(57)【要約】【課題】  電子注入層及び陰極を基板に対して一様に形成し、ＲＧＢそれぞれの有機ＥＬ層の発光特性を向上させる電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器を提供すること。【解決手段】  対向する電極間２３、５０に、異なる発光色を示す複数種類の発光層６０と、電子注入層５２とが形成された電気光学装置であって、電子注入層５２は、複数の金属化合物によって形成されていることを特徴とする。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する電極間に、異なる発光色を示す複数種類の発光層と、電子注入層とが形成された電気光学装置であって、
前記電子注入層は、複数の金属化合物によって形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数の金属化合物は、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属のうちいずれか一つを主成分として有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記複数の金属化合物は、混在して形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記複数の金属化合物は、積層して形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記複数の金属化合物が積層される順番は、金属化合物の化学結合力の大小によって規定されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記複数の金属化合物が積層される順番は、金属化合物の金属の価数の大小によって規定されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記複数の金属化合物が積層される順番は、金属化合物の金属のイオン半径の大小によって規定されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記複数の金属化合物が積層される順番は、金属化合物の金属の仕事関数の大小によって規定されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記対向する電極のうち、前記電子注入層と接触配置する電極は、前記金属化合物に対する還元性を有した金属を備えていることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項１０】
異なる発光色を示す複数種類の発光層と、電子注入層と、陰極とが形成された電気光学装置の製造方法であって、
前記電子注入層を形成する工程は、複数の金属化合物を用いて形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記電子注入層を形成する工程においては、前記複数の金属化合物を混在させて形成することを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記電子注入層を形成する工程においては、前記複数の金属化合物を積層させて形成することを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記電子注入層を形成する工程においては、前記金属化合物を形成する順番が前記金属化合物の化学結合力の大小によって規定されていることを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
前記電子注入層を形成する工程においては、前記金属化合物を形成する順番が金属化合物の金属の価数の大小によって規定されていることを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
前記電子注入層を形成する工程においては、前記金属化合物を形成する順番が金属化合物の金属のイオン半径の大小によって規定されていることを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１６】
前記電子注入層を形成する工程においては、前記金属化合物を形成する順番が金属化合物の金属の仕事関数の大小によって規定されていることを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１７】
前記陰極を形成する工程は、前記金属化合物に対する還元性を有した金属を用いて形成することを特徴とする請求項１０から請求項１６のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１から請求項９のうちいずれかに記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光層を備える発光装置としては、例えば、有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと称す）素子を備える有機ＥＬ表示装置がある。有機ＥＬ素子は、対向する一対の電極の間に、有機ＥＬ層（発光層）を含む有機機能層が配置されたものが一般的である。
有機ＥＬ表示装置は、カラー表示を行う場合、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色に対応する発光波長帯域を持つ複数種類の有機ＥＬ層を有する。基板上には、上記各色に対応する有機ＥＬ層が所定の配列で配置される。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置では、輝度、発光効率等の発光特性を向上させるために、陰極（電極）から有機ＥＬ層への電子注入を促進するための電子注入層を形成する場合があり、この電子注入層は、金属フッ化物等を蒸着法によって形成されるのが一般的であった（例えば、特許文献１、２、３参照。）。
【特許文献１】特開平１１−１９１４９０号公報
【特許文献２】特開平１０−７４５８６号公報
【特許文献３】特開２０００−１１３９７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、複数種類の有機ＥＬ層の全てに対して、電子注入層を同一状態に配置すると、有機ＥＬ層の種類ごとに発光特性に優劣が生じてしまうという問題があった。例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の有機ＥＬ層に対して、ＬｉＦからなる電子注入層を一様に形成した場合には、青色（Ｂ）の発光特性は所望に得られる。また、ＬｉＦ以外の金属化合物からなる電子注入層を一様に形成した場合には、青色（Ｂ）以外の発光特性を所望に得られる場合がある。従って、所望のカラー表示を得るためには、各有機ＥＬ層に対して、異なる種類の電子注入層をそれぞれ配置する必要があった。
【０００５】
このような電子注入層を所望の位置のみに形成する方法として、マスク蒸着法が用いられているが、この方法によれば、蒸着箇所を特定するためのマスクが必要となるだけでなく、マスクと基板とを高い精度で位置合わせする必要があり、基板上に蒸着箇所が多数ある場合の位置合わせが困難であるという問題があった。
また、電子注入層の接触配置する陰極は、一般的に蒸着法を用いて形成されている。この陰極形成においては、有機ＥＬ表示装置がバランスしたＲＧＢのカラー表示を行うために、一様に形成されていることが好ましく、従って、マスク蒸着法を用いることなく有機ＥＬ層全面に対して電子注入層を一様に形成する必要があった。
【０００６】
本発明は、上述する事情に鑑みてなされたものであり、電子注入層及び陰極を基板に対して一様に形成し、ＲＧＢそれぞれの有機ＥＬ層の発光特性を向上させる電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の手段を採用した。
即ち、本発明の電気光学装置は、対向する電極間に、異なる発光色を示す複数種類の発光層と、電子注入層とが形成された電気光学装置であって、前記電子注入層は、複数の金属化合物によって形成されていることを特徴としている。
ここで、対向する電極とは、陽極及び陰極を意味するものであり、発光層とは、陽極から供給される正孔と、陰極から供給される電子とが再結合することにより、励起状態から失活する際に発光するものである。更に、異なる発光色とは、いわゆる赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光色を意味するものである。
また、電子注入層とは陰極の電子を効率的に発光層に注入及び輸送するものであって、電子輸送層としての機能を含むものである。
また、金属化合物とは、少なくとも１種類の発光層の発光特性を向上させる性質を有しており、好適な電子注入層を形成するために所望に選択されるものである。更に金属化合物としては、複数種類の発光層それぞれに対して発光特性を向上させる好適な材料が選択される。
従って、本発明によれば、電子注入層が複数の金属化合物によって形成されおり、また、発光層と陰極との間に形成されているので、ＲＧＢそれぞれの発光層に対して効率的に電子を注入することができる。また、このような本発明の構成と、単一の金属材料が種類の異なる複数の発光層上に一様に配置された構成とを比較すると、発光層の種類毎に発光特性の優劣が生じてしまうという問題を解決することができ、種類の異なる発光層に対して個別の電子注入層をそれぞれ形成する必要もなくなる。
そして、このような電子注入層を備えた電気光学装置において、陽極及び陰極の間に電流が流れた際には、陽極の正孔が発光層に注入され、陰極の電子が発光層に注入され、正孔と電子が結合することにより発光層は発光し、良好な発光特性を得ることができ、好適な諧調のフルカラー表示を行うことができる。
【０００８】
また、本発明の電気光学装置においては、前記複数の金属化合物はアルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属のうちいずれか一つを主成分として有することを特徴としている。
従って、本発明によれば、当該金属を主成分として有するので、発光層に対する電子注入を効率的に行うことができる。
また、上記金属の化合物としては、フッ化物、酸化物、塩化物等が好適に採用される。
なお、本明細書において、「主成分」とは、構成成分のうち最も含有率の高い成分を指すこととする。
【０００９】
また、本発明の電気光学装置においては、前記複数の金属化合物は混在して形成されていることを特徴としている。
ここで言う、「複数の金属化合物は混在して」とは、膜厚が極めて薄い状態で分子又は原子が混在した状態、略２次元的に配置されたいわゆる超薄膜の状態を含むものである。また、分子又は原子が疎に配置されて所々に抜けた部分があり、あたかも網目状に配列しており、当該抜けた部分に他の分子又は原子が入り込んで、緻密に混合した状態を含むものである。
従って、本発明によれば、複数の金属化合物は混在して形成されているので、複数の各々の金属化合物が全発光層に関与する状態となり、電子注入層はＲＧＢそれぞれの発光層に対して効率的に電子を注入することができる。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置においては、前記複数の金属化合物は積層して形成されていることを特徴としている。
従って、本発明によれば、複数の金属化合物が積層して形成されているので、電子注入層はＲＧＢそれぞれの発光層に対して効率的に電子を注入することができる。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置においては、前記複数の金属化合物が積層される順番は金属化合物の化学結合力の大小によって規定されていることを特徴としている。
ここで、化学結合力とは、金属化合物を構成する金属原子と、Ｆ（弗素）やＣｌ（塩素）等のハロゲン元素、Ｏ（酸素）等との結合力を意味するものである。
このようにすれば、先に記載の電気光学装置と同様の効果が得られると共に、上記の金属化合物が積層形成される順番が、化学結合力の大小に応じて規定され、発光層と陰極との間に当該金属化合物からなる電子注入層が形成される。従って、発光層に対する電子注入及び輸送は、化学結合力の大小に起因して効率的に行われ、良好な発光特性を得ることができる。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置においては、前記複数の金属化合物が積層される順番は金属化合物の金属の価数の大小によって規定されていることを特徴としている。
このようにすれば、先に記載の電気光学装置と同様の効果が得られると共に、上記の金属化合物が積層形成される順番が、金属の価数の大小に応じて規定され、発光層と陰極との間に当該金属化合物からなる電子注入層が形成される。従って、発光層に対する電子注入及び輸送は、金属の価数の大小に起因して効率的に行われ、良好な発光特性を得ることができる。
【００１３】
また、本発明の電気光学装置においては、前記複数の金属化合物が積層される順番は金属化合物の金属のイオン半径の大小によって規定されていることを特徴としている。
