(57)【要約】【課題】本発明は、電子機器の表示部等に用いられる液晶表示装置に関し、良好な表示品質の得られる液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】対向配置されたＴＦＴ基板２及び対向基板４と、両基板２、４間に封止された液晶６と、ＴＦＴ基板２に反射電極１６が形成され、対向基板４側から入射する光を反射させる反射領域Ｒ１と、反射電極１６の周囲又は開口部に配置され、ＴＦＴ基板２側から入射する光を透過させる透過領域Ｔ１とをそれぞれ備えた複数の画素領域Ｐと、透過領域Ｔ１に形成され、反射領域Ｒ１の一部にまで延在するＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂとを有するように構成する。【選択図】    図２
2004157336.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の基板と、
前記基板間に封止された液晶と、
前記基板の一方に反射電極が形成され、前記基板の他方側から入射する光を反射させる反射領域と、前記反射電極の周囲又は開口部に配置され、前記基板の一方側から入射する光を透過させる透過領域とをそれぞれ備えた複数の画素領域と、
前記透過領域に形成されて前記反射領域の一部にまで延在し、所定波長の光を選択して透過させる波長選択層と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記波長選択層上に積層されて前記透過領域に形成され、前記反射領域の一部又は他の一部にまで延在する第２の波長選択層をさらに有していること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２記載の液晶表示装置において、
前記波長選択層及び前記第２の波長選択層は、互いに異なる波長の光を選択して透過させること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記波長選択層上に形成され、前記基板表面を平坦化する平坦化膜をさらに有していること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記透過領域は、前記反射領域より厚いセル厚を有していること
を特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子機器の表示部等に用いられる液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、画素毎にスイッチング素子を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、軽量化、薄型化及び低消費電力化が実現できる反射型液晶表示装置が注目されている。現在、反射型液晶表示装置として、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モードを用いた一枚偏光板方式のものが実用化されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。しかし、反射型液晶表示装置は周囲の明るさにより視認性が大きく左右され、特に周囲の明るさが比較的暗い暗所では視認性が著しく低下してしまうという問題が生じる。
【０００３】
上記の問題を解決する液晶表示装置として、表示画面側から照明するフロントライトユニットを備えたフロントライト方式の反射型液晶表示装置がある。しかし、フロントライト方式の反射型液晶表示装置は、フロントライトユニットからの照明光が反射電極だけでなく表示画面表面でも反射してしまうため、暗所でのコントラスト比が透過型液晶表示装置より低くなってしまう。また、周囲の明るさが比較的明るい明所では、フロントライトユニットの導光板での光吸収により、通常の反射型液晶表示装置より表示が暗くなってしまう。
【０００４】
また、他の方式として、バックライトユニットを備え、半透過反射膜が画素電極に用いられた半透過型液晶表示装置が知られている（例えば、特許文献３参照）。半透過反射膜には、一般に膜厚３０ｎｍ程度のアルミニウム（Ａｌ）等の金属薄膜が用いられる。しかし、金属薄膜は光の吸収率が大きいため、光の利用効率が低下してしまう。さらに、基板面内で均一な膜厚の半透過反射膜を形成するのは困難であるため、基板面内で光の透過率や反射率にばらつきが生じてしまう。
【０００５】
上記の問題を解決する液晶表示装置として、画素内に反射領域と透過領域とを備えた半透過型液晶表示装置が知られている（例えば、特許文献４参照）。図１４は、半透過型液晶表示装置のＴＦＴ基板の構成を示している。図１４に示すように、ＴＦＴ基板１０２には、図中上下方向に延びるゲートバスライン１０４が互いに平行に複数形成されている。また、不図示の絶縁膜を介してゲートバスライン１０４に交差し、図中左右方向に延びるドレインバスライン１０６が互いに平行に複数形成されている。両バスライン１０４、１０６の交差位置近傍にはＴＦＴ１０８が形成されている。ＴＦＴ１０８のドレイン電極１４０は、ドレインバスライン１０６に電気的に接続されている。またソース電極１４２は、コンタクトホール１４４を介して、Ａｌ等からなる反射電極１１０に電気的に接続されている。反射電極１１０が形成された領域は、各画素の反射領域になっている。反射電極１１０の中央部は開口され、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等からなる透明電極１１２が形成されている。透明電極１１２が形成された領域は、各画素の透過領域になっている。
【０００６】
図１５は、図１４のＸ−Ｘ線で切断した液晶表示装置の断面図である。図１５に示すように、液晶表示装置は、ＴＦＴ基板１０２と対向基板１１４と両基板１０２、１１４間の液晶１１６とを有している。ＴＦＴ基板１０２は、ガラス基板１１８上の反射領域に平坦化膜１２０を有している。平坦化膜１２０表面には、複数の凹凸が形成されている。平坦化膜１２０上には反射電極１１０が形成されている。反射電極１１０表面には、下層の平坦化膜１２０の表面形状に倣い、複数の凹凸が形成されている。反射電極１１０は、表面に形成された複数の凹凸により光散乱特性が向上し、入射した外光を各方向に散乱させて反射させるようになっている。
【０００７】
また、ガラス基板１１８上の透過領域には透明電極１１２が形成されている。透明電極１１２は、図中下方に配置されたバックライトユニット（図示せず）から射出された光を透過するようになっている。透明電極１１２は、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）等からなるバリアメタル層１３６を介して、同一画素の反射電極１１０に電気的に接続されている。
【０００８】
一方、対向基板１１４は、ガラス基板１１９上に不図示のカラーフィルタ（ＣＦ；Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ）層を有している。ＣＦ層上の基板全面には、透明導電膜からなる共通電極１３０が形成されている。また、両基板１０２、１１４の対向面と反対側の面には、偏光板１３２、１３４がそれぞれ貼り付けられている。
