(57)【要約】【課題】平面精度を高く維持した状態で基板を保持する。【解決手段】ウエハホルダ７０では、その吸着力が及ぶ領域の境界近傍でウエハＷを支持する複数のピン３２Ｂ，３２Ｃの各々の先端部の面積が、ピン３２Ａの先端部の面積よりも小さくなっている。このようにすれば、吸着力が低下した境界近傍でも、ウエハＷに対するピン３２Ｂ，ピン３２Ｃそれぞれの吸着度を高めることができるようになり、プロセスを経て様々な形に変形したウエハＷであっても、その変形が前述の吸着力によって矯正されたときに、その部分をより深く吸着させることができるので、ウエハＷに対する矯正力を高め、その平面精度を高く維持した状態でウエハＷを保持することができる。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状の基板を保持する基板保持装置であって、
所定領域を有する本体部と；
前記所定領域上に離間して設けられ、前記所定領域上方の略同一平面内に配置されたそれぞれの先端部によって前記基板を支持する複数の第１支持部と；
前記本体部における前記所定領域の境界近傍にそれぞれ離間して設けられ、前記各第１支持部とともにそれぞれの先端部によって前記基板を支持する複数の第２支持部と；を備え、
前記各第１支持部の先端部の面積よりも、前記各第２支持部の先端部の面積が小さいことを特徴とする基板保持装置。
【請求項２】
前記各第１支持部の先端部に対する前記各第２支持部の先端部の面積比が、支持対象である前記基板の変形に応じて決定されていることを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
【請求項３】
前記各第２支持部は、その先端部の大きさが０．２ｍｍ程度以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板保持装置。
【請求項４】
前記各第１支持部の先端部及び前記各第２支持部の先端部は略円形であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板保持装置。
【請求項５】
前記複数の第２支持部は、その先端部の面積が部分的に異なることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板保持装置。
【請求項６】
前記所定領域の外周に設けられた第１隔壁と、前記基板を着脱するための着脱機構を突出及び退避可能とするために前記所定領域に囲まれた領域に形成された開口部を取り囲む第２隔壁との少なくとも一方をさらに備え、
前記複数の第２支持部は、前記第１隔壁上及び前記第２隔壁上の少なくとも一方に設けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板保持装置。
【請求項７】
前記複数の第２支持部は、前記第１隔壁上及び前記第２隔壁上にそれぞれ設けられ、
前記第１隔壁上の前記各第２支持部の先端部の面積と、前記第２隔壁上の前記各第２支持部の先端部の面積とが互いに異なるように設定されていることを特徴とする請求項６に記載の基板保持装置。
【請求項８】
前記所定領域の外周に設けられる第１隔壁を更に備え、前記複数の第２支持部は、前記第１隔壁上に設けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板保持装置。
【請求項９】
前記本体部に対して前記基板を着脱する着脱機構と前記本体部とを相対移動するために前記所定領域に形成される開口部を取り囲む第２隔壁を更に備え、前記複数の第２支持部は前記第２隔壁上にも設けられていることを特徴とする請求項８に記載の基板保持装置。
【請求項１０】
前記複数の第２支持部は、その一部に対して残りが前記所定領域から離れる方向に関して離間して設けられていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板保持装置。
【請求項１１】
前記複数の第２支持部は、その先端部の面積が前記所定領域から離れる方向に関して異なることを特徴とする請求項１０に記載の基板保持装置。
【請求項１２】
前記複数の第２支持部は、その先端部の面積が前記所定領域に最も近い一部で最大となることを特徴とする請求項１１に記載の基板保持装置。
【請求項１３】
前記複数の第２支持部は、その先端部の面積が前記所定領域から離れるにしたがって小さくなることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の基板保持装置。
【請求項１４】
前記各第１支持部の側面には、段差が形成されていないことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載の基板保持装置。
【請求項１５】
平板状の基板を保持する基板保持装置であって、
所定領域を有する本体部と；
前記所定領域上に離間して設けられ、前記所定領域上方の略同一平面内に配置されたそれぞれの先端部によって前記基板を支持する複数の支持部と；を備え、
前記複数の支持部の少なくとも一部の側面には段差が形成されていないことを特徴とする基板保持装置。
【請求項１６】
パターンを、投影光学系を介して基板上に転写する露光装置であって、
請求項１〜１４のいずれか一項に記載の基板保持装置を備え、
前記基板保持装置によって保持された基板に、前記パターンを、前記投影光学系を介して転写することを特徴とする露光装置。
【請求項１７】
前記各第１支持部の先端部に対する前記各第２支持部の先端部の面積比が互いに異なる複数の前記基板保持装置を備えることを特徴とする請求項１６に記載の露光装置。
【請求項１８】
複数の前記基板保持装置の中から選択された基板保持装置を、前記パターンの転写位置に搬送する搬送系をさらに備えることを特徴とする請求項１７に記載の露光装置。
【請求項１９】
前記基板の変形に応じた前記面積比を算出する算出装置をさらに備えることを特徴とする請求項１７又は１８に記載の露光装置。
【請求項２０】
複数の前記基板保持装置の中から、前記基板の変形に応じた前記面積比を有する基板保持装置を選択する選択装置をさらに備えることを特徴とする請求項１７〜１９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２１】
パターンを、投影光学系を介して基板上に転写する露光装置であって、
請求項１５に記載の基板保持装置を備え、
前記基板保持装置によって保持された基板に、前記パターンを、前記投影光学系を介して転写することを特徴とする露光装置。
【請求項２２】
リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項１６〜２１のいずれか一項に記載の露光装置を用いて露光を行うデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法に係り、更に詳しくは、平板状の基板を保持する基板保持装置、該基板保持装置を備える露光装置、及び該露光装置を用いて露光を行うデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子、液晶表示素子等を製造するためのリソグラフィ工程では、マスク又はレチクル（以下「レチクル」と総称する）に形成されたパターンを、投影光学系を介してレジスト等が塗布されたウエハ又はガラスプレート等の基板（以下、「ウエハ」と総称する）上に転写する露光装置、例えばステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置（いわゆるステッパ）や、このステッパに改良を加えたステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ）等の逐次移動型の投影露光装置が主として用いられている。
【０００３】
このような投影露光装置においては、投影光学系の光軸に直交する２次元平面内を少なくとも移動可能なウエハステージが設けられており、このウエハステージ上に固定されたウエハホルダにより、ウエハが真空吸着或いは静電吸着等により保持されている。このようなウエハホルダでは、ウエハとの間に異物の挟み込みが生じると、ウエハ表面に凹凸が生じて露光の際の焦点ずれが発生し、ひいては転写精度が低下してしまう可能性がある。
【０００４】
また、このような投影露光装置では、回路パターンの微細化の要求に対応するため、解像力の向上が至上命題となっている。そのため、投影光学系の開口数（Ｎ．Ａ．）を大きくする大Ｎ．Ａ．化が進んでいるが、その大Ｎ．Ａ．化は、投影光学系の焦点深度の狭小化を招く。したがって、投影光学系の大Ｎ．Ａ．化に対応するためには、ウエハホルダとウエハとの間の異物の挟み込みを回避することが重要となる。
【０００５】
最近では、ウエハホルダとウエハとの間の異物の挟み込みを回避するため、様々なウエハホルダが提案されている。例えば、特許文献１などに開示されている多数のピン状の支持部材（以下、「ピン」という）によりウエハを支持するピンチャック式のウエハホルダが比較的多く用いられるようになってきた。かかるピンチャック式のウエハホルダによれば、複数のピンでウエハを支持するようになるため、ウエハホルダとウエハとの接触面積を著しく小さくし、前述の異物挟み込みの発生をほぼ確実に抑制することが可能となる。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１−１２９４３８号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ウエハはプロセスの進行に伴って次第に変形する。そのため、複数層のパターンの重ね合わせ転写を行う露光装置のウエハホルダには、ベアウエハだけでなく様々なプロセスを経てある程度変形したウエハが保持されることとなる。したがって、前述の焦点深度の狭小化に対応するためには、ピンチャック式のウエハホルダにおいても、プロセスの進行により変形したウエハを矯正、或いはウエハの平面精度を維持したうえでそのウエハを保持するのが望ましい。なお、ここで、「プロセス」とは、露光工程などを含む半導体素子等の製造プロセスを指す。
