(57)【要約】【課題】小型化された場合であっても対応可能な配線構造を有するヘッドスライダ、ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置を提供すること。【解決手段】磁気ヘッド部１９は、基台２０上に、再生用のＧＭＲ素子３０を有する再生ヘッド部３１と、記録用の誘導型電磁変換素子としての記録ヘッド部３２とが積層されることにより構成されている。磁気ヘッド部１９は、更にヒータ４０を備えている。ヒータ４０は、一方の極側がヘッドスライダ１３の第１の面に備えられたヒータ用電極パッド２３に電気的に接続されている。また、他方の極側は、基台２０を構成する基板３８に電気的に接続されており、ヘッドスライダ１３の第２の面を通じて通電される。【選択図】  図４
2004288290.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基台と、
前記基台上に形成され、情報の記録又は再生の少なくとも一方を行う磁気ヘッド部とを備え、
前記磁気ヘッド部は、第１の極と第２の極との間に電流が供給される通電素子を有し、
前記磁気ヘッド部における前記基台と反対側に位置する第１の面には、通電用の電極パッドが配されており、
前記通電素子の前記第１の極は、前記通電用の電極パッドに電気的に接続され、
前記通電素子の前記第２の極は、前記第１の面とは異なる第２の面を介して導電可能であることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項２】
前記基台は、前記第２の面を有していることを特徴とする請求項１記載のヘッドスライダ。
【請求項３】
前記磁気ヘッド部は、再生用の磁気抵抗効果素子と、記録用の誘導型電磁変換素子と、通電されることにより発熱するヒータ素子とを備え、
前記通電素子は、前記磁気抵抗効果素子、前記誘導型電磁変換素子及び前記ヒータ素子のいずれか一つの素子であり、
前記通電素子以外の他の前記各素子は、前記第１の面に設けられた一対の電極パッドにそれぞれ接続されていることを特徴とする請求項１または２記載のヘッドスライダ。
【請求項４】
基台と、前記基台上に形成され、情報の記録又は再生の少なくとも一方を行う磁気ヘッド部とを有するヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダが搭載されるアーム部材とを備え、
前記磁気ヘッド部は、第１の極と第２の極との間に電流が供給される通電素子を有し、
前記磁気ヘッド部における前記基台と反対側に位置する第１の面には、通電用の電極パッドが配されており、
前記通電素子の前記第１の極は、前記通電用の電極パッドに電気的に接続され、
前記通電素子の前記第２の極は、前記第１の面とは異なる第２の面を介して導電可能であることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項５】
前記基台は、前記第２の面を有していることを特徴とする請求項４記載のヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項６】
前記第２の面は、前記アーム部材と接していることを特徴とする請求項４または５記載のヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項７】
前記磁気ヘッド部は、再生用の磁気抵抗効果素子と、記録用の誘導型電磁変換素子と、通電されることにより発熱するヒータ素子とを備え、
前記通電素子は、前記磁気抵抗効果素子、前記誘導型電磁変換素子及び前記ヒータ素子のいずれか一つの素子であり、
前記通電素子以外の他の前記各素子は、前記第１の面に設けられた一対の電極パッドにそれぞれ接続されていることを特徴とする請求項４〜６いずれか一項記載のヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項８】
基台上に形成され、情報の記録又は再生の少なくとも一方を行う磁気ヘッド部を有するヘッドスライダと、前記ヘッドスライダが搭載されるアーム部材と、を備えたヘッドジンバルアセンブリを有し、
前記磁気ヘッド部は、第１の極と第２の極との間に電流が供給される通電素子を有し、
前記磁気ヘッド部における前記基台と反対側に位置する第１の面には、通電用の電極パッドが配されており、
前記通電素子の前記第１の極は、前記通電用の電極パッドに電気的に接続され、
前記通電素子の前記第２の極は、前記第１の面とは異なる第２の面を介して導電可能であることを特徴とするハードディスク装置。
【請求項９】
前記基台は、前記第２の面を有していることを特徴とする請求項８記載のハードディスク装置。
【請求項１０】
前記第２の面は、前記アーム部材と接していることを特徴とする請求項８または９記載のハードディスク装置。
【請求項１１】
前記磁気ヘッド部は、再生用の磁気抵抗効果素子と、記録用の誘導型電磁変換素子と、通電されることにより発熱するヒータ素子とを備え、
前記通電素子は、前記磁気抵抗効果素子、前記誘導型電磁変換素子及び前記ヒータ素子のいずれか一つの素子であり、
