(57)【要約】【課題】露光マスク作製のドライエッチング工程で発生するローディング効果も考慮した近接効果補正により、設計パターンに対する寸法精度の良好な実パターンをウェハ上に転写形成することが可能な露光マスクの作製方法を提供する。【解決手段】周辺領域におけるパターン面積率を変化させたマスクパターンを有するテスト用の露光マスクを用いてウェハ上にテスト用の転写パターンを形成し、当該転写パターンに基づいて前記パターン面積率毎の近接効果補正用データを得る（ＳＴ５，ＳＴ６）。実パターン形成用の設計データに基づき、補正対象となる各パターンを含む補正セルを中心とした周辺領域内におけるパターン面積率を測定する（ＳＴ１〜ＳＴ３）。各補正セルを中心とした周辺領域内におけるパターン面積率と、前記パターン面積率毎に得た近接効果補正用データとに基づいて、当該補正セル毎に設計パターンを補正した描画データを作成する（ＳＴ７，ＳＴ８）。【選択図】        図１
2004333529.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周辺領域におけるパターン面積率を変化させたマスクパターンを有するテスト用の露光マスクを用いてウェハ上にテスト用の転写パターンを形成し、当該転写パターンに基づいて前記パターン面積率毎の近接効果補正用データを得る工程と、
実パターン形成用の設計データに基づき、補正対象となる各パターンを含む補正セルを中心とした周辺領域内におけるパターン面積率を算出する工程と、
前記各補正セルを中心とした周辺領域内におけるパターン面積率と、前記パターン面積率毎に得た近接効果補正用データとに基づいて、当該補正セル毎に設計パターンを補正した描画データを作成する工程と、
前記描画データに基づいてマスク基板上のレジスト膜に描画露光を行う工程とを備えた
ことを特徴とする露光マスクの作製方法。
【請求項２】
請求項１記載の露光マスクの作製方法において、
前記周辺領域内におけるパターン分布を任意関数で畳み込み積分することで、当該周辺領域内におけるパターン面積率を算出する
ことを特徴とする露光マスクの作製方法。
【請求項３】
請求項１記載の露光マスクの作製方法において、
前記描画データを作成する際には、前記補正セル毎に設計パターンを補正した後、当該各補正セルの境界に配置されたパターンの図形処理を行うことにより、当該複数の補正セル間にわたって配置されたパターンの接続状態を確保する
ことを特徴とする露光マスクの作製方法。
【請求項４】
請求項１記載の露光マスクの作製方法において、
前記補正セルは、パターン領域をマトリックス状に分割した各領域である
ことを特徴とする露光マスクの作製方法。
【請求項５】
請求項４記載の露光マスクの作製方法において、
前記補正セルを中心とした周辺領域は、当該補正セル内のパターン形成におけるドライエッチングの際に当該補正セル内に対してローディング効果の影響が及ぶ広さよりも大きく設定されている
ことを特徴とする露光マスクの作製方法。
【請求項６】
請求項１記載の露光マスクの作製方法において、
前記各補正セルは、前記設計データのパターン領域をパターン面積率が異なる領域毎に分割した各領域である
ことを特徴とする露光マスクの作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は露光マスクの作製方法に関し、特には半導体装置の製造に適用されるような微細パターンを形成するためのリソグラフィーに用いられる露光マスクの作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程（ウェハ工程）においては、露光マスクを用いたパターン露光とその後の現像処理とからなるリソグラフィー工程によって、露光マスクに形成されたマスクパターンを光学転写したレジストパターンをウェハ上に形成し、さらにこのレジストパターンをマスクに用いたドライエッチングによって、配線等の実パターンをウェハ上に形成している。また、上述した露光マスクの作製工程（マスク工程）では、描画露光とその後の現像処理とからなるリソグラフィー工程によって設計パターンを転写したレジストパターンをマスク基板上に形成し、このレジストパターンをマスクに用いたドライエッチングによりクロムなどの遮光膜からなるマスクパターンをマスク基板上に形成している。
