(57)【要約】【課題】本発明は、ドライエッチング法の選択性を向上させるため、エッチング量を制御しながらドライエッチング法を行うことにより、発光層のみのエッチングを可能とするＥＬ素子の製造方法およびその製造装置を提供することを主目的とするものである。【解決手段】上記目的を達成するために、本発明は、電荷注入層上に発光層が形成され、上記発光層表面の発光部が形成される位置にフォトレジスト層がパターン状に形成された状態で、上記フォトレジスト層が形成されていない領域の発光層をドライエッチング法により除去することにより表面にフォトレジスト層を有する発光部を形成する工程を有するＥＬ素子の製造方法において、上記ドライエッチング法によるエッチング量を制御することにより、上記電荷注入層を残した状態で表面にフォトレジスト層を有する発光部を形成することを特徴とするＥＬ素子の製造方法を提供する。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷注入層上に発光層が形成され、前記発光層表面の発光部が形成される位置にフォトレジスト層がパターン状に形成された状態で、前記フォトレジスト層が形成されていない領域の発光層をドライエッチング法により除去することにより表面にフォトレジスト層を有する発光部を形成する工程を有するエレクトロルミネッセント素子の製造方法において、
前記ドライエッチング法によるエッチング量を制御することにより、前記電荷注入層を残した状態で表面にフォトレジスト層を有する発光部を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項２】
基板と、前記基板上にパターン状に形成された電極層と、前記基板および前記電極層上に形成された電荷注入層とを少なくとも有する中間基板上に、発光層形成用塗工液を塗布して発光層を形成する発光層形成工程と、前記発光層上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト層を形成し、これをパターン露光した後、現像することにより、発光部が形成される領域にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、
前記フォトレジスト層がパターン状に形成された状態でドライエッチング法を用いてエッチングを行い、フォトレジスト層が形成されていない領域の発光層を除去することにより、表面にフォトレジスト層を有する発光部を形成するエッチング工程と、
を有するエレクトロルミネッセント素子の製造方法において、
前記エッチング工程では、ドライエッチング法によるエッチング量を制御することにより、前記電荷注入層を残した状態で表面にフォトレジスト層を有する発光部を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項３】
前記ドライエッチング法によるエッチング量の制御が、ドライエッチングされる発光層の蛍光強度を検出し、検出された発光層の蛍光強度に基づいて行なわれることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項４】
前記ドライエッチング法が、大気圧プラズマを用いる方法であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項５】
前記電荷注入層が、バッファー層であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項６】
前記電荷注入層が、膜厚に応じた特性の変化の少ない層であることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載のエレクトロルミネセント素子の製造方法。
【請求項７】
蛍光を発光する蛍光発光層をドライエッチングするためのドライエッチング装置において、
前記蛍光発光層をドライエッチングするドライエッチング手段と、
前記ドライエッチングされる蛍光発光層からの蛍光の強度を検出する検出手段と、
前記検出手段からの信号に基づいて前記ドライエッチング手段のドライエッチング量を制御する制御手段と、
を有することを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項８】
前記ドライエッチング手段が、大気圧プラズマを用いるものであることを特徴とする請求項７に記載のドライエッチング装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載のドライエッチング装置を有し、かつ前記ドライエッチング装置により発光層をエッチングすることを特徴とするエレクトロルミネッセント素子の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトリソグラフィー法によりエレクトロルミネッセント（以下、エレクトロルミネッセントをＥＬと略す場合がある。）素子を製造する際に、ドライエッチング法を組合せ発光層をパターン状に形成するＥＬ素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＥＬ素子は、対向する電極から注入された正孔および電子が発光層内で結合し、そのエネルギーで発光層中の蛍光物質を励起し、蛍光物質に応じた色の発光を行うものであり、自発光の面状表示素子として注目されている。その中でも、有機物質を発光材料として用いた有機薄膜ＥＬディスプレイは、印加電圧が１０Ｖ弱であっても高輝度な発光が実現するなど発光効率が高く、単純な素子構造で発光が可能で、特定のパターンを発光表示させる広告その他低価格の簡易表示ディスプレイへの応用が期待されている。
【０００３】
このようなＥＬ素子を用いたディスプレイの製造にあっては、例えば、有機ＥＬ層、具体的には発光層のパターニング等が通常行われる。この発光層のパターニング方法としては、発光材料をシャドウマスクを介して蒸着する方法、インクジェットによる塗りわけ方法、紫外線照射により特定の発光色素を破壊する方法、スクリーン印刷法等がある。しかしながら、これらの方法では、発光効率や光の取り出し効率の高さ、製造工程の簡便さや高精細なパターン形成の全てを実現するＥＬ素子を提供することはできなかった。
【０００４】
このような問題点を解決する手段として、発光層をフォトリソグラフィー法によりパターニングすることにより形成するＥＬ素子の製造方法が提案されている。この方法によれば、従来行われてきた蒸着によるパターニング法と比較すると、高精度のアライメント機構を備えた真空設備等が不要であることから、比較的容易にかつ安価に製造することができる。一方、インクジェット方式を用いたパターニング法と比較すると、パターニングを補助する構造物や基板に対する前処理等を行うことがない点で好ましく、さらにインクジェットヘッドの吐出精度との関係から、フォトリソグラフィー法による製造方法の方がより高精細なパターンの形成に対しては好ましい方法であるといった利点を有するものであった。
