(57)【要約】【課題】絶縁層を一対の電極で挟持してなるコンデンサを同一平面内に複数形成した配線基板において、変形が小さく直角度の高い配線基板を得る。【解決手段】複数のセラミック絶縁層２ａ〜２ｈを積層してなる絶縁基板の２表面および／または内部に配線回路層３を形成してなり、内部の絶縁層１層２ｅを一対の電極６、７により挟持して構成されるコンデンサを同一面内に複数個内蔵してなり、平面視における基板中心を通る直線Ｌ１により二分される領域をＡ１、Ａ２とし、Ｌ１と直交する直線Ｌ２により二分される領域をＡ３、Ａ４とし、各コンデンサを形成する一対の電極のうち、面積が広い方の電極の領域Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４における基板総面積に対する電極総面積の比率をそれぞれＳ１（％）、Ｓ２（％）、Ｓ３（％）、Ｓ４（％）とした場合、Ｓ１≦Ｓ２、Ｓ３≦Ｓ４、０．６５≦Ｓ１／Ｓ２、０．６５≦Ｓ４／Ｓ３の関係を満たすことを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック絶縁層を積層してなる絶縁基板の表面および／または内部に配線回路層を形成してなり、内部の絶縁層１層を一対の電極により挟持して構成されるコンデンサを同一面内に複数個内蔵してなる略矩形状のセラミック多層配線基板であり、平面視における基板中心を通る直線Ｌ１により二分される領域をＡ１、Ａ２とし、該Ｌ１と直交する直線Ｌ２により二分される領域をＡ３、Ａ４とし、各コンデンサを形成する一対の電極のうち、面積が広い方の電極の各領域Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４における基板総面積に対する電極総面積の比率をそれぞれＳ１（％）、Ｓ２（％）、Ｓ３（％）、Ｓ４（％）とした場合、
Ｓ１≦Ｓ２、Ｓ３≦Ｓ４
０．６５≦Ｓ１／Ｓ２
０．６５≦Ｓ３／Ｓ４
の関係を満たすことを特徴とするセラミック多層配線基板。
【請求項２】
前記電極の面積比率Ｓ１（％）、Ｓ２（％）、Ｓ３（％）、Ｓ４（％）が、いずれも４０％以下であることを特徴とする請求項１記載のセラミック多層配線基板。
【請求項３】
前記コンデンサを形成する絶縁層の比誘電率が１５以上であり、他の絶縁層の比誘電率が１０以下であることを特徴とする、請求項１または請求項２記載のセラミック多層配線基板。
【請求項４】
前記コンデンサを形成する絶縁層と、他の絶縁層との熱膨張係数の差が０．５×１０−６／℃以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか記載のセラミック多層配線基板。
【請求項５】
前記コンデンサを形成する絶縁層と、他の絶縁層との収縮開始温度の差が５℃以下であることを特徴とする、請求項１乃至請求項４のいずれか記載のセラミック多層配線基板。
【請求項６】
高誘電率セラミック層が、セラミックフィラーと、比誘電率が２２以上であるガラスとの混合物からなることを特徴とする、請求項１乃至請求項５のいずれか記載のセラミック多層配線基板。
【請求項７】
前記コンデンサを形成した絶縁層を複数層内蔵することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか記載のセラミック多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、寸法精度の高いコンデンサを内蔵するセラミック多層配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
従来、多層配線基板は、絶縁層が多層に積層された絶縁基板の表面又は内部にメタライズ配線層が配設された構造からなり、代表的な例として、ＬＳＩ等の半導体素子収納用パッケージが挙げられる。このようなパッケージとしては、絶縁層がアルミナ等のセラミックからなるものが多用され、さらに最近では、銅メタライズと同時焼成を可能にしたガラスセラミック焼結体を絶縁基板とするものも実用化されている。
【０００３】
