(57)【要約】【課題】基板を真空雰囲気内で露光する露光装置において、露光構造体を真空雰囲気内で高精度に支持可能とする。【解決手段】基板を真空雰囲気内で露光する露光装置において、金属ベローズ５９を用いて形成された除振マウント１１，５１，９１を真空チャンバ３内に設け、前記除振マウントにより前記真空チャンバ内のマスクステージ定盤６、ウエハステージ定盤８、鏡筒定盤１０等の露光構造体を支持する。【選択図】      図１
2004221251.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を真空雰囲気内で露光する露光装置において、金属ベローズを用いて形成された除振機構を真空チャンバ内に設け、前記除振機構により前記真空チャンバ内の露光構造体を支持することを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パターンを基板としての半導体ウエハ上に真空雰囲気中で露光する露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路等の半導体デバイスや、マイクロマシン、薄膜磁気ヘッド等の微細なパターンが形成されたデバイスの製造では、原版であるマスクを介して被転写体である基板としての半導体ウエハ上に露光エネルギーとしての露光光（この用語は、可視光、紫外光、ＥＵＶ光、Ｘ線、電子線、荷電粒子線等の総称として以下使用する）を投影系としての投影レンズ（この用語は、屈折レンズ、反射レンズ、反射屈折レンズシステム、荷電粒子レンズ等の総称として以下使用する）を介してまたは介さずに照射することによって、基板上に所望のパターンを形成している。
【０００３】
半導体デバイスを製造する際には、所望の回路パターンに対応したマスクをレジストが表面に塗布された半導体ウエハに対して用意する場合、マスクを介して半導体ウエハに露光光を照射し、レジストを選択的に露光して回路パターンを転写した後、エッチング工程や成膜工程を行う。露光工程を含む斯かる工程を繰り返すことにより、半導体ウエハ上に所望の回路が形成される。マスクを使用せずに半導体ウエハ上に回路パターンを直接描画してレジストを露光する場合も、同様な工程により、半導体ウエハ上に所望の回路が形成される。
【０００４】
波長５〜１５ｎｍ（軟Ｘ線領域）に発振スペクトルを有するＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）光を露光光として使用する露光装置（このような装置を以下ＥＵＶ露光装置と呼称する）は、例えば特許文献１に開示されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平０９−２９８１４２号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ＥＵＶ露光装置では、ＥＵＶ光の発生源からマスクまでの照明光路、マスクからウエハまでの露光光路の一方または両方を含む露光光路の周囲環境が真空雰囲気となる。なお、以下の説明では、ＥＵＶ露光装置を例にとって説明するが、本発明は、ＥＵＶ露光と同様に露光光路の周囲環境を真空雰囲気とする必要のある電子ビーム露光、イオンビーム露光等の荷電粒子ビーム露光にも適用可能であり、その利用を妨げるものはない。
【０００７】
ＥＵＶ露光装置では、原板としてのマスク〈またはレチクル〉を保持するマスクステージと基板としてのウエハを保持するウエハステージに走査露光のために高い同期精度が要求されると同時に、投影系としての投影レンズや、マスクステージを支持するマスクステージ定盤や、ウエハステージを支持するウエハステージ定盤等の少なくとも一つを含む露光構造体の除振と制振の一方または両方を行いながら斯かる露光構造体を高精度に支持することが要求される。
【０００８】
一般的に、上述の露光構造体の少なくとも一つは、除振と制振の一方または両方のために、例えば除振装置を介して基礎構造体としての床や真空環境としての真空雰囲気を形成するための真空チャンバに対して支持されている。除振装置は床からの振動を絶縁して露光構造体を除振する機能を有し、各ステージ定盤におけるステージ移動により発生する振動を抑える制振機能が必要に応じて更に付加される。
