(57)【要約】【課題】熱処理時の光照射によるシール部材の劣化を防止することができる熱処理装置を提供する。【解決手段】透光板６１と熱処理チャンバーの本体部を構成する側板６３との間にシール部材たるＯリング１７が挟み込まれている。Ｏリング１７は透明なパーフロロエラストマー製である。パーフロロエラストマーは弾性力だけでなく、優れた耐熱性および耐薬品性をも兼ね備えている。フラッシュランプ６９を点灯して半導体ウェハーを加熱するときにＯリング１７に向かう光もあるが、Ｏリング１７が透明であるため、そのような光はＯリング１７を透過することとなる。Ｏリング１７がフラッシュランプ６９からの閃光を吸収しないため、閃光照射によってＯリング１７の表面が焦げるという現象が生じることはなく、熱処理時の光照射によるＯリング１７の劣化が防止される。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して閃光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
フラッシュランプを有する光源と、
前記光源の下方に設けられ、前記フラッシュランプから出射された閃光を透過するチャンバー窓を上部に備えるチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を略水平姿勢にて保持する保持手段と、
前記チャンバーに内設され、前記チャンバー内を気密状態に維持するシール部材と、
を備え、
前記シール部材を透明とすることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の熱処理装置において、
前記フラッシュランプはキセノンフラッシュランプであり、
前記シール部材を波長０．８μｍ〜１．０μｍの光に対して透明とすることを特徴とする熱処理装置。
【請求項３】
請求項２記載の熱処理装置において、
前記シール部材を透明のパーフロロエラストマーにて構成することを特徴とする熱処理装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記シール部材は、前記チャンバー窓の下面周縁部に沿って前記チャンバー窓と前記チャンバーの本体部との間に挟み込まれることを特徴とする熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウェハーやガラス基板等（以下、単に「基板」と称する）に光を照射することにより基板を熱処理する熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、イオン注入後の半導体ウェハーのイオン活性化工程においては、ハロゲンランプを使用したランプアニール装置等の熱処理装置が使用されている。このような熱処理装置においては、半導体ウェハーを、例えば、１０００℃ないし１１００℃程度の温度に加熱（アニール）することにより、半導体ウェハーのイオン活性化を実行している。そして、このような熱処理装置においては、ハロゲンランプより照射される光のエネルギーを利用することにより、毎秒数百度程度の速度で基板を昇温する構成となっている。
【０００３】
一般に、このような半導体ウェハーを高温に加熱する熱処理装置においては、処理室内の気密性を保つために、耐熱性を有するシール部材が使用されている。例えば、赤外線ランプを用いてガラス素材を加熱する熱処理装置では白色または透明のシリコンゴム製のＯリングを装着しているものもある（例えば、特許文献１参照）。また、特に高温雰囲気に曝される部位に多数の独立気泡を含有する石英ガラス発泡体をシール部材として使用している装置もある（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
一方、ハロゲンランプにより毎秒数百度程度の速度で半導体ウェハーを昇温する熱処理装置を使用して半導体ウェハーのイオン活性化を実行した場合においても、半導体ウェハーに打ち込まれたイオンのプロファイルがなまる、すなわち、熱によりイオンが拡散してしまうという現象が生ずることが判明した。このような現象が発生した場合においては、半導体ウェハーの表面にイオンを高濃度で注入しても、注入後のイオンが拡散してしまうことから、イオンを必要以上に注入しなければならないという問題が生じていた。
【０００５】
上述したイオン拡散の問題を解決するため、キセノンフラッシュランプ等を使用して半導体ウェハーの表面に閃光を照射することにより、イオンが注入された半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリセカンド以下）に昇温させる技術が提案されている（例えば、特許文献３，４参照）。キセノンフラッシュランプによる極短時間の昇温であれば、イオンが拡散するための十分な時間がないため、半導体ウェハーに打ち込まれたイオンのプロファイルをなまらせることなく、イオン活性化のみを実行することができるのである。このようなキセノンフラッシュランプを使用した熱処理装置においても、処理室内の気密性を維持するためのシール部材としてＯリングが使用されていた。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−２３３６２４号公報
