(57)【要約】【課題】パターン形成プロセスの管理方法及び管理装置に関し、パターン面積を管理指標として用いることによりパターン形成プロセスの管理を定量的且つ高精度で行うことを目的とする。【解決手段】マスクパターンの投影像の光強度分布をシミュレーションし、該シミュレーションによって得られた光強度分布に基づいて基板上で所定の光強度を満足する投影像の面積を算出し、該投影像の面積に基づいてパターン形成条件を調整するように構成する。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクパターンの投影像の光強度分布をシミュレーションし、
該シミュレーションによって得られた光強度分布に基づいて基板上で所定の光強度を満足する投影像の面積を算出し、
該投影像の面積に基づいてパターン形成条件を調整することを特徴とするパターン形成プロセスの管理方法。
【請求項２】
複数のマスクパターンに対し所定の光強度を満足する投影像の共通部分の面積を算出し、
該共通部分の面積に基づいてパターン形成条件を調整することを特徴とする請求項１記載のパターン形成プロセスの管理方法。
【請求項３】
欠陥が付加されたフォトマスクパターンの投影像の光強度分布をシミュレーションし、
該シミュレーションによって得られた光強度分布に基づいて基板上で所定の光強度を満足する投影像の面積を算出し、
基板上の所定領域内で該投影像の占める面積に基づいてパターン形成条件を調整することを特徴とするパターン形成プロセスの管理方法。
【請求項４】
マスクパターンの投影像の光強度分布をシミュレーションするシミュレーション部と、
該シミュレーションによって得られた光強度分布に基づいて所定の光強度を満足する投影像の面積を算出する面積算出部と、
該投影像の面積に基づいてパターン形成プロセスを管理する管理部を備えることを特徴とするパターン形成プロセス管理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はパターン形成プロセスの管理方法及び管理装置に係り、特にフォトリソグラフィー技術を用いたパターン形成プロセスの管理方法及び管理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造ではフォトリソグラフィー技術を利用してパターン形成が行われる。フォトリソグラフィー技術はガラス基板上にクロム等により作成したマスクパターンを投影光学系を用いて半導体基板上のレジスト膜に投影露光し、これによりマスクパターンをレジスト膜に転写するものであり、所望のデバイス性能を持つ半導体デバイスを所望の歩留りで製造するためには、マスクパターンが正確にレジスト膜上に転写されるようにパターン形成プロセスを管理する必要がある。
【０００３】
しかし、近年におけるパターンの微細化はマスクパターンを正確に半導体基板上に転写することを困難にしている。即ち、パターンサイズが投影光学系の露光光の波長に近づくとともに投影光の回り込み現象が顕著になり、マスクパターンに対するレジストパターンの形状歪みが無視できなくなる。また、パターンの微細化とともにパターン間の位置ずれの許容範囲が狭くなり、さらに、マスクパターン上のクロムの残滓やレジスト面に付着したゴミ等はパターンの微細化が進むとともに無視することのできないサイズのパターン欠陥として作用するようになり、これらはいずれも半導体デバイスの性能劣化や製造歩留りの低下をもたらす原因となる。
【０００４】
以上のようにパターンの微細化とともにマスクパターンからのずれを抑えることが難しくなり、従って、半導体デバイスの製造に際しては、マスクパターンからのずれが生じることを前提にしてマスクパターンの設計およびこれを用いたパターン形成が行われる。即ち、デバイス特性を所望の範囲に収める上で要求されるパターンのずれの許容範囲を設定し、実際のパターン形成プロセスで実現されるパターンのずれがこの許容範囲に収まるようにプロセスの管理が行われる。このようなプロセス管理を行う前提として、パターン形成プロセスにおいて生じるパターンのずれを正確に見積もる必要があるが、マスクパターンを用いた投影露光実験による方法では、パターンのサイズ、形状の他にパターンの疎密の程度やレジスト膜の特性等の様々な要因によって結果が左右されることになり、これら全ての要因を考慮して実験を行うことは実際上困難である。
