(57)【要約】【課題】蛍光体で波長変換された光の取出し効率を向上させることのできる高輝度な発光ダイオードを実現することにある。【解決手段】ベース部材１２の孔１２ａに挿通した導電ピン１４の下端面１４ａにＬＥＤチップ２４を接続し、また、上記ベース部材１２の孔１２ｃに挿通した第２のリードフレーム２２とＬＥＤチップ２４の一方の電極とを電気的に接続すると共に、ベース部材１２の孔１２ｂに挿通した第１のリードフレーム２０とＬＥＤチップ２４の他方の電極とを電気的に接続し、さらに、ＬＥＤチップ２４、ベース部材１２、導電ピン１４、第１のリードフレーム２０及び第２のリードフレーム２２の上端を、その上端に凸レンズ部２８を有する透光性外囲器３０で被覆すると共に、該外囲器３０の下端部３０ａ表面に蛍光体層３２を被着形成し、上記ＬＥＤチップ１６と蛍光体層３２とを、所定の間隔を設けた状態で対向配置した。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤチップを、上端にレンズ部を有する透光性の外囲器で封止すると共に、該外囲器の下端部の表面に蛍光体層を形成し、以て、上記ＬＥＤチップと上記蛍光体層とを所定の間隔で対向配置したことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】
ベース部材の孔に挿通した導電ピンの下端面にＬＥＤチップを接続すると共に、該ＬＥＤチップと上記ベース部材の孔に挿通したリードフレームとを電気的に接続し、さらに、上記ＬＥＤチップ、ベース部材、導電ピン、リードフレームの上端を、上端にレンズ部を有する透光性の外囲器で封止すると共に、該外囲器の下端部の表面に蛍光体層を形成し、以て、上記ＬＥＤチップと上記蛍光体層とを所定の間隔で対向配置したことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項３】
上記蛍光体層の外面に、反射層を形成したことを特徴とする請求項１又は２に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
ベース部材の孔に挿通した導電ピンの下端面にＬＥＤチップを接続し、また、上記ベース部材の孔に挿通した第１の導電パイプ、第２の導電パイプにそれぞれ第１のリードフレーム、第２のリードフレームを挿通すると共に、上記ＬＥＤチップと上記第１のリードフレーム及び第２のリードフレームとを電気的に接続し、さらに、上記ＬＥＤチップ、ベース部材、導電ピン、導電パイプ、リードフレームの上端を、上端にレンズ部を有する透光性の外囲器で封止すると共に、該外囲器の下端部の表面に蛍光体層を形成し、以て、上記ＬＥＤチップと上記蛍光体層とを所定の間隔で対向配置して成る発光ダイオードの製造方法であって、
ベース部材の孔に挿通・固定した導電ピンの下端面が上側に配置された状態で、ベース部材の孔に挿通・固定した第１の導電パイプ内に第１のリードフレームを挿通すると共に、第２の導電パイプ内に第２のリードフレームを挿通する工程と、
上側に配置された導電ピンの下端面にＬＥＤチップを接続すると共に、該ＬＥＤチップと第１の導電パイプとをボンディングワイヤを介して接続する工程と、
上記第１のリードフレーム及び第２のリードフレームを上方に所定の長さスライドさせた後、下側に配置された導電ピンの上端面と第２の導電パイプとをボンディングワイヤを介して接続し、その後、第１の導電パイプと第１のリードフレーム、第２の導電パイプと第２のリードフレームとを接続固定する工程と、
上記ＬＥＤチップ、ベース部材、導電ピン、導電パイプ、リードフレームの上端を、成形型内に収容すると共に、未硬化状態の外囲器の構成材料を所定量注入した後、硬化させて外囲器を形成する工程と、
外囲器の下端部表面に、蛍光体が混入された未硬化状態の樹脂又は無機結合剤を所定量注入した後、硬化させて蛍光体層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、発光ダイオードチップ（ＬＥＤチップ）の発光を、所定波長の光に変換する波長変換用の蛍光体を備えた発光ダイオード（ＬＥＤ）と、該発光ダイオードの製造方法に係り、特に、蛍光体で波長変換された光の取出し効率を向上させることのできる高輝度な発光ダイオード及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