【特許文献２】
特開平６−２５６０２８号公報
【特許文献３】
特開昭５９−１６９１２５号公報
【特許文献４】
特開昭６３−１６６２１９号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、キセノンフラッシュランプは一瞬の閃光照射によって被照射物を加熱するものであるため、処理室内のＯリングにキセノンフラッシュランプから閃光が照射されたときにはＯリング全体が熱によって劣化するよりも光照射によって表面が焦げるという現象が発生するのである。Ｏリング表面の劣化は熱処理室内の気密性を損なうという点で大きな問題となるだけでなく、焦げたときに生成された物質がそのままパーティクルになるという問題も発生させる。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、熱処理時の光照射によるシール部材の劣化を防止することができる熱処理装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に対して閃光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置において、フラッシュランプを有する光源と、前記光源の下方に設けられ、前記フラッシュランプから出射された閃光を透過するチャンバー窓を上部に備えるチャンバーと、前記チャンバー内にて基板を略水平姿勢にて保持する保持手段と、前記チャンバーに内設され、前記チャンバー内を気密状態に維持するシール部材と、を備え、前記シール部材を透明としている。
【００１０】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明にかかる熱処理装置において、前記フラッシュランプをキセノンフラッシュランプとし、前記シール部材を波長０．８μｍ〜１．０μｍの光に対して透明としている。
【００１１】
また、請求項３の発明は、請求項２の発明にかかる熱処理装置において、前記シール部材を透明のパーフロロエラストマーにて構成している。
【００１２】
また、請求項４の発明は、請求項１から請求項３のいずれかの発明にかかる熱処理装置において、前記シール部材を、前記チャンバー窓の下面周縁部に沿って前記チャンバー窓と前記チャンバーの本体部との間に挟み込んでいる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１４】
図１および図２は本発明にかかる熱処理装置の構成を示す側断面図である。この熱処理装置は、キセノンフラッシュランプからの閃光によって半導体ウェハー等の基板の熱処理を行う装置である。
【００１５】
この熱処理装置は、透光板６１、底板６２および一対の側板６３、６４からなり、その内部に半導体ウェハーＷを収納して熱処理するためのチャンバー６５を備える。チャンバー６５の上部を構成する透光板６１は、例えば、石英等の赤外線透過性を有する材料から構成されており、光源５から出射された光を透過してチャンバー６５内に導くチャンバー窓として機能している。また、チャンバー６５の本体部を構成する底板６２および側板６３、６４は、例えばステンレススチール等の強度と耐熱性に優れた金属材料にて構成されている。
【００１６】
また、底板６２には、後述する熱拡散板７３および加熱プレート７４を貫通して半導体ウェハーＷをその下面から支持するための支持ピン７０が立設されている。さらに、側板６４には、半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための開口部６６が形成されている。開口部６６は、軸６７を中心に回動するゲートバルブ６８により開閉可能となっている。尚、ゲートバルブ６８は上下動によって開閉する構成であっても良い。半導体ウェハーＷは、開口部６６が開放された状態で、図示しない搬送ロボットによりチャンバー６５内に搬入される。また、チャンバー６５内にて半導体ウェハーＷの熱処理が行われるときには、ゲートバルブ６８により開口部６６が閉鎖される。
【００１７】
チャンバー６５は光源５の下方に設けられている。光源５は、複数（本実施形態においては２９本）のキセノンフラッシュランプ６９（以下、単に「フラッシュランプ６９」とも称する）と、リフレクタ７１とを備える。複数のフラッシュランプ６９は、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が水平方向に沿うようにして互いに平行に平面状に配列されている。リフレクタ７１は、複数のフラッシュランプ６９の上方にそれらの全体を被うように配設されている。
