(57)【要約】【課題】多段光学構造の回折光学素子の製作【解決手段】一態様において、回折光学素子は、この回折光学素子が有効波長範囲内の赤外線光を位相シフトできるように、それぞれの厚さが選択された複数のアモルファスシリコン位相シフト層(14-20)を含む多層構造体(10)を形成することにより作られる。アモルファスシリコン位相シフト層(14-20)は、各々が約５ｎｍ又はそれより小さい厚さを有する二酸化シリコンエッチストップ層(22-26)によりそれぞれ分離されている。多層構造体(10)の各層は、順次にマスキングされてエッチングされ、多段光学構造体(34)が形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
　回折光学素子を形成する方法であって、
　前記回折光学素子が有効波長範囲内の赤外線光を位相シフトするように動作可能なように各々の厚さが選択された複数のアモルファスシリコン位相シフト層（14〜20）を含み、これらが各々約５ｎｍ又はそれより小さい厚さを有する二酸化シリコンエッチストップ層（22〜26）によりそれぞれ分離されている多層構造体（10）を形成するステップと、及び
　前記多層構造体（10）の層を順次にマスキングしてエッチングすることにより、多段光学構造体（34）を形成するステップとを含む、方法。
【請求項２】
　各エッチストップ層（22〜26、48）が約２ｎｍ又はそれより小さい厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　前記多層構造体（10）を形成するステップが、化学蒸着法によってアモルファスシリコン位相シフト層（14〜20）を堆積させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
　前記アモルファスシリコン位相シフト層（14〜20）が、約６００℃未満の温度で堆積される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
　前記多層構造体を形成するステップが、それぞれの位相シフト層（14〜20）上にシリコンエッチストップ層（22〜26）を熱成長させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
　前記二酸化シリコンエッチストップ層（22〜26）が、約６００℃未満の温度の蒸気中で熱成長される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
　前記多層構造体（10）を形成するステップが、二酸化シリコンエッチストップ層（22〜26）をそれぞれの位相シフト層（14〜20）上に堆積することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
　前記多段光学構造体中のアモルファスシリコン位相シフト層（14〜20）を二酸化シリコン位相シフト層へと変換するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
　有効波長範囲内の赤外線光を位相シフトするように選択されたそれぞれの厚みを有し、それぞれが約５ｎｍ又はそれより小さい厚さを有する二酸化シリコンエッチストップ層（22〜26）により分離されている複数のアモルファスシリコン位相シフト層（14〜20）を含む多段光学構造体（34）からなる、回折光学素子。
【請求項１０】
　回折光学素子を形成する方法であって、
　複数のエッチ層（14〜20、46）に対して選択的にエッチング可能な各エッチストップ層（22〜26、48）により分離された複数のエッチ層（14〜20、46）からなる多層構造体（10、50）を形成するステップあって、前記エッチ層及びエッチストップ層（14〜26、46、48）のうちの１つ又は複数が有効波長範囲内の光に対して実質的に不透明である、ステップと、
　不透明な層を前記有効波長範囲内の光に対して実質的に透明な物質へと変換するステップと、及び
　前記多層構造体（10、50）の層を順次にマスキングしてエッチングすることにより、多段光学構造体（34、52）を形成するステップとを含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、回折光学素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
