(57)【要約】【課題】化合物半導体ウェハ裏面のポリッシング加工が不要で、割れにくくなるように裏面の強度を上げ、かつ化合物半導体ウェハの表面と化合物半導体ウェハの裏面が容易に識別可能な化合物半導体ウェハ及びその加工方法を提供する。【解決手段】化合物半導体ウェハ１が、加工ダメージの無い鏡面の化合物半導体ウェハ表面３と、ラッピング，研削，切断等の機械加工後にエッチングされた化合物半導体ウェハ裏面４とからなる。化合物半導体ウェハ裏面４は強度が増すようにエッチングされ、表面の強度の１／５より大きな強度、好ましくはおおよそ１／２以上であって、かつ、化合物半導体ウェハ表面３と化合物半導体ウェハ裏面４とが識別可能である。化合物半導体ウェハ１を低コストで提供できる。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工ダメージの無い鏡面の化合物半導体ウェハ表面と、
エッチングされた化合物半導体ウェハ裏面と、を備え、
該化合物半導体ウェハ裏面は、上記化合物半導体ウェハ表面の強度の１／５より大きな強度であり、かつ、
上記化合物半導体ウェハ表面と上記化合物半導体ウェハ裏面とが識別可能であることを特徴とする、化合物半導体ウェハ。
【請求項２】
前記化合物半導体ウェハ裏面の強度は、前記化合物半導体ウェハ表面の強度のおおよそ１／２以上であることを特徴とする、請求項１に記載の化合物半導体ウェハ。
【請求項３】
前記化合物半導体は、ＧａＡｓ、または、ＩｎＰであることを特徴とする、請求項１または２に記載の化合物半導体化合物半導体ウェハ。
【請求項４】
化合物半導体ウェハ表面が加工ダメージの無い鏡面に加工される工程と、化合物半導体ウェハ裏面の強度を増すためにエッチングされる工程と、からなり、
上記化合物半導体ウェハ裏面が上記化合物半導体ウェハ表面と識別可能となるように上記化合物半導体ウェハ裏面がエッチングされることを特徴とする、化合物半導体ウェハの加工方法。
【請求項５】
前記化合物半導体ウェハ裏面の強度が、前記化合物半導体ウェハの加工ダメージの無い鏡面に加工された表面の強度のおおよそ１／２以上となるように前記化合物半導体ウェハの裏面がエッチングされることを特徴とする、請求項４に記載の化合物半導体ウェハの加工方法。
【請求項６】
前記化合物半導体ウェハ裏面のエッチングに用いるエッチング液は、アンモニア及び過酸化水素、硝酸、または、塩酸の何れか１つを含むことを特徴とする、請求項４または５に記載の化合物半導体ウェハの加工方法。
【請求項７】
前記化合物半導体ウェハは、ＧａＡｓ、または、ＩｎＰであることを特徴とする、請求項４〜６の何れかに記載の化合物半導体ウェハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、化合物半導体ウェハ及びその加工方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の化合物半導体ウェハは、インゴットから次のようにして加工される。インゴットは、始めに円筒状に研削加工される。次に円形を有するインゴットでは、面の方向が分からないので、面の方向を表すための切欠きであるオリエンテーションフラットを形成するために、オリエンテーションフラット研削を行うことがある。
研削されたインゴットは、内周刃スライサーやワイヤソー等の切断装置によって、円板状の化合物半導体ウェハに切断される。この切断された化合物半導体ウェハは、円周端面の角度を調整する面取り加工（ベベリング）を施された後、ラッピングや研削により、表面及び裏面が加工される。なお、切断後のラッピングや研削加工は、化合物半導体ウェハの仕様によっては省略されることがある。
【０００３】
さらに、機械加工により生じた表面の汚れや化合物半導体ウェハのそりを除去するためにエッチングが施される。この時のエッチング深さは、材料ロスを少なくするために、機械加工により生じた汚れや化合物半導体ウェハのそりが除去できる最低限度の深さを考慮して決定され、所謂浅いエッチングである。
その後、化合物半導体ウェハの表面をポリッシングして鏡面に加工し、その化合物半導体ウェハを洗浄処理することにより、表面が鏡面の化合物半導体ウェハを得ている。
