(57)【要約】【課題】伝送損失の少ないマイクロストリップラインおよびストリップラインを提供し、Ｑ値の大きい共振器を提供する。【解決手段】複数の絶縁層１２を積層してなる誘電体基板１３と、誘電体基板１３の一方主面上に形成されたストリップ導体１４と、誘電体基板１３の他方主面上に形成された第１の接地導体１５ａと、絶縁層１２間に形成された第２の接地導体１５ｂと、絶縁層１２を貫通するように形成され、第１の接地導体１５ａおよび第２の接地導体１５ｂを電気的に接続するスルーホール導体１６と、によりマイクロストリップライン１１を構成する。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層を積層してなり、一方主面および他方主面を有する誘電体基板と、
前記誘電体基板の一方主面上に形成されたストリップ導体と、
前記誘電体基板の他方主面上に形成された第１の接地導体と、
前記絶縁層間に形成された第２の接地導体と、
前記絶縁層を貫通するように形成され、前記第１の接地導体および前記第２の接地導体を電気的に接続するスルーホール導体と、
を備えることを特徴とするマイクロストリップライン。
【請求項２】
複数の絶縁層を積層してなり、一方主面および他方主面を有する誘電体基板と、
前記誘電体基板の一方主面上に形成されたストリップ導体と、
前記誘電体基板の他方主面上に形成された第１の接地導体と、
前記絶縁層間に、前記絶縁層を挟んで対向するように形成された複数の第２の接地導体と、
前記絶縁層を貫通するように形成され、前記第１の接地導体および前記第２の接地導体を電気的に接続する第１のスルーホール導体と、
前記絶縁層を貫通するように形成され、前記第２の接地導体どうしを電気的に接続する第２のスルーホール導体と、
を備えることを特徴とするマイクロストリップライン。
【請求項３】
複数の絶縁層を積層してなり、一方主面および他方主面を有する誘電体基板と、
前記絶縁層間に形成されたストリップ導体と、
前記誘電体基板の一方主面上に形成された第１の接地導体と、
前記絶縁層間に、かつ、前記ストリップ導体と前記第１の接地導体との間に形成された第２の接地導体と、
前記誘電体基板の他方主面上に形成された第３の接地導体と、
前記絶縁層間に、かつ、前記ストリップ導体と前記第３の接地導体との間に形成された第４の接地導体と、
前記絶縁層を貫通するように形成され、前記第１の接地導体および前記第２の接地導体を電気的に接続する第１のスルーホール導体と、
前記絶縁層を貫通するように形成され、前記第３の接地導体および前記第４の接地導体を電気的に接続する第２のスルーホール導体と、
を備えることを特徴とするストリップライン。
【請求項４】
複数の絶縁層を積層してなり、一方主面および他方主面を有する誘電体基板と、
前記絶縁層間に形成されたストリップ導体と、
前記誘電体基板の一方主面上に形成された第１の接地導体と、
前記絶縁層間に、かつ、前記ストリップ導体と前記第１の接地導体との間に、前記絶縁層を挟んで対向するように形成された複数の第２の接地導体と、
前記誘電体基板の他方主面上に形成された第３の接地導体と、
前記絶縁層間に、かつ、前記ストリップ導体と前記第３の接地導体との間に、前記絶縁層を挟んで対向するように形成された複数の第４の接地導体と、
前記絶縁層を貫通するように形成され、前記第１の接地導体および前記第２の接地導体を電気的に接続する第１のスルーホール導体と、
前記絶縁層を貫通するように形成され、前記第２の接地導体どうしを電気的に接続する第２のスルーホール導体と、
前記絶縁層を貫通するように形成され、前記第３の接地導体および前記第４の接地導体を電気的に接続する第３のスルーホール導体と、
前記絶縁層を貫通するように形成され、前記第４の接地導体どうしを電気的に接続する第４のスルーホール導体と、
を備えることを特徴とするストリップライン。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載のマイクロストリップラインの構成を備えることを特徴とする共振器。
【請求項６】