【０００８】
本発明は、かかる事情の下になされたもので、その第１の目的は、平面精度を高く維持した状態で基板を保持することができる基板保持装置を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の第２の目的は、露光精度の向上を図ることができる露光装置を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の第３の目的は、高集積度のデバイスの生産性を向上することができるデバイス製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、平板状の基板（Ｗ）を保持する基板保持装置（７０）であって、所定領域を有する本体部（２６）と；前記所定領域上に離間して設けられ、前記所定領域上方の略同一平面内に配置されたそれぞれの先端部によって前記基板を支持する複数の第１支持部（３２Ａ）と；前記本体部における前記所定領域の境界近傍にそれぞれ離間して設けられ、前記各第１支持部とともにそれぞれの先端部によって前記基板を支持する複数の第２支持部（３２Ｂ，３２Ｃ）と；を備え、前記各第１支持部の先端部の面積よりも、前記各第２支持部の先端部の面積が小さいことを特徴とする基板保持装置（７０）である。
【００１２】
平板状の基板を保持する基板保持装置では、真空吸着や静電吸着等の作用により基板を吸着することによって、その基板を保持するものが多く用いられている。しかし、このような装置では、基板に対しその吸着力が及ぶ所定領域の境界付近、例えば基板の外縁部や基板の脱着機構などが存在する中心部近傍では、その吸着力が他の部分の吸着力（本来維持されるべき吸着力）に比べて弱くなる傾向が見られる。そこで、本発明の基板保持装置では、その境界近傍で基板を支持する複数の第２支持部の各々の先端部の面積を、本来の吸着力によって基板を支持する複数の第１支持部の各々の先端部の面積よりも小さくする。このようにすれば、吸着力が低下した境界近傍でも、基板に対する各第２支持部の吸着度を高めることができるようになる。したがって、プロセスを経て様々な形に変形した基板（前述の境界付近の部分が反りあがったり、盛り上がったりしている基板）であっても、その変形が前述の吸着力によって矯正されたときに、その部分をより深く吸着させることができるので、基板に対する矯正力を高め、その平面精度を高く維持した状態で基板を保持することができる。
【００１３】
この場合、請求項２に記載の基板保持装置のごとく、前記各第１支持部の先端部に対する前記各第２支持部の先端部の面積比が、支持対象である前記基板の変形に応じて決定されていることとすることができる。基板の外縁部や脱着機構などが存在する中心部近傍において必要とされる基板に対する矯正力の大きさは、保持される基板の変形状態にも左右される。したがって、第１支持部の先端部に対する第２支持部の先端部の面積比は、その基板の変形に応じて決定されているのが望ましい。
【００１４】
上記請求項１又は２に記載の基板保持装置において、請求項３に記載の基板保持装置のごとく、前記各第２支持部は、その先端部の大きさが０．２ｍｍ程度以下であることとすることができる。
【００１５】
上記請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板保持装置において、請求項４に記載の基板保持装置のごとく、前記各第１支持部の先端部及び前記各第２支持部の先端部は略円形であることとすることができる。
【００１６】
上記請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板保持装置において、請求項５に記載の基板保持装置のごとく、前記複数の第２支持部は、その先端部の面積が部分的に異なることとすることができる。
【００１７】
上記請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板保持装置において、請求項６に記載の基板保持装置のごとく、前記所定領域の外周に設けられた第１隔壁（２８）と、前記基板を着脱するための着脱機構（３４ａ，３４ｂ，３４ｃ）を突出及び退避可能とするために前記所定領域に囲まれた領域に形成された開口部（８４）を取り囲む第２隔壁（３５Ａ，３５Ｂ，３５Ｃ）との少なくとも一方をさらに備え、前記複数の第２支持部は、前記第１隔壁上及び前記第２隔壁上の少なくとも一方に設けられていることとすることができる。
【００１８】
この場合、請求項７に記載の基板保持装置のごとく、前記複数の第２支持部は、前記第１隔壁上及び前記第２隔壁上にそれぞれ設けられ、前記第１隔壁上の前記各第２支持部の先端部の面積と、前記第２隔壁上の前記各第２支持部の先端部の面積とが互いに異なるように設定されていることとすることができる。
【００１９】
上記請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板保持装置において、請求項８に記載の基板保持装置のごとく、前記所定領域の外周に設けられる第１隔壁を更に備え、前記複数の第２支持部は、前記第１隔壁上に設けられていることとすることができる。
【００２０】
この場合、請求項９に記載の基板保持装置のごとく、前記本体部に対して前記基板を着脱する着脱機構と前記本体部とを相対移動するために前記所定領域に形成される開口部を取り囲む第２隔壁を更に備え、前記複数の第２支持部は前記第２隔壁上にも設けられていることとすることができる。
【００２１】
上記請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板保持装置において、請求項１０に記載の基板保持装置のごとく、前記複数の第２支持部は、その一部に対して残りが前記所定領域から離れる方向に関して離間して設けられていることとすることができる。
【００２２】
この場合、請求項１１に記載の基板保持装置のごとく、前記複数の第２支持部は、その先端部の面積が前記所定領域から離れる方向に関して異なることとすることができる。
【００２３】
この場合、請求項１２に記載の基板保持装置のごとく、前記複数の第２支持部は、その先端部の面積が前記所定領域に最も近い一部で最大となることとすることができる。
【００２４】
上記請求項１１又は１２に記載の基板保持装置において、請求項１３に記載の基板保持装置のごとく、前記複数の第２支持部は、その先端部の面積が前記所定領域から離れるにしたがって小さくなることとすることができる。
【００２５】
上記請求項１〜１３のいずれか一項に記載の基板保持装置において、請求項１４に記載の基板保持装置のごとく、前記各第１支持部の側面には、段差が形成されていないこととすることができる。
【００２６】
請求項１５に記載の発明は、平板状の基板（Ｗ）を保持する基板保持装置（７０）であって、所定領域を有する本体部（２６）と；前記所定領域上に離間して設けられ、前記所定領域上方の略同一平面内に配置されたそれぞれの先端部によって前記基板を支持する複数の支持部（３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ）と；を備え、前記複数の支持部の少なくとも一部の側面には段差が形成されていないことを特徴とする基板保持装置（７０）である。
【００２７】
基板を支持する複数の支持部の側面に段差が設けられていた場合には、その段差に異物が付着しやすくなり、その異物によって基板が押し上げられその基板が変形し易くなる。請求項１５に記載の基板保持装置では、基板を支持する複数の支持部のうちの少なくとも一部の支持部の側面には段差が設けられていないので、その支持部には異物が付着しにくくなり、結果的に、平面精度を高く維持した状態で基板を保持することができるようになる。
【００２８】
請求項１６に記載の発明は、パターンを、投影光学系（ＰＬ）を介して基板（Ｗ）上に転写する露光装置であって、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の基板保持装置（７０）を備え、前記基板保持装置によって保持された基板に、前記パターンを、前記投影光学系を介して転写することを特徴とする露光装置（１００）である。
【００２９】
これによれば、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の基板保持装置によって基板が保持されているため、その基板がその平面精度を高く維持するように支持される。そして、その平坦度良く支持された基板に対してパターンが転写される。したがって、基板上の露光領域（被露光領域）を、投影光学系の焦点深度内に高精度に合致させることが容易となり、デフォーカスに起因するパターンの転写精度の劣化が殆どない、高精度な露光が可能となる。
【００３０】
この場合、請求項１７に記載の露光装置のごとく、前記各第１支持部の先端部に対する前記各第２支持部の先端部の面積比が互いに異なる複数の前記基板保持装置を備えることとすることができる。
【００３１】
この場合、請求項１８に記載の露光装置のごとく、複数の前記基板保持装置の中から選択された基板保持装置を、前記パターンの転写位置に搬送する搬送系をさらに備えることとすることができる。かかる場合には、基板保持装置を手動で転写位置に設置する必要がなくなるため、その作業を行う作業者の負担が軽減されるとともにその設置に要する時間を短縮することができる。
【００３２】
上記請求項１７又は１８に記載の露光装置において、請求項１９に記載の露光装置のごとく、前記基板の変形に応じた前記面積比を算出する算出装置をさらに備えることとすることができる。