【０００９】
除振装置としての除振機構を構成するダンパまたはアクチュエータは、気体バネとしての空気バネを利用して構成されることが多く、このため投影レンズ等の露光構造体を真空雰囲気で支持するためには解決しなければならない問題がある。
【００１０】
一つの解決方法としては、除振装置を真空チャンバの外側に配置し、これと真空チャンバ内の投影レンズ等の露光構造体を支柱等で連結して支持する方法が考えられる。しかし、この方法では、真空チャンバに支柱を通すための開口を設けることが必須となり、チャンバの内部と外部の雰囲気を遮断するために、上記開口を被うという新たな問題も生じる。また、この方法では、支柱の剛性による振動が極めて大きな問題となる。
【００１１】
そこで、本発明の課題は、基板を真空雰囲気内で露光する露光装置において、露光構造体を真空雰囲気内で高精度に支持可能とすることである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、基板を真空雰囲気内で露光する露光装置において、金属ベローズを用いて形成された除振機構を真空チャンバ内に設け、前記除振機構により前記真空チャンバ内の露光構造体を支持することを特徴とする。
【００１３】
（作用）
本発明によれば、露光装置において、露光構造体と除振機構を連結する支柱を通すための開口をチャンバに設ける必要がなく、支柱の剛性による振動の問題もない。また、除振機構を真空チャンバの外部に配置する場合に比して、露光構造体に対する除振機構の配置に自由度が多くなるので、装置スペース（真空チャンバを含む）を小さく抑えることができ、更には最適な除振、必要な場合には制振も可能にできる。
【００１４】
また、本発明によれば、ゴムを使用した場合と異なり、ゴムからのアウトガス及びバネ内の気体としての空気の透過により、真空環境または真空雰囲気の真空度が低下する、もしくは真空度が上がらないという問題も発生しない。
【００１５】
なお、金属ベローズは駆動方向と交差する方向としての駆動方向に直角な方向に高い剛性を持つため、金属ベローズに例えば直列に金属ロッド等で駆動方向と交差する方向に低い剛性を持つ連結機構を設ければ、駆動方向及び駆動方向と交差する方向に柔軟なアクチュエータとすることができる。
【００１６】
また、金属ベローズ内には、例えば真空対応でない加速度計、変位計、電磁アクチュエータ等のセンサやアクチュエータを配置することもできる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１８】
＜第１実施形態＞
図１は、本実施形態による露光装置の概略構成を示す図である。図１において、１は励起レーザであり、光源の発光点となる光源材料をガス化、液化或いは噴霧ガス化させたポイントに向けてレーザを照射して、光源材料原子をプラズマ励起することにより極紫外光としてのＥＵＶ光を発光させる。本実施形態では、励起レーザ１としてＹＡＧ固体レーザ等を用いる。
【００１９】
２は光源発光部であり、その内部は真空に維持された構造を持つ。ここで、２Ａは光源であり、実際の発光ポイントを示す。光源２Ａの周囲には光源ミラーが設けられ、光源２Ａからの全球面光を発光方向に揃え集光反射し、露光光を生成する。光源ミラーは、光源２Ａの位置を中心とした半球面状のミラーとして配置される。不図示のノズルから発光元素としての液化Ｘｅ、噴霧状の液化ＸｅあるいはＸｅガスを光源２Ａの位置に配置させる。
【００２０】
３は環境チャンバとしての真空チャンバであり、露光装置全体を格納する。４は真空ポンプであり、真空チャンバ内３を排気して真空状態を維持する。５は露光光導入部であり光源発光部２からの露光光を導入成形する。露光光導入部５は、ミラー５Ａ〜５Ｄにより構成され、露光光を均質化かつ整形する。
【００２１】
６はマスクステージであり、マスクステージ６上の可動部には露光パターンの反射原板である原板としての反射型マスク〈またはレチクル〉６Ａが搭載されている。７は投影系である投影レンズとしての縮小投影ミラー光学系であり、マスク６Ａで反射した露光光により形成される露光パターンをウエハ８Ａ上に縮小投影する。縮小投影ミラー光学系７では、露光光がミラー７Ａ，７Ｂ，７Ｃ〈マスク６Ａ側〉，７Ｄ，７Ｅ，７Ｃ〈ウエハ８Ａ側〉の順で投影反射され、最終的に規定の縮小倍率比でウエハ８Ａ上に露光パターンの像が縮小投影される。
