(57)【要約】【課題】ＩＤＤＱテストによるスクリーニング効果が上がり、さらに、目標市場不良率の達成に必要なテスト時間を短縮する。【解決手段】１０３で半導体装置のネットリストのスキャンテストベクタを生成し、１０５でスキャンテストベクタによる故障未検出結果を出力し、１０６で故障未検出結果をもとにしてＩＤＤＱテストの測定ポイントを決定し、ＩＤＤＱテストの測定ポイント１０７、スキャンテストベクタによる故障未検出ネットのＩＤＤＱテストのトグル率１０８およびスキャンテストベクタによる故障検出結果１１０を出力する。【選択図】　図１
2004125669.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置のネットリストのスキャンテストベクタを生成し、
前記スキャンテストベクタによる故障未検出結果を出力し、
前記故障未検出結果をもとにして、ネットの“０”縮退故障が未検出の場合は“１”出力状態を測定ポイントとし、ネットの“１”縮退故障が未検出の場合は“０”出力状態を測定ポイントとするようにＩＤＤＱテストの測定ポイントを決定し、
前記ＩＤＤＱテストの測定ポイント、前記スキャンテストベクタによる故障未検出ネットのＩＤＤＱテストのトグル率および前記スキャンテストベクタによる故障検出結果を出力することを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項２】
前記半導体装置の目標故障検出率が示された場合に、前記スキャンテストベクタおよび前記故障未検出結果から前記目標故障検出率を達成するスキャンテストベクタとＩＤＤＱ測定ポイントの組合せをリストアップし、前記複数のスキャンテストベクタとＩＤＤＱ測定ポイントの組合せを出力することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の検査方法。
【請求項３】
テスト時間算出情報が与えられた場合に、前記複数のスキャンテストベクタとＩＤＤＱ測定ポイントの組合せの中から最短のテスト時間を達成する組合せを決定することを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の検査方法。
【請求項４】
テストベクタ制限情報が与えられた場合に、前記スキャンテストベクタにおいて前記テストベクタ制限情報を超える部分をカットすることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の半導体装置の検査方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項記載の半導体装置の検査方法を実施する半導体装置の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はスキャンテスト及びＩＤＤＱテストを行う半導体装置の検査方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の検査においては、故障検出率を向上させるために長年にわたり様々な技術が開発されてきた。近年、論理値が“１”または“０”に固定される縮退故障の検出における有効な手法として、ＣＭＯＳチップの静止時の電源電流を測定して故障の有無を判定するＩＤＤＱテストが採用され、故障検出率の向上が図られている。
【０００３】
図５は、このような従来の半導体装置の検査方法における検査内容の決定過程を示す図である。図５において、５０１はネットリスト、５０２はＡＴＰＧ（Ａｕｔｏ　Ｔｅｓｔ　Ｐａｔｔｅｒｎ　Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）装置によるスキャンテストベクタを生成する手段、５０３はスキャンテストベクタ、５０４は故障検出結果、５０５は故障未検出結果、５０６はファンクションテストベクタ、５０７はＨＤＬシミュレータまたは故障シミュレータによるＩＤＤＱ測定ポイントの決定手段、５０８はＩＤＤＱ測定ポイント情報、５０９はＩＤＤＱテストによるネットリストのトグル率情報である。
【０００４】
ＡＴＰＧ装置は、ネットリストからスキャンテストベクタを生成する手段５０２により、スキャンテストベクタ５０３、故障検出結果５０４、故障未検出結果５０５を出力する。次に、ＨＤＬシミュレータまたは故障シミュレータは、スキャンテストベクタ５０３とファンクションテストベクタ５０６から、ＩＤＤＱ測定ポイントを決定する手段５０７により、ＩＤＤＱ測定ポイント５０８とＩＤＤＱテストによるネットリストのトグル率５０９を出力する。
【０００５】
