(57)【要約】【課題】洗浄液による基板や絶縁膜のエッチング量を従来と比べてより少なくしながらも洗浄能力の低下を防止し、それによってデバイスを高い歩留まりで製造できるようにする。【解決手段】レジストアッシング残さ又はエッチング残さ等を除去する際に、基板に対して、機能水（例えば炭酸水、オゾン水、水素水）を用いた洗浄、又は水を用いたスピン洗浄を行なった後、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液（例えばＡＰＭ溶液）を用いて洗浄を行なう。【選択図】　　　図３
2004095625.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して機能水を用いて洗浄を行なう工程と、
前記機能水を用いて洗浄を行なう工程に引き続いて、前記基板に対して、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液を用いて洗浄を行なう工程とを備えていることを特徴とする電子デバイスの洗浄方法。
【請求項２】
前記機能水は、炭酸水、オゾン水、水素水又は窒素含有水であることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの洗浄方法。
【請求項３】
前記機能水を用いて洗浄を行なう工程においてスピン洗浄を行なうことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの洗浄方法。
【請求項４】
前記機能水を用いて洗浄を行なう工程において前記機能水に超音波を印加することを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの洗浄方法。
【請求項５】
前記機能水を用いて洗浄を行なう工程においてスクラバー洗浄を行なうことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの洗浄方法。
【請求項６】
前記洗浄液はＡＰＭ溶液又はＨＦ溶液であることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの洗浄方法。
【請求項７】
前記洗浄液はアミン含有洗浄液又はフッ化アンモニウム含有洗浄液であることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの洗浄方法。
【請求項８】
基板上にレジストパターンを形成する工程と、
アッシングにより前記レジストパターンを除去する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程よりも後に、前記基板に対して、機能水を用いて洗浄を行なった後、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液を用いて洗浄を行ない、それによって前記基板からレジスト残さを除去する工程とを備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記レジストパターンを形成する工程と前記レジストパターンを除去する工程との間に、前記レジストパターンをマスクとして前記基板に対して不純物を注入する工程を備えていることを特徴とする請求項８に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記レジストパターンを形成する工程と前記レジストパターンを除去する工程との間に、前記レジストパターンをマスクとして前記基板に対してエッチングを行なう工程を備えていることを特徴とする請求項８に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記レジストパターンを形成する工程よりも前に、前記基板上に被処理膜を形成する工程を備え、
前記レジストパターンを形成する工程と前記レジストパターンを除去する工程との間に、前記レジストパターンをマスクとして前記被処理膜に対してエッチングを行なう工程を備えていることを特徴とする請求項８に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１２】
基板上に被処理膜を形成する工程と、
前記被処理膜に対してハードマスクを用いてドライエッチングを行なう工程と、
前記ドライエッチングを行なう工程よりも後に、前記基板に対して、機能水を用いて洗浄を行なった後、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液を用いて洗浄を行ない、それによって前記基板からエッチング残さを除去する工程とを備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項１３】
基板に対して水を用いてスピン洗浄を行なう工程と、
前記スピン洗浄を行なう工程に引き続いて、前記基板に対して、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液を用いて洗浄を行なう工程とを備えていることを特徴とする電子デバイスの洗浄方法。
【請求項１４】
前記スピン洗浄を行なう工程において前記水に超音波を印加することを特徴とする請求項１３に記載の電子デバイスの洗浄方法。
【請求項１５】
前記スピン洗浄を行なう工程においてスクラバー洗浄を行なうことを特徴とする請求項１３に記載の電子デバイスの洗浄方法。
【請求項１６】
前記洗浄液はＡＰＭ溶液又はＨＦ溶液であることを特徴とする請求項１３に記載の電子デバイスの洗浄方法。
【請求項１７】
前記洗浄液はアミン含有洗浄液又はフッ化アンモニウム含有洗浄液であることを特徴とする請求項１３に記載の電子デバイスの洗浄方法。
【請求項１８】
基板上にレジストパターンを形成する工程と、
アッシングにより前記レジストパターンを除去する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程よりも後に、前記基板に対して、水を用いてスピン洗浄を行なった後、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液を用いて洗浄を行ない、それによって前記基板からレジスト残さを除去する工程とを備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項１９】
前記レジストパターンを形成する工程と前記レジストパターンを除去する工程との間に、前記レジストパターンをマスクとして前記基板に対して不純物を注入する工程を備えていることを特徴とする請求項１８に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項２０】
前記レジストパターンを形成する工程と前記レジストパターンを除去する工程との間に、前記レジストパターンをマスクとして前記基板に対してエッチングを行なう工程を備えていることを特徴とする請求項１８に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項２１】
前記レジストパターンを形成する工程よりも前に、前記基板上に被処理膜を形成する工程を備え、
前記レジストパターンを形成する工程と前記レジストパターンを除去する工程との間に、前記レジストパターンをマスクとして前記被処理膜に対してエッチングを行なう工程を備えていることを特徴とする請求項１８に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項２２】
基板上に被処理膜を形成する工程と、
前記被処理膜に対してハードマスクを用いてドライエッチングを行なう工程と、
前記ドライエッチングを行なう工程よりも後に、前記基板に対して、水を用いてスピン洗浄を行なった後、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液を用いて洗浄を行ない、それによって前記基板からエッチング残さを除去する工程とを備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子デバイスの洗浄方法及び製造方法に関し、特に、レジストパターンをマスクとして不純物注入、ドライエッチング又はウェットエッチングを行なった後におけるレジストアッシング残さ除去、及びハードマスクを用いてドライエッチングを行なった後におけるエッチング残さ除去に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、多数の素子を集積化して構成される超ＬＳＩデバイスにおいては、技術指向が微細化、高密度化、高速化及び低消費電力化の各面に進む中で、素子寸法の微細化が進行している。この素子寸法の微細化の進行に伴い、キラー欠陥（デバイスにとって致命的な欠陥）のサイズが小さくなってきている。このため、洗浄工程においてレジスト、パーテイクル又はドライエッチング残さ等の除去率を向上させることが必須である。
【０００３】