【００３３】
上記請求項１７〜１９のいずれか一項に記載の露光装置において、請求項２０に記載の露光装置のごとく、複数の前記基板保持装置の中から、前記基板の変形に応じた前記面積比を有する基板保持装置を選択する選択装置をさらに備えることとすることができる。かかる場合には、複数の基板保持装置の中から、基板保持装置を自動的に選択することができるようになるため、その作業を行う作業者の負担を軽減することができるとともに、その選択のために要する時間を短縮することができる。
【００３４】
請求項２１に記載の発明は、パターンを、投影光学系（ＰＬ）を介して基板（Ｗ）上に転写する露光装置であって、請求項１５に記載の基板保持装置（７０）を備え、前記基板保持装置によって保持された基板に、前記パターンを、前記投影光学系を介して転写することを特徴とする露光装置（１００）である。
【００３５】
これによれば、請求項１５に記載の基板保持装置によって基板が保持されているため、基板との間に異物を挟む確率を低減して基板が平坦度良く支持され、請求項１６に記載の露光装置と同様に、高精度な露光が可能となる。
【００３６】
請求項２２に記載の発明は、リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、前記リソグラフィ工程では、請求項１６〜２１のいずれか一項に記載の露光装置（１００）を用いて露光を行うデバイス製造方法である。
【００３７】
これによれば、請求項１６〜２１のいずれか一項に記載の露光装置によって露光が行われるため、デフォーカスに起因するパターンの転写精度の劣化が殆どない高精度な露光が可能となるので、高集積度のデバイスの生産性を向上することができる。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態について、図１〜図５（Ｂ）に基づいて説明する。
【００３９】
図１には、本発明の一実施形態に係る露光装置１００の概略構成が示されている。この露光装置１００は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置であり、照明系１０、マスクとしてのレチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＬ、露光対象である基板としてのウエハＷが搭載されるステージ装置５０、及びこれらの制御系等を備えている。
【００４０】
照明系１０は、例えば特開平６−３４９７０１号公報などに開示されるように、光源、オプティカル・インテグレータ（フライアイレンズ、ロッドインテグレータ（内面反射型インテグレータ）あるいは回折光学素子等）などを含んで構成される照度均一化光学系、リレーレンズ、可変ＮＤフィルタ、レチクルブラインド、及びダイクロイックミラー等（いずれも不図示）を含んで構成されている。
【００４１】
この照明系１０は、回路パターン等が描かれたレチクルＲ上のレチクルブラインドで規定されたスリット状の照明領域をエネルギビームとしての照明光ＩＬによりほぼ均一な照度で照明する。ここで、照明光ＩＬとしては、ＫｒＦエキシマレーザ光（出力波長２４８ｎｍ）などの遠紫外光、ＡｒＦエキシマレーザ光（出力波長１９３ｎｍ）、あるいはＦ２レーザ光（出力波長１５７ｎｍ）などの真空紫外光などが用いられる。照明光ＩＬとして、超高圧水銀ランプからの紫外域の輝線（ｇ線、ｉ線等）を用いることも可能である。
【００４２】
レチクルステージＲＳＴ上には、レチクルＲが、例えば真空吸着により固定されている。レチクルステージＲＳＴは、例えばリニアモータ等を含む不図示のレチクルステージ駆動部によって、照明系１０の光軸（後述する投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに一致）に垂直なＸＹ平面内で微少駆動可能であるとともに、所定の走査方向（ここではＹ軸方向とする）に指定された走査速度で駆動可能となっている。
【００４３】
レチクルステージＲＳＴのＸＹ平面内の位置は、レチクルレーザ干渉計（以下、「レチクル干渉計」という）１６によって、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計１６からのレチクルステージＲＳＴの位置情報は主制御装置２０に供給される。主制御装置２０は、レチクルステージＲＳＴの位置情報に基づいてレチクルステージ駆動部（不図示）を介してレチクルステージＲＳＴを駆動制御する。
【００４４】
投影光学系ＰＬは、レチクルステージＲＳＴの図１における下方に配置され、その光軸ＡＸの方向がＺ軸方向とされている。投影光学系ＰＬとしては、例えば両側テレセントリックで所定の縮小倍率（例えば１／４又は１／５）を有する屈折光学系が使用されている。このため、照明系１０からの照明光ＩＬによってレチクルＲの照明領域が照明されると、このレチクルＲを通過した照明光ＩＬにより、投影光学系ＰＬを介してその照明領域内のレチクルＲの回路パターンの縮小像（部分倒立像）が、表面にレジスト（感光剤）が塗布されたウエハＷ上で、照明領域と実質的に共役な照明光ＩＬの照射領域（露光領域）に形成される。
【００４５】
ステージ装置５０は、ウエハステージＷＳＴ、該ウエハステージＷＳＴ上に設けられたウエハホルダ７０等を備えている。ウエハステージＷＳＴは、投影光学系ＰＬの図１における下方で、不図示のベース上に配置され、リニアモータ、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）等から成る不図示のウエハステージ駆動部により、ＸＹ平面内方向及びＺ軸方向に移動可能であり、ＸＹ面に対する傾斜方向（Ｘ軸回りの回転方向（θｘ方向）及びＹ軸回りの回転方向（θｙ方向））に微小駆動可能となっている。すなわち、ウエハステージＷＳＴは、走査方向（Ｙ軸方向）の移動のみならず、ウエハＷ上の複数のショット領域をそれぞれ露光領域に対して相対移動して走査露光を行うことができるように、走査方向に直交する非走査方向（Ｘ軸方向）にも移動可能に構成されており、これにより、ウエハＷ上の各ショット領域を走査（スキャン）露光する動作と、次ショットの露光のための加速開始位置まで移動（ステップ）する動作とを繰り返すステップ・アンド・スキャン動作が可能となる。なお、ウエハステージ駆動部はＸＹ平面に対する傾斜方向に加えて、ウエハステージＷＳＴをＸＹ面内で微小駆動してもよい。
【００４６】
ウエハステージＷＳＴのＸＹ平面内での位置（Ｚ軸回りの回転（θｚ回転）を含む）は、ウエハレーザ干渉計（以下、「ウエハ干渉計」と略述する）１８によって、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出されている。ウエハ干渉計１８は、測長軸を複数有する多軸干渉計であり、これらの干渉計によって、ウエハステージＷＳＴの回転（θｚ回転（ヨーイング）、Ｙ軸回りの回転であるθｙ回転（ピッチング）、及びＸ軸回りの回転であるθｘ回転（ローリング））が計測可能となっている。
【００４７】
ウエハ干渉計１８によって検出されたウエハステージＷＳＴの位置情報（又は速度情報）は主制御装置２０に供給される。主制御装置２０は、ウエハステージＷＳＴの上記位置情報（又は速度情報）に基づき、不図示のウエハステージ駆動部を介してウエハステージＷＳＴの位置を制御する。
【００４８】
さらに、ウエハステージＷＳＴは、ウエハＷを保持する基板保持装置としてのウエハホルダ７０を例えば後述するように、真空吸着により固定可能となっている。図２には、ウエハホルダ７０を＋Ｚ側からみたときの平面図が示されており、図３には、ウエハホルダ７０のＡ−Ａ線断面図が示されている。図２では、ウエハホルダ７０上には、ウエハＷが保持されていないが、図３では、ウエハホルダ７０上にウエハＷが保持される直前の状態となっている（具体的には、後述するセンタアップ３４ａ，３４ｂ，３４ｃに保持された状態となっている）。ウエハホルダ７０は、図２に示されるように、円形板状の本体部としてのベース部２６、該ベース部２６の上面（図２における紙面手前側の面）の中央部の所定領域に離間して設けられた複数の第１支持部としての突起状のピン３２Ａ，３２Ａ，……、これら複数のピン３２Ａが配置された所定領域を取り囲む状態で外周縁近傍に設けられた環状の第１隔壁としての凸部（以下、「リム部」と称する）２８等を備えている。リム部２８上には、複数の第２支持部の一部としての突起状のピン３２Ｂ，３２Ｂ，  ……、がそれぞれ離間して設けられている。ピン３２Ａ，３２Ｂは、図４（Ａ），図４（Ｂ）に示されるように、先端部に近づくにつれて細くなるテーパ形状であって、それぞれの先端部が略同一平面内に位置するほぼ円形の平面となっており、ピン３２Ａの先端部の半径ａは、ピン３２Ｂの先端部の半径ｂよりも長くなっている。
【００４９】
図２に戻り、ベース部２６の中央部近傍には、ほぼ正三角形の各頂点の位置に上下方向（図２における紙面直交方向）の３つの貫通孔（開口部）８４が、ピン３２Ａと干渉しない状態で形成されている。これらの貫通孔８４それぞれには、円柱形状を有する上下動ピン（以下、「センタアップ」と称する）３４ａ，３４ｂ，３４ｃが挿入されており、これら３つのセンタアップ３４ａ〜３４ｃは、不図示の上下動機構を介して、上下方向（Ｚ軸方向）に同時に同一量だけ、昇降（上下動）可能となっている。図３には、ウエハＷが、センタアップ３４ａ〜３４ｃに支持された状態が図示されている（ただし、紙面より手前に配置されているセンタアップ３４ｃは、図示されていない）。ウエハロード、ウエハアンロード時には、センタアップ３４ａ〜３４ｃが前述の上下動機構により駆動されることで、センタアップ３４ａ〜３４ｃによってウエハＷを下方から支持し、あるいは保持した状態で上下動することが可能となっている。
【００５０】
