(57)【要約】【課題】磁気テープの再生時に磁気ヘッドの基板の摺動面に圧力が加わった場合でも、基板の表面から基板を構成している材料の粒子が脱離せず、かつ基板エッジ部の削れを生じることのない磁気ヘッドを提供すること。【解決手段】基板と絶縁層との間にダイヤモンドライクカーボン膜を有することを特徴とする磁気ヘッド。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と絶縁層との間にダイヤモンドライクカーボン膜を有することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
前記ダイヤモンドライクカーボン膜は、２０００ｋｇ／ｍｍ２以上のビッカーズ硬度を有する請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記ダイヤモンドライクカーボン膜の厚さは、１００ｎｍ以上である請求項１または２に記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
磁気抵抗効果型ヘッドである請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
基板の一側面上に、ダイヤモンドライクカーボン膜、絶縁層、下部シールド層、下部ギャップ層、磁気抵抗効果型素子、上部ギャップ層、上部シールド層および保護層をこの順に有する請求項４に記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
非磁性材料から構成される基板の一側面上に、ダイヤモンドライクカーボン膜、絶縁性材料から構成される絶縁層、磁性材料から構成される下部シールド層、非磁性材料から構成される下部ギャップ層、磁気抵抗効果型素子、非磁性材料から構成される上部ギャップ層、磁性材料から構成される上部シールド層および絶縁性材料から構成される保護層をこの順に有する請求項４に記載の磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、再生時における電磁変換特性を向上させた磁気ヘッド、特に、磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、データ等の信号を記録および／または再生するための信号記録用テープとして、磁気記録媒体である磁気テープが広く用いられており、近年は、単位面積あたりの記録密度を高くするために、磁気テープのトラック幅をより狭くする狭トラック化が図られている。そのため、磁気テープの狭トラック化に対応できるように、磁気記録再生装置に用いられる磁気ヘッドとしては、その磁気ギャップ幅をより狭くすること（狭ギャップ化）が求められており、薄膜形成技術によって狭ギャップ化が実現できる磁気抵抗効果型ヘッドが多用されている（特許文献１参照）。
【０００３】
図５は、従来の磁気抵抗効果型ヘッドの要部を示す断面図である。図５に示すように、従来の磁気抵抗効果型ヘッド３０は、薄膜形成技術によって、非磁性材料から構成される基板３１上に、絶縁性材料から構成される絶縁層３２、磁性材料から構成される下部シールド層３３、非磁性材料から構成される下部ギャップ層３４、磁気抵抗効果型素子３５、非磁性材料から構成される上部ギャップ層３６、磁性材料から構成される上部シールド層３７および絶縁性材料から構成される保護層３８が順次積層されて形成されている。ここで、下部シールド層３３と上部シールド層３７とで挟まれた部分が、この磁気抵抗効果型ヘッド３０における読取用の磁気ギャップＧとなる。なお、基板３１には、非磁性材料であるアルミナチタンカーバイド（アルチック：Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）がよく用いられている。また、絶縁層３２には、絶縁性材料であるアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やシリカ（ＳｉＯ２）等が用いられている。
【０００４】
しかしながら、図５に示すような従来の磁気抵抗効果型ヘッド３０では、特に、基板３１にアルチックのように多結晶物質が用いられている場合は、磁気テープの再生時に磁気テープが磁気抵抗効果型ヘッド３０上を摺動し、基板３１の磁気テープと摺動する面（摺動面）に圧力が加わると、その圧力によって基板３１を構成しているアルチックの粒子が基板３１の表面から脱離するという問題があった。
