(57)【要約】  【課題】耐薬品性、寸法安定性に優れ、特に線幅が５０μｍ以下の微細配線を含む回路の転写安定性に優れた配線基板用転写シートを容易にかつ低コストで得ることができる。  【解決手段】樹脂フィルム等の支持体上に、硬化したシリコーン樹脂層、金属箔をこの順に積層したことを特徴とする配線基板形成用転写シートであり、前記支持体のＭＤ方向、ＴＤ方向の少なくとも一方における１００℃、１時間加熱後の収縮率Ｘが０．０５％＜Ｘ＜０．５％であることを特徴とする配線基板形成用転写シート。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に、硬化したシリコーン樹脂層、金属箔を有する配線基板形成用転写シートであって、前記支持体のＭＤ方向、ＴＤ方向の少なくとも一方における１００℃、１時間加熱後の収縮率Ｘが０．０５％＜Ｘ＜０．５％であることを特徴とする配線基板形成用転写シート。
【請求項２】
支持体が、厚み１μｍ以上４００μｍ以下の樹脂フィルムからなることを特徴とする請求項１記載の配線基板形成用転写シート。
【請求項３】
金属箔の厚みが１μｍ以上４０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の配線基板形成用転写シート。
【請求項４】
支持体が樹脂フィルムであり、該樹脂フィルム表面が低温プラズマ処理されていることを特徴とする請求項１記載の配線基板形成用転写シート。
【請求項５】
支持体表面にプライマー層を設けたことを特徴とする請求項１記載の配線基板形成用転写シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板形成用転写シートに関するものであり、さらに詳しくは金属箔との粘着力が長期安定で耐薬品性に優れ、かつ優れた寸法安定性を有し、回路幅が５０μｍ以下の微細配線にも適用でき、保存安定性に優れた配線基板形成用転写シートに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、高密度配線基板、例えば、半導体素子を収納するパッケージに使用される高密度多層配線基板として、セラミック配線基板が多用されている。
【０００３】
このセラミック配線基板は、アルミナなどの絶縁性基板上に、タングステンやモリブデンなどの高融点金属からなる配線導体を形成したものであり、この絶縁性基板の一部に凹部が形成されており、この凹部内に半導体素子を収納し、適当な蓋体によって凹部を気密に封止してパッケージとするものである。
【０００４】
ところが、このようなセラミック多層配線基板の絶縁基板を構成するセラミックスは、硬くて脆いため、製造工程または搬送工程において、セラミックの欠けや割れが発生しやすく、半導体素子の気密封止性が損なわれるために歩留まりが低いなどの問題があった。また、多層セラミック配線基板においては、焼結前のグリーンシートにメタライズインクを印刷して、印刷後のシートを積層して焼結させて製造されるが、その製造工程において、高温での焼成により焼成収縮が生じるために、得られた基板に反りなどの変形や寸法ばらつき等が発生しやすい問題があり、回路基板の超高密度化や基板の平坦度の要求の厳しいフリップチップ等には十分に対応できないという問題があった。
【０００５】
これらの問題を改善する手段として 配線基板形成用転写シートを用いる方法（例えば特許文献１参照）が提案されている。この方法は、樹脂フィルムの上に光硬化型の粘着層を設けその上に金属層を張り付けた構成のものを利用するものであり、樹脂フィルム（厚み３５μｍのＰＥＴ）上に銅箔との初期接着力が１５０ｇ／２０ｍｍ〜４００ｇ／２０ｍｍを有する紫外線硬化型のアクリル系、エポキシ系の粘着剤で銅箔（厚み９μｍ、１２μｍ）を積層し、フォトレジストを銅箔上に塗布・乾燥後所定のマスクを介し露光現像し微細なパターン導体回路を銅箔に形成し、転写シートとした後に銅箔側から紫外線を照射し、粘着層露出部分の粘着剤を硬化させ接着力を低下させる。この転写シートの回路形成側に有機樹脂絶縁シートを重ね合わせ加熱・加圧積層する。その後ＰＥＴフィルム側から紫外線を照射し、導体回路形成部分の粘着力をゼロにし、次いでＰＥＴフィルムを引き剥がして配線基板とするというものである。これは、導体回路を絶縁基板に加熱転写する方法であり，絶縁基板が各種薬品と接触することがなく、絶縁基板の特性に影響がない点が優れている。
【０００６】
ところが、粘着剤が半硬化状、つまり未反応のため銅箔との接着力が徐々に変化し、使用に際し、その都度紫外線露光量を最適化し、さらには硬化条件の最適化もしなければならないなど使用上の問題がある。
