(57)【要約】【課題】制御を容易かつ確実にして処理液の消費量の大幅な低減を具現化する液処理方法及び液処理装置を提供すること。【解決手段】水平状態に保持されたウエハＷの一端側から他端側に向かって供給ノズル１０を移動させつつ供給ノズル１０から現像液を吐出（供給）して処理を施す際に、供給ノズル１０がウエハＷの所定位置まで移動する間、現像液を一定流量供給した後、現像液の供給流量を漸次減少し、ウエハＷの他端側手前で供給を停止する。その後、供給された現像液を、供給ノズル１０でウエハＷの他端まで拡げる。これにより、制御を容易かつ確実にして現像液の消費量を大幅に低減することができる。【選択図】        図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
水平状態に保持された被処理基板の一端側から他端側に向かって処理液供給ノズルを移動させつつ処理液供給ノズルから処理液を供給して処理を施す液処理方法であって、
上記処理液供給ノズルが上記被処理基板の所定位置まで移動する間、処理液を一定流量供給する工程と、
処理液を一定流量供給した後、処理液の供給流量を漸次減少し、上記被処理基板の他端側手前で供給を停止する工程と、
処理液の供給を停止した後、供給された処理液を、上記処理液供給ノズルで上記被処理基板の他端まで拡げる工程と、
を有することを特徴とする液処理方法。
【請求項２】
請求項１記載の液処理方法において、
上記処理液を被処理基板の他端まで拡げる工程は、処理液供給ノズルが処理液を接液しつつ行うことを特徴とする液処理方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の液処理方法において、
上記処理液供給ノズルを上記被処理基板の一端側から他端側まで一定速度で移動し、時間に基づいて処理液供給ノズルからの処理液の供給流量を漸次減少して供給を停止することを特徴とする液処理方法。
【請求項４】
請求項１又は２記載の液処理方法において、
上記処理液供給ノズルの移動速度を、上記被処理基板の一端側から被処理基板の他端側手前で処理液の供給を停止する位置まで一定にし、その後、上記被処理基板の他端側まで上記一定速度より低速にすることを特徴とする液処理方法。
【請求項５】
請求項１又は２記載の液処理方法において、
上記処理液供給ノズルの移動速度を、上記被処理基板の一端側から処理液を一定流量供給する位置まで一定にし、その後、上記被処理基板の他端側手前で処理液の供給を停止する位置まで上記一定速度より高速にし、その後、上記被処理基板の他端側まで低速にすることを特徴とする液処理方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の液処理方法において、上記処理液供給ノズルと被処理基板表面との隙間を、上記被処理基板の一端側から処理液を一定流量供給する所定位置までの間を（Ｈ１）とし、上記所定位置から上記被処理基板の他端側手前で処理液の供給を停止する位置までの間を（Ｈ２）とし、処理液の供給を停止する位置から上記被処理基板の他端側までの間を（Ｈ３）とし、上記隙間が、
（Ｈ１）＞（Ｈ２）＞（Ｈ３）
であることを特徴とする液処理方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の液処理方法において、
上記処理液供給ノズルの姿勢を、上記被処理基板の一端側から被処理基板の他端手前側で処理液の供給を停止する位置までは、被処理基板表面に対して略鉛直にし、処理液の供給を停止する位置から上記被処理基板の他端側までは、処理液との接液面積が増大すべくノズル移動方向の後方側に向かって傾斜する、ことを特徴とする液処理方法。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれかに記載の液処理方法において、
上記処理液供給ノズルの姿勢を、上記被処理基板の一端側から被処理基板の他端手前側で処理液の供給を停止する位置までは、被処理基板表面に対して略鉛直にし、処理液の供給を停止する位置から上記被処理基板の他端側までは、処理液との接液面積が増大すべくノズル移動方向の後方側に向かって傾斜し、その後、処理液の液切れを促すように略鉛直又はノズル移動方向側に傾斜する、ことを特徴とする液処理方法。
【請求項９】
被処理基板を水平状態に保持する保持手段と、上記被処理基板の幅方向に渡って多数のノズル孔を有する処理液供給ノズルと、上記処理液供給ノズルを上記被処理基板の一端側から他端側に向かって移動する移動手段とを具備し、上記処理液供給ノズルを移動させつつ処理液供給ノズルから処理液を供給して処理を施す液処理装置であって、
上記処理液供給ノズルと処理液供給源とを接続する供給管路に介設され、処理液の供給流量を漸次減少すると共に、供給を停止可能な制御弁と、
上記制御弁を予め全開して上記被処理基板の一端側から所定位置まで全開を維持し、その後、被処理基板の他端側手前まで制御弁の開度を漸次減少して閉じるように制御する制御手段と、
を具備することを特徴とする液処理装置。
【請求項１０】
被処理基板を水平状態に保持する保持手段と、上記被処理基板の幅方向に渡って多数のノズル孔を有する処理液供給ノズルと、上記処理液供給ノズルを上記被処理基板の一端側から他端側に向かって移動する移動手段とを具備し、上記処理液供給ノズルを移動させつつ処理液供給ノズルから処理液を供給して処理を施す液処理装置であって、
上記処理液供給ノズルと処理液供給源とを接続する供給管路に介設され、処理液の供給流量を漸次減少すると共に、供給を停止可能な制御弁と、
上記制御弁を予め全開して上記被処理基板の一端側から所定位置まで全開を維持し、その後、被処理基板の他端側手前まで制御弁の開度を漸次減少して閉じるように制御する制御手段と、
上記処理液供給ノズルと被処理基板表面との隙間を調整する隙間調整手段とを具備し、
上記隙間調整手段は、上記被処理基板の一端側から処理液を一定流量供給する所定位置までの間の隙間（Ｈ１）に対して、上記所定位置から上記制御弁を閉じて処理液の供給を停止する位置までの隙間（Ｈ２）を小さくし、上記隙間（Ｈ２）に対して、処理液の供給を停止する位置から上記被処理基板の他端側までの隙間（Ｈ３）を更に小さくする、ことを特徴とする液処理装置。
【請求項１１】
