(57)【要約】【課題】優れた耐半田耐熱性、耐湿信頼性を達成し得る半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置を提供する。【解決手段】有機絶縁性フィルム上に少なくとも接着剤層を有する積層体より構成された接着剤付きテープであって、前記有機絶縁フィルムの水蒸気透過率が０．５０ｇ／ｍ２／２４ｈ／ｍｍ以上であり、接着剤層が熱硬化型の接着剤であることを特徴とする表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機絶縁性フィルムの片面に接着剤層を有する積層体より構成された接着剤付きテープであって、前記有機絶縁フィルムの水蒸気透過率がフィルム厚１ｍｍ換算で０．５０ｇ／ｍ２／２４ｈ以上であることを特徴とする表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープ。
【請求項２】
有機絶縁フィルムの水蒸気透過率が０．７ｇ／ｍ２／２４ｈ／ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープ。
【請求項３】
有機絶縁フィルムの水蒸気透過率が１．００ｇ／ｍ２／２４ｈ／ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープ。
【請求項４】
接着剤層が熱硬化型の接着剤であることを特徴とする請求項１記載の表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープ。
【請求項５】
接着剤層が、熱可塑性樹脂（Ａ）を含有することを特徴とする請求項１記載の表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤テープ。
【請求項６】
接着剤層がフェノール樹脂（Ｂ）および／またはエポキシ樹脂（Ｃ）を含有することを特徴とする請求項１記載の表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープ。
【請求項７】
熱可塑性樹脂（Ａ）がポリアミド樹脂（ａ）であることを特徴とする請求項５記載の表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープ。
【請求項８】
ポリアミド樹脂（ａ）が炭素数３６のジカルボン酸を必須成分として含むポリアミド樹脂（ａ’）であることを特徴とする請求項７記載の表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープ。
【請求項９】
ポリアミド樹脂（ａ）が、炭素数３６のジカルボン酸を必須成分として含むポリアミド樹脂（ａ’）であり、かつアミン価が１以上３未満である請求項８記載の表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープ。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか記載の表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープを用いた銅張り積層板。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれか記載の表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープを用いた半導体接続用基板。
【請求項１２】
請求項１１記載の表面実装ＢＧＡ型半導体接続用基板を用いた半導体装置。
【請求項１３】
請求項１０記載の銅張り積層板を用いた表面実装ＢＧＡ型半導体接続用基板。
【請求項１４】
請求項１３記載の表面実装ＢＧＡ型半導体接続用基板を用いた半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体集積回路を実装する際に用いられる、ボールグリッドアレイパッケージ（ＢＧＡ）、チップスケールパッケージ（ＣＳＰ）用インターポーザー等の半導体接続用基板を作製するために適した接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路（ＩＣ）の基板には、金属製のリードフレームを用いた方式がもっとも多く用いられているが、近年ではガラスエポキシやポリイミド等の有機絶縁性フィルム上に、ＩＣ接続用の導体パターンを形成した接続用基板を介した方式が増加している。代表的なものとして、テープオートメーテッドボンディング（ＴＡＢ）方式によるテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）が挙げられる。
【０００３】
ＴＣＰの接続用基板（パターンテープ）にはＴＡＢ用接着剤付きテープ（以下ＴＡＢ用テープと称する）が使用されるのが一般的である。通常のＴＡＢ用テープは、ポリイミドフィルム等の可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、未硬化状態の接着剤層および保護フィルム層として離型性を有するポリエステルフィルム等を積層した３層構造より構成されている。
【０００４】
ＴＡＢ用テープは、（１）　スプロケットおよびデバイス孔の穿孔、（２）　銅箔との熱ラミネートおよび接着剤の加熱硬化、（３）　パターン形成（レジスト塗布、エッチング、レジスト除去）、（４）　スズまたは金−メッキ処理などの加工工程を経て、接続用基板であるＴＡＢテープ（パターンテープ）に加工される。図１にパターンテープの形状を示す。図１中の１は有機絶縁性フィルム、２は接着剤、３はスプロケットホール、４はデバイスホール、５は導体パターンを示す。