センタアップ３４ａ〜３４ｃを取り囲む状態で、センタアップ３４ａ〜３４ｃが挿入された貫通孔８４と、ピン３２Ａが配置された所定領域とを隔てる第２隔壁としてのリム部３５Ａ〜３５Ｃが、それぞれ設けられている。それらリム部３５Ａ〜３５Ｃ上にも、第２支持部の一部としての複数の突起状のピン３２Ｃが所定の間隔で設けられている。このピン３２Ｃも、図４（Ｂ）に示されるピン３２Ｂと同様に、先端部に近づくにつれて細くなるテーパ形状となっており、それぞれの先端部が略同一平面内に位置する半径ｂのほぼ円形の平面となっている。ウエハＷは、真空吸着時には、複数のピン３２Ａの先端部と、リム部２８及びリム部３５Ａ〜３５Ｃ上に設けられた複数のピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部によって支持される。
【００５１】
なお、ウエハホルダ７０は、低熱膨張率の材料、例えばセラミックス等のある程度弾性を有する材料より形成されており、全体として円板状のセラミックス（例えば、ショット社のゼロデュア（商品名）、Ａｌ２Ｏ３又はＴｉＣ）等の材料の表面をブラストエッチングすることによって、底面部を構成する円形板状のベース部２６と、リム部２８，３５Ａ〜３５Ｃ及び複数のピン３２Ａ〜３２Ｃとが一体的に形成されたものとなっている。
【００５２】
なお、本実施形態では、ピン３２Ａの側面には、段差が形成されていない。ウエハＷを支持するピン３２Ａの側面に段差が設けられていると、その段差に異物が付着しやすくなり、その異物によってウエハＷが押し上げられ、ウエハＷが変形し易くなる。ウエハホルダ７０では、ウエハＷを支持するピン３２Ａ〜３２Ｃのうちの少なくとも一部のピン３２Ａの側面には、段差が設けられていないので、そのピン３２Ａには異物が付着しにくくなり、結果的に、平面精度を高く維持した状態でウエハＷを保持することができるようになる。
【００５３】
また、ベース部２６の上面には、図２に示されるように、複数の給排気口３６が、ベース部２６上面の中心部近傍から放射状（ほぼ１２０°の中心角の間隔を有する３本の半径線の方向）に、所定間隔で形成されている。これら給排気口３６も、ピン３２Ａと干渉しない位置に形成されている。給排気口３６は、それらの直下の配管をそれぞれ介してベース部２６内部に形成された給排気路３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃにそれぞれ接続され、これらの給排気路３８Ａ〜３８Ｃが給排気枝管４０ａ，４０ｂ，４０ｃと連通しており、給排気枝管４０ａ〜４０ｃは、給排気本管４０ｄと連通している。なお、給排気枝管４０ａ〜４０ｃ、給排気本管４０ｄとで給排気管４０を構成し、給排気本管４０ｄは、給排気機構８０に接続されている。
【００５４】
給排気機構８０は、不図示の２台の真空ポンプ及び給気装置を備えている。これらの装置は、不図示のそれぞれの電磁弁（電磁バルブ）を介して給排気本管４０ｄと接続されている。なお、２台の真空ポンプのうち１台は、高速排気用の真空室を介して給排気本管４０ｄと接続されている。また、図示は省略されているが、給排気本管４０ｄの一部には、給排気管４０内部の気圧を計測するための気圧計が接続されている。この気圧計による計測値は図１の主制御装置２０に供給され、主制御装置２０は、気圧計による計測値とウエハＷのロード、アンロードの制御情報とに基づいて、各電磁弁の開閉と、各真空ポンプ及び給気装置の動作とを制御するようになっている。なお、これらの動作については、後に更に詳述する。
【００５５】
すなわち、本実施形態では、給排気機構８０、給排気管４０、給排気路３８Ａ〜３８Ｃ、及び給排気口３６によって、真空吸着機構が構成されている。
【００５６】
前記給排気路３８Ａ〜３８Ｃについて、図３に示される給排気路３８Ａを代表的に採り上げて簡単に説明する。この給排気路３８Ａは、ベース部２６の外周面からベース部２６の中心部近傍にかけて半径方向（Ｘ軸方向）に沿って形成された幹路８８Ａと、該幹路８８Ａから半径方向に所定間隔を隔てて、それぞれ＋Ｚ方向に分岐された複数（ここでは５つ）の分岐路８６Ａ１〜８６Ａ５とから成る通路である。この場合、分岐路８６Ａ１〜８６Ａ５の上端の開口端それぞれが、前述した給排気口３６となっている。なお、残りの２つの給排気路３８Ｂ，３８Ｃも給排気路３８Ａと同様の構成となっている。
【００５７】
すなわち、ピン３２Ａ等によってウエハＷが支持された状態で、真空吸着機構による真空吸着動作が開始されると、ウエハＷとベース部２６、リム部２８，３５Ａ〜３５Ｃによって囲まれた領域の気体がその給排気機構８０の真空ポンプによって、給排気口３６、給排気路３８Ａ〜３８Ｃを介して吸い出され、その領域が減圧状態となる。すると、大気圧によってウエハＷが−Ｚ側に押しつけられ、ウエハホルダ７０に真空吸着されるようになる。なお、ウエハＷの裏面のうち、ウエハＷとベース部２６、リム部２８、３５Ａ〜３５Ｃによって囲まれた領域以外の裏面、すなわち外気圧空間に開放されている部分を外気開放部或いは非吸着部と呼ぶ。本実施形態では、センタアップ３４ａ〜３４ｃによって支持される部分や、リム部２８よりも外周側のわずかな部分が外気開放部（非吸着部）に相当する。なお、上述の真空吸着動作については、後に更に詳述する。
【００５８】
図１に戻り、本実施形態の露光装置１００では、主制御装置２０によってオン・オフが制御される光源を有し、投影光学系ＰＬの結像面に向けて多数のピンホール又はスリットの像を形成するための結像光束を、光軸ＡＸに対して斜め方向より照射する照射系６０ａと、それらの結像光束のウエハＷ表面での反射光束を受光する受光系６０ｂとから成る斜入射方式の多点焦点位置検出系から成る焦点位置検出系が設けられている。なお、本実施形態の焦点位置検出系（６０ａ、６０ｂ）と同様の多点焦点位置検出系の詳細な構成は、例えば特開平６−２８３４０３号公報等に開示されている。なお、同公報に記載の多点焦点位置検出系は、ウエハＷ上の露光領域だけでなく、走査方向のウエハＷの起伏を先読みする機能等を有しているが、それらの機能は有していなくても良く、また、照射系６０ａによって照射される光束の形状は、平行四辺形等の他、別の形状であっても良い。
【００５９】
主制御装置２０は、後述する走査露光時等に、受光系６０ｂからのデフォーカス信号に基づいて焦点ずれが０となるように、ウエハステージ駆動部（不図示）を介してウエハステージＷＳＴのＺ軸方向への移動、及び２次元の傾斜（すなわち、θｘ，θｙ方向の回転）を制御する。すなわち、多点焦点位置検出系（６０ａ、６０ｂ）を用いてウエハステージＷＳＴの移動等を制御することにより、照明光ＩＬの照射領域（照明領域と結像関係となる露光領域）内で投影光学系ＰＬの結像面とウエハＷの表面とを実質的に合致させる、換言すれば投影光学系ＰＬの焦点深度内にウエハＷの表面を維持するオートフォーカス（自動焦点合わせ）及びオートレベリングを実行する。
【００６０】
次に、本実施形態の露光装置１００におけるウエハＷのロード及びアンロード動作について説明する。なお、ウエハＷのロード前には、給排気機構８０の電磁弁は全て閉じられており、給排気機構８０による給気動作及び排気動作はオフされているものとする。
【００６１】
不図示のウエハローダにより、ウエハＷがウエハホルダ７０上方に搬送されると、主制御装置２０は、不図示の上下動機構を介してセンタアップ３４ａ〜３４ｃを上昇させる。ここでセンタアップ３４ａ〜３４ｃの上昇量が所定量に達すると、ウエハローダ上のウエハＷがセンタアップ３４ａ〜３４ｃに受け渡され、ウエハローダがウエハホルダ７０上方から退避する。その後、主制御装置２０がセンタアップ３４ａ〜３４ｃを下降させることにより、ウエハホルダ７０上にウエハＷが載置される。
【００６２】
上記のようにしてウエハホルダ７０上にウエハＷが載置されると、主制御装置２０は、給排気機構８０の高速排気用の真空室に通じる電磁弁を開き、ベース部２６、リム部２８，３５Ａ〜３５Ｃ、及びウエハＷで囲まれた空間内の気体を高速に吸引（排気）する。この際、本実施形態では、スループットの向上を図るため、その真空室を使用することによって吸引圧力を、例えば−８００ｈＰａ程度と高く（高度な真空状態に）設定している。
【００６３】
このようにして、ウエハＷを高速に吸着保持することでウエハロードが終了する。その後、主制御装置２０は、真空室に通じる電磁弁を閉じ、通常時に使用するもう１つの真空ポンプに通じる電磁弁を開く。これ以降はその真空ポンプの吸引力によりウエハＷが吸着保持されることとなる。
【００６４】
ここで、ウエハＷをウエハホルダ７０上に吸着保持してから、ウエハＷを取り出すまでの間は、ウエハステージＷＳＴの移動等によりウエハＷが横ずれしてアライメント精度等に悪影響を与えない程度の吸引圧力（吸着力）があれば良く、本実施形態では、真空吸着によるウエハＷの変形を最小限に抑えるように、通常使用する真空ポンプによる吸引圧力を、例えば−２６６．５ｈＰａ〜−３３３．２ｈＰａ程度と低く（低度の真空状態に）設定している。また、ウエハＷをウエハホルダ７０上に載置する場合とそれ以外の動作を行う場合とで吸引圧力を異ならせることで、ウエハロードに要する時間を短縮できる。
【００６５】
一方、ウエハＷをアンロードするに際しては、主制御装置２０は、まず、開いていた電磁弁を閉じ、前述の吸着動作をオフする。次いで、主制御装置２０は、センタアップ３４ａ〜３４ｃを所定量上昇させるとともに、給気装置に接続された電磁弁（給気弁）を開き、ウエハＷの底面に向けて気体を吹き付ける。これにより、上述の真空状態が直ちに解除される。
【００６６】