被処理基板を水平状態に保持する保持手段と、上記被処理基板の幅方向に渡って多数のノズル孔を有する処理液供給ノズルと、上記処理液供給ノズルを上記被処理基板の一端側から他端側に向かって移動する移動手段とを具備し、上記処理液供給ノズルを移動させつつ処理液供給ノズルから処理液を供給して処理を施す液処理装置であって、
上記処理液供給ノズルと処理液供給源とを接続する供給管路に介設され、処理液の供給流量を漸次減少すると共に、供給を停止可能な制御弁と、
上記制御弁を予め全開して上記被処理基板の一端側から所定位置まで全開を維持し、その後、被処理基板の他端側手前まで制御弁の開度を漸次減少して閉じるように制御する制御手段と、
上記処理液供給ノズルの姿勢を、被処理基板表面に対して略鉛直な状態と、ノズル移動方向の進行側、又は、後方側に傾斜する状態に調整するノズル角度調整手段とを具備し、
上記ノズル角度調整手段は、上記処理液供給ノズルの姿勢を、上記被処理基板の一端側から被処理基板の他端手前側で処理液の供給を停止する位置までは、被処理基板表面に対して略鉛直にし、処理液の供給を停止する位置から上記被処理基板の他端側までは、処理液との接液面積が増大すべくノズル移動方向の後方側に向かって傾斜し、その後、処理液の液切れを促すように略鉛直又はノズル移動方向側に傾斜する、ことを特徴とする液処理装置。
【請求項１２】
請求項９ないし１１のいずれかに記載の液処理装置において、
上記処理液供給ノズルの先端部が処理液を接液しつつ処理液を被処理基板の他端まで拡げるようにしたことを特徴とする液処理装置。
【請求項１３】
請求項９ないし１２のいずれかに記載の液処理装置において、
上記移動手段は、処理液供給ノズルを被処理基板の一端側から他端側に向かって一定速度で移動し、
上記制御弁は、時間に基づいて処理液の供給流量を漸次減少すると共に、供給を停止する、ことを特徴とする液処理装置。
【請求項１４】
請求項９ないし１２のいずれかに記載の液処理装置において、
上記移動手段は、処理液供給ノズルを、被処理基板の一端側から被処理基板の他端側手前処理液の供給を停止する位置まで一定速度で移動し、その後、上記被処理基板の他端側まで上記一定速度より高速度で移動し、
上記制御弁は、時間に基づいて処理液の供給流量を漸次減少すると共に、供給を停止する、ことを特徴とする液処理装置。
【請求項１５】
請求項９ないし１２のいずれかに記載の液処理装置において、
上記移動手段は、処理液供給ノズルを、被処理基板の一端側から被処理基板の他端側手前処理液の供給を停止する位置まで一定速度で移動し、その後、上記被処理基板の他端側まで上記一定速度より高速度で移動し、その後、上記被処理基板の他端側までは低速度で移動し、
上記制御弁は、時間に基づいて処理液の供給流量を漸次減少すると共に、供給を停止する、ことを特徴とする液処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、液処理方法及び液処理装置に関するもので、更に詳細には、例えばレジストが塗布され、露光処理された半導体ウエハ等の被処理基板に処理液である現像液を供給して処理を施す液処理方法及び液処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体ウエハ（以下にウエハという）の製造工程においては、ウエハの表面に例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）の薄膜や回路パターンを形成するために、例えば、レジスト液塗布処理によってウエハの表面にレジスト液が塗布され、露光処理によってウエハ上のレジスト膜に回路パターンが露光され、現像処理によってレジスト膜に露光された回路パターンが現像される。
【０００３】
また、この種の現像処理方法として、ウエハの直径に対応する長さに渡って多数のノズル孔を列設した現像液供給ノズルを、水平状態で保持されるウエハの一端側から他端側に向かって移動させつつ現像液供給ノズルからウエハに現像液を供給する方法が知られている。この種の現像処理方法においては、現像液供給ノズルから現像液を吐出（供給）しながら現像液供給ノズルをウエハの一端側から他端側へ移動して処理を行うため、現像液の消費量が嵩むという問題がある。
【０００４】
そこで、従来では、移動手段により現像液供給ノズルがウエハ上を通過する際に、現像液供給ノズルの移動速度を変化、例えば一定速度で移動し減速又は増速させた後に低速又は高速させるか、あるいは、現像液の吐出量（供給流量）を変化、例えばウエハの一端側からウエハ上の所定位置まで現像液の吐出流量を少なくし、所定位置からウエハの他端側まで現像液の吐出流量を多くすることによって、現像液の供給流量を制御して、現像液の消費量の低減を図っている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−４４９５７号公報（特許請求の範囲、段落番号００２５〜００２８、００５２〜００６１、図８、図９）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、現像液供給ノズルの移動速度を制御する方法においては、短時間例えば数秒間で現像液供給ノズルの移動速度を制御しなければならないので、減速のタイミングや減速時間のコントロールが難しいという問題がある。これに対して、ウエハの一端側から他端側に渡って現像液の吐出流量（供給流量）を制御する方法は、ノズルの移動速度を制御する場合に比べてコントロールはし易いが、これにおいても短時間でウエハの一端側から他端側に渡って現像液の吐出流量（供給流量）を制御するため、コントロールは容易とは言い難い。
【０００７】
この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、制御を容易かつ確実にして処理液の消費量の大幅な低減を具現化する液処理方法及び液処理装置を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明の液処理方法は、水平状態に保持された被処理基板の一端側から他端側に向かって処理液供給ノズルを移動させつつ処理液供給ノズルから処理液を供給して処理を施す液処理方法であって、  上記処理液供給ノズルが上記被処理基板の所定位置まで移動する間、処理液を一定流量供給する工程と、  処理液を一定流量供給した後、処理液の供給流量を漸次減少し、上記被処理基板の他端側手前で供給を停止する工程と、  処理液の供給を停止した後、供給された処理液を、上記処理液供給ノズルで上記被処理基板の他端まで拡げる工程と、を有することを特徴とする（請求項１）。