【０００５】
そこで、実際に投影露光実験を行う代わりにマスクパターンを投影露光したときの光強度分布を数値的に計算するいわゆる光強度シミュレーションを行い、これによってパターンのずれを予測する方法が知られている。
光強度シミュレーションについては、シミュレーションの精度やシミュレーション時間の短縮を目的として従来から様々な手法が開発され、シミュレーション用のコンピュータプログラムも市販されており、レジストパターンの形状が正確に予測可能となり半導体デバイスの設計・開発現場で実用に供されている。
【０００６】
以上のような光強度シミュレーションによって得られたパターンのずれを定量的に表す指標として従来はパターンの線幅が用いられ、いわゆる線幅管理が行われていた。
線幅管理では、線幅が所定値より大きくなると隣接するパターンとのショートの可能が高くなり、逆に小さくなると断線の可能性が高くなることが定量的に予測され、従って、線幅が所定範囲に収まるようにパターン形成プロセスの管理が行われる。
【０００７】
たとえば、所望のデバイス性能を実現する上で必要となる線幅の許容値を定め、パターン形成のための各プロセスにこれを割り振ることにより各プロセスごとに個別の許容線幅を設定する。この場合、各プロセスは自プロセスに設定された個別の許容線幅を満足するように他のプロセスと切り離して管理することができる。また、各プロセスで実際に得られた線幅の不一致を加算することにより最終的に実現されるパターンの不一致を定量的に予測し、あるいは、実際の線幅と個別に与えられた許容線幅との差から各プロセスにおけるプロセス余裕度を定量的に見積もることができ、パターン形成のための各プロセスを統一的に管理することが可能になる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、線幅管理には以下のような問題がある。即ち、マスクパターンを投影露光したときパターンのずれを生じさせる要因として、先にのべた光の回り込み現象の他にも光の近接効果や投影光学系のレンズ収差等が挙げられ、これによりパターン形状は複雑に歪みパターンが微細化するとともにその歪みは顕著になる。ところが、線幅はパターンの特定箇所での不一致を示すものであるため、このようなパターン形状の歪みを正確に表すことができない。
【０００９】
従来は、光強度シミュレーションによって得られた光強度分布の２次元形状をを観察して断線、ショート等が生じる恐れのある箇所を特定し線幅測定を行っていたが、パターンの歪みが大きい場合には線幅の測定箇所を特定することが難しくパターンのずれを正確に表すことができない。そのため、パターンの複数箇所で測定した線幅の平均値を管理指標として用いる方法が提案されているが、測定箇所の選択や測定個数に任意性が残る。
【００１０】
また、ＤＲＡＭのキャパシタセルやＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域に対するコンタクトの形成に際しては、パターンの面積がデバイス特性に対して直接的な影響を与えるが、線幅管理ではパターン面積の不一致を適切に表すことができず、デバイス特性に及ぼす影響を把握するには充分でないという問題がある。
【００１１】
また、パターン欠陥はそのサイズや形成位置に依存して隣接するパターンの形状にも影響を及ぼすが、線幅管理ではこのようなパターン欠陥の影響を充分に評価できないという問題があった。
そこで、本発明はパターン面積を管理指標として用いることによりパターン形成プロセスの管理を定量的且つ高精度で行うことを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題の解決は、マスクパターンの投影像の光強度分布をシミュレーションし、該シミュレーションによって得られた光強度分布に基づいて基板上で所定の光強度を満足する投影像の面積を算出し、該投影像の面積に基づいてパターン形成条件を調整することを特徴とするパターン形成プロセスの管理方法、
