(57)【要約】【課題】ろう材料が均一に付着し、ろう付け時に嵌合部と被嵌合部との浮き上がりや傾きを防止し、ろう材の浸透する間隙を形成して、ろう付け不良を低減できる電磁弁を提供する。【解決手段】流体の流路を開閉する電磁弁であって、流体の入口側及び出口側の継手が接続される弁本体１と、弁本体に形成される弁座５によって流路の開閉を行う弁体９と弁体を作動させるプランジャ８と、プランジャが摺動自在に挿入されるプランジャチューブ７と、プランジャチューブの外側に着脱自在に取り付けられる電磁コイル部材とを備えた電磁弁において、弁本体１に継手２，３とプランジャチューブ７が挿入嵌合される嵌合部Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３が設けられ、継手とプランジャチューブ７の外周挿入部Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３にディンプル又はローレット加工部が形成されてなる電磁弁を構成にする。【選択図】　　　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体の流路を開閉する電磁弁であって、流体の入口側及び出口側の継手が接続される弁本体と、該弁本体に形成される弁座によって流路の開閉を行う弁体と該弁体を作動させるプランジャと、該プランジャが摺動自在に挿入されるプランジャチューブと、該プランジャチューブの外側に着脱自在に取り付けられる電磁コイル部材とを備えた電磁弁において、
前記弁本体に前記継手が挿入嵌合される嵌合部が設けられ、前記継手の外周挿入部にディンプル又はローレット加工部が形成されてなることを特徴とする電磁弁。
【請求項２】
流体の流路を開閉する電磁弁であって、流体の入口側及び出口側の継手が接続される弁本体と、該弁本体に形成される弁座によって流路の開閉を行う弁体と該弁体を作動させるプランジャと、該プランジャが摺動自在に挿入されるプランジャチューブと、該プランジャチューブの外側に着脱自在に取り付けられる電磁コイル部材とを備えた電磁弁において、
前記弁本体に前記プランジャチューブが挿入嵌合される嵌合部が設けられ、前記プランジャチューブの外周挿入部にディンプル又はローレット加工部が形成されてなることを特徴とする電磁弁。
【請求項３】
前記継手の外周挿入部に形成されたディンプル又はローレット加工部のディンプル又はローレットの山径は、前記弁本体の前記継手が挿入嵌合される嵌合部の内径より大きい請求項１に記載の電磁弁。
【請求項４】
前記プランジャチューブの外周挿入部に形成されたディンプル又はローレット加工部のディンプル又はローレットの山径は、前記弁本体のプランジャチューブが挿入嵌合される嵌合部の内径より大きい請求項２に記載の電磁弁。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は冷凍・冷房回路の冷媒液、ガスの制御に用いる電磁弁に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ヒートポンプ式エアコンや冷凍機あるいは冷蔵庫などにおける、冷凍・冷蔵・空調サイクルにおいては、その冷媒流路中に、冷媒流量制御や流路切換用として電磁弁が組み込まれている。
【０００３】
このような電磁弁の公知例として図３に示す構造の電磁弁がある。即ち、黄銅製弁本体１に銅製第１継手２と銅製第２継手３をろう付けＲにより密閉接合している。弁本体１内の弁室４には弁座５が設けられ、弁座５と銅製第２継手３との間に弁孔６が挿通されている。黄銅製弁本体１にはステンレス鋼製プランジャチューブ７がろう付けＲで立設固定されている。プランジャチューブ７内に摺動自在に設けられているプランジャ８の先端に球形弁体１９が保持され、プランジャ８の上下動により弁座５と球形弁体１９とが接離自在にされている。
【０００４】
プランジャ８の上端部には、プランジャチューブ７内に挿通された吸引子１０が嵌合され、プランジャチューブ７の上端部７ａで吸引子１０とが溶接Ｗされている。吸引子１０の下端面１１とプランジャ８の上端面１２の凹部１３間にはスプリング１４が圧縮して配設されている。吸引子１０の下端面１１には環状溝１５が設けられ、この環状溝１５内には環状の隈取りコイル１６が嵌合され固定されている。吸引子１０の上部にはねじ孔１７が設けられ、電磁コイル部材を固定するために用いられる。
