(57)【要約】【課題】低温焼結性を有し、得られる焼結体が曲げ強さ、靭性、耐蝕性に優れたジルコニア粉末を提供する。【解決手段】結晶子径が２０ｎｍ以下、比表面積が６〜２０ｍ２／ｇ、平均二次粒子径が０．１〜０．８μｍである正方晶ジルコニア粉末。正方晶ジルコニアを単斜晶率が５０％以上になるまで湿式粉砕または乾式粉砕し、５００〜１０００℃で二次仮焼することにより単斜晶を正方晶に変態させることを特徴とする正方晶ジルコニア粉末の製造方法。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶子径が２０ｎｍ以下、比表面積が６〜２０ｍ２／ｇ、および平均二次粒子径が０．１〜０．８μｍである正方晶ジルコニア粉末。
【請求項２】
Ｙ２Ｏ３および／またはＹｂ２Ｏ３を２〜５モル％含み、Ａｌ２Ｏ３を０〜１．０重量％含み、残部がＺｒＯ２である請求項１記載の正方晶ジルコニア粉末。
【請求項３】
正方晶ジルコニアを単斜晶率が５０％以上になるまで湿式粉砕または乾式粉砕し、５００〜１０００℃で二次仮焼することにより単斜晶を正方晶に変態させることを特徴とする正方晶ジルコニア粉末の製造方法。
【請求項４】
正方晶ジルコニアが、水溶性塩類を用いて共沈法または加水分解法を行うことにより、共沈水酸化物または水和ジルコニアゾル水酸化物共沈物を得たのち、得られた共沈水酸化物または水和ジルコニアゾル水酸化物共沈物を８００〜１１００℃で一次仮焼することにより得られたものである請求項３記載の正方晶ジルコニア粉末の製造方法。
【請求項５】
請求項３または４記載の製造方法により得られた正方晶ジルコニア粉末を単斜晶に変態させることなく二次粉砕し、造粒、二次乾燥する正方晶ジルコニア粉末の製造方法。
【請求項６】
正方晶ジルコニア粉末を造粒、二次乾燥する際に、有機バインダーを添加することを特徴とする請求項５記載の正方晶ジルコニア粉末の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、低温焼結性を有する正方晶ジルコニアの原料粉末およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、実用性のある正方晶ジルコニア焼結用原料を得るためには、仮焼温度を１０００℃前後まで上げる必要があった。より低温度で仮焼した場合は、その結晶子も小さく、そのために低温仮焼の原料で成形したグリーン体は焼結時に再結晶しやすく、焼結温度の低下が見込める。しかし、反面粒子径が非常に小さいために凝集性が大きく、成形したグリーン体の密度が低くなり、焼結しても収縮率が大きく、また均一に成形できないため焼結体に局部的な気泡の増大、変形、割れが生じ良好な焼結体が得られず、種々の成分がその粉体の表面に吸着しているため灼熱減量（Ｉｇｎｉｔｅｄ  ｌｏｓｓ）も大きく実用には供しえないものであった。そのために焼結体用の粉末は、その比表面積が６〜２０ｍ２／ｇ、沈降法などで測定される二次粒子径は０．１から１μｍ、透過型電子顕微鏡で観察される一次粒子径は５０ｎｍから１００ｎｍ、その結晶子径も２５ｎｍ〜１００ｎｍであった。このためにこれらの原料粉末を成形して焼結する場合の焼結温度は加圧しない通常の焼結では最低でも１３５０〜１４００℃が必要であった。
【０００３】
一般的にセラミックス原料の場合物理的な壊砕、粉砕により得られる粉末はミクロンオーダーまでといわれており、サブミクロンオーダーの粉末を得るためには化学的合成が必要といわれている。化学的合成法で作成した粉末も、その仮焼後に粉砕工程を入れている場合が多いが、これは大きな一次粒子を壊砕するのではなく、部分的に物理的化学的に結合又は凝集している粒子間をほぐす程度の工程であり、そのため幾等粉砕しても粉末の比表面積は精々１０％ほど増大するに過ぎない。特に正方晶ジルコニア、部分安定化ジルコニアの場合、粉砕により変態し単斜晶が増大するので、特にその条件は緩やかにして変態しないように注意しているのが一般的である。
