(57)【要約】【課題】インクジェット方式を用いた機能層の形成に好適に用いることができ、基板を大型化した場合にも均一性に優れる機能層を容易に形成することができる電気光学装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る電気光学装置は、支持基板上に配列形成された複数の画素領域Ａを備えた電気光学装置であって、前記支持基板上に前記画素領域Ａ毎を区画する主隔壁１１２ｃと、前記画素領域Ａ内を複数の領域Ａ１，Ａ２に分割する分割壁１１２ｄと、前記分割壁１１２ｄに区画された領域Ａ１，Ａ２内に形成された機能層とを備えている。【選択図】        図３
2004335180.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に配列形成された複数の画素領域を備えた電気光学装置であって、
前記支持基板上に前記画素領域毎を区画する主隔壁と、
前記画素領域内を複数の領域に分割する分割壁と、
前記分割壁に区画された領域内に形成された機能層と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記分割壁に囲まれた領域が、前記画素領域の長さ方向に沿う平面形状とされたことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記分割壁が絶縁性の材料からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記機能層が、有機ＥＬ層であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記有機ＥＬ層が、正孔注入層と発光層とを有することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記主隔壁及び／又は分割壁の表面が撥インク性を有することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記分割壁の高さが、前記主隔壁の高さより低く形成されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
支持基板上に配列形成された複数の画素領域を備えた電気光学装置用基板であって、
前記支持基板上に前記画素領域毎を区画する主隔壁と、
前記画素領域内をさらに複数の領域に分割する分割壁と
を備えたことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項９】
前記主隔壁及び／又は分割壁に囲まれる領域に色材層が形成されたことを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置用基板。
【請求項１０】
支持基板上に配列形成された複数の画素領域を備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記支持基板上に前記画素領域毎を区画する主隔壁と、前記画素領域内を複数の領域に分割する分割壁とを形成する隔壁形成工程と、
前記分割壁に区画された領域内に、機能層形成用の液状組成物を液滴吐出装置にて滴下する機能層形成工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記隔壁形成工程において、前記主隔壁及び／又は分割壁を、撥インク性を有する材料を用いて形成することを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記主隔壁及び／又は分割壁の表面に、撥インク性を付与する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記機能層形成工程において、前記分割壁に囲まれる領域の長さ方向に沿って、前記液状組成物を順次滴下することを特徴とする請求項１０ないし１２のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
前記隔壁形成工程において、
前記主隔壁を形成する工程と、前記分割壁を形成する工程のうち、少なくとも一方の工程が、隔壁形成用の液状組成物を液滴吐出装置にて滴下する工程であることを特徴とする請求項１０ないし１３のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
前記隔壁形成工程において、前記分割壁の高さを前記主隔壁より低く形成することを特徴とする請求項１０ないし１４のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置用基板、及び電気光学装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、有機蛍光材料等の発光材料をインク化し、当該インク（組成物）を基材上に吐出するインクジェット法により、発光材料のパターニングを行う方法を採用して、陽極及び陰極の間に該発光材料からなる発光層が挟持された構造のカラー表示装置、特に発光材料として有機発光材料を用いた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置の開発が行われている。特に、画素毎を区画する隔壁を基板上に設け、この隔壁で囲まれた領域内に上記発光材料を吐出するならば、基板上に正確に上記発光層を形成することができる（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−３２３２７６号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記発光材料のパターニング方法としてインクジェット法を採用することで、上記発光材料の無駄を無くし、低コストで迅速に有機ＥＬ表示装置を得ることができる。しかし、例えば５インチ以上の大型の有機ＥＬ表示装置の製造に上記インクジェット法を適用する場合には、大型化した画素領域に対してインク組成物を吐出すると、画素領域（隔壁に囲まれた領域）内をインク組成物で埋めることができず、形成される発光層の膜厚や平坦性に不均一が生じるおそれがある。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するために成されたものであって、インクジェット方式を用いた機能層の形成に好適に用いることができ、基板を大型化した場合にも均一性に優れる機能層を容易に形成することができる構成を備えた電気光学装置を提供することを目的としている。
また本発明は、基板を大型化した場合にも均一性に優れる機能層を容易に形成することができる電気光学装置の製造方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、支持基板上に配列形成された複数の画素領域を備えた電気光学装置であって、前記支持基板上に前記画素領域毎を区画する主隔壁と、前記画素領域内を複数の領域に分割する分割壁と、前記分割壁に区画された領域内に形成された機能層とを備えたことを特徴としている。
この構成によれば、前記機能層を液体吐出法により作製する電気光学装置の製造方法を適用することで、画素領域を大型化した場合にも、均一な膜厚の機能層を容易に形成することができる電気光学装置を提供することができる。上記液体吐出法では、上記機能層形成用の液状組成物を、液滴吐出装置等の吐出ヘッドから吐出して支持基板上の所定位置に配置し、この液状組成物を乾燥させることで所望の組成を有する機能層を形成するようになっているが、本発明の構成によれば、上記画素領域毎を区画する主隔壁に加え、画素領域内をさらに複数の領域に区画する分割壁を備えていることで、パネルの大型化に伴って大型化した画素領域に対しても、均一かつ正確に上記液状組成物を吐出配置することができる。
