(57)【要約】【課題】保持する種結晶体の破断の問題が良好に防止でき、しかも、該種結晶体を簡単な方法で、単結晶引き上げ装置の単結晶引き上げロッドに装着できる単結晶引き上げ用単結晶体の保持具を提供すること。【解決手段】単結晶引き上げ用種結晶体として、少なくとも先端部が単結晶体である棒状部と、頭部の膨大部とからなるものを用い、この種結晶体を、該頭部の膨大部に外嵌され、棒状部を下方に突出垂下させる突出口を有する構造の保持具を用いて保持する。【選択図】　図３
2004137120.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも先端部が単結晶体である棒状部と、頭部の膨大部とからなる単結晶引き上げ用種結晶体の保持具であって、前記種結晶体の頭部の膨大部に外嵌され、棒状部を下方に突出垂下させる突出口を有する構造であることを特徴とする前記種結晶体の保持具。
【請求項２】
種結晶体の頭部の膨大部の外嵌が、該膨大部の下面を支持し、該膨大部の側面の少なくとも一部及び上面との間に、単結晶引き上げ時における、種結晶体と保持具の熱膨張差分以上の間隙が設けられた態様で行われてなる請求項１記載の前記種結晶体の保持具。
【請求項３】
保持される種結晶体が、頭部の膨大部の下面が、棒状部に向かって下り傾斜面を形成したものであり、これに対応して、保持具も、その底壁（１３）面が、突出口に向かって下り傾斜面を形成したものである請求項１又は請求項２記載の前記種結晶体の保持具。
【請求項４】
上壁に、単結晶引き上げロッドの接続用貫通口が設けられてなる請求項１〜３のいずれか一項に記載の前記種結晶体の保持具。
【請求項５】
壁部の一部に、種結晶体の頭部の膨大部の嵌入口が開口し、さらに、該嵌入口に対応した塞ぎ材を備えてなる請求項１〜４のいずれか一項に記載の前記種結晶体の保持具。
【請求項６】
フッ化金属の単結晶引き上げ用である請求項１〜５のいずれか一項に記載の前記種結晶体の保持具。
【請求項７】
少なくとも先端部が単結晶体である棒状部と、頭部の膨大部とからなる単結晶引き上げ用種結晶体。
【請求項８】
請求項７記載の単結晶引き上げ用種結晶体を、請求項１〜６のいずれか一項に記載の保持具により保持することを特徴とする前記種結晶体の保持方法。
【請求項９】
請求項４記載の保持具を用い、種結晶体の頭部の膨大部の上面と単結晶引き上げロッドの先端面との間にクッション材を介在させて、単結晶引き上げロッドを接続用貫通口に挿入することにより、種結晶体を押圧固定して保持する請求項８記載の前記種結晶体の保持方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、引き上げ法により単結晶を製造する際に使用される種結晶体の保持具、及び該保持具に使用される種結晶体に関する。また、本発明は、該保持具を用いて上記種結晶体を保持する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
単結晶シリコン等の単結晶体の製造に際して、引き上げ法（チョクラルスキー法）が汎用されている。すなわち、引き上げ法は、坩堝中の単結晶製造原料の融液に、目的とする単結晶からなる種結晶体を接触させ、次いで、その種結晶体を坩堝の加熱域から徐々に引き上げて緩やかな温度勾配で冷却することにより、該種結晶体を起点として下方に単結晶を育成する方法である。
【０００３】
