(57)【要約】【課題】光活性層として用いる際には非晶質系Ｓｉの場合に比して数倍の膜厚を必要とし、生産性において大きな問題があった。【解決手段】少なくともシリコンおよび水素を含有する半導体薄膜において、ラマン散乱スペクトルより得られるＴＯモードの散乱ピーク強度ＩＴＯに対するＴＡモードの散乱ピーク強度ＩＴＡの比が０．３５以下であることを特徴とする半導体薄膜とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともシリコンおよび水素を含有する半導体薄膜において、ラマン散乱スペクトルより得られるＴＯモードの散乱ピーク強度ＩＴＯに対するＴＡモードの散乱ピーク強度ＩＴＡの比が０．３５以下であることを特徴とする半導体薄膜。
【請求項２】
前記半導体薄膜において、ラマン散乱スペクトルより得られるＴＯモードの散乱ピーク強度ＩＴＯに対するＴＡモードの散乱ピーク強度ＩＴＡの比が０．２５以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体薄膜。
【請求項３】
少なくともシリコンおよび水素を含有する半導体薄膜において、ラマン散乱スペクトルより得られるＴＯモードの散乱ピークの半値幅が６５ｃｍ−１以下であることを特徴とする半導体薄膜。
【請求項４】
前記半導体薄膜中の電子スピン共鳴法により評価される初期スピン密度が５×１０１５ｃｍ−３以下であることを特徴とする請求項１乃至３に記載の半導体薄膜。
【請求項５】
前記半導体薄膜中のＳｉ−Ｈ結合量およびＳｉ−Ｈ２結合量の総和に対するＳｉ−Ｈ結合量の割合が０．９５以上であることを特徴とする請求項１乃至３に記載の半導体薄膜。
【請求項６】
前記半導体薄膜の膜中水素量が７原子％以下であることを特徴とする請求項１乃至３に記載の半導体薄膜。
【請求項７】
前記半導体薄膜の光学的バンドギャップが１．７ｅＶ以下であることを特徴とする請求項１乃至３に記載の半導体薄膜。
【請求項８】
前記半導体薄膜が化学気相蒸着法により形成されることを特徴とする請求項１乃至３に記載の半導体薄膜。
【請求項９】
前記半導体薄膜が３５０℃以下の基板上で形成されることを特徴とする請求項１乃至３に記載の半導体薄膜。
【請求項１０】
前記半導体薄膜がＧｅ、Ｓｎ、Ｃ、Ｎ、Ｏの少なくとも一種を含有することを特徴とする請求項１乃至３に記載の半導体薄膜。
【請求項１１】
少なくとも電極および半導体により形成される光電変換素子において、前記半導体の少なくとも一部が請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体薄膜により構成されていることを特徴とする光電変換素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくともシリコン（以下、Ｓｉともいう）および水素（Ｈ）を含有する半導体薄膜、およびこの半導体薄膜を利用した太陽電池等の光電変換素子に関する。
【０００２】
【従来技術とその課題】
非晶質系Ｓｉ等の半導体薄膜を利用したデバイスは、今日では非常に多岐にわたって存在するが、近年環境問題への世間の関心が高まるに連れて注目を集めているのが太陽電池である。本来、非晶質系Ｓｉは結晶Ｓｉに比して吸収係数が大きく、生産性に優れていることから、同デバイスの光活性層材料としても非常に有望な材料として広く認知されている。しかしながら一方で、非晶質系Ｓｉは一般にＳｔａｅｂｌｅｒ−Ｗｒｏｎｓｋｉ効果と呼ばれる光誘起特性劣化が存在しており、これに起因して光照射後の素子特性が大幅に低下するといった問題を抱えている。
【０００３】
従来、この光誘起特性劣化を抑制する手段としては、膜中の含有水素量低減を目的として、膜の堆積と水素プラズマ処理を交互に繰り返しながら製膜を行う手法が提案されている（例えば、特許文献１、２、３参照）。しかしながら、該手法では結果として大幅な含有水素量低減効果が見られない上、高速製膜が非常に困難であるといった問題を抱えている。
