(57)【要約】【課題】スライダーのラッピング時間を削減して製造効率を高め、平坦度パラメータをさらに良好に制御したＡＢＳ面を達成する必要がある。【解決手段】サブストレート４３はＤＲＩＥの容易な材料であって、たとえばシリコンである。マスク５３はヘッド素子３１を有するスライダー２０と、犠牲エクステンション３２と、オプションでガイドレール３４の形状の輪郭を描く。マスク５３はＤＲＩＥに抵抗性のある材料であり、たとえばフォトレジストとかアルミナなどである。ウエハー５２に対しウエハーの面にほぼ垂直に向けてイオンを当ててＤＲＩＥを行う場合は、犠牲エクステンション３２を持つ個々のスライダーはマスクの形で切り出される。ラッピング工程のある点で、ガイドレール３４の面と犠牲エクステンション３２の面は、突き出している部分がすり減って同一平面となる。【選択図】　図２
2004111021.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スライダー本体の材料のウエハー面上に１個ないしはそれ以上の磁気トランスデューサ素子を形成するステップと、
少なくとも１個の磁気トランスデューサ素子を含むスライダーの位置、寸法、およびラッピングがそこで終了するであろうところの予め定められた平面を通して延伸する前記スライダーの幅より狭い犠牲エクステンションを有する形状を定義するために前記ウエハー表面上にマスクを形成するステップと
前記ウエハーの表面に対して垂直に延伸する前記スライダー表面の前記犠牲エクステンションをエッチングで形成して、前記マスクの範囲外の材料を除去することにより前記スライダーを前記ウエハーから切り出すステップと、
前記犠牲エクステンションを含むスライダーの表面を規定の平面に到達するまでラッピングするステップと、
を含むことを特徴とする磁気トランスデューサ素子を有するスライダーの製造方法。
【請求項２】
前記マスクを形成するステップは、さらに、前記犠牲エクステンションの第１の側面の第１ガイドレールと前記犠牲エクステンションの第２の側面の第２のガイドレールを定義するステップを含み、前記スライダー表面をラッピングするステップは、さらに、ラッピング板に対して前記スライダー面を決められた方向に維持する助けにするために前記第１と第２のガイドレールを用いるステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記マスクを形成するステップは、さらに、前記犠牲エクステンションの幅が最大である部分より狭いネック部を持つ犠牲エクステンションを定義するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記マスクを形成するステップは、さらに、隣接するスライダーの犠牲エクステンションが延伸するように、前記スライダーにチャンネルを定義するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記スライダーを切り出すステップは、さらに、前記マスクの外にある材料を除去するためにディープリアクティブイオンエッチング（ＤＲＩＥ）を用いるステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記ＤＲＩＥはフッ素を含むプラズマを使用することを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記予め定められた面に到達するまで前記犠牲エクステンションを含む前記スライダー面をラッピングするステップは、さらに、いつ予め定められた面に到達したかを識別するために、前記磁気トランスデューサ素子からの信号を用いるステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記予め定められた平面は前記犠牲エクステンションを通過し、該犠牲エクステンションの一部はラッピングが停止後も残ることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記犠牲エクステンションは前記スライダーの中心線からオフセットされていることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記マスクを形成するステップは、さらに、前記犠牲エクステンションの第１の側面にガイドレールを定義するステップを含み、前記スライダー表面をラッピングするステップは、さらに、ラップ板に対して前記スライダーの面を決められた方向に維持するために前記ガイドレールを用いるステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記犠牲エクステンションと前記ガイドレールが対称的に配置されていることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
