(57)【要約】【課題】立ち上がり過渡振動が低減された駆動回路を提供すること。【解決手段】電気的に可変の電流によって、電子的構成部分を作動させる駆動回路であって、前記電流は、被制御形式において、少なくとも２つの不連続の電流強さの間で切換制御され、前記駆動回路は、少なくとも２つの不連続の電流強さの間での前記電気的可変電流の切換制御時に生じる立ち上がり過渡振動を緩和する回路要素を有している形式のものにおいて、前記駆動回路はカレントミラー回路を有しており、当該カレントミラー回路は、前記電気的可変電流の周波数に依存するミラー係数を有している、電子的構成部分を作動させる駆動回路。【選択図】図７
2004342089.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的可変電流によって、電子的構成部分（３６）を作動させる駆動回路（１６）であって、
前記電流は、制御されて、少なくとも２つの不連続の電流強さの間で切換制御され、
前記駆動回路（１６）は、少なくとも２つの不連続の電流強さの間での前記電気的可変電流の切換制御時に生じる立ち上がり過渡振動を緩和する回路要素を有している形式のものにおいて、
前記駆動回路（１６）はカレントミラー回路（３８）を有しており、
当該カレントミラー回路は、前記電気的可変電流の周波数に依存するミラー係数を有している、
ことを特徴とする、電子的構成部分を作動させる駆動回路。
【請求項２】
前記カレントミラー回路（３８）は、第１の供給電圧端子（１８）と制御電流源（４６）の間にある、基準抵抗（４２）と基準トランジスタ（４４）から成る第１の直列回路（４０）と、
第２の供給電圧端子（８７）と前記カレントミラー回路（３８）の出力側（３０）の間にある、さらなる抵抗（５０）とさらなるトランジスタ（５２）から成る第２の直列回路（４０）を有しており、
前記出力側を介して電子的構成部分（３６）が駆動制御され、
前記基準トランジスタ（４４）もさらなるトランジスタ（５２）も共通の制御電流源（４６）によって制御される、請求項１記載の駆動回路（１６）。
【請求項３】
前記カレントミラー回路（３８）はキャパシタンス（８８）を有しており、当該キャパシタンスは基準抵抗（４２）を橋絡している、請求項１または２記載の駆動回路（１６）。
【請求項４】
前記カレントミラー回路（３８）は、さらなる抵抗（５０）に直列接続されたインダクタンス（８６）を有している、請求項１から３までのいずれか１項記載の駆動回路（１６）。
【請求項５】
前記キャパシタンス（８８）は、複数の単独キャパシタンスによって実現されている、請求３項記載の駆動回路（１６）。
【請求項６】
前記インダクタンス（８６）は、第１の供給電圧端子（１８）と第２の供給電圧端子（８７）との間で導電性接続部分を間に接続することによって実現される、請求項３または４記載の駆動回路（１６）。
【請求項７】
前記導電性接続部分はボンディングワイヤによって実現される、請求項６記載の駆動回路（１６）。
【請求項８】
前記導電性接続部分は、前記カレントミラー回路（３８）を支持する、プリントされた回路上のストリップ状線路によって実現される、請求項６記載の駆動回路（１６）。
【請求項９】
前記基準トランジスタ（４４）およびさらなるトランジスタ（５２）は、バイポーラｐｎｐトランジスタまたはｐチャンネル電界効果トランジスタとして構成されている、請求項１から８までのいずれか１項記載の駆動回路（１６）。
【請求項１０】
前記基準トランジスタは（４４）およびさらなるトランジスタ（５２）は、バイポーラｎｐｎトランジスタまたはｎチャンネル電界効果トランジスタとして構成されている、請求項１から８までのいずれか１項記載の駆動回路（１６）。
【請求項１１】
