(57)【要約】  【課題】  有機電界発光ディスプレイ装置を形成する際，電子輸送層及び電子注入層を改善して駆動電圧が低いデバイス構造を提供するとともに，安定性，寿命が向上された有機電界発光ディスプレイ装置を提供する。  【解決手段】  基板上に形成されている第１電極及び第２電極と，前記第１電極及び第２電極間に発光層を含めて少なくとも一つの有機膜層を含み，前記第２電極層に接した第１有機膜層は有機‐金属錯体化合物で構成されて，前記第１有機膜層と前記発光層間には有機‐金属錯体化合物と電荷輸送層物質を含む第２有機膜層を含める。  【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されている第１電極及び第２電極と，
前記第１電極及び第２電極間には，発光層を含みさらに少なくとも一つの有機膜層が含まれ，
前記有機膜層のうち，前記第２電極層に接する第１有機膜層は，有機金属錯体化合物で成り立ち，前記第１有機膜層と前記発光層との間には有機‐金属錯体化合物と電荷輸送層物質を含む第２有機膜層が含まれることを特徴とする，有機電界発光ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記電荷輸送手段は，電子であることを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光ディスプレイ装置。
【請求項３】
前記電荷輸送層物質は，ポリサイクリック‐ハイドロカーボン系列誘導体，ヘテロサイクリック化合物，及びその誘導体で成り立っている群のうち少なくとも一つ選択されることを特徴とする，請求項１または２に記載の有機電界発光ディスプレイ装置。
【請求項４】
前記有機‐金属錯体化合物は，アルカリ金属，アルカリ土類金属，及び希土類金属からなる群のうち少なくとも一つの金属を含めることを特徴とする，請求項１，２，または３項のうちいずれか１項に記載の有機電界発光ディスプレイ装置。
【請求項５】
前記第１有機膜層の厚さは，１０ｎｍ以下であることを特徴とする，請求項１，２，３，または４項のうちいずれか１項に記載の有機電界発光ディスプレイ装置。
【請求項６】
前記第１有機膜層の厚さは，０．５ｎｍ〜１０ｎｍ以下であることを特徴とする，請求項１，２，３，４，または５項のうちいずれか１項に記載の有機電界発光ディスプレイ装置。
【請求項７】
前記第２有機膜層の厚さは，１０ｎｍ以下であることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，または６項のうちいずれか１項に記載の有機電界発光ディスプレイ装置。
【請求項８】
前記第２有機膜層は，前記有機‐金属錯体化合物を７５重量％以下で含むことを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，または７項のうちいずれか１項に記載の有機電界発光ディスプレイ装置。
【請求項９】
前記有機‐金属錯体化合物は，リガンドとして８−キノリノラトを少なくとも一つ含むトリス（８−キノリノラト）アルミニウム，８−キノリノラトリチウム，またはこれらの誘導体で成り立っている群から選択される１種の化合物であることを特徴とする，請求項１，２，３，または４項のうちいずれか１項に記載の有機電界発光ディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記有機電界発光ディスプレイ装置は，正孔阻止層をさらに含むものであることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７，８，または９項のうちいずれか１項に記載の有機電界発光ディスプレイ装置。
【請求項１１】
第１電極と第２電極との間に少なくとも一つの発光層を含め，
前記第２電極と接した面にはハロゲン化金属で成り立っている第１層と前記第１層下面に位置し，電荷輸送層物質と有機‐金属錯体化合物で成り立っている第２層を含めていることを特徴とする，有機電界発光ディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記電荷輸送手段は，電子であることを特徴とする，請求項１１に記載の有機電界発光ディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記電荷輸送層物質は，ポリサイクリック‐ハイドロカーボン系列誘導体，ヘテロサイクリック化合物，及びその誘導体で成り立っている群のうち少なくとも一つから選択されることを特徴とする，請求項１１または１２に記載の有機電界発光ディスプレイ装置。
