(57)【要約】【課題】継ぎ露光する際、感光基板に形成されるパターンの大きさを任意に設定できる露光装置を提供する。【解決手段】露光装置は、マスクと感光基板とをＸ軸方向に同期移動しつつマスクを露光光で照明し、先に基板上に転写されたマスクのパターン像に対して次に転写するマスクのパターン像の一部を重複するように露光する露光装置であって、感光基板上に転写されるパターン像のＸ軸方向における幅を設定する視野絞り２０と、パターン像のＹ軸方向における幅を設定する遮光板４０と、パターン像の重複領域を設定するとともに、パターン像の重複領域の積算露光量をパターン像の周辺に向かうに従い漸次減衰させる２つの減光部３０Ａ、３０Ｂを有するブラインド３０とを有している。【選択図】        図２
2004335864.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクと基板とを第１の方向に同期移動しつつ前記マスクを露光光で照明し、先に基板上に転写されたマスクのパターン像に対して次に転写するマスクのパターン像の一部を重複するように露光する露光装置において、
前記基板上に転写される前記パターン像の前記第１の方向における幅を設定する視野絞りと、
前記パターン像の前記第１の方向と直交する第２の方向における幅を設定する第１遮光部材と、
前記パターン像の前記重複領域を設定するとともに、前記パターン像の前記重複領域の積算露光量を前記パターン像の周辺に向かうに従い漸次減衰させる減光部を有する第２遮光部材とを有し、
前記減光部は、前記第２遮光部材の少なくとも２箇所に設けられていることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記減光部は、前記第２遮光部材の前記第２の方向の互いに対向する辺に設けられていることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記第２遮光部材は、台形状の板部材であることを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項４】
前記第２遮光部材の減光部は、該第２遮光部材の周囲に向かうに従い光透過率を漸次変化させるフィルタ部であることを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項５】
前記第２遮光部材は、前記パターン像の像面と略平行な平面内で移動可能であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項６】
前記第２遮光部材は、前記パターン像の像面と略平行な平面内で回転可能であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項７】
前記視野絞り、前記第１遮光部材、及び前記第２遮光部材は、前記マスク及び前記基板に対してほぼ共役な位置に配置されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項８】
前記マスクのパターン像を前記基板上に投影する投影光学系を備え、前記第２遮光部材は前記投影光学系に設けられていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項９】
前記投影光学系は複数並んで設けられ、
前記第２遮光部材は、前記複数の投影光学系の間を移動することを特徴とする請求項８記載の露光装置。
【請求項１０】
前記第２遮光部材のエッジの複数点を検出し、該検出結果に基づいて前記第２遮光部材の位置情報を求める位置検出装置を備えたことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１１】
前記パターン像の位置情報を検出し、該検出結果に基づいて前記第２遮光部材の位置を補正する補正装置を備えたことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１２】
マスクと基板とを第１の方向に同期移動しつつ前記マスクを露光光で照明し、先に基板上に転写されたマスクのパターン像に対して次に転写するマスクのパターン像の一部を重複するように露光する露光方法において、前記基板上に転写される前記パターン像の前記第１の方向における幅を視野絞りで設定し、
前記パターン像の前記第１の方向と直交する第２の方向における幅を第１遮光部材で設定し、
前記パターン像の重複領域の積算露光量を前記パターン像の周辺に向かうに従い漸次減衰させる減光部を少なくとも２箇所に有する第２遮光部材で前記パターン像の前記重複領域を設定することを特徴とする露光方法。
【請求項１３】
第１のパターン像を前記基板上に転写する際に、前記２箇所の減光部のうち一方の減光部を用いて重複領域を設定し、前記第１のパターン像の次の第２のパターン像を前記基板上に転写する際、他方の減光部を用いて重複領域を設定することを特徴とする請求項１２記載の露光方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マスクと基板とを同期移動しつつマスクのパターンを基板に露光する露光装置及び露光方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示デバイスや半導体デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光基板上に転写する、いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、感光基板を載置して２次元移動する基板ステージとパターンを有するマスクを載置して２次元移動するマスクステージとを有し、マスク上に形成されたパターンをマスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながら投影光学系を介して感光基板に転写するものである。そして、露光装置としては、感光基板上にマスクのパターン全体を同時に転写する一括型露光装置と、マスクステージと基板ステージとを同期走査しつつマスクのパターンを連続的に感光基板上に転写する走査型露光装置との２種類が主に知られている。このうち、液晶表示デバイスを製造する際には、表示領域の大型化の要求から走査型露光装置が主に用いられている（特許文献１参照）。
【０００３】
走査型露光装置には、複数の投影光学系を、隣り合う投影領域が走査方向で所定量変位するように、且つ隣り合う投影領域の端部どうしが走査方向と直交する方向に重複するように配置した、いわゆるマルチレンズ方式の走査型露光装置（マルチレンズスキャン型露光装置）がある。マルチレンズ方式の走査型露光装置は、良好な結像特性を維持しつつ、装置を大型化せずに大きな露光領域を得ることができる。上記走査型露光装置における各投影光学系の視野絞りは、例えば台形形状で、走査方向の視野絞りの開口幅の合計は常に等しくなるように設定されている。そのため、隣り合う投影光学系の継ぎ部が重複して露光されるので、上記走査型露光装置は、投影光学系の光学収差や露光照度が滑らかに変化するという利点を有している。
【０００４】
そして、走査型露光装置においては、マスクと感光基板とを同期移動して走査露光を行った後に、これらマスクと感光基板とを走査方向と直交する方向にステップ移動し、複数回の走査露光を行ってパターンの一部を重複させて露光し、これらパターンを継ぎ合わせて合成することにより、大きな表示領域を有する液晶表示デバイスを製造している。
【０００５】
走査露光とステップ移動とを繰り返すことにより感光基板上でパターン合成を行う方法としては、例えば、マスクに複数の分割パターンを形成しておき、これら分割パターンを感光基板上で継ぎ合わせる方法や、マスクのパターン像を複数の投影領域に分割し、これら分割した投影領域を感光基板上で継ぎ合わせる方法などがある。前者の方法は、例えば図３１に示すように、マスクＭに３つの分割パターンＰａ、Ｐｂ、Ｐｃを形成しておき、これら各分割パターンＰａ、Ｐｂ、Ｐｃを感光基板Ｐに順次露光し、感光基板Ｐ上で継ぎ合わせる方法である。
【０００６】
一方、後者の方法は、例えば図３２に示すように、マスクＭに形成されているパターンに対する露光光の照射領域を走査露光毎に変更し、これら照射領域に対応する投影領域で感光基板Ｐ上に順次走査露光し、パターン合成を行うものである。ここで、投影光学系は５つ設けられ、図３２（ａ）に示すように、それぞれの投影領域１００ａ〜１００ｅは台形形状に設定されており、走査方向（Ｘ軸方向）の積算露光量が常に等しくなるように、それぞれの端部をＹ軸方向に重ね合わせるように配置され、Ｘ軸方向の投影領域の幅の総計が等しくなるように設定されている。そして、感光基板Ｐにパターンを露光する際には、複数の投影領域１００ａ〜１００ｅのうち、所定の投影領域に対応する光路をシャッタで遮光してマスクＭの所定の領域のみが露光光で照射されるようにし、複数回の走査露光において投影領域の端部どうしが重複するように露光する。具体的には、図３２（ｂ）に示すように、一回目の走査露光における投影領域１００ｄの−Ｙ側の端部ａ１と、二回目の走査露光における投影領域１００ｂの＋Ｙ側の端部ａ２とが重複するように露光される。同様に、二回目の走査露光における投影領域１００ｃの−Ｙ側の端部ａ３と、三回目の走査露光における投影領域１００ｂの＋Ｙ側の端部ａ４とが重複するように露光される。このとき、一回目の走査露光においては投影領域１００ｅが遮光され、二回目の走査露光においては投影領域１００ａ、１００ｄ、１００ｅが遮光され、三回目の走査露光においては投影領域１００ａが遮光される。
【０００７】
ここで、一回目の走査露光によって感光基板Ｐ上に形成される分割パターンのＹ軸方向の長さＬ１２は、投影領域１００ａの短辺の＋Ｙ方向端点と投影領域１００ｄの長辺の−Ｙ方向端点との間のＹ軸方向における距離である。二回目の走査露光によって感光基板Ｐ上に形成される分割パターンのＹ軸方向の長さＬ１３は、投影領域１００ｂの長辺の＋Ｙ方向端点と投影領域１００ｃの長辺の−Ｙ方向端点との間のＹ軸方向における距離である。三回目の走査露光によって感光基板Ｐ上に形成される分割パターンのＹ軸方向の長さＬ１４は、投影領域１００ｂの長辺の＋Ｙ方向端点と投影領域１００ｅの短辺の−Ｙ方向端点との間のＹ軸方向における距離である。このように、それぞれの分割パターンのサイズ（Ｙ軸方向の長さＬ１２、Ｌ１３、Ｌ１４）は、台形形状の投影領域の長辺及び短辺のサイズに基づくものである。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００１−２９６６６７号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような従来の走査型露光方法及び走査型露光装置には、以下のような問題が存在する。
図３１に示した方法では、マスクＭ上に複数の独立した分割パターンを形成するため、マスクＭ上におけるパターン構成に制約がある。更に、分割パターン毎に走査露光を行うため、走査露光回数が増加し、スループットが低下する。
【００１０】
また、図３２に示した方法では、複数回の走査露光によってパターン合成を行う際、上述したように、それぞれの分割パターンのサイズ（Ｙ軸方向の長さＬ１２、Ｌ１３、Ｌ１４）は、台形形状の投影領域の長辺及び短辺のサイズに基づくものである。すなわち、図３２に示した方法では、感光基板Ｐ上に形成されるパターンの大きさは投影領域の大きさ、ひいては視野絞りの大きさ（形状）によって限定されてしまう。更に、分割パターンの継ぎ合わせは、台形形状の投影領域の端部のみにおいて行われるので、パターンの分割位置も限定される。このように、従来の方法では、パターンの分割位置や、感光基板Ｐ上に形成されるパターンの大きさが限定されてしまい、任意のデバイス作成が困難となる。
【００１１】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、分割パターンの一部を重複させつつ感光基板上で継ぎ合わせて露光する際、感光基板に形成されるパターンの大きさを任意に設定できるとともに、マスク上におけるパターンの分割位置を任意に設定でき、効率良いデバイス製造を実現できる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため本発明は、実施の形態に示す図１〜図３０に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の露光装置（ＥＸ）は、マスク（Ｍ）と基板（Ｐ）とを第１の方向（Ｘ）に同期移動しつつマスク（Ｍ）を露光光（ＥＬ）で照明し、先に基板（Ｐ）上に転写されたマスク（Ｍ）のパターン像（５０ａ〜５０ｇ、６２）に対して次に転写するマスク（Ｍ）のパターン像（５０ａ〜５０ｇ、６３）の一部を重複するように露光する露光装置において、基板（Ｐ）上に転写されるパターン像（５０ａ〜５０ｇ）の第１の方向（Ｘ）における幅（Ｌｘ）を設定する視野絞り（２０）と、パターン像（５０ａ〜５０ｇ）の第１の方向（Ｘ）と直交する第２の方向（Ｙ）における幅（Ｌｙ）を設定する第１遮光部材（４０）と、パターン像（５０ａ〜５０ｇ）の重複領域（４８、４９、６４）を設定するとともに、パターン像（５０ａ〜５０ｇ）の重複領域（４８、４９、６４）の積算露光量をパターン像（５０ａ〜５０ｇ）の周辺に向かうに従い漸次減衰させる減光部（３０Ａ、３０Ｂ）を有する第２遮光部材（３０）とを有し、減光部（３０Ａ、３０Ｂ）は、第２遮光部材（３０）の少なくとも２箇所に設けられていることを特徴とする。
