(57)【要約】【課題】  高記録密度を有する磁気記録媒体への情報書込に対応可能な高い性能を有する磁気記録ヘッドを得るための、実用的かつ効率的な製造方法を提供する。【解決手段】  互いに同等のエッチング速度を示す材料をそれぞれ用いて下部磁極１０、記録ギャップ層２０、シード層３０および上部磁極４０を順に積層する。第１の入射角度θ１でイオンビームを照射する第１のＩＢＥ処理により、上部磁極４０によって保護された領域以外の領域におけるシード層３０および記録ギャップ層２０の厚み方向の全てと下部磁極１０の厚み方向の一部とを除去したのち、第１の入射角度θ１よりも低い第２の入射角度θ２でイオンビームを照射する第２のＩＢＥ処理によってトリム構造の幅を確定する。これにより、リーディング側からトレーリング側へ向かって次第に拡大する幅を有するトリム構造を形成することができる。【選択図】  図６
2004288357.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体への情報記録を行うための磁気記録ヘッドを製造する方法であって、
基体上に下部磁極を形成する第１工程と、
前記下部磁極の上に記録ギャップ層を形成する第２工程と、
前記記録ギャップ層の上にシード層を形成する第３工程と、
前記シード層の上に、前記シード層を利用しためっき処理により、前記磁気記録媒体の記録トラック幅に対応する方向の幅が前記シード層に近い側から遠い側へ向かって広がるように上部磁極を選択的に形成する第４工程と、
前記上部磁極をマスクとして利用したイオンビームエッチングによって前記記録ギャップ層、シード層および下部磁極をトリミングし、少なくとも前記磁気記録媒体と対向する記録媒体対向面において、前記磁気記録媒体の記録トラック幅に対応する方向の幅が前記下部磁極の側から前記上部磁極の側へ向かって拡大するようにトリム構造を形成する第５工程と
を含み、前記第１ないし第４工程において、互いに同等のエッチング速度を示す材料をそれぞれ用いる
ことを特徴とする磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項２】
コバルトニッケル鉄合金（ＣｏＮｉＦｅ）を用いて前記下部磁極を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項３】
クロム（Ｃｒ）を４０％含有するニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）を用いて、前記記録ギャップ層を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項４】
５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の膜厚をなすように前記記録ギャップ層を形成する
ことを特徴とする請求項３に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項５】
ニッケル鉄クロム合金（ＮｉＦｅＣｒ）を用いて５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の膜厚をなすように前記記録ギャップ層を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項６】
ルテニウム（Ｒｕ）を用いて５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の膜厚をなすように前記記録ギャップ層を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項７】
ロジウム（Ｒｈ）を用いて５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の膜厚をなすように前記記録ギャップ層を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項８】
コバルト鉄窒化物（ＣｏＦｅＮ）を用いて１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚をなすように前記シード層を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項９】
コバルト鉄ニッケル合金（ＣｏＦｅＮｉ）を用いて、３．５μｍ以上４．０μｍ以下の膜厚をなすと共に、０．２０μｍ以上０．４０μｍ以下の最小幅と０．４５μｍ以上０．６５μｍ以下の最大幅とをなすように前記上部磁極を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記第５工程では、電圧値を７００Ｖとし、かつ、電流値を８００ｍＡとすることにより発生するアルゴンイオンビームを用いる
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記第５工程では、
