(57)【要約】【課題】  薄膜磁気ヘッドとハードディスクとのクラッシュを防止して、薄膜磁気ヘッドの低浮上化を実現可能とする薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法を提供すること。【解決手段】  再生ヘッド部（磁気抵抗効果素子）１１と、記録ヘッド部（誘導型電磁変換素子）１２と、通電することにより発熱するヒータ１７とを備える薄膜磁気ヘッド１を基台２上に形成し、ヒータ１７または記録ヘッド部１２に通電しながら、薄膜磁気ヘッド１の媒体対向面Ｓを研磨する。【選択図】  図４
2004288352.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法であって、
再生用の磁気抵抗効果素子と、書込用の誘導型電磁変換素子と、通電することにより発熱するヒータとを備える前記薄膜磁気ヘッドを基台上に形成し、
前記ヒータに通電しながら、前記薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を研磨することを特徴とする薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法。
【請求項２】
前記薄膜磁気ヘッドは、前記磁気抵抗効果素子、前記誘導型電磁変換素子及び前記ヒータがこの順に前記基台側から積層されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法。
【請求項３】
前記薄膜磁気ヘッドにおける前記基台の反対側の表面上に前記ヒータを備えることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法。
【請求項４】
前記基台を切断して前記薄膜磁気ヘッドが列状に配置されたバーを形成し、
前記バーにおける前記薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を、前記ヒータに通電しながら研磨することを特徴とする請求項１〜３いずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法。
【請求項５】
前記バーにおける複数の前記薄膜磁気ヘッドの前記ヒータ同士を電気的に接続し、
前記バーにおける前記ヒータの全てに対し、同一電源によって通電しながら前記薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を研磨することを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法。
【請求項６】
前記バーにおける複数の前記薄膜磁気ヘッドの前記ヒータにそれぞれ個別に通電することを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法。
【請求項７】
前記基台を切断して前記薄膜磁気ヘッドが列状に配置されたバーを形成し、
前記バーを切断して、それぞれが薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダを形成し、
前記ヘッドスライダをアーム部材に搭載してヘッドジンバルアセンブリを形成し、
この状態で、前記ヒータに通電しながら、前記薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を研磨することを特徴とする請求項１〜３いずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法。
【請求項８】
薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法であって、
再生用の磁気抵抗効果素子と、書込用の誘導型電磁変換素子とを備える前記薄膜磁気ヘッドを基台上に形成し、
前記電磁変換素子に通電しながら、前記薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を研磨することを特徴とする薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法。
【請求項９】
前記基台を切断して前記薄膜磁気ヘッドが列状に配置されたバーを形成し、
前記バーにおける前記薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を、前記電磁変換素子に通電しながら研磨することを特徴とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法。
【請求項１０】
前記バーにおける複数の前記薄膜磁気ヘッドの前記電磁変換素子同士を電気的に接続し、
前記バーにおける前記電磁変換素子の全てに対し、同一電源によって通電しながら前記薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を研磨することを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法。