【００１８】
このキセノンフラッシュランプ６９は、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設されたガラス管と、該ガラス管の外局部に巻回されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのジュール熱でキセノンガスが加熱されて光が放出される。このキセノンフラッシュランプ６９においては、予め蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。
【００１９】
光源５と透光板６１との間には、光拡散板７２が配設されている。この光拡散板７２は、赤外線透過材料としての石英ガラスの表面に光拡散加工を施したものが使用される。
【００２０】
フラッシュランプ６９から放射された光の一部は直接に光拡散板７２および透光板６１を透過してチャンバー６５内へと向かう。また、フラッシュランプ６９から放射された光の他の一部は一旦リフレクタ７１によって反射されてから光拡散板７２および透光板６１を透過してチャンバー６５内へと向かう。
【００２１】
チャンバー６５内には、加熱プレート７４と熱拡散板７３とが設けられている。熱拡散板７３は加熱プレート７４の上面に貼着されている。また、熱拡散板７３の表面には、半導体ウェハーＷの位置ずれ防止ピン７５が付設されている。
【００２２】
加熱プレート７４は、半導体ウェハーＷを予備加熱（アシスト加熱）するためのものである。この加熱プレート７４は、窒化アルミニウムにて構成され、その内部にヒータと該ヒータを制御するためのセンサとを収納した構成を有する。一方、熱拡散板７３は、加熱プレート７４からの熱エネルギーを拡散して半導体ウェハーＷを均一に予備加熱するためのものである。この熱拡散板７３の材質としては、サファイア（Ａｌ２Ｏ３：酸化アルミニウム）や石英等の比較的熱伝導率が小さいものが採用される。または、加熱プレート７４と同様に窒化アルミニウムにて構成しても良い。
【００２３】
熱拡散板７３および加熱プレート７４は、モータ４０の駆動により、図１に示す半導体ウェハーＷの搬入・搬出位置と図２に示す半導体ウェハーＷの熱処理位置との間を昇降する構成となっている。
【００２４】
すなわち、加熱プレート７４は、筒状体４１を介して移動板４２に連結されている。この移動板４２は、チャンバー６５の底板６２に釣支されたガイド部材４３により案内されて昇降可能となっている。また、ガイド部材４３の下端部には、固定板４４が固定されており、この固定板４４の中央部にはボールネジ４５を回転駆動するモータ４０が配設されている。そして、このボールネジ４５は、移動板４２と連結部材４６、４７を介して連結されたナット４８と螺合している。このため、熱拡散板７３および加熱プレート７４は、モータ４０の駆動により、図１に示す半導体ウェハーＷの搬入・搬出位置と図２に示す半導体ウェハーＷの熱処理位置との間を昇降することができる。
【００２５】
図１に示す半導体ウェハーＷの搬入・搬出位置は、図示しない搬送ロボットを使用して開口部６６から搬入した半導体ウェハーＷを支持ピン７０上に載置し、あるいは、支持ピン７０上に載置された半導体ウェハーＷを開口部６６から搬出することができるように、熱拡散板７３および加熱プレート７４が下降した位置である。この状態においては、支持ピン７０の上端は、熱拡散板７３および加熱プレート７４に形成された貫通孔を通過し、熱拡散板７３の表面より上方に突出する。
【００２６】
一方、図２に示す半導体ウェハーＷの熱処理位置は、半導体ウェハーＷに対して熱処理を行うために、熱拡散板７３および加熱プレート７４が支持ピン７０の上端より上方に上昇した位置である。熱拡散板７３および加熱プレート７４が図１の搬入・搬出位置から図２の熱処理位置に上昇する過程において、支持ピン７０に載置された半導体ウェハーＷは熱拡散板７３によって受け取られ、その下面を熱拡散板７３の表面に支持されて上昇し、チャンバー６５内の透光板６１に近接した位置に水平姿勢にて保持される。逆に、熱拡散板７３および加熱プレート７４が熱処理位置から搬入・搬出位置に下降する過程においては、熱拡散板７３に支持された半導体ウェハーＷは支持ピン７０に受け渡される。
【００２７】
半導体ウェハーＷを支持する熱拡散板７３および加熱プレート７４が熱処理位置に上昇した状態においては、それらに保持された半導体ウェハーＷと光源５との間に透光板６１が位置することとなる。なお、このときの熱拡散板７３と光源５との間の距離についてはモータ４０の回転量を制御することにより任意の値に調整することが可能である。
【００２８】
