(57)【要約】【課題】多孔質絶縁層の採用等によって機械的強度が低下した半導体素子を搭載しても、熱膨張率差に因るクラックの発生等を防止できる多層回路基板を提供する。【解決手段】樹脂から成る絶縁層１２，１２・・を介して配線パターン１４，１４・・が多層に積層されて形成された、半導体素子２４が搭載される多層回路基板において、該多層回路基板が、コア基板１０に、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性の液晶性ポリマーから成る絶縁層１２，１２・・を介して多層に積層された配線パターン１４，１４・・が、絶縁層１２，１２・・を貫通するヴィア１６等によって電気的に接続され、且つ前記複数層１２，１２・・の絶縁層のうち、コア基板１０に近い絶縁層ほど、熱変形温度が高いことを特徴とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂から成る絶縁層を介して配線パターンが多層に積層されて形成された、半導体素子が搭載される多層回路基板において、
該多層回路基板が、コア基板に光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性の液晶性ポリマーから成る絶縁層を介して多層に積層された配線パターンが、前記絶縁層を貫通するヴィア等によって電気的に接続され、
且つ前記複数層の絶縁層のうち、前記コア基板に近い絶縁層ほど、熱変形温度が高いことを特徴とする多層回路基板。
【請求項２】
互いに隣接する絶縁層の熱変形温度の差が、５℃以上である請求項１記載の多層回路基板。
【請求項３】
複数層の絶縁層が、同一組成の液晶性ポリマーから成る請求項１又は請求項２記載の多層回路基板。
【請求項４】
複数層の絶縁層が、半導体素子の搭載面に近い絶縁層ほど熱膨張係数が小さくなるように傾斜的に変化する傾斜層である請求項１〜３のいずれか一項記載の多層回路基板。
【請求項５】
コア基板が、金属又はセラミックから成るコア基板である請求項１〜４のいずれか一項記載の多層回路基板。
【請求項６】
コア基板に樹脂から成る絶縁層を介して多層に配線パターンを積層し、前記絶縁層を貫通して形成したヴィア等によって電気的に接続した、半導体素子が搭載される多層回路基板を製造する際に、
該コア基板に、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性の液晶性ポリマーから成り且つ互いに熱変形温度が異なる複数枚のフィルムを用いて、複数の絶縁層を形成し、
且つ前記コア基板に近い絶縁層ほど熱変形温度が高くなるように、前記フィルムのうち、熱変形温度が最も高いフィルムから前記コア基板に順次熱圧着することを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項７】
互いに隣接する絶縁層を、熱変形温度の差が５℃以上のフィルムを用いて形成する請求項６記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項８】
複数層の絶縁層を、同一組成の液晶性ポリマーから成るフィルムによって形成する請求項６又は請求項７記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項９】
複数層の絶縁層を、半導体素子の搭載面に近い絶縁層ほど熱膨張係数が小さくなるように傾斜的に変化する傾斜層に形成する請求項６〜８のいずれか一項記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項１０】
コア基板として、金属又はセラミックから成るコア基板を用いる請求項６〜９のいずれか一項記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１記載の多層回路基板に半導体素子が搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
