(57)【要約】【課題】液体原料を貯蔵するタンクに小型のものを用いて、前記液体原料を気化し、処理室へ供給する基板処理装置において、反応ガス供給の制御性を維持しつつ、タンクへの液体原料補給の回数を減少させることができる基板処理装置を提供する。【解決手段】本発明は、基板を処理する処理室と、液体の原料を気化し、前記処理室に導入する気化器と、前記気化器に送る液体原料を貯蔵する第１のタンクと、を有する基板処理装置において、前記第１のタンクに液量センサを設け、前記液体原料を貯蔵する第２のタンクを設け、前記液量センサで検出した前記第１のタンクの液体原料の残量に応じて、前記第２のタンクから前記第１のタンクへ液体原料を補給すること、を特徴とするものである。【選択図】　　　　図１
2004111787.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
液体の原料を気化し、前記処理室に導入する気化器と、
前記気化器に送る液体原料を貯蔵する第１のタンクと、
を有する基板処理装置において、
前記第１のタンクに液量センサを設け、
前記液体原料を貯蔵する第２のタンクを設け、
前記液量センサで検出した前記第１のタンクの液体原料の残量に応じて、前記第２のタンクから前記第１のタンクへ液体原料を補給すること、
を特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はウエハ等の基板に薄膜の生成、不純物の拡散、エッチング等の処理を行う基板処理装置に関するものであり、特に前記基板処理に液体原料を用いる場合の液体原料供給システムに係わる。
【０００２】
【従来技術】
従来の基板処理装置の液体原料供給システムの構成を、図４を用いて説明する。
【０００３】
図４に示すように基板処理装置には、基板（ウエハ）２００を処理する処理室２０１が設けられる。基板処理に用いる室温で液体の液体原料１６は第１の原料タンク１０に貯蔵される。前記第１の原料タンク１０は密閉構造となっており、液体原料１６を流通させるための第２の原料供給管３７と、前記第１の原料タンク１０に圧送ガスを供給するための第２の圧送ガス供給管３８が設けられる。前記第２の原料供給管３７には、第１の継ぎ手部分３５を介して、第１の原料供給管１５が取り外し可能に接続される。また、前記第２の圧送ガス供給管３８には、第２の継ぎ手部分３６を介して、第１の圧送ガス供給管１４が取り外し可能に接続される。
【０００４】
前記第１の原料供給管１５には、前記液体原料１６を気化する気化器３０、前記第１の原料供給管１５を流れる前記液体原料１６の流量を制御する液体流量制御手段３１が設けられる。また、前記気化器３０で気化した液体原料を、処理室２０１に供給するための第２の原料供給管４２が、前記気化器３０と前記処理室２０１を連結するよう設けられる。また、前記第１の圧送ガス供給管１４には、第１のガス流量制御手段３２を介して、第１の圧送ガス供給源３３が接続される。前記第１の圧送ガス供給源３３より供給される圧送ガスを、前記第１の原料タンク１０に供給することで、前記液体原料１６を、前記液体流量制御手段３１、前記気化器３０、ひいては前記処理室２０１に供給することができる。
【０００５】
前記第１の原料供給管１５、及び前記液体流量制御手段３１には、図示しないヒータと図示しない断熱材から成る第１の加熱手段１７が設けられる。前記第１の加熱手段１７は、前記第１の原料供給管１５、及び前記液体流量制御手段３１を、２５〜４５℃に維持し、前記液体原料１６の粘性を下げて流れやすくしている。また、前記第２の原料供給管４２と前記気化器３０には、図示しないヒータと図示しない断熱材からなる第２の加熱手段４３が設けられる。前記第２の加熱手段４３は、前記気化器３０で気化した液体原料が再度液化、又は熱分解しないように、前記第２の原料供給管４２を１６０〜１８０℃に、前記気化器３０を１７０〜１９０℃に加熱している。
【０００６】
さらに、前記処理室２０１には、原料ガス供給管４１と図示しない真空排気手段が接続される。前記原料ガス供給管４１は、第２のカ゛ス流量制御手段４０を介して原料ガス供給源３９に接続されており、気体の原料ガスを処理室２０１に供給できるようになっている。そして、前記原料ガスと前記気化器３０で気化された液体原料を用いて、基板２００に所望の処理を行うことができるようになっている。前記真空排気手段は、例えば真空ポンプからなり、前記処理室２１０内の雰囲気を排気することができる？
【０００７】