【０００４】
また、成形性および焼結性に優れたジルコニア粉末を得るため、平均粒径が０．２μｍ以下の水和ジルコニアゾルを８００〜１２００℃の範囲で仮焼して所定のＢＥＴ比表面積の粉末を得、粒径中央値が０．３〜１μｍまたは１〜２μｍになるまで粉砕してジルコニア粉末を得ることが開示されている（特許文献１参照）。しかし、粉砕により単斜晶が増加するため、焼結の際、単斜晶から正方晶への再変態が起こり、そのために体積変化により、微細なクラックやポアの発生や、寸法精度が悪化するという問題があった。
【０００５】
また、水和ジルコニアゾルとイットリウム化合物とからなる混合溶液を乾燥し、７５０〜１１５０℃の温度で仮焼してジルコニア粉末を得、ジルコニア粉末を水溶液と混合してｐＨが７以下または９以上のジルコニアスラリーとして、湿式粉砕することが開示されている（特許文献２参照）。しかし、この条件で粉砕を行なっても、単斜晶率および結晶子径の制御はできず、結果的に焼結性に劣るものとなっていた。
【０００６】
以上のように、実用性のある低温焼結性のジルコニア粉末はこれまで存在していなかった。その焼結温度はより低いとその経済性が向上するほか、焼結体の結晶粒子径が小さくなり、正方晶ジルコニア焼結体としての曲げ強さ、靭性、耐蝕性がより優れたものになるため、低温焼結性のジルコニア粉末が切望されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平５−１９３９４８号公報
【特許文献２】
特開２０００−１８５９１９号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、低温焼結性を有し、得られる焼結体が曲げ強さ、靭性、耐蝕性に優れた正方晶ジルコニア粉末を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明では、過酷な条件の粉砕工程がその一次粒子の細断には及ばないがその結晶相が単斜晶に変態すること、すなわち粒子は細分化されないが、結晶相が細分化されることに着目し、アトリッションミルやビーズミル等で過剰粉砕して、その結晶相を正方晶から単斜晶へ５０〜９０％まで変態させ、これを再度、一次仮焼温度と同じか、それ以下の温度で二次仮焼して正方晶に戻して結晶子の小さい焼結性の良い焼結用ジルコニア原料粉末を製造できることを見出した。
【００１０】
すなわち、本発明は結晶子径が２０ｎｍ以下、比表面積が６〜２０ｍ２／ｇ、平均二次粒子径が０．１〜０．８μｍである正方晶ジルコニア粉末に関する。
【００１１】
正方晶ジルコニア粉末は、Ｙ２Ｏ３（酸化イットリウム）および／またはＹｂ２Ｏ３（酸化イッテルビウム）を２〜５モル％含み、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）０〜１．０重量％含み、残部がＺｒＯ２（酸化ジルコニウム）であることが好ましい。
【００１２】
本発明は、一次粉砕として、一次仮焼した正方晶ジルコニアを単斜晶率が５０％以上になるまで湿式粉砕または乾式粉砕し、５００〜１０００℃で二次仮焼することにより単斜晶を正方晶に変態させることを特徴とする正方晶ジルコニア粉末の製造方法に関する。
【００１３】
正方晶ジルコニアが、水溶性塩類を用いて共沈法または加水分解法を行うことにより、共沈水酸化物または水和ジルコニアゾル水酸化物共沈物を得たのち、得られた共沈水酸化物または水和ジルコニアゾル水酸化物共沈物を８００〜１１００℃で一次仮焼することにより得られたものであることが好ましい。
【００１４】
湿式粉砕または乾式粉砕をアトリッションミル、ビーズミルまたはジェットミルを用いることにより行なうことが好ましい。
【００１５】
