(57)【要約】【課題】基板表面を安定して確実に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。【解決手段】第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２はノズルアーム４３の先端部近傍に固設されている。純水によるリンス処理後の基板Ｗを回転させつつ、ノズルアーム４３を軌跡Ｒに沿って回動させるとともに、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２から窒素ガスを吐出する。第１ガスノズル４１からの窒素ガス吹きつけによってまず目視可能な水分を緩やかに基板Ｗ上から排除し、第１ガスノズル４１によって窒素ガスが吹き付けられた基板Ｗ上の領域と同一の領域に第２ガスノズル４２から窒素ガスを吹き付けることによって微細なパターン等に極微量に残留した水分をも完全に取り除くことが出来る。その結果、基板Ｗの表面を安定して確実に乾燥させることができる。【選択図】　　　　図２
2004095805.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
純水による洗浄処理が終了した基板に気体を吹き付けて当該基板を乾燥させる基板処理装置であって、
純水が付着した基板の表面に気体を吹き付ける第１気体吐出手段と、
前記第１気体吐出手段によって既に気体が吹き付けられた前記基板上の領域と同一の領域にさらに気体を吹き付ける第２気体吐出手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理装置において、
前記第２気体吐出手段から前記基板に吹き付けられる気体の流量は、前記第１気体吐出手段から前記基板に吹き付けられる気体の流量よりも多いことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
前記基板を略水平面内にて回転させる回転手段をさらに備え、
前記第１気体吐出手段は、気体を吐出する第１ノズルと前記第１ノズルを略水平面内にて移動させる第１ノズル移動手段とを備え、
前記第２気体吐出手段は、気体を吐出する第２ノズルと前記第２ノズルを略水平面内にて移動させる第２ノズル移動手段とを備え、
前記第１ノズル移動手段および前記第２ノズル移動手段は、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルのそれぞれから吐出される気体の到達地点が回転される前記基板の回転中心から端縁部へと向かう軌跡を描くように前記第１ノズルおよび前記第２ノズルのそれぞれを移動させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
純水による洗浄処理が終了した基板に気体を吹き付けて当該基板を乾燥させる基板処理装置であって、
純水が付着した基板の表面に気体を吹き付ける第１ノズルと、
前記基板の表面に気体を吹き付ける第２ノズルと、
前記第１ノズルおよび前記第２ノズルが固設されたノズルアームと、
前記ノズルアームを前記基板と平行な面内にて移動させる移動手段と、
を備え、
前記移動手段は、前記第１ノズルによって気体が吹き付けられた前記基板上の領域と同一の領域に前記第２ノズルから気体を吹き付けるように前記ノズルアームを移動させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４記載の基板処理装置において、
前記第２ノズルから前記基板に吹き付けられる気体の流量は、前記第１ノズルから前記基板に吹き付けられる気体の流量よりも多いことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載の基板処理装置において、
前記基板を略水平面内にて回転させる回転手段をさらに備え、
前記移動手段は、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルのそれぞれから吐出される気体の到達地点が回転される前記基板の回転中心から端縁部へと向かう軌跡を描くように前記ノズルアームを略水平面内にて移動させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
純水による洗浄処理が終了した基板に気体を吹き付けて当該基板を乾燥させる基板処理装置であって、
純水が付着した基板の表面に気体を吹き付けるノズルと、
前記ノズルが固設されたノズルアームと、
前記ノズルアームを前記基板と平行な面内にて移動させる移動手段と、
を備え、
前記移動手段は、前記ノズルによって気体が吹き付けられた前記基板上の領域と同一の領域に再度前記ノズルから気体を吹き付けるように前記ノズルアームを移動させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項７記載の基板処理装置において、
前記ノズルから前記基板に２度目に吹き付けられる気体の流量は、前記ノズルから前記基板に１度目に吹き付けられる気体の流量よりも多いことを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の基板処理装置において、
前記基板を略水平面内にて回転させる回転手段をさらに備え、
前記移動手段は、前記ノズルから１度目および２度目に吐出される気体の到達地点のそれぞれが回転される前記基板の回転中心から端縁部へと向かう軌跡を描くように前記ノズルアームを略水平面内にて移動させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記気体は不活性ガスであることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、純水による洗浄処理が終了した半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に気体を吹き付けて当該基板を乾燥させる基板処理装置、特に枚葉式の基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、基板を回転させつつフッ酸等の薬液を供給してエッチング処理や洗浄処理を行う枚葉式の基板処理装置においては、薬液処理の後、純水によるリンス処理を行い、さらにその後基板に付着した純水を除去する乾燥処理を行っている。従来より、基板の乾燥処理を行う手法としては、基板を回転させることによって液体を振り切る技術が多く用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、液晶表示器用基板等の大型の基板を乾燥させる場合には、スリット状の吐出口から層状の気体を基板の表面に吹き付けるいわゆるエアーナイフを用いることもある（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−２３３４８１号公報
【特許文献２】
