(57)【要約】【課題】感光性レジスト組成物における感光剤や溶解抑制剤等に用いることができる新規なオキシビス（ベンゼンカルボン酸テトラヒドロピラニルエステル）類を提供する。【解決手段】本発明によれば、一般式（Ｉ）【化１】2004149492.tif 000006（式中、Ｒはアルキル基を示し、ｍは０、１又は２であり、ｎは１又は２である。）で表されるオキシビス（ベンゼンカルボン酸テトラヒドロピラニルエステル）類が提供される。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
2004149492.tif 000005
（式中、Ｒはアルキル基を示し、ｍは０、１又は２であり、ｎは１又は２である。）
で表されるオキシビス（ベンゼンカルボン酸テトラヒドロピラニルエステル）類。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規なオキシビス（ベンゼンカルボン酸テトラヒドロピラニルエステル）類に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ビス（ベンゼンカルボン酸）類をエステル化した化合物が幾つか知られている。例えば、特開平１１−２９５３０号公報には４−（４’−シクロヘキサンカルボン酸メチル）ベンゼンカルボン酸メチルが記載されている。また、特開平１１−２９５２９号公報には４，４’−（ジ−ｔ−ブトキシカルボニル）ジフェニルエーテルが記載されている。特に、この化合物は、感光性レジスト組成物における感光剤や溶解抑制剤等の用途に用いられることが記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
近時、感光性レジスト組成物における感光剤や溶解抑制剤等に要求される性能は益々高度化、多様化してきている。本発明者らは、このような事情の下、鋭意検討した結果、上記用途に用いることができる新規なオキシビス（ベンゼンカルボン酸テトラヒドロピラニルエステル）類を見出して、本発明を完成した。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、一般式（Ｉ）
【０００５】
【化２】
2004149492.tif 000002
【０００６】
（式中、Ｒはアルキル基を示し、ｍは０、１又は２であり、ｎは１又は２である。）
で表されるオキシビス（ベンゼンカルボン酸テトラヒドロピラニルエステル）類。
が提供される。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明によるオキシビス（ベンゼンカルボン酸テトラヒドロピラニルエステル）類は、上記一般式（Ｉ）で表され、Ｒはアルキル基を示し、ｍは０、１又は２であり、ｎは１又は２である。上記アルキル基は、炭素原子数１〜４の直鎖状又は分岐状アルキル基か、又は炭素原子数５又は６のシクロアルキル基であることが好ましく、そのようなアルキル基の好ましい具体例として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。炭素原子数３又は４のアルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよい。これらのなかでは、アルキル基は、特に、炭素原子数１〜４の直鎖状又は分岐状アルキル基であることが好ましく、最も好ましくはメチル基である。また、ｍは、好ましくは、０又は１である。
【０００８】
従って、本発明によるオキシビス（ベンゼンカルボン酸テトラヒドロピラニルエステル）類として、具体的には、
４，４’−オキシビス（ベンゼン−１−カルボン酸テトラヒドロピラニルエステル）、
４，４’−オキシビス（２−メチルベンゼン−１−カルボン酸テトラヒドロピラニルエステル）、
４，４’−オキシビス（３−メチルベンゼン−１−カルボン酸テトラヒドロピラニルエステル）、
４，４’−オキシビス（３，５−ジメチルベンゼン−１−カルボン酸テトラヒドロピラニルエステル）、
４，４’−オキシビス（２，５−ジメチルベンゼン−１−カルボン酸テトラヒドロピラニルエステル）、
４，４’−オキシビス（３−エチルベンゼン−１−カルボン酸テトラヒドロピラニルエステル）、
４，４’−オキシビス（３−イソプロピルベンゼン−１−カルボン酸テトラヒドロピラニルエステル）、
４，４’−オキシビス（３−シクロヘキシルベンゼン−１−カルボン酸テトラヒドロピラニルエステル）
等を挙げることができる。
【０００９】