波長変換用の蛍光体を備えた従来の発光ダイオード６０は、図１１に示すように、発光ダイオードチップ搭載用の第１のリードフレーム６２の先端部６２ａに、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡大する略漏斗形状の凹部を設けると共に該凹部内面を反射面と成してリフレクタ６４を形成し、該リフレクタ６４の底面に発光ダイオードチップ（以下、ＬＥＤチップと称する）６６をＡｇペースト等を介してダイボンドすることにより、上記第１のリードフレーム６２と、ＬＥＤチップ６６底面の一方の電極（図示せず）とを電気的に接続している。また、第２のリードフレーム６８の先端部６８ａと、上記ＬＥＤチップ６６上面の他方の電極（図示せず）とをボンディングワイヤ７０を介して電気的に接続して成る。
【０００３】
上記ＬＥＤチップ６６の上面及び側面は、リフレクタ６４内に充填された透光性エポキシ樹脂等のコーティング材７２によって被覆・封止されており、また、上記コーティング材７２中には、ＬＥＤチップ６６から発光された紫外光等の光を所定波長の可視光等の光に変換する波長変換用の蛍光体７４が分散状態で多数混入されている。
さらに、コーティング材７２で被覆された上記ＬＥＤチップ６６、第１のリードフレーム６２の先端部６２ａ及び端子部６２ｂの上端、第２のリードフレーム６８の先端部６８ａ及び端子部６８ｂの上端は、エポキシ樹脂等より成り、先端に凸レンズ部７６を有する透光性の外囲器７８によって被覆・封止されている。
【０００４】
而して、上記第１のリードフレーム６２及び第２のリードフレーム６８を介してＬＥＤチップ６６に電圧が印加されると、ＬＥＤチップ６６が発光して紫外光等の光が放射され、この光が上記コーティング材７２中の蛍光体７４に照射されることにより、所定波長の可視光等の光に波長変換され、波長変換された光が外囲器７８の凸レンズ部７６で集光されて外部へ放射されるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のＬＥＤ６０にあっては、蛍光体７４で波長変換された光は、コーティング材７２中の蛍光体７４を透過する透過光となるため、コーティング材７２内部を透過してコーティング材７２外部へ出射するまでの間に、その一部が蛍光体７４によって吸収されてしまい、光の取出し効率が良好ではなかった。
【０００６】
この発明は、従来の上記問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的とするところは、蛍光体で波長変換された光の取出し効率を向上させることのできる高輝度な発光ダイオード及びその製造方法を実現することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明に係る発光ダイオードは、ＬＥＤチップを、上端にレンズ部を有する透光性の外囲器で封止すると共に、該外囲器の下端部の表面に蛍光体層を形成し、以て、上記ＬＥＤチップと上記蛍光体層とを所定の間隔で対向配置したことを特徴とする。
【０００８】
また、本発明に係る他の発光ダイオードは、ベース部材の孔に挿通した導電ピンの下端面にＬＥＤチップを接続すると共に、該ＬＥＤチップと上記ベース部材の孔に挿通したリードフレームとを電気的に接続し、さらに、上記ＬＥＤチップ、ベース部材、導電ピン、リードフレームの上端を、上端にレンズ部を有する透光性の外囲器で封止すると共に、該外囲器の下端部の表面に蛍光体層を形成し、以て、上記ＬＥＤチップと上記蛍光体層とを所定の間隔で対向配置したことを特徴とする。
【０００９】
本発明の発光ダイオードにあっては、ＬＥＤチップと外囲器の下端部に形成した蛍光体層とを所定の間隔で対向配置しているので、蛍光体で波長変換される光を、上記蛍光体層で反射された反射光として取り出し、レンズ部のある外囲器の上端側へ導くことができる。このため、蛍光体で波長変換される光を透過光として取り出していた従来の発光ダイオード６０に比べ、光の取出し効率が向上し、高輝度化を図ることができる。
【００１０】
