(57)【要約】【課題】ＩＣチップ等の電子部品の実装時あるいはヒートサイクル試験時に、導電性バンプの基板内流動を阻止し、電気的接続性や信頼性を向上させること。【解決手段】片面もしくは両面に導体層を有する絶縁性基板に非貫通孔を設け、その非貫通孔内に導電体を充填してバイアホールを形成し、そのバイアホール上に導電性バンプを形成してなる回路基板を２層以上積層し、各回路基板間の接続を前記導電性バンプによって行なうとともに、最外層の回路基板の導体層上に半田バンプを形成してなる多層プリント配線板において、導電性バンプにはＣｕが含有されている多層プリント配線板を提案する。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
片面もしくは両面に導体層を有する絶縁性基板に非貫通孔を設け、その非貫通孔内に導電体を充填してバイアホールを形成し、そのバイアホール上に導電性バンプを形成してなる回路基板を２層以上積層し、各回路基板間の接続を前記導電性バンプによって行なうとともに、最外層の回路基板の導体層上に半田バンプを形成してなる多層プリント配線板において、
上記導電性バンプは、Ｃｕを含有する半田から形成されていることを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項２】
上記導電性バンプは、Ｓｎ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｐｂ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｃｕ／Ｚｎ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｉｎ／Ｃｕのいずれか一つの半田から形成されている請求項１に記載の多層プリント配線板。
【請求項３】
上記導電性バンプにおけるＣｕの含有比は、０．１〜７ｗｔ％である請求項１または２に記載の多層プリント配線板。
【請求項４】
上記導電性バンプの融点Ｔ１は、半田バンプの融点Ｔ２よりも高い請求項１に記載の多層プリント配線板。
【請求項５】
上記導電性バンプの融点Ｔ１は、半田バンプの融点Ｔ２よりも５℃以上高い請求項４に記載の多層プリント配線板。
【請求項６】
上記半田バンプは、Ｓｎ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｉｎ／Ｃｕのいずれか一つの半田から形成されている請求項１、４、５のいずれか１に記載の多層プリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＶＨ（インナーバイアホール）構造を有する多層プリント配線板にかかり、特に、ＩＣチップ等の電子部品をフリップチップ実装するに好適な接続信頼性に優れた多層プリント配線板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
片面に導体層を有し、ＩＶＨ（インナーバイアホール）構造からなる絶縁基板を多層化した技術が、提案されている。それらは、一方の絶縁基板の導体層と他方の絶縁基板のバイアホールとを接続させることにより、電気的に接続を行うものであり、多層化された基板の最外層の導体回路上にはＩＣチップ、コンデンサなどの電子部品を実装するための半田バンプが形成されることにより、その機能を発揮させるように構成されている。
【０００３】
【特許公報１】
特開平１０−１３０２８号公報
【０００４】
上記多層プリント配線板において、積層、多層化される基本単位となる回路基板は、絶縁基板の一方の面に導体回路が形成され、その他方の面から導体回路に達する非貫通孔に導電性材料が充填されてなるフィルドビアが形成され、そのフィルドビア上には、導電性金属からなる導電性バンプが、絶縁基板表面から外側に突出した状態で形成されている。
【０００５】
このような回路基板の複数枚を積層し、プレス等により加熱、加圧して多層化する際に、導電性バンプを形成している金属と向かい合う回路基板のランドが圧接されると共に、加熱等により反応が起こり、一の回路基板の導電性バンプと他の回路基板の導体層が物理的に接続されると同時に電気的に接続されるように構成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記導電性バンプを形成する金属が、最外層の導体回路上に設けた半田バンプを介してＩＣチップ等の電子部品を実装する際、あるいはヒートサイクル試験（特に１５００サイクル以降）において、抵抗値測定などの導通確認を行う際に、金属の溶融および基板内流動に起因して、隣接した導電性バンプとの間でショート（短絡）や抵抗値変化が起こったりすることが分り、その結果として、多層プリント配線板の電気的接続性や信頼性の低下を招くという問題点があった。
【０００７】
そこで、本発明は、従来技術が抱える上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ＩＣチップ等の電子部品の実装時あるいはヒートサイクル試験時に、導電性バンプの基板内流動を阻止し、電気的接続性や信頼性を向上させることのできるプリント配線板を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上述した問題点を解決するために、鋭意研究した結果、ＩＣチップの実装後、あるいは高温放置試験（特に５００時間以降）後に、抵抗測定などの導通試験を行い、抵抗変化などの不具合が発生した基板のクロス写真を観察すると、導電性バンプを構成する金属が絶縁層間の界面で拡散し、隣り合う他の導体層に接触もしくはその近傍まで拡散していることが分った。そのため、導通検査を行うと、抵抗値変化や短絡もしくはそれに近い状態になっていることが確認された、すなわち、導電性バンプの基板内流動は、導電性バンプを形成する金属の融点や拡散性に起因することを知見するに至った。
【０００９】
本発明は、このような知見に基づいてなされたものであり、以下に示す内容を要旨構成とするものである。
【００１０】
すなわち、本発明は、片面もしくは両面に導体層を有する絶縁性基板に非貫通孔を設け、その非貫通孔内に導電体を充填してバイアホールを形成し、そのバイアホール上に導電性バンプを形成してなる回路基板を２層以上積層し、各回路基板間の接続を前記導電性バンプによって行なうとともに、最外層の回路基板の導体層上に半田バンプを形成してなる多層プリント配線板において、
上記導電性バンプは、Ｃｕを含有する半田から形成されていることを特徴とする多層プリント配線板である。
【００１１】
上記構成によれば、導電性バンプを形成する金属にＣｕが含有されていると、金属自体の溶融もしくは拡散を抑えることができる、すなわち、一旦固化した導電性バンプを構成する金属がＣｕ合金となり、その合金が基板の多層化に際して、その基板に加わる様々な熱履歴、例えば、アニール処理、めっき処理、ＩＣチップ実装などの影響を受けても金属が溶融することを防止し、導電性バンプ金属の溶融もしくは拡散などの不具合を抑制できる。したがって、電気抵抗の変化や短絡を防止して電気的性能の低下を抑制して、電気的特性の向上を図ることができる。
【００１２】
また、高温環境下に放置された場合、あるいはヒートサイクル試験などの信頼性試験のとき、特に高温下での放置あるいは昇温時（低温⇒高温）には、固化した導電性バンプが再融解することや拡散することが抑制される。
【００１３】
さらに、導電性バンプと導体部分の界面への水分の浸入が抑制されるので、その界面における水分を起点とする膨張、収縮の発生を阻止することができ、したがって、界面付近における部分的な電気的絶縁状態（該水分が隙間を形成させることを意味する）を作り出さないので、良好な電気的接続性が確保され、信頼性試験を向上させることもできる。
【００１４】
さらに、信頼性試験後の導体層とバイアホールとの間には、水分が浸入しないことから密着強度が低下しない。水分が浸入した場合には、温度上昇の際に、その水分が起点となり膨らむことがあり、そのような場合には、隙間を形成したり、クラックなどが発生したりしてしまい、密着性が低下してしまう。
しかしながら、Ｃｕ含有金属を採用することにより、隙間やクラックの発生を阻止できるので、密着強度が低下することがなく、信頼性を向上させることができるのである。
【００１５】
さらに、Ｃｕ含有の導電性金属では金属自体の溶融もしくは拡散性が抑えられる。そのため、バイアホールピッチをさらに狭くすることができ、高密度化した多層プリント配線板を得ることができる。
【００１６】
さらにまた、固化した導電性金属と導体回路との界面には、Ｃｕ−導電性金属からなる合金層が形成され、その合金膜の形成が保護膜となり、導電性金属のその他の部分の金属の拡散を防止しているのである。また、その合金膜の形成により、熱履歴や熱工程などの熱の影響を受けたとしても、新たなＣｕ合金の形成、特に導体回路での形成を防止されるので、導電性金属の拡散を抑えられるのである。
【００１７】
上記Ｃｕを含有する合金としては、Ｓｎ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｐｂ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｉｎ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｚｎ／Ｃｕ等の合金が挙げられる。基本的には、種々の半田にＣｕが含有されたものを用いることができる。
【００１８】
なお、鉛を含有する金属材料は、環境を悪化させる要因となるために、使用に対する制限がされており、そのような観点から、本発明にかかるＣｕを含有する合金として、鉛を含有しない金属材料（鉛フリー合金等）を用いることが好ましい。
しかしながら、本発明はそのような半田に限定されるべきではなく、それら以外の組成を有する半田であってもＣｕを含有しているものであれば用いることができる。
【００１９】
上記導電性バンプを形成する金属におけるＣｕの含有割合は、０．１〜７ｗｔ％であることが望ましい。
