(57)【要約】【課題】  磁気記録媒体対向面における磁性膜の膜厚を表皮浸透深さｓの２倍以上としても、高周波信号に対する磁性材内部の磁束量が減少するのを抑制する。【解決手段】  磁気記録信号の磁界を発生する電気導体を取り囲んで形成された第１の磁気コア１６と第２の磁気コア１２とを有し、第１の磁気コアと第２の磁気コアは磁気記録媒体から離れた部位で互いに接合され、磁気記録媒体に対向する部位で磁気ギャップ２０を保って配置され、第１の磁気コアの磁気記録媒体に対向する面が第２の磁気コアの磁気記録媒体に対向する面よりも小さく形成され、磁気記録媒体の対向面において、第１の磁気コアのトラック幅を規制する幅Ｔｗと膜厚ｔが、磁気記録信号の最大記録周波数ｆをパラメータとする磁束の表皮浸透深さをｓ｛ｓ＝√（２ρ／ωμ）、ただし、ρは第１の磁気コアの抵抗率、ω＝２πｆ、μは第１の磁気コアの透磁率｝としたときに、Ｔｗ≦２ｓ≦ｔの条件を満たすように設定されてなり、第１の磁気コアは、重量比で４０〜６０％Ｎｉを有するＦｅ合金を含有することを特徴とする。【選択図】        図１
2004335103.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録信号に応じた磁界を発生する電気導体と、該電気導体を取り囲むように形成された第１の磁性膜と第２の磁性膜を有してなる磁気回路とを備え、該磁気回路は、前記第１の磁性膜と前記第２の磁性膜の先端部を磁気ギャップを介在して磁気記録媒体に対向させて配置され、前記第１の磁性膜と前記第２の磁性膜の後端部を接続して形成されてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記磁気記録媒体の対向面において、前記第１の磁性膜のトラック幅を規制する幅Ｔｗと厚膜ｔが、前記磁気記録信号の最大記録周波数ｆをパラメータとする磁束の表皮浸透深さをｓ｛ｓ＝√（２ρ／ωμ）、ただし、ρは前記第１の磁性膜の抵抗率、ω＝２πｆ、μは前記第１の磁性膜の透磁率｝としたときに、Ｔｗ≦２ｓ≦ｔの条件を満たすように設定されてなり、
前記第１の磁性膜は、重量比で４０〜６０％Ｎｉを有するＦｅ合金を含有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
磁気記録信号に応じた磁界を発生する電気導体と、該電気導体を取り囲むように形成された磁性膜からなる第１の磁気コアと第２の磁気コアとを有してなる磁気回路とを備え、前記第１の磁気コアと前記第２の磁気コアは磁気記録媒体から離れた部位で互いに接合され、前記磁気記録媒体に対向する部位で磁気ギャップを保って配置され、前記第１の磁気コアの前記磁気記録媒体に対向する面が前記第２の磁気コアの前記磁気記録媒体に対向する面よりも小さく形成されてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記磁気記録媒体の対向面において、前記第１の磁気コアのトラック幅を規制する幅Ｔｗと膜厚ｔが、前記磁気記録信号の最大記録周波数ｆをパラメータとする磁束の表皮浸透深さをｓ｛ｓ＝√（２ρ／ωμ）、ただし、ρは前記第１の磁気コアの抵抗率、ω＝２πｆ、μは前記第１の磁気コアの透磁率｝としたときに、Ｔｗ≦２ｓ≦ｔの条件を満たすように設定されてなり、
前記第１の磁気コアは、重量比で４０〜６０％Ｎｉを有するＦｅ合金を含有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記第１の磁性膜又は前記第１の磁気コアは、重量比で４０〜６０％Ｎｉ及び、Ｍｏ、ＷあるいはＣｒのうち少なくとも一つを重量比で４％以下を含むＦｅ合金を含有することを特徴とする請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記第１の磁性膜又は前記第１の磁気コアは、前記磁気記録媒体との対向面における膜厚tが磁気記録媒体対向面以外の領域の膜厚t’よりも厚く、該膜厚t’は前記表皮浸透深さsの２倍以下に設定されてなることを特徴とする請求項１、２または３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
