(57)【要約】      （修正有）【課題】メンテナンスのために必要とされるスペースを極力小さくし、簡易なメンテナンス操作の実現を可能とし、処理室のメンテナンス性の向上を図った処理装置を提供する。【解決手段】処理室と前記処理室に接続される被接続部材とを備えた処理装置において、処理室５４Ｈ、５４Ｌは、被接続部材５２に対しレール部材１５０により相対的に離間可能に接続され、処理室５４Ｈ、５４Ｌを回動するための回転機構部３００を更に備え、略同一平面内で離間及び回動可能に構成されたことを特徴とする。【選択図】        図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室と前記処理室に接続される被接続部材とを備えた処理装置において、
前記処理室は、前記被接続部材に対し相対的に離間可能に接続され、
前記処理室を回動するための回転機構部を更に備え、
略同一平面内で離間及び回動可能に構成されたことを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記回転機構部は、回転軸部を含み、
前記処理室は、前記回転軸部の上部に設けられ、前記回転軸部の回動に伴って回動されることを特徴とする請求項１記載の処理装置。
【請求項３】
前記処理室が所定の角度回動されると、当該回動位置において前記処理室を位置決めする割出し機構部を更に備えることを特徴とする請求項１又は２記載の処理装置。
【請求項４】
前記処理室は、前記被接続部材にクランプするハンドル部を備え、
前記ハンドル部を回動操作することによって、前記処理室は前記被接続部材に接続又は接続が解除されることを特徴とする請求項１乃至３いずれか一項記載の処理装置。
【請求項５】
前記被接続部材は、ゲートバルブであることを特徴とする請求項１乃至４いずれか一項記載の処理装置。
【請求項６】
前記処理室は、前記処理装置の高さ方向に複数段に設けられていることを特徴とする請求項１乃至５いずれか一項記載の処理装置。
【請求項７】
複数の被処理基板を収容する基板収容部と、
密閉可能な室内で前記被処理基板に所定の処理ガスを用いて所定の処理を施すための複数の処理室が多段に設けられた処理部と、
前記基板収容部と前記処理部との間で、前記被処理基板のうち未処理の被処理基板を一時的に留め置く未処理基板配置部と、
前記基板収容部と前記処理部との間で、前記被処理基板のうち処理済の被処理基板を一時的に留め置く処理済基板配置部と、
前記基板収容部と前記未処理基板配置部又は前記処理済基板配置部との間で前記被処理基板を搬送するための第１の搬送手段と、
前記処理部と前記未処理基板配置部又は前記処理済基板配置部との間で前記被処理基板を搬送するための第２の搬送手段と、
前記第２の搬送手段を内部に備えた搬送室と、
前記処理室に接続され、前記搬送室と前記処理室とを連結する被接続部材と、を備えた処理装置において、
前記処理室は、前記被接続部材に対し相対的に離間可能に接続され、
前記処理室を回動するための回転機構部を更に備えたことを特徴とする処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスやＬＣＤ（液晶表示ディスプレイ）又はＦＰＤ（フラットパネルディスプレィ）等の製造プロセスにおいて用いられる処理装置及び当該処理装置に設けられた処理室の移動方法に係り、特に、密閉可能な処理室内で所定の処理ガスを用いて被処理基板（半導体基板、ＬＣＤ基板、ＦＰＤ基板等）に所定の処理を施すための処理装置及び当該処理室の移動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスやＬＣＤ（液晶表示ディスプレイ）又はＦＰＤ（フラットパネルディスプレィ）等の製造プロセスにおいて用いられる処理装置では、処理室の前後またはその一方にロードロック室等の真空室または不活性ガス雰囲気室を設けている。これにより、処理室を大気中に開放することなく被処理基板の処理室への搬入または処理室からの搬出を行っている。特に、マルチチャンバ方式においては、密閉可能な搬送室の周りに複数の処理室を配置し搬送室を通って各処理室へ任意に被処理基板を搬入／搬出している（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
一般に、マルチチャンバ方式では、複数のチャンバの１つをクーリングチャンバとし、処理済みの被処理基板を該クーリングチャンバで所定温度まで冷やしてから、カセット（基板搬送容器）を収容または配置しているロードロック室またはカセットステーションへ搬送室を通って搬送している。
【０００４】
ところで、処理装置に設けられた処理室おいては、膜形成を続けていくうちに膜質が低下し、処理室の内部に設けられた反応管内にも成膜され、反応管内のクリーニングが必要なる。また、処理室に取り付けられた熱電対、ヒータ等の加熱源に故障が発生した場合等に、メンテナンスが必要となる。そのため、従来においては、処理室の上部に開閉自在な蓋部を設け、蓋部を開けて、処理室の内部のメンテナンス操作を行っていた。
【０００５】
しかしながら、複数の被処理基板に枚葉式の処理を同時に施すために、複数の処理室を処理装置の高さ方向に多段に配置し、それらの処理室に複数の被処理基板を同時または並列に出し入れする構造を採用している処理装置の場合には、処理室の上部に設けられた蓋部を開けて、処理装置の上方からメンテナンス操作はすることは出来ない。
【０００６】
そのため、処理室を処理装置の高さ方向に多段に配置している処理装置にあっては、従来は、処理室を引き出して、処理室のメンテナンスを行う方法が採用されていた。
【０００７】
例えば、複数のチャンバーユニットが、基枠部に複数段形成された載置部に着脱自在に取り付けられている構造において、チャンバーユニットについてメンテナンスを行うために、チャンバーユニットを載置部に対してスライドさせて着脱でき、基枠から取り外すことができる構造が採用されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００８】
また、搬送室が閉塞した状態で処理室を搬送室に着脱自在に接続し、ガイドレールの上に車輪を介して移動可能に載置された構造を採用しているものもある（例えば、特許文献３参照）。
【０００９】
かかる構造により、処理室が処理装置の高さ方向に多段に配置されている場合であっても、搬送室に接続されている処理室を引き出す操作をすることによって、処理室の上部に設けられた蓋部を開けて、処理装置の上方からメンテナンス操作をするスペースを確保することが出来る。
【００１０】
【特許文献１】
特開平８−１１１４４９号公報（第２頁、第１図）
【００１１】
【特許文献２】
特開平８−３２１４７０号公報（第１−３頁、第１図）
【００１２】