また、化合物半導体ウェハの裏面も鏡面に加工する場合には、半導体装置を形成する表面に傷がつくことを防ぐために、先に裏面をポリッシングして鏡面加工を行い、最後に表面をポリッシングして鏡面に加工する。または、化合物半導体ウェハの表面と裏面を同時にポリッシングして鏡面に加工する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記の従来の化合物半導体ウェハや化合物半導体ウェハの加工方法においては、以下のような課題がある。
（１）ラッピングや研削等の機械加工を行った化合物半導体ウェハの裏面に、機械加工により生じた汚れや化合物半導体ウェハのそりが除去できる最低限度の深さのエッチングを施した化合物半導体ウェハでは、裏面を加工ダメージの無い鏡面に仕上げた化合物半導体ウェハと比較して、裏面側の強度が１／５以下と低くなる。
このために、裏面の強度が低い化合物半導体ウェハを使用して半導体素子を製造する際に、化合物半導体ウェハの破損が発生しやすく、半導体素子製造の際の歩留まりが低下するという課題がある。
【０００５】
（２）化合物半導体ウェハの裏面側の強度を高めるためには、裏面を平坦で加工ダメージが少ない鏡面とすることが有効であるとされている。
しかしながら、化合物半導体ウェハ裏面も鏡面に加工した化合物半導体ウェハでは、ポリッシング工程が１工程増えるために、化合物半導体ウェハの加工コストが高くなるという課題がある。
【０００６】
図９は鏡面加工されたＧａＡｓウェハ表面の光学顕微鏡写真を示す図である。倍率は２０倍である。また、図１０は鏡面加工されたＧａＡｓウェハ裏面の光学顕微鏡写真を示す図である。倍率は図９と同じ２０倍である。このような鏡面加工された化合物半導体ウェハの表面と裏面は、通常の光学顕微鏡や蛍光灯下の目視で観察しても、化合物半導体ウェハの表面と裏面との区別が困難である。
【０００７】
また、両面が鏡面加工された化合物半導体ウェハを使用する化合物半導体装置の製造工程において、工程毎にウェハの表面と裏面の区別をつけるために時間が余計にかかり、コストが増大するという課題もある。
【０００８】
本発明は、以上の点に鑑みて、化合物半導体ウェハ裏面に対してのポリッシング加工が不要で、化合物半導体ウェハ裏面が割れにくく、かつ化合物半導体ウェハの表面と化合物半導体ウェハの裏面とが容易に識別可能となる新規な化合物半導体ウェハ及びその加工方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の化合物半導体ウェハは、加工ダメージの無い鏡面の化合物半導体ウェハ表面と、エッチングされた化合物半導体ウェハ裏面と、を備え、化合物半導体ウェハ裏面は、上記化合物半導体ウェハ表面の強度の１／５より大きな強度であり、かつ、化合物半導体ウェハ表面と化合物半導体ウェハ裏面とが識別可能であることを特徴とする。
この構成によれば、化合物半導体ウェハの裏面の強度が増し、割れにくい。また、化合物半導体ウェハ表面と化合物半導体ウェハ裏面とが、容易に識別可能となる。
また、化合物半導体ウェハ裏面の強度は、化合物半導体ウェハ表面の強度のおおよそ１／２以上であることが好ましい。また、化合物半導体はＧａＡｓまたはＩｎＰなどのように、Ｓｉに比べて割れ易い材料であれば好適である。
【００１０】
さらに、本発明の化合物半導体ウェハの加工方法は、化合物半導体ウェハ表面が加工ダメージの無い鏡面に加工される工程と、化合物半導体ウェハ裏面の強度を増すためにエッチングされる工程と、からなり、化合物半導体ウェハ裏面が化合物半導体ウェハ表面と識別可能となるように化合物半導体ウェハ裏面がエッチングされることを特徴とする。
上記構成において、化合物半導体ウェハ裏面の強度は、化合物半導体ウェハの加工ダメージの無い鏡面に加工された表面の強度のおおよそ１／２以上となるように化合物半導体ウェハの裏面がエッチングされることが好ましい。
また、化合物半導体ウェハ裏面のエッチングに使用されるエッチング液は、アンモニア及び過酸化水素、硝酸、および、塩酸の何れか１つを含むものであることが好適である。また、化合物半導体ウェハは、ＧａＡｓ、または、ＩｎＰであれば好適である。
この構成によれば、割れにくく、かつ、化合物半導体ウェハの表面とその裏面とが識別でき、低コストで、精度良く加工することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による化合物半導体ウェハ及びその加工方法の実施の形態を図面により詳細に説明する。