【請求項１１】
前記バーにおける複数の前記薄膜磁気ヘッドの前記電磁変換素子にそれぞれ個別に通電することを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法。
【請求項１２】
前記基台を切断して前記薄膜磁気ヘッドが列状に配置されたバーを形成し、
前記バーを切断して、それぞれが薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダを形成し、
前記ヘッドスライダをアーム部材に搭載してヘッドジンバルアセンブリを形成し、
この状態で、前記電磁変換素子に通電しながら、前記薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を研磨すること特徴とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、可撓性を有するアーム部材の先端部に、薄膜磁気ヘッドが形成されたヘッドスライダを取り付けることによってヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）が構成される。このヘッドジンバルアセンブリは、ハードディスク装置に組み込まれ、記録媒体であるハードディスクへの記録再生を行う。記録再生時には、ハードディスクの回転に伴う空気流が薄膜磁気ヘッドの下方に流れることでアーム部材が撓み、薄膜磁気ヘッドが浮上する。薄膜磁気ヘッドとハードディスクとの空隙、すなわちヘッド浮上量は、ハードディスクの高密度化に伴って微小化され、１０ｎｍと極限まで達しつつある。
【０００３】
このような状況下において、基台上に再生用の磁気抵抗効果素子と書込用の誘導型電磁変換素子とをこの順で積層した複合型の薄膜磁気ヘッドでは、電磁変換素子に通電すると、電磁変換素子を構成するコイルが発熱する。すると、薄膜磁気ヘッドにおけるハードディスクの記録面に対向する面、すなわち媒体対向面（ABS；Air Bearing Surface）における電磁変換素子の近傍が熱膨張してハードディスク側に突出する。このため、薄膜磁気ヘッドとハードディスクとの間隔が狭まり、薄膜磁気ヘッドとハードディスクとがクラッシュを起こすおそれがある。従って、薄膜磁気ヘッドの浮上量は、電磁変換素子の近傍が膨張しても薄膜磁気ヘッドとハードディスクとがクラッシュを起こさない程度に保たなければならなくなる。このため、薄膜磁気ヘッドの低浮上化を十分に達成することは困難であった。
【０００４】
このような事態を防止して薄膜磁気ヘッドの低浮上化を図るものとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドにおけるオーバーコート層の媒体対向面側の先端部分を一部削って段差を付けたものや、電磁変換素子を構成するコイルの絶縁層のガラス転移温度を７０〜１００℃程度にしてヤング率を低減させ、コイル部分に発生する熱応力を低減させるものが知られている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２０００−３０６２１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来のものでは、媒体対向面の突出を十分に抑えることはできず、今後の薄膜磁気ヘッドの更なる低浮上化を実現するのは困難である。
【０００６】
また、本発明者等は、磁気抵抗効果素子とハードディスクとの間隔を調整するためのヒータを薄膜磁気ヘッド内に形成することを検討しているが（未公開）、この場合においても、上述したような問題が起こる可能性がある。
【０００７】
本発明の目的は、薄膜磁気ヘッドとハードディスクとのクラッシュを防止して、薄膜磁気ヘッドの低浮上化を実現可能とする薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法であって、再生用の磁気抵抗効果素子と、書込用の誘導型電磁変換素子と、通電することにより発熱するヒータとを備える薄膜磁気ヘッドを基台上に形成し、ヒータに通電しながら、薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を研磨することを特徴としている。
【０００９】
実際にハードディスクに記録する際、薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子は、通電により発熱する。すると、電磁変換素子の周囲の層が膨張して、媒体対向面が突出する。本発明では、薄膜磁気ヘッドをハードディスク装置に組み込むのに先立ち、薄膜磁気ヘッドに備えられたヒータを発熱させることにより、ヒータ近傍の媒体対向面を膨張させ、その膨張した部分を研磨する。このため、ハードディスクへの実際の記録時において、電磁変換素子への通電により媒体対向面が膨張しても、薄膜磁気ヘッドの浮上量を適度な値にすることができる。従って、薄膜磁気ヘッドとハードディスクとのクラッシュを防止することができ、薄膜磁気ヘッドの低浮上化を実現することができる。
