(57)【要約】      （修正有）【課題】絶縁破壊強度特性が優秀でありながら工程を単純化させることができる誘電膜の形成方法を提供する。【解決手段】洗浄処理された半導体基板１を提供する段階と、前記基板を第１処理炉内に入炉させることにより１次窒化処理を実施して第１窒化膜５を形成する段階と、前記第１窒化膜が形成された基板を第１処理炉の外部に出炉させることにより、出炉時に導入されるエアー（ａｉｒ）により１次酸化処理を実施して第１窒化膜の表面に第１酸化膜７を形成する段階と、前記第１酸化膜が形成された基板を第２処理炉内に入炉させることにより２次窒化処理を実施して第２窒化膜９を形成する段階と、前記第２窒化膜の表面トップ部分に２次酸化処理を実施して第２酸化膜１１を形成する段階とを含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄処理された半導体基板を提供する段階と、
前記基板を第１処理炉（ｆｕｒｎａｃｅ）内に入炉（ｌｏａｄｉｎｇ）させることにより１次窒化処理を実施して第１窒化膜を形成する段階と、
前記第１窒化膜が形成された基板を第１処理炉の外部に出炉（ｕｎｌｏａｄｉｎｇ）させることにより、出炉時に導入されるエアー（ａｉｒ）により１次酸化処理を実施して第１窒化膜の表面に第１酸化膜を形成する段階と、
前記第１酸化膜が形成された基板を第２処理炉内に入炉させることにより２次窒化処理を実施して第２窒化膜を形成する段階と、
前記第２窒化膜の表面トップ部分に２次酸化処理を実施して第２酸化膜を形成する段階とを含むことを特徴とする誘電膜の形成方法。
【請求項２】
前記洗浄処理を行う工程は、ＨＦ又はＢＯＥ（Ｂｕｆｆｅｒｅｄ  Ｏｘｉｄｅ  Ｅｔｃｈａｎｔ）の湿式洗浄（ｗｅｔ−ｅｔｃｈｉｎｇ）液を利用することを特徴とする請求項１に記載の誘電膜の形成方法。
【請求項３】
前記洗浄処理を行う工程は、ＮＨ４ＯＨ、Ｈ２Ｏ２、及びＤＩＷ（ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ  ｗａｔｅｒ）の混合液、又はＨ２ＳＯ４溶液の湿式洗浄液を利用して前記基板の表面に初期酸化膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の誘電膜の形成方法。
【請求項４】
前記第１窒化処理を行う工程は、前記第１処理炉内の温度及び圧力を６００〜９００℃及び０．０５〜７６０Ｔｏｒｒにセッティングして、ＮＨ３ガスを供給しながら３〜１８０分間熱処理を実施することを特徴とする請求項１に記載の誘電膜の形成方法。
【請求項５】
前記出炉の工程において、前記第１処理炉から前記基板を出炉する前の最後の段階の温度を３００〜６００℃に維持することを特徴とする請求項１に記載の誘電膜の形成方法。
【請求項６】
前記出炉の工程において、前記第１処理炉に酸素を含んだエアーを供給することを特徴とする請求項１に記載の誘電膜の形成方法。
【請求項７】
前記第２窒化処理を行う工程は、６００〜８００℃の温度及び０．０５〜２Ｔｏｒｒの圧力下で、ＳｉＨ４とＮＨ３の混合ガス、又はＳｉＨ２Ｃｌ２とＮＨ３の混合ガスを利用して化学気相蒸着（ＣＶＤ）方式により実施することを特徴とする請求項１に記載の誘電膜の形成方法。
【請求項８】
前記第２酸化膜を形成する工程は、湿式酸化方式、乾式酸化方式、及びＯ３酸化方式の内のいずれか一つの方式により形成することを特徴とする請求項１に記載の誘電膜の形成方法。
【請求項９】
前記第２酸化膜を形成する工程は、前記第１及び第２処理炉ではなく、他の第３処理炉内で実施することを特徴とする請求項１に記載の誘電膜の形成方法。
【請求項１０】
洗浄処理された半導体基板を提供する段階と、
前記基板を１次窒化処理して第１窒化膜を形成する段階と、
前記第１窒化膜が形成された基板を１次酸化処理して第１酸化膜を形成する段階と、
前記第１酸化膜が形成された基板を２次窒化処理して第２窒化膜を形成する段階と、
前記第２窒化膜の表面トップ部分を２次酸化処理して第２酸化膜を形成する段階とを含むことを特徴とする誘電膜の形成方法。
【請求項１１】