請求項３または請求項４に記載のストリップラインの構成を備えることを特徴とする共振器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波帯域やミリ波帯域で用いられるマイクロストリップライン、ストリップライン、およびこれらを用いた共振子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１７は、従来のマイクロストリップラインを示す断面図である。図１７に示すように、マイクロストリップライン５１は、誘電体基板５３と、誘電体基板５３の一方主面上に形成されたストリップ導体５４と、誘電体基板５３の他方主面上に形成された接地導体５５と、を備える。
【０００３】
また、図１８は、従来のストリップラインを示す断面図である。図１８に示すように、ストリップライン６１は、誘電体基板６３と、誘電体基板６３の内部に形成されたストリップ導体６４と、誘電体基板６３の両主面に形成された接地導体６５ａ，６５ｂと、を備える。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
マイクロストリップラインやストリップラインの伝送損失は、接地導体の抵抗値に影響を受けることが知られている。具体的には、接地導体の抵抗値が小さいほど、伝送損失が小さくなる。すなわち、マイクロストリップラインやストリップラインを用いて構成された共振器においては、接地導体の抵抗値が小さいほど、Ｑ値が大きくなる。
【０００５】
例えば、図１７に示したマイクロストリップライン５１において、接地導体５５の抵抗値を小さくするためには、接地導体５５の厚みを大きくすることが考えられる。
【０００６】
しかし、接地導体５５の厚みを大きくすると、接地導体５５と誘電体基板５３との間の熱膨張係数差が大きくなり、接地導体５５に剥がれが生じたり、誘電体基板５３に反りが生じるという問題があった。
【０００７】
本発明は、接地導体を厚くすることなく、伝送損失の少ないマイクロストリップラインおよびストリップラインを提供し、Ｑ値の大きい共振器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るマイクロストリップラインは、複数の絶縁層を積層してなり、一方主面および他方主面を有する誘電体基板と、誘電体基板の一方主面上に形成されたストリップ導体と、誘電体基板の他方主面上に形成された第１の接地導体と、絶縁層間に形成された第２の接地導体と、絶縁層を貫通するように形成され、第１の接地導体および第２の接地導体を電気的に接続するスルーホール導体と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係るマイクロストリップラインは、複数の絶縁層を積層してなり、一方主面および他方主面を有する誘電体基板と、誘電体基板の一方主面上に形成されたストリップ導体と、誘電体基板の他方主面上に形成された第１の接地導体と、絶縁層間に、絶縁層を挟んで対向するように形成された複数の第２の接地導体と、絶縁層を貫通するように形成され、第１の接地導体および第２の接地導体を電気的に接続する第１のスルーホール導体と、絶縁層を貫通するように形成され、第２の接地導体どうしを電気的に接続する第２のスルーホール導体と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明に係るストリップラインは、複数の絶縁層を積層してなり、一方主面および他方主面を有する誘電体基板と、絶縁層間に形成されたストリップ導体と、誘電体基板の一方主面上に形成された第１の接地導体と、絶縁層間に、かつ、ストリップ導体と第１の接地導体との間に形成された第２の接地導体と、誘電体基板の他方主面に形成された第３の接地導体と、絶縁層間に、かつ、ストリップ導体と第３の接地導体との間に形成された第４の接地導体と、絶縁層を貫通するように形成され、第１の接地導体および第２の接地導体を電気的に接続する第１のスルーホール導体と、絶縁層を貫通するように形成され、第３の接地導体および第４の接地導体を電気的に接続する第２のスルーホール導体と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係るストリップラインは、複数の絶縁層を積層してなり、一方主面および他方主面を有する誘電体基板と、絶縁層間に形成されたストリップ導体と、誘電体基板の一方主面上に形成された第１の接地導体と、絶縁層間に、かつ、ストリップ導体と第１の接地導体との間に、絶縁層を挟んで対向するように形成された複数の第２の接地導体と、誘電体基板の他方主面上に形成された第３の接地導体と、絶縁層間に、かつ、ストリップ導体と第３の接地導体との間に、絶縁層を挟んで対向するように