(57)【要約】【課題】基板間に液晶を封入するためのシール部材は、基板間の間隔を一定に保持するとともに、層間絶縁膜の界面での水分の浸透を防止する。【解決手段】アクティブマトリクス基板は、透明基板２２上に、複数のゲートバスラインおよび複数のソースバスライン８、相互に直交して設けられ、それぞれの直交部分の近傍にスイッチング素子が設けられて、これらゲートバスライン、ソースバスラインおよびスイッチング素子を覆うように層間絶縁膜５０が設けられ、さらに、層間絶縁膜５０上に各スイッチング素子にそれぞれ接続された複数の画素電極がマトリクス状に設けらている。層間絶縁膜５０の外側の側縁部には、層間絶縁膜の下地層が露出するように溝部６９が設けられており、対向基板との間に液晶を封入するシール部材１８が、溝部６９内および溝部６９の両側の層間絶縁膜５０上に設けられている。【選択図】　図５
2004053815.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に、複数のゲートバスライン、各ゲートバスラインと直交する複数のソースバスライン、および、各ゲートバスラインおよび各ソースバスラインの交差部の近傍に設けられたスイッチング素子が設けられて、これらゲートバスライン、ソースバスラインおよびスイッチング素子を覆うように層間絶縁膜が設けられ、該層間絶縁膜上に各スイッチング素子にそれぞれ接続された複数の画素電極がマトリクス状に設けられたアクティブマトリクス基板と、
該アクティブマトリクス基板に対して所定の間隔を保持して対向配置された対向基板と、
該アクティブマトリクス基板と該対向基板との間に、シール部材によって密閉状態で配置された液晶層とを有するアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置において、
前記シール部材が、層間絶縁膜に、該層間絶縁膜の下地層が露出するように形成された溝部内および該溝部の両側の層間絶縁膜上に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記シール部材にスペーサーが混入されている請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記スイッチング素子は薄膜トランジスタである請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記層間絶縁膜の下地層は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜又はチャネル保護層であり、前記シール部材がゲート絶縁膜又はチャネル保護層に接触している請求項３に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置に関し、更に詳しくは、アクティブマトリクス基板に設けられたスイッチング素子等を層間絶縁膜によって覆って、層間絶縁膜上に画素電極を配置した液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、マトリクス状に配置された表示画素を選択し、これに画像情報を書き込むことによって表示を行っている。この表示画素の選択に関しては、各画素電極にスイッチング素子を設けるアクティブマトリクス駆動方式が広く用いられており、特に、スイッチング素子として薄膜トランジスタを使用したＴＦＴ方式が、高コントラスト、高速応答性等の特徴があるために、主流になっている。
【０００３】
このアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置は、スイッチング素子によりオンおよびオフされる信号電圧が画素電極に印加されることにより、その画素電極と液晶層を介して設けられた対向電極との間に電圧が印加され、電圧が印加された液晶層部分を光学的に変調させることにより、画像表示が行われる。
【０００４】
アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置の従来例を、図７及び図８により説明する。図７はアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置の概略構造を示す平面図、図８は、図７のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【０００５】
アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置においては、液晶層６４を挟んで配置された一対の基板の一方がアクティブマトリクス基板２２であり、他方が対向基板２４である。アクティブマトリクス基板２２の表面上には、スイッチング素子を動作させる走査配線（ゲートバスライン、図示せず）と、信号電圧を印加するための信号配線（ソースバスライン、図示せず）とが、数百Åから数μｍのゲート絶縁膜３８を介して、相互に直交するように積層状態で形成されており、それらの交差部の近傍に画素電極（図示せず）がそれぞれ設けられている。対向基板２４の表面には、カラーフィルタ層５８等を介して対向電極（図示せず）が形成されている。
【０００６】
図８に示すように、アクティブマトリクス基板２２および対向基板２４は、スペーサー６６によって、所定の間隙を保持して対向配置されており、表示領域より外側の外周縁部が両基板の接着材を兼ねるシール部材２８でシールされている。そして、そのシール部材２８で囲まれた空間に液晶層６４が封入される。
【０００７】
アクティブマトリクス基板２２の表面上に形成されたゲートバスライン、ソースバスライン及びスイッチング素子は、層間絶縁膜５０によって覆われており、その層間絶縁膜５０上に複数の画素電極（図示せず）がマトリクス状に形成されている。
【０００８】
このように、ゲートバスライン、ソースバスライン及びスイッチング素子を覆うように数千Å〜数μｍの厚さで形成された層間絶縁膜５０上に画素電極が配置されており、各画素電極は、ソースバスラインと同一の層内には形成されていない。
【０００９】
このような構成では、ゲートバスラインおよびソースバスラインと重なるように、ゲートバスラインおよびソースバスラインの上方にも画素電極を配置できるために、画素電極の面積を大きくすることができるために、開口率を大きくすることができる。その結果、透過型液晶表示装置の場合には、透過率を大きく向上させることができ、反射型液晶表示装置の場合には、反射率を大きく向上させることができる。
【００１０】
このような液晶表示装置において、可視光領域での高い透過率を得るとともに、膜厚も厚く制御するために、層間絶縁膜５０を、感光性を有する透明アクリル樹脂によって形成することが行われている。この場合には、ゲートバスラインおよびソースバスライン等の各配線と画素電極との間の容量を低減することができ、しかも、クロストークも低減することができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
このような層間絶縁膜５０を有するアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置では、図８に示すように、アクティブマトリクス基板２２に設けられアクリル樹脂等からなる層間絶縁膜５０が表示領域の外まで延長されており、その延長部の上にシール部材２８が配置されて、アクティブマトリクス基板２２および対向基板２４がシール部材２８によって接着されている。
【００１２】
このように、アクティブマトリクス基板２２上の層間絶縁膜５０は、アクティブマトリクス基板２２および対向基板２４の間に配置されるシール部材２８によって囲まれて液晶６４が密封された表示領域の外側にまで形成されている。これにより、シール部材２８に混入されているスペーサー６６および表示領域に散布されるスペーサーは、同一の層間絶縁膜上に形成されることになり、層間絶縁膜５０が一定の膜厚に形成されることにより、液晶層６４の厚さに差が生じないようにすることができる。
【００１３】
これに対して、層間絶縁膜５０が表示領域の内側に限定配置されて、シール部材２８の下に存在しない場合には、表示領域におけるセル厚が変動するおそれがある。すなわち、表示領域の外側に位置するシール部材２８においては、シール部材２８に含まれるスペーサー６６によって液晶層６４は一定の厚さとされるのに対して、表示領域に形成される層間絶縁膜が一定の膜厚に形成されず、液晶層６４は一定の厚さに形成されないおそれがある。これにより、表示領域とその周囲とにおいて、液晶層６４の厚さに差が生じると、表示領域の周縁部に表示ムラが生じて表示品位が低下するおそれがある。また、この場合には、液晶層６４に印加される電圧が、最適な状態からずれることにより、表示の信頼性が損なわれるおそれもある。
【００１４】
図７および図８に示すように、表示領域の外側にまで層間絶縁膜を設けることによって、液晶層６４の厚さを一定にすることができる。しかしながら、このような層間絶縁膜５０上にシール部材２８が設けられた構成では、層間絶縁膜５０が吸湿性を有する傾向にあるために、シール部材２８との界面において透湿性が比較的高くなり、液晶層６４に水分が浸透するおそれがある。特に高温、高湿、或いは結露しやすい環境下においては、液晶層６４に水分が浸透するおそれが高くなり、液晶層６４に水分が浸透することにより、表示領域の周縁部分に存在する液晶層６４の電荷保持率が低下し、表示品位が劣化することによって表示の信頼性が低下するという問題が生じる。
