(57)【要約】【課題】少量のエッチング液で、ウェットエッチングを効率よく短時間で行う。【解決手段】被エッチング物４が密着された熱伝導体６を、チャック７で温度調節機構３に取り付け、被エッチング物４を所定の温度に温度調節し、エッチング槽１のなかのエッチング液２のなかに入れ、測温素子５、温度調整ユニット８によって被エッチング物４の温度調整をしながらエッチングを行うウェットエッチング方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被エッチング物が平板状の熱伝導体上に設けられ、被エッチング物と反対側の熱伝導体の表面に温度調節機構を接触させ、熱伝導により被エッチング物の温度を調節しながら、被エッチング物をエッチング液と接触させてエッチングするウェットエッチング方法。
【請求項２】
エッチング槽に保持したエッチング液に被エッチング物を浸漬してエッチングする請求項１に記載のウェットエッチング方法。
【請求項３】
被エッチング物にエッチング液を吹き付けることによりエッチングする請求項１に記載のウェットエッチング方法。
【請求項４】
前記被エッチング物がＩＴＯである請求項１、２または３に記載のウェットエッチング方法。
【請求項５】
前記被エッチング物がＭｏＮｂもしくはＡｌまたはそれらの積層物である請求項１、２、３または４に記載のウェットエッチング方法。
【請求項６】
前記熱伝導体が無アルカリガラス板またはＳｉＯ２をコートしたソーダライムガラス板である請求項１、２、３、４または５に記載のウェットエッチング方法。
【請求項７】
被エッチング物をエッチングする際に、前記熱伝導体の温度を２５〜７０℃とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のウェットエッチング方法。
【請求項８】
前記温度調節機構と前記熱伝導体の表面粗度および接触面積を、両者の接触面での熱伝達係数が４００（Ｗ・ｍ−２・Ｋ−１）以上となるようにする請求項１〜７のいずれか１項に記載のウェットエッチング方法。
【請求項９】
被エッチング物が平板状の熱伝導体上に設けられ、被エッチング物と反対側の熱伝導体の表面に温度調節機構を接触させ、熱伝導により被エッチング物を温度調節しながら、被エッチング物をエッチング液と接触させてエッチングするウェットエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウエットエッチング方法およびウェットエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の浸漬型ウエットエッチング装置には、エッチング液循環式とエッチング液滞留式の二種類がある。まず、エッチング液循環式の浸漬型ウエットエッチング装置について説明する（従来例１）。
【０００３】
図５にその概要を示す。１はエッチング槽、２はエッチング液、８は温度調節ユニット、１０はフィルタ、１２は循環ポンプ、１３は薬液補給タンク、１４、１５、１６はバルブ、１７はオーバーフロー槽である。
【０００４】
この従来例１では、エッチングを行う際、まずバルブ１６を閉め、バルブ１４を開け、次に循環ポンプ１２を起動する。エッチング液は薬液補給タンク１３から温度調節ユニット８、フィルタ１０を通りエッチング槽１に供給される。エッチング液の供給が完了したら、バルブ１５を開けバルブ１４を閉める。
これでエッチング液の循環が始まる。温度調節ユニットを起動すると所望の温度にエッチング液の温度が上昇し、温度が安定した後に被エッチング物をエッチング液に浸漬してエッチングを行う。
【０００５】
次に、エッチング液滞留式の浸漬型ウェットエッチング装置について説明する（従来例２）。図６にその概要を示す。１８は撹拌機付き温度調節バス、１はエッチング槽、１９は水である。撹拌機付き温度調節バス１８に水を入れ、所望の温度に設定する。
【０００６】
撹拌機（図示を省略している）を起動し、水を撹拌し温度調節する。エッチング槽１を温度調節バス１８の中に入れ、エッチング槽１へエッチング液を供給する。エッチング液が所望の温度に達した後、被エッチング物をエッチング液に浸漬してエッチングを行う。
以上の二種類のウェットエッチング装置における共通点は、エッチング液全体を昇温させることである。
【０００７】