【０００９】
図１４及び図１５に示す液晶表示装置は、各画素に反射領域と透過領域とを形成することにより、反射及び透過の両モードでの表示を実現している。
【００１０】
しかし、上記の構成では、Ａｌからなる反射電極１１０とＩＴＯからなる透明電極１１２とを互いに別工程で形成する必要がある。また、ＡｌとＩＴＯが接触して形成されると電池効果による腐食が発生するため、反射電極１１０と透明電極１１２との間に、バリアメタル層１３６をさらに別工程で形成する必要がある。したがって、液晶表示装置の製造工程が煩雑になるとともに、製造コストが増加してしまうという問題が生じる。
【００１１】
また上記の構成では、各画素に反射領域と透過領域とが形成されている。このため、反射型液晶表示装置と比較して反射特性が低く、透過型液晶表示装置と比較して透過特性が低い。しかし、反射特性を向上させるために反射領域の面積を拡大すると、透過領域の面積が縮小されて、透過特性がさらに低下してしまう。同様に、透過特性を向上させるために透過領域の面積を拡大すると、反射領域の面積が縮小されて、反射特性がさらに低下してしまう。このように、従来の半透過型液晶表示装置は、反射特性と透過特性とがトレードオフの関係にあり、反射特性及び透過特性をともに向上させるのが困難であるという問題が生じる。
【００１２】
さらに、反射領域では入射した光がＣＦ層を２回透過して表示画面側に射出するのに対し、透過領域ではＣＦ層を１回のみ透過して表示画面側に射出することになる。このため、反射モードで表示する際と透過モードで表示する際との間に色度ずれが発生してしまう。
【００１３】
反射モードで表示する際に明るい表示が得られるようにＣＦ層の色純度を調整すると、透過モードで表示する際の色純度が低下し、淡い表示になってしまう。逆に、透過モードで表示する際に明るい表示が得られるようにＣＦ層の色純度を調整すると、反射モードで表示する際の光の透過率が低下し、極めて暗い表示になってしまう。
【００１４】
上記の問題を解決する液晶表示装置として、反射領域と透過領域との間でＣＦ層の色純度を互いに異ならせる構成が知られている（例えば、特許文献５参照）。この構成では、例えば反射領域にはＣＦ層が形成されず、透過領域のみにＣＦ層が形成される。これにより、透過モードでの表示の際には色純度の高い表示が得られ、反射モードでの表示の際には無彩色ながら輝度の高い表示が得られる。しかしながら、この構成では反射モードと透過モードとを切り替える際に表示品質が大きく変化してしまうという問題が生じる。また、反射モードではカラー表示を行うことができないため、表示画面を介して使用者に伝達可能な情報量が減少し、良好な表示品質が得られないという問題が生じる。
【００１５】
上記の問題を解決する液晶表示装置として、反射領域と透過領域とでＣＦ層の色純度を異ならせる他の構成が知られている（例えば、特許文献６及び特許文献７参照）。しかしながら、この構成では、透過モードと反射モードとの間の色度ずれを軽減できるものの、やはり反射特性と透過特性とがトレードオフの関係にある。このため、反射特性及び透過特性をともに向上させるのが困難であり、光の利用効率が低下してしまうという問題が生じる。
【００１６】
また、画素領域毎にＣＦ層の色純度を異ならせる反射型液晶表示装置がある（例えば、特許文献８参照）。この構成では、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に、これらの補色であるシアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）を加えた計６色の画素を用いて表示が行われ、色再現範囲を拡大している。しかしながら、６色の画素を備えた液晶表示装置は、駆動回路が増加して製造コストが増加してしまうため実用的とはいえない。またこの構成は、半透過型液晶表示装置に適用できるものではない。
【００１７】
反射特性を低下させずに透過特性を向上させる半透過型液晶表示装置が、本願出願人による日本国特許出願（特願２００２−１８６号）に提案されている。この半透過型液晶表示装置について、図１６乃至図１９を用いて説明する。図１６は半透過型液晶表示装置のＴＦＴ基板の構成を示し、図１７は図１６のＹ−Ｙ線で切断した半透過型液晶表示装置の断面構成を示している。図１６及び図１７に示すように、反射電極１１０は、ゲートバスライン１０４、ドレインバスライン１０６及びＴＦＴ１０８を覆うように形成されている。反射電極１１０が形成された領域は、反射領域Ｒ、Ｒ’になっている。反射電極１１０の周囲の領域は、透過領域Ｔ、Ｔ’になっている。透過領域Ｔ、Ｔ’の液晶は、反射電極１１０と共通電極１３０との間の斜め電界により、反射領域Ｒ、Ｒ’の液晶とそれぞれ同様に駆動される。
【００１８】
この構成では、従来の液晶表示装置で反射領域としても透過領域としても用いられていない領域が、透過領域Ｔ、Ｔ’として用いられている。また、透過領域Ｔ、Ｔ’に露出するゲートバスライン１０４、ドレインバスライン１０６及びＴＦＴ１０８の面積が大幅に縮小されているため、反射領域Ｒ、Ｒ’の面積を減少させずに透過領域Ｔ、Ｔ’の面積を拡大することができる。したがって、反射特性を低下させずに透過特性を向上でき、反射及び透過の両モードで良好な表示特性が得られるようになっている。
【００１９】
図１８は、半透過型液晶表示装置の他の構成を示している。図１８に示すように、反射電極１１０は、ゲートバスライン１０４及びドレインバスライン１０６で囲まれた領域に形成されている。反射電極１１０の形成された領域は反射領域になっている。反射電極１１０には、スリット状や、円形又は多角形等の孔状に開口された開口部１５０ａ〜１５０ｅが形成されている。開口部１５０ａ〜１５０ｅの形成された領域は透過領域になっている。
【００２０】
図１９は、半透過型液晶表示装置のさらに他の構成を示している。図１９に示すように、反射電極１１０は、ゲートバスライン１０４、ドレインバスライン１０６及びＴＦＴ１０８を覆うように形成されている。反射電極１１０の形成された領域は反射領域になっている。反射電極１１０には、スリット状や、円形又は多角形等の孔状に開口された開口部１５０ｆ〜１５０ｋが形成されている。開口部１５０ｆ〜１５０ｋの形成された領域及び隣接する反射電極１１０間の領域は、透過領域になっている。
【００２１】
図１８及び図１９に示す構成では、透過領域にＩＴＯ等の透明電極が形成されていない。このため、透明電極及びバリアメタル層を形成する必要がない。また、例えば負の誘電率異方性を有する液晶の配向制御が可能な形状に開口部１５０ａ〜１５０ｋを形成することにより、配向膜のラビング処理が不要になる。したがって、液晶表示装置の製造工程が簡略化し、製造コストが削減される。
【００２２】
【特許文献１】
特開平５−２３２４６５号公報
【特許文献２】
特開平８−３３８９９３号公報
【特許文献３】
特開平７−３３３５９８号公報
【特許文献４】