半導体素子が、その絶縁膜が多孔質に形成されて成る半導体素子である請求項１１記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は多層回路基板及びその製造方法並びに半導体装置に関し、更に詳細には樹脂から成る絶縁層を介して配線パターンが多層に積層されて形成された、半導体素子が搭載される多層回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子が搭載される半導体装置用基板として用いられる多層回路基板としては、樹脂から成る絶縁層を介して多層に積層された配線パターンの各々が、この絶縁層を貫通するヴィア等によって電気的に接続されて成る多層回路基板が用いられている。
しかし、搭載される半導体素子は、シリコン基板上にパターン等が形成されているため、その熱膨張係数は、シリコンの熱膨張係数に近似する３．４×１０−６程度であるが、多層回路基板は主として樹脂、例えばエポキシ樹脂（熱膨張係数が１５×１０−６〜２０×１０−６）によって形成されているため、その熱膨張係数は樹脂に近似している。
この様に、多層回路基板の熱膨張係数は半導体素子よりも大であるため、かかる多層回路基板に半導体素子が搭載された半導体装置は、両者の熱膨張率差に基づく応力が配線パターンや半導体素子等に作用し、配線パターンの断線や半導体素子のクラック発生等の故障原因となったりする。
かかる多層回路基板と半導体素子との熱膨張係数差に因る配線パターンの断線等の故障を防止すべく、下記特許文献１には、両者の熱膨張率差に基づく応力を吸収し得る多層回路基板が提案されている。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−３６２５３号公報（特許請求の範囲、図１）
【０００４】
上記特許文献１に提案されている多層回路基板を図５に示す。図５に示す多層回路基板は、配線パターン１０６，１０６・・のうち、半導体素子が搭載される搭載配線パターン２０２，２０２・・が、多層回路基板を主として構成する本体部基板１００の絶縁層１０４，１０４・・を形成する樹脂よりも低弾性率の低弾性樹脂から成る低弾性樹脂層２０４の外層２００に形成され、且つ外層２００及び低弾性樹脂層２０４を貫通するヴィア２０６によって本体部基板１００に形成された本体部配線パター１０６，１０６・・と電気的に接続されている。
尚、本体部配線パター１０６，１０６・・も、本体部基板１００を貫通して形成されたスルーホールヴィア１０８によって電気的に接続されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
図５に示す多層回路基板によれば、半導体素子が搭載されたとき、多層回路基板と半導体素子との熱膨張率差に起因する応力は、低弾性樹脂層２０４の変形によって吸収され或いは緩和される。このため、多層回路基板に搭載された半導体素子には、両者の熱膨張率差に起因する応力の影響が及ばず或いは緩和され、半導体装置内での断線等の故障発生を防止できる。
ところで、近年、半導体装置の高周波特性を向上すべく、半導体素子を形成する絶縁膜の低誘電率化が図られている。かかる絶縁膜の低誘電率化は、絶縁膜を多孔質絶縁膜とすることによって達成されている。
この様に、絶縁膜が多孔質化された半導体素子は、その熱膨張係数は、従来の半導体素子と同程度であるが、機械的強度が低下する。このため、図５に示す低弾性樹脂層２０４を具備する多層回路基板に、低誘電率化された半導体素子を搭載して得た半導体装置であっても、熱サイクル試験では、両者の熱膨張率差に起因するクラックの発生等が認められ、その信頼性は充分ではなかった。
