(57)【要約】【課題】  較正データを記憶し、その較正データを使用して個々のビームを制御するための各ビーム用のシステムとともに集積回路技法によって組み立てられた電子源の超並列アレイを使用するＥビーム・システムを提供することにある。【解決手段】  Ｅビーム・システムは、フラッシュＥＰＲＯＭを使用して較正データを記憶し、メモリ・アレイのアドレス・システムによって向けられたオン／オフ信号を受信することにより１０００本の規模の１組の超並列ビームを発生し、個々の電子源はメモリ・アレイの構造を追跡する幾何学的アレイとしてメモリ・アレイの上に取り付けられる。【選択図】  図１
2004228074.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１組の電子ビームを使用して加工物にパターンを書き込むためのシステムにおいて、
１組の電子ビームを発生するための１組の発生源と、
前記加工物に向かって前記１組の電子ビームを加速するための加速手段と、
前記発生源に対して前記加工物を移動させるためのスキャン手段と、
各発生源に関する較正データを記憶するための記憶手段と、
前記パターンに応じて前記１組の電子ビームを制御するためのコントローラ手段とを具備し、
前記１組の発生源が少なくとも１０００個の発生源からなるアレイを具備し、
較正データを記憶するための前記記憶手段が各発生源ごとに少なくとも１つのメモリ・セルを具備し、前記少なくとも１つのメモリ・セルと前記発生源が共通モジュール内に配置され、
前記共通モジュールが前記メモリ・セルが半導体基板に形成された集積回路を具備し、前記発生源が前記集積回路内に配置されているシステム。
【請求項２】
各モジュールが、前記モジュールによって放出される電子の量を制御するための電流制御手段を具備する、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記電流制御手段が、前記モジュールによって放出される前記電子の量を表すデータを記憶するためのメモリ手段と、前記モジュール内の少なくとも１つの電流源の持続時間を制御するための手段とを含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記電流制御手段が、前記モジュールによって放出される前記電子の量を表すデータを記憶するためのメモリ手段と、前記モジュール内の少なくとも１つの電流源によって放出される電流の規模を制御するための手段とを含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
各モジュールが、電流放出源に並列に接続された１組の電流手段を具備する、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
ビームの広がりが広がりしきい値以下になるように前記電流放出源の放出表面と前記加工物との距離が制限されるように、前記モジュールが前記加工物に関して位置決めされる、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
パターン領域をカバーするために前記発生源のアレイと前記加工物の少なくとも一方を移動させるための手段をさらに具備する、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記発生源のアレイが前記加工物の第１の寸法をカバーし、それにより、パターン領域をカバーするために前記発生源のアレイと前記加工物の少なくとも一方を移動させるための前記手段が前記パターン領域の第２の寸法に沿って進む、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記発生源のアレイが前記加工物の第１の寸法より小さい長さをカバーし、それにより、パターン領域をカバーするために前記発生源のアレイと前記加工物の少なくとも一方を移動させるための前記手段が前記パターン領域の第２の寸法に沿って少なくとも２回通過する、請求項７に記載のシステム。
【請求項１０】
前記発生源のアレイが前記加工物の第１の寸法に沿って少なくとも２列を有し、それにより、パターン領域をカバーするために前記発生源のアレイと前記加工物の少なくとも一方を移動させるための前記手段がその全長より小さい前記パターン領域の第２の寸法に沿って１回通過する、請求項７に記載のシステム。