【特許文献３】
特開平４−２５４３５０号公報（第１−３頁、第１図）
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の構造では、何れも、処理室が接続されている搬送室から処理室を引き出す操作が必要となる。従って、当該引き出す操作をするに足りる十分に広範な処理装置の設置面積が必要とされる。
【００１４】
特に、工場内等、処理装置の総設置面積（フットプリント）に制限がある場所に他の装置に隣接して処理装置を設置する場合には、当該処理装置のメンテナンスのためのスペースは限定される。従って、引き出す操作をするに十分なスペースを確保することが要求される従来の構造では、限定されたスペース内で処理室のメンテナンスを行うことは困難である。
【００１５】
また、処理室の重量は大きいため、従来の構造のように処理室を搬送室に対しスライド等によって単に引き出すだけの構造では、処理室の搬送室に対する着脱操作は重労働となり、その操作には困難を有する。
【００１６】
そこで、本発明の目的は、上記問題に鑑みてなされたものであり、メンテナンスのために必要とされるスペースを極力小さくし、簡易なメンテナンス操作の実現を可能とし、処理室のメンテナンス性の向上を図った処理装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、処理室と前記処理室に接続される被接続部材とを備えた処理装置において、前記処理室は、前記被接続部材に対し相対的に離間可能に接続され、前記処理室を回動するための回転機構部を更に備え、略同一平面内で離間及び回動可能に構成されたことを特徴とする処理装置により達成される。
【００１８】
上記目的はまた、複数の被処理基板を収容する基板収容部と、密閉可能な室内で前記被処理基板に所定の処理ガスを用いて所定の処理を施すための複数の処理室が多段に設けられた処理部と、前記基板収容部と前記処理部との間で、前記被処理基板のうち未処理の被処理基板を一時的に留め置く未処理基板配置部と、前記基板収容部と前記処理部との間で、前記被処理基板のうち処理済の被処理基板を一時的に留め置く処理済基板配置部と、前記基板収容部と前記未処理基板配置部又は前記処理済基板配置部との間で前記被処理基板を搬送するための第１の搬送手段と、前記処理部と前記未処理基板配置部又は前記処理済基板配置部との間で前記被処理基板を搬送するための第２の搬送手段と、前記第２の搬送手段を内部に備えた搬送室と、前記処理室に接続され、前記搬送室と前記処理室とを連結する被接続部材と、を備えた処理装置において、前記処理室は、前記被接続部材に対し相対的に離間可能に接続され、前記処理室を回動するための回転機構部を更に備えたことを特徴とする処理装置を特徴とする処理装置により達成される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、図中同等の構成部品には同じ符号を付す。
【００２０】
まず、本発明に係る処理装置の全体構成について説明する。
【００２１】
図１は、本発明の一実施形態における処理装置の全体構成を模式的に示す一部断面側面図であり、図２は、本発明の一実施形態における処理装置の全体構成を模式的に示す平面図である。この処理装置は、半導体デバイスやＬＣＤ（液晶表示ディスプレイ）又はＦＰＤ（フラットパネルディスプレィ）等の製造プロセスにおいて、酸化、拡散、アニール、熱ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の熱処理を急速加熱方式で行う熱処理装置である。
【００２２】
図１及び図２を参照するに、この処理装置は、基板収容部たるカセットステーション１０、第１の搬送手段たるローダ／アンローダ部１２、ロードロック・モジュール１４、トランスファ・モジュール１６及び、処理部たる処理モジュール１８からなる５つのセクションを有する。
【００２３】
カセットステーション１０には１つ又は複数のカセット載置台２０が水平方向、即ち、図２におけるＹ方向に並べて設けられる。各カセット載置台２０の上にカセット又はキャリアＣＲが１個載置される。カセットＣＲは、被処理基板、例えば、半導体基板Ｗを垂直方向に所定の間隔を空けて水平姿勢で複数多段に収容し、一側面の開口から任意に出し入れできるように構成されている。
【００２４】
例えば、無人搬送車（図示せず）が、カセットステーション１０にアクセスし、処理前の半導体基板Ｗを収容するカセットＣＲを所定のカセット載置台２０にセットし、又は処理済の半導体基板Ｗを収容するカセットＣＲを所定のカセット載置台２０から搬出する。
【００２５】
ローダ／アンローダ部１２は、カセットステーション１０とロードロック・モジュール１４との間で半導体基板Ｗを１枚ずつ搬送するための基板搬送機構２２を備えている。基板搬送機構２２は、カセットステーション１０のカセット配列方向、即ち、図２におけるＹ方向に沿って移動可能な搬送体２４と、この搬送体２４に搭載され図１におけるＺ方向、θ方向及び、図１及び図２におけるＸ方向に移動可能な搬送アーム２６とを有している。
【００２６】
搬送アーム２６は、所望のカセットＣＲに所望の高さ位置で正面からアクセスして、カセットＣＲ内の該当の基板収納位置から１枚の半導体基板Ｗを取り出し、又は該当の基板収納位置に１枚の半導体基板Ｗを挿し込みできるようになっている。
【００２７】
ロードロック・モジュール１４は、鉛直方向、即ち、図１におけるＺ方向における上下に多段配置された複数（例えば、一対）のロードロック室を左右に２組（２８Ｈ，２８Ｌ），（３０Ｈ，３０Ｌ）備えている。
【００２８】
上下に多段配置された一対のロードロック室３０Ｈ，３０Ｌは、処理済の半導体基板Ｗを一時的に留め置くための処理済基板配置部を構成する。本実施形態において、処理済基板配置部のロードロック室３０Ｈ，３０Ｌは、処理済の半導体基板Ｗを所定温度まで冷却するためのクーリングチャンバ又はステージを兼ねている。
【００２９】
各ロードロック室２８Ｈ，２８Ｌ，３０Ｈ，３０Ｌの室内には複数本、例えば３本の支持突起部１３０が設けられており、半導体基板Ｗを載置することができる。また、各ロードロック室に真空ポンプ（図示せず）や不活性ガス供給部（図示せず）が接続されており、室内空間を真空または不活性ガス雰囲気にすることも可能となっている。さらに、クーリングチャンバとして機能する処理済基板配置部のロードロック室（以下、「冷却処理室」という）３０Ｈ，３０Ｌでは、後述する方法により、処理済の半導体基板Ｗが冷却される。
【００３０】
