(57)【要約】【課題】低ランニングコストで基板の両主面に互いに異なる処理液を供給して所定の処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】基板Ｗの表面に向けて第１処理液を供給して回込防止処理を行うとともに、基板の裏面に向けて第２処理液を供給して膜除去処理を行う基板処理装置において、第１および第２処理液として、互いに難溶性のフッ素系不活性液体およびフッ酸水溶液を用いている。このため、これらの処理液を回収するタンク９１では、フッ素系不活性液体がフッ酸水溶液の下に位置し、しかも完全に分離した状態で貯溜される。そこで、フッ素系不活性液体およびフッ酸水溶液をそれぞれ分離してノズル２５、１６に供給して再利用する。これによりフッ素系不活性液体およびフッ酸水溶液の消費量が抑制され、ランニングコストが低減される。【選択図】        図１
2004228467.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方主面に向けて第１処理液を供給する第１供給手段と、
前記基板の他方主面に向けて前記第１処理液と異なり、しかも前記第１処理液に対して難溶性の第２処理液を供給する第２供給手段と、
前記基板に向けて供給された第１および第２処理液を回収する回収手段と
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記回収手段から前記第１処理液を選択的に分離して前記基板の一方主面に向けて再度供給する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記回収手段から前記第２処理液を選択的に分離して前記基板の他方主面に向けて再度供給する請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１処理液が無極性溶液である一方、前記第２処理液が極性溶液である請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１処理液はフッ素系不活性液体を含む処理液である請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記フッ素系不活性液体は、一般式
（Ｃ（ｎ）Ｆ（２ｎ＋１）−Ｏ−Ｒ１）
（但し、Ｒ１はアルキル基、ｎは自然数）で示される請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記フッ素系不活性液体は、エチルパーフルオロブチルエーテル（Ｃ４Ｆ９−Ｏ−Ｃ２Ｈ５）である請求項５または６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第２処理液はフッ酸、塩酸、リン酸、過酸化水素水、オゾン、アンモニア、フッ化アンモニウムのいずれか一種以上を含む処理液である請求項５ないし７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
複数の基板を互いに離隔して保持する基板保持手段をさらに備え、
前記複数の基板の一方主面への前記第１処理液の供給が同時に行われる一方、前記複数の基板の他方主面への前記第２処理液の供給が同時に行われる請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記基板の一方主面への前記第１処理液の供給と、前記基板の他方主面への前記第２処理液の供給とが同時に行われる請求項１ないし９のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記基板を回転させる基板回転手段をさらに備えた請求項１ないし１０のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１２】
基板の一方主面に向けて第１処理液を供給して第１基板処理を行うとともに、前記基板の他方主面に向けて前記第１処理液と異なる第２処理液を供給して第２基板処理を行い、前記基板に向けて供給された第１および第２処理液を回収手段に回収する基板処理方法において、
前記第１および第２処理液は互いに難溶性であり、前記回収手段から第１処理液を選択的に分離して前記基板の一方主面に向けて再度供給することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１３】
