(57)【要約】【課題】誘電体層のビアホール内径ＤＶを反映したＣＡＤデータを、該ビアホールを形成するためのフォトリソグラフィー用露光マスクのビアホールパターン外径ＤＰよりなるＣＡＭデータに適正かつ効率的に変換することができる電子回路基板用ＣＡＭデータ作成方法を提供する。【解決手段】感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィー工程により誘電体層のビアホールを形成するために、ＣＡＤデータに反映された誘電体層のビアホール内径ＤＶを、該ビアホール内径ＤＶより小さいフォトリソグラフィー用露光マスクのビアホールパターン外径ＤＰに、ＣＡＭデータとして変換する。このとき、ビアホール形成位置の誘電体層の厚さに応じて、ビアホールパターン外径ＤＰとビアホール内径ＤＶとの比ξ＝ＤＰ／ＤＶを補正する。【選択図】      図４７
2004333597.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層と誘電体層とが交互に積層された電子回路基板において、前記誘電体層に形成されるビアホールをＣＡＤデータとして作成し、
感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィー工程により前記誘電体層のビアホールを形成するために、前記ＣＡＤデータに反映された前記誘電体層のビアホール内径ＤＶを、該ビアホール内径ＤＶより小さいフォトリソグラフィー用露光マスクのビアホールパターン外径ＤＰに、ＣＡＭデータとして変換するとともに、
前記ビアホール形成位置の前記誘電体層の厚さに応じて、前記ビアホールパターン外径ＤＰと前記ビアホール内径ＤＶとの比ＤＰ／ＤＶを補正することを特徴とする電子回路基板用ＣＡＭデータ作成方法。
【請求項２】
複数の導体層が誘電体層を介して積層された電子回路基板を設計かつ製造するためのＣＡＤ／ＣＡＭシステムであって、
電子回路基板に形成すべき導体層及び誘電体層に対応する複数の作図レイヤを設定する作図レイヤ設定手段と、
前記電子回路基板を構成する基板要素のうち、作図対象として予め定められたものを作図対象要素として、それら作図対象要素の設計上の寸法、形状及び配置位置を特定するためのＣＡＤデータを、前記作図レイヤ上に入力するＣＡＤデータ入力手段と、
前記作図対象要素又は該作図対象要素と関連付けた形で前記電子回路基板に形成される付加要素を製造対象要素として、該製造対象要素自体又は該製造対象要素の製造用治具の対応部分の、製造工程上の寸法、形状及び配置位置を特定するＣＡＭデータを、前記ＣＡＤデータからの変換により作成するＣＡＭデータ変換手段と、
該ＣＡＭデータを出力するＣＡＭデータ出力手段と、を備え、
前記製造対象要素を前記電子回路基板の主表面上に形成される誘電体層のビアホールとし、前記ＣＡＤデータ入力手段により該誘電体層のビアホールを前記ＣＡＤデータとして入力作成するとともに、
前記ＣＡＭデータ変換手段は、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィー工程により前記誘電体層にビアホールを形成するために、前記ＣＡＤデータに反映された前記誘電体層のビアホール内径ＤＶを、該ビアホール内径ＤＶより小さいフォトリソグラフィー用露光マスクのビアホールパターン外径ＤＰに、ＣＡＭデータとして変換するものであり、かつ、ビアホール形成位置の前記誘電体層の厚さに応じて、前記ビアホールパターン外径ＤＰと前記ビアホール内径ＤＶとの比ＤＰ／ＤＶを補正することを特徴とする電子回路基板用ＣＡＤ／ＣＡＭシステム。
【請求項３】
コンピュータにインストールすることにより、請求項２記載の電子回路基板用ＣＡＤ／ＣＡＭシステムを構成する各手段として当該コンピュータを機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項４】
請求項２記載の電子回路基板用ＣＡＤ／ＣＡＭシステムを用いて、得るべき電子回路基板に必要な作図対象要素を前記作図レイヤ上に前記ＣＡＤデータとして入力することにより、前記電子回路基板の設計情報を前記ＣＡＤデータの集合として作成する電子回路基板設計工程と、
前記ＣＡＤデータに基づいて前記ＣＡＭデータ作成手段が作成した前記ＣＡＭデータの、前記ＣＡＭデータ出力手段による出力内容を用いて前記電子回路基板を製造する電子回路基板製造工程とを含み、
前記電子回路基板製造工程において、前記ＣＡＭデータ作成手段が作成した前記ＣＡＭデータに基づいて、該ＣＡＭデータが特定するビアホールパターンを有する前記露光マスクを作成し、該露光マスクを用いて前記電子回路基板上に、得るべき前記ビアホールを有する誘電体層を形成するフォトリソグラフィー工程を実施することを特徴とする電子回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子回路基板用ＣＡＭデータ作成方法、電子回路基板用ＣＡＤ／ＣＡＭシステムとそれに使用するコンピュータプログラム、及び電子回路基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】
特開２０００−２７６５０５号公報
【０００３】
ＩＣやマイクロプロセッサ等の半導体チップは、近年高集積化が急速に進んでいることから、チップの入出力部の端子数も大幅に増大しつつある。これを受けて、そのようなチップを接続するための電子回路基板も線路導体の数が急増しており、高分子材料やセラミック等の誘電体層を介して多層の線路導体を作り込んだ積層型のパッケージ基板が増えてきている。最近では、このような電子回路基板の設計を効率よく行なうために、コンピュータ作図処理を用いた設計システム、いわゆるＣＡＤ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ  Ａｉｄｅｄ  Ｄｅｓｉｇｎ）システムが使用されている（特許文献１）。これは、表示装置上に作図画面を開き、線路導体、接地用あるいは電源用の面導体、異なる導体線路層同士を接続するビア、あるいは配線端子部をなすパッドやランドなどの基板要素を、ＣＡＤデータとして、マウス等の入力装置を用いて作図レイヤ上に描くことにより基板設計図を得るものである。
【０００４】
ところで、従来のＣＡＤシステムにおいては、基板設計図上に入力された基板要素の位置や形状あるいは寸法は、あくまで完成基板での情報として入力されるので、電子回路基板の製造工程において直接利用できない場合がある。例えば、線路導体、ランド、パッド、グランド用ないし電源用の面導体などは、セラミック基板の場合は、セラミックグリーンシート上に導体ペーストを用いて導体パターンを印刷形成し、焼成することにより形成され、オーガニック基板の場合は、フォトリソグラフィーを用いた金属薄層のエッチングにより導体パターンが形成される。さらに、ビアに関しては、レーザーによる穿孔加工又はビルドアップ層をなす光硬化性樹脂へのフォトビアプロセスにより形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、設計図に盛り込まれた各基板要素のＣＡＤデータ（寸法、形状あるいは基板内の形成位置など）は、あくまで製品基板をイメージしつつ入力される設計情報である。これに対し、該設計図を用いて実際に基板を製造する際に必要となるのは各基板要素に対応した製造用図形情報であり、製品基板の設計情報であるＣＡＤデータからの乖離が大きい場合は、基板要素のＣＡＤデータを基板製造に直接使用することができない。
【０００６】
例えば、フォトリソグラフィーによる導体パターンやビアの形成に際しては、個々の回路基板要素の形成状態に応じてエッチング条件が相違するなどの理由により、個別の変換条件を考慮する必要がある。具体的には、ビアホールパターンを有した露光マスクを感光性樹脂からなる誘電体層上に重ねて露光し、ビアホール予定部分以外の樹脂を硬化させる一方、ビアホール予定部分の未硬化の樹脂を溶剤等によりエッチング除去して開口とする。しかし、このエッチング代が一定しないため、誘電体層に形成すべきビアホール内径を、露光マスクのビアホールパターンの外径へ変換するための条件が系統的に把握されていなかったため、実際に得られるビアホール内径が所望の値からずれたり、バラツキやすくなったりし、ひいては、該ビアホール内に形成されるビア導体の寸法を精度よく制御できなくなる場合があった。
【０００７】
本発明の課題は、誘電体層のビアホール内径ＤＶを反映したＣＡＤデータを、該ビアホールを形成するためのフォトリソグラフィー用露光マスクのビアホールパターン外径ＤＰよりなるＣＡＭデータに適正かつ効率的に変換することができる電子回路基板用ＣＡＭデータ作成方法、及びそれに用いる電子回路基板用ＣＡＤ／ＣＡＭシステム、ＣＡＤ／ＣＡＭシステムの機能をコンピュータ上にて実現するためのコンピュータプログラム、さらに、前記電子回路基板用ＣＡＤ／ＣＡＭシステムを用いた電子回路基板の製造方法とを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用・効果】
本発明の電子回路基板用ＣＡＭデータ作成方法は、
導体層と誘電体層とが交互に積層された電子回路基板において、誘電体層に形成されるビアホールをＣＡＤデータとして作成し、
感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィー工程により誘電体層のビアホールを形成するために、ＣＡＤデータに反映された誘電体層のビアホール内径ＤＶを、該ビアホール内径ＤＶより小さいフォトリソグラフィー用露光マスクのビアホールパターン外径ＤＰに、ＣＡＭデータとして変換するとともに、
ビアホール形成位置の誘電体層の厚さに応じて、ビアホールパターン外径ＤＰとビアホール内径ＤＶとの比ＤＰ／ＤＶを補正することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明のＣＡＤ／ＣＡＭシステムは、
複数の導体層が誘電体層を介して積層された電子回路基板を設計かつ製造するためのＣＡＤ／ＣＡＭシステムであって、
電子回路基板に形成すべき導体層及び誘電体層に対応する複数の作図レイヤを設定する作図レイヤ設定手段と、
電子回路基板を構成する基板要素のうち、作図対象として予め定められたものを作図対象要素として、それら作図対象要素の設計上の寸法、形状及び配置位置を特定するためのＣＡＤデータを、作図レイヤ上に入力するＣＡＤデータ入力手段と、
作図対象要素又は該作図対象要素と関連付けた形で電子回路基板に形成される付加要素を製造対象要素として、該製造対象要素自体又は該製造対象要素の製造用治具の対応部分の、製造工程上の寸法、形状及び配置位置を特定するＣＡＭデータを、ＣＡＤデータからの変換により作成するＣＡＭデータ変換手段と、
該ＣＡＭデータを出力するＣＡＭデータ出力手段と、を備え、
製造対象要素を電子回路基板の主表面上に形成される誘電体層のビアホールとし、ＣＡＤデータ入力手段により該誘電体層のビアホールをＣＡＤデータとして入力作成するとともに、
ＣＡＭデータ変換手段は、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィー工程により誘電体層にビアホールを形成するために、ＣＡＤデータに反映された誘電体層のビアホール内径ＤＶを、該ビアホール内径ＤＶより小さいフォトリソグラフィー用露光マスクのビアホールパターン外径ＤＰに、ＣＡＭデータとして変換するものであり、かつ、ビアホール形成位置の誘電体層の厚さに応じて、ビアホールパターン外径ＤＰとビアホール内径ＤＶとの比ＤＰ／ＤＶを補正することを特徴とする。
【００１０】
電子回路基板の基板要素は、導体層あるいは誘電体層に作りこまれる、基板構造上の回路構成単位である。導体層には、線路導体のほか、接地導体、電源導体、特殊形状線路導体（例えば幅方向両縁が平行とならない異形の線路導体などである）あるいはコンデンサ電極などをなす面導体、パッドやランドなどの端子部が基板要素として形成される。また、誘電体層には、異なる導体層間を電気的に接続するビアが基板要素として形成される。また、基板最表面側に位置する導体層には、フリップチップ接合等に使用される半田バンプの下地として使用される半田ランドを基板要素として形成することができる。この場合、その半田ランド上に後から形成される半田バンプも基板要素の一つである。さらに、基板最表面に形成される誘電体層が、半田ランドの周囲を覆うソルダーレジスト層である場合、そのソルダーレジスト層に形成されるビアホール、例えば半田ランドを露出させるための半田用開口も基板要素の一つである。
【００１１】
また、基板要素は、その全てがＣＡＤによる作図対象とならない場合がある。例えば、半田ランド（あるいは半田用開口）を作図対象要素とする一方、該半田ランド上に後工程で形成される半田バンプを特にＣＡＤ上で作図しないことがある。この場合、半田ランドや半田用開口が作図対象要素であり、半田バンプは、該作図対象要素と関連付けた形で電子回路基板に形成される付加要素をなす。基板製造工程上で製造対象となる基板要素、すなわち製造対象要素は上記作図対象要素であり、また、半田バンプなどが付加要素として取り扱われる場合は、作図対象要素と付加要素とを合わせたものが製造対象要素である。
【００１２】
誘電体層に形成するビアホールのＣＡＤデータは、基板製造工程においては、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィー工程により誘電体層のビアホールを形成するために（以下、フォトビアプロセスともいう）、ＣＡＤデータに反映された誘電体層のビアホール内径ＤＶを、フォトビアプロセス用露光マスクのビアホールパターン外径ＤＰよりなるＣＡＭデータに変換する必要がある。
【００１３】
本発明者らが詳細に検討したところ、フォトビアプロセスの場合、露光マスクのビアホールパターン外径ＤＰと、実際に得られるビアホール内径ＤＶとの比が必ずしも一定とならず、結果的に、得られるビアホール内径が過剰ないし不足となったり、バラツキを生じたりする原因となっていることがわかった。誘電体層のビアホール寸法がばらつけば、該ビアホール内に形成されるビア寸法を精度よく制御することも困難となる。そこで、さらに検討を重ねた結果、従来の工程において、上記のビアホール内径が一定しない要因が、ビアホールを形成する位置における誘電体層の厚さと関係していることを突き止め、露光マスクのビアホールパターン外径Ｄ０に変換する際の、該ビアホールパターン外径ＤＰとビアホール内径ＤＶとの変換比ＤＰ／ＤＶを、ビアホール形成位置における誘電体層の厚さに応じて調整したところ、最終的に得られるビアホール内径ＤＶを設計値に対し高精度にて一致させることが可能となり、ひいてはビアホールのＣＡＤデータを、フォトビアプロセス用露光マスクのビアホールパターン外径Ｄ０を含むＣＡＭデータに適正かつ効率的に変換することができることを見出して、本発明を完成させるに至ったものである。
【００１４】
感光性樹脂には、露光部分の硬化が抑制されるタイプのもの（以下、「ポジ型」という）と、露光部分の硬化が促進されるタイプのもの（以下、「ネガ型」という）との２種類がある。特に径小のビアホールを形成したい場合は、転写すべきビアホールパターンが露光時の光の回り込みよりつぶれやすいポジ型の樹脂を使用するよりも、ネガ型の樹脂を使用したほうが有利なことが多い。ポジ型の樹脂を使用する場合は、露光マスクは、ビアホールパターンが透光部分となり、該ビアホールパターンの背景部分が遮光部分となるように形成されたものが使用される。また、ネガ型の樹脂を使用する場合は、露光マスクは、ビアホールパターンが遮光部分となり、該ビアホールパターンの背景部分が透光部分となるように形成されたものが使用される。
【００１５】
ポジ型の感光性樹脂を用いて誘電体層を形成する場合、図４５に示すように、未硬化の誘電体層（６）上に露光マスクＭＫを重ねて露光すると、誘電体層（６）は、透光部分となっているビアホールパターン（ＶＰ）の直下部分が感光し、硬化が抑制される。従って、室温ないしは適当に昇温された硬化温度で未感光部分の硬化を行なった後、感光部分を溶剤（ＳＶＴ）でエッチングすれば、ビアホール（ＶＰ）の形成された誘電体層（６）が得られる。
【００１６】
感光性樹脂は透光性を有しているので、平行光を用いて露光を行なっても、光の回りこみにより、マスク透光部分の面内方向外側に光が漏洩し、マスクのパターンと、樹脂層側に転写されるパターンとの間には不一致が生ずる。図４５のようにポジ型の樹脂を用いる場合は、ビアホールパターン（ＶＰ）による直下感光部分の外側に、漏洩感光領域が形成され、それらが合わせてエッチングされる結果、得られるビアホール内径ＤＶは、ビアホールパターン（ＶＰ）の外径ＤＰよりも大きくなる（ネガ型ではこの逆である）。従って、ＣＡＤデータに含まれるビアホール内径ＤＶを、ビアホールパターン外径ＤＰを含むＣＡＭデータに変換する場合は、ＤＶを縮径方向に補正してＤＰに変換する。他方、ネガ型の場合はこの逆傾向となる。
【００１７】