特開平１１−１１１６６６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、純水によるリンス処理後の乾燥工程では乾燥不良（ウォーターマーク）が生じることがあり、特に基板表面のシリコン（Ｓｉ）やポリシリコンをフッ酸によってエッチング処理した場合には、部分的に疎水面が露出するためウォーターマークが生じ易い。このウォーターマークは、基板表面に付着した水分に雰囲気中の酸素が溶け込み、Ｓｉと反応した結果生じた残渣が乾燥により残留したものと考えられている。
【０００６】
このようなウォーターマークの発生を防止するために、乾燥処理時に基板表面にＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を吹き付け、水分をＩＰＡによって置換する方法が考えられる。しかしこの方法では可燃性のＩＰＡを液体または気体で扱うため、安全対策上装置を防爆構造にする必要がある。また、プロセス面においても、ＩＰＡが残留水分と置換する条件範囲が狭いために、ウォーターマークの発生防止の再現性が得られにくいという問題がある。さらに、乾燥工程という最終処理時に有機物であるＩＰＡを基板表面に供給することは、今後益々微細化が進展するデバイス特性に対して不具合を発生させるおそれもある。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板表面を安定して確実に乾燥させることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、純水による洗浄処理が終了した基板に気体を吹き付けて当該基板を乾燥させる基板処理装置において、純水が付着した基板の表面に気体を吹き付ける第１気体吐出手段と、前記第１気体吐出手段によって既に気体が吹き付けられた前記基板上の領域と同一の領域にさらに気体を吹き付ける第２気体吐出手段と、を備える。
【０００９】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明にかかる基板処理装置において、前記第２気体吐出手段から前記基板に吹き付けられる気体の流量を、前記第１気体吐出手段から前記基板に吹き付けられる気体の流量よりも多くしている。
【００１０】
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明にかかる基板処理装置において、前記基板を略水平面内にて回転させる回転手段をさらに備え、前記第１気体吐出手段に、気体を吐出する第１ノズルと前記第１ノズルを略水平面内にて移動させる第１ノズル移動手段とを備え、前記第２気体吐出手段に、気体を吐出する第２ノズルと前記第２ノズルを略水平面内にて移動させる第２ノズル移動手段とを備え、前記第１ノズル移動手段および前記第２ノズル移動手段に、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルのそれぞれから吐出される気体の到達地点が回転される前記基板の回転中心から端縁部へと向かう軌跡を描くように前記第１ノズルおよび前記第２ノズルのそれぞれを移動させている。
【００１１】
また、請求項４の発明は、純水による洗浄処理が終了した基板に気体を吹き付けて当該基板を乾燥させる基板処理装置において、純水が付着した基板の表面に気体を吹き付ける第１ノズルと、前記基板の表面に気体を吹き付ける第２ノズルと、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルが固設されたノズルアームと、前記ノズルアームを前記基板と平行な面内にて移動させる移動手段と、を備え、前記移動手段に、前記第１ノズルによって気体が吹き付けられた前記基板上の領域と同一の領域に前記第２ノズルから気体を吹き付けるように前記ノズルアームを移動させている。
【００１２】
また、請求項５の発明は、請求項４の発明にかかる基板処理装置において、前記第２ノズルから前記基板に吹き付けられる気体の流量を、前記第１ノズルから前記基板に吹き付けられる気体の流量よりも多くしている。
【００１３】
また、請求項６の発明は、請求項４または請求項５の発明にかかる基板処理装置において、前記基板を略水平面内にて回転させる回転手段をさらに備え、前記移動手段に、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルのそれぞれから吐出される気体の到達地点が回転される前記基板の回転中心から端縁部へと向かう軌跡を描くように前記ノズルアームを略水平面内にて移動させている。
【００１４】
また、請求項７の発明は、純水による洗浄処理が終了した基板に気体を吹き付けて当該基板を乾燥させる基板処理装置において、純水が付着した基板の表面に気体を吹き付けるノズルと、前記ノズルが固設されたノズルアームと、前記ノズルアームを前記基板と平行な面内にて移動させる移動手段と、を備え、前記移動手段に、前記ノズルによって気体が吹き付けられた前記基板上の領域と同一の領域に再度前記ノズルから気体を吹き付けるように前記ノズルアームを移動させている。
【００１５】
また、請求項８の発明は、請求項７の発明にかかる基板処理装置において、前記ノズルから前記基板に２度目に吹き付けられる気体の流量を、前記ノズルから前記基板に１度目に吹き付けられる気体の流量よりも多くしている。
【００１６】
また、請求項９の発明は、請求項７または請求項８の発明にかかる基板処理装置において、前記基板を略水平面内にて回転させる回転手段をさらに備え、前記移動手段に、前記ノズルから１度目および２度目に吐出される気体の到達地点のそれぞれが回転される前記基板の回転中心から端縁部へと向かう軌跡を描くように前記ノズルアームを略水平面内にて移動させている。
【００１７】
また、請求項１０の発明は、前記気体を不活性ガスとしている。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１９】
＜１．第１実施形態＞
図１は、本発明にかかる基板処理装置の構成を示す縦断面図である。第１実施形態の基板処理装置は、基板Ｗに洗浄処理等を行う枚葉式の基板処理装置であって、主として基板Ｗを保持するスピンベース１０と、スピンベース１０上に設けられた複数のチャックピン１４と、スピンベース１０を回転させる電動モータ２０と、スピンベース１０の上方に設けられた処理液ノズル３０およびガスノズル４０と、スピンベース１０に保持された基板Ｗの周囲を取り囲むスプラッシュガード５０と、スピンベース１０上に保持された基板Ｗに処理液やガスを供給する機構と、スプラッシュガード５０を昇降させる機構とを備えている。
【００２０】
スピンベース１０は、その上に基板Ｗを略水平姿勢にて保持している。スピンベース１０は中心部に開口を有する円盤状の部材であって、その上面にはそれぞれが円形の基板Ｗの周縁部を把持する複数のチャックピン１４が立設されている。チャックピン１４は円形の基板Ｗを確実に保持するために３個以上設けてあれば良い。なお、図１では図示の便宜上、２個のチャックピン１４のみを示している。
【００２１】