本発明の露光方法は、マスク（Ｍ）と基板（Ｐ）とを第１の方向（Ｘ）に同期移動しつつマスク（Ｍ）を露光光（ＥＬ）で照明し、先に基板（Ｐ）上に転写されたマスク（Ｍ）のパターン像（５０ａ〜５０ｇ、６２）に対して次に転写するマスク（Ｍ）のパターン像（５０ａ〜５０ｇ、６３）の一部を重複するように露光する露光方法において、基板（Ｐ）上に転写されるパターン像（５０ａ〜５０ｇ）の第１の方向（Ｘ）における幅（Ｌｘ）を視野絞り（２０）で設定し、パターン像（５０ａ〜５０ｇ）の第１の方向（Ｘ）と直交する第２の方向（Ｙ）における幅（Ｌｙ）を第１遮光部材（４０）で設定し、パターン像（５０ａ〜５０ｇ）の重複領域（４８、４９、６４）の積算露光量をパターン像（５０ａ〜５０ｇ）の周辺に向かうに従い漸次減衰させる減光部（３０Ａ、３０Ｂ）を少なくとも２箇所に有する第２遮光部材（３０）でパターン像（５０ａ〜５０ｇ）の重複領域（４８、４９、６４）を設定することを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、視野絞り及び第１遮光部材によって、基板（感光基板）上におけるパターン像の第１の方向及び第１の方向と直交する第２の方向の幅を設定し、この設定されたパターン像を基板上で継ぎ合わせる際、第２遮光部材を所定の位置に配置することにより、基板に対して露光光が照射される領域（投影光学系を備えた露光装置の場合は基板上での投影領域）を任意に設定できる。したがって、パターン像の継ぎ部分である重複領域を任意に設定でき、基板に形成されるパターンの大きさを任意に設定できる。また、第２遮光部材には、パターン像の重複領域の積算露光量をパターン像の周辺に向かうに従い漸次減衰させる減光部が少なくとも２箇所に設けられているので、２箇所の減光部のうちいずれか一方の減光部を使って重複領域の位置や露光量を所望の状態に設定でき、重複領域と重複領域以外との露光量を一致させることができる。したがって、精度良い露光処理を行うことができる。そして、第２遮光部材を任意の位置に移動することにより、基板に対する露光光の照射領域の大きさや形状を任意に設定でき、継ぎ露光する際の継ぎ合わせ精度の向上や、露光量の均一化を実現できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の露光装置について図面を参照しながら説明する。図１は本発明の露光装置の一実施形態を示す概略斜視図である。
図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴと、感光基板（基板）Ｐを支持する基板ステージＰＳＴと、マスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターン像を基板ステージＰＳＴに支持されている感光基板Ｐに投影露光する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸの動作を統括制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。感光基板Ｐはガラスプレート（ガラス基板）に感光剤（フォトレジスト）を塗布したものである。投影光学系ＰＬは複数（７つ）の投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇにより構成され、本実施形態における露光装置ＥＸは、この投影光学系ＰＬ（ＰＬａ〜ＰＬｇ）に対してマスクＭと感光基板Ｐとを所定方向（第１の方向）に同期移動しつつマスクＭを露光光ＥＬで照明し、マスクＭのパターン像を感光基板Ｐに露光する、所謂マルチレンズスキャン型露光装置である。
【００１５】
ここで、以下の説明において、マスクＭと感光基板Ｐとの同期移動方向（走査方向、第１の方向）をＸ軸方向、水平面内において前記走査方向と直交する方向をＹ軸方向（非走査方向、第２の方向）、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交する方向をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸の軸線まわり方向を、それぞれθＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１６】
マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴは、一次元の走査露光を行うべくＸ軸方向に長いストロークと、走査方向と直交するＹ軸方向に所定距離のストロークとを有している。また、マスクステージＭＳＴはＺ軸方向及びθＺ方向にも微動可能である。マスクステージＭＳＴは、このマスクステージＭＳＴを移動するリニアモータ等により構成されるマスクステージ駆動部ＭＳＴＤを備えている。マスクステージ駆動部ＭＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴにより制御される。マスクステージＭＳＴ上のＸ軸及びＹ軸方向のそれぞれの端縁には、直交する方向に移動鏡３２ａ、３２ｂがそれぞれ設置されている。移動鏡３２ａにはレーザ干渉計３３ａが対向して配置され、移動鏡３２ｂにはレーザ干渉計３３ｂが対向して配置されている。これらレーザ干渉計３３ａ、３３ｂは移動鏡３２ａ、３２ｂのそれぞれにレーザ光を照射し、移動鏡３２ａ、３２ｂとの間の距離を計測することにより、マスクステージＭＳＴのＸ軸及びＹ軸方向の位置、すなわちマスクＭの位置を高分解能、高精度に検出可能となっている。レーザ干渉計３３ａ、３３ｂの検出結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴはレーザ干渉計３３ａ、３３ｂの出力からマスクステージＭＳＴの位置をモニタし、マスクステージ駆動部ＭＳＴＤを制御することでマスクステージＭＳＴを所望の位置へ移動する。
【００１７】
マスクＭを透過した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬ（投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇ）にそれぞれ入射する。この投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇは、マスクＭの照射範囲に存在するパターン像を感光基板Ｐに結像させ、感光基板Ｐの特定領域にパターン像を投影露光するものである。投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇのそれぞれは定盤１５０に支持されており、定盤１５０は不図示のコラムに支持されている。複数の投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇのうち、投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇと投影光学モジュールＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆとが２列に千鳥状に配列されている。各投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇを透過した露光光ＥＬは、感光基板Ｐ上の異なる投影領域５０ａ〜５０ｇにマスクＭの照射領域に対応したパターン像を所定の結像特性で結像する。
【００１８】
感光基板Ｐを支持する基板ステージＰＳＴは基板ホルダＰＨを有しており、この基板ホルダＰＨを介して感光基板Ｐを保持する。基板ステージＰＳＴは、マスクステージＭＳＴと同様に、一次元の走査露光を行うべくＸ軸方向に長いストロークと、走査方向と直交するＹ軸方向にステップ移動するための長いストロークとを有している。また、基板ステージ駆動部ＰＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴによって制御される。基板ステージＰＳＴはＺ軸方向にも移動可能であり、更に、θＸ、θＹ、及びθＺ方向にも移動可能である。そして、基板ステージＰＳＴは、この基板ステージＰＳＴを移動するリニアモータ等により構成される基板ステージ駆動部ＰＳＴＤを備えている。
【００１９】
基板ステージＰＳＴ上のＸ軸及びＹ軸方向のそれぞれの端縁には、直交する方向に移動鏡３４ａ、３４ｂがそれぞれ設置されている。移動鏡３４ａにはレーザ干渉計３５ａが対向して配置され、移動鏡３４ｂにはレーザ干渉計３５ｂが対向して配置されている。これらレーザ干渉計３５ａ、３５ｂのそれぞれは、移動鏡３４ａ、３４ｂにレーザ光を照射してこれら移動鏡３４ａ、３４ｂとの間の距離を計測することにより、基板ステージＰＳＴのＸ軸及びＹ軸方向の位置、すなわち感光基板Ｐの位置を高分解能、高精度に検出可能となっている。レーザ干渉計３５ａ、３５ｂの検出結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、レーザ干渉計３５ａ、３５ｂの出力から基板ステージＰＳＴの位置をモニターし、基板ステージ駆動部ＰＳＴＤを制御することで基板ステージＰＳＴを所望の位置へ移動可能となっている。
【００２０】
また、−Ｘ側の投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇと、＋Ｘ側の投影光学モジュールＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆとの間には、マスクＭのパターン面及び感光基板Ｐの露光面のＺ軸方向における位置を検出するフォーカス検出系１１０が設けられている。フォーカス検出系１１０を構成する光学素子はハウジング内部に配置されており、これら光学素子及びハウジングによりオートフォーカスユニット（ＡＦユニット）Ｕが形成されている。フォーカス検出系１１０は、例えば、斜入射方式の焦点検出系の１つである多点フォーカス位置検出系によって構成される。フォーカス検出系１１０の検出結果は制御装置ＣＯＮＴに出力され、制御装置ＣＯＮＴは、フォーカス検出系１１０の検出結果に基づいて、マスクＭのパターン面と感光基板Ｐの露光面とが常に所定の間隔になるように位置制御する。
【００２１】
マスクステージ駆動部ＭＳＴＤ及び基板ステージ駆動部ＰＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴによりそれぞれ独立して制御され、マスクステージＭＳＴ及び基板ステージＰＳＴは、マスクステージ駆動部ＭＳＴＤ及び基板ステージ駆動部ＰＳＴＤのそれぞれの駆動のもとでそれぞれ独立して移動可能となっている。そして、制御装置ＣＯＮＴは、マスクステージＭＳＴ及び基板ステージＰＳＴの位置をモニタしながら、両駆動部ＰＳＴＤ、ＭＳＴＤを制御することにより、マスクＭと感光基板Ｐとを投影光学系ＰＬに対して、任意の走査速度（同期移動速度）でＸ軸方向に同期移動するようになっている。ここで、マスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭと、基板ステージＰＳＴに支持されている感光基板Ｐとは、投影光学系ＰＬを介して共役な位置関係に配置される。
【００２２】
図２（ａ）は定盤１５０に支持されている投影光学系ＰＬ（ＰＬａ〜ＰＬｇ）を示す側面図である。
図２（ａ）に示すように、投影光学系ＰＬを構成する複数の投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇは定盤１５０に支持されている。定盤１５０は、不図示のコラム（支持構造体）にキネマティックに支持されている。複数の投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇのうち投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇがＹ軸方向に並んで配置され、投影光学モジュールＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆがＹ軸方向に並んで配置されている。また、Ｙ軸方向に並んだ投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇと、Ｙ軸方向に並んだ投影光学モジュールＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆとはＸ軸方向において対向するように配置されており、全体で千鳥状に配置されている。千鳥状に配置されている投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇのそれぞれは、隣合う投影光学モジュールどうし（例えば投影光学モジュールＰＬａとＰＬｂ、ＰＬｂとＰＬｃ）をＹ軸方向に所定量変位させて配置されている。
【００２３】
定盤１５０は、例えばメタルマトリクス複合材（ＭＭＣ：Ｍｅｔａｌ  Ｍａｔｒｉｘ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ）により形成されている。メタルマトリクス複合材は金属をマトリクス材としてその中にセラミックス強化材を複合した複合材であり、ここでは金属としてアルミニウムを含むものが用いられている。定盤１５０の中央部には開口部１５０Ａが形成されており、この開口部１５０Ａにより投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇそれぞれの露光光ＥＬの光路が確保されている。ここで、定盤１５０は平面視において左右対称な六角形状（ホームベース状）に形成されており（図１参照）、Ｙ軸方向に４つ並んだ投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇは定盤１５０の幅の広い部分で支持され、Ｙ軸方向に３つ並んだ投影光学モジュールＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆは定盤１５０の幅の狭い部分で支持されている。すなわち、複数並んだ投影光学モジュールの数に応じて定盤１５０の形状が設定されており、これにより、投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇを支持するのに十分な強度を得られる範囲において、使用材料が最小限に抑えられている。
【００２４】
投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇのそれぞれは、鏡筒ＰＫと、鏡筒ＰＫの内部に配置されている複数の光学素子（レンズ）とを有している。そして、投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇのそれぞれは、定盤１５０に対して互いに独立して接続されており、又分離可能である。これにより、投影光学モジュールをモジュール単位で増減させることが可能となり、その場合において、投影光学モジュールの定盤１５０に対する取り付け・取り外し作業を容易に行うことができる。更に、投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇのそれぞれを定盤１５０に対して互いに独立して接続及び分離可能としたことにより、定盤１５０の所定の基準位置（例えば開口部１５０Ａの中心位置）に対してそれぞれ独立して位置決め可能であり、各投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇの互いの相対位置を任意に設定することができる。
【００２５】