未処理基板配置部のロードロック室２８Ｈ，２８Ｌにおいては、ローダ／アンローダ部１２と向き合う側面には、開閉扉３４付きの開口が半導体基板Ｗを搬入する入口として形成されている。また、トランスファ・モジュール１６とゲートバルブ３６を介して連結される開口が半導体基板Ｗを搬出する出口として形成されている。ローダ／アンローダ部１２の基板搬送機構２２は、開閉扉３４が開いているロードロック室２８Ｈ，２８Ｌ内に未処理の半導体基板Ｗを１枚ずつ別々のタイミングで搬入する。
【００３１】
冷却処理室３０Ｈ，３０Ｌにおいては、ローダ／アンローダ部１２と向き合う側面に設けられた開閉扉３４付きの開口が基板搬出口６２０を形成する。また、トランスファ・モジュール１６にゲートバルブ３６を介して連結される開口が基板搬入口６１０を形成している。ローダ／アンローダ部１２の基板搬送機構２２は、開閉扉３４が開いている冷却処理室３０Ｈ，３０Ｌから処理済の半導体基板Ｗを１枚ずつ別々のタイミングで搬出する。
【００３２】
ロードロック室２８Ｈ，２８Ｌ，冷却処理室３０Ｈ，３０Ｌに隣接して、ローダ／アンローダ部１２の基板搬送機構２２によりアクセス可能なアライメントユニット３８が設けられている。
【００３３】
トランスファ・モジュール１６は、上面および下面が閉塞された搬送室４０を有し、この搬送室４０の内部に、回転可能かつ進退又は伸縮可能な第２の搬送手段である搬送アーム４２を１つ備えている。搬送アーム４２は、搬送室４０の下に設けられている機械室４６内に収容された図示を省略するシリンダ機構等により上下移動する軸部材４７に取り付けられている。軸部材４７の上下移動により、搬送アーム４２は搬送室４０内の所定の高さ位置に置かれる。搬送アーム４２は更に、前記所定の高さ位置において水平に平行移動可能なピンセット４４を備え、半導体基板Ｗをピンセット４４で保持して搬送する。
【００３４】
かかる構造の下、搬送アーム４２は、多段に配置されたロードロック室２８Ｈ，２８Ｌに１枚ずつ搬入された半導体基板Ｗを、当該ロードロック室２８Ｈ，２８Ｌから１枚ずつ取り出し、後述するゲートバルブ５２を介して処理モジュール１８の多段に配置された各処理室５４Ｈ，５４Ｌに１枚ずつ搬送する。
【００３５】
搬送室４０の側面には、ロードロック室２８Ｈ，２８Ｌ，冷却処理室３０Ｈ，３０Ｌにそれぞれゲートバルブ３６を介して連結するための開口と、ゲートバルブ５２を介して処理モジュール１８の各処理室５４Ｈ，５４Ｌに連結するための開口が形成されている。
【００３６】
搬送室４０は好ましくは密閉可能に構成され、さらには真空ポンプ（図示せず）や不活性ガス供給部（図示せず）に接続され、室内空間を真空または不活性ガス雰囲気にすることも可能であることが好ましい。
【００３７】
処理モジュール１８には、高温の急速熱処理を行う処理室５４（５４Ｈ，５４Ｌ）が設けられている。なお、各処理室５４（５４Ｈ，５４Ｌ）では、半導体基板Ｗに同じ熱処理を施すこともでき、また熱処理における温度設定等を変えて異なる熱処理を施すこともできる。
【００３８】
図３は、処理室５４（５４Ｈ，５４Ｌ）及び処理室載置体１００等の構造を示した一部断面側面図である。図３を参照するに、処理室５４（５４Ｈ，５４Ｌ）は、処理室載置体１００の中部において、高さ方向に二段に載置されている。なお、処理室５４Ｈ及び５４Ｌは、夫々同一の構造を有するため、以下の説明においては、原則として、処理室５４Ｈの説明をもって、処理室５４Ｌの説明に代えることとする。
【００３９】
処理室５４Ｈは、例えば、箱型のハウジング５６を有する。ハウジング５６は、例えば、ステンレス鋼から成る。ハウジング５６がゲートバルブ５２と当接する接続面４００には、半導体基板Ｗを出し入れするための基板搬入口９６が、開口形成されている。ハウジング５６の内部には、例えばアルミニウム等から成る筐体１１１が設けられている。
【００４０】
図４は、筐体１１１の内部の構造を示した側断面図である。図４を参照するに、筐体１１１の内部には、反応管５８、抵抗加熱ヒータ６０、断熱材１１０等が設けられている。
【００４１】
反応管５８は、筐体１１１の略中央に水平になるように収容されている。反応管５８は、例えば石英、炭化珪素材料（ＳｉＣ）等の高耐熱性の材質から成る。反応管５８は、内部に半導体基板Ｗが載置される基板載置部５８−１と、基板載置部５８−１から延在形成され端部において上述の基板搬入口９６が開口形成されたフランジ部５８−２とから大略構成され、中空の構造を有する。
【００４２】
反応管５８のフランジ部５８−２は、筐体１１１からはみ出ている。反応管５８を筐体１１１に取り付ける際には、図４において矢印Ｙで示す方向に基板載置部５８−１から筐体１１１に水平に挿入する。メンテナンス等のために、反応管５８を筐体１１１から取り出すためには、基板搬入口９６が開口形成されたフランジ部５８−２側から反応管５８を引き抜く。
【００４３】
図５は、図４に示される反応管５８の基板載置部５８−１の線Ａ−Ａにおける断面を臨む基板載置部５８−１等の斜視図である。基板載置部５８−１は扁平な中空の直方体形状の薄肉構造を有する。基板載置部５８−１の側壁部３６０には、ガス供給管３５０が、基板載置部５８−１の長手方向（図５におけるＸ方向）に沿って側壁部３６０の略中央を貫通するように取り付けられている。同様に、側壁部３６５には、ガス排気管３５５が、基板載置部５８−１の長手方向（図５におけるＸ方向）に沿って側壁部３６５の略中央を貫通するように取り付けられている。
【００４４】
ガス供給管３５０及びガス排気管３５５は断面が円筒形のパイプ構造を有している。従って、基板載置部５８−１の側壁部３６０、３６５は、薄肉かつ高さ（図５におけるＺ方向の長さ）が短い構造を有するが、上述のガス供給管３５０及びガス排気管３５５が取り付けられているため、基板載置部５８−１の強度を維持することができる。
【００４５】
基板載置部５８−１の内部においてガス排気管３５５に対向しているガス供給管３５０の側面の上部及び下部には、ガス導入口３５１が所定の間隔毎にガス供給管３５０の長手方向（図５におけるＸ方向）に複数形成されている。同様に、基板載置部５８−１の内部においてガス供給管３５０に対向しているガス排気管３５５の側面の上部及び下部には、ガス排気口３５６が所定の間隔毎にガス排気管３５５の長手方向（図５におけるＸ方向）に複数形成されている。
【００４６】
従って、所定の処理ガスが、ガス供給管３５０からガス導入口３５１を介して基板載置部５８−１の内部に分散して導入され、また、基板載置部５８−１の内部に拡散しているガスは、ガス排気口３５６を介してガス排気管３５５へ排気される。
【００４７】
ガス供給管３５０及びガス排気管３５５の長手方向（図５におけるＸ方向）の長さは互いに略等しく、基板載置部５８−１の長手方向（図５におけるＸ方向）の長さよりも長い。図３及び図４に示されるように、反応管５８のフランジ部５８−２が設けられている側と反対の側の、ガス供給管３５０及びガス排気管３５５の端部は、筐体１１１及びハウジング部５６よりも外側に位置されている。
【００４８】