予めラッピング処理されるように選ばれている未完成のスライダーの第１面の近辺に配置された磁気トランスデューサと、
予め決められたラッピング平面の下に延伸する犠牲エクステンションであって、前記ラッピング平面に垂直な線が前記磁気トランスデューサと前記第１の面より狭い犠牲エクステンションを通過するように、前記磁気トランスデューサに位置合わせされている犠牲エクステンションとを有することを特徴とする未完成のスライダー。
【請求項１３】
さらに、前記第１の面上の犠牲エクステンションに平行に配置された少なくとも１個の前記予め決められたラッピング平面の下に延伸しているガイドレールを有することを特徴とする請求項１２記載の未完成のスライダー。
【請求項１４】
前記犠牲エクステンションは、前記第１の面の中心線からオフセットされていることを特徴とする請求項１３記載の未完成のスライダー。
【請求項１５】
前記犠牲エクステンションは、前記磁気トランスデューサからさらに遠い犠牲エクステンションの幅広い部分よりは狭いネック部を前記磁気トランスデューサの近くに有していることを特徴とする請求項１２記載の未完成のスライダー。
【請求項１６】
さらに、前記第１の面に平行である第２の面を持つ前記未完成のスライダーの第２の面にあるチャンネルであって、前記第１と第２の面に垂直な線が前記犠牲エクステンションとチャンネルを通過するように、前記犠牲エクステンションに位置合わせされているチャンネルを有することを特徴とする請求項１２の未完成のスライダー。
【請求項１７】
前記第１の面上の犠牲エクステンションの反対側に配置された予め定められたラッピング面の下に延伸している前記第１と第２のガイドレールと、
前記第１の面に平行である前記第２の面を持つ前記未完成のスライダーの第２の面にあるチャンネルであって、前記第１の面と第２の面に垂直な線が前記犠牲エクステンションとチャンネルを通過するように前記犠牲エクステンションに位置合わせされているチャンネルと、を有することを特徴とする請求項１２記載の未完成のスライダー。
【請求項１８】
複数の磁気トランスデューサと、
各磁気トランスデューサのまわりのスライダーの形状を定義し、ディープリアクティブイオンエッチング（ＤＲＩＥ）に耐久性のある材料のマスクであって、前記スライダー形状はラッピングされる前記スライダー形状の第１の側面上の犠牲エクステンションを含み、該犠牲エクステンションはラッピングがそこで終了する予め定められた平面を通して延伸し、当該犠牲エクステンションは前記スライダー形状の第１の側面の幅よりも狭く、前記磁気トランスデューサと位置合わせされているマスクと、を有することを特徴とするウエハー。
【請求項１９】
前記マスクはフォトレジストあるいはアルミナを含むことを特徴とする請求項１８記載のウエハー。
【請求項２０】
前記犠牲エクステンションは、前記磁気トランスデューサからさらに遠くにある犠牲エクステンションの幅の広い部分よりも狭いネック部を前記磁気トランスデューサの近辺に有することを特徴とする請求項１８記載のウエハー。
【請求項２１】
前記スライダー形状は、隣のスライダー形状の犠牲エクステンションが突き出している第２の側面にチャンネルを持つことを特徴とする請求項１８記載のウエハー。
【請求項２２】
前記スライダー形状は、前記第１の側面にガイドレールを含むことを特徴とする請求項１８記載のウエハー。
【請求項２３】
前記犠牲エクステンションは前記第１の側面の中点からオフセットされていることを特徴とする請求項２２記載のウエハー。
【請求項２４】
磁気媒体と、
磁気トランスデューサとエアーベアリング面に突き出している犠牲エクステンションの残った部分を有し、前記犠牲エクステンションの残った部分は前記エアーベアリング面よりも狭く、前記磁気トランスデューサに位置合わせされているスライダーと、
前記磁気媒体上に磁気遷移を書き込みおよび読み出すための前記磁気トランスデューサに関連して前記磁気媒体を走行させる手段と、を含むことを特徴とするデータ記憶装置。
【請求項２５】
前記スライダーは前記犠牲エクステンションの残りの部分に平行な面上にチャンネルを有することを特徴とする請求項２４記載のデータ記憶装置。
【請求項２６】
前記スライダー形状は前記エアーベアリング面上にガイドレールを含むことを特徴とする請求項２４記載のデータ記憶装置。