【００１０】
また、上記ヒータは、ハードディスクへの実際の記録再生時に、磁気抵抗効果素子とハードディスクとの間隔を調整するために発熱させることもできる。ところが、このヒータの発熱により、薄膜磁気ヘッドの意図しない部分が膨張してしまうことがある。しかし、このような場合にも、本発明のラッピング方法によれば、意図しない膨張部位を予め除去することができる。
【００１１】
また、本発明は、薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子、誘導型電磁変換素子及びヒータがこの順に基台側から積層されていることを特徴としている。ハードディスクへの実際の記録再生時において電磁変換素子に通電させると、電磁変換素子が発熱して周囲が膨張し、媒体対向面が突出する。そのため、ハードディスクへの記録再生時の媒体対向面においては、電磁変換素子の近傍が最もハードディスク面に近くなる。
【００１２】
本発明では、ヒータを磁気抵抗効果素子ではなく電磁変換素子の近くに設け、該ヒータを発熱させることによって電磁変換素子近傍の媒体対向面を膨張させ、その膨張した部分を研磨する。これにより、ハードディスクへの実際の記録時において、電磁変換素子への通電により媒体対向面が膨張しても、薄膜磁気ヘッドの浮上量を適度な値にすることができる。従って、薄膜磁気ヘッドとハードディスクとのクラッシュをより確実に防止することができる。
【００１３】
また、薄膜磁気ヘッドにおける基台の反対側の表面上にヒータを備えてもよい。これにより、薄膜磁気ヘッド内にヒータを形成する必要がないため、薄膜磁気ヘッドの製造が容易となる。
【００１４】
また、基台を切断して薄膜磁気ヘッドが列状に配置されたバーを形成し、バーにおける薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を、ヒータに通電しながら研磨してもよい。これにより、複数の薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を一度にラッピングすることができるため、作業効率が向上する。
【００１５】
この場合、バーにおける複数の薄膜磁気ヘッドのヒータ同士を電気的に接続し、バーにおけるヒータの全てに対し、同一電源によって通電しながら薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を研磨してもよい。これにより、少ない通電設備で複数の薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を一度に研磨することができる。
【００１６】
また、バーにおける複数の薄膜磁気ヘッドのヒータにそれぞれ個別に通電してもよい。これにより、薄膜磁気ヘッドの媒体対向面の膨張量を個別に変化させることができるため、個々の薄膜磁気ヘッドについての研磨量を調整することができる。また、ヒータ同士を接続するために必要となる配線設置などの工程を省くことができ、薄膜磁気ヘッドの製造が容易となる。
【００１７】
更に、本発明は、基台を切断して薄膜磁気ヘッドが列状に配置されたバーを形成し、バーを切断して、それぞれが薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダを形成し、ヘッドスライダをアーム部材に搭載してヘッドジンバルアセンブリを形成し、この状態で、ヒータに通電しながら、薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を研磨することを特徴としている。これにより、ハードディスク装置に実装した場合により近い状態で薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を研磨することができるため、個々の薄膜磁気ヘッドにおいて最適な量の研磨を行うことができる。従って、薄膜磁気ヘッドとハードディスクとのクラッシュをより確実に防ぐことができる。
【００１８】
本発明は、薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法であって、再生用の磁気抵抗効果素子と、書込用の誘導型電磁変換素子とを備える薄膜磁気ヘッドを基台上に形成し、電磁変換素子に通電しながら、薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を研磨することを特徴とするものである。
【００１９】