前記洗浄処理を行う工程は、ＨＦ又はＢＯＥの湿式洗浄液を利用することを特徴とする請求項１０に記載の誘電膜の形成方法。
【請求項１２】
前記洗浄処理を行う工程は、ＮＨ４ＯＨ、Ｈ２Ｏ２、及びＤＩＷの混合液、又はＨ２ＳＯ４溶液の湿式洗浄液を利用して前記基板の表面に初期酸化膜を形成することを特徴とする請求項１０に記載の誘電膜の形成方法。
【請求項１３】
前記１次及び２次窒化処理を行う工程は、６００〜８００℃の温度及び０．０５〜２Ｔｏｒｒの圧力下で、ＳｉＨ４とＮＨ３の混合ガス、又はＳｉＨ２Ｃｌ２とＮＨ３の混合ガスを利用して化学気相蒸着方式により実施することを特徴とする請求項１０に記載の誘電膜の形成方法。
【請求項１４】
前記１次酸化処理を行う工程は、６００〜８００℃の温度及び０．０５〜１００Ｔｏｒｒの圧力下で、酸素ガス、又は酸素と不活性ガスの混合ガスを供給することを特徴とする請求項１０に記載の誘電膜の形成方法。
【請求項１５】
前記第１窒化膜、第１酸化膜、及び第２窒化膜の合計厚さは、３０〜６０Åであることを特徴とする請求項１０に記載の誘電膜の形成方法。
【請求項１６】
前記第１窒化膜、第１酸化膜、及び第２窒化膜を形成する工程は、第１処理炉で実施し、前記第２酸化膜を形成する工程は、前記第１処理炉ではない第２処理炉で実施することを特徴とする請求項１０に記載の誘電膜の形成方法。
【請求項１７】
前記第１窒化膜、第１酸化膜、第２窒化膜、及び第２酸化膜を形成する工程は、同一処理炉で実施することを特徴とする請求項１０に記載の誘電膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体素子の形成方法に関するものであり、より具体的には高誘電特性を有した誘電膜の形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に知られているように、従来、誘電膜としてはシリコン基板を酸化させたＳｉＯ２酸化膜を主に使用しているが、このようなＳｉＯ２酸化膜はゲート電極のキャパシタンスの確保に限界がある。
【０００３】
したがって、このような問題点を解決しようと、誘電膜として、窒化膜またはＴａ２Ｏ５などの高誘電特性を有した誘電膜に代えようとする技術が開発された（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかし、誘電膜として単一構造（ＮＯ構造またはＯＮＯ構造）の窒化膜を使用する場合、窒化膜自体が有するマイクロクラック及びピンホール等によって漏洩電流が発生する問題点があった。一方、誘電膜としてＴａ２Ｏ５膜を使用する場合、Ｔａ２Ｏ５膜自体が、化学量論比が不安定であるために絶縁破壊強度（ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  ｓｔｒｅｎｇｔｈ）特性が悪くて、そのため、充分な絶縁破壊強度特性確保のために４００℃の温度での数回の低温熱処理工程と、７００〜９００℃の温度での高温熱処理工程とを伴わなければならないために、工程数の増加、及び設備投資費が上昇するという問題点があった。
【０００５】
【特許文献１】特開平０９−１１６１０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は上記従来の誘電膜の形成方法における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、絶縁破壊強度特性が優秀でありながら工程を単純化させることができる誘電膜の形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた本発明による誘電膜の形成方法は、洗浄処理された半導体基板を提供する段階と、前記基板を第１処理炉（ｆｕｒｎａｃｅ）内に入炉（ｌｏａｄｉｎｇ）させることにより１次窒化処理を実施して第１窒化膜を形成する段階と、前記第１窒化膜が形成された基板を第１処理炉の外部に出炉（ｕｎｌｏａｄｉｎｇ）させることにより、出炉時に導入されるエアー（ａｉｒ）により１次酸化処理を実施して第１窒化膜の表面に第１酸化膜を形成する段階と、前記第１酸化膜が形成された基板を第２処理炉内に入炉させることにより２次窒化処理を実施して第２窒化膜を形成する段階と、前記第２窒化膜の表面トップ部分に２次酸化処理を実施して第２酸化膜を形成する段階とを含むことを特徴とする。