従来、引き上げ法に使用される種結晶体としては、円柱等の棒状体であるのが一般的であり、これの単結晶引き上げ装置の単結晶引き上げロッドの先端への保持は、図４の概略図に示すように引き上げロッド（６）の先端に接続された、下方に向かって凹部（２３）が開口する保持具（８）に、棒状をした種結晶体（７）の上方を嵌挿して固定することにより行われている。その際、種結晶体（７）の保持具（８）への固定は、図５に示すように種結晶体の側壁上部にノッチ（２４）やピン挿入孔を形成し、一方、保持具（４）のこれらの細工部位に対応する位置にもピン挿入孔（２５）を形成し、かかる保持具のピン挿入孔（２５）から前記種結晶体のノッチ（２４）やピン挿入孔にまで達して固定ピン（２６）を挿入することにより行われている（例えば、特許文献１参照。）。また、小型装置では、簡易な方法として、上記ノッチ（２３）やピン挿入孔を形成した種結晶体を、該ノッチ（２３）やピン挿入孔を利用してワイヤで、単結晶引き上げロッド（６）の先端に捲着することも行われている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−１３９８９７号公報（図１〜５）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、こうした種結晶体にノッチやピン挿入孔を形成して固定する方法は、種結晶体への細工段階において局所的に強い切削力が加わるため破断し易い問題があった。また、単結晶体の引き上げ時において、釣支される単結晶体の荷重が大きくなると、ここを起点として種結晶体が破断することがあった。
【０００６】
特に、引き上げる単結晶体が、以下の如くに、近年、その有用性が高まっているフッ化金属類である場合には、上記破断が生じ易く、これらの材料の工業的な生産の大きな障害になっていた。すなわち、上記フッ化カルシウムや、フッ化バリウム、フッ化マグネシウム、フッ化リチウム等のフッ化金属の単結晶体は、広範囲の波長帯にわたって高い透過率を有し、低分散で化学的安定性にも優れることから、紫外波長または真空紫外波長のレーザを用いた各種機器、カメラ、ＣＶＤ装置等のレンズ、窓材等の光学材料として需要が広がってきており、とりわけ、フッ化カルシウム単結晶体は、光リソグラフィー技術において次世代の短波長光源として開発が進められているＦ２レーザ（１５７ｎｍ）での投影レンズとして期待が寄せられている。
【０００７】
ところが、これらフッ化金属単結晶体は、劈開性が強いものが多く（特に、フッ化カルシウム単結晶体）、また、熱膨張性も大きいものが多い。したがって、これらの素材からなる種結晶体は、もともと外力が加わると破断し易い性状にあり、さらに、単結晶体の引き上げ時において高温に加熱されると、大きく熱膨張して保持具の内壁により強く締め付けられるようにもなるため、前記種結晶体の破断の問題が一層に顕著に生じていた。
【０００８】
以上の背景にあって本発明は、保持する種結晶体の破断の問題が良好に防止でき、しかも、該種結晶体を簡単な方法で、単結晶引き上げ装置の引き上げロッドに装着できる保持具を開発することを目的とする。
【０００９】
【発明を解決するための手段】
本発明らは、上記の課題に鑑み、鋭意研究を続けてきた。その結果、種結晶体の頭部を特定形状とし、これに対応して保持具を、該頭部を外嵌して保持する特定形状にすることにより、上記の課題が解決できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１０】
すなわち、本発明は、〔１〕少なくとも先端部が単結晶体である棒状部と、頭部の膨大部とからなる単結晶引き上げ用種結晶体の保持具であって、前記種結晶体の頭部の膨大部に外嵌され、棒状部を下方に突出垂下させる突出口を有する構造であることを特徴とする前記種結晶体の保持具である。
【００１１】
また、本発明は、〔２〕種結晶体の頭部の膨大部の外嵌が、該膨大部の下面を支持し、該膨大部の側面の少なくとも一部及び上面との間に、単結晶引き上げ時における、種結晶体と保持具の熱膨張差分以上の間隙が設けられた態様で行われてなる上記種結晶体の保持具も提供する。
【００１２】
また、本発明は、〔３〕保持される種結晶体が、頭部の膨大部の下面が、棒状部に向かって下り傾斜面を形成したものであり、これに対応して、保持具も、その底壁（１３）面が、突出口に向かって下り傾斜面を形成したもの保持される種結晶体が、頭部の膨大部の下面が、棒状部に向かって下り傾斜面を形成したものである上記種結晶体の保持具も提供する。
【００１３】