【０００３】
ところで、上述したウェハ工程において、露光マスクのマスクパターンをウェハ上に光学転写する際には、光近接効果による寸法ばらつきが発生することが知られている。このような寸法のばらつきは、ウェハ上に形成された実パターン間の短絡や断線などの不良を発生させる要因となっている。そこで近年においては、より設計パターンに近い実パターンが得られるように、マスク工程においては、設計パターンに基づいて描画露光用の描画データを作成する際に、いわゆる光近接効果補正（ｏｐｔｉｃａｌ  ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：ＯＰＣ）を行っている。
【０００４】
上記ＯＰＣには、ルールベースＯＰＣとモデルベースＯＰＣがあるが、設計パターンの細部にわたって補正を掛けられる事から、現在はモデルベースＯＰＣが主流となってきている。
【０００５】
モデルベースＯＰＣは、倍率４倍のマスク上においては１０μｍ×１０μｍ程度の領域内におけるパターンの分布状態を考慮し、マスク工程およびウェハ工程ともに実パターン形成と同様のプロセスにてテストパターンをウェハ上に形成し、このテストパターンの寸法測長値をフィードバックすることでモデル関数を作成し、当該モデル関数によって設計パターンを図形補正する技術である。また、モデル関数を作成する際には、通常、露光マスク上のマスクパターンは設計値どおりに出来上がっていると仮定している。このため、露光マスクの作製工程で実際に発生しているマスクパターンの寸法誤差は、この露光マスクを用いたパターン露光における光近接効果や、その後の現像処理やドライエッチング工程で発生する寸法ばらつきに置き換えられて、モデル関数のパラメータにフィードバックされることになる。
【０００６】
また、上述したようなモデルベースＯＰＣの他にも、露光マスクにおいて抽出された領域内のパターン密度を求め、このパターン密度と設計データとに基づいて露光マスクに形成されるマスクパターンの寸法精度を予測し、この予測に基づいて設計データに補正を加える方法もある（下記特許文献１参照）。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−２９６７５４号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
さて、露光マスク上のパターン寸法ばらつきを発生させる要因のひとつに、ドライエッチング工程でのローディング効果が挙げられる。ローディング効果は、パターンが配置された各地点の周辺領域におけるパターン面積率と相関があり、このローディング効果により、周辺領域のパターン面積率が高い領域においては、パターン面積率が疎な領域に比べてエッチングレートが低下し、結果としてパターン寸法の増大が引き起こされる。このため、パターンが配置されている各地点を中心とした広い周辺領域におけるパターン面積率の差によって、ローディング効果に起因するパターン寸法ばらつきが生じることになる。
【０００９】
図７には、マスクパターンが配置された地点を中心とした３０ｍｍ×３０ｍｍの広さの周辺領域内におけるパターン面積率（周辺パターン面積率）を変化させた場合のエッチング変換差の相対値を示した。ここでエッチング変換差とは、ドライエッチング前のレジストパターンの寸法からドライエッチングによって形成されたマスクパターンの寸法を差し引いた値である。この図に示すように、マスクパターンが配置された地点を中心とした３０ｍｍ×３０ｍｍの周辺領域内におけるパターン面積率によって、エッチング変換差が変化してパターン寸法にばらつきが生じることがわかる。
【００１０】