前記通電素子以外の他の前記各素子は、前記第１の面に設けられた一対の電極パッドにそれぞれ接続されていることを特徴とする請求項８〜１０いずれか一項記載のハードディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気抵抗効果素子や誘導型電磁変換素子を備えた薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダ、ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜磁気ヘッドが形成されたヘッドスライダは、１９７９年に初めてハードディスク装置に使用され、このときのヘッドスライダは、一般にミニスライダと呼ばれている。そして、現在では、ミニスライダの約３０％程の大きさのピコスライダと呼ばれるヘッドスライダが主流となっている。このようなヘッドスライダには、薄膜磁気ヘッド内の素子に通電するための複数の電極パッドが同一面内に備えられている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
今後、ハードディスク装置の小型化、低コスト化に伴い、ヘッドスライダは更に小型化され、将来的には、ミニスライダの約２０％程の大きさのフェムトスライダと呼ばれるヘッドスライダへと移行することが予想されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−２８５４２２号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上述したフェムトスライダにおいて、ピコスライダと同じ数の電極パッドを同一面内に備えようとした場合、当然ながら電極パッドの大きさを縮小化する必要がある。しかしながら、電極パッドを縮小化すると、配線と接続される際に用いられるボールボンディングの強度が低下してしまう。
【０００６】
本発明の目的は、小型化された場合であっても対応可能な配線構造を有するヘッドスライダ、ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明のヘッドスライダは、基台と、基台上に形成され、情報の記録又は再生の少なくとも一方を行う磁気ヘッド部とを備え、磁気ヘッド部は、第１の極と第２の極との間に電流が供給される通電素子を有し、磁気ヘッド部における基台と反対側に位置する第１の面には、通電用の電極パッドが配されており、通電素子の第１の極は、通電用の電極パッドに電気的に接続され、通電素子の第２の極は、第１の面とは異なる第２の面を介して導電可能であることを特徴とするものである。
【０００８】
このようなヘッドスライダでは、磁気ヘッド部に備えられた通電素子の一方の極（第１の極）が、第１の面に備えられた通電用の電極パッドに接続されている。そして、他方の極（第２の極）は、上記第１の面とは異なる面（第２の面）を介して導電可能となっている。つまり、電極パッドと第２の面との間に電流を流すことにより、通電素子を通電することができる。このため、ヘッドスライダの同一面内に備える電極パッドの数を減少できることとなり、ヘッドスライダが小型化された場合であっても、電極パッドの寸法をさほど小さくすることなく、磁気ヘッド部の通電素子に通電する配線構造を実現することができる。
【０００９】
この場合、基台が、第２の面を有していてもよい。基台は、例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）などを用いて構成する。
【００１０】
また、本発明のヘッドスライダでは、磁気ヘッド部は、再生用の磁気抵抗効果素子と、記録用の誘導型電磁変換素子と、通電されることにより発熱するヒータ素子とを備え、通電素子は、磁気抵抗効果素子、誘導型電磁変換素子及びヒータ素子のいずれか一つの素子であり、通電素子以外の他の各素子は、第１の面に設けられた一対の電極パッドにそれぞれ接続されていてもよい。
【００１１】
この場合、いずれか２つの素子の極は、それぞれ一対の電極パッドに接続される。そして、残りの素子では、一方の極が電極パッドに接続され、他方の極は電極パッドが備えられた面とは異なる面を介して導通される。つまり、ヘッドスライダの同一面上に本来６つ備えられるべき電極パッドが、５つで済むことになる。このため、ヘッドスライダが小型化された場合であっても、各電極パッドの寸法を小さくすることなく、全ての素子に通電できる構造となる。
【００１２】
