(57)【要約】【課題】ｎ型窒化物半導体のための電極であって、経時的特性に優れかつ機械的強度の高い良好なオーミック電極を提供する。【解決手段】ｎ型ＧａＮコンタクト層（１０２）に対して、コンタクト層表面からＴｉ層、Ａｌ層、Ｍｏ層、Ｐｔ層、Ａｕ層を順次積層して電極構造（１１２）を作製する。従来ｎ型電極としてよく用いられているＴｉ層、Ａｌ層、Ｍｏ層、Ａｕ層の積層構造に比べ、Ｐｔ層を挿入したことにより、Ａｕ層の剥がれが抑えられる。また、Ａｕ層のコンタクト層側への拡散をほぼ完全に抑止することができて、電極の特性が経時的に劣化するのが防止される。【選択図】  図４
2004221493.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型不純物を含むＩＩＩ族窒化物半導体のための電極構造であって、
Ｈｆ、Ｔｉ、Ｓｃ、Ｙ、ＬａおよびＺｒのうち少なくとも１種類を含む第１の層と、
Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ、ＺｒおよびＴａのうち少なくとも１種類を含む第２の層と、
Ｐｔ、ＣｒおよびＺｒのうち少なくとも１種類からなる第３の層と、
ＡｕおよびＡｌのいずれかを含む第４の層を
この順に窒化物半導体側から含むことを特徴とする電極構造。
【請求項２】
第１の層にさらにＡｌを含むことを特徴とする請求項１に記載の電極構造。
【請求項３】
第１の層が、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｓｃ、Ｙ、ＬａおよびＺｒのうち少なくとも１種類を含み窒化物半導体側に位置する層と、Ａｌよりなり第２の層側に位置する層より成ることを特徴とする請求項１に記載の電極構造。
【請求項４】
第４の層にさらにＮｉを含むことを特徴とする請求項１に記載の電極構造。
【請求項５】
第４の層にさらにＰｄを含むことを特徴とする請求項１に記載の電極構造。
【請求項６】
ｎ型不純物を含むＩＩＩ族窒化物半導体のための電極構造の作製方法であって、
窒化物半導体の上に、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｓｃ、Ｙ、ＬａおよびＺｒのうち少なくとも１種類を含む第１の層を形成する工程と、
第１の層の上に、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ、ＺｒおよびＴａのうち少なくとも１種類を含む第２の層を形成する工程と、
第２の層の上に、Ｐｔ、ＣｒおよびＺｒのうち少なくとも１種類からなる第３の層を形成する工程と、
第３の層の上に、ＡｕおよびＡｌのいずれかを含む第４の層を形成する工程と、
第１の層を形成した後かつ第２の層を形成する前に、３００℃以上かつ９００℃以下の熱処理を行う工程を含むことを特徴とする電極構造の作製方法。
【請求項７】
前記熱処理を行う工程を、１．５Ｐａ以下の真空の雰囲気、またはＮ２もしくはＡｒの雰囲気で行うことを特徴とする請求項６に記載の電極構造の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザダイオードをはじめとするＩＩＩ族窒化物半導体デバイスにおけるｎ型オーミック電極に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩｎｘＧａｙＡｌｚＮ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ，ｙ，ｚ≦１）で表わされるＩＩＩ族窒化物系化合物半導体は、大きなエネルギーバンドギャップや高い熱安定性を有し、発光素子や高温デバイスを初めとして様々な応用展開が可能な材料系として期待されている。中でも発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ；ＬＥＤ）としては、青〜緑の波長域で数ｃｄ級のデバイスが実用に供されている。また、次世代高密度光ディスク用光源として、同材料系を用いたレーザダイオード（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ；ＬＤ）の実用化も目前のものとなってきている。
【０００３】
