(57)【要約】【課題】  高い発光輝度を示し、量子効率に優れ、且つ、半減寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬとも略記する）及び表示装置を提供する。【解決手段】  オルトメタル化ロジウム錯体またはその互辺異性体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるオルトメタル化ロジウム錯体またはその互辺異性体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１】
2004319438.tif 000023
〔式中、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子、Ｒｈはロジウム原子を表し、Ｚ11は、Ｘ1および窒素原子と共に６π系の芳香族環または非芳香族環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ12は、Ｘ2および炭素原子とともに芳香族環または非芳香族環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｘ1、Ｘ2は、各々炭素原子または窒素原子を表し、Ｙ1−Ｌ2−Ｙ2は２座の配位子を表し、Ｙ1、Ｙ2は、各々独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子または窒素原子を表し、Ｌ2は、Ｙ1、Ｙ2と共に２座の配位子の形成するのに必要な原子群を表す。尚、ＮとＸ1およびＣとＸ2は、各々単結合または２重結合で結合されている。〕
【請求項２】
下記一般式（２）で表される部分構造を有するオルトメタル化ロジウム錯体または、その互変異性体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化２】
2004319438.tif 000024
〔式中、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子、Ｒｈはロジウム原子を表し、Ｚ21は、Ｘ1および窒素原子と共に芳香族環または非芳香族環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ22は、Ｘ2および炭素原子とともに芳香族環または非芳香族環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｘ1、Ｘ2は、各々炭素原子または窒素原子を表し、Ｚ23は、５員環〜７員環を形成するのに必要な原子群を表す。尚、ＮとＸ1およびＣとＸ2は、各々単結合または２重結合で結合されている。〕
【請求項３】
前記一般式（１）または一般式（２）で表されるオルトメタル化ロジウム錯体を発光層に含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
構成層として発光層を有し、該発光層に隣接する隣接層がオルトメタル化ロジウム錯体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記オルトメタル化ロジウム錯体が、前記一般式（１）または（２）で表されることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
前記隣接層が正孔阻止層であることを特徴とする請求項４または５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
構成層として発光層を有し、該発光層が、発光波長の異なる少なくとも２種の発光ドーパントを含有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
発光色が白色であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする照明装置。
【請求項１１】
下記一般式（３）で表されることを特徴とするロジウム錯体化合物。
【化３】
2004319438.tif 000025
〔式中、Ｒ1〜Ｒ8は、各々水素原子または置換基を表すが、但し、Ｒ1〜Ｒ4は、互いに連結して６π系を超える芳香族環を形成することはない。また、Ｒ4とＲ5は互いに縮合して環形成してもよい。Ｙ1−Ｌ2−Ｙ2は２座の配位子を表し、Ｙ1、Ｙ2は、各々独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子または窒素原子を表し、Ｌ2は、Ｙ1、Ｙ2と共に２座の配位子の形成するのに必要な原子群を表す。〕
【請求項１２】
下記一般式（４）で表されることを特徴とするロジウム錯体化合物。
【化４】
2004319438.tif 000026
〔式中、Ｒ1〜Ｒ3、Ｒ6〜Ｒ8は、各々水素原子または置換基を表す。Ｚ23は、５員環〜７員環を形成するのに必要な原子群を表す。〕
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬとも略記する）素子に関するものである。詳しく言えば、発光効率が高く、なおかつ、発光寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ）がある。ＥＬＤの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子が挙げられる。無機エレクトロルミネッセンス素子は平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光する化合物を含有する発光層を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光する素子であり、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であり、さらに、自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。
【０００３】
しかしながら、今後の実用化に向けた有機ＥＬ素子においては、さらに低消費電力で効率よく高輝度に発光する有機ＥＬ素子の開発が望まれている。
【０００４】
その解決方法として、スチルベン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体またはトリススチリルアリーレン誘導体に、微量の蛍光体をドープし、発光輝度の向上、素子の長寿命化を達成した技術がある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
また、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これに微量の蛍光体をドープした有機発光層を有する素子（例えば、特許文献２参照。）、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これにキナクリドン系色素をドープした有機発光層を有する素子（例えば、特許文献３参照。）が知られている。
【０００６】
以上の例はドープした蛍光体から発光を得る方式であるが、このように、励起一重項からの発光を用いる場合、一重項励起子と三重項励起子の生成比が１：３であるため発光性励起種の生成確率が２５％であることと、光の取り出し効率が約２０％であるため、外部取り出し量子効率（ηｅｘｔ）の限界は５％とされている。ところが、プリンストン大学のグループにより、励起三重項からの燐光発光を用いる有機ＥＬ素子の報告（例えば、非特許文献１参照。）がされて以来、室温で燐光を示す材料の研究が活発になってきている。例えば、リン光を発光する有機エレクトロルミネッセンス素子の研究成果（例えば、非特許文献２、特許文献４参照。）が開示されている。
【０００７】
励起三重項を使用すると、内部量子効率の上限が１００％となるため、励起一重項の場合に比べて原理的に発光効率が４倍となることから、有機エレクトロルミネッセンスディスプレーの低消費電力化が可能となるし、また、この効率が高輝度領域においても再現れれば冷陰極管に近い発光効率になるため照明用途としても興味深い。
【０００８】
例えば、イリジウム錯体などの重金属錯体が幅広く合成検討されている（例えば、非特許文献３参照。）。又、ドーパントとして、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウムを用いた検討がされている（例えば、非特許文献２参照。）。
【０００９】
その他、ドーパントとしてＬ2Ｉｒ（ａｃａｃ）（Ｌは配位子、ａｃａｃはアセチルアセトナートを表す）、例えば（ｐｐｙ）2Ｉｒ（ａｃａｃ）（ｐｐｙは２−フェニルピリジンを表す）、（例えば、非特許文献４参照。）を、又、ドーパントとして、トリス（２−（ｐ−トリル）ピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｔｐｙ）3），トリス（ベンゾ［ｈ］キノリン）イリジウム（Ｉｒ（ｂｚｑ）3），Ｉｒ（ｂｚｑ）2ＣｌＰ（Ｂｕ）3等を用いた検討（例えば、非特許文献５参照。）が行われている。又、各種イリジウム錯体を用いて素子化する試みがされている（例えば、非特許文献３参照。）。
【００１０】
又、高い発光効率を得るために、ホール輸送性の化合物を燐光性化合物のホストとして用いている例（例えば、非特許文献６参照。）、各種電子輸送性材料を燐光性化合物のホストとして、これらに新規なイリジウム錯体をドープして用いている例（例えば、非特許文献４参照。）がある。
【００１１】
更に、ホールブロック層の導入により高い発光効率を得ている例がある（例えば、非特許文献５参照。）。
【００１２】
しかし、前記Ｉｒ錯体と前記ホストとの組み合わせでは、色純度の高い青色発光を効率良く出すことには至っておらず、赤色発光についても青色ほどではないが十分な効率が得られていない。
【００１３】
一方で、リン光を発光する発光ドーパントとしてＩｒ錯体以外の化合物も検討されている。例えば、オルトメタル化パラジウム錯体を発光ドーパントとして使用することが開示されている（例えば、特許文献５参照。）が、この場合前記Ｉｒ錯体に比べて発光輝度や発光効率の点で劣る。また、オルトメタル化白金錯体を同様に発光ドーパントとして利用する方法が開示されている（例えば、特許文献６参照。）が、この場合、白金錯体が、平面構造を取ることに由来する分子間相互作用に伴う発光効率の低下と発光色の長波化が起こってしまうという問題点があった。
【００１４】
さらに、イソニトリル配位子を有する金属錯体化合物の一部として、ルテニウムおよびロジウム錯体の発光ドーパントが開示されている（例えば、特許文献７参照。）が、それらの具体的性能は記載されておらず、効果は定かではない。
【００１５】
また、配位子の構造に特徴があるオルトメタル化ロジウム錯体が、有機エレクトロルミネッセンス素子のリン光性発光ドーパントとして開示されているが、何れも構造の記載はあるが、具体的な性能の言及はなされていない（例えば、特許文献８〜１５参照。）。
【００１６】
さらに、リン光を発光する有機エレクトロルミネッセンス素子における材料の組み合わせが記載（例えば、特許文献１６〜１８参照。）されており、その中にもオルトメタル化錯体の一例としてロジウム錯体の記載があるが、この場合も具体的な性能の記述はない。
【特許文献１】特許第３０９３７９６号明細書
【特許文献２】特開昭６３−２６４６９２号公報
【特許文献３】特開平３−２５５１９０号公報
【特許文献４】米国特許第６，０９７，１４７号明細書
【特許文献５】特開２００１−１８１６１６号公報
【特許文献６】特開２００１−１８１６１７号公報
【特許文献７】特開２００２−２３５０７６号公報
【特許文献８】欧州特許出願公開第１１９１６１３号明細書
