(57)【要約】【課題】圧電体および電極を液体にさらすことなく気密に封止し、振動板と圧電体との熱膨張係数差による影響の軽減を図り、振動板の厚さ、圧力室、および流路の深さを高精度に形成する。【解決手段】ＳＯＩ積層基板５は、隣接する第３のＳｉ層１３と第３のＳｉ酸化膜層１８によって形成された振動板２３と、振動板２３の一方側に隣接して設けられた圧力室２１と、振動板２３の他方側に隣接して設けられた凹部２５と、凹部２５内に設けられ振動板２３を駆動するための圧電体２６と、圧力室２１にインクを供給するための入口流路２２とを有する。そして、振動板２３、圧力室２１、入口流路２２、および凹部２５は、少なくとも１つのＳｉ層によってそれぞれ形成される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＳｉ層とＳｉ酸化膜層とが交互に積層されてなる積層基板と、前記積層基板の一方の主面上に接合され液体を吐出するノズルを有する第１のガラス基板と、前記積層基板の他方の主面上に接合された第２のガラス基板とを備える液体吐出ヘッド素子であって、
前記積層基板は、隣接する前記Ｓｉ層と前記Ｓｉ酸化膜層によって形成された振動板と、前記振動板の一方側に隣接して設けられた圧力室と、前記振動板の他方側に隣接して設けられた凹部と、前記凹部内に設けられ前記振動板を駆動するための圧電体と、前記圧力室に液体を供給するための流路とを有し、前記振動板、前記圧力室、前記流路、および前記凹部が、少なくとも１つの前記Ｓｉ層によってそれぞれ形成された液体吐出ヘッド素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばインク等の液体を吐出する液体吐出ヘッド素子に関し、特に固体溶融インクを吐出するための液体吐出ヘッド素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、例えば記録用紙やフィルム等の記録媒体にインクを吐出して、文字や画像等を記録するためのインクジェットヘッドが知られている。この種のインクジェットヘッドは、圧力室内にインクを導入し、電気−機械変換素子（圧電体）を用いて圧力室に体積変化を与え、圧力室からノズルを介してインクを吐出させるように構成されている。
【０００３】
そして、近年、高速、高画質、低消費電力、低価格のインクジェットプリンタが要求されている。このため、低消費電力で駆動可能な、かつ高集積化可能なインクジェットヘッドの形状や構造が提案されている。
【０００４】
従来、溶融インクの液室内に圧電体素子を設け、この圧電素子の電気−機械変換によってノズルからインクを吐出するインクジェットヘッドが開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
また、従来、圧電体を焼成する温度に対して耐熱性を有する材料で振動板を形成し、振動板に圧電体ペーストを印刷して設けた後に、加熱、焼成して、圧電体を形成するインクジェットヘッドの製造方法が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００６】
また、従来、圧電体を焼成する温度で、圧電体の一部元素が振動板に拡散しないために、圧電体と振動板との間に中間層を設けるインクジェットヘッドが開示されている（例えば、特許文献３参照。）。
【０００７】
【特許文献１】
特許第０２６９２１２１号明細書
【特許文献２】
特開平６−１９８８９５号公報
【特許文献３】
特開平１０−２９６９７４号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来例では、インクジェットヘッドをインク中に浸漬した時、駆動用圧電素子および電極がインクに直接接触してしまう。このため、絶縁性の低下による駆動用圧電素子の変形量の低下、および腐食性インク液の使用の際に懸念される駆動用圧電素子の腐食による性能低下という問題がある。
【０００９】
さらに、従来のインクジェットヘッドは、各圧力室が分離されていないため、インクの吐出動作にクロストークの影響を受けやすいという問題があった。
【００１０】