図１は本発明による化合物半導体ウェハの構造を示す図である。図１（ａ）は化合物半導体ウェハの平面図であり、図１（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。
この化合物半導体ウェハ１の表面３は、加工ダメージの無い鏡面であり、また、化合物半導体ウェハの裏面４は、強度が増すようにエッチングされた面であることを特徴としている。
化合物半導体ウェハは、例えば円形化合物半導体ウェハの場合には、面の方向を表すための切欠きであるオリエンテーションフラット２を有していても良い。ここで、加工ダメージの無い鏡面とは、光学顕微鏡下で傷やピット等が認められない鏡面である。
【００１２】
次に、本発明による化合物半導体ウェハの加工方法の実施の形態を図面により説明する。
図２は本発明による化合物半導体ウェハの加工方法を示すフロー図である。図２（ａ）に示すように、化合物半導体のインゴットの端面カットを行う。
次に、図２（ｂ）に示すように、インゴットの外周が、所望の直径となる寸法まで研削する。
【００１３】
そして、図２（ｃ）に示すように、円形の化合物半導体ウェハでは、面の方向を表すための切欠きであるオリエンテーションフラットを形成するためのオリエンテーションフラット研削を行う。化合物半導体ウェハの使用方法によっては、このオリエンテーションフラット研削は省略してもよい。
【００１４】
次に、図２（ｄ）に示すように内周刃スライサーやワイヤソー等の切断装置によって、所望の厚さの円板状の化合物半導体ウェハに切断する。
ここで使用するインゴットは、液体封止法によるＣＺ法（ＬＥＣ法）、水平ブリッジマン法（ＨＢ法や、ＧＦ法）、垂直ブリッジマン法（ＶＢ法や、ＶＧＦ法）により結晶成長したインゴットを用いることができる。
【００１５】
スライスされた化合物半導体ウェハの円周端面は、角張っており、以降の工程における割れや欠けの原因となり好ましくない。
ここで、図２（ｅ）で示すように、円周端面の角張りを無くすために、スライスされた化合物半導体ウェハの円周端面の角度を調整する面取りを面取り装置により行う。
【００１６】
次に、図２（ｆ）に示されるように、スライスされた化合物半導体ウェハの表面のラッピングを、アルミナ等の砥粒により行う。この工程は、切断された化合物半導体ウェハのソーマークの除去や厚さむらを低減するための最初の粗研磨である。この工程は、化合物半導体ウェハの両面について行うことが望ましい。
【００１７】
その後、図２（ｇ）に示すように、化合物半導体ウェハの表面と裏面の深いエッチングを行う。
ここまでの、化合物半導体ウェハの機械加工により生じた表面の汚れや化合物半導体ウェハのそりを除去し、さらに、化合物半導体ウェハの裏面の強度を増すために化合物半導体ウェハの表面と裏面を同時に、深いエッチングを施す。
ここで、深いエッチングとは、化合物半導体ウェハの機械加工により生じた表面の汚れや化合物半導体ウェハのそりを除去するための、従来の例えば、４μｍといった浅いエッチングと区別される、ウェハ裏面の強度がダメージの無い鏡面の強度と比較しておおよそ１／２以上になるエッチング深さを有するエッチングである。
【００１８】
このように、機械加工後の化合物半導体ウェハを、適切なエッチング液を使用して、エッチング深さがおおよそ１０μｍから３０μｍのエッチングをする際に化合物半導体ウェハの強度が増し、かつ、このエッチング面が鏡面と区別されるようにエッチング量を調整する。
【００１９】
ここで、使用するエッチング液の例として、ＧａＡｓでは、鏡面が得られやすい硫酸と過酸化水素を含む水溶液ではなく、鏡面とならないアンモニア及び過酸化水素を含む水溶液が好適である。また、ＩｎＰでは、硝酸及び塩酸を含む水溶液が好適である。
これにより、化合物半導体ウェハの機械加工後に、エッチングされた化合物半導体ウェハの裏面４の表面状態は、容易に鏡面と識別できる状態となる。
【００２０】
次に、図２（ｈ）に示すように化合物半導体ウェハの表面のポリッシングを行い鏡面とする。
【００２１】
最後に、図２（ｉ）に示すように、　洗浄を行うことによって化合物半導体ウェハ１の加工が終了する。
これにより、化合物半導体ウェハの機械加工後に、エッチングされた化合物半導体ウェハの裏面４の表面状態は、容易に化合物半導体ウェハの鏡面である表面と識別できる状態となる。
