の膜厚に形成することが望ましい。
【００５３】
比較例１においては、シールド層２をマグネトロンスパッタ法により製膜したため、ａ／ｗの絶対値が０．０５を超えてしまい、エッジダメージを生じた。
【００５４】
比較例２においては、シールド層２が薄すぎるため、充分な耐食性が得られず、磁化劣化率が悪化した。
【００５５】
比較例３においては、シールド層２が厚すぎ、ａ／ｗの絶対値が０．０５を超えてしまい、エッジダメージを生じた。
【００５６】
比較例４においては、シールド層２を形成しなかったため、実用充分な耐食性が得られず、磁化劣化率が悪化した。
【００５７】
比較例５においては、シールド層２をＣｕ膜により形成したため、充分な耐食性が得られず、磁化劣化率が悪化した。
【００５８】
【発明の効果】
本発明によれば、非磁性支持体と磁性層の間に、対向ターゲット式スパッタ法により成膜したシールド層２を介在させ、幅方向のカッピングをａ、幅の長さをｗとするとき、ａ／ｗの絶対値が、０．０５以下になるように制御したことにより、テープ形状が良好になり、エッジダメージが防止され、かつ充分な耐食性を実現することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の概略断面図を示す。
【図２】シールド層成膜用の対向ターゲットスパッタ装置の概略構成図を示す。
【図３】マグネトロンスパッタ装置の概略構成図を示す。
【符号の説明】
１……非磁性支持体、２……シールド層、３……磁性層、４……保護層、５……バックコート層、６……トップコート層、１０……磁気記録媒体、２０……対向ターゲットスパッタ装置、２１……チャンバー、２２，２３……ターゲット、２４，２５……磁界発生手段、２６……電源、３０……マグネトロンスパッタ装置、３２……ターゲット
【図１】
2004326851.tif 000004
【図２】
2004326851.tif 000005
【図３】
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