(57)【要約】【課題】真空計の測定ヘッド部のフィラメントへの塩素などの付着および侵食を効果的に防止して、被処理基板の表面処理を常に安定に行うことができる真空処理方法および真空処理装置を提供する。【解決手段】反応ガスの導入開始時または高周波電力の供給開始時に、真空計１１を真空処理容器１の内部雰囲気から絶縁し、且つこの絶縁状態を少なくとも被処理基板７を表面処理する間保持する。また、真空処理容器１の内部が大気圧となったときに真空計１１を真空処理容器１の内部雰囲気から絶縁し、且つこの絶縁状態を真空処理容器１が大気圧である期間において保持する。【選択図】　　図１
2004015014.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を真空処理容器内の電極上に載置したのちに、前記真空処理容器の内部圧力を真空計の計測値に基づき監視しながら所定の真空度に真空排気する工程と、
前記真空処理容器内が前記被処理基板の処理可能圧力に達したときに、前記真空処理容器内に反応ガスを導入しながら、前記真空処理容器内を所定の圧力に保持するように調整する工程と、
前記電極に高周波電力を供給することにより励起されたプラズマによって前記被処理基板の表面処理を行う工程とを有し、
前記反応ガスの導入開始時または前記高周波電力の供給開始時に、前記真空計を前記真空処理容器の内部雰囲気から絶縁し、且つこの絶縁状態を少なくとも前記被処理基板を表面処理する間保持することを特徴とする真空処理方法。
【請求項２】
被処理基板を真空処理容器内の電極上に載置したのちに、前記真空処理容器の内部圧力を真空計の計測値に基づき監視しながら所定の真空度に真空排気する工程と、
前記真空処理容器内が前記被処理基板の処理可能圧力に達したときに、前記真空処理容器内に反応ガスを導入しながら、前記真空処理容器内を所定の圧力に保持するように調整する工程と、
前記電極に高周波電力を供給することにより励起されたプラズマによって前記被処理基板の表面処理を行う工程とを有し、
前記真空処理容器の内部が大気圧となったときに前記真空計を前記真空処理容器の内部雰囲気から絶縁し、且つこの絶縁状態を前記真空処理容器が大気圧である期間において保持することを特徴とする真空処理方法。
【請求項３】
被処理基板を保持する電極および内部に反応ガスを導入する反応ガス供給口を有する真空処理容器と、
絶縁バルブを各々の前段に個々に備え、前記真空処理容器内の所定の真空域の圧力をそれぞれ監視する複種類の真空計と、
前記各真空計の計測値に基づいて前記真空処理容器の内部圧力を監視しながら真空排気を行う真空排気手段と、
前記電極にプラズマ発生用の高周波電力を供給する高周波電源と、
反応ガスの導入開始時または高周波電力の供給開始時に、前記複種類のうちの少なくとも低域真空計の絶縁バルブを閉状態に設定し、且つその閉状態を前記被処理基板の表面処理工程の間保持させるよう制御するコントローラとを備えていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項４】
被処理基板を保持する電極および内部に反応ガスを導入する反応ガス供給口を有する真空処理容器と、
絶縁バルブを各々の前段に個々に備え、前記真空処理容器内の所定の真空域の圧力をそれぞれ監視する複種類の真空計と、
前記各真空計の計測値に基づいて前記真空処理容器の内部圧力を監視しながら真空排気を行う真空排気手段と、
前記電極にプラズマ発生用の高周波電力を供給する高周波電源と、
前記真空処理容器の内部が大気圧となったのを検出する大気圧センサと、
前記大気圧センサが大気圧を検出している期間において、前記複種類のうちの少なくとも低域真空計の絶縁バルブを閉状態に設定し、且つその閉状態を保持するよう制御するコントローラとを備えていることを特徴とする真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハや液晶表示基板などの被処理基板に、ドライエッチング、ＣＶＤ、スパッタリングおよびその他の表面処理を施すのに利用できる真空処理方法およびこれを具現化した真空処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この種の従来の真空処理装置としては、図４に示すような構成を備えたものが知られている。