【特許文献９】国際公開第０２／４４１８９号パンフレット
【特許文献１０】国際公開第０２／０８１４８８号パンフレット
【特許文献１１】特開２００２−３３２２９１号公報
【特許文献１２】特開２００２−３３２２９２号公報
【特許文献１３】特開２００２−３３８５８８号公報
【特許文献１４】特開２００２−２２６４９５号公報
【特許文献１５】特開２００２−２３４８９４号公報
【特許文献１６】特開２００１−３１３１７９号公報
【特許文献１７】特開２００１−８８６０号公報
【特許文献１８】特開２００２−３０５０８３号公報
【非特許文献１】Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ  ｅｔ  ａｌ．，ｎａｔｕｒｅ、３９５巻、１５１−１５４ページ（１９９８年）
【非特許文献２】Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ  ｅｔ  ａｌ．，ｎａｔｕｒｅ、４０３巻、１７号、７５０−７５３ページ（２０００年）
【非特許文献３】Ｓ．Ｌａｍａｎｓｋｙ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４ページ（２００１年）
【非特許文献４】Ｍ．Ｅ．Ｔｏｍｐｓｏｎ  ｅｔ  ａｌ．，Ｔｈｅ  １０ｔｈ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ  ｏｎ  Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  ａｎｄ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松）
【非特許文献５】Ｍｏｏｎ−Ｊａｅ  Ｙｏｕｎ．Ｏｇ，Ｔｅｔｓｕｏ  Ｔｓｕｔｓｕｉｅｔ  ａｌ．，Ｔｈｅ  １０ｔｈ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ  ｏｎ  Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  ａｎｄ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松）
【非特許文献６】Ｉｋａｉ  ｅｔ  ａｌ．，Ｔｈｅ  １０ｔｈ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ  ｏｎ  Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  ａｎｄ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明の目的は、特定の構造を有する金属錯体を有機エレクトロルミネッセンス素子に用いることで高効率かつ長寿命な素子を提供することであり、且つ、本発明の素子を用いた表示装置（画像表示ともいう）および照明装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の上記目的は、下記の構成１〜１２により達成された。
【００１９】
（請求項１）
下記一般式（１）で表されるオルトメタル化ロジウム錯体またはその互辺異性体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２０】
【化１】
2004319438.tif 000002
【００２１】
〔式中、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子、Ｒｈはロジウム原子を表し、Ｚ11は、Ｘ1および窒素原子と共に６π系の芳香族環または非芳香族環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ12は、Ｘ2および炭素原子とともに芳香族環または非芳香族環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｘ1、Ｘ2は、各々炭素原子または窒素原子を表し、Ｙ1−Ｌ2−Ｙ2は２座の配位子を表し、Ｙ1、Ｙ2は、各々独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子または窒素原子を表し、Ｌ2は、Ｙ1、Ｙ2と共に２座の配位子の形成するのに必要な原子群を表す。尚、ＮとＸ1およびＣとＸ2は、各々単結合または２重結合で結合されている。〕
（請求項２）
下記一般式（２）で表される部分構造を有するオルトメタル化ロジウム錯体または、その互変異性体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２２】
【化２】
2004319438.tif 000003
【００２３】
〔式中、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子、Ｒｈはロジウム原子を表し、Ｚ21は、Ｘ1および窒素原子と共に芳香族環または非芳香族環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ22は、Ｘ2および炭素原子とともに芳香族環または非芳香族環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｘ1、Ｘ2は、各々炭素原子または窒素原子を表し、Ｚ23は、５員環〜７員環を形成するのに必要な原子群を表す。尚、ＮとＸ1およびＣとＸ2は、各々単結合または２重結合で結合されている。〕
（請求項３）
前記一般式（１）または一般式（２）で表されるオルトメタル化ロジウム錯体を発光層に含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２４】
（請求項４）
構成層として発光層を有し、該発光層に隣接する隣接層がオルトメタル化ロジウム錯体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２５】
（請求項５）
前記オルトメタル化ロジウム錯体が、前記一般式（１）または（２）で表されることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２６】
（請求項６）
前記隣接層が正孔阻止層であることを特徴とする請求項４または５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２７】
（請求項７）
構成層として発光層を有し、該発光層が、発光波長の異なる少なくとも２種の発光ドーパントを含有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２８】
（請求項８）
発光色が白色であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２９】
（請求項９）
請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。
【００３０】
（請求項１０）
請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする照明装置。
【００３１】
（請求項１１）
下記一般式（３）で表されることを特徴とするロジウム錯体化合物。
【００３２】
【化３】
2004319438.tif 000004
【００３３】
〔式中、Ｒ1〜Ｒ8は、各々水素原子または置換基を表すが、但し、Ｒ1〜Ｒ4は、互いに連結して６π系を超える芳香族環を形成することはない。また、Ｒ4とＲ5は互いに縮合して環形成してもよい。Ｙ1−Ｌ2−Ｙ2は２座の配位子を表し、Ｙ1、Ｙ2は、各々独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子または窒素原子を表し、Ｌ2は、Ｙ1、Ｙ2と共に２座の配位子の形成するのに必要な原子群を表す。〕
（請求項１２）
下記一般式（４）で表されることを特徴とするロジウム錯体化合物。
【００３４】
【化４】
2004319438.tif 000005
【００３５】
〔式中、Ｒ1〜Ｒ3、Ｒ6〜Ｒ8は、各々水素原子または置換基を表す。Ｚ23は、５員環〜７員環を形成するのに必要な原子群を表す。〕
【発明の効果】
【００３６】
本発明により、高い発光効率を示し、且つ、半減寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬとも略記する）及び表示装置並びに照明装置を提供することが出来た。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、請求項１〜８のいずれか１項に規定する構成とすることにより、高い発光効率を示し、且つ、半減寿命の長い有機ＥＬ素子を提供することが出来る。また、前記有機ＥＬ素子を用いて、請求項９に記載の表示装置、請求項１０に記載の照明装置を提供することができる。更に、請求項１１または１２に記載のオルトメタル化ロジウム錯体が、本発明の有機ＥＬ素子に好ましいことを併せて見出した。
【００３８】
以下、本発明に係る各構成要素の詳細について順次説明する。
【００３９】
本発明者等は、鋭意検討の結果、非対称構造を有するオルトメタル化ロジウム錯体が従来公知の対称構造を有するロジウム錯体よりも有機エレクトロルミネッセンス素子の発光ドーパントとして使用した際に、発光寿命が長くなることを見いだした。
【００４０】
更に、ベンゾ〔ｈ〕キノリンに代表される３環縮合の芳香族基を配位子として用いたロジウム錯体では、大変興味深いことに、錯体分子の振動構造に由来すると考えられる複数のリン光発光ピークが出るために、幅広い領域に発光スペクトルを持たせたい発光素子、例えば、照明用途等に好適であることがわかった。
【００４１】
また、リン光ドーパントとして代表的なオルトメタル化イリジウム錯体では、青色領域の発光が困難であるのに対し、オルトメタル化ロジウム錯体では該イリジウム錯体と同一の配位子を有する錯体でリン光波長が数十ｎｍ短波長になることから、青色発光用のドーパントとしても有用であることがわかった。
【００４２】
《オルトメタル化ロジウム錯体》
本発明に係るオルトメタル化ロジウム錯体について説明する。
【００４３】
本発明の有機ＥＬ素子では、オルトメタル化ロジウム錯体が好ましく用いられるが、中でも、前記一般式（１）または前記一般式（２）で表されるオルトメタル化ロジウム錯体が好ましい。
【００４４】
本発明に係るオルトメタル化ロジウム錯体とは、オルトメタル化錯体の１種であり、該オルトメタル化錯体とは、例えば「有機金属化学−基礎と応用−」ｐ１５０，２３２裳華房社山本明夫著１９８２年発行、「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」  ｐ７１−ｐ７７，ｐ１３５−ｐ１４６  Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社  Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著１９８７年発行等に記載されている化合物群の総称である。本発明では、金属錯体の中心金属としては、ロジウムが用いられる。
【００４５】
《一般式（１）で表されるオルトメタル化ロジウム錯体》
一般式（１）で表されるオルトメタル化ロジウム錯体について説明する。
【００４６】
前記一般式（１）において、Ｚ11は炭素原子および窒素原子とともに６π系の芳香族環または非芳香族環を形成するのに必要な原子群を表し、本発明ではＺ11が芳香族環を形成することが好ましい。Ｚ12は炭素原子とともに芳香族環または非芳香族環を形成するのに必要な原子群を表し、本発明ではＺ12は６π系の芳香族環を形成することが好ましい。