従来例１では、被エッチング物をエッチングするにはエッチング槽、温度調節ユニット、フィルタ、その他配管系全体にエッチング液を満たす必要がある。この場合、小型サイズの被エッチング物をエッチングする場合でも、エッチングを行うシステム系全体としては大量のエッチング液が必要となる。
【０００８】
例えば、直径が約１５ｃｍのウエハをエッチングするのに、約２０リットルのエッチング液を系内に満たし、循環させながら温度調節しなければならない。そのため装置全体は非常に大空間を必要とする。このような配管系を備えたウエットエッチング装置を用いて被エッチング物のエッチングを行う場合、大量のエッチング液が必要であるだけでなく、エッチングを完了する迄に長時間を要する。必要となる時間は、エッチング液の量に比例しており、エッチング液の量が多くなれば長くなる。
【０００９】
従来例２においても同様である。滞留式であるために、エッチング槽にエッチング液を供給し、温度調節バス内の水を所望の温度に調節する。このように設定することによりエッチング液全体の温度を均一した後、エッチングが可能となる。このため、大量のエッチング液が必要であり、かつ、温度調節に多くの時間も必要である。
【００１０】
次に、特開平１０−２０９０２３号公報のエッチング方法を説明する（従来例３）。図４にその概要を示す。この従来例３では、被エッチング物４および熱伝導体６の周縁部にエッチング槽１を設置し、そのエッチング槽１により被エッチング物表面にエッチング液２を貯留する。
さらに、温度調節機構３を被エッチング物４に対向するように配置させ、温度調節機構３または被エッチング物４および熱伝導体６を回転させ、エッチング液２を加熱および撹拌する。
【００１１】
このような構成を採用することによって、エッチング液２に予備加熱をする必要がなくなる。そして、温度調節や循環再利用のためのタンクを不要としている。しかしながら、従来例３の場合、エッチング液２を直接加熱しているため、精密な温度調整をすることが難しい、という問題を有している。
【００１２】
【特許文献１】
特開平１０−２０９０２３号公報（段落０００９、００１０、００２６−００３４、図１（ｂ））
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来技術では、ウェットエッチング装置内のエッチング液のすべてを温度調節しなければならなかった。そのため、大量のエッチング液が必要であり、かつ温度調節に長時間かかるという問題があった。
本発明では、少量のエッチング液で、精密に温度調整をしつつ、短時間にエッチングを行うことができるウェットエッチング装置およびウェットエッチング方法を提供する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明の態様１は、被エッチング物が平板状の熱伝導体上に設けられ、被エッチング物と反対側の熱伝導体の表面に温度調節機構を接触させ、熱伝導により被エッチング物の温度を調節しながら、エッチング液に接触させてエッチングをするウェットエッチング方法を提供する。
【００１５】
態様２は、エッチング槽に保持したエッチング液に被エッチング物を浸漬してエッチングする態様１に記載のウェットエッチング方法を提供する。
【００１６】
態様３は、被エッチング物にエッチング液を吹き付けることによりエッチングする態様１に記載のウェットエッチング方法を提供する。
【００１７】
態様４は、態様１、２または３において、前記被エッチング物がＩＴＯであるウェットエッチング方法を提供する。
【００１８】
態様５は、態様１、２または３において、前記被エッチング物がＭｏＮｂもしくはＡｌまたはそれらの積層物であるウェットエッチング方法を提供する。
【００１９】
態様６は、態様１、２、３、４または５において、前記熱伝導体が無アルカリガラスまたはＳｉＯ２をコートしたソーダライムガラスであるウェットエッチング方法を提供する。
【００２０】
態様７は、態様１〜６のいずれかにおいて、被エッチング物をエッチングする際に、前記熱伝導体の温度を２５〜７０℃とするウェットエッチング方法を提供する。
【００２１】
態様８は、態様１〜７のいずれかにおいて、前記温度調節機構と前記熱伝導体の表面粗度および接触面積を、両者の接触面での熱伝達係数が４００（Ｗ・ｍ−２・Ｋ−１）以上となるようにするウェットエッチング方法を提供する。
【００２２】
態様９は、被エッチング物が平板状の熱伝導体上に設けられ、被エッチング物と反対側の熱伝導体の表面に温度調節機構を接触させ、熱伝導により被エッチング物を温度調節しながら、被エッチング物をエッチング液と接触させてエッチングするウェットエッチング装置を提供する。
