(57)【要約】【課題】窒化炭素を記録媒体の保護層として、潤滑性や耐久性に優れると共に、記録密度の低下を抑制できる磁気記録媒体および磁気記録装置を提供する。【解決手段】基板１０１上に、磁気記録を担う磁性層１０２を設ける。磁性層１０２上に自発磁化を有さない物質から成る中間層１０３を配する。中間層１０３上に、中間層１０３と組成が相違する窒化炭素からなる保護層１０４を設ける。これにより、潤滑性や耐久性において優れる窒化炭素からなる保護層１０４を媒体表面に用いながら角型比を上げて、高密度記録できる。また、基板１０１と磁性層１０２との間に自発磁化を有さない物質から成る下地層を併せて用いることで高温下でも高い角型比を維持して高密度記録できる。【選択図】　図１
2004022152.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、非晶質の磁性層が設けられ、
磁性層上に、非自発磁化性の中間層が設けられ、
中間層上に、上記中間層と相違する組成を備え、かつ、窒素および炭素の少なくとも一方を含む保護層が設けられていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
上記中間層が、非自発磁化性の金属から成ることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
上記中間層が、Ａｌ或いはＡｌを含む合金から成り、上記保護層が窒化炭素から成ることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
上記非晶質の磁性層が、ＴｂＦｅＣｏ合金から成ることを特徴とする請求項１ないし３の何れかに記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
上記非晶質の磁性層が、垂直磁気異方性を有することを特徴とする請求項１ないし４の何れかに記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
上記基板と磁性層との間に、非自発磁化性の下地層が設けられていることを特徴とする請求項１ないし５の何れかに記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
上記下地層が中間層と同じ物質から成ることを特徴とする請求項６記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
上記中間層の厚さが１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし７の何れかに記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
請求項１から８に記載の何れかに記載の磁気記録媒体に対して、光を照射する光照射手段と、
上記磁気記録媒体に対して、磁界を印加する磁界印加手段と、
光照射部分に磁界を印加して情報を記録するように、上記磁気記録媒体、光照射手段および磁界照射手段を制御する制御手段とを備えていることを特徴とする磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、記録密度を向上できる磁気記録媒体およびそれを用いた磁気記録装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、広く用いられている情報記録技術の一つに磁気記録がある。この方式で用いる磁気記録媒体は、基板、磁性層、保護層、潤滑層、その他の機能（例えば層間界面の改質など）を担当する層を有している。
【０００３】
その中の保護層には、記録および再生に用いるために媒体直上近傍を飛行しているヘッドとの衝突による摩耗や剥離の防止、雰囲気中の酸素による各層の酸化防止といった機能が求められている。
【０００４】
しかしながら、記録密度の向上を目指すには、前記ヘッドと、記録を担当する磁性層間の距離縮小が必要不可欠であり、保護層も十分な性能を保ちながら更に薄くすることが求められている。
【０００５】
従来、上記の課題を解決する磁気記録媒体の保護層として、例えば特開２０００−２０７７２３号公報（公開日：２０００年７月２８日）には、図１２に示すように、窒化炭素層を用いたものが開示されている。この公報に記載の磁気記録媒体は、ガラス基板９０１の上に磁性層９０２を堆積させ、その上に窒化炭素からなる保護層９０３を堆積させた構造を備えている。
【０００６】