ｐｎｐトランジスタのｎ−バスタブ形状部分またはｎｐｎトランジスタのｐ−バスタブ形状部分は、減衰抵抗（９０）を介して基準電位に接続されている、請求項９または１０記載の駆動回路（１６）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気的可変電流によって電子的構成部分を作動させる駆動回路に関する。この電流は、制御されて、少なくとも２つの不連続の電流強さの間で切換制御される。ここでこの駆動回路は、立ち上がり過渡振動を緩和する回路要素を有している。この立ち上がり過渡振動過程は、少なくとも２つの不連続の電流強さの間での電気的可変電流の切換制御時に生じる。
【背景技術】
【０００２】
この種の駆動回路によって作動される電子的構成部分の例はレーザーダイオードである。これらの特徴を有するレーザーダイオードを作動させる駆動回路は、欧州特許出願公開第８１０７００号公報から公知である。
【０００３】
レーザーダイオードに基づく半導体レーザは例えば、ＣＤおよびＤＶＤ等の記録媒体にデータを書き込むために用いられる。高速で行われるこの書き込みは、正確な時間的定義および正確な出力を有する光学的光パルスを必要とする。従って、光出力を生成するために、所定のレベルおよび正確な時間的特性を有する電流パルスを提供することができる駆動制御回路が必要になる。
【０００４】
このようなパルスの生成時には非常に一般的に、次のような問題が生じる。すなわち、第１のレベルから第２のレベルへの駆動電圧および／または駆動電流の切換制御時に、立ち上がり過渡振動（リンギング：ringing）が生じてしまうという問題である。このような立ち上がり過渡振動は望ましくないものである。
【０００５】
立ち上がり過渡振動時に生じる、理想的特性からの偏差の程度は、励振される振動回路のＱ値に依存する。
【０００６】
冒頭に記載した、ＥＰ８１０７００Ａ２号では、振動回路Ｑ値は、Ｒ−Ｃ構成要素の並列接続によって低減される。しかしこのような措置には問題がある。なぜなら、電流の上昇速度ないし下降速度を著しく低減させてしまうからである。さらなる欠点は、回避することができないケーシングキャパシタンスおよびボンディングキャパシタンスが作用を及ぼし、提案された措置の作用が低減されてしまうということである。さらに、駆動回路を集積回路として実現する場合、この提案を実現するのには、相当なチップ面積が必要である。
【特許文献１】ヨーロッパ特許出願公開第８１０７００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の課題は、立ち上がり過渡振動が低減された駆動回路を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の課題は、電気的可変電流によって、電子的構成部分を作動させる駆動回路であって、前記電流は、制御されて、少なくとも２つの不連続の電流強さの間で切換制御され、前記駆動回路は、少なくとも２つの不連続の電流強さの間での前記電気的可変電流の切換制御時に生じる立ち上がり過渡振動を緩和する回路要素を有している形式のものにおいて、前記駆動回路はカレントミラー回路を有しており、当該カレントミラー回路は、前記電気的可変電流の周波数に依存するミラー係数（Spiegelfaktor）を有している、ことを特徴とする、電子的構成部分を作動させる駆動回路によって解決される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
このような特徴部分の構成によって、上述の課題は完全に解決される。ミラー係数を総和において、周波数に依存して実現することによって、立ち上がり過渡振動が減少することが判明している。周波数に依存したミラー係数によって殊に、数百ｍＡまでの高い増幅の電流パルスを有するレーザーダイオードは、１ナノ秒より短い領域内の僅かな上昇時間および下降時間の場合に、低減された立ち上がり過渡振動（リンギング）によって駆動制御される。
【００１０】