情報を記録する磁気ディスクと、前記磁気ディスクに対して情報の書き込みまたは磁気ディスクから情報の読み込みを行う薄膜磁気ヘッドと、前記磁気ディスクを回転駆動する回転駆動手段と、前記薄膜磁気ヘッドを前記磁気ディスクの径方向に沿って移動させるヘッド移動手段とを備えた磁気ディスク装置において、
前記薄膜磁気ヘッドは、請求項１、２、３または４記載の薄膜磁気ヘッドで構成されていることを特徴とする磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜磁気ヘッドに係り、特に、磁気ディスク装置に搭載されて磁気ディスクに各種の情報を記憶する誘導型ヘッドとして用いるに好適な薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置に搭載される磁気記憶媒体として磁気ディスクが用いられており、磁気ディスクに各種の情報を記憶するヘッドとしては、例えば、特許文献１に記載されているように、誘導型薄膜磁気ヘッドが用いられている。誘導型薄膜磁気ヘッドによって各種の情報を磁気ディスクに記憶するに際して、近年、磁気ディスク装置の高記録密度化・高速転送化が要求されている。そこで、磁気ディスク装置の高記録密度化・高速転送化に伴って、磁気ディスクの材料として高保持力のものを用いたり、誘導型薄膜磁気ヘッドのトラック幅を狭小化したり、薄膜磁気ヘッドに印加する磁気記録信号の周波数を高くしたりする方法が行なわれている。すなわち、磁気ディスク装置の高記録密度化に伴って、磁気ディスクを高保持力化し、薄膜磁気ヘッドの磁気コアのトラック幅を狭小化するとともに厚膜化し、磁気ディスク装置の高速転送化に伴って、磁気記録信号の記録周波数を高くすることは有効な方法である。
【０００３】
ところで、磁気ディスクとして高保持力のものを用いたり、磁気ヘッドとしてトラック幅が狭小化されたものを用いたりするに際しては、磁気ヘッドの媒体対向面から磁気ディスクに、記録に十分な磁束を発生する必要がある。すなわち、磁気ヘッドの媒体対向面における面積（磁気コアのトラック幅×膜厚）は磁束密度に影響するので、磁気コアのトラック幅が狭小化されたときにはその分磁気コアの膜厚を厚くすることが必要とされる。ところが、磁気コアの膜厚を単に厚くすると、磁気コアを交流磁界で駆動したときには、渦電流損失により、磁気コア内部を流れることのできる磁束は、磁気コア（磁性膜）表面から深さｘのところでは、ｅｘｐ（−ｘ／ｓ）倍に減衰する。ここで、ｓは、磁気記録信号の記録周波数ｆをパラメータとして磁気コア中の磁束の状態を示す表皮浸透深さであり、ｓ＝√（２ρ／ωμ）で表される。また、ρは磁性膜の抵抗率、ω＝２πｆ（ｆは記録周波数）、μは磁性膜の透磁率である。
【０００４】
すなわち、記録周波数を高くしたり、磁性膜の膜厚を厚くするに従って、磁束は磁性膜中を流れにくくなる。このため、磁性膜の膜厚を薄くするためには、飽和磁束密度Ｂｓの高い材料や、ｓを大きくするためにρの大きな材料の研究・開発が進められている。
【０００５】
