(57)【要約】【課題】確実な層間の電気的接続を得ることができ、導体層の別途貼り合わせ等を必要とせず、一括積層の利点を損ねることなく、両面実装が可能な全層ＩＶＨ構造の多層基板を構成すること。【解決手段】絶縁性基材１１の両面に配線パターン１２、１３をなす導体層を有し、一方の面の導体層（１２）と絶縁性基材１１に所定ビアホール径によるビアホール１４が形成され、他方の面の導体層（１３）にはビアホール１４に開口するビアホール径より小径の小孔１５があけられ、ビアホール１４と小孔１５に導電性ペースト１６が充填され、この導電性ペースト１６はビアホール開口の前記導体層（１２）上にフランジ状に拡張された拡張部１７を含む。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材の両面に配線パターンをなす導体層を有し、一方の面の前記導体層と前記絶縁性基材に所定ビアホール径によるビアホールが形成され、他方の面の前記導体層には前記ビアホールに開口する前記ビアホール径より小径の小孔があけられ、前記ビアホールに導電性ペーストが充填され、当該導電性ペーストはビアホール開口側の前記導体層上にフランジ状に拡張された拡張部を含む多層基板用基材。
【請求項２】
前記導電性ペーストは前記小孔にも充填されている請求項１記載の多層基板用基材。
【請求項３】
絶縁性基材の両面に銅箔層を有する両面銅張積層板により構成されている請求項１または２記載の多層基板用基材。
【請求項４】
前記絶縁性基材は、ポリイミド等の可撓性樹脂フィルムにより構成されている請求項１〜３の何れか１項記載の多層基板用基材。
【請求項５】
前記導電性ペーストは、熱硬化性樹脂に導電性フィラを混入したものである請求項１〜４の何れか１項記載の多層基板用基材。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項記載の多層基板用基材を含む多層基板。
【請求項７】
請求項１〜５の何れか１項記載の多層基板用基材と、
絶縁性基材の片面に配線パターンをなす導体層を有し、前記絶縁性基材に所定ビアホール径によるビアホールが形成され、前記導体層には前記ビアホールに開口する前記ビアホール径より小径の小孔があけられ、前記ビアホールに導電性ペーストが充填された多層基板用基材と、
を含む多層基板。
【請求項８】
請求項１〜５の何れか１項記載の多層基板用基材と、
絶縁性基材の片面に配線パターンをなす導体層を有し、当該導体層と前記絶縁性基材に所定ビアホール径によるビアホールが形成され、前記ビアホールに導電性ペーストが充填され、当該導電性ペーストがビアホール開口側の前記導体層上にフランジ状に拡張された拡張部を含む多層基板用基材と、
を含む多層基板。
【請求項９】
絶縁性基材の両面に導体層を有する両面導体張積層板の一方の面の前記導体層と前記絶縁性基材に所定ビアホール径によるビアホールを形成し、他方の面の前記導体層に前記ビアホールに開口する前記ビアホール径より小径の小孔をあける工程と、
ビアホール開口側の前記導体層の側より、前記ビアホールに導電性ペーストを充填すると共に、ビアホール開口側の前記導体層上にフランジ状に拡張された導電性ペーストによる拡張部を形成する工程と、
含む多層基板用基材の製造方法。
【請求項１０】
絶縁性基材の両面に導体層を有する両面導体張積層板の両面の導体層に回路形成を行うと共に、一方の面の前記導体層に所定ビアホール径による孔を形成し、他方の面の前記ビアホール径より小径の小孔を形成するエッチング工程と、
絶縁性基材に所定ビアホール径による孔を形成して前記一方の面の前記導体層の孔と共にビアホールを完成する穿孔工程と、
ビアホール開口側の前記導体層の側より、前記ビアホールに導電性ペーストを充填すると共に、ビアホール開口側の前記導体層上にフランジ状に拡張された導電性ペーストによる拡張部を形成する導電性ペースト充填工程と、
を含む多層基板用基材の製造方法。
【請求項１１】
ビアホール開口側の前記導体層上に、前記ビアホール径より大径の開口を有するマスク部材を載せ、当該マスク部材上より前記ビアホールに導電性ペーストを充填する請求項９または１０記載の多層基板用基材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、多層基板、多層基板用基材およびその製造方法に関し、特に、２層以上の配線層を有する多層配線板、パッケージ基板等の多層基板、多層基板用基材およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の軽薄短小化、半導体チップや部品の小型化および端子の狭ピッチ化に連動して、プリント基板（配線基板）にも実装面積の縮小や配線の精細化が進んでいる。同時に、情報関連機器では、信号周波数の広帯域化に対応して部品間を連結する配線の短距離化が求められており、高密度、高性能を達成するためのプリント基板の多層化は必要不可欠の技術となっている。
【０００３】
多層基板では、従来の平面回路にはなかった層間を電気的に接続する回路形成がキーテクノロジーである。多層基板の第１ステップである両面配線基板は、絶縁基材に貫通孔をあけ、貫通孔の内壁面に沿って導体をめっきして表裏の配線を導通接続している。
【０００４】
ＩＢＭ社のＳＬＣ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｌａｍｉｎａｒ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）に代表されるビルドアップ多層基板においても、回路層間の絶縁層の一部を感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィ法やレーザ加工等で除去し、めっきで導通接続する方法を用いている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００５】
めっきを用いた配線の導通接続は、微細な回路を低抵抗で導通接続できる利点を持つが、工程が複雑で、工数も多いため、コストが高くなり、多層基板の用途を制限する要因となっている。
【０００６】
近年、めっきに代わる安価な層間接続方法として、松下グループのＡＬＩＶＨ（Ａｎｙ  Ｌａｙｅｒ  Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ  Ｖｉａ  Ｈｏｌｅ）基板や、東芝グループのＢ２ｂｉｔ（Ｂｕｒｉｅｄ  Ｂｕｍｐ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）に代表される導電性樹脂を用いた多層基板が実用化され、多層基板の用途が急速に拡大し始めている（例えば、特許文献１、２、非特許文献２参照）。
【０００７】
ＡＬＩＶＨでは、図９（ａ）〜（ｈ）に示されているように、絶縁樹脂板１０１を出発材としてレーザを用いてビアホール（バイアホール）１０２をあけ、印刷法によってビアホール１０２に導電性ペースト（導電樹脂）１０３を充填し、所望の箇所に導電性ペースト１０３による表裏導通接続部を有する絶縁基材１０４を作成する。そして、絶縁基材１０４の表裏に銅箔１０５を圧着し、エッチングにより配線パターン（銅箔回路）１０６を形成し、これに、絶縁基材１０４、銅箔１０５を圧着し、配線パターンを形成することを繰り返しを行い、多層基板１００を得る。
【０００８】
ＡＬＩＶＨの工法以外にも、ＳＬＣのように、絶縁層として感光性樹脂を用いて露光・現像を行うことにより、ビアホールを形成したり、ケミカルあるいはドライエッチングによって樹脂を除去する方法も適用できる可能性がある。
【０００９】
導電性樹脂を用いた多層基板は、安価である反面、導電性樹脂部分の電気抵抗が高く、銅箔回路との接触抵抗が安定しないなどのいくつかの欠点もあるが、それらも徐々に克服されつつある。
【００１０】
マルチチップモジュールなど、ベアチップを実装する基板では、配線の高密度化に伴って多層板を構成する単層の厚さが減少する傾向にある。この層厚の減少によって絶縁性フィルム単体では、基板のたわみやしわが発生し易くなり、寸法安定性が確保し難くなっている。
【００１１】