　回折光学素子は、フレネルゾーンプレート、拡散板、キノフォーム、位相格子及びホログラム等の広範囲の様々な形態で実現されることができ、高解像度イメージングシステムや光ファイバカプラー相互接続システムを含む広範囲の様々な光学用途に使用され得る。近年、回折光学素子は、波面変換等、入射放射線の複雑な相転移を行うものが開発されている。回折光学素子は、反射型回折光学素子とすることができ、又は透過型回折光学素子とすることができる。
【０００３】
　一般に、回折光学素子は高い回折効率を持っていなければならない。１００％の回折効率を達成するために、連続した位相プロファイルが任意の期間内で必要とされるが、このように連続した位相プロファイルを提供するデバイス構造の製造は困難である。しかしながら、一組の離散的位相レベルを有するマルチレベル回折光学素子によって連続した位相プロファイルが近似され得る。離散的位相レベルの数が多ければ多いほど、対応する連続位相プロファイルへのよりすぐれた近似が得られる。このような回折光学素子は、相対的に効率良く構築されることができ、連続位相プロファイルを提供する回折光学素子よりも容易に製造することができる。マルチレベル回折光学素子は一般に、一組の２値振幅エッチマスクを生成し、材料構造の複数レベルを順次にマスキングしてエッチングすることにより製作される。マルチレベル回折光学素子のレベルのステップ（段）の高さは、全て同じであっても、又は異なっていても良い（例えば、ステップの高さは、二値的に重み付けされてもよい）。
【特許文献１】米国特許第６，３９２，７９２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　ステップをつけた回折光学素子のマルチレベル表面プロファイルは、標準的な半導体集積回路製造技術を用いて製作され得る。しかしながら、エッチング工程は、異なる位相レベルのそれぞれについて、正確で反復可能なエッチング深度が得られるように最適化されなければならない。一般に、エッチング速度及びエッチング時間の制御に依存するエッチング工程は実施が難しく、局所パターンによって局所的なエッチング速度が変化して、そのため各レベルの結果としての位相シフトがパターン密度により変わるマイクロローディグ近接効果に悩まされる場合が多い。特許文献１は、隣接するスタック層が互いに対して固有のエッチストップを提供するような、良好なエッチング選択特性を示す２つの異なる材料の交互に重ねられた層からなるエッチスタックから反射型マルチレベル回折光学素子を製作する方法を提案している。特許文献１は、実質的に等しい高さを有するシリコン及び二酸化シリコンの交互になった層を有するエッチスタックを説明する。エッチスタック層がエッチングされた後、エッチングされた構造体上に多層反射型スタックのオーバーコートが形成され、デバイスが完成する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
　本発明は、創意に富んだ回折光学素子及びその創意に富んだ製作方法を特徴とする。
【０００６】
　本発明の一態様において、回折光学素子は、この回折光学素子が有効波長範囲内の赤外線光を位相シフトできるように、それぞれの厚さが選択された複数のアモルファスシリコン位相シフト層を含む多層構造体を形成することにより作られる。アモルファスシリコン位相シフト層は、各々が約５ｎｍ又はそれより小さい厚さを有する二酸化シリコンエッチストップ層によりそれぞれ分離されている。多層構造体の各層は、順次にマスキングされてエッチングされ、多段光学構造体が形成される。
【０００７】
　別の態様において、本発明は、有効波長範囲内にある赤外線光を位相シフトするように選択されたそれぞれの厚さを持つ複数のアモルファスシリコン位相シフト層を含む多段構造体からなる回折光学素子を特徴とする。アモルファスシリコン位相シフト層は、各々が約５ｎｍ又はそれより小さい厚さを有する二酸化シリコンエッチストップ層によりそれぞれ分離されている。
【０００８】
　本発明の別の態様において、エッチ層に対して選択的なエッチングを可能とするエッチストップ層によりそれぞれ分離された複数のエッチ層を含む多層構造体を形成することにより、回折光学素子が製作される。エッチ層及びエッチストップ層の１つ又は複数は、有効波長範囲内の光に対して実質的に不透明である。不透明層は、有効波長範囲内の光に対して実質的に透明な物質へと変換される。多層構造体の各層は、順次にマスキングされてエッチングされ、多段光学構造体が形成される。
【０００９】
　本発明の他の特徴及び利点は、添付図面を含む以下の説明から明らかになるであろう。
【発明の効果】
【００１０】
　本発明により、多段光学構造の回折光学素子を製作することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