チャックピン１４のそれぞれは、基板Ｗの周縁部を下方から支持する基板支持部１４ａと基板支持部１４ａに支持された基板Ｗの外周端面を押圧して基板Ｗを保持する基板保持部１４ｂとを備えている。各チャックピン１４は、基板保持部１４ｂが基板Ｗの外周端面を押圧する押圧状態と、基板保持部１４ｂが基板Ｗの外周端面から離れる開放状態との間で切り換え可能に構成されている。複数のチャックピン１４の押圧状態と開放状態との切り換えは、種々の公知の機構によって実現することが可能であり、例えば特公平３−９６０７号公報に開示されたリンク機構等を用いれば良い。
【００２２】
スピンベース１０に基板Ｗを渡すときおよびスピンベース１０から基板Ｗを受け取るときには、チャックピン１４を開放状態にする。一方、基板Ｗに対して後述の諸処理を行うときには、チャックピン１４を押圧状態とする。押圧状態とすることによって、複数のチャックピン１４は基板Ｗの周縁部を把持してその基板Ｗをスピンベース１０から所定間隔を隔てた水平姿勢にて保持する。基板Ｗは、その表面を上面側に向け、裏面を下面側に向けた状態にて保持される。チャックピン１４を押圧状態として基板Ｗを保持したときには、基板支持部１４ａの上端部が基板Ｗの上面より突き出る。これは処理時にチャックピン１４から基板Ｗが脱落しないように、基板Ｗを確実に保持するためである。
【００２３】
スピンベース１０の中心部下面側には回転軸１１が垂設されている。回転軸１１は中空の円筒状部材であって、その内側の中空部分には下側処理液ノズル１５が挿設されている。回転軸１１の下端付近には、ベルト駆動機構２１を介して電動モータ２０が連動連結されている。すなわち、回転軸１１の外周に固設された従動プーリ２１ａと電動モータ２０の回転軸に連結された主動プーリ２１ｂとの間にベルト２１ｃが巻き掛けられている。電動モータ２０が駆動すると、その駆動力はベルト駆動機構２１を介して回転軸１１に伝達され、回転軸１１、スピンベース１０とともにそれに保持された基板Ｗが水平面内にて鉛直方向に沿った軸Ｊを中心として回転される。
【００２４】
下側処理液ノズル１５は回転軸１１を貫通しており、その先端部１５ａはスピンベース１０に保持された基板Ｗの中心部直下に位置する。また、下側処理液ノズル１５の基端部は処理液配管１６に連通接続されている。処理液配管１６の基端部は二股に分岐されていて、一方の分岐配管１６ａには薬液供給源１７が連通接続され、他方の分岐配管１６ｂには純水供給源１８が連通接続されている。分岐配管１６ａ，１６ｂにはそれぞれバルブ１２ａ，１２ｂが設けられている。これらバルブ１２ａ，１２ｂの開閉を切り換えることによって、下側処理液ノズル１５の先端部１５ａからスピンベース１０に保持された基板Ｗの下面の中心部付近に薬液または純水を選択的に切り換えて吐出・供給することができる。すなわち、バルブ１２ａを開放してバルブ１２ｂを閉鎖することにより下側処理液ノズル１５から薬液を供給することができ、バルブ１２ｂを開放してバルブ１２ａを閉鎖することにより下側処理液ノズル１５から純水を供給することができる。なお、薬液として例えばフッ酸（ＨＦ）、塩酸（ＨＣｌ）、ＳＣ２（塩酸と過酸化水素水と水との混合液）等を使用する。
【００２５】
また、回転軸１１の中空部分の内壁およびスピンベース１０の開口部の内壁と下側処理液ノズル１５の外壁との間の隙間は、気体供給路１９となっている。この気体供給路１９の先端部１９ａはスピンベース１０に保持された基板Ｗの下面中心部に向けられている。そして、気体供給路１９の基端部はガス配管２２に連通接続されている。ガス配管２２は不活性ガス供給源２３に連通接続され、ガス配管２２の経路途中にはバルブ１３が設けられている。バルブ１３を開放することによって、気体供給路１９の先端部１９ａからスピンベース１０に保持された基板Ｗの下面の中心部に向けて不活性ガスを供給することができる。なお、不活性ガスとしては例えば窒素ガス（Ｎ２）を使用する。
【００２６】
以上の回転軸１１、ベルト駆動機構２１、電動モータ２０等は、ベース部材２４上に設けられた円筒状のケーシング２５内に収容されている。
【００２７】
ベース部材２４上のケーシング２５の周囲には受け部材２６が固定的に取り付けられている。受け部材２６には、円筒状の仕切り部材２７ａ，２７ｂ，２７ｃが立設されている。ケーシング２５の外壁と仕切り部材２７ａの内壁との間の空間が第１排液槽２８を形成し、仕切り部材２７ａの外壁と仕切り部材２７ｂの内壁との間の空間が第２排液槽２９を形成し、仕切り部材２７ｂの外壁と仕切り部材２７ｃの内壁との間の空間が第３排液槽３９を形成している。
【００２８】
第１排液槽２８の底部には廃棄ドレイン２８ｂに連通接続された排出口２８ａが設けられている。第１排液槽２８の排出口２８ａからは使用済みの純水および気体が廃棄ドレイン２８ｂへと排出される。廃棄ドレイン２８ｂに排出された純水および気体は気液分離された後、それぞれ所定の手順に従って廃棄される。
【００２９】
第２排液槽２９の底部には排液ドレイン２９ｂに連通接続された排液口２９ａが設けられている。第２排液槽２９の排液口２９ａからは使用済みの薬液が排液ドレイン２９ｂへと排出される。排液ドレイン２９ｂに排出された薬液は図外の排液ラインへと排出される。
【００３０】
第３排液槽３９の底部には回収ドレイン３９ｂに連通接続された排液口３９ａが設けられている。第３排液槽３９の排液口３９ａからは使用済みの薬液が回収ドレイン３９ｂへと排出される。回収ドレイン３９ｂに排出された薬液は図外の回収タンクによって回収され、その回収された薬液が回収タンクから薬液供給源１７に供給されることにより、薬液が循環再利用されるようになっている。
【００３１】
受け部材２６の上方にはスプラッシュガード５０が設けられている。スプラッシュガード５０は、筒状の部材であって、スピンベース１０およびそれに保持された基板Ｗの周囲を取り囲むように配置されている。スプラッシュガード５０は、外側部５４と内側部５５とによって構成されている。外側部５４と内側部５５とは連結部材５６によって連結されており、この連結部材５６は円周方向に沿って排液案内流路を形成するため一部にのみ配設されている。連結部材５６によって連結される外側部５４と内側部５５との間の隙間が回収ポート５７を形成しており、その径は上方へ向かうほど小さくなる。また、スプラッシュガード５０の内側部５５には断面”く”の字形状の第１受止部５１および断面円弧形状の第２受止部５２が形成されるとともに、円環状の溝５３ａ，５３ｂが刻設されている。
【００３２】
スプラッシュガード５０は、リンク部材５８を介してガード昇降機構５９と連結されており、ガード昇降機構５９によって昇降自在とされている。ガード昇降機構５９としては、ボールネジを用いた送りネジ機構やエアシリンダを用いた機構等、公知の種々の機構を採用することができる。
【００３３】