【０００８】
前記洗浄処理を行う工程は、ＨＦ又はＢＯＥ（Ｂｕｆｆｅｒｅｄ  Ｏｘｉｄｅ  Ｅｔｃｈａｎｔ）の湿式洗浄（ｗｅｔ−ｅｔｃｈｉｎｇ）液を利用することを特徴とする。
また、前記洗浄処理を行う工程は、ＮＨ４ＯＨ、Ｈ２Ｏ２、及びＤＩＷ（ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ  ｗａｔｅｒ）の混合液、又はＨ２ＳＯ４溶液の湿式洗浄液を利用して前記基板の表面に初期酸化膜を形成することを特徴とする。
【０００９】
前記第１窒化処理を行う工程は、前記第１処理炉内の温度及び圧力を６００〜９００℃及び０．０５〜７６０Ｔｏｒｒにセッティングして、ＮＨ３ガスを供給しながら３〜１８０分間熱処理を実施することを特徴とする。
【００１０】
前記出炉の工程において、前記第１処理炉から前記基板を出炉する前の最後の段階の温度を３００〜６００℃に維持することを特徴とする。
また、前記出炉の工程において、前記第１処理炉に酸素を含んだエアーを供給することを特徴とする。
【００１１】
前記第２窒化処理を行う工程は、６００〜８００℃の温度及び０．０５〜２Ｔｏｒｒの圧力下で、ＳｉＨ４とＮＨ３の混合ガス、又はＳｉＨ２Ｃｌ２とＮＨ３の混合ガスを利用して化学気相蒸着（ＣＶＤ）方式により実施することを特徴とする。
【００１２】
前記第２酸化膜を形成する工程は、湿式酸化方式、乾式酸化方式、及びＯ３酸化方式の内のいずれか一つの方式により形成することを特徴とする。
【００１３】
前記第２酸化膜を形成する工程は、前記第１及び第２処理炉ではなく、他の第３処理炉内で実施することを特徴とする。
【００１４】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による誘電膜の形成方法は、洗浄処理された半導体基板を提供する段階と、前記基板を１次窒化処理して第１窒化膜を形成する段階と、前記第１窒化膜が形成された基板を１次酸化処理して第１酸化膜を形成する段階と、前記第１酸化膜が形成された基板を２次窒化処理して第２窒化膜を形成する段階と、前記第２窒化膜の表面トップ部分を２次酸化処理して第２酸化膜を形成する段階とを含むことを特徴とする。
【００１５】
前記洗浄処理を行う工程は、ＨＦ又はＢＯＥの湿式洗浄液を利用することを特徴とする。
また、前記洗浄処理を行う工程は、ＮＨ４ＯＨ、Ｈ２Ｏ２、及びＤＩＷの混合液、又はＨ２ＳＯ４溶液の湿式洗浄液を利用して前記基板の表面に初期酸化膜を形成することを特徴とする。
【００１６】
前記１次及び２次窒化処理を行う工程は、６００〜８００℃の温度及び０．０５〜２Ｔｏｒｒの圧力下で、ＳｉＨ４とＮＨ３の混合ガス、又はＳｉＨ２Ｃｌ２とＮＨ３の混合ガスを利用して化学気相蒸着方式により実施することを特徴とする。
【００１７】
前記１次酸化を行う工程は、６００〜８００℃の温度及び０．０５〜１００Ｔｏｒｒの圧力下で、酸素ガス、又は酸素と不活性ガスの混合ガスを供給することを特徴とする。
【００１８】
前記第１窒化膜、第１酸化膜、及び第２窒化膜の合計厚さは、３０〜６０Åであることを特徴とする。
【００１９】
前記第１窒化膜、第１酸化膜、及び第２窒化膜を形成する工程は、第１処理炉で実施し、前記第２酸化膜を形成する工程は、前記第１処理炉ではない第２処理炉で実施することを特徴とする。
前記第１窒化膜、第１酸化膜、第２窒化膜、及び第２酸化膜を形成する工程は、同一処理炉で実施することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、誘電膜としてＯＮＯＮＯまたはＮＯＮＯの多層構造を採択し、多層構造内の酸化膜の厚さを薄く形成することによって、既存の単一構造の窒化膜に比べて誘電率が高くてキャパシタンスの減少なしに破壊電圧を向上させるだけでなく、新規の設備投資が必要でないために費用を節減することができる効果がある。
【００２１】
