(57)【要約】【課題】基板の枚数が異なるロット間の処理のバラツキを抑制する。【解決手段】加熱された燐酸溶液中に複数枚の基板を一括して浸漬することによりエッチング処理を施す基板処理装置であって、収納容器Ｃから基板Ｗ群を取り出すときに、基板枚数計数機構３０および枚数カウンタ４１によって一括処理される基板Ｗの枚数を計数する。処理時間決定部４２は、記憶部４３に予め記憶された基板枚数と処理時間との関係を参照して、計数された基板Ｗの枚数に応じた処理時間を決定する。一括処理されるロットの基板枚数に応じて処理時間が調整されるので、ロット間で基板枚数が異なってもロット間のエッチング量のバラツキを抑えることができる。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱された処理液中に複数枚の基板を一括して浸漬することにより所定の処理を施す基板処理方法において、一括処理される基板の枚数が多くなるに従って、処理液中に基板群を浸漬させる時間を長くすることを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
加熱された処理液中に複数枚の基板を一括して浸漬することにより所定の処理を施す基板処理装置において、
一括処理される基板の枚数を取得する基板枚数取得手段と、
基板の枚数と加熱された処理液中に浸漬させる処理時間との関係を予め記憶している記憶手段と、
記憶手段に記憶された基板の枚数と処理時間との関係を参照して、基板枚数取得手段によって取得された基板の枚数に応じた処理時間を決定する処理時間決定手段と、
処理時間決定手段により決定された処理時間で、加熱された処理液中に基板群を一括して浸漬させる処理手段と
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２記載の基板処理装置において、
前記基板枚数取得手段は、一括処理される基板の枚数を計数する基板枚数計数手段である基板処理装置。
【請求項４】
請求項３記載の基板処理装置において、前記装置はさらに、一括処理される複数枚の基板を収納した収納容器が載置される収納容器載置部を備え、
前記基板枚数計数手段は、収納容器載置部に載置された収納容器内の基板の枚数を計数するものである基板処理装置。
【請求項５】
請求項２記載の基板処理装置において、
前記基板枚数取得手段は、一括処理される基板の枚数を外部装置からデータとして与えられることにより取得するものである基板処理装置。
【請求項６】
請求項２記載の基板処理装置において、
前記基板枚数取得手段は、一括処理される基板の枚数を操作部からキー入力されることにより取得するものである基板処理装置。
【請求項７】
請求項２記載の基板処理装置において、
前記処理手段は、処理時間決定手段により決定された処理時間が経過すると、加熱された処理液中から基板群を引き上げて、その基板群を洗浄液中に浸漬するものである基板処理装置。
【請求項８】
請求項２記載の基板処理装置において、
前記処理手段は、処理時間決定手段により決定された処理時間が経過すると、加熱された処理液を貯留した処理槽に洗浄液を導入して、処理槽中の処理液を洗浄液で置換するものである基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板（以下、単に「基板」という）に所定の処理を施す基板処理方法およびその装置に係り、特に、加熱された処理液中に複数枚の基板を一括して浸漬することにより所定の処理を施す基板処理方法およびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の装置として、半導体ウエハ等の基板の表面に形成されたシリコン窒化膜を選択的にエッチング処理する基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。この装置は、加熱された燐酸溶液を貯留した処理槽内に、複数枚（例えば、５０枚）の基板をリフターと呼ばれる昇降機構に起立姿勢で保持させ、このリフターを処理槽内に下降浸漬させることにより、基板群を一括処理している。