(57)【要約】【課題】大型化した場合においても、十分な光電変換効率を得ることができる光電変換素子を提供すること。【解決手段】光電変換素子は、基板上に設けられた第１の電極（面電極）と、第１の電極と対向して設けられた第２の電極（対向電極）と、第１の電極と第２の電極との間に位置する緻密質層と、緻密質層と接触する多孔質層と、多孔質層と接触する色素層と、多孔質層と第２の電極との間に位置し、色素層と接触する正孔輸送層とを有し、第１の電極の構成材料より電気抵抗の小さい材料で構成された集電体７を、第１の電極に接触するよう設け、第１の電極全体の導電性を向上するよう構成されている。集電体７は、互いに幅の異なる３種類の線状体（第１の線状体７ａ、第２の線状体７ｂおよび第３の線状体７ｃ）で構成され、これらが互いに接続されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた面電極と、
該面電極と対向して設けられた対向電極と、
前記面電極と前記対向電極との間に位置し、少なくとも一部が多孔質な電子輸送層と、
該電子輸送層と接触する色素層と、
前記電子輸送層と前記対向電極との間に位置し、前記色素層と接触する正孔輸送層とを有し、
前記面電極の構成材料より電気抵抗の小さい材料で構成された集電体を、前記面電極に接触するよう設け、前記面電極全体の導電性を向上するよう構成した光電変換素子であって、
前記集電体は、第１の線状体と、該第１の線状体から分枝または交叉するよう前記第１の線状体に接続され、前記第１の線状体より幅の狭い第２の線状体とを備えることを特徴とする光電変換素子。
【請求項２】
前記第２の線状体は、異なる前記第１の線状体同士を接続する請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項３】
前記第１の線状体の幅（平均）をＡ［ｍｍ］とし、前記第２の線状体の幅（平均）をＢ［ｍｍ］としたとき、Ａ／Ｂが１〜１００である請求項１または２に記載の光電変換素子。
【請求項４】
前記集電体は、前記第２の線状体から分枝または交叉するよう前記第２の線状体に接続され、前記第２の線状体より幅の狭い第３の線状体を備える請求項１ないし３のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項５】
前記第３の線状体は、前記第１の線状体と前記第２の線状体とを、または、異なる前記第２の線状体同士を接続する請求項４に記載の光電変換素子。
【請求項６】
前記第２の線状体の幅（平均）をＢ［ｍｍ］とし、前記第３の線状体の幅（平均）をＣ［ｍｍ］としたとき、Ｂ／Ｃが１〜１００である請求項４または５に記載の光電変換素子。
【請求項７】
少なくとも前記第１の線状体は、格子状に配設されている請求項１ないし６のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項８】
少なくとも前記第１の線状体は、ハニカム状に配設されている請求項１ないし６のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項９】
前記集電体は、その少なくとも一部が前記面電極に埋入するよう設けられている請求項１ないし８のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項１０】
前記集電体は、その少なくとも一部が前記基板に埋入するよう設けられている請求項１ないし９のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項１１】
前記基板は、主として樹脂材料で構成され、
前記集電体は、該集電体が形成された前記基板に対して熱プレス処理を施すことにより、その少なくとも一部を前記基板に埋入するよう設けられたものである請求項１０に記載の光電変換素子。
【請求項１２】
前記集電体の少なくとも一部が埋入するよう設けられた前記基板は、主として熱硬化性樹脂の前駆体で構成されたシート材上に、前記集電体を形成した後、該集電体が形成された前記シート材に対して熱プレス処理を施すことにより得られたものである請求項１０に記載の光電変換素子。
【請求項１３】
前記集電体は、その平均高さが０．２ｍｍ以下である請求項１ないし１２のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項１４】
前記面電極に垂直な方向から見たとき、前記面電極全体の面積に対する前記集電体が占める面積の比率は、０．０１〜３０％である請求項１ないし１３のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項１５】
前記集電体で囲まれる領域の最小単位は、それぞれ、ほぼ同一の面積である請求項１ないし１４のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項１６】
前記集電体で囲まれる領域の最小単位は、それぞれ、ほぼ同一の形状である請求項１ないし１５のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項１７】
前記集電体は、インクジェット法を用いて形成されたものである請求項１ないし１６のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項１８】
前記基板は、主として樹脂材料で構成された可撓性基板である請求項１ないし１７のいずれかに記載の光電変換素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光電変換素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、安価な材料を用いて、大掛かりな設備を必要とせずに低コストで製造することができる太陽電池（光電変換素子）として、湿式または乾式の色素増感型太陽電池が提案されている。
これらの色素増感型太陽電池は、透明電極と対向電極との間に、色素を担持させた半導体を有する構成とされ、受光により色素で発生した電子と正孔とが、それぞれ透明電極と対向電極とに引き分けられ、これらの間に電位差が生じる。
【０００３】
ところが、通常、透明電極は、電気抵抗が比較的高い透明導電性酸化物で構成されるため、色素増感型太陽電池を大型化した場合、透明電極の面積の増大（大面積化）に伴って電気抵抗が増大し、その結果、光電変換効率が低下するという問題がある。
かかる問題を解決すべく、透明電極の構成材料より電気抵抗の小さい材料で構成された集電体を透明電極に接触するよう設置し、透明電極全体の導電性を向上させた色素増感型太陽電池が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特許文献１に記載の色素増感型太陽電池では、大型化に伴う光電変換効率の低下を抑制することができるものの、更なる光電変換効率の低下を抑制し得る構成のものの開発が要望されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−３１４１０８号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、大型化した場合においても、十分な光電変換効率を得ることができる光電変換素子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の光電変換素子は、基板上に設けられた面電極と、
該面電極と対向して設けられた対向電極と、
前記面電極と前記対向電極との間に位置し、少なくとも一部が多孔質な電子輸送層と、
該電子輸送層と接触する色素層と、
前記電子輸送層と前記対向電極との間に位置し、前記色素層と接触する正孔輸送層とを有し、
前記面電極の構成材料より電気抵抗の小さい材料で構成された集電体を、前記面電極に接触するよう設け、前記面電極全体の導電性を向上するよう構成した光電変換素子であって、
前記集電体は、第１の線状体と、該第１の線状体から分枝または交叉するよう前記第１の線状体に接続され、前記第１の線状体より幅の狭い第２の線状体とを備えることを特徴とする。
これにより、大型化した場合においても、十分な光電変換効率を得ることができる。
【０００７】
本発明の光電変換素子では、前記第２の線状体は、異なる前記第１の線状体同士を接続することが好ましい。
これにより、集電体の一部が断線したような場合でも、断線していない他の経路を経由して、電子を外部回路へ取り出すことができる。
【０００８】
本発明の光電変換素子では、前記第１の線状体の幅（平均）をＡ［ｍｍ］とし、前記第２の線状体の幅（平均）をＢ［ｍｍ］としたとき、Ａ／Ｂが１〜１００であることが好ましい。
これにより、集電体は、面電極の各部から、より効率よく電子を取り出すことができる。
【０００９】
本発明の光電変換素子では、前記集電体は、前記第２の線状体から分枝または交叉するよう前記第２の線状体に接続され、前記第２の線状体より幅の狭い第３の線状体を備えることが好ましい。
これにより、集電体は、面電極の広い部分から効率よく、電子を取り出すことができる。
【００１０】
本発明の光電変換素子では、前記第３の線状体は、前記第１の線状体と前記第２の線状体とを、または、異なる前記第２の線状体同士を接続することが好ましい。
これにより、集電体の一部が断線したような場合でも、断線していない他の経路を経由して、電子を外部回路へ取り出すことができる。
【００１１】
本発明の光電変換素子では、前記第２の線状体の幅（平均）をＢ［ｍｍ］とし、前記第３の線状体の幅（平均）をＣ［ｍｍ］としたとき、Ｂ／Ｃが１〜１００であることが好ましい。
これにより、集電体は、面電極の各部から、より効率よく電子を取り出すことができる。
