(57)【要約】【課題】上記のような不都合を生じることなく、高記録線速度で、高密度記録が行なえ、且つ、それに伴う欠陥発生や部分剥離のない光記録媒体、更には、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量以上の高密度記録が可能で、３．０〜２０ｍ／ｓの範囲の高記録線速度で記録可能な新規な第三保護層を有する相変化型光記録媒体、並びに、その記録方法及び記録装置の提供をすること。【解決手段】基板上に、直接又は第一の誘電体層（下部保護層）を介して、ＳｂＴｅを必須元素とし、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂの中から選ばれた少なくとも１種の元素を添加した材料からなる、レーザー光の照射により結晶相からアモルファス相へと変化する記録層を有し、且つ、該記録層上に、第二の誘電体層（上部保護層）、ＺｎＳからなる第三の誘電体層（第三保護層）、ＳｉＣからなる第四の誘電体層（第四保護層）、金属反射層（反射放熱層）をこの順に有することを特徴とする光記録媒体。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、直接又は第一の誘電体層（下部保護層）を介して、ＳｂＴｅを必須元素とし、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂの中から選ばれた少なくとも１種の元素を添加した材料からなる、レーザー光の照射により結晶相からアモルファス相へと変化する記録層を有し、且つ、該記録層上に、第二の誘電体層（上部保護層）、ＺｎＳからなる第三の誘電体層（第三保護層）、ＳｉＣからなる第四の誘電体層（第四保護層）、金属反射層（反射放熱層）をこの順に有することを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
基板上に、直接又は第一の誘電体層（下部保護層）を介して、ＳｂＴｅを必須元素とし、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂの中から選ばれた少なくとも１種の元素を添加した材料からなる、レーザー光の照射により結晶相からアモルファス相へと変化する記録層を有し、且つ、該記録層上にＺｎＳからなる第二の誘電体層（上部保護層）、ＳｉＣからなる第三の誘電体層（第三保護層）、金属反射層（反射放熱層）をこの順に有することを特徴とする光記録媒体。
【請求項３】
基板上に、直接又は第一の誘電体層（下部保護層）を介して、ＳｂＴｅを必須元素とし、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂの中から選ばれた少なくとも１種の元素を添加した材料からなる、レーザー光の照射により結晶相からアモルファス相へと変化する記録層を有し、且つ、該記録層上に、組成比が深さ（積層）方向に不均一であるＺｎＳ−ＳｉＯＸからなる第二の誘電体層（上部保護層）を有し、ＳｉＣからなる第三の誘電体層（第三保護層）、金属反射層（反射放熱層）をこの順に有することを特徴とする光記録媒体。
【請求項４】
第二の誘電体層（上部保護層）において、金属反射層との界面におけるＺｎＳとＳｉＯＸの存在比が以下の式を満たしていることを特徴とする請求項３に記載の光記録媒体。
【数１】
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【請求項５】
第二の誘電体層（上部保護層）において、第三の誘電体層側にＺｎＳ単独の層が存在することを特徴とする請求項３に記載の光記録媒体。
【請求項６】
記録線速度３〜２０ｍ／ｓの範囲でレーザー光の照射により形成されるアモルファス相と結晶相の反射率差が３０％以上であることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項７】
記録マークを形成する際、レーザー光の発光波形を複数のオンパルスとこれに続くオフパルスからなる記録パルス列とし、内周から外周又は外周から内周へ記録半径位置に対応して連続的に記録周波数ν（ν＝１／Ｔｗ；Ｔｗはウィンドウ幅）を変化させて記録することを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の光記録媒体の記録方法。