【０００７】
さらに、実際には粘着剤自体の吸湿性が高い場合が多く、そのために配線回路を形成した転写シートを高湿度雰囲気化に曝すと、粘着層が吸湿して伸びるため転写シートがいびつに変形し、特に配線パターンが５０μｍ以下の微細配線になるとその配線がシートから剥がれたり、さらには耐薬品性が不十分で配線回路を形成する際にエッチング液等に浸浸した場合、粘着剤が膨潤しやすく、微細配線がシートから剥がれたり、金属箔からなる配線回路とシートの接着力が不均一となるなどの問題があった。その結果、このような転写シートを用いて、絶縁基板に配線回路を転写させた場合、転写後の配線回路に寸法誤差や転写不良（脱落）が生じる問題が発生する。
【０００８】
これらを解決する手段として、熱収縮率が極めて小さい樹脂フィルム、具体的には１００℃、１時間加熱後の収縮が０．０５％以下の樹脂フィルムを支持体として使用する案（例えば特許文献２参照）が提案されている。しかしながら該低熱収縮樹脂フィルムは、特殊な方法、たとえば高温で長時間の熱処理などによる加工が必要であったり、または高耐熱性の樹脂からなる、たとえばポリイミド樹脂や液晶フィルムなどからなる極めて高価な特殊なフィルムを使用しなければならなく、高コストになる問題がある。
【特許文献１】特開平１０−１７８２５５号公報（１〜４頁参照）
【特許文献２】特許第３０８５６４９号明細書（１〜４頁参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は従来技術の諸欠点を改良するために創案されたもので、本発明の目的は、上述した粘着剤の経日変化の問題や転写不良、寸法誤差、接着力不均一等の問題がなく、さらには耐薬品性に優れ、特に５０μｍ以下の微細配線パターンにも適用できる配線基板を低コストで安定して得られる配線基板形成用転写シートを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
すなわち発明の配線基板形成用転写シートは、支持体上に硬化したシリコーン樹脂層、金属箔をこの順に積層したことを特徴とする配線基板形成用転写シートであり、前記支持体のＭＤ方向、ＴＤ方向の少なくとも一方における１００℃１時間加熱後の収縮率Ｘが０．０５％＜Ｘ＜０．５％であることを特徴とする配線基板形成用転写シートである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、特に今後要求の高い５０μｍ以下の微細配線回路を有する基板を製造するに際し、回路パターンの転写不良、断線がなく寸法精度に優れ、特に平坦化の高精度が要求されるフリップ実装や高密度多層配線基板の一括硬化積層法に適用できる性能を有する配線基板用転写シートを容易な工程でかつ低コストで得ることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の配線基板形成用転写シートについてさらに具体的に説明する。本発明の配線基板形成用転写シートは、支持体上に、硬化したシリコーン樹脂層、金属箔を有し、好ましくはこの順に積層した構成であって、回路パターン形成後絶縁基板に直接転写し、支持体を剥がして使用することができる。そのため、従来法のように回路パターンを転写後に粘着層を反応硬化するための紫外線照射工程あるいは加熱工程等煩雑な行程が不要となる。
【００１３】
本発明で用いられる支持体としては、ＭＤ方向、ＴＤ方向の少なくとも一方における１００℃、１時間加熱後の収縮率Ｘが０．０５％＜Ｘ＜０．５％の範囲内であることを満足すればよく、特に限定されるものではない。また好ましくは０．０５％＜Ｘ＜０．４％、より好ましくは０．０５％＜Ｘ＜０．３５％である。ＭＤ方向、ＴＤ方向の両方の収縮率が上記の範囲を満たすことが、さらに好ましい。この範囲内であると支持体の収縮によりシリコーン樹脂層上に形成した回路パターンの転写性が飛躍的に向上する。前記数値範囲の下限値を下回ると支持体の材料が限定され選択幅が狭くなり不経済となるばかりでなく、配線基板形成用転写シートとして重要な回路の転写性が低下する。一方上限値を上回ると回路パターンの寸法誤差が大きくなり、いずれも好ましくない。
【００１４】
ここでＭＤ方向、ＴＤ方向とは、それぞれＭａｃｈｉｎｅ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ（機械方向）、Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ（横方向）のことである。
【００１５】
本発明でいう支持体の１００℃、１時間加熱後の収縮率は以下の方法により測定することができる。
