(57)【要約】【課題】支持基板上に積層形成したデバイス構成層を機械的な方法によらずに分離し、分離時の亀裂発生による不良率を大幅に低減することができる薄膜デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】支持基板１１上に少なくとも酸化物導電層１２が積層されてなる積層基板１０を用意する。この積層基板１０の酸化物導電層１２上に、これに対して選択エッチングにより除去可能な被除去金属層１４を積層する。この被除去金属層１４上に所定の機能を有するデバイス構成層（集積型太陽電池構成層４）を積層し、このデバイス構成層上に薄膜基材１を積層する。その後、被除去金属層１４をエッチングにより除去して、積層基板１０からデバイス構成層及び薄膜基材１を有してなる薄膜デバイスＳを分離して得る。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に少なくとも酸化物導電層が積層されてなる積層基板の前記酸化物導電層上に、この酸化物導電層に対して選択エッチングにより除去可能な被除去金属層を積層し、この被除去金属層上に所定の機能を有するデバイス構成層を積層し、このデバイス構成層上に薄膜基材を積層し、その後、前記被除去金属層をエッチングにより除去して、前記積層基板からデバイス構成層及び薄膜基材を有してなる薄膜デバイスとして分離して得ることを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。
【請求項２】
積層基板からデバイス構成層及び薄膜基材を有してなる薄膜デバイスをエッチングにて分離する際、被除去金属層の露出した外周端にエッチング液をシャワー状に吹き付ける請求項１に記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項３】
薄膜基材がフレキシブル性を有する請求項１又は２に記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項４】
積層基板の酸化物導電層上に被除去金属層を形成する前に、酸化物導電層上に半導体層を形成する請求項１〜３の何れか１つに記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項５】
積層基板から薄膜デバイスを分離した後、積層基板をデバイス構成層の形成に繰り返し使用する請求項１〜４の何れか１つに記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項６】
デバイス構成層が、集積型太陽電池構成層であり、この集積型太陽電池構成層を被除去金属層上に形成するに際して、被除去金属層上に透明電極層を積層し、この透明電極層上に光電変換層及び裏面電極層を順次積層しつつ前記透明電極層、光電変換層及び裏面電極層の異なる位置にそれぞれスクライブラインを形成して集積型太陽電池構成層を形成する請求項１〜５の何れか１つに記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項７】
透明電極層へのスクライブラインの形成において、ＹＡＧ  基本波レーザを用いる請求項６に記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項８】
被除去金属層が、反射率の高い金属からなる請求項７に記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項９】
光電変換層へのスクライブラインの形成において、ＹＡＧ  ＳＨＧレーザを用いる請求項６〜８の何れか１つに記載の薄膜デバイスの製造方法。
【請求項１０】
裏面電極層へのスクライブラインの形成に際して、予め裏面電極層上にレジスト層を形成し、このレジスト層にＹＡＧ  ＳＨＧレーザにてスクライブラインを形成した後、そのスクライブ開口部からエッチングにより裏面電極層の一部を除去する請求項６〜９の何れか１つに記載の薄膜デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜デバイスの製造方法に関し、さらに詳しくは、薄膜太陽電池、薄膜液晶デバイス、薄膜プラズマディスプレー等のフレキシブルな薄膜デバイスを製造する薄膜デバイスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜デバイスの一つとして、例えば薄膜太陽電池は、一般に、ガラス等の透光性絶縁基板上にＳｎＯ２、ＩＴＯ、ＺｎＯ等の透明導電膜が形成され、その上に非晶質半導体あるいは結晶シリコン薄膜半導体のｐ層、ｉ層、ｎ層がこの順に積層されて光電変換層が形成され、その上に金属薄膜裏面電極が積層されてなる構造や、あるいは金属基板電極の上に非晶質半導体あるいは結晶シリコン薄膜半導体のｎ層、ｉ層、ｐ層がこの順に積層されて光電変換層が形成され、その上に透明導電膜が積層されてなる構造とが知られている。