形成された複数の第４の接地導体と、絶縁層を貫通するように形成され、第１の接地導体および第２の接地導体を電気的に接続する第１のスルーホール導体と、絶縁層を貫通するように形成され、第２の接地導体どうしを電気的に接続する第２のスルーホール導体と、絶縁層を貫通するように形成され、第３の接地導体および第４の接地導体を電気的に接続する第３のスルーホール導体と、絶縁層を貫通するように形成され、第４の接地導体どうしを電気的に接続する第４のスルーホール導体と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係る共振器は、上記マイクロストリップラインの構成を備えることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明に係る共振器は、上記ストリップラインの構成を備えることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
以下、本発明の請求項１に係るマイクロストリップラインの一実施形態について説明する。図１は、本実施形態におけるマイクロストリップラインの概略斜視図であり、図２は、図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００１５】
図１および図２に示すように、マイクロストリップライン１１は、複数の絶縁層１２を積層してなる誘電体基板１３を備える。誘電体基板１３の一方主面上には、ストリップ導体１４が形成されている。誘電体基板１３の他方主面上には、第１の接地導体１５ａが形成されている。絶縁層１２間には、第２の接地導体１５ｂが形成されている。また、第１の接地導体１５ａおよび第２の接地導体１５ｂを電気的に接続するように、絶縁層１２を貫通するようにして、スルーホール導体１６が形成されている。
【００１６】
絶縁層１２は、例えば、ガラスセラミックなどのセラミック材料や、エポキシ樹脂などの樹脂材料といった絶縁体からなる。ストリップ導体１４、第１の接地導体１５ａ、第２の接地導体１５ｂ、およびスルーホール導体１６は、例えば、金、銀、銅などの金属材料からなる。
【００１７】
マイクロストリップライン１１は、例えば、以下のような方法で作製される。まず、セラミック粉末に、バインダー、可塑剤、および溶剤を加えて混練し、セラミックスラリーを作製する。次に、ドクターブレード法などにより、セラミックスラリーをシート状に成形して、セラミックグリーンシートを作製する。
【００１８】
次に、セラミックグリーンシートの主面上に、スクリーン印刷によりＡｇペーストを印刷して、ストリップ導体を形成する。
【００１９】
一方、ＮＣパンチなどにより、セラミックグリーンシートに貫通孔を形成し、この貫通孔にＡｇペーストを充填して、スルーホール導体を形成する。さらに、スルーホール導体が形成されたセラミックグリーンシートの両主面上に、スクリーン印刷によりＡｇペーストを印刷して、第１、第２の接地導体を形成する。
【００２０】
次に、図３に示すように、セラミックグリーンシート１７ａと、ストリップ導体１４が形成されたセラミックグリーンシート１７ｂと、第１の接地導体１５ａ、第２の接地導体１５ｂ、およびスルーホール導体１６が形成されたセラミックグリーンシート１７ｃと、を積層して、セラミック積層体を作製する。次に、このセラミック積層体を焼成して、図１に示すマイクロストリップライン１１を得る。
【００２１】
また、図１に示すマイクロストリップライン１１において、ストリップ導体１４を所望の長さに調整することにより、共振器を構成することができる。図４は、このようなマイクロストリップライン共振器を示す断面図である。なお、この断面図は、マイクロストリップラインの長さ方向に沿ったものである。共振器１８は、図１に示すマイクロストリップライン１１と同様に、複数の絶縁層１２を積層してなる誘電体基板１３、第１の接地導体１５ａ、第２の接地導体１５ｂ、およびスルーホール導体１６を備える。共振器１８において、ストリップ導体１４ａの長さＬは、使用周波数の波長の１／２となるように調整されている。
【００２２】
（実施形態２）
以下、本発明の請求項２に係るマイクロストリップラインの一実施形態について説明する。図５は、本実施形態におけるマイクロストリップラインの概略斜視図であり、図６は、図５中のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【００２３】
