(57)【要約】【課題】スパッタリング成膜後、低温短時間のアニールにより結晶化させることができるＩＴＯ透明導電薄膜を提供する。【解決手段】Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との合計に対するＳｎＯ２の重量割合が６％以下のＩＴＯターゲットを用いるスパッタリング法により成膜されたＩＴＯ透明導電薄膜。低温短時間のアニールで結晶化させることができるため、基板の耐熱性に見合う低温で、生産性を損なうことのない短時間で、高強度で機械的耐久性に優れたＩＴＯ透明導電薄膜とすることができる。高分子フィルム４上にこのＩＴＯ透明導電薄膜５が成膜された透明導電性フィルム。この透明導電性フィルムを備えるタッチパネル。【選択図】  図１
2004149884.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にスパッタリング法によりＩＴＯ透明導電薄膜を成膜する方法において、
ターゲットとして、Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との合計に対するＳｎＯ２の重量割合が６％以下のＩＴＯターゲットを用いることを特徴とするＩＴＯ透明導電薄膜の成膜方法。
【請求項２】
請求項１において、該ＩＴＯターゲットの、Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との合計に対するＳｎＯ２の重量割合が１〜５％であることを特徴とするＩＴＯ透明導電薄膜の成膜方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、成膜圧力が０．５〜３Ｐａであることを特徴とするＩＴＯ透明導電薄膜の成膜方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項において、成膜雰囲気ガスがＡｒとＯ２との混合ガスであり、混合ガス中のＯ２の体積割合が０．１〜３％であることを特徴とするＩＴＯ透明導電薄膜の成膜方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項において、スパッタリング成膜後、該ＩＴＯ透明導電薄膜を１４０〜１６０℃で５〜４０分アニールすることにより結晶化させることを特徴とするＩＴＯ透明導電薄膜の成膜方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項の方法により成膜されたことを特徴とするＩＴＯ透明導電薄膜。
【請求項７】
Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との合計に対するＳｎＯ２の重量割合が６％以下であることを特徴とするＩＴＯ透明導電薄膜。
【請求項８】
請求項７において、Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との合計に対するＳｎＯ２の重量割合が１〜５％であることを特徴とするＩＴＯ透明導電薄膜。
【請求項９】
請求項７又は８において、１４０〜１６０℃で５〜４０分のアニールにより結晶化するアモルファス膜であることを特徴とするＩＴＯ透明導電薄膜。
【請求項１０】
高分子フィルム上にＩＴＯ透明導電薄膜を形成してなる透明導電性フィルムにおいて、該ＩＴＯ透明導電薄膜が請求項１ないし５のいずれか１項の方法により成膜されたことを特徴とする透明導電性フィルム。
【請求項１１】
高分子フィルム上にＩＴＯ透明導電薄膜を形成してなる透明導電性フィルムにおいて、該ＩＴＯ透明導電薄膜が請求項６ないし９のいずれか１項に記載のＩＴＯ透明導電薄膜であることを特徴とする透明導電性フィルム。
【請求項１２】
請求項１０又は１１において、該高分子フィルムとＩＴＯ透明導電薄膜との間に下地層が設けられていることを特徴とする透明導電性フィルム。
【請求項１３】