このようなＩＩＩ族窒化物半導体デバイスにおけるｎ型オーミック電極としては、Ａｌ電極や、Ａｌ／Ｔｉ電極の開発が進められてきた。Ａｌ電極には十分なオーミック特性が得にくいことや電極形成後の熱処理工程により電極が変質することなどの問題点があったが、ｎ型ＧａＮとのコンタクトにＴｉを用いてＡｌ／Ｔｉ電極とすることにより、これらの問題点はある程度解決された（特開平７−４５８６７号公報）。
【０００４】
実際に電極をデバイスに実装する際には、電極に給電線を接合したり、電極面をＣｕブロックなどの基体にマウントするなどの工程が必要となるが、このために、電極構造の最表面にＡｕ層を配置することが好ましい。このような電極構造として、前記Ａｌ／Ｔｉ電極の上方にＡｕと、Ａｕの拡散を抑止するためにバリア層となる金属を配したＡｕ／Ｐｔ／Ａｌ／Ｔｉ電極（特開平１０−２００１６１号公報）や、その欠点を改善したＡｕ／Ｍｏ／Ａｌ／Ｔｉ電極（特開２００２−１３４８２２号公報）を用いてきた。
【０００５】
【特許文献１】特開平７−４５８６７号公報
【特許文献２】特開平１０−２００１６１号公報
【特許文献３】特開２００２−１３４８２２号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記Ａｕ／Ｐｔ／Ａｌ／Ｔｉ電極では、Ｐｔがガスを吸着しやすいという材料的な性質を有しているために、Ａｌ層との密着性が他の界面に比べて悪く、特に、高密度の電流を注入したときに電極剥れが発生しやすいという問題点があった。このような電極を例えばＬＤ素子に実装すると、発振閾値の劣化や動作電圧の経時的劣化につながり好ましくない。
【０００７】
また、このＡｕ／Ｐｔ／Ａｌ／Ｔｉ電極の欠点を克服するために本出願人が特開２００２−１３４８２２号公報にて提案したＡｕ／Ｍｏ／Ａｌ／Ｔｉ電極では、逆に、Ａｕ層とＭｏ層の界面の密着強度が他の界面に比べて悪く、Ａｕ層表面に給電線をボンディングしたり、Ａｕ層表面をＣｕブロックなどの基体にマウントしたりするときに、Ａｕ層が剥れてしまうことが判明した。これは、Ｍｏ層のＡｕに対するバリア効果が高いために、マウント時にはんだ材（ロー材）と合金化することにより接着させるために設けられているＡｕ層が、選択的にはんだ材とのみ合金化することが進んで、Ａｕ／Ｍｏ間の密着性が不充分になるためと考えられる。
【０００８】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、ｎ型不純物を含むＩＩＩ族窒化物半導体のための低抵抗の電極構造であって、各界面の密着強度が高く、電極剥がれを生じることのないものを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明では、ｎ型不純物を含むＩＩＩ族窒化物半導体のための電極構造は、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｓｃ、Ｙ、ＬａおよびＺｒのうち少なくとも１種類を含む第１の層と、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ、ＺｒおよびＴａのうち少なくとも１種類を含む第２の層と、Ｐｔ、ＣｒおよびＺｒのうち少なくとも１種類からなる第３の層と、ＡｕおよびＡｌのいずれかを含む第４の層をこの順に窒化物半導体側から含む構成とする。
【００１０】
第１の層の上に位置する第２の層は、さらにその上に位置する第４の層の金属（ＡｕまたはＡｌ）が、窒化物半導体方向に拡散してきた場合の第１バリア層としての機能を有している。Ｍｏは高融点金属であり、その線熱膨張係数が、ＩＩＩ族窒化物の代表的なＧａＮ半導体のＣ面に平行方向のそれにほぼ近く、バリア層として好適な金属材料である。本出願人はこの機能を持たせ得る金属材料としてＣｒ、Ｗ、ＺｒおよびＴａがあることを確認しており、Ｍｏの他にこれらの金属も第２の層として用いることができる。第２の層をなすこれらの金属は、単体でなければならないということはなく、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｚｒ、Ｔａのうち少なくとも１種類以上の金属が含まれていれば、上記Ｍｏ層と同等の役割を果たすことができる。
【００１１】
