(57)【要約】【課題】電界放出型ディスプレイ装置の寿命特性を向上することである。【解決手段】蛍光膜が形成されたフェースプレートと、前記蛍光膜に電子線を照射する手段とを備えた電界放出型ディスプレイ装置であって、前記蛍光膜を一般式がＺｎＳ：Ｍ，　Ａｌで表せる、ただし、式中のＭはＣｕ、Ａｇ及びＡｕの少なくとも１種からなる付活剤、Ａｌは共付活剤であり、そしてＭ濃度よりもＡｌ濃度の高い蛍光体によって帯電特性が改善して低抵抗化が図られ、さらに蛍光体表面の欠陥濃度が低減して、従来では解決されなかった寿命特性の改善を実現する電界放出型ディスプレイ装置ができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光膜が形成されたフェースプレートと、前記蛍光膜に電子線を照射する手段とを備えた電界放出型ディスプレイ装置であって、前記蛍光膜を、一般式がＺｎＳ：Ｍ，Ａｌで表せる、ただし、ＭはＣｕ、Ａｇ及びＡｕの少なくとも一種からなる付活剤、Ａｌは共付活剤であり、Ａｌ濃度をＭ濃度より高くして表面帯電特性を正電荷とした蛍光体で構成したことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
蛍光膜が形成されたフェースプレートと、前記蛍光膜に電子線を照射する手段とを備えた電界放出型ディスプレイ装置であって、前記蛍光膜をＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体の共付活剤Ａｌの濃度を付活剤Ａｇ濃度よりも高くして表面帯電特性を正電荷とした蛍光体で構成したことを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
上記ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体のＡｌとＡｇのモル濃度の比率ｘ＝［Ａｌ］／［Ａｇ］が１．２≦ｘである蛍光体で構成したことを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
蛍光膜が形成されたフェースプレートと、前記蛍光膜に電子線を照射する手段とを備えた電界放出型ディスプレイ装置であって、前記蛍光膜を真空紫外光１６８ｎｍで励起し、昇温速度０．１Ｋ／ｓｅｃで測定した熱発光曲線の３２０Ｋの欠陥ピークが小さく、一般式がＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌで表せ、かつＡｌとＡｇのモル濃度の比率ｘ＝［Ａｌ］／［Ａｇ］が２．０≦ｘである蛍光体で構成したことを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
蛍光膜が形成されたフェースプレートと、前記蛍光膜に電子線を照射する手段とを備えた電界放出型ディスプレイ装置であって、前記蛍光膜をＡｇ原子による体積増加がＡｌ原子により体積補償され、原子体積の過不足が０より小さく、一般式がＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌで表せ、かつＡｌとＡｇのモル濃度の比率ｘ＝［Ａｌ］／［Ａｇ］が４．５≦ｘである蛍光体で構成したことを特徴とする画像表示装置。
【請求項６】
上記蛍光膜表面に透光性導電物質を含む透光性導電膜を形成したことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載の画像表示装置。
【請求項７】
上記蛍光膜に透光性導電物質が混入されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載の画像表示装置。
【請求項８】
上記蛍光膜を構成する蛍光体粒子の表面が透光性導電物質を含む透光性導電膜で被覆されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載の画像表示装置。
【請求項９】
上記透光性導電物質は、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ及びＳｎＯ２のいずれか一種を主成分とする金属酸化物であること特徴とする請求項６乃至８のいずれか一つに記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、蛍光膜が形成されたフェースプレートと、前記蛍光膜に電子線を照射する手段とを備えた電界放出型ディスプレイ装置に係り、特にＺｎＳ系蛍光体を用いた電界放出型ディスプレイ装置（以下ＦＥＤと略称する）に好適な画像表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
映像情報システムにおいては、高精細化、大画面化、薄型化、低消費電力化といった様々な要求に応じて各種ディスプレイ装置の研究開発が盛んに行われている。これまで、主としてブラウン管を用いたディスプレイ装置が幅広く用いられてきたが、薄型化には限界がある。
