(57)【要約】【課題】磁路長が短いことによって高周波帯域における記録特性に優れ、且つ薄膜コイルの抵抗値の小さい薄膜磁気ヘッドを実現する。【解決手段】薄膜磁気ヘッドは、下部磁極層１０と上部磁極層２８と記録ギャップ層２６と薄膜コイル４０とを備えている。下部磁極層１０は第１ないし第５の層１０ａ〜１０ｅを有している。第３の層１０ｃおよび第５の層１０ｅは、下部磁極層１０と上部磁極層２８とを磁気的に連結する連結部３１を構成する。薄膜コイル４０は、それぞれ１ターンの平面的な導電層からなる第１層部分２１ないし第５層部分２５を有している。第１層部分２１ないし第５層部分２５は、積層され互いに直列に接続されている。連結部３１はエアベアリング面３０側に向く端面を有し、この端面はエアベアリング面３０側に突出する曲面を含んでいる。【選択図】          図１４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁極層と、
前記媒体対向面から離れた位置に配置され、前記第１の磁極層の一部と前記第２の磁極層の一部の少なくとも一方を含み、前記第１の磁極層と第２の磁極層とを磁気的に連結する連結部と、
前記第１の磁極層の磁極部分と前記第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
前記連結部の回りに配置され、且つ少なくとも一部が前記第１および第２の磁極層の間に、前記第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドであって、
前記薄膜コイルは、２以下のターン数の平面的な導電層を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記連結部は媒体対向面側に向く端面を有し、この端面は媒体対向面側に突出する曲面を含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記連結部の前記端面は、円柱面の一部の形状を有していることを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記導電層は、前記連結部の前記端面と媒体対向面との間に配置された１つの部分を含み、この部分は、前記連結部の前記端面と媒体対向面とを最短で結ぶ仮想の線上の位置において導電層中で最も小さく、前記仮想の線から離れるに従って大きくなる幅を有することを特徴とする請求項２または３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記導電層の前記部分における内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状であり、
前記導電層の前記部分における外周側の側部の形状は、前記第１の曲率半径よりも大きな第２の曲率半径の円弧状であることを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記導電層の前記部分における内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状であり、
前記導電層の前記部分における外周側の側部は、前記仮想の線上の位置を含む所定の領域に配置された直線部分と、この直線部分の各端に接続され、前記第１の曲率半径よりも大きな第２の曲率半径の２つの円弧状部分とを含むことを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記導電層は、前記連結部の前記端面と媒体対向面との間に配置された第１の部分と第２の部分とを含み、前記第２の部分は前記第１の部分の外側に配置され、
前記第１の部分と第２の部分のうちの少なくとも第１の部分は、前記連結部の前記端面と媒体対向面とを最短で結ぶ仮想の線上の位置において導電層中で最も小さく、前記仮想の線から離れるに従って大きくなる幅を有することを特徴とする請求項２または３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記第１の部分における内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状であり、
前記第１の部分における外周側の側部の形状は、前記第１の曲率半径よりも大きな第２の曲率半径の円弧状であり、
前記第２の部分における内周側の側部の形状は、前記第２の曲率半径よりも大きな第３の曲率半径の円弧状であり、
前記第２の部分における外周側の側部の形状は、前記第３の曲率半径よりも大きな第４の曲率半径の円弧状であることを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記第１の部分における内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状であり、
前記第１の部分における外周側の側部の形状は、前記第１の曲率半径よりも大きな第２の曲率半径の円弧状であり、
前記第２の部分における内周側の側部の形状は、前記第２の曲率半径よりも大きな第３の曲率半径の円弧状であり、
前記第２の部分における外周側の側部は、前記仮想の線上の位置を含む所定の領域に配置された直線部分と、この直線部分の各端に接続され、前記第３の曲率半径よりも大きい第４の曲率半径の２つの円弧状部分とを含むことを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記第１の部分における内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状であり、
前記第１の部分における外周側の側部は、前記仮想の線上の位置を含む所定の領域に配置された第１の直線部分と、この第１の直線部分の各端に接続され、前記第１の曲率半径よりも大きい第２の曲率半径の２つの円弧状部分とを含み、
前記第２の部分における内周側の側部は、前記仮想の線上の位置を含む所定の領域に配置された第２の直線部分と、この第２の直線部分の各端に接続され、前記第２の曲率半径よりも大きい第３の曲率半径の２つの円弧状部分とを含み、
前記第２の部分における外周側の側部は、前記仮想の線上の位置を含む所定の領域に配置された第３の直線部分と、この第３の直線部分の各端に接続され、前記第３の曲率半径よりも大きい第４の曲率半径の２つの円弧状部分とを含み、
前記第２の直線部分の長さは前記第１の直線部分の長さ以上であり、前記第３の直線部分は前記第２の直線部分よりも長いことを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記薄膜コイルは、複数の前記導電層を有し、前記複数の導電層は、積層され互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記複数の前記導電層は、最下層の導電層と、最上層の導電層と、それらの間に配置された１以上の中間導電層とを含み、
前記最下層の導電層は、その上方に配置された前記中間導電層に接続される１つの接続部を有し、
前記最上層の導電層は、その下方に配置された前記中間導電層に接続される１つの接続部を有し、
前記中間導電層は、その下方および上方に配置された他の２つの導電層に接続される２つの接続部を有していることを特徴とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記最下層の導電層、最上層の導電層および中間導電層における各接続部は、前記連結部よりも前記媒体対向面から遠い２つの位置のいずれかに配置されていることを特徴とする請求項１２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】
前記連結部の中心と前記各接続部が配置される前記２つの位置は一直線上に並ぶことを特徴とする請求項１３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】
前記第１の磁極層は、前記薄膜コイルに対向する位置に配置された第１の層と、前記媒体対向面の近傍において前記第１の層に接続された第２の層と、前記連結部の少なくとも一部を含み前記第１の層に接続された第３の層とを有し、
前記導電層の一部は、前記第２の層と前記第３の層との間に配置されていることを特徴とする請求項１ないし１４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１６】
前記第２の磁極層は平坦な層であることを特徴とする請求項１５記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１７】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁極層と、
前記媒体対向面から離れた位置に配置され、前記第１の磁極層の一部と前記第２の磁極層の一部の少なくとも一方を含み、前記第１の磁極層と第２の磁極層とを磁気的に連結する連結部と、
前記第１の磁極層の磁極部分と前記第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
前記連結部の回りに配置され、且つ少なくとも一部が前記第１および第２の磁極層の間に、前記第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
前記第１の磁極層を形成する工程と、
前記第１の磁極層の上に前記薄膜コイルを形成する工程と、
前記第１の磁極層の磁極部分の上に前記ギャップ層を形成する工程と、
前記ギャップ層および薄膜コイルの上に前記第２の磁極層を形成する工程とを備え、
前記第１の磁極層を形成する工程または前記第２の磁極層を形成する工程は、前記連結部を形成する工程を含み、
前記薄膜コイルは、２以下のターン数の平面的な導電層を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記連結部は媒体対向面側に向く端面を有し、この端面は媒体対向面側に突出する曲面を含むことを特徴とする請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１９】
前記導電層は、前記連結部の前記端面と媒体対向面との間に配置された１つの部分を含み、この部分は、前記連結部の前記端面と媒体対向面とを最短で結ぶ仮想の線上の位置において導電層中で最も小さく、前記仮想の線から離れるに従って大きくなる幅を有することを特徴とする請求項１８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２０】
前記導電層は、前記連結部の前記端面と媒体対向面との間に配置された第１の部分と第２の部分とを含み、前記第２の部分は前記第１の部分の外側に配置され、
前記第１の部分と第２の部分のうちの少なくとも第１の部分は、前記連結部の前記端面と媒体対向面とを最短で結ぶ仮想の線上の位置において導電層中で最も小さく、前記仮想の線から離れるに従って大きくなる幅を有することを特徴とする請求項１８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２１】
前記薄膜コイルは、複数の前記導電層を有し、
前記薄膜コイルを形成する工程は、積層され互いに電気的に接続されるように前記複数の導電層を形成することを特徴とする請求項１７ないし２０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２２】
前記第１の磁極層を形成する工程は、前記薄膜コイルに対向する位置に配置された第１の層と、前記媒体対向面の近傍において前記第１の層に接続された第２の層と、前記連結部の少なくとも一部を含み前記第１の層に接続された第３の層とを形成し、
前記薄膜コイルを形成する工程は、前記導電層の一部を、前記第２の層と前記第３の層との間に配置することを特徴とする請求項１７ないし２１のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置の面記録密度が著しく向上している。特に最近では、ハードディスク装置の面記録密度は、８０〜１００ギガバイト／プラッタに達し、更にそれを超える勢いである。これに伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子とも記す。）を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。
【０００４】
記録ヘッドは、一般的に、記録媒体に対向する媒体対向面（エアベアリング面）と、媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された下部磁極層および上部磁極層と、下部磁極層の磁極部分と上部磁極層の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層と、少なくとも一部が下部磁極層および上部磁極層の間に、これらに対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えている。一般的な記録ヘッドでは、下部磁極層と上部磁極層は、媒体対向面から離れた位置に配置された連結部によって互いに磁気的に連結される。薄膜コイルは、平面渦巻き状をなし、連結部の回りに配置される。
【０００５】
ところで、記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高めるには、記録媒体におけるトラック密度を上げる必要がある。そのためには、トラック幅、すなわち記録ギャップ層を挟んで対向する２つの磁極部分の媒体対向面での幅を、数ミクロンからサブミクロン寸法まで小さくした狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要がある。このような記録ヘッドを実現するために半導体加工技術が利用されている。
【０００６】
トラック幅を小さくしてゆくと、記録ギャップ層を挟んで対向する２つの磁極部分の間で高密度の磁束を発生させることが難しくなってくる。そのため、磁極部分の材料には、より高い飽和磁束密度を有する磁性材料を用いることが望まれている。
【０００７】
また、記録密度を高めるために記録信号の周波数が高くなってくると、記録ヘッドでは、磁束の変化の速度の向上、言い換えるとフラックスライズタイムの短縮が求められると共に、高周波帯域において、オーバーライト特性や非線形トランジションシフト（Ｎｏｎ−ｌｉｎｅａｒ  Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  Ｓｈｉｆｔ）等の記録特性の劣化が少ないことが求められる。高周波帯域における記録特性を向上させるためには、磁路長を短くすることが望ましい。磁路長は、主に、下部磁極層または上部磁極層のうちの、連結部と媒体対向面との間の部分の長さ（本出願においてヨーク長と言う。）によって決まる。従って、磁路長を短くするには、ヨーク長を短くすることが有効である。ヨーク長を短くするには、薄膜コイルの巻線のピッチ、特に巻線のうち、連結部と媒体対向面との間に配置される部分のピッチを小さくすることが有効である。
【０００８】
従来、薄膜コイルの巻線のピッチを小さくする技術としては、下部磁極層に凹部を形成し、この凹部内に薄膜コイルを配置する技術が知られている（特許文献１参照。）。
【０００９】
特許文献１に記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法では、下部磁極層、上部磁極層および薄膜コイルは、以下の手順で形成される。まず、所定の形状にパターニングされた下部磁極層を形成する。次に、この下部磁極層の上に記録ギャップ層と磁性層を順に形成する。磁性層の一部は下部磁極層に連結される。次に、磁性層の上において、上部磁極層の磁極部分を形成すべき位置、および連結部を形成すべき位置に、マスクを形成する。次に、このマスクを用いて、磁性層、記録ギャップ層および下部磁極層をエッチングする。これにより、エッチング後の磁性層によって、上部磁極層の磁極部分となる磁極部分層と、連結部となる連結層とが形成される。また、上記エッチングにより、上部磁極層の磁極部分、記録ギャップ層および下部磁極層の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形成されたトリム（Ｔｒｉｍ）構造が形成される。更に、上記エッチングにより、下部磁極層に、薄膜コイルを配置するための凹部が形成される。次に、全体に絶縁膜を形成した後、めっき法によって、上記凹部内における絶縁膜の上に薄膜コイルを形成する。次に、全体に厚い絶縁層を形成した後、この絶縁層の上面を平坦化して、上部磁極層の磁極部分層と連結層とを露出させる。次に、この平坦化された面の上に、磁極部分層と連結層とを連結するように上部磁極層のヨーク部分層を形成する。
【００１０】
また、特許文献１に記載された薄膜磁気ヘッドでは、連結部の媒体対向面側の端部は、媒体対向面に平行に直線的に延びる部分を有している。
【００１１】
【特許文献１】
米国特許第６，０４３，９５９号明細書（第５−１０欄、図７−１０、図１８Ａ−１８Ｖ）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献１に記載されているような従来の薄膜磁気ヘッドでは、連結部の媒体対向面側の端部が、媒体対向面に平行に直線的に延びる部分を有している。また、この薄膜磁気ヘッドにおいて、薄膜コイルは、連結部と媒体対向面との間に配置され、媒体対向面に平行に直線的に延びる複数の導体部分（以下、直線的導体部分と言う。）を有している。この薄膜磁気ヘッドにおいて、ヨーク長を短くしようとすると、上記直線的導体部分の幅を小さくせざるを得ない。この直線的導体部分が長いと薄膜コイル全体の抵抗値が大きくなり、直線的導体部分が短いと薄膜コイル全体の抵抗値が小さくなる。
【００１３】
前述のように、薄膜磁気ヘッドにおいて、高周波帯域における記録特性を向上させるためにはヨーク長を短くすることが望ましく、そのためには、薄膜コイルの巻線のうち、連結部と媒体対向面との間に配置される部分のピッチを小さくすることが有効である。しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッドでは、上記ピッチを小さくすると、直線的導体部分の幅が小さくなり、直線的導体部分の抵抗値が増大する。また、従来の薄膜磁気ヘッドでは、直線的導体部分が比較的長いため、この直線的導体部分の抵抗値が、薄膜コイル全体の抵抗値のかなりの部分、例えば６０〜７０％を占める。これらのことから、従来の薄膜磁気ヘッドでは、高周波帯域における記録特性を向上させるためにヨーク長を短くすると、薄膜コイルの抵抗値が増大するという問題点があった。
【００１４】
また、薄膜磁気ヘッドの記録特性を向上させるためには、薄膜コイルのターン数を多くすることも望ましい。しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッドでは、上述のようにヨーク長を短くした上で、薄膜コイルのターン数を多くすると、直線的導体部分の幅がより小さくなり、直線的導体部分の抵抗値および薄膜コイル全体の抵抗値がさらに増大する。
【００１５】
薄膜コイルの抵抗値が増大すると、薄膜コイルが発生する熱によって磁極部分が記録媒体に近づくように突出し、磁極部分が記録媒体に衝突しやすくなるという問題が発生する。