【０００９】
この発明の液処理方法において、上記処理液を被処理基板の他端まで拡げる工程は、処理液供給ノズルが処理液を接液しつつ行う方が好ましい（請求項２）。
【００１０】
また、上記処理液供給ノズルを上記被処理基板の一端側から他端側まで一定速度で移動し、時間に基づいて処理液供給ノズルからの処理液の供給流量を漸次減少して供給を停止する方がよい（請求項３）。これに代えて、上記処理液供給ノズルの移動速度を、上記被処理基板の一端側から被処理基板の他端側手前で処理液の供給を停止する位置まで一定にし、その後、上記被処理基板の他端側まで上記一定速度より低速にしてもよい（請求項４）。あるいは、上記処理液供給ノズルの移動速度を、上記被処理基板の一端側から処理液を一定流量供給する位置まで一定にし、その後、上記被処理基板の他端側手前で処理液の供給を停止する位置まで上記一定速度より高速にし、その後、上記被処理基板の他端側まで低速にしてもよい（請求項５）。
【００１１】
また、上記処理液供給ノズルと被処理基板表面との隙間を、上記被処理基板の一端側から処理液を一定流量供給する所定位置までの間を（Ｈ１）とし、上記所定位置から上記被処理基板の他端側手前で処理液の供給を停止する位置までの間を（Ｈ２）とし、処理液の供給を停止する位置から上記被処理基板の他端側までの間を（Ｈ３）とし、上記隙間を、（Ｈ１）＞（Ｈ２）＞（Ｈ３）とする方が好ましい（請求項６）。
【００１２】
また、上記処理液供給ノズルの姿勢を、上記被処理基板の一端側から被処理基板の他端手前側で処理液の供給を停止する位置までは、被処理基板表面に対して略鉛直にし、処理液の供給を停止する位置から上記被処理基板の他端側までは、処理液との接液面積が増大すべくノズル移動方向の後方側に向かって傾斜する方がよい（請求項７）。上記処理液供給ノズルをノズル移動方向の後方側に向かって傾斜した後、処理液の液切れを促すように略鉛直又はノズル移動方向側に傾斜する方が好ましい（請求項８）。
【００１３】
この発明に液処理装置は、この発明の液処理方法を具現化するもので、被処理基板を水平状態に保持する保持手段と、上記被処理基板の幅方向に渡って多数のノズル孔を有する処理液供給ノズルと、上記処理液供給ノズルを上記被処理基板の一端側から他端側に向かって移動する移動手段とを具備し、上記処理液供給ノズルを移動させつつ処理液供給ノズルから処理液を供給して処理を施す液処理装置を前提とする。
【００１４】
請求項９記載の液処理装置は、上記処理液供給ノズルと処理液供給源とを接続する供給管路に介設され、処理液の供給流量を漸次減少すると共に、供給を停止可能な制御弁と、  上記制御弁を予め全開して上記被処理基板の一端側から所定位置まで全開を維持し、その後、被処理基板の他端側手前まで制御弁の開度を漸次減少して閉じるように制御する制御手段と、を具備することを特徴とする。
【００１５】
請求項１０記載の液処理装置は、上記処理液供給ノズルと処理液供給源とを接続する供給管路に介設され、処理液の供給流量を漸次減少すると共に、供給を停止可能な制御弁と、  上記制御弁を予め全開して上記被処理基板の一端側から所定位置まで全開を維持し、その後、被処理基板の他端側手前まで制御弁の開度を漸次減少して閉じるように制御する制御手段と、  上記処理液供給ノズルと被処理基板表面との隙間を調整する隙間調整手段とを具備し、  上記隙間調整手段は、上記被処理基板の一端側から処理液を一定流量供給する所定位置までの間の隙間（Ｈ１）に対して、上記所定位置から上記制御弁を閉じて処理液の供給を停止する位置までの隙間（Ｈ２）を小さくし、上記隙間（Ｈ２）に対して、処理液の供給を停止する位置から上記被処理基板の他端側までの隙間（Ｈ３）を更に小さくする、ことを特徴とする。
【００１６】
請求項１１記載の液処理装置は、上記処理液供給ノズルと処理液供給源とを接続する供給管路に介設され、処理液の供給流量を漸次減少すると共に、供給を停止可能な制御弁と、  上記制御弁を予め全開して上記被処理基板の一端側から所定位置まで全開を維持し、その後、被処理基板の他端側手前まで制御弁の開度を漸次減少して閉じるように制御する制御手段と、  上記処理液供給ノズルの姿勢を、被処理基板表面に対して略鉛直な状態と、ノズル移動方向の進行側、又は、後方側に傾斜する状態に調整するノズル角度調整手段とを具備し、  上記ノズル角度調整手段は、上記処理液供給ノズルの姿勢を、上記被処理基板の一端側から被処理基板の他端手前側で処理液の供給を停止する位置までは、被処理基板表面に対して略鉛直にし、処理液の供給を停止する位置から上記被処理基板の他端側までは、処理液との接液面積が増大すべくノズル移動方向の後方側に向かって傾斜し、その後、処理液の液切れを促すように略鉛直又はノズル移動方向側に傾斜する、ことを特徴とする。
【００１７】
この発明の液処理装置において、上記処理液供給ノズルの先端部が処理液を接液しつつ処理液を被処理基板の他端まで拡げるようにする方が好ましい（請求項１２）。
【００１８】
また、上記移動手段により、処理液供給ノズルを被処理基板の一端側から他端側に向かって一定速度で移動し、上記制御弁を、時間に基づいて処理液の供給流量を漸次減少すると共に、供給を停止することができる（請求項１３）。これに代えて、上記移動手段によって、処理液供給ノズルを、被処理基板の一端側から被処理基板の他端側手前処理液の供給を停止する位置まで一定速度で移動し、その後、上記被処理基板の他端側まで上記一定速度より高速度で移動してもよい（請求項１４）。また、上記移動手段によって、処理液供給ノズルを、被処理基板の一端側から被処理基板の他端側手前処理液の供給を停止する位置まで一定速度で移動し、その後、上記被処理基板の他端側まで上記一定速度より高速度で移動し、その後、上記被処理基板の他端側までは低速度で移動してもよい（請求項１５）。
【００１９】