上記蛍光体層の外面に反射層を形成しても良い。上記反射層を形成した場合には、蛍光体層で波長変換された光の一部が蛍光体層を透過したとしても、上記反射層によって、蛍光体層を透過した光を反射してレンズ部のある外囲器の上端側へ導くことができるので、更に輝度向上を図ることができる。
【００１１】
また、本発明に係る発光ダイオードの製造方法は、ベース部材の孔に挿通した導電ピンの下端面にＬＥＤチップを接続し、また、上記ベース部材の孔に挿通した第１の導電パイプ、第２の導電パイプにそれぞれ第１のリードフレーム、第２のリードフレームを挿通すると共に、上記ＬＥＤチップと上記第１のリードフレーム及び第２のリードフレームとを電気的に接続し、さらに、上記ＬＥＤチップ、ベース部材、導電ピン、導電パイプ、リードフレームの上端を、上端にレンズ部を有する透光性の外囲器で封止すると共に、該外囲器の下端部の表面に蛍光体層を形成し、以て、上記ＬＥＤチップと上記蛍光体層とを所定の間隔で対向配置して成る発光ダイオードの製造方法であって、ベース部材の孔に挿通・固定した導電ピンの下端面が上側に配置された状態で、ベース部材の孔に挿通・固定した第１の導電パイプ内に第１のリードフレームを挿通すると共に、第２の導電パイプ内に第２のリードフレームを挿通する工程と、上側に配置された導電ピンの下端面にＬＥＤチップを接続すると共に、該ＬＥＤチップと第１の導電パイプとをボンディングワイヤを介して接続する工程と、上記第１のリードフレーム及び第２のリードフレームを上方に所定の長さスライドさせた後、下側に配置された導電ピンの上端面と第２の導電パイプとをボンディングワイヤを介して接続し、その後、第１の導電パイプと第１のリードフレーム、第２の導電パイプと第２のリードフレームとを接続固定する工程と、上記ＬＥＤチップ、ベース部材、導電ピン、導電パイプ、リードフレームの上端を、成形型内に収容すると共に、未硬化状態の外囲器の構成材料を所定量注入した後、硬化させて外囲器を形成する工程と、外囲器の下端部表面に、蛍光体が混入された未硬化状態の樹脂又は無機結合剤を所定量注入した後、硬化させて蛍光体層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１２】
上記方法で製造される発光ダイオードは、ＬＥＤチップと外囲器の下端部に形成した蛍光体層とが所定の間隔で対向配置されるので、蛍光体で波長変換される光を、上記蛍光体層で反射された反射光として取り出し、レンズ部のある外囲器の上端側へ導くことができる。このため、蛍光体で波長変換される光を透過光として取り出していた従来の発光ダイオード６０に比べ、光の取出し効率が向上し、高輝度化を図ることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づき、本発明に係る発光ダイオードの実施形態を説明する。
図１及び図２は、本発明に係る第１の発光ダイオード１０を示すものであり、この第１の発光ダイオード１０は、絶縁性の透光性材料より成る略円盤状のベース部材１２を備えており、該ベース部材１２の略中央に形成した孔１２ａに、略丸棒状の導電ピン１４を挿通すると共に、上記孔１２ａの外方に形成した一対の孔１２ｂ，１２ｃに、略円筒状の第１の導電パイプ１６，第２の導電パイプ１８を挿通して成る。上記導電ピン１４、導電パイプ１６，１８の上下両端は、ベース部材１２の孔１２ａ，１２ｂ，１２ｃから突出している。
上記ベース部材１２は、エポキシ樹脂等の有機材料や、ガラス等の無機材料で構成することができる。
【００１４】
また、上記第１の導電パイプ１６内に第１のリードフレーム２０を挿通して、該第１のリードフレーム２０と第１の導電パイプ１６とを電気的に接続すると共に、第２の導電パイプ１８内に第２のリードフレーム２２を挿通して、該第２のリードフレーム２２と第２の導電パイプ１８とを電気的に接続している。
さらに、上記導電ピン１４の下端面１４ａに、ＬＥＤチップ２４をＡｇペースト等の導電性ペーストを介してダイボンドすることにより、導電ピン１４とＬＥＤチップ２４上面の一方の電極（図示せず）とを電気的に接続している。
また、ＬＥＤチップ２４底面の他方の電極（図示せず）と、上記第１の導電パイプ１６とがボンディングワイヤ２６を介して接続されると共に、上記導電ピン１４の上端面１４ｂと第２の導電パイプ１８とがボンディングワイヤ２６を介して接続されている。