特開平１１−２８１９７２号公報
【特許文献５】
特開平１１−２８１１号公報
【特許文献６】
特開平１１−３０５２４８号公報
【特許文献７】
特開２００１−１６６２８９号公報
【特許文献８】
特開平１０−３０７２０５号公報
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】
このように、図１６乃至図１９に示す半透過型液晶表示装置によれば、反射特性を低下させずに透過特性を向上できるとともに、製造工程の簡略化及び製造コストの削減が可能になる。しかしながら、この半透過型液晶表示装置は、依然として以下のような問題を有している。図２０は、図１８のＺ−Ｚ線で切断した液晶表示装置の３画素分の模式的な断面構成を示している。図２０に示すように、バックライトユニット（図示せず）から射出され、表示画面側に射出する透過光の光線ｔと、表示画面側から入射して反射電極１１０で反射され、表示画面側に射出する反射光の光線ｒとは、互いに異なる光路を進む。すなわち、透過光の光線ｔはＣＦ層Ｒを１度だけ透過するのに対して、反射光の光線ｒはＣＦ層Ｒを２度透過する。このため、透過モードで表示する際と反射モードで表示する際との間では色純度が異なってしまい、表示品質が低下してしまうという問題が生じる。
【００２４】
また、透過モードで表示する際と、反射モードで表示する際との間で色純度の差異が生じないように、反射領域でのＣＦ層の膜厚を透過領域でのＣＦ層の膜厚の約２倍にする構成が知られている。しかし、このような構成では、反射電極１１０が形成されたＴＦＴ基板１０２と、ＣＦ層が形成された対向基板１１４とを貼り合せる際の貼合せずれを許容する貼合せマージンを確保できない。このため、貼合せずれが生じると、透過モードで表示する際と反射モードで表示する際との間では色純度が異なってしまい、表示品質が低下してしまうという問題が生じる。
【００２５】
本発明の目的は、良好な表示品質の得られる液晶表示装置を提供することにある。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、対向配置された一対の基板と、前記基板間に封止された液晶と、前記基板の一方に反射電極が形成され、前記基板の他方側から入射する光を反射させる反射領域と、前記反射電極の周囲又は開口部に配置され、前記基板の一方側から入射する光を透過させる透過領域とをそれぞれ備えた複数の画素領域と、前記透過領域に形成されて前記反射領域の一部にまで延在し、所定波長の光を選択して透過させる波長選択層とを有することを特徴とする液晶表示装置によって達成される。
【００２７】
【発明の実施の形態】
〔第１の実施の形態〕
本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置について図１乃至図１１を用いて説明する。まず、本実施の形態の前提となる本発明の第１の基本構成について図１乃至図１１を用いて説明する。図１は、本基本構成による液晶表示装置の概略構成を示している。図１に示すように、例えばＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  Ａｌｉｇｎｅｄ）モードの液晶表示装置は、画素電極やＴＦＴ等が画素領域毎に形成されたＴＦＴ基板２と、ＣＦ層等が形成された対向基板４とを対向させて貼り合わせ、負の誘電率異方性を有する液晶６（図１では図示せず）をその間に封止した構造を有している。両基板２、４の対向面には、液晶分子を例えば基板面に垂直な方向に配向させる垂直配向膜が形成されている。
【００２８】
ＴＦＴ基板２には、複数のゲートバスラインを駆動するドライバＩＣが実装されたゲートバスライン駆動回路８０と、複数のドレインバスラインを駆動するドライバＩＣが実装されたドレインバスライン駆動回路８２とが設けられている。両駆動回路８０、８２は、制御回路８４から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスラインあるいはドレインバスラインに出力するようになっている。
【００２９】
ＴＦＴ基板２の素子形成面と反対側の表面には、偏光板８７が貼り付けられている。偏光板８７のＴＦＴ基板２と反対側には、例えば線状の一次光源と面状導光板とからなるバックライトユニット８８が配置されている。一方、対向基板４の樹脂ＣＦ層形成面と反対側の表面には、偏光板８６が貼り付けられている。偏光板８６、８７には、直線偏光板又は直線偏光板と１／４波長板との組合せが用いられている。
【００３０】
図２は、本基本構成による液晶表示装置の３画素分の模式的な断面構成を示している。図２に示すように、ＴＦＴ基板２のガラス基板１０上には、紙面に垂直な方向に延びるドレインバスライン１４が形成されている。ドレインバスライン１４上には、平坦化膜３２が形成されている。なお、ドレインバスライン１４の下層に形成された絶縁膜の図示は省略している。平坦化膜３２上には、反射電極１６が形成されている。反射電極１６の表面には、光反射特性を向上させる凹凸が形成されている。反射電極１６の形成された領域は反射領域Ｒ１になる。反射電極１６には開口部が形成されている。開口部の形成された領域は透過領域Ｔ１になる。反射領域Ｒ１と透過領域Ｔ１は画素領域Ｐを構成する。なお、反射電極１６表面は鏡面状に形成し、表示画面側に前方散乱膜を配置してもよい。
【００３１】
対向基板４のガラス基板１１上には、透明樹脂に顔料又は染料が混合されたＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂが形成されている。ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂの各層は、誘電体多層膜により形成され、それぞれＲ、Ｇ、Ｂの光を選択して透過させる波長選択層として機能する。ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂは、画素領域Ｐのうち透過領域Ｔ１に形成され、反射領域Ｒ１の一部にまで延在している。ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂは、反射領域Ｒ１の一部と透過領域Ｔ１で同一の色純度を有している。
【００３２】
本基本構成では、ＣＦ層が反射領域Ｒ１の一部に形成され、反射モードでの表示の際にはＣＦ層を２回透過する光とＣＦ層を透過しない光とが混合される。このため、高輝度の表示が得られるとともに、反射領域Ｒ１のうちＣＦ層が形成される領域の反射領域Ｒ１全体に対する面積比率を調整することにより、反射モードで表示する際の色純度を透過モードで表示する際の色純度に近づけることができる。したがって、表示品質の良好な半透過型の液晶表示装置が得られる。
【００３３】