【請求項１４】
前記有機‐金属錯体化合物及びハロゲン化金属それぞれは，アルカリ金属，アルカリ土類金属，及び希土類金属からなる群のうち少なくとも一つの金属を含むことを特徴とする，請求項１１，１２，または１３項のうちいずれか１項に記載の有機電界発光ディスプレイ装置。
【請求項１５】
前記第１層の厚さは１０ｎｍ以下であることを特徴とする，請求項１１，１２，１３，または１４項のうちいずれか１項に記載の有機電界発光ディスプレイ装置。
【請求項１６】
前記第１層の厚さは，０．５ｎｍ〜１０ｎｍであることを特徴とする，請求項１１，１２，１３，１４，または１５項のうちいずれか１項に記載の有機電界発光ディスプレイ装置。
【請求項１７】
前記第２層の厚さは，１０ｎｍ以下であることを特徴とする，請求項１１，１２，１３，１４，１５，または１６項のうちいずれか１項に記載の有機電界発光ディスプレイ装置。
【請求項１８】
前記第２層で前記有機‐金属錯体化合物は，電子輸送層物質と有機‐金属錯体化合物を混合した混合物層の重さに対して７５重量％以下で含まれるものであることを特徴とする，請求項１１，１２，１３，１４，１５，１６，または１７項のうちいずれか１項に記載の有機電界発光ディスプレイ装置。
【請求項１９】
第１層及び第２層の前記有機‐金属錯体化合物は，リガンドとして８−キノリノラトを少なくとも一つ含めるトリス（８−キノリノラト）アルミニウム，８−キノリノラトリチウム，またはこれらの誘導体で成り立っている群から選択される１種の化合物であることを特徴とする，請求項１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７，または１８項のうちいずれか１項に記載の有機電界発光ディスプレイ装置。
【請求項２０】
前記有機電界発光ディスプレイ装置は，正孔阻止層をさらに含めるものであることを特徴とする，請求項１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８，または１９項のうちいずれか１項に記載の有機電界発光ディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，有機電界発光ディスプレイ装置（ＯＲＧＡＮＩＣ  ＥＬＥＣＴＲＯＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＴ  ＤＩＳＰＬＡＹ  ＤＥＶＩＣＥ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近，有機電界発光ディスプレイ装置は，陰極線管（ＣＲＴ）や液晶デバイス（ＬＣＤ）に比べて薄型，広い視野角，軽量，小型，早い応答速度，及び消費電力が少ないというメリットにより次世代ディスプレイ装置として注目を浴びている。
【０００３】
特に，有機電界発光ディスプレイ装置は，陽極，有機膜層，陰極の単純な構造でできているため簡単な製造工程を通じて，容易に製造できるメリットがある。有機膜層は，機能によっていくつかの層で構成できるが，一般的に正孔注入層（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ），正孔伝達層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ），発光層（ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  ｌａｙｅｒ），電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ），電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）で成り立っている。
【０００４】
図１に示すように，透明電極７である陽極から正孔が注入され，注入された正孔が正孔注入層６と正孔伝達層５を通じて発光層４に伝達され，陰極１からは電子が注入されて電子注入層２と電子輸送層３を通じて発光層４に伝達される。伝達された電子と正孔は発光層で結合して光を発するようになる。
【０００５】
有機電界発光ディスプレイ装置の駆動電圧及び寿命を向上させるための方法として電子輸送層及び電子注入層を改善する方法がある（例えば，特許文献１参照）。
【０００６】
