(57)【要約】【課題】基板を検査する場合において基板の処理効率を向上させる基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】１階の処理部搬送経路２５の始点に、基板Ｗを検査するとともに、インデクサ１・熱処理部用搬送機構１７・反射防止膜形成処理用搬送機構１８間で受け渡しを行うために載置された基板Ｗを検査するための検査部Ｔを配設する。処理部搬送経路２５の終点にも同様の検査部Ｔを、２階の処理部搬送経路の始点および終点にも検査部Ｔをそれぞれ配設する。これによって、基板処理の前、または基板処理が終了した直後の基板Ｗの状態を検査することができるとともに、始点あるいは終点に検査部Ｔを備えているので、検査の対象となる基板Ｗと、他の基板Ｗとの干渉による基板Ｗの待ち時間を低減させることができる。【選択図】　　　　図２
2004015020.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置であって、
処理対象の基板を収納するカセットが載置されるカセット載置部を有し、前記カセットから未処理の基板を順に取り出して前記処理部へ払い出すとともに、処理された基板を処理部から受け取ってカセット内へ順に収納するインデクサを備えるとともに、
基板を検査する第１の検査部を、前記インデクサまたはこれに隣接する処理部のいずれかに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置であって、
前記基板処理装置に連設される外部処理装置と前記処理部との間で基板の受け渡しを中継するインターフェイスを備えるとともに、
基板を検査する第２の検査部を、前記インターフェイスまたはこれに隣接する処理部のいずれかに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
基板処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置であって、
処理対象の基板を収納するカセットが載置されるカセット載置部を有し、前記カセットから未処理の基板を順に取り出して前記処理部へ払い出すとともに、処理された基板を処理部から受け取ってカセット内へ順に収納するインデクサと、
前記基板処理装置に連設される外部処理装置と前記処理部との間で基板の受け渡しを中継するインターフェイスとを備えるとともに、
基板を検査する第１の検査部を、前記インデクサまたはこれに隣接する処理部のいずれかに備え、
基板を検査する第２の検査部を、前記インターフェイスまたはこれに隣接する処理部のいずれかに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１または請求項３に記載の基板処理装置において、
前記インデクサとこれに隣接する処理部との間で基板の受け渡しを行うために基板を載置する第１の載置部を備え、
前記第１の検査部は、前記第１の載置部に載置された基板を検査することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項２または請求項３に記載の基板処理装置において、
前記インターフェイスとこれに隣接する処理部との間で基板の受け渡しを行うために基板を載置する第２の載置部を備え、
前記第２の検査部は、前記第２の載置部に載置された基板を検査することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載の基板処理装置において、
前記インデクサまたはインターフェイスと、各処理部との間で受け渡される複数枚の基板のうち、検査の対象となる基板については、前記第１または第２の検査部で検査するために、前記第１または第２の載置部を介して受け渡しを行い、残りの基板については、検査せずにバイパス用の通過部を介して受け渡しを行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
基板処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置であって、
前記処理部間で基板を搬送する経路である一連の基板搬送経路が、上下に階層構造で配設されており、
各階の基板搬送経路の始点あるいは終点に基板を検査する第３の検査部を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理装置において、
処理対象の基板を収納するカセットが載置されるカセット載置部を有し、前記カセットから未処理の基板を順に取り出して前記処理部へ払い出すとともに、処理された基板を処理部から受け取ってカセット内へ順に収納するインデクサを備えるとともに、
前記インデクサと前記処理部との間で基板の受け渡しを行うために、基板を載置する第３の載置部を前記基板搬送経路の始点あるいは終点に備え、
前記第３の検査部は、前記第３の載置部に載置された基板を検査することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項７に記載の基板処理装置において、
基板搬送経路の始点あるいは終点に隣接する処理部と、前記基板処理装置に連設される外部処理装置との間で基板の受け渡しを中継するインターフェイスを備えるとともに、
前記インターフェイスと前記処理部との間で基板の受け渡しを行うために、基板を載置する第４の載置部を前記基板搬送経路の始点あるいは終点に備え、
前記第３の検査部は、前記第４の載置部に載置された基板を検査することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９に記載の基板処理装置において、
前記インデクサまたはインターフェイスと、前記処理部との間で受け渡される複数枚の基板のうち、検査の対象となる基板については、前記第３の検査部で検査するために、前記第３または第４の載置部を介して受け渡しを行い、残りの基板については、検査せずにバイパス用の通過部を介して受け渡しを行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第１，第２，および第３の検査部の少なくともいずれか１つの検査部を含む検査ユニットを備え、
前記検査ユニットを、基板の搬送方向に前記処理部に対して並べて配設することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板（以下、単に基板と称する）に対して処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような基板処理装置は、例えば、フォトレジスト膜を基板に塗布形成して、塗布されたその基板に対して露光処理を行い、さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ工程に用いられている。
これを図１９の平面図に示し、以下に説明する。この基板処理装置は、未処理の複数枚（例えば２５枚）の基板Ｗ、または後述する処理部１０４での処理が完了した処理済の基板Ｗが収納されるカセットＣが複数個載置されるカセット載置台１０２と、この各カセットＣの前を水平移動し、各カセットＣ・処理部１０４間で基板Ｗの受け渡しを行う搬送機構１０８ａとを備えたインデクサ１０３と、複数の処理部１０４と、複数の処理部１０４間で基板Ｗを搬送する経路である基板搬送経路１０５と、処理部１０４および外部処理装置１０７間で基板Ｗの受け渡しを中継するインターフェイス１０６とから構成されている。
【０００３】
インデクサ１０３は、カセット載置台１０２に置かれたカセットＣから未処理の基板を順に取り出して処理部１０４に払い出す一方、処理済の基板を処理部１０４から受け取って、所定のカセットＣに処理済基板を順に収納するように構成されている。
【０００４】
インターフェイス１０６は、処理部１０４と外部処理装置１０７とを連結する。基板処理装置が、上述したレジスト塗布および現像処理を行う装置の場合、この外部処理装置１０７は、基板Ｗの露光処理を行う露光装置となる。
【０００５】
また、基板搬送経路１０５上を搬送する搬送機構１０８ｂと、インターフェイス１０６の搬送経路上を搬送する搬送機構１０８ｃとがそれぞれ配設されている。その他に、インデクサ１０３と基板搬送経路１０５との連結部には載置台１０９ａ、基板搬送経路１０５とインターフェイス１０６との連結部には載置台１０９ｂがそれぞれ配設されている。
【０００６】
上述した基板処理装置において、以下の手順で基板処理が行われる。未処理の基板Ｗを収納したカセットＣをカセット載置台１０２に載置して、このカセットＣから１枚の基板を搬送機構１０８ａが取り出して、搬送機構１０８ｂに基板Ｗを渡すために、載置台１０９ａまで搬送する。搬送機構１０８ｂは、載置台１０９ａに載置された基板Ｗを受け取った後、各処理部１０４内で所定の処理（例えば、レジスト塗布などの処理）をそれぞれ行うために、それらの処理部１０４に基板Ｗをそれぞれ搬入する。所定の各処理がそれぞれ終了すると、搬送機構１０８ｂはそれらの処理部１０４から基板Ｗをそれぞれ搬出して、次の処理を行うために別の処理部１０４に基板Ｗを搬入する。
【０００７】
露光前の一連の処理が終了すると、搬送機構１０８ｂは、搬送機構１０８ｃに基板Ｗを渡すために、載置部１０９ｂまで搬送する。搬送機構１０８ｃは、載置台１０９ｂに載置された基板Ｗを受け取った後、外部処理装置１０７まで搬送する。外部処理装置１０７に搬入して、所定の処理（例えば、露光処理などの処理）が終了すると、搬送機構１０８ｃは外部処理装置１０９から基板Ｗを搬出して、載置部１０９ｂまで搬送する。後は、搬送機構１０８ｂによって各処理部１０４に基板Ｗが搬送され、露光後の一連の基板処理（例えば、加熱処理、冷却処理、現像処理）が行われ、カセット載置台１０２に置かれた所定のカセットＣに処理済基板を順に収納して、一連の基板処理が終了する。
【０００８】
このような一連の処理の途中での基板Ｗを検査するために、検査機（図示省略）が基板処理装置とは別に設けられており、基板処理装置から基板Ｗを搬出して、この検査機にまで搬送する。検査機として、例えば、フォトリソグラフィ工程で形成された配線パターンの線幅を検査するもの、露光の際の重ね合わせ精度を検査するもの、基板Ｗに付着するゴミの大きさや数を検査するもの、配線パターンの欠陥を検査するものなどがある。このような検査機は、光学顕微鏡などから構成されている。一連の処理の途中での基板Ｗを検査するには、検査する対象の処理に関する処理部１０４から搬出された基板Ｗを検査機に搬送することで行われる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の基板処理装置では、検査しながら処理を行うので処理効率が向上しない問題がある。
【００１０】
上述したように基板処理装置と検査機とは互いに別体の装置であるので、基板の搬送時間などによって基板の処理時間が増大してしまう。そこで、基板処理装置に検査機を組み込むことが考えられる。しかしながら、基板処理の途中で検査機を設けているので、検査の対象となる基板と他の基板との干渉を避けるために、他の基板を待機させなければならない。その結果、基板の無駄な待ち時間が増えて、処理効率が向上し難くなる。
【００１１】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板を検査する場合において基板の処理効率を向上させる基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置であって、処理対象の基板を収納するカセットが載置されるカセット載置部を有し、前記カセットから未処理の基板を順に取り出して前記処理部へ払い出すとともに、処理された基板を処理部から受け取ってカセット内へ順に収納するインデクサを備えるとともに、基板を検査する第１の検査部を、前記インデクサまたはこれに隣接する処理部のいずれかに備えることを特徴とするものである。
【００１３】
〔作用・効果〕請求項１に記載の発明によれば、インデクサまたはこれに隣接する処理部のいずれかに、基板を検査する第１の検査部を備えているので、基板処理を行う前の基板の状態、または基板処理が終了した直後の基板の状態を検査することができる。従って、検査の対象となる基板と他の基板との干渉による基板の待ち時間を低減させることができる。また、第１の検査部が基板処理装置に組み込まれているので、検査のために基板を搬送する時間を低減させることができる。これによって、基板を検査する場合において基板の処理効率を向上させることができる。
【００１４】
また、請求項２に記載の発明は、基板処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置であって、前記基板処理装置に連設される外部処理装置と前記処理部との間で基板の受け渡しを中継するインターフェイスを備えるとともに、基板を検査する第２の検査部を、前記インターフェイスまたはこれに隣接する処理部のいずれかに備えることを特徴とするものである。
【００１５】
〔作用・効果〕請求項２に記載の発明によれば、インターフェイスまたはこれに隣接する処理部のいずれかに、基板を検査する第２の検査部を備えているので、基板処理装置内の基板処理を行った後に外部処理装置による処理を行う前の基板の状態、または外部処理装置による処理を行った直後で基板処理装置内の基板処理を行う前の基板の状態を検査することができる。従って、検査の対象となる基板と他の基板との干渉による基板の待ち時間を低減させることができる。また、第２の検査部が基板処理装置に組み込まれているので、検査のために基板を搬送する時間を低減させることができる。これによって、基板を検査する場合において基板の処理効率を向上させることができる。
【００１６】