あるいは、複数のマスクパターンに対し所定の光強度を満足する投影像の共通部分の面積を算出し、該共通部分の面積に基づいてパターン形成条件を調整することを特徴とする上記パターン形成プロセスの管理方法、
あるいは、欠陥が付加されたフォトマスクパターンの投影像の光強度分布をシミュレーションし、該シミュレーションによって得られた光強度分布に基づいて基板上で所定の光強度を満足する投影像の面積を算出し、基板上の所定領域内で該投影像の占める面積に基づいてパターン形成条件を調整することを特徴とするパターン形成プロセスの管理方法、
あるいは、マスクパターンの投影像の光強度分布をシミュレーションするシミュレーション部と、該シミュレーションによって得られた光強度分布に基づいて所定の光強度を満足する投影像の面積を算出する面積算出部と、該投影像の面積に基づいてパターン形成プロセスを管理する管理部を備えることを特徴とするパターン形成プロセスの管理装置によって達成される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明では、光強度シミュレーションによって得られたマスクパターンの投影像の面積に基づいてパターン形成プロセスを管理する。そこで、以下に、光強度シミュレーションによって得られた光強度分布に基づいてレジスト膜を感光させるのに必要な光強度条件を満足する投影像の面積を算出する方法について説明する。
【００１４】
図１において、１はマスクパターン、２は光強度シミュレーションによって得られたマスクパターンの投影像である。投影像２の境界線はレジストの感光限界に該当する光強度値の等高線を示しており、マスクパターン１の内側が遮光されているときにはこの境界線で囲まれた領域内で所定の光強度条件が満たされていることになる。投影像２の形状はマスクパターンのサイズが投影光の波長に近づくと、同図に見られるように投影光の回り込みの影響によりマスクパターン１の形状からのずれが大きくなる。
【００１５】
投影像の面積算出に際しては、投影面を所定ピッチを有する縦横の格子線で囲まれたセル３に分割し各セル３の四隅、即ち格子線の交点に光強度シミュレーションで得られた光強度値を割り振る。そして、以下の手順で所定の光強度を満足するセルを抽出しその面積を合計する。
（１）　セルサイズがマスクパターンのサイズに比べて充分小さい場合
セルの四隅の光強度の平均値あるいはセルの中心部の光強度値でセルの光強度値を代表させる。そして、マスクパターン１の内側に存在するセル及びマスクパターン１の境界線に接する全てのセルについて光強度値が所定値より小さいか否か判定し、光強度値が所定の光強度値より小さいセルの面積を投影面積に加算する。ここで、投影面積には初期値として０が与えられているものとする。
【００１６】
図１は投影像２がマスクパターン１の内側に形成されている例を示しているが、一般には、投影光の回り込みの他に隣接パターンの影響等によりマスクパターン１の外側に投影像２が広がる可能性がある。そこで、マスクパターン１の境界線に接するセルが光強度条件を満足している場合には、そのセルの外側に隣接するセルに対して同様な判定を行い、光強度条件を満足すると判定された場合にはそのセルの面積を投影面積に加算する。マスクパターン１の外側に光強度条件を満足するセルがなくなるまでこの過程を繰り返すことにより所定の光強度値を満足する全てのセルの面積が加算され、これにより投影像２の面積を算出することができる。
（２）　セルサイズがマスクパターンのサイズに比べて無視できない場合
マスクパターン１の内側に存在するセル及びマスクパターン１の境界線に接する全てのセルについて四隅の光強度値を調べる。そして、四隅の光強度値が全て所定の光強度値より小さいセルは投影像２の内側にあると判断しそのセル面積を投影面積に加算する。四隅の光強度値が全て所定の光強度値より大きいセルは投影像２の外側にあると判断しそのセルを除外する。また、四隅の光強度値の中で所定値より高い点と低い点があるセルは投影像２の境界線上にあると判断し、この場合には投影像２の境界線と格子線の交点の座標からセルを分割する線分を求め、分割されたセルのうち光強度が所定値より小さい部分の面積を投影面積に加算する。