請求項１０ないし１２のいずれか１項に記載の透明導電性フィルムを備えることを特徴とするタッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スパッタリング成膜後、低温短時間のアニールにより結晶化させることができ、従って、基板の耐熱性に見合う低温で生産性を損なうことなく、高強度で機械的耐久性に優れた結晶ＩＴＯ透明導電薄膜を形成することができる方法と、この方法により成膜されたＩＴＯ透明導電薄膜、高分子フィルム上にこのようなＩＴＯ透明導電薄膜を成膜した透明導電性フィルム、及びこの透明導電性フィルムを有するタッチパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】
指で押したり、専用ペンで描画すると、その部分が対面電極と接触、通電して信号が入力される抵抗膜式タッチパネルは、小型、軽量、薄型化に有利であることから、各種の家電や携帯端末の入力機器として広く用いられている。
【０００３】
抵抗膜式タッチパネルは、図１に示す如く、ガラス板１の上にＩＴＯ透明導電薄膜２を形成してなる下部電極３の上に、高分子フィルム４にＩＴＯ透明導電薄膜５を形成してなる上部電極６を、ＩＴＯ透明導電薄膜２，５が対面するようにスペーサ（マイクロドットスペーサ）７を介して積層したものであり、上部電極６の表示面を指やペンで押すと、上部電極６と下部電極３とが接触して通電し信号が入力される。なお、上部電極６の表面には、高分子フィルム４の保護のためにハードコート層８が設けられている。
【０００４】
従来において、タッチパネルのＩＴＯ透明導電薄膜２，３は、一般にＤＣスパッタリングにより形成されている。
【０００５】
このようなタッチパネルでは、指やペンによる入力に伴って、上部電極６のＩＴＯ透明導電薄膜５と下部電極３のＩＴＯ透明導電薄膜２とが接触と非接触とを繰り返すこととなるが、ＩＴＯ透明導電薄膜５，２の形成材料であるＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）等の透明導電性材料は、耐擦傷性が低いために、ＩＴＯ透明導電薄膜２，５のうち、特にタッチパネルの入力時に繰り返し変形を受ける上部電極６のＩＴＯ透明導電薄膜５には亀裂が入り易く、また、同材質のＩＴＯ透明導電薄膜２，５同士の接触、非接触でＩＴＯ透明導電薄膜５が基材である高分子フィルム４から剥離して脱落し易いという問題があった。
【０００６】
上部電極６のＩＴＯ透明導電薄膜５が損傷したり、剥離したりすると、ＩＴＯ透明導電薄膜５面の電気抵抗値が変化し、また、その均一性が失われ、電気特性が損なわれることにより、正確な入力を行うことができなくなり、このことがタッチパネルの信頼性を損ない、損傷、欠陥、耐久性低下の原因となっていた。
【０００７】
なお、タッチパネル用途の透明導電性フィルムの耐久性を向上させる目的で、特開平２−１９４９４３号公報には、ＩＴＯ膜を成膜した後、熱処理（アニール）を施してＩＴＯを結晶化させることが記載されている。即ち、高分子フィルムのような樹脂基板上にＩＴＯ膜をスパッタリングにより成膜する場合、成膜中に基板を加熱することができないため、成膜されたＩＴＯ透明導電薄膜はアモルファス状態である。アモルファス膜は、強度が低く、機械的耐久性が要求される用途には使用に耐え得ない。このため、成膜されたＩＴＯ膜をアニールして結晶化させることにより膜強度を高める。
【０００８】
しかし、ＩＴＯ膜のアニールを行う場合、透明導電性フィルムの基材が高分子フィルムであるため、このアニール温度にも限界があり、例えば１５０℃で２４時間というような、比較的低い温度で長い時間でのアニールが必要となり、生産性、コストの面で問題があった。
【０００９】
【特許文献１】