また、駆動用の圧電体は、圧電材料を含有する圧電体ペーストを振動板に印刷によって設けた後に焼成することで、振動板上に形成されているが、焼成時の加熱温度が１０００℃と比較的高く、焼成後に室温まで降温したときに、異種材料間の熱膨張差に起因する残留応力の影響が残る。さらに、圧力室を有する基板と、ノズルを有する吐出用基板とを１２００℃程度の高温で接合しているため、作業性が乏しい。
【００１１】
そして、従来のインクジェットヘッドの製造方法は、振動板上に中間層を介して駆動用の圧電体を成膜して、圧電体を成膜した後に１０００℃で焼成する工程を有しており、インクジェットヘッド素子を室温に降温したときに、材料が互いに異なる圧電体と振動板との間に、異種材料間の熱膨張差に起因する残留応力の影響が残るという不都合があった。このため、圧電体と振動板に熱応力による初期歪が予め発生するところから、信号電圧を印加した時の振動板の変位が小さくなり、吐出性能が低下するという問題が生じていた。
【００１２】
そこで、本発明は、圧電体および電極を液体にさらすことなく気密に封止し、振動板と圧電体との熱膨張係数差による影響の軽減を図り、振動板の厚さ、圧力室、および流路の深さを高精度に形成することができるインクジェットヘッド素子を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するため、本発明は、以下の種々の態様を包含する。
【００１４】
（１）  本発明に係る液体吐出ヘッド素子は、複数のＳｉ層とＳｉ酸化膜層と交互に積層してなる積層基板と、この積層基板の一方の主面上に接合され液体を吐出するノズルを有する第１のガラス基板と、積層基板の他方の主面上に接合された第２のガラス基板とを備える。また、積層基板は、隣接するＳｉ層とＳｉ酸化膜層によって形成された振動板と、振動板の一方側に隣接して設けられた圧力室と、振動板の他方側に隣接して設けられた凹部と、凹部内に設けられ振動板を駆動するための圧電体と、圧力室に液体を供給するための流路とを有する。そして、振動板、圧力室、流路、および凹部は、少なくとも１つのＳｉ層によってそれぞれ形成される。
【００１５】
以上のように構成された本発明に係る液体吐出ヘッド素子によれば、第２のガラス基板で圧電体の垂直変位によって生じる背圧を担い、同時に背圧に相当する圧力で振動板を変形させ、変形によって圧力室に体積変化を生じさせ、圧力室からノズルを経て液体を吐出する。そして、振動板、圧力室、流路、および凹部は、積層基板の厚み方向の深さが、各Ｓｉ層およびＳｉ酸化膜層の厚みを基準として形成されるため、寸法精度が向上される。
【００１６】
（２）  第２のガラス基板には、圧電体に電力を供給するための配線が設けられ、積層基板の他方の表面に、第２のガラス基板を接合することによって、配線と圧電体とが電気的に接続されている（１）に記載の液体吐出ヘッド素子。
【００１７】
（３）  流路は、積層基板の一方の主面側に位置するＳｉ層に設けられた溝が、積層基板に第１のガラス基板を接合することによって閉塞されてなる（１）に記載の液体吐出ヘッド素子。
【００１８】
（４）  圧力室は、振動板に隣接する積層基板のＳｉ層に溝が設けられ、積層基板の一方の表面に、第１のガラス基板を接合してなる（１）に記載の液体吐出ヘッド素子。
【００１９】
（５）  第２のガラス基板が積層基板に接合されることによって、第２のガラス基板と振動板との間に圧電体が挟み込まれ、凹部内に圧電体が気密に封止されている（１）に記載の液体吐出ヘッド素子。これによって、液体吐出ヘッド素子が浸漬された際に、圧電体および配線に液体が接触することを確実に防止される。
【００２０】
（６）  圧電体は、水晶、ペロブスカイト系結晶、タングステンブロンズ系結晶およびウルツ鉱型結晶のいずれかである（１）に記載の液体吐出ヘッド素子。
【００２１】
（７）  圧電体は、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系、チタン酸鉛、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸バリウムナトリウム、ＺｎＯ、ＡＩＮ、ＢｅＯおよびＣｄＳのいずれかの膜、またはこれら膜を積層した積層膜、あるいはこれら膜のバルク焼結体からなる（１）に記載の液体吐出ヘッド素子。