このようなセラミック多層配線基板は、まず、所定の比率で調合したガラスセラミック原料粉末に、適当な有機バインダーを添加し、有機溶媒中に分散させることによりスラリーを調製し、従来周知のドクターブレード法やリップコーター法等のキャスト法により、所定の厚みのグリーンシートを成形する。次に適当な金属粉末に有機バインダー、溶剤、可塑材を添加混合して得た金属ペーストを前記グリーンシートに周知のスクリーン印刷法により、所定形状のパターンに印刷したり、場合によっては、前記グリーンシートに打ち抜き加工を行うことにより、スルーホールを形成し、このホール内にもメタライズペーストを充填する。
【０００４】
その後、上記金属ペーストが塗布充填されたグリーンシートを適当な密着液を用いて複数積層し、得られたセラミック積層成形体を所定の条件で焼成する。
【０００５】
このようなセラミック多層配線基板においては、半導体素子の集積度が高まるに従い、プリント基板などの外部電気回路基板と接続するための接続端子数も増大する傾向にあり、より小型化を図る方法として、セラミック多層配線基板の下面に、半田からなる球状の接続端子を取り付けたボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）が、接続端子を最も高密度化できる構造として知られている。このボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）は、外部電気回路上の配線導体上に半田からなる接続端子を載置当設させ、２５０〜４００℃の温度で加熱処理することにより、接続端子を溶融させて接続される。この際、基板焼成時における基板の変形が大きいと、ＢＧＡが外部電気回路上の配線導体から外れ、接続不良が発生する。このため、基板の寸法精度は、４辺の寸法のみならず、４角の直角度が高いことが重要である。特に、４角の直角からのズレは０．０１５度以内であることが求められている。
【０００６】
一方、携帯電子機器、ノートパソコン等の携帯用情報端末の急激な普及に伴い、内蔵される電子部品の小型化が強く望まれている。一例として、携帯電話のスイッチング回路、及びパワーアンプ回路は、複数の抵抗体及びコンデンサにより構成され、従来、これらの素子は個々に電気回路基板上に設置されており、小型化、及び製造コスト削減の妨げとなっていた。
【０００７】
そこで、低誘電率セラミック層間に高誘電率セラミック層を設け、かかる高誘電率層を一対の電極によって挟持して構成されるコンデンサを内蔵したセラミック配線基板が提案されている（例えば、特許文献１、２、３）。
【０００８】
【特許文献１】
特開平１１−３３０７０５号
【０００９】
【特許文献２】
特開平１２−３１３２８号
【００１０】
【特許文献３】
特開平１３−３１３４６９号
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、セラミック多層配線基板の寸法精度は、原料の調合精度、粉砕精度、および焼成精度に依存するところが大きいが、コンデンサを内蔵する配線基板においては、コンデンサを形成するための面積が大きい電極の形成に伴い変形が生じ、４角の直角からのズレが生じるという問題があった。かかる変形は、電極の焼結時の収縮挙動がセラミック絶縁層と異なるため、焼成時における基板の収縮を電極が抑制しているためであると考えられる。そして、電極面積が大きいほどこの抑制効果は大きく、また、コンデンサを基板内に複数形成する場合に基板の変形は大きくなるという問題があった。
【００１２】
かかる変形は、１つのコンデンサを基板の中心部に配置した場合は発生しないものの、電子部品を小型化するために、従来、個々に電気回路基板上に設置していたコンデンサをセラミック多層配線基板内に複数個内蔵する必要がある。基板の変形を発生させることなく、複数個のコンデンサを内蔵するためには、基板中心部に、基板の厚み方向にコンデンサを形成することが有効であるが、この場合、基板の厚みが増加することにより、低背化が難しく、しかも基板重量が増加するのみならず、コンデンサを形成する高誘電率層の厚みが厚くなることにより、該層を貫通するビアホールにおける伝送損失が大きくなるという問題が生じる。このため、同一の高誘電率層に複数のコンデンサを形成することが望ましいものの、前述の変形が発生しやすいという問題があった。