前記回収手段から第２処理液を選択的に分離して前記基板の他方主面に向けて再度供給する請求項１２記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記第１基板処理および前記第２基板処理を行った後、前記基板の両主面に純水を供給して水洗処理を施す請求項１２または１３記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記水洗処理を行った後、前記基板を乾燥させる請求項１４記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板、プリント基板、光学用ガラス・樹脂基板などの各種基板（以下、単に「基板」という）の両主面に互いに異なる処理液を供給して所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この種の基板処理装置としては、例えば基板の裏面にフッ酸（ＨＦ）、リン酸（Ｈ２ＰＯ３）やＫＯＨ水溶液などの処理液を供給して膜除去処理を施す一方、該処理液が基板の表面側に回り込んで基板表面がエッチングされるのを防止するために基板の表面に純水を供給して回込防止処理を施すものが知られている（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特許第３１３４４８３号公報（第２頁、図１）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来装置では、基板の表面に純水を供給するとともに、基板の裏面にフッ酸溶液などの膜除去用処理液を供給している。そして、このように供給された純水および膜除去用処理液を回収タンクなどの回収手段にまとめて回収している。したがって、この回収手段では、純水および膜除去用処理液が互いに混合することとなり、膜除去用処理液の濃度が低下してしまう。その結果、回収された処理液の再利用が困難となっており、このことがランニングコストの増大要因のひとつとなっていた。
【０００５】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、低ランニングコストで基板の両主面に互いに異なる処理液を供給して所定の処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明は、上記目的を達成するため、基板の一方主面に向けて第１処理液を供給する第１供給手段と、基板の他方主面に向けて第１処理液と異なり、しかも第１処理液に対して難溶性の第２処理液を供給する第２供給手段と、基板に向けて供給された第１および第２処理液を回収する回収手段とを備えている。
【０００７】
このように構成された発明（基板処理装置）では、基板の一方主面に第１処理液が供給されるとともに、該基板の他方主面に第２処理液が供給され、基板の各主面に対して所定の処理が施される。そして、基板に向けて供給された第１および第２処理液は回収手段に回収されるが、第２処理液は第１処理液に対して難溶性を有している、つまり第１および第２処理液は互いに難溶性であるため、第１および第２処理液は、例えば水と油のごとく、回収手段内で互いに分離した状態で存在している。したがって、各処理液を回収手段から容易に、しかも確実に選択的に分離することが可能となっており、処理液の再利用が容易となり、消費量が抑制されてランニングコストの低減が可能となる。例えば、回収手段から第１処理液を選択的に分離して基板の一方主面に向けて再度供給すると、第１処理液を再利用しながら基板の一方主面に対する処理が実行されるため、第１処理液の消費量が抑制されてランニングコストの低減が可能となる。また、回収手段から第２処理液を選択的に分離して基板の他方主面に向けて再度供給すると、第２処理液を再利用しながら基板の他方主面に対する処理が実行されるため、第２処理液の消費量が抑制されてランニングコストの低減が可能となる。
【０００８】
もちろん、回収手段から第１および第２処理液をそれぞれ選択的に分離して対応する基板主面に再度供給するようにしてもよい。すなわち、回収手段から選択的に分離された第１処理液を基板の一方主面に向けて供給するとともに、回収手段から選択的に分離された第２処理液を基板の他方主面に向けて供給することで、第１および第２処理液の再利用により処理液の消費量がさらに抑制されてランニングコストの低減効果をさらに高めることができる。
【０００９】
