(57)【要約】【課題】追記型の光記録媒体に対し、記録線速度を非常に高く設定して情報を記録する場合に好適なレーザビームの強度決定方法を提供する。【解決手段】本発明によるレーザビームの強度決定方法は、記録パワーの強度を所定値に固定し、且つ、基底パワーの強度を次々と変化させることによって光記録媒体に第１のテスト信号を試し書きする第１のステップ（Ｓ１）と、第１のテスト信号を再生し、これに基づいて基底パワーの強度を決定する第２のステップ（Ｓ２）と、基底パワーの強度を第２のステップにおいて決定された強度に固定し、且つ、記録パワーの強度を次々と変化させることによって光記録媒体に第２のテスト信号を試し書きする第３のステップ（Ｓ３）と、第２のテスト信号を再生し、これに基づいて記録パワーの強度を決定する第４のステップ（Ｓ４）とを含む。【選択図】　　　　　図５
2004013938.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも記録パワー及び基底パワーに強度変調されたレーザビームを照射することにより追記型の光記録媒体にユーザデータを記録するに先だって、前記記録パワー及び前記基底パワーの強度を決定するレーザビーム強度決定方法であって、前記記録パワー及び前記基底パワーをいずれも再生パワーよりも高く設定して試し書きを行うことにより、前記記録パワー及び前記基底パワーの強度を決定することを特徴とするレーザビーム強度決定方法。
【請求項２】
前記記録パワーの強度を所定値に固定し、且つ、前記基底パワーの強度を次々と変化させることによって前記光記録媒体に第１のテスト信号を試し書きする第１のステップと、前記第１のテスト信号を再生し、これに基づいて前記基底パワーの強度を決定する第２のステップとを含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザビーム強度決定方法。
【請求項３】
前記第２のステップは、少なくとも前記第１のテスト信号を再生して得られる信号の振幅に基づいて前記基底パワーの強度を決定するものであることを特徴とする請求項２に記載のレーザビーム強度決定方法。
【請求項４】
前記第２のステップにおいては、前記基底パワーの強度を、強度の高い基底パワーを用いて形成された前記第１のテスト信号ほど得られる振幅が小さくなる領域よりも低い値に設定することを特徴とする請求項３に記載のレーザビーム強度決定方法。
【請求項５】
前記基底パワーの強度を前記第２のステップにおいて決定された強度に固定し、且つ、前記記録パワーの強度を次々と変化させることによって前記光記録媒体に第２のテスト信号を試し書きする第３のステップと、前記第２のテスト信号を再生し、これに基づいて前記記録パワーの強度を決定する第４のステップとをさらに含むことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載のレーザビーム強度決定方法。
【請求項６】
前記第４のステップは、少なくとも前記第２のテスト信号を再生して得られる信号のジッタ若しくはエラーレートに基づいて前記記録パワーの強度を決定するものであることを特徴とする請求項５に記載のレーザビーム強度決定方法。
【請求項７】
前記第１のステップが、前記基底パワーの強度を前記再生パワー若しくはこれに近い強度に固定した状態で前記記録パワーの強度を変化させることにより前記光記録媒体に前記第２のテスト信号を試し書きする第１のサブステップと、前記第２のテスト信号を再生し、これに基づいて前記第１のステップにおいて用いられる前記記録パワーの前記所定値を決定する第２のサブステップとを含んでいることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載のレーザビーム強度決定方法。
【請求項８】
少なくとも前記第２のステップにおいて得られた前記基底パワーの強度に関する情報を前記光記録媒体に記録する第５のステップをさらに含むことを特徴とする請求項２乃至７のいずれか１項に記載のレーザビーム強度決定方法。
【請求項９】
前記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビームを集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場合に
λ／ＮＡ　≦　６４０ｎｍ
の条件を満たすことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のレーザビーム強度決定方法。
【請求項１０】
前記レーザビームの波長λが４５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項９に記載のレーザビーム強度決定方法。
【請求項１１】
前記追記型の光記録媒体が、基板と、前記レーザビームの光路となる光透過層と、前記基板と前記光透過層との間に設けられた記録層とを備え、前記記録層が複数の反応層の積層体からなることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のレーザビーム強度決定方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のレーザビーム強度決定方法を実行可能な情報記録装置。
【請求項１３】
基板と、前記基板上に設けられた記録層とを有し、前記記録層に対して少なくとも記録パワー及び基底パワーに強度変調されたレーザビームを照射することによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マークを形成可能な追記型の光記録媒体であって、前記レーザビームの強度を設定するために必要な設定情報を有しており、前記設定情報が、少なくとも、前記記録パワーの強度を所定値に固定し、且つ、前記基底パワーの強度を次々と変化させることによって前記光記録媒体に第１のテスト信号を試し書きする第１のステップと、前記第１のテスト信号を再生し、これに基づいて前記基底パワーの強度を決定する第２のステップとによって得られたものであることを特徴とする光記録媒体。
【請求項１４】
前記設定情報が、さらに、前記基底パワーの強度を前記第２のステップにおいて決定された強度に固定し、且つ、前記記録パワーの強度を次々と変化させることによって前記光記録媒体に第２のテスト信号を試し書きする第３のステップと、前記第２のテスト信号を再生し、これに基づいて前記記録パワーの強度を決定する第４のステップとによって得られたものであることを特徴とする請求項１３に記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザビーム強度決定方法及びこれを実行可能な情報記録装置に関し、特に、追記型の光記録媒体へ情報を記録するために用いるレーザビームの強度決定方法及びこれを実行可能な情報記録装置に関する。また、本発明は、光記録媒体に関し、特に追記型の光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されている。これらの光記録媒体は、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭのようにデータの追記や書き換えができないタイプの光記録媒体（ＲＯＭ型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒのようにデータの追記はできるがデータの書き換えができないタイプの光記録媒体（追記型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷのようにデータの書き換えが可能なタイプの光記録媒体（書き換え型光記録媒体）とに大別することができる。
【０００３】
広く知られているように、ＲＯＭ型光記録媒体においては、製造段階において基板に形成されるプリピットによりデータが記録されることが一般的であり、書き換え型光記録媒体においては、例えば、記録層の材料として相変化材料が用られ、その相状態の変化に基づく光学特性の変化を利用してデータが記録されることが一般的である。
【０００４】
これに対し、追記型光記録媒体においては、記録層の材料としてシアニン系色素、フタロシアニン系色素、アゾ色素等の有機色素が用いられ、その不可逆的な化学的変化（場合によっては化学的変化に加えて物理的変形を伴うことがある）に基づく光学特性の変化を利用してデータが記録されることが一般的である。また、記録層として複数の反応層を積層したタイプの追記型光記録媒体も知られており（特開昭６２−２０４４４２号公報参照）、このようなタイプの光記録媒体に対してデータを記録する場合、記録層の所定の領域にレーザビームを照射することによってこれら複数の反応層を構成する元素を混合させる。かかる混合部分は、未混合部分とは異なる光学特性が得られることから、これを記録マークとして用いることが可能となる。ここで、記録マークを形成するために照射するレーザビームの最適な強度変調方法は、一般的に「パルス列パターン」或いは「記録ストラテジ」等と呼ばれるが、本明細書においては「パルス列パターン」と称する。