【請求項８】
次の（ｉ）、（ｉｉ）の記録方法を、最大周波数と最小周波数の中間の周波数において切り替えて用いることを特徴とする請求項７に記載の光記録媒体の記録方法。
（ｉ）複数のオンパルスの幅を全て同じ時定数で固定する部分とウィンドウ幅Ｔｗに対して定数を乗算する部分とを連続的に組み合わせてなる記録方法。
（ｉｉ）複数のオンパルスの幅をウィンドウ幅Ｔｗに対してデューティが一定となるように調整してなる記録方法。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の光記録媒体の記録方法を実現するためのレーザー光駆動回路を有し、更に、前記の時定数に対応した信号を発生する手段と、この信号を駆動回路に伝送する手段とを有することを特徴とする光記録媒体の記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ビームを照射することにより記録層材料に光学的な変化を生じさせ、情報の記録・再生を行ない、かつ書換えが可能な光記録媒体、特に高記録線速度で高密度記録可能な相変化型光記録媒体に関し、更には、この光記録媒体に対し、ＣＡＶ方式により、或いは記録媒体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ方式により記録する方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
レーザー光線を利用して光ディスクに高密度な情報の記録又は再生を行なう技術として、一つの記録マークを複数の短パルス列の照射によって形成するオーバーライト方法が知られている（特開平３−１８５６２８号公報）。しかし、この方法は光ディスクを一定回転数とした場合の内周と外周のようにレーザースポットの相対速度が異なる場合には、特に相対速度が速い領域においてレーザーパワー不足になったり、或いは回路設計が困難になったりするという新たな課題が発生する場合がある。
このような欠点を改良するため、ある波形の入力信号（ＥＦＭ信号を想定）において、線速度が予め設定された値Ｌ０より遅い場合にはレーザーの変調波形を短パルス列化し、Ｌ０より速い場合にはレーザーの変調波形入力パルス幅を少し短くしたパルスに変換して光ディスク上に照射することが提案されている（特開平６−１２６７４号公報）。
【０００３】
ところで近年は、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量以上の高密度記録が可能で、更にその２倍速以上（約７ｍ／ｓ以上）までの高記録線速度で記録可能な相変化型光記録媒体、及びそうした光記録媒体への記録方法の開発が期待されている。
そのような光記録媒体に対し、ＣＡＶ記録或いは光記録媒体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合、入力パルス幅を少し短くした記録方法では、良好な記録特性（ジッタ特性）が得られず、従来例の低線速側に用いられるようなレーザーの変調波形（短パルス列化したもの）のほうが良好な結果を与える。
前記特開平６−１２６７４号公報では、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５の化合物に近い組成を用いているため、このような記録方法が採用されるものと考えられる。
しかしその反面、高線速度側でレーザーの変調波形が崩れないように調整した波形のパルス幅を固定して記録を行なう場合には、低線速度側（内周側）においてパルス幅が小さくなり過ぎ、記録パワーが不足することによってジッタ特性が悪化する傾向がある。このような現象は、記録層の組成による影響も考えられる。