特開平２−１９４９４３号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来の問題点を解決し、スパッタリング成膜後、低温短時間のアニールにより結晶化させることができ、従って、基板の耐熱性に見合う低温で生産性を損なうことなく、高強度で機械的耐久性に優れた結晶ＩＴＯ透明導電薄膜を形成することができる方法と、この方法により成膜されたＩＴＯ透明導電薄膜、高分子フィルム上にこのようなＩＴＯ透明導電薄膜を成膜した透明導電性フィルム、及びこの透明導電性フィルムを有するタッチパネルを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明のＩＴＯ透明導電薄膜の成膜方法は、基板上にスパッタリング法によりＩＴＯ透明導電薄膜を成膜する方法において、ターゲットとして、Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との合計に対するＳｎＯ２の重量割合が６％以下のＩＴＯターゲットを用いることを特徴とする。  本発明のＩＴＯ透明導電薄膜は、Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との合計に対するＳｎＯ２の重量割合が６％以下であることを特徴とする。
【００１２】
なお、以下において、ＩＴＯターゲット又はＩＴＯ透明導電薄膜の、Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との合計に対するＳｎＯ２の重量割合を「ＳｎＯ２比率」と称す場合がある。
【００１３】
ＩＴＯ薄膜のスパッタリング成膜に用いられる一般的な高密度ＩＴＯターゲットは、そのＳｎＯ２比率が１０％のものが主である。これには、ガラス基板を用いて基板加熱を行うスパッタリング成膜による結晶化ＩＴＯ薄膜の作製において、ＩｎをＳｎが置換しにくいため、また、ＳｎＯ２比率を大きくすることにより、酸やアルカリに強い膜が得られるなどの理由による。また、一方で、ターゲット製造工程での高密度化に有利なことも、ＳｎＯ２比率が１０％程度である理由である。従って、このようなターゲットを用いて成膜されたＩＴＯ透明導電薄膜のＳｎＯ２比率も１０％程度となる。
【００１４】
しかしながら、高分子フィルムを基板として用いた場合には、成膜中に基板加熱を行えず、成膜されたＩＴＯ薄膜はアモルファスとなるために、１０％のＳｎはＩｎを置換することなく、殆ど導電性の発現（キャリア発生）に寄与していないばかりか、電子の散乱中心ともなり導電性を阻害している。この、いわばＩＴＯ薄膜中では導電性の障害となっているＳｎはアニールによるＩＴＯ薄膜の結晶化を図る場合にも、その結晶化を阻害し、結晶化のために高温の処理が必要となっているものと推定された。
【００１５】
本発明者らはこのような知見に基づき、ＩＴＯターゲット又はＩＴＯ透明導電薄膜のＳｎＯ２比率を変化させ、ＳｎＯ２比率を低減したところ、低温短時間でのアニールにより結晶化が可能なアモルファスＩＴＯ薄膜をスパッタリング法により成膜することができることを見出し、本発明を完成させた。
【００１６】
即ち、ＳｎＯ２比率が１０％のＩＴＯターゲットを用いてスパッタリング法により成膜されたＳｎＯ２比率が１０％のＩＴＯ薄膜は３０分の短時間アニールで結晶化させるには２２０℃以上の高温を要し、高分子フィルムを基材とするものには不適当であった。これに対して、ＳｎＯ２比率６％以下のＩＴＯターゲットを用いる本発明によれば、成膜されたＳｎＯ２比率６％以下のアモルファスＩＴＯ薄膜は１５０℃の低温、３０分の短時間のアニールにより、結晶化を行うことができ、生産性を大幅に向上させることができる。
【００１７】
本発明において、ＩＴＯターゲット又はＩＴＯ透明導電薄膜のＳｎＯ２比率は１〜５％であることが好ましい。
【００１８】
また、成膜圧力は、０．５〜３Ｐａで、雰囲気ガスはＡｒとＯ２との混合ガスであり、混合ガス中のＯ２の体積割合が０．１〜３％であることが好ましい。
【００１９】
このようにして成膜されたＩＴＯ薄膜は、１４０〜１６０℃で５〜４０分アニールすることにより結晶化させることができる。
【００２０】
本発明の透明導電性フィルムは、高分子フィルム上に、このような本発明の方法によりＩＴＯ透明導電薄膜を成膜してなるものであり、ＩＴＯ透明導電薄膜の機械的耐久性に優れる。