このようにすれば、先に記載の電気光学装置と同様の効果が得られると共に、上記の金属化合物が積層形成される順番が、金属のイオン半径の大小に応じて規定され、発光層と陰極との間に当該金属化合物からなる電子注入層が形成される。従って、発光層に対する電子注入及び輸送は、金属のイオン半径の大小に起因して効率的に行われ、良好な発光特性を得ることができる。
【００１４】
また、本発明の電気光学装置においては、前記複数の金属化合物が積層される順番は金属化合物の金属の仕事関数の大小によって規定されていることを特徴としている。
このようにすれば、先に記載の電気光学装置と同様の効果が得られると共に、上記の金属化合物が積層形成される順番が、金属の仕事関数の大小に応じて規定され、発光層と陰極との間に当該金属化合物からなる電子注入層が形成される。従って、発光層に対する電子注入及び輸送は、金属の仕事関数の大小に起因して効率的に行われ、良好な発光特性を得ることができる。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置は、先に記載の電気光学装置であり、対向する電極のうち、電子注入層と接触配置する電極は、金属化合物に対する還元性を有した金属を備えていることを特徴とするものである。
一般に、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属の一部は、高融点金属のＡｌ等と比較して飽和蒸気圧が高く、酸化又は還元反応が生じるような反応温度及び圧力において、高融点金属のＡｌ（アルミニウム）等でその化合物を還元できることが知られている。例えば、ＣａＯ（酸化カルシウム）はＡｌによって還元されて金属のＣａ（カルシウム）が遊離する。また、その他にＲｂ２Ｏ（酸化ルビジウム）やＳｒＯ（酸化ストロンチウム）もＡｌによって還元され、金属のＲｂ（ルビジウム）やＳｒ（ストロンチウム）が遊離する。
従って、本発明によれば、先に記載した金属化合物を還元し、金属化合物のうち金属原子が遊離して発光層にドーピングされ、発光層内に拡散し、金属原子と発光層の高分子は渾然一体となり、電子注入層と発光層は互いに絡み合い、電子注入性が高い状態となる。即ち、発光層の発光特性を向上させることができる。
また、この金属化合物を還元する金属としては、種種の金属が採用され、例えば、Ａｌ、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｒ（クロム）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃａ、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｓｒ、Ｙｂ（イッテルビウム）、Ｅｒ（エルビウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｓｍ（サマリウム）等が好ましい。
【００１６】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、異なる発光色を示す複数種類の発光層と、電子注入層と、陰極とが形成された電気光学装置の製造方法であって、前記電子注入層を形成する工程は、複数の金属化合物を用いて形成することを特徴としている。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置を製造することができるので、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏する。
【００１７】
また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記電子注入層を形成する工程は前記複数の金属化合物を混在させて形成することを特徴としている。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置を製造することができるので、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏する。
また、金属化合物を混在させて形成する方法としては、共蒸着法を用いることが好ましい。共蒸着法とは、複数金属を同じ真空容器内で蒸発させて、基板上に複数金属の混合薄膜を同時形成する方法である。このような共蒸着法を用いて電子注入層を形成することにより、複数の金属化合物を好適に混在させて形成することができる。
【００１８】
また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記電子注入層を形成する工程は前記複数の金属化合物を積層させて形成することを特徴としている。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置を製造することができるので、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏する。
また、金属化合物を積層させて形成する方法としては、蒸着法を用いることが好ましい。蒸着法とは、所定の温度及び圧力に保たれた真空容器内で金属を蒸発させ、金属原子及び金属分子を所望の基板に堆積させて薄膜を形成する方法であり、薄膜を一様に形成するだけでなく、ナノメートルオーダーの薄膜を容易に形成する方法である。このような蒸着法を用いて、複数の金属化合物を順次積層して電子注入層を形成することにより、複数の金属化合物を好適に積層させて形成することができる。
【００１９】
また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記電子注入層を形成する工程は前記金属化合物を形成する順番が前記金属化合物の化学結合力の大小によって規定されていることを特徴としている。
このようにすれば、先に記載の製造方法と同様の効果が得られると共に、上記の金属化合物が積層形成される順番が、化学結合力の大小に応じて規定され、発光層と陰極との間に当該金属化合物からなる電子注入層が積層して形成される。
【００２０】
また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記電子注入層を形成する工程は前記金属化合物を形成する順番が金属化合物の金属の価数の大小によって規定されていることを特徴としている。
このようにすれば、先に記載の製造方法と同様の効果が得られると共に、上記の金属化合物が積層形成される順番が、金属の価数の大小に応じて規定され、発光層と陰極との間に当該金属化合物からなる電子注入層が積層して形成される。
【００２１】
また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記電子注入層を形成する工程は前記金属化合物を形成する順番が金属化合物の金属のイオン半径の大小によって規定されていることを特徴としている。
このようにすれば、先に記載の製造方法と同様の効果が得られると共に、上記の金属化合物が積層形成される順番が、金属のイオン半径の大小に応じて規定され、発光層と陰極との間に当該金属化合物からなる電子注入層が積層して形成される。
【００２２】
また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記電子注入層を形成する工程は前記金属化合物を形成する順番が金属化合物の金属の仕事関数の大小によって規定されていることを特徴としている。
このようにすれば、先に記載の製造方法と同様の効果が得られると共に、上記の金属化合物が積層形成される順番が、金属の仕事関数の大小に応じて規定され、発光層と陰極との間に当該金属化合物からなる電子注入層が積層して形成される。
【００２３】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、先に記載の電気光学装置の製造方法であり、陰極を形成する工程は、金属化合物に対する還元性を有した金属を用いて形成することを特徴とするものである。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置を製造することができるので、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏する。
【００２４】
次に、本発明の電子機器は、本発明の電気光学装置を備えたことを特徴とするものである。
このような電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ、パソコンなどの情報処理装置などを例示することができる。このように電子機器の表示部に、本発明の表示装置を採用することによって、発光特性が良好な電子機器を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下では、本発明に係る電気光学装置およびその製造方法、並びに電子機器の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、係る実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００２６】
〔第１の実施形態〕
本発明の電気光学装置の第１の実施形態として、電気光学物質の一例である電界発光型物質、中でも有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料を用いたＥＬ表示装置について説明する。図１は本実施形態に係るＥＬ表示装置の配線構造を示す模式図である。
【００２７】
（ＥＬ表示装置）
図１に示すＥＬ表示装置（電気光学装置）１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下では、ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス方式のＥＬ表示装置である。
【００２８】
このＥＬ表示装置１は、図１に示すように、複数の走査線１０１…と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２…と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３…とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１…と信号線１０２…の各交点付近に、画素領域Ｘ…が設けられている。
【００２９】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００３０】
更に、画素領域Ｘ各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）２３と、この画素電極２３と陰極（電極）５０との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。このように画素電極２３と陰極５０と機能層１１０により、発光素子が構成されている。
【００３１】
このＥＬ表示装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極２３に電流が流れ、さらに機能層１１０を介して陰極５０に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００３２】
次に、本実施形態のＥＬ表示装置１の具体的な態様を図２〜５を参照して説明する。図２はＥＬ表示装置１の構成を模式的に示す平面図である。図３は図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図、図４は図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図である。図５は図３の要部拡大断面図である。
【００３３】
図２に示す本実施形態のＥＬ表示装置１は、光透過性と電気絶縁性を備える基板２０と、図示略のスイッチング用ＴＦＴに接続された画素電極が基板２０上にマトリックス状に配置されてなる図示略の画素電極域と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線１０３…と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図中一点鎖線枠内）とを具備して構成されている。また画素部３は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００３４】
実表示領域４には、それぞれ画素電極を有する表示領域Ｒ、Ｇ、ＢがＡ−Ｂ方向およびＣ−Ｄ方向に離間して配置されている。
また、実表示領域４の図中両側には、走査線駆動回路８０、８０が配置されている。この走査線駆動回路８０、８０はダミー領域５の下側に位置して設けられている。
【００３５】
更に、実表示領域４の図中上側には、検査回路９０が配置されている。この検査回路９０はダミー領域５の下側に位置して設けられている。この検査回路９０は、ＥＬ表示装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する不図示の検査情報出力手段を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。
【００３６】