【００２２】
次に、本発明の化合物半導体ウェハの裏面のエッチング面の強度を説明する。始めに、強度測定方法について説明する。図３及び図４は、化合物半導体ウェハの強度測定装置の構成を示す図である。図において、化合物半導体ウェハ強度測定装置１０は、ステージ１１に固定されているハイトゲージ１２に、フォースゲージ１３が図の矢印のＺ方向に上下できるように取り付けられている。フォースゲージ１３の先端には、プッシングロッド１４が装着されていて、化合物半導体ウェハ１５に荷重をかける。
【００２３】
図４は、プッシングロッド１４と、化合物半導体ウェハ１５の配置を示すＸ方向から見た拡大図である。
化合物半導体ウェハ１５は、化合物半導体ウェハホルダー１６により保持されている。化合物半導体ウェハ１５は、その円周の外側部分の距離Ｌだけで化合物半導体ウェハホルダー１６に接触し、そのほぼ中央部が、プッシングロッド１４により手動で荷重が印加されるようになっている。
【００２４】
図示するように、プッシングロッド１４の先端部１４Ａは、半球形状（半径Ｒ）で、軸部１４Ｂは円柱形状（直径Ｄ）としている。ここで、例えば先端部１４ＡのＲは２．５ｍｍで、軸部のＤは５ｍｍである。
【００２５】
化合物半導体ウェハ裏面４側の強度を測定する場合には、化合物半導体ウェハの裏面４を下にして、化合物半導体ウェハホルダー１６上に化合物半導体ウェハ１５を置く。そして、化合物半導体ウェハ１５が破壊するまで、プッシングロッド１４を手動により押し込む。化合物半導体ウェハ１５が破壊した時点の荷重をフォースゲージ１３で読み取り、この荷重を化合物半導体ウェハの裏面の強度としている。
【００２６】
この化合物半導体ウェハ強度測定装置１０を用いて、従来の強度のある化合物半導体ウェハを測定した。化合物半導体ウェハは、ＧａＡｓの表面と裏面の両面を鏡面加工したものである。その厚さは３５０μｍで、直径は５０ｍｍである。この鏡面は、ポリッシュ加工により形成された鏡面にさらに、深さ３μｍのエッチングを行った表面であり所謂、加工ダメージの無い鏡面である。この加工ダメージの無いＧａＡｓウェハの鏡面の強度を測定した結果は、１５．０ｋｇであった。
【００２７】
図５は、本発明によるＧａＡｓウェハの裏面エッチング深さと化合物半導体ウェハ裏面側の強度との関係を示す図である。
図において、横軸は、ラッピング後のＧａＡｓウェハの裏面のエッチング深さ（μｍ）であり、縦軸が上記で説明した化合物半導体ウェハ強度測定装置１０を使用して測定したウェハ裏面の強度（ｋｇ）である。
このＧａＡｓウェハは、厚さ３５０μｍで、直径５０ｍｍの大きさを有し、その表面３が鏡面、この裏面４がラッピング加工後にエッチングされている。
図中の△印と、□印は、ラッピングに使用する砥粒の平均粒子径（累積高さ５０％点の粒子径）が、それぞれ、５．５±０．５μｍである＃１５００と、３．６±０．４μｍである＃３０００の場合を示している。
【００２８】
図に示すように、砥粒が＃１５００の場合のＧａＡｓウェハ裏面側の強度は、ウェハ裏面のエッチング深さを増すことにより大きくなる。約２０μｍのエッチング深さを有するＧａＡｓウェハ裏面側の強度は、約１５ｋｇとなり、それ以上のエッチング深さでは、ＧａＡｓウェハ裏面側の強度は飽和することが分かる。
【００２９】
また、砥粒が＃３０００の場合のＧａＡｓウェハ裏面側の強度は、ウェハ裏面のエッチング深さを増すことにより同様に大きくなることが分かる。
この場合には、約１６μｍのエッチング深さで約１５ｋｇとなり、それ以上のエッチング深さでは飽和し、ほぼ、ポリッシュにより鏡面としたＧａＡｓウェハの表面の最大強度と同程度の強度を有することが分かる。
【００３０】
図５の結果から、本発明の化合物半導体ウェハの加工方法において、裏面のエッチング深さをおおよそ２０μｍ以上とすれば、砥粒の種類によらずにＧａＡｓウェハの裏面４側の強度が、加工ダメージの無い鏡面と同等の強度を有することがわかる。
【００３１】
次に、図５で示した裏面が種々のエッチング深さを有するＧａＡｓウェハをＧａＡｓ発光素子等の半導体装置の製造工程で使用し、この各々の工程において必要なＧａＡｓウェハの強度を調べた。