第１の入射角度でイオンビームを照射する第１のイオンビームエッチング処理により、前記上部磁極によって覆われた領域を除く領域において、前記シード層および記録ギャップ層を膜厚方向に全て除去すると共に前記下部磁極を膜厚方向に一部除去したのち、
さらに、前記第１の入射角度よりも低い第２の入射角度でイオンビームを照射する第２のイオンビームエッチング処理により、前記トリム構造の、前記記録トラック幅に対応する方向の幅を確定する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
０．１５μｍ以上０．２５μｍ以下の最小幅と０．３０μｍ以上０．４０μｍ以下の最大幅とをなすように前記トリム構造を形成する
ことを特徴とする請求項１１に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
磁気記録媒体への情報記録を行うための磁気記録ヘッドであって、
積層面内の一部に突出した台座部分を有する下部磁極と、前記台座部分の上に形成された記録ギャップ層と、この記録ギャップ層の上に形成されたシード層と、このシード層の上に形成された上部磁極とを備え、
前記下部磁極、記録ギャップ層、シード層および上部磁極は、互いに同等のイオンビームエッチング速度を示す材料によりそれぞれ構成され、
前記記録ギャップ層、シード層および上部磁極は、前記磁気記録媒体の記録トラック幅に対応する方向の幅が前記台座部分と接する側から離れるにしたがって次第に拡大するように形成されたトリム構造を構成している
ことを特徴とする磁気記録ヘッド。
【請求項１４】
前記記録ギャップ層は、クロム（Ｃｒ）を４０％含有するニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）を含む
ことを特徴とする請求項１３に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項１５】
前記記録ギャップ層は、ルテニウム（Ｒｕ）を含み、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の膜厚を有する
ことを特徴とする請求項１３に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項１６】
前記記録ギャップ層は、ニッケル鉄クロム合金（ＮｉＦｅＣｒ）を含み、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の膜厚を有する
ことを特徴とする請求項１３に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項１７】
前記記録ギャップ層は、ロジウム（Ｒｈ）を含み、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の膜厚を有する
ことを特徴とする請求項１３に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項１８】
前記上部磁極は、コバルトニッケル鉄合金（ＣｏＮｉＦｅ）を含み、３．５μｍ以上４．０μｍ以下の膜厚を有する
ことを特徴とする請求項１３に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項１９】
前記トリム構造は、前記記録トラック幅に対応する方向において、０．１５μｍ以上０．２５μｍ以下の最小幅と０．３０μｍ以上０．４０μｍ以下の最大幅とを有している
ことを特徴とする請求項１３に記載の磁気記録ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体に磁気情報の書込を行う磁気記録ヘッドおよびその製造方法に関し、特に、より狭小な記録トラック幅を有する磁気記録媒体への書込に対応した磁気記録ヘッドおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録ヘッドは、磁気テープや磁気ディスクなどの磁気記録媒体に、磁気的にコード化された情報を書き込む際に使用されるものである。このような磁気記録ヘッドは、磁気記録媒体と対向するエアベアリング面（以下、ＡＢＳという。）に露出する側において、記録ギャップ層によって隔てられた２つの磁極を有している。この２つの磁極は、おおよそ馬蹄形をなしており、ＡＢＳから遠い側において互いに接続されている。これら２つの磁極の間に導電コイルが設けられている。導電コイルは、通電すると記録ギャップ層を横切るように２つの磁極間に磁界を発生させるものである。この磁界が回転動作中の磁気記録媒体における小さな磁気領域をコード化して磁気情報を書き込むようになっている。
【０００３】
技術環境における近年の急激な変化に伴い、磁気記録媒体に書き込まれる磁気情報の面内記録密度の向上に関し、継続的な改善が求められている。この面内記録密度は、磁気記録媒体の径方向における１ｍｍあたりの記録トラック数および記録トラックに沿った接線方向における１ｍｍあたりの磁束反転数によって決まるものである。近年、非常に高感度な磁気再生ヘッドが開発されていることから、誘導磁界を用いた情報記録技術の発展によって、面内記録密度をさらに向上させる方法が注目されている。
