(57)【要約】【課題】ＥＵＶ光を光源とする露光装置において要求される重ね合わせ精度を達成することができる露光装置及び方法を提供する。【解決手段】一以上の反射素子から構成されると共に所定の方向に駆動可能な複数の光学ユニットを有し、所望のパターンが形成され光軸方向に駆動可能なレチクルからの光束を被処理体上に結像する投影光学系と、前記レチクル及び前記光学ユニットを駆動する駆動部と、前記被処理体の前記所望のパターンが形成される位置に基づいて、前記駆動部を制御する制御部とを有する露光装置を提供する。【選択図】　　　　　図２
2004022945.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一の反射素子を有し、所望のパターンが形成されたレチクルからの光束を被処理体上に投影する投影光学系と、前記レチクル及び前記反射素子の少なくとも一を移動させる駆動部とを有する露光装置。
【請求項２】
前記駆動部は前記レチクルと前記反射素子とを少なくとも前記投影光学系の光軸方向に移動可能である請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
少なくとも４つの反射素子を有し、所望のパターンが形成されたレチクルからの光束を被処理体上に投影する投影光学系と、前記レチクルと前記反射素子の少なくとも一とを前記投影光学系の光軸方向に移動させる駆動部とを有する露光装置。
【請求項４】
前記駆動部は前記反射素子を前記光軸と交差する方向に移動させる請求項２又は３記載の露光装置。
【請求項５】
少なくとも一の反射素子を有し、所望のパターンが形成されたレチクルからの光束を被処理体上に投影する投影光学系と、前記反射素子の少なくとも一を前記投影光学系の光軸方向及び該光軸方向に交差する方向へ移動させる駆動部とを有する露光装置。
【請求項６】
前記投影光学系の設計波長は極端紫外線であり、該極端紫外線で前記レチクルを照明する照明系を有する請求項２又は３記載の露光装置。
【請求項７】
一以上の反射素子から構成されると共に所定の方向に駆動可能な複数の光学ユニットを有し、所望のパターンが形成され光軸方向に駆動可能なレチクルからの光束を被処理体上に結像する投影光学系と、
前記レチクル及び前記光学ユニットを駆動する駆動部と、
前記被処理体の前記所望のパターンが形成される位置に基づいて、前記駆動部を制御する制御部とを有する露光装置。
【請求項８】
前記所定の方向は、前記光軸方向である請求項７記載の露光装置。
【請求項９】
前記所定の方向は、前記光軸に対して垂直な方向である請求項７記載の露光装置。
【請求項１０】
前記光束は、波長２０ｎｍ以下のＥＵＶ光である請求項６記載の露光装置。
【請求項１１】
光軸方向に駆動可能なレチクルに形成された所望のパターンを、一以上の反射素子から構成されると共に所定の方向に駆動可能な複数の光学ユニットを有する投影光学系を介して被処理体上に形成する露光方法であって、
前記被処理体において、前記所望のパターンが形成される位置情報を取得するステップと、
前記取得ステップで取得した前記位置情報に基づいて、前記所望のパターンが前記被処理体の所望の位置に形成されるように補正情報を生成するステップと、
前記生成ステップで生成した前記補正情報に基づいて、前記レチクル及び前記光学ユニットを駆動するステップとを有する露光方法。
【請求項１２】
前記駆動ステップは、前記所望のパターンを形成する主光線が分離している前記光学ユニットを駆動する請求項１０記載の露光方法。
【請求項１３】
請求項６乃至１２のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有するデバイス製造方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて露光された被処理体より製造されるデバイス。
【請求項１５】
物体面からのＥＵＶ光を像面上に結像する投影光学系であって、
一以上の反射素子から構成されると共に光軸方向に駆動可能な複数の光学ユニットを有する投影光学系。
【請求項１６】
物体面からのＥＵＶ光を像面上に結像する投影光学系であって、
一以上の反射素子から構成されると共に光軸に対して垂直な方向に駆動可能な複数の光学ユニットを有する投影光学系。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハ用の単結晶基板、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用のガラス基板などの被処理体を露光する露光装置及び方法に関する。本発明は、特に、露光光源として紫外線や極端紫外線（ＥＵＶ：ｅｘｔｒｅｍｅ　ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を利用して露光を行う露光装置及び方法に好適である。
【０００２】
【従来の技術】