ここで、互いに難溶性である第１および第２処理液の組み合わせとしては、例えば無極性溶液と極性溶液との組み合わせを採用することができる。また、第１処理液としてフッ素系不活性液体を含む処理液を用いることができる。このフッ素系不活性液体として、一般式
（Ｃ（ｎ）Ｆ（２ｎ＋１）−Ｏ−Ｒ１）
（但し、Ｒ１はアルキル基、ｎは自然数）で示されるものを用いることができる。特に、フッ素系不活性液体として、エチルパーフルオロブチルエーテル（Ｃ４Ｆ９−Ｏ−Ｃ２Ｈ５）を用いるのが好適である。また、第１処理液としてフッ素系不活性液体を含む処理液を用いるのに対応して、第２処理液として、例えばフッ酸、塩酸、リン酸、過酸化水素水、オゾン、アンモニア、フッ化アンモニウムのいずれか一種以上を含む処理液を用いることができる。
【００１０】
また、第１および第２処理液による処理を、いわゆる枚葉方式（基板１枚ずつ処理する方式）で実行してもよいし、バッチ方式（複数の基板を一括して処理する方式）で実行してもよい。特に後者の方式で実行する場合には、複数の基板を互いに離隔して保持する基板保持手段をさらに備え、複数の基板の一方主面への第１処理液の供給を同時に行う一方、複数の基板の他方主面への第２処理液の供給を同時に行う。
【００１１】
また、基板の一方主面への第１処理液の供給タイミングと、基板の他方主面への第２処理液の供給タイミングとの関係については、特に限定されるものではないが、例えばこれらを同時に行うようにしてもよい。
【００１２】
また基板を回転させる基板回転手段をさらに設けてもよく、基板回転手段により基板を回転させることで、基板に付着した処理液が回転動作に伴う遠心力によって基板から振り切られ、処理液を効率良く回収することができ、ランニングコストの低減にとって有利となる。
【００１３】
この発明は、基板の一方主面に向けて第１処理液を供給して第１基板処理を行うとともに、基板の他方主面に向けて第１処理液と異なる第２処理液を供給して第２基板処理を行い、基板に向けて供給された第１および第２処理液を回収手段に回収する基板処理方法であって、上記目的を達成するため、第１および第２処理液は互いに難溶性であり、回収手段から第１処理液を選択的に分離して基板の一方主面に向けて再度供給している。
【００１４】
このように構成された発明（基板処理方法）においても、上記装置と同様に、第１および第２処理液は互いに難溶性であるため、回収手段内で互いに分離した状態で存在している。したがって、各処理液を回収手段から容易に、しかも確実に選択的に分離することが可能となっており、この発明では回収手段から第１処理液を選択的に分離することができ、分離した第１処理液を基板の一方主面に向けて再度供給する、つまり第１処理液を再利用しているので、第１処理液の消費量が抑制されてランニングコストの低減が可能となる。
【００１５】
もちろん、回収手段から第１および第２処理液をそれぞれ選択的に分離して対応する基板主面に再度供給するようにしてもよく、このように第１および第２処理液の再利用により処理液の消費量がさらに抑制されてランニングコストの低減効果をさらに高めることができる。
【００１６】
また、第１基板処理および第２基板処理を行った後、基板の両主面に純水を供給して水洗処理を施したり、さらに水洗処理後に基板を乾燥させるようにしてもよい。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置全体の概略構成を示す縦断面図である。また図２は、図１の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は、図１に示すように、スピンチャック１により基板Ｗを保持した状態で、その基板Ｗに対して膜除去処理、リンス処理、乾燥処理を同一装置内で実行する。
【００１８】
このスピンチャック１は、基板裏面側の遮断部材としての機能を兼ねた円盤状のベース部材２と、その上面に設けられた３個以上の保持部材３とを備えている。これらの保持部材３のそれぞれは基板Ｗの外周端部を下方から載置支持する支持部３ａと、基板Ｗの外周端縁の位置を規制する規制部３ｂとを有しており、これらの保持部材３をベース部材２の外周端部付近に設けている。また、各規制部３ｂは、基板Ｗの外周端縁に接触して基板Ｗを保持する作用状態と、基板Ｗの外周端縁から離れて基板Ｗの保持を解除する非作用状態とを採り得るように構成されており、非作用状態で搬送ロボット（図示省略）によって支持部３ａに対する基板Ｗの搬入／搬出を行う一方、基板Ｗの表面を上側にして支持部３ａに載置された後で各規制部３ｂを作用状態に切替えることで基板Ｗがスピンチャック１に保持される。なお、この保持部材３（規制部３ｂ）の動作は、例えば、特開昭６３−１５３８３９号公報に開示されているリンク機構などで実現することができる。