【００２３】
また、上記のウェットエッチング方法において、被エッチング物にエッチング液を吹き付けることによりエッチングする場合は、ノズルにより吹き付けることが好ましい。以下、ウェットエッチングを単にエッチングという。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の基本構成例１として、浸漬型エッチング装置を図１に示す。１はエッチング槽、２はエッチング液、３は温度調節機構、４は被エッチング物、５は測温素子、６は熱伝導体である。７は熱伝導体６を温度調節機構３に固定するためのチャックであり、３〜１０×１０−４Ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で熱伝導体６を温度調節機構３に固定することができる。
【００２５】
８は温度調整ユニットである。エッチング槽１にエッチング液２を収容する。このエッチング槽１にはエッチング液温度調節機構が設置されていないので、エッチング液２は常温である。
【００２６】
被エッチング物４と反対側の熱伝導体６の面に温度調節機構３を取り付ける。温度調節機構３はあらかじめ温度調節されており、被エッチング物４および熱伝導体６も同じ温度に調節される。温度調節機構３を取り付けた状態で被エッチング物４をエッチング槽１の中に入れる。
【００２７】
従って、常温のエッチング液の中に温度調節された被エッチング物４および熱伝導体６を浸漬することになる。従来技術では、エッチングの促進に必要な温度は、あらかじめ温度調節されたエッチング液から与えられる。しかし、本発明のエッチング方法およびエッチング装置では、被エッチング物表面と被エッチング物の近傍に存在するごくわずかなエッチング液であっても、エッチングに寄与することができる。
【００２８】
被エッチング物４および熱伝導体６が必要な温度に温度調節されているので、エッチング液全体を温度調節する必要がない。このとき、温度調節機構がエッチング液中に置かれる。その結果、エッチング液は成り行きで温度上昇または下降することになる。
【００２９】
しかし、被エッチング物の表面のみがエッチングに必要な温度に調節されていればよい。エッチングに直接作用するエッチング液以外のエッチング液に、温度分布があってもエッチング工程における影響はきわめて少ない。なお、被エッチング物４と熱伝導体６とは、エッチングを行うための熱伝導が生じるように接触させる。ほぼ均一な熱伝導によって被エッチング物の温度調整が達成できるように、エッチング面に対応するように平面対平面の構成で密着して設けられていることが好ましい。
【００３０】
本明細書では、温度調節機構３と被エッチング物４の間での熱の移動によって被エッチング物温度を一定の温度範囲にすることを温度調節と定義する。したがって、エッチングが行われる工程の全期間で、エッチング液温度、雰囲気温度、被エッチング物温度が全て同じ温度であった場合は、温度調節機構と被エッチング物の間の熱の移動が無いことになるので、本発明で定義する温度調節には含まれない。
【００３１】
温度調節機構３はいろいろな形態が考えられる。耐食性の容器に水を入れ、その水を投げ込み式のヒータで温度調節することも、温度調節した水を耐食性の容器内に循環させることも、耐食性の容器を直接ヒーターで温度調節することも可能である。その際、被エッチング物４の温度が温度調節機構の温度と同じになるよう密着させることが必要である。
【００３２】
また、本発明の基本構成例２として、ノズル９からエッチング液を吐出するディスペンス型エッチング装置を図２に示す。基本構成例１と同様に、被エッチング物側が温度調節されているので、エッチング液を温度調節しなくても所望の温度でエッチングすることが可能となる。さらに温度調節に必要な時間はエッチング液全体を温度調節する場合よりも短い。
【００３３】
量産を行う場合、温度調節機構を水平に配置し、被エッチング物４および熱伝導体６を温度調節機構３にチャック７にて固定し、ノズルからエッチング液を噴霧する。この構成により一枚の被エッチング物４および熱伝導体６のエッチングを終了した後、次の被エッチング物４および熱伝導体６に交換し、連続的にエッチングを行うことができる。
【００３４】
また、被エッチング物４および熱伝導体６の形状は完全な平板である必要はなく、曲面であっても、温度調整機構の接触面の形状を合わせ、両者を接触させることができれば、本発明を適用可能である。