また、本基本構成では、ＴＦＴ基板２と対向基板４との間に貼合せずれが生じても、反射領域Ｒ１のうちＣＦ層が形成される領域の反射領域Ｒ１全体に対する面積比率が変化しなければ反射モードでの表示特性は変化しない。また、透過領域Ｔ１のうちＣＦ層が形成される領域の透過領域Ｔ１全体に対する面積比率（本基本構成では１００％）が変化しなければ透過モードでの表示特性は変化しない。ＣＦ層は透過領域Ｔ１をほぼ中心に透過領域Ｔ１の幅より広い幅で形成され、貼合せずれが生じても上記の面積比率が変化しないようになっている。このため、十分な貼合せマージンを確保でき、貼合せずれによる表示品質の低下を防止できる。
【００３４】
次に、本発明の第２の基本構成による液晶表示装置について図３を用いて説明する。図３は、本基本構成による液晶表示装置の３画素分の模式的な断面構成を示している。図３に示すように、対向基板４は、Ｒ、Ｇ、Ｂの補色であるＣ、Ｍ、Ｙの波長の光を透過させるＣＦ層Ｃ、Ｍ、Ｙを有している。Ｒ、Ｇ、Ｂの各色は、Ｃ、Ｍ、Ｙの各色の組合せにより表示される。
【００３５】
反射電極１６は、ドレインバスライン１４を覆うように形成されている。反射電極１６の形成された領域は反射領域Ｒ１になる。反射電極１６には開口部が形成されている。開口部の形成された領域は透過領域Ｔ１になる。また本構成では、隣接する反射電極１６の間の間隙領域のうち、反射電極１６端辺から間隙領域のほぼ中央部までの領域が透過領域Ｔ２として用いられている。反射領域Ｒ１と透過領域Ｔ１、Ｔ２は画素領域Ｐを構成する。透過領域Ｔ１、Ｔ２の液晶６は、反射電極１６と共通電極（図示せず）との間の斜め電界により、同一画素領域Ｐ内の反射領域Ｒ１の液晶６と同様に駆動される。
【００３６】
ＣＦ層Ｃ、Ｍ、Ｙの各層は、透過領域Ｔ１に形成され、反射領域Ｒ１の一部にまで延在している。また、このＣＦ層Ｃ、Ｍ、Ｙ上の透過領域Ｔ１には、異なる色のＣＦ層が積層されて形成され、反射領域Ｒ１の一部及び他の一部にまで延在している。すなわち、画素領域Ｐのうち反射領域Ｒ１の一部及び透過領域Ｔ１にはＣＦ層Ｃ、Ｍ、Ｙのいずれか２層が積層された積層部が形成され、他の領域にはＣＦ層Ｃ、Ｍ、Ｙのいずれか１層のみの単層部が形成されている。Ｒを表示する画素の透過領域Ｔ１には、ＣＦ層Ｍ、Ｙの２層が順に積層されている。Ｇを表示する画素の透過領域Ｔ１には、ＣＦ層Ｙ、Ｃの２層が順に積層されている。Ｂを表示する画素の透過領域Ｔ１には、ＣＦ層Ｃ、Ｍの２層が順に積層されている。なお、ＣＦ層の積層の順序はこれらに限られない。
【００３７】
また、Ｒを表示する画素の反射領域Ｒ１には、ＣＦ層Ｍ、Ｙが互いにほぼ同面積で形成されている。Ｇを表示する画素の反射領域Ｒ１には、ＣＦ層Ｙ、Ｃが互いにほぼ同面積で形成されている。Ｂを表示する画素の反射領域Ｒ１には、ＣＦ層Ｃ、Ｍが互いにほぼ同面積で形成されている。
【００３８】
本基本構成では、単層のＣＦ層Ｃ、Ｍ、Ｙが反射領域Ｒ１の一部に形成されている。例えばＧを表示する画素では、反射モードで表示する際に、ＣＦ層Ｃからなる単層部を透過した光と、ＣＦ層Ｙからなる単層部を透過した光とが混合される。ＣＦ層ＣではＲの波長を吸収するため、ＣＦ層Ｃを透過した光はＢとＧの波長を有している。また、ＣＦ層ＹではＢの波長を吸収するため、ＣＦ層Ｙを透過した光はＲとＧの波長を有している。このため、混合された光はＧの波長にピークを有し、表示画面の観察者には略緑色の光として視認される。一方、透過モードで表示する際には、ＣＦ層Ｃ、Ｙが積層された積層部を透過した光はＧの波長を有している。
【００３９】
ただし、反射モードでＧを表示する際の混合された光は、Ｒ及びＢの波長も有している。したがって、反射モードでＧを表示する際と透過モードでＧを表示する際との間には色度ずれが生じる。このため、反射領域Ｒ１の一部には、透過領域Ｔ１と同構成の積層部が配置されている。反射領域Ｒ１のうち積層部が配置される領域の反射領域Ｒ１全体に対する面積比率を調整することにより、反射モードで表示する際の色純度を透過モードで表示する際の色純度に近づけることができる。したがって、表示品質の良好な半透過型の液晶表示装置が得られる。
【００４０】
また、この構成では、第１の基本構成と同様に、ＴＦＴ基板２と対向基板４との間に貼合せずれが生じても、反射領域Ｒ１のうち積層部が配置される領域の反射領域Ｒ１全体に対する面積比率が変化しなければ反射モードでの表示特性は変化しない。また、透過領域Ｔ１のうち積層部が配置される領域の透過領域Ｔ１全体に対する面積比率（本基本構成では１００％）が変化しなければ透過モードでの表示特性は変化しない。積層部は透過領域Ｔ１をほぼ中心に透過領域Ｔ１の幅より広い幅で形成され、貼合せずれが生じても上記の面積比率が変化しないようになっている。このため、十分な貼合せマージンを確保でき、貼合せずれによる表示品質の低下を防止できる。
【００４１】
次に、本発明の第３の基本構成による液晶表示装置について図４を用いて説明する。図４（ａ）は、本基本構成による液晶表示装置の模式的な断面構成を示している。図４（ａ）に示すように、対向基板４のＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂは、画素領域のうち、反射領域Ｒ１の一部と透過領域Ｔ１に形成されている。ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂ上の基板全面には、対向基板４表面の凹凸を平坦化する平坦化膜３３が形成されている。これにより、基板表面の凹凸による液晶６の配向の乱れを抑制でき、液晶６の配向安定性を向上できる。
【００４２】
図４（ｂ）は、本基本構成による液晶表示装置の模式的な断面構成の他の例を示している。図４（ｂ）に示すように、対向基板４には、ＣＦ層Ｃ、Ｍ、Ｙの積層からなる積層部が反射領域Ｒ１の一部と透過領域Ｔ１に形成されている。またＣＦ層Ｃ、Ｍ、Ｙの単層部が透過領域Ｔ１に形成されている。ＣＦ層Ｃ、Ｍ、Ｙ上の基板全面には、対向基板４表面の凹凸を平坦化する平坦化膜３３が形成されている。これにより、基板表面の凹凸による液晶６の配向の乱れを抑制でき、液晶６の配向安定性を向上できる。
【００４３】
次に、本発明の第４の基本構成による液晶表示装置について図５を用いて説明する。図５（ａ）は、本基本構成による液晶表示装置の模式的な断面構成を示している。図５（ａ）に示すように、対向基板４のＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂ上であって透過領域Ｔ１以外の領域には、平坦化膜３３が形成されている。平坦化膜３３が形成されていない透過領域Ｔ１でのセル厚ｄｔは、平坦化膜３３が形成されている反射領域Ｒ１でのセル厚ｄｒの１〜２．３倍程度（好ましくは１．７〜２．３倍程度）になっている。透過モードでの表示の際には、バックライトユニット側から入射した光が液晶６を１度のみ通過して表示画面側に射出する。これに対して反射モードでの表示の際には、表示画面側から入射した光が液晶６を通過して反射電極１６で反射され、液晶６を再度通過して表示画面側に射出する。すなわち、本基本構成では、透過領域Ｔ１でのセル厚ｄｔを反射領域Ｒ１でのセル厚ｄｒのほぼ２倍にすることにより、液晶６に生じる実質的なリタデーション（Δｎ・ｄ）を透過モードでの表示の際と反射モードでの表示の際との間でほぼ同一にしている。したがって、本基本構成によれば、透過及び反射の両モードでほぼ同一の表示特性が得られる。なお、本基本構成では、透過領域Ｔ１以外の領域のＣＦ基板４上に平坦化膜３３を形成することにより透過領域Ｔ１でのセル厚ｄｔと反射領域Ｒ１でのセル厚ｄｒとを異ならせているが、ＴＦＴ基板２上の平坦化膜３２を用いてセル厚ｄｔ、ｄｒを異ならせてもよい。
