(57)【要約】　　　（修正有）【課題】高密度配線ができ、安価にヒートスブレッダー付きのビルドアップ型の配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】導電性基板の一面に配設さたレジストを、めっきマスクとして、第１の配線層を電解めっき形成し、（ａ）配線部を覆うように全面に絶縁層、金属箔の積層工程と、（ｂ）積層された金属箔をフォトエッチング法により、配線部を形成する配線部形成工程と、（ｃ）配線層間接続用のビアホールを形成し、形成されたビアホール部に、前記導電性基板を給電層として電解めっきを行なう、充填ビア形成工程とを、行なう一連の回路形成処理を行った後、最表の配線層を覆う表層絶縁層の外部接続用端子形成領域に前記導電性基板を給電層として電解めっきを行ない、前記表層絶縁層に外部接続用端子部を形成し、給電層として用いた導電性基板を、選択的にエッチングして、導電性基板の残部にて、フレーム部とともに、ヒートスプレッダー部を形成する。【選択図】　図１
2004111578.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
給電層として用いる導電性基板の一面上に、第１の配線層をめっき形成し、更に、第１の配線層上に、配線層をそれぞれ層間絶縁層（配線層間絶縁層）を介して１層以上形成し、配線層間をビア接続し、更にまた、ヒートスプレッダー部を前記導電性基板をエッチング加工して形成しているビルドアップ型の配線基板を作製するための、配線基板の製造方法であって、給電層として用いる導電性基板の一面に配設され、配線形成部を開口した耐めっき性のレジストを、めっきマスクとして、第１の配線層を、選択的に電解めっき形成し、更に、前記レジストを除去後、（ａ）配線部を覆うように全面に層間絶縁層用の絶縁層、金属箔を、この順に、積層する積層工程と、（ｂ）積層された金属箔をフォトエッチング法によりエッチングして、配線部を形成する配線部形成工程と、
（ｃ）必要に応じて、レーザにて、層間（配線層間）接続用のビアホールを形成し、形成されたビアホール部に、前記導電性基板を給電層として電解めっきを行ない、電解めっき層を充填する充填ビア形成工程とを、順に行なう、一連の回路形成処理を、形成する配線層の数に合せて行った後、最表の配線層を覆うように全面に表層絶縁層を配設し、更に、表層絶縁層の外部接続用端子形成領域を開口し、前記導電性基板を給電層として電解めっきを行ない、前記表層絶縁層の開口に外部接続用端子部を形成し、この後、給電層として用いた導電性基板を、選択的にエッチングして、導電性基板の残部にて、フレーム部とともに、ヒートスプレッダー部を形成することを特徴とするヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、第１の配線層は、導電性基板側から、ニッケル層、銅層、ニッケル層、金層の順に積層された４層構造、あるいは、銅層、ニッケル層、金層の順に積層された３層構造を有し、前記導電性基板は銅基板であることを特徴とするヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１ないし２において、積層工程は、層間絶縁層用の絶縁層を一方の面に備えた金属箔を用い、前記層間絶縁層用の絶縁層が配線層を覆うようにして、層間絶縁層用の絶縁層、金属箔を一度にラミネートするものであることを特徴とするヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３において、積層工程において用いる金属箔が銅箔であることを特徴とするヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４において、レーザはＹＡＧレーザであることを特徴とするヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし５において、充填ビア形成工程における層間（配線層間）ビアホールを形成は、ＤＦＲ（ドレイフィルムレジスト）等でカバーコートし、その上からレーザにて形成するものであることを特徴とするヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし６において、層間絶縁層がポリイミド樹脂であることを特徴とするヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし７において、作製する配線基板が、インターポーザとして用いられる半導体パッケージ用のプリント配線基板であることを特徴とするヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板の製造方法。