また、図８には、マスクパターンが配置された地点を中心とした各広さの周辺領域で、当該周辺領域内におけるパターン面積率を５０％に設定した場合のエッチング変換差の相対値を示した。この図に示すように、３０ｍｍ×３０ｍｍまでの領域の範囲において、エッチング変換差の相対値が変化しており、３０ｍｍ×３０ｍｍまでの周辺領域における周辺パターン面積率が、エッチング変換差のばらつきに確実に影響を及ぼしていることがわかる。また、この図から、３０ｍｍ×３０ｍｍよりも広い領域、具体的にはマスクパターンが配置された地点を中心とした５０ｍｍ×５０ｍｍ程度の周辺領域におけるパターン面積率が、エッチング変換差に対して影響を及ぼすと予測される。
【００１１】
ところが、上述したモデルベースＯＰＣは、本来、光学転写時における光近接効果を補正するために考案された技術であるため、上述したように、４倍マスク上において１０μｍ×１０μｍ程度の領域内におけるマスクパターンの分布状態が考慮されているに過ぎない。このため、周辺領域のパターン面積率が疎な領域に配置されたテストパターンの寸法測定値からモデル関数を作成した場合、パターン面積率が高い領域ではフォトマスク上のパターン寸法太りに起因して、補正精度が劣化することになる。
【００１２】
また、上記特許文献１に記載された方法は、露光マスクに形成されるマスクパターンの寸法精度を与えられたＥＢ描画データに近づける補正技術であり、露光マスクを用いた光リソグラフィーおよびその後のシリコンプロセスによって生じる寸法ばらつきを補正する技術を伴っていない。
【００１３】
そこで本発明は、露光マスク作製工程におけるドライエッチングの際のローディング効果も考慮した近接効果補正により、設計パターンに対する寸法精度の良好な実パターンをウェハ上に転写形成することが可能な露光マスクの作製方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するための本発明に係る露光マスクの作製方法は、次の工程を行うことを特徴としている。先ず、周辺領域におけるパターン面積率を変化させたマスクパターンを有するテスト用の露光マスクを用いてウェハ上にテスト用の転写パターンを形成し、当該転写パターンに基づいて前記パターン面積率毎の近接効果補正用データを得る。また、実パターン形成用の設計データに基づき、補正対象となる各パターンを含む領域を補正セルに分割し、各補正セルに対して該補正セルを中心とした周辺領域内におけるパターン面積率を算出する。次に、各補正セルを中心とした周辺領域内におけるパターン面積率と、前記パターン面積率毎に得た近接効果補正用データとに基づいて、当該補正セル毎に設計パターンを補正した描画データを作成する。その後、描画データに基づいてマスク基板上のレジスト膜に描画露光、さらには現像およびドライエッチングを行うことで露光マスクを作製する。
【００１５】
このような露光マスクの作製方法では、周辺領域におけるパターン面積率を変化させたマスクパターン有するテスト用の露光マスクを用いて転写パターンを形成することで、周辺領域におけるパターン面積率毎の近接効果補正用データを得ている。このため、得られた各近接効果補正用データは、周辺領域のパターン面積率に依存する転写パターンの寸法ばらつきも考慮されたデータとなる。そして、設計パターンを補正した描画データを作成する際には、補正対象となる各パターンを含む補正セルを中心とした周辺領域内におけるパターン面積率を算出し、算出されたパターン面積率に対応する近接効果補正用データに基づいて補正セル毎に設計パターンが補正される。このため、この補正によって得られる描画データを用いた描画を行うことで、周辺領域のパターン面積率に依存する寸法ばらつきを実パターンに生じさせることのない露光マスクが得られる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の露光マスクの作製方法を図面に基づいて詳細に説明する。尚、ここでは、半導体装置の製造工程において配線などのパターンを形成する場合に用いる露光マスクの作製方法に本発明を適用した実施の形態を説明する。
【００１７】
＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る露光マスクの作製方法を示すフロー図である。以下、このフロー図に基づき、必要に応じて他の図を参照しつつ第１実施形態の製造方法を説明する。
【００１８】