なお、縮退故障の検出は特許文献１等にも記載されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平５−２０３７０８号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体装置の検査方法における検査内容の決定手法では、ＡＴＰＧ装置で生成されたスキャンテストベクタによる故障未検出結果と、ＨＤＬシミュレータまたは故障シミュレータによるＩＤＤＱ測定ポイントの決定に関連が無いため、スクリーニング効果が上がり難く、また、必要以上にＩＤＤＱテストの測定ポイントを増やすことでテスト時間が増加してしまうという問題があった。
【０００８】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、ＩＤＤＱテストによるスクリーニング効果が上がり、さらに、目標市場不良率の達成に必要なテスト時間を短縮することができる半導体装置の検査方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために、本発明の請求項１に係る半導体装置の検査方法は、半導体装置のネットリストのスキャンテストベクタを生成し、前記スキャンテストベクタによる故障未検出結果を出力し、前記故障未検出結果をもとにして、ネットの“０”縮退故障が未検出の場合は“１”出力状態を測定ポイントとし、ネットの“１”縮退故障が未検出の場合は“０”出力状態を測定ポイントとするようにＩＤＤＱテストの測定ポイントを決定し、前記ＩＤＤＱテストの測定ポイントと、前記スキャンテストベクタによる故障未検出ネットのＩＤＤＱテストのトグル率と、前記スキャンテストベクタによる故障検出結果を出力するものである。
【００１０】
上記構成によれば、スキャンテストベクタによる故障未検出ネットをもとにしてＩＤＤＱ測定ポイントを決定することにより、スキャンテストとＩＤＤＱテストを密接に関連付けることが可能となり、ＩＤＤＱテストによるスクリーニング効果が上がるため、総合的なテスト時間を短縮することができる。
【００１１】
本発明の請求項２に係る半導体装置の検査方法は、請求項１記載の半導体装置の検査方法において、前記半導体装置の目標故障検出率が示された場合に、前記スキャンテストベクタと前記故障未検出結果から前記目標故障検出率を達成するスキャンテストベクタとＩＤＤＱ測定ポイントの組合せをリストアップし、前記複数のスキャンテストベクタとＩＤＤＱ測定ポイントの組合せを出力するものである。
【００１２】
上記構成によれば、ＩＤＤＱ測定ポイント決定の際に、目標故障検出率を達成するスキャンテストベクタとＩＤＤＱ測定ポイントの組合せがリストアップされるため、この組み合せを出力することにより、目標故障検出率を達成するテスト時間を短縮することができる。
【００１３】
本発明の請求項３に係る半導体装置の検査方法は、請求項１または２記載の半導体装置の検査方法において、テスト時間算出情報が与えられた場合に、前記複数のスキャンテストベクタとＩＤＤＱ測定ポイントの組合せの中から最短のテスト時間を達成する組合せを決定するものである。
【００１４】
上記構成によれば、ＩＤＤＱ測定ポイント決定の際に、テスト時間算出情報により、最短のテスト時間を達成するスキャンテストベクタとＩＤＤＱ測定ポイントの組合せが決定されるため、目標故障検出率を達成するテスト時間を最短に短縮することができる。
【００１５】
本発明の請求項４に係る半導体装置の検査方法は、請求項１から３のいずれか一項記載の半導体装置の検査方法において、テストベクタ制限情報が与えられた場合に、前記スキャンテストベクタにおいて前記テストベクタ制限情報を超える部分をカットするものである。
【００１６】
上記構成によれば、ＩＤＤＱ測定ポイント決定の際に、スキャンテストベクタにおけるテストベクタ制限情報を超える部分をカットすることができるため、スキャンテストベクタとＩＤＤＱ測定ポイントの組合せを出力する際に、直ちにテストベクタ制限に従った出力が得られる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態ついて図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の検査方法における検査内容の決定過程を示す図である。図１において、１０１はネットリスト、１０２はＡＴＰＧ装置、１０３はスキャンテストベクタを生成する手段、１０４は生成されたスキャンテストベクタ、１０５は故障未検出結果、１０６は故障未検出結果をもとにしたＩＤＤＱ測定ポイントの決定手段、１０７はＩＤＤＱ測定ポイント情報、１０８はＩＤＤＱテストによるトグル率情報、１０９はスキャンテストベクタ、１１０は故障検出結果である。
【００１８】
ＡＴＰＧ装置１０２は、入力されたネットリスト１０１からスキャンテストベクタを生成する手段１０３により、スキャンテストベクタ１０４、故障検出結果１１０、故障未検出結果１０５を一時出力する。
【００１９】