従来、マスター工程（トランジスタ（不純物拡散層及びゲート電極等）形成工程）においては、レジストをアッシングにより除去した後、ＳＰＭ（Ｓｕｌｆｕｒｉｃ　　ａｃｉｄ−Ｈｙｄｒｏｇｅｎ　Ｐｅｒｏｘｉｄｅ　Ｍｉｘｔｕｒｅ）溶液を用いて洗浄を行ない、その後、ＡＰＭ（Ａｍｍｏｎｉａ−Ｈｙｄｒｏｇｅｎ　Ｐｅｒｏｘｉｄｅ　Ｍｉｘｔｕｒｅ　）溶液を用いてシリコン基板表面をエッチングすることにより、レジスト残さ等をリフトオフ作用によって十分に除去してきた。また、従来、配線工程（基板上の素子間を配線によって接続していく工程）においては、レジストをアッシングにより除去した後、ＡＰＭ溶液と同様にシリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ有機剥離液（有機溶剤）、例えばアミン含有洗浄液又はフッ化アンモニウム含有洗浄液を用いてエッチング残さ等の除去を行なってきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、微細化に伴い、洗浄工程でのエッチングによる基板や絶縁膜の形状の変化が無視できなくなってきており、その結果、ＡＰＭ溶液や有機剥離液等を用いた洗浄におけるエッチング量を減らす必要が生じてきた。ところで、洗浄におけるパーティクル除去能力と、ＡＰＭ溶液等による基板や絶縁膜のエッチング量との間には相関があることが知られている（シリコンウェハ表面のクリーン化技術　ＲＥＡＬＩＺＥ　ＩＮＣ．２６２〜２６７　１９９５年　参照）。言い換えると、ＡＰＭ溶液等によるエッチング量を減らすとパーティクル除去能力が低下する。
【０００５】
以上のように、デバイスが微細化するにつれて洗浄でのエッチング量を少なくしていくことが必要になってきている一方、エッチング量を減らすと、デバイス性能に基づき要求される洗浄能力を満たすことが困難になってきている。
【０００６】
前記に鑑み、本発明は、洗浄液による基板や絶縁膜のエッチング量を従来と比べてより少なくしながらも洗浄能力の低下を防止し、それによってデバイスを高い歩留まりで製造できるようにすることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本願発明者は、レジストパターンをマスクとして不純物注入、ドライエッチング若しくはウェットエッチングを行なった後のレジストアッシング残さ除去工程において、又はハードマスクを用いてドライエッチングを行なった後のエッチング残さ除去工程において、ＡＰＭ溶液等を用いた従来の薬液洗浄を行なう前に、機能水を用いた洗浄又は水を用いたスピン洗浄を行なうことによって、前記の目的を達成できることを初めて見出した。
【０００８】
具体的には、本発明に係る第１の電子デバイスの洗浄方法は、基板に対して機能水を用いて洗浄を行なう工程と、機能水を用いて洗浄を行なう工程に引き続いて、基板に対して、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液を用いて洗浄を行なう工程とを備えている。
【０００９】
第１の電子デバイスの洗浄方法によると、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液、例えばＡＰＭ溶液等を用いて薬液洗浄を行なう前に、機能水を用いて洗浄を行なう。このため、ＡＰＭ洗浄等の薬液洗浄の前に、機能水を用いた洗浄によりレジスト残さ等の大部分を除去することによって、洗浄による異物除去における薬液洗浄の負担を減らすことができる。その結果、薬液洗浄による基板や絶縁膜のエッチング量を低減しつつ従来洗浄と比べて同等以上の異物除去能力を達成できるので、デバイスを高い歩留りで製造することができる。
【００１０】
第１の電子デバイスの洗浄方法において、機能水は、炭酸水、オゾン水、水素水又は窒素含有水であることが好ましい。
【００１１】
このようにすると、機能水を用いた洗浄によってレジスト残さ等を確実に除去することができる。
【００１２】
第１の電子デバイスの洗浄方法において、機能水を用いて洗浄を行なう工程でスピン洗浄を行なうことが好ましい。
【００１３】
このようにすると、機能水による異物除去能力が向上する。
【００１４】
第１の電子デバイスの洗浄方法において、機能水を用いて洗浄を行なう工程で機能水に超音波を印加することが好ましい。
【００１５】
このようにすると、機能水による異物除去能力が向上する。
【００１６】
第１の電子デバイスの洗浄方法において、機能水を用いて洗浄を行なう工程でスクラバー洗浄を行なうことが好ましい。
【００１７】
このようにすると、基板を確実に清浄化することができる。
【００１８】
第１の電子デバイスの洗浄方法において、洗浄液はＡＰＭ溶液又はＨＦ溶液であることが好ましい。
【００１９】
このようにすると、リフトオフ作用により基板からパーティクル等を確実に除去することができる。
【００２０】
第１の電子デバイスの洗浄方法において、洗浄液はアミン含有洗浄液又はフッ化アンモニウム含有洗浄液であることが好ましい。
【００２１】
このようにすると、リフトオフ作用により基板からパーティクル等を確実に除去することができる。
【００２２】
本発明に係る第１の電子デバイスの製造方法は、基板上にレジストパターンを形成する工程と、アッシングによりレジストパターンを除去する工程と、レジストパターンを除去する工程よりも後に、基板に対して、機能水を用いて洗浄を行なった後、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液を用いて洗浄を行ない、それによって基板からレジスト残さを除去する工程とを備えている。
【００２３】
第１の電子デバイスの製造方法によると、レジストアッシング残さ除去工程において第１の電子デバイスの洗浄方法を用いる。このため、薬液洗浄による基板や絶縁膜のエッチング量を低減しつつ従来洗浄と比べて同等以上の異物除去能力を達成できるので、デバイスを高い歩留りで製造することができる。
【００２４】
第１の電子デバイスの製造方法において、レジストパターンを形成する工程とレジストパターンを除去する工程との間に、レジストパターンをマスクとして基板に対して不純物を注入する工程を備えていてもよい。
【００２５】
第１の電子デバイスの製造方法において、レジストパターンを形成する工程とレジストパターンを除去する工程との間に、レジストパターンをマスクとして基板に対してエッチングを行なう工程を備えていてもよい。
【００２６】
第１の電子デバイスの製造方法において、レジストパターンを形成する工程よりも前に、基板上に被処理膜を形成する工程を備え、レジストパターンを形成する工程とレジストパターンを除去する工程との間に、レジストパターンをマスクとして被処理膜に対してエッチングを行なう工程を備えていてもよい。
【００２７】
本発明に係る第２の電子デバイスの製造方法は、基板上に被処理膜を形成する工程と、被処理膜に対してハードマスクを用いてドライエッチングを行なう工程と、ドライエッチングを行なう工程よりも後に、基板に対して、機能水を用いて洗浄を行なった後、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液を用いて洗浄を行ない、それによって基板からエッチング残さを除去する工程とを備えている。
【００２８】
第２の電子デバイスの製造方法によると、ハードマスクを用いてドライエッチングを行なった後のエッチング残さ除去工程において第１の電子デバイスの洗浄方法を用いる。このため、薬液洗浄による基板や絶縁膜のエッチング量を低減しつつ従来洗浄と比べて同等以上の異物除去能力を達成できるので、デバイスを高い歩留りで製造することができる。
【００２９】
本発明に係る第２の電子デバイスの洗浄方法は、基板に対して水を用いてスピン洗浄を行なう工程と、スピン洗浄を行なう工程に引き続いて、基板に対して、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液を用いて洗浄を行なう工程とを備えている。
【００３０】
第２の電子デバイスの洗浄方法によると、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液、例えばＡＰＭ溶液等を用いて薬液洗浄を行なう前に、水を用いてスピン洗浄を行なう。このため、ＡＰＭ洗浄等の薬液洗浄の前に、水を用いたスピン洗浄によりレジスト残さ等の大部分を除去することによって、洗浄による異物除去における薬液洗浄の負担を減らすことができる。その結果、薬液洗浄による基板や絶縁膜のエッチング量を低減しつつ従来洗浄と比べて同等以上の異物除去能力を達成できるので、デバイスを高い歩留りで製造することができる。
【００３１】
第２の電子デバイスの洗浄方法において、スピン洗浄を行なう工程で水に超音波を印加することが好ましい。
【００３２】
このようにすると、水を用いたスピン洗浄による異物除去能力が向上する。
【００３３】
第２の電子デバイスの洗浄方法において、スピン洗浄を行なう工程でスクラバー洗浄を行なうことが好ましい。
【００３４】
このようにすると、基板を確実に清浄化することができる。
【００３５】
第２の電子デバイスの洗浄方法において、洗浄液はＡＰＭ溶液又はＨＦ溶液であることが好ましい。
【００３６】
このようにすると、リフトオフ作用により基板からパーティクル等を確実に除去することができる。
【００３７】
第２の電子デバイスの洗浄方法において、洗浄液はアミン含有洗浄液又はフッ化アンモニウム含有洗浄液であることが好ましい。
【００３８】
このようにすると、リフトオフ作用により基板からパーティクル等を確実に除去することができる。
【００３９】