これらのうちｐ−ｉ−ｎ層の順に積層する方法で形成する薄膜太陽電池は、透光性絶縁基板が太陽電池表面のカバーガラスを兼ねるため、フレキシビリティーを持たせることができず、また集積化する方法も報告されていない。
【０００３】
一方、従来の薄膜太陽電池の製造方法として、▲１▼ガラス等の支持基板の表面に金属膜を真空蒸着したものを準備し、この金属膜上にアモルファスシリコンからなる薄膜太陽電池を形成した後、上記支持基板と金属膜を剥離する手法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、▲２▼ガラス等の支持基板の表面に透明ポリイミド膜を形成し、この上にアモルファスシリコンからなる薄膜太陽電池を形成した後、上記支持基板と金属膜を剥離する手法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。さらに類似した内容として、▲３▼剥離性のよい鉛金属層上にアモルファスシリコンからなる薄膜太陽電池を形成した後、上記支持基板と金属膜を剥離する手法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。なお、上記▲１▼▲２▼▲３▼とも、集積化する手法については開示されていない。
【０００４】
【特許文献１】
特開昭６１−８５８７２号公報
【特許文献２】
特開平１−１０５５８１号公報
【特許文献３】
特開平４−２９９８７３号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記▲１▼の方法では、金属膜を形成した後に透明電極層を形成しなければならず、この場合、アモルファスシリコン膜にダメージを与えないように、低温で透明電極層を形成しなければならない。しかし、低温条件での透明電極層の形成では、高透過率で低抵抗膜を形成するのが困難であり、変換効率の向上が困難である。また、変換効率の向上には透明電極層に微細な凹凸を形成することが必要であるが、その形成方法として一般的なＳｎＯ２の形成温度は６００℃であるため適用できない。
また、上記▲２▼の方法では、３００℃程度の耐熱性を持つポリイミド樹脂を用いているため、透明電極層として低抵抗膜を形成することが可能であるが、微細な凹凸を持つＳｎＯ２膜を用いることは困難である。またポリイミドはガラスのように透過率が高くないため、光の吸収損失があり変換効率が低下するという問題点がある。
また、上記▲３▼の方法では、ガラス基板上に金属膜を形成するため、太陽電池の高効率化に必要な凹凸形成が困難であった。
また、これら上記▲１▼▲２▼▲３▼の方法では、支持基板から薄膜太陽電池を機械的に剥離するため、薄膜太陽電池膜に力がかかって亀裂（マイクロクラック）が発生し易く割れ易いという問題があった。さらに、上記▲１▼▲２▼▲３▼の方法とも集積化が困難であった。
【０００６】
本発明の主要な目的の一つは、支持基板上に積層形成したデバイス構成層を機械的な方法によらずに分離し、分離時の亀裂発生による不良率を大幅に低減することができる薄膜デバイスの製造方法を提供することにある。
本発明の主要なもう一つの目的は、薄膜デバイスの一つとして、軽量かつフレキシブルな集積型の薄膜太陽電池を得ることができる製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明において、薄膜デバイスとしては、例えば、光発電機能を有する薄膜太陽電池、表示機能を有する薄膜液晶デバイスや薄膜プラズマディスプレー等を挙げることができる。
このような薄膜デバイス全般に対して、本発明によれば、支持基板上に少なくとも酸化物導電層が積層されてなる積層基板の前記酸化物導電層上に、これに対して選択エッチングにより除去可能な被除去金属層を積層し、この被除去金属層上に所定の機能を有するデバイス構成層を積層し、このデバイス構成層上に薄膜基材を積層し、その後、前記被除去金属層をエッチングにより除去して、前記積層基板からデバイス構成層を分離し、デバイス構成層を有してなる薄膜デバイスを得る薄膜デバイスの製造方法が提供される。