【０００５】
近年の電子機器の小型・軽量化に伴い、半導体パッケージも高密度実装化を目的に、これまでのパッケージの側面に外部接続端子を配したスモール・アウトライン・パッケージ（ＳＯＰ）、クワッド・フラット・パッケージ（ＱＦＰ）に変わって、パッケージの裏面に外部接続端子を配列するＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）、ＣＳＰ（チップ・スケール・パッケージ）が用いられるようになってきた。
【０００６】
ＢＧＡ、ＣＳＰではＴＣＰと同様に、インターポーザーと称する接続用基板が必須である。しかし、ＩＣの接続方法において、従来のＴＣＰでは大半がＴＡＢ方式のギャングボンディングであるのに対し、ＢＧＡ、ＣＳＰではＴＡＢ方式およびワイヤーボンディング方式のいずれかを、個々のパッケージの仕様、用途、設計方針等により選択している点が異なっている。図２および図３に本発明の半導体装置（ＢＧＡ、ＣＳＰ）の一態様の断面図を示す。図中、１２、２０は有機絶縁性フィルム、１３、２１は接着剤、１４、２２は導体パターン、１５、２３は半導体集積回路、１６、２４は封止樹脂、１７、２５は金バンプ、１８、２６はハンダボール、１９はスティフナー、２７はソルダーレジストを示す。
【０００７】
ここでいうインターポーザーは、前述のＴＣＰのパターンテープと同様の機能を有するものなので、ＴＡＢ用接着剤付きテープを使用することができる。インナーリードを有する接続方式に有利であることは当然であるが、半田ボール用の孔やＩＣ用のデバイスホールを機械的に打ち抜いた後に銅箔をラミネートするプロセスに特に適している。一方、ワイヤーボンディングにより接続するため、インナーリードが不要であったり、銅箔ごと半田ボール用の孔やＩＣ用のデバイスホールを開けるプロセスでは、すでに銅箔を積層し接着剤を加熱硬化させた銅張り積層板を用いてもよい。
【０００８】
上記のパッケージ形態ではいずれも最終的に半導体装置用接着剤付きテープの接着剤層は、パッケージ内に残留するため、絶縁性、耐熱性、接着性等の諸特性を満たすことが要求される。電子機器の小型化、高密度化が進行するに伴い、半導体接続用基板のパターンピッチ（導体幅および導体間幅）が非常に狭くなってきており、高い絶縁信頼性と狭い導体幅における銅箔接着力（以下、接着力と称する）を有する接着剤の必要性が高まっている。最近は特に、絶縁信頼性の加速試験として、１３０℃、８５％ＲＨの高温高湿あるいは、１２５℃〜１５０℃の高温で連続した電圧印加状態における絶縁抵抗の低下速度が重要視されるようになった。
【０００９】
一方、プリント基板への部品実装においても高密度実装、自動化が進められており、従来のリードピンを基板の穴に挿入する”挿入実装方式”に代わり、基板表面に部品を半田付けする”表面実装方式”が主流になってきた。表面実装方式への移行に伴い、パッケージには半田耐熱性が要求されるようになってきた。
【００１０】
すなわち、従来のピン挿入実装方式では、半田付け工程でパッケージのリード部が部分的に加熱されるだけであったが、表面実装方式では、パッケージ全体が熱媒に浸され加熱される。この表面実装方式における半田付け方法としては、半田浴浸漬、不活性ガスの飽和蒸気による（ベーパーフェイズ法）や赤外線リフロー法などが用いられるが、いずれの方法でもパッケージ全体が２１０〜２７０℃の高温に加熱されることになるため、従来の接続用基板をインターポーザーに用いたパッケージにおいては、半田付け時に膨れが発生し実装不良となる問題がおきるのである。
【００１１】
半田付け時における実装不良は、実装工程までにパッケージが吸湿した水分が、半田付け加熱時に爆発的に水蒸気化、膨張することに起因するといわれており、その対策としては、パッケージを完全に乾燥し密封した容器に収納して出荷する方法が用いられている。
【００１２】
しかるに、乾燥パッケージを容器に封入する方法は、製造工程および製品の取扱い作業が繁雑になるうえ、製品価格が高価になる欠点がある。かかる現状に基づき、接続基板の改良が種々検討されており、例えば、吸湿された水分を抜けやすくする目的で、接続基板に直径０．１ｍｍ以下の微細な穴を開けることなどが提案されている。しかしながら、接続基板に微細な水分の抜け穴を開ける方法は、パッケージの半田耐熱性が十分でないばかりか、加工工程増加によるコストアップおよび基板上の配線の引き回しが制限されるなどの問題を残していた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述した従来の接続基板が有する問題点の解決を課題として検討した結果、達成されたものである。したがって、本発明の目的は、耐半田耐熱性、耐湿信頼性などの信頼性が優れた表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の目的を達成するために表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープの有機絶縁フィルムの水蒸気透過率に注目し検討した結果、半田耐熱性に優れた表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープが得られることを見出し、本発明に至ったものである。
【００１５】