【０００５】
上記電磁弁の動作において、図示されないコイルが非通電の状態では、プランジャ８は球形弁体９とともにスプリング１４によって図３に示すように下方に押圧され、弁孔６を閉じている。この状態からコイルに通電すると、吸引子１０は励磁され、プランジャ８をスプリング１４に抗して吸引し、吸引子１０の下端面１１にプランジャ８の上端面１２を当接させて停止し、吸引状態を保持する。即ち、プランジャ８がスプリング１４を圧縮して吸引子１０に吸着しプランジャ８に取り付けた球形弁体９と黄銅製弁本体１に設けた弁座５が離れ、流体が銅製第１継手２と銅製第２継手３との間を通過する。次いで、コイルへの通電を停止すると吸引子１０の吸引力がなくなり、プランジャ８はスプリング１４により下降し、球形弁体９と黄銅製弁本体１に設けた弁座５が封止し銅製第１継手２と銅製第２継手３との間の流体の流れが停止する。
【０００６】
上記のような従来の電磁弁は、気密を保つための弁本体１に黄銅が用いられており、弁本体１に嵌合する第１、第２継手２，３の挿入部Ｉ１，Ｉ２の外径は、弁本体１の嵌合部Ｆ１，Ｆ２の内径より小さく形成されている。
【０００７】
第１、第２継手２，３と弁本体１とを嵌合固定するには、第１、第２継手２，３の挿入部Ｉ１，Ｉ２と弁本体１の嵌合部Ｆ１，Ｆ２との軸線を同一線上に位置決めをしながら第１、第２継手２，３の挿入部Ｉ１，Ｉ２と弁本体１の嵌合部Ｆ１，Ｆ２との間隙にろう付Ｒを行っている。
【０００８】
黄銅製弁本体１とステンレス鋼製プランジャチューブ７とにおいても、プランジャチューブ７の弁本体１に挿入される挿入部Ｉ３の外径は、弁本体１の嵌合部Ｆ３の内径より小さく形成されているので、プランジャチューブ７の挿入部Ｉ３の外径が、弁本体１の嵌合部Ｆ３の内径より小さい場合、プランジャチューブ７と弁本体１とを嵌合固定するには、プランジャチューブ７の挿入部Ｉ３と弁本体１の嵌合部Ｆ３との軸線を同一線上に位置決めをしながらプランジャチューブ７の挿入部Ｉ３と弁本体１の嵌合部Ｆ３との間隙にろう付Ｒを行っている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
一般にろう付け部は、０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍ程度の間隙を有するが、例えば第１、第２継手２，３と弁本体０１とを嵌合固定する際に、第１、第２継手２，３の挿入部Ｉ１，Ｉ２と弁本体１の嵌合部Ｆ１，Ｆ２との軸線を同一線上に位置決めをするのが困難で、第１、第２継手２，３が傾いたり、浮き上がったりして、その状態でろう付Ｒすると、第１、第２継手２，３の挿入部Ｉ１，Ｉ２と弁本体１の嵌合部Ｆ１，Ｆ２との軸線を同一線上に位置決めできないことがある。また、第１、第２継手２，３の挿入部Ｉ１，Ｉ２と弁本体１の嵌合部Ｆ１，Ｆ２との間隙が等しくならないので、その間隙にろうが均一に付着しないことがあり、第１、第２継手２，３と弁本体１の接続部の強度低下の恐れがあり、間隙から冷媒の漏洩が生じる欠点がある。
【００１０】
本発明は、弁本体の嵌合部と第１、第２継手及びプランジャチューブの挿入部との強度低下を低減し、ろう材料が均一に付着し、ろう付け時に嵌合部と被嵌合部との浮き上がりや傾きを防止し、ろう材の浸透する間隙を形成し、ろう付け不良を低減し、間隙から冷媒の漏洩が生じにくい電磁弁を提供し、課題を解決するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、プランジャチューブの内部にプランジャを設け、前記プランジャの下端面と弁本体との間に弁体を設け、弁本体に第１継手と第２継手とを取り付けた電磁弁において、前記弁本体に前記第１継手と第２継手とが挿入嵌合される嵌合部が設けられ、前記第１継手と第２継手の外周挿入部にディンプル又はローレット加工部が形成されてなる電磁弁を構成するものである。
【００１２】
