(57)【要約】【解決手段】電気電子部品を保護する封止材を除去する方法において、下記一般式（１）［Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ］＋・Ｘ−        …（１）（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、独立に置換又は非置換の一価炭化水素基であり、Ｘは、ＯＨ、Ｆ、Ｃｌ又はＢｒである。）で表される化合物で封止材を溶解することを特徴とする封止材の除去方法。【効果】本発明の除去方法によれば、封止材以外の部材を損傷することなく、電気電子部品を保護する封止材のみを除去することができる。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気電子部品を保護する封止材を除去する方法において、下記一般式（１）
［Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ］＋・Ｘ−        …（１）
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、独立に置換又は非置換の一価炭化水素基であり、Ｘは、ＯＨ、Ｆ、Ｃｌ又はＢｒである。）
で表される化合物で封止材を溶解することを特徴とする封止材の除去方法。
【請求項２】
封止材が、シリコーンゲル、フルオロシリコーンゲル又はフッ素ゲルであることを特徴とする請求項１記載の封止材の除去方法。
【請求項３】
封止材が、主鎖にパーフルオロポリエーテル構造を有するフッ素ゲルであることを特徴とする請求項１記載の封止材の除去方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気電子部品を保護する封止材を除去する方法において、封止材以外の部材の損傷を防止して、封止材のみを除去する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ダイオード、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子等の電気電子部品を保護する封止材料としてシリコーンゲル、フルオロシリコーンゲル又はフッ素ゲル（例えば特許文献１：特開平１１−１１６６８５号公報参照、特許文献２：特開平１１−１８１２８８号公報参照、特許文献３：特開２００１−７２７７２号公報参照）等が使用されている。
【０００３】
ところが、封止材を施工後に電気電子部品を検査する必要がある場合や、市場において不具合が発生した機器を回収し、不具合の原因を解析する場合には、封止材のみを除去し、内部の電子部品の検査をする必要がある。
【０００４】
シリコーンゲル、フルオロシリコーンゲル又はフッ素ゲルを溶解する方法としては、硫酸、硝酸、発煙硫酸、トリフルオロ酢酸、フッ酸等の強酸、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の強塩基、ブチルアミン等のアミン類による溶解が可能である。
【０００５】
しかしながら、上記電子部品は、半導体シリコン、アルミ等の金属類、ガラス類、エポキシ樹脂、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリフェニレンサイファイド（ＰＰＳ）等の樹脂類等により構成されており、これらの部材は上記薬品により容易に腐食、溶解してしまう。そのため、上記試薬を本用途にて使用することは困難であった。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１１−１１６６８５号公報
【特許文献２】
特開平１１−１８１２８８号公報
【特許文献３】
特開２００１−７２７７２号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、封止材以外の電気電子部材を損傷することなく、封止材のみを除去する方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、電気電子部品を保護する封止材を除去する方法において、特定の化合物を用いることにより、上記課題を解決できることを知見し、本発明をなすに至ったものである。
【０００９】
従って、本発明は
電気電子部品を保護する封止材を除去する方法において、下記一般式（１）
［Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ］＋・Ｘ−        …（１）
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、独立に置換又は非置換の一価炭化水素基であり、Ｘは、ＯＨ、Ｆ、Ｃｌ又はＢｒである。）
で表される化合物で封止材を溶解することを特徴とする封止材の除去方法を提供する。