また一方、高記録線速度での記録を可能にするため第二保護層上に金属反射層を設けると、そのことによって記録層の欠陥発生や反射層と第二保護層との間での部分剥離問題が発生することがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、上記従来技術に鑑みて、上記のような不都合を生じることなく、高記録線速度で、高密度記録が行なえ、且つ、それに伴う欠陥発生や部分剥離のない光記録媒体、更には、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量以上の高密度記録が可能で、３．０〜２０ｍ／ｓの範囲の高記録線速度で記録可能な新規な第三保護層を有する相変化型光記録媒体、並びに、その記録方法及び記録装置の提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、本発明の（１）「基板上に、直接又は第一の誘電体層（下部保護層）を介して、ＳｂＴｅを必須元素とし、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂの中から選ばれた少なくとも１種の元素を添加した材料からなる、レーザー光の照射により結晶相からアモルファス相へと変化する記録層を有し、且つ、該記録層上に、第二の誘電体層（上部保護層）、ＺｎＳからなる第三の誘電体層（第三保護層）、ＳｉＣからなる第四の誘電体層（第四保護層）、金属反射層（反射放熱層）をこの順に有することを特徴とする光記録媒体」、（２）「基板上に、直接又は第一の誘電体層（下部保護層）を介して、ＳｂＴｅを必須元素とし、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂの中から選ばれた少なくとも１種の元素を添加した材料からなる、レーザー光の照射により結晶相からアモルファス相へと変化する記録層を有し、且つ、該記録層上にＺｎＳからなる第二の誘電体層（上部保護層）、ＳｉＣからなる第三の誘電体層（第三保護層）、金属反射層（反射放熱層）をこの順に有することを特徴とする光記録媒体」、（３）「基板上に、直接又は第一の誘電体層（下部保護層）を介して、ＳｂＴｅを必須元素とし、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂの中から選ばれた少なくとも１種の元素を添加した材料からなる、レーザー光の照射により結晶相からアモルファス相へと変化する記録層を有し、且つ、該記録層上に、組成比が深さ（積層）方向に不均一であるＺｎＳ−ＳｉＯＸからなる第二の誘電体層（上部保護層）を有し、ＳｉＣからなる第三の誘電体層（第三保護層）、金属反射層（反射放熱層）をこの順に有することを特徴とする光記録媒体」、（４）「第二の誘電体層（上部保護層）において、金属反射層との界面におけるＺｎＳとＳｉＯＸの存在比が以下の式を満たしていることを特徴とする前記第（３）項に記載の光記録媒体；
【０００６】
【数２】
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」、（５）「第二の誘電体層（上部保護層）において、第三の誘電体層側にＺｎＳ単独の層が存在することを特徴とする前記第（３）項に記載の光記録媒体」、（６）「記録線速度３〜２０ｍ／ｓの範囲でレーザー光の照射により形成されるアモルファス相と結晶相の反射率差が３０％以上であることを特徴とする前記第（１）項乃至第（５）項の何れかに記載の光記録媒体」により達成される。
【０００７】
また、上記課題は、本発明の（７）「記録マークを形成する際、レーザー光の発光波形を複数のオンパルスとこれに続くオフパルスからなる記録パルス列とし、内周から外周又は外周から内周へ記録半径位置に対応して連続的に記録周波数ν（ν＝１／Ｔｗ；Ｔｗはウィンドウ幅）を変化させて記録することを特徴とする前記第（１）項乃至第（６）項の何れかに記載の光記録媒体の記録方法」、（８）「次の（ｉ）、（ｉｉ）の記録方法を、最大周波数と最小周波数の中間の周波数において切り替えて用いることを特徴とする前記第（７）項に記載の光記録媒体の記録方法；
（ｉ）複数のオンパルスの幅を全て同じ時定数で固定する部分とウィンドウ幅Ｔｗに対して定数を乗算する部分とを連続的に組み合わせてなる記録方法。
（ｉｉ）複数のオンパルスの幅をウィンドウ幅Ｔｗに対してデューティが一定となるように調整してなる記録方法」により達成される。
【０００８】
更にまた、上記課題は、（９）「本発明の前記第（７）項又は第（８）項に記載の光記録媒体の記録方法を実現するためのレーザー光駆動回路を有し、更に、前記の時定数に対応した信号を発生する手段と、この信号を駆動回路に伝送する手段とを有することを特徴とする光記録媒体の記録装置」により達成される。