【０００５】
このような利点を有するフォトリソグラフィー法によるＥＬ素子の製造方法においては、発光層をエッチングする方法として、ドライエッチング法を組み合わせることがある。ドライエッチング法は、発光層表面にパターン状に形成されたフォトレジストをマスクとして、フォトレジストにより被覆されていない領域の発光層を異方的にエッチングする方法である。そのため、発光層を微細に加工することを可能とする。しかしながら、ドライエッチング法は、エッチングの選択性が悪いため、発光層をエッチングする際に、その下に形成されているバッファー層等まで同時にエッチングしてしまう場合がある。従って、複数の発光層を有するＥＬ素子を製造する際には、各発光層のパターニングごとにバッファー層等を成膜し直す必要があった。このような処理は、材料を無駄にするばかりでなく、製造効率の低下にも繋がるため、選択的なエッチングが可能なドライエッチング法の開発が望まれていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、ドライエッチング法の選択性を向上させるため、エッチング量を制御しながらドライエッチング法を行うことにより、発光層のみのエッチングを可能とするＥＬ素子の製造方法およびその製造装置を提供することを主目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、請求項１に記載するように、電荷注入層上に発光層が形成され、上記発光層表面の発光部が形成される位置にフォトレジスト層がパターン状に形成された状態で、上記フォトレジスト層が形成されていない領域の発光層をドライエッチング法により除去することにより表面にフォトレジスト層を有する発光部を形成する工程を有するＥＬ素子の製造方法において、上記ドライエッチング法によるエッチング量を制御することにより、上記電荷注入層を残した状態で表面にフォトレジスト層を有する発光部を形成することを特徴とするＥＬ素子の製造方法を提供する。
【０００８】
本発明のＥＬ素子の製造方法は、発光層をドライエッチング法によりパターン状に除去する際、発光層の下に形成されている電荷注入層を除去することなく、発光層のみを所望のパターンに形成することを可能とするものである。従って、電荷注入層は一度成膜された後は、同一のものを使用することができることから、材料面において無駄を少なくできると共に、製造効率面においても電荷注入層の成膜の手間を省くことができるという利点を有する。
【０００９】
また本発明においては、請求項２に記載するように、基板と、上記基板上にパターン状に形成された電極層と、上記基板および上記電極層上に形成された電荷注入層とを少なくとも有する中間基板上に、発光層形成用塗工液を塗布して発光層を形成する発光層形成工程と、上記発光層上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト層を形成し、これをパターン露光した後、現像することにより、発光部が形成される領域にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、上記フォトレジスト層がパターン状に形成された状態でドライエッチング法を用いてエッチングを行い、フォトレジスト層が形成されていない領域の発光層を除去することにより、表面にフォトレジスト層を有する発光部を形成するエッチング工程とを有するＥＬ素子の製造方法において、上記エッチング工程では、ドライエッチング法によるエッチング量を制御することにより、上記電荷注入層を残した状態で表面にフォトレジスト層を有する発光部を形成することを特徴とするＥＬ素子の製造方法を提供する。
【００１０】
本発明は、ドライエッチング法により発光層をパターン状に除去する際、エッチング量を制御することにより、発光層の下に形成されている電荷注入層を除去することなく発光層のみをエッチングすることを可能とするものである。従って、従来、フルカラーのＥＬ素子を製造する際には、各発光層のパターニングごとに電荷注入層を成膜し直していたが、本発明では、そのような複数回の成膜工程が一度で済むことから、製造効率上有利であるばかりでなく、材料面においても無駄を少なくすることができるのである。
【００１１】
上記請求項１または請求項２に記載された発明においては、請求項３に記載するように、上記ドライエッチング法によるエッチング量の制御が、ドライエッチングされる発光層の蛍光強度を検出し、検出された発光層の蛍光強度に基づいて行なわれることが好ましい。発光層はエッチングの進行に伴って、その蛍光強度が変化する。そこで、このような発光層の蛍光強度の変化を測定し、その変化に応じてドライエッチング法のエッチング量を制御することにより、比較的容易に、電荷注入層を残した状態でパターン状に発光部を形成することができるからである。
【００１２】
上記請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載された発明においては、請求項４に記載するように、上記ドライエッチング法が、大気圧プラズマを用いる方法であることが好ましい。大気圧プラズマを用いることで、真空工程を無くすことができ、生産性の高いパターニングが可能となるからである。
【００１３】
上記請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載された発明においては、請求項５に記載するように、上記電荷注入層が、バッファー層であることが好ましい。バッファー層は、正孔注入層としての役割の他、基板を平坦にする目的で設けられるものであり、発光層と共に用いられる場合が多いからである。
【００１４】
上記請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載された発明においては、請求項６に記載するように上記電荷注入層が、膜厚に応じた特性の変化の少ない層であることが好ましい。本発明において、ドライエッチング法によりエッチングを行う際、電荷注入層を僅かにエッチングする可能性がある。このような電荷注入層のエッチングによる膜厚の変化により発光特性が大幅に変化しないようにするためである。
【００１５】
本発明においてはまた、請求項７に記載するように、蛍光を発光する蛍光発光層をドライエッチングするためのドライエッチング装置において、上記蛍光発光層をドライエッチングするドライエッチング手段と、上記ドライエッチングされる蛍光発光層からの蛍光の強度を検出する検出手段と、上記検出手段からの信号に基づいて上記ドライエッチング手段のドライエッチング量を制御する制御手段とを有することを特徴とするドライエッチング装置を提供する。