この結果、ボンディングワイヤ２６及び導電ピン１４を介して、第２のリードフレーム２２とＬＥＤチップ２４上面の一方の電極との電気的接続が実現されると共に、ボンディングワイヤ２６及び第１の導電パイプ１６を介して、第１のリードフレーム２０とＬＥＤチップ２４底面の他方の電極との電気的接続が実現されている。
上記ＬＥＤチップ２４は、窒化ガリウム系半導体結晶等で構成されている。また、上記第１のリードフレーム２０、第２のリードフレーム２２は、銅、銅亜鉛合金、鉄ニッケル合金等により構成されている。
【００１５】
上記ＬＥＤチップ２４、ベース部材１２、導電ピン１４、導電パイプ１６，１８及び第１のリードフレーム２０の上端、第２のリードフレーム２２の上端は、エポキシ樹脂等より成り、上端に凸レンズ部２８を有する透光性の外囲器３０によって被覆・封止されている。
また、上記外囲器３０の下端部３０ａの表面には、その略全面に亘って、ＬＥＤチップ２４から発光される紫外光等の光を、所定波長の可視光等の光に変換する波長変換用の蛍光体層３２が被着形成されている。この結果、導電ピン１４の下端面１４ａに接続された上記ＬＥＤチップ２４と、外囲器３０の下端部３０ａ表面に形成された蛍光体層３２とが、所定の間隔（例えば０．１ｍｍ〜５ｍｍ程度の間隔）を設けた状態で対向配置されることとなる。上記蛍光体層３２の膜厚は、例えば、１〜３ｍｍ程度と成される。
尚、第１のリードフレーム２０の下端、第２のリードフレーム２２の下端は、上記外囲器３０の下端部３０ａ及び蛍光体層３２を貫通して外部へと導出されている。
【００１６】
上記蛍光体層３２を構成する蛍光体としては、例えば以下の組成のものを用いることができる。
ＬＥＤチップ２４の光を赤色可視光に変換する赤色発光用の蛍光体として、Ｍ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ（Ｍは、Ｌａ、Ｇｄ、Ｙの何れか１種）、ＭｇＯ・ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ、２ＭｇＯ・２ＬｉＯ２・Ｓｂ２Ｏ３：Ｍｎ、Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ４：Ｅｕ、ＹＶＯ４：Ｅｕ、（ＳｒＭｇ）３（ＰＯ４）：Ｓｎ、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＯ３：Ｐｂ，Ｍｎ等がある。
また、ＬＥＤチップ２４の光を緑色可視光に変換する緑色発光用の蛍光体として、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ，Ｍｎ、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、（Ｃｅ，Ｔｂ，Ｍｎ）ＭｇＡｌ１１Ｏ１９、ＬａＰＯ４：Ｃｅ，Ｔｂ、（Ｃｅ，Ｔｂ）ＭｇＡｌ１１Ｏ１９、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ，Ｔｂ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ，Ｄｙ、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ，Ｄｙ、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ、Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ等がある。
更に、ＬＥＤチップ２４の光を青色可視光に変換する青色発光用の蛍光体として、（ＳｒＣａＢａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ、（ＳｒＭｇ）２Ｐ２Ｏ７：Ｅｕ、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｅｕ、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｓｎ、Ｓｒ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ、ＣａＷＯ４、ＣａＷＯ４：Ｐｂ青色蛍光体、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ等がある。