尚、本明細書において、「画素領域」とは、本発明に係る電気光学装置における最小表示単位に対応する平面領域を指し、本発明を適用したＥＬ装置や液晶装置においては、１つの画素電極により駆動される表示領域に対応する。
【０００７】
本発明の電気光学装置では、前記分割壁に囲まれた領域が、前記画素領域の長さ方向に沿う平面形状とされた構成とすることが好ましい。
この構成によれば、前記主隔壁及び分割壁に囲まれた領域に対し、上記液滴吐出装置を用いて液状組成物を吐出する場合に、当該領域の延在方向に沿って吐出ヘッドを走査しながら液状組成物の吐出を行えば、吐出ヘッドの走査方向に対して交差する方向を短くでき、この方向への液状組成物の広がりを抑えることができるので、前記領域内において液状組成物の配置に偏りを生じ難くなる。これにより、形成される機能層を平坦化し易く、製造容易性に優れる電気光学装置を提供できる。
【０００８】
本発明の電気光学装置では、前記分割壁が絶縁性の材料からなることが好ましい。この構成によれば、上記機能層が複数の薄膜を積層してなる構成である場合に、前記薄膜どうしの導通を効果的に防止することができ、信頼性に優れる電気光学装置を提供することができる。
【０００９】
本発明の電気光学装置では、前記機能層が、有機ＥＬ層である構成とすることができる。この構成によれば、前記有機ＥＬ層の膜厚均一性、及び平坦性に優れ、高画質の有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１０】
本発明の電気光学装置では、前記有機ＥＬ層が、正孔注入層と発光層とを有することが好ましい。このような構成とすることで高効率の有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１１】
本発明の電気光学装置では、前記主隔壁及び／又は分割壁の表面が撥インク性を有することが好ましい。この構成によれば、上記液体吐出法による機能層の形成に際して、液状吐出物を正確かつ容易に定点配置することが可能な電気光学装置を提供することができる。
【００１２】
本発明の電気光学装置では、前記分割壁の高さが、前記主隔壁の高さより低く形成されている構成とすることもできる。この構成によれば、前記液体吐出法による機能層の形成に際して、液状吐出物が主隔壁から溢れて隣接する画素領域へ混入するのを防止し得る電気光学装置を提供できる。また、画素領域内において、前記機能層及び分割壁を覆う薄膜を形成する場合に、係る薄膜のステップカバレッジの確保が容易になり、信頼性に優れる電気光学装置を実現できる。
【００１３】
次に、本発明の電気光学装置用基板は、支持基板上に配列形成された複数の画素領域を備えた電気光学装置用基板であって、前記支持基板上に前記画素領域毎を区画する主隔壁と、前記主隔壁に囲まれる領域内をさらに複数の領域に分割する分割壁とを備えたことを特徴とする。
この構成によれば、液体吐出法により液状組成物を基板上に吐出して機能層を形成する電気光学装置の製造方法に用いて好適な電気光学装置用基板を提供することができる。
【００１４】
本発明の電気光学装置用基板では、前記主隔壁及び／又は分割壁に囲まれる領域に色材層が形成された構成とすることもできる。この構成によれば、色材層の膜厚均一性、及び平坦性に優れるカラーフィルタを備えた電気光学装置用基板を提供することができる。
【００１５】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法は、支持基板上に配列形成された複数の画素領域を備えた電気光学装置の製造方法であって、前記支持基板上に前記画素領域毎を区画する主隔壁と、前記画素領域内を複数の領域に分割する分割壁とを形成する隔壁形成工程と、前記分割壁に区画された領域内に、機能層形成用の液状組成物を液滴吐出装置にて滴下する機能層形成工程とを含むことを特徴とする。
係る製造方法によれば、前記画素領域内を複数領域に区画すべく分割壁を形成するので、パネルの大型化に伴い画素領域が大型化した場合にも、比較的狭い領域内に、上記液状組成物を配置することができるので、滴下領域における液状組成物の配置に偏りを生じ難く、これにより、膜厚の均一性に優れる機能層を形成することができる。そして、画素領域の特性が均一で、信頼性に優れる電気光学装置を製造することができる。
【００１６】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法では、前記隔壁形成工程において、前記主隔壁及び／又は分割壁を、撥インク性を有する材料を用いて形成することが好ましい。
この製造方法によれば、上記液体吐出法による機能層の形成に際して、液状吐出物を正確かつ容易に定点配置することが可能である。
【００１７】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法では、前記主隔壁及び／又は分割壁の表面に、撥インク性を付与する工程を含むこともできる。
この製造方法によっても、上記液体吐出法による機能層の形成に際して、液状吐出物を正確かつ容易に定点配置することが可能である。
【００１８】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法では、前記機能層形成工程において、前記分割壁に囲まれる領域の長さ方向に沿って、前記液状組成物を順次滴下することもできる。
この製造方法によれば、吐出ヘッドの走査方向に対して交差する方向への液状組成物の広がりを抑えることができるので、前記領域内において液状組成物の配置に偏りを生じ難くなる。これにより、形成される機能層を平坦化し易くなる。
【００１９】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法では、前記機能層が有機ＥＬ層である構成とすることもできる。
この製造方法によれば、有機ＥＬ層の膜厚均一性及び平坦性に優れる有機ＥＬ装置を容易に製造することができる。
【００２０】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記隔壁形成工程において、前記主隔壁を形成する工程と、前記分割壁を形成する工程のうち、少なくとも一方の工程が、隔壁形成用の液状組成物を液滴吐出装置にて滴下する工程であることもできる。
この製造方法によれば、前記隔壁形成工程を液体吐出法により行うので、前記機能層形成工程と合わせて、製造工程を効率化することができる。また、分割壁の平面形状の変更にも容易かつ柔軟に対応できるという利点が得られる。
【００２１】
本発明の電気光学装置の製造方法では、前記隔壁形成工程において、前記分割壁の高さを前記主隔壁より低く形成するもできる。
この製造方法によれば、前記機能層形成工程において、液状吐出物が主隔壁から溢れて隣接する画素領域へ混入するのを容易に防止することができる。また、画素領域内において、前記機能層及び分割壁を覆う薄膜を形成する場合に、係る薄膜のステップカバレッジの確保が容易になるという利点もある。
【００２２】
【発明の実施の形態】
（有機ＥＬ装置）
以下、図面を参照して、本発明に係る有機ＥＬ装置及びその製造方法、並びに電子機器の一実施形態について説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺は各層や各部材ごとに異なる場合がある。