【００１６】
ドライエッチング手段に蛍光発光層が発する蛍光の強度を検出する手段および検出された蛍光強度に応じてドライエッチングを制御する手段を付加することにより、蛍光発光層のみ選択的にドライエッチングすることが可能となる。
【００１７】
上記請求項７に記載された発明においては、請求項８に記載するように、上記ドライエッチング手段が、大気圧プラズマを用いるものであることが好ましい。
【００１８】
大気圧プラズマを用いることで、真空工程を無くすことができ、生産性の高いパターニングが可能となるからである。
【００１９】
本発明においてはまた、請求項９に記載するように、請求項７または請求項８に記載のドライエッチング装置を有し、かつ上記ドライエッチング装置により発光層をエッチングすることを特徴とするＥＬ素子の製造装置を提供する。
【００２０】
本発明は、ＥＬ素子を構成する発光層をドライエッチングによりエッチングする際に、発光層のみのエッチングを可能とするものであるので、例えば、発光層の下に形成されているバッファー層をエッチングすることなく、発光層のみをパターン状に形成することが可能となる。よって製造効率および材料面において有利にＥＬ素子を製造することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のＥＬ素子の製造方法、ドライエッチング装置およびそれを用いたＥＬ素子の製造装置について説明する。
【００２２】
Ｉ．ＥＬ素子の製造方法
本発明のＥＬ素子の製造方法は、電荷注入層上に発光層が形成され、上記発光層表面の発光部が形成される位置にフォトレジスト層がパターン状に形成された状態で、上記フォトレジスト層が形成されていない領域の発光層をドライエッチング法により除去することにより表面にフォトレジスト層を有する発光部を形成する工程を有するＥＬ素子の製造方法において、上記ドライエッチング法によるエッチング量を制御することにより、上記電荷注入層を残した状態で表面にフォトレジスト層を有する発光部を形成することを特徴とするものである。
【００２３】
ここで、本発明における「電荷注入層」とは、発光層に電荷をバランス良く注入し、発光効率を向上させるために設けられる層であり、具体的には、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層およびバッファー層等が挙げられる。
【００２４】
また、本発明において「発光層」とは、発光層形成用塗工液を塗布し、乾燥させることにより形成された層を意味し、「発光部」とは所定の位置に形成された発光層を意味するものとする。
【００２５】
上述するように本発明のＥＬ素子の製造方法は、ドライエッチングにより発光層をパターン状にエッチングする際に、ドライエッチングの対象物を選択できるようにするため、エッチング量を制御しながらドライエッチングを行うことを特徴とする。これにより、発光層のみをエッチングすることが可能となり、発光層の下に位置する電荷注入層は、発光層のエッチングの際、同時にエッチングされることが回避されるのである。従って、従来、複数の発光層をパターニングする際に、各発光層のパターニングごとに成膜し直す手間を要していた電荷注入層が、一度成膜した後は、同一のものを使用することができるため、電荷注入層の形成にかかる手間が省略でき、製造効率上有利であると共に、材料面においても無駄を少なくすることができるのである。
【００２６】
このような利点を有する本発明のＥＬ素子の製造方法における製造工程は、
基板と、上記基板上にパターン状に形成された電極層と、上記基板および上記電極層上に形成された電荷注入層とを少なくとも有する中間基板上に、発光層形成用塗工液を塗布して発光層を形成する発光層形成工程と、
上記発光層上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト層を形成し、これをパターン露光した後、現像することにより、発光部が形成される領域にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、
上記フォトレジスト層がパターン状に形成された状態でドライエッチング法を用いてエッチングを行い、フォトレジスト層が形成されていない領域の発光層を除去することにより、表面にフォトレジスト層を有する発光部を形成するエッチング工程とを有するものであり、
上記エッチング工程では、ドライエッチング法によるエッチング量を制御することにより、上記電荷注入層を残した状態で表面にフォトレジスト層を有する発光部を形成することを特徴とするものである。
【００２７】
ここで、「中間基板」とは、最終的にＥＬ素子として製造される前の段階で、基板上に例えば電荷注入層までが形成されている場合や少なくとも一色の発光部が形成されているような基板を示すものである。
【００２８】
上記本発明のＥＬ素子の製造方法により、複数の発光部を有するＥＬ素子を製造することが可能である。図１は、このような複数の発光部を有するＥＬ素子を製造する方法において、３色の発光部を有する場合の本発明の製造方法の一例を図示したものである。以下、図１について各工程毎に説明する。
【００２９】
まず、図１（ａ）に示すように、パターン状に形成された電極層２を有する基板１上にバッファー層３を成膜し、次いで前記バッファー層３上に第１発光層４を積層する（第１発光層形成工程）。次いで、第１発光層４上にポジ型のフォトレジストを塗布し、第１フォトレジスト層５を形成する。さらに、図１（ｂ）に示すように、第１発光部が形成される位置のみ未露光部となるように、マスク６を介して、紫外線７をパターン露光する。次いで、現像、洗浄することにより、図１（ｃ）に示すように、第１発光部が形成される領域上のみ第１フォトレジスト層５が残る（第１フォトレジスト層形成工程）。さらに、第１フォトレジスト層５が除去され、露出している第１発光層４をドライエッチング法により除去する。この際、第１発光層４が発する蛍光の蛍光強度を測定しながら、その蛍光強度の変化に応じて、エッチング量を制御することにより、図１（ｄ）に示すように、バッファー層３を除去することなく第１発光層４のみをパターン状にエッチングすることができる。これにより、第１発光部４’が形成される（第１エッチング工程）。
【００３０】
