(57)【要約】【課題】　光学活性（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−３−プロピオン酸及びその新規中間体、並びにそれらの工業的により安全な製造方法を提供する。【解決手段】　下記一般式（１）で示される光学活性エポキシエノン誘導体を酸化剤により酸化することにより、下記一般式（３）で示される光学活性エポキシエステル誘導体を製造し、該化合物を加水分解することにより、下記一般式（４）で示される３位に置換基を持つ光学活性（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシプロピオン酸誘導体を製造する。【化１】2004137265.tif 000016【化２】2004137265.tif 000017【化３】2004137265.tif 000018（上記式中、Ｒ１はメチル基、エチル基、炭素数３〜１０の分岐、直鎖又は環式のアルキル基を表し、Ｒ２はフェニル基、置換フェニル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で示される光学活性エポキシエノン誘導体。
【化１】
2004137265.tif 000009
（式中、Ｒ１はメチル基、エチル基、又は炭素数３〜１０の分岐、直鎖若しくは環式のアルキル基を表し、Ｒ２はフェニル基、置換フェニル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
【請求項２】
一般式（１）において、置換基Ｒ１が、シクロヘキシル基、イソプロピル基又はｎ−ブチル基であることを特徴とする請求項１に記載の光学活性エポキシエノン誘導体。
【請求項３】
一般式（１）において、置換基Ｒ２が、フェニル基、４−メトキシフェニル基又はｔｅｒｔ−ブチル基であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光学活性エポキシエノン誘導体。
【請求項４】
下記一般式（２）
【化２】
2004137265.tif 000010
（式中、Ｒ１はメチル基、エチル基、又は炭素数３〜１０の分岐、直鎖若しくは環式のアルキル基を表し、Ｒ２はフェニル基、置換フェニル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
で示されるエノン誘導体を不斉酸化することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光学活性エポキシエノン誘導体の製造方法。
【請求項５】
一般式（２）において、置換基Ｒ１が、シクロヘキシル基、イソプロピル基又はｎ−ブチル基であることを特徴とする請求項４に記載の光学活性エポキシエノン誘導体の製造方法。
【請求項６】
一般式（２）において、置換基Ｒ２が、フェニル基、４−メトキシフェニル基又はｔｅｒｔ−ブチル基であることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の光学活性エポキシエノン誘導体の製造方法。
【請求項７】
一般式（２）で示されるエノン誘導体を、ランタノイドトリイソプロポキシド、（Ｒ）−１，１’−ビ−２−ナフトール及びトリフェニルフォスフィンオキシドからなる触媒の存在下、クメンヒドロパーオキシド又はｔｅｒｔ−ブチルヒドロパーオキシドにより不斉酸化することを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれかに記載の光学活性エポキシエノン誘導体の製造方法。
【請求項８】
ランタノイドトリイソプロポキシドが、ランタントリイソプロポキシドであることを特徴とする請求項７に記載の光学活性エポキシエノン誘導体の製造方法。
【請求項９】
下記一般式（３）で示される光学活性エポキシエステル誘導体。
【化３】
2004137265.tif 000011
（式中、Ｒ１はメチル基、エチル基、又は炭素数３〜１０の分岐、直鎖若しくは環式のアルキル基を表し、Ｒ２はフェニル基、置換フェニル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
【請求項１０】
一般式（３）において、置換基Ｒ１が、シクロヘキシル基、イソプロピル基又はｎ−ブチル基であることを特徴とする請求項９に記載の光学活性エポキシエステル誘導体。
【請求項１１】
一般式（３）において、置換基Ｒ２が、フェニル基、４−メトキシフェニル基又はｔｅｒｔ−ブチル基であることを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の光学活性エポキシエステル誘導体。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の一般式（１）で示される光学活性エポキシエノン誘導体を酸化剤により酸化することを特徴とする請求項９乃至請求項１１のいずれかに記載の一般式（３）で示される光学活性エポキシエステル誘導体の製造方法。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１１のいずれかに記載の一般式（３）で示される光学活性エポキシエステル誘導体を加水分解することを特徴とする下記一般式（４）
【化４】
2004137265.tif 000012
（式中、Ｒ１はメチル基、エチル基、又は炭素数３〜１０の分岐、直鎖若しくは環式のアルキル基を表す。）
で示される３位に置換基を持つ光学活性（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシプロピオン酸誘導体の製造方法。
【請求項１４】
一般式（４）において、置換基Ｒ１が、シクロヘキシル基、イソプロピル基又はｎ−ブチル基であることを特徴とする請求項１３に記載の光学活性エポキシエステル誘導体の製造方法。
【請求項１５】
下記一般式（５）で示される１，３位に置換基を持つ３−ハロゲノプロパン−１−オン誘導体。
【化５】
2004137265.tif 000013
（式中、Ｒ１はメチル基、エチル基、又は炭素数３〜１０の分岐、直鎖若しくは環式のアルキル基を表し、Ｒ２はフェニル基、置換フェニル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を表し、Ｘはフッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）
【請求項１６】
一般式（５）において、置換基Ｒ１が、シクロヘキシル基、イソプロピル基又はｎ−ブチル基であることを特徴とする請求項１５に記載の１，３位に置換基を持つ３−ハロゲノプロパン−１−オン誘導体。
【請求項１７】
一般式（５）において、置換基Ｒ２が、フェニル基、４−メトキシフェニル基又はｔｅｒｔ−ブチル基であることを特徴とする請求項１５又は請求項１６に記載の１，３位に置換基を持つ３−ハロゲノプロパン−１−オン誘導体。
【請求項１８】
一般式（５）において、置換基Ｘが塩素原子であることを特徴とする請求項１５乃至請求項１７のいずれかに記載の化合物。
【請求項１９】
下記一般式（６）
【化６】
2004137265.tif 000014
（式中、Ｒ１はメチル基、エチル基、又は炭素数３〜１０の分岐、直鎖若しくは環式のアルキル基を表し、Ｒ２はフェニル基、置換フェニル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
で示されるβ−ヒドロキシケトン誘導体をハロゲン化水素又はハロゲン化水素酸と反応させることを特徴とする請求項１５及至請求項１８のいずれかに記載の一般式（５）で示される１，３位に置換基を持つ３−ハロゲノプロパン−１−オン誘導体の製造方法。
【請求項２０】
一般式（６）において、置換基Ｒ１が、シクロヘキシル基、イソプロピル基又はｎ−ブチル基であることを特徴とする請求項１９に記載の製造方法。
【請求項２１】
一般式（６）において、置換基Ｒ２が、フェニル基、４−メトキシフェニル基又はｔｅｒｔ−ブチル基であることを特徴とする請求項１９又は請求項２０に記載の製造方法。
【請求項２２】
請求項１９に記載の製造方法において、１−フェニル−３−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルプロパン−１−オンを塩化水素又は塩酸と反応させることを特徴とする１−フェニル−３−クロロ−３−シクロヘキシルプロパン−１−オンの製造方法。
【請求項２３】
請求項１９に記載の製造方法において、１−フェニル−３−ヒドロキシ−４−メチルペンタン−１−オンを塩化水素又は塩酸と反応させることを特徴とする１−フェニル−３−クロロ−４−メチルペンタン−１−オンの製造方法。
【請求項２４】
請求項１９に記載の製造方法において、１−フェニル−３−ヒドロキシヘプタン−１−オンを塩化水素又は塩酸と反応させることを特徴とする１−フェニル−３−クロロヘプタン−１−オンの製造方法。
【請求項２５】
請求項１５及至請求項１８のいずれかに記載の一般式（５）で示される１，３位に置換基を持つ３−ハロゲノプロパン−１−オン誘導体を、塩基で処理することを特徴とする下記一般式（２）
【化７】
2004137265.tif 000015
（式中、Ｒ１はメチル基、エチル基、又は炭素数３〜１０の分岐、直鎖若しくは環式のアルキル基を表し、Ｒ２はフェニル基、置換フェニル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
で示されるα，β−不飽和ケトン誘導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は光学活性エポキシ化合物類、及びその製造方法に関する。
【０００２】
　本発明の光学活性エポキシ化合物類、及び３位に置換基を有する光学活性（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシプロピオン酸誘導体は医農薬の製造中間体として有用な化合物である。
【０００３】
　また、本発明はβ−ハロゲノケトン誘導体、その製造方法及びそれを用いたエノン誘導体の製造方法に関する。
【０００４】
　本発明の１，３位に置換基を有する３−ハロゲノプロパン誘導体及び１，３位に置換基を有する２−プロペン−１−オンは医農薬の製造中間体として有用な化合物である。
【０００５】
　さらに、本発明は３位に置換基を有する光学活性２，３−エポキシ−３−プロピオン酸類及びそのエステル類の製造方法に関する。
【０００６】
　本発明の３位に置換基を有する光学活性２，３−エポキシプロピオン酸類及びそのエステル類は、上記したとおり医農薬の合成中間体として有用な化合物である。
【背景技術】
【０００７】
　不斉酸化反応としては、チタンテトライソプロポキシドと光学活性酒石酸ジエチルを用い、さらにｔｅｒｔ−ブチルヒドロパーオキシドを用いたｔｒａｎｓ−アリルアルコールの不斉酸化反応が知られている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００８】
　また、２，３−エポキシ−３−シクロヘキシルプロピオン酸の製造方法としては、ｃｉｓ−２，３−エポキシ−４−フェニル−ブタン−１−オールのＲｕＯ４を用いて酸化し、光学活性ｃｉｓ−２，３−エポキシ−４−フェニル−ブタン酸を製造する方法が知られている（例えば、非特許文献２、非特許文献３参照）。
【０００９】
　さらに、２，３−エポキシ−４−メチルペンタン酸及び２，３−エポキシヘプタン酸の製法としては相当するアリルアルコール類をチタンテトライソプロポキシドと光学活性酒石酸ジエチルを用い、さらにｔｅｒｔ−ブチルヒドロパーオキシドを用い不斉エポキシ化した後、ＲｕＯ４を用いてカルボン酸に酸化する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【００１０】
　１−フェニル−３−シクロヘキシル−２−プロペン−１−オンは各種公知文献に記載されている（例えば、特許文献２参照）。
【００１１】
　また、シクロヘキサンカルボキシアルデヒドとアセトフェノンの反応により１−フェニル−３−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルプロパン−１−オンが得られることが知られている（例えば、特許文献３参照）。
【００１２】