【０００３】
このような要求に応える薄型化、低消費電力化を実現するディスプレイ装置としてＦＥＤの研究開発が近年、盛んに行われている。ＦＥＤは、平面状の電界放出型電子源を真空外囲器の背面に設置し、前面のフェースプレートの内面に蛍光膜を設置した構造となっており、加速電圧約０．１〜１０ｋＶ程度の低加速電子線を蛍光膜に照射して発光させ、画像を表示する。
【０００４】
ここで、蛍光膜に照射する電子線の電流密度は一般のブラウン管の約１０〜１０００倍程度と高電流密度であるため、ＦＥＤ用蛍光膜においてはチャージアップを引き起こさない、低抵抗な特性が望まれる。さらに、高電流密度下における寿命特性が良好であり、高輝度な特性が必要とされる。
【０００５】
これまで、蛍光膜の低抵抗化、長寿命化、高輝度化を実現するために様々な開発が行われてきた。ＺｎＳ蛍光体を用いたＦＥＤ用蛍光膜の性能を向上する方法としては、例えば特開平１２−９６０４６号公報のように、硫化物系蛍光体と、イットリウムのアルミン酸塩系もしくは珪酸塩系蛍光体である酸化物系蛍光体との混合蛍光体からなり、経時的に発光輝度維持率が良好な方法がある。
【０００６】
また、例えば特開平８−１２７７６９号公報のように硫化物系蛍光体層の上にＺｎＯ層を設ける、または蛍光体粒子の表面にＺｎＯを被着させた構造を有することで硫黄の飛散を無くし高輝度を得る方法がある。
【０００７】
また、例えば特開平１１−２４１０６３号公報のようにＺｎＳ、または（ＺｎＣｄ）Ｓ系蛍光体にＺｎ粉末金属を添加することにより、蛍光体の酸化を防止して表面電荷を減少させて輝度を改善する方法がある。
【０００８】
また、ＦＥＤの構造を工夫することによって高品位の画像表示を行う方法として、例えば特開平１１−１８５６７３号公報のように蛍光膜層の発光面よりも突出して形成されたブラックマトリックスによって蛍光膜層で反射される電子ビームの散乱を抑制する方法がある。
【０００９】
また、ＺｎＳ蛍光体の発光中心元素の添加濃度に関する方法として、例えばＡｓｉａ　Ｄｉｓｐｌａｙ　／　ＩＤＷ’０１　Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ、　ＦＥＤ１−２、　１１５７のように［Ａｌ］／［Ｃｕ］モル比が１．０付近においてＡｌ及びＣｕの濃度を高くすることによって輝度劣化を改善する方法がある。
【００１０】
また、例えば第２８９回蛍光体同学会講演予稿　（２００１年）　３１のように蛍光体表面における初期欠陥濃度が低いプロジェクションＣＲＴ用Ｐ５５型ＺｎＳ：Ａｇ，　Ａｌ蛍光体（［Ａｌ］／［Ａｇ］モル比＝１．０６）を用いて輝度劣化を改善する方法がある。
【００１１】
ただし、これら両者ともに［Ａｌ］／［Ｃｕ］モル比（前者）および［Ａｌ］／［Ａｇ］モル比（後者）が１．０付近についての報告であり、それよりもモル比が高い濃度範囲については言及していない。
【００１２】
これまで、ＦＥＤ用蛍光膜の低抵抗化、長寿命化、高輝度化を実現するために様々な方法が検討されてきた。しかしながら、これら従来の方法でその課題が全て解決されたわけではない。特に、蛍光体の表面抵抗を低下させ、長寿命化を達成する新しい方法が必要である。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
したがって本発明の目的は、上記従来の蛍光膜の低抵抗化を実現することであり、さらに蛍光膜の寿命特性の改善を図ることにより、優れた特性を有する電界放出型ディスプレイ装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、蛍光膜が形成されたフェースプレートと、前記蛍光膜に電子線を照射する手段とを備えた電界放出型ディスプレイ装置であって、前記蛍光膜を表面帯電特性が正電荷である蛍光体で構成したことを特徴とする画像表示装置により達成される。
【００１５】
上記蛍光膜の表面帯電特性が正電荷である蛍光体としては、特に、一般式がＺｎＳ：Ｍ，　Ａｌで表せる、ただし、式中のＭはＣｕ、Ａｇ及びＡｕの少なくとも１種からなる付活剤であり、共付活剤Ａｌの濃度を、付活剤Ｍの濃度より高くした蛍光体で構成したことを特徴とする画像表示装置により達成される。
【００１６】
即ち、本発明の電界放出型ディスプレイ装置を構成する画像表示装置に使用する蛍光膜の特徴は、第一にＺｎＳ系蛍光体にドナーとして添加するＡｌのモル濃度［Ａｌ］を、アクセプタとして添加するＭのモル濃度［Ｍ］よりも高くすることにより、蛍光体の帯電特性が正電荷となり、電子線照射時における電子の蛍光体中への侵入がより容易になり、チャージアップが抑制されて蛍光体の低抵抗化が実現される。
【００１７】
さらに、第二の特徴として、Ａｌのモル濃度［Ａｌ］をＭのモル濃度［Ｍ］よりも高くすることによってアクセプタに関連する表面欠陥を低減し、寿命特性の優れた蛍光体が実現される。
【００１８】