本発明に係る第３の電子デバイスの製造方法は、基板上にレジストパターンを形成する工程と、アッシングによりレジストパターンを除去する工程と、レジストパターンを除去する工程よりも後に、基板に対して、水を用いてスピン洗浄を行なった後、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液を用いて洗浄を行ない、それによって基板からレジスト残さを除去する工程とを備えている。
【００４０】
第３の電子デバイスの製造方法によると、レジストアッシング残さ除去工程において第２の電子デバイスの洗浄方法を用いる。このため、薬液洗浄による基板や絶縁膜のエッチング量を低減しつつ従来洗浄と比べて同等以上の異物除去能力を達成できるので、デバイスを高い歩留りで製造することができる。
【００４１】
第３の電子デバイスの製造方法において、レジストパターンを形成する工程とレジストパターンを除去する工程との間に、レジストパターンをマスクとして基板に対して不純物を注入する工程を備えていてもよい。
【００４２】
第３の電子デバイスの製造方法において、レジストパターンを形成する工程とレジストパターンを除去する工程との間に、レジストパターンをマスクとして基板に対してエッチングを行なう工程を備えていてもよい。
【００４３】
第３の電子デバイスの製造方法において、レジストパターンを形成する工程よりも前に、基板上に被処理膜を形成する工程を備え、レジストパターンを形成する工程とレジストパターンを除去する工程との間に、レジストパターンをマスクとして被処理膜に対してエッチングを行なう工程を備えていてもよい。
【００４４】
本発明に係る第４の電子デバイスの製造方法は、基板上に被処理膜を形成する工程と、被処理膜に対してハードマスクを用いてドライエッチングを行なう工程と、ドライエッチングを行なう工程よりも後に、基板に対して、水を用いてスピン洗浄を行なった後、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液を用いて洗浄を行ない、それによって基板からエッチング残さを除去する工程とを備えている。
【００４５】
第４の電子デバイスの製造方法によると、ハードマスクを用いてドライエッチングを行なった後のエッチング残さ除去工程において第２の電子デバイスの洗浄方法を用いる。このため、薬液洗浄による基板や絶縁膜のエッチング量を低減しつつ従来洗浄と比べて同等以上の異物除去能力を達成できるので、デバイスを高い歩留りで製造することができる。
【００４６】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法について、不純物注入に用いたレジストパターンをアッシングにより除去した後のレジスト残さ除去を例として、図面を参照しながら説明する。
【００４７】
図１は、本実施形態の洗浄方法におけるＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄（ＳＰＭ洗浄とＡＰＭ洗浄とを順次行なう洗浄）の洗浄条件と、熱酸化膜（ＳｉＯ２　膜）、アモルファスシリコン（αーＳｉ）膜、ＨＤＰ（ｈｉｇｈ　ｄｅｎｓｉｔｙ　ｐｌａｓｍａ　）−ＮＳＧ（ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ　ｓｉｌｉｃａｔｅ　ｇｌａｓｓ）膜及びＬＰ（ｌｏｗ　ｐｒｅｓｓｕｒｅ）−ＴＥＯＳ（ｔｅｔｒａ　ｅｔｈｙｌ　ｏｒｔｈｏ　ｓｉｌｉｃａｔｅ）膜のそれぞれのエッチング量とを示している。ここで、ＬＰ−ＴＥＯＳ膜とは、ＴＥＯＳを原料として低圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜である。尚、図１において、従来の洗浄方法におけるＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄の洗浄条件と、前述の各種類の膜のエッチング量とを合わせて示している。また、従来方法においても本実施形態においても、ＳＰＭ洗浄及びＡＰＭ洗浄をバッチ式のバス式循環槽を用いて行なっている。
【００４８】
図１に示すように、従来方法においても本実施形態においても、ＳＰＭ洗浄の洗浄条件は、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２との体積比が４：１、洗浄温度が１２０℃、洗浄時間が１０分である。また、従来方法のＡＰＭ洗浄の洗浄条件は、ＮＨ４　ＯＨとＨ２Ｏ２とＤＩＷ（ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ　ｗａｔｅｒ　）との体積比が１：１：１６、洗浄温度が６０℃、洗浄時間が５分である。一方、本実施形態のＡＰＭ洗浄の洗浄条件は、ＮＨ４　ＯＨとＨ２Ｏ２とＤＩＷとの体積比が１：１：１６、洗浄温度が４０℃、洗浄時間が５分である。すなわち、本実施形態のＡＰＭ洗浄における洗浄温度は従来方法と比べて低く設定されている。これにより、図１に示すように、本実施形態のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄によるＳｉＯ２　膜、αーＳｉ膜、ＨＤＰ−ＮＳＧ膜及びＬＰ−ＴＥＯＳ膜のそれぞれのエッチング量が従来方法のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄と比べて約１／３に低下する。
【００４９】
さて、本実施形態の洗浄方法を実施するに当たって、まず、基板となる評価用ウェハの上に厚さ１０ｎｍの熱酸化膜（ＳｉＯ２　膜）を成膜し、その後、ｉ線用のレジスト膜を形成してパターン化した後、このレジストパターンをマスクとして、各種条件でヒ素（Ａｓ）のイオン注入を行ない、その後、酸素ガスを用いたアッシングによりレジストパターンを除去する。尚、評価用ウェハは、イオン注入の条件毎に別々に用意した。また、具体的なイオン注入条件は、「注入なし」、「注入エネルギーが５ｋｅｖで且つドーズ量が５×１０１４（／ｃｍ２　）」、「注入エネルギーが５０ｋｅｖで且つドーズ量が５×１０１５（／ｃｍ２　）」の３種類である。
【００５０】
次に、本実施形態の洗浄方法において、まず、水又は機能水（例えば炭酸水、オゾン水、水素水）を用いてウェハ表面に対して３０秒間洗浄（以下、初期洗浄と称することもある）を行なった後、図１に示す洗浄条件でＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄（以下、薬液洗浄と称することもある）を行なう。このとき、初期洗浄においては、枚葉式のスピン洗浄を行なうと共に、ウェハ裏面に対して３０秒間スクラバー洗浄を行なった。
【００５１】
図２（ａ）は、本実施形態の初期洗浄におけるウェハ裏面に対する洗浄の詳しい様子を示しており、図２（ｂ）は、本実施形態の初期洗浄におけるウェハ表面に対する洗浄工程の詳しい様子を示している。尚、図２（ｂ）においては、水又は機能水に超音波（例えば出力１０Ｗのメガソニック）を印加しながらウェハ表面を洗浄する様子を示しているが、本実施形態において超音波の印加は行なわなくてもよい。
【００５２】
図３は、本実施形態の洗浄方法によるレジスト残さ除去の評価結果をイオン注入条件毎に示している。尚、レジスト残さ除去の評価は、光学式欠陥検査装置を使用した欠陥測定により行なった。また、図３においては、アッシング直後（洗浄前）の欠陥数を示すと共に、該欠陥数を分母とする洗浄後の欠陥除去率（％）を示している。また、図３においては、レジスト残さ除去の評価結果を、初期洗浄で水、炭酸水、オゾン水及び水素水を用いた場合において各液体に出力１０Ｗのメガソニックを印加した場合及び印加しなかった場合のそれぞれについて示している。さらに、図３においては、従来方法のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄を行なった場合の評価結果、本実施形態のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄のみを行なった場合の評価結果、並びに、水、炭酸水、オゾン水及び水素水を用いた本実施形態の初期洗浄（メガソニック印加ありの場合及びメガソニック印加なしの場合）のみを行なった場合の評価結果を合わせて示している。
【００５３】
図３に示すように、本実施形態のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄のみを行なうと、つまり本実施形態の初期洗浄を行なわずにＡＰＭ洗浄の洗浄温度を従来方法の６０℃から４０℃に変更すると、ＳｉＯ２　膜のエッチング量が減少するために、洗浄後の欠陥数は、イオン注入のドーズ量が５×１０１４（／ｃｍ２　）の場合で従来方法の８個から２５個に増加する。また、イオン注入のドーズ量が５×１０１５（／ｃｍ２　）の場合で従来方法の１２個から５５個に増加する。
【００５４】
また、図３に示すように、本実施形態の初期洗浄のみを行なうと、本実施形態のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄のみを行なった場合と比べてレジスト残さ除去能力が低下する一方、初期洗浄に用いる液体の種類によらず概ね９５％以上のレジスト残さ除去率が得られている。また、このとき、メガソニック印加を行なうことにより、レジスト残さ除去能力の向上が見られる。
【００５５】