【００２３】
図１は、本発明に係る電気光学装置の一実施形態であるアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置の模式図である。また、図示する有機ＥＬ装置１は、薄膜トランジスタを用いたアクティブ型の駆動方式を採用している。
有機ＥＬ装置１は、基板２の上に回路素子として薄膜トランジスタを含む回路素子部１４、画素電極（陽極）１１１、有機ＥＬ層（発光層）を含む有機機能層（機能層）１１０、対向電極（陰極）１２及び封止部３等を順次積層した構造からなる有機ＥＬ素子をマトリクス状に複数配置したものである。
【００２４】
基板２としては、本実施形態ではガラス基板が用いられている。基板２は、ガラス基板の他にもシリコン基板、石英基板、セラミックス基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム基板等、電機光学装置や回路基板に用いられる公知の様々な基板が適用される。この基板２の表面（図１における下面）は、外光の反射を抑制する減反射処理が施してあることが好ましい。基板２の表面に減反射処理を施すことによって外光の反射を抑制できるので本有機ＥＬ装置１のコントラストを向上させることが可能となる。基板２内には、発光領域としての複数の画素領域Ａがマトリクス状に配列形成されており、カラー表示を行う場合、例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色に対応する画素領域Ａが所定の配列で配置されている。すなわち、本明細書において「画素領域」とは、ＥＬ装置１の最小表示単位を指す。
前記各画素領域Ａには、画素電極１１１が配置され、その近傍には信号線１３２、電源線１３３、走査線１３１及び図示しない他の画素電極用の走査線等が配置されている。画素領域Ａの平面形状は、図示するような矩形の他に円形、長円形など任意の形状が適用される。
【００２５】
また、封止部３は、水や酸素の浸入を防ぐことによって陰極１２あるいは有機機能層１１０の酸化を防止するものであり、基板２に塗布される封止樹脂及び基板２に貼り合わされる封止基板３ｂ（封止缶）等を含む。封止樹脂の材料としては、例えば、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等が用いられ、特に、熱硬化樹脂の一種であるエポシキ樹脂が好ましく用いられる。封止樹脂は、基板２の周縁に環状に塗布されており、例えば、マイクロディスペンサ等によって塗布される。封止基板３ｂは、ガラスや金属等からなり、基板２と封止基板３ｂとは封止樹脂を介して貼り合わされる。
【００２６】
図２は、上記有機ＥＬ装置１の回路構造を示している。この図２において、基板２上には複数の走査線１３１と、走査線１３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３２と、信号線に並列に延びる複数の電源線１３３とが配線されている。また、走査線１３１及び信号線１３２の各交点毎に上記画素領域Ａが形成されている。信号線１３２には、例えば、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを含むデータ側駆動回路１０３が接続されている。また、走査線１３１にはシフトレジスタ及びレベルシフタを含む走査側駆動回路１０４が接続されている。
【００２７】
画素領域Ａには走査線１３１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１２３と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１２３を介して信号線１３２から供給される画像信号を保持する保持容量１３５と、保持容量１３５によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２４と、この駆動用の薄膜トランジスタ１２４を介して電源線１３３に電気的に接続したときに電源線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）１１１と、画素電極１１１と陰極１２との間に挟み込まれる有機機能層１１０とが設けられている。有機機能層１１０は、有機ＥＬ素子としての発光層を含む。
【００２８】
画素領域Ａでは走査線１３１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１２３がオンとなると、そのときの信号線１３２の電位が保持容量１３５に保持され、この保持容量１３５の状態に応じて駆動用の薄膜トランジスタ１２４の導通状態が決まる。また、駆動用の薄膜トランジスタ１２４のチャネルを介して電源線１３３から画素電極１１１に電流が流れ、さらに有機機能層１１０を通じて陰極１２に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて有機機能層１１０が発光する。
【００２９】
図３は、上記有機ＥＬ装置１における１画素領域Ａを示す平面構成図である。図３に示す平面構成図では、図１に示す有機機能層１１０や対向電極１２、回路素子部１４等はその図示を省略している。図３に示すように、本実施形態の画素領域Ａでは、画素電極１１１の周縁部を取り囲んで平面視略矩形枠状の主隔壁１１２ｃが形成されており、この主隔壁１１２ｃに囲まれた領域の短辺方向中央部を上下に横断する分割壁１１２ｄにより、画素領域Ａが２つの領域に区画されている。
【００３０】
図４は、図３に示すＧ−Ｇ線に沿う画素領域Ａの断面構造を拡大した図である。上述のように有機ＥＬ装置１は、基板２上にＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４と、画素電極１１１及び有機機能層１１０が形成された発光素子部１１と、陰極１２とが順次積層されて構成されている。この有機ＥＬ装置１では有機機能層１１０から基板２側に発した光が回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に放出されると共に、有機機能層１１０から基板２の反対側に発した光が陰極１２によって反射されて回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に放出されるようになっている。
【００３１】
回路素子部１４には基板２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護層２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。なお、半導体膜１４１にはソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐイオン打ち込みによって形成されている。なお、Ｐが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。さらに回路素子部１４には、下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線）が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ，１４４ｂを貫通して半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４１ａ，１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５，１４６が形成されている。