【０００５】
図１４は、有機色素を用いたＣＤ−Ｒに対してデータを記録する場合の代表的なパルス列パターンを示す図であり、ＥＦＭ変調方式における３Ｔ信号〜１１Ｔ信号を記録する場合のパルス列パターンを示している。
【０００６】
図１４に示すように、ＣＤ−Ｒに対してデータを記録する場合、形成すべき記録マーク（ピット）Ｍの長さに相当する幅の記録パルスが用いられることが一般的である（特開２０００−１８７８４２号公報参照）。すなわち、レーザビームの強度は、記録マークＭを形成しない領域（ブランク領域）において基底パワー（Ｐｂ）に固定され、記録マークＭを形成すべき領域において記録パワー（Ｐｗ）に固定される。これにより、記録マークＭを形成すべき領域においては、記録層に含まれる有機色素が分解・変質し、場合によっては記録層の当該領域が変形することによって記録マークＭが形成される。本明細書においては、このようなパルス列パターンを「単パルスパターン」と称する。
【０００７】
図１５は、有機色素を用いたＤＶＤ−Ｒに対してデータを記録する場合の代表的なパルス列パターンを示す図であり、８／１６変調方式における７Ｔ信号を記録する場合のパルス列パターンを示している。
【０００８】
ＤＶＤ−Ｒに対してはＣＤ−Ｒと比べて高い記録線速度でデータの記録が行われることから、ＣＤ−Ｒに対してデータを記録する場合のように記録マーク（ピット）Ｍの長さに相当する幅の記録パルスを用いると、形成される記録マーク（ピット）Ｍの形状を良好とすることが困難である。このため、ＤＶＤ−Ｒに対してデータを記録する場合には、図１５に示すように、形成すべき一つの記録マークに対し、その長さに応じた数に分割されたパルス列を用いた記録が行われる。具体的には、ｎＴ（ｎは、８／１６変調方式においては３〜１１及び１４の整数である）信号を形成するためにｎ−２個の分割パルスを用い、レーザビームの強度を分割パルスのピークにおいて記録パワー（Ｐｗ）、その他は基底パワー（Ｐｂ）に設定される。本明細書においては、このようなパルス列パターンを「基本パルス列パターン」と称する。
【０００９】
また、図１５に示すように、基本パルス列パターンにおいては、基底パワー（Ｐｂ）のレベルは、データ再生に用いられる再生パワー（Ｐｒ）と等しいかこれに近いレベルに設定されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
一方、近年、データの記録密度が高められ、且つ、非常に高いデータ転送レートを実現可能な次世代型の光記録媒体が提案されている。このような次世代型の光記録媒体においては、高データ転送レートを実現するため記録線速度が従来の光記録媒体に比べて非常に高く設定されるが、一般に、追記型の光記録媒体において記録マークの形成に必要な記録パワー（Ｐｗ）は記録線速度の平方根に略比例することから、次世代型の光記録媒体に対するデータの記録においては、高出力の半導体レーザが必要とされる。また、次世代型の光記録媒体に対するデータの記録においては、レーザビームのビームスポット径を非常に小さく絞らなければならず、ビームスポット径を小さく絞るためには、レーザビームの波長（λ）とレーザビームを集束するための対物レンズの開口数（ＮＡ）との比（λ／ＮＡ）を６４０ｎｍ以下、例えば、開口数（ＮＡ）を０．７以上、特に、０．８５程度まで大きくするとともに、レーザビームの波長λを４５０ｎｍ以下、特に４０５ｎｍ程度まで短くする必要がある。
【００１１】
しかしながら、現状では、このような短波長のレーザビームを生成する半導体レーザは、波長λ＝７８０ｎｍ或いは６５０ｎｍのレーザビームを生成するＣＤ用或いはＤＶＤ用の半導体レーザと比べて高出力化が困難であり、また、高出力型の半導体レーザは比較的高価である。このため、上記基本パルス列パターンを用いた場合、データ転送レートを高めるために高価な半導体レーザを使用する必要が生じるとともに、場合によっては、目的とするデータ転送レートを実現できないおそれがあることが明らかとなった。
【００１２】
以上のような問題は、記録層が複数の反応層の積層体からなるタイプの追記型光記録媒体において特に顕著である。
【００１３】
一方、記録パワー（Ｐｗ）の適切な強度は、記録線速度等の記録条件によって大きく相違することから、従来より、記録対象となる光記録媒体に対して実際にユーザデータを記録する場合、事前に種々の記録パワー（Ｐｗ）を用いた試し書き行い、その再生信号に基づいて最終的に記録パワー（Ｐｗ）決定するといった作業が行われている。このような試し書きによるレーザビームの強度決定方法は、ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｍｕｍ　Ｐｏｗｅｒ　Ｃｏｎｔｒｏｌ）と呼ばれている。
【００１４】
したがって、本発明の目的は、追記型の光記録媒体に対し、記録線速度を非常に高く設定して情報を記録する場合に好適なレーザビームの強度決定方法及びこれを実行可能な情報記録装置を提供することである。
【００１５】
また、本発明の他の目的は、記録層が積層された複数の反応層からなるタイプの光記録媒体に情報を記録する場合に好適なレーザビームの強度決定方法及びこれを実行可能な情報記録装置を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、追記型の光記録媒体、特に、記録層が積層された複数の反応層からなるタイプの光記録媒体に対して、より低い記録パワー（Ｐｗ）を用いて記録マークを形成する方法について研究を重ねた結果、単パルスパターンまたは基本パルス列パターンにおける基底パワー（Ｐｂ）を高めることによって記録パワー（Ｐｗ）による加熱を補助することにより、より低い記録パワー（Ｐｗ）にて記録マークの形成が可能であることを見いだした。ここで、基本パルス列パターンとしては、上述のようにｎ−２個の分割パルスを用いる場合のみならず、ｎ個またはｎ−１個の分割パルスを用いる場合も含まれ、８／１６変調方式においてはｎ−２個の分割パルス、１，７ＲＬＬ変調方式においてはｎ−１個の分割パルスを用いることが好ましい。
【００１７】
この場合、基底パワー（Ｐｂ）を高めれば高めるほど、記録パワー（Ｐｗ）による加熱が効果的に補助されることからより低い記録パワー（Ｐｗ）を用いた記録マークの形成が可能となる一方、基底パワー（Ｐｂ）を過度に高く設定すると、ブランク領域が記録マークに近い状態となり、再生信号の振幅が大幅に低下してしまう。例えば、記録層が積層された複数の反応層からなるタイプの光記録媒体において基底パワー（Ｐｂ）を過度に高く設定すると、ブランク領域におけるこれら反応層の実質的な混合が生じてしまい、場合によっては信号の再生が不可能となってしまう。したがって、基底パワー（Ｐｂ）の最適な強度としては、十分な振幅を持った再生信号が得られる限度においてできるだけ高く設定することが好ましいが、かかる最適な強度は記録線速度に代表される記録条件によって大きく相違する。このため、最適な基底パワー（Ｐｂ）の強度及びこれに対応する記録パワー（Ｐｗ）の強度については、記録対象となる光記録媒体に対して実際に試し書きを実行し、その再生信号に基づいて決定することが好ましい。
【００１８】
本発明は、このような技術的知見に基づきなされたものであって、少なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び基底パワー（Ｐｂ）に強度変調されたレーザビームを照射することにより追記型の光記録媒体にユーザデータを記録するに先だって、前記記録パワー（Ｐｗ）及び前記基底パワー（Ｐｂ）の強度を決定するレーザビーム強度決定方法であって、前記記録パワー（Ｐｗ）及び前記基底パワー（Ｐｂ）をいずれも再生パワー（Ｐｒ）よりも高く設定して試し書きを行うことにより、前記記録パワー（Ｐｗ）及び前記基底パワー（Ｐｂ）の強度を決定することを特徴とする。
【００１９】
本発明のレーザビーム強度決定方法によれば、基底パワー（Ｐｂ）の強度が再生パワー（Ｐｒ）よりも高く設定されることから、基底パワー（Ｐｂ）によって記録パワー（Ｐｗ）による加熱が効果的に補助され、このため、追記型の光記録媒体にデータを記録する場合に必要な記録パワー（Ｐｗ）のレベルを抑制することが可能となる。これにより、高い記録線速度でのデータの記録を実現することができるとともに、比較的安価な低出力である半導体レーザを使用することが可能となる。
【００２０】
本発明の好ましい実施態様においては、上記レーザビーム強度決定方法が、前記記録パワー（Ｐｗ）の強度を所定値に固定し、且つ、前記基底パワー（Ｐｂ）の強度を次々と変化させることによって前記光記録媒体に第１のテスト信号を試し書きする第１のステップと、前記第１のテスト信号を再生し、これに基づいて前記基底パワー（Ｐｂ）の強度を決定する第２のステップとを含む。この場合、前記第２のステップにおいては、少なくとも前記第１のテスト信号を再生して得られる信号の振幅に基づいて前記基底パワー（Ｐｂ）の強度を決定することが好ましく、前記基底パワー（Ｐｂ）の強度を、強度の高い基底パワー（Ｐｂ）を用いて形成された前記第１のテスト信号ほど得られる振幅が小さくなる領域よりも低い値に設定することがさらに好ましい。これによれば、十分な振幅を持った再生信号が得られる限度において、基底パワー（Ｐｂ）を十分に高く設定することが可能となる。