上記方法によると駆動電圧改善のために電子輸送層と金属電極間にＬｉＦ，ＢａＦ２，ＣｓＦなどの絶縁性物質を１ｎｍ程度で増着してデバイスの特性を改善した。
【０００７】
また，一方ではカソードに隣接な有機電子輸送層にＬｉのようなアルカリ金属系列の物質をドーピングした層を電子注入層として使用して駆動電圧が減少する結果が発表され（例えば，非特許文献１参照），他方では電子注入層として有機金属錯体化合物を使用することを開始している（例えば，特許文献２参照）。
【０００８】
アルカリ金属のドーピングによる駆動電圧の減少は，カソードからの電子注入障壁が除去されて電子の注入が円滑になることに起因する。しかし，Ｌｉ系列の物質は，酸化に敏感で拡散が大きく現れるデメリットがある。また，金属ドーピングの場合，ドーピング金属の濃度がデバイスの特性に影響を及ぼすためドーピング濃度を細密に調節する必要がある。
【０００９】
また，有機電界発光表示素子の特性を改善するために電子注入層を電子輸送物質と有機‐金属錯体化合物の混合層を使用し，その上に金属を増着する構造を使用した。電子輸送物質と有機金属錯体混合物を使用することによって駆動電圧を減少させることができた（例えば，特許文献３参照）。なお，本願発明に関連する技術文献情報には，次のものがある。
【００１０】
【特許文献１】米国特許第５，７７６，６２２号明細書
【特許文献２】米国特許第６，３９６，２０９号明細書
【特許文献３】米国特許第６，３９６，２０９号明細書
【非特許文献１】ＳＩＤ９７，Ｄｉｇｅｓｔ，Ｐ７７５（１９９７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら，上記の方法は増着工程の難易度及び素子の安定性に問題点があるためより安定的な素子特性を持つための新しいデバイス構造が要求されていた。
【００１２】
本発明は，上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，有機電界発光ディスプレイ装置の安定性または寿命を延ばすことが可能な新規かつ改良された駆動電圧が低いデバイスを備える有機電界発光ディスプレイ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するため，本発明の第１の観点によれば，基板上に形成されている第１電極及び第２電極と，前記第１電極及び第２電極間に発光層を含む少なくとも一つの有機膜層を含めるうえ，前記第２電極層に接した第１有機膜層は，有機‐金属錯体化合物で成り立ち，前記第１有機膜層と前記発光層間には有機‐金属錯体化合物と電荷輸送層物質を含める第２有機膜層を含むことを特徴とする有機電界発光ディスプレイ装置を提供する。
【００１４】
本発明によれば，有機電界発光ディスプレイ装置は，第１電極と第２に電極との間に，有機‐金属錯体化合物からなる第１有機膜層と第２有機膜層とを備える。かかる構成により，デバイスの安定性，耐久性が向上されるとともに，有機電界発光ディスプレイ装置の安定性，耐久性が向上される。
【００１５】
上記第１有機膜層は，１０ｎｍ以下の厚さで積層されることが望ましく，さらに望ましくは０．５ｎｍないし１０ｎｍ以下の厚さで積層されることが望ましい。つまり，１０ｎｍ以上で積層すると電流注入が円滑でなく駆動電圧が上昇するため望ましくないうえ，０．５ｎｍ以下であると電子注入層として役割ができず駆動電圧が上昇し安定性が落ちるため望ましくない。
【００１６】
電荷輸送手段は，電子であるように構成してもよい。
【００１７】
電荷輸送層物質は，ポリサイクリック‐ハイドロカーボン系列誘導体，ヘテロサイクリック化合物，及びその誘導体で成り立っている群のうちから少なくとも一つ選択されるように構成してもよい。
【００１８】
有機‐金属錯体化合物は，アルカリ金属，アルカリ土類金属，及び希土類金属からなる群のうち少なくとも１種以上一つの金属を含めるように構成してもよい。
【００１９】
第１有機膜層の厚さは，１０ｎｍ以下であるように構成してもよく，第１有機膜層の厚さは，０．５ｎｍ〜１０ｎｍ以下であるように構成してもよい。
【００２０】
第２有機膜層の厚さは，１０ｎｍ以下であるように構成してもよく，第２有機膜層は，有機‐金属錯体化合物を７５重量％以下で含むように構成してもよい。
【００２１】
有機‐金属錯体化合物は，リガンドとして８−キノリノラトを少なくとも一つ含むトリス（８−キノリノラト）アルミニウム，８−キノリノラトリチウム，またはこれらの誘導体で成り立っている群から選択される１種の化合物であるように構成してもよい。