【００１９】
また、ベース部材２の下面には、回転軸４の上方端部が取り付けられている。そして、この回転軸４の下方端部にプーリ５ａが固着されるとともに、このプーリ５ａとモータ５の回転軸に固着されたプーリ５ｂとの間にベルト５ｃが掛け渡されており、モータ５からの回転駆動力がベルト５ｃを介して回転軸４に伝達されるように構成されている。このため、モータ５を駆動することでスピンチャック１に保持された基板Ｗは基板Ｗの中心周りに回転される。このように、この実施形態では、モータ５の回転駆動力をプーリ５ａ，５ｂ、ベルト５ｃからなる動力伝達機構によって回転軸４に伝えてスピンチャック１に保持された基板Ｗを回転させており、回転軸４、プーリ５ａ，５ｂ、ベルト５ｃおよびモータ５により本発明の「基板回転手段」が構成されている。
【００２０】
ベース部材２の中央部にはノズル６が設けられている。ノズル６は中空の回転軸４の中心軸に沿って内設された管７や、管８を介して基板裏面に処理液を供給する液供給部５０および循環供給部６０に接続されている。なお、液供給部５０および循環供給部６０の構成および動作について後で詳述する。
【００２１】
また、ベース部材２の中央部にはノズル６と同軸に開口１６が設けられている。この開口１６は、上記管７と同軸に回転軸４内に設けられた中空部１７や、開閉弁１８を介装した管１９を介してガス供給部２０に連通接続されている。このため、開閉弁１８を開にすることにより、遮断部材としてのベース部材２と基板Ｗの裏面との間の空間に不活性ガス（例えば、窒素ガス）を供給し、その空間を不活性ガス雰囲気にパージし得るように構成されている。
【００２２】
スピンチャック１の上方には遮断部材２１が設けられている。この遮断部材２１は、鉛直方向に配設された懸垂アーム２２の下端部に取り付けられている。また、この懸垂アーム２２の上方端部には、モータ２３が設けられ、モータ２３を駆動することにより、遮断部材２１が懸垂アーム２２を回転中心として回転されるようになっている。なお、スピンチャック１の回転軸４の回転軸芯と懸垂アーム２２の回転軸芯とは一致されていて、遮断部材としてのベース部材２、スピンチャック１に保持された基板Ｗ、遮断部材２１は同軸周りに回転されるようになっている。また、モータ２３は、スピンチャック１（に保持された基板Ｗ）と同じ方向でかつ略同じ回転速度で遮断部材２１を回転させるように構成されている。
【００２３】
遮断部材２１の中央部にはノズル２５が設けられている。ノズル２５は、中空の懸垂アーム２２の中心軸に沿って内設された管２６や、管２７を介して基板表面に処理液を供給する液供給部７０および循環供給部８０に接続されている。なお、液供給部７０および循環供給部８０の構成および動作について後で詳述する。
【００２４】
また、遮断部材２１の中央部にはノズル２５と同軸に開口３５が設けられている。この開口３５は、上記管２６と同軸に懸垂アーム２２内に設けられた中空部３６や、開閉弁３７を介装した管３８を介してガス供給部３９に連通接続されている。そして、スピンチャック１に保持された基板Ｗの表面に遮断部材２１が近接配置された状態で、開閉弁３７を開にすることにより、遮断部材２１と基板Ｗの表面との間の空間に不活性ガス（例えば、窒素ガス）を供給し、その空間を不活性ガス雰囲気にパージし得るように構成されている。
【００２５】
スピンチャック１の周囲には、後で詳述する処理液の周囲への飛散を防止するカップ４０が配設されている。カップ４０の底部には、カップ４０で補集された処理液を回収する回収部９０が設けられている。この回収部９０はカップ４０で補集された処理液を貯溜するためのタンク９１を有しており、開閉弁９２を介装した管９３を介してカップ４０の底部に連通接続されている。また、この管９３はカップ４０と開閉弁９２との間で分岐し、この分岐管９４に開閉弁９５が介装されている。このため、開閉弁９２を開にするとともに、開閉弁９５を閉にすることでカップ４０に補集された処理液がタンク９１に送られて回収される。逆に開閉弁９２を閉にするとともに、開閉弁９５を開にすることでカップ４０に補集された処理液は装置外に排液される。