【００２１】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、上記レーザビーム強度決定方法が、前記基底パワー（Ｐｂ）の強度を前記第２のステップにおいて決定された強度に固定し、且つ、前記記録パワー（Ｐｗ）の強度を次々と変化させることによって前記光記録媒体に第２のテスト信号を試し書きする第３のステップと、前記第２のテスト信号を再生し、これに基づいて前記記録パワー（Ｐｗ）の強度を決定する第４のステップとさらにを含む。この場合、前記第４のステップにおいては、少なくとも前記第２のテスト信号を再生して得られる信号のジッタ若しくはエラーレートに基づいて前記記録パワー（Ｐｗ）の強度を決定することが好ましい。これによれば、既に決定した最適な基底パワー（Ｐｂ）との関連において、適切な記録パワー（Ｐｗ）の強度を決定することが可能となる。
【００２２】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記第１のステップが、前記基底パワー（Ｐｂ）の強度を前記再生パワー若しくはこれに近い強度に固定した状態で前記記録パワー（Ｐｗ）の強度を変化させることにより前記光記録媒体に前記第２のテスト信号を試し書きする第１のサブステップと、前記第２のテスト信号を再生し、これに基づいて前記第１のステップにおいて用いられる前記記録パワー（Ｐｗ）の前記所定値を決定する第２のサブステップとを含んでいる。これによれば、最終的に得られる基底パワー（Ｐｂ）及び記録パワー（Ｐｗ）の強度として、より適切な値を得ることが可能となる。
【００２３】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、少なくとも前記第２のステップにおいて得られた前記基底パワーの強度に関する情報を前記光記録媒体に記録する第５のステップをさらに含む。基底パワーの強度に関する情報を光記録媒体の製造段階において当該光記録媒体内に保存しておけば、ユーザが使用する情報記録装置（ドライブ）は、これに基づいて幅広い記録線速度による記録を行うことが可能となる。また、基底パワーの強度に関する情報を情報記録装置（ドライブ）側において光記録媒体に記録しておけば、次に同じ光記録媒体にデータを記録する場合に、ただちに最適なレーザビームの強度を得ることが可能となる。
【００２４】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビームを集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場合に
λ／ＮＡ　≦　６４０ｎｍ
の条件を満たす。
【００２５】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記レーザビームの波長λが４５０ｎｍ以下である。
【００２６】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記追記型の光記録媒体が、基板と、前記レーザビームの光路となる光透過層と、前記基板と前記光透過層との間に設けられた記録層とを備え、前記記録層が複数の反応層の積層体からなる。
【００２７】
本発明の前記目的はまた、上述したレーザビーム強度決定方法を実行可能な情報記録装置によって達成される。
【００２８】
本発明の前記目的はまた、基板と、前記基板上に設けられた記録層とを有し、前記記録層に対して少なくとも記録パワー及び基底パワーに強度変調されたレーザビームを照射することによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マークを形成可能な追記型の光記録媒体であって、前記レーザビームの強度を設定するために必要な設定情報を有しており、前記設定情報が、少なくとも、前記記録パワーの強度を所定値に固定し、且つ、前記基底パワーの強度を次々と変化させることによって前記光記録媒体に第１のテスト信号を試し書きする第１のステップと、前記第１のテスト信号を再生し、これに基づいて前記基底パワーの強度を決定する第２のステップとによって得られたものであることを特徴とする光記録媒体によって達成される。
【００２９】
本発明によれば、かかる設定情報を参照することにより、最適な基底パワー（Ｐｂ）の強度を知ることが可能となる。
【００３０】
本発明の好ましい実施態様においては、前記設定情報が、さらに、前記基底パワーの強度を前記第２のステップにおいて決定された強度に固定し、且つ、前記記録パワーの強度を次々と変化させることによって前記光記録媒体に第２のテスト信号を試し書きする第３のステップと、前記第２のテスト信号を再生し、これに基づいて前記記録パワーの強度を決定する第４のステップとによって得られたものである。これによれば、さらに最適な記録パワー（Ｐｗ）の強度を知ることも可能となる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。
【００３２】
図１は、本発明によるレーザビームの強度決定方法の適用が好適な光記録媒体１０の構造を概略的に示す断面図である。
【００３３】
図１に示す光記録媒体１０は追記型の光記録媒体であり、基板１１と、基板１１上に設けられた反射層１２と、反射層１２上に設けられた第２の誘電体層１３と、第２の誘電体層１３上に設けられた記録層１４と、記録層１４上に設けられた第１の誘電体層１５と、第１の誘電体層１５上に設けられた光透過層１６によって構成され、光記録媒体１０の中央部分には孔１７が設けられている。このような構造を有する光記録媒体１０に対しては、光透過層１６側からレーザビームを照射することによってデータの記録／再生が行われる。
【００３４】
基板１１は、光記録媒体１０に求められる機械的強度を確保するための基体としての役割を果たし、その表面にはグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが設けられている。これらグルーブ１１ａ及び／又はランド１１ｂは、データの記録及び再生を行う場合におけるレーザビームのガイドトラックとしての役割を果たす。基板１１の厚さは約１．１ｍｍに設定され、その材料としては種々の材料を用いることが可能であり、例えば、ガラス、セラミックス、あるいは樹脂を用いることができる。これらのうち、成形の容易性の観点から樹脂が好ましい。このような樹脂としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。中でも、加工性などの点からポリカーボネート樹脂が特に好ましい。
【００３５】
反射層１２は、光透過層１６側から入射されるレーザビームを反射し、再び光透過層１６から出射させる役割を果たし、その厚さとしては１０〜３００ｎｍに設定することが好ましく、２０〜２００ｎｍに設定することが特に好ましい。反射層１２の材料はレーザビームを反射可能である限り特に制限されず、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ等を用いることができる。これらのうち、高い反射率を有することから、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ又はこれらの合金（ＡｌとＴｉとの合金等）などの金属材料を用いることが好ましい。本発明において、光記録媒体に反射層１２を設けることは必須でないが、これを設ければ、光記録後において多重干渉効果により高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）が得られやすくなる。
【００３６】
第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３は、これらの間に設けられる記録層１４を保護する役割を果たし、記録層１４はこれら第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３に挟持されることにより、光記録後、長期間にわたって記録情報の劣化が効果的に防止される。また、第２の誘電体層１３は、基板１１等の熱変形を防止する効果があり、これによってジッタ等の特性が良好となる。
【００３７】