【００３５】
また、熱伝導体６は、いわゆる断熱物質でなければよく、常温での熱伝導率が０．５Ｗ・Ｍ−１・Ｋ−１以上であれば本発明を適用可能である。さらに、熱伝導体と温度調節機構との間に、複数の熱伝導体を配置してもよい。熱伝導性が異なる熱伝導体を組み合わせて用いてもよい。以下の例１〜６が実施例であり、例Ａ〜Ｄが比較例である。
【００３６】
【実施例】
（例１）
図１に示したエッチング装置を用いて被エッチング物のエッチングを行った。本例では、特願２００２−２５２２９６に示した有機ＥＬ表示装置に用いることができる電極基板の電極部分のエッチングを行った。被エッチング物の温度調節は、板厚２ｍｍのパイレックス（登録商標）ガラス容器内に水を循環させ、その水の温度調節によって行った。
【００３７】
被エッチング物には直径約１５０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのソーダライムガラス基板にＳｉＯ２コートをし、さらにＭｏＮｂ（１０００Å）／Ａｌ（３５００Å）／ＭｏＮｂ（１０００Å）をスパッタリング法にて成膜した後、線幅３００μｍ、ピッチ３５０μｍのレジストを塗布し、本例の試料とした。
チャック７を用いておよそ１０×１０−４Ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で熱伝導体６を温度調節機構３に固定した。
【００３８】
エッチング液はリン酸（７５％）、酢酸（２０％）、硝酸（５％）の混合溶液を用いた。ガラス基板温度を３０℃に温度調節して２０℃のエッチング液に浸漬した。１１分間浸漬したが、エッチング液が循環しているために、エッチング液の温度はほとんど変化しなかった。
【００３９】
１１分間のエッチングレートを確認したところ、エッチング液の温度が２０℃であったにもかかわらず、エッチング液を３０℃にして従来例１の方法でエッチングした場合と同等のエッチングレートを示し、ＭｏＮｂ／Ａｌ／ＭｏＮｂの均一なパターンが得られた。ＭｏＮｂ／Ａｌ／ＭｏＮｂの線幅は、基板全面で３００μｍであった。
【００４０】
また、本例では、２リットルのエッチング液量でエッチングをすることができた。また、ガラス基板を２０℃から３０℃に昇温し、ほぼ一定に保つまでに必要な時間は約５分であった。
【００４１】
（例Ａ）
図５の従来例１のエッチング液循環式の浸漬型エッチング装置を用いた。エッチング液温度３０℃で、例１と同仕様の基板を試料とし、エッチングした。エッチングレートは例１とほぼ同等であった。
【００４２】
しかし、得られたＭｏＮｂ／Ａｌ／ＭｏＮｂの形状は例１よりバラツキが大きく線幅で２９７〜３００μｍであった。本例で必要とするエッチング液量は２０リットルであった。また、エッチング液全体の温度を２０℃から３０℃に昇温し、ほぼ一定に保つまでに約２時間必要であった。
【００４３】
（例２）
ＩＴＯを被エッチング物として例１と同様の方法でエッチングを行った。被エッチング物および熱伝導体には直径約１５０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのソーダライムガラス基板にＳｉＯ２コートをし、膜厚０．１５μｍのＩＴＯをスパッタリング法にて成膜した後、線幅３００μｍ、ピッチ３５０μｍのレジストを塗布した試料を用いた。
【００４４】
エッチング液は、塩化第二鉄（２２％）、塩酸（４９％）、水（２９％）の混合溶液を用いた。ガラス基板温度を３５℃に温度調節して２０℃のエッチング液に６分間浸漬した。エッチング液の温度はほとんど変化しなかった。
【００４５】
６分間のエッチングレートを確認したところ、エッチング液を３５℃にして従来例１の方法でエッチングした場合とほぼ同等のエッチングレートを示し、ＩＴＯの均一なパターンが得られた。ＩＴＯの線幅は、ガラス基板全面で３００μｍであった。
【００４６】
本例では、４リットルのエッチング液量でエッチングすることができた。また、ガラス基板を２０℃から３０℃に昇温し、ほぼ一定に保つまでに必要な時間は約５分であった。
【００４７】
（例Ｂ）
図５の従来例１のエッチング液循環式の浸漬型エッチング装置を用いて、例２と同じ基板をエッチングした。エッチングレートは、例２とほぼ同等であったが、得られたＩＴＯの形状は例２よりバラツキが大きく線幅で２９７〜３００μｍであった。エッチング液量は２０リットル必要であった。エッチング液全体の温度を２０℃から３０℃に昇温し、ほぼ一定に保つまでに約２時間必要であった。