近年の電子機器の小型化及び薄型化の要請から、電子機器に搭載される半導体素子の微細化への要求はますます高くなっている。例えば、マスクパターンに対するデザインルールは、ライン・アンド・スペース（Ｌ＆Ｓ）０．１μｍ以下の寸法像を広範囲に形成することが要求され、今後は更に８０ｎｍ以下の回路パターン形成に移行することが予想される。Ｌ＆Ｓは、露光においてラインとスペースの幅が等しい状態でウェハ上に投影された像であり、露光の解像度を示す尺度である。露光では、解像度、重ね合わせ精度、スループットの３つのパラメータが重要である。解像度は正確に転写できる最少寸法、重ね合わせ精度は被処理体にパターンを幾つか重ね合わせる際の精度、スループットは単位時間当たり処理される枚数である。
【０００３】
半導体製造用の代表的な露光装置である投影露光装置は、マスク又はレチクル（なお、本出願ではこれらの用語を交換可能に使用する）上に描画されたパターンをウェハに投影露光する投影光学系を備えている。投影光学系の解像度Ｒは、光源の波長λと投影光学系の開口数（ＮＡ）を用いて次式で与えられる。
【０００４】
【数１】
2004022945.tif 000003
【０００５】
従って、波長を短くすればするほど、及び、ＮＡを上げれば上げるほど、解像度はよくなる。近年では、解像度はより小さい値を要求され、ＮＡを上げるだけではこの要求を満足するには限界となっており、短波長化により解像度の向上を見込んでいる。現在では、露光光源は、ＫｒＦエキシマレーザー（波長約２４８ｎｍ）及びＡｒＦエキシマレーザー（波長約１９３ｎｍ）からＦ２レーザー（波長約１５７ｎｍ）に移行しており、更には、ＥＵＶ（ｅｘｔｒｅｍｅ　ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光の実用化も進んでいる。
【０００６】
ＥＵＶ光を光源とする露光装置（以下、「ＥＵＶ露光装置」と称する）は、１００ｎｍ以下の回路パターンの露光に使用され、かかる微細パターンを露光するプロセスにおけるオーバーレイ誤差は非常に厳しい。従って、温度変化のような環境変化や露光熱による光学素子（ミラー等）の変形等に起因して生じるオーバーレイ誤差を低減させ、従来以上の重ね合わせ精度が必要となる。例えば、公開特許平成１１年２１９９００号公報において、レチクル又はマスク（本出願ではこれらの用語を交換可能に使用する）を光軸方向に駆動制御することで露光転写倍率や位置ずれを補正して重ね合わせ精度を向上させる露光装置及び方法が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、公開特許平成１１年２１９９００号公報において提案されているレチクルだけの駆動制御であると、スリットの長手方向（即ち、走査方向に対して直交する方向）では転写倍率しか補正することができないため、ＥＵＶ露光装置が満足するだけの重ね合わせ精度を達成することができない。
【０００８】
また、スリットの長手方向及び短手方向（即ち、走査方向）の位置ずれを独立に補正することもできず、重ね合わせ精度を向上させるには不十分である。
【０００９】
そこで、本発明は、ＥＵＶ光を光源とする露光装置において要求される重ね合わせ精度を達成することができる露光装置及び方法を提供することを例示的目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の一側面としての露光装置は、少なくとも一の反射素子を有し、所望のパターンが形成されたレチクルからの光束を被処理体上に投影する投影光学系と、前記レチクル及び前記反射素子の少なくとも一を移動させる駆動部とを有する。前記駆動部は前記レチクルと前記反射素子とを少なくとも前記投影光学系の光軸方向に移動可能である。
【００１１】
本発明の別の側面としての露光装置は、少なくとも４つの反射素子を有し、所望のパターンが形成されたレチクルからの光束を被処理体上に投影する投影光学系と、前記レチクルと前記反射素子の少なくとも一とを前記投影光学系の光軸方向に移動させる駆動部とを有する。
【００１２】
本発明の更に別の側面としての露光装置は、少なくとも一の反射素子を有し、所望のパターンが形成されたレチクルからの光束を被処理体上に投影する投影光学系と、前記反射素子の少なくとも一を前記投影光学系の光軸方向及び該光軸方向に交差する方向へ移動させる駆動部とを有する。
【００１３】
本発明の更に別の側面としての露光装置は、一以上の反射素子から構成されると共に所定の方向に駆動可能な複数の光学ユニットを有し、所望のパターンが形成され光軸方向に駆動可能なレチクルからの光束を被処理体上に結像する投影光学系と、前記レチクル及び前記光学ユニットを駆動する駆動部と、前記被処理体の前記所望のパターンが形成される位置に基づいて、前記駆動部を制御する制御部とを有する。かかる露光装置によれば、レチクル及び投影光学系の光学ユニットを適当に駆動させることによってオーバーレイ誤差を低減させることができる。前記所定の方向は、前記光軸方向である。これにより、投影光学系の転写倍率及びディストーションを補正することができる。前記所定の方向は、前記光軸に対して垂直な方向である。これにより、投影光学系の転写倍率及び形成される所望のパターンの位置ずれを補正することができる。前記光束は、波長２０ｎｍ以下のＥＵＶ光である。