上記公報には、窒化炭素からなる保護層９０３は、薄くても硬く、さらに、同じく保護層の材料として用いられている非晶質炭素やＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ　Ｌｉｋｅ　Ｃａｒｂｏｎ）といった炭素層よりも潤滑性や機械的耐久性において優れているという結果が示されている。上記結果は、ＣＳＳ（Ｃｏｎｔａｃｔ　Ｓｔａｒｔ　ａｎｄ　Ｓｔｏｐ）試験に基づいている。
【０００７】
それに加えて、上記公報においては、窒化炭素からなる保護層９０３の表面酸素量が炭素層に比べて少なく、内部への酸化の進行も少ないとして、一般的に酸化し易いＴｂＦｅＣｏなどの希土類−遷移金属の酸化を防止する効果も示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、こうした磁気記録媒体に磁気信号を記録する際には磁化容易軸方向に沿って磁界を印加することが必要となるが、図１２に示すように、基板９０１の上に磁性層９０２の上に配し、その上に作製した保護層９０３に窒化炭素を用いる従来の構造を備えた記録媒体９００では、記録層である磁性層９０２の単位体積当たりの飽和磁化に対する単位体積当たりの残留磁化の割合を示す角型比が減少してしまう。
【０００９】
飽和磁化とは、図１３に示すように、磁性体に磁界を印加して一旦飽和させた時の磁化Ａであり、残留磁化とは、一旦飽和させてから再び磁界を０に戻した時の磁化Ｂである。従って、角型比はＢ／Ａで表される。
【００１０】
こうした記録媒体を用いて磁気信号を再生する際には、残留磁化量がそのまま出力値を決める要因となるため、単位体積当たりの残留磁化の値が小さいと再生出力も小さくなる。
【００１１】
そうすると、記録媒体上の記録単位（ビット）を小さくして記録密度を高めていったときに、単位体積当たりの残留磁化が小さい記録媒体では大きい記録媒体に比べて記録単位当たりの磁化が小さくなるので、より早く磁化の検出下限に達してしまい、記録密度を高める上で不利となる。
【００１２】
例えば、２つの記録媒体１と記録媒体２とがあって、記録層としての磁性層に関して単位体積当たりの飽和磁化は両者とも同じ１００ｅｍｕ／ｃｃだが、角型比は記録媒体１が１．０で、記録媒体２が０．５だとすると、単位体積当たりの残留磁化は、記録媒体１が１００ｅｍｕ／ｃｃで、記録媒体２が５０ｅｍｕ／ｃｃとなる。上記のｃｃは、１０−６ｍ３を示し、上記のｅｍｕは、電磁単位（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ　ｕｎｉｔ）を示している。
【００１３】
ここで、両者を用いて磁気記録再生を行おうとした場合、或る同じ条件の下で再生時の磁化検出下限が１．０×１０−１４ｅｍｕだとすれば、記録媒体１では記録単位を１．０×１０−１６ｃｃまで小さくしても検出できるが、記録媒体２では記録単位が２．０×１０−１６ｃｃより小さくすると検出できなくなってしまう。
【００１４】
両者の磁性層の厚さが同じであれば、記録媒体２の記録単位は、記録媒体１の２倍の面積を必要とするので、面積密度は記録媒体１の５割しか達成できなくなり、残留磁化量が少ないことは記録密度を高める上で障害となる。
【００１５】
本発明の目的は、角型比の高く維持できて、記録密度を高めることが可能な、保護層を備えた磁気記録媒体およびそれを用いた磁気記録装置を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気録媒体は、上記課題を解決するために、基板上に、非晶質の磁性層が設けられ、磁性層上に、非自発磁化性の中間層が設けられ、中間層上に、上記中間層と相違する組成を備え、かつ、窒素および炭素の少なくとも一方を含む保護層が設けられていることを特徴としている。
【００１７】
上記構成によれば、媒体の摺動からの保護および光照射等による熱からの保護を目的とする最上層である、窒素および炭素の少なくとも一方を含む窒化炭素等の、中間層と相違する組成を備える保護層とその下の磁性層との間に設けた、非自発磁化性の中間層により、保護層の素材が、媒体温度の上昇に伴って磁性層へ拡散するのを防ぐ効果を発揮でき、結果として磁性層の特性変化とそれに伴う角型比の低下を抑制することが可能となる。
【００１８】
したがって、上記構成では、中間層により角型比を上げることができ、同じ単位体積当たりの飽和磁化でも単位体積当たりの残留磁化が増加するために検出できる磁化が増え、磁化の検出下限が同じであれば、より記録単位を小さくできることになる。これは即ち記録密度を更に高められることを意味する。
【００１９】