実際にハードディスクに記録する際、薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子は、通電により発熱する。すると、電磁変換素子の周囲の層が膨張して媒体対向面が突出する。本発明では、薄膜磁気ヘッドをハードディスク装置に組み込むのに先立ち、電磁変換素子を発熱させることにより電磁変換素子近傍の媒体対向面を膨張させ、その膨張した部分を予め研磨する。このため、ハードディスクへの実際の記録時において、電磁変換素子への通電により媒体対向面が膨張しても、薄膜磁気ヘッドの浮上量を適度な値にすることができる。従って、薄膜磁気ヘッドとハードディスクとのクラッシュを防止することができ、薄膜磁気ヘッドの低浮上化を実現することができる。
【００２０】
また、基台を切断して薄膜磁気ヘッドが列状に配置されたバーを形成し、バーにおける薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を、電磁変換素子に通電しながら研磨してもよい。これにより、複数の薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を一度にラッピングすることができるため、作業効率が向上する。
【００２１】
この場合、バーにおける複数の薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子同士を電気的に接続し、バーにおける電磁変換素子の全てに対し、同一電源によって通電しながら薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を研磨してもよい。これにより、少ない通電設備で複数の薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を一度に研磨することができる。
【００２２】
また、バーにおける複数の薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子にそれぞれ個別に通電してもよい。これにより、薄膜磁気ヘッドの媒体対向面の膨張量を個別に変化させることができるため、個々の薄膜磁気ヘッドについて研磨量を調整することができる。また、電磁変換素子同士を接続するために必要となる配線設置などの工程を省くことができ、薄膜磁気ヘッドの製造が容易となる。
【００２３】
更に、本発明は、基台を切断して薄膜磁気ヘッドが列状に配置されたバーを形成し、バーを切断して、それぞれが薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダを形成し、ヘッドスライダをアーム部材に搭載してヘッドジンバルアセンブリを形成し、この状態で、電磁変換素子に通電しながら、薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を研磨することを特徴としている。これにより、ハードディスク装置に実装した場合により近い状態で薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を研磨することができるため、個々の薄膜磁気ヘッドにおいて最適な量の研磨を行うことができる。従って、薄膜磁気ヘッドとハードディスクとのクラッシュをより確実に防ぐことができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、ヒータまたは電磁変換素子に通電しながら薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面をラッピングするようにしたので、薄膜磁気ヘッドとハードディスクとのクラッシュを防止して、薄膜磁気ヘッドの低浮上化を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。尚、同一要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略する。
【００２６】
図１は、本発明の第１の実施形態に係るラッピング方法を適用する薄膜磁気ヘッドが基台上に複数形成された状態を示す図である。図１（ａ）は、薄膜磁気ヘッド１が、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等からなる一枚の基台２上に形成された状態を示し、図１（ｂ）は、該基台２を切断して、薄膜磁気ヘッド１が列状に配置された複数本のバー３を作製した状態を示している。
【００２７】
本実施形態のラッピング方法でいう研磨とは、図１（ｂ）に示す段階のバー３に対し、更にＭＲハイト等を調整するためのラッピング加工の前後又は最中での薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面に施す研磨のことである。尚、ＭＲハイトとは、媒体対向面から見た再生用の磁気抵抗効果素子における奥行き方向の距離をいう。また、媒体対向面は、ハードディスクの記録面に対向する面であり、一般にエアベアリング面（ＡＢＳ：Air Bearing Surface）と称される。図２に、ＭＲハイト調整後のバー３を示す。
【００２８】
次に、本実施形態のラッピング方法を適用する薄膜磁気ヘッド１の構成について説明する。
【００２９】