　さらに、一般的なアルデヒドとケトンの反応で生成する３−ヒドロキシ−１−カルボニル化合物類（アルドール体）は、酸又は塩基により容易に脱水反応を起こし、α，β不飽和ケトン類又はα，β−不飽和エステル類が生成することが知られている（非特許文献４等参照）。
【００１３】
【特許文献１】特開２００２−８０４４１号公報
【００１４】
【特許文献２】特開平１１−８００３６号公報
【特許文献３】国際公開第０２／０４１９８４号パンフレット
【非特許文献１】Ｋ．Ｂ．Ｓｈａｒｐｌｅｓｓ，ｅｔ．ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１０９，５７６５（１９８７）
【非特許文献２】Ｋ．Ｂ．Ｓｈａｒｐｌｅｓｓ，ｅｔ．ａｌ．，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，５０、１５６０（１９８５）
【非特許文献３】Ｋ．Ｂ．Ｓｈａｒｐｌｅｓｓ，ｅｔ．ａｌ．，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４６，３９３６（１９８１）
【非特許文献４】Ｈｅｒｂｅｒｔ　Ｏ．Ｈｏｕｓｅ，“Ｍｏｄｅｒｎ　Ｓｙｔｈｅｔｉｃ　Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ　Ｓｅｃｏｎｄ　Ｅｄｉｔｉｏｎ”　（１９７２）　Ｗ．Ａ．Ｂｅｎｊａｍｉｎ，Ｉｎｃ．　ｐ．６３２−６３７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
　従来の不斉酸化反応は、工業的な製造方法としては満足できるものではなかった。例えば、従来のｔｒａｎｓ−アリルアルコールの不斉酸化反応においては、反応時に大量の酸化剤が反応系内に存在するため、少量の製造時には問題とならないが、大量の製造においては爆発等の危険を伴う方法であり、工業的な製造方法とは言えなかった。
【００１６】
　また、従来の方法においては、得られる１−フェニル−３−シクロヘキシル−２−プロペン−１−オン中に、条件によっては副反応物が生成し、高純度の目的物を得るためには、シリカゲルカラムクロマトグラフィー等による精密精製が必要で、工業的な製造方法とは言えなかった。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
　本発明者らは、工業的に安全な光学活性エポキシエノン誘導体の製造方法について鋭意検討した結果、本発明のエノン誘導体を原料とし、新規中間体を経由し誘導する方法を見出した。
【００１８】
　また、本発明者らは、工業的な３位に置換基を有する１−フェニル−２−プロペン−１−オンの製造方法について鋭意検討した結果、アルデヒド類とアセトフェノンのリチウムエノレートの反応又はアルデヒド類とアセトフェノンのトリメチルシリルエノレートの反応により得られる３位に置換基を有する１−フェニル−３−ヒドロキシプロパン−１−オン誘導体を、ハロゲン化水素又はハロゲン化水素酸と反応させ、３位に置換基を有する１−フェニル−３−ハロゲノプロパン−１−オン誘導体とし、引き続き塩基で処理することにより、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精密精製することなく高純度の３位に置換基を有する１−フェニルプロペン−１−オンを得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１９】
　すなわち本発明は、
　１．下記一般式（１）で示される光学活性エポキシエノン誘導体、
【００２０】
【化１】
2004137265.tif 000002
（式中、Ｒ１はメチル基、エチル基、又は炭素数３〜１０の分岐、直鎖若しくは環式のアルキル基を表し、Ｒ２はフェニル基、置換フェニル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
　２．下記一般式（２）
【００２１】
【化２】
2004137265.tif 000003
（式中、Ｒ１はメチル基、エチル基、又は炭素数３〜１０の分岐、直鎖若しくは環式のアルキル基を表し、Ｒ２はフェニル基、置換フェニル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
で示されるエノン誘導体を不斉酸化することを特徴とする上記一般式（１）で示される光学活性エポキシエノン誘導体の製造方法、
　３．下記一般式（３）で示される光学活性エポキシエステル誘導体、
【００２２】
【化３】
2004137265.tif 000004
（式中、Ｒ１はメチル基、エチル基、又は炭素数３〜１０の分岐、直鎖若しくは環式のアルキル基を表し、Ｒ２はフェニル基、置換フェニル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
　４．上記一般式（１）で示される光学活性エポキシエノン誘導体を酸化剤により酸化することを特徴とする上記一般式（３）で示される光学活性エポキシエステル誘導体の製造方法、
　５．上記一般式（３）で示される光学活性エポキシエステル誘導体を加水分解することを特徴とする下記一般式（４）
【００２３】
【化４】
2004137265.tif 000005
（式中、Ｒ１はメチル基、エチル基、又は炭素数３〜１０の分岐、直鎖若しくは環式のアルキル基を表す。）
で示される３位に置換基を持つ光学活性（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシプロピオン酸誘導体の製造方法。
【００２４】
　６．下記一般式（５）で示される１，３位に置換基を持つ３−ハロゲノプロパン−１−オン誘導体、
【００２５】
【化５】
2004137265.tif 000006
（式中、Ｒ１はメチル基、エチル基、又は炭素数３〜１０の分岐、直鎖若しくは環式のアルキル基を表し、Ｒ２はフェニル基、置換フェニル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を表し、Ｘはフッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）
　７．下記一般式（６）
【００２６】
【化６】
2004137265.tif 000007
（式中、Ｒ１はメチル基、エチル基、又は炭素数３〜１０の分岐、直鎖若しくは環式のアルキル基を表し、Ｒ２はフェニル基、置換フェニル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
で示されるβ−ヒドロキシケトン誘導体をハロゲン化水素又はハロゲン化水素酸と反応させることを特徴とする上記一般式（５）で示される１，３位に置換基を持つ３−ハロゲノプロパン−１−オン誘導体の製造方法、並びに
　８．上記一般式（５）で示される１，３位に置換基を持つ３−ハロゲノプロパン−１−オン誘導体を、塩基で処理することを特徴とする下記一般式（２）
【００２７】
【化７】
2004137265.tif 000008
（式中、Ｒ１はメチル基、エチル基、又は炭素数３〜１０の分岐、直鎖若しくは環式のアルキル基を表し、Ｒ２はフェニル基、置換フェニル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
で示されるα，β−不飽和ケトン誘導体の製造方法、
である。
【００２８】
　以下、本発明について詳細に説明する。
【００２９】
　まず、本発明の光学活性エポキシ化合物類、及びその製造方法について説明する。
【００３０】
　本発明の上記一般式（１）で示される光学活性エポキシエノン誘導体において、置換基Ｒ１は、メチル基、エチル基、又は炭素数３〜１０の直鎖、分岐若しくは環式のアルキル基を表し、具体的には、シクロヘキシル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基等が例示される。また、置換基Ｒ２は、フェニル基、置換フェニル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を表し、具体的には、フェニル基、４−メトキシフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が例示される。
【００３１】
　本発明の上記一般式（１）で示される光学活性エポキシエノン誘導体としては、具体的には、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−フェニルブタン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−フェニルペンタン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−フェニル−４−メチルペンタン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−フェニルへキサン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−フェニルヘプタン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−フェニルオクタン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−フェニルノナン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−フェニルデカン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−フェニルウンデカン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−フェニルドデカン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−フェニル−４，４−ジメチルペンタン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−フェニル−３−シクロヘキシルプロパン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−ｔｅｒｔ−ブチルブタン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−ｔｅｒｔ−ブチルペンタン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルペンタン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−ｔｅｒｔ−ブチルへキサン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−ｔｅｒｔ−ブチルヘプタン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−ｔｅｒｔ−ブチルオクタン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−ｔｅｒｔ−ブチルノナン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−ｔｅｒｔ−ブチルデカン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−ｔｅｒｔ−ブチルウンデカン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−ｔｅｒｔ−ブチルドデカン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−ｔｅｒｔ−ブチル−４，４−ジメチルペンタン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−ｔｅｒｔ−ブチル−３−シクロヘキシルプロパン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−（４−メトキシフェニル）ブタン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−（４−メトキシフェニル）ペンタン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−（４−メトキシフェニル）−４−メチルペンタン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−（４−メトキシフェニル）へキサン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−（４−メトキシフェニル）ヘプタン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−（４−メトキシフェニル）オクタン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−（４−メトキシフェニル）ノナン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−（４−メトキシフェニル）デカン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−（４−メトキシフェニル）ウンデカン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−（４−メトキシフェニル）ドデカン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−（４−メトキシフェニル）−４，４−ジメチルペンタン−１−オン、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−（４−メトキシフェニル）−３−シクロヘキシルプロパン−１−オン等が挙げられる。