【００２２】
有機電界発光ディスプレイ装置は，正孔阻止層をさらに含むものであるように構成してもよい。
【００２３】
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，第１電極と第２電極間に少なくとも一つの発光層を含めるうえ，前記第２電極と接した面にはハロゲン化金属（ｍｅｔａｌ  ｈａｌｉｄｅ）で成り立っている第１層と前記第１層下面に位置している電荷輸送層物質と有機‐金属錯体化合物で成り立っている第２層を含むことを特徴とする有機電界発光ディスプレイ装置を提供する。
【発明の効果】
【００２４】
以上説明したように，本発明によれば，金属‐有機錯体化合物を電子注入層として金属‐有機錯体化合物を使用することによって既存の構造に比べて効率及び輝度が２０％以上向上され，寿命は８０％以上向上された。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下，本発明の好適な実施の形態について，添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお，以下の説明及び添付図面において，略同一の機能及び構成を有する構成要素については，同一符号を付することにより，重複説明を省略する。
【００２６】
図１は，通常の有機電界発光ディスプレイ装置の構造を概略的に示す説明図であり，図２は，本実施例にかかる製造された有機電界発光ディスプレイ装置の構造を概略的に示す説明図である。
【００２７】
図２に示すように，本実施の形態にかかる基板上には，順次に形成されている第１電極７及び第２電極１とが存在する。また，上記第１電極７と第２電極１の間には少なくとも一つの有機膜層１０´が位置し，第１電極７及び第２電極１との間には，最低一つの発光層４を含める少なくとも一つの有機膜層１０´を含め，上記有機膜層１０´は，発光層４と第２電極１の間に第１有機膜層８を含めている。
【００２８】
つまり，図２に示す通常の有機電界発光ディスプレイ装置では，電子注入層２を改善して電子注入層２´が使用されている。
【００２９】
電子注入層２´には，第１有機膜層８と第２有機膜層９とが含まれるが，第１有機膜層８は，図１に示す電子注入層２と機能はほぼ同一であるが，物質については，互いに異なる。
【００３０】
また，本実施の形態では電荷伝達性をさらに改善するために，上記発光層４と第１有機膜層８の間に第２有機膜層９をさらに含める。
【００３１】
本実施の形態では，第１有機膜層８は有機‐金属錯体化合物を使用して積層する。有機‐金属錯体化合物としては，少なくとも一つのリガンドとして８−キノリノラトを含むトリス（８−キノリノラト）アルミニウムおよび８−キノリノラトリチウムなど，これらの誘導体をすべて含めることができる。
【００３２】
上記第１有機膜層は，１０ｎｍ以下の厚さで積層されることが望ましく，さらに望ましくは０．５ｎｍないし１０ｎｍ以下の厚さで積層されることが望ましい。つまり，１０ｎｍ以上で積層すると電流注入が円滑でなく駆動電圧が上昇するため望ましくないうえ，０．５ｎｍ以下であると電子注入層として役割ができず駆動電圧が上昇し安定性が落ちるため望ましくない。
【００３３】
有機‐金属錯体化合物は少なくとも一つのアルカリ金属イオン，アルカリ土類金属イオン（ａｌｋａｌｉ  ｅａｒｔｈ  ｍｅｔａｌ  ｉｏｎｓ），希土類金属イオン(ｒａｒｅ  ｅａｒｔｈ  ｍｅｔａｌ  ｉｏｎｓ)を含める。
【００３４】
また，本実施の形態は既存の電子輸送層３に使用される物質を有機‐金属錯体化合物と混合して溶液工程を通じて薄膜を形成したりまたは電荷輸送層物質と有機‐金属錯体化合物を真空下で空増着して二つの物質が混合されるために，薄膜である第２有機膜層９をさらに含めることができる。前記有機‐金属錯体化合物はリガンドとして８−キノリノラトを少なくとも一つ含めるトリス（８−キノリノラト）アルミニウム，８−キノリノラトリチウムなど，これらの誘導体をすべて含めるうえ，少なくとも一つのアルカリ金属イオン，アルカリ土類金属イオン，希土類金属イオンを含めており，既存の電子輸送層対比７５重量％以下の濃度で第２有機膜層９に含まれる。
【００３５】
前記電荷輸送手段は電子であり，電荷輸送層物質としては特定物質に限定されるのではなく代表的な物質はポリサイクリック‐ハイドロカーボン系列誘導体(ｐｏｌｙｃｙｃｌｉｃ  ｈｙｄｒｏｃａｒｂｏｎ  ｓｅｒｉｅｓｄｅｒｉｖａｔｉｖｅ)，ヘテロサイクリック化合物(ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ)及びその誘導体などをすべて含めることができる。