【００２２】
光源発光部２からの露光光を導入成形する露光光導入部５のミラー５Ａ〜５Ｄ及び縮小投影ミラー光学系７のミラー７Ａ〜７Ｅは、Ｍｏ−Ｓｉの多層膜を蒸着あるいはスパッタにより形成した反射面を有し、それぞれの反射面で光源からの露光光を反射するものである。
【００２３】
８はウエハステージであり基板としてのウエハ８Ａを搭載する。ウエハ８Ａはマスク６Ａ上の露光パターンの像が反射縮小投影されて露光されるＳｉ基板である。ウエハステージ８はウエハ８Ａを所定の露光位置に位置決めするために、Ｘ，Ｙ，Ｚの各軸、Ｘ軸回り及びＹ軸回りのチルト〈ωｘ，ωｙ〉、Ｚ軸回りの回転〈θ〉方向の６軸駆動可能に位置決め制御される。
【００２４】
９は真空チャンバ３内に配置されているマスクステージ支持体であり、マスクステージ６のマスクステージ定盤を真空チャンバ３内に配置されている除振機構としての除振マウント９１を介して支持する。マスクステージ支持体９は真空チャンバ３の床に対して固定されているが、この構成に限るものではなく、真空チャンバ３を含む露光装置全体を設置する設置床から支持するようにしても良い。
【００２５】
除振マウント９１は後述するように気体としての空気を利用したダンパまたはアクチュエータを含み、マスクステージ６のマスクステージ定盤とマスクステージ支持体９を振動的に絶縁している。
【００２６】
８５は真空チャンバ３内に配置されている鏡筒定盤支持体〈複数〉であり、図２に詳細に示されるように、縮小投影ミラー光学系７の鏡筒を保持する鏡筒定盤１０を真空チャンバ３内に配置されている除振装置としての除振マウント５１を介して支持する。鏡筒定盤支持体８５は真空チャンバ３の床に対して固定されているが、この構成に限るものではなく、真空チャンバ３を含む露光装置全体を設置する設置床から支持するようにしても良い。
【００２７】
除振マウント５１は後述するように気体としての空気を利用したダンパまたはアクチュエータを含み、鏡筒定盤１０と鏡筒定盤支持体８５を振動的に絶縁している。
【００２８】
１１は真空チャンバ３内に配置されている除振装置としての除振マウントであり、図２に詳細に示されるように、真空チャンバ３の床に対して固定されているウエハステージ支持体〈不図示〉に対してウエハステージ８のウエハステージ定盤を支持する。ウエハステージ支持体は真空チャンバ３の床に対して固定されているが、この構成に限るものではなく、真空チャンバ３を含む露光装置全体を設置する設置床から支持するようにしても良い。
【００２９】
除振マウント１１は後述するように気体としての空気を利用したダンパまたはアクチュエータを含み、ウエハステージ定盤とウエハステージ定盤支持体を振動的に絶縁している。
【００３０】
図１に示すように、除振マウント９１，５１，１１により、マスクステージ６〈及び／またはマスクステージ定盤〉、縮小投影ミラー光学系７（及び／または鏡筒定盤１０）、ウエハステージ８〈及び／またはウエハステージ定盤〉のそれぞれは、真空チャンバ３または設置床に対して振動的に絶縁された状態で真空チャンバ３内に位置する。また、マスクステージ６〈及び／またはマスクステージ定盤〉、縮小投影ミラー光学系７（及び／または鏡筒定盤１０）、ウエハステージ８〈及び／またはウエハステージ定盤〉のそれぞれは、除振マウント９１，５１，１１により分離独立して支持され、互いに対しても振動的に絶縁されている。
【００３１】
マスクステージ６のマスクステージ定盤と縮小投影ミラー光学系７を保持する鏡筒定盤１０との間の相対位置は、相対位置検出器としてのレーザ干渉式測長器８１を用いて、Ｘ，Ｙ，Ｚ，ωｘ，ωｙ，θ方向のいくつかもしくは全ての方向に関して計測され、この計測値に基づいて除振マウント９１及びまたは除振マウント５１内の空気バネを用いたダンパまたはアクチュエータを制御することにより所定の相対位置関係に連続して維持される。また、同様に縮小投影ミラー光学系７を保持する鏡筒定盤１０とウエハステージ８のウエハステージ定盤との間の相対位置も、相対位置検出器としてのレーザ干渉式測長器８２を用いて、Ｘ，Ｙ，Ｚ，ωｘ，ωｙ，θ方向のいくつかもしくは全ての方向に関して計測され、この計測値に基づいて除振マウント５１及びまたは除振マウント１１内の空気バネを用いたダンパまたはアクチュエータを制御することにより所定の相対位置関係に連続して維持される。
