(57)【要約】【課題】蒸着法（気相堆積法）により基板上に蛍光体層が形成されパネルを製造するに際して、得られる放射線画像の画質を低下させることがない生産効率が高いパネルの製造方法及び冷却装置の提供。【解決手段】基板上に蒸着法によって輝尽性蛍光体層を形成する放射線画像変換パネルの製造方法において、該輝尽性蛍光体層が形成された後、前記輝尽性蛍光体層が形成された該基板を冷却装置に移し、前記基板と前記輝尽性蛍光体層との温度差を０．５〜５℃に保ち、且つ基板と輝尽性蛍光体層との温度を１℃〜１５℃／分の速度で冷却することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。【選択図】        図１
2004333267.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に蒸着法によって輝尽性蛍光体層を形成する放射線画像変換パネルの製造方法において、該輝尽性蛍光体層が形成された後、前記輝尽性蛍光体層が形成された該基板を冷却装置に移し、前記基板と前記輝尽性蛍光体層との温度差を０．５〜５℃に保ち、且つ基板と輝尽性蛍光体層との温度を１℃〜１５℃／分の速度で冷却することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項２】
基板上に蒸着法によって輝尽性蛍光体層が形成された放射線画像変換パネルを製造するとき、該輝尽性蛍光体層が形成された後、前記輝尽性蛍光体層が形成された該基板を冷却する本体と蓋体とを有する冷却装置であって、前記輝尽性蛍光体層が形成された該基板を中空に保持する保持手段と、
外気取り入れ手段と、
排気口と、
前記基板の温度を検出する第１温度検出手段と、
前記輝尽性蛍光体層の温度を検出する第２温度検出手段と、
前記基板用の第１加熱手段と、
前記輝尽性蛍光体層用の第２加熱手段と、
該第１温度検出手段と、該第２温度検出手段との検出情報に基づいて、前記基板と前記輝尽性蛍光体層との温度差を０．５〜５℃に保ち、且つ、前記基板の温度と前記輝尽性蛍光体層の温度を、１℃〜１５℃／分の速度で冷却するように、該第１加熱手段と該第２加熱手段との電流量を独立に制御する制御手段とを有することを特徴とする冷却装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に蒸着法（気相堆積法）によって形成された輝尽性蛍光体（以下単に、蛍光体とも言う）層を有する放射線画像変換パネル（以下単に、パネルとも言う）の製造方法及び冷却装置に関し、更に詳しくは基板上に蛍光体層を形成した後、蛍光体層を形成した基板を冷却装置に移して冷却するパネルの製造方法及び冷却装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用いられている。このＸ線画像を得るために被写体を通過したＸ線を蛍光体（蛍光スクリーン）に照射し、これにより生じた可視光を通常の写真をとるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射して現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。しかし、近年、銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光体から直接画像を取り出す方法が工夫されるようになった。
【０００３】
画像を取り出す方法としては、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収させた後、光又は熱エネルギー等で蛍光体を励起することにより、蛍光体が蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射し、この蛍光を検出し画像化する方法が挙げられる。具体的には、例えば米国特許３，８５９，５２７号及び特開昭５５−１２１４４号等などに可撓性の支持体上に蛍光体層を形成したパネルを使用した放射線画像変換方法が記載されている。