本発明によるこのようなオキシビス（ベンゼンカルボン酸テトラヒドロピラニルエステル）類は、原料として、対応するオキシビス（ベンゼンカルボン酸）を用い、これに酸触媒の存在下に３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピランを反応させることによって得ることができる。上記オキシビス（ベンゼンカルボン酸）としては、例えば、
４，４’−オキシビス（ベンゼン−１−カルボン酸）、
４，４’−オキシビス（２−メチルベンゼン−１−カルボン酸）、
４，４’−オキシビス（３−メチルベンゼン−１−カルボン酸）、
４，４’−オキシビス（３，５−ジメチルベンゼン−１−カルボン酸）、
４，４’−オキシビス（２，５−ジメチルベンゼン−１−カルボン酸）、
４，４’−オキシビス（３−エチルベンゼン−１−カルボン酸）、
４，４’−オキシビス（３−イソプロピルベンゼン−１−カルボン酸）、
４，４’−オキシビス（３−シクロヘキシルベンゼン−１−カルボン酸）
等を挙げることができる。
【００１０】
オキシビス（ベンゼンカルボン酸）と３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピランとの反応において、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピランは、オキシビス（ベンゼンカルボン酸）のカルボキシル基当量に対して２〜２０モル倍、好ましくは、５〜１８モル倍の範囲で用いられる。
【００１１】
また、酸触媒としては、塩化水素ガス、無水硫酸等の無水無機酸やｐ−トルエンスルホン酸等の有機酸が用いられる。このような酸触媒は、オキシビス（ベンゼンカルボン酸）に対して、通常、０．１〜１０重量％、好ましくは、０．１〜３重量％の範囲で用いられる。
【００１２】
オキシビス（ベンゼンカルボン酸）と３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピランとの反応は、溶媒を用いて行うのが好ましい。この反応溶媒としては、例えば、メチルイソブチルケトン等のケトン類やテトラヒドロフラン等のエーテル類、酢酸エチル等のエステル類が好ましく、なかでも、テトラヒドロフランが好ましく用いられる。反応溶媒の使用量は、通常、オキシビス（ベンゼンカルボン酸）に対して、２〜１００重量倍、好ましくは、３〜２０重量倍の範囲である。
【００１３】
オキシビス（ベンゼンカルボン酸）と３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピランとの反応は、通常、大気圧下、−３０℃から４０℃の範囲、好ましくは、−１０℃から２０℃の範囲で行われる。このような条件下において、反応は、通常、０．５〜５０時間程度で完結する。
【００１４】
反応終了後、例えば、得られた反応混合物にアルカリ水溶液を加えて中和し、その後、水層を分液等により分離し、次いで、得られた目的物を含む油層を必要に応じて水洗した後、減圧蒸留等にて用いた溶媒を除去することによって固形物として精製品を得ることができる。
【００１５】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではない。
【００１６】
実施例１
（４，４’−オキシビス（ベンゼン−４−カルボン酸テトラヒドロピラニルエステル）の合成）
１Ｌ容量の四つ口フラスコに４，４’−オキシビス（ベンゼン−４−カルボン酸）（高速液体クロマトグラフィー法による純度９７．３％）１８．１ｇ（０．０７モル）、ｐ−トルエンスルホン酸０．１３ｇ及びテトラヒドロフラン１８０ｇを仕込み、室温下、攪拌しながら、３，４−ジヒドロ−２−Ｈ−ピラン１３４ｇ（１．６モル）を２時間かけて滴下した。滴下終了後、同じ温度で更に３時間攪拌下に反応を行った。
【００１７】
反応終了後、得られた反応混合物に８％炭酸水素ナトリウム水溶液１００ｇを加え、中和、洗浄し、その後、水層を分液除去した。得られた目的物を含む油層を適量の水で水洗し、これを３回繰り返した。この水洗後の油層を減圧濃縮し、残留物に酢酸エチルエステルを加え、析出した結晶を濾過して、目的物９．９ｇを白色固体として得た。原料４，４’−オキシビス（ベンゼン−４−カルボン酸）に対する収率は３３％、ガスクロマトグラフィー分析による純度は１００％であった。
【００１８】
プロトンＮＭＲスペクトル（ジメチルスルホキシド溶媒、４００ＭＨｚ、化学シフトδ（ｐｐｍ））：
【００１９】
【化３】
2004149492.tif 000003
【００２０】
【表１】
2004149492.tif 000004