(57)【要約】【課題】直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システム及びその書き込み方法の提供。【解決手段】書き込むデータを先にレジスタに書き込み、さらにデコード後に得られた論理書き込み目的アドレス中のＭＣＦ値の一部内容を実体書き込みアドレスとなし、並びにＭＣＦの一部内容により実体書き込みアドレスが対応するブロックのデータの有無を判断し、もし対応するブロック内にデータが存在すれば代替え表中より新たな置換ブロックを取り出し、最後にレジスタ内の少なくとも一つのデータを置換ブロックに書き込む。【選択図】　　　　図１
2004062851.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、
少なくとも一つの非揮発性メモリとされ、複数のブロックを具え、そのうち少なくとも一つのブロックがシステム管理表を保存し、システム管理表は複数のマッピングコントロールフィールド表、即ちＭＣＦ表を具え、各ＭＣＦ表は複数のマッピングコントロールフィールド、即ちＭＣＦを具えた、上記少なくとも一つの非揮発性メモリと、
レジスタとされ、少なくとも一つの非揮発性メモリに書き込みたい少なくとも一つの目標データを暫時保存し、該レジスタがレジスタＭＣＦ表を具え、レジスタＭＣＦ表はシステム管理表の少なくとも一つのＭＣＦ値を具えた、上記レジスタと、
を具え、ホストマシンが送出する書き込み命令により少なくとも一つの目標データが少なくとも一つの非揮発性メモリに書き込まれ、この書き込み命令は目標ＭＣＦナンバーを具え、並びに目標ＭＣＦナンバーが対応するレジスタＭＣＦ表の目標ＭＣＦ値により目標データが少なくとも一つの非揮発性メモリに書き込まれることを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システム。
【請求項２】
請求項１に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、各ＭＣＦ表が、表性質、ＭＣＦ表フラグ、ＭＣＦ表ナンバー、ＭＣＦグループナンバー、少なくとも一つのその他情報、及び複数の置換ブロックアドレスを含むことを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システム。
【請求項３】
請求項１に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、各ＭＣＦが、データユニット状態、マッピング装置ナンバー、マッピング実体ブロックアドレスを具えたことを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システム。
【請求項４】
請求項２に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、レジスタがレジスタＭＣＦインデックス表を具え、該レジスタＭＣＦインデックス表は目標ＭＣＦ表コードの対応するＭＣＦ値が該レジスタＭＣＦ表に存在しない時、該レジスタＭＣＦ表とＭＣＦグループナンバーを透過し、直接システム管理表中で目標ＭＣＦ値を含むＭＣＦ表をサーチし、並びにそのＭＣＦ表をレジスタＭＣＦ表にロードすることを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システム。
【請求項５】
請求項２に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、目標ＭＣＦのマッピング実体ブロックアドレスの対応する少なくとも一つのブロックにデータが存在しない時、すでにレジスタに書き込まれた少なくとも一つの目標データがこの少なくとも一つのブロックに書き込まれ、データが存在する時は、少なくとも一つの置換ブロックアドレスを透過して少なくとも一つの置換ブロックが取り出され、並びにすでにレジスタに書き込まれた少なくとも一つの目標データがこの少なくとも一つの置換ブロックに書き込まれ、且つこの少なくとも一つの置換ブロックのアドレスとこの目標ＭＣＦのマッピング実体ブロックアドレスに対して相互更新が行われることを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システム。
【請求項６】
請求項５に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、更新される少なくとも一つの置換ブロックアドレスを以てシステム管理表が更新され、並びに複数の設定値が利用されて更新されるＭＣＦ表のＭＣＦ表フラグに註記され、且つこの複数の設定値を以て優先権判断がなされることを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システム。
【請求項７】
請求項６に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、複数の設定値が第１設定値、第２設定値、第３設定値を含み、第１設定値が第２設定値より小さく、第２設定値が第３設定値より小さく、第３設定値が第１設定値より小さいことを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システム。
【請求項８】
請求項７に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、目標ＭＣＦ値がシステム管理表中のＭＣＦ表フラグにあって第１設定値とされるなら、更新されるＭＣＦ値のＭＣＦ表優先権フラグ註記が第２設定値とされることを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システム。
【請求項９】
請求項２に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、マッピング装置ナンバーが対応するＭＣＦを直接非揮発性メモリに対応させるのに用いられることを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システム。
【請求項１０】
請求項１に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、各ＭＣＦ中にデータユニット状態、ＭＣＦ優先権フラグ、ＭＣＦ表ナンバー、及びマッピング実体ブロックアドレスがあり、且つレジスタが置換表を具え、該置換表が少なくとも一つの非揮発性メモリの複数の置換ブロックアドレスを具えたことを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システム。