【請求項１１】
前記発生源のアレイが前記加工物の第１の寸法に沿って少なくとも２列を有し、それにより、パターン領域をカバーするために前記発生源のアレイと前記加工物の少なくとも一方を移動させるための前記手段がその全長より小さい前記パターン領域の第２の寸法に沿って１回通過する、請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
電子放出モジュールのアレイを集積回路基板に形成するステップであって、各モジュールが１組のメモリ・セルと、１組の電流源と、前記１組のメモリ・セルおよび前記１組の電流源の上に配置された電子放出部材とを含み、前記１組の電流源が前記電子放出部材に接続されるステップと、
前記電子放出モジュールのアレイによって放出される電子の衝撃が与えられる加工物をサポートするために位置決めされた可動ステージを設けるステップであって、前記可動ステージが、前記加工物のパターン領域が前記電子放出モジュールのアレイによって書き込まれるように移動するように適合されるステップとを具備する、電子ビーム放出システムを形成する方法。
【請求項１３】
前記加工物にパターンを書き込むために必要に応じて前記電子放出モジュールのアレイの個々の部材をオンおよびオフにするための制御システムを設けるステップをさらに具備する、請求項１２に記載の電子ビーム放出システムを形成する方法。
【請求項１４】
前記電子放出モジュールのアレイの個々の部材に制御信号を向けるための経路指定システムを設けるステップであって、前記経路指定システムが前記１組のメモリ・セル用のメモリ・アドレスと、前記メモリ・アドレスに制御信号を向けるためのアドレス・デコード・システムとを使用するステップをさらに具備する、請求項１２に記載の電子ビーム放出システムを形成する方法。
【請求項１５】
電子ビーム放出システムにより加工物にパターンを書き込む方法において、
電子放出モジュールのアレイを有する集積回路基板を設けるステップであって、各モジュールが１組のメモリ・セルと、１組の電流源と、前記１組のメモリ・セルおよび前記１組の電流源の上に配置された電子放出部材とを含み、前記１組の電流源が前記電子放出部材に接続されるステップと、
前記電子放出モジュールのアレイによって放出される電子の衝撃が与えられる加工物をサポートするために位置決めされた可動ステージを設けるステップであって、前記可動ステージが、前記加工物のパターン領域が前記電子放出モジュールのアレイによって書き込まれるように移動するように適合されるステップと、
制御システムの制御下で前記モジュールのアレイからの１組の電子ビームを前記加工物に向けるステップとを具備する方法。
【請求項１６】
前記加工物にパターンを書き込むために必要に応じて前記電子放出モジュールのアレイの個々の部材をオンおよびオフにするステップをさらに具備する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記加工物にパターンを書き込むために必要に応じて前記電子放出モジュールのアレイの個々の部材がオンおよびオフになるにつれて、前記個々の部材によって放出される電流の規模を制御するステップをさらに具備する、請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の分野は、並列の多数のビームを使用する電子ビーム・システムの分野である。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の分野では、レチクルのコストが全製造コストの相当な部分になっている。
【０００３】
回路のフィーチャ・サイズが小さくなるにつれて、回路内のピクセルの数が増加し、レチクルを作成するコストが増大する。システム・オン・チップ（ＳＯＣ）のＡＳＩＣおよびその他の形式のカスタムまたはセミカスタム・チップに向かう傾向により、プロダクション・ラン（ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ  ｒｕｎｓ）の規模が減少しており、したがって、レチクル・セットのコストは減少した販売チップで分担しなければならない。
【０００４】
従来の形式の電子ビームでは、ラスタ・パターンをたどりながら単一ビームが回路素子を追跡し、ピクセルの数につれて増加するというコスト構造を有する。