上記赤色発光用の蛍光体、緑色発光用の蛍光体、青色発光用の蛍光体を適宜選択・混合して蛍光体層３２を構成することで、種々の色の発色が可能である。また、ＬＥＤチップ２４が所定色の可視光を発光する場合には、ＬＥＤチップ２４の発光色と蛍光体層３２の発光色との混色を得ることができる。
【００１７】
而して、上記第１のリードフレーム２０及び第２のリードフレーム２２を介してＬＥＤチップ２４に電圧が印加されると、ＬＥＤチップ２４が発光して紫外光等の光が放射され、この光が、上記ＬＥＤチップ２４と対向配置された外囲器下端部３０ａの蛍光体層３２に照射されることにより、所定波長の可視光等の光に波長変換される。波長変換された光は、蛍光体層３２で反射されて外囲器３０の上端側に導かれ、凸レンズ部２８で集光されて外部へ放射されるようになっている。尚、ベース部材１２は、上記の通り透光性材料で構成されているので、当該ベース部材１２によって、外囲器３０の上端側に導かれる光が遮られることはない。
上記第１の発光ダイオード１０にあっては、ＬＥＤチップ２４と蛍光体層３２とを、所定の間隔を設けた状態で対向配置したので、蛍光体で波長変換される光を、蛍光体層３２で反射された反射光として取り出すことができる。このため、蛍光体７４で波長変換される光を透過光として取り出していた従来の発光ダイオード６０に比べ、光の取出し効率が向上し、高輝度化を図ることができる。
【００１８】
因みに、紫外光を発光するＬＥＤチップ２４を用い、ＭｇＯ・ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎより成る赤色発光用の蛍光体と、ＬａＰＯ４：Ｃｅ，Ｔｂより成る緑色発光用の蛍光体と、Ｓｒ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕより成る青色発光用の蛍光体とを、重量比１．５：１：０．８の割合で混合して上記蛍光体層３２を構成した第１のＬＥＤ１０を作製し、この第１のＬＥＤ１０を２０ｍＡの電流で駆動させたところ、色度座標におけるＸ＝０．２５〜０．３５、Ｙ＝０．３０〜０．４０で、５ｃｄの高輝度な白色光を得ることができた。
【００１９】
図３は、本発明に係る第２の発光ダイオード４０を示すものであり、この第２の発光ダイオード４０は、上記蛍光体層３２の外面３２ａの略全面に亘って、反射層４２を形成した点に特徴を有し、その他の構成は、上記第１の発光ダイオード１０と実質的に同じである。
上記反射層４２は光反射率の高い材料で構成され、例えば、銀やアルミニウム等の光反射率の高い金属の粉粒を重量比８０％以下で混合した樹脂や、光反射効率が良好な白色の樹脂等で構成することができる。尚、樹脂中に金属の粉粒を多量に混入すると、第１のリードフレーム２０と第２のリードフレーム２２間が短絡する恐れがあるが、樹脂に混合する比率を重量比８０％以下にした場合には短絡を防止することができる。
【００２０】
而して、上記の通り蛍光体層３２で波長変換された光は、蛍光体層３２で反射されて、凸レンズ部２８のある外囲器３０の上端側に導かれるが、蛍光体層３２が薄膜状に形成されている場合には、波長変換された光の一部が蛍光体層３２を透過して外部へ漏出することがある。しかしながら、上記第２の発光ダイオード４０にあっては、蛍光体層３２の外面３２ａに反射層４２を形成しているので、蛍光体層３２を透過した光を反射して凸レンズ部２８のある外囲器３０の上端側へ導くことができ、輝度向上を図ることができる。
【００２１】
以下において、上記第２の発光ダイオード４０の製造方法を、図４乃至図９に基づいて説明する。
先ず、ベース部材１２の孔１２ａ内に導電ピン１４を挿通させた状態で、接着剤（図示省略）を介してベース部材１２と導電ピン１４とを接続・固定すると共に、ベース部材１２の一対の孔１２ｂ，１２ｃ内に第１の導電パイプ１６，第２の導電パイプ１８を挿通させた状態で、接着剤（図示省略）を介してベース部材１２と第１の導電パイプ１６，第２の導電パイプ１８とを接続・固定する（図４）。