この真空処理装置は、真空処理容器（真空チャンバー）１に、反応ガス供給口２と圧力調整弁３と真空排気手段としての真空ポンプ４が設けられている。その真空処理容器１の内部下方には、被処理基板７を保持する下部電極（サセプタ）８が配設されており、この下部電極８には高周波電源９が接続されている。また、真空処理容器１に連通した排気通路１０には、真空処理容器１内における大気圧から低真空域までの圧力を測定することができる低域真空計１１と、真空処理容器１内の低真空域から高真空域までの圧力を測定することができる高域真空計１２と、真空処理容器１内における被処理基板７の表面処理が可能な処理可能圧力域を高い分解能で測定することのできる精密真空計１３とが、真空ポンプ４の前段側に配設されている。なお、高域真空計１２および精密真空計１３の各々の前段には、大気圧との絶縁を行うための絶縁バルブ１４，１７がそれぞれ配設されている。
【０００３】
つぎに、上記真空処理装置の作用について、図５のフローチャートを参照しながら説明する。被処理基板７が真空処理容器１内に搬入されて下部電極８上に載置されたならば、真空ポンプ４を駆動して、真空処理容器１の内部を大気圧から所定の低真空域の圧力まで真空引きするための真空排気が開始される（ステップＳ１）。このとき、コントローラ（図示せず）は、低域真空計１１の計測値に基づいて真空処理容器１内の圧力が所定の真空度、つまり低域真空計１１から高域真空計１２に切り換えて真空度の監視を行うことが必要な真空度に達したか否かを監視し（ステップＳ２）、その真空度に達したと判別するまで、上述の真空排気を継続させる（ステップＳ３）。このとき、高域真空計用絶縁バルブ１４および精密真空計用絶縁バルブ１７は共に閉状態に設定されている。
【０００４】
そして、コントローラは、真空処理容器１内の圧力が所定の真空度に達したと判別した（ステップＳ２）ときに、高域真空計用絶縁バルブ１４および精密真空計用絶縁バルブ１７を共に開状態に設定し（ステップＳ４）たのち、高域真空計１２の計測値に基づいて真空処理容器１内の圧力が被処理基板７の処理可能圧力に達したか否かを監視し（ステップＳ５　）、その処理可能圧力に達したと判別するまで、上述の真空排気を継続させる（ステップＳ６）。
【０００５】
そして、コントローラは、真空処理容器１内において被処理基板７の表面処理が可能な圧力になったと判別し（ステップＳ５）たときに、真空ポンプ４による真空排気を継続させながら、プラズマを発生させるための反応ガスを反応ガス供給口２から真空処理容器１内に導入するよう制御し（ステップＳ７）たのち、精密真空計１３の測定値に基づいて圧力調整弁３の開口度を調整することにより、真空処理容器１の内部が所望の圧力に保持されるように制御する（ステップＳ８）。
【０００６】
上記状態において、下部電極８に高周波電源９から高周波電力が供給されることにより（ステップＳ９）、真空処理容器１内の下部電極８と上部電極３８との間にはプラズマが励起されて、このプラズマによって被処理基板７にエッチングなどの所望の表面処理が施される（ステップＳ１０）。そして、コントローラは、上記被処理基板７の表面処理が終了したと判別したときに（ステップＳ１１）、真空処理容器１内に不活性ガスを導入し（ステップＳ１２）て、真空処理容器１の内部を大気圧に開放したのち、全ての被処理基板７の表面処理が終了したか否かを判別し（ステップＳ１３）、終了していない場合には、ステップＳ１にリターンして、上述と同様の制御処理を繰り返す。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記低域真空計１１および高域真空計１２は、図３（ａ）に示すように、周知のホイートストンブリッジ回路１９のうちの未知抵抗体Ｒｘ　の抵抗値が圧力変化に対応して変化するのを利用して、圧力を電圧計Ｖの電圧値に変換して測定する構成になっている。また、同図（ｂ）に示すように、上記低域真空計１１および高域真空計１２の各々の測定ヘッド部２０は、未知抵抗体Ｒｘ　としてのフィラメントを測定容器２１に内装した構成になっている
