(57)【要約】【課題】簡便、迅速かつ安価に低分子化多糖を大量製造できる方法、及び多糖を大量に低分子化できる方法を提供する。【解決手段】多糖画分に電子線を照射するステップを少なくとも含む、低分子化された糖の製造方法。特に、「平均分子量がＭ（Ｄａ）であり、かつ固体状態の多糖画分」に、下記式を満たす線量ｄ（ｋＧｙ）の電子線を照射するステップを少なくとも含む、平均分子量ｎ（Ｄａ）の糖の製造方法。ｎ＝Ｍｅａｄ（Ｍは５０００〜７万の数であり、ｎは任意の正数であり、ｅは自然対数の底であり、ａは−０．００８〜−０．００４の数である。）【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
多糖画分に電子線を照射するステップを少なくとも含む、低分子化された糖の製造方法。
【請求項２】
「平均分子量がＭ（Ｄａ）であり、かつ固体状態の多糖画分」に、下記式を満たす線量ｄ（ｋＧｙ）の電子線を照射するステップを少なくとも含む、平均分子量ｎ（Ｄａ）の糖の製造方法。
ｎ＝Ｍｅａｄ
（ただし、Ｍは５０００〜７万の数であり、ｎは任意の正数であり、ｅは自然対数の底であり、ａは−０．００８〜−０．００４の数である。）
【請求項３】
ａが−０．００８〜−０．００５の数である、請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
ａが−０．００７５〜−０．００５０の数である、請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
電子線が照射される「多糖画分」が、グリコサミノグリカン画分である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
「グリコサミノグリカン画分」が、ヒアルロン酸、コンドロイチン硫酸、デルマタン硫酸、ケラタン硫酸、ヘパラン硫酸及びヘパリンからなる群から選ばれる１又は２以上のグリコサミノグリカンを含有する画分である、請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
多糖画分に電子線を照射することを特徴とする、多糖の低分子化方法。
【請求項８】
「平均分子量がＭ（Ｄａ）であり、かつ固体状態の多糖画分」に、下記式を満たす線量ｄ（ｋＧｙ）の電子線を照射することを特徴とする、平均分子量ｎ（Ｄａ）への多糖の低分子化方法。
ｎ＝Ｍｅａｄ
（ただし、Ｍは５０００〜７万の数であり、ｎは任意の正数であり、ｅは自然対数の底であり、ａは−０．００８〜−０．００４の数である。）
【請求項９】
ａが−０．００８〜−０．００５の数である、請求項８に記載の低分子化方法。
【請求項１０】
ａが−０．００７５〜−０．００５０の数である、請求項９に記載の低分子化方法。
【請求項１１】
電子線が照射される「多糖画分」が、グリコサミノグリカン画分である、請求項７〜１０のいずれか１項に記載の低分子化方法。
【請求項１２】
「グリコサミノグリカン画分」が、ヒアルロン酸、コンドロイチン硫酸、デルマタン硫酸、ケラタン硫酸、ヘパラン硫酸及びヘパリンからなる群から選ばれる１又は２以上のグリコサミノグリカンを含有する画分である、請求項１１に記載の低分子化方法。
【請求項１３】
ヒアルロン酸画分に電子線を照射するステップを少なくとも含む、低分子化されたヒアルロン酸の製造方法。
【請求項１４】
「平均分子量が５０００〜３００万（Ｄａ）であり、かつ固体状態のヒアルロン酸画分」に、線量５〜４００（ｋＧｙ）の電子線を照射するステップを少なくとも含む、低分子化されたヒアルロン酸の製造方法。
【請求項１５】
電子線が照射される「ヒアルロン酸画分」の平均分子量が２０万〜３００万（Ｄａ）であり、線量が５〜１５（ｋＧｙ）であり、かつ「低分子化されたヒアルロン酸」の平均分子量が１０万〜２０万である、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１６】
電子線が照射される「ヒアルロン酸画分」の平均分子量が１０万〜３００万（Ｄａ）であり、線量が１５〜３０（ｋＧｙ）であり、かつ「低分子化されたヒアルロン酸」の平均分子量が６万〜１０万である、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１７】
電子線が照射される「ヒアルロン酸画分」の平均分子量が５万〜３００万（Ｄａ）であり、線量が３０〜５０（ｋＧｙ）であり、かつ「低分子化されたヒアルロン酸」の平均分子量が３万〜６万である、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１８】