なお、図２及び図５に示すように、反応管５８の内部には、例えば石英等からなる突状支持部９８が離散的に複数形成されており、処理対象の半導体ウエアＷが略水平に支持される。
【００４９】
次に、抵抗加熱ヒータ６０について説明する。図６は、図４に示す反応管５８及び抵抗加熱ヒータ６０との位置関係を示す図であり、図４の線Ａ−Ａにおける断面図である。なお、図６では説明の便宜上、断熱材１１０及び筐体１１１の図示は省略している。
【００５０】
図４及び図６を参照するに、抵抗加熱ヒータ６０は、反応管５８の上下面及び左右側面に着脱自在に設けられている。
【００５１】
具体的には、図４に示すように、抵抗加熱部６０のうち、反応管５８の上下に向き合って配置される部分においては、反応管５８の長手方向において３つのゾーン、即ち、フロントゾーン（６０−１，６０−４）、ミドルゾーン（６０−２，６０−５）及びリアゾーン（６０−３，６０−６）に分割されている。上記３つのゾーンのうち、ミドルゾーン（６０−２，６０−５）が反応管５８の内部に配置される半導体基板Ｗのほぼ全域をカバーし、フロントゾーン（６０−１，６０−４）およびリアゾーン（６０−３，６０−６）が半導体基板Ｗの前後周辺部をカバーするようにゾーン設定がなされている。
【００５２】
また、図６に示すように、反応管５８の左右に向き合って配置される部分であるレフトゾーン（６０−７）及びライトゾーン（６０−８）においても、反応管５８の長手方向に沿って抵抗加熱ヒータ６０が設けられている。
【００５３】
抵抗加熱ヒータ６０は、ジュール熱により放射熱を発生して、反応管５８内を加熱し均熱雰囲気を形成する。これによって、反応管５８内に載置された半導体基板Ｗが加熱される。抵抗加熱ヒータ６０は、セラミックからなる芯棒に二ケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ２）等からなる抵抗発熱線や、鉄（Ｆｅ）とクロム（Ｃｒ）とアルミニウム（Ａｌ）の合金線であるカンタル（商品名）線等の抵抗発熱線を一定のピッチまたはリードで巻き付けたコイル状の抵抗発熱素子ＰＥを平面状（二次元方向）に多数配列して形成される。
【００５４】
次に、断熱部材１１０について説明する。図４を再度参照するに、断熱部材１１０は、筐体１１１と抵抗加熱ヒータ６０との間に、抵抗加熱ヒータ６０及び反応管５８を囲むように設けられている。断熱部材１１０は、例えば、セラミック等から成る。
【００５５】
上述の内部構造を備えた処理室５４（５４Ｈ，５４Ｌ）が載置される処理室載置体１００の構造を以下において説明する。
【００５６】
図３を再度参照するに、処理室載置体１００の上部には、処理室５４（５４Ｈ，５４Ｌ）等を制御するための制御ユニット１０１が搭載され、処理室載置体１００の下部には、処理装置に必要な電源を供給する電源ボックス１０２等が搭載されている。
【００５７】
また、処理室載置体１００において、ゲートバルブ５２が位置している側と反対側には、処理室５６における処理状況等を監視するためのディスプレイ１７０が設けられている。
【００５８】
図７は、図３に示す処理室載置体１００及び処理室５４（５４Ｈ，５４Ｌ）等を、図３において矢印Ａ方向にみたときの図である。
【００５９】
図７を参照するに、ハウジング５６の背面５１０からは、上述のように、ガス供給管３５０及びガス排気管３５５の端部が延出している。また、反応管５８の内部温度を近似値として測定するための温度センサである熱電対１１２が取り付けられている。
【００６０】
また、処理室載置体１００の下部には、上述の電源ボックス１０２のほか、図７において点線で示されるポンプユニット１０４等が設けられ、処理室５４（５４Ｈ，５４Ｌ）内を適切に排気するために必要なポンプを備える。
【００６１】
上述のディスプレイ１７０は回動可能に処理室載置体１００に取り付けられており、ディスプレイ１７０を図３に示す状態から約９０度回動させた状態が図７に示されている。
【００６２】
次に、処理室載置体１００の中部における処理室５４（５４Ｈ，５４Ｌ）の載置構造を説明する。
【００６３】
図３を参照するに、処理室載置体１００の中部には、処理室支持部材１５１が図３において左右方向に設けられている。また、処理室５４（５４Ｈ，５４Ｌ）は、回転機構部３００を介して板状部材のベース部材２５０に載置されている。後述する摺動構造により、処理室５４（５４Ｈ，５４Ｌ）が載置されているベース部材２５０は処理室支持部材１５１を摺動する。
【００６４】
また、回転機構部３００上に設けられている処理室５４（５４Ｈ，５４Ｌ）は、回転機構部３００により３６０度回動することができる。
【００６５】
図８は、図３に示す処理室５４を摺動させ、回転させた状態を示す図である。具体的には、図８において、処理室載置体１００の中部に二段に載置されている処理室５４のうち、上部に設けられている処理室５４Ｈは、ゲートバルブ５２との接続が解除され、図３に示す状態から、図３において矢印Ｚで示す方向に処理室支持部材１５１上を摺動された状態にある。また、下部に設けられている処理室５４Ｌは、処理室５４Ｈと同様に、図３に示す状態から図３において矢印Ｚで示す方向に処理室支持部材１５１上を摺動させ、更に、９０度回動された状態にある。
【００６６】
以下、上述の処理室５４と処理室５４に接続される被接続部材の一例であるゲートバルブ５２との接続構造、処理室５４の摺動構造、及び回転機構部３００の構造について詳述する。
【００６７】
先ず、処理室５４とゲートバルブ５２との接続構造について説明する。
【００６８】
図８を参照するに、ゲートバルブ５２に接続される処理室５４の接続面４００の外周のうち、互いに対向する縦の辺、即ち、図８に示す処理室５４Ｌの外周のうち上下方向に形成されている辺の夫々にハンドル部４１０が２個ずつ設けられている。なお、処理室５４Ｈにおいても、処理室５４Ｌと同様に、ハンドル部４１０が設けられている。
【００６９】
図９は、図８に示すハンドル部４１０を、図８において矢印Ｂ方向からみたときの図である。
【００７０】
図８及び図９を参照するに、ハンドル部４１０は、ハンドルバー４１１、板状のベース部４１２、回転軸部４１３等を含む。ハンドルバー４１１は、ベース部４１２を介して接続面４００に取り付けられている。回転軸部４１３は、ベース部４１２の略中央に備えられている。ハンドルバー４１１は、回転軸部４１３によって軸支されており、図８において矢印Ｃで示す方向にハンドルバー４１１を９０度回動することができる。
【００７１】
処理室５４の接続面４００がゲートバルブ５２に当接し、更に、４個のハンドルバー４１１の全てが横方向（図８において左右方向）に位置するようにハンドルバー４１１を回動操作すると、Ｏリング等のシール部材を介して、処理室５４の接続面４００がゲートバルブ５２に加圧密着し、処理室５４とゲートバルブ５２は完全に接続・接合されてロック状態となる。
