(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体チップの裏面の周縁辺に生じた欠けを効率良く除去し、抗折強度を向上することができる半導体チップの処理方法を提供する。【解決手段】表面に複数のストリート１１１が格子状に形成されているとともに該複数のストリート１１１によって区画された複数の領域に回路が形成された半導体ウエーハを、該ストリート１１１に沿って分割して形成した半導体チップ１００の処理方法であって、該半導体チップ１００の裏面の周縁辺にレーザー光線を照射して面取りを施す。【選択図】        図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域に回路が形成された半導体ウエーハを、該ストリートに沿って分割して形成した半導体チップの処理方法であって、
該半導体チップの裏面の周縁辺にレーザー光線を照射して面取りを施す、ことを特徴とする半導体チップの処理方法。
【請求項２】
該半導体ウエーハの表面に形成された該複数のストリートに沿って表面から所定深さの分割溝を形成した後、該半導体ウエーハの表面に保護部材を装着し、表面に該保護部材が装着された該半導体ウエーハの裏面を研削して該分割溝を表出させることによって個々の半導体チップに分割した状態で、該半導体チップの裏面の周縁辺にレーザー光線を照射して面取りを施す、請求項１記載の半導体チップの処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該ストリートによって区画された複数の領域に回路が形成された半導体ウエーハを、ストリートに沿って分割して形成した半導体チップの処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリート（切断ライン）によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路が形成されている半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによって回路毎に分割して個々の半導体チップを製造している。半導体チップの放熱性を良好にするためには、半導体チップの厚さをできるだけ薄く形成することが望ましい。また、半導体チップを多数用いる携帯電話、スマートカード、パソコン等の小型化を可能にするためにも、半導体チップの厚さをできるだけ薄く形成することが望ましい。そのため、半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する前に、その裏面を研削して所定の厚さに加工している。また、より薄く半導体チップを分割する技術として所謂先ダイシングと称する分割技術が実用化されている。この先ダイシングは、切削ブレードによって半導体ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さ（半導体チップの仕上がり厚さに相当する）の分割溝を形成し、その後、表面に分割溝が形成された半導体ウエーハの裏面を研削して分割溝を表出させ個々の半導体チップに分離する技術である。
【０００３】
しかるに、半導体ウエーハの裏面を研削すると、研削によって生成された微細なマイクロクラックや歪による影響で半導体チップの抗折強度が弱くなり、特に半導体チップの裏面の周縁辺に生じた欠けが半導体チップの抗折強度を著しく低下させ、歩留りが低下するとともに、製品の寿命が低下する原因となる。そこで、半導体ウエーハの加工工程においては、半導体チップの抗折強度を高めるために半導体チップの裏面を硝酸とフッ化水素酸を含有するエッチング液によってエッチング処理し、半導体チップの裏面の周縁辺に生じた欠けをエッチング除去する試みがなされている。（例えば、特許文献１参照。）
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−６４０７９号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
而して、半導体チップの裏面をエッチング処理すると、半導体チップの回路面は保護テープが貼着されてはいるがエッチング液によって浸食され、半導体チップの品質を低下させるという新たな問題が生じた。また、エッチング処理は、硝酸やフッ化水素酸等の化学薬液を使用していることから環境汚染の問題があり、使用済みのエッチング液を処理するための廃液処理装置を備える必要がある。
【０００６】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、半導体チップの裏面の周縁辺に生じた欠けを効率良く除去し、抗折強度を向上することができる半導体チップの処理方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域に回路が形成された半導体ウエーハを、該ストリートに沿って分割して形成した半導体チップの処理方法であって、
該半導体チップの裏面の周縁辺にレーザー光線を照射して面取りを施す、ことを特徴とする半導体チップの処理方法が提供される。
【０００８】
また、本発明においては、半導体ウエーハの表面に形成された複数のストリートに沿って表面から所定深さの分割溝を形成した後、該半導体ウエーハの表面に保護部材を装着し、表面に保護部材が装着された半導体ウエーハの裏面を研削して分割溝を表出させることによって個々の半導体チップに分割した状態で、該半導体チップの裏面の周縁辺にレーザー光線を照射して面取りを施す半導体チップの処理方法が提供される。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による半導体チップの処理方法について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１０】
図１には、本発明による半導体チップの処理方法を実施するためのレーザー加工装置の斜視図が示されている。図１に示されたレーザー加工装置は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２に上記矢印Ｘで示す方向と直角な矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構４と、該レーザー光線ユニット支持機構４に矢印Ｚで示す方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット５とを具備している。