次いで、第２発光層のパターニングを行う。第１発光部４’が形成された基板１上に、図１（ｅ）に示すように、第２発光層８を成膜し（第２発光層形成工程）、さらに、第２発光層８上にポジ型の第２フォトレジスト層５’を積層する。この第２フォトレジスト層５’に対して、第２発光部が形成される位置のみ未露光部となるようにマスク６を介して紫外線７をパターン露光し（図１（ｆ）参照）、その後現像、洗浄することにより図１（ｇ）に示すように、第２発光部が形成される位置のみ残存するように第２フォトレジスト層５’がパターニングされる（第２フォトレジスト層形成工程）。次いで、第２フォトレジスト層５’が除去され露出している第２発光層８をドライエッチング法により除去する。この際、第１発光層４のドライエッチング法によるエッチングと同様に、第２発光層８のみをエッチングするように、第２発光層８が発する蛍光の蛍光強度を測定し、その蛍光強度の変化に応じてエッチング量を制御する。これによりバッファー層３が第２発光層８と同時にエッチングされることが回避され、図１（ｈ）に示すように、バッファー層３が除去されることなく、第２発光層８がパターン状に形成された第２発光部８’が形成される（第２エッチング工程）。
【００３１】
さらに、第３発光層のパターニングを行う。まず、図１（ｉ）に示すように、第１発光部４’および第２発光部８’が形成されている基板１上に、第３発光層９を成膜し（第３発光層形成工程）、さらに第３発光層９上にポジ型の第３フォトレジスト層５’’を成膜する。次いで、図１（ｊ）に示すように、第３発光部が形成される位置のみ未露光部となるようにマスク６を介して紫外線７をパターン露光し、その後、現像、洗浄することにより、図１（ｋ）に示すように、第３発光部が形成される位置のみ第３フォトレジスト層５’’が残る（第３フォトレジスト層形成工程）。さらに、第３フォトレジスト層５’’が除去され、露出している第３発光層９をドライエッチング法により除去し、パターン状に形成された第３発光部９’を得る（第３エッチング工程）。この際のエッチングとしては、バッファー層をパターン状に形成する場合には、従来のドライエッチング法により第３発光層と共にエッチングすることによりパターン状にバッファー層を形成することができる。一方、バッファー層をパターン状としない場合には、第１エッチング工程および第２エッチング工程と同様に、エッチング量を制御することによりそのような形状にバッファー層を形成することができる。
【００３２】
以下、本発明のＥＬ素子の製造方法について、各工程ごとに詳細に説明する。
【００３３】
Ａ．発光層形成工程
本発明における発光層形成工程とは、基板と、上記基板上にパターン状に形成された電極層と、上記基板および上記電極層上に形成された電荷注入層とを少なくとも有する中間基板上に、発光層形成用塗工液を塗布して発光層を形成する工程である。
【００３４】
上述したように、「中間基板」とは、最終的にＥＬ素子として製造される前の段階の基板を示すものであり、例えば電荷注入層までが形成されている基板や、既に幾種類かの発光部のパターニングが終了している場合には、少なくとも一色の発光部を有する基板を示すものである。
【００３５】
また、本工程は、中間基板上に発光層を成膜する工程であるが、例えば、図１に示すように、３色の発光部を有するＥＬ素子を製造する場合には、具体的に第１発光層形成工程、第２発光層形成工程、第３発光層形成工程の各工程を示すものである。
【００３６】
このような発光層形成工程において、本工程を構成する各々の層について詳細に説明する。
【００３７】
（１）電荷注入層
本発明において電荷注入層とは、電荷すなわち電子または正孔を、発光層にバランス良く注入または輸送する役割を担う層を意味する。従って、このような働きをする層であれば特に限定はされない。具体的には、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層およびバッファー層等が挙げられる。その中でも、正孔注入層またはバッファー層であることが好ましい。一般的に、透明基板上にＩＴＯ電極を設け、さらに、このＩＴＯ電極上に、正孔注入層またはバッファー層を成膜し、さらに発光層が積層されている構成とする場合が多いからである。その中でも本発明においては、バッファー層であることが好ましい。バッファー層は、正孔注入層等としての機能を有し、かつ、発光層形成に際して必要な平坦性を確保することができるからである。
【００３８】
さらに、本発明においては、このような電荷注入層は、厚み依存性の低い材料から形成されることが好ましい。本発明は、ドライエッチング法により発光層のみをエッチングすることを特徴とするものであるが、この際に、僅かに電荷注入層がエッチングされる可能性がある。このような場合に厚み依存性の高い材料からなる電荷注入層とすると、僅かな膜厚の変化でもその性質が変化し、発光効率を低下させる原因となるからである。
【００３９】
以下、このような電荷注入層の具体的態様としてバッファー層について説明する。
【００４０】
（バッファー層）
本発明でいうバッファー層とは、発光層に電荷の注入が容易に行われるように、陽極と発光層との間または陰極と発光層との間に設けられ、有機物、特に有機導電体などを含む層である。例えば、発光層への正孔注入効率を高めて、電極などの凹凸を平坦化する機能を有する導電性高分子とすることができる。
【００４１】
本発明に用いられるバッファー層は、その導電性が高い場合、素子のダイオード特性を保ち、クロストークを防ぐためにパターニングされていることが望ましい。なお、バッファー層の抵抗が高い場合等はパターニングされていなくても良い場合もある。
【００４２】
また、本発明においては、バッファー層は発光層の下に位置し、発光層はフォトリソグラフィー法によりパターニングされて形成されるので、バッファー層を形成する材料が、フォトレジスト溶媒および発光層形成に用いる溶媒に不溶であるものを選択することが好ましく、より好ましくはバッファー層を形成する材料が、フォトレジスト剥離液に不溶である材料を選択した場合である。
【００４３】
このような本発明に用いられるバッファー層を形成する材料としては、具体的にはポリアルキルチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、トリフェニルアミン等の正孔輸送性物質の重合体、無機酸化物のゾルゲル膜、トリフルオロメタン等の有機物の重合膜、ルイス酸を含む有機化合物膜等が挙げられる。
その中でも、本発明においては、上述したように厚み依存性が低く、溶解性に関する条件を満足する材料であることが好ましい。このような材料としては、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ複合体（ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホネート等が挙げられる。また、成膜後に反応、重合あるいは焼成等により上記の条件を満たしても良い。
【００４４】
また、本発明においてバッファー層を形成する際に用いられる溶媒としては、バッファー材料が分散または溶解していればよく、特に制限されるものではない。