【０００４】
また、他にはセミアモルファスＳｉや微結晶Ｓｉといった非晶質相と結晶相とを含んだ半導体Ｓｉ膜を形成する試みも行われている（例えば、特許文献４、５参照）。しかしながら、これらの半導体Ｓｉ膜においては光劣化自体は抑制されるものの、結晶化率が充分小さくないために光吸収係数が小さくなってしまい（例えば特許文献５では３０〜４５％の結晶化率）、光活性層として用いる際には非晶質系Ｓｉの場合に比して数倍の膜厚を必要とし、生産性において大きな問題を有している。
【０００５】
〔特許文献１〕
特開平５−１６６７３３号公報
〔特許文献２〕
特開平６−１２０１５２号公報
〔特許文献３〕
特開２００２−９３１７号公報
〔特許文献４〕
特開平５−６２９１９号公報
〔特許文献５〕
特開２００２−１１０５５０号公報
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述の問題点に鑑みてなされたものであり、高品質で光安定性に優れた半導体薄膜およびこれを用いた光電変換素子を提供することを目的とする。
【０００７】
本発明において特徴とするところは、少なくともシリコン（Ｓｉ）および水素（Ｈ）を含有する半導体薄膜において、ラマン散乱スペクトルより得られるＴＯ（横型光学振動）モードの散乱ピーク強度ＩＴＯとＴＡ（横型音響振動）モードの散乱ピーク強度ＩＴＡの比（＝ＩＴＡ／ＩＴＯ）が０．３５以下となることである。
【０００８】
また、前記半導体薄膜において、ラマン散乱スペクトルより得られるＴＯモードの散乱ピーク強度ＩＴＯとＴＡモードの散乱ピーク強度ＩＴＡの比（＝ＩＴＡ／ＩＴＯ）が０．２５以下であることが望ましい。
【０００９】
また、少なくともＳｉおよび水素を含有する半導体薄膜において、ラマン散乱スペクトルより得られるＴＯモードの散乱ピークの半値幅が６５ｃｍ−１以下であることを特徴とするものである。
【００１０】
また、前記半導体薄膜中の電子スピン共鳴法により評価される初期スピン密度が５×１０１５ｃｍ−３以下であることを特徴とする。
【００１１】
また、前記半導体薄膜中のＳｉ−Ｈ結合量のＳｉ−Ｈ結合量およびＳｉ−Ｈ２結合量の総和に対する割合が０．９５以上であることを特徴とする。
【００１２】
また、前記半導体薄膜の膜中水素量が７原子％以下であることが好ましい。
【００１３】
また、前記半導体薄膜の光学的バンドギャップが１．７ｅＶ以下であることを特徴とする。
【００１４】
また、前記半導体薄膜が化学気相蒸着法により形成されることを特徴とする。
【００１５】
このとき、前記半導体薄膜が基板温度３５０℃以下で形成されることが望ましい。
【００１６】
また、前記半導体薄膜はＧｅ、Ｓｎ、Ｃ、Ｎ、Ｏの少なくとも一種を含有してもよい。
【００１７】
また、少なくとも電極および半導体により形成される光電変換素子において、前記半導体の一部が前記半導体薄膜により構成される光電変換素子は優れた変換効率と光安定性を有する。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体薄膜およびそれを用いた光電変換素子の実施形態について詳細に説明する。
【００１９】
半導体薄膜において、非晶質あるいは結晶性の低い薄膜（以下、あわせて非晶質系という）の構造を記述する場合には秩序度を取り扱う場合が多く、その品質、安定性については、特に短距離秩序（ｓｈｏｒｔ  ｒａｎｇｅ  ｏｒｄｅｒ，以下、ＳＲＯという）との相関が多くの機関から指摘されている。
【００２０】