【００３２】
除振マウント９１，５１，１１は、マスクステージ６のマスクステージ定盤、縮小投影ミラー光学系７、ウエハステージ８のウエハステージ定盤への真空チャンバ３または装置設置床からの振動を絶縁するが、更にマスクステージ６の移動により発生するマスクステージ定盤の振動、ウエハステージ８の移動により発生するウエハステージ定盤の振動を制振するように、内部の空気バネを用いたダンパまたはアクチュエータを制御するようにしても良い。なお、図１の露光装置は、マスク６Ａのパターンの像を縮小投影ミラー光学系７を介してウエハ８Ａ上の領域に投影露光する際、マスクステージ６とウエハステージ８を図の矢印方向に同期を取りながら移動して走査露光するものである。また、この装置はウエハ８Ａ上の各領域をステップ移動と走査露光を繰り返しながら順に露光していくためステップアンドスキャン型と一般に呼ばれている。
【００３３】
１２はマスクストッカーであり、装置〈真空チャンバ３〉外部から一旦装置内部にマスク６Ａを保管するものである。マスクストッカー１２では、保管容器に密閉状態で異なるパターン及び異なる露光条件に合わせた複数のマスクが保管される。１３はマスクチェンジャーであり、マスクストッカー１２から使用すべきマスクを選択して搬送する。
【００３４】
１４はマスクアライメントユニットであり、Ｘ，Ｙ，Ｚ及びＺ軸周り〈θ〉に回転可能な回転ハンドを有する。マスクアライメントユニット１４は、マスクチェンジャー１３からマスク６Ａを受け取り、マスクステージ６の端部に設けられたマスクアライメントスコープ１５の視野内に１８０度回転搬送し、縮小投影ミラー光学系７を基準に設けられたアライメントマークに対してマスク６ＡをＸ，Ｙ，Ｚ軸回転〈θ〉方向に微動してアライメントする。即ち、ＸＹシフト方向及びＺ軸回転〈θ〉方向にマスク６Ａを微動調整することにより、縮小投影ミラー光学系７を基準に設けられたアライメントマークに対してマスク６Ａ内のアライメントマークを合わせる。こうして、マスクステージにマスク６Ａを固定する際に、投影系基準としての縮小投影ミラー光学系７にマスク６Ａがアライメントされる。アライメントを終了したマスク６Ａはマスクステージ６上にチャッキングされる。
【００３５】
１６はウエハストッカーであり、装置〈真空チャンバ３〉外部から一旦装置内部にウエハ８Ａを保管する。ウエハストッカー１６では、保管容器に複数枚のウエハが保管されている。１７はウエハ搬送ロボットであり、ウエハストッカー１６から露光処理するべきウエハを選定し、ウエハメカプリアライメント温調機１８に運ぶ。ウエハメカプリアライメント温調機１８は、ウエハ８Ａの回転方向の送り込み粗調整を行うと同時に、ウエハ温度を露光装置内部の温調温度に合わせ込む。１９はウエハ送り込みハンドであり、ウエハメカプリアライメント温調機１８にてアライメント及び温調されたウエハをウエハステージ８に送り込む。
【００３６】
２０及び２１はゲートバルブであり、装置〈真空チャンバ３〉外部からマスク及びウエハを挿入するゲート開閉機構である。２２も同じくゲートバルブで、装置内部でウエハストッカー１６及びウエハメカプリアライメント温調機１８の空間と露光空間とを隔壁で分離し、ウエハを搬入または搬出〈搬送と総称する〉するときにのみ開閉する。このように、隔壁で分離することにより、装置外部との間でウエハを搬送する際に、大気開放される容積を最小限にし、速やかに真空平行状態に戻すことを可能にしている。
【００３７】
図３を用いて除振機構を詳細に説明する。除振機構１１，５１，９１は同一構造のものでも良いので、以下の説明では除振機構５１を例にとって説明する。なお、除振機構１１，５１，９１は全て同一構造とする必要はなく、後述する他の実施形態のものを組み合わせて使用しても良いことは言うまでもない。
【００３８】