【０００４】
この磁気記録技術の向上を図るには、いくつかの手法がある。そのうちの１つは、トラック幅の狭小化であり、これによって、１ｍｍあたりの記録トラック数を増加させることができる。トラック幅が狭小化するにしたがい、記録トラック上の磁化パターンの境界を、より明確に規定する必要性が増してくる。これは、各記録トラックにおける情報読出の容易性を保証するだけでなく、隣接する記録トラックとの相互干渉を低減することとも関連する。この場合、記録ギャップ層を含む磁気記録ヘッド（のトリム構造の幅）が可能な限り小さいことが要求される。加えて、記録ギャップ層の幅を超えて広がる漏れ磁界を最小限に抑制し、選択した記録トラックから外れた部分に書込がなされないようにする必要がある。このような漏れ磁界の最小化は、対称性を有すると共に微小な間隔をなす磁極間に記録ギャップ層を設けることによって達成される。このように狭小かつ、対称性を有する磁極および記録ギャップ層を形成する方法の１つは、初めに比較的幅広の形状をなすようにそれらを形成したのち、イオンビームエッチング（Ion Beam Etching；ＩＢＥ）やミリングプロセスに代表されるエッチングプロセスにより所望の幅となるようにトリミングする方法である。このような、従来の上部磁極のトリミング方法に関しては、例えば、特許文献１に開示されている。
【０００５】
また、Armstrong等は、磁極部分のトリミング方法について開示している（特許文献２参照。）。具体的には、電気めっきを用い、ニッケル、燐を含む材料からなる記録ギャップ層を、正確な厚さとなるようにフォトレジスト層のパターン形状に合わせて形成する方法である。この方法によれば、正確な寸法の記録ギャップ層が得られるので、イオンミリングなどによりエッチング加工する別の工程を設ける必要がない。
【０００６】
また、Koshikawa等は、イオンビームエッチング法により磁極部分をトリミングするようにした磁気記録ヘッドの形成方法を開示している（特許文献３参照。）。具体的には、磁極部分のいずれか一方の側面に窪みを形成し、その窪みを非磁性材料によって充填することによって、イオンビームによる不要な副作用を排除するようにしたものである。また、Tran等は、実質的に同じ幅をなし、端面が揃えられた２つの磁極部分（リーディング側およびトレーリング側の磁極部分）を備えた磁気記録ヘッドの製造方法を開示している（特許文献４参照。）。
【特許文献１】米国特許第６２４３９３９号明細書
【特許文献２】米国特許第５９０１４３２号明細書
【特許文献３】米国特許第６１９９２６７号明細書
【特許文献４】米国特許第５５７８３４２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１に開示されたような従来のエッチングプロセスでは、比較的長い時間を消費するばかりか、トリム構造の端面の不連続性（幅寸法の不均一性）を生じることが多い。すなわち、トリム構造の端面に段差を発生させてしまう可能性が高い。この段差は記録ギャップ層が幅方向に突き出た部分であり、この部分がイオンビームに対する保護マスクとして作用してしまい、下部磁極のトリミングの妨げとなる。
【０００８】
また、上記した特許文献１〜４に開示された磁気記録ヘッドの形成方法では、最近の記録トラックのさらなる高密度に十分に対応することが困難な状況となっている。
【０００９】
本発明はかかる問題に鑑みてなされたもので、その目的は、高記録密度を有する磁気記録媒体への情報書込に対応可能な高い性能を有する磁気記録ヘッドを提供することにある。さらに、そのような磁気記録ヘッドを得るための、実用的かつ効率的な製造方法を提供することにある。なお、これに関連して、本出願人は先に、リーディング側からトレーリング側まで厚み方向に一定かつ狭小な幅をなすトリム構造を備えた磁気記録ヘッドの製造方法に関する特許出願をおこなっている（整理番号ＨＴ０２−００３；特願２００４−３８３１４）。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法は、磁気記録媒体への情報記録を行うための磁気記録ヘッドを製造する方法であって、基体上に下部磁極を形成する第１工程と、この下部磁極の上に記録ギャップ層を形成する第２工程と、この記録ギャップ層の上にシード層を形成する第３工程と、このシード層の上に、シード層を利用しためっき処理により磁気記録媒体の記録トラック幅に対応する方向の幅がシード層に近い側から遠い側へ、すなわち、リーディング側からトレーリング側へ向かって拡大するように上部磁極を選択的に形成する第４工程と、上部磁極をマスクとして利用したイオンビームエッチングによって記録ギャップ層、シード層および下部磁極をトリミングし、少なくとも磁気記録媒体と対向する記録媒体対向面において、磁気記録媒体の記録トラック幅に対応する方向の幅が下部磁極の側から上部磁極の側へ向かって拡大するようにトリム構造を形成する第５工程とを含むものである。上記の第１ないし第４工程では、互いに同等のエッチング速度を示す材料をそれぞれ用いることとする。
