(57)【要約】【課題】プローブピンのゼロ点を高精度に検出できなかった。【解決手段】本発明のプローブピン８Ａの検出方法は、メインチャック６上のウエハＷとプローブカード８のプローブピン８Ａとを接触させてウエハＷの電気的特性検査を行うに先立って、メインチャック６と一緒に移動する表面が銅によって形成されたゼロ点検出板１１を用いてプローブピン８ＡとウエハＷとの接触点をゼロ点として検出する方法であって、ゼロ点検出板１１を加熱する工程と、ゼロ点検出板１１に水素を含むガスを吹き付けて銅の酸化物を還元する工程と、還元後のゼロ点検出板１１に水素を含むガスを吹き付けた状態でゼロ点検出板１１を冷却する工程と、ゼロ点検出板１１の還元後の銅とプローブピン８Ａとを接触させる工程とを備えたことを特徴とする。【選択図】      図１
2004265942.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
載置台上の被検査体とプローブカードのプローブピンとを接触させて上記被検査体の電気的特性検査を行うに先立って、上記載置台と一緒に移動する表面が銅によって形成されたゼロ点検出板を用いて上記プローブピンと上記被検査体との接触点をゼロ点として検出する方法であって、上記ゼロ点検出板を加熱する工程と、上記ゼロ点検出板に水素を含むガスを吹き付けて上記銅の酸化物を還元する工程と、還元後の上記ゼロ点検出板に水素を含むガスを吹き付けた状態で上記ゼロ点検出板を冷却する工程と、上記ゼロ点検出板の還元後の銅と上記プローブピンとを接触させる工程とを備えたことを特徴とするプローブピンのゼロ点検出方法。
【請求項２】
上記ゼロ点検出板を上記載置台に付設された支持台上に配置して用いることを特徴とする請求項１に記載のプローブピンのゼロ点検出方法。
【請求項３】
上記ゼロ点検出板を上記載置台上に載置する工程を備えたことを特徴とする請求項１に記載のプローブピンのゼロ点検出方法。
【請求項４】
上記加熱工程では、赤外線ランプで上記ゼロ点検出板を加熱することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のプローブピンのゼロ点検出方法。
【請求項５】
上記加熱工程では、抵抗発熱体で上記ゼロ点検出板を加熱することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のプローブピンのゼロ点検出方法。
【請求項６】
被検査体を載置し且つ水平方向及び上下方向に移動する載置台と、この載置台の上方に配置され且つ複数のプローブピンを有するプローブカードとを備え、上記被検査体と上記各プローブピンとを接触させて上記被検査体の電気的特性検査を行なうプローブ装置において、上記載置台に支持台を付設すると共に上記支持台上に表面が銅によって形成されたゼロ点検出板を配置し、且つ、上記ゼロ点検出板を加熱する加熱手段を上記支持台内に設けると共に上記ゼロ点検出板に水素を含むガスを吹き付けるガス供給手段を設けたことを特徴とするプローブ装置。
【請求項７】
被検査体を収納する収納部を有するローダ室と、このローダ室に隣接するプローバ室とを備え、上記プローバ室は、被検査体を載置し且つ水平方向及び上下方向に移動する載置台と、この載置台の上方に配置され且つ複数のプローブピンを有するプローブカードとを有し、上記被検査体と上記各プローブピンとを接触させて上記被検査体の電気的特性検査を行なうプローブ装置において、上記ローダ室内に表面が銅によって形成されたゼロ点検出板を収納する収納部を設け、且つ、上記ローダ室内の収納部または上記プローバ室内に上記ゼロ点検出板を加熱する加熱手段を設けると共に上記ゼロ点検出板に水素を含むガスを吹き付けるガス供給手段を設けたことを特徴とするプローブ装置。
【請求項８】
上記加熱手段として赤外線ランプを設けたことを特徴とする請求項６または請求項７に記載のプローブ装置。
【請求項９】