また、本発明は、〔４〕上壁に、単結晶引き上げロッドの接続用貫通口が設けられてなる上記種結晶体の保持具も提供する。
【００１４】
また、本発明は、〔５〕壁部の一部に、種結晶体の頭部の膨大部の嵌入口が開口し、さらに該嵌入口に対応した塞ぎ材を備えてなる上記種結晶体の保持具も提供する。
【００１５】
さらに、本発明は、〔６〕フッ化金属の単結晶引き上げ用である上記種結晶体の保持具も提供する。
【００１６】
また、本発明は、〔７〕少なくとも先端部が単結晶体である棒状部と、頭部の膨大部とからなる単結晶引き上げ用種結晶体も提供する。
【００１７】
さらに、本発明は、〔８〕上記記載の単結晶引き上げ用種結晶体を、前記記載の保持具により保持することを特徴とする前記種結晶体の保持方法も提供する。
【００１８】
さらに、本発明は、〔９〕前記記載の保持具を用い、種結晶体の頭部の膨大部の上面と単結晶引き上げロッドの先端面との間にクッション材を介在させて、単結晶引き上げロッドを接続用貫通口に挿入することにより、種結晶体を押圧固定して保持する前記種結晶体の保持方法も提供する。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に準じて本発明の実施の形態を説明する。
【００２０】
図４は、本発明の保持具を適用する単結晶引き上げ装置の代表的態様の概略図である。図４の単結晶引き上げ装置において、チャンバー（１）内には、回転可能な坩堝（２）が設置されており、その内部には単結晶製造原料の融液が収容され、ここから単結晶体（３）が引き上げられる。坩堝（２）の周囲には、溶融ヒーター（４）が設けられ、さらに、溶融ヒーター（４）を取り囲むように黒鉛多孔質体等からなる断熱材（５）が設けられている。また、坩堝（２）の中心軸上には回転可能な単結晶引き上げロッド（６）が吊設されており、その先端には保持具（７）を介して種結晶体（８）が取り付けられている。
【００２１】
本発明は、上記構造の単結晶引き上げ装置における、保持具（７）、及び種結晶体（８）に関するものである。図１として、上記保持具（７）の代表的態様の斜視図を示し、図２として、これに装着する種結晶体（８）の代表的態様の斜視図を示し、さらに、図３として、該保持具（７）を用いて種結晶体（８）を保持し、単結晶引き上げロッド（６）の先端に接続した状態の斜視図を示す。
【００２２】
図２の種結晶体（８）は、棒状部（９）と頭部の膨大部（１０；以下、「膨大頭部」とも称する）とから構成されている。このような形状への加工は、種結晶部分を含む種結晶体加工用の結晶ブロックを板状に切断加工した後に全体を徐々に研削していくことで行える。したがって、ノッチ等を細工する場合のように局所的に強い応力がかかることがないため、種結晶体の加工時における破断の危険性を大きく低減できる。
棒状部（９）は、先端面を、原料融液に接触させることにより、単結晶育成の核にする部分である。その先端面は、結晶の育成面として所望される結晶面となるように研削し、棒状部の軸は該結晶面に対して垂直になるように伸出させるのが好ましい。例えば、単結晶体がフッ化カルシウムである場合、結晶の育成面としては（１１１）面が好ましい。このように先端面を、特定の結晶面とする方法は、種結晶加工用の結晶ブロックの端面をＸ線回折などの方法により正確に目的の結晶面に削り出しておき、この面を基準として種結晶の形状に加工すればよい。
【００２３】
この棒状部（９）は、少なくともその先端部（１１）が上記の如く単結晶体で形成されていれば、必ずしも全体が単結晶体で形成されている必要はないが、引き上げ法による単結晶の育成は、ソフトに原料融液に接触しなければ順調に育成が開始されず、これを種結晶体の原料融液への一回の接触で成功させることは困難なことが多い。そして、この場合、先端部の相当量は、溶融消失してしまう。したがって、保持具（７）に装着した同じ種結晶体を用いて、繰り返して単結晶育成が実行できるように、棒状部（９）において単結晶部分は、先端部（１１）からできるだけ長く形成されているのが好ましい。好ましくは、単結晶部分が２ｃｍ以上であるのが好ましい。こうした、単結晶部分を含めて、棒状部（９）は、通常、３〜４０ｃｍとするのが好ましい。