このことに対し、層間接続に導電性樹脂を用いる多層配線基板の製造方法として、図１０（ａ）〜（ｄ）と（ａ’）〜（ｄ’）および（ｅ）、（ｆ）に示されているように、片面銅箔付きフィルム２０１や両面銅箔付きフィルム３０１を出発材とし、これら銅箔付きフィルム２０１、３０１にビアホール（バイアホール）２０２、３０２を貫通形成し、ビアホール２０２、３０２に導電性性樹脂２０３、３０３を充填してインナビアを形成し、銅箔付きフィルム２０１、３０１の銅箔２０４、３０４をエッチングして配線パターン（銅箔回路）２０５、３０５を形成したものを貼り合わせて多層配線基板２００を得る製造方法がある。
【００１２】
また、図１１（ａ）〜（ｆ）に示されているように、片面銅箔付きフィルム４０１を出発材とし、片面銅箔付きフィルム４０１の銅箔４０２をエッチングして配線パターン（銅箔回路）４０３を形成し、片面銅箔付きフィルム４０１の絶縁フィルム層４０４にビアホール（バイアホール）４０５をあけ、ビアホール４０５に導電性ペースト４０６を充填してインナビアを形成したものを貼り合わせて多層基板４００を得る製造方法がある。
【００１３】
この製造方法では、樹脂フィルムを絶縁層としてそれに銅箔による導体層を貼り付けられている銅張基板を出発材としていることにより、フィルムの剛性が高まり、高い寸法精度を維持できる。この種の多層基板の製造方法は、本願出願人と同一の出願人による特願２００２−７６３３５号や特願２００２−４６１６０号等で提案されている。
【００１４】
【特許文献１】
特開平６−３０２９５７号公報
【特許文献２】
特開平９−８５８３５号公報
【非特許文献１】
高木  清著  「ビルドアップ多層プリント基板配線板技術」日刊工業新聞社出版、２００１年６月１５日、初版２刷、５３頁〜７６頁
【非特許文献２】
高木  清著  「ビルドアップ多層プリント基板配線板技術」日刊工業新聞社出版、２００１年６月１５日、初版２刷、７７頁〜７９頁
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
図１０、１１に示されている従来技術では、片面銅箔付きフィルムや両面銅箔付きフィルムを出発材とし、積層前に回路形成を行い、一括積層による多層化を行うことができるから、短納期で、歩留まりよく多層基板を製造できる。
【００１６】
しかし、図１０に示されている従来技術では、インナビアの導電性ペースト２０３、３０３と銅箔回路２０５、３０５との接触面積が小さいことにより、導通抵抗が大きく、導通信頼性に欠け、確実な電気的接続を得ることが難しい。
【００１７】
図１１に示されている従来技術では、インナビアの導電性ペースト４０６と銅箔回路４０３との接触面積を大きく取ることができ、導通抵抗、導通信頼性の問題は解決されるが、多層基板の最下層は樹脂面となる。この面にも、回路形成を行うためには、この樹脂面に、別途、銅箔４０２を貼り合わせ、これに回路形成を行う必要が生じ、一括積層の利点が損なわれる。
【００１８】
この発明は、上述の如き課題を解決するためになされたもので、インナビアの導電性ペーストと導体回路との導通抵抗、導通信頼性の問題を生じることがなく、確実な層間の電気的接続を得ることができ、導体層の別途貼り合わせ等を必要とせず、一括積層の利点を損ねることなく最上層と最下層の両面に回路を形成できる多層基板、すなわち、両面実装が可能な全層ＩＶＨ構造の多層基板を構成する多層基板用基材およびその多層基板用基材を用いた多層基板、および多層基板用基材の製造方法を提供することを目的としている。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、この発明による多層基板用基材は、絶縁性基材の両面に配線パターンをなす導体層を有し、一方の面の前記導体層と前記絶縁性基材に所定ビアホール径によるビアホールが形成され、他方の面の前記導体層には前記ビアホールに開口する前記ビアホール径より小径の小孔があけられ、前記ビアホールに導電性ペーストが充填され、当該導電性ペーストはビアホール開口側の前記導体層上にフランジ状に拡張された拡張部を含む。
【００２０】