第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３の構成材料は、透明な誘電体であれば特に限定されず、例えば、酸化物、硫化物、窒化物又はこれらの組み合わせを主成分として用いることができる。より具体的には、基板１１等の熱変形防止、並びに、記録層１４の保護の観点から、第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３が、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＧｅＮ、ＧｅＣｒＮ、ＣｅＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ及びＳｉＣからなる群より選択される少なくとも１種の誘電体を主成分とすることが好ましく、ＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる誘電体を主成分とすることがより好ましい。第１の誘電体層１５と第２の誘電体層１３は、互いに同じ構成材料で構成されてもよいが、異なる構成材料で構成されてもよい。さらに、第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３の少なくとも一方が、複数の誘電体膜からなる多層構造であっても構わない。
【００３８】
なお、「誘電体を主成分とする」とは、第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３中において、上記誘電体の含有率が最も大きいことを言う。また、「ＺｎＳ・ＳｉＯ２」とは、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物を意味する。
【００３９】
また、第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３の層厚は特に限定されないが、３〜２００ｎｍであることが好ましい。この層厚が３ｎｍ未満であると、上述した効果が得られにくくなる。一方、層厚が２００ｎｍを超えると、成膜時間が長くなり生産性が低下するおそれがあり、さらに、第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３のもつ応力によってクラックが発生するおそれがある。
【００４０】
記録層１４は記録マークが形成される層であり、第１の反応層３１及びこれに隣接して設けられた第２の反応層３２からなる。第２の反応層３２は基板１１側に配置され、第１の反応層３１は光透過層１６側に配置されている。記録層１４のうち未記録状態である領域は、図２（ａ）に示すように第１の反応層３１と第２の反応層３２が積層された状態となっているが、所定以上のパワーを持つレーザビームが照射されると、その熱によって、図２（ｂ）に示すように第１の反応層３１を構成する元素及び第２の反応層３２を構成する元素がそれぞれ部分的又は全体的に拡散し、混合されて記録マークＭとなる。このとき、記録層において記録マークＭの形成された混合部分とそれ以外の部分とでは再生光に対する反射率が大きく異なるため、これを利用してデータの記録・再生を行うことができる。
【００４１】
ここで、第１の反応層３１及び第２の反応層３２は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｚｒ、Ａｇ及びＰｔからなる群より選ばれた互いに異なる元素を主成分とする。第１の反応層３１及び第２の反応層３２の材料としてこのような元素を主成分とする材料を用いることにより、環境負荷を抑制することができるとともに、長期間の保存に対する信頼性を高めることが可能となる。
【００４２】
また、第１の反応層３１及び第２の反応層３２には、再生信号のノイズレベルをより低く抑えるために、主成分となる元素に加えて他の元素を添加することが好ましい。このような添加元素を加えれば、第１の反応層３１及び第２の反応層３２の平坦性が向上することから再生信号のノイズレベルが低下するのみならず、長期間の保存に対する信頼性が高められるという効果を得ることもできる。添加する元素としては、１種類に限られず、２種類以上の元素を添加しても構わない。
【００４３】
記録層１４の層厚としては、特に限定されるものではないが、２〜４０ｎｍに設定することが好ましく、２〜２０ｎｍに設定することがより好ましく、２〜１０ｎｍに設定することが特に好ましい。記録層１４の層厚をこのように設定すれば、第１の反応層３１及び第２の反応層３２の平坦性が向上することから再生信号のノイズレベルを抑制しつつ、充分に高いレベルの再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得ることができる。また、高い記録感度を得ることも可能となる。
【００４４】
第１の反応層３１及び第２の反応層３２それぞれの層厚は特に限定されないが、再生信号のノイズレベルを充分に抑制し、充分な記録感度を確保し、さらに、記録前後の反射率の変化を充分に大きくするためには、いずれも１〜３０ｎｍであることが好ましく、第１の反応層３１の層厚と第２の反応層３２の層厚との比（第１の反応層３１の層厚／第２の反応層３２の層厚）は、０．２〜５．０であることが好ましい。
【００４５】
光透過層１６は、レーザビームの入射面を構成するとともにレーザビームの光路となる層であり、その厚さとしては１０〜３００μｍに設定することが好ましく、５０〜１５０μｍに設定することが特に好ましい。光透過層１６の材料としては特に限定されないが、紫外線硬化性のアクリル樹脂やエポキシ樹脂を用いることが好ましい。また、紫外線硬化性のアクリル樹脂やエポキシ樹脂を硬化させてなる膜のかわりに、光透過性樹脂からなる光透過性シートと各種接着剤や粘着剤を用いて光透過層１６を形成してもよい。
【００４６】
次に、上記光記録媒体１０の製造方法の一例について説明する。
【００４７】
先ずグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが形成された基板１１上に反射層１２を形成し、反射層１２上に第２の誘電体層１３を形成する。反射層１２及び第２の誘電体層１３の形成には、例えば反射層１２や第２の誘電体層１３の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いることができる。このような気相成長法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等が挙げられる。
【００４８】
次に、第２の誘電体層１３上に記録層１４を構成する第２の反応層３２を形成する。この第２の反応層３２も、第２の誘電体層１３と同様にして、第２の反応層３２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いて形成することができる。更に、第２の反応層３２上に第１の反応層３１を形成する。第１の反応層３１も、第１の反応層３１の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いて形成することができる。
【００４９】
その後、第１の反応層３１上に第１の誘電体層１５を形成する。この第１の誘電体層１５も、第１の誘電体層１５の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いて形成することができる。
【００５０】
最後に、第１の誘電体層１５上に光透過層１６を形成する。光透過層１６は、例えば、粘度調整されたアクリル系又はエポキシ系の紫外線硬化性樹脂をスピンコート法等により皮膜させ、紫外線を照射して硬化する等の方法により形成することができる。以上により、光記録媒体１０の製造が完了する。
【００５１】
なお、上記光記録媒体１０の製造方法は、上記製造方法に特に限定されるものではなく、公知の光記録媒体の製造に採用される製造技術を用いることができる。
【００５２】
次に、上記光記録媒体１０への情報記録方法について説明する。
【００５３】
まず、光記録媒体１０への情報記録原理について説明する。
【００５４】
上記光記録媒体１０に対して情報を記録する場合、図１に示すように、光記録媒体１０に対して所定の出力を有するレーザビームＬ１０を光透過層１６側から入射し記録層１４に照射する。このとき、レーザビームＬ１０を集束するための対物レンズの開口数（ＮＡ）は０．７以上、特に０．８５程度であることが好ましく、レーザビームＬ１０の波長λは４５０ｎｍ以下、特に４０５ｎｍ程度であることが好ましい。このようにして、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍとすることが好ましい。これにより、第１の反応層３１の表面３１ｂ上におけるビームスポット径は０．６５μｍ以下、特に０．４３μｍ程度にまで絞られる。
【００５５】
このようなレーザビームＬ１０の照射により、第１の反応層３１を構成する元素及び第２の反応層３２を構成する元素がレーザビームにより加熱され、これら元素が移動して混合される。かかる混合部分は、図２（ｂ）に示すように、記録マークＭとなる。記録マークＭの形成された混合部分の反射率は、それ以外の記録層１４の部分（未記録領域）の反射率と十分に異なった値となることから、これを利用してデータの記録・再生を行うことが可能となる。
【００５６】
