(57)【要約】【課題】信頼性の良好なシール材を備える。【解決手段】第１基板と、この第１基板に液晶を介して対向配置される第２基板と、前記第１基板に対する第２基板の固着を前記液晶の封入を兼ねてなされるシール材とを備え、前記第１基板の液晶側の面に有機材料層が形成され、この有機材料層は、シール材に囲まれた領域から該シール材の外側のうち少なくとも回路あるいは配線層群が形成された領域にまで延在されて形成されているとともに、前記シール材が形成される領域のうち少なくとも一部に除去された部分を有する。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、この第１基板に液晶を介して対向配置される第２基板と、前記第１基板に対する第２基板の固着を前記液晶の封入を兼ねてなされるシール材とを備え、
前記第１基板の液晶側の面に有機材料層が形成され、この有機材料層は、シール材に囲まれた領域から該シール材の外側のうち少なくとも回路あるいは配線層群が形成された領域にまで延在されて形成されているとともに、
前記シール材が形成される領域のうち少なくとも一部に除去された部分を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
シール材が形成される領域にて有機材料層が除去された部分は無機材料が露出されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
第１基板と、この第１基板に液晶を介して対向配置される第２基板と、前記第１基板に対する第２基板の固着を前記液晶の封入を兼ねてなされるシール材と、前記第１基板の液晶側の面の前記シール材の外側の領域に形成された回路あるいは配線層群と、
前記第１基板の液晶側の面のシール材に囲まれた領域に形成される第１有機材料層と、前記第１基板の液晶側の面のシール材の外側の少なくとも前記回路あるいは配線層群を被って形成される第２有機材料層と、を備え、
前記第１有機材料層と第２の有機材料層は、前記前記シール材が形成される領域のうち少なくとも一部にて分離個所が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
シール材は前記第１有機材料層と第２有機材料層との分離個所を被うようにして形成されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
シール材が形成される領域にて前記第１有機材料層と第２有機材料層との分離個所には無機材料が露出されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
第１基板と、この第１基板に液晶を介して対向配置される第２基板と、前記第１基板に対する第２基板の固着を前記液晶の封入を兼ねてなされるシール材と、前記第１基板のシール材に囲まれた領域に形成された有機材料層とを備え、
前記有機材料層は前記シール材を超えて該シール材の外側に延在され、該シール材は前記有機材料層に形成された穴によって該有機材料層の下層の無機材料層に接着されていることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に係り、保護膜として有機材料層を用いた液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、液晶を介して対向配置される各基板の液晶側の面に多数の画素が形成されているとともに、これら各画素にそれぞれ独立に電界を発生させる電子回路が組み込まれている。
【０００３】
これら電子回路はフォトリソグラフィ技術による選択エッチングでそれぞれパターン化された導電層、絶縁層、あるいは半導体層等が積層されることによって形成されている。
【０００４】
そして、近年、絶縁層としてたとえば樹脂等の有機材料層を用いたものが知られるようになってきた。有機材料層は誘電率が比較的小さくそれを間にして介在する導電層間の寄生容量を小さくできたり、また、塗布によって形成できることからその表面を平坦化できる等の種々の長所を有するからである。
【０００５】
また、前記各基板に挟持される液晶層は、一方の基板に対する他方の基板の固定を兼ねるシール材によって封止されるようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成の液晶表示装置は、シール材の信頼性が良好でないことが指摘されるに至った。
【０００７】
この原因を追求した結果、前記有機材料層は該シール材の外側にまで延在させて配線層等を保護するように構成しているため、前記シール材は該有機材料層との接着を介して基板との固定を図ったものとなっている。
【０００８】
このことから、シール材の有機材料層との接着性が良好でないとともに、該有機材料層自体の強度不足による裂傷によるシール剥がれが生じることが判明した。
【０００９】
本発明は、このような事情に基づいてなされたもので、その目的は信頼性の良好なシール材を備える液晶表示装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１１】