【００１３】
従って、本発明は、絶縁層を一対の電極で挟持してなるコンデンサを同一平面内に複数形成し、変形が小さく直角度の高いコンデンサ内蔵の多層配線基板を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、基板内のコンデンサ電極の配置に着目し検討を重ねた結果、基板中心を通る任意の直線に対して対称に電極を配置した場合、変形は生じないことを見出した。そして、さらに、コンデンサを形成する一対の電極面積が上下で異なる場合、面積が大きい電極が該対称配置であれば、変形は生じないことを見出した。そして、さらに、電極面積が等しい対称配置以外でも、以下の条件を満たすことにより、基板４角の直角からのズレを０．０１５度以内とすることが可能であることを見出した。
【００１５】
即ち、本発明のコンデンサ内蔵配線基板は、複数のセラミック絶縁層を積層してなる絶縁基板の表面および／または内部に配線回路層を形成してなり、内部の絶縁層１層を一対の電極により挟持して構成されるコンデンサを同一面内に複数個内蔵してなる略矩形状のセラミック多層配線基板であり、平面視における基板中心を通る直線Ｌ１により二分される領域をＡ１、Ａ２とし、該Ｌ１と直交する直線Ｌ２により二分される領域をＡ３、Ａ４とし、各コンデンサを形成する一対の電極のうち、面積が広い方の電極の領域Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４における総面積の基板面積に対する比率をそれぞれＳ１（％）、Ｓ２（％）、Ｓ３（％）、Ｓ４（％）とした場合、Ｓ１≦Ｓ２、Ｓ３≦Ｓ４、０．６５≦Ｓ１／Ｓ２、０．６５≦Ｓ３／Ｓ４の関係を満たすことを特徴とする。また、電極の面積比率Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４は、いずれも４０％以下であることが望ましい。
【００１６】
また、コンデンサを形成する絶縁層の比誘電率が１５以上であり、他の絶縁層の比誘電率が１０以下であることにより、コンデンサの電極面積が低減され、基板の小型化に有効なためである。また、コンデンサ層以外の配線層を形成する他の絶縁層の比誘電率は１０以下であることによって、配線の伝送損失を低減することができる。
【００１７】
さらに、かかる高誘電率セラミック層、および低誘電率セラミック層の熱膨張係数の差は０．５×１０−６／℃以下であることによって、焼成時の冷却過程における基板に反りやクラックの発生を防止することができる。
【００１８】
また、焼成時における前記コンデンサを形成する絶縁層と、他の絶縁層との収縮開始温度の差は、５℃以内とすることによって、基板の反りを防止することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明のセラミック多層配線基板を、図１の概略断面図に基づき詳細に説明する。図１のセラミック多層配線基板１によれば、絶縁層２ａ〜２ｆが多層に積層して形成された絶縁基板２の表面および／または内部に配線回路層３が形成されている。また、各絶縁層２ａ〜２ｆには、配線回路層間を電気的に接続するためのビア導体４が形成されている。そして、この多層配線基板１の表面には、チップ５などが実装される。
【００２０】
本発明においては、上記絶縁層のうち、少なくとも１層の絶縁層２ｄにコンデンサＣ１、Ｃ２が形成されている。このコンデンサＣ１は、絶縁層２ｄが一対の電極６、６によって挟持され、コンデンサＣ２は電極７、７によって挟持されることによって構成されている。なお、各コンデンサＣ１、Ｃ２は、ビア導体４が各電極６、７に接続され、適宜、多層配線基板１の表面の配線回路層３に接続され、接続された配線回路層間から所定の静電容量が得られる。
【００２１】
かかる多層配線基板１の平面図を図２に示した。この平面図において、コンデンサＣ１、Ｃ２を形成している一対の電極６、６および電極７、７のうち、面積の広い方の電極の配置を示した。
【００２２】
