(57)【要約】【課題】導体層を４層有する多層配線回路基板であっても、スルーホールを形成することなく各導体層間を電気的に導通して、外側導体層において高密度実装を十分に図ることのできる、配線回路基板を提供すること。【解決手段】熱硬化性接着剤層８の両側に２つの第２導体層３が設けられ、各第２導体層３の外側に絶縁層１を挟んで２つの第１導体層２が設けられている４層配線回路基板１４において、第１導体層２において閉塞されているブラインド孔めっき層６によって、各両面基材４の第２導体層３と第１導体層２とを電気的に接続し、また、熱硬化性接着剤層８内に形成されている導通層１３によって、各第２導体層３を電気的に接続する。これによって、スルーホールを形成せずに各導体層を導通でき、各第１導体層２の表面の任意の位置に接続パッドを設けて、高密度で電子部品を実装することができる。【選択図】    図３
2004296481.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層を４層有する多層配線回路基板であって、
内側絶縁層の両側に設けられる２つの内側導体層と、
各内側導体層の外側に、外側絶縁層を挟んで設けられる２つの外側導体層とを備え、
前記内側導体層と、その内側導体層と隣り合う前記外側絶縁層とを厚さ方向に貫通し、その外側絶縁層と隣り合う前記外側導体層において閉塞されるブラインド孔と、
前記ブラインド孔に形成され、前記外側導体層および前記内側導体層とを電気的に接続するための外側導通路と、
前記内側絶縁層内を厚さ方向に貫通するように設けられ、各前記内側導体層を電気的に接続するための内側導通路と
を備えていることを特徴とする、多層配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層配線回路基板に関し、詳しくは、導体層を４層有する多層配線回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、複数の導体層を備える多層配線回路基板において、各導体層の間を電気的に接続するには、多層配線回路基板を厚さ方向に貫通するスルーホールを形成した後、そのスルーホールに、銅めっきなどによって、スルーホールめっきを形成するようにしている。
【０００３】
しかし、多層配線回路基板にスルーホールを形成すると、多層配線回路基板の表面において、スルーホールが形成された部分には、電子部品を実装することができず、近年における高密度実装の要求に応えるには限界がある。
【０００４】
一方、例えば、ＳＵＳ板面にビルドアップ工法によりビアホールを形成し、回路形成面を向かい合わせ積層を行なうことによって、サーフェイスビアホール上に平滑な実装用パッドを形成することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
この方法によって配線回路基板を製造すると、図４に示されるように、外側の導体層３１と、その外側の導体層３１と絶縁層３３を挟んで隣り合う内側の導体層３２とが、その上面が外側の導体層３１によって閉塞されているフォトビア３４に形成されている内側めっき層３５によって電気的に導通され、フォトビア３４に対向する外側の導体層３１の上に、実装用パッド３６を形成することができ、高密度実装を図ることができる。
【０００６】
【特許文献１】
特開平９−１８６４５４号公報
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献１に記載される方法によっても、導体層を４層有する場合には、やはり、スルーホール３７を形成して、スルーホールめっき３８により、各導体層３１および３２を電気的に導通する必要があり、スルーホール３７を形成する部分には、電子部品を実装することができず、近年における高密度実装の要求に応えるには不十分である。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、導体層を４層有する多層配線回路基板であっても、スルーホールを形成することなく各導体層間を電気的に導通して、外側導体層において高密度実装を十分に図ることのできる、配線回路基板を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の多層配線回路基板は、導体層を４層有する多層配線回路基板であって、内側絶縁層の両側に設けられる２つの内側導体層と、各内側導体層の外側に、外側絶縁層を挟んで設けられる２つの外側導体層とを備え、前記内側導体層と、その内側導体層と隣り合う前記外側絶縁層とを厚さ方向に貫通し、その外側絶縁層と隣り合う前記外側導体層において閉塞されるブラインド孔と、前記ブラインド孔に形成され、前記外側導体層および前記内側導体層とを電気的に接続するための外側導通路と、前記内側絶縁層内を厚さ方向に貫通するように設けられ、各前記内側導体層を電気的に接続するための内側導通路とを備えていることを特徴としている。