【００１２】
本発明の光電変換素子では、少なくとも前記第１の線状体は、格子状に配設されていることが好ましい。
これにより、集電体は、面電極から均一に電子を取り出すことができる。
【００１３】
本発明の光電変換素子では、少なくとも前記第１の線状体は、ハニカム状に配設されていることが好ましい。
これにより、基板として可撓性基板を用いる場合には、集電体を基板の補強材として機能させることができる。
【００１４】
本発明の光電変換素子では、前記集電体は、その少なくとも一部が前記面電極に埋入するよう設けられていることが好ましい。
これにより、集電体７、面電極から、より効率よく電子を取り出すことができる。
【００１５】
本発明の光電変換素子では、前記集電体は、その少なくとも一部が前記基板に埋入するよう設けられていることが好ましい。
これにより、基板の上面に生じる凹凸を減少させることができるため、集電体と面電極との接続不良をより確実に防止することができる。
【００１６】
本発明の光電変換素子では、前記基板は、主として樹脂材料で構成され、
前記集電体は、該集電体が形成された前記基板に対して熱プレス処理を施すことにより、その少なくとも一部を前記基板に埋入するよう設けられたものであることが好ましい。
これにより、基板に集電体を比較的容易に埋設することができる。
【００１７】
本発明の光電変換素子では、前記集電体の少なくとも一部が埋入するよう設けられた前記基板は、主として熱硬化性樹脂の前駆体で構成されたシート材上に、前記集電体を形成した後、該集電体が形成された前記シート材に対して熱プレス処理を施すことにより得られたものであることが好ましい。
これにより、基板に集電体を比較的容易に埋設することができるとともに、基板および集電体の表面形状をより平滑にすることができるという効果が得られる。
【００１８】
本発明の光電変換素子では、前記集電体は、その平均高さが０．２ｍｍ以下であることが好ましい。
これにより、光電変換素子の更なる薄型化を図ることができる。
【００１９】
本発明の光電変換素子では、前記面電極に垂直な方向から見たとき、前記面電極全体の面積に対する前記集電体が占める面積の比率は、０．０１〜３０％であることが好ましい。
これにより、面電極全体の導電性をより向上することができるとともに、色素層への光の到達率が低下するのを好適に防止することができる。
【００２０】
本発明の光電変換素子では、前記集電体で囲まれる領域の最小単位は、それぞれ、ほぼ同一の面積であることが好ましい。
これにより、集電体は、面電極からより均一に電子を取り出すことができる。
【００２１】
本発明の光電変換素子では、前記集電体で囲まれる領域の最小単位は、それぞれ、ほぼ同一の形状であることが好ましい。
これにより、集電体は、面電極からより均一に電子を取り出すことができる。
【００２２】
本発明の光電変換素子では、前記集電体は、インクジェット法を用いて形成されたものであることが好ましい。
これにより、大掛かりな設備を必要とせず、集電体を容易かつ高精度で形成することができる。
【００２３】
本発明の光電変換素子では、前記基板は、主として樹脂材料で構成された可撓性基板であることが好ましい。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の光電変換素子について添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の光電変換素子の第１実施形態について説明する。
【００２５】
図１は、本発明の光電変換素子の第１実施形態を示す斜視図、図２は、図１中のＡ−Ａ線断面図、図３は、図１に示す光電変換素子が備える集電体７の構成を示す平面図である。なお、以下の説明では、図１および図２中の紙面上、上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言い、各層（各部材）の上側の面を「上面」、下側の面を「下面」と言う。
【００２６】
図１に示す光電変換素子１は、電解質溶液を必要としない、いわゆる乾式光電変換素子と呼ばれるものである。この光電変換素子１は、基板２と、集電体７と、第１の電極（面電極）３と、緻密質層（緻密質な電子輸送層）４１と、多孔質層（多孔質な電子輸送層）４２と、色素層Ｄと、正孔輸送層５と、第２の電極（対向電極）６とを有している。以下、各層（各部）の構成について説明する。
基板２は、第１の電極３、集電体７、緻密質層４１、多孔質層４２、色素層Ｄ、正孔輸送層５および第２の電極６の各層を支持するものである。この基板２は、平板状（または層状）の部材で構成されている。
【００２７】
本実施形態の光電変換素子１では、図１および図２に示すように、基板２および後述する第１の電極３側から、例えば、太陽光等の光（以下、単に「光」と言う。）を入射させて（照射して）使用するものである。このため、基板２および第１の電極３は、それぞれ、好ましくは実質的に透明（無色透明、着色透明または半透明）とされる。これにより、光を、後述する色素層Ｄに効率よく到達させることができる。
【００２８】
この基板２の構成材料としては、例えば、各種ガラス材料、各種セラミックス材料、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）のような各種樹脂材料等が挙げられる。また、基板２は、単層または複数層の積層体で構成されていてもよい。
【００２９】
基板２の平均厚さは、材料、用途等により適宜設定され、特に限定されないが、例えば、次のようにすることができる。
基板２が硬質なものである場合、その平均厚さは、０．１〜１．５ｍｍ程度であるのが好ましく、０．８〜１．２ｍｍ程度であるのがより好ましい。また、基板２が可撓性（フレキシブル性）を有するもの（主として樹脂材料で構成された可撓性基板）である場合、その平均厚さは、０．５〜１５０μｍ程度であるのが好ましく、１０〜７５μｍ程度であるのがより好ましい。
なお、光電変換素子１を各種の電子機器に搭載する場合、電子機器の構成部材を光電変換素子１の基板２として利用することができる。
【００３０】
基板２の上面には、層状の第１の電極（面電極）３が設けられている。
第１の電極３の構成材料には、例えば、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素ドープした酸化錫（ＦＴＯ）、酸化インジウム（ＩＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）のような各種金属酸化物（透明導電性酸化物）が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
第１の電極３の平均厚さは、０．０５〜５μｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１．５μｍ程度であるのがより好ましい。
【００３１】
また、基板２の上面には、図３に示すように、第１の電極３に接触するように集電体７が設けられている。この集電体７は、複数種（本実施形態では、３種）の幅の線状体（金属細線）７ａ〜７ｃで構成され、その一部に電気接続部７１が接続されている。そして、本実施形態では、集電体７が第１の電極３に埋入するようにして設けられている。また、電気接続部７１は、光電変換素子１の外部に露出しており、この電気接続部７１には、外部回路８が接続される。
【００３２】
集電体７は、第１の電極３の構成材料より電気抵抗の小さい材料で構成されている。色素層Ｄで発生し、電子輸送層４を輸送された電子は、第１の電極３で捕捉され、第１の電極３の内部を通過して外部回路８へ伝達され得るが、集電体７を設けることにより、より電気抵抗の小さい集電体７（各線状体７ａ〜７ｃ）に受け渡され、外部回路８へ伝達される。すなわち、集電体７は、第１の電極３で捕捉された電子のバイパスラインとして機能し、これにより、第１の電極３全体の導電性を向上させることができる。
【００３３】
ここで、仮に、光電変換素子に集電体７を設けない場合、光電変換素子の大型化に伴い、光電変換素子の各層を大面積化すると、前述のような透明導電性酸化物（このものは、比較的電気抵抗が大きい）で構成される第１の電極３は、特に、電気抵抗が増大し、その結果、光電変換素子の発電効率（光電変換効率）が低下する。
【００３４】
これに対し、本発明では、集電体７を第１の電極３と接触するよう設けることにより、光電変換素子１を大型化した場合でも、第１の電極３から集電体７を介して電子を効率よく外部回路８へ取り出すことができ、その結果、光電変換素子１の光電変換効率の低下を好適に防止することができる。
特に、集電体７を第１の電極３に埋入するようにして設ける（埋設する）ことにより、第１の電極３と集電体７との接触面積を増大させることができるので、集電体７は、第１の電極３から、より効率よく電子を取り出すことができる。
【００３５】
このような集電体７の構成材料としては、例えば、アルミニウム、ニッケル、コバルト、白金、パラジウム、銀、金、銅、モリブデン、チタン、タンタルまたはこれらを含む合金等の各種金属材料、カーボン、カーボンナノチューブ、フラーレン等の各種炭素材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
特に、本発明では、この集電体７の構成に特徴を有している。なお、この点（特徴）については、後に詳述する。
【００３６】
第１の電極３の上面には、電子輸送層４が設けられている。すなわち、電子輸送層４は、第１の電極３と後述する第２の電極６との間に位置している。本実施形態では、この電子輸送層４は、第１の電極３側に設けられた緻密質層４１と、この緻密質層４１と接触するようにして、緻密質層４１の上面に設けられた多孔質層４２とで構成されている。この電子輸送層４は、後述する色素層Ｄで発生した電子を捕捉し、輸送する機能を有する。
