(57)【要約】【課題】保護ダイオードを内蔵したサブマウントおよびそれを備えた半導体装置を提供する。【解決手段】サブマウント４は、導電型がＰ型のシリコン基板６を備えており、シリコン基板６の一方表面には導電型がＰ型のエピタキシャル層７が形成されている。エピタキシャル層７の表面から一定の深さにかけて、導電型がＮ＋型である第１拡散層８、および導電型がＰ＋型である第２拡散層１０が形成されている。第２拡散層１０は、第１拡散層８と離隔して形成されている。第１拡散層８上には、Ｎ側電極２１およびＰ側電極２２を有するレーザダイオード５が接合されている。Ｎ側電極２１は第２拡散層１０に接続されており、Ｐ側電極２２は第１拡散層８に接続されている。【選択図】        図２
2004221273.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン、炭化珪素、およびダイヤモンドのいずれかからなる第１導電型の半導体基板と、
この半導体基板の一方表面に形成された上記第１導電型のエピタキシャル層と、
上記エピタキシャル層の表面近傍で半導体チップの接合域に形成され、上記第１導電型とは異なる第２導電型の第１拡散層とを含むことを特徴とするサブマウント。
【請求項２】
半導体チップに形成された第２導電型側電極と電気接続するための第２拡散層であって、上記エピタキシャル層の表面近傍に形成され、上記エピタキシャル層より不純物濃度が高い上記第１導電型の第２拡散層をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のサブマウント。
【請求項３】
請求項１または２記載のサブマウントと、
このサブマウントの上記第１拡散層上に接合され、上記エピタキシャル層および上記第１拡散層により構成される保護ダイオードと逆方向の極性でこの保護ダイオードと並列に接続された半導体チップとを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２記載のサブマウントと、
このサブマウントの上記第１拡散層上に接合され、上記エピタキシャル層および上記第１拡散層により構成される保護ダイオードと逆方向の極性でこの保護ダイオードと並列に接続された半導体チップとを含み、
この半導体チップが、上記第２拡散層に電気接続された第２導電型側電極と、上記第１拡散層との対向面に形成された第１導電型側電極とを備えており、
上記第１導電型側電極と上記第１拡散層との間に配置され、上記第１導電型側電極および上記第１拡散層に電気接続され、上記第１導電型側電極と上記第１拡散層との対向部外に延設された金属膜をさらに含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
上記半導体チップに通電するための一対の導電部材と、
上記金属膜のうち上記第１導電型側電極と上記第１拡散層との対向部外に延設された部分と上記一対の導電部材の一方とを電気接続するボンディングワイヤとをさらに備え、
上記サブマウントの上記エピタキシャル層が形成されている側とは反対側の面が、上記一対の導電部材の他方に接合されていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
上記半導体チップがレーザダイオードであることを特徴とする請求項３ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップで発生した熱を効率的に放散させるためのサブマウントおよびそれを備えた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高い放熱性が要求される半導体チップを含む半導体装置において、半導体チップは高い熱伝導率を有するサブマウントに接合される。これにより、半導体チップから効率的に放熱され、半導体チップに形成された半導体素子は良好な特性を維持できる。このようなサブマウントは、たとえば、下記特許文献１に開示されている。
【０００３】
図５は、従来のサブマウントを含む半導体装置の図解的な断面図である。この半導体装置は、一対の金属条材であるステム５１，５２と、一方のステム５１の一方表面に接合されたサブマウント５３と、サブマウント５３上に接合されたレーザダイオード５４とを含んでいる。
ステム５１，５２は互いに平行に、図５において紙面に垂直な方向に延びている。サブマウント５３は扁平な直方体形状を有しており、その一方表面がステム５１に平行に接合されている。サブマウント５３の他方表面には、サブマウント５３より幅の狭い扁平な直方体形状のレーザダイオード５４が、サブマウント５３に接合されている。レーザダイオード５４において、サブマウント５３に接合されている面、およびこの面とは反対側の面には、一対の電極が形成されている。