走査線駆動回路８０および検査回路９０の駆動電圧は、所定の電源部から駆動電圧導通部３１０（図３参照）および駆動電圧導通部３４０（図４参照）を介して印加されている。また、これら走査線駆動回路８０および検査回路９０への駆動制御信号および駆動電圧は、このＥＬ表示装置１の作動制御を司る所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部３２０（図３参照）および駆動電圧導通部３５０（図４参照）を介して送信および印加されるようになっている。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。
【００３７】
ＥＬ表示装置１は、図３及び図４に示すように、基板２０と封止基板３０とが封止樹脂４０を介して貼り合わされている。基板２０、封止基板３０および封止樹脂４０とで囲まれた領域には、乾燥剤４５が挿入されるとともに、窒素ガスが充填された窒素ガス充填層４６が形成されており、水分及び酸素のＥＬ表示装置１内部への浸入を抑制し、ＥＬ表示装置の長寿命化を図った構成となっている。なお、乾燥剤４５に代えてゲッター剤を用いてもよい。
【００３８】
基板２０は、いわゆるトップエミッション型のＥＬ表示装置の場合には、この基板２０の対向側である封止基板３０側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミック、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。
また、いわゆるバックエミッション型のＥＬ表示装置の場合には、基板２０側から発光光を取り出す構成であるので、基板２０は、透明あるいは半透明のものが採用される。例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特に、安価なソーダガラス基板が好適に用いられる。
【００３９】
封止基板３０は、例えば、電気絶縁性を有する板状部材を採用することができる。また、封止樹脂４０は、例えば、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂からなるものであり、特に熱硬化樹脂の一種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。
【００４０】
また、基板２０上には、画素電極２３を駆動するため２の駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部１１が形成され、その上に機能層１１０が設けられている。機能層１１０は、図５に示すように、画素電極２３と、この画素電極２３から正孔を注入及び輸送する正孔注入／輸送層７０と、電気光学物質の一つである有機ＥＬ物質を備える有機ＥＬ層（発光層）６０と、有機ＥＬ層６０に対して電子を注入する電子注入層５２と、陰極５０とが順に形成されている。
【００４１】
画素電極２３は、ＩＴＯ等の透明導電膜によって構成され、印加された電圧によって、正孔を有機ＥＬ層６０に向けて注入するものであり、仕事関数が高く導電性を有している。画素電極２３を形成するための材料としては、ＩＴＯに限るものではなく、いわゆるトップエミッション型のＥＬ表示装置の場合には、特に光透過性を備えた材料を採用する必要はなく、好適な材料であればよい。また、いわゆるバックエミッション型のＥＬ表示装置の場合には、光透過性を備えた公知の材料を採用することができる。例えば、金属酸化物が挙げられるが、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、もしくは、金属酸化物に亜鉛（Ｚｎ）を含有した材料、例えば、酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Indium Zinc Oxide：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー）（登録商標））（出光興産社製）を採用することができる。
【００４２】
正孔注入／輸送層７０を形成するための材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、または、それらのドーピング体などが採用できる。より具体的には、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの一種であるバイトロン−ｐ（Bytron-p：バイエル社製）などを好適に用いることができる。
【００４３】
有機ＥＬ層６０は、フルカラー表示を行うべく、有機ＥＬ層６０が、その発光波長帯域が光の三原色にそれぞれ対応して形成されている。発光波長帯域が赤色に対応した有機ＥＬ層６０Ｒ、緑色に対応した有機ＥＬ層６０Ｇ、青色に対応した有機ＥＬ層６０Ｂとによって１画素が構成され、これらが諧調して発光することによって、ＥＬ表示装置１が全体としてフルカラー表示を行うようになっている。
有機ＥＬ層６０を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。
また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料、例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることができる。
【００４４】
電子注入層５２は、複数の金属化合物によって構成されており、有機ＥＬ層６０の全面に対して当該複数の金属化合物が一様に形成されたものである。そして、当該複数の金属化合物のうち、一つの金属化合物は少なくとも１種類の有機ＥＬ層６０の発光特性を向上させる性質を有し、また、他の一つの金属化合物は他の種類の有機ＥＬ層６０の発光特性を向上させる性質を有している。従って、複数の金属化合物は、有機ＥＬ層６０Ｒ、６０Ｇ、６０Ｂのそれぞれの発光特性を低下させることなく電子を注入するようになっている。
【００４５】
更に、本実施形態の電子注入層５２は、後述の製造方法で説明するように、複数の金属化合物が混在するように共蒸着によって形成されている。そして、このように形成されることにより、膜厚が極めて薄い状態で分子又は原子が混在した状態になっている。もしくは、略２次元的に配置されたいわゆる超薄膜金属化合物の分子又は原子が疎に配置されて所々に抜けた部分が形成され、あたかも網目状に配列し、当該抜けた部分に他の分子又は原子が入り込んで、緻密に混合した状態となっている。
従って、複数の金属化合物を構成する各々の材料は有機ＥＬ層６０に関与する状態となっており、即ち、有機ＥＬ層６０Ｒ、６０Ｇ、６０Ｂと複数の金属化合物とは、電子注入性の意味で接触状態になっている。
【００４６】
本実施形態の金属化合物の材料としては、低仕事関数の金属が好ましく、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属のうちいずれか一つを主成分としている。また、当該金属の化合物としては、フッ化物、酸化物、塩化物等が好適に採用され、例えばＮａＦ（フッ化ナトリウム）、ＬｉＦ（フッ化リチウム）、ＣｓＦ（フッ化セシウム）、ＲｂＦ（フッ化ルビジウム）、Ｎａ２Ｏ（酸化ナトリウム）、Ｌｉ２Ｏ（酸化リチウム）、ＣａＦ２（フッ化カルシウム）、ＭｇＦ２（フッ化マグネシウム）、ＢａＦ２（フッ化バリウム）、ＳｒＦ２（フッ化ストロンチウム）、ＹｂＦ３（フッ化イッテルビウム）、ＥｒＦ３（フッ化エルビウム）、ＴｂＦ３（フッ化テルビウム）、ＳｍＦ３（フッ化サマリウム）等が好ましい。
本実施形態においては、特に金属化合物としてＬｉＦ及びＳｒＦ２を採用した場合について説明する。
【００４７】
陰極５０は、図３から図４に示すように、実表示領域４及びダミー領域５の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されており、電子注入層５２の金属化合物に対する還元性を有した金属を備えている。陰極５０を形成する材料としては、上記の還元性金属を有機ＥＬ層６０側に積層して第１の陰極層とし、その上層にアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金、もしくは銀又は銀−マグネシウム合金などを積層して第２の陰極層とした積層体を採用することができる。
還元性金属の材料としては、種種の金属が採用され、例えば、Ａｌ、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｒ（クロム）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃａ、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｓｒ、Ｙｂ（イッテルビウム）、Ｅｒ（エルビウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｓｍ（サマリウム）等が好ましい。
ここで、第２の陰極層は第１の陰極層を覆って、酸素や水分などとの化学反応から保護するとともに、陰極５０の導電性を高めるために設けられる。従って、化学的に安定で仕事関数が低く、単層構造でもよく、金属材料に限るものではない。いわゆるトップエミッション型のＥＬ表示装置を形成するための材料としては、透明性を備えた公知の材料としてＩＴＯが好適に採用される。その他の透明性を備えた金属として、金属酸化物に亜鉛（Ｚｎ）を含有した材料、例えば、酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Indium Zinc Oxide：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー）（登録商標））（出光興産社製）等を採用することができる。
本実施形態においては、特に第１の陰極層としてＣａ、第２の陰極層としてＡｌを採用した場合について説明する。
なお、陰極５０は、第１及び第２の陰極層によって形成された積層体に限定することなく、上記第１及び第２の陰極層の構成材料が混合された混合体であってもよい。
【００４８】
次に、実表示領域４に設けられた駆動用ＴＦＴ１２３の近傍の構成について、図５を参照して説明する。図５は画素領域Ｘを図２のＡ−Ｂ方向に沿った断面を示している。
図５に示すように、基板２０の表面には、ＳｉＯ2を主成分とする下地保護層２８１を下地として、その上層にはシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面は、ＳｉＯ2および／またはＳｉＮを主成分とするゲート絶縁層２８２によって覆われている。
【００４９】
そして、このシリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は図示略の走査線１０１の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２が形成されたゲート絶縁層２８２の表面は、ＳｉＯ2を主成分とする第１層間絶縁層２８３によって覆われている。
【００５０】
また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、上述した電源線１０３（図１参照、図５においてはソース電極２４３の位置に紙面垂直方向に延在する）の一部として構成される。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００５１】
ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層は、例えばアクリル系の樹脂成分を主成分とする第２層間絶縁層２８４によって覆われている。この第２層間絶縁層２８４は、アクリル系の絶縁膜以外の材料、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2などを用いることもできる。そして、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる画素電極２３が、この第２層間絶縁層２８４の面上に形成されるとともに、当該第２層間絶縁層２８４に設けられたコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続されている。
【００５２】
なお、走査線駆動回路８０および検査回路９０に含まれるＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）、すなわち、例えばこれらの駆動回路のうち、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型のＴＦＴは、画素電極２３と接続されていない点を除いて上記駆動用ＴＦＴ１２３と同様の構造とされている。
【００５３】
画素電極２３が形成された第２層間絶縁層２８４の表面は、画素電極２３と、例えばＳｉＯ2などの親液性材料を主成分とする親液性制御層２５と、アクリルやポリイミドなどからなる有機バンク層２２１とによって覆われている。そして、画素電極２３には親液性制御層２５に設けられた開口部２５ａ、および有機バンク２２１に設けられた開口部２２１ａの開口内部に、正孔注入／輸送層７０と、有機ＥＬ層６０とが画素電極２３側からこの順で積層されている。なお、本実施形態における親液性制御層２５の「親液性」とは、少なくとも有機バンク層２２１を構成するアクリル、ポリイミドなどの材料と比べて親液性が高いことを意味するものとする。