以上が光記録媒体１０への情報記録原理であり、以下、光記録媒体１０に記録マークＭを形成するための具体的なパルス列パターンについて説明する。
【００５７】
まず、第１のパルス列パターンについて、１，７ＲＬＬ変調方式を用いた場合を例に説明する。
【００５８】
図３は、第１のパルス列パターンを示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｂ）は３Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。
【００５９】
図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１のパルス列パターンにおいては記録マークＭを形成するための記録パルスがｎ−１個に分割され、レーザビームのパワーは、各分割パルスのピークにおいて記録パワー（Ｐｗ）、その他の期間において再生パワー（Ｐｒ）よりも高い基底パワー（Ｐｂ）に設定される。すなわち、図１５に示した基本パルス列パターンにおける基底パワー（Ｐｂ≒Ｐｒ）が再生パワーを超えるレベル（Ｐｂ＞Ｐｒ）に高められた構成を有している。
【００６０】
記録パワー（Ｐｗ）の強度としては、照射によって第１の反応層３１を構成する元素及び第２の反応層３２を構成する元素が加熱され、これら元素が移動して混合されるような高いレベルに設定され、基底パワー（Ｐｂ）の強度としては、再生パワー（Ｐｒ）よりも高いが、照射されても、第１の反応層３１を構成する元素及び第２の反応層３２を構成する元素が実質的に移動しないようなレベルに設定される。この場合、基底パワー（Ｐｂ）を高めれば高めるほど、記録パワー（Ｐｗ）による加熱が効果的に補助されることからより低い記録パワー（Ｐｗ）を用いた記録マークの形成が可能となる一方、基底パワー（Ｐｂ）を過度に高く設定すると、ブランク領域において第１の反応層３１を構成する元素と第２の反応層３２を構成する元素の実質的な混合が生じてしまう。したがって、基底パワー（Ｐｂ）の最適な強度としては、十分な振幅を持った再生信号が得られる限度においてできるだけ高く設定することが好ましい。
【００６１】
これにより、記録マークＭを形成すべき領域においては再生パワー（Ｐｒ）を超える基底パワー（Ｐｂ）によって記録パワー（Ｐｗ）による加熱が補助される一方、ブランクとすべき領域においては基底パワー（Ｐｂ）によって第１の反応層３１を構成する元素及び第２の反応層３２を構成する元素が移動することがない。
【００６２】
したがって、第１のパルス列パターンを用いて光記録媒体１０に対するデータの記録を行えばより低い記録パワー（Ｐｗ）を用いて記録マークＭを形成することが可能となる。
【００６３】
次に、第２のパルス列パターンについて、１，７ＲＬＬ変調方式を用いた場合を例に説明する。
【００６４】
図４は、第２のパルス列パターンを示す図である。
【００６５】
図４に示すように、第２のパルス列パターンにおいては単パルスパターンが用いられ、レーザビームのパワーは、記録マークＭを形成すべき領域においては記録パワー（Ｐｗ）、その他の期間においては再生パワー（Ｐｒ）よりも高い基底パワー（Ｐｂ）に設定される。すなわち、図１４に示した単パルスパターンにおける基底パワー（Ｐｂ≒Ｐｒ）が再生パワーを超えるレベル（Ｐｂ＞Ｐｒ）に高められた構成を有している。
【００６６】
記録パワー（Ｐｗ）の強度としては、照射によって第１の反応層３１を構成する元素及び第２の反応層３２を構成する元素が加熱され、これら元素が移動して混合されるような高いレベルに設定され、基底パワー（Ｐｂ）の強度としては、照射されても、第１の反応層３１を構成する元素及び第２の反応層３２を構成する元素が実質的に移動しないようなレベルに設定される。この場合も、基底パワー（Ｐｂ）を高めれば高めるほど、記録パワー（Ｐｗ）による加熱が効果的に補助されることからより低い記録パワー（Ｐｗ）を用いた記録マークの形成が可能となる一方、基底パワー（Ｐｂ）を過度に高く設定すると、ブランク領域において第１の反応層３１を構成する元素と第２の反応層３２を構成する元素の実質的な混合が生じてしまう。したがって、基底パワー（Ｐｂ）の最適な強度としては、十分な振幅を持った再生信号が得られる限度においてできるだけ高く設定することが好ましい。
【００６７】
また、第２のパルス列パターンは単パルスパターンであることから、レーザビームが基底パワー（Ｐｂ）に設定されるのは基本的にブランク領域のみである。したがって、第２のパルス列パターンを用いる場合、基底パワー（Ｐｂ）によって記録パワー（Ｐｗ）による加熱を効果的に補助するためには、記録マーク間におけるある程度の熱干渉が必要であり、これを考慮すれば、第２のパルス列パターンは最短ブランクをレーザビームが通過するのに要する時間（最短ブランク／記録線速度）が非常に短い場合（特に、１０ｎｓ以下）に有利なパルス列パターンであると言える。
【００６８】
以上が、光記録媒体１０に記録マークＭを形成するための具体的なパルス列パターンである。
【００６９】
以上説明したパルス列パターンを特定するための情報は、「記録条件設定情報」として当該光記録媒体１０内に保存しておくことが好ましい。このような記録条件設定情報を光記録媒体１０内に保存しておけば、ユーザが実際にデータの記録を行う際に、情報記録装置によってかかる記録条件設定情報が読み出され、これに基づいてパルス列パターンを決定することが可能となる。
【００７０】
記録条件設定情報としては、パルス列パターンのみならず、光記録媒体１０に対してデータの記録を行う場合に必要な各種条件（記録線速度等）を特定するために必要な情報や、後述するレーザビームの強度決定を行うために必要な情報を含んでいることがより好ましい。記録条件設定情報は、ウォブルやプレピットとして記録されたものでもよく、記録層１４にデータとして記録されたものでもよい。また、データの記録に必要な各条件を直接的に示すもののみならず、情報記録装置内にあらかじめ格納されている各種条件のいずれかを指定することによりパルス列パターン等の特定を間接的に行うものであっても構わない。
【００７１】
次に、上記記録パワー（Ｐｗ）及び基底パワー（Ｐｂ）の具体的な設定方法について説明する。
【００７２】
上述の通り、基底パワー（Ｐｂ）の最適な強度としては、十分な振幅を持った再生信号が得られる限度においてできるだけ高く設定することが好ましいが、基底パワー（Ｐｂ）の最適な強度及びこれに対応する記録パワー（Ｐｗ）の強度は、記録線速度等の記録条件によって大きく相違する。このため、本実施態様においては、以下に詳述する手順によって最適な基底パワー（Ｐｂ）の強度及びこれに対応する記録パワー（Ｐｗ）の強度の決定が行われる。
【００７３】
図５は、本実施態様にかかるレーザビームの強度決定方法（ＯＰＣ）の一例を示すフローチャートである。
【００７４】
レーザビームの強度決定においては、まず、対象となる光記録媒体のパワーキャリブレーションエリアに対して、記録パワー（Ｐｗ）を所定の強度に固定し、且つ、基底パワー（Ｐｂ）を種々の強度に設定して第１のテスト信号の記録を行う（ステップＳ１）。ここで、パワーキャリブレーションエリアとは、レーザビームの強度決定を行うための上記第１のテスト信号等を記録する領域をいい、ユーザデータを格納すべき領域とは別に光記録媒体の例えば内周部分に割り当てられている。
【００７５】
また、固定される記録パワー（Ｐｗ）の強度としては、使用する情報記録装置が任意に決定しても良いし、上述した記録条件設定情報に基づいて決定しても良い。基底パワー（Ｐｂ）については、最初に再生パワー（Ｐｒ）と同じレベルかこれに近いレベルに設定し、段階的にこれを高めていくことが好ましい。さらに、第１のテスト信号の内容は特に限定されず、単一信号であっても混合信号であっても構わない。また、第１のテスト信号の記録に用いるパルス列パターンとしては、実際にユーザデータを記録する場合に使用するパルス列パターンと同じパルス列パターンを用いる必要があり、記録線速度についても、実際にユーザデータを記録する場合の記録線速度と同じ記録線速度に設定する必要がある。尚、第１のテスト信号が記録されるトラックに隣接する両側のトラックは、未記録状態に保っておくことが好ましい。
【００７６】
次に、ステップＳ１において記録された第１のテスト信号を再生し、得られる再生信号の振幅を測定する。ここで、再生信号の振幅とは、記録マークＭが形成された領域における反射率とブランク領域における反射率との差に対応し、これが大きいほど記録状態が良好であると言える。また、第１のテスト信号が混合信号であれば、最長マークの振幅を測定することが好ましい。この場合、基底パワー（Ｐｂ）が所定のレベル以下の領域においては、強度の高い基底パワー（Ｐｂ）を用いて形成された第１のテスト信号ほど得られる振幅が大きく（若しくは、用いられた基底パワー（Ｐｂ）による変化がほとんど観測されず）、基底パワー（Ｐｂ）が上記所定のレベルを超える領域においては、強度の高い基底パワー（Ｐｂ）を用いて形成された第１のテスト信号ほど得られる振幅が小さくなるといった傾向が観測されるはずである。このため、ステップＳ１において、基底パワー（Ｐｂ）を最初に再生パワー（Ｐｒ）と同じレベルかこれに近いレベルに設定し、段階的にこれを高めていった場合、第１のテスト信号をこの順に再生すると、得られる振幅は上記所定のレベルまでは徐々に大きくなり、これを越えると徐々に小さくなるはずである。したがって、上記所定のレベルまたはこれに近いレベルを最適な基底パワー（Ｐｂ）として決定する（ステップＳ２）。