【０００４】
これらの方法は、蛍光体シートの蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てて被写体各部の放射線透過密度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて、その後に蛍光体層を可視光線、赤外線などの電磁波（励起光）で時系列的に励起することにより、該蛍光体層中に蓄積されている放射線エネルギーを輝尽発光として放出させ、この光の強弱による信号をたとえば光電変換し、電気信号を得て、この信号を感光フィルムなどの記録材料、ＣＲＴなどの表示装置上に可視像として再生するものである。
【０００５】
この放射線像記録再生方法によれば、従来の放射線写真フィルムと増感紙との組合せを用いる放射線写真法による場合に比較して、はるかに少ない被曝線量で情報量の豊富な放射線画像を得ることができるという利点がある。
【０００６】
このような蛍光体は、放射線を照射した後、励起光を照射すると輝尽発光を示す蛍光体であるが、実用上では、波長が４００〜９００ｎｍの範囲にある励起光によって３００〜５００ｎｍの波長範囲の輝尽発光を示す蛍光体が一般的に利用されている。
【０００７】
蛍光体層としては、蒸着法（気相堆積法）や焼結法によって形成される結合剤を含まないで蛍光体の凝集体のみから構成される蒸着タイプのものや、蛍光体とこれを分散状態で含有支持する結合剤とから構成される分散タイプの蒸着タイプのものや、蛍光体の凝集体の間隙に高分子物質が含浸されているもの等が知られている。
【０００８】
放射線像記録再生方法（および放射線画像形成方法）は上述したように数々の優れた利点を有する方法であるが、この方法に用いられる放射線像変換パネルにあっても、できる限り高感度であってかつ画質（鮮鋭度、粒状性など）の良好な画像を与えるものであることが望まれている。
【０００９】
蒸着タイプの蛍光体層は、分散タイプの蛍光体層に比較すると、蛍光体が１００％であることから、蛍光体が同じ場合、同じ層厚では感度が優れ、放射線吸収率が高いことで相対的に量子モトルが減少して粒状性も優れるパネルを与え、感度を同じ程度にすれば層厚を薄くできて、蛍光体層内での放射線や励起光の拡散が減少し鮮鋭性の優れたパネルが得られることが知られている。
【００１０】
しかしながら、蒸着法では高熱・高真空条件下で基板上に蛍光体層を形成するため、蛍光体層を形成した後、直ちに蒸着装置の加熱器の電源を切ると、基板と蛍光体層の熱伝導度が異なるため、蛍光体層の降温速度に比べ基板の降温速度の方が速いために、両者の間に相当な温度差が生じてしまう。結果として、基板と蒸着膜が剥離したり、基板の厚みが薄い場合には基板が反り返ったり、あるいは蒸着膜に応力歪みが残ってその内部に亀裂が発生し、制御不可能な空隙を形成する場合がある。このことは、基板と蛍光体層との接着性を低下させ、また得られる放射線画像の画質を低下させることになる。
【００１１】
蒸着法によりパネルを製造する時、上述の問題の対応として、基板上に蛍光体層を形成した後、蒸着装置内で基板を１℃／分以上、２０℃／分以下の速度で除々に冷却していく方法が知られている（例えば、特許文献１を参照。）。
【００１２】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、冷却を蒸着装置内で行うため、温度が下がるまで蒸着装置を使用することが出来なくなるため、生産効率が低下する欠点を有している。
【００１３】
この様な状況から、蒸着法により基板上に蛍光体層が形成されパネルを製造するに際して、得られる放射線画像の画質を低下させることがない生産効率が高いパネルの製造方法及び冷却装置の開発が望まれている。