【００４５】
具体的には、水、メタノール、エタノールをはじめとするアルコール類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の溶媒が挙げられるが、この他でも条件を満たす溶媒であれば使用可能である。また、２種以上の溶媒を混合して用いても良い。
【００４６】
このようなバッファー層の膜厚としては、０．０１μｍ〜１．０μｍの範囲内、この中でも０．０１μｍ〜０．２μｍの範囲内であることが好ましい。上記範囲内の膜厚を有するバッファー層であれば、ドライエッチングの際に僅かにエッチングされても、バッファー層が除去されることがなく、バッファー層としての機能を充分に発揮することができるからである。
【００４７】
（２）発光層
次に、発光層について説明する。本発明において発光層は、上記電荷注入層上に、発光層を形成する発光層形成用塗工液を塗布し、形成されるものである。
【００４８】
このような発光層を形成する発光層形成用塗工液としては、通常発光層材料、溶媒およびドーピング剤等の添加剤により構成されるものである。なお、本発明においては、種類の異なる発光層を複数回にわたりフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることから、複数色の発光層が形成されるものである。以下これらの発光層を構成する材料について説明する。
【００４９】
（ａ）発光材料
本発明に用いられる発光材料としては、蛍光を発する材料を含み発光するものであれば特に限定されない。発光層を形成する材料としては、発光機能と正孔輸送機能や電子輸送機能をかねていることができるが、好ましくは発光層を形成する材料が、後述するフォトレジスト溶媒、フォトレジスト現像液、およびフォトレジスト層を剥離する際に用いるフォトレジスト剥離液に不溶である材料である。また、この場合は、発光層をフォトリソグラフィー法によりパターニングする際に用いるフォトレジストが、発光層の形成に用いる溶媒に不溶の材料を用いることが好ましい。
【００５０】
このような発光材料としては、色素系材料、金属錯体系材料、および高分子系材料を挙げることができる。
【００５１】
（ｉ）色素系材料
色素系材料としては、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー等を挙げることができる。
【００５２】
（ｉｉ）金属錯体系材料
金属錯体系材料としては、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体等、中心金属に、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等または、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体等を挙げることができる。
【００５３】
（ｉｉｉ）高分子系材料
高分子系の材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体等、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体、金属錯体系発光材料を高分子化したもの等を挙げることができる。
【００５４】
（ｂ）ドーピング材料
発光層中に発光効率の向上、発光波長を変化させる等の目的でドーピングを行うことができる。このドーピング材料としては例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィレン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン等を挙げることができ。
【００５５】
（ｃ）発光層形成用溶媒
発光層形成用の溶媒は、電荷注入層と用いる場合、発光層の成膜の際に電荷注入層と発光層材料が混合や溶解することを防ぎ、発光材料本来の発光特性を保つために電荷注入層を溶解しないことが望ましい。
【００５６】
このような観点から、発光層形成用溶媒は電荷注入層材料に対する溶解度が２５℃、１気圧で０．００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましく、さらに好ましくは０．０００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましい。
【００５７】
さらに発光層形成用溶媒は、２色目以降の発光層成膜の際に、フォトレジスト層と発光層材料が混合や溶解することを防ぎ、さらに、すでにパターニングされている発光層を保護するためにフォトレジストを溶解しないことが望ましい。
【００５８】
このような観点から、発光層形成用溶媒はフォトレジストに対する溶解度が２５℃、１気圧で０．００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましく、さらに好ましくは０．０００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましい。例えば、電荷注入層が水系やＤＭＦ、ＤＭＳＯ、アルコール等の極性溶媒に溶解し、フォトレジストが一般的なノボラック系ポジレジストの場合、ベンゼン、トルエン、キシレンの各異性体およびそれらの混合物、メシチレン、テトラリン、ｐ−シメン、クメン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ブチルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンの各異性体およびそれらの混合物等をはじめとする芳香族系溶媒、アニソール、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、テトラヒドロフラン、２−ブタノン、１，４−ジオキサン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、ジグライム等をはじめとするエーテル系溶媒、ジクロロメタン、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１−クロロナフタレン等のクロル系溶媒、シクロヘキサノン等が挙げられるが、この他でも条件を満たす溶媒であれば使用可能であり、２種以上の混合溶媒であっても良い。
【００５９】
（３）電極層
本発明においては、電極層は通常ＥＬ素子に用いられるものであれば限定されず基板に先に設ける電極層を第１電極層、発光層および電荷注入層等の有機ＥＬ層形成後に設ける電極層を第２電極層と呼ぶことがある。これらの電極層は、陽極と陰極からなり、陽極と陰極のどちらか一方が、透明または、半透明であり、陽極としては、正孔が注入し易いように仕事関数の大きい導電性材料が好ましい。また、複数の材料を混合させてもよい。いずれの電極層も、抵抗はできるだけ小さいものが好ましく、一般には、金属材料が用いられるが、有機物あるいは無機化合物を用いてもよい。