　以下の説明において、同じ参照番号は、同様の要素を識別するために使用される。更に、図面は、典型的な実施形態の主要な特徴を図式的に例示することが意図されている。図面は、実際の実施形態の特徴を全て示すことを意図したものではなく、図示された要素の相対的な寸法も一定の縮尺に従って描かれていない。
【００１２】
　図１、図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ、図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ及び図４を参照するが、まず始めに図１を参照すると、いくつかの実施形態において、回折光学素子は以下の通りに形成され得る。最初に多層構造体１０が基板１２上に形成される。多層構造体１０は、各エッチストップ層２２、２４、２６により分離された複数の位相シフト層１４、１６、１８、２０を含む。図示した実施形態において、多層構造体１０は４つの位相シフト層を含む。他の実施形態において、多層構造体１０はより多くの、又はより少ない位相シフト層を含むことができる。位相シフト層１４〜２０は、有効波長範囲内の光（例えば赤外線光）を位相シフトするように選択されたそれぞれの厚さを有する。透過型の実施形態において、位相シフト層１４〜２０、エッチストップ層２２〜２６、及び基板１２は、有効波長範囲内の光に対して実質的に透明である。一部の実施形態において、エッチストップ層２２〜２６は、回折光学素子と直列な干渉フィルタの形成を避けるために位相シフト層１４〜２０と実質的に屈折率が一致している。他の実施形態において、エッチストップ層２２〜２６はそれぞれ、そのような干渉フィルタの形成を避けるために、有効波長範囲内の光波長よりも実質的に薄い厚さを有する。図示した実施形態において、多層構造体１０は酸化物キャップ層２８も含む。
【００１３】
　赤外線波長範囲内で動作可能な透過型回折光学素子を形成するために設計された典型的な一実施形態において、基板１２は赤外線光に対して実質的に透明な材料（例えば、シリコン、石英、サファイア、及びホウケイ酸ガラス）から形成され得る。位相シフト層１４〜２０はアモルファスシリコンから形成される。アモルファスシリコンの位相シフト層は、好適には約６００℃未満、及び最も好適には約５５０℃の温度で実施される化学蒸着法（減圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）又はプラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）等）により堆積され得る。５５０℃のＬＰＣＶＤ堆積は、結果として得られる位相シフト層が正確に制御された厚みを有し、実質的に単調で滑らかであるという理由から好ましい。本実施形態において、各位相シフト層は目標とする有効波長の数分の１に等しい厚さを有する。この厚さは、約５０ｎｍから５００ｎｍの範囲とすることができる。エッチストップ層２２〜２６は、二酸化シリコンから形成されており、これは熱的に成長され、又は化学蒸着法（例えばＰＥＣＶＤ）によって堆積され得る。各位相シフト層が形成されると、好適には約６００℃未満、より好適には約５５０℃の温度に加熱することにより、二酸化シリコンのエッチストップ層がそれぞれの位相シフト層の露出された面上に熱成長され得る。熱酸化温度を約６００℃未満に維持することにより、アモルファスシリコン位相シフト層の各々の上面において粗いシリコンの凹凸の形成を避ける。回折光学素子と直列の干渉フィルタの形成を避けるために、エッチストップ層２２〜２６の厚さは、好適には約５ｎｍ未満、より好適には約２ｎｍ又はそれより小さい。
【００１４】
　図２Ａ〜図２Ｃ、及び図３Ａ〜図３Ｃを参照すると、多層構造体１０を基板１２上に形成した後、最終的な回折光学素子に対応する多段光学構造体は、以下に説明するように多層構造体１０の各層を通じて順次にマスキングしてエッチングすることにより形成され得る。この工程を上述した典型的な実施形態に関して説明する。
【００１５】