以上に説明した基板２０から第２層間絶縁層２８４までの層は回路部１１を構成している。
【００５４】
また、本実施形態のＥＬ表示装置１は、カラー表示を行うべく、有機ＥＬ層６０Ｒ、６０Ｇ、６０Ｂそれぞれに対応する表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂに設け、各色表示領域の境界には、金属クロムをスパッタリングなどにて成膜した図示略のＢＭ（ブラックマトリクス）が、有機バンク層２２１と親液性化制御層２５との間に位置して形成されている。
【００５５】
このように構成されたＥＬ表示装置１においては、電子注入層５２内にＬｉＦ及びＳｒＦ２からなる金属化合物が混在し、有機ＥＬ層６０Ｒ、６０Ｇ、６０Ｂの表面に超薄膜状の当該電子注入層５２が形成されているので、ＲＧＢそれぞれの有機ＥＬ層６０に対して効率的に電子を注入することができる。具体的には、有機ＥＬ層６０のうち有機ＥＬ層６０Ｂに対してＬｉＦが陰極の電子を注入し、有機ＥＬ層６０Ｒ、６０Ｇに対してＳｒＦ２が陰極の電子を注入する。ここで、陽極に電流が流れた際には、陽極の正孔が有機ＥＬ層６０に注入され、正孔と電子が結合することにより有機ＥＬ層６０は発光し、好適な諧調のフルカラー表示が行われる。即ち、電子注入層５２は、複数の金属化合物を備えているので、有機ＥＬ層６０Ｒ、６０Ｇ、６０Ｂのそれぞれの発光特性を向上させることができ、好適な諧調のフルカラー表示を行うことができる。
【００５６】
また、陰極５０は、上記金属化合物に対する還元性を有した金属、即ち、Ｃａを備えているので、ＣａはＬｉＦ及びＳｒＦ２を還元し、Ｌｉ及びＳｒが遊離して有機ＥＬ層６０内にドーピングされる。ＬｉＦ及びＳｒは、有機ＥＬ層６０内に拡散し、有機ＥＬ層６０の高分子と渾然一体となり、電子注入層５２と有機ＥＬ層６０は互いに絡み合い電子注入性が高い状態となる。即ち、還元性金属によって、有機ＥＬ層６０の発光特性を更に向上させることができる。更に、ＥＬ表示装置１においては、ＲＧＢのカラー表示が諧調された表示を行うことができる。
【００５７】
（ＥＬ表示装置の製造方法）
次に、本実施形態に係るＥＬ表示装置１の製造方法の一例として、図６〜図１１を参照して説明する。ここで、図６〜図１１に示す各断面図は、図２中のＡ−Ｂ線の断面図に対応しており、各製造工程順に示している。また、図１１はＥＬ表示装置１を製造するための蒸着装置の概略構成図である。
【００５８】
まず、図６（ａ）に示すように、基板２０の表面に、下地保護層２８１を形成する。次に、下地保護層２８１上に、ＩＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などを用いてアモルファスシリコン層５０１を形成した後、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシリコン層とする。
【００５９】
次いで、図６（ｂ）に示すように、ポリシリコン層をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、島状のシリコン層２４１、２５１および２６１を形成する。これらのうちシリコン層２４１は、表示領域内に形成され、画素電極２３に接続される駆動用ＴＦＴ１２３を構成するものであり、シリコン層２５１、２６１は、走査線駆動回路８０に含まれるＰチャネル型およびＮチャネル型のＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）をそれぞれ構成するものである。
【００６０】
次に、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法などにより、シリコン層２４１、２５１および２６１、下地保護層２８１の全面に厚さが約３０ｎｍ〜２００ｎｍのシリコン酸化膜によって、ゲート絶縁層２８２を形成する。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層２８２を形成する際には、シリコン層２４１、２５１および２６１の結晶化も行い、これらのシリコン層をポリシリコン層とすることができる。
【００６１】
また、シリコン層２４１、２５１および２６１にチャネルドープを行う場合には、例えば、このタイミングで約１×１０12ｃｍ-2のドーズ量でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリコン層２４１、２５１および２６１は、不純物濃度（活性化アニール後の不純物にて算出）が約１×１０17ｃｍ-3の低濃度Ｐ型のシリコン層となる。
【００６２】
次に、Ｐチャネル型ＴＦＴ、Ｎチャネル型ＴＦＴのチャネル層の一部にイオン注入選択マスクを形成し、この状態でリンイオンを約１×１０15ｃｍ-2のドーズ量でイオン注入する。その結果、パターニング用マスクに対してセルフアライン的に高濃度不純物が導入されて、図６（ｃ）に示すように、シリコン層２４１及び２６１中に高濃度ソース領域２４１Ｓおよび２６１Ｓ並びに高濃度ドレイン領域２４１Ｄおよび２６１Ｄが形成される。
【００６３】
次に、図６（ｃ）に示すように、ゲート絶縁層２８２の表面全体に、ドープドシリコンやシリサイド膜、或いはアルミニウム膜やクロム膜、タンタル膜という金属膜からなるゲート電極形成用導電層５０２を形成する。この導電層５０２の厚さは概ね５００ｎｍ程度である。その後、パターニング法により、図６（ｄ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２５２、画素用ＴＦＴを形成するゲート電極２４２、Ｎチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２６２を形成する。また、駆動制御信号導通部３２０（３５０）、陰極電源配線の第１層１２１も同時に形成する。なお、この場合、駆動制御信号導通部３２０（３５０）はダミー領域５に配設するものとされている。
【００６４】
続いて、図６（ｄ）に示すように、ゲート電極２４２，２５２および２６２をマスクとして用い、シリコン層２４１，２５１および２６１に対してリンイオンを約４×１０13ｃｍ-2のドーズ量でイオン注入する。その結果、ゲート電極２４２，２５２および２６２に対してセルフアライン的に低濃度不純物が導入され、図７（ｃ）および（ｄ）に示すように、シリコン層２４１および２６１中に低濃度ソース領域２４１ｂおよび２６１ｂ、並びに低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび２６１ｃが形成される。また、シリコン層２５１中に低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄが形成される。
【００６５】
次に、図７（ｅ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴ２５２以外の部分を覆うイオン注入選択マスク５０３を形成する。このイオン注入選択マスク５０３を用いて、シリコン層２５１に対してボロンイオンを約１．５×１０15ｃｍ-2のドーズ量でイオン注入する。結果として、Ｐチャネル型駆動回路用ＴＦＴを構成するゲート電極２５２もマスクとして機能するため、シリコン層２５２中にセルフアライン的に高濃度不純物がドープされる。従って、低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄはカウンタードープされ、Ｐ型チャネル型の駆動回路用ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域となる。
【００６６】
次いで、図７（ｆ）に示すように、基板２０の全面にわたって第１層間絶縁層２８３を形成するとともに、フォトリソグラフィ法を用いて当該第１層間絶縁層２８３をパターニングすることによって、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極に対応する位置にコンタクトホールＣを形成する。
【００６７】
次に、図７（ｇ）に示すように、第１層間絶縁層２８３を覆うように、アルミニウム、クロム、タンタルなどの金属からなる導電層５０４を形成する。この導電層５０４の厚さは概ね２００ｎｍないし８００ｎｍ程度である。この後、導電層５０４のうち、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極が形成されるべき領域２４０ａ、駆動電圧導通部３１０（３４０）が形成されるべき領域３１０ａ、陰極電源配線の第２層が形成されるべき領域１２２ａを覆うようにパターニング用マスク５０５を形成するとともに、当該導電層５０４をパターニングして、図８（ｈ）に示すソース電極２４３、２５３、２６３、ドレイン電極２４４、２５４、２６４を形成する。
【００６８】
次いで、図８（ｉ）に示すように、これらが形成された第１層間絶縁層２８３を覆う第２層間絶縁層２８４を、例えばアクリル系樹脂などの高分子材料によって形成する。この第２層間絶縁層２８４は、約１〜２μｍ程度の厚さに形成されることが望ましい。なお、ＳｉＮ、ＳｉＯ2により第２層間絶縁膜を形成する事も可能であり、ＳｉＮの膜厚としては２００ｎｍ、ＳｉＯ2の膜厚としては８００ｎｍに形成することが望ましい。
【００６９】
次いで、図８（ｊ）に示すように、第２層間絶縁層２８４のうち、駆動用ＴＦＴのドレイン電極２４４に対応する部分をエッチングにより除去してコンタクトホール２３ａを形成する。
その後、基板２０の全面を覆うように画素電極２３となる導電膜を形成する。そして、この透明導電膜をパターニングすることにより、図９（ｋ）に示すように、第２層間絶縁層２８４のコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４と導通する画素電極２３を形成すると同時に、ダミー領域のダミーパターン２６も形成する、なお、図３、４では、これら画素電極２３、ダミーパターン２６を総称して画素電極２３としている。
ダミーパターン２６は、第２層間絶縁層２８４を介して下層のメタル配線へ接続しない構成とされている。すなわち、ダミーパターン２６は、島状に配置され、実表示領域に形成されている画素電極２３の形状とほぼ同一の形状を有している。もちろん、表示領域に形成されている画素電極２３の形状と異なる構造であってもよい。なお、この場合、ダミーパターン２６は少なくとも上記駆動電圧導通部３１０（３４０）の上方に位置するものも含むものとする。
【００７０】
次いで、図９（ｌ）に示すように、画素電極２３、ダミーパターン２６上、および第２層間絶縁膜上に絶縁層である親液性制御層２５を形成する。なお、画素電極２３においては一部が開口する態様にて親液性制御層２５を形成し、開口部２５ａ（図３も参照）において画素電極２３からの正孔移動が可能とされている。逆に、開口部２５ａを設けないダミーパターン２６においては、絶縁層（親液性制御層）２５が正孔移動遮蔽層となって正孔移動が生じないものとされている。
【００７１】
次いで、図９（ｌ）に示すように、親液性制御層２５において、異なる２つの画素電極２３の間に位置して形成された凹状部にＢＭを形成する。具体的には、親液性制御層２５の上記凹状部に対して、金属クロムを用いスパッタリング法にて成膜する。
【００７２】
次いで、図９（ｍ）に示すように、親液性制御層２５の所定位置、詳しくは上記ＢＭを覆うように有機バンク層２２１を形成する。具体的な有機バンク層の形成方法としては、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などのレジストを溶媒に溶かしたものを、スピンコート法、ディップコート法などの各種塗布法により塗布して有機質層を形成する。なお、有機質層の構成材料は、後述するインクの溶媒に溶解せず、しかもエッチングなどによってパターニングし易いものであればどのようなものでもよい。
【００７３】
次いで、有機質層をフォトリソグラフィ技術などにより同時にエッチングして、有機質物のバンク開口部２２１ａを形成し、開口部２２１ａに壁面を備えた有機バンク層２２１を形成する。なお、この場合、有機バンク層２２１は少なくとも上記駆動制御信号導通部３２０の上方に位置するものを含むものとされる。
【００７４】
次いで、有機バンク層２２１の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域とを形成する。本実施形態においてはプラズマ処理工程により、各領域を形成するものとしている。具体的には、該プラズマ処理工程は、予備加熱工程と、有機バンク層２２１の上面および開口部２２１ａの壁面ならびに画素電極２３の電極面２３ｃ、親液性制御層２５の上面を親液性にする親インク化工程と、有機バンク層の上面および開口部の壁面を撥液性にする撥インク化工程と、冷却工程とを具備している。
【００７５】
すなわち、基材（バンクなどを含む基板２０）を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、次いで親インク化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ2プラズマ処理）を行う。次いで、撥インク化工程として大気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ4プラズマ処理）を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基材を室温まで冷却することで、親液性および撥液性が所定箇所に付与されることとなる。