上記加熱手段として抵抗発熱体を設けたことを特徴とする請求項６または請求項７に記載のプローブ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プローブピンのゼロ点検出方法及びプローブ装置に関し、更に詳しくは、検査時におけるプローブピンと被検査体との針圧を格段に軽減することができるプローブピンのゼロ点検出方法及びプローブ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程でウエハに形成されたデバイスの電気的特性検査を行なう場合にはプローブ装置が用いられる。このプローブ装置は、例えば図５の（ａ）、（ｂ）に示すように、ウエハＷを搬送するローダ室１と、ローダ室１から引き渡されたウエハＷの電気的特性検査を行うプローバ室２とを備えている。ローダ室１は、カセット収納部３と、ウエハＷをローダ室１へ搬送するウエハ搬送機構４と、ウエハ搬送機構４を介してウエハＷを搬送する過程でそのオリフラまたはノッチを基準にしてプリアライメントするサブチャック５とを備えている。
【０００３】
また、プローバ室２は、ウエハ搬送機構４からプリアライメント後のウエハＷを載置し且つ昇降機構を内蔵した載置台（メインチャック）６と、メインチャック６をＸ及びＹ方向に移動させるＸＹテーブル７と、このＸＹテーブル７を介して移動するメインチャック６の上方に配置されたプローブカード８と、プローブカード８の複数のプローブピン８Ａとメインチャック６上のウエハＷの複数の電極パッドを正確に位置合わせする位置合わせ機構（アライメント機構）９とを備えている。アライメント機構９は、アライメントブリッジ９Ａに取り付けられ且つウエハＷを撮像する上カメラ９Ｂと、メインチャック６に付設され且つプローブピン８Ａを撮像する下カメラ９Ｃとを備え、アライメントブリッジ９Ａが一対のガイドレール９Ｄに従ってプローバ室２の正面奥から中央のプローブセンタまで進出し、ウエハＷの電極パッドとプローブピン８ＡのＸ、Ｙ、Ｚ及びθ方向のアライメントを行なう。
【０００４】
また、図５の（ａ）に示すようにプローバ室２のヘッドプレート２ＡにはテストヘッドＴが旋回可能に配設され、テストヘッドＴとプローブカード８はパフォーマンスボード（図示せず）を介して電気的に接続されている。そして、テスタ（図示せず）から検査用信号をテストヘッドＴ及びパフォーマンスボードを介してプローブピン８Ａへ送信し、プローブピン８ＡからウエハＷの電極パッドに検査用信号を印加してウエハＷに形成された複数のデバイスの電気的特性検査を行う。
【０００５】
ところで、ウエハＷとプローブピン８Ａのアライメントは例えば従来公知の方法によって行うことができる。即ち、ＸＹテーブル７を介してメインチャック６が移動し、下カメラ９Ｃが所定のプローブピン８Ａの真下に到達し、メインチャック６が昇降して下カメラ９Ｃで所定のプローブピン８Ａの針先を撮像し、この時のメインチャック６の位置からプローブピン８Ａの針先のＸ、Ｙ及びＺの位置座標を算出する。次いで、アライメントブリッジ９Ａがプローブセンタに進出し、上カメラ９Ｂと下カメラ９Ｃの光軸を一致させた後、この位置において上カメラ９ＢでウエハＷの所定の電極パッドを撮像し、この時のメインチャック６の位置から電極パッドのＸ、Ｙ及びＺの位置座標を算出し、ウエハＷの電極パッドと所定のプローブピン８Ａのアライメントを終了する。
【０００６】
アライメント終了後、ウエハＷの検査を行なう時には、メインチャック６が予め設定されたＺ方向の設定位置（以下、「Ｚ方向アライメント位置」と称す。）まで上昇した後、ウエハＷをオーバードライブさせると、プローブピン８ＡとウエハＷの電極パッド間に所定の針圧が働き、プローブピン８Ａと電極パッドが電気的に導通してデバイスの電気的特性検査を行なう。検査後、メインチャック６が下降した後、次のデバイス以降は同様の手順でウエハＷの全てのデバイスについて電気的特性検査を繰り返し行なう。
【０００７】