この発明によれば、水平状態に保持された被処理基板の一端側から他端側に向かって処理液供給ノズルを移動させつつ処理液供給ノズルから処理液を供給するに際して、処理液供給ノズルが被処理基板の所定位置まで移動する間、処理液を一定流量供給した後、処理液の供給流量を漸次減少し、被処理基板の他端側手前で供給を停止し、その後、供給された処理液を、処理液供給ノズルで被処理基板の他端まで拡げることにより、処理液の供給流量の制御を容易にすることができ、また、被処理基板表面に均一に処理液を供給することができると共に、処理液の消費量の低減を図ることができる（請求項１，９）。
【００２０】
また、処理液を被処理基板の他端まで拡げる際、処理液供給ノズルが処理液を接液しつつ行うことにより、処理液の供給を確実にすると共に、消費量を更に低減して均一処理を可能にすることができる（請求項２，１２）。
【００２１】
また、処理液供給ノズルを被処理基板の一端側から他端側まで一定速度で移動し、時間に基づいて処理液供給ノズルからの処理液の供給流量を漸次減少して供給を停止することにより、更に処理液の供給流量の制御を容易にすることができる（請求項３，１３）。これに代えて、処理液供給ノズルの移動速度を、被処理基板の一端側から被処理基板の他端側手前で処理液の供給を停止する位置まで一定にし、その後、被処理基板の他端側まで上記一定速度より低速にすることにより、ノズルに接液した処理液を離れ難くして、被処理基板の他端側まで処理液を確実に拡げることができる（請求項４，１４）。この処理に加えて、処理液供給ノズルの移動速度を、被処理基板の一端側から処理液を一定流量供給する位置まで一定にし、その後、被処理基板の他端側手前で処理液の供給を停止する位置まで一定速度より高速にすることにより、処理液を一定流量供給する位置と処理液の供給を停止する位置との間で処理液をノズルの先に先回りしないようにすることができ、かつ、被処理基板上に載っている処理液をノズルに接液した状態で延ばす（拡げる）ことができる（請求項５，１５）。
【００２２】
また、隙間調整手段によって、被処理基板の一端側から処理液を一定流量供給する所定位置までの間の隙間（Ｈ１）に対して、所定位置から制御弁を閉じて処理液の供給を停止する位置までの隙間（Ｈ２）を小さくし、隙間（Ｈ２）に対して、処理液の供給を停止する位置から被処理基板の他端側までの隙間（Ｈ３）を更に小さくすることにより、処理液を一定流量供給する位置から処理液の供給を停止する位置まで処理液の表面張力を大きくして接液状態を確実にすることができ、かつ、処理液の供給を停止する位置から被処理基板の他端側まで処理液の表面張力を更に大きくして接液状態を確実にすることができる（請求項６，１０）。したがって、処理液を確実に拡げることができる。
【００２３】
また、ノズル角度調整手段によって、処理液供給ノズルの姿勢を、被処理基板の一端側から被処理基板の他端手前側で処理液の供給を停止する位置までは、被処理基板表面に対して略鉛直にし、処理液の供給を停止する位置から被処理基板の他端側までは、ノズル移動方向の後方側に向かって傾斜することにより、ノズルと処理液との接液面積を増大することができる。また、その後、処理液供給ノズルの姿勢を、略鉛直又はノズル移動方向側に傾斜することにより、処理液の液切れを促すことができるので、ノズルに処理液が残存することがない（請求項７，１１）。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る液処理装置を半導体ウエハの現像処理装置に適用した場合について説明する。
【００２５】
◎第一実施形態
図１は、上記現像処理装置の一例を示す概略断面図、図２は、現像処理装置の概略平面図、図３は、現像処理装置の概略側面図である。
【００２６】
上記現像処理装置は、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を水平状態に保持する保持手段例えばチャック１と、このチャック１によって保持されたウエハＷの表面に処理液である現像液を吐出すなわち供給するための現像液供給ノズル１０（以下に供給ノズル１０という）と、この供給ノズル１０をウエハＷの一端側から他端側に向かって移動する移動機構２０と、供給ノズル１０と現像液供給源例えば現像液貯留タンク２（以下に現像タンク２という）とを接続する処理液供給管路３に介設される制御弁例えば電空レギュレータ３０とを具備している。なお、現像タンク２内に貯留される現像液は、現像タンク内に供給される圧送用気体例えば窒素（Ｎ２）ガスによって供給ノズル１０へ圧送（供給）されるようになっている。なお、図１において符号Ｖは開閉弁である。
【００２７】
この場合、チャック１は、ウエハＷを保持するチャック本体１ａと、このチャック本体１ａの下方に連結する支持軸１ｂとで構成されており、チャック本体１ａに設けられた複数の吸引孔１ｃは吸引通路１ｄを介して吸引手段例えば真空ポンプ４に連通されている。また、チャック１は昇降機構５によって昇降可能に構成されており、昇降機構５の駆動により昇降して図示しないウエハ搬送アームとの間でウエハＷの受け渡しを行えるようになっている。また、チャック１及びこのチャック１によって保持されたウエハＷの外周及び下方側には、現像液や洗浄液が外部に飛散するのを受け止めるカップ６が配設されている。なお、このカップ６の底部には、受け止めた液を吸引して排出するための排出管路７が接続されている。
【００２８】
上記供給ノズル１０は、図３に示すように、ウエハＷの幅すなわち直径より長い寸法を有する箱状のノズルヘッド１１の下面に、ウエハＷの直径と略同じ長さに渡って所定のピッチで等間隔に設けられる多数のノズル孔１２と、これらノズル孔１２の下部に連通され供給ノズル１０の長手方向に設けられる所定幅のスリット１３と、スリット１３の下部に連通され現像液をウエハＷに供給する拡開テーパ状の現像液供給口１４と、この現像液供給口１４内の長手方向に設けられ、現像液の吐出時のインパクトを低減し、均一に現像液を吐出する整流緩衝棒、例えば円柱状の石英棒１５とで構成されている。ここでは、整流緩衝棒を石英棒１５にて形成する場合について説明したが、整流緩衝棒は、親水性部材であれば石英以外の例えばセラミックス等で形成することも可能である。なお、ノズルヘッド１１は、撥水性の材料例えばフッ素樹脂にて形成されている。
【００２９】