また、請求項３に記載の発明は、基板処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置であって、処理対象の基板を収納するカセットが載置されるカセット載置部を有し、前記カセットから未処理の基板を順に取り出して前記処理部へ払い出すとともに、処理された基板を処理部から受け取ってカセット内へ順に収納するインデクサと、前記基板処理装置に連設される外部処理装置と前記処理部との間で基板の受け渡しを中継するインターフェイスとを備えるとともに、基板を検査する第１の検査部を、前記インデクサまたはこれに隣接する処理部のいずれかに備え、基板を検査する第２の検査部を、前記インターフェイスまたはこれに隣接する処理部のいずれかに備えることを特徴とするものである。
【００１７】
〔作用・効果〕請求項３に記載の発明によれば、インデクサまたはこれに隣接する処理部のいずれかに、基板を検査する第１の検査部を備え、インターフェイスまたはこれに隣接する処理部のいずれかに、基板を検査する第２の検査部を備えているので、基板処理を行う前の基板の状態、または基板処理が終了した直後の基板の状態を第１の検査部が検査することができるとともに、基板処理装置内の基板処理を行った後に外部処理装置による処理を行う前の基板の状態、または外部処理装置による処理を行った直後で基板処理装置内の基板処理を行う前の基板の状態を第２の検査部が検査することができる。従って、検査の対象となる基板と他の基板との干渉による基板の待ち時間を低減させることができる。また、第１，第２の検査部が基板処理装置に組み込まれているので、検査のために基板を搬送する時間を低減させることができる。これによって、基板を検査する場合において基板の処理効率を向上させることができる。
【００１８】
このような請求項１または請求項３に記載の発明に係る基板処理装置の場合において、すなわち、インデクサを備えている基板処理装置の場合において、下記のように構成するのが好ましい。すなわち、インデクサとこれに隣接する処理部との間で基板の受け渡しを行うために基板を載置する第１の載置部を備え、第１の検査部は、第１の載置部に載置された基板を検査する（請求項４に記載の発明）。この場合、インデクサとこれに隣接する処理部との間で基板の受け渡しを行う際に、第１の載置部に載置された基板を第１の検査部が検査するので、基板の受け渡しを行いつつ検査を行うことができ、基板の処理効率をより向上させることができる。
【００１９】
同様に、請求項２または請求項３に記載の発明に係る基板処理装置の場合においても、すなわち、インターフェイスを備えている基板処理装置の場合においても、下記のように構成するのが好ましい。すなわち、インターフェイスとこれに隣接する処理部との間で基板の受け渡しを行うために基板を載置する第２の載置部を備え、第２の検査部は、第２の載置部に載置された基板を検査する（請求項５に記載の発明）。この場合、インターフェイスとこれに隣接する処理部との間で基板の受け渡しを行う際に、第２の載置部に載置された基板を第２の検査部が検査するので、基板の受け渡しを行いつつ検査を行うことができ、基板の処理効率をより向上させることができる。
【００２０】
請求項４または請求項５に記載の基板処理装置のように基板の受け渡しを行いつつ検査を行う場合、基板の処理効率をより一層向上させる点において、下記のように構成するのがより好ましい。すなわち、インデクサまたはインターフェイスと各処理部との間で受け渡される複数枚の基板のうち、検査の対象となる基板については、第１または第２の検査部で検査するために、第１または第２の載置部を介して受け渡しを行い、残りの基板については、検査せずにバイパス用の通過部を介して受け渡しを行う（請求項６に記載の発明）のがより好ましい。この場合、検査の対象となる基板以外の基板については、検査せずにバイパス用の通過部を介して、インデクサまたはインターフェイスと各処理部との間での基板の受け渡しが行われるので、検査の対象となる基板を検査している間に、残りの基板の受け渡しを行うことができ、処理効率をより一層向上させることができる。
【００２１】
また、装置を設置する床面積（フットプリント）を低減させるために、上下に階層構造で配設された処理部を有する基板処理装置についても、下記の請求項７に記載の基板処理装置のように適用することができる。
すなわち、請求項７に記載の発明は、基板処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置であって、前記処理部間で基板を搬送する経路である一連の基板搬送経路が、上下に階層構造で配設されており、各階の基板搬送経路の始点あるいは終点に基板を検査する第３の検査部を備えることを特徴とするものである。
【００２２】
〔作用・効果〕請求項７に記載の発明によれば、処理部間で基板を搬送する経路である一連の基板搬送経路が、上下に階層構造で配設されており、各階の基板搬送経路の始点あるいは終点に基板を検査する第３の検査部を備えているので、各階の基板搬送経路の始点に位置する基板の状態、すなわち基板処理を行う前の基板の状態を検査することができる、あるいは各階の基板搬送経路の終点に位置する基板の状態、すなわち基板処理が終了した直後の基板の状態を検査することができる。また、基板搬送経路の始点あるいは終点に第３の検査部を備えているので、基板搬送経路の途中で検査する場合と比較して、検査の対象となる基板と他の基板との干渉による基板の待ち時間を低減させることができる。また、第３の検査部が基板処理装置に組み込まれているので、検査のために基板を搬送する時間を低減させることができる。これによって、基板を検査する場合において基板の処理効率を向上させることができる。
【００２３】
請求項７に記載の発明も、請求項１〜３に記載の発明と同様に、基板の処理効率をより向上させるために、処理対象の基板を収納するカセットが載置されるカセット載置部を有し、カセットから未処理の基板を順に取り出して処理部へ払い出すとともに、処理された基板を処理部から受け取ってカセット内へ順に収納するインデクサを備えるとともに、インデクサと処理部との間で基板の受け渡しを行うために、基板を載置する第３の載置部を基板搬送経路の始点あるいは終点に備え、第３の検査部は、第３の載置部に載置された基板を検査する（請求項８に記載の発明）のが好ましく、基板搬送経路の始点あるいは終点に隣接する処理部と、基板処理装置に連設される外部処理装置との間で基板の受け渡しを中継するインターフェイスを備えるとともに、インターフェイスと処理部との間で基板の受け渡しを行うために、基板を載置する第４の載置部を基板搬送経路の始点あるいは終点に備え、第３の検査部は、第４の載置部に載置された基板を検査する（請求項９に記載の発明）のが好ましい。
【００２４】
請求項８の場合には、インデクサと処理部との間での基板の受け渡しを、基板搬送経路の始点あるいは終点に備えられた第３の載置部で行いつつ、第３の検査部で検査を行うことができ、請求項９の場合には、インターフェイスと処理部との間での基板の受け渡しを、基板搬送経路の始点あるいは終点に備えられた第４の載置部で行いつつ、第３の検査部で検査を行うことができる。
【００２５】
請求項８または請求項９に記載の基板処理装置のように基板の受け渡しを行いつつ検査を行う場合も、請求項４または請求項５に記載の発明と同様に、基板の処理効率をより一層向上させる点において、下記のように構成するのがより好ましい。すなわち、インデクサまたはインターフェイスと、処理部との間で受け渡される複数枚の基板のうち、検査の対象となる基板については、第３の検査部で検査するために、第３または第４の載置部を介して受け渡しを行い、残りの基板については、検査せずにバイパス用の通過部を介して受け渡しを行う（請求項１０に記載の発明）のがより好ましい。この場合、検査の対象となる基板を検査している間に、インデクサと処理部との間、またはインターフェイスと処理部との間における残りの基板の受け渡しを行うことができる。
【００２６】
また、基板の処理枚数に応じた汎用性のある基板処理装置を実現するために、基板処理装置を、処理部をそれぞれ含む複数のユニットで構成し、それらのユニットを、基板の搬送方向に並べて配設する。このように構成することで、基板の処理枚数に応じてユニットを増減することができる。すなわち、処理枚数が増加する場合には、従来の基板処理装置にユニットを基板の搬送方向に並べて配設してユニットを増やすことができる。また、処理枚数が減少する場合には、従来の基板処理装置からユニットを外してユニットを減らすことができる。このように、従来の基板処理装置を利用して、処理枚数に応じてユニットを増減することができるので、汎用性のある基板処理装置を実現することができる。
【００２７】
このようなユニットで構成された基板処理装置についても、本発明の請求項１から請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置を適用することができる。すなわち、第１，第２，および第３の検査部の少なくともいずれか１つの検査部を含む検査ユニットを備え、検査ユニットを、基板の搬送方向に処理部に対して並べて配設する（請求項１１に記載の発明）。このように構成することで、検査が必要でない場合には、検査ユニットを従来の基板処理装置から外すことができ、検査が必要である場合には、検査ユニットを従来の基板処理装置に増設することができる。その結果、汎用性のある基板処理装置を実現することができる。
【００２８】
なお、本明細書は、基板処理装置を用いた基板処理方法に係る発明も開示している。
【００２９】
（１）請求項１に記載の基板処理装置を用いた基板処理方法であって、未処理の基板を、前記インデクサを介して、処理部に搬入し、各々の処理部で基板処理を行い、各々の処理部で処理されたその基板の合否を第１の検査部で行い、不合格と認定された基板を、前記インデクサを介して、処理部に再度搬入し、各々の処理部で基板処理を再度行うことを特徴とする基板処理方法。
【００３０】
〔作用・効果〕上記の発明によれば、各々の処理部で処理された基板の合否を第１の検査部が行い、不合格と認定された基板を、インデクサを介して、処理部に再度搬入して、基板処理を再度行っているので、不合格と認定された基板でも再度の基板処理（リワーク）を即座に行うことができる。
【００３１】
（２）請求項３に記載の基板処理装置に用いられる基板処理方法であって、未処理の基板を、前記インデクサを介して、処理部に搬入し、各々の処理部で基板処理を行い、各々の処理部で処理されたその基板を、前記インターフェイスを介して、前記外部処理装置に渡して外部処理装置による処理を行い、外部処理装置によって処理されたその基板を、前記インターフェイスを介して、処理部に搬入し、各々の処理部で基板処理を行い、各々の処理部で処理されたその基板の合否を第１の検査部で行い、不合格と認定された基板を、前記インデクサを介して、処理部に再度搬入し、各々の処理部で基板処理を再度行うことを特徴とすることを特徴とする基板処理方法。
【００３２】
〔作用・効果〕上記の発明によれば、外部処理装置を含む各々の処理部で処理された基板の合否を第１の検査部が行い、不合格と認定された基板を、インデクサを介して、処理部に再度搬入して、基板処理を再度行っているので、不合格と認定された基板でも再度の基板処理（リワーク）を即座に行うことができる。
【００３３】
（３）請求項８に記載の基板処理装置を用いた基板処理方法であって、未処理の基板を、前記インデクサを介して、基板搬送経路の始点に載置し、載置されたその基板を前記基板搬送経路に沿って搬送して、各々の処理部で基板処理を行い、各々の処理部で処理されたその基板を基板搬送経路の終点に載置し、載置されたその基板をインデクサに渡すために第３の載置部に載置し、載置されたその基板の合否を第３の検査部で行い、不合格と認定された基板を、前記インデクサを介して、基板搬送経路の始点に再度載置し、載置されたその基板を基板搬送経路に沿って再度搬送して、各々の処理部で基板処理を再度行うことを特徴とする基板処理方法。
【００３４】
〔作用・効果〕上記の発明によれば、各々の処理部で処理された基板の合否を第３の検査部が行い、不合格と認定された基板を、インデクサを介して、基板搬送経路の始点に再度載置し、載置されたその基板を基板搬送経路に沿って再度搬送して、基板処理を再度行っているので、不合格と認定された基板でも再度の基板処理（リワーク）を即座に行うことができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す斜視図であり、図２は、基板処理装置の１階を平面視したときのブロック図であり、図３は、基板処理装置の２階を平面視したときのブロック図である。なお、紙面の都合上、図１では基板を多段に収納したカセットを載置するカセット載置台の図示を省略する。また、図２，図３については、後述する上下に階層構造で配設された熱処理部やインターフェイス用載置台などについては展開平面図で表す。なお、説明の都合上、図２，図３の各図に記載した後述するインデクサやインターフェイスは、本実施例装置にそれぞれが１つ備えられたものであり、各階に設けられたものでないことに留意されたい。また、本実施例では、フォトリソグラフィ工程において基板を回転させながらレジスト塗布を行うスピンコータ、およびレジスト塗布されて、さらに露光処理が行われた基板を回転させながら現像処理を行うスピンデベロッパを例に採って、基板処理を説明する。
【００３６】
本実施例に係る基板処理装置は、図１〜図３に示すように、インデクサ１とプロセスユニット３とインターフェイス４とから構成されている。本実施例の場合には、インターフェイス４は、レジスト塗布および現像処理などを行うプロセスユニット３と、基板の露光処理を行う外部処理装置としての露光装置（例えば、ステップ露光を行うステッパなど）とを連結する。
【００３７】