【００１６】
従って、従来の薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイルの抵抗値が増大することによる問題を避けるために、ヨーク長をあまり短くすることができなかった。
【００１７】
また、前述のように、薄膜磁気ヘッドの記録特性を向上させるためには、薄膜コイルのターン数を多くすることも望ましい。しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイルの巻線のうち、外周に近いターンほど、直線的導体部分が長くなる。そのため、薄膜コイルのターン数を多くするほど、薄膜コイルの抵抗値が大きくなると共に、薄膜コイルが配置される領域の面積が増える。この面積が増えると、薄膜磁気ヘッドの小型化が困難になる。
【００１８】
また、従来の薄膜磁気ヘッドでは、ヨーク長を短するためには、直線的導体部分の幅を小さくする必要がある。しかしながら、直線的導体部分の幅が小さくなってくると、以下で説明するように、直線的導体部分を精度よく形成することが困難になってくる。
【００１９】
すなわち、通常、薄膜コイルは、フレームめっき法を用いて、以下の手順で形成される。まず、フォトリソグラフィによってフォトレジストよりなるフレームを形成する。次に、このフレームを覆うように薄い電極膜を形成する。次に、この電極膜に電流を流して電気めっきによって薄膜コイルを形成する。下部磁極層の凹部内に薄膜コイルを形成する場合には、凹凸のある下部磁極層の上にフレームを形成しなければならない。しかしながら、このような凹凸のある下地の上にフォトリソグラフィによってフレームを形成する場合には、フォトリソグラフィにおける露光時に、露光用の光が、凹部の側壁部における電極膜で反射する。そして、この反射光によってもフォトレジストが感光する。そのため、凹凸のある下地の上にフォトリソグラフィによって微細なフレームを正確に形成することは難しい。
【００２０】
従って、例えば、下部磁極層の凹部内に、直線的導体部分の幅が０．３μｍ以下あるいは直線的導体部分のピッチが０．５μｍ以下で、厚みが１．５μｍ以上の薄膜コイルを、現在のフォトリソグラフィ技術によって形成する場合には、薄膜コイルの歩留りが大変悪くなり、実質的には、そのようなコイルを形成することが困難である。
【００２１】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、磁路長が短いことによって高周波帯域における記録特性に優れ、且つ薄膜コイルの抵抗値の小さい薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁極層と、
媒体対向面から離れた位置に配置され、第１の磁極層の一部と第２の磁極層の一部の少なくとも一方を含み、第１の磁極層と第２の磁極層とを磁気的に連結する連結部と、
第１の磁極層の磁極部分と第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
連結部の回りに配置され、且つ少なくとも一部が第１および第２の磁極層の間に、第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えている。
【００２３】
本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、薄膜コイルは、２以下のターン数の平面的な導電層を有している。これにより、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、磁路長を短くしながら、薄膜コイルの抵抗値を小さくすることが可能になる。
【００２４】
本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、連結部は媒体対向面側に向く端面を有し、この端面は媒体対向面側に突出する曲面を含んでいてもよい。この場合、連結部の端面は、円柱面の一部の形状を有していてもよい。
【００２５】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、導電層は、連結部の端面と媒体対向面との間に配置された１つの部分を含み、この部分は、連結部の端面と媒体対向面とを最短で結ぶ仮想の線上の位置において導電層中で最も小さく、仮想の線から離れるに従って大きくなる幅を有していてもよい。この場合、導電層の前記部分における内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状であり、導電層の前記部分における外周側の側部の形状は、第１の曲率半径よりも大きな第２の曲率半径の円弧状であってもよい。あるいは、導電層の前記部分における内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状であり、導電層の前記部分における外周側の側部は、仮想の線上の位置を含む所定の領域に配置された直線部分と、この直線部分の各端に接続され、第１の曲率半径よりも大きな第２の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいてもよい。
【００２６】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、導電層は、連結部の端面と媒体対向面との間に配置された第１の部分と第２の部分とを含み、第２の部分は第１の部分の外側に配置され、第１の部分と第２の部分のうちの少なくとも第１の部分は、連結部の端面と媒体対向面とを最短で結ぶ仮想の線上の位置において導電層中で最も小さく、仮想の線から離れるに従って大きくなる幅を有していてもよい。
【００２７】
第１の部分における内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状であり、第１の部分における外周側の側部の形状は、第１の曲率半径よりも大きな第２の曲率半径の円弧状であり、第２の部分における内周側の側部の形状は、第２の曲率半径よりも大きな第３の曲率半径の円弧状であり、第２の部分における外周側の側部の形状は、第３の曲率半径よりも大きな第４の曲率半径の円弧状であってもよい。
【００２８】
あるいは、第１の部分における内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状であり、第１の部分における外周側の側部の形状は、第１の曲率半径よりも大きな第２の曲率半径の円弧状であり、第２の部分における内周側の側部の形状は、第２の曲率半径よりも大きな第３の曲率半径の円弧状であり、第２の部分における外周側の側部は、仮想の線上の位置を含む所定の領域に配置された直線部分と、この直線部分の各端に接続され、第３の曲率半径よりも大きい第４の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいてもよい。
【００２９】
あるいは、第１の部分における内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状であり、第１の部分における外周側の側部は、仮想の線上の位置を含む所定の領域に配置された第１の直線部分と、この第１の直線部分の各端に接続され、第１の曲率半径よりも大きい第２の曲率半径の２つの円弧状部分とを含み、第２の部分における内周側の側部は、仮想の線上の位置を含む所定の領域に配置された第２の直線部分と、この第２の直線部分の各端に接続され、第２の曲率半径よりも大きい第３の曲率半径の２つの円弧状部分とを含み、第２の部分における外周側の側部は、仮想の線上の位置を含む所定の領域に配置された第３の直線部分と、この第３の直線部分の各端に接続され、第３の曲率半径よりも大きい第４の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいてもよい。第２の直線部分の長さは第１の直線部分の長さ以上で、第３の直線部分は第２の直線部分よりも長くてもよい。
【００３０】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、薄膜コイルは、複数の導電層を有し、この複数の導電層は、積層され互いに電気的に接続されていてもよい。複数の導電層は、最下層の導電層と、最上層の導電層と、それらの間に配置された１以上の中間導電層とを含み、最下層の導電層は、その上方に配置された中間導電層に接続される１つの接続部を有し、最上層の導電層は、その下方に配置された中間導電層に接続される１つの接続部を有し、中間導電層は、その下方および上方に配置された他の２つの導電層に接続される２つの接続部を有していてもよい。最下層の導電層、最上層の導電層および中間導電層における各接続部は、連結部よりも媒体対向面から遠い２つの位置のいずれかに配置されていてもよい。連結部の中心と各接続部が配置される２つの位置は一直線上に並んでいてもよい。
【００３１】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、第１の磁極層は、薄膜コイルに対向する位置に配置された第１の層と、媒体対向面の近傍において第１の層に接続された第２の層と、連結部の少なくとも一部を含み第１の層に接続された第３の層とを有し、導電層の一部は、第２の層と第３の層との間に配置されていてもよい。この場合、第２の磁極層は平坦な層であってもよい。
【００３２】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によって製造される薄膜磁気ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁極層と、
媒体対向面から離れた位置に配置され、第１の磁極層の一部と第２の磁極層の一部の少なくとも一方を含み、第１の磁極層と第２の磁極層とを磁気的に連結する連結部と、
第１の磁極層の磁極部分と第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
連結部の回りに配置され、且つ少なくとも一部が第１および第２の磁極層の間に、第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えている。
【００３３】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
第１の磁極層を形成する工程と、
第１の磁極層の上に薄膜コイルを形成する工程と、
第１の磁極層の磁極部分の上にギャップ層を形成する工程と、
ギャップ層および薄膜コイルの上に第２の磁極層を形成する工程とを備えている。
【００３４】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、第１の磁極層を形成する工程または第２の磁極層を形成する工程は、連結部を形成する工程を含み、薄膜コイルは、２以下のターン数の平面的な導電層を有する。これにより、薄膜磁気ヘッドにおいて、磁路長を短くしながら、薄膜コイルの抵抗値を小さくすることが可能になる。
【００３５】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、連結部は媒体対向面側に向く端面を有し、この端面は媒体対向面側に突出する曲面を含んでいてもよい。この場合、導電層は、連結部の端面と媒体対向面との間に配置された１つの部分を含み、この部分は、連結部の端面と媒体対向面とを最短で結ぶ仮想の線上の位置において導電層中で最も小さく、仮想の線から離れるに従って大きくなる幅を有していてもよい。あるいは、導電層は、連結部の端面と媒体対向面との間に配置された第１の部分と第２の部分とを含み、第２の部分は第１の部分の外側に配置され、第１の部分と第２の部分のうちの少なくとも第１の部分は、連結部の端面と媒体対向面とを最短で結ぶ仮想の線上の位置において導電層中で最も小さく、仮想の線から離れるに従って大きくなる幅を有していてもよい。
【００３６】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、薄膜コイルは、複数の導電層を有し、薄膜コイルを形成する工程は、積層され互いに電気的に接続されるように複数の導電層を形成してもよい。
【００３７】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、第１の磁極層を形成する工程は、薄膜コイルに対向する位置に配置された第１の層と、媒体対向面の近傍において第１の層に接続された第２の層と、連結部の少なくとも一部を含み第１の層に接続された第３の層とを形成し、薄膜コイルを形成する工程は、導電層の一部を、第２の層と第３の層との間に配置してもよい。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
まず、図１ないし図２０を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。なお、図１ないし図１４において、（ａ）はエアベアリング面および基板の上面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。図１５は、オーバーコート層を除いた状態における本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを示す斜視図である。図１６ないし図２０は、本実施の形態における薄膜コイルの形成方法を説明するための平面図である。
【００３９】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、図１に示したように、例えばアルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）よりなる絶縁層２を、約１〜３μｍの厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）よりなる再生ヘッド用の下部シールド層３を、約２〜３μｍの厚みで形成する。下部シールド層３は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層を、例えば３〜４μｍの厚みで形成し、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、下部シールド層３が露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【００４０】
次に、下部シールド層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みで形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、磁気的信号検出用のＭＲ素子５を、数十ｎｍの厚みで形成する。ＭＲ素子５は、例えば、スパッタ法によって形成したＭＲ膜を選択的にエッチングすることによって形成する。また、ＭＲ素子５は、後述するエアベアリング面が形成される位置の近傍に配置される。なお、ＭＲ素子５には、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。次に、図示しないが、下部シールドギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される一対の電極層を、数十ｎｍの厚みで形成する。次に、下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶縁膜としての上部シールドギャップ膜７を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みで形成し、ＭＲ素子５をシールドギャップ膜４，７内に埋設する。シールドギャップ膜４，７に使用する絶縁材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。また、シールドギャップ膜４，７は、スパッタ法によって形成してもよいし、化学的気相成長（以下、ＣＶＤと記す。）法によって形成してもよい。
【００４１】
次に、上部シールドギャップ膜７の上に、磁性材料よりなる、再生ヘッド用の上部シールド層８を、約１．０〜１．５μｍの厚みで、選択的に形成する。次に、ここまでの工程で得られた積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層９を、約０．１５〜０．３μｍの厚みで形成する。次に、積層体の上面全体の上に、下部磁極層１０の第１の層１０ａを、約０．４〜０．８μｍの厚みで形成する。下部磁極層１０は、第１の層１０ａと、後述する第２ないし第５の層１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅとを含む。
【００４２】
第１の層１０ａは、例えば、材料としてＦｅＡｌＮ、ＦｅＮ、ＦｅＣｏ、ＣｏＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ等の高飽和磁束密度材料を用いて、スパッタ法によって形成する。なお、第１の層１０ａは、材料としてＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）、ＦｅＣｏ（Ｆｅ：６７重量％，Ｃｏ：３３重量％）等を用いて、めっき法によって形成してもよい。
【００４３】
次に、図２に示したように、第１の層１０ａの上に、例えばアルミナよりなる絶縁膜１１を、０．２μｍの厚みで形成する。次に、絶縁膜１１を選択的にエッチングして、第２の層１０ｂと第３の層１０ｃを形成すべき位置において、絶縁膜１１に開口部を形成する。
【００４４】
次に、絶縁膜１１の上に、薄膜コイルの第１層部分２１を形成する。ここで、第１層部分２１の形成方法の３つの例について説明する。
【００４５】
第１の例では、スパッタ法によって、積層体の上面全体の上に、例えばＣｕよりなる導電膜を、２００〜３５０ｎｍの厚みで形成する。次に、フォトリソグラフィによって、第１層部分２１を形成すべき領域において、導電膜の上に、フォトレジストよりなるエッチングマスクを形成する。次に、上記エッチングマスクを用い、例えばイオンビームエッチングによって導電膜をエッチングする。これにより、残った導電膜によって第１層部分２１が形成される。
【００４６】
第２の例では、例えば２層レジスト膜をパターニングして、積層体の上に、断面がＴ形のリフトオフ用マスクを形成する。このマスクは、第１層部分２１を形成すべき領域以外の領域に配置される。次に、スパッタ法によって、積層体の上面全体の上に、例えばＣｕよりなる導電膜を形成する。次に、マスクをリフトオフする。これにより、残った導電膜によって第１層部分２１が形成される。
【００４７】
第３の例では、スパッタ法によって、積層体の上面全体の上に、例えばＣｕよりなる電極膜を、例えば５０ｎｍの厚みで形成する。次に、フォトリソグラフィによって、電極膜の上に、フォトレジストよりなるフレームを形成する。このフレームは、第１層部分２１を形成すべき領域において開口している。次に、電極膜に電流を流して電気めっきを行って、例えばＣｕよりなるめっき層を、３００〜４００ｎｍの厚みで形成する。次に、フレームを除去した後、めっき層をマスクとして、例えばイオンビームエッチングによって電極膜をエッチングする。これにより、電極膜のうち、めっき層の下に存在する部分以外の部分が除去されると共に、めっき層の厚みが２５０〜３５０ｎｍとなるように調整される。残った電極膜およびめっき層によって第１層部分２１が形成される。