【０００５】
基板３１の摺動面に圧力が加わった際に、基板３１を構成しているアルチックの粒子が基板３１の表面から脱離する原因については、磁気抵抗効果型ヘッド３０の製造工程において基板３１上に下地層としての絶縁層３２を成膜する際に、その成膜時の衝撃によって、絶縁層３２に含まれている酸素原子（Ｏ）が基板３１内に侵入し、基板３１に含まれているアルミニウム（Ａｌ）やチタン（Ｔｉ）と結合してそれぞれ酸化物を形成し、基板３１を構成しているアルミニウム、チタンおよび炭素間の結合を妨げることが一因と考えられる。
【０００６】
基板３１の表面からアルチックの粒子が脱離すると、基板３１の表面は荒れた状態となり、平滑性が悪くなる。そのため、磁気テープの再生時に、磁気抵抗効果型ヘッド３０と磁気テープとの摩擦力が大きくなり、磁気テープの摺動特性が劣化するので、磁気抵抗効果型ヘッド３０が磁気テープから信号を正しく読み出すことができなくなる。
【０００７】
また、絶縁層３２を構成しているアルミナやシリカは、基板３１を構成しているアルチックよりも柔らかいため、基板３１の表面からアルチックの粒子が脱離すると、その脱離したアルチックの粒子が、絶縁層３２から保護層３８の各層の磁気テープと摺動する面（摺動面）を磨耗させる。そのため、磁気テープの再生時に、磁気テープと磁気抵抗効果型ヘッド３０との間に隙間ができてしまい、磁気抵抗効果型ヘッド３０が磁気テープから信号を正しく読み出すことができなくなる。
【０００８】
また、基板材料と絶縁層材料とには、硬度差があるため、長時間のテープ摺動により、偏磨耗が生じる。この偏磨耗が進行していくと、基板−絶縁層間の基板エッジにかかる力はより大きくなる。その結果、偏磨耗が進行するに従って、基板−絶縁層間の基板エッジ部が削れることによって溝ができるため、磁気テープと磁気抵抗型素ヘッドとの間にスペーシングロスが生じ、ヘッド当たりが低下し、電磁変換特性が低下するという問題もあった。
【０００９】
【特許文献１】
特開平８−２７３１２６号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は、磁気テープの再生時に磁気ヘッドの基板の摺動面に圧力が加わった場合でも、基板の表面から基板を構成している材料の粒子が脱離せず、かつ基板エッジ部の削れを生じることのない磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、基板と絶縁層との間に、高強度のダイヤモンドライクカーボン膜を設けることにより、基板材料粒子の脱離を防ぎ、再生時の電磁変換特性を向上することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明を解決するための手段は、以下の通りである。
（１）  非磁性基板と絶縁層との間にダイヤモンドライクカーボン膜を有することを特徴とする磁気ヘッド。
（２）  前記ダイヤモンドライクカーボン膜は、２０００ｋｇ／ｍｍ２以上のビッカーズ硬度を有する（１）に記載の磁気ヘッド。
（３）  前記ダイヤモンドライクカーボン膜の厚さは、１００ｎｍ以上である（１）または（２）に記載の磁気ヘッド。
（４）  磁気抵抗効果型ヘッドである（１）〜（３）のいずれかに記載の磁気ヘッド。
（５）  基板の一側面上に、ダイヤモンドライクカーボン膜、絶縁層、下部シールド層、下部ギャップ層、磁気抵抗効果型素子、上部ギャップ層、上部シールド層および保護層をこの順に有する（４）に記載の磁気ヘッド。
（６）  非磁性材料から構成される基板の一側面上に、ダイヤモンドライクカーボン膜、絶縁性材料から構成される絶縁層、磁性材料から構成される下部シールド層、非磁性材料から構成される下部ギャップ層、磁気抵抗効果型素子、非磁性材料から構成される上部ギャップ層、磁性材料から構成される上部シールド層および絶縁性材料から構成される保護層をこの順に有する（４）に記載の磁気ヘッド。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明について更に詳細に説明する。
本発明の磁気ヘッドは、絶縁層と基板との間に、ダイヤモンドライクカーボン（以下、「ＤＬＣ」ともいう）膜を有することを特徴とする。