【００７６】
なお、このＣＦ4プラズマ処理においては、画素電極２３の電極面２３ｃおよび親液性制御層２５についても多少の影響を受けるが、画素電極２３の材料であるＩＴＯおよび親液性制御層２５の構成材料であるＳｉＯ2、ＴｉＯ2などはフッ素に対する親和性に乏しいため、親インク化工程で付与された水酸基がフッ素基で置換されることがなく、親液性が保たれる。
【００７７】
次いで、図１０（ｎ）に示す正孔注入／輸送層７０を形成するべく正孔注入／輸送層形成工程が行われる。正孔注入／輸送層形成工程では、インクジェット法により、正孔注入／輸送層材料を含む材料インクを電極面２３ｃ上に吐出した後に、乾燥処理を行い、電極２３上に正孔注入／輸送層７０を形成する。なお、この正孔注入／輸送層形成工程以降は、正孔注入／輸送層７０および有機ＥＬ層６０の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
このようなインクジェット法によれば、吐出ヘッド（図示略）に正孔注入／輸送層７０の材料となるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ等を含む材料インクを充填し、吐出ヘッドの吐出ノズルを親液性制御層２５に形成された上記開口部２５ａ内に位置する電極面２３ｃに対向させ、吐出ヘッドと基材（基板２０）とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴を電極面２３ｃに吐出する。次に、吐出後の液滴を乾燥処理して材料インクに含まれる極性溶媒を蒸発させることにより、正孔注入／輸送層７０が形成される。
材料インクとしては、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳをイソプロピルアルコールなどの極性溶媒に溶解させたものを用いることができる。ここで、吐出された液滴は、親インク処理された電極面２３ｃ上に広がり、親液性制御層２５の開口部２５ａ内に満たされる。その一方で、撥インク処理された有機バンク層２２１の上面では、液滴がはじかれて付着しない。従って、液滴が所定の吐出位置からはずれて有機バンク層２２１の上面に吐出されたとしても、該上面が液滴で濡れることがなく、弾かれた液滴が親液性制御層２５の開口部２５ａ内に転がり込む。
【００７８】
次いで、図１０（ｎ）に示すように、有機ＥＬ層６０を形成すべく有機ＥＬ層形成工程が行われる。有機ＥＬ層形成工程では、上記と同様のインクジェット法により、有機ＥＬ層用材料を含む材料インクを正孔注入／輸送層７０上に吐出した後に乾燥処理および熱処理して、有機バンク層２２１に形成された開口部２２１ａ内に有機ＥＬ層６０を形成する。
【００７９】
有機ＥＬ層形成工程では、正孔注入／輸送層７０の再溶解を防止するために、有機ＥＬ層形成の際に用いる材料インクの溶媒として、正孔注入／輸送層７０に対して不溶な無極性溶媒を用いる。
この有機ＥＬ層形成工程としては、例えば吐出ヘッド（図示略）に、青色（Ｂ）有機ＥＬ層の材料を含有する材料インクを充填し、吐出ヘッドの吐出ノズルを絶縁層（親液性制御層）２５の開口部２５ａ内に位置する正孔注入／輸送層７０に対向させ、吐出ヘッドと基材とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴として吐出し、この液滴を正孔注入／輸送層７０上に吐出する。
【００８０】
吐出された液滴は、正孔注入／輸送層７０上に広がって親液性制御層２５の開口部２５ａ内に満たされる。その一方で、撥インク処理された有機バンク層２２１上面では、液滴が弾かれて付着しない。これにより、液滴が所定の吐出位置からはずれて有機バンク層２２１上面に吐出されたとしても、該上面が液滴で濡れることがなく、液滴が上記親液性制御層２５の開口部２５ａ内に転がり込み、さらに有機バンク層２２１の開口部２２１ａ内に吐出・充填される。次いで、吐出後の液滴を乾燥処理することにより材料インクに含まれる無極性溶媒を蒸発させ、有機ＥＬ層６０が形成される。なお、各色の有機ＥＬ層６０は、それぞれ各色表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂに対応して液滴が滴下される。
【００８１】
ここで、正孔注入／輸送層７０、有機ＥＬ層６０をそれぞれインクジェットプロセスにより形成するが、この際、吐出ヘッドは発光ドット間のピッチにより傾き方向を制御している。
【００８２】
次いで、図１０（ｎ）に示すように、有機ＥＬ層６０上に電子注入層５２を形成すべく電子注入層形成工程が行われ、この工程においては図１１に示す蒸着装置を用いた共蒸着法が行われる。また、ここでは電子注入層５２の形成材料として、ＬｉＦ及びＳｒＦ２を採用した場合について説明する。
【００８３】
図１１に示す蒸着装置１８０は、処理室１８２と、処理室内を真空状態に制御する真空制御部１８６と、蒸着処理用の基板２０を保持する基板保持部１８７と、基板２０を所定の温度に調整する温度制御部１８８と、材料を加熱する蒸着源１８９ａ及び１８９ｂとによって構成されている。ここで、蒸着源１８９ａはＬｉＦを具備しており、蒸着源１８９ｂはＳｒＦ２を具備している。
このように構成された蒸着装置１８０においては、処理室１８２が所定の温度及び圧力に保持され、基板２０が所定の温度に設定された状態で、蒸着源１８９ａ及び１８９ｂの各々が異なる材料を蒸発させ、各材料分子が混在して基板２０に堆積し、当該材料分子の薄膜が基板２０に一様に形成することができる。この蒸着装置１８０によって、所望の材料が混在した薄膜を形成するだけでなく、ナノメートルオーダーの薄膜を容易に形成することができる。
【００８４】
このような蒸着装置１８０による電子注入層形成工程においては、まず、蒸着源１８９ａにＬｉＦを配置し、蒸着源１８９ｂにＳｒＦ２を配置し、上述のようにＬｉＦ及びＳｒＦ２を基板２０に一様に蒸着する。このようなＬｉＦ及びＳｒＦ２は、互いに混在かつ緻密な状態で超薄膜状に形成されており、ＬｉＦとＳｒＦ２が有機ＥＬ層６０に関与する状態、有機ＥＬ層６０と電子注入性の意味で接触状態に形成される。
また、電子注入層５２におけるＬｉＦ及びＳｒＦ２の混合比は、１：４であることが好ましい。このようにすればＲＧＢの発光バランスが最適になる。
【００８５】
続いて、図１０（ｏ）に示すように、陰極５０を形成すべく蒸着法を用いて陰極層形成工程が行われる。陰極５０は、第１の陰極層と第２の陰極層とによって構成されており、第１の陰極層の材料としては電子注入層５２のＬｉＦ及びＳｒＦ２に対する還元性を有した材料としてＣａが好適に採用され、第２の陰極層の材料としては酸素や水分から第１の陰極層を保護する導電性材料が好ましく、Ａｌが好適に採用される。このような陰極５０の形成においては、電子注入層５２に対して一様に形成され、いわゆる全面ベタで形成される。
【００８６】
最後に、図１０（ｏ）に示すように、封止基板３０を形成すべく封止工程を行う。この封止工程では、封止基板３０の内側に乾燥剤４５を挿入しつつ、封止基板３０と基板２０とを接着剤４０にて封止する。なお、この封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うことが好ましい。
【００８７】
このようなＥＬ表示装置の製造方法においては、共蒸着法を用いて複数の金属化合物ｌ、即ち、ＬｉＦ及びＳｒＦ２からなる超薄膜が形成され、電子注入層５２が構成されるので、有機ＥＬ層６０の発光特性が向上されたＥＬ表示装置を製造することができる。また、陰極５０は、蒸着によって形成されたＣａを備えており、ＬｉＦ及びＳｒＦ２を還元するので、有機ＥＬ層６０の発光特性を更に向上することができる。
更に、電子注入層５２及び陰極５０は、一連した蒸着法を用いて一様に形成され、いわゆる全面ベタで形成され、マスク蒸着等を用いたパターニングを行う必要がないので、ＥＬ表示装置の製造を容易にすることができる。更に、電子注入層５２及び陰極５０が一様に形成されるので、ＲＧＢのカラー表示が諧調された表示を行うＥＬ表示装置を製造することができる。
【００８８】
〔第２の実施形態〕
次に、本発明の電気光学装置の第２の実施形態について説明する。
上述の第１の実施形態においては、複数の金属化合物が混在して形成されることにより電子注入層５２が構成されているが、本実施形態においては複数の金属化合物が所定の順番で積層形成されることにより電子注入層５２が構成されている。
なお、第１実施形態と本実施形態は、電子注入層５２の構成のみが異なっており、その他については第１実施形態と同様である。本実施形態においては、第１実施形態と異なる部分について説明し、その他の同一部分は同一符号を付している。
【００８９】
本実施形態における電子注入層５２を構成する金属化合物の材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属のうちいずれか一つを主成分し、フッ化物、酸化物、塩化物を採用することが好ましい。図１２及び図１３示す図は、電子注入層５２を構成するアルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属の代表例となる金属と、当該金属の各種特性を示す図である。また、図１４は、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属における一例の金属フッ化物、金属酸化物、金属塩化物と、その融点を示す図である。
なお、図１２〜図１４は、金属化合物の材料の代表例を示すものであって、本発明の材料を限定するものではない。
【００９０】
更に、電子注入層５２は、有機ＥＬ層６０側に形成される第１層の金属化合物と、当該第１層に積層される第２層の金属化合物を備えており、当該第１層及び第２層は所定に規定された順番に積層されている。
その順番は、（１）金属化合物の化学結合力の大小によって規定される順番、（２）金属化合物の金属の価数の大小によって規定される順番、（３）金属化合物の金属のイオン半径の大小によって規定される順番、（４）金属化合物の金属の仕事関数の大小によって規定される順番によって規定されている。
次に、（１）〜（４）の各々の具体例について詳述する。
【００９１】
（１．金属化合物の化学結合力の大小によって規定される順番）
ここで、「化学結合力の大小によって規定される」とは、金属化合物の安定度として各材料の融点の大小でその順列を規定することを意味しており、第１層よりも第２層の化学結合力が大きくなる順列で各金属化合物が積層される。
従って、具体的な金属化合物の組み合わせとしては、第１層／第２層が共にフッ化物である場合には、ＣｓＦ／ＬｉＦ、ＣｓＦ／ＮａＦ、ＣｓＦ／ＫＦ、ＣｓＦ／ＲｂＦ、ＲｂＦ／ＫＦ、ＲｂＦ／ＮａＦ、ＲｂＦ／ＬｉＦ、ＫＦ／ＮａＦ、ＫＦ／ＬｉＦ、ＮａＦ／ＬｉＦ、ＬｉＦ／ＭｇＦ２、ＬｉＦ／ＣａＦ２、ＬｉＦ／ＳｒＦ２、ＬｉＦ／ＢａＦ２、ＣａＦ２／ＭｇＦ２、ＣａＦ２／ＢａＦ２、ＣａＦ２／ＳｒＦ２、ＢａＦ２／ＳｒＦ２、ＢａＦ２／ＭｇＦ２、ＳｒＦ２／ＢａＦ２のいずれかの構成を採用することが好ましい。
【００９２】
また、第１層／第２層がフッ化物／酸化物である場合には、ＬｉＦ／Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＦ／Ｎａ２Ｏ、ＬｉＦ／Ｋ２Ｏ、ＬｉＦ／Ｒｂ２Ｏ、ＬｉＦ／Ｃｓ２Ｏ、ＫＦ／Ｌｉ２Ｏ、ＫＦ／Ｎａ２Ｏ、ＫＦ／Ｋ２Ｏ、ＫＦ／Ｒｂ２Ｏ、ＫＦ／Ｃｓ２Ｏ、ＲｂＦ／Ｌｉ２Ｏ、ＲｂＦ／Ｎａ２Ｏ、ＲｂＦ／Ｋ２Ｏ、ＲｂＦ／Ｒｂ２Ｏ、ＲｂＦ／Ｃｓ２Ｏ、ＣｓＦ／Ｌｉ２Ｏ、ＣｓＦ／Ｎａ２Ｏ、ＣｓＦ／Ｋ２Ｏ、ＣｓＦ／Ｒｂ２Ｏ、ＣｓＦ／Ｃｓ２Ｏ、ＭｇＦ２／ＭｇＯ、ＭｇＦ２／ＣａＯ、ＭｇＦ２／ＳｒＯ、ＭｇＦ２／ＢａＯ、ＣａＦ２／ＭｇＯ、ＣａＦ２／ＣａＯ、ＣａＦ２／ＳｒＯ、ＣａＦ２／ＢａＯ、ＳｒＦ２／ＭｇＯ、ＳｒＦ２／ＣａＯ、ＳｒＦ２／ＳｒＯ、ＳｒＦ２／ＢａＯ、ＢａＦ２／ＭｇＯ、ＢａＦ２／ＣａＯ、ＢａＦ２／ＳｒＯ、ＢａＦ２／ＢａＯ、のいずれかの構成を採用することが好ましい。
【００９３】
また、第１層／第２層が塩化物／塩化物である場合には、ＣｓＣｌ／ＲｂＣｌ、ＣｓＣｌ／ＮａＣｌ、ＣｓＣｌ／ＢａＣｌ２のいずれかの構成を採用することが好ましい。
また、第１層及び第２層のそれぞれの膜厚は、５０〜２００ｎｍ程度であることが好ましい。
このように金属化合物を積層する順番を金属化合物の化学結合力の大小によって規定することにより、先に記載のＥＬ表示装置と同様の効果が得られると共に、発光層に対する電子注入及び輸送は、化学結合力の大小に起因して効率的に行われ、良好な発光特性を得ることができる。
【００９４】
（２．金属化合物の金属の価数の大小によって規定される順番）
ここでは、第１層よりも第２層の金属化合物の金属価数が大きくなる順列で各金属化合物が積層される。