ＧａＡｓウェハ裏面のエッチング深さは、ＧａＡｓウェハ裏面が加工ダメージの無い鏡面であるＧａＡｓウェハと比較して、ＧａＡｓウェハ裏面４側の強度が１／２以上となるように、エッチング深さを設定すればよいことが分かった。これは、他の化合物半導体ウェハでも同様な結果であった。
【００３２】
なお、ＧａＡｓウェハの裏面強度のエッチング深さに対する依存性は、上述したエッチング前のラッピングに使用する砥粒の粒径依存性のように、化合物半導体ウェハ裏面のエッチング前の機械加工の条件、化合物半導体ウェハの厚さ、直径等の形状、化合物半導体ウェハを構成する結晶、添加された不純物の種類や量等によっても変化する。
従って、所望の化合物半導体ウェハ裏面側の強度を得るために必要なエッチング深さは、図５に示したように化合物半導体ウェハ裏面側のエッチング深さと化合物半導体ウェハ裏面側の強度の関係を、製造しようとする化合物半導体ウェハと同一条件として調べることが好ましい。
【００３３】
このように、本発明の化合物物半導体ウェハ及びその加工方法によれば、化合物半導体ウェハの裏面が加工ダメージのない鏡面である場合の強度と比較して、同等の強度が得られる。
また、化合物半導体ウェハ裏面に対してのポリッシング加工が不要となり、工程が簡略化できる。
さらに、この化合物半導体ウェハを化合物半導体装置に使用したときに、製造工程において化合物半導体ウェハの表面と裏面の識別が容易であるので特別な検査が不要となる。また、化合物半導体ウェハが割れにくくなり、歩留まりが向上する。
【００３４】
以上説明してきた化合物半導体ウェハ及びその加工方法についての実施例と比較例について述べる。
（実施例１）
化合物半導体ウェハとしてＧａＡｓを使用し、その裏面をアルミナの粒度＃１５００の砥粒を使用しラッピング加工した。その後に、市販のアンモニア水１０％及び市販の過酸化水素水２０％を含有した水溶液を用いてエッチングした。
ここでは、ラッピング後の裏面のエッチング深さを裏面側の強度が７．５ｋｇ以上となるように、市販のアンモニア水１０％及び市販の過酸化水素水２０％を含有した水溶液を用いて、ＧａＡｓウェハの裏面を１１μｍエッチングした。また、ＧａＡｓウェハの表面は、ポリッシングにより鏡面加工した。
このようにして、表面が鏡面、裏面がラッピング加工後エッチングされた厚さ３５０μｍ、直径５０ｍｍのＧａＡｓウェハ１を加工した。
【００３５】
このＧａＡｓウェハ１について裏面４側の強度を測定した結果は、８．７ｋｇであった。このＧａＡｓウェハの裏面４の外観は、ＧａＡｓウェハの表面３の鏡面とは明らかに異なり、光学顕微鏡観察と、蛍光灯下の目視によりＧａＡｓウェハの表面３とＧａＡｓウェハの裏面４の判別が容易にできた。
【００３６】
（実施例２）
ラッピング加工に使用する砥粒を＃３０００、ラッピング後の裏面のエッチング深さを９μｍとした以外は、実施例１と同様の方法で、表面が鏡面、裏面がラッピング加工後にエッチングされた厚さ３５０μｍ、直径５０ｍｍとなるようにＧａＡｓウェハを加工し、裏面側の強度を測定した。その結果は、ＧａＡｓウェハ１の裏面４の強度は、９．０ｋｇであった。
このＧａＡｓウェハの裏面４の外観は、ＧａＡｓウェハの表面３の鏡面とは明らかに異なり、光学顕微鏡観察と蛍光灯下の目視によりＧａＡｓウェハの表面３とＧａＡｓウェハの裏面４の判別が容易にできた。
【００３７】
（実施例３）
裏面側の強度が１４ｋｇ以上となるように、ラッピング後の裏面のエッチング深さを２０μｍとした以外は、実施例１と同様の方法で、表面が鏡面、裏面がラッピング加工後にエッチングされ厚さ３５０μｍ、直径５０ｍｍとなるようにＧａＡｓウェハを加工し、ＧａＡｓウェハ裏面４側の強度を測定した。
このＧａＡｓウェハ１の裏面４の強度は１４．６ｋｇであった。
【００３８】
図６は、ＧａＡｓウェハ裏面のエッチング深さを２０μｍとした裏面の光学顕微鏡写真を示す図である。倍率は２０倍ある。ここで、図７は、寸法を示す光学顕微鏡写真を示す図である。倍率は２０倍であり、線間隔が１０μｍである。このＧａＡｓの表面の鏡面状態は、図９と同様である。
従って、図６に示されるＧａＡｓウェハの裏面４と、ＧａＡｓウェハの表面３の鏡面（図９参照）とは明らかに異なることが分かる。また、蛍光灯下の目視により、ＧａＡｓウェハの表面３とＧａＡｓウェハの裏面４との判別が容易にできた。
【００３９】