有利には、カレントミラー回路は、第１の直列回路を有している。ここでこの直列回路は、基準抵抗と基準トランジスタから成る。この基準トランジスタは、第１の供給電圧端子と制御電流源の出力側の間に位置する。さらに、有利なカレントミラー回路は、さらなる抵抗およびさらなるトランジスタから成る第２の直列回路を有している。ここでこのさらなるトランジスタは、第２の供給電圧端子とカレントミラー回路の出力側の間に位置する。この出力側を介して、電子的構成部分が駆動制御される。ここで基準トランジスタも、さらなるトランジスタも、共通の制御電流源によって制御される。
【００１１】
このようなカレントミラー回路の利点は、このカレントミラー回路がモノリシックに集積可能であるということである。さらなる利点は、周波数ｆに依存するミラー係数Ｋ（ｆ）が回路技術的な手段によって実現されることである。ここでこの手段は、トランジスタの有効なコレクタ−ベースキャパシタンスを低減させ、さらに、大きなチップ面積を必要とせずにモノリシックに集積可能である。
【００１２】
さらに有利には、カレントミラー回路は、基準抵抗を橋絡するキャパシタンスを有している。
【００１３】
カレントミラー回路が、さらなる抵抗と直列接続されたインダクタンスを有しているのも有利である。
【００１４】
このような二つの措置は、それぞれ単独でも、相互に組み合わせても、周波数に依存するミラー係数Ｋ（ｆ）を実現するための回路技術的な措置である。これらの措置はそれぞれ、駆動回路の、効力を有するコレクタ−ベース−キャパシタンスを本質的に低減させる。
【００１５】
インダクタンスを挿入することおよび／またはキャパシタンスを並列接続することによって、駆動回路の、作用を及ぼすコレクタ−ベース−キャパシタンスの変位電流が、周波数を介して降下するミラー係数Ｋ（ｆ）によってのみ増幅される。この変位電流は実質的に基準トランジスタおよび抵抗を介して基準分岐において供給電圧へ流出する。
【００１６】
このような措置は、駆動回路の有効なコレクタ−ベース−キャパシタンスを低減させる。これによって基本的に、電流エッジがより急峻になる。周波数可変ミラー係数がエッジの急峻性を低減させるのと反するが、全体的に、殊にインダクタンスを接続することによって、エッジ急峻性は僅かにのみ低減されて、立ち上がり過渡振動（リンギング）は劇的に減少する。
【００１７】
レーザーダイオードの駆動制御へ適用する場合のさらなる利点は、レーザーダイオード電流の高い変化速度によってレーザーダイオードで生じる電圧降下がもはや駆動モジュールの供給電圧に入力結合されず、これによって駆動制御回路への不所望な影響が低減される、むしろ全く生じない。
【００１８】
さらに有利には、キャパシタンスは複数の単独キャパシタンスによって実現される。
【００１９】
このような設計は立ち上がり過渡振動特性を最適化するのに寄与し、ここでインダクタンスは保持される、ことが判明している。
【００２０】
インダクタンスが、第１の供給電圧端子と第２の供給電圧端子の間で導電性接続部分を間に接続することによって実現されるのは有利である。
【００２１】
この導電性接続がボンディングワイヤによって実現されるのは有利である。
【００２２】
別の有利な構成は、導電性接続部分が、カレントミラー回路を支持する、プリントされた回路上のストリップ状線路によって実現される、という特徴を有している。
【００２３】
さらに有利には、基準トランジスタおよびさらなるトランジスタは、バイポーラｐｎｐトランジスタまたはｐチャンネル電界効果トランジスタとして構成される。
【００２４】
有利な択一的構成では、基準トランジスタおよびさらなるトランジスタは、バイポーラｎｐｎトランジスタまたはｎチャンネル電界効果トランジスタとして構成される。
【００２５】
これらの手段は全て、モノリシックに集積回路内に集積可能であるという利点を有している。しかもチップ面積を格段に大きくすることはない。
【００２６】
最後に、ｐｎｐトランジスタのｎ−バスタブ形状部分またはｎｐｎトランジスタのｐ−バスタブ形状部分が、減衰抵抗を介して基準電位に接続されるのも有利である。