次に、インデクサ１の具体的構成について説明する。インデクサ１は、図１〜図３に示すように、カセット載置台２とインデクサ用搬送経路７とインデクサ用搬送機構８とから構成されている。カセット載置台２は、複数枚（例えば２５枚）の未処理の基板Ｗまたは処理済の基板Ｗを収納したカセットＣが複数個（図２，図３では４個）載置可能に構成されている。また、搬送経路７は、複数個のカセットＣが載置されるカセット載置台２に沿って水平方向に形成されている。搬送機構８は、昇降移動および搬送経路７上を水平移動することで、カセット載置台２上のカセットＣとプロセスユニット３との間で基板Ｗの受け渡しを行うことができるように構成されている。さらに具体的に説明すると、搬送機構８は、カセット載置台２に載置されたカセットＣから未処理の基板Ｗを順に取り出してプロセスユニット３に払い出す一方、処理済の基板Ｗをプロセスユニット３から受け取って、カセット載置台６に置かれた所定のカセットＣに処理済の基板Ｗを順に収納する。このカセット載置台２は、本発明におけるカセット載置部に相当する。
【００３８】
次に、インデクサ用搬送機構８の具体的構成について、図４を参照して説明する。搬送機構８は、図４（ａ）の平面図、および図４（ｂ）の右側面図に示すように、インデクサ用搬送経路７の方向（ｙ方向）である矢印ＲＡの方向にアーム基台８ａを水平移動させるｙ軸移動機構８ｂと、矢印ＲＢの方向（ｚ方向）にアーム基台８ａを昇降移動させるｚ軸昇降機構８ｃと、ｚ軸周り（矢印ＲＣの方向）にアーム基台８ａを回転させる回転駆動機構８ｄとを備えている。このアーム基台８ａには基板Ｗを保持するアーム８ｅが備えられており、このアーム８ｅは、回転半径方向（矢印ＲＤの方向）に進退移動可能に構成されている。
【００３９】
ｙ軸移動機構８ｂは、図４（ａ）に示すように、螺軸８ｆと、この螺軸８ｆを軸心周りに回転させるモータ８ｇとを備えており、この螺軸８ｆには上述したｚ軸昇降機構８ｃの基部が螺合されている。モータ８ｇの回転によって、螺軸８ｆに取り付けられたｚ軸昇降機構８ｃが水平方向に移動する。
【００４０】
ｚ軸昇降機構８ｃは、図４（ｂ）に示すように、ｙ軸移動機構８ｂと同じく、螺軸８ｈと、この螺軸８ｈを軸心周りに回転させるモータ８ｉとを備えており、この螺軸８ｈには上述した回転駆動機構８ｄの基部が螺合されている。モータ８ｉの回転によって、螺軸８ｈに取り付けられた回転駆動機構８ｄが昇降移動する。
【００４１】
回転駆動機構８ｄは、図４（ｂ）に示すように、上述したアーム基台８ａと、このアーム基台８ａを軸心周りに回転させるモータ８ｊと、アーム基台８ａとモータ８ｊとを支持する支持部材８ｋとを備えている。モータ８ｊの回転によって、アーム基台８ａがアーム８ｅとともに水平面内で回転する。
【００４２】
このように構成されることで、アーム基台８ａのアーム８ｅに保持された基板Ｗは、カセット載置台２に沿った水平移動，昇降移動，水平面内の回転移動，水平面内の進退移動がそれぞれ可能となる。
【００４３】
図１〜図３に戻って、プロセスユニット３の具体的構成について説明する。プロセスユニット３は、図２，図３に示すように、インデクサ１側から順に配置された第１の処理ユニット９，第２の処理ユニット１０，第３の処理ユニット１１から構成されている。
【００４４】
また、上述した第１〜第３の処理ユニット９〜１１は、１階から２階にわたって貫くようにそれぞれ配置されている。第１の処理ユニット９の１階には、図２に示すように、基板Ｗ上に形成されたフォトレジスト膜からの光の反射を防止するために下地用の反射防止膜（Ｂｏｔｔｏｍ　Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ　Ｃｏａｔｉｎｇ）を基板Ｗに塗布形成するスピンコータ（Ｓｐｉｎ　Ｃｏａｔｅｒ）（図２中に符号『ＳＣ』で示す）や熱処理部などを含む反射防止膜形成用セル１２が配設されている。第２の処理ユニット１０の１階には、基板Ｗを回転させながらフォトレジスト膜を基板Ｗに塗布形成するスピンコータや熱処理部などを含むレジスト膜形成用セル１３が配設されている。第３の処理ユニット１１の１階には露光処理後の基板Ｗを加熱する（Ｐｏｓｔ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｂａｋｅ）（図３中に符号『ＰＥＢ』で示す）ための露光後加熱用セル１４が配設されている。
【００４５】
一方、第１の処理ユニット９の２階には、図３に示すように、露光処理後の基板Ｗを回転させながら現像処理を行うスピンデベロッパ（Ｓｐｉｎ　Ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ）（図３中に符号『ＳＤ』で示す）や熱処理部などを含む現像用セル１５Ａが配設されている。第２の処理ユニット１０の２階には、第１の処理ユニット９と同様の現像用セル１５Ｂが配設されている。第３の処理ユニット１１の２階には、同ユニット１１の１階と同様の露光後加熱用セル１４が配設されている。
【００４６】
以上のように、反射防止膜形成用セル１２とインデクサ１側にある現像用セル１５Ａとで第１の処理ユニット９を、レジスト膜形成用セル１３とインターフェイス４側にある現像用セル１５Ｂとで第２の処理ユニット１０を、１階および２階に設けられた２つの露光後加熱用セル１４で第３の処理ユニット１１を、それぞれ構成している。
【００４７】
次に、反射防止膜形成用セル１２の具体的構成について説明する。反射防止膜形成用セル１２は、図２に示すように、３つの熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃと、これらの熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ間で基板Ｗの受け渡しを行う熱処理部用搬送機構１７と、反射防止膜を基板Ｗにそれぞれ塗布する２つのスピンコータＳＣと、熱処理部１６Ａおよび２つのスピンコータＳＣ間で基板Ｗの受け渡しを行う反射防止膜形成処理用搬送機構１８とから構成されている。
【００４８】
３つの熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃは、図２に示すように、熱処理部用搬送機構１７に対向するように、その周囲の３箇所に配設されており、各々の熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃは上下に階層構造でそれぞれ配設されている。
【００４９】
インデクサ１に隣接して配設されている熱処理部１６Ａは、加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つための２つの冷却部（図２，図３中に符号『ＣＰ』で示す），基板Ｗとフォトレジスト膜との密着性を向上させるための処理を行う３つのアドヒージョン（Ａｄｈｅｓｉｏｎ）処理部（図２，図３中に符号『ＡＨＬ』で示す），熱処理および検査を行わずに基板Ｗを載置して基板Ｗを受け渡すための基板載置部（図２，図３中に符号『Ｐａｓｓ』で示す），検査部Ｔを下から順に積層することで構成されている。なお、アドヒージョン処理では、ＨＭＤＳ〔（ＣＨ３）３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ３）３〕を蒸気状にしてレジスト塗布前の基板Ｗを処理する。
【００５０】
この熱処理部１６Ａは、基板載置部Ｐａｓｓ、アドヒージョン処理部ＡＨＬ、冷却部ＣＰを使って、インデクサ１にあるインデクサ用搬送機構８と、熱処理部用搬送機構１７と、反射防止膜形成処理用搬送機構１８との間で基板Ｗを受け渡す機能をも備えている。すなわち、インデクサ用搬送機構８と熱処理部用搬送機構１７とは、基板載置部Ｐａｓｓを介して受け渡しを行う構成となっており、基板載置部Ｐａｓｓには、インデクサ用搬送機構８と熱処理部用搬送機構１７とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入することができるように開口部１６ａが形成されている。また、熱処理部用搬送機構１７と反射防止膜形成処理用搬送機構１８とは、冷却部ＣＰを介して受け渡しを行う構成となっており、冷却部ＣＰには、熱処理部用搬送機構１７と反射防止膜形成処理用搬送機構１８とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入することができるように開口部１６ａが形成されている。なお、アドヒージョン処理部ＡＨＬは、熱処理部用搬送機構１７としか基板Ｗの受け渡しを行わないので、熱処理部用搬送機構１７が進入することができるように熱処理部用搬送機構１７に対峙した面にのみ開口部１６ａが形成されている。
【００５１】
この熱処理部１６Ａ内の基板載置部Ｐａｓｓおよび後述する現像用セル１５Ａでの熱処理部１６Ｆ内の基板載置部Ｐａｓｓと，熱処理部１６Ａ内の検査部Ｔおよび現像用セル１５Ａでの熱処理部１６Ｆ内の検査部Ｔとは、本発明における第３の載置部に、後述するインターフェイス用載置台３０内の基板載置部Ｐａｓｓと，インターフェイス用載置台３０内の検査部Ｔとは、本発明における第４の載置部に、熱処理部１６Ａ内の検査部Ｔ，現像用セル１５Ａでの熱処理部１６Ｆ内の検査部Ｔ，およびインターフェイス用載置台３０内の検査部Ｔは、本発明における第３の検査部に、熱処理部１６Ａ内の基板載置部Ｐａｓｓ，現像用セル１５Ａでの熱処理部１６Ｆ内の基板載置部Ｐａｓｓ，およびインターフェイス用載置台３０内の基板載置部Ｐａｓｓは、本発明におけるバイパス用の通過部にそれぞれ相当する。
【００５２】
また、検査部Ｔは、例えば光学顕微鏡などから構成されており、熱処理部１６Ａ内の検査部Ｔは、基板Ｗに付着するゴミの大きさや数を検査する機構で、後述するインターフェイス用載置台３０内の検査部Ｔは、露光の際の重ね合わせ精度を検査する機構で、同じく後述する現像用セル１５Ａでの熱処理部１６Ｆ内の検査部Ｔは、配線パターンの欠陥を検査する機構で、それぞれ構成される。
【００５３】
熱処理部１６Ｂには、熱処理部用搬送機構１７に面して開口部１６ａ（図１参照）が、それぞれ各層に設けられている。そして、熱処理部用搬送機構１７は、この開口部１６ａを介して、熱処理部１６Ｂに基板Ｗを搬入して、熱処理部１６Ｂから基板Ｗを搬出する。また、基板Ｗを加熱するための７つの加熱部（図２，図３中に符号『ＨＰ』で示す）を下から順に積層することで、熱処理部１６Ｂは構成されている。
【００５４】
熱処理部１６Ｃは、反射防止膜形成用セル１２とレジスト膜形成用セル１３とにまたがって配設されている。このように配設されることで、反射防止膜形成用セル１２以外にレジスト膜形成用セル１３も、この熱処理部１６Ｃを共用している。この熱処理部１６Ｃは、熱処理部１６Ａと同様の３つの冷却部ＣＰ，熱処理部１６Ｂと同様の３つの加熱部ＨＰ，熱処理部１６Ａと同様の基板載置部Ｐａｓｓを下から順に積層することで構成されている。
【００５５】
このうち、本実施形態の構成においては、３つのＣＰは、必要に応じて反射防止膜形成用セル１２用として用いられ、３つの加熱部ＨＰは、レジスト膜形成用セル１３用として用いられる。この熱処理部１６Ｃの基板載置部Ｐａｓｓには、熱処理部用搬送機構１７と後述するレジスト膜形成用セル１３内に配置された熱処理部用搬送機構１９との間で基板Ｗの受け渡しが可能なように、それぞれ熱処理部用搬送機構１７および熱処理部用搬送機構１９に対峙した面にのみ開口部１６ａが形成されている。熱処理部１６Ｃを構成する３つの冷却部ＣＰには、熱処理部用搬送機構１７のみ基板Ｗの受け渡しが可能なように、熱処理部用搬送機構１７に対峙する面にのみ開口部１６ａが形成されている。同様に、熱処理部１６Ｃを構成する３つの加熱部ＨＰには、熱処理部用搬送機構１９のみ基板Ｗの受け渡しが可能なように、熱処理部用搬送機構１９に対峙する面にのみ開口部１６ａが形成されている。
【００５６】
反射防止膜形成用セル１２内のスピンコータＳＣは、上述したように基板Ｗを回転させながら反射防止膜形成処理を行うように構成されている。詳述すると、基板Ｗを保持して水平面内に回転させるスピンチャック，反射防止液を吐出するノズルなどから構成されている。このスピンチャックに保持されて回転している基板Ｗの中心に向けてノズルから反射防止液を吐出することで、基板Ｗの遠心力により反射防止膜が基板Ｗの中心から全面にわたって塗布形成される。
【００５７】
熱処理部用搬送機構１７と反射防止膜形成処理用搬送機構１８と、後述する熱処理部用搬送機構１９とレジスト膜形成処理用搬送機構２０とエッジ露光用搬送機構２１と熱処理部用搬送機構２３と現像用搬送機構２４とは同じ構成からなる。これらの搬送機構の具体的構成については後で説明する。
【００５８】
次に、レジスト膜形成用セル１３の具体的構成について説明する。レジスト膜形成用セル１３は、図２に示すように、反射防止膜形成用セル１２と同じく、３つの熱処理部１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅと、これらの熱処理部１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅ間で基板Ｗの受け渡しを行う熱処理部用搬送機構１９と、フォトレジスト液を基板Ｗにそれぞれ塗布する２つのスピンコータＳＣと、熱処理部１６Ｄおよび２つのスピンコータＳＣ間で基板Ｗの受け渡しを行うレジスト膜形成処理用搬送機構２０とから構成されている。
【００５９】
反射防止膜形成用セル１２と同じく、３つの熱処理部１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅは、図２に示すように、熱処理部用搬送機構１９に対向するように、その周囲の３箇所に配設されており、各々の熱処理部１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅは上下に階層構造でそれぞれ配設されている。
【００６０】
第３の処理ユニット１１に隣接して配設されている熱処理部１６Ｄは、６つの冷却部ＣＰ，基板載置部Ｐａｓｓを下から順に積層することで構成されている。
【００６１】