【００２２】
（８）  第１および第２のガラス基板は、ソーダライムガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラスのいずれかからなる（１）に記載の液体吐出ヘッド素子。
【００２３】
（９）  振動板の厚さは、１μｍ以上１００μｍ以下である請求項１に記載の液体吐出ヘッド素子。
【００２４】
（１０）  第２のガラス基板は、積層基板と熱膨張率がほぼ等しい（１）に記載の液体吐出ヘッド素子。第２のガラス基板と積層基板のＳｉ層との熱膨張係数が互いに近い値であることによって、第２のガラス基板とＳｉ層とを陽極接合したときに生じる残留応力が液体吐出ヘッド素子に及ぼす影響が抑制される。
【００２５】
（１１）  第２のガラス基板の剛性は、振動板の剛性より大きい（１）に記載の液体吐出ヘッド素子。この液体吐出ヘッド素子によれば、圧電体に電圧を印加したときの圧電体の歪変位によって生じる一方に隣接する振動板の変形量よりも、他方に隣接する第２のガラス基板の変形量が極めて小さくなるように、第２のガラス基板の厚さが設定される。これによって、電圧が印加された圧電体の歪変位の背圧を担うことで、圧電体の変位をそのまま振動板の変形に転換することを可能にし、圧電体の変位によって振動板に圧力室側への変形を生じさせ、圧力室に体積変化を生じさせて液体が良好に吐出される。
【００２６】
（１２）  上述した（１）乃至（１１）のいずれかに記載の液体吐出ヘッド素子の製造方法であって、
積層基板のＳｉ酸化膜層によってＳｉ層のエッチング処理の進行を規制して、振動板、圧力室、流路、および凹部を形成する液体吐出ヘッド素子の製造方法。
【００２７】
この液体吐出ヘッド素子の製造方法によれば、圧力室、流路および振動板が、積層基板のＳｉ層と交互に積層されたＳｉ酸化膜層を、エッチング処理の進行を規制するためのいわゆるエッチストップ層として利用することで、積層基板の厚さ方向に平行な、振動板の厚さ、圧力室になる溝の深さ、および流路になる溝の深さ、および凹部の深さが、それぞれのエッチング処理されるＳｉ層の厚さにほぼ等しくなる。このため、例えばフォトリソグラフィ工程を用いたエッチング処理によって、振動板の厚さ、圧力室となる溝の深さ、および流路となる溝の深さ、および凹部の深さを所望の寸法に容易かつ確実に形成され、これら振動板、圧力室、流路、凹部の各寸法精度を向上することが可能になる。
【００２８】
（１３）  第１のガラス基板にノズルを形成する工程と、
積層基板に振動板、圧力室、流路、および凹部をそれぞれエッチング処理によって形成する工程と、
積層基板の一方の主面上に、ノズルが形成された第１のガラス基板を接合する工程と、
積層基板の他方の主面上に第２のガラス基板を接合する工程とを有する（１２）に記載の液体吐出ヘッド素子の製造方法。予め第１のガラス基板に吐出用ノズルを形成した後、この第１のガラス基板を、圧力室が設けられた積層基板に接合することで、吐出用ノズルや流路および圧力室、振動板を容易に加工することが可能になる。
【００２９】
（１４）  積層基板に第２のガラス基板を陽極接合する（１３）に記載の液体吐出ヘッド素子の製造方法。陽極接合することによって、３００℃以下の温度で接合することが可能であるため、圧電体と、Ｓｉ酸化膜層およびＳｉ層からなる振動板との熱膨張差に起因する影響を軽減できる。なお、第２のガラス基板として、積層基板と熱膨張係数がほぼ等しいガラス材を用いた場合には、熱膨張差に起因する影響を更に軽減することが可能とされる。また、接合工程の温度が、３００℃以下になることで、従来に比して低い温度での接合作業になるため、作業性が向上する。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的な実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００３１】
本実施形態のインクジェットヘッドは、インクに機械的な振動を与え、この振動による圧力を利用してインクを吐出する方式が採用されており、吐出基板用基板の主面に対して垂直にインク滴を吐出させるサイドシューター型のインクジェットヘッドである。
【００３２】
（第１の実施形態）