【００２７】
これによって、属するｐｎｐ接合部のキャパシタンスを介して流れる変位電流（Verschiebungsstrom）が直接的に供給電圧へ流出する（abfliessen）ことが可能である。結果としてしばしば、バスタブ形状部分として構成されたｎ層またはｐ層が一定の電位に維持される。バスタブ形状部分と基板の間の相当大きいキャパシタンスによって生じる不所望な変位電流は小さく保たれる。従って抵抗は、電子的構成部分、例えばレーザーダイオードへのリード線のインダクタンスと関連している振動回路のＱ値を低減させる。最後に、この措置は立ち上がり過渡振動を減少させることもできる。
【００２８】
さらなる利点は、説明および添付図面に記載されている。
【００２９】
上述したおよび後述する特徴部分の構成は、記載された各組合せでのみ使用されるのではなく、本発明の範囲を逸脱することなく、他の組合せまたは単独でも使用可能である。
【実施例】
【００３０】
本発明の実施例を図示し、以下の明細書でより詳細に説明する。
【００３１】
図１の参照番号１０は、回路、殊にレーザーダイオードに対する駆動回路の適用回路を示している。回路１０は供給電圧源１２を有している。この供給電圧源は、駆動チップ１６を具備する駆動モジュール１４に電流を供給する。駆動チップ１６は、少なくとも１つの第１の供給電圧入力側１８を有している。この供給電圧入力側は、ボンディングワイヤ２０を介して、駆動モジュール１４上の接続端子ピン２２と接続されている。さらに駆動チップ１６は、少なくとも１つのアース接続端子２４を有している。このアース接続端子は、ボンディングワイヤ２６を介して駆動モジュール１４上の端子ピン２８と接続されている。２つの端子ピン２２および２８は、供給電圧源１２の異なる出力側に接続されている。従って、駆動チップ１６には、自身の供給電圧入力側１８およびアース端子２４を介して供給電圧が印加される。この供給電圧は供給電圧源１２から供給される。
【００３２】
さらに駆動チップ１６は、少なくとも１つの制御信号出力側３０を有している。この制御信号出力側は、ボンディングワイヤ３２を介して、駆動モジュール１４の端子ピン３４と接続されている。駆動モジュール１４の接続ピン３４と接続ピン２８との間には、電子的構成部分３６、例えばレーザーダイオードが接続されている。従ってレーザーダイオード３６は、駆動チップ１６の制御信号出力側３０を介して、電流Ｉ＿ＬＤによって駆動制御される。ここで回路１０では、レーザーダイオード３６に、０〜数百ｍＡまでの範囲の電流Ｉ＿ＬＤを供給することができる。どのくらの強さの電流がどの時に設定されるべきかという情報は、駆動チップ１６に、駆動モジュール１４のさらなる端子を介して供給される、または駆動モジュール１４自体によって生成される。
【００３３】
図２には、図１の適用回路が、電気的回路図として示されている。ここで回路１０は、駆動回路１６を有している。この駆動回路はカレントミラー回路３８を有している。従って参照番号１６は、電気的駆動回路も、駆動回路が組み込まれている物理的な駆動チップ１６も示している。カレントミラーとしては一般的に、電流制御された符号反転を有する電流源が示される。図２に示されたカレントミラー３８は、第１の直列回路４０を有する。ここでこの直列回路は、基準抵抗４２およびトランジスタダイオードとして接続された基準トランジスタ４４から成る。第１の直列回路４０は、供給電圧入力側１８と制御電流源４６の間に接続されている。ここでこの制御電流源は、カレントミラー３８、従って駆動回路１６の制御信号出力側に接続されたレーザーダイオード３６を制御する。
【００３４】