さらに、図３に示すように、本実施形態の初期洗浄と本実施形態のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄とを組み合わせた本実施形態の洗浄方法によって、従来方法のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄とほぼ同等のレジスト残さ除去率が得られている。また、このとき、メガソニック印加を行なうことによりレジスト残さ除去能力の向上が見られる。さらに、本実施形態の初期洗浄において、水、オゾン水及び炭酸水を用いた場合にはレジスト残さ除去能力にほとんど差が見られない一方、水素水を用いた場合には、水、オゾン水及び炭酸水を用いた場合と比べてレジスト残さ除去率の向上が見られた。
【００５６】
以上に説明したように、第１の実施形態によると、レジストパターンをマスクとして不純物注入を行なった後におけるレジストアッシング残さ除去工程において、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つＡＰＭ溶液を用いて薬液洗浄を行なう前に、水又は機能水を用いて初期洗浄を行なう。このため、ＡＰＭ洗浄の前に、水又は機能水を用いた洗浄によってレジスト残さの大部分を除去することによって、洗浄による異物除去におけるＡＰＭ洗浄の負担を減らすことができる。その結果、ＡＰＭ洗浄による基板や絶縁膜のエッチング量を低減しつつ従来洗浄と比べて同等以上の異物除去能力を達成できるので、デバイスを高い歩留りで製造することができる。
【００５７】
また、第１の実施形態によると、初期洗浄でスピン洗浄を行なうため、異物除去能力がさらに向上する。
【００５８】
また、第１の実施形態によると、初期洗浄でウェハ裏面に対してスクラバー洗浄を行なうため、ウェハ裏面を確実に清浄化することができる。
【００５９】
尚、第１の実施形態において、初期洗浄で機能水としてオゾン水、炭酸水又は水素水を用いたが、これに代えて、他の機能水、例えば窒素含有水を用いた場合にも本実施形態と同様の効果が得られる。
【００６０】
また、第１の実施形態において、ＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄の洗浄条件は、従来方法のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄と比べて、シリコン又は酸化シリコンのエッチング量が十分に低下する範囲において、特に限定されるものではない。
【００６１】
また、第１の実施形態において、初期洗浄でスピン洗浄を行なったが、機能水を用いる場合にはスピン洗浄を行なわなくても十分な異物除去能力が得られる。すなわち、機能水を用いる場合にはバッチ式のバス式洗浄を行なってもよい。
【００６２】
また、第１の実施形態において、ＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄の前に初期洗浄を行なった。しかし、これに代えて、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ他の洗浄液、例えばＨＦ溶液、アミン含有洗浄液又はフッ化アンモニウム含有洗浄液を用いた薬液洗浄を行なう前に、本実施形態の初期洗浄を行なう場合にも本実施形態と同様の効果が得られる。
【００６３】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法について、ドライエッチングのマスクに用いたレジストパターンをアッシングにより除去した後のレジスト残さ除去を例として、図面を参照しながら説明する。
【００６４】
尚、本実施形態の洗浄方法におけるＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄の条件は、図１に示す第１の実施形態のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄の条件と同様である。
【００６５】
さて、本実施形態の洗浄方法を実施するに当たって、まず、基板となる評価用ウェハの上に厚さ５００ｎｍのＨＤＰ−ＮＳＧ膜を成膜し、その後、ＫｒＦ線用のレジスト膜を形成してパターン化した後、このレジストパターンをマスクとして、フルオロカーボン系ガスを用いてＨＤＰ−ＮＳＧ膜に対してドライエッチングを行ない、その後、酸素ガスを用いたアッシングによりレジストパターンを除去する。
【００６６】
次に、本実施形態の洗浄方法において、まず、水又は機能水（例えば炭酸水、オゾン水、水素水）を用いてウェハ表面に対して３０秒間初期洗浄を行なった後、図１に示す洗浄条件でＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄（薬液洗浄）を行なう。このとき、初期洗浄においては、枚葉式のスピン洗浄を行なうと共に、ウェハ裏面に対して３０秒間スクラバー洗浄を行なった。本実施形態の初期洗浄におけるウェハ表面及び裏面に対する洗浄の詳しい様子は第１の実施形態（図２（ａ）、（ｂ）参照）と同様である。
【００６７】
図４は、本実施形態の洗浄方法によるレジスト残さ除去の評価結果を示している。尚、レジスト残さ除去の評価は、光学式欠陥検査装置を使用した欠陥測定により行なった。また、図４においては、アッシング直後（洗浄前）の欠陥数を示すと共に、該欠陥数を分母とする洗浄後の欠陥除去率（％）を示している。また、図４においては、レジスト残さ除去の評価結果を、初期洗浄で水、炭酸水、オゾン水及び水素水を用いた場合において各液体に出力１０Ｗのメガソニックを印加した場合及び印加しなかった場合のそれぞれについて示している。さらに、図４においては、従来方法のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄を行なった場合の評価結果、本実施形態のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄のみを行なった場合の評価結果、並びに、水、炭酸水、オゾン水及び水素水を用いた本実施形態の初期洗浄（メガソニック印加ありの場合及びメガソニック印加なしの場合）のみを行なった場合の評価結果を合わせて示している。
【００６８】
図４に示すように、本実施形態のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄のみを行なうと、つまり本実施形態の初期洗浄を行なわずにＡＰＭ洗浄の洗浄温度を従来方法の６０℃から４０℃に変更すると、ＨＤＰ−ＮＳＧ膜のエッチング量が減少するために、洗浄後の欠陥数は、従来方法の３個から１５個に増加する。
【００６９】
また、図４に示すように、本実施形態の初期洗浄のみを行なうと、本実施形態のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄のみを行なった場合と比べてレジスト残さ除去能力が低下する一方、初期洗浄に用いる液体の種類によらず概ね８０％以上のレジスト残さ除去率が得られている。また、このとき、メガソニック印加を行なうことにより、レジスト残さ除去能力の向上が見られる。
【００７０】
さらに、図４に示すように、本実施形態の初期洗浄と本実施形態のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄とを組み合わせた本実施形態の洗浄方法によって、従来方法のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄とほぼ同等のレジスト残さ除去率が得られている。また、このとき、メガソニック印加を行なうことによりレジスト残さ除去能力の向上が見られる。
【００７１】
以上に説明したように、第２の実施形態によると、レジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行なった後におけるレジストアッシング残さ除去工程において、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つＡＰＭ溶液を用いて薬液洗浄を行なう前に、水又は機能水を用いて初期洗浄を行なう。このため、ＡＰＭ洗浄の前に、水又は機能水を用いた洗浄によってレジスト残さの大部分を除去することによって、洗浄による異物除去におけるＡＰＭ洗浄の負担を減らすことができる。その結果、ＡＰＭ洗浄による基板や絶縁膜のエッチング量を低減しつつ従来洗浄と比べて同等以上の異物除去能力を達成できるので、デバイスを高い歩留りで製造することができる。
【００７２】
また、第２の実施形態によると、初期洗浄でスピン洗浄を行なうため、異物除去能力がさらに向上する。
【００７３】
また、第２の実施形態によると、初期洗浄でウェハ裏面に対してスクラバー洗浄を行なうため、ウェハ裏面を確実に清浄化することができる。
【００７４】
尚、第２の実施形態において、初期洗浄で機能水としてオゾン水、炭酸水又は水素水を用いたが、これに代えて、他の機能水、例えば窒素含有水を用いた場合にも本実施形態と同様の効果が得られる。
【００７５】
また、第２の実施形態において、ＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄の洗浄条件は、従来方法のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄と比べて、シリコン又は酸化シリコンのエッチング量が十分に低下する範囲において、特に限定されるものではない。
【００７６】
また、第２の実施形態において、初期洗浄でスピン洗浄を行なったが、機能水を用いる場合にはスピン洗浄を行なわなくても十分な異物除去能力が得られる。すなわち、機能水を用いる場合にはバッチ式のバス式洗浄を行なってもよい。