従来のプローブ装置は上述のようにＸ、Ｙ方向のアライメントを正確に行なうことができるが、ウエハＷとプローブピン８Ａとを高精度で接触させることが難しい。即ち、下カメラ９Ｃを用いてプローブピン８Ａの針先を真下から撮像するため、プローブピン８Ａの針先とウエハＷの電極パッド間の距離を正確に検出することが難しく、誤差を生じることがあるため、アライメント後にプローブピン８Ａに対してウエハＷが殆ど針圧のない状態（オーバードライブ量＝０）で接触する位置（以下、「ゼロ点」と称する。）を正確に求めることが難しい。例えば、図６の（ａ）に示すようにメインチャック６のＺ方向アライメント位置がゼロ点までに寸法δ１だけ足りずウエハＷの電極パッドＰが接触しない場合や、逆に同図の（ｂ）に示すようにメインチャック６のアライメント位置がゼロ点より寸法δ２だけ上昇し過ぎてプローブピン８Ａと電極パッドＰ間に過度の針圧が働く場合がある。このため、従来はオペレータがプローブ装置毎にＺ方向アライメント位置からゼロ点を経験と勘に基づいて設定している。
【０００８】
また、特許文献１に記載のプロービング装置の場合には、探針（プローブピン）がペレット（デバイス）の電極に接触したか否かの判断は、特定の２本のプローブピン間に電圧を加えておき、これら特定のプローブピンが接触する電極部分の全面がアルミニウム等の金属層で覆われているデバイスに探針を接近させ、これら２本のプローブピン間に流れる電流を測定することで行っている。
【０００９】
【特許文献１】
特開平４−３４０７３４号公報（段落［００１３］の第１行〜第６行）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１に記載のプロービング装置の場合には、検査時にデバイスの電極がプローブピンに接触した時に２本のプローブピン間に流れる電流に基づいて接触の有無を判断しているが、電極表面には自然酸化膜等の酸化膜が絶縁体として形成されているため、電極とプローブピンが単に接触しただけでは電流が流れず、電流を流すために電極にプローブピンを強く押し当てざるを得ず、電流が流れた時のウエハの位置をプローブピンのゼロ点として使用することができないという課題があった。特に、最近のようにデバイスの配線層等の薄膜化、多層化が進むと、検査時の針圧による電極パッドやその下地層へのダメージが問題となる。
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、プローブピンのゼロ点を高精度に検出することができ、延いては検査時の針圧によるデバイスへのダメージを確実に防止することができるプローブピンのゼロ点検出方法及びプローブ装置を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本出願人は、特願２００２−３２２０９６において金薄膜が形成されたウエハ（以下、「金ウエハ」と称す。）とプローブピンを接触させてプローブピンの接触位置（ゼロコンタクトポイント）を採取する方法について提案したが、その後の研究により、図７に示すように金ウエハを用いた場合でもプローブピンと金ウエハとの接触抵抗が予想外に高く、ゼロ点を検出するには少なくとも０．５ｇ／ピン程度の針圧が必要になることが判った。ところが、今後、デバイスの薄膜化、多層化、更にはプローブピンの細線化等により、更なる低針圧（例えば、０．１ｇ／ピン以下）が要求されることになると、金ウエハではこのような低針圧化に対応することができないことが判った。
【００１３】
そこで、本出願人は、ゼロ点検出板の導電膜について種々検討した結果、図７に示すように、還元銅を導電膜として使用すれば金よりも低い接触抵抗を得ることができ、今後の低針圧化に対応し得るとの知見を得た。
【００１４】
本発明は、上記知見に基づいてなされたもので、本発明の請求項１に記載のプローブピンのゼロ点検出方法は、載置台上の被検査体とプローブカードのプローブピンとを接触させて上記被検査体の電気的特性検査を行うに先立って、上記載置台と一緒に移動する表面が銅によって形成されたゼロ点検出板を用いて上記プローブピンと上記被検査体との接触点をゼロ点として検出する方法であって、上記ゼロ点検出板を加熱する工程と、上記ゼロ点検出板に水素を含むガスを吹き付けて上記銅の酸化物を還元する工程と、還元後の上記ゼロ点検出板に水素を含むガスを吹き付けた状態で上記ゼロ点検出板を冷却する工程と、上記ゼロ点検出板の還元後の銅と上記プローブピンとを接触させる工程とを備えたことを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明の請求項２に記載のプローブピンのゼロ点検出方法は、請求項１に記載の発明において、上記ゼロ点検出板を上記載置台に付設された支持台上に配置して用いることを特徴とするものである。