【００１４】
【特許文献１】
特開２００２−１０７４９６号公報
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記状況に鑑み成されたもので、その目的は、蒸着法（気相堆積法）により基板上に蛍光体層が形成されパネルを製造するに際して、得られる放射線画像の画質を低下させることがない生産効率が高いパネルの製造方法及び冷却装置を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記目的は、以下の構成により達成された。
【００１７】
１）基板上に蒸着法によって輝尽性蛍光体層を形成する放射線画像変換パネルの製造方法において、該輝尽性蛍光体層が形成された後、前記輝尽性蛍光体層が形成された該基板を冷却装置に移し、前記基板と前記輝尽性蛍光体層との温度差を０．５〜５℃に保ち、且つ基板と輝尽性蛍光体層との温度を１℃〜１５℃／分の速度で冷却することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【００１８】
２）基板上に蒸着法によって輝尽性蛍光体層が形成された放射線画像変換パネルを製造するとき、該輝尽性蛍光体層が形成された後、前記輝尽性蛍光体層が形成された該基板を冷却する本体と蓋体とを有する冷却装置であって、前記輝尽性蛍光体層が形成された該基板を中空に保持する保持手段と、
外気取り入れ手段と、
排気口と、
前記基板の温度を検出する第１温度検出手段と、
前記輝尽性蛍光体層の温度を検出する第２温度検出手段と、
前記基板用の第１加熱手段と、
前記輝尽性蛍光体層用の第２加熱手段と、
該第１温度検出手段と、該第２温度検出手段との検出情報に基づいて、前記基板と前記輝尽性蛍光体層との温度差を０．５〜５℃に保ち、且つ、前記基板の温度と前記輝尽性蛍光体層の温度を、１℃〜１５℃／分の速度で冷却するように、該第１加熱手段と該第２加熱手段との電流量を独立に制御する制御手段とを有することを特徴とする冷却装置。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明に係る実施の形態を図１〜図３を参照して説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２０】
図１は本発明に係る蒸着装置の一例を示す概略構成図である。
図中、１は蒸着装置を示す。１０１は蒸着室を示す。蒸着室１０１は排気手段（不図示）により、メインバルブ１０１ａ１を有する排気管１０１ａを介して１３３×１０−４Ｐａ以下の真空にされ、排気手段（不図示）によりリークバルブ１０１ｂを介して所定の真空度に維持されることが可能になっている。
【００２１】
蒸着室１０１には、必要に応じてバルブ１０１ｃ１を有するガス導入管１０１ｃを介してＮ２、Ａｒ、Ｎｅ、Ｈｅ等の不活性ガスが雰囲気ガスとして導入することが可能となっている。
【００２２】
１０１ｄは蛍光体蒸発手段を示す。蛍光体蒸発手段１０１ｄは、紙面に直角方向の長さが幅に対して数倍以上も長い細長の蒸発開口を有する蒸着源容器１０１ｄ１と、蒸着源容器１０１ｄ１に収容された蛍光体又は蛍光体構成材料から成る蒸発源体１０１ｄ２と、蒸発源体１０１ｄ２に電子ビーム（不図示）を照射し蒸気を放出させるピアス式電子銃１０１ｄ３とを有している。ピアス式電子銃１０１ｄ３は蒸発源体１０１ｄ２の長さ方向に走査し、電子ビーム（不図示）を蒸発源体１０１ｄ２に繰り返し照射することが可能となっている。１０１ｄ４は蒸発源体１０１ｄ２を均一に蒸発させるように、局部加熱させるための蒸着源容器１０１ｄ１に接続された冷却用パイプを示す。
【００２３】
１０１ｅは蒸発源体１０１ｄ２からの蒸気流を規制する規制板を示し、蒸気を通すスリット１０１ｅ１を形成している。この規制板１０１ｅは蒸発源体１０１ｄ２から１０〜６０ｃｍ上方に設けられていることが好ましい。