この場合、ＣＡＭデータ変換手段は、ビアホール形成位置の誘電体層の厚さが大きいほど、ビアホールパターン外径ＤＰとビアホール内径ＤＶとの比ＤＰ／ＤＶが小さくなるように、ビアホールパターン外径ＤＰを補正するものとすることが望ましい。ビア形成位置に誘電体層が厚く形成されていると、未感光部分のエッチングが深さ方向に進行する際に、ビアホール開口に近い未硬化誘電体層ほど、エッチング時間が長くなり、拡径方向のエッチングを受けやすくなるためである。他方、ネガ型の場合はこの逆傾向となる。
【００１８】
なお、形成するビアホールの位置に応じて誘電体層の厚さを詳細に予測し、ビアホールパターン内径をきめ細かく補正することも可能であるが、補正演算が非常に煩雑化し、ソフトウェアの肥大化を招きやすい問題がある。そこで、ＣＡＭデータ作成手段は、誘電体層を、該誘電体層の厚さに応じて複数の補正エリアに区分し、該補正エリア毎にビアホール内径ＤＶのビアホールパターン外径ＤＰへの変換係数ξ（＝ＤＰ／ＤＶ）を定め、当該エリア内に位置するビアホールの内径ＤＶを、該変換係数ξにより、ビアホールパターンの外径ＤＰに一律に変換するものとすることが有効である。これによると、誘電体層厚さが類似した領域を補正エリアとして区切り、同じ補正エリア内においては、ビアホールパターン外径ＤＰを同一の変換係数ξにより補正・変換するから、補正演算を格段に簡略化でき、処理負荷の軽減を図ることができる。
【００１９】
具体的には、ＣＡＭデータ作成手段は、導体層を少なくとも配線層エリアと面導体エリアとに区分し、変換係数ξが、面導体エリアにおいて線路導体エリアよりも大きくなるように定めるものとすることができる。図４６に示すごとく、路導体エリア（Ｊ４ｂ）は導体被覆率が低く、線路間の隙間に誘電体が充填されるため、線路導体上方のビア形成される誘電体層厚さは、隙間充填される分だけ目減りして小さくなる（厚さ：ｔ２）。これに対し、面導体エリアはそのような隙間が存在しないので、誘電体層厚さは大きくなる（厚さ：ｔ１（＞ｔ２））。従って、ビアホールの形成領域を、面導体エリアと配線エリアとに区切り、それぞれ変換係数ξが一律な単一の補正エリアとして設定し、かつ、変換係数ξが、面導体エリアにおいて線路導体エリアよりも小さくなるように定めれば、直下の導体形態に基づく誘電体層の厚さ不均一のビアホール内径バラツキへの影響を、簡便な方法により効果的に軽減することができる。
【００２０】
また、ＣＡＭデータ作成手段は、図４８に示すごとく、ビア形成する誘電体層直下の導体層を第一導体層（Ｍ１）とし、該第一導体層（Ｍ１）よりも一層下に存する導体層を第二導体層（Ｍ２）として、第一導体層（Ｍ１）に対する面導体エリアを、当該エリアの直下にて第二導体層（Ｍ２）上に面導体が存在せず、かつ、該第二導体層（Ｍ２）上の面導体（ＧＬ２）のエッジ線から一定距離（Ｌ１）以上離間しているか、又は当該エリアの直下にて第二導体層（Ｍ２）上に面導体（ＧＬ２）が存在する第一種面導体エリア（Ｊ４ｄ，Ｊ４ｅ）と、該第二導体層（Ｍ２）上の面導体（ＧＬ２）のエッジ線から一定距離（Ｌ１）内に存する第二種面導体エリア（Ｊ４ｃ）とを補正エリアとして設定し、該第二種面導体エリア（Ｊ４ｃ）にて第一種面導体エリア（Ｊ４ｄ，Ｊ４ｅ）よりも変換係数ξを大きく定めるものとすることができる。特に、高分子材料のビルドアップ層として誘電体層を形成する場合、エッジ線から一定距離（Ｌ１）内に存する第二種面導体エリア（Ｊ４ｃ）は、第二種面導体エリア（Ｊ４ｃ）のエッジ近傍で、ビアホールを形成する上層の誘電体層（６）が傾斜するため、第二導体層（Ｍ２）上の面導体（ＧＬ２）の直上領域から未硬化の誘電体層が流動しやすくなる（換言すれば、第二種面導体エリア（Ｊ４ｃ）の設定基準となる上記の「一定距離（Ｌ１）」は、第二導体層（Ｍ２）上の面導体に起因した傾斜の、未硬化誘電体層の流動への影響が顕著となる距離に対応したものである）。従って、該第二種面導体エリア（Ｊ４ｃ）の誘電体層厚さｔ１は、第一種面導体エリア（Ｊ４ｄ，Ｊ４ｅ）の誘電体層厚さｔ２よりも大きくなりやすい傾向にある。そこでビアホールの形成領域を、上記のごとき第一種面導体エリアと第二種面導体エリアとに区切り、それぞれ変換係数ξが一律な単一の補正エリアとして設定し、かつ、変換係数ξが第二種面導体エリアにおいて第一種面導体エリアよりも小さくなるように定めれば、より深層の面導体配置形態に基づく誘電体層の厚さ不均一の、ビアホール内径バラツキへの影響を、簡便な方法により効果的に軽減することができる。
【００２１】
補正エリアはＣＡＤデータ作成処理上、面導体図形などと同様の面データとして設定されなければならないが、基板としての実体を規定するものではないから、ＣＡＤデータにより記述される作図対象要素とは区別して入力されなければならない。この場合、該補正エリアを、ＣＡＤの作図レイヤ上に直接入力すると、補正エリアと作図対象要素とをいちいちデータ上識別できるようにしておかなければならないし、誤入力の元にもなる。そこで、ＣＡＭデータ作成手段は、補正エリアを設定するための補正レイヤを作図レイヤとは別に定め、当該補正レイヤ上に入力された、エリア外形線を特定するエリア特定データにより補正エリアを定義するものとして構成できる。補正エリアを入力するレイヤを、補正レイヤとして作図レイヤから分離することで、上記のごとき不具合を効果的に防止することができる。なお、誘電体層だけでなく導体層やソルダーレジスト層にも、対応する補正レイヤを設けることができる。
【００２２】
次に、導体層の領域毎の導体被覆率は定義や演算が煩雑であるし、ある程度熟練したＣＡＤオペレーターであれば、前述の線路導体エリアや面導体エリア（あるいは、後述の面導体エッジエリア）などの識別だけであれば、ＣＡＤの作図画面上で目視把握できることが多い。従って、ＣＡＭデータ作成手段は、表示装置上に出力された導体層の作図レイヤ上における導体配置状態を参照して、エリア特定データを手動入力するエリア特定データ入力手段を有するものとして構成すれば、補正エリア設定のための面倒な演算が不要となり、補正精度上も多くの場合、それで十分である。
【００２３】
また、本発明のＣＡＭデータ作成方法は、誘電体層のビアホール内径Ｄ’が小さくなるほど、ビアホール用パターン外径Ｄ０とビアホール内径Ｄ’との比Ｄ０／Ｄ’（＝変換比率ξ）が大きくなるように、ビアホール用パターン外径Ｄ０を補正することが望ましい。また、本発明の電子回路基板用ＣＡＤ／ＣＡＭシステムは、ＣＡＭデータ変換手段を、誘電体層のビアホール内径Ｄ’が小さくなるほど、ビアホール用パターン外径Ｄ０とビアホール内径Ｄ’との比Ｄ０／Ｄ’が大きくなるように、ビアホール用パターン外径Ｄ０を補正するものとして構成することが望ましい。
【００２４】
内径の異なるビアホールをフォトビアプロセスにて形成する場合を考えると、露光時において径大のビアホールパターンを経て誘電体層に入射する光量が、径小のビアホールパターンを経て誘電体層に入射する光量よりも大きいので、周囲への漏洩光の量も大きくなる。また、径大のビアホールは、エッチング用の溶剤が流入しやすく、径小のビアホールよりもエッチングが進みやすい傾向にある。従って、径大のビアホールほど、漏洩感光領域によるビアホール内径ＤＶのビアホールパターン外径ＤＰからの拡大率が大きくなるので、ＤＰをＤＶに変換するための縮径方向の補正率、つまり、ＤＰ／ＤＶ（≡ν）はより小さく設定する。
【００２５】
以下、本発明の電子回路基板用ＣＡＤ／ＣＡＭシステムに、さらに付加可能な内容について説明する。まず、誘電体層と、導体線路又は面導体からなる導体要素を含む導体層とが交互に積層された構造を有した電子回路基板を設計かつ製造する場合、メッキウィンドウをフォトリソグラフィー工程により形成したメッキレジスト層を、メッキ用下地導電層で覆った誘電体層上に形成するメッキレジスト形成工程と、メッキウィンドウ内の領域に導体要素を構成するパターンメッキ層を成長するパターンメッキ工程と、メッキレジスト層を除去し、その後、パターンメッキ層以外の領域に残留する不要なメッキ用下地導電層を、パターンメッキ層をエッチングレジスト層で覆わずにエッチング除去するエッチング工程とを順次実施することにより導体要素を形成することができる。そして、ＣＡＤデータ入力手段は、製造対象要素を電子回路基板の導体要素として、設計寸法を反映した導体要素の図形情報からなるＣＡＤデータを導体層の作図レイヤに入力するものとすることができる。さらに、ＣＡＭデータ変換手段は、フォトリソグラフィー工程の露光マスクに形成するメッキウィンドウの図形情報を、作成すべきＣＡＭデータとして、設計寸法を反映した導体要素の図形情報からなる予め作成されたＣＡＤデータを、エッチング工程におけるエッチング代を反映した補正量により面積拡張方向に補正してメッキウィンドウの図形情報に変換するとともに、導体層内に分布する導体線路の形成密度に応じて、該導体線路の図形情報をメッキウィンドウの図形情報に変換する際の補正量を調整するものとすることができる。
【００２６】
上記の場合、線路導体や面導体などの導体要素を、メッキウィンドウをパターン形成したメッキレジスト層を用いて、パターンメッキするとともに、メッキ後に電解メッキの導通路となるメッキ用下地導電層を、工程簡略化のため、パターンメッキ層をエッチングレジスト層で覆わずにエッチング除去することを前提とする。パターンメッキ層はメッキ用下地導電層とともにエッチングされるので、ＣＡＤデータに反映された導体要素の設計寸法に対しエッチング代だけ面積拡張した形でパターンメッキ層を形成する。そして、設計寸法を反映した導体要素の図形情報からなるＣＡＤデータを、上記エッチング代を反映した補正量により面積拡張方向に補正してメッキウィンドウの図形情報に変換する（以下、この変換を単に、導体要素の図形情報を「ＣＡＤ／ＣＡＭ変換する」などともいう）。従来の工程において、上記のエッチング代が一定しない要因は、該エッチング代が導体層内に分布する導体線路の形成密度に応じて変化する。そこで、メッキウィンドウの図形情報に変換する際のエッチング代を担保する補正量を、導体線路の形成密度に応じて調整すれば、エッチング後に得られる導体要素の寸法を設計値に対し高精度にて一致させることが可能となり、ひいては線路導体や面導体のＣＡＤデータを、パターンメッキ用露光マスクのメッキウィンドウからなるＣＡＭデータに適正かつ効率的に変換することができる。
【００２７】
具体的には、ＣＡＭデータ変換手段は、導体層において導体線路が疎に分布する領域ほど、メッキウィンドウの図形情報に変換する際の補正による線路幅の拡張比率が大きくなるように、補正量を定めるものとすることができる。本発明者らが検討したところによると、導体層において、導体線路が密集して形成されている領域と、比較的疎に形成されている領域とでは、同じ線幅であってもエッチング代が必ずしも同じにならず、導体線路が疎に形成されている領域のほうが、エッチング代が大きくなりやすい傾向にあることがわかった。導体線路が密集して形成されている領域は、導体線路間へのエッチング液の供給体積が少なくなり、エッチングにより溶解した金属成分の隙間外への移動も鈍くなることから、エッチング速度が遅くなりやすい。逆に、導体線路が疎に形成されている領域は、導体線路間へのエッチング液の供給体積が多くなり、エッチングにより溶解した金属成分の隙間外への移動も速やかに進行することから、エッチング速度は比較的大きくなる。その結果、導体線路が疎に形成されている領域のほうがエッチングは進みやすく、オーバーエッチング等の問題も生じやすくなるといえる。従って、この影響を軽減するためには、線路導体が疎に分布する領域ほど、メッキウィンドウの図形情報に変換する際の補正による線路幅の拡張比率、つまり線路幅方向のエッチング代が大きくなるように、補正量を定めることが有効である。
【００２８】
この場合、ＣＡＭデータ作成手段は、導体層を、線路導体の分布の粗密に応じて複数の補正エリアに区分し、該補正エリア毎に線路幅の拡張比率を表す補正係数λを定め、当該エリア内に位置する線路導体の幅を、該補正係数λにより一律に補正するものとすることができる。これによると、線路導体の分布密度が類似した領域を補正エリアとして区切り、同じ補正エリア内においては、線路幅を同一の補正係数λにより補正するから、補正演算を格段に簡略化でき、処理負荷の軽減を図ることができる。
【００２９】
次に、ＣＡＭデータ変換手段は、導体要素の形状及び設計寸法に応じて、メッキウィンドウの図形情報に変換する際の補正量を調整することもできる。導体要素（この場合、線路導体だけでなく面導体も対象である）の図形情報を、メッキウィンドウの図形情報にＣＡＤ／ＣＡＭ変換する際に、エッチング代を担保する補正量を、導体要素の形状及び設計寸法に応じて調整すれば、エッチング後に得られる導体要素の寸法を設計値に対し、さらに高精度にて一致させることが可能となり、ひいては線路導体や面導体のＣＡＤデータを、パターンメッキ用露光マスクのメッキウィンドウからなるＣＡＭデータに適正かつ効率的に変換することができる。
【００３０】
具体的には、メッキウィンドウの図形情報に変換する際の、補正による導体要素からの面積拡張比率が、該導体要素が線路導体である場合において面導体である場合よりも大きくなるように、補正量を定めることができる。細線状の線路導体は、面導体と比較して導体体積に対するエッチング表面積の比率が大きく、同じ条件でエッチングを施した場合に、エッチングによる面積縮小率が高くなる。換言すれば、線路幅に対するエッチング量の相対的な比率が大きくなるため、オーバーエッチングにより設計値よりも線幅が不足する不具合を招きやすくなる。そこで、設計上の導体要素面積からの拡張比率がより高くなるように、露光マスクのメッキウィンドウの図形情報に変換すれば、幅の狭い線路導体の場合もエッチングが過剰となる不具合を効果的に防止できる。また、エッチング代が相違する面導体と線路導体とが複雑に混在している場合でも、適正な補正量をＣＡＭデータ変換手段により的確に設定でき、ひいては電子回路基板の製造能率と歩留まり向上に大いに寄与する。
【００３１】
この場合、ＣＡＭ変換の対象となる導体要素が線路導体である場合、メッキウィンドウの図形情報に変換する際の線路幅の拡張比率を表す補正係数ηを、線路幅の小さい線路導体において線路幅の大きい線路導体よりも大きくなるように定めることができる。線路導体同士で比較した場合、幅の狭い線路導体の方が、幅の広い線路導体よりも導体体積に対するエッチング表面積の比率が大きくなるので、該幅の狭い線路導体においてメッキウィンドウの図形情報に変換する際の補正による線路幅の拡張比率（補正係数η）を大きくすれば、オーバーエッチングによる線幅不足不良を効果的に防止することができる。また、エッチング代が相違する種々の線幅の線路導体が複雑に混在している場合でも、適正な補正量をＣＡＭデータ変換手段により的確に設定でき、ひいては電子回路基板の製造能率と歩留まり向上に大いに寄与する。
【００３２】
前述のごとき補正エリアを設定する場合は、補正エリア毎の導体線路密度に対応した補正係数λと、導体線路幅に対応した補正係数ηとの積により、メッキウィンドウの図形情報に変換する際の線路幅の最終的な拡張比率を決定することができる。これのより、線路幅の最終的な拡張比率に対し、導体線路密度の寄与と導体線路幅の寄与とを両立させた形で反映させることができ、ひいては、エッチング代をより適正化した状態で、線路導体の図形データ（ＣＡＤデータ）を、メッキウィンドウの図形データ（ＣＡＭデータ）に変換することができる。
【００３３】
ＣＡＤデータ入力手段は、導体要素をなす線路導体の図形情報を、線路導体の基準線の両端点と線路幅との組として入力するものとすることができる。この場合、ＣＡＭデータ変換手段は、該線路導体の図形情報に含まれる線路幅の情報を拡大方向に補正し、当該補正後の線路幅と基準線の両端点との組を、メッキウィンドウの図形情報として定めるものとすることができる。線路導体の図形は、厳密には有限の線幅を有した二次元的なものであるから、ＣＡＤ上での表示には、その外形線を特定する必要がある。しかし、線路導体の性格上、マクロには幾何学的な線分として取り扱うことが、端点指定による図形特定が容易なため便利である。そこで、該端点の座標と線幅との組として線路導体の図形情報を与えると、設計入力作業が直感的で容易となり、また、外形線を直接規定するよりもデータ量が少なくて済む。さらに、このように記述された線路導体の図形情報を用いると、端点の情報をメッキウィンドウの図形情報として引き継ぐことができ、エッチング代の補正も、ＣＡＤデータに含まれる線路幅のデータにエッチング代を加算するか、あるいは一定の補正係数を乗ずる処理を行なうだけでよく、ＣＡＭデータへの変換処理を簡略化できる利点がある。
【００３４】
他方、ＣＡＤデータ入力手段は、導体要素をなす面導体の図形情報を、該面導体の外形線を構成する線分データの集合として入力するものとすることができる。面導体は設計上の要請により、二次元形状がより多様なものとなるので、ＣＡＤデータをなす図形情報を、外形線の線分データ（あるいはベクトルデータ）の集合として定義することが汎用性に富む。この場合、ＣＡＭデータ変換手段は、該面導体が面積拡大する方向に線分データを移動させる形で補正し、該補正後の線分データの集合をメッキウィンドウの図形情報として定めるものとすることができる。この方式は、面導体の形状によらず、線分データの端点（あるいは外形線の頂点でもある）の座標値を、図形面積が拡大する方向に変更することにより、メッキウィンドウの図形情報へ変換する補正を簡単に行なうことができる利点がある。