【００２１】
この透明導電性フィルムにおいて、高分子フィルムとＩＴＯ透明導電薄膜との間には下地層を設けても良く、これによりＩＴＯ透明導電薄膜の高分子フィルムに対する密着性をより一層高めることができる。
【００２２】
本発明のタッチパネルはこのような透明導電性フィルムを備えるものであり、ＩＴＯ透明導電薄膜の機械的耐久性が良好であるために、入力時の摺動耐久性に優れる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００２４】
本発明のＩＴＯ透明導電薄膜の成膜方法では、基板上にスパッタリング法によりＩＴＯ透明導電薄膜を成膜するに当たり、ＩＴＯターゲットとして、ＳｎＯ２比率６％以下、好ましくは１〜５％のものを用いる。ＩＴＯターゲットのＳｎＯ２比率が６％を超えるものであると、低温短時間のアニールで結晶化可能なアモルファスＩＴＯ薄膜を成膜することはできない。ＳｎＯ２比率は過度に低いとターゲットの密度を高めることができないため、１％以上であることが好ましい。
【００２５】
本発明の成膜方法は、ターゲットとしてこのようなＳｎＯ２比率のＩＴＯターゲットを用いること以外に成膜条件には特に制約はないが、成膜圧力としては０．５〜３．０Ｐａの範囲であることが、その後の結晶化のし易さの点で好ましい。成膜圧力が０．５Ｐａ未満では、プラズマ放電の維持が困難であり、また、放電電圧が高くなり基板への高エネルギー粒子の入射によりＩＴＯ薄膜がダメージを受けてしまう。成膜圧力が３Ｐａを超えると、スパッタ粒子の散乱が増大して成膜速度が低下してしまい、またＩＴＯ薄膜の電気抵抗率が増大してしまう。成膜圧力は、特に０．５〜２．５Ｐａの範囲であることが好ましい。
【００２６】
また、成膜時の雰囲気ガスとしてはＡｒに微量の酸素好ましくはＡｒとＯ２との合計に対して０．１〜３体積％のＯ２を導入することにより、ＩＴＯ薄膜の透明性と導電性を良くすることができ、好ましい。
【００２７】
Ａｒのみの雰囲気ガスの場合、或いは上記範囲よりもＯ２が多い場合には、作製されたＩＴＯ透明導電薄膜の結晶化温度が高くなり好ましくない。しかも、Ｏ２が上記範囲よりも多いと、成膜されたＩＴＯ薄膜の抵抗値が著しく上昇してしまい、必要な導電性を得ることができない。
【００２８】
本発明のＩＴＯ透明導電薄膜を形成する基板としては、後述の高分子フィルム、その他高分子板、ガラス、金属等が挙げられる。
【００２９】
本発明による成膜後の低温短時間でのアニールによる結晶化効果を有効に発揮するために、本発明は耐熱性の低い高分子フィルムを基板とする場合に好適である。これらの基板には、ＩＴＯ透明導電薄膜の密着性の向上のために、成膜に先立ち、コロナ処理や真空中でのプラズマ処理を施しても良く、また、ＩＴＯ透明導電薄膜の密着性向上を目的とした下地層、例えば、後述の本発明の透明導電性フィルムの下地層を成膜しても良い。
【００３０】
本発明において、スパッタリング法により成膜されたアモルファスＩＴＯ透明導電薄膜は、１４０〜１６０℃で５〜４０分、例えば１５０℃で３０分のアニールにより容易に結晶化させることができる。
【００３１】
本発明の透明導電性フィルムは、基板としての高分子フィルム上に、このような本発明の成膜方法によりＩＴＯ透明導電薄膜を形成したものである。即ち、スパッタリング法によりアモルファスＩＴＯ透明導電薄膜を成膜し、その後上述の低温短時間のアニールによりこれを結晶化させたものである。
【００３２】
基板となる高分子フィルムの樹脂材料としては、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アクリル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン、トリアセテート（ＴＡＣ）、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、金属イオン架橋エチレン−メタクリル酸共重合体、ポリウレタン、セロファン等が挙げられるが、特に強度面でＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、ＴＡＣ、とりわけＰＥＴ、ＴＡＣが好ましい。