【００３２】
　本発明の上記一般式（１）で示される光学活性エポキシエノン誘導体は、例えば、上記一般式（２）で示されるエノン誘導体を不斉酸化することにより製造することができる。
【００３３】
　本発明の上記一般式（２）で示されるエノン誘導体において、置換基Ｒ１は、メチル基、エチル基、又は炭素数３〜１０の直鎖、分岐若しくは環式のアルキル基を表し、具体的には、シクロヘキシル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基等が例示される。また、置換基Ｒ２は、フェニル基、置換フェニル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を表し、具体的には、フェニル基、４−メトキシフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が例示される。
【００３４】
　本発明の上記一般式（２）で示されるエノン誘導体の調製方法としては特に限定するものではないが、例えば、アルデヒド類とアセトフェノンの交差アルドール反応により調製することができる。具体的には、アセトフェノンやメチル　ｔｅｒｔ−ブチルケトンのシリルエノールエーテルやリチウムエノレートと、アルデヒド類とを反応させ、次いで生成したアルドール誘導体を酸等により脱水することにより調製しても良いし、高純度のものをうるためには後述する１，３位が置換されたβ−ハロケトン類を経由する方法により調製しても良い。
【００３５】
　本発明の上記一般式（１）で示されるエポキシエノン誘導体の調製に当っては、ランタノイドトリイソプロポキシド、（Ｒ）−１，１−ビ−２−ナフトール、トリフェニルフォスフィンオキシド及びクメンヒドロパーオキシドからなる触媒を用い、クメンヒドロパーオキシドにより不斉酸化反応を行うことが好ましい。
【００３６】
　本発明において、不斉酸化反応に適用可能なランタノイドトリイソプロポキシドとしては、希土類金属アルコキシドであれば特に限定するものではないが、好ましくはランタントリイソプロポキシド、イッテリビウムトリイソプロポキシドであり、特に好ましくはランタントリイソプロポキシドである。
【００３７】
　本発明において、不斉酸化反応に使用するランタノイドトリイソプロポシドとしては、あらゆる製造方法により調製したものが使用可能であり、特に限定されない。ランタノイドトリイソプロポシドの使用量としては、反応に用いる上記一般式（２）で示されるエノン誘導体に対して、通常０．１モル％〜３０モル％使用する。
【００３８】
　本発明において、不斉酸化反応に使用する（Ｒ）−１，１’−ビ−２−ナフトールの量は、反応に使用するランタンイソプロポキシドに対して通常１〜２倍モル量であるが、好ましくは１〜１．５倍モル量である。
【００３９】
　本発明において、不斉酸化反応に使用するトリフェニルフォスフィンオキシドの量は、反応に使用するランタントリイソプロポキシドに対して、１〜５倍モル量、好ましくは１．１〜３倍モル量使用する。
【００４０】
　本発明において、不斉酸化反応に使用するクメンヒドロパーオキシド又はｔｅｒｔ−ブチルヒドロパーオキシドの量は、触媒形成時にランタンイソプロポキシドに対して通常１〜４モル量使用し、さらに反応時には反応に用いる一般式（１）で示されるエノン誘導体に対して通常１〜２倍モル量使用する。
【００４１】
　本発明において、不斉酸化反応に際しては、ランタノイドトリイソプロポキシド、（Ｒ）−１，１−ビ−２−ナフトール、トリフェニルフォスフィンオキシド並びにクメンヒドロパーオキシドからなる触媒溶液を予め調製し、基質とクメンヒドロパーオキシド又はｔｅｒｔ−ブチルヒドロパーオキシドとを混合して触媒溶液に供給し反応を行っても良いし、基質とクメンヒドロパーオキシド又はｔｅｒｔ−ブチルヒドロパーオキシドを各々別々に触媒溶液に供給し反応を行っても良い。
【００４２】
　本発明において、不斉酸化反応に際しては、系内を無水に保つために、必要に応じて、粉末又は成型体のモレキュラシーブス−４Ａ、モレキュラシーブス−３Ａ等のゼオライトを適量使用しても良い。
【００４３】
　本発明において、不斉酸化反応に適用可能な溶剤としては、具体的には、テトラヒドロフラン（以下ＴＨＦと略す）、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル類、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素類等があげられるが、好ましくはエーテル類であり、特に好ましくはＴＨＦである。
【００４４】
　本発明において、不斉酸化反応の反応温度としては、−３０℃〜３０℃の反応で実施可能であるが、上記一般式（１）で示される光学活性エポキシエノン誘導体を高光学純度で得るためには、−１０〜２０℃での実施が好ましい。
【００４５】
　本発明の不斉酸化反応の反応時間としては、基質濃度、触媒量、触媒濃度、反応温度により異なるが通常基質を添加終了後、０．５〜２４時間以内に反応が完結する。
【００４６】
　本発明の不斉酸化反応の後処理としては、特に限定するものではないが、通常、飽和の塩化アンモニウム水溶液を添加して触媒を分解した後、余剰に存在するクメンヒドロパーオキシドを亜硫酸ナトリウム水溶液等で分解し、引き続きシリカゲルカラムクロマトグラフィー等で精製することにより、目的とする上記一般式（１）で示される光学活性エポキシエノンを得ることができる。
【００４７】
　本発明の上記一般式（３）において、置換基Ｒ１は、メチル基、エチル基、又は炭素数３〜１０の直鎖、分岐若しくは環式のアルキル基を表し、具体的には、シクロヘキシル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基等が例示される。また、置換基Ｒ２は、フェニル基、置換フェニル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を表し、具体的には、フェニル基、４−メトキシフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が例示される。
【００４８】
　本発明の上記一般式（３）で示される光学活性エポキシエステル誘導体としては、具体的には、フェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシブチレート、フェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシペンタノエート、フェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−４−メチルペンタノエート、フェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシヘキサノエート、フェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシヘプタノエート、フェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシオクタノエート、フェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシノナノエート、フェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシデカンノエート、フェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシウンデカノエート、フェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシドデカノエート、フェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−４，４−ジメチルペンタノエート、フェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−３−シクロヘキシルプロピオネート、ｔｅｒｔ−ブチル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシブタノエート、ｔｅｒｔ−ブチル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシブチルペンタノエート、ｔｅｒｔ−ブチル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−４−メチルペンタノエート、ｔｅｒｔ−ブチル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシへキサノエート、ｔｅｒｔ−ブチル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシヘプタノエート、ｔｅｒｔ−ブチル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシオクタノエート、ｔｅｒｔ−ブチル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシノナノエート、ｔｅｒｔ−ブチル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシデカノエート、ｔｅｒｔ−ブチル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−ウンデカノエート、ｔｅｒｔ−ブチル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシドデカノエート、ｔｅｒｔ−ブチル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−ブチル−４，４−ジメチルペンタノエート、ｔｅｒｔ−ブチル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−３−シクロヘキシルプロピオネート、４−メトキシフェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−ブタノエート、４−メトキシフェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシペンタノエート、４−メトキシフェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−４−メチルペンタノエート、４−メトキシフェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシへキサノエート、４−メトキシフェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシヘプタノエート、４−メトキシフェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシオクタノエート、４−メトキシフェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシノナノエート、４−メトキシフェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシデカノエート、４−メトキシフェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシウンデカノエート、４−メトキシフェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシドデカノエート、４−メトキシフェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−４，４−ジメチルペンタノエート、４−メトキシフェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−３−シクロヘキシルプロピオネート等が挙げられる。