従って、金属の価数は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属の順列でおおきくなる。次に、具体的な金属化合物の組み合わせを示すと、第１層／第２層が１価金属／２価又は３価金属であって、フッ化物／フッ化物である場合には、ＬｉＦ／ＭｇＦ２、ＬｉＦ／ＣａＦ２、ＬｉＦ／ＳｒＦ２、ＬｉＦ／ＢａＦ２、ＬｉＦ／ＬａＦ３、ＬｉＦ／ＣｅＦ３、ＬｉＦ／ＰｒＦ３、ＬｉＦ／ＮｄＦ３、ＬｉＦ／ＳｍＦ３、ＬｉＦ／ＥｕＦ３、ＬｉＦ／ＧｄＦ３、ＬｉＦ／ＴｂＦ３、ＬｉＦ／ＤｙＦ３、ＬｉＦ／ＨｏＦ３、ＬｉＦ／ＥｒＦ３、ＬｉＦ／ＴｍＦ３、ＬｉＦ／ＹｂＦ３、ＬｉＦ／ＬｕＦ３、ＬｉＦ／ＹＦ３、ＮａＦ／ＭｇＦ２、ＮａＦ／ＣａＦ２、ＮａＦ／ＳｒＦ２、ＮａＦ／ＢａＦ２、ＮａＦ／ＬａＦ３、ＮａＦ／ＣｅＦ３、ＮａＦ／ＰｒＦ３、ＮａＦ／ＮｄＦ３、ＮａＦ／ＳｍＦ３、ＮａＦ／ＥｕＦ３、ＮａＦ／ＧｄＦ３、ＮａＦ／ＴｂＦ３、ＮａＦ／ＤｙＦ３、ＮａＦ／ＨｏＦ３、ＮａＦ／ＥｒＦ３、ＮａＦ／ＴｍＦ３、ＮａＦ／ＹｂＦ３、ＮａＦ／ＬｕＦ３、ＮａＦ／ＹＦ３、ＫＦ／ＭｇＦ２、ＫＦ／ＣａＦ２、ＫＦ／ＳｒＦ２、ＫＦ／ＢａＦ２、ＫＦ／ＬａＦ３、ＫＦ／ＣｅＦ３、ＫＦ／ＰｒＦ３、ＫＦ／ＮｄＦ３、ＫＦ／ＳｍＦ３、ＫＦ／ＥｕＦ３、ＫＦ／ＧｄＦ３、ＫＦ／ＴｂＦ３、ＫＦ／ＤｙＦ３、ＫＦ／ＨｏＦ３、ＫＦ／ＥｒＦ３、ＫＦ／ＴｍＦ３、ＫＦ／ＹｂＦ３、ＫＦ／ＬｕＦ３、ＫＦ／ＹＦ３、ＲｂＦ／ＭｇＦ２、ＲｂＦ／ＣａＦ２、ＲｂＦ／ＳｒＦ２、ＲｂＦ／ＢａＦ２、ＲｂＦ／ＬａＦ３、ＲｂＦ／ＣｅＦ３、ＲｂＦ／ＰｒＦ３、ＲｂＦ／ＮｄＦ３、ＲｂＦ／ＳｍＦ３、ＲｂＦ／ＥｕＦ３、ＲｂＦ／ＧｄＦ３、ＲｂＦ／ＴｂＦ３、ＲｂＦ／ＤｙＦ３、ＲｂＦ／ＨｏＦ３、ＲｂＦ／ＥｒＦ３、ＲｂＦ／ＴｍＦ３、ＲｂＦ／ＹｂＦ３、ＲｂＦ／ＬｕＦ３、ＲｂＦ／ＹＦ３、ＣｓＦ／ＭｇＦ２、ＣｓＦ／ＣａＦ２、ＣｓＦ／ＳｒＦ２、ＣｓＦ／ＢａＦ２、ＣｓＦ／ＬａＦ３、ＣｓＦ／ＣｅＦ３、ＣｓＦ／ＰｒＦ３、ＣｓＦ／ＮｄＦ３、ＣｓＦ／ＳｍＦ３、ＣｓＦ／ＥｕＦ３、ＣｓＦ／ＧｄＦ３、ＣｓＦ／ＴｂＦ３、ＣｓＦ／ＤｙＦ３、ＣｓＦ／ＨｏＦ３、ＣｓＦ／ＥｒＦ３、ＣｓＦ／ＴｍＦ３、ＣｓＦ／ＹｂＦ３、ＣｓＦ／ＬｕＦ３、ＣｓＦ／ＹＦ３、のいずれかの構成を採用することが好ましい。
【００９５】
また、第１層／第２層が１価金属／２価又は３価金属であって、酸化物／フッ化物である場合には、Ｎａ２Ｏ／ＭｇＦ２、Ｎａ２Ｏ／ＣａＦ２、Ｎａ２Ｏ／ＳｒＦ２、Ｎａ２Ｏ／ＢａＦ２、Ｎａ２Ｏ／ＬａＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＣｅＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＰｒＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＮｄＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＳｍＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＥｕＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＧｄＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＴｂＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＤｙＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＨｏＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＥｒＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＴｍＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＹｂＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＬｕＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＹＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＭｇＦ２、Ｎａ２Ｏ／ＣａＦ２、Ｎａ２Ｏ／ＳｒＦ２、Ｎａ２Ｏ／ＢａＦ２、Ｎａ２Ｏ／ＬａＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＣｅＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＰｒＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＮｄＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＳｍＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＥｕＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＧｄＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＴｂＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＤｙＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＨｏＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＥｒＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＴｍＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＹｂＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＬｕＦ３、Ｎａ２Ｏ／ＹＦ３、Ｒｂ２Ｏ／ＭｇＦ２、Ｒｂ２Ｏ／ＣａＦ２、Ｒｂ２Ｏ／ＳｒＦ２、Ｒｂ２Ｏ／ＢａＦ２、Ｒｂ２Ｏ／ＬａＦ３、Ｒｂ２Ｏ／ＣｅＦ３、Ｒｂ２Ｏ／ＰｒＦ３、Ｒｂ２Ｏ／ＮｄＦ３、Ｒｂ２Ｏ／ＳｍＦ３、Ｒｂ２Ｏ／ＥｕＦ３、Ｒｂ２Ｏ／ＧｄＦ３、Ｒｂ２Ｏ／ＴｂＦ３、Ｒｂ２Ｏ／ＤｙＦ３、Ｒｂ２Ｏ／ＨｏＦ３、Ｒｂ２Ｏ／ＥｒＦ３、Ｒｂ２Ｏ／ＴｍＦ３、Ｒｂ２Ｏ／ＹｂＦ３、Ｒｂ２Ｏ／ＬｕＦ３、Ｒｂ２Ｏ／ＹＦ３、Ｃｓ２Ｏ／ＭｇＦ２、Ｃｓ２Ｏ／ＣａＦ２、Ｃｓ２Ｏ／ＳｒＦ２、Ｃｓ２Ｏ／ＢａＦ２、Ｃｓ２Ｏ／ＬａＦ３、Ｃｓ２Ｏ／ＣｅＦ３、Ｃｓ２Ｏ／ＰｒＦ３、Ｃｓ２Ｏ／ＮｄＦ３、Ｃｓ２Ｏ／ＳｍＦ３、Ｃｓ２Ｏ／ＥｕＦ３、Ｃｓ２Ｏ／ＧｄＦ３、Ｃｓ２Ｏ／ＴｂＦ３、Ｃｓ２Ｏ／ＤｙＦ３、Ｃｓ２Ｏ／ＨｏＦ３、Ｃｓ２Ｏ／ＥｒＦ３、Ｃｓ２Ｏ／ＴｍＦ３、Ｃｓ２Ｏ／ＹｂＦ３、Ｃｓ２Ｏ／ＬｕＦ３、Ｃｓ２Ｏ／ＹＦ３、のいずれかの構成を採用することが好ましい。
【００９６】
また、第１層／第２層が１価金属／２価又は３価金属であって、塩化物／フッ化物である場合には、ＮａＣｌ／ＭｇＦ２、ＮａＣｌ／ＣａＦ２、ＮａＣｌ／ＳｒＦ２、ＮａＣｌ／ＢａＦ２、ＮａＣｌ／ＬａＦ３、ＮａＣｌ／ＣｅＦ３、ＮａＣｌ／ＰｒＦ３、ＮａＣｌ／ＮｄＦ３、ＮａＣｌ／ＳｍＦ３、ＮａＣｌ／ＥｕＦ３、ＮａＣｌ／ＧｄＦ３、ＮａＣｌ／ＴｂＦ３、ＮａＣｌ／ＤｙＦ３、ＮａＣｌ／ＨｏＦ３、ＮａＣｌ／ＥｒＦ３、ＮａＣｌ／ＴｍＦ３、ＮａＣｌ／ＹｂＦ３、ＮａＣｌ／ＬｕＦ３、ＮａＣｌ／ＹＦ３、ＮａＣｌ／ＭｇＦ２、ＮａＣｌ／ＣａＦ２、ＮａＣｌ／ＳｒＦ２、ＮａＣｌ／ＢａＦ２、ＮａＣｌ／ＬａＦ３、ＮａＣｌ／ＣｅＦ３、ＮａＣｌ／ＰｒＦ３、ＮａＣｌ／ＮｄＦ３、ＮａＣｌ／ＳｍＦ３、ＮａＣｌ／ＥｕＦ３、ＮａＣｌ／ＧｄＦ３、ＮａＣｌ／ＴｂＦ３、ＮａＣｌ／ＤｙＦ３、ＮａＣｌ／ＨｏＦ３、ＮａＣｌ／ＥｒＦ３、ＮａＣｌ／ＴｍＦ３、ＮａＣｌ／ＹｂＦ３、ＮａＣｌ／ＬｕＦ３、ＮａＣｌ／ＹＦ３、ＫＣｌ／ＭｇＦ２、ＫＣｌ／ＣａＦ２、ＫＣｌ／ＳｒＦ２、ＫＣｌ／ＢａＦ２、ＫＣｌ／ＬａＦ３、ＫＣｌ／ＣｅＦ３、ＫＣｌ／ＰｒＦ３、ＫＣｌ／ＮｄＦ３、ＫＣｌ／ＳｍＦ３、ＫＣｌ／ＥｕＦ３、ＫＣｌ／ＧｄＦ３、ＫＣｌ／ＴｂＦ３、ＫＣｌ／ＤｙＦ３、ＫＣｌ／ＨｏＦ３、ＫＣｌ／ＥｒＦ３、ＫＣｌ／ＴｍＦ３、ＫＣｌ／ＹｂＦ３、ＫＣｌ／ＬｕＦ３、ＫＣｌ／ＹＦ３、ＲｂＣｌ／ＭｇＦ２、ＲｂＣｌ／ＣａＦ２、ＲｂＣｌ／ＳｒＦ２、ＲｂＣｌ／ＢａＦ２、ＲｂＣｌ／ＬａＦ３、ＲｂＣｌ／ＣｅＦ３、ＲｂＣｌ／ＰｒＦ３、ＲｂＣｌ／ＮｄＦ３、ＲｂＣｌ／ＳｍＦ３、ＲｂＣｌ／ＥｕＦ３、ＲｂＣｌ／ＧｄＦ３、ＲｂＣｌ／ＴｂＦ３、ＲｂＣｌ／ＤｙＦ３、ＲｂＣｌ／ＨｏＦ３、ＲｂＣｌ／ＥｒＦ３、ＲｂＣｌ／ＴｍＦ３、ＲｂＣｌ／ＹｂＦ３、ＲｂＣｌ／ＬｕＦ３、ＲｂＣｌ／ＹＦ３、ＣｓＣｌ／ＭｇＦ２、ＣｓＣｌ／ＣａＦ２、ＣｓＣｌ／ＳｒＦ２、ＣｓＣｌ／ＢａＦ２、ＣｓＣｌ／ＬａＦ３、ＣｓＣｌ／ＣｅＦ３、ＣｓＣｌ／ＰｒＦ３、ＣｓＣｌ／ＮｄＦ３、ＣｓＣｌ／ＳｍＦ３、ＣｓＣｌ／ＥｕＦ３、ＣｓＣｌ／ＧｄＦ３、ＣｓＣｌ／ＴｂＦ３、ＣｓＣｌ／ＤｙＦ３、ＣｓＣｌ／ＨｏＦ３、ＣｓＣｌ／ＥｒＦ３、ＣｓＣｌ／ＴｍＦ３、ＣｓＣｌ／ＹｂＦ３、ＣｓＣｌ／ＬｕＦ３、ＣｓＣｌ／ＹＦ３、のいずれかの構成を採用することが好ましい。
【００９７】
また、第１層／第２層が１価金属／２価又は３価金属であって、フッ化物／酸化物である場合には、ＮａＦ／ＭｇＯ、ＮａＦ／ＣａＯ、ＮａＦ／ＳｒＯ、ＮａＦ／ＢａＯ、ＮａＦ／Ｌａ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｃｅ２Ｏ、ＮａＦ／Ｐｒ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｎｄ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｓｍ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｅｕ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｇｄ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｔｂ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｄｙ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｈｏ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｅｒ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｔｍ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｙｂ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｌｕ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｙ２Ｏ３、ＮａＦ／ＭｇＯ、ＮａＦ／ＣａＯ、ＮａＦ／ＳｒＯ、ＮａＦ／ＢａＯ、ＮａＦ／Ｌａ２Ｏ３、ＮａＦ／ＣｅＯ２、ＮａＦ／Ｐｒ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｎｄ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｓｍ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｅｕ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｇｄ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｔｂ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｄｙ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｈｏ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｅｒ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｔｍ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｙｂ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｌｕ２Ｏ３、ＮａＦ／Ｙ２Ｏ３、ＫＦ／ＭｇＯ、ＫＦ／ＣａＯ、ＫＦ／ＳｒＯ、ＫＦ／ＢａＯ、ＫＦ／Ｌａ２Ｏ３、ＫＦ／Ｃｅ２Ｏ、ＫＦ／Ｐｒ２Ｏ３、ＫＦ／Ｎｄ２Ｏ３、ＫＦ／Ｓｍ２Ｏ３、ＫＦ／Ｅｕ２Ｏ３、ＫＦ／Ｇｄ２Ｏ３、ＫＦ／Ｔｂ２Ｏ３、ＫＦ／Ｄｙ２Ｏ３、ＫＦ／Ｈｏ２Ｏ３、ＫＦ／Ｅｒ２Ｏ３、ＫＦ／Ｔｍ２Ｏ３、ＫＦ／Ｙｂ２Ｏ３、ＫＦ／Ｌｕ２Ｏ３、ＫＦ／Ｙ２Ｏ３、ＲｂＦ／ＭｇＯ、ＲｂＦ／ＣａＯ、ＲｂＦ／ＳｒＯ、ＲｂＦ／ＢａＯ、ＲｂＦ／Ｌａ２Ｏ３、ＲｂＦ／Ｃｅ２Ｏ、ＲｂＦ／Ｐｒ２Ｏ３、ＲｂＦ／Ｎｄ２Ｏ３、ＲｂＦ／Ｓｍ２Ｏ３、ＲｂＦ／Ｅｕ２Ｏ３、ＲｂＦ／Ｇｄ２Ｏ３、ＲｂＦ／Ｔｂ２Ｏ３、ＲｂＦ／Ｄｙ２Ｏ３、ＲｂＦ／Ｈｏ２Ｏ３、ＲｂＦ／Ｅｒ２Ｏ３、ＲｂＦ／Ｔｍ２Ｏ３、ＲｂＦ／Ｙｂ２Ｏ３、ＲｂＦ／Ｌｕ２Ｏ３、ＲｂＦ／Ｙ２Ｏ３、ＣｓＦ／ＭｇＯ、ＣｓＦ／ＣａＯ、ＣｓＦ／ＳｒＯ、ＣｓＦ／ＢａＯ、ＣｓＦ／Ｌａ２Ｏ３、ＣｓＦ／Ｃｅ２Ｏ、ＣｓＦ／Ｐｒ２Ｏ３、ＣｓＦ／Ｎｄ２Ｏ３、ＣｓＦ／Ｓｍ２Ｏ３、ＣｓＦ／Ｅｕ２Ｏ３、ＣｓＦ／Ｇｄ２Ｏ３、ＣｓＦ／Ｔｂ２Ｏ３、ＣｓＦ／Ｄｙ２Ｏ３、ＣｓＦ／Ｈｏ２Ｏ３、ＣｓＦ／Ｅｒ２Ｏ３、ＣｓＦ／Ｔｍ２Ｏ３、ＣｓＦ／Ｙｂ２Ｏ３、ＣｓＦ／Ｌｕ２Ｏ３、ＣｓＦ／Ｙ２Ｏ３、のいずれかの構成を採用することが好ましい。