図５および図６に示すように、マイクロストリップライン２１は、複数の絶縁層２２を積層してなる誘電体基板２３を備える。誘電体基板２３の一方主面上には、ストリップ導体２４が形成されている。誘電体基板２３の他方主面上には、第１の接地導体２５ａが形成されている。絶縁層２２間には、絶縁層２２を挟んで対向するようにして、複数の第２の接地導体２５ｂが形成されている。また、第１の接地導体２５ａおよび第２の接地導体２５ｂを電気的に接続するように、絶縁層２２を貫通するようにして、第１のスルーホール導体２６ａが形成されている。また、第２の接地導体２５ｂどうしを電気的に接続するように、絶縁層２２を貫通するようにして、第２のスルーホール導体２６ｂが形成されている。
【００２４】
マイクロストリップライン２１の各構成要件の詳細については、実施形態１と同様であるため、説明を省略する。なお、第１のスルーホール導体２６ａ、および第２のスルーホール導体２６ｂは、誘電体基板２３の主面方向において異なる位置に形成されていてもよい。
【００２５】
マイクロストリップライン２１は、実施形態１で記載した製造方法に準じて作製される。ただし、セラミック積層体を作製する際には、図７に示すように、セラミックグリーンシート２７ａと、ストリップ導体２４が形成されたセラミックグリーンシート２７ｂと、第１の接地導体２５ａおよび第１のスルーホール導体２６ａが形成されたセラミックグリーンシート２７ｃと、第２の接地導体２５ｂおよび第２のスルーホール導体２６ｂが形成された２７ｄと、を積層する。
【００２６】
また、図５に示すマイクロストリップライン２１において、ストリップ導体２４を所望の長さに調整することにより、共振器を構成することができる。図８は、このようなマイクロストリップライン共振器を示す断面図である。なお、この断面図は、マイクロストリップラインの長さ方向に沿ったものである。共振器２８は、図５に示すマイクロストリップライン２１と同様に、複数の絶縁層２２を積層してなる誘電体基板２３、第１の接地導体２５ａ、第２の接地導体２５ｂ、第１のスルーホール導体２６ａ、および第２のスルーホール導体２６ｂを備える。共振器２８において、ストリップ導体２４ａの長さＬは、使用周波数の波長の１／２となるように調整されている。
【００２７】
（実施形態３）
以下、本発明の請求項３に係るストリップラインの一実施形態について説明する。図９は、本実施形態におけるストリップラインの概略斜視図であり、図１０は、図９中のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【００２８】
図９および図１０に示すように、ストリップライン３１は、複数の絶縁層３２を積層してなる誘電体基板３３を備える。絶縁層３２間には、ストリップ導体３４が形成されている。誘電体基板３３の一方主面には、第１の接地導体３５ａが形成されている。絶縁層３２間に、かつ、ストリップ導体３４と第１の接地導体３５ａとの間には、第２の接地導体３５ｂが形成されている。誘電体基板３３の他方主面には、第２の接地導体３５ｃが形成されている。絶縁層３２間に、かつ、ストリップ導体３４と第３の接地導体３５ｃとの間には、第４の接地導体３５ｄが形成されている。また、第１の接地導体３５ａおよび第２の接地導体３５ｂを電気的に接続するように、絶縁層３２を貫通するようにして、第１のスルーホール導体３６ａが形成されている。また、第３の接地導体３５ｃおよび第４の接地導体３５ｄを電気的に接続するように、絶縁層３２を貫通するようにして、第２のスルーホール導体３６ｂが形成されている。
【００２９】
絶縁層３２は、例えば、ガラスセラミックなどのセラミック材料や、エポキシ樹脂などの樹脂材料といった絶縁体からなる。ストリップ導体３４、第１の接地導体３５ａ、第２の接地導体３５ｂ、第３の接地導体３５ｃ、第４の接地導体３５ｄ、第１のスルーホール導体３６ａ、および第２のスルーホール導体３６ｂは、例えば、金、銀、銅などの金属材料からなる。
【００３０】
ストリップライン３１は、例えば、以下のような方法で作製される。
まず、セラミック粉末に、バインダー、可塑剤、および溶剤を加えて混練し、セラミックスラリーを作製する。次に、ドクターブレード法などにより、セラミックスラリーをシート状に成形して、セラミックグリーンシートを作製する。
【００３１】