【００７７】
ここで、基底パワー（Ｐｂ）が上記所定のレベル以下の領域においては、強度の高い基底パワー（Ｐｂ）を用いて形成された第１のテスト信号ほど得られる振幅が大きくなるという傾向が見られるのは、基底パワー（Ｐｂ）が高いほど加熱補助の効果が高められ、これによって形成される記録マークＭの状態が良好となるためである。逆に、基底パワー（Ｐｂ）が上記所定のレベルを超える領域においては、強度の高い基底パワー（Ｐｂ）を用いて形成された第１のテスト信号ほど得られる振幅が小さくなるという傾向が見られるのは、基底パワー（Ｐｂ）による加熱補助が過剰となり、これによってブランク領域においても第１の反応層３１を構成する元素と第２の反応層３２を構成する元素の実質的な混合が進行するためである。尚、第１のテスト信号が記録されたトラックに隣接する両側のトラックが未記録状態であれば、クロストークの影響を排除することができるので、最適な基底パワー（Ｐｂ）の強度を正確に得ることが可能となる。
【００７８】
このようにして最適な基底パワー（Ｐｂ）の強度が決定すると、次に、基底パワー（Ｐｂ）を決定した最適なパワーに固定し、且つ、記録パワー（Ｐｗ）を種々の強度に設定して、上記パワーキャリブレーションエリアに対して第２のテスト信号の記録を行う（ステップＳ３）。ここで、ステップＳ３において用いるパルス列パターンとしては、実際にユーザデータを記録する場合に使用するパルス列パターンと同じパルス列パターンを用いる必要があり、記録線速度についても、実際にユーザデータを記録する場合の記録線速度と同じ記録線速度に設定する必要がある。また、記録パワー（Ｐｗ）については、最初に最適な基底パワー（Ｐｂ）よりもやや高いレベル（例えば、最適な基底パワー（Ｐｂ）の１．５倍）に設定し、段階的にこれを高めていくことが好ましい。第２のテスト信号の内容は特に限定されず、単一信号であっても混合信号であっても構わないが、混合信号であることが好ましい。また、第２のテスト信号は、連続する少なくとも３本のトラックに対して同じ条件で記録することが好ましい。
【００７９】
次に、ステップＳ３において記録された第２のテスト信号を再生し、得られる再生信号の特性を測定する。測定すべき信号の特性としては、アシンメトリ、β値、ジッタ、エラーレートのうち１つ以上を用いればよい。このうち、ジッタ及びエラーレートは、アシンメトリ及びβ値とは異なりクロストークの影響を受けることから、クロストークの影響が考慮された実用的な特性を得るためには、少なくともジッタ若しくはエラーレートを測定対象とすることが好ましい。この場合、記録パワー（Ｐｗ）が所定のレベル以下の領域においては、強度の高い基底パワー（Ｐｂ）を用いて形成された第２のテスト信号ほど再生信号の特性が良好となり、記録パワー（Ｐｗ）が上記所定のレベルを超える領域においては、強度の高い基底パワー（Ｐｂ）を用いて形成された第２のテスト信号ほど再生信号の特性が悪化するといった傾向が観測されるはずである。このため、ステップＳ１において、記録パワー（Ｐｗ）を最初に最適な基底パワー（Ｐｂ）よりもやや高いレベルに設定し、段階的にこれを高めていった場合、第２のテスト信号をこの順に再生すると、得られる信号特性は上記所定のレベルまでは徐々に向上し、これを越えると徐々に悪化するはずである。したがって、上記所定のレベルまたはこれに近いレベルを最適な記録パワー（Ｐｗ）として決定する（ステップＳ４）。尚、第２のテスト信号が連続する少なくとも３本のトラックに記録されている場合、中央のトラックに記録された第２のテスト信号から得られる信号特性を測定すれば、クロストークの影響が考慮された実用的な最適記録パワー（Ｐｗ）を特定することが可能となる。
【００８０】
以上により、最適な基底パワー（Ｐｂ）の強度及びこれに対応する記録パワー（Ｐｗ）の強度の決定が完了する。特に限定されるものではないが、このようにして決定されたレーザビーム強度に関する情報は、当該光記録媒体内に記録条件設定情報として保存することが好ましい（ステップＳ５）。このように、上述した方法においては、最適な記録パワー（Ｐｗ）を特定するのみならず、種々の基底パワー（Ｐｂ）を用いた試し書きを行うことによって、最適な基底パワー（Ｐｂ）をも特定していることから、記録パワー（Ｐｗ）の最適強度を効果的に抑制することが可能となる。しかも、基底パワー（Ｐｂ）による加熱補助によって記録パワー（Ｐｗ）の最適強度が低減するという現象は、記録線速度が高いほど顕著となることから、最高出力が比較的低い半導体レーザを用いた場合であっても、幅広い記録線速度による記録が可能となる。
【００８１】
また、このようにして決定されたレーザビーム強度に関する情報を、光記録媒体の製造段階において当該光記録媒体内に記録条件設定情報として保存しておけば、ユーザが使用する情報記録装置（ドライブ）に上記ステップＳ１〜ステップＳ４を実行する機能が無くても、かかる記録条件設定情報に基づいて幅広い記録線速度による記録が可能となる。
【００８２】
また、ステップＳ１において用いる記録パワー（Ｐｗ）のレベルとしては、上述の通り、使用する情報記録装置が任意に決定しても良いし、記録条件設定情報に基づいて決定しても良いが、図６に示すように、まず基底パワー（Ｐｂ）を再生パワー（Ｐｒ）と同じレベル（またはこれに近いレベル）に固定した状態で、種々の記録パワー（Ｐｗ）を用いて上記第２のテスト信号を記録し（ステップＳ１１）、次いで、ステップＳ４と同様の方法により最適な記録パワー（Ｐｗ）を特定してこれをステップＳ１において用いる記録パワー（Ｐｗ）とすることがより好ましい。かかる方法によれば、最終的に得られる最適な基底パワー（Ｐｂ）及び記録パワー（Ｐｗ）の強度として、より適切な値を得ることが可能となる。また、かかる方法によれば、情報記録装置が任意に決定した記録パワー（Ｐｗ）や記録条件設定情報に基づいて決定された記録パワー（Ｐｗ）ではステップＳ１において十分な記録ができず、このためレーザビームの強度決定を正常に行うことができないという事態を回避することもできる。
【００８３】
次に、光記録媒体１０に対して上述したレーザビームの強度決定を行うとともに、実際にユーザデータの記録を行うための情報記録装置について説明する。
【００８４】
図７は、光記録媒体１０に対してデータの記録を行い、また、これに先立って上述したレーザビームの強度設定（図５または図６）を実行可能な情報記録装置５０の主要部を概略的に示す図である。
【００８５】
情報記録装置５０は、図７に示すように光記録媒体１０を回転させるためのスピンドルモータ５２と、光記録媒体１０にレーザビームを照射するとともにその反射光を受光するヘッド５３と、スピンドルモータ５２及びヘッド５３の動作を制御するコントローラ５４と、ヘッド５３にレーザ駆動信号を供給するレーザ駆動回路５５と、ヘッド５３にレンズ駆動信号を供給するレンズ駆動回路５６とを備えている。
【００８６】
さらに、図７に示すように、コントローラ５４にはフォーカスサーボ追従回路５７、トラッキングサーボ追従回路５８及びレーザコントロール回路５９が含まれている。フォーカスサーボ追従回路５７が活性化すると、回転している光記録媒体１０の記録面にフォーカスがかかった状態となり、トラッキングサーボ追従回路５８が活性化すると、光記録媒体１０の偏芯している信号トラックに対して、レーザビームのスポットが自動追従状態となる。フォーカスサーボ追従回路５７及びトラッキングサーボ追従回路５８には、フォーカスゲインを自動調整するためのオートゲインコントロール機能及びトラッキングゲインを自動調整するためのオートゲインコントロール機能がそれぞれ備えられている。また、レーザコントロール回路５９は、レーザ駆動回路５５により供給されるレーザ駆動信号を生成する回路であり、光記録媒体１０に記録されている記録条件設定情報に基づいて、適切なレーザ駆動信号の生成を行う。
【００８７】
尚、これらフォーカスサーボ追従回路５７、トラッキングサーボ追従回路５８及びレーザコントロール回路５９については、コントローラ５４内に組み込まれた回路である必要はなく、コントローラ５４と別個の部品であっても構わない。さらに、これらは物理的な回路である必要はなく、コントローラ５４内で実行されるソフトウェアであっても構わない。
【００８８】