【００１１】
本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法では、記録トラック幅に対応する方向の幅がシード層に近い側から遠い側へ向かって拡大するように上部磁極を形成し、これをマスクとして、上部磁極と同等のエッチング速度を示す材料からなる下部磁極、記録ギャップ層およびシード層をトリミングするようにしたので、両端面に不連続な段差を生じることなく下部磁極から上部磁極へ向かって拡大するような幅を有するトリム構造が形成される。このため、磁気記録媒体への情報書込をおこなう際、磁気記録媒体上の記録トラック端における磁化遷移歪み（transition curvature）が低減され、明確な磁化パターンが形成される。
【００１２】
本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法では、コバルトニッケル鉄合金（ＣｏＮｉＦｅ）を用いて下部磁極を形成することが望ましい。
【００１３】
本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法では、クロム（Ｃｒ）を４０％含有するニッケ  ルクロム合金（ＮｉＣｒ）を用いて、記録ギャップ層を形成することが望ましく、その場合には、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の膜厚をなすようにすることが望ましい。また、ニッケル鉄クロム合金（ＮｉＦｅＣｒ）を用いて５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の膜厚をなすように記録ギャップ層を形成することもできる。さらに、ルテニウム（Ｒｕ）またはロジウム（Ｒｈ）を用いて５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の膜厚をなすように記録ギャップ層を形成するようにしてもよい。
【００１４】
本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法では、コバルト鉄窒化物（ＣｏＦｅＮ）を用いて１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚をなすようにシード層を形成することが望ましい。
【００１５】
本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法では、コバルト鉄ニッケル合金（ＣｏＦｅＮｉ）を用いて３．５μｍ以上４．０μｍ以下の膜厚をなすと共に、０．２０μｍ以上０．４０μｍ以下の最小幅と０．４５μｍ以上０．６５μｍ以下の最大幅とをなすように上部磁極を形成することが望ましい。ここで、「幅」とは、磁気記録媒体の記録トラック幅に対応する方向の幅を意味する。
【００１６】
本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法では、第５工程において、電圧値を７００Ｖとし、かつ、電流値を８００ｍＡとすることにより発生するアルゴンイオンビームを用いることが望ましい。さらに、第５工程では、第１の入射角度でイオンビームを照射する第１のイオンビームエッチング処理により、上部磁極によって覆われた領域を除く領域において、シード層および記録ギャップ層を膜厚方向に全て除去すると共に下部磁極を膜厚方向に一部除去したのち、さらに、第１の入射角度よりも低い第２の入射角度でイオンビームを照射する第２のイオンビームエッチング処理により、トリム構造の、記録トラック幅に対応する方向の幅を確定することが望ましい。ここで、「第１の入射角度よりも低い第２の入射角度」とは、第１の入射角度よりも第２の入射角度のほうが、成膜面と平行な方向により近い角度であることを意味する。
【００１７】
さらに、本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法では、０．１５μｍ以上０．２５μｍ以下の最小幅と０．３０μｍ以上０．４０μｍ以下の最大幅とをなすようにトリム構造を形成することが望ましい。
【００１８】
本発明に係る磁気記録ヘッドは、磁気記録媒体への情報記録を行うための磁気記録ヘッドであって、積層面内の一部に突出した台座部分を有する下部磁極と、この台座部分の上に形成された記録ギャップ層と、この記録ギャップ層の上に形成されたシード層と、このシード層の上に形成された上部磁極とを備えている。下部磁極、記録ギャップ層、シード層および上部磁極が、互いに同等のイオンビームエッチング速度を示す材料によりそれぞれ構成されている。さらに、記録ギャップ層、シード層および上部磁極が、磁気記録媒体の記録トラック幅に対応する方向の幅が台座部分と接する側から離れるにしたがって、すなわち、リーディング側からトレーリング側へ向かって次第に拡大するように形成されたトリム構造を構成している。