図３は、図２に示すバー３の薄膜磁気ヘッド１における媒体対向面Ｓに対して垂直な方向の概略断面図である。図３において、薄膜磁気ヘッド１は、基台２上に、再生用のＧＭＲ素子（磁気抵抗効果素子；Giant Magneto Resistive）１０を有する再生ヘッド部１１と、書込用の誘導型の電磁変換素子としての記録ヘッド部１２とを積層した複合型薄膜磁気ヘッドとなっている。ＧＭＲ素子は、磁気抵抗変化率が高い巨大磁気抵抗効果を利用したものである。尚、ＧＭＲ素子の代わりに、異方性磁気抵抗効果を利用するＡＭＲ（Anisotropy Magneto Resistive）素子、トンネル接合で生じる磁気抵抗効果を利用するＴＭＲ（Tunnel-type Magneto Resistive）素子、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子等を利用してもよい。
【００３０】
基台２は、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等からなる基板２２上に、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の絶縁材料からなる下地層２１が形成されることにより構成されている。
【００３１】
下地層２１の上には、下部シールド層２３が形成されており、この下部シールド層２３の上方には、上述したＧＭＲ素子１０が形成されている。尚、ＧＭＲ素子１０は、実際は複数の膜から構成されるが、図においては単層で示している。
【００３２】
ＧＭＲ素子１０は、Ａｌ2Ｏ3等からなる絶縁層２４によって囲まれている。絶縁層２４上には、上部シールド層２５が形成されている。
【００３３】
記録ヘッド部１２は、いわゆる面内記録方式を採用しており、下部磁極１３と、ＭＲ素子１０との間に下部磁極１３を挟むとともに下部磁極１３に磁気的に連結された上部磁極１４と、一部が下部磁極１３と上部磁極１４との間に位置する薄膜コイル１５とを主として備えている。
【００３４】
上部磁極１４は、媒体対向面Ｓ側に位置する磁極部分層１４ａと、これに接続されると共に薄膜コイル１５の上方を迂回するヨーク部分層１４ｂとから構成されている。
【００３５】
上部磁極１４上には、オーバーコート層１６が形成されている。そして、オーバーコート層１６上には、Ｃｕ，ＮｉＦｅ，Ｔａ，Ｔｉ，ＣｏＮｉＦｅ合金，ＦｅＡｌＳｉ合金等で形成されたヒータ１７が形成されている。このヒータ１７は、通電による発熱で周囲の層を熱膨張させ、ＧＭＲ素子１０とハードディスクとの間隔を調整する機能を有している。また、ヒータ１７上には、更にオーバーコート層１８が形成されている。
【００３６】
ヒータ１７には、図中上方に伸びたＣｕ等の導電材料からなる２つの導電部１９ａ，１９ｂが電気的に接続されている。該導電部１９ａ，１９ｂの上端（オーバーコート層１８の表面）にはそれぞれヒータ用電極パッド２０ａ，２０ｂが取り付けられている。
【００３７】
また同様に、再生ヘッド部１１及び記録ヘッド部１２に関しても、導電材料からなる２つの導電部（図示せず）が電気的に接続されており、導電部の上端において、それぞれ再生用電極パッド、記録用電極パッドに接続されている。再生用電極パッド及び記録用電極パッドについては後述する。
【００３８】
図４は、薄膜磁気ヘッド１の媒体対向面Ｓとハードディスクの記録面Ｄとの関係を示す図である。
【００３９】
薄膜磁気ヘッド１のヒータ１７に通電させると、媒体対向面Ｓにおけるヒータ１７の近傍が膨張してハードディスクの記録面Ｄ側に突出する（図中、二点鎖線で示す。）。このとき、オーバーコート層１８の基台２と反対側の面における角部Ｔ付近が最も突出し、媒体対向面Ｓとハードディスクの記録面Ｄとの間隔Ｆが縮小される。このため、角部Ｔがハードディスクの記録面Ｄが接触する恐れがある。
【００４０】
そこで、本実施形態のラッピング方法では、薄膜磁気ヘッド１をハードディスク装置に組み込むのに先立って、媒体対向面Ｓにおけるヒータ１７の近傍を膨張させた状態、すなわちヒータ１７に通電させた状態で、オーバーコート層１８の角部Ｔから図４中の点線で示す部位まで研磨する。
【００４１】
以下に、本実施形態のラッピング方法について具体的に説明する。
【００４２】
図５は、図２に示すバー３に外部電源３１が接続されている状態を示す概略図である。本実施形態では、外部電源３１をＯＮにすると、バー３における各薄膜磁気ヘッド１のヒータ１７に通電されるようになっている。
【００４３】
図６は、図５に示すバー３の領域ＶＩの部分拡大図である。同図に示すように、薄膜磁気ヘッド１のオーバーコート層１８上には、記録用電極パッド４０ａ，４０ｂ、ヒータ用電極パッド２０ａ，２０ｂ、再生用電極パッド４１ａ，４１ｂが取り付けられている。尚、図では、左から記録用電極パッド４０ａ，４０ｂ、ヒータ用電極パッド２０ａ，２０ｂ、再生用電極パッド４１ａ，４１ｂの順に取り付けられているが、これに限定されるものではなく、例えば、記録用電極パッド４０ａ，４０ｂと再生用電極パッド４１ａ，４１ｂが左右逆に取り付けられていてもよい。また、ヒータ用電極パッド２０ａ，２０ｂの取り付け位置についても図に示す形態には限定されず、例えば、記録用電極パッド４０ａ，４０ｂ及び再生用電極パッド４１ａ，４１ｂの外側に配されていてもよい。