【００１４】
本発明の更に別の側面としての露光方法は、光軸方向に駆動可能なレチクルに形成された所望のパターンを、一以上の反射素子から構成されると共に所定の方向に駆動可能な複数の光学ユニットを有する投影光学系を介して被処理体上に形成する露光方法であって、前記被処理体において、前記所望のパターンが形成される位置情報を取得するステップと、前記取得ステップで取得した前記位置情報に基づいて、前記所望のパターンが前記被処理体の所望の位置に形成されるように補正情報を生成するステップと、前記生成ステップで生成した前記補正情報に基づいて、前記レチクル及び前記光学ユニットを駆動するステップとを有する。かかる露光方法によれば、上述した露光装置の作用と同様の作用を奏する。前記駆動ステップは、前記所望のパターンを形成する主光線が分離している前記光学ユニットを駆動する。これにより、効果的にオーバーレイ誤差の低減を図ることができる。
【００１５】
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、露光された前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有する。上述の露光装置の作用と同様の作用を奏するデバイス製造方法の請求項は、中間及びその最終結果物であるデバイス自体にもその効力が及ぶ。また、かかるデバイスは、ＬＳＩやＶＬＳＩなどの半導体チップ、ＣＣＤ、ＬＣＤ、磁気センサー、薄膜磁気ヘッドなどを含む。
【００１６】
本発明の更に別の側面としての投影光学系は、物体面からのＥＵＶ光を像面上に結像する投影光学系であって、一以上の反射素子から構成されると共に光軸方向又は光軸に対して垂直な方向に駆動可能な複数の光学ユニットを有する。
かかる投影光学系によれば、上述した露光装置の作用と同様の作用を奏する。
【００１７】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の例示的一態様である露光装置及び露光方法について説明する。但し、本発明は、これらの実施例に限定するものではなく、本発明の目的が達成される範囲において、各構成要素が代替的に置換されてもよい。例えば、本発明の露光装置１００は、露光光源としてＥＵＶ光を使用しているが、必ずしもこれに限定する必要はなく、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー及びＦ２レーザーなどのレーザーを使用することもできる。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１９】
ここで、図１は、本発明の一側面としての露光装置１００の例示的一形態を示す概略構成図である。露光装置１００は、図１によく示されるように、照明装置１１０と、レチクル１２０と、レチクルステージ１２５と、投影光学系２００と、プレート１３０と、プレートステージ１３５と、駆動部１４０と、検出部１５０と、制御部１６０とを有する。
【００２０】
露光装置１００は、露光用の照明光としてＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）を用いて、例えば、ステップ・アンド・スキャン方式やステップ・アンド・リピート方式でレチクル１２０に形成された回路パターンをプレート１３０に露光する投影露光装置である。かかる露光装置は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー工程に好適であり、以下、本実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼ばれる）を例に説明する。ここで、「ステップ・アンド・スキャン方式」は、レチクルに対してウェハを連続的にスキャン（走査）してマスクパターンをウェハに露光すると共に、１ショットの露光終了後ウェハをステップ移動して、次のショットの露光領域に移動する露光方法である。「ステップ・アンド・リピート方式」は、ウェハのショットの一括露光ごとにウェハをステップ移動して、次のショットの露光領域に移動する露光方法である。また、図１には図示しないが、ＥＵＶ光は大気に対する透過率が低いため、少なくともＥＵＶ光が通る光路は真空雰囲気であることが好ましい。
【００２１】
照明装置１１０は、例えば、２０ｎｍ以下のＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）により転写用の回路パターンが形成されたレチクル１２０を照明し、光源部１１２と、照明光学系１１４とを有する。
【００２２】