【請求項１１】
請求項１０に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、目標ＭＣＦナンバーが対応するＭＣＦ値がレジスタＭＣＦ表にない時、システム管理表よりこの目標ＭＣＦ値を含む少なくとも一つのＭＣＦ値をレジスタＭＣＦ表にロードすることを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システム。
【請求項１２】
請求項１０に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、目標ＭＣＦのマッピング実体ブロックアドレスの対応する少なくとも一つのブロックにデータが存在しなければ、すでにレジスタに書き込まれた少なくとも一つの目標データを少なくとも一つのブロックに書き込み、存在すれば、置換表より少なくとも一つの置換ブロックを取り出し、並びにすでにレジスタに書き込まれた少なくとも一つの目標データを少なくとも一つの置換ブロックに書き込み、続いて少なくとも一つの置換ブロックのアドレスと該目標ＭＣＦのマッピング実体ブロックアドレスに対して相互更新を進行することを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システム。
【請求項１３】
請求項１０に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、更新する少なくとも一つの置換ブロックアドレスを以てシステム管理表を更新し、並びに複数の設定値を利用して更新するＭＣＦ表のＭＣＦ優先権フラグを註記し、且つ該複数の設定値を以て優先権判断を行うことを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システム。
【請求項１４】
請求項１０に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、目標ＭＣＦのデータユニット状態の値を以てマッピング実体ブロックアドレスが対応する少なくとも一つのブロックの情報書き込み状態となすことを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システム。
【請求項１５】
直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの書き込み方法において、ホストマシン書き込みデータを保存システムに提供し、該保存システムはレジスタと少なくとも一つの非揮発性メモリを具え、少なくとも一つの非揮発性メモリは複数のブロックを具え、そのうち少なくとも一つのブロックがシステム管理表を保存し、システム管理表は複数のマッピングコントロールフィールド表、即ちＭＣＦ表を具え、各一つのＭＣＦ表は複数のマッピングコントロールフィールド、即ちＭＣＦ、一つのＭＣＦ表フラグ、一つのＭＣＦ表ナンバー、一つのＭＣＦグループナンバー、及び複数の置換ブロックアドレスを具え、各ＭＣＦ中にさらにマッピング実体ブロックアドレスがあり、該レジスタはレジスタＭＣＦ表を具え、レジスタＭＣＦ表はシステム管理表の少なくとも一つのＭＣＦ値を具え、書き込み方法は、
（Ａ）ホストマシンの送出した書き込み命令をデコードし、書き込み命令に対応し目標ＭＣＦのＭＣＦナンバーを含む論理書き込み目的アドレスを解読するステップ、
（Ｂ）書き込み命令を目標データ書き込みレジスタに書き込むステップ、
（Ｃ）目標ＭＣＦ値がレジスタＭＣＦ表に存在しなければレジスタＭＣＦインデックス表とこれらＭＣＦグループナンバーを透過し、直接システム管理表より目標ＭＣＦ値を含む少なくとも一つのＭＣＦ表を検索し、並びに少なくとも一つのＭＣＦ表をレジスタＭＣＦ表にロードするステップ、
（Ｄ）目標ＭＣＦ値のマッピング実体書き込みアドレスを非揮発性メモリの実体書き込みアドレスとなすステップ、
（Ｅ）実体書き込みアドレスが対応する少なくとも一つのブロックにデータが存在しなければ、すでにレジスタに書き込まれた目標データを実体書き込みアドレスに対応する少なくとも一つのブロックに書き込むステップ、
（Ｆ）実体書き込みアドレスが対応する少なくとも一つのブロックにすでにデータが存在していれば、少なくとも一つの置換ブロックアドレスを透過して少なくとも一つの置換ブロックを取り出し、並びにすでにレジスタに書き込まれた目標データを少なくとも一つの置換ブロックに書き込み、且つ少なくとも一つの置換ブロックのアドレスを以てレジスタＭＣＦ表を更新するステップ、
以上のステップを具えたことを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの書き込み方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの書き込み方法において、（Ｆ）のステップで、実体書き込みアドレスが対応する少なくとも一つのブロックのデータをレジスタに書き込み、さらにすでにレジスタに書き込まれた目標データをこの少なくとも一つの置換ブロックに書き込むことを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの書き込み方法。
【請求項１７】
請求項１５に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの書き込み方法において、さらに：
（Ｇ）少なくとも一つの置換ブロックアドレスを以てシステム管理表中の一つのＭＣＦを更新し、並びにこの更新したＭＣＦを含むＭＣＦ表中のＭＣＦ表フラグに対する註記を行うステップ、
を具えたことを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの書き込み方法。
【請求項１８】