【０００９】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
図１は、本発明における光記録媒体の層構成の一例を示す概念図である。
即ち、案内溝（図示せず）を有する基板（１）上に、第一の誘電体層（下部保護層）（２）、記録層（３）、第二の誘電体層（上部保護層）（４）、第三の誘電体層（第三保護層）（５）、存在する場合は第四の誘電体層（第四保護層）（５’）、金属反射層（反射放熱層）（６）を順に製膜し、好ましくは金属反射層（６）の上にＵＶ硬化樹脂からなる環境保護層（７）を積層した構成である。
【００１０】
本発明の光記録媒体は、記録層に、従来のＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５に近い組成の合金に代えて、ＳｂＴｅを必須元素とし、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂなどの中から選ばれた少なくとも１種の元素を添加した材料を用いることを特徴としている。特に好ましいのは、ＡｇＩｎＳｂＴｅやＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅの組成のものである。
【００１１】
第一および第二の誘電体層構成物質はＳｉＯＸ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ等の窒化物、ＺｎＳ、ＴａＳ４等の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物が挙げられる。これらの材料は単体で用いるか、あるいはこれらの混合物で用いる。たとえばＺｎＳとＳｉＯＸ、Ｔａ２Ｏ５とＳｉＯＸの混合物が挙げられる。これらの材料物性は、熱伝導率、比熱、熱膨張係数、屈折率および基板材料あるいは記録材料との密着性等があり、高融点、熱伝導率が高く、熱膨張係数が小さく、密着性がよいといったことが要求される。これらの保護層の屈折率は１．９〜２．５の範囲であり、通常２．０〜２．２である。
【００１２】
第二の誘電体層と金属反射層との間にある層としては、第三の誘電体層（第三保護層）として、（ａ）ＺｎＳ層、第四の誘電体層として（ｂ）ＳｉＣ層をこの順に積層したものが挙げられる。
また、記録層上の第二の誘電体層（上部保護層）をＺｎＳ層とし、該第三の誘電体層（第三保護層）をＳｉＣ層にしたものでもよい。
あるいは、第二の誘電体層を広く使われているＺｎＳ−ＳｉＯＸとしてもよいが、その場合、ＺｎＳ、ＳｉＯＸの組成比を深さ方向に不均一とするのがよい。つまり記録層側と第三の誘電体層側とで異なった値にする。第三の誘電体層側での重量比、ＺｎＳ／ＳｉＯＸの値は少なくとも１／２、望ましくは０．９以上またはＺｎＳ単独の層にするのがよい。
金属反射層にはＡｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ等の金属を中心とした材料の単体、あるいは合金、混合物を用いることができる。
【００１３】
基板（１）の材料としては、通常、ガラス、セラミックス又は樹脂が用いられるが、成形性の点で樹脂基板が好ましい。
その代表例としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられるが、加工性、光学特性などの点からポリカーボネート樹脂が好ましい。また、基板の形状はディスク状、カード状又はシート状であってもよい。
【００１４】
ＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層において、Ａｇの存在は、記録特性及び保存安定性の向上に効果がある。但し、Ａｇが多くなると結晶転移速度が遅くなるため、高記録線速度に対応できない。また、記録線速度の上昇はＳｂ量又はＩｎ量を増加させることによって達成できるが、Ｓｂ量の増加によって記録線速度を上昇させようとした場合には、オーバーライト特性や高温高湿環境下での保存信頼性が急激に悪化する傾向がある。Ｉｎ量を増加させる場合には、Ｉｎ組成比は、原子比で０．１以下が好ましい。
【００１５】