ところで、前記気化器３０で気化した液体原料１６は、前記第２の原料供給管４２内で再度液化しないように、第２の加熱手段４３で前記第２の原料供給管４２を加熱しているが、様々な原因により、気化した液体原料１６が凝縮してミスト状になり、前記第２の原料供給管４２内壁に付着する。その結果、液体流量制御手段３１で調節した量の液体原料１６が、処理室２０１に供給されず、液体原料１６の供給量を正確に制御することが困難となる。この現象は、第２の原料供給管４２の管長が長いほど、気化した液体原料が凝縮する確率が高くなり、さらに液体原料の供給量制御が困難になる。それゆえ、正確な液体原料の供給量制御を行うためには、前記第２の原料ガス供給管４２の管長を短くする必要がある。一方、第１の原料供給管１５の管長に関しても、その管長が長くなるにつれ、コンダクタンス（流れやすさ）が減少し、第１の原料供給管１５に流れる液体原料１６の応答性が悪くなる。つまり、前記第１の原料供給管１５を流れる前記液体原料１６の流量制御性が悪くなり、気化器３０への液体原料の供給量、ひいては処理室２０１への原料供給量を精度良く制御できない。
【０００８】
したがって、液体原料の処理室２０１への供給量を高精度で制御し、高品質の基板処理を行うためには、前記第１の原料供給管１５、及び前記第２の原料供給管４２の管長を短くする必要がある。そして、前記第１の原料供給管１５、及び前記第２の原料供給管４２の管長を短くするためには、前記気化器３０、前記液体流量制御手段３１、前記第１の原料タンク１０を、前記処理室２０１付近に配置する必要がある。しかし、前記処理室２０１付近の空間には、電気配線や各種の駆動機構、処理室２０１を加熱する加熱手段等が存在し、容量の大きな大型の原料タンクを配置するスペースがない。したがって、容量の小さな小型の原料タンクを用いている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の基板処理装置では、液体原料を貯蔵するための原料タンクに、小型の原料タンクを用いているため、頻繁に、前記原料タンクに液体原料を補給する必要がある。しかし、前記液体原料は、空気中の水分と反応すると、固体物質を生成し、不純物を形成する。従って、前記原料タンクへ液体の原料物質の補給する場合は、前記原料タンクを基板処理装置から取り外し、不活性ガス雰囲気で満たされた別の場所で行う必要がある。
【００１０】
前記原料タンクを基板処理装置から取り外すためには、前記第１の継ぎ手３５、及び前記第２の継ぎ手３６を取り外す作業が必要であるが、その前に、前記第１の原料供給管１５、前記液体流量制御手段３１、前記気化器３０内に残留する前記液体原料１６を取り除く必要がある。また、原料タンクの交換頻度が多くなると、前記第１の原料供給管１５、前記液体流量制御手段３１、前記気化器３０内を大気開放する機会が増え、配管内に大気圧成分が残留し、前記液体原料との反応により、配管のつまりや、パーティクルを発生させる危険性が高まるという問題があった。また、原料タンクの交換作業により、装置の稼働率（スループット）が低下するという問題もあった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記問題を解決するため、本発明は、基板を処理する処理室と、液体の原料を気化し、前記処理室に導入する気化器と、前記気化器に送る液体原料を貯蔵する第１のタンクと、を有する基板処理装置において、前記第１のタンクに液量センサを設け、前記液体原料を貯蔵する第２のタンクを設け、前記液量センサで検出した前記第１のタンクの液体原料の残量に応じて、前記第２のタンクから前記第１のタンクへ液体原料を補給すること、を特徴とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【００１３】
図２および図３に於いて、本発明が適用される基板処理装置の概要を説明する。なお、図２、３中、図４と同一のものには、同符号を付し説明を省略する。
【００１４】
なお、本発明が適用される基板処理装置においてはウエハ搬送用キャリヤとしては、ＦＯＵＰ（ｆｒｏｎｔ　ｏｐｅｎｉｎｇ　ｕｎｉｆｉｅｄ　ｐｏｄ　。以下、ポッドという。）が使用されている。また、以下の説明において、前後左右は図２を基準とする。すなわち、第二の搬送室１２１側が前側、その反対側すなわち第一の搬送室１０３側が後側、搬入用予備室１２２側が左側、搬出用予備室１２３側が右側とする。
【００１５】
