(57)【要約】【課題】フライバックトランスにおいて、倍電圧整流回路を構成するために高圧整流コンデンサが必要であり、取付機構が複雑になり、また高電圧を絶縁するために形状も大型になる。【解決手段】２次巻線を複数に分割して積層巻するとともに各層間を絶縁用フィルムにより絶縁された構成とし、各層間に生じる浮遊容量を高圧コンデンサとして倍圧回路を構成することにより、２次側の倍圧回路より高圧コンデンサをなくし、小型で簡素な倍圧回路を安価に得ることができるものである。【選択図】  図１
2004228118.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１次巻線と２次巻線を有するフライバックトランスであって、前記２次巻線は積層構造にて同一方向に整列巻された複数個の巻線からなり、前記２次巻線の１層目の巻線の巻き終わりをアースに接続し、１層目から最終層の１つ前の層までの各巻線の巻き終わりは次層の巻線の巻き終わりとダイオードで接続し、最終層の巻線の巻き終わりには２個のダイオードを直列接続し、前記２個のダイオードのカソード側より出力を取り出すことを特徴とするフライバックトランス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、テレビジョン受信機等に用いられるフライバックトランスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
以下、従来のフライバックトランスの構成について図３を参照しながら説明する。
【０００３】
図３は、従来のフライバックトランスの内部構成を示す図である。ここで１はスイッチング素子、２はダンパーダイオード、３は共振コンデンサ、４は１次巻線、５はフェライトコア、６は直流電源、Ｌａ〜Ｌｅは２次巻線、Ｃａ〜Ｃｅは高圧コンデンサ、Ｃは平滑コンデンサ、Ｄａ〜Ｄｅは高圧整流ダイオード、Ｄは高圧ダイオードである。
【０００４】
直流電源６の直流電圧をスイッチング素子１でスイッチングし、生じた交流電圧を１次巻線４、フェライトコア５、２次巻線Ｌａ〜Ｌｅにて昇圧し、２次側へ伝達する。２次側では、２次巻線Ｌａ〜Ｌｅ、高圧整流ダイオードＤａ〜Ｄｅ、高圧コンデンサＣａ〜Ｃｅによって、５組の倍電圧半波整流回路を構成し、それぞれ２次巻線Ｌａ〜Ｌｅに誘起される誘起電圧のほぼ２倍に対応する電圧が得られる。これら５組の倍電圧整流回路が直列に接続されて整流動作を行うと、平滑コンデンサＣには高圧ダイオードＤを介して、２次側高圧巻線Ｌａ〜Ｌｅのそれぞれに誘起される誘起電圧のほぼ１０倍に対応する高レベルの直流電圧が発生することになる（例えば特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−１９００６８号公報（第６−１１頁、第１図）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来のフライバックトランスでは、倍電圧整流回路を構成するために高圧整流コンデンサが必要であり、取付機構が複雑になり、また高電圧を絶縁するために形状も大型になるという問題を有していた。
【０００７】
本発明は上記課題を解決するもので、高圧コンデンサを削除して部品点数を減らし、高電圧を発生するＦＢＴの２次側を小型で簡素に構成できるフライバックトランスを提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するために本発明のフライバックトランスは、２次巻線を複数に分割して積層巻するとともに各層間を絶縁用フィルムにより絶縁された構成とし、各層間に生じる浮遊容量を高圧コンデンサとして倍圧回路を構成したものである。本構成によって２次側の倍圧回路より高圧コンデンサをなくし、小型で簡素な倍圧回路を安価に構成することができるものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１について、図１、図２を用いて説明する。
【００１０】
図１、図２において図３と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。
【００１１】
図１において、７は本実施例のフライバックトランスである。Ｌ１￣Ｌｎはフライバックトランス７の２次側巻線であり、２次側巻線は複数の層に分けてそれぞれ整列巻きされている。各層の巻線の間には絶縁フィルムが介在しており、各層の巻線はこの絶縁フィルムにより絶縁されている。Ｄ１￣Ｄｎはそれぞれ整流用のダイオードである。
【００１２】