電子線が照射される「ヒアルロン酸画分」の平均分子量が３万〜３００万（Ｄａ）であり、線量が５０〜１５０（ｋＧｙ）であり、かつ「低分子化されたヒアルロン酸」の平均分子量が２万〜３万である、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１９】
電子線が照射される「ヒアルロン酸画分」の平均分子量が２万〜３００万（Ｄａ）であり、線量が１５０〜２５０（ｋＧｙ）であり、かつ「低分子化されたヒアルロン酸」の平均分子量が１万〜２万である、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項２０】
電子線が照射される「ヒアルロン酸画分」の平均分子量が５０００〜３００万（Ｄａ）であり、線量が２５０〜３５０（ｋＧｙ）であり、かつ「低分子化されたヒアルロン酸」の平均分子量が３０００〜１万である、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項２１】
「平均分子量が６０万〜１２０万（Ｄａ）であり、かつ溶液状態のヒアルロン酸画分」に、線量１０〜８０（ｋＧｙ）の電子線を照射するステップを少なくとも含む、低分子化されたヒアルロン酸の製造方法。
【請求項２２】
電子線が照射される「ヒアルロン酸画分」の平均分子量が６０万〜１２０万（Ｄａ）であり、線量が１０〜３０（ｋＧｙ）であり、かつ「低分子化されたヒアルロン酸」の平均分子量が２５００〜４０００である、請求項２１に記載の製造方法。
【請求項２３】
電子線が照射される「ヒアルロン酸画分」の平均分子量が６０万〜１２０万（Ｄａ）であり、線量が３０〜５０（ｋＧｙ）であり、かつ「低分子化されたヒアルロン酸」の平均分子量が１７００〜２５００である、請求項２１に記載の製造方法。
【請求項２４】
電子線が照射される「ヒアルロン酸画分」の平均分子量が６０万〜１２０万（Ｄａ）であり、線量が５０〜８０（ｋＧｙ）であり、かつ「低分子化されたヒアルロン酸」の平均分子量が１３００〜１７００である、請求項２１に記載の製造方法。
【請求項２５】
ヒアルロン酸画分に電子線を照射することを特徴とする、ヒアルロン酸の低分子化方法。
【請求項２６】
「平均分子量が５０００〜３００万（Ｄａ）であり、かつ固体状態のヒアルロン酸画分」に、線量５〜４００（ｋＧｙ）の電子線を照射することを特徴とする、ヒアルロン酸の低分子化方法。
【請求項２７】
電子線が照射される「ヒアルロン酸画分」の平均分子量が２０万〜３００万（Ｄａ）であり、線量が５〜１５（ｋＧｙ）であり、かつ低分子化後の平均分子量が１０万〜２０万である、請求項２６に記載の低分子化方法。
【請求項２８】
電子線が照射される「ヒアルロン酸画分」の平均分子量が１０万〜３００万（Ｄａ）であり、線量が１５〜３０（ｋＧｙ）であり、かつ低分子化後の平均分子量が６万〜１０万である、請求項２６に記載の低分子化方法。
【請求項２９】
電子線が照射される「ヒアルロン酸画分」の平均分子量が５万〜３００万（Ｄａ）であり、線量が３０〜５０（ｋＧｙ）であり、かつ低分子化後の平均分子量が３万〜６万である、請求項２６に記載の低分子化方法。
【請求項３０】
電子線が照射される「ヒアルロン酸画分」の平均分子量が３万〜３００万（Ｄａ）であり、線量が５０〜１５０（ｋＧｙ）であり、かつ低分子化後の平均分子量が２万〜３万である、請求項２６に記載の低分子化方法。
【請求項３１】
電子線が照射される「ヒアルロン酸画分」の平均分子量が２万〜３００万（Ｄａ）であり、線量が１５０〜２５０（ｋＧｙ）であり、かつ低分子化後の平均分子量が１万〜２万である、請求項２６に記載の低分子化方法。
【請求項３２】
電子線が照射される「ヒアルロン酸画分」の平均分子量が５０００〜３００万（Ｄａ）であり、線量が２５０〜３５０（ｋＧｙ）であり、かつ低分子化後の平均分子量が３０００〜１万である、請求項２６に記載の低分子化方法。
【請求項３３】
「平均分子量が６０万〜１２０万（Ｄａ）であり、かつ溶液状態のヒアルロン酸画分」に、線量１０〜８０（ｋＧｙ）の電子線を照射することを特徴とする、ヒアルロン酸の低分子化方法。
【請求項３４】
電子線が照射される「ヒアルロン酸画分」の平均分子量が６０万〜１２０万（Ｄａ）であり、線量が１０〜３０（ｋＧｙ）であり、かつ低分子化後の平均分子量が２５００〜４０００である、請求項３３に記載の低分子化方法。
【請求項３５】