図１および図２に、本発明に係る第１の実施形態のインクジェットヘッド素子の縦断面図を示す。また、図３、図４および図５に、第１の実施形態のインクジェットヘッド素子の各Ｓｉ層の横断面図を示す。
【００３３】
図１および図２に示すように、インクジェットヘッド素子１は、複数のＳｉ層とＳｉ酸化膜層とを交互に積層してなるＳＯＩ（Ｓｉ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）積層基板５と、インク滴を吐出するための吐出用ノズル８が形成された吐出用ガラス基板６と、ヘッド支持部材（不図示）に接合される接合用ガラス基板７とを備えている。
【００３４】
ＳＯＩ積層基板５は、吐出用ガラス基板６に隣接する側から順に、各第１〜第４のＳｉ層１１，１２，１３，１４と、各第１〜第３のＳｉ酸化膜層１６，１７，１８とが交互に積層されて一体に形成されている。また、第１〜第４のＳｉ層１１，１２，１３，１４は、ＳＯＩ基板からなる。
【００３５】
このＳＯＩ積層基板５には、図２および図３に示すように、第１および第２のＳｉ層１１，１２および第１および第２のＳｉ酸化膜層１６，１７の一部が除去されることによって、吐出用ガラス基板６の吐出用ノズル８から吐出するインクが供給される圧力室２１が形成されている。また、ＳＯＩ積層基板５には、第１のＳｉ層１１の一部が除去されることによって、圧力室２１内にインクを供給するための入口流路２２が、圧力室２１に連通して形成されている。
【００３６】
また、ＳＯＩ積層基板５には、圧力室２１の内壁をなす第３のＳｉ層１３の一部によって振動板２３が形成されている。
【００３７】
さらに、ＳＯＩ積層基板５には、第４のＳｉ層１４の一部を除去することによって、振動板２３を駆動するための圧電体２６が収容される凹部２５が形成されている。
【００３８】
この凹部２５には、図１および図２に示すように、圧電体２６と、この圧電体を挟み込むように設けられた上電極２７および下電極２８と、圧電体２６に電圧を印加するための電極配線２９とがそれぞれ配設されている。
【００３９】
凹部２５内には、上電極２７が、圧電体２６上に積層されており、下電極２８が、第３のＳｉ酸化膜層１８上に設けられている。また、凹部２５内には、電極配線２９が、接合用基板７に設けられている。
【００４０】
吐出用ガラス基板６は、圧力室２１に対向する位置に吐出用ノズル８が形成されており、ＳＯＩ積層基板５の第１のＳｉ層１１に陽極接合されて設けられている。
【００４１】
接合用ガラス基板７は、ＳＯＩ積層基板５とほぼ等しい熱膨張係数を有する例えば、Ｐｙｒｅｘ（登録商標：コーニング（社））ガラス等が用いられており、ＳＯＩ積層基板５の第４のＳｉ層１４に陽極接合されて設けられている。
【００４２】
そして、ＳＯＩ積層基板５は、凹部２５を閉塞するように接合用ガラス基板７が接合されることによって、凹部２５内が気密に封止されている。したがって、インクジェットヘッド素子１は、凹部２５内が気密に封止されることによって、圧電体２６、上電極２７、電極配線２９等にインクが付着することが防止されている。
【００４３】
上述したインクジェットヘッド素子１は、圧電体２６に電圧を印加することで、振動板２３が厚み方向に振動されて、圧力室２６内に充填されたインクが、吐出用ノズル８からインク滴３０として吐出される。
【００４４】
次に、以上のように構成されたインクジェットヘッド素子１の製造方法について説明する。
【００４５】
まず、厚さ５０μｍの吐出用ガラス基板６に、圧力室２１と対向する位置に、フォトリソグラフィ工程を経て、吐出用ノズル８をフッ酸でウエットエッチング処理によって形成する。
【００４６】
続いて、吐出用ガラス基板６に臨む一方側から順に、第１のＳｉ層１１、第１のＳｉ酸化膜層１６、第２のＳｉ層１２、第２のＳｉ酸化膜層１７、第３のＳｉ層１３、第３のＳｉ酸化膜層１８、第４のＳｉ層１４を積層して一体に接合することで、ＳＯＩ積層基板５を作製する。
【００４７】
次に、図１および図３に示すように、第１のＳｉ酸化膜１６を、エッチング処理の進行を規制するためのエッチストップ層として、第１のＳｉ層１１に入口流路２２を、フォトリソグラフィ工程を用いて、フッ硝酸でウエットエッチング処理により形成し、さらに上述した各工程と同様な工程を経て圧力室２１を形成した。