先ず、第１ステップＳＴ１では、ウェハ上に形成する配線パターンなどの設計データを用意する。
【００１９】
次の第２ステップＳＴ２では、第１ステップＳＴ１で用意した設計データに基づき、配線パターンが形成されるパターン領域を補正セル毎に分割する。ここでは、例えば図２に示すように、パターン領域１をマトリックス状に分割し、各分割した領域をそれぞれ補正セル３とする。また、各補正セル３の大きさは、露光マスク上において１ｍｍ×１ｍｍ〜１０ｍｍ×１０ｍｍ程度に設定する。露光マスク製造のドライエッチング工程で発生するローディング効果の影響範囲は最大で５０ｍｍ×５０ｍｍ程度と考えられるため、補正セルの大きさは該範囲を適当数に分割できる大きさが好ましい。補正セルが粗すぎると正確な計算が出来ず、また細かすぎると計算に大きな負荷が掛かってしまう。
【００２０】
その後、第３ステップＳＴ３では、設計データに基づき、第２ステップＳＴ２で分割した補正セル３毎のパターン面積率を算出する。ここで、パターン面積率とは、補正セルの面積に対するパターンの配置面積であることとする。
【００２１】
続く第４ステップＳＴ４では、第３ステップＳＴ３で算出した補正セル３のパターン面積率に基づき、図３に示すように、各補正セル３を中心とした補正セル３を含む周辺領域５内のパターン面積率を算出する。ここで、各周辺領域５の広さは、補正セル３を中心とした３０ｍｍ×３０ｍｍ以上の広さ、好ましくはドライエッチングの際のローディング効果の影響がおよぶ広さよりも大きく設定されることとする。この広さは、プロセスによって異なる場合があるため、プロセス毎に適切な値を求めて適用することが好ましい。尚、パターン領域１の端部に位置する補正セル３’においては、その周辺領域５’がパターン領域１から部分的にはみ出すことになるが、この部分も含めてパターン面積率を算出する。また、周辺領域５は、図示したような矩形形状に限定されることはなく、各補正セル３を中心とした円形形状であっても良い。
【００２２】
また、各周辺領域５におけるパターン面積率は、当該周辺領域５内における単なるパターン面積率でも良いし、距離に関した適当な重み付け関数を畳み込んだ値としてもよい。この場合、例えば下記式（１）を用いて、補正セル（ｘ、ｙ）の周辺領域５におけるパターン面積率Ａｘ，ｙを算出することができる。
【００２３】
【数１】
2004333529.tif 000003
【００２４】
尚、式（１）中において、ｗは重み付け関数、ｄは各セルのパターン面積率、Ｓは補正セル（ｘ，ｙ）の周辺領域５を表す。
【００２５】
一方、第５ステップＳＴ５では、周辺領域におけるパターン面積率を水準振りしたマスクパターンを有する複数のテストマスク（テスト用の露光マスク）を作製する。図４に示すように、テストマスク１１においては、上記第４ステップＳＴ４における周辺領域５の広さと同等の範囲にドットパターンなどを敷き詰めることで、任意面積率の周辺パターン領域を作製する。次に該領域の中央に適当な大きさの開口部を設けて、寸法測定用のテストパターンを配置する。尚、ここでは複数のテストマスクを作製することとしたが、１つのテストマスクに、周辺領域１５のパターン面積率を水準振りした複数の周辺領域１５とこれに囲まれた各セル領域１３を形成した構成であっても良い。
【００２６】
尚、第５ステップＳＴ５におけるテストマスクの作製は、本第１実施形態で作製する露光マスクの製造プロセスと同一プロセスで行うこととする。
【００２７】
次の第６ステップＳＴ６では、第５ステップＳＴ５で作製したテストマスクを用いたリソグラフィー、およびその後のドライエッチングによって、ウェハ上にテスト用のマスクパターンの転写パターンを形成する。そして、パターン面積率毎に形成された各転写パターンの寸法測定に基づいて、パターン面積率毎の近接効果補正用データを得る。この近接効果補正用データは、例えば、上記リソグラフィーが、光リソグラフィーである場合には、ＯＰＣ補正関数として得ることとする。この際、ＯＰＣはモデルベースまたはルールベース、もしくはモデルベースとルールベースのハイブリッドのどれでも良い。
【００２８】
