(57)【要約】【課題】基板の処理面におけるボイドの発生を防止する基板メッキ装置を提供する。【解決手段】ウエハＷにメッキ処理を行う基板メッキ装置であって、ウエハＷを保持する保持機構１と、保持機構１に保持されたウエハＷに電解メッキ液を供給するための供給口２３と、保持機構１に保持されたウエハＷの処理面ＷＦに対向して配置された第１の電極である陽電極１４と、保持機構１に保持されたウエハＷに電気的に接続された第２の電極である陰電極７と、陽電極１４と陰電極７との間で電流が流れるように給電する電源ユニット１５と、供給口２３から電解メッキ液を供給してウエハＷにメッキ処理を行う際に、陽電極１４と陰電極７との間で第１の電流値Ａ１で給電させた後、第１の電流値Ａ１より高い第２の電流値Ａ２で給電をさせるように電源ユニット１５を制御する制御部８０と、を備える。【選択図】図１
2004124262.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　基板にメッキ処理を行う基板メッキ装置であって、
　基板を保持する基板保持手段と、
　前記基板保持手段に保持された基板にメッキ液を供給するメッキ液供給手段と、
　前記基板保持手段に保持された基板の処理面に対向して配置された第１の電極と、
　前記基板保持手段に保持された基板に電気的に接続された第２の電極と、
　前記第１の電極と前記第２の電極との間で電流が流れるように給電する給電手段と、
　前記メッキ液供給手段からメッキ液を供給して基板にメッキ処理を行う際に、前記第１の電極と前記第２の電極との間で第１の電流値で給電した後、前記第１の電流値より高い第２の電流値で給電するように前記給電手段を制御する給電制御手段と、
を備えたことを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項２】
　請求項１記載の基板メッキ装置において、
　前記給電制御手段は、前記給電手段に第１の電流値で給電させた後、複数段階で電流値を切り換えて前記第２の電流値で給電させることを特徴とする基板メッキ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、半導体ウエハ、液晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板などの基板に銅電解メッキ液などのメッキ液を供給してメッキ処理を行う基板メッキ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　従来のこの種の基板メッキ装置として、例えば、特許文献１に示すようなものが提案されている。
【０００３】
　この公報に開示された従来の基板メッキ装置は、図５に示すように、メッキ層を形成する処理面ＷＦを上方に向けてウエハＷを静止状態で保持するステージ２００やステージ２００に保持されたウエハＷの処理面ＷＦに対して電気的に接続する陰電極（カソードコンタクト部）２１０、ステージ２００に保持されたウエハＷの上部に電解メッキ液を貯溜するカップ部２２０、カップ部２２０に貯溜された電解メッキ液に浸漬され、ステージ２００に保持されたウエハＷの処理面ＷＦに対向配置される陽電極（アノード）２３０、カップ部２２０に電解メッキ液を供給するための電解メッキ液の貯溜タンク２４１や、ポンプ２４２、供給管２４３などを有する電解メッキ液供給機構２４０、陽電極２３０から陰電極２１０へ向けて電流が流れるように給電する電源２５０などを備えている。なお、図５中の符号２６０は、カップ部２２０内にウエハＷの搬入・搬出の際に用いる上下方向に昇降のみ可能な押し上げ台を示している。
【０００４】
　この従来の基板メッキ装置による電解メッキ処理は、処理面ＷＦを上方に向けてウエハＷをステージ２００に保持した状態で、カップ部２２０内に収容し、ウエハＷが静止保持された状態でカップ部２２０内に電解メッキ液を供給しつつ、カップ部２２０の上部から電解メッキ液をオーバーフローで排出することで、カップ部２２０内に貯溜される電解メッキ液を入れ替えながら、陽電極２３０と陰電極２１０との間を給電することで行われている。
【０００５】