また、本発明によれば、誘電膜の構造で窒化膜の上部を酸化処理して最終の酸化膜を形成することによって、ピンホールとマイクロクラックを除去することができ、信頼性を向上させる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明では半導体製造工程にて供給された半導体基板に洗浄工程を実施することにより、半導体製造工程の順序によって表面に残留された酸化膜及び不純物などを除去した後に、洗浄工程が実施され、そして洗浄が完了された基板上に誘電膜を形成する。この時、洗浄工程は必要によってＨＦまたはＢＯＥなどの洗浄液を利用するか、あるいはＮＨ４ＯＨ、Ｈ２Ｏ２、及びＤＩＷ（ＤｅＩｏｎｉｚｅｄ  Ｗａｔｅｒ）の混合液またはＨ２ＳＯ４溶液を利用することもできる。
【００２３】
湿式洗浄（ｗｅｔ−ｅｔｃｈｉｎｇ）液としてＨＦまたはＢＯＥを使用する場合、洗浄工程を実施した後に基板の表面には酸化膜が残留されずに除去されるが、湿式洗浄液としてＮＨ４ＯＨ、Ｈ２Ｏ２、及びＤＩＷ（ＤｅＩｏｎｉｚｅｄ  Ｗａｔｅｒ）の混合液、又はＨ２ＳＯ４溶液を使用する場合、洗浄工程を実施した後に基板の表面には化学物質によって酸化膜が１０Åの厚さで形成される。したがって、どのような洗浄液を使用するかによって、洗浄工程が完了された基板上に形成される誘電膜がＮＯＮＯ構造またはＯＮＯＮＯ構造を有するようになる。
【００２４】
次に、本発明に係る誘電膜の形成方法を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
以下では、ＯＮＯＮＯ構造の誘電膜を本発明の第１の実施例として、ＮＯＮＯ構造の誘電膜を本発明の第２の実施例としてそれぞれの形成方法を説明する。
【実施例１】
【００２５】
図１乃至図４は、本発明の第１の実施例によるＯＮＯＮＯ構造の誘電膜の形成方法を説明するための工程断面図である。
【００２６】
本発明の第１の実施例によるＯＮＯＮＯ構造の誘電膜の形成方法は、図１に示すように、半導体製造工程により供給された半導体基板１に、ＮＨ４ＯＨ、Ｈ２Ｏ２、及びＤＩＷ（ＤｅＩｏｎｉｚｅｄ  Ｗａｔｅｒ）の混合液、又はＨ２ＳＯ４溶液の湿式洗浄（ｗｅｔ−ｃｌｅａｎｉｎｇ）液を利用して洗浄工程を実施し、これにより、基板１の表面に０次酸化膜３が形成される。
【００２７】
次に、図２に示すように、０次酸化膜３が形成された基板１を第１処理炉（図示せず）内に入炉させた後に、第１処理炉内にＮＨ３ガスを供給して基板１に１次窒化処理を行うことにより、０次酸化膜３上に第１窒化膜（ＳｉＮまたはＳｉＯＮ）５を形成する。この時、１次窒化処理の工程は第１処理炉内の温度及び圧力を６００〜９００℃及び０．０５〜７６０Ｔｏｒｒに維持しながら３〜１８０分の間、熱処理を実施する。
【００２８】
その次に、第１窒化膜５が形成された基板１に１次酸化処理を行って第１窒化膜５上に第１酸化膜７を形成する。この時、０次酸化膜、第１窒化膜、第１酸化膜の合計の厚さは１５Åとなる。
【００２９】
１次酸化処理の工程は、１次窒化処理の工程が実施される第１処理炉内で実施されて、第１処理炉は酸素濃度を最小化する別途のユニット、例えば窒素パージボックスなどが設置されていないものを利用する。
【００３０】
１次酸化処理の工程は、第１処理炉で第１窒化膜５が形成された基板１を出炉させる過程で実施され、出炉時に第１処理炉内に酸素を供給する。酸素はエアー（ａｉｒ）と共に処理炉内に流入されて、流入された酸素が第１窒化膜５の表面のみに結合することで、第１酸化膜７を形成する。この時、基板を出炉する最後の段階で、第１処理炉内の温度は３００〜６００℃の間でセッティングされる。
【００３１】
本発明の第１の実施例では、酸素を含んだエアーを流入させて１次酸化処理工程を実施することによって、基板１の第１窒化膜５の表面のみに第１酸化膜７を形成する。この時、第１酸化膜７を形成する工程として、乾式または湿式酸化などの直接的な酸化方法を利用すると、第１窒化膜５の表面だけでなく基板の界面までも酸化される恐れがあるために、エアーを利用した酸化処理工程を利用する。
【００３２】