【０００４】
サブマウント５３は、導電型がＰ＋型のシリコン基板５５上に導電型がＮ−型のエピタキシャル層５６が形成されてなり、エピタキシャル層５６が形成されていない側の面がステム５１に向けられている。エピタキシャル層５６には、レーザダイオード５４とほぼ同じ大きさおよび形状を有し、導電型がＰ型である第１拡散層５７が形成されている。第１拡散層５７は、エピタキシャル層５６の表面近傍にのみ形成されている。
【０００５】
サブマウント５３の周縁部近傍には、導電型がＰ＋型である第２拡散層５８が形成されている。第２拡散層５８は、第１拡散層５７から離隔した領域に、エピタキシャル層５６を厚さ方向に貫通して形成されており、シリコン基板５５に接続されている。すなわち、第１拡散層５７と第２拡散層５８との間には、これらと導電型が異なるエピタキシャル層５６が存在している。
エピタキシャル層５６の表面には、第１拡散層５７の大部分および第２拡散層５８の一部を露出させるようなパターンを有する絶縁膜６３が形成されている。絶縁膜６３からの第１拡散層５７の露出部を含む領域には、アルミニウム（Ａｌ）からなる金属膜５９が形成されている。第２拡散層５８の露出部には、アルミニウムからなる金属膜６０が形成されている。金属膜５９，６０は、それぞれ、第１および第２拡散層５７，５８には接しているが、絶縁膜６３によりエピタキシャル層５６のＮ−型の部分と絶縁されている。
【０００６】
レーザダイオード５４は、金属膜５９上に第１拡散層５７とほぼ重なるように接合されている。金属膜５９は、レーザダイオード５４と第１拡散層５７との対向部外に延設されており、金属膜５９のこの延設部とステム５２とは、ボンディングワイヤ６２により接続されている。このような構成により、レーザダイオード５４の金属膜５９側の面に形成された電極とステム５２とが電気接続されている。
【０００７】
レーザダイオード５４の金属膜５９側とは反対側の面に形成された電極と金属膜６０との間は、ボンディングワイヤ６１により接続されている。第２拡散層５８とシリコン基板５５とは、いずれも導電型がＰ＋型でありこれらの間は電気的に導通している。このような構成により、レーザダイオード５４の金属膜５９側とは反対側の面に形成された電極とステム５１とが電気接続されている。
したがって、所定の極性で、ステム５１とステム５２との間に通電することにより、レーザダイオード５４を発光させることができる。通電に伴ってレーザダイオード５４から発生する熱は、熱伝導率が高いシリコンからなるサブマウント５３を介して良好に放散されるので、レーザダイオード５４の温度は過剰には上昇しない。したがって、レーザダイオード５４の良好な発光特性が維持される。
【０００８】
シリコン基板５５、エピタキシャル層５６、および第１拡散層５７は、導電型が、それぞれ、Ｐ型、Ｎ型、およびＰ型であることから、これらは、互いに極性が逆方向になるように直列に接続された２つのダイオード（以下、「保護ダイオード」という。）と等価である。したがって、レーザダイオード５４と第１拡散層５７との間は、通常、電気的に分離されている。
このような保護ダイオードにより、レーザダイオード５４を静電破壊から保護することができる。すなわち、ステム５１，５２間に、静電気による電圧が印加された場合、保護ダイオードのツェナー効果により、保護ダイオード（第１拡散層５７を経由する導電経路）側に電流が流れ、レーザダイオード５４は保護される。
【０００９】
【特許文献１】
特開昭６１−１７９５８９号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、レーザダイオード５４を含む回路において、上述の静電気による電圧とは別に、レーザダイオード５４に対して逆バイアスの電圧が生じることがある。上述の保護ダイオードは、このような電圧からレーザダイオード５４を保護できなかった。このため、サブマウント５３とは別にレーザダイオード５４を逆バイアス電圧から保護するためのダイオードを設けなければならなかった。
【００１１】
しかし、このような逆バイアス電圧用の保護ダイオードをサブマウントとは別に設けると、半導体装置の製造工程において工数が増加する。
そこで、この発明の目的は、半導体チップを逆バイアス電圧から保護するためのダイオードを内蔵したサブマウントを提供することである。