本発明のヘッドジンバルアセンブリは、基台と、基台上に形成され、情報の記録又は再生の少なくとも一方を行う磁気ヘッド部とを有するヘッドスライダと、ヘッドスライダが搭載されるアーム部材とを備え、磁気ヘッド部は、第１の極と第２の極との間に電流が供給される通電素子を有し、磁気ヘッド部における基台と反対側に位置する第１の面には、通電用の電極パッドが配されており、通電素子の第１の極は、通電用の電極パッドに電気的に接続され、通電素子の第２の極は、第１の面とは異なる第２の面を介して導電可能であることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明のハードディスク装置は、基台上に形成され情報の記録又は再生の少なくとも一方を行う磁気ヘッド部を有するヘッドスライダと、ヘッドスライダが搭載されるアーム部材と、を備えたヘッドジンバルアセンブリを有し、磁気ヘッド部は、第１の極と第２の極との間に電流が供給される通電素子を有し、磁気ヘッド部における基台と反対側に位置する第１の面には、通電用の電極パッドが配されており、通電素子の第１の極は、通電用の電極パッドに電気的に接続され、通電素子の第２の極は、第１の面とは異なる第２の面を介して導電可能であることを特徴とするものである。
【００１４】
このようなヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置では、ヘッドスライダの磁気ヘッド部に備えられた通電素子の一方の極（第１の極）が、第１の面に備えられた通電用の電極パッドに接続されている。そして、他方の極（第２の極）は、上記第１の面とは異なる面（第２の面）を介して導電可能となっている。つまり、電極パッドと第２の面との間に電流を流すことにより、通電素子を通電することができる。このため、ヘッドスライダの同一面内に備える電極パッドの数を減少できることとなり、ヘッドスライダが小型化された場合であっても、電極パッドの寸法をさほど小さくすることなく、磁気ヘッド部の通電素子に通電する配線構造を実現することができる。
【００１５】
この場合、基台が、第２の面を有していてもよい。基台は、例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）などを用いて構成する。
【００１６】
また、第２の面はアーム部材と接していてもよい。これにより、アーム部材に電流を流すことによって、第２の面に導電させることができる。このため、第２の面における導電用の配線が不要となる。
【００１７】
また、本発明のヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置では、磁気ヘッド部は、再生用の磁気抵抗効果素子と、記録用の誘導型電磁変換素子と、通電されることにより発熱するヒータ素子とを備え、通電素子は、磁気抵抗効果素子、誘導型電磁変換素子及びヒータ素子のいずれか一つの素子であり、通電素子以外の他の各素子は、第１の面に設けられた一対の電極パッドにそれぞれ接続されていることを特徴としている。
【００１８】
この場合、いずれか２つの素子の極は、それぞれ一対の電極パッドに接続される。そして、残りの素子では、一方の極が電極パッドに接続され、他方の極は電極パッドが備えられた面とは異なる面を介して導通される。つまり、ヘッドスライダの同一面上に本来６つ備えられるべき電極パッドが、５つで済むことになる。このため、ヘッドスライダが小型化された場合であっても、各電極パッドの寸法を小さくすることなく、全ての素子に通電できる構造となる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。尚、同一要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略する。
【００２０】
図１は、本実施形態のヘッドスライダを備えたハードディスク装置を示す図であり、図２は、図１に示すハードディスク装置に備えられ、薄膜磁気ヘッドが形成されたヘッドスライダを搭載したヘッドジンバルアセンブリの斜視図である。ハードディスク装置１は、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Ｈｅａｄ  Ｇｉｍｂａｌｓ  Ａｓｓｅｍｂｌｙ）１０を作動させて、高速回転するハードディスク２の記録面（図１の上面）に、薄膜磁気ヘッド１１によって磁気情報を記録及び再生するものである。
【００２１】
図２に示すように、ヘッドジンバルアセンブリ１０は、金属製の薄板であるサスペンションアーム１２を備えている。サスペンションアーム１２の先端側には、切込みで囲われたタング部１４が形成されており、このタング部１４上には、薄膜磁気ヘッド１１が形成された磁気ヘッド部１９を有するヘッドスライダ１３が搭載されている。
【００２２】
また、サスペンションアーム１２上には、先端側に設けられた端子１５ａ〜１５ｅと基端側に設けられた端子１６ａ〜１６ｅとに接続される配線１７ａ〜１７ｃを絶縁層で被覆したプリント配線１７が備えられている。端子１６ａ〜１６ｅには、図示を省略する電源等が接続される。
【００２３】
配線１７ａは、その両端がそれぞれ端子１５ａ，１６ａに接続されており、端子１５ａを介して後述するヒータ用電極パッド２３に電気的に接続される（図３参照）。
【００２４】
また、配線１７ｂ，１７ｂは、一方が端子１５ｄ，１６ｄに接続され、他方が端子１５ｅ，１６ｅに接続されている。そして、配線１７ｂ，１７ｂの一方が、端子１５ｄを介して後述する記録用電極パッド２１ａに電気的に接続され、他方が端子１５ｅを介して後述する記録用電極パッド２１ｂに電気的に接続される（図３参照）。