センタアップ３４ａ〜３４ｃが所定量上昇すると、ピン３２Ａ等にて支持されているウエハＷがセンタアップ３４ａ〜３４ｃに受け渡されるので、不図示のウエハアンローダがウエハＷの下側に入り込むとともに、センタアップ３４ａ〜３４ｃが下降することで、センタアップ３４ａ〜３４ｃからウエハアンローダにウエハＷが受け渡される。そして、ウエハアンローダがウエハホルダ７０上から退避することにより、ウエハアンロードが終了する。このように、ウエハＷをウエハホルダ７０からアンロードする際にウエハＷの底面に気体を吹き付けることにより、ウエハＷのアンロード時間が短縮されることになる。
【００６７】
なお、照明光ＩＬとして真空紫外光等を使用する場合には、照明光ＩＬの光路上の気体をヘリウム等の照明光に対して透過性の高い気体で置換するが、このような場合には、ウエハＷの底面に吹き付ける気体も、照明光ＩＬに対して透過性の高い気体（例えば同一の気体）とすることが望ましい。また、ウエハＷの底面に吹き付ける気体の量は、ウエハＷが浮き上がらないような微小量とすることが望ましい。
【００６８】
上述したような動作によって、ウエハＷのウエハホルダ７０へのロード、アンロードが実行されるが、その際、ウエハホルダ７０にロードされるウエハＷは、ベアのウエハだけではなく、様々なプロセスを経たウエハである場合もある。そのようなウエハは、プロセスの影響により、変形している場合が多く、例えば、中心から円周部（外縁部）に向かって反りあがっていたり、中心がその周辺部に比べて盛り上がっていたりする場合がある。このようなウエハの変形は、プロセスが進むにつれて大きくなっていく。
【００６９】
本実施形態では、ウエハホルダ７０上に配設された複数のピン３２Ａ〜３２ＣによってウエハＷが支持されるようになるが、前述のように、ピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部の半径は、真空吸着が行われる領域に配設されたピン３２Ａの先端部の半径よりも小さくなるように設定されている。さらに、本実施形態では、ピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部の半径は、例えば０．１ｍｍ程度以下に設定されている。
【００７０】
ここで、保持対象となるウエハＷがプロセスを経て変形し、ピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部に対応する部分が反りあがって（盛り上がって）いたウエハＷをウエハホルダ７０上に保持した場合を考える。ウエハＷが上述の真空吸着動作によって吸着されると、図５（Ａ）に示されるように、ウエハＷが、その吸着力によってピン３２Ａに支持されるようになるとともに、リム部２８とウエハＷとの間に生じた負圧により発生する吸着力により、その反りあがりが矯正され、ウエハＷがピン３２Ｂにも支持されるようになる。
【００７１】
しかしながら、リム部２８とウエハＷとの間に生ずる負圧は、ピン３２Ａが設けられている領域とウエハＷとの間に生ずる負圧よりも小さくなり、ウエハＷに対する吸着力が弱くなる。そこで、本実施形態では、ピン３２Ｂの先端部の面積を、ピン３２Ａの先端部の面積よりも小さくし、吸着力が低下したリム部２８上でも、ウエハＷに対するピン３２Ｂ各々の吸着度を高めることができるようにする。このようにすれば、その変形が前述の吸着力によって矯正されたときに、その部分をより深く吸着させることができるので、ウエハＷに対する矯正力を高め、その平面精度を高く維持した状態で保持することができるようになる。
【００７２】
また、ウエハＷのセンタアップ３４ａ付近でも、図５（Ｂ）に示されるように、ウエハＷが上述の真空吸着動作によって吸着されたときに、リム部３５ＡとウエハＷとの間に生ずる負圧は、ピン３２Ａが設けられている領域とウエハＷとの間に生ずる負圧よりも小さくなり、ウエハＷに対する吸着力が弱くなるが、ピン３２Ｃの先端部の面積が、ピン３２Ａの先端部の面積よりも小さくなっているため、吸着力が低下したリム部３５Ａの上でも、ウエハＷに対するピン３２Ｃ各々の吸着度を高めることができるようになり、その変形が前述の吸着力によって矯正されたときに、その部分をより深く吸着させることができるので、ウエハＷに対する矯正力を高め、その平面精度を高く維持した状態で保持することができるようになる。
【００７３】
次に、本実施形態の露光装置１００における走査露光動作について簡単に説明する。露光装置１００によると、通常のスキャニング・ステッパと同様に、ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作が行われる。主制御装置２０は、ウエハＷの各ショット領域にレチクルＲの回路パターンを、投影光学系ＰＬを介して走査露光方式により縮小転写する。ここで、上記の走査露光中には、ウエハＷ上の照明領域（露光領域）が投影光学系ＰＬの結像面に実質的に一致した状態で露光が行われる必要があるため、前述した焦点位置検出系（６０ａ、６０ｂ）の出力に基づくオートフォーカス、オートレベリングが主制御装置２０により実行される。露光装置１００では、上述したウエハホルダ７０のピン３２Ａ〜３２Ｃに関する特徴により、保持するウエハＷの平坦度が向上するため、焦点位置検出系（６０ａ、６０ｂ）の追従性の範囲内で精度良く走査露光中におけるオートフォーカス、オートレベリングが実行されるので、高精度な露光を実現することができる。
【００７４】
以上詳細に説明したように、本実施形態では、そのベース部２６上（正確にはリム部２８，３５Ａ〜３５Ｃ上）境界近傍で、ウエハＷを支持する複数のピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部の面積を、本来の吸着力によってウエハＷを支持する複数のピン３２Ａの先端部の面積よりも小さくする。このようにすれば、吸着力が低下したリム部２８，３５Ａ〜３５Ｃ上、すなわち真空吸着機構による吸着力が及ぶ範囲の境界近傍（非吸着部近傍）でも、ウエハＷに対するピン３２Ｂ，３２Ｃの吸着度を高めることができるようになる。したがって、プロセスを経て様々な形に変形したウエハＷ（リム部２８，３５Ａ〜３５Ｃ近傍に対応する部分が反りあがったり、盛り上がったりしているウエハＷ）であっても、その変形が前述の吸着力によって矯正されたときに、その部分をより深く吸着させることができるので、ウエハＷの矯正力を高め、その平面精度を高く維持した状態で保持することができるようになる。
【００７５】
また、本実施形態では、異物を挟み込み易いウエハＷの外気開放部（非吸着部）近傍のピン３２Ｂ，ピン３２Ｃの先端部の面積を小さくすることによってウエハＷとの間に異物を挟み込んでしまう確率を低減し、ウエハＷを、その平面精度を高く維持した状態で保持することができるようになる。
【００７６】
なお、本実施形態では、ピン３２Ａ〜３２Ｃをテーパ形状とし、それらの先端部を略円形としたが、本発明はこれに限定されず、ウエハＷを支持するこれらのピンの少なくとも一部は、例えば円柱形状や、三角錐、四角錐を底面に平行な面で切断したような形状（この切断面がそれぞれの先端部となる）や、他の形状であっても良い。この状態であっても、ピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部の面積は、ピン３２Ａの先端部の面積よりも小さいことが要求される。このとき、ピン３２Ｂ，３２Ｃは、その先端部の大きさが、例えば、０．２ｍｍ程度以下であることが好ましい。
【００７７】
また、ピン３２Ａの先端部に対するピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部の面積比は、支持対象となるウエハＷの変形に応じて決定されているのが望ましい。プロセスを経たウエハＷは、真空吸着される領域における吸着力と、その領域の境界近傍の吸着力との違いなどにより変形し、その変形に応じて必要となる矯正力も異なるため、ピン３２Ａの先端部に対するピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部の面積比をそのウエハＷの変形に応じて異なるようにしておけば、ウエハＷの形状に適合した形でウエハＷを支持することができるようになる。
【００７８】
また、本実施形態では、ピン３２Ａの先端部に対するピン３２Ｂの先端部の面積比と、ピン３２Ａの先端部に対するピン３２Ｃの先端部の面積比とは必ずしも同じでなくてもよく、保持するウエハＷの部分に必要な吸着力に応じた面積比となっていれば良い。例えば、ウエハＷの中央部に対して必要な吸着力が、ウエハＷの縁に対して必要な吸着力よりも小さい場合には、ピン３２Ｃの先端部の面積と異ならせる、例えばピン３２Ｂの先端部の面積よりもより小さくなるようにしても良い。さらに、本実施形態では、リム部２８とリム部３５Ａ〜３５Ｃとの両方にピン３２Ｂ，３２Ｃを設けるものとしたが、リム部２８とリム部３５Ａ〜３５Ｃとの一方のみにピンを設けるだけでも良い。このとき、ピンが設けられていない他方のリム部ではその上端面を、複数のピン３２Ａで規定される平面と同一としても良いし、あるいはその平面よりも僅かに低くしても良い。
【００７９】
また、リム部２８，３５Ａ〜３５Ｃが必ずしも配設されている必要はなく、ピン３２Ａと同様に、ピン３２Ｂ，３２Ｃをベース部２６上にそのまま配設するようにしても良い。この場合でも、ピン３２Ａの先端部の面積に対して、ピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部の面積は、小さく設定される必要がある。いずれにしても、本実施形態では、ウエハＷを支持する領域の境界近傍（外気開放部近傍）でウエハＷを支持する部分のピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部の面積を、ピン３２Ａの先端部の面積よりも小さくすることにより、保持するウエハＷの形状に適合するようになっていれば良い。また、この場合、ピン３２Ｂ，３２Ｃの側面にも段差が形成されていない方が望ましいことは言うまでもない。
【００８０】