【００２４】
１０１ｆは被蒸着体の基板２の周縁部を受けて基板２を載置する基板載置枠を示す。基板載置枠１０１ｆは規制板１０１ｅの直ぐ上方に設けられており、基板載置枠１０１ｆを往復動（図中の矢印方向）させる往復動手段である牽引索１０１ｇと、基板載置枠１０１ｆを案内するガイドレール１０１ｈとにより、スリット１０１ｅ１を通過した蒸気流が基板２の下面を走査して基板２の下面に蛍光体を堆積させるように移動可能となっている。
【００２５】
基板載置枠１０１ｆは下面が基板２の周縁部を受ける枠になっている箱体から成り、基板２の載置部分の上方には基板２を加熱するヒータ３が設けられている。箱体の基板載置枠１０１ｆは側壁及び天井壁が基板２の四周端部側とヒータ３の四周端部側及び裏面側を囲って放熱を防止する熱遮蔽板の役割を果たしている。１０１ｉはシャツタを示し、蒸発源体１０１ｄ２の加熱開始の初期はスリット１０１ｅ１を閉じる様になっている。１０１ｊは基板２に蒸着した蛍光体層の厚さを測定する非接触式の膜厚計を示す。
【００２６】
基板２には、サーミスタや熱電対等の温度センサを設け、ヒータ３は、蒸発源体１０１ｄ２の基板２への蒸着が行われる際に、温度センサーの検出情報に基いて、一定温度となるように、ヒータ３を制御することが好ましい。それによって基板２に微細な結晶構造の蛍光体層を十分な感度の得られる層厚に形成することができて、その基板２により粒状性も鮮鋭性も優れたパネルを得ることができる。
【００２７】
ヒータによって加熱する基板２の温度は、蒸発源体１０１ｄ２がアルカリハライド系蛍光体のＲｂＢｒを主体とした蛍光体のときは２４０±３０℃の範囲が好ましい。それ以外の蛍光体のときは１５０〜３５０℃の範囲が好ましい。異なった種類の蛍光体から成る複数層の蛍光体層を形成する場合は、各構成層毎に蛍光体に応じた基板温度にすることが好ましい。
【００２８】
基板２としては、アルミナ等のセラミックス板、化学的強化ガラス等のガラス板、結晶化ガラス等のガラスセラミックス板、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属板或いはそれら金属の酸化物被膜を有する金属板、カーボン基板が好ましく用いられ、その他ポリイミドフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、トリアセテートフィルム、セルロースアセテートフィルム、等のプラスティックフィルムも用いられる。
【００２９】
基板２の蛍光体層を設けられる表面すなわち下面は、滑面であっても、蛍光体層との接着性を向上させるためのマット面であっても、或いは画像の鮮鋭性を一段と向上させるための微小タイル貼り状のモザイク面であってもよい。また、基板２の表面に、蛍光体層との結合を強化するためにポリエステル又はゼラチンなどの高分子物質を塗布して接着性を付与する下塗り層を設けても、感度や画像の粒状性と鮮鋭性を一層向上させるために二酸化チタン，Ａｌ等の金属膜など光反射性物質からなる光反射層、或いはカーボンブラックなどの光吸収物質からなる光吸収層などを設けてもよい。それらの構成は目的、用途などに応じて任意に選択できる。基板２の厚さは材質等によって異なるが、一般的には８０〜５０００μｍの範囲の厚さのものが用いられる。
【００３０】