【００４４】
図５（ｂ）は、本基本構成による液晶表示装置の模式的な断面構成の他の例を示している。図５（ｂ）に示すように、対向基板４のＣＦ層Ｃ、Ｍ、Ｙ上であって透過領域Ｔ１以外の領域には、平坦化膜３３が形成されている。平坦化膜３３が形成されていない透過領域Ｔ１でのセル厚ｄｔは、平坦化膜３３が形成されている反射領域Ｒ１でのセル厚ｄｒの１〜２．３倍程度（好ましくは１．７〜２．３倍程度）になっている。本例によっても、透過及び反射の両モードでほぼ同一の表示特性が得られる。
【００４５】
図６は、本基本構成による液晶表示装置の模式的な断面構成のさらに他の例を示している。図６に示すように、対向基板４のＣＦ層Ｃ、Ｍ、Ｙ上であって透過領域Ｔ１、Ｔ２以外の領域には、平坦化膜３３が形成されている。平坦化膜３３が形成されていない透過領域Ｔ１でのセル厚ｄｔ１及び透過領域Ｔ２でのセル厚ｄｔ２は、平坦化膜３３が形成されている反射領域Ｒ１でのセル厚ｄｒの１〜２．３倍程度（好ましくは１．７〜２．３倍程度）になっている。本例によっても、透過及び反射の両モードでほぼ同一の表示特性が得られる。
【００４６】
次に、本実施の形態の実施例１による液晶表示装置について図７及び図８を用いて説明する。図７（ａ）は本実施例による液晶表示装置の構成を示し、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ線で切断した液晶表示装置の概略の断面構成を示している。図７（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶表示装置のＴＦＴ基板２上には、互いに並列して図７（ａ）の左右方向に延びる複数のゲートバスライン１２が形成されている。不図示の絶縁膜を介してゲートバスライン１２に交差し、互いに並列して図７（ａ）の上下方向に延びる複数のドレインバスライン１４が形成されている。ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４の交差位置近傍には、ＴＦＴ２０が形成されている。ＴＦＴ２０は、例えばａ−Ｓｉ層からなる動作半導体層（図示せず）を有している。動作半導体層上にはチャネル保護膜（図示せず）が形成されている。チャネル保護膜上には、隣接するドレインバスライン１４から引き出されたドレイン電極２１と、ソース電極２２とが、所定の間隙を介して互いに対向して形成されている。このような構成において、チャネル保護膜直下のゲートバスライン１２がＴＦＴ２０のゲート電極として機能するようになっている。
【００４７】
ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４で囲まれた領域には、Ａｌ等からなる反射電極１６が形成されている。反射電極１６の形成された領域は反射領域になる。反射電極１６は、コンタクトホール２４を介してソース電極２２に電気的に接続されている。反射電極１６の一部は開口され、ＩＴＯ等からなる透明電極１７が形成されている。透明電極１７の形成された領域は透過領域になる。反射領域と透過領域とは画素領域を構成する。１画素内の反射電極１６と透明電極１７は、バリアメタル層５０を介して電気的に接続されている。
【００４８】
また、ＴＦＴ基板２上には、画素領域を横切る蓄積容量バスライン１８が、ゲートバスライン１２に並列して形成されている。蓄積容量バスライン１８上には、画素領域毎に蓄積容量電極１９が形成されている。蓄積容量電極１９は、コンタクトホール２６を介して反射電極１６に電気的に接続されている。
【００４９】
ＣＦ基板４のガラス基板１１上には、反射領域の一部と透過領域に、ＬＣＤモニタ用のＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかが形成されている。ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂは、透過モードでの表示の際に良好な色純度が得られるような膜厚で形成されている。ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂ上の基板全面には、平坦化膜３３が形成されている。平坦化膜３３上の基板全面には、共通電極５２が形成されている。
【００５０】
図８は、本実施例による液晶表示装置のｘ−ｙ色度図である。図中の実線ａは、反射領域のうちＣＦ層が形成された領域の反射領域全体に対する面積比率が９０％の液晶表示装置における反射モードでの色再現範囲（理想値）を表している。同様に、実線ｂは上記の面積比率が８０％の液晶表示装置の反射モードでの色再現範囲を表し、実線ｃは上記の面積比率が７０％の液晶表示装置の反射モードでの色再現範囲を表している。実線ｄは上記の面積比率が５０％の液晶表示装置の反射モードでの色再現範囲を表している。破線ｅは、膜厚０．７５μｍのＣＦ層が用いられた従来の反射型液晶表示装置の色再現範囲（理想値）を表している。図８に示すように、本実施例によれば、上記の面積比率を約７０％〜９０％にすることによって、従来の反射型液晶表示装置よりも色再現範囲の広い反射モードでの表示が得られる。また、本実施例ではＬＣＤモニタ用のＣＦ層が用いられているため、透過モードでＬＣＤモニタと同様の色再現範囲が得られる。
【００５１】
本実施例では、第１の基本構成と同様に、ＣＦ層が反射領域の一部に形成され、反射モードでの表示の際にはＣＦ層を２回透過する光とＣＦ層を透過しない光とが混合される。このため、高輝度の表示が得られるとともに、反射領域のうちＣＦ層が形成される領域の反射領域全体に対する面積比率を調整することにより、反射モードで表示する際の色純度を透過モードで表示する際の色純度に近づけることができる。したがって、表示品質の良好な半透過型の液晶表示装置が得られる。
【００５２】
また、本実施例では、第１の基本構成と同様に、ＴＦＴ基板２と対向基板４との間に貼合せずれが生じても、反射領域のうちＣＦ層が形成される領域の反射領域全体に対する面積比率が変化しなければ反射モードでの表示特性は変化しない。また、透過領域のうちＣＦ層が形成される領域の透過領域全体に対する面積比率（本実施例では１００％）が変化しなければ透過モードでの表示特性は変化しない。ＣＦ層は透過領域の幅より広い幅で形成され、貼合せずれが生じても上記の面積比率が変化しないようになっている。このため、十分な貼合せマージンを確保でき、貼合せずれによる表示品質の低下を防止できる。
【００５３】
さらに、本実施例では、反射電極１６が、図７（ａ）の下方に隣接する画素を駆動するＴＦＴ２０やゲートバスライン１２を覆うように形成されている。このため、反射電極１６に所定の電位が書き込まれる際には、反射電極１６の下層のゲートバスライン１２に電圧が印加されず、その上方に隣接するゲートバスライン１２に電圧が印加されていることになる。したがって、画素電位がゲートバスライン１２の電界の影響を受けないため、表示画面上でのフリッカや輝度傾斜等の発生を防止できる。