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−１４５１０７号公報（第１頁、図３）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、シリコン窒化膜のエッチングレートは、燐酸溶液の濃度および温度によって影響を受けるので、その濃度および温度は厳格に管理されているのであるが、一括処理される基板群の単位であるロットが変わると、ロット間でエッチングレートにバラツキが生じるという問題点がある。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、ロット間の処理のバラツキを抑制することができる基板処理方法およびその装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記従来の問題点を解決すべく鋭意研究した結果、次のような知見を得た。
すなわち、本発明者は、各ロットを構成する基板の枚数が必ずしも一定ではなく、ロットによって基板の枚数が異なることがあることに着目した。そこで、３枚の基板から構成されるロットと、５０枚の基板から構成されるロットとを、それぞれ個別に１５０℃の燐酸溶液に浸漬し、その直後の燐酸溶液の温度変化を測定したところ、前者のロットでは燐酸溶液の温度変化が１°Ｃ未満であったのに対して、後者のロットでは５°Ｃ程度の温度変化があった。実際に基板のエッチングレートを測定してみると、前者のロットではエッチングレートが３７．９６〜３８．５８オングストローム／分であったのに対して、後者のロットでは３３．１３〜３３．６６オングストローム／分であった。このことから従来のロット間の処理のバラツキは、ロットを構成する基板の枚数の違いによる処理液の温度変化に起因したものであるとの知見を得た。
【０００７】
以上の知見に基づく本発明は、次のような構成を備えている。
すなわち、本発明は、加熱された処理液中に複数枚の基板を一括して浸漬することにより所定の処理を施す基板処理方法において、一括処理される基板の枚数が多くなるに従って、処理液中に基板群を浸漬させる時間を長くすることを特徴とする（請求項１記載の発明）。
【０００８】
本発明方法の作用・効果は次のとおりである。一括処理される基板の枚数が多くなるに従い、これらの基板群が加熱された処理液に浸漬されると処理液の温度が大きく低下する。したがって、処理効率（例えば、エッチングレート）も大きく低下する。本発明方法によれば、処理効率が低下した分だけ、処理時間を延長することにより、各ロット間で適正な処理量を確保して、ロット間の処理のバラツキを抑えることができる。
【０００９】
また、本発明は、加熱された処理液中に複数枚の基板を一括して浸漬することにより所定の処理を施す基板処理装置において、一括処理される基板の枚数を取得する基板枚数取得手段と、基板の枚数と加熱された処理液中に浸漬させる処理時間との関係を予め記憶している記憶手段と、記憶手段に記憶された基板の枚数と処理時間との関係を参照して、基板枚数取得手段によって取得された基板の枚数に応じた処理時間を決定する処理時間決定手段と、処理時間決定手段により決定された処理時間で、加熱された処理液中に基板群を一括して浸漬させる処理手段とを備えたことを特徴とする（請求項２記載の発明）。
【００１０】
本発明装置によれば、一括処理される基板の枚数が基板枚数取得手段で取得され、その基板の枚数が処理時間決定手段に与えられる。処理時間決定手段は、記憶手段に予め記憶された、基板の枚数と処理時間との関係を参照することにより、一括処理される基板の枚数に応じた処理時間を決定する。この処理時間が処理手段に与えられることにより、加熱された処理液中に基板群がその枚数に応じた処理時間だけ浸漬処理される。その結果、一括処理される基板群の単位であるロット間に基板の枚数のバラツキがあっても、各ロット間の処理のバラツキを抑制することができる。
【００１１】