【００４８】
なお、第１または第２の例のように第１層部分２１をスパッタ法によって形成する場合には、第３の例のように第１層部分２１をめっき法によって形成する場合に比べて、第１層部分２１の面積抵抗を小さくすることができる。第１または第２の例によって形成される、Ｃｕよりなる第１層部分２１の面積抵抗は、例えば１．７Ω／□である。第３の例によって形成される、Ｃｕよりなる第１層部分２１の面積抵抗は、例えば１．８〜２．０Ω／□である。
【００４９】
図１６は、第１層部分２１を示す平面図である。なお、図１６には、後に形成される第２の層１０ｂ、第３の層１０ｃ、上部磁極層２８およびエアベアリング面３０も示している。第１層部分２１は、１ターンの平面的な導電層である。第１層部分２１は、その一方の端部近傍の部分であって、後に形成される薄膜コイルの第２層部分２２に接続される接続部２１Ｅを有している。接続部２１Ｅは、第３の層１０ｃよりもエアベアリング面３０から遠い第１の位置に配置されている。第１層部分２１の他方の端部は、後述する１つの電極用パッドに接続されるようになっている。
【００５０】
次に、スパッタ法またはＣＶＤ法によって、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁膜１２を、８０〜１２０ｎｍの厚みで形成する。次に、例えばイオンビームエッチングまたは反応性イオンエッチング（以下、ＲＩＥと記す。）によって、絶縁膜１２のうち、第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｃを配置すべき領域に対応する部分と、接続部２１Ｅの上に存在する部分とを選択的に除去する。これにより、接続部２１Ｅの上にはコンタクトホールが形成される。
【００５１】
次に、図３に示したように、絶縁膜１２の上に第２層部分２２を形成する。図１７は、第２層部分２２を示す平面図である。なお、図１７には、後に形成される第２の層１０ｂ、第３の層１０ｃ、上部磁極層２８およびエアベアリング面３０も示している。第２層部分２２は、１ターンの平面的な導電層である。第２層部分２２の形成方法は、第１層部分２１と同様である。第２層部分２２は、その一方の端部近傍の部分であって、コンタクトホールを通して第１層部分２１の接続部２１Ｅに接続された接続部２２Ｓと、他方の端部近傍の部分であって、後に形成される薄膜コイルの第３層部分２３に接続される接続部２２Ｅとを有している。接続部２２Ｅは、第３の層１０ｃよりもエアベアリング面３０から遠い位置であって、図１６に示した接続部２１Ｅよりもエアベアリング面３０から遠い第２の位置に配置されている。図１７に示したように、第３の層１０ｃの中心と、接続部２１Ｅ，２２Ｅの各中心は、エアベアリング面３０に垂直な直線４２上に並ぶように配置されている。なお、接続部２１Ｅは、接続部２２Ｓの下に存在している。
【００５２】
次に、絶縁膜１２と同様の形成方法によって絶縁膜１３を形成する。次に、例えばイオンビームエッチングまたはＲＩＥによって、絶縁膜１３のうち、第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｃを配置すべき領域に対応する部分と、接続部２２Ｅの上に存在する部分とを選択的に除去する。これにより、接続部２２Ｅの上にはコンタクトホールが形成される。
【００５３】
次に、図４に示したように、絶縁膜１３の上に第３層部分２３を形成する。図１８は、第３層部分２３を示す平面図である。なお、図１８には、後に形成される第２の層１０ｂ、第３の層１０ｃ、上部磁極層２８およびエアベアリング面３０も示している。第３層部分２３は、１ターンの平面的な導電層である。第３層部分２３の形成方法は、第１層部分２１と同様である。第３層部分２３は、その一方の端部近傍の部分であって、コンタクトホールを通して第２層部分２２の接続部２２Ｅに接続された接続部２３Ｓと、他方の端部近傍の部分であって、後に形成される薄膜コイルの第４層部分２４に接続される接続部２３Ｅとを有している。接続部２３Ｅは、絶縁膜１３を介して、接続部２２Ｓの上に配置される。
【００５４】
以下、絶縁膜１３の形成および第３層部分２３の形成と同様の工程を繰り返し、所望の数の導電層を含む薄膜コイル４０を完成させる。図５には、５つの導電層を含む薄膜コイル４０を形成した例を示している。この例では、第３層部分２３の上に、絶縁膜１４、第４層部分２４、絶縁膜１５および第５層部分２５が順に積層されている。図２０は、この例における第５層部分２５を示す平面図である。なお、図２０には、後に形成される第２の層１０ｂ、第３の層１０ｃ、上部磁極層２８およびエアベアリング面３０も示している。
【００５５】
図５および図２０に示した例では、絶縁膜１４には、接続部２３Ｅの上の位置にコンタクトホールが形成されている。第４層部分２４は、１ターンの平面的な導電層である。第４層部分２４は、その一方の端部近傍の部分であって、コンタクトホールを通して第３層部分２３の接続部２３Ｅに接続された接続部２４Ｓと、他方の端部近傍の部分であって、第５層部分２５に接続される接続部２４Ｅとを有している。接続部２４Ｅは、絶縁膜１４を介して、接続部２３Ｓの上に配置される。絶縁膜１５には、接続部２４Ｅの上の位置にコンタクトホールが形成されている。第５層部分２５は、１ターンの平面的な導電層である。第５層部分２５は、その一方の端部近傍の部分であって、コンタクトホールを通して第４層部分２４の接続部２４Ｅに接続された接続部２５Ｓを有している。第５層部分２５の他方の端部は、後述する１つの電極用パッドに接続されるようになっている。図５および図２０に示した例では、薄膜コイル４０は、第１層部分２１から第５層部分２５までの５つの導電層を含んでいる。第１層部分２１ないし第５層部分２５は、互いに直列に電気的に接続されている。従って、薄膜コイル４０のターン数は５である。
【００５６】
図１９は、薄膜コイル４０が４つの導電層を含む例における第４層部分２４を示す平面図である。なお、図１９には、後に形成される第２の層１０ｂ、第３の層１０ｃ、上部磁極層２８およびエアベアリング面３０も示している。この例では、第４層部分２４は、その一方の端部近傍の部分であって、コンタクトホールを通して第３層部分２３の接続部２３Ｅに接続された接続部２４Ｓを有している。第４層部分２４の他方の端部は、後述する１つの電極用パッドに接続されるようになっている。図１９に示した例では、薄膜コイル４０は、第１層部分２１から第４層部分２４までの４つの導電層を含んでいる。第１層部分２１ないし第４層部分２４は、互いに直列に電気的に接続されている。従って、図１９に示した例における薄膜コイル４０のターン数は４である。
【００５７】
なお、図１６ないし図２０には、第１層部分２１における電極用パッド側の端部から、第４層部分２４または第５層部分２５における電極用パッド側の端部にかけて時計回り方向に回る形状の薄膜コイル４０を示したが、薄膜コイル４０はこれとは逆方向に回る形状のものであってもよい。
【００５８】
以下、薄膜コイル４０が第１層部分２１から第５層部分２５までの５つの導電層を含む場合を例に取って、薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明を続ける。薄膜コイル４０が形成されたら、次に、図示しないが、フォトリソグラフィによって、積層体の上に、フレームめっき法によって第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｃを形成するためのフレームを形成する。
【００５９】
次に、図５に示したように、電気めっきを行って、第１の層１０ａの上に、それぞれ磁性材料よりなる第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｃを、それぞれ例えば３μｍの厚みで形成する。第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｃの材料としては、例えばＣｏＮｉＦｅやＦｅＣｏが用いられる。また、第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｃを、例えばＣｏＮｉＦｅ層とＦｅＣｏ層の２層で構成してもよい。本実施の形態では、第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｃをめっき法によって形成する際に、特別な電極膜を設けずに、パターニングされていない第１の層１０ａをめっき用の電極およびシード層として用いる。
【００６０】
第２の層１０ｂは、後述するエアベアリング面３０が形成される位置の近傍に配置される。第３の層１０ｃは、第１の層１０ａと後述する上部磁極層２８とを接続するための部分であり、薄膜コイル４０（第１層部分２１ないし第５層部分２５）の中心の近傍の位置に配置される。
【００６１】
次に、図６に示したように、薄膜コイル４０、第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｃを覆うようにフォトレジスト層１６を形成する。次に、このフォトレジスト層１６をマスクとして、例えばイオンビームエッチングによって、第１の層１０ａを選択的にエッチングして、第１の層１０ａをパターニングする。
【００６２】
次に、図７に示したように、フォトレジスト層１６を除去した後、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁層１７を、３．０〜４．０μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｃが露出し、且つ第２の層１０ｂ、第３の層１０ｃおよび絶縁層１７の上面が平坦化されるように、絶縁層１７を研磨する。また、この研磨によって、第２の層１０ｂの厚みを、２．０〜３．０μｍになるように調整する。
【００６３】
次に、図８に示したように、積層体の上面全体を覆うように、磁性材料よりなる磁性層１８を、０．８〜１．０μｍの厚みで形成する。磁性層１８は、例えば、材料としてＦｅＡｌＮ、ＦｅＮ、ＦｅＣｏ、ＣｏＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ等の高飽和磁束密度材料を用いて、スパッタ法によって形成する。なお、磁性層１８は、材料としてＣｏＮｉＦｅ（Ｃｏ：１０重量％，Ｎｉ：２０重量％，Ｆｅ：７０重量％）、ＦｅＣｏ（Ｆｅ：６７重量％，Ｃｏ：３３重量％）等を用いて、めっき法によって形成してもよい。
【００６４】
次に、磁性層１８の上であって、第２の層１０ｂに対応する部分および第３の層１０ｃに対応する部分に、それぞれ、エッチングマスク１９ａ，１９ｂを、例えば１．０μｍの厚みで形成する。エッチングマスク１９ａ，１９ｂは、例えば、材料としてＮｉＦｅを用いて、フレームめっき法によって形成される。
【００６５】
次に、図９に示したように、上記エッチングマスクを用い、例えば、ハロゲン系ガスを用いたＲＩＥによって、磁性層１８をエッチングする。ハロゲン系ガスとしては、例えば、Ｃｌ２とＢＣｌ３の少なくとも一方を含むガスを用いることができる。エッチング後にエッチングマスク１９ａ，１９ｂの下に残った磁性層１８によって、第４の層１０ｄおよび第５の層１０ｅが形成される。第４の層１０ｄは第２の層１０ｂの上に配置され、第５の層１０ｅは第３の層１０ｃの上に配置される。
【００６６】
本実施の形態において、ＲＩＥを用いた磁性層１８のエッチングの後に、ＲＩＥが行われた領域の少なくとも一部、例えば領域全体を、例えばイオンビームエッチングによってわずかにエッチングしてもよい。このエッチングは、例えば、イオンビームの進行方向が第４の層１０ｄの上面に垂直な方向に対してなす角度が４０〜７５°となるようにして、数分間、行われる。このエッチングにより、以下のような効果が得られる。まず、ＲＩＥが行われた領域に存在するエッチング残渣が除去されるので、この領域の表面を綺麗にすることができる。また、ＲＩＥによって形成された側壁部がわずかにエッチングされるので、これらの側壁部の表面を綺麗にすることができると共に、ＲＩＥの際にこれらの側壁に付着した塩素分子等のハロゲン系ガスの分子を除去して、側壁部の腐食を防止することができる。
【００６７】
更に、図９に示したように、第４の層１０ｄの側壁部と第４の層１０ｄの下地の上面とのなす角度が９０°よりも小さくなるように、第４の層１０ｄの側壁部が斜面になる。これにより、下部磁極層１０を通過する磁束を、途中で飽和することを防止しながら、後述する記録ギャップ層の近傍まで導くことができる。
【００６８】
次に、図１０に示したように、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁層２０を、１〜２μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、絶縁層２０を研磨する。この研磨は、エッチングマスク１９ａ，１９ｂが除去され、且つ第４の層１０ｄ、第５の層１０ｅおよび絶縁層２０の上面が平坦化されるように行われる。また、この研磨によって、第４の層１０ｄおよび第５の層１０ｅの厚みを、０．５〜１．０μｍになるように調整する。
【００６９】
第４の層１０ｄのエアベアリング面から遠い端部は、記録ヘッドのスロートハイトを決定する。スロートハイトとは、２つの磁極層が記録ギャップ層を介して対向する部分、すなわち磁極部分の、エアベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。
【００７０】
また、第３の層１０ｃおよび第５の層１０ｅは、下部磁極層１０と上部磁極層２８とを磁気的に連結する連結部３１を構成する。
【００７１】
次に、図１１に示したように、積層体の上面全体を覆うように、記録ギャップ層２６を、０．０６〜０．１μｍの厚みで形成する。記録ギャップ層２６の材料は、アルミナ等の絶縁材料でもよいし、非磁性金属材料または非磁性金属化合物材料でもよい。非磁性金属材料は、高融点金属材料であってもよい。非磁性金属材料または非磁性金属化合物材料としては、例えば、ＮｉＣｕ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、ＮｉＳｉ２、ＭｏＳｉ２、ＷＳｉ２を用いることができる。次に、記録ギャップ層２６のうち、第５の層１０ｅの上に存在する部分を選択的にエッチングする。
【００７２】
次に、積層体の上面全体を覆うように、磁性材料よりなる磁性層２７を、０．５〜１．２μｍの厚みで形成する。磁性層２７は、例えば、材料としてＦｅＡｌＮ、ＦｅＮ、ＦｅＣｏ、ＣｏＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ等の高飽和磁束密度材料を用いて、スパッタ法によって形成する。なお、磁性層２７は、材料としてＣｏＮｉＦｅ（Ｃｏ：１０重量％，Ｎｉ：２０重量％，Ｆｅ：７０重量％）、ＦｅＣｏ（Ｆｅ：６７重量％，Ｃｏ：３３重量％）等を用いて、めっき法によって形成してもよい。磁性層２７は、第５の層１０ｅに接続される。
【００７３】
次に、例えばフレームめっき法によって、磁性層２７の上に、後述する上部磁極層２８の第２の層２８ｂを、例えば１〜２μｍの厚みで形成する。第２の層２８ｂは、磁性層２７を構成する材料とは異なる金属磁性材料、例えばＮｉＦｅによって形成される。第２の層２８ｂは、第４の層１０ｄに対応する位置から第５の層１０ｅに対応する位置にかけて配置される。
【００７４】
次に、図１２に示したように、第２の層２８ｂをエッチングマスクとして、ＲＩＥによって、磁性層２７を選択的にエッチングする。これにより、エッチング後に残った磁性層２７によって、上部磁極層２８の第１の層２８ａが形成される。第１の層２８ａは第２の層２８ｂの下に配置される。上記ＲＩＥは、例えばハロゲン系ガスを用いて行われる。ハロゲン系ガスとしては、例えば、Ｃｌ２とＢＣｌ３の少なくとも一方を含むガスを用いることができる。エッチング時における磁性層２７の温度は、５０〜３００℃範囲内の温度とすることが好ましく、２００〜２５０℃の範囲内の温度とすることが特に好ましい。このような高い温度でＲＩＥを行うことにより、エッチングマスクの材料にＮｉＦｅ等のＮｉを含む材料を用いた場合に、エッチングマスクより分離したＮｉ分子が磁性層２７の側壁に付着することを防止することができる。
【００７５】
上部磁極層２８は、記録ギャップ層２６に接する第１の層２８ａと、この第１の層２８ａの上に配置された第２の層２８ｂとを有している。図１５ないし図２０に示したように、上部磁極層２８は、エアベアリング面３０に配置される一端部とエアベアリング面３０から離れた位置に配置される他端部とを有するトラック幅規定部２８Ａと、このトラック幅規定部２８Ａの他端部に連結されたヨーク部２８Ｂとを含んでいる。ヨーク部２８Ｂの幅は、トラック幅規定部２８Ａとの境界位置ではトラック幅規定部２８Ａの幅と等しく、トラック幅規定部２８Ａから離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。トラック幅規定部２８Ａは、上部磁極層２８における磁極部分であり、記録トラック幅を規定する。
【００７６】
次に、図示しないが、トラック幅規定部２８Ａの周辺部で開口するフォトレジストマスクを形成する。次に、図１３に示したように、上記フォトレジストマスクと上部磁極層２８とをマスクとし、例えば、エッチングガスとしてＣｌ２やＢＣｌ３を用いたＲＩＥによって、トラック幅規定部２８Ａの周辺部における記録ギャップ層２６をエッチングする。
【００７７】
次に、上部磁極層２８、その下の記録ギャップ層２６、および上記フォトレジストマスクをマスクとし、例えばイオンビームエッチングによって、トラック幅規定部２８Ａの周辺部における下部磁極層１０の第４の層１０ｄの一部をエッチングする。このエッチングは、例えば、イオンビームの進行方向が第２の層２８ｂの上面に垂直な方向に対してなす角度が０°となるイオンビームエッチングと、上記角度が４０°〜５０°となるイオンビームエッチングとを組み合わせて行ってもよい。これにより、トラック幅規定部２８Ａの幅を小さくすることができると共に、ＲＩＥによって生じるエッチング残渣を除去することができる。
【００７８】
このようにして、図１３（ｂ）に示したようなトリム構造が形成される。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効的な記録トラック幅の増加を防止することができる。第４の層１０ｄのうち、記録ギャップ層２６を介して上部磁極層２８のトラック幅規定部２８Ａと対向する部分は、下部磁極層１０の磁極部分である。
【００７９】
なお、記録ギャップ層２６が非磁性金属材料または非磁性金属化合物材料によって形成されている場合には、イオンビームエッチングによって、記録ギャップ層２６のエッチングと第４の層１０ｄのエッチングとを行ってもよい。
【００８０】
次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなるオーバーコート層２９を、２０〜４０μｍの厚みで形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない４つの電極用パッドを形成する。４つの電極用パッドのうちの２つは薄膜コイル４０に接続され、残りの２つはＭＲ素子５に接続された一対の電極層に接続される。最後に、図１４に示したように、上記各層を含むスライダの研磨加工を行ってエアベアリング面３０を形成して、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００８１】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面としてのエアベアリング面３０と、再生ヘッドと、記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）とを備えている。