【００２６】
次に、液供給部５０の構成について説明する。この液供給部５０は、フッ酸を供給するフッ酸供給源５１と、純水を供給する純水供給源５２とを備えている。そして、フッ酸供給源５１が開閉弁５３を介装した管５４を介してミキシングユニット５５に接続される一方、純水供給源５２が開閉弁５６を介装した管５７を介してミキシングユニット５５に接続されている。そして、装置全体を制御する制御部１００からの制御指令に応じて開閉弁５３、５６の開閉の切換によりミキシングユニット５５から管８にフッ酸水溶液または純水を選択的に基板Ｗの裏面に向けて供給可能となっている。すなわち、開閉弁５３、５６をともに開とすると、フッ酸および純水がミキシングユニット５５に供給されて所定濃度のフッ酸水溶液が調合される。そして、このフッ酸水溶液が管８を介してノズル６から基板Ｗの裏面に向けて吐出されて該基板裏面に付着する膜をエッチング除去する。この実施形態では液供給部５０を本発明の「第２供給手段」として機能させており、フッ酸水溶液を本発明の「第２処理液」として基板Ｗの裏面に対して膜除去処理を行う。また、開閉弁５６のみを開とすると、管８を介してノズル６から純水が基板Ｗの裏面に供給されて水洗処理を行うことができる。
【００２７】
次に、基板表面側の液供給部７０の構成について説明する。この液供給部７０は、本発明の「第１処理液」としてフッ素系不活性液体を供給する不活性液体供給源７１と、純水を供給する純水供給源７２とを備えている。そして、不活性液体供給源７１が開閉弁７３を介装した管７４を介して管２６に接続される一方、純水供給源７２が開閉弁７５を介装した管７６を介して管２６に接続されている。そして、装置全体を制御する制御部１００からの制御指令に応じて開閉弁７３、７５の開閉の切換によりノズル２５からフッ素系不活性液体または純水を選択的に基板Ｗの表面に向けて供給可能となっている。すなわち、開閉弁７３を開とする一方、開閉弁７５を閉とすることによって、管２６を介してノズル２５からフッ素系不活性液体が基板Ｗの表面に向けて吐出される。このように本実施形態では液供給部７０が本発明の「第１供給手段」として機能している。
【００２８】
ここで、不活性液体供給源７１にあるフッ素系不活性液体は、不活性な素材であって金属、プラスチック、ゴム等の構成材料を侵さず、不燃性で環境に負荷を与えない。本発明におけるフッ素系不活性液体の一般構造式を以下に示す。
【００２９】
【化１】
2004228467.tif 000003
【００３０】
但し、Ｒ１はアルキル基であり、ｎは自然数である。この実施形態では、フッ素系不活性液体としてエチルパーフルオロブチルエーテルを用いている。エチルパーフルオロブチルエーテルの構造式を以下に示す。
【００３１】
【化２】
2004228467.tif 000004
【００３２】
また、このフッ素系不活性液体と水とは混ざり合わない、つまり相互に難溶性となっている。具体的には、フッ素系不活性液体への水の溶解度は１００ｐｐｍ（Ｗｔ）未満となり、またフッ素系不活性液体の水への溶解度は数十ｐｐｍ（Ｗｔ）未満となっている。このため、上記のようにしてフッ素系不活性液体が基板Ｗの表面に供給されて基板表面を覆うと、フッ酸水溶液（第２処理液）が基板Ｗの表面に回り込むのを防止する、つまり回込防止処理を実行することができる。この点で単に基板表面に純水で供給していた従来装置よりも高い回込防止効果が得られる。
【００３３】
ところで、このように基板表面に対して回込防止処理を実行しながら、基板裏面に対して膜除去処理を実行すると、フッ素系不活性液体とフッ酸水溶液がタンク９１に回収されるが、両者は互いに難溶性であり、しかもフッ素系不活性液体の比重はフッ酸水溶液のそれよりも高いため、該タンク９１では図１に示すようにフッ素系不活性液体がフッ酸水溶液の下に位置し、しかも完全に分離した状態で貯溜される。そこで、この実施形態では、タンク９１の底部側からフッ素系不活性液体を選択的に分離してノズル２５に再供給するように循環供給部８０が設けられる一方、タンク９１の中間側からフッ酸水溶液を選択的に分離してノズル６に再供給するように循環供給部６０が設けられている。
【００３４】