【００３５】
次に、電子回路基板の主表面上に形成されるソルダーレジスト層の開口を製造対象要素として定める場合、ＣＡＤデータ入力手段により該誘電体層の開口をＣＡＤデータとして入力作成することができる。この場合、ＣＡＭデータ変換手段は、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィー工程により誘電体層の開口を形成するために、ＣＡＤデータに反映されたソルダーレジスト層の開口内径Ｄ’を、フォトリソグラフィー用露光マスクの開口用マスクパターン外径Ｄ０に、ＣＡＭデータとして変換するものであり、かつ、ソルダーレジスト層に形成された開口のうち、内側に金属パッドが露出配置され、かつ、該金属パッドが、直下の誘電体層に形成された中空ビアが当該金属パッドの主表面に開放したパッドオンビアとなっているものを第一種開口とし、同じく金属パッドのパッド面にビアが開放していないパッドオフビアとなっているものを第二種開口として、開口用マスクパターン外径Ｄ０を、開口内径Ｄ’との比Ｄ０／Ｄ’が第一種開口において第二種開口よりも大きくなるように補正するものとすることができる。
【００３６】
上記構成では、ソルダーレジスト層に形成された開口のうち、内側に金属パッドが露出配置され、かつ、該金属パッドが、直下の誘電体層に形成された中空ビアが当該金属パッドの主表面に開放したパッドオンビアとなっているものを第一種開口とし、同じく金属パッドのパッド面にビアが開放していないパッドオフビアとなっているものを第二種開口として互いに区別し、開口用マスクパターン外径Ｄ０を、開口内径Ｄ’との比Ｄ０／Ｄ’が第一種開口において第二種開口よりも大きくなるように補正する。これにより、同一寸法の外形を有する金属パッドの場合、パッドオンビアに対する開口内径がパッドオフビアに対する開口内径よりも拡張される方向に開口用マスクパターン外径Ｄ０が補正されるので、パッドオンビアにおいてソルダーレジスト層の開口がパッド面のビアホールの内側に入り込むこと、ひいては、ビア内面にソルダーレジストが付着したり、あるいはその剥がれ落ちなどによる不良の防止を確実かつ簡単に図ることができる。
【００３７】
第一種開口及び第二種開口が、いずれも金属パッドの外径よりも小さな内径を有し、ソルダーレジスト層の開口内周縁部が、金属パッドの外周縁部と重なるように配置される場合、つまり、金属パッドが、いわゆるＳＭＤ（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ）パッドとされる場合、ソルダーレジスト層の開口内周縁と、パッドオンビアの開口内周縁との間のマージンが小さくなるので、パッドオンビアとソルダーレジスト開口とのずれ不良が特に生じやすい。従って、このような構成の基板に本発明を適用すると、該不良を防止する効果が特に顕著に発揮される。
【００３８】
ＣＡＭデータ作成手段は、ソルダーレジスト層を、エリア内に存在する開口が第一種開口のみからなる第一種補正エリアと、該第一種開口が存在しない第二種補正エリアとに区分し、第一種エリア内において、開口内径Ｄ’を開口用マスクパターン外径Ｄ０に変換するための補正係数を、第二種補正エリアよりも外径Ｄ０の拡張効果が大きくなるように設定するものとして構成することができる。
【００３９】
上記構成の場合、補正対象となるＣＡＭデータはソルダーレジスト層に形成される開口であるが、その補正は、ソルダーレジスト層のレイヤとは全く異なる、導体層レイヤに作図される金属パッドの形態を参照して行なわなければならない。そこで、上記のように、導体層上の金属パッドの種別（パッドオンビア又はパッドオフビア）に応じ、ソルダーレジスト層の対応する領域を上記のように第一種エリアと第二種エリアとに区分し、エリア毎にパッドオンビア及びパッドオフビアのそれぞれに適した補正係数を定めることにより、パッドオンビアとパッドオフビアとが混在した基板において、いずれの種別の金属パッドに対しても適正な内径の開口を有するソルダーレジスト層を、簡便に設計及び製造することができる。
【００４０】
補正エリアはＣＡＤデータ作成処理上、面導体図形などと同様の面データとして設定されなければならないが、基板としての実体を規定するものではないから、ＣＡＤデータにより記述される作図対象要素とは区別して入力されなければならない。この場合、該補正エリアを、ＣＡＤの作図レイヤ上に直接入力すると、補正エリアと作図対象要素とをいちいちデータ上識別できるようにしておかなければならないし、誤入力の元にもなる。そこで、ＣＡＭデータ作成手段は、補正エリアを設定するための補正レイヤを作図レイヤとは別に定め、当該補正レイヤ上に入力された、エリア外形線を特定するエリア特定データにより補正エリアを定義するものとして構成できる。補正エリアを入力するレイヤを、補正レイヤとして作図レイヤから分離することで、上記のごとき不具合を効果的に防止することができる。
【００４１】
この場合、ＣＡＭデータ作成手段は、表示装置上に出力されたソルダーレジスト層の直下の導体層に対する作図レイヤ上の、金属パッドの種別及び配置位置を参照して、ソルダーレジスト層に対する補正レイヤ上に、第一種補正エリアを特定するためのエリア特定データを手動入力するエリア特定データ入力手段を有するものとして構成することができる。このようにすると、金属パッドの種別及び配置位置を把握しつつ、金属パッドの種別に応じて異なる補正エリアを、極めて簡単かつ的確に設定することができる。ソルダーレジスト層に対する補正レイヤに対し、ソルダーレジスト層の直下の導体層に対する作図レイヤを透視可能に表示しておくと、補正エリアの入力設定は一層容易になる。
【００４２】
前記ＣＡＭデータ変換手段は、ソルダーレジスト層の面内に分布する複数の開口の密度に応じて、開口用マスクパターン外径Ｄ０と開口内径Ｄ’との比Ｄ０／Ｄ’を補正するものとして構成することができる。
【００４３】
本発明者らが検討したところ、フォトリソグラフィーによりソルダーレジスト層の開口を形成する場合、マスクの開口用マスクパターンの外径Ｄ０と、実際に得られる開口内径Ｄ’との比が、ソルダーレジスト層に形成される開口の数的な粗密によって必ずしも一定とならず、結果的に、得られる開口内径が過剰ないし不足となったり、バラツキを生じたりする原因となっていることがわかった。ソルダーレジスト層の開口寸法がばらつけば、該開口内に形成される半田バンプパターンの体積や高さを精度よく制御することも困難となり、半田バンプの頂面位置がばらつきやすくなる（半田バンプアレーの場合、バンプ頂面のコプラナリティーが悪化する）。その結果、半田バンプを介してＩＣチップをフリップチップ接合した際に、高さの不足した半田バンプにおいて接合不良が生じやすくなる。
【００４４】
そこで、ＣＡＭデータ変換手段を上記のように構成すると、ソルダーレジスト層の面内に分布する複数の開口の密度（ソルダーレジスト層の単位面積あたりの開口形成個数）に応じて、開口用マスクパターン外径Ｄ０と開口内径Ｄ’との比Ｄ０／Ｄ’を補正しつつ、開口用マスクパターン外径Ｄ０を含むＣＡＭデータを作成するので、設計数値範囲によらず常に適正なソルダーレジスト層の開口内径Ｄ’が得られる露光マスクを簡単に得ることができる。また、開口内に半田バンプパターンを形成する場合は、形成される半田バンプの体積、高さあるいは頂面位置を精度よく制御することができ、また半田バンプアレーを形成する場合は、コプラナリティーを向上することができる。
【００４５】
本発明者らが検討したところによると、図２６に示すように、ソルダーレジスト層８において、開口（８ａ）が密集して形成されている領域（形成密度：σ１）と、比較的疎に形成されている領域とでは（形成密度：σ２；σ１＞σ２）、同じ外径Ｄ０の開口用マスクパターン（６２ａ）を用いて露光を行なっても、樹脂硬化後の開口内径Ｄ’が必ずしも同じにならず、開口が疎に形成されている領域のほうが、得られる開口内径Ｄ’が大きくなりやすい傾向にあることがわかった。その理由としては、開口周囲の樹脂の未感光部分（８’ｃ）は硬化に伴い収縮するが、隣接する開口間の距離、すなわち樹脂の未感光部分（８’ｃ）の幅が大きくなるほど、開口側にしわ寄せされる収縮代が大きくなり、開口内径Ｄ’が拡大しやすくなるためであると考えられる。従って、開口内径Ｄ’に対する、開口分布の粗密の影響を軽減するためには、ソルダーレジスト層において開口が密に分布する領域ほど、開口用パターン外径Ｄ０と開口内径Ｄ’との比Ｄ０／Ｄ’が大きくなるように、開口用パターン外径Ｄ０を補正することが有効である。また、ＣＡＤ／ＣＡＭシステムにおいては、ＣＡＭデータ変換手段は、ソルダーレジスト層において開口が密に分布する領域ほど、開口用パターン外径Ｄ０と開口内径Ｄ’との比Ｄ０／Ｄ’が大きくなるように、開口用パターン外径Ｄ０を補正するものとして構成する。
【００４６】
感光性樹脂には、露光部分の硬化が抑制されるタイプのもの（以下、「ポジ型」という）と、露光部分の硬化が促進されるタイプのもの（以下、「ネガ型」という）との２種類がある。特に径小の開口（具体的には２０μｍ以上１００μｍ以下）を形成したい場合は、転写すべき開口用マスクパターンが露光時の光の回り込みよりつぶれやすいポジ型の樹脂を使用するよりも、ネガ型の樹脂を使用したほうが有利なことが多い。ポジ型の樹脂を使用する場合は、露光マスクは、開口用マスクパターンが透光部分となり、該開口用マスクパターンの背景部分が遮光部分となるように形成されたものが使用される。また、ネガ型の樹脂を使用する場合は、露光マスクは、開口用マスクパターンが遮光部分となり、該開口用マスクパターンの背景部分が透光部分となるように形成されたものが使用される。
【００４７】
ポジ型の感光性樹脂を用いてソルダーレジスト層を形成する場合、図２３に示すように、未硬化のソルダーレジスト層（８’）上に露光マスク６２を重ねて露光すると、ソルダーレジスト層（８’）は、透光部分となっている開口用マスクパターン（６２ａ）の直下部分が感光し、硬化が抑制される。従って、室温ないしは適当に昇温された硬化温度で未感光部分（８’ｃ）の硬化を行なった後、感光部分（８’ａ）を溶剤等でエッチングすれば、開口（８ａ）の形成されたソルダーレジスト層（８）が得られる。図２８に示すように、開口用マスクパターン（６２ａ）による直下感光部分（８’ａ）の外側に、漏洩感光領域（８’ｂ）が形成され、それらが合わせてエッチングされる結果、得られる開口内径Ｄ’は、開口用マスクパターン（６２ａ）の外径Ｄ０よりも大きくなる（ネガ型ではこの逆である）。従って、ＣＡＤデータに含まれる開口内径Ｄ’を、開口用マスクパターン外径Ｄ０を含むＣＡＭデータに変換する場合は、Ｄ’を縮径方向に補正してＤ０に変換する（補正係数をδとする：ただし、Ｄ０＝δ・Ｄ’）。
【００４８】
図２６に示すように、ソルダーレジスト層において開口が疎に分布していると（開口密度：σ２）、前述のごとく、ソルダーレジスト層の硬化収縮に伴う開口の拡径傾向が大きくなる。すなわち、同じ寸法の開口を形成する場合、開口内径Ｄ’のマスクパターン外径Ｄ０からの偏差ΔＤ（≡Ｄ’−Ｄ０）が大きくなる。すなわち、径大の開口を形成する場合は、開口内径Ｄ’が設計値よりも大きい側によりずれやすくなる。従って、ソルダーレジスト層において開口が密に分布する領域ほど、開口用パターン外径Ｄ０と開口内径Ｄ’との比Ｄ０／Ｄ’が大きくなるように、開口用パターン外径Ｄ０を補正する方法を採用すれば、開口内径Ｄ’が設計値よりも大きくなる不具合をより効果的に防止することができる。図２６において、形成すべき開口の寸法Ｄ’が同じであり、σ１とσ２（ただしσ１＞σ２）の２つの開口密度について考えれば、偏差ΔＤは前者において後者よりも小さくなる（すなわち、ΔＤ１＜ΔＤ２）。従って、ＣＡＭデータとして得るべき各開口用パターン外径をＤ０１＝δ１・Ｄ’及びＤ０２＝δ２・Ｄ’（ただし、δ１及びδ２は、Ｄ’をＤ０１及びＤ０２にそれぞれ変換するための補正係数）と表したとき、δ１＞δ２とする必要がある。
【００４９】
また、ＣＡＭデータ作成手段は、ソルダーレジスト層を、開口の分布の粗密に応じて複数の補正エリアに区分し、該補正エリア毎に開口用マスクパターン外径Ｄ０の補正係数δを定め、当該エリア内に位置する開口を形成するための開口用マスクパターン外径Ｄ０を、該補正係数δにより一律に補正するものとして構成することができる。これによると、開口の分布密度が類似した領域を補正エリアとして区切り、同じ補正エリア内において、開口用パターン外径Ｄ０を同一の補正係数δにより補正するから、補正演算を格段に簡略化でき、処理負荷の軽減を図ることができる。
【００５０】
さらに、ＣＡＭデータ変換手段は、ソルダーレジスト層の開口内径Ｄ’に応じて、開口用マスクパターン外径Ｄ０と開口内径Ｄ’との比Ｄ０／Ｄ’を補正するものとして構成することもできる。これによれば、ソルダーレジスト層の開口内径Ｄ’に応じて、開口用マスクパターン外径Ｄ０と開口内径Ｄ’との比Ｄ０／Ｄ’を補正しつつ、開口用マスクパターン外径Ｄ０を含むＣＡＭデータを作成するので、設計数値範囲によらず常に適正なソルダーレジスト層の開口内径Ｄ’が得られる露光マスクを簡単に得ることができる。
【００５１】
感光性樹脂としてポジ型のものを使用する場合は、ソルダーレジスト層の開口内径Ｄ’が小さくなるほど、開口用パターン外径Ｄ０と開口内径Ｄ’との比Ｄ０／Ｄ’が大きくなるように、開口用パターン外径Ｄ０を補正することが望ましい。図２８に示すように、内径の異なる開口（８ａ：Ｄ’１＞Ｄ’２）を形成する場合を考えると（ただし、開口形成密度は同程度であるとする）、径大の開口用マスクパターン（６２ａ：外径Ｄ０１）を経てソルダーレジスト層（８’）に入射する光量が、径小の開口用マスクパターン（６２ａ：外径Ｄ０２）を経てソルダーレジスト層（８’）に入射する光量よりも大きいので、周囲への漏洩光の量も大きくなり、漏洩感光領域（８’ｂ）は広く形成されやすくなる。また、径大の開口は、エッチング用の溶剤が流入しやすく、径小の開口よりもエッチングが進みやすい傾向にある。従って、径大の開口ほど、漏洩感光領域（８’ｂ）による開口内径Ｄ’の開口用マスクパターン外径Ｄ０からの拡大率が大きくなるので、Ｄ’をＤ０に変換するための縮径方向の補正率、つまり、Ｄ０／Ｄ’（≡γ）はより小さく設定することが望ましいのである（すなわち、γ１（≡Ｄ０１／Ｄ’１）＜γ２（≡Ｄ０２／Ｄ’２）。他方、ネガ型ではこの逆となる。
【００５２】
この場合、ＣＡＭデータ作成手段は、ソルダーレジスト層の開口内径Ｄ’と開口用パターン外径Ｄ０との比γを補正係数として、該補正係数とソルダーレジスト層の開口内径Ｄ’との関係を示す補正テーブルを記憶した補正テーブル記憶手段と、ＣＡＤデータに含まれるソルダーレジスト層の開口内径Ｄ’の情報を読み出して、これに対応する補正係数γの値を補正テーブル上にて見出し、見出された補正係数γの値とソルダーレジスト層の開口内径Ｄ’の値とに基づいて、開口用パターン外径Ｄ０の値を演算する開口用パターン外径演算手段とを有するものとして構成できる。例えば、開口内径Ｄ’の種々の値に対応する開口用パターン外径Ｄ０を補正テーブルとして用意しておくことも可能であるが、開口内径Ｄ’以外の付加補正要素を適宜考慮しなければならない場合は、付加補正要素の内容に応じてＤ’とＤ０との相関関係が相違する多数の補正テーブルを用意しなければならないので不便である。しかし、上記のように補正係数γの形で与えておけば、付加補正要素に関係した補正係数との間での併用演算も容易となり、開口用パターン外径Ｄ０のＣＡＭデータとしての生成演算処理を効率的に行なうことができ、補正テーブルのデータ量も大幅に減ずることができる。
【００５３】
次に、ＣＡＭデータ変換手段は、半田バンプ形成に用いる半田ペースト塗布マスクの開口部を製造用治具の対応部分として、バンプ関連設計要素の外径ｄ’を、半田ペースト塗布マスクの開口部内径ｄ０にＣＡＭデータとして変換するものであり、かつ、電子回路基板内部において、誘電体層を隔てて半田バンプに臨む導体層領域の、導体被覆率が小さくなるほど、半田ペースト塗布マスクの開口部内径ｄ０とバンプ関連設計要素の外径ｄ’との比ｄ０／ｄ’の値が大きくなるように、開口部の内径ｄ０を補正するものとすることができる。
【００５４】
電子回路基板の製造工程において、基板上に半田バンプを形成する場合、バンプに対応した内径の開口部を有するペースト塗布用マスクを用いてバンプ形状に対応したペーストパターンを印刷形成し、その後、リフローすることによりペーストパターンを半田バンプとする。この半田バンプに係るＣＡＤデータがバンプ関連設計要素である。半田バンプそのものがＣＡＤ上で作図される場合は、その半田バンプをバンプ関連設計要素として使用することができる。他方、半田バンプがＣＡＤ上で作図されず、前述の付加要素として取り扱われる場合には、半田バンプの外径に対応した外径を有する作図対象要素であれば、半田バンプ以外のものをバンプ関連設計要素として用いることができる。このようなバンプ関連設計要素としては、半田バンプの下地として形成される半田ランド、あるいは半田ランドの周囲を覆うソルダーレジスト層に、該半田ランドを露出させる形で形成された半田用開口を使用することができる。
【００５５】