【００８２】
再生ヘッドは、エアベアリング面３０の近傍に配置されたＭＲ素子５と、エアベアリング面３０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層８と、ＭＲ素子５と下部シールド層３との間に配置された下部シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と上部シールド層８との間に配置された上部シールドギャップ膜７とを有している。
【００８３】
記録ヘッドは、エアベアリング面３０側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された下部磁極層１０および上部磁極層２８と、下部磁極層１０の磁極部分と上部磁極層２８の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層２６と、少なくとも一部が下部磁極層１０と上部磁極層２８との間に、これらに対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイル４０とを備えている。本実施の形態における下部磁極層１０、上部磁極層２８は、それぞれ本発明における第１の磁極層、第２の磁極層に対応する。
【００８４】
下部磁極層１０は、薄膜コイル４０に対向する位置に配置された第１の層１０ａと、薄膜コイル４０よりもエアベアリング面３０に近い位置に配置され且つ第１の層１０ａにおける記録ギャップ層２６に近い面に接続された第２の層１０ｂと、一方の面が第２の層１０ｂにおける記録ギャップ層２６に近い面に接続され、他方の面が記録ギャップ層２６に隣接する第４の層１０ｄと、エアベアリング面３０から離れた位置において、第１の層１０ａの上に配置された第３の層１０ｃと、この第３の層１０ｃの上に配置された第５の層１０ｅとを有している。第３の層１０ｃおよび第５の層１０ｅは、下部磁極層１０と上部磁極層２８とを磁気的に連結する連結部３１を構成する。
【００８５】
上部磁極層２８は、共に平坦な第１の層２８ａおよび第２の層２８ｂを有している。また、上部磁極層２８は、エアベアリング面３０に配置される一端部とエアベアリング面３０から離れた位置に配置される他端部とを有するトラック幅規定部２８Ａと、このトラック幅規定部２８Ａの他端部に連結されたヨーク部２８Ｂとを含んでいる。トラック幅規定部２８Ａは、上部磁極層２８における磁極部分であり、記録トラック幅を規定する。
【００８６】
図１４および図１５に示したように、本実施の形態における薄膜コイル４０は、それぞれ１ターンの平面的な導電層からなる第１層部分２１ないし第５層部分２５を有している。第１層部分２１ないし第５層部分２５は、積層され互いに直列に電気的に接続されている。また、第１層部分２１ないし第５層部分２５は、連結部３１を構成する第３の層１０ｃの回りに配置されている。また、第１層部分２１ないし第５層部分２５のそれぞれの一部は、第２の層１０ｂと第３の層１０ｃとの間に配置されている。
【００８７】
第１層部分２１は本発明における最下層の導電層に対応し、第５層部分２５は本発明における最上層の導電層に対応し、第２層部分２２ないし第４層部分２４は本発明における中間導電層に対応する。第１層部分２１は、第２層部分２２に接続される１つの接続部２１Ｅを有している。第２層部分２２は、第１層部分２１の接続部２１Ｅに接続される接続部２２Ｓと、第３層部分２３の接続部２３Ｓに接続される接続部２２Ｅとを有している。同様に、第３層部分２３は、第２層部分２２の接続部２２Ｅに接続される接続部２３Ｓと、第４層部分２４の接続部２４Ｓに接続される接続部２３Ｅとを有している。また、第４層部分２４は、第３層部分２３の接続部２３Ｅに接続される接続部２４Ｓと、第５層部分２５の接続部２５Ｓに接続される接続部２４Ｅとを有している。第５層部分２５は、第４層部分２４の接続部２４Ｅに接続される１つの接続部２５Ｓを有している。
【００８８】
上記の複数の接続部のうち、接続部２１Ｅ，２２Ｓ，２３Ｅ，２４Ｓは、第３の層１０ｃよりもエアベアリング面３０から遠い第１の位置に配置されている。また、接続部２２Ｅ，２３Ｓ，２４Ｅ，２５Ｓは、第３の層１０ｃよりもエアベアリング面３０から遠い位置であって、第１の位置よりもエアベアリング面３０から遠い第２の位置に配置されている。連結部３１の中心と第１の位置と第２の位置は、エアベアリング面３０に垂直な直線４２上に並ぶように配置されている。
【００８９】
次に、本実施の形態における連結部３１および薄膜コイル４０の形状および配置の第１および第２の例について説明する。図２１は第１の例を示す平面図、図２２は第２の例を示す平面図である。なお、図２１および図２２において、符号４１は、薄膜コイル４０における第１層部分２１ないし第５層部分２５を代表して表わす導電層を示している。各例では、連結部３１は、エアベアリング面３０（図示せず）側に向く端面３２を有している。この端面３２は、エアベアリング面３０側に突出する曲面を含んでいる。この端面３２は、例えば、円柱面の一部の形状を有している。
【００９０】
第１の例と第２の例のいずれにおいても、導電層４１は、連結部３１の端面３２とエアベアリング面３０との間に配置された部分４１ａを含んでいる。なお、図２１および図２２において、符号６０で示した領域は、部分４１ａが配置されている領域を表わしている。部分４１ａの内周側の側部は、連結部３１の端面３２に沿うように配置される。また、部分４１ａは、連結部３１の端面３２とエアベアリング面３０とを最短で結ぶ仮想の線５０上の位置において導電層４１中で最も小さく、仮想の線５０から離れるに従って大きくなる幅を有している。導電層４１における最小の幅は、例えば０．５〜１．０μｍである。導電層４１において、上述のように仮想の線５０から離れるに従って幅が大きくなる部分以外の部分では、幅がほぼ一定であり、その幅は例えば２〜５μｍである。
【００９１】
図２１に示した第１の例では、部分４１ａにおける内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状であり、部分４１ａにおける外周側の側部の形状は、第１の曲率半径よりも大きな第２の曲率半径の円弧状である。部分４１ａを含む導電層４１の一部において、内周側の側部および外周側の側部の形状は、いずれも、例えば半円である。ただし、外周側の側部の形状を表す半円の中心は、内周側の側部の形状を表す半円の中心よりも、エアベアリング面３０から離れた位置に配置されている。これにより、上記導電層４１の一部の幅は、仮想の線５０から離れるに従って大きくなる。
【００９２】
図２２に示した第２の例では、部分４１ａにおける内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状である。部分４１ａにおける外周側の側部は、仮想の線５０上の位置を含む所定の領域に配置された直線部分と、この直線部分の各端に接続され、第１の曲率半径よりも大きな第２の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいる。直線部分の両端は、仮想の線５０上の位置から両側にそれぞれ長さＭだけ離れた位置に配置されている。従って、直線部分の長さは２×Ｍである。Ｍは、例えば１〜３μｍである。
【００９３】
部分４１ａを含む導電層４１の一部において、内周側の側部の形状は、例えば半円である。また、部分４１ａを含む導電層４１の一部において、外周側の側部は、直線部分の各端に接続された２つの円弧状部分を含んでいる。これらの円弧状部分の形状は、いずれも、例えば、中心角９０°の円弧である。ただし、この円弧状部分の形状を表す円弧の中心は、導電層４１の一部における内周側の側部の形状を表す半円の中心よりも、エアベアリング面３０から離れた位置に配置されている。これにより、上記導電層４１の一部の幅は、仮想の線５０から離れるに従って大きくなる。
【００９４】
ここで、第１の例と第２の例とを比較する。第１の例では、部分４１ａを含む導電層４１の一部における外周側の側部は半円である。第２の例では、部分４１ａを含む導電層４１の一部における外周側の側部は、直線部分と２つの円弧状部分を含んでいる。第２の例における円弧状部分の曲率半径は、第１の例における半円の半径よりも小さくすることができる。その結果、第２の例では、円弧状部分を、第１の例における外周側の側部よりもエアベアリング面３０側に張り出すように配置することができる。これにより、第２の例によれば、第１の例に比べて、導電層４１の幅を、仮想の線５０から離れるに従って急激に大きくなるように変化させることが可能になり、その結果、導電層４１の抵抗値を小さくすることが可能になる。
【００９５】
次に、図２３ないし図２９を参照して、連結部３１の上面の形状の７つの例について説明する。図２３ないし図２９は、それぞれ連結部３１の平面図である。なお、連結部３１において、上面に平行な任意の断面の形状は、上面の形状と同じである。
【００９６】
図２３に示した第１の例では、連結部３１の上面の形状は円形である。図２４に示した第２の例では、連結部３１の上面の形状は半円である。この例では、半円における弧がエアベアリング面３０側に向く。
【００９７】
図２５に示した第３の例では、連結部３１の上面の形状は、半径ａの半円と、長辺の長さが２ａ、短辺の長さがＷの長方形とを、半円における弦と長方形の１つの長辺とが一致するように結合させた形状になっている。この例では、半円における弧がエアベアリング面３０側に向く。
【００９８】
図２６に示した第４の例では、連結部３１の上面の形状は、図２５に示した形状における２つの角部を丸めた形状になっている。
【００９９】
図２７に示した第５の例では、連結部３１の上面の形状は、弦の長さがｂの弓形（ｓｅｇｍｅｎｔ）と、平行な２辺の長さがｂ、他の平行な２辺の長さがｃの長方形とを、弓形における弦と長方形の長さｂの辺とが一致するように結合させた形状になっている。弓形における弧は、半径ａの円の一部であり、その中心角は１８０°よりも小さい。この例では、弓形における弧がエアベアリング面３０側に向く。
【０１００】
図２８に示した第６の例では、連結部３１の上面の形状は、半径ａ、中心角１８０°の弧Ａ１１と、半径ｅの弧Ａ１２とで囲まれた形状になっている。弧Ａ１２の半径ｅは弧Ａ１１の半径ａよりも大きく、弧Ａ１２の中心角は１８０°よりも小さい。弧Ａ１１と弧Ａ１２は、互いに反対方向に突出するように配置されている。この例では、弧Ａ１１がエアベアリング面３０側に向く。
【０１０１】
図２９に示した第７の例では、連結部３１の上面の形状は、半径ａの半円と、長辺の長さが２ａ、短辺の長さがａの長方形とを、半円における弦と長方形の１つの長辺とが一致するように結合させた形状になっている。この例では、半円における弧がエアベアリング面３０側に向く。
【０１０２】
以上説明したように、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイル４０は、それぞれ１ターンの平面的な導電層４１からなる第１層部分２１ないし第５層部分２５を有している。本実施の形態では、ヨーク長は、薄膜コイル４０全体のターン数にかかわらずに、導電層４１における最小の幅に依存する。導電層４１における最小の幅は、例えば０．５〜１．０μｍである。従って、本実施の形態によれば、導電層４１における最小の幅をあまり小さくすることなく、ヨーク長を短くすることができる。本実施の形態では、ヨーク長を、例えば１〜３μｍのように極めて小さい値にすることができる。これにより、本実施の形態によれば、磁路長を短くしながら、薄膜コイル４０の抵抗値を小さくすることが可能になる。従って、本実施の形態によれば、磁路長が短いことによって高周波帯域における記録特性に優れ、且つ薄膜コイル４０の抵抗値の小さい薄膜磁気ヘッドを実現することができる。
【０１０３】
ところで、連結部のエアベアリング面側の端面がエアベアリング面に平行な平面で、薄膜コイルの導電層のうち、連結部とエアベアリング面との間に配置された部分が一定の幅を有している場合には、ヨーク長を短くしようとすると、連結部とエアベアリング面との間に配置された部分の幅を小さくせざるを得ない。その結果、薄膜コイル全体の抵抗値が大きくなる。
【０１０４】
これに対し、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、連結部３１は、エアベアリング面３０側に向く端面３２を有し、この端面３２はエアベアリング面３０側に突出する曲面を含んでいる。薄膜コイル４０の導電層４１（第１層部分２１ないし第５層部分２５）は、連結部３１の端面３２とエアベアリング面３０との間に配置された部分４１ａを含んでいる。部分４１ａは、連結部３１の端面３２とエアベアリング面３０とを最短で結ぶ仮想の線５０上の位置において導電層４１中で最も小さく、仮想の線５０から離れるに従って大きくなる幅を有している。これにより、本実施の形態によれば、ヨーク長を短く、すなわち磁路長を短くしながら、薄膜コイル４０の抵抗値を小さくすることが可能になる。本実施の形態における薄膜コイル４０によれば、特に導電層４１における最小の幅が１μｍ以下の場合には、導電層の幅が一定の薄膜コイルに比べて、抵抗値を３０〜６０％程度低減することができる。このように、本実施の形態によれば、連結部３１の端面３２の形状と薄膜コイル４０の導電層４１の形状の点からも、高周波帯域における記録特性に優れ、且つ薄膜コイル４０の抵抗値の小さい薄膜磁気ヘッドを実現することができる。
【０１０５】
また、従来の薄膜磁気ヘッドでは、ヨーク長を一定にして薄膜コイルのターン数を増やすと、薄膜コイルの導電層の幅が減少し、薄膜コイルの抵抗値が急激に増加する。これに対し、本実施の形態では、導電層４１の幅を小さくすることなく、積層する導電層４１の数を増やすことで、ヨーク長を一定にしたままで、薄膜コイル４０のターン数を増やすことができる。従って、本実施の形態によれば、薄膜コイル４０のターン数が増加したときの薄膜コイル４０の抵抗値の増加を抑制することができる。これにより、本実施の形態によれば、容易に、薄膜コイル４０のターン数を多くして薄膜磁気ヘッドの記録特性を向上させることが可能になる。
【０１０６】
また、本実施の形態によれば、薄膜コイル４０の抵抗値を小さくすることができることから、薄膜コイル４０が発生する熱によって磁極部分が記録媒体に近づくように突出することを防止することができる。
【０１０７】
また、本実施の形態によれば、薄膜コイル４０が配置される領域の面積を小さくすることができる。従って、本実施の形態によれば、薄膜磁気ヘッドの小型化が可能になる。
【０１０８】
また、図２５ないし図２９に示した連結部３１の上面の形状は、半円または弓形の弦に四角形等の他の形を結合させた形状になっている。連結部３１の上面の形状がこのような形状である場合には、図２４に示したように連結部３１の上面の形状が半円である場合に比べて、連結部３１の上面の面積を減らさずに、連結部３１の幅（図２４ないし図２９における上下方向についての連結部３１の長さ）を小さくすることができる。これにより、導電層４１のうち、連結部３１の端面３２とエアベアリング面３０との間に配置された部分４１ａの長さを短くして、薄膜コイル４０の抵抗値をより小さくすることができる。
【０１０９】
［第２の実施の形態］
次に、図３０ないし図４５を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。なお、図３０ないし図４０において、（ａ）はエアベアリング面および基板の上面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。図４１ないし図４５は、本実施の形態における薄膜コイルの形成方法を説明するための平面図である。
【０１１０】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、図３０に示したように、下部磁極層１０の第１の層１０ａを形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。第１の層１０ａの材料、厚み、形成方法は、第１の実施の形態と同様である。ここでは、一例として、第１の層１０ａを、材料としてＣｏＦｅＮを用いて、スパッタ法によって、０．５μｍの厚みに形成するものとする。本実施の形態では、次に、第１の層１０ａの上に、図示しないフォトレジスト層を形成する。次に、このフォトレジスト層をマスクとして、例えばイオンビームエッチングによって、第１の層１０ａを選択的にエッチングして、第１の層１０ａをパターニングする。
【０１１１】
次に、図３１に示したように、第１の層１０ａの上に、例えばアルミナよりなる絶縁膜７１を、０．２μｍの厚みで形成する。次に、絶縁膜７１を選択的にエッチングして、第２の層１０ｂと第３の層１０ｃを形成すべき位置において、絶縁膜７１に開口部を形成する。
【０１１２】
次に、以下の手順によって、第１の層１０ａの上に第２の層１０ｂと第３の層１０ｃを形成する。まず、積層体の上面全体を覆うように、磁性材料よりなる磁性層を、例えば３μｍの厚みで形成する。磁性層は、例えば、材料としてＦｅＡｌＮ、ＦｅＮ、ＦｅＣｏ、ＣｏＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ等の高飽和磁束密度材料を用いて、スパッタ法によって形成する。なお、磁性層は、材料としてＣｏＮｉＦｅ（Ｃｏ：１０重量％，Ｎｉ：２０重量％，Ｆｅ：７０重量％）、ＦｅＣｏ（Ｆｅ：６７重量％，Ｃｏ：３３重量％）等を用いて、めっき法によって形成してもよい。
【０１１３】
次に、上記磁性層のうちの第２の層１０ｂとなる部分および第３の層１０ｃとなる部分の上に、それぞれ、エッチングマスクを、例えば３μｍの厚みで形成する。エッチングマスクは、例えば、材料としてＮｉＦｅを用いて、フレームめっき法によって形成される。
【０１１４】
次に、上記エッチングマスクを用い、例えば、ハロゲン系ガスを用いたＲＩＥによって、磁性層をエッチングする。これにより、エッチング後に各エッチングマスクの下に残った磁性層によって、第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｃが形成される。ハロゲン系ガスとしては、例えば、Ｃｌ２とＢＣｌ３の少なくとも一方を含むガスを用いることができる。エッチング時における磁性層の温度は、５０〜３００℃範囲内の温度とすることが好ましく、２００〜２５０℃の範囲内の温度とすることが特に好ましい。
【０１１５】
本実施の形態において、ＲＩＥを用いた磁性層のエッチングの後に、ＲＩＥが行われた領域の少なくとも一部、例えば領域全体を、例えばイオンビームエッチングによってわずかにエッチングしてもよい。このエッチングによって、ＲＩＥが行われた領域に存在するエッチング残渣が除去されるので、この領域の表面を綺麗にすることができる。また、上記エッチングによって、ＲＩＥによって形成された側壁部がわずかにエッチングされるので、これらの側壁部の表面を綺麗にすることができると共に、ＲＩＥの際にこれらの側壁に付着した塩素分子等のハロゲン系ガスの分子を除去して、側壁部の腐食を防止することができる。
