(57)【要約】【課題】ＦＥＤのような画像表示装置において、耐圧特性を向上して異常放電による電子放出素子や蛍光面の破壊、劣化を防止し、高輝度、高品位の表示を達成する。【解決手段】本発明の画像表示装置は、蛍光面が、光吸収層および蛍光体層と、該蛍光体層の上に形成された分断部を有するメタルバック層と、前記メタルバック層の分断部の上に該分断部の両側のメタルバック層に跨って形成された高抵抗の被覆層と、前記被覆層の上に形成された耐熱性微粒子層と、前記メタルバック層上に膜状に形成され前記耐熱性微粒子層により分断されたゲッタ層を有する。【選択図】      図１
2004335346.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フェースプレートと、前記フェースプレートと対向配置されたリアプレートと、前記リアプレート上に形成された多数の電子放出素子と、前記フェースプレート内面に形成された、前記電子放出素子から放出される電子線により発光する蛍光面とを備え、
前記蛍光面が、光吸収層および蛍光体層と、該蛍光体層の上に形成された分断部を有するメタルバック層と、前記メタルバック層の分断部の上に該分断部の両側のメタルバック層に跨って形成された高抵抗の被覆層と、前記被覆層の上に形成された耐熱性微粒子層と、前記メタルバック層上に膜状に形成され前記耐熱性微粒子層により分断されたゲッタ層を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記メタルバック層の分断部が前記光吸収層の上に位置することを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記被覆層が、１×１０３〜１×１０１２Ω／□の表面抵抗を有することを特徴とする請求項２または３記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記耐熱性微粒子の平均粒径が、５ｎｍ〜３０μｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記耐熱性微粒子が、ＳｉＯ２，ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３から選ばれる少なくとも１種の金属酸化物の粒子であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記ゲッタ層が、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｂａから選ばれる金属、またはこれらのうちの少なくとも一種の金属を主成分とする合金の層であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）などの画像表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、陰極線管（ＣＲＴ）やフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）などの画像表示装置では、蛍光体層の上に金属膜を形成したメタルバック方式の蛍光面が用いられている。この蛍光面の金属膜（メタルバック層）は、電子源から放出された電子によって蛍光体から発せられた光のうちで、電子源側に進む光をフェースプレート側へ反射して輝度を高めること、および蛍光体層に導電性を付与しアノード電極の役割を果たすことを目的としたものである。また、真空外囲器内に残留するガスが電離して生じるイオンにより、蛍光体層が損傷することを防ぐ機能も有している。
【０００３】
しかしながら、ＦＥＤでは、蛍光面を有するフェースプレートと電子放出素子を有するリアプレートとの間のギャップ（間隙）が、１ｍｍ〜数ｍｍ程度と極めて狭く、この狭い間隙に１０ｋＶ前後の高電圧が印加されて強電界が形成されるため、メタルバック層の端部（周端部）の鋭角部分に電界が集中し、そこから放電（真空アーク放電）が発生することがあった。そして、このような異常放電が発生すると、数Ａから数１００Ａに及ぶ大きな放電電流が瞬時に流れるため、カソード部の電子放出素子やアノード部の蛍光面が破壊されあるいは損傷を受けるおそれがあった。