供給ノズル１０を、このように構成することにより、ノズル孔１２から流出する現像液は、スリット１３で合流した後、現像液供給口１４の壁面を伝って流れる一方、石英棒１５の表面で拡散させることができる。したがって、スリット１３で供給孔による現像液の吐出むらを防止し、石英棒１５でウエハＷに均一に現像液を供給することができる。なお、ここでは、供給ノズル１０が、スリット１３と現像液供給口１４とを具備する場合について説明したが、必ずしもこのような構造である必要はなく、供給ノズル１０は、少なくとも多数のノズル孔１２と整流緩衝棒例えば石英棒１５とを具備していればよい。
【００３０】
また、供給ノズル１０は、図２に示すように、カップ６の外側に配設されたガイドレール２１に摺動自在に装着されるアーム２２に着脱可能に把持されており、移動機構２０によってウエハＷの一端側（図２において左側）から他端側（図２において右側）に向かって移動（スキャン）可能になっている。移動機構２０の駆動によって供給ノズル１０は、一定の移動速度でウエハＷの一端側から他端側へ移動されるようになっている。なお、移動機構２０は、例えばステッピングモータとタイミングベルト等からなるベルト駆動方式やボールねじ駆動方式、あるいは、リニア駆動方式等にて形成することができる。
【００３１】
なお、供給ノズル１０は、チャック１の一端側の外方のホームポジションに配設されたノズル洗浄バス２３に待機可能になっている。また、チャック１の他端側の外方には洗浄ノズル２４が待機している。この洗浄ノズル２４も供給ノズル１０と同様に移動機構２０によって移動（スキャン）可能に形成されており、ウエハＷの他端側から一端側に移動させつつ洗浄液例えば純水をウエハＷに吐出（供給）し得るように構成されている。
【００３２】
一方、制御弁すなわち電空レギュレータ３０は、図４及び図５に示すように、処理液供給管路３に接続する弁室３１と、後述する制御用空気の供給源４０（以下に空気供給源４０という）に接続する駆動室３２とを仕切壁３３を介して形成する弁本体３４と、制御用空気の制御部３５とで主に構成されている。
【００３３】
この場合、弁本体３４に設けられた弁室３１は、現像タンク２側に接続する一次側ポート３１ａに連通する流入流路３１ｃと、供給ノズル１０側に接続する二次側ポート３１ｂに連通する流出通路３１ｄに連通されている。また、弁室３１内は、流出通路３１ｄを閉塞可能なダイヤフラム３６によって上下に区画されており、ダイヤフラム３６の上部に連結するピストンロッド３７が仕切壁３３に設けられた貫通孔３３ａを気水密に嵌挿されて駆動室３２内に摺動可能に配設されたピストン３８に連結されている。ピストン３８の上面と駆動室３２の頂部との間にはスプリング３９が縮設されており、スプリング３９の弾発力によって常時ピストン３８が下方に押圧されてダイヤフラム３６が下方側に移動するようになっている。
【００３４】
駆動室３２におけるピストン３８の下部側の側壁には、制御用空気の流通口３２ａが設けられており、この流通口３２ａには、空気供給管路４１を介して空気供給源４０が接続されている。空気供給管路４１の途中に排気管路４２が分岐されている。また、空気供給管路４１における空気供給源４０側に、第１のソレノイド弁４３が介設され、排気管路４２には、第２のソレノイド弁４４が介設されている。これら第１及び第２のソレノイド弁４３，４４は、制御手段であるコントローラ４５からの時間に基づく制御信号によって開閉制御されるようになっている。また、空気供給管路４１の弁本体側には圧力検出手段である圧力検出器４６が介設されており、この圧力検出器４６によって検出された信号がコントローラ４５に伝達されるようになっている。
【００３５】
上記のように構成される電空レギュレータ３０において、コントローラ４５からの制御信号により第１のソレノイド弁４３が所定時間開放することにより、空気供給源４０から制御用の空気が駆動室３２内に供給されて、ピストン３８がスプリング３９の弾発力に抗して上方へ移動する。このピストン３８の移動に伴ってダイヤフラム３６が上方へ変位して弁室３１内に現像液が流入される（図４参照）。また、コントローラ４５からの制御信号により第１のソレノイド弁４３が閉じ、次いで、第２のソレノイド弁４４が所定時間開放することにより、駆動室３２内が大気側に連通するので、スプリング３９の弾発力によってピストン３８が下方に移動し、駆動室３２内の空気は排気管路４２を介して大気側に排出される。これによりピストン３８の移動に伴ってダイヤフラム３６が下方に変位して弁室３１内の現像液を供給ノズル１０側へ流出（供給）した後、流出通路３１ｄを閉塞する。
【００３６】
このように、コントローラ４５からの時間に基づく制御信号によって第１及び第２のソレノイド弁４３，４４が開閉制御されることにより、現像タンク２から供給ノズル１０に供給される現像液の供給流量を設定された時間内で漸次増大して開放するか、又は漸次減少して停止することができる。したがって、圧送気体例えばＮ２ガスを現像タンク２内に供給して現像タンク２内に貯留された現像液を処理液供給管路３へ流す状態で、第１のソレノイド弁４３を開放すれば、現像液がフィルタ８によって濾過された後、電空レギュレータ３０を介して供給ノズル１０に供給される。また、第１のソレノイド弁４３を閉じる一方、第２のソレノイド弁４４を開放すると、上述したように、スプリング３９の弾発力によってピストン３８が下方に移動すると共に、ダイヤフラム３６が下方に変位して弁室３１内の現像液が供給ノズル１０側へ流出（供給）した後、流出通路３１ｄを閉塞することで、現像液の供給流量は漸次減少した後、供給が停止される。
【００３７】
次に、上記のように構成された現像処理装置を用いてウエハＷに現像液を供給して処理を施す手順について、図６を参照して説明する。
【００３８】