基板枚数取得手段の構成は特に限定されないが、例えば、一括処理される基板の枚数を計数する基板枚数計数手段で構成することができる（請求項３記載の発明）。基板枚数計数手段は、例えば、一括処理される複数枚の基板を収納した収納容器が、本基板処理装置に備えられた収納容器載置台に載置される場合に、載置された収納容器内の基板の枚数を計数するものが好ましい（請求項４記載の発明）。
【００１２】
基板枚数取得手段は、上記の基板枚数計数手段の他に、一括処理される基板の枚数を外部装置からデータとして与えられるもの（請求項５記載の発明）や、一括処理される基板の枚数を操作部からキー入力されることにより取得するもの（請求項６記載の発明）であってもよい。
【００１３】
処理手段の構成は特に限定されないが、例えば、処理時間決定手段により決定された処理時間が経過すると、加熱された処理液中から基板群を引き上げて、その基板群を洗浄液中に浸漬するもの（請求項７記載の発明）や、処理時間決定手段により決定された処理時間が経過すると、加熱された処理液を貯留した処理槽に洗浄液を導入して、処理槽中の処理液を洗浄液で置換するもの（請求項８記載の発明）が好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
図１は、本発明に係る基板処理装置の一実施例の概略構成を示した平面図、図２は、実施例装置の要部の外観斜視図、図３は、制御系の概略構成を示した図、図４は、基板枚数計数機構の要部の外観斜視図である。
【００１５】
本実施例に係る基板処理装置は、加熱された燐酸溶液中に複数枚の基板Ｗ（例えば、半導体ウエハ）を一括して浸漬することにより、基板Ｗの表面に形成されたシリコン窒化膜をエッチング処理する装置である。ただし、本発明は、燐酸溶液を用いた処理に限定されず、加熱された処理液であれば任意の薬液（例えば、硫酸）による処理に適用することができる。また、処理の内容も、エッチング処理に限定されるものではない。
【００１６】
図１に示すように、この基板処理装置は、大きく分けて、一括処理される基板Ｗを収納した収納容器Ｃが載置される収納容器載置部１と、収納容器Ｃ内から未処理の基板Ｗを取り出したり、処理済の基板Ｗを収納容器Ｃ内へ搬入したりする基板移載ロボット２と、基板Ｗ群を一括して水平姿勢から垂直（起立）姿勢（あるいは、その逆）に変換する姿勢変換機構３と、この姿勢変換機構３との間で基板Ｗ群の受け渡しを行なうプッシャー４と、このプッシャー４との間で基板Ｗ群の受け渡しを行なうとともに、基板Ｗ群を搬送する基板搬送機構５と、この基板搬送機構５によって搬送されてきた基板Ｗ群を一括して処理する処理部６とを備えている。
【００１７】
また、収納容器載置部１と基板移載ロボット２との間に、後述する隔壁８の開口８ａを開閉するためのシャッター駆動機構７を備えている。このシャッター駆動機構７に、本実施例装置の特徴の一つである基板枚数計数機構３０が付設されている（図３、図４参照）。基板枚数計数機構３０は、収納容器載置部１に載置された収納容器Ｃ内の基板Ｗの枚数を計数するものである。
【００１８】
以下、各部の構成を詳しく説明する。
収納容器Ｃは、複数枚（例えば、２５枚）の基板Ｗ群を水平姿勢で収納し、その取り出し開口部には容器Ｃ内を外部雰囲気と遮断するための蓋Ｃａ（図３参照）が着脱自在に取り付けられている。
【００１９】
図２、図３に示すように、収納容器載置部１と処理部６側との間には雰囲気遮断用の隔壁８が介在しており、この隔壁８に基板Ｗを出し入れするための開口８ａが設けられている。この開口８ａに対向するように、収納容器Ｃが収納容器載置部１に載置される。基板Ｗを処理していないとき、開口８ａはシャッター９で閉じられている。
【００２０】
基板移載ロボット２は、昇降・旋回・前後の移動が可能な多関節アーム１０を備えている。この多関節アーム１０の先端部に基板Ｗを保持する「Ｕ」の字状の保持アーム１１が多段に設けられている。基板移載ロボット２は、この保持アーム１１を使って、収納容器Ｃに対して基板Ｗ群を一括して取り出し、あるいは収納する。もちろん、基板移載ロボット２は、基板Ｗを一枚ずつ取り出し・収納するものであってもよい。
【００２１】