この熱処理部１６Ｄは、基板載置部Ｐａｓｓを通じて、熱処理部用搬送機構１９と後述する露光後加熱用セル１４内に配置されたエッジ露光用搬送機構２１との間で基板Ｗの受け渡しを行う機能をも備えている。すなわち、熱処理部用搬送機構１９とエッジ露光用搬送機構２１とは、基板載置部Ｐａｓｓを介して受け渡しを行う構成となっており、基板載置部Ｐａｓｓには、熱処理部用搬送機構１９とエッジ露光用搬送機構２１とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入することができるように開口部１６ａが形成されている。また、６つの冷却部ＣＰには、それぞれ熱処理部用搬送機構１９とレジスト膜形成処理用搬送機構２０とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入することができるように開口部１６ａが形成されている（図１参照）。
【００６２】
熱処理部１６Ｅには、熱処理部用搬送機構１７に面して開口部１６ａ（図１参照）が、それぞれ各層に設けられている。そして、熱処理部用搬送機構１９は、この開口部１６ａを介して、熱処理部１６Ｅに基板Ｗを搬入して、熱処理部１６Ｅから基板Ｗを搬出する。反射防止膜形成用セル１２内の熱処理部１６Ｂとほぼ同じような構成で、４つの冷却部ＣＰ，３つの加熱部ＨＰを下から順に積層することで、熱処理部１６Ｅは構成されている。
【００６３】
上述したように熱処理部１６Ｃは、反射防止膜形成用セル１２とレジスト膜形成用セル１３とにまたがって配設されており、レジスト膜形成用セル１３以外に反射防止膜形成用セル１２も、この熱処理部１６Ｃを共用している。つまり、熱処理部１６Ｃは反射防止膜形成用セル１２内の熱処理部１６Ｃでもある。熱処理部１６Ｃの構成については説明を省略する。
【００６４】
レジスト膜形成用セル１３内のスピンコータＳＣは、フォトレジスト液を吐出してフォトレジスト膜を塗布形成する以外には、反射防止膜形成用セル１２内のスピンコータＳＣと同様の構成をしているので、レジスト膜形成用セル１３内のスピンコータＳＣの説明を省略する。
【００６５】
次に、１階部分の露光後加熱用セル１４の具体的構成について説明する。露光後加熱用セル１４の１階部分は、図２に示すように、露光処理前に基板Ｗの端縁（エッジ）部分を露光するエッジ露光処理（Ｅｄｇｅ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｕｎｉｔ）をそれぞれ行うための２つのエッジ露光部（図２中に符号『ＥＥ』で示す）と、熱処理部１６Ｄ，２つのエッジ露光部ＥＥ，およびインターフェイス４内の後述するインターフェイス用載置台３０間で基板Ｗの受け渡しを行うエッジ露光用搬送機構２１とから構成されている。
【００６６】
２つのエッジ露光部ＥＥは、図２に示すような位置で、それぞれが互いに上下に積層された状態で配設されている。他の熱処理部１６と同様に、各エッジ露光部ＥＥには、エッジ露光用搬送機構２１に面して開口部１６ａ（図１参照）がそれぞれ設けられている。そして、エッジ露光用搬送機構２１は、この開口部１６ａを介して、エッジ露光部ＥＥに基板Ｗを搬入して、エッジ露光部ＥＥから基板Ｗを搬出する。
【００６７】
次に、２階部分の露光後加熱用セル１４の具体的構成について説明する。露光後加熱用セル１４の２階部分は、図３に示すように、露光処理後の基板Ｗをそれぞれ加熱する８つの露光後加熱部（図３中に符号『ＰＥＢ』で示す）と、４つの冷却部ＣＰと、これらの露光後加熱部ＰＥＢ，冷却部ＣＰ，インターフェイス４内の後述するインターフェイス用載置台３０，および現像用セル１５Ｂ内の後述する熱処理部１６Ｆ間で基板Ｗの受け渡しを行う露光後加熱用搬送機構２２とから構成されている。
【００６８】
８つの露光後加熱部ＰＥＢ，４つの冷却部ＣＰのうち、それぞれ半数（２つの冷却部ＣＰ，４つの露光後加熱部ＰＥＢ）が下から順に積層された状態で、図３に示すように、露光後加熱用搬送機構２２に対向するように、それぞれが配設されている。各露光後加熱部ＰＥＢ，冷却部ＣＰには、露光後加熱用搬送機構２２に面して開口部１６ａ（図１参照）がそれぞれ設けられている。そして、露光後加熱用搬送機構２２は、この開口部１６ａを介して、各露光後加熱部ＰＥＢ，冷却部ＣＰに基板Ｗを搬入して、各露光後加熱部ＰＥＢ，冷却部ＣＰから基板Ｗを搬出する。露光後加熱用搬送機構２２の具体的構成についても後で説明する。
【００６９】
次に、現像用セル１５（１５Ａ，１５Ｂ）の具体的構成について説明する。現像用セル１５のうち、インターフェイス４側にある現像用セル１５Ｂは、図３に示すように、３つの処理部１６Ｆ、１６Ｇ，１６Ｈと、これらの熱処理部１６Ｆ，１６Ｇ，１６Ｈ間で基板Ｗの受け渡しを行う熱処理部用搬送機構２３と、露光処理後の基板Ｗを回転させながら現像処理をそれぞれ行う２つのスピンデベロッパＳＤと、熱処理部１６Ｆおよび２つのスピンデベロッパＳＤ間で基板Ｗの受け渡しを行う現像用搬送機構２４とから構成されている。
【００７０】
３つの熱処理部１６Ｆ，１６Ｇ，１６Ｈは、図３に示すように、熱処理部用搬送機構２３に対向するように、その周囲の３箇所に配設されており、熱処理部１６Ｆ，１６Ｇは上下に階層構造でそれぞれ配設されている。
【００７１】
第３の処理ユニット１１に隣接、すなわちインターフェイス４側に配設されている熱処理部１６Ｆは、４つの冷却部ＣＰ，基板載置部Ｐａｓｓを下から順に積層することで構成されている。
【００７２】
この熱処理部１６Ｆは、基板載置部Ｐａｓｓを通じて、熱処理部用搬送機構２３と露光後加熱用搬送機構２２との間で基板Ｗを受け渡す機能をも備えている。すなわち、熱処理部用搬送機構２３と露光後加熱用搬送機構２２とは、基板載置部Ｐａｓｓを介して受け渡しを行う構成となっており、基板載置部Ｐａｓｓには、熱処理部用搬送機構２３と露光後加熱用搬送機構２２とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入することができるように開口部１６ａが形成されている（図１参照）。また、４つのＣＰには、それぞれ熱処理部用搬送機構２３と現像用搬送機構２４とに対峙する面にのみそれぞれの搬送機構が進入することができるように開口部１６ａが形成されている（図１参照）。
【００７３】
熱処理部１６Ｇには、熱処理部用搬送機構２３に面して開口部１６ａ（図１参照）が、それぞれ各層に設けられている。そして、熱処理部用搬送機構２３は、この開口部１６ａを介して、熱処理部１６Ｇに基板Ｗを搬入して、熱処理部１６Ｇから基板Ｗを搬出する。また、２つの冷却部ＣＰ，３つの加熱部ＨＰを下から順に積層することで、熱処理部１６Ｇは構成されている。
【００７４】
熱処理部１６Ｈは、現像用セル１５Ａ，１５Ｂにまたがって配設されている。このように配設されることで、現像用セル１５Ｂ以外に現像用セル１５Ａも、この熱処理部１６Ｈを共用している。この熱処理部１６Ｈは、２つの冷却部ＣＰ，２つの加熱部ＨＰ，１つの基板載置部Ｐａｓｓを下から順に積層することで構成されている。
【００７５】
このうち、本実施形態の構成においては、下から２段目の冷却部ＣＰと下から４段目の加熱部ＨＰとは、現像用セル１５Ｂ用として用いられ、下から１段目の冷却部ＣＰと下から３段目の加熱部ＨＰとは、現像用セル１５Ａ用として用いられる。この熱処理部１６Ｈの基板載置部Ｐａｓｓには、熱処理部用搬送機構２３と後述する現像用セル１５Ａ内に配置される熱処理部用搬送機構２３との間で基板Ｗの受け渡しが可能なように、それぞれ熱処理部用搬送機構２３，熱処理部用搬送機構２３に対峙した面にのみ開口部１６ａが形成されている（図１参照）。熱処理部１６Ｈを構成する現像用セル１５Ｂとして用いられる冷却部ＣＰと加熱部ＨＰには、現像用セル１５Ｂ内に配置された熱処理部用搬送機構２３のみ基板Ｗの受け渡しが可能なように、熱処理部用搬送機構２３に対峙する面にのみ開口部１６ａが形成されている。同様に、熱処理部１６Ｈを構成する現像用セル１５Ａ用として用いられる冷却部ＣＰと加熱部ＨＰには、現像用セル１５Ａ内に配置された熱処理部用搬送機構２３のみ基板Ｗの受け渡しが可能なように、熱処理部用搬送機構２３に対峙する面にのみ開口部１６ａが形成されている。
【００７６】
インデクサ１側にある現像用セル１５Ａは、それぞれの構成が現像用セル１５Ｂに対して左右逆（ｙｚ平面に対して左右対称）に配設されていること、および現像用セル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆに検査部Ｔが配設されていること以外には、インターフェイス４側にある現像用セル１５Ｂと同様の構成をしているので、現像用セル１５Ａの説明を省略する。なお、現像用セル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆは、検査部Ｔで基板Ｗを検査する機能を有するほか、冷却部ＣＰにおいて、熱処理部用搬送機構２３と現像用搬送機構２４との間で基板Ｗを受け渡す機能を有するとともに、基板載置部Ｐａｓｓにおいて熱処理部用搬送機構２３とインデクサ用搬送機構８との間で基板Ｗを受け渡す機能をも果たす。すなわち、熱処理部１６Ｆの冷却部ＣＰは、熱処理部用搬送機構２３と現像用搬送機構２４とに対峙する面にのみ開口部１６ａが形成され、基板載置部Ｐａｓｓには、熱処理部用搬送機構２３とインデクサ用搬送機構８とに対峙する面にのみ開口部１６ａが形成されている。また、２つの現像用セル１５（現像用セル１５Ａ，１５Ｂ）を設けた理由は、一方の現像用セル１５内にある２つのスピンデベロッパＳＤで基板Ｗがともに処理されているときに、露光後加熱処理後の別の基板Ｗを他方の現像用セル１５内にあるスピンデベロッパＳＤで処理するためである。
【００７７】
このように、プロセスユニット３は、反射防止膜形成用セル１２と現像用セル１５Ａとからなる第１の処理ユニット９、レジスト膜形成用セル１３と現像用セル１５Ｂとからなる第２の処理ユニット１０、２階部分の露光後加熱用セル１４と１階部分の露光後加熱用セル１４とからなる第３の処理ユニット１１から構成されている。
【００７８】
そして、１階部分に関しては、熱処理部用搬送機構１７と熱処理部用搬送機構１９とが、熱処理部１６（１６Ａ〜１６Ｇ）のうち、熱処理部１６Ｃに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構１７，１９がその熱処理部１６Ｃを共用し、熱処理部用搬送機構１７と反射防止膜形成処理用搬送機構１８とが、熱処理部１６Ａに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構１７，１８がその熱処理部１６Ａを共用し、熱処理部用搬送機構１９とレジスト膜形成処理用搬送機構２０とエッジ露光用搬送機構２１とが、熱処理部１６Ｄに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構１９，２０，２１がその熱処理部１６Ｄを共用する。つまり、これらの熱処理部１６Ａ，１６Ｃ，１６Ｄを介在させて、これらの搬送機構１７〜２１を並べて配設することで、各熱処理部１６・スピンコータＳＣ間で基板Ｗを搬送する経路である処理部搬送経路２５を構成している。また、処理部搬送経路２５は、図２中の矢印の方向で基板Ｗが受け渡されて搬送される。この処理部搬送経路２５は、本発明における基板搬送経路に相当する。
【００７９】
２階部分に関しては、現像用セル１５Ａ、および現像用セル１５Ｂの各々の熱処理部用搬送機構２３が、熱処理部１６（１６Ａ〜１６Ｇ）のうち、熱処理部１６Ｈに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構２３がその熱処理部１６Ｈを共用し、露光後加熱用搬送機構２２と現像用セル１５Ｂ内の熱処理部用搬送機構２３と現像用セル１５Ｂ内の現像用搬送機構２４とが、現像用セル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｆに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構２２〜２４がその熱処理部１６Ｆを共用し、現像用セル１５Ａ内の熱処理部用搬送機構２３と現像用セル１５Ａ内の現像用搬送機構２４とが、現像用セル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構２３，２４がその熱処理部１６Ｆを共用する。つまり、これらの熱処理部１６Ｆ，１６Ｈを介在させて、これらの搬送機構２２〜２４を並べて配設することで、各熱処理部１６・スピンデベロッパＳＤ間で基板Ｗを搬送する経路である処理部搬送経路２６を構成している。また、処理部搬送経路２６は、図３中の矢印の方向で基板Ｗが受け渡されて搬送される。この処理部搬送経路２６も、本発明における基板搬送経路に相当する。
【００８０】
つまり、処理部搬送経路２５，２６が、上下に２階の階層構造で配設されていることになる。また、１階の処理部搬送経路２５および２階の処理部搬送経路２６の一端側（図２，図３では左側）が、インデクサ１にそれぞれ連結されている。また、１階の処理部搬送経路２５および２階の処理部搬送経路２６の他端側（図２，図３では右側）が、インターフェイス４にそれぞれ連結されている。これらの処理部搬送経路２５，２６は、基板の搬送方向が互いに逆方向に設定されることにより、処理部搬送経路２５は、基板Ｗが順方向（本実施例では、インデクサ１から出て行く方向）に搬送される行き専用経路を構成し、処理部搬送経路２６は、基板Ｗが逆方向（本実施例では、インデクサ１に戻って行く方向）に搬送される帰り専用経路を構成している。
【００８１】
また、行き専用経路である処理部搬送経路２５の始点、すなわちインデクサ１に隣接する部分に、検査の対象となる基板Ｗを検査する熱処理部１６Ａの検査部Ｔ、残りの基板Ｗを検査せずに受け渡しを行う熱処理部１６Ａの基板載置部Ｐａｓｓが配設されるとともに、処理部搬送経路２５の終点、すなわちインターフェイス４に、検査の対象となる基板Ｗを検査するインターフェイス用載置台３０の検査部Ｔ、残りの基板Ｗを検査せずに受け渡しを行うインターフェイス用載置台３０の基板載置部Ｐａｓｓが配設されることになる。
【００８２】
