(57)【要約】【課題】高分子基板と駆動ＩＣチップとの接合信頼性および歩留まりを向上させることができると共に、高分子基板が本来有しているフレキシブル性を有効に利用することができる表示装置を提供する。【解決手段】表示部２０の周囲（Ｘ，Ｙ方向）に、駆動ＩＣチップ４１，４２がそれぞれ複数個配置されている。これにより多数の表示ライン２１，２２がそれぞれ複数の組に分割して駆動される。高分子基板１１の上に複数の駆動ＩＣチップ４１，４２が分散して配置されるため、高分子基板１１がＸ，Ｙ方向に滑らかに曲がるようになる。高分子基板１１と駆動ＩＣチップ４１，４２との間の熱膨張係数の差に起因した、高分子基板１１と駆動ＩＣチップ４１，４２との間での大きな位置ずれや残留応力の発生が防止される。更には、高分子基板１１の上への駆動ＩＣチップ４１，４２の実装が容易となる。【選択図】　　　　図１
2004037859.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子基板と、
この高分子基板上に形成され、交差する２方向にそれぞれ多数の表示ラインを有する表示部と、
前記高分子基板上の前記表示部の周囲の少なくとも一方向に配置されると共に、前記多数の表示ラインを複数の組に分割して駆動する複数の駆動ＩＣチップと
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記隣り合う駆動ＩＣチップ同士が所定の間隔をあけて等間隔で配置されている
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記駆動ＩＣチップの厚みは、２５μｍ以上１００μｍ以下の範囲内である
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記表示部の、対向する一対の辺のそれぞれの近傍に前記複数の駆動ＩＣチップが千鳥格子状に配置された
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
前記表示部の周囲うちの、前記複数の駆動ＩＣチップが設けられていない領域に、複数の制御ＩＣチップ、通信ＩＣチップ、および電子部品のうちの少なくとも１つが更に設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
前記駆動ＩＣチップは前記高分子基板と接合される接合面を有しており、前記接合面に前記表示ラインと電気的に接続される接合パッドが選択的に形成され、前記接合面のうちの接合パッドが形成されていない領域に接合補強パッドが選択的に形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項７】
前記高分子基板は透明である
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高分子基板の上に表示部を有する表示装置に係り、特に、表示部の周囲に駆動ＩＣチップを備えた表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
表示装置は画像や文字を表示する表示部を備えており、この表示部に格子状に多数の表示ラインが形成されている。表示部の周囲には、これら表示ラインを駆動するための駆動ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップが設けられている。この駆動ＩＣチップは、複数の駆動ＩＣチップが長手方向に一体成形されたものであり、表示部の周囲のＸ方向およびＹ方向のそれぞれに設けられている。
【０００３】
このような駆動ＩＣチップを基板に実装する手法には、基板の材料に応じて、様々なものがある。高分子基板に実装する手法としては、（１）ＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式、（２）ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）を用いた方式が挙げられ、ガラス基板に実装する手法としては、（３）ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓ）方式が挙げられる。
【０００４】