【００７２】
当該ロック状態を解くためには、ハンドルバー４１１を９０度回動する操作を行い、ハンドルバー４１１を縦方向、即ち、図８において上下方向に位置させる。
【００７３】
このように、処理室５４は、クランプ機構として機能するハンドル部４１０において、ハンドルバー４１１を回動操作することにより、容易にゲートバルブ５２に着脱自在に接続される。
【００７４】
次に、処理室５４の摺動構造及び回転機構部３００の構造について説明する。
【００７５】
図１０は、図３に示す処理室５４Ｈの摺動構造及び回転機構部３００の構造を示すための図であって、図３において矢印Ａで示す方向から処理室５４Ｈ等を見た図である。また、図１１は、処理室５４Ｈの摺動構造を示すための図であって、図３において矢印Ｆで示す方向から処理室５４Ｈを搭載するベース部材２５０等を見た図である。なお、説明の便宜のため、図１１において処理室５４の図示は省略している。
【００７６】
図１０及び図１１を参照するに、処理室載置体１００の内部に設けられた２本の処理室支持部材１５１の夫々の略全長に亘って、レール部材１５０が取り付けられている。
【００７７】
図１２は、図１０において点線Ｐで示す部分の拡大図である。図１２を参照するに、処理室支持部材１５１の略全長に亘って取り付けられているレール部材１５０の上部及び下部には、溝が案内レール１５０−１として形成されている。
【００７８】
また、図１０及び図１１に示されるように、２本のレール部材１５０の間には、板状部材のベース部材２５０が設けられている。また、図１２を再度参照するに、ベース部材２５０の外周部分であって、レール部材１５０に対向する部分には、ベースブロック部材３０１が螺子止めされている。複数組のローラ２００が、ベースブロック部材３０１の上部及び下部に１個ずつを一組として、案内レール１５０−１が設けられている方向に沿って回動自在に設けられている。ローラ２００は、レール部材１５０の案内レール１５０−１を摺動自在に挟持している。
【００７９】
かかる構造の下、ベース部材２５０に取り付けられたローラ２００がレール部材１５０の案内レール１５０−１を摺動することにより、ベース部材２５０は、図１１において矢印Ｄ及びＥで示す方向に摺動され、その結果、処理室５４Ｈは、処理室載置体１００内を矢印Ｄ及びＥで示す方向に移動することができる。
【００８０】
次に、回転機構部３００の構造について説明する。図１３は、図１０において点線Ｑで示す部分の拡大図であり、回転機構部３００の構造を示す図である。
【００８１】
図１０及び図１３を参照するに、ベース部材２５０の略中央には、回転機構部３００の回転軸部３１０が設けられている。回転軸部３１０は、回転軸部３１０の周りに設けられた軸受部材３２０によって、３６０度回動自在に支持されている。回転軸部３１０及び軸受部材３２０によって、回転機構部３００は大略構成されている。
【００８２】
回転軸部３１０の上面には、処理室５４Ｈが螺子止めされて設けられている。従って、回転軸部３１０が回動すると、処理室５４Ｈもこれに伴って回動する。即ち、処理室５４Ｈは、回転機構部３００により３６０度回動することができる。
【００８３】
図１０に示すように、本実施形態では更に、回転機構部３００により処理室５４Ｈを９０度回動させる度に、その位置で処理室５４Ｈの回動が停止されるように、ベース部材２５０の上面に設けられたボールプランジャー３７１及び処理室５４Ｈのハウジング５６の下面に形成された凹状孔形成部３７２から構成される割出し機構部３７０が設けられている。図１４は、図１０において点線Ｒで示す部分の拡大図であり、割出し機構部３７０の構造が示されている。
【００８４】
かかる構造の下、メンテナンス等のために、処理室５４Ｈを以下の如く摺動及び回動することができる。図１５は、処理室５４Ｈの摺動及び回動を示す図であり、処理室５４Ｈを上から見た図である。なお、図１５中、回転軸部３１０を点線で示す。
【００８５】
図１５を参照するに、図１５−（ａ）に示す状態は、図３に示す状態と同じ状態である。即ち、処理室５４Ｈの接続面４００はゲートバルブ５２に当接し、更に、４個のハンドルバー４１１の全てが横方向に位置されて処理室５４の接続面４００はゲートバルブ５２に加圧密着し、処理室５４Ｈとゲートバルブ５２は完全に接続・接合されてロック状態となっている。
【００８６】
図１５−（ａ）に示す状態から、全てのハンドルバー４１１の方向が上下方向になるようにハンドルバー４１１を操作してゲートバルブ５２との接続を解除し、処理室５４Ｈを図１５−（ａ）において矢印で示す方向に摺動させ、処理室５４Ｈがゲートバルブ５２から離間した状態が図１５−（ｂ）に示される状態である。この状態では、処理室５４Ｈの接続面４００はレール部材１５０の端部近傍に位置され、ゲートバルブ５２と処理室５４Ｈの接続面４００との間に隙間が形成されている。
【００８７】
図１５−（ｂ）に示す状態から、図１５−（ｂ）において矢印で示すように処理室５４Ｈを反時計回りに９０度回動操作させた状態を図１５−（ｃ）に示す。
【００８８】
図１５−（ｃ）に示す状態は、処理室５４Ｈを搭載するベース部材２５０（図１０参照）を図１５−（ｂ）に示す状態に維持したまま、回転軸部３１０を介して処理室５４Ｈを図１５−（ｂ）に示される状態から反時計回りに９０度回動し、上述の構造を有する割出し機構部３７０（図１０参照）により、処理室５４Ｈの位置決めがされた状態である。従って、処理室５４Ｈの接続面４００は、ゲートバルブ５２の開口部分と９０度反時計回りに離間した方向にある。
【００８９】
なお、図１５−（ｃ）では、図１５−（ｂ）に示される状態から、処理室５４Ｈを反時計回りに９０度回動操作させた状態を示しているが、回転軸部３１０は３６０度回動することができるため、処理室５４Ｈを図１５−（ｂ）に示される状態から時計回りに９０度回動操作することもできる。
【００９０】
図１５−（ｃ）に示される状態から、図１５−（ｃ）において矢印で示すように処理室５４Ｈを反時計回りに更に９０度回動操作させた状態、即ち、図１５−（ｂ）に示される状態から、処理室５４Ｈを反時計回りに１８０度回動操作させた状態を図１５−（ｄ）に示す。
【００９１】
図１５−（ｄ）に示される状態は、処理室５４Ｈを搭載するベース部材２５０（図１０参照）を図１５−（ｂ）及び図１５−（ｃ）に示す状態に維持したまま、回転軸部３１０を介して処理室５４Ｈを図１５−（ｃ）に示す状態から反時計回りに更に９０度回動操作し、上述の割出し機構部３７０（図１０参照）により位置決めがされた状態である。従って、処理室５４Ｈの接続面４００は、ゲートバルブ５２の開口部分と１８０度離間した方向にある。
【００９２】
