(57)【要約】【課題】基板上に形成される酸化亜鉛系薄膜の極性制御を簡単且つ容易に行うことができるようにする。【解決手段】ＺｎＯ基板１の極性を判別し、亜鉛極性を有するＺｎＯ薄膜を得たい場合は、ＺｎＯ基板１の亜鉛極性面１ａ上にＺｎＯ薄膜２を形成し、酸素極性を有するＺｎＯ薄膜を得たい場合は、ＺｎＯ基板１の酸素極性面１ｂ上にＺｎＯ薄膜を形成する。これにより極性によって異なる性質を有する所望のＺｎＯ薄膜を簡単且つ容易に得ることができる。【選択図】　図１
2004022626.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化亜鉛を主成分とする単結晶基板の亜鉛極性面及び酸素極性面の少なくともいずれか一方の極性面が選択され、該選択された極性面上に酸化亜鉛を主成分とした少なくとも１層以上の薄膜が形成されていることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】
前記薄膜が前記酸化亜鉛を主成分とする単結晶基板の前記亜鉛極性面上に形成されている場合は、前記薄膜は亜鉛極性を有し、前記薄膜が前記酸化亜鉛を主成分とする単結晶基板の前記酸素極性面上に形成されている場合は、前記薄膜は酸素極性を有していることを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項３】
酸化亜鉛を主成分とする単結晶基板の表面が亜鉛極性面又は酸素極性面のいずれであるかを判別し、該判別結果に基づいて亜鉛極性面又は酸素極性面の少なくともいずれか一方の極性面を選択し、該選択した極性面上に酸化亜鉛を主成分とする少なくとも１層以上の薄膜を形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記薄膜を、前記酸化亜鉛を主成分とする単結晶基板の前記亜鉛極性面上に形成した場合は、前記薄膜は亜鉛極性を有し、前記薄膜を、前記酸化亜鉛を主成分とする単結晶基板の前記酸素極性面上に形成した場合は、前記薄膜は酸素極性を有していることを特徴とする請求項３記載の半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法に関し、より詳しくは半導体材料として酸化亜鉛（ＺｎＯ）を使用した半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の一種であるＺｎＯは、ＭｇＯやＣｄＯ等との混晶化によってバンドギャップエネルギを変化させることができ、量子井戸等の多層構造が可能であり、さらには励起子の結合エネルギが非常に大きいことから、発光素子への応用が期待されており、また、可視領域で透明であることから液晶ディスプレイ駆動用の透明薄膜トランジスタへの応用が期待されている。
【０００３】
ところで、ＺｎＯはウルツ鉱型の結晶構造（六方晶）を有しており、図６に示すように、ｃ軸方向（上下方向）に対称中心を有さず、分子構造上極性を有している。
【０００４】
すなわち、ＺｎＯは、図６（ａ）に示すように、Ｚｎ原子５１に結合している３本の結合子が下方を向き、酸素原子５２に結合している３本の結合子が上方を向いている亜鉛極性（＋ｃ極性）と、図６（ｂ）に示すように、Ｚｎ原子５１に結合している３本の結合子が上方を向き、酸素原子５２に結合している３本の結合子が下方を向いている酸素極性（−ｃ極性）とを有しており、しかも、極性によって結晶の表面形状や半導体デバイスの電気特性が異なることから、半導体デバイスの技術分野では、極性制御が重要な技術的課題になっている。
【０００５】
ここで、上記極性とは、上記結合子の向きを示しており、表面終端元素のことではない。
【０００６】
そして、このようなＺｎＯ薄膜について、ＰＭＢＥ（ｐｌａｓｍａ−ａｓｓｉｓｔｅｄ　ｍｏｌｅｃｕｌａｒ−ｂｅａｍ　ｅｐｉｔａｘｙ；プラズマアシスト分子線エピタキシ）法により、サファイア基板上に酸素極性を有するＺｎＯ薄膜が成膜可能なことが既に報告されている（ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ　Ｖｏｌ．　８０　Ｎｏ．　８　（２００２）　ｐｐ．１３５８　−　１３６０　；　以下、「第１の従来技術」という）。