第一の誘電体層（下部保護層）、第二の誘電体層（上部保護層）、及び、第三の誘電体層（第三保護層）は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法等により形成できる。
膜厚は、その機能、即ち、耐熱層、多重干渉層としての機能によっても異なるが、第一の誘電体層は５０〜１１０ｎｍ、又は１７０〜２１５ｎｍがよい。５０ｎｍ未満では記録層を基板の影響から保護する機能に乏しく、２１５ｎｍを越えると界面剥離を生じ易くなる。
第二の誘電体層は１０〜３０ｎｍとするのがよい。１０ｎｍ未満では記録感度が悪くなり、３０ｎｍを越えると熱がこもり過ぎてしまう。
第三の誘電体層（第三保護層）および第四の誘電体層は２〜１０ｎｍとするのがよい。２ｎｍ未満だと反射層との、または第二誘電体層との部分剥離などの不具合が改善されず、１０ｎｍ以上だと熱がこもり過ぎたり、密着性がわるくなったりするなどの不具合が生じる。
【００１６】
各層の好ましい製膜条件は、次の通りである。
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【００１７】
従来例の記録材料は、オーバーライト時の消去を確実に行なうために、記録層を消去レベル以上のパワーで照射して常に予熱した状態にしておく必要がある。これに対し、本発明の記録層は、消去特性に優れるため、記録マークの記録時において、レーザー光を照射した後、急冷することさえ考慮すればよい。
従って、ＣＡＶ記録又は記録媒体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合にも、安定した記録マークが形成できる。
【００１８】
図２は、本発明の第１の主要な記録方法、即ち本発明の記録方法を説明する図である。
相変化型記録媒体においては、記録マークを形成する際、レーザー光の発光波形を複数のオンパルスとこれに続くオフパルスからなる記録パルス列で行なう。本発明の記録パルス列は、従来の例に対し、ＣＡＶ（角速度一定）記録のように例えば、内周から外周へ記録半径位置に対応して連続的に記録周波数ν（ν＝１／Ｔｗ；Ｔｗはウィンドウ幅）を変化させて記録する場合など、複数の記録スピードで記録する場合に好適である。特に特徴的な部分は各パルスの幅の規定を線速度に関係なく規定される時定数（ＴｍＰ）とウィンドウ幅に比例する部分（ｄＴｍｐ）を組み合わせてなることである。
このようにパルス条件を設定すると、例えばｄＴｍｐの部分の有無における実際のパルスデューティ比は図３に図示したものになる。
ｄＴｍｐのない場合、時定数固定値を最高速において最良のデューティー比となるように決めた場合には低線速度側ではｄＴｍｐありの条件より小さくなることがわかる。この場合、記録マーク記録位置のばらつきの評価であるジッタ特性がパワー不足により悪化してしまうことが発明者らの実験によりわかった。
このように本発明のパルス光を設定することによって、単一速度ではなく、複数の記録速度に対応する記録方法が得られることになる。
【００１９】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【００２０】
（実施例１）
ポリカーボネート基板（１）上に、スパッタリング法によりＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる下部保護層（２）、ＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層（３）、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなり、かつ第三の誘電体層との界面においてＺｎＳ単独の層が存在する上部保護層（４）、ＳｉＣ層からなる第三の誘電体層（第三保護層）（５）、Ａｇ反射層（反射放熱層）（６）を順に製膜し、更にその上に、スピンコート法によりＵＶ硬化樹脂からなる環境保護層（７）を積層して、光記録媒体を作成した。
【００２１】
各層の製膜条件は、次の通りである。
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【００２２】
ＡｇＩｎＳｂＴｅの組成は以下のものを使用した。組成比は原子％であり、すべての元素の原子％の和は１００原子％である。
Ａｇ　０．５％、Ｉｎ　７％、Ｓｂ　６８％、Ｔｅ　２５．５％
