(57)【要約】【課題】記憶領域を高速にかつ確実に特定できるほか、記憶領域を効率的に用いることができるようにする。【解決手段】記憶領域１５の円周方向に沿って所定間隔で配置された複数のサーボフレーム１１において、その記憶領域１５を特定するためのインデクスパターンの一部をインデクスビットとして格納するインデクスビット格納部１２と、インデクスビット取得部３１によって取得されたインデクスビットに基づいて、記憶領域１５を特定する記憶領域特定部２１とをそなえ、複数のサーボフレームにおける各インデクスビット格納部１２に格納されたインデクスビットを順次並べて形成されるインデクスビット列が、複数のインデクスパターンを含んでいるように構成する。【選択図】        図１
2004335007.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円形の記憶領域を複数そなえて構成される記憶装置であって、
該記憶領域の円周方向に沿って所定間隔で配置された複数のサーボフレームにおいて、当該記憶領域を特定するためのインデクスパターンの一部をインデクスビットとして格納するインデクスビット格納部と、
前記複数のサーボフレームにそなえられたインデクスビット格納部から該インデクスビットを順次取得するインデクスビット取得部と、
該インデクスビット取得部によって取得された該インデクスビットに基づいて、該記憶領域を特定する記憶領域特定部とをそなえ、
前記複数のサーボフレームにおける各インデクスビット格納部に格納されたインデクスビットを順次並べて形成されるインデクスビット列が、複数の該インデクスパターンを含んでいることを特徴とする、記憶装置。
【請求項２】
前記複数の記憶領域のそれぞれに、固有の該インデクスパターンが設定されていることを特徴とする、請求項１記載の記憶装置。
【請求項３】
前記複数の記憶領域のそれぞれに設定した固有の該インデクスパターン同士が互いに所定値以上のハミング距離を有していることを特徴とする、請求項２記載の記憶装置。
【請求項４】
該インデクスビット取得部によって取得されたインデクスビットに基づいて仮インデクスパターンを取得する仮インデクスパターン取得部と、
該仮インデクスパターン取得部によって取得された該仮インデクスパターンと該インデクスパターンとのハミング距離を算出する第１ハミング距離算出部と、
該第１ハミング距離算出部によって算出された該ハミング距離に基づいて、当該仮インデクスパターンを該インデクスパターンとして確定するインデクスパターン確定部とをそなえ、
該記憶領域特定部が、該インデクスパターン確定部によって確定された該インデクスパターンに基づいて、該記憶領域を特定することを特徴とする、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の記憶装置。
【請求項５】
該サーボフレームにおいて、該記憶領域における該インデクスパターンの位置を特定するためのセクターパターンの一部をセクタービットとして該インデクスビット格納部と対応させて格納するセクタービット格納部と、該セクタービット格納部から該セクタービットを順次取得するセクタービット取得部と、
該セクタービット取得部によって取得された該セクタービットに基づいて該インデクスパターンを特定することにより、該記憶領域における該サーボフレームの位置を特定する位置特定部とをそなえることを特徴とする、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の記憶装置。
【請求項６】
該記憶領域における該インデクスパターンのそれぞれに、固有の該セクターパターンが設定されていることを特徴とする、請求項５記載の記憶装置。
【請求項７】
前記インデクスパターンのそれぞれに設定した固有の該セクターパターン同士が互いに所定値以上のハミング距離を有していることを特徴とする、請求項６記載の記憶装置。
【請求項８】
該セクタービット取得部によって取得されたインデクスビットに基づいて仮セクターパターンを取得する仮セクターパターン取得部と、
該仮セクターパターン取得部によって取得された該仮セクターパターンと該セクターパターンとのハミング距離を算出する第２ハミング距離算出部と、
該第２ハミング距離算出部によって算出された該ハミング距離に基づいて、当該仮セクターパターンを該セクターパターンとして確定するセクターパターン確定部とをそなえ、
該位置特定部が、該セクターパターン確定部によって確定された該セクターパターンに基づいて、該仮セクターパターンを構成する各セクタービットを格納する該セクタービット格納部にかかる該サーボフレームの該記憶領域における位置を特定することを特徴とする、請求項４〜請求項７のいずれか１項に記載の記憶装置。
【請求項９】
円形の記憶領域を複数そなえて構成される記憶媒体であって、
該記憶領域の円周方向に沿って所定間隔で配置された複数のサーボフレームにおいて、当該記憶領域を特定するためのインデクスパターンの一部をインデクスビットとして格納するインデクスビット格納部をそなえ、
前記複数のサーボフレームにおける各インデクスビット格納部に格納されたインデクスビットを順次並べて形成されるインデクスビット列が、複数の該インデクスパターンを含んでいることを特徴とする、記憶媒体。
【請求項１０】
該サーボフレームにおいて、該記憶領域における該インデクスパターンの位置を特定するためのセクターパターンの一部をセクタービットとして該インデクスビット格納部と対応させて格納するセクタービット格納部をそなえ、
前記複数のサーボフレームにおける各セクタービット格納部に格納された該セクタービットを順次並べて形成されるセクタービット列が、該セクターパターンを含んでいることを特徴とする、請求項９記載の記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、円形の記憶領域を複数そなえて構成される記憶装置に関し、例えばハードディスク等の記憶媒体をそなえた記憶装置において記憶領域の特定に用いて好適な、記憶装置および記憶媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１３は従来の磁気記憶装置の構造を模式的に示す図である。この図１３に示すように、従来の磁気記憶装置１００においては、円盤形状を有する複数の磁気ディスク１１０が、それらの中心部（回転中心）において、ＳＰＭ（Ｓｐｉｎｄｌｅ  Ｍｏｔｏｒ：スピンドルモータ）のスピンドル１３０に所定間隔で固定されている。
【０００３】
磁気ディスク１１０は、その片面もしくは両面に磁性体からなる記録層が形成された円盤（プラッタ）であって、磁気ヘッド１２０によって、その表面（記憶領域）に記録された情報が読み取られたり、又、書き込まれたりするようになっている。
そして、磁気記憶装置１００においては、各磁気ディスク１１０の各面に対応して磁気ヘッド１２０がそなえられ、所定の磁気ヘッド１２０を用いて所定の磁気ディスク１１０の面に対してアクセスし、データの書き込みや読み出しを行なうようになっていて、必要に応じて、磁気ヘッド１２０を切り替える（ヘッドチェンジする）ことによってアクセスする記憶領域を切り替えるようになっている。
【０００４】
さて、磁気記憶装置１００において、ヘッドチェンジを行なう際には、磁気ヘッド１２０がどの記憶領域にアクセスしているかを確認することにより、所望の磁気ヘッド１２０にヘッドチェンジが正常に行なわれたことを確認するようになっている。
なお、一般に、磁気記憶装置１００は８つ以下の磁気ヘッド１２０をそなえることが多いので、従来においては、０〜７（１０進数）を２進数（０００〜１１１）で表わして、その３ビットの情報のいずれかを、磁気ヘッド１２０（記憶領域）を特定するための情報として、磁気ディスク１１０の各記憶領域に記録するようになっている。
【０００５】
図１４は従来の磁気記憶装置にそなえられる磁気ディスクの構成を模式的に示す平面図である。磁気ディスク１１０には、図１４に示すように、円周方向において所定間隔で複数のサーボフレーム１１１が形成されており、このサーボフレーム１１１に磁気ヘッド１２０を特定するための情報を記録する手法が知られている。
【０００６】
例えば、記憶領域に形成されたサーボフレーム１１１のうちのいずれか１つに前述した３ビットの情報を記録したり、その３ビットの情報を１ビットづつ隣り合う３つのサーボフレームに分けて記録したりすることにより、ヘッド番号を特定するための情報を記録し、磁気ヘッド１２０を用いてこれらの情報を読み取って、ヘッドチェンジが正常に行なわれたか否かを確認している。
【０００７】
また、磁気記憶装置１００においては、磁気ディスク１１０上における磁気ヘッド１２０の位置を検出する必要がある。従来においては、サーボフレーム１１１に記録されたインデクス信号を磁気ヘッド（図示省略）を用いて読み取ることにより、このインデクス信号を基準として磁気ディスク１１０上における磁気ヘッド１２０の位置を検出するようになっている。
【０００８】
例えば、記憶領域に形成されたサーボフレーム１１１のうちのいずれか１つにインデクス信号を記録したり、全てのサーボフレームに位置決め用の情報を記録したりして、磁気ヘッド１２０を用いてこれらの情報を読み取ることにより、磁気ディスク１１０上における磁気ヘッド１２０の位置を検出している。
【０００９】
【特許文献１】
特開平１１−３５７４号公報（第１図）