【００１０】
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の除去する方法に用いられる化合物は、下記一般式（１）で表される。
［Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ］＋・Ｘ−        …（１）
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、独立に置換又は非置換の一価炭化水素基であり、Ｘは、ＯＨ、Ｆ、Ｃｌ又はＢｒである。）
【００１１】
ここで、上記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、独立に置換又は非置換の一価炭化水素基である。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４としては、炭素数１〜１２、特に１〜６のものが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基等のアルキル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等のシクロアルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基等や、これらの基の水素原子の一部又は全部をフッ素等のハロゲン原子で置換した置換一価炭化水素基等が挙げられる。これらの中ではアルキル基、特に炭素数１〜６のアルキル基が好ましい。Ｘは、ＯＨ、Ｆ、Ｃｌ又はＢｒであり、特にＯＨ、Ｆが好ましい。
【００１２】
上記一般式（１）で表される化合物としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、テトラエチルアンモニウムヒドロキサイド、テトラブチルアンモニウムフロライド、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムブロミド、特にテトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、テトラブチルアンモニウムフロライドが好ましい。
【００１３】
化合物としては、これらを１種単独で又は２種以上を適宜組み合わせて用いることができる。
【００１４】
また、上記化合物を各種溶剤に溶解した溶解液（以下溶解液とする）として使用することが好ましい。溶剤としては、上記化合物を溶解できれば特に限定されないが、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、テトラヒドロフラン等のエーテル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサフルオロメタキシレン、パーフルオロエーテル等が挙げられる。溶剤はこれらを１種単独で又は２種以上を適宜組み合わせて用いることができる。
【００１５】
この場合の溶解液中の式（１）の化合物の濃度は、飽和溶解度以下であればよく、０．２〜４．０ｍｏｌ／Ｌの範囲が好ましい。
【００１６】
本発明の封止材を除去する方法は、上記一般式（１）で表される化合物で封止材を溶解させれば特に限定されないが、化合物が封止材に接触すればよく、例えば、溶解液に電気電子部品を保護する封止材を浸漬させたり、溶解液を封止材に吹き付けたりしてもよい。
【００１７】
式（１）の化合物が封止材と接触する時間は、封止材の種類や量等で適宜選定することができるが、通常１０分〜数日であり、溶解温度により適宜選択することができるが、特に作業性の点から、３０分〜４時間が好ましい。この場合、加熱によって溶解速度を調整することができる。加熱温度は使用する溶剤の沸点以下とすることが安全上好ましく、室温〜溶剤沸点温度で調整されるが、通常は２５〜１００℃程度である。
【００１８】
特に、式（１）の化合物で溶解する前に、化合物を有効に封止材内に浸透させ、溶解をスムーズにする点から、封止材を膨潤させることが好ましい。封止材を膨潤させる溶剤としては、前述の溶解液に使用される溶剤と同様のものが挙げられ、この中でもヘキサフルオロメタキシレンとアルコール類又はエーテル類との組み合わせが好ましい。
【００１９】
膨潤は、封止材を膨潤させる溶剤と封止材が接触すればよく、上記溶解液と同様の方法で、封止材を膨潤させることができる。封止材を膨潤させる溶剤の温度は、溶剤の種類により条件が変わるため、溶剤により適宜選定され、１００℃／１５分〜２５℃／数日と変えることが可能であるが、通常は２５℃／７日〜１００℃／１５分である。
【００２０】
封止剤除去後に、試薬の除去及び溶解物の洗浄の点から、電気電子部品をヘキサフルオロメタキシレン、テロラヒドロフランといった有機溶剤で洗浄することが好ましい。
【００２１】