この発明の他の目的は、半導体チップを逆バイアス電圧から保護するためのダイオードを内蔵したサブマウントを備えた半導体装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の課題を解決するための請求項１記載の発明は、シリコン、炭化珪素、およびダイヤモンドのいずれかからなる第１導電型の半導体基板（１）と、この半導体基板の一方表面に形成された上記第１導電型のエピタキシャル層（７）と、上記エピタキシャル層の表面近傍で半導体チップ（５）の接合域に形成され、上記第１導電型とは異なる第２導電型の第１拡散層（８）とを含むことを特徴とするサブマウント（４）である。
【００１３】
なお、括弧内の数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明に係るサブマウントは、第１拡散層上に半導体チップを接合して使用することができる。シリコン（Ｓｉ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、およびダイヤモンド（Ｃ）のいずれかからなる半導体基板は高い熱伝導率を有するので、半導体チップで発生した熱を、半導体基板を介して良好に放散させることができる。
【００１４】
このサブマウントは、第１導電型側電極および第２導電型側電極を備えた半導体チップを、第１導電型側電極を第１拡散層に電気接続し、第２導電型側電極をエピタキシャル層に電気接続して使用することができる。エピタキシャル層と第１拡散層とは導電型が異なるので、これらはサブマウントに内蔵されたダイオード（以下、「保護ダイオード」という。）を構成する。したがって、上記の場合、半導体チップと保護ダイオードとは、極性が逆向きに並列に接続されている。
このため、保護ダイオードの整流作用により、上記のように接続された半導体チップおよび保護ダイオード含む回路において、半導体チップは逆バイアス電圧から保護される。
【００１５】
具体的には、半導体チップに順方向バイアスの電圧が印加された場合、保護ダイオードには逆バイアスの電圧が印加されるため、電流は半導体チップにのみ流れ保護ダイオードには流れない。一方、半導体チップに逆バイアスの電圧が印加された場合、保護ダイオードには順方向バイアスの電圧が印加されるため、電流は保護ダイオードにのみ流れ半導体チップは保護される。
このように、本発明に係るサブマウントは、接合される半導体チップを逆バイアス電圧から保護する保護ダイオードが内蔵されたものである。したがって、サブマウントと別に保護ダイオードを設ける必要がないので、半導体装置の製造工程において、工数を少なくすることができる。
【００１６】
サブマウントの半導体部分の導電型は、半導体チップを保護ダイオードに対して上記の関係で接続し易いように選択することができ、たとえば、第１導電型がＰ型で第２導電型がＮ型とすることができる。半導体チップが、サブマウントの第１拡散層以外の部分と接触しないように、サブマウントの表面に酸化珪素などからなる絶縁膜が形成されていてもよい。
請求項２記載の発明は、半導体チップに形成された第２導電型側電極（２１）と電気接続するための第２拡散層（１０）であって、上記エピタキシャル層の表面近傍に形成され、上記エピタキシャル層より不純物濃度が高い上記第１導電型の第２拡散層をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のサブマウントである。
【００１７】
この発明によれば、不純物濃度が高い第２拡散層により、半導体チップに形成された第２導電型側電極とエピタキシャル層とを良好にオーミック接続できる。
半導体チップの第２導電型側電極と第２拡散層とは、たとえば、ボンディングワイヤなどの配線部材を介して電気接続できる。半導体基板、エピタキシャル層、および第２拡散層は、いずれも第１導電型であるので、これらの界面をまたいで電流を流すことができる。したがって、半導体基板（サブマウント）において、半導体チップが接合される側とは反対側の面を介して半導体チップに通電できる。
【００１８】
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載のサブマウント（４）と、このサブマウントの上記第１拡散層（８）上に接合され、上記エピタキシャル層（７）および上記第１拡散層により構成される保護ダイオード（Ｄ１）と逆方向の極性でこの保護ダイオードと並列に接続された半導体チップ（５）とを含むことを特徴とする半導体装置（１）である。
この発明によれば、請求項１または２記載のサブマウントと同様の効果を奏することができる。すなわち、この半導体装置は、半導体チップを逆バイアス電圧から保護する保護ダイオードを内蔵したサブマウントを備えており、この半導体装置の製造工程においてサブマウントと別途に保護ダイオードを設ける必要がない。
【００１９】
