(57)【要約】【目的】製造する半導体の素子数に伴う作業時間、製造コストの増加を抑える。【構成】各素子が切断分離される前の半導体基板１２と、複数の素子に跨って形成された端子６４と複数の端子６４を連結する連結部６２とが一体成形されたリードフレーム５４、及び絶縁性プレート５２を貼り合わせ、分割線Ｌで各素子を切断分離する。この際、端子６４は、各素子に分割されて端子５８、６０となり、連結部６２は切断される。これによって、端子５８、６０は電気的に分離される。端子の形成に要する作業工数は、素子数に比例せず、分割線Ｌの本数、即ち、素子数の平方根に比例するので、素子数の増加に伴う作業時間、製造コストの低減を抑制できる。【選択図】  図６
2004288857.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のパターンで形成された複数の半導体膜と前記半導体膜にそれぞれ導通する複数の電極が形成された半導体基板と、前記半導体膜をプリント配線板に導通させるための複数の端子が前記電極に対応する箇所に設けられた絶縁性基板とを、前記電極と前記端子との間に導電性接着層を設けて貼り合わせた後に前記半導体膜、前記電極、及び前記端子で構成された半導体素子に切断分離する半導体製造方法であって、
前記絶縁性基板の前記端子を各半導体素子の切断ラインに跨って形成し、各半導体素子を切断分離する際に前記端子を各半導体素子に分割することを特徴とする半導体製造方法。
【請求項２】
前記半導体基板と前記絶縁性基板の少なくとも一方を透光性材料で形成し、前記半導体膜をＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体膜とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造方法。
【請求項３】
前記半導体基板と前記絶縁性基板を貼り合わせて固定部材の上に固定した後、太刃切断工具で前記切断ラインに沿って切断する第１工程と、
切断溝に溶融樹脂を注入し、硬化させる第２工程と、
前記溶融樹脂が硬化した固形樹脂を前記切断溝よりも細い細刃切断工具で切断し、各半導体素子を分離すると共に、各半導体素子の側面に保護膜を形成する第３工程と、
を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体製造方法。
【請求項４】
前記導電性接着層を導電性ペーストで形成することを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の半導体製造方法。
【請求項５】
前記絶縁性基板が、
複数の前記半導体端子を連結し各半導体素子を切断分離する際に前記端子から切断される連結部と前記端子とが導電性材料で一体成形されたリードフレームと、
前記リードフレームの前記端子と前記連結部に囲まれ、各半導体素子を切断分離する際に各半導体素子に分割される絶縁性プレートと、
で構成することを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の半導体製造方法。
【請求項６】
前記絶縁性プレートは、溶融樹脂を前記リードフレームの前記端子と前記連結部との間に流し込み、硬化させることによって形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体製造方法。
【請求項７】
前記絶縁性プレートとして光学的手段を設けることを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年のプリント配線板の配線の高密度化に伴い、プリント配線板に実装される半導体素子の小型化が進んでいる。その中で、チップとリードフレーム（絶縁性基板）とが同一サイズとされたチップサイズパッケージが考案されている。（例えば、特許文献１、２参照）
このチップサイズパッケージは、それぞれ未切断の複数のチップと複数のリードフレームとを貼り合わせた後に各半導体素子を切断分離することができるので、分離されたチップを１個ずつリードフレームの上に載置する工程が不要であるという利点がある。
【０００３】
しかしながら、従来は、リードフレームの端子は各半導体素子毎に個別に形成されていたので、作業時間、製造コストは、製造される半導体素子の数に比例して増加するという問題があった。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−３２９８５０号公報
【特許文献２】