【００１５】
この問題を解決するために、図９に示すように、層間絶縁膜５０における表示領域の外側に位置する端部を覆うように、シール部材２８を配置する構成が提案されている。このような構成では、層間絶縁膜５０上にシール部材２８が設けられた領域６７によって液晶層の厚さの均一性が確保されるとともに、層間絶縁膜５０の外側において適当な厚さのシール部材２８が設けられた領域６８が存在することによって、シール部材２８と層間絶縁膜５０との界面から液晶層６４への水分浸透が抑制され、表示品位の低下を抑制することができる。
【００１６】
しかしながら、例えば、シール部材２８をスクリーン印刷法で設ける場合には、その印刷位置の精度は必ずしも高くなく、このため、シール部材２８の位置がずれるおそれがある。図１０に示すように、シール部材２８が層間絶縁膜５０に対して外側にずれた場合には、シール部材２８が設けられる層間絶縁膜５０の上面の面積が小さくなり、シール部材２８内に含まれるスペーサー６６が、層間絶縁膜５０上に配置することができなくなって、液晶層６４の厚さを均一にできないおそれがある。反対に、シール部材２８が層間絶縁膜５０に対して内側にずれた場合には、層間絶縁膜５０の外側において、シール部材２８が設けられた領域６８が小さくなり、シール部材２８と層間絶縁膜５０との界面から液晶層６４への水分浸透を抑制することができなくなるおそれがある。
【００１７】
本発明は、このような問題を解決するものであり、その目的は、アクティブマトリクス基板上のスイッチング素子等を層間絶縁膜で覆い、その上に画素電極を配置した断面構造を有し、しかも、そのアクティブマトリクス基板と対向基板の間に液晶を封入するシール部材の配置位置がずれた場合にも、セル厚の均一性を確保しつつ、シール部材と層間絶縁膜の界面での水分の浸透による表示品位の信頼性低下を回避できる液晶表示装置を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶表示装置は、透明基板上に、複数のゲートバスライン、各ゲートバスラインと直交する複数のソースバスライン、および、各ゲートバスラインおよび各ソースバスラインの交差部の近傍に設けられたスイッチング素子が設けられて、これらゲートバスライン、ソースバスラインおよびスイッチング素子を覆うように層間絶縁膜が設けられ、上記層間絶縁膜上に各スイッチング素子にそれぞれ接続された複数の画素電極がマトリクス状に設けられたアクティブマトリクス基板と、上記アクティブマトリクス基板に対して所定の間隔を保持して対向配置された対向基板と、上記アクティブマトリクス基板と上記対向基板との間に、シール部材によって密閉状態で配置された液晶層とを有するアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置において、上記シール部材が、層間絶縁膜に、上記層間絶縁膜の下地層が露出するように形成された溝部内および上記溝部の両側の層間絶縁膜上に設けられている。
【００１９】
上記シール部材にスペーサーが混入されもよい。
【００２０】
上記スイッチング素子は薄膜トランジスタであってもよい。
【００２１】
上記層間絶縁膜の下地層は、上記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜又はチャネル保護層であり、上記シール部材がゲート絶縁膜又はチャネル保護層に接触してもよい。
【００２２】
本発明の液晶表示装置は、このように、スイッチング素子などが層間絶縁膜によって覆われたアクティブマトリクス基板において、シール部材が設けられる層間絶縁膜の領域に、下地層が露出する溝部が設けられて、その溝部内および溝部の両側にわたってシール部材が設けられているために、シール部材の位置がずれても、溝部内のシール部材によって層間絶縁膜から液晶層に水分が浸透することを確実に防止することができ、また、シール部材に混入されたスペーサーを層間絶縁膜上に位置させることができるために、対向基板との間隔を確実に保持することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２４】