【特許文献２】
特開平４−３３７５６６号公報（第２−３頁）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の磁気記憶装置１００においては、前述した磁気ヘッド１２０を特定するための情報を磁気ディスク１１０に記録するに際して、記憶領域に形成されたサーボフレーム１１１のうちのいずれか１つにのみヘッド番号を特定するための情報（３ビットの情報）を記録する手法や、その３ビットの情報を隣り合う３つのサーボフレーム１１１に分けて記録する手法においては、その情報を磁気ヘッド１２０で読み取るために、最長でほぼ１周分の磁気ディスク１１０の回転待ち時間が生じ処理時間が遅延するおそれがある。
【００１１】
また、インデクス信号の検出についても、記憶領域に形成されたサーボフレーム１１１のうちのいずれか１つにインデク信号を記録する手法においては、インデクス信号を磁気ヘッド１２０で読み取るために、最長でほぼ１周分の磁気ディスク１１０の回転待ち時間が生じ、処理時間が遅延するおそれがある。更に、何らかの理由により、そのインデクス信号が欠陥した場合には、インデクス信号を読み取ることができずに、磁気ヘッド１２０の位置決め制御を行なうことができなくなるという課題もある。
【００１２】
さらに、全てのサーボフレーム１１１に位置決め用の情報を記録する手法においては、サーボフレーム長が長くなり、磁気ディスク１１０の利用効率が低下するという課題がある。例えば、記憶領域（磁気ディスク１１０）の１周に２５６のサーボフレーム１１１が形成されている場合には、位置決め用の情報を記録するために、各サーボフレーム１１１に少なくとも８ビット（２８＝２５６）の領域を確保する必要がある。
【００１３】
本発明は、このような課題に鑑み創案されたもので、記憶領域を高速にかつ確実に特定できるほか、記憶領域における位置を高速にかつ確実に特定することができ、更に、記憶領域を効率的に用いることができるようにした記憶装置および記憶媒体を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
このため、本発明の記憶装置（請求項１）は、円形の記憶領域を複数そなえて構成される記憶装置であって、記憶領域の円周方向に沿って所定間隔で配置された複数のサーボフレームにおいて、その記憶領域を特定するためのインデクスパターンの一部をインデクスビットとして格納するインデクスビット格納部と、複数のサーボフレームにそなえられたインデクスビット格納部からインデクスビットを順次取得するインデクスビット取得部と、このインデクスビット取得部によって取得されたインデクスビットに基づいて、記憶領域を特定する記憶領域特定部とをそなえ、複数のサーボフレームにおける各インデクスビット格納部に格納されたインデクスビットを順次並べて形成されるインデクスビット列が、複数のインデクスパターンを含んでいることを特徴としている。
【００１５】
なお、複数の記憶領域のそれぞれに、固有のインデクスパターンを設定してもよく（請求項２）、又、複数の記憶領域のそれぞれに設定した固有のインデクスパターン同士が互いに所定値以上のハミング距離を有してもよい（請求項３）。また、インデクスビット取得部によって取得されたインデクスビットに基づいて仮インデクスパターンを取得する仮インデクスパターン取得部と、この仮インデクスパターン取得部によって取得された仮インデクスパターンとインデクスパターンとのハミング距離を算出する第１ハミング距離算出部と、この第１ハミング距離算出部によって算出されたハミング距離に基づいて、その仮インデクスパターンをインデクスパターンとして確定するインデクスパターン確定部とをそなえ、記憶領域特定部が、インデクスパターン確定部によって確定されたインデクスパターンに基づいて、記憶領域を特定してもよい（請求項４）。
【００１６】
さらに、サーボフレームにおいて、記憶領域におけるインデクスパターンの位置を特定するためのセクターパターンの一部をセクタービットとしてインデクスビット格納部と対応させて格納するセクタービット格納部と、このセクタービット格納部からセクタービットを順次取得するセクタービット取得部と、このセクタービット取得部によって取得されたセクタービットに基づいてインデクスパターンを特定することにより、記憶領域におけるサーボフレームの位置を特定する位置特定部とをそなえてもよい（請求項５）。
【００１７】
また、記憶領域におけるインデクスパターンのそれぞれに、固有のセクターパターンを設定していてもよく（請求項６）、インデクスパターンのそれぞれに設定した固有のセクターパターン同士が互いに所定値以上のハミング距離を有してもよい（請求項７）。
さらに、セクタービット取得部によって取得されたインデクスビットに基づいて仮セクターパターンを取得する仮セクターパターン取得部と、この仮セクターパターン取得部によって取得された仮セクターパターンとセクターパターンとのハミング距離を算出する第２ハミング距離算出部と、この第２ハミング距離算出部によって算出されたハミング距離に基づいて、その仮セクターパターンをセクターパターンとして確定するセクターパターン確定部とをそなえ、位置特定部が、セクターパターン確定部によって確定されたセクターパターンに基づいて、仮セクターパターンを構成する各セクタービットを格納するセクタービット格納部にかかるサーボフレームの記憶領域における位置を特定してもよい（請求項８）。
【００１８】
また、本発明の記憶媒体（請求項９）は、円形の記憶領域を複数そなえて構成される記憶媒体であって、記憶領域の円周方向に沿って所定間隔で配置された複数のサーボフレームにおいて、その記憶領域を特定するためのインデクスパターンの一部をインデクスビットとして格納するインデクスビット格納部をそなえ、複数のサーボフレームにおける各インデクスビット格納部に格納されたインデクスビットを順次並べて形成されるインデクスビット列が、複数のインデクスパターンを含んでいることを特徴としている。
【００１９】
なお、サーボフレームにおいて、記憶領域におけるインデクスパターンの位置を特定するためのセクターパターンの一部をセクタービットとしてインデクスビット格納部と対応させて格納するセクタービット格納部をそなえ、複数のサーボフレームにおける各セクタービット格納部に格納されたセクタービットを順次並べて形成されるセクタービット列が、セクターパターンを含んでもよい（請求項１０）。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図１は本発明の一実施形態としての磁気ディスク装置（記憶装置）の構成を模式的に示す図である。
本磁気ディスク装置１は、複数（図１に示す例においては３つ）の磁気ディスク（記憶媒体）１０（１０−１，１０−２，１０−３）をそなえ、これらの複数の磁気ディスク１０−１，１０−２，１０−３の中から任意の磁気ディスク１０−１，１０−２，１０−３を選択して、種々の情報を記録したり、又、記録された情報を読み取ったりするものである。
【００２１】
この磁気ディスク装置１は、例えばコンピュータシステム等における記憶装置として用いられ、磁気ディスク１０−１，１０−２，１０−３から読み出したデータをコンピュータに送信したり、又、コンピュータから送信されたデータを磁気ディスク１０−１，１０−２，１０−３に記録したりするようになっている。本磁気ディスク装置１は、図１に示すように、磁気ディスク１０（１０−１，１０−２，１０−３），磁気ヘッド（インデクスビット取得部，セクタービット取得部）３１（３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ，３１ｅ，３１ｆ），アクチュエータ３０および制御部２０をそなえて構成されている。
【００２２】
磁気ディスク１０−１，１０−２，１０−３は、それぞれ各中心部（回転中心）において、スピンドルモータ５０（図１０参照）のスピンドル１４に所定間隔で固定されており、このスピンドルモータ５０を回転駆動することにより、各磁気ディスク１０−１，１０−２，１０−３がスピンドル１４を中心として回転するようになっている。又、各磁気ディスク１０−１〜１０−３はほぼ同様の構成をそなえている。
【００２３】
なお、以下、磁気ディスクを示す符号としては、複数の磁気ディスクのうち１つを特定する必要があるときには符号１０−１〜１０−３を用いるが、任意の磁気ディスクを指すときには符号１０を用いる。
磁気ディスク１０は、その両面に磁性体からなる記録層が形成された円盤（プラッタ）として形成されており、以下、磁気ディスク１０の表面（円形面）を記憶領域１５と称する。本磁気ディスク装置１においては、磁気ディスク１０−１は記憶領域１５ａ，１５ｂをそなえており、磁気ディスク１０−２は記憶領域１５ｃ，１５ｄをそなえている。又、磁気ディスク１０−３は記憶領域１５ｅ，１５ｆをそなえている。
【００２４】
また、以下、磁気ディスク１０の記憶領域を示す符号としては、複数の記憶領域のうち１つを特定する必要があるときには符号１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ，１５ｅ，１５ｆを用いるが、任意の記憶領域を指すときには符号１５を用いる。
本磁気ディスク装置１においては、磁気ディスク１０の表面（記憶領域１５）に記録された情報を、磁気ヘッド３１（詳細は後述）によって読み取ったり、又、記憶領域１５に書き込んだりするようになっている。