特開２００２−１９８４６３号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記事実を考慮してなされたものであり、半導体基板と絶縁性基板とを貼り合わせた後に各半導体素子に切断分離する製造方法において、製造する半導体素子数の増加に伴う作業時間、製造コストの増大を抑えることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の半導体製造方法は、所定のパターンで形成された複数の半導体膜と前記半導体膜にそれぞれ導通する複数の電極が形成された半導体基板と、前記半導体膜をプリント配線板に導通させるための複数の端子が前記電極に対応する箇所に設けられた絶縁性基板とを、前記電極と前記端子との間に導電性接着層を設けて貼り合わせた後に前記半導体膜、前記電極、及び前記端子で構成された半導体素子に切断分離する半導体製造方法であって、前記絶縁性基板の前記端子を前記半導体素子の切断ラインに跨って形成し、各半導体素子を切断分離する際に前記端子を各半導体素子に分割することを特徴とする。
【０００７】
請求項１に記載の半導体製造方法では、半導体膜、電極、及び端子で構成される半導体素子に切断分離する前の半導体基板と絶縁性基板とを、電極と端子との間に導電性接着層を設けて貼り合わせ、その後、各半導体素子の切断ラインに沿って切断分離する。この際、切断ラインに跨って形成された端子が各半導体素子に分割される。
【０００８】
ここで、端子を各半導体素子に個別に形成した場合は、端子の数は素子数に比例する。しかし、端子を切断ラインに跨って形成することで端子の数が減少するので導通検査にかかる手間が少なくなる。また、マスクの製造が容易になる。従って、製造する半導体素子数が増加しても、半導体素子数の増加に伴う絶縁性基板の製造コストの上昇を抑えることができる。
【０００９】
請求項２に記載の半導体製造方法は、請求項１に記載の半導体製造方法であって、前記半導体基板と前記絶縁性基板の少なくとも一方を透光性材料で形成し、前記半導体膜をＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体膜とすることを特徴とする。
【００１０】
請求項２に記載の半導体製造方法によって製造された半導体素子は、半導体基板又は絶縁性基板が光を透過させてＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体膜へ入射させる。これによって、半導体素子は発光素子又は受光素子として機能することができる。
【００１１】
請求項３に記載の半導体製造方法は、請求項１又は２に記載の半導体製造方法であって、前記半導体基板と前記絶縁性基板を貼り合わせて固定部材の上に固定した後、太刃切断工具で前記切断ラインに沿って切断する第１工程と、切断溝に溶融樹脂を注入し、硬化させる第２工程と、前記溶融樹脂が硬化した固形樹脂を前記切断溝よりも細い細刃切断工具で切断し、各半導体素子を分離すると共に、各半導体素子の側面に保護膜を形成する第３工程と、を有することを特徴とする。
【００１２】
請求項３に記載の半導体製造方法では、第１工程で、半導体基板と絶縁性基板を貼り合わせて固定部材の上に固定した後、切断ラインに沿って太刃切断工具で各半導体素子に切断分割する。次に第２工程で、各半導体素子が切断されて形成された各半導体素子間の切断溝に溶融樹脂を注入し、硬化させる。
【００１３】
そして、第３工程で、溶融樹脂が硬化した固形樹脂を切断溝よりも細い細刃切断工具によって切断し、各半導体素子を分離すると共に、各半導体素子の側面に保護膜を形成する。
【００１４】
この保護膜によって半導体基板と絶縁性基板との接着強度が補強される。また、半導体素子が発光素子や受光素子である場合には、不透明の樹脂剤を使用することで側面からの光の侵入を防止して光学特性を向上できる。さらに、半導体素子の側面を別途コーティングする方法と比較すると、光路を樹脂で塞ぐことなく確実に側面のみに保護膜を施すことができる。
【００１５】
請求項４に記載の半導体製造方法は、請求項１乃至３の何れかに記載の半導体製造方法であって、前記導電性接着層を導電性ペーストで形成することを特徴とする。
【００１６】
請求項４に記載の半導体製造方法では、電極と端子を接続するための導電性接着層を導電性ペーストで形成する。このため、ボンディングワイヤーで接続するという複雑な作業が不要になる。また、導電性ペーストはスクリーン印刷等によって一斉に塗布できるので、作業性が向上する。
【００１７】
請求項５に記載の半導体製造方法は、請求項１乃至４の何れかに記載の半導体製造方法であって、前記絶縁性基板が、複数の前記半導体端子を連結し各半導体素子を切断分離する際に前記端子から切断される連結部と前記端子とが導電性材料で一体成形されたリードフレームと、前記リードフレームの前記端子と前記連結部に囲まれ、各半導体素子を切断分離する際に各半導体素子に分割される絶縁性プレートと、で構成することを特徴とする。
【００１８】