【０００４】
従来から、耐圧特性の向上を目的とし、また前記した放電が発生した場合のダメージを緩和するために、導電膜であるメタルバック層をいくつかのブロックに分断し、分断部に間隙を設けることが行われていた。（例えば、特許文献１参照）
【０００５】
また近年、平板型画像表示装置において、真空外囲器の内壁などから放出されるガスを吸着するために、ゲッタ材の層を画像表示領域内に形成することが検討されており、メタルバック層の上に、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）などの導電性を有するゲッタ材の薄膜を重ねて形成する構造が開示されている。（例えば、特許文献２参照）
【０００６】
【特許文献１】
特開２０００−３１１６４２公報（第２−３頁、図３）
【特許文献２】
特開平９−８２２４５号公報（第２−４頁）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前記した分断されたメタルバック層を有する蛍光面では、分断部の抵抗値の制御が難しいばかりでなく、分断部の両側のメタルバック層端部が尖鋭な形状を呈するため、この鋭角部分に電界が集中し、放電が発生しやすいという問題があった。
【０００８】
また、このように分断されたメタルバック層を有する画像表示装置において、画像表示領域内にゲッタ材の層を形成する場合には、メタルバック層の分断効果を損なうことがないようにし、放電の発生を抑制し耐圧特性を改善することが要求されていた。
【０００９】
本発明は、これらの問題を解決するためになされたもので、耐圧特性が大幅に向上され、異常放電による電子放出素子や蛍光面の破壊、劣化が防止され、高輝度、高品位の表示が可能な画像表示装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の画像表示装置は、フェースプレートと、前記フェースプレートと対向配置されたリアプレートと、前記リアプレート上に形成された多数の電子放出素子と、前記フェースプレート内面に形成された、前記電子放出素子から放出される電子線により発光する蛍光面とを備え、前記蛍光面が、光吸収層および蛍光体層と、該蛍光体層の上に形成された分断部を有するメタルバック層と、前記メタルバック層の分断部の上に該分断部の両側のメタルバック層に跨って形成された高抵抗の被覆層と、前記被覆層の上に形成された耐熱性微粒子層と、前記メタルバック層上に膜状に形成され前記耐熱性微粒子層により分断されたゲッタ層を有することを特徴としている。
【００１１】
この画像表示装置において、メタルバック層の分断部は光吸収層の上に位置することができる。また、被覆層は、１×１０３〜１×１０１２Ω／□の表面抵抗を有することができる。また、耐熱性微粒子の平均粒径を５ｎｍ〜３０μｍとすることができる。また、耐熱性微粒子を、ＳｉＯ２，ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３から選ばれる少なくとも１種の金属酸化物の微粒子とすることができる。さらに、ゲッタ層を、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｂａから選ばれる金属、またはこれらのうちの少なくとも一種の金属を主成分とする合金の層とすることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００１３】
図１は、本発明に係る画像表示装置の第１の実施形態であるＦＥＤの構造を模式的に示す断面図である。
【００１４】
このＦＥＤでは、メタルバック付きの蛍光面１を有するフェースプレート２と、マトリックス状に配列された表面伝導型電子放出素子のような電子放出素子３を有するリアプレート４とが、支持枠５およびスペーサ（図示を省略。）を介し、１ｍｍ〜数ｍｍ程度の狭いギャップ（間隙）を隔てて対向配置され、フェースプレート２およびリアプレート４と支持枠５とは、フリットガラスのような接合材（図示を省略。）により封着されている。そして、フェースプレート２およびリアプレート４と支持枠５とにより真空外囲器が形成され、内部が真空排気されている。また、フェースプレート２とリアプレート４との間の極めて狭い間隙に、５〜１５ｋＶの高電圧が印加されるように構成されている。なお、図中符号６はフェースプレートのガラス基板を示し、７はリアプレートの基板を示す。