【００１１】
上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上に矢印Ｘで示す方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上に矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設された第一の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持された支持テーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。また、チャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。
【００１２】
上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面に矢印Ｙで示す方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す方向に移動させるための移動手段３７を具備している。移動手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す方向に移動せしめられる。
【００１３】
上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、矢印Ｙで示す方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す方向に移動させるための移動手段３８を具備している。移動手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｘで示す方向に移動せしめられる。
【００１４】
上記レーザー光線照射ユニット支持機構４は、静止基台２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール４１、４１と、該案内レール４１、４１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台４２を具備している。この可動支持基台４２は、案内レール４１、４１上に移動可能に配設された移動支持部４２１と、該移動支持部４２１に取り付けられた装着部４２２とからなっている。装着部４２２は、一側面に矢印Ｚで示す方向に延びる一対の案内レール４２３、４２３が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構４は、可動支持基台４２を一対の案内レール４１、４１に沿って割り出し送り方向である矢印Ｙで示す方向に移動させるための移動手段４３を具備している。移動手段４３は、上記一対の案内レール４１、４１の間に平行に配設された雄ネジロッド４３１と、該雄ねじロッド４３１を回転駆動するためのパルスモータ４３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４３１は、その一端が上記静止基台２に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ４３２の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド４３１は、可動支持基台４２を構成する移動支持部４２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ４３２によって雄ネジロッド４３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台４２は案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
【００１５】
図示の実施形態のおけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１と、該ユニットホルダ５１に取り付けられたレーザー光線照射手段５２を具備している。ユニットホルダ５１は、上記装着部４２２に設けられた一対の案内レール４２３、４２３に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝５１１、５１１が設けられており、この被案内溝５１１、５１１を上記案内レール４２３、４２３に嵌合することにより、矢印Ｚで示す方向に移動可能に支持される。
【００１６】
図示のレーザー光線照射手段５２は、上記ユニットホルダ５１に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング５２１を含んでいる。ケーシング５２１内には図２に示すようにレーザー光線発振手段５２２とレーザー光線変調手段５２３とが配設されている。レーザー光線発振手段５２２としてはＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器を用いることができる。レーザー光線変調手段５２３は繰り返し周波数設定手段５２３ａ、レーザー光線パルス幅設定手段５２３ｂ、およびレーザー光線波長設定手段５２３ｃを含んでいる。レーザー光線変調手段５２３を構成する繰り返し周波数設定手段５２３ａ、レーザー光線パルス幅設定手段５２３ｂおよびレーザー光線波長設定手段５２３ｃは当業者には周知の形態のものでよく、それ故にこれらの構成についての詳細な説明は本明細書においては省略する。上記ケーシング５２１の先端には、それ自体は周知の形態でよい集光器５２４が装着されている。
【００１７】
上記レーザー光線発振手段５２２が発振するレーザー光線はレーザー光線変調手段５２３を介して集光器５２４に到達する。レーザー光線変調手段５２３における繰り返し周波数設定手段５２３ａはレーザー光線を所定繰り返し周波数のパルスレーザー光線にし、レーザー光線パルス幅設定手段５２３ｂはパルスレーザー光線のパルス幅を所定幅に設定し、そしてレーザー光線波長設定手段５２３ｃはパルスレーザー光線の波長を所定値に設定する。
【００１８】