【特許文献１】特開平１−２９４８８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　しかしながら、この従来の基板メッキ装置では、カップ２２０内へ電解メッキ液を供給してから、陽電極２３０と陰電極２１０との間の給電を行っていたので、電解メッキ液が供給されはじめて給電までの時間が長いと、図６（ａ）に示すように、ウエハの処理面の絶縁膜表面に形成されたシード層がエッチングされることがある。シード層がエッチングされた状態でメッキ処理を行ってしまうと、図６（ｂ）に示すように、メッキの析出が阻害されてしまう結果、ボイドが発生して半導体装置の歩留まりを著しく低下させるという問題がある。そのため、カップ２２０内を急速に電解メッキ液で充填させる必要があり、カップ２２０やメッキ槽そのものの構成を複雑にするという問題がある。
【０００７】
　本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、基板の処理面におけるボイドの発生を防止する基板メッキ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
　上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板にメッキ処理を行う基板メッキ装置において、基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された基板にメッキ液を供給するメッキ液供給手段と、前記基板保持手段に保持された基板の処理面に対向して配置された第１の電極と、前記基板保持手段に保持された基板に電気的に接続された第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間で電流が流れるように給電する給電手段と、前記メッキ液供給手段からメッキ液を供給して基板にメッキ処理を行う際に、前記第１の電極と前記第２の電極との間で第１の電流値で給電した後、前記第１の電流値より高い第２の電流値で給電するように前記給電手段を制御する給電制御手段と、を備えている。
【０００９】
　また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板メッキ装置において、前記給電制御手段に、前記給電手段に第１の電流値で給電させた後、複数段階で電流値を切り換えて前記第２の電流値で給電させている。
【発明の効果】
【００１０】
　請求項１の発明によれば、メッキ液を供給して基板にメッキ処理を行う際に、第１の電極と第２の電極との間で第１の電流値で給電した後、その第１の電流値より高い第２の電流値で給電しているため、シード層がエッチングされることもなく、ボイドの発生を防止できる。
【００１１】
　また、請求項２の発明によれば、第１の電流値で給電した後、複数段階で電流値を切り換えて第２の電流値で給電しているため、シード層がエッチングされることもなく、ボイドの発生を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
　以下、図面を参照して本発明の一実施の形態を説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板メッキ装置の全体構成を示す図である。
【００１３】
　この基板メッキ装置は、メッキ層を形成する処理面ＷＦを上方に向けて基板の一種であるウエハＷを保持する保持機構１を備えている。
【００１４】
　この保持機構１は、モータ２に連動連結されており、鉛直方向の軸芯周りで回転される回転軸３の上部にウエハＷよりも大径の円板状のベース部材４が一体回転可能に連結され、ベース部材４の上面周辺部にウエハＷの周縁部を保持する保持部材５が３つ以上設けられている。
【００１５】
　ベース部材４は、導電性の材料で形成されている。このベース部材４に設けられた回転軸３との連結部４ａには、給電ブラシ６によって、保持機構１の回転中でもブラシ給電されるようになっている。なお、回転軸３は絶縁部３ａによって上部と下部とが電気的に絶縁されており、給電ブラシ６からの給電がモータ２に影響しないように構成されている。
【００１６】
　各保持部材５は、鉛直方向の軸芯周りで回転可能であり、この軸芯から離れた外周部にウエハＷを係止するための凹部５ａが形成されている。また、各保持部材５は凹部５ａの天井面側に設けられた第２の電極である陰電極７だけが給電ブラシ６と導通するようになっており、ウエハＷが各保持部材５に係止されて保持されると、ウエハＷの処理面ＷＦと陰電極７とが電気的に接続されてウエハＷの処理面ＷＦだけに通電される。