また、得られた正方晶ジルコニア粉末を単斜晶に変態させることなく緩やかな二次粉砕をし、造粒、二次乾燥する正方晶ジルコニア粉末の製造方法に関する。
【００１６】
正方晶ジルコニア粉末を造粒、二次乾燥する際に、有機バインダーを添加することが好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明は、結晶子径が２０ｎｍ以下、比表面積が６〜２０ｍ２／ｇ、平均二次粒子径が０．１〜０．８μｍである正方晶ジルコニア粉末に関する。
【００１８】
水溶性塩類から本発明の正方晶ジルコニア粉末を得る場合は、塩化物水溶液から水酸化物または水和ゾルを生成し、そののちに乾燥（０次乾燥）を行い、仮焼（一次仮焼）、正方晶から単斜晶への変態生成により結晶子を細分化するための粉砕（一次粉砕）を行なう。ついで、単斜晶に変態した結晶を再変態させて正方晶に戻すための仮焼（二次仮焼）を行ない、正方晶を単斜晶に変態させないように緩やかに粉砕（二次粉砕）することにより、本発明の正方晶ジルコニア粉末を得ることができる。
【００１９】
また、市販の正方晶ジルコニアを使用して、本発明の正方晶ジルコニア粉末を得る場合は、正方晶ジルコニアを一次仮焼することなく、一次粉砕、二次仮焼、二次粉砕を行なうことにより、本発明の正方晶ジルコニア粉末を得ることができる。
【００２０】
なお、湿式粉砕を行なったのちは、乾燥を行う。本発明では、一次粉砕のあとの乾燥を一次乾燥、二次粉砕のあとの乾燥を二次乾燥とする。
【００２１】
本発明の正方晶ジルコニア粉末は、正方晶ジルコニアを単斜晶率が５０％以上になるまで湿式粉砕または乾式粉砕で一次粉砕をし、５００〜１０００℃で二次仮焼することにより単斜晶を正方晶に変態させることにより得られる。
【００２２】
湿式粉砕または乾式粉砕により得られるジルコニア粉末の単斜晶率は、５０％以上であり、６０〜８０％がより好ましい。単斜晶率が５０％より低いと正方晶の結晶が単斜晶に変態することによる結晶の細分化の程度が少なくなり結晶子が小さくなり難い傾向にある。
【００２３】
一次粉砕の湿式粉砕または乾式粉砕の方法は特に限定されないが、アトリッションミル、ビーズミルまたはジェットミルを用いることにより行うことが、粉砕による変態効率が高いという点から好ましい。
【００２４】
また、二次仮焼は、５００〜１０００℃で、一次仮焼温度より低い温度で、好ましくは、７００〜８００℃で行う。５００℃より低いと、正方晶へ変態する割合が小さくなり、１０００℃より高いと、結晶子径が一次粉砕した前と同じかそれよりも大きくなる傾向にある。
【００２５】
通常単斜晶−正方晶の変態温度は１１００℃付近といわれているが、一つの粉末粒子内部の微細な結晶においては５００℃程度でも変態し、７００℃では完全に正方晶に戻せる。また、後述するように、本発明の製造方法において使用する正方晶ジルコニアを得るために、市販のジルコニア粉末を使用する場合、水溶性塩類を用いて正方晶ジルコニアを得る場合のいずれの場合であっても、二次仮焼温度を高くすると折角小さくした結晶子が大きくなって、その効果が薄れるという理由から、二次仮焼温度は、一次仮焼温度より１００℃以上低いことが好ましい。
【００２６】
本発明の正方晶ジルコニア粉末を得るために用いる一次仮焼した正方晶ジルコニアは、水溶性塩類を用いて共沈法または加水分解法を行うことにより、共沈水酸化物または水和ジルコニアゾル水酸化物共沈物を得たのち、得られた共沈水酸化物または水和ジルコニアゾル水酸化物共沈物を８００〜１１００℃で一次仮焼することにより得られたものであることが、工業的な大量生産を行なう上で、好ましい。この一次仮焼された粉末を一次粉砕により単斜晶を発現させて、しかるのちに二次仮焼により、結晶子の小さい易焼結性の正方晶ジルコニア粉末が得られる。
【００２７】