【００４８】
（例３）
ガラス基板サイズのみ４７０×３７０ｍｍとし、他の条件は例１と同様にしてエッチングを行った。ガラス基板サイズが大きくなったにもかかわらず、エッチングレートと所要時間（ガラス基板を２０℃から３０℃に昇温し、ほぼ一定に保つまでに必要な時間）はともに、例１と同等であった。また、得られたＭｏＮｂ／Ａｌ／ＭｏＮｂの形状は、目標線幅３００μｍに対し、２９９〜３００μｍと例１とほぼ同じであった。
【００４９】
（例Ｃ）
図５の従来例１のエッチング液循環式の浸漬型エッチング装置を用いて、例３と同じ基板をエッチングした。ガラス基板のサイズが大きくなったため、ガラス基板内で温度分布がさらに大きくなり、均一なＭｏＮｂ／Ａｌ／ＭｏＮｂの形状は得られず、目標線幅３００μｍに対し、２９４〜３００μｍとバラツキが大きくなった。
【００５０】
（例４）
ガラス基板サイズのみ４７０×３７０ｍｍにし、他の条件は例２と同様にしてエッチングを行った。エッチングレート、得られたＩＴＯの形状は共に例２とほぼ同等であった。また、ガラス基板を２０℃から３５℃に昇温し、ほぼ一定に保つまでに必要な時間は、例２と同様に約５分であった。
【００５１】
（例Ｄ）
図５の従来例１のエッチング液循環式の浸漬型エッチング装置を用いて、例４と同じガラス基板をエッチングした。ガラス基板のサイズが大きくなったため、ガラス基板内で温度分布が大きくなり、均一なＩＴＯ形状は得られ得られず、目標線幅３００μｍに対し、２９４〜３００μｍとバラツキが大きくなった。
【００５２】
（例５）
図２のように、ノズルによりエッチング液を吹き付けエッチングを行い、他の条件は例１と同様にしてエッチングを行った。ノズルサイズ、吐出圧、ノズル・被エッチング物距離等は被エッチング物にエッチング液が均等に噴射するよう設定した。
【００５３】
ガラス基板温度を３０℃に温度調節して２０℃のエッチング液を１１分間噴霧した。１１分間のエッチングレートを確認したところ、エッチング液の温度が２０℃であったにもかかわらず、エッチング液を３０℃にして従来例１の方法でエッチングした場合とほぼ同等のエッチングレートを示した。そして、ＭｏＮｂ／Ａｌ／ＭｏＮｂのほぼ均一なパターンが得られた。ＭｏＮｂ／Ａｌ／ＭｏＮｂの線幅は、ガラス基板全面で２９９〜３００μｍであった。
【００５４】
また、本例では、２リットルのエッチング液量でエッチングをすることができた。また、ガラス基板を２０℃から３０℃に昇温し、ほぼ一定に保つまでに必要な時間も約５分であった。
【００５５】
（例６）
図２のように、ノズルによりエッチング液を吹き付けエッチングを行い、他の条件は例２と同条件でエッチングを行った。ノズルサイズ、吐出圧、ノズル・被エッチング物距離等は被エッチング物にエッチング液が均等に噴射するよう設定した。
【００５６】
エッチング液は塩化第二鉄（２２％）、塩酸（４９％）水（２９％）の混合溶液を用いた。ガラス基板温度を３５℃に温度調節して２０℃のエッチング液を６分間噴霧した。
６分間のエッチングレートを確認したところ、エッチング液を３５℃にして従来例１の方法でエッチングした場合と同等のエッチングレートを示し、ＩＴＯの均一なパターンが得られた。ＩＴＯの線幅は、ガラス基板全面で２９９〜３００μｍとほぼ均一であった。
【００５７】
また、本例では、４リットルのエッチング液量でエッチングをすることができた。また、ガラス基板を２０℃から３０℃に温度調節するのに必要な時間も約５分であった。以上の結果を表１と表２にまとめた。表中、Φは直径であり、基板の外形形状が丸みを帯びた試料であることを示す。
【００５８】
【表１】
2004296786.tif 000003
【００５９】
【表２】
2004296786.tif 000004
【００６０】
以上のように、本発明においては、被エッチング物を被エッチング物の温度調節機構に接触させて被エッチング物の温度調節を行う。このことにより、エッチング液全体を温度調節せず、かつ不循環の構成にしたとしても、被エッチング物の表面をエッチング反応に必要な温度条件にすることができる。そして、所望の温度条件でエッチングすることが可能となる。
【００６１】
また、従来のエッチング液循環式の浸漬型エッチング装置では、ガラス基板サイズが大きい場合、ガラス基板内で温度分布がつき、エッチングレートがガラス基板の面内で不均一となり、均一なＭｏＮｂ／Ａｌ／ＭｏＮｂやＩＴＯの形状は得られにくい。