まず、図示しないウエハ搬送アームによって現像処理装置内に搬送されたウエハＷをチャック１が上昇して受け取り、チャック１が下降してウエハＷを水平状態に吸着保持する。次に、ホームポジションＰＨに待機されている供給ノズル１０はウエハＷの一端側の外方位置Ｐ０に移動され、この位置で、電空レギュレータ３０の第１のソレノイド弁４３が開放して、現像タンク２から供給される現像液を吐出（供給）した状態となる。この状態で、移動機構２０の駆動により供給ノズル１０がウエハＷの一端側Ｐ１に進入しウエハＷの中心部の手前の所定位置Ｐ２まで一定速度で移動（スキャン）しつつ現像液を吐出（供給）する。供給ノズル１０が所定位置まで移動した後、コントローラ４５からの制御信号によって電空レギュレータ３０の第１のソレノイド弁４３が閉じる一方、第２のソレノイド弁４４が開放すると、一定速度で移動する供給ノズル１０から吐出（供給）される現像液の吐出流量（供給流量）が漸次減少され、ウエハＷの他端側の手前の位置Ｐ３で供給が停止する。更に、供給ノズル１０は一定速度で移動して供給された現像液を供給ノズル１０の先端部の石英棒１５が既にウエハＷ上に供給された現像液と接液状態でウエハＷの他端Ｐ４までノズル移動させて引っ張るように拡げる。その後、供給ノズル１０はウエハＷの他端側の外方へ移動した後、停止する。
【００３９】
これにより、ウエハＷ表面に均一に現像液を供給すなわち現像液の均一な液膜形成を実現することができる。また、この際、ウエハＷの表面積に応じて供給ノズル１０の移動速度と、現像液の供給流量を設定することにより、現像液の使用量を大幅に低減することができる。したがって、ウエハＷの一端側から他端側に向かって現像液を一定量供給して現像処理する従来の現像処理に比べて、図６にハッチングで示す領域分だけ現像液の使用量を低減することができ、約半分の使用量とすることができる。また、現像液の吐出（供給）開始時のオーバーシュートを抑えることができ、上記外方位置Ｐ０からウエハＷの一端側Ｐ１間の無駄な消費をなくすことができる。
【００４０】
上記のようにして現像処理が終了した後、移動機構２０の駆動により洗浄ノズル２４をウエハＷの他端側から一端側に向かって移動（スキャン）させつつ洗浄液例えば純水を供給して洗浄処理を行う。洗浄処理を行った後、昇降機構５の駆動によりチャック１が上昇して、現像処理装置内に進入するウエハ搬送アーム（図示せず）にウエハＷを受け渡す。
【００４１】
◎第二実施形態
上記第一実施形態では、供給ノズル１０の移動速度を一定にして、ウエハＷの一端側Ｐ１から所定位置Ｐ２まで現像液を吐出（供給）し、所定位置Ｐ２からウエハＷの他端側手前位置Ｐ３まで現像液の吐出（供給）流量を漸次減少して停止し、その後、ウエハＷの他端側まで供給ノズル１０を一定速度で移動する場合について説明したが、供給ノズル１０の移動速度を変えるようにしてもよい。例えば、図７に示すように、外方位置Ｐ０からウエハＷの一端側Ｐ１までの間の供給ノズル１０の移動速度（以下にノズル移動速度という）をＳ１とし、ウエハＷの一端側Ｐ１から上記所定位置Ｐ２までの間のノズル移動速度をＳ２とし、所定位置Ｐ２からウエハＷの他端側の手前位置Ｐ３までの間のノズル移動速度をＳ３とし、上記手前位置Ｐ３からウエハＷの他端Ｐ４までの間のノズル移動速度をＳ４とし、更に、ウエハ他端Ｐ４から他端側外方位置ＰＥまでのノズル移動速度をＳ５として、これらノズル移動速度Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５を、以下に示すように、  ▲１▼Ｓ１＞Ｓ２＝Ｓ３＞Ｓ４＜Ｓ５とするか、あるいは、▲２▼Ｓ１＞Ｓ２＜Ｓ３＞Ｓ４＜Ｓ５とすることができる。
【００４２】
この場合、  ▲１▼に示すように、供給ノズル１０の移動速度を、ウエハＷの一端側Ｐ０からウエハＷの他端側手前位置Ｐ３（現像液の供給を停止する位置）まで一定にし、その後、ウエハＷの他端Ｐ４まで一定速度より低速にすることにより、供給ノズル１０に接液した現像液が離れ難くなるので、ウエハＷ上に供給された現像液を供給ノズル１０が引っ張るようにしてウエハＷの他端まで確実に延ばす（拡げる）ことができる。
【００４３】
また、▲２▼に示すように、供給ノズル１０の移動速度を、ウエハＷの一端側Ｐ１から現像液を一定流量供給する位置Ｐ２まで一定にし、その後、ウエハＷの他端側手前位置Ｐ３（現像液の供給を停止する位置）まで一定速度より高速にすることにより、Ｐ２−Ｐ３間で現像液を供給ノズル１０の先に先回りしないようにすることができ、かつ、既にウエハＷ上に載っている現像液を供給ノズル１０に接液した状態で延ばす（拡げる）ことができる。その後、ウエハＷの他端Ｐ４まで低速にすることにより、上述したように、供給ノズル１０に接液した現像液が離れ難くなるので、ウエハＷ上に供給された現像液を供給ノズル１０が引っ張るようにしてウエハＷの他端まで確実に延ばす（拡げる）ことができる。
【００４４】
なお、第二実施形態において、その他の部分は、第一実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００４５】
◎第三実施形態
上記実施形態では、供給ノズル１０とウエハＷ表面との隙間（距離）が一定である場合について説明したが、供給ノズル１０の移動位置に応じて供給ノズル１０とウエハＷ表面との隙間（距離）を変えるようにしてもよい。
【００４６】
この場合、図１に一点鎖線で示すように、移動機構２０に供給ノズル１０とウエハＷ表面との隙間（距離）を調整する隙間調整手段５０を具備させて、供給ノズル１０を鉛直方向に移動可能に形成する。このように構成することによって、隙間調整手段５０の駆動によって供給ノズル１０を鉛直方向に移動、すなわちウエハＷ表面に対して接離移動可能にすることができる。例えば、図８に示すように、供給ノズル１０とウエハＷ表面との隙間を、外方位置Ｐ０及びウエハＷの一端側Ｐ１から現像液を一定流量供給する所定位置Ｐ２までの間を（Ｈ１）とし、所定位置Ｐ２からウエハＷの他端側手前で現像液の供給を停止する位置Ｐ３までの間を（Ｈ２）とし、位置Ｐ３からウエハＷの他端Ｐ４までの間を（Ｈ３）とし、これら隙間の関係を、（Ｈ１）＞（Ｈ２）＞（Ｈ３）のように順次狭く（小さく）するようにしてもよい。この場合、例えばＨ１＝１．５ｍｍ、Ｈ２＝１．０ｍｍ、Ｈ３＝０．５ｍｍに設定する。
【００４７】
このように、隙間調整手段５０によって、ウエハＷの一端側Ｐ１から現像液を一定流量供給する所定位置Ｐ２までの間の隙間（Ｈ１＝１．５ｍｍ）に対して、所定位置Ｐ２から電空レギュレータ３０を閉じて現像液の供給を停止する位置Ｐ３までの隙間（Ｈ２＝１．０ｍｍ）を小さくし、隙間（Ｈ２）に対して、現像液の供給を停止する位置Ｐ３からウエハＷの他端Ｐ４までの隙間（Ｈ３＝０．５ｍｍ）を更に小さくすることにより、現像液を一定流量供給する位置Ｐ２から現像液の供給を停止する位置Ｐ３まで現像液の表面張力を大きくして供給ノズル１０と現像液との接液状態を確実にすることができ、かつ、現像液の供給を停止する位置Ｐ３からウエハＷの他端Ｐ４まで現像液の表面張力を更に大きくして供給ノズル１０と現像液との接液状態を確実にすることができ、現像液を確実に拡げることができる。