このような構成からなる情報記録装置５０を用いて光記録媒体１０に対するデータの記録を行う場合、上述のとおり、光記録媒体１０に記録されている記録条件設定情報が読み出され、これに基づいてパルス列パターンが決定されるとともに、実際にユーザデータの記録を行う前に、上述したレーザビームの強度設定（図５または図６）が行われる。但し、上述したように、レーザビームの強度設定（図５または図６）が光記録媒体の製造段階において行われ、得られた最適な基底パワー（Ｐｂ）及び記録パワー（Ｐｗ）が当該光記録媒体に記録条件設定情報として記録されている場合には、情報記録装置５０側においてこれを実行することは必須でない。また、得られた最適な基底パワー（Ｐｂ）及び記録パワー（Ｐｗ）を情報記録装置５０側において光記録媒体１０に記録しておけば（ステップＳ５）、次に同じ光記録媒体１０にデータを記録する場合に、上記ステップＳ１〜ステップＳ４を実行することなく、ただちに最適なレーザビームの強度を得ることができる。
【００８９】
以上説明したように、本実施態様によれば、記録層が積層された複数の反応層からなるタイプの光記録媒体にデータを記録する場合、記録マークを形成するためのレーザビームの強度を上述した手順により決定していることから、記録パワー（Ｐｗ）の最適強度を効果的に抑制することが可能となる。これにより、記録線速度を非常に高く設定して記録マークを形成する場合であっても、比較的安価な低出力の半導体レーザを使用することが可能となる。
【００９０】
本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００９１】
例えば、上記光記録媒体１０においては、記録層１４が第１及び第２の誘電体層１５，１３間に挟持されているが、これらの一方又は両方を省略しても構わない。
【００９２】
また、上記光記録媒体１０においては、記録層１４が積層された２つの反応層によって構成されているが、本発明の光記録媒体はこれに限定されるものではなく、少なくとも１つの第１の反応層とこれに隣接する少なくとも１つの第２の反応層を有するものであれば、３層以上の層から構成された記録層を有するものであってもよい。例えば、２つの第１の反応層と、これら２つの第１の反応層の間に配置された第２の反応層とからなる３層構造の記録層を有するものであってもよいし、また、第１の反応層と第２の反応層との間に、第１の反応層を構成する材料と第２の反応層を構成する材料とが混合されてなる混合層が介在していても構わない。
【００９３】
さらに、上記光記録媒体１０においては、基板１１上に設けられた反射層１２が備えられているが、記録マークＭが形成された領域における反射光のレベルと未記録領域における反射光のレベルが充分大きい場合には、これを省略しても構わない。
【００９４】
また、上記実施態様においては、光透過層１６が非常に薄い次世代型の光記録媒体を例に説明したが、本発明の適用対象がこれに限定されるものではない。しかしながら、次世代型の光記録媒体においては、半導体レーザと比べて高出力化が困難な短波長のレーザビームを生成する半導体レーザが用いられることから、これを考慮すれば、本発明は、この種の光記録媒体に適用することが特に効果的である。
【００９５】
さらに、上記実施態様においては、パルス列パターンとして図３に示す第１のパルス列パターン及び図４に示す第２のパルス列パターンの２つを挙げているが、本発明において適用可能なパルス列パターンがこれに限定されるものではなく、例えば、第１のパルス列パターンにおける先頭パルスの前方及び／又は最終パルスの後方に冷却期間が挿入されたパルス列パターンを用いることも可能である。この場合、冷却期間においては、レーザビームの強度を再生パワー（Ｐｒ）と同じかこれに近いレベルに設定すればよい。このようなパルス列パターンを用いれば、記録マークの後縁部及び／又は前縁部のズレを効果的に抑制することが可能となる。
【００９６】
【実施例】
以下、実施例を用いて本発明について更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００９７】
［光記録媒体の準備］
以下に示す手順により、図１に示す構成と同じ構造を有する光記録媒体を作製した。
【００９８】
即ち、まず、厚さ：１．１ｍｍ、直径：１２０ｍｍのポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、このポリカーボネート基板上に、、Ａｇ、Ｐｄ及びＣｕの混合物からなる反射層（層厚：１００ｎｍ）、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる第２の誘電体層（層厚：３０ｎｍ）、Ｃｕからなる第２の反応層（層厚：５ｎｍ）、Ｓｉからなる第１の反応層（層厚：５ｎｍ）、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる第１の誘電体層（層厚：２５ｎｍ）を順次スパッタ法により形成した。
【００９９】
次に、第１の誘電体層上に、アクリル系紫外線硬化性樹脂をスピンコート法によりコーティングし、これに紫外線を照射して光透過層（層厚：１００μｍ）を形成した。
【０１００】
なお、第１の誘電体層及び第２の誘電体層においてＺｎＳとＳｉＯ２のモル比率は、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０となるようにした。
【０１０１】
［レーザビームの強度設定試験１］
レーザビームの強度設定試験１では、記録条件が記録線速度が５．３ｍ／ｓ、チャンネルクロックが６６ＭＨｚである場合における最適な基底パワー（Ｐｂ）及びこれに対応する記録パワー（Ｐｗ）の強度の特定を行った。
【０１０２】
即ち、まず作製した光記録媒体を光ディスク評価装置（商品名：ＤＤＵ１０００、パルステック社製）にセットし、記録に用いるレーザビームの波長を青色波長域（４０５ｎｍ）、対物レンズのＮＡ（開口数）を０．８５とし、このレーザビームを記録ヘッド内の集光レンズで光透過層側から光記録媒体に集光して第１のテスト信号の記録を行った。第１のテスト信号としては１，７ＲＬＬ混合信号（２Ｔ〜８Ｔ）を用い、第１のテスト信号が記録されたトラックに隣接する両側のトラックは、未記録状態とした。また、パルス列パターンとしては、図３に示すパルス列パターンを用いた。固定される記録パワー（Ｐｗ）としては、３．５ｍＷ及び４．５ｍＷの２種類に設定し、基底パワー（Ｐｂ）については、０．５ｍＷ〜２．３ｍＷの範囲に設定した。尚、本記録条件においてはフォーマット効率を８０％とした場合のデータ転送レートは約３６Ｍｂｐｓであり、最短ブランクをレーザビームが通過するのに要する時間（最短ブランク／記録線速度）は、約３０．６ｎｓである。
【０１０３】
次に、記録された第１のテスト信号を再生し、得られる再生信号の振幅を測定した。測定の結果を図８に示す。
【０１０４】
図８に示すように、記録パワー（Ｐｗ）を３．５ｍＷに設定した場合及び４．５ｍＷに設定した場合のいずれにおいても、基底パワー（Ｐｂ）が約１．７ｍＷである場合に最も高い振幅が得られた。つまり、基底パワー（Ｐｂ）が約１．７ｍＷ未満である場合には基底パワー（Ｐｂ）が高いほど振幅が大きくなり、基底パワー（Ｐｂ）が約１．７ｍＷを越える場合には基底パワー（Ｐｂ）が高いほど振幅が小さくなった。以上より、本記録条件においては、最適な基底パワー（Ｐｂ）が１．７ｍＷであることが判明した。
【０１０５】
次に、上記光ディスク評価装置を用い、上述した条件の下、第２のテスト信号の記録を行った。第２のテスト信号としては１，７ＲＬＬ混合信号（２Ｔ〜８Ｔ）を用い、同じ条件による第２のテスト信号を連続する３本のトラックに対して記録した。また、パルス列パターンとしては、図３に示すパルス列パターンを用いた。固定される基底パワー（Ｐｂ）としては、最適パワーである１．７ｍＷの他、０．５ｍＷ、１．０ｍＷ及び２．０ｍＷを含む４種類に設定し、記録パワー（Ｐｗ）については、３．３ｍＷ〜５．７ｍＷの範囲に設定した。
【０１０６】
次に、記録された第２のテスト信号のうち中央のトラックに記録されたものを再生し、得られる再生信号のジッタを測定した。ここでいうジッタとはクロックジッタを指し、タイムインターバルアナライザにより再生信号の「ゆらぎ（σ）」を求め、σ／Ｔｗ（Ｔｗ：クロックの１周期）により算出した。測定の結果を図９に示す。
【０１０７】
図９に示すように、基底パワー（Ｐｂ）が０．５ｍＷ、１．０ｍＷまたは１．７ｍＷである場合にはジッタの最小値がいずれも約６％程度であり、これらの間で大きな差は見られなかったが、基底パワー（Ｐｂ）が２．０ｍＷである場合には、ジッタの最小値が約８％程度に止まった。また、基底パワー（Ｐｂ）が０．５ｍＷ、１．０ｍＷ及び１．７ｍＷである場合、最小ジッタが得られる記録パワー（Ｐｗ）はそれぞれ４．８ｍＷ、４．５ｍＷ及び４．２ｍＷであった。すなわち、基底パワー（Ｐｂ）が上記最適値（１．７ｍＷ）である場合に、最適な記録パワー（Ｐｗ）が最も低い値となった。
【０１０８】
以上より、本記録条件（３６Ｍｂｐｓ）においては、基底パワー（Ｐｂ）及び記録パワー（Ｐｗ）をそれぞれ１．７ｍＷ及び４．２ｍＷに設定することが好ましいことが分かった。
【０１０９】
［レーザビームの強度設定試験２］