【００３６】
薄膜である有機‐金属錯体化合物(ｏｒｇａｎｉｃ  ｍｅｔａｌ  ｃｏｍｐｌｅｘ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ)で成り立っている第１有機膜層８は第２電極１と隣接に位置することになる。
【００３７】
第２電極１がカソードである場合には金属電極として使用し，金属電極としてはＡｌ，Ａｇ，Ｙｔ及びメタルハリド（ｍｅｔａｌ  ｈａｌｉｄｅ）などを含めることができるがこのような物質に限定されるのではない。この時，第１電極７は，アノードになると通常透明電極であるＩＴＯまたはＩＺＯなどを使用することができる。
【００３８】
一方，本実施の形態の他の実施例では前記述べた実施例の第１有機膜層８の代わりに第１層として金属ハリド（ｍｅｔａｌ  ｈａｌｉｄｅ）を含めており，第２層は第１実施例の第２有機膜層と同一に使用する。
【００３９】
前記金属ハリドはアルカリ金属，アルカリ土類金属及び希土類金属で成り立っている群から選択される１以上の金属を含める。
【００４０】
前記第１層の厚さは，１０ｎｍ以下であり，望ましくは０．５ｎｍないし１０ｎｍである。
【００４１】
また，本実施の形態では電気的特性をより改善するために電子輸送層３または正孔阻止層をさらに含むことができる。電子輸送層３または正孔防止層は発光層４と第２有機膜層９の間に形成され，通常の電子輸送層または正孔防止層として使用される物質を使用することができる。
【００４２】
本実施の形態にかかる有機電界発光ディスプレイ装置の発光原理を見ると，図２に示す第２電極１から電子が注入されて，有機‐金属錯体化合物で成り立っている第１有機膜層８が電子輸送層物質と有機‐金属錯体化合物の混合物である第２有機膜層９へのエネルギー障壁を除去して第２電極１で発生された電子の注入を容易にしてくれる。
【００４３】
つまり，第１有機膜層８及び第２有機膜層９は，既存の電子注入層２の役割と同一な機能を遂行している。
【００４４】
つまり，電子輸送物質と有機‐金属錯体化合物の混合層である第２有機膜層９は，電子の注入及び伝達を容易にしてくれる役割をするうえ電子輸送層または正孔防止層は電子伝達とともに正孔の移動を防ぐ役割をする
正孔は，第１電極７で正孔注入層６を通じて正孔伝達層７を経由し，発光層４で第２電極から移動してきた電子と結合して発光するようになる。前記第１電極７は，通常のアノード電極であり，ＩＴＯまたはＩＺＯのような透明電極を使用することができる。
【００４５】
既存の電子注入層は，数ｎｍの薄い厚さで発光特性及び寿命特性が最も優秀である値を示すが，この場合には電子注入層が連続層で増着されず，島形態（ｉｓｌａｎｄ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）で増着されて均一でない膜を形成するようになる。このような短所を克服しようと本実施の形態では数ｎｍの電子注入層の下に追加的に電子輸送物質と電子注入物質の混合物の混合層を追加的に導入して既存の構造より電子注入を容易にした。こうすると電子の注入が円滑になり輝度が増加し効率が増加するうえ寿命が増加する効果を得ることができる。電子輸送物質と電子注入層物質の混合物の混合層は電子輸送層としても使用できて追加的に電子輸送層が導入されることも可能である。
【００４６】
本実施の形態での有機電界発光ディスプレイ装置を使用すると，薄膜有機‐金属錯体化合物層を使用することによって電子注入障壁が除去されて駆動電圧が低くなる効果があり，効率及び輝度も向上する効果を得られる。
【００４７】
また，既存の電子輸送層と有機‐金属錯体化合物層の混合物である電子注入層が導入されることによって電子輸送がより円滑になり追加的に駆動電圧下降，効率及び輝度上昇効果を得られる。また，デバイスの安定性が向上されてデバイスの寿命が向上される効果を得られる。
【００４８】
本実施の形態で第１有機膜層８及び第２有機膜層９に使用される有機‐金属錯体化合物は同一な有機‐金属錯体化合物を使用したり，または互いに違った有機‐金属錯体化合物を使用することもできる。以下，実施例１〜実施例４について説明する。
【実施例１】
【００４９】