このときに中間層として、非自発磁化性を有する物質を用いるのは、磁性層の磁気的な特性が影響を受けることを防ぐのを目的としている。それらの物質は、自発磁化を有さない、非自発磁化性であれば電気伝導率には関係なく、ＡｌやＡｇに代表される金属であってもよいし、Ｓｉに代表される半導体であってもよいし、Ａｌ２Ｏ３に代表される絶縁体であってもよいが、製造の容易さから、上記中間層が、非自発磁化性の金属、特にＡｌやＡｌ合金から成ることが好ましい。また、安価であり、融点が高く熱に対して安定した物質であるＳｉも好ましい。
【００２０】
上記磁気記録媒体においては、上記保護層が窒化炭素から成ることが、その潤滑性や耐久性に優れていることにより望ましい。
【００２１】
上記磁気記録媒体では、上記非晶質の磁性層が、ＴｂＦｅＣｏ合金から成っていてもよい。これにより、高い記録密度を実現できる。
【００２２】
上記磁気記録媒体においては、上記非晶質の磁性層が、垂直磁気異方性を有することが好ましい。これにより、高い記録密度を実現できる。
【００２３】
上記構成によれば、基板と磁性層との間に自発磁化を有さない物質から成る下地層を加えることにより、下地層を持たない媒体に比べ、同じ温度における保磁力が増加し、より安定した記録を実現できる。
【００２４】
また、下地層に中間層と同じＡｌを用いることにより、保磁力を増加させつつ最も高い角型比上昇効果が得られる。角型比が高いと言うことは即ち、同じ単位体積当たりの飽和磁化でも単位体積当たりの残留磁化が増加するために検出できる磁化が増え、磁化の検出下限が同じであれば、より記録単位を小さくできることになる。これは即ち記録密度を更に高められることを意味する。更に、下地層と中間層を同じ物質にすることで、製造方法や製造設備の統一化が図れ、量産化した場合の生産効率を上げられる。
【００２５】
また、中間層の厚さを１ｎｍ以上１０ｎｍ以下とすることにより、少なくともこの範囲で角型比上昇効果が実現できる。中間層の厚さは、その効果を発揮するために最低でも１ｎｍは必要であり、厚くするほど効果は高くなるが、厚くしすぎてしまうと記録機能を担う磁性層と媒体表面近傍を走行する信号再生装置（通常は磁気ヘッドと呼ばれる）の間隔も拡がってしまい、検知される磁化が低下するので信号強度も低下してしまう。
【００２６】
このことや、保護層の厚さ、信号再生装置の媒体表面からの浮上量からして中間層の厚さは１０ｎｍ以下とするのが望ましい。
【００２７】
本発明の磁気記録装置は、前記の課題を解決するために、上記の何れかに記載の磁気記録媒体に対して、光を照射する光照射手段と、上記磁気記録媒体に対して、磁界を印加する磁界印加手段と、光照射部分に磁界を印加して情報を記録するように、上記磁気記録媒体、光照射手段および磁界照射手段を制御する制御手段とを備えていることを特徴としている。
【００２８】
上記構成によれば、光照射で媒体温度を制御することで、熱によって磁性層の温度を制御して、高温にして記録を容易にした状態で記録してから温度を下げて記録を困難にした状態を作ることでより安定した記録が実現できる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の各形態に係る磁気記録媒体について、図１ないし図１１に基づいて説明する。
【００３０】
（実施の第一形態）
図１に示すように、本発明を用いた記録媒体１００では、基板１０１上に、非晶質の磁性層１０２が設けられ、磁性層１０２上に、非自発磁化性の中間層１０３が設けられ、中間層１０３上に、中間層１０３と相違する組成を備え、かつ、窒素および炭素の少なくとも一方を含む保護層１０４が設けられている。
【００３１】
上記基板１０１の素材については、特に制限は無いが、現在この種の記録媒体に多く用いられているＡｌ、ガラス、多結晶ガラスなどから用途に応じて選べばよい。
【００３２】
上記の非晶質な磁性層１０２としては、垂直磁気異方性を有する、例えばＴｂＦｅＣｏをＤＣマグネトロンスパッタリングによりＡｒガス圧力が０．４Ｐａ、投入電力が３００Ｗの条件下で厚さ５０ｎｍにて作製されたものが挙げられる。本実施の第一形態ではスパッタリングに際してＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、その組成比は原子パーセンテージにしてＴｂ：Ｆｅ：Ｃｏ＝２３．３：５９．４：１７．３に設定されている。なお、他の磁性層１０２としては、ＧｄＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＨｏＴｂＦｅＣｏなど、希土類元素＋ＦｅＣｏも用いることができる。