　まず始めに、酸化物キャップ層２８（存在する場合）は、希釈（例えば５０：１）水：フッ化水素酸（ＨＦ）溶液中に構造体を浸漬することにより除去され得る。次に、露出した位相シフト層１４の上面の上へフォトレジストがスピン塗布され、プリベーキングされ、第一のマスク層で露光されて現像されることにより、パターニングされたフォトレジスト層３０が、露出した位相シフト層１４の表面上に形成される（図２Ａ）。この実施形態のアモルファスシリコン／二酸化シリコン材料系の有利な特徴は、パターニングされたフォトレジスト層３０を形成するために一般的に使用される紫外線光の吸収が高く、従ってフォトレジストパターンの忠実度を劣化させる逆反射が回避されるという点にある。位相シフト層１４をエッチングして最終的な回折光学素子の最上層を形成することができる（図２Ｂ）。典型的な実施形態の場合、位相シフト層１４は、ポリシリコンをエッチングするように構成された従来のプラズマエッチング装置（例えば、従来のＣＭＯＳゲートエッチング装置）を用いてエッチングされる。このようなプラズマエッチングは、シリコンと二酸化シリコンとの間のエッチング選択性が高く（例えば、５０：１又はそれより大きい）、エッチングされた領域とされない領域との間の側壁を垂直に維持する。位相シフト層１４は、エッチング工程がエッチストップ層２２において有効に停止するまでエッチングされる。エッチストップ層２２の露出領域は、この多層構造体を希釈（例えば５０：１）水：フッ化水素酸（ＨＦ）溶液中に浸漬することにより除去される（図２Ｃ）。そして多層構造体は、次の位相シフト層１６の処理の準備として乾燥される。
【００１６】
　図３Ａ〜図３Ｃを参照すると、パターニングされた位相シフト層１４、及び位相シフト層１６の露出面上に、フォトレジストがスピン塗布される。その後フォトレジストがプリベークされ、第二のマスク層で露光されて現像されることにより、パターニングされたフォトレジスト層３２が形成される（図３Ａ）。上部位相シフト層１４と同様に、位相シフト層１６をエッチングすることにより最終的な回折光学素子の第二の層を形成することができる（図３Ｂ）。典型的な実施形態の場合、位相シフト層１６はポリシリコンをエッチングするように構成された従来のプラズマエッチング装置（例えば、従来のＣＭＯＳゲートエッチング装置）を用いてエッチングされる。エッチストップ層２４の露出領域は、この多層構造体を希釈（例えば５０：１）水：フッ化水素酸（ＨＦ）溶液に浸漬することにより除去される（図３Ｃ）。そして多層構造体は、次の位相シフト層１８の処理の準備として乾燥される。
【００１７】
　図４を参照すると、残りの位相シフト層１８及び２０は、最終的な多段光学構造体３４が形成されるまで、位相シフト層１４及び１６を処理するために用いた同様のフォトリソグラフィー／エッチング工程を用いて処理される。典型的な実施形態の場合、この構造体は、赤外線放射線用の回折光学素子として直接的に使用され得る。多段光学構造体３４の上には、無反射コーティング、又は保護コーティングを堆積することができる。代案として、単層又は多層の反射コーティング（例えば、アルミニウム、又はクロムと金の組み合わせ）を多段光学構造体３４の露出面上に堆積することにより、反射型回折光学素子を形成することができる。
【００１８】
　図５を参照すると、いくつかの実施形態において、図４の多段構造体３４を酸化させることにより、異なる有効波長範囲（例えば、近赤外線及び可視波長範囲）の光に対して不透明な領域を変換し、それにより結果としての透過型回折光学素子の有効波長範囲を広げることができる。例えば、典型的な実施形態に関して、多段光学構造体３４を約１，０００℃の温度の蒸気中で加熱することにより、アモルファスシリコン位相シフト層１４〜２０を、透明波長範囲がシリコンの透明波長範囲よりも短い波長（例えば８５０ｎｍ）へ伸びた二酸化シリコン（アモルファス石英）へ変換することができる。結果としての構造体３６は多層モノリシック純二酸化シリコン構造体である。この構造体は、典型的な実施形態の場合、広い放射波長範囲用の回折光学素子として直接的に使用され得る。多段光学構造体３６上に無反射コーティング、又は保護コーティングを堆積することができる。代案として、単層又は多層の反射コーティング（例えば、アルミニウム、又はクロムと金の組み合わせ）を多段光学構造体の露出面上に堆積することにより反射型回折光学素子を形成することができる。
【００１９】
　図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ、図７、図８及び図９を参照し、まず図６Ａ〜図６Ｃを参照すると、他の実施形態において回折光学素子を以下のように形成することができる。最初にアモルファスシリコン層４０が基板４２上に形成される（図６Ａ）。アモルファスシリコン層は、好適には約６００℃未満、及びより好適には約５５０℃の温度で化学蒸着プロセス（例えば減圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）又はプラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ））により堆積され得る。