しかし、本発明によれば、ガラス基板の面内における温度分布が均一となり、均一なＭｏＮｂ／Ａｌ／ＭｏＮｂやＩＴＯの形状を得ることができる。
【００６２】
本発明の上記の実施例では、ＭｏＮｂ／Ａｌ／ＭｏＮｂ薄膜、ＩＴＯ薄膜に対し、エッチング液はそれぞれリン酸、酢酸、硝酸の混合溶液、塩化第二鉄、塩酸の混合溶液を用いた。他の物質をエッチングする場合、被エッチング物に適したエッチング液を用いればよい。
【００６３】
たとえば、Ｃｒの薄膜に対しては、エッチング液として過塩素酸、硝酸第二セリウムアンモンの混合溶液を、Ａｌの薄膜に対しては、エッチング液としてリン酸、硝酸、酢酸の混合溶液、またはリン酸、硝酸の混合溶液を用いることが好ましい。
【００６４】
また、本発明の実施例では被エッチング物の温度調節機構にはガラス容器内に温度調節した水を循環させたものを用いた。その他に、ＡｌＮおよびＳｉＣ、若しくはＰｔ、ＰｔＩｒ、ＰｔＲｈおよびＰｔＲｕ、または、Ｐｔ、ＰｔＩｒ、ＰｔＲｈおよびＰｔＲｕの化合物のように耐酸性があり、熱伝導率の高い物質で伝熱面が構成された温度調節機構であれば使用できる。
【００６５】
また、上記の実施例では、被エッチング物および熱伝導体の温度を３０℃または３５℃とした。しかし、被エッチング物とエッチング条件とを調整し、エッチングする際の熱伝導体の温度として、２５〜７０℃に設定することが好ましい。熱伝導体の温度が２５℃未満の場合は、エッチングレートが低くなり、かつ、周囲温度の影響を受けやすくなり、被エッチング物の温度調節が困難となる。
また、７０℃を越えた場合、エッチング液の蒸発が多くなり、エッチング液の濃度調整等を頻繁に行うことが必要になる。
【００６６】
また、上記実施例では温度調節機構の接触面の温度を均一にしたが、何らかの理由でガラス基板内のエッチングパターンが不均一になることがある。そのような場合には、図３に示したように温度調節機構を複数設け、エッチングパターンが均一になるように接触面に温度分布を与えることも可能である。
【００６７】
また、上記実施例では、温度調節機構に用いたガラス容器の表面は、特に加工せずに、そのままの状態で使用した。被エッチング物に用いたソーダライムガラス基板は研磨面にＳｉＯ２コートした状態で使用した。伝熱面はガラス基板の裏面全面とした。その際に、温度調節機構と被エッチング物の表面粗度および接触面積は、両者の伝熱面の熱伝達係数が４００（Ｗ・ｍ−２・Ｋ−１）以上となるように設定することが好ましい。熱伝導計数が４００以下では伝熱が不十分であるため、ガラス基板の温度を所望の温度にすることが困難となるからである。
【００６８】
【発明の効果】
本発明ではエッチング方法およびエッチング装置において、エッチング液全体を温度調節・循環しなくとも被エッチング物を温度調節をする。
【００６９】
そのことにより、エッチング反応に必要な温度領域を被エッチング物表面と被エッチング物の近傍に存在するエッチング液に作り出し、短時間、少量のエッチング液で所望のエッチングレートでエッチングすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のエッチング装置の一例（浸漬型）を示す概要図。
【図２】本発明のエッチング装置の一例（ディスペンス型）を示す概要図。
【図３】本発明のエッチング装置の他の構成例（浸漬型）を示す概要図。
【図４】従来例３（浸漬型エッチング装置）を示す概要図。
【図５】従来例１（エッチング液循環式の浸漬型エッチング装置）を示す概要図。
【図６】従来例２（エッチング液滞留式の浸漬型エッチング装置）を示す概要図。
【符号の説明】
１：エッチング槽
２：エッチング液
３：温度調節機構
４：被エッチング物
５：測温素子
６：熱伝導体
７：チャック
８：温度調節ユニット
９：ノズル
１０：フィルタ
１１：ケーシング
１２：循環ポンプ
１３：薬液補給タンク
１４、１５、１６：バルブ
１７：オーバーフロー槽水
１８：撹拌機付き温度調節バス
１９：水
【図１】
2004296786.tif 000005
【図２】
2004296786.tif 000006
【図３】
2004296786.tif 000007
【図４】
2004296786.tif 000008
【図５】
2004296786.tif 000009
【図６】
2004296786.tif 000010