１．図１に示すような１９０×２００ｍｍ（ＭＤ×ＴＤ）の試料を準備する。
２．準備した試料を２５℃×５０％ＲＨに調温、調湿した部屋に４時間以上放置する。
３．２５℃×５０％ＲＨに調温、調湿した部屋で熱処理前の試料４辺の長さを測定する。      
【００１６】
長さの測定は、例えばＣＮＣ画像測定システム、ＮＥＸＩＶ  ＶＭ−２５０（ニコンインステック製）形式  シングルコラム・ＸＹステージ型、透過型リニアエンコーダにより測定することができる。この測定においてフィルムの巻き癖などあると正確に長さ測定できないためフィルム上にガラス板を被せフィルムの浮きを押さえる。
４．目の粗い金網にフィルムをのせ、１００℃のオーブンに投入し１時間加熱処理する。
５．オーブンから試料を取り出し２５℃まで冷却後、２５℃×５０％ＲＨに調温、調湿した部屋で熱処理後の試料４辺の長さを測定する。
６．熱処理前後の寸法からＭＤ方向、ＴＤ方向の熱収縮率Ｘを下記式にて算出する。
【００１７】
ＭＤ方向収縮率（％）＝１００−｛（熱処理後（辺Ａ＋辺Ｂ）／熱処理前（辺Ａ＋辺Ｂ））×１００｝
支持体として例えば、アルミニウム、銅、ステンレス、鉄などの金属箔または紙、天然繊維、高分子繊維、布帛、高分子樹脂フィルムなどが目的に応じ用いられる。取り扱いの点から、樹脂フィルムからなる支持体が好ましい。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレートなどのポリエステル樹脂フィルム、ポリプロピレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリ塩化ビニル、ＰＥＮ（ポリエーテルニトリル）などのようなプラスチックフィルムないしはシート等公知のものが挙げられる。
【００１８】
支持体の厚みとしては、回路パターン形成後絶縁基板に直接転写し、支持体を剥がして使用することができるものであれば特に限定されないが、樹脂フィルムを支持体として用いた場合、厚み１μｍ以上４００μｍ以下が好ましい。より好ましくは厚み３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上である。またより好ましくは２００μｍ以下、さらに好ましくは厚み１００μｍ以下の樹脂フィルムである。なお、支持体の厚みが厚くなるほど回路パターンの転写性は低下する傾向にあることから、可能な限り薄い支持体を使用することが好ましい。
【００１９】
本発明の配線基板形成用転写シートにおいて、樹脂フィルム等の支持体と硬化したシリコーン樹脂層との接着力は重要であるので、好ましくは樹脂フィルムにシリコーン樹脂層を塗布する前に、樹脂フィルムとシリコーン樹脂層との十分な接着性を得るための表面処理が施されていることが好ましい。このような表面処理としては、低温プラズマ処理や支持体表面にプライマー層を設けることなどが挙げられる。
【００２０】
低温プラズマ処理とは、大気圧または真空下において電極間に直流または交流の高電圧を印加することによって開始持続する放電に、被処理材をさらすことによってなされる処理である。例えば公知のコロナ処理、グロー放電処理が挙げられ、特に限定されるものではない。ガスの種類、処理圧力、印加電圧、電源周波数、処理速度などのプラズマ処理条件は、プラズマ処理装置、接着剤の種類など目的に応じて適切に選択することができる。
【００２１】
本発明に用いられるプライマー層とは、樹脂フィルムとシリコーン樹脂層との接着力を向上させるものであればよく、特に限定されるものではない。プライマー層としては例えば、フェノール樹脂系、アクリル系、ポリアミド系、ポリエステル系、紫外線硬化樹脂系、ウレタン系などが好ましい。
【００２２】
また当然のことながら、プライマー層を設ける樹脂フィルム表面をあらかじめ上記低温プラズマ処理したものを用いても良い。
【００２３】
プライマー層の膜厚は、好ましくは０．１〜１００μｍ、より好ましくは０．２〜５０μｍ、更に好ましくは０．５〜１０μｍである。プライマー層が薄すぎると、塗布時にピンホールなどの欠点が生じやすくなり、また厚すぎると経済的に不利である。
【００２４】
本発明で用いられるシリコーン樹脂層を構成するシリコーン樹脂は、大別して以下の（１）と（２）の２種に分類される。
【００２５】
（１）縮合反応によって得られるシリコーン樹脂
このような縮合型シリコーンゴムを形成する方法としては、下記一般式［１］で示される繰り返し単位を有する分子量数千〜数十万の線状有機ポリシロキサンを架橋剤により架橋する方法が一般的である。
【００２６】
【化１】
2004319981.tif 000002