ＤＬＣとは、イオンを利用した気相合成法により合成されるダイヤモンドに類似した高硬度カーボン薄膜である。ＤＬＣ膜の構造は、通常、水素を若干含有した非晶質（アモルファス）構造で、ダイヤモンド結合やグラファイト結合などを持つものであると言われている。ＤＬＣ膜は、アモルファス構造のため、結晶粒界を持たず、窒化チタンなどの多結晶構造の硬質薄膜と比べて非常に平滑な表面を有する。こうした表面平滑性とカーボン材料としての物性が、ＤＬＣ膜に優れた摩擦磨耗特性を付与していると考えられる。
以下に、本発明において、優れた摩擦磨耗特性を有する高硬度ＤＬＣ膜を、非磁性基板と絶縁層との間に設けることにより得られる効果について説明する。
【００１３】
本発明では、絶縁層と基板との間に、ＤＬＣ膜を設けることにより、磁気ヘッドの製造工程において基板上に下地層としての絶縁層を形成する際に、絶縁層に含まれている酸素原子（Ｏ）が基板内に侵入するのを防ぐことができる。したがって、基板を構成している材料の各原子間の結合は保たれるので、磁気テープの再生時に基板の摺動面に圧力が加わった場合でも、基板の表面から基板を構成している材料の粒子が脱離することを防止することができる。
【００１４】
更に、本発明では、基板上にＤＬＣ膜を設けることにより、磁気テープとの摺動によって最も顕著に削られる部分である基板エッジ部が高強度のＤＬＣで覆われるため、テープとの摺動による基板エッジ部の削れが生じず、良好な電磁変換特性を有する磁気ヘッドを得ることができる。
【００１５】
上記ＤＬＣ膜は、２０００ｋｇ／ｍｍ２以上のビッカーズ硬度を有することが好ましく、３０００〜４０００ｋｇ／ｍｍ２のビッカーズ硬度を有することが更に好ましい。ＤＬＣ膜のビッカーズ硬度が２０００ｋｇ／ｍｍ２以上であれば、前述のテープとの摺動による基板エッジ部の削れを有効に防止することができる。
【００１６】
上述のように、本発明では、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁層の磁気媒体摺動による偏磨耗対策として、基板−絶縁層間にＤＬＣ膜を設け、基板エッジ部の削れを防止する。ＤＬＣ膜が薄いと強度的に弱くなるため、かかる効果を得るためには、ＤＬＣ膜の厚さは、１００ｎｍ以上であることが好ましく、２００〜１０００ｎｍであることが更に好ましい。
【００１７】
本発明の磁気ヘッドは、例えば、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、「ＭＲヘッド」ともいう）であることができる。以下に、ＭＲヘッドの構成について、適宜図面を参照しながら説明するが、本発明はこの態様に限定されるものではない。
【００１８】
図１は本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの要部を示す断面図、図２は図１に示した磁気抵抗効果型ヘッドの斜視図である。なお、図１では、分かりやすくするために、各層の厚さを誇張して表現している。
【００１９】
図１に示すように、ＭＲヘッド１０は、基板１１の一側面１１ａ上にＤＬＣ膜１９を有し、その上に、絶縁層１２を有する。そして、絶縁層１２上に、下部シールド層１３、下部ギャップ層１４、磁気抵抗効果型素子（以下、「ＭＲ素子」ともいう）１５、上部ギャップ層１６、上部シールド層１７および保護層１８をこの順に有する。ここで、下部シールド層１３と上部シールド層１７とで挟まれた部分が、このＭＲヘッド１０における読取用の磁気ギャップＧとなる。
【００２０】
また、保護層１８の一側面１８ａ（図１参照）には保護板２０（図２参照）が接合されており、この保護板２０の一側面２０ａは、基板１１の一側面１１ａと共に、ＤＬＣ膜１９、絶縁層１２、下部シールド層１３、下部ギャップ層１４、ＭＲ素子１５、上部ギャップ層１６、上部シールド層１７および保護層１８を挟持している（図２参照）。
【００２１】
そして、図２に示すように、基板１１の一方の端面１１ｂおよび保護板２０の一方の端面２０ｂは曲面状に形成されており、端面１１ｂおよび端面２０ｂは磁気テープの再生時に磁気テープがＭＲヘッド１０と摺動する面である磁気テープ摺動面Ｓとなる。この磁気テープ摺動面Ｓは、磁気テープの走行方向に沿って、なだらかな円弧状の曲面に形成されている。
【００２２】
磁気テープ摺動面Ｓには、前記した読取用の磁気ギャップＧが露出しており、磁気ギャップＧは、磁気テープが磁気ギャップＧの上を通過した際に、磁気テープに磁場として記録された信号をＭＲ素子１５で読み出すことができる。具体的には、磁気テープの再生時に、ＭＲ素子１５に定電流であるセンス電流を流し、ＭＲ素子１５の電気抵抗値の変化を電圧の変化分として取り出すことにより、磁気テープに記録された信号を読み出すことができる。