本発明においては、上記平面図において、多層配線基板１の中心を通過する直線Ｌ１によって領域Ａ１、Ａ２に二分割し、また、直線Ｌ１と直交する直線Ｌ２により領域Ａ３、Ａ４に二分割し、各コンデンサを形成する一対の電極のうち、面積が広い方の電極の領域Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４における基板総面積に対する電極総面積の比率をそれぞれＳ１（％）、Ｓ２（％）、Ｓ３（％）、Ｓ４（％）とした場合、Ｓ１≦Ｓ２、Ｓ３≦Ｓ４、０．６５≦Ｓ１／Ｓ２、０．６５≦Ｓ３／Ｓ４の関係を満たすことが重要である。
【００２３】
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４の領域の定め方としては、各コンデンサを形成する一対の電極の面積は通常同一であるが、異なる場合には広い方の電極の面積をもって計算する。そして、直線Ｌ１で分断された領域における電極面積の合計が小さい方がＳ１、大きい方がＳ２と定める。直線Ｌ２で分断された領域における電極面積の合計が小さい方がＳ３、大きい方がＳ４と定める。
【００２４】
上記の関係は、上記のＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４の各領域に必ず、コンデンサを形成する電極の一部が存在することと、その電極による面積比率が上記条件を満足することにある。例えば、２つのコンデンサの各電極が、Ａ１〜Ａ４における１つ〜３つの領域に存在し、電極が全く位置しない領域が１つ以上存在すると、多層配線基板の変形が発生してしまうためである。
【００２５】
本発明によれば、上記の面積比率が上記範囲を逸脱すると、電極と絶縁層との焼成時の焼成収縮の相異に伴い、基板に変形、特に四隅の直角度が低下してしまい、設計値である基板４角の直角からのズレが０．０１５度を超えてしまう。
【００２６】
なお、本発明における「直角からのズレ」とは、図５に示すように、配線基板１における１つの角における９０°からのズレ角を測定したものである。
【００２７】
本発明によれば、上記の領域Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４における基板総面積に対する電極総面積の比率をそれぞれＳ１（％）、Ｓ２（％）、Ｓ３（％）、Ｓ４（％）
は、図２のような配置で２つのコンデンサＣ１、Ｃ２を形成した場合、Ｓ１＝Ｃ２、Ｓ２＝Ｃ２の各電極面積に相当する。
【００２８】
また、Ｓ３は、図２（ｂ）に示すように、直線Ｌ２がコンデンサＣ１、Ｃ２を分断する場合には、分断された各領域における各電極の面積の合計面積に相当する。即ち、Ｓ３＝Ｃ１Ａ４＋Ｃ２Ａ４、Ｓ４＝Ｃ１Ａ３＋Ｃ２Ａ３となる。
【００２９】
また、図３に示すように、コンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ３の３つの設けた場合、Ｓ１＝Ｃ１＋Ｃ３Ａ１、Ｓ２＝Ｃ２＋Ｃ３Ａ２となり、Ｓ３＝Ｃ３、Ｓ４＝Ｃ１＋Ｃ２となる。
【００３０】
さらに、図４に示すように、コンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４の４つの設けた場合、Ｓ１＝Ｃ１＋Ｃ４、Ｓ２＝Ｃ２＋Ｃ３となり、Ｓ３＝Ｃ３＋Ｃ４、Ｓ４＝Ｃ１＋Ｃ２となる。
【００３１】
なお、上記の比率は、Ｓ１≦Ｓ２、Ｓ３≦Ｓ４、０．６５≦Ｓ１／Ｓ２、０．７５≦Ｓ３／Ｓ４を満足することが、さらには、Ｓ１＝Ｓ２、Ｓ３＝Ｓ４であることが最も望ましい。
【００３２】
なお、前記電極の面積比率Ｓ１（％）、Ｓ２（％）、Ｓ３（％）、Ｓ４（％）は、いずれも４０％以下、特に３６％以下であることが望ましい。これは、面積比率が４０％よりも大きいと、高誘電率層を貫通するビアホール導体の配置が困難となるなど、回路設計が制約されるためである。
【００３３】
本発明によれば、絶縁基板２を構成するセラミックスとしては、アルミナ、ムライト、ガラス、ガラスセラミックスの群から選ばれる少なくとも１種が挙げられるが、概して、銅などの低抵抗導体と同時焼成して形成できる、絶縁材料の高周波領域での誘電損失が小さく高周波用に優れているなどの点で、ガラス、またはガラス成分とフィラー成分とを８００〜１０５０℃で焼成して形成した低温焼成セラミックスが望ましい。