この発明による多層基板用基材によれば、一方の面（ビアホール開口側）の導体層とビアホールの導電性ペーストとの導通接続は、拡張部によって比較的広い接触面積をもって行われ、他方の面の導体層とビアホールの導電性ペーストとの導通接続は、ビアホール底面をなす導体層裏面によって比較的広い接触面積をもって行われる。このビアホール底面をなす導体層には小孔があれられているので、ビアホールに対する導電性ペーストの充填時に、小孔が空気抜き孔として作用し、ビアホールに対する導電性ペーストの充填が残留気泡等を生じることなく、確実に行われる。
【００２１】
また、導電性ペーストは小孔にも充填されていてよく、他方の面の導体層とビアホールの導電性ペーストとの導通接続が、さらに確実になる。
【００２２】
この発明による多層基板用基材は、ポリイミド等の可撓性樹脂フィルムなどによって構成された絶縁性基材の両面に銅箔層を有する両面銅張積層板により構成することができる。また、導電性ペーストとしては、熱硬化性樹脂に導電性フィラを混入したものを用いることができる。
【００２３】
また、上述の目的を達成するために、この発明による多層基板は、上述した発明による多層基板用基材を含む。詳細には、この多層基板は、上述した発明による多層基板用基材（タイプＣ）と、絶縁性基材の片面に配線パターンをなす導体層を有し、前記絶縁性基材に所定ビアホール径によるビアホールが形成され、前記導体層には前記ビアホールに開口する前記ビアホール径より小径の小孔があけられ、前記ビアホールに導電性ペーストが充填された多層基板用基材（タイプＢ）との組み合せ、あるいは、上述した発明による多層基板用基材（タイプＣ）と、絶縁性基材の片面に配線パターンをなす導体層を有し、当該導体層と前記絶縁性基材に所定ビアホール径によるビアホールが形成され、前記ビアホールに導電性ペーストが充填され、当該導電性ペーストがビアホール開口側の前記導体層上にフランジ状に拡張された拡張部を含む多層基板用基材（タイプＡ）と組み合せによって構成される。
【００２４】
この発明による多層基板によれば、１枚のタイプＣの多層基板用基材を、最上層あるいは最下層の基板とし、これの片側に少なくとも１枚のタイプＢあるいはタイプＡの多層基板用基材を積層することにより、あるいは１枚のタイプＣの多層基板用基材を中間層との基板とし、その両側に少なくとも１枚のタイプＢあるいはタイプＡの多層基板用基材を積層することにより、確実な電気的接続を得ることができ、導体層の別途貼り合わせ等を必要とせず、最上層と最下層の両面に回路を形成した両面実装が可能な全層ＩＶＨ構造の多層基板を構成できる。
【００２５】
また、上述の目的を達成するために、この発明による多層基板用基材の製造方法は、絶縁性基材の両面に導体層を有する両面導体張積層板の一方の面の前記導体層と前記絶縁性基材に所定ビアホール径によるビアホールを形成し、他方の面の前記導体層に前記ビアホールに開口する前記ビアホール径より小径の小孔をあける工程と、ビアホール開口側の前記導体層の側より、前記ビアホールに導電性ペーストを充填すると共に、ビアホール開口側の前記導体層上にフランジ状に拡張された導電性ペーストによる拡張部を形成する工程と含む。
【００２６】
また、この発明による多層基板用基材の製造方法は、絶縁性基材の両面に導体層を有する両面導体張積層板の両面の導体層に回路形成を行うと共に、一方の面の前記導体層に所定ビアホール径による孔を形成し、他方の面の前記ビアホール径より小径の小孔を形成するエッチング工程と、絶縁性基材に所定ビアホール径による孔を形成して前記一方の面の前記導体層の孔と共にビアホールを完成する穿孔工程と、ビアホール開口側の前記導体層の側より、前記ビアホールに導電性ペーストを充填すると共に、ビアホール開口側の前記導体層上にフランジ状に拡張された導電性ペーストによる拡張部を形成する導電性ペースト充填工程とを含む。
【００２７】
この発明による多層基板用基材の製造方法は、上述の拡張部を形成するために、ビアホール開口側の前記導体層上に、前記ビアホール径より大径の開口を有するマスク部材を載せ、当該マスク部材上より前記ビアホールに導電性ペーストを充填する。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下に添付の図を参照してこの発明の実施形態を詳細に説明する。