その理由は、０．１ｗｔ％未満であると、固化した後のＣｕ合金の形成が少ないため、再溶融した際に、導電性バンプの流動を抑えることができないからである。そのような場合には、隣接する他の導体層と短絡する惧れがあるからである。また、導電性金属と導体回路の界面において、その一部分でＣｕ合金膜が形成されない箇所が発生してしまい、そのＣｕ合金膜非形成部分から、導電性金属が溶融、拡散するからである。
【００２０】
また、７ｗｔ％を超えると、融点が高くなり、熱を加えたとしても溶融しにくくなり、導電性バンプ自体が硬くなってしまい、多層化の際に導体層とバイアホールを接触させたとき、導体部分が接触不良となったり、導体部分にクラックが発生する惧れがある。電気的接続性や密着性が低下してしまうからである。
上記範囲であれば、導電性バンプの流動性を抑えて、適切にＣｕ合金を形成させることができ、導体層との密着性も確保することができる。
【００２１】
上記導電性バンプを形成する金属におけるＣｕの含有割合は、０．５〜５ｗｔ％であることがより好ましい。
その理由は、もっとも密着強度を向上させることができ、また硬度的にも適度なものとすることができ、導体間で均一に流動、拡散できるので、電気接続性も向上させることができるからである。
さらに、導電性バンプの密着性が、バイアホールに充填される導電性金属の種類（めっき、導電性ペースト、それらの複合体など）に影響を受けることなく向上させることができる。
【００２２】
上記導電性バンプの融点は、１５０〜３５０℃の範囲が望ましい。
その理由は、１５０℃未満であれば、導電性バンプ自体の溶融、拡散がしやすく、ＩＣチップ等の電子部品実装用の半田バンプの融点よりも高くすることが難しくなり、３５０℃を超えると、導電性バンプの硬度が硬くなりすぎてしまい、接続ができないことがあるし、バンプを溶融させる温度では、層間樹脂絶縁層の材料によっては、その温度に耐えられないことがあるからである。
【００２３】
上記導電性バンプの融点は、１８０〜３２０℃の範囲であることがより望ましい。そのような範囲内であれば、熱プレス時にバンプに対峙するランド間で強固な接合が得られるからである。またＩＣチップ等の電子部品実装時や高温環境下に放置される信頼性試験下においても、溶融、拡散しにくいからである。
【００２４】
さらに、導電性バンプの融点は、２００℃〜３００℃の範囲であることがもっとも望ましい範囲である。その範囲であれば、材料などの要因に関係なく、接続安定性に優れるからである。
【００２５】
本発明にかかる多層プリント配線板においては、前記導電性バンプだけでなく、基板の最外層の導体回路上に半田バンプが形成され、その半田バンプは、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｉｎ／Ｃｕのいずれか１つの合金から形成されることが望ましい。
【００２６】
上記導電性バンプの融点Ｔ１は、半田バンプの融点Ｔ２よりも高いことが望ましい。その理由は、ＩＣチップ等の電子部品の実装時あるいはヒートサイクル試験時に、半田バンプの溶融温度を越えても、基板内ですでに固化した状態にある導電性バンプの溶融を防止することができるのである。
【００２７】
これに対して、導電性バンプの融点Ｔ１が半田バンプの融点Ｔ２よりも低い場合には、ＩＣチップの実装する際、その温度では、導電性バンプがかなりの部分で溶融してしまうために、基板内でかなり流動してしまう。そのために、流動する範囲が大きいと導電性バンプが隣接する導体層と短絡してしまう。また、流動する範囲が小さいと、基板間で応力が発生し、その応力が緩和されないと位置ズレを引き起こしてしまう。そのために、導電性バンプの厚みが薄くなり、密着強度や電気特性が低下してしまうからである。
【００２８】
前記導電性バンプの融点Ｔ１は、前記半田バンプの融点Ｔ２よりも５℃以上高いことが望ましい。融点の差が５℃以上あると、半田バンプの溶融する温度を超えても導電性バンプへの影響がないことが分かった。
なお、融点の温度差が０℃を超えて、５℃未満であっても、基本的には導電性バンプへの影響はないが、Ｃｕ含有量が比較的少ない０．１ｗｔ％未満の場合には、その影響を受けることがある。
【００２９】
前記多層プリント配線板に外部接続端子が導電性接着剤により形成され、該外部接続端子の導電性接着剤の融点Ｔ３は、半田バンプの融点Ｔ２よりも高いことが望ましい。
【００３０】
この場合も、導電性バンプの融点Ｔ１、外部接続端子の導電性接着剤の融点Ｔ３はともに、半田バンプの融点Ｔ２よりも温度が高いことにするということである。
そのため、該２つの融点Ｔ１、Ｔ３は半田バンプの適切な溶融温度よりも高いため、電子部品実装時等において溶融することがない、すなわち、導電性バンプでは、金属自体が流動しないので、短絡などを引き起こすことがなく、また外部端子においては、外部端子（ＢＧＡ，ＰＧＡなど）が脱落、位置ズレなどの不具合を引き起こさないのである。
【００３１】
さらに該外部接続端子の導電性接着剤の融点Ｔ３は、前記導電性バンプの融点Ｔ１よりも５℃以上温度が高いことが望ましい。
その理由は、融点の差が５℃以上あると、ＩＣチップ等の電子部品の実装時に、半田バンプが溶融する温度での実装を行っても外部接続端子への影響がないからである。つまり、そのような温度差であれば、半田バンプを介してＩＣチップ等の電子部品を実装する際の温度条件では、外部接続端子（ＢＧＡ，ＰＧＡなど）が脱落、位置ズレなどの不具合を引き起こさないからである。
【００３２】
このような導電性接着剤としては、半田としては、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｚｎ、Ｓｎ／Ｓｂ／Ｃｕ等が挙げられる。また、ロウ付け材としては、Ａｇ−Ｃｕ等の銀ロウ付け材、Ａｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｇｅ等の金系ロウ材などが挙げられる。これらは基本的に導電性バンプや半田バンプよりも融点の高いものであることが望ましい。
なお、融点の温度差が０℃を超えて、５℃未満であっても、基本的には外部端子への影響はないが、外部端子接続の導電性接着剤の厚みが薄い場合などには、その影響を受けることがある。
【００３３】
本発明にかかる多層化回路基板を構成する基本単位としての片面または両面回路基板は、絶縁性基材として、完全に硬化した樹脂材料から形成される硬質の樹脂基材を用いることが望ましい。
【００３４】
このような硬質樹脂材料の採用によって、加熱プレスによって多層化させる際に、硬化収縮などが生じることがないので、Ｚ軸方向の位置ずれを最小限度に抑えて、ビアランド径を小さくできる。
【００３５】
したがって、配線ピッチを小さくして配線密度を向上させることができ、また、基材の厚みを実質的に一定に保つことができるので、後述するような充填バイアホール形成用の開口をレーザ加工によって形成する場合には、そのレーザ照射条件の設定が容易となる。
【００３６】
このような絶縁性基材としては、ガラス布エポキシ樹脂基材、ガラス布ビスマレイミドトリアジン樹脂基材、ガラス布ポリフェニレンエーテル樹脂基材、アラミド不織布−エポキシ樹脂基材、アラミド不織布−ポリイミド樹脂基材から選ばれる硬質基材が使用されることが好ましく、ガラス布エポキシ樹脂基材が最も好ましい。
【００３７】
また、上記絶縁性基材の厚さは、２０〜６００μｍが望ましい。その理由は、２０μｍ未満の厚さでは、強度が低下して取扱いが難しくなるとともに、電気的絶縁性に対する信頼性が低くなるからであり、６００μｍを超えると、微細なバイアホール形成用開口が難くなると共に、基板そのものが厚くなるためである。
【００３８】
上記絶縁性基材の片面または両面に形成される導体層あるいは導体回路は、絶縁性基材上に適切な樹脂接着剤を介して銅箔を貼付すること、あるいはその銅箔をエッチング処理することによってそれぞれ形成される。
【００３９】
すなわち、上記導体層は、厚さが３〜４０μｍの銅箔を、半硬化状態を保持された樹脂接着剤層を介して絶縁性基材上に加熱プレスすることによって形成し、また導体回路は、銅箔を加熱プレスした後、銅箔面に感光性ドライフィルムを貼付するか、液状感光性レジストを塗布した後、所定の配線パターンを有するマスクを載置し、露光・現像処理することによってめっきレジスト層を形成し、その後、エッチングレジスト非形成部分の銅箔をエッチング処理することによって形成されるのが望ましい。
【００４０】
上記銅箔の絶縁性基材上への加熱プレスは、適切な温度および加圧力のもとで行なわれ、より好ましくは、減圧下において行なわれ、半硬化状態の樹脂接着剤層のみを硬化することによって、銅箔を絶縁性基材に対してしっかりと接着され得るので、従来のプリプレグを用いた回路基板に比べて製造時間が短縮される。
【００４１】
なお、このような絶縁性基材上への銅箔の貼付に代えて、絶縁性基材上に予め銅箔が貼付された片面または両面銅張積層板を採用し、その銅張積層板を硫酸−過酸化水素、過硫酸塩、塩化第二銅、塩化第二鉄の水溶液から選ばれる少なくとも１種によりエッチング処理して導体回路を形成することもできる。
【００４２】
上記導体回路の各バイアホールに対応した表面には、導体回路の一部としてのランド（パッド）が、その口径が５０〜２５０μｍの範囲に形成されるのが好ましい。
【００４３】
上記導体回路の配線パターン表面には粗化層が形成され、回路基板相互を接合する接着剤層との密着性を改善し、剥離（デラミネーション）の発生を防止することが好ましい。
【００４４】
粗化処理方法としては、例えば、ソフトエッチング処理や、黒化（酸化）−還元処理、銅−ニッケルーリンからなる針状合金めっき（荏原ユージライト製：商品名インタープレート）の形成、メック社製の商品名「メックエッチボンド」なるエッチング液による表面粗化がある。
【００４５】
このような導体回路が形成された絶縁性樹脂基材の表面と反対側の表面から、導体回路に達するように形成されるバイアホール形成用開口は、パルスエネルギーが０．５〜１００ｍＪ、パルス幅が１〜１００μｓ、パルス間隔が０．５ｍｓ以上、ショット数が３〜５０の条件で照射される炭酸ガスレーザによって形成されることが好ましく、その開口径は、５０〜２５０μｍの範囲であることが望ましい。