【００６０】
好ましい陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ、酸化イソジウム、金が挙げられる。好ましい陰極材料としては、例えばマグネシウム合金（ＭｇＡｇ他）、アルミニウム合金（ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ他）、金属カルシウムおよび仕事関数の小さい金属が挙げられる。
【００６１】
（４）基板
本発明に用いることができる基板としては、特に限定されるものではなく、通常ＥＬ素子に用いられているガラス等の基板であれば用いることができる。
【００６２】
Ｂ．フォトレジスト層形成工程
本発明におけるフォトレジスト層形成工程とは、上記発光層上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト層を形成し、これをパターン露光した後、現像することにより、発光部が形成される領域にフォトレジスト層を形成する工程である。
【００６３】
具体的に３色の発光層を有するＥＬ素子を製造する際には、図１に示すように第１フォトレジスト層形成工程、第２フォトレジスト層形成工程、第３フォトレジスト層形成工程の各工程を示すものである。
【００６４】
以下、フォトレジストを構成する材料およびフォトレジストをパターニングする際に用いるフォトレジスト現像液について説明する。
【００６５】
（１）フォトレジスト
本発明において用いることができるフォトレジストは、ポジ型であってもネガ型であっても特に限定されるものではないが、発光層の形成に用いる溶媒に不溶であるものが好ましい。
【００６６】
具体的に用いることができるフォトレジストとしては、ノボラック樹脂系、ゴム＋ビスアジド系等を挙げることができる。
【００６７】
（２）フォトレジスト溶媒
本発明においてフォトレジスト溶媒は、フォトレジスト層を成膜する際に、フォトレジストを溶解させ塗布する際に用いられる。このようなフォトレジスト溶媒としては、フォトレジスト層を成膜する際に発光層とフォトレジスト材料が混合や溶解することを防ぎ、本来の発光特性を保つために発光層を構成する材料が溶解しないものを用いることが望ましい。この点を考慮すると、本発明に用いることができるフォトレジスト溶媒としては、発光層の材料に対する溶解度が、２５℃、１気圧で０．００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましく、さらに好ましくは０．０００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましい。
【００６８】
さらに、電荷注入層がバッファー層である場合には、バッファー層形成材料が水系の溶媒に溶解し、発光層が芳香族系等の無極性有機溶媒に溶解する場合に用いることができるフォトレジスト溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトンをはじめとするケトン類、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、をはじめとするセロソルブアセテート類、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルをはじめとするセロソルブ類、メタノール、エタノール、１−ブタノール、２−ブタノール、シクロヘキサノールをはじめとするアルコール類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、シクロヘキサン、デカリン等が挙げられるが、この他でも条件を満たす溶媒であれば使用可能であり、２種以上の混合溶媒であっても良い。
【００６９】
（３）フォトレジスト現像液
本発明においてフォトレジスト現像液は、フォトレジスト層をパターン状に形成する際に用いられるものである。このようなフォトレジスト現像液としては、上記発光層を構成する材料を溶解するものでなければ特に限定されるものではない。具体的には、一般的に使用されている有機アルカリ系現像液を使用できるが、そのほかに、無機アルカリ、またはレジストの現像が可能な水溶液を使用することができる。フォトレジスト層の現像を行った後は水で洗浄するのが望ましい。
【００７０】
本発明に用いることができる現像液としては、発光層を構成する材料に対する溶解度が、２５℃、１気圧で０．００１（ｇ／ｇ現像液）以下の現像液であることが好ましく、さらに好ましくは０．０００１（ｇ／ｇ現像液）以下の現像液を選択することである。
【００７１】
Ｃ．エッチング工程
本発明におけるエッチング工程とは、パターン状に形成されたフォトレジスト層をマスクとしてドライエッチング法を用いてエッチングを行い、フォトレジスト層が形成されていない領域の発光層を除去することにより、表面にフォトレジスト層を有する発光部を形成する工程である。
【００７２】
本発明においては、本工程でのドライエッチング法によるエッチング量を制御しながら行うことにより、エッチングの対象物を選択できるようにしたことを特徴とするものである。従って、本発明のドライエッチング法によれば、発光層のみがパターン状にエッチングされ、その下に位置する電荷注入層は、ドライエッチングにより除去されることが回避されるのである。よって、従来では、各発光層のパターニングごとに発光層と同時に成膜されてエッチングされていた電荷注入層を、一度成膜した後は、同一のものを使用することが可能となり、製造効率上有利であると共に、材料面においても無駄を少なくすることができるという利点を有する。
【００７３】
具体的に３色の発光部を有するＥＬ素子の製造方法においては、図１に示すように、第１エッチング工程、第２エッチング工程が該当する。複数の発光層を有するＥＬ素子の場合に、最後の発光層をエッチングする工程、例えば、第３エッチング工程では、従来のように、発光層と共に電荷注入層をエッチングしても構わない。これにより電荷注入層をパターン状に形成することができるからである。一方、電荷注入層をパターン状に形成しないような場合には、第３エッチング工程においても、エッチング量を制御しながらドライエッチングを行う本工程としてもよい。
【００７４】