青色発光蛍光体を用いる場合には、前記蛍光膜を一般式がＺｎＳ：Ａｇ，　Ａｌで表せ、ＡｌとＡｇのモル濃度の比率ｘ＝［Ａｌ］／［Ａｇ］が１．２≦ｘである蛍光体で構成することにより、蛍光膜の性能が向上する。
【００１９】
また、前記蛍光膜を真空紫外光１６８ｎｍで励起し、昇温速度０．１Ｋ／ｓｅｃで測定した熱発光曲線の３２０Ｋの欠陥ピークが小さく、ＡｌとＡｇのモル濃度の比率ｘ＝［Ａｌ］／［Ａｇ］が２．０≦ｘである蛍光体で構成することにより、蛍光膜の性能が向上する。
【００２０】
また、前記蛍光膜をＡｇ原子による体積増加がＡｌ原子により体積補償され、原子体積の過不足が０より小さく、ＡｌとＡｇのモル濃度の比率ｘ＝［Ａｌ］／［Ａｇ］が４．５≦ｘである蛍光体で構成することにより、蛍光膜の性能が向上する。
【００２１】
さらに、上記蛍光膜にＩｎ２Ｏ３、ＭｇＯ及びＳｎＯ２等の透光性導電物質を混入することにより、さらに低抵抗化を図ることができ蛍光膜の性能が向上する。また、蛍光膜の表面に透光性導電物質からなる被膜を形成してもよいし、さらには蛍光体粒子の表面を透光性導電物質で被覆してもよい。
【００２２】
【発明の実施の形態】
ここでは本発明の電界放出型ディスプレイ装置を構成する画像表示装置に使用する蛍光体の製造方法、蛍光膜の帯電特性及び表面欠陥濃度、寿命特性について詳述するが、以下に示す実施形態は、本発明を具体化する一例を示すものであり、本発明を拘束するものではない。
【００２３】
（実施形態１）
本発明に使用するＺｎＳ：Ａｇ，　Ａｌ蛍光体は以下に述べる方法で製造できる。原料母体としてＺｎＳ（硫化亜鉛生粉）を用いる。付活剤として用いるＡｇはＡｇＮＯ３を純水に溶解して１０−４ｍｏｌ／ｍｌ溶液として所定量を加えた。共付活として用いるＡｌはＡｌ（ＮＯ３）３・９Ｈ２Ｏを純水に溶解して１０−４ｍｏｌ／ｍｌ溶液として所定量を加えた。
【００２４】
ＺｎＳ：Ａｇ，　Ａｌ蛍光体（Ａｇ＝５００重量ｐｐｍ及びＡｌ＝２５０重量ｐｐｍ、［Ａｌ］／［Ａｇ］モル比ｘ＝２．０）の時のそれぞれの原料の配分量は下記の通りである。
【００２５】
硫化亜鉛生粉　　　　　ＺｎＳ　　　９．７４６ｇ
銀溶液　　　　　　　　Ａｇ　　　０．４５１ｍｌ
アルミ溶液　　　　　　Ａｌ　　　　０．９０３ｍｌ
上記原料をよく混合して乾燥する。
【００２６】
次に、得られた蛍光体原料混合物を石英ボートに詰めて管状合成炉の石英管中にセットして焼成を行う。焼成はＡｒガスによって全体を置換した後に、Ｈ２Ｓガス１００ｍｌ／ｍｉｎを石英管中に流して硫化水素雰囲気で行った。焼成温度は９５０℃　とし、焼成時間は２時間とした。焼成物を軽くほぐした後、フルイにかけて本発明に用いる蛍光体を得た。
【００２７】
Ａｌ濃度及びＡｇ濃度を変化させて［Ａｌ］／［Ａｇ］モル比ｘを様々に変化させたＺｎＳ：Ａｇ，　Ａｌ蛍光体は、ｘが所定量となるように変化させて上記のようにして合成を行って製造した。
【００２８】
このようにして得られた蛍光体について、帯電特性の測定を行った。帯電特性の測定では、キャリアーとしてフェライト粉末を用いた。フェライト粉末９．７ｇに蛍光体０．３ｇを加えてボールミルで３０分間混合した。その後、混合粉末約０．２ｇを取出し、帯電測定装置にて蛍光体帯電量の測定を行った。
【００２９】
図１に蛍光体帯電量の［Ａｌ］／［Ａｇ］モル比変化を示す。ＺｎＳ原料の帯電量は−１．２μＣ／ｇであり、Ａｌを添加せずに合成したＺｎＳ：Ａｇの帯電量は−０．８μＣ／ｇであった。ＺｎＳ：Ａｇ，　Ａｌ蛍光体の帯電量は［Ａｌ］／［Ａｇ］モル比ｘの増加とともに増加する傾向があり、ｘ＝１．２付近で帯電が負電荷から正電荷へと変化する。
【００３０】
等モル濃度（ｘ＝１．０）で帯電量が０とならないのは、表面欠陥による電荷などが影響しているものと考えられる。さらに、［Ａｌ］／［Ａｇ］モル比の増加に伴って帯電が正電荷になってからも帯電量は増加する傾向がある。Ａｇを添加せずに合成したＺｎＳ：Ａｌの帯電量は＋１．２μＣ／ｇであった。従って、蛍光体の帯電特性が正電荷であり、電子の侵入がより容易になり、チャージアップが抑制されて蛍光膜全体の低抵抗化が実現されるのは［Ａｌ］／［Ａｇ］モル比ｘが１．２≦ｘの濃度範囲である。
【００３１】
次に、ＺｎＳ：Ａｇ，　Ａｌ蛍光体の熱発光曲線の測定を行った。測定するサンプルはＮｉメッキした銅基板に沈降塗布法により水ガラスを加えて塗布した。蛍光体を塗布したサンプル基板をチャンバー内にセットして１０−４Ｐａ程度の真空とする。液体窒素により８０Ｋ程度に保持しながら重水素ランプの真空紫外光１６８ｎｍを照射して蛍光体を４５分間励起した。
【００３２】
その後、試料温度を昇温速度０．１Ｋ／ｓｅｃで一定に保ちながら生じる発光をモニターして熱発光曲線の測定を行った。図２に［Ａｌ］／［Ａｇ］モル比ｘ＝１．０、　１．５、　２．０、　５．０の熱発光曲線を示す。ｘ＝１．０において、３２０Ｋ付近に熱発光ピークを観測した。この熱発光ピークは［Ａｌ］／［Ａｇ］モル比の増加とともに減少し、２．０≦ｘにおいてほぼ一定の熱発光強度となった。このことは、［Ａｌ］／［Ａｇ］モル比の増加に伴って表面欠陥濃度が減少することを示している。