【００１７】
また、（１）　と同様に、マスクパターン１の境界線に接するセルが光強度条件を満足している場合には、そのセルの外側に隣接するセルに対して同様な判定を行い、光強度条件を満足すると判定された場合にはそのセルの面積を投影面積に加算する。マスクパターン１の外側に光強度条件を満足するセルがなくなるまでこの過程を繰り返すことにより所定の光強度値を満足する投影像２の面積を算出することができる。
【００１８】
次に、投影像の面積に基づいてパターン形成プロセスを管理する方法について説明する。
図２（Ａ）はＤＲＡＭキャパシタのセルパターン４と光強度シミュレーションによって得られたセルパターン４の投影像５の拡大図を示している。投影像５の境界線は、図１と同様にレジストの感光限界に該当する光強度の等高線を示している。投影像５は投影光の回り込みによって変形しその面積はセルパターン４の面積に比べて減少する。従って、このセルパターン４をマスクパターンに用いて基板上に転写した場合、キャパシタ面積が設計値に比べて減少することになる。
【００１９】
そこで、前述した方法により投影像５の面積を算出し、ＤＲＡＭの目標性能に基づいて設定されたキャパシタ面積の許容範囲に収まるようにセルパターン４のサイズ補正を行う。
セルパターン４のサイズを拡大補正することにより設計値に等しいキャパシタ面積を得ることも可能であるが、通常はデバイスサイズの拡大とのトレードオフにより補正サイズが決められ、この場合に生じるキャパシタ面積の減少はセルパターン補正後の投影像の面積により正確に把握することができ、これにより補正後のデバイス特性の変化を予測することが可能となる。
【００２０】
デバイスサイズの拡大とキャパシタ面積の減少をともに抑えるためには以下のように補正パターンが用いられる。図２（Ａ）から明らかなように、投影像５の面積減少はセルパターンの角が丸く変形したことに起因している。この点に着目して図２（Ｂ）に示したようにセルパターン４の四隅に一辺のサイズｓの矩形状補助パターン６を付加する。図２（Ａ）に示した投影像と比較すると補助パターン６を付加したことにより投影像５の歪みが低減されセルパターン４の面積に近づいていることが見てとれる。
【００２１】
図３は投影像５の面積と補助パターン６のサイズｓとの関係を求めた結果であり、図中の面積比は投影像５の面積をセルパターン４の面積に対する比率で表したものである。なお、投影像５の光強度シミュレーションに際して、投影光学系の投影光波長を２４８ｎｍ、ＮＡを０．６８、σを０．５０とした。同図には投影像５の中央部における幅ｍをセルパターン４の幅ｎに対する比で表した線幅比ｍ／ｎの補助パターンサイズ依存性を合わせて示している。補助パターン６のサイズｓが増加するとともに投影像５の面積がセルパターン４の面積に近づいていくことがわかる。この結果から、所望のキャパシタ面積を得るために必要な補助パターンのサイズｓを決めることができる。
【００２２】
一方、補助パターン６のサイズｓを増加させたとき線幅比に大きな変化は見られないことから、従来の線幅管理では投影像５の歪みや面積の変化を把握できないことがわかる。ただし、補助パターン６のサイズをある限度以上に増加させると投影像５の歪みが大きくなり、これが図３に示した線幅比の減少として現れている。従って、補助パターンのサイズは線幅比の許容範囲内で面積比が最大となるように決められる。
【００２３】
次に、パターンの重ね合わせプロセスに本発明を適用した例について述べる。図４はＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域に配線用コンタクトを重ねて形成するために用いられる２種類のマスクパターンとその投影像を示したものである。
同図（Ａ）はＭＯＳトランジスタの活性層パターン７とその投影像８を示しており、活性層パターン７の両端部がソース／ドレイン領域となる。同図（Ｂ）はコンタクト穴形成用の開口パターン９とその投影像１０を示している。また、同図（Ｃ）は投影像８と投影像１０を重ね合わせた状態を示しており、ｘ方向へδｘ、ｙ方向へδｙだけの位置ずれが生じている。投影像８、１０の面積の共通部分がコンタクト面積となる。