【００１７】
　保持機構１は、第１昇降機構８によって上下方向に昇降可能である。この第１昇降機構８は、ボールネジなどで構成される周知の１軸方向駆動機構によって実現されている。
【００１８】
　保持機構１の上方には、下方が開口され、保持機構１の上部を覆う有蓋円筒状の上部カップ１０が設けられている。この上部カップ１０も周知の１軸方向駆動機構によって実現された第２昇降機構１１によって上下方向に昇降可能である。第１昇降機構８、第２昇降機構１１によって保持機構１と上部カップ１０とが近接され、保持機構１のベース部材４の上面と上部カップ１０の下端部とが閉じ合わされることにより、保持機構１に保持されたウエハＷの上部に電解メッキ液を貯溜するメッキ処理空間１２が形成される。このメッキ処理空間１２には、後述する板状部材に相当する仕切り板２２によって上側空間１２ａと下側空間１２ｂとが形成される。
【００１９】
　なお、上部カップ１０の下端部にはシール部材１３が設けられ、電解メッキ処理を行うための銅メッキ液などの電解メッキ液を下側空間１２ｂに充填する際に、ベース部材４の上面と上部カップ１０の下端部との接合部分から電解メッキ液が漏れ出ないようになっている。
【００２０】
　上部カップ１０内には、保持機構１に保持されたウエハＷの処理面ＷＦに対向して配置されるように円板状の第１の電極である陽電極１４が配設されている。この陽電極１４の周囲には、０．５μｍ程度の濾過性能を有するフィルタＦが装着されている。なお、フィルタＦの代わりにイオン交換膜などの電解メッキ液を通過させる透過膜でもよい。
【００２１】
　給電ブラシ６は、電源ユニット１５の陰極側に接続され、陽電極１４は電源ユニット１５の陽極側に接続されている。したがって、ウエハＷの処理面ＷＦは、陰電極７だけがベース部材４と導通させる導電部（図示省略）、ベース部材４、連結部４ａ、給電ブラシ６、導線１６を介して陰極となり、陽電極１４は、導線１７を介して陽極となるように給電される。
【００２２】
　また、以下のような構成により陽電極１４の周りの電解メッキ液を保持するための電解メッキ液保持機構２０が設けられている。
【００２３】
　すなわち、まず上部カップ１０内には、陽電極１４の下方に位置させて複数の微小開口孔２１が形成された仕切り板２２が設けられ、この仕切り板２２と、陽電極１４の側方及び上方を囲う上部カップ１０の側壁及び天井面とによって上側空間１２ａが形成され、この上側空間１２ａ内に陽電極１４が収容された状態にする。
【００２４】
　また、上部カップ１０の天井部分に電解メッキ液の供給口２３を設け、この供給口２３から、まず、上側空間１２ａに電解メッキ液が供給される。次に、仕切り板２２に形成された微小開口孔２１から下側空間１２ｂ内へ電解メッキ液を供給させる。
【００２５】
　このような構成にすることによって、電解メッキ処理を終えて上側空間１２ａへの電解メッキ液の供給を停止するとともに、下側空間１２ｂ内の電解メッキ液を排出しても、電解メッキ液の表面張力により、上側空間１２ａの電解メッキ液が仕切り板２２に形成された微小開口孔２１から下方に排出されることが防止され、陽電極１４が上側空間１２ａの電解メッキ液内に浸漬された状態を常時維持することができる。
【００２６】
　なお、仕切り板２２に形成する微小開口孔２１の孔径は、上側空間１２ａ内の電解メッキ液が微小開口孔２１から下方に排出されないような電解メッキ液の表面張力が得られる孔径とし、電解メッキ液の粘度や仕切り板２２の材質などに応じて設定される。
【００２７】
　上部カップ１０の天井面には、上側空間１２ａ内と大気とを連通させて、上側空間１２ａ内に電解メッキ液を供給できるようにするためにエア抜き部２４が設けられている。
【００２８】
　上部カップ１０の天井部分に設けられた電解メッキ液の供給口２３には、以下のような電解メッキ液供給機構３０により電解メッキ液が供給されるようになっている。
【００２９】