【０００７】
また、サファイア基板上にＧａ極性を有するＧａＮを成膜し、ＺｎＯ薄膜の成膜条件を制御することにより前記ＧａＮ上に亜鉛極性又は酸素極性を有するＺｎＯ薄膜が成膜可能なことも既に報告されている（ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ　Ｖｏｌ．７７　Ｎｏ．　２２　（２０００）　ｐｐ．３５７１　−　３５７３　；　以下、「第２の従来技術」という）。
【０００８】
さらに、基板上に形成されるＺｎＯ等の圧電膜の極性を規定することのできる技術も既に提案されている（特開２００１−１４４３２８号公報；以下、「第３の従来技術」という）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記第１の従来技術では、サファイア基板上に形成されるＺｎＯ薄膜は、同軸型直衝突イオン散乱分光法（Ｃｏａｘｉａｌ　Ｉｍｐａｃｔ　Ｃｏｌｌｉｓｉｏｎ　Ｉｏｎ　Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ　；　ＣＡＩＣＩＳＳ）により酸素極性を有することが確認されており、したがって亜鉛極性を有するＺｎＯ薄膜を形成することができず、極性を制御することはできない。
【００１０】
また、上記第２の従来技術によれば、成膜条件を変えることにより、ＺｎＯ薄膜の極性を制御しているが、サファイア基板上に形成されたＧａＮ膜を介して極性制御を行っている。換言すれば、ＧａＮ膜を介さなければ第１の従来技術と同様、極性制御を行うことができない。
【００１１】
しかも、上記第２の従来技術では、サファイア基板上にＧａＮ膜を形成しているため生産工程が煩雑化する他、ＧａＮ膜上にＺｎＯ薄膜を形成する際に基板温度が昇温するため、ＧａＮの構成元素であるＧａがＺｎＯ薄膜へ拡散する虞がある。そして、ＧａはＺｎＯに対しドナーとして作用するため、ＧａがＺｎＯ薄膜中に拡散するとＺｎＯが低抵抗化する。また、前記拡散を制御することは困難であるため、半導体デバイスのデバイス特性にバラツキの生じる虞がある。
【００１２】
さらに、上記第２の従来技術は、ＧａＮとＺｎＯとで格子不整合が存在するため、斯かる格子不整合を緩和すべく格子欠陥が導入され、その結果ＺｎＯ薄膜の結晶性が劣化して電気特性の悪化を招来する。
【００１３】
また、上記第３の従来技術では、基板の種類に応じて＋面（亜鉛極性）又は−面（酸素極性）を有する圧電膜（ＺｎＯ膜）の形成が可能であり、また、基板加熱温度等の成膜条件を変えることにより、基板上に形成されるＺｎＯ等の圧電膜の極性を制御しているが、極性が薄膜の表面形状や電気特性に及ぼす影響については何ら開示されておらず、しかも基板材料が圧電膜材料とが異なるため、第２の従来技術と同様、格子不整合に起因した結晶性の悪化を招来する虞がある。
【００１４】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、簡単な方法で極性制御を行うことにより所望極性を有する酸化亜鉛を主成分とする薄膜を容易に得ることのできる半導体デバイス、及び半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
下地基板として酸化亜鉛を主成分とする単結晶基板を使用し、酸化亜鉛をターゲット物質としてスパッタリング処理を施すことにより、前記酸化亜鉛を主成分とする単結晶基板上には酸化亜鉛薄膜を容易に成膜することができると考えられるが、〔従来の技術〕の項で述べたように、酸化亜鉛のようなウルツ鉱型構造では結晶構造に対称中心がなく、極性（反位区）を有している。
【００１６】