【特許文献１】特開平４−１２９０１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来、磁気ディスク装置の高記録密度化・高速転送化に対応した誘導型薄膜磁気ヘッドを構成するに際して、磁気ヘッドの磁気コア材料として、８０Ｎｉ−Ｆｅパーマロイ合金膜が用いられている。この磁気コア材料は、ρが２０μΩ・ｃｍ、比透磁率μｒが２０００程度である。この磁気コア材料を用いて記録周波数４０ＭＨｚでの表皮浸透深さｓを計算すると、０．８μｍとなる。すなわち８０Ｎｉ−Ｆｅパーマロイ合金膜を用いた誘導型薄膜磁気ヘッドでは、上部磁気コアの膜厚が１．６μｍの場合、磁気記録信号の記録周波数が４０ＭＨｚでは表皮浸透深さｓの２倍（２ｓ）と膜厚ｔが略等しくなり、磁性膜表面に比べて磁性膜内部の磁束量が減少するとともに、位相遅れが生じる。また８０Ｎｉ−Ｆｅパーマロイ合金膜を用いた誘導型薄膜磁気ヘッドでは、通常、トラック幅Ｔｗ＝３．５μｍのものに対して、上部磁気コアの膜厚は約３．５μｍ程度であり、上部磁気コアのトラック幅Ｔｗ、膜厚ともに、表皮浸透深さsの２倍（２s）よりも大きく、渦電流損失により、磁性材内部の磁束量が減少してしまう。
【０００７】
本発明の目的は、高周波信号に対して磁性材内部の磁束量が減少するのを抑制することができる薄膜磁気ヘッドおよびこの薄膜磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するために、本発明は、磁気記録信号に応じた磁界を発生する電気導体と、該電気導体を取り囲むように形成された第１の磁性膜と第２の磁性膜を有してなる磁気回路とを備え、該磁気回路は、前記第１の磁性膜と前記第２の磁性膜の先端部を磁気ギャップを介在して磁気記録媒体に対向させて配置され、前記第１の磁性膜と前記第２の磁性膜の後端部を接続して形成されてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁気記録媒体の対向面において、前記第１の磁性膜のトラック幅を規制する幅Ｔｗと厚膜ｔが、前記磁気記録信号の最大記録周波数ｆをパラメータとする磁束の表皮浸透深さをｓ｛ｓ＝√（２ρ／ωμ）、ただし、ρは前記第１の磁性膜の抵抗率、ω＝２πｆ、μは前記第１の磁性膜の透磁率｝としたときに、Ｔｗ≦２ｓ≦ｔの条件を満たすように設定されてなり、前記第１の磁性膜は、重量比で４０〜６０％Ｎｉを有するＦｅ合金を含有することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明は、磁気記録信号に応じた磁界を発生する電気導体と、該電気導体を取り囲むように形成された磁性膜からなる第１の磁気コアと第２の磁気コアとを有してなる磁気回路とを備え、前記第１の磁気コアと前記第２の磁気コアは磁気記録媒体から離れた部位で互いに接合され、前記磁気記録媒体に対向する部位で磁気ギャップを保って配置され、前記第１の磁気コアの前記磁気記録媒体に対向する面が前記第２の磁気コアの前記磁気記録媒体に対向する面よりも小さく形成されてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁気記録媒体の対向面において、前記第１の磁気コアのトラック幅を規制する幅Ｔｗと膜厚ｔが、前記磁気記録信号の最大記録周波数ｆをパラメータとする磁束の表皮浸透深さをｓ｛ｓ＝√（２ρ／ωμ）、ただし、ρは前記第１の磁気コアの抵抗率、ω＝２πｆ、μは前記第１の磁気コアの透磁率｝としたときに、Ｔｗ≦２ｓ≦ｔの条件を満たすように設定されてなり、前記第１の磁気コアは、重量比で４０〜６０％Ｎｉを有するＦｅ合金を含有することを特徴とする。
【００１０】
前記各薄膜磁気ヘッドを構成するに際しては、以下の要素を付加することができる。
【００１１】
（１）第１の磁性膜又は第１の磁気コアの磁性膜が、重量比で４０〜６０％Ｎｉ及び、Ｍｏ、ＷあるいはＣｒのうち少なくとも一つを重量比で４％以下を含むＦｅ合金からなること