　すなわち、供給口２３は、貯溜タンク３１内の電解メッキ液Ｑを供給する供給管３２が接続されている。供給管３２には、貯溜タンク３１内の電解メッキ液Ｑを送液するポンプ３３、及び開閉弁３４が設けられているとともに、供給管３２の途中には、帰還管３５が分岐されている。帰還管３５の先端は貯溜タンク３１に接続され、帰還管３５の途中には開閉弁３６が設けられている。
【００３０】
　基板メッキ装置を稼動している際には、常時ポンプ３３を駆動させている。上側空間１２ａに電解メッキ液Ｑを供給するときには、開閉弁３４を開、開閉弁３６を閉に切り換えて、供給口２３に電解メッキ液Ｑをすぐに供給できるようにしている。なお、供給管３２の一部と帰還管３５とを介した電解メッキ液Ｑの循環中に図示しない温度調整機構により電解メッキ液Ｑの温度を所定温度範囲に維持するように温調したり、図示しない濃度調整機構により電解メッキ液Ｑの濃度を所定濃度範囲に維持するようにしてもよい。
【００３１】
　貯溜タンク３１には液補充管３７や回収管３８も接続されている。貯溜タンク３１内の電解メッキ液Ｑの貯溜量が減少すると、図示しない液補充機構によって液補充管３７を介して電解メッキ液Ｑが貯溜タンク３１に補充される。また、後述する液回収部４０に形成された電解メッキ液回収部４１によって電解メッキ処理中に回収された電解メッキ液Ｑは回収管３８を介して貯溜タンク３１へ戻される。
【００３２】
　保持機構１の周囲には、電解メッキ液回収部４１と洗浄液回収部４２とが形成されるとともに、電解メッキ液回収部４１の回収口４３と洗浄液回収部４２の回収口４４とが上下方向に設けられた液回収部４０が固設されている。
【００３３】
　この液回収部４０は、円筒状の内壁４５と、円筒状の仕切り壁４６と、円筒状の外壁４７と、仕切り壁４６の上部に設けられた傾斜部４８と、外壁４７の上部に設けられた傾斜部４９とを備えている。内壁４５と、仕切り壁４６及び傾斜部４８の内側面とによって囲まれる空間が洗浄液回収部４２となり、仕切り壁４６及び傾斜部４８の外側面と、外壁４７及び傾斜部４９とによって囲まれる空間が電解メッキ液回収部４１となっている。また、内壁４５の上端部と傾斜部４８の先端部との間の開口が洗浄液回収部４２の回収口４４となり、傾斜部４８の先端部と傾斜部４９の先端部との間の開口が電解メッキ液回収部４１の回収口４３となっている。
【００３４】
　電解メッキ処理時は、第１昇降機構８によって液回収部４０に対して保持機構１が昇降されて、液回収部４０に形成されている電解メッキ液回収部４１の回収口４３を保持機構１の周囲に位置させ、保持機構１及び保持機構１によって保持されたウエハＷの回転に伴って保持機構１及びウエハＷの周囲に飛散される電解メッキ液Ｑが電解メッキ液回収部４１の回収口４３を介して傾斜部４９の内側面で受け止められ、電解メッキ液回収部４１に回収される。なお、電解メッキ液回収部４１の底部には、回収管３８に接続された液排出口５０が設けられ、電解メッキ液回収部４１で回収された電解メッキ液Ｑは液排出口５０、回収管３８を介して貯溜タンク３１へ戻される。
【００３５】
　また、洗浄処理時と乾燥処理時とは、第１昇降機構８によって液回収部４０に対して保持機構１が昇降されて液回収部４０に形成された洗浄液回収部４２の回収口４４を保持機構１の周囲に位置させ、保持機構１及びウエハＷの回転に伴って保持機構１及びウエハＷの周囲に飛散される洗浄液が洗浄液回収部４２の回収口４４を介して傾斜部４８の内側面で受け止められ、洗浄液回収部４２で回収される。なお、洗浄液回収部４２の底部には、廃棄管５１に接続された液排出口５２が設けられ、洗浄液回収部４２で回収された洗浄液は液排出口５２、廃棄管５１を介して廃棄される。
【００３６】
　保持機構１に保持されたウエハＷの上方であって、離間された保持機構１と上部カップ１０との間の防滴位置に位置されて上方から保持機構１に保持されたウエハＷへの電解メッキ液Ｑの滴下を防止する円板状の防滴部材６０と、防滴位置とそこから外れた待機位置（図１に示す防滴部材６０の位置）との間で防滴部材６０を移動させる移動機構６１とを備えている。
【００３７】
　防滴部材６０は、防滴位置に位置しているときには水平姿勢をとり、待機位置に位置しているときには起立姿勢をとる。このような姿勢転換を伴う防滴部材６０の移動を行う移動機構６１は、図２（ａ）に示すような構成で実現することができる。
【００３８】
