(57)【要約】【課題】歩留まりを向上させることのできる有機発光パネルの製造装置および有機発光表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】有機層を形成する有機層成膜部１１０と、界面層および第２電極を形成する第２電極成膜部１２０と、真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で欠陥検査を行う欠陥検査部１３０とが、中間室１４０および基板授受機構１６０を介して大気開放せずに結合されている。有機層成膜部１１０で有機層を形成したのち、界面層および第２電極の形成前に、欠陥検査部１３０で欠陥検査を行う。剥離ができない保護膜を成膜してしまう前に、不良の基板を選別して不良基板排出口１３０Ａから排出し、良品の基板のみ継続して成膜を行う。不良の基板は、欠陥を含む有機層を剥離する再生処理ののち、再び有機層から成膜を行う。欠陥検査は、第２電極の形成後かつ保護膜の形成前に行ってもよい。【選択図】      図４
2004319321.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極が形成された基板に、発光層を含む有機層、第２電極および保護膜が順次積層されてなる複数の有機発光素子を備えた有機発光表示装置の製造装置であって、
前記第１電極が形成された基板に、少なくとも前記有機層および前記第２電極を真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で連続して形成する複数の成膜部と、
前記複数の成膜部の間で前記基板を真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で搬送する搬送機構と、
前記有機層および前記第２電極のうち少なくとも一方の欠陥検査を真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で行うと共に、不良と判断された前記基板を外部へ放出するための不良基板排出口を有する欠陥検査部と、
前記欠陥検査部と前記複数の成膜部との間で大気開放を行わずに前記基板を搬送する基板授受機構と
を備えたことを特徴とする有機発光表示装置の製造装置。
【請求項２】
前記複数の成膜部は、前記有機層を形成する有機層成膜部と、前記第２電極を形成する第２電極成膜部とを含む
ことを特徴とする請求項１記載の有機発光表示装置の製造装置。
【請求項３】
前記欠陥検査部は、前記有機層成膜部と前記第２電極成膜部との間に設けられ、または接続された
ことを特徴とする請求項２記載の有機発光表示装置の製造装置。
【請求項４】
前記欠陥検査部は、前記第２電極成膜部の後段に設けられ、または接続された
ことを特徴とする請求項２記載の有機発光表示装置の製造装置。
【請求項５】
前記複数の成膜部は、更に、前記保護膜を形成する保護膜成膜部を含む
ことを特徴とする請求項２記載の有機発光表示装置の製造装置。
【請求項６】
前記欠陥検査部は、前記第２電極成膜部と前記保護膜成膜部との間に設けられ、または接続された
ことを特徴とする請求項５記載の有機発光表示装置の製造装置。
【請求項７】
前記有機層成膜部は、前記有機層を成膜する前の前処理を行う前処理部を備えた
ことを特徴とする請求項２記載の有機発光表示装置の製造装置。
【請求項８】
前記複数の成膜部は、更に、前記第１電極の表面に正孔注入用薄膜層を形成する正孔注入用薄膜層成膜部を含む
ことを特徴とする請求項２記載の有機発光表示装置の製造装置。
【請求項９】
前記第２電極成膜部は、前記有機層と前記第２電極との間に界面層を形成する界面層成膜室と、前記第２電極を形成する第２電極成膜室とを備えた
ことを特徴とする請求項２記載の有機発光表示装置の製造装置。
【請求項１０】
前記有機層成膜部および前記第２電極成膜部のうち少なくとも一方と前記欠陥検査部とを接続し、真空あるいは不活性ガス気密下で前記基板を受け渡し可能な中間室を備えた
ことを特徴とする請求項２記載の有機発光表示装置の製造装置。
【請求項１１】
前記欠陥検査部は、隣接パターンを比較するダイツーダイ方式により前記欠陥検査を行う
ことを特徴とする請求項１記載の有機発光表示装置の製造装置。
【請求項１２】
第１電極が形成された基板に、発光層を含む有機層、第２電極および保護膜を順次積層して複数の有機発光素子を形成する有機発光表示装置の製造方法であって、
前記有機層の形成後かつ前記第２電極の形成前、および前記第２電極の形成後かつ前記保護膜の形成前のうち少なくとも一方において欠陥検査を行い、不良と判断された前記基板についてはそれ以降の成膜を中断する
ことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
少なくとも前記有機層および前記第２電極を、真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で連続して成膜する
ことを特徴とする請求項１２記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記有機層または前記第２電極が形成され欠陥検査を受けるまで前記基板を大気開放せずに搬送し、前記欠陥検査を真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で行う
ことを特徴とする請求項１３記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
不良と判断された前記基板を大気中に放出し、前記第１電極を破壊せずに前記有機層以降に積層された部分を除去して前記基板を再生し、再度前記有機層から連続して成膜する
ことを特徴とする請求項１２記載の有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機層から第２電極あるいは保護膜までを一貫して成膜する有機発光表示装置の製造装置および方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、有機発光素子を用いた有機発光ディスプレイが、その液晶には無い高速応答性、自発発光性、低消費電力性、色品位の良好性に注目され、生産にむけて開発がなされている。有機発光素子は、例えばアクティブマトリクス駆動の場合、基板に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  ）等の駆動素子や画素素子を形成した後、第１電極、発光層を含む有機層および第２電極を順次形成することにより形成される。第２電極の上には、必要に応じて、封止用の保護膜を形成する。
【０００３】
有機発光素子は、他の平面ディスプレイ素子（例えば液晶表示素子、プラズマ表示素子、電界電子放射型表示素子）と比較して、発光に寄与する有機層や電極が湿気などの水分や酸素などのガスに対して脆弱であり、大気解放してしまうと素子特性を損なってしまうことが知られている。そのため、有機層あるいは電極が大気へ暴露されることを避ける目的から、またハンドリングによるダストあるいはパーティクルの付着による歩留まり低下の抑制も目的として、更にダークスポットの低減および長寿命化を目的として、第１電極を形成してから以降の有機層および第２電極、更には保護膜の形成に至るまでの工程を、真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で、一貫して成膜できるような装置が提案されている。
【０００４】
このような一貫成膜装置としては、例えば、基板搬送機構を有し、有機層成膜前に脱水べークを行った後有機層、第２電極、更に封止層の成膜までを行うものがある（例えば、特許文献１参照。）。また、上面出射方式の有機発光素子の第１電極、有機層および第２電極を連続して成膜できるようにしたもの（例えば、特許文献２参照。）、あるいは高分子材料よりなる有機層を用いた有機発光素子に関して、高分子材料の塗布、焼成および第２電極の形成までを一貫して行うようにしたもの（例えば、特許文献３参照。）などがある。
【０００５】
更に、このような一貫成膜装置では、各種前処理あるいは後処理も含めて行うようにしたものもある。例えば、基板の前処理を行う洗浄室、基板の受け渡しを行う中間室、および本番の成膜を行う真空室が、一貫して大気開放せずに処理できるようにした製造装置が提案されている（例えば、特許文献４参照。）。あるいは、成膜終了後のシールド工程への搬送およびシールド工程を不活性ガス中で一貫して行うようにしたものもある（例えば、特許文献５参照。）。
【０００６】