光源部１１２は、例えば、レーザープラズマ光源を使用する。レーザープラズマ光源は、真空中に置かれたターゲット材に高強度のパルスレーザー光を照射し、高温のプラズマを発生させる。そして、これから放射される波長１３．４ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用するものである。ターゲット材は、金属薄膜、不活性ガス、液滴などが用いられる。放射されるＥＵＶ光の平均強度を高くするためには、パルスレーザーの繰り返し周波数は高い方がよく、通常数ｋＨｚの繰り返し周波数で運転される。あるいは、光源部１１２は、放電プラズマ光源を用いる。放電プラズマ光源は、真空中に置かれた電極周辺にガスを放出し、電極にパルス電圧を印加して放電を起こし高温のプラズマを発生させる。そして、これから放射される波長１３．４ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用するものである。但し、光源部１１２は、これらに限定するものではなく、当業界で周知のいかなる技術も適用可能である。
【００２３】
照明光学系１１４は、ＥＵＶ光を伝播してレチクル１２０を照明する光学系であり、集光光学系、オプティカルインテグレーター、開口絞り、ブレード等を含む。例えば、集光光学系は、ミラーから構成され、光源部１１２からほぼ等方向に放射されるＥＵＶ光を集め、オプティカルインテグレーターは、レチクル１２０を均一に所定の開口数で照明する。
【００２４】
なお、光源部１１２と照明光学系１１４の間には、図示しないデブリ除去装置を配置してもよく、ＥＵＶ光が発生する際に同時に生じるデブリは、デブリ除去装置によって除去される。
【００２５】
レチクル１２０は、ＥＵＶ光を反射させる多層膜が施された反射型レチクル又は透過型レチクル（例えば、型抜きレチクル）で、その上には転写されるべき所望の回路パターン（又は像）が形成され、レチクルステージ１２５に支持及び駆動される。即ち、レチクル１２０は、レチクルステージ１２５により、走査方向及び光軸方向（Ｘ方向）に駆動可能に構成される。従って、レチクル１２０を光軸方向（Ｘ方向）に駆動制御することにより露光転写倍率を補正することができる。
【００２６】
レチクル１２０から発せられた回折光は、投影光学系２００で反射されてプレート１３０上に結像される。レチクル１２０とプレート１３０とは、光学的に共役の関係に配置される。露光装置１００は、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置であるため、レチクル１２０とプレート１３０を走査することによりレチクル１２０のパターンをプレート１３０上に縮小投影する。
【００２７】
レチクルステージ１２５は、レチクル１２０を支持して後述する駆動部１４０に接続されている。レチクルステージ１２５は、当業界で周知のいかなる構成をも適用することができるので、ここでは詳しい構造及び動作の説明は省略する。
【００２８】
投影光学系２００は、物体面（例えば、レチクル１２０）からの光束を、反射を利用して像面（例えば、プレート１３０などの被処理体面）上に結像する反射型投影光学系である。本実施形態において、投影光学系２００は、図２によく示されるように、例示的に、レチクル１２０側から光を反射する順番に反射素子２１０ａ乃至２１０ｆの６枚の反射素子２１０（反射素子２１０は、反射素子２１０ａ乃至２１０ｆを総括するものとする）を有する。ここで、図２は、本発明の投影光学系２００の例示的一形態を示す概略断面図である。
【００２９】
反射素子２１０は、反射を利用して光束を結像させる。反射素子２１０は、例えば、ＥＵＶ光を反射させる多層膜が施されたミラーで構成され、かかる多層膜によりＥＵＶ光を強め合う作用を奏する。反射素子２１０に適用可能な多層膜は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）層とシリコン（Ｓｉ）層を反射面に交互に積層したＭｏ／Ｓｉ多層膜、又は、Ｍｏ層とベリリウム（Ｂｅ）層を反射面に交互に積層したＭｏ／Ｂｅ多層膜などが考えられる。波長１３．４ｎｍ付近の波長域を用いた場合、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜からなる反射素子２１０は６７．５％の反射率を得ることができ、また、波長１１．３ｎｍ付近の波長域を用いた場合、Ｍｏ／Ｂｅ多層膜からなる反射素子２１０は７０．２％の反射率を得ることができる。但し、反射素子２１０に適用可能な多層膜は、上記した材料に限定されず、これと同様の作用及び効果を有する多層膜の使用を妨げるものではない。
【００３０】
投影光学系２００は、後述する駆動部１４０と接続し、反射素子２１０のうち、レチクル側から光束を反射する順番目に数えて１番目の反射素子２１０ａを所定の方向に駆動可能に構成している。ここで、所定の方向とは、光軸方向（Ｘ方向）及び／又は光軸に対して垂直な方向（即ち、偏芯方向）（Ｙ方向）である。即ち、反射素子２１０ａは、駆動部１４０により光軸方向（Ｘ方向）及び／又は偏芯方向（Ｙ方向）に駆動される。即ち、反射素子２１０ａを光軸方向（Ｘ方向）に駆動することによりプレート１３０に形成される回路パターンの転写倍率及びディストーションを補正すること、及び、反射素子２１０ａを偏芯方向（Ｙ方向）に駆動することによりプレート１３０に形成される回路パターンのディストーション及び位置ずれを補正することが可能となる。また、反射素子２１０ａを同時に光軸方向（Ｘ方向）及び偏芯方向（Ｙ方向）へ駆動させてプレート１３０に形成される回路パターンの転写倍率、ディストーション及び位置ずれを補正することも可能である。