【００２７】
式中、ｎは２以上の整数、Ｒ1、Ｒ2は炭素数１〜５０の置換あるいは非置換のアルキル基、炭素数２〜５０の置換あるいは非置換のアルケニル基、炭素数４〜５０の置換あるいは非置換のアリール基の群から選ばれる少なくとも一種であり、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ1、Ｒ2の全体の４０％以下がビニル、フェニル、ハロゲン化ビニル、ハロゲン化フェニルであり、全体の６０％以上がメチル基であるものが好ましい。
【００２８】
このような線状有機ポリシロキサンは、有機過酸化物を添加して熱処理を施すことにより、さらに架橋したシリコーンゴムとすることもできる。このような線状有機ポリシロキサンは、通常以下の一般式［２］に示されるような架橋剤を添加することにより架橋させることができる。
【００２９】
【化２】
2004319981.tif 000003
【００３０】
式中、ｑは０〜２の整数であり、Ｒ3は アルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらの組み合わされた基を示し、それらはハロゲン原子、アミノ基、水酸基、アルコキシ基、アリールオキシ基、（メタ）アクリルオキシ基、チオール基などの官能基を置換基として有していてもよい。Ｚは水素原子、水酸基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ケトオキシム基、アミド基、アミノオキシ基、アミノ基、グリシジル基、メタクリル基、アリル基、ビニル基などを有するアセトキシシラン、ケトオキシムシラン、アルコキシシラン、アミノシラン、アミドシランなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００３１】
このような縮合型シリコーンゴムには、錫、亜鉛、鉛、カルシウム、マンガンなどの金属を含んだ化合物などを触媒として添加することは任意である。
【００３２】
（２）付加反応によって得られるシリコーンゴム
付加型シリコーンゴムを形成する方法としては、分子中に２個以上のエチレン性不飽和結合を有するポリシロキサン化合物と多価ハイドロジェンポリシロキサン化合物とを反応させる方法が一般的である。分子中に２個以上のエチレン性不飽和結合を有するポリシロキサン化合物としてはα，ω−ジビニルポリジメチルシロキサン、両末端メチル基の（メチルシロキサン）（ジメチルシロキサン）共重合体などが挙げられる。多価ハイドロジェンポリシロキサン化合物としては、α，ω−ジメチルポリメチルハイドロジェンシロキサン、両末端メチル基の（メチルポリメチルハイドロジェンシロキサン）（ジメチルシロキサン）共重合体などが挙げられる。
【００３３】
このような付加型シリコーンゴムには、白金単体、塩化白金、オレフィン配位白金などを触媒として添加する。
【００３４】
シリコーン樹脂層の膜厚は、通常０．５〜１００μｍ、好ましくは０．５〜１０μｍ、より好ましくは１〜５μｍである。シリコーン樹脂層が薄すぎる場合には、金属箔との密着性の不均一の問題を生じることがある。
【００３５】
なお、シリコーンゴム層の不溶化率は以下の方法で測定する。
【００３６】
厚さ０．２４ｍｍの脱脂したアルミ板上にシリコーンゴム溶液を塗布、１３０℃で３分間乾燥し不溶化率測定用のシリコーンゴム層サンプルを作製する。不溶化率測定用として１０×１０ｃｍに切り取り、初期重量（Ｓ）を測定する。測定溶媒に“アイソパーＥ”（イソパラフィン系炭化水素、エクソン化学（株）製）を用い、浸漬温度３０℃、浸漬時間３００秒にて、上記シリコーンゴム層サンプルを溶媒中に浸漬させ、浸漬後ガーゼを用いてシリコーンゴム層サンプルの表面を拭き取った後、重量（Ｔ）を測定する。残存したシリコーンゴム層を除去しアルミ板の重量（Ｕ）を測定し、下記一般式（ａ）により不溶化率（Ｙ）を算出する。
【００３７】
Ｙ＝（Ｔ−Ｕ）／（Ｓ−Ｕ）×１００    ・・・（ａ）
不溶化率は５０％以上が好ましい、より好ましくは７０％以上である。不溶化率が５０％以下の場合は金属箔をエッチングする際にシリコーン樹脂層が基板から脱落し、パターンが得られないなどの問題が発生する。
【００３８】
本発明で用いられる金属箔は、一般に導体回路形成用に用いられるものであればよい。好適に用いられる金属箔としては、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、ステンレスなどの金属箔が挙げられる。この中で特に好ましい金属は、銅または銅を含む合金である。金属箔が銅箔の場合、公知の配線基板用の圧延箔、電解箔などが好ましく用いられる。金属箔の厚みは、１μｍ以上４０μｍ以下である。２０μｍ以下、好ましくは１５μｍ以下、さらに好ましくは１３μｍ以下である。厚みが４０μｍを超える場合には、例えばシリコーン樹脂層の銅箔保持力が不安定になり回路パターン作成のエッチング時に銅箔が脱落する問題がある