次に、セラミックグリーンシートの主面上に、スクリーン印刷によりＡｇペーストを印刷して、ストリップ導体を形成する。
【００３２】
一方、ＮＣパンチなどにより、セラミックグリーンシートに貫通孔を形成し、この貫通孔にＡｇペーストを充填して、第１のスルーホール導体を形成する。さらに、第１のスルーホール導体が形成されたセラミックグリーンシートの両主面上に、スクリーン印刷によりＡｇペーストを印刷して、第１、第２の接地導体を形成する。また、これと同様にして、第２のスルーホール導体が形成されたセラミックグリーンシートの両主面上に、第３、第４の接地導体を形成する。
【００３３】
次に、図１１に示すように、セラミックグリーンシート３７ａと、ストリップ導体３４が形成されたセラミックグリーンシート３７ｂと、第１の接地導体３５ａ、第２の接地導体３５ｂ、および第１のスルーホール導体３６ａが形成されたセラミックグリーンシート３７ｃと、第３の接地導体３５ｃ、第４の接地導体３５ｄ、および第２のスルーホール導体３６ｂが形成されたセラミックグリーンシート３７ｄと、を積層して、セラミック積層体を作製する。次に、このセラミック積層体を焼成して、図９に示すストリップライン３１を得る。
【００３４】
また、図９に示すストリップライン３１において、ストリップ導体３４を所望の長さに調整することにより、共振器を構成することができる。図１２は、このようなストリップライン共振器を示す断面図である。なお、この断面図は、ストリップラインの長さ方向に沿ったものである。共振器３８は、図９に示すストリップライン３１と同様に、複数の絶縁層３２を積層してなる誘電体基板３３、第１の接地導体３５ａ、第２の接地導体３５ｂ、第１のスルーホール導体３６ａ、および第２のスルーホール導体３６ｂを備える。共振器３８において、ストリップ導体３４ａの長さＬは、使用周波数の波長の１／４となるように調整されている。
【００３５】
（実施形態４）
以下、本発明の請求項４に係るストリップラインの一実施形態について説明する。図１３は、本実施形態におけるストリップラインの概略斜視図であり、図１４は、図１３中のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。
【００３６】
図１３および図１４に示すように、ストリップライン４１は、複数の絶縁層４２を積層してなる誘電体基板４３を備える。絶縁層間４２間には、ストリップ導体４４が形成されている。誘電体基板４３の一方主面上には、第１の接地導体４５ａが形成されている。絶縁層４２間に、かつ、ストリップ導体４４と第１の接地導体４５ａとの間には、絶縁層４２を挟んで対向するようにして、複数の第２の接地導体４５ｂが形成されている。誘電体基板４３の他方主面上には、第３の接地導体４５ｃが形成されている。絶縁層４２間に、かつ、ストリップ導体４４と第３の接地導体４５ｃとの間には、絶縁層４２を挟んで対向するようにして、複数の第４の接地導体４５ｄが形成されている。また、第１の接地導体４５ａおよび第２の接地導体４５ｂを電気的に接続するように、絶縁層４２を貫通するようにして、第１のスルーホール導体４６ａが形成されている。また、第２の接地導体４５ｂどうしを電気的に接続するように、絶縁層４２を貫通するようにして、第２のスルーホール導体４６ｂが形成されている。また、第３の接地導体４５ｃおよび第４の接地導体４５ｄを電気的に接続するように、絶縁層４２を貫通するようにして、第３のスルーホール導体４６ｃが形成されている。また、第４の接地導体４５ｄどうしを電気的に接続するように、絶縁層４２を貫通するようにして、第４のスルーホール導体４６ｄが形成されている。
【００３７】
ストリップライン４１の各構成要件の詳細については、実施形態３と同様であるため、説明を省略する。なお、第１のスルーホール導体４６ａ、および第２のスルーホール導体４６ｂは、誘電体基板４３の主面方向において異なる位置に形成されていてもよい。また、第３のスルーホール導体４６ｃ、および第４のスルーホール導体４６ｄは、誘電体基板４３の主面方向において異なる位置に形成されていてもよい。
【００３８】