バンプ関連設計要素の外径には、製品状態（つまり、リフロー後）の半田バンプの外径が反映されるが、半田バンプの形成工程において直接必要となるのは、リフロー前のペーストパターンの形成寸法、ひいてはペースト塗布用マスクの開口部内径であり、ＣＡＤデータとして与えられたバンプ関連設計要素の外径を、ＣＡＭデータであるマスクの開口部内径に変換する必要がある。本発明者らが詳細に検討したところ、マスクを用いて半田バンプを形成する場合、誘電体層を隔てて半田バンプに臨む導体層領域の、導体被覆率が小さい領域ほど、該領域上に形成される半田バンプの高さが不足しやすくなることがわかった。その結果、同じ導体層でも半田バンプ直下の導体被覆率が異なると、その上に形成される半田バンプの頂面位置がばらつきやすくなる（半田バンプアレーの場合、バンプ頂面のコプラナリティーが悪化する）。その結果、半田バンプを介してＩＣチップをフリップチップ接合した際に、高さの不足した半田バンプにおいて接合不良が生じやすくなる。その理由としては、以下のようなことが考えられる。
【００５６】
半田ペースト塗布マスクを用いて半田バンプを形成するには、図１２に示すように、基板主表面上にマスク（６０）を、その開口部（６０ａ）が半田ランド（１０）上に位置決めされるように重ね合わせ、その状態で開口部（６０ａ）内に半田ペースト（ＳＰ）を充填する（工程１）。その状態でマスク（６０）を基板主表面から退避させれば、開口部（６０ａ）に充填されていた半田ペースト（ＳＰ）が半田ランド上に盛られる形で残留し、バンプ形状に対応したペーストパターン（１１ｇ）が形成される（工程２）。その後、そのペーストパターン（１１ｇ）をリフローすれば半田バンプ（１１）が得られる（工程３）。
【００５７】
半田ランド（１０）は通常、基板最表層部に形成されたソルダーレジスト層（８）の開口部（８ａ）の底に露出する形で配置され、この開口部が、リフロー時に液状化した半田の面内方向の広がりを防止し、得られる半田バンプの外形を規定する役割を果たす。従って、充填される半田ペーストの体積が一定してれば、得られる半田バンプ（１１）の高さも概ね一定となる。そして、半田バンプ高さの基準となる、半田ランド（１０）が配置される誘電体層（６）の表面（以下、バンプ基準面（ＣＰ）という）が平坦であれば、半田バンプ（１１）の頂面位置も一定に揃うことになる。
【００５８】
しかし、図１８に示すように、実際には、バンプ基準面（ＣＰ）には、基板に内層された導体層の形態を反映した少なからぬ起伏が生ずる。具体的には、配線や、接地用あるいは電源用の面導体などに覆われた領域では、導体層（７）の厚みに対応してバンプ基準面（ＣＰ）が盛り上がって高くなり、逆に、導体層の形成されていない領域ではバンプ基準面（ＣＰ）が低くなる。また、導体層の形成領域であっても、比較的広範囲にて、導体が密に存在する面導体領域と、導体の存在密度が疎な配線領域とでは、前者の方がバンプ基準面（ＣＰ）が高くなる傾向にある。従って、このように高さのばらついたバンプ基準面（ＣＰ）上に同じ高さで半田バンプ（１１）を形成すれば、当然、半田バンプ（１１）の頂面位置もばらつくことになる。
【００５９】
そこで、誘電体層を隔てて半田バンプに臨む導体層の、導体被覆率が小さい領域ほど、半田ペースト塗布マスクの開口部内径ｄ０とバンプ関連設計要素の外径ｄ’との比ｄ０／ｄ’の値が大きくなるように、開口部の内径ｄ０を補正しつつ、これをＣＡＭデータとして出力する方法が有効となる。具体的には、導体被覆率が小さい領域では、バンプ基準面位置が低いためバンプ頂面位置が相対的に低くなりがちなので、開口部内径ｄ０を相対的に拡張し、充填される半田ペーストの体積を増加させるようにする。その結果、リフロー後の半田バンプの高さが増加し、バンプ頂面位置が底上げされる。逆に導体被覆率が大きい領域では、バンプ基準面位置が高いためバンプ頂面位置が相対的に高くなりがちなので、開口部内径ｄ０を相対的に縮小し、充填される半田ペーストの体積を減少させるようにする。その結果、リフロー後の半田バンプの高さが減少し、バンプ頂面位置が引き下げられる。こうして、導体層の粗密によらず、得るべき半田バンプの外径寸法を反映した基板要素のＣＡＤデータを、頂面位置の揃った半田バンプが得られる適正なＣＡＭデータ（すなわち、バンプ形成に用いる半田ペースト塗布マスクの開口部内径）に、確実かつ効率的に変換することができる。
【００６０】
バンプ基準面の起伏に最も影響するのは、半田ランドから見て、１つの誘電体層を隔てて半田バンプに臨む導体層（以下、最近導体層ともいう）の粗密である。従って、それよりも下層側に導体層が存在しないか、あるいは存在してもその影響が小さい場合は、ＣＡＭデータ作成手段は、該最近導体層の導体被覆率に応じて、開口部の内径ｄ０を補正するものとすることができる。これにより、考慮すべき導体層が一層のみですむようになり、マスク開口部内径ｄ０の補正演算の負荷を軽減することができる。
【００６１】
なお、形成する半田バンプの位置に応じて導体層の導体被覆率を詳細に演算し、マスク開口部の内径ｄ０をきめ細かく補正することも可能であるが、補正演算が非常に煩雑化し、ソフトウェアの肥大化を招きやすい問題がある。他方、半田バンプの頂面位置のばらつきを、許容される公差の範囲内で吸収しうる場合は、ＣＡＭデータ作成手段を、次のように構成することが有効である。すなわち、導体層を、導体被覆率に応じて複数の補正エリアに区分し、該補正エリア毎に開口部の内径ｄ０の補正係数βを定め、当該エリア内に位置する半田バンプを形成するための半田ペースト塗布マスクの開口部内径ｄ０を、該補正係数βにより一律に補正する。これによると、導体被覆率の類似した領域を補正エリアとして区切り、同じ補正エリア内においては導体被覆率に分布があっても、マスク開口部の内径ｄ０を同一の補正係数βにより補正するから、補正演算を格段に簡略化でき、処理負荷の軽減を図ることができる。
【００６２】
具体的には、ＣＡＭデータ作成手段は、導体層を少なくとも導体線路層エリアと面導体エリアとに区分し、補正係数βを、導体線路層エリアにおいて面導体エリアよりも、開口部内径ｄ０の拡大率が大きくなるように定めるものとすることができる。面導体エリアは導体被覆率がいわば１００％の領域であり、バンプ頂面位置の底上げ効果も一様に大きい。他方、半田バンプ近傍においては、配線は比較的高い密度で密集していることが多いが、配線間には、容量性結合や短絡を抑制するために必要なスペースが、少なくとも配線幅に近い距離にて確保される。そして、半田バンプ近傍の配線による被覆率は、実際にはそれほど大きな範囲にわたらないことも多いので（例えば面導体エリアの３０〜５０％程度）、配線形成されている領域を、面導体エリアよりも小さい一律な補正係数βを有した配線エリアとして設定しても、マスク開口部内径ｄ０の補正により半田バンプ高さのバラツキを抑制する効果を十分に得ることができる。そして、半田バンプの形成領域を、面導体エリアと配線エリアとに区切ることにより、それぞれ補正係数βが一律な単一の補正エリアとして設定されることから、開口部内径ｄ０の補正演算を極めて簡単に行なうことができる。
【００６３】
また、面導体のエッジ領域では、これを覆う誘電体層の表面に、導体エッジに対応した比較的大きなファセットが生じやすく、半田バンプ頂面位置への影響が、面導体エリアと配線エリアとの中間の程度を示す場合が多い。そこで、ＣＡＭデータ作成手段は、導体層を、導体線路層エリア及び面導体エリアに加え、面導体のエッジ線を含む形で面導体の存在側と非存在側とにまたがる面導体エッジエリアに区分するものであり、補正係数βを、該面導体エッジエリアにおいて、導体線路層エリアよりも開口部内径ｄ０の拡大率が小さくなり、かつ、面導体エリアよりも大きくなるように定めるものとすることもできる。これにより、面導体エッジエリアにおけるマスク開口部内径ｄ０の補正効果、ひいては半田バンプの頂面高さの補正効果を、現実的な処理負荷の範囲内で、よりきめ細かく高精度に行なうことができる。
【００６４】
径小の半田バンプを形成する場合、ペースト残留厚さτの影響が大きくなることを考慮して、マスク開口部の内径ｄ０が、バンプ関連設計要素の外径ｄ’に対して相対的に大きくなるよう径増し補正された形でＣＡＭデータが得られるので、半田バンプの高さや体積が設計値よりも小さくなってしまう不具合を効果的に防止できる。
【００６５】
また、ＣＡＭデータ作成手段は、バンプ関連設計要素の外径ｄ’が小さくなるほど、開口部の内径ｄ０とバンプ関連設計要素の外径ｄ’との比α＝ｄ０／ｄ’の値が大きくなるように、開口部の内径ｄ０を補正するものとすることができる。
【００６６】
本発明者らが検討したところ、得るべき半田バンプの外径が小さい場合、半田バンプの外径が大きい場合と比較して、得られる半田バンプの高さや体積が設計値よりも不足しやすいことがわかった。その結果、半田バンプの寸法によっては、パターンの体積や高さを精度よく制御することが困難であった。その理由としては、以下のようなことが考えられる。
【００６７】
すなわち、ペーストパターン（１１ｇ）を形成する際、マスク（６０）を基板から退避させると、図１３に示すように、開口部（６０ａ）の内面には、充填したペーストの一部が付着・残留する。従って、開口部の内径ｄ０は、設計通りの体積及び高さの半田バンプが得られるように、上記ペーストの残留を考慮して補正しつつ設定しなければならない。この場合、ペースト残留の影響がバンプの外径によらず一定であれば、ＣＡＭデータとして与えられたバンプ関連設計要素の外径（例えば半田ランド１０の外径）ｄ’に対し、ｄ’の値によらず一定の補正係数αを乗ずることで、これを開口部の内径ｄ０に変換できるはずである。しかし、実際には、本発明者が検討したところ、補正係数αの値はｄ’の値によって変化するため、このような単純な手法は適用できないことがわかった。
【００６８】
すなわち、開口部（６０ａ）の内面状態（粗さなど）が同じであれば、開口部の内径によらずペースト残留厚さτはほぼ一定となる。ここで、大きさの違う開口部の各内径をｄ０１、ｄ０２（ただし、ｄ０１＞ｄ０２）とし、マスク厚さをＴとすれば、ペーストの残留体積はそれぞれπｄ０１・τ・Ｔ及びπｄ０２・τ・Ｔとなる。他方、開口部の全体積はそれぞれ、（π／４）・（ｄ０１）２・Ｔ及び（π／４）・（ｄ０２）２・Ｔであるから、ペースト残留体積の開口部体積に占める割合は、
（大径バンプの場合）
（πｄ０１・τ・Ｔ）／｛（π／４）・（ｄ０１）２・Ｔ｝＝４τ／ｄ０１
（小径バンプの場合）
（πｄ０２・τ・Ｔ）／｛（π／４）・（ｄ０２）２・Ｔ｝＝４τ／ｄ０２
となる。すなわち、開口部内径ｄ０が小さくなるほど、これに逆比例してペースト残留厚さτの影響を大きく受けるようになる。また、開口部内面の平滑化は、小径のものの方が大径のものよりも一般に困難であり、ペースト残留厚さτもより厚くなりやすい傾向にあるから、両者の開きは一層顕著となる。その結果、径小の半田バンプほど、半田バンプの高さや体積が設計値よりも不足しやすくなるのである。
【００６９】
そこで、ＣＡＤデータに含まれるバンプ関連設計要素の外径ｄ’が小さくなるほど、開口部の内径ｄ０とバンプ関連設計要素の外径ｄ’との比α＝ｄ０／ｄ’の値が大きくなるように、開口部の内径ｄ０を補正しつつ、これをＣＡＭデータとして出力することが有効である。これにより、得るべき半田バンプの外径寸法を反映した基板要素のＣＡＤデータを、設計値通りの半田バンプが得られる適正なＣＡＭデータ（すなわち、バンプ形成に用いる半田ペースト塗布マスクの開口部内径）に、確実かつ効率的に変換することができる。
【００７０】
本発明のＣＡＤ／ＣＡＭシステムにおいて、ＣＡＭデータ作成手段は、バンプ関連設計要素の外径ｄ’とマスクの開口部の内径ｄ０との関係において、ｄ’が一定値増加したときのｄ０の増分が、ｄ’が径大となるほど小さくなるように、マスクの開口部のＣＡＭデータを作成するものとすることができる。ペースト残留厚さτの影響は、前述の通り、マスク開口部内径ｄ０が小さくなるほど、これに逆比例して大きくなる。従って、マスク開口部内径ｄ０が比較的大きくなる領域においては、ペースト残留厚さτの影響を補正するための、開口部の径増し補正の程度を小さくすることで、半田バンプの外径がどのような値であっても、最終的に製造される半田バンプの高さや体積が、設計値からずれてしまう不具合をより効果的に防止できる。
【００７１】
また、ＣＡＭデータ作成手段は、開口部の内径ｄ０とバンプ関連設計要素の外径ｄ’との比αを補正係数として、該補正係数とバンプ関連設計要素の外径ｄ’との関係を示す補正テーブルを記憶した補正テーブル記憶手段と、ＣＡＤデータに含まれるバンプ関連設計要素の外径ｄ’の情報を読み出して、これに対応する補正係数αの値を補正テーブル上にて見出し、見出された補正係数αの値とバンプ関連設計要素の外径ｄ’の値とに基づいて、開口部の内径ｄ０の値を演算するマスク開口部内径演算手段とを有するものとして構成できる。例えば、バンプ関連設計要素の外径ｄ’の種々の値に対応する開口部の内径ｄ０を補正テーブルとして用意しておくことも可能であるが、半田バンプの外径以外の付加補正要素を適宜考慮しなければならない場合は、付加補正要素の内容に応じてｄ’とｄ０との相関関係が相違する多数の補正テーブルを用意しなければならないので不便である。しかし、上記のように補正係数αの形で与えておけば、付加補正要素に関係した補正係数との間での併用演算も容易となり、半田バンプの基板上での形成形態によらず、開口部内径ｄ０のＣＡＭデータとしての生成演算処理を効率的に行なうことができ、補正テーブルのデータ量も大幅に減ずることができる。
【００７２】
次に、本発明のコンピュータプログラムは、コンピュータにインストールすることにより、上記本発明の電子回路基板用ＣＡＤ／ＣＡＭシステムを構成する各手段として当該コンピュータを機能させることを特徴とする。これにより、上記本発明のＣＡＤ／ＣＡＭシステムをコンピュータ上にて簡単に実現することができる。該コンピュータプログラムは、光記録媒体（ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤなど）や光磁気記録媒体（ＭＯなど）などの、コンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録しておき、専用の読取装置にてこれを読み取りつつ、コンピュータ側に設けられた固定記憶装置（例えばハードディスクドライブなど）上にインストールすることもできるし、プログラムの全体又は一部を、インターネットなどの電気通信回線を通じて上位コンピュータからダウンロードすることによっても、同様にインストールが可能である。
【００７３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面に示す実施例を参照して説明する。
図２は本発明の電子回路基板用ＣＡＤ／ＣＡＭシステム１００（以下、単にＣＡＤ／ＣＡＭシステムともいう）の一実施例の全体構成を示すブロック図である。ＣＡＤ／ＣＡＭシステム１００は、ＣＰＵ１０３と、ＲＯＭ１０４、ＲＡＭ１０５、入出力インターフェース１０２等からなるコンピュータ本体１１２を備え、これに周辺機器として、キーボード１０６あるいはマウス１０７等の入力手段、ＣＤ−ＲＯＭドライブ１０８あるいはフレキシブルディスクドライブ１０９等の記録媒体読取手段、ハードディスクドライブ（以下、ＨＤＤと記す）１１０、モニタ制御部１１１を介して接続されるモニタ１１３、プリンタ１１４等が接続されたコンピュータシステムとして、全体が構築されている。
【００７４】
なお、ＣＰＵ１０３は、作図レイヤ設定手段、ＣＡＤデータ入力手段、ＣＡＭデータ変換手段、及びＣＡＭデータ出力手段等の主体をなすものである。また、キーボード１０６あるいはマウス１０７は、ＣＰＵ１０３とともにＣＡＤデータ入力手段手段の主体をなすものである。さらに入出力インターフェース１０２は、作図が終了した電子回路基板の設計図面を印刷出力する図面出力手段の他、ＣＡＭデータ変換手段がＣＡＤデータに基づいて変換・作成したＣＡＭデータを出力するＣＡＭデータ出力手段として機能する。
【００７５】
ＨＤＤ１１０には、オペレーティングシステムプログラム（以下、ＯＳという）１６１及びアプリケーションプログラム（以下、アプリケーションという）１６２が格納されている。アプリケーション１６２は、ＣＡＤ／ＣＡＭシステム１００の機能を実現するためのコンピュータプログラムであり、ＯＳ１６１上にてアプリケーションワークメモリ１５２を作業領域とする形で作動するものである。これは、例えばＣＤ−ＲＯＭ１２０等にコンピュータ読み取り可能な状態で記憶され、ＨＤＤ１１０上の所定の記憶領域にインストールされるものである。また、ＨＤＤ１１０には、作成済の図面のデータファイル（ＣＡＤデータファイル）１６３と、それに基づいて変換・生成されたＣＡＭデータファイル１６４、さらに、ＣＡＤデータをＣＡＭデータに変換する際に使用する、補正テーブル（変換テーブル）などを含んだ補正データファイル１６５が記憶されている。一方、ＲＡＭ１０５には、ＯＳ１６１のワークメモリ１５１、及びアプリケーションのワークメモリ１５２がそれぞれ形成される。
【００７６】