また、第２の層の上に位置する第３の層は、第４の層の金属が拡散してきた場合の第２バリア層としての機能を有するとともに、第２の層と第４の層との間の密着性を高める効果を有する。前述したように、Ｐｔは本質的にガス吸着を起こしやすい材料であり、Ａｌなどの上面に直接形成すると電極剥がれを引き起こしやすい。しかし、ＰｔのＭｏに対する密着性は、Ａｌに対するそれよりも高い。これはＭｏがＡｌよりもガス吸着を起こしにくく、またＰｔの融点などのパラメータもＡｌよりもＭｏに近いため、成膜直後から電極界面に生じる応力が小さくなるためであると考えられる。
【００１２】
また、ＰｔはＡｕとの間に化合物を形成し、Ａｕ／（Ｐｔ−Ａｕ化合物）／Ｐｔ積層構造を容易に形成する。このＰｔ−Ａｕ化合物は熱的に非常に安定しており、いったんこの化合物が形成されると、ＡｕとＰｔがＰｔ−Ａｕ化合物層を越えて反応することは困難である。つまり、マウント時に密着性の劣るＭｏ／Ａｕ界面が形成されるのが抑制される。本発明者はＰｔの他に同様の役割を有する金属材料としてＣｒおよびＺｒがあることを確認しており、これらも第３の層として用いることができる。第３の層をなすこれらの金属は単体でなければならないということはなく、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｚｒのうち少なくとも１種類の金属が含まれていれば、上記Ｐｔ層と同等の役割を果たすことができる。
【００１３】
第３の層の上に位置する第４の層は、電極構造をデバイスに実装する際に給電線を接合したり、電極面をＣｕブロックなどの基体にマウントするために利用されるボンディング層である。マウント等の際には、はんだ材や給電線（Ａｕ系やＡｌ系のワイヤ）と容易に合金化することにより、強固な接着を可能にする。このような役割を果たす金属材料として、ＡｕとＡｌのいずれを用いてもよいし、ＡｕとＡｌの化合物を用いてもよい。また、この層にＮｉあるいはＰｄが含まれていると、給電線やＣｕブロックなどとの密着強度がさらに強まり、製造工程上好ましい。
【００１４】
ＩＩＩ族窒化物半導体上に位置する第１の層をなすＨｆは、電極金属−半導体層間の界面反応を促進する働きを有しており、電極構造が低抵抗オーミック性を有するために必要であるとともに、その上方に形成される電極金属と半導体層間の密着強度を向上させる効果がある。本発明者はＨｆの他に同様の役割を有する金属材料として、Ｔｉ、Ｓｃ、Ｙ、ＬａおよびＺｒがあることを確認しており、これらも第１の層として用いることができる。第１の層をなすこれらの金属は単体でなければならないということはなく、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｚｒのうち少なくとも１種類の金属が含まれていれば、上記Ｈｆ層と同等の役割を果たすことができる。
【００１５】
第１の層はＡｌを含んでいてもよい。Ａｌは、電極構造に低抵抗オーミック性をもたせるのに有用である。
【００１６】
上記の電極構造の作製に際しては、ＩＩＩ族窒化物半導体の上に、第１の層、第２の層、第３の層および第４の層をこの順に積層するとともに、第１の層の形成後、第２の層の形成前に、３００〜９００℃の範囲で熱処理を行うとよい。この熱処理は、前記Ｍｏを含む積層構造がＩＩＩ族窒化物半導体との間で低抵抗オーミック特性を示すための焼鈍工程として行うものである。熱処理は真空中、あるいはＮ２やＡｒなど不活性ガス雰囲気中で行われる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の電極構造およびその作製方法をＬＤ素子に適用した２つの実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、これらの実施形態は好ましい例にすぎず、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１８】
＜第１の実施形態＞
最初に、図１に示すように、Ｃ面の結晶面を有するサファイア基板１００上に、ＧａＮバッファ層１０１、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０２、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０３、ｎ型ＧａＮ光ガイド層１０４、ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層１０５、ｐ型ＧａＮ光ガイド層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ層１０７、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８を、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により順次エピタキシャル成長させ、ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造を作製する。