また、帰り専用経路である処理部搬送経路２６の始点、すなわちインターフェイス４に、検査の対象となる基板Ｗを検査するインターフェイス用載置台３０の検査部Ｔ、残りの基板Ｗを検査せずに受け渡しを行うインターフェイス用載置台３０の基板載置部Ｐａｓｓが配設されるとともに、処理部搬送経路２６の終点、すなわちインデクサ１に隣接する部分に、検査の対象となる基板Ｗを検査する熱処理部１６Ｆの検査部Ｔ、残りの基板Ｗを検査せずに受け渡しを行う熱処理部１６Ｆの基板載置部Ｐａｓｓが配設されることになる。
【００８３】
次に、搬送機構１７〜２１，２３，２４の具体的構成について、図５〜図７を参照して説明する。なお、上述したように、これらの搬送機構は同じ構成からなるので、熱処理部用搬送機構１７のみについて説明する。熱処理部用搬送機構１７は、図５（ａ）の平面図、および図５（ｂ）の右側面図に示すように、ｚ軸周り（矢印ＲＥの方向）にアーム基台１７ａを回転させる回転駆動機構１７ｂと、アーム基台１７ａを矢印ＲＦの方向（ｚ方向）に昇降移動させるｚ軸昇降機構１７ｃとを備えている。このアーム基台１７ａには基板Ｗを保持するアーム１７ｄが備えられており、このアーム１７ｄは、回転半径方向（矢印ＲＧの方向）に進退移動可能に構成されている。
【００８４】
インデクサ用搬送機構８の回転駆動機構８ｄと同様に、回転駆動機構１７ｂは、図５（ｂ）に示すように、アーム基台１７ａを回転させるモータ１７ｅと、アーム基台１７ａとモータ１７ｅとを支持する支持部材１７ｆとを備えている。
【００８５】
ｚ軸昇降機構１７ｃは、図５（ｂ）に示すように、螺軸１７ｇと、この螺軸１７ｇを回転させるモータ１７ｈとを備えており、この螺軸１７ｇには上述した回転駆動機構１７ｂの基部が螺合されている。モータ１７ｈの回転によって、螺軸１７ｇに取り付けられた回転駆動機構１７ｂが昇降移動する。また、このｚ軸昇降機構１７ｃは、装置基台上に立設固定されているので、インデクサ用搬送機構８のｚ軸昇降機構８ｃのように水平方向には移動しない。
【００８６】
このように構成されることで、アーム基台１７ａのアーム１７ｄに保持された基板Ｗは、水平面内での回転移動、昇降移動、および進退移動がそれぞれ可能となる。また、ｚ軸昇降機構１７ｃは、図６（ａ）に示すように、熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃの３方向以外であるスピンコータＳＣの方向に面して固定される。これにより基板Ｗは、熱処理部用搬送機構１７によって熱処理部１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ間で受け渡される。
【００８７】
熱処理部用搬送機構１７と同様に、熱処理部用搬送機構１９，熱処理部用搬送機構２３のｚ軸昇降機構１９ｃ，２３ｃについても、図６（ａ）に示すような方向、すなわち熱処理部用搬送機構１９の場合はスピンコータＳＣ、熱処理部用搬送機構２３の場合はスピンデベロッパＳＤの方向に面して固定される。
【００８８】
反射防止膜形成処理用搬送機構１８，インデクサ１側にある現像用セル１５Ａ内の現像用搬送機構２４のｚ軸昇降機構１８ｃ，２４ｃについては、図６（ｂ）に示すような方向、すなわちインデクサ１の方向に面して固定され、これにより基板Ｗは、これらの各搬送機構１８，２４によって，反射防止膜形成処理用搬送機構１８の場合はスピンコータＳＣと熱処理部１６Ａとの間で、現像用搬送機構２４の場合はスピンデベロッパＳＤと熱処理部１６Ｆとの間でそれぞれ受け渡される。
【００８９】
レジスト膜形成処理用搬送機構２０，インターフェイス４側にある現像用セル１５Ｂ内の現像用搬送機構２４のｚ軸昇降機構２０ｃ，２４ｃについては、図７（ａ）に示すような方向、すなわちインターフェイス４の方向に面して固定され、これにより基板Ｗは、これらの各搬送機構２０，２４によって，レジスト膜形成処理用搬送機構２０の場合はスピンコータＳＣと熱処理部１６Ｄとの間で、現像用搬送機構２４の場合はスピンデベロッパＳＤと熱処理部１６Ｆとの間でそれぞれ受け渡される。
【００９０】
エッジ露光用搬送機構２１のｚ軸昇降機構２１ｃについては、図７（ｂ）に示すように、熱処理部１６Ｄ、エッジ露光部ＥＥ、およびインターフェイス用載置台３０には面していない側に固定され、これにより基板Ｗは、エッジ露光用搬送機構２１によって，熱処理部１６Ｄとエッジ露光部ＥＥとインターフェイス４内の後述するインターフェイス用載置台３０との間で受け渡される。
【００９１】
次に、露光後加熱用搬送機構２２の具体的構成について、図８を参照して説明する。露光後加熱用搬送機構２２は、図８（ａ）の平面図、図８（ｂ）の側面図、および図８（ｃ）の正面図に示すようにアーム基台２２ａを昇降駆動するｚ軸昇降機構２２ｂ、そのｚ軸昇降機構２２ｂをｚ軸周り（矢印ＲＩの方向）に回転駆動するモータ２２ｃを備えている。このアーム基台２２ａには基板Ｗを保持するアーム２２ｄが備えられており、このアーム２２ｄは、回転半径方向である矢印ＲＪ方向に進退移動可能に構成されている。
【００９２】
ｚ軸昇降機構２２ｂは、図８（ａ）〜（ｃ）に示すように、螺軸２２ｆと、この螺軸２２ｆを軸心周りに回転させるモータ２２ｇとを備えており、この螺軸２２ｆにはアーム基台２２ａが螺合されている。モータ２２ｇの回転によって、螺軸２２ｆに螺合されたアーム基台２２ａが昇降移動する。
【００９３】
ｚ軸昇降機構２２ｂの底部には、上述したモータ２２ｃが取り付けられており、モータ２２ｃの回転によって、ｚ軸昇降機構２２ｂ自体が、アーム基台２２ａおよびアーム２２ｄとともに縦軸心周りに回転駆動される。
【００９４】
このように構成されることで、アーム基台２２ａのアーム２２ｄに保持された基板Ｗは、水平面内での回転移動、昇降移動、および進退移動が可能となる。これにより基板Ｗは、露光後加熱用搬送機構２２によって、露光後加熱部ＰＥＢ，冷却部ＣＰ，インターフェイス４内の後述するインターフェイス用載置台３０，および現像用セル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｆ間で受け渡される。
【００９５】
また、搬送機構１７〜２１，２３，２４の場合には、固定設置されたｚ軸昇降機構が取り付けられている方向には基板Ｗを受け渡すことができないが、露光後加熱用搬送機構２２の場合には、そのｚ軸昇降機構２２ｂ自体が回転可能となっているので、水平面内の全ての方向に基板Ｗを受け渡すことができる。
【００９６】
その反面、搬送機構１７〜２１，２３，２４の場合には、各処理部に面していない側（ｚ軸昇降機構が設置された側）から各搬送機構の保守が容易であるが、露光後加熱用搬送機構２２の場合には、その周囲に各処理部が配置される関係で、搬送機構の保守スペースの確保が容易でない。
【００９７】
図１〜図３に戻って、インターフェイス４の具体的構成について説明する。インターフェイス４は、インターフェイス用搬送経路２８とインターフェイス用搬送機構２９とインターフェイス用載置台３０とを備えている。インターフェイス用搬送経路２８は、図２，図３に示すように、インデクサ用搬送経路７と平行に形成されている。インターフェイス用搬送機構２９は、インターフェイス用搬送経路２８上を移動することで、インターフェイス用載置台３０と、図２，図３中の二点鎖線で示した露光装置（ステッパ）ＳＴＰとの間で基板Ｗを搬送する。この露光装置ＳＴＰは、本実施例装置とは別体の装置である。この露光装置ＳＴＰは、本発明における外部処理装置にそれぞれ相当する。
【００９８】
インターフェイス用搬送機構２９の具体的構成については、インデクサ用搬送機構８のｚ軸昇降機構８ｃの取り付け位置が相違する以外には、インデクサ用搬送機構８と同様の構成であるので、その説明を省略する。
【００９９】
インターフェイス用載置台３０は、図１に示すように、１階専用の基板載置部Ｐａｓｓと２階専用の基板載置部Ｐａｓｓとが積層構造で配設されている。１階専用の基板載置部Ｐａｓｓは、露光後加熱用セル１４の１階部分にあるエッジ露光用搬送機構２１とインターフェイス用搬送機構２９との間で基板Ｗの受け渡しを行うためのものである。２階専用の基板載置部Ｐａｓｓは、露光後加熱用セル１４の２階部分にある露光後加熱用搬送機構２２とインターフェイス用搬送機構２９との間で基板Ｗの受け渡しを行うためのものである。両基板載置部Ｐａｓｓの間および２階専用の基板載置部Ｐａｓｓの上側には、基板Ｗをそれぞれ仮置きするための複数のバッファ（図１中に符号『ＢＦ』で示す）がある。さらに、２階専用のバッファＢＦの上である最上部には検査部Ｔが積層されている。以上のように、１階専用の基板載置部ＰａｓｓとバッファＢＦ、２階専用の基板載置部ＰａｓｓとバッファＢＦ、および検査部Ｔが積層構造で配設されている。
【０１００】
両基板載置部Ｐａｓｓは、露光後加熱用セル１４，およびインターフェイス用搬送機構２９の両方向に面してそれぞれ開口されており、これらの開口を介して、１階部分の露光後加熱用セル１４内のエッジ露光用搬送機構２１、および２階部分の露光後加熱用セル１４内の露光後加熱用搬送機構２２と、インターフェイス用搬送機構２９との間で基板Ｗの受け渡しがそれぞれ行われる。
【０１０１】
また、１階専用のバッファＢＦおよび２階専用のバッファＢＦは、それぞれ少なくともインターフェイス用搬送機構２９側に面して開口されており、この開口を介してインターフェイス用搬送機構２９との間で基板Ｗの受け渡しが行われる。
【０１０２】
続いて、フォトリソグラフィ工程における一連の基板処理について、図９，図１０のフローチャートおよび図１１，図１２を参照して説明する。なお、各処理において複数枚の基板Ｗが並行して処理されるが、１枚の基板Ｗのみに注目して説明する。また、図１１，図１２中の搬送機構において、ＩＤはインデクサを示し、ＳＣはスピンコータ（符号１８の場合は反射防止膜形成処理，符号２０の場合はレジスト膜形成処理）を示し、ＥＥはエッジ露光を示し、ＩＦはインターフェイスを示し、ＰＥＢは露光後加熱を示し、ＳＤは現像を示す。
【０１０３】
（ステップＳ１）インデクサでの搬送
未処理の複数枚の基板Ｗを収納したカセットＣを、カセット載置台２に載置する。このカセットＣから１枚の基板Ｗを取り出すために、インデクサ用搬送機構８がカセットＣに対向する位置にまでインデクサ用搬送経路７上を水平移動する。アーム基台８ａが水平面内で回転してカセットＣに対向するとともに、カセットＣ内の取り出し対象である基板Ｗに対向する位置にまで、アーム基台８ａが昇降する。続いて、アーム８ｅが前進して基板Ｗの下側に進入する。アーム８ｅが少し上昇して基板Ｗを受け取る。基板Ｗを保持したアーム８ｅが後退することにより、基板ＷをカセットＣから取り出す。
【０１０４】
（ステップＳ２）検査部で検査
反射防止膜形成用セル１２内の熱処理部１６Ａの検査部Ｔで、検査の対象となる基板Ｗを検査するために、インデクサ用搬送機構８がインデクサ用搬送経路７を移動して、セル１２内の熱処理部１６Ａの検査部Ｔに基板Ｗを載置する。具体的に説明すると、搬送機構８が検査部Ｔに対向する位置にまで搬送経路７上を移動し、続いて、アーム基台８ａが上昇および回転することにより、アーム８ｅが検査部Ｔに対向する。そして、基板Ｗを保持したアーム８ｅが前進して、基板Ｗを検査部Ｔに載置する。その後、アーム８ｅが後退する。
【０１０５】
検査部Ｔに載置された基板Ｗに対して、例えば、基板Ｗに付着するゴミの大きさや数についての検査が行われる。検査後、もし所定の大きさ以上のゴミや、所定の数以上のゴミが基板Ｗに付着していれば、不合格と認定する。不合格と認定された基板Ｗを、熱処理部１６Ａ〜１６Ｈ，スピコ−タＳＣ，スピンデベロッパＳＤなどに搬入せずに、インデクサ１のカセット載置台２に戻し、その基板Ｗについての基板処理を中断するように制御する。このとき、後述する残りの各々の基板Ｗについても、検査の対象となる基板Ｗと同一のカセットＣ内に収納されていることから、それらの基板Ｗについても、熱処理部１６Ａ〜１６Ｈ，スピコ−タＳＣ，スピンデベロッパＳＤなどに搬入せずに、インデクサ１のカセット載置台２に戻し、それらの基板Ｗについての基板処理を中断するように制御するのが好ましい。
【０１０６】
（ステップＳ３）基板載置部での受け渡し
その一方で、検査の対象となる基板Ｗを検査している間に、残りの各々の基板Ｗについて、基板載置部Ｐａｓｓを介して、受け渡しをそれぞれ行う。すなわち、反射防止膜形成用セル１２内の熱処理部用搬送機構１７に基板Ｗを渡すために、インデクサ用搬送機構８がインデクサ用搬送経路７を移動して、セル１２内の熱処理部１６Ａの基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗを載置する。
【０１０７】
（ステップＳ４）アドヒージョン（ＡＨＬ）処理
検査部Ｔまたは基板載置部Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１７のアーム基台１７ａが上昇および水平面内で回転する。検査部Ｔに基板Ｗが載置されている場合には、アーム１７ｄが検査部Ｔに対向すると、アーム１７ｄが前進して、基板Ｗを検査部Ｔから搬出する。また、基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗが載置されている場合には、アーム１７ｄが基板載置部Ｐａｓｓに対向すると、アーム１７ｄが前進して、基板載置部Ｐａｓｓの開口部１６ａを通して、基板Ｗを基板載置部Ｐａｓｓから搬出する。その後、基板Ｗを保持した状態でアーム１７ｄが後退する。
【０１０８】
そして、熱処理部１６Ａのアドヒージョン処理部ＡＨＬで処理するために、検査部Ｔ，基板載置部Ｐａｓｓの下方にあるアドヒージョン処理部ＡＨＬまでアーム基台１７ａが下降する。そして、アーム１７ｄが前進して、アドヒージョン処理部ＡＨＬの開口部１６ａを通して、基板Ｗをアドヒージョン処理部ＡＨＬに載置する。その後、アーム１７ｄが後退する。
【０１０９】
アドヒージョン処理部ＡＨＬに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗとフォトレジスト膜との密着性を向上させるためにアドヒージョン処理が行われる。
【０１１０】