（２）第１の磁性膜又は第１の磁気コアの磁性膜材は、前記磁気記録媒体との対向面における膜厚tが磁気記録媒体対向面以外の領域の膜厚t’よりも厚く、該膜厚t’は前記表皮浸透深さsの２倍以下に設定されてなること
また、前記いずれかの薄膜磁気ヘッドを用いて、情報を記録する磁気ディスクと、磁気ディスクに対して情報の書き込みまたは磁気ディスクから情報の読み込みを行う薄膜磁気ヘッドと、磁気ディスクを回転駆動する回転駆動手段と、薄膜磁気ヘッドを磁気ディスクの径方向に沿って移動させるヘッド移動手段とを備えた磁気ディスク装置を構成することができる。
【００１２】
前記磁気ディスク装置を構成するに際しては、薄膜磁気ヘッドに供給される磁気記録信号の最大記録周波数を４０ＭＨｚ以上に設定することができる。
【００１３】
前記した手段によれば、磁性材のうち磁気記録媒体のトラック幅を規制する面のトラック幅が表皮浸透深さｓの２倍以下であるため、磁性材の磁気記録媒体対向面における膜厚をトラック幅以上に厚くしても、渦電流効果による影響を十分小さくすることができ、電気導体に高周波の磁気記録信号が印加されても、磁性材内部の磁束量が減少したり、位相遅れが生じたりするのを防止することができる。さらに、磁性材の記録媒体との対向面における膜厚がその他の分よりも厚く、その他の部位の膜厚が表皮浸透深さｓの２倍以下に設定されているため、記録に十分な量の磁束が位相遅れなしに磁性体内部を流れることができる。このため、本発明による薄膜磁気ヘッドを用いることにより、磁気ディスク装置の高記録密度化および高速転送化が容易となる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、磁気記録媒体の対向面のうちトラック幅を規制する面の膜厚ｔが表皮浸透深さｓの２倍以上であっても、該トラック幅を規制する面の幅Ｔｗを表皮浸透深さｓの２倍以下にすることにより、渦電流効果の影響を十分小さくすることができ、ヘッドの高周波特性の向上に寄与することができる。
【００１５】
また、第１の磁性膜を磁気記録媒体との対向面における膜厚ｔが磁気記録媒体対向面以外の領域の膜厚ｔ’よりも厚くすることにより、記録に十分な量の磁束を位相遅れなしに磁性材内部に流すことができる。
【００１６】
また、本発明による薄膜磁気ヘッドを磁気ディスク装置に用いることで、磁気ディスク装置の高記録密度化および高速転送化が容易となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１８】
図１は本発明の一実施形態を示す誘導型薄膜磁気ヘッドの媒体対向面の図、図２は誘導型薄膜磁気ヘッドの要部側面断面図、図３は誘導型薄膜磁気ヘッドの要部平面図である。図１ないし図３において、誘導型磁気ヘッドは基板１０、下部磁気コア１２、コイル１４、上部磁気コア１６を備えており、下部磁気コア１２、コイル１４、上部磁気コア１６がそれぞれ基板１０上に順次積層されている。下部磁気コア１２は基板１０上に積層されており、下部磁気コア１２上面の一部の領域には磁気ギャップを構成する磁気ギャップ膜２０が積層され、他の領域には絶縁膜１８が積層されている。下部磁気コア１２は、磁気記録媒体としての磁気ディスク（図示省略）と相対向する媒体対向面１２ａ側が磁気ギャップ膜２０を介在して上部磁気コア１６と相対向して配置され、後端部１２ｂが上部磁気コア１６の後端部１６ｂと接合されている。上部磁気コア１６は、先端部１６ｃ、傾斜部１６ｄ、平坦部１６ｅ、後端部１６ｂを備えており、絶縁膜１８を介してコイル１４を覆うように形成されている。先端部１６ｃはほぼ長方形形状に形成され、先端部１６ｃの幅、すなわち磁気ディスクのトラック幅を規制する面を示すトラック幅Ｔｗは、下部磁気コア１２の媒体対向面１２ａの幅よりも狭く形成されている。傾斜部ｄは先端部１６ｃよりも漸次幅が広くなって平坦部１６ｅに接続されている。平坦部１６ｅは下部磁気コア１２とほぼ同じ幅に形成され、その後端側が後端部１６ｂに接続されている。