【００９８】
また、第１層／第２層が１価金属／２価又は３価金属であって、酸化物／酸化物である場合には、Ｎａ２Ｏ／ＭｇＯ、Ｎａ２Ｏ／ＣａＯ、Ｎａ２Ｏ／ＳｒＯ、Ｎａ２Ｏ／ＢａＯ、Ｎａ２Ｏ／Ｌａ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ／ＣｅＯ２、Ｎａ２Ｏ／Ｐｒ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ／Ｎｄ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ／Ｓｍ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ／Ｅｕ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ／Ｇｄ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ／Ｔｂ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ／Ｄｙ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ／Ｈｏ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ／Ｅｒ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ／Ｔｍ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ／Ｙｂ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ／Ｌｕ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ／Ｙ２Ｏ３、Ｒｂ２Ｏ／ＭｇＯ、Ｒｂ２Ｏ／ＣａＯ、Ｒｂ２Ｏ／ＳｒＯ、Ｒｂ２Ｏ／ＢａＯ、Ｒｂ２Ｏ／Ｌａ２Ｏ３、Ｒｂ２Ｏ／ＣｅＯ２、Ｒｂ２Ｏ／Ｐｒ２Ｏ３、Ｒｂ２Ｏ／Ｎｄ２Ｏ３、Ｒｂ２Ｏ／Ｓｍ２Ｏ３、Ｒｂ２Ｏ／Ｅｕ２Ｏ３、Ｒｂ２Ｏ／Ｇｄ２Ｏ３、Ｒｂ２Ｏ／Ｔｂ２Ｏ３、Ｒｂ２Ｏ／Ｄｙ２Ｏ３、Ｒｂ２Ｏ／Ｈｏ２Ｏ３、Ｒｂ２Ｏ／Ｅｒ２Ｏ３、Ｒｂ２Ｏ／Ｔｍ２Ｏ３、Ｒｂ２Ｏ／Ｙｂ２Ｏ３、Ｒｂ２Ｏ／Ｌｕ２Ｏ３、Ｒｂ２Ｏ／Ｙ２Ｏ３、Ｃｓ２Ｏ／ＭｇＯ、Ｃｓ２Ｏ／ＣａＯ、Ｃｓ２Ｏ／ＳｒＯ、Ｃｓ２Ｏ／ＢａＯ、Ｃｓ２Ｏ／Ｌａ２Ｏ３、Ｃｓ２Ｏ／ＣｅＯ２、Ｃｓ２Ｏ／Ｐｒ２Ｏ３、Ｃｓ２Ｏ／Ｎｄ２Ｏ３、Ｃｓ２Ｏ／Ｓｍ２Ｏ３、Ｃｓ２Ｏ／Ｅｕ２Ｏ３、Ｃｓ２Ｏ／Ｇｄ２Ｏ３、Ｃｓ２Ｏ／Ｔｂ２Ｏ３、Ｃｓ２Ｏ／Ｄｙ２Ｏ３、Ｃｓ２Ｏ／Ｈｏ２Ｏ３、Ｃｓ２Ｏ／Ｅｒ２Ｏ３、Ｃｓ２Ｏ／Ｔｍ２Ｏ３、Ｃｓ２Ｏ／Ｙｂ２Ｏ３、Ｃｓ２Ｏ／Ｌｕ２Ｏ３、Ｃｓ２Ｏ／Ｙ２Ｏ３、のいずれかの構成を採用することが好ましい。
【００９９】
また、第１層／第２層が１価金属／２価又は３価金属であって、塩化物／酸化物である場合には、ＮａＣｌ／ＭｇＯ、ＮａＣｌ／ＣａＯ、ＮａＣｌ／ＳｒＯ、ＮａＣｌ／ＢａＯ、ＮａＣｌ／Ｌａ２Ｏ３、ＮａＣｌ／ＣｅＯ２、ＮａＣｌ／Ｐｒ２Ｏ３、ＮａＣｌ／Ｎｄ２Ｏ３、ＮａＣｌ／Ｓｍ２Ｏ３、ＮａＣｌ／Ｅｕ２Ｏ３、ＮａＣｌ／Ｇｄ２Ｏ３、ＮａＣｌ／Ｔｂ２Ｏ３、ＮａＣｌ／Ｄｙ２Ｏ３、ＮａＣｌ／Ｈｏ２Ｏ３、ＮａＣｌ／Ｅｒ２Ｏ３、ＮａＣｌ／Ｔｍ２Ｏ３、ＮａＣｌ／Ｙｂ２Ｏ３、ＮａＣｌ／Ｌｕ２Ｏ３、ＮａＣｌ／Ｙ２Ｏ３、ＫＣｌ／ＭｇＯ、ＫＣｌ／ＣａＯ、ＫＣｌ／ＳｒＯ、ＫＣｌ／ＢａＯ、ＫＣｌ／Ｌａ２Ｏ３、ＫＣｌ／ＣｅＯ２、ＫＣｌ／Ｐｒ２Ｏ３、ＫＣｌ／Ｎｄ２Ｏ３、ＫＣｌ／Ｓｍ２Ｏ３、ＫＣｌ／Ｅｕ２Ｏ３、ＫＣｌ／Ｇｄ２Ｏ３、ＫＣｌ／Ｔｂ２Ｏ３、ＫＣｌ／Ｄｙ２Ｏ３、ＫＣｌ／Ｈｏ２Ｏ３、ＫＣｌ／Ｅｒ２Ｏ３、ＫＣｌ／Ｔｍ２Ｏ３、ＫＣｌ／Ｙｂ２Ｏ３、ＫＣｌ／Ｌｕ２Ｏ３、ＫＣｌ／Ｙ２Ｏ３、ＲｂＣｌ／ＭｇＯ、ＲｂＣｌ／ＣａＯ、ＲｂＣｌ／ＳｒＯ、ＲｂＣｌ／ＢａＯ、ＲｂＣｌ／Ｌａ２Ｏ３、ＲｂＣｌ／ＣｅＯ２、ＲｂＣｌ／Ｐｒ２Ｏ３、ＲｂＣｌ／Ｎｄ２Ｏ３、ＲｂＣｌ／Ｓｍ２Ｏ３、ＲｂＣｌ／Ｅｕ２Ｏ３、ＲｂＣｌ／Ｇｄ２Ｏ３、ＲｂＣｌ／Ｔｂ２Ｏ３、ＲｂＣｌ／Ｄｙ２Ｏ３、ＲｂＣｌ／Ｈｏ２Ｏ３、ＲｂＣｌ／Ｅｒ２Ｏ３、ＲｂＣｌ／Ｔｍ２Ｏ３、ＲｂＣｌ／Ｙｂ２Ｏ３、ＲｂＣｌ／Ｌｕ２Ｏ３、ＲｂＣｌ／Ｙ２Ｏ３、ＣｓＣｌ／ＭｇＯ、ＣｓＣｌ／ＣａＯ、ＣｓＣｌ／ＳｒＯ、ＣｓＣｌ／ＢａＯ、ＣｓＣｌ／Ｌａ２Ｏ３、ＣｓＣｌ／ＣｅＯ２、ＣｓＣｌ／Ｐｒ２Ｏ３、ＣｓＣｌ／Ｔｂ２Ｏ３、ＣｓＣｌ／Ｄｙ２Ｏ３、ＣｓＣｌ／Ｈｏ２Ｏ３、ＣｓＣｌ／Ｅｒ２Ｏ３、ＣｓＣｌ／Ｔｍ２Ｏ３、ＣｓＣｌ／Ｙｂ２Ｏ３、ＣｓＣｌ／Ｌｕ２Ｏ３、ＣｓＣｌ／Ｙ２Ｏ３、のいずれかの構成を採用することが好ましい。
【０１００】
また、第１層／第２層が１価金属／２価又は３価金属であって、フッ化物／塩化物である場合には、ＬｉＦ／ＭｇＣｌ２、ＬｉＦ／ＣａＣｌ２、ＬｉＦ／ＳｒＣｌ２、ＬｉＦ／ＢａＣｌ２、ＬｉＦ／ＬａＣｌ３、ＬｉＦ／ＣｅＣｌ３、ＬｉＦ／ＰｒＣＬ３、ＬｉＦ／ＮｄＣｌ３、ＬｉＦ／ＳｍＣｌ３、ＬｉＦ／ＥｕＣｌ３、ＬｉＦ／ＧｄＣｌ３、ＬｉＦ／ＴｂＣｌ３、ＬｉＦ／ＤｙＣｌ３、ＬｉＦ／ＨＣｌ３、ＬｉＦ／ＥｒＣｌ３、ＬｉＦ／ＴｍＣｌ３、ＬｉＦ／ＹｂＣｌ３、ＬｉＦ／ＬｕＣｌ３、ＬｉＦ／ＹＣｌ３、ＮａＦ／ＭｇＣｌ２、ＮａＦ／ＣａＣｌ２、ＮａＦ／ＳｒＣｌ２、ＮａＦ／ＢａＣｌ２、ＮａＦ／ＬａＣｌ３、ＮａＦ／ＣｅＣｌ３、ＮａＦ／ＰｒＣＬ３、ＮａＦ／ＮｄＣｌ３、ＮａＦ／ＳｍＣｌ３、ＮａＦ／ＥｕＣｌ３、ＮａＦ／ＧｄＣｌ３、ＮａＦ／ＴｂＣｌ３、ＮａＦ／ＤｙＣｌ３、ＮａＦ／ＨＣｌ３、ＮａＦ／ＥｒＣｌ３、ＮａＦ／ＴｍＣｌ３、ＮａＦ／ＹｂＣｌ３、ＮａＦ／ＬｕＣｌ３、ＮａＦ／ＹＣｌ３、ＫＦ／ＭｇＣｌ２、ＫＦ／ＣａＣｌ２、ＫＦ／ＳｒＣｌ２、ＫＦ／ＢａＣｌ２、ＫＦ／ＬａＣｌ３、ＫＦ／ＣｅＣｌ３、ＫＦ／ＰｒＣＬ３、ＫＦ／ＮｄＣｌ３、ＫＦ／ＳｍＣｌ３、ＫＦ／ＥｕＣｌ３、ＫＦ／ＧｄＣｌ３、ＫＦ／ＴｂＣｌ３、ＫＦ／ＤｙＣｌ３、ＫＦ／ＨＣｌ３、ＫＦ／ＥｒＣｌ３、ＫＦ／ＴｍＣｌ３、ＫＦ／ＹｂＣｌ３、ＫＦ／ＬｕＣｌ３、ＫＦ／ＹＣｌ３、ＲｂＦ／ＭｇＣｌ２、ＲｂＦ／ＣａＣｌ２、ＲｂＦ／ＳｒＣｌ２、ＲｂＦ／ＢａＣｌ２、ＲｂＦ／ＬａＣｌ３、ＲｂＦ／ＣｅＣｌ３、ＲｂＦ／ＰｒＣＬ３、ＲｂＦ／ＮｄＣｌ３、ＲｂＦ／ＳｍＣｌ３、ＲｂＦ／ＥｕＣｌ３、ＲｂＦ／ＧｄＣｌ３、ＲｂＦ／ＴｂＣｌ３、ＲｂＦ／ＤｙＣｌ３、ＲｂＦ／ＨＣｌ３、ＲｂＦ／ＥｒＣｌ３、ＲｂＦ／ＴｍＣｌ３、ＲｂＦ／ＹｂＣｌ３、ＲｂＦ／ＬｕＣｌ３、ＲｂＦ／ＹＣｌ３、ＣｓＦ／ＭｇＣｌ２、ＣｓＦ／ＣａＣｌ２、ＣｓＦ／ＳｒＣｌ２、ＣｓＦ／ＢａＣｌ２、ＣｓＦ／ＬａＣｌ３、ＣｓＦ／ＣｅＣｌ３、ＣｓＦ／ＰｒＣＬ３、ＣｓＦ／ＮｄＣｌ３、ＣｓＦ／ＳｍＣｌ３、ＣｓＦ／ＥｕＣｌ３、ＣｓＦ／ＧｄＣｌ３、ＣｓＦ／ＴｂＣｌ３、ＣｓＦ／ＤｙＣｌ３、ＣｓＦ／ＨＣｌ３、ＣｓＦ／ＥｒＣｌ３、ＣｓＦ／ＴｍＣｌ３、ＣｓＦ／ＹｂＣｌ３、ＣｓＦ／ＬｕＣｌ３、ＣｓＦ／ＹＣｌ３、のいずれかの構成を採用することが好ましい。
【０１０１】
また、第１層／第２層が１価金属／２価又は３価金属であって、酸化物／塩化物である場合には、Ｌｉ２Ｏ／ＭｇＣｌ２、Ｌｉ２Ｏ／ＣａＣｌ２、Ｌｉ２Ｏ／ＳｒＣｌ２、Ｌｉ２Ｏ／ＢａＣｌ２、Ｌｉ２Ｏ／ＬａＣｌ３、Ｌｉ２Ｏ／ＣｅＣｌ３、Ｌｉ２Ｏ／ＰｒＣｌ３、Ｌｉ２Ｏ／ＮｄＣｌ３、Ｌｉ２Ｏ／ＳｍＣｌ３、Ｌｉ２Ｏ／ＥｕＣｌ３、Ｌｉ２Ｏ／ＧｄＣｌ３、Ｌｉ２Ｏ／ＴｂＣｌ３、Ｌｉ２Ｏ／ＤｙＣｌ３、Ｌｉ２Ｏ／ＨｏＣｌ３、Ｌｉ２Ｏ／ＥｒＣｌ３、Ｌｉ２Ｏ／ＴｍＣｌ３、Ｌｉ２Ｏ／ＹｂＣｌ３、Ｌｉ２Ｏ／ＬｕＣｌ３、Ｌｉ２Ｏ／ＹＣｌ３、Ｎａ２Ｏ／ＭｇＣｌ２、Ｎａ２Ｏ／ＣａＣｌ２、Ｎａ２Ｏ／ＳｒＣｌ２、Ｎａ２Ｏ／ＢａＣｌ２、Ｎａ２Ｏ／ＬａＣｌ３、Ｎａ２Ｏ／ＣｅＣｌ３、Ｎａ２Ｏ／ＰｒＣｌ３、Ｎａ２Ｏ／ＮｄＣｌ３、Ｎａ２Ｏ／ＳｍＣｌ３、Ｎａ２Ｏ／ＥｕＣｌ３、Ｎａ２Ｏ／ＧｄＣｌ３、Ｎａ２Ｏ／ＴｂＣｌ３、Ｎａ２Ｏ／ＤｙＣｌ３、Ｎａ２Ｏ／ＨｏＣｌ３、Ｎａ２Ｏ／ＥｒＣｌ３、Ｎａ２Ｏ／ＴｍＣｌ３、Ｎａ２Ｏ／ＹｂＣｌ３、Ｎａ２Ｏ／ＬｕＣｌ３、Ｎａ２Ｏ／ＹＣｌ３、Ｒｂ２Ｏ／ＭｇＣｌ２、Ｒｂ２Ｏ／ＣａＣｌ２、Ｒｂ２Ｏ／ＳｒＣｌ２、Ｒｂ２Ｏ／ＢａＣｌ２、Ｒｂ２Ｏ／ＬａＣｌ３、Ｒｂ２Ｏ／ＣｅＣｌ３、Ｒｂ２Ｏ／ＰｒＣｌ３、Ｒｂ２Ｏ／ＮｄＣｌ３、Ｒｂ２Ｏ／ＳｍＣｌ３、Ｒｂ２Ｏ／ＥｕＣｌ３、Ｒｂ２Ｏ／ＧｄＣｌ３、Ｒｂ２Ｏ／ＴｂＣｌ３、Ｒｂ２Ｏ／ＤｙＣｌ３、Ｒｂ２Ｏ／ＨｏＣｌ３、Ｒｂ２Ｏ／ＥｒＣｌ３、Ｒｂ２Ｏ／ＴｍＣｌ３、Ｒｂ２Ｏ／ＹｂＣｌ３、Ｒｂ２Ｏ／ＬｕＣｌ３、Ｒｂ２Ｏ／ＹＣｌ３、Ｃｓ２Ｏ／ＭｇＣｌ２、Ｃｓ２Ｏ／ＣａＣｌ２、Ｃｓ２Ｏ／ＳｒＣｌ２、Ｃｓ２Ｏ／ＢａＣｌ２、Ｃｓ２Ｏ／ＬａＣｌ３、Ｃｓ２Ｏ／ＣｅＣｌ３、Ｃｓ２Ｏ／ＰｒＣｌ３、Ｃｓ２Ｏ／ＮｄＣｌ３、Ｃｓ２Ｏ／ＳｍＣｌ３、Ｃｓ２Ｏ／ＥｕＣｌ３、Ｃｓ２Ｏ／ＧｄＣｌ３、Ｃｓ２Ｏ／ＴｂＣｌ３、Ｃｓ２Ｏ／ＤｙＣｌ３、Ｃｓ２Ｏ／ＨｏＣｌ３、Ｃｓ２Ｏ／ＥｒＣｌ３、Ｃｓ２Ｏ／ＴｍＣｌ３、Ｃｓ２Ｏ／ＹｂＣｌ３、Ｃｓ２Ｏ／ＬｕＣｌ３、Ｃｓ２Ｏ／ＹＣｌ３、のいずれかの構成を採用することが好ましい。
【０１０２】
また、第１層／第２層が１価金属／２価又は３価金属であって、塩化物／塩化物である場合には、ＬｉＣｌ／ＭｇＣｌ２、ＬｉＣｌ／ＣａＣｌ２、ＬｉＣｌ／ＳｒＣｌ２、ＬｉＣｌ／ＢａＣｌ２、ＬｉＣｌ／ＬａＣｌ３、ＬｉＣｌ／ＣｅＣｌ３、ＬｉＣｌ／ＰｒＣｌ３、ＬｉＣｌ／ＮｄＣｌ３、ＬｉＣｌ／ＳｍＣｌ３、ＬｉＣｌ／ＥｕＣｌ３、ＬｉＣｌ／ＧｄＣｌ３、ＬｉＣｌ／ＴｂＣｌ３、ＬｉＣｌ／ＤｙＣｌ３、ＬｉＣｌ／ＨｏＣｌ３、ＬｉＣｌ／ＥｒＣｌ３、ＬｉＣｌ／ＴｍＣｌ３、ＬｉＣｌ／ＹｂＣｌ３、ＬｉＣｌ／ＬｕＣｌ３、ＬｉＣｌ／ＹＣｌ３、ＮａＣｌ／ＭｇＣｌ２、ＮａＣｌ／ＣａＣｌ２、ＮａＣｌ／ＳｒＣｌ２、ＮａＣｌ／ＢａＣｌ２、ＮａＣｌ／ＬａＣｌ３、ＮａＣｌ／ＣｅＣｌ３、ＮａＣｌ／ＰｒＣｌ３、ＮａＣｌ／ＮｄＣｌ３、ＮａＣｌ／ＳｍＣｌ３、ＮａＣｌ／ＥｕＣｌ３、ＮａＣｌ／ＧｄＣｌ３、ＮａＣｌ／ＴｂＣｌ３、ＮａＣｌ／ＤｙＣｌ３、ＮａＣｌ／ＨｏＣｌ３、ＮａＣｌ／ＥｒＣｌ３、ＮａＣｌ／ＴｍＣｌ３、ＮａＣｌ／ＹｂＣｌ３、ＮａＣｌ／ＬｕＣｌ３、ＮａＣｌ／ＹＣｌ３、ＫＣｌ／ＭｇＣｌ２、ＫＣｌ／ＣａＣｌ２、ＫＣｌ／ＳｒＣｌ２、ＫＣｌ／ＢａＣｌ２、ＫＣｌ／ＬａＣｌ３、ＫＣｌ／ＣｅＣｌ３、ＫＣｌ／ＰｒＣｌ３、ＫＣｌ／ＮｄＣｌ３、ＫＣｌ／ＳｍＣｌ３、ＫＣｌ／ＥｕＣｌ３、ＫＣｌ／ＧｄＣｌ３、ＫＣｌ／ＴｂＣｌ３、ＫＣｌ／ＤｙＣｌ３、ＫＣｌ／ＨｏＣｌ３、ＫＣｌ／ＥｒＣｌ３、ＫＣｌ／ＴｍＣｌ３、ＫＣｌ／ＹｂＣｌ３、ＫＣｌ／ＬｕＣｌ３、ＫＣｌ／ＹＣｌ３、ＲｂＣｌ／ＭｇＣｌ２、ＲｂＣｌ／ＣａＣｌ２、ＲｂＣｌ／ＳｒＣｌ２、ＲｂＣｌ／ＢａＣｌ２、ＲｂＣｌ／ＬａＣｌ３、ＲｂＣｌ／ＣｅＣｌ３、ＲｂＣｌ／ＰｒＣｌ３、ＲｂＣｌ／ＮｄＣｌ３、ＲｂＣｌ／ＳｍＣｌ３、ＲｂＣｌ／ＥｕＣｌ３、ＲｂＣｌ／ＧｄＣｌ３、ＲｂＣｌ／ＴｂＣｌ３、ＲｂＣｌ／ＤｙＣｌ３、ＲｂＣｌ／ＨｏＣｌ３、ＲｂＣｌ／ＥｒＣｌ３、ＲｂＣｌ／ＴｍＣｌ３、ＲｂＣｌ／ＹｂＣｌ３、ＲｂＣｌ／ＬｕＣｌ３、ＲｂＣｌ／ＹＣｌ３、ＣｓＣｌ／ＭｇＣｌ２、ＣｓＣｌ／ＣａＣｌ２、ＣｓＣｌ／ＳｒＣｌ２、ＣｓＣｌ／ＢａＣｌ２、ＣｓＣｌ／ＬａＣｌ３、ＣｓＣｌ／ＣｅＣｌ３、ＣｓＣｌ／ＰｒＣｌ３、ＣｓＣｌ／ＮｄＣｌ３、ＣｓＣｌ／ＳｍＣｌ３、ＣｓＣｌ／ＥｕＣｌ３、ＣｓＣｌ／ＧｄＣｌ３、ＣｓＣｌ／ＴｂＣｌ３、ＣｓＣｌ／ＤｙＣｌ３、ＣｓＣｌ／ＨｏＣｌ３、ＣｓＣｌ／ＥｒＣｌ３、ＣｓＣｌ／ＴｍＣｌ３、ＣｓＣｌ／ＹｂＣｌ３、ＣｓＣｌ／ＬｕＣｌ３、ＣｓＣｌ／ＹＣｌ３、のいずれかの構成を採用することが好ましい。
【０１０３】
また、第１層／第２層が２価金属／３価金属であって、フッ化物／フッ化物である場合には、ＭｇＦ２／ＬａＦ３、ＭｇＦ２／ＣｅＦ３、ＭｇＦ２／ＰｒＦ３、ＭｇＦ２／ＮｄＦ３、ＭｇＦ２／ＳｍＦ３、ＭｇＦ２／ＥｕＦ３、ＭｇＦ２／ＧｄＦ３、ＭｇＦ２／ＴｂＦ３、ＭｇＦ２／ＤｙＦ３、ＭｇＦ２／ＨｏＦ３、ＭｇＦ２／ＥｒＦ３、ＭｇＦ２／ＴｍＦ３、ＭｇＦ２／ＹｂＦ３、ＭｇＦ２／ＬｕＦ３、ＭｇＦ２／ＹＦ３、ＣａＦ２／ＬａＦ３、ＣａＦ２／ＣｅＦ３、ＣａＦ２／ＰｒＦ３、ＣａＦ２／ＮｄＦ３、ＣａＦ２／ＳｍＦ３、ＣａＦ２／ＥｕＦ３、ＣａＦ２／ＧｄＦ３、ＣａＦ２／ＴｂＦ３、ＣａＦ２／ＤｙＦ３、ＣａＦ２／ＨｏＦ３、ＣａＦ２／ＥｒＦ３、ＣａＦ２／ＴｍＦ３、ＣａＦ２／ＹｂＦ３、ＣａＦ２／ＬｕＦ３、ＣａＦ２／ＹＦ３、ＳｒＦ２／ＬａＦ３、ＳｒＦ２／ＣｅＦ３、ＳｒＦ２／ＰｒＦ３、ＳｒＦ２／ＮｄＦ３、ＳｒＦ２／ＳｍＦ３、ＳｒＦ２／ＥｕＦ３、ＳｒＦ２／ＧｄＦ３、ＳｒＦ２／ＴｂＦ３、ＳｒＦ２／ＤｙＦ３、ＳｒＦ２／ＨｏＦ３、ＳｒＦ２／ＥｒＦ３、ＳｒＦ２／ＴｍＦ３、ＳｒＦ２／ＹｂＦ３、ＳｒＦ２／ＬｕＦ３、ＳｒＦ２／ＹＦ３、ＢａＦ２／ＬａＦ３、ＢａＦ２／ＣｅＦ３、ＢａＦ２／ＰｒＦ３、ＢａＦ２／ＮｄＦ３、ＢａＦ２／ＳｍＦ３、ＢａＦ２／ＥｕＦ３、ＢａＦ２／ＧｄＦ３、ＢａＦ２／ＴｂＦ３、ＢａＦ２／ＤｙＦ３、ＢａＦ２／ＨｏＦ３、ＢａＦ２／ＥｒＦ３、ＢａＦ２／ＴｍＦ３、ＢａＦ２／ＹｂＦ３、ＢａＦ２／ＬｕＦ３、ＢａＦ２／ＹＦ３、のいずれかの構成を採用することが好ましい。