【００２５】
図２（ａ）は本発明の一実施形態としての磁気ディスク装置１にそなえられる磁気ディスク１０の構成を模式的に示す平面図、図２（ｂ）はそのインデクスビット列の取得方法を説明するための図、図２（ｃ）はそのセクタービット列の取得手法を説明するための図である。
磁気ディスク（記憶媒体）１０には、図２（ａ）に示すように、円周方向において所定間隔で複数のサーボフレーム１１が離散的に形成されている。これらのサーボフレーム１１は、それぞれサーボ領域の開始を示すサーボマーク（図２（ａ）では図示省略；図９参照），インデクスビット格納部１２およびセクタービット格納部１３をそなえて構成されている。インデクスビット格納部１２は、インデクスパターンの一部をインデクスビットとして格納するものであり、セクタービット格納部１３はセクターパターンの一部をセクタービットとして格納するものである。
【００２６】
インデクスパターンは、記憶領域を特定するための情報であって、本磁気ディスク装置１においては、記憶領域１５毎に異なるインデクスパターンが予め設定されている。
図３は本発明の磁気ディスク装置１において用いられるインデクスパターンの例を示す図であり、８種類のインデクスパターンを示している。又、図３に示す各インデクスパターンはそれぞれ１６ビットの情報として形成されている。
【００２７】
そして、本磁気ディスク装置１においては、磁気ディスク１０の各記憶領域１５に、それぞれ、この図３に示したインデクスパターンのいずれか１つが設定されているのである。なお、以下、図３に示す８種類のインデクスパターンを識別するために、それぞれ番号１〜８（インデクス番号）を付して示す場合がある。具体的には、インデクスパターン“０００００１０１１０１１１０００”をインデクスパターン１、インデクスパターン“０００００１１１００１１０１１０”をインデクスパターン２、インデクスパターン“０００００１１１０１０１１０００”をインデクスパターン３、インデクスパターン“００００１００１１１１０１０００”をインデクスパターン４、インデクスパターン“００００１１００１０１０１１１１”をインデクスパターン５、インデクスパターン“０００１０１１００１００１１１０”をインデクスパターン６、インデクスパターン“０００１１１１００１０１０１００”をインデクスパターン７、インデクスパターン“０００１１１１１００１１０１０１”をインデクスパターン８と、それぞれ称する場合がある。
【００２８】
記憶領域１５における各サーボフレーム１１のインデクスビット格納部１２には、それぞれ、その記憶領域１５に固有に設定されたインデクスパターンの一部（本実施形態においては１ビット）が格納されるようになっている。
具体的には、図２（ｂ）に示すように、記憶領域１５において、その先頭となるサーボフレーム１１（インデクスフレーム）から順番に、その進行方向に連続する複数のサーボフレーム１１の各インデクスビット格納部１２に格納される各インデクスビットを順次並べて形成されるインデクスビット列を形成すると、このインデクスビット列には、同一のインデクスパターンが繰り返し出現するようになっている。
【００２９】
なお、以下、便宜上、サーボフレーム１１に形成されたインデクスビット格納部１２に格納されたインデクスビットのことを、単に、サーボフレーム１１に格納されたインデクスビットと称する場合もある。又、以下、各記憶領域１５に対して予め設定された固有のインデクスパターンをオリジナルインデクスパターンと称する場合もある。
【００３０】
また、同一の記憶領域１５上において繰り返し出現するインデクスパターンについて、インデクスパターンと次のインデクスパターンとの間に、所定のパターン（以下、隙間パターンという）を形成することが望ましい。この隙間パターンの例としては、例えば所定数の“０”を連続させたもの等が挙げられる。
図４は本発明の一実施形態としての磁気ディスク装置１における、特定の記憶領域１５におけるインデクスビット列の例を示す図であって、記憶領域１５に１５６個のサーボフレーム１１（ＳＦ０〜１５５）が形成されている場合について示しており、サーボフレームＳＦ０〜１５５に形成されたインデクスビット格納部１２に格納されたインデクスビットを順番に並べて示している。
【００３１】
また、この図４に示す例においては、記憶領域１５に対して、インデクスパターン１“０００００１０１１０１１１０００”が設定されているものとする。なお、この図４中に示されていないサーボフレームＳＦ１６，１７，３４，３５，５２，５３，７０，８７，１０４，１２１，１３８，１５５に格納された各インデクスビットは、それぞれ隙間パターンを構成するようになっており、例えば、それぞれに“０”が格納されるようになっている。
【００３２】
また、例えば、サーボフレームＳＦ０，１，２，３，４，６，９，１３，１４，１５の各インデクスビット格納部１２には、それぞれインデクスビット“０”が格納されており、サーボフレームＳＦ５，７，８，１０，１１，１２の各インデクスビット格納部１２には、それぞれインデクスビット“１”が格納されている。又、インデクスビットＳＦ１６，１７の各インデクスビット格納部１２には隙間パターンを構成するようになっており、それぞれ“０”が格納されている。
【００３３】
そして、サーボフレームＳＦ０〜１５に格納されたインデクスビットを順次並べて形成されたインデクスビット列は、インデクスパターン１を形成しており、同様にして、サーボフレームＳＦ１８〜３３，３６〜５１，５４〜６９，７１〜８６，８８〜１０３，１０５〜１２０，１２２〜１３７，１３９〜１５４に格納されたインデクスビットをそれぞれ順次並べて形成された各インデクスビット列もインデクスパターン１をそれぞれ形成している。
【００３４】
すなわち、複数のサーボフレーム１１における各インデクスビット格納部１２に格納されたインデクスビットを順次並べて形成されるインデクスビット列が、複数のインデクスパターン１を含んでいるのである。
また、本磁気ディスク装置１において用いられるインデクスパターンは、（１）インデクスパターンと、そのインデクスパターンと同一のインデクスパターンを１ビット以上ずらして形成したパターンとの間において、所定値（本実施形態においては６）以上のハミング距離を有しており、更に、（２）インデクスパターンと他のインデクスパターンとの間においても、所定値（本実施形態においては４以上）のハミング距離を有している。なお、ハミング距離（シグナル距離）とは、同じ語長（ビット数）を有する２つの２進数について、対応する各桁を比較した場合の異なっている桁数である。
【００３５】
図５は本発明の一実施形態としての磁気ディスク装置１において用いられるインデクスパターン１について、そのインデクスパターン１と同一のインデクスパターン１を１ビット以上ずらして（シフトして）形成したパターンとの間のハミング距離を示す図である。
この図５に示すように、例えば、インデクスパターン１“０００００１０１１０１１１０００”と、このインデクスパターン１を１ビット右側へシフトすることによって形成されたパターン“００００００１０１１０１１１００”とのハミング距離は６である。以下、同様にして、インデクスパターン１と、このインデクスパターン１を２ビット〜１５ビット右側へシフトして形成された各パターンとのハミング距離は６〜１２である。
【００３６】
すなわち、このインデクスパターン１においては、そのインデクスパターン１とそのインデクスパターン１を１ビット以上シフトして形成した各パターンとの間において、６以上のハミング距離を有していることがわかる。なお、明示しないが、図３に示す他のいずれのインデクスパターン２〜８についても、各インデクスパターン２〜８と、それらと同一のインデクスパターン２〜８を１ビット以上シフトして形成した各パターンとの間において、それぞれ６以上のハミング距離を有している。
【００３７】
図６は本発明の一実施形態としての磁気ディスク装置１において用いられるインデクスパターン同士のハミング距離の例を示す図であり、図３に示した各インデクスパターン１〜８の間における、任意のインデクスパターンとその他のインデクスパターンとの間のハミング距離を示すものである。なお、この図６中においては、Ｍ，Ｎはそれぞれインデクスパターン番号を示している。
【００３８】
この図６に示すように、図３に示した各インデクスパターンは、それぞれ他のインデクスパターンとの間において４以上のハミング距離を有しているのである。
セクターパターンは、記憶領域１５におけるインデクスパターンの位置を特定するための情報であって、本磁気ディスク装置１においては、記憶領域１５に設けられたインデクスパターン毎に異なるセクターパターンが予め設定されている。
【００３９】
図７は本発明の磁気ディスク装置１において用いられるセクターパターンの例を示す図であり、３２種類のセクターパターンを示している。又、図７に示す各セクターパターンはそれぞれ１６ビットの情報として形成されている。なお、以下、図７に示す３２種類のセクターパターンを識別するために、それぞれ番号１〜３２（セクターパターン番号）を付して、セクターパターン１，セクターパターン２，・・・セクターパターン３２のように示す場合がある。
【００４０】
そして、本磁気ディスク装置１においては、記憶領域１５に形成された複数のインデクスパターンのそれぞれに対して、その先頭の（インデクスフレームから始まる）インデクスパターンから順番に、図７に示すインデクスパターン１〜３２が、１つづつ順番に対応付けられている。