本発明で用いられるシリコーン樹脂層と金属箔との接着力は、転写時の温度、圧力、パターン形状，線幅などによって好ましく選定すればよく、特に限定されるものではない。
【００３９】
ここでいう接着力とは支持体およびシリコーン樹脂層を金属箔から１８０度の方向に剥がした時の応力を示し、測定はＪＩＳ−Ｚ−０２３７に準拠するものである。
【００４０】
接着力としては、好ましくは０．２ｇ／１０ｍｍ以上、より好ましくは０．３ｇ／１０ｍｍ以上、さらに好ましくは１ｇ／１０ｍｍ以上３００ｇ／１０ｍｍ以下が好ましい。
【００４１】
接着力が０．２ｇ／１０ｍｍ未満では取り扱い時に剥がれやすくなり、また接着力が３００ｇ／１０ｍｍより大きいと回路パターンの転写時に回路の転写不良が発生し好ましくない。
【００４２】
本発明の配線基板形成用転写シートは、例えば、次のようにして製造される。まず、必要に応じて接着向上のため表面をプライマー処理、または低温プラズマ処理した樹脂フィルム等の支持体上に、シリコーン樹脂層として構成すべき組成物溶液をリバースコーター、カレンダーロールコーター、ナイフコーター、メーヤバーコーターなどの通常のコーター、あるいはホエラのような回転塗布装置を用いて塗布し、乾燥する。乾燥は、通常６０〜１８０℃の温度で数分間熱処理して行い、十分に硬化せしめてシリコーン樹脂層を形成する。
【００４３】
次いで、このようにして得られたシリコーン樹脂層上に、導体回路形成用の金属箔を重ね合わせ、プレス、ロールラミネータ等で圧着する。温度および圧力等の条件は任意に選定することができる。
【００４４】
このようにして製造された配線基板形成用転写シートは、該金属箔を公知のレジスト法などによって所定の回路パターンを作成し、配線基板形成用転写シートとする。フォトレジストはネガ型でもポジ型でも使用することができる。
【００４５】
例えば、ポジ型のフォトレジストを使用し回路を形成する例を下記に説明する。該金属箔の全面にフォトレジストを塗布し、所定のマスクを介して露光をする。この露光工程で用いられる光源は、紫外線を豊富に発生するものであり、水銀灯、カーボンアーク灯、キセノンランプ、メタルハライドランプ、タングステンランプ、蛍光灯などを用いることができる。
【００４６】
次いで、自動現像装置を用いるかあるいは手作業による現像を行うことによって、露光部のフォトレジスト層を除去する。次いで、塩化第２鉄溶液で非パターン部の銅をエッチング除去・水洗・乾燥し配線回路パターンを形成し配線基板転写シートとした。こうして回路として残るべき金属箔の上には、フォトレジストが残るが、後述する絶縁基板の特性や密着性に問題がない限り、例えば絶縁基板の構成素材と同じ組成のレジストを用いた場合などには残存するレジストを除去しなくても良い。残存するレジストを除去する場合には、レジスト剥離液で剥離後に、適当なリンス液で洗浄、乾燥する。
【００４７】
このようにして得られた配線基板転写シートは必要に応じ導体部に腐食防止や接着改良のための処理を行っても良い。また、配線基板転写シート上に電子部品を搭載しても良いし、印刷法で抵抗、コンデンサ、インダクタなどを形成しても良い。
【００４８】
次に、上記によって形成した配線回路を絶縁基板に転写する。転写方法は、図２に示すように、配線回路２の上に絶縁基板１を重ね合わせ５〜４００ｋｇ／ｃｍ2程度の圧力で転写し、次いで支持体３を剥離する方法、または、図３に示すように、上述した方法によって形成した配線回路２の上に硬化性樹脂を含む絶縁スラリーを配線回路よりも厚く形成し、次いで目的に応じ、硬化させた後シリコーン樹脂層４を剥離する方法が用いられる。転写時の圧力は、絶縁基板の樹脂の種類によって異なるが、形成した配線回路全体が埋め込まれるように選定する。
【００４９】
絶縁基板としては、シート、フィルム状の耐熱性樹脂の上に硬化樹脂または半硬化樹脂を有するもの、または、有機あるいは無機の繊維状基材に半硬化性樹脂を含むシート状物などが挙げられる。
【００５０】