【請求項２７】
前記犠牲エクステンションは前記エアーベアリング面の中心線からオフセットされていることを特徴とする請求項２４記載のデータ記憶装置。
【請求項２８】
前記スライダーはエアーベアリング面に平行な面上に、製造過程においてウエハー上の隣接したスライダーの犠牲エクステンションが突き出すことが出来るように前記犠牲エクステンションに位置合わせされているチャンネルを有することを特徴とする請求項２４記載のデータ記憶装置。
【請求項２９】
前記スライダーは前記エアーベアリング面上にガイドレールを有することを特徴とする請求項２４記載のデータ記憶装置。
【請求項３０】
前記犠牲エクステンションは前記エアーベアリング面の中心線からオフセットされていることを特徴とする請求項２４記載のデータ記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般的に磁気記憶装置に用いられるスライダーに係わり、さらに詳細には、組み立てを容易にする、スライダー組み立て方法とスライダーの設計に係わり、さらに詳細には、スライダーの設計におけるラッピング仕様とスライダーの表面をラッピングする方法に関わる。
【０００２】
【従来の技術】
図１１に、従来技術による一般的なヘッドとディスクのシステム１０を示す。動作時には、磁気トランスデューサ２０は、ディスク１６上で浮上する際にサスペンション１３により保持される。通常「ヘッド」とか「スライダー」と呼ばれる磁気トランスデューサは、磁気遷移を書き込む働きをする素子（書き込みヘッド２３）と磁気遷移を読みとる働きをする素子（読み出しヘッド１２）を備えている。読み出しヘッド１２と書き込みヘッド２３（総合して「磁気トランスデューサ」と呼ばれる）の間で送受信される電気信号は、サスペンション１３に取り付けられるか埋め込まれた導通路（リード線）１４に沿って移動する。
【０００３】
一般的には、読み出しヘッド１２と書き込みヘッド２３にはそれぞれ二つの電気的な接触パッド（図示せず）がある。配線あるいはリード線１４はこれらのパッドに接続され、サスペンション１３を通ってアームの電子回路（図示せず）に接続される。
【０００４】
ディスク１６は、ディスク１６を回転させるスピンドルモータ２４により駆動されるスピンドル１８に取り付けられている。ディスク１６は、表面に複数の薄膜２１がデポジットされているサブストレート２６で構成される。薄膜２１は、強磁性材料を含み、書き込みヘッド２３が、情報が符号化された磁気遷移をそこに記録する。読み出しヘッド１２は、磁気トランスデューサ２０のエアーベアリング面（ａｉｒ−ｂｅａｒｉｎｇ　ｓｕｒｆａｃｅ：ＡＢＳ）の下でディスクが回転する際に磁気遷移を読みとる。
【０００５】
図１２は、従来技術による磁気トランスデューサ２０の一形式のラッピング前の中心断面を示す。スライダーのサブストレート４３は一般に固い耐久性のある材料で出来ている。図の読み出しヘッド１２の構成部品は、絶縁層１０７と１０９に囲まれたセンサー１０５を囲む第１のシールド（Ｓ１）と第２のシールド（Ｐ１／Ｓ２）である。
【０００６】
磁気トランスデューサのこの形式は、Ｐ１／Ｓ２層が読み出しヘッド１２のシールドの役と、かつ書き込みヘッド２３のポールピースの役をするので、「複合ヘッド」と呼ばれる。ヨークは又背面でＰ１／Ｓ２と接続している第２のポールピース（Ｐ２）を含んでいる。Ｐ２はコイル３７上を湾曲して下り、書き込みギャップ層を越えてＰ１と対向し、エアーベアリング面（ＡＢＳ）に書き込みギャップを形成する。
【０００７】
ゼロスロート高さ（ＺＴＨ）は、Ｐ２が初めてギャップ層に接する点と定義される。センサー１０５はパーマロイのような磁気抵抗素材を含むが、各種の強磁性体および反磁性体材料の層の多層構造であってもよい。シールドやポールピースは、ＮｉＦｅまたはＣｏＦｅなどの強磁性体である。ラッピングの前は、ＡＢＳでの材料や構造物はＡＢＳを越えて張り出している。
【０００８】
図１２で説明しているように、ＡＢＳ面の右の材料をラッピングで除去し、センサー１０５の長さ（「ストライプ高さ」と呼ばれる）とＺＴＨからＡＢＳに至る距離（「スロート高さ」と呼ばれる）を精確に制御することを可能にしている。切断面の不正確さは、ミクロン単位でストライプ高さの変動の原因となり、磁気特性の不都合な変動に結びつくが、修正はされない。ラッピングは、さらに厳しくナノメータの領域でストライプ高さを制御するために従来技術において用いられたプロセスである。
【０００９】