【００３４】
低温焼成セラミックスにおける、ガラス成分としては、公知のガラス成分が用いられ、ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸亜鉛系ガラス、ホウ珪酸鉛ガラス、リチウム珪酸系ガラス、ＰｂＯ系ガラス、ＢａＯ系ガラス、ＺｎＯガラスの群から選ばれる少なくとも１種を使用することができる。特に配線基板の高熱膨張化を図る上では、リチウム珪酸系ガラス、ＰｂＯ系ガラス、ＢａＯ系ガラス、ＺｎＯガラス、ディオプサイド系結晶化ガラス、またはバリウムホウケイ酸ガラスの群から選ばれる少なくとも１種が好適に用いられる。
【００３５】
リチウム珪酸系ガラスとしては、Ｌｉ２Ｏを５〜３０重量％、特に５〜２０重量％の割合で含有するものであり、焼成後に高熱膨張係数を有するリチウム珪酸を析出するものが好適に使用される。また、上記リチウム珪酸ガラスには、Ｌｉ２Ｏ以外にＳｉＯ２を必須の成分として含むが、ＳｉＯ２はガラス全量中、６０〜８５重量％の割合で存在し、ＳｉＯ２とＬｉ２Ｏとの合量がガラス全量中、６５〜９５重量％であることがリチウム珪酸結晶を析出させる上で望ましい。
【００３６】
ＰｂＯ系ガラスとしては、ＰｂＯを主成分とし、さらにＢ２Ｏ３、ＳｉＯ２のうち少なくとも一成分を含有するものであり、焼成後にＰｂＳｉＯ３、ＰｂＺｎＳｉＯ４などの高熱膨張の結晶相が析出するものが好適に使用される。とりわけＰｂＯ（６５〜８５重量％）−Ｂ２Ｏ３（５〜１５重量％）−ＺｎＯ（６〜２０重量％）−ＳｉＯ２（０．５〜５重量％）−ＢａＯ（０〜５重量％）から成る結晶性ガラスや、ＰｂＯ（５０〜６０重量％）−ＳｉＯ２（３５〜５０重量％）−Ａｌ２Ｏ３（１〜９重量％）から成る結晶性ガラスが望ましい。
【００３７】
さらに、ＺｎＯ系ガラスとしては、ＺｎＯを１０重量％以上含有するものであり、焼成後にＺｎＯ・Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ・ｎＢ２Ｏ３などの高熱膨張の結晶相が析出するものが好適に使用される。ＺｎＯ成分以外に、ＳｉＯ２（６０重量％以下）、Ａｌ２Ｏ３（６０重量％以下）、Ｂ２Ｏ３（３０重量％以下）、Ｐ２Ｏ５（５０重量％以下）、アルカリ土類酸化物（２０重量％以下）、Ｂｉ２Ｏ３（３０重量％以下）などが配合されていてもよい。とりわけＺｎＯ：１０〜５０重量％−Ａｌ２Ｏ３：１０〜３０重量％−ＳｉＯ２：３０〜６０重量％から成る結晶性ガラスやＺｎＯ：１０〜５０重量％−ＳｉＯ２：５〜４０重量％−Ａｌ２Ｏ３：０〜１５重量％−ＢａＯ：０〜６０重量％−ＭｇＯ：０〜３５重量％から成る結晶性ガラスが望ましい。
【００３８】
ＢａＯ系ガラスとしては、ＢａＯを５重量％以上含有し、非晶質ガラス、又は焼成後にＢａＯ・２ＳｉＯ２、ＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８、ＢａＢ２Ｓｉ２Ｏ８などの結晶相を析出する結晶化ガラスが採用される。ＢａＯ以外の成分をしてＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物、ＺｒＯ２などを含む場合もある。とりわけ、ＳｉＯ２を２５〜６０重量％、ＢａＯを５〜６０重量％、及びＺｒ化合物をＺｒＯ２換算で０．１〜３０重量％の割合で含有するものが好適に使用される。
【００３９】
さらに、無機フィラーとしては、熱膨張係数を高くする場合はクォーツ、強度を高くする場合はアルミナ、比誘電率を高くする場合はＴｉＯ２、ＣａＴｉ２Ｏ３、ＭｇＴｉ２Ｏ３、ＳｒＴｉ２Ｏ３、ＢａＴｉ２Ｏ３、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７の群から選ばれる少なくとも１種のチタン酸塩系フィラーを含むことによって容易に比誘電率を高めることができる。
【００４０】