高分子基板上に実装する手法では、中間部材の上に駆動ＩＣチップを予め実装しておき、この駆動ＩＣチップを表示部に接続するように、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ　）熱圧着法などの手法によって、中間部材を高分子基板に対して実装する。ＴＡＢ方式（１）では、中間部材としてＴＡＢテープを用い、図１２に示したように、ＴＡＢテープ１１２Ａの上に駆動ＩＣチップ１４１Ａ，ＴＡＢテープ１１２Ｂに駆動ＩＣチップ１４１Ｂをそれぞれ予め実装しておき、これらＴＡＢテープ１１２Ａ，１１２Ｂを表示部１２０の周囲のＸ方向に接合すると共に、ＴＡＢテープ１１３に駆動ＩＣチップ１４２を予め実装しておき、このＴＡＢテープ１１３を表示部１２０の周囲のＹ方向に接合する。このとき、表示部１２０で格子状に形成されたＹ，Ｘ方向の表示ライン１２１，１２２のうちのＹ方向の表示ライン１２１は駆動ＩＣチップ１４１Ａ，１４１Ｂに接続され、またＸ方向の表示ライン１２２は駆動ＩＣチップ１４２に接続される。
【０００５】
ＴＡＢテープ１１２Ａ，１１２Ｂには、ＰＷＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｗｒｉｔｉｎｇ　Ｂｏａｒｄ　）１１４、ＴＡＢテープ１１３にはＰＷＢ１１５がそれぞれ接続され、これらＰＷＢ１１４，１１５にはそれぞれ外部回路（図示せず）が接続される。また、高分子基板１１１に接続されたＴＡＢテープ１１２Ａ，１１２Ｂ，１１３は、装置の外側にはみ出さないように、組立て工程において高分子基板１１１の裏面などに引き回される。
【０００６】
また、ＦＰＣを用いた方式（２）では、中間部材としてＦＰＣを用い、図１３に示したように、ＦＰＣ１１６に駆動ＩＣチップ１４１を予め実装しておき、このＦＰＣ１１６を表示部１２０の周囲のＸ方向に接合すると共に、ＦＰＣ１１７に駆動ＩＣチップ１４２を予め実装しておき、このＦＰＣ１１７を表示部１２０の周囲のＹ方向に接合する。このとき、表示部１２０で格子状に形成されたＹ，Ｘ方向の表示ライン１２１，１２２のうちのＹ方向の表示ライン１２１には駆動ＩＣチップ１４１が接続され、Ｘ方向の表示ライン１２２には駆動ＩＣチップ１４２が接続される。なお、ＦＰＣ１１６にはＰＷＢ１１４が接続され、このＰＷＢ１１４には外部回路（図示せず）が接続される。また、高分子基板１１１に接続されたＦＰＣ１１６，１１７は、装置の外側にはみ出さないように、組立て工程において高分子基板１１１の裏面などに引き回される。
【０００７】
このように、ＴＡＢテープ１１２Ａ，１１２Ｂ，１１３やＦＰＣ１１６，１１７などの中間部材を用いて、高分子基板１１１上に駆動ＩＣチップを実装するための工程を２回の工程に分けるのは、以下の理由による。すなわち、高分子基板１１１には、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）等の透明な高分子材料が用いられるが、このような高分子材料と駆動ＩＣチップとでは熱膨張係数が大きく異なる。そのため、駆動ＩＣチップを１回の工程で高分子基板１１１に直接実装しようとすると、高分子基板１１１と駆動ＩＣチップとの熱膨張係数の差によって位置ずれが生ずると共に残留応力が発生する。このような位置ずれを小さくすると共に残留応力を低減するために、実装工程を２回に分ける。
【０００８】
他方、ガラス基板上に実装する手法であるＣＯＧ方式（３）では、図１４に示したように、表示部２２０の周囲のＸ方向に駆動ＩＣチップ２４１をベアチップ実装し、表示部２２０の周囲のＹ方向に駆動ＩＣチップ２４２をベアチップ実装することによって、ガラス基板２１１上に、表示部２２０に格子状に形成された多数の表示ライン２２１，２２２のそれぞれに接続するように駆動ＩＣチップ２４１，２４２を直接実装する。なお、表示部２２０の周囲のうちの、駆動ＩＣチップ２４１，２４２が形成されていない領域にはＦＰＣ２１２が接続され、このＦＰＣ２１２には外部回路（図示せず）が接続されている。このＣＯＧ方式（３）は、ＴＡＢ方式（１）やＦＰＣを用いた方式（２）と比較して、駆動ＩＣチップ２４１，２４２をガラス基板２１１に接続するためにＴＡＢテープやＦＰＣ、ＰＷＢなどの中間部材を用いなくてもよいので、装置の小型化、軽量化および省スペース化を図ることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年、表示装置の分野では、各種用途に応じて、高分子基板が有するフレキシブル性を利用したディスプレイが望まれている。しかしながら、このようなフレキシブル性を利用したディスプレイを作製するために、前述したような（１）〜（３）のような従来の実装手法を用いると多くの問題が生ずる。
【００１０】
ＴＡＢ方式（１）やＦＰＣを用いた方式（２）のような高分子基板に駆動ＩＣチップを実装する従来の手法では、十分な接合精度を得ることが難しいため、実際には設計段階において、熱膨張係数差による位置ずれ量を予め計算しておき、図面寸法を補正しておくといった手法が用いられる。ところが、実際の生産ラインにおいては、ＴＡＢ、ＦＰＣなどの中間部材に用いられる材料の種類によって熱膨張係数のバラツキが存在する。そのために、駆動ＩＣチップと高分子基板との接合時に位置ずれや残留応力が発生することによって、駆動ＩＣチップと高分子基板との接合が困難となり、接合信頼性および歩留りが低下するという問題があった。