薄膜磁気トランスデューサを組み立てる一般的な工程では、ウエハー上には同時に数多くのトランスデューサが形成される。基本的な構造が形成されると、ウエハーは４分円とか、棒状とか、個別のトランスデューサにソーを用いて切断される。これらの段階のいずれかあるいは全てにおいて、さらなる処理が行われる。ソーを用いた切断はウエーハを個々のスライダーに分離する一般的な方法であったが、最近では、フッ素を含むプラズマによるリアクティブイオンエッチング（ＲＩＦ）またはディープリアクティブイオンエッチング（ＤＲＩＥ）が用いられている。ウエハーが切断されると露出するウエハーの表面に垂直なスライダーの面は、スライダーのエアーベアリング面（ＡＢＳ）を構成する。
【００１０】
ラッピングの後、磁気トランスデューサ２０のＡＢＳ上に、一般的に「レール」と呼ばれる機能が形成される。レールは従来からスライダーの空気動特性を決めるために用いられており、回転中あるいは静止状態でトランスデューサが媒体に接触する場合には接触エリアの役をする。
【００１１】
Ｚａｒｏｕｒｉ他による米国特許第５，３２１，８８２号明細書は、１個単位でスライダーのエアーベアリング面を形成する処理を開示している。スライダーは、ウエハーから切り出された柱から順次処理される間、機械的な裏板で保持されている。Ｌａｃｋｅｙによる米国特許第６，０９３，０８３号明細書では、キャリヤーにしっかりと固定した状態で、一列のスライダーが処理される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
スライダーは列単位でラッピングされるであろうが、ラッピング前に個々のスライダーを切り離すほうが有利である。スライダーが切り離されても、キャリヤーにそれらを取り付けることで一度に数個をラッピングすることも可能である。スライダーをラッピングするのに必要な時間は、製造原価の主要な部分を占めるので、ラッピング時間を削減して製造効率を高め、平坦度パラメータをさらに良好に制御したＡＢＳ面を達成する必要がある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
エアーベアリング面（ＡＢＳ）を創成するためのラッピングに必要な時間量を削減する１個ないしはそれ以上の犠牲構造（エクステンション）でスライダーを組み立てる工程を説明する。本発明によると、ラッピングにより除去されるスライダー材料の量が削減され、さらなるラッピングや研磨の工程を除くことが出来る。
【００１４】
ウエハーから個々のスライダーを分離する前に、スライダーの表面にディープリアクティブイオンエッチング（ＤＲＩＥ）で消えない材料のマスクがパターン付けされる。マスクは、ＡＢＳになる予め定められた面に最も近い磁気トランスデューサ素子の部分の周辺に犠牲エクステンションの輪郭を描く。犠牲エクステンションにより、ラッピングするスライダーの表面が一体の平面ではなくなる。犠牲エクステンションは、予め定められたＡＢＳ面の下に延伸する。
【００１５】
スライダーがＤＲＩＥにより個々に分離されると、マスクの形状は犠牲エクステンションを含み、スライダー本体に対しあるいはそれに沿って投影される。犠牲エクステンションは読み出しと書き込みヘッドの薄膜素子を覆っている。スライダーの表面については、従来技術ではスライダーの全平面上の材料を除去する必要があったのに比べ、より少ない量の材料（高い細長比で）をラッピングで除去することになる。犠牲エクステンションは、磁気抵抗ストライプやスロート高さを精確に制御する能力を維持しながら、ラッピングで除去される材料の量を削減する。
【００１６】
一つの実施例では、追加のガイドレールがスライダーＡＢＳの外側の端面に沿って配置され、ラッピング処理の間にスライダーの対称性を維持し、スライダーが一方向に傾かないようにしている。犠牲エクステンションとガイドレールはラッピング処理の間に一部あるいは全部が除去される。犠牲エクステンションの形状は各種の実施例について最適化される。
【００１７】
他の実施例においては、犠牲エクステンションは細くしたネックの部分を持つ断面構造とし、ＡＢＳラッピング処理の間に壊しやすくして、処理の速度を速めている。他の実施例では、ＡＢＳの反対側のスライダーの側にチャンネルを設け、隣のスライダーの犠牲エクステンションの場所を設け、ヘッドを構築する際にウエハーをより効率よく使用できるよう、ウエハー表面にスライダーがより接近して配置できるようにしている。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の性格と利点を、使用実施例も同様に、より完全に理解するためには、以下の詳細説明を図面とともに参照する必要がある。以下の図面においては、同じ参照番号は、全ての図面を通して同じあるいは同様の部品であることを示している。