また、有機発光ディスプレイなどのディスプレイの製造においては、歩留まり向上が重要課題である。シリコン（Ｓｉ）等の基板に作成される半導体集積回路においては、最小加工寸法がサブクオーターミクロン領域となり、チップこそディスプレイパネルに比較して大幅に小さいもののパーティクルなどの異物あるいは加工ミスによる欠陥の低減は重要課題となっているが、ディスプレイにおいても、最小加工寸法は数十ミクロンと大きいもののデバイスの面積がはるかに半導体集積回路よりも大きいため、同様に欠陥の低減は歩留まり向上のキーとなっている。
【０００７】
ディスプレイの欠陥検査方法としては半導体のフォトリソグラフィ用マスク基板において行われているような、光学式の検査方法が最も一般的と考えられる。ただし、半導体の場合には検査しなければならない欠陥の最小サイズがサブミクロン領域であるのに対し、有機発光素子では画素そのものが数十ミクロン程度の大きさがあるため、欠陥検出感度ははるかに緩いものでよい。しかし、ディスプレイパネルは半導体集積回路に比べて大面積であるために、必要な検査面積は大きい。
【０００８】
画素を検査する場合、正方形あるいは長方形などの同じ形状を有するパターンが格子状あるいは千鳥状に整然と並んでいる非常に単純なパターンであるため、時間を非常に多く要するダイとデータベース（設計データ）との比較検査は必要でなく、隣接するパターンを高速で比較してゆき、異なる部分を検出するダイとダイとの比較による検査を行うことで充分と考えられる。このような比較検査法としては、従来では、例えば、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ；液晶ディスプレイ）基板に関して、複眼の光学系を用いたパターン検査方法および検査装置が提案されている（例えば、特許文献６参照。）。また、例えば、ピッチが異なる繰り返しパターンが含まれる基板の欠陥検査を空間フィルターを組み合せることにより実現した例（例えば、特許文献７参照。）がある。この他にも、繰り返しパターンの検査を行う方法（例えば、特許文献８参照。）、繰り返しパターンを高速に比較検査を行う方法（例えば、特許文献９ないし特許文献１２参照。）などが開示されている。これらの開示例は半導体集積回路あるいはそれの製造に用いるレティクルのような、ディスプレイに比べるとはるかにパターン寸法が小さいものに適用することを目的としているものも多いが、寸法が緩いディスプレイにも充分応用が可能と思われる。
【０００９】
【特許文献１】
米国特許出願公開第２００２／００３８９９７号明細書
【特許文献２】
特開２００２−１５８０９０号公報
【特許文献３】
特開２００１−１０２１７０号公報
【特許文献４】
特開２０００−３５３５９３号公報
【特許文献５】
特開平１０−２４１８５８号公報
【特許文献６】
特開平６−２０２１２９号公報
【特許文献７】
特開平６−２５８２３９号公報
【特許文献８】
特開平９−５０５８号公報
【特許文献９】
特開平５−２６４４６４号公報
【特許文献１０】
特開平５−２６４４６５号公報
【特許文献１１】
特開平５−２６４４６６号公報
【特許文献１２】
特開平５−２６４４６７号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
このように、比較検査においても多数の技術が開発、開示され、スタンドアロンでは、多くの検査機器メーカーにより多くの欠陥検査装置あるいは外観検査装置が主として半導体集積回路用途ではあるが、市場に供給されている。また、上述したように、有機発光素子は他の平面ディスプレイ素子と異なり大気開放してしまうと特性が損なわれるので、一貫成膜が推奨され、そのような製造装置が開発されている。しかしながら、従来では、連続成膜途中での欠陥検査が行える機能を具備した一貫成膜装置は存在せず、一貫成膜が完了した後に欠陥検査を行って、その結果欠陥があり製品として使用できないことが判明しても、工程を後戻りすることはできず、なすすべがないという状況であった。
【００１１】
一般的に欠陥が発見された場合、これらを修正したり、場合によってはそれ以降の処理を中止することにより、良品のみを最終工程まで直線プロセスによって流していくことが行われている。有機発光ディスプレイの製造においても、要所要所の工程において生産性を下げない範囲で欠陥を検査し、これを修正することは重要であると考える。
【００１２】
また、従来不良品として廃棄されている有機発光ディスプレイの基板には、ＴＦＴおよび第１電極も形成されている。これらＴＦＴおよび第１電極は、洗浄、アニ−ル、真空成膜（スパッタリング、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ；化学気相成長）、蒸着など）、リソグラフィー、エッチング、イオン注入などの多数の工程を組み合わせて形成されたものであり、ＴＦＴおよび第１電極が形成された基板は、経済的付加価値が相当高まっている。しかしながら、従来では、上述したように有機層あるいは第２電極の欠陥を、大気開放できない成膜プロセスの途中で検出し、修正あるいは除去することができない。すなわち成膜プロセスを終了した最終工程まで到達してから、途中の工程で生じた欠陥が検出できたとしても、既にその上に膜が形成されてしまっているので、その欠陥を修正あるいは除去することができない。したがって、多数の工程を経て付加価値の高まった貴重な蓄積資産である基板を無駄にせざるを得ない。
【００１３】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、一貫成膜の途中でも必要に応じて欠陥検査を可能とし、歩留り向上性に優れた有機発光表示装置の製造装置および有機発光表示装置の製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明による有機発光表示装置の製造装置は、第１電極が形成された基板に、発光層を含む有機層、第２電極および保護膜が順次積層されてなる複数の有機発光素子を備えた有機発光表示装置を製造するものであって、第１電極が形成された基板に、少なくとも有機層および第２電極を真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で連続して形成する複数の成膜部と、複数の成膜部の間で基板を真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で搬送する搬送機構と、有機層および第２電極のうち少なくとも一方の欠陥検査を真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で行うと共に、不良と判断された基板を外部へ放出するための不良基板排出口を有する欠陥検査部と、欠陥検査部と複数の成膜部との間で大気開放を行わずに基板を搬送する基板授受機構とを備えたものである。
【００１５】
本発明による有機発光表示装置の製造方法は、第１電極が形成された基板に、発光層を含む有機層、第２電極および保護膜を順次積層して複数の有機発光素子を形成し、有機発光表示装置を製造するものであって、有機層の形成後かつ第２電極の形成前、および第２電極の形成後かつ保護膜の形成前のうち少なくとも一方において欠陥検査を行い、不良と判断された基板についてはそれ以降の成膜を中断するようにしたものである。このとき、少なくとも有機層および第２電極を、真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で連続して成膜することが好ましい。また、有機層または第２電極が形成され欠陥検査を受けるまで基板を大気開放せずに搬送し、欠陥検査を真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で行うことが好ましい。更に、不良と判断された基板を大気中に放出し、第１電極を破壊せずに有機層以降に積層された部分を除去して基板を再生し、再度有機層から連続して成膜することが好ましい。
【００１６】
本発明による有機発光表示装置の製造装置では、複数の成膜部と欠陥検査部とを、基板授受機構により大気開放を行わずに結合させるようにしたので、複数の成膜部により連続成膜が行われると共に、連続成膜途中で素子の特性を損なうおそれなく欠陥検査が行われ、不良と判断された基板は、不良基板排出口から外部へ放出される。
【００１７】