ところで、上述のように、メンテナンス等のために、図３等に示す反応管５８を処理室５４Ｈから抜き出す場合には、図３等に示す基板搬入口９６が開口形成されている接続面４００から反応管５８を引き出す必要がある。
【００９３】
本実施形態の構造では、処理室５４Ｈを回動操作することにより、処理室５４Ｈのハウジング５６の接続面４００を、操作者が操作しやすい位置である処理室載置体１００の三方向（ゲートバルブ５２の開口部分と９０度、１８０度及び２７０度離間した方向）の何れの方向にも向けることができ、更に、割出し機構部３７０により処理室５４Ｈの位置決めをすることができるため、処理室５４Ｈから反応管５８を容易に引き出すことができる。
【００９４】
即ち、本実施形態の構造では、ハンドル部４１０を操作してゲートバルブ５２との接続が解除された処理室５４Ｈを、処理室５４Ｈを搭載するベース部材２５０をレール部材１５０に対して摺動して後方に引き出し、更に、処理室５４Ｈを回転機構部３００を介して接続面４００が何れの方向にも位置することができるように処理室５４を水平方向に回動することができる。これによって、容易に、処理室載置体１００のどの方向からも処理室５４Ｈのメンテナンスをすることが可能となる。
【００９５】
また、図３に示すように、処理室５４Ｈの上下に、他の構成部材が配置され、上下方向に処理室５４Ｈのメンテナンスのスペースが確保されていない場合でも、処理室５４Ｈが被接続部材であるゲートバルブ５２に対し相対的に離間可能に接続され、処理室５４Ｈを回動するための回転機構部３００を備え、略同一平面内で離間及び回動可能に構成されているため、処理室５４Ｈのメンテナンスを行うことができる。
【００９６】
次に、図７に示すハウジング５６の背面５１０、即ち、ハウジング５６の接続面４００と反対の側の面に取り付けられている熱電対１１２や、図３に示すハウジング５６の内部に設けられている抵抗加熱ヒータ６０等のメンテナンスをする場合について説明する。
【００９７】
図１６は、図７に示す熱電対１１２や図３に示す抵抗加熱ヒータ６０のメンテナンス等をするための、処理室５４Ｈの移動及び操作を説明するための処理室５４Ｈ等の側面模式図であり、（ａ）は本発明を利用した場合を示し、（ｂ）は従来技術を利用した場合を示している。
【００９８】
本発明を利用した場合は、図１６−（ａ）に示されるように、ゲートバルブ５２との接続が解除された処理室５４Ｈを、処理室５４Ｈの背面側５１０に設けられた蓋体５００が処理室載置体１００の外部にはみ出る位置まで矢印Ｋで示す方向に引き出して移動させる。処理室５４の移動の停止後、蓋体５００を矢印Ｇで示す方向に回動操作し、蓋体５００を開ける。なお、前述のように、図３に示すディスプレイ１７０は図７に示すように回動操作することができ、蓋体５００の開閉の妨害とはならない。蓋体５００を開けることにより、容易に、図３に示す抵抗加熱ヒータ６０を取り出したり、背面５１０に設けられている図７に示す熱電対１１２を取り外すことができる。
【００９９】
これに対し、従来の技術を利用した場合は、図１６−（ｂ）に示されるように処理室７００を、処理室７００の全てが処理室載置体７１０からはみ出る位置まで矢印Ｍで示す方向に引き出して移動させる。処理室７００の移動の停止後、処理室７００の上部に設けられている板状の蓋部７１５を矢印Ｎで示す方向に、即ち、上側に回動させる必要がある。
【０１００】
即ち、従来であれば、処理室７００の全てを処理室載置体７１０から引き出し、更に、処理室７００の上部に設けられている蓋部７１５を開けなければならなかったが、本実施形態では、処理室５４Ｈを処理室載置体１００から全部引き出さずに、蓋体５００が処理室載置体１００の外部にはみ出る分だけ引き出せば足り、重量のある処理室５４Ｈを安定して操作することができる。
【０１０１】
以上のような本発明の構造によれば、処理モジュール１８の近傍に装置が設けられていても、処理室５４Ｈのメンテナンスのために処理モジュール１８にアクセスするに必要な領域は僅かで足りる。従って、処理装置の総設置面積（フットプリント）を拡充することなく処理室５４のメンテナンスを行うことができる。また、処理室５４のゲートバルブ５２からの引き出し量を低減でき、更に、反応管５８や抵抗加熱ヒータ６０や熱電対１１２等のメンテナンスをどの方向からも容易に行うことができる。即ち、アクセスし易い方向でのメンテナンスが可能となるとともに、フットプリントを小さくすることが可能となる。
【０１０２】
次に、上述のような構成を有する処理装置における基板の搬送及び処理について説明する。
【０１０３】
図１及び図２を再度参照するに、ローダ／アンローダ部１２の基板搬送機構２２は、カセットステーション１０より未処理の半導体基板Ｗをほぼ水平に１枚取り出すと、搬送アーム２６を旋回させ、アライメントユニット３８に搬入する。
【０１０４】
基板搬送機構２２は、アライメントユニット３８において位置合わせを終えた半導体基板Ｗをアライメントユニット３８から搬出し、ロードロック室２８の前まで移動する。半導体基板Ｗがロードロック室２８に収容配置されると、トランスファ・モジュール１６の搬送室４０内で搬送アーム４２が移動動作し、半導体基板Ｗを取り出す。搬送アーム４２は所定角度旋回して、プロセス・モジュール１８の処理室５４に半導体基板Ｗを配置する。処理室５４において、未処理の半導体基板Ｗは高温の急速熱処理を受ける。
【０１０５】
トランスファ・モジュール１６において、搬送アーム４２は、高温の急速熱処理を施された半導体基板Ｗを搬出すると、所定角度旋回して、当該半導体基板Ｗを冷却処理室３０へ配置する。
【０１０６】
処理室５４において急速熱処理を受けた半導体基板Ｗは、冷却処理室３０において以下の如く冷却される。
【０１０７】
図１７乃至図１９は、冷却処理室３０における半導体基板Ｗの冷却処理を説明するための模式図である。
【０１０８】
図１７乃至図１９を参照するに、冷却処理室３０は、搬送アーム４２（図１参照）によって搬送された半導体基板Ｗを密閉雰囲気下に置くべく、密閉されている。冷却処理室３０の上部には上部冷却板７０が、下部には下部冷却板８０が、互いに対向して設けられている。上部冷却板７０及び下部冷却板８０は、例えば熱伝導性の高いアルミ合金から成り、水冷式冷却機構を採用している。即ち、上部冷却板７０の内部には複数の上部冷却水管路７１が、また、下部冷却板８０の内部には複数の下部冷却水管路８１が埋設されている。
【０１０９】
図示を省略する冷却装置によって、半導体基板Ｗの冷却設定温度に冷却された冷却水を、例えばステンレス製のパイプから成る上部冷却水管路７１及び下部冷却水管路８１の内部を熱交換させながら流通させて、上部冷却板７０及び下部冷却板８０を冷却している。
【０１１０】
上部冷却板７０及び下部冷却板８０には、図示を省略する温度センサ等が取り付けられており，冷却板が所望の温度に保たれるよう制御される。従って、後述するように、冷却処理室３０に搬入された半導体基板Ｗを、上部冷却板７０及び下部冷却板８０の冷熱によって冷却処理することができる。