図３において、除振機構５１は、底面が開口している箱型の可動体としての可動カバー５５と、鏡筒定盤支持体５８に取り付け固定されている支持体としての支持ブロック５６を含んでいる。可動カバー５５は鏡筒定盤１０に取り付け固定され、その内側上面の中心または実質的に中心の位置にズレ吸収機構としてのジンバルピストン５７のピストンを構成するロッド５５ａがＺ軸方向に伸びて設けられている。ロッド５５ａの先端は金属球５５ｂを介してジンバルピストン５７のシリンダの底面で支持されている。ジンバルピストン５７はこの構成によりＸＹ面に平行な方向に関して柔軟な構造とされる。
【００３９】
支持ブロック５６とジンバルピストン５７の間には密閉空間を形成するためにＺ軸方向に伸縮可能なようにＺ軸方向に沿って蛇腹状に形成されているステンレス〈例えばＳＵＳ３０４〉製の金属ベローズ５９ａが設けられ、支持ブロック５６内に形成されている空間５６ａと協働して、鏡筒定盤１０を鏡筒定盤支持体５８に対してＺ軸方向に支持する気体バネとしての空気バネを構成している。金属ベローズ５９ａはＺ軸方向の剛性に比してＺ軸と交差する面として直交するＸＹ面に平行な方向の剛性が高くなり、そのままでは可動カバー５５と支持ブロック５６間のＸＹ面に平行な方向の相対移動を拘束してしまうが、両者のＸＹ面に平行な方向の相対移動はジンバルピストン５７により補償される。
【００４０】
また、支持ブロック５６のＸ軸方向に沿った両側と可動カバー５５の間にはそれぞれ密閉空間を形成するためにＸ軸方向に伸縮可能なようにＸ軸方向に沿って蛇腹状に形成されているステンレス〈例えばＳＵ３０４〉製の金属ベローズ５９ｂ，５９ｃがそれぞれ設けられ、支持ブロック５６内に形成されている空間５６ｂ，５６ｃと協働して鏡筒定盤１０を鏡筒定盤支持体５８に対してＸ軸方向に支持する気体バネとしての空気バネを構成している。なお、支持ブロック５６のＹ軸方向に沿った両側と可動カバー５５の間にはそれぞれ密閉空間を形成するためにＹ軸方向に伸縮可能なようにＹ軸方向に沿って蛇腹状に形成されているステンレス〈例えばＳＵＳ３０４〉製の金属ベローズが、金属ベローズ５９ｂ，５９ｃと同様にそれぞれ設けられているが、その構成は上述したものと同様であるので、ここでは説明を繰り返さない。
【００４１】
なお、金属ベローズをステンレス〈例えばＳＵＳ３０４〉製とするのは、防錆〈メッキ不要〉、電解研磨可能などの理由からである。
【００４２】
空間５６ａ，５６ｂ，５６ｃは、不図示の気体供給源にそれぞれ管路６０ａ，６０ｂ，６０ｃを介して接続され、鏡筒定盤１０の除振のためにその内部の圧力が制御される。また、必要に応じて制振のためにも制御される。
【００４３】
また、金属ベローズ５９ｂと空間５６ｂで形成される空気バネの内部には、支持ブロック５６〈鏡筒定盤支持体５８〉を基準として可動カバー５５〈鏡筒定盤１０〉にＸ軸方向の力を与えるアクチュエータ６１ａとしてのリニアモータまたはボイスコイルモータと、可動カバー５５に取り付け固定された検出ターゲット６３ａのＸ軸方向の変位を、支持ブロック５６を基準として検出するために支持ブロック５６に取り付け固定された位置センサ６２ａと、可動カバー５５に取り付け固定された振動センサ６４ａとしての加速度計が周囲の真空雰囲気から隔離されて設けられている。位置センサ６２ａは鏡筒定盤１０と鏡筒定盤支持体５８間のＸ軸方向に沿った相対変位を検出し、振動センサ６４ａは鏡筒定盤１０の振動を検出する。
【００４４】
金属ベローズ５９ｃと空間５６ｃで形成される空気バネの内部には、支持ブロック５６〈鏡筒定盤支持体５８〉を基準として可動カバー５５〈鏡筒定盤１０〉にＺ軸方向の力を与えるアクチュエータ６１ｂとしてのリニアモータまたはボイスコイルモータと、可動カバー５５に取り付け固定された検出ターゲット６３ｂのＺ軸方向の変位を、支持ブロック５６を基準として検出するために支持ブロック５６に取り付け固定された位置センサ６２ｂと、可動カバー５５に取り付け固定された振動センサ６４ｂとしての加速度計が設けられている。位置センサ６２ｂは鏡筒定盤１０と鏡筒定盤支持体５８間のＺ軸方向に沿った相対変位を検出し、振動センサ６４ａは鏡筒定盤１０の振動を検出する。
【００４５】
