(57)【要約】【課題】ガスクリーニング時間を短縮し、スループットを向上させる。【解決手段】反応室１４内のガスクリーニングの際に、サセプタ１８にダミー基板２４を載置することにより穴１８ａを塞ぎ、反応室１４内に導入されるクリーニングガス２６の穴１８ａの通過を不可能とする。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する反応室と、基板を押上げ可能な押上げピンが挿通する穴が設けられたサセプタとを有し、前記反応室内で基板をサセプタに載置した状態で所定の処理を行う基板処理装置であって、
前記反応室内にクリーニングガスを導入して反応室内のクリーニングを行う際には、前記穴を塞ぐようにダミー基板を前記サセプタに載置した状態でクリーニングを行うことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、反応室のガスクリーニングによる腐食を防止することができる基板処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図２、図３は従来の基板処理装置を示す図である。基板処理装置は、基板１０を収容する反応室１４と、反応室１４内に設けられ基板１０を載置可能であるとともに、基板１０を押上げ可能な押上げピン１６が挿通する穴１８ａが設けられたサセプタ１８と、サセプタ１８を支持する石英台２０と、サセプタ１８や石英台２０などにより構成された空間内に配置されるヒータユニット２２とにより構成されている。
【０００３】
図２に示されるように、成膜処理を行う場合は、サセプタ１８に基板を載置し、図示したように反応室１４内に成膜ガス２８を導入する。このとき、サセプタ１８の穴１８ａは、基板１０により塞がれるため、成膜ガス２８がヒータユニット２２内に流入することはなく、成膜ガス２８は、図中矢印で示されるように反応室１４内を流れ、基板１０の上面、反応室１４の内壁面１４ａ、サセプタ１８及び石英台２０の外壁面１８ｂ及び２０ａを成膜する。
【０００４】
図３に示されるように、成膜された反応室１４内のガスクリーニングを行う際には、図示したように反応室１４内にクリーニングガス２６を導入するが、このとき、基板１０がサセプタ１８上から取り去られていると、穴１８ａが開いた状態となっている。従って、このような状態でクリーニングを行うと、クリーニングガス２６は、図中矢印で示されるように流れ、反応室１４の内壁面１４ａやサセプタ１８及び石英台２０の外壁面１８ｂ及び２０ａをエッチングするとともに、穴１８ａからヒータユニット２２内に入り込み、ヒータユニット２２内壁面をもエッチングする。しかしながら、成膜時には穴１８ａが基板１０により塞がれており、ヒータユニット２２内には成膜ガス２８が流れ込んではおらず、ヒータユニット２２内壁面は成膜されていないので、ヒータユニット２２の部品が直接クリーニングガス２６にさらされて腐食され、汚染源となる虞がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、従来の基板処理装置では、上述したような腐食を抑制するために、エッチレートの低い条件でガスクリーニングを行うが、その結果、クリーニング時間が長くなり、スループット低下の原因となっている。
【０００６】
本発明は、上記のような従来の課題を解決するためのものであり、ガスクリーニング時間が長いことに起因するスループット低下を解決し、短時間でガスクリーニングをすることのできる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明は、基板を収容する反応室と、基板を押上げ可能な押上げピンが挿通する穴が設けられたサセプタとを有し、前記反応室内で基板をサセプタに載置した状態で所定の処理を行う基板処理装置であって、前記反応室内にクリーニングガスを導入して反応室内のクリーニングを行う際には、前記穴を塞ぐようにダミー基板を前記サセプタに載置した状態でクリーニングを行うことを特徴とするものである。
【０００８】
なお、実施の形態においては、反応室内に、基板を押上げ可能な押上げピンが挿通する穴が設けられたサセプタを有し、前記反応室内で基板をサセプタに載置した状態で所定の処理を行う基板処理装置のクリーニング方法であって、前記反応室内にクリーニングガスを導入して反応室内のクリーニングを行う際には、前記サセプタにダミー基板を載置し、前記穴を塞いだ後にクリーニングガスを導入し前記反応室内のクリーニングを行うようにした基板処理装置のクリーニング方法が開示されている。
【０００９】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施の形態による基板処理装置の断面図を示す図であり、クリーニング時の状態を示す図である。なお、成膜時は図２に示したものと同様である。
基板処理装置は、成膜時は、図２に示したように基板１０を収容する反応室１４と、反応室１４内に設けられ基板１０を載置可能であるとともに、基板１０を押上げ可能な押上げピン１６が挿通する穴１８ａが設けられたサセプタ１８と、サセプタ１８を支持する石英台２０と、サセプタ１８や石英台２０などにより構成された空間内に配置されるヒータユニット２２と、基板１０と同様の形状を有しており、サセプタ１８に載置されることにより穴１８ａを塞いでクリーニングガスの通過を不可能とするダミー基板（閉鎖部材）２４とにより構成されている。本実施の形態の成膜処理に関しては、従来技術と同様であるので、説明を省略する。
【００１０】
次に、図１に基づいて、本実施の形態のガスクリーニングについて説明する。まず、成膜処理後、基板１０が取り去られたサセプタ１８上にダミー基板２４を載置する。次に、図示されているように、クリーニングガス２６を反応室１４内に導入する。サセプタ１８の穴１８ａは、ダミー基板２４により塞がれているので、クリーニングガス２６は、ヒータユニット２２内には流れ込まず、図中矢印で示されるように流れ、反応室１４の内壁面１４ａ、サセプタ１８及び石英台２０の外壁面１８ｂ及び２０ａをエッチングする。
【００１１】
このように、成膜処理されていないヒータユニット２２内へのクリーニングガスの流入を防止して、クリーニングガス２６によるヒータユニット２２の腐食を阻止するとともに、成膜処理された反応室１４の内壁面１４ａ、サセプタ１８及び石英台２０の外壁面１８ｂ及び２０ａのみをエッチングすることができるので、エッチレートの高いガスクリーニング条件を使用することができ、ガスクリーニング時間を短縮することができる。
【００１２】
また、ダミー基板２４は、繰り返し使用することができるが、繰り返し使用することで劣化し、破損することがあるので、シリコン素材（シリコンウェハ）ではなく、耐久性の高いカーボン（カーボンウェハ）を素材に使用することにより、交換頻度を少なくすることができる。
【００１３】
なお、ダミー基板２４の形状は、サセプタ１８の穴１８ａを塞いでクリーニングガス２６の穴１８ａの通過を防止することができるものであれば、前記実施の形態に示した形状に限定されるものではない。
また、ダミー基板２４の素材も前記実施の形態に示したものに限定されるものではない。
【００１４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、基板を収容する反応室と、基板を押上げ可能な押上げピンが挿通する穴が設けられたサセプタとを有し、前記反応室内で基板をサセプタに載置した状態で所定の処理を行う基板処理装置であって、前記反応室内にクリーニングガスを導入して反応室内のクリーニングを行う際には、前記穴を塞ぐようにダミー基板を前記サセプタに載置した状態でクリーニングを行うようにしたため、ヒータユニットへのクリーニングガスの回り込みを防止し、ヒータユニットのエッチングを阻止することができるので、高いエッチレートでのガスクリーニングを可能とすることができる。その結果、ガスクリーニング時間を短縮することができ、スループットを向上させることができるとともに、使用するガス量を少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態におけるガスクリーニング時の状態を示す図である。
【図２】成膜時の状態を示す図である。
【図３】従来技術におけるガスクリーニング時の状態を示す図である。
【符号の説明】
１０　基板、１４　反応室、１６　押上げピン、１８　サセプタ、１８ａ　穴、２４　ダミー基板（閉鎖部材）、２６　クリーニングガス。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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