【００１６】
また、本発明の請求項３にプローブピンのゼロ点検出方法は、請求項１に記載の発明において、上記ゼロ点検出板を上記載置台上に載置する工程を備えたことを特徴とするものである。
【００１７】
また、本発明の請求項４に記載のプローブピンのゼロ点検出方法は、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発明において、上記加熱工程では、赤外線ランプで上記ゼロ点検出板を加熱することを特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明の請求項５に記載のプローブピンのゼロ点検出方法は、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発明において、上記加熱工程では、抵抗発熱体で上記ゼロ点検出板を加熱することを特徴とするものである。
【００１９】
また、本発明の請求項６に記載のプローブ装置は、被検査体を載置し且つ水平方向及び上下方向に移動する載置台と、この載置台の上方に配置され且つ複数のプローブピンを有するプローブカードとを備え、上記被検査体と上記各プローブピンとを接触させて上記被検査体の電気的特性検査を行なうプローブ装置において、上記載置台に支持台を付設すると共に上記支持台上に表面が銅によって形成されたゼロ点検出板を配置し、且つ、上記ゼロ点検出板を加熱する加熱手段を上記支持台内に設けると共に上記ゼロ点検出板に水素を含むガスを吹き付けるガス供給手段を設けたことを特徴とするものである。
【００２０】
また、本発明の請求項７に記載のプローブ装置は、被検査体を収納する収納部を有するローダ室と、このローダ室に隣接するプローバ室とを備え、上記プローバ室は、被検査体を載置し且つ水平方向及び上下方向に移動する載置台と、この載置台の上方に配置され且つ複数のプローブピンを有するプローブカードとを有し、上記被検査体と上記各プローブピンとを接触させて上記被検査体の電気的特性検査を行なうプローブ装置において、上記ローダ室内に表面が銅によって形成されたゼロ点検出板を収納する収納部を設け、且つ、上記ローダ室内の収納部または上記プローバ室内に上記ゼロ点検出板を加熱する加熱手段を設けると共に上記ゼロ点検出板に水素を含むガスを吹き付けるガス供給手段を設けたことを特徴とするものである。
【００２１】
また、本発明の請求項８に記載のプローブ装置は、請求項６または請求項７に記載の発明において、上記加熱手段として赤外線ランプを設けたことを特徴とするものである。
【００２２】
また、本発明の請求項９に記載のプローブ装置は、請求項６または請求項７に記載の発明において、上記加熱手段として発熱抵抗体を設けたことを特徴とするものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図４に示す実施形態に基づいて従来と同一または相当部分には同一符号を附して本発明の特徴を中心に説明する。
本実施形態のプローブ装置は、例えば図１、図２に示すように、プローバ室２内にゼロ点検出板及び還元手段を備えている以外は従来のプローブ装置に準じて構成されている。即ち、プローバ室２は、ウエハＷを載置し且つ水平方向及び上下方向に移動するメインチャック６と、このメインチャック６をＸＹ方向へ移動させるＸＹテーブル７と、これら両者６、７の上方に配置され且つプローブピン８Ａを有するプローブカード８とを備え、従来と同様にウエハＷとプローブピン８Ａとを接触させてウエハＷの電気的特性検査を行なう。
【００２４】