このような利点を有する本発明のドライエッチング法としては、エッチング量を制御することにより、発光層のみをエッチングすることができる方法であれば特に限定されない。具体的には、発光層の膜厚およびエッチング速度の関係を予め計測することにより、時間制御によってエッチング量を制御する方法や、発光層から発せられる蛍光の蛍光強度を測定し、その蛍光強度の経時的な変化に応じてエッチング量を制御する方法等が挙げられる。この中でも、本発明においては、後者の方法であることが好ましい。
【００７５】
後者の方法は蛍光強度に基づいてドライエッチング法を制御する方法である。この方法は、発光層から発生する蛍光の蛍光強度が、発光層の残存量に応じて変化することを利用している。すなわち、ドライエッチング法によるエッチングの進行に伴い、経時的に蛍光強度は変化し、最終的に発光層のみがエッチングされた時点では、ある一定の数値の蛍光強度を示すことになる。そこで、予め、このような蛍光強度の数値を特定しておき、そのような数値が計測された時点でエッチングを終了することにより、発光層のみを除去することが可能となるのである。
【００７６】
さらに、本発明に用いられるドライエッチング法としては、ドライエッチングが、反応性イオンエッチングであることが好ましい。反応性イオンエッチングを用いることにより、発光層が化学的に反応を受け、分子量の小さい化合物となることにより、気化・蒸発して基板上から除去することができ、エッチング精度の高い、短時間の加工が可能となるからである。
【００７７】
さらに、本発明においては上記ドライエッチング法において、大気圧プラズマを用いることが好ましい。大気圧プラズマを用いることで、通常真空装置が必要であるドライエッチングが大気圧下で行なうことができ、処理時間の短縮、およびコストの低減が可能となるからである。
【００７８】
このようなドライエッチング法において用いる反応性ガスとしては、一般的に用いられている反応性ガスを使用することが可能である。しかしながら、本発明においては、発光層から発せられる蛍光の蛍光強度を測定しながら、ドライエッチング法によりエッチングするため、プラズマにより紫外光を発生する反応性ガスを用いることが好ましい。このような反応性ガスとしては、酸素単体または酸素を含むガス等を挙げることができる。このような反応性ガスを用いることにより、エッチングの際に、別に紫外光を照射しなくともよいからである。
【００７９】
ＩＩ．ドライエッチング装置
次に、本発明のドライエッチング装置について説明する。
【００８０】
本発明のドライエッチング装置は、蛍光を発光する蛍光発光層をドライエッチングするためのドライエッチング装置において、上記蛍光発光層をドライエッチングするドライエッチング手段と、上記ドライエッチングされる蛍光発光層からの蛍光の強度を検出する検出手段と、上記検出手段からの信号に基づいて上記ドライエッチング手段のドライエッチング量を制御する制御手段とを有することを特徴とするものである。
【００８１】
ここで、本発明における「蛍光発光層」とは、紫外光等を照射することにより蛍光を発する発光層を意味し、具体的には、ＥＬ素子の発光層等が挙げられる。
【００８２】
このような手段を有するドライエッチング装置により、蛍光発光層をエッチングすると、蛍光発光層から発せられる蛍光強度を測定しながらドライエッチングを行うことが可能となる。従って、エッチングの進行に伴い経時的に変化する蛍光強度に応じてドライエッチング手段を制御することができるため、蛍光発光層のみをエッチングすることができるのである。
【００８３】
以下、このような本発明のドライエッチング装置について各手段ごとに説明する。
【００８４】
Ａ．ドライエッチング手段
本発明におけるドライエッチング手段としては、通常用いられているドライエッチング装置を用いることが可能である。その中でも、反応性イオンエッチングによりエッチングを行うドライエッチング装置であることが好ましい。反応性イオンエッチングを用いることにより、蛍光発光層が化学的に反応を受け、分子量の小さい化合物となることにより、気化・蒸発して基板上から除去することができ、エッチング精度の高い、短時間の加工が可能となるからである。
【００８５】
さらに、本発明においては、大気圧プラズマを用いるドライエッチング装置であることが好ましい。大気圧プラズマを用いることで、通常真空装置が必要であるドライエッチングが大気圧下で行なうことができ、処理時間の短縮、およびコストの低減が可能である。
【００８６】
また、本発明におけるドライエッチング手段に使用する反応性ガスとしては、一般的に用いられているものを使用することが可能である。しかしながら、本発明においては、発光層から発する蛍光の蛍光強度を測定しながらドライエッチング手段によりエッチングを行うため、プラズマにより紫外光を発生する反応性ガスを用いることが好ましい。具体的には、酸素単体または酸素を含むガス等を挙げることができる。すなわち、このようなガスを反応性ガスとして用いることにより、ドライエッチングの際、紫外光を照射する手段を別に設けなくとも発光層から蛍光を発生させることが可能となるからである。
【００８７】
Ｂ．検出手段
本発明における検出手段とは、ドライエッチングされる蛍光発光層からの蛍光の強度を検出する手段である。このような検出手段としては、発光層から発生する蛍光を検出することが可能な手段であれば特に限定はされない。具体的に本発明においては、蛍光を受光する受光手段であることが好ましい。蛍光を受光して検出する手段とすることにより、速やかに蛍光の強度の変化を測定することができるからである。
【００８８】
また、上記ドライエッチング手段における反応性ガスが、プラズマにより紫外光を発生しないものである場合には、紫外光を照射する手段を別に設けることにより、発光層から蛍光を発生させることが可能である。
【００８９】
Ｃ．制御手段
本発明における制御手段とは、上記検出手段からの信号に基づいて上記ドライエッチング手段のドライエッチング量を制御する手段である。
【００９０】
このような制御手段としては、発光層から発生する蛍光の蛍光強度に応じてドライエッチング手段を制御することができる手段であれば特に限定されない。具体的には、上記検出手段により検出された蛍光の強度により、その変化に応じてドライエッチング手段を制御することにより蛍光発光層のみがエッチングされた時点でドライエッチングを停止させる手段等である。
【００９１】
このような各手段を有するドライエッチング装置の一例を図示したものが図２である。すなわち、ドライエッチング手段１０を有するチャンバー１１と、前記チャンバー１１内に設置された基板１２をドライエッチング手段１０によりエッチングする際に、基板１２上に成膜されている蛍光発光層から発せられる蛍光を検出する受光手段１３と、受光手段１３により受光された蛍光の蛍光強度を算出し、その蛍光強度の変化に応じてドライエッチング手段１０を制御する制御手段１４とを示している。
【００９２】
ＩＩＩ．ＥＬ素子の製造装置