【００７７】
また、第２の実施形態において、ＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄の前に初期洗浄を行なった。しかし、これに代えて、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ他の洗浄液、例えばＨＦ溶液、アミン含有洗浄液又はフッ化アンモニウム含有洗浄液を用いた薬液洗浄を行なう前に、本実施形態の初期洗浄を行なう場合にも本実施形態と同様の効果が得られる。
【００７８】
（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法について、ウェットエッチングのマスクに用いたレジストパターンをアッシングにより除去した後のレジスト残さ除去を例として、図面を参照しながら説明する。
【００７９】
尚、本実施形態の洗浄方法におけるＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄の条件は、図１に示す第１の実施形態のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄の条件と同様である。
【００８０】
さて、本実施形態の洗浄方法を実施するに当たって、まず、基板となる評価用ウェハの上に厚さ５０ｎｍのＬＰ−ＴＥＯＳ膜を成膜し、その後、ｉ線用のレジスト膜を形成してパターン化した後、このレジストパターンをマスクとして、例えばＨＦとＮＨ４　ＦとＨ２　Ｏとの体積比が２．０：４０．０：５８．０のバッファードフッ酸（ＢＨＦ）溶液を用いてＬＰ−ＴＥＯＳ膜に対してウェットエッチングを行ない、その後、酸素ガスを用いたアッシングによりレジストパターンを除去する。
【００８１】
次に、本実施形態の洗浄方法において、まず、水又は機能水（例えば炭酸水、オゾン水、水素水）を用いてウェハ表面に対して３０秒間初期洗浄を行なった後、図１に示す洗浄条件でＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄（薬液洗浄）を行なう。このとき、初期洗浄においては、枚葉式のスピン洗浄を行なうと共に、ウェハ裏面に対して３０秒間スクラバー洗浄を行なった。本実施形態の初期洗浄におけるウェハ表面及び裏面に対する洗浄の詳しい様子は第１の実施形態（図２（ａ）、（ｂ）参照）と同様である。
【００８２】
図５は、本実施形態の洗浄方法によるレジスト残さ除去の評価結果を示している。尚、レジスト残さ除去の評価は、光学式欠陥検査装置を使用した欠陥測定により行なった。また、図５においては、アッシング直後（洗浄前）の欠陥数を示すと共に、該欠陥数を分母とする洗浄後の欠陥除去率（％）を示している。また、図５においては、レジスト残さ除去の評価結果を、初期洗浄で水、炭酸水、オゾン水及び水素水を用いた場合において各液体に出力１０Ｗのメガソニックを印加した場合及び印加しなかった場合のそれぞれについて示している。さらに、図５においては、従来方法のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄を行なった場合の評価結果、本実施形態のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄のみを行なった場合の評価結果、並びに、水、炭酸水、オゾン水及び水素水を用いた本実施形態の初期洗浄（メガソニック印加ありの場合及びメガソニック印加なしの場合）のみを行なった場合の評価結果を合わせて示している。
【００８３】
図５に示すように、本実施形態のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄のみを行なうと、つまり本実施形態の初期洗浄を行なわずにＡＰＭ洗浄の洗浄温度を従来方法の６０℃から４０℃に変更すると、ＬＰ−ＴＥＯＳ膜のエッチング量が減少するために、洗浄後の欠陥数は、従来方法の３個から８個に増加する。
【００８４】
また、図５に示すように、本実施形態の初期洗浄のみを行なうと、本実施形態のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄のみを行なった場合と比べてレジスト残さ除去能力が低下する一方、初期洗浄に用いる液体の種類によらず概ね６０％以上のレジスト残さ除去率が得られている。また、このとき、メガソニック印加を行なうことにより、水、炭酸水及び水素水を用いる場合にはレジスト残さ除去能力の向上が見られる。
【００８５】
さらに、図５に示すように、本実施形態の初期洗浄と本実施形態のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄とを組み合わせた本実施形態の洗浄方法によって、従来方法のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄とほぼ同等のレジスト残さ除去率が得られている。
【００８６】
以上に説明したように、第３の実施形態によると、レジストパターンをマスクとしてウェットエッチングを行なった後におけるレジストアッシング残さ除去工程において、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つＡＰＭ溶液を用いて薬液洗浄を行なう前に、水又は機能水を用いて初期洗浄を行なう。このため、ＡＰＭ洗浄の前に、水又は機能水を用いた洗浄によってレジスト残さの大部分を除去することによって、洗浄による異物除去におけるＡＰＭ洗浄の負担を減らすことができる。その結果、ＡＰＭ洗浄による基板や絶縁膜のエッチング量を低減しつつ従来洗浄と比べて同等以上の異物除去能力を達成できるので、デバイスを高い歩留りで製造することができる。
【００８７】
また、第３の実施形態によると、初期洗浄でスピン洗浄を行なうため、異物除去能力がさらに向上する。
【００８８】
また、第３の実施形態によると、初期洗浄でウェハ裏面に対してスクラバー洗浄を行なうため、ウェハ裏面を確実に清浄化することができる。
【００８９】
尚、第３の実施形態において、初期洗浄で機能水としてオゾン水、炭酸水又は水素水を用いたが、これに代えて、他の機能水、例えば窒素含有水を用いた場合にも本実施形態と同様の効果が得られる。
【００９０】
また、第３の実施形態において、ＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄の洗浄条件は、従来方法のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄と比べて、シリコン又は酸化シリコンのエッチング量が十分に低下する範囲において、特に限定されるものではない。
【００９１】
また、第３の実施形態において、初期洗浄でスピン洗浄を行なったが、機能水を用いる場合にはスピン洗浄を行なわなくても十分な異物除去能力が得られる。すなわち、機能水を用いる場合にはバッチ式のバス式洗浄を行なってもよい。
【００９２】
また、第３の実施形態において、ＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄の前に初期洗浄を行なった。しかし、これに代えて、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ他の洗浄液、例えばＨＦ溶液、アミン含有洗浄液又はフッ化アンモニウム含有洗浄液を用いた薬液洗浄を行なう前に、本実施形態の初期洗浄を行なう場合にも本実施形態と同様の効果が得られる。
【００９３】
（第４の実施形態）
以下、本発明の第４の実施形態に係る電子デバイスの製造方法について、ＭＯＳＦＥＴの形成を例として、図面を参照しながら説明する。
【００９４】
図６（ａ）〜（ｄ）、図７（ａ）〜（ｃ）及び図８（ａ）〜（ｄ）は、第４の実施形態に係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図である。
【００９５】
まず、図６（ａ）に示すように、シリコン基板１の上に、ＳＴＩ（ｓｈａｌｌｏｗ　ｔｒｅｎｃｈ　ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）構造の素子分離絶縁膜２を形成して、ｐＭＯＳＦＥＴ形成領域ＲｐｍｏｓとｎＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｎｍｏｓとを区画する。次に、ｎＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｎｍｏｓを覆うレジストパターン３を形成した後、レジストパターン３をマスクとしてシリコン基板１に対してｎ型不純物４のイオン注入を行なう。これにより、ｐＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｐｍｏｓのシリコン基板１にｎ型ウェル５が形成される。
【００９６】