【００４８】
なお、第三実施形態において、その他の部分は、第一実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００４９】
◎第四実施形態
図９は、この発明の第四実施形態の現像処理装置の概略側面図、図１０は、第四実施形態におけるノズル角度調整手段であるノズル角度調整機構６０を示す概略側面図である。
【００５０】
第四実施形態は、現像液の供給（吐出）を漸次減少して、停止する工程における供給ノズル１０と現像液との接液状態を確実に行えるようにし、また、処理後に供給ノズル１０に残存する現像液の液切れを行えるようにした場合である。
【００５１】
第四実施形態の現像処理装置は、図９に示すように、供給ノズル１０を把持するアーム２２に、供給ノズル１０の姿勢を、ウエハＷ表面に対して略鉛直な状態と、ノズル移動方向の進行側、又は、後方側に傾斜する状態に調整するノズル角度調整機構６０を具備している。
【００５２】
この場合、ノズル角度調整機構６０は、図１０に示すように、ステッピングモータ６１と、このステッピングモータ６１の駆動軸６２に装着される駆動プーリ６３と、ノズルヘッド１１を鉛直方向に揺動可能に枢着する枢支軸６４と、枢支軸６４に装着される従動プーリ６５と、駆動プーリ６３と従動プーリ６５に掛け渡されるタイミングベルト６６とで主に構成されている。このように構成されるノズル角度調整機構６０によって、供給ノズル１０の姿勢は、ウエハＷ表面に対して略鉛直な状態と、ノズル移動方向の後方側に向かって傾斜する状態（図１１参照）と、ノズル移動方向側に傾斜する状態（図１２参照）に角度調整が可能となる。なお、ノズル角度調整機構６０は、必ずしも上述した構造に限定されるものではなく、例えば、上記タイミングベルトに代えてギアを用いて供給ノズル１０の姿勢を上述と同様に変化させるか、あるいは、ステッピングモータの駆動軸に直接供給ノズル１０を装着して、供給ノズル１０の姿勢を上述と同様に変化させるようにしてもよい。
【００５３】
次に、第四実施形態における供給ノズル１０の姿勢の変化の一例を、図１３を参照して説明する。まず、ウエハＷの一端側Ｐ１からウエハＷの他端手前側で処理液の供給を停止する位置Ｐ３までは、ウエハＷ表面に対して略鉛直にして、現状液を一定流量供給（吐出）し、その後、漸次減少して停止する。そして、現像液の供給を停止する位置Ｐ３からウエハＷの他端Ｐ４までは、現像液との接液面積が増大すべくノズル移動方向の後方側に向かって傾斜する。これにより、図１１に示すように、撥水性のノズルヘッド１１に取り付けられている親水性の石英棒１５と現像液との接液面積が増大し、接液がし易くなり、現像液を確実に延ばす（拡げる）ことができる。現像処理が終了した後、ウエハＷの他端Ｐ４から他端側外方位置ＰＥまでは現像液の液切れを促すようにノズル移動方向側に傾斜する（図１２参照）。これにより、処理後に供給ノズル１０に残存（付着）する現像液の液切れを促すことができるので、供給ノズル１０に現像液が残存することがない。したがって、供給ノズル１０に残存する現像液が乾燥してパーティクルを発生するのを防止することができる。なお、供給ノズル１０の姿勢を、ノズル移動方向の後方側に傾斜する状態から略鉛直状態に変化させることによって、現像液の液切れを行うことができ、同様な効果が得られる。
【００５４】
なお、第四実施形態において、その他の部分は、第一実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００５５】
また、第四実施形態において、第二実施形態と同様に、供給ノズル１０の移動速度を変化させてもよく、あるいは、第三実施形態に示すように、供給ノズル１０とウエハＷ表面との隙間（距離）を変化させるようにしてもよい。
【００５６】
【実施例】
次に、上記現像処理方法によってウエハＷを現像処理して線幅状態を調べるための評価実験について、図１４及び図１５を参照して説明する。まず、図１４に示すように、化学増幅型レジストが塗布された２００ｍｍウエハＷにおける幅方向（供給ノズル１０の移動方向と直交する方向の直径）に１から１７までの測定点を設定し、ウエハＷにおける一端から他端（供給ノズル１０の移動方向）に１８から３３までの測定点を設定いておく。そして、上述したように、供給ノズル１０をウエハＷの一端側から他端側に向かって一定速度例えば６０ｍｍ／ｓｅｃで移動させつつウエハＷの中心部手前の所定位置まで現像液を一定流量供給した後、現像液の供給流量を漸次減少し、ウエハＷの他端側手前の５０ｍｍの位置で供給を停止し、次いで、供給された現像液を供給ノズル１０でウエハＷの他端まで拡げた。この工程の時間を３．６ｓｅｃ（秒）と２．５ｓｅｃ（秒）行って、各測定点１〜１７，１８〜３３の線幅を調べたところ、図１５に示すような結果が得られた。この評価実験の結果、最も線幅が不均一になる虞がある測定点２９，３０，３１，３２，３３においては、表１に示すような線幅であった。
【００５７】
【表１】
2004342692.tif 000003
【００５８】
上記実験の結果、供給ノズル１０の移動時間が３．６ｓｅｃ（秒）と２．５ｓｅｃ（秒）のいずれの場合においても、測定点２９，３０，３１，３２，３３の線幅が平均線幅１８４．９ｎｍ，１８４．６ｎｍに対して線幅が極端に太くなることがなく、線幅均一性は従来と同等以上で許容できる範囲であり、処理プロセス上問題ないことが判った。また、この評価実験の結果、特に、現像液依存性の高いレジストに効果が得られることが判った。
【００５９】
なお、上記実施形態では、この発明に係る液処理装置を半導体ウエハの現像処理装置に適用した場合について説明したが、半導体ウエハ以外の被処理基板基板例えばＦＰＤ用ガラス基板においても同様に現像処理することができる。
【００６０】
【発明の効果】
以上に説明したように、この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。
【００６１】