ストリップライン４１は、実施形態３で記載した製造方法に準じて作製される。ただし、セラミック積層体を作製する際には、図１５に示すように、セラミックグリーンシート４７ａと、ストリップ導体４４が形成されたセラミックグリーンシート４７ｂと、第１の接地導体４５ａおよび第１のスルーホール導体４６ａが形成されたセラミックグリーンシート４７ｃと、第２の接地導体４５ｂおよび第２のスルーホール導体４６ｂが形成されたセラミックグリーンシート４７ｄと、第３の接地導体４５ｃおよび第３のスルーホール導体４６ｃが形成されたセラミックグリーンシート４７ｅと、第４の接地導体４５ｄおよび第４のスルーホール導体４６ｄが形成されたセラミックグリーンシート４７ｆと、を積層する。
【００３９】
また、図１３に示すストリップライン４１において、ストリップ導体４４を所望の長さに調整することにより、共振器を構成することができる。図１６は、このようなストリップライン共振器を示す断面図である。なお、この断面図は、ストリップラインの長さ方向に沿ったものである。共振器４８は、図９に示すストリップライン４１と同様に、複数の絶縁層４２を積層してなる誘電体基板４３、第１の接地導体４５ａ、第２の接地導体４５ｂ、第３の接地導体４５ｃ、第４の接地導体４５ｄ、第１のスルーホール導体４６ａ、第２のスルーホール導体４６ｂ、第３のスルーホール導体４５ｃ、および第４のスルーホール導体４５ｄを備える。共振器４８において、ストリップ導体４４ａの長さＬは、使用周波数の波長の１／４となるように調整されている。
【００４０】
【実施例】
以下のようにして、図４に示すマイクロストリップライン共振器を作製し、その特性を評価した。
【００４１】
まず、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＮｄＯ３／２系セラミック粉末、およびＭｇ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｂ−Ｏ系ガラス粉末を準備し、それぞれ重量比で８０：２０の割合となるように秤量、混合した。次に、得られた混合粉末に、適当量のバインダ、可塑剤、および溶剤を加えて混練し、セラミックスラリーを作製した。次に、セラミックスラリーをドクターブレード法により、セラミックグリーンシート（以下、第１のセラミックグリーンシートとする）を作製した。
【００４２】
次に、第１のセラミックグリーンシートの主面上に、スクリーン印刷によりＡｇペーストを印刷して、ストリップ導体を形成した。これを第２のセラミックグリーンシートとした。
【００４３】
一方、ＮＣパンチにより、第１のセラミックグリーンシートに貫通孔を形成し、この貫通孔にＡｇペーストを充填してスルーホール導体を形成した。さらに、スルーホール導体が形成された第１のセラミックグリーンシートの両主面上に、スクリーン印刷によりＡｇペーストを印刷し、第１、第２の接地導体、および第１のスルーホール導体が形成されたセラミックグリーンシートを作製した。これを第３のセラミックグリーンシートとした。
【００４４】
同様にして、スルーホール導体が形成された第１のセラミックグリーンシートの一方主面上に、スクリーン印刷によりＡｇペーストを印刷し、第２の接地導体および第２のスルーホール導体が形成されたセラミックグリーンシートを作製した。これを第４のセラミックグリーンシートとした。
【００４５】
次に、これらのセラミックグリーンシートを、６０℃で１５分間乾燥させた後、以下のようにして、マイクロストリップライン共振器の実施例１，２および比較例を作製した。
【００４６】
（実施例１）
第３のセラミックグリーンシート１枚、第１のセラミックグリーンシート１０枚、第２のセラミックグリーンシート１枚の順に積層して、セラミック積層体を作製した。次に、セラミック積層体を９００℃で１時間焼成して、マイクロストリップライン共振器を得た。すなわち、実施例１の共振器においては、接地導体が２層になっている。
【００４７】
（実施例２）
第３のセラミックグリーンシート１枚、第４のセラミックグリーンシート１枚、第１のセラミックグリーンシート１０枚、第２のセラミックグリーンシート１枚の順に積層して、セラミック積層体を作製した。次に、セラミック積層体を９００℃で１時間焼成して、マイクロストリップライン共振器を得た。すなわち、実施例２の共振器においては、接地導体が３層になっている。
【００４８】
（実施例３）
第４のセラミックグリーンシート１枚、第１のセラミックグリーンシート１０枚、第２のセラミックグリーンシート１枚の順に積層して、セラミック積層体を作製した。なお、ここでは、第２の接地導体が最下面に現れるように、第４のセラミックグリーンシートを積層した。次に、セラミック積層体を９００℃で１時間焼成して、マイクロストリップライン共振器を得た。すなわち、比較例の共振器においては、接地導体が１層になっている。