【００１９】
本発明に係る磁気記録ヘッドでは、下部磁極、記録ギャップ層、シード層および上部磁極が、互いに同等のイオンビームエッチング速度を示す材料によりそれぞれ構成され、記録ギャップ層、シード層および上部磁極が、磁気記録媒体の記録トラック幅に対応する方向の幅が台座部分と接する側から離れるにしたがって次第に拡大するように形成されたトリム構造を構成するようにしたので、磁気記録媒体への情報書込をおこなう際、磁気記録媒体上の記録トラック端における磁化遷移歪みが低減され、明確な磁化パターンの形成に好適となる。
【００２０】
本発明に係る磁気記録ヘッドでは、記録ギャップ層が、クロム（Ｃｒ）を４０％含有するニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）を含んで構成されていることが望ましい。また、記録ギャップ層は、ルテニウム（Ｒｕ）、ニッケル鉄クロム合金（ＮｉＦｅＣｒ）およびロジウム（Ｒｈ）のうちの少なくとも１つを含んで構成され、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の膜厚を有するようにしてもよい。
【００２１】
本発明に係る磁気記録ヘッドでは、上部磁極が、コバルトニッケル鉄合金（ＣｏＮｉＦｅ）を含み、３．５μｍ以上４．０μｍ以下の膜厚を有することが望ましい。
【００２２】
本発明に係る磁気記録ヘッドでは、上記のトリム構造、記録トラック幅に対応する方向において、０．１５μｍ以上０．２５μｍ以下の最小幅と０．３０μｍ以上０．４０μｍ以下の最大幅とを有していることが望ましい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法によれば、磁気記録媒体への情報記録を行うための磁気記録ヘッドを製造する方法であって、基体上に下部磁極を形成する第１工程と、この下部磁極の上に記録ギャップ層を形成する第２工程と、この記録ギャップ層の上にシード層を形成する第３工程と、このシード層の上に、シード層を利用しためっき処理により磁気記録媒体の記録トラック幅に対応する方向の幅がシード層に近い側から遠い側へ向かって広がるように上部磁極を選択的に形成する第４工程と、この上部磁極をマスクとして利用したイオンビームエッチングによって記録ギャップ層、シード層および下部磁極をトリミングし、少なくとも磁気記録媒体と対向する記録媒体対向面において、磁気記録媒体の記録トラック幅に対応する方向の幅が下部磁極から上部磁極へ向かって拡大するようにトリム構造を形成する第５工程とを含み、上記の第１ないし第４工程では、互いに同等のエッチング速度を示す材料をそれぞれ用いることとしたので、両端面に不連続な段差がなく、下部磁極から上部磁極へ向かって広がるような幅を有するトリム構造を形成することができる。したがって、極めて狭小な記録トラック幅を有する磁気記録媒体に記録する場合であっても、記録トラックの端部における磁化遷移領域をより明確に規定し、書込対象とする記録トラック上に高精度な磁化パターンを形成することができ、書込対象とする記録トラックに隣接した記録トラックの磁気記録情報を上書きしてしまうなどの記録特性上の不都合を招くことのない磁気記録ヘッドを得ることができる。
【００２４】
本発明に係る磁気記録ヘッドによれば、下部磁極、記録ギャップ層、シード層および上部磁極が、互いに同等のイオンビームエッチング速度を示す材料によりそれぞれ構成され、記録ギャップ層、シード層および上部磁極が、磁気記録媒体の記録トラック幅に対応する方向の幅が台座部分と接する側から離れるにしたがって次第に拡大するように形成されたトリム構造を構成するようにしたので、磁気記録媒体への情報書込をおこなう際、記録トラックの端部における磁化遷移歪みを低減して磁化遷移領域をより明確に規定することができる。このため、極めて狭小な記録トラック幅を有する磁気記録媒体に記録する場合であっても、書込対象とする記録トラックに隣接した記録トラックの磁気記録情報を上書きしてしまうなどの記録特性上の不都合を招くことなく、書込対象とする記録トラック上に高精度な磁化パターンを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２６】
図１〜図６は、本発明の一実施の形態に係る磁気記録ヘッドの製造方法における各製造工程を表すものである。これら図１〜図６は、いずれも、磁気記録ヘッドの、磁気記録媒体と対向する面であるエアベアリング面（以下、ＡＢＳという。）と平行な断面に相当するものである。これら図１〜図６において、Ｘ方向を「幅方向」と呼び、Ｙ方向を「膜厚方向」と呼ぶ。「幅方向」は、磁気記録媒体の記録トラック幅に対応する方向である。さらに、Ｘ方向の寸法を「幅」といい、Ｙ方向の寸法を「膜厚」または「厚み」という。なお、本発明の一実施の形態に係る磁気記録ヘッドは本実施の形態に係る磁気記録ヘッドの製造方法によって具現化されるので、以下、併せて説明する。
【００２７】