参照番号４８は、第２の直列回路を示している。この第２の直列回路は、さらなる抵抗５０およびさらなるトランジスタ５２から成る。第２の直列回路４８は、供給電圧入力側１８と、駆動回路１６の制御信号出力側３０の間に位置する。制御電流源４６は、基準トランジスタ４４もさらなるトランジスタ５２も制御する。レーザーダイオード３６の駆動制御に必要な電流Ｉ＿ＬＤは、さらなるトランジスタ５２によって供給される。このさらなるトランジスタ５２は、基準トランジスタ４４と接続してカレントミラー回路３８を実現する。カレントミラー回路３８のタスクは、制御電流Ｉ０を、出来るだけ正確に定められた係数ぶん増幅させることである。これを実現するために、以下の条件が満たされなければならない。
【００３５】
まずは、さらなるトランジスタ５２のエミッタ面積と、トランジスタダイオードとして接続された基準トランジスタ４４のエミッタ面積の割合によって係数Ｋがあたえられる。さらに抵抗４２と５０の割合は、同じように係数Ｋに相応しなければならない。
【００３６】
ここでは抵抗４２および５０は、複数の各エミッタフィンガーによって実現されたトランジスタ４４および５２内に均等の電流分布を生じさせる。さらなる抵抗５０はさらに、いわゆるアーリー効果を低減させる。このアーリー効果は、出力電流Ｉ＿ＬＤの、トランジスタ４４および５２のコレクタ−エミッタ電圧への不所望な依存を生じさせてしまう。
【００３７】
従ってＫの値は、使用されているトランジスタおよび抵抗、従って集積回路として実現された駆動回路１６の設計によって定められる。ここでＫの値は、制御電流Ｉ０への要求と、駆動回路１６の動的特性への要求と、変換比の精度（増幅Ｋ）への要求の妥協として形成される。通常バイポーラトランジスタ技術の使用時のＫの値は、値４〜２０の間である。駆動回路１６ないし駆動チップ１６の残りの回路は、制御電流源４６によってあらわされる。本発明を理解するために制御電流源をここでさらに考察する必要はない。
【００３８】
以下で図３を参照して、図２に示された駆動回路の内部制御電流信号および理想的な出力信号の時間経過を考察する。参照番号５４で示された曲線は、図２の制御電流源４６から出発する制御電流Ｉ０の特性に相応する。参照番号５６によって示された曲線は、理想的には駆動回路１６によって供給される、係数Ｋによって増幅された制御電流Ｉ０の特性に相当する。このような理想的な特性は、回避できないインダクタンスを介した電圧降下Ｕ＿Ｌが充分に小さくなる程、電流の上昇速度が僅かである場合に得られる。ここでこのインダクタンスは法則Ｕ＿Ｌ＝Ｌ・ｄＩ／ｄｔに従って生じる。同じ理由で、キャパシタンスを介した電圧変化Ｕ＿Ｃ時に生じる、駆動回路１６の回避できないキャパシタンスでの変位電流Ｉ＿Ｃは充分に小さいべきである。Ｉ＿Ｃに対しては公知のように、Ｉ＿Ｃ＝Ｃ・ｄＵ＿Ｃ／ｄｔである。
【００３９】
しかし、ＣＤまたはＤＶＤの書き込みに関連するレーザーダイオードの駆動制御時に生じる、電流強さの変化時に、これらの条件は満たされない。実際の回路では、立ち上がり過渡振動が生じる。図４内に実線で示された曲線５６は、図３の曲線５６に相当する。すなわち駆動回路１６の出力信号の所望のまたは理想的な特性に相応する。しかし上述したインダクタンスおよびキャパシタンスによって、このような理想的な特性５６には、上方過渡的振動変化（Ueberschwinger）５８、６４および下方過渡的振動変化（Unterschwinger）６０、６２が重畳されてしまう。これらの過渡的振動変化は電子的構成部分３６、例えば、ＣＤまたはＤＶＤの書き込みを行うレーザーダイオードの制御精度に害を与えてしまう。
【００４０】
害を与えるインダクタンスは、ボンディングワイヤインダクタンスおよびケーシングインダクタンスの形で駆動モジュール１４内に存在し、さらに供給電圧およびレーザーダイオード３６の給電に対する供給線路内にも存在する。このようなインダクタンスは、今日の構成技術によっては完全には回避することができない。ボンディングワイヤインダクタンスに対する値は、約１ｎＨの範囲である。
【００４１】
レーザーダイオード３６への接続線路に対しては、僅かな数ｎＨの値が典型的である。駆動モジュール１４および駆動チップ１６への供給電圧の供給もインダクタンスを有している。