【００３３】
このような高分子フィルムの厚さは、透明導電性フィルムの用途等によっても異なるが、タッチパネルの上部電極としての用途には、通常の場合１３μｍ〜０．５ｍｍ程度とされる。この高分子フィルムの厚さが１３μｍ未満では、上部電極としての十分な耐久性を得ることができず、０．５ｍｍを超えると得られるタッチパネルの厚肉化を招き、また、上部電極としての柔軟性も損なわれ、好ましくない。
【００３４】
高分子フィルム上に形成されるＩＴＯ透明導電薄膜の膜厚が薄過ぎると十分な導電性を得ることができず、過度に厚くても導電性には差異はなく、成膜コストが高くつく上に透明導電性フィルムの厚みが厚くなって好ましくない。このため、ＩＴＯ透明導電薄膜の膜厚は１〜５００ｎｍ、特に５〜１００ｎｍであることが好ましい。
【００３５】
なお、高分子フィルムには、ＩＴＯ透明導電薄膜の成膜に先立ち下地層を形成して、ＩＴＯ透明導電薄膜の密着性を高めることが好ましい。この下地層としては、珪素化合物よりなるものが好ましく、具体的な珪素化合物としては、ＳｉＣｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＣｘＯｙ、ＳｉＣｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ又はＳｉＣｘＯｙＮｚが挙げられる。なお、下地層は、このような珪素化合物の２種以上を含むものであっても良く、またこれらの珪素化合物の積層膜であっても良い。
【００３６】
下地層の膜厚は、過度に薄いと下地層を形成したことによる高分子フィルムとＩＴＯ透明導電薄膜との密着性の向上効果及び耐擦傷性の向上効果が十分に得られないが、この下地層の膜厚が過度に厚くても、密着性、耐擦傷性の向上効果に顕著な差異はなく、成膜コストが高くつく上に透明導電性フィルムの厚みが厚くなって好ましくない。このため、下地層の膜厚は０．５ｎｍ〜１００μｍ、特に１ｎｍ〜５０μｍであることが好ましい。
【００３７】
このような下地層は、珪素化合物をそのまま、或いは、アルコール、ケトン、トルエン、ヘキサン等の溶剤に溶解した溶液等の液状物として高分子フィルムに塗布して乾燥させることにより形成することもできるが、好ましくは、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の物理蒸着法、又はＣＶＤ等の化学蒸着法、特に好ましくはスパッタリング法で成膜するのが、得られる下地層の緻密性、高分子フィルムに対する接着性に優れ、成膜時のコンタミが少なく、また高速での成膜が可能でその後のＩＴＯ透明導電薄膜の成膜を同一の装置内で連続的に行うことができ、成膜効率にも優れる点で望ましい。
【００３８】
スパッタリング法によりＳｉＣｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＣｘＯｙ、ＳｉＣｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ又はＳｉＣｘＯｙＮｚよりなる下地層を形成する場合、ターゲット材料としては、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４を用いることができ、それぞれ反応性ガスの種類、流量を調整することにより、所望の組成の下地層を形成することができる。
【００３９】
下地層成膜時のスパッタリング条件には特に制限はなく、真空度０．０５〜１Ｐａ、投入電力密度２〜５００ｋＷ／ｍ２程度で実施することができ、このスパッタリング成膜時の反応性ガス流量及び成膜時間を調整することにより、所望の組成、所望の膜厚の下地層を形成することができる。
【００４０】