【請求項９】
給電層として用いる導電性基板の一面上に、第１の配線層をめっき形成し、更に、第１の配線層上に、配線層をそれぞれ層間絶縁層（配線層間絶縁層）を介して１層以上形成し、配線層間をビア接続し、更にまた、ヒートスプレッダー部を前記導電性基板をエッチング加工して形成しているビルドアップ型の配線基板であって、請求項１ないし請求項７に記載の製造方法により作製されたことを特徴とするヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板。
【請求項１０】
請求項９において、インターポーザとして用いられる半導体パッケージ用の配線基板であることを特徴とするヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はビルドアップ型の配線基板に関し、特に、ヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の益々の小型化や軽量化に対応する為、多層のプリント基板（以下、多層配線基板とも言う）においては、従来の貼り合わせ型のプリント基板に比べて、微細な配線パターンを高密度に収容できるものとして、コア材に絶縁層、配線層を順に積層形成していくビルドアップ方式のプリント基板であるビルドアップ基板（ビルドアップ配線基板とも言う）が、各種開発されており、その作製法も種々ある。
配線部の形成については、配線部をエッチング形成するサブトラックティブ法、配線部をめっき形成するアディティブ法、これらの中間的なセミアディティブ法等があり、また、ビア部の形成については、感光性絶縁樹脂をフォトプロセスにより孔開けして形成するフォトビアプロセス法、レーザにより孔開けして形成するレーザビアプロセス法等がある。
このようなビルドアップ基板によれば、従来の貼り合わせ型基板の配線が、通常、配線／間隙＝５０／５０μｍ　程度であったのに対し、２５／２５μｍ　程度に微細化することが可能となった。
また、ビルドアップ基板は、配線の微細化だけでなく、従来の貼り合わせ型基板で用いられていた貫通スルーホール（Ｔ／Ｈ）を不要とする貫通Ｔ／Ｈレスを可能としている。
技術の進歩により、１層当りの厚さは薄くなっているが、積層数が数十層になる例もあり、数ｃｍ以上の総厚になることがある。
【０００３】
ここで、１例として、サブトラックティブ法による配線部形成、レーザビアプロセス法によるビア部形成による、ビルドアップ基板の作製例を図５に基づいて簡単に説明しておく。
先ず、コア材５１１の両面に、該コア材に積層された銅箔をフォトエッチングして形成した内層パターン（内層配線パターンとも言う）５１２、５１３を配設したコア基板５１０の両面に、それぞれ、熱硬化樹脂からなる絶縁層５２０、５２１を介して、銅箔５２５、５２６を積層し、銅箔５２５、５２６のビア形成部をフォトエッチング法により孔開けする。（図５（ａ））
次いで、孔開けされた銅箔５２５、５２６の孔部５２５ａ、５２６ａよりも大きな径のレーザビーム５４０を照射して、絶縁層５２０、５２１を孔開けする。（図５（ｂ））
レーザビーム５４０の照射エネルギーを調整することで、絶縁層５２０、５２１のみを除去し、貫通する。（図５（ｃ））
これにより、内層パターン５１２、５１３に達する孔部５５０、５５５が形成される。
次いで、無電解、電解により銅めっき層５６０を形成する。（図５（ｄ））
次いで、フォトエッチング法により、所定領域をエッチング除去する。（図５（ｅ））
これにより、所望のビア部５７０、５７１、配線部５８０、５８１が形成される。
同様に、配線部５８０、５８１の形成、ビア部５７０、５７１の形成を、更に、繰り返すことにより、更に多層に配線層を形成することができる。
【０００４】
近年の、ＩＣの高速化、高集積化に伴ない、益々、配線の微細化、高精細化が求められているが、例えば、上記のように作製されるビルドアップ配線基板を、インターポーザとしての半導体パッケージ用のプリント配線基板として用いる場合には、銅箔をエッチングして配線パターンを形成するため、配線の微細化、高精細化には限界があり、問題となっていた。
また、無電解めっき処理を行ない給電層を形成し、電解めっきにより、ビア部形成を行なう複雑な工程を必要としており、これに起因して、作業効率面でも問題があった。
また、コア材４１１を使用しているため、軽薄短小化にも限界があり、問題となっていた。
【０００５】