【００３２】
そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接続されている。このようにして、回路素子部１４には各画素電極１１１に接続された駆動用のスイッチング用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。なお、回路素子部１４には上述した保持容量１３５及び駆動用の薄膜トランジスタ１２４も形成されているが、図３ではこれらの図示を省略している。
【００３３】
発光素子部１１は、複数の画素電極１１１上の各々に積層された有機機能層１１０と、有機機能層１１０同士の間に配されて各有機機能層１１０を画素領域毎に区画する主隔壁１１２ｃと、画素領域Ａを横断して形成され、上記有機機能層１１０を画素領域内で分割する分割壁１１２ｄとを主体として構成されている。有機機能層１１０上には陰極１２が配置されている。
発光素子である有機ＥＬ素子は、画素電極１１１、陰極１２及び有機機能層１１０等を含んで構成される。ここで、画素電極１１１は、ＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形状にパターニングされて形成されている。この画素電極１１１の厚さは、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍ程度が良い。
【００３４】
主隔壁１１２ｃは、図４に示すように基板２側に位置する無機物バンク層１１２ａと基板２から離れて位置する有機物バンク層１１２ｂとが積層されて構成されている。無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機材料からなる。また、有機物バンク層１１２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のあるレジストから形成されている。また、分割壁１１２ｄは、画素電極１１１上にその主要部が形成されており、上記有機物バンク層１１２ｂと同層に、同一材料で形成されている。また、本実施形態の場合、分割壁１１２ｄと有機物バンク層１１２ｂ（主隔壁）とが、基板２に対してほぼ同一の高さに形成されている。
【００３５】
有機機能層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層（有機ＥＬ層）１１０ｂと、発光層１１０ｂ及びバンク部１１２上かつ全面に亘って形成された電子注入／輸送層１１０ｃとから構成されている。正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有すると共に、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。電子注入／輸送層１１０ｃは、電子を発光層１１０ｂに注入する機能を有すると共に、電子を電子注入／輸送層１１０ｃ内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａ、を画素電極１１１と発光層１１０ａの間に設け、電子注入／輸送層１１０ｃを陰極１２と発光層１１０ｂの間に設けることによって発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、電子注入／輸送層１１０ｃから注入される電子が発光層１１０ｂで再結合し、発光が得られる。
【００３６】
図４では、発光層１１０ｂとして、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ１を図示しているが、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層と、青色（Ｂ）に発光する青色発光層とを合わせ、発光する波長帯域が互いに異なる３種類の発光層を備えている。これらの発光層は、所定の配列（例えばストライプ状）で配置されている。
【００３７】
次に、陰極１２は、発光素子部１１の全面に形成されており、電子注入／輸送層１１０ｃに電子を注入する役割を果たす。この陰極１２は、カルシウム層１２ａとアルミニウム層１２ｂとが積層されて構成されている。カルシウム層の層厚は例えば２〜５０ｎｍの範囲が好ましい。また、アルミニウム層１２ｂは、発光層１１０ｂから発せられた光を基板２側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等からなることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましい。
【００３８】
以上の構成を備えた有機ＥＬ装置１では、図３及び図４に示すように、主隔壁１１２ｃに囲まれる画素領域をさらに複数の領域Ａ１，Ａ２に区画する分割壁１１２ｄが設けられていることで、パネルの大型化に伴い画素領域を大型化した場合にも、インクジェット法（液体吐出法）による有機機能層１１０の形成を効率的に行うことができる。つまり、大型の画素領域に対して、インクジェット法を用いて上記有機機能層形成用の液状組成物の滴下を行った場合には、滴下された液状組成物の広がる面積が大きいこと、及び画素領域を区画するバンク層（隔壁）表面には、通常撥インク性が付与されていることから、画素領域全体に均一に液状組成物が配置されず、乾燥時に機能層の膜厚に不均一を生じるおそれがある。これに対して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１では、画素領域Ａを２つの領域Ａ１，Ａ２に分割する分割壁１１２ｄが形成されていることで、比較的狭い領域内で液状組成物の滴下を行うことができるため、液状組成物の配置を正確かつ均一に行うことができ、もって形成される有機機能層１１０の膜厚均一性を向上させることが可能である。
このように、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、その製造に際して、膜厚の均一性、及び画素領域の被覆性に優れる有機機能層１１０をインクジェット法により形成することができるので、製造容易性に優れ、大型パネルの量産に好適な構成を備えた有機ＥＬ装置とされている。
【００３９】
上記実施形態では、分割壁１１２ｄの高さを、主隔壁１１２ｃとほぼ同等の高さに形成しているが、分割壁１１２ｄは、主隔壁１１２ｃに対して低く形成することもできる。すなわち、インクジェット法による上記液状組成物の滴下に際して、例えば、上記領域Ａ１に滴下された液状組成物が分割壁を乗り越えて隣接する領域Ａ２側へ一部混入したとしても、前記両領域Ａ１，Ａ２は同一の画素領域に含まれる領域であるため、両者における液状組成物の混入が生じたとしても表示特性上問題を生じることはない。また、前記有機機能層として相当の膜厚を有する層を形成する必要がある場合には、主隔壁１１２ｃの頂部近傍まで上記液状組成物を充填する必要があるが、分割壁１１２ｄを主隔壁１１２ｃより低く形成しておけば、液状組成物が主隔壁１１２ｃを乗り越える以前に分割壁１１２ｄを乗り越えるので、隣接する画素領域間での液状組成物の混入防止という点で有利な構成となる。
【００４０】