【００５４】
本実施例では、下方に隣接する画素を駆動するＴＦＴ２０やゲートバスライン１２を覆うように反射電極１６を形成しているが、ゲートバスライン１２とドレインバスライン１４とで囲まれた領域に反射電極１６を形成してもよい。図１４及び図１５に示す従来の液晶表示装置の構成に本実施例を適用することにより、表示品質の良好な液晶表示装置が得られる。
【００５５】
次に、本実施の形態の実施例２による液晶表示装置について図９を用いて説明する。図９（ａ）は本実施例による液晶表示装置の構成を示し、図９（ｂ）は図９（ａ）のＢ−Ｂ線で切断した液晶表示装置の概略の断面構成を示している。図９（ａ）、（ｂ）に示すように、反射電極１６は、ドレインバスライン１４と、図９（ａ）の下方に隣接する画素を駆動するＴＦＴ２０及びゲートバスライン１２とを覆うように形成されている。反射電極１６の形成された領域は反射領域になる。隣接する反射電極１６間の領域は、透過領域として用いられる。透過領域の液晶６は、反射電極１６と共通電極（図示せず）との間の斜め電界により、反射領域の液晶６と同様に駆動される。対向基板４上の反射領域の一部と透過領域には、ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかが各画素毎に形成されている。本実施例によっても実施例１と同様の効果が得られる。また、図１６及び図１７に示す従来の液晶表示装置の構成に本実施例を適用することにより、表示品質の良好な液晶表示装置が得られる。
【００５６】
次に、本実施の形態の実施例３による液晶表示装置について図１０を用いて説明する。図１０（ａ）は本実施例による液晶表示装置の構成を示し、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＣ−Ｃ線で切断した液晶表示装置の概略の断面構成を示している。図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、反射電極１６には、種々の形状に開口された開口部６０ａ〜６０ｃが形成されている。例えば、図１０（ａ）に示す３つの画素のうち左側の画素の反射電極１６には、菱形状の複数の開口部６０ａが形成されている。また、中央の画素の反射電極１６には、ゲートバスライン１２の延びる方向にほぼ平行な長辺を有する長方形状の複数の開口部６０ａが形成されている。右側の画素の反射電極１６には、ドレインバスライン１４の延びる方向にほぼ平行な長辺を有する長方形状の複数の開口部６０ａが形成されている。反射電極１６の形成された領域は反射領域になり、開口部６０ａ〜６０ｃの形成された領域は透過領域になる。透過領域の液晶６は、反射電極１６と共通電極（図示せず）との間の斜め電界により、反射領域の液晶６と同様に駆動される。
【００５７】
対向基板４上の反射領域の一部と透過領域には、ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかが各画素毎に形成されている。反射電極１６は、図１０（ａ）の下方に隣接する画素を駆動するＴＦＴ２０及びゲートバスライン１２を覆うように形成されている。本実施例によれば、実施例１及び２と同様の効果を得ることができる。
【００５８】
本実施例では、下方に隣接する画素を駆動するＴＦＴ２０やゲートバスライン１２を覆うように反射電極１６を形成しているが、ゲートバスライン１２とドレインバスライン１４とで囲まれた領域に反射電極１６を形成してもよい。図１８に示す従来の液晶表示装置の構成に本実施例を適用することにより、表示品質の良好な液晶表示装置が得られる。
【００５９】
次に、本実施の形態の実施例４による液晶表示装置について図１１を用いて説明する。図１１（ａ）は本実施例による液晶表示装置の構成を示し、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＣ−Ｃ線で切断した液晶表示装置の概略の断面構成を示している。図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、反射電極１６は、ゲートバスライン１２、ドレインバスライン１４及びＴＦＴ２０を覆うように形成されている。反射電極１６には、略楕円形状に開口された複数の開口部６０が形成されている。開口部６０の形成された領域は透過領域Ｔ１になる。反射電極１６の形成された領域は反射領域になる。また、開口部６０の形成された領域及び隣接する反射電極１６間の領域は透過領域になる。透過領域の液晶６は、反射電極１６と共通電極（図示せず）との間の斜め電界により、反射領域の液晶６と同様に駆動される。
【００６０】
対向基板４は、Ｒ、Ｇ、Ｂの補色であるＣ、Ｍ、Ｙの波長の光を透過させるＣＦ層Ｃ、Ｍ、Ｙを有している。ＣＦ層Ｃ、Ｍ、Ｙは、反射領域の一部と透過領域では、２層が積層された積層部を形成している。またＣＦ層Ｃ、Ｍ、Ｙは、他の領域では１層のみの単層部を形成している。Ｒを表示する画素の透過領域には、ＣＦ層Ｍ、Ｙの２層が積層されている。Ｇを表示する画素の透過領域には、ＣＦ層Ｙ、Ｃの２層が積層されている。Ｂを表示する画素の透過領域には、ＣＦ層Ｃ、Ｍの２層が積層されている。ＣＦ層Ｃ、Ｍ、Ｙ上には、平坦化膜３３が形成されている。本実施例によれば、実施例１乃至３と同様の効果を得ることができるとともに、ＣＦ層Ｃ、Ｍ、Ｙ上に平坦化膜３３が形成されているため、第３の基本構成と同様に、液晶６の配向安定性を向上できる。また、図１９に示す従来の液晶表示装置の構成に本実施例を適用することにより、表示品質の良好な液晶表示装置が得られる。
【００６１】
以上説明したように、本実施の形態によれば、光利用効率が高く、良好な表示品質の得られる液晶表示装置を低コストで実現できる。
【００６２】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置について、図１２及び図１３を用いて説明する。図１２は、本実施の形態による液晶表示装置の構成を示している。なお、第１の実施の形態による液晶表示装置と同一の機能作用を奏する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。図１２に示すように、半透過型液晶表示装置の反射領域を構成する反射電極１６ａ〜１６ｅは、ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４で画定された領域に形成されている。反射電極１６ａ、１６ｂ、１６ｄ、１６ｅには、スリット状あるいは円形の孔状等の種々の形状に開口された開口部６０ａ、６０ｂ、６０ｄ、６０ｅがそれぞれ形成されている。また、反射電極１６ａ〜１６ｅの外周部には、スリット状あるいは円形又は多角形の孔状等の種々の形状に切り込まれた切込み部６０ａ’〜６０ｅ’がそれぞれ形成されている。
【００６３】