【００１１】
また、ＡＣＦ熱圧着法ではＡＣＦフィルムが用いられるが、このＡＣＦフィルムは、接合信頼性を確保するように、強固に熱硬化されており、駆動ＩＣチップと高分子基板との接合部分を保護しているため、この接合部分を曲げることは難しい。更に、駆動ＩＣチップは長手方向に複数の駆動ＩＣチップが一体成形され、表示部の周囲と平行に略全領域を占有しているため、更に高分子基板を曲げることが難しい。加えて、高分子基板に接続されたＴＡＢやＦＰＣは、装置の外側にはみ出さないように、組立て工程において高分子基板の裏面などに回されるために、更に高分子基板を曲げることが難しい。以上のように、このような表示装置では、高分子基板が本来有しているフレキシブル性が損なわれるという問題があった。更には、高分子基板に対して、ＴＡＢやＦＰＣのような中間部材を介して駆動ＩＣチップを接続しなければならないため、装置が重くて大型なものとなるという問題があった。
【００１２】
他方、ＣＯＧ方式（３）のようなガラス基板に駆動ＩＣチップを直接実装する従来の手法を駆動ＩＣチップと高分子基板との接合に適用すると、これらの間の熱膨張係数差が大き過ぎることに起因して、熱圧着時に大きな位置ずれが発生する。そのために、駆動ＩＣチップと高分子基板との接合が困難となり、接合信頼性および歩留りが低下するという問題があった。
【００１３】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、高分子基板と駆動ＩＣチップとの接合の信頼性および歩留まりを向上させることができると共に、高分子基板が本来有しているフレキシブル性を有効に利用することが可能となる表示装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明による表示装置は、高分子基板と、この高分子基板上に形成され、交差する２方向にそれぞれ多数の表示ラインを有する表示部と、高分子基板上の表示部の周囲の少なくとも一方向に配置されると共に、多数の表示ラインを複数の組に分割して駆動する複数の駆動ＩＣチップとを備えたものである。
【００１５】
本発明による表示装置では、高分子基板上に配置された複数の駆動ＩＣチップにより、多数の表示ラインが分割して駆動される。高分子基板の上で複数の駆動ＩＣチップが分散して配置されていることから、高分子基板が本来有しているフレキシブル性が損なわれず、また、高分子基板と駆動ＩＣチップとの間で熱膨張係数の差に起因した大きな位置ずれや残留応力が発生することが防止され、高分子基板上への駆動ＩＣチップの実装が容易となる。更には、ＴＡＢやＦＰＣのような中間部材を介して駆動ＩＣチップを高分子基板に接続しなくてもよくなる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】
図１は本発明の一実施の形態に係る表示装置としての単純マトリックス駆動方式の液晶表示装置１０の概略構成を表すものである。図２は、液晶表示装置１０の一部分を拡大した概略構成を表すものである。図３は、液晶表示装置１０の一部分の拡大断面を表すものである。
【００１８】
液晶表示装置１０は、例えばＰＥＳ、ＰＥＴ、ＰＥＮ等の透明な高分子材料からなる高分子基板１１を備えている。この高分子基板１１には画像や文字を表示するための表示部２０が形成されている。高分子基板１１の上には、例えば表示部２０の周囲のＸ方向には複数の駆動ＩＣチップ４１、Ｙ方向には複数の駆動ＩＣチップ４２がそれぞれ設けられている。隣り合う駆動ＩＣチップ４１同士は配線５１、隣り合う駆動ＩＣチップ４２同士は配線５２により接続され、これら駆動ＩＣチップ４１，４２は、ＦＰＣ１２を介して、図示しない制御ＩＣ、通信ＩＣなどの素子や電源などの外部回路に接続される。
【００１９】
表示部２０には、Ｙ方向およびＸ方向のそれぞれに例えばデータ線のような多数の表示ライン２１、および、例えば走査線のような多数の表示ライン２２が所定の間隔で格子状に形成されており、これら表示ライン２１，２２の交点部が画素となっている。多数の表示ライン２１は配線３１を介してＸ方向に設けられた複数の駆動ＩＣチップ４１に接続され、多数の表示ライン２２は配線３２を介してＹ方向に設けられた複数の駆動ＩＣチップ４２に接続されている。ここで、多数の表示ライン２１は、駆動ＩＣチップ４１の数に対応して、複数の組に分割され、１個の駆動ＩＣチップ４１には１組の表示ライン２１が接続されている。また、多数の表示ライン２２は、駆動ＩＣチップ４２の数に対応して、複数の組に分割され、１個の駆動ＩＣチップ４２には１組の表示ライン２２が接続されている。