　すなわち、固定フレームに取り付けられた回転軸６２、６３に回転自在に連結された支持部材６４、６５の基端部に防滴部材６０が支持されている。そして、支持部材６５の先端部には、エアシリンダ６６のロッド６７が連結されていて、エアシリンダ６６のロッド６７を伸縮させることにより、図２（ｂ）に示すように、姿勢転換を伴う防滴部材６０の移動が行われる。このように防滴部材６０が待機位置に位置しているときは起立姿勢をとるように構成したことにより、基板メッキ装置のフットプリントを小さくすることができる。
【００３９】
　防滴部材６０の下部には、保持機構１に保持されたウエハＷに洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル７０が設けられている。洗浄液供給ノズル７０には、洗浄液供給管７１を介して図示しない洗浄液供給源から洗浄液が供給される。洗浄液供給ノズル７０からの洗浄液の供給とその停止の切換えは、洗浄液供給管７１に設けられた開閉弁７２の開閉によって行われる。
【００４０】
　この基板メッキ装置の各部の制御は、図３に示すような制御部８０によって行われる。この制御部８０は、モータ２、第１昇降機構８、第２昇降機構１１、電源ユニット１５、液面検出センサ１８、ポンプ３３、開閉弁３４、開閉弁３６、開閉弁７２、及び移動機構６１にそれぞれ接続されている。そして、この制御部８０は、モータ２による保持機構１の回転制御、第１昇降機構８による保持機構１の上下方向の昇降制御、第２昇降機構１１による上部カップ１０の上下方向の昇降制御、電源ユニット１５の給電制御、液面検出センサ１８による下側空間１２ｂ内の電解メッキ液の検出制御、ポンプ３３の駆動制御、開閉弁３４の開閉による電解メッキ液の供給とその停止の制御、開閉弁３６の開閉制御、開閉弁７２の開閉による洗浄液の供給とその停止の制御、及び移動機構６１による防滴部材６０の姿勢転換制御とを行う。なお、この制御部８０は、ＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータで構成されている。
【００４１】
　次に、本発明に係る基板処理装置の通電制御について説明する。図４は、本発明に係る基板処理装置の通電制御を示す図である。
【００４２】
　まず、開閉弁３４を開の状態にして、上側空間１２ａを電解メッキ液で充填しておく。このとき、ウエハＷは保持機構１に保持された状態であるとともに、上部カップ１０と保持機構１とは離間した状態である。次に、第１昇降機構８、第２昇降機構１１によって保持機構１と上部カップ１０とが近接され、保持機構１のベース部材４の上面と上部カップ１０の下端部とが閉じ合わされ、微小開口孔２１を介して電解メッキ液が上側空間１２ａから下側空間１２ｂへ流入する。このときに、制御部８０が電源ユニット１５を制御して第１の電流値Ａ１（例えば、８インチのウエハを用いた場合、１ｍＡ／ｃｍ2〜１０ｍＡ／ｃｍ2）を流して予備通電を開始する（図４（ｂ）に示すｔ１時）。なお、電解メッキ液の下側空間１２ｂへの流入量の増加に伴って、図４（ａ）に示すように、陽電極１４とウエハＷとの間の電流の抵抗値が減少している。
【００４３】
　予備通電が所定の時間経過すると、下側空間１２ｂが電解メッキ液で充填され、図４（ｂ）に示すｔ２時（ｔ１から約１５秒以内）に、液面検出センサ１８は、下側空間１２ｂが電解メッキ液で充填されたことを検出し、この検出に基づいて制御部８０は、ｔ２時に電源ユニット１５を制御して第１の電流値より高い第２の電流値（例えば、８インチのウエハを用いた場合、１０ｍＡ／ｃｍ2〜３０ｍＡ／ｃｍ2）で本通電を開始する。なお、図４（ｂ）のｔ２以降は、陽電極１４とウエハＷとの間の電流の抵抗値は一定となる。
【００４４】
　その後、制御部８０は、第１昇降機構８、第２昇降機構１１によって保持機構１と上部カップ１０とを離間させ、モータ２を制御して保持機構１を回転させ、保持機構１及びウエハＷの回転に伴って、ウエハＷに対する本格的な電解メッキ処理が行われる。
【００４５】
　以上の構成より明らかなように、この発明の一実施の態様によれば以下のような効果が得られる。
【００４６】