また、本発明は、プランジャチューブの内部にプランジャを設け、前記プランジャの下端面と弁本体との間に弁体を設け、弁本体に第１継手と第２継手とを取り付けた電磁弁において、前記弁本体に前記プランジャチューブが挿入嵌合される嵌合部が設けられ、該前記プランジャチューブの外周挿入部にディンプル又はローレット加工部が形成されてなる電磁弁を構成するものである。
【００１３】
このように、ろう付け挿入部側外径にディンプル又はローレット加工を施し、圧入することにより、プランジャチューブ、第１継手と第２継手を変形させることなく、接合することができ、また、電磁弁の有する気密、流路の確保という機能を保持しながらプランジャチューブ、第１継手、第２継手と弁本体をろう付けにより一体とし、電磁弁の流体通路が気密に保持される。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
本発明の実施形態は図３に示した電磁弁と同様であるので、その構造の説明はすでに述べているので省略する。
【００１５】
図１、図３に示すように、弁本体１に第１継手２と第２継手３とが嵌合される嵌合部Ｆ１，Ｆ２が設けられ、嵌合部Ｆ１，Ｆ２に対応する第１継手２と第２継手３の外周挿入部Ｉ１，Ｉ２にディンプル部Ｄが形成されている。ディンプルＤは、挿入部Ｉ１，Ｉ２に沿って第１継手２と第２継手３の外周に複数箇所設けられ、ディンプルの山径は、弁本体１の嵌合部Ｆ１，Ｆ２の内径ФＡより大きく形成されている。なお、図１において、ФＢは第１継手２と第２継手３の外径である。弁本体１の嵌合部Ｆ２，Ｆ３に第１継手２、第２継手３の外周挿入部Ｉ２，Ｉ３を圧入することにより、図１に示すように、ろう材の浸透する間隙Ｃが形成され、ろう付けすることにより、一体に固定され、第１継手２、第２継手３のろう付け不良を低減することができる。
【００１６】
同様に、弁本体１に、プランジャチューブ７が挿入嵌合される嵌合部Ｆ３が設けられ、嵌合部Ｆ３に対応するプランジャチューブ７の外周挿入部Ｉ３にディンプル部Ｄが形成されている。ディンプルＤは挿入部Ｉ３に沿ってプランジャチューブ７の外周に複数箇所設けられ、ディンプルＤの山径は、弁本体１の嵌合部Ｆ３の内径ФＡより大きく形成されている。なお、図１において、ФＢはプランジャチューブ７の外径である。弁本体１の嵌合部Ｆ３にプランジャチューブ７の外周挿入部Ｉ３を圧入することにより、図１に示すように、ろう材の浸透する間隙Ｃが形成され、ろう付けすることにより、一体に固定され、プランジャチューブ７のろう付け不良を低減することができる。
【００１７】
図２に示すように、ディンプルに代えて、第１継手２と第２継手３の外周挿入部Ｉ１，Ｉ２にローレット部Ｌを形成してもよい。ローレットＬは挿入部Ｉ１，Ｉ２の軸線に沿ってプランジャチューブ７の外周に直線状に設けられ、ローレットの山径は、弁本体１の嵌合部Ｆ１，Ｆ２の内径ФＡより大きく形成されている。なお、図２において、ФＣはローレットの谷径である。弁本体１の嵌合部Ｆ１，Ｆ２に第１継手２、第２継手３の外周挿入部Ｉ１，Ｉ２を圧入することにより、図２に示すように、ろう材の浸透する間隙Ｃが形成され、ろう付けすることにより、一体に固定され、第１継手２、第２継手３のろう付け不良を低減することができる。
【００１８】
同様に、ディンプルに代えて、プランジャチューブ７の外周挿入部Ｉ３にローレット部Ｌを形成してもよい。ローレットＬは挿入部Ｉ３の軸線に沿ってプランジャチューブ７の外周に直線状に設けられ、ローレットの山径は、弁本体１の嵌合部Ｆ３の内径ФＡより大きく形成されている。なお、図２において、ФＣはローレットの谷径である。弁本体１の嵌合部Ｆ３にプランジャチューブ７の外周挿入部Ｉ３を圧入することにより、図２に示すように、ろう材の浸透する間隙Ｃが形成され、ろう付けすることにより、一体に固定され、プランジャチューブ７のろう付け不良を低減することができる。
【００１９】
ローレットＬは挿入部Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３の軸線に対して斜め方向に傾斜した凹凸条に形成してもよい。この場合も、ローレットＬの山径は、弁本体１の嵌合部Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３の内径ФＡより大きく形成されている。