また、ウエハホルダ７０は、その本体の表面を加工してピンやリム部を形成した後、例えばホルダ本体と同一又は異なる材料でその表面をコーティングした上で最終仕上げを行うようにして形成されたものであっても良い。なお、この場合にも、ピン３２Ａの側面には段差が設けられていないようにするのが望ましい。
【００８１】
なお、本実施形態の露光装置１００において、ウエハホルダ７０のピン３２Ａの先端部に対するピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部の面積比は固定となっており、１台のウエハホルダ７０を備えただけでは、様々なウエハＷの変形に対応することは実質的に困難である。そこで、露光装置１００或いは、その露光装置１００が動作する半導体製造ラインにおける基板処理システムにおいて、ウエハホルダ７０と構成がほぼ同一で、前述の面積の比がそれぞれ異なっている何種類かの複数のウエハホルダを、例えばクリーンルーム内の収納装置に用意しておき、それらのウエハホルダの中から露光対象であるウエハＷの変形量に応じたウエハホルダを選択し、まず、選択したウエハホルダをウエハステージＷＳＴ上に装着してから、そのウエハＷを保持して上述した走査露光動作を実行するようにしても良い。なお、ここでいう基板処理システムとは、複数の露光装置を備え、例えばリソグラフィ工程の各プロセスを管理するホストコンピュータの指示によって、それらの露光装置が協調して露光動作を実行するリソグラフィシステムのことである。露光装置１００は、通常このような基板処理システムの露光装置として、他の露光装置とともに、ホストコンピュータからの指示によりウエハＷの露光動作を行っている。
【００８２】
なお、複数のウエハホルダから、ウエハＷの変形に適合した形状を有するウエハホルダを選択するには、まず、ウエハＷの変形量を計測する必要がある。そこで、このような基板処理システムでは、複数の露光装置の他に、プロセスにより変形したウエハＷの変形量を計測する計測装置を備えていても良い。このような計測装置で計測されたウエハＷの計測量の情報は、例えばその計測装置とホストコンピュータとを繋ぐＬＡＮなどのネットワークを介して、ホストコンピュータに送信され、ウエハＷのプロセス管理情報とともに、例えばホストコンピュータが管理するデータベース等に格納される。そして、ホストコンピュータにより、あるウエハＷの露光を露光装置１００で行うような工程が、スケジューリングされたとすると、ホストコンピュータから露光装置１００（この装置も前述のネットワークに接続されているものとする）に対し、そのウエハＷの露光指示（処理するウエハＷの識別番号などがこの指示に含まれている）が送信されるとともに、そのウエハＷの変形に関する情報が前述のデータベースから読み出されて送信される。
【００８３】
露光装置１００の主制御装置２０は、受信したウエハＷの変形に関する情報を、例えば不図示の表示装置などに表示すると、オペレータは、表示された情報を参照して、複数のウエハホルダの中から、ウエハＷの変形に最も適合するウエハホルダを選択し、そのウエハホルダを露光装置１００のウエハステージＷＳＴ上に装着し（前回の露光に用いられたウエハホルダがウエハステージＷＳＴに搭載されたままであればそのウエハホルダと交換）、この装着完了後、露光対象のウエハＷが露光装置１００に搬送され、そのウエハＷの形状に最も適合するウエハホルダ上に真空吸着（ロード）された後、そのウエハＷの露光が上述したように実行される。このようにすれば、ウエハＷを吸着保持するウエハホルダの形状は、常にプロセスの進行によるウエハＷの変形に応じたものとなるので、様々な変形を有するウエハＷに対応することができる。
【００８４】
なお、上述のウエハホルダの交換等の作業は、オペレータ等の手作業により行っても良いが、主制御装置２０による制御により自動化するようにしても良い。図６（Ａ）には、露光装置１００の本体チャンバ１２をＸＹ面に平行な面に沿って切断した場合の断面図が示されている。図６（Ａ）に示されるように、本体チャンバ１２内には、図１に示される主制御装置２０や照明系１０の一部などを除く各構成要素（図６（Ａ）では、ウエハステージＷＳＴのみ図示されている）の他に、主制御装置２０の制御により動作するウエハホルダ搬送系１３２、ウエハホルダの収納装置１１６が備えられている。ウエハホルダ搬送系１３２は、多関節ロボットであり、支柱９４に備えられた駆動部９２をはじめとする各関節に備えられた回転モータ等の駆動部の回転駆動により、アーム９０上に載置されるウエハホルダを搬送する搬送系である。なお、駆動部９２の駆動により、アーム９０は、上下方向（Ｚ軸方向）にも移動可能となっている。
【００８５】
図６（Ｂ）には、収納装置１１６の一例の斜視図が示されている。図６（Ｂ）に示されるように、この収納装置１１６は、土台部１２０の上に設けられた本体ケース１２２の中に、１４段の収納棚１２６が設けられており、各収納棚１２６にそれぞれウエハホルダを格納可能となっている。なお、それぞれのウエハホルダの収納位置は予め決められており、例えば、一番上の棚から順番に、識別番号１番、２番・・・１４番のウエハホルダというように収納されるようになっているものとする。また、図６（Ｂ）に示されるように、この収納装置１１６には、パーティクルが除去されたクリーンな雰囲気ガス（例えばドライエア）を収納棚１２６に供給できるように、給気管１３０及びエア噴出機構１２４が設けられているが、これらは設けられていなくても良い。また、収納棚１２６の数は１４段には限られない。
【００８６】
なお、図示されていないが、ウエハステージＷＳＴは、ウエハホルダを支持した状態で、上下動可能な上下動機構（ウエハＷにとってのセンタアップ３４ａ〜３４ｃに相当）を有しているものとする。
【００８７】
前述のように、オペレータが、複数のウエハホルダの中から、ウエハＷの変形に最も適合するウエハホルダを選択し、主制御装置２０の不図示のキーボード等の入力装置により、選択するウエハホルダを指定すると、主制御装置２０は、ウエハホルダの交換作業を実行する。なお、ここでは、ウエハステージＷＳＴ上には、指定されていたウエハホルダでなく、別のウエハホルダが搭載されているものとする。
【００８８】
まず、主制御装置２０は、前述の上下動機構を上昇させ、その上下動機構によって、ウエハホルダをウエハステージＷＳＴから浮かせた状態で支持させる。そして、主制御装置２０は、ウエハホルダ搬送系１３２を駆動し、そのアーム９０をウエハホルダの下に進入させる（図６（Ａ）では、このときのウエハホルダ搬送系１３２の状態が２点鎖線（仮想線）で示されている）。この状態で、主制御装置２０の指示により、上下動機構を下降させると、ウエハホルダはアーム９０に支持される。
【００８９】
次に、主制御装置２０は、ウエハホルダ搬送系１３２を駆動して、そのアーム９０を、ウエハホルダを支持したまま、収納装置１１６の前まで移動させる（図６（Ａ）では、このときのウエハホルダ搬送系１３２の状態が実線で示されている）。そして、主制御装置２０の指示により、アーム９０が、支持するウエハホルダがかつて収納されていた収納棚１２６のＺ軸方向に関する位置に移動し、アーム９０をその収納棚に進入させる。各収納棚１２６には、アーム９０の厚みよりも厚い例えば２枚の板状のスペーサが底面に設置されている。主制御装置２０は、アーム９０を収納棚１２６に進入させた後、アーム９０を収納棚１２６に接触しない程度に下降させ、ウエハホルダをそのスペーサに支持させた後、アーム９０を収納棚１２６から退避させる。
【００９０】
次に、主制御装置２０は、指定されたウエハホルダが収納されている収納棚１２６の高さにアーム９０を移動させ、アーム９０をその収納棚１２６の底面とウエハホルダとの間に進入させ、アーム９０をわずかに上昇させて、収納されているウエハホルダを上段の収納棚１２６に接触させることなくスペーサから浮かせた状態で支持し、アーム９０をその収納棚から退避させる。そして、主制御装置２０は、アーム９０をウエハステージＷＳＴの上に移動させ、前述の上下動機構を上昇させ、アーム９０が支持しているウエハホルダを上下動機構によって支持させた後、アーム９０を退避させる。そして、主制御装置２０の制御により、上下動機構が下降して、ウエハホルダがウエハステージＷＳＴに載置され、ウエハホルダの自動交換が完了する。なお、主制御装置２０は、このとき載置しているウエハホルダの識別番号を、後の交換動作のときのために不図示の記憶装置に記憶しておくようにする。また、このシステムでは、ウエハホルダを搬送する専用のウエハホルダ搬送系１３２を本体チャンバ１２内に設置するものとしたが、この搬送系の少なくとも一部を、ウエハＷをロード、アンロードするウエハローダ、ウエハアンローダに代行させるようにしても良い。また、収納装置１１６の各収納棚１２６に、本体チャンバ１２の外部からウエハホルダをオペレータが収納できるように、本体チャンバ１２及び収納装置１１６に開閉扉を設置するようにしても良い。
【００９１】
なお、上述の説明では、入出力装置に表示されたウエハＷの変形に関する情報に基づいて、オペレータがウエハホルダを選択したが、主制御装置２０が、ホストコンピュータから送信されたウエハＷの変形に関する情報に基づいて、複数のウエハホルダの中から、自動的にウエハホルダを選択するようにしても良い。例えば、主制御装置２０の前述の記憶装置の中に、ウエハＷの変形に関する情報と、その変形量に最も適合するウエハホルダの識別番号とが対応付けられたテーブルを記憶しておき、選択装置としての主制御装置２０が、ホストコンピュータからウエハＷの変形に関する情報を受信すると、その情報に基づいて、そのウエハＷの形状に最も合致するウエハホルダをそのテーブルを参照して検出し、上述のウエハホルダ交換動作を行うようにすれば良い。
【００９２】