ガード昇降機構５９がスプラッシュガード５０を最も下方位置にまで下降させているときには、仕切り部材２７ａ，２７ｂがそれぞれ溝５３ａ，５３ｂに遊嵌するとともに、スピンベース１０およびそれに保持された基板Ｗより下方にスプラッシュガード５０の上端が位置し、基板Ｗを搬入可能とする。次に、若干スプラッシュガード５０を上昇させると基板Ｗの周囲に回収ポート５７が位置する（図１の状態）。この状態はエッチング処理時の状態であって、薬液を回収再利用する場合であり、回転する基板Ｗ等から飛散した薬液は回収ポート５７によって受け止められ、連結部材５６を通過して第３排液槽３９に流れ込み、排液口３９ａへと導かれた後、排液口３９ａから回収ドレイン３９ｂへと排出される。
【００３４】
また、ガード昇降機構５９がスプラッシュガード５０を図１の状態から若干上昇させると、スピンベース１０およびそれに保持された基板Ｗの周囲に第１受止部５１が位置することとなる。この状態は、純水リンス処理時の状態であり、回転する基板Ｗ等から飛散した純水は第１受止部５１によって受け止められ、その傾斜に沿って第１排液槽２８に流れ込み、排出口２８ａへと導かれた後、排出口２８ａから廃棄ドレイン２８ｂへと排出される。
【００３５】
ガード昇降機構５９がスプラッシュガード５０をさらに上昇させると、仕切り部材２７ａ，２７ｂがそれぞれ溝５３ａ，５３ｂから離間するとともに、スピンベース１０およびそれに保持された基板Ｗの周囲に第２受止部５２が位置することとなる。この状態はエッチング処理時の状態であって、薬液を廃棄する場合であり、回転する基板Ｗ等から飛散した薬液は第２受止部５２によって受け止められ、その曲面に沿って第２排液槽２９に流れ込み、排液口２９ａへと導かれた後、排液口２９ａから排液ドレイン２９ｂへと排出される。
【００３６】
スピンベース１０の上方には処理液ノズル３０が設けられている。処理液ノズル３０は、その吐出口３０ａを鉛直方向下方に向けてノズルアーム３１の先端に固設されている。ノズルアーム３１の基端部は回動モータ３２の回転軸に連結されている。回動モータ３２の駆動によってノズルアーム３１および処理液ノズル３０は水平面内にて回動する。
【００３７】
回動モータ３２は図示を省略するノズル昇降機構によって昇降自在とされている。従って、処理液ノズル３０は回動モータ３２の回転軸を中心とした水平面内での回動動作と鉛直方向に沿った昇降動作とを行う。このような動作により処理液ノズル３０は、スピンベース１０に保持された基板Ｗの回転中心部上方位置（吐出位置）とスプラッシュガード５０よりも外側の上方位置（待避位置）との間で移動することができる。
【００３８】
処理液ノズル３０は処理液配管３３に連通接続されている。処理液配管３３の基端部は分岐されていて、一方の分岐配管３３ａには薬液供給源１７が連通接続され、他方の分岐配管３３ｂには純水供給源１８が連通接続されている。分岐配管３３ａ，３３ｂにはそれぞれバルブ３４ａ，３４ｂが設けられている。これらバルブ３４ａ，３４ｂの開閉を切り換えることによって、処理液ノズル３０の吐出口３０ａからチャックピン１４に保持された基板Ｗの上面に薬液または純水を選択的に切り換えて吐出・供給することができる。すなわち、バルブ３４ａを開放してバルブ３４ｂを閉鎖することにより処理液ノズル３０から薬液を供給することができ、バルブ３４ｂを開放してバルブ３４ａを閉鎖することにより処理液ノズル３０から純水を供給することができる。
【００３９】
なお、処理液ノズル３０を単一のノズルではなく、薬液専用の薬液ノズルと純水専用の純水ノズルとによって構成するようにしても良い。
【００４０】
また、スピンベース１０の上方にはガスノズル４０も設けられている。ガスノズル４０は、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２によって構成されている。第１ガスノズル４１は、その吐出口４１ａを鉛直方向下方に向けてノズルアーム４３の先端部近傍に固設されている。第２ガスノズル４２も、その吐出口４２ａを鉛直方向下方に向けてノズルアーム４３の先端部近傍に固設されている。すなわち、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２は同一のノズルアーム４３に固設されている。ノズルアーム４３の基端部は回動モータ４８の回転軸に連結されている。回動モータ４８の駆動によって第１ガスノズル４１、第２ガスノズル４２およびノズルアーム４３は水平面内にて回動する。
【００４１】
回動モータ４８は図示を省略するノズル昇降機構によって鉛直方向に沿って昇降自在とされている。該昇降機構によって回動モータ４８が昇降することにより、回動モータ４８に連結された第１ガスノズル４１、第２ガスノズル４２およびノズルアーム４３も鉛直方向に沿って昇降する。従って、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２は回動モータ４８の回転軸を中心とした水平面内での回動動作と鉛直方向に沿った昇降動作とを行う。このような動作により第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２は、スピンベース１０に保持された基板Ｗの回転中心部上方位置（吐出位置）とスプラッシュガード５０よりも外側の上方位置（待避位置）との間で移動することができる。
【００４２】
図２は、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２の水平面内での移動の様子を示す図である。上述したように、基板Ｗは電動モータ２０によって水平面内にて鉛直方向に沿った軸Ｊを中心として回転される。一方、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２は回動モータ４８によって水平面内にて鉛直方向に沿った軸Ｘを中心として回動される。ここで、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２は軸Ｘから等距離となるようにノズルアーム４３に固設されている。従って、図２に示すように、回動モータ４８によって回動される第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２はともに基板Ｗの回転中心から端縁部へと向かう軌跡Ｒを描く。
【００４３】
第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２はともに不活性ガス供給源４６に連通接続されている。すなわち、ガス配管４７の先端部が不活性ガス供給源４６に連通接続されるとともに、その基端部は分岐されて一方の分岐配管４７ａが第１ガスノズル４１に連通接続され、他方の分岐配管４７ｂが第２ガスノズル４２に連通接続されている。分岐配管４７ａにはバルブ４４ａおよび流量調整弁４５ａが設けられている。また、分岐配管４７ｂにはバルブ４４ｂおよび流量調整弁４５ｂが設けられている。
【００４４】