この循環供給部６０では、管６１がタンク９１の略中央側面部に取り付けられており、その管６１の取付レベルからフッ酸水溶液を取り出し可能となっている。この管６１には、ポンプ６２、フィルタ６３および開閉弁６４が介装されており、制御部１００からの制御指令に応じて開閉弁６４が開となっている状態でポンプ６２を作動させると、管６１の取付レベルからタンク９１内のフッ酸水溶液が管６１と管８との結合位置に圧送される。そして、そのフッ酸水溶液が管８を介してノズル６から吐出されてタンク９１内のフッ酸水溶液を再利用可能となっている。また、この管６１はタンク９１とポンプ６２との間で分岐し、この分岐管６６に開閉弁６５が介装されている。このため、開閉弁６４を開にするとともに、開閉弁６５を閉にすることでタンク９１内のフッ酸水溶液を上記のようにして再利用することができる一方、開閉弁６４を閉にするとともに、開閉弁６５を開にすることでタンク９１内のフッ酸水溶液を装置外に排液することができる。
【００３５】
一方、循環供給部８０は、管８１がタンク９１の底面部に取り付けられ、必要に応じてタンク９１内のフッ素系不活性液体をノズル２５に圧送するように構成されている点で、上記のようにフッ酸水溶液をノズル６に圧送する循環供給部６０と相違するのみで、基本的な構成は循環供給部６０と同一である。すなわち、この循環供給部８０では、管８１にポンプ８２、フィルタ８３および開閉弁８４が介装されており、制御部１００からの制御指令に応じて開閉弁８４が開となっている状態でポンプ８２を作動させると、タンク９１内のフッ素系不活性液体が管２６を介してノズル２５から吐出されてタンク９１内のフッ素系不活性液体を再利用可能となっている。すなわち、開閉弁８４を開にするとともに、開閉弁８５を閉にすることでタンク９１内のフッ素系不活性液体を上記のようにして再利用することができる。一方、開閉弁８４を閉にするとともに、開閉弁８５を開にすることでタンク９１内のフッ素系不活性液体を装置外に排液することができる。
【００３６】
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図３を参照しつつ説明する。図３は、図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。この基板処理装置では、搬送ロボットにより未処理基板Ｗがスピンチャック１に搬送され、保持部材３により保持された（ステップＳ１）後、装置全体を制御する制御部１００により装置各部が以下のように制御されて膜除去処理、リンス処理、乾燥処理がこの順序で行われる。なお、この段階では、排液用の開閉弁６５、８５、９６を閉じる一方、開閉弁９２を開いてカップ４０で補集した処理液をタンク９１に回収可能とする。また、その他の開閉弁については閉とする。
【００３７】
ステップＳ２で、スピンチャック１に保持された基板Ｗの表面に遮断部材２１を近接配置させた後、基板Ｗがベース部材２と遮断部材２１とに挟まれた状態で、モータ５の駆動を開始してスピンチャック１とともに基板Ｗを回転させる。また、開閉弁７３を開いて液供給部７０からフレッシュなフッ素系不活性液体をノズル２５に圧送する。これにより該ノズル２５から基板Ｗの表面へのフッ素系不活性液体の供給が開始される（ステップＳ３）。こうして、基板Ｗを回転しながらフッ素系不活性液体を基板表面に供給することによって基板表面全体がフッ素系不活性液体の液層で覆われる。
【００３８】
次に、開閉弁５３、５６をともに開いてフッ酸および純水をミキシングユニット５５に供給し、所定濃度のフッ酸水溶液を調合するとともに、該フッ酸水溶液（第２処理液）をノズル６に圧送する。これにより該ノズル６から基板Ｗの裏面へのフッ酸水溶液の供給が開始される（ステップＳ４）。これにより、基板Ｗの裏面に付着する膜のエッチング除去が開始される。
【００３９】
このように、基板表面に対してフッ素系不活性液体による回込防止処理（第１基板処理）を実行しながら、基板裏面に対して膜除去処理（第２基板処理）を実行しているが、これらの基板処理（回込防止処理＋膜除去処理）の継続にともなってタンク９１に、基板Ｗに向けて供給された処理液（フッ素系不活性液体＋フッ酸水溶液）が貯溜されていく。そして、タンク９１に回収された処理液量が所定量、例えば図１に示すように回収処理液の上面が管６１の取付レベルを超えて循環供給部６０によりフッ酸水溶液をタンク９１から取り出すことが可能となる分だけ貯溜される（ステップＳ５）と、各処理液の供給経路を切り換える（ステップＳ６）。
【００４０】