記憶領域１５における各サーボフレーム１１のセクタービット格納部１３には、それぞれ、上述したセクターパターンの一部（本実施形態においては１ビット）が格納されるようになっている。
【００４１】
そして、図２（ｃ）に示すように、記憶領域１５において、その進行方向に連続する複数のサーボフレーム１１の各セクタービット格納部１３に格納される各セクタービットを少なくとも１６ビット以上順次並べて形成されるセクタービット列を形成すると、このセクタービット列には、図７に示したセクターパターンのいずれかが出現するようになっている。
【００４２】
具体的には、前述したインデクスビット列において、インデクスパターンを構成するサーボフレーム１１においては、それらのサーボフレーム１１にそなえられるセクタービットを順次並べて構成されるセクタービット列が、図７に示すいずれかのセクターパターンを形成するようになっているのである。
なお、以下、便宜上、サーボフレーム１１に形成されたセクタービット格納部１３に格納されたセクタービットのことを、単に、サーボフレーム１１に格納されたセクタービットと称する場合もある。又、以下、各インデクスパターンに対して予め設定されたセクターパターンをオリジナルセクターパターンと称する場合もある。
【００４３】
また、同一の記憶領域１５上でのインデクスビット列における、セクターパターンと次のセクターパターンとの間には、上述したインデクスパターンと同様に、隣り合うインデクスパターンの間に形成した隙間パターンと同じビット数の隙間パターンを形成するようになっている。この隙間パターンの例としては、例えば所定数の“０”を連続させたもの等が挙げられる。
【００４４】
図８は本発明の一実施形態としての磁気ディスク装置１における、特定の記憶領域１５におけるセクタービット列の例を示す図であって、サーボフレームＳＦ０〜１５５に形成されたセクタービット格納部１３に格納されたセクタービットを順番に並べて示している。又、この図８は図４に示したインデクスビット列に対応するものであり、この図８中におけるサーボフレームＳＦ０〜１５５は、図４に示すサーボフレームＳＦ０〜１５５と同じものを示している。
【００４５】
なお、この図８中に示されていないサーボフレームＳＦ１６，１７，３４，３５，５２，５３，７０，８７，１０４，１２１，１３８，１５５に格納された各セクタービットは、それぞれ隙間パターンを構成するようになっており、例えば、それぞれに“０”が格納されるようになっている。
この図８に示す例においては、例えば、サーボフレームＳＦ０，１，２，３，１１，１２，１３，１４の各セクタービット格納部１３には、それぞれインデクスビット“０”が格納されており、サーボフレームＳＦ４，５，６，７，８，９，１０，１５の各セクタービット格納部１３には、それぞれインデクスビット“１”が格納されている。
【００４６】
すなわち、サーボフレームＳＦ０〜１５に格納されたセクタービットを順次並べて形成されたセクタービット列は、セクターパターン“００００１１１１１１１００００１（セクターパターン１）”を形成している。同様にして、サーボフレームＳＦ１８〜３３に格納されたセクタービットを順次並べて形成されたセクタービット列は、セクターパターン“０１１１１１１１００００００１０（セクターパターン２）”を形成しており、サーボフレームＳＦ３６〜５１に格納されたセクタービットを順次並べて形成されたセクタービット列は、セクターパターン“０１１１００００１１１０００１１（セクターパターン３）”を形成している。
【００４７】
また、サーボフレームＳＦ５４〜６９に格納されたセクタービットを順次並べて形成されたセクタービット列は、セクターパターン“１０１１１１００１１０００１００（セクターパターン４）”を形成しており、サーボフレームＳＦ７１〜８６に格納されたセクタービットを順次並べて形成されたセクタービット列は、セクターパターン“１０１１００１１００１００１０１（セクターパターン５）”を形成している。
【００４８】
さらに、サーボフレームＳＦ８８〜１０３に格納されたセクタービットを順次並べて形成されたセクタービット列は、セクターパターン“１１００００１１１１０００１１０（セクターパターン６）”を形成しており、サーボフレームＳＦ１０５〜１２０に格納されたセクタービットを順次並べて形成されたセクタービット列は、セクターパターン“１１００１１００００１００１１１（セクターパターン７）”を形成している。
【００４９】
また、サーボフレームＳＦ１２２〜１３７に格納されたセクタービットを順次並べて形成されたセクタービット列は、セクターパターン“１１０１１０１０１０１０１０００（セクターパターン８）”を形成しており、サーボフレームＳＦ１３９〜１５４に格納されたセクタービットを順次並べて形成されたセクタービット列は、セクターパターン“１１０１０１０１０１００１００１（セクターパターン９）”を形成している。
【００５０】
すなわち、記憶領域１５においては、サーボフレームＳＦ０〜１５に格納されたインデクスビットによって形成されるインデクスパターン（先頭のインデクスパターン）に、セクターパターン１が対応付けられている。同様に、サーボフレームＳＦ１８〜３３に格納されたインデクスビットによって形成されるインデクスパターンに、セクターパターン２が対応付けられており、サーボフレームＳＦ３６〜５１に格納されたインデクスビットによって形成されるインデクスパターンに、セクターパターン３が対応付けられている。
【００５１】
また、サーボフレームＳＦ５４〜６９に格納されたインデクスビットによって形成されるインデクスパターンに、セクターパターン４が対応付けられており、サーボフレームＳＦ７１〜８６に格納されたインデクスビットによって形成されるインデクスパターンに、セクターパターン５が対応付けられている。
さらに、サーボフレームＳＦ８８〜１０３に格納されたインデクスビットによって形成されるインデクスパターンに、セクターパターン６が対応付けられており、サーボフレームＳＦ１０５〜１２０に格納されたインデクスビットによって形成されるインデクスパターンに、セクターパターン７が対応付けられている。
【００５２】
また、サーボフレームＳＦ１２２〜１３７に格納されたインデクスビットによって形成されるインデクスパターンに、セクターパターン８が対応付けられており、サーボフレームＳＦ１３９〜１５４に格納されたインデクスビットによって形成されるインデクスパターンに、セクターパターン９が対応付けられている。さらに、図７に示したセクターパターンは、その下位４ビットによって異なる２進数の値をそれぞれ表わすようになっており、図８に示したセクターパターン１〜９も、それぞれ各下位４ビットによって２進数の値００００１〜０１００１、すなわち、１０進数の値１〜９を表わしている。そして、これらの下位４ビットの値が、記憶領域１５において先頭から何番目のセクターパターンであるかを示している。なお、以下、このセクターパターンの下位４ビットによって表わされる番号をインデクス番号という場合もある。
【００５３】
すなわち、本磁気ディスク装置１においては、セクターパターンの下位４ビットにより、記憶領域１５において先頭から何番目のセクターパターンであるかを容易に知ることができ、これにより、そのセクターパターンが対応するインデクスパターンが、先頭から何番目のインデクスパターンであるかを知ることができるようになっている。従って、これらのインデクスパターンを構成するインデクスビットや、セクターパターンを構成するセクタービットが格納されたサーボフレーム１１の記憶領域１５上における位置を確認することができるのである。
【００５４】
磁気ヘッド（インデクスビット取得部，セクタービット取得部）３１（３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ，３１ｅ，３１ｆ）は、磁気ディスク１０に記録された種々のデータを読み取ったり、磁気ディスク１０に種々の情報を書き込んだりするものであり、アクチュエータ３０によって磁気ディスク１０の半径方向に移動可能に構成されている。
【００５５】
本実施形態においては、磁気ヘッド３１ａが記憶領域１５ａに対してデータの書き込みおよび読み出しを行なうようになっており、同様に、磁気ヘッド３１ｂが記憶領域１５ｂに対して、磁気ヘッド３１ｃが記憶領域１５ｃに対して、磁気ヘッド３１ｄが記憶領域１５ｄに対して、磁気ヘッド３１ｅが記憶領域１５ｅに対して、磁気ヘッド３１ｆが記憶領域１５ｆに対して、それぞれ、データの書き込みおよび読み出しを行なうようになっている。なお、以下、磁気ヘッドを示す符号としては、複数の磁気ヘッドのうち１つを特定する必要があるときには符号３１ａ〜３１ｆを用いるが、任意の磁気ヘッドを指すときには符号３１を用いる。
【００５６】
そして、本磁気ディスク装置１においては、磁気ヘッド３１が、磁気ディスク１０のサーボフレーム１１にそなえられたインデクスビット格納部１２からインデクスビットを順次取得するインデクスビット取得部として機能するとともに、磁気ディスク１０のサーボフレーム１１にそなえられたインデクスビット格納部１２からセクタービットを順次取得するセクタービット取得部として機能するようになっている。
【００５７】