【００２５】
また、配線１７ｃ，１７ｃは、一方が端子１５ｃ，１６ｃに接続され、他方が端子１５ｂ，１６ｂに接続されている。そして、配線１７ｃ，１７ｃの一方が、端子１５ｃを介して後述する再生用電極パッド２２ｂに電気的に接続され、他方が端子１５ｂを介して後述する再生用電極パッド２２ａに電気的に接続される（図３参照）。
【００２６】
プリント配線１７は、端子１５ａ〜１５ｅからヘッドスライダ１３の周囲を回り込んでヘッドスライダ１３の後方へと這わされ、端子１６ａ〜１６ｅまで伸長している。このプリント配線１７によって、ヘッドスライダ１３に形成された薄膜磁気ヘッド１１の各素子が端子１５ａ〜１５ｅを介して通電されるようになっている。
【００２７】
尚、プリント配線１７及び各端子１５ａ〜１５ｅ，１６ａ〜１６ｅは、エポキシ樹脂等からなる絶縁層１８を介してサスペンションアーム１２上に配されており、金属製のサスペンションアーム１２とは絶縁されている。但し、ヘッドスライダ１３とサスペンションアーム１２との接する面（後述する面Ｂ）には、例えば導電性樹脂が配されており、スライダ１３とサスペンションアーム１２とが導電可能な状態で接着されている。この場合、ヘッドスライダ１３とサスペンションアーム１２とが接する面には、上記導電性樹脂が全面に配されていてもよいが、例えば、大部分がエポキシ樹脂等によって接着され、端部などの一部分が導電性樹脂によって導電可能に接着されていてもよい。
【００２８】
以上のようなヘッドジンバルアセンブリ１０は、図１に示すように、支軸３周りに例えばボイスコイルモータによって回転可能となっている。ヘッドジンバルアセンブリ１０を回転させると、ヘッドスライダ１３は、ハードディスク２の半径方向、すなわちトラックラインを横切る方向に移動する。
【００２９】
図３は、図２に示すヘッドスライダ１３の拡大図である。ヘッドスライダ１３は、略直方体形状をなし、アルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）からなる基板とアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料からなる下地層とによって構成される基台２０上に、磁気ヘッド部１９が形成されている。基板及び下地層については後述する。
【００３０】
磁気ヘッド部１９は、薄膜磁気ヘッド１１を備えており、ハードディスク２に対し、情報の記録又は再生の少なくとも一方を行うものである。尚、図では、薄膜磁気ヘッド１１が、基台２０の水平方向における中央付近に形成されているが、形成位置はこれには限定されない。
【００３１】
図３におけるヘッドスライダ１３の上面は、ハードディスク２の記録面に対向する記録媒体対向面であり、エアベアリング面（ＡＢＳ：Ａｉｒ  Ｂｅａｒｉｎｇ  Ｓｕｒｆａｃｅ）Ｓと称される。ハードディスク２が回転する際、この回転に伴う空気流によってヘッドスライダ１３が浮上し、エアベアリング面Ｓはハードディスク２の記録面から離隔する。尚、エアベアリング面Ｓは、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）等のコーティングが施されていてもよい。
【００３２】
図３におけるヘッドスライダ１３の手前側には、薄膜磁気ヘッド１１を保護するために、オーバーコート層２１が設けられている。オーバーコート層２１の表面には、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂ、再生用電極パッド２２ａ，２２ｂ及びヒータ用電極パッド２３が取り付けられている。ヒータの詳細は後述する。尚、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂ及び再生用電極パッド２２ａ，２２ｂは、左右反対に取り付けられていてもよい。また、ヒータ用電極パッド２３についても取り付け位置は限定されず、オーバーコート層２１の表面のどの位置に配置されていてもよい。
【００３３】
記録用電極パッド２１ａ，２１ｂ、再生用電極パッド２２ａ，２２ｂ及びヒータ用電極パッド２３は、サスペンションアーム１２に設けられた端子１５ａ〜１５ｅにそれぞれ電気的に接続されている。本実施形態では、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂがそれぞれ端子１５ｄ，１５ｅに、再生用電極パッド２２ａ，２２ｂがそれぞれ端子１５ｂ，１５ｃに、ヒータ用電極パッド２３が端子１５ａに電気的に接続されている。
【００３４】
各電極パッドと端子１５ａ〜１５ｅとの接続に際しては、例えば、ボンディングの材質として金を用いたボールボンディング（ゴールドボールボンディング；Ｇｏｌｄ  Ｂａｌｌ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）が用いられる。
【００３５】