【０１１１】
なお、上述の如く、本実施形態では、水冷式冷却機構が上部冷却板７０及び下部冷却板８０に採用されているが、空冷式冷却機構を採用してもよく、また、上部冷却板７０及び下部冷却板８０に、冷却素子であるペルチェ素子を冷却素子として複数内蔵する冷却手段を備えた構造としてもよい。
【０１１２】
上部冷却板７０の略中央内を連通するように、冷却媒体供給管９０が設けられている。冷却媒体供給管９０を介して、窒素、ヘリウム等の不活性ガスが冷却媒体として冷却処理室３０内に供給される。冷却媒体供給管９０の先端にはガス拡散ノズル９１が設けられ、上記ガスの分散角度や流速が調整される。
【０１１３】
下部冷却板８０であって、上部冷却板７０と対向する面上には、半導体基板Ｗを、下部冷却板８０の上部冷却板７０と対向する面から約０．１ｍｍ乃至２ｍｍ、望ましくは約０．３ｍｍ浮かせた状態で半導体基板Ｗを支持する支持突起部１３０が、複数（例えば、３個）突出して設けられている。支持突起部１３０は、例えば樹脂等からなる。
【０１１４】
また、下部冷却板８０には、複数（例えば、３個）の昇降ピン貫通穴形成部８２が、その内部において昇降ピン６３０が昇降自在に挿入できるように、鉛直方向に貫通して設けられている。
【０１１５】
昇降ピン６３０は、半導体基板Ｗを支持し昇降させる昇降手段として機能する。昇降ピン６３０は、図示を省略する昇降駆動手段により昇降する。例えば、下部冷却板８０の下部に、機械室を設け、この機械室内に、モータ、昇降ピンアーム及び昇降ピンアーム駆動用シリンダ等の駆動機構が取り付けられ、これらによって昇降ピン６３０を所定のタイミングで上下動するように駆動される。昇降ピン６３０は、昇降ピン貫通穴形成部８２の内部を上方向に移動して、下部冷却板８０の上方に突出できるようになっている。
【０１１６】
上述のように、冷却処理室３０の側面には、基板搬入口６１０が開口して設けられている。基板搬入口６１０は、図１に示すトランスファ・モジュール１６に、図１に示すゲートバルブ３６を介して連結されている。従って、基板搬入口６１０は、半導体基板Ｗが、図１に示すトランスファ・モジュール１６の搬送室４０内に設けられた搬送アーム４２によって冷却処理室３０に搬入される入口として機能する。
【０１１７】
また、基板搬入口６１０が設けられている側面に対向する冷却処理室３０の側面には、基板搬出口６２０が開口して設けられている。基板搬出口６２０は、冷却処理室３０内で以下に説明する冷却処理によって冷却された半導体基板Ｗを、図１に示すローダ／アンローダ部１２の図１に示す基板搬送機構２２によって、冷却処理室３０の外部へ搬出するための出口として機能する。
【０１１８】
上述のような構造を有し、密閉された冷却処理室３０において、以下の如く、半導体基板は冷却処理される。本実施形態においては、冷却処理工程中、半導体基板Ｗは後述する３種類の位置（第１乃至第３の位置）に停止される。
【０１１９】
図１７は、図１等に示す処理室５６内で、高温の急速熱処理により高温状態となった半導体基板Ｗが、基板搬入口６１０を介して搬送アーム４２によって冷却処理室３０内に搬入され、搬入された際の高さ位置（第１の位置）で搬送アーム４２の動作が停止された状態を示している。
【０１２０】
半導体基板Ｗが、搬送アーム４２によって冷却処理室３０内に搬入されると直ちに、上部冷却板７０の略中央内を連通するように設けられ半導体基板Ｗの上面側に位置づけられた冷却媒体供給管９０の先端に設けられたガス拡散ノズル９１から、窒素、ヘリウム等の不活性ガスが冷却媒体として供給され、半導体基板Ｗが冷却される。これ以降、半導体基板Ｗの冷却処理が完了するまで、冷却媒体は冷却処理室３０内に絶えず供給され続ける。
【０１２１】
従って、冷却処理室３０に搬入された半導体基板Ｗは、冷却処理室３０に搬入されると直ちに、上部冷却板７０及び下部冷却板８０の冷熱と、半導体基板Ｗの上部から供給される冷却媒体とによって、半導体基板Ｗの上側と下側の双方から冷却される。
【０１２２】
よって、半導体基板Ｗは、処理室５４で急速熱処理が施された面の略中央部と周縁部における温度差に起因して山形に反ってしまう等の変形（熱ひずみ）が発生することはなく、平面において真っ直ぐな状態が維持される。
【０１２３】
また、かかる状態においては、昇降ピン６３０が、図示を省略する昇降駆動手段によって駆動され、下部冷却板８０に鉛直方向に貫通形成された複数（例えば、３個）の昇降ピン貫通穴形成部８２を介して下部冷却板８０の上方向に移動し下部冷却板８０の上面から突出している。
【０１２４】
半導体基板Ｗは、図１７に示す第１の位置から所定の時間経過後、以下の工程を経て、図１８に示す第２の位置に置かれる。
【０１２５】
即ち、先ず、半導体基板Ｗを冷却処理室３０内に搬入した搬送アーム４２が、半導体基板Ｗを昇降ピン６３０上に受け渡す。具体的には、半導体基板Ｗを支持している搬送アーム４２が図１７において矢印Ｓで示す方向に下降され、半導体基板Ｗは、昇降ピン６３０上（第２の位置）に載置される。次いで、搬送アーム４２は、図１８において矢印Ｔで示す方向に引き抜かれ、冷却処理室３０から退避される。
【０１２６】
上述のように、半導体基板Ｗは、冷却処理室３０内に搬入されると、半導体基板Ｗの前記面の略中央部と周縁部における温度差に起因する半導体基板Ｗの変形（熱ひずみ）は発生せず、真っ直ぐな平面状態が維持されている。従って、かかる真っ直ぐな平面状態が維持されたまま、半導体基板Ｗは昇降ピン６３０上に載置される。
【０１２７】
この後、半導体基板Ｗは、図１８に示す第２の位置から、以下の工程を経て、図１９に示す第３の位置に置かれる。
【０１２８】
即ち、先ず、半導体基板Ｗが載置された昇降ピン６３０は、図示を省略する昇降駆動手段によって駆動され、下部冷却板８０に鉛直方向に貫通形成された複数（例えば、３個）の昇降ピン貫通穴形成部８２を介して、半導体基板Ｗが支持突起部１３０上（第３の位置）に当接するまで、図１８中矢印Ｕで示す方向に下降される。
【０１２９】
上述のように、支持突起部１３０は、下部冷却板８０の上面から僅かに突出するように設けられているので、半導体基板Ｗは、下部冷却板８０に近接した状態で支持突起部１３０に支持される。かかる状態で、半導体基板Ｗは、下部冷却板８０により、冷却処理室３０内で所望の温度、例えば、常温まで冷却される。
【０１３０】
ここで、上述のように、半導体基板Ｗは、真っ直ぐな平面状態が維持されたまま昇降ピン６３０上に載置され、その後、支持突起部１３０に載置されるため、半導体基板Ｗは、真っ直ぐな平面状態が維持されたまま冷却処理室３０の下側から冷却される。
【０１３１】