しかしながら、上記構成の低域真空計１１および高域真空計１２では、塩素系ガスなどを反応ガスとして用いて被処理基板７の表面処理を行う場合、プラズマによって活性化した塩素が未知抵抗体Ｒｘ　としてのフィラメントに付着し、この塩素が大気圧において水と反応すると、フィラメントの侵食が進んでしまう。このようにフィラメントの侵食が進むと、未知抵抗体Ｒｘ　の抵抗値の変化は圧力変化に正確に対応したものとならずに経時的に変動する。その結果、電圧計Ｖの検出電圧は真空処理容器１の内部圧力つまり真空度に対応しない異常値となるので、圧力を誤検出することになる。
【０００８】
そのため、例えば、真空処理容器１内の圧力が被処理基板７の処理可能圧力に達しない状態で反応ガスが真空処理容器１内に導入されるといった不具合が生じてしまい、被処理基板７の表面処理を安定して行うことができない。また、上述の不具合の発生を防止するためには、低域真空計１１における測定ヘッド部２０における未知抵抗体Ｒｘ　に付着した塩素を除去するための保守を頻繁に行わなければならず、真空処理装置の稼働率が低下して生産性の向上を図ることができない。
【０００９】
そこで、本発明は、上記従来の課題に鑑みてなされたもので、真空計の測定ヘッド部のフィラメントへの塩素などの付着および侵食を効果的に防止して、被処理基板の表面処理を常に安定に行うことができる真空処理方法および真空処理装置を提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１に係る本発明の真空処理方法は、被処理基板を真空処理容器内の電極上に載置したのちに、前記真空処理容器の内部圧力を真空計の計測値に基づき監視しながら所定の真空度に真空排気する工程と、前記真空処理容器内が前記被処理基板の処理可能圧力に達したときに、前記真空処理容器内に反応ガスを導入しながら、前記真空処理容器内を所定の圧力に保持するように調整する工程と、前記電極に高周波電力を供給することにより励起されたプラズマによって前記被処理基板の表面処理を行う工程とを有し、前記反応ガスの導入開始時または前記高周波電力の供給開始時に、前記真空計を前記真空処理容器の内部雰囲気から絶縁し、且つこの絶縁状態を少なくとも前記被処理基板を表面処理する間保持することを特徴としている。
【００１１】
この真空処理方法では、被処理基板の表面処理の開始に先立って真空計を真空処理容器の内部雰囲気から絶縁し、且つこの絶縁状態を少なくとも被処理基板を表面処理する間保持するので、被処理基板の表面処理中にプラズマによって活性化した塩素などが真空計の測定ヘッド部のフィラメントなどに付着するのが防止される。そのため、真空計の検出圧力値が経時的に変動するといったことが生じることがなく、長期にわたり圧力を正確に測定することができるから、被処理基板の表面処理を安定して行うことができる。また、この表面処理方法では、塩素などが真空計の測定ヘッド部のフィラメントなどに付着することが防止されるから、真空計における測定ヘッド部の保守間隔を非常に長く設定することができ、稼働率の低下を招くことがないのに伴って生産性の一層の向上を図ることができる。
【００１２】
また、請求項２に係る本発明の真空処理方法は、被処理基板を真空処理容器内の電極上に載置したのちに、前記真空処理容器の内部圧力を真空計の計測値に基づき監視しながら所定の真空度に真空排気する工程と、前記真空処理容器内が前記被処理基板の処理可能圧力に達したときに、前記真空処理容器内に反応ガスを導入しながら、前記真空処理容器内を所定の圧力に保持するように調整する工程と、前記電極に高周波電力を供給することにより励起されたプラズマによって前記被処理基板の表面処理を行う工程とを備え、前記真空処理容器の内部が大気圧となったときに前記真空計を前記真空処理容器の内部雰囲気から絶縁し、且つこの絶縁状態を前記真空処理容器が大気圧である期間において保持することを特徴としている。
【００１３】
この真空処理方法では、真空処理容器内が大気圧になった時点で真空計を真空処理容器の内部雰囲気から絶縁するので、真空計の測定ヘッド部に塩素などが万一付着した場合であっても、この塩素などが大気中の水と反応して侵食が進むのが防止されるので、真空計の電圧による検出圧力値が経時的に変動するといったことが一層確実に防止されて、長期にわたり圧力を正確に測定することができる。