【００４７】
一般式（１）において、Ｚ11で形成される６π系の芳香族環としては、例えば、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キナゾリン環、フタラジン環等が挙げられる。
【００４８】
一般式（１）において、Ｚ11で形成される非芳香族環としては、例えば、ピロリジン環、イミダゾリジン環、モルホリン環、オキサゾリジン環等が挙げられる。
【００４９】
一般式（１）において、Ｚ12で形成される芳香族環としては、例えばベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、フラン環、チオフェン環及び、それらを組み合わせた縮合環（例えば、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環等が挙げられる。）
一般式（１）において、Ｚ12で形成される非芳香族環としては、例えば、以下に挙げる環が挙げられる。
【００５０】
【化５】
2004319438.tif 000006
【００５１】
一般式（１）において、Ｙ1−Ｌ2−Ｙ2は２座の配位子を表し、Ｙ1、Ｙ2は、各々独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子または窒素原子を表し、Ｌ２は、Ｙ1、Ｙ2と共に２座の配位子の形成するのに必要な原子群を表す。
【００５２】
Ｙ1−Ｌ2−Ｙ2で表される２座の配位子の具体例としては、特に制限はないが、酢酸、アセチルアセトン、チオカルバミン酸誘導体、２−アシルフェノール、ピコリン酸等の誘導体であることが好ましい。
【００５３】
Ｚ11及びＺ12で表される環構造は更に任意の置換基を有していても良く、Ｚ11の任意の置換基とＺ12の任意の置換基とで縮合環を形成してもよい。
【００５４】
上記の任意の置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、（ｔ）ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、プロパルギル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基等）、複素環基（例えば、ピリジル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、イミダゾリル基、フリル基、ピロリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、セレナゾリル基、スルホラニル基、ピペリジニル基、ピラゾリル基、テトラゾリル基等）、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素原子等）、アルコキシル基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシル基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基、ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基またはアリールスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基等が挙げられる。
【００５５】
《一般式（３）で表されるオルトメタル化ロジウム錯体》
上記一般式（１）で表されるオルトメタル化ロジウム錯体の中で、好ましく用いられる化合物としては、前記一般式（３）で表される化合物が挙げられる。
【００５６】
一般式（３）において、Ｒ1〜Ｒ8で、各々表される置換基としては、上記一般式（１）においてＺ11及びＺ12で表される環構造が有する任意の置換基と同義である。また、Ｙ1−Ｌ2−Ｙ2で表される２座の配位子は、上記一般式（１）におけるＹ1−Ｌ2−Ｙ2と同義である。
【００５７】
《一般式（２）で表される部分構造を有するオルトメタル化ロジウム錯体》
一般式（２）で表される部分構造を有するオルトメタル化ロジウム錯体について説明する。
【００５８】
一般式（２）において、Ｚ21、Ｚ22は上記一般式（１）のＺ11、Ｚ12と各々同義である。Ｘ1、Ｘ2は、上記一般式（１）と同義である。
【００５９】
一般式（２）において、Ｚ23で表される５員環〜７員環としては、芳香族環でも非芳香族環でもよいが、好ましくは芳香族環である。
【００６０】
ここで、Ｚ23で表される芳香族環としては、例えば、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環等が挙げられる。
【００６１】
《一般式（４）で表されるオルトメタル化ロジウム錯体》
上記一般式（２）で表されるオルトメタル化ロジウム錯体の中で、好ましく用いられる化合物としては、前記一般式（４）で表される化合物が挙げられる。
【００６２】
一般式（４）において、Ｒ1〜Ｒ3、Ｒ6〜Ｒ8で各々表される基は、上記一般式（３）における、Ｒ1〜Ｒ8で、各々表される置換基と同義である。
【００６３】
一般式（４）において、Ｚ23で表される５員環〜７員環は、上記一般式（２）で表されるＺ23と同義である。
【００６４】
以下に、一般式（１）または（３）で表されるオルトメタル化ロジウム錯体の具体例、続いて、一般式（２）または（４）で表されるオルトメタル化ロジウム錯体の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
【００６５】
【化６】
2004319438.tif 000007
【００６６】
【化７】
2004319438.tif 000008
【００６７】
【化８】
2004319438.tif 000009
【００６８】
【化９】
2004319438.tif 000010
【００６９】
【化１０】
2004319438.tif 000011
【００７０】
前記一般式（１）、（２）、（３）及び（４）で各々表される各々のオルトメタル化ロジウム錯体は、中心金属Ｒｈと配位子とからなる、いわゆる金属錯体であるが、前記金属錯体の配位子の部分は、例えば、Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｅｔｔｅｒ誌、ｖｏｌ３、Ｎｏ．１６、ｐ２５７９〜２５８１（２００１）等を参考にして合成することが出来、また、前記配位子と中心金属Ｒｈ（原子でもロジウムイオンでもよい）との金属錯体は、前記の参考文献に記載の方法を適用することにより合成できる。
【００７１】
《発光ホスト、発光ドーパント》
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子には、上記の化合物が発光層に含有されることが好ましい。
【００７２】
次に発光ドーパント（単にドーパントともいう）と発光ホスト（単にホストともいう）について説明する。
【００７３】
本発明に係る発光ホスト、発光ドーパントについて説明する。
【００７４】
「発光ホスト（単にホストともいう）」とは、２種以上の化合物で構成される発光層中にて混合比（質量）の最も多い化合物のことを意味し、それ以外の化合物については、発光ドーパント「ドーパント化合物（単に、ドーパントともいう）」という。
【００７５】
例えば、発光層を化合物Ａ、化合物Ｂという２種で構成し、その混合比がＡ：Ｂ＝１０：９０であれば化合物Ａがドーパント化合物であり、化合物Ｂがホスト化合物である。更に、発光層を化合物Ａ、化合物Ｂ、化合物Ｃの３種から構成し、その混合比がＡ：Ｂ：Ｃ＝５：１０：８５であれば、化合物Ａ、化合物Ｂが、発光ドーパント（ドーパント化合物）であり、化合物Ｃが発光ホスト（ホスト化合物）である。
【００７６】
本発明に係る発光ホストは、後述する、リン光０−０バンドが４５０ｎｍ以下であることが好ましく、更に好ましくは、該０−０バンドが４３０ｎｍ以下であることである。
【００７７】
発光ホストとしては、構造的には特に制限はないが、代表的にはカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族ボラン誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有し、且つ、前記０−０バンドが４５０ｎｍ以下の化合物が好ましい化合物として挙げられる。０−０バンドとしては、また、発光ホストは低分子化合物でも、繰り返し単位を持つ高分子化合物でもよい。
【００７８】
発光ホストとしては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。
【００７９】
本発明に係る前記一般式（１）〜（４）で各々表される化合物は、発光ドーパントとして用いられるが、その場合、主成分であるホスト化合物に対するドーパントの混合比は好ましくは質量で０．１質量％以上３０質量％未満である。
【００８０】
ただし、ドーパントは複数種の化合物を混合して用いても良く、混合する相手は構造を異にするオルトメタル化金属錯体でも、その他のリン光性ドーパントでも、蛍光性ドーパントでもよい。
【００８１】
これら本発明の化合物と併用しても良いドーパントについて述べる。
【００８２】
発光ドーパントは、大きくわけて、蛍光を発光する蛍光性ドーパントとリン光を発光するリン光性ドーパントの２種類がある。
【００８３】
前者（蛍光性ドーパント）の代表例としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体、その他公知の蛍光性化合物等が挙げられる。
【００８４】
後者（リン光性ドーパント）の代表例としては、好ましくは元素の周期表で８属、９属、１０属の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくは、イリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物（白金錯体系化合物）であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
【００８５】
具体的には以下の各特許公報に記載されている化合物である。
【００８６】
例えば、国際公開第００／７０６５５号パンフレット、特開２００２−２８０１７８号公報、特開２００１−１８１６１６号公報、特開２００２−２８０１７９号公報、特開２００１−１８１６１７号公報、特開２００２−２８０１８０号公報、特開２００１−２４７８５９号公報、特開２００２−２９９０６０号公報、特開２００１−３１３１７８号公報、特開２００２−３０２６７１号公報、特開２００１−３４５１８３号公報、特開２００２−３２４６７９号公報、国際公開第０２／１５６４５号パンフレット、特開２００２−３３２２９１号公報、特開２００２−５０４８４号公報、特開２００２−３３２２９２号公報、特開２００２−８３６８４号公報、特表２００２−５４０５７２号公報、特開２００２−１１７９７８号公報、特開２００２−３３８５８８号公報、特開２００２−１７０６８４号公報、特開２００２−３５２９６０号公報、国際公開第０１／９３６４２号パンフレット、特開２００２−５０４８３号公報、特開２００２−１００４７６号公報、特開２００２−１７３６７４号公報、特開２００２−３５９０８２号公報、特開２００２−１７５８８４号公報、特開２００２−３６３５５２号公報、特開２００２−１８４５８２号公報、特開２００３−７４６９号公報、特表２００２−５２５８０８号公報、特開２００３−７４７１号公報、特表２００２−５２５８３３号公報、特開２００３−３１３６６号公報、特開２００２−２２６４９５号公報、特開２００２−２３４８９４号公報、特開２００２−２３５０７６号公報、特開２００２−２４１７５１号公報、特開２００１−３１９７７９号公報、特開２００１−３１９７８０号公報、特開２００２−６２８２４号公報、特開２００２−１００４７４号公報、特開２００２−２０３６７９号公報、特開２００２−３４３５７２号公報、特開２００２−２０３６７８号公報等が挙げられる。