尚、第６ステップＳＴ６は、本第１実施形態で作製する露光マスクを用いた実パターン（ウェハ上に形成する配線パターンなど）の形成プロセスと同一プロセスで行うこととする。そして、このプロセス中で行われるリソグラフィーは、上述した光リソグラフィーに限定されることはなく、電子線リソグラフィーやその他のリソグラフィーでも良い。このため、第６ステップＳＴ６で求める近接効果補正用データは、この第６ステップＳＴ６で行われる転写パターンの形成プロセス中のリソグラフィーに対応する形態の近接効果補正用データであることとする。
【００２９】
以上の後、第７ステップＳＴ７では、第４ステップＳＴ４で算出した各補正セルの周辺領域におけるパターン面積率と、第６ステップＳＴ６で算出したパターン面積率毎の補正関数（近接効果補正用データ）とに基づいて、各補正セルに対応する補正関数（近接効果補正用データ）をそれぞれ選択し、当該補正セル毎に選択された補正関数（近接効果補正用データ）を用いて設計データの近接効果補正（例えばモデルベースＯＰＣまたはルールベースＯＰＣ、もしくはモデルベースとルールベースのハイブリッドＯＰＣ）を行う。この補正は、例えばＣＡＤ上にて行われる。
【００３０】
次に、第８ステップＳＴ８では、各補正セル毎に近接効果補正が施された各補正セルの補正データを合成した描画データを作製する。この際、補正セル間の繋ぎ合わせのための境界処理を行うことで、補正セルの境界付近における多重描画や断線のない描画データを得る。尚、この境界処理は、いわゆる「のりしろ処理」や「マージ処理」と呼ばれる図形処理によって行われることとする。
【００３１】
そして、次の第９ステップＳＴ９では、第８ステップＳＴ８で作製した描画データに基づく描画（例えば電子線描画）によるリソグラフィー処理によってマスク基板上にレジストパターンを形成し、その後レジストパターンをマスクにしたドライエッチングを行うことでマスク基板上に露光パターンを形成して露光マスクを得る。この第９ステップＳＴ９は、第５ステップＳＴ５におけるテストマスクの作製と同一プロセスで行うこととする。尚、ここでは、露光パターンとして、例えば遮光膜パターンまたは開口パターンが形成される。また露光マスクはハーフトーンマスクであっても適用可能である。
【００３２】
以上説明した露光マスクの作製方法では、図３に示したように、パターン領域１を分割した補正セル３毎に、周辺領域５のパターン面積率に依存するばらつきを補正するような近接効果補正用データ（例えば、ＯＰＣ補正関数）を作成し、これらの近接効果補正用データに基づいて各補正セル内の設計データが補正される。このため、この補正によって得られる描画データを用いた描画を行うことで、周辺領域のパターン面積率に依存するローディング効果による寸法ばらつきを実パターンに生じさせることのない露光マスクを形成することができる。
【００３３】
この結果、設計パターンに対する寸法精度の良好な実パターン（配線パターンなど）を、ウェハ上に転写形成することが可能になる。またこれにより、半導体装置の歩留まりの向上を図ることが可能になる。
【００３４】
尚、露光マスクを電子線描画で作製する場合、該描画工程で発生するかぶり露光も、ドライエッチング工程のローディング効果と同等の大きさの範囲で起こると考えられる。ゆえに、本実施形態は、ローディング効果補正と同時にかぶり露光に起因する寸法ばらつきの補正に対しても効果があると考えられる。
【００３５】
＜第２実施形態＞
図５は、本発明の第２実施形態の露光マスクの作製方法を示すフロー図である。以下、このフロー図に基づき、必要に応じて他の図を参照しつつ第２実施形態の製造方法を説明する。本第２実施形態は、特に、ロジック領域とメモリ領域を同一基板上に混載してなる半導体装置製造に用いる露光マスクの作製に本発明を適用した実施の形態を説明する。
【００３６】
先ず、第１ステップＳＴ１１では、ウェハ上に形成する配線パターンなどの設計データを用意する。
【００３７】
次の第２ステップＳＴ１２では、第１ステップＳＴ１１で用意した設計データに基づき、配線パターンが形成されるパターン領域を、周辺領域のパターン面積率が異なる領域毎に分割する。ここでは、例えば図６に示すように、パターン領域２１を、メモリ領域２３、メモリ周辺領域２４、およびメモリ周辺領域２４を除くロジック領域２５の３つの領域に分割する。そして、分割された各領域２３，２４，２５が、それぞれ補正セルとなる。