請求項５に記載の半導体製造方法では、複数の端子を連結部で連結したリードフレームとリードフレームの端子と連結部に囲まれた絶縁性プレートを半導体基板に貼着し、半導体膜を絶縁性プレートによって絶縁、及び保護している。
【００１９】
このように、全ての端子を一体成形し、各半導体素子を切断分離する際に初めて各端子が独立して機能するように構成したことで、端子の形成に要する工程は、リードフレームをエッチング等で形成する工程と、リードフレームを各素子に分割する工程のみとなる。
【００２０】
ここで、リードフレームを形成する工程は半導体素子数に関係無く１度の処理で行われ、リードフレームを分割する工程の作業工数は、各半導体素子を分割する切断ラインの本数に比例する。
【００２１】
即ち、端子を形成する工程には、製造する半導体素子数に比例する、所謂Ｏ（ｎ）となる工程がなく、半導体素子数の平方根に比例する、所謂Ｏ（ｎ０．５）となる工程（詳細は後述する）しか含まれない。従って、製造する半導体素子数が増加しても、半導体素子数の増加に伴う作業時間、製造コストの増加を抑えることができる。
【００２２】
請求項６に記載の半導体製造方法は、請求項５に記載の半導体製造方法であって、前記絶縁性プレートは、溶融樹脂を前記リードフレームの前記端子と前記連結部との間に流し込み、硬化させることによって形成することを特徴とする。
【００２３】
請求項６に記載の半導体製造方法であって、溶融樹脂をリードフレームの端子と連結部との間に流し込み、硬化させることによって絶縁性プレートを形成する。このため、溶融樹脂を硬化させる際に併せて後述するような光学的集光手段等を形成できる。また、絶縁性プレートを貼着する工程を削減でき、作業効率が向上する。
【００２４】
請求項７に記載の半導体製造方法は、請求項５又は６に記載の半導体製造方法であって、前記絶縁性プレートとして光学的手段を設けることを特徴とする。
【００２５】
これによって、新たに光学的手段を取り付けるための取付部を設ける必要がないので、半導体素子の小型化が妨げられない。
【００２６】
なお、ここでいう光学的手段とは、レンズのような光を収束させる集光機能、散乱板のような光を散乱させる散乱機能、光を減少させるような減光機能、反射板のような光を反射させる反射機能、またはプリズムのような光を屈折させる屈折機能等を実現する手段を指すが、光学的な機能を実現する手段であればこれらに限定されない。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下に図面を参照しながら第１の実施形態について説明する。
【００２８】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示す第１の実施形態のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子（以下、半導体素子と言う）１０は、図２〜図４に示すように、各半導体素子１０が切断分離される前の半導体基板１２と絶縁性基板１４とを貼り合わせた後、各半導体素子１０を切断ラインＬ（図２、図３に２点鎖線で図示）で切断分離することによって得られる。
【００２９】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、半導体素子１０は、半導体基板１２から切断分離されたチップ１６と、絶縁性基板１４から切断分離されたベース１８とが貼り合わされて構成されている。
【００３０】
チップ１６の基板２０は光を透過するガラス基板とされている。基板２０のベース１８との接合面にはＩＴＯ等の透明電極２２がスパッタリングによって蒸着され、透明電極２２の上にガリウムナイトライド（ＧａＮ）等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体膜（以下、半導体膜と言う）２４が形成されている。
【００３１】
基板２０の１の隅部２０Ａには透明電極２２が蒸着されずに基板２０が剥き出しになっている。そして、金電極２６が隅部２０Ａの端部に沿って半導体膜２４の上面へ延出している。
【００３２】
また、透明電極２２に覆われ、隅部２０Ａと隣合う隅部２０Ｂには金電極２８が形成されている。これによって、半導体膜２４は、透明電極２２と金電極２６、２８を介して外部に導通可能となっている。
【００３３】
そして、半導体膜２４をプリント配線板に導通させると共に、半導体膜２４を保護、絶縁するベース１８は、ガラスエポキシ樹脂によって形成されている。ベース１８には、金電極２６、２８に対応して中心角が約９０°の扇形状のスルーホール１８Ａが形成され、金電極２６、２８と接合される面からスルーホール１８Ａの壁面へ、そしてプリント配線板のランド（図示せず）と接合される裏面へ亘って銅箔が被覆されてスルーホール端子３０が形成されている。また、金電極２６、２８とスルーホール端子３０は導電性ペースト３２（図２参照）によって導通可能に接着されている。これによって、チップ１６とプリント配線板が導通できる。