【００４８】
すなわち、図２に示すように、第１のＳｉ酸化膜層１６をエッチストップ層として用いることで、第１のＳｉ層１１をウエットエッチング処理によって除去し、この後、第２のＳｉ層１２をエッチストップ層として用いることで、第１のＳｉ酸化膜層１６をウエットエッチング処理によって除去する。続いて、第２のＳｉ酸化膜層１７をエッチストップ層として用いることで、第２のＳｉ層１２をウエットエッチング処理によって除去し、この後、第３のＳｉ層１３をエッチストップ層として用いることで、第２のＳｉ酸化膜層１７をウエットエッチング処理によって除去した。
【００４９】
さらに続いて、第４のＳｉ層１４に、図２に示すように、圧力室２１に対応するように、凹部２５をウエットエッチング処理によって形成し、その結果、圧力室２１と凹部２５との間に位置する第３のＳｉ層１３および第３のＳｉ酸化膜層１８の一部を振動板２３として構成した。
【００５０】
次に、吐出用ガラス基板６とＳＯＩ積層基板５の第１のＳｉ層１１とを対向させ、吐出用ノズル８と圧力室２１とを互いに相対向させるように位置決めして調整した後、吐出用ガラス基板６と第１のＳｉ層１１とを陽極接合する。
【００５１】
そして、図１に示すように、凹部２５の第３のＳｉ酸化膜層１８上にＰｔ（白金）からなる下電極２８、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）からなる圧電体２６、そしてＰｔからなる上電極２７を順次成膜する。さらに、接合用ガラス基板７上には、上電極２７に相対向する位置にＡｌからなる電極配線２９を成膜する。
【００５２】
次に、図２に示すように、上電極２７と電極配線２９とを互いに相対向させるように位置決めして調整し、上電極２７と電極配線２９を密着させながら、接合用ガラス基板７と第４のＳｉ層１４とを陽極接合する。この場合、圧電体２６に駆動用電圧を印加したときに、圧電体２６の変位による背圧を接合用ガラス基板７で担い、同時に圧電体２６の変位で振動板２３を変形させ、この変形によって背圧に相当する圧力で圧力室２１の体積を収縮するような構造に陽極接合した。
【００５３】
したがって、この陽極接合の際に、振動板２３は、圧力室２１に向かって凸状に変形する。なお、上述した各第１〜第４のＳｉ層１１，１２，１３，１４の各々のエッチング処理は、等方性エッチングによって行ったものであり、陽極接合は、加熱温度を３００℃、印加電圧を３００Ｖ、接合時間を３０分として行った。さらに、圧電体２６の分極処理は、下電極２８、圧電体２６および上電極２７を成膜した後に行った。
【００５４】
そして、第１のＳｉ層１１を厚さ２０μｍ程度、第２のＳｉ層１２を厚さ８０μｍ程度、第３のＳｉ層１３を厚さ１０μｍ程度、第４のＳｉ層１４を厚さ７μｍ程度、吐出用ノズル８を直径２０μｍ程度およびＰＺＴからなる圧電体２６の厚さを７μｍ程度にそれぞれ形成されている。この後、上述したインクジェットヘッド素子１の吐出用ノズル８以外を、図示しないが、インクで満たしたインクプール内に浸漬し、吐出系を組み込み、下電極および上電極に電圧を印加することによって、吐出用ノズル８からインクが良好に吐出された。
【００５５】
なお、本実施形態において、圧電体２６が成膜されることで形成されたが、この他にも例えば、圧電体を積層状に形成したもの、バルク焼結体を薄片化研磨したものを用いてもよいことは勿論である。そして、本実施形態では、圧電体２６としてＰＺＴが用いられたが、この他にも圧電特性を示す材料であれば良く、例えば、水晶、ペロブスカイト系結晶、タングステンブロンズ系結晶、あるいはウルツ鉱型結晶であり、好ましくはＰＺＴ系、チタン酸鉛、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸バリウムナトリウム、ＺｎＯ、ＡＩＮ、ＢｅＯ、およびＣｄＳでも良く、あるいはこれらを成膜したもの、あるいは積層膜、あるいはこれらのバルク焼結体でも良い。
【００５６】