その理由は、５０μｍ未満では開口に導電性物質を充填し難くなると共に、接続信頼性が低くなるからであり、２５０μｍを超えると、高密度化が困難になるからである。
【００４６】
上記炭酸ガスレーザによる開口形成の前に、絶縁性基材の導体回路形成面と反対側の面に樹脂フィルムを粘着させ、その樹脂フィルム上からレーザ照射を行うのが望ましい。
【００４７】
この樹脂フィルムは、バイアホール形成用の開口内をデスミア処理し、そのデスミア処理した後の開口内に、電解めっき処理によって金属めっきを充填する際の保護マスクとして機能し、またバイアホールの金属めっき層の直上に導電性バンプ（突起状導体）を形成するための印刷用マスクとして機能する。
【００４８】
上記樹脂フィルムは、たとえば、粘着剤層の厚みが１〜２０μｍであり、フィルム自体の厚みが１０〜５０μｍであるＰＥＴフィルムから形成されるのが好ましい。
【００４９】
その理由は、ＰＥＴフィルムの厚さに依存して後述する導電性バンプの高さが決まるので、１０μｍ未満の厚さでは導電性バンプが低すぎて接続不良になりやすく、逆に５０μｍを超えた厚さでは、接続界面で導電性バンプが広がりすぎるので、ファインパターンの形成ができないからである。
【００５０】
上記バイアホール形成用開口内に導電性物質を充填してバイアホールを形成するには、めっき充填や導電性ペースト充填が望ましい。
充填工程をシンプルにして、製造コストを低減させ、歩留まりを向上させるためには、導電性ペーストの充填が適しているが、導電性ペーストの組成比（導電性金属、樹脂、硬化剤など）によっては硬化収縮が大きくなりすぎてしまうことがあるので、充填したときの形状や接続信頼性の点ではめっき充填が望ましい。
【００５１】
上記めっき充填は、電解めっき処理または無電解めっき処理のいずれによっても行うことができるが、電解めっき処理によって形成される金属めっき、たとえば、すず、銀、半田、銅／すず、銅／銀等の金属めっきが好ましく、とくに、電解銅めっきが最適である。
【００５２】
電解めっき処理により充填する場合は、上記絶縁性基材の銅箔貼付面（導体回路形成面）に予め保護フィルムを粘着させた状態で、絶縁性基材に形成された銅箔をめっきリードとして電解めっきを行う。この銅箔（金属層）は、絶縁性基材の一方の表面の全域に亘って形成されているため、電流密度が均一となり、バイアホール形成用開口を電解めっきにて均一な高さで充填することができる。
ここで、電解めっき処理の前に、非貫通孔内の金属層の表面を酸などで活性化処理しておくとよい。
【００５３】
また、電解めっきした後、開口縁から盛り上がった電解めっき（金属）を、ベルトサンダー研磨やバフ研磨等により除去して、平坦化することが望ましい。
【００５４】
さらに、めっき処理による導電性物質の充填の代わりに、導電性ペーストを充填する方法、あるいは電解めっき処理又は無電解めっき処理によって開口の一部を充填し、残存部分に導電ペーストを充填して行うこともできる。
【００５５】
上記導電性ペーストとしては、銅、スズ、金、銀、ニッケル、各種半田から選ばれる少なくとも１種以上の金属粒子からなる導電性ペーストを使用できる。
上記金属粒子としては、金属粒子の表面に異種金属をコーティングしたものも使用できる。具体的には銅粒子の表面に金、銀から選ばれる貴金属を被覆した金属粒子を使用することができる。
【００５６】
上記導電性ペーストとしては、金属粒子に、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）樹脂を加えた有機系導電性ペーストが望ましい。
【００５７】
上記レーザ加工によって形成された開口は、その孔径が２０〜１５０μｍの微細径であるため、導電ペーストを充填する場合には、気泡が残り易いので、電解めっきによる充填が実用的である。
【００５８】
上述した片面または両面回路基板に形成されるバイアホールは、その配置密度が、ＬＳＩチップ等を搭載すべく最も外側に積層された回路基板については最も大きく、マザーボードに接続されるべく最も外側の他の回路基板については最も小さくなるように形成される、すなわち、積層される各回路基板に形成されるバイアホール間の距離は、ＬＳＩチップ等を搭載する側の回路基板からマザーボードに接続される側の回路基板に向かうにつれて大きくなるように形成されることが好ましく、このような構成によれば、配線の引き回し性が向上する、
【００５９】
本発明による多層化回路基板は、積層される基本単位となる片面または両面回路基板には、バイアホールに電気的に接続される突起状導体、すなわち導電性バンプを設けて、他の回路基板との電気的および機械的接続を確保するように構成される。
【００６０】
この導電性バンプは、レーザ照射によって形成された保護フィルムの開口内に、めっき充填または導電性ペーストを充填することによって形成されることが望ましい。
【００６１】
上記めっき充填は、電解めっき処理または無電解めっき処理のいずれによっても行うことができるが、電解めっき処理が望ましい。
電解めっきとしては、銅、金、ニッケル、スズ、各種半田等の低融点金属を使用できるが、スズめっき又は半田めっきが最適である。
【００６２】
上記導電性バンプの高さとしては、３〜６０μｍの範囲が望ましい。この理由は、３μｍ未満では、バンプの変形により、バンプの高さのばらつきを許容することができず、また、６０μｍを越えると抵抗値が高くなる上、バンプを形成した際に横方向に拡がって短絡の原因となるからである。
【００６３】
上記導電性バンプを導電性ペーストの充填によって形成する場合には、バイアホールを形成する電解めっきの高さのばらつきは、充填される導電性ペースト量を調整することにより是正され、多数の導電性バンプの高さをそろえることができる。
【００６４】
この導電性ペーストからなるバンプは、半硬化状態であることが望ましい。導電性ペーストは、半硬化状態でも硬く、熱プレス時に軟化した有機接着剤層を貫通させることができるからである。また、熱プレス時に変形して接触面積が増大し、導通抵抗を低くすることができるだけでなく、バンプの高さのばらつきを是正することができるからである。
【００６５】
この他に、例えば、導電性ペーストを所定位置に開口の設けられたメタルマスクを用いてスクリーン印刷する方法、低融点金属である半田ペーストを印刷する方法の他、半田溶解液に浸漬する方法によって導電性バンプを形成することができる。
【００６６】
上記低融点金属としては、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ系半田、Ｓｎ−Ｃｕ系半田、Ａｇ−Ｓｎ−Ｃｕ系半田、Ｉｎ−Ｃｕ系半田、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｚｎ等のＣｕを含有したものを用いることが望ましい。
具体的には、Ｓｎ／Ｐｂ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｉｎ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｃｕ／Ｚｎ等の合金が挙げられる。基本的には、種々の半田にＣｕが含有されたものを用いることができる。
【００６７】
上記導電性バンプを形成する金属におけるＣｕの含有比は、０．１〜７ｗｔ％であることが望ましい。
その理由は、０．１ｗｔ％未満では、上記範囲と比較すると導電性バンプの溶融、拡散を引き起こしやすく、７ｗｔ％を超えると融点が高くなり、導電性バンプの溶融を阻害してしまうために、接続性が低下するからである。
特に、７ｗｔ％を超えるとバンプ部分の材質が硬くなりすぎてしまうので、層間樹脂絶縁層によっては、クラックなどを引き起こしやすくなる。基本的には、Ｃｕが含有していることが望ましいものであり、上記範囲は、層間樹脂絶縁層、充填材料の種類（めっき、導電性ペーストそれらの複合体など）などによる影響もなく、より望ましくなるのである。
なお、上記範囲の下限値としては０を含まない。なぜならば、Ｃｕ含有量が０ｗｔ％では、Ｃｕ含有しているものと比べると劣化し易くなるからである。
【００６８】
上記導電性バンプの融点は、１５０〜３５０℃の範囲が望ましい。
その理由は、１５０℃未満であれば、導電性バンプ自体の溶融、拡散がしやすく、３５０℃を超えると、導電性バンプの硬度が硬くなりすぎてしまい、接続ができないことがあるし、バンプを溶融させる温度では、層間樹脂絶縁層の材料によっては、その温度に耐えられないことがあるからである。
【００６９】
上記導電性バンプの融点は、１８０〜３２０℃の範囲であることがより望ましい。そのような範囲内であれば、熱プレス時にバンプに対峙するランド間で強固な接合が得られる。またＩＣチップ等の電子部品実装時や高温環境下に放置される信頼性試験下においても、溶融、拡散しにくいからである。
【００７０】
さらに、導電性バンプの融点は、２００℃〜３００℃の範囲であることがもっとも望ましい範囲である。その範囲であれば、材料などの要因に関係なく、接続安定性に優れるからである。その場合にも、半田バンプの融点よりも温度が高い。さらに、半田バンプの融点より５℃以上高いことが望ましい。
【００７１】
本発明にかかる多層化回路基板は、絶縁性基材の片面に導体回路が形成されてなる回路基板の複数枚が、所定の方向に積層されてなり、それらの回路基板のうち、内側に配置された回路基板の導電性バンプ側の表面に対して、一面がマット処理されてなる銅箔が、そのマット面を対向させた状態で圧着され、かつエッチング処理によって所定の配線パターンを有する導体回路に形成することも可能である。
【００７２】
上記銅箔のマット面は、それ自体公知であるエッチング処理や、無電解めっき処理、酸化還元処理等によって形成することが望ましく、特に、エッチング処理によって形成することが望ましい。
上記エッチング処理としては、ＣＺ処理があり、また無電解めっき処理としては、インタープレート処理があり、酸化還元処理としては、黒化処理がある。