姿勢変換機構３は、支持台１２と、この支持台１２上に配設されたベース１３と、このベース１３に軸線Ｐ１周りに回動自在に支持された回転台１４とを備えている。この回転台１４に基板Ｗを多段に支持する一対の第１保持機構１５と一対の第２保持機構１６などが備えられている。図示しない駆動機構によって、回転台１４は図２に示した水平姿勢と、９０度回転した起立姿勢とをとることができる。その結果、第１、第２保持機構１５，１６で支持された基板Ｗ群が水平姿勢から垂直姿勢（あるいは、その逆）に姿勢変換されるようになっている。
【００２２】
回転台１４の傍らにプッシャー４がある。プッシャー４は、昇降（Ｚ方向）移動および水平（Ｙ方向）移動可能であり、その上部に基板Ｗ群を起立姿勢で保持する保持具１７が取り付けられている。プッシャー４は、姿勢変換機構３と基板搬送機構５との間で基板Ｗ群の受け渡しを行なう。
【００２３】
基板搬送機構５は、処理部６に沿った水平（Ｘ方向）移動および昇降移動可能な搬送ロボット１８と、この搬送ロボット１８から水平に延び出た開閉自在の一対の挟持機構１９とを備えている。基板搬送機構５は、図１および図２で示した待機位置で、プッシャー４との間で基板Ｗ群の受け渡しを行なうとともに、受け取った基板Ｗ群を処理部６へ搬送する。また、基板搬送機構５は、処理部６に備えられたリフター２０との間で基板Ｗの受け渡しを行なう。なお、基板搬送機構５の待機位置には、一対の挟持機構１９を水洗するための一対の水洗槽２１が配設されている。この一対の水洗槽２１の間隙部にプッシャー４が進入できるようになっている。
【００２４】
処理部６は、加熱された燐酸溶液を貯留した処理槽２２と、燐酸溶液で処理された基板Ｗ群を洗浄処理する洗浄槽２３とからなるユニットを２組備えている。また、基板搬送機構５の待機位置の側に乾燥処理部２４を備えている。各ユニットには、基板搬送機構５から受け取った基板Ｗ群を処理槽２２に一括して浸漬させたり、処理された基板Ｗ群を洗浄槽２３に一括して浸漬させる、昇降およびＸ方向に水平移動可能なリフター２０が備えられている。
【００２５】
シャッター駆動機構７は、図３に示すように、２つのネジ送り機構２５Ｘ、２５Ｚによって、前後動（Ｘ方向の移動）および昇降移動する支持アーム２６に、シャッター９を連結支持させて構成されている。支持アーム２６が上限位置で前進移動すると、図３に鎖線で示すように、シャッター９が隔壁８の開口８ａを閉塞する。また、支持アーム２６が後退および下降移動することにより、図３に実線で示すように、シャッター９が開けられる。シャッター９には、収納容器載置部１に載置された収納容器Ｃの蓋Ｃａを開閉かつ保持する図示しない開閉・保持機構が備えられている。これにより、シャッター駆動機構７がシャッター９を開けると同時に、収納容器Ｃの蓋Ｃａが開けられてシャッター９とともに下降する。
【００２６】
基板枚数計数機構３０は、図４に示すように、シャッター９の上部に配備された進退駆動機構３１と、この進退駆動機構３１によって前後動される透過型センサ３２とを備えている。進退駆動機構３１は、連結部材３３に螺合する螺軸３４を電動モータ３５で駆動するネジ送り機構によって構成されている。透過型センサ３２は、先端部に投光素子３６ａを備える投光部材３６と、先端部に受光素子３７ａを備える受光部材３７とで構成されていて、これら両部材３６，３７の基端部は、連結部材３３に支持固定されている。さらに、投光部材３６と受光部材３７とは、一対のガイド部材３８を貫通することによって、摺動自在に案内支持されているとともに、上下に高さをずらして対向配置されている。
【００２７】
また、本実施例に係る基板処理装置は、基板枚数計数機構３０によって計数された、一括処理される基板の枚数に応じて、その基板Ｗ群を処理槽２２に浸漬する時間を制御する制御部４０を備えている。
【００２８】
以上のように構成された基板処理装置において、複数枚の基板Ｗを一括して処理する際の動作を説明する。
【００２９】