また、半導体パッケージ用のインターポーザとしては、高密度配線のものが求められているが、高密度配線のものを必要とするＬＳＩは、比較的Ｉ／Ｏの数が多く、稼動時に発熱量が多いため、放熱対応が必要となり、ヒートスブレッダーの付加が必要となっているが、従来、ヒートスプレッダーは　例えば、特開平１１−７４４１７号公報や特開２００１−１８５６５３号公報に記載のように、配線基板とは別に製造しており、パッケージング時に、基板またはチップへの貼り付け等の工程が必要で、手間がかかり、作業の効率面で問題となっていた。
更に、貼り付け用テープ及び貼り付け工程の付加により、製造コスト面でも問題となっていた。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１１−７４４１７号公報（図１、図４）
【特許文献２】
特開２００１−１８５６５３号公報（図６）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、近年の、ＩＣの高速化、高集積化に対応し、半導体パッケージ用のインターポーザとしての高密度配線基板が求められているが、これに対応でき、且つ、ヒートスブレッダーの付加作業が効率的に行なえ、製造コストも安価となる配線基板の製造方法が求められていた。
本発明は、これに対応するもので、具体的には、高密度配線ができ、且つ、効率的に安価にヒートスブレッダー付きのビルドアップ型の配線基板を製造することができるヒートスブレッダー付きのビルドアップ型の配線基板の製造方法を提供しようとするものである。
同時に、そのような製造方法により作製されたヒートスブレッダー付きのビルドアップ型の配線基板を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明のヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板の製造方法は、給電層として用いる導電性基板の一面上に、第１の配線層をめっき形成し、更に、第１の配線層上に、配線層をそれぞれ層間絶縁層（配線層間絶縁層）を介して１層以上形成し、配線層間をビア接続し、更にまた、ヒートスプレッダー部を前記導電性基板をエッチング加工して形成しているビルドアップ型の配線基板を作製するための、配線基板の製造方法であって、給電層として用いる導電性基板の一面に配設され、配線形成部を開口した耐めっき性のレジストを、めっきマスクとして、第１の配線層を、選択的に電解めっき形成し、更に、前記レジストを除去後、（ａ）配線部を覆うように全面に層間絶縁層用の絶縁層、金属箔を、この順に、積層する積層工程と、（ｂ）積層された金属箔をフォトエッチング法によりエッチングして、配線部を形成する配線部形成工程と、（ｃ）必要に応じて、レーザにて、層間（配線層間）接続用のビアホールを形成し、形成されたビアホール部に、前記導電性基板を給電層として電解めっきを行ない、電解めっき層を充填する充填ビア形成工程とを、順に行なう、一連の回路形成処理を、形成する配線層の数に合せて行った後、最表の配線層を覆うように全面に表層絶縁層を配設し、更に、表層絶縁層の外部接続用端子形成領域を開口し、前記導電性基板を給電層として電解めっきを行ない、前記表層絶縁層の開口に外部接続用端子部を形成し、この後、給電層として用いた導電性基板を、選択的にエッチングして、導電性基板の残部にて、フレーム部とともに、ヒートスプレッダー部を形成することを特徴とするものである。
そして、上記において、第１の配線層は、導電性基板側から、ニッケル層、銅層、ニッケル層、金層の順に積層された４層構造、あるいは、銅層、ニッケル層、金層の順に積層された３層構造を有し、前記導電性基板は銅基板であることを特徴とするものである。
そしてまた、上記において、積層工程は、層間絶縁層用の絶縁層を一方の面に備えた金属箔を用い、前記層間絶縁層用の絶縁層が配線層を覆うようにして、
層間絶縁層用の絶縁層、金属箔を一度にラミネートするものであることを特徴とするものである。
また、上記において、積層工程において用いる金属箔が銅箔であることを特徴とするものである。
また、上記において、レーザはＹＡＧレーザであることを特徴とするものである。
また、上記において、充填ビア形成工程における層間（配線層間）ビアホールを形成は、ＤＦＲ（ドレイフィルムレジスト）等でカバーコートし、その上からレーザにて形成するものであることを特徴とするものである。
また、上記において、層間絶縁層がポリイミド樹脂であることを特徴とするものである。
また、上記において、作製する配線基板が、インターポーザとして用いられる半導体パッケージ用のプリント配線基板であることを特徴とするものである。
【０００９】
尚、ここでは、配線層を順次積層して形成した配線基板をビルドアップ型の配線基板と言っており、図５（ｅ）に示す配線基板のコア材５１１に相当するものを備えていないものも含む。
【００１０】