本発明のＥＬ素子の製造装置は、上記ドライエッチング装置を有し、かつ上記ドライエッチング装置により発光層をエッチングすることを特徴とするものである。
【００９３】
上記ドライエッチング装置は、蛍光を発する種々の蛍光発光層を有する素子等を製造する際において、蛍光発光層のみのエッチングを可能とするが、中でも、ＥＬ素子の発光層をドライエッチングによりエッチングする際に用いることが可能である。
【００９４】
上記ドライエッチング装置をＥＬ素子の発光層のエッチングに使用することにより、発光層の下に形成されている電荷注入層は除去されることなく、発光層のみをパターン状にエッチングすることができるのである。従って、従来、複数の発光層を有するＥＬ素子を製造する際に、各発光層のパターニングごとに成膜し、エッチングしていた電荷注入層を、一度成膜した後は、同一のもの使用することが可能となり、製造効率を向上させると共に、材料的にも無駄を少なくすることができるのである。
【００９５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００９６】
【実施例】
以下に実施例を示し、本発明をさらに説明する。
【００９７】
（１色目の有機ＥＬ層の作製）
透明ガラス基板上に第１電極層として酸化インジウム錫（ＩＴＯ）が形成されたガラス基板上に、正孔注入層塗布液（ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホネート：ＰＥＤＴ／ＰＳＳ、バイエル社製Ｂａｙｔｒｏｎ　Ｐ）をスピンコーティングにより全面に塗布、乾燥させ膜厚１５００Åの第１正孔注入層を形成した。
【００９８】
次に、第１発光層として、ポリパラフェニレンビニレン誘導体ＭＥＨ−ＰＰＶの１ｗｔ％キシレン溶液を作製し、第１正孔注入層上にスピンコーティング法により全面に塗布、乾燥させて膜厚１０００Åの第１発光層を成膜し、有機ＥＬ層を形成した。
【００９９】
（１色目のフォトレジスト層の作製）
次に、第１発光層上にポジ型フォトレジスト（東京応化社製：ＯＦＰＲ−８００）をスピンコーティング法により全面に塗布、乾燥させ膜厚１μｍの第１フォトレジスト層を形成した。
【０１００】
（１色目のパターニング）
次に、第１発光部に該当する部分が遮光部となるように作製されたフォトマスク（ライン幅（遮光部）：８５μｍ、スペース幅（透過部）２１５μｍ）を用いてアライメント露光機により紫外線照射を行った後、フォトレジスト現像液（東京応化社製：ＮＭＤ−３）により露光部のフォトレジスト層を除去した。その後、スペクトル強度を計測しながら、酸素プラズマ装置によりドライエッチングを行った。この際、発光層が形成されていない基板のスペクトル強度を予め測定しておき、このスペクトル強度との差が１５以下になったところでエッチングを停止した。次いで、フォトレジスト層が除去された部分の有機ＥＬ層の膜厚測定を行ったところ、発光層は完全に除去され、正孔注入層の膜厚は１４００Åであった。
【０１０１】
（２色目有機ＥＬ層の形成）
残存したフォトレジスト層を剥離することなく第２発光層、さらにフォトレジスト層をウェットプロセスにより形成した。
【０１０２】
（２色目パターニング）
次に、上記フォトマスクを用いて１色目露光時と比較して、１ピッチ分（１００μｍ）基板を横にずらし紫外線露光を行った後、フォトレジスト現像液（東京応化社製：ＮＭＤ−３）により露光部のフォトレジスト層を除去した。その後、蛍光強度を計測しながら酸素プラズマ装置によりドライエッチングを行い、１色目の発光層のパターニングと同様に、差スペクトル強度が１５以下になったところでエッチングを停止した。フォトレジスト層が除去された部分の有機ＥＬ層の膜厚測定を行ったところ、第２発光層は完全に除去され、正孔注入層の膜厚は１３００Åであった。
【０１０３】
（３色目有機ＥＬ層の形成）
第１発光層および第２発光層上に残存するフォトレジスト層を剥離することなく第３発光層を形成し、さらに、第３発光層上にフォトレジスト層をウェットプロセスにより形成した。
【０１０４】
（３色目パターニング）
次に、上記フォトマスクを用いて２色目露光時と比較して、１ピッチ分（１００μｍ）基板を横にずらし紫外線露光を行った後、フォトレジスト現像液（東京応化社製：ＮＭＤ−３）により露光部のフォトレジスト層を除去した。その後、蛍光強度を計測しながら酸素プラズマ装置によりドライエッチングを行い、差スペクトル強度が１５以下になったところから、さらに６０秒間エッチングを行いエッチングを停止した。有機ＥＬ層の膜厚測定を行ったところ、画素間の有機ＥＬ層は完全に除去された。
【０１０５】
（フォトレジスト層剥離）
パターニング終了後、残ったフォトレジスト層をレジスト溶媒に室温で１０分間浸漬し、フォトレジスト層だけを完全に除去し、ライン幅８５μｍ、スペース幅１５μｍでパターニングされた有機ＥＬ層が形成された基板を得た。
【０１０６】
（評価）
パターニング終了後、直ちにフォトレジスト層を剥離し、さらに金属電極の形成を連続して行った。金属電極としては、カルシウムを１０００Åの厚さで蒸着し、さらに、酸化保護膜として銀を２０００Åの厚さで蒸着した。ＩＴＯ電極側を正極、金属電極側を負極に接続し、ソースメーターにより直流電流を印可した。印可電圧が１０Ｖ前後において波長５８０ｎｍの発光が観察された。また、顕微鏡観察により発光部を観察したところ、幅８５μｍのラインが均一に発光していることを確認した。
【０１０７】
【発明の効果】
本発明によれば、ドライエッチング法により発光層をパターン状に除去する際、エッチング量を制御することにより、発光層の下に形成されている電荷注入層を除去することなく発光層のみをエッチングすることを可能とするものである。従って、従来、フルカラーのＥＬ素子を製造する際には、各発光層のパターニングごとに電荷注入層を成膜し直していたが、本発明では、そのような複数回の成膜工程が一度で済むことから、製造効率上有利であるばかりでなく、材料面においても無駄を少なくすることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＥＬ素子の製造方法の一例を示す工程図である。
【図２】本発明のドライエッチング装置の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
１　…　基板
２　…　電極層
３　…　電荷注入層
４　…　第１発光層
４’　…　第１発光部
５　…　第１フォトレジスト層
５’　…　第２フォトレジスト層
５’’　…　第３フォトレジスト層
６　…　マスク
７　…　紫外線
８　…　第２発光層
８’　…　第２発光部
９　…　第３発光層
９’　…　第３発光部
【図１】
2004014203.tif 000003
【図２】
2004014203.tif 000004