複数枚の基板Ｗを水平姿勢で収納した収納容器Ｃが収納容器載置部１に載置されると、シャッター駆動機構７が隔壁８のシャッター９および収納容器Ｃの蓋Ｃａを開ける。シャッター９が蓋Ｃａとともに下降する時、基板枚数計数機構３０の透過型センサ３２が前進駆動されて、センサ３２の投光部材３６および受光部材３７が収納容器Ｃ内へその内壁に沿って進入する（図４の状態）。この状態でシャッター９が下降すると、投光素子３６ａから発せられた光は基板Ｗを横切るごとに遮光される。この光の遮光・透過の変化を受光素子３７ａが検出し、その検出信号が制御部４０へ送られる。制御部４０は、透過型センサ３２から送られた信号に基づいて、一括処理される基板Ｗの枚数を検出して、その枚数に応じた処理時間（燐酸溶液への浸漬時間）を決定する。処理時間の決定手順については後に詳しく説明する。透過型センサ３２が収納容器Ｃの下端に達すると、透過型センサ３２が後退移動して元の位置に戻る。シャッター９はさらに下降して待機位置で停止する。
【００３０】
以上のようにしてシャッター９が開けられると、基板移載ロボット２の保持アーム１１が収納容器Ｃ内に前進移動して、収納容器Ｃ内の基板Ｗ群を一括して取り出す。基板移載ロボット２は取り出した基板Ｗ群を姿勢変換機構３に受け渡す。このとき姿勢変換機構３の回転台１４は水平姿勢にあるので、受け渡された基板Ｗ群は第１保持機構１５および第２保持機構１６によって水平に支持される。
【００３１】
基板Ｗ群を受け取ると姿勢変換機構３の回転台１４はプッシャー４側に向けて９０度回転する。これに伴って第１、第２保持機構１５，１６で支持されている基板Ｗ群も９０度回転して起立姿勢になる。このときプッシャー４は下降位置にある。続いてプッシャー４が上昇して第１、第２保持機構１５，１６から基板Ｗ群を受け取る。以上でプッシャー４への１回目の基板Ｗ群の受け渡しが完了する。
【００３２】
本実施例では、最大で５０枚の基板Ｗを一括処理できるようになっている。収納容器Ｃは最大で２５枚の基板Ｗを収納するので、１回目の基板Ｗ群の受け渡しが完了すると、別の収納容器Ｃを収納容器載置部１に載置して上述と同様に、収納容器Ｃからの基板Ｗ群の一括取りだし、姿勢変換機構３への受け渡し、基板Ｗ群の姿勢変換、プッシャー４への基板Ｗ群の受け渡しを行なう。２回目のプッシャー４への基板Ｗ群の受け渡しの際には、プッシャー４は僅かに水平方向（Ｙ方向）に変位した状態で上昇することにより、１回目に受け取った基板Ｗ群の隙間に２回目の基板Ｗ群の各基板を受け取る。
【００３３】
以上のようにして複数枚（本実施例では最大５０枚）の基板Ｗを受け取ったプッシャー４は、一対の水洗槽２１の間に設けられた隙間に向かって水平移動する。一対の水洗槽２１の間に移動した後、プッシャー４は上昇する。このとき基板搬送機構５は待機位置にあり、一対の挟持機構１９は開状態にある。プッシャー４が挟持機構１９の下端よりも上方の所定位置に達すると、挟持機構１９が閉じる。続いてプッシャー４が下降することにより、プッシャー４上の基板Ｗ群が一対の挟持機構１９に受け渡される。
【００３４】
基板Ｗ群を受け取った基板搬送機構５は、処理部６に沿って水平移動して、基板Ｗ群を処理部６のリフター２０に受け渡す。基板Ｗ群を受け取ったリフター２０は処理槽２２内を下降して、加熱された燐酸溶液中に基板Ｗ群を一括して浸漬する。後に詳しく説明するように、一括処理される基板Ｗの枚数に応じた処理時間が経過すると、リフター２０は上昇して基板Ｗ群を燐酸溶液から引き上げる。続いてリフター２０は洗浄槽２３まで水平移動し、燐酸溶液で処理された基板Ｗ群を洗浄槽２３内の純水中に浸漬する。純水による洗浄処理が終わるとリフター２０が上昇して基板Ｗを洗浄槽２３から引き上げる。引き上げられた基板Ｗをリフター２０から基板搬送機構５が受け取り、この基板Ｗ群を乾燥処理部２４に搬送する。乾燥処理部２４に受け渡されて乾燥処理された基板Ｗ群は再び基板搬送機構５に受け渡される。基板搬送機構５は、乾燥処理された基板Ｗ群を待機位置にまで搬送する。
【００３５】