【０００８】
つまり、積層基板の酸化物導電層上に、選択エッチングにより除去可能な被除去金属層を介してデバイス構成層を形成することにより、積層基板からデバイス構成層を有してなる薄膜デバイスが分離可能な構造が実現できる。そして、被除去金属層をエッチングで除去することにより、物理的な力をかけることなく薄膜デバイスを積層基板から剥離することができる。したがって、剥離時のマイクロクラック発生を防止して不良率を大幅に低減しつつ、薄膜デバイス、例えば０．１〜１０μｍ程度の厚さの薄膜デバイスを容易に得ることができる。
【０００９】
本発明において、積層基板からデバイス構成層をエッチングにて分離する際は、被除去金属層の露出した外周端にエッチング液をシャワー状に吹き付けることにより、被除去金属層を溶かしながら積層基板とデバイス構成層の隙間にエッチング液を浸透させて、物理的に力を加えることなく周囲からデバイス構成層を分離していくことを可能にしている。このエッチングの際、エッチング液の吹付ノズルを往復移動させながら被除去金属層の外周端にムラなくエッチング液を吹き付けることによって、積層基板とデバイス構成層を有する薄膜デバイスとの分離を効率よく行うことができる。エッチング液としては、選択エッチングできるものであれば特に限定はされず、例えば希硫酸、水酸化ナトリウム溶液、塩酸等を使用することができる。
なお、被除去金属層の除去効率を上げる方法としては、デバイス構成層が形成された支持基板をその平面と直交する軸心の廻りに回転させることで可能である。この場合、回転可能な支持台等に支持基板が設置される。また、エッチング時には、例えば、支持基板側の面と薄膜デバイス側の面を真空チャック等により固定し、被除去金属層の除去進行に伴う薄膜デバイスの下がりを防止するとともに、被除去金属層の除去完了後の薄膜デバイスの取上げを行うようにしてもよい。
さらに、積層基板の酸化物導電層上に被除去金属層を形成する前に、積層基板の酸化物導電層上に半導体層を積層するのもよい。この半導体層としては、アモルファスシリコン薄膜又は結晶性シリコン薄膜とすることができる。例えば、ＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ：Ｈ  ｉ層を形成する具体例を挙げることができる。このようにすれば、半導体層（例えばａ−Ｓｉ：Ｈ  ｉ層）に対する被除去金属層（例えばＡｌ層）の密着力が弱いので、エッチングによる除去に加えて密着力の弱さによる剥離という効果も得られ、積層基板と薄膜デバイスとの分離をさらに効率よく容易に行うことができる。
【００１０】
本発明において、積層基板の支持基板を構成する材料としては、ガラスを代表に挙げることができるが、ガラス以外の例えばプラスチック等からなる絶縁性基板を用いてもよい。また、支持基板上に形成される酸化物導電層を構成する材料としては、ＳｎＯ２を代表として挙げることができるが、ＩＴＯやＺｎＯ等を用いることもできる。また、積層基板としては、公知の方法により支持基板上に酸化物導電層を形成したものでもよいが、当該分野における市販品でもよい。また、薄膜デバイスとして薄膜太陽電池を製造する場合、支持基板上の酸化物導電層には微小な凹凸が形成されているものが好ましく、これについて詳しくは後述する。
【００１１】
本発明において、被除去金属層を構成する材料としては、例えば酸化物導電層がＳｎＯ２からなる場合には、このＳｎＯ２に対して選択エッチングにより除去可能な金属、例えばＡｌやＡｇ等の金属を用いることができる。
【００１２】
本発明において、薄膜基材としては、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ＰＣ（ポリカーボネイト）フィルム、ＰＥ（ポリエチレン）フィルム等のフレキシブル性を有する樹脂基材を用いることができる。これによれば、積層基材上に形成されたデバイス構成層をフレキシブルな薄膜基材に転写することができ、フレキシビリティーを持たせた薄膜デバイスを得ることができ、薄膜デバイスの応用範囲、用途を広げることができる。
【００１３】
