(57)【要約】【課題】  磁気記録層の保磁力が増大し、媒体の角型比が向上し、非磁性中間層であるＲｕまたはＲｕ基合金膜厚を低減する垂直磁気記録媒体を提供すること。【解決手段】  非磁性基体１と、非磁性基体１の上に設けられる軟磁性裏打ち層２と、軟磁性パーマロイ系下地層３と、Ｃｏ層またはＣｏ基合金層４と、ＲｕまたはＲｕ基合金中間層５と、磁気記録層６と、保護膜７と、液体潤滑材層８とから構成されている。下地層３は、軟磁性を有するパーマロイ系材料である。Ｃｏ層またはＣｏ基合金層４には、純Ｃｏ、ＣｏＦｅ、またはＣｏあるいはＣｏＦｅ中にＢ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓｉから選ばれる材料を１種類以上添加した合金からなる軟磁性材料を用いる。軟磁性パーマロイ系材料の下地層３と、ＲｕまたはＲｕ基合金材料の中間層５の間に軟磁性のＣｏ層またはＣｏ基合金層４を挿入することで、磁気記録層６の保磁力が増大して媒体の角型比が向上する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基体上に、軟磁性裏打ち層と、下地層と、Ｃｏ層またはＣｏ基合金層と、中間層と、磁気記録層と、保護膜と、液体潤滑材層とを順次積層してなる垂直磁気記録媒体であって、前記下地層が軟磁性を有するパーマロイ系材料を含み、前記Ｃｏ層および前記Ｃｏ基合金層が軟磁性を有し、前記中間層がＲｕまたはＲｕ基合金を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記Ｃｏ基合金層が、Ｃｏ中に、Ｂ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓｉから選ばれる元素を１種類以上添加した合金からなることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記Ｃｏ基合金層中に含まれる添加元素の量を、当該Ｃｏ基合金層が軟磁性を失わない範囲で、Ｂでは５０ａｔ％以下、Ａｌでは４０ａｔ％以下、Ｚｒでは１５ａｔ％以下、Ｍｇでは５２ａｔ％以下、Ｓｉでは３３ａｔ％以下とすることを特徴とする請求項２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記Ｃｏ基合金層が、ＣｏＦｅ合金、またはＣｏＦｅ中に、Ｂ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓｉから選ばれる元素を１種類以上添加したＣｏＦｅ基合金からなることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記ＣｏＦｅ合金および前記ＣｏＦｅ基合金中に含まれるＦｅの量を１０ａｔ％以下とすることを特徴とする請求項４に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
前記ＣｏＦｅ基合金中に含まれる添加元素の量を、当該ＣｏＦｅ基合金が軟磁性を失わない範囲で、Ｂでは５０ａｔ％以下、Ａｌでは４０ａｔ％以下、Ｚｒでは１５ａｔ％以下、Ｍｇでは５２ａｔ％以下、Ｓｉでは３３ａｔ％以下とすることを特徴とする請求項４または５に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
前記Ｃｏ層または前記Ｃｏ基合金層の膜厚を３０ｎｍ以下、前記ＲｕまたはＲｕ基合金を含む中間層の膜厚を２０ｎｍ以下とすることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
非磁性基体上に、軟磁性裏打ち層と、下地層と、Ｃｏ層またはＣｏ基合金層と、中間層と、磁気記録層と、保護膜と、液体潤滑材層とを順次積層してなる垂直磁気記録媒体の製造方法であって、前記下地層が軟磁性を有するパーマロイ系材料を含み、前記Ｃｏ層および前記Ｃｏ基合金層が軟磁性を有し、前記中間層がＲｕまたはＲｕ基合金を含み、前記Ｃｏ層および前記Ｃｏ基合金層の成膜時に、２％以下の酸素または１０％以下の窒素を添加することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
前記Ｃｏ基合金層が、Ｃｏ中に、Ｂ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓｉから選ばれる元素を１種類以上添加した合金からなることを特徴とする請求項８に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
前記Ｃｏ基合金層中に含まれる添加元素の量を、当該Ｃｏ基合金層が軟磁性を失わない範囲で、Ｂでは５０ａｔ％以下、Ａｌでは４０ａｔ％以下、Ｚｒでは１５ａｔ％以下、Ｍｇでは５２ａｔ％以下、Ｓｉでは３３ａｔ％以下とすることを特徴とする請求項８または９に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
前記Ｃｏ基合金層が、ＣｏＦｅ合金、またはＣｏＦｅ中に、Ｂ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓｉから選ばれる元素を１種類以上添加したＣｏＦｅ基合金からなることを特徴とする請求項８に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
前記ＣｏＦｅ合金および前記ＣｏＦｅ基合金中に含まれるＦｅの量を１０ａｔ％以下としたことを特徴とする請求項１１に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
前記ＣｏＦｅ基合金中に含まれる添加元素の量を、当該ＣｏＦｅ基合金が軟磁性を失わない範囲で、Ｂでは５０ａｔ％以下、Ａｌでは４０ａｔ％以下、Ｚｒでは１５ａｔ％以下、Ｍｇでは５２ａｔ％以下、Ｓｉでは３３ａｔ％以下とすることを特徴とする請求項１１または１２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