そこで、本発明の課題は、多孔質絶縁層の採用等によって機械的強度が低下した半導体素子を搭載しても、熱膨張率差に因るクラックの発生等を防止できる多層回路基板及びその製造方法並びに半導体装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、前記課題を解決すべく検討を重ねた結果、コア基板に、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性の液晶性ポリマーから成るフィルムを用いて絶縁層を形成して得た多層回路基板によれば、多孔質絶縁層の採用等によって機械的強度が低下した半導体素子を搭載しても、熱膨張率差に因るクラックの発生等を防止できることを知り、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、樹脂から成る絶縁層を介して配線パターンが多層に積層されて形成された、半導体素子が搭載される多層回路基板において、該多層回路基板が、前記コア基板に光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性の液晶性ポリマーから成る絶縁層を介して多層に積層された配線パターンが、前記絶縁層を貫通するヴィア等によって電気的に接続され、且つ前記複数層の絶縁層のうち、前記コア基板に近い絶縁層ほど、熱変形温度が高いことを特徴とする多層回路基板にある。
【０００７】
更に、本発明は、コア基板に樹脂から成る絶縁層を介して多層に配線パターンを積層し、前記絶縁層を貫通して形成したヴィア等によって電気的に接続した、半導体素子が搭載される多層回路基板を製造する際に、該コア基板に、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性の液晶性ポリマーから成り且つ互いに熱変形温度が異なる複数枚のフィルムを用いて、複数の絶縁層を形成し、且つ前記コア基板に近い絶縁層ほど熱変形温度が高くなるように、前記フィルムのうち、熱変形温度が最も高いフィルムから前記コア基板に順次熱圧着することを特徴とする多層回路基板の製造方法にある。
また、本発明は、前述の半導体装置用基板に半導体素子が搭載されていることを特徴とする半導体装置でもある。
【０００８】
かかる本発明において、互いに隣接する絶縁層の熱変形温度の差を、５℃以上とすることによって、既に形成した絶縁層上に別のフィルムを熱圧着して絶縁層を形成する際に、熱圧着を容易に行うことができる。
また、複数層の絶縁層を、同一組成の液晶性ポリマーから成るフィルムによって形成することにより、安定した特性の多層回路基板を得ることができる。
この複数層の絶縁層を、半導体素子の搭載面に近い絶縁層ほど熱膨張係数が小さくなるように傾斜的に変化する傾斜層に形成することによって、搭載された半導体素子と多層回路基板との熱膨張率差に起因する応力の影響を可及的に小さくできる。
更に、コア基板として、金属又はセラミックから成るコア基板を用いることによって、多層回路基板を更に半導体素子に近づけることができる。
尚、半導体素子として、絶縁膜が多孔質に形成されて成る半導体素子を用いることによって、得られた半導体装置の高周波特性の向上を図ることができる。
【０００９】
本発明によれば、絶縁層を、従来の絶縁層を形成していた樹脂、例えばエポキシ樹脂よりも低熱膨張率の液晶性ポリマーから成る絶縁層を採用しているため、多層回路基板の熱膨張率を、主としてシリコンによって形成された半導体素子に近似させることができる。
しかも、液晶性ポリマーから成る絶縁層は、従来の樹脂から成る絶縁層に比較して、高伸長率で且つ高引張強度であるため、液晶性ポリマーから成る絶縁層は、半導体素子と多層回路基板との熱膨張率差に起因する応力を充分に吸収できる。