【００４２】
このようなインダクタンスは、回路１０のキャパシタンスとともに振動回路を形成する。これは図４に示された立ち上がり過渡振動（上方過渡的振動変化５８、６４、下方過渡的振動変化６０、６２）へと導く。ここでキャパシタンスは主に、駆動トランジスタとして作動する、さらなるトランジスタ５２によって形成される。さらなるキャパシタンスは、線路キャパシタンスから、例えばレーザーダイオードを相応に回路１０に接続する導体路のキャパシタンスから生じる。
【００４３】
この場合、振動回路特有の共振周波数は一般的にそれぞれ異なっているので、種々異なる振動回路の種々異なる特有の共振周波数を重畳することで、種々の異なる形の電流特性が得られる。ここで偏差のレベル、すなわち、図４に記載された立ち上がり過渡振動と、理想的な特性５６との偏差の程度は、励振される振動回路のＱ値に依存する。
【００４４】
図５には、図２に記載された駆動回路１６のモノリシックに集積されたトランジスタ４４、５２の横断面図が示されている。図示されたトランジスタは、ｐ型ドーピングされたエミッタ層６０上の金属のエミッタ接続端子５８を有するバイポーラｐｎｐトランジスタである。層６０は、ｎ型ドーピングされたベース層６２内に埋め込まれている。ここでこのベース層は、金属のベースコンタクト６４と接触している。ベース層６２は、ｐ型ドーピングされたコレクタ層６６内に設けられ、このコレクタ層は、金属のコレクタ接続端子６８と接触している。このような層構造は、絶縁されたｎ型ドーピングされたバスタブ形状部分７０内に埋め込まれている。このバスタブ形状部分は同じように、ｐ型導電性基板７２内に設けられている。
【００４５】
荷電担体濃度（Ladungstraegerkonzentration）が第１の濃度から第２の濃度へ移行する層においては、図示されたｐｎｐトランジスタの回避できないキャパシタンス７４、７６が形成される。参照番号７４は、このような回避できないコレクタ−ベース−キャパシタンスを示している。同じように、参照番号７６は、コレクタ層６６とｎ−バスタブ形状部分７０との間のキャパシタンスを示しており、参照番号７８はｎ−バスタブ形状部分７０とｐ−基板７２の間の回避できないキャパシタンスをあらわしている。有利な立ち上がり過渡振動特性を参照すると、寄生しているインダクタンスも寄生しているキャパシタンスもできるだけ最小化されるべきである。現在の製造技術および、電子構成部分３６を駆動制御するのに必要な現在の電流強さでは、図５に示されたキャパシタンスはこれ以上小さくできない。しかしながら、立ち上がり過渡振動特性へのキャパシタンスの影響に、適切な回路措置によって影響を与えることができる。これは殊にコレクタ−ベース接合部のキャパシタンス７４にあてはまる。
【００４６】
図６には、実際の回路で生じる、線路キャパシタンスおよびトランジスタキャパシタンスが加えられた、図２の回路装置が示されている。これには殊に、供給電圧源１２と供給電圧入力側１８の間の供給線路のインダクタンス８０と、駆動回路１６の制御信号出力側３０と駆動制御されるべきレーザーダイオード３６の間の駆動制御線路のインダクタンス８２と、駆動回路１６のアース接続端子２４のインダクタンス８４が属する。コレクタ−ベース−キャパシタンス７４は、殊にさらなるトランジスタ５２、すなわち駆動トランジスタで作用を及ぼす。従ってコレクタ−ベースキャパシタンス７４は図６では、第２のトランジスタ５２の制御入力側（ベース）と、さらなるトランジスタ５２のコレクタの間に示されている。コレクタ−バスタブ形状部分−キャパシタンス７６は、図６の回路図内では、第２の直列回路４８に並列して位置している。この第２の直列回路はさらなる抵抗５０とさらなるトランジスタ５２から成る。バスタブ形状部分−基板−キャパシタンス７８は、図６の回路図内では、供給電圧入力側１８とアース端子２５の間にある。