手段１．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、第１基板と、この第１基板に液晶を介して対向配置される第２基板と、前記第１基板に対する第２基板の固着を前記液晶の封入を兼ねてなされるシール材とを備え、
前記第１基板の液晶側の面に有機材料層が形成され、この有機材料層は、シール材に囲まれた領域から該シール材の外側のうち少なくとも回路あるいは配線層群が形成された領域にまで延在されて形成されているとともに、
前記シール材が形成される領域のうち少なくとも一部に除去された部分を有することを特徴とするものである。
【００１２】
手段２．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段１の構成を前提とし、シール材が形成される領域にて有機材料層が除去された部分は無機材料が露出されていることを特徴とするものである。
【００１３】
手段３．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、第１基板と、この第１基板に液晶を介して対向配置される第２基板と、前記第１基板に対する第２基板の固着を前記液晶の封入を兼ねてなされるシール材と、前記第１基板の液晶側の面の前記シール材の外側の領域に形成された回路あるいは配線層群と、
前記第１基板の液晶側の面のシール材に囲まれた領域に形成される第１有機材料層と、前記第１基板の液晶側の面のシール材の外側の少なくとも前記回路あるいは配線層群を被って形成される第２有機材料層と、を備え、
前記第１有機材料層と第２の有機材料層は、前記前記シール材が形成される領域のうち少なくとも一部にて分離個所が設けられていることを特徴とするものである。
【００１４】
手段４．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段３の構成を前提とし、シール材は前記第１有機材料層と第２有機材料層との分離個所を被うようにして形成されていることを特徴とするものである。
【００１５】
手段５．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段３の構成を前提とし、シール材が形成される領域にて前記第１有機材料層と第２有機材料層との分離個所には無機材料が露出されていることを特徴とするものである。
【００１６】
手段６．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、第１基板と、この第１基板に液晶を介して対向配置される第２基板と、前記第１基板に対する第２基板の固着を前記液晶の封入を兼ねてなされるシール材と、前記第１基板のシール材に囲まれた領域に形成された有機材料層とを備え、
前記有機材料層は前記シール材を超えて該シール材の外側に延在され、該シール材は前記有機材料層に形成された穴によって該有機材料層の下層の無機材料層に接着されていることを特徴とするものである。
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による液晶表示装置の実施例を図面を用いて説明をする。
【００１８】
実施例１．
《全体の構成》
図２は本発明による液晶表示装置の一実施例を示す全体の平面図である。同図は等価回路で示しているが、実際の幾何学的配置に対応させて描いている。
図２において、液晶を介して互いに対向配置される一対の透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール材ＳＬによって封入されている。
【００１９】
シール材ＳＬによって囲まれた前記一方の透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成されている。
【００２０】
各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線ＤＬとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、これら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部ＡＲを構成するようになっている。
【００２１】
また、ｘ方向に並設される各画素領域のそれぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線ＣＬは各画素領域の後述する対向電極ＣＴに映像信号に対して基準となる電圧を供給するための信号線となるものである。
【００２２】
各画素領域には、その片側のゲート信号線ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸが形成されている。
【００２３】
この画素電極ＰＸは、前記対向電圧信号線ＣＬと接続された対向電極ＣＴとの間に電界を発生させ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるようになっている。