その結果、この多層回路基板に、多孔質絶縁層の採用等によって機械的強度が低下した半導体素子を搭載しても、半導体素子と多層回路基板との熱膨張率差に因るクラックの発生等を防止できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明に係る多層回路基板の一例を図１に示す。図１に示す多層回路基板は、コア基板１０の両面の各々に、液晶性ポリマーから成る第１絶縁層１２ａ、第２絶縁層１２ｂ、第３絶縁層１２ｃを介して配線パターン１４，１４・・が多層に積層されている。
このコア基板１０としては、金属又はアルミナ等のセラミックから成るコア基板を用いることができる。金属から成るコア基板としては、熱膨張係数が５×１０−６〜１８×１０−６の値を示すコア基板、具体的には、銅、ニッケル含有量が３６〜５０％の鉄−ニッケル合金から成るコア基板を用いることができる。
特に、搭載する半導体素子に近似した熱膨張係数のコア基板１０、具体的にはニッケル含有量が４２％の鉄−ニッケル合金から成るコア基板１０を好適に用いることができる。
かかる配線パターン１４，１４・・は、各絶縁層を貫通するヴィア１６、及びコア基板１０の貫通孔２０と絶縁層１２とを貫通するヴィア１８によって電気的に接続されている。
ヴィア１８は、円筒状のスルーホールヴィアの中心部が樹脂２２で充填されているヴィアであり、ヴィア１８の両端面には、配線パターン１４等が形成されている。
【００１１】
また、液晶性ポリマーとは、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性の液晶性ポリマーのことである。
この液晶性ポリマーとしては、公知の液晶性ポリマーを用いることができるが、下記表１の液晶性ポリマーを好適に用いることができる。
【表１】
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【００１２】
かかる液晶性ポリマーから成る絶縁層は、液晶性ポリマーから成るフィルム（以下、液晶性フィルムと称することがある）を用いて形成する。
この液晶性フィルムとしては、その熱膨張係数が、半導体素子に近いもの、具体的には熱膨張係数が５×１０−６〜１７×１０−６のものを好適に用いることができる。
更に、コア基板１０の両面の各々に形成された第１絶縁層１２ａ、第２絶縁層１２ｂ、第３絶縁層１２ｃは、同一組成の液晶性フィルムによって形成されており、コア基板１０に近い絶縁層ほど、熱変形温度Ｔｄｆが高い液晶性フィルムを用いて形成されている。特に、互いに隣接する絶縁層を形成する液晶性フィルムの熱変形温度Ｔｄｆの差を、５℃以上とすることが好ましい。
この熱変形温度Ｔｄｆは、熱機械分析装置（Ｔｈｅｒｍｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ａｎａｌｙｚｅｒ：ＴＭＡ）を用いて測定したものである。このＴＭＡは、その概略図である図２（ａ）に示す様に、固定部材３２と上下方向に可動する可動部材３４とに、両端が把持されたフィルム片３６を電気炉３０内に挿入し、可動部材３４によってフィルム片３６に所定の張力を加えつつ、所定の速度で昇温するものである。かかるＴＭＡからは、図２（ｂ）に示すフィルム片の伸びｖｓ．温度のグラフを作成でき、昇温に伴なってフィルム片が急激に伸び始める温度を求め、この温度を熱変形温度Ｔｄｆとした。
本発明では、フィルム片３６としては、幅５ｍｍ、長さ２０ｍｍのフィルム片を用い、可動部材３４によってフィルム片３６に加える張力を１ｇとし、昇温速度を５℃／分として熱変形温度Ｔｄｆを求めた。
【００１３】
図１に示す多層回路基板によれば、コア基板１０に積層した、第１絶縁層１２ａ、第２絶縁層１２ｂ及び第３絶縁層１２ｃを、従来の絶縁層を形成した樹脂フィルム、例えばエポキシ樹脂から成る樹脂フィルム（熱膨張係数が１５×１０−６〜２０×１０−６）に比較して低熱膨張率の液晶性フィルム（熱膨張係数が５×１０−６〜１７×１０−６）を用いて形成している。このため、多層回路基板の熱膨張率を、主としてシリコンによって形成されている半導体素子に近似することができる。