電子線が照射される「ヒアルロン酸画分」の平均分子量が６０万〜１２０万（Ｄａ）であり、線量が３０〜５０（ｋＧｙ）であり、かつ低分子化後の平均分子量が１７００〜２５００である、請求項３３に記載の低分子化方法。
【請求項３６】
電子線が照射される「ヒアルロン酸画分」の平均分子量が６０万〜１２０万（Ｄａ）であり、線量が５０〜８０（ｋＧｙ）であり、かつ低分子化後の平均分子量が１３００〜１７００である、請求項３３に記載の低分子化方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、低分子化糖の製造方法、及び多糖の低分子化方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
まず、本明細書において用いる単位・略号・用語を説明する。
【０００３】
Ｄａ：ダルトン
Ｇｙ：グレイ
ｋＧｙ：キログレイ
ＧＡＧ：グリコサミノグリカン
ＨＡ：ヒアルロン酸
ＣＳ：コンドロイチン硫酸
ＣＳ−Ａ：コンドロイチン硫酸Ａ
ＣＳ−Ｃ：コンドロイチン硫酸Ｃ
ＣＳ−Ｄ：コンドロイチン硫酸Ｄ
ＣＳ−Ｅ：コンドロイチン硫酸Ｅ
ＤＳ：デルマタン硫酸（コンドロイチン硫酸Ｂともいう）
ＫＳ：ケラタン硫酸
ＨＳ：ヘパラン硫酸
Ｈｅｐ：ヘパリン
本明細書中の「平均分子量」の語は、重量平均分子量を意味する。
【０００４】
低分子化糖として、種々の薬理活性・生物学的活性を有するものが報告されている。例えばＨＡを低分子化した糖については、癌細胞の増殖阻害、熱ショック蛋白質の発現増強、細胞死抑制、細胞障害抑制等の活性が報告されている。またＫＳを低分子化した糖については、抗炎症、抗アレルギー、免疫調節等の活性が報告されている。またＨｅｐを低分子化した糖については、成長因子への親和性等の活性が報告されている。
このように、低分子化糖は医薬品や食品等の素材としての可能性を秘めていることから、簡便かつ安価に大量生産できることが望ましい。
【０００５】
低分子化糖の製造方法としては、製造原料となる多糖を溶媒に溶解し、これに酸・アルカリや酵素等を作用させて低分子化させる方法が一般的である。しかし、固体状態の多糖を製造原料として用いる場合には、これを溶媒に溶解した後に反応させる必要があり、その反応後も一定の処理（中和や酵素反応の停止等）が必要となる。このような手間や時間、添加する試薬（酸・アルカリ、酵素等）の管理・取扱い、コスト等の事情を勘案すると、さらに簡便、迅速かつ安価に低分子化多糖を大量生産できる方法が求められていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、簡便、迅速かつ安価に低分子化多糖を大量製造できる方法、及び多糖を大量に低分子化できる方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、（１）電子線を多糖に照射することによって多糖が低分子化されること、（２）この低分子化は、固体状態の多糖に電子線を照射した場合にも引き起こされること、（３）電子線照射によっても多糖の骨格構造に致命的な影響はないこと、（４）硫酸基を保持する多糖であっても、電子線照射による硫酸基の損失等の影響がほとんどないこと、（５）驚くべきことに、製造原料となる多糖の平均分子量とはほとんど無関係に、一定の線量の電子線を照射すればほぼ一定の平均分子量の低分子化多糖が製造されること、特にこの傾向は製造原料となる多糖の平均分子量が大きい場合（特にＨＡ）において顕著であること、（６）製造原料となる多糖の平均分子量がある一定の範囲内にあるときには、製造原料となる多糖の平均分子量、電子線の線量及び製造される低分子化糖の平均分子量との間に、一定の関係式が成立すること等を見出し、簡便、迅速かつ安価に低分子化多糖を大量製造できる方法、及び多糖を大量に低分子化できる方法を提供するに至り、本発明を完成した。
【０００８】
すなわち本発明は、多糖画分に電子線を照射するステップを少なくとも含む、低分子化された糖の製造方法（以下、本発明製造方法という）を提供する。
また本発明は、本発明製造方法の好ましい態様として、「平均分子量がＭ（Ｄａ）であり、かつ固体状態の多糖画分」に、下記式を満たす線量ｄ（ＫＧｙ）の電子線を照射するステップを少なくとも含む、平均分子量ｎ（Ｄａ）の糖の製造方法（以下、本発明製造方法１という）を提供する。
【０００９】
ｎ＝Ｍｅａｄ
（ただし、Ｍは５０００〜７万の数であり、ｎは任意の正数であり、ｅは自然対数の底であり、ａは−０．００８〜−０．００４の数である。）
この「ａ」は、−０．００８〜−０．００５の数であることが好ましく、−０．００７５〜−０．００５０の数であることがより好ましい。