図２および図３に示されているように、基板処理装置は真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐えるロードロックチャンバ構造に構成された第一の搬送室１０３を備えており、第一の搬送室１０３の筐体１０１は平面視が六角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。第一の搬送室１０３には負圧下でウエハ２００を移載する第一のウエハ移載機１１２が設置されている。前記第一のウエハ移載機１１２は、エレベータ１１５によって、第一の搬送室１０３の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。
【００１６】
筐体１０１の六枚の側壁のうち正面側に位置する二枚の側壁には、搬入用予備室１２２と搬出用予備室１２３とがそれぞれゲートバルブ２４４，１２７を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。さらに、搬入用予備室１２２には搬入室用基板仮置き台１４０が設置され、搬出用予備室１２３には搬出室用基板仮置き台１４１が設置されている。
【００１７】
搬入用予備室１２２および搬出用予備室１２３の前側には、略大気圧下で用いられる第二の搬送室１２１がゲートバルブ１２８、１２９を介して連結されている。第二の搬送室１２１にはウエハ２００を移載する第二のウエハ移載機１２４が設置されている。第二のウエハ移載機１２４は第二の搬送室１２１に設置されたエレベータ１２６によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１３２によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
【００１８】
図２に示されているように、第二の搬送室１２１の左側にはオリフラ合わせ装置１０６が設置されている。また、図３に示されているように、第二の搬送室１２１の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット１１８が設置されている。
【００１９】
図２および図３に示されているように、第二の搬送室１２１の筐体１２５には、ウエハ２００を第二の搬送室１２１に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口１３３、１３４、１３５が設けられ、ポッドオープナ１０８がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ１０８は、ＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャップ及びウエハ搬入搬出口１３４を開閉するキャップ開閉機構とを備えており、ＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャップ及びウエハ搬入搬出口１３４をキャップ開閉機構によって開閉することにより、ポッド１００のウエハ出し入れを可能にする。また、ポッド１００は図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって、前記ＩＯステージ１０５に、供給および排出されるようになっている。
【００２０】
図２に示されているように、筐体１０１の六枚の側壁のうち背面側に位置する二枚の側壁には、ウエハに所望の処理を行う第一の処理室２０１と、第二の処理室１３７とがそれぞれ隣接して連結されている。第一の処理室２０１および第二の処理室１３７はいずれもランプ加熱型のコールドウオール式の基板処理装置によってそれぞれ構成されている。また、筐体１０１における六枚の側壁のうちの残りの互いに対向する二枚の側壁には、第三の処理室としての第一のクーリングユニット１３８と、第四の処理室としての第二のクーリングユニット１３９とがそれぞれ連結されており、第一のクーリングユニット１３８および第二のクーリングユニット１３９はいずれも処理済みのウエハ２００を冷却するように構成されている。
【００２１】
以下、前記構成をもつ基板処理装置を使用した成膜工程を説明する。
【００２２】
未処理のウエハ２００は２５枚がポッド１００に収納された状態で、成膜工程を実施する基板処理装置へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。図２および図３に示されているように、搬送されて来たポッド１００はＩＯステージ１０５の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッド１００のキャップ及びウエハ搬入搬出口１３４がキャップ開閉機構によって取り外され、ポッド１００のウエハ出し入れ口が開放される。