【０１１６】
次に、絶縁膜７１の上に、薄膜コイルの第１層部分８１を形成する。この第１層部分８１の材料、厚み、形成方法は、第１の実施の形態における第１層部分２１と同様である。
【０１１７】
図４１は、第１層部分８１を示す平面図である。なお、図４１には、後に形成される上部磁極層７９およびエアベアリング面３０も示している。第１層部分８１は、１ターンの平面的な導電層である。第１層部分８１は、その一方の端部近傍の部分であって、後に形成される薄膜コイルの第２層部分８２に接続される接続部８１Ｅを有している。接続部８１Ｅは、第３の層１０ｃよりもエアベアリング面３０から遠い第１の位置に配置されている。第１層部分８１の他方の端部は、後述する１つの電極用パッドに接続されるようになっている。
【０１１８】
次に、スパッタ法またはＣＶＤ法によって、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁膜７２を、８０〜１２０ｎｍの厚みで形成する。次に、例えばイオンビームエッチングまたはＲＩＥによって、絶縁膜７２のうち、第２の層１０ｂ、第３の層１０ｃおよび接続部８１Ｅの上に存在する各部分を選択的に除去する。これにより、接続部８１Ｅの上にはコンタクトホールが形成される。
【０１１９】
次に、図３２に示したように、絶縁膜７２の上に第２層部分８２を形成する。図４２は、第２層部分８２を示す平面図である。なお、図４２には、後に形成される上部磁極層７９およびエアベアリング面３０も示している。第２層部分８２は、１ターンの平面的な導電層である。第２層部分８２の形成方法は、第１層部分８１と同様である。第２層部分８２は、その一方の端部近傍の部分であって、コンタクトホールを通して第１層部分８１の接続部８１Ｅに接続された接続部８２Ｓと、他方の端部近傍の部分であって、後に形成される薄膜コイルの第３層部分８３に接続される接続部８２Ｅとを有している。接続部８２Ｅは、第３の層１０ｃよりもエアベアリング面３０から遠い位置であって、図４１に示した接続部８１Ｅよりもエアベアリング面３０に近い第２の位置に配置されている。図４２に示したように、第３の層１０ｃの中心と、接続部８１Ｅ，８２Ｅの各中心は、エアベアリング面３０に垂直な直線４２上に並ぶように配置されている。なお、接続部８１Ｅは、接続部８２Ｓの下に存在している。
【０１２０】
次に、絶縁膜７２と同様の形成方法によって絶縁膜７３を形成する。次に、例えばイオンビームエッチングまたはＲＩＥによって、絶縁膜７３のうち、第２の層１０ｂ、第３の層１０ｃおよび接続部８２Ｅの上に存在する各部分を選択的に除去する。これにより、接続部８２Ｅの上にはコンタクトホールが形成される。
【０１２１】
次に、図３３に示したように、絶縁膜７３の上に第３層部分８３を形成する。図４３は、第３層部分８３を示す平面図である。なお、図４３には、後に形成される上部磁極層７９およびエアベアリング面３０も示している。第３層部分８３は、１ターンの平面的な導電層である。第３層部分８３の形成方法は、第１層部分８１と同様である。第３層部分８３は、その一方の端部近傍の部分であって、コンタクトホールを通して第２層部分８２の接続部８２Ｅに接続された接続部８３Ｓと、他方の端部近傍の部分であって、後に形成される薄膜コイルの第４層部分８４に接続される接続部８３Ｅとを有している。接続部８３Ｅは、絶縁膜７３を介して、接続部８２Ｓの上に配置される。
【０１２２】
以下、絶縁膜７３の形成および第３層部分８３の形成と同様の工程を繰り返し、所望の数の導電層を含む薄膜コイル８０を完成させる。図３４には、５つの導電層を含む薄膜コイル８０を形成した例を示している。この例では、第３層部分８３の上に、絶縁膜７４、第４層部分８４、絶縁膜７５および第５層部分８５が順に積層されている。図４５は、この例における第５層部分８５を示す平面図である。なお、図４５には、後に形成される上部磁極層７９およびエアベアリング面３０も示している。
【０１２３】
図３４および図４５に示した例では、絶縁膜７４には、接続部８３Ｅの上の位置にコンタクトホールが形成されている。第４層部分８４は、１ターンの平面的な導電層である。第４層部分８４は、その一方の端部近傍の部分であって、コンタクトホールを通して第３層部分８３の接続部８３Ｅに接続された接続部８４Ｓと、他方の端部近傍の部分であって、第５層部分８５に接続される接続部８４Ｅとを有している。接続部８４Ｅは、絶縁膜７４を介して、接続部８３Ｓの上に配置される。絶縁膜７５には、接続部８４Ｅの上の位置にコンタクトホールが形成されている。第５層部分８５は、１ターンの平面的な導電層である。第５層部分８５は、その一方の端部近傍の部分であって、コンタクトホールを通して第４層部分８４の接続部８４Ｅに接続された接続部８５Ｓを有している。第５層部分８５の他方の端部は、後述する１つの電極用パッドに接続されるようになっている。図３４および図４５に示した例では、薄膜コイル８０は、第１層部分８１から第５層部分８５までの５つの導電層を含んでいる。第１層部分８１ないし第５層部分８５は、互いに直列に電気的に接続されている。従って、薄膜コイル８０のターン数は５である。
【０１２４】
図４４は、薄膜コイル８０が４つの導電層を含む例における第４層部分８４を示す平面図である。なお、図４４には、後に形成される上部磁極層７９およびエアベアリング面３０も示している。この例では、第４層部分８４は、その一方の端部近傍の部分であって、コンタクトホールを通して第３層部分８３の接続部８３Ｅに接続された接続部８４Ｓを有している。第４層部分８４の他方の端部は、後述する１つの電極用パッドに接続されるようになっている。図４４に示した例では、薄膜コイル８０は、第１層部分８１から第４層部分８４までの４つの導電層を含んでいる。第１層部分８１ないし第４層部分８４は、互いに直列に電気的に接続されている。従って、図４４に示した例における薄膜コイル８０のターン数は４である。
【０１２５】
なお、図４１ないし図４５には、第１層部分８１における電極用パッド側の端部から、第４層部分８４または第５層部分８５における電極用パッド側の端部にかけて時計回り方向に回る形状の薄膜コイル８０を示したが、薄膜コイル８０はこれとは逆方向に回る形状のものであってもよい。
【０１２６】
以下、薄膜コイル８０が第１層部分８１から第５層部分８５までの５つの導電層を含む場合を例に取って、薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明を続ける。薄膜コイル８０が形成されたら、次に、図３５に示したように、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁層７６を、３．０〜４．０μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｃが露出し、且つ第２の層１０ｂ、第３の層１０ｃおよび絶縁層７６の上面が平坦化されるように、絶縁層７６を研磨する。また、この研磨によって、第２の層１０ｂの厚みを、２．０〜３．０μｍになるように調整する。第２の層１０ｂのエアベアリング面３０から遠い端部は、記録ヘッドのスロートハイトを決定する。また、第３の層１０ｃは、下部磁極層１０と上部磁極層７９とを磁気的に連結する連結部３１を構成する。
【０１２７】
次に、図３６に示したように、積層体の上面全体を覆うように、記録ギャップ層７７を、例えば０．０８μｍの厚みで形成する。記録ギャップ層７７の材料は、アルミナ等の絶縁材料でもよいし、非磁性金属材料または非磁性金属化合物材料でもよい。非磁性金属材料は、高融点金属材料であってもよい。非磁性金属材料または非磁性金属化合物材料としては、例えば、ＮｉＣｕ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、ＮｉＳｉ２、ＭｏＳｉ２、ＷＳｉ２を用いることができる。次に、記録ギャップ層７７のうち、第３の層１０ｃの上に存在する部分を選択的にエッチングする。
【０１２８】
次に、積層体の上面全体を覆うように、磁性材料よりなる磁性層７８を、０．８〜１．５μｍの厚みで形成する。磁性層７８は、例えば、材料としてＦｅＡｌＮ、ＦｅＮ、ＦｅＣｏ、ＣｏＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ等の高飽和磁束密度材料を用いて、スパッタ法によって形成する。なお、磁性層７８は、材料としてＣｏＮｉＦｅ（Ｃｏ：１０重量％，Ｎｉ：２０重量％，Ｆｅ：７０重量％）、ＦｅＣｏ（Ｆｅ：６７重量％，Ｃｏ：３３重量％）等を用いて、めっき法によって形成してもよい。磁性層７８は、第３の層１０ｃに接続される。
【０１２９】
次に、例えばフレームめっき法によって、磁性層７８の上に、後述する上部磁極層７９の第２の層７９ｂを、例えば１．５μｍの厚みで形成する。第２の層７９ｂは、磁性層７８を構成する材料とは異なる金属磁性材料、例えばＮｉＦｅによって形成される。第２の層７９ｂは、第２の層１０ｂに対応する位置から第３の層１０ｃに対応する位置にかけて配置される。
【０１３０】
次に、図３７に示したように、第２の層７９ｂをエッチングマスクとして、ＲＩＥによって、磁性層７８を選択的にエッチングする。これにより、エッチング後に残った磁性層７８によって、上部磁極層７９の第１の層７９ａが形成される。第１の層７９ａは第２の層７９ｂの下に配置される。上記ＲＩＥは、例えばハロゲン系ガスを用いて行われる。ハロゲン系ガスとしては、例えば、Ｃｌ２とＢＣｌ３の少なくとも一方を含むガスを用いることができる。エッチング時における磁性層７８の温度は、５０〜３００℃範囲内の温度とすることが好ましく、２００〜２５０℃の範囲内の温度とすることが特に好ましい。
【０１３１】
本実施の形態において、ＲＩＥを用いた磁性層７８のエッチングの後に、ＲＩＥが行われた領域の少なくとも一部、例えば領域全体を、例えばイオンビームエッチングによってわずかにエッチングしてもよい。このエッチングは、例えば、イオンビームの進行方向が第２の層７９ｂの上面に垂直な方向に対してなす角度が４０〜７５°となるようにして、数分間、行われる。このエッチングにより、以下のような効果が得られる。まず、ＲＩＥが行われた領域に存在するエッチング残渣が除去されるので、この領域の表面を綺麗にすることができる。また、ＲＩＥによって形成された側壁部がわずかにエッチングされるので、これらの側壁部の表面を綺麗にすることができると共に、ＲＩＥの際にこれらの側壁に付着した塩素分子等のハロゲン系ガスの分子を除去して、側壁部の腐食を防止することができる。
【０１３２】
上部磁極層７９は、記録ギャップ層７７に接する第１の層７９ａと、この第１の層７９ａの上に配置された第２の層７９ｂとを有している。図４１ないし図４５に示したように、上部磁極層７９は、エアベアリング面３０に配置される一端部とエアベアリング面３０から離れた位置に配置される他端部とを有するトラック幅規定部７９Ａと、このトラック幅規定部７９Ａの他端部に連結されたヨーク部７９Ｂとを含んでいる。ヨーク部７９Ｂの幅は、トラック幅規定部７９Ａとの境界位置ではトラック幅規定部７９Ａの幅と等しく、トラック幅規定部７９Ａから離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。トラック幅規定部７９Ａは、上部磁極層７９における磁極部分であり、記録トラック幅を規定する。
【０１３３】
次に、図示しないが、トラック幅規定部７９Ａの周辺部で開口するフォトレジストマスクを形成する。次に、図３８に示したように、上記フォトレジストマスクと上部磁極層７９とをマスクとし、例えば、エッチングガスとしてＣｌ２やＢＣｌ３を用いたＲＩＥによって、トラック幅規定部７９Ａの周辺部における記録ギャップ層７７をエッチングする。
【０１３４】
次に、上部磁極層７９、その下の記録ギャップ層７７、および上記フォトレジストマスクをマスクとし、例えばイオンビームエッチングによって、トラック幅規定部７９Ａの周辺部における下部磁極層１０の第２の層１０ｂの一部をエッチングする。このようにして、図３８（ｂ）に示したようなトリム構造が形成される。
【０１３５】
次に、図３９に示したように、イオンビームの進行方向が第２の層７９ｂの上面に垂直な方向に対してなす角度が４０°〜５０°となるイオンビームエッチングによって、トラック幅規定部７９Ａの側壁と、トラック幅規定部７９Ａの下の記録ギャップ層７７および第２の層１０ｂの一部の各側壁とをエッチングする。これにより、トラック幅規定部７９Ａと、その下の記録ギャップ層７７および第２の層１０ｂの一部の幅を小さくすることができると共に、ＲＩＥによって生じるエッチング残渣を除去することができる。第２の層１０ｂのうち、記録ギャップ層７７を介してトラック幅規定部７９Ａと対向する部分は、下部磁極層１０の磁極部分である。
【０１３６】
なお、記録ギャップ層７７が非磁性金属材料または非磁性金属化合物材料によって形成されている場合には、イオンビームエッチングによって、記録ギャップ層７７のエッチングと第２の層１０ｂのエッチングとを行ってもよい。
【０１３７】
次に、図４０に示したように、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなるオーバーコート層９０を、２０〜４０μｍの厚みで形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない４つの電極用パッドを形成する。４つの電極用パッドのうちの２つは薄膜コイル８０に接続され、残りの２つはＭＲ素子５に接続された一対の電極層に接続される。最後に、上記各層を含むスライダの研磨加工を行ってエアベアリング面３０を形成して、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１３８】
本実施の形態において、記録ヘッドは、エアベアリング面３０側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された下部磁極層１０および上部磁極層７９と、下部磁極層１０の磁極部分と上部磁極層７９の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層７７と、少なくとも一部が下部磁極層１０と上部磁極層７９との間に、これらに対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイル８０とを備えている。本実施の形態における下部磁極層１０、上部磁極層７９は、それぞれ本発明における第１の磁極層、第２の磁極層に対応する。
【０１３９】
下部磁極層１０は、薄膜コイル８０に対向する位置に配置された第１の層１０ａと、薄膜コイル８０よりもエアベアリング面３０に近い位置に配置され且つ第１の層１０ａにおける記録ギャップ層７７に近い面に接続された第２の層１０ｂと、エアベアリング面３０から離れた位置において、第１の層１０ａの上に配置された第３の層１０ｃとを有している。第３の層１０ｃは、下部磁極層１０と上部磁極層７９とを磁気的に連結する連結部３１を構成する。
【０１４０】
上部磁極層７９は、共に平坦な第１の層７９ａおよび第２の層７９ｂを有している。また、上部磁極層７９は、エアベアリング面３０に配置される一端部とエアベアリング面３０から離れた位置に配置される他端部とを有するトラック幅規定部７９Ａと、このトラック幅規定部７９Ａの他端部に連結されたヨーク部７９Ｂとを含んでいる。トラック幅規定部７９Ａは、上部磁極層７９における磁極部分であり、記録トラック幅を規定する。
【０１４１】
図４０に示したように、本実施の形態における薄膜コイル８０は、それぞれ１ターンの平面的な導電層からなる第１層部分８１ないし第５層部分８５を有している。第１層部分８１ないし第５層部分８５は、積層され互いに直列に電気的に接続されている。また、第１層部分８１ないし第５層部分８５は、連結部３１を構成する第３の層１０ｃの回りに配置されている。また、第１層部分８１ないし第５層部分８５のそれぞれの一部は、第２の層１０ｂと第３の層１０ｃとの間に配置されている。
【０１４２】
第１層部分８１は本発明における最下層の導電層に対応し、第５層部分８５は本発明における最上層の導電層に対応し、第２層部分８２ないし第４層部分８４は本発明における中間導電層に対応する。第１層部分８１は、第２層部分８２に接続される１つの接続部８１Ｅを有している。第２層部分８２は、第１層部分８１の接続部８１Ｅに接続される接続部８２Ｓと、第３層部分８３の接続部８３Ｓに接続される接続部８２Ｅとを有している。同様に、第３層部分８３は、第２層部分８２の接続部８２Ｅに接続される接続部８３Ｓと、第４層部分８４の接続部８４Ｓに接続される接続部８３Ｅとを有している。また、第４層部分８４は、第３層部分８３の接続部８３Ｅに接続される接続部８４Ｓと、第５層部分８５の接続部８５Ｓに接続される接続部８４Ｅとを有している。第５層部分８５は、第４層部分８４の接続部８４Ｅに接続される１つの接続部８５Ｓを有している。
【０１４３】
上記の複数の接続部のうち、接続部８１Ｅ，８２Ｓ，８３Ｅ，８４Ｓは、第３の層１０ｃよりもエアベアリング面３０から遠い第１の位置に配置されている。また、接続部８２Ｅ，８３Ｓ，８４Ｅ，８５Ｓは、第３の層１０ｃよりもエアベアリング面３０から遠い位置であって、第１の位置よりもエアベアリング面３０に近い第２の位置に配置されている。連結部３１の中心と第１の位置と第２の位置は、エアベアリング面３０に垂直な直線４２上に並ぶように配置されている。
【０１４４】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１４５】
［第３の実施の形態］
次に、図４６ないし図６６を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。なお、図４６ないし図６２において、（ａ）はエアベアリング面および基板の上面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。図６３ないし図６６は、本実施の形態における薄膜コイルの形成方法を説明するための平面図である。
【０１４６】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、図４６に示したように、例えばアルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）よりなる絶縁層２を、約２〜５μｍの厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）よりなる再生ヘッド用の下部シールド層３を、約２〜３μｍの厚みで形成する。下部シールド層３は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層を、例えば３〜４μｍの厚みで形成し、例えばＣＭＰによって、下部シールド層３が露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【０１４７】