【００１０】
本発明製造方法において、電子線が照射される「多糖画分」は、ＧＡＧ画分であることが好ましい。この「ＧＡＧ画分」は、ＨＡ、ＣＳ（ＣＳ−Ａ、ＣＳ−Ｃ、ＣＳ−Ｄ、ＣＳ−Ｅ等を含む）、ＤＳ、ＫＳ、ＨＳ及びＨｅｐからなる群から選ばれる１又は２以上のＧＡＧを含有する画分であることが好ましい。
【００１１】
また本発明は、多糖画分に電子線を照射することを特徴とする、多糖の低分子化方法（以下、本発明低分子化方法という）を提供する。
また本発明は、本発明低分子化方法の好ましい態様として、「平均分子量がＭ（Ｄａ）であり、かつ固体状態の多糖画分」に、下記式を満たす線量ｄ（ＫＧｙ）の電子線を照射することを特徴とする、平均分子量ｎ（Ｄａ）への多糖の低分子化方法（以下、本発明低分子化方法１という）を提供する。
【００１２】
ｎ＝Ｍｅａｄ
（ただし、Ｍは５０００〜７万の数であり、ｎは任意の正数であり、ｅは自然対数の底であり、ａは−０．００８〜−０．００４の数である。）
【００１３】
この「ａ」は−０．００８〜−０．００５の数であることが好ましく、−０．００７５〜−０．００５０の数であることがより好ましい。
また、本発明低分子化方法において、電子線が照射される「多糖画分」は、ＧＡＧ画分であることが好ましい。この「ＧＡＧ画分」は、ＨＡ、ＣＳ（ＣＳ−Ａ、ＣＳ−Ｃ、ＣＳ−Ｄ、ＣＳ−Ｅ等を含む）、ＤＳ、ＫＳ、ＨＳ及びＨｅｐからなる群から選ばれる１又は２以上のＧＡＧを含有する画分であることが好ましい。
【００１４】
また本発明は、本発明製造方法の好ましい態様として、ＨＡ画分に電子線を照射するステップを少なくとも含む、低分子化されたＨＡの製造方法（以下、本発明製造方法２という）を提供する。
また本発明は、本発明製造方法２の好ましい態様として、「平均分子量が５０００〜３００万（Ｄａ）であり、かつ固体状態のＨＡ画分」に、線量５〜４００（ｋＧｙ）の電子線を照射するステップを少なくとも含む、低分子化されたＨＡの製造方法を提供する。また、この製造方法のより好ましい態様として、以下のものを提供する。
【００１５】
電子線が照射される「ＨＡ画分」の平均分子量が２０万〜３００万（Ｄａ）であり、線量が５〜１５（ｋＧｙ）であり、かつ「低分子化されたＨＡ」の平均分子量が１０万〜２０万であるもの。
電子線が照射される「ＨＡ画分」の平均分子量が１０万〜３００万（Ｄａ）であり、線量が１５〜３０（ｋＧｙ）であり、かつ「低分子化されたＨＡ」の平均分子量が６万〜１０万であるもの。
【００１６】
電子線が照射される「ＨＡ画分」の平均分子量が５万〜３００万（Ｄａ）であり、線量が３０〜５０（ｋＧｙ）であり、かつ「低分子化されたＨＡ」の平均分子量が３万〜６万であるもの。
電子線が照射される「ＨＡ画分」の平均分子量が３万〜３００万（Ｄａ）であり、線量が５０〜１５０（ｋＧｙ）であり、かつ「低分子化されたＨＡ」の平均分子量が２万〜３万であるもの。
【００１７】
電子線が照射される「ＨＡ画分」の平均分子量が２万〜３００万（Ｄａ）であり、線量が１５０〜２５０（ｋＧｙ）であり、かつ「低分子化されたＨＡ」の平均分子量が１万〜２万であるもの。
電子線が照射される「ＨＡ画分」の平均分子量が５０００〜３００万（Ｄａ）であり、線量が２５０〜３５０（ｋＧｙ）であり、かつ「低分子化されたＨＡ」の平均分子量が３０００〜１万であるもの。
【００１８】
また本発明は、本発明製造方法２における他の好ましい態様として、「平均分子量が６０万〜１２０万（Ｄａ）であり、かつ溶液状態のＨＡ画分」に、線量１０〜８０（ｋＧｙ）の電子線を照射するステップを少なくとも含む、低分子化されたＨＡの製造方法を提供する。また、この製造方法のより好ましい態様として、以下のものを提供する。
【００１９】
電子線が照射される「ＨＡ画分」の平均分子量が６０万〜１２０万（Ｄａ）であり、線量が１０〜３０（ｋＧｙ）であり、かつ「低分子化されたＨＡ」の平均分子量が２５００〜４０００であるもの。
電子線が照射される「ＨＡ画分」の平均分子量が６０万〜１２０万（Ｄａ）であり、線量が３０〜５０（ｋＧｙ）であり、かつ「低分子化されたＨＡ」の平均分子量が１７００〜２５００であるもの。
【００２０】
電子線が照射される「ＨＡ画分」の平均分子量が６０万〜１２０万（Ｄａ）であり、線量が５０〜８０（ｋＧｙ）であり、かつ「低分子化されたＨＡ」の平均分子量が１３００〜１７００であるもの。
また本発明は、本発明低分子化方法の好ましい態様として、ＨＡ画分に電子線を照射することを特徴とする、ＨＡの低分子化方法（以下、本発明低分子化方法２という）を提供する。