（１）請求項１，９記載の発明によれば、水平状態に保持された被処理基板の一端側から他端側に向かって処理液供給ノズルを移動させつつ処理液供給ノズルから処理液を供給するに際して、処理液供給ノズルが被処理基板の所定位置まで移動する間、処理液を一定流量供給した後、処理液の供給流量を漸次減少し、被処理基板の他端側手前で供給を停止し、その後、供給された処理液を、処理液供給ノズルで被処理基板の他端まで拡げることにより、処理液の供給流量の制御を容易にすることができ、また、被処理基板表面に均一に処理液を供給することができ、従来の処理液供給ノズルの移動速度を制御するものや被処理基板の一端側から他端側に渡って処理液の供給量を制御するものに比べて処理液の消費量の低減を図ることができる。
【００６２】
（２）請求項２，１２記載の発明によれば、処理液を被処理基板の他端まで拡げる際、処理液供給ノズルが処理液を接液しつつ行うことにより、上記（１）に加えて更に処理液の供給を確実にすると共に、消費量を低減して均一処理を可能にすることができる。
【００６３】
（３）請求項３，１３記載の発明によれば、処理液供給ノズルを被処理基板の一端側から他端側まで一定速度で移動し、時間に基づいて処理液供給ノズルからの処理液の供給流量を漸次減少して供給を停止することにより、上記（１）、（２）に加えて更に処理液の供給流量の制御を容易にすることができるので、処理液の消費量の低減をより具現化することができると共に、処理の信頼性の向上が図れる。これに代えて、処理液供給ノズルの移動速度を、被処理基板の一端側から被処理基板の他端側手前で処理液の供給を停止する位置まで一定にし、その後、被処理基板の他端側まで上記一定速度より低速にすることにより、ノズルに接液した処理液を離れ難くして、被処理基板の他端側まで処理液を確実に拡げることができる（請求項４，１４）。この処理に加えて、処理液供給ノズルの移動速度を、被処理基板の一端側から処理液を一定流量供給する位置まで一定にし、その後、被処理基板の他端側手前で処理液の供給を停止する位置まで一定速度より高速にすることにより、処理液を一定流量供給する位置と処理液の供給を停止する位置との間で処理液をノズルの先に先回りしないようにすることができ、かつ、被処理基板上に載っている処理液をノズルに接液した状態で延ばす（拡げる）ことができる（請求項５，１５）。
【００６４】
（４）請求項６，１０記載の発明によれば、隙間調整手段によって、被処理基板の一端側から処理液を一定流量供給する所定位置までの間の隙間（Ｈ１）に対して、所定位置から制御弁を閉じて処理液の供給を停止する位置までの隙間（Ｈ２）を小さくし、隙間（Ｈ２）に対して、処理液の供給を停止する位置から被処理基板の他端側までの隙間（Ｈ３）を更に小さくすることにより、処理液を一定流量供給する位置から処理液の供給を停止する位置まで処理液の表面張力を大きくして接液状態を確実にすることができ、かつ、処理液の供給を停止する位置から被処理基板の他端側まで処理液の表面張力を更に大きくして接液状態を確実にすることができる。したがって、上記（１）〜（３）に加えて更に処理液を確実に拡げることができる。
【００６５】
（５）請求項７，１１記載の発明によれば、ノズル角度調整手段によって、処理液供給ノズルの姿勢を、被処理基板の一端側から被処理基板の他端手前側で処理液の供給を停止する位置までは、被処理基板表面に対して略鉛直にし、処理液の供給を停止する位置から被処理基板の他端側までは、ノズル移動方向の後方側に向かって傾斜することにより、ノズルと処理液との接液面積を増大することができる。また、その後、処理液供給ノズルの姿勢を、略鉛直又はノズル移動方向側に傾斜することにより、処理液の液切れを促すことができるので、ノズルに処理液が残存することがない。したがって、ノズルに残存する処理液が乾燥してパーティクルを発生するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る液処理装置の一例の現像処理装置を示す概略平面図である。
【図２】上記現像処理装置の概略平面図である。
【図３】この発明における現像液供給ノズルの一例を示す一部断面側面図（ａ）、（ａ）の要部拡大断面図（ｂ）及び（ｂ）のＩ−Ｉ線に沿う断面図（ｃ）である。
【図４】この発明における電空レギュレータによる現像液の供給を漸次減少する状態を示す概略構成図である。
【図５】上記電空レギュレータによる現像液の供給を漸次増大する状態を示す概略構成図である。
【図６】この発明の第一実施形態における現像液供給ノズルの移動と現像液の供給状態を示す説明図である。
【図７】この発明の第二実施形態における現像液供給ノズルの移動と現像液の供給状態を示す説明図である。
【図８】この発明の第三実施形態における現像液供給ノズルの移動と現像液の供給状態を示す説明図である。
【図９】この発明の第四実施形態の現像処理装置を示す概略側面図である。
【図１０】第四実施形態におけるノズル角度調整機構の一例の一部を断面で示す概略側面図である。
【図１１】上記ノズル角度調整機構によって現像液供給ノズルを移動方向後方側に傾斜させた状態の一部を断面で示す概略側面図である。
【図１２】上記ノズル角度調整機構によって現像液供給ノズルを移動方向側に傾斜させた状態の一部を断面で示す概略側面図である。
【図１３】第四実施形態における現像液供給ノズルの移動と現像液の供給状態を示す説明図である。
【図１４】現像液供給ノズルの移動と測定点の関係を示す説明図である。
【図１５】線幅と測定点との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
Ｗ  半導体ウエハ（被処理基板）
１  チャック（保持手段）
２  現像タンク（処理液供給源）
３  処理液供給管路
１０  現像液供給ノズル（処理液供給ノズル）
２０  移動機構
３０  電空レギュレータ（制御弁）
４５  コントローラ（制御手段）
５０  隙間調整手段
６０  ノズル角度調整機構
Ｓ１〜Ｓ５  ノズル移動速度
Ｈ１〜Ｈ３  ノズルとウエハ表面との隙間
【図１】
2004342692.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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