例えば反射電極１６ａには、反射電極１６ａの長辺にほぼ平行に延びる１つのスリット状の開口部６０ａと、反射電極１６ａの対向する２つの長辺から内側に切り込まれ、両長辺に対して斜めに延びる複数のスリット状の切込み部６０ａ’とが形成されている。反射電極１６ｂには、反射電極１６ｂの短辺にほぼ平行に延びる複数のスリット状の開口部６０ｂと、反射電極１６ｂの両長辺から切り込まれ、反射電極１６ｂの短辺にほぼ平行に延びる複数のスリット状の切込み部６０ｂ’とが形成されている。反射電極１６ｃには、反射電極１６ｃの両長辺から切り込まれ、反射電極１６ｃの短辺にほぼ平行に延びる複数のくさび状の切込み部６０ｃ’が互いに隣接して形成されている。反射電極１６ｄには、複数の円形状の開口部６０ｄと、反射電極１６ｄの両短辺及び両長辺から切り込まれた複数の円形状の切込み部６０ｄ’とが形成されている。反射電極１６ｅには、反射電極１６ｅの長辺にほぼ平行に延びる１つのスリット状の開口部６０ｅと、反射電極１６ｅの両長辺から切り込まれ、反射電極１６ｅの短辺にほぼ平行に延びる複数のくさび状の切込み部６０ｅ’が形成されている。
【００６４】
反射電極１６ａ〜１６ｅが形成された領域は、反射領域になっている。開口部６０ａ、６０ｂ、６０ｄ、６０ｅが形成された領域と、反射電極１６ａ〜１６ｅの外周部の切込み部６０ａ’〜６０ｅ’が形成された領域は、透過領域になっている。開口部６０ａ、６０ｂ、６０ｄ、６０ｅ及び切込み部６０ａ’〜６０ｅ’には透明電極は形成されていない。透過領域の液晶分子は、反射電極１６ａ〜１６ｅ端部と対向基板４側の共通電極５２（図１２では図示せず）との間の斜め電界により、同一画素の反射領域の液晶分子とほぼ同様に駆動されるようになっている。
【００６５】
図１２では、開口部６０ａ、６０ｂ、６０ｄ、６０ｅ及び切込み部６０ａ’〜６０ｅ’が画素毎に異なる形状に形成されているが、開口部６０ａ、６０ｂ、６０ｄ、６０ｅ及び切込み部６０ａ’〜６０ｅ’を各画素で全て同一の形状に形成してもよい。また、各開口部６０ａ、６０ｂ、６０ｄ、６０ｅ及び切込み部６０ａ’〜６０ｅ’は、液晶分子を配向規制する形状を有していてもよい。こうすることにより、液晶分子が基板面に対しほぼ垂直に配向するＶＡモードの液晶表示装置では、配向膜のラビング処理を行わずに配向分割が可能になる。なお、ラビング処理は必要になるが、水平配向膜を用いるＴＮモードや、一方に水平配向膜を用い、他方に垂直配向膜を用いるＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード等の液晶表示装置にも本実施の形態は適用可能である。本実施の形態によれば、図１８に示す従来の半透過型液晶表示装置と比較して、より良好な透過特性が得られる。
【００６６】
図１３は、本実施の形態による液晶表示装置の構成の変形例を示している。図１３に示すように、反射電極１６ｆ〜１６ｋは、両バスライン１２、１４の交差位置及びＴＦＴ２０の上層に形成されている。また、反射電極１６ｆ〜１６ｋには、種々の形状の開口部６０ｉ及び切込み部６０ｆ’〜６０ｋ’が形成されている。
【００６７】
例えば反射電極１６ｆには、反射電極１６ｆの両長辺及び一短辺から切り込まれ、反射電極１６ｆの長辺に斜めに延びる複数の切込み部６０ｆ’が形成されている。反射電極１６ｇには、反射電極１６ｇの両長辺から切り込まれた複数の三角形状の切込み部６０ｇ’が形成されている。反射電極１６ｈには、反射電極１６ｈの両長辺から切り込まれ、反射電極１６ｈの短辺にほぼ平行に延びる複数のくさび状の切込み部６０ｈ’が互いに隣接して形成されている。反射電極１６ｉには、複数の六角形状の開口部６０ｉと、反射電極１６ｉの両長辺から切り込まれた複数の六角形状の切込み部６０ｉ’が形成されている。反射電極１６ｊには、反射電極１６ｊの短辺から切り込まれ、反射電極１６ｊの長辺にほぼ平行に延びる複数のスリット状の切込み部６０ｊ’が形成されている。反射電極１６ｋには、反射電極１６ｋの両長辺から切り込まれ、反射電極１６ｋの短辺にほぼ平行に延びる複数のスリット状の切込み部６０ｋ’が形成されている。切込み部６０ｋ’の先端部には、円弧状の丸みが付けられている。
【００６８】
反射電極１６ｆ〜１６ｋが形成された領域は、反射領域になっている。開口部６０ｉが形成された領域と、反射電極１６ｆ〜１６ｋの外周部の切込み部６０ｆ’〜６０ｋ’が形成された領域と、反射電極１６ｆ〜１６ｋの周囲の領域は、透過領域になっている。本変形例によれば、図１９に示す従来の半透過型液晶表示装置と比較して、より良好な透過特性が得られる。
【００６９】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態ではボトムゲート型の液晶表示装置用基板を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、トップゲート型の液晶表示装置用基板にも適用できる。
【００７０】
また、上記実施の形態ではチャネル保護膜型の液晶表示装置用基板を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、チャネルエッチ型の液晶表示装置用基板にも適用できる。
【００７１】
さらに、上記実施の形態ではアクティブマトリクス型の液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、単純マトリクス型の液晶表示装置にも適用できる。
【００７２】
また、上記実施の形態では、ＴＦＴ基板２に対向して配置された対向基板４上にＣＦ層が形成された液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、ＴＦＴ基板２上にＣＦ層が形成された、いわゆるＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造の液晶表示装置にも適用できる。
【００７３】
さらに、上記実施の形態ではＶＡモードの液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、ＴＮモードやＨＡＮモード等の他の液晶表示装置にも適用できる。
【００７４】
また、上記実施の形態では波長選択層としてＣＦ層を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、特定波長の光が選択反射されるコレステリック液晶等を波長選択層として用いてもよい。
【００７５】
以上説明した実施の形態による液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
対向配置された一対の基板と、
前記基板間に封止された液晶と、
前記基板の一方に反射電極が形成され、前記基板の他方側から入射する光を反射させる反射領域と、前記反射電極の周囲又は開口部に配置され、前記基板の一方側から入射する光を透過させる透過領域とをそれぞれ備えた複数の画素領域と、
前記透過領域に形成されて前記反射領域の一部にまで延在し、所定波長の光を選択して透過させる波長選択層と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【００７６】
（付記２）