更に、端子１５ａ〜１５ｅには、上述した配線１７ａ〜１７ｃが接続されている。本実施形態において、再生用電極パッド２２ａ，２２ｂに電気的に接続された配線１７ｃ，１７ｃは、ヒータ用電極パッド２３に電気的に接続された配線１７ａと共に、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂに電気的に接続された配線１７ｂ，１７ｂとは反対の方向に折り返されてヘッドスライダ１３の周囲を回り込み、図２に示す端子１６ｂ，１６ｃに接続される。配線１７ｂ，１７ｂは、端子１６ｄ，１６ｅに接続され、配線１７ａは、端子１６ａに接続される。
【００３６】
図４は、磁気ヘッド部１９におけるエアベアリング面Ｓに対して垂直な方向の概略断面図である。磁気ヘッド部１９は、基台２０上に、再生用のＧＭＲ素子（磁気抵抗効果素子；Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）３０を有する再生ヘッド部３１と、記録用の誘導型の電磁変換素子としての記録ヘッド部３２とを積層した複合型薄膜磁気ヘッドとなっている。ＧＭＲ素子は、磁気抵抗変化率が高い巨大磁気抵抗効果を利用したものである。尚、ＧＭＲ素子の代わりに、異方性磁気抵抗効果を利用するＡＭＲ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子、トンネル接合で生じる磁気抵抗効果を利用するＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ−ｔｙｐｅ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子等を利用してもよい。
【００３７】
再生ヘッド部３１は、この再生ヘッド部３１を挟むように配された上部シールド層４５ａと下部シールド層４２とを備えている。
【００３８】
記録ヘッド部３２は、一部が磁極部分層３４ａとヨーク部分層３４ｂとに囲まれた２層の薄膜コイル３５，３６を備えている。
【００３９】
また、記録ヘッド部３２上には、記録ヘッド部３２を覆うようにオーバーコート層２１が形成されている。そして、オーバーコート層２１内には、Ｃｕ，ＮｉＦｅ，Ｔａ，Ｔｉ，ＣｏＮｉＦｅ合金，ＦｅＡｌＳｉ合金等で形成されたヒータ（通電素子）４０が設けられている。このヒータ４０は、通電による発熱で周囲の層を熱膨張させ、ＧＭＲ素子３０とハードディスク２との間隔を調整するものである。
【００４０】
ヒータ４０は、図中上下方向に伸びたＣｕ等の導電材料からなる導電部４１が電気的に接続されている。該導電部４１の上端は、磁気ヘッド部１９における基台と反対側に位置する面、すなわちオーバーコート層２１の表面（第１の面）Ａにおいて、該面Ａ上に取り付けられたヒータ用電極パッド２３に接続されている。一方、導電部４１の下端は、基板３８に接続されている。
【００４１】
また同様に、再生ヘッド部３１及び記録ヘッド部３２に関しても、導電材料からなる２つの導電部（図４では、再生ヘッド部３１用の導電部５１のみを示す）が電気的に接続されており、表面（第１の面）Ａにおいて、それぞれ上述した再生用電極パッド２２ａ，２２ｂ、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂに接続されている。
【００４２】
尚、ヒータ用電極パッド２３、記録用電極パッド２１ａ，２１ｂ及び再生用電極パッド２２ａ，２２ｂは、図４の紙面に対し垂直な方向に並設されているため、図４では、ヒータ用電極パッド２３についてのみを示している。
【００４３】
図５は、ヒータ４０の一例を示す平面図である。ヒータ４０は、一本のラインを蛇行させた構造となっており、ラインの両端にはそれぞれ第１電極（第１の極）８５ａ及び第２電極（第２の極）８５ｂが接続されている。第１電極８５ａは、図４に示した導電部４１を介してヒータ用電極パッド２３に電気的に接続される。また、第２電極８５ｂは、図４に示した導電部４１を介して基板３８に電気的に接続される。
【００４４】
以上のように構成されたヘッドスライダ１３では、ヒータ４０の第１の極８５ａが、導電部４１ｂの上段（後述の第８導電層４１ｉ）を介して第１の面（面Ａ）に備えられたヒータ用電極パッド２３に電気的に接続されている。また、ヒータ４０の第２の極は、導電部４１の下段（後述の第１導電層４１ａ〜第７導電層４１ｇ）を介して基板３８に電気的に接続され、更に基板３８を介して第１の面とは異なる面（第２の面）Ｂに電気的に接続されている。本実施形態では、図４に示すように、第２の極は、ヘッドスライダ１３のエアベアリング面Ｓと反対側の側面、すなわち、サスペンションアーム１２と接する面に電気的に接続される。従って、第２の極はサスペンションアーム１２を介して導電可能となり、図４に示す矢印Ｅの導電経路を通ることにより、ヒータ４０が通電可能となる。
【００４５】
図６は、ヒータ４０の通電状態を示す模式図である。同図において、矢印は、電流の流れを示している。図６に示すように、サスペンションアーム１２の基端側（図の左側）に備えられた外部端子６１ａから供給された電流は、配線１７ａを通り、ヒータ用電極パッド２３を介してヒータ４０に導通される。そして、ヒータ４０を導通後の電流は、基台２０を介してサスペンションアーム１２を通り、サスペンションアーム１２の基端側に備えられた外部端子６１ｂから外部へと流出する。このように、サスペンションアーム１２を利用して導電させることにより、面Ｂから外部端子６１ｂまでの導電用の配線を設けずに済む。尚、図４及び図６において、電流の流れる方向は逆方向であってもよい。