【０００９】
【発明の実施の形態】
図１〜図３は、本発明の多層配線回路基板を製造するための製造方法の一実施形態を示す製造工程図である。以下、図１〜図３を参照して、本発明の多層配線回路基板の製造方法の一実施形態について説明する。
【００１０】
この方法では、まず、図１（ａ）に示すように、外側絶縁層となる絶縁層１の両側に、外側導体層となる第１導体層２および内側導体層となる第２導体層３が積層されている両面基材４を用意する。
【００１１】
絶縁層１は、配線回路基板の絶縁層として通常使用されるものであれば、特に制限されず、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などからシート状に形成されている。なお、絶縁層１の厚みは、通常、９μｍ以上１００μｍ以下、好ましくは、９μｍ以上３５μｍ以下である。
【００１２】
また、第１導体層２および第２導体層３としては、配線回路基板の導体層として通常使用されるものであれば、特に制限されず、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、または、これらの合金などの金属薄から形成されている。好ましくは、銅箔から形成されている。なお、その厚みは、通常、９μｍ以上５０μｍ以下、好ましくは、９μｍ以上２５μｍ以下である。
【００１３】
このような両面基材４は、例えば、絶縁層１の両面に、第１導体層２および第２導体層３を、接着剤層を介して貼着するか、あるいは、絶縁層１の両面に、第１導体層２および第２導体層３を、直接積層することにより、形成することができる。
【００１４】
絶縁層１に、第１導体層２および第２導体層３を直接積層するには、特に制限はないが、例えば、まず、金属箔からなる第１導体層２の表面に、合成樹脂の溶液を均一に塗布した後、乾燥および必要により加熱して、絶縁層１を形成し、次いで、その絶縁層１の表面（第１導体層２が積層されている反対側の表面）に、金属箔からなる第２導体層３をラミネートするか、あるいは、第２導体層３をめっきすればよい。
【００１５】
より具体的には、例えば、まず、銅箔からなる第１導体層２の表面に、ポリアミック酸樹脂の溶液を均一に塗布した後、乾燥し、次いで、銅箔からなる第２導体層３をラミネートした後、塗布されたポリアミック酸樹脂を、例えば、最終的に３００℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させ、これによって、ポリイミド樹脂からなる絶縁層１を形成すればよい。
【００１６】
また、例えば、まず、銅箔からなる第１導体層２の表面に、ポリアミック酸樹脂の溶液を均一に塗布した後、乾燥後、硬化（イミド化）させて、ポリイミド樹脂からなる絶縁層１を形成し、次いで、この絶縁層１の表面に、銅めっきにより第２導体層３を形成してもよい。
【００１７】
なお、このような絶縁層１の両面に、第１導体層２および第２導体層３が直接積層されている両面基材４は、市販されており、そのような市販品を用いてもよい。
【００１８】
次いで、この方法では、図１（ｂ）に示すように、両面基材４の所定部分において、第２導体層３および絶縁層１を厚さ方向に貫通し、第１導体層２が露出するブラインド孔５を形成した後、図１（ｃ）に示すように、そのブラインド孔５に、外側導通路となるブラインド孔めっき層６を形成する。
【００１９】
ブラインド孔５の形成は、特に制限されず、例えば、レーザ穿孔、エッチングなど公知の方法を用いて、第２導体層３の表面から第１導体層２の表面に至るまで、第２導体層３および絶縁層１を厚さ方向に貫通して、第１導体層２が露出すように形成する。なお、ブラインド孔５の大きさは、円形の場合には、通常、５０μｍφ以上３００μｍφ以下、好ましくは、５０μｍφ以上２００μｍφ以下である。
【００２０】
また、ブラインド孔めっき層６は、ブラインド孔５の周りに、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、または、これらの合金などの金属をめっきすることにより、第２導体層３および第１導体層２と連続するようにして形成する。これによって、第２導体層３と第１導体層２とは、ブラインド孔めっき層６を介して電気的に接続される。
【００２１】
なお、ブラインド孔めっき層６の厚みは、通常、５μｍ以上２５μｍ以下、好ましくは、５μｍ以上１５μｍ以下である。また、このブラインド孔めっき層６によって形成されるめっき層は、通常、ブラインド孔めっき層６から第２導体層３および第１導体層２の表面にも連続して形成されるが、第２導体層３および第１導体層２の表面に形成されためっき層は、それぞれ、既に形成されている第２導体層３および第１導体層２と一体となって、第２導体層３および第１導体層２を構成する。