図１はこの発明による一実施形態に係わる多層基板用基材（タイプＣ）の基本構成を示している。
【００２９】
図１に示されている多層基板用基材１０は、絶縁性基材をなす絶縁樹脂層１１の両面に銅箔等による配線パターン部（導体層）１２、１３を有している。この多層基板用基材１０は、ポリイミドフィルムやポリエステルフィルム等の可撓性を有する樹脂フィルムによる絶縁樹脂層１１の両面に銅箔層を有する両面銅張積層板により構成することができる。
【００３０】
一方の面の配線パターン部１２と絶縁樹脂層１１には所定ビアホール径によるビアホール１４が形成され、他方の面の配線パターン部１３にはビアホール１４に開口するビアホール径より小径の小孔１５があけられいる。
【００３１】
ビアホール１４と小孔１５には導電性ペースト１６が満杯に充填されている。導電性ペースト１６はビアホール開口側の配線パターン部１２上にフランジ状に拡張された拡張部１７が形成されている。導電性ペースト１６は、エボキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に、銀、銅等の導電性フィラを混入したものである。この導電性ペースト１６としては、銀、銅等を主成分とする平均粒子径が３μｍ〜１０μｍ程度の金属粉末をエポキシ樹脂等による熱硬化型の樹脂バインダで固着した導電性樹脂等、揮発性の溶媒成分を殆ど含まず、加熱硬化によって体積収縮がないもの、少ないものが好適である。
【００３２】
この多層基板用基材１０では、ビアホール１４の導電性ペースト１６と一方の配線パターン部１２との導通接続は、配線パターン部１２のビアホール内周面に加えて、導電性ペースト１６の拡張部１７と配線パターン部１２の上面１２Ａとの比較的広い接触面積をもって行われる。また、ビアホール１４の導電性ペースト１６と他方の配線パターン部１３との導通接続は、ビアホール１４の導電性ペースト１６とビアホール底面をなす導体層裏面１３Ａとの比較的広い接触面積をもって行われる。
【００３３】
これにより、ビアホール１４の導電性ペースト１６は配線パターン部１２、１３の何れにも、低い導通抵抗で、高い導通信頼性をもって導通接続され、確実な電気的接続を得ることができる構造になる。
【００３４】
多層基板用基材１０は、両面銅張積層板のような両面導体張積層板を出発材とし、一方の面の配線パターン部（導体層）１２と絶縁樹脂層１１に所定ビアホール径によるビアホール１４を形成し、他方の面の配線パターン部（導体層）１３にビアホール１４に開口するビアホール径より小径の小孔１５をあけ、ビアホール開口側の配線パターン部１２の側より、ビアホール１４と小孔１５に導電性ペースト１６を充填すると共に、この充填工程で、ビアホール開口側の配線パターン部１２上にフランジ状に拡張された導電性ペースト１６による拡張部１７を形成することにより製造できる。
【００３５】
つぎに、この発明によるタイプＣの多層基板用基材の製造方法の一実施形態を図２（ａ）〜（ｅ）を参照して説明する。
【００３６】
図２（ａ）に示されているように、絶縁樹脂層をなすポリイミドフィルム２１の両面に導体層をなす銅箔２２、２３を設けられた両面銅張基板（両面銅箔付きポリイミド基材）２０を出発材とする。ここで使用する両面銅張基板２０には、ポリイミド等の絶縁樹脂と導体箔とを接着剤を用いて接着したタイプ、銅箔上にポリイミドの前駆体を塗布して加熱焼成したタイプやポリイミドフィルム上に金属膜を蒸着したタイプ、蒸着した金属膜をシード層としてめっきにより銅を成長させたタイプがある。好ましくは、ポリイミドフィルム２１と銅箔２２、２３との間に接着層が介在しない接着剤レス銅張基板を用いる。
【００３７】
まず、エッチング工程として、ロールラミネータを用いて銅箔２２、２３の各々の表面にレジストフィルム（図示省略）を熱圧着し、パターンを露光・現像してレジストマスクパターン（図示省略）を形成した後、塩化第二鉄溶液を主成分とするエッチング液を用いて銅のケミカルエッチングを行い、図２（ｂ）に示されているように、銅箔２２に銅回路部２４を形成すると共に所定ビアホール径（１００μｍ程度）による孔２５を開口し、銅箔２３に銅回路部２６を形成すると共にビアホール径より小径（３０〜５０μｍ程度）の小孔２７を開口する。レジストマスクパターンはエッチング完了後に剥離除去する。