【００２１】
また本発明は、本発明低分子化方法２の好ましい態様として、「平均分子量が５０００〜３００万（Ｄａ）であり、かつ固体状態のＨＡ画分」に、線量５〜４００（ｋＧｙ）の電子線を照射することを特徴とする、ＨＡの低分子化方法を提供する。また、この低分子化方法のより好ましい態様として、以下のものを提供する。
電子線が照射される「ＨＡ画分」の平均分子量が２０万〜３００万（Ｄａ）であり、線量が５〜１５（ｋＧｙ）であり、かつ低分子化後の平均分子量が１０万〜２０万であるもの。
【００２２】
電子線が照射される「ＨＡ画分」の平均分子量が１０万〜３００万（Ｄａ）であり、線量が１５〜３０（ｋＧｙ）であり、かつ低分子化後の平均分子量が６万〜１０万であるもの。
電子線が照射される「ＨＡ画分」の平均分子量が５万〜３００万（Ｄａ）であり、線量が３０〜５０（ｋＧｙ）であり、かつ低分子化後の平均分子量が３万〜６万であるもの。
【００２３】
電子線が照射される「ＨＡ画分」の平均分子量が３万〜３００万（Ｄａ）であり、線量が５０〜１５０（ｋＧｙ）であり、かつ低分子化後の平均分子量が２万〜３万であるもの。
電子線が照射される「ＨＡ画分」の平均分子量が２万〜３００万（Ｄａ）であり、線量が１５０〜２５０（ｋＧｙ）であり、かつ低分子化後の平均分子量が１万〜２万であるもの。
【００２４】
電子線が照射される「ＨＡ画分」の平均分子量が５０００〜３００万（Ｄａ）であり、線量が２５０〜３５０（ｋＧｙ）であり、かつ低分子化後の平均分子量が３０００〜１万であるもの。
また本発明は、本発明低分子化方法２における他の好ましい態様として、「平均分子量が６０万〜１２０万（Ｄａ）であり、かつ溶液状態のＨＡ画分」に、線量１０〜８０（ｋＧｙ）の電子線を照射することを特徴とする、ＨＡの低分子化方法を提供する。また、この低分子化方法のより好ましい態様として、以下のものを提供する。
【００２５】
電子線が照射される「ＨＡ画分」の平均分子量が６０万〜１２０万（Ｄａ）であり、線量が１０〜３０（ｋＧｙ）であり、かつ低分子化後の平均分子量が２５００〜４０００であるもの。
電子線が照射される「ＨＡ画分」の平均分子量が６０万〜１２０万（Ｄａ）であり、線量が３０〜５０（ｋＧｙ）であり、かつ低分子化後の平均分子量が１７００〜２５００であるもの。
【００２６】
電子線が照射される「ＨＡ画分」の平均分子量が６０万〜１２０万（Ｄａ）であり、線量が５０〜８０（ｋＧｙ）であり、かつ低分子化後の平均分子量が１３００〜１７００であるもの。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を説明する。
本発明製造方法
本発明製造方法は、多糖画分に電子線を照射するステップを少なくとも含む、低分子化された糖の製造方法である。
【００２８】
電子線が照射される「多糖画分」の種類、分子量等は特に限定されないが、ＧＡＧ画分であることが好ましい。この「ＧＡＧ画分」としては、ＨＡ、ＣＳ（ＣＳ−Ａ、ＣＳ−Ｃ、ＣＳ−Ｄ、ＣＳ−Ｅ等を含む）、ＤＳ、ＫＳ、ＨＳ及びＨｅｐからなる群から選ばれる１又は２以上のＧＡＧを含有する画分が例示される。なかでもＨＡ画分であることが好ましい。
【００２９】
電子線の照射は、一般的な電子線照射装置等を用いて行うことができる。照射の条件等も特に限定されないが、一例として以下の条件を挙げることができる。
【００３０】
電子線照射装置：ダイナミトロン　５ＭｅＶ電子加速器（ＲＤＩ社製）
電圧：２．０ＭｅＶ
電流：２０．０ｍＡ
カート速度（外周）：１８．０ｍ／分
照射方向：片面
【００３１】
多糖画分は、プラスチック、ガラス、金属等電子線を透過する容器に入れた状態でこの容器を介して電子線照射してもよく、またこのような容器を介さずに直接電子線照射してもよい。また、電子線照射される多糖画分は、固体状態（乾燥した状態）であってもよく、溶液状態であってもよい。
【００３２】
このようにして多糖画分に電子線を照射すると、多糖が低分子化されて、「低分子化された糖」が製造される。そして照射する電子線の線量を高くすれば、より平均分子量が低い糖を製造することができる。照射する電子線の線量は、所望の「低分子化された糖」の平均分子量等に応じて適宜決定することもできるが、電子線照射される「多糖画分」（原料）の平均分子量が５０００〜７万（Ｄａ）であり、かつ固体状態である場合には、以下の式を満たす線量ｄ（ｋＧｙ）を算出し、当該線量を照射することによって、所望の平均分子量ｎ（ｋＤａ）の「低分子化された糖」を製造することができる。