請求項４記載の発明は、請求項２記載のサブマウント（４）と、このサブマウントの上記第１拡散層（８）上に接合され、上記エピタキシャル層（７）および上記第１拡散層により構成される保護ダイオード（Ｄ１）と逆方向の極性でこの保護ダイオードと並列に接続された半導体チップ（５）とを含み、この半導体チップが、上記第１拡散層との対向面に形成された第１導電型側電極（２２）と、上記第２拡散層（１０）に電気接続された第２導電型側電極（２１）とを備えており、上記第１導電型側電極と上記第１拡散層との間に配置され、上記第１導電型側電極および上記第１拡散層に電気接続され、上記第１導電型側電極と上記第１拡散層との対向部外に延設された金属膜（１２）をさらに含むことを特徴とする半導体装置（１）である。
【００２０】
この発明によれば、請求項２記載のサブマウントのように、半導体チップの第２導電型側電極とサブマウントの半導体基板との間で導電経路を形成できる。金属膜は半導体チップの第１導電型側電極に接続されているので、この半導体装置は、半導体基板（サブマウント）において、半導体チップが接合された側とは反対側の面と、金属膜のうち、第１拡散層と第１導電型側電極との対向部外に延設された部分との間に通電することにより、半導体チップの第１導電型側電極と第２導電型側電極との間に通電できる。
【００２１】
金属膜は、たとえば、アルミニウムからなるものとすることができる。
請求項５記載の発明は、上記半導体チップに通電するための一対の導電部材（２，３）と、上記金属膜のうち上記第１導電型側電極と上記第１拡散層との対向部外に延設された部分と上記一対の導電部材の一方（３）とを電気接続するボンディングワイヤ（１８）とをさらに備え、上記サブマウントの上記エピタキシャル層が形成されている側とは反対側の面が、上記一対の導電部材の他方（２）に接合されていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置である。
【００２２】
この発明によれば、金属膜のうち、第１導電型側電極と第１拡散層との対向部外に延設された部分と一対の導電部材の一方とが、ボンディングワイヤにより電気接続されていることにより、半導体チップの第１導電型側電極と一対の電極の一方との間に導電経路が形成されている。また、半導体基板（サブマウント）のエピタキシャル層が形成されている側とは反対側の面が、一対の導電部材の他方に接合されていることにより、半導体チップの第２導電型側電極と一対の導電部材の他方との間に導電経路が形成されている。したがって、一対の導電部材の間に通電することにより、半導体チップの第１導電型側電極と第２導電型側電極との間に通電できる。
【００２３】
請求項６記載の発明は、上記半導体チップがレーザダイオード（５）であることを特徴とする請求項３ないし５のいずれかに記載の半導体装置である。
レーザダイオードは発光時の発熱が大きい。この発明によれば、レーザダイオードで発生した熱を、サブマウントを介して効率的に逃がすことができる。このため、レーザダイオードの良好な発光特性を維持できる。また、レーザダイオードは、逆バイアスの電圧が印加されると容易に破壊されるが、エピタキシャル層および第１拡散層により構成される保護ダイオードにより、レーザダイオードはこのような電圧から良好に保護される。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下では、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置１の構造を示す図解的な斜視図である。図２は、図１に破線Ａで示す切断線による半導体装置１の図解的な断面図である。
【００２５】
この半導体装置１は、一対の金属条材（細長い板状部材）であるステム２，３と、一方のステム２の一方表面に接合されたサブマウント４と、サブマウント４上に接合された化合物半導体からなるレーザダイオード５とを含んでいる。
ステム２とステム３とは、長さ方向および厚さ方向がほぼ一致するように配置されている。サブマウント４は平面視においてほぼ正方形の扁平な直方体形状であり、サブマウント４の一方表面がステム２に接合されている。サブマウント４の長さおよび幅はステム２の幅よりわずかに短く、ステム２の長さ方向とサブマウント４の長さ（幅）方向とは、ほぼ一致している。サブマウント４は、ステム２の幅方向中間部に接合されており、ステム２の先端面とサブマウント４の一端面とはほぼ面一にされている。
【００２６】
レーザダイオード５は平面視においてほぼ正方形の扁平な直方体形状を有しており、レーザダイオード５の一方表面がサブマウント４の他方表面（ステム２に接合されている面とは反対側の面）に接合されている。レーザダイオード５の長さおよび幅はサブマウント４の長さおよび幅より短い。レーザダイオード５の長さ（幅）方向は、サブマウント４の長さ（幅）方向とほぼ一致している。