次に、図５に示すように、ＬＥＤチップ１４の接続される導電ピン１４の下端面１４ａが上側に配置された状態で、第１の導電パイプ１６内に第１のリードフレーム２０を挿通すると共に、第２の導電パイプ１８内に第２のリードフレーム２２を挿通する。
この場合、導電ピン１４の下端面１４ａにＬＥＤチップ２４をダイボンドする際の障害とならないように、第１のリードフレーム２０の上端及び第２のリードフレーム２２の上端の、上記孔１２ｂ，１２ｃからの突出長は小さく成されている。
【００２２】
その後、図６に示すように、導電ピン１４の下端面１４ａに、ＬＥＤチップ２４をＡｇペースト等を介してダイボンドして、導電ピン１４とＬＥＤチップ２４の一方の電極（図示せず）とを電気的に接続すると共に、ＬＥＤチップ２４の他方の電極（図示せず）と、第１の導電パイプ１６とをボンディングワイヤ２６を介して接続する。
次に、図７に示すように、第１のリードフレーム２０及び第２のリードフレーム２２を上方に所定の長さスライドさせた後、下側に配置されている導電ピン１４の上端面１４ｂと第２の導電パイプ１８とをボンディングワイヤ２６を介して接続する。その後、Ａｇペースト等の導電性接着剤（図示せず）を介して、第１の導電パイプ１６と第１のリードフレーム２０、第２の導電パイプ１８と第２のリードフレーム２２とを接続固定する。
【００２３】
次に、図８に示すように、ＬＥＤチップ２４、ベース部材１２、導電ピン１４、導電パイプ１６，１８、第１のリードフレーム２０の上端、第２のリードフレーム２２の上端を成形型４４内に収容すると共に、未硬化状態のエポキシ樹脂等の外囲器の構成材料を所定量注入した後、硬化させて外囲器３０を形成する。
【００２４】
次に、図９に示すように、外囲器３０の下端部３０ａ表面に、蛍光体が混入された未硬化状態の樹脂や無機結合剤を所定量注入した後、硬化させて蛍光体層３２を形成する。因みに、この状態で、成形型４４から取り出せば、上記第１の発光ダイオード１０が完成することとなる。
第２の発光ダイオード４０を製造する場合には、さらに図１０に示すように、蛍光体層３２の外面３２ａに、光反射率の高い未硬化状態の材料を所定量注入した後、硬化させて反射層４２を形成する。その後、成形型４４から取り出すことにより、上記第２の発光ダイオード４０が完成する。
【００２５】
【発明の効果】
本発明の発光ダイオードにあっては、ＬＥＤチップと外囲器の下端部に形成した蛍光体層とを所定の間隔で対向配置しているので、蛍光体で波長変換される光を、上記蛍光体層で反射された反射光として取り出し、レンズ部のある外囲器の上端側へ導くことができる。このため、蛍光体で波長変換される光を透過光として取り出していた従来の発光ダイオード６０に比べ、光の取出し効率が向上し、高輝度化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１の発光ダイオードを示す概略断面図である。
【図２】本発明に係る第１の発光ダイオードを示す概略平面図である。
【図３】本発明に係る第２の発光ダイオードを示す概略断面図である。
【図４】第２の発光ダイオードの製造方法を示す説明図である。
【図５】第２の発光ダイオードの製造方法を示す説明図である。
【図６】第２の発光ダイオードの製造方法を示す説明図である。
【図７】第２の発光ダイオードの製造方法を示す説明図である。
【図８】第２の発光ダイオードの製造方法を示す説明図である。
【図９】第２の発光ダイオードの製造方法を示す説明図である。
【図１０】第２の発光ダイオードの製造方法を示す説明図である。
【図１１】従来の発光ダイオードを示す概略断面図である。
【符号の説明】
１０  第１の発光ダイオード
１２  ベース部材
１４  導電ピン
１６  第１の導電パイプ
１８  第２の導電パイプ
２０  第１のリードフレーム
２２  第２のリードフレーム
２４  ＬＥＤチップ
３０  外囲器
３２  蛍光体層
４０  第２の発光ダイオード
４２  反射層
４４  成形型
【図１】
2004296987.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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