前記Ｃｏ層および前記Ｃｏ基合金層の成膜時に、純Ａｒガスを使用し、ガス圧を４．０Ｐａ以上とすることを特徴とする請求項８ないし１３のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録媒体及びその製造方法に関し、より詳細には、各種磁気記録装置に搭載される垂直磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録の高密度化を実現する技術として、従来の長手磁気記録方式に代えて、垂直磁気記録方式が注目されつつある。
【０００３】
垂直磁気記録媒体は主に、硬質磁性材料の磁気記録層と、この磁気記録層を目的の方向に配向させるための下地層と、磁気記録層の表面を保護する保護膜と、そしてこの記録層への記録に用いられる磁気ヘッドが発生する磁束を集中させる役割を担う軟磁性材料の裏打ち層とから構成されている。
【０００４】
垂直磁気記録媒体の磁気記録層材料としては、これまで主にＣｏＣｒＰｔやＣｏＣｒＴａなどの合金材料が用いられてきた。これらの合金材料では、結晶粒界に非磁性材料であるＣｒが偏析することにより、個々の結晶粒が磁気的に分離され、高い保磁力（Ｈｃ）など磁気記録媒体として必要な特性を発現する。このような結晶粒界へのＣｒの偏析は、面内媒体では、加熱や基板バイアス印加など成膜プロセスの工夫により促進されてきた。しかしながら、垂直磁気記録媒体では、面内媒体と同様に加熱や基板バイアス印加を施してもＣｒの偏析量が少なく、それが原因で媒体ノイズが高くなってしまうことが問題となっていた。
【０００５】
この問題の解決方法として、酸化物を結晶粒界に偏析させることにより、結晶粒の磁気的な分離を促進するＣｏＰｔＣｒＯ磁気記録層（例えば、非特許文献１参照）やＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２磁気記録層（例えば、非特許文献２参照）を用いたグラニュラー媒体が提案されている。例えば、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２グラニュラー膜では、ＣｏＣｒＰｔ結晶粒の周囲をＳｉＯ２が取り囲むように偏析し、それにより個々のＣｏＣｒＰｔ結晶粒は磁気的に分離される。
【０００６】
このように、グラニュラー膜では、合金材料の相分離（磁気相分離）を利用するのではなく、酸化物や窒化物など合金材料と固溶しにくい非晶質材料を加えることが特徴である。上述した文献において、グラニュラー媒体では、従来のＣｏＣｒ系材料を磁気記録層とする垂直磁気記録媒体と比較して媒体ノイズが低減できることが確認されており、将来有望な方式として期待されている。
【０００７】
垂直磁気記録媒体の性能や記録密度を向上させるために必要なこととしては、上述した磁気記録層のノイズ低減に加え、軟磁性裏打ち層と磁気ヘッド間の距離低減が挙げられる。軟磁性裏打ち層は、磁気ヘッドの一部とも言われており、記録ヘッドが発生する磁束の発散を防止し、磁気記録層への書込みを補助する役割を有している。
【０００８】
垂直磁気記録媒体の遷移ノイズ低減や記録密度の向上のためには、急峻な記録磁界を確保して、遷移ができる限り直線的で小さな記録ビットを形成する必要があるが、そのためには軟磁性裏打ち層と磁気ヘッド間の距離をできる限り小さくする必要がある。磁気記録層と軟磁性裏打ち層が直接接触すると、相互作用によりノイズが発生することが知られており、下地層には非磁性材料が使用されることから、磁気ヘッドと軟磁性裏打ち層の距離を低減するには、保護膜の膜厚の低減や磁気ヘッドの浮上量の低減に加え、非磁性下地層あるいは中間層の膜厚を低減することが重要となる。
【０００９】
一方、グラニュラー膜では、基板を加熱して成膜すると、Ｃｏの酸化や合金相と非磁性相の混合などの問題を生じることから、非加熱で成膜することが必要である。磁気記録層を適切な方向に配向させるためには、下地層や中間層と呼ばれる磁気記録層の配向を制御する層が必要であるが、グラニュラー膜を磁気記録層に用いる場合、上述した理由から、下地層や中間層も非加熱で成膜する必要がある。しかしながら、非加熱で配向性や結晶性に優れた薄膜を得ることは難しく、磁気記録層の特性を維持しつつ、非磁性中間層の膜厚を如何に低減するかということが課題であった。
【００１０】
上述したようなグラニュラー媒体の下地層あるいは中間層として、従来は、Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｏ合金とＲｕとの２層の下地層を用いる方法（例えば、特許文献１参照）や、軟磁性裏打ち層をＣｏＦｅ合金としてＲｕを下地層とする方法（例えば、特許文献２参照）が提案されている。これらの提案では、磁気特性の向上や軟磁性層に起因するノイズの低減による電磁変換特性の向上がなされているが、何れにおいても非磁性中間層は３５ｎｍ以上と厚く、磁気ヘッドと軟磁性裏打ち層との間の距離を短縮するという点では不十分であった。
【特許文献１】特開２００２−１０００３０号公報
【特許文献２】特開２００２−２９８３２３号公報
【特許文献３】特開２００２−３５８６１７号公報
【特許文献４】特開２００３−１２３２３９号公報
【非特許文献１】S.Oikawa, A.Takeo, T.Hikosaka, and Y.Tanaka,“High performance  ＣｏＰｔＣｒＯ single layered perpendicular media with no recording demagnetization,”IEEE Trans.Magn., vol. 36, pp. 2393-2395,2000.