フッ素系不活性液体側については、開閉弁７３を閉じて新たなフッ素系不活性液体のノズル２５への供給を停止すると同時に、開閉弁８４を開くとともにポンプ８２を作動させてタンク９１からフッ素系不活性液体を選択的に分離してノズル２５に圧送する。これによりフッ素系不活性液体の循環経路（タンク９１−循環供給部８０−管２７、２６−ノズル２５）が形成され、回込防止処理が継続される。
【００４１】
一方、フッ酸水溶液側については、開閉弁５３、５６を閉じて新たなフッ酸水溶液のノズル６への供給を停止すると同時に、開閉弁６４を開くとともにポンプ６２を作動させてタンク９１からフッ酸水溶液を選択的に分離してノズル６に圧送する。これによりフッ酸水溶液の循環経路（タンク９１−循環供給部６０−管８、７−ノズル６）が形成され、膜除去処理が継続される。
【００４２】
そして、ステップＳ７で膜除去処理が完了したことが確認されると、ポンプ６２を停止させるとともに、開閉弁６４を閉じてタンク９１からのフッ酸水溶液の圧送を停止した後、基板Ｗを高速回転させてフッ酸水溶液を振り切ってタンク９１に回収する（ステップＳ８）。これにより効率良くフッ酸水溶液を回収することができる。なお、この段階では、循環供給部８０による基板表面へのフッ素系不活性液体の供給が継続されており、フッ酸水溶液の液切り（ステップＳ８）時にフッ酸水溶液が基板Ｗの表面に付着するのを防止している。
【００４３】
次のステップＳ９では、フッ素系不活性液体の液切りを実行する。すなわち、ポンプ８２を停止させるとともに、開閉弁８４を閉じてタンク９１からのフッ素系不活性液体の圧送を停止した後、基板Ｗの高速回転によりフッ素系不活性液体を振り切ってタンク９１に回収する。これにより効率良くフッ素系不活性液体を回収することができる。
【００４４】
こうしてフッ素系不活性液体およびフッ酸水溶液の回収が完了すると、開閉弁９２を閉じるとともに、開閉弁９５を開いてカップ４０に補集された処理液を装置外に排液可能に設定する。また、開閉弁５６、７５を一定時間だけ開いて基板Ｗの両主面に純水を供給して基板Ｗに対して水洗処理を施す（ステップＳ１０）。また、その水洗処理に続いて、開閉弁１８，３７を一定時間だけ開いて不活性ガスを回転している基板Ｗの両主面に吹き付けて乾燥処理を行う（ステップＳ１１）。
【００４５】
こうして、一連の基板処理（膜除去処理＋回込防止処理、水洗処理および乾燥処理）が完了すると、遮断部材２１をスピンチャック１に保持された基板Ｗの表面から離間させるとともに、保持部材３による基板保持を解除した後、搬送ロボットが処理済の基板Ｗを次の基板処理装置に搬出する。
【００４６】
以上のように、この実施形態によれば、回込防止処理を行うためにフッ酸水溶液に対して難溶性を有するフッ素系不活性液体を用いているため、回収部９０のタンク９１ではフッ素系不活性液体とフッ酸水溶液とは互いに分離して存在することとなる。そして、該タンク９１からフッ素系不活性液体を分離してノズル２５に供給して再利用するとともに、該タンク９１からフッ酸水溶液を分離してノズル６に供給して再利用しているので、フッ酸水溶液およびフッ素系不活性液体の消費量を抑制することができ、ランニングコストを大幅に低減させることができる。
【００４７】
図４は、本発明にかかる基板処理装置の他の実施形態を示す図である。この実施形態は先の実施形態と大きく相違する点は、先の実施形態は基板Ｗを１枚ずつ処理する、いわゆる枚葉式であるのに対し、この実施形態では複数（ここでは３枚）の基板Ｗを一括して処理する、いわゆるバッチ方式となっている点である。
【００４８】
すなわち、この基板処理装置では、処理容器の内部に、基板表面に向けて処理液を供給する表面用ノズル２５と、基板裏面に向けて処理液を供給する裏面用ノズル１６とが同図に示すように交互に上下方向に離間配置されている。そして、ノズル２５、１６に挟まれた空間のそれぞれに基板Ｗが１枚ずつ位置するように、複数の基板Ｗが基板保持部（図示省略）により回転自在に保持されている。なお、ここでは、ノズル１６に対して基板裏面が対向するとともに、ノズル２５に対して基板表面が対向するように配置されている。よって、基板Ｗは１枚おきに表裏が逆に配置される。なお、その他の構成は基本的に先の実施形態と同一であるため、同一構成については同一符号を付して説明を省略する。
【００４９】
このように構成された基板処理装置においても、図３に示す動作手順にて一連の基板処理（膜除去処理＋回込防止処理、水洗処理および乾燥処理）が実行され、先の実施形態と同様の作用効果が得られる。すなわち、タンク９１からフッ素系不活性液体を分離してノズル２５に供給して再利用するとともに、該タンク９１からフッ酸水溶液を分離してノズル１６に供給して再利用しているので、フッ酸水溶液およびフッ素系不活性液体の消費量を抑制することができ、ランニングコストを大幅に低減させることができる。