そして、結晶の表面構造は極性によって異なるため、酸化亜鉛を主成分とする単結晶基板上に成膜される酸化亜鉛薄膜の結晶成長過程も極性によって差違が生じ、その結果、極性によって酸化亜鉛薄膜の表面形状や電気特性にも大きな差違が生じる。
【００１７】
すなわち、酸化亜鉛を主成分とする単結晶基板の表面に単に酸化亜鉛薄膜を形成したのみでは、極性制御が行われていないため、成膜された酸化亜鉛薄膜が亜鉛極性を有するのか、或いは酸素極性を有するのかを判別することができず、このため酸化亜鉛薄膜の表面形状や電気特性に大きなバラツキが生じる虞があり、所望の電気特性を有する信頼性に優れた半導体デバイスを得ることができない。
【００１８】
そこで、本発明者らが鋭意研究を行ったところ、酸化亜鉛を主成分とする単結晶基板の亜鉛極性面上に酸化亜鉛薄膜を形成した場合は、該酸化亜鉛薄膜は亜鉛極性を有し、酸化亜鉛を主成分とする単結晶基板の酸素極性面上に酸化亜鉛薄膜を形成した場合は、該酸化亜鉛薄膜は酸素極性を有することが判明し、これにより酸化亜鉛薄膜の極性が制御されて所望極性の酸化亜鉛薄膜を容易に得ることができるという知見を得た。
【００１９】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係る半導体デバイスは、酸化亜鉛を主成分とする単結晶基板の亜鉛極性面及び酸素極性面の少なくともいずれか一方の極性面が選択され、該選択された極性面上に酸化亜鉛を主成分とした少なくとも１層以上の薄膜が形成されていることを特徴としている。
【００２０】
さらに、本発明の半導体デバイスは、前記薄膜が前記酸化亜鉛を主成分とする単結晶基板の前記亜鉛極性面上に形成されている場合は、前記薄膜は亜鉛極性を有し、前記薄膜が前記酸化亜鉛を主成分とする単結晶基板の前記酸素極性面上に形成されている場合は、前記薄膜は酸素極性を有していることを特徴としている。
【００２１】
上記半導体デバイスによれば、亜鉛極性面上には亜鉛極性を有する酸化亜鉛系の薄膜を形成することができ、酸素極性面上には酸素極性を有する酸化亜鉛系の薄膜を形成することができるので、酸化亜鉛薄膜の極性制御が容易に行われ、極性により性質の異なる所望の酸化亜鉛薄膜を簡単且つ容易に得ることができる。
【００２２】
また、本発明に係る半導体デバイスの製造方法は、酸化亜鉛を主成分とする単結晶基板の表面が亜鉛極性面又は酸素極性面のいずれであるかを判別し、判別結果に基づいて亜鉛極性面又は酸素極性面の少なくともいずれか一方の極性面を選択し、該選択した極性面上に酸化亜鉛を主成分とする少なくとも１層以上の薄膜を形成することを特徴とし、さらに前記薄膜を、前記酸化亜鉛を主成分とする単結晶基板の前記亜鉛極性面上に形成した場合は、前記薄膜は亜鉛極性を有し、前記薄膜を、前記酸化亜鉛を主成分とする単結晶基板の前記酸素極性面上に形成した場合は、前記薄膜は酸素極性を有していることを特徴としている。
【００２３】
上記製造方法によれば、酸化亜鉛を主成分とする単結晶基板の表面の極性を判別して該極性を特定し、斯かる特定の極性を有する基板表面に亜鉛極性又は酸素極性を有する酸化亜鉛系の薄膜を形成することができるので、所望極性を有する酸化亜鉛系の薄膜を具備した半導体デバイスを簡単且つ容易に製造することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳説する。
【００２５】
図１及び図２は本発明に係る半導体デバイスの一実施の形態を示す模式断面図であって、ＺｎＯを主成分とする単結晶基板（以下、「ＺｎＯ基板」という）１は亜鉛極性面１ａと酸素極性面１ｂとを有している。そして、図１ではＥＣＲスパッタ法等により亜鉛極性面１ａ上に亜鉛極性を有するＺｎＯ薄膜２が形成され、図２では酸素極性面１ｂ上に酸素極性を有するＺｎＯ薄膜３が形成されている。
【００２６】
次に、上記半導体デバイスの製造方法を説明する。
【００２７】
まず、ＳＣＶＴ（Ｓｅｅｄｅｄ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ）法等でＺｎＯ単結晶を作製し、ＺｎＯ単結晶を結晶軸のｃ軸方向に垂直な面に切出して鏡面研磨を施し、ＺｎＯ基板を作製してその極性を確認する。