【００３８】
つぎに、穿孔工程として、孔２５をあけられている銅回路部２４の側からポリイミドフィルム２１に炭酸ガスレーザを照射し、図２（ｃ）に示されているように、ポリイミドフィルム２１に所定ビアホール径（孔２５と同径）による孔２８を形成する。これにより、孔２５と孔２８により、銅回路部２４とポリイミドフィルム２１とをストレートに連通するビアホール２９が完成する。ビアホール２９と小孔２７とは中心が一致している。孔２５および２７をエッチングにより形成せずレーザ照射によって銅２４、ポリイミド２１、底面銅２６の順にピアホールおよび小孔を開口することもできる。
【００３９】
この穿孔工程は、炭酸ガスレーザ以外に、ＹＡＧレーザやエキシマレーザを用いることも可能である。また、銅箔をマスクとしてプラズマエッチングや適当なや薬液を用いた化学エッチングを適用することもできる。
【００４０】
つぎに、図２（ｄ）に示されているように、導電性ペースト充填工程として、銅回路部２４上に、ビアホール径より大径の開口９１を有するメタルマスク９０を載せ、メタルマスク９０上よりスキージプレート９２を用いたスクリーン印刷法によって、銀粒子を導電性フィラとした導電性ペースト３０を、開口９１、ビアホール２９、小孔２７の全てに穴埋め充填する。
【００４１】
小孔２７は、この導電性ペースト充填時に、ビアホール２９の空気抜き孔として作用する。また、この導電性ペースト充填時に、小孔２７側を減圧することにより、小孔２７を含む導電性ペースト３０の充填が、より確実になる。
【００４２】
なお、導電性ペースト充填は、スクリーン印刷法以外に、ディスペンサやインクジェット方式の印刷機によって行うこともできる。
【００４３】
また、導電性ペースト３０は、銀ペースト以外に、表面を銀で被覆した銅粒子をフィラとするペーストを使用することもできる。また、溶媒成分が少なく、乾燥および硬化時の体積減少が僅かであれば、樹脂の種類を問わない。
【００４４】
樹脂ペースト充填完了後にメタルマスク９０を取り外す。これにより、図２（ｅ）に示されているように、ビアホール開口側の銅回路部２４上にフランジ状に拡張された導電性ペースト３０による拡張部３１が形成される。拡張部３１の大きさはメタルマスク９０の開口９１の大きさにより決まる。この実施形態では、導体ランドと同径とした。
【００４５】
この後に、加熱により拡張部３１を含む導電性ペースト３０を硬化させることにより、１枚の多層基板用基材（基本配線板）４０が完成する。この多層基板用基材４０は、単体の両面配線板としても機能し、従来、スルーホールによって接続されていた両面配線板に比べてめっき工程を必要としないこと、ビア直上にも部品を実装できるなどの点で優れている。
【００４６】
つぎに、上述したタイプＣの多層基板用基材４０と組み合わせられて多層基板を構成するタイプＢの多層基板用基材６０の製造手順を、図３（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。
【００４７】
図３（ａ）に示されているように、ポリイミドフィルム５１の片面に銅箔５２を設けられた片面銅張基板（片面銅箔付きポリイミド基材）５０を出発材とし、エッチングレジスト（図示省略）を銅箔５２上に形成し、図３（ｂ）に示されているように、ケミカルエッチングによって銅回路部５３を形成すると共にビアホール径より小径の小孔５４を開口する。
【００４８】
つぎに、図３（ｂ）に示されているように、ポリイミドフィルム５１の銅回路部５３とは反対側の表面に層間接着用の接着層５５を形成する。さらに、接着層５５の表面にＰＥＴ製のマスキングテープ５６を貼り合わせる。
【００４９】
接着層５５は、ワニスタイプの場合には、ロールコータ、スクリーン印刷機を用いて塗布することにより形成でき、フィルムタイプの場合には、ラミネータを用いて熱圧着することにより形成できる。この例では、接着層５５として熱可塑性を有するポリイミドを用いた。熱可塑性を有するポリイミドとしては、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）かポリエーテルケトン（ＰＥＥＫ）系材料なども使用できる。