図９は本発明の一実施形態としての磁気ディスク装置１において磁気ディスク１０のサーボフレーム付近を磁気ヘッド３１によって読み取った例を示す図である。この図９に示す例においては、サーボマーク（Ｓｅｒｖｏ  Ｍａｒｋ）の後に、インデクスビット格納部１２（インデクスビット：Ｉｎｄｅｘ）とセクタービット格納部１３（セクタービット：Ｓｅｃｔｏｒ）とを確認することができる。
アクチュエータ３０は、磁気ヘッド３１を磁気ディスク１０の半径方向に移動させるものであり、例えば、磁気ヘッド３１の位置決めに用いるＶＣＭ（Ｖｏｉｃｅ  Ｃｏｉｌ  Ｍｏｔｏｒ）（図示省略）等をそなえて構成されている。
【００５８】
制御部２０は、本磁気ディスク装置１における種々の処理を制御するものであって、磁気ヘッド３１の切り換え制御や、磁気ディスク１０に対する磁気ヘッド３１の位置決め制御、磁気ヘッド３１によるデータの書き込み／読み取りの制御等を行なうようになっている。
具体的には、制御部２０は、ＶＣＭを制御することにより磁気ヘッド３１の位置決め制御を行なっており、スピンドルモータ５０（図１０参照）を制御することにより、磁気ディスク１０の回転を制御している。又、制御部２０は、ＨＤＩＣ（Ｈｅａｄ  ＩＣ）４４（図１０参照）を制御することによって、磁気ヘッド３１によるデータの書き込み／読み出しを制御するようになっており、制御部２０は、これらの制御により、所定の磁気ヘッド３１によって所定の磁気ディスク１０の面（記憶領域１５）に対してアクセスし、データの書き込みや読み出しを行なうようになっている。
【００５９】
制御部２０は、図１に示すように、記憶領域特定部２１，仮インデクスパターン取得部２２，第１ハミング距離算出部２３，インデクスパターン確定部２４，位置特定部２５，仮セクターパターン取得部２６，第２ハミング距離算出部２７およびセクターパターン確定部２８をそなえて構成されている。
仮インデクスパターン取得部２２は、磁気ヘッド３１によって取得されたインデクスビットに基づいて仮インデクスパターンを取得するものであり、記憶領域１５のサーボフレーム１１から磁気ヘッド３１によって順次取得されたインデクスビットを、図示しないメモリ空間上等に、その取得した順番で並べることにより、インデクスビット列を形成するようになっている。
【００６０】
そして、仮インデクスパターン取得部２２は、このインデクスビット列が所定ビット数（インデクスパターンと同じビット数；本実施形態においては１６ビット）になった時に、そのインデクスビット列（以下、磁気ヘッド３１によって実際に取得されたインデクスビットによって構成されるインデクスビット列のことを仮インデクスビット列という場合もある）を仮インデクスパターンと認定するようになっている。
【００６１】
第１ハミング距離算出部２３は、仮インデクスパターン取得部２２によって取得された仮インデクスパターンと予め各記憶領域１５に設定されたインデクスパターン（オリジナルインデクスパターン）とのハミング距離を算出するものである。
本磁気ディスク装置１においては、制御部２０は、記憶領域１５にアクセスしている磁気ヘッド３１（すなわち、磁気ヘッド３１がアクセスしている記憶領域１５）を管理しており、これにより、第１ハミング距離算出部２３は、磁気ヘッド３１がアクセスしているはずの記憶領域１５を知ることができるようになっている。
【００６２】
そして、第１ハミング距離算出部２３は、磁気ヘッド３１がアクセスしているはずの記憶領域１５に設定されたオリジナルインデクスパターンを取得し、仮インデクスパターンとそのオリジナルインデクスパターンとのハミング距離を算出するようになっている。
インデクスパターン確定部２４は、第１ハミング距離算出部２３によって算出されたハミング距離に基づいて（本実施形態では、そのハミング距離が所定値（例えば３）以下の場合に）、その仮インデクスパターンをインデクスパターンとして確定するものである。
【００６３】
記憶領域特定部２１は、磁気ヘッド（インデクスビット取得部）３１によって取得されたインデクスビットに基づいて記憶領域１５を特定するものであり、インデクスパターン確定部２４によって確定されたインデクスパターンに基づいて、記憶領域１５を特定するようになっている。すなわち、記憶領域特定部２１は、確定されたインデクスパターンがいずれの記憶領域１５に対して設定されたものであるかを確認することにより、その記憶領域１５を特定することができるのである。
【００６４】
仮セクターパターン取得部２６は、インデクスパターン確定部２４によってインデクスパターンであると確定されたインデクスビット列に基づいて、このインデクスビット列に対応するセクタービット列、すなわち、そのインデクスビット列を構成する各インデクスビットが格納されている各サーボフレーム１１に格納されているセクタービットを順次並べて形成したセクタービット列を仮セクターパターンとして取得するようになっている。
【００６５】
すなわち、仮セクターパターン取得部２６は、磁気ヘッド３１によって取得されたインデクスビットに基づいて仮セクターパターンを取得するのである。
また、仮セクターパターン取得部２６は、仮セクターパターン取得部２６によって取得された仮セクターパターンの下位４ビットを参照して、その仮セクターパターンが記憶領域１５において先頭（インデクスフレームから始まるセクターパターン）から何番目のセクターパターンであるか（インデクス番号）を取得し、第２ハミング距離算出部２７に通知するようになっている。
【００６６】
第２ハミング距離算出部２７は、仮セクターパターン取得部２６によって取得された仮セクターパターンとセクターパターンとのハミング距離を算出するものである。この第２ハミング距離算出部２７は、仮セクターパターンと、仮セクターパターン取得部２６から通知されたインデクス番号（記憶領域１５における先頭からの順位）に対応するセクターパターン（以下、オリジナルセクターパターンという場合もある）とのハミング距離を算出するようになっている。
【００６７】
セクターパターン確定部２８は、第２ハミング距離算出部２７によって算出されたハミング距離に基づいて（本実施形態では、このハミング距離が所定値（例えば４）以下の場合に）、この仮セクターパターンをセクターパターンとして確定するようになっている。
位置特定部２５は、磁気ヘッド３１によって取得されたセクタービットに基づいてインデクスパターンを特定することにより、記憶領域１５におけるサーボフレーム１１の位置を特定するものであり、セクターパターン確定部２８によって確定されたセクターパターンに基づいて、その仮セクターパターンを構成する各セクタービットを格納するセクタービット格納部１３にかかるサーボフレーム１１の記憶領域１５における位置を特定するようになっている。
【００６８】
図１０は本発明の一実施形態としての磁気ディスク装置１のハードウェア構成を模式的に示す図である。本磁気ディスク装置１は、図１０に示すように、プロセッサ４１，リード／ライトＬＳＩ４２，サーボドライバ４３，ＩＤＩＣ４４，スピンドルモータ５０および記憶媒体１０（１０−１〜１０−３）をそなえて構成されている。
【００６９】
プロセッサ４１は、磁気ディスク装置１における種々の処理を制御するものであり、ＲＯＭ（図示省略）等に予め記録されたアプリケーション等を実行することにより、種々の処理を行なうようになっている。
サーボドライバ４３はアクチュエータ３０やスピンドルモータ５０の制御を行なうものである。ＨＤＩＣ４４は、磁気ヘッド３１による磁気ディスク１０へのデータの読み出し／書き込みを制御するものであり、リード／ライトＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）４８は、ＨＤＩＣ４４によるデータの読み出し／書き込みの制御を行なうものである。
【００７０】
そして、本磁気ディスク装置１においては、プロセッサ４１等が予めＲＯＭ等に記録されたプログラムを実行することにより、上述した、記憶領域特定部２１，仮インデクスパターン取得部２２，第１ハミング距離算出部２３，インデクスパターン確定部２４，位置特定部２５，仮セクターパターン取得部２６，第２ハミング距離算出部２７およびセクターパターン確定部２８として機能するようになっている。
【００７１】
上述の如く構成された本発明の一実施形態としての磁気ディスク装置１における磁気ヘッド３１の位置決め手法を、図１１に示すフローチャート（ステップＡ１０〜Ａ１３０）に従って説明する。
制御部２０は、磁気ヘッド３１を磁気ディスク１の記憶領域１５にアクセスさせて、サーボフレーム１１のインデクスビット格納部１２およびセクタービット格納部１３からそれぞれインデクスビットとセクタービットとを取得する（ステップＡ１０）。制御部２０（仮インデクスパターン取得部２２）は、これらのインデクスビットおよびセクタービットの各ビット数がそれぞれ１６ビット以上になるまで繰り返し取得する（ステップＡ２０）。
【００７２】
第１ハミング距離算出部２３は、その記憶領域１５に対して予め設定されているインデクスパターン（オリジナルインデクスパターン）を取得して（ステップＡ３０）、磁気ヘッド３１によって取得されたインデクスビット列（仮インデクスパターン）とオリジナルインデクスパターンとのハミング距離を算出する（ステップＡ４０）。
【００７３】