【００２４】
前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直走査駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子ＧＬＴを構成するようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Ｖの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基板からの信号が入力されるようになっている。
【００２５】
垂直走査駆動回路Ｖは複数個の半導体装置からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線ＧＬどおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれるようになっている。
【００２６】
同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞれの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端子ＤＬＴを構成するようになっている。また、前記映像信号駆動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基板からの信号が入力されるようになっている。
【００２７】
この映像信号駆動回路Ｈｅも複数個の半導体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線ＤＬどおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれるようになっている
また、前記対向電圧信号線ＣＬはたとえば図中右側の端部で共通に接続され、その接続線はシール材ＳＬを超えて延在され、その延在端において端子ＣＬＴを構成している。この端子ＣＬＴからは映像信号に対して基準となる電圧が供給されるようになっている。
【００２８】
前記各ゲート信号線ＧＬは、垂直走査回路Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択されるようになっている。
【００２９】
また、前記各ドレイン信号線ＤＬのそれぞれには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給されるようになっている。
【００３０】
なお、上述した実施例では、垂直走査駆動回路Ｖおよび映像信号駆動回路Ｈｅは透明基板ＳＵＢ１に搭載された半導体装置を示したものであるが、たとえば透明基板ＳＵＢ１とプリント基板との間を跨って接続されるいわゆるテープキャリア方式の半導体装置であってもよく、さらに、前記薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層が多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）から構成される場合、透明基板ＳＵＢ１面に前記多結晶シリコンからなる半導体素子を配線層とともに形成されたものであってもよい。
【００３１】
《画素の構成》
図３は前記画素領域の構成の一実施例を示す平面図である。また、図４は図３のＶ−Ｖ線における断面図を、図５はＩＶ−ＩＶ線における断面図を示している。
【００３２】
各図において、透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面に、まず、ｘ方向に延在しｙ方向に並設される一対のゲート信号線ＧＬが形成されている。
【００３３】
これらゲート信号線ＧＬは後述の一対のドレイン信号線ＤＬとともに矩形状の領域を囲むようになっており、この領域を画素領域として構成するようになっている。
【００３４】
このようにゲート信号線ＧＬが形成された透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる絶縁膜ＧＩが該ゲート信号線ＧＬをも被って形成されている。
【００３５】
この絶縁膜ＧＩは、後述のドレイン信号線ＤＬの形成領域においては前記ゲート信号線ＧＬに対する層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての機能を有するようになっている。
【００３６】
そして、この絶縁膜ＧＩの表面であって、前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたとえばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成されている。
【００３７】
この半導体層ＡＳは、薄膜トランジスタＴＦＴのそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信号線の一部をゲート電極とする逆スタガ構造のＭＩＳ（ｍｅｔａｌ　ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型トランジスタを構成することができる。