【００３３】
ｎ＝Ｍｅａｄ
【００３４】
この式において、「Ｍ」は電子線照射される「多糖画分」（原料）の平均分子量（Ｄａ）であり、５０００〜７万（Ｄａ）の範囲内で原料に応じて数値を設定できる。また「ｎ」は「低分子化された糖」の平均分子量（Ｄａ）である。よって「ｎ」は製造目的とする「低分子化された糖」の平均分子量に対応した数値（任意の正数）とすればよい。「ｅ」は自然対数の底であり、「ａ」は−０．００８〜−０．００４の数である。
【００３５】
この「ａ」は、−０．００８〜−０．００５の数であることが好ましく、−０．００７５〜−０．００５０の数であることがより好ましい。
この式を用いることにより、製造原料となる「多糖画分」の平均分子量（５０００〜７万（Ｄａ）の範囲）と、所望する「低分子化された糖」の平均分子量から、適切な照射線量を簡便に求めることができる。
【００３６】
また、電子線照射される「多糖画分」（原料）が「平均分子量が５０００〜３００万（Ｄａ）であり、かつ固体状態のＨＡ画分」である場合には、線量５〜４００（ｋＧｙ）の電子線を照射することにより、所望の平均分子量を有する「低分子化されたＨＡ」を製造することができる。
【００３７】
すなわち、「低分子化されたＨＡ」の所望の平均分子量が１０万〜２０万である場合には、原料として平均分子量が２０万〜３００万（Ｄａ）の「ＨＡ画分」を採用し、これに５〜１５（ｋＧｙ）の電子線を照射すればよい。
【００３８】
同様に、「低分子化されたＨＡ」の所望の平均分子量が６万〜１０万である場合には、原料として平均分子量が１０万〜３００万（Ｄａ）の「ＨＡ画分」を採用し、これに１５〜３０（ｋＧｙ）の電子線を照射すればよい。
【００３９】
同様に、「低分子化されたＨＡ」の所望の平均分子量が３万〜６万である場合には、原料として平均分子量が５万〜３００万（Ｄａ）の「ＨＡ画分」を採用し、３０〜５０（ｋＧｙ）の電子線を照射すればよい。
【００４０】
同様に、「低分子化されたＨＡ」の所望の平均分子量が２万〜３万である場合には、原料として平均分子量が３万〜３００万（Ｄａ）の「ＨＡ画分」を採用し、５０〜１５０（ｋＧｙ）の電子線を照射すればよい。
【００４１】
同様に、「低分子化されたＨＡ」の所望の平均分子量が１万〜２万である場合には、原料として平均分子量が２万〜３００万（Ｄａ）の「ＨＡ画分」を採用し、１５０〜２５０（ｋＧｙ）の電子線を照射すればよい。
【００４２】
同様に、「低分子化されたＨＡ」の所望の平均分子量が３０００〜１万である場合には、原料として平均分子量が５０００〜３００万（Ｄａ）の「ＨＡ画分」を採用し、２５０〜３５０（ｋＧｙ）の電子線を照射すればよい。
【００４３】
なお、原料となる「ＨＡ画分」の平均分子量は、製造される「低分子化されたＨＡ」の平均分子量よりも高いことが必要であることはいうまでもなく、そのような条件のもとで、上記の範囲内の数値を適宜設定することができる。
【００４４】
この製造方法の最大の特徴は、原料となるＨＡ画分の平均分子量を極めて幅広く設定でき、これに所定の線量の電子線を照射することにより、原料の平均分子量にかかわらず所定の平均分子量を有する「低分子化されたＨＡ画分」が製造できることにある。
【００４５】
また、電子線照射される「多糖画分」（原料）が「平均分子量が６０万〜１２０万（Ｄａ）であり、かつ溶液状態のＨＡ画分」である場合には、線量１０〜８０（ｋＧｙ）の電子線を照射することにより、所望の平均分子量を有する「低分子化されたＨＡ」を製造することができる。溶液状態のＨＡ画分を原料として用いる場合には、固体状態のＨＡ画分を用いる場合に比して低い線量で容易に低分子化を引き起こすことができる。
【００４６】
すなわち、「低分子化されたＨＡ」の所望の平均分子量が２５００〜４０００である場合には、原料として平均分子量が６０万〜１２０万（Ｄａ）の「ＨＡ画分」を採用し、これに１０〜３０（ｋＧｙ）の電子線を照射すればよい。
【００４７】
同様に、「低分子化されたＨＡ」の所望の平均分子量が１７００〜２５００である場合には、原料として平均分子量が６０万〜１２０万（Ｄａ）の「ＨＡ画分」を採用し、これに３０〜５０（ｋＧｙ）の電子線を照射すればよい。
【００４８】
同様に、「低分子化されたＨＡ」の所望の平均分子量が１３００〜１７００である場合には、原料として平均分子量が６０万〜１２０万（Ｄａ）の「ＨＡ画分」を採用し、５０〜８０（ｋＧｙ）の電子線を照射すればよい。
【００４９】
なお本発明製造方法は、上記のような「多糖画分に電子線を照射するステップ」を少なくとも含む限りにおいて、さらに他のステップ（例えば分画や精製のステップ等）を付加してもよい。