【００３７】
電子輸送層４の構成材料としては、例えば、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、一酸化チタン（ＴｉＯ）、三酸化二チタン（Ｔｉ２Ｏ３）等の酸化チタン、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、ＳｒＴｉＯ３、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２のような酸化物、ＴｉＣ、ＳｉＣのような炭化物、Ｓｉ３Ｎ４、Ｂ４Ｎ、ＢＮのような窒化物、ＣｄＳのような硫化物、ＣｄＳｅのようなセレン化物のような各種ｎ型半導体材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、電子輸送層４の構成材料としては、酸化チタン（特に、二酸化チタン）を用いるのが好ましい。すなわち、電子輸送層４は、二酸化チタンを主材料とするものが好適である。
【００３８】
二酸化チタンは、特に、電子の輸送能力に優れる。また、二酸化チタンは、光に対する感受性が高く、二酸化チタンを主材料として電子輸送層４を構成することにより、電子輸送層４自体でも、電子を発生させることができる。これにより、光電変換素子１の光電変換効率（発電効率）をより向上させることができる。
また、二酸化チタンは、その結晶構造が安定しているので、二酸化チタンを主材料とする電子輸送層４は、過酷な環境下に曝された場合でも、経年変化（劣化）が少なく、安定した性能が長期間継続して得られるという利点を有する。
【００３９】
さらに、二酸化チタンとしては、アナターゼ型の二酸化チタン、ルチル型の二酸化チタン、または、これらの混合物を用いることができる。なお、二酸化チタンとして、アナターゼ型の二酸化チタンとルチル型の二酸化チタンとの混合物を用いる場合、これらの混合比は、特に限定されないが、重量比で９５：５〜５：９５程度とするのが好ましく、８０：２０〜２０：８０程度とするのがより好ましい。
【００４０】
緻密質層４１は、その空孔率が多孔質層４２の空孔率より小さく設定されている。この緻密質層４１は、後述する正孔輸送層５と第１の電極３とが接触するのを防止または抑制する機能を有する。この緻密質層４１を設けることにより、光電変換素子１の光電変換効率（エネルギー変換効率）が低下するのを防止することができる。
【００４１】
一方、多孔質層４２は、その空孔率が比較的大きく設定されており、図２に示すように、複数の空孔４２１を有している。この多孔質層４２には、後述するように、色素層Ｄが接触するように設けられるが、多孔質層４２を複数の空孔４２１を有する形状とすることにより、色素層Ｄを多孔質層４２の外面および空孔４２１の内面に沿って形成することができる。
【００４２】
このため、色素層Ｄと多孔質層４２との接触面積を十分に確保することができる。これにより、色素層Ｄで発生した電子を電子輸送層４へより効率よく伝達させることができる。また、多孔質層４２に入射した光は、多孔質層４２の内部まで侵入し、多孔質層４２を透過、または、空孔４２１内で任意の方向に反射（乱反射、拡散等）して、より高い確率で色素層Ｄ中の色素に吸収されることになり、色素層Ｄでは、より効率よく電子および正孔が発生することになる。このようなことから、光電変換素子１の光電変換効率（エネルギー変換効率）をより向上させることができる。
【００４３】
緻密質層４１および多孔質層４２に、それぞれ、それらの機能を如何なく発揮させる観点からは、緻密質層４１および多孔質層４２の条件を、次のように設定するのが好ましい。
緻密質層４１の空孔率をＡ［％］とし、多孔質層４２の空孔率をＢ［％］としたとき、Ｂ／Ａは、１．１以上であるのが好ましく、５以上であるのがより好ましく、１０以上であるのがさらに好ましい。
具体的には、緻密質層４１の空孔率Ａは、２０％未満であるのが好ましく、５％未満であるのがより好ましく、２％未満であるのがさらに好ましい。一方、多孔質層４２は、２０％以上であるのが好ましく、２０〜５０％程度であるのがより好ましく、２０〜４０％程度であるのがさらに好ましい。
【００４４】
また、緻密質層４１と多孔質層４２との厚さの比率は、特に限定されないが、１：９９〜６０：４０程度であるのが好ましく、１０：９０〜４０：６０程度であるのがより好ましい。
具体的には、緻密質層４１の平均厚さは、０．０１〜１０μｍ程度であるのが好ましく、０．１〜５μｍ程度であるのがより好ましい。一方、多孔質層４２の平均厚さは、０．１〜３００μｍ程度であるのが好ましく、０．５〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１〜２５μｍ程度であるのがさらに好ましい。
【００４５】
また、緻密質層４１と多孔質層４２との界面は、不明確であること、すなわち、緻密質層４１と多孔質層４２とは、互いに部分的に重なりあった状態であることが好ましい。これにより、多孔質層４２から緻密質層４１へ電子をより確実に伝達させることができる。
なお、例えば、後述する正孔輸送層５の構成材料の種類等によっては、緻密質層４１は、省略することもできる。すなわち、電子輸送層４は、その一部が多孔質なものである図示の構成と異なり、その全体が多孔質なものであってもよい。また、例えば、電子輸送層４は、その厚さ方向の途中に緻密質層４１を有する構成であってもよい。
【００４６】
色素層Ｄは、多孔質層４２に接触するように設けられている。この色素層Ｄは、主として色素で構成され、多孔質層４２の外面および空孔４２１の内面に沿って形成されている。
この色素層Ｄ（色素）は、受光により電子と正孔とを発生する。このうち、電子は、前記の電子輸送層４へ、また、正孔は、後述する正孔輸送層５へ、それぞれ伝達される。
この色素には、例えば、各種顔料や各種染料を単独または混合して使用することができるが、経時的変質（劣化）が少ないという点で顔料を、電子輸送層４（多孔質層４２）への吸着性に優れるという点で染料を用いるのが好ましい。
【００４７】
顔料としては、例えば、フタロシアニン系顔料、アゾ系顔料、アントラキノン系顔料、アゾメチン系顔料、キノフタロン系顔料、イソインドリン系顔料、ニトロソ系顔料、ペリノン系顔料、キナクリドン系顔料、ペリレン系顔料、ピロロピロール系顔料、ジオキサジン系顔料のような各種有機顔料、炭素系顔料、クロム酸塩系顔料、硫化物系顔料、酸化物系顔料、水酸化物系顔料、フェロシアン化物系顔料、ケイ酸塩系顔料、リン酸塩系顔料、その他（例えば硫化カドミウム、セレン化カドミウム等）のような各種無機顔料等が挙げられる。
【００４８】
また、染料としては、例えば、ＲｕＬ２（ＳＣＮ）２、ＲｕＬ２Ｃｌ２、ＲｕＬ２（ＣＮ）２、Ｒｕｔｅｎｉｕｍ５３５−ｂｉｓＴＢＡ（Ｓｏｌａｒｏｎｉｃｓ社製）、［ＲｕＬ２（ＮＣＳ）２］２Ｈ２Ｏのような金属錯体色素、シアン系色素、キサンテン系色素、アゾ系色素、ハイビスカス色素、ブラックベリー色素、ラズベリー色素、ザクロ果汁色素、クロロフィル色素等が挙げられる。なお、前記組成式中のＬは、２，２’ーｂｉｐｙｒｉｄｉｎｅ、または、その誘導体を示す。
【００４９】
色素層Ｄが形成された電子輸送層４の上面には、色素層Ｄに接触するように層状の正孔輸送層５が設けられている。すなわち、正孔輸送層５は、電子輸送層４（多孔質層４２）と後述する第２の電極６との間に位置している。この正孔輸送層５は、色素層Ｄで発生した正孔を捕捉し、輸送する機能を有する。
正孔輸送層５の構成材料としては、例えば、ＣｕＩ、ＡｇＩのようなヨウ化物、ＡｇＢｒのような臭化物等のハロゲン化物、ＣｕＳＣＮのようなチオシアン酸塩（ロダン化物）等の各種無機ｐ型半導体材料、トリフェニルジアミン（モノマー、ポリマー等）、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、フタロシアニン化合物（例えば、銅フタロシアニン）またはこれらの誘導体のような各種有機ｐ型半導体材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、正孔輸送層５の構成材料としては、特に、無機ｐ型半導体材料が好ましい。すなわち、正孔輸送層５は、無機ｐ型半導体材料を主材料とするものが好適である。無機ｐ型半導体材料を有する物質を主材料として正孔輸送層５を構成することにより、正孔輸送層５は、色素層Ｄで発生した正孔（ホール）をより効率よく捕捉し、輸送することができるようになる。これにより、光電変換素子１の光電変換効率（発電効率）をより向上させることができる。
【００５０】
また、無機ｐ型半導体材料は、前記化合物のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、無機ｐ型半導体材料としては、ハロゲン化物が好ましく、ヨウ化物がより好ましい。ハロゲン化物（特に、ヨウ化物）は、特に正孔の輸送能力に優れている。このため、ヨウ化物を主材料として正孔輸送層５を構成することにより、光電変換素子１の光電変換効率をより向上させることができる。
また、正孔輸送層５は、図２に示すように、色素層Ｄが形成された多孔質層４２の空孔４２１内に入り込んで形成され、色素層Ｄと正孔輸送層５との接触面積が十分に確保されている。このため、色素層Ｄで発生した正孔（ホール）を正孔輸送層５へより効率よく伝達させることができる。
【００５１】
正孔輸送層５の平均厚さは、特に限定されないが、１〜５００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜３００μｍ程度であるのがより好ましく、１０〜３０μｍ程度であるのがさらに好ましい。