【非特許文献２】T. Oikawa, M.Nakamura, H.Uwazumi, T.Shimatsu, H.Muraoka, and Y.Nakamura,“Microstructure and Magnetic Properties of ＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ２Perpendicular Recording Media,”IEEE Trans.Magn., vol.38,pp1976-1978,2002.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述したように、グラニュラー媒体では、媒体ノイズを下げることができる反面、非磁性中間層の膜厚を薄くすることが難しく、記録分解能の点で従来のＣｏＣｒ系材料を磁気記録層とする垂直磁気記録媒体と比較して不利であった。非磁性中間層膜厚は単に薄くすれば良いというものではなく、磁気記録層の特性を維持あるいは向上させつつ膜厚を下げる必要がある。この時、保磁力や角型比と言った磁気記録層の磁気特性の向上のためには、下地層あるいは中間層の結晶性や配向性の確保が重要となる。また、磁気記録層が下地層あるいは中間層にエピタキシャルに成長した場合、磁気記録層の結晶粒径が下地層あるいは中間層の結晶粒径に従うことはよく知られている。そのため、磁気記録層の結晶粒径を低減するには、下地層あるいは中間層の結晶粒径を低減することが重要となる。
【００１２】
グラニュラー磁性膜の下地層および中間層には、上述した配向性や結晶性の他に、結晶の分離性が良いことが要求される。下地層あるいは中間層の結晶が広い結晶粒界を挟んで分離することで、下地層あるいは中間層の結晶上に磁気記録層の結晶が成長し、結晶粒界上に酸化物等の非磁性層を成長させることができる。このような手法により、非加熱でも分離性の良い磁気記録層を得ることが可能となる。
【００１３】
従来のＣｏＣｒＰｔやＣｏＣｒＴａ等のＣｏＣｒ系合金材料を磁気記録層とする垂直磁気記録媒体では、下地層としてＴｉやＴｉＣｒなどのＴｉ系合金が用いられてきた。それは、Ｔｉ系合金が、磁気記録層としてしばしば用いられるＣｏ系合金と同じ結晶構造であるｈｃｐ（六方最密充填）構造をとり、格子定数のマッチングも比較的良いという理由からである。しかしながら、Ｔｉ系合金は、非加熱成膜した場合に結晶性が悪いことに加え、結晶粒の分離性が悪く、グラニュラー媒体の下地層としては不適格であった。
【００１４】
一方、本発明者らはこれまでに軟磁性パーマロイ系材料を下地層とし、非磁性中間層としてＲｕまたはＲｕ基合金を用いることで、磁気記録層の配向性の改善や磁気記録層における初期成長層の低減、結晶粒径の低減などを達成できることを報告してきた（例えば、特許文献３または４参照）。これらの発明に基づくパーマロイ系下地層およびＲｕあるいはＲｕ基合金中間層は、非加熱でもある程度良好な結晶性および配向性が得られ、グラニュラー媒体の下地層や中間層として使用することが可能である。しかしながら、ＲｕあるいはＲｕ基合金中間層を十分に厚くして結晶性や結晶の分離性を良好にした場合には、十分な磁気特性が得られるものの、中間層の膜厚が薄い場合には、磁気特性が大きく落ち込んでしまうという問題点があった。
【００１５】
そこで、グラニュラー媒体において、非磁性中間層の膜厚を２０ｎｍ以下に低減し、さらに、磁気記録層の保磁力や角型比を向上させることで、高出力化や低ノイズ化といった垂直磁気記録媒体の性能の向上を実現することが望まれている。
【００１６】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、磁気記録層の保磁力が増大し、媒体の角型比が向上し、また、非磁性中間層であるＲｕまたはＲｕ基合金膜厚を低減することが可能になるような垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、非磁性基体上に、軟磁性裏打ち層と、下地層と、Ｃｏ層またはＣｏ基合金層と、中間層と、磁気記録層と、保護膜と、液体潤滑材層とを順次積層してなる垂直磁気記録媒体であって、前記下地層が軟磁性を有するパーマロイ系材料を含み、前記Ｃｏ層および前記Ｃｏ基合金層が軟磁性を有し、前記中間層がＲｕまたはＲｕ基合金を含むことを特徴とする。
【００１８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記Ｃｏ基合金層が、Ｃｏ中に、Ｂ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓｉから選ばれる元素を１種類以上添加した合金からなることを特徴とする。
【００１９】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記Ｃｏ基合金層中に含まれる添加元素の量を、当該Ｃｏ基合金層が軟磁性を失わない範囲で、Ｂでは５０ａｔ％以下、Ａｌでは４０ａｔ％以下、Ｚｒでは１５ａｔ％以下、Ｍｇでは５２ａｔ％以下、Ｓｉでは３３ａｔ％以下とすることを特徴とする。好ましくは、Ｂでは３ａｔ％以上、５０ａｔ％以下、Ａｌでは０．３ａｔ％以上、４０ａｔ％以下、Ｚｒでは０．５ａｔ％以上、１５ａｔ％以下、Ｍｇでは０．３ａｔ％以上、５２ａｔ％以下、Ｓｉでは１ａｔ％以上、３３ａｔ％以下とすることが望ましい。
【００２０】
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記Ｃｏ基合金層が、ＣｏＦｅ合金、またはＣｏＦｅ中に、Ｂ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓｉから選ばれる元素を１種類以上添加したＣｏＦｅ基合金からなることを特徴とする。
【００２１】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記ＣｏＦｅ合金および前記ＣｏＦｅ基合金中に含まれるＦｅの量を１０ａｔ％以下とすることを特徴とする。