ＩＴＯ透明電極の上に有機電界発光表示素子の正孔注入層としてフタロシアニン銅（ｃｏｐｐｅｒ  ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）（ＣｕＰｃ）を１０-6Ｔｏｒｒの真空下で１０ｎｍの厚さで増着した後，正孔輸送層としてＮ，Ｎ′ディ（ナフチル）Ｎ，Ｎ′ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）を１０-6Ｔｏｒｒの真空下で５０ｎｍの厚さで増着した。ＮＰＤ増着後発光層としてカルバゾールビフェニル（ＣＢＴ）にイリジウムトリス（フェニルピリジン）（Ｉｒｉｄｉｕｍ  ｔｒｉｓ（ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）；Ｉｒｐｐｙ3）を５％の濃度でドーピングした発光層を３０ｎｍの厚さで形成した。発光層増着後，正孔阻止層としてビフェノキシ‐ビ（８−キノリノラト）アルミニウム（ｂｉｐｈｅｎｏｘｙ−ｂｉ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；ＢＡｌｑ）を５ｎｍで増着した後，電子輸送層としてトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；Ａｌｑ）と８−キノリノラトリチウム（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ  ｌｉｔｈｉｕｍ；Ｌｉｑ）を３：１の比率で１０-6Ｔｏｒｒの真空下で１ｎｍの厚さで増着した。前記電子輸送層増着後，Ｌｉｑを１ｎｍの厚さで真空増着した。
【００５０】
最後に金属電極としてＡｌをＬｉｑ電子注入層の上に３００ｎｍの厚さで増着した後，金属かん及び酸化バリウムを利用して封じた。
【００５１】
上記のような工程を利用して製作した有機電界発光ディスプレイ装置は，６Ｖで輝度１，０００ｃｄ／m2，効率２５ｃｄ／Ａ，そして４００ｃｄ／m2で寿命１，０００時間をあらわした。
【実施例２】
【００５２】
ＩＴＯ透明電極の上に有機電界発光表示素子の正孔注入層としてフタロシアニン銅（ｃｏｐｐｅｒ  ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）（ＣｕＰｃ）を１０-6Ｔｏｒｒの真空下で，１０ｎｍの厚さで増着した後，正孔輸送層としてＮ，Ｎ′‐ディ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）を１０-6Ｔｏｒｒの真空下で，５０ｎｍの厚さで増着した。ＮＰＤ増着後，発光層としてカルバゾールビフェニル（ＣＢＴ）にイリジウムトリス（フェニルピリジン）（Ｉｒｉｄｉｕｍ  ｔｒｉｓ（ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）；Ｉｒｐｐｙ3）を５％の濃度でドーピングした発光層を３０ｎｍの厚さで形成した。発光層増着後，正孔阻止層としてビフェノキシ‐ビ（８−キノリノラト）アルミニウム（ｂｉｐｈｅｎｏｘｙ−ｂｉ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；ＢＡｌｑ）を５ｎｍで増着した後，電子輸送層としてトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；Ａｌｑ）を２０ｎｍで増着した後，トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；Ａｌｑ）と８−キノリノラトリチウム（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ  ｌｉｔｈｉｕｍ；Ｌｉｑ）を３：１の比率で１０-6Ｔｏｒｒの真空下で１ｎｍの厚さで増着した。前記電子輸送層増着後，ＬｉＦを１ｎｍの厚さで真空増着した。最後に金属電極としてＡｌをＬｉＦ電子注入層の上に３００ｎｍの厚さで増着した後，金属缶及び酸化バリウムを利用して封じた。
【００５３】
上記のような工程を利用して製作した有機電界発光ディスプレイ装置は，６Ｖで輝度９００ｃｄ／m2，効率２４ｃｄ／Ａ，そして４００ｃｄ／m2で寿命９００時間をあらわした。
【実施例３】
【００５４】