【００１５】
メタルバック付き蛍光面を有するフェースプレートの構造を、図２に拡大して示す。
【００１６】
図２において、ガラス基板６の内面に、黒色顔料からなる所定のパターン（例えばストライプ状）の光吸収層８がフォトリソ法などにより形成されており、光吸収層８のパターンの間に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の蛍光体層９が、ＺｎＳ系、Ｙ２Ｏ３系、Ｙ２Ｏ２Ｓ系などの蛍光体液を用いたスラリー法により所定のパターンで形成されている。そして、光吸収層８と３色の蛍光体層９により、蛍光体スクリーンが形成されている。なお、各色の蛍光体層９の形成は、スプレー法や印刷法により行うこともできる。スプレー法や印刷法においても、必要に応じてフォトリソ法によるパターニングを併用することができる。
【００１７】
また、このように構成される蛍光体スクリーンの上に、Ａｌ膜のような金属膜から成るメタルバック層１０が形成されている。メタルバック層１０を形成するには、例えばスピン法で形成されたニトロセルロース等の有機樹脂からなる薄い膜の上に、Ａｌ膜などの金属膜を真空蒸着し、さらに焼成して有機物を除去する方法（ラッカー法）を採ることができる。
【００１８】
また、以下に示す転写フィルムを使用し、転写法でメタルバック層１０を形成することもできる。転写フィルムは、ベースフィルム上に離型剤層（必要に応じて保護膜）を介してＡｌ等の金属膜と接着剤層が順に積層された構造を有している。この転写フィルムを、接着剤層が蛍光体層に接するように配置し、押圧処理を施す。押圧方式としては、スタンプ方式、ローラー方式などがある。こうして転写フィルムを加熱しながら押圧し、金属膜を接着してからベースフィルムを剥ぎ取ることにより、蛍光体スクリーン上に金属膜が転写される。
【００１９】
本発明の実施形態では、耐圧特性の向上のために、メタルバック層１０に分断部１０ａが形成され、分断部１０ａに間隙が設けられている。高輝度の蛍光面を得るためには、メタルバック層１０の分断部１０ａは光吸収層８の上に設けることが望ましい。
【００２０】
メタルバック層１０に分断部１０ａを形成するには、前記したラッカー法や転写法で蛍光面の全面に形成した金属膜をレーザ等により切断する方法や、同様にして蛍光面の全面に形成した金属膜を、酸またはアルカリ水溶液の塗布により溶解して除去する方法などを採ることができる。また、所定のネガパターンの開孔を有するメタルマスクを用いて、Ａｌ等の金属膜を蒸着することにより、一工程で所定のパターンの分断部１０ａを有するメタルバック層１０を形成することも可能である。
【００２１】
そして、このようなメタルバック層１０の分断部１０ａの上に、両側のメタルバック層１０端部に跨って、高電気抵抗を有する被覆層１１がスクリーン印刷、スプレー塗布などの方法で形成されており、この被覆層１１により、メタルバック層１０の分断部１０ａが所定の抵抗値で電気的に接続されている。なお、メタルバック層１０の分断部１０ａが複数あるときは、全ての分断部に高電気抵抗の被覆層１１が形成されていることが望ましい。
【００２２】
ここで、被覆層１１の表面抵抗値は、１×１０３〜１×１０１２Ω／□とすることが望ましい。被覆層１１の表面抵抗が１×１０３Ω／□未満では、分断されたメタルバック層１０間の電気抵抗が低くなりすぎるため、放電の抑制および放電電流のピーク値の抑制という分断効果が十分に得られず、その結果、耐圧特性の向上効果がそれほど発揮されない。反対に、被覆層１１の表面抵抗が１×１０１２Ω／□を超える場合には、分断されたメタルバック層１０間の電気的接続が不十分となり、耐圧特性の観点から好ましくない。
【００２３】