【００４９】
　本発明の上記一般式（３）で示される光学活性エポキシエステル誘導体の製造方法としては、特に限定するものではないが、例えば、上記一般式（１）で示される光学活性エポキシエノン誘導体を酸化剤により酸化させる反応により得ることができる。
【００５０】
　本発明の上記一般式（３）で示される光学活性エポキシエステル誘導体の製造において、適用可能な酸化剤としては、特に限定するものではないが、具体的には、過硫酸カリウム、過酸化水素、過酢酸、過ぎ酸、トリフルオロ過酢酸、過安息香酸、ｍ−クロロ過安息香酸、クメンヒドロパーオキシド等が挙げられ、安全性及び操作性より、好ましくはｍ−クロロ過安息香酸である。
【００５１】
　本発明の上記一般式（３）で示される光学活性エポキシエステル誘導体の製造に際して使用する酸化剤は、反応に用いる上記一般式（１）で示される光学活性エポキシエノン誘導体に対して、通常１〜１０倍モル量使用する。
【００５２】
　本発明の上記一般式（３）で示される光学活性エポキシエステル誘導体の製造に使用する溶剤としては、反応に不活性な溶剤であれば特に限定するものではないが、通常、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルム、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン等を使用し、反応に用いる上記一般式（１）で示されるエポキシエノンに対して５〜１００重量倍量使用する。また必要に応じて、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、リン酸ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素ナトリウム、リン酸等のｐＨ調節剤をさらに添加しても良い。
【００５３】
　本発明の上記一般式（３）で示される光学活性エポキシエステル誘導体の製造における反応温度及び時間としては、反応に用いる上記一般式（１）で示されるエポキシエノン誘導体の種類により異なり、特に幻影するものではないが、通常０〜６０℃の温度範囲で１〜４８時間で反応は完結する。また、原料が残存する場合は所定時間反応させた後、さらに酸化剤を添加しても良いし、酸化剤の分解物を除去後さらに反応を行っても良い。
【００５４】
　本発明の上記一般式（３）で示される光学活性エポキシエステル誘導体の製造後の後処理としては、特に限定するものではないが、通常、飽和の重曹水等のアルカリ水溶液で洗浄し、次いでシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製等により目的物を得る。
【００５５】
　本発明においては、上記一般式（３）で示される光学活性エポキシエステル誘導体を加水分解することにより、上記一般式（４）で示される（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−３−シクロヘキシルプロピオン酸を得る。具体的には、トルエン、メタノール、水−メタノール混合溶剤又は水−メタノール−トルエン混合溶媒中で、所定量のアルカリ金属水酸化物又はアルカリ土類金属水酸化物を反応させる。
【００５６】
　本発明の上記一般式（４）において、置換基Ｒ１は、メチル基、エチル基、又は炭素数３〜１０の直鎖、分岐若しくは環式のアルキル基を表し、具体的には、シクロヘキシル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基等が例示される。
【００５７】
　本発明の上記一般式（４）で示される３位が置換された（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシプロピオン酸類の製造に使用するアルカリ金属水酸化物としては、具体的には、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ルビジウム、水酸化セシウム、水酸化マグネシウム、水酸化ストロンチウム等が挙げられ、その使用量としては、反応に用いる上記一般式（３）で示される光学活性エポキシエステル誘導体に対して、通常１〜２０倍モル量使用する。
【００５８】
　本発明の上記一般式（４）で示される３位が置換された（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシプロピオン酸類の製造に使用する溶剤の量は、反応に用いる上記一般式（３）で示される光学活性エポキシエステル誘導体に対して、通常１〜４０重量倍量使用する。また混合溶剤を使用する際に混合溶剤の比率は、特に限定するものではないが、反応に用いる光学活性エポキシエステル誘導体が溶解する比率であればよい。
【００５９】
　本発明の上記一般式（４）で示される３位が置換された（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシプロピオン酸類の製造に際しての反応温度及び時間は、特に限定するものではないが、通常−５℃〜３０℃、１〜１２時間で反応は完結する。
【００６０】
　本発明の上記一般式（４）で示される３位が置換された（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシプロピオン酸類の製造後の後処理としては、特に限定するものではないが、例えば、溶剤を留去後、油溶解性の不純物をエーテル類又はハロゲン化炭化水素系溶剤等で抽出除去し、次いで塩酸等の酸を添加することによりｐＨを４以下とし、酢酸エチル又はジエチルエーテル等のエーテル類で抽出、乾燥、濃縮することにより目的物の光学活性（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−３−プロピオン酸を得ることができる。
【００６１】
　次に、本発明のβ−ハロゲノケトン誘導体、その製造方法及びそれを用いたエノン誘導体の製造方法について説明する。
【００６２】
　本発明の上記一般式（５）において、置換基Ｒ１は、メチル基、エチル基、又は炭素数３〜１０の直鎖、分岐若しくは環式のアルキル基を表し、具体的には、シクロヘキシル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基等が例示される。また、置換基Ｒ２は、フェニル基、置換フェニル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を表し、具体的には、フェニル基、４−メトキシフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が例示される。また、置換基Ｘは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を表し、これらのうち、塩素原子が好適に使用される。
【００６３】
　本発明の上記一般式（５）で示される１，３位が置換された３−ハロゲノプロパン−１−オン類としては、具体的には、３−フルオロ−１−フェニルブタン−１−オン、３−クロロ−１−フェニルブタン−１−オン、３−ブロモ−１−フェニルブタン−１−オン、３−ヨウド−１−フェニルブタン−１−オン、３−フルオロ−１−フェニルペンタン−１−オン、３−クロロ−１−フェニルペンタン−１−オン、３−ブロモ−１−フェニルペンタン−１−オン、３−ヨウド−１−フェニルペンタン−１−オン、３−フルオロ−１−フェニル−４−メチルペンタン−１−オン、３−クロロ−１−フェニル−４−メチルペンタン−１−オン、３−ブロモ−１−フェニル−４−メチルペンタン−１−オン、３−ヨウド−１−フェニル−４−メチルペンタン−１−オン、３−フルオロ−１−フェニルへキサン−１−オン、３−クロロ−１−フェニルへキサン−１−オン、３−ブロモ−１−フェニルへキサン−１−オン、３−ヨウド−１−フェニルへキサン−１−オン、３−フルオロ−１−フェニルヘプタン−１−オン、３−クロロ−１−フェニルヘプタン−１−オン、３−ブロモ−１−フェニルヘプタン−１−オン、３−ヨウド−１−フェニルヘプタン−１−オン、３−フルオロ−１−フェニルオクタン−１−オン、３−クロロ−１−フェニルオクタン−１−オン、３−ブロモ−１−フェニルオクタン−１−オン、３−ヨウド−１−フェニルオクタン−１−オン、３−フルオロ−１−フェニルノナン−１−オン、３−クロロ−１−フェニルノナン−１−オン、３−ブロモ−１−フェニルノナン−１−オン、３−ヨウド−１−フェニルノナン−１−オン、３−フルオロ−１−フェニルデカン−１−オン、３−クロロ−１−フェニルデカン−１−オン、３−ブロモ−１−フェニルデカン−１−オン、３−ヨウド−１−フェニルデカン−１−オン、３−フルオロ−１−フェニルウンデカン−１−オン、３−クロロ−１−フェニルウンデカン−１−オン、３−ブロモ−１−フェニルウンデカン−１−オン、３−ヨウド−１−フェニルウンデカン−１−オン、３−フルオロ−１−フェニルドデカン−１−オン、３−クロロ−１−フェニルドデカン−１−オン、３−ブロモ−１−フェニルドデカン−１−オン、３−ヨウド−１−フェニルドデカン−１−オン、３−フルオロ−１−フェニル−４，４−ジメチルペンタン−１−オン、３−クロロ−１−フェニル−４，４−ジメチルペンタン−１−オン、３−ブロモ−１−フェニル−４，４−ジメチルペンタン−１−オン、３−ヨウド−１−フェニル−４，４−ジメチルペンタン−１−オン、３−フルオロ−１−フェニル−３−シクロヘキシルプロパン−１−オン、３−クロロ−１−フェニル−３−シクロヘキシルプロパン−１−オン、３−ブロモ−１−フェニル−３−シクロヘキシルプロパン−１−オン、３−ヨウド−１−フェニル−３−シクロヘキシルプロパン−１−オン、３−フルオロ−１−ｔｅｒｔ−ブチルブタン−１−オン、３−クロロ−１−ｔｅｒｔ−ブチルブタン−１−オン、３−ブロモ−１−ｔｅｒｔ−ブチルブタン−１−オン、３−ヨウド−１−ｔｅｒｔ−ブチルブタン−１−オン、３−フルオロ−１−ｔｅｒｔ−ブチルペンタン−１−オン、３−クロロ−１−ｔｅｒｔ−ブチルペンタン−１−オン、３−ブロモ−１−ｔｅｒｔ−ブチルペンタン−１−オン、３−ヨウド−１−ｔｅｒｔ−ブチルペンタン−１−オン、３−フルオロ−１−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルペンタン−１−オン、３−クロロ−１−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルペンタン−１−オン、３−ブロモ−１−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルペンタン−１−オン、３−ヨウド−１−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルペンタン−１−オン、３−フルオロ−１−ｔｅｒｔ−ブチルへキサン−１−オン、３−クロロ−１−ｔｅｒｔ−ブチルへキサン−１−オン、３−ブロモ−１−ｔｅｒｔ−ブチルへキサン−１−オン、３−ヨウド−１−ｔｅｒｔ−ブチルへキサン−１−オン、３−フルオロ−１−ｔｅｒｔ−ブチルヘプタン−１−オン、３−クロロ−１−ｔｅｒｔ−ブチルヘプタン−１−オン、３−ブロモ−１−ｔｅｒｔ−ブチルヘプタン−１−オン、３−ヨウド−１−ｔｅｒｔ−ブチルヘプタン−１−オン、３−フルオロ−１−ｔｅｒｔ−ブチルオクタン−１−オン、３−クロロ−１−ｔｅｒｔ−ブチルオクタン−１−オン、３−ブロモ−１−ｔｅｒｔ−ブチルオクタン−１−オン、３−ヨウド−１−ｔｅｒｔ−ブチルオクタン−１−オン、３−フルオロ−１−ｔｅｒｔ−ブチルノナン−１−オン、３−クロロ−１−ｔｅｒｔ−ブチルノナン−１−オン、３−ブロモ−１−ｔｅｒｔ−ブチルノナン−１−オン、３−ヨウド−１−ｔｅｒｔ−ブチルノナン−１−オン、３−フルオロ−１−ｔｅｒｔ−ブチルデカン−１−オン、３−クロロ−１−ｔｅｒｔ−ブチルデカン−１−オン、３−ブロモ−１−ｔｅｒｔ−ブチルデカン−１−オン、３−ヨウド−１−ｔｅｒｔ−ブチルデカン−１−オン、３−フルオロ−１−ｔｅｒｔ−ブチルウンデカン−１−オン、３−クロロ−１−ｔｅｒｔ−ブチルウンデカン−１−オン、３−ブロモ−１−ｔｅｒｔ−ブチルウンデカン−１−オン、３−ヨウド−１−ｔｅｒｔ−ブチルウンデカン−１−オン、３−フルオロ−１−ｔｅｒｔ−ブチルドデカン−１−オン、３−クロロ−１−ｔｅｒｔ−ブチルドデカン−１−オン、３−ブロモ−１−ｔｅｒｔ−ブチルドデカン−１−オン、３−ヨウド−１−ｔｅｒｔ−ブチルドデカン−１−オン、３−フルオロ−１−ｔｅｒｔ−ブチル−４，４−ジメチルペンタン−１−オン、３−クロロ−１−ｔｅｒｔ−ブチル−４，４−ジメチルペンタン−１−オン、３−ブロモ−１−ｔｅｒｔ−ブチル−４，４−ジメチルペンタン−１−オン、３−ヨウド−１−ｔｅｒｔ−ブチル−４，４−ジメチルペンタン−１−オン、３−フルオロ−１−ｔｅｒｔ−ブチル−３−シクロヘキシルプロパン−１−オン、３−クロロ−１−ｔｅｒｔ−ブチル−３−シクロヘキシルプロパン−１−オン、３−ブロモ−１−ｔｅｒｔ−ブチル−３−シクロヘキシルプロパン−１−オン、３−ヨウド−１−ｔｅｒｔ−ブチル−３−シクロヘキシルプロパン−１−オン、３−フルオロ−１−（４−メトキシフェニル）ブタン−１−オン、３−クロロ−１−（４−メトキシフェニル）ブタン−１−オン、３−ブロモ−１−（４−メトキシフェニル）ブタン−１−オン、３−ヨウド−１−（４−メトキシフェニル）ブタン−１−オン、３−フルオロ−１−（４−メトキシフェニル）ペンタン−１−オン、３−クロロ−１−（４−メトキシフェニル）ペンタン−１−オン、３−ブロモ−１−（４−メトキシフェニル）ペンタン−１−オン、３−ヨウド−１−（４−メトキシフェニル）ペンタン−１−オン、３−フルオロ−１−（４−メトキシフェニル）−４−メチルペンタン−１−オン、３−クロロ−１−（４−メトキシフェニル）−４−メチルペンタン−１−オン、３−ブロモ−１−（４−メトキシフェニル）−４−メチルペンタン−１−オン、３−ヨウド−１−（４−メトキシフェニル）−４−メチルペンタン−１−オン、３−フルオロ−１−（４−メトキシフェニル）へキサン−１−オン、３−クロロ−１−（４−メトキシフェニル）へキサン−１−オン、３−ブロモ−１−（４−メトキシフェニル）へキサン−１−オン、３−ヨウド−１−（４−メトキシフェニル）へキサン−１−オン、３−フルオロ−１−（４−メトキシフェニル）ヘプタン−１−オン、３−クロロ−１−（４−メトキシフェニル）ヘプタン−１−オン、３−ブロモ−１−（４−メトキシフェニル）ヘプタン−１−オン、３−ヨウド−１−（４−メトキシフェニル）ヘプタン−１−オン、３−フルオロ−１−（４−メトキシフェニル）オクタン−１−オン、３−クロロ−１−（４−メトキシフェニル）オクタン−１−オン、３−ブロモ−１−（４−メトキシフェニル）オクタン−１−オン、３−ヨウド−１−（４−メトキシフェニル）オクタン−１−オン、３−フルオロ−１−（４−メトキシフェニル）ノナン−１−オン、３−クロロ−１−（４−メトキシフェニル）ノナン−１−オン、３−ブロモ−１−（４−メトキシフェニル）ノナン−１−オン、３−ヨウド−１−（４−メトキシフェニル）ノナン−１−オン、３−フルオロ−１−（４−メトキシフェニル）デカン−１−オン、３−クロロ−１−（４−メトキシフェニル）デカン−１−オン、３−ブロモ−１−（４−メトキシフェニル）デカン−１−オン、３−ヨウド−１−（４−メトキシフェニル）デカン−１−オン、３−フルオロ−１−（４−メトキシフェニル）ウンデカン−１−オン、３−クロロ−１−（４−メトキシフェニル）ウンデカン−１−オン、３−ブロモ−１−（４−メトキシフェニル）ウンデカン−１−オン、３−ヨウド−１−（４−メトキシフェニル）ウンデカン−１−オン、３−フルオロ−１−（４−メトキシフェニル）ドデカン−１−オン、３−クロロ−１−（４−メトキシフェニル）ドデカン−１−オン、３−ブロモ−１−（４−メトキシフェニル）ドデカン−１−オン、３−ヨウド−１−（４−メトキシフェニル）ドデカン−１−オン、３−フルオロ−１−（４−メトキシフェニル）−４，４−ジメチルペンタン−１−オン、３−クロロ−１−（４−メトキシフェニル）−４，４−ジメチルペンタン−１−オン、３−ブロモ−１−（４−メトキシフェニル）−４，４−ジメチルペンタン−１−オン、３−ヨウド−１−（４−メトキシフェニル）−４，４−ジメチルペンタン−１−オン、３−フルオロ−１−（４−メトキシフェニル）−３−シクロヘキシルプロパン−１−オン、３−クロロ−１−（４−メトキシフェニル）−３−シクロヘキシルプロパン−１−オン、３−ブロモ−１−（４−メトキシフェニル）−３−シクロヘキシルプロパン−１−オン、３−ヨウド−１−（４−メトキシフェニル）−３−シクロヘキシルプロパン−１−オン等が挙げられる。
【００６４】
　本発明の上記一般式（５）で示される１，３位が置換された３−ハロゲノプロパン−１−オン類は、例えば、上記一般式（６）で示される１，３位が置換された３−ヒドロキシプロパン−１−オン類を、反応に不活性な溶媒中、ハロゲン化水素又はハロゲン化水素酸と反応させることにより得ることができる。
【００６５】
　本発明の上記一般式（６）において、置換基Ｒ１は、メチル基、エチル基、又は炭素数３〜１０の直鎖、分岐若しくは環式のアルキル基を表し、具体的には、シクロヘキシル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基等が例示される。また、置換基Ｒ２は、フェニル基、置換フェニル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を表し、具体的には、フェニル基、４−メトキシフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が例示される。
【００６６】
　本発明の方法において、上記一般式（６）で示される１，３位が置換された３−ヒドロキシプロパン−１−オン類は、従来公知の方法で調製することができる。例えば、アルデヒド類と、予めアセトフェノンとリチウムジイソプロピルアミドより調製したアセトフェノンのリチウムエノレートをテトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦと略す。）中、−６０℃以下で反応させる方法や、アルデヒド類とアセトフェノンのシリルエノールエーテルを塩化チタン（ＩＶ）存在下、ジクロロメタン等のハロゲン化炭化水素溶媒中、−２０℃〜室温で反応させる方法等により容易に調製することができる。得られた１，３位が置換された３−ヒドロキシプロパン−１−オン類は、精製し、本発明の方法に使用しても良いし、また精製することなく本発明の方法に使用することも可能である。
【００６７】
　本発明の方法において、上記一般式（５）で示される１，３位が置換された３−ハロゲノプロパン−１−オン類の製造の際に使用するハロゲン化水素又はハロゲン化水素酸としては、例えば、無水のハロゲン化水素、５〜３６重量％のハロゲン化水素酸水溶液、ハロゲン化水素及びハロゲン化水素酸の混合物、ハロゲン化水素を有機溶剤に溶解させた溶液等が挙げられる。例えば、１，３位が置換された３−ハロゲノプロパン−１−オン類を製造する場合には、無水の塩化水素、５〜３６重量％の塩酸水溶液、塩化水素及び塩酸の混合物、塩化水素を有機溶剤に溶解させた溶液等を使用すればよい。また、ハロゲン化水素又はハロゲン化水素酸は、反応に用いる１，３位が置換された３−ヒドロキシプロパン−１−オン類に対して、通常１〜１００倍モル量使用する。
【００６８】
　本発明の方法において、上記一般式（５）で示される１，３位が置換された３−ハロゲノプロパン−１−オン類の製造の際に適用可能なハロゲン化水素又はハロゲン化水素酸としては、具体的には、フッ化水素、塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素、フッ化水素酸、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸等が挙げられる。
【００６９】
　本発明の上記一般式（５）で示される１，３位が置換された３−ハロゲノプロパン−１−オン類の製造に使用可能な溶剤としては、反応に不活性なものであればあらゆるものが適用可能であるが、具体的には、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等の脂肪族炭化水素類、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ＴＨＦ等のエーテル類、クロロベンゼン、ｏ−クロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素等が挙げられる。これらのうち、好ましくは、ジクロロメタン、トルエン、ＴＨＦであり、使用量としては、反応に用いる１，３位が置換された３−ヒドロキシプロパン−１−オン類に対して、通常３〜１００重量倍量使用する。
【００７０】
　本発明の方法において、上記一般式（５）で示される１，３位が置換された３−ハロゲノプロパン−１−オン類を製造する際の反応温度及び時間としては、通常−４０℃〜３０℃の温度範囲で１〜１２時間反応させる。
【００７１】
　本発明の方法において、１，３位が置換された３−ハロゲノプロパン−１−オン類の製造後の後処理としては、大量の水を添加した後、分液し、次いで炭酸水素ナトリウム水溶液により洗浄し、濃縮することにより粗製の１，３位が置換された３−ハロゲノプロパン−１−オン類を得ることができる。得られた粗製１，３位が置換された３−ハロゲノプロパン−１−オン類は、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することなく次反応に使用可能であるが、必要に応じて精製しても何等問題はない。
【００７２】
　本発明において、上記一般式（２）で示されるエノン誘導体の製造方法としては、粗製又は精製後の上記一般式（５）で示される１，３位が置換された３−ハロゲノプロパン−１−オン類を、反応に不活性な溶剤中、塩基で処理する方法をとることができる。
【００７３】
　本発明の方法において、上記一般式（２）で示されるエノン誘導体の製造の際に適用可能な塩基としては、特に限定するものではないが、具体的には、トリエチルアミン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン等のアミン類、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等アルカリ金属水酸化物、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩等が挙げられ、反応に用いる上記一般式（５）で示される１，３位が置換された３−ハロゲノプロパン−１−オン類に対して、通常１〜１０倍モル量を使用する。また、アルカリ金属水酸化物又はアルカリ金属炭酸塩を使用する場合は、固体をそのまま用いてもよく、水溶液として用いても良い。さらにアルカリ金属水酸化物又はアルカリ金属炭酸塩を用いる場合は必要に応じてクラウンエーテル類、アンモニウム塩類等の相間移動触媒を用いても良い。
【００７４】
　本発明の方法において、上記一般式（２）で示されるエノン誘導体の製造に適用可能な溶剤としては、反応に不活性なものであれば、特に限定するものではないが、具体的には、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等の脂肪族炭化水素類、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ＴＨＦ等のエーテル類、クロロベンゼン、ｏ−クロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素等が挙げられる。これらのうち、好ましくは、ジクロロメタン、トルエン、ＴＨＦであり、使用量としては反応に用いる上記一般式（５）で示される１，３位が置換された３−ハロゲノプロパン−１−オン類に対して通常３〜１００重量倍量使用する。