而して、図１、図２の（ａ）、（ｂ）に示すようにメインチャック６には支持台１０が付設され、この支持台１０の上面がメインチャック６の載置面と同様に水平になっている。この支持台１０は、ＸＹテーブル７を介してメインチャック６と一緒にＸＹ方向に移動すると共にメインチャック６に内蔵された昇降機構を介して上下方向（Ｚ方向）に移動する。この支持台１０上面には表面が金属銅によって形成されたゼロ点検出板１１が設けられ、このゼロ点検出板１１とプローブカード８のプローブピン８Ａとが接触することによりプローブピン８Ａの針先のゼロ点を検出するようにしてある。ゼロ点検出板１１に不具合が発生した場合には交換することができる。尚、図１の（ｂ）では支持台１０及びゼロ点検出板１１の動きのみを示し、メインチャック６を省略して示してある。
【００２５】
ゼロ点検出板１１は、その表面が金属銅によって形成されたものであれば特に制限されるものではない。従って、ゼロ点検出板１１自体が金属銅によって形成されたものであっても良く、また、例えばシリコン基板の表面が金属銅の蒸着等によって被覆されたものであっても良い。しかしながら、金属銅は大気中で酸化銅を形成し易いため、表面の導電性が経時的に失われる。
【００２６】
そこで、本実施形態ではゼロ点検出板１１の金属銅表面に形成された酸化銅を還元して使用するようにしている。即ち、図１の（ｂ）に示すように支持台１０内には加熱手段１２が設けられ、この加熱手段１２によってゼロ点検出板１１を加熱するようにしてある。この加熱手段１２によってゼロ点検出板１１を酸化銅の還元可能な温度（例えば、２００〜３５０℃）まで加熱する。加熱手段１２は特に制限されるものではないが、加熱手段１２として例えば赤外線ランプまたは抵抗発熱体を用いることができる。
【００２７】
また、図１の（ａ）、（ｂ）に示すようにプローバ室２には例えば水素を含むガスを吹き付けるガス供給手段１３が設けられ、このガス供給手段１３から還元可能な温度に達したゼロ点検出板１１に水素ガスを含むガスを吹き付けてゼロ点検出板１１表面の酸化銅を水素還元する。水素ガスを含むガスは、特に制限されないが、水素ガス濃度が例えば５％以内の防爆範囲内の濃度が好ましい。このようなガスとしては、例えば約３％の水素ガスを含むフォーミングガスを用いることができる。フォーミングガスの場合には、例えば１〜５Ｌ／分の流量で５〜３０分間供給することが好ましい。また、水素ガスを活性化するために、水素ガスを予め加熱して供給しても良い。
【００２８】
ガス供給手段１３は、例えば図１の（ａ）、（ｂ）に示すように、ガス供給源１３Ａ、配管１３Ｂ、ガス吹き付け部１３Ｃ、マスフローコントローラ１３Ｄ及びバルブ１３Ｅを備え、マスフローコントローラ１３Ｄを介してフォーミングガスを流量調節しながらガス吹き付け部１３Ｃから支持台１０上のゼロ点検出板１１に向けて吹き付け、酸化銅を還元する。また、水素ガスを活性化するために、配管途上に加熱手段を介在させても良い。
【００２９】
次に、本発明のプローブピンのゼロ点検出方法の一実施形態について図３をも参照しながら説明する。ウエハＷの検査に先立って、支持体１０上のゼロ点検出板１１の表面の酸化銅を還元して酸化膜を除去する。即ち、まず支持台１０内の加熱手段１２が作動してゼロ点検出板１１を酸化銅の還元温度（例えば、３００℃）まで加熱する。この間にメインチャック６がＸＹテーブル７を介して移動し、図１の（ｂ）に示すように支持台１０がガス吹き付け部１３Ｃの真下の還元領域Ｒに位置する。次いで、ガス供給手段１３のバルブ１３Ｅを開き、マスフローコントローラ１３Ｄを介して２Ｌ／分の流量でフォーミングガスを支持台１０上のゼロ点検出板１１に向けて吹き付けると、ゼロ点検出板１１は既に酸化銅の還元温度まで加熱されているため、ゼロ点検出板１１の表面の酸化銅が水素還元される。フォーミングガスを例えば２０分間供給すると、ゼロ点検出板１１の表面の酸化銅が完全に還元され、導電性を回復する。その後、加熱手段１２への通電を切り、ゼロ点検出板１１を例えば５０℃以下まで冷却する。温度の確認は支持台１０に挿入されている温度検出手段１１２によって行われる。尚、この冷却の間もフォーミングガスを流しておく。この還元処理によりゼロ点検出板１１を約１時間程度ゼロ点の検出に使用することができることが判った。