投影光学系ＰＬは、感光基板Ｐ上に転写されるマスクＭのパターン像の走査方向（Ｘ軸方向）の幅を設定する視野絞り２０と、視野絞り２０とほぼ同じ位置に設けられ感光基板Ｐ上に転写されるマスクＭのパターン像の非走査方向（Ｙ軸方向）の幅を設定する遮光板（第１遮光部材）４０と、感光基板Ｐ上に転写されるパターン像の重複領域を設定するブラインド（第２遮光部材）３０とを備えている。これら視野絞り２０、遮光板４０、及びブラインド３０は、マスクＭ及び感光基板Ｐに対してほぼ共役な位置に配置されており、定盤１５０に取り付けられたブラインドユニット１２０内に配置されている。ここで、ブラインドユニット１２０は、−Ｘ側の投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇと、＋Ｘ側の投影光学モジュールＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆとのそれぞれに対応するように１つずつ、合計２つ設けられている。
【００２６】
視野絞り２０及び遮光板４０は、各投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇのそれぞれに設けられており、これら視野絞り２０及び遮光板４０により形成される開口Ｋによって、感光基板Ｐ上における投影領域５０ａ〜５０ｇのそれぞれの大きさ及び形状が設定される。本実施形態において、視野絞り２０及び遮光板４０により形成される投影領域５０ａ〜５０ｇ（開口Ｋ）のそれぞれは平面視台形形状に設定される。一方、ブラインド３０は、２つのブラインドユニット１２０のそれぞれに１つずつ設けられている。すなわち、ブラインド３０は、−Ｘ側の投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇと、＋Ｘ側の投影光学モジュールＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆとのそれぞれに対応するように１つずつ、合計２つ設けられている。
【００２７】
図２（ｂ）は、ブラインドユニット１２０を示す平面図である。ブラインドユニット１２０内において、各投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇのそれぞれに設けられた視野絞り２０遮光板４０により、複数の開口Ｋが形成されている。ブラインド３０は各ブラインドユニット１２０のそれぞれに１つずつ設けられている。ブラインドユニット１２０には、ブラインド３０を、パターン像の像面と平行な平面内、本実施形態ではＸＹ平面内で移動するブラインド駆動装置３１が設けられている。ブラインド駆動装置３１はリニアモータ等により構成されており、ガイド部３１Ａに沿ってブラインド３０をＹ軸方向に長いストロークで移動可能であるとともに、Ｘ軸方向に関しても移動可能である。更に、ブラインド駆動装置３１は回転機構３１Ｂを有しており、ブラインド３０はパターン像の像面と平行な平面内（ＸＹ平面内）で回転可能、つまりθＺ方向に回転可能である。そして、ブラインド３０はブラインド駆動装置３１によりＹ軸方向に移動されることにより、複数の投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇの間を移動可能となっている。本実施形態では、２つのブラインド３０のうち一方（−Ｘ側）のブラインド３０が投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇの間を移動可能であり、他方（＋Ｘ側）のブラインド３０が投影光学モジュールＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆの間を移動可能である。
【００２８】
図３は露光装置ＥＸ全体の概略構成図である。図３に示すように、照明光学系ＩＬは、超高圧水銀ランプ等からなる光源１と、光源１から射出された光束を集光する楕円鏡１ａと、この楕円鏡１ａによって集光された光束のうち露光に必要な波長の光束を反射し、その他の波長の光束を透過させるダイクロイックミラー２と、ダイクロイックミラー２で反射した光束のうち更に露光に必要な波長（通常は、ｇ、ｈ、ｉ線のうち少なくとも１つの帯域）のみを通過させる波長選択フィルタ３と、波長選択フィルタ３からの光束を複数本（本実施形態では７本）に分岐して、反射ミラー５を介して各照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｇに入射させるライトガイド４とを備えている。ここで、照明系モジュールＩＭ（ＩＭａ〜ＩＭｇ）は、複数設けられており、本実施形態では、投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇに対応して７つ設けられている。但し、図３においては、便宜上照明系モジュールＩＭｆに対応するもののみが示されている。そして、照明光学系ＩＭａ〜ＩＭｇのそれぞれは、Ｘ軸方向とＹ軸方向とに一定の間隔を持って、投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇのそれぞれに対応して配置されている。これら複数の照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｇのそれぞれから射出した露光光ＥＬは、マスクＭ上の異なる小領域（照明光学系ＩＬの照明領域）をそれぞれ照明する。
【００２９】
照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｇのそれぞれは、照明シャッタ６と、リレーレンズ７と、オプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズ８と、コンデンサレンズ９とを備えている。照明シャッタ６は、ライトガイド４の光路下流側に、光路に対して進退自在に配置されている。照明シャッタ６は、光路に配置されたときに光束を遮光し、光路から退避したときに遮光を解除する。照明シャッタ６には、この照明シャッタ６を光束の光路に対して進退移動させるシャッタ駆動部６ａが接続されている。シャッタ駆動部６ａは制御装置ＣＯＮＴによって制御される。
【００３０】
また、照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｇのそれぞれには光量調整機構１０が設けられている。この光量調整機構１０は、光路毎に光束の照度を設定することによって各光路の露光量を調整するものであって、ハーフミラー１１と、ディテクタ１２と、フィルタ１３と、フィルタ駆動部１４とを備えている。ハーフミラー１１は、フィルタ１３とリレーレンズ７との間の光路中に配置され、フィルタ１３を透過した光束の一部をディテクタ１２へ入射させる。それぞれのディテクタ１２は、常時、入射した光束の照度を独立して検出し、検出した照度信号を制御装置ＣＯＮＴへ出力する。
【００３１】
図４に示すように、フィルタ１３は、ガラス板１３ａ上にＣｒ等ですだれ状にパターンニングされたものであって、透過率がＸ軸方向に沿ってある範囲で線形に漸次変化するように形成されており、各光路中の照明シャッタ６とハーフミラー１１との間に配置されている。
【００３２】
図３に戻って、これらハーフミラー１１、ディテクタ１２及びフィルタ１３は、複数の光路毎にそれぞれ配設されている。フィルタ駆動部１４は、制御装置ＣＯＮＴの指示に基づいてフィルタ１３をＸ軸方向に沿って移動する。そして、フィルタ１３をフィルタ駆動部１４によって移動することにより、各光路毎の光量が調整される。
【００３３】
光量調整機構１０を透過した光束はリレーレンズ７を介してフライアイレンズ８に達する。フライアイレンズ８は射出面側に二次光源を形成し、コンデンサレンズ９を介してマスクＭの照射領域を均一な照度で照射することができる。そして、コンデンサレンズ９を通過した露光光ＥＬは、照明系モジュールのうち、直角プリズム１６と、レンズ系１７と、凹面鏡１８とを備えた反射屈折型光学系１５を通過した後、マスクＭを所定の照明領域で照明する。マスクＭは、照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｇを透過した各露光光ＥＬによって異なる照明領域でそれぞれ照明される。
【００３４】
投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇのそれぞれは、像シフト機構１９と、２組の反射屈折型光学系２１、２２と、視野絞り２０と、視野絞り２０とほぼ同じ位置に設けられた遮光板（第１遮光部材）４０及びブラインド（第２遮光部材）３０と、倍率調整機構２３とを備えている。像シフト機構１９は、例えば、２枚の平行平面板ガラスがそれぞれθＹ方向もしくはθＸ方向に回転することで、マスクＭのパターン像をＸ軸方向もしくはＹ軸方向にシフトさせる。マスクＭを透過した露光光ＥＬは像シフト機構１９を透過した後、１組目の反射屈折型光学系２１に入射する。
【００３５】
反射屈折型光学系２１は、マスクＭのパターンの中間像を形成するものであって、直角プリズム２４とレンズ系２５と凹面鏡２６とを備えている。直角プリズム２４はθＺ方向に回転自在となっており、マスクＭのパターン像を回転可能となっている。
【００３６】
この中間像位置に視野絞り２０が配置されている。視野絞り２０は、感光基板Ｐ上での投影領域５０ａ〜５０ｇを設定するものであって、特に、感光基板Ｐ上におけるパターン像の走査方向（Ｘ軸方向）の幅を設定する。視野絞り２０を透過した光束は、２組目の反射屈折型光学系２２に入射する。反射屈折型光学系２２は、反射屈折型光学系２１と同様に、直角プリズム２７とレンズ系２８と凹面鏡２９とを備えている。直角プリズム２７もθＺ方向に回転自在となっており、マスクＭのパターン像を回転可能となっている。つまり、直角プリズム２４、２７により像ローテーション機構が構成されている。
【００３７】
反射屈折型光学系２２から射出した露光光ＥＬは、倍率調整機構２３を通過し、感光基板Ｐ上にマスクＭのパターン像を正立等倍で結像する。倍率調整機構２３は、例えば、平凸レンズ、両凸レンズ、平凸レンズの３枚のレンズから構成され、平凸レンズと平凹レンズとの間に位置する両凸レンズをＺ軸方向に移動させることにより、マスクＭのパターン像の倍率を変化させる。
【００３８】
次に、視野絞り２０、遮光板（第１遮光部材）４０及びブラインド（第２遮光部材）３０について、図５及び図６を参照しながら説明する。図５及び図６は、視野絞り２０、遮光板４０、ブラインド３０のそれぞれと、投影光学系ＰＬ、マスクＭ、感光基板Ｐのそれぞれとの位置関係を示した模式図である。
図５には投影光学モジュールＰＬｅが代表して示されており、視野絞り２０は投影光学モジュールＰＬｅに配置されており、スリット状の開口を有している。この視野絞り２０は、感光基板Ｐ上における投影領域５０（５０ｅ）の形状を設定するものであって、特に、パターン像としての投影領域５０の走査方向（Ｘ軸方向）の幅Ｌｘを設定するものである。視野絞り２０は、投影光学系ＰＬ（ＰＬｅ）のうち、マスクＭと感光基板Ｐとに対してほぼ共役な位置関係に配置されている。
【００３９】
遮光板（第１遮光部材）４０も、感光基板Ｐ上における投影領域５０の形状を設定するものであって、特に、パターン像としての投影領域５０の非走査方向（Ｙ軸方向）の幅Ｌｙを設定するものである。遮光板４０も投影光学モジュールＰＬｅに設けられ、視野絞り２０と重なり合うように配置されており、視野絞り２０と遮光板４０とによって形成される開口Ｋによって、感光基板Ｐ上における投影領域５０の大きさ及び形状が設定される。本実施形態において、視野絞り２０及び遮光板４０によって形成される投影領域５０は、平面視台形形状に設定される。ここで、視野絞り２０に重なり合うように配置されている遮光板４０も、投影光学系ＰＬ（ＰＬｅ）のうち、マスクＭと感光基板Ｐとに対してほぼ共役な位置関係に配置されている。
【００４０】
遮光板４０には遮光板用駆動機構（不図示）が設けられており、遮光板４０は、遮光板用駆動機構の駆動のもとで、非走査方向（Ｙ軸方向）に移動可能となっている。そして、遮光板４０をＹ軸方向に移動することにより、例えば投影領域５０ｅのＹ軸方向の幅Ｌｙが任意に設定可能となっている。なお、遮光板４０は固定されていてもよいが、移動することにより、投影領域５０の設定の自由度が増す。
【００４１】
ブラインド（第２遮光部材）３０は、図２等に示したように、定盤１５０（投影光学系ＰＬ）に取り付けられたブラインドユニット１２０に設けられており、ブラインド駆動装置３１によって複数の投影光学モジュールの間を移動可能となっている。ブラインド駆動装置３１の駆動は制御装置ＣＯＮＴにより制御され、制御装置ＣＯＮＴはブラインド３０を任意の位置に移動する。そして、ブラインド３０は、図６に示すように、Ｙ軸方向に移動することによって、視野絞り２０と遮光板４０とで形成される開口Ｋの一部を遮光し（なお、図６では、見やすいように開口Ｋのみが図示されており、視野絞り２０及び遮光板４０は図示されていない）、投影領域５０の大きさ及び形状を任意に設定する。
【００４２】
ブラインド３０は、平面視台形状の板部材であって、そのＹ軸方向両端部３０Ａ、３０ＢにおけるＸ軸方向の幅がＹ軸方向に向かって漸次縮小するように斜めに形成されている。換言すれば、ブラインド部３０のＹ軸方向の互いに対向する辺が斜めになるように形成されている。そして、この斜め部（減光部）３０Ａ、３０Ｂによって露光光ＥＬを遮光することにより、投影領域５０の形状が設定される。本実施形態において、視野絞り２０と遮光板４０とブラインド３０とによって形成される投影領域５０は、台形形状（平行四辺形形状）に設定される。
【００４３】
ブラインド３０は、投影光学ＰＬのうち、マスクＭと感光基板Ｐとに対してほぼ共役な位置関係に配置されている。すなわち、本実施形態において、視野絞り２０と遮光板４０とブラインド３０とは、投影光学系ＰＬを介して共役な位置関係に配置されているマスクＭと感光基板Ｐとに対して、ほぼ共役な位置関係に配置されている。
【００４４】
本実施形態において、ブラインド３０は投影光学系ＰＬの中間像位置に配置されており、図６に示すように、ブラインド３０により中間像の−Ｙ側を遮光することで、感光基板Ｐ上でのパターン像はその＋Ｙ側を遮光される。
【００４５】
なお、視野絞り２０と遮光板４０とブラインド３０とは、マスクＭと感光基板Ｐとに対して、共役な位置関係に配置されていればよく、したがって、例えば図７に示すように、遮光板（第１遮光部材）４０を照明光学系ＩＬに配置してもよい。あるいは、ブラインド３０を照明光学系ＩＬに配置してもよい。あるいは、これら各部材２０，３０，４０をマスクＭ又は感光基板Ｐに近接する位置に配置してもよい。すなわち、視野絞り２０、遮光板４０、ブラインド３０のそれぞれは、マスクＭと感光基板Ｐとに対して共役な位置（図３の符号Ａ、Ｂ参照）であれば、露光光ＥＬの光路上のいずれの位置に配置してもよい。また、ブラインド３０は、共役面に対してデフォーカスした位置に配置しても光量和は一定になるので、フォーカス方向にずれた位置でも構わない。