【００２２】
請求項６に記載の発明は、請求項４または５に記載の発明において、前記ＣｏＦｅ基合金中に含まれる添加元素の量を、当該ＣｏＦｅ基合金が軟磁性を失わない範囲で、Ｂでは５０ａｔ％以下、Ａｌでは４０ａｔ％以下、Ｚｒでは１５ａｔ％以下、Ｍｇでは５２ａｔ％以下、Ｓｉでは３３ａｔ％以下とすることを特徴とする。好ましくは、Ｂでは３ａｔ％以上、５０ａｔ％以下、Ａｌでは０．３ａｔ％以上、４０ａｔ％以下、Ｚｒでは０．５ａｔ％以上、１５ａｔ％以下、Ｍｇでは０．３ａｔ％以上、５２ａｔ％以下、Ｓｉでは１ａｔ％以上、３３ａｔ％以下とすることが望ましい。
【００２３】
請求項７に記載の発明は、請求項１ないし６のいずれかに記載の発明において、前記Ｃｏ層または前記Ｃｏ基合金層の膜厚を３０ｎｍ以下、前記ＲｕまたはＲｕ基合金を含む中間層の膜厚を２０ｎｍ以下とすることを特徴とする。好ましくは、Ｃｏ層またはＣｏ基合金層の膜厚を３ｎｍ以上、３０ｎｍ以下、ＲｕまたはＲｕ基合金を含む中間層の膜厚を１ｎｍ以上、１５ｎｍ以下にすることが望ましい。
【００２４】
請求項８に記載の発明は、非磁性基体上に、軟磁性裏打ち層と、下地層と、Ｃｏ層またはＣｏ基合金層と、中間層と、磁気記録層と、保護膜と、液体潤滑材層とを順次積層してなる垂直磁気記録媒体の製造方法であって、前記下地層が軟磁性を有するパーマロイ系材料を含み、前記Ｃｏ層および前記Ｃｏ基合金層が軟磁性を有し、前記中間層がＲｕまたはＲｕ基合金を含み、前記Ｃｏ層および前記Ｃｏ基合金層の成膜時に、２％以下の酸素または１０％以下の窒素を添加することを特徴とする。好ましくは、０．０５％以上、２％以下の酸素、または、０．０５％以上、１０％以下の窒素を添加することが望ましい。
【００２５】
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の発明において、前記Ｃｏ基合金層が、Ｃｏ中に、Ｂ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓｉから選ばれる元素を１種類以上添加した合金からなることを特徴とする。
【００２６】
請求項１０に記載の発明は、請求項８または９に記載の発明において、前記Ｃｏ基合金層中に含まれる添加元素の量を、当該Ｃｏ基合金層が軟磁性を失わない範囲で、Ｂでは５０ａｔ％以下、Ａｌでは４０ａｔ％以下、Ｚｒでは１５ａｔ％以下、Ｍｇでは５２ａｔ％以下、Ｓｉでは３３ａｔ％以下とすることを特徴とする。好ましくは、Ｂでは３ａｔ％以上、５０ａｔ％以下、Ａｌでは０．３ａｔ％以上、４０ａｔ％以下、Ｚｒでは０．５ａｔ％以上、１５ａｔ％以下、Ｍｇでは０．３ａｔ％以上、５２ａｔ％以下、Ｓｉでは１ａｔ％以上、３３ａｔ％以下とすることが望ましい。
【００２７】
請求項１１に記載の発明は、請求項８に記載の発明において、前記Ｃｏ基合金層が、ＣｏＦｅ合金、またはＣｏＦｅ中に、Ｂ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓｉから選ばれる元素を１種類以上添加したＣｏＦｅ基合金からなることを特徴とする。
【００２８】
請求項１２に記載の発明は、請求項１１に記載の発明において、前記ＣｏＦｅ合金および前記ＣｏＦｅ基合金中に含まれるＦｅの量を１０ａｔ％以下としたことを特徴とする。
【００２９】
請求項１３に記載の発明は、請求項１１または１２に記載の発明において、前記ＣｏＦｅ基合金中に含まれる添加元素の量を、当該ＣｏＦｅ基合金が軟磁性を失わない範囲で、Ｂでは５０ａｔ％以下、Ａｌでは４０ａｔ％以下、Ｚｒでは１５ａｔ％以下、Ｍｇでは５２ａｔ％以下、Ｓｉでは３３ａｔ％以下とすることを特徴とする。好ましくは、Ｂでは３ａｔ％以上、５０ａｔ％以下、Ａｌでは０．３ａｔ％以上、４０ａｔ％以下、Ｚｒでは０．５ａｔ％以上、１５ａｔ％以下、Ｍｇでは０．３ａｔ％以上、５２ａｔ％以下、Ｓｉでは１ａｔ％以上、３３ａｔ％以下とすることが望ましい。
【００３０】
請求項１４に記載の発明は、請求項８ないし１３のいずれかに記載の発明において、前記Ｃｏ層および前記Ｃｏ基合金層の成膜時に、純Ａｒガスを使用し、ガス圧を４．０Ｐａ以上とすることを特徴とする。好ましくは、ガス圧を４．０Ｐａ以上、１５Ｐａ以下とすることが望ましい。
【００３１】
このように本発明は、上述した条件を満たし、従来の問題を解決する手段として、本発明者らは検討を繰り返し、軟磁気特性を有するＣｏまたはＣｏ基合金からなる層を、軟磁気特性を有するパーマロイ系下地層とＲｕあるいはＲｕ基合金中間層の間に設けることにより、磁気記録層の磁気特性を維持しつつ非磁性中間層（ＲｕあるいはＲｕ基合金）の膜厚を従来の１／２以下に低減できることを見出した。ＣｏまたはＣｏ基合金としては、純Ｃｏ、ＣｏＦｅ合金、Ｃｏ中にＢ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓｉから選ばれる元素を１種類以上添加した合金、またはＣｏＦｅ中にＢ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓｉから選ばれる元素を１種類以上添加したＣｏＦｅ基合金が好ましい。Ｂ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓｉから選ばれる添加元素に関しては、軟磁性となるように添加物組成を調整すること、すなわち、膜中に占める添加物の組成をＢでは３ａｔ％以上、５０ａｔ％以下、Ａｌでは０．３ａｔ％以上、４０ａｔ％以下、Ｚｒでは０．５ａｔ％以上、１５ａｔ％以下、Ｍｇでは０．３ａｔ％以上、５２ａｔ％以下、Ｓｉでは１ａｔ％以上、３３ａｔ％以下とすることで、軟磁性裏打ち層と同様に機能することができる。
【００３２】
上述したＣｏ層またはＣｏ基合金層は、パーマロイ系下地層を用いる場合には面心立方格子（ｆｃｃ）の（１１１）配向単相になるが、用いない場合にはｈｃｐの（１００）、（１０１）などの配向が現れ、中間層及び磁気記録層の配向（ｈｃｐの（００２）配向が望ましい）の劣化を引き起こし、磁気特性及び電磁変換特性の低下に繋がる。つまり、本発明におけるＣｏ層またはＣｏ基合金層を用いる場合には、パーマロイ系下地層が必須となる。