冷却処理室３０の中で所定温度まで半導体基板Ｗを冷却する冷却処理が完了すると、冷却媒体供給管９０から冷却処理室３０への冷却媒体の供給は停止される。
【０１３２】
半導体基板Ｗの冷却処理が完了すると、図１に示すローダ／アンローダ部１２の基板搬送機構２２が冷却処理室３０に基板搬出口１２０からアクセスし、半導体基板Ｗは、冷却処理室３０から搬出される。
【０１３３】
このように、半導体基板Ｗが冷却処理室３０内に搬入された時点から冷却処理が完了するまで、冷却処理室３０の上側に設けられた冷却媒体供給管９０から冷却処理室３０へ冷却媒体が供給され続け、半導体基板Ｗは上側からも冷却処理されている。
【０１３４】
従って、冷却処理室３０の下側に設けられた下側冷却板８０に設けられた支持突起部１３０に半導体基板Ｗを載置して冷却処理室３０の中で所定温度まで半導体基板Ｗを冷却処理する前に、半導体基板Ｗの前記面の略中央部と周縁部における温度差に起因する半導体基板Ｗの変形（熱ひずみ）が発生することが回避され、真っ直ぐな平面状態を維持したまま半導体基板Ｗに冷却処理を施すことができる。その結果、所望の短時間内に、半導体基板Ｗ全体を均一に冷却することができる。
【０１３５】
このように、冷却処理に要する時間を短縮することができ、更に、確実に半導体基板Ｗを冷却することができるため、スループットの向上を図ることが出来る。
【０１３６】
図１及び図２を再度参照するに、基板搬送機構２２は、冷却処理室３０より半導体基板Ｗを取り出すと、搬送アーム２６を旋回させ、カセットステーション１０の所望のカセットＣＲの前に移動し、カセットＣＲに処理済の半導体基板Ｗを挿し込まれる。
【０１３７】
以上本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【０１３８】
例えば、上述の実施形態では、回転軸部３１０及び軸受部材３２０によって、回転機構部３００が構成されているが、本発明はこれに限られず、処理室を回動することができれば如何なる構造であってもよい。
【０１３９】
また、上述の実施形態では、ベース部材２５０の摺動にあっては、ローラ２００及びレール部材２５０が用いられているが、本発明はこれに限られず、処理室５４をゲートバルブ５２から離間することができれば、如何なる構造であってもよい。
【０１４０】
更に、上述の実施形態では、レール部材１５０を摺動するベース部材１５０の上に回転機構部３００が設けられ当該回転機構部３００の上に処理室５４が設けられている構造を示したが、本発明はこれに限られず、回転機構部の上に摺動自在のベース部材が備えられ、その上に処理室が設けられても良い。或いは、処理室を上方からぶら下げる構造にし、処理室の上に回転機構部及び摺動機構部を設けられていてもよい。
【０１４１】
また、上述の実施形態では、割出し機構部３７０は互いに９０度離間した位置に４つ設けられているが、処理室５４を回動して位置決めができる限り、本発明はこれに限られない。
【０１４２】
【発明の効果】
以上詳述したところから明らかなように、本発明の処理装置によれば、メンテナンスのために必要とされるスペースを極力小さくし、簡易なメンテナンス操作の実現を可能とし、処理室のメンテナンス性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態における処理装置の全体構成を模式的に示す一部断面側面図である。
【図２】本発明の一実施形態における処理装置の全体構成を模式的に示す平面図である。
【図３】処理室５４（５４Ｈ，５４Ｌ）及び処理室載置体１００等の構造を示した一部断面側面図である。
【図４】筐体１１１の内部の構造を示した側断面図である。
【図５】図４に示される反応管５８の基板載置部５８−１の線Ａ−Ａにおける断面を臨む基板載置部５８−１等の斜視図である。
【図６】図４に示す反応管５８及び抵抗加熱ヒータ６０との位置関係を示す図であり、図４の線Ａ−Ａにおける断面図である。
【図７】図３に示す処理室載置体１００及び処理室５４（５４Ｈ，５４Ｌ）等を図３において矢印Ａ方向にみたときの図である。
【図８】図３に示す処理室５４を摺動させ、回転させた状態を示す図である。
【図９】図８に示すハンドル部４１０を図８において矢印Ｂ方向からみたときの図である。
【図１０】図３に示す処理室５４Ｈの摺動構造及び回転機構部３００の構造を示すための図であって、図３において矢印Ａで示す方向から処理室５４Ｈ等を見た図である。
【図１１】処理室５４Ｈの摺動構造を示すための図であって、図３において矢印Ｆで示す方向から処理室５４Ｈを搭載するベース部材２５０等を見た図である。
【図１２】図１０において点線Ｈで示す部分の拡大図である。
【図１３】図１０において点線Ｑで示す部分の拡大図である。
【図１４】図１０において点線Ｒで示す部分の拡大図である。
【図１５】処理室５４Ｈの摺動及び回動を示す図であり、処理室５４Ｈを上から見た図である。
【図１６】図７に示す熱電対１１２や図３に示す抵抗加熱ヒータ６０のメンテナンス等をするための、処理室５４Ｈの移動及び操作を説明するための処理室５４Ｈ等の側面模式図である。
【図１７】冷却処理室３０における半導体基板Ｗの冷却処理を説明するための模式図である。
【図１８】冷却処理室３０における半導体基板Ｗの冷却処理を説明するための模式図である。
【図１９】冷却処理室３０における半導体基板Ｗの冷却処理を説明するための模式図である。
【符号の説明】
１０                        カセットステーション
１２                        ローダ／アンローダ部
１８                        処理モジュール
２８（２８Ｈ、２８Ｌ）      ロードロック室
３０（３０Ｈ、３０Ｌ）      冷却処理室
４０                        搬送室
４２                        搬送アーム
５２                        ゲートバルブ
５４（５４Ｈ、５４Ｌ）      処理室
５６                        ハウジング
５８                        反応管
６０                        抵抗加熱ヒータ
３００                      回転機構部
３１０                      回転軸部
３７０                      割出し機構部
４１０                      ハンドル部
４１１                      ハンドルバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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