【００２０】
駆動ＩＣチップ４１，４２は、例えばシリコン基板からなり、従来の高分子基板に接続されていた駆動ＩＣチップとは異なり、小型化された、例えば１辺が１〜２ｍｍの大きさのものである。駆動ＩＣチップ４１，４２のシリコン基板は高分子基板１１と接合される接合面を有し、この接合面には素子や配線が形成されている。また、この接合面には高分子基板１１に形成された配線や表示ラインと接続するための複数の接合バンプが形成される。これら駆動ＩＣチップ４１，４２は、隣り合う駆動ＩＣチップ４１，４２同士が表示部２０の周囲のＸ方向およびＹ方向に所定の間隔をあけて分散されて配置されるように、高分子基板１１の上に接着剤として例えばＡＣＦフィルム１３を間にしてベアチップ実装されている。また、表示部２０の周囲のＸ方向およびＹ方向には、駆動ＩＣチップ４１，４２が実装された実装領域１１Ａと、駆動ＩＣチップ４１，４２が実装されていない非実装領域１１Ｂとが形成されている。なお、ＡＣＦフィルム１３は、熱硬化された樹脂により形成されて高硬度を有しており、このＡＣＦフィルム１３によって、高分子基板１１と駆動ＩＣチップ４１と間の接合強度が確保されている。
【００２１】
本実施の形態では、高分子基板１１の上、例えば表示部２０の周囲のＸ方向およびＹ方向のそれぞれに複数の駆動ＩＣチップ４１，４２を備えるようにし、特に、隣り合う駆動ＩＣチップ４１，４２のそれぞれが所定の間隔をあけて配置されるようにしたので、高分子基板１１の上で複数の駆動ＩＣチップ４１，４２が分散して配置されて、図３に示したように、例えばＸ方向に液晶表示装置１０を曲げようとすると、高分子基板１１のうちの複数の非実装領域１１Ｂが少しずつ曲がり、装置全体が滑らかに曲がるようになる。液晶表示装置１０のＹ方向もＸ方向と同様にすると装置全体が滑らかに曲がるようになる。
【００２２】
次に、このような駆動ＩＣチップ４１，４２を高分子基板１１の上に実装する方法について説明する。まず、駆動ＩＣチップ４１，４２のシリコン基板における高分子基板１１との接合面に複数の接合バンプ（図示せず）を形成する。次に、例えばＡＣＦ熱圧着法によって、これら接合バンプと表示ライン２１のそれぞれとが電気的に接続されるようにして、高分子基板１１の上の表示部２０の周囲のＸ方向に、ＡＣＦフィルム１３を間にして駆動ＩＣチップ４１をベアチップ実装する。続いて、駆動ＩＣチップ４１の実装手法と同様にして、駆動ＩＣチップ４２の接合面に形成された接合バンプと表示ライン２２のそれぞれとが電気的に接続されるようにして、表示部２０の周囲のＹ方向に駆動ＩＣチップ４２をベアチップ実装する。このとき、隣り合う駆動ＩＣチップ４１，４２が十分な間隔をあけて実装されるためには、駆動ＩＣチップ４１，４２の接合面での接合バンプピッチを表示ライン２１，２２のピッチよりも小さくする必要がある。
【００２３】
例えば、駆動ＩＣチップと表示ラインとを接続する配線は、扇型をした配線パターンを有しているが、この扇型の配線パターンが、従来の大型の駆動ＩＣチップに接続されるものであると、図４に示したように、駆動ＩＣチップ１４１を表示ライン１２１に近づけるほど、配線１３１は急激な角度を持つようになることに起因して、配線パターンの間隔が狭くなってしまい、この配線パターンの形成が困難となる。これに対して、本実施の形態のように、小型化された駆動ＩＣチップ４１を用い、これらを分散して配置すると、１つの駆動ＩＣチップ４１に接続される表示ライン２１の数が少なくなる（図５（Ａ））。従って、図５（Ｂ）に示したように、配線パターンの間隔が狭くならず、駆動ＩＣチップ４１を表示ライン２１に近づけることができる。
【００２４】
また、高分子基板１１の上に、駆動ＩＣチップ４１，４２をベアチップ実装する際、駆動ＩＣチップ４１，４２のシリコン基板と液晶表示装置１０の高分子基板１１との熱膨張係数が大きく異なるが、本実施の形態では従来の駆動ＩＣチップと比較して小型化された駆動ＩＣチップ４１，４２を複数配置するようにしたので、高分子基板１１と駆動ＩＣチップ４１，４２との間の熱膨張係数の差に起因した、高分子基板１１と駆動ＩＣチップ４１，４２との間での大きな位置ずれや残留応力が発生することがなくなる。
【００２５】