上記実施の形態では、画素領域Ａの長さ方向（図３上下方向）に延在する分割壁１１２ｄを備えた有機ＥＬ装置１について説明したが、本発明に係る分割壁１１２ｄの構成は、上記実施の形態に限定されず、画素領域Ａのサイズや、インクジェット法において有機機能層形成用の液状組成物を吐出する吐出ヘッドの構成に応じて、種々の形態をとることができる。この分割壁１１２ｄの他の構成例について、図５ないし図８を参照して以下に説明する。図５ないし図８は、本構成例における有機ＥＬ装置の１画素領域Ａを示す平面構成図である。これらの図において、主隔壁１１２ｃ、分割壁１１２ｄ、及び画素電極１１１以外は、その図示を省略しているが、実際には、各画素領域は図１と同様の構成を備えている。
【００４１】
図５に示す例では、画素領域Ａの周縁部に沿って平面視略矩形枠状の主隔壁１１２ｃが形成され、画素領域Ａの中央部を通って図示左右方向に横断する分割壁１１２ｄが形成されており、これらの主隔壁１１２ｃと分割壁１１２ｄとにより画素領域Ａが２つの領域Ａ１，Ａ２に分割されている。
【００４２】
次に、図６（ａ）に示す例では、画素領域Ａの周縁部に沿って平面視略矩形枠状の主隔壁１１２ｃが形成され、画素領域Ａを図示左右方向に横断する２本の分割壁１１２ｄ，１１２ｄが、互いに略平行に等間隔で形成されており、これらの主隔壁１１２ｃと分割壁１１２ｄ，１１２ｄとによって画素領域Ａが、ほぼ同一の平面形状を有する３つの領域Ａ１〜Ａ３に分割されている。
図６（ｂ）に示す例では、画素領域Ａの周縁部に沿って平面視略矩形枠状の主隔壁１１２ｃが形成され、画素領域Ａを図示上下方向に横断する２本の分割壁１１２ｄ，１１２ｄが互いに略平行に等間隔で形成されており、これらの主隔壁１１２ｃと分割壁１１２ｄ，１１２ｄとによって画素領域Ａが、ほぼ同一の平面形状を有する３つの領域Ａ１〜Ａ３に分割されている。
【００４３】
次に、図７（ａ）に示す例では、画素領域Ａの周縁部に沿って平面視略矩形枠状の主隔壁１１２ｃが形成され、画素領域Ａの中央部を通って図示上下左右方向に横断する平面視略十字状の分割壁１１２ｄが形成されており、これらの主隔壁１１２ｃと分割壁１１２ｄとによって画素領域Ａが、ほぼ同一の平面形状を有する４つの領域Ａ１〜Ａ４に分割されている。
図７（ｂ）に示す例では、画素領域Ａの周縁部に沿って平面視略矩形枠状の主隔壁１１２ｃが形成され、画素領域Ａを図示上下方向に横断する３本の分割壁１１２ｄ，１１２ｄが互いに略平行に等間隔で形成されており、これらの主隔壁１１２ｃと分割壁１１２ｄ…とによって画素領域Ａが、ほぼ同一の平面形状を有する４つの領域Ａ１〜Ａ３に分割されている。
【００４４】
次に、図８（ａ）に示す例では、画素領域Ａの周縁部に沿って平面視略矩形枠状の主隔壁１１２ｃが形成されるとともに、画素領域Ａの中央部を通る平面視略格子状の分割壁１１２ｄが形成されており、これらの主隔壁１１２ｃと分割壁１１２ｄとによって画素領域Ａが、ほぼ同一の平面形状を有する６つの領域Ａ１〜Ａ６に分割されている。
図８（ｂ）に示す例では、画素領域Ａの周縁部に沿って平面視略矩形枠状の主隔壁１１２ｃが形成され、画素領域Ａを横断する平面視略格子状の分割壁１１２ｄが形成されており、これらの主隔壁１１２ｃと分割壁１１２ｄとによって画素領域Ａが、ほぼ同一の平面形状を有する９つの領域Ａ１〜Ａ９に分割されている。
【００４５】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、上記有機ＥＬ装置１を製造する方法について図９〜図１２を参照して説明する。
本実施形態の製造方法は、（１）隔壁形成工程、（２）正孔注入／輸送層形成工程、（３）発光層形成工程、（４）電子注入／輸送層形成工程、（５）陰極形成工程及び（６）封止工程等を有する。なお、ここで説明する製造方法は一例であって、必要に応じてその他の工程が追加されたり、上記の工程の一部が除かれたりする。本実施形態において、（２）正孔注入／輸送層形成工程、（３）発光層形成工程は、本発明に係る機能層形成工程を成し、液滴吐出装置を用いた液体吐出法（インクジェット法）を用いて行われる。
なお、基板２上には、それぞれ先の図４に示した、スイッチング用及び駆動用の薄膜トランジスタ１２３，１２４を含む回路素子部１４、及び画素電極１１１がすでに形成されているものとする。
【００４６】
（１）隔壁形成工程
図９に示すように、画素電極１１１が形成された基板２上に、主隔壁１１２ｃ（無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂ）及び分割壁１１２ｄを形成する。上記無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機物膜を材料として用いることができる。これらの材料は、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって形成される。更に、無機物バンク層１１２ａの膜厚は５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。
【００４７】
無機物バンク層１１２ａは、層間絶縁層１４４及び画素電極１１１の全面に無機物膜を形成し、その後無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより、開口部を有する無機物バンク層１１２ａとして形成することができる。この開口部は、画素電極１１１の電極面１１１ａの形成位置に対応するものである。このとき、無機物バンク層１１２ａは画素電極１１１の周縁部と重なるように形成される。図４に示すように、画素電極１１１の周縁部と無機物バンク層１１２ａとが重なるように無機物バンク層１１２ａを形成することにより、発光層１１０の発光領域を制御することができる。
【００４８】
次に、図９に示すように、上記無機物バンク層１１２ａ上に有機物バンク層１１２ｂを形成する。本実施形態の製造方法では、この工程において同時に、画素電極１１１の所定位置（先の実施形態では画素電極１１１を図示上下方向に横切る位置）に、分割壁１１２ｄを形成する。
有機物バンク層１１２ｂ、及び分割壁１１２ｄとして、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する材料を用いる。これらの材料を用い、有機物バンク層１１２ｂ、分割壁１１２ｄをフォトリソグラフィ技術等によりパターニングして形成される。すなわち、上記無機物バンク層１１２ａの開口部と対応する位置が開口されて上記有機物バンク層１１２ｂが形成されるとともに、有機物バンク層１１２ｂにより囲まれる領域を２つの領域に区画する分割壁１１２ｄが形成される。
【００４９】
上記有機物バンク層１１２ａの開口部は、図４及び図９に示すように、無機物バンク層１１２ａに形成された開口部より広く形成する事が好ましい。更に、有機物バンク層１１２ｂは図示のようにテーパーを有する形状が好ましく、有機物バンク層１１２ｂの最低面では画素電極１１１の幅より狭く、有機物バンク層１１２ｂの最上面では画素電極１１１の幅とほぼ同一の幅に形成する事が好ましい。すなわち、テーパーを有する有機物バンク層１１２ｂの側壁が、底部側で画素電極１１１の中央部側へ延出された形状とすることが好ましい。
また、分割壁１１２ｄの側壁部についても、有機物バンク層１１２ｂと同様のテーパー形状を有して形成されることが好ましい。
【００５０】
なお、有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。このような範囲とする理由は以下の通りである。