次に、下部シールド層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みで形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、磁気的信号検出用のＭＲ素子５を、数十ｎｍの厚みで形成する。ＭＲ素子５は、例えば、スパッタ法によって形成したＭＲ膜を選択的にエッチングすることによって形成する。また、ＭＲ素子５は、後述するエアベアリング面が形成される位置の近傍に配置される。次に、図示しないが、下部シールドギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される一対の電極層を、数十ｎｍの厚みで形成する。次に、下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶縁膜としての上部シールドギャップ膜７を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みで形成し、ＭＲ素子５をシールドギャップ膜４，７内に埋設する。
【０１４８】
次に、上部シールドギャップ膜７の上に、磁性材料よりなる、再生ヘッド用の上部シールド層８を、約１．０〜１．５μｍの厚みで、選択的に形成する。次に、ここまでの工程で得られた積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層９を、約０．１５〜０．３μｍの厚みで形成する。次に、積層体の上面全体の上に、下部磁極層１１０の第１の層１１０ａを、約０．５〜１．０μｍの厚みで形成する。下部磁極層１１０は、第１の層１１０ａと、後述する第２ないし第９の層１１０ｂ〜１１０ｉとを含む。
【０１４９】
第１の層１１０ａは、例えば、材料としてＦｅＡｌＮ、ＦｅＮ、ＦｅＣｏ、ＣｏＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ等の高飽和磁束密度材料を用いて、スパッタ法によって形成する。なお、第１の層１１０ａは、材料としてＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）、ＦｅＣｏ（Ｆｅ：６７重量％，Ｃｏ：３３重量％）等を用いて、めっき法によって形成してもよい。
【０１５０】
次に、図４７に示したように、第１の層１１０ａの上に、例えばアルミナよりなる絶縁膜１１１を、０．２μｍの厚みで形成する。次に、絶縁膜１１１を選択的にエッチングして、第２の層１１０ｂと第３の層１１０ｃを形成すべき位置において、絶縁膜１１１に開口部を形成する。
【０１５１】
次に、以下の手順により、絶縁膜１１１の上に薄膜コイルの第１層部分１２１を形成する。まず、スパッタ法によって、積層体の上面全体の上に、例えばＣｕよりなる電極膜（図示せず）を、例えば５０〜８０ｎｍの厚みで形成する。次に、フォトリソグラフィによって、電極膜の上に、フォトレジストよりなるフレームを形成する。このフレームは、第１層部分１２１を形成すべき領域において開口している。次に、電極膜に電流を流して電気めっきを行って、例えばＣｕよりなるめっき層を、１．０〜１．５μｍの厚みで形成する。次に、フレームを除去した後、めっき層をマスクとして、例えばイオンビームエッチングによって電極膜をエッチングする。これにより、電極膜のうち、めっき層の下に存在する部分以外の部分が除去される。残った電極膜およびめっき層によって第１層部分１２１が形成される。第１層部分１２１は、２ターンの平面的な導電層である。第１層部分１２１は、その一方の端部近傍の部分であって、後に形成される薄膜コイルの第２層部分１２２に接続される接続部１２１Ｅを有している。
【０１５２】
次に、図示しないが、フォトリソグラフィによって、積層体の上に、フレームめっき法によって第２の層１１０ｂおよび第３の層１１０ｃを形成するためのフレームを形成する。
【０１５３】
次に、図４８に示したように、電気めっきを行って、第１の層１１０ａの上に、それぞれ磁性材料よりなる第２の層１１０ｂおよび第３の層１１０ｃを、それぞれ例えば２．５〜３．５μｍの厚みで形成する。第２の層１１０ｂおよび第３の層１１０ｃの材料としては、例えば、飽和磁束密度が１．８〜１．９ＴのＣｏＮｉＦｅ（Ｃｏ：６７重量％，Ｎｉ：１５重量％，Ｆｅ：１８重量％）または飽和磁束密度が２．４ＴのＦｅＣｏ（Ｆｅ：約６０重量％，Ｃｏ：約４０重量％）が用いられる。本実施の形態では、第２の層１１０ｂおよび第３の層１１０ｃをめっき法によって形成する際に、特別な電極膜を設けずに、パターニングされていない第１の層１１０ａをめっき用の電極およびシード層として用いる。
【０１５４】
第２の層１１０ｂは、後述するエアベアリング面３０が形成される位置の近傍に配置される。第３の層１１０ｃは、第１の層１１０ａと後述する上部磁極層１２６とを接続するための部分であり、第１層部分１２１の中心の近傍の位置に配置される。
【０１５５】
次に、図４９に示したように、第１層部分１２１、第２の層１１０ｂおよび第３の層１１０ｃを覆うようにフォトレジスト層１４０を形成する。次に、このフォトレジスト層１４０をマスクとして、例えばイオンビームエッチングによって、第１の層１１０ａを選択的にエッチングして、第１の層１１０ａをパターニングする。
【０１５６】
次に、図５０に示したように、例えばバイアススパッタ法によって、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁層１４１を、２〜３μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２の層１１０ｂおよび第３の層１１０ｃが露出し、且つ第２の層１１０ｂ、第３の層１１０ｃ、フォトレジスト層１４０および絶縁層１４１の上面が平坦化されるように、絶縁層１４１を研磨する。また、この研磨によって、第２の層１１０ｂおよび第３の層１１０ｃの厚みを、０．５〜０．８μｍになるように調整する。
【０１５７】
なお、上記の説明では、フォトレジスト層１４０を除去せずに絶縁層１４１を形成したが、フォトレジスト層１４０を除去した後、第１層部分１２１の巻線間に充填されるように絶縁膜を形成し、その上に絶縁層１４１を形成してもよい。この場合の絶縁膜は、フォトレジスト膜やスピンオングラス（ＳＯＧ）膜であることが好ましい。
【０１５８】
図６３は、第２の層１１０ｂ、第３の層１１０ｃおよび第１層部分１２１を示す平面図である。なお、図６３には、後に形成されるエアベアリング面３０も示している。第１層部分１２１は、前述のように接続部１２１Ｅを有している。接続部１２１Ｅは、第３の層１１０ｃよりもエアベアリング面３０から遠い第１の位置に配置されている。第１層部分１２１の他方の端部は、後述する１つの電極用パッドに接続されるようになっている。
【０１５９】
次に、図５１に示したように、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁膜１１２を、０．１〜０．２μｍの厚みで形成する。次に、絶縁膜１１２を選択的にエッチングして、第４の層１１０ｄおよび第５の層１１０ｅを配置すべき領域に対応する部分と、接続部１２１Ｅの上に存在する部分とを選択的に除去する。これにより、接続部１２１Ｅの上にはコンタクトホールが形成される。
【０１６０】
次に、第２の層１１０ｂの上に第４の層１１０ｄを形成し、第３の層１１０ｃの上に第５の層１１０ｅを形成し、絶縁膜１１２の上に第２層部分１２２を形成する。第４の層１１０ｄ、第５の層１１０ｅおよび第２層部分１２２の厚みは、例えば１．０〜１．５μｍである。第４の層１１０ｄおよび第５の層１１０ｅの材料および形成方法は、第２の層１１０ｂおよび第３の層１１０ｃと同様である。第２層部分１２２の材料および形成方法は、第１層部分１２１と同様である。第２層部分１２２は、２ターンの平面的な導電層である。第２層部分１２２は、その一方の端部近傍の部分であって、コンタクトホールを通して第１層部分１２１の接続部１２１Ｅに接続された接続部１２２Ｓと、他方の端部近傍の部分であって、後に形成される薄膜コイルの第３層部分１２３に接続される接続部１２２Ｅとを有している。
【０１６１】
次に、図５２に示したように、第２層部分１２２の巻線間に充填されるように、例えばフォトレジストよりなる絶縁膜１４２を形成する。次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁層１４３を、２〜３μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第４の層１１０ｄおよび第５の層１１０ｅが露出し、且つ第４の層１１０ｄ、第５の層１１０ｅ、絶縁膜１４２および絶縁層１４３の上面が平坦化されるように、絶縁層１４３を研磨する。また、この研磨によって、第４の層１１０ｄおよび第５の層１１０ｅの厚みを、０．５〜０．８μｍになるように調整する。
【０１６２】
図６４は、第４の層１１０ｄ、第５の層１１０ｅおよび第２層部分１２２を示す平面図である。なお、図６４には、後に形成されるエアベアリング面３０も示している。第４の層１１０ｄ、第５の層１１０ｅは、それぞれ、図６３に示した第２の層１１０ｂ、第３の層１１０ｃの上に配置されている。第２層部分１２２は、前述のように接続部１２２Ｓ，１２２Ｅを有している。接続部１２２Ｓは、図６３に示した接続部１２１Ｅの上に配置されている。接続部１２２Ｅは、第３の層１１０ｃおよび第５の層１１０ｅよりもエアベアリング面３０から遠い位置であって、図６３に示した接続部１２１Ｅよりもエアベアリング面３０から遠い第２の位置に配置されている。図６４に示したように、第３の層１１０ｃおよび第５の層１１０ｅの中心と、接続部１２１Ｅ，１２２Ｅの各中心は、エアベアリング面３０に垂直な直線１８０上に並ぶように配置されている。なお、接続部１２１Ｅは、接続部１２２Ｓの下に存在している。
【０１６３】
次に、図５３に示したように、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁膜１１３を、０．１〜０．２μｍの厚みで形成する。次に、絶縁膜１１３を選択的にエッチングして、第６の層１１０ｆおよび第７の層１１０ｇを配置すべき領域に対応する部分と、接続部１２２Ｅの上に存在する部分とを選択的に除去する。これにより、接続部１２２Ｅの上にはコンタクトホールが形成される。
【０１６４】
次に、第４の層１１０ｄの上に第６の層１１０ｆを形成し、第５の層１１０ｅの上に第７の層１１０ｇを形成し、絶縁膜１１３の上に第３層部分１２３を形成する。第６の層１１０ｆ、第７の層１１０ｇおよび第３層部分１２３の厚みは、例えば１．０〜１．５μｍである。第６の層１１０ｆおよび第７の層１１０ｇの材料および形成方法は、第２の層１１０ｂおよび第３の層１１０ｃと同様である。第３層部分１２３の材料および形成方法は、第１層部分１２１と同様である。第３層部分１２３は、２ターンの平面的な導電層である。第３層部分１２３は、その一方の端部近傍の部分であって、コンタクトホールを通して第２層部分１２２の接続部１２２Ｅに接続された接続部１２３Ｓと、他方の端部近傍の部分であって、後に形成される接続部層１２４に接続される接続部１２３Ｅとを有している。
【０１６５】
次に、第３層部分１２３の巻線間に充填されるように、例えばフォトレジストよりなる絶縁膜１４４を形成する。次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁層１４５を、２〜３μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第６の層１１０ｆおよび第７の層１１０ｇが露出し、且つ第６の層１１０ｆ、第７の層１１０ｇ、絶縁膜１４４および絶縁層１４５の上面が平坦化されるように、絶縁層１４５を研磨する。また、この研磨によって、第６の層１１０ｆおよび第７の層１１０ｇの厚みを、０．５〜０．８μｍになるように調整する。
【０１６６】
図６５は、第６の層１１０ｆ、第７の層１１０ｇおよび第３層部分１２３を示す平面図である。なお、図６５には、後に形成される上部磁極層１２６およびエアベアリング面３０も示している。第６の層１１０ｆ、第７の層１１０ｇは、それぞれ、図６４に示した第４の層１１０ｄ、第５の層１１０ｅの上に配置されている。第３層部分１２３は、前述のように接続部１２３Ｓ，１２３Ｅを有している。接続部１２３Ｓは、図６４に示した接続部１２２Ｅの上に配置されている。接続部１２３Ｅは、絶縁膜１１３を介して、図６４に示した接続部１２２Ｓの上に配置されている。
【０１６７】
このようにして、第１層部分１２１ないし第３層部分１２３を含む薄膜コイル１２０が完成する。
【０１６８】
なお、図６３ないし図６５には、第１層部分１２１における電極用パッド側の端部から、第３層部分１２３における電極用パッド側の端部にかけて時計回り方向に回る形状の薄膜コイル１２０を示したが、薄膜コイル１２０はこれとは逆方向に回る形状のものであってもよい。
【０１６９】
次に、図５４に示したように、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁膜１１４を、０．１〜０．２μｍの厚みで形成する。次に、絶縁膜１１４を選択的にエッチングして、第８の層１１０ｈおよび第９の層１１０ｉを配置すべき領域に対応する部分と、接続部１２３Ｅの上に存在する部分とを選択的に除去する。これにより、接続部１２３Ｅの上にはコンタクトホールが形成される。
【０１７０】
次に、積層体の上面全体を覆うように、磁性材料よりなる磁性層１１５を、０．３〜０．５μｍの厚みで形成する。磁性層１１５は、例えば、材料としてＦｅＡｌＮ、ＦｅＮ、ＦｅＣｏ、ＣｏＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ等の高飽和磁束密度材料を用いて、スパッタ法によって形成する。なお、磁性層１１５は、材料としてＣｏＮｉＦｅ（Ｃｏ：１０重量％，Ｎｉ：２０重量％，Ｆｅ：７０重量％）、ＦｅＣｏ（Ｆｅ：６７重量％，Ｃｏ：３３重量％）等を用いて、めっき法によって形成してもよい。
【０１７１】
次に、磁性層１１５の上であって、第６の層１１０ｆに対応する部分、第７の層１１０ｇに対応する部分および接続部１２３Ｅに対応する部分に、それぞれ、例えばフォトレジストよりなるエッチングマスク１１６ａ，１１６ｂ，１１６ｃを形成する。
【０１７２】
次に、図５５に示したように、上記エッチングマスク１１６ａ，１１６ｂ，１１６ｃを用い、例えばイオンビームエッチングによって磁性層１１５をエッチングする。このエッチング後にエッチングマスク１１６ａ，１１６ｂ，１１６ｃの下に残った磁性層１１５によって、第８の層１１０ｈ、第９の層１１０ｉおよび接続部層１２４が形成される。第８の層１１０ｈ、第９の層１１０ｉ、接続部層１２４は、それぞれ、第６の層１１０ｆ、第７の層１１０ｇ、接続部１２３Ｅの上に配置される。
【０１７３】
次に、スパッタ法によって、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁層１１７を、０．４〜０．６μｍの厚みで形成する。
【０１７４】
次に、図５６に示したように、エッチングマスク１１６ａ，１１６ｂ，１１６ｃをリフトオフする。
【０１７５】
次に、図５７に示したように、例えばＣＭＰによって、積層体の上面全体を０．１μｍ程度研磨して、積層体の上面を平坦化する。第８の層１１０ｈのエアベアリング面から遠い端部は、記録ヘッドのスロートハイトを決定する。また、第３の層１１０ｃ、第５の層１１０ｅ、第７の層１１０ｇおよび第９の層１１０ｉは、下部磁極層１１０と上部磁極層１２６とを磁気的に連結する連結部１３１を構成する。
【０１７６】
次に、積層体の上面全体を覆うように、記録ギャップ層１１８を、０．０６〜０．０８μｍの厚みで形成する。記録ギャップ層１１８の材料は、アルミナ等の絶縁材料でもよいし、非磁性金属材料または非磁性金属化合物材料でもよい。非磁性金属材料は、高融点金属材料であってもよい。非磁性金属材料または非磁性金属化合物材料としては、例えば、ＮｉＣｕ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、ＮｉＳｉ２、ＭｏＳｉ２、ＷＳｉ２を用いることができる。次に、記録ギャップ層１１８のうち、第９の層１１０ｉの上に存在する部分と接続部層１２４の上に存在する部分を選択的にエッチングする。
【０１７７】
次に、図５８に示したように、積層体の上面全体を覆うように、磁性材料よりなる磁性層１２５を、０．５〜１．２μｍの厚みで形成する。磁性層１２５は、例えば、材料としてＦｅＡｌＮ、ＦｅＮ、ＦｅＣｏ、ＣｏＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ等の高飽和磁束密度材料を用いて、スパッタ法によって形成する。なお、磁性層１２５は、材料としてＣｏＮｉＦｅ（Ｃｏ：１０重量％，Ｎｉ：２０重量％，Ｆｅ：７０重量％）、ＦｅＣｏ（Ｆｅ：６７重量％，Ｃｏ：３３重量％）等を用いて、めっき法によって形成してもよい。磁性層１２５は、第９の層１１０ｉおよび接続部層１２４に接続される。
【０１７８】
次に、図５９に示したように、例えばフレームめっき法によって、磁性層１２５の上に、後述する上部磁極層１２６の第２の層１２６ｂと、接続層１２７ｂとを、例えば１．０〜２．０μｍの厚みで形成する。第２の層１２６ｂおよび接続層１２７ｂは、磁性層１２５を構成する材料とは異なる金属磁性材料、例えばＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅによって形成される。第２の層１２６ｂは、第８の層１１０ｈに対応する位置から第９の層１１０ｉに対応する位置にかけて配置される。接続層１２７ｂは、接続部層１２４に対応する位置から下部磁極層１１０の第１の層１１０ａが配置された領域の外側の位置にかけて配置される。
【０１７９】
第２の層１２６ｂおよび接続層１２７ｂをフレームめっき法によって形成するためのフレームは、例えば１．８〜２．８μｍの厚みのフォトレジスト膜によって形成する。このように比較的薄いフォトレジスト膜によってフレームを形成することによって、特に第２の層１２６ｂを微細に且つ精度よく形成することが可能になる。これにより、上部磁極層１２６によって、０．１〜０．２μｍ程度の小さなトラック幅を精度よく規定することが可能になる。
【０１８０】
次に、第２の層１２６ｂおよび接続層１２７ｂをエッチングマスクとして、ＲＩＥによって、磁性層１２５を選択的にエッチングする。これにより、エッチング後に残った磁性層１２５によって、上部磁極層１２６の第１の層１２６ａと接続層１２７ａとが形成される。第１の層１２６ａは第２の層１２６ｂの下に配置される。接続層１２７ａは接続層１２７ｂの下に配置される。
【０１８１】
接続層１２７ａ，１２７ｂは、第３の層１２３の接続部１２３Ｅと後述する１つの電極用パッドとを接続する。
【０１８２】
上記ＲＩＥは、例えば、ハロゲン系ガスとＯ２またはＣＯ２とを含むエッチングガスを用いて行われる。ハロゲン系ガスとしては、例えば、Ｃｌ２とＢＣｌ３の少なくとも一方を含むガスを用いることができる。エッチングガスとしては、例えば、Ｃｌ２およびＣＯ２を含むものや、ＢＣｌ３、Ｃｌ２およびＣＯ２を含むものや、ＢＣｌ３、Ｃｌ２およびＯ２を含むものがある。
【０１８３】
エッチング時における磁性層１２５の温度は、５０〜３００℃の範囲内の温度とすることが好ましく、２００〜３００℃の範囲内の温度とすることが特に好ましい。
【０１８４】
上述のようなエッチング方法によれば、磁性層１２５を短時間でエッチングでき、且つエッチング後の磁性層１２５によって形成される第１の層１２６ａおよび接続層１２７ａのプロファイルを正確に制御することができる。更に、このエッチング方法によれば、エッチング後の磁性層１２５の側壁においてハロゲン系ガスの分子等の付着物を少なくすることができる。