しかも、液晶性フィルムは、従来の樹脂フィルムに比較して、高伸長率で且つ高引張強度であるため、液晶性フィルムを用いて形成した第１絶縁層１２ａ、第２絶縁層１２ｂ、第３絶縁層１２ｃは、半導体素子と多層回路基板との熱膨張率差に起因する応力を充分に吸収できる。
したがって、図１に示す多層回路基板に、多孔質絶縁層の採用等によって機械的強度が低下した半導体素子２４を搭載しても、半導体素子２４との熱膨張率差に因るクラックの発生等を防止できる。
特に、第１絶縁層１２ａ、第２絶縁層１２ｂ、第３絶縁層１２ｃを、半導体素子２４の搭載面に近い第３絶縁層１２ｃほど熱膨張係数が小さくなるように傾斜的に変化する傾斜層、すなわち第１絶縁層１２ａ、第２絶縁層１２ｂ、第３絶縁層１２ｃの各々の熱膨張係数を、第３絶縁層１２ｃ＜第２絶縁層１２ｂ＜第１絶縁層１２ａとなるように形成することによって、搭載された半導体素子２４と多層回路基板との熱膨張率差に起因する応力の影響を可及的に小さくできる。
【００１４】
図１に示す多層回路基板を製造する際には、コア基板１０と、同一組成の液晶性ポリマーから成り且つ互いに熱変形温度Ｔｄｆが異なる複数枚の液晶フィルムとを準備する。
この様に、同一組成で且つ熱変形温度Ｔｄｆが異なる複数枚の液晶フィルムは、例えば特開２０００−４４７９７号公報に記載されている熱処理方法で得ることができる。
つまり、液晶性ポリマーを公知のＴダイ法等によって得たフィルムを、熱処理時に形態を保持できる銅箔等の被着体に積層した後、複数回の熱処理を行う。
この熱処理では、被着体に積層したフィルムに対し、このフィルムの変形を招くことなく、その熱変形温度Ｔｄｆ以上の温度であって、フィルムの融点Ｔｍよりも１０〜３５℃低い熱処理温度で熱処理することによって、フィルムの融点Ｔｍ及び熱変形温度Ｔｄｆを上昇させることができる。
この熱処理によって融点Ｔｍ及び熱変形温度Ｔｄｆが上昇したフィルムに対して、そのフィルムの融点Ｔｍよりも１０〜３５℃低い熱処理温度に上昇させて同様な熱処理を行うことによって、更に融点Ｔｍ及び熱変形温度Ｔｄｆが上昇したフィルムを得ることができる。
この様に、融点Ｔｍ及び熱変形温度Ｔｄｆが上昇したフィルムに対して、熱処理温度を逐次上昇させることによって、所望の融点Ｔｍ及び熱変形温度Ｔｄｆのフィルムを得ることができる。
【００１５】
準備したコア基板１０と、互いに熱変形温度Ｔｄｆが異なる三枚の液晶フィルムとを用い、図１に示す多層回路基板は、図３及び図４に示す工程によって得ることができる。
ここで用いた三枚の液晶フィルムは、同一組成の液晶性ポリマーから成り、熱膨張係数はいずれも１７×１０−６であって、その熱変形温度Ｔｄｆは、第１フィルムが３２５℃、第２フィルムが２９７℃、第３フィルムが２９０℃である。
先ず、コア基板１０の所定箇所に、ヴィア形成用の貫通孔２０をドリル等で形成［図３（ａ）］した後、コア基板１０の両面側に、熱変形温度Ｔｄｆが３２５℃の第１フィルムを真空プレス装置によって熱圧着して絶縁層１２ａ，１２ａを形成する［図３（ｂ）］。この第１フィルムには、銅箔１１が一面側に積層されている。銅箔１１は、第１フィルムをコア基板１０の両面側に熱圧着する真空プレス装置との離型性を良好とするためである。かかる熱圧着の温度は、第１フィルムの熱変形温度Ｔｄｆ以上とする。
形成された第１絶縁層１２ａ，１２ａは、図３（ｂ）に示す様に、コア基板１０の貫通孔２０内を充填している。
【００１６】
コア基板１０の両面側に形成した第１絶縁層１２ａ，１２ａから銅箔１１をエッチングによって除去［図３（ｃ）］した後、レーザによって第１絶縁層１２ａ，１２ａの所定位置にヴィア形成用の凹部１７及び貫通孔２０内にヴィア形成用貫通孔１９を形成する［図３（ｄ）］。