なお、本発明の透明導電性フィルムは、高分子フィルムのＩＴＯ透明導電薄膜を成膜する面とは反対側の面にハードコート層を形成しても良い。このハードコート層としては、アクリル層、エポキシ層、ウレタン層、シリコン層等が挙げられ、通常その厚さは１〜５０μｍ程度である。
【００４１】
また、本発明の透明導電性フィルムにおいては、高分子フィルムに下地層を成膜するに先立ち、その表面に常法に従ってプラズマ処理を施しても良く、プラズマ処理を施すことにより、高分子フィルムの表面に官能基を付与して高分子フィルムと下地層との接着性を高めると共に、表面のエッチングによるアンカー効果で高分子フィルムに対する下地層の接着強度を高め、より一層剥離防止効果を高めることができる。また、本発明の透明導電性フィルムは、ＩＴＯ透明導電薄膜上に更に被覆層を形成しても良く、これにより、より一層の耐久性の向上を図ることができる。
【００４２】
本発明のタッチパネルは、図１に示す如く、このような透明導電性フィルムを上部電極として備えるものであり、ＩＴＯ透明導電薄膜の機械的耐久性が良好であるため、耐久性、信頼性に優れる。
【００４３】
なお、本発明の透明導電性フィルムは、タッチパネルの上部電極としての用途に好適であるが、その他、透明スイッチングデバイス、その他の各種の光学系透明導電性フィルム用途に有効に使用することができる。
【００４４】
【実施例】
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明する。
【００４５】
なお、以下において、基板としては、片面にＵＶ系硬化型アクリルハードコート層が形成された、厚み１８８μｍのＰＥＴフィルム、又はスライドガラス基板を用いた。
【００４６】
実施例１
マグネトロンＤＣスパッタ装置にターゲットとしてＳｉと、ＳｎＯ２比率５％のＩＴＯターゲットとをそれぞれセットした。真空チャンバーに上記ＰＥＴフィルムをセットし、ターボ分子ポンプで５×１０−４Ｐａまで排気した。その後、Ａｒガスを１６０ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを４０ｓｃｃｍの流量で混合ガスとして導入し、０．５Ｐａとなるように調整した後、Ｓｉターゲットに４ｋＷの電力を印加し、ハードコート層が成膜されている面とは反対側のＰＥＴフィルム面に約５０ｎｍ厚みのＳｉＯ２薄膜を下地層として成膜した。その後、真空チャンバー内を再度排気した後、Ａｒガスを３９８ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスを２ｓｃｃｍの流量で混合ガスとして導入し、１．５Ｐａとなるように調整した後、ＩＴＯターゲットに４ｋＷの電力を印加してＳｉＯ２上に約３０ｎｍ厚みのＩＴＯ薄膜を成膜した。
【００４７】
得られた透明導電性フィルムについて、下記の評価を行い結果を表１に示した。
〈表面抵抗値の測定〉
表面抵抗測定装置（三菱化学（株）製「ロレスタＡＰ」）によりＩＴＯ薄膜側の表面抵抗値を測定した。
〈結晶化試験〉
サンプルをオーブン中にて３０分アニールし、何℃以上で結晶化するかを試験した。結晶化の判断については、Ｘ線回析装置を使用して、入射角度０．５°固定、２θスキャンにて回析ピークを計測し、ＩＴＯ薄膜の（２２２）面のピークが７００ｃｐｓ以上で結晶と判断した。
＜摺動筆記試験＞
ＩＴＯ薄膜側をマイクロドットスペーサ付のＩＴＯガラス基板と対向させてこれらを張り合わせ、透明導電性フィルムのハードコート層形成面をポリアセタール樹脂製の入力ペン（先端部０．８Ｒ）を用い、２５０ｇｆの荷重をかけて往復摺動筆記試験を行った。試験後、リニアリティ値の測定を行い、リニアリティ値が１．５％以下のものを良好、１．５％を超えるものを不良とした。この試験はアニール前のサンプルとアニールによる結晶化後のサンプルについてそれぞれ行った。
【００４８】
実施例２
基板としてＰＥＴフィルムの代りにスライドガラス基板を用いたこと以外は実施例１と同様にして成膜を行い、同様に表面抵抗値の測定及び結晶化試験を行い、結果を表１に示した。