【００４６】
以上により、本来、ヘッドスライダ１３の同一面内に、各素子の一対の電極パッドを合わせた６つの電極パッドが備えられるところを、本実施形態に係るヘッドスライダ１３では図３に示すように５つで済む。従って、ヘッドスライダ１３の同一面内に備える電極パッドの数を減少できることとなり、ヘッドスライダ１３が小型化された場合であっても、電極パッドの寸法をさほど小さくすることなく、磁気ヘッド部１９の通電素子に通電する配線構造を実現することができる。
【００４７】
ここで、図４に示す磁気ヘッド部１９の製造方法の一例について図７〜図２１を参照して説明する。
【００４８】
まず、アルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）等からなる基板３８に、スパッタリング法によって、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料からなる下地層３９を厚さ約１μｍ〜約１０μｍで形成する。基板３８及び下地層３９は、ヘッドスライダ１３の基台２０を構成する（図７参照）。
【００４９】
続いて、図８を参照する。
【００５０】
図７に示す状態において、後にエアベアリング面Ｓとなる仮想面Ｓ’（便宜上、このように説明する。）から見た下地層３９の後方に、ヒータ４０の導電部４１形成用のホール４１ｈを例えばウェットエッチングにより形成する。次いで、下地層３９の上にフォトレジスト層を所定のパターンに形成し、めっき等により磁性層９０を形成する。これにより、下部シールド層４２と、導電部４１を構成する第１導電層４１ａとが画成される。
【００５１】
その後、スパッタリング法等により絶縁材料７９を積層して、下部シールド層４２と第１導電部４１ａとの間の部分を埋め込んだ後に表面を平坦化する。そして、下部シールド層４２、絶縁材料７９及び第１導電層４１ａの上に、アルミナ等の絶縁材料からなるシールドギャップ層５０を、例えばスパッタリング法により形成する。
【００５２】
続いて、図９を参照する。
【００５３】
図８に示す状態から、仮想面Ｓ’側のシールドギャップ層５０上に、シールドギャップ層７６を形成し、更にその上にＧＭＲ素子３０を形成する。そして、ＧＭＲ素子３０の上に、ＧＭＲ素子３０に電気的に接続されるリード層７７を形成する。図における、シールドギャップ層７６の右側には絶縁層９１を形成する。
【００５４】
次に、ＧＭＲ素子３０及び絶縁層９１を覆うように、例えばスパッタリング法によってＡｌ２Ｏ３等からなる絶縁層４４を形成する。次いで、リード層７７の仮想面Ｓ’から見た後方部分に位置する絶縁層４４において、リソグラフィ技術及びミリング法等を利用し、再生ヘッド部３１の導電部形成用のホール５１ｈを形成する。また、ホール５１ｈの形成と同時に、第１導電層４１ａ上にもリソグラフィ技術及びミリング法等を利用して、絶縁層４４、絶縁層９１及び絶縁層５０を貫通させる。
【００５５】
続いて、図１０を参照する。
【００５６】
図９に示す状態から、フォトレジスト層を所定のパターンに形成し、めっき法等により磁性層９２、ホール５１ｈ上の磁性層９２及び導電部４１を構成する第２導電層４１ｂを形成する。ＧＭＲ素子３０の上方の磁性層９２は第１上部シールド層４５ａとなる。
【００５７】
次に、スパッタリング法等によりシールドギャップ層５３を形成する。次いで、ホール５１ｈ上の磁性層９２及び第２導電層４１ｂの上のシールドギャップ層５３を除去する。次に、フォトレジスト層を所定のパターンに形成し、めっき法等により磁性層９３、ホール５１ｈの上方の磁性層９３及び第２導電層４１ｂの上方に位置する磁性層９３を形成する。これにより、導電部４１を構成する第３導電層４１ｃが形成される。ＧＭＲ素子３０の上方の磁性層９３は第２上部シールド層４５ｂとなる。その後、磁性層９２，９３の除去された部分に絶縁層９４を埋め込み、全体を平坦化する。
【００５８】
次に、第２上部シールド層４５ｂ上の一部に更にシールド層５５を形成する。そして、ホール５１ｈ上方と第３導電層４１ｃの上方とを除いた全体に、例えばアルミナ膜よりなる記録ギャップ層３３を形成する。
【００５９】
また、シールド層５５上の記録ギャップ層３３上に、図示しない絶縁膜を介して、例えばめっき法等を利用して、１層目の薄膜コイル３６を厚さ約１μｍ〜約３μｍで形成する。薄膜コイル３６は、例えば銅（Ｃｕ）により形成される。尚、図に示す薄膜コイル３６は、その断面形状を簡略化して四角形状で示している。このときの概略平面図（図１０の上方から見た図）を図１１に示す。
【００６０】
次いで、シールド層５５の一部と、ホール５１ｈの上方の磁性層９３と、第３導電層４１ｃとの上に、リソグラフィ技術及びミリング法等を利用して同時に磁性層９５を形成する。これにより、導電部４１を構成する第４導電層４１ｄが形成される。シールド層５５の上方の磁性層９３は磁極部分層３４ａとなる。