【００３８】
ここで、メモリ領域２３は、当該領域内におけるパターン面積率自体が高く、メモリ領域２３を含む周辺領域のパターン面積率は、その周辺の領域におけるパターン面積率に影響され難く５０％程度である。また、メモリ周辺領域２４は、当該領域内におけるパターン面積率自体は低いが、このメモリ周辺領域２４を含む周辺領域のパターン面積率は、メモリ領域２３におけるパターン面積率の影響を強く受けた値になる。さらに、ロジック領域２５は、当該領域内におけるパターン面積率自体が低く、またメモリ領域２３におけるパターン面積率の影響も受けないため、周辺パターン面積率は１０％程度と低い値になる。
【００３９】
一方、第３ステップＳＴ１３では、周辺領域におけるパターン面積率を水準振りしたマスクパターンを有する複数のテストマスクを作製する。ここでは、第１ステップＳＴ１１の設計データに基づいて、各領域２３，２４，２５を含むその周辺領域におけるパターン面積率に対応させたテスト用のマスクパターンを有するテストマスクを作製する。
【００４０】
ここで、各領域２３，２４，２５を含むその周辺領域とは、各領域２３，２４，２５を３０ｍｍ以上の幅で拡張した領域であり、好ましくはドライエッチングの際のローディング効果の影響がおよぶ広さよりも大きい範囲で各領域２３，２４，２５を拡張した領域であることとする。この広さは、プロセスによって異なる場合があるため、プロセス毎に適切な値を求めて適用することが好ましい。
【００４１】
尚、メモリ周辺領域２４を設けず、メモリ領域２３とメモリ周辺領域を含むロジック領域２５との２つの領域に分割した場合、分割されたメモリ領域２３とロジック領域２５とを、そのまま周辺領域と一致させて良い。またこの場合、メモリ領域２３内のパターン面積率を、そのままメモリ領域２３を含む周辺領域のパターン面積率として良い。また、ロジック領域２５内のパターン面積率を、そのままロジック領域２５を含む周辺領域のパターン面積率として良い。そして、この場合、各領域２３，２５のパターン面積率に対応させたテスト用のマスクパターンを有するテストマスクを作製する。
【００４２】
また、第３ステップＳＴ１３におけるテストマスクの作製は、本第２実施形態で作製する露光マスクの製造プロセスと同一プロセスで行うこととする。
【００４３】
次の第４ステップＳＴ１４では、第３ステップＳＴ１３で作製したテストマスクを用いたリソグラフィー、およびその後のドライエッチングによって、ウェハ上にテスト用のマスクパターンの転写パターンを形成する。そして、各領域２３，２４，２５に対応する周辺領域のパターン面積率毎に形成された各転写パターンの寸法精度に基づいて、各領域２３，２４，２５に対応するパターン面積率毎の近接効果補正用データを得る。この近接効果補正用データは、例えば、上記リソグラフィーが、光リソグラフィーである場合には、ＯＰＣ補正関数として得ることとする。この際、ＯＰＣはモデルベースでもルールベースでも、またはモデルベースとルールベースのハイブリッドのどれでも良い。
【００４４】
尚、第４ステップＳＴ１４は、本第２実施形態で作製する露光マスクを用いた実パターン（ウェハ上に形成する配線パターンなど）の形成プロセスと同一プロセスで行うこととする。そして、このプロセス中で行われるリソグラフィーは、上述した光リソグラフィーに限定されることはなく、電子線リソグラフィーやその他のリソグラフィーでも良い。このため、第４ステップＳＴ１４で求める近接効果補正用データは、この第４ステップＳＴ１４で行われる転写パターンの形成プロセス中のリソグラフィーに対応する形態の近接効果補正用データであることとする。
【００４５】
その後、第５ステップＳＴ１５では、第２ステップＳＴ１２で分割した領域２３，２４，２５毎に、第４ステップＳＴ１４で算出した各領域２３，２４，２５に対応するパターン面積率毎の補正関数（近接効果補正用データ）に基づいて、設計データの近接効果補正（例えばモデルベースＯＰＣまたはルールベースＯＰＣ、もしくは両者のハイブリッドＯＰＣ）を行う。この補正は、例えばＣＡＤ上にて行われる。