【００３３】
表１にＺｎ、　Ａｇ、　Ａｌ各原子のイオン半径、体積比及びＺｎに対する原子体積の過不足を示す。Ａｇのイオン半径はＺｎのイオン半径０．０７４ｎｍよりも大きく、０．１１６ｎｍであり、体積比ではＺｎの３．８５倍である。従って、ＡｇがＺｎを１個置換するとＺｎの２．８５倍の体積超過となる。一方、Ａｌのイオン半径は０．０５３ｎｍと小さく体積比ではＺｎの０．３７倍である。従って、ＡｌがＺｎを１個置換するとＺｎの０．６３倍の体積不足となる。
【００３４】
次に、Ａｇの体積超過をＡｌによって補償する場合を考える。それには、［Ａｌ］／［Ａｇ］モル比ｘをｘ＝４．５とする必要がある。図２に原子体積の過不足（Ｖ）を併せて示した。Ａｌ濃度の比率が増加して体積過不足がＶ＝０に近づくにつれて表面欠陥が減少していることが分かる。従って、蛍光体の表面欠陥が低減し、結晶性が良好であるのは［Ａｌ］／［Ａｇ］モル比ｘが２．０≦ｘの濃度範囲であり、特に原子体積が補償される４．５≦ｘの範囲で良好である。
【００３５】
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次に、このようにして得られた蛍光体について熱発光曲線測定の場合と同様にサンプル基板を作製して、デマウンタブル型高密度電子線照射装置を用いて加速電圧７ｋＶ、照射電流４６９μＡ／ｃｍ２、試料温度２００℃　の条件で３０分間電子線照射による輝度維持率特性評価を行った。図３に初期の発光エネルギー効率を１００％として表した時の３０分後の輝度維持率の原子体積の過不足変化を示す。輝度維持率は原子体積の過不足（Ｖ）がＶ≦２．０の範囲で良好であり、特にＶ＝０付近で輝度維持率は良好である。
【００３６】
（実施形態２）
本発明に使用するＺｎＳ：Ｃｕ，　Ａｌ蛍光体は以下に述べる方法で製造できる。原料母体としてＺｎＳ（硫化亜鉛生粉）を用いる。付活剤として用いるＣｕはＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏを純水に溶解して１０−４ｍｏｌ／ｍｌ溶液として所定量を加えた。
【００３７】
共付活として用いるＡｌは実施形態１と同様にして所定量を加えた。ＺｎＳ：Ｃｕ，　Ａｌ蛍光体（Ｃｕ＝１００重量ｐｐｍ及びＡｌ＝１７０重量ｐｐｍ、［Ａｌ］／［Ｃｕ］＝４．０）の時のそれぞれの原料の配分量は下記の通りである。
【００３８】
硫化亜鉛生粉　　　　　ＺｎＳ　　　９．７４６ｇ
銅溶液　　　　　　　　Ｃｕ　　　０．１５３ｍｌ
アルミ溶液　　　　　　Ａｌ　　　　０．６１４ｍｌ
上記原料を用いて実施形態１と同様にして焼成、後処理を行って本発明に用いる蛍光体を得た。この蛍光体の電子線照射による輝度維持率特性は実施形態１と同様に良好であった。また、帯電特性についても、実施形態１の図１と同様の傾向を示した。
【００３９】
（実施形態３）
本発明に使用するＺｎＳ：Ａｕ，　Ａｌ蛍光体は以下に述べる方法で製造できる。原料母体としてＺｎＳ（硫化亜鉛生粉）を用いる。付活剤として用いるＡｕは原子吸光分析用金標準溶液（１．００ｍｇ／ｍｌ）の所定量を加えた。
【００４０】
共付活として用いるＡｌは実施形態１と同様にして所定量を加えた。ＺｎＳ：Ａｕ，　Ａｌ蛍光体（Ａｕ＝１０００重量ｐｐｍ及びＡｌ＝２７４重量ｐｐｍ、［Ａｌ］／［Ａｕ］＝２．０）の時のそれぞれの原料の配分量は下記の通りである。
【００４１】
硫化亜鉛生粉　　　　　ＺｎＳ　　　９．７４６ｇ
金溶液　　　　　　　　Ａｕ　　　　９．７４６ｍｌ
アルミ溶液　　　　　　Ａｌ　　　　０．９９０ｍｌ
上記原料を用いて実施形態１と同様にして焼成、後処理を行って本発明に用いる蛍光体を得た。この蛍光体の電子線照射による輝度維持率特性は実施形態１と同様に良好であった。また、帯電特性についても、実施形態１の図１と同様の傾向を示した。
【００４２】
（実施形態４）
本発明に使用するＺｎＳ：Ｃｕ，　Ａｇ，　Ａｌ蛍光体は以下に述べる方法で製造できる。原料母体としてＺｎＳ（硫化亜鉛生粉）を用いる。付活剤として用いるＣｕ及びＡｇは実施形態１及び２と同様にして所定量を加えた。
【００４３】
共付活として用いるＡｌは実施形態１と同様にして所定量を加えた。ＺｎＳ：Ｃｕ，　Ａｇ，　Ａｌ蛍光体（Ｃｕ＝１００重量ｐｐｍ、　Ａｇ＝５０重量ｐｐｍ及びＡｌ＝２００重量ｐｐｍ、［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ａｇ］）＝４．０）の時のそれぞれの原料の配分量は下記の通りである。
【００４４】
硫化亜鉛生粉　　　　　ＺｎＳ　　　９．７４６ｇ
銅溶液　　　　　　　　Ｃｕ　　　　０．１５３ｍｌ
銀溶液　　　　　　　　Ａｇ　　　　０．０４５ｍｌ
アルミ溶液　　　　　　Ａｌ　　　　０．７２２ｍｌ