上述したように、インクジェットヘッド素子１によれば、ＳＯＩ積層基板５に、振動板２３、圧力室２１、入口流路２２、および凹部２５が、少なくとも１つのＳｉ層によってそれぞれ形成されたことによって、各第１〜第４のＳｉ層１１，１２，１３，１４、各第１〜第３のＳｉ酸化膜層１６，１７，１８の厚みを基準として形成されるため、振動板２３の厚さや、圧力室２１、入口流路２２、凹部２５の深さを容易かつ確実に高精度に形成することができる。
【００５７】
また、インクジェットヘッド素子１によれば、圧電体２６およびこの圧電体２６を駆動するための電極配線２９を、インクに接触させることなく気密に封止することができる。
【００５８】
また、インクジェットヘッド素子１によれば、振動板２３の剛性よりも比較的大きな剛性を有する接合用ガラス基板７を備えることによって、電圧を印加した圧電体２６の歪変位の背圧を担うことで、変位によって振動板２３に圧力室２１側への変形を生じさせ、インクが良好に吐出される。
【００５９】
また、インクジェットヘッド素子１によれば、ＳＯＩ積層基板５の第４のＳｉ層１４と接合用ガラス基板７との接合が、陽極接合法で接合することで、３００℃以下の温度で接合することが可能であるため、圧電体２６と、第３のＳｉ層１３および第３のＳｉ酸化膜層１８からなる振動板２３との熱膨張差に起因する影響を軽減できる。なお、接合用ガラス基板７として、ＳＯＩ積層基板５と熱膨張係数がほぼ等しいガラス材を用いた場合には、熱膨張差に起因する影響を更に軽減することができる。また、接合時の温度が、３００℃以下になるため、従来に比して低い温度での接合作業が可能になるため、作業性を向上することができる。
【００６０】
また、インクジェットヘッド素子１は、接合用ガラス基板７とＳＯＩ積層基板５の第４のＳｉ層１４との各熱膨張係数が互いに近い値であるため、接合用ガラス基板７と第４のＳｉ層１４とを陽極接合したときに生じる残留応力がインクジェトヘッド素子１に及ぼす悪影響を抑えることができる。
【００６１】
さらに、インクジェットヘッド素子１は、吐出用ノズル８および電極配線２９が設けられた吐出用ガラス基板６および接合用ガラス基板７は、光透過性を有することで透視可能であるため、ＳＯＩ積層基板５の各Ｓｉ層１１，１４との陽極接合時に、ＳＯＩ積層基板５に対して吐出用ガラス基板６および接合用ガラス基板７を容易かつ確実に位置決めして調整することができる。
【００６２】
インクジェットヘッド素子１の製造方法によれば、ＳＯＩ基板である複数のＳｉ層と複数のＳｉ酸化膜層とを交互に接合することによって一体化されたＳＯＩ積層基板５のＳｉ酸化膜層をエッチストップ層として用いることで、Ｓｉ層のみを確実にエッチング処理することができる。このため、この製造方法によれば、第３のＳｉ層１３および第３のＳｉ酸化膜層１８によって形成される振動板２３、圧力室２１、入口流路２２、および圧電体２６を取り付ける凹部２５を、Ｓｉ層の厚さにそれぞれ相当する深さにエッチング処理することができる。すなわち、それぞれのＳｉ層の厚さを所望の寸法に適宜変更することによって、振動板２３、圧力室２１、入口流路２２、および凹部２５をそれぞれ所望の深さに容易かつ確実に加工することができる。
【００６３】
また、インクジェットヘッド素子１の製造方法によれば、予め吐出用ガラス基板６に吐出用ノズル８を形成した後、この吐出用ガラス基板６を、圧力室２１が設けられたＳＯＩ積層基板５の第１のＳｉ層１１に接合することによって、吐出用ノズル８や入口流路２２、および圧力室２１、振動板２３を容易に形成することができる。
【００６４】
（第２の実施形態）
上述した第１の実施形態のインクジェットヘッド素子１は、１つの圧力室を有する構成にされたが、複数の圧力室を有する第２の実施形態のインクジェットヘッド素子について図面を参照して説明する。
【００６５】
図６および図７に、本発明に係る第２の実施形態のインクジェットヘッド素子の縦断面図を示す。また、図８、図９および図１０に、第２の実施形態のインクジェットヘッド素子の各Ｓｉ層の横断面図を示す。
【００６６】
図６および図７に示すように、インクジェットヘッド素子２は、上述したインクジェット素子１と基本構成がほぼ等しいため、便宜上、同一部材には同一符号を付して説明を省略する。
【００６７】
インクジェットヘッド素子２が備えるＳＯＩ積層基板５には、図８に示すように、第１のＳｉ層１１に、入口流路２２とインクプール（不図示）とを連通するための流路３１が格子状に形成されている。