本発明における水溶性塩類とは、オキシ塩化ジルコニウム、硝酸ジルコニウム、硫酸ジルコニウムなどがあげられる。その他に水酸化ジルコニウムと酸（硫酸、塩酸、硝酸など）との混合物を使用してもよい。これらのなかでも、経済性、取り扱いの容易性、後処理の容易性から、オキシ塩化ジルコニウム、硝酸ジルコニウムまたは水酸化ジルコニウムと塩酸または硝酸との混合物を用いるのが好ましい。
【００２８】
また、その他の水溶性塩類として、塩化イットリウム、硝酸イットリウム、酢酸イットリウム、塩化イッテルビウム、硝酸イッテルビウム、塩化アルミニウム、硝酸アルミニウムなどがあげられる。これらのなかでも、経済性、取り扱いの容易性、後処理の容易性の点で、塩化イットリウム、塩化イッテルビウム、塩化アルミニウムを含むことが好ましい。
【００２９】
共沈法とは、水溶性のジルコニウム塩類、およびその他の水溶性の塩類を水に溶解して混合溶液を作製したのち、得られた水溶性塩類の混合溶液を中和共沈して複合水酸化物として、共沈水酸化物を得る方法をいう。
【００３０】
加水分解法とは、水溶性のジルコニウム塩類、およびその他の水溶性の塩類を水に溶解して混合溶液を作製したのち、得られた水溶性塩類の混合溶液を加熱して加水分解し、ジルコニウム塩類を水和ジルコニアとした後、中和処理を行い、水和ジルコニアゾル水酸化物共沈物を得る方法をいう。
【００３１】
得られた共沈水酸化物、水和ジルコニアゾル水酸化物共沈物は、酸化ジルコニウム、水酸化ジルコニウムをそれぞれ単独もしくはこれらの混合物からなり、酸化イットリウム、水酸化イットリウム、酸化セリウムおよび／または水酸化セリウム、酸化イッテルビウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、塩化アルミニウム、硫酸アルミニウムなどを含有してもよい。
【００３２】
正方晶ジルコニアを得るのに際し、酸化ジルコニウムとその他の成分を混合して複合物とする方法としては、水溶性ジルコニウム塩類およびその他の水溶性塩類を水に溶解して混合溶液を作製したのち、加水分解し、ジルコニウム塩類を水和ジルコニアとし、中和処理する方法、上記混合溶液を中和共沈して水和複合ジルコニアゾル水酸化物共沈物とする方法、直接噴霧熱分解法、水熱合成法などがあげられるが、これらに限定されるものではない。
【００３３】
正方晶ジルコニアは、共沈水酸化物、水和ジルコニアゾル水酸化物共沈物を水洗し、０次乾燥し、一次仮焼することで得られ、また、共沈水酸化物、水和ジルコニアゾル水酸化物共沈物を水洗、０次乾燥する際、該スラリーをパルス燃焼ガスに接触させて製造することも可能である。
【００３４】
一次仮焼は、８００〜１１００℃で、好ましくは９００〜１０００℃で行う。一次仮焼温度が８００℃より低いと、化学反応、粒径調整などが不十分となり、１１００℃より高いと、一次粒子の凝集が激しくなり、得られた粉末を焼結する場合の焼結性が悪くなることから、焼結体の密度が低くなり、この影響により強度も低下する傾向がある。
【００３５】
一次仮焼および二次仮焼の仮焼装置としては、昇温速度、温度を制御することができる電気炉、ガス炉および電磁誘導加熱炉があげられるが、これらに限定されるものではない。
【００３６】
本発明で得られる正方晶ジルコニア粉末は、結晶子径が２０ｎｍ以下、比表面積が６〜２０ｍ２／ｇ、平均二次粒子径が０．１〜０．８μｍである。このような、正方晶ジルコニア粉末は、低温焼結性を有し、得られる焼結体が曲げ強さ、靭性、耐蝕性に優れている。
【００３７】
本発明における正方晶ジルコニア粉末の結晶子径は、２０ｎｍ以下で、好ましくは、１０〜２０ｎｍである。２０ｎｍより大きいと、低温焼結性が悪化する傾向にある。
【００３８】
本発明の正方晶ジルコニア粉末の比表面積は６〜２０ｍ２／ｇ、好ましくは、８〜１８ｍ２／ｇである。６ｍ２／ｇより小さいと、低温側で焼結しにくい粉末となり、２０ｍ２／ｇより大きいと、粒子間の凝集力が著しく強固な凝集粉末となって、成形しにくいものとなる傾向にある。