請求項１５に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの書き込み方法において、目標ブロック属性フィールドがデータユニット状態を具え、このデータユニット状態がマッピング実体ブロックアドレスの対応する少なくとも一つのブロックのデータ書き込み状態とされることを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの書き込み方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一種の非揮発性メモリの保存システム及びその書き込み方法に係り、特に、直接重複書き込み可能で冗長フィールド（ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ）の使用不要の非揮発性メモリの保存システム及びその書き込み方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般にフラッシュメモリにデータを書き込む時には、それ以前に記録されたデータを先に消去（ｅｒａｓｅ）してからでなければ書き込めない。このためにデータを書き込む時に費やす時間が長くなり、このことがフラッシュメモリの使用上の一大欠点となっている。消去してもしなくても直接書き込める非揮発性メモリの設計においては、いかにこのような非揮発性メモリのアクセス機能を向上するかが極めて重要な課題となっている。
【０００３】
また、フラッシュメモリへのデータ書き込みは、通常はフラッシュメモリの内部の複数のブロックが書き込みユニットとされる。各一つのブロック中、一般には最後の数個のビットセットが冗長フィールド（ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ）とされ、このブロックのデータ書き込み状態及びその他のブロック情報を記録する。このため毎回データを書き込む前には書き込み目標ブロックの冗長フィールドを検査しなければならず、書き込み時間が増加し、且つ冗長フィールドは各一つの書き込みブロックの有限な空間を占有するため、書き込むブロックの使用可能空間を小さくする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の主要な目的は、一種の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システム及びその書き込み方法を提供し、非揮発性メモリのデータ書き込み時間を短縮すると共にデータ書き込み時にその他の外在因子によりデータを喪失する情況が発生するのを防止できるようにすることにある。
【０００５】
本発明の特色によると、本発明の提出する直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムは、少なくとも一つの非揮発性メモリ、及び一つのレジスタを具えている。上記非揮発性メモリは複数のブロックを具え、そのうち少なくとも一つのブロックがシステム管理（ＳｙｓｔｅｍＭａｎａｇｅｍｅｎｔ）表を保存し、システム管理表は複数のマッピングコントロールフィールド（Ｍａｐｐｉｎｇ　Ｃｏｎｔｒｏｌ　Ｆｉｅｌｄ；ＭＣＦ）表を具え、各一つのＭＣＦ表は複数のマッピングコントロールフィールド（ＭＣＦ）を具えている。また上記レジスタは、少なくとも一つの非揮発性メモリに書き込みたい少なくとも一つの目標データを暫時保存し、レジスタはレジスタＭＣＦ表を具え、レジスタＭＣＦ表はシステム管理表の少なくとも一つのＭＣＦ値を具えている。ホストマシンが書き込み命令を送出して少なくとも一つの目標データを少なくとも一つの非揮発性メモリに書き込み、この書き込み命令は目標ＭＣＦナンバーを具え、並びに目標ＭＣＦナンバーが対応するレジスタＭＣＦ表の目標ＭＣＦ値により少なくとも一つの非揮発性メモリに書き込まれる。
【０００６】
本発明のもう一つの特色によると、本発明の提出する直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの書き込み方法は、ホストマシン書き込みデータを保存システムに提供し、保存システムはレジスタと少なくとも一つの非揮発性メモリを具え、少なくとも一つの非揮発性メモリは複数のブロックを具え、そのうち少なくとも一つのブロックがシステム管理（Ｓｙｓｔｅｍ　Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ）表を保存し、システム管理表は複数のマッピングコントロールフィールド（Ｍａｐｐｉｎｇ　Ｃｏｎｔｒｏｌ　Ｆｉｅｌｄ；ＭＣＦ）表を具え、各一つのＭＣＦ表は複数のマッピングコントロールフィールド（ＭＣＦ）、一つのＭＣＦ表フラグ（ＭＣＦ　Ｔａｂｌｅ　Ｆｌａｇ；ＭＴＦ）、一つのＭＣＦ表ナンバー（ＭＣＦ　Ｔａｂｌｅ　Ｎｕｍｂｅｒ；ＭＴＮ）、一つのＭＣＦグループナンバー（ＭＣＦ　Ｇｒｏｕｐ　Ｎｕｍｂｅｒ；ＭＧＮ）、及び複数の置換ブロックアドレスを具えている。各一つのＭＣＦ中にさらにマッピング実体ブロックアドレス（Ｍａｐｐｉｎｇ　Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｂｌｏｃｋ　Ａｄｄｒｅｓｓ；ＭＰＢＡ）がある。レジスタはレジスタＭＣＦ表を具え、レジスタＭＣＦ表はシステム管理表の少なくとも一つのＭＣＦ値を具えている。書き込み方法は、以下のステップを具えている。即ち、
（Ａ）ホストマシンの送出した書き込み命令をデコードし、書き込み命令に対応し目標ＭＣＦのＭＣＦナンバーを含む論理書き込み目的アドレスを解読するステップ、
（Ｂ）書き込み命令を目標データ書き込みレジスタに書き込むステップ、
（Ｃ）目標ＭＣＦ値がレジスタＭＣＦ表に存在しなければレジスタＭＣＦインデックス表とこれらＭＣＦグループナンバーを透過し、直接システム管理表より目標ＭＣＦ値を含む少なくとも一つのＭＣＦ表を検索し、並びに少なくとも一つのＭＣＦ表をレジスタＭＣＦ表にロードするステップ、
（Ｄ）目標ＭＣＦ値のマッピング実体書き込みアドレス（ＭＡＢＡ）を非揮発性メモリの実体書き込みアドレスとなすステップ、
（Ｅ）実体書き込みアドレスが対応する少なくとも一つのブロックにデータが存在しなければ、すでにレジスタに書き込まれた目標データを実体書き込みアドレスに対応する少なくとも一つのブロックに書き込むステップ、
（Ｆ）実体書き込みアドレスが対応する少なくとも一つのブロックにすでにデータが存在していれば、少なくとも一つの置換ブロックアドレスを透過して少なくとも一つの置換ブロックを取り出し、並びにすでにレジスタに書き込まれた目標データを少なくとも一つの置換ブロックに書き込み、且つ少なくとも一つの置換ブロックのアドレスを以てレジスタＭＣＦ表を更新するステップ、
以上のステップを具えている。
【０００７】