また、本発明によれば、積層基板からデバイス構成層を分離して薄膜デバイスを得た後の積層基板は、再びデバイス構成層の形成に繰り返し使用することができる。例えば、薄膜デバイスとして後述する集積型薄膜太陽電池を製造する場合、前半工程（裏面電極層形成まで）における材料費で最も高価なものは、積層基板（透明電極層付ガラス基板）であり、これが材料費の６割程度を占めている。本発明ではフレキシブル基材や樹脂フィルムなどの軽量基材に薄膜デバイスを転写できるというメリットだけではなく、高価な積層基板を直接薄膜デバイスの材料として用いず、積層基板を複数回使用することでコストダウンを図ることを可能としている。この積層基板は、支持基板（例えばガラス基板）が破損しない限り何度でも利用可能である。
【００１４】
次に、薄膜デバイスとして、具体的に集積型薄膜太陽電池を製造する場合について説明する。
本発明において、具体的に薄膜デバイスが集積型薄膜太陽電池である場合、積層基板に被除去金属層を介して積層される上記デバイス構成層は集積型太陽電池構成層とすることができる。この場合、集積型太陽電池構成層を被除去金属層上に形成するに際して、被除去金属層上に透明電極層を積層し、この透明電極層上に光電変換層及び裏面電極層を順次積層しつつ前記透明電極層、光電変換層及び裏面電極層の異なる位置にそれぞれスクライブラインを形成して集積型太陽電池構成層を形成することができる。
【００１５】
つまり、積層基板の酸化物導電層上に、選択エッチングにより除去可能な被除去金属層を介して集積化加工が施された集積型太陽電池構成層を形成することにより、積層基板から集積型太陽電池構成層を有してなる集積型薄膜太陽電池が分離可能な構造が実現できる。そして、被除去金属層をエッチングで除去することにより、物理的な力をかけることなく集積型薄膜太陽電池を積層基板から剥離することができる。したがって、剥離時のマイクロクラック発生を防止して不良率を大幅に低減しつつ、フレキシブルな集積型薄膜太陽電池を容易に得ることができる。また、透明電極層、光電変換層及び裏面電極層の異なる位置にそれぞれスクライブラインを形成することにより、複数の太陽電池が電気的に直列接続された集積構造が実現されるため、集積段数によって所定の高出力を得ることができる。
【００１６】
本発明において、集積型太陽電池構成層の透明電極層を構成する材料としては、ＩＴＯを代表に挙げることができ、ＩＴＯ層上にインジウムの拡散を防止する目的でＺｎＯ層やＳｎＯ２層を形成してもよい。この透明電極層は、スパッタリング法あるいは電子ビーム蒸着法により形成することができる。また、上述したように、積層基板の酸化物導電層上に微小な凹凸を有する場合、透明電極層にこの微小な凹凸が反映されることにより、分離後に得られる集積型薄膜太陽電池の光電変換効率が向上するという利点がある。
また、透明電極層を複数に分割するスクライブラインの形成においては、透明電極層にて光が吸収される波長のＹＡＧ  基本波レーザを用いることにより容易に達成することができる。この透明電極層を分割する際、被除去金属層として反射率の高いＡｇ、Ａｌ等の金属を用いることによって、ＹＡＧ  基本波レーザによる下地材料（被除去金属層）への損傷を効果的に防ぐことができる。
【００１７】
本発明において、集積型太陽電池構成層の光電変換層としては、透明電極層上にプラズマＣＶＤ法により例えばａ−Ｓｉ：Ｈ  ｐ層、ａ−Ｓｉ：Ｈ  ｉ層、ａ−Ｓｉ：Ｈ  ｎ層を順次形成する具体例を挙げることができるが、この光電変換層はａ−Ｓｉ：Ｈに限定されるわけではなく、結晶性の光電変換層であってもよい。また、光電変換層を複数に分割するスクライブラインの形成においては、光電変換層にて光が吸収される波長のＹＡＧ  ＳＨＧレーザを用いることにより容易に達成することができる。
【００１８】
本発明において、集積型太陽電池構成層の裏面電極層としては、例えばＺｎＯ層又はＩＴＯ層を用いることができ、さらにその上にＡｇ層又はＡｌ層を積層して裏面電極層を構成してもよい。また、裏面電極層を複数に分割するスクライブラインの形成に際しては、予め裏面電極層上に、例えばエポキシ樹脂からなるレジスト層を形成し、このレジスト層にＹＡＧ  ＳＨＧレーザにてスクライブラインを形成して裏面電極層を露出させ、その後、スクライブ開口部からエッチング液を裏面電極層露出部に噴射してその一部を除去することにより、裏面電極層にスクライブラインを形成する具体例を挙げることができる。なお、エッチング液で露出した裏面電極層を除去することによって、隣り合う太陽電池を電気的に分離することを可能にしている。
【００１９】