また、これに２％のＧｅを添加した記録材料でも同様な結果を得、さらにこの場合は保存安定性に優れることもわかった。この場合の組成比は、
Ａｇ　０．５％、Ｉｎ　５％、Ｇｅ　２％、Ｓｂ　６８％、Ｔｅ　２５．５％とした。
これらの場合、
Ａｇは、０．１％から７．０％、望ましくは０．３％から５．０％
Ｉｎは、１％から１０％、望ましくは２％から７％
Ｇｅは、１％から１０％、望ましくは１％から７％
Ｓｂは、６０％から８０％、望ましくは６５％から７８％
Ｔｅは、１８％から３０％、望ましくは２０％から２８％
である。
【００２３】
他に、記録材料としてＡｇＡｌＳｂＴｅ、ＡｕＧａＳｂＴｅ、ＺｎＧｅＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＧａＳｂＴｅ、ＧｄＳｂＴｅなどの試験をしたところ添加元素の組成を調整することによって、ＡｇＩｎＳｂＴｅ材料と同等の特性を示した。
同様に、請求項に記載の元素の添加は、高速記録を可能とすると同時に、結晶化温度を上昇し記録マークの保存安定性に寄与するものと考えられる。
基本となるＳｂの組成比は上記のように
Ｓｂは、６０％から８０％、望ましくは６５％から７８％
Ｔｅは、１８％から３０％、望ましくは２０％から２８％
であり、各々添加元素は０．０１％から１０％の範囲で添加するのが良い。
Ｓｂ元素の組成比はこれ以下で、Ｔｅの組成比がこの範囲以上の場合は、記録スピードが遅くなってしまい、Ｓｂがこの範囲以上Ｔｅがこの範囲以下の場合には、記録マーク（アモルファス相）の保存安定性が悪化してしまう。
【００２４】
以上説明してきたように、記録材料の組成比と、層構成を調整することによって、請求項３に記載の３−２０ｍ／ｓで記録可能でかつアモルファス相と結晶相の反射率差が３０％以上の光記録媒体が得られる。
【００２５】
特にＡｇＩｎＳｂＴｅおよびＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅ光記録媒体に対し、内周３．４９ｍ／ｓｅｃ、外周８．５ｍ／ｓｅｃの記録線速度でＣＡＶ記録を行なった。オンパルスの幅を全て同じ時定数で固定する部分の時定数を８ｎｓｅｃ．、ウィンドウ幅Ｔｗに定数を乗算する部分の定数を１／６とし、図２に示すように連続に組み合わせる方法を用いた。
ここで、図中のｄＴｅｒａ部分は、Ｔｗに対し１／６の定数を乗算するような設定にした。図２では正側の定数を乗算したが、負側、例えば−１／６Ｔｗでも可能であった。また、定数に関しては、Ｔｗに対して、本実施例では分母に６を用いたが、「ｎ／整数」に設定すると回路上都合が良い。
上記の結果、単に時定数を固定して記録を行なうと、低線速度側でのジッタ上昇や全体的なジッタ上昇が見られるのに対し、本実施例ではジッタが低く抑えられ、安定した記録が行なわれることが分かった。また、記録層の欠陥発生や反射層と第二保護層との間での部分剥離問題の発生を抑えることができた。
【００２６】
（実施例２〜３）
第二の誘電体層（第三保護層）をＺｎＳ層に、第三の誘電体層をＳｉＣ層とし、この順に積層したもの（実施例２）、又は、第二の誘電体層をＺｎＳ−ＳｉＯ２とし、かつ第三の誘電体層界面でのＺｎＳの重量／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ２）の重量の値が　０．９であり、第三の誘電体層がＳｉＣであるもの（実施例３）に代えた点以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。
【００２７】
（実施例４）
実施例１〜３で作製した光記録媒体に対し、オンパルスの幅を全て同じ時定数で固定する部分とウィンドウ幅Ｔｗに対して定数を乗算する部分とを連続的に組み合わせた部分について、オンパルスの幅を固定する部分の時定数を１１．５ｎｓｅｃ．、Ｔｗに定数を乗算する部分の定数を１／６とした記録方法で、最内周のＴｗに対し１／１．７倍に相当する半径位置（半径の約半分の位置）の部分まで記録を行なった。この部分での記録線速度は約６ｍ／ｓｅｃであった。
更に、上記半径位置よりも外周側では、複数のオンパルスの幅をＴｗに対してデューティが０．６となるように調整して記録を行なった。
その結果、実施例１〜３の何れの光記録媒体についても、ジッタ特性、記録層の欠陥発生、反射層と第二保護層との間での部分剥離問題の発生を抑えることができた。