【００１９】
続いて、図２に示すように、このＧａＮ系半導体積層構造上に、ドライエッチングマスク１０９を作製した後、ドライエッチングマスク１０９で被覆されていない部分を、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）法によりｎ型ＧａＮコンタクト層１０２まで掘り下げ、メサ構造を形成する。そして、ドライエッチングマスク１０９を完全に除去し、メサ上部に絶縁膜１１０によるストライプパターンを形成する。
【００２０】
次に、図３に示すように、メサ上部に、Ａｕ／Ｍｏ／Ｐｄからなるｐ型電極１１１を形成し、さらに、メサ底部にあたるｎ型ＧａＮコンタクト層１０２上に、Ａｕ／Ｐｔ／Ｍｏ／Ａｌ／Ｔｉからなるｎ型電極１１２を形成する。ｎ型電極１１２の断面を図４に模式的に示す。ここで、Ｔｉ（１１２ａ）とＡｌ（１１２ｂ）が本発明における第１の層、Ｍｏ（１１２ｃ）が第２の層、Ｐｔ（１１２ｄ）が第３の層、Ａｕ（１１２ｅ）が第４の層である。
【００２１】
このｎ型電極１１２の形成においては、Ａｌ／Ｔｉ積層構造を成膜した後、素子構造全体をＮ２雰囲気下において、約４５０℃で３分間熱処理し、その後、Ａｕ／Ｐｔ／Ｍｏ積層構造をＡｌ層の上に形成する工程をとる。
【００２２】
なお、各電極金属の積層膜厚は、ｐ型電極１１１では、Ａｕが２００ｎｍ、Ｍｏが１５ｎｍ、Ｐｄが１５ｎｍ、ｎ型電極では、Ａｕが２００ｎｍ、Ｐｔが１５ｎｍ、Ｍｏが３０ｎｍ、Ａｌが１５０ｎｍ、Ｔｉが３０ｎｍである。
【００２３】
このようにして作製した本実施形態のＬＤ素子のｎ型電極に、給電線としてＡｕワイヤをボンディングしたところ、従来のようにｎ型電極としてＡｕ／Ｍｏ／Ａｌ／Ｔｉ電極を使用した場合と比べて、ボンディング時にＡｕ層が剥がれてしまう不良の発生頻度を大きく減じることができた。また、ＬＤ素子に電流を注入して一定出力駆動試験を行ったところ、ｎ型電極劣化により動作電圧が増加して不良となるケースが減少することを確認できた。
【００２４】
＜第２の実施形態＞
最初に、図５に示すように、［０００１］面の面方位を有するｎ型ＧａＮ基板２００上に、ｎ型ＧａＮバッファ層２０１、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２０２、ｎ型ＧａＮ光ガイド層２０３、ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層２０４、ｐ型ＧａＮ光ガイド層２０５、ｐ型ＡｌＧａＮ層２０６、ｐ型ＧａＮコンタクト層２０７を、ＭＯＣＶＤ法により順次エピタキシャル成長させ、ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造を作製する。
【００２５】
続いて、図６に示すように、ｐ型ＧａＮコンタクト層２０７の上面に絶縁膜２０８によるストライプパターンを形成する。次に、ｐ型ＧａＮコンタクト層２０７上にＡｕ／Ｍｏ／Ｐｄからなるｐ型電極２０９を形成し、さらに、ｎ型ＧａＮ基板２００の裏面に、Ａｕ／Ｐｔ／Ｍｏ／Ａｌ／Ｈｆからなるｎ型電極２１０を形成する。ｎ型電極２１０の断面を図７に模式的に示す。ここで、Ｈｆ（２１０ａ）とＡｌ（２１０ｂ）が本発明における第１の層、Ｍｏ（２１０ｃ）が第２の層、Ｐｔ（２１０ｄ）が第３の層、Ａｕ（２１０ｅ）が第４の層である。
【００２６】
このｎ型電極２１０の形成においては、Ａｌ／Ｈｆ積層構造を成膜した後、素子構造全体を５×１０−４Ｐａの真空雰囲気下において５００℃で１０分間熱処理し、その後Ａｕ／Ｐｔ／Ｍｏ積層構造をＡｌ層の上に形成する工程をとる。
【００２７】
なお、各電極金属の積層膜厚は、ｐ型電極２０９では、Ａｕが２００ｎｍ、Ｍｏが１５ｎｍ、Ｐｄが１５ｎｍ、ｎ型電極２１０では、Ａｕが２００ｎｍ、Ｐｔが１５ｎｍ、Ｍｏが３０ｎｍ、Ａｌが１５０ｎｍ、Ｈｆが１０ｎｍである。
【００２８】