【００４６】
なお、図８に示すように、ブラインド３０をθＺ方向に回転することにより、投影領域５０の形状を変更可能である。同様に、遮光板４０をθＺ方向に回転移動可能に設け、遮光板４０をθＺ方向に回転することでも投影領域５０の形状を変更可能である。
【００４７】
図９は、感光基板Ｐ上での投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇの投影領域５０ａ〜５０ｇの平面図である。各投影領域５０ａ〜５０ｇは、視野絞り２０及び遮光板４０によって所定の形状（本実施形態では台形形状）に設定される。投影領域５０ａ、５０ｃ、５０ｅ、５０ｇと、投影領域５０ｂ、５０ｄ、５０ｆとは、Ｘ軸方向に対向して配置されている。さらに、投影領域５０ａ〜５０ｇは、隣り合う投影領域の端部（境界部）どうし（５１ａと５１ｂ、５１ｃと５１ｄ、５１ｅと５１ｆ、５１ｇと５１ｈ、５１ｉと５１ｊ、５１ｋと５１ｌ）が二点鎖線で示すように、Ｙ軸方向に重なり合うように並列配置され、重複領域（継ぎ部）５２ａ〜５２ｆを形成する。そして、投影領域５０ａ〜５０ｇの境界部どうしをＹ軸方向に重なり合うように並列配置することにより、Ｘ軸方向の投影領域の幅の総計がほぼ等しくなるように設定されている。こうすることにより、Ｘ軸方向に走査露光したときの露光量が等しくなるようになっている。
【００４８】
このように、各投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇによる投影領域５０ａ〜５０ｇのそれぞれが重なり合う重複領域（継ぎ部）５２ａ〜５２ｆを設けることにより、継ぎ部５２ａ〜５２ｆにおける光学収差の変化や照度変化を滑らかにすることができる。ここで、継ぎ部５２ａ〜５２ｆのＹ軸方向における位置や幅は、遮光板４０を移動することによって任意に設定可能である。
【００４９】
また、図９の破線で示すように、２つのブラインド３０のうち、一方（−Ｘ側）のブラインド３０は±Ｙ方向に移動して−Ｘ側の投影領域５０ａ、５０ｃ、５０ｅ、５０ｇの大きさ、形状を設定可能であるとともに、これら投影領域に対応する光路を遮光可能である。一方、他方（＋Ｘ側）のブラインドの３０も±Ｙ方向に移動してマスクＭに対する照射領域を設定することによって＋Ｘの投影領域５０ｂ、５０ｄ、５０ｆの大きさ、形状を設定可能であるとともに、これら投影領域に対応する光路を遮光可能である。
【００５０】
また、−Ｘ側のブラインド３０は、移動することによって、投影領域の境界部５１ａ、５１ｄ、５１ｅ、５１ｈ、５１ｉ、５１ｌのそれぞれの大きさを設定可能である。同様に、＋Ｘ側のブラインド３０は、移動することによって、投影領域の境界部５１ｂ、５１ｃ、５１ｆ、５１ｇ、５１ｊ、５１ｋのそれぞれの大きさを設定可能である。そして、ブラインド３０は、非走査方向（Ｙ軸方向）に移動して投影領域の境界部の大きさ、形状を設定することにより、投影領域（パターン像）の重複領域５２ａ〜５２ｆを設定可能となっている。そして、ブラインド３０はその両端部（減光部）３０Ａ、３０ＢにおけるＸ軸方向の幅がＹ軸方向に向かって漸次縮小するように斜めに形成されているため、投影領域の境界部のそれぞれに対応する光路の一部を遮光することにより、投影領域（パターン像）の周辺に向かうに従い重複領域での積算露光量をほぼ連続的に減衰可能となっている。つまり、ブラインド３０のうち、Ｙ軸方向の互いに対向する辺である斜め部３０Ａ、３０Ｂが、パターン像（投影領域）の重複領域を設定するとともに、パターン像の重複領域の積算露光量をパターン像の周辺に向かうに従い漸次減衰させる減光部となっている。
【００５１】
ここで、図９において、投影領域の境界部５１ａ、５１ｅ、５１ｉの平面視における傾斜角度と、−Ｘ側のブラインド３０の減光部３０Ａにおける傾斜角度とが一致するように設定されており、投影領域の境界部５１ｄ、５１ｈ、５１ｌの平面視における傾斜角度と、−Ｘ側のブラインド３０の減光部３０Ｂにおける傾斜角度とが一致するように設定されている。同様に、投影領域の境界部５１ｂ、５１ｆ、５１ｊの平面視における傾斜角度と、＋Ｘ側のブラインド３０の減光部３０Ａにおける傾斜角度とが一致するように設定されており、投影領域の境界部５１ｃ、５１ｇ、５１ｋの平面視における傾斜角度と、＋Ｘ側のブラインド３０の減光部３０Ｂにおける傾斜角度とが一致するように設定されている。
【００５２】
そして、ブラインド３０は、その減光部３０Ａ、３０Ｂを各投影領域に対応する光路の一部に配置することにより重複領域５２ａ〜５２ｆを設定し、走査露光時においては、重複領域における積算露光量がＹ軸方向に関してほぼ連続的に減衰するように設定する。
【００５３】
このように、視野絞り２０と遮光板４０とブラインド３０とによって投影領域は複数に分割され、それぞれの大きさ、形状が任意に設定される。そして、ブラインド３０の位置を設定することにより、走査露光時において、投影領域５０の周辺に向かうに従い積算露光量をほぼ連続的に減衰させ、重複領域５２ａ〜５２ｆのＹ軸方向の積算露光量をほぼ連続的に変化させる。
【００５４】
図３に戻って、基板ステージＰＳＴ上には、ディテクタ（光検出装置）４１が配設されている。ディテクタ４１は、感光基板Ｐに照射されるべき露光光ＥＬの光量に関する情報を検出するものであって、検出した検出信号を制御装置ＣＯＮＴへ出力する。
なお、露光光ＥＬの光量に関する情報とは、物体面上に単位面積あたりに照らされる露光光ＥＬの量（照度）、あるいは、単位時間あたりに放射される露光光ＥＬの量を含む。本実施形態においては、この露光光ＥＬの光量に関する情報を、照度として説明する。
【００５５】
このディテクタ４１は、感光基板Ｐ上の各投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇに対応する位置の露光光ＥＬの照射量を計測する照度センサであって、撮像素子であるＣＣＤセンサによって構成されている。ディテクタ４１は、基板ステージＰＳＴ上にＹ軸方向に配設されたガイド軸（不図示）によって、感光基板Ｐと同一平面の高さに設置可能となっており、ディテクタ駆動部によって走査方向（Ｘ軸方向）と直交する方向（Ｙ軸方向）に移動可能に設けられている。
【００５６】
このディテクタ４１は、１回又は複数回の露光に先立ち、基板ステージＰＳＴのＸ軸方向への移動とディテクタ駆動部によるＹ軸方向への移動とによって、投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇに対応する各投影領域５０ａ〜５０ｇの下で走査される。したがって、感光基板Ｐ上の投影領域５０ａ〜５０ｇ及びこれら各投影領域５０ａ〜５０ｇの各境界部５１ａ〜５１ｌにおける露光光ＥＬの光量に関する情報はディテクタ４１によって２次元的に検出されるようになっている。ディテクタ４１によって検出された露光光ＥＬの光量に関する情報は制御装置ＣＯＮＴに出力される。このとき、制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージ駆動部ＰＳＴＤ及びディテクタ駆動部の各駆動量によって、ディテクタ４１の位置を検出可能となっている。
【００５７】
図１０に示すように、マスクＭのパターン領域には、画素パターン４４と、この画素パターン４４のＹ軸方向両端に位置する周辺回路パターン４５ａ、４５ｂとが形成されている。画素パターン４４には、複数のピクセルに応じた複数の電極が規則正しく配列されたパターンが形成されている。周辺回路パターン４５ａ、４５ｂには、画素パターン４４の電極を駆動するためのドライバ回路等が形成されている。
【００５８】
それぞれの投影領域５０ａ〜５０ｇは所定の大きさに設定されており、この場合、図９に示すように、長辺の長さはＬ１、短辺の長さはＬ２、隣り合う投影領域どうしの間隔（投影領域のＹ軸方向のピッチ）はＬ３に設定される。
【００５９】
また、図１０に示すマスクＭの周辺回路パターン４５ａ、４５ｂは、図１１に示す感光基板Ｐの周辺回路パターン６１ａ、６１ｂと同一寸法、同一形状にそれぞれ形成し、両端外側の投影光学モジュール５０ａ、５０ｇで露光されるようにマスクＭ上に配置される。マスクＭの画素パターン４４は、感光基板Ｐの画素パターン６０に対してＸ軸方向の長さが同一で、Ｙ軸方向の長さが異なっている。
【００６０】
次に、上述した構成を有する露光装置ＥＸを用いて、露光光ＥＬに対してマスクＭと感光基板Ｐとを同期移動して走査露光し、マスクＭのパターン像の一部が重複して露光されるように複数回の走査露光に分けて感光基板Ｐにパターンの継ぎ露光を行う方法について説明する。
ここで、以下の説明においては、マスクステージＭＳＴ及び基板ステージＰＳＴの移動は、マスクステージ駆動部ＭＳＴＤ及び基板ステージ駆動部ＰＳＴＤを介して全て制御装置ＣＯＮＴの制御に基づいて行われるものとする。
【００６１】
また、以下の説明においては、図１０に示すように、マスクＭ上に形成されているパターンを、Ｙ軸方向に長さＬＡを有し周辺回路パターン４５ａ及び画素パターン４４の一部を含む分割パターン４６と、Ｙ軸方向に長さＬＢを有し周辺回路パターン４５ｂ及び画素パターン４４の一部を含む分割パターン４７との２つの領域に分割し、これら分割パターン４６，４７のそれぞれの一部を重複して露光されるように２回の走査露光に分けて感光基板Ｐ上でパターン合成を行うものとする。そして、感光基板Ｐ上の全体の露光パターンは、図１１に示すように、２回の走査露光によって、Ｙ軸方向に長さＬＡを有し周辺回路パターン６１ａ及び画素パターン６０の一部を含む分割パターン（露光領域、第１のパターン像）６２と、Ｙ軸方向に長さＬＢを有し周辺回路パターン６１ｂ及び画素パターン６０の一部を含む分割パターン（露光領域、第２のパターン像）６３との２つの領域に分割された分割パターンを合成したものとする。
【００６２】
ここで、長さＬＡは、投影領域５０ａの短辺の＋Ｙ方向端点と、投影領域５０ｅの短辺と投影領域５０ｅに対応する光路上に配置されたブラインド３０との交点との間のＹ軸方向における距離である。長さＬＢは、投影領域５０ｃの短辺と投影領域５０ｃに対応する光路上に配置されたブラインド３０との交点と、投影領域５０ｇの短辺の−Ｙ方向端点との間のＹ軸方向における距離である。
【００６３】
また、分割パターン６２と分割パターン６３とは、感光基板Ｐ上において重複領域（継ぎ部）６４で重ね合わせるものとする。また、重複領域６４のＹ軸方向の長さＬＫは、投影領域５０ａ〜５０ｇの重複領域５２ａ〜５２ｆと同一距離とする。
【００６４】
そして、重複領域６４のＹ軸方向の距離である長さＬＫは、図１０に示すように、ブラインド３０のＹ軸方向における位置と投影領域５０ｅとによって設定され、投影領域５０ｅのうち＋Ｙ側に向かうに従い積算露光量がほぼ連続的に減衰する継ぎ部４８のＹ軸方向の距離に一致する。同様に、長さＬＫは、ブラインド３０のＹ軸方向における位置と投影領域５０ｃとによって設定され、投影領域５０ｃのうち−Ｙ側に向かうに従い積算露光量がほぼ連続的に減衰する継ぎ部４９のＹ軸方向の距離に一致する。つまり、継ぎ部４８と継ぎ部４９とのＹ軸方向の距離が一致するように、ブラインド３０の減光部３０Ａ、３０Ｂそれぞれの形状（傾斜角度）が設定される。
【００６５】
そして、マスクＭにおいて、ブラインド３０により継ぎ部４８、４９を形成すべき位置、つまり継ぎ露光を行うべき領域は予め設定されており、この継ぎ部４８、４９を設定しようとする位置（継ぎ露光を行う領域）に相当して、マスクＭのパターン近傍に、ブラインド３０を位置合わせるため位置合わせマーク６０（６０Ａ、６０Ｂ）が形成されている。
【００６６】
以下、図１２を参照しながら、露光手順について説明する。本実施形態においては、マスクＭの分割パターン４６、４７の継ぎ部４８、４９を感光基板（ガラス基板）Ｐで継ぎ合わせて合成して、マスクＭの連続したパターン領域４５ａ、４４、４５ｂよりも大きい液晶デバイスを製造するものとする。また、本実施形態では、２つのブラインド３０（−Ｘ側のブラインド３０、＋Ｘ側のブラインド３０）のうち、一方のブラインド３０（−Ｘ側のブラインド３０）が用いられ、他方のブラインド３０（＋Ｘ側のブラインド３０）は露光光ＥＬの光路から退避しているものとする。
【００６７】
まず、制御装置ＣＯＮＴが分割パターンの継ぎ露光の開始を指令する（ステップＳ１）。
ここで、制御装置ＣＯＮＴには、感光基板Ｐに対するマスクＭのパターンの配置位置に関する情報、及びマスクＭにおけるパターンの継ぎ合わせ位置に関する情報が予めレシピとして設定されている。すなわち、感光基板Ｐ上においてマスクＭの分割パターン４６、４７のそれぞれを露光すべき位置が予め設定されているとともに、マスクＭ上において継ぎ部４８，４９を設けるべき位置も予め設定されている。
【００６８】
制御装置ＣＯＮＴは、実際の露光処理を行うに際し、装置のキャリブレーションを開始する。
まず、制御装置ＣＯＮＴは、視野絞り２０及び遮光板４０を駆動するとともにマスクステージＭＳＴを駆動して、マスクＭのパターンに合わせて露光光ＥＬを照射するための照射領域を設定する。また、制御装置ＣＯＮＴは、投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇのそれぞれに設けられている視野絞り２０及び遮光板４０を用いて開口Ｋの大きさ及び形状を調整し、感光基板Ｐ上に投影される投影領域５０ａ〜５０ｇの走査方向（Ｘ軸方向）の幅及び非走査方向（Ｙ軸方向）の幅を設定する。
【００６９】
そして、制御装置ＣＯＮＴは、レシピとして予め設定されている露光処理に関する情報に基づいて、継ぎ露光を行う際のブラインド３０の位置の設定を行う。ここで本実施形態では、図１１に示すように、一回目の走査露光において、２つのブラインド３０のうち、−Ｘ側のブラインド３０の減光部３０Ｂが投影領域５０ｅの一部を遮光するように配置され、＋Ｘ側のブラインド３０は光路上から退避するように設定される。また、二回目の走査露光において、−Ｘ側のブラインド３０の減光部３０Ａが投影領域５０ｃの一部を遮光するように配置される。
【００７０】
制御装置ＣＯＮＴは、一回目の走査露光を行う際のブラインド３０の減光部３０Ｂの位置の設定を行う（ステップＳ２）。
すなわち、制御装置ＣＯＮＴは、マスクＭに対する露光光ＥＬの照射領域（すなわち分割パターン４６）の一辺に位置する継ぎ部４８に設けられたマスクＭのパターンに対して、継ぎ露光するためのブラインド３０の減光部３０Ｂを位置合わせする。
【００７１】