上記原料を用いて実施形態１と同様にして焼成、後処理を行って本発明に用いる蛍光体を得た。この蛍光体の電子線照射による輝度維持率特性は実施形態１と同様に良好であった。また、帯電特性についても、実施形態１の図１と同様の傾向を示した。
【００４５】
（実施形態５）
本発明に使用するＺｎＳ：Ｃｕ，　Ａｕ，　Ａｌ蛍光体は以下に述べる方法で製造できる。原料母体としてＺｎＳ（硫化亜鉛生粉）を用いる。付活剤として用いるＣｕ及びＡｕは実施形態２及び３と同様にして所定量を加えた。
【００４６】
共付活として用いるＡｌは実施形態１と同様にして所定量を加えた。ＺｎＳ：Ｃｕ，　Ａｕ，　Ａｌ蛍光体（Ｃｕ＝１００重量ｐｐｍ、　Ａｕ＝５０重量ｐｐｍ及びＡｌ＝２２０重量ｐｐｍ、［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ａｕ］）＝４．０）の時のそれぞれの原料の配分量は下記の通りである。
【００４７】
硫化亜鉛生粉　　　　　ＺｎＳ　　　９．７４６ｇ
銅溶液　　　　　　　　Ｃｕ　　　　０．１５３ｍｌ
金溶液　　　　　　　　Ａｕ　　　　０．４８７ｍｌ
アルミ溶液　　　　　　Ａｌ　　　　０．７９４ｍｌ
上記原料を用いて実施形態１と同様にして焼成、後処理を行って本発明に用いる蛍光体を得た。この蛍光体の電子線照射による輝度維持率特性は実施形態１と同様に良好であった。また、帯電特性についても、実施形態１の図１と同様の傾向を示した。
【００４８】
（実施形態６）
本発明に使用するＺｎＳ：Ｃｕ，　Ａｇ，　Ａｕ，　Ａｌ蛍光体は以下に述べる方法で製造できる。原料母体としてＺｎＳ（硫化亜鉛生粉）を用いる。付活剤として用いるＣｕ、　Ａｇ及びＡｕは実施形態１、２及び３と同様にして所定量を加えた。
【００４９】
共付活として用いるＡｌは実施形態１と同様にして所定量を加えた。ＺｎＳ：Ｃｕ，　Ａｇ，　Ａｕ，　Ａｌ蛍光体（Ｃｕ＝１００重量ｐｐｍ、　Ａｇ＝５０重量ｐｐｍ、　Ａｕ＝５０重量ｐｐｍ及びＡｌ＝２４７重量ｐｐｍ、［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ａｇ］＋［Ａｕ］）＝４．０）の時のそれぞれの原料の配分量は下記の通りである。
【００５０】
硫化亜鉛生粉　　　　　ＺｎＳ　　　９．７４６ｇ
銅溶液　　　　　　　　Ｃｕ　　　　０．１５３ｍｌ
銀溶液　　　　　　　　Ａｇ　　　　０．０４５ｍｌ
金溶液　　　　　　　　Ａｕ　　　　０．４８７ｍｌ
アルミ溶液　　　　　　Ａｌ　　　　０．８９２ｍｌ
上記原料を用いて実施形態１と同様にして焼成、後処理を行って本発明に用いる蛍光体を得た。この蛍光体の電子線照射による輝度維持率特性は実施形態１と同様に良好であった。また、帯電特性についても、実施形態１の図１と同様の傾向を示した。
【００５１】
（実施形態７）
本発明に使用するＺｎＳ：Ａｇ，　Ａｌ蛍光体は以下に述べる方法で製造できる。原料母体としてＺｎＳ（硫化亜鉛生粉）を用いる。付活剤及び共付活として用いるＡｌ及びＡｇは実施形態１と同様にして所定量を加えた。ＺｎＳ：Ａｇ，　Ａｌ蛍光体（Ａｇ＝５００重量ｐｐｍ及びＡｌ＝３７５重量ｐｐｍ、［Ａｌ］／［Ａｇ］＝３．０）の時のそれぞれの原料の配分量は下記の通りである。
【００５２】
硫化亜鉛生粉　　　　　ＺｎＳ　　　９．７４６ｇ
銀溶液　　　　　　　　Ａｇ　　　０．４５１ｍｌ
アルミ溶液　　　　　　Ａｌ　　　　１．３５５　ｍｌ
上記原料を用いて実施形態１と同様にして焼成、後処理を行った。そして、得られた蛍光体の表面に４重量％のＩｎ２Ｏ３を透明導電性物質として被覆して本発明に用いる蛍光体を得た。この蛍光体の電子線照射による輝度維持率特性は実施形態１と同様に良好であった。なお、透光性導電物質として、ここではＩｎ２Ｏ３を代表例として示したがその他ＭｇＯ、ＳｎＯ２でも同様に蛍光膜の低抵抗化が認められた。
【００５３】
【実施例】
以下に具体的な実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、本発明の目的が達成される範囲の各要素の置換や設計変更がなされたものも包含することは言うまでもない。
【００５４】
＜実施例１＞ＭＩＭ電子源ディスプレイ装置その１
本発明のＭＩＭ型電子源ディスプレイ装置の要部断面を図４に示す。なお、ＭＩＭはＭｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌの略称。ＭＩＭ型電子源ディスプレイ装置１は、フェースプレート２、ＭＩＭ電子源３、リアプレイト４で構成されており、ＭＩＭ型電子源３は下部電極（Ａｌ）５、絶縁層（Ａｌ２Ｏ３）６、上部電極（Ｉｒ−Ｐｔ−Ａｕ）７で形成されている。
【００５５】
特に、フェースプレート２の内側には青色蛍光体として先に実施形態１で得た［Ａｌ］／［Ａｇ］モル比ｘ＝２．０のＺｎＳ：Ａｇ，　Ａｌ蛍光体を塗布した蛍光膜８がある。また、画像表示装置の精細度を上げるために１画素間に黒色導電材１６を設けた。
【００５６】