【００８７】
以下、本発明に係る一般式（１）〜（４）で各々示される発光ドーパントと併用してもよいリン光ドーパントの具体例の一部を下記に示す。
【００８８】
【化１１】
2004319438.tif 000012
【００８９】
【化１２】
2004319438.tif 000013
【００９０】
【化１３】
2004319438.tif 000014
【００９１】
（発光ホスト）
「発光ホスト（単にホストともいう）」とは、２種以上の化合物で構成される発光層中にて混合比（質量）の最も多い化合物のことを意味し、それ以外の化合物については「ドーパント化合物（単に、ドーパントともいう）」という。例えば、発光層を化合物Ａ、化合物Ｂという２種で構成し、その混合比がＡ：Ｂ＝１０：９０であれば化合物Ａがドーパント化合物であり、化合物Ｂがホスト化合物である。更に、発光層を化合物Ａ、化合物Ｂ、化合物Ｃの３種から構成し、その混合比がＡ：Ｂ：Ｃ＝５：１０：８５であれば、化合物Ａ、化合物Ｂがドーパント化合物であり、化合物Ｃがホスト化合物である。
【００９２】
本発明に用いられる発光ホストとしては、併用される発光ドーパントのリン光０−０バンドよりも短波長なそれを持つ化合物が好ましく、発光ドーパントにそのリン光０−０バンドが４８０ｎｍ以下である青色の発光成分を含む化合物を用いる場合には、発光ホストとしてはリン光０−０バンドが４５０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００９３】
本発明の発光ホストとしては、構造的には特に制限はないが、代表的にはカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族ボラン誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有し、かつ前記０−０バンドが４５０ｎｍ以下の化合物が好ましい化合物として挙げられる。
【００９４】
また、本発明の発光ホストは低分子化合物でも、繰り返し単位を持つ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもいい。
【００９５】
《リン光の０−０バンドの測定方法》
まず、リン光スペクトルの測定方法について説明する。
【００９６】
測定する発光ホスト化合物を、よく脱酸素されたエタノール／メタノール＝４／１（ｖｏｌ／ｖｏｌ）の混合溶媒に溶かし、リン光測定用セルに入れた後液体窒素温度７７Ｋで励起光を照射し、励起光照射後１００ｍｓでの発光スペクトルを測定する。リン光は蛍光に比べ発光寿命が長いため、１００ｍｓ後に残存する光はほぼリン光であると考えることができる。なお、リン光寿命が１００ｍｓより短い化合物に対しては遅延時間を短くして測定しても構わないが、蛍光と区別できなくなるほど遅延時間を短くしてしまうとリン光と蛍光が分離できないので問題となるため、その分離が可能な遅延時間を選択する必要がある。
【００９７】
また、上記溶剤系で溶解できない化合物については、その化合物を溶解しうる任意の溶剤を使用してもよい（実質上、上記測定法ではリン光波長の溶媒効果はごくわずかなので問題ない）。
【００９８】
次に０−０バンドの求め方であるが、本発明においては、上記測定法で得られたリン光スペクトルチャートのなかで最も短波長側に現れる発光極大波長をもって０−０バンドと定義する。
【００９９】
リン光スペクトルは通常強度が弱いことが多いため、拡大するとノイズとピークの判別が難しくなるケースがある。このような場合には励起光照射中の発光スペクトル（便宜上これを定常光スペクトルと言う）を拡大し、励起光照射後１００ｍｓ後の発光スペクトル（便宜上これをリン光スペクトルと言う）と重ねあわせリン光スペクトルに由来する定常光スペクトル部分からリン光スペクトルのピーク波長を読みとることで決定することができる。
【０１００】
また、リン光スペクトルをスムージング処理することでノイズとピークを分離しピーク波長を読みとることもできる。なお、スムージング処理としては、Ｓａｖｉｔｚｋｙ＆Ｇｏｌａｙの平滑化法等を適用することができる。
【０１０１】
発光ホストとしては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。
【０１０２】
発光ホストの具体例としては、以下の各特許公報に記載されている化合物が好適である。
【０１０３】
例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、特開２００２−３０８８５５号公報、特開２００１−３１３１７９号公報、特開２００２−３１９４９１号公報、特開２００１−３５７９７７号公報、特開２００２−３３４７８６号公報、特開２００２−８８６０号公報、特開２００２−３３４７８７号公報、特開２００２−１５８７１号公報、特開２００２−３３４７８８号公報、特開２００２−４３０５６号公報、特開２００２−３３４７８９号公報、特開２００２−７５６４５号公報、特開２００２−３３８５７９号公報、特開２００２−１０５４４５号公報、特開２００２−３４３５６８号公報、特開２００２−１４１１７３号公報、特開２００２−３５２９５７号公報、特開２００２−２０３６８３号公報、特開２００２−３６３２２７号公報、特開２００２−２３１４５３号公報、特開２００３−３１６５号公報、特開２００２−２３４８８８号公報、特開２００３−２７０４８号公報、特開２００２−２５５９３４号公報、特開２００２−２６０８６１号公報、特開２００２−２８０１８３号公報、特開２００２−２９９０６０号公報、特開２００２−３０２５１６号公報、特開２００２−３０５０８３号公報、特開２００２−３０５０８４号公報、特開２００２−３０８８３７号公報等が挙げられる。
【０１０４】
また、本発明では、発光層の作製に蒸着重合可能なモノマーを用いることもできる。例えば、蒸着重合膜を得る為に適用可能なモノマーとしては、特開平９−３１１１５号公報、特開２０００−１５０１４８号公報、同２０００−２０８２６３号公報、同２００２−６９０１３号公報各公報に記載されている化合物を挙げることができる。
【０１０５】
前記、蒸着重合可能なモノマーは蒸着重合法により製膜されるが、この膜（層）は発光層の発光ホストとして用いられるだけでなく、後述の発光層、電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層、正孔注入層で用いても良い。
【０１０６】
本発明の有機ＥＬ素子の発光層を前記蒸着重合法で作製する場合、前記本発明のオルトメタル化金属錯体を発光ドーパントとして共蒸着で同時に製膜することが好ましい。この時、本発明のオルトメタル化金属錯体のうちビニル基を有する化合物を使用することが特に好ましい。蒸着重合には必要に応じて化合物の堆積時まはた堆積後にエネルギーを照射等の方法によって加えても良く、そのエネルギー照射法としては、紫外線、電子、イオン、熱線または放射線であることが好ましい。また、製膜した基板を加熱することで重合膜を形成してもよい。
【０１０７】
以上の本発明に係る発光ホストである発光層中に本発明に係るロジウム錯体の発光ドーパントと共に用いられることが好ましいが、発光ホスト以外の用途、例えば、正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料、電子注入材料、正孔阻止材料、電子阻止材料として使用しても良く、その場合は発光ホストとして用いた化合物と同一の化合物を発光層以外の層に用いても、発光ホストとして用いた化合物と異なる化合物を発光層以外の層に用いてもよい。
【０１０８】
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、カルシウム含有有機層を有することが好ましく、前記カルシウム含有有機層に好ましく用いられる有機材料としては、例えば、特願２００２−１４０１０３号、特願２００２−１３８３０７号、特開２００１−６８７８号公報、特開２００１−３１３１７７号公報、特開２００１−３１３１７８号公報、特開２０００−２１５７２号公報等に記載の材料が挙げられる。
【０１０９】
また、本発明では、燐光材料が好ましく用いられるが、例えば、Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ  ｅｔ  ａｌ．，ｎａｔｕｒｅ、４０３巻、１７号、７５０−７５３ページ（２０００年）、Ｓ．Ｌａｍａｎｓｋｙ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４ページ（２００１年）、Ｍ．Ｅ．Ｔｏｍｐｓｏｎ  ｅｔ  ａｌ．，Ｔｈｅ  １０ｔｈ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ  ｏｎ  Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  ａｎｄ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松）、Ｍｏｏｎ−Ｊａｅ  Ｙｏｕｎ．Ｏｇ，Ｔｅｔｓｕｏ  Ｔｓｕｔｓｕｉ  ｅｔ  ａｌ．，Ｔｈｅ  １０ｔｈ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ  ｏｎ  Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  ａｎｄ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松）、Ｉｋａｉ  ｅｔ  ａｌ．，Ｔｈｅ  １０ｔｈ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ  ｏｎ  Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  ａｎｄ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松）、特開２００１−２４７８５９号公報、特開２００２−１０５０５５号公報、特開２００２−１１７９７８号公報等に記載の化合物が挙げられる。
【０１１０】
次に、代表的な有機ＥＬ素子の構成について述べる。
【０１１１】
《有機ＥＬ素子の構成層》
本発明の有機ＥＬ素子の構成層について説明する。
【０１１２】
本発明において、有機ＥＬ素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
（ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（ii）陽極／電子阻止層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（iii）陽極／正孔輸送層／電子阻止層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（iv）陽極／正孔輸送層／電子阻止層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（ｖ）陽極／正孔輸送層／電子阻止層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
（vi）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／電子阻止層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