正孔輸送層５の上面には、層状の第２の電極６が設けられている。すなわち、第２の電極（対向電極）６は、第１の電極（面電極）３と対向して設けられている。
【００５２】
この第２の電極６の構成材料としては、例えば、アルミニウム、ニッケル、コバルト、白金、銀、金、銅、モリブデン、チタン、タンタルまたはこれらを含む合金のような各種金属材料、あるいは、黒鉛のような各種炭素材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。その他、第２の電極６の構成材料には、各種透明導電性酸化物を用いることもできる。
第２の電極６の平均厚さは、材料、用途等により適宜設定され、特に限定されないが、０．０１〜５μｍ程度であるのが好ましく、０．０３〜１．５μｍ程度であるのがより好ましい。
【００５３】
以上のような構成の光電変換素子１に、基板２側から光が入射すると、主に色素層Ｄ（色素）において電子が励起され、電子（ｅ−）と正孔（ｈ＋）とが発生する。このうち、電子は、電子輸送層４へ、正孔は、正孔輸送層５へ伝達され、各層中を輸送される。これにより、第１の電極３（電気接続部７１）と第２の電極６との間に電位差（光起電力）が生じる。そして、光電変換素子１の第１の電極３と第２の電極６とを外部回路８により接続すると、外部回路８に電流（光励起電流）が流れる。
【００５４】
さて、次に、集電体７の構成について、詳細に説明する。
図２および図３に示すように、集電体７は、横断面形状がほぼ半円形（または半楕円形）をなし、互いに幅の異なる３種類の線状体（第１の線状体７ａ、第２の線状体７ｂおよび第３の線状体７ｃ）で構成されている。本実施形態では、第１の線状体７ａの幅（平均）をＡ［ｍｍ］、第２の線状体７ｂの幅（平均）をＢ［ｍｍ］、第３の線状体７ｃの幅（平均）をＣ［ｍｍ］としたとき、これらは、Ａ＞Ｂ＞Ｃに設定されている。
【００５５】
また、図３に示すように、第２の線状体７ｂは、第１の線状体７ａから分枝または交叉するように、その一端が第１の線状体７ａに接続され、その他端は、異なる第１の線状体７ａに接続されている。また、第３の線状体７ｃは、第２の線状体７ｂから分枝または交叉するように、その一端が第２の線状体７ｂに接続され、その他端は、第１の線状体７ａに接続されている。これにより、集電体７は、全体として網状をなしている。
このような構成により、集電体７は、第１の電極３の広い部分から効率よく、電子を取り出すことができる。また、線状体７ａ〜７ｃのうちの一部が断線したような場合でも、断線していない他の経路を経由して、電子を外部回路８へ取り出すことができるという利点がある。
【００５６】
また、本実施形態では、第１の線状体７ａ、第２の線状体７ｂおよび第３の線状体７ｃのいずれもが格子状に配設されている。これにより、集電体７は、第１の電極３から均一に（ムラなく）電子を取り出すことができる。
特に、本実施形態では、集電体７は、集電体７で囲まれる領域の最小単位（図３中、各四角形の領域）が、それぞれ、ほぼ同一の面積、かつ、ほぼ同一の形状となるように形成されている。これにより、集電体７は、第１の電極３からより均一に（ムラなく）電子を取り出すことができる。
なお、集電体７は、集電体７で囲まれる領域の最小単位が、それぞれ、ほぼ同一の面積、かつ、ほぼ同一の形状となるように形成されているのが好ましいが、いずれか一方のみの条件を満足するように形成されたものであってもよい。
【００５７】
また、第１の線状体７ａの幅（平均）Ａ［ｍｍ］と、第２の線状体７ｂの幅（平均）Ｂ［ｍｍ］との関係は、Ａ／Ｂが１〜１００程度（特に、２〜１０程度）であるのが好ましく、第２の線状体７ｂの幅（平均）Ｂ［ｍｍ］と、第３の線状体７ｃの幅（平均）Ｃ［ｍｍ］との関係は、Ｂ／Ｃが１〜１００程度（特に、２〜１０程度）であるのが好ましい。これにより、集電体７は、第１の電極３の各部から、より効率よく電子を取り出すことができる。
なお、第１の線状体７ａの幅（平均）Ａ、第２の線状体７ｂの幅（平均）Ｂ、および第３の線状体７ｃの幅（平均）Ｃは、例えば、集電体７の抵抗率、各線状体の配設密度（配線ピッチ、配設形状）等により適宜設定される。
【００５８】
その一例としては、集電体７のシート抵抗が０．１Ω／□で、かつ、各線状体を格子状とし、第１の線状体７ａを約１０ｃｍ間隔、第２の線状体７ｂを約２ｃｍ間隔、第３の線状体を約５ｍｍ間隔で配設する場合、
図３中Ｗａで示される第１の線状体７ａの幅（平均）Ａは、２〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、５〜１５ｍｍ程度であるのがより好ましい。
図３中Ｗｂで示される第２の線状体７ｂの幅（平均）Ｂは、０．４〜６ｍｍ程度であるのが好ましく、１〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。
図３中Ｗｃで示される第３の線状体７ｃの幅（平均）Ｃは、０．１〜１．５ｍｍ程度であるのが好ましく、０．２〜０．６ｍｍ程度であるのがより好ましい。
なお、各線状体の配置を前記と同様とし、集電体７のシート抵抗を１／１０とした場合には、各線状体の幅を前記の１／１０程度とすることができる。
【００５９】
集電体７は、第１の電極３全体の導電性を向上させる観点からは、その第１の電極３に対する占有面積（形成面積）をできる限り大きく形成するのが好ましいが、一方、その第１の電極３に対する占有面積を大きく形成し過ぎると、集電体７の構成材料や厚さ等によっては、色素層Ｄへの光の到達率が低下してしまう。このため、集電体７の第１の電極３に対する占有面積には、好適な範囲が存在する。
【００６０】
具体的には、第１の電極３に垂直な方向から見たとき、第１の電極３全体の面積に対する集電体７が占める面積の比率（集電体７の配設密度）は、集電体７の抵抗率によっても異なり、特に限定されないが、０．０１〜３０％程度であるのが好ましく、１〜１５％程度であるのがより好ましい。これにより、第１の電極３全体の導電性をより向上することができるとともに、色素層Ｄへの光の到達率が低下するのを好適に防止することができる。その結果、光電変換素子１の発電効率（光電変換効率）を格段に優れたものとすることができる。
また、集電体７（各線状体７ａ〜７ｃ）は、その平均高さ（図３中Ｈ）が０．２ｍｍ以下であるのが好ましく、０．１ｍｍ以下であるのがより好ましく、１〜５０μｍ程度であるのがさらに好ましい。これにより、光電変換素子１の更なる薄型化を図ることができる。
【００６１】
このような集電体７は、その導電率が、例えば、１×１０３Ｓ／ｍ以上程度であるのが好ましく、１×１０５Ｓ／ｍ以上程度であるのがより好ましい。これにより、第１の電極３全体の導電性をより向上させることができる。
なお、各線状体７ａ〜７ｃの横断面形状は、図示のものに限定されず、例えば、円形、あるいは、三角形、四角形（正方形、長方形、菱形）のような多角形であってもよい。
また、第３の線状体７ｃは、第１の線状体７ａと第２の線状体７ｂとを接続するものに限られず、例えば、異なる第２の線状体７ｂ同士を接続するものも含んでいてもよいし、全てが異なる第２の線状体７ｂ同士を接続するものであってもよい。
【００６２】
このような光電変換素子１の各層（集電体７、電気接続部７１、第１の電極３、緻密質層４１、多孔質層４２、色素層Ｄ、正孔輸送層５および第２の電極６）は、それぞれ、例えば、インクジェット法、印刷法、真空蒸着法、スパッタリング法（特に、低温スパッタリング法）、スプレー熱分解法、ジェットモールド（プラズマ溶射）法、ＣＶＤ法、電解メッキ法、無電解メッキ法等のうちから適宜選択して形成するようにすればよいが、これらの各層は、いずれも、インクジェット法を用いて形成するのが好ましい。インクジェット法によれば、大掛かりな設備を必要とせず、各層を容易かつ高精度で形成することができる。
【００６３】
以下では、前記の各層（各部）を、それぞれ、インクジェット法を用いて形成する場合を一例として説明する。この場合、例えば、図４に示すような液滴吐出装置（インクジェット装置）が用いられる。
図４に示す液滴吐出装置１０は、基板２を載置する載置テーブル２０と、載置テーブル２０をｘ軸方向に移動（主走査）するｘ軸駆動ローラ３０と、ノズル４０を有する液滴吐出ヘッド５０と、液滴吐出ヘッド５０をｙ軸方向に移動（副走査）するｙ軸駆動機構６０とを有している。
【００６４】
液滴吐出ヘッド５０内には、前記の各層の構成材料またはその前駆体を含む液体が収納され、ノズル４０の先端に形成された小孔から液滴７０として吐出される。
載置テーブル２０をｘ軸方向へ移動させるとともに、液滴吐出ヘッド５０をｙ軸方向において往復動させつつ、液滴７０をノズル４０の小孔から吐出させることにより、前記の各層を形成する。
【００６５】
用いる液体の粘度（常温）は、特に限定されないが、通常、３〜１０ｃｐｓ程度であるのが好ましく、４〜８ｃｐｓ程度であるのがより好ましい。用いる液体の粘度をかかる範囲とすることにより、ノズル４０の小孔からの液滴７０の吐出をより安定的に行うことができる。
液滴７０の１滴の量（平均）も、特に限定されないが、通常、５〜４０ｐＬ程度であるのが好ましく、１０〜３０ｐＬ程度であるのがより好ましい。液滴７０の１滴の量（平均）をかかる範囲とすることにより、より精密な形状を形成することができる。
【００６６】
次に、光電変換素子１の製造方法の各工程について、順次説明する。
［１］  集電体７および電気接続部７１の形成
まず、基板２を用意する。この基板２には、厚さが均一で、たわみのないものが好適に用いられる。
この基板２の上面に、インクジェット法を用いて、集電体７および電気接続部７１形成用の液体を供給して、集電体７および電気接続部７１を形成する。