また、このウエハホルダの選択の際に、算出装置としての主制御装置２０は、送信されるウエハＷの変形に関する情報から、そのウエハＷに適合するピン３２Ａの先端部に対するピン３２Ｂの先端部の面積比と、ピン３２Ａの先端部に対するピン３２Ｃの先端部の面積比とを算出し、前述の記憶装置に記憶されたウエハホルダの面積比が記憶されているテーブルを参照し、算出された面積比に対応する最適なウエハホルダを選択するようにしても良い。例えば、ウエハＷの変形に関する情報に含まれるウエハＷの外縁部の反りあがりや盛り上がり量と、ウエハＷを矯正するのに要する吸引力を生みだすのに必要な、ピン３２Ａの先端部に対するピン３２Ｂの先端部の面積比や、ピン３２Ａの先端部に対するピン３２Ｃの先端部の面積比などとの関係式を求めておき、その関係式に基づいてそれらの面積比を主制御装置２０において算出するようにすれば良い。
【００９３】
なお、上述の例では、露光装置１００内に複数のウエハホルダを用意するとしたが、基板処理システム全体で複数のウエハホルダを管理し、システム内の複数の露光装置で、それらのウエハホルダを共通して用いるようにしても良い。
【００９４】
また、上記実施形態では、主制御装置２０は、選択装置、算出装置としての役割を果たすものとした。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、外付けの装置や、前述のホストコンピュータなどにこれらの役割を与えるようにしても良い。
【００９５】
図７には、ウエハホルダ交換を自動的に行う際の制御系のブロック図の一例が示されている。図７に示されるように、ウエハホルダ交換動作の制御系は、主制御装置２０を中心に構成されており、主制御装置２０の制御により、ウエハホルダ搬送系１３２が、ウエハホルダをウエハステージＷＳＴ上あるいは収納装置１１６に搬送する。主制御装置２０は、ウエハ干渉計１８から得られる位置情報によってウエハステージＷＳＴの位置を把握し、ウエハホルダを支持する上下動機構１３５を上昇あるいは下降させる。なお、主制御装置２０は、ウエハホルダ搬送系１３２の各関節に取り付けられた回転モータのエンコーダなどから得られるそれらの回転情報に基づいて、ウエハホルダ搬送系１３２の姿勢制御を行い、上述の交換動作を実行する。
【００９６】
また、上記実施形態では、図２，図３等に示されるように、リム２８，３５Ａ〜３５Ｃ上の複数のピン３２Ｂ，３２Ｃは、その一部に対して残りが前述の所定領域（ピン３２Ａの配設領域）から離れる方向に関して離間して設けられており、具体的には、環状のリム２８又は３５Ａ〜３５Ｃ上に、半径が異なる２つの同心円状に並んで配置されている、いわゆる２列構成となっている（ここでは、同じ円上に配設されたピン群を１列としている）。しかし、複数のピン３２Ｂ，３２Ｃは、１つの円上にしか配置されていない、いわゆる１列構成であっても良いし、前述の方向に関して３列以上の構成（半径が互いに異なる３つの同心円状に離間して配置された構成）であっても良い。このようなピン３２Ｂ，３２Ｃの列数の違いによっても、外気開放部（非吸着部）近傍のウエハに対する吸着力が変化するため、本発明では、ピン３２Ｂ，３２Ｃが１列構成のウエハホルダや、複数列（２列、３列…）構成のウエハホルダを複数用意し、それらを、前述と同様に、ウエハの変形に応じて選択的に使用するようにしても良い。
【００９７】
図８には、ピン３２Ｂが３列構成となっているウエハホルダの断面図が示されている。図８に示されるように、このウエハホルダでは、全てのピン３２Ａの先端部の直径はＬ１で同一であるが、ピン３２Ｂでは自らが所属する列に応じて、その先端部の直径が規定されている。ピン３２Ａの先端部の直径Ｌ１と、最もピン３２Ａ側の列のピン３２Ｂの先端部の直径Ｌ２と、中央列のピン３２Ｂの先端部の直径Ｌ３と、最外周列のピン３２Ｂの先端部の直径Ｌ４については、Ｌ１＞Ｌ２＞Ｌ３＞Ｌ４の関係がある。すなわち、本発明では、第２支持部たる複数のピン３２Ｂ又は複数のピン３２Ｃの一部の先端部の面積を所定領域から離れる方向に関して異ならせるようにしても良く、図８のウエハホルダのように、その所定領域に最も近いピン３２Ｂ又はピン３２Ｃの先端部の面積を最大とし、所定領域から離れるにしたがって小さくなるようにすることもできる。このようにすれば、外気開放部（非吸着部）周辺におけるウエハＷに対するピン３２Ｂ，３２Ｃの接触圧を、さらにきめ細かく調整することができるようになり、ウエハの複雑な変形（例えば、ウエハの周辺部にしたがって曲率が大きくなっているような変形）にも対応することができるようになる。なお、上述のように、ピン３２Ｂ，３２Ｃの半径を０．１ｍｍ以下と規定している場合には、ピン３２Ａ側のピン３２Ｂ（又はピン３２Ｃ）の半径を、例えば０．１ｍｍとし、所定領域から離間するにしたがって、その半径を小さくしていけば良い。
【００９８】
図８においては、ピン３２Ａ，３２Ｂの直径は、例えばＬ１：Ｌ２：Ｌ３：Ｌ４＝１：０．９：０．８：０．７となるように設定されている。すなわち、ピン３２Ｂの最も内側（ピン３２Ａ側）のピン３２Ｂの列を１列目、その次の列を２列目、最外周の列を３列目とし（すなわち、そのピン３２Ｂが所属する列をｎ（ｎは自然数）とし）、ピン３２Ａの直径に対するピン３２Ｂの先端部の直径の比をｙとすると、ピン３２Ｂの列ｎと先端部の直径比ｙとは、ｙ＝−０．１ｎ＋１．０となるように規定されている。このように、本発明では、ピン３２Ｂの先端部の大きさを、ピンの列に応じた、すなわち所定領域からの距離に応じた１次式で規定すれば、ピン３２Ｂの先端部の大きさを、所定領域からの距離によって段階的に変化させることができるようになる。
【００９９】
このようにすれば、その１次式の傾きなどが互いに異なるウエハホルダを複数用意し、上述と同様に、ウエハの変形に適した傾きを有するウエハホルダを選択して用いるようにすることもできる。例えば、ウエハの変形が大きい場合には、その１次式の傾きが大きいウエハホルダを使用すれば良い。
【０１００】
また、ウエハホルダの製造段階では、ウエハの平面度を確保するため、ピン部３２Ａ〜３２Ｃの先端部を、研磨装置を用いて精密研磨加工する。本発明のウエハホルダでは、ピン３２Ａ〜３２Ｃの先端部の大きさが異なる（ピン３２Ｂ，３２Ｃは、各列のピンによっても先端部の大きさが異なる）ため、ピン３２Ｂ，３２Ｃにおいては、研磨装置の研磨部（加工部）に対する単位面積当たりの接触圧力が、ピン３２Ａのそれに比べて大きくなる。また、ピン３２Ａと、ピン３２Ｂ，３２Ｃとでは、研磨時に用いられる砥粒の回り込みに差が生じる。このため、ピン３２Ｂ，３２Ｃの加工速度は、ピン３２Ａの加工速度に比べて速くなる。
【０１０１】
この加工速度の差により、ピン３２Ａの先端部と、ピン３２Ｂ，ピン３２Ｃの先端部との間には、加工段差が生じるようになる。そこで、上述のように、多列構造となっているピン３２Ｂ及びピン３２Ｃの先端部の大きさを、ピン３２Ａに近い順に、徐々に変化させていく（小さくする）ようにすれば、ピン３２Ａの先端部とピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部との加工段差が小さくなり、緩やかなウエハの傾斜が発生することはあっても、局所的な部分における急激な変化が収まり、例えば、２５ｍｍ×８ｍｍのローカルエリアにおける起伏を４０ｎｍ以内、望ましくは３０ｎｍ〜２０ｎｍ以内に抑えることができるようになるので、ウエハの平坦度の悪化を防止することもできる。
【０１０２】
なお、各列のピン３２Ｂ，３２Ｃの先端部の大きさは、１次式で表されるようになっていなくても良く、２次式や他の関係式で表されるものであっても良い。また、ピン３２Ｂ，３２Ｃが２列又は４列以上である場合にも、関係式による先端部の規定を当然に適用することができる。
【０１０３】
また、ピン３２Ｂ，３２Ｃだけでなく、複数のピン３２Ａのうち、外気開放部（非吸着部）周辺のピン３２Ａについても、その先端部の大きさが、徐々に（段階的に）小さくなるようにしても良く、全てのピン３２Ａ〜３２Ｃの先端部の大きさが、外気開放部（非吸着部）に近づくにつれて、段階的に小さくなるようにしても良い。
【０１０４】
また、上記実施形態では、ウエハホルダ７０の給排気口３６は、放射状に配置されているとしたが、これには限定されず、円周状に所定間隔で配置されていても良いし、所定間隔でマトリクス状又は井桁状に配置されていても良い。また、給排気機構８０は、単に１台の真空ポンプ及び給気装置から構成されていても良く、さらに多くの真空ポンプを備え、きめ細かな真空吸着を行うようにしても良い。また、真空吸着機構でなく、静電吸着機構によってウエハＷを吸着しても良い。また、上記実施形態では、３本の上下動ピン（センタアップ）を用いるものとしたが、その本数やウエハとの接触部の形状などは任意で良く、例えば特開２０００−１００８９５号公報（対応米国特許第６，１８４，９７２号）に開示されている１本の上下動ピンを採用しても良い。さらに、上記実施形態では上下動ピン（センタアップ）を駆動してウエハのロード及びアンロードを行うものとしたが、センタアップを駆動する代わりに、例えばウエハホルダ７０を駆動してセンタアップとの位置関係を調整してウエハのロード及びアンロードを行っても良い。
【０１０５】
さらに、上記実施形態では、ウエハホルダ７０のリム部２８は、その外径がウエハＷの外径よりも僅かに小さいものとしたが、リム部２８の外径をウエハＷの外径と同程度以上としても良い。
【０１０６】
また、上記実施形態では、ウエハホルダを、例えば真空吸着にてウエハステージＷＳＴに固定するものとしたが、ウエハホルダをウエハステージＷＳＴの少なくとも一部と同一部材で構成する、即ちウエハホルダをウエハステージＷＳＴの少なくとも一部を加工して前述したピン３２Ａ〜３２Ｃやリム部２８，３５Ａ〜３５Ｃなどを形成しても良い。
【０１０７】