【００２４】
棒状部（９）の形状は、角柱状、円柱状のいずれであっても良く、加工の容易性等から、正四角柱とするのが好ましい。その最長部の口径（角柱の場合、最長の対角線長）は　５〜４０ｍｍであるのが一般的であり、特に、１０ｍｍ以上の場合には、育成される単結晶体の口径が大きいものにできるため、種結晶体に破断を生じさせることなく単結晶体を育成させる、本発明の効果がより顕著に発揮されて好ましい。なお、棒状部（９）が正四角柱である場合、各角部が欠損し易くなるため、該角部を隅切りするのが好ましい。
【００２５】
上記棒状部（９）の末端に形成される膨大頭部（１０）は、保持具（７）が外嵌されて保持される本発明での特徴的部分である。この膨大頭部（１０）は、必ずしも単結晶体で形成されている必要はなく、むしろ多結晶体の方が形状的に応力集中が発生する部分の破壊強度が高くなるので好ましい。膨大頭部（１０）の形状は、特に制限されるものではなく、例えば、棒状部末端の壁面全周が均等に拡径されて円筒状、角筒状に膨大していたり、上記壁面が前後方向、及び左右方向に拡径されて、平面視十字状に膨大していても良い。好適には、図２に示されるように、左右方向にのみ均等に拡径されて平板状に膨大しているのが好ましい。その拡径の程度は、後述する本発明の保持具により確実に保持可能な程度であり、一般には、棒状部の中心から壁面までの長さに対して少なくとも１．５倍以上、より好適には２〜１０倍の長さで拡径されているのが好ましい。
【００２６】
さらに、膨大頭部（１０）は、後述するように保持の安定性や破断の抑制の観点から、その下面が、棒状部（９）に向かって下り傾斜面を形成しているのが好ましい。
【００２７】
一方、このような構造の種結晶体（８）を保持する保持具（７）は、図１に示されるように、上記種結晶体（８）の膨大頭部（１０）が外嵌可能な嵌合凹部（１２）を有する容器であり、その底壁（１３）には、種結晶体（８）の棒状部（９）を、下方に突出垂下させる突出口（１４）が形成されている。したがって、かかる保持具（７）によれば、膨大頭部（１０）に外嵌させ、棒状部（９）を突出口（１４）から下方に突出垂下させることにより、種結晶体（８）を簡単且つ確実に保持することができる。
【００２８】
保持具（７）によるこの膨大頭部（１０）の保持は、その内壁面の全てが、膨大頭部（１０）の壁面、すなわち、上下面、左右側面、および背側面と接していても良いが、通常、種結晶体（８）の熱膨張性は、カーボン等の材質からなる保持具（７）の熱膨張性を遙かに上回るため、このように熱膨張差が大きい場合において、上記の如く両部材の各壁面との密着性をあまり高くすると、単結晶引き上げ時の締圧が強くなり、種結晶体（８）の破断のおそれが生じてくる。
【００２９】
したがって、未加熱状態では、膨大頭部（１０）の保持は、その下面のみの支持で行えば十分であり、膨大頭部（１０）の側面の少なくとも一部（好適には全部）及び上面との間には、図３に示されるように単結晶引き上げ時における、種結晶体（８）と保持具（７）の熱膨張差分以上の間隙（１５）を空けるのが好ましい。特に、フッ化カルシウム等のフッ化金属は、熱膨張性が大きいため、上記態様に遊嵌させることは有効である。例えば、種結晶体（８）が、棒状部（９）の口径が１０ｍｍ以上のフッ化カルシウムであり、保持具（７）がカーボン製である場合、上記間隙（１５）は、少なくとも０．３ｍｍ以上設けるのが望ましい。なお、この間隙（１５）は、あまり広すぎても、種結晶体（８）の保持の確実性を低下させるため、上記熱膨張差分の２倍以下の間隔であるのがより好ましい。
【００３０】