【００３９】
本発明の正方晶ジルコニア粉末の平均二次粒子径は、０．１〜０．８μｍであり、好ましくは、０．４〜０．７μｍである。平均二次粒子径が、０．１μｍより小さいと、粒子間の凝集力が極めて強くなる傾向にあり、０．８μｍより大きいと、硬い凝集粒子を含む粗粒が多くなるため、焼結性の悪いものとなる傾向にある。
【００４０】
本発明の正方晶ジルコニア粉末の単斜晶率は、２０％以下である。単斜晶率が２０％をこえると、焼結時に粉末の単斜晶の部分において、正方晶への変態による体積収縮が局部的に生じるため、微細なクラックやポアが発生する傾向にある。
【００４１】
本発明の正方晶ジルコニア粉末は、Ｙ２Ｏ３および／またはＹｂ２Ｏ３を２〜５モル％含み、Ａｌ２Ｏ３を０〜１．０重量％含み、残部が酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）であることが、得られる焼結体の強度および靭性が向上するという点から好ましい。
【００４２】
本発明の正方晶ジルコニア粉末は、Ｙ２Ｏ３および／またはＹｂ２Ｏ３２〜４モル％を含むことがより好ましい。Ｙ２Ｏ３および／またはＹｂ２Ｏ３が２モル％より少なく、または４モル％より多くなると、成形し、焼成して得られる焼結体の機械的強度および靭性が低いものとなって、構造用セラミックスとして不適切となる傾向にある。
【００４３】
また、Ａｌ２Ｏ３を０．０５〜３重量％含むことがより好ましい。０．０５重量％より少ないと、焼結密度、強度の向上が見られなくなり、３重量％より多いと、結晶粒界に現れる酸化アルミニウム量が多くなり、強度が低下する傾向にある。
【００４４】
また、本発明は、得られた正方晶ジルコニア粉末を単斜晶に変態させることなく二次粉砕し、造粒、二次乾燥する正方晶ジルコニア粉末の製造方法に関する。
【００４５】
このようにして得られた正方晶ジルコニア粉末は、成形性および低温焼結性の点で優れている。
【００４６】
粉砕方法は公知の方法が用いられる。二次乾燥として、造粒、乾燥する方法としては、噴霧乾燥、ＣＤドライヤー、ならびに間接加熱乾燥があげられる。生産性および粒体特性の点で、噴霧乾燥により行うことが好ましい。噴霧乾燥は、公知の条件で行われる。
【００４７】
また、顆粒体の特性を制御する点で、正方晶ジルコニア粉末を造粒、二次乾燥する際に、有機バインダーを添加することが好ましい。
【００４８】
有機バインダーとしては、ポリビニルアルコール、カルボキシメチルセルロース、メチルセルロースがあげられる。有機バインダーは、正方晶ジルコニア粉末１００重量部に対して、０．５〜２重量部添加することが好ましい。有機バインダーの添加量が、０．５重量部未満の場合は、保形性が悪くなり、２重量部をこえる場合は、脱バインダーしにくくなる傾向にある。
【００４９】
本発明で得られた正方晶ジルコニア粉末は、その後の焼成および加工によって、例えば、高強度・高靭性を有する刃物や治具、粉砕ボール、摺動部材、機械部品、光通信用部材などのさまざまな構造材料として使用することができる。また、焼成はせずに、研磨剤、化粧品などに添加して使用することができる。
【００５０】
以下で、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５１】
【実施例】
実施例１