更に、凹部１７及びヴィア形成用貫通孔１９の内壁面を含む液晶フィルム積層体の全面に、無電解めっきによって銅等の無電解金属層２１を形成［図３（ｅ）］した後、無電解金属層２１を給電層とする電解めっきによって凹部１７を銅等の金属で充填する金属層２３を形成する［図３（ｆ）］。
電解めっきによって金属層２３を形成しても、ヴィア形成用貫通孔１９には中空部が存在する。このため、中空部に樹脂２２を充填し、必要に応じて液晶フィルム積層体の両面に研磨を施して平坦面に形成する［図３（ｇ）］。ここで、ヴィア形成用貫通孔１９の中空部に充填する樹脂２２は、絶縁性樹脂であってもよく、導電性樹脂であってもよい。
この樹脂２２の表面を含む液晶フィルム積層体の平坦面の全面に、必要に応じて無電解めっきによって無電解金属層を形成した後、無電解金属層及び金属層２３を給電層とする電解めっきを施して所定厚さの金属層を形成し、この所定厚さの金属層にパターニングを施し、第１絶縁層１２ａ，１２ａ上に配線パターン１４，１４・・を形成する［図３（ｈ）］。この液晶フィルム積層体では、ヴィア１８上に配線パターン１４を形成できる。
【００１７】
次いで、図３（ｈ）に示す液晶フィルム積層体の第１絶縁層１２ａ，１２ａの各配線パターン形成面に、熱変形温度Ｔｄｆが２９７℃の第２フィルムを真空プレス装置によって熱圧着して絶縁層１２ｂ，１２ｂを形成する［図４（ａ）］。
この第２フィルムにも、真空プレス装置との離型性を良好とすべく、銅箔１１が一面側に積層されている。かかる熱圧着の温度は、第２フィルムの熱変形温度Ｔｄｆ以上であって、第１フィルムの熱変形温度Ｔｄｆよりも低温とする。
ここで、第２フィルムの熱圧着温度を、第１フィルムの熱変形温度Ｔｄｆ以上とすると、第１絶縁層１２ａ，１２ａが変形して形成した配線パターン１４等の位置が変化したりして、ヴィア１６等との接続不良が惹起されることがある。
この様に、第２フィルムの熱圧着の温度を、第２フィルムの熱変形温度Ｔｄｆ以上で且つ第１フィルムの熱変形温度Ｔｄｆよりも低温とすることを要するため、両者の熱変形温度Ｔｄｆ差を、５℃以上とすることによって、第２フィルムの熱圧着を容易に行うことができる。
【００１８】
第２絶縁層１２ｂ，１２ｂが形成された図４（ａ）に示す液晶フィルム積層体では、第２フィルムの一面側に被着された銅箔１１をエッチングによって除去した後、レーザによって第２絶縁層１２ｂ，１２ｂの所定位置にヴィア形成用の凹部１７を形成する［図４（ｂ）］。
更に、凹部１７の内壁面を含む図４（ｂ）に示す液晶フィルム積層体の全面に、無電解めっきによって銅等の無電解金属層を形成し、無電解金属層を給電層とする電解めっきによって凹部１７を銅等の金属で充填する所定厚さの金属層を形成した後、この金属層にパターニングを施し、第２絶縁層１２ｂ，１２ｂ上に配線パターン１４，１４・・を形成する［図４（ｃ）］。
その後、図４（ｃ）に示す液晶フィルム積層体の第２絶縁層１２ｂ，１２ｂの各配線パターン形成面に、熱変形温度Ｔｄｆが２９０℃の第３フィルムを真空プレス装置によって熱圧着して絶縁層１２ｃ，１２ｃを形成する［図４（ｄ）］。
この第３フィルムにも、真空プレス装置との離型性を良好とすべく、銅箔１１が一面側に積層されている。かかる熱圧着の温度は、第３フィルムの熱変形温度Ｔｄｆ以上であって、第２フィルムの熱変形温度Ｔｄｆよりも低温とする。このため、第３フィルムの熱変形温度Ｔｄｆも、第３フィルムの熱圧着を容易に行うべく、第２フィルムの熱変形温度Ｔｄｆよりも５℃以下とすることが好ましい。
【００１９】
第２絶縁層１２ｂ，１２ｂの配線パターン形成面に形成した第３絶縁層１２ｃ，１２ｃには、銅箔１１をエッチングによって除去した後、レーザによって第３絶縁層１２ｃ，１２ｃの所定位置に形成したヴィア形成用の凹部の内壁面を含む液晶フィルム積層体の全面に、無電解めっきによって銅等の無電解金属層を形成し、この無電解金属層を給電層とする電解めっきによって凹部を銅等の金属で充填する所定厚さの金属層を形成する。