【００４７】
以下で図７を参照して、回路技術的措置を説明する。この回路技術的措置は、カレントミラー回路３８の、周波数に依存した増幅係数Ｋを形成することによって、振動特性に所望のように影響を与える。
【００４８】
周波数に依存したミラー係数Ｋ（ｆ）を実現することによって、作用を及ぼすコレクタ−ベース−キャパシタンス７４が本質的に低減される。
【００４９】
これは、図７に従った設計の枠内で、インダクタンス８６を供給線路インダクタンス８０と第２の直列回路４８の接続部に挿入することによって実現される。この直列回路４８はさらなる抵抗５０とさらなるトランジスタ（駆動トランジスタ）５２から成る。このインダクタンス８６はさらに駆動回路１６に接続されている。従って、インダクタンス８６は、駆動回路１６の第２の供給電圧入力側８７と接続されている。従ってインダクタンス８６は、例えばボンディングワイヤとして実現される。
【００５０】
インダクタンス８６の接続と択一的に、またインダクタンス８６の接続に付加的に、キャパシタンス８８を基準抵抗４２に対して並列に接続することができる。これによってコレクタ−ベース−キャパシタンス７４の変位電流は、周波数を介して下降するミラー係数Ｋ（ｆ）によってのみ増幅される。すなわち：コレクタ−ベース−キャパシタンス７４の作用がミラー比Ｋ（ｆ）によってスケーリングされるということが利用される。すなわち図７に記載された特別な回路の枠において、コレクタ−ベース−接合部の有効なキャパシタンスはコレクタ−ベース−キャパシタンス７４に比例する。このようなコレクタ−ベース−キャパシタンス７４に割り当てられた変位電流は、ここで実質的に基準トランジスタ４４および基準抵抗４２を介して、供給電圧へ流出する。既に上述したように、このような措置は作用を及ぼすコレクタ−ベース−キャパシタンス７４を低減させ、基本的に電流エッジを急峻にさせる。急峻な電流エッジは他方では、周波数可変Ｋ係数によって低減される。全体として、インダクタンス８６の接続および／またはキャパシタンス８８の接続は、上述したように、エッジの急峻性が僅かしか低減しない場合に、立ち上がり過渡振動（リンギング）を劇的に低減させる。さらに有利には、レーザーダイオード電流Ｉ＿ＬＤの高い変化速度によってレーザーダイオード３６で生じる電圧降下はもはや、駆動モジュール１４の供給電圧に入力結合されない。このようにして上述した電圧降下による駆動制御回路の不所望な影響が回避される。
【００５１】
図７にはさらに、コレクタ−バスタブ形状部分−キャパシタンス７６、すなわちトランジスタの絶縁に必要なｎ−バスタブ形状部分７０は、抵抗９０を介して供給電圧入力側１８に接続される。結果として、コレクタ−バスタブ形状部分−キャパシタンス７６を介して流れる変位電流は、直接的に供給電圧へ流出する。これによって殊に、ｎ−バスタブ形状部分７０は一定の電位に保たれる。従って、そうでない場合には結果的に、バスタブ形状部分７０と基板７２の間の相当大きいキャパシタンス７８の結果として生じ得る、不所望な変位電流が、小さく保たれる。抵抗９０はこれに関連して、駆動制御線路のインダクタンス８２と接続して生じる振動回路のＱ値を低下させるという機能を有する。これによって、立ち上がり過渡振動の振幅が小さく保たれる。図７に示された補助コンデンサ１００は、駆動チップ１６、駆動回路に対する供給電圧の供給部内のボンディングワイヤインダクタンス８０の影響を低減させる。
【００５２】
図８には、インダクタンス８６の種々の種々異なる値に対して計算された、レーザーダイオード３６に対する駆動制御電流Ｉ＿ＬＤの時間経過が示されている。ここで曲線９２は、存在しないインダクタンス８６に相応する。曲線９４は、駆動制御線路のインダクタンス８２が３ｎＨである場合の、インダクタンス８６に対する３００ｐＨの値によって計算されている。図８からわかるように、３００ｐＨを有するこの種のインダクタンス８６を接続することによって、立ち上がり過渡振動過程の振幅が減少する。さらなる低減が、６００ｐＨのインダクタンス８６を接続することによって実現される。この値に対する結果は、曲線９６によってあらわされている。曲線９６の特性からわかるように、立ち上がり過渡振動は、エッジ急峻性がほぼ同じままである場合に、ほぼ完全に回避される。