オキシ塩化ジルコニウムと塩化イットリウムを酸化物となった場合のモル比で９７：３の割合で配合した水溶液を１００℃で７２時間熟成して水和ジルコニアの生成率を９８％以上にし、これを２５％アンモニア水で中和して残りの成分を共沈させ、これを水洗、０次乾燥して１０００℃で一次仮焼した。得られた粉末をＸ線回折でその結晶形を測定したところ痕跡程度の単斜晶が認められる実質的に正方晶単相の粉末が得られた。これを５時間、ビーズミルで一次粉砕し、単斜晶率が５０％のジルコニア粉末を得た。このジルコニア粉末を６００℃で二次仮焼し、正方晶ジルコニア粉末を得た。得られた正方晶ジルコニウム粉末の結晶子径、比表面積、平均二次粒子径、単斜晶率を測定した。また、これを電気炉で１３００℃および１４００℃で焼結し、その焼結体の密度、結晶粒子径を調べた。結果を表１に示す。
【００５２】
（結晶子径）
測定装置：ＭＸＰ−３（マックサイエンス社製）
結晶子径：Ｋλ／βｃｏｓθ
Ｋ：シェーラー定数＝０．９、λ：測定Ｘ線の波長（ＣｕＫα線＝１．５４０５６）
β：正方晶（１１１）面のピークの半値幅
θ：正方晶（１１１）面のピークのＢｒａｇｇ角
【００５３】
（ＢＥＴ比表面積）
測定装置：Ｇｅｍｉｎｉ  ２３６０（（株）島津製作所製）
測定気体：チッ素
測定試料の調製および測定方法：サンプルセルに一定量の試料を入れてチッ素を流し、２００℃で３０分間加熱して脱ガスを行い、サンプルセルとバランスセルとに同時に吸着ガス（チッ素）を流し、両方のセル間の圧力差を検出してサンプルの表面積を計算する。
【００５４】
（平均二次粒子径）
測定装置：レーザー回折式粒度分布測定装置（（株）島津製作所製ＳＡＬＤ−２０００）
測定試料の調製：０．３％ヘキサメタリン酸ナトリウム溶液に乾燥物濃度０．２％となるように試料を加え、１００Ｗの超音波発生装置に２分間供して、試料を分散させた。その後、平均二次粒子径を測定した。
【００５５】
（単斜晶率）
２θ＝２８．２°付近における単斜晶のピークの回折強度Ｉｍ１（１１−１）、２θ＝３１．４°付近のＩｍ２（１１１）、および２θ＝３０．２°付近の正方晶のピークＩｔ（１１１）をそれぞれ求め、下式で算出する。
【００５６】
単斜晶率（％）＝（Ｉｍ１＋Ｉｍ２）／（Ｉｍ１＋Ｉｍ２＋Ｉｔ）×１００
【００５７】
（焼結密度）
粉末を成形し、一定温度で焼結した。その焼結体をアルキメデス法により測定した。
【００５８】
（結晶粒子径）
測定装置：走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）（日本電子社製ＪＳＭ−５９００ＬＶ）
焼結体をエッチングし、ＳＥＭ写真での平均切片長さから、下式によって求めた。
【００５９】
ｒ＝ｋ・Σ
ｒ：結晶粒子径
ｋ：定数（ｋ＝１．５）、Σ：平均切片長さ
【００６０】
実施例２
一次粉砕後の二次仮焼を８００℃で行った以外は、実施例１と同様の操作を行った。得られた正方晶ジルコニウム粉末の結晶子径、比表面積、平均二次粒子径、単斜晶率を測定した。また、これを電気炉で１３００℃および１４００℃で焼結し、その焼結体の密度、結晶粒子径を調べた。結果を表１に示す。
【００６１】
実施例３
一次粉砕後の二次仮焼を１０００℃で行った以外は、実施例１と同様の操作を行った。得られた正方晶ジルコニウム粉末の結晶子径、比表面積、平均二次粒子径、単斜晶率を測定した。また、これを電気炉で１３００℃および１４００℃で焼結し、その焼結体の密度、結晶粒子径を調べた。結果を表１に示す。
【００６２】
比較例１
一次粉砕後の二次仮焼を行わなかった以外は、実施例１と同様の操作を行った。得られた正方晶ジルコニウム粉末の結晶子径、比表面積、平均二次粒子径、単斜晶率を測定した。また、これを電気炉で１３００℃および１４００℃で焼結し、その焼結体の密度、結晶粒子径を調べた。結果を表１に示す。
【００６３】
実施例４
一次粉砕を１０時間行った以外は、実施例１と同様の操作を行った。得られた正方晶ジルコニウム粉末の結晶子径、比表面積、平均二次粒子径、単斜晶率を測定した。また、これを電気炉で１３００℃および１４００℃で焼結し、その焼結体の密度、結晶粒子径を調べた。結果を表１に示す。なお、一次粉砕後、二次仮焼前のジルコニア粉末の単斜晶率は８０％であった。