本発明のヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板は、給電層として用いる導電性基板の一面上に、第１の配線層をめっき形成し、更に、第１の配線層上に、配線層をそれぞれ層間絶縁層（配線層間絶縁層）を介して１層以上形成し、配線層間をビア接続し、更にまた、ヒートスプレッダー部を前記導電性基板をエッチング加工して形成しているビルドアップ型の配線基板であって、上記、各本発明のヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板載の製造方法により作製されたことを特徴とするものである。
そして、上記において、インターポーザとして用いられる半導体パッケージ用の配線基板であることを特徴とするものである。
【００１１】
【作用】
本発明のヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板の製造方法は、このような構成にすることにより、高密度配線ができ、且つ、効率的に安価にヒートスブレッダー付きのビルドアップ型の配線基板を製造することができるヒートスブレッダー付きのビルドアップ型の配線基板の製造方法の提供を可能としている。
結果、高密度配線で、効率的に製造でき、安価なヒートスブレッダー付きのビルドアップ型の配線基板の提供を可能としている。
特に、作製される配線基板が、インターポーザとして用いられる半導体パッケージ用の配線基板である場合には、より効果的である。
詳しくは、耐めっき性のレジストをめっきマスクとして、第１の配線層を、選択的に電解めっき形成していることにより、配線を微細かつ高精度に形成することを可能にし更に、第１の配線層上に多層に配線を形成し、且つ、配線層間をビア接続していることにより、配線の高密度化を実現し、配線の引き回しの自由度を高いものとしている。
また、第１の配線層上に形成する配線層は、層間絶縁層用の絶縁層と金属箔とを積層して、フォトエッチング法にて形成するものであり、更に、ビアホール開口をレーザにて行ない、導電性基板を給電層として電解めっきして開口を充填して配線層間を電気的に接続するもので、配線多層化と配線層間の接続作業が容易で、品質的にも信頼性が高くして、その作業を可能としている。
また、給電層として用いる導電性基板を、最終的にはエッチングして、これより、ヒートスブレッダーを形成するもので、ヒートスブレッダー付加作業を効率的に行なえ、製造コストを安価なものとできる。
【００１２】
また、ヒートスプレッダーの放熱性の面からは、導電性基板としては銅基板が好ましく、第１の配線層として、第１の配線層は、導電性基板側から、ニッケル層、銅層、ニッケル層、金層の順に積層された４層構造、あるいは、銅層、ニッケル層、金層の順に積層された３層構造を有し、前記導電性基板は銅基板とすることにより、放熱製が良く、且つ、金層、銅層間の拡散を防止できる構造とすることができる。
また、積層工程としては、層間絶縁層用の絶縁層を一方の面に備えた金属箔を用い、層間絶縁層用の絶縁層が配線層を覆うようにして、層間絶縁層用の絶縁層、金属箔を一度にラミネートするものである場合には、ラミネート自体を簡単な作業とすることができる。
レーザとしては、ＹＡＧレーザが一般的であるが、他には炭酸ガスレーザ等が挙げられる。
尚、複数層を貫通するように、一度にレーザにてビアホール形成を行なうこともできるため、必ずしも、配線層の構成の都度ビアホール形成を行なう必要はない。
また、層間（配線層間）ビアホールの形成は、通常、ＤＦＲ（ドレイフィルムレジスト）等でカバーコートし、その上からレーザにて形成する。
レーザにより、複数の配線層間を貫通させることにより、スタックドビア構造を形成することもできる。
また、層間絶縁層としては、絶縁性、強度、耐薬品性、作業性等からポリイミド樹脂が好ましいが、これに限定はされない。
例えば、エポキシ樹脂等も挙げられる。
【００１３】
本発明のヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板は、このような構成にすることにより、効率的に製造でき、安価なヒートスブレッダー付きのビルドアップ型の配線基板の提供を可能としている。
スタックドビア構造をとることもできる。
特に、作製される配線基板が、インターポーザとして用いられる半導体パッケージ用の配線基板である場合には、より効果的である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態例を図に基づいて説明する。