すなわち、厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層１１０ｂが有機物バンク層１１２ｂの開口部から溢れてしまうおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、有機物バンク層１１２ｂの開口部による段差が大きくなり、これらのバンク層を覆って形成される陰極１２のステップカバレッジが確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、陰極１２と駆動用の薄膜トランジスタ１２３との絶縁を高めることができる点で好ましい。
【００５１】
上記工程において、分割壁１１２ｄは、有機物バンク層１１２ｂよりも低く形成することができる。このように分割壁１１２ｄを相対的に低く形成することで、後述の機能層形成工程において上記開口部に液状組成物を滴下した際に、液状組成物が有機物バンク層１１２ｂを乗り越えて隣の画素領域に混入するのを防止しやすくなる。また、画素領域内において陰極１２のステップカバレッジを確保し易くなるという利点もある。
【００５２】
尚、上記工程では、有機物バンク層１１２ｂと、分割壁１１２ｄとを同一の工程で形成することにより、工程の効率化を図っているが、これら有機物バンク層１１２ｂと分割壁１１２ｄとは、別々の工程にて、互いに異なる材料を用いて形成することもできる。
【００５３】
また、上記有機物バンク層１１２ｂ、及び分割壁１１２ｄを形成する工程は、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等を含む液状組成物を液滴吐出装置により滴下して、基板２上の所定位置に定点配置する液体吐出法により形成することもできる。
【００５４】
（２）正孔注入／輸送層形成工程
次に、図９に示すように、画素電極１１１が形成された基板２上に、正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。正孔注入／輸送層形成工程では、液体吐出法を用いることにより、正孔注入／輸送層形成材料を含む組成物を画素電極１１１上に吐出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。なお、この正孔注入／輸送層形成工程を含め、以降の工程は、例えば窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
【００５５】
液体吐出法による正孔注入／輸送層の形成手順としては、液体を吐出するための吐出ヘッドＨに、正孔注入／輸送層の材料を含有する組成物インクを充填し、吐出ヘッドの吐出ノズルを、バンク部１１２の開口部内に位置する画素電極１１１に対向させ、吐出ヘッドと基板２とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御されたインク滴ｄを吐出する。その後、吐出後のインク滴を乾燥処理して組成物インクに含まれる極性溶媒（液体材料）を蒸発させることにより、正孔注入／輸送層が形成される。
【００５６】
ここで用いる組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類、ジエチレングリコール等を挙げることができる。より具体的な組成物の組成としては、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ＝１：２０）：１１重量％、ＰＳＳ：２重量％、ジエチレングリコール：５０重量％、純水：３７重量％のものを例示できる。なお、組成物の粘度は２〜２０ｃＰｓ程度が好ましく、特に４〜１５ｃＰｓ程度が良い。
【００５７】
（３）発光層形成工程
次に、図９及び図１０に示すように、正孔注入／輸送層１１０ａが積層された画素電極１１１上に発光層１１０ｂを形成する。図９では、主隔壁１１２ｃ及び分割壁１１２ｄに囲まれる開口部内に組成物インクを充填し、続いて図１０のように赤色発光層１１０ｂ１、１１０ｂ１を形成する。ここでは液体吐出法により、発光層用材料を含む組成物インクを正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出し、その後に乾燥処理及び熱処理して、主隔壁１１２ｃ及び分割壁１１２ｄに囲まれた開口部内に各色発光層１１０ｂ、１１０ｂ１を形成している。
【００５８】
発光層形成工程では、正孔注入／輸送層１１０ａの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる組成物インクの溶媒として、正孔注入／輸送層１１０ａに対して不溶な無極性溶媒を用いる。この場合、無極性溶媒に対する正孔注入／輸送層１１０ａの表面の濡れ性を高めるために、発光層形成の前に表面改質工程を行うのが好ましい。表面改質工程は、例えば上記無極性溶媒と同一溶媒又はこれに類する溶媒を液体吐出法、スピンコート法又はディップ法等により正孔注入／輸送層１１０ａ上に塗布した後に乾燥することにより行う。なお、ここで用いる表面改質用溶媒は、組成物インクの無極性溶媒と同一なものとして例えば、シクロヘキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、イソプロピルビフェニル等を例示でき、組成物インクの無極性溶媒に類するものとしては、例えばトルエン、キシレン等を例示することができる。
【００５９】
液体吐出法による発光層の形成手順としては、まず赤色発光層の形成に際しては、図９に示すように、吐出ヘッドＨに赤色発光層１１０ｂ１を形成する材料を含有する組成物インクを充填し、吐出ヘッドＨの吐出ノズルを、主隔壁１１２ｃ及び分割壁１１２ｄに囲まれる開口部内に位置する赤色用の正孔注入／輸送層１１０ａに対向させ、吐出ヘッドＨと基板２とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御されたインク滴を吐出する。吐出されたインク滴は、正孔注入／輸送層１１０ａ上に広がって開口部内に満たされる。続いて、吐出後のインク滴を乾燥処理することにより組成物インクに含まれる無極性溶媒が蒸発し、赤色発光層１１０ｂ１が形成される。
赤色発光層１１０ｂ１を形成する発光材料としては、例えばローダミンおよびその誘導体などの有機ＥＬ材料からなるものを用いることができる。一方、無極性溶媒としては、正孔注入／輸送層に対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロヘキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、イソプロピルビフェニル等を用いることができる。
【００６０】
続いて、正孔注入／輸送層１１０ａが積層された赤色以外の画素電極１１１の上にも、それぞれの発光層１１０ｂを形成する。この発光層形成工程は、前述した赤色発光層形成工程と同様の手順で行われる。なお、緑色発光層を形成する発光材料としては、例えばキナクリドンおよびその誘導体などの有機ＥＬ材料からなるものを用いることができ、青色発光層を形成する発光材料としては、例えばジスチリルビフェニルおよびその誘導体、クマリンおよびその誘導体、テトラフェニルブタジエンおよびその誘導体などの有機ＥＬ材料からなるものを用いることができる。
【００６１】
また、上記（２）正孔注入／輸送層形成工程、及び（３）発光層形成工程では、図３に示した領域（開口部）Ａ１、Ａ２の延在方向（図示上下方向）に沿って吐出ヘッドＨを走査し、組成物インクの滴下を行うことが好ましい。このようにして分割壁１１２ｄにより区画された領域Ａ１，Ａ２の形状に沿って吐出ヘッドＨを走査することで、滴下されたインク組成物が、上記開口部内で不均一に配置されるのを効果的に防止することができ、もって良好な膜厚均一性を有する正孔注入／輸送層、及び発光層を形成することが可能である。