ＳＲＯが反映されるアモルファスネットワークの振動ダイナミクスを評価する手法として代表的なものに、ラマン散乱分光法が挙げられる。図１は従来および本発明の非晶質系Ｓｉ膜のラマン散乱スペクトルである。なお、本発明例１は非晶質Ｓｉ膜、本発明例２は微結晶成分をわずかに含んだ非晶質系Ｓｉ膜、従来例は非晶質Ｓｉ膜である。それぞれのスペクトルは、４８０ｃｍ−１付近にピークをもつＴＯ（横型光学振動）帯、３８５ｃｍ−１付近にピークをもつＬＯ（縦型光学振動）帯、３０５ｃｍ−１付近にピークをもつＬＡ（縦型音響振動）帯、および１６０ｃｍ−１付近にピークをもつＴＡ（横型音響振動）帯のエネルギー帯から成る。表１はスペクトル波形をＧａｕｓｓｉａｎ＋Ｌｏｒｅｎｚｉａｎ型近似曲線によって４つのエネルギー帯に分離し、それぞれのモードのピーク強度および半値幅を示したものである。なお、ピーク強度についてはＴＯモードのピーク強度を１として規格化した値を示す。
【００２１】
【表１】
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【００２２】
ここで、Ｓｉの結合角θの分布幅Δθは、ＴＯモードの散乱ピーク強度ＩＴＯとＴＡモードの散乱ピーク強度ＩＴＡの比＝ＩＴＡ／ＩＴＯと正の相関関係を有していることが知られており、本発明例１のＳｉ膜はＩＴＡ／ＩＴＯ＝０．１６、例２のＳｉ膜はＩＴＡ／ＩＴＯ＝０．２５と、従来のＩＴＡ／ＩＴＯ＝０．４１に比して１／３〜１／２程度に減少していることがわかる。一般にプラズマＣＶＤ法で得られる非晶質Ｓｉ膜のＩＴＡ／ＩＴＯ比は０．３５より大きく、この物性値を有する非晶質Ｓｉ膜を太陽電池素子の光活性層等に用いた場合には、同素子の特性に大きな光劣化が見られる。
【００２３】
同様に、Ｓｉの結合角θの分布幅Δθと正の相関を有するＴＯモードの散乱ピークの半値幅ＨＷＴＯも従来のものより本発明の方が狭幅化しており、一般にプラズマＣＶＤ法で得られる非晶質Ｓｉ膜の半値幅６５〜７５ｃｍ−１よりも小さな値となっている。
【００２４】
以上のことは、結合角のばらつきΔθが小さくなっていることを表しており、即ちＳＲＯが改善されていることを示すものである。これが、後述する光安定性の向上結果に大きく関係しているものと考えられる。
【００２５】
また、本発明例１、２のＳｉ膜は電子スピン共鳴法によって計測されるスピン密度が光照射前（初期）において、それぞれ、３．５×１０１５ｃｍ−３および２．６×１０１５ｃｍ−３であり、５．０×１０１５ｃｍ−３以下の低欠陥密度であることも確認された。スピン密度が前記より大きい値では、活性層に適用した場合に同層での再結合電流が増大し、高い素子特性が得られない。
【００２６】
一方、本発明例１、２のＳｉ膜はＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換赤外分光）法によって評価されるＳｉ−Ｈ結合量の、Ｓｉ−Ｈ結合量およびＳｉ−Ｈ２結合量の総和に対する割合がそれぞれ０．９９０、および０．９８５であった。このＳｉ−Ｈ結合量は非晶質Ｓｉ膜においては光劣化と大きな相関を有していることが知られており、一般的にＳｉ−Ｈ結合が支配的な膜ほど光劣化が小さい。近年では、膜中のＳｉ−Ｈ２結合量が７×１０１８ｃｍ−３程度に抑えられれば、光劣化が無くなるという報告もある。本発明のＳｉ膜においては、従来のプラズマＣＶＤ法で得られているＳｉ−Ｈ結合比０．９０を大きく上回り、さらに光劣化抑制効果が顕著に現れる０．９５以上の値が得られている。従来の様にＳｉ−Ｈ結合比が０．９５より小さい場合には素子特性の光劣化が大きくなり、好ましくない。
【００２７】
また、同様に光劣化と大きな相関を有しているとされている膜中水素量についても、本発明例１、２のＳｉ膜についてそれぞれ６．９原子％および５．３原子％であることがＦＴ−ＩＲにより評価算出された。なお、膜中水素量の算出は６３０ｃｍ−１付近の吸収ピーク面積とＡ  ｖａｌｕｅ＝１．６×１０１９ｃｍ−２を用いて行った。上記例においてはともに７原子％以下の低含有水素量となっており、後述する素子特性の安定性に大きく寄与しているものと思われる。含有水素量が前記より大きい場合には膜中のＳｉ−Ｈ２結合量の絶対値が増大し、光劣化が顕著となる。