また、前記したように、本発明では膨大頭部（１０）の保持の安定性や破断の抑制効果を向上させるために、種結晶体（８）の膨大頭部（１０）の下面を、棒状部（９）に向かって下り傾斜面を形成した態様とし、これに対応して、保持具（７）の底壁（１３）面も、突出口（１４）に向かって下り傾斜面を形成したものにするのが好ましい。ここで、種結晶体（８）の膨大頭部（１０）の下面が水平である場合には、屈曲部（１６）への応力集中が激しくなり破断等の危険性が高まる。また、膨大頭部（１０）の下面が、棒状部（９）に向かって上り傾斜面を形成している場合も、種結晶体（８）の保持の安定性が低下する。膨大頭部（１０）の保持をより安定にする観点からは、上記下面の傾斜角度は、水平面に対して５〜６０度、より好適には１０〜４０度の角度であるのが最も好適である。
【００３１】
保持具（７）の、単結晶引き上げ装置における単結晶引き上げロッド（６）への接続は、適当な連結手段により適宜実施すればよい。通常は、保持具（７）の上壁（１７）に上記部材の接続用貫通口（１８）を設け、他方、単結晶引き上げロッド（６）の先端にはネジ部（１９）を設け、両者を螺着するのが好ましい。その際、かかる単結晶引き上げロッド（６）の先端面が、種結晶体（８）の上面に接するまで螺挿し、種結晶体（８）を押圧して、がたつきや位置づれがないように強固に固定するのが好ましい。
さらには、単結晶引き上げロッド（６）の先端面が種結晶体（８）の上面に直接接すると、種結晶体（８）が前記熱膨張性の大きい材質である場合には、これを傷つけたり圧壊するおそれがあるため、図３に示したように両者の間にクッション材（２０）を介在させるのがより好ましい。使用するクッション材としては、製造する単結晶体の溶融温度より融点が高く、該単結晶の引き上げ時に副反応を引き起こさない材料であれば何ら制限なく使用することができ、例えばカーボン製のフェルト、石綿等が挙げられる。また、その厚みは、１〜１０ｍｍが好ましい。
【００３２】
保持具（７）において、膨大頭部（１０）の嵌合凹部（１２）への嵌入口（２１）は、壁部のいずれの位置に開口させても良い。上壁や底壁に設けた場合、操作性が悪くなるため、側壁の一部、好適には前壁または後壁に設けるのが好ましい。この場合、該嵌入口（２１）下部は、底壁（１３）に設けられる前記突出口（１４）の周壁上まで下方に延設し、種結晶体（８）の棒状部（９）の上部を、該突出口（１４）に嵌入できるようにする。
【００３３】
また、この嵌入口（２１）に対応した塞ぎ材（２２）を用意し、膨大頭部（１０）を嵌合凹部（１２）に嵌合した後は、該嵌入口（２１）の大部分は塞ぐのが、種結晶体の保持の確実性をさらに向上させる観点からより好ましい。無論、この場合においても、塞ぎ材（２２）の内壁面と膨大頭部（１０）の前面との間は、両部材の熱膨張差分以上の間隙を空けるのが好ましい。なお、前記したように、嵌入口（２１）を保持具（７）の側壁の一部に設けた場合において、該塞ぎ材（２２）を、突出口（１４）の開口面を塞ぐまでの大きさで設けなかったときには、該突出口（１４）は、溝状に形成されることになる。
【００３４】
以上の構造を有する保持具（７）は、製造する単結晶体の溶融温度より融点が高く、該単結晶の引き上げ時に副反応を引き起こさない材質から選定される。一般には、グラファイト、グラッシーカーボン、イリジウム、ロジウム、モリブデン、白金、白金−ロジウム合金、タングステン、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等が挙げられ、このうちグラファイト、グラッシーカーボン、イリジウムが好適である。
【００３５】
本発明の保持具および種結晶体は、引き上げ法により単結晶体を製造するに際して制限なく採用できる。例えば、シリコン；ゲルマニウム、；ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂなどのＩＩＩ族とＶ族の化合物；ＣｄＴｅ、ＺｎＳｅなどのＩＩ族とＶＩ族の化合物等の半導体単結晶体の製造に良好に適用できる。前記したとおり、劈開性が強いものが多く、本発明の効果がより顕著に発揮されることから、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化バリウム、フッ化リチウム、フッ化アルミニウム、ＬｉＣａＡＬＦ６等のフッ化金属からなる単結晶体の製造に適用するのが好適である。なかでも特に、フッ化カルシウム単結晶体の製造に適用した場合に最も顕著に効果が発揮される。