図１は、上記ＣＡＤ／ＣＡＭシステム１００の適用対処となる電子回路基板の一例を断面構造にて示している（この電子回路基板１はオーガニック基板として構成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、セラミック基板への適用も可能である）。すなわち、電子回路基板１は、耐熱性樹脂板（例えばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（例えばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状のコア材２の両表面に、所定のパターンにコア導体層Ｍ１，Ｍ１１がそれぞれ形成される。これらコア導体層Ｍ１，Ｍ１１はコア材２の表面の大部分を被覆する面導体として形成され、電源層又は接地層として用いられるものである。他方、コア材２には、ドリル等により穿設されたスルーホール１２が形成され、その内壁面にはコア導体層Ｍ１，Ｍ１１を互いに導通させるスルーホール導体３０が形成されている。また、スルーホール１２は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材３１により充填されている。
【００７７】
また、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１の上層には、感光性樹脂組成物６にて構成された第一ビア層（誘電体層あるいはビルドアップ層）Ｖ１，Ｖ１１がそれぞれ形成されている。さらに、その表面にはそれぞれ線路導体７を有する第一配線導体層Ｍ２，Ｍ１２がＣｕメッキにより形成されている。なお、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１と第一配線導体層Ｍ２，Ｍ１２とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。同様に、第一配線導体層Ｍ２，Ｍ１２の上層には、感光性樹脂組成物６を用いた第二ビア層（誘電体層あるいはビルドアップ層）Ｖ２，Ｖ１２がそれぞれ形成されている。その表面にはそれぞれ第二配線導体層Ｍ３，Ｍ１３がＣｕメッキにより形成されている。これら第一配線導体層Ｍ２，Ｍ１２と第二配線導体層Ｍ３，Ｍ１３とも、それぞれビア３４により層間接続がなされている。ビア３４は、図７に示すように、ビアホール３４ｈとその内周面に設けられたビア導体３４ｓと、底面側にてビア導体３４ｓと導通するように設けられたビアパッド３４ｐと、ビアパッド３４ｐと反対側にてビア導体３４ｈの開口周縁から外向きに張り出すビアランド３４ｌとを有している。
【００７８】
次に、図１に戻り、コア材２の第一主表面側の第二ビア層Ｖ２上には表面配線導体層Ｍ３が形成され、ここに複数の半田ランド１０や、その一部と導通する線路導体７が設けられている。これら半田ランド１０は、無電解Ｎｉ−ＰメッキおよびＡｕメッキにより基板のほぼ中央部分に正方形状に配列し、各々その上に形成された半田バンプ１１とともにチップ搭載部４０（図４）を形成している。なお、半田ランド１０が配置される誘電体層６（第二ビア層Ｖ２）の表面を、半田バンプ高さの基準として用いるバンプ基準面ＣＰとする。
【００７９】
他方、コア材２の第二主表面側の第二ビア層Ｖ１２上には、裏面配線導体層Ｍ１３が形成されている。裏面配線導体層Ｍ１３には、ボールグリッドアレー（ＢＧＡ）やピングリッドアレー（ＰＧＡ）などの周知の接続形態にて、基板１をマザーボードなどの主基板に接続するための複数のランド１７が形成されている。そして、表面配線導体層Ｍ３及び裏面配線導体層Ｍ１３上に、それぞれ、感光性樹脂組成物よりなるソルダーレジスト層８，１８（ＳＲ１，ＳＲ１１）が形成されている。表面側のソルダーレジスト層８には、半田ランド（金属パッド）１０，１０’を露出させるために、これら半田ランド１０に一対一に対応する形で開口８ａが形成されてなり、その内側に半田ランド１０と導通する形で半田バンプ１１が配置されている。
【００８０】
半田ランド１０は、ランド（パッド）直下にビアが一体化されていないビア非随伴型のものと、ランド直下にビア３４ｆが一体化されたビア随伴型のものとの２種類がある。後者のビア３４ｆはビアホール３４ｈ内がメッキ金属にて充填された、いわゆるフィルドビア３４ｆとして形成される。いずれも、ランド（パッド）主表面にビアが開放せず、中実のパッド面が形成されたパッドオフビアである。そして、該パッドオフビアに対応してソルダーレジスト層８に形成された開口が第二種開口８ａである。
【００８１】
一方、表面配線導体層Ｍ３には、半田ランド１０以外に、ロゴマーク、位置あわせ用マークあるいは方向確認用マーク等の金属パッド１０’も形成されている。この金属パッド１０’は、直下のビルドアップ層Ｖ２（誘電体層）に形成された中空ビア３４’がパッド主表面に開放したパッドオンビアとなっている。パッドオンビアとして構成された該金属パッド１０’には、ビアホール３４ｈの内面に倣う、内部を充填しないビア導体３４ｓが一体化されている。そして、該パッドオンビアに対応してソルダーレジスト層８に形成された開口が第一種開口８’ａである。なお、本実施形態においては、金属パッド１０，１０’が、いずれもＳＭＤパッドとして形成され、第二種開口８ａ及び第一種開口８’ａが、いずれも金属パッド１０，１０’の外径よりも小さな内径を有し、ソルダーレジスト層８の開口内周縁部が、金属パッド１０，１０’の外周縁部と重なるように配置されている。
【００８２】
ここで、ソルダーレジスト層８，１８は、以下のようにして製造できる。すなわち、感光性樹脂組成物ワニスをフィルム化した感光性樹脂フィルムをラミネート（貼り合わせ）し、開口８ａ（ソルダーレジスト層の場合）に対応したパターンを有する露光マスク（例えばガラスマスクである）を重ねて露光する。ポジ型の感光性樹脂を用いる場合、開口８ａに対応する露光部分は樹脂の硬化が抑制される一方、露光されなかった背景部分は硬化抑制されないまま残留する。そこで、硬化抑制された露光部分を溶剤に溶かしてエッチング除去すれば、所期のパターンにて開口８ａを簡単に形成することができる（いわゆるフォトビアプロセス）。なお、ビア層Ｖ１，Ｖ１１，Ｖ２，Ｖ１２はフォトビアプロセスかレーザービーム穿孔にて形成される。
【００８３】
ポジ型の感光性樹脂を用いてソルダーレジスト層を形成する場合、図２３に示すように、未硬化の感光性樹脂フィルム８’上に露光マスク６２を重ねて露光すると、感光性樹脂フィルム８’は、透光部分となっている開口用マスクパターン６２ａの直下部分が感光し、硬化が抑制される。従って、室温ないしは適当に昇温された硬化温度で未感光部分８’ｃの硬化を行なった後、感光部分８’ａを溶剤等でエッチングすれば、開口８ａの形成されたソルダーレジスト層８が得られる。図２８に示すように、フィルム面内方向の露光ビームの漏洩により、露光後のフィルム８’には開口用マスクパターン６２ａによる直下感光部分８’ａの外側に、漏洩感光領域８’ｂが形成され、それらが合わせてエッチングされる結果、得られる開口内径Ｄ’は、開口用マスクパターン６２ａの外径Ｄ０よりも大きくなる。後述の通り、ＣＡＤデータに含まれる開口内径Ｄ’は、これを縮径方向に補正する形でＣＡＭデータである開口用マスクパターン外径Ｄ０に変換する。なお、ポジ型の感光性樹脂に換えてネガ型の感光性樹脂を用いることもできるが、この場合は補正の方向は拡径方向となる。
【００８４】
また、半田バンプ１１の形成工程は以下の通りである。すなわち、図１２に示すように、半田バンプ１１の形成パターンに合わせて、複数の開口部６０ａが形成されたペースト塗布用のマスク６０を、ソルダーレジスト層８の開口８ａひいては半田ランド１０に位置決めされるように重ね合わせる。そして、その状態で開口部６０ａ内に半田ペーストＳＰを充填する（工程１）。充填された半田ペーストＳＰは、ソルダーレジスト層８の開口８ａを経て半田ランド１０上に盛られる。そして、その状態でマスク６０を基板主表面から退避させれば、開口部６０ａに充填されていた半田ペーストが、バンプ形状に対応したペーストパターン１１ｇとして、半田ランド１０上に形成される（工程２）。その後、そのペーストパターン１１ｇをリフローすれば半田バンプ１１が得られる（工程３）。
【００８５】
以下、ＣＡＤ／ＣＡＭシステム１００の作動について詳細に説明する。
図２のアプリケーションプログラム１６２を起動させると、モニタ１１３（図２）には、図４に示すように、作図画面４０が表示される。本実施例のアプリケーションプログラム１６２は、公知のＣＡＤシステムと同様にドロー系グラフィックソフトウェアとして構築されており、作図画面４０上にて、マウス１０７の操作により、電子回路基板１の基板要素（以下、エレメントともいう）の図形を、ＣＡＤデータとして個別に入力しながら作図作業を進めるものである。本実施例では、新規図面の作図画面４０を立ち上げると、別途ＨＤＤ１１０等に記憶された表示データに基づき、該作図画面４０内には、設計・作図すべき基板の主面外形線に対応した四辺形状の基準領域５１と、デフォルトエレメント図形として、基板表面に標準的に形成される基板要素（本実施形態では、パッド５３，５５）の図形が表示されるようになっている。この場合、デフォルトエレメントデータを品番と対応付けて記憶するデフォルトエレメントデータ記憶部を例えばＨＤＤ１１０に設けておき、品番をキーボード１０６（あるいはマウス１０７による画面上のソフトボタンクリック）により入力することで、対応するデフォルトエレメントデータを読み出し、これを作図画面に表示するようにしておけば、標準的に形成される基板要素上に線路導体５４等の図形を直ちに作図入力できるので便利である。
【００８６】
ここで、設計の対象となる基板は、複数の導体線路層が誘電体層を介して積層されるパッケージ基板等である。そして、形成すべき導体線路層に対応する複数の作図レイヤが作図画面４０に対して設定される。これら作図レイヤ（以下、単にレイヤともいう）は、図４においては重なっているため視覚的には判別できない。また、各レイヤに書き込まれた図形は作図画面４０上では重ね表示されるが、特定のレイヤ上の図形のみを表示させたり、あるいは色彩、明るさ、濃淡、塗りつぶしパターンの変更等により、他のレイヤ上の図形とは表示状態を異ならせることが可能である。
【００８７】
図３０は、作図処理の流れを示すフローチャートである。まずＳ１では、エレメントを書き込みたいレイヤを選択する。このレイヤ選択は、例えばマウス１０７（図２）により、画面上に表示されたレイヤ選択のためのソフトボタン（図示せず）をクリックすることで行なうことができる。そして、図形として入力できるのは上記したエレメントと、異レイヤ間のエレメント同士を接続するためのビアの図形であり、Ｓ２及びＳ８では、そのどちらを選択するかがコマンド入力により決定される。このコマンド入力も、エレメント入力あるいはビア入力を選択するソフトボタン（図示せず）のマウスクリックにより行なうことができる。
【００８８】
エレメント入力が選択されたらＳ２からＳ３に進み、エレメント描画を行なう。エレメントの描画に際しては、公知のＣＡＤシステムソフトウェアと同様に、配線描画、パッドやランドあるいは面導体の描画など、描きたいエレメントの種別毎に描画ツールが用意されている。描画ツールも、画面上にソフトボタンとして形成された描画ツール選択ボタン（図示せず）のマウスクリックにより選択できる。そして、所望の描画ツールを選択したら、図４に示すように、作図位置を示すポインタＰをマウス操作により移動させつつ、マウスクリックあるいはドラッグ（マウスボタンを押したままマウスを移動させること）等の操作を組み合せながらエレメントを描いてゆく。図４では、各パッド５３と５５とをつなぐ線路導体５４の図形をエレメントとして描き終わった状態を示している。
【００８９】
図６に示すように、エレメントは１つ描き終わる毎に、その図形データであるエレメント記述データが、エレメント特定データ（例えばエレメントコード）及びレイヤ特定データ（例えばレイヤ番号）と対応付けた形で、図２の図面データメモリ１５２ｇに記憶されてゆく。エレメント記述データは、例えば図５に示すように、エレメントＯＢ１１，ＯＢ１２，ＯＢ１３，ＯＢ１４等の形状、大きさ及び描画位置を、画面４０（図４）上に設定される座標平面上で規定するためのベクトルデータ、関数式データあるいは特定の基準点の座標及び半径や長さ等の寸法規定データの組として表される。例えば、エレメントＯＢ１１は面導体であり、外径輪郭（外形線）の特定により、当該外形線の内側の面領域を規定する面データとして記述され、基準点Ａ１１（ｘ０，ｙ０）を起点として所定の向き（例えば右回り）に周回しながら、Ａ１１（ｘ１，ｙ１）、Ａ１１（ｘ２，ｙ２）、Ａ１１（ｘ３，ｙ３）、Ａ１１（ｘ０，ｙ０）の順でベクトルを連ねることによりエレメントの外形輪郭を描いた場合の、各ベクトル（線分）の終点位置の座標のデータ組として表わされている。エレメントＯＢ１２も同じである。また、パッドやランド等を表す円形のエレメントＯＢ１３は、その中心座標Ｃ１３と半径ｒ１３とのデータ組として表わされている。さらに、例えば幅Ｗが一定した線路導体の図形であるエレメントＯＢ１４などは、その起点位置Ｂ１４（ｘ０，ｙ０）及び終点位置Ｂ１４（ｘ１，ｙ１）の座標と線幅Ｗ１４のデータ組として表わすことができる。なお、図５では、４つのエレメントＯＢ１１，ＯＢ１２，ＯＢ１３，ＯＢ１４が全て同じレイヤ（Ｍ１）に描かれている。
【００９０】
一方、図３０においてビア入力が選択された場合には、Ｓ９に進んでビア入力処理となる。図７に示すように、ビア３４は、異導体線路層の線路導体Ｍ１，Ｍ２同士を接続するものであるが、本実施例ではそのビア３４の図形の入力は、ビア層単位で行なわれ、複数のビア層にまたがるビアは、複数のビアが重ねられたスタックドビアの形で入力される。従って、ビアを入力すべきビア層を指定することにより、単位となるビアを一つ入力することができる。なお、３つ以上のビア層が設けられ、３つ以上のビア層にまたがるビアを入力する場合は、ビア開始層とビア終了層とを指定することにより、中間層のビアを自動発生させるようにしてもよい。そして、このビア図形（これも基板要素の一つである）のデータは、図８に示すように、ビア位置データと、ビア層に対応したレイヤの特定情報（ビア形成レイヤＶＬＹ＃＃）との組として、ビア特定データ（例えばビアコード）と対応付けた形で図面データメモリ１５２ｇに記憶される。
【００９１】
図３０に戻り、エレメントの描画を行った場合はＳ４に進み、図９に示すように、同一レイヤ内にその入力したエレメントＯＢ１２に部分的に重なる（すなわち、接続されている）入力済のエレメントＯＢ１１が存在するか否かを判定する。ＮｏであればさらにＳ５に進み、図１１に示すように、ビアＶＡ１１を介した異レイヤ間接続により別のエレメントＯＢ３１に接続していないかどうかを判定する。これもＮｏであればＳ６に進み、そのエレメントＯＢ１２を配線ネット図形として、例えばエレメント特定情報のみを、図面データメモリ１５２ｇ内の配線ネットデータ登録メモリ１５２ｉ（図３）に、ネット特定情報（例えばネット番号）を付与して新ネットデータとして書き込み、これを登録する。
【００９２】
また、図３０のＳ４（図９参照）あるいはＳ５（図１１参照）においてＹｅｓの場合はともにＳ７へ進み、そのエレメントを接続先となるエレメントが属する登録済の配線ネット図形に組み込む処理、すなわち新たに描いたエレメントのエレメント特定データを、配線ネットデータ登録メモリ１５２ｉ内の対応するネットデータに付加する処理を行なう（Ｓ４→Ｓ７）。また、ビアによる接続の場合は、そのビア特定データもネット特定情報に付加する（Ｓ５→Ｓ７）。こうして、図３に示すように、配線ネットデータ登録メモリ１５２ｉ内には、各ネット特定情報ｎｅｔ１，ｎｅｔ２，・・と、その配線ネットに属するエレメントの特定データＯＢ１１，ＯＢ１２，・・あるいはビアの特定データＶＡ１１，ＶＡ１２，・・とが互いに対応付けられたネットデータが記憶されてゆくこととなる。
【００９３】
他方、図１０に示すように、異レイヤ間で重なるエレメントが発生した場合は、それらエレメント特定データの重なり先のネットデータへの付加は行われない。しかしながら、図３０のＳ１０において、新たに入力されたビア図形により互いに接続される配線ネット図形が発生した場合はＳ１１に進み、それらの配線ネット図形のネットデータ同士を統合（マージ）して、それを１つの配線ネット図形のネットデータとして再登録する処理が行われる。この場合、ネット特定情報は、統合前の配線ネット図形の一方に対応するものを残し、他方を削除してこれを欠番として扱うようにしてもよいし、両方のネット特定情報を消して新たなネット特定情報を付与するようにしてもよい。
【００９４】
上記のようなエレメントやビアの入力の作図入力を繰り返した後、作図作業を終了する場合は、Ｓ１２からＳ１３へ進み、図面データメモリ１５２ｇ内に蓄積されている図形のデータ、すなわち図面データを、配線ネットデータ登録メモリ１５２ｉ内のネットデータとともにファイル名を付与して、ＨＤＤ１１０（図２）の図面データファイル１６３に書き込み、保存する。
【００９５】