【００６４】
実施例５
一次粉砕を１０時間行い、粉砕後の二次仮焼を８００℃で行った以外は、実施例１と同様の操作を行った。得られた正方晶ジルコニウム粉末の結晶子径、比表面積、平均二次粒子径、単斜晶率を測定した。また、これを電気炉で１３００℃および１４００℃で焼結し、その焼結体の密度、結晶粒子径を調べた。結果を表１に示す。
【００６５】
実施例６
一次粉砕を１０時間行い、粉砕後の二次仮焼を１０００℃で行った以外は、実施例１と同様の操作を行った。得られた正方晶ジルコニウム粉末の結晶子径、比表面積、平均二次粒子径、単斜晶率を測定した。また、これを電気炉で１３００℃および１４００℃で焼結し、その焼結体の密度、結晶粒子径を調べた。結果を表１に示す。
【００６６】
比較例２
一次粉砕を１０時間行い、粉砕後の二次仮焼を行わなかった以外は、実施例１と同様の操作を行った。得られた正方晶ジルコニウム粉末の結晶子径、比表面積、平均二次粒子径、単斜晶率を測定した。また、これを電気炉で１３００℃および１４００℃で焼結し、その焼結体の密度、結晶粒子径を調べた。結果を表１に示す。
【００６７】
比較例３
一次粉砕を２時間行った以外は、実施例１と同様の操作を行った。得られた正方晶ジルコニウム粉末の結晶子径、比表面積、平均二次粒子径、単斜晶率を測定した。また、これを電気炉で１３００℃および１４００℃で焼結し、その焼結体の密度、結晶粒子径を調べた。結果を表１に示す。なお、一次粉砕後、二次仮焼前のジルコニア粉末の単斜晶率は３０％であった。
【００６８】
比較例４
一次粉砕を２時間行い、粉砕後の二次仮焼を８００℃で行った以外は、実施例１と同様の操作を行った。得られた正方晶ジルコニウム粉末の結晶子径、比表面積、平均二次粒子径、単斜晶率を測定した。また、これを電気炉で１３００℃および１４００℃で焼結し、その焼結体の密度、結晶粒子径を調べた。結果を表１に示す。
【００６９】
比較例５
一次粉砕を２時間行い、粉砕後の二次仮焼を１０００℃で行った以外は、実施例１と同様の操作を行った。得られた正方晶ジルコニウム粉末の結晶子径、比表面積、平均二次粒子径、単斜晶率を測定した。また、これを電気炉で１３００℃および１４００℃で焼結し、その焼結体の密度、結晶粒子径を調べた。結果を表１に示す。
【００７０】
比較例６
一次粉砕を２時間行い、粉砕後の二次仮焼を行わなかった以外は、実施例１と同様の操作を行った。得られた正方晶ジルコニウム粉末の結晶子径、比表面積、平均二次粒子径、単斜晶率を測定した。また、これを電気炉で１３００℃および１４００℃で焼結し、その焼結体の密度、結晶粒子径を調べた。結果を表１に示す。
【００７１】
比較例７
一次粉砕を１時間行い、粉砕後の二次仮焼を行わなかった以外は実施例１と同様にした。正方晶ジルコニウム粉末の結晶子径、比表面積、平均二次粒子径、単斜晶率を測定した。また、これを電気炉で１３００℃および１４００℃で焼結し、その焼結体の密度、結晶粒子径を調べた。結果を表１に示す。
【００７２】
【表１】
2004269331.tif 000002
【００７３】
このように比表面積が１０ｍ２／ｇ以上有る微細なジルコニア粒子は粉砕によってもそれほど壊砕されずにミルなどにより加えられる応力で元々の正方晶が部分的に単斜晶に変態されることにより、その結晶子径のみ細分化される。しかし、細分化された粒子はそのままでは成形しても密度が上がらず、その為に焼結しても緻密な焼結体になり難い。また、当初の焼成温度まで再び焼成するとその結晶子も成長し、低温焼結性が得られにくい。
【００７４】
実施例７
実施例１と同じようにオキシ塩化ジルコニウムと塩化イットリウムの混合溶液を水酸化ナトリウム水溶液で中和共沈させ、１０５０℃で一次仮焼した。得られたジルコニア粉末をビーズミルで２０時間粉砕し、更に６００℃で二次仮焼し、正方晶ジルコニア粉末を得た。得られた正方晶ジルコニウム粉末の結晶子径、比表面積、平均二次粒子径、単斜晶率を測定した。これを静水圧プレスで成形し、また、これを電気炉で１３００℃および１４００℃で焼結し、その焼結体の密度、結晶粒子径を調べた。結果を表２に示す。