上記レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５２１の前端部には、撮像手段６が配設されている。この撮像手段６は、被加工物に形成されたストリート等を撮像するための顕微鏡やＣＣＤカメラ等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００１９】
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１を一対の案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向に移動させるための移動手段５３を具備している。移動手段５３は、上記各移動手段と同様に一対の案内レール４２３、４２３の間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ５３２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ５３２によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ５１およびレーザビーム照射手段５２を案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向に移動せしめる。
【００２０】
次に、上述したレーザー加工装置を用いて半導体ウエーハが分割して形成された半導体チップの処理方法について説明する。
先ず、半導体ウエーハを所謂先ダイシング法によって個々の半導体チップに分割する方法について、図３乃図９を参照して説明する。図３には個々の半導体チップに分割される半導体ウエーハが示されている。図３に示す半導体ウエーハ１０は、表面１０ａに格子状に配列された複数のストリート（切断ライン）１０１によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路１０２が形成されている。この半導体ウエーハ１０を個々の半導体チップに分割するには、先ず半導体ウエーハ１０の表面１０ａに形成されたストリート１０１に沿って所定深さ（各半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝を形成する（分割溝形成工程）。この分割溝形成工程は、図４に示すようにダイシング装置として一般に用いられている切削装置７を用いることができる。即ち、切削装置７は、吸引保持手段を備えたチャックテーブル７１と、切削ブレード７２１を備えた切削手段７２を具備している。この切削装置７のチャックテーブル７１上に半導体ウエーハ１０を表面１０ａを上にして保持し、切削手段７２の切削ブレード７２１を回転しつつチャックテーブル７１を矢印Ｘで示す方向に切削送りするとともに、矢印Ｙで示す方向にストリート間隔毎に切削手段７２を割り出し送りすることによって、ストリート１０１に沿って分割溝１１１を形成する。この分割溝１１１は、図５に示すように分割される各半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さに設定されている。
【００２１】
上述した分割溝形成工程により半導体ウエーハ１０の表面１０ａにストリート１０２に沿って所定深さの分割溝１１１を形成したら、図６の（ａ）、図６の（ｂ）に示すように半導体ウエーハ１０の表面側（回路１０２が形成されている側）に研削用の保護部材８を貼着する（保護部材貼着工程）。
【００２２】
次に、上述したように表面に保護部材８を貼着した半導体ウエーハ１０の裏面１０ｂを研削し分割溝１１１を裏面１０ｂに表出させて個々の半導体チップに分割する（分割溝表出工程）。この分割溝表出工程は、図７に示すようにチャックテーブル９１と研削砥石９２１を備えた研削手段９２を具備する研削装置９によって行われる。即ち、チャックテーブル９１上に半導体ウエーハ１０の裏面１０ｂを上にして保持し、例えば、チャックテーブル９１を３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段９２の研削砥石９２を６０００ｒｐｍで回転せしめて半導体ウエーハ１０の裏面１０ｂに接触することにより研削し、図８に示すように分割溝１１１が裏面１０ｂに表出するまで研削する。このように分割溝１１１が表出するまで研削することによって、図９に示すように半導体ウエーハ１０は個々の半導体チップ１００に分離される。なお、分離された複数の半導体チップ１００は、その表面に保護部材８が貼着されているので、バラバラにはならず半導体ウエーハ１０の形態が維持されている。
【００２３】
上述した分割溝表出工程によって半導体ウエーハ１０が個々の半導体チップ１００に分離したならば、この個々の半導体チップ１００の裏面の周縁辺にレーザー光線を照射して面取りを施す面取り工程を実施する。面取り工程は、上述した図１および図２に示すレーザー加工装置によって実施される。表面に保護部材８が貼着され半導体ウエーハ１０の形態が維持され状態の複数の半導体チップ１００は、図１に示すレーザー加工装置のチャックテーブル機構３を構成するチャックテーブル３６の吸着チャック３６１上に裏面を上側にして搬送され、該吸着チャック３６１に吸引保持される。このようにして半導体ウエーハ１０の形態が維持され状態の複数の半導体チップ１００を吸引保持したチャックテーブル３６は、移動手段３７の作動により案内レール３１、３１に沿って移動せしめられレーザー光線照射ユニット５に配設された撮像手段６の直下に位置付けられる。
【００２４】
チャックテーブル３６が撮像手段６の直下に位置付けられると、撮像手段６および図示しない制御手段によって半導体チップ１００の裏面の所定方向周縁辺と、該周縁辺に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射ユニット５の集光器５２４との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。なお、半導体チップ１００の周縁辺の検出は、上述した分割溝１１１に沿って実施することができる。また、半導体チップ１００の裏面の上記所定方向周縁辺に対して直角な方向の周縁辺に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。