【００３３】
また、ＣｏＦｅ合金またはＣｏＦｅ基合金を用いる場合には、パーマロイ系下地層に積層した際に、ＣｏＦｅ合金層またはＣｏＦｅ基合金層を面心立方格子（ｆｃｃ）単相とするために、Ｆｅの添加量は１０ａｔ％以下とすることが好ましい。
【００３４】
また、上述したＣｏ層またはＣｏ基合金層は、媒体におけるスパッタリングプロセスで通常よく用いられる成膜雰囲気であるＡｒガス０．１Ｐａ以上、０．７Ｐａ以下のような条件下で成膜した場合、その効果を十分に発揮することができない。成膜雰囲気として、０．０５％以上、２％以下程度の微量の酸素を添加する、または０．０５％以上、１０％以下の窒素を添加する、あるいは数Ｐａ程度の高い圧力下で成膜することで、結晶粒の分離が促進され、磁気記録層の磁気特性や電磁変換特性を向上させることが可能となる。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、非加熱成膜を必要とするグラニュラー媒体において、軟磁性パーマロイ系材料を下地層とし、ＲｕまたはＲｕ基合金材料を中間層として用い、下地層と中間層の間に軟磁性Ｃｏ層または軟磁性Ｃｏ基合金層を挿入することで、磁気記録層の保磁力が増大し、媒体の角型比が向上する。また同時に、非磁性中間層であるＲｕまたはＲｕ基合金膜厚を低減することが可能になる。その結果、媒体ノイズを低減し、ＳＮＲを向上することができる。また、磁気記録層の熱安定性が向上し、媒体の信頼性向上につながる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１は、本発明に係る垂直記録媒体を説明するための断面模式図で、図中符号１は非磁性基体、２は軟磁性裏打ち層、３は軟磁性パーマロイ系材料からなる下地層、４は軟磁性Ｃｏ層または軟磁性Ｃｏ基合金層、５はＲｕまたはＲｕ基合金中間層、６は磁気記録層、７は保護膜、８は液体潤滑材層を示している。
【００３７】
本発明の垂直磁気記録媒体は、非磁性基体１と、非磁性基体１の上に設けられる軟磁性裏打ち層２と、軟磁性パーマロイ系下地層３と、軟磁性Ｃｏ層または軟磁性Ｃｏ基合金層４と、ＲｕまたはＲｕ基合金中間層５と、磁気記録層６と、保護膜７と、液体潤滑材層８とから構成されている。
【００３８】
非磁性基体１としては、表面が平滑である様々な基体であってよく、例えば、磁気記録媒体用に用いられる、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や強化ガラス、結晶化ガラスなどを用いることができる。
【００３９】
軟磁性裏打ち層２としては、結晶のＦｅＴａＣやセンダスト（ＦｅＳｉＡｉ）合金など、また非晶質のＣｏ合金であるＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒなどを用いることができる。軟磁性裏打ち層２の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性によって最適値が変化するが、おおむね１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下程度であることが、生産性との兼ね合いから望ましい。
【００４０】
下地層３は、軟磁性を有するパーマロイ系材料である、ＮｉＦｅＡｌ、ＮｉＦｅＳｉ、ＮｉＦｅＮｂ、ＮｉＦｅＢ、ＮｉＦｅＮｂＢ、ＮｉＦｅＭｏ、ＮｉＦｅＣｒなどを用いることができる。パーマロイ系下地層３の膜厚は、磁気記録層６の磁気特性や電磁変換特性が最適になるように膜厚を調整することが望ましいが、おおむね３ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であることが、生産性との兼ね合いから望ましい。
【００４１】
Ｃｏ層またはＣｏ基合金層４には、純Ｃｏ、ＣｏＦｅ合金、Ｃｏ中にＢ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓｉから選ばれる材料を１種類以上添加した合金、またはＣｏＦｅ中にＢ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓｉから選ばれる材料を１種類以上添加した合金からなる軟磁性材料を用いる。また成膜に際しては、成膜ガスに２％以下の微量の酸素を添加するか、あるいは１０％以下の窒素を添加する。酸素濃度１％程度か、あるいは窒素濃度５％程度が最も好ましい。酸素または窒素を添加して成膜する際のガス圧は、０．５Ｐａ以上、８Ｐａ以下とすることが好ましく、１〜２Ｐａ程度の圧力下で成膜することが最も好ましい。また、酸素や窒素を添加せずに、純Ａｒのみとしてより高圧で成膜することで、同様の効果を得ることも可能である。純Ａｒの場合、成膜の際のガス圧は４．０Ｐａ以上、１５Ｐａ以下の通常よりも高い圧力下で膜を形成する。８．０Ｐａ程度の圧力下で成膜することが最も好ましい。Ｃｏ層またはＣｏ基合金層４の膜厚は、磁気記録層の磁気特性や電磁変換特性が最適になるように調整することが望ましいが、膜厚が増加するに連れ結晶粒径が大きくなる点、および生産性を考慮し、３ｎｍ以上、３０ｎｍ以下とすることが望ましい。
【００４２】
中間層５は、ＲｕまたはＲｕ中にＣ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｖからなる群から選択される材料を１種類以上添加したＲｕ基合金を用いて形成される。これらＲｕまたはＲｕ基合金は、上述した下地層３、Ｃｏ層またはＣｏ基合金層４上に形成された時に配向性に優れ、結晶粒径が微細となる。また磁気記録層６との接合性に優れ、磁気記録層６の初期層を低減する作用がある。ＲｕまたはＲｕ基合金中間層５の膜厚は、磁気記録層６の磁気特性や電磁変換特性を劣化させない範囲でできる限り薄くすることが、高密度記録を実現するためには必要であり、具体的には、１ｎｍ以上、２０ｎｍ以下とすることが望ましい。