【００３８】
ここで、前記ドイレン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２はたとえばドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時に形成されるようになっている。
【００３９】
すなわち、ｙ方向に延在されｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成され、その一部が前記半導体層ＡＳの上面にまで延在されてドレイン電極ＳＤ１が形成され、また、このドレイン電極ＳＤ１と薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル長分だけ離間されてソース電極ＳＤ２が形成されている。
【００４０】
また、このソース電極ＳＤ２は画素領域内に形成される画素電極ＰＸとたとえば一体に形成されている。
【００４１】
すなわち、画素電極ＰＸは画素領域内をそのｙ方向に延在しｘ方向に並設された複数（図では２本）の電極群から構成されている。このうちの一つの画素電極ＰＸの一方の端部は前記ソース電極ＳＤ２を兼ね、他方の端部では他の画素電極ＰＸの対応する個所にて互いに電気的接続が図れるようになっている。
【００４２】
なお図示していないが、半導体層ＡＳとドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２との界面には高濃度の不純物がドープされた薄い層が形成され、この層はコンタクト層として機能するようになっている。
【００４３】
このコンタクト層は、たとえば半導体層ＳＤの形成時に、その表面にすでに高濃度の不純物層が形成されており、その上面に形成したドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２のパターンをマスクとしてそれから露出された前記不純物層をエッチングすることによって形成することができる。
【００４４】
このように薄膜トランジスタＴＦＴ、ドイレン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ２、および画素電極ＰＸが形成された透明基板ＳＵＢ１の表面には保護膜ＰＡＳが形成されている。この保護膜ＰＡＳは前記薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避する膜で、該薄膜トランジスタＴＦＴの特性劣化を防止せんとするようになっている。
【００４５】
ここで、この保護膜ＰＡＳはＳｉＯ２あるいはＳｉＮのような無機材料層からなる保護膜ＩＰＡＳと樹脂等の有機材料層からなる保護膜ＯＰＡＳの順次積層体から構成されている。
この場合、保護膜ＰＡＳとして有機材料層のみからなる保護膜ＯＰＡＳであってもよい。
【００４６】
このように保護膜ＰＡＳとして少なくとも有機材料層を用いているのは該保護膜ＰＡＳ自体の誘電率を低減させることにある。
【００４７】
保護膜ＰＡＳの上面には対向電極ＣＴが形成されている。この対向電極ＣＴは前述の画素電極ＰＸと同様にｙ方向に延在されｘ方向に並設された複数（図では３本）の電極群から構成され、かつ、それら各電極は、平面的に観た場合、前記画素電極ＰＸを間に位置付けるようにして配置されるようになっている。
【００４８】
すなわち、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸは、一方の側のドレイン信号線ＤＬから他方の側のドレイン信号線ＤＬにかけて、対向電極、画素電極、対向電極、画素電極、……、対向電極の順にそれぞれ等間隔に配置されている。
【００４９】
ここで、画素領域の両側に位置づけられる対向電極ＣＴは、その一部がドレイン信号線ＤＬに重畳されて形成されているともに、隣接する画素領域の対応する対向電極ＣＴと共通に形成されている。
【００５０】
換言すれは、ドレイン信号線ＤＬ上には対向電極ＣＴがその中心軸をほぼ一致づけて重畳され、該対向電極ＣＴの幅はドレイン信号線ＤＬのそれよりも大きく形成されている。ドレイン信号線ＤＬに対して左側の対向電極ＣＴは左側の画素領域の各対向電極ＣＴの一つを構成し、右側の対向電極ＣＴは右側の画素領域の各対向電極ＣＴの一つを構成するようになっている。
【００５１】
このようにドレイン信号線ＤＬの上方にて該ドレイン信号線ＤＬよりも幅の広い対向電極ＣＴを形成することにより、該ドレイン信号線ＤＬからの電気力線が該対向電極ＣＴに終端し画素電極ＰＸに終端することを回避できるという効果を奏する。ドレイン信号線ＤＬからの電気力線が画素電極ＰＸに終端した場合、それがノイズとなってしまうからである。
【００５２】
電極群からなる各対向電極ＣＴは、ゲート信号線ＧＬを充分に被って形成される同一の材料からなる対向電圧信号線ＣＬと一体的に形成され、この対向電圧信号線ＣＬを介して基準電圧が供給されるようになっている。
【００５３】