【００７３】
上記マット処理された金属箔と絶縁性樹脂基材との間の密着性は、樹脂粘度や、銅箔の厚さ、加熱プレス圧等によっても異なるが、絶縁性樹脂基材が硬質の樹脂基材であり、金属箔の厚さが、１〜３６μｍの範囲である場合には、金属箔のマット面の表面粗度は、０．５〜５μｍの範囲であり、加熱プレス圧は、１〜１０ＭＰａの範囲であり、その結果としてのピール強度は、０．５〜２．０Ｋｇｆ／ｃｍ２（４．９×１０４Ｐａ〜１９．６×１０４Ｐａ）の範囲であることが望ましい。
【００７４】
上記銅箔のマット面は、片面回路基板の導電性バンプが突出する側の面だけでなく、その面から突出する導電性バンプに対しても圧着されるので、その銅箔をエッチング処理して形成される導体回路と導電性バンプ側の面との間およびその導体回路と導電性バンプとの間の接合性が向上する。
【００７５】
一般的に、片面回路基板を同一方向に多層に積層する場合には、めっき液や洗浄液などに浸漬した後、乾燥やアニールなどの加熱工程を繰り返すため、金属層である導体回路が存在しない部分に加わる応力が緩衝されないために、基板自体が反ってしまい、そのために、導体回路の破断、断線、バイアホール部分での接続不良や充填金属の剥離などが発生してしまい、電気接続性と信頼性に低下を引き起こしてしまうことがある。
【００７６】
しかしながら、本願発明のように、同一方向に積層された複数の片面回路基板と銅箔とを加熱プレスによって一体化した後に、銅箔をエッチング処理して導体回路を形成し、その導体回路形成面に対して、上記方向とは反対方向に他の複数の片面回路基板を積層して加熱プレスによって一体化することもできる。
【００７７】
この場合には、より内側に位置する片面回路基板の導電性バンプ側の面に対して銅箔のマット面が圧着され、その銅箔をエッチング処理して形成した導体回路は、それに対して積層される他の片面回路基板の導電性バンプに接合されるべき導体パッドを少なくとも有する所望の配線パターンに形成することができる。
【００７８】
したがって、基板の導電性バンプ側の面に対する導体回路のピール強度やプル強度が十分に確保され、加熱プレスによるバイアホールに対する導体パッドの位置ずれを防止することができるので、確実な電気的接続を行うことができる。
【００７９】
また、この場合には、加熱プレスを２回行う必要があるので、正確なスケールファクターを必要とするが、高いピール強度やプル強度を得ることができる。
【００８０】
上記導体回路を形成する銅箔のマット面に対して、スズ、亜鉛、ニッケル、リンから選ばれる少なくとも１種類の保護膜または金や白金等の貴金属からなる保護膜を被覆形成してもよい。
【００８１】
このような保護膜の膜厚は、０．０１〜３μｍの範囲が望ましい。その理由は、０．０１μｍ  未満では、マット面の微細な凹凸を完全に被覆できないことがあり、３μｍを越えると、形成したマット面の凹部に保護膜が充填されて、マット処理効果が相殺されてしまうことがあるからである。特に好ましい膜厚は、０．０３〜１μｍの範囲である。
上記保護膜のうち、スズからなる保護膜は、無電解置換めっきによって析出する薄膜層として形成でき、マット面との密着性にも優れることから、最も有利に適用することができる。
【００８２】
このような含スズめっき膜を形成するための無電解めっき浴は、ホウフッ化スズ−チオ尿素液または塩化スズ−チオ尿素液を使用し、そのめっき処理条件は、２０℃前後の室温において約５分とし、５０℃〜６０℃程度の高温において約１分とすることが望ましい。
【００８３】
このような無電解めっき処理によれば、銅パターンの表面にチオ尿素の金属錯体形成に基づく銅−スズ置換反応が起き、スズ薄膜層が形成される。銅−スズ置換反応であるため、凹凸形状を破壊することなくマット面を被覆できる。
【００８４】
また、スズ等の金属に代えて使用することができる貴金属は、金あるいは白金であることが望ましい。これらの貴金属は、銀などに比べて粗化処理液である酸や酸化剤に冒されにくく、またマット面を容易に被覆できるからである。ただし、貴金属は、コストが嵩むために、高付加価値製品にのみ使用されることが多い。このような金や白金の被膜は、スパッタ、電解あるいは無電解めっきにより形成することができる。
【００８５】
このような被覆層を設けることによって、マット面の濡れ性が均一となり、バイアホールに対応して形成された導電性バンプとの接合性が向上させるだけでなく、樹脂絶縁層を構成する芯材に含浸されている樹脂との接合性も向上させることができるため、電気的接続性と接続信頼性が大幅に改善される。
【００８６】
上記積層・加熱プレスにより形成された多層化回路基板は、最も外側の回路基板、すなわち、最上層または最下層に位置する回路基板の表面を覆ってソルダーレジスト層を設けることができる。
そのソルダーレジスト層は、主として熱硬化性樹脂や感光性樹脂から形成され、回路基板上のバイアホール位置に対応した個所に開口が形成されている。
【００８７】
本発明にかかる多層プリント配線板においては、上記ソルダーレジスト層の開口から露出する導体パッド上に半田バンプや、半田ボール、Ｔ形の導電性ピン等の外部接続端子が設けられる。
【００８８】
たとえば、最も外側に位置する回路基板のうち、ＬＳＩ等の半導体素子が実装される側にある最上層の回路基板については、導体パッド上に導電性ペーストを印刷することによって半田バンプを形成し、その後、リフロー処理することによって固定される。
【００８９】
このような半田バンプは、上述したように、導電性バンプを形成する高融点の半田よりも比較的融点の低い半田、たとえば、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｚｎ、Ｓｎ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｂｉ、Ｓｎ／Ｂｉ／Ｚｎ等の合金から形成されることが望ましく、導電性バンプよりも融点が５℃以上低い半田で形成されることがより望ましい。
【００９０】
また、最も外側に位置する回路基板のうち、マザーボードに接続される側にある最下層にある他の回路基板については、バイアホールの直上に位置して、たとえば、４２アロイやリン青銅等の金属材料から形成されたＴ形の導電性ピンや、たとえば、金、銀、半田等の金属材料（例えば、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｚｎ等）から形成された導電性ボールなどの外部接続端子を設けることができる。
【００９１】
これらのＴ形の導電性ピンは、半田もしくはロウ付け材などからなる導電性接着剤により接続される。また、導電性ボールは、印刷（スクリーン印刷など）やボール搭載法により、導電性接着剤により接続される。
これらの導電性接着剤としてのＳｎ／Ｓｂ半田、Ｓｎ／Ａｇ半田、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ半田等によって、外部接続端子として導体パッド上に接続される。
【００９２】
上記導電性接着剤の融点Ｔ３は、上記導電性バンプの融点Ｔ１や半田バンプの融点Ｔ２よりも高い金属から形成されることが望ましく、５℃以上高いことがより望ましい。
【００９３】
以下、本発明にかかる多層化回路基板を製造する方法の一例について、添付図面を参照にして具体的に説明する。
（１）  本発明にかかる多層化回路基板を製造するに当たって、それを構成する基本単位としての片面回路基板は、絶縁性基材１０の片面に銅箔１２が貼付けられたものを出発材料として用いる。
【００９４】
この絶縁性基材１０は、たとえば、ガラス布エポキシ樹脂基材、ガラス布ビスマレイミドトリアジン樹脂基材、ガラス布ポリフェニレンエーテル樹脂基材、アラミド不織布−エポキシ樹脂基材、アラミド不織布−ポリイミド樹脂基材から選ばれる硬質な積層基材が使用され得るが、ガラス布エポキシ樹脂基材が最も好ましい。
【００９５】
上記絶縁性基材１０の厚さは、２０〜６００μｍが望ましい。その理由は、２０μｍ未満の厚さでは、強度が低下して取扱が難しくなるとともに、電気的絶縁性に対する信頼性が低くなり、６００μｍを超える厚さでは微細なバイアホールの形成および導電性ペーストの充填が難しくなるとともに、基板そのものが厚くなるためである。
【００９６】
また銅箔１２の厚さは、３〜４０μｍが望ましい。その理由は、後述するようなレーザ加工を用いて、絶縁性基材にバイアホール形成用の開口を形成する際に、薄すぎると貫通してしまうからであり、逆に厚すぎるとエッチングにより、微細な線幅の導体回路パターンを形成し難いからである。
【００９７】
上記絶縁性基材１０および銅箔１２としては、特に、エポキシ樹脂をガラスクロスに含潰させてＢステージとしたプリプレグと、銅箔とを積層して加熱プレスすることにより得られる片面銅張積層板を用いることが好ましい。その理由は、銅箔１２がエッチングされた後の取扱中に、配線パターンやバイアホールの位置がずれることがなく、位置精度に優れるからである。
【００９８】
（２）  次に、絶縁性基材１０の銅箔１２が貼付けられた表面と反対側の表面に、透明な保護フィルム１４を貼付ける。
この保護フィルム１４は、粘着剤層の厚みが１〜２０μｍ、フィルム自体の厚みが１０〜５０μｍであるようなポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムが使用される。
【００９９】
（３）  次いで、絶縁性基材１０上に貼付けられたＰＥＴフィルム１４上から炭酸ガスレーザ照射を行って、ＰＥＴフィルム１４を貫通して、絶縁性基材１０の表面から銅箔１２（あるいは導体回路パターン）に達する開口１６を形成する（図１（ｂ）参照）。
このレーザ加工は、パルス発振型炭酸ガスレーザ加工装置によって行われ、その加工条件は、パルスエネルギーが０．５〜１００ｍＪ、パルス幅が１〜１００μｓ、パルス間隔が０．５ｍｓ以上、ショット数が３〜５０の範囲内であることが望ましい。
【０１００】
このような加工条件のもとで形成され得るビア形成用開口１６の口径は、５０〜２５０μｍであることが望ましい。