【００３０】
然る後、メインチャック６がＸＹテーブル７を介して還元領域Ｒから検査領域Ｐｒまで移動し、図３の（ａ）に示すようにアライメント機構９の下カメラ９Ｃでプローブカード６を撮像し、プローブピン８Ａを検出する。次いで、アライメント機構９のアライメントブリッジをプローブカード８下方のプローブセンタまで移動させた後、メインチャック６がＸＹテーブル７を介してＸＹ方向に移動する間に、同図の（ｂ）に示すように上カメラ９Ｂで支持台１０を検出した時点でメインチャック６を停止させる。
【００３１】
次いで、アライメントブリッジが後退して元の位置に戻る。そして、プローブカード８に電圧を印加した状態で、メインチャック６が昇降機構を介して予め設定されたＺ方向アライメント位置まで上昇し、Ｚ方向アライメント位置が接触点に届かない場合には、オペレータが制御装置を介してメインチャック６を操作して同図の（ｃ）に示すようにゼロ点検出板１１とプローブピン８Ａを接触させ、プローブピン８Ａの接触抵抗が安定した時点で昇降駆動機構を止める。この時のメインチャック６のＺ方向の位置座標をプローブピン８Ａの針先のゼロ点とする。
【００３２】
また、逆にメインチャック６のＺ方向アライメント位置がゼロ点を超え、ゼロ点検出板１１とプローブピン８Ａ間の接触抵抗が一気に低下すれば、オペレータがメインチャック６を徐々に下降させ、接触抵抗不安定になる直前でメインチャック６を止め、この時の位置座標をゼロ点とする。
【００３３】
上述のようにしてゼロ点を検出した後、従来と同様にローダ室からプローバ室２内のメインチャック６上にウエハＷを搬送し、アライメント機構９を介してプローブカード８とウエハＷとのアライメントを行った後、ウエハＷの電気的特性検査を行う。この際、本実施形態ではプローブピン８ＡとウエハＷの電極パッドが接触するゼロ点を高精度に検出しているために、ウエハＷとプローブピン８Ａとをゼロ点で正確に接触させ、検査時の針圧を従来と比較して格段に低下させることができ、この後のデバイスの薄膜化、多層化に対応させることができる。
【００３４】
以上説明したように本実施形態によれば、メインチャック６上のウエハＷとプローブカード８のプローブピン８Ａとを接触させてウエハＷの電気的特性検査を行うに先立って、メインチャック６に付設された支持台１０上のゼロ点検出板１１にフォーミングガスを吹き付けて酸化銅を還元する工程と、還元後のゼロ点検出板１１とプローブピン８Ａとを接触させる工程とを備えているため、金ウエハを用いる場合よりも低い針圧でプローブピン８Ａの針先のゼロ点を検出することができ、延いては薄膜化、多層化したデバイスを検査する際に、プローブピン８Ａによるデバイスへのダメージを防止し、信頼性の高い検査を確実に行うことができる。また、ウエハＷをオーバードライブさせる場合には、オーバードライブ量を高精度に管理することができる。
【００３５】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。上記実施形態では支持台１０上にゼロ点検出板１１を設けた場合について説明したが、本実施形態では、図４に示すように表面が銅によって形成された銅ウエハをゼロ点検出板１１Ａとして用いる。そして、ローダ室内に例えばゼロ点検出板１１Ａの収納場所を設けておく。また、本実施形態では加熱手段１２Ａとして例えばウエハＷの高温試験用の加熱手段を使用することができる。ガス供給手段１３は上記実施形態と同様にプローバ室２に設置されたものを使用することができる。
【００３６】
次に、本実施形態のゼロ点の検出方法について説明する。まず、ローダ室からゼロ点検出板１１Ａを取り出してプローバ室内のメインチャック６上に載置する。次いで、メインチャック６の加熱手段１２Ａが作動してゼロ点検出板１１Ａを酸化銅の還元可能な温度まで加熱すると共にメインチャック６がＸＹテーブル７を介して移動し、図４に示すようにゼロ点検出板１１Ａがガス吹き付け部１３Ｃの真下に位置する。次いで、上記実施形態と同様にガス供給手段１３からフォーミングガスを所定の流量で所定時間だけゼロ点検出板１１に向けて吹き付けてゼロ点検出板１１の酸化銅を水素によって還元する。その後、加熱手段１２Ａへの通電を切り、ゼロ点検出板１１Ａを例えば５０℃以下まで冷却する。尚、この冷却の間もフォーミングガスを流しておく。温度の確認はメインチャック６に挿入されている温度検出手段１１２Ａによって行われる。