本発明の構造及び方法は新規であり、産業上の利用を提供し、且つ確実に増進された機能を有する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、
少なくとも一つの非揮発性メモリとされ、複数のブロックを具え、そのうち少なくとも一つのブロックがシステム管理表を保存し、システム管理表は複数のマッピングコントロールフィールド表、即ちＭＣＦ表を具え、各ＭＣＦ表は複数のマッピングコントロールフィールド、即ちＭＣＦを具えた、上記少なくとも一つの非揮発性メモリと、
レジスタとされ、少なくとも一つの非揮発性メモリに書き込みたい少なくとも一つの目標データを暫時保存し、該レジスタがレジスタＭＣＦ表を具え、レジスタＭＣＦ表はシステム管理表の少なくとも一つのＭＣＦ値を具えた、上記レジスタと、
を具え、ホストマシンが送出する書き込み命令により少なくとも一つの目標データが少なくとも一つの非揮発性メモリに書き込まれ、この書き込み命令は目標ＭＣＦナンバーを具え、並びに目標ＭＣＦナンバーが対応するレジスタＭＣＦ表の目標ＭＣＦ値により目標データが少なくとも一つの非揮発性メモリに書き込まれることを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムとしている。
請求項２の発明は、請求項１に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、各ＭＣＦ表が、表性質、ＭＣＦ表フラグ、ＭＣＦ表ナンバー、ＭＣＦグループナンバー、少なくとも一つのその他情報、及び複数の置換ブロックアドレスを含むことを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムとしている。
請求項３の発明は、請求項１に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、各ＭＣＦが、データユニット状態、マッピング装置ナンバー、マッピング実体ブロックアドレスを具えたことを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムとしている。
請求項４の発明は、請求項２に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、レジスタがレジスタＭＣＦインデックス表を具え、該レジスタＭＣＦインデックス表は目標ＭＣＦ表コードの対応するＭＣＦ値が該レジスタＭＣＦ表に存在しない時、該レジスタＭＣＦ表とＭＣＦグループナンバーを透過し、直接システム管理表中で目標ＭＣＦ値を含むＭＣＦ表をサーチし、並びにそのＭＣＦ表をレジスタＭＣＦ表にロードすることを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムとしている。
請求項５の発明は、請求項２に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、目標ＭＣＦのマッピング実体ブロックアドレスの対応する少なくとも一つのブロックにデータが存在しない時、すでにレジスタに書き込まれた少なくとも一つの目標データがこの少なくとも一つのブロックに書き込まれ、データが存在する時は、少なくとも一つの置換ブロックアドレスを透過して少なくとも一つの置換ブロックが取り出され、並びにすでにレジスタに書き込まれた少なくとも一つの目標データがこの少なくとも一つの置換ブロックに書き込まれ、且つこの少なくとも一つの置換ブロックのアドレスとこの目標ＭＣＦのマッピング実体ブロックアドレスに対して相互更新が行われることを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムとしている。
請求項６の発明は、請求項５に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、更新される少なくとも一つの置換ブロックアドレスを以てシステム管理表が更新され、並びに複数の設定値が利用されて更新されるＭＣＦ表のＭＣＦ表フラグに註記され、且つこの複数の設定値を以て優先権判断がなされることを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムとしている。
請求項７の発明は、請求項６に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、複数の設定値が第１設定値、第２設定値、第３設定値を含み、第１設定値が第２設定値より小さく、第２設定値が第３設定値より小さく、第３設定値が第１設定値より小さいことを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムとしている。
請求項８の発明は、請求項７に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、目標ＭＣＦ値がシステム管理表中のＭＣＦ表フラグにあって第１設定値とされるなら、更新されるＭＣＦ値のＭＣＦ表優先権フラグ註記が第２設定値とされることを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムとしている。
請求項９の発明は、請求項２に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、マッピング装置ナンバーが対応するＭＣＦを直接非揮発性メモリに対応させるのに用いられることを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムとしている。
請求項１０の発明は、請求項１に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、各ＭＣＦ中にデータユニット状態、ＭＣＦ優先権フラグ、ＭＣＦ表ナンバー、及びマッピング実体ブロックアドレスがあり、且つレジスタが置換表を具え、該置換表が少なくとも一つの非揮発性メモリの複数の置換ブロックアドレスを具えたことを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムとしている。
請求項１１の発明は、請求項１０に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、目標ＭＣＦナンバーが対応するＭＣＦ値がレジスタＭＣＦ表にない時、システム管理表よりこの目標ＭＣＦ値を含む少なくとも一つのＭＣＦ値をレジスタＭＣＦ表にロードすることを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムとしている。