【００３４】
また、基板２０とベース１８は、どちらも光透過性の材料で形成されているので、半導体素子１０の表面側とプリント配線板側の双方向から半導体膜２４へ光を入射できる。
【００３５】
そして、半導体素子１０の側面は不透明のエポキシ樹脂で形成された保護膜３４で被覆されている。この保護膜３４によって、半導体素子１０の側面は遮光され、発光素子又は受光素子の光学機能が向上されている。また、保護膜３４によってチップ１６とベース１８との接着が補強されている。
【００３６】
なお、半導体素子１０が発光素子の場合は、保護膜３４の光の屈折率が、チップ１６とベース１８の光の屈折率との差が大きいと側面にて光が反射、散乱するということが起こる。このため、半導体素子１０が発光素子の場合は、チップ１６とベース１８の光の屈折率の差が小さい透明な樹脂に炭素等の光を吸収する微粒子を分散した材料で保護膜３４を形成することが好ましい。
【００３７】
ここから、半導体素子１０の製造方法について説明する。
【００３８】
図２に示すように、半導体基板１２には、チップ１６を図中矢印Ａ方向には各列同じ向きで、図中矢印Ｂ方向には各列向きを１８０度反転させて配列する。そして、金電極２６、２８を切断ラインＬの交点Ｐを中心に密集させ、切断ラインＬに跨る１つの金電極３６として形成する。
【００３９】
また、絶縁性基板１４には、ベース１８を、スルーホール端子３０が切断ラインＬの交点Ｐに密集するように配列し、スルーホール端子３０を切断ラインＬに跨る１つの円状のスルーホール端子３８として形成する。
【００４０】
そして、スルーホール端子３８の金電極３６に面する部分に熱硬化性樹脂である導電性ペースト３２をスクリーン印刷やスタンピング等の方法で塗布し、半導体基板１２と絶縁性基板１４の側面を合わせて貼り合わせて仮固定を行う。そして、１６０℃で３０分間加熱し、導電性ペースト３２を硬化させる。
【００４１】
次に、図３、図４（Ａ）に示すように絶縁性基板１４側をダイシングテープ４０に貼り付けて半導体基板１２と絶縁性基板１４を固定し、太刃切断工具４２によって切断ラインＬで各半導体素子１０を切断分離する。この際、複数の半導体素子１０に跨って形成された円状のスルーホール端子３８が各半導体素子１０に分割され、扇形状のスルーホール端子３０となる。
【００４２】
ここで、スルーホール端子３８を各半導体素子１０に個別に形成した場合は、スルーホール端子３８の数は半導体素子１０の数に比例する所謂Ｏ（ｎ）となる。しかし、スルーホール端子３８を切断ラインＬに跨って形成することでスルーホール端子３８の数を減少させることができる。従って、半導体素子１０の製造数が増加しても、製造数の増加に伴う製造コストの上昇を抑えることができる。
【００４３】
次に、図４（Ｂ）に示すように、各半導体素子１０が太刃切断工具４２によって切断されることによって各半導体素子１０の間に形成された切断溝４４にエポキシ等の溶融樹脂４６を注入し、硬化させる。そして、図４（Ｃ）に示すように、切断溝４４よりも細い細刃切断工具４８によって溶融樹脂４６が硬化した固形樹脂４７の中央部を切断する。
【００４４】
これによって、図４（Ｄ）に示すように、各半導体素子１０が切断分割されると共に、固形樹脂４７が各半導体素子１０の側面に保護膜３４として残存する。従って、半導体素子１０の側面に保護膜を別途吹き付け等でコーティングする方法と比較して、光路を固形樹脂４７で塞ぐことなく確実に各半導体素子１０の側面のみに保護膜３４のコーティングを施すことができる
そして、図４（Ｅ）に示すように、分離された各半導体素子１０をダイシングテープ４０から剥がすと、図１に示す半導体素子１０が得られる。
【００４５】
次に、第２の実施形態について説明する。なお、第１の実施形態と同様の構成には同一の符号を付している。
【００４６】
図５（Ａ）、（Ｂ）に示すＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子（以下、半導体素子と言う）５０は、図６、図７に示すように、各半導体素子５０が切断分離されていない半導体基板１２と絶縁性プレート５２、及びリードフレーム５４を貼り合わせた後、各半導体素子を切断ラインＬ（図２、図６、７に２点鎖線で図示）で切断分離することによって得られる。
【００４７】
図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、半導体素子５０は、半導体基板１２から切断分離されたチップ１６と、絶縁性プレート５２から切断分離された窓材５６、及びリードフレーム５４から切断分離された端子５８、６０とが貼り合わされて構成されている。