アモルファスシリコン層４０は、二酸化シリコンへと変換された後に結果として生じた層が、選択された有効波長範囲内の光（例えば赤外線又は可視光）を位相シフトするように動作可能な厚さを有する。透過型回折光学素子の場合、基板４２は、選択された有効光波長範囲内の光に対して実質的に透明な材料（例えばシリコン、石英、サファイア、赤外線光及び可視光用ホウケイ酸ガラス）から形成され得る。次に、アモルファスシリコン層４０は酸化され、約２〜５ｎｍ程度の厚さを持つ薄いキャップ層４４が形成される。いくつかの実施形態において、キャップ層４４は、好適には約６００℃未満、より好適には約５５０℃の温度の蒸気中で熱成長され得る。約６００℃未満の温度でキャップ層４４を成長させることにより、キャップ層４４を元のアモルファスシリコン層４０と同じ、滑らかで単調な表面でもって形成されることが可能になる。更に、キャップ層４４をこのように形成することにより、アモルファスシリコン層４０を約６００℃よりも高い温度で直接的に加熱した場合に生じる可能性がある粗いシリコンの凹凸の形成を回避する。キャップ層４４の形成後、蒸気中でアモルファスシリコン層４０をより高い温度（例えば約１０００℃）に加熱することにより、二酸化シリコンのエッチ層４６を形成することができる。この高温熱酸化処理の間、もとのアモルファスシリコン層４０の残りの部分がポリシリコンへと変換される。このポリシリコン層はエッチストップ層４８に対応し、その厚さは約１０ｎｍ程度である。キャップ層４４の形成に用いた最初の低温酸化処理は、アモルファスシリコンからポリシリコンへの変換中に生じる可能性のあるシリコンの凹凸の形成を抑制する。
【００２０】
　図７を参照すると、アモルファスシリコンの堆積プロセス、及びこれに続いて順次実施される低温熱酸化及び高温熱酸化は、所望数の位相シフトレベル（例えば、図示した実施形態では４レベル）を有する多層構造体５０が形成されるまで繰り返される。
【００２１】
　図８を参照すると、多層構造体５０が形成された後、最終的な回折光学素子に相当する多段光学構造体５２は、以下のように多層構造体５０の各層にわたって順次にマスキングしてエッチングすることにより形成され得る。始めに、露出されたエッチ層の上面にフォトレジストがスピン塗布され、プリベークされ、第一のマスク層で露光され、及び現像されて露出されたエッチ層の表面上にパターニングされたフォトレジスト層が形成される。典型的な実施形態のポリシリコン／二酸化シリコン材料系の有利な特徴は、パターニングされたレジスト層の形成に一般に用いられる紫外線光の吸収率が高く、従ってフォトレジストパターンの忠実度を劣化させる逆反射が回避されるという点である。エッチ層をエッチングすることにより、最終的な回折光学素子の最上層を形成することができる。典型的な実施形態の場合、エッチ層は、二酸化シリコンをエッチングし、シリコンで停止するように構成された従来のプラズマエッチング装置（例えば、従来のＣＭＯＳコンタクトエッチング装置）を使用してエッチングされる。このようなプラズマエッチングは、二酸化シリコンとシリコンとの間に高いエッチング選択性（例えば、２０：１又はそれより大きい）を有し、エッチングされた領域とされない領域との間の側壁を垂直に維持する。エッチ層は、下にあるエッチストップ層においてエッチング処理が有効に停止するまでエッチングされる。その後エッチストップ層は、ポリシリコンをエッチングするように構成された従来のプラズマエッチング装置（例えば、従来のＣＭＯＳゲートエッチング装置）を用いて除去される。このようなプラズマエッチングは、シリコンと二酸化シリコンとの間に高いエッチ選択性（例えば、５０：１又はそれより大きい）を有し、エッチングされた領域とされない領域との間の側壁を垂直に維持する。その後、多層構造体は次のエッチ層処理の準備として乾燥される。最終的な多段光学構造体５２が形成されるまで、多層構造体５０の残りの層が最上層のエッチング及びエッチストップ層を処理するために用いられた同様のフォトリソグラフィー及びエッチング工程を用いて処理される。
【００２２】