【００５０】
本発明低分子化方法
本発明低分子化方法は、上記の本発明製造方法を「低分子化方法」という思想で捉えたものである。したがって、その詳細な説明は上記の本発明製造方法と同様であり、本発明製造方法における「製造方法」を「低分子化方法」と読み替えることによって、本発明低分子化方法を容易に理解することができる。
【００５１】
【実施例】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに何ら限定されるものではない。
【００５２】
本実施例で用いた材料や電子線照射の方法等は、以下の通りである。
（材料）
ＣＳ−Ａ（ウシ気管由来；生化学工業株式会社製）
ＣＳ−Ｃ（サメ軟骨由来；生化学工業株式会社製）
ＣＳ−Ｄ（サメ軟骨由来；生化学工業株式会社製）
ＣＳ−Ｅ（イカ軟骨由来；生化学工業株式会社製）
ＤＳ（鶏冠由来；生化学工業株式会社製）
ＫＳ（サメ軟骨由来；生化学工業株式会社製）
ＨＡ（鶏冠由来；生化学工業株式会社製）
【００５３】
（電子線照射の方法等）
日本電子照射サービス株式会社　つくばセンター（茨城県つくば市緑が原４−１６）に委託して行った。電子線照射は、電子線照射装置（ダイナミトロン　５ＭｅＶ電子加速器；ＲＤＩ社製）を用いて行った。原料画分をプラスチック製の製剤用シャーレ（原料画分が固体状態の場合）又はガラス製のアンプル（原料画分が溶液状態の場合）に入れ、照射用カートに並べて、以下の条件で電子線照射した。
【００５４】
電圧：２．０ＭｅＶ
電流：２０．０ｍＡ
カート速度（外周）：１８．０ｍ／分
照射方向：片面
【００５５】
所定の線量が適正に照射されているか否かを、線量測定装置（Ｕ−２０００分光光度計；株式会社日立製作所製）及び線量計（ＣＴＡ線量計　ＦＴＲ−１２５；富士写真フィルム株式会社製）を用いて確認した。
【００５６】
（分子量の分析方法）
以下の条件でゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）を行って分子量を分析した。
カラム：
Ｇ６０００ＰＷＸＬ（東ソー製）（分子量５万以上のものを分析する場合）
Ｇ４０００ＰＷＸＬ＋Ｇ３０００ＰＷＸＬ（東ソー製）（分子量５万以下のものを分析する場合）
溶媒：０．２Ｍ　ＮａＣｌ
流速：０．５ｍＬ／分
検出ＵＶ：２０５ｎｍ
【００５７】
（オリゴ糖組成の分析）
以下の条件でＨＰＬＣを行い、オリゴ糖組成を分析した。標準物質（ＨＡ４糖、６糖、８糖及び１０糖）の溶出位置と比較するとともに、各糖のおよその濃度を求めた。
カラム：ＹＭＣｇｅｌ−ＰＡ１２０−Ｓ５（株式会社ワイエムシイ製）
流速：０．５ｍＬ／分
溶出：４０ｍＭ〜２００ｍＭ及び６０ｍＭ〜２００ｍＭの硫酸ナトリウムによる濃度勾配
標識：２−シアノアセトアミドによるポストラベル
検出：蛍光検出計　Ｅｘ　３３１ｎｍ　　Ｅｍ　３８３ｎｍ
【００５８】
（二糖組成分析（二糖単位中に含まれる硫酸基の数・結合位置等の解析））
（１）ＣＳ又はＤＳを用いた場合
試料液（約２００μｇ／ｍＬ）を１００μＬ採取し、１００ｍＭトリス塩酸緩衝液（ｐＨ８．０）４０μＬとコンドロイチナーゼＡＢＣ（８３ｍＵ；生化学工業株式会社製）を加えて全量を２００μＬとして３７℃で２時間反応させた。反応液は１０，０００カットの限外ろ過フィルターでろ過した。ろ過液をＨＰＬＣ（カラム：ＹＭＣゲルＰＡ−１２０；株式会社ワイエムシイ製）に付して二糖組成を分析した。
【００５９】
（２）ＫＳを用いた場合
試料液（約１００μｇ／ｍＬ）を１００μＬ採取し、１００ｍＭ酢酸ナトリウム緩衝液（ｐＨ６．０）４０μＬとケラタナーゼＩＩ（１ｍＵ；生化学工業株式会社製）を加えて全量を２００μＬとして３７℃で３時間反応させた。反応液は１０，０００カットの限外ろ過フィルターでろ過した。ろ過液をＨＰＬＣ（カラム：ＹＭＣゲルＰＡ−１２０；株式会社ワイエムシイ製）に付して二糖組成を分析した。
【００６０】
実施例１
各種の平均分子量のＨＡ画分（固体状態）に、各種線量の電子線を照射して、平均分子量を解析した。結果を以下に示す。
（実験１；ＨＡ）
照射前（０ｋＧｙ）　　２５０００００（平均分子量）
１０ｋＧｙ照射後　　　　１９９０００（平均分子量）
２０ｋＧｙ照射後　　　　　９９０００（平均分子量）
４０ｋＧｙ照射後　　　　　５２０００（平均分子量）
【００６１】
（実験２；ＨＡ）
照射前（０ｋＧｙ）　　１５０００００（平均分子量）
１０ｋＧｙ照射後　　　　１３４０００（平均分子量）