【０００５】
４という従来の縮小率を提供するために高品質磁界を提供するのが困難なので、通常はより小さい数（たとえば、１０未満）に制限される並列電子ビームを使用する試みがいくつか行われてきた。これまで高度並列構成について論じられてきたが、このような構成には、ビームの集束、平行化などのための方法を提供することは空間を要し、いくつかのビームを密接にまとめるという目標とは矛盾するという障害がある。
【０００６】
超並列（ビームの数が１０００本を超えることを意味する）システムを生産しようという試みは、いまだに市販システムという結果に至っていない。当技術分野でまだ解決されていない問題の１つは、ビーム間の個別変動と、１本のビームのパラメータに対する使用効果を補償するために個々のビームを調節することであり、いずれもすべての既知のシステムに固有のものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、較正データを記憶し、その較正データを使用して個々のビームを制御するための各ビーム用のシステムとともに集積回路技法によって組み立てられた電子源の超並列アレイを使用するＥビーム・システムに関する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の特徴の１つは、較正データを記憶するために不揮発性メモリを使用することである。
【０００９】
本発明の他の特徴は、記憶した構成データによって制御される電流源を使用して個々の電子源を制御することである。
【００１０】
本発明のさらに他の特徴は、データと電流源を含むビーム・セルを製作することであり、そのビーム・セルは電子源のアレイ内の個々の電子源の横寸法内に収まる顕微鏡的寸法を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１は、本発明の一例の斜視図を示している。同図の最上部にある集積回路１０は、後で詳述するように、個々のＥビーム発生源のパラメータを調節するためのデータを記憶する１組のメモリ・セル２０を含む。回路１０の下にある１組のタングステン・ポイント６０は、レチクル・ブランク２５０などの加工物をコーティングするフォトレジスト２６０に向かって同図の下方向に移動する個々のＥビームを（コントローラ１００の制御下で）放出する。加工物２５０は、直接書込み応用例に使用する本発明のあるバージョンではウェハにすることもできる。
【００１２】
単一ビームが１対のレンズ４を通って移動し、プレート５内のアパーチャによって定義される図７に示すような従来のＥビーム・システムの寸法に比べ、本発明による装置の寸法が極めて小さいことは、本発明の有利な特徴である。レンズおよびアパーチャの幾何学的制約により、システム内には１本または数本のビームしか存在できない。対照的に、本発明による書込みヘッドの横寸法は、書き込まれるチップのレチクルのサイズに匹敵することになる。較正データは書込みヘッドを含むユニット内に記憶されるので、次にレチクルのバッチを書き込む必要が生じるまで待って、較正後のヘッドを記憶することができ、その較正データはヘッド自体とともに記憶される。
【００１３】
加工物は、ｘ方向とｙ方向の両方に移動可能な精密可動ステージ２００に取り付けられる。同図の右側にあるボックス３００は、ポテンシャル分布を制御する１組のビームまたは１組の静電グリッドあるいはその両方を集束するための任意選択の磁気レンズ・システムを概略的に表している。磁界および静電界は任意選択であり、必須のものではない。好ましい実施形態では、先端６０と加工物との距離は可能な限り小さく、例証として１０マイクロメートルから１ミリメートル程度までであり、ビームの広がりはごくわずかであり、磁気レンズ界の犠牲は回避可能である。
【００１４】
一例として、発生源の先端６０付近の静電界は、電子を放出するのに適した値にグリッド４１０によって維持することができる。加工物に電子を引き寄せるのに適したもう１つの値は、グリッド４２０によってフォトレジストの上部表面に賦課することができる。例証として、全電位差は、フラッシュＥＰＲＯＭに使用する電圧範囲を代表する１５〜１００Ｖの範囲内である。
【００１５】