図１は、本発明の液晶表示装置の実施形態の概略構成図、図２は、その液晶表示装置の等価回路図である。この液晶表示装置は、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置であり、所定の間隙をもって相互に対向して配置された一対の透明基板２２および２４を有している。一方の透明基板２２は、アクティブマトリクス基板を構成する。アクティブマトリクス基板を構成する透明基板２２の表面上には、走査配線としてのゲートバスライン４が、行方向に沿って平行に設けられており、各ゲートバスライン４のそれぞれの一方の端部に走査端子２が設けられている。また、この透明基板２２の表面上には、列方向に沿って平行に信号配線としてのソースバスライン８が配置されており、各ソースバスライン８のそれぞれの一方の端部に信号端子６がそれぞれ設けられている。各ゲートバスライン４および各ソースバスライン８は相互に直交しており、それぞれの交差部の近傍に表示画素１０（図２参照）がそれぞれ設けられている。
【００２５】
表示画素１０は、画素電極１２、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）によって構成されたスイッチング素子１４、補助容量１６等で構成されている。スイッチング素子１４は、例えば薄膜トランジスタによって構成されている。各補助容量１６は、ゲートバスライン４に平行になった補助容量バスライン２０にそれぞれ接続されており、各補助容量バスライン２０が一括して接地されている。
【００２６】
図１に示すように、他方の対向基板を構成する透明基板２４の表面上には、対向電極１８等が設けられている。アクティブマトリクス基板の透明基板２２上に設けられた各画素電極１２は、それぞれ対向電極１８に対向している。透明基板２２および２４の間は、表示領域より外側の側縁部分において、シール部材２８によりシールされており、そのシール部材２８によって囲まれた空間内に液晶が封入されて液晶層６４が形成されている。この場合、シール部材２８は透明基板２２および２４を相互に接着する接着材としても機能している。
【００２７】
各表示画素１０部分では、画素電極１２と対向電極１８との間に液晶層６４が設けられており、各ゲートバスライン４にそれぞれゲート信号が入力されて各スイッチング素子１４のゲート電極に印加されることにより、各ソースバスライン８から入力される画像信号が、スイッチング素子１４のソース電極およびドレイン電極を介して画素電極１２に印加される。
【００２８】
このように、液晶表示装置のアクティブマトリクス基板においては、多数のゲートバスライン４とソースバスライン８とが交差して形成される長方形状の領域に、各表示画素１０がそれぞれ設けられている。図３は、アクティブマトリクス基板に設けられた１つの表示画素１０の構成を示す平面図、図４は、図３のＡ−Ａ’に沿った液晶表示装置の断面図である。
【００２９】
アクティブマトリクス基板に設けられた透明基板２２は絶縁性であり、この透明基板２２上に、相互に平行になるように複数のゲートバスライン４が設けられている。また、この透明基板２２上には、補助容量１６に接続された補助容量バスライン２０が設けられている。
【００３０】
ソースバスライン８との交差部近傍のゲートバスライン４には、表示画素１０におけるスイッチング素子１４のゲート電極３６が分岐して設けられている。透明基板２２上には、ゲートバスライン４、ゲート電極３６、補助容量バスライン２０を覆うように、透明基板２２の表示領域のほぼ全面にわたって、ゲート絶縁膜３８が設けられている。ゲート電極３６上には、ゲート絶縁膜３８を介して、Ｓｉによって構成された半導体層４０が、ゲート電極３６を覆うように設けられている。半導体層４０の各端部には、ｎ＋Ｓｉによってそれぞれ形成されたオーミックコンタクト層４２および４４がそれぞれ積層されている。ゲート絶縁膜３８上には、一方のオーミックコンタクト層４２に接続されたスイッチング素子１４のソース電極４６が、ソースバスラインから分岐した状態で設けられるとともに、他方のオーミックコンタクト層４４に接続されたスイッチング素子１４のドレイン電極４８が設けられている。ドレイン電極４８は、補助容量バスライン２０に、ゲート絶縁膜３８を介して積層された状態になっている。
【００３１】
ゲート絶縁膜３８を介して相互に積層された補助容量バスライン２０およびスイッチング素子１４のドレイン電極とによって、付加容量１６が形成されている。
【００３２】
透明基板２２上には、層間絶縁膜５０が、透明基板２２のほぼ全面にわたって設けられている。
【００３３】
層間絶縁膜５０上には、透明導電膜によって形成された長方形状の画素電極１２が設けられている。画素電極１２は、相互に隣接するゲートバスライン４間、および、相互に隣接するソースのバスライン８間にわたって設けられており、画素電極１２の各側縁部が、各ゲートバスライン４の一部および各ソースバスライン８の一部にそれぞれ重複している。
【００３４】