蒸発源体の好ましい蛍光体としては、アルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光体（ＢａＦＢｒ：Ｅｕ、ＢａＦＩ：Ｅｕ、ＢａＦＢｒ１−ｘＩｘ：Ｅｕ、ＢａＦＣｌ：Ｅｕ、ＢａＦＢｒ：Ｃｅ、ＢａＢｒＩ：Ｅｕ、ＢａＢｒＣｌ：Ｅｕ、ＳｒＦＢｒ：Ｅｕ、ＢａＢｒ２：Ｅｕ等）、アルカリハライド系蛍光体（ＲｂＢｒ：Ｔｌ、ＲｂＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ、ＲｂＢｒ：Ｅｕ、ＲｂＩ：Ｅｕ、ＣｓＩ：Ｅｕ、ＣｓＢｒ：Ｅｕ、ＣｓＢｒ：Ｉｎ、ＣｓＢｒ：Ｔｂ）等、硫化物系蛍光体（ＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ、ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ、ＣａＳ：Ｅｕ，Ｓｍ等）、アルミン酸バリウム系蛍光体（ＢａＯ・ｘＡｌ２Ｏ３：Ｅｕ等）、アルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体（ＭｇＯ・ｘＳｉＯ２：Ｅｕ等）、希土類オキシハロゲン化物系蛍光体（ＬａＯＢｒ：Ｂｉ、Ｔｂ、Ｐｒ等）、燐酸塩系蛍光体（３Ｃａ３（ＰＯ４）２ＣａＦ２：Ｅｕ等）が挙げられ、このうち特にアルカリハライド系のＲｂＢｒを主体とした蛍光体が好ましい。しかし、蛍光体はこれらに限定されるものではなく、放射線エネルギーを吸収した後、可視光や赤外線など電磁波の励起光で励起されて蓄積していた放射線エネルギーを輝尽発光光すなわち蛍光の形で放出する蛍光体であれば使用できる。
【００３１】
また基板２に一定組成の蛍光体を蒸着させるための蒸発源として、本図では走査電子ビームの入射による加熱で蒸発源体１０１ｄ２から蒸気を放出させる方式の場合を示しているが、抵抗加熱、高周波誘導加熱、レーザービーム加熱により蒸発源体１０１ｄ２から蒸気を放出させる方式でも、スパッタ法でもよい。
【００３２】
図２は、蒸着法（気相堆積法）によって蛍光体層が形成された基板を冷却する冷却装置の概略図である。図２の（ａ）は冷却装置の概略斜視図である。図２の（ｂ）は冷却装置の概略平面図である。尚、図２の（ｂ）は、蓋体を省略してある。
【００３３】
図中、４は冷却装置を示す。４０１は冷却装置４の開口部と、側壁４０１ａ〜４０１ｄと、底部４０１ｅとを有する箱型の本体を示し、４０２は本体４０１の開口部を閉じる蓋体を示す。蓋体４０２は、本体４０１に蝶番で開閉自在に取り付けても良いし、手により開口部に覆いかぶせる様に別体としてもかまわない。５は本体４０１の側壁４０１ｂに取り付けられた外気取り入れ手段を示し、外気取り入れ用のブロア５０１とフィルタ５０２と導管５０３とを有している。５０４は本体４０１の側壁に設けられた外気取り入れ口を示す。ブロア５０１の駆動は、制御手段１３（図３を参照）により制御されている。
【００３４】
６は本体４０１内の空気を排気する排気手段を示し、本体４０１の側壁４０１ｄに設けられた排気口６０１と排気管６０２とを有している。尚、排気口６０１と排気管６０２との配設する位置は蓋体であってもかまわない。
【００３５】
７ａ〜７ｄは本体４０１の各側壁４０１ａ〜４０１ｄの内側に設けられた、放射線画像変換パネル８（蛍光体層８０１（図３を参照）が形成された基板２を言う）を中空に保持する保持手段の保持部材を示す。各保持部材７ａ〜７ｄに放射線画像変換パネルを保持する時、蛍光体層を本体４０１の底部４０１ｅ側にして、蛍光体層が形成されていない基板２の周辺を保持することが蛍光体層に傷を付けることを防止することから好ましい。
【００３６】
９ａは本体４０１の側壁４０１ｄに設けた蛍光体層用の第２加熱手段のヒータを示す。９ｂは本体４０１の側壁４０１ｂに設けた基板用の第１加熱手段のヒータを示す。各ヒータ９ａ、９ｂは、本体内に置かれた放射線画像変換パネル８の冷却速度を調整するために使用され、制御手段１３（図３を参照）により制御されている。ヒータの数及び配設位置は冷却装置の大きさにより適宜変えることは可能である。ヒータとしては特に限定はなく、例えば抵抗加熱ヒータ、ハロゲンランプヒータ等が挙げられる。
【００３７】