耐熱性樹脂の例としては、ＢＴレジン（ビスマレイミドトリアジン樹脂）、エポキシ系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂、フッソ系樹脂、フェノール系樹脂などが挙げられる。なおこれらの樹脂の中に、必要に応じ無機（充填剤）または有機フィラー（充填剤）が添加されていても良い。無機フィラー（充填剤）は限定されるものでなく、例えば、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、ホウ酸アルミニウムなど一般に公知のフィラー（充填剤）が挙げられる。また、有機フィラー（充填剤）としては、ポリイミド系樹脂、ポリアラミド系樹脂など公知のフィラー（充填剤）が挙げられる。
【００５１】
繊維状基材としては、ガラス繊維などの無機質繊維やフッ素系繊維などの合成繊維などからなる織布等の布帛が挙げられる。
【００５２】
配線回路を上記した絶縁基板に転写する場合、絶縁基板は少なくとも一つの貫通孔を有し、この貫通孔に導電性ペーストが充填されていることが好ましい。これにより例えば絶縁基板両面あるいは片面の配線パターンが導電性ペーストにより電気的に接続された、ＩＶＨ（インナービアホール）構造を有する高密度実装用コンポジット配線基板を容易に得ることができる。
【００５３】
また、配線回路を転写した絶縁基板表面を前記した低温プラズマ処理や有機系溶剤や水系溶剤による表面処理およびサンドブラスト処理など行うことが好ましい。これにより例えば前記した絶縁基板または放熱板、電子部品などとの接着性を高めることができる。
【００５４】
このようにして得られた配線基板は、極めて平坦性に優れるため、特に一括積層による多層配線基板の製造やフリップチップ実装に適している。
【実施例】
【００５５】
以下に実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されない。なお、実体顕微鏡による、位置ずれ不良、断線の有無および転写不良の評価方法、接着力の測定方法は次のとおりである。なお、試料の作製および評価等の作業は２５℃、５０％ＲＨに調温・調湿された室内で行った。
【００５６】
(a)位置ずれ不良
配線間隔を測定し、設計値とのずれおよび均一性で評価した。配線間隔が設計値より±５％以上の場合は不良とした。
(b)断線の有無
配線を観察し、断線の有無を判定した。断線が１本でも観察されれば有（不良）とした。
(c)転写不良
回路を形成した配線基板を転写後に、回路の転写残りの有無を観察した。転写残りが一つでもあれば不良とした。
(d)接着力
配線基板用転写シート（幅２５ｍｍ×長さ３００ｍｍ）の金属箔面を２ｍｍ厚みのステンレス板に両面粘着テープを用いて固定し、支持体およびシリコーン樹脂層を金属箔から１８０度の方向に３００ｍｍ／分の速度で剥がし接着力（ｇ／ｃｍ）を測定した。
【００５７】
実施例１
厚さ５０μｍのポリエステルフィルム（東レ（株）製：”ルミラーＳ１０”登録商標）の１００℃、１時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表１に示した。このポリエステルフィルムの表面に、下記の組成のプライマー層を、硬化後の膜厚が２μｍになるように塗布して７０℃×１分間乾燥した後、３ｋＷの超高圧水銀灯（オーク製作所製）を用いＵＶメーター（オーク製作所ライトメジャータイプＵＶ３６５）で１５ｍＷ／ｃｍ2の照度で５分間露光し硬化させた。
［プライマー層組成］
プライマー層は、以下の(1)〜(2)よりなる組成とした。
(1)２−ヒドロキシエチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート／メタクリル酸メチル／アクリル酸メチル＝２０／２０／３０／３０の共重合体  １００重量部、(2)テトラヒドロフラン  ９００重量部。
【００５８】
上記プライマー層の上層に、下記の組成の縮合型シリコーンゴム層を、乾燥後の膜厚が２μｍになるように塗布して、１００℃×２分間乾燥硬化した。
〔シリコーンゴム層組成〕
シリコーンゴム層は、以下の(1)〜(5)よりなる組成とした。
(1)両末端水酸基のポリジメチルシロキサン（平均分子量50,000） １００重量部、(2)メチルトリアセトキシシラン  ９．９重量部、(3)ジブチル錫ジオクテート  ０．１重量部、(4)ヘキサン  １９０重量部、(5)キシレン  ５０重量部。
【００５９】