請求項１２の発明は、請求項１０に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、目標ＭＣＦのマッピング実体ブロックアドレスの対応する少なくとも一つのブロックにデータが存在しなければ、すでにレジスタに書き込まれた少なくとも一つの目標データを少なくとも一つのブロックに書き込み、存在すれば、置換表より少なくとも一つの置換ブロックを取り出し、並びにすでにレジスタに書き込まれた少なくとも一つの目標データを少なくとも一つの置換ブロックに書き込み、続いて少なくとも一つの置換ブロックのアドレスと該目標ＭＣＦのマッピング実体ブロックアドレスに対して相互更新を進行することを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムとしている。
請求項１３の発明は、請求項１０に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、更新する少なくとも一つの置換ブロックアドレスを以てシステム管理表を更新し、並びに複数の設定値を利用して更新するＭＣＦ表のＭＣＦ優先権フラグを註記し、且つ該複数の設定値を以て優先権判断を行うことを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムとしている。
請求項１４の発明は、請求項１０に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムにおいて、目標ＭＣＦのデータユニット状態の値を以てマッピング実体ブロックアドレスが対応する少なくとも一つのブロックの情報書き込み状態となすことを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システムとしている。
請求項１５の発明は、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの書き込み方法において、ホストマシン書き込みデータを保存システムに提供し、該保存システムはレジスタと少なくとも一つの非揮発性メモリを具え、少なくとも一つの非揮発性メモリは複数のブロックを具え、そのうち少なくとも一つのブロックがシステム管理表を保存し、システム管理表は複数のマッピングコントロールフィールド表、即ちＭＣＦ表を具え、各一つのＭＣＦ表は複数のマッピングコントロールフィールド、即ちＭＣＦ、一つのＭＣＦ表フラグ、一つのＭＣＦ表ナンバー、一つのＭＣＦグループナンバー、及び複数の置換ブロックアドレスを具え、各ＭＣＦ中にさらにマッピング実体ブロックアドレスがあり、該レジスタはレジスタＭＣＦ表を具え、レジスタＭＣＦ表はシステム管理表の少なくとも一つのＭＣＦ値を具え、書き込み方法は、
（Ａ）ホストマシンの送出した書き込み命令をデコードし、書き込み命令に対応し目標ＭＣＦのＭＣＦナンバーを含む論理書き込み目的アドレスを解読するステップ、
（Ｂ）書き込み命令を目標データ書き込みレジスタに書き込むステップ、
（Ｃ）目標ＭＣＦ値がレジスタＭＣＦ表に存在しなければレジスタＭＣＦインデックス表とこれらＭＣＦグループナンバーを透過し、直接システム管理表より目標ＭＣＦ値を含む少なくとも一つのＭＣＦ表を検索し、並びに少なくとも一つのＭＣＦ表をレジスタＭＣＦ表にロードするステップ、
（Ｄ）目標ＭＣＦ値のマッピング実体書き込みアドレスを非揮発性メモリの実体書き込みアドレスとなすステップ、
（Ｅ）実体書き込みアドレスが対応する少なくとも一つのブロックにデータが存在しなければ、すでにレジスタに書き込まれた目標データを実体書き込みアドレスに対応する少なくとも一つのブロックに書き込むステップ、
（Ｆ）実体書き込みアドレスが対応する少なくとも一つのブロックにすでにデータが存在していれば、少なくとも一つの置換ブロックアドレスを透過して少なくとも一つの置換ブロックを取り出し、並びにすでにレジスタに書き込まれた目標データを少なくとも一つの置換ブロックに書き込み、且つ少なくとも一つの置換ブロックのアドレスを以てレジスタＭＣＦ表を更新するステップ、
以上のステップを具えたことを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの書き込み方法としている。
請求項１６の発明は、請求項１５に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの書き込み方法において、（Ｆ）のステップで、実体書き込みアドレスが対応する少なくとも一つのブロックのデータをレジスタに書き込み、さらにすでにレジスタに書き込まれた目標データをこの少なくとも一つの置換ブロックに書き込むことを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの書き込み方法としている。
請求項１７の発明は、請求項１５に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの書き込み方法において、さらに：
（Ｇ）少なくとも一つの置換ブロックアドレスを以てシステム管理表中の一つのＭＣＦを更新し、並びにこの更新したＭＣＦを含むＭＣＦ表中のＭＣＦ表フラグに対する註記を行うステップ、
を具えたことを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの書き込み方法としている。
請求項１８の発明は、請求項１５に記載の直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの書き込み方法において、目標ブロック属性フィールドがデータユニット状態を具え、このデータユニット状態がマッピング実体ブロックアドレスの対応する少なくとも一つのブロックのデータ書き込み状態とされることを特徴とする、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの書き込み方法としている。
【０００９】
【発明の実施の形態】
図１は本発明のシステム構造図である。それはホスト端１と保存システム２で組成されている。ホスト端１はマイクロプロセッサ或いはコントローラを具えた任意のコンピュータ装置或いは携帯装置、例えばノートブック型コンピュータ或いは携帯情報端末装置とされる。保存システム２はレジスタ３と非揮発性メモリモジュール４を具えている。レジスタ３は二つの主要な集合セクタＡとＢを具え、各一つの集合セクタは複数のセクタ３１を具えている。本実施例では一つの集合セクタが四つのセクタ３１を具えている。