本実施の形態に係る製造方法では、まず、図１に示したように、例えば、図示しない基体上に、例えばコバルト鉄ニッケル合金（ＣｏＦｅＮｉ）などの磁性材料を用いて下部磁極１０を形成する（第１工程）。次に、この下部磁極１０の上に記録ギャップ層２０を形成する（第２工程）。ここでは、例えば４０ａｔ％（原子パーセント）のクロム（Ｃｒ）を含有するニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）などの、非磁性であると共に十分な耐腐食性を有する材料を用いて記録ギャップ層２０を形成する。膜厚は、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下とすることが望ましい。記録ギャップ層２０は、上記のＮｉＣｒのほかに、ニッケル鉄クロム合金（ＮｉＦｅＣｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）またはロジウム（Ｒｈ）を用いて形成することもできる。
【００２８】
続いて、図２に示したように、記録ギャップ層２０の上に、例えば、コバルト鉄窒化物（ＣｏＦｅＮ）を用いてシード層３０を形成する（第３工程）。ここでは、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚をなすようにシード層３０を形成することが望ましい。
【００２９】
次に、図３に示したように、シード層３０の上に、このシード層３０をめっき下地膜として利用しためっき処理により、ＣｏＦｅＮｉからなる上部磁極４０を選択的に形成する（第４工程）。この場合、上部磁極４０が、３．５μｍ以上４．０μｍ以下の膜厚をなすように形成することが望ましい。さらに、上部磁極４０は、その両端面４０Ｓが一定の傾斜をなすように形成される。すなわち、リーディング側の面（シード層３０と接する面）４０Ｌにおいて最小幅Ｗ１をなし、シード層３０から遠ざかるにしたがってその幅を広げ、トレーリング側の面（シード層３０とは反対側の面）４０Ｔにおいて最大幅Ｗ２をなすように形成される。最小幅Ｗ１は、好ましくは０．２０μｍ以上０．４０μｍ以下であり、最大幅Ｗ２は、好ましくは０．４５以上０．６５μｍ以下である。
【００３０】
ここで、リーディング側およびトレーリング側とは、上部磁極４０における、データが記録された磁気記録媒体の任意の一部分が最初に通過する側と、最後に通過する側とを意味する。すなわち、図３において、磁気記録媒体における任意の一部分は、上部磁極４０のリーディング側の面４０Ｌへ流入すると共にトレーリング側の面４０Ｔから流出するように、矢印Ｍの方向に移動する。
【００３１】
上部磁極４０を選択的に形成したのち、この上部磁極４０をマスクとして利用した第１のイオンビームエッチング（ＩＢＥ；Ion Beam Etching）処理により選択的にシード層３０を除去する。この際、イオンビームを、（成膜面と直交する方向［Ｙ方向］を０°として）例えば３０°〜４０°の入射角度（第１の入射角度）θ１で照射することが望ましい。これにより、上部磁極４０によって覆われていない領域のシード層３０は膜厚方向に全て除去され、上部磁極４０に覆われた領域のシード層３０のみ残留するので、シード層パターン３０Ａが形成される。なお、この際、記録ギャップ層２０も、膜厚方向の一部が除去される。
【００３２】
さらに、第１のＩＢＥ処理を続けておこない、記録ギャップ層２０および下部磁極１０を選択的に除去する。これにより、図５に示したように、上部磁極４０によって覆われた領域を除く領域において、記録ギャップ層２０が膜厚方向に全て除去されたうえ、下部磁極１０が膜厚方向に例えば０．２５μｍ以上０．４０μｍ以下の厚み（深さ）に対応する部分だけ除去される。この結果、上部磁極４０と、この上部磁極４０の下に残されたシード層パターン３０Ａ、記録ギャップ層パターン２０Ａおよび台座部分１０Ａとによって構成されたトリム構造を得ることができる。ここで、上記の下部磁極１０（台座部分１０Ａ）、記録ギャップ層２０（記録ギャップ層パターン２０Ａ）、シード層３０（シード層パターン３０Ａ）および上部磁極４０を構成する各材料は、イオンビームに対して、互いにほぼ同等のエッチング速度を示すものである。このため、トリム構造は、台座部分１０Ａの側から上部磁極４０の側へ向かって次第に拡大する幅を有すると共に、その端面が、突起部分を有することなく一定の傾斜をなすことができる。
【００３３】
この第１のＩＢＥ処理において、例えば、台座部分１０ＡをＣｏＮｉＦｅにより構成すると共に記録ギャップ層２０をＮｉＣｒにより構成したときには、第１の入射角度θ１を３０°，６０°，６５°とすると、台座部分１０Ａに対する記録ギャップ層２０Ａのエッチング速度比（エッチング選択比）は、それぞれ１．０７１，１．１８，１．０５２となる。また、台座部分１０ＡをＣｏＮｉＦｅにより構成すると共に記録ギャップ層２０をルテニウム（Ｒｕ）により構成したときには、第１の入射角度θ１を３０°，６０°，６５°とすると、台座部分１０Ａに対する記録ギャップ層２０Ａのエッチング速度比は、それぞれ１．０１８，０．９２５，０．８５２となる。なお、上記は、電圧値を７００Ｖとし、かつ、電流値を８００ｍＡとすることにより発生するアルゴンイオンビームを用いてＩＢＥをおこなった場合の数値実施例である。