【００２０】
また、プランジャチューブ７の外周挿入部Ｉ３及び第１継手２と第２継手３の外周挿入部Ｉ１，Ｉ２にディンプル部又はローレット部を設ける代わりに、弁本体１の嵌合部Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３にディンプル部又はローレット部を設けてもよい。
【００２１】
なお、本発明に使用される弁本体１は、ステンレス鋼製でも黄銅製でもよく、ステンレス鋼製ではノンフラックスろう付け（ろう材としてリン青銅等を使用）、黄銅製ではフラックスろう付け（ろう材として銀ろう等を使用）が好適である。
また、冷凍サイクルシステムにＣＯ２等の超高圧冷媒を使用する場合には、高耐圧を必要とするため、第１継手２、第２継手３及びプランジャチューブ７の肉厚を増やすことや、第１継手２と第２継手３にステンレス鋼等の硬い材料を使用することが好ましく、この場合は、ディンプル加工は難しく、ローレット加工が好適である。
【００２２】
上記電磁弁を組み立てるには、前述したように、弁本体１の嵌合部Ｆ３に、ディンプル部Ｄ又はローレット部Ｌが形成されたプランジャチューブ７の外周挿入部Ｉ３を圧入して立設する。この際、ろう材の浸透する間隙Ｃが形成されるので、ろう付けすることにより、一体に固定され、プランジャチューブのろう付け不良を低減することができる。
【００２３】
また、弁本体１の下部外周部の嵌合部Ｆ１に、ディンプル部Ｄ又はローレット部Ｌが形成された第１継手２の外周挿入部Ｉ１を圧入し、弁本体１の下端部の嵌合部Ｆ２に、ディンプル部Ｄ又はローレット部Ｌが形成された第２継手３の外周挿入部Ｉ２を圧入する。この際、図１、図２に示すように、ろう材の浸透する間隙Ｃが形成されるので、ろう付けすることにより、一体に固定され、第１継手２、第２継手３のろう付け不良を低減することができる。
【００２４】
ブランジャチューブ７と第１継手２と第２継手３とをろう付けした弁本体１の中に弁体９を下端面にかしめたブランジャ８を挿入し、次いで、スプリング１４を凹部１３に挿入し、それから吸引子１０をブランジャチューブ７の上端部に当接するまで挿入する。その後、当接面を溶接して密封接合する。
【００２５】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、次のような効果が得られる。
（１）プランジャチューブの外周挿入部及び第１継手と第２継手の外周挿入部にディンプル又はローレット加工部が形成されたことにより、気密と流路の確保という機能を保持しながら、ろう付け時の浮き上がりや傾きを防止することができる。
（２）ろう材の浸透する間隙が形成されるので、継手やプランジャチューブのろう付け不良を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係るディンプル加工部を設けた電磁弁の図３のＡ−Ａ断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係るローレット加工部を設けた電磁弁の図３のＡ−Ａ断面図である。
【図３】従来の電磁弁の断面図である。
【符号の説明】
１　　　弁本体
２　　　銅製第１継手
３　　　銅製第２継手
４　　　弁室
５　　　弁座
７　　　プランジャチューブ
８　　　プランジャ
９　　　球形弁体
１０　　吸引子
１４　　スプリング
１５　　環状溝
１６　　コイル
１７　　ねじ孔
Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３　　嵌合部
外周挿入部　　　　　Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３
【図１】
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【図２】
2004116588.tif 000004
【図３】
2004116588.tif 000005