なお、アドヒージョン処理部ＡＨＬから次の冷却部ＣＰに基板Ｗを渡すときも、熱処理部用搬送機構１７によって基板Ｗの搬送が行われるので、アドヒージョン処理が終了するまで、アドヒージョン処理部ＡＨＬの前で搬送機構１７が待機してもよいが、処理効率を向上させるために、アドヒージョン処理が終了するまでの間、搬送機構１７が他の基板Ｗを搬送してもよい。
【０１１１】
（ステップＳ５）冷却（ＣＰ）処理
アドヒージョン処理が終了すると、搬送機構１７のアーム１７ｄがアドヒージョン処理部ＡＨＬ内に進入して基板Ｗをアドヒージョン処理部ＡＨＬから搬出する。
【０１１２】
そして、熱処理部１６Ａの冷却部ＣＰで処理するために、アドヒージョン処理部ＡＨＬの下方にある冷却部ＣＰまでアーム基台１７ａが下降し、続いて、アーム１７ｄが前進して、冷却部ＣＰの開口部１６ａを通して、基板Ｗを冷却部ＣＰに載置する。
【０１１３】
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗに対して、アドヒージョン処理部ＡＨＬで加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つために冷却処理が行われる。
【０１１４】
（ステップＳ６）反射防止膜形成（ＢＡＲＣ）処理
冷却処理が終了すると、反射防止膜形成処理用搬送機構１８のアーム１８ｄが、冷却部ＣＰの開口部１６ａを通して、基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１１５】
そして、反射防止膜形成用セル１２内のスピンコータＳＣで処理するために、搬送機構１８のアーム基台１８ａが下降および回転し、続いて、アーム１８ｄが前進して、基板ＷをスピンコータＳＣのスピンチャック（図示省略）に載置する。
【０１１６】
スピンコータＳＣに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗを回転させながら反射防止膜を塗布形成する反射防止膜形成処理が行われる。
【０１１７】
（ステップＳ７）冷却部（ＣＰ）での受け渡し
反射防止膜形成処理が終了すると、搬送機構１８は基板ＷをスピンコータＳＣから搬出する。
【０１１８】
そして、熱処理部１６Ａの冷却部ＣＰに搬入するために、搬送機構１８のアーム基台１８ａが上昇および回転し、続いて、アーム１８ｄが前進して、基板Ｗを冷却部ＣＰに載置する。このとき、基板Ｗを冷却する必要があれば、この冷却部ＣＰで冷却処理を行ってもよい。
【０１１９】
（ステップＳ８）加熱（ＨＰ）処理
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１７のアーム基台１７ａが冷却部ＣＰ内に進入して基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１２０】
そして、反射防止膜形成用セル１２内の熱処理部１６Ｂの加熱部ＨＰで処理するために、搬送機構１７のアーム基台１７ａが加熱部ＨＰ内に進入して基板Ｗを加熱部ＨＰに載置する。
【０１２１】
加熱部ＨＰに載置された基板Ｗに対して、反射防止膜形成処理後の基板Ｗを加熱する加熱処理が行われる。
【０１２２】
（ステップＳ９）基板載置部での受け渡し
加熱処理が終了すると、搬送機構１７は基板Ｗを加熱部ＨＰから搬出する。
【０１２３】
そして、レジスト膜形成用セル１３内の熱処理部用搬送機構１９に基板Ｗを渡すために、熱処理部用搬送機構１７は熱処理部１６Ｃの基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗを載置する。
【０１２４】
（ステップＳ１０）冷却部（ＣＰ）での受け渡し
基板載置部Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１９は基板Ｗを基板載置部Ｐａｓｓから搬出する。
【０１２５】
そして、搬送機構１９は熱処理部１６Ｄの冷却部ＣＰに基板Ｗを載置する。この冷却部ＣＰでは、基板Ｗを所定の温度にまで冷却する冷却処理が行われる。
【０１２６】
（ステップＳ１１）レジスト膜形成処理（ＳＣ）処理
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、レジスト膜形成処理用搬送機構２０は基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１２７】
そして、レジスト膜形成用セル１３内のスピンコータＳＣで処理するために、搬送機構２０はスピンコータＳＣのスピンチャック（図示省略）に基板Ｗを載置する。
【０１２８】
スピンコータＳＣに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗを回転させながらレジスト塗布を行うレジスト膜形成処理が行われる。
【０１２９】
（ステップＳ１２）冷却部（ＣＰ）での受け渡し
レジスト膜形成処理が終了すると、搬送機構２０は基板ＷをスピンコータＳＣから搬出する。
【０１３０】
そして、搬送機構２０は熱処理部１６Ｄの冷却部ＣＰに基板Ｗを載置する。このとき、基板Ｗを冷却する必要があれば、この冷却部ＣＰで冷却処理を行ってもよい。
【０１３１】
（ステップＳ１３）加熱（ＨＰ）処理
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構１９のは基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１３２】
そして、レジスト膜形成用セル１３内の熱処理部１６Ｅの加熱部ＨＰで処理するために、搬送機構１９は加熱部ＨＰに基板Ｗを載置する。
【０１３３】
加熱部ＨＰに載置された基板Ｗに対して、レジスト膜形成処理後の基板Ｗを加熱する加熱処理が行われる。
【０１３４】
（ステップＳ１４）冷却（ＣＰ）処理
加熱処理が終了すると、搬送機構１９は基板Ｗを加熱部ＨＰから搬出する。
【０１３５】
そして、熱処理部１６Ｄの冷却部ＣＰで処理するために、搬送機構１９は冷却部ＣＰに基板Ｗを載置する。
【０１３６】
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗに対して、加熱部ＨＰで加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つために冷却処理が行われる。
【０１３７】
（ステップＳ１５）基板載置部での受け渡し
冷却処理が終了すると、熱処理部用搬送機構１９は基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１３８】
そして、露光後加熱用セル１４内のエッジ露光用搬送機構２１に基板Ｗを渡すために、熱処理部用搬送機構１９は、熱処理部１６Ｄの基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗを載置する。
【０１３９】
（ステップＳ１６）エッジ露光（ＥＥ）処理
基板載置部Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、エッジ露光用搬送機構２１は、基板載置部Ｐａｓｓに進入し、基板Ｗを基板載置部Ｐａｓｓから搬出する。
【０１４０】
そして、１階部分の露光後加熱用セル１４内のエッジ露光部ＥＥで処理するために、搬送機構２１はエッジ露光部ＥＥに基板Ｗを載置する。
【０１４１】
エッジ露光部ＥＥに載置された基板Ｗに対して、露光処理前に基板Ｗの端縁（エッジ）部分を露光するエッジ露光処理が行われる。
【０１４２】
（ステップＳ１７）基板載置部での受け渡し
エッジ露光部ＥＥでのエッジ露光処理が終了すると、エッジ露光用搬送機構２１は、基板Ｗをエッジ露光部ＥＥから搬出する。
【０１４３】
そして、インターフェイス４内のインターフェイス用搬送機構２９に渡すために、エッジ露光用搬送機構２１は、インターフェイス４内のインターフェイス用載置部３０にある１階専用の基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗを載置する。
【０１４４】
（ステップＳ１８）バッファ（ＢＦ）での仮置き
基板載置部Ｐａｓｓに載置された基板Ｗに基板Ｗを受け取るために、インターフェイス用搬送機構２９は、基板載置部Ｐａｓｓに進入し、基板Ｗを基板載置部Ｐａｓｓから搬出する。そして、露光装置ＳＴＰにおける処理時間との関係で、基板Ｗに待ち時間が発生する場合には、インターフェイス用搬送機構２９によって１階専用のバッファＢＦに基板Ｗを収納する。なお、基板Ｗに待ち時間が発生せずにそのまま露光処理が行われる場合には、このバッファＢＦでの仮置きは省略される。
【０１４５】
（ステップＳ１９）インターフェイスでの搬送
バッファＢＦに載置された基板Ｗを受け取るために、インターフェイス用搬送機構２９がインターフェイス用搬送経路２８を移動して、搬送機構２９のアーム２９ｅが前進して、バッファＢＦの開口を通して、基板ＷをバッファＢＦから搬出する。
【０１４６】
（ステップＳ２０）露光処理
インターフェイス４に連結された露光装置ＳＴＰで処理するために、搬送機構２９が搬送経路２８を移動して、搬送機構２９のアーム２９ｅが前進して、露光装置ＳＴＰに搬入する。露光装置ＳＴＰに搬入された基板Ｗに対して、基板Ｗの露光処理が行われる。
【０１４７】
（ステップＳ２１）インターフェイスでの搬送
露光処理が終了すると、露光装置ＳＴＰから搬出するために、搬送機構２９が搬送経路２８を移動する。
【０１４８】
（ステップＳ２２）検査部で検査
インターフェイス用載置台３０の最上部にある検査部Ｔで、検査の対象となる基板Ｗを検査するために、搬送機構２９は検査部Ｔに基板Ｗを載置する。
【０１４９】
検査部Ｔに載置された基板Ｗに対して、例えば、露光の際の重ね合わせ精度についての検査が行われる。検査後、もし所定精度以上に基板Ｗとフォトマスクとの重ねあわせがズレていれば、不合格と認定する。不合格と認定された基板Ｗを直接取り出して、その基板Ｗについての基板処理を中断するように制御する。このとき、後述する残りの各々の基板Ｗについても、検査の対象となる基板Ｗとほぼ同時期に処理されていることから、それらの基板Ｗをそれぞれ直接取り出して、それらの基板Ｗについての基板処理を中断するように制御するのが好ましい。
【０１５０】
（ステップＳ２３）基板載置部での受け渡し
その一方で、検査の対象となる基板Ｗを検査している間に、残りの各々の基板Ｗについて、基板載置部Ｐａｓｓを介して、受け渡しをそれぞれ行う。すなわち、２階部分の露光後加熱用セル１４内のＰＥＢ用搬送機構２２に渡すために、インターフェイス４内のインターフェイス用載置台３０にある２階専用の基板載置部Ｐａｓｓにインターフェイス用搬送機構２９は基板Ｗを載置する。
【０１５１】
もし、露光後加熱用搬送機構２２に渡すための時間調整が必要な事態が生じた場合には、インターフェイス用搬送機構２９によって２階専用のバッファＢＦに基板Ｗを搬送して時間調整を行い、露光後加熱用搬送機構２２に受け渡すことができるようになった時点で、インターフェイス用搬送機構２９によってそのバッファＢＦから基板載置部Ｐａｓｓまで基板Ｗを搬送する。
【０１５２】
（ステップＳ２４）露光後加熱（ＰＥＢ）処理
検査部Ｔもしくは基板載置部Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、露光後加熱用搬送機構２２は検査部Ｔもしくは基板載置部Ｐａｓｓから基板Ｗを搬出する。
【０１５３】
そして、２階部分の露光後加熱用セル１４内の露光後加熱部ＰＥＢで処理するために、露光後加熱用搬送機構２２は露光後加熱部ＰＥＢに基板Ｗを載置する。
【０１５４】
露光後加熱部ＰＥＢに載置された基板Ｗに対して、露光処理後の基板Ｗを加熱する露光後加熱処理が行われる。
【０１５５】
（ステップＳ２５）冷却（ＣＰ）処理
露光後加熱処理が終了すると、搬送機構２２は基板Ｗを露光後加熱部ＰＥＢから搬出する。
【０１５６】
そして、２階部分の露光後加熱用セル１４内の冷却部ＣＰで処理するために、露光後加熱部ＰＥＢの下方にある冷却部ＣＰまで搬送機構２２のアーム基台２２ａが下降し、続いて、アーム２２ｄが前進して、基板Ｗを冷却部ＣＰに載置する。
【０１５７】
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗに対して、露光後加熱部ＰＥＢで加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つために冷却処理が行われる。
【０１５８】
（ステップＳ２６）基板載置部での受け渡し
冷却処理が終了すると、搬送機構２２は基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１５９】
そして、現像用セル１５Ｂ内の熱処理部用搬送機構２３に渡すために、搬送機構２２はセル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｆの基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗを載置する。
【０１６０】
なお、セル１５Ｂ内にある２つのスピンデベロッパＳＤで基板Ｗがともに処理されているときには、搬送機構２２が、セル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｆの基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗを介して、セル１５Ｂ内の熱処理部用搬送機構２３に渡し、さらに、セル１５Ｂ内の搬送機構２３が、セル１５Ａ，１５Ｂが共用する熱処理部１６Ｈの基板載置部Ｐａｓｓを介して、現像用セル１５Ａ内の搬送機構２３に渡し、さらに、セル１５Ａ内の搬送機構２３が、セル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆの冷却部ＣＰを介して、セル１５Ａ内の現像用搬送機構２４に渡した後に、セル１５Ａ内の搬送機構２４がセル１５Ａ内のスピンデベロッパＳＤに載置して、そのスピンデベロッパＳＤで現像処理を行ってもよい。