待機位置に搬送された基板Ｗ群は、上述した基板Ｗ群の搬入時とは逆に、基板搬送機構５からプッシャー４に受け渡される。プッシャー４に受け渡された基板Ｗ群は、２回に分けて姿勢変換機構３に受け渡される。姿勢変換機構３に受け渡された基板Ｗ群は、起立姿勢から水平姿勢に姿勢変換される。姿勢変換された基板Ｗ群は、基板移載ロボット２によって収納容器Ｃに戻される。以上で一連の基板処理が完了する。
【００３６】
次に、本実施例の特徴的な構成である、一括処理される基板Ｗの枚数に応じた処理時間の制御について説明する。
図３を参照する。基板枚数計数機構３０の透過型センサ３２で検出された信号は、制御部４０の枚数カウンタ４１に与えられる。枚数カウンタ４１は透過型センサ３２の検出信号に基づき、収納容器Ｃに収納された基板Ｗの枚数を計数する。上述したように本実施例では、２つの収納容器Ｃに収納された基板Ｗを一括処理するので、枚数カウンタ４１は、２つの収納容器Ｃに収納された基板Ｗの枚数を合算し、その合計を一括処理される基板Ｗの枚数として処理時間決定部４２に与える。したがって、上述した基板枚数計数機構３０および枚数カウンタ４１は、本発明における基板枚数取得手段の一態様である基板枚数計数手段に相当する。
【００３７】
一方、本発明における記憶手段に対応する記憶部４３は、基板の枚数と、加熱された処理液（本実施例では燐酸溶液）に浸漬させる処理時間との関係を予め記憶している。本発明における処理時間決定手段に対応する処理時間決定部４２は、記憶部４３に記憶された基板の枚数と処理時間との関係を参照して、枚数カウンタ４１から与えられた一括処理される基板Ｗの枚数に応じた処理時間を決定する。以下に記憶部４３に記憶された基板の枚数と処理時間との関係を説明する。
【００３８】
図５を参照する。図５は、記憶部４３に記憶された基板の枚数と処理時間との関係を示している。横軸は基板枚数、縦軸は処理時間の補正量である。本実施例では、例えば、１５０℃に加熱された燐酸溶液中に３枚の基板Ｗを一括して浸漬して処理したときに、所望のエッチング量を得ることができる処理時間を基準としている。そして、３枚の基板Ｗを一括処理したときと同じエッチング量を得ることができる処理時間を、８枚、１３枚、１８枚、２３枚、２８枚、３３枚、３８枚、４３枚、４８枚の各基板Ｗ群について実測する。各基板Ｗ群の実測処理時間と、３枚の基板Ｗのとき実測処理時間（基準処理時間）との差を処理時間の補正量として図５の縦軸にプロットしている。
【００３９】
ここでは、一括処理される基板Ｗの枚数が１〜５枚なら３枚と同じ処理時間（補正量＝０）にし、６〜１０枚なら８枚と、１１〜１５枚なら１３枚と、１６〜２０枚なら１８枚と、２１〜２５枚なら２３枚と、２６〜３０枚なら２８枚と、３１〜３５枚なら３３枚と、３６〜４０枚なら３８枚と、４１〜４５枚なら４３枚と、４６〜５０枚なら４８枚と、それぞれ同じ処理時間（補正量）になるようにしてある。もちろん、一枚単位で処理時間を変えるようにしてもよい。あるいは、基板の枚数と処理時間との関係に近似した関数を記憶しておき、この関数を使って処理時間を決定してもよい。
【００４０】
本実施例において、枚数カウンタ４１から処理時間決定部４２へ一括処理される基板Ｗの枚数として、例えば「３０枚」という計数結果が与えられると、処理時間決定部４２は、記憶部４３に記憶された図５の関係を参照して、処理時間の補正量として「ｔ５」を得る。そして、３枚の基板Ｗに対応した基準処理時間Ｔに補正量ｔ５を加算した処理時間「Ｔ＋ｔ５」を、３０枚の基板Ｗを一括して処理する場合の適正な処理時間として決定する。
【００４１】
図６を参照する。図６は本実施例における処理時間の制御フローチャートである。上述した一括処理される基板枚数の計数は図６のステップＳ１に、処理時間の決定処理はステップＳ２に対応する。制御部４０は、リフター２０が下降して基板Ｗ群が加熱された燐酸溶液中に浸漬された時点から経過時間を計測しており、その経過時間がステップＳ２で決定された処理時間に達したかを監視している（ステップＳ３）。経過時間が処理時間に達すると、制御部４０はリフター駆動部２０ａ（図３参照）に指令を出して、リフター２０を上昇させて基板Ｗを燐酸溶液から引き上げ、次の洗浄処理過程に移行させる。
【００４２】