【００２４】
投影光の回り込みにより投影像８の先端部は丸く変形し、また、投影像１０は矩形から円形に近い状態に変形する。そのため、活性層パター　ン７と開口パターン９を重ね合わせ転写した場合、同図（Ｃ）に見られるように個々のパターンの歪みと位置ずれの影響が重なってコンタクト面積が大幅に減少することが予想される。
【００２５】
図５はコンタクト面積に及ぼすパターンの位置ずれの影響を示した図である。縦軸の面積比は、コンタクト面積、即ち、活性層パターンの投影像８と開口パターンの投影像１０の共通部分の面積を開口パターン９の面積に対する比率で示している。同図はｙ方向の位置ずれδｙをパラメータとしｘ方向の位置ずれδｘに対する面積比の変化を示しており、位置ずれが大きくなるとともにコンタクト面積が急激に減少することがわかる。
【００２６】
コンタクト面積の減少はコンタクト抵抗の増加をもたらしデバイス特性を劣化せる。そこで、デバイスの目標性能を満たすために必要なコンタクト抵抗からコンタクト面積の許容値を導き出し、この許容値を用いて図５からｘ方向及びｙ方向の位置ずれの許容範囲を設定することができる。そして、この許容範囲に基づいて投影光学系の位置合わせ精度が決められる。
【００２７】
コンタクト面積の減少はパターンの位置ずれ以外にも様々な要因によってもたらされる。その例として、投影光学系の焦点距離のずれがコンタクト面積に与える影響について述べる。
図６は斜め形状を有するＭＯＳトランジスタの活性層パターン１１とその投影像１２を示したものであり、同図（Ａ）は投影光学系の焦点距離のずれが０、同図（Ｂ）は焦点距離のずれが０．４μｍの場合を示している。図６（Ａ）、（Ｂ）の右端には、活性層パターン１１の端部にコンタクト穴形成のための開口パターンを重ね合わせて形成したときの活性層パターン１１の投影像１２と開口パターン（図示せず）の投影像１２ａ　の拡大図を示しており、投影像１２と投影像１２ａ　の重なり部分である斜線を施した部分がコンタクト面積となる。図６（Ａ）、（Ｂ）を比較すると、活性層パターン１１の両端部において投影像１２が焦点距離のずれとともに急激に後退し、これに伴ってコンタクト面積が著しく減少しコンタクト抵抗が増加することがわかる。従って、焦点距離のずれとコンタクト面積との関係は焦点距離の許容範囲を決める上で重要である。
【００２８】
図７は図６に示した斜め形状を有する活性層のコンタクト面積に及ぼす投影光学系の焦点距離のずれの影響を示したものであり、活性層パターン１１の幅ｈをパラメータに用いている。図７における縦軸の面積比は活性層パターンの投影像１２と開口パターンの投影像（図示せず）　の共通部分の面積を開口パターンの面積に対する比率で表している。焦点距離のずれが大きくなるとともにコンタクト面積が急激に小さくなっており、この結果から投影光学系の焦点距離のずれがコンタクト面積に与える影響を定量的に評価することができ、これによって得られた焦点距離のずれの許容値に基づいて投影光学系の調整が行われる。
【００２９】
なお、図７に見られるように、活性層パターン１１の幅ｈが小さくなると焦点距離のずれに対するコンタクト面積の減少が著しくなるが、コンタクト面積の減少を防ぐため幅ｈを大きくすると活性層パターン１１同士の短絡の確率が高くなる。従って、実際の投影光学径の調整はこれらの要因を考慮して行う。
次に、マスクパターン作成時における残留クロムやレジスト面上のゴミ等に起因して形成されるパターン欠陥の影響を本発明に係る方法によって評価・管理する方法について述べる。
【００３０】
図８は互いに近接する２本の配線パターン１３、１４の中間位置にパターン欠陥Ｄが存在する状態を示しており、パターン欠陥Ｄは一辺のサイズｓの矩形で表されている。図９は図８中の点線で囲んだ領域１５に対し光強度シミュレーションを行うことによって得られた投影像を示しており、同図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はパターン欠陥Ｄのサイズｓにより投影像が変化する様子を示している。サイズｓが大きくなると、配線パターン１３、１４の投影像の歪みが大きくなりやがてショートをひき起こすことがわかる。