【００２３】
本発明において、基板１１は、非磁性材料であるアルチック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）から構成することができる。また、基板１１は、α−Ｆｅ２Ｏ３（α−ヘマタイト）、ＮｉＯ−ＴｉＯ２−ＭｇＯ、ＴｉＯ２−ＣａＯ、ＮｉＯ−ＭｎＯ等の非磁性材料から構成することもでき、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｚｎフェライト等の磁性材料から構成することもできる。
【００２４】
基板１１の一側面１１ａは略長方形の矩形状に形成されており、一側面１１ａ上には、ＤＬＣ膜１９、絶縁層１２、下部シールド層１３、下部ギャップ層１４、ＭＲ素子１５、上部ギャップ層１６、上部シールド層１７および保護層１８が順次成膜されている。また、基板１１の一方の端面１１ｂは、保護板２０の一方の端面２０ｂと共に磁気テープ摺動面Ｓとなる（図２参照）。基板の厚さは、例えば、６０〜１００μｍとすることができる。
【００２５】
絶縁層１２は、例えば、絶縁性材料であるアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やシリカ（ＳｉＯ２）等から構成することができる。また、絶縁層１２は、ＡｌＮ、Ａｌ−Ｎ−Ｘ（Ｘは、Ｓｉ、Ｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂの一種又は二種以上）、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＤＬＣ、ＢＮ、ＭｇＯ、ＳｉＡｌＯＮ、ＡｌＯＮ、Ｓｉ３Ｎａ、ＳｉＣＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＯＮ等から構成することもできる。この絶縁層１２の厚さは、例えば、１５〜３０μｍであることができる。
【００２６】
下部シールド層１３および上部シールド層１７は、例えば、磁性材料であるＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金（センダスト）、Ｎｉ−Ｆｅ系合金（パーマロイ）、Ｎｉ−Ｚｎ系合金（ヘマタイト）等の多結晶フェライト等から構成することができる。ただし、シールド層を構成する材料としては、良好な軟磁性を示し、かつ磨耗腐食に優れたものであれば特に限定されるものではない。上記シールド層は、ＭＲヘッドの磁気シールドとして機能するためにシステムで用いる全波長に対応する必要があり、通常、最長波長の２倍以上の膜厚が必要とされる。下部シールド層１３の厚さは、例えば、２〜４μｍとすることができ、上部シールド層１７の厚さは、例えば、２〜４μｍとすることができる。なお、下部シールド層と上部シールド層は、同じ材料からなるものであることもでき、異なる材料からなるものでもよい。
【００２７】
下部ギャップ層１４および上部ギャップ層１６は、例えば、非磁性材料であるアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等から構成することができる。
下部ギャップ層の膜厚ｔｄを、最終的にシステムに必要なシールド間距離（いわゆる再生ギャップ）をＧとしたとき、ｔｄ＝Ｇ／２−（磁気抵抗効果層（例えばＮｉＦｅ層）の膜厚／２＋非磁性層（例えばＴａ層）の膜厚）を算出して決定することにより、ＭＲ素子を、一対の磁気シールド間の中心位置に正確に配置することができる。また、上部ギャップ層の膜厚ｔｕを、ｔｕ＝（非磁性層（例えばＴａ層）の膜厚＋軟磁性層（例えばＮｉＦｅＮｂ層）の膜厚＋非磁性層（例えばＴａ層）の膜厚＋磁気抵抗効果層（例えばＮｉＦｅ層）の膜厚／２）を算出して決定することにより、ＭＲ素子を、一対の磁気シールド間の中心位置に正確に配置することができる。
下部ギャップ層１４の厚さは、例えば、６０〜１４０ｎｍとすることができ、上部ギャップ層１６の厚さは、例えば、８０〜１６０ｎｍとすることができる。ただし、ギャップ層の層厚及び材料は、ＭＲヘッドの使用目的に応じて適切な材料を選択し、適切な膜厚に設定すればよく、特に限定されるものではない。なお、上部ギャップ層と下部ギャップ層は、同じ材料からなるものであることもでき、異なる材料からなるものでもよい。
【００２８】