【００６２】
（４）電子注入／輸送層形成工程
次に、図１１に示すように、発光層１１０ｂ及びバンク層１１２の全面に電子注入／輸送層１１０ｃを形成する。電子注入／輸送層１１０ｃは、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点で好ましい。
【００６３】
（５）陰極形成工程
次に、図１２に示すように、画素電極（陽極）１１１と対をなす陰極１２を形成する。即ち、各色発光層１１０ｂ及び有機物バンク層１１２ｂ（主隔壁１１２ｃ）、分割壁１１２ｄを含む基板２上の領域全面に、カルシウム層１２ａとアルミニウム層１２ｂとを順次積層して陰極１２を形成する。これにより、各色発光層１１０ｂの形成領域全体に、陰極１２が積層され、赤色、緑色、青色の各色に対応する有機ＥＬ素子がそれぞれ形成される。
【００６４】
陰極１２は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点で好ましい。また陰極１２上に、酸化防止のためにＳｉＯ２、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。
【００６５】
（６）封止工程
最後に、有機ＥＬ素子（発光素子）が形成された基板２と封止基板３ｂ（図１参照）とを封止樹脂を介して封止する。例えば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂を基板２の周縁部に塗布し、封止樹脂上に封止基板３ｂを配置する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵入して陰極１２が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
【００６６】
この後、基板２の配線に陰極１２を接続するとともに、基板２上あるいは外部に設けられる駆動ＩＣ（駆動回路）に回路素子部１４（図１参照）の配線を接続することにより、本実施形態の有機ＥＬ装置１が完成する。
【００６７】
このように、本実施形態に係る製造方法では、（１）隔壁形成工程において、画素領域毎を区画する主隔壁１１２ｃ（無機物バンク層１１２ａ、有機物バンク層１１２ｂ）を形成するとともに、画素領域内を区画する分割壁１１２ｄを形成するので、パネルの大型化により画素領域を大型化した場合にも、後の（２）正孔注入／輸送層形成工程、（３）発光層形成工程での液体吐出法において、滴下された組成物インクの配置に偏りが生じるのを効果的に防止でき、もって膜厚均一性に優れる有機機能層１１０を形成することが可能であり、係る製造方法によれば、発光特性が均一な画素が配列された高画質の表示が可能な有機ＥＬ装置を容易に製造することができる。また、分割壁１１２ｄにより区画された領域に対して、その延在方向に沿って吐出ヘッドを走査しながら上記組成物インクを滴下するならば、さらに組成物インクの配置の偏りを効果的に防止でき、より膜厚均一性に優れる有機機能層の形成が可能である。
また、上述した製造方法のうち、（２）正孔注入／輸送層形成工程、（３）発光層形成工程においては、一貫して液体吐出法が用いられるので工程の簡略化を図ることができる。
【００６８】
（カラーフィルタ）
上記では、本発明に係る電気光学装置の一実施形態として有機ＥＬ装置を挙げて示したが、本発明は、電気光学装置に用いるカラーフィルタの構成要素となる膜の形成にも適用することができる。図１３は基板Ｐ上に形成されるカラーフィルタを示す図であり、図１４はカラーフィルタの製造手順を示す図である。
【００６９】
図１３に示すように、本例では長方形形状の基板Ｐ上に生産性を向上させる観点から複数個のカラーフィルタ領域２５１をマトリクス状に形成する。これらカラーフィルタ領域２５１は、後で基板Ｐを切断することにより、液晶表示装置等に適合するカラーフィルタとして用いることができる。カラーフィルタ領域２５１は、Ｒ（赤）の液状体組成物、Ｇ（緑）の液状体組成物、及びＢ（青）の液状体組成物をそれぞれ所定のパターン、本例では従来公知のストライプ型で形成される。なお、この形成パターンとしては、ストライプ型の他に、モザイク型、デルタ型、あるいはスクウェア型などでもよい。そして、ＲＧＢそれぞれの液状体組成物には上述した界面活性剤が添加されている。
【００７０】
このようなカラーフィルタ領域２５１を形成するには、まず図１４（ａ）に示すように透明の基板Ｐの一方の面に対し、上記各色毎の色材層の領域を区画する平面視略格子状の主隔壁２６１が形成される。この主隔壁２６１の形成方法は、スピンコート後に露光、現像することによる。そして、この主隔壁２６１に囲まれる領域をさらに分割する分割壁２６２が形成される。図１４（ａ）では、図３に示した平面形状を有していることとして、主隔壁２６１，２６１間に紙面に垂直に延在する分割壁２６２を図示している。この分割壁２６２の平面形状は、先の有機ＥＬ装置の実施形態で述べた構成例をいずれも適用することが可能である。
次いで、主隔壁２６１及び分割壁２６２の格子で囲まれる領域内部にインクが配置される。このとき、主隔壁２６１及び分割壁２６２は撥液性を有することが好ましい。また、主隔壁２６１はブラックマトリクスとして機能することが好ましく、分割壁２６２はブラックマトリクスとして機能させるか、あるいは充填されるインクと同色に形成することが好ましい。
【００７１】
次に、図１４（ｂ）に示すように、前記液滴吐出ヘッドから液状体組成物の液滴２５４が吐出され、フィルタエレメント２５３に着弾する。吐出する液滴２５４の量については、加熱工程における液状体組成物の体積減少を考慮した十分な量とする。このようにして基板Ｐ上の全てのフィルタエレメント２５３に液滴２５４を充填したら、ヒータを用いて基板Ｐが所定の温度（例えば７０℃程度）となるように加熱処理される。この加熱処理により、液状体組成物の溶媒が蒸発して液状体組成物の体積が減少する。この体積現状の激しい場合には、カラーフィルタとして十分な膜厚が得られるまで、液滴吐出工程と加熱工程とを繰り返す。この処理により、液状体組成物に含まれる溶媒が蒸発して、最終的に液状体組成物に含まれる固形分のみが残留して膜化し、図１４（ｃ）に示すようなカラーフィルタ（色材層）２５５となる。
【００７２】
次いで、基板Ｐを平坦化し、且つカラーフィルタ２５５を保護するために、図１４（ｄ）に示すようにカラーフィルタ２５５やバンク２５２を覆って基板Ｐ上に保護膜２５６を形成する。この保護膜２５６の形成にあたっては、スピンコート法、ロールコート法、リッピング法などの方法を採用することができるが、カラーフィルタ２５５と同様に、液体吐出法により行うこともできる。
次いで、図１４（ｅ）に示すようにこの保護膜２５６の全面に、スパッタ法や真空蒸着法などによって透明導電膜２５７を形成する。その後、透明導電膜２５７をパターニングし、図１４（ｆ）に示すように画素電極２５８をフィルタエレメント２５３に対応させてパターニングする。なお、液状表示パネルの駆動にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いる場合には、このパターニングは不用となる。
【００７３】
本実施形態では、カラーフィルタ２５５を形成する際に本発明の製造方法を適用できる。すなわち、各カラーフィルタ２５５を形成すべき領域において、主隔壁２６１により各色毎を区画するととともに、分割壁２６２により、先の主隔壁２６１により区画された領域をさらに複数の領域に区画し、これら分割壁２６２及び主隔壁２６１により囲まれる領域にカラーフィルタ２５５を形成する。このような製造方法を適用することで、パネルの大型化に伴い画素領域が大型化された場合にも、上記分割壁２６２を有していることで、比較的狭い領域内に前記インクを滴下することができるため、インクの配置を正確に行うことができるとともに、形成された色材層の膜厚の均一性に優れたカラーフィルタ基板（電気光学装置用基板）を製造することができる。