具体的には、液晶表示装置１０の基板としてよく用いられるＰＥＳは、５×１０−５／℃の熱膨張係数であるのに対して、シリコンの熱膨張係数は４．２×１０−　６　／℃であることから、ＡＣＦ熱圧着法によって高分子基板１１の上に駆動ＩＣチップ４１，４２をベアチップ実装する際に２０℃から２００℃に加熱すると、１０ｍｍの大きさの駆動ＩＣチップの場合には、８９μｍの位置ずれが発生する。これに対して、本実施の形態のように、小型化された、例えば１辺が１ｍｍの大きさの駆動ＩＣチップ４１，４２を用いると、駆動ＩＣチップ１個当たりの位置ずれの大きさは８．９μｍとなる。例えば、表示ライン２１，２２のピッチが１５０μｍの場合、これら表示ライン２１，２２のそれぞれに接続された駆動ＩＣチップ４１，４２のピッチを５０μｍとすると、実装領域１１Ａと非実装領域１１Ｂそれぞれの大きさの比が１：２となり、非実装領域１１Ｂの大きさが十分に得られる。よって、駆動ＩＣチップ４１，４２を用いると８．９μｍの位置ずれを容易に補正することができる。
【００２６】
このように本実施の形態によれば、高分子基板１１の上の表示部２０の周囲（Ｘ，Ｙ方向）に複数の駆動ＩＣチップ４１，４２を配置し、表示ライン２１，２２を複数の組に分割して駆動させるようにしたので、高分子基板１１の上で複数の駆動ＩＣチップ４１，４２を分散して配置することができ、高分子基板１１が本来有しているフレキシブル性が損なわれず、その結果、各種用途に応じたディスプレイを実現することが可能となる。また、高分子基板１１と駆動ＩＣチップ４１，４２との間で大きな位置ずれや残留応力が発生することが防止される。そのため、高分子基板１１への駆動ＩＣチップ４１，４２のベアチップ実装が容易になり、高分子基板１１と駆動ＩＣチップ４１，４２との接合の信頼性が向上すると共に歩留りが向上する。更には、駆動ＩＣチップ４１，４２を高分子基板１１に接続するためにＴＡＢやＦＰＣのような中間部材を用いなくてもよいので、装置の小型化、装置の軽量化、装置の周辺部の省スペース化を図ることが可能となり、また、その結果、コストを低減させることが可能となる。
【００２７】
〔変形例１〕
上記実施の形態では、ＡＣＦ熱圧着法によって、ＡＣＦフィルム１３を間にして、高分子基板１１の上に駆動ＩＣチップ４１，４２をベアチップ実装したが、比較的低温下で行うことができる接合手法、例えば超音波接合法や表面活性化接合法などの加熱処理を必要としない接合方法によって、高分子基板１１の上に駆動ＩＣチップ４１，４２をベアチップ実装するようにしてもよい。このような超音波接合法や表面活性化接合法では、高分子基板１１と駆動ＩＣチップ４１，４２との間に、接着剤としてアンダーフィル（樹脂接着剤）を用いなくてもよく、あるいは、フレキシブル性を有するアンダーフィルやＡＣＦフィルム等を使用してもよい。
【００２８】
ここで、図６に示したように、Ｘ方向において、例えばケミカルエッチング等により厚みが２５μｍ以上１００μｍ以下に薄型化された駆動ＩＣチップ４１Ａを用いると、この駆動ＩＣチップ４１Ａもフレキシブル性を有する、すなわち実装領域１１Ａもフレキシブル性を有するようになるので、更に装置の全体にわたって曲げることができる。なお、本変形例を表示部２０の周囲のＹ方向へのべアチップ実装にも適用してもよく、あるいは、本変形例を表示部２０の周囲のＸ方向およびＹ方向へのべアチップ実装にも適用してもよいのは言うまでもない。
【００２９】
〔変形例２〕
また、上記実施の形態では、高分子基板１１の周囲のＸ方向に駆動ＩＣチップ４１を直線状に配置したが、図７に示したように、例えば表示部２０のＹ方向で対向する一対の辺のそれぞれの近傍に駆動ＩＣチップ４１Ｂ，４１Ｃを千鳥格子状に配置してもよい。
【００３０】
これによって、配線パターンピッチと駆動ＩＣチップ４１Ｂ，４１Ｃそれぞれの接合面に形成されている接合バンプのピッチを同等にすれば、実装領域１１Ａと非実装領域１１Ｂとの比を１：１にすることができる。また、表示ラインのピッチが既に基板の上に形成可能なピッチの限界に達している超高精細型の表示装置に本変形例を適用することによって、フレキシブル性を有する超高精細型の装置の実現が可能となる。なお、本変形例では、表示部２０のＸ方向で対向する一対の辺のそれぞれの近傍に駆動ＩＣチップを千鳥格子状に配置してもよく、あるいは、表示部２０のＸ方向およびＹ方向のそれぞれで対向する一対の辺の近傍に駆動ＩＣチップを千鳥格子状に配置してもよいのは言うまでもない。
【００３１】
〔変形例３〕
更に、上記実施の形態では、駆動ＩＣチップ４１，４２のみを高分子基板１１上に実装するようにしたが、図８に示したように、駆動ＩＣチップ４１，４２だけでなく、例えば複数の制御ＩＣや、ブルートゥースなどの通信ＩＣ、および電子部品などのうちの少なくとも１つ、例えばこれらの素子のすべてを素子部６２として高分子基板１１の上にベア実装するようにしてもよい。例えば、表示部２０の周囲うちの、複数の駆動ＩＣチップ４１，４２が設けられていない領域に素子部６２をベアチップ実装するようにし、ＦＰＣ１２を介して電源部６１のみを駆動ＩＣチップに接続するようにしてもよい。これによって、これらＩＣや電子部品などから構成される素子部６２が高分子基板１１に搭載されて、高分子基板１１に接続するための外部部品の数が少なくなるので、装置の小型化、装置の軽量化、装置の周辺部の省スペース化を更に図ることが可能となり、また、その結果、更にコストを低減させることができる。