本発明による有機発光表示装置の製造方法では、有機層の形成後かつ第２電極の形成前、および第２電極の形成後かつ保護膜の形成前のうち少なくとも一方において欠陥検査が行われ、不良と判断された基板についてはそれ以降の成膜が中断される。有機層は、無機材料よりなる第１電極に比べて比較的容易に除去されやすく、第２電極は、無機材料よりなるが、第１電極に比べて比較的薬液などに弱く除去されやすい場合がある。よって、本発明の製造方法で欠陥検査を行うことにより、除去不可能な保護膜が形成されて工程の後戻りが不可能になる前に、有機層あるいは第２電極の欠陥が発見されて基板の良・不良が判別され、良品の基板のみに対して一貫成膜を継続することができる。また、不良の基板に対しては、欠陥を含む有機層あるいは第２電極を除去する再生処理により、欠陥を修正あるいは除去することが可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
〔第１の実施の形態〕
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る有機発光表示装置の製造装置により製造される有機発光表示装置の構成の一例を表している。この有機発光表示装置は、例えば、素子パネル１０と封止パネル３０とが対向配置され、例えば熱硬化性樹脂よりなる接着層４０により全面が貼り合わされている。素子パネル１０は、ガラスなどの絶縁材料よりなる基板１１の上に、ＴＦＴ１２および平坦化層１３を介して、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に設けられている。
【００２０】
ＴＦＴ１２のゲート電極（図示せず）は、図示しない走査回路に接続され、ソースおよびドレイン（いずれも図示せず）は、例えば酸化シリコンあるいはＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）などよりなる層間絶縁膜１２Ａを介して設けられた配線１２Ｂに接続されている。配線１２Ｂは、層間絶縁膜１２Ａに設けられた図示しない接続孔を介してＴＦＴ１２のソースおよびドレインに接続され、信号線として用いられる。配線１２Ｂは、例えばアルミニウム（Ａｌ），  アルミニウム（Ａｌ）―銅（Ｃｕ）合金もしくはアルミニウム（Ａｌ）―シリコン（Ｓｉ）合金により形成されている。なお、ＴＦＴ１２の構成は特に限定されず、例えば、ボトムゲート型でもトップゲート型でもよい。
【００２１】
平坦化層１３は、ＴＦＴ１２が形成された基板１１の表面を平坦化し、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各層の膜厚を均一に形成するためのものである。平坦化層１３には、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極１４と配線１２Ｂとを接続する接続孔１３Ａが設けられている。平坦化層１３は、微細な接続孔１３Ａが形成されるため、パターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化層１３の材料としては、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ２  ）などの無機材料を用いることができる。本実施の形態では、平坦化層１３は、例えばポリイミド等の有機材料により構成されている。
【００２２】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、例えば、基板１１の側から、ＴＦＴ１２および平坦化層１３を介して、陽極としての第１電極１４、正孔注入用薄膜層１５、絶縁膜１６、発光層を含む有機層１７、界面層１８および陰極としての第２電極１９および保護膜２０がこの順に積層されている。
【００２３】
第１電極１４は、反射層としての機能も兼ねており、例えば、積層方向の厚み（以下、単に「厚み」という。）を例えば２００ｎｍ程度とし、白金（Ｐｔ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），クロム（Ｃｒ）またはタングステン（Ｗ）などの金属または合金により構成されている。
【００２４】
正孔注入用薄膜層１５は、有機層１７への正孔注入効率を高めるためのものであり、第１電極１４よりも仕事関数の高い材料により構成されている。正孔注入用薄膜層１５は、例えばクロム（Ｃｒ），ニッケル（Ｎｉ），コバルト（Ｃｏ），モリブデン（Ｍｏ），白金（Ｐｔ）あるいはシリコン（Ｓｉ）などの金属、またはこれらのうちの少なくとも１種を含む合金、またはこれら金属あるいは合金の酸化物あるいは窒化物、またはＩＴＯなどの透明導電性材料により構成されている。正孔注入用薄膜層１５の厚みは、構成材料の光の透過率と導電率とに応じて決定することが好ましい。例えば、酸化クロム（Ｃｒ２  Ｏ３  ）などの導電率のあまり高くない酸化物あるいは窒化物により構成する場合は薄い方が好ましく、例えば５ｎｍ程度とされることが好ましい。また、導電率が高く透過率が低い金属により構成する場合にも薄い方が好ましく、例えば数ｎｍとされることが好ましい。一方、導電率、透過率共に高いＩＴＯにより構成する場合には数ｎｍから数十ｎｍ程度まで厚くすることが可能である。
【００２５】
絶縁膜１６は、第１電極１４と第２電極１９との絶縁性を確保すると共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける発光領域の形状を正確に所望の形状とするためのものであり、例えば、酸化シリコンあるいはポリイミドなどの絶縁材料により構成されている。絶縁膜１６の厚みは例えば６００ｎｍ程度とされ、発光領域に対応して開口部１６Ａが設けられている。
【００２６】
有機層１７は、有機発光素子の発光色によって構成が異なっている。図２は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｂにおける有機層１７の構成を拡大して表すものである。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｂの有機層１７は、正孔輸送層１７Ａ，発光層１７Ｂおよび電子輸送層１７Ｃが第１電極１４の側からこの順に積層された構造を有している。正孔輸送層１７Ａは、発光層１７Ｂへの正孔注入効率を高めるためのものである。発光層１７Ｂは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層１７Ｃは、発光層１７Ｂへの電子注入効率を高めるためのものである。
【００２７】
有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１７Ａは、例えば、厚みを例えば２００ｎｍ程度とし、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの発光層１７Ｂは、例えば、厚みが５０ｎｍ程度であり、２，５−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）―Ｎ−フェニルアミノ］］スチリルベンゼン―１，４−ジカーボニトリル（ＢＳＢ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層１７Ｃは、例えば、厚みが５０ｎｍ程度であり、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３  ）により構成されている。
【００２８】
有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層１７Ａは、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの発光層１７Ｂは、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）により構成されている。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層１７Ｃは、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、Ａｌｑ３  により構成されている。
【００２９】
図３は、有機発光素子１０Ｇにおける有機層１７の構成を拡大して表すものである。有機発光素子１０Ｇの有機層１７は、正孔輸送層１７Ａおよび発光層１７Ｂが第１電極１４の側からこの順に積層された構造を有している。
【００３０】
有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層１７Ａは、例えば、厚みが５０ｎｍ程度であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの発光層１７Ｂは、例えば、厚みが６０ｎｍ程度であり、Ａｌｑ３  にクマリン６（Ｃ６；Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を１体積％混合したものにより構成されている。