１０ａ〜１０ｅは、放射線画像変換パネル８の基板２の温度を検出する第１温度検出手段の温度センサを示す。温度センサは特に限定はないが非接触式が好ましい。又、配設する数は使用する温度センサの種類、放射線画像変換パネルの大きさ等により適宜変更することが可能である。尚、第１温度検出手段の温度センサと対向する位置に蛍光体層８０１の温度を検出する第２温度検出手段の温度センサ１１ａ〜１１ｅ（図３を参照）が配設されている。
【００３８】
第１温度検出手段の温度センサ１０ａ〜１０ｅ、第２温度検出手段の温度センサ１１ａ〜１１ｅからの情報は制御手段１３（図３を参照）により処理され、処理された情報に基づき各ヒータ９ａ、９ｂ及びブロア５０１を制御し、放射線画像変換パネル８の冷却を行うことが可能となっている。具体的な制御方法は図３で説明する。冷却装置の本体及び蓋体は、熱に耐性を有する材質であれば特に限定はなく、鉄、アルミニウム等の金属が好ましい。
【００３９】
本図に示す冷却装置は、基板２上に図１に示す様な蒸着装置を使用して蒸着法（気相堆積法）によって蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルの温度を基板の温度と蛍光体層の温度を制御しながら冷却することで、基板の変形及び基板から蛍光体層の剥離を防止するものである。
【００４０】
図３は、図２に示す冷却装置の制御方法を示す概略図である。図３（ａ）は図２の（ａ）のＡ−Ａ′に沿った概略断面図である。図３（ｂ）は図３の（ａ）の冷却装置を構成する各部材の関係を示す概略のブロック図である。
【００４１】
図中、１１ａ〜１１ｅは蛍光体層の温度を検出する第２温度検出手段の温度センサを示す。各温度センサ１１ａ〜１１ｅは図２に示す基板の裏面の温度を検出する第１温度検出手段の温度センサ１０ａ〜１０ｅの位置と対向した位置に配設することが好ましい。温度センサは特に限定はないが非接触式が好ましい。又、配設する数は使用する温度センサの種類、放射線画像変換パネルの大きさ等により適宜変更することが可能である。
【００４２】
第１温度検出手段の温度センサと第２温度検出手段の温度センサとは同じ種類のものを使用することが好ましい。第１温度検出手段の温度センサと第２温度検出手段の温度センサ本体内に設けられたホルダ（不図示）に取り付けられている。センサとしては非接触式が好ましく、例えば赤外線センサ、レーザセンサ、熱電対センサ等が挙げられ、必要に応じて適宜選択が可能である。
【００４３】
１２ａは第１加熱手段のヒータ９ｂ用の電源を示し、１２ｂは第１加熱手段のヒータ９ａ用の電源を示し、１２ｃはブロア５０１用の電源を示す。
【００４４】
１３は制御手段を示し、ＣＰＵ１３ａとメモリ１３ｂとを有している。以下、冷却装置を構成している各部材の関係に付き、図３の（ｂ）を用いて説明する。放射線画像変換パネル８の基板２の温度を検出するために配設された第１温度検出手段の温度センサ１０ａ〜１０ｅからの情報と、蛍光体層８０１の温度を検出するために配設された第２温度検出手段の温度センサ１１ａ〜１１ｅからの情報とが制御手段１３のＣＰＵに入力される。入力された情報はＣＰＵ１３ａで演算処理され、基板２と蛍光体層８０１との温度差が予め基板２と蛍光体層８０１との温度差が記憶されたメモリーからの信号と比較し、ＣＰＵを介してヒータ９ａの電源１２ｂと、ヒータ９ｂの電源１２ａと、ブロア５０１の電流値を制御することで放射線画像変換パネル８の冷却の温度制御が行われている。
【００４５】
本図で示される冷却装置を用いた放射線画像変換パネルの制御方法では、基板と、蛍光体層との温度差を０．５〜５℃に保ち、且つ、基板と蛍光体層との温度を１℃〜１５℃／分の速度で冷却する様に制御が可能となっている。
【００４６】
基板と蛍光体層との温度差は好ましくは０．５〜３℃である。０．５℃未満の場合は、温度差を制御するために、更に検出精度の高いセンサ、応答感度が高いヒータ等が必要となり余分な費用がかかり好ましくない。５℃を越えた場合は、基板と蛍光体層の収縮率に差が生じ、蛍光体層が剥離するため好ましくない。