【０１８５】
上部磁極層１２６は、記録ギャップ層１１８に接する第１の層１２６ａと、この第１の層１２６ａの上に配置された第２の層１２６ｂとを有している。図６５に示したように、上部磁極層１２６は、エアベアリング面３０に配置される一端部とエアベアリング面３０から離れた位置に配置される他端部とを有するトラック幅規定部１２６Ａと、このトラック幅規定部１２６Ａの他端部に連結されたヨーク部１２６Ｂとを含んでいる。ヨーク部１２６Ｂの幅は、トラック幅規定部１２６Ａとの境界位置ではトラック幅規定部１２６Ａの幅と等しく、トラック幅規定部１２６Ａから離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。トラック幅規定部１２６Ａは、上部磁極層１２６における磁極部分であり、記録トラック幅を規定する。ＲＩＥによって第１の層１２６ａを形成する際には、当初のトラック幅規定部１２６Ａの幅が０．１〜０．２μｍ程度になるようにする。ここでは、一例として、当初のトラック幅規定部１２６Ａの幅を０．１５μｍになるようにする。
【０１８６】
次に、上部磁極層１２６のトラック幅規定部１２６Ａの幅が例えば０．１μｍになるように、例えばイオンビームエッチングによってトラック幅規定部１２６Ａの側壁部をエッチングして、トラック幅規定部１２６Ａの幅を小さくする。このエッチングは、例えば、イオンビームの進行方向が第２の層１２６ｂの上面に垂直な方向に対してなす角度が４０〜５０°となるようにして行われる。
【０１８７】
次に、図示しないが、トラック幅規定部１２６Ａの周辺部で開口するフォトレジストマスクを形成する。次に、図６０に示したように、上記フォトレジストマスクと上部磁極層１２６とをマスクとして、例えば、エッチングガスとしてＣｌ２とＢＣｌ３の混合ガスを用いたＲＩＥによって、トラック幅規定部１２６Ａの周辺部における記録ギャップ層１１８をエッチングする。
【０１８８】
次に、上部磁極層１２６、その下の記録ギャップ層１１８、および上記フォトレジストマスクをマスクとし、例えばイオンビームエッチングによって、トラック幅規定部１２６Ａの周辺部における下部磁極層１１０の第８の層１１０ｈの一部をエッチングする。第８の層１１０ｈにおけるエッチングの深さは、例えば０．１７〜０．２２μｍとする。このエッチングは、例えば、イオンビームの進行方向が第２の層１２６ｂの上面に垂直な方向に対してなす角度が４５°となるイオンビームエッチングによって行ってもよいし、上記角度が０°となるイオンビームエッチングと上記角度が４５°となるイオンビームエッチングとを組み合わせて行ってもよい。このようにして、図６０（ｂ）に示したようなトリム構造が形成される。第８の層１１０ｈのうち、記録ギャップ層１１８を介して上部磁極層１２６のトラック幅規定部１２６Ａと対向する部分は、下部磁極層１１０の磁極部分である。なお、第８の層１１０ｈのエッチングには、イオンビームエッチングの代わりに、磁性層１２５のエッチングの際と同様の条件のＲＩＥを用いてもよい。
【０１８９】
トラック幅規定部１２６Ａでは、特に、記録ギャップ層１１８に接している第１の層１２６ａの形状を精度よく規定することが重要である。前述のトラック幅規定部１２６Ａの側壁部のエッチングは、トラック幅規定部１２６Ａの幅を０．０５μｍ程度小さくするだけのものである。しかも、第１の層１２６ａの上には第２の層１２６ｂが存在している。従って、トラック幅規定部１２６Ａの側壁部のエッチングによって、第１の層１２６ａの幅は小さくなるが、第１の層１２６ａの厚みが小さくなったり、第１の層１２６ａのうちの上面に近い部分が記録ギャップ層１１８に近い部分よりも細くなったりすることはない。
【０１９０】
また、ＲＩＥによってトラック幅規定部１２６Ａを形成した後に、ＲＩＥで使用したハロゲン系ガスの分子がトラック幅規定部１２６Ａの側壁部に付着していると、トラック幅規定部１２６Ａが腐食する場合がある。しかし、本実施の形態によれば、ハロゲン系ガスの分子がトラック幅規定部１２６Ａの側壁部に付着したとしても、イオンビームエッチングによって側壁部をエッチングすることにより、側壁部からハロゲン系ガスの分子を除去でき、その結果、トラック幅規定部１２６Ａの腐食を防止することができる。
【０１９１】
次に、図６１に示したように、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１２９を、２０〜３０μｍの厚みで形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない４つの電極用パッドを形成する。４つの電極用パッドのうちの２つは薄膜コイル１２０に接続され、残りの２つはＭＲ素子５に接続された一対の電極層に接続される。最後に、上記各層を含むスライダの研磨加工を行ってエアベアリング面３０を形成して、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１９２】
本実施の形態において、記録ヘッドは、エアベアリング面３０側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された下部磁極層１１０および上部磁極層１２６と、下部磁極層１１０の磁極部分と上部磁極層１２６の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層１１８と、少なくとも一部が下部磁極層１１０と上部磁極層１２６との間に、これらに対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイル１２０とを備えている。本実施の形態における下部磁極層１１０、上部磁極層１２６は、それぞれ本発明における第１の磁極層、第２の磁極層に対応する。
【０１９３】
下部磁極層１１０は、薄膜コイル１２０に対向する位置に配置された第１の層１１０ａと、薄膜コイル１２０よりもエアベアリング面３０に近い位置に配置され且つ第１の層１１０ａにおける記録ギャップ層１１８に近い面に接続された第２の層１１０ｂと、エアベアリング面３０から離れた位置において、第１の層１１０ａの上に配置された第３の層１１０ｃとを有している。下部磁極層１１０は、更に、第２の層１１０ｂの上に順に積層された第４の層１１０ｄ、第６の層１１０ｆおよび第８の層１１０ｈと、第３の層１１０ｃの上に順に積層された第５の層１１０ｅ、第７の層１１０ｇおよび第９の層１１０ｉとを有している。第３の層１１０ｃ、第５の層１１０ｅ、第７の層１１０ｇおよび第９の層１１０ｉは、下部磁極層１１０と上部磁極層１２６とを磁気的に連結する連結部１３１を構成する。
【０１９４】
本実施の形態における連結部１３１の形状は、第１の実施の形態における連結部３１と同様である。すなわち、連結部１３１は、エアベアリング面３０側に向く端面を有している。この端面は、エアベアリング面３０側に突出する曲面を含んでいる。この端面は、例えば、円柱面の一部の形状を有している。なお、図６３ないし図６５には、連結部１３１の上面の形状が、図２３に示した連結部３１と同様に、円形の場合の例を示している。しかし、連結部１３１の上面の形状は、これに限らず、例えば図２４ないし図２９のそれぞれに示した連結部３１と同様であってもよい。
【０１９５】
ここで、図７０ないし図７２に、連結部１３１の上面の形状が、図２９に示した連結部３１と同様の形状である場合の例を示す。図７０は、図６３と同様に、第２の層１１０ｂ、第３の層１１０ｃおよび第１層部分１２１を示す平面図である。図７１は、図６４と同様に、第４の層１１０ｄ、第５の層１１０ｅおよび第２層部分１２２を示す平面図である。図７２は、図６５と同様に、第６の層１１０ｆ、第７の層１１０ｇおよび第３層部分１２３を示す平面図である。
【０１９６】
上部磁極層１２６は、共に平坦な第１の層１２６ａおよび第２の層１２６ｂを有している。また、上部磁極層１２６は、エアベアリング面３０に配置される一端部とエアベアリング面３０から離れた位置に配置される他端部とを有するトラック幅規定部１２６Ａと、このトラック幅規定部１２６Ａの他端部に連結されたヨーク部１２６Ｂとを含んでいる。トラック幅規定部１２６Ａは、上部磁極層１２６における磁極部分であり、記録トラック幅を規定する。
【０１９７】
図６１および図６５に示したように、本実施の形態における薄膜コイル１２０は、それぞれ２ターンの平面的な導電層からなる第１層部分１２１ないし第３層部分１２３を有している。第１層部分１２１ないし第３層部分１２３は、積層され互いに直列に電気的に接続されている。また、第１層部分１２１ないし第３層部分１２３は、連結部１３１の回りに配置されている。また、第１層部分１２１ないし第３層部分１２３のそれぞれの一部は、第２の層１１０ｂ、第４の層１１０ｄおよび第６の層１１０ｆと連結部１３１との間に配置されている。
【０１９８】
第１層部分１２１は本発明における最下層の導電層に対応し、第３層部分１２３は本発明における最上層の導電層に対応し、第２層部分１２２は本発明における中間導電層に対応する。第１層部分１２１は、第２層部分１２２に接続される１つの接続部１２１Ｅを有している。第２層部分１２２は、第１層部分１２１の接続部１２１Ｅに接続される接続部１２２Ｓと、第３層部分１２３の接続部１２３Ｓに接続される接続部１２２Ｅとを有している。第３層部分１２３は、第２層部分１２２の接続部１２２Ｅに接続される１つの接続部１２３Ｓを有している。
【０１９９】
上記の複数の接続部のうち、接続部１２１Ｅ，１２２Ｓ，１２３Ｅは、連結部１３１よりもエアベアリング面３０から遠い第１の位置に配置されている。また、接続部１２２Ｅ，１２３Ｓは、連結部１３１よりもエアベアリング面３０から遠い位置であって、第１の位置よりもエアベアリング面３０から遠い第２の位置に配置されている。連結部１３１の中心と第１の位置と第２の位置は、エアベアリング面３０に垂直な直線１８０上に並ぶように配置されている。
【０２００】
なお、本実施の形態において、薄膜コイルは、３つの層によって構成されたものに限らず、１つまたは２つの層によって構成されたものや、４つ以上の層によって構成されたものであってもよい。
【０２０１】
図６２および図６６は、４つの層によって構成された薄膜コイルを備えた薄膜磁気ヘッドの構成の一例を示している。図６２において、（ａ）はエアベアリング面および基板の上面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。図６６は、図６２における薄膜コイルを示す平面図である。
【０２０２】
図６２および図６６に示した薄膜磁気ヘッドは、図６１および図６５に示した薄膜磁気ヘッドにおける薄膜コイル１２０の代わりに薄膜コイル２２０を備え、図６１および図６５に示した薄膜磁気ヘッドにおける下部磁極層１１０の代わりに下部磁極層２１０を備えている。
【０２０３】
下部磁極層２１０は、薄膜コイル２２０に対向する位置に配置された第１の層２１０ａと、薄膜コイル２２０よりもエアベアリング面３０に近い位置に配置され且つ第１の層２１０ａにおける記録ギャップ層１１８に近い面に接続された第２の層２１０ｂと、エアベアリング面３０から離れた位置において、第１の層２１０ａの上に配置された第３の層２１０ｃとを有している。下部磁極層２１０は、更に、第２の層２１０ｂの上に順に積層された第４の層２１０ｄ、第６の層２１０ｆ、第８の層２１０ｈおよび第１０の層２１０ｊと、第３の層２１０ｃの上に順に積層された第５の層２１０ｅ、第７の層２１０ｇ、第９の層２１０ｉおよび第１１の層２１０ｋとを有している。第３の層２１０ｃ、第５の層２１０ｅ、第７の層２１０ｇ、第９の層２１０ｉおよび第１１の層２１０ｋは、下部磁極層２１０と上部磁極層１２６とを磁気的に連結する連結部１３１を構成する。
【０２０４】
薄膜コイル２２０は、それぞれ２ターンの平面的な導電層からなる第１層部分２２１ないし第４層部分２２４を有している。第１層部分２２１ないし第４層部分２２４は、積層され互いに直列に電気的に接続されている。また、第１層部分２２１ないし第４層部分２２４は、連結部１３１の回りに配置されている。また、第１層部分２２１ないし第４層部分２２４のそれぞれの一部は、第２の層２１０ｂ、第４の層２１０ｄ、第６の層２１０ｆおよび第８の層２１０ｈと連結部１３１との間に配置されている。
【０２０５】
第１層部分２２１は本発明における最下層の導電層に対応し、第４層部分２２４は本発明における最上層の導電層に対応し、第２層部分２２２および第３層部分２２３は本発明における中間導電層に対応する。第１層部分２２１は、第２層部分２２２に接続される１つの接続部２２１Ｅを有している。第２層部分２２２は、第１層部分２２１の接続部２２１Ｅに接続される接続部２２２Ｓと、第３層部分２２３の接続部２２３Ｓに接続される接続部２２２Ｅとを有している。第３層部分２２３は、第２層部分２２２の接続部２２２Ｅに接続される接続部２２３Ｓと、第４層部分２２４の接続部２２４Ｓに接続される接続部２２３Ｅとを有している。第４層部分２２４は、第３層部分２２３の接続部２２３Ｅに接続される１つの接続部２２４Ｓを有している。第１層部分２２１における接続部２２１Ｅとは反対側の端部は１つの電極用パッドに接続されるようになっている。第４層部分２２４における接続部２２４Ｓとは反対側の端部は、他の１つの電極用パッドに接続されるようになっている。
【０２０６】
上記の複数の接続部のうち、接続部２２１Ｅ，２２２Ｓ，２２３Ｅ，２２４Ｓは、連結部１３１よりもエアベアリング面３０から遠い第１の位置に配置されている。また、接続部２２２Ｅ，２２３Ｓは、連結部１３１よりもエアベアリング面３０から遠い位置であって、第１の位置よりもエアベアリング面３０から遠い第２の位置に配置されている。連結部１３１の中心と第１の位置と第２の位置は、エアベアリング面３０に垂直な直線１８０上に並ぶように配置されている。
【０２０７】
薄膜コイル２２０の形成方法は、積層する層の数が異なること以外は、薄膜コイル１２０と同様である。また、下部磁極層２１０の形成方法も、積層する層の数が異なること以外は、下部磁極層１１０と同様である。
【０２０８】
図６６に示したように４つの層によって構成された薄膜コイル２２０を備えた薄膜磁気ヘッドを含め、偶数の偶数の層によって構成された薄膜コイルを備えた薄膜磁気ヘッドでは、図６５に示した接続層１２７ａ，１２７ｂが不要になる。
【０２０９】
なお、図６６には、連結部１３１の上面の形状が、図２３に示した連結部３１と同様に、円形の場合の例を示している。しかし、連結部１３１の上面の形状は、これに限らず、例えば図２４ないし図２９のそれぞれに示した連結部３１と同様であってもよい。ここで、図７３に、連結部１３１の上面の形状が、図２９に示した連結部３１と同様の形状である場合の例を示す。図７３は、図６６と同様に、薄膜コイル２２０を示す平面図である。
【０２１０】
次に、本実施の形態における連結部１３１および薄膜コイル１２０の形状および配置の第１ないし第３の例について説明する。図６７ないし図６９は、それぞれ第１ないし第３の例を示す平面図である。なお、図６７ないし図６９において、符号１７０は、薄膜コイル１２０における第１層部分１２１ないし第３層部分１２３を代表して表わす導電層を示している。前述のように、本実施の形態における連結部１３１は、エアベアリング面３０（図示せず）側に向く端面１３２を有している。この端面１３２は、エアベアリング面３０側に突出する曲面を含んでいる。なお、図６７ないし図６９には、連結部１３１の上面の形状が、図２６に示した連結部３１と同様の形状である例を示している。しかし、連結部１３１の上面の形状は、これに限らず、例えば図２３ないし図２５、図２７ないし図２９のそれぞれに示した連結部３１と同様であってもよい。
【０２１１】
第１ないし第３のいずれの例においても、導電層１７０は、内周側のターン１７１と外周側のターン１７２とを有している。各ターン１７１，１７２は、それぞれ、連結部１３１の端面１３２とエアベアリング面３０との間に配置された第１の部分１７１ａ、第２の部分１７２ａを含んでいる。なお、図６７ないし図６９において、符号１６０で示した領域は、第１の部分１７１ａ、第２の部分１７２ａが配置されている領域を表わしている。第１の部分１７１ａの内周側の側部は、連結部１３１の端面１３２に沿うように配置される。また、第１の部分１７１ａは、連結部１３１の端面１３２とエアベアリング面３０とを最短で結ぶ仮想の線１５０上の位置において導電層１７０中で最も小さく、仮想の線１５０から離れるに従って大きくなる幅を有している。導電層１７０における最小の幅は、例えば０．５〜１．０μｍである。また、内周側のターン１７１と外周側のターン１７２との間の間隔は、例えば０．３μｍである。
【０２１２】
図６７に示した第１の例では、第１の部分１７１ａと同様に、第２の部分１７２ａも、仮想の線１５０上の位置において導電層１７０中で最も小さく、仮想の線１５０から離れるに従って大きくなる幅を有している。第１の部分１７１ａにおける内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状であり、第１の部分１７１ａにおける外周側の側部の形状は、第１の曲率半径よりも大きな第２の曲率半径の円弧状である。また、第２の部分１７２ａにおける内周側の側部の形状は、第２の曲率半径よりも大きな第３の曲率半径の円弧状であり、第２の部分１７２ａにおける外周側の側部の形状は、第３の曲率半径よりも大きな第４の曲率半径の円弧状である。
【０２１３】
第１の部分１７１ａを含むターン１７１の一部において、内周側の側部および外周側の側部の形状は、いずれも、例えば半円である。ただし、外周側の側部の形状を表す半円の中心は、内周側の側部の形状を表す半円の中心よりも、エアベアリング面３０から離れた位置に配置されている。これにより、上記ターン１７１の一部の幅は、仮想の線１５０から離れるに従って大きくなる。
【０２１４】
同様に、第２の部分１７２ａを含むターン１７２の一部において、内周側の側部および外周側の側部の形状は、いずれも、例えば半円である。ただし、外周側の側部の形状を表す半円の中心は、内周側の側部の形状を表す半円の中心よりも、エアベアリング面３０から離れた位置に配置されている。これにより、上記ターン１７２の一部の幅は、仮想の線１５０から離れるに従って大きくなる。
【０２１５】
ターン１７１，１７２において、上述のように仮想の線１５０から離れるに従って幅が大きくなる部分以外の部分では、幅がほぼ一定であり、その幅は例えば２〜５μｍである。
【０２１６】
図６８に示した第２の例では、第１の部分１７１ａと同様に、第２の部分１７２ａも、仮想の線１５０上の位置において導電層１７０中で最も小さく、仮想の線１５０から離れるに従って大きくなる幅を有している。第１の部分１７１ａにおける内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状であり、第１の部分１７１ａにおける外周側の側部の形状は、第１の曲率半径よりも大きな第２の曲率半径の円弧状である。第２の部分１７２ａにおける内周側の側部の形状は、第２の曲率半径よりも大きな第３の曲率半径の円弧状である。第２の部分１７２ａにおける外周側の側部は、仮想の線１５０上の位置を含む所定の領域に配置された直線部分と、この直線部分の各端に接続され、第３の曲率半径よりも大きな第４の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいる。直線部分の両端は、仮想の線１５０上の位置から両側にそれぞれ長さＭ１だけ離れた位置に配置されている。従って、直線部分の長さは２×Ｍ１である。Ｍ１は、例えば１〜３μｍである。