２次巻線の１層目Ｌ１の巻き終わりはアースに接続されている。２次巻線Ｌ１からＬ（ｎ−１）の巻き終わりには、それぞれ整流ダイオードＤ１からＤ（ｎ−１）のアノード側が接続されている。整流ダイオードＤ１からＤ（ｎ−１）のカソード側はアノード側が接続された２次巻線Ｌ１からＬ（ｎ−１）の次層の２次巻線Ｌ２からＬｎの巻き終わり側に接続される。２次巻線の最終層Ｌｎの巻き終わりには整流ダイオードＤｎのアノード側が接続され、整流ダイオードＤｎのカソード側は高圧コンデンサＤのアノード側に接続される。高圧ダイオードＤのカソード側は平滑コンデンサＣを介してアースに接続される。この高圧ダイオードＤと平滑コンデンサＣの接続点から、高圧出力ＥＨＴを取り出している。
【００１３】
図２は、本実施例のフライバックトランスの２次側巻線および平滑コンデンサを示す図である。
【００１４】
２次巻線Ｌ１とＬ２、Ｌ２とＬ３、・・・、Ｌ（ｎ−１）とＬｎの間には絶縁フィルムを介在させて、絶縁した積層巻構造となっており、２次巻線Ｌ１とＬ２、Ｌ２とＬ３、・・・、Ｌ（ｎ−１）とＬｎの間に浮遊容量が存在する。例えば、図２においては、Ｌ（ｎ−１）とＬｎの間に浮遊容量８、９、１０、１１、１２が存在し、その合成容量がＣ（ｎ−１）を形成している。同様にしてＣ１、Ｃ２、・・・、Ｃ（ｎ−１）も２次巻線間の浮遊容量により形成される。２次巻線Ｌｎと、整流ダイオードＤｎと高圧ダイオードＤの接点との間にも浮遊容量１３、１４、１５、１６、１７が存在し、その合成容量がＣｎを形成している。
【００１５】
次に、以上のように構成されたフライバックトランスの動作を説明する。直流電源６の直流電圧をスイッチング素子１でスイッチングを行う。このスイッチングにより生じた交流電圧は１次巻線４に印加される。したがって２次巻線Ｌ１、Ｌ２、〜Ｌｎに高い波高値をもつ交流電圧が発生する。
【００１６】
このとき２次側の２次巻線Ｌ１、高圧整流ダイオードＤ１、高圧コンデンサＣ１の動作を説明する。高圧整流ダイオードＤ１が導通しない期間においては、高圧整流ダイオードＤ１により整流した電流により、高圧コンデンサＣ１が充電する。そして、高圧整流ダイオードＤ１が導通する期間では、２次巻線Ｌ１に誘起された誘起電圧に、高圧コンデンサＣ１の両端電圧が加わる。よって、２次巻線Ｌ１、高圧整流ダイオードＤ１、高圧コンデンサＣ１の組み合わせで、倍電圧半波整流回路を構成することになり、Ｄ１の両端には２次巻線Ｌ１に誘起される誘起電圧のほぼ２倍の電圧が発生する。同様にして、Ｄ２、Ｄ３、・・・、Ｄｎの両端にもＬ２、Ｌ３、・・・、Ｌｎに誘起される誘起電圧のほぼ２倍の電圧が発生する。これらｎ組の倍電圧半波整流回路が直列に接続され多倍圧整流回路を形成し、平滑コンデンサＣには高圧ダイオードＤを介して、２次巻線Ｌ１、Ｌ２、・・・、Ｌｎに誘起される誘起電圧のほぼ２ｎ倍の高レベルの充電電圧が発生することになる。
【００１７】
【発明の効果】
以上のように、本発明のフライバックトランスによれば、２次巻線を複数に分割して積層巻するとともに各層間を絶縁用フィルムにより絶縁した構成とし、高圧コンデンサを２次側巻線間の浮遊容量を利用して回路を構成しているので、２次側倍圧整流回路を安価に簡便に構成することができ、小型でかつ安価に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例におけるフライバックトランスの回路図
【図２】本発明の一実施例におけるフライバックトランスの２次側巻線および平滑コンデンサを示す図
【図３】従来のフライバックトランスの回路図
【符号の説明】
１  スイッチング素子
２  ダンパーダイオード
３  共振コンデンサ
４  １次巻線
５  フェライトコア
６  直流電源
７  フライバックトランス
８、９、１０、１１、１２  浮遊容量（Ｃ（ｎ−１）を形成）
１３、１４、１５、１６、１７  浮遊容量（Ｃｎを形成）
Ｃ  平滑コンデンサ
Ｃ１、Ｃ２、・・・、Ｃ（ｎ−１）、Ｃｎ  高圧コンデンサ
Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃ、Ｃｄ、Ｃｅ  高圧コンデンサ
Ｄ  高圧ダイオード
Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄ（ｎ−１）、Ｄｎ  高圧整流ダイオード
Ｄａ、Ｄｂ、Ｄｃ、Ｄｄ、Ｄｅ  高圧整流ダイオード
ＥＨＴ  高圧出力
Ｌ１、Ｌ２、・・・Ｌ（ｎ−１）、Ｌｎ  ２次巻線
Ｌａ、Ｌｂ、Ｌｃ、Ｌｄ、Ｌｅ  ２次巻線
【図１】
2004228118.tif 000003
【図２】
2004228118.tif 000004
【図３】
2004228118.tif 000005