付記１記載の液晶表示装置において、
前記波長選択層上に積層されて前記透過領域に形成され、前記反射領域の一部又は他の一部にまで延在する第２の波長選択層をさらに有していること
を特徴とする液晶表示装置。
【００７７】
（付記３）
付記２記載の液晶表示装置において、
前記波長選択層及び前記第２の波長選択層は、互いに異なる波長の光を選択して透過させること
を特徴とする液晶表示装置。
【００７８】
（付記４）
付記３記載の液晶表示装置において、
前記波長選択層及び前記第２の波長選択層は、シアン、マゼンタ及びイエローのうちいずれか１色の波長の光を選択して透過させること
を特徴とする液晶表示装置。
【００７９】
（付記５）
付記１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記波長選択層は、透明樹脂に顔料又は染料が混合されたカラーフィルタ層であること
を特徴とする液晶表示装置。
【００８０】
（付記６）
付記１乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記波長選択層上に形成され、前記基板表面を平坦化する平坦化膜をさらに有していること
を特徴とする液晶表示装置。
【００８１】
（付記７）
付記１乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記透過領域は、前記反射領域より厚いセル厚を有していること
を特徴とする液晶表示装置。
【００８２】
（付記８）
付記７記載の液晶表示装置において、
前記透過領域は、前記反射領域のほぼ２倍のセル厚を有していること
を特徴とする液晶表示装置。
【００８３】
（付記９）
付記１乃至８のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記基板の一方は、絶縁膜を介して互いに交差する第１及び第２のバスラインを有し、
前記反射電極は、前記第１及び第２のバスラインの少なくとも一方を覆うように形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
【００８４】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、良好な表示品質の得られる液晶表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の第１の基本構成による液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の第１の基本構成による液晶表示装置の模式的な構成を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の第２の基本構成による液晶表示装置の模式的な構成を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の第３の基本構成による液晶表示装置の模式的な構成を示す断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態の第４の基本構成による液晶表示装置の模式的な構成を示す断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態の第４の基本構成による液晶表示装置の模式的な構成を示す断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態の実施例１による液晶表示装置の構成を示す図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態の実施例１による液晶表示装置のｘ−ｙ色度図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態の実施例２による液晶表示装置の構成を示す図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態の実施例３による液晶表示装置の構成を示す図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態の実施例４による液晶表示装置の構成を示す図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の構成を示す図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の構成の変形例を示す図である。
【図１４】従来の液晶表示装置の構成を示す図である。
【図１５】従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図１６】従来の液晶表示装置の他の構成を示す図である。
【図１７】従来の液晶表示装置の他の構成を示す断面図である。
【図１８】従来の液晶表示装置の他の構成を示す図である。
【図１９】従来の液晶表示装置の他の構成を示す図である。
【図２０】従来の液晶表示装置の問題点を説明する断面図である。
【符号の説明】
２  ＴＦＴ基板
４  対向基板
６  液晶
１０、１１  ガラス基板
１２  ゲートバスライン
１４  ドレインバスライン
１６、１６ａ〜１６ｋ  反射電極
１７  透明電極
１８  蓄積容量バスライン
１９  蓄積容量電極
２０  ＴＦＴ
２１  ドレイン電極
２２  ソース電極
２４、２６  コンタクトホール
３２、３３  平坦化膜
５０  バリアメタル層
５２  共通電極
６０、６０ａ〜６０ｅ、６０ｉ  開口部
６０ａ’〜６０ｋ’  切込み部
８０  ゲートバスライン駆動回路
８２  ドレインバスライン駆動回路
８４  制御回路
８６、８７  偏光板
８８  バックライトユニット
Ｐ  画素領域
Ｒ１  反射領域
Ｔ１、Ｔ２  透過領域
ｒ、ｔ  光線
【図１】
2004157336.tif 000003
【図２】
2004157336.tif 000004
【図３】
2004157336.tif 000005
【図４】
2004157336.tif 000006
【図５】
2004157336.tif 000007
【図６】
2004157336.tif 000008
【図７】
2004157336.tif 000009
【図８】
2004157336.tif 000010
【図９】
2004157336.tif 000011
【図１０】
2004157336.tif 000012
【図１１】
2004157336.tif 000013
【図１２】
2004157336.tif 000014
【図１３】
2004157336.tif 000015
【図１４】
2004157336.tif 000016
【図１５】
2004157336.tif 000017
【図１６】
2004157336.tif 000018
【図１７】
2004157336.tif 000019
【図１８】
2004157336.tif 000020
【図１９】
2004157336.tif 000021
【図２０】
2004157336.tif 000022