【００３１】
図１ないし図３に示した界面層１８は、第２電極１９からの電子注入を補助して発光効率を高めるものである。また、界面層１８は、第２電極１９が水分などにより酸化するのを防止し、ダークスポットの発生および成長による有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの劣化を抑制する保護膜としての機能も有している。界面層１８は、例えば厚みが１ｎｍ程度の極めて薄い絶縁膜であり、酸化リチウム（ＬｉＯ）あるいはフッ化リチウム（ＬｉＦ）などの無機材料により構成されている。これらの材料は、副次的に正孔を遮蔽する役割を有している場合もある。
【００３２】
図１ないし図３に示した第２電極１９は、半透過性電極により構成されており、発光層で発生した光は第２電極１９の側から取り出されるようになっている。第２電極１９は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属または合金により構成されている。
【００３３】
図１に示した保護膜２０は、例えば、厚みが５００ｎｍ以上１００００ｎｍ以下であり、大気あるいは水分を遮断するパッシベーション膜である。保護膜２０は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２  ），窒化シリコン（ＳｉＮ），窒酸化シリコン（ＳｉＯｘ  Ｎｙ  ），ダイヤモンド膜，ダイヤモンド類似カーボン膜，塗布焼成型のシロキサンポリマー膜，フッ素樹脂あるいは合成樹脂などにより構成されている。保護膜２０は、単層構造でもよいし多層構造でもよいが、第２電極１９に直接接する層は、一般的に無機材料により構成され、スパッタリング法，ＣＶＤ法あるいは抵抗加熱蒸着法などにより成膜可能なものが好ましい。
【００３４】
封止パネル３０は、素子パネル１０の第２電極１９の側に位置しており、接着層４０と共に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止する封止用基板３１を有している。封止用基板３１は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板３１には、例えば、カラーフィルター３２が設けられており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光を取り出すと共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。
【００３５】
図４は、このような有機発光表示装置を製造するための製造装置１００Ａの構成を表したものである。この製造装置１００Ａは、第１電極１４、正孔注入用薄膜層１５および絶縁層１６が形成された基板１１に、有機層１７、界面層１８および第２電極１９を連続して一貫成膜する一貫成膜装置であり、有機層１７を形成する有機層成膜部１１０と、界面層１８および第２電極１９を形成する第２電極成膜部１２０とを備えている。また、この製造装置１００Ａは、欠陥検査部１３０を備えており、有機層１７から第２電極１９までの一貫成膜の途中で欠陥検査を行うことができるようになっている。欠陥検査部１３０は、有機層成膜部１１０と第２電極成膜部１２０との間に中間室１４０を介して接続されている。有機層成膜部１１０，第２電極成膜部１２０，欠陥検査部１３０および中間室１４０は、気密に連結されている。
【００３６】
有機層成膜部１１０と第２電極１２０との間には、中間室１４０を介して基板１１を搬送する搬送機構１５０が設けられている。また、欠陥検査部１３０と有機層成膜部１１０および第２電極成膜部１２０との間には、中間室１４０を介して基板１１を搬送する基板授受機構１６０が設けられている。有機層成膜部１１０には基板投入口１７０が設けられ、第２電極成膜部１２０には良品基板排出口１８０が設けられ、欠陥検査部１３０には不良基板排出口１３０Ａが設けられている。
【００３７】
図５は、有機層成膜部１１０の構成例を表している。有機層成膜部１１０は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの有機層１７を真空中あるいは不活性ガス中で形成するものであり、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応した三つの有機層成膜室１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂを備えている。有機層成膜室１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂは、有機層１７が大気中に暴露されるのを防ぎ、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの劣化を防止するため、例えばアルミニウム（Ａｌ）合金あるいはステンレス鋼などの金属材料により構成されており、大気とは分離され、真空あるいは不活性ガスをパージ可能となっている。有機層成膜室１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂは、装置自体としてはいずれも同じものであるが、後述する蒸着源の坩堝にそれぞれ異なる有機材料を収容することにより、有機層成膜室１１１Ｒは有機発光素子１０Ｒの有機層１７を形成し、有機層成膜室１１１Ｇは有機発光素子１０Ｇの有機層１７を形成し、有機層成膜室１１１Ｂは有機発光素子１０Ｂの有機層１７を形成するように構成されている。
【００３８】
また、有機層成膜部１１０は、基板投入口１７０から基板１１が供給される基板供給部１１２と、基板１１に対してクリーニングあるいは活性化等の前処理が行われる前処理部１１３とを備えている。
【００３９】
更に、有機層成膜室１１１Ｒの前段階として、有機発光素子１０Ｒの有機層１７を形成するために基板１１と図示しないメタルマスクとの位置合わせ（精密アライメント）および固定を行うアライメント部１１４Ｒが設けられている。同様に、有機層成膜室１１１Ｇの前段階として、有機発光素子１０Ｇの有機層１７を形成するために基板１１とメタルマスクとの位置合わせおよび固定を行うアライメント部１１４Ｇが設けられ、有機層成膜室１１１Ｂの前段階として、有機発光素子１０Ｂの有機層１７を形成するために基板１１とメタルマスクとの位置合わせおよび固定を行うアライメント部１１４Ｂが設けられている。アライメント部１１４Ｒ，１１４Ｇ，１１４Ｂにおける位置合わせは、例えば、予め付されたアライメントマークを画像処理等によって検出および認識することなどによって行うことが可能である。また、アライメント調整および固定については、例えば、周知のハンドリングロボットなどを用いて行うことができる。メタルマスクは、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通のメタルマスクを用いて各色ごとに位置を変更してもよいし、各色ごとに別のメタルマスクを用いてもよい。
【００４０】
加えて、有機層成膜部１１０は、基板１１とメタルマスクとの分離等の後処理を行う後処理部１１５と、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの有機層１２が形成された後の基板１１を搬送機構１５０へと排出する基板排出部１１６とを備えている。
【００４１】
有機層成膜室１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂの構成要素としては、例えば、通常の抵抗加熱蒸着などの真空成膜装置に必要なものを備えていればよい。有機層成膜室１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂでは、例えば、図示しないが、チャンバ内に一つ以上の蒸着源と基板１１とが対向配置されている。蒸着源としては、例えば、有機層１７の正孔輸送層１７Ａ，発光層１７Ｂおよび電子輸送層１７Ｃのそれぞれの有機材料を収容した坩堝と、この坩堝を保持して抵抗加熱を行う熱源と、坩堝内の有機材料が所定の温度に達するまで蒸着を防ぐシャッターと、基板１１に成膜される有機層１７の膜厚をモニタする膜厚検出機構とを備えたものを用いることができる。坩堝に収容される有機材料は、例えば発光層１７Ｂなどについてはホスト材料およびゲスト材料を混合したものとすることができる。また、坩堝を複数設けて共蒸着としてもよい。膜厚検出機構としては、通常水晶振動子を用いるものなどを使用することができる。また、有機層成膜室１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂは、有機層１７の膜厚の均一性を保つための成膜板と、基板１１を保持するパレットと、基板１１を単独であるいはパレットと共に移動可能なステージと、基板１１を移動させる移動機構とを有している。基板１１の移動方式は、自転、公転あるいは揺動など特に限定されない。