本発明において、得られた集積型薄膜太陽電池は、その表面側の透明電極層上に、例えばフッ素系フィルムをＥＶＡなどの接着層でラミネートし、モジュール化を行うことにより、フレキシビリティーを持たせた集積型薄膜太陽電池モジュールを形成することができる。なお、使用方法によっては、集積型薄膜太陽電池の表面側の透明フィルムを省略してもよい。この場合、例えばカーポートの屋根、あるいは自動車のムーンルーフのような平面でない透明樹脂やガラスに、それらが保護膜となるように集積型薄膜太陽電池を貼り付けて使用することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳説する。なお、本発明は実施の形態に限定されるものではない。
【００２１】
図１は本発明の実施の形態の薄膜デバイス（集積型薄膜太陽電池）の製造工程における分離工程前の状態を示す概略断面図であり、図２は同実施の形態の製造工程における分離工程後の状態を示す概略断面図である。なお、図２において、点線は発電時の電流経路を表している。
【００２２】
図２に示すように、本実施の形態の薄膜太陽電池は、複数の太陽電池Ｔが電気的に直列接続された構造の集積型の薄膜太陽電池Ｓである。本実施の形態では、４つの太陽電池Ｔが集積化された場合を例示している。この薄膜太陽電池Ｓは、裏面側にフッ素系フィルムからなるフレキシブルな薄膜基材１を備え、この薄膜基材１上に接着層２、レジスト層３、集積型太陽電池構成層４の順で積層されている。なお、レジスト層３と集積型太陽電池構成層４との間の両端側には、電極取り出し用バスバー８が設けられている。
【００２３】
集積型太陽電池構成層４は、表面側の透明電極層５と、光電変換層６と、裏面電極層７とを有する。
透明電極層５は、表面側のＩＴＯ（酸化インジウム）からなる第１電極層５ａと、内部側のＺｎＯ（酸化亜鉛）からなる第２電極層５ｂとからなる二層構造であって、その所定位置に複数（この場合４本）の第１スクライブラインが形成されることによって複数に分割されている。
光電変換層６は、アモルファスシリコンからなり、その一部が上記透明電極層５の各第１スクライブライン内に充填されると共に、この各第１スクライブラインと平行に近接した異なる位置に複数（この場合４本）の第２スクライブラインが形成されることによって複数に分割されている。
裏面電極層７は、裏面側のＡｇからなる第１電極層７ａと、内部側のＺｎＯからなる第２電極層７ｂとからなる二層構造であって、その第２電極層７ｂの一部が光電変換層６の第２スクライブライン内に充填されると共に、この各第２スクライブラインと平行に近接し、かつた第１スクライブラインと反対側の異なる位置に複数（この場合４本）の第３スクライブラインが形成されることによって複数に分割されている。
【００２４】
２本のバスバー８は、銅からなり、複数に分割された裏面電極層７の両端側でそれぞれスクライブライン方向に延設されている。
レジスト層３は、エポキシ系樹脂からなり、複数に分割された裏面電極層７を被覆することにより複数に分割状に形成されており、それによって上記第３スクライブラインがレジスト層３の厚み分まで達している。
接着層２は、ＥＶＡ（エチレン・酢酸ビニルコポリマー）からなり、レジスト層３の全面を被覆し、その一部が第３スクライブラインに充填されて隣接する裏面電極間を絶縁している。
【００２５】
次に、図１と図２を参照しながら実施の形態の薄膜太陽電池の製造方法について説明する。
本実施の形態において、積層基板１０としては、微小な凹凸が形成された酸化物導電層１２が積層された支持基板１１（透明電極層付きガラス基板）を用いる。この酸化物導電層１２の材料としてはＳｎＯ２が用いられている。このＳｎＯ２上にプラズマＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ：Ｈのｉ層からなる半導体層１３を形成し、この半導体層１３上にＳｎＯ２に対して選択エッチングにより除去可能な被除去金属層１４としてスパッタリング法でＡｌ層を形成した。
【００２６】
その後、被除去金属層１４上に集積型太陽電池構成層４を形成するに際して、先ずスパッタリング法により透明電極層５の第１電極層５ａをＩＴＯにより形成する。次に、第１電極層５ａ上に、インジウムの拡散を防止する第２電極層５ｂをＺｎＯにより形成する。その後、第１・第２電極層５ａ、５ｂを分割するためＹＡＧ  基本波レーザで第１スクライブラインを形成することにより加工部分を除去し、その後プラズマＣＶＤ法でａ−Ｓｉ：Ｈ  Ｐ層、ａ−Ｓｉ：Ｈ  ｉ層、ａ−Ｓｉ：Ｈ  Ｎ層を順次形成することにより光電変換層６を形成する。続いて、光電変換層６を分割するためＹＡＧ  ＳＨＧレーザで第２スクライブラインを形成することにより加工部分を除去し、裏面電極層７の第２電極層７ｂをＺｎＯにより形成し、続いて裏面電極層７の第１電極層７ａをＡｇにより形成する。