【００１９】
図１は本発明の第１の実施例による、スライダーの複数のマスクをもつウエハーの部分図である。図２は、本発明の第１の実施例における、ラッピング前のスライダーの後縁を説明する等角図である。図３は、図２のスライダーに示された犠牲エクステンションの拡大図である。図４は、本発明の第２の実施例における、ラッピング前のスライダーの後縁を説明する等角図である。図５は、図４に示された犠牲エクステンションの拡大図である。図６は、本発明によるスライダーとマスクの中心断面図であって、スライダー（左部分）の後縁とラッピングする面（底面）に垂直に取ったものである。図７は、本発明の第３の実施例によるスライダーの複数のマスクを持つウエハーであって、ウエハーをより有効に利用できるように上面にチャンネルを有するものの部分図である。図８は、ウエハーをさらに有効に利用できるようにするために上面にチャンネルを有する図７に示すスライダーの等角図である。図９は、本発明の一実施例による、犠牲エクステンションを有し、スライダーの中心線からオフセットされた磁気トランスデューサ素子を有する、ラッピング前のスライダーの後縁を示す図である。図１０は、本発明の一実施例による、磁気トランスデューサ素子とスライダーの中心線からオフセットされたネック部が細くなった犠牲エクステンションを有する、ラッピング前のスライダーの後縁を示す図である。
【００２０】
図１は、本発明の第１の実施例による、スライダーの複数のマスク５３をもつウエハー５２の部分図である。サブストレート４３はＤＲＩＥの容易な材料であって、たとえばシリコンである。マスク５３はスライダーと、犠牲エクステンション３２と、オプションでガイドレール３４の形状の輪郭を描く。マスク５３はＤＲＩＥに抵抗性のある材料であり、たとえばフォトレジストとかアルミナなどである。ウエハー５２に対しウエハーの面にほぼ垂直に向けてイオンを当ててＤＲＩＥを行う場合は、犠牲エクステンションを持つ個々のスライダーはマスクの形で切り出される。
【００２１】
犠牲エクステンションの形状を決めるためにヘッド構造（図示せず）の中でＲＩＥを実施出来ない材料が用いられることもあるが、このことは潜在的にヘッド材料の一部が蒸発し、切り口に再蒸着し、スライダーをきれいに分離することに影響するという不利な点もある。犠牲エクステンション３２とオプションのガイドレール３４の断面形状の詳細は、マスク５３の形状で決められる。これらの機能の形状と大きさは、本発明の各種の実施例に従い変化する。犠牲エクステンションの形状は平面状の面とは限らないので、従って湾曲したとか不規則な形状を含むことが出来る。
【００２２】
ＤＲＩＥと組み合わせたマスク５３により、従来技術の切断技法を用いて可能であったものに比べ、スライダー間で材料を除去したり、あるいは追加したりすることができるようになる。ラッピングで除去する材料の量を減らすことで、本発明の技術では、従来の技術によるよりも早くラッピング処理を進めることが可能となる。
【００２３】
図２は、ＤＲＩＥ処理でウエハーからスライダーを切断した後に、図１に示す本発明の第１の実施例による、犠牲エクステンション３２を持つスライダーの等角図を示す。図２のスライダー２０の図は、スライダー面、言い換えれば使用中に動いている磁気メディアの上を最後に通過する面の後縁である。ガイドレール３４と犠牲エクステンション３２はスライダーの前縁から後縁に至る全長にわたって延伸する。
【００２４】
ヘッド素子３１は、犠牲エクステンション３２に延伸する陰を付けた領域として図示されている。犠牲エクステンション３２はまた、従来技術ではウエハー組み立てにおいて脆弱なポールチップを保持するために用いられたアンカーベース（図示せず）を含むこともある。アンカーベースは、ＤＲＩＥ処理で容易にエッチングされないＮｉＦｅなどのような材料から作られているので、実際にはマスクの一部であるとも言える。
【００２５】
ヘッド素子３１の内部構造は従来技術によるもので、これらの構造の詳細は本発明とは関係がない。このように、本発明はラッピングを組み立て工程の一部として含むヘッド構造のどれにも応用が出来る。ヘッド素子３１は、たとえば、ＣｏＦｅやＮｉＦｅ合金などのリアクティブイオンエッチングが効かない（ｎｏｎ−ＲＩＥ）材料の上の層を含むので、同様にマスクの一部として用いることが出来る。
【００２６】