【００３７】
次いで、プローブカード８に電圧を印加した状態で、メインチャック６が図４に示す還元領域からプローブカード（図示せず）の真下の検査差領域まで移動した後、メインチャック６の昇降機構を介して上昇し、ゼロ点検出板１１Ａとプローブカード８のプローブピンとを接触させ、上記実施形態と同様にしてプローブピンのゼロ点を検出する。引き続き、メインチャック６からローダ室内の収納場所までゼロ点検出板１１Ａを搬送した後、従来と同様にカセットからメインチャック６までウエハＷを搬送し、ウエハＷの電気的特性検査を行う。
【００３８】
以上説明したように本実施形態においても上記実施形態と同様にプローブカード８のプローブピンのゼロ点を高精度に検出することができ、上記実施形態と同様の作用効果を期することができる。
【００３９】
尚、本発明は上記各実施形態に何等制限されるものではない。例えば、第１の実施形態の場合には、ゼロ点検出板１１を用いてゼロ点を検出した後にウエハをメインチャックに搬送して検査する場合について説明したが、メインチャックにウエハを載置した状態でゼロ点を検出することもできる。また第２の実施形態ではメインチャック６に内蔵された加熱手段１２Ａを使用してプローバ室２内で銅ウエハの還元を行ったが、加熱手段及びガス供給手段をローダ室内に設け、ローダ室内で銅ウエハを還元した後、プローバ室内のメインチャックに銅ウエハを載置してゼロ点を検出するようにしても良い。
【００４０】
【発明の効果】
本発明の請求項１〜請求項９に記載の発明によれば、プローブピンのゼロ点を高精度に検出することができ、延いては検査時の針圧によるデバイスへのダメージを確実に防止することができるプローブピンのゼロ点検出方法及びプローブ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のプローブ装置の一実施形態の要部を概念的に示す図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその側面図である。
【図２】図１に示すプローブ装置のメインチャック、支持台及びプローブカードの関係を示す斜視図である。
【図３】本発明のプローブピンのゼロ点検出方法の一実施形態を説明するための説明図で、（ａ）は下カメラでプローブピンを検出する状態を示す図、（ｂ）は上カメラで支持台を検出する状態を示す図、（ｃ）はゼロ点検出板とプローブピンとを接触させてゼロ点を検出する状態を示す図である。
【図４】本発明のプローブ装置の他の実施形態の要部を概念的に示す側面図である。
【図５】従来のプローブ装置の一例を示す図で、（ａ）はプローバ室の正面部分を破断して示す正面図、（ｂ）はプローブ装置の内部を示す平面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）はそれぞれＺ方向アライメント位置とプローブピンとの関係を示す模式図である。
【図７】金と銅の接触抵抗を比較して示すグラフである。
【符号の説明】
１    ローダ室
２    プローバ室
６    メインチャック（載置台）
８    プローブカード
８Ａ  プローブピン
１０    支持台
１１、１１Ａ  ゼロ点検出板
１２、１２Ａ  加熱手段
１３    ガス供給手段
Ｗ    ウエハ
【図１】
2004265942.tif 000003
【図２】
2004265942.tif 000004
【図３】
2004265942.tif 000005
【図４】
2004265942.tif 000006
【図５】
2004265942.tif 000007
【図６】
2004265942.tif 000008
【図７】
2004265942.tif 000009