図１は本発明のヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板の製造方法の実施の形態の１例の工程の一部を示した工程図で、図２は図１に続く工程を示した工程図で、図３（ａ）（図２（ｊ）に相当）は本発明のヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板の実施の形態の１例の断面図で、図３（ｂ）はそのＡ１方向から見たフレームとヒートスプレッダー部の形状の１例を示した図で、図４は本発明のヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板を用いた半導体パッケージの作製工程の１例である。
尚、図１、図２は図３（ｂ）のＡ２−Ａ３に相当する位置における各工程の断面形状を示したものである。
図１〜図４中、１１０は導電性基板、１１５はヒートスプレッダー、１１６はフレーム、１１７は吊りリード、１２０は第１の配線層（単に配線とも言う）、１３０は絶縁層（層間絶縁層とも言う）、１３５は絶縁層（表層絶縁層とも言う）、１３６は開口、１４０Ａは金属箔、１４０は第２の配線層（単に配線とも言う）、１５０はカバーコート層、１５５はビアホール、１６０は充填ビア、１７０は外部接続用端子部、１８０は半導体チップ、１８１は端子、１８５はボンディングワイヤ、１９０は封止用樹脂（ポッティング樹脂）である。
【００１５】
以下、本発明のヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板の製造方法の実施の形態の１例を、図１に基づいて説明する。
本例のヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板の製造方法は、給電層として用いる導電性基板１１０の一面上に、第１の配線層をめっき形成し、更に、第１の配線層上に、配線層をそれぞれ層間絶縁層（配線層間絶縁層）を介して１層形成して配線層を２層とし、配線層間をビア接続し、更にまた、ヒートスプレッダー部を前記導電性基板をエッチング加工して形成している、インターポーザとしての半導体パッケージ用のビルドアップ型の配線基板を作製するための、配線基板の製造方法である。
先ず、給電層として用いる導電性基板１１０の一面に配設され、配線形成部を開口した耐めっき性のレジスト（図示していない）を、めっきマスクとして、第１の配線層１２０を、選択的に電解めっき形成し、前記レジストを除去しておく。（図１（ａ））
導電性基板１１０としては、放熱性の面から銅基板が好ましい。
フォトリソ法により形成されたレジストパターンをマスクとし、選択的に電解めっきして第１の配線層を形成するため、第１の配線層については、配線の微細化、高精細化が可能である。
第１の配線層としては、導電性基板側から、ニッケル層、銅層、ニッケル層、金層の順に積層された４層構造、あるいは、銅層、ニッケル層、金層の順に積層された３層構造を有するものが、金層、銅層間の拡散防止できる好ましい構造として挙げられる。
次いで、第１の配線層１２０を覆うように全面に層間絶縁層用の絶縁層１３０、金属箔１４０Ａをこの順に積層する。（図１（ｂ））
絶縁層１３０、金属箔１４０Ａを順に積層しても良いが、層間絶縁層用の絶縁層１３０を一方の面に備えた金属箔を用い、前記層間絶縁層用の絶縁層１３０が第１の配線層１２０を覆うようにして、層間絶縁層用の絶縁層１３０、金属箔１２０を一度にラミネートして一度に積層する方が、積層工程の作業が簡単化される。
積層方法としては、真空ラミネートまたは熱プレスが挙げられる。
金属箔１４０Ａとしては単層の圧延銅箔一般的であるが、電解銅箔も挙げられ、通常、厚み３〜１８μｍの範囲のものが使用される。
配線層間絶縁層用の絶縁層１３０としては、絶縁性、強度、耐薬品性、作業性等からポリイミド樹脂が好ましいが、これに限定はされない。
【００１６】
次いで、積層された金属箔１４０Ａをフォトエッチング法によりエッチングして、第２の配線層１４０を形成する。（図１（ｃ））
ドライフィルムレジストあるいは液状レジストを用い、所定のパターン露光、現像を行ない、金属箔１４０Ａ上にレジストパターン（図示していない）を形成し、このレジストパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングする。
使用するエッチング液は、金属箔の材料に対応して適宜選択して決める。
例えば、塩化鉄溶液、塩化銅溶液、銅選択エッチング等を用い、スプレーエッチング等により行なう。
【００１７】
次いで、カバーコート層１５０で配線層上全面をカバーコートし、その上からレーザにて、第１の配線層と第２の配線層とを電気的に接続するための、層間ビアホール１５５を形成する。（図１（ｄ））