【０２１７】
第１の部分１７１ａを含むターン１７１の一部において、内周側の側部および外周側の側部の形状は、いずれも、例えば半円である。ただし、外周側の側部の形状を表す半円の中心は、内周側の側部の形状を表す半円の中心よりも、エアベアリング面３０から離れた位置に配置されている。これにより、ターン１７１の一部の幅は、仮想の線１５０から離れるに従って大きくなる。
【０２１８】
第２の部分１７２ａを含むターン１７２の一部において、内周側の側部の形状は、例えば半円である。また、第２の部分１７２ａを含むターン１７２の一部において、外周側の側部は、直線部分の各端に接続された２つの円弧状部分を含んでいる。これらの円弧状部分の形状は、いずれも、例えば、中心角９０°の円弧である。ただし、この円弧状部分の形状を表す円弧の中心は、ターン１７２の一部における内周側の側部の形状を表す半円の中心よりも、エアベアリング面３０から離れた位置に配置されている。これにより、ターン１７２の一部の幅は、仮想の線１５０から離れるに従って大きくなる。
【０２１９】
ターン１７１，１７２において、上述のように仮想の線１５０から離れるに従って幅が大きくなる部分以外の部分では、幅がほぼ一定であり、その幅は例えば２〜５μｍである。
【０２２０】
図６９に示した第３の例では、第１の部分１７１ａにおける内周側の側部の形状は、第１の曲率半径の円弧状である。第１の部分１７１ａにおける外周側の側部は、仮想の線１５０上の位置を含む所定の領域に配置された第１の直線部分と、この第１の直線部分の各端に接続され、第１の曲率半径よりも大きな第２の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいる。
【０２２１】
第２の部分１７２ａは、仮想の線１５０上の位置を含む所定の領域に配置され、幅が一定の部分（以下、幅一定部分と言う。）を含んでいる。この幅一定部分の両端は、仮想の線１５０上の位置から両側にそれぞれ長さＭ１だけ離れた位置に配置されている。従って、幅一定部分の長さは２×Ｍ１である。幅一定部分の両端には、それぞれ、仮想の線１５０から離れるに従って幅が大きくなる幅変化部分が接続されている。
【０２２２】
第２の部分１７２ａにおける内周側の側部は、仮想の線１５０上の位置を含む所定の領域に配置された第２の直線部分と、この第２の直線部分の各端に接続され、第２の曲率半径よりも大きな第３の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいる。第２の直線部分の長さは、第１の直線部分の長さ以上である。図６９には、第１の直線部分の長さと第２の直線部分の長さが共に２×Ｍ１である例を示している。
【０２２３】
第２の部分１７２ａにおける外周側の側部は、仮想の線１５０上の位置を含む所定の領域に配置された第３の直線部分と、この第３の直線部分の各端に接続され、第３の曲率半径よりも大きな第４の曲率半径の２つの円弧状部分とを含んでいる。第３の直線部分は第２の直線部分よりも長い。第３の直線部分の両端は、仮想の線１５０上の位置から両側にそれぞれ長さＭ１＋Ｍ２だけ離れた位置に配置されている。従って、直線部分の長さは２×（Ｍ１＋Ｍ２）である。Ｍ１，Ｍ２は、それぞれ、例えば１〜３μｍである。なお、長さＭ１，Ｍ２は等しくてもよいし、異なっていてもよい。
【０２２４】
第１の部分１７１ａを含むターン１７１の一部において、内周側の側部の形状は、例えば半円である。また、第１の部分１７１ａを含むターン１７１の一部において、外周側の側部は、第１の直線部分の各端に接続された２つの円弧状部分を含んでいる。これらの円弧状部分の形状は、いずれも、例えば、中心角９０°の円弧である。ただし、この円弧状部分の形状を表す円弧の中心は、ターン１７１の一部における内周側の側部の形状を表す半円の中心よりも、エアベアリング面３０から離れた位置に配置されている。これにより、ターン１７１の一部の幅は、仮想の線１５０から離れるに従って大きくなる。
【０２２５】
第２の部分１７２ａを含むターン１７２の一部において、内周側の側部は第２の直線部分の各端に接続された２つの円弧状部分を含み、外周側の側部は第３の直線部分の各端に接続された２つの円弧状部分を含んでいる。これらの円弧状部分の形状は、いずれも、例えば、中心角９０°の円弧である。ただし、外周側の円弧状部分の形状を表す円弧の中心は、内周側の円弧状部分の形状を表す円弧の中心よりも、エアベアリング面３０から離れた位置に配置されている。これにより、幅一定部分を除いて、ターン１７２の一部の幅は、仮想の線１５０から離れるに従って大きくなる。
【０２２６】
ターン１７１において、上述のように仮想の線１５０から離れるに従って幅が大きくなる部分以外の部分では、幅がほぼ一定であり、その幅は例えば２〜５μｍである。また、ターン１７２において、幅一定部分と上述のように仮想の線１５０から離れるに従って幅が大きくなる部分とを除いた部分では、幅がほぼ一定であり、その幅は例えば２〜５μｍである。
【０２２７】
以下、薄膜コイル１２０を備えた薄膜磁気ヘッドの効果について説明するが、薄膜コイル２２０を備えた薄膜磁気ヘッドについても同様である。本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイル１２０は、それぞれ２ターンの平面的な導電層１７０からなる第１層部分１２１ないし第３層部分１２３を有している。本実施の形態では、ヨーク長は、薄膜コイル１２０全体のターン数にかかわらずに、導電層１７０の各ターン１７１，１７２における最小の幅の２倍に依存する。各ターン１７１，１７２における最小の幅は、例えば０．５〜１．０μｍである。従って、本実施の形態によれば、各ターン１７１，１７２における最小の幅をあまり小さくすることなく、ヨーク長を短くすることができる。これにより、本実施の形態によれば、磁路長を短くしながら、薄膜コイル１２０の抵抗値を小さくすることが可能になる。従って、本実施の形態によれば、磁路長が短いことによって高周波帯域における記録特性に優れ、且つ薄膜コイル１２０の抵抗値の小さい薄膜磁気ヘッドを実現することができる。
【０２２８】
また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、連結部１３１は、エアベアリング面３０側に向く端面１３２を有し、この端面１３２はエアベアリング面３０側に突出する曲面を含んでいる。薄膜コイル１２０の導電層１７０（第１層部分１２１ないし第３層部分１２３）の各ターン１７１，１７２は、それぞれ、連結部１３１の端面１３２とエアベアリング面３０との間に配置された第１の部分１７１ａ、第２の部分１７２ａを含んでいる。第１の部分１７１ａと第２の部分１７２ａのうちの少なくとも第１の部分１７１ａは、連結部１３１の端面１３２とエアベアリング面３０とを最短で結ぶ仮想の線１５０上の位置において導電層１７０中で最も小さく、仮想の線１５０から離れるに従って大きくなる幅を有している。これにより、本実施の形態によれば、ヨーク長を短く、すなわち磁路長を短くしながら、薄膜コイル１２０の抵抗値を小さくすることが可能になる。本実施の形態における薄膜コイル１２０によれば、特に導電層１７０における最小の幅が１μｍ以下の場合には、導電層の幅が一定の薄膜コイルに比べて、抵抗値を３０〜６０％程度低減することができる。このように、本実施の形態によれば、連結部１３１の端面１３２の形状と薄膜コイル１２０の導電層１７０の形状の点からも、高周波帯域における記録特性に優れ、且つ薄膜コイル１２０の抵抗値の小さい薄膜磁気ヘッドを実現することができる。
【０２２９】
また、従来の薄膜磁気ヘッドでは、ヨーク長を一定にして薄膜コイルのターン数を増やすと、薄膜コイルの導電層の幅が減少し、薄膜コイルの抵抗値が急激に増加する。これに対し、本実施の形態では、導電層１７０の幅を小さくすることなく、積層する導電層１７０の数を増やすことで、ヨーク長を一定にしたままで、薄膜コイル１２０のターン数を増やすことができる。従って、本実施の形態によれば、薄膜コイル１２０のターン数が増加したときの薄膜コイル１２０の抵抗値の増加を抑制することができる。これにより、本実施の形態によれば、容易に、薄膜コイル１２０のターン数を多くして薄膜磁気ヘッドの記録特性を向上させることが可能になる。
【０２３０】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０２３１】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明における２以下のターン数の平面的な導電層は、完全な１ターンまたは２ターンの平面的な導電層に限らない。すなわち、本発明における２以下のターン数の平面的な導電層は、１ターンよりも多く２ターンまでは達していない導電層や、Ｕ字形の導電層のように１ターンまで達していない導電層であってもよい。
【０２３２】
また、本発明における薄膜コイルが有する平面的な導電層の数は、各実施の形態に示された数に限らない。
【０２３３】
また、本発明は、誘導型電磁変換素子のみを有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型電磁変換素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【０２３４】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１ないし１６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項１７ないし２２のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、薄膜コイルは２以下のターン数の平面的な導電層を有している。これにより、本発明によれば、薄膜磁気ヘッドにおける磁路長を短くしながら、薄膜コイルの抵抗値を小さくすることが可能になる。従って、本発明によれば、磁路長が短いことによって高周波帯域における記録特性に優れ、且つ薄膜コイルの抵抗値の小さい薄膜磁気ヘッドを実現することができるという効果を奏する。
【０２３５】
また、請求項４ないし６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項１９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の磁極層と第２の磁極層とを磁気的に連結する連結部は、媒体対向面側に向く端面を有し、この端面は媒体対向面側に突出する曲面を含んでいる。また、導電層は、連結部の端面と媒体対向面との間に配置された１つの部分を含み、この部分は、連結部の端面と媒体対向面とを最短で結ぶ仮想の線上の位置において導電層中で最も小さく、仮想の線から離れるに従って大きくなる幅を有している。この点からも、本発明によれば、薄膜磁気ヘッドにおける磁路長を短くしながら、薄膜コイルの抵抗値を小さくすることが可能になるという効果を奏する。
【０２３６】
また、請求項７ないし１０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項２０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の磁極層と第２の磁極層とを磁気的に連結する連結部は、媒体対向面側に向く端面を有し、この端面は媒体対向面側に突出する曲面を含んでいる。また、導電層は、連結部の端面と媒体対向面との間に配置された第１の部分と第２の部分とを含み、第２の部分は第１の部分の外側に配置され、第１の部分と第２の部分のうちの少なくとも第１の部分は、連結部の端面と媒体対向面とを最短で結ぶ仮想の線上の位置において導電層中で最も小さく、仮想の線から離れるに従って大きくなる幅を有している。この点からも、本発明によれば、薄膜磁気ヘッドにおける磁路長を短くしながら、薄膜コイルの抵抗値を小さくすることが可能になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図である。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図である。
【図１３】図１２に続く工程を説明するための断面図である。
【図１４】図１３に続く工程を説明するための断面図である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを示す斜視図である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態における薄膜コイルの第１層部分を示す平面図である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態における薄膜コイルの第２層部分を示す平面図である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態における薄膜コイルの第３層部分を示す平面図である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態における薄膜コイルの第４層部分を示す平面図である。
【図２０】本発明の第１の実施の形態における薄膜コイルの第５層部分を示す平面図である。
【図２１】本発明の第１の実施の形態における薄膜コイルの形状の第１の例を示す平面図である。
【図２２】本発明の第１の実施の形態における薄膜コイルの形状の第２の例を示す平面図である。
【図２３】本発明の第１の実施の形態における連結部の上面の形状の第１の例を示す平面図である。
【図２４】本発明の第１の実施の形態における連結部の上面の形状の第２の例を示す平面図である。
【図２５】本発明の第１の実施の形態における連結部の上面の形状の第３の例を示す平面図である。
【図２６】本発明の第１の実施の形態における連結部の上面の形状の第４の例を示す平面図である。
【図２７】本発明の第１の実施の形態における連結部の上面の形状の第５の例を示す平面図である。
【図２８】本発明の第１の実施の形態における連結部の上面の形状の第６の例を示す平面図である。
【図２９】本発明の第１の実施の形態における連結部の上面の形状の第７の例を示す平面図である。
【図３０】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図３１】図３０に続く工程を説明するための断面図である。
【図３２】図３１に続く工程を説明するための断面図である。
【図３３】図３２に続く工程を説明するための断面図である。
【図３４】図３３に続く工程を説明するための断面図である。
【図３５】図３４に続く工程を説明するための断面図である。
【図３６】図３５に続く工程を説明するための断面図である。
【図３７】図３６に続く工程を説明するための断面図である。
【図３８】図３７に続く工程を説明するための断面図である。
【図３９】図３８に続く工程を説明するための断面図である。
【図４０】図３９に続く工程を説明するための断面図である。
【図４１】本発明の第２の実施の形態における薄膜コイルの第１層部分を示す平面図である。
【図４２】本発明の第２の実施の形態における薄膜コイルの第２層部分を示す平面図である。
【図４３】本発明の第２の実施の形態における薄膜コイルの第３層部分を示す平面図である。
【図４４】本発明の第２の実施の形態における薄膜コイルの第４層部分を示す平面図である。
【図４５】本発明の第２の実施の形態における薄膜コイルの第５層部分を示す平面図である。
【図４６】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図４７】図４６に続く工程を説明するための断面図である。
【図４８】図４７に続く工程を説明するための断面図である。
【図４９】図４８に続く工程を説明するための断面図である。
【図５０】図４９に続く工程を説明するための断面図である。
【図５１】図５０に続く工程を説明するための断面図である。
【図５２】図５１に続く工程を説明するための断面図である。
【図５３】図５２に続く工程を説明するための断面図である。
【図５４】図５３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５５】図５４に続く工程を説明するための断面図である。
【図５６】図５５に続く工程を説明するための断面図である。
【図５７】図５６に続く工程を説明するための断面図である。
【図５８】図５７に続く工程を説明するための断面図である。
【図５９】図５８に続く工程を説明するための断面図である。
【図６０】図５９に続く工程を説明するための断面図である。
【図６１】図６０に続く工程を説明するための断面図である。
【図６２】本発明の第３の実施の形態の変形例に係る薄膜磁気ヘッドを示す断面図である。
【図６３】本発明の第３の実施の形態における薄膜コイルの第１層部分を示す平面図である。
【図６４】本発明の第３の実施の形態における薄膜コイルの第２層部分を示す平面図である。
【図６５】本発明の第３の実施の形態における薄膜コイルの第３層部分を示す平面図である。
【図６６】図６２における薄膜コイルを示す平面図である。
【図６７】本発明の第３の実施の形態における薄膜コイルの形状の第１の例を示す平面図である。
【図６８】本発明の第３の実施の形態における薄膜コイルの形状の第２の例を示す平面図である。
【図６９】本発明の第３の実施の形態における薄膜コイルの形状の第３の例を示す平面図である。
【図７０】本発明の第３の実施の形態の変形例における薄膜コイルの第１層部分を示す平面図である。
【図７１】本発明の第３の実施の形態の変形例における薄膜コイルの第２層部分を示す平面図である。
【図７２】本発明の第３の実施の形態の変形例における薄膜コイルの第３層部分を示す平面図である。
【図７３】本発明の第３の実施の形態の変形例における薄膜コイルを示す平面図である。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ素子、８…上部シールド層、９…絶縁層、１０…下部磁極層、１０ａ…第１の層、１０ｂ…第２の層、１０ｃ…第３の層、１０ｄ…第４の層、１０ｅ…第５の層、２１…第１層部分、２２…第２層部分、２３…第３層部分、２４…第４層部分、２５…第５層部分、２６…記録ギャップ層、２８…上部磁極層、３０…エアベアリング面、３１…連結部、３２…端面、４０…薄膜コイル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
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【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
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【図７１】
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【図７２】
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【図７３】
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