黒色導電材１６の作製では、フェースプレート２の全面にホトレジスト膜を塗布し、マスクを介して露光して現像し、部分的にホトレジスト膜を残す。その後、全面に黒鉛膜を形成してから過酸化水素などを作用させてホトレジスト膜とその上の黒鉛を取り除いて黒色導電材を形成した。
【００５７】
蛍光膜８の塗布にはスラリー法を用いた。ポリビニルアルコールと重クロム酸塩との混合水溶液に蛍光体を分散させてスラリー懸濁液を調合する。フェースプレートに懸濁液を塗布して乾燥後、マスクを介して露光して蛍光体を固着させる。温純水でスプレイ現像して未露光部分の膜を洗い流して蛍光体のパターンを形成した。
【００５８】
メタルバックは、蛍光膜８の内面にフィルミング加工してからＡｌを真空蒸着して作成する。その後、熱処理してフィルミング剤を飛ばして作製した。このようにして蛍光膜８が完成する。
【００５９】
本発明の画像表示装置においては、表面帯電特性が正電荷であり、表面欠陥の少ない青色ＺｎＳ：Ａｇ，　Ａｌ蛍光体を使用することにより、輝度寿命が従来に比べて５％向上した。
【００６０】
＜実施例２＞ＭＩＭ電子源ディスプレイ装置その２
本発明のＭＩＭ型電子源ディスプレイ装置の要部断面を図４に示す。特に、フェースプレート２の内側には青色蛍光体として先に実施形態１で得た［Ａｌ］／［Ａｇ］モル比ｘ＝１．２のＺｎＳ：Ａｇ，　Ａｌ蛍光体を塗布した蛍光膜８がある。
【００６１】
また、黒色導電材１６、蛍光膜８の形成方法及びメタルバックの形成方法は実施例１と同様である。本発明による輝度寿命は実施例１と同様に良好であった。
【００６２】
＜実施例３＞ＭＩＭ電子源ディスプレイ装置その３
本発明のＭＩＭ型電子源ディスプレイ装置の要部断面を図４に示す。特に、フェースプレート２の内側には青色蛍光体として先に実施形態１で得た［Ａｌ］／［Ａｇ］モル比ｘ＝４．５のＺｎＳ：Ａｇ，　Ａｌ蛍光体を塗布した蛍光膜８がある。
【００６３】
また、黒色導電材１６、蛍光膜８の形成方法及びメタルバックの形成方法は実施例１と同様である。本発明による輝度寿命は実施例１と同様に良好であった。
【００６４】
＜実施例４＞ＭＩＭ電子源ディスプレイ装置その４
本発明のＭＩＭ型電子源ディスプレイ装置の要部断面を図４に示す。特に、フェースプレート２の内側には緑色蛍光体として先に実施形態２で得た［Ａｌ］／［Ｃｕ］モル比ｘ＝４．０のＺｎＳ：Ｃｕ，　Ａｌ蛍光体を塗布した蛍光膜８がある。
【００６５】
また、黒色導電材１６、蛍光膜８の形成方法及びメタルバックの形成方法は実施例１と同様である。本発明による輝度寿命は実施例１と同様に良好であった。
【００６６】
＜実施例５＞ＭＩＭ電子源ディスプレイ装置その５
本発明のＭＩＭ型電子源ディスプレイ装置の要部断面を図４に示す。特に、フェースプレート２の内側には緑色蛍光体として先に実施形態３で得た［Ａｌ］／［Ａｕ］モル比ｘ＝２．０のＺｎＳ：Ａｕ，　Ａｌ蛍光体を塗布した蛍光膜８がある。
【００６７】
また、黒色導電材１６、蛍光膜８の形成方法及びメタルバックの形成方法は実施例１と同様である。本発明による輝度寿命は実施例１と同様に良好であった。
【００６８】
＜実施例６＞ＭＩＭ電子源ディスプレイ装置その６
本発明のＭＩＭ型電子源ディスプレイ装置の要部断面を図４に示す。特に、フェースプレート２の内側には緑色蛍光体として先に実施形態４と類似の方法で得た［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ａｇ］）モル比ｘ＝５．０のＺｎＳ：Ｃｕ，　Ａｇ，　Ａｌ蛍光体を塗布した蛍光膜８がある。黒色導電材１６、蛍光膜８の形成方法及びメタルバックの形成方法は実施例１と同様である。本発明による輝度寿命は実施例１と同様に良好であった。
【００６９】
＜実施例７＞ＭＩＭ電子源ディスプレイ装置その７
本発明のＭＩＭ型電子源ディスプレイ装置の要部断面を図４に示す。特に、フェースプレート２の内側には緑色蛍光体として先に実施形態５と類似の方法で得た［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ａｕ］）モル比ｘ＝５．０のＺｎＳ：Ｃｕ，　Ａｕ，　Ａｌ蛍光体を塗布した蛍光膜８がある。黒色導電材１６、蛍光膜８の形成方法及びメタルバックの形成方法は実施例１と同様である。本発明による輝度寿命は実施例１と同様に良好であった。
【００７０】
＜実施例８＞ＭＩＭ電子源ディスプレイ装置その８
本発明のＭＩＭ型電子源ディスプレイ装置の要部断面を図４に示す。特に、フェースプレート２の内側には緑色蛍光体として先に実施形態６と類似の方法で得た［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ａｇ］＋［Ａｕ］）モル比ｘ＝５．０のＺｎＳ：Ｃｕ，　Ａｇ，　Ａｕ，　Ａｌ　蛍光体を塗布した蛍光膜８がある。黒色導電材１６、蛍光膜８の形成方法及びメタルバックの形成方法は実施例１と同様である。本発明による輝度寿命は実施例１と同様に良好であった。
【００７１】