各センサの出力は、不図示の制御装置に送られ処理されて、鏡筒定盤１０の変位や振動を抑えるためにアクチュエータ６１ａ，６１ｂや前述した不図示の気体供給源に制御信号として送られる。各センサの出力や各アクチュエータを制御するための制御信号を送るための配線は、支持ブロック５６の内部を通って鏡筒定盤支持体５８の内部空間に案内されている。なお、Ｙ軸方向に設けられる空気バネの内部にも同様にセンサ及びアクチュエータが設けられている。これらにより、空気バネとアクチュエータを用いたハイブリッドなアクティブダンパが構成され、除振と制振に対して有効に機能する。
【００４６】
図９は、鏡筒定盤１０をＺ軸方向から示すものであり、鏡筒定盤１０に対する除振マウントの配置を示すものである。（Ａ）は３個の除振マウント５１を鏡筒定盤１０に対して設ける例を示し、（Ｂ）は４個の除振マウント５１を鏡筒定盤１０に対して設ける例を示している。
【００４７】
＜第２実施形態＞
図４に示す実施形態は、第１実施形態から各センサ及びアクチュエータをなくしたものであり、ハイブリッドではないアクティブまたはパッシブダンパを構成する。その他は、第１実施形態と同様である。
【００４８】
＜第３実施形態＞
図５（Ａ）に示す実施形態は、アクチュエータ６１ｂ、位置センサ６２ｂ、検出ターゲット６３ｂ、振動センサ６４ｂのそれぞれを、空間５６ａと金属ベローズ５９ａで構成される空間内に配置したものである。また、この実施形態では、ジンバルピストン５７を可動カバー５５と支持ブロック５６の間からなくしている点が、第１実施形態と異なっている。この実施形態でも、空気バネとアクチュエータを用いたハイブリッドなアクティブダンパが構成され、除振と制振に対して有効に機能する。
【００４９】
＜第４実施形態＞
図５（Ｂ）に示す実施形態は、第３実施形態から各センサ及びアクチュエータをなくしたものであり、ハイブリッドではないアクティブまたはパッシブダンパを構成する。その他は、第３実施形態と同様である。
【００５０】
＜第５実施形態＞
図６（Ａ）に示す実施形態は、第１実施形態に示されるジンバルピストンを各空気バネに関して設け、各センサ及びアクチュエータをなくしたものであり、ハイブリッドではないアクティブまたはパッシブダンパを構成する。この実施形態によれば、可動カバー５５と支持ブロック５６のＺ軸方向の変位を金属ベローズ５９ｂ，５９ｃが拘束することがない。その他は、第１実施形態と同様である。
【００５１】
＜第６実施形態＞
図６（Ｂ）に示す実施形態は、第５実施形態に示される各ジンバルピストンを細いロッド７０ａ，７０ｂ，７０ｃに置き換えたものであり、ハイブリッドではないアクティブまたはパッシブダンパを構成する。その他は、第５実施形態と同様である。
【００５２】
＜第７実施形態＞
図７（Ａ）に示す実施形態は、第４実施形態をＺ軸方向のみに空気バネが存在するように変形したものであり、ハイブリッドではないアクティブまたはパッシブダンパを構成する。その他は、第４実施形態と同様である。
【００５３】
＜第８実施形態＞
図７（Ｂ）に示す実施形態は、第７実施形態にジンバルピストン５７を付加したものであり、ハイブリッドではないアクティブまたはパッシブダンパを構成する。その他は、第４実施形態と同様である。
【００５４】
＜第９実施形態＞
図８（Ａ）に示す実施形態は、空気バネ７１ａ，７１ｂ，７１ｃを金属ベローズを用いて構成するのではなく、可動カバー５５と支持ブロック５６の間を金属ベローズ５９ｄで繋ぎ、その内部を密閉空間とすることにより、真空雰囲気中での使用を可能とするものである。この実施形態では、空気バネ７１ａ，７１ｂ，７１ｃはゴム等の弾性部材を用いて構成することができる。この実施形態は、ハイブリッドではないアクティブまたはパッシブダンパを構成する。その他は、第４実施形態と同様である。
【００５５】
＜第１０実施形態＞
図８（Ｂ）に示す実施形態は、第８実施形態に、アクチュエータ６１ａ，６１ｂ、位置センサ６２ａ，位置センサ６２ｂ、検出ターゲット６３ａ，検出ターゲット６３ｂ、振動センサ６４ａ，振動センサ６４ｂを付加したものであり、この実施形態は、空気バネとアクチュエータを用いたハイブリッドなアクティブダンパが構成され、除振と制振に対して有効に機能する。その他は、第１実施形態と同様である。
【００５６】