【００７５】
　本発明の方法において、上記一般式（２）で示されるエノン誘導体を製造する際の反応温度及び時間としては、反応に使用する溶剤の種類及び塩基の種類により異なり、特に限定するものではないが、通常１０〜７０℃の温度範囲で１〜２４時間の反応で反応は完結する。
【００７６】
　本発明の方法において、上記一般式（２）で示されるエノン誘導体の製造後の後処理としては、余剰の塩基類を酸で除去後、水洗、乾燥、濃縮し、次いで少量のシリカゲルで着色成分を除去することにより、目的物である上記一般式（２）で示されるエノン誘導体を高純度で得ることができる。
【発明の効果】
【００７７】
　本発明により、光学活性（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−３−プロピオン酸及びその新規中間体、並びにそれらの工業的により安全な製造方法が提供される。
【００７８】
　また本発明においては、不斉酸化反応において触媒成分として使用される（Ｒ）−１，１’−ビ−２−ナフトールを、（Ｓ）−１，１’−ビ−２−ナフトールに置き換えることにより、本発明の化合物とは光学的に対照な（２Ｒ，３Ｓ）体の調製も可能となる。
【００７９】
　さらに本発明の方法によれば、新規な中間体を経由し、高純度の１，３位が置換されたエノン誘導体を得る方法が提供され、本発明は工業的に極めて有意義である。
【実施例】
【００８０】
　以下、実施例により本発明の光学活性エポキシ化合物類、及びその製造方法について具体的に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。なお化合物の分析については下記機器を使用し実施した。
【００８１】
　（１Ｈ−ＮＭＲ及び１３Ｃ−ＮＭＲ測定）
　Ｖａｒｉａｎ製Ｇｅｍｉｎｉ−２００を使用。
【００８２】
　（赤外吸光測定）
　Ｐｅｒｋｉｎ　Ｅｌｍｅｒ製２０００ＦＴ−ＩＲを使用。
【００８３】
　（質量分析）
　日立製Ｍ−８０Ｂを使用。
【００８４】
　（比旋光度）
　堀場製作所製ＳＥＰＡ−３００を使用。
【００８５】
　参考例１
　滴下ロート及び攪拌機を備えた、２０００ｍｌの３つ口フラスコを窒素置換した後、これにジイソプロピルアミン（９８．３ｇ，９７１ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（５４０ｍｌ）を仕込み−７０℃に冷却した。次いでこれにｎ−ブチルリチウム（１５％ヘキサン溶液，３９４ｇ，９２２ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下し、さらに同温度で１時間攪拌を行った。引き続き、同反応液に同温度で、アセトフェノン（１１６．７ｇ，９７１ｍｍｏｌ）を滴下し、同温度で３時間攪拌した後、シクロヘキサンカルボキシアルデヒド（９９．０ｇ，８８３ｍｍｏｌ）を添加、さらに２時間反応を行った。
【００８６】
　反応終了後、０℃に冷却した飽和の塩化アンモニウム水溶液（２８７ｇ）に反応液を添加、酢酸エチル（８９０ｍｌ×２回）で抽出、濃縮の後粗製のアルドール誘導体を得た。
【００８７】
　滴下ロート及び攪拌子を備えた、２００ｍｌの３つ口フラスコに得られたアルドール誘導体及びジクロロメタン（２０００ｍｌ）を仕込み、０℃に冷却の後、これに濃硫酸（１００ｇ，１．０１ｍｏｌ）を添加し、室温で１時間反応を行った。
【００８８】
　反応終了後、水洗（５００ｍｌ×２回）、飽和の重曹水洗浄（２００ｍｌ×４回）、分液、乾燥、濃縮、次いでシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜９０／１０，ｖｏｌ／ｖｏｌ）で精製することにより目的物の１−フェニル−３−シクロヘキシル−２−プロペン−１−オン（１５６．５ｇ，７３０ｍｍｏｌ）を得た（収率８３％）。
【００８９】
　＜分析結果＞
　融点：５０−５１℃
　ＭＳ（ｍ／ｚ）＝２１４［Ｍ＋］
　１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．０８−１．４８（ｍ，５Ｈ），１．６０−１．９８（ｍ，５Ｈ），２．１２−２．３８（ｍ，１Ｈ），６．８２（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ），７．０２（ｄｄ，Ｊ＝７．８，３．３Ｈｚ，１Ｈ），７．３８−７．６１（ｍ，３Ｈ），７．８６−７．９８（ｍ，２Ｈ）
　１３Ｃ−ＮＭＲ（５０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２５．８，２６．０，３１．９，４１．０，１２３．３，１２８．３，１２８．４，１３２．４，１３８．１，１５４．７，１９１．１
　ＩＲ（ＫＢｒ）：２９２１，２９４３，１６６３，１６１４，１４４３，１３６５，１２７３，１２３４，１０１９，９８５，６９２ｃｍ−１。
【００９０】
　実施例１
　滴下ロート及び攪拌機を備えた２０００ｍｌの３つ口フラスコを窒素置換した後、これに乾燥モレキュラーシーブス４Ａ（２００ｇ）、（Ｒ）−１，１’−ビ−２−ナフトール（５．９８ｇ，２０．９ｍｍｏｌ）、トリフェニルフォスフィンオキシド（１５．８４ｇ，５６．９ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（９５０ｍｌ）を仕込み溶解させた。次いでこれにランタントリイソプロポキシド（６．０ｇ，１９．０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（４０ｍｌ）溶液を添加し、室温で１時間攪拌の後、さらにクメンヒドロパーオキシド（８０％濃度，６．１ｇ，３２．１ｍｍｏｌ）を添加、引き続き室温で２時間攪拌を行った。
【００９１】
　反応液が緑色を呈したことを確認の後、０℃に冷却、別容器で調製した１−フェニル−３−シクロヘキシル−２−プロペン−１−オン（２０３．３ｇ，９４９ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（４５７ｍｌ）溶液を滴下ロートに仕込み、１時間かけて滴下した後、さらに同温度で４時間反応を行った。
【００９２】
　反応終了後、飽和の塩化アンモニウム水溶液（４００ｍｌ）を添加、５％亜硫酸ナトリウム水溶液（２２５ｍｌ）を添加、ろ過、分液、水層をジクロロメタン（２００ｍｌ×２回）で抽出、濃縮、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜９５／５，ｖｏｌ／ｖｏｌ）で精製することにより目的物の（２Ｓ，３Ｒ）−１−フェニル−２，３−エポキシ−３−シクロヘキシルプロパン−１−オン（１７４．８ｇ，７５９ｍｍｏｌ）を得た（収率８０％）。
【００９３】
　＜分析結果＞
　ＭＳ（ｍ／ｚ）＝２３０［Ｍ＋］
　１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．０６−１．５８（ｍ，６Ｈ），１．６１−２．００（ｍ，５Ｈ），２．９６（ｄｄ，Ｊ＝３．３，１．０Ｈｚ，１Ｈ），４．０９（ｄ，Ｊ＝１．０Ｈｚ，１Ｈ），７．４４−７．６７（ｍ，３Ｈ），７．９７−８．０７（ｍ，２Ｈ）
　１３Ｃ−ＮＭＲ（５０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２５．４，２５．６，２６．１，２９．０，２９．５，４０．１，５６．４，６４．２，１２８．１，１２８．７，１３３．６，１３５．５，１９４．６
ＩＲ（ＫＢｒ）：２９２７，２８５３，１６９０，１５９８，１５８０，１４５０，１２３０，９０２，７０３，６６６ｃｍ−１
　比旋光度［α］Ｄ２０＝−４．６°（Ｃ＝１．１１，ＣＨＣｌ３）
　ＨＰＬＣ：Ｄａｉｃｅｌ製Ｃｈｉｒａｌｃｅｌ　ＯＢ−Ｈ（４．６ｍｍＩＤ×２５０ｍｍＬ），ヘキサン／イソプロパノール＝９／１（ｖｏｌ比），１．０ｍｌ／ｍｉｎ，ＵＶ＝２５４ｎｍ，６．９ｍｉｎ（２Ｓ，３Ｒ），７．７ｍｉｎ（２Ｒ，３Ｓ），９８．０％ｅｅ。
【００９４】
　実施例２
　リービッヒコンデンサーを備えた２０００ｍｌのナス型フラスコに実施例１で得られた（２Ｓ，３Ｒ）−１−フェニル−２，３−エポキシ−３−シクロヘキシルプロパン−１−オン（４０．５ｇ，１７６ｍｍｏｌ）、ｍ−クロロ過安息香酸（７０％純度，１３０ｇ，５２７ｍｍｏｌ）、トルエン（８５０ｍｌ）を仕込み、５５℃で１２時間反応を行った。
【００９５】
　反応終了後、室温に冷却、析出物をろ過の後、さらにｍ−クロロ過安息香酸（７０％純度，８７ｇ，３５３ｍｍｏｌ）を反応液に添加し、５５℃で１２時間反応を行った。
【００９６】
　反応終了後、室温まで冷却、５％の亜硫酸ナトリウム水溶液（５００ｇ）で余剰のｍ−クロロ過安息香酸を分解、析出物をろ過、飽和重曹水（２００ｍｌ×６回）で洗浄、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜９５／５，ｖｏｌ／ｖｏｌ）で精製することにより目的物のフェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−３−シクロヘキシルプロピオネート（３４．７ｇ，１４１ｍｍｏｌ）を得た（収率８０％）。
【００９７】
　＜分析結果＞
　融点：５９−６０℃
　ＭＳ（ｍ／ｚ）＝２４６［Ｍ＋］
　１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．０５−１．５２（ｍ，６Ｈ），１．６１−１．９７（ｍ，５Ｈ），３．１５（ｄｄ，Ｊ＝３．２，１．０Ｈｚ，１Ｈ），３．５０（ｄ，Ｊ＝１．０Ｈｚ，１Ｈ），７．０８−７．４５（ｍ，５Ｈ）
　１３Ｃ−ＮＭＲ（５０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２５．４，２５．６，２６．１，２８．８，２９．３，３９．５，５１．９，６３．０，１２１．１，１２６．１，１２９．４，１５０．１，１６８．０
　ＩＲ（ＫＢｒ）：２９３１，２８４８，１７６９，１４８３，１４４９，１２４２，１１８４，１１７２，１１５６，９７２，８８１，７７７，７２２，６９０ｃｍ−１
　比旋光度［α］Ｄ２０＝＋１３．５°（Ｃ＝１．０８，ＣＨＣｌ３）
　ＨＰＬＣ：Ｄａｉｃｅｌ製Ｃｈｉｒａｌｃｅｌ　ＯＤ−Ｈ（４．６ｍｍＩＤ×２５０ｍｍＬ），ヘキサン／イソプロパノール＝９／１（ｖｏｌ比），１．０ｍｌ／ｍｉｎ，ＵＶ＝２５４ｎｍ，５．６ｍｉｎ（２Ｒ，３Ｓ），７．３ｍｉｎ（２Ｓ，３Ｒ），＞９９．０％ｅｅ。
【００９８】
　実施例３
　滴下ロート及び攪拌機を備えた２０００ｍｌの３つ口フラスコに、実施例２で得られたフェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−３−シクロヘキシルプロピオネート（５４．０ｇ，２１９ｍｍｏｌ）及びメタノール（４３７ｍｌ）を仕込み、０℃に冷却した。次いでこれに４％の水酸化ナトリウム水溶液（２５０ｇ，２５０ｍｍｏｌ）を１時間かけて添加し、さらに同温度で２時間反応を行った。
【００９９】
　反応終了後、リン酸二水素ナトリウム・２水和物（３．４２ｇ）を添加した後、溶剤を留去、水（２５０ｍｌ）を添加、ジクロロメタン（５０ｍｌ×４回）で抽出、次いでリン酸二水素ナトリウム・２水和物（１１６ｇ）を添加した後、酢酸エチル（５０ｍｌ×４回）抽出、次いで１０％塩酸水溶液（２００ｍｌ）を添加し、ＰＨを３とした後、酢酸エチル（５０ｍｌ×３回）抽出、乾燥、濃縮することにより粗製の（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−３−シクロヘキシルプロピオン酸（２０．５ｇ）を得た。得られた粗製物をｎ−へプタン／トルエン＝２／１（ｖｏｌ／ｖｏｌ）で再結晶することにより目的物の（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−３−シクロヘキシルプロピオン酸（１８．０ｇ，１０６ｍｍｏｌ）を得た（収率４８％）。
【０１００】
　＜分析結果＞
　融点：６４−６５℃
　ＭＳ（ｍ／ｚ）＝１７０［Ｍ＋］