層間絶縁膜５０には、補助容量バスライン２０に積層されるように設けられたドレイン電極４８上であって、画素電極１２の下方に、コンタクトホール３０が設けられており、このコンタクトホール３０を介して、スイッチング素子１４のドレイン電極４８が画素電極１２に接続されている。画素電極１２上は、層間絶縁膜５０上に設けられた配向膜５４によって覆われている。
【００３５】
対向基板の透明基板２４も透明絶縁性であり、透明基板２４の表面には、カラーフィルタ層５８と、透明導電膜からなる対向電極１８と、配向膜６０とが順次積層されて設けられている。対向基板の透明基板２４は、アクティブマトリクス基板の透明電極２２とは、スペーサー６２によって所定の間隔をあけて保持されており、対向基板に設けられた透明基板２４の周縁部とアクティブマトリクス基板の透明基板２２との間にシール部材２８が設けられて、このシール部材２８によって、両透明基板２２および２４が接着されている。そして、シール部材２８によって囲まれた透明基板２２および２４間の空間に液晶が封入されて液晶層６４が形成されている。
【００３６】
前述したように、補助容量バスライン２０は、画素電極１２に接続されたドレイン電極４８と補助容量を形成しており、対向電極１８とは同電位になっている。
【００３７】
なお、各透明基板２２、２４の外側の表面には、偏光板、照明装置、位相差板等が適宜設けられるが、それらは図示が省略されている。
【００３８】
図５は、液晶表示装置におけるシール部材２８およびその周辺部の断面図であり、図７のＢ−Ｂ’線断面に対応している。
【００３９】
対向基板２４の周縁部のほぼ全体にわたって、シール部材２８が設けられており、そのシール部材２８がアクティブマトリクス基板の透明基板２０上の層間絶縁膜５０に接着されている。シール部材２８に囲まれた両透明基板２２および２４の間の空間内に設けられた液晶層６４によって、表示領域が形成されている。透明基板２２上に設けられた層間絶縁膜５０は、この表示領域の外側にまで延出しており、その延出部分におけるシール部材２８が設けられる領域には、溝部６９が設けられている。溝部６９は、層間絶縁膜５０の下地層であるゲート絶縁膜３８が露出した状態で、シール部材２８の全長にわたって形成されている。シール部材２８は、層間絶縁膜５０の溝部６９の内部および溝部６９の両側の層間絶縁膜５０上にわたって設けられている。
【００４０】
このような構成により、溝部６９の内部では、シール部材２８が、層間絶縁膜５０の下側のゲート絶縁膜３８に直接接触した状態になっており、溝部６９の両側は、シール部材２８が層間絶縁膜５０に直接接触した接触領域６７にそれぞれなっている。従って、シール部材２８は、溝部６９の両側の接触領域６７の間に、層間絶縁膜５０とは接触しない非接触領域６８が溝部６９の内部に形成されており、この非接触領域６８が、シール部材２８の全長にわたって設けられている。なお、シール部材２８には、スペーサ６６が混入されている。
【００４１】
このようなシール部材２８をスクリーン印刷によって層間絶縁膜５０上に設ける場合には、シール部材２８を高精度で層間絶縁膜５０上に形成することができるものではなく、例えば、図６に示すように、シール部材２８が、層間絶縁膜に設けられた溝部６９の外側にずれる場合があるが、この場合にも、溝部６９によって、シール部材２８には、層間絶縁膜５０と接触する接触領域の間に、層間絶縁膜５０とは接触しない非接触領域６８が形成されることになる。しかも、非接触領域６８は、溝部６９によって、常に一定の幅寸法で形成されるために、この非接触領域の存在によって、液晶層６４に水分が浸透することが確実に抑制される。
【００４２】
また、このようにシール部材２８の位置がずれた場合でも、溝部６９の外側に層間絶縁膜５０が存在するために、層間絶縁膜５０上にスペーサ６６を配置することができ、アクティブマトリクス基板と対向基板とを確実に一定の間隔で貼り合わせることができる。
【００４３】
次に、このような液晶表示装置の製造方法について説明する。
【００４４】
まず、アクティブマトリクス基板の透明基板２２として無アルカリガラス基板を準備して、その基板２２上にＴａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒなどの単層の金属膜、またはこれらの多層の金属膜を、スパッタリング法によって堆積して、所定形状にパターニングすることにより、ゲートバスライン４および付加容量用バスライン２０を形成する。ゲートバスライン４および付加容量用バスライン２０は、例えば、Ｔａの単層によって形成される。
【００４５】