【００４３】
磁気記録層６は、少なくともＣｏとＣｒを含む合金の強磁性材料が好適に用いられ、その六方最密充填構造のｃ軸が膜面に垂直方向に配向していることが垂直磁気記録媒体として用いるために必要である。磁気記録層６としては、ＣｏＰｔ−ＳｉＯ２、ＣｏＣｒＰｔＯ、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２、ＣｏＣｒＰｔ−Ａｌ２Ｏ３、ＣｏＰｔ−Ｃｒ２Ｏ３などのグラニュラー材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４４】
保護膜７は、例えば、カーボンを主体とする薄膜が用いられる。その他、垂直磁気記録媒体の保護膜として一般的に用いられる様々な薄膜材料を使用しても良い。
【００４５】
液体潤滑材層８は、例えば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑材を用いることができる。その他、磁気記録媒体の液体潤滑材層の材料として一般的に用いられる様々な潤滑材料を使用しても良い。
【００４６】
非磁性基体１の上に積層される各層は、垂直磁気記録媒体の分野で通常用いられる様々な成膜技術によって形成することが可能である。液体潤滑材層８を除く各層の形成には、例えば、ＤＣマグネトロンスパッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、真空蒸着法を用いることが出来る。また、液体潤滑材層８の形成には、例えば、ディップ法、スピンコート法を用いることができる。しかしながら、これらに限定されるものではない。
【００４７】
以下に本発明の垂直磁気記録媒体の具体的な実施例について説明するが、本発明はそれらに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
［実施例１］
本実施例１の垂直磁気記録媒体は、非磁性基体１と、軟磁性裏打ち層２と、その上に順次設けられる軟磁性ＮｉＦｅＳｉ下地層３と、軟磁性ＣｏＢ層４と、Ｒｕ中間層５と、磁気記録層６と、保護膜７と、液体潤滑材層８とから構成されている。
【００４８】
非磁性基体１として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を用い、これを洗浄後にスパッタ装置内に導入し、Ｃｏ８７Ｚｒ５Ｎｂ８ターゲットを用いてＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性裏打ち層２を２００ｎｍ成膜した。次に、パーマロイ系合金であるＮｉ８２Ｆｅ１２Ｓｉ６ターゲットを用いてＮｉＦｅＳｉ下地層３を２０ｎｍ成膜した。次に、Ｃｏ９０Ｂ１０ターゲットを用いてＡｒ−１％Ｏ２ガス１．３Ｐａ下において軟磁性ＣｏＢ層４を１０ｎｍ成膜した。引き続いて、Ｒｕターゲットを用いて、Ａｒガス圧４．０Ｐａ下でＲｕ中間層５を５ｎｍ成膜した。
【００４９】
引き続いて、（Ｃｏ７９Ｃｒ７Ｐｔ１４）８８（ＳｉＯ２）１２ターゲットを用いてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２磁気記録層６を１０ｎｍ成膜した。最後に、カーボンターゲットを用いてカーボンからなる保護膜７を１０ｎｍ成膜後、真空装置から取り出した。軟磁性ＣｏＢ層４およびＲｕ中間層５の成膜を除くこれらの成膜は、すべてＡｒガス圧０．６７Ｐａ下でＤＣマグネトロンスパッタリング法により行なった。
【００５０】
その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑材料層８を２ｎｍディップ法により形成して垂直磁気記録媒体とした。また、磁気特性を比較するために、Ｒｕ中間層５の膜厚を１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍとすることを除き、層構成が全く同様の垂直磁気記録媒体を製作した。
［比較例１］
本比較例１は、従来のＣｏＣｒ系垂直磁気記録媒体である、ＴｉＣｒを中間層としてＣｏＣｒＰｔＢを磁気記録層とする垂直磁気記録媒体に関する。
【００５１】
非磁性基体として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を用い、これを洗浄後にスパッタ装置内に導入し、Ｃｏ８７Ｚｒ５Ｎｂ８ターゲットを用いてＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性裏打ち層を２００ｎｍ成膜した。引き続いて、ランプヒータを用いて基板の表面温度が３００℃になるように加熱を行なった後、Ｔｉ９０Ｃｒ１０ターゲットを用いて、ＴｉＣｒ中間層を１５ｎｍ成膜した。
【００５２】
引き続いて、Ｃｏ６６Ｃｒ２０Ｐｔ１０Ｂ４ターゲットを用いてＣｏＣｒＰｔＢ磁気記録層を２０ｎｍ成膜した。最後に、カーボンターゲットを用いてカーボンからなる保護膜を１０ｎｍ成膜後、真空装置から取り出した。ヒーター加熱後を除くこれらの成膜は、すべてＡｒガス圧０．６７Ｐａ下でＤＣマグネトロンスパッタリング法により行なった。その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑材層２ｎｍをディップ法により形成して垂直磁気記録媒体とした。
［比較例２］
軟磁性ＣｏＢ層を設けないことを除き、実施例１と全く同様の垂直磁気記録媒体を製作した。また、本比較例２においても、実施例１と同様に、磁気特性を比較するために、Ｒｕ中間層の膜厚を１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍとすることを除き、層構成が全く同様の垂直磁気記録媒体を製作した。
【００５３】
上述のようにして得られた二層媒体について、磁気カー効果により保磁力Ｈｃおよび角型比Ｓを測定した。実施例１及び比較例１，２に係る垂直磁気記録媒体のＨｃのＲｕ中間層膜厚依存（比較例１に関しては、図中に一点鎖線で示す）を図２に、図３に角型比ＳのＲｕ中間層膜厚依存を示す（図２と同様に、比較例１に関しては図中に一点鎖線で示す）。また、中間層の膜厚１５ｎｍ時（実施例１及び比較例２ではＲｕ膜厚１５ｎｍ、比較例１ではＴｉＣｒ膜厚１５ｎｍ）のＨｃ及びＳを表１に示す。