【００５０】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、膜除去処理を開始するのに先立って、フッ素系不活性液体を基板表面に供給して回込防止処理を開始しているが、膜除去処理および回込防止処理を同時に開始するようにしてもよい。
【００５１】
また、液晶のガラス基板の処理のように水平に移動する基板に対して片面にスプレー等による処理を行っているときに逆の面にフッ素系不活性液体を使用して基板を保護するようにしても良い。
【００５２】
また、上記実施形態では、フッ素系不活性液体として、エチルパーフルオロブチルエーテル（Ｃ４Ｆ９−Ｏ−Ｃ２Ｈ５）を用いてきたが、フッ素系不活性液体はこれに限定されるものではない。化１のような構造を有するものであれば、メチルパーフルオロイソブチルエーテル、エチルパーフルオロブチルエーテル、プロピルパーフルオロブチルエーテル、プロピルパーフルオソイソブチルエーテル、メチルパーフルオロプロピルエーテル、メチルパーフルオロイソプロピルエーテル、エチルパーフルオロプロピルエーテル、エチルパーフルオロイソプロピルエーテル、メチルパーフルオロペンチルエーテル、または、エチルパーフルオロペンチルエーテルであってもよい。
【００５３】
また、上記実施形態では、フッ素系不活性液体（第１処理液）とフッ酸水溶液（第２処理液）の両方を再利用しているが、いずれか一方のみ、例えばフッ素系不活性液体（第１処理液）のみを再利用するようにしてもよい。
【００５４】
また、上記実施形態では、第２処理液としてフッ酸水溶液を用いて基板裏面を処理しているが、第２処理液の種類はこれに限定されるものではなく、例えばフッ酸、塩酸、リン酸、過酸化水素水、オゾン、アンモニア、フッ化アンモニウムのいずれか一種以上を含む処理液を用いることができる。また、上記実施形態では、基板表面に回込防止処理を施しながら、基板裏面に膜除去処理を施しているが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、基板の両主面に互いに異なる処理液を供給して所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法全般に適用することができる。すなわち、互いに難溶性の２種類の処理液を準備し、少なくともその一方の処理液を再利用することで上記実施形態と同様の作用効果が得られる。ここで、互いに難溶性である２種類の処理液の組み合わせとしては、上記実施形態で示した組み合わせ（フッ酸水溶液、フッ素系不活性液体）以外に、例えば無極性溶液と極性溶液との組み合わせを採用することができる。
【００５５】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、互いに難溶性の第１および第２処理液をそれぞれ基板の一方主面および他方主面に向けて供給して所定の処理を実行するとともに、回収手段から第１処理液を選択的に分離し、この分離した第１処理液を基板の一方主面に向けて再度供給して上記処理を行うように構成しているので、処理液の再利用が容易となり、処理液の消費量を抑制することができ、その結果ランニングコストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置全体の概略構成を示す縦断面図である。
【図２】図１の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。
【図３】図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図４】本発明にかかる基板処理装置の他の実施形態を示す図である。
【符号の説明】
４…回転軸（基板回転手段）
５…モータ（基板回転手段）
５ａ，５ｂ…プーリ（基板回転手段）
５ｃ…ベルト（基板回転手段）
５０…液供給部（第２供給手段）
７０…液供給部（第１供給手段）
９０…回収部（回収手段）
９１…タンク（回収手段）
Ｗ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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