光記録媒体の記録方法を実現するためのレーザー光駆動回路は、ＬＳＩなどにより、前記の時定数に対応した信号を発生する部分と、この信号をＬＤ駆動用の大電流パルスとする部分とこれらの伝送回路部分で構成され、ＬＤはこの駆動電流によってパルス状の記録光を出射する。前記の時定数は、あらかじめ光ディスクに蛇行溝やピットなどの手段を用いて記録されてなる。例えば、この情報はピックアップで読み取られ、ＬＳＩであらかじめメモリされてある情報との比較を行ない、該当する光ディスクの記録光のパルス条件を設定し、ＬＤ駆動の大電流パルスに変換する。
【００２８】
（実施例５）
実施例１で作製した光記録媒体に対し、複数のオンパルスの幅をウィンドウ幅Ｔｗに対してデューティが０．５となるように調整し、最内周のＴｗに対し１／１．７倍に相当する半径位置（半径の約半分の位置）の部分まで記録を行なった。この部分での記録線速度は約６ｍ／ｓｅｃであった。
更に、上記半径位置よりも外周側では、オンパルスの幅を全て同じ時定数で固定する部分とＴｗに対して定数を乗算する部分とを連続的に組み合わせた部分について、オンパルスの幅を固定する部分の時定数を８ｎｓｅｃ．、Ｔｗに定数を乗算する部分の定数を１／６とした記録方法で記録を行なった。
その結果、ジッタ特性は実施例４の場合とほぼ同じであった。
【００２９】
【発明の効果】
以上、詳細かつ具体的な説明から明らかなように、本発明の請求項１〜６によりＳｂＴｅを主成分とする記録層を用いているために、消去特性に優れ、記録マークの記録時にレーザー光を照射した後、急冷することさえ考慮すればよく、また、記録層の欠陥発生、及び反射層と第二保護層との間での部分剥離問題の発生を抑えることができ、ＣＡＶ記録或いは記録媒体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合にも、安定した記録マークを形成できる。
また、本発明の請求項７により、内周側でのパルス幅デューティ比を大きくできるので、ＣＡＶ記録又は記録媒体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合にも、安定した記録マークを形成できる。また、記録層の欠陥発生、及び反射層と第二保護層との間での部分剥離問題の発生を抑えることができる。
また、本発明の請求項８により、オンパルスの幅を全て同じ時定数で固定する部分とＴｗに対して定数を乗算する部分とを連続的に組み合わせたパルス幅は、図３中のｄＴｍｐありの直線に示す幅になるため、低線速度側（内周側）においてパルス幅が小さくなり過ぎ記録パワーが不足することによってジッタ特性が悪化するｄＴｍｐなしの場合に比較して、内周側でのパルス幅を大きくできるので、ＣＡＶ記録或いは記録媒体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合にも、安定した記録マークが形成できる。また、記録層の欠陥発生、及び反射層と第二保護層との間での部分剥離問題の発生を抑えることができる。
さらにまた、本発明の請求項９により、ＣＡＶ記録又は記録媒体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合でも、安定した記録マークが形成できる記録装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光記録媒体の層構成の一例を示す概念図である。
【図２】本発明の記録方法の説明図である。
【図３】本発明におけるパルスデューティ比を示した図である。
【符号の説明】
１　基板
２　第一の誘電体層（下部保護層）
３　記録層
４　第二の誘電体層（上部保護層）
５　第三の誘電体層（第三保護層）
５’　第四の誘電体層（第四保護層）
６　金属反射層（反射放熱層）
７　環境保護層
Ｔ　基準となるクロック時間
Ｔｗ　ウィンドウ幅
Ｔｍｐ　マルチパルスの時定数固定部分
ｄＴｍｐ　マルチパルスのウィンドウ幅比例部分
ｄＴｅｒａ　オフパルスの立ち上がり時定数の規定値
【図１】
2004095087.tif 000007
【図２】
2004095087.tif 000008
【図３】
2004095087.tif 000009