集電体７および電気接続部７１形成用の液体としては、例えば、▲１▼：各種金属材料や各種炭素材料で構成された粒子を含む分散液（懸濁液）、▲２▼：各種金属材料の前駆体である金属酸化物で構成された粒子と、還元剤とを含む分散液（懸濁液）等を用いることができる。
【００６７】
▲１▼の場合、集電体７および電気接続部７１形成用の液体中の粒子の含有量は、分散媒の種類や組成等によっても異なり、特に限定されないが、０．１〜４０ｗｔ％程度であるのが好ましく、２〜２０ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
用いる粒子の平均粒径は、特に限定されないが、１〜３０ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜１０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００６８】
また、粒子には、常温での凝集を阻止するための凝集阻止剤（分散剤）で被覆したものを用いるのが好ましい。この凝集阻止剤としては、例えば、アルキルアミンのような窒素原子を含む基を有する化合物、アルカンジオールのような酸素原子を含む基を有する化合物、アルキルチオール、アルカンジチオールのような硫黄原子を含む基を有する化合物等が挙げられる。
【００６９】
また、この場合、集電体７および電気接続部７１形成用の液体中には、所定の処理（例えば、加熱等）により、凝集阻止剤を除去し得る除去剤が添加される。この除去剤としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ヘキサン酸、オクチル酸のような炭素数１〜１０の直鎖状または分岐状の飽和カルボン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、ケイ皮酸、安息香酸、ソルビン酸のような不飽和カルボン酸、シュウ酸、マロン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸のような二塩基酸等の各種カルボン酸類、これらのカルボン酸類のカルボキシル基をリン酸基やスルホニル基に置換した各種リン酸類や各種スルホン酸類等の有機酸、または、その有機酸エステル、その他、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、グリセロールトリス（アンヒドロトリメリテート）のような芳香族酸無水物、無水マレイン酸、無水コハク酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、アルケニル無水コハク酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物のような環状脂肪族酸無水物、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物などの脂肪族酸無水物等を挙げることができる。
分散媒には、例えば、テルピネオール、ミネラルスピリット、キシレン、トルエン、エチルベンゼン、メシチレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、シクロヘキサン、シクロオクタンまたはこれらを含む混合液を用いることができる。
【００７０】
また、集電体７および電気接続部７１形成用の液体中には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、オリゴエステルアクリレート樹脂、キシレン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、フラン樹脂、ユリア樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂のような各種熱硬化性樹脂の前駆体が添加（混合）されていてもよい。
なお、このような集電体７および電気接続部７１形成用の液体の粘度は、例えば、粒子の含有量、分散媒の種類や組成、添加物の有無や種類等を適宜設定することにより調整することができる。
【００７１】
▲２▼の場合、集電体７および電気接続部７１形成用の液体中の粒子の含有量は、分散媒の種類や組成等によっても異なり、特に限定されないが、０．１〜４０ｗｔ％程度であるのが好ましく、２〜２０ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
用いる粒子の平均粒径は、特に限定されないが、１０〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、３０〜７０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、還元剤としては、例えば、アスコルビン酸（ビタミンＣ）、硫化水素、シュウ酸、一酸化炭素等が挙げられる。
【００７２】
分散媒には、例えば、ブチルセロソルブ、ポリエチレングリコール等の低粘度油脂類、２−プロパノール等のアルコール類またはこれらを含む混合液を用いることができる。
なお、このような集電体７および電気接続部７１形成用の液体の粘度は、例えば、粒子の含有量、分散媒の種類や組成等を適宜設定することにより調整することができる。
このような集電体７および電気接続部７１形成用の液体を、ノズル４０の小孔から液滴７０として吐出して、基板２の上面に、所定の形状となるように膜（薄膜または厚膜）を形成する。
【００７３】
次いで、この膜に対して、例えば、熱処理や、紫外線、電子線、放射線、レーザー光線等の照射を行う。
必要に応じて、以上のような操作を繰り返し行って、所望の厚さの集電体７および電気接続部７１を形成する。
なお、集電体７および電気接続部７１は、一体的に形成するようにしてもよいし、別個に形成するようにしてもよい。後者の場合、集電体７と電気接続部７１との材料は、同一であっても異なっていてもよい。
【００７４】
［２］  第１の電極３の形成
次に、基板２の上面に、集電体７を覆うように、第１の電極３を形成する。
基板２の上面に、インクジェット法を用いて、第１の電極３形成用の液体を供給して、第１の電極３を形成する。
第１の電極３形成用の液体としては、例えば、各種金属酸化物の前駆体を含む溶液を用いることができる。
用いる金属酸化物の前駆体としては、例えば、金属アルコキシド、酢酸または酢酸誘導体の金属塩のような有機金属化合物、金属塩化物、金属硫化物、金属シアン化物等の無機金属化合物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７５】
第１の電極３形成用の液体中の金属酸化物の前駆体の濃度（含有量）は、溶媒の種類や組成等によっても異なり、特に限定されないが、０．１〜４０ｗｔ％程度であるのが好ましく、２〜２０ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
また、溶媒には、例えば、水、エチレングリコール、グリセリン、ジエチレングリコール、トリエタノールアミンのような多価アルコール、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、アリルアルコール、フルフリルアルコール、エチレングリコールモノアセタートのような単価アルコールまたはこれらを含む混合液を用いることができる。
なお、このような第１の電極３形成用の液体の粘度は、例えば、金属酸化物の前駆体の濃度、溶媒の種類や組成等を適宜設定することにより調整することができる。
【００７６】
このような第１の電極３形成用の液体を、ノズル４０の小孔から液滴７０として吐出して、基板２の上面に膜（薄膜または厚膜）を形成する。
次いで、この膜に対して、例えば、熱処理や、紫外線、電子線、放射線、レーザー光線等の照射を行う。
必要に応じて、以上のような操作を繰り返し行って、所望の厚さの第１の電極３を形成する。
【００７７】
［３］  電子輸送層４の形成
次に、第１の電極３の上面に、電子輸送層４を形成する。以下では、主として二酸化チタンで構成される電子輸送層４を形成する場合を一例として説明する。
［３−１］  緻密質層４１の形成
まず、第１の電極３の上面に、インクジェット法を用いて、緻密質層４１形成用の液体を供給して、緻密質層４１を形成する。
【００７８】
緻密質層４１形成用の液体としては、例えば、二酸化チタンの前駆体を含む溶液を用いることができる。
二酸化チタンの前駆体としては、例えば、チタンテトライソプロポキシド（ＴＰＴ）、チタンテトラメトキシド、チタンテトラエトキシド、チタンテトラブトキシド等のチタンアルコキシド、チタンオキシアセチルアセトナート（ＴＯＡ）のような有機チタン化合物や、四塩化チタン（ＴＴＣ）のような無機チタン化合物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を混合して用いることができる。
【００７９】
緻密質層４１形成用の液体中の二酸化チタンの前駆体の濃度（含有量）は、特に限定されないが、０．１〜１０ｍｏｌ／Ｌ程度であるのが好ましく、０．１〜２ｍｏｌ／Ｌ程度であるのがより好ましい。
また、溶媒には、例えば、無水エタノール、２−ブタノール、２−プロパノール、２−ｎ−ブトキシエタノールまたはこれらを含む混合液を用いることができる。
【００８０】
なお、二酸化チタンの前駆体としてチタンアルコキシドを用いる場合、緻密質層４１形成用の液体中には、例えば、四塩化チタン、酢酸、アセチルアセトン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等の各種添加物を添加するのが好ましい。これにより、チタンアルコキシドの加水分解反応を抑止することができる。この添加物とチタンアルコキシドとの配合比は、特に限定されないが、モル比で１：２〜８：１程度とするのが好ましい。