２０ｋＧｙ照射後　　　　　７４０００（平均分子量）
４０ｋＧｙ照射後　　　　　４３０００（平均分子量）
【００６２】
（実験３；ＨＡ）
照射前（０ｋＧｙ）　　１１０００００（平均分子量）
１００ｋＧｙ照射後　　　　２６５００（平均分子量）
２００ｋＧｙ照射後　　　　１５０００（平均分子量）
３００ｋＧｙ照射後　　　　　６４００（平均分子量）
【００６３】
（実験４；ＨＡ）
照射前（０ｋＧｙ）　　　４９３０００（平均分子量）
１００ｋＧｙ照射後　　　　２６５００（平均分子量）
２００ｋＧｙ照射後　　　　１６５００（平均分子量）
３００ｋＧｙ照射後　　　　　６５００（平均分子量）
【００６４】
（実験５；ＨＡ）
照射前（０ｋＧｙ）　　　２９８７００（平均分子量）
１００ｋＧｙ照射後　　　　２６２００（平均分子量）
２００ｋＧｙ照射後　　　　１３０００（平均分子量）
３００ｋＧｙ照射後　　　　　７２００（平均分子量）
【００６５】
（実験６；ＨＡ）
照射前（０ｋＧｙ）　　　　６２０００（平均分子量）
１００ｋＧｙ照射後　　　　２３０００（平均分子量）
２００ｋＧｙ照射後　　　　１５５００（平均分子量）
３００ｋＧｙ照射後　　　　　７０００（平均分子量）
【００６６】
（実験７；ＨＡ）
照射前（０ｋＧｙ）　　　　　６１００（平均分子量）
３００ｋＧｙ照射後　　　　　４２００（平均分子量）
以上の結果から、原料となるＨＡの平均分子量の如何に関わらず、一定線量を照射するとほぼ一定の平均分子量に低分子化されることが示された。
【００６７】
実施例２
各種の平均分子量のＨＡ画分（水溶液；濃度１０ｍｇ／ｍＬ）に、各種線量の電子線を照射して、平均分子量を解析した。結果を以下に示す。
照射前（０ｋＧｙ）　　　８５００００（平均分子量）
２０ｋＧｙ照射後　　　　　　３２００（平均分子量）
４０ｋＧｙ照射後　　　　　　１９００（平均分子量）
６０ｋＧｙ照射後　　　　　　１５００（平均分子量）
この結果から、原料となるＨＡ画分が溶液状態であっても電子線により低分子化できること、および、固体状態の場合よりも低分子化されやすいことが示された。
【００６８】
実施例３
実施例１の実験３、実験４、実験６及び実験７、並びに実施例２における電子線照射後の画分中におけるオリゴ糖組成を分析した。結果を表１に示す。
【００６９】
【表１】
2004043645.tif 000002
【００７０】
表１より、電子線照射によって各種サイズのオリゴ糖を製造することができることも確認された。よって本発明製造方法は、「オリゴ糖の製造方法」としても利用できることが示された。
【００７１】
実施例４
各種の硫酸化ＧＡＧ画分（固体状態）に、各種線量の電子線を照射して、二糖組成および平均分子量を解析した。結果を表２（ＣＳ又はＤＳを用いた場合）及び表３（ＫＳを用いた場合）に示す。なお、表中の「０Ｓ」、「６Ｓ」、「４Ｓ」、「ＳＤ」、「ＳＢ」、「ＳＥ」、「Ｍ−ＫＳ」及び「Ｄ−ＫＳ」は、それぞれ、硫酸基の数・結合位置等をも含めた特定の二糖構造を示す略号である。
【００７２】
【表２】
2004043645.tif 000003
【００７３】
【表３】
2004043645.tif 000004
【００７４】
この結果から、原料が硫酸化ＧＡＧ画分であってもＨＡ画分と同様に電子線で低分子化できること、および、電子線照射によっても二糖組成（二糖単位中に含まれる硫酸基の数・結合位置等）にほとんど影響を与えないことが示された。
【００７５】
また、実施例１と実施例４の結果を用いて回帰分析した結果、原料とする多糖画分の平均分子量（Ｍ）が５０００〜７万の場合には、以下の関係式が成立することが見い出された。
【００７６】
ｎ＝Ｍｅａｄ
Ｍ：原料とする多糖画分の平均分子量（Ｄａ）（５０００〜７万）
ｎ：電子線照射後の平均分子量（Ｄａ）
ｅ：自然対数の底
ａ：−０．００７５〜−０．００５０
ｄ：照射した電子線の線量（ｋＧｙ）
【００７７】
また、電子線照射後の画分について核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）分析を行った結果、電子線照射によっても多糖の骨格構造に致命的な影響がないことが示唆された。
【００７８】
【発明の効果】
本発明製造方法および本発明低分子化方法は、医薬品や食品等の素材として有用な低分子化糖を簡便、迅速、安価かつ大量に製造でき、極めて有用である。また、電子線照射することによって低分子化と同時に滅菌することもできることから、滅菌された低分子化糖を簡便、迅速、安価かつ大量に製造することもでき、極めて有用である。