具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、継ぎ部（重複領域）４８に対応してマスクＭ上に設けられている位置合わせマーク６０Ｂと、ブラインド３０の減光部３０Ｂとを位置合わせする。マスクＭの位置合わせマーク６０Ｂと減光部３０Ｂとを位置合わせする際には、図１３の模式図に示すように、基板ステージＰＳＴに設けられているアライメント用発光部７０からアライメント光を射出し、投影光学系ＰＬを介してマスクＭの位置合わせマーク６０Ｂに照射する。マスクＭの位置合わせマーク６０Ｂに照射されたアライメント光は、マスクＭを透過した後、ブラインド３０の減光部３０Ｂのエッジ部（先端部）近傍を通過して、アライメント用受光部７１に受光される。ここで、アライメント光を位置合わせマーク６０Ｂに照射しつつブラインド３０（減光部３０Ｂ）をＹ軸方向に移動することにより、受光部７１に受光されていたアライメント光が減光部３０Ｂのエッジ部に遮光されて例えば５０％光量の状態が生じる。このときの受光部７１の検出信号は制御装置ＣＯＮＴに出力され、制御装置ＣＯＮＴは、受光部７１がアライメント光を受光していた状態から受光しなくなった状態に変わったときのブラインド３０の減光部３０Ｂの位置を、位置合わせマーク６０Ｂに対して減光部３０Ｂが位置合わせされた位置と判断する。ブラインド３０の減光部３０Ｂは位置合わせマーク６０Ｂに位置合わせされることにより、継ぎ部４８に対しても位置合わせされる。
【００７２】
ここで、位置合わせマーク６０ＢはマスクＭの−Ｘ側端部及び＋Ｘ側端部の２箇所に形成されている。そして、これら２つの位置合わせマーク６０Ｂのそれぞれとブラインド３０の減光部３０Ｂとの位置合わせを予め行っておき、これら位置情報に基づいてブラインド３０の減光部３０Ｂの位置を設定しつつ走査露光することにより、ブラインド３０の減光部３０Ｂによって所望の継ぎ部４８を設定できる。走査露光する際のブラインド３０の減光部３０Ｂの位置合わせは、例えば前記位置合わせマーク６０Ｂと位置合わせした際のブラインド駆動装置３１の基準位置に対する駆動量に基づいて行うことができる。
【００７３】
以上のようにしてブラインド３０の減光部３０Ｂとマスク位置合わせマーク６０Ｂとの位置合わせを行ったら、制御装置ＣＯＮＴは、このときのブラインド３０の減光部３０Ｂ及びマスクステージＭＳＴ（マスクＭ）の位置に関する情報を記憶装置（不図示）に記憶する（ステップＳ３）。
なお、この記憶される情報は、マスクＭを位置合わせした際のブラインド駆動装置３１の基準位置に対する駆動量に関する情報を含む。
【００７４】
次いで、制御装置ＣＯＮＴは、二回目の走査露光を行う際のブラインド３０の減光部３０Ａの位置の設定を行う（ステップＳ４）。
すなわち、制御装置ＣＯＮＴは、マスクＭに対する露光光ＥＬの照射領域（すなわち分割パターン４７）の一辺に位置する継ぎ部４９に設けられたマスクＭのパターンに対して、継ぎ露光するためのブラインド３０の減光部３０Ａを位置合わせする。
【００７５】
具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、継ぎ部（重複領域）４９に対応してマスクＭ上に設けられている位置合わせマーク６０Ａと、ブラインド３０の減光部３０Ａのエッジ部（先端部）とを位置合わせする。マスクＭの位置合わせマーク６０Ａとブラインド３０の減光部３０Ａとの位置合わせは、図１３を参照して説明した方法と同様の手順で行うことができる。ブラインド３０の減光部３０Ａは位置合わせマーク６０Ａに位置合わせされることにより、継ぎ部４９に対しても位置合わせされる。
【００７６】
ここで、位置合わせマーク６０ＡもマスクＭの−Ｘ側端部及び＋Ｘ側端部の２箇所に形成されている。そして、これら２つの位置合わせマーク６０Ａのそれぞれとブラインド３０の減光部３０Ａとの位置合わせを予め行っておき、これらの位置情報に基づいてブラインド３０の減光部３０Ａの位置を設定しつつ走査露光することにより、ブラインド３０の減光部３０Ａによって所望の継ぎ部４９を設定できる。
【００７７】
以上のようにしてブラインド３０Ａとマスク位置合わせマーク６０Ａとの位置合わせを行ったら、制御装置ＣＯＮＴは、このときのブラインド３０の減光部３０Ａ及びマスクステージＭＳＴ（マスクＭ）の位置に関する情報を記憶装置（不図示）に記憶する（ステップＳ５）。
【００７８】
次に、各投影領域５０ａ〜５０ｇの照度キャリブレーション及び位置検出を行う。
まず、基板ステージＰＳＴに感光基板Ｐを載置しない状態で、感光基板Ｐ上における分割パターン６２（長さＬＡの部分）に対応する領域に対して露光動作を開始する（ステップＳ６）。
具体的には、まず制御装置ＣＯＮＴがフィルタ駆動部１４を駆動し、光源１からの光束が最大透過率でフィルタ１３を透過するようにフィルタ１３を移動させる。フィルタ１３が移動すると、光源１から楕円鏡１ａを介して光束が照射される。照射された光束は、フィルタ１３、ハーフミラー１１、マスクＭ、投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇ等を透過した後、基板ステージＰＳＴ上に到達する。このとき、露光光ＥＬの照射領域にパターン等が形成されていない位置になるようにマスクＭを移動しておく。
ここで、各投影領域５０ａ〜５０ｇのそれぞれは視野絞り２０及び遮光板４０によって設定されており、ブラインド３０は光路から退避している。
【００７９】
これと同時に、制御装置ＣＯＮＴは、ディテクタ４１を分割パターン６２に対応する領域内においてＸ軸及びＹ軸方向に移動して、投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇに対応した投影領域５０ａ〜５０ｇで走査させる。走査するディテクタ４１によって、各投影領域５０ａ〜５０ｇにおける照度及び境界部５１ａ〜５１ｌにおける照度Ｗａ〜Ｗｌが順次計測される（ステップＳ７）。
【００８０】
ディテクタ４１の検出信号は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、ディテクタ４１からの検出信号に基づいて画像処理を行い、各投影領域５０ａ〜５０ｇ及び境界部５１ａ〜５１ｌの形状及び照度を検出する。そして、制御装置ＣＯＮＴは、この境界部５１ａ〜５１ｌの照度Ｗａ〜Ｗｌを記憶装置に記憶する。
【００８１】
次いで、制御装置ＣＯＮＴは、ディテクタ４１が計測した境界部５１ａ〜５１ｌの照度Ｗａ〜Ｗｌに基づいて、この照度Ｗａ〜Ｗｌが略所定値で、且つ（｜Ｗａ−Ｗｂ｜、｜Ｗｃ−Ｗｄ｜、｜Ｗｅ−Ｗｆ｜、｜Ｗｇ−Ｗｈ｜、｜Ｗｉ−Ｗｊ｜、｜Ｗｋ−Ｗｌ｜）が最小になるように、ディテクタ４１により照度を計測しつつ各照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｇ毎にフィルタ１３を駆動する（ステップＳ８）。
これにより、各光路毎の光束の光量が補正される。
【００８２】
なお、このとき、光源１から照射された光束は、ハーフミラー１１によりその一部がディテクタ１２へ入射されており、ディテクタ１２は、入射した光束の照度を計測し、検出した照度信号を制御装置ＣＯＮＴへ出力している。したがって、制御装置ＣＯＮＴは、ディテクタ１２が検出した光束の照度に基づいて、この照度が所定値になるようにフィルタ駆動部１４を制御することで、各光路毎の光量を調整してもよい。
【００８３】
制御装置ＣＯＮＴは、走査するディテクタ４１によって検出された露光光ＥＬの光量に関する情報に基づいて、それぞれの境界部５１ａ〜５１ｌの位置を求める（ステップＳ９）。
すなわち、走査するディテクタ４１の検出信号に基づいて、制御装置ＣＯＮＴは、所定の座標系に対する各境界部５１ａ〜５１ｌの形状を求め、この求めた形状に基づいて、所定の座標系に対する各境界部５１ａ〜５１ｌの位置を求める。具体的には、三角形形状の境界部５１ａ〜５１ｌのうち、例えば先端位置や図心位置など、代表される所定位置を求める。
【００８４】
このとき、ディテクタ４１の位置は、基準位置に対する各駆動部の駆動量に基づいて求めることができる。つまり、ディテクタ４１の初期位置（待機位置）等を基準位置に設定し、この基準位置に対して、走査するディテクタ４１の位置を求めることができる。制御装置ＣＯＮＴは、基準位置に対するディテクタ４１の位置に基づいて、各境界部５１ａ〜５１ｌの基準位置に対する位置を求める。
【００８５】
そして、制御装置ＣＯＮＴは、境界部５１ａ〜５１ｌの所定の座標系に対する位置を記憶装置に記憶する。このとき、それぞれの投影領域５０ａ〜５０ｇ（境界部５１ａ〜５１ｌ）の相対的な位置も記憶することになる。
【００８６】
ブラインド３０を光路から退避した状態で各投影領域５０ａ〜５０ｇの光量調整及び位置検出を行ったら、制御装置ＣＯＮＴは記憶装置の情報に基づいて、ブラインド３０の減光部３０ＢをステップＳ２で設定した位置に配置し、この状態で露光動作を行う。そして、制御装置ＣＯＮＴは継ぎ部４８に相当する投影領域５０ｅの小領域ＫＢの照度をディテクタ４１で検出する（ステップＳ１０）。
ここで、小領域ＫＢはブラインド３０の減光部３０Ｂにより、−Ｙ方向に向かうに従い感光基板Ｐ上における重複領域６４での積算露光量をほぼ連続的に減衰されている。
【００８７】
ディテクタ４１の検出信号は制御装置ＣＯＮＴに出力され、制御装置ＣＯＮＴは、ディテクタ４１からの検出信号に基づいて画像処理を行い、小領域ＫＢの形状及び照度を検出する。そして、制御装置ＣＯＮＴは、この小領域ＫＢの形状及び照度Ｗｋｂを記憶装置に記憶する。更に、制御装置ＣＯＮＴは、ディテクタ４１によって検出された露光光ＥＬの光量に関する情報に基づいて小領域ＫＢの位置及び形状を求める。小領域ＫＢの位置は、三角形形状の小領域ＫＢのうち、例えば先端位置や図心位置など、代表される所定位置である。
【００８８】
小領域ＫＢの照度、位置及び形状を求めたら、制御装置ＣＯＮＴはブラインド３０の減光部３０ＡをステップＳ４で設定した位置に配置し、この状態で露光動作を行う。そして、制御装置ＣＯＮＴは継ぎ部４９に相当する投影領域５０ｃの小領域ＫＡの照度をディテクタ４１で検出する（ステップＳ１１）。
ここで、小領域ＫＡはブラインド３０の減光部３０Ａにより、＋Ｙ方向に向かうに従い感光基板Ｐ上における重複領域６４での積算露光量をほぼ連続的に減衰されている。
【００８９】
ディテクタ４１の検出信号は制御装置ＣＯＮＴに出力され、制御装置ＣＯＮＴは、ディテクタ４１からの検出信号に基づいて画像処理を行い、小領域ＫＡの形状及び照度を検出する。そして、制御装置ＣＯＮＴは、この小領域ＫＡの形状及び照度Ｗｋａを記憶装置に記憶する。更に、制御装置ＣＯＮＴは、ディテクタ４１によって検出された露光光ＥＬの光量に関する情報に基づいて小領域ＫＡの位置及び形状を求める。小領域ＫＡの位置は、三角形形状の小領域ＫＡのうち、例えば先端位置や図心位置など、代表される所定位置である。
【００９０】
制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ１０で求めた小領域ＫＢの照度Ｗｋｂと、ステップＳ１１で求めた小領域ＫＡの照度Ｗｋａとに基づいて、この照度Ｗｋａと照度Ｗｋｂが略所定値で、且つ（｜Ｗａ−Ｗｂ｜、｜Ｗｃ−Ｗｄ｜、｜Ｗｅ−Ｗｆ｜、｜Ｗｇ−Ｗｈ｜、｜Ｗｉ−Ｗｊ｜、｜Ｗｋ−Ｗｌ｜、｜Ｗｋａ−Ｗｋｂ｜）が最小になるように、ディテクタ４１により照度を計測しつつ各照明系モジュールＩＭｃ、ＩＭｅにフィルタ１３を駆動させる（ステップＳ１２）。
つまり、継ぎ部における光量調整を行うとともに、この継ぎ部における光量の検出結果に応じて、他の投影領域における露光量の再調整を行う。
【００９１】
また、制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ１０及びステップＳ１１で検出した小領域ＫＡ及び小領域ＫＢの形状検出結果に基づいて、これら各小領域ＫＡ、ＫＢの形状補正を行う（ステップＳ１３）。
例えば、先に検出した小領域ＫＢの形状に対して、後に検出した小領域ＫＡの形状が所望の形状を有していない場合、例えば、走査露光することによって均一に重複しない場合や、小領域ＫＡ及びＫＢによって形成される重複領域６４の幅ＬＫが各重複領域５２ａ〜５２ｆの幅と大きく異なる場合などにおいては、投影領域５０ｅあるいは投影領域５０ｃに対応する投影光学モジュールＰＬｅあるいは投影光学モジュールＰＬｃの像シフト機構１９、倍率調整機構２３、直角プリズム２４，２７を駆動し、シフト、スケーリング、ローテーションなどの像特性を補正（レンズキャリブレーション）する。
【００９２】
更に、制御装置ＣＯＮＴは、投影領域５０ａ〜５０ｇのそれぞれの形状が所定の形状を有していなかったり、隣接する投影領域５０ａ〜５０ｇどうしの重複領域５２ａ〜５２ｆの幅が走査露光することによって変化してしまう場合などにおいても、各投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇの像シフト機構１９、倍率調整機構２３、直角プリズム２４，２７を駆動して像特性を補正できる。制御装置ＣＯＮＴはこれら補正値を記憶装置に記憶する。
【００９３】
以上のようにして、継ぎ部を含む投影領域５０ａ〜５０ｇのキャリブレーション（照度キャリブレーション、レンズキャリブレーション）を行ったら、実際に露光処理を行うべく、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭを露光光ＥＬの光路上に配置するとともに、不図示のローダを介して基板ステージＰＳＴの基板ホルダＰＨに感光基板Ｐを載置する（ステップＳ１４）。
【００９４】
一回目の走査露光を行うべく、制御装置ＣＯＮＴは、上記各キャリブレーション工程で設定した設定値や補正値に基づき、視野絞り２０及び遮光板４０によって走査方向及び非走査方向に所定の幅を有する投影領域を設定するとともに、マスクステージＭＳＴを駆動して、マスクＭのパターンに合わせて露光光ＥＬを照射するための照射領域を設定する。そして、マスクＭのパターン領域のうち、少なくとも一回目の走査露光で用いる分割パターン４６に露光光ＥＬが照射されるようにマスクステージＭＳＴの位置を制御するとともに、図１３を参照して説明したように、マスクＭに形成されている位置合わせマーク６０Ｂを用いて、ブラインド３０の減光部３０Ｂが投影領域５０ｅの一部を遮光するように、ブラインド３０の減光部３０Ｂの位置調整を行う（ステップＳ１５）。
このとき、投影領域５０ｆ、５０ｇに対応する光路は、照明系モジュールの照明シャッタ６により遮断される。
【００９５】
更に、マスクＭの位置合わせマーク６０Ｂを用いて、基板ステージＰＳＴに載置されている感光基板ＰとマスクＭとを位置合わせする（ステップＳ１６）。
ここで、感光基板Ｐには、継ぎ露光を行う領域、すなわち感光基板Ｐの重複領域６４に相当してパターン領域近傍に基板位置合わせマーク７２が予め形成されている。制御装置ＣＯＮＴは、マスクステージＭＳＴに載置されているマスクＭの位置合わせマーク６０Ｂと、基板ステージＰＳＴに載置されている感光基板Ｐの位置合わせマーク７２とを位置合わせすることにより、感光基板Ｐの露光領域６２にマスクＭの分割パターン４６を位置合わせして露光する。