【００６１】
続いて、図１２を参照する。
【００６２】
図１０に示す状態から、絶縁層８１を積層し全体を平坦化する。そして、絶縁層８１の上にフォトレジスト層５６を所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト層５６の上で、かつ薄膜コイル３６の上方に第２層目の薄膜コイル３５を形成する。このとき、ホール５１ｈの上方の絶縁層９５と、第４導電層４１ｄとの上に、薄膜コイル３５と同様の層９６を薄膜コイル３５と同じ材料で形成する。これにより、導電部４１を構成する第５導電層４１ｅが形成される。尚、本実施形態では薄膜コイルを２層積層するが、１層でもよいし３層以上の多層としてもよく、層の数や形成手順はこれに限られない。
【００６３】
このときの概略平面図を図１３に示す。図１３に示す導電部３５ａ，３５ｂは、記録ヘッド部３２の導電部を示しており、記録ヘッド部３２を形成した後、再生ヘッド部３１の導電部３５ｂと同時に形成される。
【００６４】
続いて、図１４を参照する。
【００６５】
図１２に示す状態から、２層目の薄膜コイル３５上に絶縁層９７を形成し、更に、薄膜コイル３５の一部を覆い、且つ、磁性部分層３４ａと繋がるようにヨーク部分層３４ｂを形成する。このとき、第５導電層４１ｅ上に、ヨーク部分層３４ｂと同じ材料で層９８をヨーク部分層３４ｂと同時に形成する。これにより、導電部４１を構成する第６導電層４１ｆが形成される。尚、上述した磁極部分層３４ａとヨーク部分層３４ｂとを一体に形成してもよい。
【００６６】
そして、第６導電層４１ｆ上に導電部４１を構成する第７導電層４１ｇを形成した後、全体を覆うように、例えば、スパッタリング法によって、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料からなるオーバーコート層２１を形成する。このとき、図１３に示す、再生ヘッド部３１の導電部３５ａ，３５ｂと，記録ヘッド部３２の一対の導電部９６とを、導電部４１と同様に導電部４１の上端と同じ高さ位置まで形成する。この状態の概略平面図を図１５に示す。
【００６７】
続いて、図１６を参照する。
【００６８】
図１４に示す状態から、オーバーコート層２１上で、かつ導電部４１の上端に接する位置において、例えばめっき法によってＣｕ，ＮｉＦｅ，Ｔａ，Ｔｉ，ＣｏＮｉＦｅ合金，ＦｅＡｌＳｉ合金等の導電性材料からなるヒータ４０を形成する。このときの概略平面図を図１７に示す。
【００６９】
図１７において、ヒータ４０の両端は、第１電極（第１の極）８５ａ及び第２電極（第２の極）８５ｂとなっており、第２電極（第２の極）８５ｂは、第７導電層４１ｇに接続されている。また、図１５に示す、再生ヘッド部３１の導電部３５ａ，３５ｂと，記録ヘッド部３２の一対の導電部９６とは、オーバーコート層２１の表面まで形成されている。
【００７０】
続いて、図１８を参照する。
【００７１】
図１６に示す状態から、ヒータ４０上に絶縁材料よりなるヒータコイルキャップ層８９を形成する。次いで、図１７に示すヒータ４０の第１電極８５ａの上に、導電部４１を構成する第８導電層４１ｉを形成する。このとき、第８導電層４１ｉは、第１電極８５ａに接触した状態で形成する。そして、全体を覆うように、更にオーバーコート層２１を形成する。次いで、例えば、研磨等をオーバーコート層２１に施すことにより、第８導電層４１ｉの上端をオーバーコート層２１における基台２０の反対側の面に露出させる。このときの概略平面図を図１９に示す。図１９において、図１７に示す、再生ヘッド部３１の導電部３５ａ，３５ｂと，記録ヘッド部３２の一対の導電部９６とは、オーバーコート層２１の表面まで形成する。
【００７２】
そして最後に、導電部４１（第８導電層４１ｉ）の上端部にヒータ用電極パッド２３を配設する（図２０参照）。このとき、再生ヘッド部３１及び記録ヘッド部３２についても同様に電極パッドを配設する。このときの概略平面図を図２１に示す。
【００７３】
以上により、本発明の実施形態に係る磁気ヘッド部１９が完成する。
【００７４】
尚、ヒータ４０は、例えば、基板３８とＧＭＲ素子３０との間に位置する層に設けてもよいし、再生ヘッド部３１おけるエアベアリング面Ｓとは反対側、すなわちエアベアリング面Ｓから見た再生ヘッド部３１の裏側に設けてもよい。
【００７５】
また、ヒータは、上述した位置に一つだけ配置してもよいし、２つに分割して配置してもよい。図２２は、ヒータが分割して配置された磁気ヘッド部１９の一例を示す概略断面図である。同図において、分割配置されたヒータ６０は、図４に示すオーバーコート層２１内に設けられたヒータ４０と同じ高さ位置に配されている。同図では、ヒータ４０の高さ位置での分割配置を示しているが、高さ位置は限定されない。
【００７６】