【００５４】
【表１】
2004288348.tif 000003
表１から明らかなように、同じ非磁性中間層の膜厚で比較した場合、実施例１及び比較例２の垂直磁気記録媒体は、従来の垂直磁気記録媒体である比較例１の垂直磁気記録媒体を大きく上回るＨｃが得られている。また、角型比Ｓも比較例１では０．８程度であるのに対し、実施例１及び比較例２では１．０の角型比Ｓが得られている。垂直磁気記録媒体において角型比Ｓが１．０になるということは、垂直磁気記録媒体の熱安定性が高いことを意味する。このように、実施例１及び比較例２に係る、軟磁性パーマロイ系下地層とＲｕ中間層を有するグラニュラー媒体では、従来のＴｉＣｒを中間層とするＣｏＣｒ系媒体に比べて優れた磁気特性が得られた。
【００５５】
次に、グラニュラー媒体である実施例１と比較例２を比較する。図２及び図３から、比較例２の垂直磁気記録媒体ではＲｕ膜厚が１０ｎｍ以下になるとＨｃ及び角型比Ｓが大きく低下するのに対し、実施例１の垂直磁気記録媒体では、その低下の度合いが小さいことがわかる。実施例１におけるＲｕ膜厚５ｎｍの垂直磁気記録媒体と比較例２におけるＲｕ膜厚１０ｎｍの垂直磁気記録媒体を比較すると、Ｈｃ、Ｓともに実施例１における垂直磁気記録媒体の方が高くなっており、本発明による軟磁性ＣｏＢ合金層の挿入により、非磁性中間層であるＲｕ膜厚を１／２以下とすることが可能であることが明らかとなった。
【００５６】
次に、リード・ライトテスタを用いて、記録密度を変化させ、その時の媒体ノイズを測定して比較した。なお、実施例１及び比較例２の垂直磁気記録媒体に関しては、Ｒｕ中間層の膜厚１０ｎｍのものを用いた。媒体ノイズの線記録密度依存を図４に示す。図４から、実施例１及び比較例２に係る、軟磁性パーマロイ系下地層とＲｕ中間層を有するグラニュラー媒体では、従来のＴｉＣｒを中間層とするＣｏＣｒ系媒体に比べて媒体ノイズが約１／２程度に大きく低下していることがわかる。また、実施例１と比較例２の垂直磁気記録媒体を比較すると、ばらつきはあるものの、実施例１の垂直磁気記録媒体が比較例２の垂直磁気記録媒体よりも約２割、低ノイズになっている。４００ｋＦＣｌにおけるＳＮＲ（信号・ノイズ比）を比較すると、実施例１，比較例１，比較例２の垂直磁気記録媒体で、それぞれ５．８５、１．９０、３．８３［ｄＢ］であり、実施例１の垂直磁気記録媒体において優れたＳＮＲが得られている。
【００５７】
以上のように、実施例１に係る軟磁性ＣｏＢ層の挿入により、垂直磁気記録媒体の磁気特性が向上し、低ノイズ化が達成されるとともに、垂直磁気記録媒体のＳＮＲが向上した。
［実施例２］
非磁性基体１として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を用い、これを洗浄後にスパッタ装置内に導入し、Ｃｏ８７Ｚｒ５Ｎｂ８ターゲットを用いてＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性裏打ち層２を２００ｎｍ成膜した。次に、パーマロイ系合金であるＮｉ８２Ｆｅ１２Ｓｉ６ターゲットを用いてＮｉＦｅＳｉ下地層３を２０ｎｍ成膜した。次に、Ｃｏ８５Ａｌ１５ターゲットを用いて純Ａｒガス８．０Ｐａ下において軟磁性ＣｏＡｌ層４を１０ｎｍ成膜した。
【００５８】
引き続いて、Ｒｕ８０Ｗ２０ターゲットを用いて、Ａｒガス圧４．０Ｐａ下でＲｕＷ中間層５を１０ｎｍ成膜した。引き続いて、（Ｃｏ７９Ｃｒ７Ｐｔ１４）８８（ＳｉＯ２）１２ターゲットを用いてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２磁気記録層６を１０ｎｍ成膜した。最後に、カーボンターゲットを用いてカーボンからなる保護膜７を１０ｎｍ成膜後、真空装置から取り出した。軟磁性ＣｏＢ層４及びＲｕ中間層５の成膜を除くこれらの成膜は、すべてＡｒガス圧０．６７Ｐａ下でＤＣマグネトロンスパッタリング法により行なった。その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑材層８を２ｎｍディップ法により形成して垂直磁気記録媒体とした。
［実施例３］
軟磁性Ｃｏ基合金層４の組成をＣｏ８５Ｓｉ１５としたことを除き、実施例２と全く同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。
【００５９】
上述のようにして得られた二層媒体について、磁気カー効果により保磁力Ｈｃ及び角型比Ｓを、媒体ノイズ及びＳＮＲをリード・ライトテスタを用いて測定した。表２に、実施例２及び実施例３に係る垂直磁気記録媒体及び比較例１の垂直磁気記録媒体の、Ｈｃ、Ｓ、２５０ｋＦＣｌにおける媒体ノイズ、４００ｋＦＣｌにおけるＳＮＲ、垂直磁気記録媒体の信号出力の減衰特性(２５ｋＦＣｌにて測定）を示す。実施例２及び実施例３では、比較例１の垂直磁気記録媒体と比較して、中間層の膜厚が薄いにも係らず高いＨｃ及びＳが得られている。また、電磁変換特性に関しては、実施例２，３とも媒体ノイズは、比較例１の１／２以下に低下し、ＳＮＲは３倍以上に向上している。角型比Ｓが高いことからも予測されるが、実際に測定した信号出力の減衰特性は、実施例２及び３で比較例１よりもそれぞれ２桁及び１桁向上しており、熱安定性が大きく改善されていることがわかる。
【００６０】
【表２】
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以上のように、本発明に係る実施例２及び３の垂直磁気記録媒体は、従来の垂直磁気記録媒体と比較して、磁気特性や電磁変換特性の双方において優れていることがわかった。
［実施例４］