【００３４】
さらに、図６に示したように、少なくともＡＢＳにおいて、台座部分１０Ａの側から上部磁極４０の側へ向かって幅が拡大する形状を維持したまま、さらにトリム構造をトリミングする。具体的には、図中の矢印で示したような第１の入射角度θ１よりも低い第２の入射角度θ２（好ましくは６０°〜７０°）でイオンビームを照射する第２のＩＢＥ処理により、トリム構造の最終的な幅を確定する。ここでは、トレーリング側において０．３０μｍ以上０．４０μｍ以下の最大幅Ｗ３をなし、リーディング側において０．１５μｍ以上０．２５μｍ以下の最小幅Ｗ４とをなすようにトリム構造のトリミングをおこなう。これにより、台座部分１０Ａと接する側から離れるにしたがって幅が次第に拡大するように形成され、トレーリングエッジＴＥにおいて最大幅Ｗ３をなすトリム構造が得られる。以上説明した第１および第２のＩＢＥ処理が本発明の「第５工程」に対応する一具体例である。
【００３５】
こののち、下部磁極１０および上部磁極４０に書込磁界を誘導するための薄膜コイル（図示せず）を形成し、全体を覆うように、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）からなる保護層（図示せず）を形成する。さらに、機械加工によりエアベアリング面を形成するなど、所定の工程を経ることによって磁気記録ヘッドが完成する。
【００３６】
以上、説明したように、本実施の形態によれば、下部磁極１０を形成する第１工程と、この下部磁極１０の上に記録ギャップ層２０を形成する第２工程と、この記録ギャップ層２０の上にシード層３０を形成する第３工程と、このシード層３０の上に、シード層３０を利用しためっき処理により、シード層３０に近い側から遠い側へ向かって幅が拡大するように上部磁極４０を選択的に形成する第４工程と、この上部磁極４０をマスクとして利用したイオンビームエッチングによって記録ギャップ層２０、シード層３０および下部磁極１０をトリミングし、少なくともＡＢＳにおいて、下部磁極１０の側から上部磁極４０の側へ向かって拡大するようにトリム構造を形成する第５工程とを含み、上記の第１ないし第４工程では、互いに同等のエッチング速度を示す材料をそれぞれ用いることとしたので、両端面に不連続な段差がなく、下部磁極１０の側から上部磁極４０の側へ向かって拡大するような幅を有するトリム構造を形成することができる。したがって、本実施の形態の製造方法によって得られた薄膜磁気ヘッドによれば、極めて狭小な記録トラック幅を有する磁気記録媒体に記録する場合であっても、磁気記録媒体上の記録トラックの端部における磁化遷移歪みを低減して磁化遷移領域をより明確に規定することができるので、書込対象とする記録トラックに隣接した記録トラックの磁気記録情報を上書きしてしまうなどの記録特性上の不都合を招くことなく、書込対象とする記録トラック上に高精度な磁化パターンを形成することができる。
【００３７】
特に、第１の入射角度θ１でイオンビームを照射する第１のＩＢＥ処理により、上部磁極４０によって覆われた領域を除く領域において、シード層３０および記録ギャップ層２０を膜厚方向に全て除去すると共に下部磁極１０を膜厚方向に一部除去し、さらに、第１の入射角度θ１よりも低い第２の入射角度θ２でイオンビームを照射する第２のＩＢＥ処理により、トリム構造の幅を確定するようにしたので、トリム構造の形状を高精度に画定することができ、より高精度な磁化パターンを形成可能な磁気記録ヘッドを得ることができる。
【００３８】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。すなわち当技術分野を熟知した当業者であれば理解できるように、上記実施の形態は本願発明の一具体例であり、本願発明は、上記の内容に限定されるものではない。製造方法、構造および寸法などの修正および変更は、本発明と一致する限り、好ましい具体例に対応して行われる。
【００３９】
本実施の形態では、磁気記録媒体への情報記録処理を行う磁気記録ヘッドについてのみ説明するようにしたが、例えば、上記の磁気記録媒体からの情報再生処理をおこなう再生ヘッドと一体に構成された複合型の磁気記録再生ヘッドとしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一実施の形態に係る磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０…下部磁極、１０Ａ…台座部分、２０…記録ギャップ層、２０Ａ…記録ギャップ層パターン、３０…シード層、３０Ａ…シード層パターン、４０…上部磁極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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