【００２２】
次いで、この方法では、第２導体層３および第１導体層２を、それぞれ所定の配線回路パターンに形成する。第２導体層３および第１導体層２を、それぞれ所定の配線回路パターンに形成するには、サブトラクティブ法により、まず、図１（ｄ）に示すように、第２導体層３および第１導体層２の表面に、めっきレジスト７をそれぞれ積層して、配線回路パターンに対応するレジストパターンとして形成した後、図１（ｅ）に示すように、そのめっきレジスト７をレジストとして、第２導体層３および第１導体層２をエッチングすればよい。
【００２３】
めっきレジスト７の積層は、例えば、ドライフィルムレジストを公知の方法によって積層すればよく、また、レジストパターンの形成は、例えば、そのドライフィルムレジストを、フォトマスクを介して露光した後、現像すればよい。
【００２４】
また、めっきレジスト７をレジストとするエッチングは、エッチング液を用いてウエットエッチングすればよく、エッチング液としては、例えば、硫酸、硫酸系溶液、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液、過硫酸アンモニウム溶液、アンモニア系アルカリ溶液などが用いられる。
【００２５】
その後、図２（ｆ）に示すように、めっきレジスト７を公知の方法により除去することによって、絶縁層１の両面に、所定の配線回路パターンとして形成される第２導体層３および第１導体層２が積層されている両面基材４を得る。
【００２６】
なお、絶縁層１の両面に、第２導体層３および第１導体層２をそれぞれ所定の配線回路パターンとして形成するには、上記の方法に限らず、必要により、例えば、アディティブ法やセミアディティブ法などの公知のパターンニング法を用いてもよい。
【００２７】
次いで、この方法では、図２（ｇ）に示すように、ブラインド孔５の開口部分を含む第２導体層３の上に、内側絶縁層となる熱硬化性接着剤層８をＢステージ状態で形成した後、図２（ｈ）に示すように、その熱硬化性接着剤層８に開口部９を形成する。
【００２８】
熱硬化性接着剤としては、配線回路基板の接着剤層として通常使用され、Ｂステージ状態（熱硬化性接着剤が所定形状を保持できる程度まで硬化された硬化途中の状態）とすることができるものであれば、特に制限されず、例えば、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、アミド系接着剤、アミドイミド系接着剤、イミド系接着剤、および、これらの熱硬化性接着剤をブレンドしたものなどが用いられる。また、このような熱硬化性接着剤は、その硬化温度が１００℃以上、好ましくは、１２５℃以上２００℃以下のものが用いられる。
【００２９】
また、そのような熱硬化性接着剤層８は、その厚みが、通常、２５μｍ以上１００μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以上６０μｍ以下である。
【００３０】
第２導体層３の上に、熱硬化性接着剤層８をＢステージ状態で形成するには、例えば、熱硬化性接着剤を含む溶液を、第２導体層３の上に塗布した後、加熱することにより、乾燥させると同時にＢステージ状態とするか、あるいは、予めＢステージ状態とされた熱硬化性接着剤からなる接着シートを第２導体層３の上に、加熱および／または加圧することによって積層（仮接着）すればよい。
【００３１】
なお、この工程においては、後述するはんだペースト１１の充填工程において、マスクとして用いるセパレータ９を、熱硬化性接着剤層８における第２導体層３と接触している表面と反対側の表面に積層する。
【００３２】
セパレータ９としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリイミド樹脂などの合成樹脂のフィルムが用いられ、その厚みは、通常、７．５μｍ以上５０μｍ以下である。また、このようなセパレータ９は、熱硬化性接着剤層８を介して第２導体層３に貼着すればよい。
【００３３】
そして、熱硬化性接着剤層８に開口部１０を形成するには、例えば、ＹＡＧレーザなどのレーザを用いて、セパレータ９とともに熱硬化性接着剤層８を開口形成する。このようにして形成される開口部１０は、熱硬化性接着剤層８の表面から第２導体層３の表面に至るまで、セパレータ９および熱硬化性接着剤層８を厚さ方向に貫通して、第２導体層３が露出すように形成される。
【００３４】
また、この工程においては、第２導体層３の上に熱硬化性接着剤層８およびセパレータ９を形成した後に開口部１０を形成するのではなく、第２導体層３の上に、予め開口部１０が形成された熱硬化性接着剤層８およびセパレータ９を形成するようにしてもよい。第２導体層３の上に、予め開口部１０が形成された熱硬化性接着剤層８およびセパレータ９を形成するには、例えば、接着シートからなる熱硬化性接着剤層８にセパレータ９を貼着して、これを、ドリルやパンチなどを用いて開口部１０を予め形成した後、第２導体層３の上に積層すればよい。