【００１９】
すなわち、上部磁気コア１６は、傾斜部１６ｄから徐々にその幅が拡がり、平坦部１６ｅではリラクタンスを下げるために十分なコア幅になっている。さらに上部磁気コア１６の媒体対向面１６ａのうちトラック幅Ｔｗと交差する方向の厚さを示す膜厚ｔは平坦部１６ｅの膜厚ｔ’よりも厚く形成されている。各膜厚ｔ、ｔ’は、表皮浸透深さをｓとしたとき、ｔ’≦２ｓ≦ｔの条件を満たす厚さに設定されている。
【００２０】
コイル１４は、絶縁膜１８中に挿入され、上部磁気コア１６の後端部１６ｂと下部磁気コア１２の後端部１２ｂとの接続部をほぼ中心として上部磁気コア１６及び下部磁気コア１２間の平面内に巻装されている。このコイル１４には、記録時に交流の磁気記録信号が供給され、コイル１４の周囲には磁気記録信号に応じた磁界が発生するようになっている。コイル１４において交流磁界が発生すると、この交流磁界に応答して上部磁気コア１６と下部磁気コア１２に磁束が流れるようになっている。すなわちコイル１４は磁気記録信号に応じた磁界を発生する電気導体として構成されており、下部磁気コア１２、上部磁気コア１６はコイル１４からの磁界に応答して磁束を発生する磁性体として、コイル１４と磁気的に結合された磁性材で構成されている。また上部磁気コア１６の先端部１６ｃの膜厚ｔを平坦部１６ｅの膜厚ｔ’よりも厚く形成するに際しては、めっき法またはスパッタリング法により、磁気コア材で上部磁気コア１６の各部を同じ厚さに形成した後、平坦部１６ｅ、後端部１６ｂをレジスト材等のマスク材で覆い、その後、めっき法またはスパッタリング法により、先端部１６ｃ、傾斜部１６ｄのみに磁気コア材を付着することで、先端部１６ｃ、傾斜部１６ｄを規定の厚さとすることができる。
【００２１】
上記誘導型薄膜磁気ヘッドを構成するに際して、磁気コア材料として、飽和磁束密度Ｂｓ、磁性膜の抵抗率ρが共に８０Ｎｉ−Ｆｅパーマロイ合金膜よりも大きなものとして、重量比４０〜６０％Ｎｉ−Ｆｅまたは重量比４０〜６０％Ｎｉ−ＦｅにＭｏ、Ｗ、Ｃｒのうち少なくとも一つを重量比で４％以下添加したもの、あるいはＣｏ−Ｔａ−Ｚｒなどの非晶質磁性材料を用いたところ、以下のような結果が得られた。
【００２２】
重量比４０〜６０％Ｎｉ−ＦｅあるいはそれにＭｏ、Ｗ、Ｃｒなどを４％以下添加したものは、抵抗率ρが約４５〜７０μΩ・ｃｍ、比透磁率μｒが１０００〜１２００程度であり、周波数４０ＭＨｚでの表皮浸透深さｓは１．５〜２．１μｍ、すなわち２ｓは３．０〜４．２μｍとなる。またＣｏ−Ｔａ−Ｚｒでは、抵抗率ρが９０μΩ・ｃｍ、比透磁率μｒが１０００程度となり、記録周波数４０ＭＨｚでの表皮浸透深さｓが２．４μｍ、すなわち２ｓ＝４．８μｍとなる。
【００２３】
前述したように、８０Ｎｉ−Ｆｅパーマロイ合金膜（飽和磁束密度Ｂｓ＝１．０Ｔ）を磁気コア材料として用いた誘導型薄膜磁気ヘッドでは、通常、トラック幅Ｔｗ＝３．５μｍのものに対して、上部磁気コアの膜厚は約３．５μｍ程度であるが、重量比４０〜６０％Ｎｉ−Ｆｅ、あるいはそれにＭｏ、Ｗ、Ｃｒなどを４％以下添加したものは、飽和磁束密度Ｂｓが約１．６Ｔ、Ｃｏ−Ｔａ−ＺｒではＢｓが約１．３Ｔなので、磁気コアの膜厚を薄くできる。すなわち、上部磁気コア１６の先端部１６ｃにおけるアスペクト比（トラック幅に対する膜厚）を小さくできるため、薄膜磁気ヘッドの製造が容易となる。
【００２４】
次に、磁気ディスク装置の高記録化・高速転送化がさらに進むことを考慮して、誘導型薄膜磁気ヘッドのモデルを作成したところ以下のような結果が得られた。
【００２５】