非磁性基体１として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を用い、これを洗浄後にスパッタ装置内に導入し、Ｃｏ８７Ｚｒ５Ｎｂ８ターゲットを用いてＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性裏打ち層２を２００ｎｍ成膜した。次に、パーマロイ系合金であるＮｉ８２Ｆｅ１２Ｓｉ６ターゲットを用いてＮｉＦｅＳｉ下地層３を２０ｎｍ成膜した。次に、Ｃｏターゲットを用いてＡｒ−５％Ｎ２ガス１．３Ｐａ下において軟磁性Ｃｏ層４を１０ｎｍ成膜した。引き続いて、Ｒｕターゲットを用いて、Ａｒガス圧４．０Ｐａ下でＲｕ中間層５を５ｎｍ成膜した。引き続いて、（Ｃｏ７０Ｃｒ１０Ｐｔ２０）８８（ＳｉＯ２）１２ターゲットを用いてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２磁気記録層６を１０ｎｍ成膜した。最後に、カーボンターゲットを用いてカーボンからなる保護膜７を１０ｎｍ成膜後、真空装置から取り出した。軟磁性Ｃｏ層４およびＲｕ中間層５の成膜を除くこれらの成膜は、すべてＡｒガス圧０．６７Ｐａ下でＤＣマグネトロンスパッタリング法により行なった。その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑材料層８を２ｎｍディップ法により形成して垂直磁気記録媒体とした。また、磁気特性を比較するために、Ｒｕ中間層５の膜厚を３ｎｍ、８ｎｍ、１０ｎｍとすることを除き、層構成が全く同様の垂直磁気記録媒体を製作した。
［実施例５］
軟磁性Ｃｏ基合金層４の材料をＣｏ９０Ｆｅ１０とし、Ａｒ−７％Ｎ２ガス１．３Ｐａ下において軟磁性ＣｏＦｅ層４を１０ｎｍ成膜したことを除き、実施例４と全く同様の垂直磁気記録媒体を製作した。また、実施例５においても、実施例４と同様に、磁気特性を比較するために、Ｒｕ中間層の膜厚を３ｎｍ、８ｎｍ、１０ｎｍとすることを除き、層構成が全く同様の垂直磁気記録媒体を製作した。
［比較例３］
軟磁性Ｃｏ層４を設けないことを除き、実施例４と全く同様の垂直磁気記録媒体を製作した。また、本比較例３においても、実施例４と同様に、磁気特性を比較するために、Ｒｕ中間層の膜厚を３ｎｍ、８ｎｍ、１０ｎｍとすることを除き、層構成が全く同様の垂直磁気記録媒体を製作した。
【００６１】
上述のようにして得られた二層媒体について、磁気カー効果により保磁力Ｈｃおよび角型比Ｓを測定した。図５に実施例４，５及び比較例１，３に係る垂直磁気記録媒体のＨｃのＲｕ中間層膜厚依存（比較例１に関しては、図中に一点鎖線で示す）を示す。図から明らかなように、実施例４，５および比較例３の媒体では、非磁性中間層膜厚が１０ｎｍ程度と薄くなった場合でも、従来の垂直磁気記録媒体である比較例１の垂直磁気記録媒体(非磁性中間層膜厚は１５ｎｍ)を大きく上回るＨｃが得られている。このように、実施例４、５及び比較例３に係る、軟磁性パーマロイ系下地層とＲｕ中間層を有するグラニュラー媒体では、従来のＴｉＣｒを中間層とするＣｏＣｒ系媒体に比べて優れた磁気特性が得られた。
グラニュラー媒体である実施例４，５と比較例３を比較すると、比較例３の垂直磁気記録媒体ではＲｕ膜厚が１０ｎｍ以下になるとＨｃが大きく低下するのに対し、実施例４，５の垂直磁気記録媒体では、その低下の度合いが小さく、実施例４におけるＲｕ膜厚３ｎｍの垂直磁気記録媒体および実施例５におけるＲｕ膜厚５ｎｍの垂直磁気記録媒体と、比較例３におけるＲｕ膜厚１０ｎｍの垂直磁気記録媒体のＨｃがほぼ同等であることが分かる。このように、本発明による軟磁性Ｃｏ層または軟磁性ＣｏＦｅ層の挿入により、非磁性中間層であるＲｕ膜厚を１／２以下とすることが可能であることが明らかとなった。
次に、実施例４，５及び比較例１，３に係る垂直磁気記録媒体の媒体ノイズ及びＳＮＲをリード・ライトテスタにより測定した。なお、測定に使用したヘッドは、書込み／読み出しトラック幅：０．３／０．２μｍの単磁極／ＧＭＲヘッドである。表３に、実施例４，５及び比較例１，３に係る垂直磁気記録媒体の３００ｋＦＣｌにおける媒体ノイズおよびＳＮＲ、２５ｋＦＣＩにおける信号出力の減衰特性を示す。
実施例４，５及び比較例３に係る垂直磁気記録媒体では、比較例１の垂直磁気記録媒体と比較して、媒体ノイズが大きく低下し、ＳＮＲが２倍程度に向上していることが分かる。また、実施例４，５と比較例３を比べると、実施例４，５では中間層膜厚が比較例３の半分であるにもかかわらず、比較例３よりも媒体ノイズが低減され、ＳＮＲが向上している。このように、電磁変換特性からみても、軟磁性Ｃｏ層または軟磁性ＣｏＦｅ層の挿入により、非磁性中間層であるＲｕ膜厚を１／２以下とすることが可能であることが分かった。
また、信号出力の減衰特性は、実施例４及び５で比較例１、３よりも大きく改善されており、実施例４、５の媒体が熱安定性にも優れていることが分かる。
【００６２】
【表３】
2004288348.tif 000005
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明に係る垂直磁気記録媒体を説明するための断面模式図である。
【図２】実施例１及び比較例１，２に係る保磁力ＨｃのＲｕ中間層膜厚依存を示す図である。
【図３】実施例１及び比較例１，２に係る角型比ＳのＲｕ中間層膜厚依存を示す図である。
【図４】実施例１及び比較例１，２に係る媒体ノイズの線記録密度依存を示す図である。
【図５】実施例４、５及び比較例１，３に係る保磁力ＨｃのＲｕ中間層膜厚依存を示す図である。
【符号の説明】
【００６４】
１  非磁性基体
２  軟磁性裏打ち層
３  軟磁性パーマロイ系材料からなる下地層
４  軟磁性Ｃｏ層または軟磁性Ｃｏ基合金層
５  ＲｕまたはＲｕ基合金中間層  ６  磁気記録層
７  保護膜
８  液体潤滑材層
【図１】
2004288348.tif 000006
【図２】
2004288348.tif 000007
【図３】
2004288348.tif 000008
【図４】
2004288348.tif 000009
【図５】
2004288348.tif 000010