【００３２】
〔変形例４〕
上記実施の形態では、駆動ＩＣチップを高分子基板に接合する際に、従来のように駆動ＩＣチップのシリコン基板の接合面に接合バンプだけを形成するようにしたが、接合補強パッドも形成するようにしてもよい。これについて従来の駆動ＩＣチップと比較して説明する。
【００３３】
図９に示したように、従来の駆動ＩＣチップ１５０には、駆動ＩＣチップ１５０の接合面の縁部に複数の接合バンプ１５１が選択的に形成されている。具体的には、駆動ＩＣチップ１５０の接合面の縁部には接合バンプ１５１が２列形成されると共に、外側の列において隣り合う接合バンプ１５１が所定の間隔をあけて形成され、内側の列の接合バンプ１５１が外側の列の隣り会う接合バンプ同士の間に対応した領域に形成されている。
【００３４】
このような駆動ＩＣチップ１５０は、接合バンプ１５１が表示ラインと電気的に接続されるように超音波接合法やワイヤボンディング法などの方法によって高分子基板の上に実装されるが、駆動ＩＣチップ１５０と高分子基板との接合強度を十分に確保することが難しいことから、これらの間に樹脂接着剤であるアンダーフィルが用いられる。ところが、接合バンプ１５１の狭ピッチ化が進むと、それに伴って駆動ＩＣチップ１５０と高分子基板との間隔が小さくなる、すなわち接合バンプ１５１の高さが低くなるために、これらの隙間にアンダーフィルの溶剤を流し込むことが困難になると想定される。
【００３５】
これに対して、本変形例では、図１０に示したように、駆動ＩＣチップ７０のシリコン基板の接合面に、複数の接合バンプ７１を形成すると共に、これら接合バンプ７１が形成されていない領域に複数の接合補強パッド７２を選択的に形成するようにする。具体的には、駆動ＩＣチップ７０の接合面の縁部には、従来の駆動ＩＣチップ１５０と同様に接合バンプ７１が２列形成されると共に、外側の列において隣り合う接合バンプ７１が所定の間隔をあけて形成され、内側の列の接合バンプ７１が外側の列の隣り合う接合バンプ７１同士の間に対応した領域に形成されている。また、駆動ＩＣチップ７０の接合面には、それぞれの列の隣り合う接合バンプ７１同士の間に、接合補強パッド７２が形成されている。更には、これら接合バンプ７１および接合補強パッド７２によって囲まれる領域に接合補強パッド７２が形成されている。
【００３６】
これら接合補強パッド７２は、接合バンプ７１と同じ金属材料、例えば金（Ａｕ）により形成し、接合バンプ７１と同じ高さとなるように形成するのが好ましい。このように接合補強パッド７２を接合バンプ７１が形成されていない領域に選択的に形成することによって、駆動ＩＣチップ７０と高分子基板との接合の強度が十分に確保されるのでアンダーフィルが不要となる。
【００３７】
このような構成を有する駆動ＩＣチップ７０は、例えば図１１（Ａ），（Ｂ）に示した接合装置８０を用いることにより、表面活性化法によって高分子基板１１に実装される。
【００３８】
接合装置８０は真空容器８１を備えており、この真空容器８１には真空弁８２を介して真空排気を行う真空ポンプ８３が接続されている。真空容器８１内の天井面には、例えば駆動ＩＣチップ７０を載置する基板ホルダ８４ａが設けられ、真空容器８１の底面には、この基板ホルダ８４ａに対向するように例えば高分子基板１１を載置する基板ホルダ８４ｂが設けられている。ここでは、基板ホルダ８４ａには、接合バンプ７１および接合補強パッド７２が形成された接合面を下向きにして駆動ＩＣチップ７０が載置され、基板ホルダ８４ｂには、高分子基板１１が駆動ＩＣチップ７０に接合される接合面を上向きにして載置される。なお、基板ホルダ８４ａに高分子基板１１を載置し、基板ホルダ８４ｂに駆動ＩＣチップ７０を載置するようにしてもよい。また、基板ホルダ８４ａには、複数個の駆動ＩＣチップ７０を載置するようにしてもよい。
【００３９】
基板ホルダ８４ａには、駆動棒８５を介して真空容器８１の外部に設置された駆動手段が接続されており、この駆動手段を用いて基板ホルダ８４ａを下方に移動させることにより、駆動ＩＣチップ７０を高分子基板１１に密着させることができる。また、基板ホルダ８４ａには、真空容器８１の外部に設置された加圧手段が接続されている。この加圧手段を用いて、基板ホルダ８４ａに所定の圧力を加えることにより、駆動ＩＣチップ７０と高分子基板１１とを接合させることができる。なお、駆動棒８５にはベローズなどの真空シール８６が設けられている。