次に、図１９に示すように、各作図レイヤＬＹ１，ＬＹ２‥には、各々これに対応する形で補正レイヤＬＸ１，ＬＸ２‥が設定され、補正エリア参照テーブル７２の形で記憶されている。各補正レイヤには、エリア外形線を特定する補正エリア特定データが入力されている。補正エリアは、補正レイヤＬＸ１上にて補正エリアを面データとして記述するものであり、補正エリアＩＤ（Ｂ１１，Ｂ１２，‥）と、エリア種別特定データ（Ｊ１１，Ｊ１２，‥）とが付与されている。図２０に示すように、作図レイヤ上の各エレメント（ビア含む）には、対応する補正レイヤのどの補正エリアに属するかが、例えば補正エリアＩＤを介して、データ上にて対応付けられている。そして、図２２に示すように、各エレメントのＣＡＤデータをＣＡＭデータ化するに際しての補正情報の内容が、補正エリアの種別毎に定められている。
【００９６】
本実施形態においては、図１において、半田ランド１０が形成される最上層の誘電体層６の、直下の導体層Ｍ２（つまり、１つの誘電体層６を隔てて半田バンプ１１に最も近い導体層）の作図レイヤに対し、対応する補正レイヤを用いて、図２１に示すような補正エリアが設定されている。具体的には、作図レイヤ上にて面導体図形の入力領域に対応して設定された面導体エリアＡＰ（補正エリア種別をＪａとする）、同じく配線図形の入力領域に対応して設定された配線エリアＡＬ（補正エリア種別をＪｃとする）、及び面導体のエッジ線を含む形で面導体の存在側と非存在側とにまたがる面導体エッジエリアＡＥ（補正エリア種別をＪｂとする）とが入力されている。面導体エッジエリアＡＥには、面導体の外周縁部が含まれるから、面導体エリアＡＰは、面導体の外周縁部以外の部分に対応して設定される。
【００９７】
面導体エッジエリアＡＥは、面導体のエッジＥＱの外側において、該エッジＥＱに沿って起点Ｂ１から中間点Ｂ２‥Ｂ６を経て、起点Ｂ１に一致する終点を入力することにより外側外形線ＯＬを特定し、さらに、面導体のエッジＥＱの内側において、該エッジＥＱに沿って起点Ｂ７から中間点Ｂ８‥Ｂ１２を経て、起点Ｂ７に一致する終点を入力することにより内側外形線ＩＬを特定することにより、それら外側外形線ＯＬと内側外形線ＩＬとに挟まれる領域として与えられる。また、内側外形線ＩＬが取り囲む領域が面導体エリアＡＰを与える。他方、配線エリアＡＬは、これら面導体エリアＡＰあるいは面導体エッジエリアＡＥとは別に外形線が入力される。これら外形線の入力は、選択するレイヤとして補正レイヤが採用されることを除き、作図レイヤ上の面データ入力と全く同様にして、マウスクリック等により手動にて行なうことができる。このとき、モニタ１１３上には、補正レイヤを選択した状態で、対応する作図レイヤを重ね表示し、作図レイヤ上の面導体や配線の図形を見ながら補正エリアを入力できるようにしておく。
【００９８】
また、ソルダーレジスト層の作図レイヤに対しても、対応する補正レイヤを用いて、図２７に示すような補正エリアが設定されている。すなわち、金属パッド１０，１０’に対してソルダーレジスト層内に形成された開口８ａ，８ａ’に対し、開口が比較的密に存在しているエリアＪＡと、比較的疎に存在しているエリアＪＢとが入力されている。本実施形態では、ほぼ一定の間隔で規則的に配列した開口８ａ１の組全体が包含されるようにエリアＪＡが設定されている。また、開口８ａ１の組から孤立して形成された、該開口８ａ１の組よりも少数の開口８ａ２よりなる組が包含されるようにエリアＪＢが設定されている。具体的には、開口８ａ１は四辺形状の経路に沿って配列し、開口８ａ２は、その経路の内側において、開口８ａ１の配列から逸脱する形で孤立的に形成されている。
【００９９】
そこで、エリアＪＡは、開口８ａ１の配列の外側に沿って外側外形線ＯＬを設定し、同じく内側に沿って内側外形線ＩＬを特定することにより、それら外側外形線ＯＬと内側外形線ＩＬとに挟まれる領域として与えられる。また、内側外形線ＩＬが取り囲む領域がエリアＪＢを与える。これらのエリアの描画・設定方法は、導体層Ｍ２の補正レイヤについてすでに説明したものと全く同じである。
【０１００】
開口密度別のエリアＪＡ及びＪＢは、図２５に示すように、それぞれ、パッドオフビアをなす半田ランド１０に対応してソルダーレジスト層８内に形成された第二種開口８ａのみを含む第二種エリアＪ２ａ，Ｊ２ｂと、パッドオンビアをなす金属パッド１０’に対応してソルダーレジスト層８内に形成された第一種開口８’ａのみを含む第一種エリアＪ２ｃ，Ｊ２ｄとにさらに細分化されている（エリアＪ２ａとエリアＪ２ｃとがエリアＪＡを細分化するものであり、エリアＪ２ｂとエリアＪ２ｄとがエリアＪＢを細分化するものである）。本実施形態では、いずれのエリアＪＡ及びＪＢについても、第二種開口８ａの方が第一種開口８’ａよりも数的に多く形成されており、第一種開口８’ａを選択的に囲む形で第一種エリアＪ２ｃ，Ｊ２ｄが描画・設定され、開口密度別の各エリアＪＡ及びＪＢの残余の領域が、それぞれ第二種エリアＪ２ａ，Ｊ２ｂとして識別されるようになっている。
【０１０１】
ＣＡＤデータとして入力された各エレメント（半田ランド、ソルダーレジスト層の開口）は、それぞれの作図レイヤに対応した補正レイヤ上にて、どの補正エリアに属するかが判別され、その対応関係が、図２０の補正エリア／エレメント対応テーブル７１の形で記憶される。補正レイヤと作図レイヤとの入力座標系を一致させておけば、作図レイヤ上のエレメントの位置（例えばランドや開口の中心位置で代表させる）を補正レイヤ上に投影し、当該エレメント位置がいずれの補正エリア外形線の内側に属するかを、周知の幾何学的アルゴリズムにより判定することができる。
【０１０２】
この処理は、例えば、エレメントを入力後に補正エリアの入力を行なう場合は、補正エリアの入力を確定する毎に、その確定した補正エリア内に属する半田ランドを随時判別するように行なうことができるし、補正エリアの入力後に半田ランドを入力する場合は、入力されたエレメントが、既に設定されているいずれの補正エリア内に属するかを随時判別するように行なうことができる。
【０１０３】
さらに、導体層の作図レイヤに対しても、対応する補正レイヤを用いて、図４２に示すような補正エリアＪ３ａ，Ｊ３ｂ，Ｊ３ｃが設定されている。補正エリアの入力設定方法は既に説明済みであるので、詳細は省略する。この場合、線路導体の形成密度に応じて、前述の配線エリアＡＬをさらに細分化する形で補正エリア設定が行なわれる。これら補正エリアＪ３ａ，Ｊ３ｂ，Ｊ３ｃは、線路導体７Ｎ，７Ｗの形成密度の大小に応じて手動設定されたものであり、線路導体７ＮがエリアＪ３ｂにおいて最も高密度に形成され、エリアＪ３ａにおいて最も低密度に形成されている。なお、補正エリアを設定する前の補正レイヤは、全体がデフォルトエリアとしての属性が与えられ、補正エリアが入力設定される毎に、その補正エリアはデフォルトエリアから切り取られてゆく。従って、補正エリア入力後においては、補正エリアとしての設定を受けなかった残余の補正レイヤ上の領域が、デフォルトエリアとしての属性を保持することとなる（これは、他の補正レイヤについても同じである）。
【０１０４】
図４２に示す例においては、線路導体７Ｎ，７Ｗの両端点が同じ補正エリア内に位置しているとき、その線路導体は当該の補正エリアに属しているものとする。また、両端点がエリア外に位置しているものは、当該の補正エリアに属さないものとする。そして、一方の端点のみエリア内に属する線路導体７Ｃの場合は、以下のごとく種々の処理形式を考慮することができる。
▲１▼エリア境界で線路導体を２つの領域に区分し、各線路導体領域が別の補正領域に属するものとして取り扱う。しかし、この方式は、エリア境界による線路導体の区分位置をいちいち演算特定しなければならないので処理演算が煩雑となる他、１つの線路導体に対し設定される補正領域が一義的に定まらなくなるので、処理エラー等の原因ともなりうる。
【０１０５】
▲２▼そこで、図４３に示すように、１つの線路導体を横切るようなエリア境界が発生した場合は、エリア境界から両側に一定距離Ｗだけ離間させた位置に新たな端点を発生させ、それら端点によりその線路導体を個々のエリアに属する２つの線路導体に分割する。なお、線路導体７の図形を発生させる場合に、端点から外方に線路導体領域の延長部７ｅを形成するようにしておき、上記線路導体の分割処理を行なうときの、発生端点からエリア境界までの距離Ｗを、上記延長部７ｅの長さＷ’よりも小さくしておけば、分割後の２つの線路導体の末端に重なり領域を形成でき、導通を問題なく確保することができる。なお、同一エリア内では、互いに接続する２つの線路導体の端点同士を共用化することができる。
【０１０６】
▲３▼１つの線路導体を横切るようなエリア境界が発生した場合に、線路導体を分割せず、エリア境界にて隣接する補正エリアのどちらかに、その線路導体全体が属するものとして取り扱う。例えば、後述の通り、線路導体の形成密度の低い補正エリアは、線路幅の拡大比率λも大きく設定され、オーバーエッチング防止にはより安全な方向に作用するので、線路幅の拡大比率λが大きく設定されている方の補正エリアに属するものとして処理することは、該観点において有利な場合がある。図４２の例では、線路幅の異なる線路導体７Ｎ，７Ｗがそれぞれ別の補正エリアＪ３ｂ，Ｊ３ｃに属するものとして設定され、両者を接続する線路導体７Ｃは、線路幅の小さい線路導体７Ｎと同じ補正エリアＪ３ｂに属するものとして設定されている。なお、図４２では、接続用の線路導体７Ｃは、線路幅の小さい線路導体７Ｎと同じ線路幅に設定されているが、図４４に示すように、線路導体７Ｎ側から７Ｗ側に向けて線路幅が増加する異形線路７Ｄ（図形上は面導体として取り扱われる）を接続用の線路導体として用いてもよい。
【０１０７】
上記のようにして作成された、各エレメント（作図対象要素）のＣＡＤデータは、ＣＡＭデータに変換される。ＣＡＭデータは、エレメント又は該エレメントと関連付けた形で電子回路基板１に形成される付加要素（例えばエレメントをなす半田ランド上に形成される半田バンプ）からなる製造対象要素の、製造途上での寸法、形状及び配置位置、あるいは製造対象要素を製造するための治具（例えば、ビアパターンや、導体要素のメッキウィンドウパターンを露光するためのマスクや、半田バンプ形成に使用する半田ペースト塗布用マスクなど）の、該製造対象要素に対応した部分の寸法、形状及び配置位置を特定する図形データである。
【０１０８】
図３１は、ＣＡＤデータをＣＡＭデータに変換する処理の一例を示すフローチャートである。Ｓ５１においては、ペースト塗布マスクのＣＡＭデータ、具体的には、ペースト塗布マスクに形成する半田ペースト充填用の開口部の寸法及び配置位置を記述するデータを作成する。半田バンプ自体の図形データは上記の作図処理において作成されず、従って半田バンプが属するレイヤや、半田バンプを直接記述するＣＡＤデータは存在しない。従って、半田バンプと関連付けられたエレメントのデータ、すなわち表面側配線導体層Ｍ３のレイヤ上で作成された半田ランドのＣＡＤデータか、ソルダーレジスト層８のレイヤ上で作成された半田用開口８ａのＣＡＤデータを用いて、半田ペースト充填用の開口部のＣＡＭデータが作成されることになる。この処理の詳細は後に説明する。
【０１０９】
Ｓ５２以降は、ＣＡＤデータファイルのレイヤ毎の変換処理となる。図３１の処理においては、図１の各レイヤのエレメントＣＡＤデータを、順次自動的にＣＡＭデータ変換する処理になっているが、工程別に、必要なエレメントのＣＡＤデータのみを選択して、ＣＡＭデータ変換するようにしてもよい。以下、ステップ毎に説明する。まず、Ｓ５２で最初のレイヤを選択し、そのレイヤがソルダーレジスト層ならば（Ｓ５３；Ｙｅｓ）、Ｓ５９に進んで、ソルダーレジスト層用のＣＡＭデータを作成する。具体的には、半田充填用の開口部（図１：符号８ａ）の設計上の寸法（あるいは形状）及び形成位置を表す図形データを、感光性樹脂組成物フィルムに該開口部のパターンを転写するための、露光マスク上の対応部分（ネガ型組成物の場合は遮光部、ポジ型組成物の場合は露光部）の寸法（あるいは形状）及び形成位置を表す図形データに変換する。
【０１１０】
また、選択したレイヤが導体層である場合（Ｓ５４；Ｙｅｓ）はＳ５８に進み、導体層用のＣＡＭデータを作成する。具体的には、線路導体、パッド、ランドあるいは面導体の、設計上の寸法（あるいは形状）及び形成位置を表す図形データを、線路導体や面導体に対応したメッキウィンドウをメッキレジスト層にパターニングするための、フォトリソグラフィー用露光マスク上のメッキウィンドウパターン（ネガ型フォトレジストを用いるの場合は遮光部、ポジ型フォトレジストを用いる場合は露光部）の寸法（あるいは形状）及び形成位置を表す図形データに変換する。さらに、選択したレイヤがビア層である場合（Ｓ５５；Ｙｅｓ）はＳ５６に進み、ビア層用のＣＡＭデータを作成する。具体的には、形成すべきビアの設計上の寸法（あるいは形状）及び形成位置を表す図形データを、フォトリソグラフィー用露光マスク上の対応部分（ビルドアップ層を、ネガ型感光性樹脂組成物フィルムを用いて形成する場合はマスク上の遮光部、ポジ型感光性樹脂組成物フィルムを用いて形成する場合はマスク上の露光部）の寸法（あるいは形状）及び形成位置を表す図形データに変換する。なお、ビア穿孔をフォトビアプロセスではなく、レーザービーム穿孔により行なうこともできるが、この場合は、形成すべきビアの設計上の寸法（あるいは形状）及び形成位置を表す図形データに基づき、レーザービーム強度やビーム径、あるいはフォーカス深度などのレーザービーム特定情報と、レーザービームの照射位置情報とを含むＣＡＭデータに変換すればよい。
【０１１１】
なお、レイヤが上記のいずれでもなかった場合は、ＣＡＤデータが不存在のレイヤとしてスキップする。上記の処理を、Ｓ６０、Ｓ６１→Ｓ５２の流れでレイヤを次々と変えながら実行し、全てのレイヤについてＣＡＭデータ変換処理が完了すれば処理を終了する。なお、各エレメントのＣＡＤデータを上記のＣＡＭデータに変換する際に使用する変換テーブルは、図２の補正データファイル１６５に記憶されているものを使用する。
【０１１２】
図３２は、ペースト塗布マスク用ＣＡＭデータ作成処理の詳細を示すフローチャートである。マスク開口部の寸法やマスク上での形成位置を与えるＣＡＭデータは、本実施形態では、バンプ関連設計要素である半田ランドのＣＡＤデータから変換して作成される（なお、ソルダーレジスト層の開口部の内径をバンプ関連設計要素と使用してもよい）。図１６に示すように、半田ランド１０及び半田バンプ１１は、いずれも平面形状が円状であり、半田ランド１０の外径は半田バンプ１１の外径にほぼ比例して寸法が変化する。複数の半田ランド１０は、その全部又は一部をなす複数のものが同一の設計寸法を有し、これらのＣＡＤデータはランドライブラリとしてグループ化されている。図３２のＳ１０１では、登録されているランドライブラリの最初のもののファイルを開き、そのライブラリに属する半田ランドの外径ｄ’をリードする（Ｓ１０２）。同一ライブラリ内の半田ランドは全て同じ外径を有しているので、どの半田ランドの外径を採用してもよい。
【０１１３】
半田ランドの外径ｄ’と、これをマスク開口部内径ｄ０に変換するための補正係数（変換係数）αは、図１５に示す補正テーブル７０の形で、前述の補正データファイル１６５（これを記憶するＨＤＤディスクドライブ１１０が、補正テーブル記憶手段をなしている）に記憶されている。Ｓ１０３では、リードしたランド外径ｄ’に対応する補正係数αの値を、上記補正テーブル７０上にて見出す。リードしたランド外径ｄ’に直接対応する補正係数αがテーブル上に存在しなかった場合は、テーブル上にある前後のランド外径の値から補間演算により補正係数を求める。
【０１１４】
補正係数αは、半田ランドの外径ｄ’とマスク開口部の内径ｄ０との比（ｄ０／ｄ’）を表わすものである。図１２及び図１３を用いて既に詳細に説明したごとく、本実施形態では、径小の半田バンプほどマスク内のペースト残留厚さτの影響が大きくなることを考慮して、図１４の下図に示すように、半田ランドの外径ｄ’が小さくなるほど補正係数αが大きくなるように定められている。補正テーブル７０に記憶されている補正係数αのデータは、開口部の内径を種々変更しながら、得られる半田バンプの外径寸法を繰り返し測定したときの統計的解析結果に基づき、設計通りの寸法の半田バンプが得られるよう実験的に定められたものである。
【０１１５】
また、補正テーブル７０内の補正係数αの値の組は、図１４の上図に示すような傾向を示すものが使用されている。すなわち、半田ランドの外径ｄ’に対し、マスク開口部の内径ｄ０（＝α・ｄ’）をプロットしたとき、ｄ’が一定値増加したときのｄ０の増分が、ｄ’が径大となるほど小さくなるように、各αの値が定められている。マスク内のペースト残留厚さτの影響はｄ０に逆比例して大きくなるから、ｄ０が比較的大きくなる領域において上記増分を縮小することは、ペースト残留厚さτの影響を補正するための、開口部の径増し補正の程度を小さくすることに相当する。その結果、マスク開口部の径増しがそれほど顕著に必要とされない大径の半田バンプについては、αの増分が小さく設定されていることにより補正効果が抑制され、逆に、開口部の径増しをより積極的に行なわなければならない小径の半田バンプについては、αの増分が大きく設定されていることにより補正効果がより顕著となる。従って、どのような外径の半田バンプを製造する場合でも、その高さや体積が設計値からずれてしまう不具合をより効果的に防止できる。
【０１１６】