【００２８】
また、光学特性としては、本発明例１、２のＳｉ膜の光学的バンドギャップがそれぞれ１．６０および１．５５ｅＶであり、１．７ｅＶ以下に狭ギャップ化していることが確認された。光学的バンドギャップが前記より大きい場合には、これをシングルセルの光活性層等に適用した際に、長波長光を充分に吸収できず、結果として素子特性が低下するといった恐れがある。
【００２９】
また、本発明例１、２のＳｉ膜は、ともに結晶化率が少なくとも１０％以下であることがラマン散乱スペクトルから確認された。このように、本発明例１、２のＳｉ膜は結晶化率が充分小さいために、光吸収係数が非晶質相を反映した充分大きな値となり、従来の非晶質Ｓｉ膜と同等の膜厚で充分な光吸収を行うことができる。ここで、結晶化率が３０％程度以上になると光吸収係数の低下が無視できなくなるため、同等な光吸収量を確保しようとすると膜厚を非常に厚くしなければならなくなり、光電変換素子製造時の生産性を大きく低下させてしまう。なお、ここでいう結晶化率は、ラマン散乱分光法によって得られたスペクトルにおける結晶相ピーク強度／（結晶相ピーク強度＋非晶質相ピーク強度）で定義されるものとし、ピーク強度は、結晶相ピーク強度＝５００〜５１０ｃｍ−１でのピーク強度＋５２０ｃｍ−１でのピーク強度、また、非晶質相ピーク強度＝４８０ｃｍ−１でのピーク強度、で定義するものとする。
【００３０】
次に、本発明のＳｉ膜を化学気相蒸着法の一種であるＣａｔ−ＰＥＣＶＤ法（熱触媒体内蔵カソード型プラズマＣＶＤ法）（特開２００１−３１３２７２号、特願２００１−２９３０３１号、等を参照）を用いて形成した例について説明する。具体的には、プラズマ励起周波数を４０Ｍ〜８０ＭＨｚ、カソード内部に設けられたＴａ、ＷまたはＣ等の高融点材料から成る触媒体の温度を１４００〜１９００℃、Ｈ２／ＳｉＨ４流量比を２〜２０、基板温度を２００〜３５０℃、ガス圧力を０．１〜５ｔｏｒｒ、ＶＨＦプラズマパワー密度を０．０１〜０．５Ｗ／ｃｍ２とそれぞれ設定した条件下で得られる。上記の製膜手法および製膜条件下では、製膜雰囲気中に存在する高次シラン系分子の密度が低く、Ｓｉ−Ｈ結合を主とした高品質非晶質系Ｓｉ薄膜が高製膜速度で形成されやすいと考えられる。
【００３１】
ここで、基板温度を３５０℃より高温とした場合には、膜成長面からの水素の脱離が顕著となり、ダングリングボンドが充分に水素終端されなくなり、結果として高欠陥密度となるため好ましくない。
【００３２】
一方、バンドギャップの異なる非晶質系Ｓｉ系薄膜を得るにはバンドギャップ調整元素を添加してもよい。具体的には、ナローギャップ化に対してはＧｅまたはＳｎ等、ワイドギャップ化に対してはＣ、ＮまたはＯ等を含有させてもよい。プラズマＣＶＤ法および触媒ＣＶＤ法等の化学気相蒸着法を用いる場合には例えば以下の原料ガスを導入する。即ち、Ｇｅを含有させるにはＧｅＨ４（Ｈは重水素Ｄを含む）、ＧｅｎＨ２ｎ＋２（ｎは正の整数、以下同様）、ＧｅＸ４（Ｘはハロゲン元素）等が挙げられる。また、Ｓｎを含有させるにはＳｎＨ４（Ｈは重水素Ｄを含む）、ＳｎｎＨ２ｎ＋２、ＳｎＸ４（Ｘはハロゲン元素）、ＳｎＲ４（Ｒはアルキル基）等が挙げられる。一方、Ｃを含有させるにはＣＨ４（Ｈは重水素Ｄを含む）、Ｃ２Ｈ２、ＣｎＨ２ｎ＋２、ＣｎＨ２ｎ、ＣＸ４（Ｘはハロゲン元素）等が挙げられる。また、Ｎを含有させるにはＮ２、ＮＯｎ、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３等が挙げられる。また、Ｏを含有させるにはＯ２、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯｎ、Ｎ２Ｏ、Ｈ２Ｏ等が挙げられる。