（比較例１）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ラッピング後の裏面のエッチング深さを、そりを十分低減できる深さの４μｍとした以外は、実施例１と同様の方法で、表面が鏡面、裏面がラッピング加工後エッチングされた厚さ３５０μｍ、直径５０ｍｍとなるようにＧａＡｓウェハを加工した。
図８は、ＧａＡｓウェハ裏面のエッチング深さを４μｍとした裏面の光学顕微鏡写真を示す図である。倍率は２０倍である。この場合には、光学顕微鏡と目視によりＧａＡｓウェハの表面と裏面とは識別可能である。
しかし、ＧａＡｓ裏面側の強度は、１．５ｋｇであった。これは、実施例１と実施例２の場合と比較して、裏面の強度は１／５以下であり、割れやすい。強度が低いのは、ラッピング等により導入されたダメージ層が十分に除去されないことによると推定される。
従って、この比較例では、エッチングが４μｍと浅いので、ＧａＡｓウェハの表面と裏面とは識別可能であるが、ウェハ裏面の強度は、実施例の場合と比較して１／５以下と低かった。
【００４０】
（比較例２）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　裏面をポリッシュ加工により、鏡面に加工した以外は、実施例１と同様の方法で、厚さ３５０μｍ、直径５０ｍｍのＧａＡｓウェハを製造し、裏面側の強度を測定した。その結果は、１４．８ｋｇであった。
このＧａＡｓウェハの表面と裏面は、鏡面であり、図９と図１０に示すように通常の光学顕微鏡観察では判別困難で、特別な検査である微分干渉法によらないと判別できない。また、蛍光灯下の目視によっても、ＧａＡｓウェハの表面と裏面の判別は困難であった。
従って、この比較例では、ウェーハ裏面の強度があるものの、ＧａＡｓウェーハの表面と裏面の識別は、蛍光灯下の目視では、困難である。
【００４１】
本発明は上記実施例に限定されることなく、特許請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々の変形が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれることはいうまでもない。例えば、上記実施の形態では、主としてＧａＡｓや、ＩｎＰについて説明したが、これに限らず、ＧａＰなどの他の化合物半導体にも適用し得ることは勿論である。
【００４２】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、裏面に対してポリッシング加工が不要であるので低コストであり、かつ割れにくく、また化合物半導体ウェハの表面とその裏面が容易に識別可能である化合物半導体ウェハ及びその加工方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の化合物半導体ウェハの構造を示す図である。
【図２】本発明による化合物半導体ウェハの加工方法を示すフロー図である。
【図３】化合物半導体ウェハの強度測定装置の構成を示す図である。
【図４】化合物半導体ウェハの強度測定装置の構成を示す拡大図である。
【図５】ラッピング後の裏面エッチング深さと化合物半導体ウェハ裏面側強度の関係を示す図である。
【図６】ＧａＡｓウェハ裏面のエッチング深さを２０μｍとした裏面の光学顕微鏡写真を示す図である。
【図７】寸法を示す光学顕微鏡写真を示す図である。
【図８】ＧａＡｓウェハ裏面のエッチング深さを４μｍとした裏面の光学顕微鏡写真を示す図である。
【図９】鏡面加工されたＧａＡｓウェハ表面の光学顕微鏡写真を示す図である。
【図１０】鏡面加工されたＧａＡｓウェハ裏面の光学顕微鏡写真を示す図である。
【符号の説明】
１　　化合物半導体ウェハ
２　　オリエンテーションフラット
３　　化合物半導体ウェハの表面
４　　化合物半導体ウェハの裏面
１０　　化合物半導体ウェハ強度測定装置
１１　　ステージ
１２　　ハイトゲージ
１３　　フォースゲージ
１４　　プッシングロッド
１５　　化合物半導体ウェハ
１６　　化合物半導体ウェハホルダー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004043257.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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