【００４４】
隣接する薄膜磁気ヘッド１同士のヒータ用電極パッド２０ａ，２０ｂは、例えば配線４５によって電気的に接続されている。従って、バー３における全ての薄膜磁気ヘッド１は電気的に接続されており、図５に示す外部電源３１をＯＮにすると、バー３における全ての薄膜磁気ヘッド１のヒータ１７に通電される。これにより、外部電源等の通電設備を少なくすることができる。
【００４５】
図７（ａ）は、本実施形態に係るラッピング方法に適用されるラッピング装置を構成するバー保持器を示す図であり、図７（ｂ）は、その側面図である。尚、本実施形態に係るラッピング方法に適用するラッピング装置は、同図に示す保持器５１と、後述する図８に示す研磨器６１とによって構成されている。
【００４６】
図７において、バー保持器５１は、本体部５２と、該本体部５２の下部に備えられバー３を保持する保持ラバー部５３とを備えている。また、本体部５２は、バー３に通電するための一対の電極５４及び一対の配線５５を備えた通電部材５６を有している。配線５５は、電極５４と、保持ラバー部５３に取り付けられた状態のバー３とに接続される。電極５４は、外部電源３２に電気的に接続されており、外部電源３２からの電力が配線５５を通じてバー３に供給されるようになっている。
【００４７】
図８は、バー３のラッピング工程を示す図である。バー３をラッピングする場合は、まず、バー３をバー保持器５１の保持ラバー部５３に取り付ける。次いで、バー３における薄膜磁気ヘッド１のヒータ１７に通電した状態で、バー保持器５１を降下させ、研磨器６１における回転研磨面Ｒにバー３を当接させる。そして、図４に示すオーバーコート層１８の角部Ｔから点線で示す部位までを研磨する。ラッピングを施した後における薄膜磁気ヘッド１の媒体対向面Ｓに対して垂直な方向の概略断面図を図９に示す。図９において、二点鎖線は、本実施形態のラッピングによって削り取られた部分を示している。尚、図９は、ラッピング後の形状の一例を示しており、場合によっては、オーバーコート層１８の角部Ｔから記録ヘッド部１２或いは再生ヘッド部１１まで研磨される。
【００４８】
以上のように薄膜磁気ヘッド１にラッピングを施すことにより、記録ヘッド部１２に通電した際に媒体対向面Ｓが膨張した場合であっても薄膜磁気ヘッド１の浮上量を適度な値にすることができる。従って、薄膜磁気ヘッド１とハードディスクの記録面Ｄとのクラッシュを防止することができ、薄膜磁気ヘッド１の低浮上化を実現することが可能となる。
【００４９】
ヒータ１７への通電方法は、図６に示す形態に限られない。例えば、図１０に示すように、薄膜磁気ヘッド１のオーバーコート層１８上にヒータ用電極パッドを備えず、隣接する薄膜磁気ヘッド１のヒータ１７同士が、例えば内設された配線４５によって直接接続されてあってもよい。
【００５０】
また、図１１に示すように、ヒータ用電極パッド２０ａ，２０ｂを薄膜磁気ヘッド１毎にそれぞれ個別に外部電源７０に接続してもよい。これにより、薄膜磁気ヘッド１の媒体対向面Ｓの膨張量を個別に変化させることができるため、個々の薄膜磁気ヘッド１について研磨量を調整することができる。また、ヒータ１７同士を接続するために必要となる配線設置などの工程を省くことができる。
【００５１】
図１２（ａ）は、図１１に示す形態におけるバー保持器５１を示す図であり、図１２（ｂ）は、その側面図である。同図に示すように、バー３における薄膜磁気ヘッド１の各ヒータ１７に通電する場合は、外部電源３２と電気的に接続された配線５５を個々のヒータ用電極パッド２０ａ，２０ｂに接続するだけでよい。従って、バー３においてヒータ１７同士を接続する配線を設ける工程が不要となる。また、薄膜磁気ヘッド１への通電量を個々に変化させ、媒体対向面Ｓの膨張量を個別に変化させることができる。
【００５２】
尚、ヒータ１７の位置は、図４に示す位置に限られず、例えば、媒体対向面Ｓから見て記録ヘッド部１２の後方に備えてもよい。しかしながら、図４に示すように、再生ヘッド部１１、記録ヘッド部１２及びヒータ１７がこの順に基台２側から積層されているのが望ましい。これにより、媒体対向面Ｓにおける再生ヘッド部１１の近傍を膨張させることなく、記録ヘッド部１２の近傍のみを膨張させることができる。従って、薄膜磁気ヘッド１とハードディスクの記録面Ｄとのクラッシュを確実に防止することができる。なお、図４に示すように、オーバーコート層１８内にヒータ１７を設ける場合は、記録媒体面Ｓや記録ヘッド部１２からの距離にかかわらず、オーバーコート層１８内のどの位置に設けられてもよい。
【００５３】
また、本実施形態では、薄膜磁気ヘッド１のオーバーコート層１８内にヒータ１７を設けているが、図１３に示すように、オーバーコート層１８における基台２の反対側の面上に接着剤等によってヒータ１７を張り付けてもよい。これにより、薄膜磁気ヘッド１内にヒータ１７を形成する必要がないため、薄膜磁気ヘッド１の製造が容易となる。