ゲート信号線ＧＬを充分に被って形成される対向電圧信号線ＣＬは、そのゲート信号線ＧＬからはみ出した部分において、その下層に前記各画素電極ＰＸの接続部が位置づけられ、これにより、画素電極ＰＸと対向電圧信号線ＣＬとの間に保護膜ＰＡＳを誘電体膜とする容量素子Ｃｓｔｇが形成されている。
【００５４】
この容量素子Ｃｓｔｇは、たとえば画素電極ＰＸに供給された映像信号を比較的長く蓄積させる等の機能をもたせるようになっている。
【００５５】
そして、このように対向電極ＣＴが形成された透明基板ＳＵＢ１の上面には該対向電極ＣＴをも被って配向膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向膜ＯＲＩ１は液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成されたラビングによって該液晶の分子の初期配向方向を決定づけるようになっている。
【００５６】
なお、このように構成された透明基板ＳＵＢ１と液晶を介して対向配置される透明基板ＳＵＢ２は、その液晶側の面において、各画素領域を画するようにしてブラックマトリクスが形成されている。
【００５７】
すなわち、少なくとも液晶表示部ＡＲに形成されたブラックマトリクスは各画素領域の周辺部を残す領域に開口が形成されたパターンをなし、これにより表示のコントラストの向上を図り、また、前記薄膜トランジスタＴＦＴを充分被うようにして形成され、該薄膜トランジスタＴＦＴへの外来光の照射を妨げるようになっている。
【００５８】
さらに、このブラックマトリクスが形成された透明基板の面には該ブラックマトリクスの開口を被ってカラーフィルタが形成されている。このカラーフィルタはたとえば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色のフィルタからなり、ｙ方向に並設される各画素領域群にたとえば赤色のフィルタが共通に形成され、該画素領域群にｘ方向に順次隣接する画素領域群に共通に緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色、赤（Ｒ）色、……、というような配列で形成されている。
【００５９】
ブラックマトリクスおよびカラーフィルタが形成された透明基板の表面にはこれらブラックマトリクスおよびカラーフィルタをも被ってたとえば平坦化膜が形成され、この平坦化膜の表面には配向膜が形成されている。
【００６０】
《有機材保護膜の構成》
図１は図２のＩ−Ｉ線における断面図である。この図面では前記垂直走査回路Ｖを省略して示している。
【００６１】
透明基板ＳＵＢ１上の液晶表示部ＡＲに形成された前記絶縁膜ＧＩ、無機材料層からなる保護膜ＩＰＡＳ、および有機材料層からなる保護膜ＯＰＡＳは、それぞれシール材ＳＬを越えて透明基板のＳＵＢ１の周辺にまで延在されて形成されている。
【００６２】
このように前記各膜がシール材ＳＬを越えて形成されているのは、ゲート信号線ＧＬを保護するため等である。このため、これら各膜は映像信号駆動回路Ｈｅが形成されている側においてもシール材ＳＬを越えて形成されている。
【００６３】
すなわち、ゲート信号線ＧＬあるいはドレイン信号線ＤＬはそれらの配線ピッチが比較的小さく、その間の電界が強くなった場合にはいわゆる電蝕等が発生することから前記保護膜ＯＰＡＳを被うことによってこれら不都合を回避している。
【００６４】
ここで、前記膜のうち有機材料層からなる保護膜ＯＰＡＳは、前記シール材ＳＬの形成領域のうちその幅方向の中央において除去されて形成され、その除去部分からはその下層の無機材料層からなる保護膜ＩＰＡＳが露出された状態となっている。
【００６５】
換言すれば、前記シール材ＳＬはその幅方向の各端辺において有機材料層からなる保護膜ＯＰＡＳと接着されているが、該幅方向の中央において無機材料層からなる保護膜ＩＰＡＳと接着された状態となっている。
【００６６】
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面から、前記有機材料層からなる保護膜ＯＰＡＳを観た場合、図６に示すように、シール材ＳＬの形成領域に沿ってその中央部を縫うようにして該保護膜ＯＰＡＳの溝部（あるいは穴）ＧＴが連続して形成されている。
【００６７】
このようにした場合、シール材ＳＬは透明基板ＳＵＢ１側において、有機材料層からなる保護膜ＯＰＡＳとの全面当接が回避されて、該保護膜ＯＰＡＳの下層にある無機材料層からなる保護膜ＩＰＡＳと接着されることになる。
【００６８】
シール材ＳＬの無機材料層との接着は有機材料層と比較して接着力が大幅に向上されるので、シール材ＳＬの信頼性が向上されることになる。
【００６９】
なお、この実施例においては無機材料層からなる前記保護膜ＩＰＡＳを形成しない場合も考えられるが、この場合においても有機材料層からなる保護膜ＯＰＡＳの下層には絶縁膜ＧＩあるいはドレイン信号線ＤＬが露出されることになり、これらは無機材であることから接着性の向上が図れるようになる。
【００７０】