【００３６】
引き上げ法の具体的操作方法も、前記した図４の概略図に示されるような引き上げ装置を用いて実施される公知の方法が制限なく実施できる。また、種結晶体加工用の単結晶ブロックは、引き上げ法は無論、坩堝降下法（ブリッジマン法）等の他の単結晶体製造方法で得られたものが何等制限なく使用できる。
【００３７】
【実施例】
以下、本発明を実施例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３８】
実施例１
ブリッジマン法で得られたかなりの部分が単結晶体で構成されてなるフッ化カルシウムの結晶ブロックの一端に（１１１）面を正確に削りだし、この面を基準に板状に切り出したものを研削機を用い研削加工して図２に示した形状の種結晶体（７）を得た。この種結晶体（７）は、棒状部（９）が、口径（対角線長）２．８ｃｍ、上下長さ１５ｃｍの正四角柱であり、膨大頭部（１０）が左右幅　５ｃｍ、上下幅２ｃｍ、下面の棒状部に向かっての傾斜角度２０度の形状をしたものであった。また、棒状部（９）の先端面は、結晶の（１１１）面であり、この面から垂直に棒状部が伸びており、この先端面から約５ｃｍが単結晶体で形成されているものであった。
【００３９】
また、この種結晶体（７）の形状に対応させて図１に示した形状の保持具（８）、及び塞ぎ材（２１）をグラファイトにより作成した。この保持具（８）の嵌合凹部（１２）は、膨大頭部（１０）を嵌合した際に、その全側面及び上面との間に２ｍｍの幅で間隙（１５）が形成されるものであった（この幅は、単結晶引き上げ時における、上記種結晶体と保持具の熱膨張差分の長さの１．４倍に相当する）。
【００４０】
図３に示したように、保持具（８）の嵌合凹部（１２）に種結晶体（７）の膨大頭部（１０）を嵌合し、棒状部（９）を突出口（１４）から下方に突出垂下させた後、嵌入口（２１）を塞ぎ材（２２）によりビス止めして塞ぎ、該種結晶体（７）を保持具（８）に装着した。次いで、図４に示される構造の単結晶引き上げ装置の引き上げロッド（６）の先端を、上記保持具（８）の接続用貫通口（１８）に螺挿して、該保持具（８）を単結晶引き上げロッド（６）に接続した。なお、このとき種結晶体（７）の膨大頭部（１０）の上面と単結晶引き上げロッド（６）の先端面との間に、カーボンフェルトからなるクッション材（２０）を５ｍｍの厚みで介在させ、該単結晶引き上げロッド（６）の先端面の押圧により、保持具（８）内において種結晶体（７）が固定されるようにした。
【００４１】
以上の後、単結晶引き上げ装置（１）の高純度グラファイト製の坩堝（２）内（外直径４０ｃｍ、高さ３０ｃｍ）に、十分な精製処理及び水分除去処理を施した高純度の原料フッ化カルシウム塊５０ｋｇと、スカベンジャーとして０．１％の高純度フッ化亜鉛を投入し、チャンバー内を真空引きした。次いで、溶融ヒーター（４）に通電し原料の過熱を開始し徐々に２５０℃まで昇温し、この温度に２時間保持した。上記保持後、再び昇温を開始し、６００℃に達した時点で、真空排気ラインを遮断し、高純度アルゴンをチャンバー内に供給し、内圧を１０６．４ＫＰａに保った。
【００４２】
原料が完全に溶融した１４８０℃で４０分間保持した後、ヒータ出力を低下させて１４４０℃で１２０分間保持した後、前記単結晶引き上げロッド（６）を垂下させて、種結晶体（７）における棒状体（９）の先端面を原料融液の表面に接触させ、単結晶の育成を開始した。種結晶体（７）は、１５回／分で回転させ２ｍｍ／Ｈｒにて１００時間引き上げを行ったところ、種結晶体の破断は起こらず、順調に単結晶の育成が行えた。育成終了後、常温まで降温した。