なお、上記保護フィルム１４は、後述するような半田バンプを導電性ペーストの印刷によって形成する場合には、その印刷用マスクとして使用され得る。
【０１０１】
（４）  前記（３）の工程で形成された開口１６の側面および底面に残留する樹脂残滓を除去するために、デスミア処理を行う。
このデスミア処理は、酸素プラズマ放電処理、コロナ放電処理、紫外線レーザ処理またはエキシマレーザ処理等の乾式処理によって行われることが望ましい。
【０１０２】
（５）  次に、デスミア処理した基板の銅箔面に対して、めっき保護フィルムとしてのＰＥＴフィルム１５を貼付した後、銅箔１２をめっきリードとする電解銅めっき処理を施して、開口１６内に電解銅めっき１８を充填して、充填バイアホール２０を形成する（図１（ｃ）参照）。
【０１０３】
なお、電解銅めっき処理の後、基板に貼付したＰＥＴフィルム１４を剥離させ、開口１６の上部に盛り上がった電解銅めっき１８を、ベルトサンダー研磨やバフ研磨等によって除去して平坦化する。
【０１０４】
（６）  上記（５）の電解銅めっき処理を施した後、銅めっき１８をめっきリードとする電解半田（Ｓｎ／ＣｕなどのＣｕを含有した半田）めっき処理を施して、電解半田めっきからなる突起状導体、すなわち、導電性バンプ２４を電解銅めっき表面から僅かに突出するように形成する（図１（ｄ）参照）。
【０１０５】
（７）  次いで、絶縁性基材１０の導電性バンプ２４を含んだ表面に樹脂接着剤を塗布して接着剤層２６を形成した後、絶縁性基材１０の銅箔１２上に貼付したＰＥＴフィルム１５を剥離させる（図１（ｅ）参照）。
このような樹脂接着剤は、例えば、絶縁性基材１０の導電性バンプ２４を含んだ表面全体または導電性バンプ２４を含まない表面に塗布され、乾燥化された状態の未硬化樹脂からなる接着剤層として形成される。この接着剤層は、取扱が容易になるため、プレキュアしておくことが好ましく、その厚さは、５〜５０μｍの範囲が望ましい。
【０１０６】
前記接着剤層２６は、有機系接着剤からなることが望ましく、有機系接着剤としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、熱硬化型ポリフェノレンエーテル（ＰＰＥ）、エポキシ樹脂と熱可塑性樹脂との複合樹脂、エポキシ樹脂とシリコーン掛脂との複合樹脂、ＢＴレジンから選ばれる少なくとも１種の樹脂であることが望ましい。
有機系接着剤である未硬化樹脂の塗布方法は、カーテンコータ、スピンコータ、ロールコータ、スプレーコート、スクリーン印刷などを使用できる。また、接着剤層の形成は、接着剤シートをラミネートすることによってもできる。
【０１０７】
上記（１）〜（７）の工程にしたがって作製された片面回路基板Ａは、絶縁性基材１０の一方の表面に導体層としての銅箔を有し、他方の表面から銅箔に達する開口に充填バイアホールを有するとともに、その充填バイアホール上に半田めっきからなる導電性バンプ２４を有し、さらに導電性バンプ２４を含んだ絶縁性基材１０の表面に接着剤層２６を有して形成され、本発明にかかる多層化回路基板を作製する際に、最上層に位置して積層される回路基板、またはマット面を有してなる銅箔とともに両面回路基板を形成する回路基板として採用される。
【０１０８】
次に、上記片面回路基板Ａの下層に積層される他の片面回路基板Ｂを作製する。
（８）  まず、上記（１）〜（６）の工程と同様に処理した後（図２（ａ）〜（ｄ）参照）、絶縁性基材１０の導電性バンプ２４形成面に、エッチング保護フィルム２５を貼付け、銅箔１２を所定の回路パターンのマスクで披覆した後、エッチング処理を施して、導体回路２８（ランドを含む）を形成する（図２（ｅ）参照）。
【０１０９】
この処理工程においては、先ず、銅箔１２の表面に感光性ドライフィルムレジストを貼付した後、所定の回路パターンに沿って露光、現像処理してエッチングレジストを形成し、エッチングレジスト非形成部分の金属層をエッチングして、ランドを含んだ導体回路パターン２８を形成する。
【０１１０】
このエッチング液としては、硫酸一過酸化水素、過硫酸塩、塩化第二銅、塩化第二鉄の水溶液から選ばれる少なくとも１種の水溶液が望ましい。
【０１１１】
上記銅箔１２をエッチングして導体回路２８を形成する前処理として、ファインパターンを形成しやすくするため、あらかじめ、銅箔の表面全面をエッチングして厚さを１〜１０μｍ、より好ましくは２〜８μｍ程度まで薄くすることができる。
【０１１２】
導体回路の一部としてのランドは、その内径がバイアホール口径とほぼ同様であるが、その外径は、５０〜２５０μｍの範囲に形成されることが好ましい。
【０１１３】
（９）  上記（８）で形成した導体回路２８の表面に対して、無電解めっき処理によってスズ薄膜層（図示を省略）を形成する。
このような含スズめっき膜を形成するための無電解めっき浴は、ホウフッ化スズ−チオ尿素液または塩化スズ−チオ尿素液を使用し、そのめっき処理条件は、２０℃前後の室温において約５分とし、５０℃〜６０℃程度の高温において約１分とすることが望ましい。
このような無電解めっき処理によれば、銅パターンの表面にチオ尿素の金属錯体形成に基づく銅−スズ置換反応が起き、厚さ０．０１〜１μｍのスズ薄膜層が形成される。
【０１１４】
なお、上記（７）の工程で形成した導体回路２８の表面に対して必要に応じて粗化処理を施し、その粗化層上に上記（８）の工程で形成したスズ層を形成することもできる。
また、スズ層に代えて、亜鉛、ニッケル、リンから選ばれる少なくとも１種類からなる保護膜または金や白金等の貴金属からまる保護膜で被覆するのが望ましい。
【０１１５】
上記粗化処理は、多層化する際に、接着剤層との密着性を改善し、剥離（デラミネーション）を防止するためである。
粗化処理方法としては、例えば、ソフトエッチング処理や、黒化（酸化）一還元処理、銅−ニッケルーリンからなる針状合金めっき（荏原ユージライト製：商品名インタープレート）の形成、メック社製の商品名「メックエッチボンド」なるエッチング液による表面粗化がある。
【０１１６】
上記粗化層の形成は、エッチング液を用いて形成されるのが好ましく、たとえば、導体回路の表面を第二銅錯体と有機酸の混合水溶液からエッチング液を用いてエッチング処理することによって形成することができる。かかるエッチング液は、スプレーやバブリングなどの酸素共存条件下で、銅導体回路パターンを溶解させることができ、反応は、次のように進行するものと推定される。
【０１１７】
2004335505.tif 000002
式中、Ａは錯化剤（キレート剤として作用）、ｎは配位数を示す。
【０１１８】
上式に示されるように、発生した第一銅錯体は、酸の作用で溶解し、酸素と結合して第二銅錯体となって、再び銅の酸化に寄与する。本発明において使用される第二銅錯体は、アゾール類の第二銅錯体がよい。この有機酸−第二銅錯体からなるエッチング液は、アゾール類の第二銅錯体および有機酸（必要に応じてハロゲンイオン）を、水に溶解して調製することができる。
このようなエッチング液は、たとえば、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体  １０重量部、グリコール酸  ７重量部、塩化カリウム  ５重量部を混合した水溶液から形成される。
【０１１９】
（１０）  次いで、導電性バンプ２４を含んだ絶縁性基材１０の表面から保護フィルムを剥離させた後、その絶縁性基材１０の表面に樹脂接着剤２６を塗布する（図２（ｆ）参照）。
このような樹脂接着剤は、例えば、絶縁性基材１０の導電性バンプ２４を含んだ表面全体または導電性バンプ２４を含まない表面に塗布され、乾燥化された状態の未硬化樹脂からなる接着剤層として形成される。この接着剤層は、取扱が容易になるため、プレキュアしておくことが好ましく、その厚さは、５〜５０μｍの範囲が望ましい。
【０１２０】
前記接着剤層２６は、有機系接着剤からなることが望ましく、有機系接着剤としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、熱硬化型ポリフェノレンエーテル（ＰＰＥ）、エポキシ樹脂と熱可塑性樹脂との複合樹脂、エポキシ樹脂とシリコーン掛脂との複合樹脂、ＢＴレジンから選ばれる少なくとも１種の樹脂であることが望ましい。
有機系接着剤である未硬化樹脂の塗布方法は、カーテンコータ、スピンコータ、ロールコータ、スプレーコート、スクリーン印刷などを使用できる。また、接着剤層の形成は、接着剤シートをラミネートすることによってもできる。
【０１２１】
上記（８）〜（１０）の工程にしたがって作製された片面回路基板Ｂは、絶縁性基材１０の一方の表面に導体回路を有し、他方の表面には半田めっきからなる導電性バンプ２４を有し、さらに導電性バンプ２４を含んだ絶縁性基材１０の表面に他の絶縁性基材との接着用の接着剤層２６、または、銅箔との接着用の接着剤層３２を有して形成される。
【０１２２】
（１１）  上記片面回路基板Ａの導電性バンプ側の面を下方に向け、その面に対して片面回路基板の複数枚、例えばＢ１およびＢ２の２枚を同一方向に積層すると共に、最も外側の片面回路基板Ｂ２の導電性バンプ側の表面に対して、表面粗さが３μｍのマット面を有する厚さが３〜４０μｍの銅箔３０を、そのマット面を対向させた状態で積層し、加熱温度１５０〜２５０℃、圧力１〜１０ＭＰａの条件のもとで、加熱プレスすることによって、片面回路基板Ａと、複数枚の片面回路基板Ｂ１およびＢ２と、銅箔３０とを一体化し、多層化する（図３参照）。
【０１２３】
この場合には、最も外側（下方）に位置する片面回路基板Ｂ２の導電性バンプ側の表面には、接着剤層２６に代えて、半硬化状態を保持された銅箔接着用の樹脂接着剤層３２が形成され、この樹脂接着剤層３２を介して銅箔３０が加熱プレスされる。
【０１２４】
この加熱プレスは、より好ましくは、減圧下において行なわれ、未硬化状態の樹脂接着剤層２６および樹脂接着剤層３２を硬化することによって、片面回路基板Ａと片面回路基板Ｂ１、Ｂ２との間、および片面回路基板Ｂ２と銅箔３０との間が接着される。