その後、図６（ｂ）に示すように、酸素ガスを用いたアッシングによりレジストパターン３を除去した後、シリコン基板１に対して、機能水、例えば炭酸水を用いてスピン洗浄を３０秒間行なう。このとき、シリコン基板１の裏面に対して、例えばＰＶＡ（ポリビニルアルコール）ブラシを用いてスクラバー洗浄を３０秒間行なう。これにより、シリコン基板１からレジスト残さの大部分が除去される。続いて、シリコン又は酸化シリコンをエッチングできる薬液洗浄、例えばＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄を行なって、シリコン基板１をさらに清浄化する。このとき、ＳＰＭ洗浄の洗浄条件は、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２との体積比が４：１、洗浄温度が１２０℃、洗浄時間が１０分である。また、ＡＰＭ洗浄の洗浄条件は、ＮＨ４　ＯＨとＨ２Ｏ２とＤＩＷとの体積比が１：１：１６、洗浄温度が４０℃、洗浄時間が５分である。
【００９７】
次に、図６（ｃ）に示すように、ｐＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｐｍｏｓを覆うレジストパターン６を形成した後、レジストパターン６をマスクとしてシリコン基板１に対してｐ型不純物７のイオン注入を行なう。これにより、ｎＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｎｍｏｓのシリコン基板１にｐ型ウェル８が形成される。その後、図６（ｄ）に示すように、酸素ガスを用いたアッシングによりレジストパターン６を除去した後、シリコン基板１に対して、機能水、例えば炭酸水を用いてスピン洗浄を３０秒間行なう。このとき、シリコン基板１の裏面に対して、例えばＰＶＡブラシを用いてスクラバー洗浄を３０秒間行なう。これにより、シリコン基板１からレジスト残さの大部分が除去される。続いて、シリコン又は酸化シリコンをエッチングできる薬液洗浄、例えばＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄を行なって、シリコン基板１をさらに清浄化する。このとき、ＳＰＭ洗浄の洗浄条件は、Ｈ２ＳＯ４とＨ２　Ｏ２　との体積比が４：１、洗浄温度が１２０℃、洗浄時間が１０分である。また、ＡＰＭ洗浄の洗浄条件は、ＮＨ４　ＯＨとＨ２Ｏ２とＤＩＷとの体積比が１：１：１６、洗浄温度が４０℃、洗浄時間が５分である。
【００９８】
次に、図７（ａ）に示すように、シリコン基板１の露出表面にゲート絶縁膜９を形成した後、シリコン基板１の上に全面に亘ってポリシリコン膜１０を形成する。その後、ポリシリコン膜１０の上に、各ＭＯＳＦＥＴ形成領域のゲート電極形成領域を覆うレジストパターン１１を形成する。
【００９９】
次に、図７（ｂ）に示すように、レジストパターン１１をマスクとしてポリシリコン膜１０に対して、例えばフルオロカーボン系ガスを用いてドライエッチングを行なう。これにより、各ＭＯＳＦＥＴ形成領域のシリコン基板１の上に、ゲート絶縁膜９を挟んでゲート電極１２が形成される。その後、図７（ｃ）に示すように、酸素ガスを用いたアッシングによりレジストパターン１１を除去した後、シリコン基板１に対して、機能水、例えば炭酸水を用いてスピン洗浄を３０秒間行なう。このとき、シリコン基板１の裏面に対して、例えばＰＶＡブラシを用いてスクラバー洗浄を３０秒間行なう。これにより、シリコン基板１からレジスト残さの大部分が除去される。続いて、シリコン又は酸化シリコンをエッチングできる薬液洗浄、例えばＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄を行なって、シリコン基板１をさらに清浄化する。このとき、ＳＰＭ洗浄の洗浄条件は、Ｈ２ＳＯ４とＨ２　Ｏ２　との体積比が４：１、洗浄温度が１２０℃、洗浄時間が１０分である。また、ＡＰＭ洗浄の洗浄条件は、ＮＨ４　ＯＨとＨ２Ｏ２とＤＩＷとの体積比が１：１：１６、洗浄温度が４０℃、洗浄時間が５分である。
【０１００】
次に、各ＭＯＳＦＥＴ形成領域に対して低エネルギーのエクステンション注入を行なって浅い拡散層（図示省略）を形成した後、図８（ａ）に示すように、各ＭＯＳＦＥＴ形成領域のゲート電極１２の側面に絶縁性のサイドウォール１３を形成する。その後、ｎＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｎｍｏｓを覆うレジストパターン１４を形成した後、レジストパターン１４並びにｐＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｐｍｏｓのゲート電極１２及びサイドウォール１３をマスクとしてシリコン基板１に対してｐ型不純物１５のイオン注入を行なう。これにより、ｐＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｐｍｏｓのｎ型ウェル５に、ソース・ドレイン領域となるｐ型不純物拡散層１６が形成される。
【０１０１】
その後、図８（ｂ）に示すように、酸素プラズマを用いたアッシングによりレジストパターン１４を除去した後、シリコン基板１に対して、機能水、例えば炭酸水を用いてスピン洗浄を３０秒間行なう。このとき、シリコン基板１の裏面に対して、例えばＰＶＡブラシを用いてスクラバー洗浄を３０秒間行なう。これにより、シリコン基板１からレジスト残さの大部分が除去される。続いて、シリコン又は酸化シリコンをエッチングできる薬液洗浄、例えばＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄を行なって、シリコン基板１をさらに清浄化する。このとき、ＳＰＭ洗浄の洗浄条件は、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２との体積比が４：１、洗浄温度が１２０℃、洗浄時間が１０分である。また、ＡＰＭ洗浄の洗浄条件は、ＮＨ４　ＯＨとＨ２Ｏ２とＤＩＷとの体積比が１：１：１６、洗浄温度が４０℃、洗浄時間が５分である。
【０１０２】
次に、図８（ｃ）に示すように、ｐＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｐｍｏｓを覆うレジストパターン１７を形成した後、レジストパターン１７並びにｎＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｎｍｏｓのゲート電極１２及びサイドウォール１３をマスクとしてシリコン基板１に対してｎ型不純物１８のイオン注入を行なう。これにより、ｎＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｎｍｏｓのｐ型ウェル８に、ソース・ドレイン領域となるｎ型不純物拡散層１９が形成される。
【０１０３】
その後、図８（ｄ）に示すように、酸素プラズマを用いたアッシングによりレジストパターン１７を除去した後、シリコン基板１に対して、機能水、例えば炭酸水を用いてスピン洗浄を３０秒間行なう。このとき、シリコン基板１の裏面に対して、例えばＰＶＡブラシを用いてスクラバー洗浄を３０秒間行なう。これにより、シリコン基板１からレジスト残さの大部分が除去される。続いて、シリコン又は酸化シリコンをエッチングできる薬液洗浄、例えばＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄を行なって、シリコン基板１をさらに清浄化する。このとき、ＳＰＭ洗浄の洗浄条件は、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２との体積比が４：１、洗浄温度が１２０℃、洗浄時間が１０分である。また、ＡＰＭ洗浄の洗浄条件は、ＮＨ４　ＯＨとＨ２Ｏ２とＤＩＷとの体積比が１：１：１６、洗浄温度が４０℃、洗浄時間が５分である。
【０１０４】
以上に説明したように、第４の実施形態によると、レジストパターンをマスクとして不純物注入又はドライエッチングを行なった後におけるレジストアッシング残さ除去工程において、シリコン又は酸化シリコンをエッチングできる薬液洗浄を行なう前に、機能水を用いて洗浄を行なう。このため、薬液洗浄の前に、機能水を用いた洗浄によってレジスト残さの大部分を除去することによって、洗浄による異物除去における薬液洗浄の負担を減らすことができる。その結果、薬液洗浄による基板や絶縁膜のエッチング量を低減しつつ従来洗浄と比べて同等以上の異物除去能力を達成できるので、デバイスを高い歩留りで製造することができる。具体的には、従来のＡＰＭ洗浄（ＮＨ４　ＯＨとＨ２Ｏ２とＤＩＷとの体積比が１：１：１６、洗浄温度が６０℃、洗浄時間が５分）と比べて、シリコン基板１又はポリシリコン膜１０（ゲート電極１２）のエッチング量が半分以下になる一方、従来のＡＰＭ洗浄と同等の異物除去能力が得られる。従って、洗浄工程におけるゲート電極１２又はシリコン基板１の形状の変化を確実に抑制できる。
【０１０５】
また、第４の実施形態によると、機能水を用いた洗浄でスピン洗浄を行なうため、異物除去能力がさらに向上する。
【０１０６】
また、第４の実施形態によると、機能水を用いた洗浄時に基板裏面に対してスクラバー洗浄を行なうため、基板裏面を確実に清浄化することができる。
【０１０７】
尚、第４の実施形態において、洗浄に用いる機能水として炭酸水を用いたが、これに代えて、他の機能水、例えばオゾン水、窒素含有水又は水素水を用いた場合にも本実施形態と同様の効果が得られる。また、機能水を用いた洗浄においてスピン洗浄に代えてバッチ式のバス式洗浄を行なった場合にも十分な異物除去能力が得られる。さらに、機能水を用いた洗浄に代えて、水を用いたスピン洗浄を行なった場合にも本実施形態と同様の効果が得られる。
【０１０８】