【００４８】
端子５８は金電極２６に面して設けられ、端子６０は金電極２８に面して設けられ、それぞれ導電性ペースト３２（図６参照）で導通可能に接着されている。端子６０からは後述する連結部６２の切断片６２Ａが突出しているが、金電極２６とは接しておらず、金電極２６と金電極２８とが直接導通することはない。
【００４９】
また、窓材５６が、端子５８、６０、及び保護膜３４の間に嵌め込まれており、半導体膜２４を絶縁、保護している。この窓材５６は、光を透過するガラスエポキシ樹脂等の材料で形成されており、半導体素子５０の表面側とプリント配線板側の双方向から半導体膜２４へ光を入射できる。
【００５０】
ここから、半導体素子５０の製造方法について説明する。
【００５１】
図６に示すように、リードフレーム５４には、端子５８、６０を、切断ラインＬの交点Ｐに密集させて配列し、切断ラインＬに跨る１つの端子６４として形成する。そして、図中矢印Ａ方向に並ぶ各端子６４を連結部６２によって連結し、さらにこれらをフレーム６８で連結する。また、フレーム６８にも端子５８、６０を形成する。このリードフレーム５４は銅板や真鍮板等の導電性の材料にエッチングやプレス加工等を施すことによって形成する。
【００５２】
また、絶縁性プレート５２には、窓材５６を矢印Ｂ方向に２列、矢印Ａ方向に任意の数だけ配列する。
【００５３】
そして、リードフレーム５４の端子６４に導電性ペースト３２をスクリーン印刷やスタンピング等の方法で塗布し、図７に示すように、絶縁性プレート５２をリードフレーム５４の空間５４Ａに嵌め込んで、リードフレーム５４と絶縁性プレート５２をチップ１６の半導体膜２４が形成された面に貼り合わせる。そして、１６０℃で３０分間加熱し、導電性ペースト３２を硬化させる。
【００５４】
この際、半導体基板１２とリードフレーム５４との熱膨張率の差が大きいと熱膨張によって貼り合わせ位置がずれてしまうので、半導体基板１２とリードフレーム５４との熱膨張率の差はできるだけ小さい方が好ましい。半導体基板１２とリードフレーム５４との熱膨張率の差を小さくできないような場合は、非熱硬化型の導電性ペーストを使用すればこの問題を解消できる。
【００５５】
なお、絶縁性プレート５２は、貼り合わせる前に成形せずに、チップ１６に貼り合わされたリードフレーム５４の空間５４Ａに透明な溶融樹脂を流し込むようにして形成してもよい。
【００５６】
そして、各半導体素子５０を太刃切断工具４２によって切断分離する。この際、４つの半導体素子５０に跨って形成された端子６４が端子５８、６０に分割される。また、連結部６２は切断される。
【００５７】
ここで、連結部６２は切断ラインＬに対して傾斜しているので、太刃切断工具によって切断されると完全に分離され、端子５８と端子６０は、電気的に分離される。そして、第１の実施形態と同様の方法で、半導体素子５０の側面に保護膜３４を形成すると、半導体素子５０が得られる。
【００５８】
このように、全ての端子５８、６０を一体で成形し、各半導体素子５０を切断分離する際に、端子５８、６０が電気的に分離するように構成したことで、端子５８、６０の形成に要する作業工程は、半導体素子５０の数に関わりのない銅板等にエッチング等を施す工程と、チップ１４、絶縁性プレート５２と一緒に切断ラインＬで切断する工程のみである。
【００５９】
ここで、図示された３６個の半導体素子５０の切断ラインＬは１４本となり、この切断ラインＬの本数が半導体素子５０を切断分離する工程に要する作業の工数となる。なお、半導体素子５０の素子数（ｎ）を４、９、……、１４４、１６９とした場合、切断ラインＬの本数は図８の表に示すようになる。図８の表から素子数の平方根（ｎ０．５）と切断ラインＬの本数との比が、略一定（約２．３６）となることがわかる。
【００６０】
即ち、切断ラインの本数Ｌは素子数の平方根（ｎ０．５）に比例し、端子５８、６０を形成するのに要する作業工数は、Ｏ（ｎ０．５）となる。従って、素子数（ｎ）の増加に伴う作業時間、製造コストの上昇を抑えることができる。
【００６１】
次に、第３の実施形態について説明する。なお、第１、第２の実施形態と同様の構成には同一の符号を付している。
【００６２】
図９に示すＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子（以下、半導体素子と言う）７０は、図１０、図１１に示すように、各半導体素子７０が切断分離される前の半導体基板１２とプリズムプレート７２、及びリードフレーム５４を貼り合わせた後、各半導体素子７０を切断ラインＬ（図１０、図１１に２点鎖線で図示）で切断分離することによって得られる。なお、第２の実施形態の半導体素子５０とは、窓材５６をプリズム７４に変えた点のみが異なり、この相違点についてのみ説明する。
【００６３】