その際、銅箔３０は硬化した接着剤層３２を介して片面回路基板Ｂ２の絶縁性基材１０に接着されると共に、銅箔３０と半田バンプ２４とが電気的に接続される。
【０１２５】
（１２）さらに、上記（１１）において一体化された回路基板の最上層の片面回路基板Ａの銅箔１２と、最も外側の片面回路基板Ｂ２の銅箔３０を、エッチング処理することによって、導体回路３６および導体回路３８（共にバイアホールランドを含む）を形成する（図３参照）。
【０１２６】
このエッチング処理工程においては、先ず、片面導体回路Ａの銅箔１２および片面回路基板Ｂ２に圧着された銅箔３０の表面に、それぞれ感光性ドライフィルムレジストを貼付した後、所定の回路パターンに沿って露光、現像処理してエッチングレジストを形成し、エッチングレジスト非形成部分の金属層をエッチングして、バイアホールランドを含んだ導体回路３６および導体回路３８を形成する。
【０１２７】
（１３）  次に、上記（１１）の工程において一体化され、（１２）において両面に回路形成された積層体の導体回路３８側の面に対して、２枚の片面導体回路Ｂ３、Ｂ４の導電性バンプ側の面を対向させた状態で積層させ、加熱温度１５０〜２５０℃、圧力１〜１０ＭＰａの条件のもとで、加熱プレスして、片面回路基板Ａ、片面回路基板Ｂ１、Ｂ２、銅箔３０、片面回路基板Ｂ３、Ｂ４とを一体化する（図４参照）。
【０１２８】
（１４）  次に、最も外側の片面回路基板ＡおよびＢ４の表面にソルダーレジスト層３７および３９をそれぞれ形成する。この場合、回路基板ＡよびＢ４の外表面全体にソルダーレジスト組成物を塗布し、その塗膜を乾燥した後、この塗膜に、開口部を描画したフォトマスクフィルムを載置して露光、現像処理することにより、導体回路３６および２８のバイアホール直上に位置する導電性パッド部分を露出させた開口４０および４２をそれぞれ形成する。
【０１２９】
（１５）  上記（１４）の工程で得られたソルダーレジスト３７および３９の開口４０および４２からバイアホール直上に露出した半田パッド部分に、半田バンプ４４、導電性ボール４６あるいは導電性ピンを配設する前に、各半田パッド部上に「ニッケル−金」からなる金属層５０を形成することが好ましい。
【０１３０】
このニッケル層の厚みは、１〜７μｍが望ましく、金層の厚みは０．０１〜０．０６μｍであることが望ましい。この理由は、ニッケル層は、厚すぎると抵抗値の増大を招き、薄すぎると剥離しやすいからである。一方金層は、厚すぎるとコスト増になり、薄すぎると半田体との密着効果が低下するからである。
【０１３１】
（１６）  上記半田パッド部上に設けたニッケル−金からなる金属層５０上に、半田体を供給し、この半田体の溶融・固化によって半田バンプ４４を形成し、あるいは導電性ボール４６または導電性ピンを導電性接着剤を用いて半田パッド部に接合して、多層回路基板６０が形成される。
【０１３２】
上記半田体の供給方法としては、半田転写法、印刷法、ボール搭載法などを用いることができる。
ここで、半田転写法は、プリプレグに半田箔を貼合し、この半田箔を開口部分に相当する箇所のみを残してエッチングすることにより、半田パターンを形成して半田キャリアフィルムとし、この半田キャリアフィルムを、基板のソルダーレジスト開口部分にフラックスを塗布した後、半田パターンがパッドに接触するように積層し、これを加熱して転写する方法である。
【０１３３】
一方、印刷法は、パッドに相当する箇所に開口を設けた印刷マスク（メタルマスク）を基板に載置し、半田ペーストを印刷して加熱処理する方法である。このような半田バンプを形成する半田としては、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｚｎ、Ｓｎ／Ｓｂ半田などが使用でき、それらの融点は、積層される各回路基板間を接続する導電性バンプの融点よりも低いことが望ましい。
【０１３４】
上記導電性ボール４６やＴピンをパッド上に接合する導電性接着剤としては、上記導電性バンプの融点Ｔ１および半田バンプの融点Ｔ２よりも融点の高いＳｎ／Ｓｂ系半田、Ｓｎ／Ａｇ系半田、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ系半田、Ｓｎ／Ｃｕ系半田などを用いることが好ましい。
【０１３５】
上記（１）〜（１６）の工程にしたがう実施形態によれば、本発明にかかる多層化回路基板６０は、片面回路基板Ａと２枚の片面回路基板Ｂ１、Ｂ２を同一方向に積層すると共に、最も外側に位置する片面回路基板Ｂ２の導電性バンプ側の表面に対して、マット面が対向するように銅箔３０を対向配置させた状態で、加熱プレスすることによって、片面回路基板同士を接着すると共に銅箔３０を片面回路基板Ｂ２に圧着して多層化した後、片面回路基板Ａの銅箔１２と片面回路基板Ｂ２に圧着された銅箔３０とをエッチング処理して、それぞれ導体回路３６および３８を形成し、さらに、片面回路基板Ｂ２の導体回路３８側の面に対して、片面回路基板Ｂ３，Ｂ４の導電性バンプ側の面を対向配置させた状態で、加熱プレスすることによって多層化したが、このような実施形態の他に、以下の▲１▼〜▲２▼に記載したような実施形態を採用することもできる。
【０１３６】
▲１▼  同一材料で形成された３枚の片面回路基板Ｂ１〜Ｂ３を同一方向に向けて順次積層すると共に、最も外側に位置する片面回路基板Ｂ３の導電性バンプ側の表面に対して、マット面を有する銅箔３０を対向配置させた状態で、真空加熱プレスにより片面回路基板同士を接着すると共に銅箔３０を片面回路基板Ｂ３に圧着して多層化する。そのような多層化の後、最上層の片面回路基板Ｂ１にエッチング保護フィルム２５を貼付した状態で、エッチング処理を施して、片面回路基板Ｂ３に圧着された銅箔３０を選択的にエッチングして所定パターンを有する導体回路３８を形成する。
その後、片面回路基板Ｂ３の導体回路３８側の面に対して、片面回路基板Ｂ４，Ｂ５の導電性バンプ側の面を対向配置させた状態で、真空加熱プレスすることによって多層化する。
【０１３７】
▲２▼  図６（ａ）に示すように、片面回路基板Ａの導電性バンプ側の表面に塗布すべき接着剤層２６に代えて、銅箔接着用の樹脂接着剤３６を塗布し、半硬化状態を保持した片面回路基板Ａに対して、マット面を有する銅箔３０を対向配置させ、加熱プレスによって、片面回路基板Ａに銅箔３０を圧着した後（図６（ｂ）参照）、エッチング処理を施して、片面回路基板Ａの表裏両面にそれぞれ所定パターンを有する導体回路６２および６４を形成して、両面回路基板Ｃを形成する（図６（ｃ）参照）。その後、同一方向に向けて順次積層された片面回路基板Ｂ１〜Ｂ２、および片面回路基板Ｂ３〜Ｂ４を両面回路基板Ｃの表裏面に対して積層した状態で、真空加熱プレスによって片面回路基板Ｂ１、Ｂ２と、両面回路基板Ｃと、片面回路基板Ｂ３、Ｂ４とを一体化する。
【０１３８】
上述した実施の形態では、５枚の片面回路基板または４枚の片面回路基板と１枚の両面回路基板とを積層一体化して、５層に多層化したが、４層以下でも、６層以上でも必要に応じた多層化が可能である。
【０１３９】
【実施例】
（実施例１‐１）
（１）  まず、多層化回路基板を構成する片面回路基板を製作する。この回路基板は、エポキシ樹脂をガラスクロスに含潰させてＢステージとしたプリプレグと、銅箔とを積層して加熱プレスすることにより得られる片面銅張積層板を出発材料として用いる。
【０１４０】
この絶縁性基材１０の厚さは７５μｍ、銅箔１２の厚さは１０μｍであり、この積層板の銅箔形成面と反対側の表面に、厚みが１０μｍの粘着剤層を有し、かつフィルム自体の厚みが１２μｍであるようなＰＥＴフィルム１４をラミネートする。
【０１４１】
（２）  ついで、ＰＥＴフィルム１４上から炭酸ガスレーザ照射を行って、ＰＥＴフィルム１４および絶縁性基材１０を貫通して銅箔１２に至るバイアホール形成用開口１６を形成し、さらにその開口１６内を酸素プラズマ放電によってデスミア処理した。または、過マンガン酸、クロム酸等の酸化剤もしくは塩酸、硫酸等の酸などに浸漬させる湿式のデスミア処理を行ってもよい。
【０１４２】
この実施例においては、バイアホール形成用の開口の形成には、三菱電機製の高ピーク短パルス発振型炭酸ガスレーザ加工機を使用し、全体として厚さ２０μｍのＰＥＴフィルムを樹脂面にラミネートした、基材厚７５μｍのガラス布エポキシ樹脂基材に、マスクイメージ法でＰＥＴフィルム側からレーザビーム照射して１００穴／秒のスピードで、１５０μｍφのバイアホール形成用の開口を形成した。
【０１４３】
（３）  デスミア処理を終えた絶縁性基材１０の銅箔貼付面にＰＥＴフィルム１５を貼り付け、以下のような条件で、銅箔１２をめっきリードとする電解銅めっき処理を施して、開口１６内に電解銅めっき１８を充填して充填バイアホール２０を形成した。その際、電解銅めっきは開口１６の上部にわずかに露出したので、サンダーベルト研磨およびバフ研磨によって露出部分を除去して平坦化してもよい。
【０１４４】
〔電解銅めっき水溶液〕
硫酸                ：１８０±５  ｇ／ｌ
硫酸銅              ：７８±２  ｇ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、商品名：カパラシドＧＬ）：１  ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度            ：２±０．１  Ａ／ｄｍ２
時間                ：３０±２  分
温度                ：２５±１  ℃
【０１４５】
（４）  さらに、以下のような条件で、電解半田めっき処理を施して、開口１６に充填された銅めっき層１８上に半田めっき層を形成して、絶縁性基材１０の表面から１０μｍ突出する導電性バンプ２４を形成する。
〔電解半田めっき溶液〕
硫酸第一スズ（ＳｎＳＯ４）    ：５０±３  ｇ／ｌ
硫酸                  ：９±１  ｍｌ／ｌ
Ｃｕの濃厚液          ：１０±５  ｍｌ／ｌ
安定剤                ：１  ｇ／ｌ
添加剤                ：１５±５  ｍｌ／ｌ