ここで、故障検出結果１１０とは、ネットリスト１０１の全ネットの“０”縮退と“１”縮退の和を分母とし、スキャンテストベクタ１０４で検出可能な“０”縮退と“１”縮退の和を分子として百分率で示したものと、スキャンテストベクタ１０４で“０”縮退検出可能なネット名と“１”縮退検出可能なネット名のリストである。故障未検出結果１０５は、スキャンテストベクタ１０４で“０”縮退検出不可能なネット名と“１”縮退検出不可能なネット名のリストである。
【００２０】
次に、スキャンテストベクタ１０４と故障未検出結果１０５をもとにしたＩＤＤＱ測定ポイントの決定手段１０６により、ＩＤＤＱ測定ポイント１０７およびＩＤＤＱ測定ポイントでの故障未検出ネットのトグル率情報１０８を出力する。
【００２１】
ここで、ＩＤＤＱ測定ポイント１０７は、あるネットで“０”縮退故障の検出が不可能な場合は、“１”出力状態を測定ポイントとし、また、別のネットで“１”縮退故障の検出が不可能な場合は、“０”出力状態を測定ポイントとするように決定される。
【００２２】
このように、スキャンテストベクタ１０４の生成とスキャンテストベクタによる故障未検出ネットを対象にしたＩＤＤＱ測定ポイント１０７の決定を単一のＡＴＰＧ装置１０２で行うことにより、スキャンテストとＩＤＤＱテストが密接に関連して実行されることになり、総テスト時間の短縮が可能となる。
【００２３】
（実施の形態２）
図２は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置の検査方法における検査内容の決定過程を示す図である。図２において、２０１はネットリスト、２０２は目標市場不良率、２０３は推定市場不良率算出情報、２０４はテスト時間算出情報、２０５はＡＴＰＧ装置、２０６はスキャンテストベクタ生成手段、２０７はスキャンテストベクタ、２０８は故障検出結果、２０９は故障未検出結果、２１０は目標市場不良率から目標故障検出率を算出する手段、２１１は目標故障検出率、２１２は目標故障検出率を達成するスキャンテストベクタ長とＩＤＤＱ測定ポイントを算出し組合せをリストアップする手段、２１３はリストアップされたＩＤＤＱ測定ポイントとスキャンテストベクタ長の組合せＡ、２１４はリストアップされたＩＤＤＱ測定ポイントとスキャンテストベクタ長の組合せＢ、２１５はリストアップされたＩＤＤＱ測定ポイントとスキャンテストベクタ長の組合せＣ、２１６は各組合せのテスト時間を算出し最短テスト時間を達成する組合せを決定する手段、２１７はテスト時間が最短となるＩＤＤＱ測定ポイントとスキャンテストベクタの組合せである。
【００２４】
ＡＴＰＧ装置２０５は、入力されたネットリスト２０１からスキャンテストベクタを生成する手段２０６により、スキャンテストベクタ２０７、故障検出結果２０８、故障未検出結果２０９を一時出力する。また、ＡＴＰＧ装置２０５は、目標市場不良率２０２と推定市場不良率算出情報２０３から、目標故障検出率を算出する手段２１０により目標故障検出率２１１を一時出力する。
【００２５】
次に、スキャンテストベクタ２０７、故障未検出情報２０９、目標故障検出率２１１から、目標故障検出率を達成するスキャンテストベクタ長とＩＤＤＱ測定ポイントを算出し組合せをリストアップする手段２１２により、複数の組合せ２１３〜２１５を一時出力する。ここで、出力する組合せの数については任意に設定できるものとする。
【００２６】
最後に、テスト時間算出情報２０４、ＩＤＤＱ測定ポイントとスキャンベクタ長の組合せ２１３〜２１５から、各組合せのテスト時間算出し最短テスト時間を達成する組合せを決定する手段２１６により、テスト時間が最短となるＩＤＤＱテストとスキャンテストベクタ長の組合せ２１７を決定する。
【００２７】
このように、単一のＡＴＰＧ装置２０５により、目標とする市場不良率から目標故障検出率２１２を算出し、リストアップしたスキャンテストベクタ長とＩＤＤＱ測定ポイントの組合せ２１３〜２１５から、テスト時間が最短となる組み合わせを決定するため、目標とする市場不良率を達成するために最も短いテスト時間を達成することが可能となる。
【００２８】
（実施の形態３）
図３は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置の検査方法における検査内容の決定過程を示す図である。図３において、３０１はネットリスト、３０２は目標市場不良率、３０３は推定市場不良率算出情報、３０４はテスト時間算出情報、３０５はテストベクタ制限情報、２０５は図２記載のＡＴＰＧ装置、３０６は拡張した目標故障検出率を達成するスキャンテストベクタ長とＩＤＤＱ測定ポイントを算出し組合せをリストアップする手段、３０７は拡張したＡＴＰＧ装置、３０８はテスト時間が最短となるスキャンテストベクタ長とＩＤＤＱ測定ポイントの組合せである。
【００２９】
拡張したＡＴＰＧ装置３０７は、図２記載のＡＴＰＧ装置２０５と等しい機能を持ち、さらに、拡張した目標故障検出率を達成するスキャンテストベクタ長とＩＤＤＱ測定ポイントを算出し組合せをリストアップする手段３０６において、テストベクタ制限情報３０５により、スキャンテストベクタで行数制限を越える部分をカットする。