【００２３】
ポッド１００がポッドオープナ１０８により開放されると、第二の搬送室１２１に設置された第二のウエハ移載機１２４はポッド１００からウエハ２００をピックアップし、搬入用予備室１２２に搬入し、ウエハ２００を搬入室用基板仮置き台１４０に移載する。この移載作業中には、第一の搬送室１０３側のゲートバルブ２４４は閉じられており、第一の搬送室１０３の負圧は維持されている。ウエハ２００の搬入室用基板仮置き台１４０への移載が完了すると、ゲートバルブ１２８が閉じられ、搬入用予備室１２２が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
【００２４】
搬入用予備室１２２が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ２４４、１３０が開かれ、搬入用予備室１２２、第一の搬送室１０３、第１の処理室２０１が連通される。続いて、第一の搬送室１０３の第一のウエハ移載機１１２は搬入室用基板仮置き台１４０からウエハ２００をピックアップして第一の処理室２０１に搬入する。そして、第１の処理室２０１内に反応ガスが供給され、所望の処理がウエハ２００に行われる。
【００２５】
第一の処理室２０１で前記処理が完了すると、処理済みウエハ２００は第一の搬送室１０３の第一のウエハ移載機１１２によって第一の搬送室１０３に搬出される。
【００２６】
そして、第一のウエハ移載機１１２は第一の処理室２０１から搬出したウエハ２００を第一のクーリングユニット１３８の処理室（冷却室）へ搬入し、処理済みのウエハを冷却する。
【００２７】
第一のクーリングユニット１３８にウエハ２００を移載すると、第一のウエハ移載機１１２は搬入用予備室１２２の搬入室用基板仮置き台１４０に予め準備されたウエハ２００を第一の処理室２０１に前述した作動によって移載し、第１の処理室２０１内に反応ガスが供給され、所望の処理がウエハ２００に行われる。
【００２８】
第一のクーリングユニット１３８において予め設定された冷却時間が経過すると、冷却済みのウエハ２００は第一のウエハ移載機１１２によって第一のクーリングユニット１３８から第一の搬送室１０３に搬出される。
【００２９】
冷却済みのウエハ２００が第一のクーリングユニット１３８から第一の搬送室１０３に搬出されたのち、ゲートバルブ１２７が開かれる。そして、第１のウエハ移載機１１２は第一のクーリングユニット１３８から搬出したウエハ２００を搬出用予備室１２３へ搬送し、搬出室用基板仮置き台１４１に移載した後、搬出用予備室１２３はゲートバルブ１２７によって閉じられる。
【００３０】
搬出用予備室１２３がゲートバルブ１２７によって閉じられると、前記排出用予備室１２３内が不活性ガスにより略大気圧に戻される。前記搬出用予備室１２３内が略大気圧に戻されると、ゲートバルブ１２９が開かれ、第二の搬送室１２１の搬出用予備室１２３に対応したウエハ搬入搬出口１３４と、ＩＯステージ１０５に載置された空のポッド１００のキャップがポッドオープナ１０８によって開かれる。続いて、第二の搬送室１２１の第二のウエハ移載機１２４は搬出室用基板仮置き台１４１からウエハ２００をピックアップして第二の搬送室１２１に搬出し、第二の搬送室１２１のウエハ搬入搬出口１３４を通してポッド１００に収納して行く。処理済みの２５枚のウエハ２００のポッド１００への収納が完了すると、ポッド１００とウエハ搬入搬出口１３４がポッドオープナ１０８によって閉じられる。閉じられたポッド１００はＩＯステージ１０５の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。
【００３１】
以上の作動が繰り返されることにより、ウエハが、順次、処理されて行く。以上の作動は第一の処理室２０１および第一のクーリングユニット１３８が使用される場合を例にして説明したが、第二の処理室１３７および第二のクーリングユニット１３９が使用される場合についても同様の作動が実施される。
【００３２】
次に、図１により、本発明で用いる基板処理装置の液体原料供給システムの構成を説明する。なお、図１中、図２、３、４と同一のものには、同符号を付し説明を省略する。
【００３３】
図１に示すように基板処理装置には、基板（ウエハ）２００を処理する処理室２０１が設けられる。基板処理に用いる室温で液体の液体原料１６は第１の原料タンク１０、及び第２の原料タンク４８に貯蔵される。