【００３５】
また、この開口部１０は、熱硬化性接着剤層８におけるブラインド孔５と対向する部分以外に形成され、その大きさは、例えば、円形である場合には、その直径が、通常、５０μｍφ以上、３００μｍφ以下、好ましくは、２００μｍφ以下である。
【００３６】
次に、この方法では、図２（ｉ）に示すように、熱硬化性接着剤層８の開口部１０に、はんだ粉末や金属粉末からなる導体粉末１２を含有するはんだペースト１１を、５℃以上５０℃以下で充填し乾燥する。
【００３７】
はんだペースト１１は、はんだ粉末や金属粉末からなる導体粉末１２を溶剤に配合することにより調製することができる。
【００３８】
はんだ粉末としては、特に制限はないが、例えば、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ｚｎなどからなる二元系組成や、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ／Ｂｉなどからなる多元系組成のものが用いられる。また、はんだ粉末は、その平均粒子径が、５０μｍ以下、さらには、２０μｍ以下のものが好ましく用いられる。
【００３９】
また、金属粉末としては、例えば、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｒｈまたはこれらの合金などが用いられる。また、金属粉末は、その平均粒子径が、５０μｍ以下、さらには、２０μｍ以下のものが好ましく用いられる。
【００４０】
はんだ粉末に対する金属粉末の配合割合は、はんだ粉末および金属粉末の合計１００重量部に対して、０．１〜６０重量部であることが好ましい。０．１重量部より少ないと、ブラインド孔５に対する分散性が確保できず、一方、６０重量部を超えると、金属粉末同士が凝集して、ブラインド孔５にクラックを生じる場合がある。
【００４１】
溶剤としては、特に制限はないが、次の乾燥工程において、７５℃以上２００℃以下、さらには１６０℃以下の範囲において乾燥除去が可能な溶剤を選択することが好ましい。７５℃より低い温度で乾燥可能な溶剤を選択すると、はんだペースト１１の保存安定性や連続印刷性が低下する場合がある。また、２００℃より高い温度で乾燥可能な溶剤を選択すると、乾燥時において、熱硬化性接着剤層８の硬化が進み接着強度が低下する場合がある。
【００４２】
より具体的には、溶剤としては、例えば、脂肪族アルコールに、増粘効果を付与すべく、セルロース系樹脂を添加したものなどが好ましく用いられる。なお、セルロース系樹脂の添加量は、例えば、はんだ粉末に対して、０．００５〜５体積％程度である。そして、はんだペースト１１は、例えば、はんだ粉末、金属粉末および溶剤を、その体積比が９：１：１０程度となる割合において混合することにより、調製することができる。
【００４３】
そして、導体粉末１２を含むはんだペースト１１を、熱硬化性接着剤層８の開口部１０に充填するには、例えば、セパレータ９をマスクとして、印刷法によって、５℃以上５０℃以下、さらには、１０℃以上３０℃以下、より具体的には、常温下において、開口部１０に対して、はんだペースト１１を適量（相当量）で印刷する。なお、常温下とは、特に加熱しない室温雰囲気下のことである。
【００４４】
その後、溶剤を、例えば、上記したように、７５℃以上２００℃以下、さらには１６０℃以下の範囲において、適宜の時間加熱乾燥する。乾燥時間は、開口部１０に対するはんだペースト１１の充填量や、両面基材４のサイズなどによって適宜決定すればよいが、乾燥時間が短すぎると、溶剤が残存して、加熱によりアウトガスの発生を招き、導通不良の原因となる場合がある。また、乾燥時間が長すぎると、熱硬化性接着剤層８の硬化が進み、接着強度が低下する場合がある。このような観点より、乾燥時間は、例えば、１〜５分程度が好ましい。
【００４５】
なお、このような、はんだペースト１１の充填工程においては、溶剤を乾燥除去する以外は、５℃以上５０℃以下、さらには、１０℃以上３０℃以下、より具体的には、常温下で実施される。
【００４６】
その後、図２（ｊ）に示すように、セパレータ９を剥離して、開口部１０上の過剰の導体粉末１２とともに除去する。これによって、導体粉末１２が、開口部１０内に相当量で充填される。
【００４７】
なお、この方法においては、セパレータ９を用いずに、メタルマスクなどを用いてはんだペースト１１を印刷してもよく、また、必要により、乾燥後の導体粉末１２を、常温にて加圧し、開口部１０内に高密度に充填してもよい。
【００４８】