カバーコート層１５０としてはＤＦＲ（ドレイフィルムレジスト）が挙げられる。
次いで、形成されたビアホール部１５５に、導電性基板１４０Ａを給電層として電解めっきを行ない、電解めっき層を充填し、充填ビア１６０を形成する。（図１（ｅ））
更に、カバーコート層１５０を除去しておく。（図１（ｆ））
【００１８】
次いで、第２の配線層１４０を覆うように全面に表層絶縁層１３５を配設し（図２（ｇ））、更に、表層絶縁層１３５の外部接続用端子形成領域を開口し（図２（ｈ））、導電性基板１１０を給電層として電解めっきを行ない、表層絶縁層１３５の開口１３６に外部接続用端子部１７０を形成する。（図２（ｉ））
外部接続用端子部１は、主層を銅めっき層として、表側からニッケル、銅の２層、あるいは、金、ニッケル、銅の３層のもの等が挙げられる。
【００１９】
次いで、給電層として用いた導電性基板１１０を、選択的にエッチングして、導電性基板１１０の残部にて、フレーム部１１６とともに、ヒートスプレッダー部１１５を形成する。
導電性基板１１０は、エッチング液として塩化鉄溶液等を用い、フォトエッチング法により行ない、エッチング後、耐エッチングマスクとしたレジストを除去しておく。（図２（ｉ））
このようにして、ヒートスプレッダー付きのビルドアップ型の配線基板を作製することができる。
【００２０】
本発明のヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板の製造方法の別の実施の形態例としては、上記実施の形態例において、第２の配線層１４０の形成と充填ビア１６０の形成にあたる一連の工程を、更に１回以上余計に行ない、３層以上の配線層を配設するものが挙げられる。
尚、この形態のものにおいては、ビア形成を、必ずしも、２層目以降の配線層形成毎に行なう必要はない。
場合によっては、まとめて行なうこともできる。
【００２１】
次に、本発明のヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板の実施の形態例を、図３に基づいて、簡単に説明する。
本例は、図１、図２に示す工程の実施の形態の製造方法により作製された、図２（ｊ）に相当するもので、第１の配線層上に、配線層をそれぞれ層間絶縁層（配線層間絶縁層）を介して１層形成し、配線層間をビア接続した、配線層を２層の、インターポーザとしての半導体パッケージ用のビルドアップ型の配線基板で（図３（ａ））、ヒートスプレッダー部１１５を作製の際に給電層として用いた導電性基板（図１、図２の１１０に相当）をエッチング加工して形成している配線基板である。
各部の材質については、先に述べたのでここでは説明を省く。
ヒートスプレッダー部１１５は図３（ｂ）に示すように吊りリード１１７によりフレーム１１６と一体的につながっている。
本例のヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板は、例えば、図４（ａ）に示すように、そのヒートスプレッダー部１１５側でない側の絶縁層１３０、１３５を、半導体チップを搭載するための領域として除去し、半導体チップ１８０を、端子１８１側面を上にして、第１の配線層１２０のヒートスプレッダー部１１５上に形成されている配線部１２０ｂ上に搭載した（図４（ｂ））後、両面をポッティング等により樹脂封止する。（図４（ｃ））
封止用の樹脂としては、エポキシ系樹脂等が使用される。
配線部の形状としては、種々あり、線状やヒートスプレッダーと同形状のものも挙げられる。
【００２２】
尚、図４（ａ）に示す形態も、本発明のヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板の１実施形態として挙げられる。
勿論、変形例としては、図３（ａ）や図４（ａ）に示す配線基板において、配線層を３層以上にした形態のものも挙げられる。
【００２３】
【実施例】
実施例は、図１、図２に示す実施の形態例のヒートスブレッダー付きのビルドアップ型の配線基板の製造方法を実施し、図３（ａ）（図２（ｊ）に相当）に示すヒートスブレッダー付きのビルドアップ型の配線基板を作製したものである。
図１、図２に基づいて説明する。
導電性基板１１０として、０．　２５ｍｍ厚の圧延銅板（古河電工　（株）社製のＥＦＴＥＣ６４Ｔ）を用い、該導電性基板１１０の一面に耐めっきレジスト（ＪＳＲ製のＴＨＢ−１２０Ｎ）を第の配線層の配線形状にあわせてパターニングした後、電解めっきにより、順に、銅層、ニッケル層、金層を、それぞれ、７μｍ、２μｍ、１μｍの厚さに積層形成した第１の配線層を選択的にめっき形成した後、レジストを除去した。（図１（ａ））