【００３４】
前記第１の原料タンク１０は密閉構造となっており、液体原料１６を流通させるための第２の原料供給管３７と、前記第１の原料タンク１０に圧送ガスを供給するための第２の圧送ガス供給管３８と、後述する第２の原料タンク４８から供給される液体原料１６を流通する第５の原料供給管５５が設けられる。前記第２の原料供給管３７には、第１の継ぎ手部分３５を介して、第１の原料供給管１５が取り外し可能に接続される。また、前記第２の圧送ガス供給管３８には、第２の継ぎ手部分３６を介して、第１の圧送ガス供給管１４が取り外し可能に接続される。また、前記第５の原料供給管５５には、第３の継ぎ手部分４４を介して、第３の原料供給管４６が取り外し可能に接続される。また、前記第１の原料タンク１０には、液量センサ５６が設けられ、前記第１の原料タンク１０内の液体原料１６の残量を検知できる。
【００３５】
前記第１の原料供給管１５には、前記液体原料１６を気化する気化器３０、前記第１の原料供給管１５を流れる前記液体原料１６の流量を制御する液体流量制御手段３１が設けられる。また、前記気化器３０で気化した液体原料を、処理室２０１に供給するための第２の原料供給管４２が、前記気化器３０と前記処理室２０１を連結するよう設けられる。また、前記第１の圧送ガス供給管１４には、第１のガス流量制御手段３２を介して、第１の圧送ガス供給源３３が接続される。前記第１の圧送ガス供給源３３より供給される圧送ガスを、前記第１の原料タンク１０に供給することで、前記液体原料１６を、前記液体流量手段３１、前記気化器３０、ひいては前記処理室２０１に供給することができる。
【００３６】
前記第１の原料供給管１５、及び前記液体流量制御手段３１には、図示しないヒータと図示しない断熱材から成る第１の加熱手段１７が設けられる。前記第１の加熱手段１７は、前記第１の原料供給管１５、及び前記液体流量制御手段３１を、３５〜４５℃に維持し、前記液体原料１６の粘性を下げて流れやすくしている。また、前記第２の原料供給管４２と前記気化器３０には、図示しないヒータと図示しない断熱材からなる第２の加熱手段４３が設けられる。前記第２の加熱手段４３は、前記気化器３０で気化した液体原料が再度液化、又は熱分解しないように、前記第２の原料供給管４２を１６０〜１８０℃に、前記気化器３０を１７０〜１９０℃に加熱している。
【００３７】
さらに、前記処理室２０１には、原料ガス供給管４１と図示しない真空排気手段が接続される。前記原料ガス供給管４１は、第２のカ゛ス流量制御手段４０を介して原料ガス供給源３９に接続されており、気体の原料ガスを処理室２０１に供給できるようになっている。そして、前記原料ガスと前記気化器３０で気化された液体原料を用いて、基板２００に所望の処理を行うことができるようになっている。前記真空排気手段は、例えば真空ポンプからなり、前記処理室２１０内の雰囲気を排気することができる？
【００３８】
本発明の図１に示す実施例では、図４に示す従来例と同様に、液体原料１６の処理室２０１への供給量を高精度で制御するために、前記第１の原料供給管１５、及び前記第２の原料供給管４２の管長を短くし、前記気化器３０、前記液体流量制御手段３１、前記第１の原料タンク１０を、前記処理室２０１付近に配置している。したがって、前記第１の原料タンクは、小型のものを使用している。
【００３９】
次に、前記第２の原料タンク４８について説明する。
【００４０】
前記第２の原料タンク４８は密閉構造となっており、液体原料１６を流通させるための第４の原料供給管５３と、前記第２の原料タンク４８に圧送ガスを供給するための第４の圧送ガス供給管５４が設けられる。前記第４の原料供給管５３には、第４の継ぎ手部分４７を介して、前記第３の原料供給管４６が取り外し可能に接続される。前記第３の原料供給管４６には、図示しないヒータと図示しない断熱材よりなる第３の加熱手段４５が設けられ、前記第３の原料供給管４６内を流通する前記液体原料１６の粘度を下げ、前記液体原料１６が流通し易いようにしている。また、前記第４の圧送ガス供給管５４には、第５の継ぎ手部分４９を介して、第３の圧送ガス供給管５０が取り外し可能に接続される。前記第２の圧送ガス供給源５２より供給される圧送ガスを、前記第２の原料タンク４８に供給することで、前記液体原料１６を、前記第１の原料タンク１０に供給することができる。
【００４１】
次に、本発明の上記構成による作用を説明する。
【００４２】