【００７５】
実施例８
一次粉砕後の二次仮焼を８００℃で行った以外は、実施例７と同様の操作を行い、ジルコニア粉末を得た。得られたジルコニア粉末の結晶子径、比表面積、平均二次粒子径、単斜晶率を測定した。これを静水圧プレスで成形し、また、これを電気炉で１３００℃および１４００℃で焼結し、その焼結体の密度、結晶粒子径を調べた。結果を表２に示す。
【００７６】
実施例９
一次粉砕後の二次仮焼を１０００℃で行った以外は、実施例７と同様の操作を行い、ジルコニア粉末を得た。得られたジルコニア粉末の結晶子径、比表面積、平均二次粒子径、単斜晶率を測定した。これを静水圧プレスで成形し、また、これを電気炉で１３００℃および１４００℃で焼結し、その焼結体の密度、結晶粒子径を調べた。結果を表２に示す。
【００７７】
比較例８
ビーズミルでの一次粉砕および粉砕後の二次仮焼を行わなかった以外は、実施例７と同様の操作を行い、ジルコニア粉末を得た。得られたジルコニア粉末の結晶子径、比表面積、平均二次粒子径、単斜晶率を測定した。これを静水圧プレスで成形し、また、これを電気炉で１３００℃および１４００℃で焼結し、その焼結体の密度、結晶粒子径を調べた。結果を表２に示す。
【００７８】
比較例９
ビーズミルでの一次粉砕後の二次仮焼を行わなかった以外は、実施例７と同様の操作を行い、ジルコニア粉末を得た。得られたジルコニア粉末の結晶子径、比表面積、平均二次粒子径、単斜晶率を測定した。これを静水圧プレスで成形し、また、これを電気炉で１３００℃および１４００℃で焼結し、その焼結体の密度、結晶粒子径を調べた。結果を表２に示す。
【００７９】
【表２】
2004269331.tif 000003
【００８０】
実施例７〜９の結果から、ＢＥＴ比表面積が１桁の比較的粗い粒子径のジルコニア粉末でも粉砕及び再度の焼成により低温焼結性に優れた原料粉末を提供できることがわかる。
【００８１】
実施例１０
正方晶ジルコニア（３モル％イットリア−ジルコニア：単斜晶率３０％、結晶子径３８ｎｍ、ＢＥＴ比表面積１５．７ｍ２／ｇ、二次粒子径０．６μｍ、住友大阪セメント（株）製、ＯＺＣ−３Ｙ）を１００ｇとり、これを小型ビーズミルで１０時間粉砕し、これを乾燥した。得られたジルコニウム粉末の単斜晶率、結晶子径、比表面積を測定した。
【００８２】
得られたジルコニウム粉末を温度６００℃で４時間二次仮焼し、正方晶ジルコニア粉末を得た。得られた正方晶ジルコニウム粉末の結晶子径、比表面積、平均二次粒子径、単斜晶率を測定した。また、これを電気炉で１３００℃、１３５０℃および１４００℃のそれぞれの温度で焼結し、焼結体の密度を測定した。結果を表３に示す。
【００８３】
比較例１０
実施例１０で用いた正方晶ジルコニア（ＯＺＣ−Ｙ）の結晶子径、比表面積、平均二次粒子径、単斜晶率を測定した。またこれを用いて、電気炉で１３００℃、１３５０℃および１４００℃のそれぞれの温度で焼結し、焼結体の密度を測定した。結果を表３に示す。
【００８４】
【表３】
2004269331.tif 000004
【００８５】
実施例１０の正方晶ジルコニア粉末から得られたジルコニア焼結体は、１３００℃での焼結でも十分に焼結し、その結晶粒子径も０．３μｍ以下の均一な結晶組織であった。実施例１０と比較例１０の結果から、本発明における処理により、未処理のジルコニア粉末と比べ、１００℃低い温度で焼結しても、十分な焼結密度を有する焼結体が得られることがわかる。
【００８６】
【発明の効果】
本発明によれば、低温焼結性を有し、得られる焼結体が曲げ強さ、靭性、耐蝕性に優れたジルコニア粉末を得ることができる。