上記シリコーンゴム層の上層に、厚さ９μｍの電解銅箔（古河サーキットフォイル（株）：Ｆ０−ＷＳ）の光沢面を重ね合わせラミネートして配線基板用転写シートを得た。この銅箔とシリコーン粘着層との接着力を測定した。結果を表１に示す。次に、得られた配線基板転写用シートの銅箔の上全面に、フォトレジストをスピンコートによって形成し、乾燥させて膜厚４μｍとして、線幅２５μｍ、配線ピッチ５０μｍを有する配線回路および絶縁シートの約６０％の面積を有する５ｍｍ角のグランド電極パターンを有するマスクを重ねポジフィルムを３０秒真空密着させ、２８℃の温度で３ｋＷの超高圧水銀灯（オーク製作所製）を用いＵＶメーター（オーク製作所ライトメジャータイプＵＶ３６５）で２．４ｍＷ／ｃｍ2の照度で２分間露光した。露光後、マスクを外し、水酸化ナトリウム水溶液によりアルカリ現像し、不要なレジストを除去し水洗・乾燥した。次いで、塩化第２鉄溶液で非パターン部の銅をエッチング除去・水洗・乾燥した後、配線パターン上のレジストを剥離した。これにより配線ピッチ５０μｍの配線回路パターンを有する配線基板転写シートを得た。次いで、有機樹脂として下記組成の絶縁スラリーをドクターブレード法により乾燥後の厚みが１００μｍ、１２ｃｍ角の絶縁シートを作成した。
［絶縁スラリー組成］
絶縁スラリーは、以下の(1)〜(3)よりなる組成とした。
(1)ＢＴレジン（三菱ガス化学（株）製）  ３０容量％、(2)球状シリカ（体積平均粒径２μｍ）  ７０容量％、(3)溶剤：酢酸ブチル  ２０重量部。
【００６０】
得られた絶縁シートを上記配線回路面に重ね合わせ、真空加熱プレスで圧力５０ｋｇ／ｃｍ2、加圧時間３０分、温度１００℃の条件で導体回路を絶縁シートに転写し完全に埋め込ませた。
【００６１】
次に、硬化したシリコーン樹脂層付きポリエステルフィルムを剥がし、絶縁シートを、１９０℃、６時間加熱し硬化させた。この配線基板を１０枚作成し、実体顕微鏡により、位置ずれ不良、断線の有無および転写不良について観察した。結果を表１に示す。
【００６２】
実施例２
実施例１のポリエステルフィルム（東レ（株）製：”ルミラーＳ１０”登録商標）を７０℃の温度で３０分間熱処理し、さらにこの支持体にコロナ放電処理としてアルミニウム電極を用い、電極密度２５０（Ｗ・ｍｉｎ／ｍ2）の条件で表面処理を行った。熱処理およびコロナ放電処理後の１００℃、１時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表１に示した。支持体としてこのフィルムを用い、実施例１のプライマ層を形成しないこと以外は実施例１と同様に評価した。
【００６３】
実施例３
実施例１のポリエステルフィルム（東レ（株）製：”ルミラーＳ１０”登録商標）を９０℃の温度で３０分間熱処理した。熱処理後の１００℃、１時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表１に示した。支持体としてこのフィルムを用いた以外は実施例１と同様に評価した。
【００６４】
実施例４
実施例１のポリエステルフィルム（東レ（株）製：”ルミラーＳ１０”登録商標）を１２０℃の温度で３０分間熱処理した。熱処理後の１００℃、１時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表１に示した。支持体としてこのフィルムを用いた以外は実施例１と同様に評価した。
【００６５】
実施例５
厚さ３μmのポリエステルフィルム（東レ（株）製：”ルミラーＣ２１”登録商標）を９０℃の温度で３０分間熱処理した。熱処理後の１００℃、１時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表１に示した。支持体としてこのフィルムを用いた以外は実施例１と同様に評価した。
【００６６】
実施例６
厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（東レデュポン（株）製：”カプトン１００Ｈ”登録商標）の１００℃、１時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表１に示した。
このポリイミドフィルムの表面に、実施例１と同じプライマ層を形成した後、縮合型シリコーンゴム層を、乾燥後の膜厚が２μｍになるように塗布して、１００℃×２分間乾燥硬化した。
【００６７】
上記シリコーンゴム層の上層に、厚さ１２μｍの電解銅箔（古河サーキットフォイル株式会社：Ｆ０−ＷＳ）の光沢面を重ね合わせラミネートしてロールに巻いた配線基板用転写シートを得た。この銅箔とシリコーン粘着層との接着力を測定した。結果を表１に示す。次に、得られた配線基板転写用シートの銅箔の上全面に、ドライフィルムフォトレジスト（ニチゴー・モートン（株）：ＡＬＰＨＯ  ＮＩＴ２１５）をラミネートし、線幅２５μｍ、配線ピッチ５０μｍを有する配線回路マスクを重ねポジフィルムを３０秒真空密着させ、２８℃の温度で３ｋＷの超高圧水銀灯（オーク製作所（株）製）を用いＵＶメーター（オーク製作所（株）製ライトメジャータイプＵＶ３６５）で２．４ｍＷ／ｃｍ2の照度で３５秒間露光した。露光後、マスクを外し、１％Ｎａ2ＣＯ3水溶液によりアルカリスプレー現像し、不要なレジストを除去し水洗・乾燥した。次いで、塩化第２鉄溶液で非パターン部の銅をエッチング除去・水洗・乾燥した後、配線パターン上のレジストを剥離した。これにより配線ピッチ５０μｍの配線回路パターンを形成し配線基板転写シートを得た。この配線パターンを形成した基板転写シートを用いた以外は実施例１と同様に評価した。