スライダー４３の本体はＤＲＩＥで除去出来る材料である。シリコンはスライダーの本体の材料として好まれるが、他のＲＩＥが適用可能な材料も使用可能である。示されている実施例は、ラッピングされるスライダーの底面の外縁に配列されたオプションの対称ガイドレール３４を含んでいる。ガイドレール３４は、ラッピング工程においてラップ面が一方向に傾かないようにする。ラッピング中は、スライダーはラップ板と対向する犠牲エクステンション３２に保持されなければならず、ラップ板に対して動くかあるいはラップ板が動く。
【００２７】
ガイドレール３４は同じ高さと幅を持つことが理想的であるが、犠牲エクステンション３２と同じ高さや幅である必要はない。ラッピング工程のある点で、ガイドレール３４の面と犠牲エクステンション３２の面は、突き出している部分がすり減って同一平面となる。ガイドレール３４は、スライダーの浮上特性を制御するのに用いられる空気動力学レールとは別のものである。以下で詳細に述べるように、ガイドレール３４はラッピング中に完全に除去される。
【００２８】
図３は、図２の犠牲エクステンション３２を拡大した図である。図は、ラッピング工程が停止されるオプション平面を説明している。ＡＡ−平面は犠牲エクステンション３２のラッピング前の底面である。他の実施例では、犠牲エクステンション３２の底面はガイドレール３４より短いかもしれない。ＢＢ−平面は、犠牲エクステンション３２とＣＣ−平面で示され周囲を取り囲むスライダー面の下に延びているガイドレール（図示せず）の一部を残して、そこでラッピングが終了する一つの平面である。
【００２９】
ラッピングは、ＤＤ−平面に到達するまで継続され、そこでは犠牲エクステンションとガイドレールは完全に除去され、スライダーの表面の素材も一部除去される。ラッピングが終了する平面が一般にＡＢＳとされるが、表面のコーティングや空気動力学的な構造などがラッピングの後に追加されると、真の最終ＡＢＳは実際のラッピング平面より少し低くなる。
【００３０】
図４は、本発明の第２の実施例による犠牲エクステンション３２Ｔを持つスライダーの等角図を示す。この実施例では、犠牲エクステンション３２Ｔはネックの部分が細くなっている（逆Ｔ字）ので、横軸方向に構造的に弱く、ラッピングが始まると折り取ってかなりの量の材料を除去することが可能であり、したがって、さらにラッピング時間を短縮することが出来る。図５に示す平面は、任意の点でラッピングを止め、ＡＢＳが図４や図２で示すものと同じになるようにする。
【００３１】
図６は、スライダー２０の後縁８００とラッピングする面である平面８０２に垂直である、本発明によるスライダーとマスクの中心断面図である。この図では、レールの詳細は示されていない。図６は、犠牲エクステンション３２がスライダー２０の全長にわたり延びているのを示す。マスク５３は、従来技術によりヘッド素子上を被覆する保護膜６１が形成されたスライダーの全面を被覆する。平面８０２は犠牲エクステンション３２あるいはラッピングしたＡＢＳの面を参照するために示されている。ガイドレール（図示せず）は、犠牲エクステンション３２に平行なスライダーの全長にわたり延びている。
【００３２】
図７は、本発明の第３の実施例による、上面（ＡＢＳに平行な面）にチャンネル５５を持つ、スライダーの複数のマスク５３Ｃを有するウエハー５２の部分図である。図８は、本発明の第３の実施例による、スライダー２０の等角図である。チャンネル５５は、隣接したスライダーの犠牲エクステンション３２Ｔあるいは３２（図示せず）が延伸出来るように適度な大きさになっている。これにより、スライダーをウエハー上により高密度に、したがってより効率的に配置することが可能になる。
【００３３】
この効率化を行うためには、ガイドレール３４の延長は、犠牲エクステンション３２Ｔあるいは３２を越えてはならない。しかしながら、ガイドレール３４のように、他の犠牲エクステンションを収納するために、複数のチャンネル５５が近くのスライダーに存在することも可能である。
【００３４】
犠牲エクステンションは、必ずしもスライダーの中心面に沿って配置する必要はない。センサーの下の犠牲エクステンションにより、磁気トランスデューサ素子を主軸から外して配置するというオプションもある。図９は、本発明の実施例による、スライダーの中心線から外れた犠牲エクステンションと磁気トランスデューサ素子を有する、ラッピング前のスライダーの後縁を示している。ガイドレール３４のような他の犠牲エクステンションは、ラッピングの均一性および／あるいは平坦度を向上させるために、スライダーのＡＢＳ側の他の場所に形成されることもある。図９に示すように、たとえば、犠牲エクステンション３２とガイドレール３４は、スライダーの中心面に対して対称である。理想的には、これでスライダーのスキューを防止出来る。