【００６８】
また、インクジェットヘッド素子２が備える吐出用ガラス基板６には、図９に示すように、複数の吐出用ノズル８が互いに所定の間隔をあけてそれぞれ配列されて設けられている。
【００６９】
また、インクジェットヘッド素子２が備えるＳＯＩ積層基板５には、図１０に示すように、第４のＳｉ層１４に、複数の凹部２５が互いに所定の間隔をあけてそれぞれ形成されており、行方向に対して直線上に配列された各凹部２５が互いに連通されている。
【００７０】
さらに、インクジェットヘッド素子２が備える接合用ガラス基板７には、図１１に示すように、複数の配線電極２９が互いに所定の間隔をあけてそれぞれ設けられており、列方向に対して直線上に配列された各配線電極２９が互いに導通されている。
【００７１】
上述したインクジェットヘッド素子２は、圧電体２６に電圧を印加することで、振動板２３が厚み方向に振動されて、圧力室２６内に充填されたインクが、吐出用ノズル８からインク滴３０として吐出される。
【００７２】
次に、以上のように構成されたインクジェットヘッド素子２の製造方法について説明する。
【００７３】
まず、上述した構成において、厚さ５０μｍ程度の吐出用ガラス基板６に、圧力室２１に対向する位置に、図９に示すような複数の吐出用ノズル８を、電子ビームを用いて直径２０μｍ程度にそれぞれ形成する。
【００７４】
続いて、吐出用ガラス基板６に臨む一方側から順に、第１のＳｉ層１１、第１のＳｉ酸化膜層１６、第２のＳｉ層１２、第２のＳｉ酸化膜層１７、第３のＳｉ層１３、第３のＳｉ酸化膜層１８、第４のＳｉ層１４を積層して一体に接合することで、ＳＯＩ積層基板５を作製する。
【００７５】
次に、ＳＯＩ積層基板５に、第１のＳｉ酸化膜１６をエッチストップ層として用いることで第１のＳｉ層１１に、図６および図８に示すように、入口流路２２および流路３１を、フォトリソグラフィ工程を用いて、フッ硝酸によるエッチング処理によって形成し、さらに上述した工程と同様の工程によって圧力室２１を形成した。
【００７６】
すなわち、図７に示すように、第１のＳｉ酸化膜１６をエッチストップ層として用いることで、第１のＳｉ層１１をウエットエッチング処理によって除去し、この後、第２のＳｉ層１２をエッチストップ層として用いることで、第１のＳｉ酸化膜層１６をバッファーフッ酸でウエットエッチング処理によって除去する。続いて、第２のＳｉ酸化膜層１７をエッチストップ層として用いることで、第２のＳｉ層１２を同様にフッ硝酸でウエットエッチング処理によって除去し、この後、第３のＳｉ層１３をエッチストップ層として用いることで、第２のＳｉ酸化膜層１７をバッファーフッ酸でウエットエッチング処理によって除去した。
【００７７】
さらに、第４のＳｉ層１４に、図７および図１０に示すように、フォトリソグラフィ工程を経て、圧力室２１に対応するように、凹部２５をフッ硝酸でウエットエッチング処理によって形成し、その結果、圧力室２１と凹部２５との間に位置する第３のＳｉ層１３および第３のＳｉ酸化膜層１８の一部を振動板２３として構成する。
【００７８】
この後、吐出用ガラス基板６とＳＯＩ積層基板５の第１のＳｉ層１１とを対向させ、吐出用ノズル８と圧力室２１とを互いに相対向させるように位置決めして調整し、この後、吐出用ガラス基板６とＳｉ層３とを陽極接合する。この陽極接合は、加熱温度を３００℃、印加電圧を３００Ｖ、接合時間を３０分として行った。
【００７９】
そして、図７に示すように、凹部２５の第３のＳｉ酸化膜層１８上に、Ｐｔ膜からなる下電極２８、ＺｎＯ膜からなる圧電体２６、Ｐｔ膜からなる上電極２７を順次それぞれ成膜し、さらに接合用ガラス基板７上に、上電極２７に相対向する位置にＡｌ膜からなる電極配線２９を成膜する。なお、下電極２８は、図１０に示すように、凹部２５の第３のＳｉ酸化膜層１８上にＰｔ膜が成膜されてなり、行毎に下電極２８が電気的に導通している。
【００８０】
この後、図７に示すように、上電極２７と電極配線２９とを互いに相対向させるよう位置決めして調整し、上電極２７と電極配線２９を密着させながら、接合用ガラス基板７と第４のＳｉ層１４とを陽極接合する。陽極接合は、例えば、加熱温度を３００℃、印加電圧を３００Ｖ、接合時間を３０分間として行った。この場合、圧電体２６に電圧を印加したときに、圧電体２６に生じる変位の背圧を接合用ガラス基板７で担い、同時に変位で振動板２３が圧力室２１側に変形し、この変形により圧力室２１内の体積を収縮するような構造に陽極接合を用いて形成した。