【００４９】
なお、実施例１，２、比較例の共振器において、焼成後のストリップ導体の厚みは５μｍ、幅は２００μｍである。また、実施例１，２については、接地導体間の間隔は１０μｍであった。さらに、各共振器に共通する誘電体基板について、誘電体共振器法により５ＧＨｚにおける比誘電率εｒおよびＱ値を測定したところ、εｒ＝３０、Ｑ＝２０００であった。
【００５０】
次に、実施例１，２、比較例の共振器について、共振器法により５ＧＨｚにおけるＱ値を測定した。その結果を表１に示す。
【００５１】
【表１】
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【００５２】
表１からわかるように、マイクロストリップライン共振器において、接地導体を多層にするほど、Ｑ値が向上することがわかる。
【００５３】
【発明の効果】
本発明に係るマイクロストリップライン、およびストリップラインにおいては、接地導体の断面積を実質的に大きくすることができるため、接地導体の抵抗値を小さくすることができる。したがって、電流の伝送損失を小さく抑えることができる。
【００５４】
このように、本発明に係るマイクロストリップラインおよびストリップラインでは伝送損失が少なくなるため、この構成を用いた共振器においては、Ｑ値を大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１におけるマイクロストリップラインを示す概略斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】実施形態１におけるマイクロストリップラインの製造工程を示す概略斜視図である。
【図４】実施形態１におけるマイクロストリップライン共振器を示す断面図である。
【図５】実施形態２におけるマイクロストリップラインを示す概略斜視図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図７】実施形態２におけるマイクロストリップラインの製造工程を示す概略斜視図である。
【図８】実施形態２におけるマイクロストリップライン共振器を示す断面図である。
【図９】実施形態３におけるストリップラインを示す概略斜視図である。
【図１０】図９のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【図１１】実施形態３におけるストリップラインの製造工程を示す概略斜視図である。
【図１２】実施形態３におけるストリップライン共振器を示す断面図である。
【図１３】実施形態４におけるストリップラインを示す概略斜視図である。
【図１４】図１３のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。
【図１５】実施形態４におけるストリップラインの製造工程を示す概略斜視図である。
【図１６】実施形態４におけるストリップライン共振器を示す断面図である。
【図１７】従来のマイクロストリップラインを示す断面図である。
【図１８】従来のストリップラインを示す断面図である。
【符号の説明】
１１，２１　　　　マイクロストリップライン
１２，２２　　　　絶縁層
１３，２３　　　　誘電体基板
１４，２４　　　　ストリップ導体
１５ａ，２５ａ　　第１の接地導体
１５ｂ，２５ｂ　　第２の接地導体
１６　　　　　　　スルーホール導体
１８，２８　　　　マイクロストリップライン共振器
２６ａ　　　　　　第１のスルーホール導体
２６ｂ　　　　　　第２のスルーホール導体
３１，４１　　　　ストリップライン
３２，４２　　　　絶縁層
３３，４３　　　　誘電体基板
３４，４４　　　　ストリップ導体
３５ａ，４５ａ　　第１の接地導体
３５ｂ，４５ｂ　　第２の接地導体
３５ｃ，４５ｃ　　第３の接地導体
３５ｄ，４５ｄ　　第４の接地導体
３６ａ，４６ａ　　第１のスルーホール導体
３６ｂ，４６ｂ　　第２のスルーホール導体
３８，４８　　　　ストリップライン共振器
４６ｃ　　　　　　第３のスルーホール導体
４６ｄ　　　　　　第４のスルーホール導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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