また、第４の実施形態において、機能水を用いた洗浄の後に行なわれるＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄の洗浄条件は、従来方法のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄と比べて、シリコン又は酸化シリコンのエッチング量が十分に低下する範囲において、特に限定されるものではない。
【０１０９】
また、第４の実施形態において、シリコン又は酸化シリコンをエッチングできる薬液洗浄としてＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄を行なった。しかし、これに代えて、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ他の洗浄液、例えばＨＦ溶液、アミン含有洗浄液又はフッ化アンモニウム含有洗浄液を用いた薬液洗浄を行なう場合にも、該薬液洗浄の前に、機能水を用いた洗浄又は水を用いたスピン洗浄を行なうことによって、本実施形態と同様の効果が得られる。
【０１１０】
また、第４の実施形態において、素子分離用トレンチを形成するためにレジストパターンをマスクとしてシリコン基板１に対してドライエッチングを行なった後におけるレジストアッシング残さ除去工程で、本実施形態の洗浄方法（機能水洗浄＋ＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄）を行なってもよい。また、浅い拡散層を形成するためにレジストパターンをマスクとしてシリコン基板１に対してエクステンション注入を行なった後におけるレジストアッシング残さ除去工程で、本実施形態の「機能水洗浄＋ＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄」を行なってもよい。また、サイドウォール１３を形成するためにシリコン酸化膜に対してドライエッチング（エッチバック）を行なった後におけるエッチング残さ除去工程で、本実施形態の「機能水洗浄＋ＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄」を行なってもよい。
【０１１１】
（第５の実施形態）
以下、本発明の第５の実施形態に係る電子デバイスの製造方法について図面を参照しながら説明する。
【０１１２】
図９（ａ）及び（ｂ）は本発明の第５の実施形態に係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図である。
【０１１３】
第５の実施形態が第４の実施形態と異なっている点は、ポリシリコンよりなる微細なゲート電極１２を形成するために、図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、ポリシリコン膜１０のドライエッチング用マスクとして、第４の実施形態のレジストパターン１１に代えて、例えばＴＥＯＳ膜よりなるハードマスク２０を用いることである。
【０１１４】
すなわち、第５の実施形態においては、図９（ａ）に示すように、シリコン基板１の露出表面にゲート絶縁膜９を形成した後、シリコン基板１の上に全面に亘ってポリシリコン膜１０を形成する。その後、ポリシリコン膜１０の上に、各ＭＯＳＦＥＴ形成領域のゲート電極形成領域を覆うハードマスク２０を形成する。
【０１１５】
次に、図９（ｂ）に示すように、ハードマスク２０を用いてポリシリコン膜１０に対してドライエッチングを行なう。これにより、各ＭＯＳＦＥＴ形成領域のシリコン基板１の上に、ゲート絶縁膜９を挟んでゲート電極１２が形成される。その後、シリコン基板１に対して、機能水、例えば炭酸水を用いてスピン洗浄を３０秒間行なう。このとき、シリコン基板１の裏面に対して、例えばＰＶＡブラシを用いてスクラバー洗浄を３０秒間行なう。これにより、シリコン基板１からエッチング残さの大部分が除去される。続いて、シリコン又は酸化シリコンをエッチングできる薬液洗浄、例えばＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄を行なって、シリコン基板１をさらに清浄化する。このとき、ＳＰＭ洗浄の洗浄条件は、Ｈ２ＳＯ４とＨ２　Ｏ２　との体積比が４：１、洗浄温度が１２０℃、洗浄時間が１０分である。また、ＡＰＭ洗浄の洗浄条件は、ＮＨ４　ＯＨとＨ２Ｏ２とＤＩＷとの体積比が１：１：１６、洗浄温度が４０℃、洗浄時間が５分である。
【０１１６】
以上に説明したように、第５の実施形態によると、ハードマスクを用いてドライエッチングを行なった後のエッチング残さ除去工程において、シリコン又は酸化シリコンをエッチングできる薬液洗浄を行なう前に、機能水を用いて洗浄を行なう。このため、薬液洗浄の前に、機能水を用いた洗浄によってエッチング残さの大部分を除去することによって、洗浄による異物除去における薬液洗浄の負担を減らすことができる。その結果、薬液洗浄による基板や絶縁膜のエッチング量を低減しつつ従来洗浄と比べて同等以上の異物除去能力を達成できるので、デバイスを高い歩留りで製造することができる。
【０１１７】
また、第５の実施形態によると、機能水を用いた洗浄でスピン洗浄を行なうため、異物除去能力がさらに向上する。
【０１１８】
また、第５の実施形態によると、機能水を用いた洗浄時に基板裏面に対してスクラバー洗浄を行なうため、基板裏面を確実に清浄化することができる。
【０１１９】
尚、第５の実施形態において、洗浄に用いる機能水として炭酸水を用いたが、これに代えて、他の機能水、例えばオゾン水、窒素含有水又は水素水を用いた場合にも本実施形態と同様の効果が得られる。また、機能水を用いた洗浄においてスピン洗浄に代えてバッチ式のバス式洗浄を行なった場合にも十分な異物除去能力が得られる。さらに、機能水を用いた洗浄に代えて、水を用いたスピン洗浄を行なった場合にも本実施形態と同様の効果が得られる。
【０１２０】
また、第５の実施形態において、機能水を用いた洗浄の後に行なわれるＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄の洗浄条件は、従来方法のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄と比べて、シリコン又は酸化シリコンのエッチング量が十分に低下する範囲において、特に限定されるものではない。
【０１２１】
また、第５の実施形態において、シリコン又は酸化シリコンをエッチングできる薬液洗浄としてＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄を行なった。しかし、これに代えて、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ他の洗浄液、例えばＨＦ溶液、アミン含有洗浄液又はフッ化アンモニウム含有洗浄液を用いた薬液洗浄を行なう場合にも、該薬液洗浄の前に、機能水を用いた洗浄又は水を用いたスピン洗浄を行なうことによって、本実施形態と同様の効果が得られる。
【０１２２】
（第６の実施形態）
以下、本発明の第６の実施形態に係る電子デバイスの製造方法について図面を参照しながら説明する。尚、第６の実施形態に係る電子デバイスの製造方法においては、図６（ａ）〜（ｄ）、図７（ａ）〜（ｃ）及び図８（ａ）〜（ｄ）に示す第４の実施形態に係る電子デバイスの製造方法によって、各ＭＯＳＦＥＴ形成領域に、ゲート電極１２等からなるＭＯＳＦＥＴが形成されているものとする。
【０１２３】
図１０（ａ）〜（ｄ）は、第６の実施形態に係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図である。
【０１２４】
まず、図１０（ａ）に示すように、シリコン基板１の露出表面の上、つまりｐ型不純物拡散層１６及びｎ型不純物拡散層１９のそれぞれの上に、厚さ２５ｎｍ程度のコバルトシリサイド（ＣｏＳｉ２　）層２１を形成する。その後、シリコン基板１の上に全面に亘って、厚さ３０ｎｍ程度のＳｉＮ膜２２、例えばＢＰＳＧ（ｂｏｒｏ−ｐｈｏｓｐｈｏ　ｓｉｌｉｃａｔｅ　ｇｌａｓｓ　）膜よりなる厚さ８００ｎｍ程度の層間膜２３、及び厚さ５０ｎｍ程度のＴＥＯＳ膜２４を順次堆積する。次に、ＴＥＯＳ膜２４の上に、コンタクトホール形成領域に開口部を有するレジストパターン２５を形成した後、図１０（ｂ）に示すように、レジストパターン２５をマスクとして例えばフルオロカーボン系ガスを用いてＴＥＯＳ膜２４及び層間膜２３に対してドライエッチングを行なう。これにより、各ＭＯＳＦＥＴ形成領域に、ＳｉＮ膜２２に達するコンタクトホール２６が形成される。
【０１２５】
その後、図１０（ｃ）に示すように、アッシングによりレジストパターン２５を除去した後、シリコン基板１に対して、機能水、例えば炭酸水を用いてスピン洗浄を３０秒間行なう。このとき、シリコン基板１の裏面に対して、例えばＰＶＡブラシを用いてスクラバー洗浄を３０秒間行なう。これにより、層間膜２３上又はＴＥＯＳ膜２４上からレジスト残さの大部分が除去される。続いて、シリコン又は酸化シリコンをエッチングできる薬液洗浄、例えばＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄を行なって、シリコン基板１をさらに清浄化する。このとき、ＳＰＭ洗浄の洗浄条件は、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２との体積比が４：１、洗浄温度が１２０℃、洗浄時間が１０分である。また、ＡＰＭ洗浄の洗浄条件は、ＮＨ４　ＯＨとＨ２Ｏ２とＤＩＷとの体積比が１：１：１６、洗浄温度が４０℃、洗浄時間が５分である。