【００３１】
以上のように、投影光学系２００は、反射素子２１０ａを光軸方向（Ｘ方向）及び偏芯方向（Ｙ方向）に駆動可能に構成しているので、オーバーレイ誤差を低減させて、ＥＵＶ光を光源とする露光装置に要求される重ね合わせ精度を達成することができる。また、レチクル１２０の光軸方向（Ｘ方向）の駆動と適当に組み合わせることで更に重ね合わせ精度の向上を図ることができる。
【００３２】
なお、ここでは説明を簡略化するため図２の投影光学系２００で一般の投影光学系を代表させたが、本発明が適用できる投影光学系は、このようような構成に限定されない。例えば、反射素子の数は６枚以外でもよく、光学ユニットを一以上の反射素子から構成し、かかる光学ユニットを所定の方向（即ち、光軸方向及び光軸に対して垂直な方向）に駆動可能な構成としてもよい。
【００３３】
様々な投影光学系において、重ね合わせ精度を向上させるために駆動する反射素子（又は光学ユニット）は、瞳（光軸と主光線が交わる）とレチクルの間にある反射素子、中間像と瞳の間にあって中間像よりの反射素子、主光線が分離したところの反射素子、結像（即ち、プレート）近くの反射素子である。
【００３４】
再び、図１に戻って、プレート１３０は、ウェハや液晶基板などの被処理体でありフォトレジストが塗布されている。フォトレジスト塗布工程は、前処理と、密着性向上剤塗布処理と、フォトレジスト塗布処理と、プリベーク処理とを含む。前処理は、洗浄、乾燥などを含む。密着性向上剤塗布処理は、フォトレジストと下地との密着性を高めるための表面改質（即ち、界面活性剤塗布による疎水性化）処理であり、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ−ｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）などの有機膜をコート又は蒸気処理する。プリベークは、ベーキング（焼成）工程であるが現像後のそれよりもソフトであり、溶剤を除去する。
【００３５】
プレートステージ１３５は、プレート１３０を支持して後述する駆動部１４０に接続されている。プレートステージ１３５は、当業界で周知のいかなる構成をも適用することができるので、ここでは詳しい構造及び動作の説明は省略する。プレートステージ１３５は、例えば、ダンパを介して床等の上に支持されるステージ定盤上に設けられ、レチクルステージ１２５及び投影光学系２００は、例えば、床等に載置されたベースフレーム上にダンパ等を介して支持される図示しない鏡筒定盤上に設けられる。
【００３６】
駆動部１４０は、レチクルステージ１２５、投影光学系２００、プレートステージ１３５及び後述する制御部１６０に接続されている。駆動部１４０は、例えば、リニアモーターなどで構成され、制御部１６０に制御されながらレチクルステージ１２５を駆動することでレチクル１２０を走査方向及び光軸方向（Ｘ方向）に移動することができる。また、駆動部１４０は、制御部１６０に制御されながら投影光学系２００、詳細には、反射素子２１０ａを光軸方向（Ｘ方向）及び偏芯方向（Ｙ方向）を駆動する。更に、駆動部１４０は、プレートステージ１３５を駆動してＸＹＺ方向にプレート１３０を移動する。但し、本実施形態では、駆動部１４０は、レチクルステージ１２５、投影光学系２００及びプレートステージ１３５を駆動するが、レチクルステージ１２５、投影光学系２００、プレートステージ１３５毎に移動機構を設けてもよい。レチクル１２０とプレート１３０は、制御部１６０により制御されて同期して走査される。
【００３７】
検出部１５０は、例えば、レチクル１２０の位置と投影光学系２００の光軸との位置関係及びプレート１３０の位置と投影光学系２００の光軸との位置関係を計測するアライメント検出機構、及び、プレート１３０面でのフォーカス位置を検出するフォーカス位置検出機構によって構成され、プレート１３０の回路パターンが形成される（即ち、投影光学系２００からの光束が結像する）位置を検出する。検出部１５０は、制御部１６０と接続しており、検出したプレート１３０の回路パターンが形成される位置情報を制御部１６０に送信する。
【００３８】
制御部１６０は、照明装置１１０、駆動部１４０及び検出部１５０と電気的に接続されている。制御部１６０は、検出部１５０から送信されるプレート１３０の回路パターンが形成される位置情報を基に、かかる回路パターンがプレート１３０の所望の位置に形成されるように、レチクル１２０の光軸方向（Ｘ方向）への駆動量及び投影光学系２００の反射素子２１０ａの光軸方向（Ｘ方向）及び偏芯方向（Ｙ方向）への駆動量を示す補正情報を生成し、駆動部１４０を制御する。また、制御部１６０は、図示しないＣＰＵ、メモリを有し、露光装置１００の動作を制御する。ＣＰＵは、ＭＰＵなどの名前の如何を問わずいかなるプロセッサも含み、各部の動作を制御する。メモリは、ＲＯＭ及びＲＡＭより構成され、露光装置１００を動作するファームウェアを格納する。