【００３５】
図１０に示す別の実施例では、オフセット犠牲エクステンション３２Ｔには、上で説明したように、折りやすいように細くしたネック部が形成されている。例としては、逆Ｔ字構造は、スライダーのラッピング速度を速めるために、他の犠牲エクステンションの有無にかかわらずスライダーの中心軸から外して位置決めすることが出来る。
【００３６】
ラッピング工程の一つの問題点は、センサ―のストライプ高さと、誘導型書き込みヘッドのスロート高さを精確に出すために、どの時点で十分な量の材料を除去したかを決めることである。電子ラッピングガイド（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｌａｐｐｉｎｇ　ｇｕｉｄｅ　（ＥＬＧ））が、従来技術においてこの目的に使用されてきた。ＥＬＧは、ガイドレールや、犠牲エクステンション自体あるいはラッピングの後に残るスライダーの他の部分にそれを含めることで、犠牲エクステンション構造に応用することが出来る。
【００３７】
本発明の他の実施例では、センサ―構造はセンサ―のストライプ高さやスロート高さを決めるのに用いることが出来る。センサ―を用いることで、ヘッド構造を簡単に出来る利点があるが、センサ―に電気的あるいは機械的な損傷を与えることなく、ラッピング時にセンサ―構造に電気的な接続をしなければならない複雑さが増える。センサ―をラッピングの終了点の検出器として用いることのみが、ここに説明した犠牲エクステンションを持つスライダーに用いられるわけではなく、それに代わるヘッドデザインとラッピング方法がスライダーの再現性のあるＡＢＳ平面を達成するために使用可能である。
【００３８】
明示された材料や、厚さ等が上記で与えられた場合を除き、本発明を実施する場合のスライダーの層や構造や材料は、従来技術によるものであり、従来技術に基づき組み立てられる。
【００３９】
ここに与えられた組成は、実際の実施においては、この分野に詳しい人にはよく知られているように、必然的に存在する少量の不純物に関しては無視して説明した。
【００４０】
本発明の実施例は特定の実施例について説明したが、ここに説明した本発明はこの応用に留まらず、各種の変更や修正が、本発明の適用範囲にあるこの技術に熟練した人にとっては明白なことである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例による、スライダーの複数のマスクをもつウエハーの部分図である。
【図２】本発明の第１の実施例における、ラッピング前のスライダーの後縁を説明する等角図である。
【図３】図４のスライダーに示された犠牲エクステンションの拡大図である。
【図４】本発明の第２の実施例における、ラッピング前のスライダーの後縁を説明する等角図である。
【図５】図６のスライダーに示された犠牲エクステンションの拡大図である。
【図６】本発明によるスライダーとマスクの中心断面図であって、スライダー（左部分）の後縁とラッピングする面（底面）に垂直に取ったものである。
【図７】本発明の第３の実施例によるスライダーの複数のマスクを持つウエハーであって、ウエハーをより有効に利用できるように上面にチャンネルを有するものの部分図である。
【図８】図７に示すスライダーの等角図である。
【図９】本発明の一実施例による、犠牲エクステンションを有し、スライダーの中心線からオフセットされた磁気トランスデューサ素子を有する、ラッピング前のスライダーの後縁を示す図である。
【図１０】本発明の一実施例による、磁気トランスデューサ素子とスライダーの中心線からオフセットされたネック部が細くなった犠牲エクステンションを有する、ラッピング前のスライダーの後縁を示す図である。
【図１１】本発明によるスライダーが使用可能な形式の磁気ディスクドライブシステムの略図である。
【図１２】スライダーをラッピングする効果と目的を説明するための、ラッピング前の、従来技術による磁気トランスデューサの形式の中心断面図である。
【符号の説明】
２０…スライダー
３１，３１Ｔ…ヘッド素子
３２，３２Ｔ…犠牲エクステンション
３４…ガイドレール
４３…サブストレート
５２…ウェハー
５３，５３Ｃ…マスク
５５…チャンネル
ＤＤ…ラッピング終了平面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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