【００８１】
なお、このような緻密質層４１形成用の液体の粘度は、例えば、二酸化チタンの前駆体の濃度、溶媒の種類や組成、添加物の有無、種類、組成や濃度等を適宜設定することにより調整することができる。
このような緻密質層４１形成用の液体を、ノズル４０の小孔から液滴７０として吐出して、第１の電極３の上面に膜（薄膜または厚膜）を形成する。
【００８２】
次いで、この膜に対して熱処理（乾燥）を施す。これにより、前記溶媒を揮発させ、除去する。この熱処理の条件は、好ましくは５０〜２５０℃×１〜６０分程度、より好ましくは１００〜２００℃×５〜３０分程度とされる。また、熱処理の雰囲気は、例えば、大気、窒素ガス、不活性ガス、真空または減圧状態のような非酸化性雰囲気等とすることができる。
【００８３】
さらに、膜に対して、前記熱処理より高温での熱処理（焼成）を施す。これにより、膜中に残存する有機成分（溶媒や添加物等）を除去することができるとともに、アモルファス状態またはアナターゼ型の二酸化チタンが生成する。この熱処理の条件は、好ましくは３００〜７００℃×１〜７０分程度、より好ましくは４００〜５５０℃×５〜４５分程度とされる。また、熱処理の雰囲気は、前記と同様の雰囲気とすることができる。
なお、基板２として、主として樹脂材料で構成されるもの（可撓性基板）を用いる場合には、前記膜に対して、水熱合成処理（水熱処理）を施すのが好ましい。
【００８４】
ここで、水熱合成処理とは、前記膜を高圧水蒸気（飽和水蒸気）で処理することを言う。具体的には、水熱合成処理は、前記膜が形成された基材を、少量の水とともに密閉容器内に収納し、密閉容器を加熱することにより行われる。加熱により密閉容器内では、水が水蒸気となり、密閉容器内の圧が上昇する。この高圧水蒸気により、膜中に存在する有機成分が除去されるとともに、二酸化チタンの前駆体に加水分解反応が進行して、アモルファス状態の二酸化チタンが生成する。かかる水熱合成処理によれば、水が蒸発する程度の比較的低い温度（例えば、１００〜２００℃程度）で、前記膜の処理を行うことができるという利点がある。
【００８５】
必要に応じて、以上のような操作を繰り返し行って、所望の厚さの緻密質層４１を形成する。
なお、緻密質層４１の形成に先立って、第１の電極３の上面には、例えば、Ｏ２プラズマ処理、ＥＢ処理、有機溶剤（例えばエタノール、アセトン等）での洗浄処理等を行うことにより、第１の電極３の上面に付着した有機物を除去するようにしてもよい。
【００８６】
［３−２］  多孔質層４２の形成
次に、緻密質層４１の上面に、インクジェット法を用いて、多孔質層４２形成用の液体を供給して、多孔質層４２を形成する。
多孔質層４２形成用の液体としては、例えば、二酸化チタン粉末と二酸化チタンの前駆体とを含む分散液（ゾル液）を用いることができる。これにより、前述したような構成の多孔質層４２を比較的容易に得ることができる。
【００８７】
用いる二酸化チタン粉末（粒子）としては、アナターゼ型の二酸化チタン粉末単独、ルチル型の二酸化チタン粉末単独またはこれらの混合物のいずれであってもよい。
二酸化チタン粉末の平均粒径は、特に限定されないが、１ｎｍ〜１μｍ程度であるのが好ましく、１〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましく、５〜５０ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。これにより、二酸化チタン粉末を多孔質層４２形成用の液体中により均一に分散させることができ、多孔質層４２の空孔形態（例えば、空孔率、空孔の分布等）の制御が容易となる。
【００８８】
また、アナターゼ型の二酸化チタン粉末とルチル型の二酸化チタン粉末とを混合して用いる場合、これらの２種類の粉末は、それらの平均粒径が異なっていてもよいし、同じであってもよい。
多孔質層４２形成用の液体中の二酸化チタン粉末の含有量は、特に限定されないが、０．１〜１０ｗｔ％程度であるのが好ましく、０．５〜５ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
【００８９】
多孔質層４２形成用の液体は、次のようにして調製することができる。
すなわち、まず、前述した緻密質層４１形成用の液体と同様の液体を用意する。なお、この液体中の二酸化チタンの前駆体の濃度（含有量）は、特に限定されないが、０．１〜３ｍｏｌ／Ｌ程度であるのが好ましく、０．１〜２ｍｏｌ／Ｌ程度であるのがより好ましい。
【００９０】
次に、この液体に水を混合する。この水と二酸化チタンの前駆体との配合比は、特に限定されないが、モル比で１：４〜４：１程度とするのが好ましい。
次に、この混合液に、二酸化チタン粉末を混合することにより、多孔質層４２形成用の液体を得る。また、この多孔質層４２形成用の液体は、必要に応じて、例えば、前記緻密質層４１形成用の液体に用いる溶媒を用いて希釈して用いるようにしてもよい。
なお、このような多孔質層４２形成用の液体の粘度は、例えば、二酸化チタン粉末の含有量、二酸化チタンの前駆体の濃度、溶媒の種類や組成、添加物の有無、種類、組成や濃度、希釈の程度（希釈倍率）等を適宜設定することにより調整することができる。
【００９１】
このような多孔質層４２形成用の液体を、ノズル４０の小孔から液滴７０として吐出して、緻密質層４１の上面に膜（薄膜または厚膜）を形成する。
この際、緻密質層４１を加熱しつつ、緻密質層４１の上面に液滴７０を着弾させる（供給する）のが好ましい。この加熱温度としては、特に限定されないが、８０〜１８０℃程度であるのが好ましく、１００〜１６０℃程度であるのがより好ましい。
【００９２】
次いで、この膜に、必要に応じて、熱処理（例えば、焼成等）を施してもよい。この熱処理の条件としては、例えば、温度２５０〜５００℃×０．５〜３時間程度とするのが好ましい。
また、基板２として、主として樹脂材料で構成されるもの（可撓性基板）を用いる場合には、この熱処理に代えて、前述したような水熱合成処理（水熱処理）を行うようにしてもよい。
必要に応じて、以上のような操作を繰り返し行って、所望の厚さの多孔質層４２を形成する。
【００９３】
［４］  色素層Ｄの形成
次に、多孔質層４２（電子輸送層４）の上面に、インクジェット法を用いて、色素層Ｄ形成用の液体を供給して、色素層Ｄを形成する。
色素層Ｄ形成用の液体としては、例えば、色素を含む溶液または分散液（懸濁液）を用いることができる。
【００９４】
色素層Ｄ形成用の液体中の色素の濃度（含有量）は、特に限定されないが、０．０００１〜０．１ｗｔ％程度であるのが好ましく、０．００１〜０．０１ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
また、溶媒または分散媒には、例えば、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトニトリル、酢酸エチル、エーテル、塩化メチレン、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）またはこれらを含む混合液を用いることができる。
なお、このような色素層Ｄ形成用の液体の粘度は、例えば、色素の濃度、溶媒または分散媒の種類や組成等を適宜設定することにより調整することができる。
このような色素層Ｄ形成用の液体を、ノズル４０の小孔から液滴７０として吐出して、多孔質層４２の上面に供給する。
【００９５】
次いで、例えば、自然乾燥による方法や、空気、窒素ガス等の気体を吹き付ける方法等により溶媒を除去する。さらに、必要に応じて、例えば、６０〜１００℃×０．５〜２時間程度等の熱処理等を施すことにより乾燥してもよい。これにより、色素は、多孔質層４２の外面および空孔４２１の内面に、例えば、吸着（化学吸着）、結合（共有結合、配位結合）等する。
必要に応じて、以上のような操作を繰り返し行って、所望の厚さの色素層Ｄを形成する。
【００９６】
［５］  正孔輸送層５の形成
次に、色素層Ｄが形成された多孔質層４２（電子輸送層４）の上面に、インクジェット法を用いて、正孔輸送層５形成用の液体を供給して、正孔輸送層５を形成する。以下では、主としてヨウ化物（無機ｐ型半導体材料）で構成される正孔輸送層５を形成する場合を一例として説明する。
【００９７】
正孔輸送層５形成用の液体としては、例えば、ヨウ化物を含む溶液を用いることができる。
正孔輸送層５形成用の液体は、ヨウ化物の飽和液〜飽和液の１０倍稀釈液として用いるのが好ましい。
また、溶媒には、例えば、水、アセトニトリル、エタノール、メタノール、イソプロピルアルコールまたはこれらを含む混合液を用いることができるが、これらの中でも、特に、アセトニトリルが好ましい。
【００９８】
なお、正孔輸送層５の構成材料として、ヨウ化物を用いる場合、正孔輸送層５形成用の液体中には、バインダーとして、例えばシアノレジン等のシアノエチル化物を添加するのが好ましい。この場合、ヨウ化物とシアノエチル化物との配合比は、特に限定されないが、重量比で９９：１〜８０：２０程度とするのが好ましい。
【００９９】
また、正孔輸送層５形成用の液体中には、正孔の輸送効率を向上させる機能を有する正孔輸送効率向上物質を添加するのが好ましい。これにより、正孔輸送層５のキャリア移動度（正孔輸送能）をより向上させることができる。
この正孔輸送効率向上物質としては、例えば、ハロゲン化アンモニウム等の各種ハロゲン化物を用いることができるが、特に、テトラプロピルアンモニウムヨーダイド（ＴＰＡＩ）が好適である。
【０１００】