【０１６１】
（ステップＳ２７）冷却部（ＣＰ）での受け渡し
基板載置部Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを受け取るために、熱処理部用搬送機構２３は、基板載置部Ｐａｓｓから基板Ｗを搬出する。
【０１６２】
そして、熱処理部１６Ｆのいずれかの冷却部ＣＰに基板Ｗを載置する。基板Ｗが載置されたその冷却部ＣＰでは、基板Ｗがより高精度に常温程度の温度になるように温度調整するようにしてもかまわない。
【０１６３】
（ステップＳ２８）現像（ＳＤ）処理
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、現像用搬送機構２４は基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１６４】
そして、現像用セル１５Ｂ内のスピンデベロッパＳＤで処理するために、搬送機構２４はスピンデベロッパＳＤのスピンチャック（図示省略）に基板Ｗを載置する。
【０１６５】
スピンデベロッパＳＤに載置された基板Ｗに対して、基板Ｗを回転させながら現像処理が行われる。
【０１６６】
（ステップＳ２９）冷却部（ＣＰ）での受け渡し
現像処理が終了すると、搬送機構２４は基板ＷをスピンデベロッパＳＤから搬出する。
【０１６７】
そして、現像用セル１５Ｂ内の熱処理部用搬送機構２３に基板Ｗを渡すために、搬送機構２４は現像用セル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｆの冷却部ＣＰに基板Ｗを載置する。
【０１６８】
（ステップＳ３０）加熱（ＨＰ）処理
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗを受け取るために、搬送機構２３は基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１６９】
そして、現像用セル１５Ｂ内の熱処理部１６Ｇの加熱部ＨＰで処理するために、搬送機構２３は基板Ｗを加熱部ＨＰに載置する。
【０１７０】
加熱部ＨＰに載置された基板Ｗに対して、現像処理後の基板Ｗを加熱する加熱処理が行われる。
【０１７１】
（ステップＳ３１）冷却（ＣＰ）処理
加熱処理が終了すると、搬送機構２３は基板Ｗを加熱部ＨＰから搬出する。
【０１７２】
そして、熱処理部１６Ｇの冷却部ＣＰに基板Ｗで処理するために、加熱部ＨＰの下方にある冷却部ＣＰまで搬送機構２３のアーム基台２３ａが下降し、続いて、アーム２３ｄが前進して、基板Ｗを冷却部ＣＰに載置する。
【０１７３】
冷却部ＣＰに載置された基板Ｗに対して、加熱部ＨＰで加熱された基板Ｗを冷却して常温に保つために冷却処理が行われる。
【０１７４】
（ステップＳ３２）基板載置部での受け渡し
冷却処理が終了すると、搬送機構２３は基板Ｗを冷却部ＣＰから搬出する。
【０１７５】
そして、現像用セル１５Ａ内の熱処理部用搬送機構２３に渡すために、現像用セル１５Ｂ内の熱処理部用搬送機構２３は熱処理部１６Ｈの基板載置部Ｐａｓｓに基板Ｗを載置する。
【０１７６】
（ステップＳ３３）検査部で検査
現像用セル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆの検査部Ｔで、検査の対象となる基板Ｗを検査するために、現像用セル１５Ａ内にある熱処理部用搬送機構２３は基板Ｗを熱処理部１６Ｈの基板載置部Ｐａｓｓから搬出し、検査部Ｔに基板Ｗを載置する。検査部Ｔに載置された基板Ｗについては、後述するステップＳ３５（合格？）で詳しく説明する。
【０１７７】
（ステップＳ３４）基板載置部での受け渡し
その一方で、検査の対象となる基板Ｗを検査している間に、残りの各々の基板Ｗについて、基板載置部Ｐａｓｓを介して、受け渡しをそれぞれ行う。すなわち、インデクサ１内のインデクサ用搬送機構８に渡すために、現像用セル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆの基板載置部Ｐａｓｓに熱処理部用搬送機構２３は基板Ｗを載置する。
【０１７８】
（ステップＳ３５）合格？
検査部Ｔに載置された基板Ｗに対して、例えば、配線パターンの欠陥についての検査が行われる。検査後、もし配線パターンの欠陥があれば、不合格と認定する。不合格と認定された基板Ｗについて基板処理（リワーク）を再度行うために、インデクサ１を介して、反射防止膜形成用セル１２内の熱処理部１６Ａの基板載置部Ｐａｓｓに再度載置することで、基板載置部Ｐａｓｓでの受け渡し（ステップＳ３）を再度行うように制御する。このとき、ステップＳ３４において基板載置部Ｐａｓｓを介してそれぞれ受け渡される、残りの各々の基板Ｗについても、検査の対象となる基板Ｗとほぼ同時期に処理されていることから、ステップＳ３４の後に、インデクサ１を介して、それらの基板Ｗを熱処理部１６Ａの基板載置部Ｐａｓｓに再度載置することで、それらの基板Ｗについてのリワークを行うように制御するのが好ましい。
【０１７９】
（ステップＳ３６）インデクサでの搬送
検査部Ｔまたは基板載置部Ｐａｓｓに載置された基板Ｗを搬出するために、インデクサ用搬送機構８がインデクサ用搬送経路７を移動して、搬送機構８のアーム８ｅが前進して、基板Ｗを検査部Ｔまたは基板載置部Ｐａｓｓから搬出する。
【０１８０】
カセット載置台２に載置されたカセットＣに基板を収納するために、搬送機構８がカセットＣに対向する位置にまで搬送経路７を移動して、搬送機構８のアーム基台８ａが水平面内で回転してカセットＣに対向する。続いて、カセットＣ内の取り出し対象である基板Ｗに対向する位置にまで、アーム基台８ａが下降し、アーム８ｅが前進して基板Ｗの下側に進入する。アーム８ｅが少し下降して基板Ｗを載置する。基板Ｗを保持したアーム８ｅが後退することにより、基板ＷをカセットＣ内に収納する。
【０１８１】
カセットＣ内に所定枚数だけ処理済の基板Ｗが順に収納されて、一連の基板処理が終了する。
【０１８２】
上述の構成を有する本実施例に係る基板処理装置は、以下の効果を奏する。すなわち、熱処理部１６・スピンコータＳＣ間、あるいは熱処理部１６・スピンデベロッパＳＤ間で基板Ｗを搬送する経路である処理部搬送経路２５，２６が、上下に階層構造で配設されており、１階の処理部搬送経路２５の始点、すなわちインデクサ１の隣接部分に熱処理部１６Ａの検査部Ｔを、処理部搬送経路２５の終点（この終点は、２階の処理部搬送経路２６の始点でもある）、すなわちインターフェイス４に、インターフェイス用載置台３０の検査部Ｔを、処理部搬送経路２６の終点、すなわちインデクサ１の隣接部分に熱処理部１６Ｆの検査部Ｔをそれぞれ備えている。
【０１８３】
１階の処理部搬送経路２５の始点に検査部Ｔを備えることで、処理部搬送経路２５の始点に位置する基板Ｗの状態、すなわち一連の熱処理および反射防止膜形成処理やレジスト膜形成処理を行う前の基板Ｗの状態を検査することができる（ステップＳ２）。処理部搬送経路２５の終点に検査部Ｔを備えることで、処理部搬送経路２５の終点に位置する基板Ｗの状態、すなわち一連の熱処理および反射防止膜形成処理やレジスト膜形成処理の直後の基板Ｗの状態を検査することができる（なお、上述のステップでは、一連の熱処理および反射防止膜形成処理やレジスト膜形成処理の直後では基板Ｗの検査を行っていない）。
【０１８４】
また、２階の処理部搬送経路２６の始点に検査部Ｔを備えることで、処理部搬送経路２６に位置する基板Ｗの状態、すなわち一連の熱処理および現像処理を行う前の基板Ｗの状態を検査することができる（ステップＳ２２）。処理部搬送経路２６の終点に検査部Ｔを備えることで、処理部搬送経路２５に位置する基板Ｗの状態、すなわち一連の熱処理および現像処理の直後の基板Ｗの状態を検査することができる（ステップＳ３３）。
【０１８５】
また、処理部搬送経路２６の始点の段階で、一連の熱処理および現像処理を行う前の段階での基板Ｗの状態を検査する（ステップＳ２２）ことができることは、本実施例において換言すれば、露光処理直後の基板Ｗの状態を検査することができることを意味する。
【０１８６】
このように、処理部搬送経路２５，２６の始点・終点に検査部Ｔをそれぞれ備えているので、処理部搬送経路２５，２６の各途中でそれぞれ検査する場合と比較して、検査の対象となる基板Ｗと、他の基板Ｗとの干渉による基板Ｗの待ち時間を低減させることができる。また、これらの検査部Ｔが本実施例装置に組み込まれているので、検査のために基板Ｗを搬送する時間を低減させることができる。これによって、基板Ｗを検査する場合において、基板Ｗの処理効率を向上させることができる。
【０１８７】
さらに、本実施例において、処理部搬送経路２５の始点にある熱処理部１６Ａとインデクサ１との間での基板Ｗの受け渡しを、熱処理部１６Ａの基板載置部Ｐａｓｓと検査部Ｔとで行いつつ、熱処理部１６Ａの検査部Ｔで検査を行うことができ、処理部搬送経路２５の終点（２６の始点）にあるインターフェイス４と露光後加熱用セル１４の各処理部（例えば、エッジ露光部ＥＥ，露光後加熱部ＰＥＢ，冷却部ＣＰ）との間で基板Ｗの受け渡しを、インターフェイス用載置台３０の基板載置部Ｐａｓｓと検査部Ｔとで行いつつ、インターフェイス用載置台３０の検査部Ｔで検査を行うことができ、処理部搬送経路２６の終点にある熱処理部１６Ｆとインデクサ１との間で基板Ｗの受け渡しを、熱処理部１６Ｆの基板載置部Ｐａｓｓと検査部Ｔとで行いつつ、熱処理部１６Ｆの検査部Ｔで検査を行うことができる。この結果、基板Ｗの処理効率をより向上させることができる。
【０１８８】
さらに、本実施例において、検査の対象となる基板Ｗ以外の基板Ｗについては、検査せずに基板載置部Ｐａｓｓを介して、インデクサ１およびインターフェイス４と各処理部１６・スピンコータＳＣ・スピンデベロッパＳＤとの間での基板Ｗの受け渡しが行われるので、検査の対象となる基板Ｗを検査している間に、残りの基板Ｗの受け渡しを行うことができ、処理効率をより一層向上させることができる。
【０１８９】
また、これらのステップＳ１〜Ｓ３６に係る一連の基板処理方法によれば、露光処理を含む各々の処理部で処理された基板Ｗの合否を検査部Ｔが行っている。特に、ステップＳ３３において不合格と認定された基板Ｗを、インデクサ１を介して、処理部搬送経路２５の始点でもある熱処理部１６Ａの基板載置部Ｐａｓｓに再度載置し、載置されたその基板Ｗを処理部搬送経路２５に沿って再度搬送して、基板処理を再度行っているので、不合格と認定された基板Ｗでもリワークを行うことができる。
【０１９０】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【０１９１】
（１）上述した本実施例では、基板処理として、フォトリソグラフィ工程におけるレジスト塗布および現像処理を例に採って説明したが、上述した基板処理に限定されない。例えば、基板を処理液に浸漬して洗浄処理、エッチング処理、乾燥処理を含む処理を施す薬液処理や、上述した浸漬タイプ以外のエッチング処理（例えばドライエッチングやプラズマエッチングなど）や、上述した浸漬タイプ以外であって基板を回転させて洗浄する洗浄処理（例えばソニック洗浄や化学洗浄など）、エッチング処理や、化学機械研磨（ＣＭＰ）処理や、スパッタリング処理や、化学気相成長（ＣＶＤ）処理や、アッシング処理などのように、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板を通常の手法でもって行う基板処理であれば、本発明に適用することができる。
【０１９２】
（２）上述した本実施例では、１階の処理部搬送経路２５の始点（この始点は２階の処理部搬送経路２６の終点でもある）、すなわちインデクサ１に隣接する部分に熱処理部１６Ａの検査部Ｔを、処理部搬送経路２５の終点（この終点は、処理部搬送経路２６の始点でもある）、すなわちインターフェイス４に、検査部Ｔをそれぞれ備えていたが、処理部搬送経路２５の始点（処理部搬送経路２６の終点）は、インデクサ１に隣接する部分に限定されず、また、処理部搬送経路２５の終点（処理部搬送経路２６の始点）も、インターフェイス４に限定されない。すなわち、処理部搬送経路２５の始点（処理部搬送経路２６の終点）は、インデクサ１であってもよいし、また、処理部搬送経路２５の終点（処理部搬送経路２６の始点）は、インターフェイス４に隣接する部分（例えば１階の露光後加熱用セル１４内のエッジ露光部ＥＥ）であってもよい。例えば、インデクサ１に検査部Ｔを備えてもよいし、インターフェイス４に隣接する部分に検査部Ｔを、例えば処理部搬送経路２５の終点にある、１階の露光後加熱用セル１４内のエッジ露光部ＥＥに検査部Ｔをさらに備えてもよい。
【０１９３】
（３）上述した本実施例では、処理部搬送経路２５，２６の全ての始点・終点に検査部Ｔを備えたが、経路の始点あるいは終点のいずれか一方のみに検査部Ｔを備えてもよいし、処理部搬送経路２５，２６のいずれか一方の経路のみに検査部Ｔを備えてもよい。
【０１９４】
（４）上述した本実施例では、熱処理部１６Ａ，１６Ｆのそれぞれに検査部Ｔを備えたが、図１３，図１４に示すように、各々の検査部Ｔを熱処理部１６とは独立して備えるとともに、これら検査部Ｔを含む検査ユニット３１を備えてもよい。図１３は、基板処理装置の１階を平面視したときのブロック図であり、図１４は、基板処理装置の２階を平面視したときのブロック図である。なお、紙面の都合上、図１３，図１４では基板を多段に収納したカセットを載置するカセット載置台の図示を省略する。また、本実施例と共通する箇所については説明を省略し、共通する構成についても共通する符号を付することにする。
【０１９５】
本実施例と同様の第１〜第３の処理ユニット９〜１１の他に、図１３，図１４に示すように、検査ユニット３１を備えている。検査ユニット３１は、本発明における検査ユニットに相当する。
【０１９６】