【００１４】
また、請求項３に係る本発明の真空処理装置は、被処理基板を保持する電極および内部に反応ガスを導入する反応ガス供給口を有する真空処理容器と、絶縁バルブを各々の前段に個々に備え、前記真空処理容器内の所定の真空域の圧力をそれぞれ監視する複種類の真空計と、前記各真空計の計測値に基づいて前記真空処理容器の内部圧力を監視しながら真空排気を行う真空排気手段と、前記電極にプラズマ発生用の高周波電力を供給する高周波電源と、反応ガスの導入開始時または高周波電力の供給開始時に、前記複種類のうちの少なくとも低域真空計の絶縁バルブを閉状態に設定し、且つその閉状態を前記被処理基板の表面処理工程の間保持させるよう制御するコントローラとを備えていることを特徴としている。
【００１５】
この真空処理装置では、真空計の前段に絶縁バルブを備えているとともに、被処理基板の表面処理に先立って絶縁バルブを閉状態に設定するよう制御するコントローラとを備えているので、請求項１に係る発明の真空処理方法の要旨とする、被処理基板の表面処理に先立って真空計を真空処理容器の内部雰囲気から絶縁するという手段を忠実に具現化して、その真空処理方法と同様の効果を確実に得ることができる。
【００１６】
また、請求項４に係る本発明の真空処理装置は、被処理基板を保持する電極および内部に反応ガスを導入する反応ガス供給口を有する真空処理容器と、絶縁バルブを各々の前段に個々に備え、前記真空処理容器内の所定の真空域の圧力をそれぞれ監視する複種類の真空計と、前記各真空計の計測値に基づいて前記真空処理容器の内部圧力を監視しながら真空排気を行う真空排気手段と、前記電極にプラズマ発生用の高周波電力を供給する高周波電源と、前記真空処理容器の内部が大気圧となったのを検出する大気圧センサと、前記大気圧センサが大気圧を検出している期間において、前記複種類のうちの少なくとも低域真空計の絶縁バルブを閉状態に設定し、且つその閉状態を保持するよう制御するコントローラとを備えていることを特徴としている。
【００１７】
この真空処理装置は、真空処理容器の内部が大気圧となったのを検出する大気圧センサと、この大気圧センサが大気圧を検出したときに真空計の絶縁バルブを閉状態に設定するコントローラとを備えているので、請求項２に係る発明の真空処理方法の要旨とする、真空処理容器内が大気圧になった時点で真空計を真空処理容器の内部雰囲気から絶縁するという手段を忠実に具現化して、その真空処理方法と同様の効果を確実に得ることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施の形態について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施の形態に係る真空処理方法を具現化した真空処理装置の概略構成を示す縦断面図であり、同図において、図４と同一若しくは同等のものには同一の符号を付して、重複する説明を省略する。この真空処理装置では、低域真空計１１の前段に、高域真空計１２および精密真空計１３にそれぞれ設けられている絶縁バルブ１４，１７と同様に、真空処理容器１の内部雰囲気との絶縁（アイソレーション）を図るための低域真空計用絶縁バルブ２２が設けられているとともに、排気通路１０に、真空処理容器１の内部が大気圧になったのを検出してオンする大気圧センサ２３が配設されている。コントローラ２４は、ガス供給源２７から真空処理容器１内への反応ガスの供給開始、大気圧センサ２３のオン・オフあるいは高周波電源９から下部電極８への高周波電力の供給開始などに基づいて各絶縁バルブ２２，１４，１７を開閉制御する。この点についての詳細は後述する。
【００１９】
上記真空処理装置における図４において未説明の構成について補足説明する。被処理基板７を真空処理容器１内にセットするに際しては、真空処理容器１のゲート（図示）が開いて真空処理容器１の基板出入口（図示せず）が開口され、被処理基板７が搬送アーム（図示せず）に載せられて基板出入口から真空処理容器１の中央の所定位置まで搬入される。この所定位置の被処理基板７は、シリンダなどからなる基板昇降機構２８の駆動によって上昇される複数本の基板昇降ピン２９の先端上に移載され、この基板昇降ピン２９が下降して下部電極８内に埋入することにより，下部電極８上に載置される。そののち、被処理基板７は、クランプ昇降機構（図示せず）の駆動により下降されるクランプリング（図示せず）により、事態の外周端縁部を下部電極８に押し付けられて、下部電極８上にセットされる。