本実施形態では、窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる基板として、ｎ型ＧａＮ基板を使用している。このため、第１の実施形態とは異なり、ｐ型電極とｎ型電極を素子構造の上下に対向して形成することができる。
【００２９】
また、本実施形態のＬＤ素子を、ｎ型電極２１０を下に向けて（マウント面側として）、給電と放熱の用途を兼ねたＣｕブロックに加熱マウントした。Ｃｕブロック表面には、密着性を高めるためのはんだ材としてＡｕＳｎ合金膜を成膜しておいた。
【００３０】
第１の実施形態のようなワイヤボンディングとは異なり、Ｃｕブロックへｎ型電極全面を加熱マウントする場合には電極自体に直接的に熱が伝わる。このため、Ａｕ層剥がれやＡｕ層のコンタクト層方向への拡散などの不良が生じやすく、これらの問題を抑制するためにはマウント時の温度や時間を精度よく制御する必要があった。
【００３１】
しかし、本発明のｎ型電極であるＡｕ／Ｐｔ／Ｍｏ／Ａｌ／Ｈｆ電極では、従来のｎ型電極であるＡｕ／Ｍｏ／Ａｌ／Ｔｉ電極に比べて、Ａｕ層の密着強度が大きく改善されているために、Ａｕ層剥がれ不良の発生を抑えることができ、また、Ａｕ層の拡散を防ぐバリア層として、Ｍｏ層に加えてＰｔ層も機能するため、Ａｕ層の拡散による電極の劣化も発生することがほとんど無くなっている。
【００３２】
Ａｕ／Ｍｏ／Ａｌ／Ｔｉ電極をＡｕＳｎはんだでマウントし、剥がれたチップを観察したところ、剥がれた表面にはＭｏが露出していた。つまり、マウント時にはんだ材とＡｕとは十分に合金化が進むものの、Ｍｏとはんだ材やＭｏとＡｕ間では合金化反応が進まないために、Ｍｏの表面の部分で剥がれが生じたものと考えられる。
【００３３】
Ａｕ／Ｐｔ／Ｍｏ／Ａｌ／Ｈｆの構成による密着性改善の効果は、ＬＤ素子に電流を注入して一定出力駆動試験を行った場合も同様であり、ｎ型電極劣化に起因する動作電圧増加不良の発生を大きく低減できることが確認された。
【００３４】
なお、本実施形態では、基板としてｎ型ＧａＮ基板を使用しているため、第１の実施形態で説明したサファイア基板を用いるＬＤ素子に比べ、欠陥密度の低減などによりエピタキシャル層の結晶性が向上し、ＬＤ素子としての特性が向上する。
【００３５】
上記第１、第２の実施形態のｎ型電極では、ｎ型コンタクト層に接触する金属（第１の層）としてＴｉあるいはＨｆを用いているが、このほかにＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｚｒの単体、あるいはこれらの１種類以上を含む合金であれば、本発明の電極構造として同様の効果があることが確認できた。これらの材料について適正な膜厚を検討したところ、１〜１００ｎｍの範囲であればよいことが分かった。
【００３６】
また、各実施形態のｎ型電極では、Ｔｉ層あるいはＨｆ層の上方に形成する金属層（第２の層）としてＭｏ層を用いているが、このほかにＣｒ、Ｗ、Ｚｒ、Ｔａの単体、あるいはこれらの１種類以上を含む合金であれば、本発明の電極構造として同様の効果があることが確認できた。これらの材料についても適正な膜厚を検討したところ、１〜２００ｎｍの範囲であればよいことが分かった。
【００３７】
さらに、各実施形態のｎ型電極では、Ｍｏ層の上方に形成する金属層（第３の層）としてＰｔ層を用いているが、このほかにＣｒ、Ｚｒの単体、あるいはこれらの１種類以上を含む合金であれば、本発明の電極構造として同様の効果があることが確認できた。これらの材料についても適正な膜厚を検討したところ、１〜２００ｎｍの範囲であればよいことが分かった。
【００３８】
また、各実施形態のｎ型電極では、電極構造の最も外側に成膜する金属（第４の層）としてＡｕを用いているが、この他にＡｌを用いてもよいし、あるいはＡｕとＡｌの化合物を用いてもよい。また、この最も外側の層にＮｉあるいはＰｄが含まれている場合には、Ｃｕブロック上のはんだ材や給電線との接着強度がより高まることが確認できた。
【００３９】
また、各実施形態では、電極形成後の熱処理をＮ２雰囲気あるいは真空雰囲気で行ったが、この他にＡｒ雰囲気で行ってもよい。真空雰囲気を採用する場合、圧力が１．５Ｐａ以下であればよい。熱処理温度については、ｎ型コンタクト層に接触する金属としてどのようなものを使用するかにより異なるが、３００〜９００℃の範囲で選択することができる。また熱処理時間に関しては、１〜１２０分の範囲で選択することが好ましいことが分かった。