レーザダイオード５は、ステム２の幅方向のほぼ中間部においてサブマウント４に接合されており、ステム２の先端側の端面からわずかに突出している。レーザダイオード５において、サブマウント４に接合されている面とは反対側の面にはＮ側電極２１が形成されており、サブマウント４に接合されている面にはＰ側電極２２が形成されている（図１では図示を省略）。
【００２７】
サブマウント４は、導電型がＰ型のシリコン基板６を備えており、シリコン基板６の一方表面には導電型がＰ型のエピタキシャル層７が形成されている。シリコン基板６は、エピタキシャル層７が形成されていない側の面が、ステム２に向けられている。エピタキシャル層７の厚さは、たとえば、５．０μｍ程度であり、エピタキシャル層７の比抵抗は、たとえば、１Ω・ｃｍ程度である。
エピタキシャル層７の表面から一定の深さにかけて、導電型がＮ＋型である第１拡散層８が形成されている。第１拡散層８の厚さはエピタキシャル層７の厚さより薄く、たとえば、２．０μｍ程度である。第１拡散層８のシート抵抗は、たとえば、１２０Ω／ｓｑ程度である。第１拡散層８は、サブマウント４を垂直に見下ろす平面視においてレーザダイオード５とほぼ同じ大きさおよび形状を有している。
【００２８】
サブマウント４の周縁部近傍には、導電型がＰ＋型である第２拡散層１０が形成されている。第２拡散層１０は、エピタキシャル層７の表面近傍に形成されている。また、第２拡散層１０は、第１拡散層８から離隔した領域に形成されている。エピタキシャル層７の表面には、第１拡散層８および第２拡散層１０の大部分が露出するように、酸化珪素（ＳｉＯ２）からなる絶縁膜１１が形成されている。絶縁膜１１により、サブマウント４のレーザダイオード５が接合されている表面には、エピタキシャル層７のＰ型の部分が露出しないようにされている。
【００２９】
絶縁膜１１からの第１拡散層８の露出部を含む領域には、アルミニウム（Ａｌ）膜１２が形成されている。絶縁膜１１からの第２拡散層１０の露出部には、アルミニウム膜１３が形成されている。アルミニウム膜１２，１３は、それぞれ、第１および第２拡散層８，１０には接しているが、これら以外の部分のエピタキシャル層７には接していない。アルミニウム膜１２とレーザダイオード５との間には、アルミニウム膜１２側から順に、チタン（Ｔｉ）膜１４ならびに金（Ａｕ）および錫（Ｓｎ）の合金からなる金／錫層１５が介装されている。
【００３０】
図３は、アルミニウム膜１２，１３が形成された面を見下ろすサブマウント４の図解的な平面図である。図３では、絶縁膜１１を除いて示している。
レーザダイオード５は、サブマウント４を垂直に見下ろす平面視において、第１拡散層８とほぼ重なるように、アルミニウム膜１２上に接合されている。アルミニウム膜１２はレーザダイオード５（Ｐ側電極２２）と第１拡散層８との対向部外の絶縁膜１１の表面上に延設されている。アルミニウム膜１２，１３は、これらが形成されたサブマウント４の面の半分近くの面積を有している。
【００３１】
図１を参照して、アルミニウム膜１２のうち、レーザダイオード５と第１拡散層８との対向部外への延設部の一部には、金からなるボンディングワイヤ１８の一端が接続されている。ボンディングワイヤ１８の他端は、ステム３に接続されている。アルミニウム膜１３上には、金からなるボンディングワイヤ１９の一端が接続されている。ボンディングワイヤ１９の他端は、レーザダイオード５のＮ側電極２１に接続されている。
【００３２】
アルミニウム膜１２，１３からの絶縁膜１１の露出表面、アルミニウム膜１２上でレーザダイオード５との接合部およびボンディングワイヤ１８との接合部を回避した領域、ならびにアルミニウム膜１３上でボンディングワイヤ１９との接合部を回避した領域には、図示しない窒化珪素（ＳｉＮ）膜が形成されている。
以上のような構成により、ステム２から、シリコン基板６、エピタキシャル層７、第２拡散層１０、アルミニウム膜１３、ボンディングワイヤ１９、Ｎ側電極２１、レーザダイオード５、Ｐ側電極２２、金／錫層１５、チタン膜１４、アルミニウム膜１２、およびボンディングワイヤ１８を経てステム３に至る導電経路が形成されている。アルミニウム膜１３は、第２拡散層１０によりエピタキシャル層７に良好にオーミック接続されている。したがって、所定の極性で、ステム２とステム３との間に通電することにより、レーザダイオード５を発光させることができる。
【００３３】
サブマウント４の大部分は、熱伝導率の高いシリコンからなり、また、サブマウント４のうちシリコンからなる部分とレーザダイオード５との間の大部分には、金属からなるアルミニウム膜１２、チタン膜１４、および金／錫層１５のみが存在する。したがって、発光時にレーザダイオード５から発生する熱は、サブマウント４に良好に伝えられて放散されるので、レーザダイオード５の温度は過剰には上昇しない。したがって、レーザダイオード５の良好な発光特性が維持される。