【００６８】
実施例７
実施例６のポリイミドフィルム（東レデュポン（株）製：”カプトン１００Ｈ”登録商標）を９０℃の温度で３０分間熱処理した。熱処理後の１００℃、１時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表１に示した。支持体としてこのフィルムを用いた以外は実施例６と同様に評価した。
【００６９】
実施例８
厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（東レデュポン（株）製：”カプトン１００ＥＮ”登録商標）の１００℃、１時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表１に示した。
支持体としてこのフィルムを用いた以外は実施例６と同様に評価した。
【００７０】
比較例１
厚さ５０μｍのポリエステルフィルム（東レ（株）製：”ルミラーＸ１０Ｓ”登録商標）の１００℃、１時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表１に示した。このポリエステルフィルム上にアクリル系樹脂からなる接着剤を使用し、銅箔を貼り合わせた以外は、実施例１と同様に作製し評価した。結果を表１に示す。なお、銅箔との接着力は１５０ｇ／ｃｍであった。
【００７１】
比較例２
厚さ５０μｍのポリエステルフィルム（東レ（株）製：”ルミラーＸ１０Ｓ”登録商標）を７０℃の温度で３０分間熱処理した。熱処理後の１００℃、１時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表１に示した。
【００７２】
このポリエステルフィルム上にアクリル系樹脂からなる接着剤を使用し、銅箔を貼り合わせた以外は、実施例１と同様に作製し評価した。結果を表１に示す。なお、銅箔との接着力は１５０ｇ／ｃｍであった。
【００７３】
比較例３
厚さ５０μｍのポリエステルフィルム（東レ（株）製：”ルミラーＸ１０Ｓ”登録商標）の１００℃、１時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表１に示した。支持体としてこのフィルムを用いた以外は実施例１と同様に評価した。
【００７４】
比較例４
厚さ５０μｍの液晶ポリエステルフィルム（クラレ（株）製：”ベクトラＯＣ”登録商標）の１００℃、１時間加熱後の熱収縮率を測定した。結果を表１に示した。支持体としてこのフィルムを用いた以外は実施例１と同様に評価した。
【００７５】
【表１】
2004319981.tif 000004
【００７６】
上記のように本発明の実施例１〜８は実施例１および実施例８において１０サンプル中１サンプルが位置ずれ不良または転写不良であるが許容範囲内であった。その他の実施例２〜７は位置ずれ不良、断線、転写不良の全くない良好な配線基板が得られた。これに対し、比較例１、２は配線回路パターンを形成する際にエッチング液が配線パターンとアクリル系接着剤の界面を浸食した結果、部分的な断線が多数見られた。さらに熱収縮率の大きな支持体のため、位置ずれ不良が発生し実用性に欠ける配線基板となった。比較例３は熱収縮率の大きな支持体のため、位置ずれ不良が発生し実用性に欠ける配線基板となった。比較例４は熱収縮率の非常に小さな支持体のため転写不良が発生し実用性に欠ける配線基板となった。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】収縮率Ｘを測定時の支持体の形状を示した図である。
【図２】本発明の配線基板用転写シートに形成された配線回路を絶縁基板に転写する一転写方法を示した断面図である。
【図３】本発明の配線基板用転写シートに形成された配線回路を絶縁基板に転写する他の転写方法を示した断面図である。
【符号の説明】
【００７８】
１：絶縁基板
２：配線回路
３：支持体（樹脂フィルム）
４：シリコーン樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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