次に、プラズマＣＶＤ法により、シリコン窒化膜ＳｉＮｘを３０００Åの厚さに堆積して所定形状にパターニングすることによって、ゲート絶縁膜３８を形成する。続いて、半導体層４０をプラズマＣＶＤ法によって成膜して所定形状にパターニングする。半導体層４０としては、例えば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）が使用され、その膜厚は、１０００Åとされる。
【００４６】
半導体層４０がパターニングされると、リンをドープしたアモルファスシリコン層を半導体層４０の各即部上に堆積して、オーミックコンタクト層４２および４４を形成する。各オーミックコンタクト層４２および４４は、その後に積層されるソース電極４６およびドレイン電極４８と半導体層４０とを、それぞれオーミックコンタクトさせるために設けられている。各オーミックコンタクト層４２および４４は、例えば、プラズマＣＶＤ法を用いてｎ＋Ｓｉ膜を８００Åの厚さに成膜した後に、所定の形状にパターニングすることによって形成される。
【００４７】
続いて、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒなどの金属膜をスパッタリング法で堆積した後に、所定形状にパターニングすることにより、ソースバスライン８およびソース電極４６を形成する。ソースバスライン８およびソース電極４６は、例えば、Ｔａによって形成される。
【００４８】
その後、透明導電膜を透明基板２２のほぼ全面にわたって成膜した後に、所定形状にパターニングするにより、ドレイン電極４８を形成する。ドレイン電極４８は、例えば、スパッタリング法によって、すずをドープしたインジウム酸化膜を用いて形成される。
【００４９】
さらに、層間絶縁膜５０となる感光性のアクリル樹脂を、スピン塗布法によって、透明基板２２のほぼ全面にわたって成膜して層間絶縁膜を形成する。その後、層間絶縁膜５０のアクリル樹脂を所定のパターン形状に露光して、アルカリ性の溶液によって現像処理する。これにより、露光された部分のみがアルカリ性溶液によってエッチングされ、層間絶縁膜５０を貫通するコンタクトホール３０を形成する。このとき、同時に層間絶縁膜５０の外側の側縁部における所定部分に、溝部６９に対応した形状に露光して現像処理することにより、溝部６９を形成する。
【００５０】
その後、層間絶縁膜５０上に多数の画素電極１８をマトリクス状に形成する。画素電極１８は、例えば、すずをドープしたインジウム酸化膜をスパッタリング法により成膜して、所定形状にパターニングすることにより形成される。
【００５１】
その後、配向膜５４となるポリイミド樹脂を含む溶液を、オフセット印刷によって透明基板２２のほぼ全面に塗布する。このときも、シール部材２８が接する部分に、配向膜６０が形成されないように印刷版が形成される。配向膜５４とされるポリイミド樹脂は、吸湿性が高いために、水分が液晶層６４の内部に浸透することを確実に防止するため、および、シール部材２８との接着強度を高めるためである。配向膜５４が形成されることにより、アクティブマトリクス基板が形成される。
【００５２】
他方、対向基板の透明基板２４として、ガラス基板を準備し、この透明基板２４上に、透過光が赤、青、緑であるそれぞれの色層がストライプ状に配列されたカラーフィルタ層５８を形成する。カラーフィルタ層５８の各カラー層の間、および、アクティブマトリクス基板に設けられたスイッチング素子に対応する部分に、外部からの入射光によってスイッチング素子が誤動作することを防止するための遮光層が設けられる。カラー層は、例えば、アクリル樹脂中に顔料を分散させてけ形成される。また、遮光層はＣｒによって形成される。
【００５３】
次に、カラーフィルタ層５８の上に、透明な対向電極１８を形成する。対向電極１８は、例えば、すずをドープしたインジウムをスパッタリング法により成膜することによって形成される。この場合、インジウムの成膜時に、シール部材２８が接する部分にインジウムが堆積しないように、そのシール部分２８に対応した部分をマスクする。これにより、シール部材２８との接着性が弱いインジウムの酸化膜が、シール部材２８が設けられる部分には形成されない。
【００５４】
その後、配向膜６０となるポリイミド樹脂を含む溶液を、オフセット印刷によって透明基板２４のほぼ全面に塗布する。このときも、シール部材２８が接する部分に、配向膜６０が形成されないように印刷版が形成される。配向膜６０とされるポリイミド樹脂は吸湿性が高いために、水分が液晶層６４の内部に浸透することを防止するため、および、シール部材２８との接着強度を高めるためである。配向膜６０が形成されることにより、対向基板が形成される。
【００５５】