【００１０】
レジスタ３はさらにＭＣＦ（マッピングコントロールフィールド）表３２と延伸表３０を具え、該延伸表３０は置換表３３（ｓｗａｐ　ｔａｂｌｅ）或いはレジスタＭＣＦインデックス表３４とされうる。レジスタ３は任意の記憶装置とされ、本実施例では、レジスタ３はＲＡＭとされる。
【００１１】
非揮発性メモリモジュール４は複数の非揮発性メモリを具え、本実施例では、非揮発性メモリモジュール４は二つ以上の非揮発性メモリ５、６、７を具えている。そのうち、第１の非揮発性メモリ５は少なくとも一つのデータレジスタ５１、複数のデータブロック５２、複数の置換ブロック５２、システム管理表５４、ブロック状態表５５、一般情報表５６を具えている。
【００１２】
システム管理表５４は少なくとも一つのブロックの空間を占用し、ブロック状態表５５は該非揮発性メモリ５中の全てのブロックの状態（即ち良好であるか壊れているか）を記録し、一般情報表５６はシステム運転に必要なパラメータとＭＣＦ表グループインデックス表を放置するのに供される。レジスタＭＣＦインデックス表３４のデータフォーマットについては後述する。
【００１３】
本実施例では、非揮発性メモリ５は一つのデータレジスタ５１を具え、該データレジスタ５１は四つのページ５２１、５２２、５２３、５２４を具え、且つデータブロック５２中の各ページのサイズはレジスタ３中の各一つのセクタ３１に等しく、またデータレジスタ５１中の各ページ５１１に等しい。前述の非揮発性メモリモジュール４は携帯装置に嵌め込まれるか或いは携帯式マルチメディア保存カード、例えばＰＣＭＣＩＡカード、セキュアデジタル（ＳＤ）カード中に組み込まれる。
【００１４】
その他の非揮発性メモリ６、７はいずれもそれ自身のブロック状態表６４、７４を具えている。非揮発性メモリ５の保存するシステム管理表５４が過大で保存不能の時は、非揮発性メモリ６がシステム管理表６３を分担保存する。もしシステム管理表６３が過大であれば残った部分はさらに非揮発性メモリ７に保存される。システム管理表５４は複数のＭＣＦ表で組成され、即ちそれはＭＣＦ表群集を含み（例えば、ＭＣＦ表０、ＭＣＦ表１、ＭＣＦ表２、・・・、ＭＣＦ表ｎ）、以下に詳しくＭＣＦ表中に含まれる各種のフィールド及びその用途について説明する。
【００１５】
図２は第１種のＭＣＦ表の表示図であり、ＭＣＦ表５４１（例えばＭＣＦ表０）は複数のＭＣＦ５４１１、表性質５４２（Ｔａｂｌｅ　Ａｔｔｒｉｂｕｔｅ；ＴＡ）、ＭＣＦ表フラグ５４３（ＭＣＦ　Ｔａｂｌｅ　Ｆｌａｇ；ＭＴＦ）、ＭＣＦ表ナンバー５４４（ＭＣＦ　Ｔａｂｌｅ　Ｎｕｍｂｅｒ；ＭＴＮ）、ＭＣＦグループナンバー５４５（ＭＣＦ　Ｇｒｏｕｐ　Ｎｕｍｂｅｒ；ＭＧＮ）、その他情報５４６、及び複数の置換ブロックアドレス５４７を具えている。
【００１６】
図３はＭＣＦのデータフォーマットを示し、それはデータユニット状態５４１２（Ｄａｔａ　Ｕｎｉｔ　Ｓｔａｔｅ；ＤＵＳ）、マッピング装置ナンバー５４１３（Ｍａｐｐｉｎｇ　Ｄｅｖｉｃｅ　Ｎｕｍｂｅｒ；ＭＤＮ）、及びマッピング実体ブロックアドレス５４１４（Ｍａｐｐｉｎｇ　Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｂｌｏｃｋ　Ａｄｄｒｅｓｓ；ＭＰＢＡ）で組成されている。本実施例では、ＭＣＦ表５４１は２５６個のＭＣＦ５４１１を具えている。
【００１７】
各ＭＣＦ５４１１はそれぞれマッピング装置ナンバー５４１３（ＭＤＮ）を具え、ゆえに各ＭＣＦ５４１１は直接一つの特定の非揮発性メモリ５、６、７に対応し、これにより計算し書き込み装置に対応する時間を節約でき、機能を向上できる。例えば、マッピング装置ナンバーＭＤＮ＝０の時は、非揮発性メモリ５に対応し、ＭＤＮ＝１の時は直接非揮発性メモリ６に対応する。各ＭＣＦ５４１１はさらに直接一つの置換ブロックアドレス５４７に対応する（例えばＭＣＦ０は直接Ｓｗａｐ０に対応する）、且つ該置換ブロックアドレス５４７は循環利用でき、各ＭＣＦ５４１１はまた複数の置換ブロックアドレス５４７に対応しうる。
【００１８】
前述の表性質５４２（ＴＡ）はこのＭＣＦ表５４１の性質を表示するのに用いられ（図２参照）、例えば、ＴＡ５４２がＭであればＭＣＦ表５４１で、Ｂであればブロック状態表５５で、Ｇであれば一般情報表５６である。ＭＣＦ表ナンバー５４４（ＭＴＮ）は該ＭＣＦ表５４１のコード、例えばＭＣＦ　０、ＭＣＦ　１、・・・、ＭＣＦ　Ｎを表示するのに用いられる。
【００１９】
ＭＣＦ表フラグ５４３（ＭＴＦ）はＭＣＦ表ナンバー５４４（ＭＴＮ）の註記に用いられ、これにより該ＭＣＦ表５４１中にあって同時に同じＭＣＦ表ナンバー５４４が出現するのを解決する。註記の演算法については後述する。ＭＣＦグループナンバー５４５（ＭＧＮ）は該ＭＣＦ表５４１の所存するＭＣＦグループを表示する。その他情報５４６（Ｏｔｈｅｒ）はその他のＭＣＦ表５４１に関係する情報を表示するかその他に利用される。
【００２０】
図４はレジスタＭＣＦインデックス表の表示図であり、それは複数のＭＣＦグループ３４１で形成され、且つ各一つのＭＣＦグループ３４１は使用装置ナンバー３４１１（Ｕｓｉｎｇ　Ｄｅｖｉｃｅ　Ｎｕｍｂｅｒ；ＵＤＮ）、表サーチ長３４１２（Ｔａｂｌｅ　Ｓｅａｒｃｈｉｎｇ　Ｌｅｎｇｔｈ；ＴＳＬ）、及びサーチ開始アドレス３４１３（Ｓｅａｒｃｈｉｎｇ　Ｂｅｇｉｎ　Ａｄｄｒｅｓｓ；ＳＢＡ）が連接されて組成されている。
【００２１】
ＭＣＦグループ３４１は図３中のＭＣＦグループナンバー５４５と相互に対応し、これにより目標ＭＣＦ表ナンバー５４４（ＭＴＮ）の対応するＭＣＦ５４１１値がレジスタＭＣＦ表３２に存在しない時（図１参照）、レジスタＭＣＦインデックス表３４を透過し、直接システム管理表５４中で目標ＭＣＦ値を含む少なくとも一つのＭＣＦ値をサーチし、並びにこの少なくとも一つのＭＣＦ値をレジスタＭＣＦ表３２にロードする。
【００２２】