【００４０】
また、各実施形態では、ｎ型コンタクト層の材料としてＧａＮを選択しているが、これは本発明の電極を適用したＬＤ素子構造に起因するものであって、本発明は、これに限らず、ｎ型のＩｎＧａＮやＡｌＧａＮ、あるいは４元混晶であるｎ型のＩｎＧａＡｌＮがコンタクト層であっても、効果を奏する。
【００４１】
また、マウントのためのはんだ材としては、各実施形態で示したＡｕＳｎ系合金のほかに、ＡｕＧｅ系合金やＡｕＳｉ系合金、ＳｎＡｇ系合金、ＳｎＡｇＣｕ系合金、Ｉｎ、ＩｎＡｌ系合金、ＩｎＡｌＧｅ系合金、ＩｎＡｇ系合金、ＡｌＳｉ系合金などの材料も用いることが出来る。
【００４２】
また、各実施形態では、ｐ型電極側のＬＤ素子構造は本発明とは直接関係無いため最も簡易な電極ストライプ型構造を例として選択しているが、リッジストライプ型構造であっても、ＢＨ型構造であっても、本発明のｎ型電極を適用すれば各実施形態と同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００４３】
【発明の効果】
本発明によれば、ｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体に対し、ボンディング時やマウント時に電極剥がれを生じることのない機械的強度の高い良好なオーミック電極を提供することができる。また、機械的強度だけでなく、電極部材のＡｕの拡散を抑止できるため、電極のオーミック特性の劣化も防ぐことができる。これにより、例えばＬＤやＬＥＤなどの発光デバイスにおいて電極ボンディング時あるいはマウント時に発生していた電極不良が抑えられて製造歩留まりが向上するほか、通電時の経時的な電極劣化による動作電圧上昇を抑制することができて、長寿命化に貢献する。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態における窒化物半導体の作製工程を模式的に示す断面図。
【図２】第１の実施形態における窒化物半導体の作製工程を模式的に示す断面図。
【図３】第１の実施形態におけるＩＩＩ族窒化物半導体からなるＬＤ素子の構造を模式的に示す断面図。
【図４】第１の実施形態におけるｎ型電極を模式的に示す断面図。
【図５】第２の実施形態における窒化物半導体の作製工程を模式的に示す断面図。
【図６】第２の実施形態におけるＩＩＩ族窒化物半導体からなるＬＤ素子の構造を模式的に示す断面図。
【図７】第２の実施形態におけるｎ型電極を模式的に示す断面図。
【符号の説明】
１００  サファイア基板
１０１  ＧａＮバッファ層
１０２  ｎ型ＧａＮコンタクト層
１０３  ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層
１０４  ｎ型ＧａＮ光ガイド層
１０５  ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層
１０６  ｐ型ＧａＮ光ガイド層
１０７  ｐ型ＡｌＧａＮ層
１０８  ｐ型ＧａＮコンタクト層
１０９  ドライエッチングマスク
１１０  絶縁膜
１１１  ｐ型電極
１１２  ｎ型電極
１１２ａ、１１２ｂ  第１の層
１１２ｃ  第２の層
１１２ｄ  第３の層
１１２ｅ  第４の層
２００  ｎ型ＧａＮ基板
２０１  ｎ型ＧａＮバッファ層
２０２  ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層
２０３  ｎ型ＧａＮ光ガイド層
２０４  ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層
２０５  ｐ型ＧａＮ光ガイド層
２０６  ｐ型ＡｌＧａＮ層
２０７  ｐ型ＧａＮコンタクト層
２０８  絶縁膜
２０９  ｐ型電極
２１０  ｎ型電極
２１０ａ、２１０ｂ  第１の層
２１０ｃ  第２の層
２１０ｄ  第３の層
２１０ｅ  第４の層
【図１】
2004221493.tif 000003
【図２】
2004221493.tif 000004
【図３】
2004221493.tif 000005
【図４】
2004221493.tif 000006
【図５】
2004221493.tif 000007
【図６】
2004221493.tif 000008
【図７】
2004221493.tif 000009