本発明は、例えば、液体材料１６としてテトラエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５）、気体の原料ガス３９として酸素（Ｏ２）、圧送ガスとしてヘリウム（Ｈｅ）を用いて、ウエハ２００に酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）をＣＶＤ法により成膜する場合について説明する。
【００４３】
第１の圧送ガス供給源３３からヘリウムが前記第１の原料タンク１０に供給され、前記供給されたヘリウムの圧力で前記第１の原料タンク１０に貯蔵された液体のテトラエトキシタンタルは、液体流量制御手段１７に供給される。前記液体流量制御手段１７にて、所定量の流量に制御されたテトラエトキシタンタルは気化器３０にて気化され、処理室２０１に供給される。また、前記原料ガス供給源４４に貯蔵された酸素は、前記第２のカ゛ス流量制御手段４０によって所望の流量に制御されたのち、前記処理室２０１に供給される。そして、処理室２０１にて、ウエハ２００を図示しない基板加熱手段により所望の温度に設定し、前記ウエハ２００と前記気化したテトラエトキシタンタルと前記酸素とを反応させ、前記ウエハ２００上に酸化タンタル膜を形成する？
【００４４】
ウエハ２００に酸化タンタル膜を成膜処理すると、前記第１の原料タンク１０内のテトラエトキシタンタルの量が減少する。そして、前記第１の原料タンク１０内のテトラエトキシタンタルの残量が所定の量を下回ると、前記液量センサ５６によって検出され、制御手段５７に液体原料補給の信号が送られる。制御手段５７に前記液体原料補給の信号が来ると、前記制御手段５７は前記第３のガス流量制御手段５１を開き、前記第２の圧送ガス供給源５２に蓄えられたヘリウムを前記第２の原料タンク４８に供給する。前記ヘリウムの圧力により、前記第２の原料タンク４８に貯蔵された液体のテトラエトキシタンタルは、前記第３の原料供給管４６を通り、前記第１の原料タンク１０内に供給される。そして、前記第１の原料タンク１０に貯蔵されるテトラエトキシタンタルの量が、所定の量を上回ると、前記液量センサ５６によって検出され、制御手段５７に、液体原料補給停止の信号が送られ、前記第３のガス流量制御手段５１が閉じられ、前記第２の原料タンク４８から前記第１の原料タンク１０への液体原料１６の供給が止まる。
【００４５】
【発明の効果】
本発明によれば、第１の原料タンクに、自動的に液体原料を補給する構成としたので、第１の原料タンクに液体原料を補給する必要がない。また、第２の原料タンクは、第１の原料タンクに液体原料の補給をするのみなので、第３の原料供給管の管長を長くして、スペースのある場所に、大型の原料タンクを設置することができる（第１の原料タンクへ液体原料の供給をするとき、その応答性は悪化するが、第１の原料タンクから液体流量制御手段への液体原料の供給には関係ない）。従って、前述のように、液体原料の処理室への供給量を高精度で制御するために、第１の原料タンクに小型のものを用いたとしても、液体原料の補給を行う作業は大型の第２の原料タンクの交換時期でよい。従って、原料タンクの交換頻度が少なくなり、装置の稼働率が向上すると共に、配管を大気開放する頻度も減り、大気成分が原料供給管に混入する機会が減少する。さらに、第１のガス供給管に関していえば、第１の原料タンクを交換する必要がないので、第１のガス供給管、液体流量制御手段、気化器を大気開放する必要がなく、第１のガス供給管、液体流量制御手段、気化器に大気成分が混入し、排気管のつまりや、パーティクルを発生させることはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例におけるガス供給系を示す模式図。
【図２】本発明が適用される基板処理装置の全体構成の模式図。
【図３】本発明が適用される基板処理装置の全体構成の模式図。
【図４】従来例におけるガス供給系を示す模式図。
【符号の説明】
１０　　　　　第１の原料タンク
１６　　　　　液体原料
３０　　　　　気化器
３１　　　　　流量制御手段
３３　　　　　第１の圧送ガス供給源
４８　　　　　第２の原料タンク
５２　　　　　第２の圧送ガス供給源
５６　　　　　液量センサ
２００　　　　　基板
２０１　　　　　処理室
【図１】
2004111787.tif 000003
【図２】
2004111787.tif 000004
【図３】
2004111787.tif 000005
【図４】
2004111787.tif 000006