インデクスパターン確定部２４は、このハミング距離が所定値（本実施形態では３）以下であるか否かを判断する（ステップＡ５０）。ハミング距離が４以上である場合には（ステップＡ５０のＮＯルート参照）、仮インデクスパターンを取得してからの時間が所定時間を経過しているか否かを判断して（ステップＡ１２０）、この所定時間が経過していない場合には（ステップＡ１２０のＮＯルート参照）、ステップＡ３０に戻る。又、所定時間以上経過している場合には（ステップＡ１２０のＹＥＳルート参照）、シークエラーである旨を図示しない上位装置（例えばコンピュータ）等に通知して（ステップＡ１３０）ステップＡ１０に戻る。
【００７４】
ハミング距離が３以下である場合には（ステップＡ５０のＹＥＳルート参照）、記憶領域特定部２１は、その記憶領域１５を、そのオリジナルインデクスパターンに対応する記憶領域１５として認定する。又、仮セクターパターン取得部２６は、その仮インデクスパターンを構成する先頭のインデクスビットが格納されていたサーボフレーム１１をインデクスパターンの先頭フレームとして認定して（ステップＡ６０）、そのインデクスパターン（インデクスビット列）に対応するセクタービット列を仮セクターパターンとする。
【００７５】
次に、仮セクターパターン取得部２６は、仮セクターパターン取得部２６によって取得された仮セクターパターンの下位４ビットに基づいて、インデクス番号を判断し（ステップＡ７０）、第２ハミング距離算出部２７が、仮セクターパターンとそのインデクス番号に対応するオリジナルセクターパターンとのハミング距離を算出する（ステップＡ８０）。
【００７６】
セクターパターン確定部２８は、このハミング距離が所定値（本実施形態では４）以下であるか否かを判断して（ステップＡ９０）、ハミング距離が５以上である場合には（ステップＡ９０のＮＯルート参照）、記憶領域１５を特定してから経過した時間が所定時間を経過しているか否かを判断して（ステップＡ１１０）、この所定時間が経過していない場合には（ステップＡ１１０のＮＯルート参照）、ステップＡ７０に戻る。又、所定時間以上経過している場合には（ステップＡ１１０のＹＥＳルート参照）、ステップＡ１３０に移行する。
【００７７】
また、ハミング距離が４以下である場合には（ステップＡ９０のＹＥＳルート参照）、そのインデクス番号をその仮セクターパターンに対応するインデクスパターンに設定する（ステップＡ１００）。
そして、位置特定部２５は、このインデクス番号に基づいて、そのインデクスパターンを構成する各インデクスビットを格納するサーボフレーム１１の位置を特定するのである。
【００７８】
このように、本発明の一実施形態としての磁気ディスク装置１によれば、複数のサーボフレーム１１における各インデクスビット格納部１２に格納されたインデクスビットを順次並べて形成されるインデクスビット列が、複数のインデクスパターンを含んでいるので、複数のサーボフレーム１１における各インデクスビット格納部１２に格納されたインデクスビットに基づいて、記憶領域１５を高速かつ確実に特定することができる。
【００７９】
そして、複数の記憶領域１５のそれぞれに、固有のインデクスパターンが設定されており、複数のサーボフレーム１１における各インデクスビット格納部１２に格納されたインデクスビットを順次並べて形成されるインデクスビット列が、複数のインデクスパターンを含んでいるので、インデクスパターンを特定することにより、そのインデクスパターンが設定された記憶領域１５を容易かつ高速に特定することができる。
【００８０】
すなわち、磁気ヘッド３１よって順次取得されたインデクスビットに基づいて、記憶領域（ヘッド番号）１５を特定することができ、記憶領域（ヘッド番号）１５の確認を高速にかつ容易に行なうことができるのである。
例えば、インデクスパターンが１６ビットの情報として構成されている場合には、最小で１６個のサーボフレームからインデクスビットを読み取ることにより、記憶領域１５を特定することができ、処理を高速化することができる。
【００８１】
また、複数の記憶領域１５のそれぞれに設定した固有のインデクスパターン同士が互いに所定値（本実施形態では４以上）以上のハミング距離を有しているので、インデクスパターン確定部２４が、第１ハミング距離算出部２３によって算出されたハミング距離に基づいて、このハミング距離が所定値以下の場合に、仮インデクスパターンをインデクスパターンとして確定することができる。すなわち、仮インデクスパターンとオリジナルインデクスパターンとの比較において、ハミング距離が所定値よりも小さい場合に、仮インデクスパターンがオリジナルインデクスパターンであることを容易に確定することができ、又、その確定されたインデクスパターンに基づいて、記憶領域１５を容易に特定することができるのである。
【００８２】
さらに、これにより、例えば、一部のインデクスビットの読み取りにエラーが生じた場合等、必ずしも仮インデクスパターンとオリジナルインデクスパターンとが一致しない場合においても、仮インデクスパターンがオリジナルインデクスパターンであることを確定することができるので、冗長度を持った判定を行なうことができる。又、記憶領域特定部２１が、インデクスパターン確定部２４によって確定されたインデクスパターンに基づいて、記憶領域１５を容易に特定することができる。
【００８３】
また、各サーボフレーム１１に形成されたインデクスビット格納部１２にインデクスパターンの一部（本実施形態では１ビット）を格納することにより、上記手法を実現することができるので、磁気ディスク１０（記憶領域１５）を効率良く使用することができる。
さらに、セクターパターンによって、記憶領域１５におけるインデクスパターンの位置を特定することにより、記憶領域１５におけるサーボフレームの位置を特定するので、記憶領域１５における磁気ヘッド３１の位置を高速にかつ確実に特定することができる。
【００８４】
また、記憶領域１５におけるインデクスパターンの位置に応じて、各インデクスパターンにそれぞれ固有のセクターパターンが予め設定されているので、セクターパターンを特定することにより、そのセクターパターンに対応するインデクスパターンの位置、すなわち、このインデクスパターンを構成するインデクスビットを格納する各サーボフレーム１１の位置を容易にかつ高速に特定することができ、これにより、記憶領域１５における磁気ヘッド３１の位置を高速にかつ確実に特定することができる。
【００８５】
さらに、各サーボフレーム１１に形成されたセクタービット格納部１３にセクターパターンの一部（本実施形態では１ビット）を格納することにより、上記手法を実現することができるので、これによっても、磁気ディスク１０（記憶領域１５）を効率良く使用することができる。
また、インデクスパターンのそれぞれに設定した固有のセクターパターン同士が互いに所定値以上のハミング距離を有しているので、セクターパターン確定部２８が、第２ハミング距離算出部２７によって算出されたハミング距離に基づいて、このハミング距離が所定値以下の場合に、仮セクターパターンをセクターパターンとして確定することができる。すなわち、仮セクターパターンとオリジナルセクターパターンとの比較において、ハミング距離が所定値よりも小さい場合に、仮セクターパターンがオリジナルセクターパターンであることを容易に確定することができ、又、その確定されたセクターパターンに基づいて、その仮セクターパターンを構成する各セクタービットを格納するセクタービット格納部１３にかかるサーボフレーム１１の記憶領域１５における位置を容易に特定することができ、これにより、記憶領域１５における磁気ヘッド３１の位置を高速にかつ確実に特定することができるのである。
【００８６】
さらに、これにより、例えば、一部のインデクスビットの読み取りにエラーが生じた場合等、必ずしも仮セクターパターンとオリジナルセクターパターンとが一致しない場合においても、仮セクターパターンがオリジナルセクターパターンであることを確定することができるので、冗長度を持った判定を行なうことができる。
【００８７】
また、位置特定部２５が、セクターパターン確定部２８によって確定されたセクターパターンに基づいて、仮セクターパターンを構成する各セクタービットを格納するセクタービット格納部１３にかかるサーボフレーム１１の記憶領域１５ける位置を特定するので、記憶領域１５におけるサーボフレームの位置を容易に特定することができ、これにより、記憶領域１５における磁気ヘッド３１位置を高速にかつ確実に特定することができる。
【００８８】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
例えば、上述した実施形態においては、磁気ディスク装置１は３つの磁気ディスク１０―１，１０−２，１０−３をそなえているが、これに限定されるものではなく、２枚以下もしくは４枚以上の磁気ディスクをそなえてもよい。
【００８９】
また、上述した実施形態においては、磁気ディスク１０の両面に記憶領域１５を形成しているが、これに限定されるものではなく、磁気ディスク１０の一方の面にのみ記憶領域を形成してもよい。
さらに、上述した実施形態においては。隙間パターンとして、“０”を２ビット分並べて形成したものが用いられているが、これに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【００９０】