【００２０】
また、被処理基板７と下部電極８との間には、被処理基板７を処理温度になるように温度調節するための伝熱媒体となるヘリウムのような不活性ガス３０が、ケーシング３１、真空処理容器１、絶縁支台３２および下部電極８をそれぞれ通じて設けられたガス供給通路３３を経て供給される。この不活性ガス３０は、被処理基板７と下部電極８との間から基板昇降ピン２９の周囲の隙間を経てガス空間３４に流れ、ガス排出手段３７によって余剰分が排出される。これにより、被処理基板７と下部電極８との間には、不活性ガス３０が全体にわたり均等に充満される。この不活性ガス３０の作用については後述する。
【００２１】
つぎに、上記真空処理装置の作用について、図２のフローチャートを参照しながら説明する。被処理基板７が真空処理容器１内に搬入されて下部電極８上に載置されたならば、コントローラ２４は、低域真空計用絶縁バルブ２２が閉状態であるのを確認し（ステップＳ２１）たのちに、真空ポンプ４を駆動して、真空処理容器１の内部を大気圧から所定の低い真空度の圧力まで真空引きするための真空排気を開始させる（ステップＳ２２）。
【００２２】
なお、被処理基板７の表面処理が終了した時点では、詳細は後述するが、真空処理容器１内に不活性ガスを導入して、真空処理容器１内を大気開放している。したがって、つぎの被処理基板７の表面処理を開始する際には、大気圧センサ２３が真空処理容器１内の大気圧を検出してオン状態を保持しており、コントローラ２４は、大気圧センサ２３がオン状態であるのを判別して、低域真空計用絶縁バルブ２２を閉状態に設定している。そのため、低域真空計１１の測定ヘッド部２０は、これの未知抵抗体Ｒｘ　であるフィラメントに塩素が付着していたとしても、大気圧と絶縁されていることから、上記塩素が大気中の水と反応するのが防止されて、フィラメントの侵食が進行するのが防止される。
【００２３】
続いて、コントローラ２４は、真空排気の開始に伴って大気圧センサ２３がオフ状態になるのを監視し（ステップＳ２３）て、大気圧センサ２３がオフ状態になったと判別した時点で、低域真空計用絶縁バルブ２２を開状態に設定する（ステップＳ２４）。これにより、コントローラ２４は、低域真空計１１の計測値に基づいて真空処理容器１内の圧力が所定の真空度、つまり低域真空計１１から高域真空計１２に切り換えて監視を行うことが必要となる真空度に達したか否かを監視し（ステップＳ２５）、その真空度に達したと判別するまで、上述の真空排気を継続させる（ステップＳ２６）。このとき、高域真空計用絶縁バルブ１４および精密真空計用絶縁バルブ１７は共に閉状態に設定されており、高域真空計１２の測定ヘッド部２０の未知抵抗体Ｒｘ　であるフィラメントに塩素が付着していたとしても、この塩素が大気中の水と反応するのが防止されて、フィラメントの侵食が進行するのが防止される。
【００２４】
そして、コントローラ２４は、真空処理容器１内の圧力が所定の真空度に達したと判別した（ステップＳ２５）ときに、高域真空計用絶縁バルブ１４および精密真空計用絶縁バルブ１７を共に開状態に設定し（ステップＳ２７）たのち、高域真空計１２の計測値に基づいて真空処理容器１内の圧力が被処理基板７の処理可能圧力に達したか否かを監視し（ステップＳ２８）、その処理可能圧力に達したと判別するまで、上述の真空排気を継続させる（ステップＳ２９）。
【００２５】
つぎに、コントローラ２４は、真空処理容器１内が被処理基板７の表面処理が可能な圧力に達したと判別し（ステップＳ２８）たときに、真空ポンプ４の駆動による真空排気を継続させながら、ガス供給源２７に指令を与えて、プラズマを発生させるための反応ガスを反応ガス供給口２から真空処理容器１内に導入させる（ステップＳ３０）。そののち、コントローラ２４は、ガス供給源２７が反応ガスを真空処理容器１に対し供給したのを確認したときに、低域真空計用絶縁バルブ２２を閉状態に設定する（ステップＳ３１）。
【００２６】