これらバルブ４４ａ，４４ｂの開閉によって、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２のそれぞれの吐出口４１ａ，４２ａからの不活性ガス（例えば窒素ガス）の吐出の有無を切り換えることができる。すなわち、バルブ４４ａを開放することによって第１ガスノズル４１の吐出口４１ａからチャックピン１４に保持された基板Ｗの上面に窒素ガスを吐出して吹き付けることができる。同様に、バルブ４４ｂを開放することによって第２ガスノズル４２の吐出口４２ｂからチャックピン１４に保持された基板Ｗの上面に窒素ガスを吐出して吹き付けることができる。なお、バルブ４４ａおよびバルブ４４ｂの双方を開放すれば、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２の双方から窒素ガスを吐出することができるのは勿論である。
【００４５】
流量調整弁４５ａ，４５ｂは、分岐配管４７ａ，４７ｂのそれぞれを通過する窒素ガスの流量を調整して第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２のそれぞれから吐出される窒素ガスの流量を制御する機能を有する。
【００４６】
バルブ４４ａ，４４ｂ、流量調整弁４５ａ，４５ｂ、回動モータ４８および電動モータ２０の動作は乾燥制御部９０によって制御されている。乾燥制御部９０は、ＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータによって構成されており、該ＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによりバルブ４４ａ，４４ｂ、流量調整弁４５ａ，４５ｂ、回動モータ４８および電動モータ２０の動作を制御する。
【００４７】
ところで、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２のそれぞれは、吐出口４１ａ，４２ａを鉛直方向下方に向けてノズルアーム４３の先端部近傍に固設されている。よって、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２のそれぞれからは鉛直方向下方に向けて窒素ガスが吐出されることとなる。また、回動モータ４８によって回動される第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２はともに基板Ｗの回転中心（軸Ｊ）から端縁部へと向かう軌跡Ｒを描く。従って、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２のそれぞれから吐出される気体の到達地点が回転される基板Ｗの回転中心から端縁部へと向かう軌跡Ｒを描くように、ノズルアーム４３は回動モータ４８により回動されることとなる。
【００４８】
次に、以上のような構成を有する第１実施形態の基板処理装置における基板Ｗの処理手順について説明する。第１実施形態の枚葉式基板処理装置における処理手順の概要は、基板Ｗに対して薬液（希フッ酸）によるエッチング処理を行った後、純水によって薬液を洗い流すリンス処理を行い、さらにその後基板Ｗの乾燥処理を行うというものである。
【００４９】
まず、スプラッシュガード５０を若干下降させることによって、スピンベース１０をスプラッシュガード５０から突き出させるとともに、処理液ノズル３０およびガスノズル４０を待避位置まで移動させる。この状態にて、図示を省略する搬送ロボットによって未処理の基板Ｗがスピンベース１０に渡される。そして、チャックピン１４が渡された基板Ｗの周縁部を把持することにより水平姿勢にて当該基板Ｗを保持する。
【００５０】
次に、スプラッシュガード５０を上昇させてスピンベース１０およびそれに保持された基板Ｗの周囲に回収ポート５７を位置させるとともに、処理液ノズル３０を基板Ｗの回転中心部上方位置に移動させる。そして、スピンベース１０とともにそれに保持された基板Ｗを回転させる。この状態にて、下側処理液ノズル１５から薬液（希フッ酸）を基板Ｗの下面に吐出するとともに、処理液ノズル３０からも薬液を基板Ｗの上面に吐出する。つまり、回転する基板Ｗの表裏面に薬液を供給してエッチング処理を進行させる。なお、エッチング処理時に、気体供給路１９から少量の窒素ガスを吐出して気体供給路１９への薬液の逆流を防止するようにしても良い。
【００５１】
エッチング処理時に、回転する基板Ｗから飛散した薬液はスプラッシュガード５０の回収ポート５７によって受け止められ、連結部材５６を通過して第３排液槽３９に流れ込む。第３排液槽３９に流れ込んだ薬液は、排液口３９ａから回収ドレイン３９ｂへと排出され、回収される。
【００５２】
なお、薬液を回収する必要のないときは、スプラッシュガード５０を上昇させてスピンベース１０およびそれに保持された基板Ｗの周囲に第２受止部５２を位置させる。第２受止部５２によって受け止められた薬液は、第２排液槽２９に流れ込み、第２排液槽２９に流れ込んだ薬液は、排液口２９ａから排液ドレイン２９ｂへと排出される。
【００５３】
所定時間のエッチング処理が終了した後、下側処理液ノズル１５および処理液ノズル３０からの薬液吐出を停止するとともに、スプラッシュガード５０を昇降させてスピンベース１０およびそれに保持された基板Ｗの周囲に第１受止部５１を位置させる。なお、処理液ノズル３０は基板Ｗの回転中心部上方位置に留まる。この状態にて、基板Ｗを回転させつつ処理液ノズル３０および下側処理液ノズル１５から純水を基板Ｗの上下両面に吐出する。吐出された純水は回転の遠心力によって基板Ｗの表裏全面に拡がり、純水によって薬液を洗い流す洗浄処理（リンス処理）が進行する。なお、リンス処理時においても気体供給路１９から少量の窒素ガスを吐出して気体供給路１９への純水の逆流を防止するようにしても良い。
【００５４】
リンス処理時に、回転する基板Ｗから飛散した純水はスプラッシュガード５０の第１受止部５１によって受け止められ、その傾斜に沿って第１排液槽２８に流れ込む。第１排液槽２８に流れ込んだ純水は、排出口２８ａから廃棄ドレイン２８ｂへと排出される。
【００５５】
所定時間のリンス処理が終了した後、処理液ノズル３０および下側処理液ノズル１５からの純水吐出を停止するとともに、スプラッシュガード５０を若干下降させてスピンベース１０をスプラッシュガード５０からわずかに突き出させる。なお、ウォーターマーク発生防止の観点からは、純水吐出停止直前に基板Ｗの回転数を低下させ、リンス処理終了時に基板Ｗの上面に純水が液盛り（パドル）された状態としておくことが好ましい。
【００５６】
そして、処理液ノズル３０を待避位置に移動させるとともに、ガスノズル４０を基板Ｗの回転中心部上方位置に移動させる。このときに、乾燥制御部９０は第１ガスノズル４１が基板Ｗの回転中心直上（軸Ｊ上）に位置するように回動モータ４８を制御する。なお、以下に説明する乾燥処理時におけるバルブ４４ａ，４４ｂ、流量調整弁４５ａ，４５ｂ、回動モータ４８および電動モータ２０の動作は乾燥制御部９０によって制御されるものである。
【００５７】
第１ガスノズル４１が基板Ｗの回転中心直上に位置した後、第１ガスノズル４１からの窒素ガス吐出を開始すると同時に、基板Ｗの回転中心直上から端縁部に向けての軌跡Ｒ（図２）に沿った第１ガスノズル４１の回動を開始する。このときに、スピンベース１０とともにそれに保持された基板Ｗも回転させる。なお、この段階では、第２ガスノズル４２からのガス吐出は行わない。