【００２８】
ＺｎＯのように圧電性を有する化合物半導体の極性を判別する方法としては、同軸型直衝突イオン散乱分光（ＣＡＩＣＩＳＳ）法（ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ　Ｖｏｌ．７２　（１９９８）　ｐ８２４）、収束電子線回折（ＣＢＥＤ）法（ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ　Ｖｏｌ．６９　（１９９６）　ｐ３３７）、非線型誘電率顕微鏡（ＳＮＤＭ）法（先端技術シンポジウム「圧電材料と弾性波デバイス」（２０００年２月）　ｐｐ．２３−３０）等が知られているが、本実施の形態ではＳＮＤＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｎｏｎｌｉｎｅａｒ　Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）法でＺｎＯ基板の極性を確認している。
【００２９】
すなわち、ＳＮＤＭは、ＺｎＯ基板１上でプローブ探針を走査させながら電位を印加するとＺｎＯ基板１の極性を反映した強度信号を検出する。一方、印加電位が「０」のときは電位が印加されていないため、極性を反映した強度信号は検出されない。つまり、ＳＮＤＭ法では、ＺｎＯ基板１上に電位を印加すると、印加電位が「０」の場合に比べ、強度信号が＋側又は−側に変位することとなり、したがって、印加電位が「０」のときの強度を基準信号とし、ＺｎＯ基板１上でプローブ探針を走査させながら電位を印加したときの強度信号を極性信号とすることにより、極性信号が基準信号に対して＋側に変位するか−側に変位するかでＺｎＯ基板の極性を判別することができる。尚、本実施の形態では、ＳＮＤＭの装置的な構成上、極性信号が基準信号に対し−側に変位したときは＋極性（亜鉛極性）を示し、極性信号が基準信号に対し＋側に変位したときは−極性（酸素極性）を示すようになっている。
【００３０】
図３（ａ）（ｂ）はＺｎＯ基板１の極性特性を示す図であって、横軸は走査長（μｍ）、縦軸は強度（ａ．ｕ．；任意単位）を示している。また、図３中、矢印Ｘ方向がＺｎＯ基板１の極性信号を示し、矢印Ｘ′方向は電位を印加しなかった場合の基準信号を示している。
【００３１】
そして、図３（ａ）に示すように、極性信号が基準信号に比べて−側に変位した場合はＺｎＯ基板１の極性面は亜鉛極性面であり、図３（ｂ）に示すように、極性信号が基準信号に比べて＋側に変位した場合はＺｎＯ基板１の極性面は酸素極性面であると判別することができる。
【００３２】
次に、上述の如くＺｎＯ基板１の極性を判別した後、電子サイクロトロン共鳴（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ　；　以下、「ＥＣＲ」という）スパッタ装置を使用し、ＺｎＯ基板１の亜鉛極性面１ａ又は酸素極性面１ｂ上にＺｎＯ薄膜を積層する。
【００３３】
具体的には、プラズマ生成室と成膜室とに区分されたＥＣＲスパッタ装置を準備し、亜鉛極性面１ａ又は酸素極性面１ｂが上面となるようにＺｎＯ基板１を成膜室の所定位置にセッティングすると共に、ＺｎＯ基板１を所定温度（例えば、６２０℃）に加熱する。
【００３４】
次いで、所定流量（例えば、１０ｓｃｃｍ）の酸素ガス（反応性ガス）及び所定流量（例えば、２０ｓｃｃｍ）のＡｒガス（プラズマ生成用ガス）をプラズマ生成室に供給すると共に、サイクロトロンが共鳴する周波数（２．４５ＧＨｚ）でマイクロ波放電を行い、これによりプラズマ生成室でプラズマを生成する。
【００３５】
そしてこの後、スパッタターゲットに高周波電力（例えば、１５０Ｗ）を印加し、プラズマ生成室で生成されたプラズマを使用してターゲット物質（ＺｎＯ）をスパッタリングし、反応性スパッタリングによりＺｎＯ基板１の表面にＺｎＯ薄膜２又はＺｎＯ薄膜３を形成する。