【００５０】
回路形成と接着層形成の工程は順番を逆にすることもできる。また、絶縁性基材として液晶ポリマ等の熱可塑性樹脂を用いる場合には、絶縁性基材自体が加熱によって接着性を示すから、接着層５５を省略できる。
【００５１】
つぎに、図３（ｃ）に示されているように、レーザ照射によって、ポリイミドフィルム５１、接着層５５、マスキングテープ５６にビアホール５７を形成する。ビアホール５７と小孔５４とは中心が一致している。
【００５２】
つぎに、マスキングテープ５６の側から印刷法によって導電性ペースト５８をバイアホール５７、小孔５４に充填する。導電性ペースト５８には、Ａｇ／エポキシ樹脂系の穴埋めペーストを使用した。導電性ペースト充填後に、マスキングテープ５６を剥がす。これにより、図３（ｄ）に示されているように、層間接着面側に導電性ペースト５８による突起５８Ａが形成され、タイプＢの多層基板用基材６０が完成する。なお、突起５８Ａは、多層化時に、相手側の銅箔等に押し付けられ、層間接続信頼性を高める。
【００５３】
図４、図５は各々、この発明による多層基板の実施形態として、１枚のタイプＣの多層基板用基材４０と、２枚のタイプＢの多層基板用基材６０の組み合せによる３層構造の多層基板を示している。
【００５４】
図４に示されている多層基板は、タイプＣの多層基板用基材４０を最下層とし、これの上に、２枚のタイプＢの多層基板用基材６０を一括積層したものである。
図５に示されている多層基板は、タイプＣの多層基板用基材４０を中間層とし、これの両側に、各々１枚のタイプＢの多層基板用基材６０を一括積層したものである。
【００５５】
何れの場合も、多層基板用基材４０、６０の一括積層だけで、確実な層間の電気的接続を確保し、導体層の別途貼り合わせ等を必要とせず、最上層と最下層の両面に回路を形成した両面実装が可能な全層ＩＶＨ構造の多層基板が製作される。
【００５６】
つぎに、上述したタイプＣの多層基板用基材４０と組み合わせられて多層基板を構成するタイプＡの多層基板用基材８０の製造手順を、図６（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。
【００５７】
図６（ａ）に示されているように、ポリイミドフィルム７１の片面に銅箔７２を設けられた片面銅張基板（片面銅箔付きポリイミド基材）７０を出発材とし、エッチングレジスト（図示省略）を銅箔７２上に形成し、図６（ｂ）に示されているように、ケミカルエッチングによって銅回路部７３を形成する。
【００５８】
つぎに、図６（ｂ）に示されているように、ポリイミドフィルム７１の銅回路部７３とは反対側の表面に層間接着用の接着層７４を形成する。さらに、接着層７４の表面にＰＥＴ製のマスキングテープ７５を貼り合わせる。
【００５９】
接着層７４も、ワニスタイプの場合には、ロールコータ、スクリーン印刷機を用いて塗布することにより形成でき、フィルムタイプの場合には、ラミネータを用いて熱圧着することにより形成できる。この例では、接着層７４として熱可塑性を有するポリイミドを用いた。熱可塑性を有するポリイミドとしては、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）かポリエーテルケトン（ＰＥＥＫ）系材料なども使用できる。
【００６０】
回路形成と接着層形成の工程は順番を逆にすることもできる。また、絶縁性基材として液晶ポリマ等の熱可塑性樹脂を用いる場合には、絶縁性基材自体が加熱によって接着性を示すから、接着層７４を省略できる。
【００６１】
つぎに、図６（ｃ）に示されているように、レーザ照射によって、銅回路部７３、ポリイミドフィルム７１、接着層７４、マスキングテープ７５にビアホール７６を形成する。本工程はドリルを用いることもできるし銅７３に予めピアホール径に相当する穴をあけておき、それをマスクとしてエッチング法を用いることもできる。
【００６２】