【００３１】
図１０は図９に示した投影像の面積のパターン欠陥サイズ依存性を示したものであり、図中の面積比は領域１５の面積に対する投影像の面積の比を表している。領域１５をパターン欠陥の影響が及ぶ範囲に定めることにより、パターン欠陥の投影像に及ぼす影響を定量的に把握することができる。同図には、配線パターン１３、１４の投影像間の最短距離を配線パターン１３、１４間の距離に対する比で表した線幅比を合わせて示している。面積比と同様に線幅比もサイズｓの増加とともに急激に変化するが、線幅比はその測定箇所によって結果が異なり、パターンが複雑な形状をしている場合にはその測定箇所の特定が困難となりパターン欠陥の影響を客観的に表すことが難しくなる。これに対し、面積比はパターン欠陥の影響を一意に表すことができ、パターン欠陥の影響を客観的に評価することができる。
【００３２】
以上はパターンのずれに対するパターン欠陥のサイズの影響を評価したものであるが、次に、パターン欠陥の配置位置の及ぼす影響を本発明によって評価した例について述べる。
図１１は配線パターン１６、１７、１８の端部が集中する領域に一辺のサイズｓの矩形状パターン欠陥Ｄ１　、Ｄ２　が配置されている状態を示している。図１２は図１１に示した配線パターン１６、１７、１８の投影像を示したものであり、同図（Ａ）はパターン欠陥Ｄ１　のみが存在する場合、同図（Ｂ）はパターン欠陥Ｄ２　のみが存在する場合を示している。図１３は図１２（Ａ）、（Ｂ）に対応してパターン欠陥Ｄ１　、Ｄ２　がそれぞれ単独で存在した場合における面積比を求めた結果を示しており、同図からパターン欠陥Ｄ１　がパターン欠陥Ｄ２　に比べてより大きなパターンのずれをもたらすことが分かる。一方、線幅管理では測定箇所によって結果が異なりパターン欠陥の影響を客観的に把握することはできない。
【００３３】
図１４は以上述べたパターン形成プロセスの管理方法を実施するための管理装置を示すブロック図である。半導体デバイスの目標性能に基づいてマスクパターン設計部１９でマスクパターンの設計が行われる。そして、シミュレーション部２０では設計されたマスクパターンと投影光学系のパラメータに基づいてマスクパターンの投影像の光強度シミュレーションが行われ、面積算出部２１はこのシミュレーションによって得られた光強度分布に基づいて所定の光強度条件、たとえばレジスト膜の感光限界に該当する光強度を満たす投影像の面積を算出する。そして、管理部２２では、半導体デバイスの目標性能を所定範囲に収めるために要求される投影像の面積の許容範囲を定め、面積算出部２１から送られてきた投影像の面積がこの許容範囲に収まるか否か判定する。判定結果はマスクパターン設計部１９及び投影光学部２３に送られる。パターン設計部１９では判定結果に基づいてマスクパターンの補正を行い、また、投影光学部２３では光学パラメータの調整を行う。以上の過程は投影像の面積が許容範囲に収まるまで行う。
【００３４】
本発明の実施例では投影像の面積に基づいてパターンサイズの補正及び投影光学系の調整を行う方法について述べたが、投影像の面積によるパターン形成プロセスの管理はこれに限られることなく、膜形成工程やエッチング工程の管理にも用いることができる。
（付記１）　マスクパターンの投影像の光強度分布をシミュレーションし、
該シミュレーションによって得られた光強度分布に基づいて基板上で所定の光強度を満足する投影像の面積を算出し、
該投影像の面積に基づいてパターン形成条件を調整することを特徴とするパターン形成プロセスの管理方法。
【００３５】
（付記２）　該投影像の面積に基づいてマスクパターンの補正を行うことを特徴とする付記１記載のパターン形成プロセスの管理方法。
（付記３）　該投影像の面積に基づいて投影光学系の露光条件を調整することを特徴とする付記１記載のパターン形成プロセスの管理方法。