【００３６】
そして、本実施の形態では上記ＺｎＯ薄膜２及びＺｎＯ薄膜３の各極性を確認すべく、ＳＮＤＭ法で極性を判別している。
【００３７】
すなわち、ＳＮＤＭの深さ方向の感度はプローブ探針の針先半径と試料であるＺｎＯの誘電率によって決定されるが、ＺｎＯの場合、プローブ探針の針先半径と同程度の深さにのみ感度があるため、前記針先半径を膜厚より小さくすることにより、下地であるＺｎＯ基板１の極性とは無関係にＺｎＯ薄膜の極性を判別することができる。
【００３８】
図４（ａ）はＺｎＯ薄膜２の極性特性を示す図であり、図４（ｂ）はＺｎＯ薄膜３の極性特性を示す図である。尚、横軸は走査長（μｍ）、縦軸は強度（ａ．ｕ．）を示し、矢印Ｘ方向がＺｎＯ基板１の極性信号を示し、矢印Ｘ′方向は電位を印加しなかった場合の基準信号を示している。
【００３９】
そして、図４（ａ）では極性信号が基準信号に比べて−側に変位しており、また、図４（ｂ）では極性信号が基準信号に比べて＋側に変位している。すなわち亜鉛極性面１ａ上のＺｎＯ薄膜２は亜鉛極性面を有し、一方、酸素極性面上１ｂのＺｎＯ薄膜３は酸素極性面を有しており、これによりＺｎＯ膜の極性を容易に制御することができることが分かる。
【００４０】
このように本実施の形態では、極性を制御することにより、所望の極性を有するＺｎＯ薄膜がＺｎＯ基板上に形成された各種半導体デバイスを容易に得ることができる。
【００４１】
図５はこの種の半導体デバイスとしての発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ　；　以下、「ＬＥＤ」という）の模式断面図であって、該ＬＥＤでは、良好な電気特性を確保する観点から、ＺｎＯ膜は表面平滑性に優れ且つ結晶性の良好な亜鉛極性を有することが所望される。このため、上述の方法でＺｎＯ基板４の極性を判別した後、該ＺｎＯ基板４の亜鉛極性面４ａ上にＺｎＯ系の多層膜が積層されている。
【００４２】
すなわち、該ＬＥＤでは、ＺｎＯ基板４の亜鉛極性面４ａ上に発光層５が形成され、該発光層５の表面には酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ　；　以下、「ＩＴＯ」という）からなる透明電極６が形成され、さらに該透明電極６の表面略中央部にはＮｉ膜、Ａｌ膜、及びＡｕ膜が順次積層されたｐ側電極７が形成されている。また、ＺｎＯ基板４の酸素極性面４ｂ上にはＴｉ膜及びＡｕ膜が順次積層されたｎ側電極８が形成されている。
【００４３】
上記発光層５は、具体的には、ｎ形コンタクト層９、ｎ形クラッド層１０、活性層１１、ｐ形クラッド層１２、及びｐ形コンタクト層１３が順次積層された多層膜で構成されている。すなわち、活性層１１は、ｎ形クラッド層１０及びｐ形クラッド層１２に挟持され、また、ｎ形クラッド層１０はｎ形コンタクト層９及びＺｎＯ基板４を介してｎ側電極８に接続され、ｐ形クラッド層１２はｐ形コンタクト層１３を介して透明電極６に接続されている。
【００４４】
活性層１１は、ＣｄＯとＺｎＯとを混晶させた膜厚約２００ｎｍのＣｄｘＺｎ１−ｘＯ（ｘは、０≦ｘ＜１で、例えば０．１）で形成されている。尚、該活性層１１は、ｎ形のキャリアである電子とｐ形のキャリアである正孔との再結合により発光し、発光する光の波長はバンドギャップエネルギにより決定される。
【００４５】
また、ｎ形クラッド層１０及びｐ形クラッド層１２は、キャリアを活性層１１内に有効に閉じ込める必要があることから、前記活性層１１よりバンドギャップエネルギが大きく、例えば、ＭｇＯとＺｎＯとを混晶させたＭｇｙＺｎ１−ｙＯ（ｙは、０≦ｙ＜１で、例えば０．２）からなり、ｎ形クラッド層１０の膜厚は約２０００ｎｍ、ｐ形クラッド層１２の膜厚は約６００ｎｍに形成されている。
【００４６】
また、ｎ形コンタクト層９及びｐ形コンタクト層６は、共に膜厚約２００ｎｍのＺｎＯで形成されている。
【００４７】