【００３０】
ここで、テストベクタ制限情報３０５は、テスト装置が規定している搭載可能な最大テストベクタのことを指す。次に、行数制限内のスキャンテストベクタに対して、実施の形態２と同じ手順を実施することにより、最終的にテスト時間が最短となるスキャンテストベクタ長とＩＤＤＱ測定ポイントの組合せ３０８を決定する。
【００３１】
（実施の形態４）
図４は、本発明の実施の形態４に係る半導体装置の検査方法における検査内容の決定過程を示す図である。図４において、４０１はネットリスト、４０２は目標市場不良率、４０３は推定市場不良率算出情報、４０４はテスト時間算出情報、４０５はテストベクタ制限情報、２０５は図２記載のＡＴＰＧ装置、４０６は拡張した各組合せのテスト時間を算出し最短テスト時間を達成する組合せを決定する手段、４０７は拡張したＡＴＰＧ装置、４０８は最終的にテスト時間が最短となるスキャンテストベクタ長とＩＤＤＱ測定ポイントの組合せである。
【００３２】
拡張したＡＴＰＧ装置４０７は、図２記載ののＡＴＰＧ装置２０５と等しい機能を持ち、さらに、拡張した各組合せのテスト時間を算出し最短テスト時間を達成する組合せを決定する手段４０６において、各組合せの中からテストベクタ制限情報４０５を満足するスキャンテストベクタ長を選択し、さらに各組合せのテスト時間を算出後、最短テスト時間を達成する組合せ４０８を決定する。
【００３３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、スキャンテストベクタによる故障未検出結果をもとにしてＩＤＤＱ測定ポイントを決定することで、スキャンテストとＩＤＤＱテストが密接に関連付けられるため、ＩＤＤＱテストによるスクリーニング効果が上がり、総合的なテスト時間が短縮される。
【００３４】
さらに本発明によれば、目標故障検出率を達成するスキャンテストベクタとＩＤＤＱ測定ポイントの組合せが得られるため、目標故障検出率を達成するためのテスト時間が短縮される。
【００３５】
さらに本発明によれば、テスト時間算出情報が与えられた場合に、最短のテスト時間を達成するスキャンテストベクタとＩＤＤＱ測定ポイントの組合せが得られるため、目標故障検出率を達成するテスト時間を最短にすることができる。
【００３６】
さらに本発明によれば、テストベクタ制限情報が与えられた場合に、この制限を超えるスキャンテストベクタ部分をカットすることができるため、自動的に制限条件を満足するスキャンテストベクタとＩＤＤＱ測定ポイントの組合せが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の検査方法における検査内容の決定過程を示す図。
【図２】本発明の実施の形態２に係る半導体装置の検査方法における検査内容の決定過程を示す図。
【図３】本発明の実施の形態３に係る半導体装置の検査方法における検査内容の決定過程を示す図。
【図４】本発明の実施の形態４に係る半導体装置の検査方法における検査内容の決定過程を示す図。
【図５】従来の半導体装置の検査方法における検査内容の決定過程を示す図。
【符号の説明】
１０１、２０１、３０１、４０１、５０１　ネットリスト
１０２、２０５　ＡＴＰＧ装置
１０３、２０６、５０２　スキャンテストベクタ生成手段
１０４、１０９、２０７、５０３　スキャンテストベクタ
１０５、２０９、５０５　故障未検出結果
１０６　故障検出結果をもとにしたＩＤＤＱ測定ポイント決定手段
１０７、５０８　ＩＤＤＱ測定ポイント情報
１０８、５０９　トグル率情報
１１０、２０８、５０４　故障検出結果
２０２、３０２、４０２　目標市場不良率
２０３、３０３、４０３　推定市場不良率算出情報
２０４、３０４、４０４　テスト時間算出情報
２１０　目標市場不良率から目標故障検出率を算出する手段
２１１　目標故障検出率
２１２　目標故障検出率を達成する組合せのリストアップ手段
２１３、２１４、２１５　ＩＤＤＱ測定ポイントとスキャンテストベクタ長
２１６　最短テスト時間を達成する組合せを決定する手段
２１７、３０８、４０８　最短テスト時間を達成する組合せ
３０５、４０５　テストベクタ制限情報
３０６　拡張した目標故障検出率を達成する組合せのリストアップ手段
３０７、４０７　拡張したＡＴＰＧ装置
４０６　拡張した最短テスト時間を達成する組合せを決定する手段
５０６　ファンクションテストベクタ
５０７　ＨＤＬシミュレータ等によるＩＤＤＱ測定ポイントの決定手段
【図１】
2004125669.tif 000003
【図２】
2004125669.tif 000004
【図３】
2004125669.tif 000005
【図４】
2004125669.tif 000006
【図５】
2004125669.tif 000007