（vii）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／電子阻止層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
《阻止層（電子阻止層、正孔阻止層）》
本発明に係る阻止層（例えば、電子阻止層、正孔阻止層）について説明する。
【０１１３】
本発明においては、発光層に隣接する隣接層、例えば、正孔阻止層、電子阻止層等に、上記のロジウム錯体（例えば、前記一般式（１）で表される部分構造またはその互変異生体を有するオルトメタル化ロジウム錯体等）を用いることが好ましく、特に好ましくは正孔阻止層に用いることである。
【０１１４】
上記ロジウム錯体を正孔阻止層、電子阻止層に含有させる場合、前記ロジウム錯体を層として１００質量％の状態で含有させてもよいし、他の有機化合物（例えば、本発明に係る有機化合物含有層に用いられる化合物等）と混合してもよい。
【０１１５】
本発明に係る阻止層の膜厚としては好ましくは３ｎｍ〜１００ｎｍであり、更に好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍである。また、ロジウム錯体としては前記一般式（１）で表されるオルトメタル化ロジウム錯体が好ましく用いられる。
【０１１６】
《正孔阻止層》
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
【０１１７】
正孔阻止層としては、例えば特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日  エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載の正孔阻止（ホールブロック）層等を本発明に係る正孔阻止層として適用可能である。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る正孔阻止層として用いることが出来る。
【０１１８】
《電子阻止層》
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることが出来る。
【０１１９】
また、本発明においては、発光層に隣接する隣接層、即ち、正孔阻止層、電子阻止層に、上記の本発明に係るロジウム錯体を用いることが好ましく、特に正孔阻止層に用いることが好ましい。
【０１２０】
《発光層》
本発明においては、前記ロジウム錯体を発光ドーパントに、前記リン光０−０バンドが４５０ｎｍ以下の化合物を発光ホストに用いることが好ましいが、これら以外にも公知の発光ホストや発光ドーパントを併用してもよい。
【０１２１】
併用してもよい公知の発光ホストとしては、後述の電子輸送材料及び正孔輸送材料もその相応しい一例として挙げられ、蛍光極大波長が４１５ｎｍ以下であることが好ましく、リン光の０−０バンドが４５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【０１２２】
この発光層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法などの公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。発光層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲で選ばれる。この発光層は、これらの発光材料一種又は二種以上からなる一層構造であってもよいし、あるいは、同一組成又は異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
【０１２３】
また、この発光層は、特開昭５７−５１７８１号公報に記載されているように、樹脂などの結着材と共に上記発光材料を溶剤に溶かして溶液としたのち、これをスピンコート法などにより薄膜化して形成することができる。このようにして形成された発光層の膜厚については、特に制限はなく、状況に応じて適宜選択することができるが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲である。
【０１２４】
《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する材料を含み、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層もしくは複数層設けることができる。
【０１２５】
正孔輸送材料としては、特に制限はなく、従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているものやＥＬ素子の正孔注入層、正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
【０１２６】
正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
【０１２７】
正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
【０１２８】
芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノジフェニルエーテル；４，４’−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらには、米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば４，４’−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４’’−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【０１２９】
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【０１３０】
また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
【０１３１】
また、本発明においては正孔輸送層の正孔輸送材料は４１５ｎｍ以下に蛍光極大波長を有することが好ましく、リン光の０−０バンドが４５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、正孔輸送材料は、高Ｔｇであることが好ましい。
【０１３２】
この正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５０００ｎｍ程度である。この正孔輸送層は、上記材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよい。
【０１３３】
《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は、単層もしくは複数層を設けることができる。
【０１３４】
従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、下記の材料が知られている。
【０１３５】
さらに、電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
【０１３６】
この電子輸送層に用いられる材料（以下、電子輸送材料という）の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。
【０１３７】
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【０１３８】
また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）など、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基などで置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣなどの無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
【０１３９】
電子輸送層に用いられる好ましい化合物は、蛍光極大波長が４１５ｎｍ以下であることが好ましく、リン光の０−０バンドが４５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
電子輸送層に用いられる化合物は、高Ｔｇである化合物が好ましい。
【０１４０】
この電子輸送層は、上記電子輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５〜５０００ｎｍ程度である。この電子輸送層は、上記材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよい。
【０１４１】
次に、本発明の有機ＥＬ素子の構成層として用いられる、注入層について説明する。
【０１４２】
《注入層》：電子注入層、正孔注入層
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記のごとく陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び、陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
【０１４３】
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日  エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バッファー層）とがある。
【０１４４】
陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
【０１４５】
陰極バッファー層（電子注入層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的には、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。
【０１４６】
上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は０．１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲が好ましい。
【０１４７】
この注入層は、上記材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。注入層の膜厚については特に制限はないが、通常は５〜５０００ｎｍ程度である。この注入層は、上記材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよい。
【０１４８】
《陽極》
本発明の有機ＥＬ素子に係る陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ2、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【０１４９】
《陰極》
一方、本発明に係る陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１０００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
【０１５０】
《基体（基板、基材、支持体等ともいう）》