【００５４】
そして、この場合も、ヒータ１７を薄膜磁気ヘッド１のオーバーコート層１８内に設けた場合と同様の効果を得ることができる。すなわち、図１３に示すように、ヒータ１７を通電により発熱させることによって媒体対向面Ｓにおけるヒータ１７の近傍を膨張させることができる。
【００５５】
更に、ヒータ１７は、上述した位置に一つだけ配置してもよいし、２つに分割して配置してもよい。図１４は、ヒータが分割して配置された薄膜磁気ヘッド１の一例を示す概略断面図である。同図において、分割配置されたヒータ６０は、図３に示すオーバーコート層１８内に設けられたヒータ１７と同じ高さ位置に配されている。
【００５６】
また更に、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッド１に備えられたヒータ１７は、ハードディスクへの記録再生時に、通電により発熱させ、再生ヘッド部１１近傍の媒体対向面Ｓを膨張させて再生ヘッド部１１とハードディスクとの間隔を調整するものとして使用してもよい。また、本実施形態に係るラッピングを行う際に媒体対向面を膨張させるものとしてのみ使用してもよい。
【００５７】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
【００５８】
本実施形態のラッピング方法は、薄膜磁気ヘッド１において、ヒータ１７ではなく、記録ヘッド部１２を通電により発熱させる点で第１の実施形態とは異なる。この場合においても、ハードディスクへの書き込みの際に、記録ヘッド部１２が通電により発熱し、図４に示した場合と同様に媒体対向面Ｓの一部が膨張してしまう。
【００５９】
そこで、本実施形態に係るラッピング方法では、薄膜磁気ヘッド１をハードディスク装置に組み込むのに先立ち、記録ヘッド部１２を通電により発熱させ、媒体対向面Ｓを突出させた状態で媒体対向面Ｓの突出部分を研磨する。
【００６０】
これにより、実際にハードディスクに記録する際、記録ヘッド部１２の発熱によって膨張する媒体対向面Ｓが予め除去されるため、薄膜磁気ヘッド１の浮上量を適度な値にすることができる。従って、薄膜磁気ヘッド１とハードディスクの記録面Ｄとのクラッシュを防止することができ、薄膜磁気ヘッド１の低浮上化を実現することが可能となる。
【００６１】
図１５は、本実施形態の記録ヘッド部１２への通電形態を示す図である。同図において、記録ヘッド部１２と電気的に接続された記録用電極パッド４０ａ，４０ｂは、隣接する薄膜磁気ヘッド１同士において、例えば配線４５によって電気的に接続されている。従って、バー３における全ての薄膜磁気ヘッド１の記録ヘッド部１２は電気的に接続されており、図５に示す外部電源３１をＯＮにすると、バー３における全ての薄膜磁気ヘッド１の記録ヘッド部１２に通電される。これにより、複数の薄膜磁気ヘッド１の媒体対向面Ｓを一度に研磨することができるため、外部電源等の通電設備を少なくすることができる。
【００６２】
図１６は、本実施形態の記録ヘッド部１２への通電形態の他の例を示す図である。同図に示すように、記録用電極パッド４０ａ，４０ｂを薄膜磁気ヘッド１毎にそれぞれ個別に外部電源８０に接続してもよい。これにより、薄膜磁気ヘッド１の媒体対向面Ｓの膨張量を個別に変化させることができるため、個々の薄膜磁気ヘッド１について研磨量を調整することができる。また、記録ヘッド部１２同士を接続するために必要となる配線設置などの工程を省くことができ、薄膜磁気ヘッド１の製造が容易となる。
【００６３】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
【００６４】
図１７は、本実施形態に係るヘッドジンバルアセンブリ状態でのラッピングを示す概略図である。上述した第１及び第２実施形態では、薄膜磁気ヘッド１が列状に配置されたバー３の状態で、薄膜磁気ヘッド１の媒体対向面Ｓを研磨しているが、図１７に示すように、ヘッドジンバルアセンブリの状態で薄膜磁気ヘッド１の媒体対向面Ｓを研磨してもよい。
【００６５】
すなわち、バー３を切断して、それぞれが薄膜磁気ヘッド１を有するヘッドスライダ７１を形成し、このヘッドスライダ７１をアーム部材７２に搭載してヘッドジンバルアセンブリ７３を作製する。そして、その状態で、ヒータ１７または記録ヘッド部１２に通電しながら薄膜磁気ヘッド１の媒体対向面Ｓを研磨してもよい。これにより、ハードディスク装置に実装した場合により近い状態で薄膜磁気ヘッド１の媒体対向面Ｓを研磨することができるため、個々の薄膜磁気ヘッド１において最適な量の研磨を行うことができる。従って、薄膜磁気ヘッド１とハードディスクとのクラッシュをより確実に防ぐことができる。
【００６６】