【００９６】
なお、マスクＭの位置合わせマーク６０Ｂと感光基板Ｐの位置合わせマーク７２とを位置合わせする際には、例えば図１４の模式図に示すように、マスクＭの上方に設けられた発光部７５からマスク位置合わせマーク６０Ｂに対してアライメント光を照射する。位置合わせマーク６０Ｂに照射されたアライメント光はマスクＭを透過し、投影光学系ＰＬを介して感光基板Ｐの基板位置合わせマーク７２に照射される。そして、基板位置合わせマーク７２で反射した反射光を、投影光学系ＰＬ及びマスクＭの位置合わせマーク６０Ｂを介してマスクＭの上方に設けられている受光部７６で検出し、マスク位置合わせマーク６０Ｂにおける反射光と、基板位置合わせマーク７２における反射光とに基づいて、マスク位置合わせマーク６０Ｂと基板位置合わせマーク７２とが一致するように、基板ステージＰＳＴを位置調整すればよい。
なお、感光基板Ｐはガラス基板であるため、基板位置合わせマークにおける反射光を検出せずに、例えば基板ステージ側に受光部７６’を設けておき、マスク位置合わせマーク６０Ｂを通過した光と基板位置合わせマーク７２を通過した光とに基づいてマスクＭと感光基板Ｐとの位置合わせを行ってもよい。
【００９７】
ここで、基板位置合わせマーク７２は、マスク位置合わせマーク６０Ｂ同様、感光基板Ｐの−Ｘ側端部及び＋Ｘ側端部の２箇所に形成されている。そして、これら＋Ｘ側及び−Ｘ側のマスク位置合わせマーク６０Ｂのそれぞれと、＋Ｘ側及び−Ｘ側の基板位置合わせマーク７２のそれぞれとを予め位置合わせしておき、これらの位置情報に基づいて走査露光を行うことにより露光精度を向上できる。
【００９８】
こうして、マスクＭと感光基板Ｐとの位置合わせ、及びマスクＭとブラインド３０の減光部３０Ｂとの位置合わせを行ったら、制御装置ＣＯＮＴは感光基板Ｐに対して一回目の走査露光処理を行う（ステップＳ１７）。
初めに、分割パターン６２（長さＬＡの部分）に対応する部分を露光する。この場合、投影光学モジュールＰＬｆ、ＰＬｇに対応する照明系モジュールＩＭｆ、ＩＭｇの照明シャッタ６がシャッタ駆動部６ａの駆動により光路中に挿入され、図１１に示すように、投影領域５０ｆ、５０ｇに対応する光路の照明光を遮光する。このとき、照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｅの照明シャッタ６は各光路を開放している。そして、ブラインド３０及びこのブラインド３０の減光部３０Ｂが、投影領域５０ｅの一部を遮光する。ブラインド３０の減光部３０Ｂにより、投影領域５０ｅにはＹ軸方向に減光特性を有する小領域ＫＢが形成され、感光基板Ｐに対しては、周辺回路６１ａと画素パターン６０の一部を含むＹ軸方向の長さＬＡの露光領域が設定される。
【００９９】
そして、マスクＭと感光基板ＰとをＸ軸方向に同期移動して一回目の走査露光を行う。これにより、図１１に示すように、感光基板Ｐ上には、投影領域５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄ、及び投影領域５０ｅの一部によって設定された分割パターン６２が露光される。そして、２箇所の減光部のうちの一方の減光部３０Ｂによって設定された小領域ＫＢに基づいて、走査露光することにより分割パターン（露光領域、第１のパターン像）６２の−Ｙ側の一辺に形成された重複領域６４は、この分割パターン６２の−Ｙ側に向かうに従い露光量をほぼ連続的に減衰される。
【０１００】
次に、二回目の走査露光を行うため、基板ステージＰＳＴの所定位置に対する位置合わせを行う（ステップＳ１８）。
具体的には、基板ステージＰＳＴを＋Ｙ方向に所定距離ステップ移動させるとともに、基板ステージＰＳＴの位置の微調整を行う。
二回目の走査露光を行うための基板ステージＰＳＴの位置合わせは、マスクＭのうち継ぎ部４９に対応して形成されているマスク位置合わせマーク６０Ａと、感光基板Ｐのうち重複領域６４に対応して形成されている基板位置合わせマーク７２とを位置合わせすることにより行われる。制御装置ＣＯＮＴは、図１４を参照して説明した手順と同様、発光部７５からマスク位置合わせマーク６０Ａに対してアライメント光を照射し、投影光学系ＰＬを介して感光基板Ｐの基板位置合わせマーク７２に照射されたアライメント光の反射光と、マスク位置合わせマーク６０Ａにおける反射光とに基づいて、マスク位置合わせマーク６０Ａと基板位置合わせマーク７２とが一致するように、基板ステージＰＳＴを位置調整する。このように、マスクＭに形成されているマスク位置合わせマーク６０と、感光基板Ｐに形成されている基板位置合わせマーク７２とを用いて、継ぎ露光する際の継ぎ部の位置合わせをすることにより、継ぎ部の位置決め精度を向上できる。
【０１０１】
マスクＭと感光基板Ｐとの位置合わせをしたら、制御装置ＣＯＮＴは、ブラインド３０をＹ軸方向に駆動し、ブラインド３０及びこのブラインド３０の減光部３０Ａで投影領域５０ｃの一部を遮光する（ステップＳ１９）。
このとき、投影領域５０ａ、５０ｂに対応する光路は、照明系モジュールの照明シャッタ６により遮断される。ブラインド３０の減光部３０ＡのマスクＭに対する位置合わせも、図１３を参照して説明したように、マスク位置合わせマーク６０Ａを用いて行われ、マスク位置合わせマーク６０Ａに対してブラインド３０の減光部３０Ａが位置合わせされる。所定の位置に位置合わせされたブラインド３０の減光部３０Ａは、投影領域５０ｃの一部に、Ｙ軸方向に減光特性を有する小領域ＫＡを形成する。また、投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｂに対応する照明系モジュールＩＭａ、ＩＭｂの照明シャッタ６がシャッタ駆動部６ａの駆動により光路中に挿入され、図１１に示すように、投影領域５０ａ、５０ｂに対応する光路の照明光を遮光する。このとき、照明系モジュールＩＭｃ〜ＩＭｇの照明シャッタ６は各光路を開放している。そして、ブラインド３０の減光部３０Ａが、投影領域５０ｃの一部を遮光し、感光基板Ｐに対しては、周辺回路６１ｂと画素パターン６０の一部を含むＹ軸方向の長さＬＢの露光領域６３が設定される。
【０１０２】
こうして、制御装置ＣＯＮＴは、一回目の走査露光で投影露光された小領域ＫＢに基づく重複領域６４（継ぎ部４８）に、二回目の走査露光で投影露光される小領域ＫＡに基づく継ぎ部４９が重ね合わせられるように、基板ステージＰＳＴを＋Ｙ方向に移動し、位置合わせする。
【０１０３】
ここで、二回目の走査露光を行うためのステップ移動時、あるいはブラインド３０（減光部３０Ａ）の光路上への配置時において、制御装置ＣＯＮＴはキャリブレーション時において記憶装置に記憶しておいた各設定値、補正値に基づいて、感光基板Ｐに対する像特性の補正や、ブラインド３０の微調整が可能である。すなわち、小領域ＫＡに基づく重複領域６４と小領域ＫＢに基づく重複領域６４とが一致するように像特性（シフト、スケーリング、ローテーション）の調整が可能である。
【０１０４】
また、パターンの重複領域６４と重複領域以外とのそれぞれの露光光ＥＬの照射量が略一致するように、基板ステージＰＳＴの位置調整を行うことができる。すなわち、各小領域ＫＡ及びＫＢのそれぞれの形状や光量はステップＳ１０〜Ｓ１３において予め検出、調整されており、制御装置ＣＯＮＴは、記憶したそれぞれの小領域ＫＡ、ＫＢの形状又は光量に基づいて、パターンの重複領域６４と重複領域以外（すなわち領域６２，６３）とのそれぞれの照度が略一致するように、基板ステージＰＳＴの位置の微調整を行う。具体的には、一回目の走査露光による小領域ＫＢと二回目の走査露光による小領域ＫＡとのそれぞれに基づく重複領域６４の露光光ＥＬの照射量が図１５に示すような照度分布において、例えば、図１５（ａ）に示すように、一回目の走査露光の小領域ＫＢと二回目の走査露光による小領域ＫＡとに基づく重複領域６４の露光光ＥＬの合計の照射量が、重複領域６４以外の露光光ＥＬの照射量より低い場合には、基板ステージＰＳＴの位置を調整して重ね合わせ範囲を大きくし、図１５（ｂ）に示すように、全ての位置において露光光ＥＬの照射量を略一致させる（ステップＳ２０）。
【０１０５】
あるいは、重複領域６４の露光光ＥＬの照射量と重複領域６４以外の露光光ＥＬの照射量とが略一致するように、ブラインド３０を駆動し、重複領域６４における露光光ＥＬの照射量を調整してもよい。これにより、各光路の光束の光量が補正することができる。
【０１０６】
なお、二回目の走査露光時におけるブラインド３０（減光部３０Ａ）の光路上への配置は、キャリブレーション時において基準位置に対する所望の位置が予め設定されているので、この設定値に基づいて、ブラインド３０（減光部３０Ａ）を移動させてもよい。
【０１０７】
また、二回目の走査露光時における基板ステージＰＳＴのステップ移動は、基板位置合わせマーク７２及びマスク位置合わせマーク６０Ａを用いずに行ってもよい。この場合、基板ステージＰＳＴのステップ移動は、キャリブレーション時において予め求めておき、この求めておいた情報に基づいてステップ移動すればよい。更に、キャリブレーション時に求めておいた各小領域ＫＡ、ＫＢの位置に基づいて行ってもよい。すなわち、一回目の走査露光で投影露光された基準位置に対する重複領域６４（継ぎ部４８）の位置は求められており、この重複領域６４に、次に投影露光される継ぎ部４９が所定の位置関係になるように、基板ステージＰＳＴの位置を設定すればよい。
【０１０８】
そして、マスクＭと感光基板ＰとをＸ軸方向に同期移動して二回目の走査露光を行う（ステップＳ２１）。
これにより、図１１に示すように、感光基板Ｐ上には、投影領域５０ｃの一部、５０ｄ、５０ｅ、５０ｆ、５０ｇによって設定された分割パターン６３が露光される。そして、２箇所の減光部のうちの他方の減光部３０Ａによって設定された小領域ＫＡにより、走査露光することにより分割パターン（露光領域、第２のパターン像）６３の＋Ｙ側の一辺に形成された重複領域６４は、この分割パターン６３の＋Ｙ側に向かうに従い露光量をほぼ連続的に減衰される光量分布を有し、第一回目の走査露光時に形成された重複領域６４と重複することにより、所定の合成露光量が得られる。
【０１０９】
このようにして、一枚のマスクＭを用いて、このマスクＭよりも大きな感光基板Ｐに対する継ぎ露光が完了する（ステップ２２）。
【０１１０】
以上説明したように、視野絞り２０及び遮光板４０によって設定されたパターン像（投影領域）に対して、２つの減光部３０Ａ、３０Ｂを有し、複数の投影光学モジュール（投影領域）の間で移動可能なブラインド３０を配置することにより、マスクＭにおけるパターンの継ぎ部（分割位置）４８，４９を任意に設定できる。したがって、感光基板Ｐに形成されるパターンの大きさを任意に設定でき、任意の大きさのデバイスを効率良く製造できる。
【０１１１】
また、ブラインド３０は、投影領域（パターン像）の周辺に向かうに従いパターンの継ぎ部（重複領域）での積算露光量をほぼ連続的に減衰させる減光特性を有する減光部３０Ａ、３０Ｂを有するので、継ぎ部における露光量を所望の値に設定でき、重複領域６４と重複領域６４以外との露光量を一致させることができる。したがって、精度良い露光処理を行うことができる。そして、減光部３０Ａ、３０Ｂは１つのブラインド３０に対して少なくとも２つ設けられており、Ｙ軸方向の互いに対向する辺に設けられているので、ブラインド３０をＹ軸方向に移動するだけで、２つの減光部３０Ａ、３０Ｂのうちいずれか一方を用いて、Ｙ軸方向に並んだ複数の投影領域のうち任意の投影領域を所望の状態で遮光することができる。
【０１１２】
また、視野絞り２０に対して遮光板４０及びブラインド３０のそれぞれを移動可能としたことにより、感光基板Ｐに対する露光光ＥＬの投影領域５０ａ〜５０ｇの大きさや形状を任意に設定できるので、継ぎ露光する際の継ぎ合わせ精度の向上や、露光量の均一化を実現できる。
【０１１３】
視野絞り２０と遮光板４０とブラインド３０とで投影領域を５０ａ〜５０ｇの複数に分割し、これらを継ぎ合わせて露光する、いわゆるマルチレンズスキャン型露光装置としたことにより、良好な結像特性を維持しつつ、装置を大型化せずに大きなパターンを形成できる。そして、投影光学系ＰＬは、走査方向に対して直交する方向に並ぶ複数の投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇからなり、複数の投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇのうち、所定の投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇの光路を遮光することにより、走査露光毎に投影領域を容易に調整できる。そして、分割パターン６２，６３の継ぎ合わせを行う際に、大型のマスクＭを用いることなく、大型の感光基板Ｐに対して均一なパターンを形成できる。したがって、装置の大型化及びコストの増大を防ぐことができる。
【０１１４】
複数に分割された投影領域５０ａ〜５０ｇの形状は、台形形状であるので、継ぎ露光を行う際、継ぎ部と継ぎ部以外との露光量を容易に一致させることができる。
【０１１５】
マスクＭ上において、継ぎ露光を行う領域である継ぎ部４８、４９に相当して、ブラインド３０との位置合わせをするための位置合わせマーク６０Ａ、６０Ｂを設けたことにより、この位置合わせマークを用いてブラインド３０の位置合わせを精度良く行うことができる。したがって、重複領域６４を所望の露光量で露光できる。
【０１１６】
また、感光基板Ｐにも、継ぎ露光を行う領域６４に相当して、マスク位置合わせマーク６０Ａ、６０Ｂとの位置合わせを行うための基板位置合わせマーク７２を設けたので、マスクＭと感光基板Ｐとの位置合わせを精度良く行って露光精度を向上できるとともに、複数の走査露光を行うために基板ステージＰＳＴをステップ移動する際にも、位置合わせマーク６０Ａ、６０Ｂ、７２を用いて位置合わせすればよいので、位置合わせ精度は向上する。
【０１１７】
また、本実施形態においては、投影領域５０ａ〜５０ｇが重複する境界部５１ａ〜５１ｌの照度が略一致するように照度を計測、補正しており、継ぎ部５２ａ〜５２ｆにおける照度も均一にできる。そして、ブラインド３０や遮光板４０のＹ軸方向の位置を変更して、分割パターン６２、６３における重複領域６４における照度も他の領域の照度と同一にでき、パターン全体を均一な露光量で露光することができ、パターン線幅をパターン全面にわたって均一にできる。そのため、露光後の液晶デバイスの品質は向上する。
【０１１８】