ＭＲ素子１５の一例としては、例えば、下層として、膜厚約５ｎｍのタンタル層と、ＳＡＬバイアス層として、膜厚約３２ｎｍのＮｉＦｅＮｂ層と、中間絶縁層として、膜厚約５ｎｍのタンタル層と、磁気抵抗効果層として、膜厚約３０ｎｍのＮｉＦｅ層と、上層として、膜厚約１ｎｍのタンタル層とを、この順でスパッタリング等により順次積層することによって形成されたＭＲ素子を挙げることができる。このＭＲ素子では、ＮｉＦｅ層が磁気抵抗効果を有する軟磁性層であり、ＭＲ素子の感磁部となる、また、このＭＲ素子においては、ＮｉＦｅＮｂ層がＮｉＦｅ層に対してバイアス磁界を印加する、いわゆるＳＡＬ層となる。ただし、ＭＲ素子の層厚および材料は、ＭＲヘッドの使用目的に応じて適切な材料を選択し、適切な膜厚に設定すればよく、特に限定されるものではない。
【００２９】
保護層１８は、例えば、前記した絶縁層１２と同様に、絶縁性材料であるアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やシリカ（ＳｉＯ２）等から構成することができる。保護層１８の材料としては、非磁性導電性の材料であれば、上記以外の材料を使用することもできる。ただし、耐環境性や耐磨耗性を考慮すると、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）及びシリカ（ＳｉＯ２）が好適である。保護層１８の厚さは、例えば、２〜６μｍとすることができる。
【００３０】
次に、図１に示すＭＲヘッドの場合を例に、本発明の磁気ヘッドの製造方法を、図３および図４を参照して説明する。図３および図４は、ＭＲヘッド１０の製造方法を説明するための断面図である。
【００３１】
本発明において、ＭＲヘッドを製造する際は、まず、例えば４インチ程度の円盤状の基板部材を用意する。この基板部材の表面には、鏡面研磨加工を施すことが好ましい。
【００３２】
次いで、図３（ａ）に示すように、基板１１の一側面１１ａ上に、ＤＬＣ膜１９を形成する。ＤＬＣ膜は、スパッタリング、イオンプレーティング法等によって形成することができる。以下に、イオンプレーティング法によってＤＬＣ膜を形成する場合の工程について説明する。
真空チャンバー中にベンゼンガス又は他の炭化水素ガスを導入し、直流アーク放電プラズマ中で炭化水素イオンや励起されたラジカルを生成する。次いで、直流の負電圧にバイアスされた基板１１の一側面１１ａに、バイアス電圧に応じたエネルギーで炭化水素イオンを衝突させ、固体化することにより、基板１１上にＤＬＣ膜を形成することができる。ここで形成するＤＬＣ膜の膜厚は、上述のように、１００ｎｍ以上であることが好ましく、２００〜１０００ｎｍであることがより好ましい。
【００３３】
続いて、図３（ｂ）に示すように、ＤＬＣ膜１９の上に、絶縁層１２をスパッタリングにより形成する。具体的には、絶縁層１２は、ＤＬＣ膜１９を形成してから所定時間が経過し、ＤＬＣ膜１９の温度が下がって膜が安定した後に、例えば、１５〜３０μｍの厚さで成膜することが好ましい。本発明では、このとき、基板１１の一側面１１ａ上には、既にＤＬＣ膜１９が成膜されているので、絶縁層１２を形成する際に、成膜時の衝撃によって絶縁層１２に含まれている酸素原子が基板１１に侵入することがなく、基板材料粒子の脱離を防止することができる。
【００３４】
次いで、図３（ｃ）に示すように、絶縁層１２の上に、下部シールド層１３および下部ギャップ層を順次形成する。下部シールド層１３は、例えば、メッキ法により形成することもでき、スパッタ法により形成することもできる。特に、本発明では、下部シールド層１３の形成は、特開２００１−１０１６２３号公報に記載のリフトオフ法によって行うことが、下部シールド層を高精度に形成することができるため好ましい。
なお、スパッタ法を用いる場合は、まず、絶縁層１２上に、シールド層材料からなる膜（以下、「シールド材膜」ともいう）をスパッタリングによって形成し、次いで、このシールド材膜上に、レジスト膜を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて磁気シールドとなる部分のレジスト膜を残し、このレジスト膜をマスクとして、イオンエッチングによりレジスト膜のない部分のシールド材膜を除去することにより、下部シールド層１３を形成することができる。その後、イオンエッチングがなされたレジスト膜の表面は、炭化層となっていることから、Ｏ２プラズマを行って炭化層部分を除去した後に、アセトン等の用材によってレジスト膜の剥離を行うことができる。但し、スパッタ法では、シールド層の厚さが厚くなるほど、イオンエッチングに費やされる時間が長くなったり、イオンエッチングによってレジスト膜の形状が変形し、シールド層のエッジ部分に傾斜が形成されてしまったり、膜厚制御が困難となる等の問題があるため、本発明では、上述のリフトオフ法を用いることが好ましい。