また、チャンバー６５のチャンバー壁面に沿ってライナー２０が嵌合されている。ライナー２０はチャンバー６５に対して固定はされておらず、着脱自在とされている。ライナー２０は、例えば石英にて構成されており、側板６３、６４および底板６２の内壁面を覆うように有底筒形状に形成されている。なお、ライナー２０は、筒部と底部とに分離可能な分割体としても良いし、一体成型するようにしても良い。
【００２９】
また、加熱プレート７４、熱拡散板７３およびそれらを支える筒状体４１の周囲には、熱拡散板７３の上面を除いてヒーターリフレクタ３０が周設されている。ヒーターリフレクタ３０も石英製の部材である。ヒーターリフレクタ３０は、加熱プレート７４からの熱エネルギーが熱拡散板７３以外に伝導するのを防ぐ。
【００３０】
また、チャンバー６５の底板６２と移動板４２との間には筒状体４１の周囲を取り囲むようにしてチャンバー６５を気密状体に維持するための伸縮自在の蛇腹７７が配設されている。熱拡散板７３および加熱プレート７４が熱処理位置まで上昇したときには蛇腹７７が収縮し、熱拡散板７３および加熱プレート７４が搬入・搬出位置まで下降したときには蛇腹７７が伸長してチャンバー６５内の雰囲気と外部雰囲気とを遮断する。
【００３１】
チャンバー６５における開口部６６と反対側の側板６３には、開閉弁８０に連通接続された導入路７８が形成されている。この導入路７８は、チャンバー６５内に処理に必要なガス、例えば不活性な窒素ガスを導入するためのものである。一方、側板６４における開口部６６には、開閉弁８１に連通接続された排出路７９が形成されている。この排出路７９は、チャンバー６５内の気体を排出するためのものであり、開閉弁８１を介して図示しない排気手段と接続されている。
【００３２】
ところで、チャンバー６５内を清浄な雰囲気に維持しつつ処理に必要なガスを導入するためには、チャンバー６５内の雰囲気と外部雰囲気とを遮断してチャンバー６５内を気密状態に維持しなければならない。このために上述の如く、底板６２と移動板４２との間に蛇腹７７を設けている。一方、石英製の透光板６１と金属製の側板６３、６４との間もリーク源となる可能性があるため、ここにシール部材として透明なパーフロロエラストマー製のＯリング１７を設けている。
【００３３】
図３は、図１および図２中のＡで示される部分の拡大図である。チャンバー６５の側板６３，６４には、透光板６１の下面周縁部に対向する位置にリング溝１５が円環状に刻設されている。そして、このリング溝１５に沿って透明のパーフロロエラストマー製のＯリング１７が円環状に設けられている。なお、リング溝１５の深さはＯリング１７の断面の直径ｒよりも若干小さい。従って、Ｏリング１７は透光板６１の下面周縁部に沿って透光板６１とチャンバー６５の本体部との間に挟み込まれることとなり、これによってチャンバー６５内が気密状態に維持されることとなる。
【００３４】
エラストマーは、伸び率が１００％以上の弾性体で外力を与えると容易に変形するが、その外力を除くとただちに原形にほぼ回復するような高弾性を備える高分子物質である。特に、パーフロロエラストマーは弾性力だけでなく、優れた耐熱性および耐薬品性をも兼ね備えているため、半導体製造装置用のシール部材として好適である。本実施形態では、透明なパーフロロエラストマーにてＯリング１７を構成している。
【００３５】
ここで、本実施形態における透明とは、キセノンフラッシュランプ６９から出射される光に対して透明ということである。キセノンフラッシュランプ６９は紫外域から赤外域にまでわたる幅広い発光スペクトラム（分光分布）を有しているが、特に波長０．８μｍ〜１．０μｍの近赤外域に強烈な輝線を多数有している。本実施形態における透明とは、少なくとも波長０．８μｍ〜１．０μｍの近赤外線に対して透明ということである。
【００３６】
側板６３，６４の上部にはフランジ１０が設けられている。フランジ１０はアルミニウム製であって、透光板６１の上面周縁部を覆うように設けられている。フランジ１０の内径は、Ｏリング１７の内径よりも小さい。アルミニウムはフラッシュランプ６９から照射される閃光に対して不透明であるとともに、他の金属と比較してフラッシュランプ６９からの閃光によって損傷を受けにくいという性質を有する。不透明なフランジ１０が透光板６１の上面周縁部を覆うように設けられているため、Ｏリング１７の直上近傍から閃光が照射されたとしてもフランジ１０によって遮られ、Ｏリング１７に到達することはない。
【００３７】
一方、Ｏリング１７の直上からやや離れたフラッシュランプ６９から出射された閃光は光拡散板７２および透光板６１を透過してＯリング１７に到達するものの、Ｏリング１７は透明であるためフラッシュランプ６９からの閃光を吸収することはない。
【００３８】
次に、上記構成を有する熱処理装置による半導体ウェハーＷの熱処理動作について説明する。この熱処理装置において処理対象となる半導体ウェハーＷは、イオン注入後の半導体ウェハーである。