第１〜第３の処理ユニット９〜１１と同様に、検査ユニット３１は、１階から２階にわたって貫くように配置されている。検査ユニット３１の１階の検査セル３１Ａには、図１３に示すように、検査用載置部３２，スピンコータＳＣが検査部用搬送機構３３に対向するように、その周囲の２箇所に配設されている。検査ユニット３１の２階の検査セル３１Ｂには、図１４に示すように、検査用載置部３２，スピンデベロッパＳＤが検査部用搬送機構３３に対向するように、その周囲の２箇所に配設されている。検査セル３１Ａ，３１Ｂ内の各々の検査部用搬送機構３３は、熱処理部用搬送機構１７と同様の構成からなる。
【０１９７】
露光後加熱用セル１４の１階部分は、図１３に示すように、本実施例と同様のエッジ露光部ＥＥから構成されるとともに、スピンコータＳＣから構成されている。セル１４の２階部分は、図１４に示すように、本実施例と同様の露光後加熱部ＰＥＢ，冷却部ＣＰから構成されるとともに、スピンデベロッパＳＤから構成されている。
【０１９８】
検査セル３１Ａ，３１Ｂにそれぞれ配設されている各検査用載置部３２は、インデクサ１にあるインデクサ用搬送機構８と、検査部用搬送機構３３との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置して、その受け渡しの間に検査の対象となる基板Ｗの検査する機能を備えている。すなわち、各検査用載置部３２は、検査の対象となる基板Ｗ以外の基板Ｗを受け渡す基板載置部Ｐａｓｓ，検査の対象となる基板Ｗを載置して検査する検査部Ｔを下から順に積層することでそれぞれ構成されている。この検査用載置部３２は、本発明における第３の載置部に相当する。
【０１９９】
熱処理部１６Ａは、本実施例と同様に、熱処理部用搬送機構１７と、反射防止膜形成処理用搬送機構１８との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板を載置して、その受け渡しの間に熱処理を行う機能を備えている他に、検査部用搬送機構３３との間で基板Ｗの受け渡しを行う機能をも備えている。現像用セル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆは、本実施例と同様に、熱処理部用搬送機構２３と、現像用搬送機構２４との間で基板の受け渡しを行うために基板を載置して、その受け渡しの間に熱処理を行う機能を備えている他に、検査部用搬送機構３３との間で基板Ｗの受け渡しを行う機能をも備えている。
【０２００】
このように構成されることで、１階部分に関しては、インデクサ用搬送機構８と検査部用搬送機構３３とが、検査用載置部３２に対して基板Ｗの受け渡しを行う。また、検査部用搬送機構３３と熱処理部用搬送機構１７と反射防止膜形成処理用搬送機構１８とが、熱処理部１６Ａに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構３３，１７，１８がその熱処理部１６Ａを共用する。また、２階部分に関しては、インデクサ用搬送機構８と検査部用搬送機構３３とが、検査用載置部３２に対して基板Ｗの受け渡しを行う。また、検査部用搬送機構３３と熱処理部用搬送機構２３と現像用搬送機構２４とが、現像用セル１５Ａ内の熱処理部１６Ｆに対して基板Ｗの受け渡しを行うことで、それらの搬送機構３３，２３，２４がその熱処理部１６Ｆを共用する。つまり、処理部搬送経路２５は、検査セル３１Ａの検査用載置部３２と検査部用搬送機構３３とを並べて配設し、さらに本実施例と同様に、搬送機構１７〜２１を介在させて、熱処理部１６Ａ，１６Ｃ，１６Ｄを並べて配設することで構成される。処理部搬送経路２６は、検査セル３１Ｂの検査用載置部３２と検査部用搬送機構３３とを並べて配設し、本実施例と同様に、搬送機構２２〜２４を介在させて、熱処理部１６Ｆ，１６Ｈを並べて配設することで構成される。
【０２０１】
上述の構成のように、検査ユニット３１を備えた場合、基板Ｗの検査を行わないときには、第１〜第３の処理ユニット９〜１１から検査ユニット３１を外してユニットを減らすことができる。また、基板Ｗの検査を行うときには、インデクサ１と第１の処理ユニット９との間に検査ユニット３１を並べて配設することができる。このように、基板Ｗの検査を行わない装置に検査ユニット３１を並設することができ、汎用性の高い基板処理装置を実現することができる。
【０２０２】
（５）上述した本実施例では、インデクサ１およびインターフェイス４の両方を備えて、インデクサ１，これに隣接する処理部，インターフェイス４，あるいはこれに隣接する処理部に検査部Ｔを設けたが、インデクサ１またはインターフェイス４のいずれか一方のみを備えて、その一方のみに検査部Ｔを設けてもよい。
【０２０３】
（６）上述した本実施例では、それぞれの処理部搬送経路２５，２６の一部を含む第１〜第３の処理ユニット９〜１１が基板Ｗの搬送方向に並べられて配設されて構成されていたが、ユニット構成でなくて、一体に基板搬送経路（処理部搬送経路２５，２６）が構成されていてもよい。
【０２０４】
（７）上述した本実施例、および（１）〜（６）の変形例における装置は、いずれの場合も、２階からなる階層構造であったが、３階以上であってもよいし、１階のみからなる装置でもあってもよい。１階のみから構成される装置の場合には、例えば図１５に示すように、検査部Ｔ１を、インデクサ１またはこれに隣接する処理部３４のいずれかに配設してもよいし、図１６に示すように、検査部Ｔ２を、インターフェイス４またはこれに隣接する処理部３４のいずれかに配設してもよいし、図１７に示すように、検査部Ｔ１を、インデクサ１またはこれに隣接する処理部のいずれかに配設するとともに、検査部Ｔ２を、インターフェイス４またはこれに隣接する処理部３４のいずれかに配設してもよい。検査部Ｔ１は、本発明における第１の検査部に、検査部Ｔ２は、本発明における第２の検査部にそれぞれ相当する。また、検査部Ｔ１・Ｔ２とともに、図示を省略する基板載置部を配設する場合には、検査部Ｔ１と基板載置部とが、本発明における第１の載置部に、検査部Ｔ２と基板載置部とが、本発明における第２の載置部に、基板載置部は、本発明におけるバイパス用の通過部にそれぞれ相当する。
【０２０５】
検査部Ｔ１を、インデクサ１またはこれに隣接する処理部３４のいずれかに配設する場合には、図１５（ａ）に示すように、インデクサ１のみに検査部Ｔ１を配設してもよいし、図１５（ｂ）に示すように、インデクサ１に隣接する処理部３４のみに検査部Ｔ１を配設してもよい。また、インデクサ１およびこれに隣接する処理部３４の両方に各検査部Ｔ１をそれぞれ配設してもよいし、図１５（ｃ）に示すように、インデクサ１とこれに隣接する処理部３４とにまたがって検査部Ｔ１を配設してもよい。
【０２０６】
検査部Ｔ２を、インターフェイス４またはこれに隣接する処理部３４のいずれかに配設する場合には、図１６（ａ）に示すように、インターフェイス４のみに検査部Ｔ２をしてもよいし、図１６（ｂ）に示すように、インターフェイス４に隣接する処理部３４のみに検査部Ｔ２をしてもよい。また、インターフェイス４およびこれに隣接する処理部３４の両方に各検査部Ｔ２をそれぞれ配設してもよいし、図１６（ｃ）に示すように、インターフェイス４とこれに隣接する処理部３４とにまたがって検査部Ｔ２を配設してもよい。
【０２０７】
検査部Ｔ１を、インデクサ１またはこれに隣接する処理部のいずれかに配設するとともに、検査部Ｔ２を、インターフェイス４またはこれに隣接する処理部３４のいずれかに配設する場合には、図１７（ａ）に示すように、インデクサ１・インターフェイス４のみに各々の検査部Ｔ１・Ｔ２をそれぞれ配設してもよいし、図１７（ｂ）に示すように、インデクサ１に隣接する処理部３４、およびインターフェイス４に隣接する処理部３４のみに各々の検査部Ｔ１・Ｔ２をそれぞれ配設してもよい。また、インデクサ１およびこれに隣接する処理部３４の両方に各検査部Ｔ１を、インターフェイス４およびこれに隣接する処理部３４の両方に各検査部Ｔ２をそれぞれ配設してもよいし、図１７（ｃ）に示すように、インデクサ１とこれに隣接する処理部３４とにまたがって検査部Ｔ１を配設するとともに、インターフェイス４とこれに隣接する処理部３４とにまたがって検査部Ｔ２を配設してもよい。また、検査部Ｔ１をインデクサ１に、検査部Ｔ２をインターフェイス４とこれに隣接する処理部３４とにまたがって、あるいはインターフェイス４に隣接する処理部３４にそれぞれ配設してもよい。
【０２０８】
（８）上述した本実施例では、本発明におけるバイパス用の通過部として基板載置部Ｐａｓｓを備え、検査の対象となる基板Ｗ以外の基板Ｗを、その基板載置部Ｐａｓｓを介して、受け渡しを行っていたが、必ずしも基板載置部Ｐａｓｓを備える必要はない。また、本発明における第１〜第３の検査部である検査部Ｔ（Ｔ１・Ｔ２を含む）は、検査する以外に、検査された基板Ｗの受け渡しを行う機能、すなわち本発明における第１〜第４の載置部の機能をも備えていたが、検査を行う機能のみを備え、基板Ｗの受け渡しについては行わなくてもよい。
【０２０９】
（９）なお、上述した本実施例に係る第１〜第３の処理ユニット９〜１１の各ユニットを下記のように構成してもよい。すなわち、図１８に示すように、各ユニットの右側面に開口部Ｆａを、左側面に開口部Ｆｂを、正面に開口部Ｆｃを、背面に開口部Ｆｄをそれぞれ設ける。これら開口部Ｆａ〜Ｆｄが設けられることで、開口部Ｆａ〜Ｆｄ以外の各ユニットの外壁部分が、外枠のフレームＦとしてそれぞれ構成される。隣接する２つのユニットのフレームＦ同士を、互いに接続部材ｆ（例えば金具）で連結することで、一方のユニットの右側面における開口部Ｆａが他方のユニットの左側面における開口部Ｆｂに一致し、隣接するユニットが連通接続される。これによって各ユニット内の処理部搬送経路も、ユニット間にまたがって連通接続される。このように構成することで、第１〜第３の処理ユニット９〜１１を基板Ｗの搬送方向に並べて配設することができる。また、基板の処理枚数に応じて各ユニットを増減可能にできるように着脱自在に構成してもよい。もちろん、検査ユニット３１も、第１〜第３の処理ユニット９〜１１と同様に構成してよい。
【０２１０】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、インデクサまたはこれに隣接する処理部のいずれかに、またはインターフェイスまたはこれに隣接する処理部のいずれかに、または上下に階層構造で配設された一連の基板搬送経路において各階の基板搬送経路の始点あるいは終点に、基板を検査する検査部（第１〜第３の検査部）を備えているので、検査の対象となる基板と他の基板との干渉による基板の待ち時間を低減させることができる。また、上記の検査部が基板処理装置に組み込まれているので、検査のために基板を搬送する時間を低減させることができる。これによって、基板を検査する場合において基板の処理効率を向上させることがことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】本実施例に係る基板処理装置の１階を平面視したときのブロック図である。
【図３】本実施例に係る基板処理装置の２階を平面視したときのブロック図である。
【図４】本実施例に係るインデクサ用搬送機構の概略構成を示す図であって、（ａ）はインデクサ用搬送機構の平面図、（ｂ）はその右側面図である。
【図５】本実施例に係る熱処理部用／反射防止膜形成処理用／レジスト膜形成処理用／エッジ露光用／現像用搬送機構の概略構成を示す図であって、（ａ）はそれらの搬送機構の平面図、（ｂ）はその右側面図である。
【図６】本実施例に係る搬送機構が固定される場所および周辺の位置関係を示す図であって、（ａ）は熱処理部用搬送機構が固定された場合の平面図、（ｂ）はインデクサ側にある反射防止膜形成処理用／現像用搬送機構が固定された場合の平面図である。
【図７】本実施例に係る搬送機構が固定される場所および周辺の位置関係を示す図であって、（ａ）はインターフェイス側にあるレジスト膜形成処理用／現像用搬送機構が固定された場合の平面図、（ｂ）はエッジ露光用搬送機構が固定された場合の平面図である。
【図８】本実施例に係る露光後加熱用搬送機構の概略構成を示す図であって、（ａ）は露光後加熱用搬送機構の平面図、（ｂ）はその側面図、（ｃ）はその正面図である。
【図９】本実施例に係る基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理を示すフローチャートである。
【図１０】本実施例に係る基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理を示すフローチャートである。
【図１１】一連の基板処理中の各処理における、検査の対象となる基板の位置と、その基板を搬送する搬送機構との関係を示した図である。
【図１２】一連の基板処理中の各処理における、検査の対象以外の残りの基板の位置と、その基板を搬送する搬送機構との関係を示した図である。
【図１３】変形例に係る基板処理装置の１階を平面視したときのブロック図である。
【図１４】変形例に係る基板処理装置の２階を平面視したときのブロック図である。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）は、さらなる変形例に係る基板処理装置の平面ブロック図である。
【図１６】（ａ）〜（ｃ）は、さらなる変形例に係る基板処理装置の平面ブロック図である。
【図１７】（ａ）〜（ｃ）は、さらなる変形例に係る基板処理装置の平面ブロック図である。
【図１８】外枠付きの第１〜第３の処理ユニットの概略構成を示す斜視図である。
【図１９】従来の基板処理装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１　…　インデクサ
２　…　カセット載置台
４　…　インターフェイス
２５，２６　…　処理部搬送経路
ＳＴＰ　…　露光装置
Ｔ　…　検査部
Ｗ　…　基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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