上述したようにして磁気ヘッド部１９が完成したとき、磁気ヘッド部１９は、一枚の基板３８上に複数形成された状態となっている。この状態から図３に示すヘッドスライダ１３を得るためには、まず、基板３８を切断して磁気ヘッド部１９が列状に配置された複数本のバーとし、更に、そのバーを切断して、それぞれが磁気ヘッド部１９を有するブロック単位に切断する。その後、所望のスライダレールを形成し（図示せず）、イオンミリング等を施し、ヘッドスライダ１３が完成する。
【００７７】
そして、このヘッドスライダ１３をサスペンションアーム１２の先端側に面Ｂが接するように搭載する。ヘッドスライダ１３に電気的に接続する配線１７ａ〜１７ｃをサスペンションアーム１２上に這わせ、配線１７ａ〜１７ｃの一端をサスペンションアーム１２の先端側に設けられた端子１５ａ〜１５ｅにボンディングし、他端をサスペンションアーム１２の基端側に設けられた端子１６ａ〜１６ｅにボンディングすることによってヘッドジンバルアセンブリ１０を作製することができる。ヘッドジンバルアセンブリ１０を作製した後、ヘッドスライダ１３がハードディスク２上を移動可能で、且つ、磁気信号の記録及び再生が可能となるように組み立てることで、図１に示したハードディスク装置１が完成する。
【００７８】
以上、本発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、第１の極が第１の面に備えられた電極パッドに接続され第２の極が第１の面とは異なる第２の面を介して導電可能な通電素子をヒータ４０としている。しかし、当該通電素子はヒータ４０に限られず、記録ヘッド部３２または再生ヘッド部３１であってもよい。
【００７９】
また、本実施形態では、基台２０が第２の面を有しており、ヒータ４０の第２電極は、その基台２０における第２の面（面Ｂ、つまりスライダ背面）を介して通電可能となっている。しかし、ヘッドスライダ１３の側面（基台またはオーバーコート層）を第２の面とし、その面を介して第２電極を通電可能としてもよい。また、基台２０等における第２の面とサスペンションアーム１２との間には、電極パッドを備え、配線を通じて導通されていてもよい。
【００８０】
更に、第２の面は、ヘッドスライダ１３におけるサスペンションアーム１２に接触しない側面であってもよい。この場合、ヘッドスライダ１３は、エポキシ樹脂等を介してサスペンションアーム１２に接着され、ヘッドスライダ１３とサスペンションアーム１２とは絶縁される。そして、第２の面とサスペンションアーム１２とは、例えば導電性樹脂を介することによって導電可能とされる。
【００８１】
【発明の効果】
本発明によれば、小型化された場合であっても対応可能な配線構造を有するヘッドスライダ、ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態のヘッドスライダを備えたハードディスク装置を示す図である。
【図２】図１に示すハードディスク装置に備えられ、薄膜磁気ヘッドが形成されたヘッドスライダを搭載したヘッドジンバルアセンブリの斜視図である。
【図３】図２に示すヘッドスライダの拡大図である。
【図４】磁気ヘッド部におけるエアベアリング面Ｓに対して垂直な方向の概略断面図である
【図５】ヒータの一例を示す平面図である。
【図６】図４に示すヒータの通電状態を示す模式図である。
【図７】ヘッドスライダの製造方法の一例を示す図である。
【図８】ヘッドスライダの製造方法の一例を示す図である。
【図９】ヘッドスライダの製造方法の一例を示す図である。
【図１０】ヘッドスライダの製造方法の一例を示す図である。
【図１１】図１０に示すヘッドスライダの概略平面図である。
【図１２】ヘッドスライダの製造方法の一例を示す図である。
【図１３】図１２に示すヘッドスライダの概略平面図である。
【図１４】ヘッドスライダの製造方法の一例を示す図である。
【図１５】図１４に示すヘッドスライダの概略平面図である。
【図１６】ヘッドスライダの製造方法の一例を示す図である。
【図１７】図１６に示すヘッドスライダの概略平面図である。
【図１８】ヘッドスライダの製造方法の一例を示す図である。
【図１９】図１８に示すヘッドスライダの概略平面図である。
【図２０】ヘッドスライダの製造方法の一例を示す図である。
【図２１】図２０に示すヘッドスライダの概略平面図である。
【図２２】ヒータが分割して配置された薄膜磁気ヘッドの一例を示す概略断面図である
【符号の説明】
１…ハードディスク装置、２…ハードディスク、１０…ヘッドジンバルアセンブリ、１１…薄膜磁気ヘッド、１２…サスペンションアーム、１３…ヘッドスライダ、１９…磁気ヘッド部、２０…基台、２１…オーバーコート層、２１ａ，２１ｂ…記録用電極パッド、２２ａ，２２ｂ…再生用電極パッド、２３…ヒータ用電極パッド、３１…再生ヘッド部（磁気抵抗効果素子）、３２…記録ヘッド部（誘導型電磁変換素子）、３８…        基板、４０…ヒータ、６０…ヒータ、８５ａ…第１電極（第１の極）、８５ｂ…第２電極（第２の極）、Ｓ…エアベアリング面、Ａ…第１の面、Ｂ…第２の面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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