【００２５】
以上のようにしてチャックテーブル３６上に保持されている半導体チップ１００の周縁辺を検出し、レーザビーム照射位置のアライメントが行われたならば、チャックテーブル３６をレーザー光線を照射するレーザー光線照射ユニット５の集光器５２４が位置するレーザー光線照射領域に移動し、レーザー光線照射領域において半導体チップ１００の周縁辺に沿ってレーザー光線照射ユニット５の集光器５２４からレーザー光線を照射して面取り工程を実施する。
【００２６】
ここで、面取り工程について説明する。
レーザー光線照射工程においては、図１０に示すようにレーザー光線を照射するレーザー光線照射ユニット５の集光器５２４から半導体チップ１００の周縁辺に向けてパルスレーザー光線を照射しながら、チャックテーブル３６、従ってこれに保持されている半導体チップ１００を矢印Ｘで示す方向に所定の送り速度（例えば、１００ｍｍ／秒）で移動せしめる。なお、面取り工程においては、以下に示す紫外レーザー光線を用いることができる。
光源          ；ＹＡＧレーザーまたはＹＶＯ４レーザー
波長          ；３５５ｎｍ
繰り返し周波数：３５ｋＨｚ
パルス幅      ；６ｎｓ
照射密度      ：０．９ｊ／ｃｍ２
集光スポット径；φ５０〜１００μｍ
【００２７】
上述した面取り工程を実施することによって、半導体チップ１００はその周縁辺が溶融され図１１に示すように面取り１１０される。
【００２８】
【実施例】
縦１５ｍｍ、横（ｂ）１５ｍｍ、厚さ（ｈ）１５０μｍの半導体チップの裏面の周縁辺に上述した紫外レーザー光線を照射して面取りを施した。この周縁辺に面取りを施した半導体チップ１００を１００個制作して、図１２に示すように半導体チップ１００を一定距離（Ｌ）に配置された一対の支点ロールＡ、Ａ上に載置し、この半導体チップ１００の支点ロール間の中央の一点に押圧ロールＢを載置して、この押圧ロールＢに荷重Ｐをかける３点曲げ試験を行い、抗折強度を調べた。
半導体チップの内部に生じる内部応力（σ）は、抗折強度と呼ばれ、次式で表される。
σ＝３ＰＬ／２ｂｈ２
ここで、Ｐは破断荷重、ｂ、ｈ、Ｌの単位はｍｍ、Ｐの単位はニュートン（Ｎ）、σの単位はメガパスカル（ＭＰａ）である。
上述した半導体チップ１００個について３点曲げ試験を行い、半導体チップが破断した時点における破断荷重Ｐに基づいて上記式を用いて抗折強度を算出し、その平均値を求めた。その結果、抗折強度（平均値）は、図１３に示すように１７６２メガパスカル（ＭＰａ）であった。
【００２９】
【比較例１】
半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚さにした後、ダイシングして分割した半導体チップ（縦１５ｍｍ、横（ｂ）１５ｍｍ、厚さ（ｈ）１５０μｍ）を１００個用意し、上述した３点曲げ試験を行い、半導体チップが破断した時点における破断荷重Ｐに基づいて上記式を用いて抗折強度を算出し、その平均値を求めた。その結果、抗折強度（平均値）は、図１３に示すように４２５メガパスカル（ＭＰａ）であった。
【００３０】
【比較例２】
半導体ウエーハを上述した所謂先ダイシング法によって分割した半導体チップ（縦１５ｍｍ、幅（ｂ）１５ｍｍ、厚さ（ｈ）１５０μｍ）を１００個用意し、上述した３点曲げ試験を行い、半導体チップが破断した時点における破断荷重Ｐに基づいて上記式を用いて抗折強度を算出し、その平均値を求めた。その結果、抗折強度（平均値）は、図１３に示すように４３１メガパスカル（ＭＰａ）であった。
【００３１】
以上のように、本発明に従って半導体チップの裏面の周縁辺にレーザー光線を照射して面取りを施した半導体チップは、従来の方法によって分割された同一サイズの半導体チップと比較して抗折強度が４倍となることが判った。
【００３２】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体チップの裏面の周縁辺にレーザー光線を照射して面取りを施すことにより、半導体チップの裏面の周縁辺に生じた欠けを効率良く除去することができ、抗折強度が向上した半導体チップを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体チップの処理方法を実施するためのレーザー加工装置の斜視図。
【図２】図１に示すレーザー加工装置に装備されるレーザビーム加工手段の構成を簡略に示すブロック図。
【図３】半導体ウエーハの斜視図。
【図４】図２に示す半導体ウエーハを分割する先ダイシング法における分割溝形成工程の説明図。
【図５】先ダイシング法における分割溝形成工程が実施された半導体ウエーハの一部を拡大して示す断面図。
【図６】先ダイシング法における保護部材貼着工程の説明図。
【図７】先ダイシング法における分割溝表出工程の説明図。
【図８】分割溝表出工程が実施された半導体ウエーハの一部を拡大して示す断面図。
【図９】分割溝表出工程が実施された半導体ウエーハの斜視図。
【図１０】本発明による処理方法におけるレーザー光線照射工程を示す説明図。
【図１１】本発明による処理方法によって面取りが施された半導体チップの断面図。
【図１２】３点曲げ試験法の説明図。
【図１３】本発明による処理方法によって面取りが施された半導体チップと従来の方法によって分割された状態の半導体チップの抗折強度を示すグラフ。
【符号の説明】
２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３１：案内レール
３６：チャックテーブル
４：レーザー光線照射ユニット支持機構
４１：案内レール
４２：可動支持基台
５：レーザー光線照射ユニット
５１：ユニットホルダ
５２：レーザー光線加工手段
５２２：レーザー光線発振手段
５２３：レーザー光線変調手段
５２４：集光器
６：撮像手段
７：切削装置
７１：チャックテーブル
７２：切削手段
７２１：切削ブレード
８：保護部材
９：研削装置
９１：チャックテーブル
９２：研削手段
９２１：研削砥石
１０：半導体ウエーハ
１０１：ストリート
１０２：回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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