動作時に、１組の発生源は、汎用コンピュータにすることができる制御システム１００の制御下で１組の平行ビームを放出することになり、ステージはその下を移動する。簡略化した一例として、発生源６０同士の距離が１マイクロメートルである場合、長さ１ｍｍ当たり１０００個の発生源が存在することになる。
【００１６】
１列の発生源を使用することができるが、好ましくは、ステージの移動方向に延びる都合の良い数の列になる。これにより、位置エラーを平均するため、または各列に回路の個別部分の書込みを行わせることによって速度を上げるため、あるいはその両方のために、パターンを複数回書き込むことができる。回路１０の寸法が書き込むパターンの寸法と同じであるという極端なケースでは、ステージは発生源同士の距離（たとえば、５００ｎｍ）の上を１回進むことになるだろう。ピクセルの一辺が１０ｎｍである場合、１つの発生源または１列の発生源によってカバーされる５００ｎｍの範囲内に５０個のピクセルが存在することになる。
【００１７】
図２の括弧３２０は、ｉ番目の発生源の範囲を表している。水平線３１０は、データが書き込まれるラスタ・パターンを示している。ステージは、加工物の幅をトラバースするために左右にスキャンし、長さをトラバースするために同図の下方向にスキャンすることもできる。レチクルは従来、最終チップのサイズの４倍であるので、図示の実施形態は両方向にスキャンする能力を有する。設計上の選択肢として、チップは加工物の全幅にすることができ、したがって、（同図で）垂直スキャンのみが必要になる。このような寸法配置により、並列性に最大限有利に、順次ではなく同時に数千個のピクセルを書き込むことにより可能な大幅な速度の増加が実現される。
【００１８】
例証として、１組の発生源に関連するデータ記憶回路はメモリ・アレイとして編成される。その場合、ビームの制御は、単に問題の個々のビームの従来のメモリ・アドレスにより信号を送信することによって実施することができ、したがって、メモリ・チップを作成するために以前行われていたエンジニアリングを利用する。もう一度、図２を参照すると、書き込まれる形状の左側のエッジ３２２は、ビームが書込みを開始する距離を示している。これは、個々の発生源の関連アドレスに「オン」信号を送信することによって実施される。同様に、パターンが終了するエッジ３２４は、関連アドレスに「オフ」信号を送信することによって定義される。したがって、図示のパターンを書き込むために、図面の垂直方向に加工物をスキャンする。この形状の上部エッジに到達すると、３２２〜３２４の範囲内のアドレスがオンになり、その範囲内のビームが書込みを開始する。この形状の広幅部分のエッジに到達すると、３２３’〜３２４’という部分範囲外のビームはオフになり、その部分範囲内のビームはオンのままになる。
【００１９】
このような並列システムでは、ある範囲が隣接範囲と接する接合箇所では必ずアライメントの問題が発生する。次に図３を参照すると、括弧３２０と３２５とのオーバラップは、卵形線（ｏｖａｌ）でも示すこのような接合領域を示している。その領域では、例証として、それぞれが通常線量の半分を与えるようにビームが制御され、したがって、その領域内のフォトレジストに露光用の正確な線量を提供する。このような線量を噴出するための様々なメカニズムについて以下に説明する。
【００２０】
図４は、回路１０内の個々のセルを部分概略部分絵画形式で示している。ｉ番目のセルは、例証として、個々のセルの特性に関する較正テストの結果として得られるデータ、たとえば、標準持続時間の「フラッシュ」中にそれが放出する電流の量を記憶する１つまたは複数のフラッシュ・メモリ・セル３０−ｉを含む。ｉ番目の電流源は、放出先端６０−ｉに正確な量の電流を送るように記憶データによって制御される。先端６０−ｉは、例証として、従来の技法によって集積回路１０の最上部層に形成される１組の電極５０−ｉ上に配置される。後述するように、それぞれが１つの電流源に接続された複数の電極が単一先端６０に接続される。この複数の電極は同図では文字ａ〜ｎで示されている。このため、単に必要な数の電流源をオンまたはオフにすることにより、フラッシュ内の先端によって供給される電流の量を変動させることができる。そのうえ、欠陥のあるセルまたは電源あるいはその両方の交換のための冗長性をもたらすために、予備の電流源が存在する可能性もある。
【００２１】