本実施形態においては、誘導型薄膜磁気ヘッドの磁界強度を積分要素法による計算で求めている。この計算に用いたモデルの形状は、ギャップ長０．６μｍ、ギャップ深さ２．０μｍ、下部磁気コア１２の膜厚は２．８μｍである。磁性材としては、下部磁気コア１２に８０％Ｎｉ−Ｆｅパーマロイ合金膜を想定し、飽和磁束密度Ｂｓを１．０Ｔ（テスラ）、抵抗率ρを２４μΩ・ｃｍ、異方性磁界（Ｈｋ）を４Ｏｅとしている。さらに、上部磁気コア１６には４０〜６０％Ｎｉ−Ｆｅを想定し、飽和磁束密度Ｂｓを１．７Ｔ、抵抗率ρを４４μΩ・ｃｍ、異方性磁界（Ｈｋ）を８Ｏｅとした。また上部磁気コア１６の媒体対向面１６ａにおける膜厚ｔを４．０μｍ、平坦部１６ｅの膜厚ｔ’を２．８μｍとした。そして起磁力を０．５１ＡＴ（アンペアターン）とし、磁気記録信号として５０ＭＨｚの正弦波信号を用い、この正弦波信号でコイルを励磁した。このような条件で、磁界強度と位相遅れを求めたところ、図４および図５に示すような結果が得られた。この場合、磁界強度および位相遅れの計算位置はギャップおよびトラック幅の中心で、媒体対向面１６ａから７０ｎｍの位置である。
【００２６】
図４は横軸にトラック幅、縦軸に磁界強度をとったときの特性図である。また比較のために、直流で励磁した場合（〇印）が示されており、直流で励磁した場合には、トラック幅の増加とともに、磁界強度が大きくなっている。これに対して、５０ＭＨｚで励磁した場合（□印）には、トラック幅３μｍあたりでピークとなる特性を示している。
【００２７】
図４から、５０ＭＨｚで励磁したときには、渦電流損失により、磁気コア表面に比べ、磁気コア内部では磁束が流れにくく、直流励磁のときよりも磁界強度が低下していることが分かる。また上部磁気コア１６に対する表皮浸透深さｓを求めたところ、記録周波数５０ＭＨｚで表皮浸透深さｓは１．５μｍとなり、２ｓは３．０μｍとなる。すなわち、トラック幅Ｔｗと２ｓがほぼ一致した点で磁界強度が最大となることが分かる。
【００２８】
図５は、横軸にトラック幅、縦軸に５０ＭＨｚで励磁したときの位相遅れをとったときの特性図である。図５から、トラック幅の増加とともに位相遅れが大きくなることがわかる。この位相遅れが大きくなると、磁気録媒体に記録された磁化の反転位置がずれ、いわゆるビットシフトが生じ、再生エラーの原因となる。このビットシフトはある程度まで信号処理技術で補正できるが、位相遅れとしては約３０度以下が望ましい。
【００２９】
以上の結果をまとめると、高周波記録に適した上部磁気コア１６としては、媒体対向面１６ａにおけるトラック幅をＴｗとし、膜厚をｔとし、磁気記録信号の最大記録周波数ｆをパラメータとして磁性体中の磁束の状態を示す表皮浸透深さをｓとしたときに、次の（１）式を満たすことが望ましい。
【００３０】
Ｔｗ≦２ｓ≦ｔ……（１）
（１）式に、薄膜磁気ヘッドのモデルに用いた値（Ｔｗ＝２．０μｍ、２ｓ＝３．０μｍ、ｔ＝４．０μｍ）を適用すると、次の式が得られる。２．０μｍ≦３．０μｍ≦４．０μｍ
また、上部磁気コア１６のリラクタンスを下げるために、先端部１６ｃよりも平坦部１６ｅの幅を広くしているので、平坦部１６ｅの膜厚ｔ’が２ｓよりも大きくなると、平坦部１６ｅから後端部１６ｂでの渦電流損失により、出力が低下し、位相が遅れる。このため先端部１６ｃと平坦部１６ｅの膜厚は次の（２）式を満たすことが望ましい。この条件を満たすと、記録に必要な十分な量の磁束を上部磁気コア１６全体に、位相遅れ３０度以下で流すことができる。
【００３１】
ｔ’≦２ｓ≦ｔ……（２）
（２）式に、誘導型薄膜磁気ヘッドのモデルに用いた値（ｔ’＝２．８μｍ、２ｓ＝３．０μｍ、ｔ＝４．０μｍ）を代入すると、次の式が得られる。２．８μｍ≦３．０μｍ≦４．０μｍ