　図９を参照すると、図８の多段構造体５２は形成後、酸化することにより所望の有効波長範囲（例えば、近赤外線及び可視波長範囲）にある光に対して不透明であった領域が変換されて、波長を拡張させた透過型回折光学素子が得られる。例えば、多段光学構造体５２を約１，０００℃の温度の蒸気中で加熱することにより、ポリシリコンエッチストップ層を、透明波長範囲がシリコンの透明波長範囲よりも短い波長（例えば、８５０ｎｍ及びそれより短い）へ伸びた二酸化シリコン（アモルファス石英）へ変換することができる。結果としての構造体５４は、多層モノリシック純二酸化シリコン構造体である。この構造体は、広い放射波長範囲用の回折光学素子として直接的に使用され得る。無反射コーティング又は保護コーティングを多段光学構造体５４上に堆積しても良い。代案として、単層又は多層の反射コーティング（例えば、アルミニウム又はクロム及び金の組み合わせ）を多段光学構造体５４の露出面上に堆積することにより、反射型回折光学素子を形成することができる。
【００２３】
　他の実施形態も特許請求の範囲内にある。例えば、いくつかの実施形態において、上述した回折光学素子の製作プロセスは、ポリマーやゾルゲル材料等の柔らかい材料中に回折光学部品を作成するために使用され得るスタンピングのマスターを製作するために使用され得る。これらの実施形態において、多段光学構造体を支持する基板片がより柔らかい材料の表面への刻印に用いられ、これにより、複雑な回折パターンがより柔らかい材料へと移される。一般に、結果として生じる複製は、スタンピングのマスターの反転であり（複製の高い部分はマスターの低い部分に対応する）、スタンピングのマスターはそれに従って設計されなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】それぞれのエッチストップ層により分離された複数の位相シフト層を含む多層構造体の側断面図である。
【図２Ａ】図１の多層構造体の最も上にある酸化物層が除去され、最も上にある位相シフト層上にフォトレジストのパターニングされた層が形成された後の状態を示す側断面図である。
【図２Ｂ】図２Ａの多層構造体の最も上にある位相シフト層がエッチングされた後の状態を示す側断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｂの多層構造体の最も上にあるエッチストップ層がエッチングされた後の状態を示す側断面図である。
【図３Ａ】図２Ｃの多層構造体にパターニングしたフォトレジスト層を上に重ねた状態を示す側断面図である。
【図３Ｂ】図３Ａの多層構造体の第二の位相シフト層がエッチングされた後の状態を示す側断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｂの多層構造体の第二のエッチストップ層がエッチングされた後の状態を示す側断面図である。
【図４】図１のマルチレベル構造体を順次にマスキングしてエッチングすることにより形成された多段光学構造体の側断面図である。
【図５】図４の多段光学構造体の不透明層を有効波長範囲内の光に対して実質的に透明な物質へと変換した後の側断面図である。
【図６Ａ】基板上に配置された変換可能な層の側断面図である。
【図６Ｂ】図６Ａの変換可能な層の上部キャップ部分が酸化された後の状態を示す側断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｂの変換可能な層の上部が酸化されてエッチストップ層上にエッチ層が形成された後の状態を示す側断面図である。
【図７】図６Ｃの構造体上に形成された複数のエッチ層及びエッチストップ層を含む多層構造体の側断面図である。
【図８】図７のマルチレベル構造体を順次にマスキングしてエッチングすることにより形成された多段光学構造体の側断面図である。
【図９】図８の多段光学構造体の不透明層が、有効波長範囲内の光に対して実質的に透明な物質へと変換された後の状態を示す側断面図である。
【符号の説明】
【００２５】
10、50　多層構造体
14〜20、46　位相シフト層
22〜26、48　エッチストップ層
34、52　多段光学構造体
【図１】
2004062200.tif 000003
【図２Ａ】
2004062200.tif 000004
【図２Ｂ】
2004062200.tif 000005
【図２Ｃ】
2004062200.tif 000006
【図３Ａ】
2004062200.tif 000007
【図３Ｂ】
2004062200.tif 000008
【図３Ｃ】
2004062200.tif 000009
【図４】
2004062200.tif 000010
【図５】
2004062200.tif 000011
【図６Ａ】
2004062200.tif 000012
【図６Ｂ】
2004062200.tif 000013
【図６Ｃ】
2004062200.tif 000014
【図７】
2004062200.tif 000015
【図８】
2004062200.tif 000016
【図９】
2004062200.tif 000017