【００４２】
図６は、第２電極成膜部１２０の構成例を表している。第２電極成膜部１２０は、界面層１８および第２電極１９を真空中あるいは不活性ガス中で形成するものであり、界面層成膜室１２１および第２電極成膜室１２２を備えている。界面層成膜室１２１および第２電極成膜室１２２は、有機層１７が大気中に暴露されるのを防ぎ、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの劣化を防止するため、例えばアルミニウム（Ａｌ）合金あるいはステンレス鋼などの金属材料により構成されており、大気とは分離されている。界面層成膜室１２１および第２電極成膜室１２２は、界面層１８および第２電極１９を形成するための通常のスパッタリング装置，ＣＶＤ装置，抵抗加熱蒸着装置あるいはＥＢ蒸着装置などの真空成膜装置により構成されている。
【００４３】
また、第２電極成膜部１２０は、搬送機構１５０から基板１１が供給される基板供給部１２３と、界面層１８および第２電極１９が形成された後の基板１１を良品基板排出口１８０へと排出する基板排出部１２４とを備えている。
【００４４】
図７は、欠陥検査部１３０の構成例を表している。欠陥検査部１３０は、例えば、有機層１７が形成された基板１１のマークあるいはマーク相当物（いずれも図示せず）を少なくとも１つ以上読み取るマーク読取り機構１３１と、光学式で基板１１を縦あるいは横方向にスキャンしながら欠陥検査を行う光学系１３２と、基板授受機構１６０との間で基板１１を授受し、基板１１を保持して移動させるステージ１３３と、光学系１３２により得られたデータに基づいて基板１１の良・不良を判別する判別部１３４とを備えている。なお、光学系１３２は、電子光学系を用いることも可能である。
【００４５】
欠陥検査部１３０は、隣接する有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのパターンを比較するダイツーダイ方式により欠陥検査を行うことが好ましい。欠陥検査に要する時間が短縮されるからである。また、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、上述したように正方形あるいは長方形などの同じ形状を有し、格子状あるいは千鳥状に整然と並んでいる非常に単純なパターンであるので、時間を非常に多く要するダイとデータベース（設計データ）との比較検査は必要でないからである。
【００４６】
判別部１３４による欠陥判別手法は、特に限定されない。例えば、判別部１３４は、あらかじめ与えられた欠陥の検出基準値を超えたものを欠陥と判別し欠陥の検出基準値を超えないものを欠陥でないと判別する機能を有し、かつ１枚の基板１１でいくつの欠陥があるかを累積して積算してあらかじめ決められた欠陥許容数を超えた場合は基板１１が不良であると判断する機能を有するようにすることができる。あるいは、判別部１３４は、許容できない欠陥サイズをいくつかにランク分けしておきそれぞれの欠陥サイズ帯域でそれぞれいくつの欠陥があるかを累積して積算してそれぞれの帯域であらかじめ決められた欠陥許容数を超えた場合は基板１１が不良であると判断する機能を有するようにしてもよい。
【００４７】
図１および図７に示した不良基板排出口１３０Ａは、欠陥検査部１３０の判別部１３４により不良と判別された基板１１を外部へ放出するものである。不良の基板１１が排出される外部空間は、真空中あるいは不活性ガス雰囲気中である必要はなく、大気中でよい。排出された不良の基板１１は、この後、後述する再生処理に付されるので、大気中に放出されて有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの特性が損なわれても不都合はないからである。不良基板排出口１３０Ａは、ロードロック機構を備えていることが好ましい。他の連続成膜途中の基板１１に悪影響を及ぼすことを防止することができるからである。
【００４８】
図１に示した中間室１４０は、有機層成膜部１１０と第２電極成膜部１２０と欠陥検査部１３０とを結合し、有機層成膜部１１０と欠陥検査部１３０との間、あるいは第２電極成膜部１２０と欠陥検査部１３０との間で、真空中あるいは不活性ガス気密下で基板１１を受け渡し可能となっている。
【００４９】
搬送機構１５０は、有機層成膜部１１０と第２電極成膜部１２０との間で、中間室１４０を介して、真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で搬送するものである。搬送機構１５０としては、基板１１の移動を真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で行う必要があること、および蒸着によるゴミの問題などを考慮して、例えば、基板１１を搭載した台車を閉じたワイヤに接続し、そのワイヤを外部からサーボモータ等により定速駆動して引っ張る、というような簡素な方式を採用することが可能である。ただし、脱ガスの対策などがなされていれば、周知技術であるボールネジあるいはベルトコンベア等による搬送方式を用いてもよい。あるいは、低発塵モータを駆動動力に用いるロボット型の搬送メカニズムを使用してもよい。
【００５０】
基板授受機構１６０は、欠陥検査部１３０と有機層成膜部１１０および第２電極成膜部１２０との間で、中間室１４０を介して、大気開放を行わずに基板１１を授受するものである。基板授受機構１６０は、搬送機構１５０と同様に構成することが可能である。
【００５１】
基板投入口１７０は、絶縁膜１６まで形成された基板１１が投入されるものである。また、良品基板排出口１８０は、第２電極１９まで形成された基板１１が次工程へと排出されるものである。基板投入口１７０および良品基板排出口１８０は、ロードロック機構を備えていることが好ましい。
【００５２】
図８は、このような製造装置１００Ａによる有機発光表示装置の製造工程を表すものである。まず、図９（Ａ）に示したように、ＴＦＴ１２，平坦化層１３，第１電極１４，正孔注入用薄膜層１５および開口部１６Ａを有する絶縁膜１６までが形成された基板１１を、基板投入口１７０から製造装置１００Ａに投入する（ステップＳ２０１）。
【００５３】
次に、有機層成膜部１１０において、図９（Ｂ）に示したように有機層１７を形成する（ステップＳ２０２）。ここで形成された有機層１７には、ごみまたはメタルマスクの凹あるいは凸などのさまざまな原因により、成膜不良などの欠陥が生じている可能性がある。
【００５４】
有機層１７を形成したのち、界面層１８および第２電極１９の形成前に欠陥検査を行う（ステップＳ２０３）。有機層１７が形成された基板１１を搬送機構１５０により中間室１４０へ、更に基板授受機構１６０により欠陥検査部１３０へと搬送する。欠陥検査部１３０では、光学系１３２により有機層１７の欠陥検査が行われる。欠陥検査は、上述したように、隣接するパターンとのダイツーダイ方式による比較検査により行うのが好ましい。
【００５５】
有機層１７の欠陥検査を行ったのち、欠陥検査部１３０の判別部１３４により、基板１１が良品か否かを判別する（ステップＳ２０４）。判別部１３４による判別方法は、上述した通りである。基板１１が良品と判別された場合（ステップＳ２０４；Ｙ）には、基板１１を基板授受機構１６０により中間室１４０へ搬送し、更に搬送機構１５０により第２電極成膜部１２０へ搬送する。第２電極成膜部１２０においては、図１０に示したように界面層１８０および第２電極１９が形成される（ステップＳ２０５）。第２電極１９が形成された基板１１は、良品基板排出口１８０から排出される（ステップＳ２０６）。
【００５６】
良品基板排出口１８０から排出された基板１１には、図１１に示したように保護膜２０を形成する（ステップＳ２０７）。続いて、図１２に示したように接着層４０を形成し、図１に示したように素子パネル１０と封止パネル３０とを接着層４０を介して貼り合わせる。
【００５７】
欠陥検査部１３０の判別部１３４により、基板１１が不良と判別された場合（ステップＳ２０４；Ｎ）には、不良と判別された基板１１についてはそれ以降の成膜を中断し、不良基板排出口１３０Ａから大気中へ放出する（ステップＳ２０８）。これにより、除去不可能な保護膜２０が形成されて工程の後戻りが不可能になる前に、有機層１７の欠陥を発見して基板１１の良・不良を判別し、良品の基板１１のみに対して一貫成膜を継続することができる。よって、歩留りを著しく高めることができる。また、不良の基板１１に対しては以下のような再生処理により欠陥を修正あるいは除去することが可能となり、貴重な蓄積資産である基板１１を廃棄せず有効利用することができる。