なお、上記実施形態では、ウエハのアンロード時に気体の吹き付けを必ずしも行わなくても良い。また、上記実施形態では、ウエハなどの円形基板を保持するホルダを用いるものとしたが、基板保持装置で保持する基板は円形に限られるものではなく、例えば矩形基板などでも良い。さらに、上記実施形態では、本発明の基板保持装置がウエハホルダに採用される場合について説明したが、本発明の基板保持装置はこれに限られるものではなく、例えば反射型レチクルではその裏面側をレチクルホルダにて保持するので、このようなレチクルホルダに対して本発明を適用するとしても良い。
【０１０８】
また、光源として、Ａｒ２レーザ光源（出力波長１２６ｎｍ）などの他の真空紫外光源を用いても良い。また、例えば、真空紫外光として上記各光源から出力されるレーザ光に限らず、ＤＦＢ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  ＦｅｅｄＢａｃｋ、分布帰還）半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（Ｅｒ）（又はエルビウムとイッテルビウム（Ｙｂ）の両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。この場合には、ランプ出力制御、ＮＤフィルタ等の減光フィルタ、光量絞り等によって露光エネルギの調整を行えば良い。また、ＥＵＶ光、Ｘ線、あるいは電子線及びイオンビームなどの荷電粒子線を露光ビームとして用いる露光装置に本発明を適用しても良い。
【０１０９】
なお、上記実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露光装置に本発明が適用された場合について説明したが、本発明の適用範囲がこれに限定されないことは勿論である。すなわちステップ・アンド・リピート方式、ステップ・アンド・スティッチ方式の縮小投影露光装置またはプロキシミティ方式などの露光装置、あるいはミラープロジェクション・アライナー、及びフォトリピータなどにも本発明は好適に適用できる。なお、例えば国際公開ＷＯ９９／４９５０４などに開示される、投影光学系ＰＬとウエハＷとの間に液体が満たされる液浸露光装置に本発明を適用しても良い。
【０１１０】
また、上記実施形態では、本発明が半導体製造用の露光装置に適用された場合について説明したが、これに限らず、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子、マイクロマシン、有機ＤＬ、ＤＮＡチップなどを製造するための露光装置などにも本発明を広く適用できる。
【０１１１】
なお、複数のレンズから構成される照明光学系、投影光学系を露光装置本体に組み込み、光学調整をするとともに、多数の機械部品からなるレチクルステージやウエハステージを露光装置本体に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調整（電気調整、動作確認等）をすることにより、上記実施形態の露光装置を製造することができる。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１１２】
また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（遠紫外）光やＶＵＶ（真空紫外）光などを用いる露光装置では一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、螢石、フッ化マグネシウム、又は水晶などが用いられる。
【０１１３】
さらに、上記実施形態では、本発明が露光装置に適用された場合について説明したが、プロセスによって変形するウエハを保持し、そのウエハを平坦度良く保持する必要があるのであれば、露光装置以外の検査装置、加工装置などの装置であっても、本発明を好適に適用することができる。
【０１１４】
《デバイス製造方法》
次に、上述した露光装置１００をリソグラフィ工程で使用したデバイスの製造方法の実施形態について説明する。
【０１１５】
図９には、デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートが示されている。図９に示されるように、まず、ステップ２０１（設計ステップ）において、デバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップ２０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ２０３（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
【０１１６】
次に、ステップ２０４（ウエハ処理ステップ）において、ステップ２０１〜ステップ２０３で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップ２０５（デバイス組立てステップ）において、ステップ２０４で処理されたウエハを用いてデバイス組立てを行う。このステップ２０５には、ダイシング工程、ボンディング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。
【０１１７】
最後に、ステップ２０６（検査ステップ）において、ステップ２０５で作成されたデバイスの動作確認テスト、耐久テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。
【０１１８】
図１０には、半導体デバイスにおける、上記ステップ２０４の詳細なフロー例が示されている。図１０において、ステップ２１１（酸化ステップ）においてはウエハの表面を酸化させる。ステップ２１２（ＣＶＤステップ）においてはウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ２１３（電極形成ステップ）においてはウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ２１４（イオン打ち込みステップ）においてはウエハにイオンを打ち込む。以上のステップ２１１〜ステップ２１４それぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【０１１９】
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップ２１５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップ２１６（露光ステップ）において、上記実施形態のウエハホルダを用いたリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップ２１７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、次に、ステップ２１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップ２１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
【０１２０】
これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【０１２１】
以上説明した本実施形態のデバイス製造方法を用いれば、露光工程（ステップ２１６）において上記実施形態の露光装置が用いられるので、精度良くレチクルのパターンをウエハ上に転写することができる。この結果、高集積度のデバイスの生産性（歩留まりを含む）を向上させることが可能になる。
【０１２２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の基板保持装置によれば、平面精度を高く維持した状態で基板を保持することができるという効果がある。
【０１２３】
また、本発明の露光装置によれば、露光精度の向上を図ることができるという効果がある。
【０１２４】
また、本発明のデバイス製造方法によれば、高集積度のデバイスの生産性を向上することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図１のウエハホルダと、該ウエハホルダに接続された給排気機構を示す平面図である。
【図３】ウエハホルダの断面図である。
【図４】図４（Ａ），図４（Ｂ）は、ピンの形状を示す図である。
【図５】図５（Ａ）は、ウエハホルダのウエハの外縁部付近の断面図であり、図５（Ｂ）は、ウエハホルダのセンタアップ近傍の断面図である。
【図６】図６（Ａ）は、本体チャンバをＸＹ面に平行な面に沿って切断した場合の断面図であり、図６（Ｂ）は、ウエハホルダの収納装置を示す斜視図である。
【図７】ウエハホルダ自動交換を行う制御系のブロック図である。
【図８】本発明に係るウエハホルダの他の例を示す断面図である。
【図９】本発明に係るデバイス製造方法の実施形態を説明するためのフローチャートである。
【図１０】図９のステップ２０４の詳細を示すフローチャートである。
【符号の説明】
２０…主制御装置（算出装置、選択装置）、２６…ベース部（本体部）、２８…リム部（第１隔壁）、３２Ａ…ピン（第１支持部）、３２Ｂ，３２Ｃ…ピン（第２支持部）、３４ａ，３４ｂ，３４ｃ…センタアップ（着脱機構）、３５Ａ，３５Ｂ，３５Ｃ…リム部（第２隔壁）、７０…ウエハホルダ、８４…貫通孔（開口部）、１００…露光装置、ＰＬ…投影光学系、Ｗ…ウエハ。
【図１】
2004221323.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004221323.tif 000009
【図８】
2004221323.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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