【００３９】
この熱処理装置においては、熱拡散板７３および加熱プレート７４が図１に示す半導体ウェハーＷの搬入・搬出位置に配置された状態にて、図示しない搬送ロボットにより開口部６６を介して半導体ウェハーＷが搬入され、支持ピン７０上に載置される。半導体ウェハーＷの搬入が完了すれば、開口部６６がゲートバルブ６８により閉鎖される。しかる後、熱拡散板７３および加熱プレート７４がモータ４０の駆動により図２に示す半導体ウェハーＷの熱処理位置まで上昇し、半導体ウェハーＷを水平姿勢にて保持する。また、開閉弁８０および開閉弁８１を開いてチャンバー６５内に窒素ガスの気流を形成する。
【００４０】
熱拡散板７３および加熱プレート７４は、加熱プレート７４に内蔵されたヒータの作用により予め所定温度に加熱されている。このため、熱拡散板７３および加熱プレート７４が半導体ウェハーＷの熱処理位置まで上昇した状態においては、半導体ウェハーＷが加熱状態にある熱拡散板７３と接触することにより予備加熱され、半導体ウェハーＷの温度が次第に上昇する。
【００４１】
この状態においては、半導体ウェハーＷは熱拡散板７３により継続して加熱される。そして、半導体ウェハーＷの温度上昇時には、図示しない温度センサにより、半導体ウェハーＷの表面温度が予備加熱温度Ｔ１に到達したか否かを常に監視する。
【００４２】
なお、この予備加熱温度Ｔ１は、例えば２００℃ないし６００℃程度の温度である。半導体ウェハーＷをこの程度の予備加熱温度Ｔ１まで加熱したとしても、半導体ウェハーＷに打ち込まれたイオンが拡散してしまうことはない。
【００４３】
やがて、半導体ウェハーＷの表面温度が予備加熱温度Ｔ１に到達すると、フラッシュランプ６９を点灯してフラッシュ加熱を行う。このフラッシュ加熱工程におけるフラッシュランプ６９の点灯時間は、０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンド程度の時間である。このように、フラッシュランプ６９においては、予め蓄えられていた静電エネルギーがこのように極めて短い光パルスに変換されることから、極めて強い閃光が照射されることになる。
【００４４】
このようなフラッシュ加熱により、半導体ウェハーＷの表面温度は瞬間的に温度Ｔ２に到達する。この温度Ｔ２は、１０００℃ないし１１００℃程度の半導体ウェハーＷのイオン活性化処理に必要な温度である。半導体ウェハーＷの表面がこのような処理温度Ｔ２にまで昇温されることにより、半導体ウェハーＷ中に打ち込まれたイオンが活性化される。
【００４５】
このとき、半導体ウェハーＷの表面温度が０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンド程度の極めて短い時間で処理温度Ｔ２まで昇温されることから、半導体ウェハーＷ中のイオン活性化は短時間で完了する。従って、半導体ウェハーＷに打ち込まれたイオンが拡散することはなく、半導体ウェハーＷに打ち込まれたイオンのプロファイルがなまるという現象の発生を防止することが可能となる。なお、イオン活性化に必要な時間はイオンの拡散に必要な時間に比較して極めて短いため、０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンド程度の拡散が生じない短時間であってもイオン活性化は完了する。
【００４６】
また、フラッシュランプ６９を点灯して半導体ウェハーＷを加熱する前に、加熱プレート７４を使用して半導体ウェハーＷの表面温度を２００℃ないし６００℃程度の予備加熱温度Ｔ１まで加熱していることから、フラッシュランプ６９により半導体ウェハーＷを１０００℃ないし１１００℃程度の処理温度Ｔ２まで速やかに昇温させることが可能となる。
【００４７】
フラッシュ加熱工程が終了した後に、熱拡散板７３および加熱プレート７４がモータ４０の駆動により図１に示す半導体ウェハーＷの搬入・搬出位置まで下降するとともに、ゲートバルブ６８により閉鎖されていた開口部６６が開放される。そして、支持ピン７０上に載置された半導体ウェハーＷが図示しない搬送ロボットにより搬出される。以上のようにして、一連の熱処理動作が完了する。
【００４８】
フラッシュランプ６９を点灯して半導体ウェハーＷを加熱するときに、フラッシュランプ６９から光拡散板７２および透光板６１を通過してＯリング１７に向かう光もある。本実施形態ではＯリング１７が透明であるため、そのようなフラッシュランプ６９からの閃光はＯリング１７をも透過することとなる。すなわち、Ｏリング１７はフラッシュランプ６９からの閃光を吸収しないのである。従って、フラッシュランプ６９からの閃光照射によってＯリング１７の表面が焦げるという現象が生じることはなく、Ｏリング１７の劣化が防止される。その結果、Ｏリング１７の寿命が長くなり、チャンバー６５内の気密性が安定して維持されるとともに、劣化に起因したパーティクルの発生をも抑制することができる。