【００５８】
不良と判別され、大気中へ放出された基板１１に対しては、再生処理を行うようにすることが好ましい（ステップＳ２０９）。再生処理は、基板１１に形成されているＴＦＴ１２，平坦化層１３，第１電極１４，正孔注入用薄膜層１５および絶縁膜１６を破壊しないようにして、有機層１７以降に積層された部分を除去し、図９（Ａ）に示したような製造装置１００Ａに投入されたときの状態に戻す処理である。本実施の形態では有機層１７のみが形成された段階で再生処理を行うので、有機層１７のみを剥離すればよい。有機層１７は、無機材料よりなる第１電極１４あるいは正孔注入用薄膜層１５に比べて除去されやすく、再生処理で欠陥を含む有機層１７のみを除去すれば、もう一度有機層１７から成膜をやり直すことができる。
【００５９】
再生処理における有機層１７の剥離は、例えば、有機溶媒による剥離、エッチング後の残留レジストなどの剥離に用いられる剥離液を用いた剥離、第１電極１４が耐性を有する酸による剥離、プラズマを用いるアッシング、オゾンによるアッシングなどの工程を単独あるいは複数組合せて行うことが可能である。有機溶媒としては、例えば、ジメチルフォルムアミド，ジメチルスルフォキシド，ヘキサメチルフォスフォリックトリアミド，アセトン，塩化メチレン，クロロフォルム，トリクレン，ベンゼン，トルエン，キシレンあるいはクロロベンゼンなどが用いられる。剥離液としては、例えば、フェノール系有機物を含有する洗浄剥離液、アルキルベンゼンスルフォン酸塩などを含有する剥離液、界面活性剤を含有する剥離液などを用いることができる。第１電極１４が耐性を有する酸としては、例えば硫酸過水などが使用可能である。
【００６０】
再生処理が完了したのち、図９（Ａ）に示した状態の基板１１を再び製造装置１００Ａに投入し（ステップＳ２０１）、再び有機層１７から連続して成膜する。
【００６１】
このように本実施の形態では、有機層成膜部１１０および第２電極成膜部１２０と欠陥検査部１３０とを、基板授受機構１６０により大気開放を行わずに結合させるようにしたので、有機層１７から第２電極１９までを一貫成膜する途中で素子の特性を損なうおそれなく欠陥検査を行うことができる。
【００６２】
また、有機層１７の形成後かつ第２電極１９の形成前に欠陥検査を行い、不良と判断された基板１１についてはそれ以降の成膜を中断するようにしたので、除去不可能な保護膜２０が形成されて工程の後戻りが不可能になる前に、基板１１の良・不良を判別し、良品の基板１１のみに対して一貫成膜を継続することができる。よって、従来のように欠陥を放置したまま製造するのに比べて、歩留りを著しく高めることができると共に、生産コストおよび不良品率を低減させることができる。
【００６３】
更に、不良と判別された基板１１に対しては、欠陥を含む有機層１７を除去する再生処理を行って有機層１７からもう一度成膜をやり直すようにすれば、貴重な蓄積資産である基板１１を廃棄せずに有効利用することができる。
【００６４】
〔変形例１〕
次に、本発明の変形例１について説明する。本変形例の製造装置１００Ｂは、図１３に示したように、第２電極成膜部１２０の後段に、保護膜２０を形成する保護膜成膜部２１０を備えたことを除き、第１の実施の形態と同様である。したがって、同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００６５】
保護膜成膜部２１０は、第２電極成膜部１２０と気密に連結されている。良品基板排出口１８０は、保護膜成膜部２１０に設けられている。保護膜成膜部２１０と第２電極成膜部１２０との間には、搬送機構１５０と同様の構成を有する搬送機構２２０が設けられている。
【００６６】
図１４は、保護膜成膜部２１０の構成例を表している。保護膜成膜部２１０は、保護膜２０を形成する保護膜成膜室２１１を備えている。保護膜成膜室２１１は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの劣化を防止するため、例えばアルミニウム（Ａｌ）合金あるいはステンレス鋼などの金属材料により構成されており、大気とは分離されている。また、保護膜成膜室２１１は、保護膜２０が真空中で形成される膜である場合には、スパッタリング装置，ＣＶＤ装置，抵抗加熱蒸着装置あるいはＥＢ蒸着装置などの真空成膜装置により構成され、保護膜２０が樹脂膜あるいはＳＯＧ膜である場合には、ロールコータあるいは回転塗布装置、および溶媒除去あるいは焼成のためのオーブンなどを備えている。なお、保護膜２０を積層構造とする場合などには、保護膜成膜室２１１を複数設けるようにしてもよい。
【００６７】
また、保護膜成膜部２１０は、搬送機構２２０から基板１１が供給される基板供給部２１２と、保護膜２０が形成された後の基板１１を良品基板排出口１８０へと排出する基板排出部２１３とを備えている。
【００６８】
図１５は、このような製造装置１００Ｂによる有機発光表示装置の製造工程を表すものである。まず、図９（Ａ）に示したようにＴＦＴ１２，平坦化層１３，第１電極１４，正孔注入用薄膜層１５および開口部１６Ａを有する絶縁膜１６までが形成された基板１１を、基板投入口１７０から製造装置１００Ｂに投入する（ステップＳ３０１）。次に、有機層成膜部１１０において、図９（Ｂ）に示したように有機層１７を形成する（ステップＳ３０２）。有機層１７を形成したのち、界面層１８および第２電極１９の形成前に欠陥検査部１３０において欠陥検査を行い（ステップＳ３０３）、基板１１が良品か否かを判別する（ステップＳ３０４）。基板１１が良品と判別された場合（ステップＳ３０４；Ｙ）には、第２電極成膜部１２０において、図１０に示したように界面層１８および第２電極１９を形成する（ステップＳ３０５）。続いて、搬送機構２２０により保護膜成膜部２１０へ基板１１を搬送し、図１１に示したように保護膜２０を形成する（ステップ３０６）。保護膜２０が形成された基板１１は、良品基板排出口１８０から排出される（ステップＳ３０７）。
【００６９】
欠陥検査部１３０の判別部１３４により、基板１１が不良と判別された場合（ステップＳ３０４；Ｎ）には、不良と判別された基板１１についてはそれ以降の成膜を中断し、不良基板排出口１３０Ａから大気中へ放出し（ステップＳ３０８）、再生処理を行う（ステップＳ３０９）。再生処理が完了したのち、図９（Ａ）に示した状態の基板１１を再び製造装置１００Ｂに投入し（ステップＳ３０１）、再び有機層１７から連続して成膜する。
【００７０】
このように本変形例では、保護膜成膜部２１０を設けるようにしたので、第１の実施の形態の効果に加えて、有機層１７から保護膜２０までを一貫成膜することができる。
【００７１】
〔変形例２〕
次に、本発明の変形例２について説明する。本変形例の製造装置１００Ｃは、図１６に示したように、第１電極１４の表面に、正孔注入用薄膜層１５を形成する正孔注入用薄膜層成膜部３１０を備えたことを除き、第１の実施の形態と同様である。したがって、同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００７２】
正孔注入用薄膜層成膜部３１０は、有機層成膜部１１０と気密に連結されている。基板投入口１７０は、正孔注入用薄膜層成膜部３１０に設けられている。正孔注入用薄膜層成膜部３１０と有機層成膜部１１０との間には、搬送機構１５０と同様の構成を有する搬送機構３２０が設けられている。
【００７３】
図１７は、正孔注入用薄膜層成膜部３１０の構成例を表している。正孔注入用薄膜層成膜部３１０は、正孔注入用薄膜層１５を真空中あるいは不活性ガス中で形成するものであり、正孔注入用薄膜層成膜室３１１を備えている。正孔注入用薄膜層成膜室３１１は、後続の工程で形成される有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの劣化を防止するため、例えばアルミニウム（Ａｌ）合金あるいはステンレス鋼などの金属材料により構成されており、大気とは分離されている。正孔注入用薄膜層成膜室３１１は、正孔注入用薄膜層１５を形成するための通常のスパッタリング装置，ＣＶＤ装置，抵抗加熱蒸着装置あるいはＥＢ蒸着装置などの真空成膜装置により構成されている。
【００７４】
また、正孔注入用薄膜層成膜部３１０は、基板投入口１７０から基板１１が供給される基板供給部３１２と、正孔注入用薄膜層１５が形成された後の基板１１を搬送機構３２０へと排出する基板排出部３１３とを備えている。