【００７４】
（電子機器）
図１５は、本発明の電子機器の一実施形態を示している。本実施形態の電子機器は、上述した有機ＥＬ装置１を表示手段として備えている。図１５は、携帯電話の一例を示した斜視図で、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の有機ＥＬ装置１を用いた表示部を示している。このように本発明の電気光学装置に係る有機ＥＬ装置を表示手段として備える電子機器は、良好な発光寿命及び発光特性を得ることができる。
【００７５】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
本実施例では、先の実施形態の構成を備えた有機ＥＬ装置を、本発明に係る製造方法により作成した。ガラス基板２上に、素子部１４等を形成したのち、ＩＴＯからなる画素電極１１１をパターニングして形成し、さらに無機物バンク層１１２ａ（主隔壁）をＳｉＯ２を用いて、有機物バンク層１１２ｂ（主隔壁）、及び分割壁１１２ｄをアクリル樹脂を用いて、それぞれフォトリソグラフィ技術を用いてパターン形成した。また、本例においてバンク径（無機物バンク層１１２ａの開口径）は、形成する画素サイズに応じて適宜変更し、有機物バンク層１１２ｂ及び分割壁１１２ｄの高さは２μｍとした。また、上記主隔壁１１２ｃ及び分割壁１１２ｄの平面形状を種々に変えて作製した。それぞれの平面形状は、図３、図５（実施例１）、図６（実施例２）、図７（実施例３）、図８（ａ）（実施例４）、図８（ｂ）（実施例５）に示す形状とした。また、比較のために、主隔壁１１２ｃのみを形成し、画素領域のサイズを変えたものを２種類（比較例１，比較例２）作製した。各実施例及び比較例の有機ＥＬ装置の画素サイズ、及びバンク数（画素領域Ａの分割数）を以下の表１に示す。
【００７６】
また、上記主隔壁１１２ｃ及び分割壁１１２ｄに囲まれる領域内に、正孔注入／輸送材料のインク組成物の滴下を行うに先立ち、大気圧プラズマによりアクリル樹脂からなる有機物バンク層１１２ｂ及び分割壁１１２ｄの表面を撥インク処理した。この大気圧プラズマ処理の条件は、大気圧下で、パワー３００Ｗ、電極−基板間距離１ｍｍ、酸素プラズマ処理では酸素ガス流量８０ｃｃｍ、ヘリウムガス流量１０ＳＬＭ、テーブル搬送速度１０ｍｍ／ｓで行い、続けて、ＣＦ４プラズマ処理では、ＣＦ４ガス流量１００ｃｃｍ、ヘリウムガス流量１０ＳＬＭ、テーブル搬送速度５ｍｍ／ｓで行った。
【００７７】
上記プラズマ処理による表面処理後、以下の表２に示した正孔注入／輸送層用インク組成物を、液滴吐出装置の吐出ヘッド（１ヘッド中１８０個×２列でノズルが配置されたものを用いた）から吐出し、パターン塗布した。その際の吐出量は、膜厚が８００Åになるように調整した。次いで、真空中（１Ｔｏｒｒ（１３３Ｐａ））、２５℃、２０分の乾燥条件で上記インク組成物に含まれる溶媒を除去し、その後、大気中２００℃（ホットプレート上）、１０分の熱処理を行い、図９に示すような正孔注入／輸送層１１０ａを形成した。
【００７８】
次に、以下の（化１）〜（化５）に示すような発光層用材料を表３〜表５に示す組成として用い、液滴吐出装置の吐出ヘッドから吐出し、パターン塗布した。その際の吐出量は、膜厚が８００Åになるように調整した。次いで、真空中（１Ｔｏｒｒ（１３３Ｐａ））、２５℃、２０分の乾燥条件で上記インク組成物に含まれる溶媒を除去し、赤色、緑色、青色の各色の発光層１１０ｂを形成した。
【００７９】
次に、上記にて得られた実施例１〜５及び、比較例１，２の各有機ＥＬ装置について、画素領域内（主隔壁１１２ｃ及び分割壁１１２ｄに囲まれる領域内）におけるインクの濡れ性を、顕微鏡観察により行った。その結果を表１に併記する。表１に示すように、本発明に係る製造方法を用いて作製された実施例１ないし５の有機ＥＬ装置では、いずれもバンク内にインクが均一に充填されており、良好な膜厚均一性を有する正孔注入／輸送層、及び発光層を形成できることが確認された。これに対して、主隔壁１１２ｃのみを形成した比較例１，２の有機ＥＬ装置では、バンク内に滴下したインクに偏りが生じ、均一な膜厚に正孔注入／輸送層、及び発光層を形成することができなかった。
【００８０】
【表１】
2004335180.tif 000003
【００８１】
【表２】
2004335180.tif 000004
【００８２】
【表３】
2004335180.tif 000005
【００８３】
【表４】
2004335180.tif 000006
【００８４】
【表５】
2004335180.tif 000007
【００８５】
【化１】
2004335180.tif 000008
【００８６】
【化２】
2004335180.tif 000009
【００８７】
【化３】
2004335180.tif 000010
【００８８】
【化４】
2004335180.tif 000011
【００８９】
【化５】
2004335180.tif 000012
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、実施形態の有機ＥＬ装置を示す斜視構成図。
【図２】図２は、同、回路構成図。
【図３】図３は、同、１画素領域を示す平面構成図。
【図４】図４は、同、断面構成図。
【図５】図５は、同、１画素領域の他の例示す平面構成図。
【図６】図６は、同、１画素領域の他の例示す平面構成図。
【図７】図７は、同、１画素領域の他の例示す平面構成図。
【図８】図８は、同、１画素領域の他の例示す平面構成図。
【図９】図９は、有機ＥＬ装置の製造方法を示す断面工程図。
【図１０】図１０は、有機ＥＬ装置の製造方法を示す断面工程図。
【図１１】図１１は、有機ＥＬ装置の製造方法を示す断面工程図。
【図１２】図１２は、有機ＥＬ装置の製造方法を示す断面工程図。
【図１３】図１３は、実施形態のカラーフィルタの構成図。
【図１４】図１４は、同、断面工程図。
【図１５】図１５は、電子機器の斜視構成図。
【符号の説明】
１  有機ＥＬ装置（電気光学装置）、１１２ａ  無機物バンク層（主隔壁）、１１２ｂ  有機物バンク層（主隔壁）、１１２ｃ  主隔壁、１１２ｄ  分割壁、１１０  有機機能層（機能層）、１１０ａ  正孔注入／輸送層、１１０ｂ（発光層）
【図１】
2004335180.tif 000013
【図２】
2004335180.tif 000014
【図３】
2004335180.tif 000015
【図４】
2004335180.tif 000016
【図５】
2004335180.tif 000017
【図６】
2004335180.tif 000018
【図７】
2004335180.tif 000019
【図８】
2004335180.tif 000020
【図９】
2004335180.tif 000021
【図１０】
2004335180.tif 000022
【図１１】
2004335180.tif 000023
【図１２】
2004335180.tif 000024
【図１３】
2004335180.tif 000025
【図１４】
2004335180.tif 000026
【図１５】
2004335180.tif 000027