（付記４）　複数のマスクパターンに対し所定の光強度を満足する投影像の共通部分の面積を算出し、
該共通部分の面積に基づいてパターン形成条件を調整することを特徴とする付記１記載のパターン形成プロセスの管理方法。
【００３６】
（付記５）　欠陥が付加されたフォトマスクパターンの投影像の光強度分布をシミュレーションし、
該シミュレーションによって得られた光強度分布に基づいて基板上で所定の光強度を満足する投影像の面積を算出し、
基板上の所定領域内で該投影像の占める面積に基づいてパターン形成条件を調整することを特徴とするパターン形成プロセスの管理方法。
【００３７】
（付記６）　マスクパターンの投影像の光強度分布をシミュレーションするシミュレーション部と、
該シミュレーションによって得られた光強度分布に基づいて所定の光強度を満足する投影像の面積を算出する面積算出部と、
該投影像の面積に基づいてパターン形成プロセスを管理する管理部を備えることを特徴とするパターン形成プロセス管理装置。
【００３８】
【発明の効果】
以上のように、光強度シミュレーションによって得られたマスクパターンの投影像の面積に基づいてパターン形成プロセスの管理を行うことにより、マスクパターンの補正を従来に比べて高精度で行うことができ、また、パターンの重ね合わせプロセスにおける位置ずれの影響やパターン欠陥の影響を的確に把握することができるので、デバイスの目標性能を達成し製造歩留りを向上させる上で有益である。
【図面の簡単な説明】
【図１】マスクパターンの投影像の面積算出を説明する図。
【図２】パターンの歪みを示す図。（Ａ）はキャパシタセルパターンとその投影像、（Ｂ）は補助パターン付きキャパシタセルパターンとその投影像を示している。
【図３】投影像の面積の補助パターンサイズ依存性を示す図。
【図４】パターンの重ね合わせプロセスを説明する図（その１）。（Ａ）は活性層パターンとその投影像、（Ｂ）は開口パターンとその投影像、（Ｃ）は重ね合わせた投影像を示している。
【図５】コンタクト面積の位置ずれ依存性を示す図。
【図６】パターンの重ね合わせプロセスを説明する図（その２）。（Ａ）は投影光学系の焦点距離のずれが０の場合、（Ｂ）はずれが０．４μｍ　の場合を示している。
【図７】コンタクト面積の焦点距離ずれ依存性を示す図。
【図８】パターン欠陥を含む配線パターンを示す図（その１）
【図９】パターン欠陥を含む配線パターンの投影像を示す図（その１）。（Ａ）は欠陥サイズｓが０、（Ｂ）は０．１２μｍ　、（Ｃ）は０．１６μｍ　の場合を示している。
【図１０】投影面積のパターン欠陥サイズ依存性を示す図（その１）。
【図１１】パターン欠陥を含む配線パターンを示す図（その２）。
【図１２】パターン欠陥を含む配線パターンの投影像を示す図（その２）。（Ａ）は欠陥Ｄ１　が存在する場合、（Ｂ）は欠陥Ｄ２　が存在する場合を示している。
【図１３】投影像の面積のパターン欠陥サイズ依存性を示す図（その２）
【図１４】パター　ン形成プロセスの管理装置を示すブロック図
【符号の説明】
１　マスクパターン
２、５、８、１０、１２、１２ａ　　投影像
３　セル
４　キャパシタセルパターン
６　補助パターン
７、１１　活性層パターン
９　開口部パターン
１３、１４、１６、１７、１８　配線パターン
１５　パターン欠陥
１９　　パターン設計部
２０　シミュレーション部
２１　面積算出部
２２　管理部
２３　投影光学部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004053683.tif 000009
【図８】
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【図９】
2004053683.tif 000011
【図１０】
2004053683.tif 000012
【図１１】
2004053683.tif 000013
【図１２】
2004053683.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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