【００３３】
次に本発明のＳｉ膜を光電変換素子の光活性層に適用した例について詳細に説明する。
【００３４】
図２に示す光電変換素子はスーパーストレート型（透光性基板１側から光を入射させることが可能なタイプ）のタンデム素子である。構成は、透光性基板１、透明電極２、ｐ型の非晶質ＳｉＣ層３、本発明の実質的にｉ型の非晶質Ｓｉ光活性層４、ｎ型の非晶質Ｓｉ層５、ｐ型の非単結晶Ｓｉ層６、実質的にｉ型の非単結晶Ｓｉ光活性層７、ｎ型の非単結晶Ｓｉ層８及び裏面電極９を順次積層して成る。同図中の１０は透明電極２の上面に形成された取り出し電極である。なお、非晶質ＳｉＣ層３と非晶質Ｓｉ層５、および非単結晶Ｓｉ層６と非単結晶Ｓｉ層８の導電型はそれぞれ反転してもよい。また、非晶質Ｓｉ層５および非単結晶Ｓｉ層６の間にトンネル接合を形成し得る中間層を挿入してもよい。また、非晶質ＳｉＣ層３は窓層としての機能を有するが、この機能を同じく有するＳｉＯおよびＳｉＮ等のワイドギャップ材料に置き換えることが可能である。
【００３５】
このような光電変換素子を作製するには、まず、ガラス基板に透明電極となる金属酸化物層を熱ＣＶＤ法、スパッタリング法、スプレー熱分解法等の手法により形成する。このとき、透明電極形成前にＲＩＥ処理またはブラスト処理等の方法によりガラス基板表面に凹凸構造を形成してもよい。
【００３６】
次に、導電型決定元素をドープしたワイドギャップを有するｐ型の非晶質ＳｉＣ層３を前記透明電極２上に形成する。具体的には、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法等の薄膜形成技術にて膜厚１０ｎｍ程度で形成する。このとき、非晶質ＳｉＣ層３を触媒ＣＶＤ法等の手法により形成する場合には、少なくとも透明電極の表面に耐還元性に優れた薄膜層を被覆させることが望ましい。たとえば、上記薄膜層としては酸化亜鉛等をスパッタリングにより形成するとよい。また、非晶質ＳｉＣ層３は非晶質Ｓｉ光活性層４とのバンドオフセットを緩和するため、膜中のＣ濃度を非晶質Ｓｉ光活性層４との界面付近で低減させてもよい。
【００３７】
次に、前記非晶質ＳｉＣ層３上に実質的にｉ型の非晶質Ｓｉ光活性層４となる本発明の非晶質Ｓｉ層を、熱触媒体内蔵カソード型プラズマＣＶＤ法により厚さ１００〜３００ｎｍの範囲内で形成する。このとき、製膜条件は前記の条件内で選定することが好ましく、特にプラズマ励起周波数を６０ＭＨｚ、触媒体温度を１８００℃、Ｈ２／ＳｉＨ４流量比を５、基板温度を２００℃、ガス圧力を１〜１．５ｔｏｒｒ、ＲＦパワー密度を０．１〜０．２Ｗ／ｃｍ２と設定した条件下では、先の例１で示したＩＴＡ／ＩＴＯ＝０．１６、初期スピン密度３．５×１０１５ｃｍ−３なる高品質非晶質Ｓｉ膜を２．０ｎｍ／ｓｅｃという高製膜速度で形成することができる。ここでＩＴＡ／ＩＴＯ比については、その値が０．２５以下となる膜質を有するＳｉ膜を活性層に用いると、後述の結果のように特に光劣化抑制に対して大きな効果があることが明らかとなっている。本実施例のように、該値が０．２０よりもさらに小さい値となる場合はさらに大きな効果を得ることができる。
【００３８】
次に、非晶質Ｓｉ光活性層４上に非晶質ＳｉＣ層３とは反対の導電型（すなわちｎ型）の非晶質Ｓｉ層５をプラズマＣＶＤ法やスパッタ法等の真空製膜法により厚さ５０ｎｍ以下に形成する。
【００３９】
その後、非晶質Ｓｉ層５上にこれと反対の導電型（すなわちｐ型）の非単結晶Ｓｉ層６をプラズマＣＶＤ法等によって厚さ５０ｎｍ以下に形成する。
【００４０】
次に、前記非単結晶Ｓｉ層６上に実質的にｉ型の非単結晶Ｓｉ光活性層７を、プラズマＣＶＤ法等によって厚さ０．３〜３μｍ程度に形成する。