本発明の有機ＥＬ素子に係る基体としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また、透明のものであれば特に制限はないが、好ましく用いられる基板としては例えばガラス、石英、光透過性樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい基体は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
【０１５１】
樹脂フィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。
【０１５２】
樹脂フィルムの表面には、無機物もしくは有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、水蒸気透過率が０．０１ｇ／ｍ2・ｄａｙ・ａｔｍ以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
【０１５３】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光の室温における外部取り出し効率は１％以上であることが好ましく、より好ましくは２％以上である。ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。
【０１５４】
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用してもよい。
【０１５５】
照明用途で用いる場合には、発光ムラを低減させるために粗面加工したフィルム（アンチグレアフィルム等）を併用することもできる。
【０１５６】
多色表示装置として用いる場合は少なくとも２種類の異なる発光極大波長を有する有機ＥＬ素子からなるが、有機ＥＬ素子を作製する好適な例を説明する。
【０１５７】
《有機ＥＬ素子の作製方法》
本発明の有機ＥＬ素子の作製方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極からなる有機ＥＬ素子の作製法について説明する。
【０１５８】
まず適当な基体上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層の有機化合物薄膜を形成させる。
【０１５９】
この有機化合物薄膜の薄膜化の方法としては、前記の如くスピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法またはスピンコート法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０℃〜４５０℃、真空度１０-6Ｐａ〜１０-2Ｐａ、蒸着速度０．０１ｎｍ〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０℃〜３００℃、膜厚０．１ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。
【０１６０】
これらの層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機ＥＬ素子が得られる。この有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施してもかまわない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。
【０１６１】
《表示装置》
本発明の表示装置について説明する。
【０１６２】
本発明の表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは、多色表示装置について説明する。多色表示装置の場合は、発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。
【０１６３】
発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、印刷法である。蒸着法を用いる場合においてはシャドーマスクを用いたパターニングが好ましい。
【０１６４】
また作製順序を逆にして、陰極、電子輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。
【０１６５】
このようにして得られた多色表示装置に、直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
【０１６６】
多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレー、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレーにおいて、青、赤、緑発光の３種の有機ＥＬ素子を用いることにより、フルカラーの表示が可能となる。
【０１６７】
表示デバイス、ディスプレーとしてはテレビ、パソコン、モバイル機器、ＡＶ機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリックス（パッシブマトリックス）方式でもアクティブマトリックス方式でもどちらでもよい。
【０１６８】
発光光源としては家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではない。
【０１６９】
《照明装置》
本発明の照明装置について説明する。
【０１７０】
本発明の有機ＥＬ素子に共振器構造を持たせた有機ＥＬ素子として用いてもよく、このような共振器構造を有した有機ＥＬ素子の使用目的としては光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより、上記用途に使用してもよい。
【０１７１】
また、本発明の有機ＥＬ素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用しても良いし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用しても良い。動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでも良い。または、異なる発光色を有する本発明の有機ＥＬ素子を２種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。
【０１７２】
本発明の有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を図面に基づいて説明する。
【０１７３】
図１は、有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機ＥＬ素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。
【０１７４】
ディスプレイ１は、複数の画素を有する表示部Ａ、画像情報に基づいて表示部Ａの画像走査を行う制御部Ｂ等からなる。
【０１７５】
制御部Ｂは、表示部Ａと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Ａに表示する。
【０１７６】
図２は、表示部Ａの模式図である。
【０１７７】
表示部Ａは基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と、複数の画素３等とを有する。表示部Ａの主要な部材の説明を以下に行う。
【０１７８】
図においては、画素３の発光した光が、白矢印方向（下方向）へ取り出される場合を示している。
【０１７９】
配線部の走査線５及び複数のデータ線６は、それぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示せず）。
【０１８０】
画素３は、走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を、適宜、同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。
【０１８１】
次に、画素の発光プロセスを説明する。
【０１８２】
図３は、画素の模式図である。
【０１８３】
画素は、有機ＥＬ素子１０、スイッチングトランジスタ１１、駆動トランジスタ１２、コンデンサ１３等を備えている。複数の画素に有機ＥＬ素子１０として、赤色、緑色、青色発光の有機ＥＬ素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。
【０１８４】
図３において、制御部Ｂからデータ線６を介してスイッチングトランジスタ１１のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Ｂから走査線５を介してスイッチングトランジスタ１１のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ１３と駆動トランジスタ１２のゲートに伝達される。
【０１８５】
画像データ信号の伝達により、コンデンサ１３が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ１２の駆動がオンする。駆動トランジスタ１２は、ドレインが電源ライン７に接続され、ソースが有機ＥＬ素子１０の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン７から有機ＥＬ素子１０に電流が供給される。
【０１８６】
制御部Ｂの順次走査により走査信号が次の走査線５に移ると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフしてもコンデンサ１３は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ１２の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機ＥＬ素子１０の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ１２が駆動して有機ＥＬ素子１０が発光する。
【０１８７】
すなわち、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数の画素それぞれの有機ＥＬ素子１０に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ１１と駆動トランジスタ１２を設けて、複数の画素３それぞれの有機ＥＬ素子１０の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。
【０１８８】
ここで、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、２値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。
【０１８９】
また、コンデンサ１３の電位の保持は、次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。
【０１９０】
本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機ＥＬ素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。
【０１９１】
図４は、パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図４において、複数の走査線５と複数の画像データ線６が画素３を挟んで対向して格子状に設けられている。
【０１９２】