次に、図３に示すように、第１酸化膜７が形成された基板１を第２処理炉（図示せず）内に入炉させて２次窒化処理を実施することで第２窒化膜９を形成する。この時、２次窒化処理の工程は第２処理炉内の温度及び圧力を６００〜８００℃及び０．０５〜２Ｔｏｒｒにセッティングして、ＳｉＨ４とＮＨ３の混合ガス、又はＳｉＨ２Ｃｌ２とＮＨ３の混合ガスを供給して化学気相蒸着（ＣＶＤ）方式により実施する。
【００３３】
続いて、第２窒化膜９が形成された基板を第３処理炉（図示せず）内に入炉させた後に、第２窒化膜９の上部（ｔｏｐ部分）を２次酸化処理を行って第２酸化膜１１を形成する。
【００３４】
第２酸化膜１１はピンホールとマイクロクラックなどの現象を防止するためのものであり、湿式酸化、乾式酸化、及びＯ３酸化の方式の内のいずれか一つの方式により形成する。これで、一連の工程を実施した結果として基板上に形成された０次酸化膜３、第１窒化膜５、第１酸化膜７、第２窒化膜９、第２酸化膜１１がＯＮＯＮＯ構造を有する誘電膜Ａをなす。
【００３５】
次に、図４に示すように、ＯＮＯＮＯ構造の誘電膜Ａ上にゲート電極用の金属膜または多結晶シリコン膜１３を蒸着する。
【００３６】
図５は、従来技術による単一構造（ＯＮＯ）の誘電膜と本発明の第１の実施例によるＯＮＯＮＯ多層構造の誘電膜とに対するそれぞれのＩ−Ｖ曲線を示したグラフである。上述した方法により形成された本発明の第１の実施例によるＯＮＯＮＯ多層構造を有した誘電膜は、図５に示すように、従来の単一構造（ＯＮＯ）を有した誘電膜に比べてキャパシタンスを減少させることなしに絶縁破壊電圧を向上させることを分かる。
【００３７】
本発明の第１の実施例ではＯＮＯＮＯ構造の誘電膜の形成において、ＯＮＯを第１処理炉で、Ｎを第２処理炉で、Ｏを第３処理炉で各々形成する例として説明したが、このような方法の以外にも、ＮＯＮを第１処理炉で、Ｏを第２処理炉で形成することもできる。この時、ＮＯＮ形成方法は、まず２次窒化処理の工程と同一の工程を実施して最初の窒化膜（Ｎ）を形成した後、酸素ガスを追加して酸化膜（Ｏ）を形成し、再び２次窒化処理工程を実施して最後の窒化膜（Ｎ）を形成する順序で実施する。ＮＯＮの合計の厚さは１００Å以下、望ましくは３０〜６０Åを維持するようにする。
【実施例２】
【００３８】
図６乃至図９は、本発明の第２の実施例によるＮＯＮＯ構造の誘電膜の形成方法を説明するための工程断面図である。
【００３９】
本発明の第２の実施例によるＮＯＮＯ（第１窒化膜−第１酸化膜−第２窒化膜−第２酸化膜）構造の誘電膜方法は、まず最初に、湿式洗浄（ｗｅｔ−ｅｔｃｈｉｎｇ）液としてＨＦ又はＢＯＥを使用して基板の表面を洗浄処理した後に、本発明の第１の実施例と同じ方法で、第１処理炉（図示せず）内で洗浄完了された基板上に第１窒化膜、第１酸化膜を順次に形成した後、第２処理炉（図示せず）内で第２窒化膜を形成して、第３処理炉（図示せず）内で第２酸化膜を形成する方法がある。
【００４０】
しかし、上記方法の以外にＮＯＮ構造（第１窒化膜、第１酸化膜、第２窒化膜）を第１処理炉で形成した後に、第２酸化膜（Ｏ）を第２処理炉で形成することが可能であり、ここでは、こちらの方法を図６乃至図９を参照して以下に詳細に説明するようにする。
【００４１】
まず、図６に示すように、湿式洗浄液（図示せず）としてＨＦまたはＢＯＥを使用して基板２１の表面の洗浄処理を行う。この時、洗浄処理によって基板の表面の酸化膜及び不純物などが完全に除去される。
【００４２】
次に、図７に示すように、基板２１を第１処理炉（図示せず）内に入炉させた後に、１次窒化処理の工程を実施して第１窒化膜２３を形成する。この時、１次窒化処理の工程は、処理炉内の温度及び圧力を６００〜８００℃及び０．０５〜２Ｔｏｒｒにセッティングし、ＳｉＨ４とＮＨ３の混合ガス、又はＳｉＨ２Ｃｌ２とＮＨ３の混合ガスを供給して化学気相蒸着方式により実施する。これは本発明の第１の実施例での２次窒化処理工程条件と同一である。
【００４３】