【００４１】
次に、非単結晶Ｓｉ光活性層７上に非単結晶Ｓｉ層６と反対の導電型（すなわちｎ型）の非単結晶Ｓｉ層８をプラズマＣＶＤ法等によって厚さ５０ｎｍ以下に形成する。
【００４２】
次に、裏面電極９を電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等の真空製膜法によりシート抵抗が１Ω／□程度以下となるように適当な膜厚に堆積する。具体的には、Ａｇ膜を１μｍ程度成膜するとシート抵抗０．１Ω／□以下が実現される。この際、非単結晶Ｓｉ層８およびＡｇ膜の間に透明導電膜などのバッファ層を介在させてもよい。また、Ａｇ膜は他の工程で問題のない限り他の金属等に置き換えてもよい。
【００４３】
裏取り出し電極１０については、透明電極２上に真空製膜技術、プリント及び焼成技術、さらにメッキ技術等を用いて形成することができる。
【００４４】
以上の方法よって作製された素子の明特性を表２に示す。なお、比較として本発明例２および従来のＳｉ膜を光活性層４に適用した場合の特性についても示す。本発明例２は先に記述したように吸収係数が低減しない範囲内で微結晶成分をわずかに含有させている。
【００４５】
【表２】
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【００４６】
表から分かるように、高製膜速度でＳｉ光活性層を形成したにも関わらず、高い初期変換効率を有しており、光劣化率も従来の１４．３％に比して、本発明例１，２においてはそれぞれ６．６％、５．０％と極めて低いことがわかる。このことから、本発明のＳｉ膜が高品質、且つ高光安定性を有していることがデバイス特性からも実証された。なお、表２において示した光照射後の特性は、ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ２の擬似太陽光をサンプル温度４８℃において２００時間連続照射した後に測定したものである。
【００４７】
なお、以上ではスーパーストレート型タンデム素子のトップセルへの適用例について説明したが、同型素子のボトムセル、または図１において裏面電極側から光を入射させることが可能なサブストレート型素子の各セルに適用した場合においても同様の効果が得られる。また、板状もしくは球状のＳｉ材料を用いた光電変換素子において、本発明のＳｉ薄膜をヘテロ接合部等に適用させた場合についても、同様の効果が期待できる。
【００４８】
【発明の効果】
以上のように、本発明の半導体薄膜及びそれを用いた光電変換素子によれば、従来に比してＳＲＯが大幅に改善され、高品質且つ高光安定性の半導体薄膜及びそれを有した光電変換素子を実現できる。
【００４９】
また、光電変換素子の光活性層に本発明の半導体薄膜を用いることにより、特性の安定した高効率の光電変換素子を実現させることができる。
【００５０】
さらに、光電変換素子の光活性層に本発明の半導体薄膜を用いることにより、該光電変換素子の製造において高い生産性を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】非晶質系Ｓｉ膜のラマン散乱スペクトルを示す線図である。
【図２】本発明に係る光電変換素子を模式的に説明する断面図である。
【符号の説明】
１：透光性基板
２：透明電極
３：ｐ型の非晶質ＳｉＣ層
４：実質的にｉ型の非晶質Ｓｉ光活性層
５：ｎ型の非晶質Ｓｉ層
６：ｐ型の非単結晶Ｓｉ層
７：実質的にｉ型の非単結晶Ｓｉ光活性層
８：ｎ型の非単結晶Ｓｉ層
９：裏面電極
１０：取り出し電極
【図１】
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【図２】
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