つぎに、銅回路部７３上に、ビアホール径より大径の開口９４を有するメタルマスク９５を載せ、メタルマスク９５上よりスクリーン印刷法によって、導電性ペースト７８を開口９４、バイアホール７６に充填する。導電性ペースト７８には、Ａｇ／エポキシ樹脂系の穴埋めペーストを使用した。
【００６３】
導電性ペースト充填後に、メタルマスク９５を取り外し、マスキングテープ７５を剥がす。これにより、図６（ｄ）に示されているように、銅回路部７４上にフランジ状に拡張された導電性ペースト７８による拡張部７９が形成される。また、層間接着面側に導電性ペースト７８による突起７８Ａが形成され、タイプＡの多層基板用基材８０が完成する。なお、突起７８Ａは、多層化時に、相手側の銅箔等に押し付けられ、層間接続信頼性を高める。
【００６４】
図７、図８は各々、この発明による多層基板の実施形態として、１枚のタイプＣの多層基板用基材４０と、２枚のタイプＡの多層基板用基材８０の組み合せによる３層構造の多層基板を示している。
【００６５】
図７に示されている多層基板は、タイプＣの多層基板用基材４０を最下層とし、これの上に、２枚のタイプＡの多層基板用基材８０を一括積層したものである。
図８に示されている多層基板は、タイプＣの多層基板用基材４０を中間層とし、これの両側に、各々１枚のタイプＡの多層基板用基材８０を一括積層したものである。
【００６６】
何れの場合も、多層基板用基材４０、８０の一括積層だけで、確実な層間の電気的接続を確保し、導体層の別途貼り合わせ等を必要とせず、最上層と最下層の両面に回路を形成した両面実装が可能な全層ＩＶＨ構造の多層基板が製作される。
【００６７】
【発明の効果】
以上の説明から理解される如く、この発明による多層基板、多層基板用基材およびその製造方法によれば、インナビアの導電性ペーストと導体回路との導通抵抗、導通信頼性の問題を生じることがなく、確実な層間の電気的接続を得ることができ、導体層の別途貼り合わせ等を必要とせず、一括積層の利点を損ねることなく、両面実装が可能な全層ＩＶＨ構造の多層基板を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一つの実施形態に係わる多層基板用基材を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）はこの発明の一つの実施形態に係わる多層基板用基材の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は多層基板用基材の製造手順を示す工程図である。
【図４】この発明による多層基板の一つの実施形態を示す断面図である。
【図５】この発明による多層基板の他の実施形態を示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は多層基板用基材の製造手順を示す工程図である。
【図７】この発明による多層基板の他の実施形態を示す断面図である。
【図８】この発明による多層基板の他の実施形態を示す断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｈ）は従来の多層基板の製造工程を示す工程図である。
【図１０】（ａ）〜（ｆ）、（ａ’）〜（ｄ’）は従来の他の多層基板の製造工程を示す工程図である。
【図１１】（ａ）〜（ｆ）は従来の他の多層基板の製造工程を示す工程図である。
【符号の説明】
１０  多層基板用基材
１１  絶縁樹脂層
１２、１３  配線パターン部
１４  ビアホール
１５  小孔
１６  導電性ペースト
１７  拡張部
２０  両面銅張基板
２１  ポリイミドフィルム
２２、２３  銅箔
２４  銅回路部
２５  孔
２６  銅回路部
２７  小孔
２８  孔
２９  ビアホール
３０  導電性ペースト
３１  拡張部
４０  多層基板用基材
５０  片面銅張基板
６０  多層基板用基材
７０  片面銅張基板
８０  多層基板用基材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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