【０１２６】
次に、図１０（ｄ）に示すように、例えばフルオロカーボン系ガスを用いてＳｉＮ膜２２に対してドライエッチング（エッチバック）を行なうことにより、各ＭＯＳＦＥＴ形成領域のコンタクトホール２６に露出するＳｉＮ膜２２を除去する。その後、前述のエッチバックによって生じたエッチング残さ及びポリマー等をアッシングにより除去する。続いて、シリコン基板１に対して、機能水、例えば炭酸水を用いてスピン洗浄を３０秒間行なう。このとき、シリコン基板１の裏面に対して、例えばＰＶＡブラシを用いてスクラバー洗浄を３０秒間行なう。これにより、エッチング残さ等の大部分が除去される。その後、シリコン又は酸化シリコンをエッチングできる薬液洗浄、例えばＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄を行なって、シリコン基板１をさらに清浄化する。このとき、ＳＰＭ洗浄の洗浄条件は、Ｈ２　ＳＯ４　とＨ２Ｏ２との体積比が４：１、洗浄温度が１２０℃、洗浄時間が１０分である。また、ＡＰＭ洗浄の洗浄条件は、ＮＨ４　ＯＨとＨ２Ｏ２とＤＩＷとの体積比が１：１：１６、洗浄温度が４０℃、洗浄時間が５分である。
【０１２７】
以上に説明したように、第６の実施形態によると、レジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行なった後におけるレジストアッシング残さ除去工程において、或いは、エッチバックを行なった後におけるエッチング残さ等の除去工程において、シリコン又は酸化シリコンをエッチングできる薬液洗浄を行なう前に、機能水を用いて洗浄を行なう。このため、薬液洗浄の前に、機能水を用いた洗浄によってレジスト残さ又はエッチング残さ等の大部分を除去することによって、洗浄による異物除去における薬液洗浄の負担を減らすことができる。その結果、薬液洗浄による基板や絶縁膜のエッチング量を低減しつつ従来洗浄と比べて同等以上の異物除去能力を達成できるので、デバイスを高い歩留りで製造することができる。具体的には、従来のＡＰＭ洗浄（ＮＨ４　ＯＨとＨ２Ｏ２とＤＩＷとの体積比が１：１：１６、洗浄温度が６０℃、洗浄時間が５分）と比べて、層間膜２３等のエッチング量が半分以下になる一方、従来のＡＰＭ洗浄と同等の異物除去能力が得られる。従って、洗浄工程でコンタクトホール２６の寸法が望ましい寸法よりも拡大してしまうことを確実に抑制できる。
【０１２８】
また、第６の実施形態によると、機能水を用いた洗浄でスピン洗浄を行なうため、異物除去能力がさらに向上する。
【０１２９】
また、第６の実施形態によると、機能水を用いた洗浄時に基板裏面に対してスクラバー洗浄を行なうため、基板裏面を確実に清浄化することができる。
【０１３０】
尚、第６の実施形態において、洗浄に用いる機能水として炭酸水を用いたが、これに代えて、他の機能水、例えばオゾン水、窒素含有水又は水素水を用いた場合にも本実施形態と同様の効果が得られる。また、機能水を用いた洗浄においてスピン洗浄に代えてバッチ式のバス式洗浄を行なった場合にも十分な異物除去能力が得られる。さらに、機能水を用いた洗浄に代えて、水を用いたスピン洗浄を行なった場合にも本実施形態と同様の効果が得られる。
【０１３１】
また、第６の実施形態において、機能水を用いた洗浄の後に行なわれるＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄の洗浄条件は、従来方法のＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄と比べて、シリコン又は酸化シリコンのエッチング量が十分に低下する範囲において、特に限定されるものではない。
【０１３２】
また、第６の実施形態において、シリコン又は酸化シリコンをエッチングできる薬液洗浄としてＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄を行なった。しかし、これに代えて、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ他の洗浄液、例えばＨＦ溶液、アミン含有洗浄液又はフッ化アンモニウム含有洗浄液を用いた薬液洗浄を行なう場合にも、該薬液洗浄の前に、機能水を用いた洗浄又は水を用いたスピン洗浄を行なうことによって、本実施形態と同様の効果が得られる。
【０１３３】
また、第６の実施形態において、シリサイド層形成を選択的に行なうためのシリサイドマスクを形成する場合、レジストパターンを用いてシリコン酸化膜に対してウェットエッチングを行なってシリサイドマスクを形成した後におけるレジストアッシング残さ除去工程で、本実施形態の洗浄方法（機能水洗浄＋ＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄）を行なってもよい。
【０１３４】
また、第４〜第６の実施形態において、ＭＯＳＦＥＴ形成工程を例として説明してきたが、これに限られず、電子デバイス製造の様々な工程、例えばアルミニウム若しくは銅等よりなる配線の形成工程、又は上層配線と下層配線とを接続するためのビアコンタクトの形成工程等に本発明を利用できることは言うまでもない。
【０１３５】
【発明の効果】
本発明によると、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液を用いて薬液洗浄を行なう前に、機能水を用いた洗浄又は水を用いたスピン洗浄によってレジスト残さ又はエッチング残さ等の大部分を除去することによって、洗浄による異物除去における薬液洗浄の負担を減らすことができる。従って、薬液洗浄による基板や絶縁膜のエッチング量を低減しつつ従来洗浄と比べて同等以上の異物除去能力を達成できるので、デバイスを高い歩留りで製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１〜第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法におけるＳＰＭ／ＡＰＭ洗浄の洗浄条件と、熱酸化膜、アモルファスシリコン膜、ＨＤＰ−ＮＳＧ膜及びＬＰ−ＴＥＯＳ膜のそれぞれのエッチング量とを示す図である。
【図２】（ａ）は本発明の第１〜第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法の初期洗浄におけるウェハ裏面に対する洗浄の詳しい様子を示す図であり、（ｂ）は本発明の第１〜第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法の初期洗浄におけるウェハ表面に対する洗浄の詳しい様子を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法によるレジスト（イオン注入マスク用）残さ除去の評価結果をイオン注入条件毎に示す図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法によるレジスト（ドライエッチングマスク用）残さ除去の評価結果を示す図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る電子デバイスの洗浄方法によるレジスト（ウェットエッチングマスク用）残さ除去の評価結果を示す図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第４の実施形態に係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第４の実施形態に係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第４の実施形態に係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図である。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第５の実施形態に係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第６の実施形態に係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１　　シリコン基板
２　　素子分離絶縁膜
３　　レジストパターン
４　　ｎ型不純物
５　　ｎ型ウェル
６　　レジストパターン
７　　ｐ型不純物
８　　ｐ型ウェル
９　　ゲート絶縁膜
１０　　ポリシリコン膜
１１　　レジストパターン
１２　　ゲート電極
１３　　サイドウォール
１４　　レジストパターン
１５　　ｐ型不純物
１６　　ｐ型不純物拡散層
１７　　レジストパターン
１８　　ｎ型不純物
１９　　ｎ型不純物拡散層
２０　　ハードマスク
２１　　コバルトシリサイド層
２２　　ＳｉＮ膜
２３　　層間膜
２４　　ＴＥＯＳ膜
２５　　レジストパターン
２６　　コンタクトホール
Ｒｐｍｏｓ　　ｐＭＯＳＦＥＴ形成領域
Ｒｎｍｏｓ　　ｎＭＯＳＦＥＴ形成領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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