【００３３】
更に、磁性層１０２の上に、非自発磁化性（自発磁化を有さない）を有し、後述する保護層１０４と組成が相違する中間層１０３として、アルミニウム（Ａｌ）層が、磁性層１０２と同じ方法によりＡｒガス圧力が０．５Ｐａ、投入電力が３００Ｗの条件下で厚さ１０ｎｍにて作製されている。非自発磁化性を有する（自発磁化を有さない）とは、磁場を除くと、それに応じて、その物質のいかなる部分においても磁化が消失する性質である。
【００３４】
そして、最後に窒化炭素（ＣＮ）からなる保護層１０４を作製するが、本実施の第一形態では、ＤＣマグネトロンスパッタリングでＡｒガスと窒素ガスの混合ガス、並びに炭素ターゲットを用いた反応性スパッタリングで窒化炭素からなる保護層１０４を作製している。ここで、ＡｒガスとＮ２ガスの合計圧力を０．２Ｐａ、流量比をＡｒ：Ｎ２＝１：９とし、投入電力が３００Ｗの条件下で厚さ１０ｎｍを作製して完成となる。
【００３５】
以上の方法により作製した記録媒体１００と、中間層１０３を設けた効果を示す、比較のための記録媒体とにおいて、媒体温度を上昇させた状態で、振動試料型磁力計（以下、ＶＳＭと記す）を用いて膜面と垂直方向へ磁界を印加した時の磁化の磁界依存性を比較し、主に角型比の変動についてそれぞれ評価した。
【００３６】
媒体温度を上昇させるのは、本発明による記録媒体の第一の応用例として光アシスト磁気記録を念頭に置いているからである。光アシスト磁気記録は「特開平４−１７６０３４号公報」で開示されているような、フェリ磁性体の補償温度における特性を利用して高密度化を図る記録方式で、光照射により媒体温度を上昇させて記録および再生を行っている。従って、本発明に対する評価も、媒体温度を上昇させた状態で行われる必要がある。
【００３７】
本実施の第一形態では、光アシスト磁気記録方式において再生時に最もよく使われる温度である７５℃付近と、同じく記録時に最もよく使われる温度である２００℃付近を、温度評価における基準としてみなし、測定時にそれぞれ７５℃と２００℃に上昇させてから評価するものと定めた。
【００３８】
図２に、記録媒体１００において、ＶＳＭを用いて媒体温度を７５℃に上げた状態で膜面と垂直方向へ磁界を印加した時の磁化の磁界依存性を示す。
【００３９】
ここで、第一比較例として、図３に断面図として示されているような、基板１０１と同一の基板２０１上に、磁性層１０２と同一の磁性層２０２を作製し、その上に、厚さ２０ｎｍの窒化炭素からなる保護層２０３を配した記録媒体２００を作製し、上記記録媒体１００と同じ方法を用いて媒体温度を７５℃に上げた状態で測定した磁化の磁界依存性を比較した。その結果を図４に示した。
【００４０】
その結果、記録媒体２００の前記磁化の磁界依存性を示す図４と比べると、飽和磁化Ａに対する残留磁化Ｂの割合を表す角型比Ｂ／Ａは、図４では０．７１であったのが、図２に示す本実施の第一形態では０．９５へと改善された。
【００４１】
さらに、第二比較例として、図５に示すように、基板１０１と同一の基板３０１上に、磁性層１０２と同一の磁性層３０２を作製し、その上に厚さ２０ｎｍの非晶質炭素からなる保護層３０３を配した記録媒体３００を作製した。非晶質炭素からなる保護層３０３はＤＣマグネトロンスパッタリングによりＡｒガス圧力が１．０Ｐａ、投入電力が３００Ｗの条件下で作製されている。
【００４２】
上記記録媒体１００と同じ方法を用いて媒体温度を７５℃に上げた状態で測定した磁化の磁界依存性を図６に示す。この図６では角型比が１．００であり、図１（ａ）とほぼ同等の角型比だった。
【００４３】
しかし、媒体温度をより高い２００℃にすると、図２および図６の角型比が低下することがわかった。つまり、図１に示す記録媒体１００において、ＶＳＭを用いて媒体温度を２００℃に上げた状態で膜面と垂直方向へ磁界を印加した時の磁化の磁界依存性を調べた。その結果を図７に示した。上記結果から、本実施の第一形態においては、媒体温度をより高い２００℃に設定しても、角型比Ｂ／Ａは０．８９と高い値を保っている。
【００４４】
しかしながら、図４に示す記録媒体２００において、同様にＶＳＭを用いて媒体温度を２００℃に上げた状態で膜面と垂直方向へ磁界を印加した時の磁化の磁界依存性を示す図８と、図５に示す記録媒体３００において、同様にＶＳＭを用いて媒体温度を２００℃に上げた状態で膜面と垂直方向へ磁界を印加した時の磁化の磁界依存性を示す図９では、角型比Ｂ／Ａが図８では０．５５、図９では０．５１と、共に大きく下がっている。
【００４５】