例えば、ＭＣＦグループ３４１が（００　００１１１１ｂ　０ｘ１２３４ｈ）であれば、００表示が対応するＭＣＦ表５４１は非揮発性メモリ５に保存され（図１と図２を併せて参照されたい）、０ｘ１２３４ｈはサーチする開始アドレスを代表し、００１１１１は予めサーチした表のサーチ長を表示する。これにより、非揮発性メモリ５中のＭＣＦ表５４１を一巡してサーチし、且つサーチ範囲は０ｘ１２３４ｈから０ｘ１２４４ｈ（００１１１１ｂ＋０ｘ１２３４ｈ＝０ｘ１２４４ｈ）である。当然、上述のシステム管理表５４中で目標ＭＣＦ値を含む少なくとも一つのＭＣＦ値をサーチする方式はデータ構造中で常用されるハッシュ関数（Ｈａｓｈ　Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）サーチ法を利用するか、或いはその他のデータサーチ方法を利用する。
【００２３】
図５はもう一種のＭＣＦ表及びそのＭＣＦのデータフォーマットを示す。図５中のシステム管理表５４は複数のＭＣＦ表５４８を具え、各ＭＣＦ表５４８は複数のＭＣＦ５４８１を具えている。ＭＣＦ５４８１はデータユニット状態５４８２（ＤＵＳ）、ＭＣＦ表優先権フラグ５４８３（ＭＣＦ　Ｔａｂｌｅ　Ｐｒｉｏｔｙ　Ｆｌａｇ；ＭＰＦ）、ＭＣＦ表ナンバー５４８４（ＭＴＮ）、その他ブロック情報５４８５、及びマッピング実体ブロックアドレス５４８６（ＭＰＢＡ）を具えている。そのうち、ＭＣＦ表優先権フラグ５４８３は図２中のＭＣＦ表フラグ５４３（ＭＴＦ）の機能と同じであり、即ちＭＣＦ表ナンバー５４８４（ＭＴＮ）に註記するのに用いられる。
【００２４】
図６はホスト端１の保存システム２に対する書き込み動作フローチャートである。併せて図１、２及び図７の示す第１実施例の書き込み動作表示図も参照されたい。ホスト端１が書き込み命令を保存システム２に送る（アドレス０ｘ１１０２１，書き込むデータは一つ）（ステップＳ２０１）。そしてまずアドレスデコードし（論理位置変換）、書き込み命令が対応する論理書き込み目的アドレスを解読する（ステップＳ２０２）。この論理書き込み目的アドレスはＭＣＦナンバーを有する。
【００２５】
続いて、目標データをレジスタ３中に書き込み、並びに目標ＭＣＦ（ＭＣＦは０ｘ０００６）をサーチする（ステップＳ２０３）。もし、目標ＭＣＦがレジスタＭＣＦ表３２中になければ、レジスタＭＣＦインデックス表３４を透過してシステム管理表５４中で目標ＭＣＦ値を含むＭＣＦ表をサーチし、ＭＣＦ情報を取得する（ステップＳ２０４）。反対に、もし目標ＭＣＦが存在していれば、ＭＣＦ情報を取得する。このＭＣＦ情報はデータユニット状態（ＤＵＳ）５４１２（００００ｂ）、マッピング装置ナンバー５４１３（ＭＤＮ）（００００ｂ）、マッピング実体ブロックアドレス５４１４（ＭＰＢＡ）（０ｘ１２３４）を具えている。
【００２６】
続いて、データユニット状態５４１２（ＤＵＳ）で目標ＭＣＦが対応する実体マッピングブロックの書き込み状態を判断する。もしデータユニット状態５４１２（ＤＵＳ）の第１ビットが高電位（１）であれば、実体マッピングブロック中の第１ページにはすでにデータがある（Ｎｏｔ　Ｆｒｅｅ）ことを示す。もし、データユニット状態５４１２（ＤＵＳ）の第１ビットが低電位（０）であれば実体マッピングブロック中の第１ページにデータを書き込める（Ｆｒｅｅ）ことを示す。本実施例中、データユニット状態５４１２（ＤＵＳ）の各ビットはいずれも低電位であり、ゆえに該実体マッピングブロックにデータを書き込める（Ｆｒｅｅ）。これにより、レジスタ３中に保存された一つの目標データを実体アドレス１２３４ｈの実体マッピングブロック中の第２ページ（Ｐａｇｅ　１）に書き込む（ステップＳ２０５）。当然、もしデータユニット状態５４１２（ＤＵＳ）中の一つのビットが高電位である時は、該実体マッピングブロックにすでにデータが書き込まれており、即ちデータを書き込める（Ｆｒｅｅ）の置換ブロックを透過してデータを書き込む必要があることを示す。
【００２７】
図８は本発明の第２実施例を示す。図１、図２、図６も参照されたい。図８は実体書き込みアドレスの対応するブロックにデータが存在し（Ｎｏｔ　Ｆｒｅｅ）、並びに少なくとも一つの置換ブロックを透過して書き込み動作を行う情況を示す。本実施例では、その目標データ書き込みの方法が第１実施例と類似しているが、ただし、目標ＭＣＦ中に含まれるデータユニット状態５４１２（ＤＵＳ）情報は０１１１ｂとされ、即ち、実体書き込みアドレス（ＭＰＢＡ＝０ｘ１２３４）の対応するブロック内にすでにデータが存在し（ページ２、ページ３、及びページ４）、即ち、すでに存在するオリジナルデータ（ページ２、ページ３、及びページ４）をレジスタ３内の集合セクタＡに書き込む。
【００２８】
実体書き込みアドレスの対応するブロック内に存在するオリジナルデータはレジスタ３中の書き込み待機データ（目標データ）の上書きを発生しうる。このため、このブロック内のオリジナルデータは破棄する必要がある。例えば、ブロック内のページ２、ページ３及びページ４にはオリジナルデータの存在があり、すなわちすでに存在するオリジナルデータ（ページ２、ページ３及びページ４）がレジスタ３内の集合セクタＡに書き込まれる。ただしセクタＡ−１はすでに書き込み待機データを保存し、ゆえに僅かにブロック内のオリジナルデータ（ページ３とページ４）がレジスタ３内のセクタＡ−２とＡ−３に書き込まれる。各ＭＣＦ自身は少なくとも一つの置換ブロックアドレスに対応し（図２参照）、ゆえに該目標ＭＣＦが直接対応する置換ブロックアドレス５４７を透過することで対応する有効空白ブロック（Ｆｒｅｅ）が取得されて、目標ＭＣＦの新しいＭＰＢＡ書き込みアドレスとされ（ステップＳ２０６）、こうしてデータ書き込み時にその他の外在因子（例えば電力中断）によりデータを喪失する情況が発生するのを防止する。
【００２９】
続いて、図９に示される第２実施例の置換ブロック取り出し動作表示図も併せて参照されたい。それは、目標ＭＣＦ（１２３４ｈ）自身が直接対応する置換ブロックアドレス（２８０１ｈ）を目標ＭＣＦが対応する新しい書き込みブロックとしている（ステップＳ２０６）。続いて、レジスタ３内のデータ（Ａ−１〜Ａ−３）をこの新しい置換ブロック（２８０１ｈ）中のページ２からページ４に書き込む（ステップＳ２０７）。
【００３０】
並びにレジスタ３内のレジスタＭＣＦ表３２中のＭＣＦ５４１１（０ｘ０００６）内のマッピング実体ブロックアドレス５４１４（ＭＰＢＡ）を更新し、即ち、もとのレジスタＭＣＦ表中のＭＣＦ５４１１が０ｘ０００６のＭＣＦのマッピング実体ブロックアドレス５４１４（ＭＰＢＡ）を更新して２８０１ｈとなす（ステップＳ２０８）。続いてブロック（１２３４ｈ）を釈放して使用可能（Ｆｒｅｅ）な置換ブロックとなし、並びに置換ブロックアドレス５４７（２８０１ｈ）を１２３４ｈに更新し、次に使用する置換ブロックとなし、且つ循環使用を達成して置換ブロック取り出しの機能を改善する（ステップＳ２０９）。