正孔輸送層５形成用の液体中の正孔輸送効率向上物質の濃度（含有量）は、特に限定されないが、１×１０−４〜１×１０−１ｗｔ％程度であるのが好ましく、１×１０−４〜１×１０−２ｗｔ％程度であるのがより好ましい。これにより、前記効果をより向上させることができる。
さらに、正孔輸送層５形成用の液体中には、ヨウ化物が結晶化する際に、その結晶サイズが増大するのを抑制する結晶サイズ粗大化抑制物質を添加するのが好ましい。これにより、ヨウ化物は、結晶化する際に結晶サイズが増大するのが防止または抑制される。このため、電子輸送層４でのクラックの発生、色素層Ｄと正孔輸送層５との接触性の低下等の不都合を好適に防止することができる。その結果、光電変換素子１の光電変換効率等の特性が低下（劣化）するのを防止することができる。
【０１０１】
この結晶サイズ粗大化抑制物質としては、例えば、前述したシアノエチル化物、正孔輸送効率向上物質の他、例えば、チオシアン酸ナトリウム（ＮａＳＣＮ）、チオシアン酸カリウム（ＫＳＣＮ）、チオシアン酸銅（ＣｕＳＣＮ）、チオシアン酸アンモニウム（ＮＨ４ＳＣＮ）のようなチオシアン酸塩（ロダン化物）等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１０２】
正孔輸送層５形成用の液体中の結晶サイズ粗大化抑制物質の濃度（含有量）は、特に限定されないが、１×１０−６〜１０ｗｔ％程度であるのが好ましく、１×１０−４〜１×１０−２ｗｔ％程度であるのがより好ましい。これにより、前記効果をより向上させることができる。
なお、このような正孔輸送層５形成用の液体の粘度は、例えば、正孔輸送層の構成材料の種類、組成や濃度、正孔輸送効率向上物質の種類や濃度、溶媒の種類や組成、添加物の有無、種類や濃度等を適宜設定することにより調整することができる。
【０１０３】
このような正孔輸送層５形成用の液体を、ノズル４０の小孔から液滴７０として吐出して、色素層Ｄが形成された多孔質層４２の上面に膜（薄膜または厚膜）を形成する。
この際、色素層Ｄ（色素層Ｄが形成された多孔質層４２）を加熱しつつ、色素層Ｄが形成された多孔質層４２の上面に液滴７０を着弾させる（供給する）のが好ましい。この加熱温度としては、特に限定されないが、５０〜１５０℃程度であるのが好ましく、７０〜１００℃程度であるのがより好ましい。
必要に応じて、以上のような操作を繰り返し行って、所望の厚さの正孔輸送層５を形成する。
【０１０４】
［６］  第２の電極６の形成
次に、正孔輸送層５の上面に、インクジェット法を用いて、第２の電極６形成用の液体を供給して、第２の電極６を形成する。
第２の電極６は、前記工程［１］または［２］と同様にして形成することができる。
以上のような工程を経て、光電変換素子１が製造される。
【０１０５】
また、各前記工程［１］〜［６］においては、各層の形成に先立って、各層の形状を規定するバンクを形成しておき、かかるバンクで区画（画成）される領域内に、各層形成用の液体を、ノズル４０の小孔から液滴７０として吐出して供給するようにしてもよい。
各層の形成に先立ってバンクを形成しておくことにより、各層形成用の液体の側方（形成領域以外）への流出を防止することができる。このため、各層形成用の液体として、比較的粘度の低いものが使用可能となり、各層形成用の液体に用いる材料選択の幅を格段に増大させることができる。
【０１０６】
このバンクの構成材料としては、例えば、アクリル、アクリルエポキシ、光硬化アクリル等が挙げられ、これらのうちの任意の１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、バンクの形成方法としては、例えば、スクリーン印刷法、インクジェット成形方法等が挙げられる。
このようなバンクは、例えば工程［２］〜［６］毎に新たなものを形成するようにしてもよく、また、連続する２以上の工程において共通のものを使用するようにしてもよい。
【０１０７】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の光電変換素子の第２実施形態について説明する。
図５は、本発明の光電変換素子の第２実施形態を示す縦断面図、図６は、図５に示す光電変換素子が備える集電体７の構成を示す平面図である。
以下、第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１０８】
第２実施形態では、集電体７の設置位置および構成が異なり、それ以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、集電体７は、基板２に埋入するようにして配設されている。これにより、基板２の上面に生じる凹凸を減少させることができるため、集電体７と第１の電極３との接続不良をより確実に防止することができる。
【０１０９】
図５に示す集電体７は、例えば、基板２の上面に、集電体７の構成材料（各種金属材料）で構成されるメッキ層を形成した後、このメッキ層をエッチングして得られたものであり、その横断面形状がほぼ長方形をなしている。かかる形状の集電体７の場合、集電体７を基板２に埋入するようにして配設することが、特に有効である。
【０１１０】
基板２に集電体７を埋設する方法としては、例えば、次のような方法が挙げられる。すなわち、▲１▼基板２が硬質なものである場合、予め、基板２に凹部（溝）を形成しておき、かかる凹部内に集電体７を形成する方法、▲２▼基板２が主として樹脂材料（熱可塑性樹脂等）で構成されたものである場合、集電体７が形成された基板２に対して熱プレス処理を施すことにより、基板２に埋入させる方法、▲３▼主として熱硬化性樹脂の前駆体（プレポリマー）で構成されたシート材上に、集電体７を形成した後、集電体７が形成されたシート材に対して熱プレス処理を施すことにより得る方法を用いることができる。▲２▼および▲３▼の方法によれば、基板２に集電体７を比較的容易に埋設することができる。特に、▲３▼の方法によれば、硬化前駆体状態でプレスするため、基板２および集電体７の表面形状をより平滑にすることができるという効果が得られることから好ましい。
【０１１１】
また、集電体７は、第１の線状体７ａと、異なる第１の線状体７ａを接続する第２の線状体７ｂとで構成され、第１の線状体７ａがハニカム状に配設されている。このような構成により、基板２として可撓性基板を用いる場合には、集電体７を基板２の補強材として機能させることができ、その結果、光電変換素子１全体の機械的強度を向上させることができる。
【０１１２】
さらに、本実施形態では、集電体７は、集電体７で囲まれる領域の最小単位（図６中、各三角形の領域）が、それぞれ、ほぼ同一の面積、かつ、ほぼ同一の形状となるように形成されている。これにより、前記第１実施形態で記載した効果の他、基板２として可撓性基板を用いる場合の集電体７の補強効果をより向上させることができる。
第２実施形態においても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
【０１１３】
以上述べたように、本発明によれば、第１の電極３に接触する集電体７を設け、第１の電極３全体の導電性を向上するよう構成したので、第１の電極３から電子を効率よく取り出すことができる。特に、本発明では、集電体７を幅の異なる複数種の線状体で構成したことにより、第１の電極３からより均一に取り出すことができる。このようなことから、本発明によれば、大型化した場合においても、十分な光電変換効率を得ることができる。また、本発明の光電変換素子１は、安価かつ効率よく製造できる。
【０１１４】
以上、本発明の光電変換素子について図示の各実施形態について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を発揮する任意の構成と置換することができ、その他の構成（例えば、各層の間に、任意の目的の１層以上の層）が付加されていてもよい。
また、各前記本実施形態では、集電体が面電極（第１の電極）または基板に埋入して設けられた構成について説明したが、集電体は、面電極および基板の双方に埋入するような構成であってもよい。また、本発明では、集電体は、面電極に接していればよく、電子輸送層側に設けるようにしてもよい。
【０１１５】
また、集電体の配設パターンは、図示の構成のものに限定されず、例えば、集電体で囲まれる領域の最小単位の形状が、五角形、六角形等のものであってもよい。
また、本発明では、第２の線状体が第１の線状体同士を接続しない構成であってもよく、さらに、第３の線状体が第１の線状体と第２の線状体とを、または、異なる前記第２の線状体同士を接続しない構成であってもよい。
【０１１６】
【実施例】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
（実施例１）
次のようにして、図１に示す光電変換素子を製造した。
まず、寸法：縦２００ｍｍ×横３１０ｍｍ×厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート基板を用意した。
【０１１７】
−１−  集電体および電気接続部の形成
［集電体および電気接続部形成用の液体の調製］
テルピネオールとトルエンとの混合液に、Ａｇ粒子（平均粒径８ｎｍ）、ドデシルアミン（凝集阻止剤）、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸（除去剤）およびレゾール型フェノール樹脂（熱硬化性樹脂）の前駆体を、それぞれ、所定量混合して、集電体および電気接続部形成用の液体を調製した。
なお、集電体および電気接続部形成用の液体の粘度（常温）は、３〜５ｃｐｓであった。
【０１１８】
［集電体および電気接続部の形成］