【００４９】
実施例３
実施例１において、ＩＴＯターゲットとしてＳｎＯ２比率３％のＩＴＯターゲットを用いたこと以外は同様にして成膜を行い、同様に表面抵抗値の測定、結晶化試験及び摺動筆記試験を行い、結果を表１に示した。
【００５０】
比較例１
実施例１において、ＩＴＯターゲットとしてＳｎＯ２比率１０％のＩＴＯターゲットを用い、ＩＴＯ薄膜成膜時のガス流量を、Ａｒガス１９６ｓｃｃｍ、Ｏ２ガス４ｓｃｃｍの混合ガス流量とし、０．５Ｐａとなるように調整したこと以外は同様にして成膜を行い、同様に表面抵抗値の測定、結晶化試験及び摺動筆記試験を行い、結果を表２に示した。なお、摺動筆記試験はアニール前後のサンプルについて、各々行ったが、いずれも同様の結果となった。
【００５１】
比較例２
基板としてＰＥＴフィルムの代りにスライドガラス基板を用いたこと以外は比較例１と同様にして成膜を行い、同様に表面抵抗値の測定及び結晶化試験を行い、結果を表２に示した。
【００５２】
比較例３
比較例１において、ＩＴＯ薄膜成膜時のガス流量を、Ａｒガス３９８ｓｃｃｍ、Ｏ２ガス２ｓｃｃｍの混合ガス流量とし、１．５Ｐａとなるように調整したこと以外は同様にして成膜を行い、同様に表面抵抗値の測定及び結晶化試験を行い、結果を表２に示した。
【００５３】
比較例４
基板としてＰＥＴフィルムの代りにスライドガラス基板を用いたこと以外は比較例３と同様にして成膜を行い、同様に表面抵抗値の測定及び結晶化試験を行い、結果を表２に示した。
【００５４】
比較例５
比較例１において、ＩＴＯ薄膜成膜時のガス流量を、Ａｒガス４００ｓｃｃｍのＡｒガス流量とし、１．５Ｐａとなるように調整したこと以外は同様にして成膜を行い、同様に表面抵抗値の測定及び結晶化試験を行い、結果を表２に示した。
【００５５】
比較例６
基板としてＰＥＴフィルムの代りにスライドガラス基板を用いたこと以外は比較例５と同様にして成膜を行い、同様に表面抵抗値の測定及び結晶化試験を行い、結果を表２に示した。
【００５６】
比較例７
比較例１において、ＩＴＯターゲットとしてＳｎＯ２比率７％のＩＴＯターゲットを用い、ＩＴＯ薄膜成膜時のガス流量を、Ａｒガス３９８ｓｃｃｍ、Ｏ２ガス２ｓｃｃｍの混合ガス流量とし、１．０Ｐａとなるように調整したこと以外は同様にして成膜を行い、同様に表面抵抗値の測定及び結晶化試験を行い、結果を表２に示した。
【００５７】
比較例８
基板としてＰＥＴフィルムの代りにスライドガラス基板を用いたこと以外は比較例７と同様にして成膜を行い、同様に表面抵抗値の測定及び結晶化試験を行い、結果を表２に示した。
【００５８】
【表１】
2004149884.tif 000003
【００５９】
【表２】
2004149884.tif 000004
【００６０】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明によれば、スパッタリング成膜後、低温短時間のアニールで結晶化可能なＩＴＯ透明導電薄膜を成膜することができる。そして、このＩＴＯ透明導電薄膜を基板の耐熱性に見合う低温で生産性を損なうことのない短時間のアニールを施すことにより、高強度で機械的耐久性に優れた結晶ＩＴＯ透明導電薄膜とすることができる。この結晶ＩＴＯ透明導電薄膜により、機械的耐久性に優れた透明導電性フィルムを提供することができ、このような透明導電性フィルムを用いて高耐久性で信頼性に優れたタッチパネルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的なタッチパネルの構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１  ガラス板
２  ＩＴＯ透明導電薄膜
３  下部電極
４  高分子フィルム
５  ＩＴＯ透明導電薄膜
６  上部電極
７  スペーサ
８  ハードコート層
【図１】
2004149884.tif 000005