【００３４】
図４は、図１および図２に示す半導体装置１の電気的な等価回路を示す図である。上述の導電経路とは別に、レーザダイオード５を回避して、ステム２からシリコン基板６、エピタキシャル層７、第１拡散層８、アルミニウム膜１２を経てステム３に至る導電経路も存在する。この導電経路において、エピタキシャル層７と第１拡散層８とは、導電型が異なっているので、保護ダイオードＤ１とみなすことができる。
【００３５】
したがって、半導体装置１は、図４に示すように、ステム２側の端子Ｔ２とステム３側の端子Ｔ３との間に、レーザダイオード５と保護ダイオードＤ１とが並列に接続されたものと電気的に等価である。レーザダイオード５のＮ側電極２１がＰ型のエピタキシャル層７に接続されており、レーザダイオード５のＰ側電極２２がＮ型の第１拡散層８に接続されていることから、レーザダイオード５と保護ダイオードＤ１とは、極性が逆方向に接続されている。端子Ｔ２は、接地されていてもよい。
【００３６】
レーザダイオード５に順方向バイアスの電圧が印加されるように、端子Ｔ２（ステム２）と端子Ｔ３（ステム３）との間に通電されているときは、保護ダイオードＤ１に逆バイアスの電圧が印加されている。この場合は、保護ダイオードＤ１を含む導電経路には電流は流れず、レーザダイオード５を含む導電経路にのみ電流が流れる。
一方、レーザダイオード５に対して逆バイアスになるように、端子Ｔ２（ステム２）と端子Ｔ３（ステム３）との間に電圧が印加されると、保護ダイオードＤ１には順方向バイアスの電圧が印加されるので、保護ダイオードＤ１に電流が流れ、レーザダイオード５が保護されるようになっている。したがって、保護ダイオードＤ１により、レーザダイオード５に対して印加される逆バイアスの電圧からレーザダイオード５が良好に保護される。
【００３７】
保護ダイオードＤ１は、サブマウント４に内蔵されている（作り込まれている）ので、レーザダイオード５を保護するための保護ダイオードを別途設ける必要はない。したがって、このような半導体装置１の製造工程において、工数を少なくすることができる。
本発明に係る一実施形態の説明は以上の通りであるが、本発明は他の形態でも実施できる。たとえば、サブマウント４およびレーザダイオード５の半導体部分は、Ｐ型の部分とＮ型の部分とが逆であってもよい。すなわち、半導体基板６、エピタキシャル層７、および第２拡散層１０がＮ型であり、第１拡散層８がＰ型であってもよい。この場合、レーザダイオード５の第１拡散層８に対向する面にはＮ側電極２１が形成されており、この面と反対側の面にはＰ側電極２２が形成されたものとすることができる。このような場合でも、同様の電気特性を有することができる。
【００３８】
半導体チップとして、レーザダイオード５の代わりに、シリコンからなる半導体チップが用いられてもよい。シリコンからなる半導体チップは、金属製のリードフレーム（ステム）上に直接取り付けられることが多い。しかし、取り付け上の問題により、そのような構造とすることができない場合は、シリコンからなる半導体チップとリードフレームとの間に、シリコン基板６の代わりに炭化珪素（ＳｉＣ）やダイヤモンド（Ｃ）からなる半導体基板を備え、サブマウント４と同様の回路が形成されたサブマウントを介装することができる。これにより、半導体チップで発生する熱を、良好に放散させることができる。
【００３９】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の構造を示す図解的な斜視図である。
【図２】図１に破線Ａで示す切断線による半導体装置の図解的な断面図である。
【図３】アルミニウム膜が形成された面を見下ろすサブマウントの図解的な平面図である。
【図４】図１および図２に示す半導体装置の電気的な等価回路を示す図である。
【図５】従来のサブマウントを含む半導体装置の図解的な断面図である。
【符号の説明】
１    半導体装置
２，３    ステム
４    サブマウント
５    レーザダイオード
６    シリコン基板
７    エピタキシャル層
８    第１拡散層
１０    第２拡散層
１２，１３    アルミニウム膜
１８，１９    ボンディングワイヤ
２１    Ｎ側電極
２２    Ｐ側電極
Ｄ１    保護ダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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