先端６０は、例証として、厚さが５μｍ〜５０μｍの材料、たとえば、タングステンの層から形成され、先端放出表面６２を有するように従来の腐食エッチングのプロセスによって成形される。完璧な尖頭は製造が不可能であり、先端までの幅が有限であることを示すために、先端６２は平らなものとして描かれている。同図の最上部および最下部の領域６４は、隣接セル同士を分離する絶縁体を示している。点線２０はｉ番目のセルの境界を示している。図８はこの配置の代替図を示しており、この配置では１組の電極５０が電流源４０によって駆動され、先端６０と機械的かつ電気的に接触している。セル当たりの電極５０の数は、他の箇所で述べるように設計者によって設定される。
【００２２】
構築時に電流モジュールは、標準の集積回路技法によって半導体基板１０に形成される。メモリ・セルおよび電流源は、その電流モジュールに関するデータを記憶するために必要な１組のフラッシュ・メモリ・セルと、電流モジュールの境界内に配置された１組の電流源から形成される。導電部材は、基板１０（同図の右側）から電極５０−ｉの平面まで垂直方向に延びる。従来の後端誘電体層は先端６０をサポートするために下に置かれ、バイアは導電路を提供するために従来の集積回路技法を使用して誘電体を貫通するようにエッチングされる。
【００２３】
図５は、ｉ番目のセルのブロック図を示している。最上部にあるコントローラ１００は、すべてのセルに共通のものであり（しかも、汎用ＣＰＵにすることができる）、フラッシュ・アレイ３０および電流源４０に信号を送信する。たとえば、ｉ番目のセルは、データを記憶するのに十分な１組の１ビット・フラッシュ・メモリ・セルを含むことができるだろう。
【００２４】
有利なことに、フラッシュ・メモリ・セルに書き込むために必要な電圧の規模はビーム加速のためのものと同じであり、したがって、数１０〜１００ボルトの範囲内の電圧を処理する技術をデータ記憶とビームの両方に使用することができる。
【００２５】
動作時に、セル３０は噴出すべき電荷の規模に関するデータを含み、書き込まれるパターンに関する正確な時期に、コントローラ１００は、セルがそこに含まれているフラッシュＥＰＲＯＭ構造のアドレス技術を使用して、電流源４０にオン（および任意選択でオフ）信号を送信する。
【００２６】
設計上の選択肢として、コントローラ１００は、ピクセルが範囲内に入る時期と、最大限の電荷（またはオーバラップ領域では半分の電荷）を噴出すべきかどうかを示す信号を送信することができる。その場合、個々のモジュールは、電流モジュール間の個々の変動およびエージングに関して調節した調節電荷を噴出するように電流の規模または持続時間あるいはその両方を制御する。
【００２７】
当業者であれば、ピクセルに対して噴出される電子の総数を調節した結果を達成するように標準規模の電流の持続時間を制御するために記憶データを使用する制御システムを容易に設計することができるだろう。たとえば、ｉ番目の電流モジュールがＱiマイクロクーロンを噴出する場合、コントローラは「オン」信号を送信し、電流源４０は、モジュール内の電流源をオフにする時期を決定するために記憶データを読み取るセル内のタイミング回路によって制御される時間長の間、オンになる。例証として、タイミング回路は、電流源を表すボックス４０内に含まれ、各電流源を制御する。
【００２８】
次に図６を参照すると、電流制御の単純な例が示されている。２つの括弧１４２および１４４は、すべてが同時にオンまたはオフになる２組の電流源４２を示している。点線１３０は、個々の制御可能電流源を囲んでいる。動作時に、コントローラ１００からのオン信号は、電流源１４２および１４４と、メモリ・セル内にオン信号を記憶させた電流源１３０のすべてをオンにする。この１組の電流源は、オフ信号を受信する（または標準時間が経過する）までモジュールごとに変動する電流を噴出する。
【００２９】
具体的な例として、各グループ１４２および１４４は４つの電流源を含み、したがって、使用可能な電流の範囲はグループ１４２および１４４からの８に、グループ１３０からの０〜４を加えたものになる。したがって、範囲は８〜１２または１０±２０％になる。較正データは、フラッシュ・メモリ・セル内の記憶データにより、±２０％の範囲内の個々のビームの調節を可能にする。当業者であれば、より微細な制御を行うためまたは冗長性をもたらすため、あるいはその両方のために、電流源の数を容易に増加することができる。