さらに、この被覆層１１のパターン幅は、メタルバック層１０の分断部１０ａの幅以上とし、被覆層１１がメタルバック層１０の分断部１０ａを完全に覆うようにする。それとともに、蛍光面の発光効率を低下させることがないように、下層の光吸収層８の幅以下とすることが望ましい。
【００２４】
このような被覆層１１を構成する材料としては、例えば、耐熱性の無機粒子と低融点ガラスをそれぞれ含む結着性の材料を挙げることができる。
【００２５】
ここで、低融点ガラスとしては、融点が５８０℃以下で結着性を有するガラス材料であれば、特に種類は限定されない。例えば、組成式（ＳｉＯ２・Ｂ２Ｏ３・ＰｂＯ）、（Ｂ２Ｏ３・Ｂｉ２Ｏ３）、（ＳｉＯ２・ＰｂＯ）あるいは（Ｂ２Ｏ３・ＰｂＯ）で表わされるガラスから選ばれる少なくとも一種を用いることができる。また、耐熱性の無機粒子としては、特に種類は限定されず、カーボン粒子や、Ｆｅ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＭｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ５、ＳｎＯ２、ＷＯ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、ＩＴＯ、ＡＴＯなどの金属酸化物から選ばれる少なくとも一種を用いることができる。なお、無機粒子の粒径は、被覆層１１を精密にパターニングすることができるように、５μｍ以下とすることが望ましい。さらに、それ自体が放電の要因となることがないため、耐熱性の無機粒子と低融点ガラスを含む被覆層１１の厚さは特に限定されないが、１０μｍ以下とすることが望ましい。
【００２６】
またさらに、このような高抵抗の被覆層１１に含有される低融点ガラスの無機粒子に対する重量比率は、５０重量％以上とすることが望ましい。無機粒子に対する低融点ガラスの重量比率（低融点ガラス／無機微粒子）が５０重量％未満の場合には、被覆層１１の強度が不足し、無機粒子が脱落して耐圧特性を劣化させるおそれがある。
【００２７】
また、本発明の実施形態においては、前記した被覆層１１の上に、耐熱性微粒子層１２がスクリーン印刷等の方法で所定のパターンで形成され、この耐熱性微粒子層１２のパターンの上からゲッタ材の蒸着膜などが形成されている。そして、耐熱性微粒子層１２が形成されていない領域にのみ、ゲッタ材の蒸着膜が成膜される結果、耐熱性微粒子層１２のパターンと反転するパターンを有する膜状のゲッタ層１３が、メタルバック層１０上に形成され、この膜状のゲッタ層１３は耐熱性微粒子層１２のパターンにより分断されている。
【００２８】
耐熱性微粒子の材料としては、絶縁性を有し、かつ封着工程などの高温加熱に耐えるものであれば、特に種類を限定することなく使用することができる。例えばＳｉＯ２，ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３などの金属酸化物の微粒子が挙げられ、これらの１種または２種以上を組合わせて使用することができる。
【００２９】
また、これらの耐熱性微粒子の平均粒径は、５ｎｍ〜３０μｍとすることが望ましく、より好ましくは１０ｎｍ〜１０μｍの範囲とする。微粒子の平均粒径が５ｎｍ未満では、耐熱性微粒子層表面の凹凸がほとんどなくなるため、その上からゲッタ材の蒸着膜を形成した場合に、耐熱性微粒子層１２上にもゲッタ膜が成膜され、ゲッタ層１３に分断部を形成することが難しい。また、耐熱性微粒子の平均粒径が３０μｍを超える場合には、微粒子層の形成自体が不可能になる。
【００３０】
ここで、耐熱性微粒子層１２のパターンを形成する領域は、被覆層１１の上であり、光吸収層８の上方に位置するので、耐熱性微粒子が電子線を吸収することによる輝度低下が少ないという利点がある。また、この耐熱性微粒子層１２のパターン幅は、５０μｍ以上より好ましくは１５０μｍ以上で、光吸収層８の幅以下とすることが望ましい。耐熱性微粒子層１２のパターン幅が５０μｍ未満では、ゲッター膜の分断効果が十分に得られず、またパターン幅が光吸収層８の幅を超えた場合には、耐熱性微粒子層１２が蛍光面の発光効率を低下させるため、好ましくない。
【００３１】
ゲッタ層１３を構成するゲッタ材としては、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｂａから選ばれる金属、またはこれらの金属の少なくとも一種を主成分とする合金を使用することができる。
【００３２】
なお、ゲッタ材の蒸着によりゲッタ層１３が形成された後は、ゲッタ材の劣化を防ぐため、常にゲッタ層１３が真空雰囲気に保持されるようにする。したがって、高抵抗の被覆層１１の上に耐熱性微粒子層１２のパターンを形成した後、真空外囲器を組立てることにより蛍光面を真空外囲器内に配置し、真空外囲器内でゲッタ材の蒸着工程を行う。
【００３３】
本発明の実施形態においては、耐圧特性を向上させるためにいくつかのブロックに分断されたメタルバック層１０の分断部１０ａの上に、両側のメタルバック層１０に跨って、表面抵抗の高い被覆層１１が設けられており、この被覆層１１により、しばしば突起部となるメタルバック層１０の分断端部が完全に覆われているので、放電の発生が抑制される。そのうえ、分断されたメタルバック層１０が所望の抵抗値で電気的に接続されているので、耐圧特性がさらに向上している。
【００３４】
また、このような高抵抗の被覆層１１の上に耐熱性微粒子層１２のパターンが形成され、この耐熱性微粒子層１２により、メタルバック層１０上に膜状に形成されたゲッタ層１３が分断されているので、この分断されたゲッタ層１３により、真空外囲器内の放出ガスの吸着が十分に行われるうえに、メタルバック層１０の分断効果が損なわれることがなく、良好な耐圧特性が確保される。したがって、ＦＥＤのような平面型画像表示装置において、放電の発生が抑制され、かつ放電が発生した場合の放電電流のピーク値が低く抑えられる。そして、放電エネルギーの最大値が低減される結果、電子放出素子や蛍光面の破壊・損傷や劣化が防止される。また、実施形態のＦＥＤでは、メタルバック層１０の分断部１０ａが、光吸収層８に対応する領域に限定され、その上に高抵抗の被覆層１１並びに耐熱性微粒子層１２が設けられるので、メタルバック層１０の反射効果がほとんど減じないうえに、被覆層１１並びに耐熱性微粒子層１２の形成による発光効率の低下が生じず、高輝度の表示が得られる。
【００３５】
次に、本発明を画像表示装置に適用した具体的実施例について説明する。
【００３６】
実施例
ガラス基板上に黒色顔料からなるストライプ状の光吸収層（パターン幅１００μｍ）をフォトリソ法により形成した後、光吸収層の間に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の蛍光体層をスラリー法により形成し、フォトリソ法によりパターニングした。そして、光吸収層の間にストライプ状の３色の蛍光体層がそれぞれが隣り合うように配列された蛍光面を形成した。
【００３７】
次いで、この蛍光面の上に転写方式によってメタルバック層を形成した。すなわち、ポリエステル樹脂製のベースフィルム上に離型剤層を介してＡｌ膜が積層され、その上に接着剤層が塗布・形成されたＡｌ転写フィルムを、接着剤層が蛍光面に接するように配置し、上から加熱ローラーにより加熱・加圧して密着させた。次いで、ベースフィルムを剥がして蛍光面上にＡｌ膜を接着した後、Ａｌ膜にプレス処理を施した。こうしてメタルバック層が転写・形成された蛍光面を有する基板Ａを得た。
【００３８】
次に、この基板Ａの温度を５０℃に保持し、光吸収層上に対応する位置に開孔を有するメタルマスクを用い、Ａｌ膜上にリン酸、シュウ酸などを含む酸ペースト（ｐＨ５．５以下）を塗布した後、４５０℃の温度で１０分間ベーキングを行った。酸ペーストの塗布およびベーキングにより、塗布部のＡｌ膜が溶解され、Ａｌ膜からなるメタルバック層にストライプ状の分断部（幅８０μｍ）が形成された。こうして分断されたメタルバック層を有する基板Ｂを作製した。
【００３９】
次いで、この基板Ｂのメタルバック層の分断部の上に、以下の組成を有する高抵抗ペーストをスクリーン印刷した後、４５０℃で３０分間加熱焼成して有機分を分解・除去し、メタルバック層の分断部の両側に跨って、パターン幅９０μｍ、厚さ５．０μｍの被覆層を形成した。この被覆層の表面抵抗値を測定したところ、１×１０９Ω／□であった。こうしてメタルバック層の分断部上に被覆層が形成された基板Ｃを得た。