すなわち、本発明は有機絶縁性フィルム上に、少なくとも接着剤層を有する積層体より構成された接着剤付きテープであって、前記有機絶縁フィルムの水蒸気透過率が０．５０ｇ／ｍ２／２４ｈ／ｍｍ以上であることを特徴とする表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置である。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープに用いられる有機絶縁フィルムは、そのフィルムの水蒸気透過率が０．５０ｇ／ｍ２／２４ｈ／ｍｍ以上、好ましくは０．７ｇ／ｍ２／２４ｈ／ｍｍ以上、さらに好ましくは１．００ｇ／ｍ２／２４ｈ／ｍｍ以上であることが重要である。すなわち、フィルムの水蒸気透過率が０．５０ｇ／ｍ２／２４ｈ／ｍｍ未満であれば、パッケージの半田付け工程における実装不良防止効果は発揮されない。ここでいう、水蒸気透過率とは、３８℃／９０％ＲＨ、２４ｈの条件でＡＳＴＭ　Ｄ５０に従って測定した値である。
【００１７】
本発明で用いる有機絶縁フィルムとしては、ポリイミド、ポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、アラミド、ポリカーボネート、ポリアリレート等のプラスチックあるいはエポキシ樹脂含浸ガラスクロス等複合材料からなる厚さ２５〜１２５μｍのフィルムであり、これから選ばれる複数のフィルムを積層して用いても良い。中でも、可撓性を有するポリイミドフィルムが好ましく用いられる。また必要に応じて、加水分解、コロナ放電、低温プラズマ、物理的粗面化、易接着コーティング処理等の表面処理をその片面または両面に施すことができる。
【００１８】
中でも、一般にジアミンと酸無水物の加熱閉環により合成されるポリイミドフィルムが好ましく用いられる。用いられるジアミン成分として、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニル、４，４’−ジアミノ−２，２−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、２−トリフルオロメチル−１，４−フェニレンジアミン（２，５−ジアミノベンゾトリフルオライド）、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジクロロビフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルビフェニル、２，５−ジメチル−１，４−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノ−２，２’−ビス（トリフルオロメトキシ）ビフェニル、２−メチル−１，４−フェニレンジアミン、２−クロロ−１，４−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメトキシビフェニル、４，４”−ジアミノターフェニル、４，４”’−ジアミノコーターフェニル、１，４−ジアミノベンズアニリド、２，５−ジアミノピリジン、２，７−ジアミノフルオレン、ｏ−トリジンスルホン、２，１０−ビス（４−アミノフェニル）アントラセン、１，５−ジアミノナフタレン、４’−ジアミノジフェニルエーテル（４，４’−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、４，４’−メチレンジアニリン、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼンなどが挙げられ、酸無水物成分として、ピロメリト酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ネフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、オキシジフタール酸無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物などが挙げられる。これらのジアミン、酸無水物のうちそれぞれ２つまたはそれ以上のジアミン、酸無水物を用いても良い。
【００１９】
本発明の接着剤層は、絶縁及び接着信頼性に優れたものであれば、熱可塑性接着剤や熱硬化性接着剤を問わず特に限定されないが、熱可塑性樹脂（Ａ）を含有させた接着剤が好ましく用いられる。熱可塑性樹脂（Ａ）は軟化温度を制御するのに有効であり、接着力、可撓性、熱応力の緩和、低吸水性による絶縁性の向上等の機能を有する。熱可塑性樹脂の添加量は接着剤層の、好ましくは３０〜６０重量％、さらに好ましくは３５〜５５重量％である。
【００２０】
熱可塑性樹脂としては、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体（ＮＢＲ）、アクリロニトリル−ブタジエンゴム−スチレン樹脂（ＡＢＳ）、スチレン−ブタジエン−エチレン樹脂（ＳＥＢＳ）、アクリル、ポリビニルブチラール、ポリアミド、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリウレタン等公知のものが例示される。また、これらの熱可塑性樹脂は後述のフェノール樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂との反応が可能な官能基を有していてもよい。具体的には、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、水酸基、メチロール基、イソシアネート基、ビニル基、シラノール基等である。