【０１０４】
また、第１層／第２層が２価金属／３価金属であって、塩化物／フッ化物である場合には、ＭｇＣｌ２／ＬａＦ３、ＭｇＣｌ２／ＣｅＦ３、ＭｇＣｌ２／ＰｒＦ３、ＭｇＣｌ２／ＮｄＦ３、ＭｇＣｌ２／ＳｍＦ３、ＭｇＣｌ２／ＥｕＦ３、ＭｇＣｌ２／ＧｄＦ３、ＭｇＣｌ２／ＴｂＦ３、ＭｇＣｌ２／ＤｙＦ３、ＭｇＣｌ２／ＨｏＦ３、ＭｇＣｌ２／ＥｒＦ３、ＭｇＣｌ２／ＴｍＦ３、ＭｇＣｌ２／ＹｂＦ３、ＭｇＣｌ２／ＬｕＦ３、ＭｇＣｌ２／ＹＦ３、ＣａＣｌ２／ＬａＦ３、ＣａＣｌ２／ＣｅＦ３、ＣａＣｌ２／ＰｒＦ３、ＣａＣｌ２／ＮｄＦ３、ＣａＣｌ２／ＳｍＦ３、ＣａＣｌ２／ＥｕＦ３、ＣａＣｌ２／ＧｄＦ３、ＣａＣｌ２／ＴｂＦ３、ＣａＣｌ２／ＤｙＦ３、ＣａＣｌ２／ＨｏＦ３、ＣａＣｌ２／ＥｒＦ３、ＣａＣｌ２／ＴｍＦ３、ＣａＣｌ２／ＹｂＦ３、ＣａＣｌ２／ＬｕＦ３、ＣａＣｌ２／ＹＦ３、ＳｒＣｌ２／ＬａＦ３、ＳｒＣｌ２／ＣｅＦ３、ＳｒＣｌ２／ＰｒＦ３、ＳｒＣｌ２／ＮｄＦ３、ＳｒＣｌ２／ＳｍＦ３、ＳｒＣｌ２／ＥｕＦ３、ＳｒＣｌ２／ＧｄＦ３、ＳｒＣｌ２／ＴｂＦ３、ＳｒＣｌ２／ＤｙＦ３、ＳｒＣｌ２／ＨｏＦ３、ＳｒＣｌ２／ＥｒＦ３、ＳｒＣｌ２／ＴｍＦ３、ＳｒＣｌ２／ＹｂＦ３、ＳｒＣｌ２／ＬｕＦ３、ＳｒＣｌ２／ＹＦ３、ＢａＣｌ２／ＬａＦ３、ＢａＣｌ２／ＣｅＦ３、ＢａＣｌ２／ＰｒＦ３、ＢａＣｌ２／ＮｄＦ３、ＢａＣｌ２／ＳｍＦ３、ＢａＣｌ２／ＥｕＦ３、ＢａＣｌ２／ＧｄＦ３、ＢａＣｌ２／ＴｂＦ３、ＢａＣｌ２／ＤｙＦ３、ＢａＣｌ２／ＨｏＦ３、ＢａＣｌ２／ＥｒＦ３、ＢａＣｌ２／ＴｍＦ３、ＢａＣｌ２／ＹｂＦ３、ＢａＣｌ２／ＬｕＦ３、ＢａＣｌ２／ＹＦ３、のいずれかの構成を採用することが好ましい。
【０１０５】
また、第１層／第２層が２価金属／３価金属であって、酸化物／フッ化物である場合には、ＭｇＯ／ＬａＦ３、ＭｇＯ／ＣｅＦ３、ＭｇＯ／ＰｒＦ３、ＭｇＯ／ＮｄＦ３、ＭｇＯ／ＳｍＦ３、ＭｇＯ／ＥｕＦ３、ＭｇＯ／ＧｄＦ３、ＭｇＯ／ＴｂＦ３、ＭｇＯ／ＤｙＦ３、ＭｇＯ／ＨｏＦ３、ＭｇＯ／ＥｒＦ３、ＭｇＯ／ＴｍＦ３、ＭｇＯ／ＹｂＦ３、ＭｇＯ／ＬｕＦ３、ＭｇＯ／ＹＦ３、ＣａＯ／ＬａＦ３、ＣａＯ／ＣｅＦ３、ＣａＯ／ＰｒＦ３、ＣａＯ／ＮｄＦ３、ＣａＯ／ＳｍＦ３、ＣａＯ／ＥｕＦ３、ＣａＯ／ＧｄＦ３ＣａＯ／ＴｂＦ３、ＣａＯ／ＤｙＦ３、ＣａＯ／ＨｏＦ３、ＣａＯ／ＥｒＦ３、ＣａＯ／ＴｍＦ３、ＣａＯ／ＹｂＦ３、ＣａＯ／ＬｕＦ３、ＣａＯ／ＹＦ３、ＳｒＯ／ＬａＦ３、ＳｒＯ／ＣｅＦ３、ＳｒＯ／ＰｒＦ３、ＳｒＯ／ＮｄＦ３、ＳｒＯ／ＳｍＦ３、ＳｒＯ／ＥｕＦ３、ＳｒＯ／ＧｄＦ３、ＳｒＯ／ＴｂＦ３、ＳｒＯ／ＤｙＦ３、ＳｒＯ／ＨｏＦ３、ＳｒＯ／ＥｒＦ３、ＳｒＯ／ＴｍＦ３、ＳｒＯ／ＹｂＦ３、ＳｒＯ／ＬｕＦ３、ＳｒＯ／ＹＦ３、ＢａＯ／ＬａＦ３、ＢａＯ／ＣｅＦ３、ＢａＯ／ＰｒＦ３、ＢａＯ／ＮｄＦ３、ＢａＯ／ＳｍＦ３、ＢａＯ／ＥｕＦ３、ＢａＯ／ＧｄＦ３、ＢａＯ／ＴｂＦ３、ＢａＯ／ＤｙＦ３、ＢａＯ／ＨｏＦ３、ＢａＯ／ＥｒＦ３、ＢａＯ／ＴｍＦ３、ＢａＯ／ＹｂＦ３、ＢａＯ／ＬｕＦ３、ＢａＯ／ＹＦ３、のいずれかの構成を採用することが好ましい。
【０１０６】
また、第１層／第２層が２価金属／３価金属であって、酸化物／塩化物である場合には、ＭｇＯ／ＬａＣｌ３、ＭｇＯ／ＣｅＣｌ３、ＭｇＯ／ＰｒＣｌ３、ＭｇＯ／ＮｄＣｌ３、ＭｇＯ／ＳｍＣｌ３、ＭｇＯ／ＥｕＣｌ３、ＭｇＯ／ＧｄＣｌ３、ＭｇＯ／ＴｂＣｌ３、ＭｇＯ／ＤｙＣｌ３、ＭｇＯ／ＨｏＣｌ３、ＭｇＯ／ＥｒＣｌ３、ＭｇＯ／ＴｍＣｌ３、ＭｇＯ／ＹｂＣｌ３、ＭｇＯ／ＬｕＣｌ３、ＭｇＯ／ＹＣｌ３、ＣａＯ／ＬａＣｌ３、ＣａＯ／ＣｅＣｌ３、ＣａＯ／ＰｒＣｌ３、ＣａＯ／ＮｄＣｌ３、ＣａＯ／ＳｍＣｌ３、ＣａＯ／ＥｕＣｌ３、ＣａＯ／ＧｄＣｌ３、ＣａＯ／ＴｂＣｌ３、ＣａＯ／ＤｙＣｌ３、ＣａＯ／ＨｏＣｌ３、ＣａＯ／ＥｒＣｌ３、ＣａＯ／ＴｍＣｌ３、ＣａＯ／ＹｂＣｌ３、ＣａＯ／ＬｕＣｌ３、ＣａＯ／ＹＣｌ３、ＳｒＯ／ＬａＣｌ３、ＳｒＯ／ＣｅＣｌ３、ＳｒＯ／ＰｒＣｌ３、ＳｒＯ／ＮｄＣｌ３、ＳｒＯ／ＳｍＣｌ３、ＳｒＯ／ＥｕＣｌ３、ＳｒＯ／ＧｄＣｌ３、ＳｒＯ／ＴｂＣｌ３、ＳｒＯ／ＤｙＣｌ３、ＳｒＯ／ＨｏＣｌ３、ＳｒＯ／ＥｒＣｌ３、ＳｒＯ／ＴｍＣｌ３、ＳｒＯ／ＹｂＣｌ３、ＳｒＯ／ＬｕＣｌ３、ＳｒＯ／ＹＣｌ３、ＢａＯ／ＬａＣｌ３、ＢａＯ／ＣｅＣｌ３、ＢａＯ／ＰｒＣｌ３、ＢａＯ／ＮｄＣｌ３、ＢａＯ／ＳｍＣｌ３、ＢａＯ／ＥｕＣｌ３、ＢａＯ／ＧｄＣｌ３、ＢａＯ／ＴｂＣｌ３、ＢａＯ／ＤｙＣｌ３、ＢａＯ／ＨｏＣｌ３、ＢａＯ／ＥｒＣｌ３、ＢａＯ／ＴｍＣｌ３、ＢａＯ／ＹｂＣｌ３、ＢａＯ／ＬｕＣｌ３、ＢａＯ／ＹＣｌ３、のいずれかの構成を採用することが好ましい。
【０１０７】
また、第１層／第２層が２価金属／３価金属であって、酸化物／酸化物である場合には、ＭｇＯ／Ｌａ２Ｏ３、ＭｇＯ／ＣｅＯ２、ＭｇＯ／Ｐｒ２Ｏ３、ＭｇＯ／Ｎｄ２Ｏ３、ＭｇＯ／Ｓｍ２Ｏ３、ＭｇＯ／Ｅｕ２Ｏ３、ＭｇＯ／Ｇｄ２Ｏ３、ＭｇＯ／Ｔｂ２Ｏ３、ＭｇＯ／Ｄｙ２Ｏ３、ＭｇＯ／Ｈｏ２Ｏ３、ＭｇＯ／Ｅｒ２Ｏ３、ＭｇＯ／Ｔｍ２Ｏ３、ＭｇＯ／Ｙｂ２Ｏ３、ＭｇＯ／Ｌｕ２Ｏ３、ＭｇＯ／Ｙ２Ｏ３、ＣａＯ／Ｌａ２Ｏ３、ＣａＯ／ＣｅＯ２、ＣａＯ／Ｐｒ２Ｏ３、ＣａＯ／Ｎｄ２Ｏ３、ＣａＯ／Ｓｍ２Ｏ３、ＣａＯ／Ｅｕ２Ｏ３、ＣａＯ／Ｇｄ２Ｏ３、ＣａＯ／Ｔｂ２Ｏ３、ＣａＯ／Ｄｙ２Ｏ３、ＣａＯ／Ｈｏ２Ｏ３、ＣａＯ／Ｅｒ２Ｏ３、ＣａＯ／Ｔｍ２Ｏ３、ＣａＯ／Ｙｂ２Ｏ３、ＣａＯ／Ｌｕ２Ｏ３、ＣａＯ／Ｙ２Ｏ３、ＳｒＯ／Ｌａ２Ｏ３、ＳｒＯ／ＣｅＯ２、ＳｒＯ／Ｐｒ２Ｏ３、ＳｒＯ／Ｎｄ２Ｏ３、ＳｒＯ／Ｓｍ２Ｏ３、ＳｒＯ／Ｅｕ２Ｏ３、ＳｒＯ／Ｇｄ２Ｏ３、ＳｒＯ／Ｔｂ２Ｏ３、ＳｒＯ／Ｄｙ２Ｏ３、ＳｒＯ／Ｈｏ２Ｏ３、ＳｒＯ／Ｅｒ２Ｏ３、ＳｒＯ／Ｔｍ２Ｏ３、ＳｒＯ／Ｙｂ２Ｏ３、ＳｒＯ／Ｌｕ２Ｏ３、ＳｒＯ／Ｙ２Ｏ３、ＢａＯ／Ｌａ２Ｏ３、ＢａＯ／ＣｅＯ２、ＢａＯ／Ｐｒ２Ｏ３、ＢａＯ／Ｎｄ２Ｏ３、ＢａＯ／Ｓｍ２Ｏ３、ＢａＯ／Ｅｕ２Ｏ３、ＢａＯ／Ｇｄ２Ｏ３、ＢａＯ／Ｔｂ２Ｏ３、ＢａＯ／Ｄｙ２Ｏ３、ＢａＯ／Ｈｏ２Ｏ３、ＢａＯ／Ｅｒ２Ｏ３、ＢａＯ／Ｔｍ２Ｏ３、ＢａＯ／Ｙｂ２Ｏ３、ＢａＯ／Ｌｕ２Ｏ３、ＢａＯ／Ｙ２Ｏ３、のいずれかの構成を採用することが好ましい。
また、第１層及び第２層のそれぞれの膜厚は、５０〜２００ｎｍ程度であることが好ましい。
このように金属化合物を積層する順番を金属化合物の金属の価数の大小によって規定することにより、先に記載のＥＬ表示装置と同様の効果が得られると共に、発光層に対する電子注入及び輸送は、金属の価数の大小に起因して効率的に行われ、良好な発光特性を得ることができる。
【０１０８】
（３．金属化合物の金属のイオン半径の大小によって規定される順番）
ここでは、第１層よりも第２層の金属化合物の金属のイオン半径が大きくなる順列で各金属化合物が積層される。
従って、具体的な金属化合物の組み合わせとしては、ＬｉＦ／ＳｒＦ２、ＬｉＦ／ＢａＦ２、ＬｉＦ／ＣａＦ２、ＬｉＦ／ＣｓＦ、ＬｉＦ／ＮａＦ、ＬｉＦ／ＫＦ、ＭｇＦ２／ＣａＦ２、ＭｇＦ２／ＳｒＦ２、ＭｇＦ２／ＳｒＦ２、ＭｇＦ２／ＢａＦ２、ＣａＦ２／ＳｒＦ２、ＳｒＦ２／ＢａＦ２、のいずれかの構成を採用することが好ましい。
また、第１層及び第２層のそれぞれの膜厚は、５０〜２００ｎｍ程度であることが好ましい。
このように金属化合物を積層する順番を金属化合物の金属のイオン半径の大小によって規定することにより、先に記載のＥＬ表示装置と同様の効果が得られると共に、発光層に対する電子注入及び輸送は、金属のイオン半径の大小に起因して効率的に行われ、良好な発光特性を得ることができる。
【０１０９】
（４．金属化合物の金属の仕事関数の大小によって規定される順番）
ここでは、第１層よりも第２層の金属化合物の金属の仕事関数が大きくなる順列で各金属化合物が積層される。
従って、具体的な金属化合物の組み合わせとしては、ＬｉＦ／ＭｇＦ２、ＬｉＦ／ＹＦ３、ＬｉＦ／ＬａＦ３、ＬｉＦ／ＹＦ３、ＬｉＦ／ＬａＦ３、ＬｉＦ／ＴｂＦ３、ＬｉＦ／ＥｒＦ３、ＣｓＦ／ＲｂＦ、ＣｓＦ／ＫＦ、ＣｓＦ／ＮａＦ、ＣｓＦ／ＬｉＦ、ＲｂＦ／ＫＦ、Ｒｂ／ＮａＦ、ＲｂＦ／ＬｉＦ、ＫＦ／ＮａＦ、ＫＦ／ＬｉＦ、ＮａＦ／ＬｉＦ、ＳｒＦ２／ＢａＦ２、ＳｒＦ２／ＣａＦ２、ＳｒＦ２／ＭｇＦ２、ＢａＦ２／ＣａＦ２、ＣａＦ２／ＭｇＦ２、ＥｕＦ３／ＹＦ３、ＥｕＦ３／ＬａＦ３、ＥｕＦ３／ＣｅＦ３、ＥｕＦ３／ＳｍＦ３、ＥｕＦ３／ＧｄＦ３、ＥｕＦ３／ＴｂＦ３、ＥｕＦ３／ＥｒＦ３、ＥｕＦ３／ＹｂＦ３、ＳｍＦ３／ＹＦ３、ＳｍＦ３／ＬａＦ３、ＳｍＦ３／ＣｅＦ３、ＳｍＦ３／ＧｄＦ３、ＳｍＦ３／ＴｂＦ３、ＳｍＦ３／ＥｒＦ３、ＳｍＦ３／ＹｂＦ３、ＹｂＦ３／ＹＦ３、ＹｂＦ３／ＬａＦ３、ＹｂＦ３／ＣｅＦ３、ＹｂＦ３／ＧｄＦ３、ＹｂＦ３／ＴｂＦ３、ＹｂＦ３／ＥｒＦ３、ＴｂＦ３／ＹＦ３、ＴｂＦ３／ＬａＦ３、ＴｂＦ３／ＣｅＦ３、ＴｂＦ３／ＧｄＦ３、ＴｂＦ３／ＥｒＦ３、ＧｄＦ３／ＹＦ３、ＧｄＦ３／ＬａＦ３、ＧｄＦ３／ＣｅＦ３、ＧｄＦ３／ＥｒＦ３、ＥｒＦ３／ＹＦ３、ＥｒＦ３／ＬａＦ３、ＥｒＦ３／ＣｅＦ３、ＬａＦ３／ＹＦ３、のいずれかの構成を採用することが好ましい。
また、第１層及び第２層のそれぞれの膜厚は、５０〜２００ｎｍ程度であることが好ましい。
このように金属化合物を積層する順番を金属化合物の金属の仕事関数の大小によって規定することにより、先に記載のＥＬ表示装置と同様の効果が得られると共に、発光層に対する電子注入及び輸送は、金属の仕事関数の大小に起因して効率的に行われ、良好な発光特性を得ることができる。
【０１１０】
〔第３の実施形態〕
以下、第１の実施形態又は第２の実施形態のＥＬ表示装置を備えた電子機器の具体例について図１５に基づき説明する。
図１５（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１５（ａ）において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は前記のＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
図１５（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１５（ｂ）において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は前記のＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
図１５（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１５（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０１はキーボードなどの入力部、符号１２０２は前記のＥＬ表示装置を用いた表示部、符号１２０３は情報処理装置本体を示している。
【０１１１】
図１５（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、前記の第１の実施形態のＥＬ表示装置を用いた表示部を備えたものであり、先の第１の実施形態のＥＬ表示装置の特徴を有するので、好適な電子機器となる。
これらの電子機器を製造するには、第１又は第２の実施形態のＥＬ表示装置１を、携帯電話、携帯型情報処理装置、腕時計型電子機器などの各種電子機器の表示部に組み込むことにより製造される。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】第１の実施形態のＥＬ表示装置の配線構造を示す模式図。
【図２】第１の実施形態のＥＬ表示装置の構成を示す平面図。
【図３】図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図。
【図４】図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図。
【図５】図３の要部拡大断面図。
【図６】第１の実施形態のＥＬ表示装置の製造方法の工程図。
【図７】第１の実施形態のＥＬ表示装置の製造方法の工程図。
【図８】第１の実施形態のＥＬ表示装置の製造方法の工程図。
【図９】第１の実施形態のＥＬ表示装置の製造方法の工程図。
【図１０】第１の実施形態のＥＬ表示装置の製造方法の工程図。
【図１１】第１の実施形態のＥＬ表示装置を製造する蒸着装置。
【図１２】電子注入層５２を構成する金属材料の一例の各種特性を示す図。
【図１３】電子注入層５２を構成する金属材料の一例の各種特性を示す図。
【図１４】電子注入層５２を構成する金属化合物の一例の融点を示す図
【図１５】第３の実施形態の電子機器の実施の形態例を示す図。
【符号の説明】
【０１１３】
１…ＥＬ表示装置（電気光学装置）
２３…画素電極（電極）
５０…陰極（電極）
５２…電子注入層
６０…有機ＥＬ層（発光層）
１０００、１１００、１２００…電子機器
【図１】
2004288621.tif 000003
【図２】
2004288621.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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