＜第１１実施形態＞
次に、この露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１０は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク作製）では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。
【００５７】
一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ５によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７でこれを出荷する。
【００５８】
上記ステップ４のウエハプロセスは以下のステップを有する。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに転写する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【００５９】
＜実施態様の例＞
本発明の実施態様の例を以下に列挙する。
【００６０】
［実施態様１］  基板を真空雰囲気内で露光する露光装置において、金属ベローズを用いて形成された除振機構を真空チャンバ内に設け、前記除振機構により前記真空チャンバ内の露光構造体を支持することを特徴とする露光装置。
【００６１】
［実施態様２］  前記除振機構は、金属ベローズを用いて形成された気体バネを有することを特徴とする実施態様１に記載の露光装置。
【００６２】
［実施態様３］  前記除振機構は、前記気体バネの伸縮方向と交差する面と平行な方向に関してのズレを吸収するズレ吸収機構を有することを特徴とする実施態様２に記載の露光装置。
【００６３】
［実施態様４］  前記ズレ吸収機構は、ジンバルピストンを有することを特徴とする実施態様３に記載の露光装置。
【００６４】
［実施態様５］  前記金属ベローズを用いて形成された空間内には、変位センサ、振動センサ、アクチュエータの少なくとも一つが周囲の真空雰囲気から隔離されて配置されていることを特徴とする実施態様１〜４のいずれかに記載の露光装置。
【００６５】
［実施態様６］  前記露光構造体は、マスクステージ定盤、鏡筒定盤、基板ステージ定盤の少なくとも一つを含むことを特徴とする実施態様１〜５のいずれかに記載の露光装置。
【００６６】
［実施態様７］  デバイス製造方法であって、基板に感光剤を塗布する工程と、前記基板を実施態様１〜６のいずれかに記載の露光装置により露光する工程と、前記基板を現像する工程を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【００６７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、露光構造体を真空雰囲気内で高精度に支持できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の露光装置の第１実施形態を示す図。
【図２】第１実施形態の要部を示す図。
【図３】第１実施形態の除振マウントを示す図。
【図４】第２実施形態を示す図。
【図５】（Ａ）は第３実施形態を示し、（Ｂ）は第４実施形態を示す図。
【図６】（Ａ）は第５実施形態を示し、（Ｂ）は第６実施形態を示す図。
【図７】（Ａ）は第７実施形態を示し、（Ｂ）は第８実施形態を示す図。
【図８】（Ａ）は第９実施形態を示し、（Ｂ）は第１０実施形態を示す図。
【図９】（Ａ），（Ｂ）は除振マウントの配置例を示す図。
【図１０】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図。
【符号の説明】
６  マスクステージ
７  縮小ミラー投影光学系
８  ウエハステージ
１０  鏡筒定盤
１１，５１，９１  除振マウント
５７  ジンバルピストン
５９ａ，５９ｂ，５９ｃ  金属ベローズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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