　一旦供給口２３から電解メッキ液が供給された後、仕切り板２２に形成された微小開口孔２１を介して上側空間１２ａから下側空間１２ｂへ電解メッキ液を供給し、保持機構１に保持されたウエハＷの処理面ＷＦに供給しているので、電解メッキ液の銅イオンの濃度などの影響を受けることはなく、電解メッキ液を充分に分散してウエハＷの処理面ＷＦに電解メッキ液を供給できる。また、仕切り板２２は、陽電極１４と保持機構１に保持されたウエハＷとの間に設けられているので、この仕切り板２２で電流のショートパスを防止でき、電流密度を均一にすることができる。その結果、ウエハＷの処理面ＷＦに均一な膜厚のメッキ層を形成することができる。
【００４７】
　また、陽電極１４にフィルタまたはイオン交換膜などのような透過膜を装着しているので、陽電極１４の溶解物であるスライムがウエハＷの処理面ＷＦに供給されるのを防止することができる。したがって、ウエハＷの処理面ＷＦにスライムの付着、もしくは陽電極１４に吸着している電解メッキ液中の添加剤等の一時的な大量離脱が原因の離脱成分の付着による膜質の悪化を防止することができる。
【００４８】
　また、保持機構１及び保持機構１によって保持されたウエハＷを回転させながら電解メッキ処理を行うので、ウエハＷの回転によって、ウエハＷの処理面ＷＦ上のウエハＷの中心から周囲へ向かう電解メッキ液Ｑの流れが形成され、保持機構１に保持されたウエハＷの処理面ＷＦ上に形成される境界層が薄く、かつ均一にすることができ、ウエハＷの処理面ＷＦにメッキ層形成イオンが移動し易くなり、ウエハＷの処理面ＷＦへのメッキ層形成イオンの移動を均一化できる。したがって、メッキ層の形成に要する時間を短縮できるとともに、均一なメッキ層をウエハＷの処理面ＷＦに形成することができる。
【００４９】
　また、電解メッキ処理を行う際に、電解メッキ液が上側空間１２ａから下側空間１２ｂへ流入してから（図４に示すｔ１時）、制御部８０が電源ユニット１５を制御して第１の電流値Ａ１を流して予備通電を開始し、下側空間１２ｂが電解メッキ液で充填された後に、制御部８０は、ｔ２時に電源ユニット１５を制御して第１の電流値Ａ１より高い第２の電流値Ａ２で本通電を開始し、ウエハＷに対する本格的な電解メッキ処理を行っている。その結果、従来の技術のように、シード層が電解メッキ液でエッチングされることもなく、メッキの析出が阻害されてボイドが発生して半導体装置の歩留まりを著しく低下させるという問題を解決することができる。
【００５０】
　図４（ｂ）に示すｔ２時、すなわち、下側空間１２ｂが電解メッキ液で充填された時、液面検出センサ１８は、下側空間１２ｂが電解メッキ液で充填されたことを検出し、この検出に基づいて制御部８０は、ｔ２時に電源ユニット１５を制御して第１の電流値Ａ１より高い第２の電流値Ａ２の電流値で本通電を開始し、それによってウエハＷに対する本格的な電解メッキ処理が行われる。その結果、第１の電流値Ａ１から第２の電流値Ａ２への切り換えを確実に行うことができる。
【００５１】
　なお、上記発明の実施の形態では、図４（ｂ）において第１の電流値Ａ１と第２の電流値Ａ２といったように２段階で電流値を切り換える内容を説明したが、第１の電流値Ａ１から第２の電流値Ａ２に切り換える前に、複数段階で電流値を切り換えるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の全体構成を示す図である。
【図２】図１の基板処理装置の移動機構を示す図である。
【図３】図１の基板処理装置の制御系を示す図である。
【図４】図１の基板処理装置の通電制御を示す図である。
【図５】従来の基板メッキ装置の概略構成図である。
【図６】従来の基板メッキ装置の問題点を説明する図である。
【符号の説明】
【００５３】
　１　保持機構
　４　ベース部材
　５　保持部材
　６　給電ブラシ
　７　陰電極
　１０　上部カップ
　１２　メッキ処理空間
　１２ａ　上側空間
　１２ｂ　下側空間
　１４　陽電極
　１５　電源ユニット
　１６　導線
　１７　導線
　１８　液面検出センサ
　２０　メッキ液保持空間
　２３　供給口
　８０　制御部
　Ｗ　ウエハ
　ＷＦ　処理面
　Ａ１　第１の電流値
　Ａ２　第２の電流値
【図１】
2004124262.tif 000003
【図２】
2004124262.tif 000004
【図３】
2004124262.tif 000005
【図４】
2004124262.tif 000006
【図５】
2004124262.tif 000007
【図６】
2004124262.tif 000008