【００５８】
図３は、第１ガスノズル４１から窒素ガス吐出を開始した状態を示す図である。基板Ｗの回転中心部に第１ガスノズル４１から窒素ガスを吹き付けるとともに、基板Ｗを回転させることによって当該回転中心部上の水分が端縁部方向に向けて排除される。そして、第１ガスノズル４１が窒素ガスを吐出し続けたまま軌跡Ｒに沿って基板端縁部に向けて移動することにより、基板Ｗ上の水分が排除された領域が大きくなる。基板Ｗは回転を続けているため、このような水分排除領域は上方から見ると略円形となる。
【００５９】
ここで重要なことは、基板Ｗ上に盛られた純水を基板回転による遠心力と第１ガスノズル４１からの窒素ガス吐出とによって端縁部に向けて徐々に押し出すようにして排除することであり、急激に水分を排除することは好ましくない。これは、急激に水分を排除すると、水分が飛散して基板Ｗに再付着し、それが新たな乾燥不良の原因となる可能性があるためである。このような緩やかな水分排除を実現するために、乾燥処理時の基板Ｗの回転数は１０ｒｐｍ〜３６０ｒｐｍ、望ましくは２０ｒｐｍ〜２６０ｒｐｍの比較的低回転数とする。また、第１ガスノズル４１からの窒素ガス吐出流量は５ｌ／ｍｉｎ以上とし、望ましくは１０ｌ／ｍｉｎ〜８０ｌ／ｍｉｎとする。さらに、第１ガスノズル４１の軌跡Ｒに沿った移動速度は、φ２００ｍｍの基板Ｗの場合、３ｍｍ／ｓｅｃ〜２００ｍｍ／ｓｅｃとし、望ましくは６ｍｍ／ｓｅｃ〜１５０ｍｍ／ｓｅｃとする。
【００６０】
第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２は同一のノズルアーム４３に固設されているため、両ガスノズルは同時に軌跡Ｒに沿った回動を行う。従って、第１ガスノズル４１が基板Ｗの回転中心直上から移動を開始してから直ぐに、第２ガスノズル４２が基板Ｗの回転中心直上に到達する。そして、第２ガスノズル４２が基板Ｗの回転中心直上に位置した時点で、第２ガスノズル４２からの窒素ガス吐出を開始する。
【００６１】
図４は、第２ガスノズル４２が基板Ｗの回転中心直上に位置した状態を示す図である。基板Ｗの回転中心部近傍は既に第１ガスノズル４１からの窒素ガス吹き付けによって水分が排除された領域であり、それと同一の領域に第２ガスノズル４２から窒素ガスを吹き付けるのである。第１ガスノズル４１からの窒素ガス吹き付けによって水分が排除された領域であっても、微細なパターンの隙間等に浸透した水分は容易には乾燥されず、極微量の水分が残留していることがある。そのような領域に第２ガスノズル４２から窒素ガスを吹き付けることによって微細なパターン等に極微量に残留した水分をも完全に取り除くことが出来るのである。
【００６２】
すなわち、第１ガスノズル４１からの窒素ガス吐出と第２ガスノズル４２からの窒素ガス吐出とではその役割が異なり、第１ガスノズル４１は目視可能な水分を緩やかに排除するために窒素ガスを吐出し、第２ガスノズル４２は微細なパターン等に極微量に残留した水分を完全に取り除くために窒素ガスを吐出するのである。このため、第２ガスノズル４２から基板Ｗに吹き付けられる窒素ガスの流量は第１ガスノズル４１から基板Ｗに吹き付けられる窒素ガスの流量よりも多い。具体的には、第２ガスノズル４２からの窒素ガス吐出流量は５ｌ／ｍｉｎ以上とし、望ましくは２０ｌ／ｍｉｎ〜２００ｌ／ｍｉｎとする。なお、第２ガスノズル４２からの窒素ガス吐出を開始した後も、第１ガスノズル４１からの窒素ガス吐出を続行して基板Ｗ上に盛られた水分の排除を継続する。また、基板Ｗの回転および、第１ガスノズル４１、第２ガスノズル４２の軌跡Ｒに沿った基板端縁部に向けての移動も続行される。
【００６３】
図５は、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２が基板Ｗの回転中心直上から端縁部に向けて移動する過程を示す図である。第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２双方からの窒素ガス吐出を行いつつ、ノズルアーム４３が回動することにより、基板Ｗ上の水分は第１ガスノズル４１からの窒素ガス吹き付けによって徐々に端縁部に向けて排除され、その水分排除領域も第２ガスノズル４２からの窒素ガス吹き付けによって微量な残留水分が直ちに取り除かれる。
【００６４】
やがて、第１ガスノズル４１が基板Ｗの端縁部直上に到達した時点で第１ガスノズル４１からの窒素ガス吐出を停止する。この時点で、目視可能な水分は基板Ｗ上から排除される。なお、第２ガスノズル４２からの窒素ガス吐出、ノズルアーム４３の回動および基板Ｗの回転は続行される。
【００６５】
その後すぐに、第２ガスノズル４２が基板Ｗの端縁部直上に到達する。図６は、第２ガスノズル４２が基板Ｗの端縁部直上に位置した状態を示す図である。第２ガスノズル４２が基板Ｗの端縁部直上に到達すると、第２ガスノズル４２からの窒素ガス吐出を停止する。この時点で、基板Ｗの上面全面において極微量に残留した水分をも完全に取り除かれる。
【００６６】
その後、さらに基板Ｗの回転数を高くして仕上げ乾燥を行う。このときの基板Ｗの回転数は、８００ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍ、望ましくは１０００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍの高回転数とする。
【００６７】
所定時間の仕上げ乾燥処理が終了すると、スピンベース１０およびそれに保持された基板Ｗの回転を停止する。また、処理液ノズル３０およびガスノズル４０を待避位置まで移動させる。この状態にて、図示を省略する搬送ロボットが処理済の基板Ｗをスピンベース１０から取り出して搬出することにより一連の基板処理が終了する。
【００６８】
以上のように、第１ガスノズル４１からの窒素ガス吹きつけによってまず目視可能な水分を緩やかに基板Ｗ上から排除し、第１ガスノズル４１によって窒素ガスが吹き付けられた基板Ｗ上の領域と同一の領域に第２ガスノズル４２から窒素ガスを吹き付けることによって微細なパターン等に極微量に残留した水分をも完全に取り除くことが出来る。その結果、ＩＰＡを使用することなく基板Ｗの表面に付着した水分を迅速かつ完全に取り除くことが可能となり、基板Ｗの表面を安定して確実に乾燥させることができる。
【００６９】