【００４７】
基板と蛍光体層との冷却速度は好ましくは１℃〜１２℃／分である。１℃未満の場合は、冷却に時間がかかり稼働率が低下するため好ましくない。１５℃の場合は、基板と蛍光体層との温度差を制御するための制御系に費用が掛かるため好ましくない。
【００４８】
本発明の冷却装置を使用することの効果として次の効果が挙げられる。
１）蒸着装置と冷却装置とを分離したことで蒸着装置の稼働率を上げることが可能となった。
【００４９】
２）基板から蛍光体層の剥離がなく高品質の放射線画像変換パネルを得ることが可能となった。
【００５０】
以下、実施例を挙げて本発明の具体的な効果を示すが、本発明の態様はこれに限定されるものではない。
【００５１】
【実施例】
（基板上に蛍光体層の形成）
蒸発源体としてＣｓＢｒ：Ｅｕを使用し、減圧度１×１０−２Ｐａ、基板の温度１００℃、厚さ３．０ｍｍ×長さ４３０ｍｍ×４３０ｍｍ幅のカーボン基板上に、図１に示した蒸着装置を使用し、蒸着法（気相堆積法）によって厚さ３００μｍの蛍光体層を形成させた。尚、蒸発源体の加熱は電子ビームの強度を走査位置により変化させる方法を用いた。
【００５２】
（冷却）
基板上に厚さ３００μｍの蛍光体層を形成した後、蒸着装置より蛍光体層が形成された基板を取り出し、図２に示す冷却装置に移し、図３に示す制御方法により表１に示す如く、基板と蛍光体層との温度差、及び基板と蛍光体層との冷却速度を蛍光体層が形成された基板を変えて冷却し放射線画像変換パネルを作製し試料１０１〜１１２とした。
【００５３】
（評価）
作製した試料１０１〜１１２につき、蛍光体層のハガレの状態を目視で観察し、以下の評価ランクに従い評価した結果を表１に示す。
【００５４】
○：ハガレがない
△：実用的には問題とならない蛍光体層の周辺部に僅かなハガレが認められる
×：全体にハガレが認められ、実用化は困難なレベル
【００５５】
【表１】
2004333267.tif 000003
【００５６】
試料Ｎｏ．１０１は蛍光体層のハガレはなかったが、基板と蛍光体層との温度差を０．４℃にするために装置に費用が掛かり実用化は困難と判断した。試料Ｎｏ．１０７は蛍光体層のハガレはなかったが、基板と蛍光体層との冷却速度を０．８℃／分にすることで最終の温度にするために時間がかかり、稼働率が低下し実用化は困難と判断した。試料Ｎｏ．１１２は、基板と蛍光体層との温度差を維持するために精度の高い制御が必要となり装置に費用が掛かり過ぎるため実用化は困難と判断した。
【００５７】
【発明の効果】
蒸着法（気相堆積法）により基板上に蛍光体層が形成されパネルを製造するに際して、得られる放射線画像の画質を低下させることがない生産効率が高いパネルの製造方法及び冷却装置を提供することが出来、高品質のパネルを高生産効率を維持し製造することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る蒸着装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】気相堆積法によって蛍光体層が形成された基板を冷却する冷却装置の概略図である。
【図３】図２に示す冷却装置の制御方法を示す概略図である。
【符号の説明】
１  蒸着装置
１０１  蒸着室
１０１ｄ  蛍光体蒸発手段
１０１ｄ１  蒸着源容器
１０１ｄ２  蒸発源体
２  基板
３、９ａ、９ｂ  ヒータ
４  冷却装置
４０１  本体
４０２  蓋体
５０１  ブロア
７ａ〜７ｄ  保持部材
８  放射線画像変換パネル
８０１  蛍光体層
１０ａ〜１０ｅ、１１ａ〜１１ｅ  温度センサ
１３  制御手段
【図１】
2004333267.tif 000004
【図２】
2004333267.tif 000005
【図３】
2004333267.tif 000006