【００２７】
次に、このように形成した光電変換層４の裏面電極層７の両端側に、一対の電極取り出し用バスバー８を半田付けにより形成し、この一対のバスバー８と共に裏面電極層７上にエポキシ系樹脂であるレジスト層３を塗布する。その後、光電変換層４の裏面電極層７を分割するためＹＡＧ  ＳＨＧレーザでレジスト層３に第３スクライブラインを形成して加工部分を除去し、それによって露出した裏面電極層７にエッチング液を噴射することによりこの部分の裏面電極層７を除去する。この後、裏面電極層７から端子を取り出し、接着層２としてＥＶＡを用い、裏面の薄膜基材１としてＰＥＴフィルムを用い、ラミネートにより接着を行う。
【００２８】
このようにして形成された図１のような積層体Ｙにおいて、エッチングにより除去可能なＡｌからなる被除去金属層１４は、その外周端が外部に露出した面を有しており、吹付ノズルから４０℃に温めた希硫酸を矢印Ａ方向にシャワー状に噴射し、かつ吹付ノズルを被除去金属層１４の外周端面に沿って往復移動、あるいは積層対Ｙを回転させることで被除去金属層１４をエッチング除去する。このエッチングにより、積層基板１０側と、集積型太陽電池構成層４、バスバー８、接着層２及び薄膜基材１を有してなる集積型薄膜太陽電池とを分離し、集積型薄膜太陽電池Ｓを得る（図２参照）。この集積型薄膜太陽電池Ｓの厚さは０．１  〜１０μｍ程度である。なお、分離した積層基板１０は、上述と同様にしてこの集積型の薄膜太陽電池Ｓを繰り返し形成する際に使用する。
【００２９】
次に、得られた集積型の薄膜太陽電池Ｓの表面側（透明電極層５側）にフッ素系フィルムをＥＶＡでラミネートし、モジュール化を行ってフレキシビリティーを持たせた集積型の薄膜太陽電池モジュールを形成する。
【００３０】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、薄膜デバイスの一つとして、具体的に薄膜太陽電池の製造方法について説明したが、本発明は薄膜太陽電池のみならず、支持基板（例えばガラス基板）に形成する薄膜デバイス全般に適用することができ、例えば軽量でフレキシブルな樹脂基材等への液晶デバイスやプラズマディスプレーを転写することにより軽量、フレキシビリティーを持たせることが可能である。また、この実施の形態では、積層基板の酸化物導電層上に、被除去金属層との密着強度を低下させる目的で半導体層を形成し、この半導体層上に被除去金属層を積層した場合を例示したが、半導体層を省略し、被除去金属層を直接酸化物導電層上に積層してもよい。
【００３１】
【発明の効果】
本発明によれば、積層基板の酸化物導電層上に、選択エッチングにより除去可能な被除去金属層を介してデバイス構成層を形成することにより、積層基板からデバイス構成層を有してなる薄膜デバイスが分離可能な構造が実現できる。そして、被除去金属層をエッチングで除去することにより、物理的な力をかけることなく薄膜デバイスを積層基板から剥離することができる。したがって、薄膜デバイスの製造時において、剥離時のマイクロクラック発生を防止して不良率を大幅に低減することができると共に、積層基板を複数回使用することによりコストダウンを図ることができる。また、軽量でフレキシビリティーを持つフィルムや樹脂基板などの基材に所定の機能を有する各種デバイス構成層を転写できるため、薄膜デバイスの応用範囲や用途を広げることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の薄膜デバイス（集積型薄膜太陽電池）の製造工程における分離工程前の状態を示す概略断面図である。
【図２】同実施の形態の製造工程における分離工程後の状態を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１  薄膜基材
２  接着層
４  集積型太陽電池構成層
５  透明電極層
６  光電変換層
７  裏面電極層
８  バスバー
１０  積層基板
１１  支持基板
１２  酸化物導電層
１３  半導体層
１４  被除去金属層
Ｓ  集積型薄膜太陽電池
【図１】
2004228145.tif 000003
【図２】
2004228145.tif 000004