＜実施例９＞ＭＩＭ電子源ディスプレイ装置その９
本発明のＭＩＭ型電子源ディスプレイ装置の要部断面を図４に示す。特に、フェースプレート２の内側には青色蛍光体として先に実施形態１で得た［Ａｌ］／［Ａｇ］モル比ｘ＝２．０のＺｎＳ：Ａｇ，　Ａｌ蛍光体、緑色蛍光体として実施形態２で得た［Ａｌ］／［Ｃｕ］モル比ｘ＝４．０のＺｎＳ：Ｃｕ，　Ａｌ蛍光体及び赤色蛍光体としてＹ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ蛍光体を塗布した蛍光膜８がある。
【００７２】
蛍光膜８の塗布にはスラリー法を用いた。ポリビニルアルコールと重クロム酸塩との混合水溶液に蛍光体を分散させてスラリー懸濁液を調合する。フェースプレートにスラリー懸濁液を塗布して乾燥後、マスクを介して露光して蛍光体を固着させる。温純水でスプレイ現像して未露光部分の膜を洗い流して蛍光体のパターンを形成した。各色ごとに同様に蛍光膜のパターン形成を行った。黒色導電材１６及びメタルバックの形成方法は実施例１と同様である。本発明による輝度寿命は実施例１と同様に良好であった。
【００７３】
＜実施例１０＞ＭＩＭ電子源ディスプレイ装置その１０
本発明のＭＩＭ型電子源ディスプレイ装置の要部断面を図４に示す。特に、フェースプレート２の内側には青色蛍光体として先に実施形態１で得た［Ａｌ］／［Ａｇ］モル比ｘ＝３．５のＺｎＳ：Ａｇ，　Ａｌの表面に４重量％のＩｎ２Ｏ３を被覆した蛍光体を塗布した蛍光膜８がある。黒色導電材１６、蛍光膜８の形成方法及びメタルバックの形成方法は実施例１と同様である。本発明による輝度寿命は実施例１と同様に良好であった。
【００７４】
＜実施例１１＞Ｓｐｉｎｄｔ電子源ディスプレイ装置その１
本発明のＳｐｉｎｄｔ型電子源ディスプレイ装置の要部断面を図５に示す。Ｓｐｉｎｄｔ型電子源ディスプレイ装置９は、フェースプレート２、Ｓｐｉｎｄｔ電子源１０、リアプレイト４で構成されている。
【００７５】
Ｓｐｉｎｄｔ型電子源１０は、陰極１１、抵抗膜１２、絶縁膜１３、ゲート１４、円錐型金属（Ｍｏなど）１５で形成されている。特に、フェースプレート２の内側には青色蛍光体として先に実施形態１で得た［Ａｌ］／［Ａｇ］モル比ｘ＝２．０のＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体を塗布した蛍光膜８がある。黒色導電材１６、蛍光膜８の形成方法及びメタルバックの形成方法は実施例１と同様である。本発明により輝度寿命は従来に比べて５％向上した。
【００７６】
＜実施例１２＞Ｓｐｉｎｄｔ電子源ディスプレイ装置その２
本発明のＳｐｉｎｄｔ型電子源ディスプレイ装置の要部断面を図５に示す。特に、フェースプレート２の内側には青色蛍光体として先に実施形態１で得た［Ａｌ］／［Ａｇ］モル比ｘ＝４．５のＺｎＳ：Ａｇ，　Ａｌ蛍光体を塗布した蛍光膜８がある。黒色導電材１６、蛍光膜８の形成方法及びメタルバックの形成方法は実施例１と同様である。本発明による輝度寿命は実施例１１と同様に良好であった。
【００７７】
＜実施例１３＞Ｓｐｉｎｄｔ電子源ディスプレイ装置その３
本発明のＳｐｉｎｄｔ型電子源ディスプレイ装置の要部断面を図５に示す。特に、フェースプレート２の内側には緑色蛍光体として先に実施形態２と類似の方法で得た［Ａｌ］／［Ｃｕ］モル比ｘ＝３．０のＺｎＳ：Ｃｕ，　Ａｌ蛍光体を塗布した蛍光膜８がある。黒色導電材１６、蛍光膜８の形成方法及びメタルバックの形成方法は実施例１と同様である。本発明による輝度寿命は実施例１１と同様に良好であった。
【００７８】
＜実施例１４＞Ｓｐｉｎｄｔ電子源ディスプレイ装置その４
本発明のＳｐｉｎｄｔ型電子源ディスプレイ装置の要部断面を図５に示す。特に、フェースプレート２の内側には緑色蛍光体として先に実施形態２と類似の方法で得た［Ａｌ］／［Ｃｕ］モル比ｘ＝５．０のＺｎＳ：Ｃｕ，　Ａｌ蛍光体を塗布した蛍光膜８がある。黒色導電材１６、蛍光膜８の形成方法及びメタルバックの形成方法は実施例１と同様である。本発明による輝度寿命は実施例１１と同様に良好であった。
【００７９】
＜実施例１５＞Ｓｐｉｎｄｔ電子源ディスプレイ装置その５
本発明のＳｐｉｎｄｔ型電子源ディスプレイ装置の要部断面を図５に示す。特に、フェースプレート２の内側には緑色蛍光体として先に実施形態３で得た［Ａｌ］／［Ａｕ］モル比ｘ＝２．０のＺｎＳ：Ａｕ，　Ａｌ蛍光体を塗布した蛍光膜８がある。黒色導電材１６、蛍光膜８の形成方法及びメタルバックの形成方法は実施例１と同様である。本発明による輝度寿命は実施例１１と同様に良好であった。
【００８０】
＜実施例１６＞Ｓｐｉｎｄｔ電子源ディスプレイ装置その６
本発明のＳｐｉｎｄｔ型電子源ディスプレイ装置の要部断面を図５に示す。特に、フェースプレート２の内側には緑色蛍光体として先に実施形態４と類似の方法で得た［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ａｇ］）モル比ｘ＝５．０のＺｎＳ：Ｃｕ，　Ａｇ，　Ａｌ蛍光体を塗布した蛍光膜８がある。黒色導電材１６、蛍光膜８の形成方法及びメタルバックの形成方法は実施例１と同様である。本発明による輝度寿命は実施例１１と同様に良好であった。