【００４６】
次に、第６ステップＳＴ１６は、第１実施形態の第８ステップＳＴ８と同様にした補正データを合成した描画データを作製する。
【００４７】
また、続く第７ステップＳＴ１７では、第１実施形態の第９ステップＳＴ９と同様にして露光マスクを得る。
【００４８】
このような露光マスクの作製方法であっても、第１実施形態と同様に、図６に示したように、パターン領域２１を分割した領域２３，２４，２５毎に、周辺領域のパターン面積率に依存するばらつきを補正するような近接効果補正用データ（例えば、ＯＰＣ補正関数）を作成し、これらの近接効果補正用データに基づいて各補正セル内の設計データを補正している。このため、第１実施形態と同様に、設計パターンに対する寸法精度の良好な実パターン（配線パターンなど）をウェハ上に転写形成することが可能であり、半導体装置の歩留まりの向上を図ることが可能になる。
【００４９】
そして特に、この第２実施形態においては、パターン領域２１を、パターン面積率が極端に異なる領域に２分割し、またこれらの領域に中間の領域を設けた３つの領域に分割した。そして、この僅か３つの領域２３，２４，２５毎に近接効果補正用データ（例えば、ＯＰＣ補正関数）を作成して補正を行うようにした。このため、第１実施形態と比較して、近接効果補正用データの作製、およびＣＡＤ上での補正に係わる処理が簡便になり、処理時間を大幅に短縮することが可能である。
【００５０】
尚、この第２実施形態の方法は、メモリ混載ロジックのように、極端にパターン面積率の異なる領域が混在するパターン領域を備えた半導体装置用の露光マスク製造に特に有効である。また、どの領域をメモリ周辺領域とするかの分割指定はオペレータの任意であり、メモリ周辺領域２４を設けず、メモリ領域２３とメモリ周辺領域を含むロジック領域２５との２つの領域に分割しても良い。メモリ周辺領域を２つ以上に分割することも任意である。その他、各領域の境界線上にパターンが重ならないように設計パターンを作成すれば、第６ステップＳＴ１６において境界処理を実施しなくてよい。
【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の露光マスクの作製方法によれば、周辺領域のパターン面積率毎に近接効果補正用データを作成し、これらの各近接効果補正用データに基づいて各補正セル内の設計データを補正する構成としたことにより、周辺領域のパターン面積率に依存する寸法ばらつきを実パターンに生じさせることのない露光マスクを形成することができる。この結果、設計パターンに対する寸法精度の良好な実パターン（配線パターンなど）を、ウェハ上に転写形成することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態の露光マスクの作製方法を示すフロー図である。
【図２】パターン領域の補正セルへの分割を説明する図である。
【図３】補正セルを中心とした周辺領域を説明する図である。
【図４】テストマスクを説明する図である。
【図５】第２実施形態の露光マスクの作製方法を示すフロー図である。
【図６】パターン領域の領域分割の一例を説明する図である。
【図７】周辺パターン面積率によるエッチング変換差の相対値を示すグラフである。
【図８】周辺領域の辺の長さとエッチング変換差の相対値を示すグラフである。
【符号の説明】
１，２１…パターン領域、３，３’…補正セル、５，５’，１５…周辺領域、１１…テストマスク、２３…メモリ領域、２４…メモリ周辺領域、２５…ロジック領域
【図１】
2004333529.tif 000004
【図２】
2004333529.tif 000005
【図３】
2004333529.tif 000006
【図４】
2004333529.tif 000007
【図５】
2004333529.tif 000008
【図６】
2004333529.tif 000009
【図７】
2004333529.tif 000010
【図８】
2004333529.tif 000011