順次走査により走査線５の走査信号が印加されたとき、印加された走査線５に接続している画素３が画像データ信号に応じて発光する。パッシブマトリクス方式では画素３にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。
【実施例】
【０１９３】
以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【０１９４】
実施例１
《有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１の作製》：比較例
陽極としてガラス上にＩＴＯを１５０ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製：ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をｉｓｏ−プロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
【０１９５】
この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、５つのタンタル製抵抗加熱ボートに、α−ＮＰＤ、ＣＢＰ、Ｉｒ−１１、ＢＣＰ、Ａｌｑ3をそれぞれ入れ、真空蒸着装置（第１真空槽）に取付けた。
【０１９６】
さらにタンタル製抵抗加熱ボートにフッ化リチウムを、タングステン製抵抗加熱ボートにアルミニウムをそれぞれ入れ、真空蒸着装置の第２真空槽に取り付けた。
【０１９７】
まず、第１の真空槽を４×１０-4Ｐａまで減圧した後、α−ＮＰＤの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ〜０．２ｎｍ／秒で透明支持基板に膜厚２５ｎｍの厚さになるように蒸着し、正孔注入／輸送層を設けた。
【０１９８】
さらに、ＣＢＰの入った前記加熱ボートとＩｒ−１１の入ったボートをそれぞれ独立に通電して発光ホストであるＣＢＰと発光ドーパントであるＩｒ−１１の蒸着速度が１００：７になるように調節し膜厚３０ｎｍの厚さになるように蒸着し、発光層を設けた。
【０１９９】
ついで、ＢＣＰの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒で厚さ１０ｎｍの正孔阻止層電子輸送層を設けた。更に、Ａｌｑ3の入った前記加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ〜０．２ｎｍ／秒で膜厚４０ｎｍの電子輸送層電子注入層を設けた。
【０２００】
次に、前記の如く電子輸送層電子注入層まで製膜した素子を真空のまま第２真空槽に移した後、電子注入層の上にステンレス鋼製の長方形穴あきマスクが配置されるように装置外部からリモートコントロールして設置した。
第２真空槽を２×１０-4Ｐａまで減圧した後、フッ化リチウム入りのボートに通電して蒸着速度０．０１ｎｍ／秒〜０．０２ｎｍ／秒で膜厚０．５ｎｍの陰極バッファー層を設け、次いでアルミニウムの入ったボートに通電して蒸着速度１ｎｍ／秒〜２ｎｍ／秒で膜厚１５０ｎｍの陰極をつけ、図５に記載の層構成を有する素子を得た。さらにこの有機ＥＬ素子を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスで置換したグローブボックス）へ移し、図６に示したような封止構造にして、ＯＬＥＤ１−１を作製した。
【０２０１】
なお、補水剤である酸化バリウムは、アルドリッチ社製の高純度酸化バリウム粉末を、粘着剤付きのフッ素樹脂系半透過膜（ミクロテックス  Ｓ−ＮＴＦ８０３１Ｑ  日東電工製）でガラス製封止缶に貼り付けたものを予め準備して使用した。封止缶と有機ＥＬ素子の接着には紫外線硬化型の接着剤２７を用い、紫外線ランプを照射することで両者を接着し封止素子を作製した。
【０２０２】
《有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−２〜１−２５の作製》
上記の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１の作製において、発光層の作製に用いた発光ホストであるＣＢＰと発光ドーパントであるＩｒ−１１を表１に記載の化合物に替えた以外は同様にして、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−２〜１−２５を各々作製した。
【０２０３】
【化１４】
2004319438.tif 000015
【０２０４】
【化１５】
2004319438.tif 000016
【０２０５】
【化１６】
2004319438.tif 000017
【０２０６】
得られた有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１〜１−２５の各々について下記のような評価を行った。
【０２０７】
《発光効率（発光輝度、外部取り出し量子効率ともいう）》
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−２〜１−２５の各々の素子を温度２３度、乾燥窒素ガス雰囲気下で５．０ｍＡ／ｃｍ2の定電流条件下による連続点灯を行い、点灯開始直後の発光輝度（Ｌ）［ｃｄ／ｍ2］および外部取り出し量子効率（η）を測定した。ここで、発光輝度の測定などは、ＣＳ−１０００（ミノルタ製）を用いた。また、外部取り出し量子効率は、各々有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１を１００とした時の相対値で表した。
【０２０８】
《発光寿命》
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１〜１−２５の各々の素子を温度２３度、２．５ｍＡ／ｃｍ2の定電流条件下による連続点灯を行い、初期輝度の半分の輝度になるのに要する時間（τ1/2）を測定した。
【０２０９】
また、発光寿命は、各々有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１を１００とした時の相対値で表した。
【０２１０】
得られた結果を表１に示す。
【０２１１】
【表１】
2004319438.tif 000018
【０２１２】
表１から、公知である、同一の配位子を３つ有する対称型のオルトメタル化ロジウム錯体を発光ドーパントに用いたＯＬＥＤ１−２〜１−５は、発光寿命については比較的良好ではあるが、発光効率は低い。
【０２１３】
これに対し、本発明の対称型オルトメタル化ロジウム錯体を発光ドーパントに用いたＯＬＥＤ１−９〜１−１３は、比較の素子よりも更に発光寿命が改善され、また、発光効率も非常に向上することが判る。
【０２１４】
更に、公知の非対称型のオルトメタル化ロジウム錯体を発光ドーパントに用いたＯＬＥＤ１−６、１−７は、発光効率は比較的良好であるが、発光寿命が非常に短く、配位子が非キレート性の比較化合物−７を用いたＯＬＥＤ１−８では、発光効率、発光寿命共に極めて低いことが判る。
【０２１５】
これにたいして、本発明の非対称型オルトメタル化ロジウム錯体を発光ドーパントに用いたＯＬＥＤ１−１４〜１−２５では、発光効率、発光寿命共に大きく改善され、従来公知のオルトメタル化イリジウム錯体（Ｉｒ−１１）を用いた素子ＯＬＥＤ１−１（比較例）よりも良好になることがわかった。
【０２１６】
実施例２
《有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２−１〜２−１７の作製》
実施例１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１の作製において、正孔阻止層の形成に用いたＢＣＰの代わりに、表２に記載の化合物を正孔阻止材料として用いた以外は同様にして、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２−１〜２−１７を各々作製した。また、実施例１で作製した、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１を比較の試料として用いた。
【０２１７】
得られた各有機ＥＬ素子を実施例１に記載と同様にして、発光効率、発光寿命を各々評価した。
【０２１８】
尚、表２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２−１３〜２−１７のように、正孔阻止層を構成する化合物が２種類の場合の比率は、質量比を表す。
【０２１９】
得られた結果を表２に示す。
【０２２０】
【表２】
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【０２２１】
表２から、比較に比べて本発明の有機ＥＬ素子は、発光効率、発光寿命共に飛躍的に向上することがわかる。また、本発明の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２−１３〜２−１７の評価結果から、本発明に係るオルトメタル化ロジウム錯体を正孔阻止層に微量ドープするだけでも本発明に記載の効果が得られることが明らかである。
【０２２２】
実施例３
《フルカラー表示装置の作製》
（青色発光素子）
実施例１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１９を青色発光素子として使用。
【０２２３】
（緑色発光素子）
実施例１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１０を緑色発光素子として使用。
【０２２４】
（赤色発光素子）
実施例１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１３を赤色発光素子として使用。
【０２２５】
実施例１で作製した、各々赤色、緑色、青色発光有機ＥＬ素子（各々、ＯＬＥＤ１−１３、１−１０、１−１９）を同一基板上に並置し、図１に記載のような形態を有するアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製し、図２には、作製した前記表示装置の表示部Ａの模式図のみを示した。即ち、同一基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と、並置した複数の画素３（発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等）とを有し、配線部の走査線５及び複数のデータ線６はそれぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示せず）。前記複数画素３は、それぞれの発光色に対応した有機ＥＬ素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。この様に各赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示装置を作製した。
【０２２６】
該フルカラー表示装置を駆動することにより、輝度が高く、高耐久性を有し、且つ、鮮明なフルカラー動画表示が得られることが判った。
【０２２７】
実施例４
《白色発光素子および白色照明装置の作製》
実施例１の透明電極基板の電極を２０ｍｍ×２０ｍｍにパターニングし、その上に実施例１と同様に正孔注入／輸送層としてα−ＮＰＤを５０ｎｍの厚さで製膜し、さらに、ＣＢＰの入った前記加熱ボートとＩ−１２の入ったボートおよびII−８の入ったボートをそれぞれ独立に通電して発光ホストであるＣＢＰと発光ドーパントであるＩｒ−１１およびＩｒ−９の蒸着速度が１００：６：０．５になるように調節し膜厚３０ｎｍの厚さになるように蒸着し、発光層を設けた。