このように窒素ガスを同一領域に２度吹き付けることによって基板Ｗの表面を安定して確実に乾燥させるためには、１度目の吹き付けと２度目の吹き付けとの間の間隔が短い方が好ましい。この間隔が長いと微細なパターン等に極微量に残留した水分が乾燥不良の原因となるからである。第１実施形態においては、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２が同一のノズルアーム４３に固設されているため、１度目の吹き付けと２度目の吹き付けとの間の間隔は、ノズルアーム４３の回動速度および第１ガスノズル４１と第２ガスノズル４２との間の距離によって定まる。ノズルアーム４３の回動速度（第１ガスノズル４１の軌跡Ｒに沿った移動速度）は上述した通りである。第１ガスノズル４１と第２ガスノズル４２との間の距離は、ウォーターマーク発生防止の観点からは短い方が好ましいが、両ノズルをあまりに近づけすぎると吐出された窒素ガスが相互に干渉して乱流を生じさせるおそれがある。よって、上述した条件の下では、第１ガスノズル４１と第２ガスノズル４２との間の距離は、１０ｍｍ〜３０ｍｍ程度としておく。
【００７０】
また、目視可能な水分を緩やかに排除するために窒素ガスを吐出する役割と、微細なパターン等に極微量に残留した水分を完全に取り除くために窒素ガスを吐出する役割とに第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２を明確に区分することにより、乾燥処理が安定するとともに、各ノズルにおけるプロセス条件（吐出流量等）に幅を持たせることができる。
【００７１】
また、第２ガスノズル４２から基板Ｗに吹き付ける窒素ガスの流量を第１ガスノズル４１から基板Ｗに吹き付ける窒素ガスの流量よりも多くすることにより、目視可能な水分を徐々に排除することと、極微量に残留した水分を完全に取り除くこととを確実なものとしている。
【００７２】
さらに、基板Ｗを回転させるとともに、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２のそれぞれから吐出される窒素ガスの到達地点が基板Ｗの回転中心から端縁部へと向かう軌跡Ｒを描くため、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２のそれぞれから基板Ｗの全面に窒素ガスが吹き付けられることとなり、基板Ｗの全面を安定して確実に乾燥させることができる。
【００７３】
＜２．第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図７は、第２実施形態の基板処理装置の構成を示す縦断面図である。同図において、第１実施形態の基板処理装置と同一の部材については同一の符号を付してその説明を省略する。第２実施形態の基板処理装置の構成が第１実施形態と異なるのは、ガスノズル４０の設置態様であり、残余の点については第１実施形態と同じである。なお、図示の便宜上図７には処理液ノズル３０を記載していないが、第２実施形態の基板処理装置にも第１実施形態と同様の処理液ノズル３０が存在する。
【００７４】
ガスノズル４０は第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２によって構成されているが、第２実施形態においては第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２がそれぞれ異なるノズルアーム４３ａ，４３ｂに固設されている。まず、第１ガスノズル４１は、その吐出口４１ａを鉛直方向下方に向けてノズルアーム４３ａの先端部近傍に固設されている。ノズルアーム４３ａの基端部は回動モータ４８ａの回転軸に連結されている。回動モータ４８ａの駆動によって第１ガスノズル４１およびノズルアーム４３ａは水平面内にて回動する。
【００７５】
回動モータ４８ａは図示を省略するノズル昇降機構によって鉛直方向に沿って昇降自在とされている。該昇降機構によって回動モータ４８ａが昇降することにより、回動モータ４８ａに連結された第１ガスノズル４１およびノズルアーム４３ａも鉛直方向に沿って昇降する。従って、第１ガスノズル４１は回動モータ４８ａの回転軸を中心とした水平面内での回動動作と鉛直方向に沿った昇降動作とを行う。このような動作により第１ガスノズル４１は、スピンベース１０に保持された基板Ｗの回転中心部上方位置（吐出位置）とスプラッシュガード５０よりも外側の上方位置（待避位置）との間で移動することができる。
【００７６】
一方、第２ガスノズル４２は、その吐出口４２ａを鉛直方向下方に向けてノズルアーム４３ｂの先端部近傍に固設されている。ノズルアーム４３ｂの基端部は回動モータ４８ｂの回転軸に連結されている。回動モータ４８ｂの駆動によって第２ガスノズル４２およびノズルアーム４３ｂは水平面内にて回動する。
【００７７】
回動モータ４８ｂも図示を省略するノズル昇降機構によって鉛直方向に沿って昇降自在とされている。該昇降機構によって回動モータ４８ｂが昇降することにより、回動モータ４８ｂに連結された第２ガスノズル４２およびノズルアーム４３ｂも鉛直方向に沿って昇降する。従って、第２ガスノズル４２は回動モータ４８ｂの回転軸を中心とした水平面内での回動動作と鉛直方向に沿った昇降動作とを行う。このような動作により第２ガスノズル４２も、スピンベース１０に保持された基板Ｗの回転中心部上方位置（吐出位置）とスプラッシュガード５０よりも外側の上方位置（待避位置）との間で移動することができる。
【００７８】
図８は、第２実施形態の第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２の水平面内での移動の様子を示す図である。第１実施形態と同様に、基板Ｗは電動モータ２０によって水平面内にて鉛直方向に沿った軸Ｊを中心として回転される。一方、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２はそれぞれ回動モータ４８ａ，４８ｂによって水平面内にて鉛直方向に沿った軸Ｘ１，Ｘ２を中心として回動される。ここで、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２はともに基板Ｗの回転中心を通過するように回動される。すなわち、図８に示すように、回動モータ４８ａによって回動される第１ガスノズル４１は基板Ｗの回転中心（軸Ｊ）から端縁部へと向かう軌跡Ｒ１を描き、回動モータ４８ｂによって回動される第２ガスノズル４２は基板Ｗの回転中心から端縁部へと向かう軌跡Ｒ２を描く。
【００７９】
第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２はそれぞれ不活性ガス供給源４６ａ，４６ｂに連通接続されている。すなわち、ガス配管４９ａの先端部が不活性ガス供給源４６ａに連通接続されるとともに、その基端部は第１ガスノズル４１に連通接続される。同様に、ガス配管４９ｂの先端部が不活性ガス供給源４６ｂに連通接続されるとともに、その基端部は第２ガスノズル４２に連通接続される。ガス配管４９ａにはバルブ４４ａおよび流量調整弁４５ａが設けられている。また、ガス配管４９ｂにはバルブ４４ｂおよび流量調整弁４５ｂが設けられている。
【００８０】