ここで、前記シール材ＳＬをその幅方向の各端辺において有機材料層からなる保護膜ＯＰＡＳと接着させ、該幅方向の中央において無機材料層からなる保護膜ＩＰＡＳと接着させた状態としているのは、有機材料層からなる保護膜ＯＰＡＳによってシール材ＳＬの極めて近接した部分を充分に被い、それらの下層の信号線等を保護するためである。
【００７１】
また、有機材料層からなる保護膜ＯＰＡＳの前記溝部ＧＴをシール材ＳＬの形成領域に沿って連続的に形成しているのは、無機材料層からなる保護膜ＩＰＡＳの露出部分をなるたけ大きくし、この露出部分とシール材ＳＬとの接触領域を大きくしてそれらの接着強度を向上させるためである。
【００７２】
なお、有機材料層からなる前記保護膜ＯＰＡＳの溝部ＧＴは、ゲート信号線ＧＬあるいはドレイン信号線ＤＬの端子部における孔開けの際に同時に形成することよって製造工数の増大を回避することができる。
【００７３】
実施例２．
図７は本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す平面図で、図６に対応した図である。
図６の場合と比較して異なる構成は、シール材ＳＬの形成領域に沿って形成される溝部ＧＴは断続的に形成したことにある。
【００７４】
すなわち、シール材ＳＬはその形成領域の長手方向に沿って無機材料層からなる保護膜ＩＰＡＳおよび有機材料層からなる保護膜ＯＰＡＳのそれぞれに交互に接着されるようになっている。
シール材ＳＬの透明基板ＳＵＢ１側の接着は無機材料層からなる保護膜ＩＰＡＳによって充分に確保されるからである。
【００７５】
実施例３．
図８は本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す平面図で、図６に対応した図である。
図６の場合と比較して異なる構成は、有機材料層からなる保護膜ＯＰＡＳに形成される溝部ＧＴはその幅が若干広く形成され、この溝部ＧＴ内にてシール材ＳＬの形成領域となっていることにある。
【００７６】
シール材ＳＬの極めて近接した部分には有機材料層からなる保護膜ＯＰＡＳが被覆されない部分が生じるが、シール材ＳＬの透明基板ＳＵＢ１側の接着においてその強度を増大させることができる。
【００７７】
なお、この実施例の派生的構成として、該溝部ＧＴのたとえば液晶表示部ＡＲ側の辺にはシール材ＳＬが重畳されて形成されていないが、該溝部ＧＴの外側（垂直走査回路Ｖ等が形成されている側）の辺には該シール材ＳＬが重畳されて形成されるように構成してもよいことはもちろんである。
【００７８】
また、この溝部は、図７に示したようにシール材ＳＬの長手方向に沿って断続的に形成してもよいことはいうまでもない。
【００７９】
上述した各実施例はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施例での効果を単独であるいは相乗して奏することができるからである。
【００８０】
本発明は液晶表示装置の画素の構成の種類によらず、透明基板ＳＵＢ１側の液晶側の面の保護膜ＰＡＳとして有機材料層を用いたものに適用できるものである。
【００８１】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかとなるように、本発明による液晶表示装置によれば、信頼性の良好なシール材を備えるものを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す構成図で、図２のＩ−Ｉ線における断面図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す全体の平面図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を示す平面図である。
【図４】図３のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図５】図３のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。
【図６】本発明による液晶表示装置の有機材料層の構成の一実施例を示す平面図である。
【図７】本発明による液晶表示装置の有機材料層の構成の他の実施例を示す平面図である。
【図８】本発明による液晶表示装置の有機材料層の構成の他の実施例を示す平面図である。
【符号の説明】
ＳＵＢ１……透明基板、ＧＬ……ゲート信号線、ＤＬ……ドレイン信号線、ＣＬ……対向電圧信号線、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＰＸ……画素電極、ＣＴ……対向電極、Ｃｓｔｇ……容量素子、ＧＩ……絶縁膜、ＳＬ……シール材、ＩＰＡＳ……無機材料層からなる保護膜、ＯＰＡＳ……有機材料層からなる保護膜、ＧＴ……溝部。
【図１】
2004013044.tif 000003
【図２】
2004013044.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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