また、高誘電率層の電気的特性に関しては、１ＭＨｚ〜３ＧＨｚの周波数域における比誘電率が１５以上、誘電正接が５０×１０−４以下、−４０〜８５℃における比誘電率の温度変化率の絶対値が１００×１０−６／℃以下であることが望ましい。
【００４１】
さらに、低誘電率層の電気的特性に関しては、同周波数域における比誘電率が９以上、誘電正接が５０×１０−４以下、−４０〜８５℃における比誘電率の温度変化率の絶対値が１００×１０−６／℃以下であることが望ましい。
【００４２】
なお、低誘電率層１３の熱膨張係数αＬＫと高誘電率層１５の熱膨張係数αＨＫとの差（｜αＬＫ−αＨＫ｜）は、低誘電率層１３と高誘電率層１５との剥離を防止するという理由から１×１０−６／℃以下であることが望ましく、さらには０．５×１０−６／℃以下、０．３×１０−６／℃以下であることが望ましい。
【００４３】
本発明における低誘電率層および高誘電率層は、例えば、上記ガラス粉末３０〜９５質量％、フィラー粉末５〜７０質量％との混合物を成形、焼成して形成されたものであることが、低温焼結性とともに高強度化などの点で適当である。
【００４４】
上記低誘電率層および高誘電率層の高強度化の点からは、フィラー成分の含有量が３０質量％以上、５０質量％以下であることが望ましい。
【００４５】
本発明における配線基板は、次のようにして作成される。上記の低誘電率層用組成物および高誘電率層用組成物それぞれに、適当な有機バインダー、溶剤、可塑剤を添加混合することによりスラリーを作製し、かかるスラリーを周知のドクターブレード等の塗工方式によりグリーンシートを作製する。
【００４６】
また、配線回路層３として、適当な金属粉末にこれも有機バインダー、溶剤、可塑剤を添加混合して得た金属ペーストを前記グリーンシートの一方主面上に周知の印刷法を用いて所定のパターンを印刷する。また、場合によっては、上記のグリーンシートに打ち抜き加工してビアホールを形成し、このビアホール内にも金属ペーストを充填してビアホール導体４を形成する。
【００４７】
そして、これらパターン印刷および／またはビアホール導体４が形成されたグリーンシートを複数枚積層圧着した後焼成する。この場合、低誘電率層となるグリーンシート間に高誘電率層となるグリーンシートを内層する。
【００４８】
焼成にあたっては、成形のために配合したバインダー成分を除去するが、バインダー除去は、配線回路層３を形成する金属として、例えば、銅を用いる場合には、１００〜８００℃の水蒸気を含有する窒素雰囲気中で行われる。
【００４９】
焼成は、８００〜１０５０℃の最適焼成温度で行うことが望ましい。かかる焼成温度が８００℃より低いと緻密化することができず、１０５０℃より高いとメタライズ配線層との同時焼成が難しくなる。但し、導体配線層５の成分として銅を用いる場合には、８００〜１１００℃の非酸化性雰囲気中で焼成されることが望ましい。
【００５０】
【実施例】
低誘電率ガラスセラミックスＬの原料として、硼珪酸ガラスからなる低誘電率ガラスと、フィラーとしてアルミナ粉末を用い、また、高誘電率ガラスセラミックスＨの原料として、比誘電率が２６であるチタン酸塩系結晶化ガラスからなる高誘電率ガラス粉末と、アルミナ粉末を用いた。各粉末は、個々に粉砕、分級することにより粒度を調整した後、調合した。
【００５１】
なお、上記の高誘電率ガラスセラミックスは、１ＭＨｚ〜３ＧＨｚの周波数域における比誘電率が１８．５、誘電正接が１７×１０−４、−４０〜８５℃における比誘電率の温度変化率の絶対値が３０×１０−６／℃、室温〜４００℃における熱膨張係数が８．４×１０−６／℃である。
【００５２】
また、上記低誘電率ガラスセラミックスは、１ＭＨｚ〜３ＧＨｚの周波数域における比誘電率が６．６、誘電正接が１１×１０−４、−４０〜８５℃における比誘電率の温度変化率の絶対値が９×１０−６／℃、室温〜４００℃における熱膨張係数が８．２×１０−６／℃である。
【００５３】
上記の各ガラスセラミック材料をボールミルを用いてアクリル系バインダー、及び有機溶剤と混合することにより、セラミックスラリーを作製した。次に、このスラリーを用いて周知のドクターブレード法により、セラミックグリーンシートを作成した。尚、低誘電率のガラスセラミックスの厚みは１８０μｍ、高誘電率のガラスセラミックスの厚みは６０μｍとした。