【００７５】
図１８は、このような製造装置１００Ｃによる有機発光表示装置の製造工程を表すものである。まず、図１９（Ａ）に示したようにＴＦＴ１２，平坦化層１３，第１電極１４および開口部１６Ａを有する絶縁膜１６までが形成された基板１１を、基板投入口１７０から製造装置１００Ｃに投入する（ステップＳ４０１）。次に、正孔注入用薄膜層成膜部３１０において、図１９（Ｂ）に示したように正孔注入用薄膜層１５を形成する（ステップＳ４０２）。このとき、正孔注入用薄膜層１５は、基板１１の全面に形成したのちリソグラフィ技術などによりパターニングしてもよく、絶縁膜１６の開口部１６Ａの部分にあわせて開口を有する図示しないエリアマスクを用いて形成し、パターニングを不要としても良い。
【００７６】
続いて、有機層成膜部１１０において、図２０（Ａ）に示したように有機層１７を形成する（ステップＳ４０３）。有機層１７を形成したのち、界面層１８および第２電極１９の形成前に欠陥検査部１３０において欠陥検査を行い（ステップＳ４０４）、基板１１が良品か否かを判別する（ステップＳ４０５）。基板１１が良品と判別された場合（ステップＳ４０５；Ｙ）には、第２電極成膜部１２０において、図２０（Ｂ）に示したように界面層１８および第２電極１９を形成する（ステップＳ４０６）。第２電極１９が形成された基板１１は、良品基板排出口１８０から排出される（ステップＳ４０７）。続いて、保護膜成膜部２１０において保護膜２０を形成する（ステップ４０８）。
【００７７】
欠陥検査部１３０の判別部１３４により、基板１１が不良と判別された場合（ステップＳ４０５；Ｎ）には、不良と判別された基板１１についてはそれ以降の成膜を中断し、不良基板排出口１３０Ａから大気中へ放出し（ステップＳ４０９）、再生処理を行う（ステップＳ４１０）。再生処理が完了したのち、図１９（Ａ）に示した状態の基板１１を再び製造装置１００Ｃに投入し（ステップＳ４０１）、再び有機層１７から連続して成膜する。
【００７８】
このように本変形例では、正孔注入用薄膜層成膜部３１０を設けるようにしたので、第１の実施の形態の効果に加えて、正孔注入用薄膜層１５，有機層１７から第２電極１９までを一貫成膜することができる。
【００７９】
〔変形例３〕
次に、本発明の変形例３について説明する。本変形例の製造装置１００Ｄは、図２１に示したように、中間室１４０を省略し、欠陥検査部１３０を有機層成膜部１１０と第２電極成膜部１２０との間に設けたことを除き、第１の実施の形態と同様の構成を有し、同様に作用し、同様の効果を得ることができる。
【００８０】
〔第２の実施の形態〕
図２２は本発明の第２の実施の形態に係る製造装置１００Ｅの構成を表すものである。この製造装置１００Ｅは、欠陥検査部１３０を、第２電極成膜部１２０と保護膜成膜部２１０との間に中間室１４０を介して接続し、第２電極１９の形成後かつ保護膜２０の形成前に欠陥検査を行うようにしたことを除いては、第１の実施の形態と同様である。したがって、同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。なお、中間室１４０を省略し、欠陥検査部１３０を第２電極成膜部１２０と保護膜成膜部２１０との間に設けるようにしてもよい。
【００８１】
図２３は、このような製造装置１００Ｅによる有機発光表示装置の製造工程を表すものである。まず、図９（Ａ）に示したようにＴＦＴ１２，平坦化層１３，第１電極１４，正孔注入用薄膜層１５および開口部１６Ａを有する絶縁膜１６までが形成された基板１１を、基板投入口１７０から製造装置１００Ｅに投入する（ステップＳ５０１）。次に、有機層成膜部１１０において、図９（Ｂ）に示したように有機層１７を形成する（ステップＳ５０２）。続いて、第２電極成膜部１２０において、図１０に示したように界面層１８および第２電極１９を形成する（ステップＳ５０３）。界面層１８および第２電極１９を形成したのち、保護膜２０の形成前に欠陥検査部１３０において欠陥検査を行い（ステップＳ５０４）、基板１１が良品か否かを判別する（ステップＳ５０５）。基板１１が良品と判別された場合（ステップＳ５０５；Ｙ）には、保護膜成膜部２１０において、図１１に示したように保護膜２０を形成する（ステップ５０６）。保護膜２０が形成された基板１１は、良品基板排出口１８０から排出される（ステップＳ５０７）。
【００８２】
欠陥検査部１３０の判別部１３４により、基板１１が不良と判別された場合（ステップＳ５０５；Ｎ）には、不良と判別された基板１１についてはそれ以降の成膜を中断し、不良基板排出口１３０Ａから大気中へ放出し（ステップＳ５０８）、再生処理を行う（ステップＳ５０９）。本変形例では有機層１７，界面層１８および第２電極１９が形成された段階で再生処理を行うので、有機層１７以降に積層された部分はすべて剥離する。界面層１８および第２電極１９は無機材料により構成されているが、第１電極１４に比べて比較的酸に弱い性質を有しており、あらかじめ硫酸過水などでこれらを除去したのちに、第１の実施の形態と同様にして有機層１７を剥離することが可能である。あるいは、第２電極１９，界面層１８および有機層１７を一気に剥離可能な場合もある。
【００８３】
再生処理が完了したのち、図９（Ａ）に示した状態の基板１１を再び製造装置１００Ｅに投入し（ステップＳ５０１）、再び有機層１７から連続して成膜する。
【００８４】
このように本実施の形態では、界面層１８および第２電極１９の形成後かつ保護膜２０の形成前に欠陥検査を行い、不良と判断された基板１１についてはそれ以降の成膜を中断するようにしたので、第１の実施の形態の効果に加えて、有機層１７だけでなく界面層１８および第２電極１９の欠陥も発見し、保護膜２０が形成されてしまい手遅れになってしまう前にそれらの欠陥を修正あるいは除去することができる。
【００８５】
〔第３の実施の形態〕
図２４は、本発明の第３の実施の形態に係る製造装置１００Ｆの構成を表すものである。この製造装置１００Ｆは、欠陥検査部１３０の廻りに有機層成膜部１１０，第２電極成膜部１２０および保護膜成膜部２１０をクラスタ状に配置したことを除き、第１の実施の形態と同様である。したがって、同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００８６】
本実施の形態では、欠陥検査部１３０が、有機層成膜部１１０および第２電極成膜部１２０の両方に中間室１４０を介して接続されているので、例えば、第１の実施の形態のように有機層１７の形成後かつ界面層１８および第２電極１９の形成前に欠陥検査を行ってもよいし、第２の実施の形態のように界面層１８および第２電極１９の形成後かつ保護膜２０の形成前に欠陥検査を行うことも可能である。あるいは、その両方において欠陥検査を行うようにしてもよい。なお、中間室１４０は省略可能である。
【００８７】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、有機層成膜部１１０，第２電極成膜部１２０，欠陥検査部１３０，保護層成膜部２１０および正孔注入用薄膜層成膜部３１０などの構成を具体的に挙げて説明したが、上記実施の形態において説明した全ての室などの構成要素を備える必要はなく、また、他の構成要素を備えていてもよい。例えば、有機層成膜部１１０は、前処理部１１３あるいは後処理部１１５を省略してもよい。
【００８８】
また、例えば、有機層成膜部１１０，第２電極成膜部１２０および保護層成膜部２１０などには、保守用窓あるいはマスク交換室などの付帯設備が設けられていてもよい。
【００８９】
更に、例えば、変形例１および変形例２についても、変形例３と同様に中間室１４０を省略することが可能である。
【００９０】
加えて、例えば、上記第２の実施の形態において、保護膜成膜部２１０を省略することも可能である。
【００９１】
更にまた、例えば、上記第２の実施の形態および第３の実施の形態においても、変形例２と同様に正孔注入用薄膜層成膜部３１０を追加するようにしてもよい。
【００９２】
加えてまた、上記変形例２で説明した正孔注入用薄膜層成膜部３１０は、有機層成膜部１１０の一部として設けるようにしてもよい。この場合、正孔注入用薄膜層成膜部３１０と有機層成膜部１１０の前処理部１１３との前後関係は特に限定されない。例えば、正孔注入用薄膜層成膜部３１０は、有機層成膜部１１０の基板供給部１１２と前処理部１１３との間に設けてもよく、前処理部１１３とアライメント部１１４Ｒとの間に設けてもよい。
【００９３】