更に、この金属層にパターニングを施し、第３絶縁層１２ｃ，１２ｃ上に配線パターン１４，１４・・を形成することによって、図１に示す多層回路基板を得ることができる。
得られた図１に示す多層回路基板には、その一面側に形成された半導体素子搭載面に、半導体素子２４を搭載し、その他面側には、外部接続端子としてのはんだボール２６，２６・・を装着して、半導体装置を得ることができる。
尚、第１フィルム、第２フィルム及び第３フィルムの各々の一面側に積層された銅箔１１は、各フィルムの離型性に問題がなければ不要である。
【００２０】
図１に示す多層回路基板は、コア基板１０に積層される絶縁層１２ａ，１２ｂ，１２ｃを、高伸長率で且つ高引張強度の液晶性フィルムによって形成したことによって、半導体素子２４の熱膨張率に近似させることができ、且つ半導体素子２４と多層回路基板との熱膨張率に因る応力を絶縁層１２ａ，１２ｂ，１２ｃによって吸収できる。
このため、多孔質絶縁層の採用等によって機械的強度が低下した高周波用の半導体素子を、図１に示す多層回路基板に搭載しても、両者の熱膨張率差に因るクラックの発生等を防止できる。
【００２１】
図３及び図４に示す工程で得た多層回路基板では、絶縁層１２ａ，１２ｂ，１２ｃを形成した三枚の液晶フィルムは、同一組成の液晶性ポリマーから成る、同一の熱膨張係数の液晶フィルムであって、熱変形温度Ｔｄｆのみが異なるものであった。
これに対し、同一組成の液晶性ポリマーから成り、熱膨張係数及び熱変形温度Ｔｄｆが異なる三枚の液晶フィルムを用いて、図３及び図４に示す工程で多層回路基板を形成した。
この三枚の液晶フィルムは、熱膨張係数が１７×１０−６で且つ熱変形温度Ｔｄｆが３２５℃の第１液晶フィルム、熱膨張係数が８×１０−６で且つ熱変形温度Ｔｄｆが３００℃の第２液晶フィルム、及び熱膨張係数が５×１０−６で且つ熱変形温度Ｔｄｆが２７５℃の第３液晶フィルムである。
かかる液晶フィルムのうち、第１液晶フィルムによって第１絶縁層１２ａ、第２液晶フィルムによって第２絶縁層１２ｂ、第３液晶フィルムによって第３絶縁層１２ｃの各々を形成した。
その結果、熱膨張係数が、第３絶縁層１２ｃ＜第２絶縁層１２ｂ＜第１絶縁層１２ａとなる多層回路基板を得ることができ、搭載した半導体素子２４と多層回路基板との熱膨張率差に起因する応力の影響を可及的に小さくできる。
【００２２】
【発明の効果】
本発明に係る多層回路基板によれば、搭載する半導体素子の熱膨張率に近似させることができ、且つ半導体素子と多層回路基板との熱膨張率に因る応力を絶縁層によって吸収できるため、多孔質絶縁層の採用等によって機械的強度が低下した高周波用の半導体素子を搭載しても、両者の熱膨張率差に因るクラックの発生等を防止できる。
その結果、高周波特性に優れた半導体装置を実用に供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る多層回路基板の一例を示す部分断面図である。
【図２】フィルムの熱変形温度の測定に用いられる測定装置及び測定方法を説明する説明図である。
【図３】図１に示す多層回路基板の製造工程の一部を説明する工程図である。
【図４】図３に示す多層回路基板の製造工程に続く工程を説明する工程図である。
【図５】従来の多層回路基板の部分断面図である。
【符号の説明】
１０  コア基板
１２ａ  第１絶縁層
１２ｂ  第２絶縁層
１２ｃ  第３絶縁層
１４  配線パターン
１６、１８  ヴィア
１７  凹部
２０  貫通孔
２２  樹脂
２４  半導体素子
２６  はんだボール
Ｔｄｆ  熱変形温度
【図１】
2004319929.tif 000004
【図２】
2004319929.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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