（電解半田めっき条件）
温度                  ：２０±１  ℃
電流密度              ：０．４０±０．１０  Ａ／ｄｍ２
【０１４６】
Ｃｕの濃厚液にはＣｕ２＋とその錯体を形成するものを用いることができる。この場合、例えば、硫酸銅（ＣｕＳＯ４）、塩化銅（ＩＩ）（ＣｕＣｌ２）などがそれに該当する。また、安定剤としては、例えば、スズの安定剤（一例としてトップフリードＳＣＳ奥野製薬社製）、反応安定剤などの反応を安定化させるものを用いることができる。添加剤としては、液の添加剤（一例としてトップフリードＳＣＳ  奥野製薬社製）金属膜の光沢を向上させるもの、液分解抑制させるものなどを用いることができる。
なお、半田めっき溶液は、めっき層の金属組成比がＳｎ／Ｃｕ＝９９．３／０．７となるように調整され、このような半田めっきにより形成された導電性バンプ２４をなすＳｎ−Ｃｕ半田の融点Ｔ１は、２２７℃であった。
【０１４７】
（５）  次に、上記（３）で絶縁性基材１０に貼付したＰＥＴフィルム１５を剥離させた後、絶縁性基材１０の半田バンプ２４側の全面にエポキシ樹脂接着剤を塗布し、プレキュアして、多層化のための接着剤層２６を形成した。
上記（１）〜（５）にしたがって作製した片面回路基板Ａは、多層化の際に、最も上層に配置されるべき回路基板である。
【０１４８】
（６）  上記（１）〜（４）の工程と同様の処理をした後（図２（ａ）〜（ｄ）参照）、絶縁性基材１０の銅箔貼付面からＰＥＴフィルム１５を剥離させ、絶縁性基材１０の半田バンプ側の表面にエッチング保護フィルム２５を貼付した状態で、銅箔１２に適切なエッチング処理を施し、所定パターンを有する導体回路２８を形成した（図２（ｅ）参照）。
【０１４９】
（７）  次いで、上記（６）で得た導体回路２８の表面に、無電解めっき浴として、ホウフッ化スズ−チオ尿素液を用い、２０℃前後で約５分のめっき条件にて、無電解めっき処理を施して、厚さ０．１μｍのスズ薄膜層（図示を省略）を形成した。
【０１５０】
（８）  上記（６）で絶縁性基材１０に貼付したエッチング保護フィルム２５を剥離させた後、絶縁性基材１０の半田バンプ２４側の全面にエポキシ樹脂接着剤を塗布し、プレキュアして、各回路基板を接着して多層化するための接着剤層２６を形成した（図２（ｆ）参照）。
【０１５１】
上記（６）〜（８）の工程にしたがって作製される片面回路基板Ｂは、片面回路基板Ａとの組み合わせで多層化される基板であり、この実施例では３枚が作製された。
【０１５２】
（９）  上記３枚の片面回路基板Ｂに加えて、マット面を有する銅箔３０が圧着される片面回路基板Ｂとして、上記（６）〜（７）の工程と同様の処理をした後、上記（８）のような接着剤に代えて、マット面を有する銅箔３０を絶縁性基材１０上に効果的に接着するためのエポキシ樹脂接着剤が塗布され、１００℃で３０分間の乾燥を行って厚さ２０μｍの樹脂接着剤層３２が形成された。
【０１５３】
（１０）  上記（１）〜（５）にしたがって作製した片面回路基板Ａと、上記（６）〜（８）にしたがって作製した１枚の片面回路基板Ｂ１と、上記（９）にしたがって作製した片面回路基板Ｂ２とを、同一方向に、しかも所定位置に順次積層した後、最も外側に位置する片面回路基板Ｂ２の半田バンプ側の面に対して、片面がマット処理されて、その表面粗度が３μｍであり、厚さが１０μｍの銅箔３０を、そのマット面を対向させた状態で、加熱温度１８０℃、加熱時間７０分、圧力５ＭＰａ、真空度２．５×１０３Ｐａの条件のもとで、加熱プレスすることによって、各片面回路基板Ａ，Ｂ１，Ｂ２間を接着すると共に、銅箔３０を片面回路基板Ｂ２の半田バンプ側の面に接着して多層化した。
【０１５４】
（１１）  その後、多層化された基板の最上層に位置する片面回路基板Ａおよび最下層に位置する片面回路基板Ｂ２上の銅箔１２および３０に、適切なエッチング処理により導体回路３６および３８（バイアホールランドを含む）を形成した。
【０１５５】
（１２）  上記（１０）で多層化され、上記（１１）で回路形成された積層体の片面回路基板Ｂ２の導体回路３８側の面に対して、片面回路基板Ｂ３〜Ｂ４の導電性バンプ側の面を対向配置させた状態で、加熱温度１８０℃、加熱時間７０分、圧力５ＭＰａ、真空度２．５×１０３Ｐａの条件のもとで、加熱プレスすることによって、上記（１１）で得られた積層体と、各片面回路基板Ｂ３，Ｂ４との間を接着して多層化した。
【０１５６】
（１３）  上記（１）〜（１２）の工程にしたがって作製した多層化基板の最上層および最下層に位置する回路基板ＡおよびＢ４の表面に、ソルダーレジスト層３７および３９を形成する前に、必要に応じて、銅−ニッケル−リンからなる粗化層を設ける。
【０１５７】
（１４）  一方、ＤＭＤＧに溶解させた６０重量％のクレゾールノポラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）を４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート１００１）１４．１２１重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ６０４）１．５重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、ＤＰＥ６Ａ）３０重量部、アクリル酸エステル重合物からなるレベリング剤（共栄社製、ポリフローＮｏ．７５）０．３６重量部を混合し、この混合物に対して光開始剤としてのペンゾフェノン（関東化学製）２０重量部、光増感剤としてのＥＡＢ（保土ヶ谷化学製）０．２重量部を加え、さらにＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジメチルエーテル）１０重量部を加えて、粘度を２５℃で１．４±０．３Ｐａ・Ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、ＤＶＬ‐Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。また、ソルダーレジストとしては、市販されているものを用いてもよい。
【０１５８】
（１５）  上記（１２）で得られた多層化基板の最上層および最下層の回路基板の表面に、前記（１４）で得られたソルダーレジスト組成物を２５μｍの厚さで塗布した。
次いで、７０℃で２０分間、１００℃で３０分間の乾燥処理を行った後、クロム層によってソルダーレジスト開口部の円パターン（マスクパターン）が描画された厚さ５ｍｍのソーダライムガラス基坂を、クロム層が形成された側をソルダーレジスト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ現像処理した。さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件で加熱処理し、パッド部分に対応した開口４０および４２を有する（開口径２００μｍ）ソルダーレジスト層３７および３９（厚み２０μｍ）を形成した。
【０１５９】
（１６）  次に、ソルダーレジスト層３７および３９を形成した基板を、塩化ニッケル３０ｇ／１、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／１、クエン酸ナトリウム１０ｇ／１からなるｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層を形成した。
【０１６０】
さらに、その基板を、シアン化金力リウム２ｇ／１、塩化アンモニウム７５ｇ／１、クエン酸ナトリウム５０ｇ／１、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／１からなる無電解金めっき液に９３℃の条件で２３秒間浸漬して、ニッケルめっき層上に厚さ０．０３μｍの金めっき層を形成し、ニッケルめっき層と金めっき層とからなる被覆金属層５０を形成した。
場合によっては、スズもしくは金、銀、白金などの貴金属層の単層を形成してもよい。
【０１６１】
（１７）  そして、最上層の片面回路基板Ａを覆うソルダーレジスト層３７の開口４０から露出する半田パッドに対して、融点Ｔ２が約１８３℃のＳｎ／Ｐｂ半田からなる半田ペーストを印刷して１９０℃でリフローすることにより、半田バンプ４４を形成し、最下層の片面回路基板Ｂ４を覆うソルダーレジスト層３９の開口４２から露出する半田パッドに対して、融点Ｔ３が約２３０℃のＳｎ／Ｓｂ半田を供給して２３０℃近傍の雰囲気内でリフローすることによって、半田ボール４６を接続させて、多層化回路基板６０を製作した。
【０１６２】
（実施例１−２）
実施例１−１とほぼ同様であるが、（４）の工程において、電解めっきにより導電性バンプを形成することに代えて、Ｓｎ／Ｃｕの組成比が９９．５／０．５であるような半田ペーストを用いて、マスクを使用した印刷法によって形成した。
【０１６３】
（実施例１−３）
実施例１−１とほぼ同様であるが、（４）の工程において、電解めっきにより導電性バンプを形成することに代えて、Ｓｎ／Ｃｕの組成比が９３．０／７．０であるような半田ペーストを用いて、マスクを使用した印刷法によって形成した。
【０１６４】
（実施例１−４）
実施例１−１とほぼ同様であるが、（４）の工程において、電解めっきにより導電性バンプを形成することに代えて、Ｓｎ／Ｃｕの組成比が９５．０／５．０であるような半田ペーストを用いて、マスクを使用した印刷法によって形成した。
【０１６５】
（実施例１−５）
実施例１−１とほぼ同様であるが、（４）の工程において、電解めっきにより導電性バンプを形成することに代えて、Ｓｎ／Ｃｕの組成比が９９．９／０．１であるような半田ペーストを用いて、マスクを使用した印刷法によって形成した。
【０１６６】
（実施例１−６）
実施例１−１とほぼ同様であるが、（４）の工程において、電解めっきにより導電性バンプを形成することに代え、Ｓｎ／Ｃｕの組成比が９９．９３／０．０７であるような半田ペーストを用いて、マスクを使用した印刷法によって導電性バンプを形成した。