また、上述した実施形態においては、仮インデクスパターン取得部２２が、インデクスビット格納部１２から取得したインデクスビットを、その取得した順番で並べ、そのインデクスビット列が所定ビット数になった時に、そのインデクスビット列を仮インデクスパターンと認定するようになっているが、それに限定されるものではなく、仮インデクスビット列とその記憶領域１５に対応するインデクスパターンとのハミング距離に基づいて仮インデクスパターンを取得してもよい。すなわち、本磁気ディスク装置１において用いられるインデクスパターンは、前述したように、そのインデクスパターンと同一のインデクスパターンを１ビット以上ずらして形成したパターンとの間において、所定値（本実施形態においては６）以上のハミング距離を有している。
【００９１】
従って、磁気ヘッド３１によってインデクスビットを取得する度に、その時点における仮インデクスビット列とその記憶領域１５に対して予め設定された（対応する）インデクスパターンとのハミング距離を算出して、そのハミング距離が例えば４以下の場合に、そのインデクスビット列を仮インデクスパターンとして認定してもよい。
【００９２】
さらに、上述した実施形態においては、第１ハミング距離算出部２３は、磁気ヘッド３１がアクセスしているはずの記憶領域１５に設定されたオリジナルインデクスパターンを取得し、仮インデクスパターンとそのオリジナルインデクスパターンとのハミング距離を算出するようになっているが、これに限定されるものではなく、仮インデクスパターンと、本磁気ディスク装置１における各記憶領域１５に設定された全てのオリジナルインデクスパターンとのハミング距離を算出してもよい。これにより、複数の記憶領域１５（ヘッド番号）の中から特定の記憶領域１５（ヘッド番号）を高速にかつ容易に特定することができる。
【００９３】
この場合、インデクスパターン確定部２４は、第１ハミング距離算出部２３によって算出された各ハミング距離に基づいて、例えば、そのハミング距離が最小となる仮インデクスパターンをインデクスパターンとして確定してもよい。
また、上述した実施形態においては、第２ハミング距離算出部２７が、仮セクターパターンと、仮セクターパターン取得部２６から通知されたインデクス番号に対応するセクターパターンとのハミング距離を算出して、セクターパターン確定部２８がこのハミング距離の算出結果に基づいてセクターパターンを確定しているが、これに限定されるものではなく、位置特定部２５が、仮セクターパターン取得部２６によって取得された仮セクターパターンの下位４ビットの値から、直接その仮セクターパターンを構成する各セクタービットに関するサーボフレーム１１の記憶領域１５における位置を特定してもよく、これにより、装置構成を簡素化することができるとともに、処理速度を向上させることができる。
【００９４】
さらに、上述した実施形態においては、図３に示したインデクスパターンを用いているが、インデクスパターンは図３に示されたものに限定されるものではなく、例えば、１５ビット以内もしくは１６ビット以上のインデクスパターンや、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
また、上述した実施形態においては、図７に示したセクターパターンのうちいずれかを用いているが、セクターパターンは図７に示されたものに限定されるものではなく、例えば、１５ビット以内もしくは１６ビット以上のセクターパターンや、図７に示した以外の１６ビットのセクターパターンを用いてもよく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【００９５】
例えば、図１２は本発明の一実施形態としての磁気ディスク装置１における他のセクターパターンの例を示す図であり、この図１２に示すような他のセクターパターンを用いてもよい。なお、図１２に中においては、２進数で表わした各セクターパターンに対して、その値を１０進数で表わした数値をそれぞれ対応付けて示している。又、図７に示した各セクターパターンは、図１２に示したセクターパターンを、下位４ビットが連続する２進数の値を表わすようにそれぞれ並び替えることによって構成したものである。
【００９６】
また、上述した実施形態においては、セクターパターンがその下位４ビットによってインデクス番号を２進数で表わすようになっているが、これに限定するものではなく、下位４ビットがインデクス番号を示さないセクターパターンを用いてもよい。
さらに、上述した実施形態においては、制御部２０が、記憶領域特定部２１，仮インデクスパターン取得部２２，第１ハミング距離算出部２３，インデクスパターン確定部２４，位置特定部２５，仮セクターパターン取得部２６，第２ハミング距離算出部２７およびセクターパターン確定部２８をそなえ、これらの各部がそれぞれ各機能を実現するための処理を行なっているがこれに限定されるものではなく、これらの各部の一部が他の処理を行なってもよい。
【００９７】
なお、本発明の各実施形態が開示されていれば、当業者によって製造することが可能である。
そして、本発明の記憶装置および記憶媒体は、以下に示すように要約することができる。
（付記１）  円形の記憶領域を複数そなえて構成される記憶装置であって、
該記憶領域の円周方向に沿って所定間隔で配置された複数のサーボフレームにおいて、当該記憶領域を特定するためのインデクスパターンの一部をインデクスビットとして格納するインデクスビット格納部と、
前記複数のサーボフレームにそなえられたインデクスビット格納部から該インデクスビットを順次取得するインデクスビット取得部と、
該インデクスビット取得部によって取得された該インデクスビットに基づいて、該記憶領域を特定する記憶領域特定部とをそなえ、
前記複数のサーボフレームにおける各インデクスビット格納部に格納されたインデクスビットを順次並べて形成されるインデクスビット列が、複数の該インデクスパターンを含んでいることを特徴とする、記憶装置。
【００９８】
（付記２）  前記複数の記憶領域のそれぞれに、固有の該インデクスパターンが設定されていることを特徴とする、付記１記載の記憶装置。
（付記３）  前記複数の記憶領域のそれぞれに設定した固有の該インデクスパターン同士が互いに所定値以上のハミング距離を有していることを特徴とする、付記２記載の記憶装置。
【００９９】
（付記４）  該インデクスビット取得部によって取得されたインデクスビットに基づいて仮インデクスパターンを取得する仮インデクスパターン取得部と、
該仮インデクスパターン取得部によって取得された該仮インデクスパターンと該インデクスパターンとのハミング距離を算出する第１ハミング距離算出部と、該第１ハミング距離算出部によって算出された該ハミング距離に基づいて、当該仮インデクスパターンを該インデクスパターンとして確定するインデクスパターン確定部とをそなえ、
該記憶領域特定部が、該インデクスパターン確定部によって確定された該インデクスパターンに基づいて、該記憶領域を特定することを特徴とする、付記１〜付記３のいずれか１項に記載の記憶装置。
【０１００】
（付記５）  該サーボフレームにおいて、該記憶領域における該インデクスパターンの位置を特定するためのセクターパターンの一部をセクタービットとして該インデクスビット格納部と対応させて格納するセクタービット格納部と、
該セクタービット格納部から該セクタービットを順次取得するセクタービット取得部と、
該セクタービット取得部によって取得された該セクタービットに基づいて該インデクスパターンを特定することにより、該記憶領域における該サーボフレームの位置を特定する位置特定部とをそなえることを特徴とする、付記１〜付記４のいずれか１項に記載の記憶装置。
【０１０１】
（付記６）  該記憶領域における該インデクスパターンのそれぞれに、固有の該セクターパターンが設定されていることを特徴とする、付記５記載の記憶装置。
（付記７）  前記インデクスパターンのそれぞれに設定した固有の該セクターパターン同士が互いに所定値以上のハミング距離を有していることを特徴とする、付記６記載の記憶装置。
【０１０２】
（付記８）  該セクタービット取得部によって取得されたインデクスビットに基づいて仮セクターパターンを取得する仮セクターパターン取得部と、
該仮セクターパターン取得部によって取得された該仮セクターパターンと該セクターパターンとのハミング距離を算出する第２ハミング距離算出部と、
該第２ハミング距離算出部によって算出された該ハミング距離に基づいて、当該仮セクターパターンを該セクターパターンとして確定するセクターパターン確定部とをそなえ、
該位置特定部が、該セクターパターン確定部によって確定された該セクターパターンに基づいて、該仮セクターパターンを構成する各セクタービットを格納する該セクタービット格納部にかかる該サーボフレームの該記憶領域における位置を特定することを特徴とする、付記４〜付記７のいずれか１項に記載の記憶装置。
【０１０３】
（付記９）  円形の記憶領域を複数そなえて構成される記憶媒体であって、
該記憶領域の円周方向に沿って所定間隔で配置された複数のサーボフレームにおいて、当該記憶領域を特定するためのインデクスパターンの一部をインデクスビットとして格納するインデクスビット格納部をそなえ、
前記複数のサーボフレームにおける各インデクスビット格納部に格納されたインデクスビットを順次並べて形成されるインデクスビット列が、複数の該インデクスパターンを含んでいることを特徴とする、記憶媒体。
【０１０４】
（付記１０）  前記複数の記憶領域のそれぞれに、固有の該インデクスパターンが設定されていることを特徴とする、付記９記載の記憶媒体。