また、誘導型薄膜磁気ヘッドを構成するに際しては、上記（１）式、（２）式を満たすものであれば、上部磁気コア１６のコア材料として、飽和磁束密度Ｂｓ、磁性膜の抵抗率ρが共に８０Ｎｉ−Ｆｅパーマロイ合金膜よりも大きい、重量比４０〜６０％Ｎｉ−Ｆｅまたは重量比４０〜６０％Ｎｉ−ＦｅにＭｏ、Ｗ、Ｃｒのうち少なくとも一つを重量比で４％以下添加したもの、あるいはＣｏ−Ｔａ−Ｚｒなどの非晶質磁性材料を用いることができる。
【００３２】
図６は本発明に係る誘導型薄膜磁気ヘッドの他の実施形態を示す要部側面断面図である。
【００３３】
図６に示す誘導型薄膜磁気ヘッドは、例えば、特開平２−２４７８０９号公報に記載されている方法で製造したもので、基板１０上に下部磁気コア１２を積層し、下部磁気コア１２のほぼ中央部に、下層絶縁膜２２を積層し、下層絶縁膜２２上に磁気ギャップ膜２０、絶縁膜１８、コイル１４、上部磁気コア１６を積層したものである。本実施形態における誘導型薄膜磁気ヘッドは、下部磁気コア１２の上面に、断面形状が台形形状の絶縁膜２２を積層したこと及び上部磁気コア１６の形成方法が前記実施形態と異なる他は、図１および図２に示す磁気ヘッドと同様に構成されている。
【００３４】
上部磁気コア１６を形成するに際しては、めっき法もしくはスパッタリング法により、上部磁気コア１６のうち先端部１６ｃ、傾斜部１６ｄを形成し、先端部１６ｃの膜厚をｔとする。この後、傾斜部１６ｄの後端側と絶縁膜１８上に上部磁気コア材料をめっき法もしくはスパッタリング法により厚さｔ’だけ付着させ、結合部１６ｆ、平坦部１６ｅ、後端部１６ｂを形成し、傾斜部１６ｄと平坦部１６ｅとを結合部１６ｆを介して結合し、後端部１６ｂと下部磁気コア１２の後端部１２ｂとを結合する。これにより、所望の厚さを有する上部磁気コア１６を形成することができる。
【００３５】
また本実施形態においても、前記実施形態と同様に、前記（１）式、（２）式を満たす材料が用いられている。
【００３６】
前記各実施形態によれば、記録周波数が４０ＭＨｚ以上の高周波でも再生出力が高く、位相遅れの少ない高周波動作に対応した誘導型薄膜磁気ヘッドを実現することができる。さらに、情報を記憶する磁気ディスクと、磁気ディスクに対して情報の書き込みまたは磁気ディスクから情報の読み出しを行なう薄膜磁気ヘッドと、磁気ディスクを回転駆動する回転駆動手段と、薄膜磁気ヘッドを磁気ディスクの径方向に沿って移動させるヘッド移動手段とを備えた磁気ディスク装置に、本発明による誘導型薄膜磁気ヘッドを用いた場合、磁気ディスク装置の高密度化および高速転送化が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の一実施形態を示す誘導型薄膜磁気ヘッドの媒体対向面の図である。
【図２】誘導型薄膜磁気ヘッドの要部側面断面図である。
【図３】誘導型薄膜磁気ヘッドの要部平面図である。
【図４】トラック幅と磁界強度との関係を示す特性図である。
【図５】トラック幅と位相遅れとの関係を示す特性図である。
【図６】本発明の他の実施形態を示す誘導型薄膜磁気ヘッドの要部側面断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１０  基板
１２  下部磁気コア
１４  コイル
１６  上部磁気コア
１８  絶縁膜
２０  磁気ギャップ膜
２２  下層絶縁膜
１２ａ  下部磁気コア媒体対向面
１６ａ  上部磁気コア媒体対向面
Ｔｗ  トラック幅
ｔ  膜厚
【図１】
2004335103.tif 000003
【図２】
2004335103.tif 000004
【図３】
2004335103.tif 000005
【図４】
2004335103.tif 000006
【図５】
2004335103.tif 000007
【図６】
2004335103.tif 000008