【００５３】
図７に示されたようにキャパシタンス８８を接続した場合に、比較可能な結果が得られる。さらに、キャパシタンス８８をインダクタンス８６と組み合わせた場合に、比較可能な結果が得られる。最終的に回路のサイズ設計、従ってキャパシタンス８８および／またはインダクタンス８６のサイズ設計は、ボンディングワイヤの長さ等の技術的な周辺条件、負荷（レーザダイオード３６）のインダクタンス並びに駆動制御信号の上昇時間および下降時間への要求に依存する。
【００５４】
さらに本発明はこれまで、ｐｎｐトランジスタ４４および５２から成るカレントミラー回路３８を必要とするアースされたレーザーダイオード３６の場合を説明してきたが、本発明の原理は同じように、ｎｐｎトランジスタを有するカレントミラー回路にも適用可能であることを理解されたい。レーザーダイオード３６はこの場合には、ポジティブな電圧に対して接続される。同じように本発明は、ＣＭＯＳ技術での回路にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】供給電圧源、駆動回路およびレーザーダイオードを有する回路の形をした、本発明の典型的な技術的領域である。
【００５６】
【図２】周波数に依存したミラー係数を有していないカレントミラー回路を備えた駆動回路の、理想的な簡易ブロック回路図である。
【００５７】
【図３】図２に示された駆動回路の、内部制御電流信号と、理想的な出力信号の時間経過である。
【００５８】
【図４】駆動制御信号の理想的な時間経過と実際の時間経過の例である。
【００５９】
【図５】図２に記載された駆動回路のモノリシックに集積されたトランジスタの横断面である。
【００６０】
【図６】構成部分によって引き起こされる容量とインダクタンスを有する実際の駆動回路のブロック回路図である。
【００６１】
【図７】本発明の実施例である実際の駆動回路のブロック回路図である。
【００６２】
【図８】図６および図７に記載された駆動回路の出力信号の計算された時間経過である。
【符号の説明】
【００６３】
１０  駆動回路
１２  供給電圧源
１４  駆動モジュール
１６  駆動チップ
１８  供給電圧入力側
２０  ボンディングワイヤ
２２  接続端子ピン
２４  アース端子
２６  ボンディングワイヤ
２８  端子ピン
３０  制御信号出力側
３２  ボンディングワイヤ
３４  端子ピン
３６  電子的構成部分
３８  カレントミラー回路
４０  第１の直列回路
４２  基準抵抗
４４  基準トランジスタ
４６  制御電流源
４８  第２の直列回路
５０  さらなる抵抗
５２  さらなるトランジスタ
５４  制御電流Ｉ０の特性
５６  理想的な特性
５８、６４  上方過渡的振動変化
６０、６２  下方過渡的振動変化
５８  エミッタ接続端子
６０  エミッタ層
６２  ベース層
６４  ベースコンタクト
６６  コレクタ層
６８  コレクタ接続端子
７０  ｎ−バスタブ形状部分
７２  ｐ型導電性基板
７４、７６、７８  キャパシタンス
８０、８２、８４、８６  インダクタンス
８７  第２の供給電圧端子
８８  キャパシタンス
９０  抵抗
９２、９４、９６  インダクタンス８６の種々の種々異なる値に対して計算された、レーザーダイオード３６に対する駆動制御電流Ｉ＿ＬＤの時間経過
１００  補助キャパシタンス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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