レーザビームの強度設定試験２では、上記レーザビームの強度設定試験１と同様の方法により、記録条件が記録線速度が１０．６ｍ／ｓ、チャンネルクロックが１３２ＭＨｚである場合における最適な基底パワー（Ｐｂ）及びこれに対応する記録パワー（Ｐｗ）の強度の特定を行った。尚、本記録条件においてはフォーマット効率を８０％とした場合のデータ転送レートは約７２Ｍｂｐｓであり、最短ブランクをレーザビームが通過するのに要する時間（最短ブランク／記録線速度）は、約１５．１ｎｓである。
【０１１０】
第１のテスト信号の記録においては、固定される記録パワー（Ｐｗ）として５．０ｍＷに設定し、基底パワー（Ｐｂ）については、０．５ｍＷ〜２．５ｍＷの範囲に設定した。また、パルス列パターンとしては、図３に示すパルス列パターンを用いた。そして、記録された第１のテスト信号を再生し、得られる再生信号の振幅を測定した。測定の結果を図１０に示す。
【０１１１】
図１０に示すように、記録パワー（Ｐｗ）を５．０ｍＷに設定した場合、基底パワー（Ｐｂ）が２．０ｍＷである場合に最も高い振幅が得られた。つまり、基底パワー（Ｐｂ）が２．０ｍＷ未満である場合には基底パワー（Ｐｂ）が高いほど振幅が大きくなり、基底パワー（Ｐｂ）が２．０ｍＷを越える場合には基底パワー（Ｐｂ）が高いほど振幅が小さくなった。以上より、本記録条件においては、最適な基底パワー（Ｐｂ）が２．０ｍＷであることが判明した。
【０１１２】
第２のテスト信号の記録においては、固定される基底パワー（Ｐｂ）として、最適パワーである２．０ｍＷの他、０．５ｍＷ、１．０ｍＷ及び２．５ｍＷを含む４種類に設定し、記録パワー（Ｐｗ）については、３．６ｍＷ〜７．２ｍＷの範囲に設定した。また、パルス列パターンとしては、図３に示すパルス列パターンを用いた。そして、記録された第２のテスト信号を再生し、得られる再生信号のジッタを測定した。測定の結果を図１１に示す。
【０１１３】
図１１に示すように、基底パワー（Ｐｂ）が０．５ｍＷ、１．０ｍＷまたは２．０ｍＷである場合にはジッタの最小値がいずれも約７％程度であり、これらの間で大きな差は見られなかったが、基底パワー（Ｐｂ）が２．５ｍＷである場合には、ジッタの最小値が約１１％程度に止まった。また、基底パワー（Ｐｂ）が０．５ｍＷ、１．０ｍＷ及び２．０ｍＷである場合、最小ジッタが得られる記録パワー（Ｐｗ）はそれぞれ６．３ｍＷ、６．０ｍＷ及び５．１ｍＷであった。すなわち、基底パワー（Ｐｂ）が上記最適値（２．０ｍＷ）である場合に、最適な記録パワー（Ｐｗ）が最も低い値となった。
【０１１４】
以上より、本記録条件（７２Ｍｂｐｓ）においては、基底パワー（Ｐｂ）及び記録パワー（Ｐｗ）をそれぞれ２．０ｍＷ及び５．１ｍＷに設定することが好ましいことが分かった。
【０１１５】
［レーザビームの強度設定試験３］
レーザビームの強度設定試験３では、上記レーザビームの強度設定試験１と同様の方法により、記録条件が記録線速度が２１．２ｍ／ｓ、チャンネルクロックが２６３ＭＨｚである場合における最適な基底パワー（Ｐｂ）及びこれに対応する記録パワー（Ｐｗ）の強度の特定を行った。尚、本記録条件においてはフォーマット効率を８０％とした場合のデータ転送レートは約１４４Ｍｂｐｓであり、最短ブランクをレーザビームが通過するのに要する時間（最短ブランク／記録線速度）は、約７．６ｎｓである。
【０１１６】
第１のテスト信号の記録においては、固定される記録パワー（Ｐｗ）として４．０ｍＷに設定し、基底パワー（Ｐｂ）については、０．５ｍＷ〜３．０ｍＷの範囲に設定した。また、パルス列パターンとしては、図４に示すパルス列パターンを用いた。そして、記録された第１のテスト信号を再生し、得られる再生信号の振幅を測定した。測定の結果を図１２に示す。
【０１１７】
図１２に示すように、記録パワー（Ｐｗ）を４．０ｍＷに設定した場合、基底パワー（Ｐｂ）が０．５ｍＷ〜２．３ｍＷの範囲においては基底パワー（Ｐｂ）による振幅の差がほとんど確認できなかったが、２．３ｍＷを超える基底パワー（Ｐｂ）を用いた場合、得られる振幅が低下することが確認された。以上より、本記録条件においては、最適な基底パワー（Ｐｂ）が２．３ｍＷであることが判明した。
【０１１８】
第２のテスト信号の記録においては、固定される基底パワー（Ｐｂ）として、最適パワーである２．３ｍＷの他、０．５ｍＷ、１．０ｍＷ及び２．８ｍＷを含む４種類に設定し、記録パワー（Ｐｗ）については、３．６ｍＷ〜６．０ｍＷの範囲に設定した。また、パルス列パターンとしては、図４に示すパルス列パターンを用いた。そして、記録された第２のテスト信号を再生し、得られる再生信号のジッタを測定した。測定の結果を図１３に示す。
【０１１９】
図１３に示すように、基底パワー（Ｐｂ）が０．５ｍＷ、１．０ｍＷまたは２．３ｍＷである場合にはジッタの最小値がいずれも約８％程度であり、これらの間で大きな差は見られなかったが、基底パワー（Ｐｂ）が２．８ｍＷである場合には、ジッタの最小値が約１０％程度に止まった。また、基底パワー（Ｐｂ）が０．５ｍＷ、１．０ｍＷ及び２．３ｍＷである場合、最小ジッタが得られる記録パワー（Ｐｗ）はそれぞれ５．７ｍＷ、５．４ｍＷ及び４．５ｍＷであった。すなわち、基底パワー（Ｐｂ）が上記最適値（２．３ｍＷ）である場合に、最適な記録パワー（Ｐｗ）が最も低い値となった。
【０１２０】
以上より、本記録条件（１４４Ｍｂｐｓ）においては、基底パワー（Ｐｂ）及び記録パワー（Ｐｗ）をそれぞれ２．３ｍＷ及び４．５ｍＷに設定することが好ましいことが分かった。
【０１２１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明においては、レーザビームの強度決定（ＯＰＣ）において種々の基底パワー（Ｐｂ）を用いた試し書きを行い、これによって最適な基底パワー（Ｐｂ）を特定していることから、記録パワー（Ｐｗ）の最適強度を効果的に抑制することが可能となる。
【０１２２】
このため、本発明は、使用するレーザビームの波長（λ）とレーザビームを集束するための対物レンズの開口数（ＮＡ）との比（λ／ＮＡ）が６４０ｎｍ以下、例えば、ＮＡが０．７以上（特に０．８５程度）であり、レーザビームの波長λが２００〜４５０ｎｍ程度である場合に特に効果的である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるレーザビームの強度決定方法の適用が好適な光記録媒体１０の構造を概略的に示す断面図である。
【図２】（ａ）は未記録状態である領域を拡大して示す略断面図であり、（ｂ）は記録マークＭが形成された領域を拡大して示す略断面図である。
【図３】第１のパルス列パターンを示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｂ）は３Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。
【図４】第２のパルス列パターンを示す図である。
【図５】本発明の好ましい実施態様にかかるレーザビームの強度決定方法（ＯＰＣ）の一例を示すフローチャートである。
【図６】本発明の好ましい実施態様にかかるレーザビームの強度決定方法（ＯＰＣ）の他の例を示すフローチャートである。
【図７】情報記録装置５０の主要部を概略的に示す図である。
【図８】レーザビームの強度設定試験１における基底パワー（Ｐｂ）と得られる信号振幅との関係を示すグラフである。
【図９】レーザビームの強度設定試験１における記録パワー（Ｐｗ）と得られるジッタとの関係を示すグラフである。
【図１０】レーザビームの強度設定試験２における基底パワー（Ｐｂ）と得られる信号振幅との関係を示すグラフである。
【図１１】レーザビームの強度設定試験２における記録パワー（Ｐｗ）と得られるジッタとの関係を示すグラフである。
【図１２】レーザビームの強度設定試験３における基底パワー（Ｐｂ）と得られる信号振幅との関係を示すグラフである。
【図１３】レーザビームの強度設定試験３における記録パワー（Ｐｗ）と得られるジッタとの関係を示すグラフである。
【図１４】有機色素を用いたＣＤ−Ｒに対してデータを記録する場合の代表的なパルス列パターン（単パルスパターン）を示す図である。
【図１５】有機色素を用いたＤＶＤ−Ｒに対してデータを記録する場合の代表的なパルス列パターン（基本パルス列パターン）を示す図である。
【符号の説明】
１０　光記録媒体
１１　基板
１１ａ　ランド
１１ｂ　グルーブ
１２　反射層
１３　第２の誘電体層
１４　記録層
１５　第１の誘電体層
１６　光透過層
１７　孔
３１　第１の反応層
３１ｂ　表面
３２　第２の反応層
５０　情報記録装置
５２　スピンドルモータ
５３　ヘッド
５４　コントローラ
５５　レーザ駆動回路
５６　レンズ駆動回路
５７　フォーカスサーボ追従回路
５８　トラッキングサーボ追従回路
５９　レーザコントロール回路
Ｌ１０　レーザビーム
Ｍ　記録マーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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