【０１６７】
（実施例１−７）
実施例１−１とほぼ同様であるが、（４）の工程において、電解めっきに代えて、Ｓｎ／Ｃｕの組成比が９２．８／７．２であるような半田ペーストを用いて、マスクを使用した印刷法によって導電性バンプを形成した。
【０１６８】
（実施例１−８）
実施例１−１とほぼ同様であるが、（４）の工程において、電解めっきに代えて、Ｓｎ／Ｃｕの組成比が８９．０／１１．０であるような半田ペーストを用いて、マスクを使用した印刷法によって導電性バンプを形成した。
【０１６９】
（参考例１）
実施例１−１とほぼ同様であるが、（４）の工程において、電解めっきに代えて、Ｓｎ／Ｚｎの組成比が９１．０／９．０であるような半田ペースト（融点１９９℃）を用いて、マスクを使用した印刷法によって導電性バンプを形成した。
【０１７０】
（参考例２）
実施例１−１とほぼ同様であるが、（４）の工程において、電解めっきに代えて、Ｓｎ／Ｚｎの組成比が９９．５／０．５であるような半田ペースト（融点１８８℃）を用いて、マスクを使用した印刷法によって導電性バンプを形成した。
【０１７１】
（参考例３）
実施例１−１とほぼ同様であるが、（４）の工程において、電解半田めっき溶液およびめっき条件を変えて、以下のような条件で、電解半田めっき処理を施して、導電性バンプを形成した。
〔電解半田めっき溶液〕
Ｓｎの濃厚液      ：１２０±１０  ｍｌ／ｌ
Ａｇの濃厚液      ：９±１  ｍｌ／ｌ
安定剤            ：１２．５±０．５  ｍｌ／ｌ
添加剤            ：３００±１０  ｍｌ／ｌ
（電解半田めっき条件）
温度              ：２０±１  ℃
電流密度          ：０．４０±０．１０  Ａ／ｄｍ２
Ｓｎの濃厚液にはＳｎ２＋とその錯体を形成するものを用いることができる。この場合、例えば、硫酸スズ（ＳｎＳＯ４）、塩化スズ（ＳｎＣｌ２）、Ｋ２Ｓｎ（ＯＨ）６、ホウフッ化スズＳｎ（ＢＦ４）２、Ａｇの濃厚液にはＡｇ２＋とその錯体を形成するものを用いることができる。この場合、たとえば、硫酸銀（ＡｇＳＯ４）、塩化銀（ＩＩ）（ＡｇＣｌ２）などがそれに該当する。また、安定剤としては、例えば、安定剤（一例としてＴＣ−ＲＢ２  ディップソール社製）、反応安定剤などの反応を安定化させるものを用いることができる。添加剤としては、液の添加剤（一例としてＴＣ−Ｃ  ディップソール社製）金属膜の光沢を向上させるもの、液分解抑制させるものなどを用いることができる。
なお、半田めっき溶液は、めっき層の金属組成比がＳｎ／Ａｇ＝９６．５／３．５となるように調整され、このような半田めっきにより形成された導電性バンプ２４をなすＳｎ−Ａｇ半田の融点Ｔ１は、２２１℃であった。
【０１７２】
（参考例４）
実施例１−１とほぼ同様であるが、（４）の工程において、電解めっきに代えて、Ｓｎ／Ｓｂの組成比が９５．０／５．０であるような半田ペースト（融点２４０℃）を用いて、マスクを使用した印刷法によって導電性バンプを形成した。
【０１７３】
（比較例１）
実施例１−１とほぼ同様であるが、（４）の工程において、電解半田めっき溶液およびめっき条件を変えて、以下のような条件で、電解半田めっき処理を施して、導電性バンプを形成した。
〔電解半田めっき溶液〕
Ｓｎ（ＢＦ４）２      ：６５±５  ｍｌ／ｌ
Ｐｂ（ＢＦ４）２      ：２０±２  ｍｌ／ｌ
ＨＢＦ４            ：２００±１０  ｍｌ／ｌ
添加剤              ：２０  ｇ／ｌ
安定剤              ：４０  ｍｌ／ｌ
（電解半田めっき条件）
温度                ：２０℃
電流密度            ：０．３８±０．１０  Ａ／ｄｍ２
なお、半田めっき溶液は、めっき層の金属組成比がＳｎ／Ｐｂ＝６５／３５となるように調整され、このような半田めっきにより形成された導電性バンプ２４をなすＳｎ−Ｐｂ半田の融点Ｔ１は、１８３℃であった。
【０１７４】
（比較例２）
実施例１−１とほぼ同様であるが、（４）の工程において、電解めっきに代えて、Ｓｎ／Ｂｉの組成比が４２．０／５８．０であるような半田ペースト（融点１３８℃）を用いて、マスクを使用した印刷法によって導電性バンプを形成した。
【０１７５】
上記実施例１（実施例１‐１〜１‐７）、参考例１（参考例１‐１〜１‐４）、および比較例１、２により製造された多層化回路基板について、各５ピースずつ製造し、それらに対して信頼性試験としての高温放置試験（１５０℃、５００時間、１０００時間、２０００時間毎に評価）を行なった後に、導通試験を行なった。
その際に、５ピースの全てについて短絡が発生しなかった場合を○とし、１ピースまたは２ピースについて短絡が発生した場合には△とし、３ピース以上の短絡が発生した場合には×として示した。
表１は、これらの導通試験の結果を示す。
【０１７６】
【表１】
2004335505.tif 000003
【０１７７】
上記導通試験の結果から分るように、導電性バンプの材料として、Ｃｕを含有した半田が、参考例１〜４に示したＳｎ／Ｚｎ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｓｂ等のＺｎや、Ａｇ、Ｐｂを含有する半田と同様に、比較例１、２に示したＳｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／ＢｉのようなＰｂやＢｉを含有する半田よりも信頼性に優れているということである。
【０１７８】
たとえば、Ｃｕの含有比を０．１〜７ｗｔ％とした場合、１５０℃の環境下で最大２０００時間までの高温放置試験を行った際、これらの実施例については、１５０℃、１０００時間の高温放置試験では、短絡の発生が全く認められない、つまり導電性バンプの溶融などが発生していないということが確認された。
【０１７９】
そして、Ｃｕの含有比を０．５〜５ｗｔ％に制限した場合には、１５０℃の環境下で最大２０００時間の高温放置試験を行なっても、短絡の発生が全く認められない。それ故に、そのような範囲であれば、Ｃｕの含有量が多少のバラツキが発生したとしても、０．１〜７ｗｔ％の範囲に収まるということであり、この範囲が最も望ましい範囲である。
【０１８０】
上記信頼性試験の結果からわかるように、多層配線基板を構成する各回路基板を電気的に接続する第１の導電性バンプが、Ｃｕを含有する半田から形成され、その融点Ｔ１が、多層配線基板の最外層に配設され、かつＩＣチップ等の電子部品を実装するための第２の導電性バンプの融点Ｔ２よりも高くなる（Ｔ１＞Ｔ２）ように、Ｃｕの含有比を所定範囲内に調整することによって、１５０℃の環境下で最大２０００時間の高温放置試験を行なっても、短絡発生を完全に阻止することができる。
【０１８１】
さらに、上記試験結果からわかることは、第１の導電性バンプの融点Ｔ１は、２２０℃以上を確保することができ、その融点Ｔ１が第２の導電性バンプ（Ｓｎ／Ｐｂ）の融点Ｔ２（＝１８３℃）よりも５℃以上高い場合には、信頼性が低下することがないことが確認された。
【０１８２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の多層回路基板によれば、積層化の際に各回路基板間を電気的接続する導電性バンプの再溶融による拡散が効果的に抑制され得るので、隣接するパッド間の短絡や、回路基板間の位置ずれを防止することができる。
【０１８３】
したがって、積層される各回路基板間の電気的接続性や密着強度を向上させることができるとともに、最外層の回路基板上にＩＣチップ等の電子部品を半田バンプを介して確実に実装できるとともに、半田ボール、Ｔピン等の外部接続用端子も確実に実装することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｅ）は、本発明にかかる多層化回路基板を構成する片面回路基板Ａの製造工程の一部を示す図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、本発明にかかる多層化回路基板を構成する片面回路基板Ｂの製造工程の一部を示す図である。
【図３】本発明にかかる多層化回路基板の製造工程の一部を示す図であり、３枚の片面回路基板と銅箔との積層状態を示す。
【図４】本発明にかかる多層化回路基板の製造工程の一部を示す図であり、一体化された３枚の片面回路基板と銅箔との積層体に、他の２枚の片面回路基板を積層した状態を示す。
【図５】本発明にかかる多層化回路基板を示す図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）  は、本発明にかかる多層化回路基板を構成する両面回路基板の製造工程の一部を示す図である。
【図７】本発明にかかる多層化回路基板を構成する片面回路基板と両面回路基板との積層状態を示す図である。
【図８】図６に示す積層状態にある片面回路基板と両面回路基板とを積層・一体化した多層化回路基板を示す図である。
【符号の説明】
１０  絶縁性樹脂基材
１２  銅箔
１４  保護フィルム
１６  バイアホール形成用開口
１８  電解銅めっき
２０  充填バイアホール
２４  導電性バンプ
２６  樹脂接着剤層
２８  導体回路
３０  銅箔
３２  樹脂接着剤層
３６  導体回路
３７  ソルダーレジスト層
３８  導体回路
３９  ソルダーレジスト層
４０，４２  開口
４４  半田バンプ
４６  半田ボール
５０  金属層
６２、６４  導体回路
７２、７４  導体回路
Ａ，Ｂ  片面回路基板
Ｃ  両面回路基板
【図１】
2004335505.tif 000004
【図２】
2004335505.tif 000005
【図３】
2004335505.tif 000006
【図４】
2004335505.tif 000007
【図５】
2004335505.tif 000008
【図６】
2004335505.tif 000009
【図７】
2004335505.tif 000010
【図８】
2004335505.tif 000011