　１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ０．９８−１．４８（ｍ，６Ｈ），１．５６−１．９４（ｍ，５Ｈ），３．０３（ｄｄ，Ｊ＝３．１，１．０Ｈｚ，１Ｈ），３．３２（ｄ，Ｊ＝１．０Ｈｚ，１Ｈ），１０．８５−１１．２３（ｂｒ，１Ｈ）
　１３Ｃ−ＮＭＲ（５０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ２５．４，２５．５，２６．０，２８．７，２９．２，３９．４，５１．４，６３．１，１７５．２
　ＩＲ（ＫＢｒ）：３００９，２９２９，２８５１，１７１５，１６３８，１４４８，１２５２，９０２，８８２，６７８ｃｍ−１
　比旋光度［α］Ｄ２０＝＋２０．８°（Ｃ＝１．０４，ＣＨＣｌ３）
　ＨＰＬＣ：Ｄａｉｃｅｌ製Ｃｈｉｒａｌｃｅｌ　ＯＤ−Ｈ（４．６ｍｍＩＤ×２５０ｍｍＬ），ヘキサン／イソプロパノール／トリフルオロ酢酸＝９５／５／０．５（ｖｏｌ比），１．０ｍｌ／ｍｉｎ，ＵＶ＝２１０ｎｍ，６．５ｍｉｎ（２Ｒ，３Ｓ），７．２ｍｉｎ（２Ｓ，３Ｒ），＞９９．０％ｅｅ。
【０１０１】
　実施例４
　１−フェニル−３−シクロへキシル−２−プロペン−１−オンに替え、１−フェニル−４−メチル−２−ペンテン−１−オンに替えた以外は実施例１と同じ操作を行い、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−フェニル−４−メチルペンタン−１−オンを収率９２％、光学純度９６％で得た。
【０１０２】
　＜分析結果＞
　１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．０７（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，３Ｈ），１．１４（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，３Ｈ）、１．６２−１．８４（ｍ，１Ｈ）、２．９７（ｄｄ，Ｊ＝６．６，１．８Ｈｚ，１Ｈ）、４．０７（ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，１Ｈ）、７．４８−７．６６（ｍ，３Ｈ）、８．０２−８．０８（ｍ，２Ｈ）
　１３Ｃ−ＮＭＲ（５０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１８．４，１９．０，３０．７，５６．６，６５．１，１２８．２，１２８．８，１３３．７，１９４．６
　ＭＡＳＳ（ｍ／ｚ）＝１９０［Ｍ＋］
ＩＲ（ＫＢｒ）３０６２，２９６５，２８７２，１６９２，１５９８，１４７０，１４５０，１３６７，１２８５，１２３０，１１８０，１０７５，９４３，８９１，８３１，６９７，６６５ｃｍ−１
　比旋光度［α］Ｄ２０＝−２４．０°（Ｃ＝１．００，ＣＨＣｌ３）
　元素分析　計算値Ｃ１２Ｈ１４Ｏ２：Ｃ，７５．７６；Ｈ，７．４２
　　　　　　測定値　　　　　　　　：Ｃ，７５．６８；Ｈ，７．３９。
【０１０３】
　実施例５
　実施例４で得られた（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−フェニル−４−メチルペンタン−１−オンを用いた以外実施例２と同じ操作で、フェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−４−メチルペンタノエートを収率６８％で得た。
【０１０４】
　＜分析結果＞
　１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．０６（ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，３Ｈ），１．０８（ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，３Ｈ）、１．６２−１．８４（ｍ，１Ｈ）、３．１４（ｄｄ，Ｊ＝６．２，１．８Ｈｚ，１Ｈ）、４．４８（ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，１Ｈ）、７．１０−７．３４（ｍ，５Ｈ）
　１３Ｃ−ＮＭＲ（５０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１８．３，１８．８，３０．１，５２．０，６３．９，１２１．２，１２５．３，１２６．２，１２８．２，１２９．０，１２９．５，１６７．９
　ＭＡＳＳ（ｍ／ｚ）＝２０６［Ｍ＋］
　ＩＲ（ＫＢｒ）２９６７，２８７４，１７７４，１７５４，１５９３，１４９３，１４５１，１３５３，１２６６，１１９４，１１６９，９６９，８９５，７１３，６８８ｃｍ−１
　比旋光度［α］Ｄ２０＝−６．２°（Ｃ＝１．００，ＣＨＣｌ３）
　元素分析　計算値Ｃ１２Ｈ１４Ｏ３：Ｃ，６９．８８；Ｈ，６．８４
　　　　　　測定値　　　　　　　　：Ｃ，７０．０１；Ｈ，６．６６。
【０１０５】
　実施例６
　実施例５で得られたフェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−４−メチルペンタノエートを実施例３と同じ操作で反応を行い（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−４−メチルペンタン酸を収率８５％で得た。
【０１０６】
　＜分析結果＞
　１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．００（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，３Ｈ），１．０５（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，３Ｈ）、１．５９−１．７８（ｍ，１Ｈ）、３．０３（ｄｄ，Ｊ＝５．６，１．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．３１（ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，１Ｈ）、１１．１（ｂｓ，１Ｈ）
　１３Ｃ−ＮＭＲ（５０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１８．１，１８．７，３０．１，５１．６，６４．０，１７５．２
　ＭＡＳＳ（ｍ／ｚ）＝１５２［Ｍ＋］
　ＩＲ（ＫＢｒ）３０５０，２９６８，１７２５，１４５２，１３６９，１２８４，１２２０，８９５，８２１，６６６ｃｍ−１
　比旋光度［α］Ｄ２０＝＋２．７°（Ｃ＝１．００，ＣＨＣｌ３）
　元素分析　計算値Ｃ６Ｈ１０Ｏ３：Ｃ，５５．３７；Ｈ，７．７４
　　　　　　測定値　　　　　　　：Ｃ，５５．２２；Ｈ，７．５８。
【０１０７】
　実施例７
　１−フェニル−３−シクロへキシル−２−プロペン−１−オンに替え、１−フェニル−−２−ヘプテン−１−オンに替えた以外は実施例１と同じ操作を行い、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−フェニルヘプタン−１−オンを収率８９％、光学純度９２％で得た。
【０１０８】
　＜分析結果＞
　１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ０．９４（ｒ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，３Ｈ），１．４０−１．８４（ｍ，６Ｈ）、３．１４（ｄｔ，Ｊ＝５．８，１．８Ｈｚ，１Ｈ）、４．０２（ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，１Ｈ）、７．４８−７．６６（ｍ，３Ｈ）、８．０２−８．０８（ｍ，２Ｈ）
　１３Ｃ−ＮＭＲ（５０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１４．０，２２．５，２８．０，３１．７，５７．５，６０．１，１２８．２，１２８．５，１２８．８，１３３．７，１９４．６
　ＭＡＳＳ（ｍ／ｚ）＝２０４［Ｍ＋］
　ＩＲ（ＫＢｒ）２９５９，２９９３，２８７２，１６９０，１５９８，１４５０，１４２６，１２３１，１００２，９３７，９０６，７６５，７３５，６９９ｃｍ−１
　比旋光度［α］Ｄ２０＝＋７．３°（Ｃ＝１．００，ＣＨＣｌ３）
　元素分析　　計算値Ｃ１３Ｈ１６Ｏ２：Ｃ，７６．４４；Ｈ，７．９０
　　　　　　　測定値　　　　　　　　：Ｃ，７６．６８；Ｈ，７．９９。
【０１０９】
　実施例８
　実施例７で得られた（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシ−１−フェニルヘプタン−１−オンを用いた以外実施例２と同じ操作で、フェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシヘプタノエートを収率６５％で得た。
【０１１０】
　＜分析結果＞
　１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ０．９４（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，３Ｈ）、１．３３−１．８２（ｍ，１Ｈ）、３．３３（ｄｔ，Ｊ＝６．２，１．８Ｈｚ，１Ｈ）、３．４４（ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，１Ｈ）、７．０６−７．４８（ｍ，５Ｈ）
　１３Ｃ−ＮＭＲ（５０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１４．０，２２．５，２７．９，３１．２，５３．０，５９．０，１２１．２，１２５．３，１２６．２，１２８．２，１２８．４，１２９．０，１２９．５，１２９．８，１６７．８
　ＭＡＳＳ（ｍ／ｚ）＝２２０［Ｍ＋］
　ＩＲ（ＫＢｒ）２９５８，２９３３，２８７３，１７７３，１７５３，１５９３，１４９３，１４５５，１３４４，１２６６，１１９４，１１６９，１１０８，１０７０，１０２６，９５６，６８８ｃｍ−１
　比旋光度［α］Ｄ２０＝＋１５．４°（Ｃ＝１．００，ＣＨＣｌ３）
　元素分析　計算値Ｃ１３Ｈ１６Ｏ３：Ｃ，７０．８９；Ｈ，７．３２
　　　　　　測定値　　　　　　　　：Ｃ，７０．７６；Ｈ，７．５６。
【０１１１】
　実施例９
　実施例８で得られたフェニル　（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシヘプタンノエートを実施例３と同じ操作で反応を行い（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−エポキシヘプタン酸を収率７２％で得た。
【０１１２】
　＜分析結果＞
　１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ０．９２（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，３Ｈ）、１．２６−１．７２（ｍ，６Ｈ）、３．１９（ｍ，１Ｈ）、３．２５（ｂｓ，１Ｈ）、９．６６（ｂｓ，１Ｈ）
　１３Ｃ−ＮＭＲ（５０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１３．９，２２．４，２７．８，３１．２，５２．８，５９．０，１７４．６
　ＭＡＳＳ（ｍ／ｚ）＝１４４［Ｍ＋］
　ＩＲ（ＫＢｒ）３０７０，２９５９，２９３５，２８７４，１７３６，１４６０，１３７８，１２４３，１０４６，９０１，６６７ｃｍ−１
　比旋光度［α］Ｄ２０＝＋２０．４°（Ｃ＝１．００，ＣＨＣｌ３）
　元素分析　計算値　Ｃ７Ｈ１２Ｏ３：Ｃ，５８．３２；Ｈ，８．３９
　　　　　　測定値　　　　　　　　：Ｃ，５８．１２；Ｈ，８．２１。
【０１１３】
　以下、実施例により本発明のβ−ハロゲノケトン誘導体、その製造方法及びそれを用いたエノン誘導体の製造方法について具体的に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。なお化合物の分析については以下に示す機器を使用して実施した。
【０１１４】
　（１Ｈ−ＮＭＲ及び１３Ｃ−ＮＭＲ測定）
　Ｖａｒｉａｎ製Ｇｅｍｉｎｉ−２００を使用。
【０１１５】
　（ＨＰＬＣによる純度測定）