このようにして形成されたアクティブマトリクス基板および対向基板をオーブンで焼成し、ラビング処理を行った後、スペーサー６２をアクティブマトリクス基板における表示領域に散布する。その後、スペーサー６６が混入されたシール部材２８によって、アクティブマトリクス基板および対向基板を貼り合わせる。この場合、シール部材２８は、アクティブマトリクス基板に設けられた層間絶縁膜５０の溝部６９内に注入されるとともに、溝部６９の両側の層間絶縁膜５０上に位置するように、スクリーン印刷によって形成される。
【００５６】
なお、アクティブマトリクス基板の表示領域に散布されるスペーサー６２としては、例えばポリマービーズが、シール部材２８に混入されるスペーサー６６として、例えばガラスファイバーが使用され、また、シール部材２８としては、例えばエポキシ樹脂問うの樹脂が使用される。
【００５７】
その後、シール部材２８に設けられた注入口から、液晶を、真空注入法によってアクティブマトリクス基板および対向基板間に注入して液晶層６４を形成する。これにより、本発明の液晶表示装置が製造される。
【００５８】
製造された液晶表示装置は、シール部材２８が、層間絶縁膜５０に形成された溝部６９の内部およびその溝部６９の両側の層間絶縁膜５０上に位置するように形成されているために、溝部６９内のシール部材２８によって、層間絶縁膜５０を介して液晶層６４に水分が浸透することを確実に防止することができる。しかも、シール部材２８に混入されたスペーサー６６が溝部６９の外側の層間絶縁膜５０上に配置されても、このスペーサー６６によって、対向基板との間隔を一定の状態に確実に保持される。
【００５９】
なお、上記実施の形態では、スイッチング素子が透明基板上にゲート電極が設けられた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）について説明したが、このような構成に限らず、透明基板上にチャネル領域を形成する半導体層が形成されたＴＦＴであってもよい。この場合には、層間絶縁膜の下地層は、チャネル領域を形成する半導体層の覆うチャネル保護層になり、溝部は、このチャネル保護層が露出するように形成される。
【００６０】
【発明の効果】
本発明の液晶表示装置は、このように、スイッチング素子などが層間絶縁膜によって覆われたアクティブマトリクス基板において、シール部材が設けられる層間絶縁膜の領域に、下地層が露出する溝部が設けられて、その溝部内および溝部の両側にわたってシール部材が設けられているために、シール部材の位置がずれても、溝部内のシール部材によって層間絶縁膜から液晶層に水分が浸透することを確実に防止することができ、また、シール部材に混入されたスペーサーを層間絶縁膜上に位置させることができるために、対向基板との間隔を確実に保持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置の全体構造を示す斜視図である。
【図２】その液晶表示装置のアクティブマトリクス基板における回路構成を示す回路図である。
【図３】そのアクティブマトリクス基板の詳細な平面構造を示す平面図である。
【図４】そのアクティブマトリクス基板を対向基板と組み合わせた液晶表示装置の詳細な断面構造を示す断面図であり、図３中のＡ−Ａ’線に沿った断面に相当する。
【図５】その液晶表示装置で重要な基板接着構造を示す断面図であり、図７中のＢ−Ｂ’線に沿った断面に相当する。
【図６】その基板接着構造の作用を説明するための断面図であり、図７中のＢ−Ｂ’線に沿った断面に相当する。
【図７】アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置の概略構造を示す平面図である。
【図８】従来の基板接着構造を示す断面図で、図７中のＢ−Ｂ’線に沿った断面に相当する。
【図９】従来の別の基板接着構造を示す断面図であり、図７中のＢ−Ｂ’線に沿った断面に相当する。
【図１０】その基板接着構造おける問題点を説明するための断面図であり、図７中のＢ−Ｂ’線に沿った断面に相当する。
【符号の説明】
２　　走査端子
４　　ゲートバスライン
６　　信号端子
８　　ソースバスライン
１０　表示画素
１２　画素電極
１４　スイッチング素子
１６　補助容量
１８　対向電極
２０　補助容量バスライン
２２　透明基板
２４　透明基板
２８　シール部材
３０　コンタクトホール
３６　ゲート電極
３８　ゲート絶縁膜
４６　ソース電極
４８　ドレイン電極
５０　層間絶縁膜
５４　配向膜
６０　配向膜
５８　カラーフィルタ層
６２　スペーサー
６６　スペーサ
６４　液晶層
６７　接触領域
６８　非接触領域
６９　溝部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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