このように上記ＬＥＤによれば、ＺｎＯ基板４の亜鉛極性面４ａ上には所望の極性、すなわち亜鉛極性を有するＺｎＯ系多層膜が形成され、電気特性のバラツキを極力回避した信頼性に優れたＬＥＤを得ることが可能となる。
【００４８】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態ではＺｎＯ系薄膜の形成を、ＥＣＲスパッタ法で行っているが、誘導結合形プラズマ（ＩＣＰ）スパッタ法、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ）スパッタ法、イオンビームスパッタ法、又はクラスタビームスパッタ法等を使用してもよく、また、スパッタリング法以外の薄膜形成方法、例えば分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法、有機金属化学気相（ＭＯＣＶＤ）法、レーザ分子線エピタキシ（レーザＭＢＥ）法、又はレーザアブレーション法等を使用してＺｎＯ系薄膜を形成するようにしてもよい。
【００４９】
また、上記実施の形態では、発光層５として、ｐ型クラッド層１２とｎ型クラッド層１０で活性層１１を挟持させたダブルヘテロ構造を使用しているが、ｐｎ接合構造、ＭＩＳ（メタル−絶縁層−半導体層）構造、或いはシングルヘテロ構造等を使用してもよい。
【００５０】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明に係る半導体デバイスは、ＺｎＯ基板の亜鉛極性面及び酸素極性面の少なくともいずれか一方の極性面が選択され、該選択された極性面上に酸化亜鉛を主成分とした少なくとも１層以上の薄膜が形成され、しかも前記薄膜が前記ＺｎＯ基板の前記亜鉛極性面上に形成されている場合は、前記薄膜は亜鉛極性を有し、前記薄膜が前記ＺｎＯ基板の前記酸素極性面上に形成されている場合は、前記薄膜は酸素極性を有しているので、酸化亜鉛系薄膜の極性制御を容易に行うことができ、極性により性質の異なる所望の酸化亜鉛系薄膜を備え、電気特性のバラツキを極力抑制して一定の品質を有する信頼性に優れた半導体デバイスを容易に得ることができる。
【００５１】
また、本発明に係る半導体デバイスの製造方法は、ＺｎＯ基板の表面が亜鉛極性面又は酸素極性面のいずれであるかを判別し、判別結果に基づいて亜鉛極性面又は酸素極性面の少なくともいずれか一方の極性面を選択し、該選択した極性面上に酸化亜鉛を主成分とする少なくとも１層以上の薄膜を形成し、さらに前記薄膜を前記ＺｎＯ基板の前記亜鉛極性面上に形成した場合は、前記薄膜は亜鉛極性を有し、前記薄膜を前記ＺｎＯ基板の前記酸素極性面上に形成した場合は、前記薄膜は酸素極性を有しているので、所望極性を有する酸化亜鉛系薄膜を簡単な方法で製造することができ、したがって電気特性のバラツキが極力抑制された一定の品質を有する信頼性に優れた半導体デバイスを容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体デバイスとしてＺｎＯ基板の亜鉛極性面上にＺｎＯ薄膜を形成した場合を模式的に示した断面図である。
【図２】本発明に係る半導体デバイスとしてＺｎＯ基板の酸素極性面上にＺｎＯ薄膜を形成した場合を模式的に示した断面図である。
【図３】ＺｎＯ基板の極性特性を示す図である。
【図４】ＺｎＯ薄膜の極性特性を示す図である。
【図５】ＬＥＤの構成を模式的に示した断面図である。
【図６】ＺｎＯの結晶構造を示す図である。
【符号の説明】
１　　ＺｎＯ基板
１ａ　亜鉛極性面
１ｂ　酸素極性面
２　　ＺｎＯ薄膜
３　　ＺｎＯ薄膜
４　　ＺｎＯ基板
４ａ　亜鉛極性面
４ｂ　酸素極性面
５　　発光層（ＺｎＯ系薄膜）
【図１】
2004022626.tif 000003
【図２】
2004022626.tif 000004
【図３】
2004022626.tif 000005
【図４】
2004022626.tif 000006
【図５】
2004022626.tif 000007
【図６】
2004022626.tif 000008