これらの官能基により熱硬化性樹脂との結合が強固になり、耐熱性が向上するので好ましい。熱可塑性樹脂として銅箔との接着性、可撓性、絶縁性の点からポリアミド樹脂（ａ）が好ましく、種々のものが使用できる。特に、接着剤層に可撓性を持たせ、かつ低吸水率のため絶縁性にすぐれる、炭素数が３６であるジカルボン酸（いわゆるダイマー酸）を必須成分として含むポリアミド樹脂（ａ’）が好適である。さらにポリアミド樹脂（ａ’）でありかつアミン価が１以上３未満であるものが好ましく用いられる。ダイマー酸を含むポリアミド樹脂は、常法によるダイマー酸とジアミンの重縮合により得られるが、この際にダイマー酸以外のアジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸等のジカルボン酸を共重合成分として含有してもよい。ジアミンはエチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン等の公知のものが使用でき、吸湿性、溶解性の点から２種以上の混合でもよい。
【００２１】
本発明において、接着剤層に熱硬化型樹脂であるフェノール樹脂を添加することにより、一層絶縁信頼性、耐薬品性、接着剤層の強度を向上させることができる。
【００２２】
フェノール樹脂（Ｂ）としては、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂等の公知のフェノール樹脂がいずれも使用できる。たとえば、フェノール、クレゾール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、ノニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール等のアルキル置換フェノール、テルペン、ジシクロペンタジエン等の環状アルキル変性フェノール、ニトロ基、ハロゲン基、シアノ基、アミノ基等のヘテロ原子を含む官能基を有するもの、ナフタレン、アントラセン等の骨格を有するもの、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、レゾルシノール、ピロガロール等の多官能性フェノールからなる樹脂が挙げられる。中でも、レゾール型フェノール樹脂は絶縁抵抗低下時間が向上させる効果があるのでより好適である。
【００２３】
フェノール樹脂の添加量は接着剤層の好ましくは５〜６０重量％、さらに好ましくは２０〜５０重量％である。
【００２４】
本発明の接着剤層に熱硬化型樹脂であるエポキシ樹脂を添加すると、接着力の向上が計れるので好ましい。エポキシ樹脂は１分子内に２個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限されないが、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、ジヒドロキシナフタレン、ジシクロペンタジエンジフェノール、ジシクロペンタジエンジキシレノール等のジグリシジルエーテル、エポキシ化フェノールノボラック、エポキシ化クレゾールノボラック、エポキシ化トリスフェニロールメタン、エポキシ化テトラフェニロールエタン、エポキシ化メタキシレンジアミン、脂環式エポキシ等が挙げられる。
【００２５】
エポキシ樹脂の添加量は接着剤層の好ましくは２〜４０重量％、さらに好ましくは５〜２５重量％である。
【００２６】
本発明の接着剤層にエポキシ樹脂およびフェノール樹脂の硬化剤および硬化促進剤を添加することは何等制限されない。たとえば、芳香族ポリアミン、三フッ化ホウ素トリエチルアミン錯体等の三フッ化ホウ素のアミン錯体、２−アルキル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−アルキルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、無水フタル酸、無水トリメリット酸等の有機酸、ジシアンジアミド、トリフェニルフォスフィン、ジアザビシクロウンデセン等公知のものが使用できる。添加量は接着剤層１００重量部に対して０．１〜１０重量部であると好ましい。
【００２７】
以上の成分以外に、接着剤の特性を損なわない範囲で酸化防止剤、イオン捕捉剤などの有機、無機成分を添加することは何ら制限されるものではない。
【００２８】
本発明では、好ましくは保護フィルム層を設ける。ここでいう保護フィルム層とは、銅箔を熱ラミネートする前に接着剤面から半導体装置用接着剤付きテープの形態を損なうことなく剥離できれば特に限定されないが、たとえばシリコーンあるいはフッ素化合物のコーティング処理を施したポリエステルフィルム、ポリオレフィンフィルム、およびこれらをラミネートした紙が挙げられる。
【００２９】
次に表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープの製造方法について説明する。可撓性を有する絶縁性フィルムに、上記接着剤組成物を溶剤に溶解した塗料を塗布、乾燥する。接着剤層の膜厚は５〜２５μｍとなるように塗布することが好ましい。乾燥条件は、１００〜２００℃、１〜５分である。溶剤は特に限定されないが、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族系とメタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系の混合が好適である。このようにして得られたフィルムに保護フィルムをラミネートし、最後に３５〜１５８ｍｍ程度にスリットする。また、保護フィルムに上記接着剤組成物を塗布、乾燥し、任意の幅にスリットした後に絶縁性フィルムとラミネートする方法でもよく、接着剤層と絶縁性フィルムの幅を異なるようにする場合に好適である。