（付記１１）  前記複数の記憶領域のそれぞれに設定した固有の該インデクスパターン同士が互いに所定値以上のハミング距離を有していることを特徴とする、付記１０記載の記憶媒体。
【０１０５】
（付記１２）  該サーボフレームにおいて、該記憶領域における該インデクスパターンの位置を特定するためのセクターパターンの一部をセクタービットとして該インデクスビット格納部と対応させて格納するセクタービット格納部をそなえ、
前記複数のサーボフレームにおける各セクタービット格納部に格納された該セクタービットを順次並べて形成されるセクタービット列が、該セクターパターンを含んでいることを特徴とする、付記９〜付記１１のいずれか１項に記載の記憶装置。
【０１０６】
（付記１３）  該記憶領域における該インデクスパターンのそれぞれに、固有の該セクターパターンが設定されていることを特徴とする、付記１２記載の記憶装置。
（付記１４）  前記インデクスパターンのそれぞれに設定した固有の該セクターパターン同士が互いに所定値以上のハミング距離を有していることを特徴とする、付記１３記載の記憶装置。
【０１０７】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明の記憶装置および記憶媒体によれば、以下の効果ないし利点がある。
（１）複数のサーボフレームにおける各インデクスビット格納部に格納されたインデクスビットを順次並べて形成されるインデクスビット列が、複数のインデクスパターンを含んでいるので、複数のサーボフレームにおける各インデクスビット格納部に格納されたインデクスビットに基づいて、記憶領域を高速かつ確実に特定することができる（請求項１，請求項９）。
【０１０８】
（２）記憶領域の円周方向に沿って所定間隔で配置された複数のサーボフレームにおいて、インデクスビット格納部に、その記憶領域を特定するためのインデクスパターンの一部をインデクスビットとして格納するので、記憶領域を効率的に用いることができる（請求項１，請求項９）。
（３）複数の記憶領域のそれぞれに、固有のインデクスパターンが設定されているので、インデクスパターンを特定することにより、そのインデクスパターンが設定された記憶領域を容易かつ高速に特定することができる。すなわち、インデクスビット取得部によって順次取得されたインデクスビットに基づいて、複数の記憶領域の中から特定の記憶領域を特定することができ、記憶領域の確認を高速にかつ容易に行なうことができる（請求項２）。
【０１０９】
（４）前記複数の記憶領域のそれぞれに設定した固有のインデクスパターン同士が互いに所定値以上のハミング距離を有しているので、記憶領域の特定に際して、冗長度を持った判定を行なうことができる（請求項３）。
（５）仮インデクスパターンとインデクスパターンとのハミング距離に基づいて、その仮インデクスパターンをインデクスパターンとして確定することにより、仮インデクスパターンがオリジナルインデクスパターンであることを容易に確定することができ、又、その確定されたインデクスパターンに基づいて、記憶領域を容易に特定することができる（請求項４）。
【０１１０】
（６）セクターパターンによって、記憶領域におけるインデクスパターンの位置を特定することにより、記憶領域におけるサーボフレームの位置を特定するので、記憶領域におけるセクタービット取得部（インデクスビット取得部）の位置を高速にかつ確実に特定することができる（請求項５，請求項１０）。
（７）記憶領域におけるインデクスパターンの位置を特定するためのセクターパターンの一部を、インデクスビット格納部と対応させてセクタービット格納部にセクタービットとして格納するので、記憶領域を効率的に用いることができる（請求項５，請求項１０）。
【０１１１】
（８）記憶領域におけるインデクスパターンのそれぞれに、固有のセクターパターンが設定されているので、セクターパターンを特定することにより、そのセクターパターンに対応するインデクスパターンを特定することができ、このインデクスパターンを構成するインデクスビットを格納する各サーボフレームの位置を容易にかつ高速に特定することができ、これにより、記憶領域におけるセクタービット取得部（インデクスビット取得部）の位置を高速にかつ確実に特定することができる（請求項６）。
【０１１２】
（９）インデクスパターンのそれぞれに設定した固有のセクターパターン同士が互いに所定値以上のハミング距離を有しているので、セクターパターンの確定に際して、冗長度を持った判定を行なうことができる（請求項７）。
（１０）仮セクターパターンとセクターパターンとのハミング距離に基づいて、その仮セクターパターンをセクターパターンとして確定することにより、仮セクターパターンがセクターパターンであることを容易に確定することができ、又、その確定されたセクターパターンに基づいて、その仮セクターパターンを構成する各セクタービットを格納するセクタービット格納部にかかるサーボフレームの記憶領域における位置を容易に特定することができ、これにより、記憶領域におけるセクタービット取得部（インデクスビット取得部）の位置を高速にかつ確実に特定することができる（請求項８）。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態としての磁気ディスク装置（記憶装置）の構成を模式的に示す図である。
【図２】（ａ）は本発明の一実施形態としての磁気ディスク装置にそなえられる磁気ディスクの構成を模式的に示す平面図、（ｂ）はそのインデクスビット列の取得方法を説明するための図、（ｃ）はそのセクタービット列の取得手法を説明するための図である。
【図３】本発明の磁気ディスク装置において用いられるインデクスパターンの例を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態としての磁気ディスク装置における、特定の記憶領域におけるインデクスビット列の例を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態としての磁気ディスク装置において用いられるインデクスパターンについて、そのインデクスパターンと同一のインデクスパターンを１ビット以上ずらして形成したパターンとの間のハミング距離を示す図である。
【図６】本発明の一実施形態としての磁気ディスク装置において用いられるインデクスパターン同士のハミング距離の例を示す図である。
【図７】本発明の磁気ディスク装置において用いられるセクターパターンの例を示す図である。
【図８】本発明の一実施形態としての磁気ディスク装置における、特定の記憶領域におけるセクタービット列の例を示す図である。
【図９】本発明の一実施形態としての磁気ディスク装置において磁気ディスクのサーボフレーム付近を磁気ヘッドによって読み取った例を示す図である。
【図１０】本発明の一実施形態としての磁気ディスク装置のハードウェア構成を模式的に示す図である。
【図１１】本発明の一実施形態としての磁気ディスク装置における磁気ヘッドの位置決め手法を説明するためのフローチャートである。
【図１２】本発明の一実施形態としての磁気ディスク装置における他のセクターパターンの例を示す図である。
【図１３】従来の磁気記憶装置の構造を模式的に示す図である。
【図１４】従来の磁気記憶装置にそなえられる磁気ディスクの構成を模式的に示す平面図である。
【符号の説明】
１  磁気ディスク装置（記憶装置）
１０，１０−１，１０−２，１０−３  磁気ディスク（記憶媒体）
１１  サーボフレーム
１２  インデクスビット格納部
１３  セクタービット格納部
１４  スピンドル
１５，１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ，１５ｅ，１５ｆ  記憶領域
２０  制御部
２１  記憶領域特定部
２２  仮インデクスパターン取得部
２３  第１ハミング距離算出部
２４  インデクスパターン確定部
２５  位置特定部
２６  仮セクターパターン取得部
２７  第２ハミング距離算出部
２８  セクターパターン確定部
３０  アクチュエータ
３１  磁気ヘッド（インデクスビット取得部，セクタービット取得部）
４１  プロセッサ（記憶領域特定部，仮インデクスパターン取得部，第１ハミング距離算出部，インデクスパターン確定部，位置特定部，仮セクターパターン取得部，第２ハミング距離算出部，セクターパターン確定部）
４２  リード／ライトＬＳＩ
４３  サーボドライバ
４４  ＨＤＩＣ
５０  スピンドルモータ
【図１】
2004335007.tif 000003
【図２】
2004335007.tif 000004
【図３】
2004335007.tif 000005
【図４】
2004335007.tif 000006
【図５】
2004335007.tif 000007
【図６】
2004335007.tif 000008
【図７】
2004335007.tif 000009
【図８】
2004335007.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2004335007.tif 000012
【図１１】
2004335007.tif 000013
【図１２】
2004335007.tif 000014
【図１３】
2004335007.tif 000015
【図１４】
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