次いで、この方法では、図３（ｋ）に示すように、別途、上記と同様の方法ににより形成された両面基材４（第２導体層３および第１導体層２が所定の配線回路パターンとして形成され、ブラインド孔５およびブラインド孔めっき層６を有する両面基材４、但し、配線回路パターンは任意である。）を用意して、図３（ｌ）に示すように、その両面基材４を熱硬化性接着剤層８の上に積層する。この積層は、別途形成された両面基材４の第２導体層３が、導体粉末１２が充填された開口部１０と対向するように位置合わせされた状態で、熱プレス装置や加熱加圧ロールなどを用いて、加圧および／または加熱すればよい。
【００４９】
加圧および／または加熱の条件は、各両面基材４のサイズなどに応じて適宜決定すればよいが、例えば、加圧条件としては、１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下、さらには、３ＭＰａ以上５ＭＰａ以下であることが好ましく、また、加熱条件としては、例えば、１６０℃以上２２５℃以下、さらには、１７５℃以上２００℃以下であることが好ましい。これによって、Ｂステージ状態にある熱硬化性接着剤層８が硬化して、各両面基材４が熱硬化性接着剤層８を介して接着積層される。
【００５０】
その後、図３（ｍ）に示すように、導体粉末１２中のはんだ粉末を加熱溶融して、互いに対向する各両面基材４の第２導体層３の間を電気的に接続する内側導通路としての導通層１３を形成することにより、４層配線回路基板１４を得る。
【００５１】
はんだ粉末の加熱溶融は、用いるはんだ粉末の溶融温度以上に設定すればよく、この加熱とともに、１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下、さらには、３ＭＰａ以上５ＭＰａ以下で加圧することが好ましい。
【００５２】
なお、このような、熱硬化性接着剤層８の硬化、および、はんだ粉末の加熱溶融は、それぞれ別工程として順次実施してもよく、また、適宜条件を選択して、同一工程で同時に実施してもよい。また、これらの工程は、減圧下に実施してもよい。
【００５３】
そして、このようにして得られた４層配線回路基板１４は、熱硬化性接着剤層８の両側に２つの第２導体層３が設けられ、各第２導体層３の外側に絶縁層１を挟んで２つの第１導体層２が設けられているが、第１導体層２において閉塞されているブラインド孔めっき層６によって、各両面基材４の第２導体層３と第１導体層２とが電気的に接続されており、また、熱硬化性接着剤層８内に形成されている導通層１３によって、各第２導体層３が電気的に接続されている。
【００５４】
つまり、各ブラインド孔めっき層６は、各第１導体層２から外向きに開口されておらず、各第１導体層２の裏面において内向きに形成されているので、各ブラインド孔めっき層６が形成されている部分に対向する各第１導体層２の表面を、電子部品を実装するための実装部１５ａとすることができる。また、各第２導体層３が、熱硬化性接着剤層８内に貫通形成されている導通層１３によって電気的に接続されているので、スルーホールを形成する必要もなく、その導通層１３が形成されている部分に対向する各第１導体層２の表面も、電子部品を実装するための実装部１５ｂとすることができる。
【００５５】
そのため、各第１導体層２の表面に、例えば、半導体などの電子部品を、はんだバンプなどにより実装する場合には、任意の位置に接続パッドを設けて、高密度で実装することができる。
【００５６】
【実施例】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
【００５７】
実施例１
厚さ１３μｍのポリイミド樹脂からなる絶縁層の両面に、厚さ９μｍの銅箔からなる第１導体層および第２導体層が積層されている両面銅張基材（新日鐵化学製エスパネックス）を用意した（図１（ａ）参照）。
【００５８】
この両面銅張基材の第２導体層の所定部分に、ＹＡＧレーザにより、第２導体層および絶縁層を厚さ方向に貫通して、第１導体層が露出する孔径１００μｍφのブラインド孔を形成した（図１（ｂ）参照）。そして、ブラインド孔をプラズマ装置によりデスミア処理した後、無電解／電解銅めっきすることにより、ブラインド孔めっき層を形成し、第２導体層および第１導体層を、ブラインド孔めっき層を介して電気的に接続した（図１（ｃ）参照）。
【００５９】
次いで、第２導体層および第１導体層の表面に、めっきレジストをそれぞれ積層した後、フォトマスクを介して露光し、現像することにより、そのめっきレジストを、配線回路パターンに対応するレジストパターンとして形成した（図１（ｄ）参照）。その後、そのめっきレジストをレジストとして、第２導体層および第１導体層を、ウエットエッチングすることにより、第２導体層および第１導体層を、所定の配線回路パターンとして形成した（図１（ｅ）参照）。
【００６０】