【００３５】
次いで、下部シールド層１３の上に、下部ギャップ層１４を形成する。下部ギャップ層１４は、スパッタリングによって形成することができる。その後、図４（ａ）に示すように、下部ギャップ層１４の上に、磁気抵抗効果型素子１５、上部ギャップ層１６を、例えばスパッタリングによって順次形成する。
【００３６】
続いて、図４（ｂ）に示すように、上部ギャップ層１６の上に、上部シールド層１７を形成する。上部シールド層１７の形成は、上述の下部シールド層１３を形成する場合と同様に、メッキ法、スパッタ法、リフトオフ法を用いることができ、中でもリフトオフ法を用いることが好ましい。
【００３７】
その後、図４（ｃ）に示すように、上部シールド層１７上に、保護層１８を形成する。保護層１８は、スパッタリング、蒸着法等によって形成することができる。次いで、保護層１８の一側面１８ａに保護板２０を、樹脂系等の接着剤によって接合した後、基板１１の端面１１ｂおよび保護板２０の端面２０ｂを研磨して、なだらかな曲面状の磁気テープ摺動面Ｓ（図２参照）を形成することにより、ＭＲヘッドを形成することができる。
【００３８】
以上説明したように、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドによれば、基板１１と絶縁層１２との間にＤＬＣ膜１９を設けたので、磁気抵抗効果型ヘッド１０の製造工程において基板１１上に下地層としての絶縁層１２を形成する際に、絶縁層１２に含まれている酸素原子が基板１１内に侵入するのを防ぐことができる。したがって、基板１１を構成している材料の各原子間の結合（ここでは、アルミニウム、チタンおよび炭素間の結合）は保たれるので、磁気テープの再生時に基板１１の摺動面に圧力が加わった場合でも、基板１１の表面から基板１１を構成している材料の粒子（ここではアルチックの粒子）が脱離することがない。更に、本発明では、基板上に高強度のＤＬＣ膜を設けることにより、基板エッジ部の削れを防止し、基板間の溝が広がることを防止して、スペーシングロスを抑えることもできる。
【００３９】
【発明の効果】
本発明により、磁気テープの再生時に磁気ヘッドの基板の摺動面に圧力が加わった場合でも、基板の表面から基板を構成している材料の粒子が脱離せず、かつ基板エッジ部の削れを生じることがなく、電磁変換特性の良好な磁気ヘッドを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの要部を示す断面図である。
【図２】図１に示した磁気抵抗効果型ヘッドの斜視図である。
【図３】図１に示した磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を説明するための断面図であり、（ａ）はＤＬＣ膜を形成した状態を示し、（ｂ）は絶縁層を形成した状態を示し、（ｃ）は下部シールド層及び下部ギャップ層を形成した状態を示す。
【図４】図１に示した磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を説明するための断面図であり、（ａ）は磁気抵抗効果層及び上部ギャップ層を形成した状態を示し、（ｂ）は上部シールド層を形成した状態を示し、（ｃ）は保護層を形成した状態を示す。
【図５】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの要部を示す断面図である。
【符号の説明】
１０    磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）
１１    基板
１２    絶縁層
１３    下部シールド層
１４    下部ギャップ層
１５    磁気抵抗効果型素子（ＭＲ素子）
１６    上部ギャップ層
１７    上部シールド層
１８    保護層
１９    ＤＬＣ膜
２０    保護板
Ｇ      磁気ギャップ
【図１】
2004265550.tif 000002
【図２】
2004265550.tif 000003
【図３】
2004265550.tif 000004
【図４】
2004265550.tif 000005
【図５】
2004265550.tif 000006