続いて、第１窒化膜２３が形成された基板２１に１次酸化処理の工程を実施して第１酸化膜２５を形成する。この時、１次酸化処理の工程は、第１処理炉で実施され、第１処理炉内の温度及び圧力を６００〜８００℃及び０．０５〜１００Ｔｏｒｒにセッティングして、酸素ガス、又は酸素と不活性ガス（窒素、アルゴン、ヘリウムなど）を混合したガスを供給して実施する。この時、第１酸化膜２５の厚さは１５Å以下を維持するようにすることが望ましい。
【００４４】
次に、図８に示すように、第１酸化膜２５が形成された基板２１に２次窒化処理の工程を実施して第２窒化膜２７を形成する。この時、２次窒化処理の工程は、第１処理炉内での１次窒化処理の工程と同一条件下で実施する。
【００４５】
続いて、第２窒化膜２７が形成された基板２１を第２処理炉（図示せず）内に入炉させた後に、第２窒化膜の上部（ｔｏｐ部分）に２次酸化処理を行って第２酸化膜２９を形成する。または、第２酸化膜２９を形成する工程を第１処理炉内で実施することもできる。
【００４６】
第２酸化膜２９はピンホールやマイクロクラックなどの現象を防止するためのものであり、湿式酸化、乾式酸化、及びＯ３酸化方法の内のいずれか一つの方式により形成する。また、第１窒化膜２３、第１酸化膜２５、及び第２窒化膜２７の合計の厚さは１００Å以下、望ましくは３０〜６０Åの厚さを維持するようにする。
【００４７】
上述した一連の工程を実施した結果として基板２１上に形成された第１窒化膜２３、第１酸化膜２５、第２窒化膜２７、第２酸化膜２９がＮＯＮＯ構造を有する誘電膜Ｂをなす。
【００４８】
次に、図９に示すように、ＮＯＮＯ構造の誘電膜Ｂ上にゲート電極用の金属膜または多結晶シリコン膜３１を蒸着する。
【００４９】
尚、本発明は、上述の実施例に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の第１の実施例によるＯＮＯＮＯ構造を有した誘電膜の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例によるＯＮＯＮＯ構造を有した誘電膜の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例によるＯＮＯＮＯ構造を有した誘電膜の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図４】本発明の第１の実施例によるＯＮＯＮＯ構造を有した誘電膜の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図５】従来技術による単一構造（ＯＮＯ）の誘電膜と本発明の第１の実施例によるＯＮＯＮＯ多層構造の誘電膜とに対するそれぞれのＩ−Ｖ曲線を示したグラフである。
【図６】本発明の第２の実施例によるＮＯＮＯ構造を有した誘電膜の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図７】本発明の第２の実施例によるＮＯＮＯ構造を有した誘電膜の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図８】本発明の第２の実施例によるＮＯＮＯ構造を有した誘電膜の形成方法を説明するための工程断面図である。
【図９】本発明の第２の実施例によるＮＯＮＯ構造を有した誘電膜の形成方法を説明するための工程断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１、２１      基板
３            ０次酸化膜
５、２３      第１窒化膜
７、２５      第１酸化膜
９、２７      第２窒化膜
１１、２９    第２酸化膜
１３、３１    多結晶シリコン膜
【図１】
2004336000.tif 000003
【図２】
2004336000.tif 000004
【図３】
2004336000.tif 000005
【図４】
2004336000.tif 000006
【図５】
2004336000.tif 000007
【図６】
2004336000.tif 000008
【図７】
2004336000.tif 000009
【図８】
2004336000.tif 000010
【図９】
2004336000.tif 000011