そして、めっきレジストを除去した後（図２（ｆ）参照）、離型処理を施した厚さ１２μｍのポリエチレンナフタレートフィルムからなるセパレータを、厚さ５０μｍのアクリル系接着剤からなる接着シートの熱硬化性接着剤層を介して、ブラインド孔の開口部分を含む第２導体層の上に積層し、プレス装置を用いて、１６０℃、５０ＭＰａで１分間仮接着した（図２（ｇ）参照）。
【００６１】
次いで、ＹＡＧレーザを用いて、熱硬化性接着剤層におけるブラインド孔と対向する部分以外に、セパレータおよび熱硬化性接着剤層を貫通して、第２導体層が露出する孔径１５０μｍφの開口部を形成した（図２（ｈ）参照）。
【００６２】
その後、開口部をプラズマ装置によりデスミア処理した後、常温にて、開口部に、セパレータをマスクとして印刷法によってはんだペーストを充填した（図２（    ｉ）参照）。はんだペーストは、Ｓｎ／Ａｇ粉末、Ｎｉ粉末、アルコール系溶剤、エチルセルロースを、体積比で４５：５：４９：１の割合で配合したものを用いた。その後、はんだペーストを１６０℃で５分間乾燥後、セパレータを剥離した（図２（ｊ）参照）。
【００６３】
そして、別途、上記と同様に、ブラインド孔およびブラインド孔めっき層を形成するとともに、第２導体層および第１導体層を所定の配線回路パターンに形成した両面銅張基材を用意し（図３（ｋ）参照）、その別途用意した両面銅張基材の第２導体層が、はんだ粉末および金属粉末が充填された開口部と対向するように位置合わせした状態で重ね合わせ（図２（ｌ）参照）、真空加圧下（３ＭＰａ）において、はんだ粉末の融点（２５０℃）以上に昇温することによって、Ｂステージ状態にある熱硬化性接着剤層を硬化させ、各両面銅張基材を熱硬化性接着剤層を介して接着積層するとともに、はんだの溶融により、導通層を形成して、各両面銅張基材の第２導体層および第１導体層が電気的に導通する４層配線回路基板を得た（図３（ｍ）参照）。
【００６４】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の配線回路基板によれば、外側導通路によって、各外側導体層および各内側導体層を電気的に接続することができ、また、内側導通路によって、各内側導体層を電気的に接続することができるので、スルーホールを形成することなく各外側導体層および各内側導体層を電気的に導通することができる。そのため、外側導体層の表面に、電子部品を実装するための領域をより多く確保することができ、高密度で電子部品を実装することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層配線回路基板を製造するための製造方法の一実施形態を示す製造工程図であって、（ａ）は、絶縁層１の両面に第１導体層２および第２導体層３が積層されている両面基材４を用意する工程、（ｂ）は、第２導体層および絶縁層を厚さ方向に貫通し、第１導体層が露出するブラインド孔を形成する工程、（ｃ）は、ブラインド孔に、ブラインド孔めっき層を形成する工程、（ｄ）は、第２導体層および第１導体層の表面に、めっきレジストをレジストパターンとして形成する工程、（ｅ）は、めっきレジストをレジストとして、第２導体層および第１導体層をエッチングする工程を示す。
【図２】図１に続いて、本発明の多層配線回路基板を製造するための製造方法の一実施形態を示す製造工程図であって、（ｆ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｇ）は、第２導体層の上に、セパレータを熱硬化性接着剤層を介して積層する工程、（ｈ）は、熱硬化性接着剤層に開口部を形成する工程、（ｉ）は、熱硬化性接着剤層の開口部にはんだペーストを充填する工程、（ｊ）は、セパレータを剥離する工程を示す。
【図３】図２に続いて、本発明の多層配線回路基板を製造するための製造方法の一実施形態を示す製造工程図であって、（ｋ）は、別途、両面基材を用意する工程、（ｌ）は、別途用意した両面基材を熱硬化性接着剤層を介して両面基材に積層する工程、（ｍ）は、導通層を形成する工程を示す。
【図４】従来の多層配線回路基板を示す要部側断面図である。
【符号の説明】
１    絶縁層
２    第１導体層
３    第２導体層
５    ブラインド孔
６    ブラインド孔めっき層
８    熱硬化性接着剤層
１３  導通層
１４  ４層配線回路基板
【図１】
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【図２】
2004296481.tif 000004
【図３】
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【図４】
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