【００３０】
ビームの空間範囲がオーバラップするオーバラップ領域で電流を低減するという要件は、オーバラップ範囲内でグループ１４２または１４４のうちの１つをオフにすることによって対処する。
【００３１】
電荷制御のもう１つの方法は、市販のマルチビット（１つのセル内に２つだけでなく複数の電圧レベルを有する）フラッシュ・メモリを使用することである。電流モジュール内の回路は記憶データを読み取り、アナログ技法を使用して記憶したアナログ・データからディジタル・データへの変換の持続時間または電流を制御し、前述の例の１つを使用する。
【００３２】
単一の好ましい実施形態に関して本発明を説明してきたが、当業者であれば、本発明は特許請求の範囲の精神および範囲内の様々なバージョンで実施できることを認識するだろう。
【００３３】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【００３４】
（１）１組の電子ビームを使用して加工物にパターンを書き込むためのシステムにおいて、
１組の電子ビームを発生するための１組の発生源と、
前記加工物に向かって前記１組の電子ビームを加速するための加速手段と、
前記発生源に対して前記加工物を移動させるためのスキャン手段と、
各発生源に関する較正データを記憶するための記憶手段と、
前記パターンに応じて前記１組の電子ビームを制御するためのコントローラ手段とを具備し、
前記１組の発生源が少なくとも１０００個の発生源からなるアレイを具備し、
較正データを記憶するための前記記憶手段が各発生源ごとに少なくとも１つのメモリ・セルを具備し、前記少なくとも１つのメモリ・セルと前記発生源が共通モジュール内に配置され、
前記共通モジュールが前記メモリ・セルが半導体基板に形成された集積回路を具備し、前記発生源が前記集積回路内に配置されているシステム。
（２）各モジュールが、前記モジュールによって放出される電子の量を制御するための電流制御手段を具備する、上記（１）に記載のシステム。
（３）前記電流制御手段が、前記モジュールによって放出される前記電子の量を表すデータを記憶するためのメモリ手段と、前記モジュール内の少なくとも１つの電流源の持続時間を制御するための手段とを含む、上記（２）に記載のシステム。
（４）前記電流制御手段が、前記モジュールによって放出される前記電子の量を表すデータを記憶するためのメモリ手段と、前記モジュール内の少なくとも１つの電流源によって放出される電流の規模を制御するための手段とを含む、上記（２）に記載のシステム。
（５）各モジュールが、電流放出源に並列に接続された１組の電流手段を具備する、上記（１）に記載のシステム。
（６）ビームの広がりが広がりしきい値以下になるように前記電流放出源の放出表面と前記加工物との距離が制限されるように、前記モジュールが前記加工物に関して位置決めされる、上記（１）に記載のシステム。
（７）パターン領域をカバーするために前記発生源のアレイと前記加工物の少なくとも一方を移動させるための手段をさらに具備する、上記（１）に記載のシステム。
（８）前記発生源のアレイが前記加工物の第１の寸法をカバーし、それにより、パターン領域をカバーするために前記発生源のアレイと前記加工物の少なくとも一方を移動させるための前記手段が前記パターン領域の第２の寸法に沿って進む、上記（７）に記載のシステム。
（９）前記発生源のアレイが前記加工物の第１の寸法より小さい長さをカバーし、それにより、パターン領域をカバーするために前記発生源のアレイと前記加工物の少なくとも一方を移動させるための前記手段が前記パターン領域の第２の寸法に沿って少なくとも２回通過する、上記（７）に記載のシステム。
（１０）前記発生源のアレイが前記加工物の第１の寸法に沿って少なくとも２列を有し、それにより、パターン領域をカバーするために前記発生源のアレイと前記加工物の少なくとも一方を移動させるための前記手段がその全長より小さい前記パターン領域の第２の寸法に沿って１回通過する、上記（７）に記載のシステム。
（１１）前記発生源のアレイが前記加工物の第１の寸法に沿って少なくとも２列を有し、それにより、パターン領域をカバーするために前記発生源のアレイと前記加工物の少なくとも一方を移動させるための前記手段がその全長より小さい前記パターン領域の第２の寸法に沿って１回通過する、上記（９）に記載のシステム。