【００８１】
なお、圧電体２６の分極処理は、陽極接合前の段階で、すなわち下電極２８、圧電体２６および上電極２７をそれぞれ成膜した後に行った。そして、入口流路２２および流路３１の高さ寸法を２０μｍ程度に、圧力室２１の高さ寸法を８０μｍ程度に、振動板２３の厚さを１０μｍ程度におよび圧電体２６の厚さを１０μｍ程度に形成できるように、それぞれ第１のＳｉ層１１の厚さを２０μｍ程度に、第２のＳｉ層１２に厚さを８０μｍ程度に、第３のＳｉ層１３の厚さを１０μｍ程度に、および第４のＳｉ層１４の厚さを約１０μｍ程度にそれぞれ形成した。
【００８２】
なお、本実施形態では、振動板２３の厚さを１０μｍ程度に形成したが、振動板の厚さを１０μｍの厚さに固定する必要はなく（圧電体２６の圧電特性にも依存するが）、振動板２３の厚さは、プロセスによる作製上、１μｍ以上１００μｍ以下に形成することが好ましい。振動板２３の厚さが、１μｍよりも小さい場合には、振動板の変形後の復元力が小さくなるため吐出振動数が低下し、１００μｍよりも大きい場合には、剛性が大きくなるため振動板の変形量が少なくなるため、好ましくない。
【００８３】
なお、上述したＳＯＩ積層基板５は、Ｓｉ層であるＳＯＩ基板上にＳｉ酸化膜層を成膜する成膜工程と、成膜されたＳｉ酸化膜層に次のＳｉ層であるＳＯＩ基板を貼り合わせて接合する接合工程と、Ｓｉ酸化膜層に接合されたＳＯＩ基板の厚みを調整するために研磨する研磨工程とをそれぞれ繰り返すことで作製される。なお、本実施形態の吐出用ガラス基板６および接合用ガラス基板７は、ガラス材として、リチウムアルミノシリケートベータクオーツが用いられている。
【００８４】
上述したインクジェットヘッド素子２を作製した後、それぞれマトリックス状の下電極２８および上電極２７間に電圧を印加することで、下電極２８と上電極２７が交差した位置、すなわちマトリックスの交差する位置の吐出用ノズル８からインク滴３０が良好に吐出された。
【００８５】
【発明の効果】
上述したように、本発明によれば、隣接するＳｉ層とＳｉ酸化膜層によって形成された振動板と、振動板の一方側に隣接して設けられた圧力室と、振動板の他方側に隣接して設けられた凹部と、凹部内に設けられ振動板を駆動するための圧電体と、圧力室に液体を供給するための流路とを有する積層基板を備え、振動板、圧力室、流路、および凹部が、少なくとも１つのＳｉ層によってそれぞれ形成されたことによって、振動板、圧力室、流路、および凹部の寸法精度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態のインクジェットヘッド素子を示す縦断面図である。
【図２】第１の実施形態のインクジェットヘッド素子を示す分解縦断面図である。
【図３】図１におけるＡ−Ａ横断面図である。
【図４】図１におけるＢ−Ｂ横断面図である。
【図５】図１におけるＣ−Ｃ横断面図である。
【図６】第２の実施形態のインクジェットヘッド素子を示す縦断面図である。
【図７】第２の実施形態のインクジェットヘッド素子を示す分解縦断面図である。
【図８】図７におけるＤ−Ｄ横断面図である。
【図９】図７におけるＥ−Ｅ横断面図である。
【図１０】図７におけるＦ−Ｆ横断面図である。
【図１１】図７におけるＧ−Ｇ横断面図である。
【符号の説明】
１，２  インクジェットヘッド素子
５  ＳＯＩ積層基板
６  吐出用ガラス基板
７  接合用ガラス基板
８  吐出用ノズル
１１，１２，１３，１４  第１〜第４のＳｉ層
１６，１７，１８  第１〜第３のＳｉ酸化膜層
２１  圧力室
２２  入口流路
２３  振動板
２５  凹部
２６  圧電体
２７  上電極
２８  下電極
２９  電極配線
３０  インク滴
３１  流路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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