【００８１】
＜実施例１７＞Ｓｐｉｎｄｔ電子源ディスプレイ装置その７
本発明のＳｐｉｎｄｔ型電子源ディスプレイ装置の要部断面を図５に示す。特に、フェースプレート２の内側には緑色蛍光体として先に実施形態５と類似の方法で得た［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ａｕ］）モル比ｘ＝５．０のＺｎＳ：Ｃｕ，　Ａｕ，　Ａｌ蛍光体を塗布した蛍光膜８がある。黒色導電材１６、蛍光膜８の形成方法及びメタルバックの形成方法は実施例１と同様である。本発明による輝度寿命は実施例１１と同様に良好であった。
【００８２】
＜実施例１８＞Ｓｐｉｎｄｔ電子源ディスプレイ装置その８
本発明のＳｐｉｎｄｔ型電子源ディスプレイ装置の要部断面を図５に示す。特に、フェースプレート２の内側には緑色蛍光体として先に実施形態６と類似の方法で得た［Ａｌ］／（［Ｃｕ］＋［Ａｇ］＋［Ａｕ］）モル比ｘ＝５．０のＺｎＳ：Ｃｕ，　Ａｇ，　Ａｕ，　Ａｌ蛍光体を塗布した蛍光膜８がある。黒色導電材１６、蛍光膜８の形成方法及びメタルバックの形成方法は実施例１と同様である。本発明による輝度寿命は実施例１１と同様に良好であった。
【００８３】
＜実施例１９＞Ｓｐｉｎｄｔ電子源ディスプレイ装置その９
本発明のＳｐｉｎｄｔ型電子源ディスプレイ装置の要部断面を図５に示す。特に、フェースプレート２の内側には青色蛍光体として先に実施形態１で得た［Ａｌ］／［Ａｇ］モル比ｘ＝２．０のＺｎＳ：Ａｇ，　Ａｌ蛍光体、緑色蛍光体として実施形態２で得た［Ａｌ］／［Ｃｕ］モル比ｘ＝４．０のＺｎＳ：Ｃｕ，　Ａｌ蛍光体及び赤色蛍光体としてＹ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ蛍光体を塗布した蛍光膜８がある。
【００８４】
蛍光膜８の塗布にはスラリー法を用いた。ポリビニルアルコールと重クロム酸塩との混合水溶液に蛍光体を分散させてスラリー懸濁液を調合する。フェースプレートにスラリー懸濁液を塗布して乾燥後、マスクを介して露光して蛍光体を固着させる。温純水でスプレイ現像して未露光部分の膜を洗い流して蛍光体のパターンを形成した。各色ごとに同様に蛍光膜のパターン形成を行った。
【００８５】
黒色導電材１６及びメタルバックの形成方法は実施例１と同様である。本発明による輝度寿命は実施例１１と同様に良好であった。
【００８６】
＜実施例２０＞Ｓｐｉｎｄｔ電子源ディスプレイ装置その１０
本発明のＳｐｉｎｄｔ型電子源ディスプレイ装置の要部断面を図５に示す。特に、フェースプレート２の内側には緑色蛍光体として先に実施形態２と類似の方法で得た［Ａｌ］／［Ｃｕ］モル比ｘ＝３．５のＺｎＳ：Ｃｕ，　Ａｌの表面に４重量％のＩｎ２Ｏ３を被覆した蛍光体を塗布した蛍光膜８がある。黒色導電材１６、蛍光膜８の形成方法及びメタルバックの形成方法は実施例１と同様である。本発明による輝度寿命は実施例１１と同様に良好であった。
【００８７】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明の所期の目的を達成することができた。すなわち、本発明の電界放出型ディスプレイ装置においては、蛍光体の共付活剤であるＡｌ濃度が付活剤Ｍの濃度よりも高く帯電特性が正電荷を帯びているため蛍光膜全体の低抵抗化が図られている。さらに、蛍光体表面の欠陥濃度が低減し、長寿命化が図られている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の蛍光体の帯電特性を示すグラフ。
【図２】本発明の蛍光体の熱発光曲線を示すグラフ。
【図３】本発明の蛍光膜の輝度維持率を示すグラフ。
【図４】本発明のＭＩＭ型電子源ディスプレイ装置の要部断面構造を示す模式図。
【図５】本発明のＳｐｉｎｄｔ型電子源ディスプレイ装置の要部断面構造を示す模式図。
【符号の説明】
１…ＭＩＭ型電子源ディスプレイ装置、
２…フェースプレート、
３…ＭＩＭ型電子源、
４…リアプレイト、
５…下部電極、
６…絶縁層、
７…上部電極、
８…蛍光膜、
９…ＦＥＤ型電子源ディスプレイ装置、
１０…ＦＥＤ型電子源、
１１…陰極、
１２…抵抗膜、
１３…絶縁膜、
１４…ゲート、
１５…円錐型金属、
１６…黒色導電剤。
【図１】
2004043568.tif 000004
【図２】
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【図３】
2004043568.tif 000006
【図４】
2004043568.tif 000007
【図５】
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