（１２）電子放出モジュールのアレイを集積回路基板に形成するステップであって、各モジュールが１組のメモリ・セルと、１組の電流源と、前記１組のメモリ・セルおよび前記１組の電流源の上に配置された電子放出部材とを含み、前記１組の電流源が前記電子放出部材に接続されるステップと、
前記電子放出モジュールのアレイによって放出される電子の衝撃が与えられる加工物をサポートするために位置決めされた可動ステージを設けるステップであって、前記可動ステージが、前記加工物のパターン領域が前記電子放出モジュールのアレイによって書き込まれるように移動するように適合されるステップとを具備する、電子ビーム放出システムを形成する方法。
（１３）前記加工物にパターンを書き込むために必要に応じて前記電子放出モジュールのアレイの個々の部材をオンおよびオフにするための制御システムを設けるステップをさらに具備する、上記（１２）に記載の電子ビーム放出システムを形成する方法。
（１４）前記電子放出モジュールのアレイの個々の部材に制御信号を向けるための経路指定システムを設けるステップであって、前記経路指定システムが前記１組のメモリ・セル用のメモリ・アドレスと、前記メモリ・アドレスに制御信号を向けるためのアドレス・デコード・システムとを使用するステップをさらに具備する、上記（１２）に記載の電子ビーム放出システムを形成する方法。
（１５）電子ビーム放出システムにより加工物にパターンを書き込む方法において、
電子放出モジュールのアレイを有する集積回路基板を設けるステップであって、各モジュールが１組のメモリ・セルと、１組の電流源と、前記１組のメモリ・セルおよび前記１組の電流源の上に配置された電子放出部材とを含み、前記１組の電流源が前記電子放出部材に接続されるステップと、
前記電子放出モジュールのアレイによって放出される電子の衝撃が与えられる加工物をサポートするために位置決めされた可動ステージを設けるステップであって、前記可動ステージが、前記加工物のパターン領域が前記電子放出モジュールのアレイによって書き込まれるように移動するように適合されるステップと、
制御システムの制御下で前記モジュールのアレイからの１組の電子ビームを前記加工物に向けるステップとを具備する方法。
（１６）前記加工物にパターンを書き込むために必要に応じて前記電子放出モジュールのアレイの個々の部材をオンおよびオフにするステップをさらに具備する、上記（１５）に記載の方法。
（１７）前記加工物にパターンを書き込むために必要に応じて前記電子放出モジュールのアレイの個々の部材がオンおよびオフになるにつれて、前記個々の部材によって放出される電流の規模を制御するステップをさらに具備する、上記（１５）に記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明によるシステムの全体図である。
【図２】本システムによって書き込まれるパターンの一部分を示す図である。
【図３】隣接発生源によって書き込まれるパターン同士のオーバラップ領域を示す図である。
【図４】個々の電子ビーム・セルの部分概略部分絵画図である。
【図５】図４のセルのブロック図である。
【図６】本発明で使用するための電流源のブロック図である。
【図７】従来技術のシステムを示す図である。
【図８】放出先端と電流源との接続を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００３６】
２０  メモリ・セル
６０  タングステン・ポイント
１００  コントローラ
２００  精密可動ステージ
２５０  加工物
２６０  フォトレジスト
３００  磁気レンズ・システム
４１０  グリッド
４２０  グリッド
【図１】
2004228074.tif 000003
【図２】
2004228074.tif 000004
【図３】
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【図４】
2004228074.tif 000006
【図５】
2004228074.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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