こうした結果から、本実施の第一形態では、基板１０１上に非晶質の磁性物質から成る磁性層（特に垂直磁気異方性を有するＴｂＦｅＣｏ合金から成るもの）１０２を配し、その上に自発磁化を有さない（非自発磁化性の）物質から成る中間層１０３、更にその上に窒素系或いは炭素系物質から成る保護層１０４を配した構造を持つことを特徴とする磁気記録媒体を用いることにより、磁性層１０２の磁化の磁界依存性において飽和磁化に対する残留磁化の割合を表す角型比の減少を抑制でき、検出される残留磁化を大きくできる。
【００４６】
これは取りも直さず、記録密度を高める上で有利に働く点と言える。更に、こうして高い角型比を維持したまま、窒化炭素からなる保護層１０４が本来持つ効果、即ち、潤滑性や耐久性において優れた効果と、高熱下においてもＴｂＦｅＣｏから成る磁性層１０２の酸化を防止できる高い効果とを併せて持つ磁気記録媒体が実現できたことを示している。
【００４７】
また、本実施の第一形態においては、中間層１０３に自発磁化を有さない金属を用い、更に保護層１０４に窒化炭素を用いることにより、更に高い角型比上昇の効果が得られる。また、磁性層１０２と同じ堆積方法（スパッタリング）を用いることができるので中間層１０３および保護層１０４の連続製膜が可能となり、層間界面に不純物が少ない高品質の膜が得られる。
【００４８】
更に、金属は一般的に堆積速度が非金属よりも速く、窒化炭素の堆積速度も非晶質炭素より速いため、中間層に非金属を用い保護層に非晶質炭素を用いる場合よりも製膜に要する工程時間を短縮でき、量産化した場合の生産効率を上げられる。中間層１０３に関する具体的な材料としてはＡｌ、Ａｇなどが好ましい。
【００４９】
これらは熱伝導率も高く、光アシスト磁気記録方式における記録または再生時に、温度上昇を終えた後に速やかに放熱し、室温に戻る時間が他の金属に比べて短いので、熱による磁性層１０２への影響もより抑えることができ、本発明に適した材料である。
【００５０】
また、上記金属の中でも特にＡｌ或いはＡｌを含む合金から成るものは、角型比を上昇させる効果が最も高く、実施形態で説明したような効果を発揮した。
【００５１】
また、非晶質の磁性層１０２の素材に温度によって記録の容易さが変わるＴｂＦｅＣｏ合金を用いることにより、熱によってＴｂＦｅＣｏ合金の温度を制御して、高温にして記録を容易にした状態で記録してから温度を下げて記録を困難にした状態を作ることでより安定した記録が実現できる。
【００５２】
また、非晶質の磁性層１０２に用いた物質が垂直磁気異方性を有することにより、原理的に面内磁気記録方式よりも記録密度限界が高い垂直磁気記録方式を実現できる。
【００５３】
（実施の第二形態）
図１０に示すように、本発明の実施の第二形態に係る磁気記録媒体としての記録媒体７００では、基板１０１と同一の基板７０１上に、中間層１０３と同じくＡｌから成る下地層７０２を配し、その上に、実施の第一形態と同様な、磁性層７０３、中間層７０４、および窒化炭素からなる保護層７０５が順次形成されている。上記下地層７０２および中間層７０４の組成は、保護層７０５と相違している。
【００５４】
下地層７０２は、中間層７０４より薄い、例えば厚さ３．７ｎｍのＡｌから成り、製法は中間層１０３と同じである。また、磁性層７０３を作製する時のＡｒガス圧力は０．８Ｐａで、中間層７０４と保護層７０５の厚さをそれぞれ５ｎｍに、実施の第一形態より薄くしている。
【００５５】
この記録媒体７００において、ＶＳＭを用いて媒体温度を２００℃に上げた状態で膜面と垂直方向へ磁界を印加した時の、縦軸と横軸共に規格化した磁化特性の結果を図１１に示す。同じ温度における記録媒体１００の磁化特性を示す図７と比べると、角型比Ｂ／Ａは０．９９と更に改善された。
【００５６】
この結果は、中間層７０４に加えて下地層７０２を用いた媒体を製作した本実施の第二形態が、実施の第一形態よりも中間層７０４と窒化炭素からなる保護層７０５の厚さをそれぞれ半分にしたにもかかわらず、高熱下においてもＴｂＦｅＣｏから成る磁性層７０３の酸化を防止するのに高い効果を持つ媒体が実現できたことを示している。
【００５７】
以上の各形態における角型比をまとめて表１に示す。本発明の記録媒体１００と記録媒体７００が媒体温度を２００℃に上げた状態でも高い角型比を保っていることがわかる。ここで、記録媒体７００は下地層７０２を設けたことにより媒体温度を７５℃における保磁力が増大し、磁化を飽和させることができなかったので７５℃の箇所は空欄としている。
【００５８】
【表１】
2004022152.tif 000003
【００５９】