　東ソー製ＣＣＰＭ，東ソー製ＴＳＫｇｅｌ８０ＴＱＡ（４．６ｍｍＩＤ×１５０ｍｍＬ）、東ソー製ＵＶ−８０２０検出器（ＵＶ＝２５４ｎｍ）、溶離液：アセトニトリル／水＝９／１（ｖｏｌ／ｖｏｌ）、１ｍｌ／ｍｉｎで測定。
【０１１６】
　調製例１
　滴下ロート及び攪拌機を備えた、２０００ｍｌの３つ口フラスコを窒素置換した後、これにジイソプロピルアミン（９８．３ｇ，９７１ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（５４０ｍｌ）を仕込み−７０℃に冷却した。次いでこれにｎ−ブチルリチウム（１５％ヘキサン溶液，３９４ｇ，９２２ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下し、さらに同温度で１時間攪拌を行った。引き続き、同反応液に同温度で、アセトフェノン（１１６．７ｇ，９７１ｍｍｏｌ）を滴下し、同温度で３時間攪拌した後、シクロヘキサンカルボキシアルデヒド（９９．０ｇ，８８３ｍｍｏｌ）を添加、さらに２時間反応を行った。
【０１１７】
　反応終了後、０℃に冷却した飽和の塩化アンモニウム水溶液（２８７ｇ）に反応液を添加、酢酸エチル（８９０ｍｌ×２回）で抽出、濃縮の後粗製の１−フェニル−３−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルプロパン−１−オンを得た（１９４．８ｇ，８５５ｍｍｏｌ）。
【０１１８】
　実施例１０
　滴下ロート及び攪拌子を備えた、２０００ｍｌの３つ口フラスコに調製例１で得られた１−フェニル−３−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルプロパン−１−オン（９３．５ｇ，４０２ｍｍｏｌ）及びジクロロメタン（８５０ｇ）を仕込み、−１０℃に冷却した後、これに３６％塩酸（１８０ｇ，１．７８ｍｏｌ）を３０分かけて滴下し、さらに同温度で２時間反応を行った。
【０１１９】
　反応終了後、水（７００ｍｌ）を添加、攪拌後、分液、飽和の重曹水（２５０ｍｌ×３回）で洗浄の後、濃縮することにより１−フェニル−３−クロロ−３−シクロヘキシルプロパン−１−オン（９５．９ｇ，３８２ｍｍｏｌ）を収率９５％で得た。
【０１２０】
　＜分析結果＞
　１Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１．０８−１．５１（５Ｈ，ｍ），１．５８−１．９５（６Ｈ，ｍ），３．２３（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝４．４Ｈｚ，１６．８Ｈｚ），３．５６（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１６．８Ｈｚ），４．５２（１Ｈ，ｄｄｄ，Ｊ＝４．４Ｈｚ，４．４Ｈｚ，８．８Ｈｚ），７．４２−７．６５（３Ｈ，ｍ），７．９６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）。
【０１２１】
　実施例１１
　調製例１と同じ製造方法で得られた１−フェニル−３−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルプロパン−１−オンを原料とし、３６％塩酸（１８０ｇ）を１５％塩酸（２５０ｍｌ）に替えた以外、実施例１０と同じ反応及び後処理操作を行い、目的物の１−フェニル−３−クロロ−３−シクロヘキシルプロパン−１−オン（９２．０ｇ，３６６ｍｍｏｌ）を収率９１％で得た。
【０１２２】
　実施例１２
　調製例１と同じ製造方法で得られた１−フェニル−３−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルプロパン−１−オンを原料とし、塩酸（１８０ｇ）を塩化水素ガス（２０℃，１２３００ｍｌ，５１１ｍｍｏｌ）に替え、−２０℃で反応を行った以外、実施例１０と同じ反応及び後処理操作を行い、目的物の１−フェニル−３−クロロ−３−シクロヘキシルプロパン−１−オン（９７．１ｇ，４０７ｍｍｏｌ）を収率９６％で得た。
【０１２３】
　実施例１３
　滴下ロート及び攪拌機を備えた１０００ｍｌの３つ口フラスコに、実施例１０で得られた１−フェニル−３−クロロ−３−シクロヘキシルプロパン−１−オン（５０ｇ，１９９ｍｍｏｌ）及びジクロロメタン（３００ｇ）を仕込み０℃に冷却した。次いでこれに、トリエチルアミン（３０ｇ，２９６ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下後、４５℃に加熱し、同温度で４時間反応を行った。
【０１２４】
　反応終了後、室温に冷却、水洗（１５０ｍｌ）、１Ｎ−塩酸洗浄（１５０ｍｌ×２回）、飽和重曹水洗浄（２４０ｍｌ×２回）行い、乾燥、濃縮することにより粗製の１−フェニル−３−シクロヘキシル−２−プロペン−１−オンを得た。さらにシリカゲル（５０ｇ）を充填したショートカラムで精製することにより目的物の１−フェニル−３−シクロヘキシル−２−プロペン−１−オン（４０．６ｇ，１８９ｍｍｏｌ）を得た（収率９５％）。またＨＰＬＣによる純度測定結果は９７％であった。
【０１２５】
　実施例１４
　実施例１０と同じ製造方法で得られた１−フェニル−３−クロロ−３−シクロヘキシルプロパン−１−オンを用い、トリエチルアミン（３０ｇ，２９６ｍｍｏｌ）を４−ジメチルアミノピリジン（２６．９ｇ，２２０ｍｍｏｌ）、反応温度を２０℃とした以外、実施例１３と同じ反応操作及び後処理を行った。
【０１２６】
　得られた１−フェニル−３−シクロヘキシル−２−プロペン−１−オン（４１．５ｇ，１９３ｍｍｏｌ）は収率９７％で、ＨＰＬＣ純度は９８％であった。
【０１２７】
　実施例１５
　実施例１１と同じ製造方法で得られた１−フェニル−３−クロロ−３−シクロヘキシルプロパン−１−オンを用い、トリエチルアミン（３０ｇ，２９６ｍｍｏｌ）を炭酸ナトリウム（５３．０ｇ，５００ｍｍｏｌ）、１８−クラウン−６−エーテル（２ｇ）、反応温度を５０℃とした以外、実施例１３と同じ反応操作及び後処理を行った。
【０１２８】
　得られた１−フェニル−３−シクロヘキシル−２−プロペン−１−オン（３９．７ｇ，１８５ｍｍｏｌ）は収率９３％で、ＨＰＬＣ純度は９４％であった。
【０１２９】
　実施例１６
　調製例１に従い２−メチルプロパナールとアセトフェノンにより調製した１−フェニル−４−メチル−３−ヒドロキシペンタン−１−オンを、実施例１０と同じ操作で反応を行い１−フェニル−４−メチル−３−クロロペンタン−１−オンを収率９２％で得た。
【０１３０】
　＜分析結果＞
　１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，２００ＭＨｚ）δ１．０５（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ），１．１２（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ）、２．０９（ｍ，１Ｈ）、３．２１（ｄｄ，Ｊ＝１６．０，４．２Ｈｚ，１Ｈ）、３．５９（ｄｄ，Ｊ＝１６．０，８．０Ｈｚ，１Ｈ）、４．５８（ｍ，１Ｈ）、７．４６−７．６６（ｍ，３Ｈ）、７．９２−８．０４（ｍ，２Ｈ）
　ＭＡＳＳ（ｍ／ｚ）＝２１０［Ｍ＋］
　元素分析　計算値Ｃ１２Ｈ１５ＣｌＯ：Ｃ，６８．４０；Ｈ，７．１８
　　　　　　測定値　　　　　　　　　：Ｃ，６８．４３；Ｈ，７．１７。
【０１３１】
　実施例１７
　実施例１６で得られた１−フェニル−４−メチル−３−ヒドロキシペンタン−１−オンを実施例１３と同じ操作で反応を行い１−フェニル−４−メチル−２−ペンテン−１−オンを収率８９％、純度９６％で得た。
【０１３２】
　＜分析結果＞
　１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，２００ＭＨｚ）δ１．１３（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ）、２．４８−２．６６（ｍ，１Ｈ）、６．８２（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ）、７．０４（ｄｄ，Ｊ＝１５．８，６．６Ｈｚ，１Ｈ）、７．４２−７．５９（ｍ，３Ｈ）、７．９０−７．９９（ｍ，２Ｈ）
　１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ２１．５，３１．６，１２３．１，１２８．２，１２８．４，１２８．５，１３２．５，１３８．１，１５５．９，１９１．２
　ＭＡＳＳ（ｍ／ｚ）＝１７４［Ｍ＋］
　ＩＲ（ＫＢｒ）３０６０，２９６３，２８７０，１６７０，１６２１，１４６５，１４４７，１３５４，１３０４，１２７０，１２１７，１０１８，９８３，９６０，７７２，６９７，６６０ｃｍ−１
　元素分析；計算値Ｃ１２Ｈ１４Ｏ：Ｃ，８２．７２；Ｈ，８．１０
　　　　　　測定値　　　　　　　：Ｃ，８２．７８；Ｈ，８．２０。
【０１３３】
　実施例１８
　調製例１に従いｎ−ペンタナールとアセトフェノンにより調製した１−フェニル−３−ヒドロキシヘプタン−１−オンを、実施例１０と同じ操作で反応を行い１−フェニル−３−クロロへプタン−１−オンを収率９２％で得た。
【０１３４】
　＜分析結果＞
　１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，２００ＭＨｚ）δ０．９３（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ），１．３０−１．９５（ｍ，６Ｈ）、３．２７（ｄｄ，Ｊ＝１８．０，３．２Ｈｚ，１Ｈ）、３．５９（ｄｄ，Ｊ＝１８．０，３．２Ｈｚ，１Ｈ）、４．５８（ｍ，１Ｈ）、７．４４−７．６４（ｍ，３Ｈ）、７．９５−８．０６（ｍ，２Ｈ）
　ＭＡＳＳ（ｍ／ｚ）＝２２４［Ｍ＋］
　元素分析　計算値Ｃ１３Ｈ１７ＣｌＯ：Ｃ，６９．４８；Ｈ，７．６２
　　　　　　測定値　　　　　　　　　：Ｃ，６９．４５；Ｈ，７．６０。
【０１３５】
　実施例１９
　実施例１８で得られた１−フェニル−４−メチル−３−クロロへプタン−１−オンを実施例１３と同じ操作で反応を行い１−フェニル−２−ヘプテン−１−オンを収率８５％、純度９８％で得た。
【０１３６】
　＜分析結果＞
　１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，２００ＭＨｚ）δ０．９３（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ）、１．３２−１．５７（ｍ，４Ｈ）、２．２６（ｍ，２Ｈ）、６．７０（ｄ，Ｊ＝１４．０Ｈｚ，１Ｈ）、７．０４（ｄｔ，Ｊ＝１４．０，６．６Ｈｚ，１Ｈ）、７．４２−７．５９（ｍ，３Ｈ）、７．８８−７．９９（ｍ，２Ｈ）
　１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ１３．９，２２．４，３０．４，３２．６，１２５．８，１２８．２，１２８．４，１２８．５，１３２．５，１３８．０，１５０．０，１９０．８
　ＭＡＳＳ（ｍ／ｚ）＝１８８［Ｍ＋］
　ＩＲ（ＫＢｒ）３０６０，２９５８，２９３０，２８７２，１６７１，１６２１，１４４８，１３５８，１２８２，１２６５，１２２３，１００４，９８３，９２４，７６０，６９３ｃｍ−１
　元素分析；　計算値Ｃ１３Ｈ１６Ｏ：Ｃ，８２．９４；Ｈ，８．５７
　　　　　　　測定値　　　　　　　：Ｃ，８２．７８；Ｈ，８．４０。
【０１３７】
　比較例１
　実施例１０で得られた１−フェニル−３−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルプロパン−１−オン（５０ｇ，２１５ｍｍｏｌ）を用い、３６％塩酸を濃硫酸（１００ｇ，１．０１ｍｏｌ）に替え、０℃で２時間反応を行った。
【０１３８】
　反応終了後、水洗（５００ｍｌ×２回）、飽和の重曹水洗浄（２００ｍｌ×４回）、分液、乾燥、濃縮することにより、粗製の１−フェニル−３−シクロヘキシル−２−プロパン−１−オンを得た。
【０１３９】
　得られた粗製の１−フェニル−３−シクロヘキシル−２−プロパン−１−オンをシリカゲル（５０ｇ）によるシリカゲルカラムクロマトグラフィーでの精製を行い目的物１−フェニル−３−シクロヘキシル−２−プロパン−１−オン（３６．３ｇ，１６９ｍｍｏｌ）を得たが、ＨＰＬＣ測定において純度８３％と低純度であった。