更にまた、例えば、上記実施の形態では、有機発光表示装置の構成を具体的に挙げて説明したが、上記実施の形態において説明した全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、有機発光表示装置は、正孔注入用薄膜層１５を備えていなくてもよい。あるいは、有機発光表示装置は、界面層１８を備えていなくてもよく、その場合には、第２電極成膜部１２０は界面層成膜室１２１を省略可能である。
【００９４】
加えてまた、上記実施の形態においては、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの有機層１７が正孔輸送層１７Ａおよび発光層１７Ｂの２層構成あるいは正孔輸送層１７Ａ，発光層１７Ｂおよび電子輸送層１７Ｃの３層構成である場合について説明したが、有機層１７は第１電極１４および第２電極１９から注入される電子と正孔とがエネルギー準位を円滑に移動可能であり、発光効率および耐久性が確保されるような構成であればよく、上記した全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、正孔注入層、正孔阻止層、電子注入層あるいは電子阻止層などを追加してもよい。また、層を多機能化したり材料を混合したりすることにより層数を減少させてもよい。
【００９５】
更にまた、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、上記実施の形態においては、第１電極１４を反射層、第２電極１９を半透過性反射層とし、封止パネル３０の側から光を取り出すようにした場合について説明したが、第１電極１４をＩＴＯなどよりなる透明電極、第２電極１９を反射層として、基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。
【００９６】
加えてまた、例えば、上記実施の形態では、第１電極１４を陽極、第２電極１９を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極１４を陰極、第２電極１９を陽極としてもよい。この場合、第２電極１９の材料としては、仕事関数が高い金，銀，白金，銅などの単体または合金が好適であるが、正孔注入用薄膜層を設けることによって他の材料を用いることもできる。更に、第１電極１４を陰極、第２電極１９を陽極とすると共に、第１電極１４をＩＴＯなどよりなる透明電極、第２電極１９を反射層として、基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。
【００９７】
更にまた、上記実施の形態では、第２電極１９が半透過性反射層により構成されている場合について説明したが、第２電極１９は、半透過性反射層と透明電極とが第１電極１４の側から順に積層された構造としてもよい。この透明電極は、半透過性反射層の電気抵抗を下げるためのものであり、発光層で発生した光に対して十分な透光性を有する導電性材料により構成されている。透明電極を構成する材料としては、例えば、ＩＴＯまたはインジウムと亜鉛（Ｚｎ）と酸素とを含む化合物が好ましい。室温で成膜しても良好な導電性を得ることができるからである。透明電極の厚みは、例えば３０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることができる。
【００９８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の有機発光表示装置の製造装置によれば、欠陥検査部と複数の成膜部とを、基板授受機構により大気開放を行わずに結合させるようにしたので、有機層から第２電極までを一貫成膜する途中で素子の特性を損なうおそれなく欠陥検査を行うことができる。
【００９９】
本発明の有機発光表示装置の製造方法によれば、有機層の形成後かつ第２電極の形成前、および第２電極の形成後かつ保護膜の形成前のうち少なくとも一方において欠陥検査を行い、不良と判断された基板についてはそれ以降の成膜を中断するようにしたので、除去不可能な保護膜が形成されて工程の後戻りが不可能になる前に、基板の良・不良を判別し、良品の基板のみに対して一貫成膜を継続することができる。よって、歩留りを著しく高めることができると共に、生産コストおよび不良品率を低減させることができる。
【０１００】
本発明の一局面に係る有機発光表示装置の製造方法によれば、不良と判別された基板に対しては、欠陥を含む有機層あるいは第２電極を除去する再生処理を行って有機層からもう一度成膜をやり直すようにしたので、ＴＦＴおよび第１電極などが形成された貴重な蓄積資産である基板を廃棄せずに有効利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る有機発光表示装置の製造装置により製造される有機発光表示装置の構成の一例を表す断面図である。
【図２】図１に示した有機発光素子の構成を表す断面図である。
【図３】図１に示した有機発光素子の構成を表す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る有機発光表示装置の製造装置の構成を表す概略構成図である。
【図５】図４に示した有機層成膜部の構成を表す概略構成図である。
【図６】図４に示した第２電極成膜部の構成を表す概略構成図である。
【図７】図４に示した欠陥検査部の構成を表す概略構成図である。
【図８】図４に示した製造装置の動作を表す流れ図である。
【図９】図４に示した製造装置を用いた有機発光表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図１０】図９に続く工程を表す断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を表す断面図である。
【図１２】図１１に続く工程を表す断面図である。
【図１３】本発明の変形例１に係る有機発光表示装置の製造装置の構成を表す概略構成図である。
【図１４】図１３に示した保護膜成膜部の構成を表す概略構成図である。
【図１５】図１３に示した製造装置の動作を表す流れ図である。
【図１６】本発明の変形例２に係る有機発光表示装置の製造装置の構成を表す概略構成図である。
【図１７】図１６に示した正孔注入用薄膜層成膜部の構成を表す概略構成図である。
【図１８】図１６に示した製造装置の動作を表す流れ図である。
【図１９】図１６に示した製造装置を用いた有機発光表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図２０】図１９に続く工程を表す断面図である。
【図２１】本発明の変形例３に係る有機発光表示装置の製造装置の構成を表す概略構成図である。
【図２２】本発明の第２の実施の形態に係る有機発光表示装置の製造装置の構成を表す概略構成図である。
【図２３】図２２に示した製造装置の動作を表す流れ図である。
【図２４】本発明の第３の実施の形態に係る有機発光表示装置の製造装置の構成を表す概略構成図である。
【符号の説明】
１０…素子パネル、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…基板、１２…ＴＦＴ、１２Ａ…層間絶縁膜、１２Ｂ…配線、１３Ａ…接続孔、１４…第１電極、１５…正孔注入用薄膜層、１６…絶縁膜、１６Ａ…開口部、１７…有機層、１７Ａ…正孔輸送層、１７Ｂ…発光層、１７Ｃ…電子輸送層、１８…界面層、１９…第２電極、２０…保護膜、３０…封止パネル、３１…封止用基板、３２…カラーフィルタ、４０…接着層、１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ，１００Ｆ…製造装置、１１０…有機層成膜部、１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂ…有機成膜室、１１２，２１２，３１２…基板供給部、１１３…前処理部、１１４Ｒ，１１４Ｇ，１１４Ｂ…アライメント部、１１５…後処理部、１１６，２１３，３１３…基板排出部、１２０…第２電極成膜部、１２１…界面層成膜室、１２２…第２電極成膜室、１２３…基板供給部、１２４…基板排出部、１３０…欠陥検査部、１３０Ａ…不良基板排出口、１３１…マーク読取り機構、１３２…光学系、１３３…ステージ、１３４…判別部、１４０…中間室、１５０，２２０，３２０…搬送機構、１６０…基板授受機構、１７０…基板投入口、１８０…良品基板排出口、２１０…保護膜成膜部、２１１…保護膜成膜室、３１０…正孔注入用薄膜層成膜部、３１１…正孔注入用薄膜層成膜室
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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