なお、図１０、図１１では、重複領域６４のＹ軸方向の長さＬＫは、投影領域５０ａ〜５０ｇの重複領域５２ａ〜５２ｆと同一距離に設定されているが、斜めブラインドである減光部３０Ａ（３０Ｂ）の先端部の傾斜角度を変更することによって、分割パターン６２及び６３どうしの重複領域６４のＹ軸方向の長さと、投影領域５０ａ〜５０ｇどうしの重複領域５２ａ〜５２ｆのＹ軸方向の長さとを異なるように設定してもよい。
【０１１９】
なお、本実施形態において、分割パターン（第１のパターン像）６２と分割パターン（第２のパターン像）６３とをつなぎ合わせる際、一回目の走査露光においては２つの減光部のうち一方の減光部３０Ｂで投影領域５０ｅの一部を遮光して小領域ＫＢを形成し、二回目の走査露光においては他方の減光部３０Ａで投影領域５０ｃの一部を遮光して小領域ＫＡを形成し、これら小領域ＫＡ、ＫＢを重ね合わせるようにしているが、小領域ＫＡ、ＫＢを形成する投影領域は、投影領域５０ａ〜５０ｇのいずれでもよい。すなわち、複数の走査露光において任意の投影領域に、Ｙ軸方向に減光特性を有する小領域を形成し、これらを重ね合わせることができる。さらに、照明シャッタ６による光路の遮光は、任意の光路に対して行うことができる。
【０１２０】
上記実施形態では、ブラインド３０（減光部３０Ａ、３０Ｂ）を位置合わせする際、図１３を参照して説明したように、ブラインド３０をＹ軸方向に移動しつつ、受光部７１で受光されるアライメント光の受光量が例えば５０％になった位置を検出することでブラインド３０（減光部３０Ａ、３０Ｂ）の位置合わせを行っているが、本実施形態のブラインド３０はＹ軸方向に移動可能であるとともに、Ｘ軸方向及びθＺ方向にも移動可能である。したがって、図１６に示すように、制御装置ＣＯＮＴは発光部７０より複数（図１６では３つ）のアライメント用光束をブラインド３０（減光部３０Ａ、３０Ｂ）のエッジ部に対して照射し、このブラインド３０のエッジ部を介した複数のアライメント光束を受光部７１で受光し、受光部７１による複数のアライメント用光束それぞれの検出結果に基づいて、ブラインド３０の位置情報を求めることにより、ＸＹ方向及びθＺ方向に移動可能なブラインド３０の位置情報をより精度良く求めることができる。ここで、制御装置ＣＯＮＴは、複数のアライメント光束それぞれの受光部７１での受光量が例えば５０％受光量になるように、ブラインド３０の位置をブラインド駆動装置３１を用いて調整し、この検出した位置情報に基づいて、ブラインド３０を所定の位置に位置合わせするための補正量を求め、求めた補正量に基づいてブラインド３０（減光部３０Ａ、３０Ｂ）を位置合わせすればよい。このように、発光部７０、受光部７１、ブラインド駆動装置３１、及び制御装置ＣＯＮＴにより、ブラインド３０のエッジの複数点を検出し、この検出結果に基づいてブラインド３０の位置情報を求める位置検出装置の一部が構成される。
【０１２１】
また、図１７に示すように、ブラインド３０の位置情報を、位置検出装置の一部を構成する基板ステージＰＳＴ上に設けられた撮像素子からなるディテクタ４１により検出することもできる。ディテクタ４１を使ってブラインド３０の位置情報を検出する際には、制御装置ＣＯＮＴは、ディテクタ４１の位置を固定した状態で、照明光学系ＩＬより露光光ＥＬを投影光学系ＰＬに入射する。ディテクタ４１は、開口Ｋに配置されたブラインド３０の像を検出し、制御装置ＣＯＮＴは、ディテクタ４１の像検出結果に基づいて、ブラインド３０の位置情報を求めることができる。
【０１２２】
ところで、視野絞り２０及び遮光板４０により形成された開口Ｋに対応する投影領域５０が、投影光学系ＰＬの結像特性の変化により、感光基板Ｐ上において投影領域５０がシフトする等、その位置を変化させる場合がある。例えば、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示すように、基準位置Ｏに対して投影領域５０の位置が変化した場合、ブラインド３０で遮光される領域が異なる可能性が生じる。そこで、図１８（ａ）、（ｂ）に示すように投影領域５０の位置が変化（シフト）した際にも、ブラインド３０で遮光される領域ＡＢ１、ＡＢ２が一致するように、制御装置ＣＯＮＴは、補正装置の一部を構成するディテクタ４１で投影領域（パターン像）５０の位置情報を検出し、この検出結果に基づいて、領域ＡＢ１、ＡＢ２を一致させるための補正量を求める。そして、制御装置ＣＯＮＴは、求めた補正量に基づいて、ブラインド駆動装置３１を使ってブラインド３０の位置を補正する。これにより、継ぎ部を継ぎ合わせる精度や、感光基板Ｐ上で所望の積算露光量を得ることができる。
【０１２３】
本実施形態では、一回目の走査露光には一方の減光部３０Ｂを用い、二回目の走査露光には他方の減光部３０Ａを用いているが、図１９に示すように、一回目の走査露光にはブラインド３０の減光部３０Ｂを用い、二回目の走査露光にはブラインド３０を用いずに照明シャッタ６を用いて所定の投影領域に対応する光路を遮光するようにしてもよい。なお、図１９において、一回目の走査露光では投影領域５０ｆ、５０ｇに対応する光路が照明シャッタ６によって遮光されており、二回目の走査露光では投影領域５０ａ、５０ｂに対応する光路が照明シャッタ６によって遮光されている。
【０１２４】
上記実施形態においては、並列する複数の光路を７カ所とし、これに対応して照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｇ及び投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇを設ける構成としたが、光路を１カ所とし、照明系モジュール及び投影光学モジュールを１つずつ有する構成であってもよい。すなわち、マスクのパターン像の一部が重複して露光されるように複数回の走査露光に分けて継ぎ露光を行う露光方法及び露光装置に対して適用することができる。
一方、並列する複数の光路は７カ所に限らず、例えば６カ所以下や８カ所以上とする構成であってもよい。
【０１２５】
上記実施形態において、投影領域における露光光ＥＬの光量に関する情報を検出するために設けられたディテクタ４１は１つであるが、基準位置に対する位置が予め分かっているディテクタを複数設ける構成とすることも可能である。そして、この複数設けられたディテクタを用いて、各境界部５１ａ〜５１ｌにおける照度Ｗａ〜Ｗｌを同時に検出する構成とすることが可能である。この場合、各投影領域５０ａ〜５０ｇ及び境界部５１ａ〜５１ｌの照度計測や、境界部５１ａ〜５１ｌの位置検出を高速に行うことができ、作業性が向上する。
【０１２６】
上記実施形態において、キャリブレーションを行う際、ディテクタ４１によって照度検出を行い、この検出結果に基づいてキャリブレーションを行う構成であるが、キャリブレーション時に実際にテスト用感光基板に対して露光処理を行い、形成されたパターンの形状を計測し、この計測結果に基づいてキャリブレーションを行うようにしてもよい。
【０１２７】
なお、上記実施形態において、一回目の走査露光終了後、二回目の走査露光をするためのステップ移動後の感光基板Ｐの位置合わせは、マスクＭに形成されているマスク位置合わせマーク６０と、感光基板Ｐに形成されている基板位置合わせマーク７２とを用いて行われるが、キャリブレーション時において、ステップ移動距離を予め設定し、この設定した結果に基づいてステップ移動するようにいしてもよい。
【０１２８】
また、液晶デバイス（半導体デバイス）は複数の材料層を積層することにより形成されるが、例えば第２層目以降を露光処理するに際し、現象処理や各熱処理によって感光基板Ｐが変形する場合がある。この場合は、キャリブレーション時において感光基板Ｐのスケーリングなど像特性の変化分を求めて補正値（オフセット値）を算出し、この補正値に基づいてステップ移動すればよい。更に、この場合も、上述したように、ローテーション、シフトなどの各像特性の変化分に応じて、ブラインド３０や遮光板４０の位置を駆動して投影領域を設定し、継ぎ露光の制御を行うことができる。
【０１２９】
なお、上記実施形態おける光源１は一つであるが、光源１を一つではなく、各光路毎に設けたり、複数の光源を設け、ライトガイド等を用いて複数の光源（または一つ）からの光束を一つに合成し、再び各光路毎に光を分配させる構成であってもよい。この場合、光源の光量のばらつきによる悪影響を排除できるとともに、光源の一つが消えても全体の光量が低下するだけであり、露光されたデバイスが使用不能になってしまうことを防止できる。また、光源１を複数設けて光束を合成して分配する際、照射される露光光ＥＬの照射量は、ＮＤフィルタなどの透過する光量を変えるフィルタを光路中に挿入することにより所望の照射量となるように調整し、各投影領域５０ａ〜５０ｇにおける露光光ＥＬの照射量を制御するようにしてもよい。
【０１３０】
上記実施形態では、二回の走査露光により感光基板Ｐ上に画面を合成する構成としたが、これに限られるものではなく、例えば、三回以上の走査露光により感光基板Ｐ上に画面を合成するような構成であってもよい。
【０１３１】
なお、上記実施形態では、投影光学系ＰＬが複数（ＰＬａ〜ＰＬｇ）に分かれたものについて説明したが、図７より容易に分かるように、視野絞り２０と第１の遮光板４０とで形成される矩形のスリットを持つシングルレンズの投影光学系ＰＬを持つ露光装置や、矩形ではなく円弧スリットの露光領域を持つ露光装置に対しても適用可能で、ブラインド３０を露光領域に対して移動させることにより、任意の位置で継ぎが可能となる。
【０１３２】
上記実施形態では、ブラインド３０は、＋Ｘ側及び−Ｘ側のそれぞれに１つずつ（合計２つ）設けられている構成であるが、複数の投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇの間を１つのブラインド３０が移動する構成とすることも可能である。例えば、図２０（ａ）に示すように、−Ｘ側の投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇと、＋Ｘ側の投影光学モジュールＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆとの間に、フォーカス検出系１１０（ＡＦユニットＵ）が配置されない構成である場合、＋Ｘ側の投影光学モジュールと−Ｘ側の投影光学モジュールとがブラインドユニット１２０を共有し、これら複数の投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇが１つのブラインド３０を共用する構成とすることができる。この場合、図２０（ｂ）に示すように、ブラインド駆動装置３１の一部を構成するガイド部３１Ａは、ブラインドユニット１２０内部において、−Ｘ側の投影光学モジュールと＋Ｘ側の投影光学モジュールとの間に配置されており、ブラインド３０はこのガイド部３１Ａに沿ってＹ軸方向に移動可能であるとともに、回転機構３１Ｂにより、パターン像の像面と平行な平面であるＸＹ平面内で１８０度回転可能であり、＋Ｘ側及び−Ｘ側それぞれの投影光学モジュールに配置可能である。
【０１３３】
図２１は、図２０を参照して説明したブラインド３０を使って三回の走査露光でマスクＭ上のパターンを３つの分割パターンＰａ、Ｐｂ、Ｐｃに分割して感光基板Ｐ上で合成した例を示す図である。
図２１（ａ）に示すように、パターンＰａを露光するには、ブラインド３０及びこのブラインド３０の減光部３０Ａが投影光学モジュールＰＬｆに対応する開口Ｋに配置されて継ぎ部８０ａが形成され、投影領域５０ｆの一部が遮光されつつパターンＰａが感光基板Ｐ上に露光される。このとき、投影領域５０ｇに対応する光路は照明系モジュールＩＭｇの照明シャッタ６で遮光されている。次いで、図２１（ｂ）に示すように、パターンＰｂを露光する際には、投影領域５０ａに対応する光路が照明系モジュールＩＭａの照明シャッタ６で遮光されて継ぎ部８０ｂが形成されるとともに、ブラインド３０及びこのブラインド３０の減光部３０Ａが投影光学モジュールＰＬｆに対応する開口Ｋに配置されて継ぎ部８０ｃが形成され、投影領域５０ｆの一部を遮光しつつパターンＰｂが感光基板Ｐ上に露光される。このとき、投影領域５０ｇに対応する光路は照明シャッタ６で遮光されている。次いで、図２１（ｃ）に示すように、パターンＰｃを露光する際には、ブラインド３０がＸＹ平面内で１８０度回転される。そして、ブラインド３０及びこのブラインド３０の減光部３０Ｂが投影光学モジュール５０ｅに対応する開口部Ｋに配置されて継ぎ部８０ｄが形成され、投影領域５０ｅの一部が遮光されつつパターンＰｃが感光基板Ｐ上に露光される。このとき、投影領域５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄに対応する光路は照明系モジュールＩＭａ、ＩＭｂ、ＩＭｃ、ＩＭｄの照明シャッタ６で遮光されている。なお、マスクＭのパターンの周辺には、特定の形状周期を有する回路パターンとしての周期パターン８１が形成されている。このような周期パターン８１を継ぎ露光する場合において、従来では、各投影領域に応じて継ぎ部が設定されていたので継ぎ部の位置を任意に設定できず、周期パターン８１を継ぎ露光するのに困難であったが、本発明では、移動可能なブラインド３０によって継ぎ部の位置を任意に設定できる。そして、ブラインド３０を台形状の板部材により構成し、Ｙ軸方向の互いに対向する辺に減光部３０Ａ、３０Ｂが設けられている構成であるので、ブラインド３０をＸＹ平面内において１８０度回転することで、＋Ｘ側及び−Ｘ側の投影光学モジュールに対応する投影領域を所望の状態で遮光することができる。
【０１３４】
図２２は、１つのマスクＭ上のパターンを適宜分割及び合成することで、１つの感光基板Ｐ上に異なる大きさのパターンを複数形成する例を示す図である。ここでは、感光基板Ｐ上に、第１の大きさを有するパターンＰｄを３つ、第２の大きさを有するパターンＰｅを３つ形成する場合について説明する。なお、パターンＰｄは、例えば縦横比が４：３の３０インチ液晶ディスプレイパネルを製造するためのパターンであり、パターンＰｅは、例えば縦横比が１６：９の３７インチ液晶ディスプレイパネルを製造するためのパターンである。
まず、図２２（ａ）に示すように、マスクＭ上のパターンの全てが感光基板Ｐ上に露光される。このとき、ブラインド３０は露光光ＥＬの光路上より退避している。そして、このマスクＭのパターンが感光基板Ｐ上に露光され、感光基板Ｐ上には、第１の大きさを有するパターンＰｄが３つ形成される。
【０１３５】