【００４３】
以上により、最大直径２８ｃｍ、重量２７ｋｇのフッ化カルシウム単結晶体が得られた。
【００４４】
比較例１
ブリッジマン法で得られた大部分が単結晶体で構成されてなるフッ化カルシウムの結晶ブロックを研削加工して、口径（対角線長）が２．５ｃｍ、上下長さ１０ｃｍの正四角柱からなる種結晶体を作成した。この種結晶体は、先端面が結晶の（１１１）面であり、この面から垂直に棒状部が伸びており、全体が単結晶体で形成されているものであった。
【００４５】
上記種結晶体の上端から　１ｃｍ下方の側壁に、最深部０．５ｃｍの深さで水平方向にノッチを刻設しようとしたところ、ここを起点として劈開が生じ種結晶体は破断してしまった。
【００４６】
【発明の効果】
本発明において〔１〕の保持具によれば、保持する種結晶体の加工時及び単結晶引き上げ時の破断の発生が大きく低減できる。また、簡単な方法で、引き上げ装置の単結晶引き上げロッドに装着でき、作業性良く単結晶体を製造できる。
【００４７】
また、〔２〕の保持具によれば、単結晶引き上げ時の種結晶体の破断がさらに低減できる。
【００４８】
また、〔３〕の保持具によれば、単結晶引き上げ時の種結晶体の破断がさらに低減できる他、保持される種結晶体の安定性も大きく向上する。
【００４９】
また、〔４〕の保持具によれば、該保持具を単結晶引き上げロッドに効率的に接続することができる。
【００５０】
また、〔５〕の保持具によれば、種結晶体の膨大頭部の嵌入口が塞ぎ材で塞がれることにより、種結晶体の保持の確実性がさらに向上する。
【００５１】
また、〔６〕の保持具によれば、フッ化金属の単結晶体は、劈開性を有するものが多いため、種結晶体に破断を生じさせない本発明の効果が特に顕著に発揮される。
【００５２】
また、〔７〕の種結晶体によれば、破断を生じさせることなく加工でき、さらに、上記保持具により簡単に保持でき、単結晶引き上げ時に破断させることなく単結晶の育成を行うことができる。
【００５３】
また、〔８〕の保持方法によれば、上記の如く簡単な作業性で、種結晶体の保持ができ、単結晶引き上げ時に種結晶体の破断を生じさせることなく単結晶の育成を行うことができる。
【００５４】
また、〔９〕の保持方法によれば、種結晶体の膨大頭部の上面が、単結晶引き上げロッドの先端面により押圧されているため、保持具（８）内において種結晶体（７）を強固に固定することができる。しかも、種結晶体の膨大頭部の上面と単結晶引き上げロッドの先端面とが直接的に接していないため、種結晶体（８）の上面を傷つけたり、該種結晶体が熱膨張性の大きい素材で形成されている場合にあってもこれを圧壊するおそれがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の保持具の代表的態様を示した斜視図である。
【図２】図２は、本発明の種結晶体の代表的態様を示した斜視図である。
【図３】図３は、上記保持具を用いて種結晶体を保持し、単結晶引き上げ装置の単結晶引き上げロッドの先端に接続した状態を示した斜視図である。
【図４】図４は、単結晶引き上げ装置の概略図である。
【図５】図５は、従来の保持具への種結晶体の保持方法を示す概略図である。
【符号の説明】
１；チャンバー
２；坩堝
３；単結晶体
４；溶融ヒーター
５；断熱材
６；単結晶引き上げロッド
７；保持具
８；種結晶体
９；棒状部
１０；膨大頭部
１１；先端部
１２；嵌合凹部
１３；底壁
１４；突出口
１５；間隙
１６；屈曲部
１７；上壁
１８；接続用貫通口
１９；ネジ部
２０；クッション材
２１；嵌入口
２２；塞ぎ材
２３；凹部
２４；ノッチ
２５；ピン挿入孔
２６；固定ピン
２７；ビス
【図１】
2004137120.tif 000003
【図２】
2004137120.tif 000004
【図３】
2004137120.tif 000005
【図４】
2004137120.tif 000006
【図５】
2004137120.tif 000007