【００３９】
露光において、照明装置１１０から射出されたＥＵＶ光は、レチクル１２０を照明する。レチクル１２０の回路パターンを反映するＥＵＶ光は、投影光学系２００によりプレート１３０上に結像される。本実施形態では、レチクル１２０とプレート１３０を縮小倍率比の速度比で走査することにより、レチクル１２０の全面を露光する。
【００４０】
以下、図３を参照して、かかる露光装置１００を利用した本発明の露光方法の一例について説明する。図３は、本発明の一側面である露光方法１０００を説明するためのフローチャートである。
【００４１】
まず、露光装置１００が露光を開始すると、検出部１５０がプレート１３０の回路パターンが形成される（即ち、投影光学系２００からの光束が結像する）位置を検出する（ステップ１００２）。検出部１５０が検出した結果は制御部１６０に送信され、制御部１６０はプレート１３０の回路パターンが形成される位置情報を取得する（ステップ１００４）。次いで、制御部１６０は、ステップ１００４で取得した位置情報に基づいて、回路パターンがプレート１３０の所望の位置に形成されるようにレチクル１２０の光軸方向（Ｘ方向）への駆動量及び投影光学系２００の反射素子２１０ａの光軸方向（Ｘ方向）及び偏芯方向（Ｙ方向）への駆動量を示す補正情報を生成する（ステップ１００６）。更に、制御部１６０は生成した補正情報に基づいて駆動部１４０を制御し、かかる補正情報に従って駆動部１４０はレチクル１２０及び投影光学系２００の反射素子２１０ａを駆動する（ステップ１００８）。そして、補正情報に従って駆動されたレチクル１２０及び投影光学系２００を介して露光が行われる。かかる露光方法により、レチクル１２０及び投影光学系２００の反射素子２１０（光学ユニット）を適当に駆動させることによって、転写倍率、ディストーション、位置ずれを補正して、オーバーレイ誤差を低減させることができる。
【００４２】
次に、図４及び図５を参照して、上述の露光装置１００を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図４は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷される。
【００４３】
図５は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置１００によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば、要求される重ね合わせ精度を達成することができるので従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、かかる露光装置１００を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面として機能するものである。
【００４４】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で様々な変形や変更が可能である。例えば、本実施例の投影光学系を構成する反射素子の数は６枚に限定されるものではなく、また、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置（「ステッパー」とも呼ばれる）にも適用可能である。
【００４５】
【発明の効果】
本発明の投影光学系によれば、反射素子単独又はレチクルと反射素子共に所定の構成要素を適当に駆動させて転写倍率、ディストーション及び位置ずれの少なくとも二を補正して、重ね合わせ精度を向上させることができる。従って、かかる投影光学系を適用した露光装置は、高品位なデバイスを露光性能よく提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一側面としての露光装置の例示的一形態を示す概略構成図である。
【図２】図１に示す投影光学系の例示的一形態を示す概略断面図である。
【図３】本発明の一側面である露光方法を説明するためのフローチャートである。
【図４】デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【図５】図４に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
１００　　　　　　露光装置
１１０　　　　　　照明装置
１２０　　　　　　レチクル
１３０　　　　　　プレート
１４０　　　　　　駆動部
１５０　　　　　　検出部
１６０　　　　　　制御部
２００　　　　　　投影光学系
２１０　　　　　　反射素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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