図３２に戻り、補正係数αの値が見出されればＳ１０４に進み、そのライブラリに属する複数のランドの最初のもの（ランド番号Ｎ＝１）を選択し、Ｓ１０５において、そのランドの作図レイヤに対応する補正レイヤ上にて、当該ランドが設定されているどの補正エリアに属するかを判別する。この判別は、図２０の補正エリア／エレメント対応テーブル７１を参照することにより簡単に行なうことができる。
【０１１７】
次に、当該の半田ランドがいずれの補正エリアに属するかが判明すれば、図１９の補正エリア参照テーブル７２により、該補正エリアの種別を特定する。そして、Ｓ１０６に進み、図２２に示す補正テーブル７３を参照して、補正エリアの種別（Ｊａ：面導体エリア、Ｊｂ：面導体エッジエリア、Ｊｃ：配線エリア）に対応する、開口部内径ｄ０の補正係数β（以下、エリア別補正係数という：βａ（面導体エリア用）、βｂ（面導体エッジエリア用）、βｃ（配線エリア用））を読み出す。補正テーブル７３は、前述のテーブル７１及び７２にとともに、補正データファイル１６５に記憶されている。補正係数βのデータも、エリア別の半田バンプの外径寸法を繰り返し測定したときの統計的解析結果に基づき、設計通りの寸法の半田バンプが得られるよう実験的に定められたものである。なお、補正係数βは、上記の補正エリアのどれか１つ（例えば面導体エリア）を基準エリアとして、該基準エリアにおいて１となるように定めてあり、他のエリアの補正係数は基準エリアの補正係数値に対する相対値にて表示している。また、前述の補正係数αは、補正係数βの値が１のときの実験結果に基づいて決定されたものである。補正係数αによる径別の補正効果と、補正係数βによるエリア別の補正効果とは互いに独立しており、両者の効果の双方を考慮しなければならない場合は、補正係数αと補正係数βとの積により、合成された補正効果を合理的に表現できることを実験的に確認している。
【０１１８】
図２１に示すように、面導体エリアＡＰは導体被覆率が１００％の領域であり、バンプ頂面位置の底上げ効果が最も大きい。他方、面導体エッジエリアＡＥでは、これを覆う誘電体層（第二ビア層Ｖ２）の表面に、面導体エッジに対応した下り勾配のファセットが生じるので、半田バンプ頂面位置の底上げ効果は面導体エリアＡＥよりも小さい。従って、前記のエリア別補正係数βを開口部内径ｄ０の拡大率として規定した場合、βａ（面導体エリア用）＜βｂ（面導体エッジエリア用）＜βｃとして設定される。
【０１１９】
図３２に戻り、エリア別補正係数βが決定すればＳ１０７に進み、半田ランドの外径ｄ’の値に、該エリア別補正係数βと前述の径別補正係数αを乗ずることで、マスク開口部の内径ｄ０を算出し、さらにＳ１０８において、算出した内径ｄ０をＣＡＭデータファイル１６４（図２）に記憶する。そして、Ｓ１０９では、ランド番号Ｎをインクリメントし、Ｓ１１０ではその番号Ｎが最大値Ｎｍａｘより小さいかどうか、つまり、ライブラリ内に次の半田ランドがあるかどうかをチェックする。次の半田ランドがあればＳ１０５に戻り、Ｓ１０９までの処理を繰り返して、ライブラリ内の各半田ランドのマスク開口部の内径ｄ０を算出し、ＣＡＭデータファイル１６４に記憶する。
【０１２０】
他方、次の半田ランドが存在しなければＳ１１１に進み、他のランドライブラリが存在しないかどうかを確認する。図１７のように、半田ランド１０Ａ，１０Ｂの外径が互いに異なる複数のランドライブラリＬＢ１，ＬＢ２が設定されている場合は、図３２においてＳ１１２に進み、次のランドライブラリのファイルを開いて、同様の処理を繰り返す。他方、図１６のように、半田ランド１０の外径が１種類のみであり、ランドライブラリもＬＢの１つのみである場合は、上記のような処理の繰り返しは不要である。なお、マスク開口部の内径ｄ０のマスク上での形成位置も、ＣＡＤデータが示す基板上での半田ランド１０の形成位置に対応付けた形で、ＣＡＭデータとして作成される。
【０１２１】
次に、図３３は、ソルダーレジスト用ＣＡＭデータ作成処理の詳細を示すフローチャートである。この場合のＣＡＭデータは露光用マスクの開口用マスクパターン外径Ｄ０であり、本実施形態では、ソルダーレジスト層８の開口内径Ｄ’をＣＡＤデータとして、該ＣＡＤデータから変換して作成される。なお、開口内径Ｄ’をＣＡＤデータとして直接用いてもよいし、該開口内径Ｄ’を反映した他のＣＡＤデータを用いてもよい。例えば開口内径Ｄ’は、半田ランド１０の外径と一義的に対応しているので、半田ランド１０の外径ｄ’を、半田開口８ａの内径Ｄ’を反映したＣＡＤデータとして用いてもよい。
【０１２２】
図２８に示すように、ソルダーレジスト層８の開口８ａの内径Ｄ’は、半田ランド１０の外径や半田バンプ１１の外径にほぼ比例して寸法が変化する。複数の開口８ａは、その全部又は一部をなす複数のものが同一の設計寸法を有し、これらのＣＡＤデータは開口ライブラリとしてグループ化されている。図３３のＳ２０１では、登録されている開口の最初のもののファイルを開き、そのライブラリに属する１つの開口内径Ｄ’をリードする（Ｓ２０２）。同一ライブラリ内の開口は全て同じ外径を有しているので、どの開口の内径Ｄ’を採用してもよい。
【０１２３】
開口内径Ｄ’と、これを開口用マスクパターン外径Ｄ０に変換するための補正係数（変換係数）γは、図２９に示す補正テーブル７４の形で、前述の補正データファイル１６５（これを記憶するＨＤＤディスクドライブ１１０が、補正テーブル記憶手段をなしている）に記憶されている。Ｓ２０３では、リードした開口内径Ｄ’に対応する補正係数γの値を、上記補正テーブル７４上にて見出す。リードした開口内径Ｄ’に直接対応する補正係数γがテーブル上に存在しなかった場合は、テーブル上にある前後の開口内径の値から補間演算により補正係数を求める。
【０１２４】
補正係数γは、開口内径Ｄ’と開口用マスクパターン外径Ｄ０との比（Ｄ０／Ｄ’）を表わすものである。図２８を用いて既に詳細に説明したごとく、本発明では、径大の開口用マスクパターン６２ａ（外径Ｄ０１）を経てソルダーレジスト層８’に入射する光量が、径小の開口用マスクパターン６２ａ（外径Ｄ０２）を経てソルダーレジスト層８’に入射する光量よりも大きく、漏洩感光領域８’ｂが広く形成されやすいこと、また、径大の開口８ａは、エッチング用の溶剤が流入しやすく、径小の開口よりもエッチングが進みやすい傾向にあることを考慮して、Ｄ’をＤ０に変換するための縮径方向の補正率、つまり、Ｄ０／Ｄ’（≡γ）は、Ｄ’が大きくなるほどより小さく設定するようにしてある。補正テーブル７４に記憶されている補正係数γのデータは、開口用マスクパターン外径Ｄ０を種々変更しながら、得られる開口内径Ｄ’を繰り返し測定したときの統計的解析結果に基づき、設計通りの内径の開口８ａが得られるよう実験的に定められたものである。
【０１２５】
また、補正テーブル７４内の補正係数γの値の組は、図３６に示すような傾向を示すものが使用されている。すなわち、開口内径Ｄ’に対し、開口用マスクパターン外径Ｄ０（＝γ・Ｄ’）をプロットしたとき、Ｄ’が一定値増加したときのＤ０の増分が、Ｄ’が径大となるほど小さくなるように、各γの値が定められている。このようにすると、形成する開口８ａの内径Ｄ’を一層高精度に制御することができる。
【０１２６】
図３３に戻り、補正係数γの値が見出されればＳ２０４に進み、そのライブラリに属する複数の開口の最初のもの（開口番号Ｎ＝１）を選択し、Ｓ２０５において、その開口の作図レイヤに対応する補正レイヤ上にて、当該開口が設定されているどの補正エリアに属するかを判別する。この判別は、図２０の補正エリア／エレメント対応テーブル７１を参照することにより簡単に行なうことができる。
【０１２７】
次に、当該の半田開口がいずれの補正エリアに属するかが判明すれば、図１９の補正エリア参照テーブル７２により、該補正エリアの種別を特定する。そして、Ｓ２０６に進み、図２２に示す補正テーブル７３を参照して、開口密度に応じて設定された各補正エリア（Ｊ２ａ（開口密度：σ２ａ、第二種開口）、Ｊ２ｂ（開口密度：σ２ｂ、第二種開口）、Ｊ２ｃ（開口密度：σ２ａ、第一種開口）、Ｊ２ｄ（開口密度：σ２ｂ、第一種開口）：σ２ａ＞σ２ｂ）に対応する、開口部内径Ｄ０のエリア別補正係数δを読み出す。
【０１２８】
図２２に示すように、開口が比較的密に形成された補正エリアＪ２ａ，Ｊ２ｃについては、開口が疎に形成された補正エリアＪ２ｂ，Ｊ２ｄよりも、得られる開口が拡径しやすい傾向にある。従って、露光マスクの開口用マスクパターン外径に変換する際の、補正エリアＪ２ａ，Ｊ２ｃに対する開口密度別の補正係数δａ、及び補正エリアＪ２ｂ，Ｊ２ｄに対する開口密度別の補正係数δｂは、前者の拡径傾向がより抑制されるように、δａ＜δｂとなるように設定する。補正係数δのデータは、開口の形成密度別に、得られる開口内径寸法を繰り返し測定したときの統計的解析結果に基づき、設計通りの寸法の開口が得られるよう実験的に定められたものである。補正係数δは、予め定められた基準開口密度を有する基準エリアにおいて１となるように定めてあり、他のエリアの補正係数は該基準エリアの補正係数値に対する相対値にて表示している。また、前述の補正係数γは、補正係数δの値が１のときの実験結果に基づいて決定されたものである。補正係数γによる径別の補正効果と、補正係数δによるエリア別の補正効果とは互いに独立しており、両者の効果の双方を考慮しなければならない場合は、補正係数γと補正係数δとの積により、合成された補正効果を合理的に表現できることを実験的に確認している。
【０１２９】
また、図２４Ａに示すように、パッドオンビアをなす金属パッド１０’に対応する第一種開口８’ａついては、パッド面にビアが開口しているために、該第一種開口８’ａの内径Ｄ１に縮径側への狂いを大きく生じたり、あるいは露光マスクの位置合わせ不正等により、第一種開口８’ａの中心が金属パッド１０’の中心からずれて配置されることがある。この場合、図２４Ｂに示すように、ソルダーレジスト層８の開口８Ｅがパッド面のビアホールの内側に入り込む可能性があり、ビア内面にソルダーレジスト８ｄが付着したり、あるいはその付着したソルダーレジスト８ｄにクラックＣＫが生じて剥がれ落ちたりすると、不良に直結する問題がある。そこで、図２４Ｃに示すように、第一種開口８’ａについては、予め設定された１より大きいパッドオンビア用補正係数εを上記補正係数δに乗じ、開口内径が一律に拡大されるようにする（図２４Ｃでは、拡大後の開口内径をＤ２’で表している）。なお、パッドオンビア用補正係数εは、金属パッド１０，１０’の外径ｄ（設計値）と開口内径Ｄ’（設計値）との比をｄ／Ｄ’として、１より大きく、ｄ／Ｄ’よりも小さくなるように、より望ましくは、［｛（ｄ−Ｄ’）／２｝＋Ｄ’］／Ｄ’よりも小さくなるように（つまり、補正を考慮する必要のないパッドオフビアを基準に考えたときの、開口とパッドとの重なりマージンが半分以下とならないように）調整することが、金属パッドの基板に対する密着強度を十分に確保する上で望ましい。
【０１３０】
従って、図２２に示すように、第一種エリアＪ２ｃ，Ｊ２ｄについては、各開口形成密度別の補正係数δａ及びδｂに、それぞれパッドオンビア用補正係数εが乗じられた値が、エリア別補正係数として設定されることとなる。他方、第二種エリアＪ２ａ及びＪ２ｂについては、パッドオンビア用補正係数εが乗じられず、開口形成密度別の補正係数δａ及びδｂのみとなる（この場合、パッドオンビア用補正係数εとして、デフォルト値である「１」が乗じられているとみることもできる）。こうして決定されたエリア別補正係数を改めてδとする。
【０１３１】
図３３に戻り、エリア別補正係数δが決定すればＳ２０７に進み、開口内径Ｄ’の値に、該エリア別補正係数δと前述の径別補正係数γを乗ずることで、開口用マスクパターン外径Ｄ０を算出し、さらにＳ２０８において、算出した開口用マスクパターン外径Ｄ０をＣＡＭデータファイル１６４（図２）に記憶する。そして、Ｓ２０９では、開口番号Ｎをインクリメントし、Ｓ２１０ではその番号Ｎが最大値Ｎｍａｘより小さいかどうか、つまり、ライブラリ内に次の半田開口があるかどうかをチェックする。次の半田開口があればＳ２０５に戻り、Ｓ２０９までの処理を繰り返して、ライブラリ内の各半田開口８ａの開口用マスクパターン外径Ｄ０を算出し、ＣＡＭデータファイル１６４に記憶する。
【０１３２】
他方、次の半田開口が存在しなければＳ２１１に進み、他の開口ライブラリが存在しないかどうかを確認する。存在している場合はＳ２１２に進み、次の開口ライブラリのファイルを開いて、同様の処理を繰り返す。他方、存在しない場合は、上記のような処理の繰り返しは不要である。なお、マスク開口部内径Ｄ’のマスク上での形成位置も、ＣＡＤデータが示す基板上での半田開口８ａの形成位置に対応付けた形で、ＣＡＭデータとして作成される。
【０１３３】
次に、導体層の各導体要素はいわゆるパターンメッキの手法により形成される。図３８は、その工程の一例を示すものである。すなわち、工程１では、誘電体層６のほぼ全面に、無電解Ｃｕメッキ等によりメッキ用下地導電層ＢＰＬを形成し、さらにそのメッキ用下地導電層ＢＰＬを、周知のフォトレジストにて構成されたメッキレジスト層ＰＲで覆う。次に、該メッキレジスト層ＰＲに露光マスクＭＫを重ねる。露光マスクＭＫは、線路導体や面導体に対応したメッキウィンドウをメッキレジスト層にパターニングするためのものであり、ガラス等の透明基板ＧＢ上にメッキウィンドウパターンＷＰ（ネガ型フォトレジストを用いるの場合は遮光部、ポジ型フォトレジストを用いる場合は露光部：本実施形態では遮光部としている）を写真技術あるいは印刷により形成したものである。該露光マスクＭＫをメッキレジスト層ＰＲ上に配置し、露光することにより、露光マスクＭＫに形成されたメッキウィンドウのパターンをメッキレジスト層に転写する。その後、工程２に示すように、メッキレジスト層ＰＲを現像することにより、メッキレジスト層ＰＲにはメッキウィンドウＰＷＤが形成される（メッキレジスト層形成工程）。なお、図面では露光マスクＭＫは、便宜的にメッキレジスト層ＰＲ上に重ねる形で描いてあるが、実際には、実パターンを拡大する形で形成した露光マスクをメッキレジスト層ＰＲの情報に配置し、マスクに形成されたメッキウィンドウパターンを、適当な光学系を用いてメッキレジスト層上に縮小投影する形で露光を行なう。
【０１３４】
そして、工程３に示すように、メッキウィンドウＰＷＤ内の領域に、メッキ用下地導電層ＢＰＬを導通路とする形で電解Ｃｕメッキにより、導体要素を構成するパターンメッキ層ＰＬを成長する（パターンメッキ工程）。その後、工程４に示すように、メッキレジスト層ＰＲを除去し、さらに、パターンメッキ層以外の領域に残留する不要なメッキ用下地導電層ＢＰＬを、パターンメッキ層ＰＬをエッチングレジスト層で覆わずにエッチング除去する（エッチング工程）。このとき、パターンメッキ層ＰＬはメッキ用下地導電層ＢＰＬとともにエッチングされるので、得るべき導体要素の設計寸法に対しエッチング代分だけ面積拡張した形でパターンメッキ層ＰＬを形成する必要があり、ＣＡＤ／ＣＡＭ変換に際しても、導体要素の図形データを面積拡張しつつメッキウィンドウＰＷＤの図形データに変換する必要がある。
【０１３５】
ここで、導体要素が線路導体である場合、メッキウィンドウの図形データに変換する際の線路幅の拡張比率η（以下、線幅別補正係数ηともいう）は、線路幅の小さい線路導体において線路幅の大きい線路導体よりも大きくなるように設定する。図４０に示すように、線路導体同士で比較した場合、幅の狭い線路導体（設計幅Ｗｐ１）の方が、幅の広い線路導体（設計幅Ｗｐ２）よりも導体体積に対するエッチング表面積の比率が大きくなるので、該幅の狭い線路導体の線幅別補正係数η１（メッキウィンドウ幅Ｗ０１）を、幅の広い線路導体の線幅別補正係数η２（メッキウィンドウ幅Ｗ０２）よりも大きくすれば、オーバーエッチングによる線幅不足の発生を効果的に防止することができる。
【０１３６】
また、導体要素の図形データをメッキウィンドウの図形データに変換する際の面積拡張比率は、導体要素が面導体である場合よりも線路導体である場合の方が大きくなるように定める。これは、幅の狭い線路導体は、面導体と比較して導体体積に対するエッチング表面積の比率が大きく、同じ条件でエッチングを施した場合に、エッチングによる面積縮小率が高くなるからである。
【０１３７】
さらに、図３９に示すように、導体層において、導体線路が密集して形成されている領域と、比較的疎に形成されている領域とでは、同じ線幅（Ｗｐ）であってもエッチング代が必ずしも同じにならず、導体線路が疎に形成されている領域のほうが、エッチング代が大きくなりやすい。導体線路が密集して形成されている領域は、導体線路間へのエッチング液ＥＡの供給体積が少なくなり、エッチングにより溶解した金属成分の隙間外への移動も鈍くなることから、エッチング速度が遅くなりやすい。逆に、導体線路が疎に形成されている領域は、導体線路間へのエッチング液の供給体積が多くなり、エッチングにより溶解した金属成分の隙間外への移動も速やかに進行することから、エッチング速度は比較的大きくなる。そこで、線路導体が疎に分布する領域での線路幅拡張比率λ１（メッキウィンドウ幅Ｗ０１）を、密に分布する領域での線路幅拡張比率λ２（メッキウィンドウ幅Ｗ０２）よりも大きくすれば、幅の狭い導体線路において、オーバーエッチングによる線幅不足が生ずることを効果的に防止することができる。