ＩＴＯ透明電極の上に有機電界発光表示素子の正孔注入層としてフタロシアニンではない銅（ｃｏｐｐｅｒ  ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）（ＣｕＰｃ）を１０-6Ｔｏｒｒの真空下で１０ｎｍの厚さで増着した後正孔輸送層としてＮ，Ｎ′‐ディ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）を１０-6Ｔｏｒｒの真空下で５０ｎｍの厚さで増着した。ＮＰＤ増着後発光層としてカルバゾールビフェニル（ＣＢＴ）にイリジウムトリス（フェニルピリジン）（Ｉｒｉｄｉｕｍ  ｔｒｉｓ（ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）；Ｉｒｐｐｙ３）を５％の濃度でドーピングした発光層を３０ｎｍの厚さで形成した。発光層増着後正孔阻止層としてビフェノキシ‐ビ（８−キノリノラト）アルミニウム（ｂｉｐｈｅｎｏｘｙ−ｂｉ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；ＢＡｌｑ）を５ｎｍで増着した後，トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；Ａｌｑ）と８−キノリノラトリチウム（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ  ｌｉｔｈｉｕｍ；Ｌｉｑ）を３：１の比率で１０-6Ｔｏｒｒの真空下で２０ｎｍの厚さで増着した。上記電子輸送層増着後，Ｌｉｑを１ｎｍの厚さで真空増着した。最後に金属電極としてＡｌをＬｉｑ電子注入層の上に３００ｎｍの厚さで増着した後，金属缶及び酸化バリウムを利用して封じた。
【００５５】
上記のような工程を利用して製作した有機電界発光ディスプレイ装置は６Ｖで輝度１，２００ｃｄ／m2，効率２７ｃｄ／Ａ，そして４００ｃｄ／m2で寿命１，２００時間をあらわした。
【実施例４】
【００５６】
ＩＴＯ透明電極の上に有機電界発光表示素子の正孔注入層としてフタロシアニン銅（ｃｏｐｐｅｒ  ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）（ＣｕＰｃ）を１０-6Ｔｏｒｒの真空下で１０ｎｍの厚さで増着した後正孔輸送層としてＮ，Ｎ′‐ディ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）を１０-6Ｔｏｒｒの真空下で５０ｎｍの厚さで増着した。ＮＰＤ増着後発光層としてカルバゾールビフェニル（ＣＢＴ）にイリジウムトリス（フェニルピリジン）（Ｉｒｉｄｉｕｍ  ｔｒｉｓ（ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）；Ｉｒｐｐｙ３）を５％の濃度でドーピングした発光層を３０ｎｍの厚さで形成した。発光層増着後，正孔阻止層としてビフェノキシ‐ビ（８−キノリノラト）アルミニウム（ｂｉｐｈｅｎｏｘｙ−ｂｉ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；ＢＡｌｑ）を５ｎｍで増着した後，トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；Ａｌｑ）と８−キノリノラトリチウム（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ  ｌｉｔｈｉｕｍ；Ｌｉｑ）を３：１の比率で１０-6Ｔｏｒｒの真空下で２０ｎｍの厚さで増着した。前記電子輸送層増着後，ＬｉＦを１ｎｍの厚さで真空増着した。最後に金属電極としてＡｌをＬｉｑ電子注入層の上に３００ｎｍの厚さで増着した後，金属缶及び酸化バリウムを利用して封じた。
【００５７】
上記のような工程を利用して製作した有機電界発光ディスプレイ装置は，６Ｖで輝度１，１００ｃｄ／m2，効率２６ｃｄ／Ａ，そして４００ｃｄ／m2で寿命１，１００時間をあらわした。
【００５８】
（比較例１）
ＩＴＯ透明電極の上に有機電界発光ディスプレイ装置の正孔注入層としてフタロシアニン銅（ｃｏｐｐｅｒ  ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）（ＣｕＰｃ）を１０-6Ｔｏｒｒの真空下で１０ｎｍの厚さで増着した後正孔輸送層としてＮ，Ｎ′‐ディ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）を１０-6Ｔｏｒｒの真空下で５０ｎｍの厚さで増着した。ＮＰＤ増着後，発光層としてカルバゾールビフェニル（ＣＢＴ）にイリジウムトリス（フェニルピリジン）（Ｉｒｉｄｉｕｍ  ｔｒｉｓ（ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）；Ｉｒｐｐｙ３）を５％の濃度でドーピングした発光層を３０ｎｍの厚さで形成した。