さらに、コントローラ２４は、精密真空計１３の測定値に基づいて圧力調整弁３の開口度を調整することにより、真空処理容器１の内部が所望の圧力に保持されるように制御する（ステップＳ３２）。この状態において、下部電極８に高周波電源９から高周波電力が供給されることにより（ステップＳ３３）、真空処理容器１内の下部電極８と上部電極３８との間にはプラズマが励起されて、このプラズマによって被処理基板７にエッチングなどの所望の表面処理が施される（ステップＳ３５）。この表面処理時には、低域真空計用絶縁バルブ２２が閉状態に設定されて低域真空計１１が真空処理容器１の内部雰囲気と絶縁されているため、プラズマによって活性化した塩素などが低域真空計１１の測定ヘッド部２０のフィラメントに付着するのが防止される。
【００２７】
このような効果を得るためには、プラズマが励起される前に低域真空計用絶縁バルブ２２を閉状態に設定すればよいので、上記実施の形態のように反応ガスが真空処理容器１内に導入されたと判別した時点で低域真空計用絶縁バルブ２２を閉状態に設定（ステップＳ３３）するのに代えて、高周波電源９が下部電極８に高周波電力を供給したのを判別した時点で低域真空計用絶縁バルブ２２を閉状態に設定する（ステップＳ３４）ようにしてもよい。
【００２８】
また、被処理基板７の表面処理時には、被処理基板７と下部電極８との間に均等に充満されているヘリウムなどの極めて流動性の良い不活性ガスが、高温のプラズマによって加熱された被処理基板７から効率的に吸熱して下部電極８に対し伝熱する。伝熱された下部電極８は、内部の冷却水路（図示せず）を常時流れる冷却水によって冷却される。これにより、被処理基板７は、プラズマの熱により過熱されたり、レジストが変質してエッチングなどの表面処理不良が発生したりするのを未然に防止されているとともに、被処理基板７の温度を一定に保持して良好な表面処理特性を得るようにしている。
【００２９】
被処理基板７の表面処理が終了すると、この被処理基板７は、クランプリングが上昇することによって下部電極８に対する固定を解除されたのちに、基板昇降ピン２９の上昇によって下部電極８の上方に持ち上げられて搬送アームに移載され、真空処理容器１の外部に搬出される。コントローラ２４は、上記被処理基板７の表面処理が終了したと判別したときに（ステップＳ３６）、真空処理容器１内に不活性ガスを導入し（ステップＳ３７）て、真空処理容器１の内部を大気圧に開放する。
【００３０】
このとき、コントローラ２４は、真空処理容器１の内部が大気圧に開放されたのを検出した大気圧センサ２３がオン状態になったと判別し（ステップＳ３８）た時点で、低域真空計用絶縁バルブ２２を閉状態に設定する（ステップＳ３９）。したがって、被処理基板７の表面処理が終了した時点では、低域真空計用絶縁バルブ２２が必ず閉状態に設定されることになる。換言すれば、新たな被処理基板７の表面処理を開始する際には、低域真空計用絶縁バルブ２２が必ず閉状態に設定されている。最後に、コントローラ２４は、全ての被処理基板７の表面処理が終了したか否かを判別し（ステップＳ４０）、終了していない場合には、ステップＳ２２にリターンして、上述と同様の制御処理を繰り返す。
【００３１】
この真空処理装置では、上述したように、被処理基板７の表面処理の開始に先立って、反応ガスが真空処理容器１内に導入される際または高周波電源９から下部電極８に高周波電力が供給される際に、低域真空計用絶縁バルブ２２を閉状態に設定することにより、低域真空計１１を真空処理容器１の内部雰囲気に対し絶縁している。そのため、被処理基板７の表面処理中にプラズマによって活性化した塩素などが低域真空計１１の測定ヘッド部２０のフィラメントなどに付着するのが防止されるから、低域真空計１１の電圧による検出圧力値が経時的に変動するといったことが生じることがなく、長期にわたり圧力を正確に測定することができるから、被処理基板７の表面処理を安定して行うことができる。また、この表面処理装置では、塩素などが低域真空計１１の測定ヘッド部２０のフィラメントなどに付着することが防止されるから、低域真空計１１における測定ヘッド部２０の保守間隔を非常に長く設定することができ、稼働率の低下を招くことがないのに伴って生産性の一層の向上を図ることができる。
【００３２】