【０１３８】
図３４は、上記工程を前提とした導体層ＣＡＭデータ作成処理の詳細を示すフローチャートである。この処理は導体層のレイヤ毎に行なわれる。まず、Ｓ３０１においては、当該のレイヤ（導体層）上のエレメント（導体要素）の最初のものを選択し、Ｓ３０２では、そのエレメントが線路導体であるかどうかを判断する。線路導体であればＳ２９８に進み、その線路導体の作図レイヤに対応する補正レイヤ上にて、当該線路導体が設定されているどの補正エリアに属するかを判別する。この判別は、図２０の補正エリア／エレメント対応テーブル７１を参照することにより行なうことができる。
【０１３９】
次に、当該の線路導体がいずれの補正エリアに属するかが判明すれば、図１９の補正エリア参照テーブル７２により、該補正エリアの種別を特定する。そして、Ｓ２９９に進み、図２２に示す補正テーブル７３を参照して、線路導体密度に応じて設定された各補正エリア（Ｊ３ａ，Ｊ３ｂ，Ｊ３ｃ‥）に対応する、線路導体幅のエリア別補正係数λを読み出す。
【０１４０】
図３４に戻り、エリア別補正係数λが決定すればＳ３０３に進み、その線路導体の線幅Ｗｐを読み出す。前述の通り、線幅別補正係数ηは、線幅Ｗｐの絶対値が小さくなるほど大きく設定される。例えば図３７のごとく、種々の線幅Ｗｐ１，Ｗｐ２，‥に対応する線幅別補正係数η１，η２，‥が、補正テーブル７５の形で、前述の補正データファイル１６５に記憶されている。Ｓ３０４では、リードした線幅Ｗｐに対応する補正係数ηの値を、上記補正テーブル７５上にて見出す。リードした線幅Ｗｐに直接対応する補正係数ηがテーブル上に存在しなかった場合は、テーブル上にある前後の線幅Ｗｐの値から補間演算により補正係数を求める。
【０１４１】
そして、Ｓ３０５に進み、補正前線幅Ｗｐに対し、エリア別補正係数λと線幅別補正係数ηとを乗ずることにより、メッキウィンドウ幅となる補正後線幅Ｗｐ’を、Ｗｐ’＝λ・η・Ｗｐとして算出し、Ｓ３０６において、露光マスクのメッキウィンドウ図形データ（ＣＡＭデータ）として記憶する。エリア別補正係数λのデータは、線路導体の形成密度別に、得られる線路導体幅を繰り返し測定したときの統計的解析結果に基づき、設計通りの寸法の線路導体が得られるよう実験的に定められたものである。エリア別補正係数λは、予め定められた基準線路導体密度を有する基準エリアにおいて１となるように定めてあり、他のエリアの補正係数は該基準エリアの補正係数値に対する相対値にて表示している。また、前述の線幅別補正係数ηは、エリア別補正係数δの値が１のときの実験結果に基づいて決定されたものである。補正係数ηによる線幅別の補正効果と、補正係数λによるエリア別の補正効果とは互いに独立しており、両者の効果の双方を考慮しなければならない場合は、エリア別補正係数λと線幅別補正係数ηとの積により、合成された補正効果を合理的に表現できることを実験的に確認している。
【０１４２】
次に、Ｓ３０２でＮｏの場合はＳ３０７に進み、ここでエレメントが面導体であった場合はＳ３０８に進む。面導体の図形データ（ＣＡＤデータ）は、前述のごとく、面導体の頂点間を連結する線分データの集合として規定され、各頂点の座標データを、周回順を規定した形で配列したものである。そして、これを面導体用のメッキウィンドウ図形データ（ＣＡＭデータ）にするために、図４１に示すように、面導体が面積拡大する方向に、各線分データつまり頂点（Ｂ１１，Ｂ１２，‥）の座標データを予め定められたオフセット量ζだけ移動させる形で補正し、該補正後の線分データ（移動後の頂点（Ｂ１１’，Ｂ１２’，‥）のデータ）の集合を、ウィンドウパターンの図形情報として定めることになる。
【０１４３】
具体的には、図３４のＳ３０８にて、面導体の図形データをメッキウィンドウ図形データ（ＣＡＭデータ）に変換するための、外形線オフセット量ζを読み出し、Ｓ３０９にて、面導体の頂点データを該オフセット量ζが得られるように移動させる（つまり、外形線の構成成分をオフセットする）。そして、Ｓ３１０で、移動後の頂点データ（オフセット後の外形線）をＣＡＭデータとして記憶する。その後Ｓ３１１に進み、次のエレメントがあればＳ３１２からＳ３０１に戻って以下の処理を繰り返し、次のエレメントがなければ処理を終了する。
【０１４４】
図４１に示すように、面導体の外形線が、ＣＡＤデータの座標軸（ｘ軸及びｙ軸とする）と平行な線分のみで構成される場合は、移動後の頂点がもとの面導体の外側へ移動するように、頂点座標のｘ座標及びｙ座標のζを加算又は減算する処理を行なえばよい。なお、ＣＡＤデータが規定する設計寸法の面導体の面積は、線路導体の面積よりも通常十分に大きく（例えば１０倍以上）、ζの値は、面導体の図形データをメッキウィンドウ図形データにＣＡＤ／ＣＡＭ変換したときの面積拡大率が、最大幅の線路導体をＣＡＤ／ＣＡＭ変換したときの面積拡大率よりも小さくなるように定められている。
【０１４５】
最後に、図３５は、ビア層用ＣＡＭデータ作成処理の詳細を示すフローチャートである。この場合のＣＡＭデータは露光用マスクのビアホールパターン外径ＤＰであり、本実施形態では、ビア層６のビアホール内径ＤＶをＣＡＤデータとして、該ＣＡＤデータから変換して作成される。ビアホール内径ＤＶと、これをビアホールパターン外径ＤＰに変換するための径別の補正係数（変換係数）νは、図３７に示す補正テーブル７６の形で、前述の補正データファイル１６５（これを記憶するＨＤＤディスクドライブ１１０が、補正テーブル記憶手段をなしている）に記憶されている。
【０１４６】
Ｓ４０１では、当該のレイヤ（ビア層（誘電体層））上のビアの最初のものを選択し、Ｓ４０２で、その選択したビアのビアホール内径ＤＶを読み出す。次に、Ｓ４０３では、読み出したビアホール内径ＤＶに対応する径別補正係数（変換係数）νの値を、上記補正テーブル７６上にて見出す。リードしたビアホール内径ＤＶに直接対応する補正係数νがテーブル上に存在しなかった場合は、テーブル上にある前後のビアホール内径の値から補間演算により補正係数を求める。
【０１４７】
補正係数（変換係数）νは、ビアホール内径ＤＶとビアホールパターン外径ＤＰとの比（ＤＰ／ＤＶ）を表わすものである。ポジ型の感光性樹脂を用いる場合は、ソルダーレジスト層への開口形成時において、図２８を用いて説明したのとほぼ同じ事情により、径大のビアホールパターンを経て（未硬化の）ビア層に入射する光量が、径小のビアホールパターンを経てビア層に入射する光量よりも大きく、漏洩感光領域が広く形成されやすいこと、また、径大のビアホールは、エッチング用の溶剤が流入しやすく、径小のビアホールよりもエッチングが進みやすい傾向にあることを考慮して、ＤＶをＤＰに変換するための縮径方向の補正率、つまり、ＤＰ／ＤＶ（≡ν）は、ＤＶが大きくなるほどより小さく設定するようにしてある。補正テーブル７４に記憶されている補正係数νのデータは、ビアホールパターン外径ＤＰを種々変更しながら、得られるビアホール内径ＤＶを繰り返し測定したときの統計的解析結果に基づき、設計通りの内径のビアホール８ａが得られるよう実験的に定められたものである。なお、ポジ型の感光性樹脂に換えてネガ型の感光性樹脂を用いることもできるが、この場合は補正の方向は拡径方向となる。
【０１４８】
また、補正テーブル７６内の補正係数νの値の組は、図３６と同様の傾向を示すものが使用されている。すなわち、ビアホール内径ＤＶに対し、ビアホールパターン外径ＤＰ（＝ν・ＤＶ）をプロットしたとき、ＤＶが一定値増加したときのＤＰの増分が、ＤＶが径大となるほど小さくなるように、各νの値が定められている。このようにすると、形成するビアホールの内径ＤＶを一層高精度に制御することができる。
【０１４９】
図３５に戻り、補正係数νの値が見出されればＳ４０４に進み、そのビアホールの作図レイヤに対応する補正レイヤ上にて、当該ビアホールが設定されているどの補正エリアに属するかを判別する。この判別は、図２０の補正エリア／エレメント対応テーブル７１を参照することにより簡単に行なうことができる。
【０１５０】
次に、当該のビアホールがいずれの補正エリアに属するかが判明すれば、図１９の補正エリア参照テーブル７２により、該補正エリアの種別を特定する。そして、Ｓ４０５に進み、図２２に示す補正テーブル７３を参照して、誘電体層刷さに応じて設定された各補正エリア（図４６：線路導体エリアＪ４ｂ、図４７：第１面導体エリアＪ４ｄ，Ｊ４ｅ、第二面導体エリアＪ４ｃ）に対応する、ビアホール内径ＤＰのエリア別補正係数（変換係数）ξを読み出す。
【０１５１】
図４６に示すように、誘電体層厚さが大きい面導体エリアＪ４ａについては、誘電体層厚さが小さい線路導体エリアＪ４ｂよりも、得られるビアホールが拡径しやすい傾向にある。従って、露光マスクのビアホールパターン外径に変換する際の、面導体エリアＪ４ａに対するエリア別補正係数は、その拡径傾向がより抑制されるように、線路導体エリアＪ４ｂに対するエリア別補正係数よりも小さくなるように設定する。また、図４７に示すように、誘電体層厚さが大きい第二種面導体エリアＪ４ｃについては、誘電体層厚さが小さい第一種面導体エリアＪ４ｄ，Ｊ４ｅよりも、得られるビアホールが拡径しやすい傾向にある。従って、第二種面導体エリアＪ４ｃに対するエリア別補正係数は、同様に、第一種面導体エリアＪ４ｄ，Ｊ４ｅに対するエリア別補正係数よりも小さくなるように設定する。
【０１５２】
補正係数ξのデータは、誘電体層の厚さ別に、得られるビアホール内径寸法を繰り返し測定したときの統計的解析結果に基づき、設計通りの寸法のビアホールが得られるよう実験的に定められたものである。補正係数ξは、予め定められた基準ビアホール密度を有する基準エリアにおいて１となるように定めてあり、他のエリアの補正係数は該基準エリアの補正係数値に対する相対値にて表示している。また、前述の補正係数νは、補正係数ξの値が１のときの実験結果に基づいて決定されたものである。補正係数νによる径別の補正効果と、補正係数ξによるエリア別の補正効果とは互いに独立しており、両者の効果の双方を考慮しなければならない場合は、補正係数νと補正係数ξとの積により、合成された補正効果を合理的に表現できることを実験的に確認している。
【０１５３】
図３５に戻り、エリア別補正係数ξが決定すればＳ４０６に進み、ビアホール内径ＤＶの値に、該エリア別補正係数ξと前述の径別補正係数νを乗ずることで、露光マスクのビアホールパターン外径ＤＰを算出し、さらにＳ４０７において、算出したビアホールパターン外径ＤＰを、ビアホール形成位置座標とともにＣＡＭデータファイル１６４（図２）に記憶する。そして、Ｓ４０８では、次のビアがあるかどうかを確認し、あればＳ４０２へ戻って以下の処理を繰り返す。また、なければビア層用ＣＡＭデータ作成処理を終了する。
【０１５４】
以上のようにして作成されたＣＡＭデータは、必要に応じて図２の入出力インターフェース１０２から出力され、電子回路基板１の製造に供される。例えば、ペースト塗布マスクの開口部内径ｄ’は、ペースト塗布マスクの作成時に、マスク作成用の加工装置（例えば、レーザー穿孔装置）に出力される。加工装置側では、このＣＡＭデータが示す開口部の内径ｄ’と形成位置のデータに従い、金属板等の素材に開口部を順次穿孔して、ペースト塗布マスクが作成される。ソルダーレジスト層あるいはビア層（誘電体層）のフォトリソグラフィー用露光マスクの開口用マスクパターン外径Ｄ０あるいはビアホールパターン外径ＤＰは、該露光マスクの作製装置（例えば写真製版装置）に出力される。装置側では、このＣＡＭデータが示す開口用マスクパターン外径Ｄ０あるいはビアホールパターン外径ＤＰと、各パターンの形成位置座標のデータに従い、露光マスクが作製される。さらに、導体用ＣＡＭデータは、導体層のフォトリソグラフィー用露光マスクの作製装置（例えば写真製版装置）に出力される。装置側では、このＣＡＭデータが示すメッキウィンドウの図形データに従い、パターンメッキ用の露光マスクが作製される。
【図面の簡単な説明】
【図１】電子回路基板の一例を示す断面図。
【図２】本発明の電子回路基板用ＣＡＤ／ＣＡＭシステムの電気的構成を示すブロック図。
【図３】配線ネットデータ登録メモリの内容を示すマップ。
【図４】本発明の電子回路基板用ＣＡＤ／ＣＡＭシステムにおける作図画面上での操作過程の説明図。
【図５】エレメントの概念図。
【図６】エレメントのＣＡＤデータの概念図。
【図７】ビア図形の概念図。
【図８】ビア図形のＣＡＤデータの概念図。
【図９】エレメントの重なり接続状態の第一説明図。
【図１０】エレメントの重なり接続状態の第二説明図。
【図１１】エレメントのビア接続状態の説明図。
【図１２】半田バンプの形成工程を概念的に説明する図。
【図１３】マスク開口部内へのペースト残留の影響を、大径バンプと小径バンプとで比較して説明する図。
【図１４】補正係数αの設定形態の一例を説明するグラフ。
【図１５】マスク開口部の補正テーブルを示す概念図。
【図１６】単一のランドライブラリのみが存在するＣＡＤデータの説明図。
【図１７】複数のランドライブラリが存在するＣＡＤデータの説明図。
【図１８】半田バンプ頂面位置に及ぼす内層された導体層の影響を説明する図。
【図１９】補正エリア参照テーブルの一例を示す概念図。
【図２０】補正エリア／エレメント対応テーブルの一例を示す概念図。
【図２１】半田ランド直下の導体層に対する補正エリアの設定例を示す模式図。
【図２２】エリア別補正係数用の補正テーブルの一例を示す模式図。
【図２３】ソルダーレジスト層の開口形成工程の一例を模式的に示す図。
【図２４Ａ】パッドオフビアに対するソルダーレジスト開口の形成形態を模式的に示す断面図。
【図２４Ｂ】ソルダーレジスト開口縁が、バッド主表面のビアホール縁よりも内側にずれて位置する不具合を模式的に説明する断面図。
【図２４Ｃ】パッドオフビアに対するソルダーレジスト開口を拡径補正することにより、図２４Ｂの不具合が抑制される様子を説明する断面図。
【図２５】パッドオフビアに対する補正エリア（第二種補正エリア）の設定例を模式的に説明する平面図。
【図２６】ソルダーレジスト層の開口における開口密度の影響を説明する図。
【図２７】ソルダーレジスト層に対する開口密度別の補正エリア設定例を示す模式図。
【図２８】ソルダーレジスト層の開口における洩感光領域の影響を、大径開口と小径開口とで比較して説明する図。
【図２９】開口用マスクパターンの補正テーブルを示す概念図。
【図３０】作図処理の流れを示すフローチャート。
【図３１】ＣＡＭデータ作成処理の流れを示すフローチャート。
【図３２】ペースト塗布マスク用ＣＡＭデータ作成処理の流れを示すフローチャート。
【図３３】ソルダーレジスト用ＣＡＭデータ作成処理の流れを示すフローチャート。
【図３４】導体層ＣＡＭデータ作成処理の流れを示すフローチャート。
【図３５】ビア層ＣＡＭデータ作成処理の流れを示すフローチャート。
【図３６】補正係数γの設定形態の一例を説明するグラフ。
【図３７】線路導体及びビアホールの図形データをＣＡＭ変換する際に用いる補正テーブルを示す概念図。
【図３８】導体層をパターンメッキする工程の説明図。
【図３９】線路導体の形成密度に応じて、パターンメッキ後のエッチング代に差が生ずる様子を説明する図。
【図４０】線路導体の幅に応じて、パターンメッキ後のエッチング代に差が生ずる様子を説明する図。
【図４１】面導体の図形データをＣＡＤ／ＣＡＭ変換する概念を示す図。
【図４２】線路導体の形成密度別に補正エリアを設定する概念説明図。
【図４３】補正エリアの境界が線路導体を横切ったときに、線路導体の分割処理を行なう例を示す概念図。
【図４４】接続用の線路導体を異形線路導体として形成する例を示す説明図。
【図４５】フォトビアプロセスの工程説明図。
【図４６】面導体エリアと線路導体エリアとの間で誘電体層厚さに差が生ずる様子を説明する図。
【図４７】第一種面導体エリアと第二種種面導体エリアとの間で誘電体層厚さに差が生ずる様子を説明する図。
【図４８】ビアホール内径に応じて未硬化誘電体層のエッチングに差が生ずる様子を説明する図。
【符号の説明】
１０１  電子回路基板用ＣＡＤ／ＣＡＭシステム
１０２  入出力インターフェース（ＣＡＭデータ出力手段）
１０３  ＣＰＵ（作図レイヤ設定手段、ＣＡＤデータ入力手段、ＣＡＭデータ変換手段、ＣＡＭデータ出力手段）
１０５  ＲＡＭ
１０６  キーボード
１０７  マウス（ＣＡＤデータ入力）
１０８  ＣＤ−ＲＯＭドライブ
１１０  ハードディスクドライブ（補正テーブル記憶手段）
１１２  コンピュータ本体
１２０  ＣＤ−ＲＯＭ（コンピュータプログラムを記録した記録媒体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４Ａ】
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【図２４Ｂ】
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【図２４Ｃ】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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