続いて、システム管理表５４を更新する。その方法は、同一ＭＣＦ表グループに位置する一つの置換ブロックを取得し、ＭＣＦ表フラグ５４３（ＭＴＦ）に註記する方式により同一ブループ内の同じコードに位置するＭＣＦ表の優先権を表示し、同時に二つの同じＭＣＦ表コード５４４が出現するのを防止して、いずれが有効で最新のＭＣＦ表であるかを識別する（ステップＳ２１０）、というものである。本実施例では、註記の方式は、三つの設定値α、β、及びγを優先権判断に採用し、且つこの三つの設定値（α、β、γ）にある演算法を遵守させ、即ち、α優先権はβ優先権より小さく、β優先権はγ優先権より小さく、且つγ優先権はα優先権より小さいものとする。
【００３１】
システム管理表中にもともとあるＭＣＦ表ナンバー５４４（ＭＴＮ）のＭＣＦ表フラグ５４３（ＭＴＦ）はαで、即ち、この更新のＭＣＦ表のＭＣＦ表フラグ５４３（ＭＴＦ）註記はβで、次にＭＣＦ表を使用する時、最新のＭＣＦ表（β）を取り出すのに供される。ＭＣＦ表ナンバー５４４（α）は古い情報とされ、且つ次に更新される置換ブロックに上書きされて循環使用の機能が達成される。
【００３２】
当然、上述のレジスタ３より非揮発性メモリ５にデータを書き込む時は、まず非揮発性メモリ５のデータレジスタ５１中に書き込まれ、続いて、再度非揮発性メモリ５の目標ブロックに書き込まれ、こうして毎回の目標データ書き込みは少なくとも一ページが非揮発性メモリ５に書き込まれる基本単位とされる。書き込みデータが四つであれば、まず書き込む一つのデータをレジスタ３中のＡ−０セクタに書き込み（図１も参照されたい）、並びに書き込み可能な対応するブロックを確定した後、先に非揮発性メモリ５のデータレジスタ５１中の第１ページを書き込み、続いて書き込む第２、第３、第４のデータをそれぞれ書き込み、その書き込み動作は第１の書き込むデータと同じで、こうしてデータ書き込み時にレジスタ３を透過して直接データレジスタ５１に書き込む。
【００３３】
そのうち、すでにデータレジスタ５１に書き込んだデータは一回に対応する実体ブロックに書き込まれ、これにより毎回のデータ書き込みはいずれもデータレジスタ５１中の少なくとも一ページのデータ（最多で４ページのデータ）を以て対応ブロックに書き込まれ、こうして一つの集合（ｓｅｔ）が非揮発性メモリ５の対応ブロックに交錯（ｉｎｔｅｒｌｅａｖｉｎｇ）するよう書き込まれる。
【００３４】
上述の二つの実施例の書き込み方式はまた、図５に示されるもう一種のＭＣＦのデータフォーマットを採用可能であり、レジスタ３中の延伸表に置換表３３を採用し、置換表３３は複数の、使用可能な置換ブロックアドレスを含み、置換表３３を透過して使用可能な（Ｆｒｅｅ）置換ブロックを取り出すのに供される。置換表３３内には計数器が設置されてすでに取り出された使用可能ブロック数を計数可能であり、且つ置換表３３は僅かに開始状態時にシステム管理表５４より使用可能ブロックアドレスをロードし、その後、新たに加入した使用可能ブロックを利用し循環使用し、こうして使用可能ブロック取り出しの機能を改善している。
【００３５】
【発明の効果】
以上の説明から分かるように、本発明はデコード後に得られるＭＣＦ情報を実体書き込みアドレスとなし、並びに一部の内容により実体書き込みアドレスにデータがあるか否かを判断し、もし対応するブロック内にデータが存在すれば、置換ブロックアドレスを透過して新しい置換ブロックを取り出し（ブロック内にはデータがない）、続いてレジスタ内の少なくとも一つのデータを対応する非揮発性メモリのデータレジスタに書き込み、最後に再度対応するブロックに書き込み、こうして計算して書き込み装置に対応する時間を節約し、機能を高め、並びに非揮発性メモリへのデータ書き込み時間を縮減し、且つデータ書き込み時にその他の外在因子によりデータが喪失する情況の発生を防止し、並びに目標ブロックの冗長フィールドに書き込む必要なく、目標ブロックの書き込み状態を判断できる。
【００３６】
総合すると、本発明はその目的、手段及び機能のいずれにおいても周知の技術の特徴とは異なり、直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システム及びその書き込み方法の一大突破である。しかし、上述の実施例は本発明の実施範囲を限定するものではなく、本発明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のシステム構造図である。
【図２】本発明の第１種のＭＣＦ表である。
【図３】本発明の第１種のＭＣＦ表のデータフォーマットである。
【図４】本発明のレジスタＭＣＦインデックス表表示図である。
【図５】本発明の第２種のＭＣＦ表及びそのＭＣＦのデータフォーマットである。
【図６】本発明の書き込みフローチャートである。
【図７】本発明の第１実施例の書き込み表示図である。
【図８】本発明の第２実施例の書き込み表示図である。
【図９】本発明の第２実施例の置換ブロック取り出し動作表示図である。
【符号の説明】
１　ホスト端　　　　　２　保存システム
３　レジスタ　　　　　３０　延伸表
３１　セクタ　　　３２　レジスタＭＣＦ表
３３　置換表　　　　　３４　レジスタＭＣＦインデックス表
４　非揮発性メモリモジュール　５、６、７　非揮発性メモリ
５１　データレジスタ　　　　　５２　データブロック
５３　置換ブロック
５１１、５２１、５２２、５２３、５２４　ページ
５４、６３　システム管理表　　５４１、５４８　ＭＣＦ表
５４１１、５４８１　ＭＣＦ　　５４１２、５４８２　データユニット状態
５４３　ＭＣＦ表フラグ　　　　５４８３　ＭＣＦ表優先権フラグ
５４２　表性質　　　　　　　　５４４、５４８４　ＭＣＦ表ナンバー
５４５　ＭＣＦ表グループナンバー
５４６、５４８５　その他情報
５４７　置換ブロックアドレス　５４１３　マッピング装置ナンバー
５４１４、５４８６’　マッピング実体ブロックアドレス
５５、６４、７４　ブロック状態表
５６　一般情報表
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2004062851.tif 000008
【図７】
2004062851.tif 000009
【図８】
2004062851.tif 000010
【図９】
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