発光層増着後，正孔阻止層としてビフェノキシ‐ビ（８−キノリノラト）アルミニウム（ｂｉｐｈｅｎｏｘｙ−ｂｉ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；ＢＡｌｑ）を５ｎｍで増着した後，電子輸送層としてトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；Ａｌｑ）と８−キノリノラトリチウム（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ  ｌｉｔｈｉｕｍ；Ｌｉｑ）を１：１の比率で１０-6Ｔｏｒｒの真空下で２０ｎｍの厚さで増着した。電子輸送層増着後，金属電極としてＡｌを電子注入層の上に３００ｎｍの厚さで増着した後，金属かん及び酸化バリウムを利用して封じた。
【００５９】
上記のような工程を利用して製作した有機電界発光ディスプレイ装置は，６Ｖで輝度８００ｃｄ／m2，効率２５ｃｄ／Ａ，そして４００ｃｄ／m2で寿命５５０時間をあらわした。
【００６０】
（比較例２）
ＩＴＯ透明電極の上に有機電界発光ディスプレイ装置の正孔注入層としてフタロシアニン銅（ｃｏｐｐｅｒ  ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）（ＣｕＰｃ）を１０-6Ｔｏｒｒの真空下で１０ｎｍの厚さで増着した後，正孔輸送層としてＮ，Ｎ′‐ディ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）を１０-6Ｔｏｒｒの真空下で５０ｎｍの厚さで増着した。上記ＮＰＤ増着後，発光層としてカルバゾールビフェニル（ＣＢＴ）にイリジウムトリス（フェニルピリジン）（Ｉｒｉｄｉｕｍ  ｔｒｉｓ（ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）；Ｉｒｐｐｙ３）を５％の濃度でドーピングした発光層を３０ｎｍの厚さで形成した。発光層増着後，正孔阻止層としてビフェノキシ‐ビ（８−キノリノラト）アルミニウム（ｂｉｐｈｅｎｏｘｙ−ｂｉ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；ＢＡｌｑ）を５ｎｍで増着した後，電子輸送層としてトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ；Ａｌｑ）を１０-6Ｔｏｒｒの真空下で２０ｎｍの厚さで増着した。電子輸送層であるＡｌｑ増着後，電子注入層としてＬｉｑを３ｎｍの厚さで増着した。最後に金属電極としてＡｌをＬｉｑ電子注入層の上に３００ｎｍの厚さで増着した後，金属かん及び酸化バリウムを利用して封じた。
【００６１】
上記のような工程を利用して製作した有機電界発光ディスプレイ装置は，６Ｖで輝度１，０００ｃｄ／m2，効率２１ｃｄ／Ａ，そして４００ｃｄ／m2で寿命５００時間をあらわした。
【００６２】
次に，上記実施例１〜実施例４，比較例１，比較例２の結果を下記の表１に表わすと以下の通りとなる。
【００６３】
【表１】
2004319424.tif 000003
【００６４】
上記表１に示すように，実施例１〜実施例４は，上記比較例１よりも，効率的な面では約２０％程度優れており，比較例２よりは輝度特性が約２０％程度優れている。また，長持ちするか否かの寿命的な面では実施例１〜実施例４のデバイスは，比較例１及び比較例２のデバイスよりも，１００％以上向上されたことがわかる。
【００６５】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例を想定し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明は，有機電界発光ディスプレイ装置等に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】通常の有機電界発光ディスプレイ装置の構造を概略的に示した説明図である。
【図２】本実施例にかかる有機電界発光ディスプレイ装置の構造を概略的に示した説明図である。
【符号の説明】
【００６８】
１      第２電極
４      発光層
７      第１電極
８      第１有機膜層
９      第２有機膜層
【図１】
2004319424.tif 000004
【図２】
2004319424.tif 000005