以上のように本実施例によれば、一括処理される基板Ｗの枚数を計測し、その枚数に応じた処理時間だけ、基板Ｗ群を加熱された燐酸溶液に浸漬して処理している。つまり、一括処理される基板Ｗの枚数が多くなるに従って、燐酸溶液中に基板Ｗ群を浸漬させる時間を長くすることにより、基板Ｗ群の浸漬による燐酸溶液の温度低下に起因したエッチングレートの低下を補償している。その結果、基板枚数が異なるロットを処理した際に、加熱された燐酸溶液の温度低下の幅に差が生じても、その温度差は処理時間の長短によって補償されるので、ロット間のエッチング量のバラツキを抑えることができる。
【００４３】
本発明は、上記の実施例に限らず、次のように変形実施することもできる。
（１）上記の実施例では、一括処理される基板の枚数を取得する基板枚数取得手段を、基板枚数計数手段（基板枚数計数機構３０と枚数カウンタ４１）で構成した場合を例に採った。しかし、基板枚数取得手段は基板枚数計数手段で構成される場合に限らない。例えば、半導体製造工程において、本実施例装置の上手側に位置する外部装置、あるいは工程全体を管理する管理装置から本実施例装置の制御部４０へ、一括処理される基板Ｗの枚数をデータ伝送するようにしてもよい。あるいは、本実施例装置を扱うオペレータが、本実施例装置に備えた操作部（図示せず）から、一括処理される基板の枚数をキー入力で与えるようにしてもよい。
【００４４】
（２）上記の実施例では、収納容器載置部１に１個の収納容器１が載置される場合を例に採ったが、複数個の収納容器Ｃが載置されるように構成してもよい。この場合、各収納容器Ｃに対応して基板枚数計数機構７が配置される。また。基板移載ロボット２を収納容器載置部１に沿って水平移動可能に構成し、各収納容器Ｃに対して基板Ｗの出し入れを行なうように構成してもよい。
【００４５】
（３）上記の実施例では、透過型センサ３２を使って収納容器Ｃ内の基板Ｗの枚数を検出したが、これは例えば、反射型の光学式センサ、あるいはＣＣＤカメラなどで検出するものであってもよい。
【００４６】
（４）上記の実施例では、基板枚数計数機構３０をシャッター９の上部に配設したが、基板枚数計数機構３０をシャッター９とは別体に設置してもよい。また、基板枚数計数機構３０を基板移載ロボット２に搭載するようにしてもよい。
【００４７】
（５）上記の実施例では、基板Ｗ群を水平姿勢で収納した収納容器Ｃが収納容器載置部１に載置されたが、基板Ｗ群を起立姿勢で収納した収納容器Ｃを収納容器載置部１に載置するものであってもよい。この場合、姿勢変換装置３が不要になる。
【００４８】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、一括処理される基板の枚数に差があることにより、加熱された処理液に基板群を浸漬させたときの温度低下の幅に差が生じて処理効率（例えば、エッチングレート）に変動が生じても、その変動は一括処理される基板枚数に応じた処理時間によって補償され、トータルとしての処理量（例えば、エッチング量）は略同じになるので、基板枚数が異なるロット間の処理のバラツキを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置の一実施例の概略構成を示した平面図である。
【図２】実施例装置の要部の外観斜視図である。
【図３】制御系の概略構成を示した図である。
【図４】基板枚数計数機構の要部の外観斜視図である。
【図５】基板の枚数と処理時間との関係を示した図である。
【図６】処理時間の制御フローチャートである。
【符号の説明】
Ｗ  …  基板
Ｃ  …  収納容器
１  …  収納容器載置部
６  …  処理部
２０  …  リフター
３０  …  基板枚数計数機構
３２  …  透過型センサ
４０  …  制御部
４１  …  枚数カウンタ
４２  …  処理時間決定部
４３  …  記憶部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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