【００４０】
また、真空容器８１内の右側面にはイオン源８７ａが配設されている。このイオン源８７ａには外部に設置されたガス供給手段が接続されており、このガス供給手段によりイオン源８７ａに不活性ガス、例えばアルゴン（Ａｒ）ガスが供給される。このガス供給手段からイオン源８７ａにアルゴンガスが供給されることによって、基板ホルダ８４ａに載置される駆動ＩＣチップ７０の接合面が活性化される。真空容器８１内の左側面にはイオン源８７ｂが配設されている。このイオン源８７ｂには、外部に設置されたガス供給手段が接続されており、このガス供給手段によりイオン源８７ｂに不活性ガス、例えばアルゴンガスが供給される。このガス供給手段からイオン源８７ｂにアルゴンガスが供給されることによって、基板ホルダ８４ｂに載置される高分子基板１１の接合面が活性化される。
【００４１】
このように構成される接合装置８０を用いることによって、駆動ＩＣチップ７０を高分子基板１１に実装することができる。まず、図１１（Ａ）に示したように、基板ホルダ８４ａに、接合バンプ７１および接合補強パッド７２が形成された接合面を下向きにして駆動ＩＣチップ７０を載置し、基板ホルダ８４ｂに、接合面を上向きにして高分子基板１１を載置した状態にする。
【００４２】
次に、真空ポンプ８３によって所定の圧力に達するまで真空容器８１内の真空排気を行った後、ガス供給手段によってイオン源８７ａにアルゴンガスを供給し、このイオン源８７ａから駆動ＩＣチップ７０の接合面にイオンビームを照射することにより、駆動ＩＣチップ７０に形成された接合バンプ７１および接合補強パッド７２のそれぞれの表面を活性化させる。他方、ガス供給手段によってイオン源８７ｂにアルゴンガスを供給し、このイオン源８７ｂから高分子基板１１の接合面にイオンビームを照射することにより、高分子基板１１の接合面を活性化させる。
【００４３】
続いて、図１１（Ｂ）に示したように、真空容器８１の内部の真空を保った状態でガス供給を停止し、イオン源８７ａから駆動ＩＣチップ７０へのイオンビーム照射、イオン源８７ｂから高分子基板１１へのイオンビーム照射を停止する。
次いで、基板ホルダ８４ａを駆動手段によって下降させ、駆動ＩＣチップ７０と高分子基板１１とを密着させる。最後に、加圧手段を用いて、基板ホルダ８４ａに所定の圧力を加えることにより、駆動ＩＣチップ７０と高分子基板１１とを接合させる。
【００４４】
このように、駆動ＩＣチップ７０において、高分子基板１１と接合される接合面のうちの接合バンプ７１が形成されていない領域に接合補強パッド７２を選択的に形成するようにしたので、駆動ＩＣチップ７０と高分子基板１１との接合強度を十分に確保することができる。従って、アンダーフィルが不要となり、また、これによって接合バンプ７１の狭ピッチ化に対応することが可能となる。その結果、フレキシブル性を有する超高精細型の装置の実現が可能となる。
【００４５】
なお、高分子基板１１の接合面のうち駆動ＩＣチップ７０と接合される領域にも同様に、接合バンプおよび接合補強パッドを設けるようにしてもよい。このとき、高分子基板１１の接合補強パッドは　駆動ＩＣチップ７０に設けられる接合補強パッド７２と同じ形状でなくてもよい。具体的には、高分子基板１１の接合面のうち駆動ＩＣチップ７０が接合される領域において、これらのパッドが形成されている最外周より外側には接合バンプが形成されないので、接合補強パッドをより外側に形成することができる。
【００４６】
更に、本変形例ではイオンビームを用いて高分子基板１１および駆動ＩＣチップ７０のそれぞれの接合面を活性化することによって接合を行うようにしたが、他の表面活性化手法を用いて接合を行うようにしてもよい。加えて、表面活性化方法によって駆動ＩＣチップ７０を高分子基板１１に接合するようにしたが、表面活性化方法以外の手法、例えば超音波接合法を用いて接合するようにしてもよい。
【００４７】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では駆動ＩＣチップ４１，４２をＸ方向，Ｙ方向のそれぞれに実装したが、Ｘ方向，Ｙ方向のうちの一方向のみに駆動ＩＣチップを実装するようにしてもよい。
【００４８】