次いで、図２２（ｂ）に示すように、投影領域５０ｅに対応する光路上にブラインド３０が配置され、投影領域５０ｅの一部がブラインド３０及びこの減光部３０Ｂにより遮光される。このとき、投影領域５０ｆ、５０ｇに対応する光路は照明シャッタ６で遮光されている。そして、この状態でマスクＭ上のパターンを感光基板Ｐに露光することにより、感光基板Ｐ上にはパターンＰａが転写される。次いで、図２２（ｃ）に示すように、投影領域５０ｃに対応する光路上にブラインド３０が配置され、投影領域５０ｃの一部がブラインド３０及びこの減光部３０Ａにより遮光される。このとき、投影領域５０ａ、５０ｂに対応する光路は照明シャッタ６で遮光されている。そして、この状態でマスクＭ上のパターンを感光基板Ｐに露光することにより、感光基板Ｐ上には、先に感光基板Ｐ上に転写されたパターンＰａに対して、次のパターンＰｂが継ぎ合わされるように露光され、パターンＰａ、Ｐｂが感光基板Ｐ上で合成されることにより、パターンＰｅが形成される。
以上説明したように、ブラインド３０を使って継ぎ部を任意に設定しつつ露光することにより、１つの感光基板Ｐ上に互いに大きさが異なるパターンＰｄ、Ｐｅを形成することができる。
【０１３６】
なお、上記実施形態では、ブラインド３０は１つ（あるいは２つ）設けられた構成であるが、もちろん、３つ以上の任意の数だけ設けることができる。例えば、各投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇのそれぞれに対応するように複数（７つ）のブラインド３０を設け、図２３に示すように、各ブラインド３０で投影領域５０ａ〜５０ｇそれぞれのＸ軸方向の幅を任意の値に設定できる。例えば、投影領域５０ａ〜５０ｇそれぞれのＸ軸方向の幅をブラインド３０を使って狭くすることで、感光基板Ｐ上で所定の露光量（積算露光量）を得るための感光基板Ｐ（基板ステージＰＳＴ）の走査速度を低減することができる。したがって、感光基板Ｐの移動に伴う振動の発生を抑えることができる。逆に、投影領域５０ａ〜５０ｇそれぞれのＸ軸方向の幅をブラインド３０を使って広くすることで、走査速度を高速化でき、スループットを向上することができる。
【０１３７】
なお、上記実施形態では、ブラインド３０を台形状の板部材とし、このブラインド３０をＸＹ平面内においてほぼ１８０度回転することで、−Ｘ側の投影光学モジュールと＋Ｘ側の投影光学モジュールとのそれぞれに配置可能となっているが、上記実施形態の台形状のブラインド３０の長辺どうしを接続して、図２４に示すように、平面視六角形状の板部材からなるブラインド３０Ｔとすることにより、ＸＹ平面内において回転させなくても、この六角形状のブラインド３０ＴをＸＹ方向に並進移動するだけで、−Ｘ側及び＋Ｘ側それぞれの投影光学モジュールに対応する投影領域を所望の状態で遮光できる。ここで、図２４に示すブラインド３０Ｔは、減光部を４箇所に設けられた構成となっている。このように、減光部は４箇所でもよく、任意の複数箇所に設けることができる。
【０１３８】
上記実施形態において、ブラインド３０の減光部３０Ａ、３０Ｂは、その端部におけるＸ軸方向の幅がＹ軸方向に向かって漸次縮小するように斜めに形成された斜めブラインドであるが、走査することにより重複領域でのＹ軸方向における積算露光量をほぼ連続的に減衰させるものであればいいので、例えば、図２５に示すように、Ｘ軸方向の幅がＹ軸方向に向かって漸次縮小するように斜めに形成された複数の鋸歯状としてもよい。この場合、鋸歯部分のＹ軸方向における形成範囲が、重複領域のＹ軸方向における長さＬＫである。なお、図２５は、投影領域５０ｆ、５０ｇに対応する照明シャッタ６が光路を遮光している状態を示している。
【０１３９】
図２６は、第２遮光部材としてのブラインドの他の実施形態を示す図である。図２６に示すブラインド３０Ｇは、ガラス基板に遮光のためのパターンであるクロムのドットパターンを設けた遮光する部分と、透過する部分との間で連続的に透過率を変えた部材である。ブラインド３０Ｇは少なくともＹ軸方向に移動可能となっており、光を遮光する遮光部７７と、光を所定の透過率分布で透過可能な透過部であるフィルタ部（減光部）７８とを有している。遮光部７７は、ガラス基板に遮光性材料であるクロム膜を設け、透過率をほぼ０％に設定した領域である。フィルタ部７８は、遮光性材料であるクロムのドットを密度を変化させながらガラス基板に蒸着することにより、遮光部７７との境界部からブラインド３０Ｇの周囲（先端部）に向かうに従い、透過率を０〜１００％に連続的に漸次変化させた領域である。ここで、フィルタ部７８におけるクロムのドットは露光装置ＥＸの解像限界以下の大きさに設定されている。
【０１４０】
このように、ブラインド３０Ｇに、光量分布調整用のフィルタ部７８を設けることによっても、パターン像の重複領域での積算露光量をほぼ連続的に減衰させることができる。そして、フィルタ部７８を、ガラス基板にクロムのドットパターンを蒸着によって形成することにより、光量分布の調整を分子レベルで精度良く行うことができるので、継ぎ露光を行うに際し、重複領域における露光量調整を精度良く行うことができる。
【０１４１】
図２７は、ブラインド３０Ｇ（フィルタ部７８）を位置合わせする動作の一例を説明するための模式図である。図２７（ａ）に示すように、フィルタ部７８に対して光束（例えば露光光ＥＬ）を照射し、このフィルタ部７８を通過した光束を照度検出可能な撮像素子からなるディテクタ４１で受光する。ディテクタ４１は、図２７（ｂ）に示すように、フィルタ部７８に応じた光量分布の検出信号を制御装置ＣＯＮＴに出力する。このときディテクタ４１の位置は所定位置に対して固定されており、制御装置ＣＯＮＴは、ディテクタ４１の検出信号に基づいて、所定位置に対する例えば５０％光量に相当するフィルタ部７８の位置を求める。こうして、制御装置ＣＯＮＴは、所定位置に対するフィルタ部７８（ブラインド３０Ｇ）の位置を求め、このフィルタ部７８を有するブラインド３０Ｇを所定位置に対して位置合わせする。
【０１４２】
上記各実施形態において、重複領域の露光量分布を調整するために、斜めブラインドや鋸歯状ブラインドあるいは所定の透過率分布を有するフィルタ部７８を備えたブラインドを用いているが、ブラインドの光路方向における位置を調整することによって、重複領域の露光量分布を調整することもできる。すなわち、図２８（ａ）に示すように、ブラインド３０を、マスクＭに対して共役な位置から若干ずれた位置に配置する（デフォーカスさせる）ことにより、ブラインド３０のエッジ部を通過した露光光ＥＬは拡散し、マスクＭを所定の光量分布で照射する。ここで、このときの拡散光のマスクＭ上における幅（すなわち、重複領域となるべき幅）ＬＫは、照明光学系ＩＬの開口数をＮＡとし、マスクＭ上αの位置にブラインド３０を配置した場合において、ＬＫ＝２×α×ＮＡ  となる。そして、図２８（ｂ）に示すように、幅ＬＫにおける光量分布はＹ軸方向に連続的に減衰する光量分布を有する。このように、ブラインド３０の光路方向（Ｚ軸方向）における位置を調整することによっても、所望の幅ＬＫを有する重複領域を形成できる。
【０１４３】
なお、上記実施形態において、視野絞り２０と遮光板４０とによって形成される開口Ｋ（投影領域５０）の形状は台形状であるが、六角形や菱形、あるいは図２９に示すように平行四辺形状であっても構わない。この場合、ブラインド３０は、この平行四辺形状の開口Ｋに応じた平行四辺形状の板部材とすることができる。一方、開口Ｋを台形状とすることにより、継ぎ露光を容易に円滑に行うことができる。
【０１４４】
本実施形態の露光装置ＥＸとして、投影光学系を用いることなくマスクＭと感光基板Ｐとを密接させてマスクＭのパターンを露光するプロキシミティ露光装置にも適用することができる。
【０１４５】
露光装置ＥＸの用途としては、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光装置に限定されることなく、例えば、半導体ウエハに回路パターンを露光する半導体製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置にも広く適当できる。
【０１４６】
本実施形態の露光装置ＥＸの光源は、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）のみならず、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）などを用いることもできる。
【０１４７】
投影光学系ＰＬの倍率は等倍系のみならず縮小系および拡大系のいずれでもよい。
【０１４８】
投影光学系ＰＬとしては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ２レーザやＸ線を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にする。
【０１４９】
基板ステージＰＳＴやマスクステージＭＳＴにリニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもいい。また、ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもいいし、ガイドを設けないガイドレスタイプでもよい。
【０１５０】
ステージの駆動装置として平面モ−タを用いる場合、磁石ユニット（永久磁石）と電機子ユニットのいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットの他方をステージの移動面側（ベース）に設ければよい。
【０１５１】
基板ステージＰＳＴの移動により発生する反力は、特開平８−１６６４７５号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露光装置においても適用可能である。
【０１５２】
マスクステージＭＳＴの移動により発生する反力は、特開平８−３３０２２４号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露光装置においても適用可能である。
【０１５３】
以上のように、本願実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１５４】
半導体デバイスは、図３０に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスクを製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置によりマスクのパターンを基板に露光する基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【０１５５】
【発明の効果】
本発明によれば、第２遮光部材によりパターン像の継ぎ部分である重複領域を任意に設定でき、基板に形成されるパターンの大きさを任意に設定できる。また、第２遮光部材により重複領域における露光量を所望の値に設定でき、重複領域と重複領域以外との露光量を一致させることができる。したがって、基板上に様々な大きさのパターンを効率良く且つ精度良く形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の露光装置の一実施形態を示す概略斜視図である。
【図２】投影光学系とブラインドユニットとの位置関係を示す模式図である。
【図３】本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図４】フィルタを説明するための平面図である。
【図５】視野絞りと第１遮光部材と第２遮光部材とを説明するための模式図である。
【図６】視野絞りと第１遮光部材と第２遮光部材とを説明するための模式図である。
【図７】視野絞りと第１遮光部材と第２遮光部材とを説明するための模式図である。
【図８】第２遮光部材が回転することにより投影領域が変化する様子を説明するための模式図である。
【図９】投影光学系で設定される投影領域を示す図である。
【図１０】マスクと投影領域との関係を示す平面図である。
【図１１】感光基板と投影領域との関係を示す平面図である。
【図１２】露光動作のシーケンスを示すフローチャート図である。
【図１３】マスク位置合わせマークと第２遮光部材とを位置合わせする様子を説明する模式図である。
【図１４】マスク位置合わせマークと基板位置合わせマークとを位置合わせする様子を説明する模式図である。
【図１５】重複領域において露光量が制御される様子を説明するための図である。
【図１６】第２遮光部材の位置を検出する動作の一例を示す模式図である。
【図１７】第２遮光部材の位置を検出する動作の一例を示す模式図である。
【図１８】位置変化した投影領域に対する第２遮光部材の位置関係を説明するための図である。
【図１９】継ぎ露光を行う際の他の実施形態を示す平面図である。
【図２０】ブラインドユニットの他の実施形態を示す模式図である。
【図２１】継ぎ露光を行う際の他の実施形態を示す平面図である。
【図２２】継ぎ露光を行う際の他の実施形態を示す平面図である。
【図２３】第２遮光部材が第１の方向に移動する様子を示す図である。
【図２４】第２遮光部材の他の実施形態を示す図である。
【図２５】第２遮光部材の他の実施形態を示す図である。
【図２６】第２遮光部材の他の実施形態を示す図である。
【図２７】フィルタ部を有する第２遮光部材の位置検出動作を説明するための模式図である。
【図２８】重複領域を設定する際の他の実施形態を示す図である。
【図２９】第２遮光部材の他の実施形態を示す図である。
【図３０】半導体デバイス製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【図３１】従来の継ぎ露光方法を示す図である。
【図３２】従来の継ぎ露光方法を示す図である。
【符号の説明】
２０…視野絞り、３０…ブラインド（第２遮光部材）、
３０Ａ、３０Ｂ…減光部、３１…ブラインド駆動装置（補正装置）、
４０…遮光板（第１遮光部材）、
４１…ディテクタ（位置検出装置、補正装置）、４６，４７…分割パターン、
４８，４９…重複領域、５０ａ〜５０ｇ…投影領域（パターン像）、
５２ａ〜５２ｆ…重複領域（継ぎ部）、
６０Ａ，６０Ｂ…マスク位置合わせマーク、６２，６３…分割パターン、
６４…重複領域（継ぎ部）、７０…発光部（位置検出装置）、
７１…受光部（位置検出装置）、７２…基板位置合わせマーク、
７８…フィルタ部（減光部）、
ＣＯＮＴ…制御装置（位置検出装置、補正装置）、ＥＬ…露光光、
ＥＸ…露光装置、ＩＬ…照明光学系、ＩＭａ〜ＩＭｇ…照明系モジュール、
Ｌｘ…パターン像の走査方向の幅、
Ｌｙ…パターン像の走査方向と直交する方向の幅、Ｍ…マスク、
ＭＳＴ…マスクステージ、Ｐ…感光基板（基板）、ＰＬ…投影光学系、
ＰＬａ〜ＰＬｇ…投影光学モジュール（投影光学系）、
ＰＳＴ…基板ステージ、Ｘ…走査方向、Ｙ…非走査方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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