また、上記実施の形態では、上述したように、被処理基板７の表面処理中において低域真空計用絶縁バルブ２２を閉状態に設定することによって塩素などが低域真空計１１の測定ヘッド部２０のフィラメントなどに付着することが防止されているが、これに加えて、真空処理容器１内が大気圧になった時点で低域真空計用絶縁バルブ２２を閉状態に設定する手段を設けているから、塩素などが万一付着した場合であっても、この塩素などが大気中の水と反応して侵食が進むのが防止されるので、低域真空計１１の電圧による検出圧力値が経時的に変動するといったことが一層確実に防止されて、長期にわたり圧力を正確に測定することができる。
【００３３】
なお、上記実施の形態では、真空処理容器１が大気圧になったのを大気圧センサ２３によって検出す場合を例示して説明しているが、これに限定されるものではない。例えば、大気圧の検出は、真空排気を開始した時点からの時間経過をタイマで監視して、予め実験的に求めた時間が経過した時点で大気圧に達したと判別するようにしてもよい。
【００３４】
【発明の効果】
以上のように本発明の真空処理方法によれば、被処理基板の表面処理の開始に先立って真空計を真空処理容器の内部雰囲気から絶縁し、且つこの絶縁状態を少なくとも被処理基板を表面処理する間保持するので、被処理基板の表面処理中にプラズマによって活性化した塩素などが真空計の測定ヘッド部のフィラメントなどに付着するのが防止される。そのため、真空計の検出圧力値が経時的に変動するといったことが生じることがなく、長期にわたり圧力を正確に測定することができるから、被処理基板の表面処理を安定して行うことができる。また、この表面処理方法では、塩素などが真空計の測定ヘッド部のフィラメントなどに付着することが防止されるから、真空計における測定ヘッド部の保守間隔を非常に長く設定することができ、稼働率の低下を招くことがないのに伴って生産性の一層の向上を図ることができる。
【００３５】
また、本発明の真空処理方法では、真空処理容器内が大気圧になった時点で真空計を真空処理容器の内部雰囲気から絶縁するので、真空計の測定ヘッド部に塩素などが万一付着した場合であっても、この塩素などが大気中の水と反応して侵食が進むのが防止されるので、真空計の電圧による検出圧力値が経時的に変動するといったことが一層確実に防止されて、長期にわたり圧力を正確に測定することができる。
【００３６】
本発明の真空処理装置によれば、真空計の前段に絶縁バルブを備えているとともに、被処理基板の表面処理に先立って絶縁バルブを閉状態に設定するよう制御するコントローラとを備えており、また、真空処理容器の内部が大気圧となったのを検出する大気圧センサと、この大気圧センサが大気圧を検出したときに真空計の絶縁バルブを閉状態に設定するコントローラとを備えているので、本発明の真空処理方法の要旨とする、被処理基板の表面処理に先立って真空計を真空処理容器の内部雰囲気から絶縁し、真空処理容器内が大気圧になった時点で真空計を真空処理容器の内部雰囲気から絶縁する、という手段を忠実に具現化して、その真空処理方法と同様の効果を確実に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る真空処理方法を具現化した真空処理装置の概略構成を示す縦断面図。
【図２】同上の真空処理装置の制御処理を示すフローチャート。
【図３】（ａ）は同上の真空処理装置に用いられる低域真空計の電気回路図、（ｂ）は低域真空計の測定ヘッド部の断面図。
【図４】従来の真空処理装置の概略構成を示す縦断面図。
【図５】同上の真空処理装置の制御処理を示すフローチャート。
【符号の説明】
１　真空処理容器
２　反応ガス供給口
４　真空ポンプ（真空排気手段）
７　被処理基板
８　下部電極（電極）
９　高周波電源
１１　低域真空計
１２　高域真空計（真空計）
１３　精密真空計（真空計）
１４　高域真空計用絶縁バルブ（絶縁バルブ）
１７　精密真空計用絶縁バルブ（絶縁バルブ）
２２　低域真空計用絶縁バルブ
２３　大気圧センサ
２４　コントローラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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