また、本発明の表示装置として単純マトリックス駆動方式の液晶表示装置１０を具体例に挙げて説明したが、本発明は、他の表示装置についても適用することができる。例えば、表示部２０において、表示ライン２１，２２の交点部である各画素ごとに、例えば薄膜トランジスタなどのスイッチング素子と必要に応じてキャパシタ素子が設けられたアクティブマトリックス駆動方式の液晶表示装置や、各画素毎に有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　）素子が配列された有機ＥＬ表示装置などに適用することができる。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の表示装置によれば、高分子基板の上に複数の駆動ＩＣチップを配置し、多数の表示ラインを複数の組に分割して駆動させるようにしたので、駆動ＩＣチップを分散して配置することができ、高分子基板が本来有しているフレキシブル性を有効に利用することができる。また、高分子基板と駆動ＩＣチップとの間での大きな位置ずれや残留応力の発生を防止することができ、その結果、高分子基板の上への駆動ＩＣチップのベアチップ実装の容易化を図ることができ、高分子基板と駆動ＩＣチップとの接合信頼性の向上および歩留りの向上を図ることが可能となる。更には、駆動ＩＣチップを高分子基板に接続するためにＴＡＢやＦＰＣのような中間部材を用いなくてもよいので、装置の小型化、装置の軽量化、装置の周辺部の省スペース化を図ることが可能となり、また、その結果、コストを低減させることができる。
【００５０】
特に、請求項３記載の表示装置によれば、駆動ＩＣチップの厚みが、２５μｍ以上１００μｍ以下の範囲内であるので、更に全体にわたってフレキシブル性を有する装置を実現することが可能となる。
【００５１】
また、請求項４記載の表示装置によれば、表示部の、対向する一対の辺のそれぞれの近傍に複数の駆動ＩＣチップが千鳥格子状に配置されるようにしたので、フレキシブル性を有する装置、特にフレキシブル性を有する超高精細型の装置の実現が可能となる。
【００５２】
また、請求項５記載の表示装置によれば、複数の制御ＩＣチップ、通信ＩＣチップ、および電子部品のうちの少なくとも１つが、表示部の周囲のうちの、複数の駆動ＩＣチップが形成されていない領域に更に設けられるようにしたので、これらのＩＣや電子部品を搭載し、高分子基板に接続するための外部部品の数が少なくなることにより、装置の小型化、装置の軽量化、装置の周辺部の省スペース化を更に図ることが可能となり、また、その結果、更にコストを低減させることができる。
【００５３】
また、請求項６記載の表示装置によれば、駆動ＩＣチップにおいて、高分子基板と接合される接合面のうちの接合パッドが形成されていない領域に接合補強パッドが選択的に形成されるようにしたので、駆動ＩＣチップと高分子基板との接合強度を十分に確保することができる。従って、駆動ＩＣチップと高分子基板との間にアンダーフィル等の接着剤を用いる必要がなくなり、また、これによって接合パッドの狭ピッチ化を図ることができる。その結果、フレキシブル性を有する装置、特にフレキシブル性を有する超高精細型の装置の実現が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る表示装置の概略構成図である。
【図２】図１に示した表示装置の一部分を拡大した図である。
【図３】図１に示した表示装置の概略断面図である。
【図４】従来の表示装置の駆動ＩＣチップと表示ラインとの関係を表すものである。
【図５】図１に示した表示装置の駆動ＩＣチップと表示ラインとの関係を表すものである。
【図６】図１に示した表示装置の変形例である。
【図７】図１に示した表示装置の変形例である。
【図８】図１に示した表示装置の変形例である。
【図９】従来の駆動ＩＣチップの接合面の概略平面図である。
【図１０】駆動ＩＣチップの接合面の変形例の一部分を拡大した概略平面図である。
【図１１】図１０に示した駆動ＩＣチップを高分子基板に接合するときに用いる接合装置の概略構成図である。
【図１２】従来の表示装置を説明するための概略構成図である。
【図１３】従来の表示装置を説明するための概略構成図である。
【図１４】従来の表示装置を説明するための概略構成図である。
【符号の説明】
１０・・・　液晶表示装置、１１・・・　高分子基板、１１Ａ・・・　実装領域、１１Ｂ・・・　非実装領域、１２・・・　ＦＰＣ、１３・・・　ＡＣＦフィルム、２０・・・　表示部、２１，２２・・・　表示ライン、３１，３２，５１，５２・・・　配線、４１，４１Ａ，　４２，７０・・・　駆動ＩＣチップ、６１・・・　電源部、６２・・・　素子部、７１・・・　接合バンプ、７２・・・　接合補強パッド、８０・・・　接合装置、８１・・・　真空容器、８２・・・　真空弁、８３・・・　真空ポンプ、８４ａ，８４ｂ・・・　基板ホルダ、８５・・・　駆動棒、８６・・・　真空シール、８７ａ，８７ｂ・・・　イオン源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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