基板を、液滴吐出装置のＸＹテーブル上に載置し、集電体および電気接続部形成用の液体を、液滴（約２０ｐＬ）として基板の上面に吐出して、図３に示すような形状にパターニングし、次いで、パターン形成された膜に対して、熱処理（１８０℃×２時間）を加えることにより、集電体および電気接続部を得た。
【０１１９】
なお、第１の線状体の幅（平均）を１ｍｍ、間隔を５ｃｍとし、第２の線状体の幅（平均）を０．１ｍｍ、間隔を１ｃｍとし、第３の線状体の幅（平均）を０．０３ｍｍ、間隔を２．５ｍｍとし、集電体の高さ（平均）を５μｍとした。また、得られた集電体のシート抵抗値は、０．０１Ω／□であった。
また、電気接続部の寸法は、縦２００ｍｍ×横１０ｍｍ×厚さ０．０５μｍとした。
【０１２０】
−２−  第１の電極の形成
次に、ＩＴＯを低温スパッタリングすることにより、集電体を覆うように、第１の電極を形成した。次いで、この第１の電極に、１０５℃×３００分間、高圧水蒸気で処理する操作を行った。
なお、第１の電極の寸法は、縦２００ｍｍ×横３００ｍｍ×厚さ０．１μｍとした。また、第１の電極に垂直な方向から見たとき、第１の電極全体の面積に対する集電体が占める面積の比率は、１０％とした。
【０１２１】
−３−  緻密質層（緻密質な電子輸送層）の形成
［緻密質層形成用の液体の調製］
まず、２−ｎ−ブトキシエタノールに、チタンテトライソプロポキシド（有機チタン化合物）を０．５ｍｏｌ／Ｌとなるように溶解した。
次いで、この溶液に、ジエタノールアミン（添加物）を混合することにより、緻密質層形成用の液体を調製した。ジエタノールアミンは、ジエタノールアミン：チタンテトライソプロポキシド（モル比）が２：１となるように混合した。
なお、緻密質層形成用の液体の粘度（常温）は、３ｃｐｓであった。
【０１２２】
［緻密質層の形成］
次に、前記工程−１−と同様にして（インクジェット法を用いて）、緻密質層形成用の液体を、液滴として第１の電極（ＩＴＯ電極）の上面に吐出して膜を形成し、この膜に対して、１２０℃×６００分間、高圧水蒸気で処理する操作を行った。かかる操作を繰り返すことにより、緻密質層を得た。得られた緻密質層は、空孔率が１％未満であった。
なお、緻密質層の寸法は、縦２００ｍｍ×横３００ｍｍ×厚さ０．１μｍとした。
【０１２３】
−４−  多孔質層（多孔質な電子輸送層）の形成
［多孔質層形成用の液体の調製］
まず、２−プロパノールに、チタンテトライソプロポキシド（有機チタン化合物）を１ｍｏｌ／Ｌとなるように溶解した。
次いで、この溶液に、酢酸（添加物）と蒸留水とを混合した。酢酸は、酢酸：チタンテトライソプロポキシド（モル比）が１：１となるように、また、蒸留水は、蒸留水：チタンテトライソプロポキシド（モル比）が１：１となるように混合した。
【０１２４】
次いで、この溶液に、アナターゼ型の二酸化チタン粉末（平均粒径：４０ｎｍ）を混合し、さらに、この混合液（分散液）を、２−プロパノールで２倍に希釈して、多孔質層形成用の液体を調製した。アナターゼ型の二酸化チタン粉末の多孔質層形成用の液体中の含有量は、３ｗｔ％となるようにした。
なお、多孔質層形成用の液体の粘度（常温）は、５ｃｐｓであった。
【０１２５】
［多孔質層の形成］
次に、前記工程−１−と同様にして（インクジェット法を用いて）、多孔質層形成用の液体を、液滴として１４０℃に加熱した緻密質層の上面に、吐出する操作を繰り返すことにより、多孔質層を得た。得られた多孔質層は、空孔率が３４％であった。
なお、多孔質層の寸法は、縦２００ｍｍ×横３００ｍｍ×厚さ１０μｍとした。
【０１２６】
−５−  色素層の形成
［色素層形成用の液体の調製］
エタノールに、ルテニウムトリスビピジル（色素）を０．００５ｗｔ％となるように溶解させて、色素層形成用の液体を調製した。
なお、色素層形成用の液体の粘度（常温）は、１ｃｐｓであった。
［色素層の形成］
次に、前記工程−１−と同様にして（インクジェット法を用いて）、色素層形成用の液体を、液滴として多孔質層の上面に吐出した後、自然乾燥し、次いで、８０℃×０．５時間で熱処理を施すことにより、色素層を得た。
【０１２７】
−６−  正孔輸送層の形成
［正孔輸送層形成用の液体の調製］
まず、アセトニトリルに、ＣｕＩを飽和するまで溶解させた。次いで、この溶液に、テトラプロピルアンモニウムヨーダイド（正孔輸送効率向上物質）、シアノレジン（シアノエチル化物）およびチオシアン酸ナトリウム（結晶サイズ粗大化抑制物質）を混合して、正孔輸送層形成用の液体を調製した。テトラプロピルアンモニウムヨーダイドは、１×１０−３ｗｔ％となるように、シアノレジンは、ＣｕＩ：シアノレジン（重量比）が９７：３となるように、また、チオシアン酸ナトリウムは、１×１０−３ｗｔ％となるように混合した。
なお、正孔輸送層形成用の液体の粘度（常温）は、３ｃｐｓであった。
【０１２８】
［正孔輸送層の形成］
次に、前記工程−１−と同様にして（インクジェット法を用いて）、正孔輸送層形成用の液体を、液滴として８０℃に加熱した色素層が形成された電子輸送層の上面に、吐出する操作を繰り返すことにより、正孔輸送層を得た。
なお、正孔輸送層の寸法は、縦２００ｍｍ×横３００ｍｍ×厚さ１０μｍとした。
【０１２９】
−７−  第２の電極の形成
前記工程−２−と同様にして、第２の電極を形成した。
なお、第２の電極の寸法は、縦２００ｍｍ×横３００ｍｍ×厚さ０．１μｍとした。
【０１３０】
（実施例２）
集電体の構成を、図６に示すように変更し、それ以外は、前記実施例１とほぼ同様にして、図５に示す光電変換素子を製造した。
なお、集電体および電気接続部は、圧延銅箔上にポリエチレンテレフタレート基板を形成した後、銅箔をエッチングすることにより形成した。また、前記工程−３−に先立って、集電体が形成された基板を熱プレス処理（条件：１８０℃×６０分間）を施すことにより、集電体を基板に埋設した。
なお、得られた集電体のシート抵抗値は、０．００６Ω／□であった。
また、第１の電極に垂直な方向から見たとき、第１の電極全体の面積に対する集電体が占める面積の比率は、１５％とした。
【０１３１】
（比較例１）
集電体を省略した以外は、前記実施例１と同様にして、図１に示す光電変換素子を製造した。
（比較例２）
集電体を、第１の線状体のみで構成し、すなわち、第１の線状体の幅（平均）を１ｍｍ、間隔を５ｃｍで格子状に配設し、それ以外は、前記実施例１と同様にして、図１に示す光電変換素子を製造した。
なお、得られた集電体のシート抵抗値は、０．０１Ω／□であった。
また、第１の電極に垂直な方向から見たとき、第１の電極全体の面積に対する集電体が占める面積の比率は、４％とした。
【０１３２】
（比較例３）
集電体を、第２の線状体のみで構成し、すなわち、第２の線状体の幅（平均）を０．１ｍｍ、間隔を１ｃｍで格子状に配設し、それ以外は、前記実施例１と同様にして、図１に示す光電変換素子を製造した。
なお、得られた集電体のシート抵抗値は、０．０１Ω／□であった。
また、第１の電極に垂直な方向から見たとき、第１の電極全体の面積に対する集電体が占める面積の比率は、２％とした。
【０１３３】
（比較例４）
集電体を、第３の線状体のみで構成し、すなわち、第３の線状体の幅（平均）を０．０３ｍｍ、間隔を２．５ｍｍで格子状に配設し、それ以外は、前記実施例１と同様にして、図１に示す光電変換素子を製造した。
なお、得られた集電体のシート抵抗値は、０．０１Ω／□であった。
また、第１の電極に垂直な方向から見たとき、第１の電極全体の面積に対する集電体が占める面積の比率は、２．４％とした。
【０１３４】
（評価）
実施例１、２および比較例１〜４で製造した光電変換素子に、人工太陽灯の光（照射光強度：ＡＭ１．５、１００Ｗ／ｍ２）を、基板に対して９０°の方向から照射して、各光電変換素子の光電変換効率について比較した。
この結果を表１に示す。なお、表１には、比較例１で製造した光電変換素子の光電変換効率を１００として、各光電変換素子の光電変換効率を相対値で示した。
【０１３５】
【表１】
2004228449.tif 000003
【０１３６】
表１に示すように、実施例１、２で製造した光電変換素子（本発明の光電変換素子）は、いずれも、同一幅の線状体で構成した集電体を備える光電変換素子（比較例２〜４の光電変換素子）と比較して、大面積化に伴う光電変換効率の低下が少ないものであることが明らかとなった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光電変換素子の第１実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１に示す光電変換素子が備える集電体７の構成を示す平面図である。
【図４】光電変換素子の製造方法に用いられる液滴吐出装置を模式的に示す図である。
【図５】本発明の光電変換素子の第２実施形態を示す縦断面図である。
【図６】図５に示す光電変換素子が備える集電体７の構成を示す平面図である。
【符号の説明】
１……光電変換素子  ２……基板  ３……第１の電極  ４……電子輸送層  ４１……緻密質層  ４２……多孔質層  ４２１……空孔  ５……正孔輸送層  ６……第２の電極  ７……集電体  ７ａ……第１の線状体  ７ｂ……第２の線状体  ７ｃ……第３の線状体  ７１……電気接続部  ８……外部回路  Ｄ……色素層  １０……液滴吐出装置  ２０……載置テーブル  ３０……Ｘ軸駆動ローラ  ４０……ノズル  ５０……液滴吐出ヘッド  ６０……Ｙ軸駆動機構  ７０……液滴
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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