以上の結果から、基板７０１上に非晶質の磁性物質から成る磁性層（特に垂直磁気異方性を有するＴｂＦｅＣｏ合金から成るもの）７０３を配し、その上に自発磁化を有さない金属から成る中間層（特にＡｌ或いはＡｌを含む合金から成るもの）７０４、更にその上に窒素系或いは炭素系物質から成る保護層７０５を配した構造に、上記基板７０１と磁性層７０３との間に自発磁化を有さない物質から成る下地層７０２を加えることで、より保護層７０５が薄い条件でも磁性層７０３の磁化の磁界依存性において飽和磁化に対する残留磁化の割合を表す角型比の減少を抑制でき、検出される残留磁化を大きくできて、高密度記録が可能となることが分かる。
【００６０】
また、上記下地層７０２は中間層７０４と同じ物質を用いることで製造方法や製造設備の統一化が図れ、量産化した場合の生産効率を上げられる。また、発明者らが実験を行った範囲では、中間層７０４の厚さが１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、下地層７０２の厚さが２ｎｍ以上１０ｎｍ以下、磁性層７０３の厚さが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であれば同様の効果を確認できた。
【００６１】
さらに、以上に示した実施の第一または第二形態に基づく記録媒体を用いて、上記記録媒体に光を照射する手段と、上記記録媒体に磁界を印加する手段を備え、光照射部分に磁界を印加して情報を記録することを特徴とする磁気記録装置を実現することもできる。
【００６２】
この装置では、記録媒体に対する光照射出力を制御することで、上記光照射ににより生じる熱によって磁性層の温度を制御して、高温にして記録を容易にした状態で記録してから温度を下げて記録を困難にした状態を作ることでより安定した記録が実現できる。
【００６３】
【発明の効果】
本発明の磁気記録媒体は、以上のように、基板上に非晶質の磁性物質から成る磁性層を配し、その上に非自発磁化性を有する中間層、更にその上に、中間層と相違する組成を備え、かつ、窒素および炭素の少なくとも一方を含む保護層を配した構成である。
【００６４】
それゆえ、上記構成では、上記中間層を設けたことにより、窒素および炭素の少なくとも一方を含む、例えば窒化炭素系の保護層により媒体の摺動からの保護および光照射等による熱からの保護を実現し、中間層により角型比を改善できるから、高密度記録を実現できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の第一形態に係る磁気記録媒体の断面図である。
【図２】上記磁気記録媒体における、ＶＳＭを用いて膜面と垂直方向へ磁界を印加した時の磁化の磁界依存性を示すグラフである。
【図３】比較のための磁気記録媒体の断面図である。
【図４】上記比較のための磁気記録媒体における、ＶＳＭを用いて媒体温度を７５℃にして、膜面と垂直方向へ磁界を印加した時の磁化の磁界依存性を示すグラフである。
【図５】比較のための他の磁気記録媒体の断面図である。
【図６】上記比較のための他の磁気記録媒体における、ＶＳＭを用いて媒体温度を７５℃にして、膜面と垂直方向へ磁界を印加した時の磁化の磁界依存性を示すグラフである。
【図７】上記実施の第一形態に係る磁気記録媒体における、ＶＳＭを用いて媒体温度を２００℃にして、膜面と垂直方向へ磁界を印加した時の磁化の磁界依存性を示すグラフである。
【図８】上記比較のための磁気記録媒体における、ＶＳＭを用いて媒体温度を２００℃にして、膜面と垂直方向へ磁界を印加した時の磁化の磁界依存性を示すグラフである。
【図９】上記比較のための他の磁気記録媒体における、ＶＳＭを用いて媒体温度を２００℃にして、膜面と垂直方向へ磁界を印加した時の磁化の磁界依存性を示すグラフである。
【図１０】本発明の実施の第二形態に係る磁気記録媒体（下地層を設けた）の断面図である。
【図１１】上記磁気記録媒体における、ＶＳＭを用いて媒体温度を２００℃にして膜面と垂直方向へ磁界を印加した時の磁化の磁界依存性を示すグラフである。
【図１２】従来の磁気記録媒体の断面図である。
【図１３】一般的な磁性体における磁化の磁界依存性を示すグラフである。
【符号の説明】
１００、７００…記録媒体、１０１、７０１…基板、１０２、７０３…磁性層、１０３、７０４…中間層、１０４、７０５…保護層、７０２…下地層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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