【００４０】
高抵抗ペーストの組成
カーボン粒子（粒径５０ｎｍ）            …………２０ｗｔ％
低融点ガラス材（ＳｉＯ２・Ｂ２Ｏ３・ＰｂＯ）…………１０ｗｔ％
樹脂（エチルセルロース）                …………  ７ｗｔ％
溶媒（ブチルカルビトールアセテート）    …………６３ｗｔ％
【００４１】
次いで、この基板Ｃの被覆層上に、以下の組成を有するシリカペーストをスクリーン印刷し、パターン幅１００μｍ、厚さ７．０μｍのシリカ粒子層を形成した。こうして高抵抗の被覆層の上にさらにシリカ粒子層が形成された基板Ｄを得た。
【００４２】
シリカペーストの組成
シリカ粒子（粒径３．０μｍ）            …………４０ｗｔ％
樹脂（エチルセルロース）                …………  ６ｗｔ％
溶媒（ブチルカルビトールアセテート）    …………５４ｗｔ％
【００４３】
次に、こうして得られた基板Ｄを、フェースプレートとして使用し、常法によりＦＥＤを作製した。まず、基板上に表面伝導型電子放出素子をマトリクス状に多数形成した電子発生源を、背面ガラス基板に固定し、リアプレートを作製した。次いで、このリアプレートと前記フェースプレート（基板Ｄ）とを、支持枠およびスペーサを介して対向配置し、フリットガラスにより封着した。フェースプレートとリアプレートとの間隙は２ｍｍとした。次いで、真空排気後、フェースプレート内面に向けてＢａを蒸着し、シリカ粒子層の上にＢａを蒸着した。その結果、シリカ粒子層上にはゲッタ材であるＢａが堆積するが一様な膜は形成されなかったのに対して、メタルバック層上のシリカ粒子層が形成されていない領域には、Ｂａの均一な蒸着膜が形成された。そして、シリカ粒子層により分断された膜状のＢａゲッタ層が形成された。その後、封止など必要な処理を施しＦＥＤを完成した。
【００４４】
また、比較例１として、分断されたメタルバック層を有する基板Ｂをフェースプレートとして使用し、実施例と同様に常法によりＦＥＤを作製した。また、比較例２では、メタルバック層の分断部上に被覆層が形成された基板Ｃをフェースプレートとして使用し、実施例と同様に常法によりＦＥＤを作製した。さらに、比較例３では、分断されたメタルバック層を有する基板Ｂの分断部上に、被覆層を形成することなく直接シリカ粒子層を形成し、この基板をフェースプレートとして使用してＦＥＤを作製した。
【００４５】
次いで、こうして実施例および比較例１〜３でそれぞれ得られたＦＥＤの耐圧特性（放電電圧および放電電流）を、常法により測定した。測定結果を表１に示す。
【００４６】
【表１】
2004335346.tif 000003
【００４７】
表１から明らかなように、実施例で得られたＦＥＤは、メタルバック層の分断部上に高抵抗の被覆層が形成され、さらにその上にシリカ粒子層が形成されてＢａゲッタ膜が分断されているので、そのような構造を有しない比較例１〜３のＦＥＤに比べて、放電電圧が格段に向上しており、さらに放電電流値も大幅に抑制されていることがわかる。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、耐圧特性が大幅に向上され、異常放電による電子放出素子や蛍光面の破壊、劣化が防止され、高輝度、高品位の表示が可能な画像表示装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る画像表示装置の第１の実施形態であるＦＥＤの構造を模式的に示す断面図。
【図２】第１の実施形態であるＦＥＤのフェースプレートの構造を示す拡大断面図。
【符号の説明】
１………メタルバック付きの蛍光面、２………フェースプレート、３………電子放出素子、４………リアプレート、５………支持枠、６………ガラス基板、８………光吸収層、９………蛍光体層、１０………メタルバック層、１０ａ………分断部、１１………被覆層、１２………耐熱性微粒子層、１３………ゲッタ層
【図１】
2004335346.tif 000004
【図２】
2004335346.tif 000005