図９に示すように、プリズム７４は、チップ１６の半導体膜２４が形成された面から斜面を突出させている。プリズム７４は、紫外線を透過する石英ガラス、サイトップ（商品名：旭硝子製）等、ポリエチレン等で形成されており、プリズム７４へ傾斜して入射した光を屈折させて金電極２６の受光面へ入射させる。
【００６４】
ここから、半導体素子７０の製造方法について説明する。
【００６５】
図１０に示すように、プリズムプレート７２には、プリズム７４をリードフレーム５４の空間５４Ａの幅方向に２列、空間５４Ａの長手方向に任意の数だけ連続して配列する。
【００６６】
そして、図１１に示すように、プリズムプレート７２をリードフレーム５４の空間５４Ａに嵌め込んで、各半導体素子７０を太刃切断工具４２によって切断ラインＬで切断分離する。この際、プリズム７４は各半導体素子７０に分割される。
【００６７】
なお、本実施形態では、プリズムプレート７２を貼り合わせる前に形成するようにしたが、リードフレーム５４の空間５４Ａに透明な樹脂を流し込み、この樹脂を硬化させる際に、プリズム７４の形状に加工するようにしてもよい。
【００６８】
また、本実施形態では、プリズム７４について説明したが、これに換えてレンズや拡散板等も適用可能である。
【００６９】
以上、第１乃至第３の実施形態では、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子を例に取って説明したが、本発明は、他のチップサイズパッケージの半導体素子についても適用可能である。
【００７０】
【発明の効果】
本発明は上記構成にしたので、半導体基板と絶縁基板とを貼り合わせた後に各半導体素子を切断分離する製造方法において、製造する半導体素子数の増加に伴う作業時間、製造コストの増大を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）第１の実施形態に係る半導体素子を示す平面図である。
（Ｂ）（Ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図２】第１の本実施形態に係る半導体素子の製造方法を示す斜視図である。
【図３】第１の実施形態に係る半導体素子の製造方法を示す斜視図である
【図４】（Ａ）第１の実施形態に係る半導体素子の製造方法を示す断面図である。
（Ｂ）第１の実施形態に係る半導体素子の製造方法を示す断面図である。
（Ｃ）第１の実施形態に係る半導体素子の製造方法を示す断面図である。
（Ｄ）第１の実施形態に係る半導体素子の製造方法を示す断面図である。
（Ｅ）第１の実施形態に係る半導体素子の製造方法を示す断面図である。
【図５】（Ａ）第２の実施形態に係る半導体素子を示す平面図である。
（Ｂ）（Ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図６】第２の実施形態に係る半導体素子の製造方法を示す斜視図である
【図７】第２の実施形態に係る半導体素子の製造方法を示す斜視図である
【図８】第２の実施形態に係る半導体素子の製造方法における素子数と切断ラインの本数との関係を示す表である。
【図９】第３の実施形態に係る半導体素子を示す断面図である。
【図１０】第３の実施形態に係る半導体素子の製造方法を示す斜視図である。
【図１１】第３の実施形態に係る半導体素子の製造方法を示す斜視図である。
【符号の説明】
１０    半導体素子
１２    半導体基板
１４    絶縁性基板
２４    半導体膜
３２    導電性ペースト（導電性接着層）
３４    保護膜
３６    金電極（電極）
３８    金電極（電極）
４０    ダイシングテープ（固定部材）
４２    太刃切断工具
４４    切断溝
４６    溶融樹脂
４７    固形樹脂
４８    細刃切断工具
５０    半導体素子
５２    絶縁性プレート
５４    リードフレーム
６２    連結部
６４    端子
６８    フレーム（連結部）
７０    半導体素子
７２    プリズムプレート（絶縁性プレート）
７４    プリズム（光学的手段）
【図１】
2004288857.tif 000003
【図２】
2004288857.tif 000004
【図３】
2004288857.tif 000005
【図４】
2004288857.tif 000006
【図５】
2004288857.tif 000007
【図６】
2004288857.tif 000008
【図７】
2004288857.tif 000009
【図８】
2004288857.tif 000010
【図９】
2004288857.tif 000011
【図１０】
2004288857.tif 000012
【図１１】
2004288857.tif 000013