本発明の除去方法の電気電子部品としては、ダイオード、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子等が挙げられる。
【００２２】
封止材としては、電気電子部品に用いられる封止材であれば、特に限定されないが、シリコーンゲル、フルオロシリコーンゲル又はフッ素ゲル等が好ましい。特にフッ素ゲルは、主鎖にパーフルオロポリエーテル構造を有するフッ素ゲルが好ましい。
【００２３】
このようなフッ素ゲルとしては、例えば
（Ａ）１分子中に少なくとも２個のアルケニル基を含有し、且つ主鎖にパーフルオロ構造を有する直鎖状パーフルオロ化合物、（Ｂ）任意成分として、１分子中に１個のアルケニル基を含有し、且つ主鎖にパーフルオロ構造を有する直鎖状パーフルオロ化合物、（Ｃ）１分子中に少なくとも２個のヒドロシリル基を有する有機ケイ素化合物、及び（Ｄ）白金族金属系触媒を含有してなる硬化性組成物等の硬化物等が挙げられる。
【００２４】
また、パーフルオロポリエーテル構造としては、下記一般式で表されるものが好ましい。
【００２５】
【化１】
2004335576.tif 000002
【００２６】
フッ素ゲルとしては、具体的には、特開平１１−１１６６８５号公報、特開平１１−１８１２８８号公報、特開２００１−７２７７２号公報等に記載の硬化性組成物の硬化物が挙げられ、また市販品としては、ＳＩＦＥＬ８０７０（信越化学工業（株）製）の硬化物等が挙げられる。
【００２７】
シリコーンゲルとしては、具体的にＫＥ１０５２（信越化学工業（株）製）が挙げられる。
【００２８】
フルオロシリコーンゲルとしては具体的に、ＦＥ５３（信越化学工業（株）製）が挙げられる。
【００２９】
【実施例】
以下、本発明について実施例にて具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
【００３０】
［実施例１］
図１の縦断面図に示す電子部品を用いた。
ここで、図１において、１はポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）製パッケージであり、その内部にガラス台座２上に載置された半導体素子（シリコン）３が配設されていると共に、この半導体素子３がボンディングワイヤ（アルミニウム製）４を介してインサートピン（Ｎｉメッキ）５に半田６により接続されたもので、この場合、上記半導体素子３の上面が封止材７［フッ素ゲルＳＩＦＥＬ８０７０（信越化学工業（株）製）］により封止されたものである。
【００３１】
上記電子部品をヘキサフルオロメタキシレンに浸漬し、６０℃にて１時間加熱した。電子部品を取り出し後、テトラブチルアンモニウムフロライドの１ｍｏｌ／Ｌテロラヒドロフラン／ヘキサフルオロメタキシレン（体積比１／１）溶液に浸漬し、さらに６０℃で３０分加熱した。電子部品を取り出し後、ヘキサフルオロメタキシレン及びテロラヒドロフランにて洗浄を行い、乾燥させた。
【００３２】
上記操作により、電子部品の構成される部材には損傷がなく、電気的にも正常に作動し、封止材であるフッ素ゲルのみ除去された。
【００３３】
［実施例２］
実施例１のテトラブチルアンモニウムフロライドをテトラメチルアンモニウムヒドロキサイドに変更し、溶媒をエタノール／ヘキサフルオロメタキシレン（体積比１／２）にした以外は実施例１と同様な操作を行った。
電子部品は、実施例１同様に構成される部材には損傷がなく、電気的にも正常に作動し、封止材であるフッ素ゲルのみ除去されたことが確認された。
【００３４】
［比較例１］
実施例１で用いた電子部品を濃硫酸に浸漬し、６０℃にて１時間加熱した。取り出し後、水洗して外観を確認したところ、フッ素ゲルは溶解していることが確認された。
しかしながら、パッケージ、ボンディングワイヤ（アルミ）に溶解が進行し、ボンディングワイヤは断線し、電子部品は作動しなかった。
【００３５】
［比較例２］
実施例１で用いた電子部品を２０重量％フッ酸水溶液に２５℃にて１時間浸漬した。取り出し後、水洗して外観を確認したところ、フッ素ゲルは溶解していることが確認された。
しかしながら、ガラス台座は完全に溶解し、ボンディングワイヤ（アルミ）も溶解が進行していた。また、台座が消失したストレスによりボンディングワイヤが半田部より断線したため、電子部品は作動しなかった。
【００３６】
【発明の効果】
本発明の除去方法によれば、封止材以外の部材を損傷することなく、電気電子部品を保護する封止材のみを除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係る電子部品の要部縦断面図である。
【符号の説明】
１  パッケージ
２  ガラス台座
３  半導体素子（Ｎｉメッキ）
４  ボンディングワイヤ
５  インサートピン
６  半田
７  封止材
【図１】
2004335576.tif 000003