【００３０】
かくして得られた表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープを用いて、銅張り積層板あるいは表面実装ＢＧＡ型半導体接続用基板が製造できる。さらにこれらの銅張り積層板あるいは表面実装ＢＧＡ型半導体接続用基板を用いて半導体装置が製造できる。
【００３１】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例の説明に入る前にサンプルの作製方法とその評価方法について述べる。
【００３２】
（１）表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープの作製方法
ポリアミド樹脂１００重量部（ユニケマ社製：ダイマー酸ポリアミド樹脂”ＰＲＩＡＤＴＩＴ　２０５３”）、エポキシ樹脂１５重量部（大日本インキ化学（株）製、“エピクロン”ＨＰ４０３２、エポキシ当量１５０）、ノボラック型フェノール樹脂１５重量部（群栄化学社製：ＰＳＭ４３２６）、レゾール型フェノール樹脂６０重量部（群栄化学社製：ＰＳ２７８０）を、濃度２０重量％となるようにメタノール／モノクロルベンゼン混合溶媒に３０℃で撹拌溶解して接着剤溶液を作製した。この接着剤をバーコータで、保護フィルムである厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製”ルミラー”）に約１２μｍの乾燥厚さとなるように塗布し、１００℃、１分および１６０℃で５分間の乾燥を行ない接着剤シートを作製した。さらに、得られた接着剤シートを表１の有機絶縁フィルムに１２０℃、１ｋｇ／ｃｍ２の条件でラミネートして表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープを作製した。
【００３３】
（２）半導体接続基板の作製方法
表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープサンプルに１８μｍの電解銅箔を、１４０℃、１ｋｇ／ｃｍ２の条件でラミネートした。続いてエアオーブン中で、８０℃、３時間、１００℃、５時間、１５０℃、５時間の順次加熱硬化処理を行ない、銅箔付きの表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープを作製した。得られた銅箔付きの表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープの銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エッチング、レジスト剥離、金メッキを行ない、テスト用表面実装ＢＧＡ型半導体接続基板を作製した。
【００３４】
（３）半田耐熱性、耐湿信頼性評価用サンプルの作製方法
表面にアルミニウム蒸着した模擬素子（９×９ｍｍ）を銀ペーストにより、上記表面実装ＢＧＡ型半導体接続基板に搭載した。その後、東レ封止材を用い、低圧トランスファー成形法により成形した。１７５℃×５時間の条件でポストキュアし、模擬パッケージを作製した。
【００３５】
（４）半田耐熱性評価方法（耐リフロー性）
上記（３）の作製方法による２０個の模擬パッケージを８５℃／８５％ＲＨでそれぞれ１２時間、および２４時間加湿後、最高温度２４０℃のＩＲリフロー炉で加熱処理し、パッケージの膨れ発生数を調べた。
【００３６】
（５）耐湿信頼性評価方法
加湿１２時間の模擬パッケージを用い、１２１℃／１００％ＲＨのＰＣＴ条件下で断線が発生する時間を求めた。結果を表１に示す。
【００３７】
【表１】
2004027205.tif 000002
【００３８】
表１の実施例および比較例から本発明により得られる表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープは、耐半田耐熱性、耐湿信頼性に優れていることがわかる。
【００３９】
【発明の効果】
本発明によれば、優れた半田耐熱性、耐湿信頼性を有する表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープを加工して得られた、半導体集積回路搭載前の半導体接続用基板（パターンテープ）の一態様の斜視図。
【図２】本発明の表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープを用いた半導体装置（ＢＧＡ）の一態様の断面図。
【図３】本発明の表面実装ＢＧＡ型半導体装置用接着剤付きテープを用いた半導体装置（ＣＳＰ）の一態様の断面図。
【符号の説明】
１，１２，２０　可撓性を有する絶縁性フィルム
２，１３，２１　接着剤
３　スプロケット孔
４　デバイス孔
５，１４，２２　導体パターン
１５，２３　半導体集積回路
１６，２４　封止樹脂
１７，２５　金バンプ
１８，２６　ハンダボール
１９　スティフナー
２７　ソルダーレジスト
【図１】
2004027205.tif 000003
【図２】
2004027205.tif 000004
【図３】
2004027205.tif 000005