【００５４】
そして、高誘電率ガラスセラミックスのグリーンシートの表面に銅ペーストを所定の電極パターンで印刷形成した。また、低誘電率ガラスセラミックス、高誘電率ガラスセラミックスのグリーンシートには、適宜、スルーホールを形成して前記銅ペーストを充填するとともに、銅ペーストを所定の回路パターンに印刷塗布した。
【００５５】
得られたグリーンシートは、有機バインダー、可塑剤、及び有機溶媒を成分とする密着液を塗布後、低誘電率層１２層、高誘電率層１層を加圧密着することにより積層体を作成し、３５０〜４５０℃の窒素雰囲気中で脱バインダ処理した後、９００℃にて２時間保持することによりコンデンサ内蔵の配線基板を作成した。
【００５６】
上記低誘電率ガラスセラミック１２層、および高誘電率ガラスセラミック１層、および高誘電率層に対向配置される電極が図２に示す構成と成るコンデンサ内蔵基板を作製した。
【００５７】
ここで、図２〜４に示したように、基板中心を通る、面内の直線Ｌ１により二分される領域をＡ１、Ａ２とし、Ｌ１と基板中心にて直交する面内の直線Ｌ２により二分される領域をＡ３、Ａ４とし、領域Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４における総面積の基板面積に対する比率をそれぞれＳ１（％）、Ｓ２（％）、Ｓ３（％）、Ｓ４（％）とし、その比率を表１に示した。
【００５８】
なお、表２においては、図２に示すように、同一面内に２つのコンデンサＣ１、Ｃ２を形成し、そのコンデンサの大きさや配置を種々変更してＳ１〜Ｓ４を表２のように種々変更したものである。
【００５９】
また、表３は、図４に示すように、同一面内に４つのコンデンサＣ１〜Ｃ４を領域Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４に各１個づつ配置し、各領域におけるコンデンサＣ１〜Ｃ４の面積を表３のように変更した。
【００６０】
そして、各電極配置における配線基板の直角度の測定結果を表２に示す。尚、直角度は、４角のうち直角からのズレが最も大きい値を示した。
【００６１】
【表１】
2004296545.tif 000003
【００６２】
【表２】
2004296545.tif 000004
【００６３】
【表３】
2004296545.tif 000005
【００６４】
表１の結果から、形成したコンデンサの個数に係わらず、Ｓ１／Ｓ２、およびＳ３／Ｓ４の値が０．６５以上であれば、直角度は０．０１５°以下となることがわかる。
【００６５】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明のセラミック多層配線基板は、複数のコンデンサを内蔵し、かかるコンデンサが基板内の同一の絶縁層に複数個形成した場合でも、基板の変形が抑えられ、配線基板の４角の直角からの最大ズレ角を０．０１５以下とすることが可能であり、かかる変形に起因する外部電気回路との接続不良を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のセラミック多層配線基板の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明のコンデンサを２つ具備するセラミック多層配線基板の一例を示す概略平面図である。
【図３】本発明のコンデンサを３つ具備するセラミック多層配線基板の一例を示す概略平面図である。
【図４】本発明のコンデンサを４つ具備するセラミック多層配線基板の一例を示す概略平面図である。
【図５】本発明のセラミック多層配線基板における直角度の測定方法を説明するための図である。
【符号の説明】
１・・・配線基板
２・・・絶縁基板
２ｅ・・高誘電率層
４・・・ビアホール導体
５・・・チップ部品
６、７・・・コンデンサ電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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