図１８は、本発明に係る薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法による実施例を示す図である。本実施例では、薄膜磁気ヘッドにラッピングを施さなかった場合と、本発明に係るラッピング方法によって薄膜磁気ヘッドにラッピングを施した場合とにおいて、薄膜磁気ヘッドをヒータに通電しない状態でハードディスクの記録面上に浮上させ、この状態からヒータに通電させることによって薄膜磁気ヘッドの再生ヘッド部をハードディスクの記録面に接近させた際の記録ヘッド部への印加電圧値を比較した。
【００６７】
図１８において、縦軸は、薄膜磁気ヘッドの再生ヘッド部において、ヒータに通電されていない状態でのハードディスクの記録面からの浮上量を０とし、この状態からヒータに通電させたときの浮上量の減少値Ｈ（ｎｍ）をマイナス（−）で示している。また、横軸は、ヒータへの印加電力値Ｐ（ｍＷ）を示している。
【００６８】
また、図において、グラフＡは、薄膜磁気ヘッドにラッピングを施さなかった場合を示し、グラフＢは、薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を２．５ｎｍラッピングした場合を示し、グラフＣは、薄膜磁気ヘッドの媒体対向面を７．５ｎｍラッピングした場合を示している。
【００６９】
図１８に示すように、グラフＡでは、印加電力値Ｐが約１００ｍＷのところで薄膜磁気ヘッドの先端部分がハードディスクの記録面に当接してしまったため、それ以上、再生ヘッド部とハードディスクの記録面との距離Ｈを縮めることはできなかった。
【００７０】
また、グラフＢでは、約１２０ｍＷのところで薄膜磁気ヘッドの先端部分がハードディスクの記録面に当接し、グラフＡよりも再生ヘッド部とハードディスクの記録面との距離Ｈを縮められることが分かった。
【００７１】
グラフＣは、約１６０ｍＷまで印加することができ、その分、再生ヘッド部とハードディスクの記録面との距離Ｈを最も縮められることが分かった。
【００７２】
以上により、ラッピングの量を多くすることで、再生ヘッド部とハードディスクの記録面との距離Ｈをより縮めることができることが分かった。従って、薄膜磁気ヘッドの媒体対向面にラッピングを施すことにより、薄膜磁気ヘッドの読み込み及び書き込みの性能を向上させることができる。
【００７３】
以上、本発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、薄膜磁気ヘッドを面内記録方式としているが、もちろん垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係るラッピング方法を適用する薄膜磁気ヘッドが基台上に複数形成された状態を示す図であり、図１（ｂ）は、基台を切断して、薄膜磁気ヘッドが列状に配置された複数本のバーを作製した状態を示す図である。
【図２】ＭＲハイト調整後のバー３を示す図である。
【図３】図２に示すバー３の薄膜磁気ヘッド１における媒体対向面Ｓに対して垂直な方向の概略断面図である。
【図４】薄膜磁気ヘッド１の媒体対向面Ｓとハードディスクの記録面Ｄとの関係を示す図である。
【図５】図２に示すバー３に外部電源３１が接続されている状態を示す概略図である。
【図６】図５に示すバー３の領域ＶＩの部分拡大図である。
【図７】本発明の第１の実施形態に係るラッピング方法に適用するラッピング装置を構成するバー保持器を示す図である。
【図８】バー３のラッピング工程を示す図である。
【図９】ラッピングを施した後におけるバー３の薄膜磁気ヘッド１の媒体対向面Ｓに対して垂直な方向を示す概略断面図である。
【図１０】ヒータの通電形態の一例を示す図である。
【図１１】ヒータの通電形態の一例を示す図である。
【図１２】図１１に示す形態におけるバー保持器５１を示す図である。
【図１３】薄膜磁気ヘッドにおけるヒータの位置の他の例を示す図である。
【図１４】ヒータが分割して配置された薄膜磁気ヘッド１の一例を示す概略断面図である。
【図１５】本発明の第２の実施形態に係る記録ヘッド部１２への通電形態を示す図である。
【図１６】本発明の第２の実施形態に係る記録ヘッド部１２への通電形態の他の例を示す図である。
【図１７】本発明の第３の実施形態に係るヘッドジンバルアセンブリ状態でのラッピングを示す概略図である。
【図１８】本発明に係る薄膜磁気ヘッドにおける媒体対向面のラッピング方法による実施例を示す図である。
【符号の説明】
【００７５】
１…薄膜磁気ヘッド、２…基台、３…バー、１０…ＧＭＲ素子、１１…再生ヘッド部（磁気抵抗効果素子）、１２…記録ヘッド部（誘導型電磁変換素子）、１６…オーバーコート層、１７…ヒータ、１８…オーバーコート層、２２…基板、３１，３２，７０，８０…外部電源、２０ａ，２０ｂ…ヒータ用電極パッド、６０…ヒータ、７１…ヘッドスライダ、７２…アーム部材、７３…ヘッドジンバルアセンブリ、４０ａ，４０ｂ…記録用電極パッド、４１ａ，４１ｂ…再生用電極パッド、Ｓ…媒体対向面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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