【０２２８】
ついで、ＢＣＰを１０ｎｍ製膜して電子輸送層を設けた。更に、Ａｌｑ3を４０ｎｍで製膜し電子注入層を設けた。
【０２２９】
次に、真空槽をあけ、電子注入層の上にステンレス鋼製の透明電極とほぼ同じ形状の正方形穴あきマスクを設置し、陰極バッファー層としてフッ化リチウム０．５ｎｍ及び陰極としてアルミニウム１１０ｎｍを蒸着製膜した。
【０２３０】
この素子を実施例２と同様な方法および同様な構造の封止缶を具備させ平面ランプを作製した。この平面ランプの通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用できることがわかった。
【０２３１】
得られた平面ランプの平面図を図７（ａ）に、側面図を図７（ｂ）で示す。
【０２３２】
実施例５
《例示化合物Ｉ−１の合成》
下記のスキーム１に従い、中間体１を合成し、次いでスキーム２に従い、例示化合物Ｉ−１を合成した。
【０２３３】
【化１７】
2004319438.tif 000020
【０２３４】
スキーム１：ジ−ｍ−Ｃｌテトラキス（２−フェニルピリジン）二ロジウム（III）錯体（中間体１）の合成
ＲｈＣｌ3・３Ｈ2Ｏ（７５２ｍｇ，２．８６ｍｍｏｌ）を水１０ｍｌとエトキシエタノール３０ｍｌに溶解し、そこへ２−フェニルピリジン（１３ｍｍｏｌ）を加える。混合物の入ったフラスコを減圧とし、窒素置換する。窒素還流下に混合物を２４時間加熱還流する。反応終了後、放冷し、析出している固体を濾過し、固体をエタノール（２０ｍｌ）で洗浄、減圧乾燥し、収率９５％（１２２０ｍｇ，１．７ｍｍｏｌ）で中間体１を得た。
【０２３５】
スキーム２：アセチルアセトナートビス（２−フェニルピリジン）ロジウム（III）錯体（例示化合物Ｉ−１）
ジ−ｍ−Ｃｌ錯体（中間体１）（０．１６ｍｍｏｌ）と炭酸カリウム（１．４４ｍｍｏｌ）にＴＨＦ４ｍｌとアセチルアセトン（０．７２ｍｍｏｌ）を加え、混合物の入ったフラスコを減圧とし、窒素置換する。窒素還流下に混合物を２７時間、１００℃で加熱攪拌する。反応終了後、反応液に塩化メチレン１０ｍｌを加え、固体を濾別する。溶媒をロータリーエバポレーターで留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（塩化メチレン：エタノール＝３０：１）により精製した。
【０２３６】
得られた固体を塩化メチレン（１５０ｍｌ）に溶解後、減圧下にて濃縮（約１０ｍｌ）することにより再結晶させ、収率７０％（５８ｍｇ，０．１１ｍｍｏｌ）で、例示化合物Ｉ−１を得た。
【０２３７】
例示化合物Ｉ−１の同定は、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（核磁気共鳴スペクトル）により行なった。スペクトルチャートの特徴的なピークを以下に示す。
【０２３８】
1Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤ2Ｃｌ2）
δ８．４７（ｄｄ，３Ｈ，Ｊ＝５．５，０．９Ｈｚ），７．９０−７．８６（ｍ，４Ｈ），７．６２（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．７，１．０Ｈｚ），６．９３（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．４，１．１Ｈｚ），６．７７（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．４，１．３Ｈｚ），６．２５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．７Ｈｚ），５．２５（ｓ，１Ｈ），１．８７（ｓ，６Ｈ）
13Ｃ−ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，ＣＤ2Ｃｌ2）
１８７．３，１６８．３（ｄ，ＪC-Rh＝３５．８Ｈｚ），１６５．１，１４９．０，１４４．５，１３７．３，１３３．８，１２８．６，１２３．６，１２２．０３，１２２．００，１１８．９，９７．９，２８．６．
実施例６
《例示化合物Ｉ−２の合成》
下記のスキーム１に従い、中間体２を合成し、次いでスキーム２に従い、例示化合物Ｉ−２を合成した。
【０２３９】
【化１８】
2004319438.tif 000021
【０２４０】
スキーム１：ジ−ｍ−Ｃｌテトラキスベンゾ［ｈ］キノリン二ロジウム（III）錯体（中間体２）の合成
ＲｈＣｌ3・３Ｈ2Ｏ（７５２ｍｇ，２．８６ｍｍｏｌ）を水１０ｍｌとエトキシエタノール３０ｍｌに溶解し、そこへベンゾキノリン（１３．３ｍｍｏｌ）を加える。混合物の入ったフラスコを減圧とし、窒素置換する。窒素還流下に混合物を２４時間過熱還流する。反応終了後、放冷し、析出している固体を濾過し、固体をエタノール（２０ｍｌ）で洗浄、減圧乾燥し、収率９６％（１４２１ｍｇ，１．４３ｍｍｏｌ）で中間体２を得た。
【０２４１】
スキーム２：アセチルアセトナートビスベンゾ［ｈ］キノリンロジウム（III）錯体（例示化合物Ｉ−２）の合成
ジ−ｍ−Ｃｌ錯体（中間体２）（０．２０ｍｍｏｌ）と炭酸カリウム（２．４１ｍｍｏｌ）にＴＨＦ４ｍｌとアセチルアセトン（１．２ｍｍｏｌ）を加え、混合物の入ったフラスコを減圧とし、窒素置換する。窒素還流下に混合物を２７時間、１００℃で加熱攪拌する。反応終了後、反応液に塩化メチレン１０ｍｌを加え、固体を濾別する。溶媒をロータリーエバポレーターで留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（塩化メチレン：エタノール＝３０：１）により精製した。
【０２４２】
得られた固体を塩化メチレン（１０ｍｌ）に溶解しヘキサン（２０ｍｌ）を層になるようにゆっくりと加え、放置することにより再結晶し、収率４１％（８８ｍｇ，０．１６ｍｍｏｌ）で例示化合物Ｉ−２を得た。さらに得られた生成物を昇華精製を施し有機ＥＬ用ドーパントとして使用した。
【０２４３】
例示化合物Ｉ−２の同定は、1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（核磁気共鳴スペクトル）により行なった。スペクトルチャートの特徴的なピークを以下に示す。
【０２４４】
1Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤ2Ｃｌ2）
δ８．８５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝５．１Ｈｚ），８．４１６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．１Ｈｚ），７．８４（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．４Ｈｚ），７．７２（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．８Ｈｚ），７．６７−７．６５（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝８．１，５．２Ｈｚ），７．３８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．８Ｈｚ），７．０３−７．００（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝５．０Ｈｚ），６．２５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ）５．３３（ｓ，１Ｈ），１．８８（ｓ，６Ｈ）
13Ｃ−ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，ＣＤ2Ｃｌ2）
１８７．５，１６４．４（ｄ，ＪC-Rh＝３５．７Ｈｚ），１５５．１，１４８．１，１４０．８，１３５．８，１３３．３，１３１．１，１２９．２，１２８．１，１２６．８，１２３．２，１２１．４，１２０．１，９７．９，２８．６
実施例７
《例示化合物II−１の合成》
下記に記載のスキーム１に従い、例示化合物II−１（トリスベンゾ［ｈ］キノリンロジウム（III）錯体）を合成した。
【０２４５】
【化１９】
2004319438.tif 000022
【０２４６】
スキーム１：トリスベンゾ［ｈ］キノリンロジウム（III）錯体（例示化合物II−１）の合成
実施例５に記載のジ−ｍ−Ｃｌ錯体（中間体２）（０．５ｍｍｏｌ）、ベンゾ［ｈ］キノリン（４ｇ）とを混合し、反応器を窒素置換する。そこへトリフルオロメタンスルホン酸銀（ＡｇＯＴｆ）（１．０ｍｍｏｌ）とスルホラン５ｍｌを加え、４８時間１４０度で加熱攪拌する。反応終了後、反応混合液に純水１０ｍｌを加え、析出した固体を濾取し、これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン：エタノール＝３０：１）により精製し、収率９．４％（５３ｍｇ，０．０９４ｍｍｏｌ）で例示化合物II−１を得た。実施例５と同様に昇華精製を施し、有機ＥＬ用ドーパントとして使用した。
【０２４７】
実施例８
《リン光スペクトル測定》
実施例５で得られた例示化合物Ｉ−１及び、実施例６で得られた例示化合物II−１のリン光スペクトル、及び例示化合物Ｉ−８のリン光スペクトルを各々、図８、９、１０に示す。
【０２４８】
ここで、図８〜図１０に示したリン光スペクトルの測定は、上記の発光ホストのリン光スペクトル測定と同様にして測定できる。また、リン光スペクトルの測定条件は図中に示す。
【図面の簡単な説明】
【０２４９】
【図１】有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。
【図２】表示部Ａの模式図である。
【図３】画素の模式図である。
【図４】パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。
【図５】有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１の層構成を示す模式図である。
【図６】有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−１の概略模式図である。
【図７】有機ＥＬ素子を具備してなる照明装置の平面模式図である。
【図８】発光ドーパントのリン光スペクトル測定チャートの一例を示す。
【図９】発光ドーパントのリン光スペクトル測定チャートの一例を示す。
【図１０】発光ドーパントのリン光スペクトル測定チャートの一例を示す。
【符号の説明】
【０２５０】
１  ディスプレイ
３  画素
５  走査線
６  データ線
７  電源ライン
１０  有機ＥＬ素子
１１  スイッチングトランジスタ
１２  駆動トランジスタ
１３  コンデンサ
Ａ  表示部
Ｂ  制御部
２１  透明電極付きガラス基板
２２  有機ＥＬ層
２３  陰極
２４  ガラス製封止缶
２５  酸化バリウム（捕水剤）
２６  窒素ガス
２７  紫外線硬化型接着剤
【図１】
2004319438.tif 000027
【図２】
2004319438.tif 000028
【図３】
2004319438.tif 000029
【図４】
2004319438.tif 000030
【図５】
2004319438.tif 000031
【図６】
2004319438.tif 000032
【図７】
2004319438.tif 000033
【図８】
2004319438.tif 000034
【図９】
2004319438.tif 000035
【図１０】
2004319438.tif 000036