次いで、ポリイミド樹脂からなる配線層間絶縁用の、２５μｍ厚の絶縁層と３μｍ厚の電解銅箔を積層した積層材を、絶縁層を導電性基板側とし、第１の配線層１２０覆うようにして、熱プレスにて、１８０℃、６０分間処理し、全面に積層した。（図１（ｂ））
次いで、積層した銅箔１４０Ａ上に形成する配線形状にあわせて、耐エッチング性のレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、銅箔１４０Ａを塩化第２鉄溶液でスプレーエッチングし、配線を形成した。
レジストとしては、膜厚２５μｍのＤＦＲ（ドライフィルムレジスト、ニチゴーモトン（株）社製のＮＩＴ−２２５）を用いた。
次いで、レジストを除去した（図１（ｃ））後、ＤＦＲ（ドライフィルムレジスト、ニチゴーモトン（株）社製のＮＩＴ−２２５）をカバーコート層１５０として、カバーコートし、その上からＵＶ−ＹＡＧレーザを照射してビアホール１５５を形成した。（図１（ｄ））
ビア径は７０μｍとした。
次いで、導電性基板１１０を給電層として電解銅めっきを行ない、ビアホールを充填し、充填ビアを形成した。（図１（ｅ））
次いで、カバーコート層１５０を除去した（図１（ｆ））後、ソルダーレジスト（太陽インキ製造（株）社製ＡＵＳ４０２）を３０μｍ厚に塗布し（図２（ｇ））、外部接続用端子形成領域を１５０μｍ径で開口した。（図２（ｈ））
次いで、導電性基板１１０を給電層として、電解銅めっきを施し、外部接続用端子の主部を形成し、更に、表層にニッケルめっき、金めっきを施した。（図２（ｉ））この後、給電層として用いた導電性基板１１０を、選択的にエッチングして、導電性基板の残部にて、フレーム部１１６とともに、ヒートスプレッダー部１１５を形成した。（図２（ｊ））
耐エッチングマスクとして、膜厚４０μｍのＤＦＲ（ドライフィルムレジスト、ニチゴーモトン（株）社製のＮＩＴ−２２５）を所定形状に形成したレジストパターンを用い、塩化第２鉄液溶液にてスプレーエッチングした。
【００２４】
尚、このようにして、図３（ａ）（図２（ｊ）に相当）に示すヒートスブレッダー付きのビルドアップ型の配線基板を作製した後、更に、ＵＶ−ＹＡＧレーザにて、半導体チップ搭載側の絶縁層（ソルダレジスト１３５、ポリイミド樹脂１３０）を、第１の配線層１２０に達するまで除去し（図４（ａ））、その部分に半導体チップ１８０を搭載し、ワイヤボンデインングを行ない（図４（ｂ））、樹脂封止し　（図４（ｃ））、マザーボードに搭載してみたが、特に問題はなく、良い放熱効果を示していた。
【００２５】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、高密度配線ができ、且つ、効率的に安価にヒートスブレッダー付きのビルドアップ型の配線基板を製造することができるヒートスブレッダー付きのビルドアップ型の配線基板の製造方法の提供を可能とした。
結果、高密度配線で、効率的に製造でき、安価なヒートスブレッダー付きのビルドアップ型の配線基板の提供を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板の製造方法の実施の形態の１例の工程の一部を示した工程図である。
【図２】図１に続く工程を示した工程図である。
【図３】図３（ａ）は本発明のヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板の実施の形態の１例の断面図で、図３（ｂ）はそのＡ１方向から見たフレームとヒートスプレッダー部の形状の１例を示した図である。
【図４】本発明のヒートスプレッダー付きビルドアップ型の配線基板を用いた半導体パッケージの作製工程の１例である。
【図５】ビルドアップ配線基板の製造方法の１例を示した工程断面図である。
【符号の説明】
１１０　　　　　　導電性基板
１１５　　　　　　ヒートスプレッダー
１１６　　　　　　フレーム
１１７　　　　　　吊りリード
１２０　　　　　　第１の配線層（単に配線とも言う）
１３０　　　　　　絶縁層（層間絶縁層とも言う）
１３５　　　　　　絶縁層（表層絶縁層とも言う）
１３６　　　　　　開口
１４０Ａ　　　　　金属箔
１４０　　　　　　第２の配線層（単に配線とも言う）
１５０　　　　　　カバーコート層
１５５　　　　　　ビアホール
１６０　　　　　　充填ビア
１７０　　　　　　外部接続用端子部
１８０　　　　　　半導体チップ
１８１　　　　　　端子
１８５　　　　　　ボンディングワイヤ
１９０　　　　　　封止用樹脂（ポッティング樹脂）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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