【００４９】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては光源５に２９本のフラッシュランプ６９を備えるようにしていたが、これに限定されずフラッシュランプ６９の本数は任意のものとすることができる。
【００５０】
また、光源５にフラッシュランプ６９に代えて他の種類のランプ（例えばハロゲンランプ）を備え、当該ランプからの光照射によって半導体ウェハーＷの加熱を行う熱処理装置であっても本発明に係る技術を適用することができる。すなわち、シール部材をランプからの照射光に対して透明な部材にて構成することにより、光照射によるシール部材の劣化を防止することができる。
【００５１】
また、上記実施形態においては、透明なパーフロロエラストマーにてＯリング１７を構成していたが、Ｏリング１７の材質はパーフロロエラストマーに限定されるものではなく、キセノンフラッシュランプ６９から出射される光に対して透明な材料であれば良い。もっとも、パーフロロエラストマーであれば耐熱性および耐薬品性をも兼ね備えているため、半導体ウェハーを処理する装置のシール部材として好適である。
【００５２】
また、透明なパーフロロエラストマーにて構成されたシール部材の配設位置は透光板６１とチャンバー６５の本体部との間に限定されるものではなく、他のシール性を要求される箇所、例えば側板６４とゲートバルブ６８との間に設けるようにしても良い。特に、透光板６１下部のように、キセノンフラッシュランプ６９から出射される光が到達する可能性のある位置に配設することが好ましい。
【００５３】
また、上記実施形態においては、半導体ウェハーに光を照射してイオン活性化処理を行うようにしていたが、本発明にかかる熱処理装置による処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではない。例えば、窒化シリコン膜や多結晶シリコン膜等の種々のシリコン膜が形成されたガラス基板に対して本発明にかかる熱処理装置による処理を行っても良い。一例として、ＣＶＤ法によりガラス基板上に形成した多結晶シリコン膜にシリコンをイオン注入して非晶質化した非晶質シリコン膜を形成し、さらにその上に反射防止膜となる酸化シリコン膜を形成する。この状態で、本発明にかかる熱処理装置により非晶質のシリコン膜の全面に光照射を行い、非晶質のシリコン膜が多結晶化した多結晶シリコン膜を形成することもできる。
【００５４】
また、ガラス基板上に下地酸化シリコン膜、アモルファスシリコンを結晶化したポリシリコン膜を形成し、そのポリシリコン膜にリンやボロン等の不純物をドーピングした構造のＴＦＴ基板に対して本発明にかかる熱処理装置により光照射を行い、ドーピング工程で打ち込まれた不純物の活性化を行うこともできる。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１の発明によれば、チャンバー内を気密状態に維持するシール部材を透明としているため、熱処理時のフラッシュランプからの光をシール部材が吸収しないため、光照射によるシール部材の劣化を防止することができる。
【００５６】
また、請求項２の発明によれば、フラッシュランプがキセノンフラッシュランプであり、シール部材を波長０．８μｍ〜１．０μｍの光に対して透明としているため、熱処理時のキセノンフラッシュランプからの光をシール部材が吸収しないため、光照射によるシール部材の劣化を防止することができる。
【００５７】
また、請求項３の発明によれば、シール部材を透明のパーフロロエラストマーにて構成しているため、熱処理時のフラッシュランプからの光をシール部材が吸収しないため、光照射によるシール部材の劣化を防止することができる。
【００５８】
また、請求項４の発明によれば、シール部材がチャンバー窓の下面周縁部に沿ってチャンバー窓とチャンバーの本体部との間に挟み込まれるため、チャンバー窓とチャンバーの本体部との間のシール部材の劣化が防止され、チャンバー内の気密性を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる熱処理装置の構成を示す側断面図である。
【図２】本発明にかかる熱処理装置の構成を示す側断面図である。
【図３】図１および図２の部分拡大図である。
【符号の説明】
５  光源
１５  リング溝
１７  Ｏリング
６１  透光板
６３，６４  側板
６５  チャンバー
６９  フラッシュランプ
７１  リフレクタ
７２  光拡散板
７３  熱拡散板
７４  加熱プレート
Ｗ  半導体ウェハー
【図１】
2004342981.tif 000003
【図２】
2004342981.tif 000004
【図３】
2004342981.tif 000005