これらバルブ４４ａ，４４ｂの開閉によって、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２のそれぞれの吐出口４１ａ，４２ａからの不活性ガス（例えば窒素ガス）の吐出の有無を切り換えることができる。すなわち、バルブ４４ａを開放することによって第１ガスノズル４１の吐出口４１ａからチャックピン１４に保持された基板Ｗの上面に窒素ガスを吐出して吹き付けることができる。同様に、バルブ４４ｂを開放することによって第２ガスノズル４２の吐出口４２ｂからチャックピン１４に保持された基板Ｗの上面に窒素ガスを吐出して吹き付けることができる。なお、バルブ４４ａおよびバルブ４４ｂの双方を開放すれば、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２の双方から窒素ガスを吐出することができるのは勿論である。
【００８１】
流量調整弁４５ａ，４５ｂは、ガス配管４９ａ，４９ｂのそれぞれを通過する窒素ガスの流量を調整して第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２のそれぞれから吐出される窒素ガスの流量を制御する機能を有する。また、第１実施形態と同様に、バルブ４４ａ，４４ｂ、流量調整弁４５ａ，４５ｂ、回動モータ４８ａ，４８ｂおよび電動モータ２０の動作は乾燥制御部９０によって制御されている。
【００８２】
第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２のそれぞれは、吐出口４１ａ，４２ａを鉛直方向下方に向けてノズルアーム４３ａ，４３ｂの先端部近傍に固設されている。よって、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２のそれぞれからは鉛直方向下方に向けて窒素ガスが吐出されることとなる。また、回動モータ４８ａ，４８ｂによってそれぞれ回動される第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２はともに基板Ｗの回転中心（軸Ｊ）から端縁部へと向かう軌跡Ｒ１，Ｒ２を描く。従って、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２のそれぞれから吐出される気体の到達地点が回転される基板Ｗの回転中心から端縁部へと向かう軌跡Ｒ１，Ｒ２を描くように、ノズルアーム４３ａ，４３ｂはそれぞれ回動モータ４８ａ，４８ｂにより回動されることとなる。
【００８３】
このように、第２実施形態では第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２が相互に独立して回動されることとなる。次に、第２実施形態の基板処理装置における基板Ｗの処理手順について説明する。第２実施形態の枚葉式基板処理装置における処理手順の概要は、第１実施形態と同じく、基板Ｗに対して薬液（希フッ酸）によるエッチング処理を行った後、純水によって薬液を洗い流すリンス処理を行い、さらにその後基板Ｗの乾燥処理を行うというものである。これらのうちリンス処理までは第１実施形態と全く同じであるため、その説明を省略する。
【００８４】
リンス処理が終了した後、処理液ノズル３０を待避位置に移動させるとともに、第１ガスノズル４１が基板Ｗの回転中心直上（軸Ｊ上）に位置するように回動モータ４８ａがノズルアーム４３ａを回動させる。
【００８５】
第１ガスノズル４１が基板Ｗの回転中心直上に位置した後、第１ガスノズル４１からの窒素ガス吐出を開始すると同時に、基板Ｗの回転中心直上から端縁部に向けての軌跡Ｒ１に沿った第１ガスノズル４１の回動を開始する。このときに、スピンベース１０とともにそれに保持された基板Ｗも回転させる。
【００８６】
基板Ｗの回転中心部に第１ガスノズル４１から窒素ガスを吹き付けるとともに、基板Ｗを回転させることによって当該回転中心部上の水分が端縁部方向に向けて排除される。そして、第１ガスノズル４１が窒素ガスを吐出し続けたまま軌跡Ｒ１に沿って基板端縁部に向けて移動することにより、基板Ｗ上の水分が排除された領域が大きくなる。基板Ｗは回転を続けているため、このような水分排除領域は上方から見ると略円形となる。
【００８７】
なお、第２実施形態においても第１実施形態と同様に、第１ガスノズル４１の役割は窒素ガス吐出によって基板Ｗ上の目視可能な水分を端縁部に向けて徐々に押し出すようにして緩やかに排除することである。このため、基板Ｗの回転数、第１ガスノズル４１の移動速度および第１ガスノズル４１からの窒素ガス吐出流量は第１実施形態と同程度とされる。
【００８８】
第２実施形態では、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２が独立して駆動され、第１ガスノズル４１が基板Ｗの回転中心直上から移動を開始してから直ぐに、第２ガスノズル４２が基板Ｗの回転中心直上に位置するように回動モータ４８ｂがノズルアーム４３ｂを回動させる。そして、第２ガスノズル４２が基板Ｗの回転中心直上に位置した時点で、第２ガスノズル４２からの窒素ガス吐出を開始すると同時に、基板Ｗの回転中心直上から端縁部に向けての軌跡Ｒ２に沿った第２ガスノズル４２の回動を開始する。なお、第１ガスノズル４１との干渉を防ぐべく、第１ガスノズル４１と第２ガスノズル４２とを基板Ｗの回転中心を挟んで反対方向に回動させるのが好ましい。また、第２ガスノズル４２の移動速度は第１ガスノズル４１の移動速度と等速とし、第２ガスノズル４２からの窒素ガス吐出流量は第１実施形態と同程度とする。
【００８９】
基板Ｗの回転中心部近傍は既に第１ガスノズル４１からの窒素ガス吹き付けによって水分が排除された領域であり、それと同一の領域に第２ガスノズル４２から窒素ガスを吹き付けるのである。これにより、第１実施形態と同じく、微細なパターン等に極微量に残留した水分をも完全に取り除くことが出来る。
【００９０】
このように、第２実施形態においても、第１ガスノズル４１からの窒素ガス吐出と第２ガスノズル４２からの窒素ガス吐出とではその役割が異なり、第１ガスノズル４１は目視可能な水分を緩やかに排除するために窒素ガスを吐出し、第２ガスノズル４２は微細なパターン等に極微量に残留した水分を完全に取り除くために窒素ガスを吐出するのである。このため、第２ガスノズル４２から基板Ｗに吹き付けられる窒素ガスの流量は第１ガスノズル４１から基板Ｗに吹き付けられる窒素ガスの流量よりも多い。なお、第２ガスノズル４２からの窒素ガス吐出を開始した後も、第１ガスノズル４１からの窒素ガス吐出を続行して基板Ｗ上に盛られた水分の排除を継続する。また、基板Ｗの回転および、第１ガスノズル４１、第２ガスノズル４２のそれぞれ軌跡Ｒ１，Ｒ２に沿った基板端縁部に向けての移動も続行される。
【００９１】
このようにして、第１ガスノズル４１によって既に窒素ガスが吹き付けられた基板Ｗ上の領域と同一の領域にさらに第２ガスノズル４２によって気体が吹き付けられることにより、基板Ｗ上の水分は第１ガスノズル４１からの窒素ガス吹き付けによって徐々に端縁部に向けて排除され、その水分排除領域も第２ガスノズル４２からの窒素ガス吹き付けによって微量な残留水分が直ちに取り除かれる。
【００９２】
やがて、第１ガスノズル４１が基板Ｗの端縁部直上に到達した時点で第１ガスノズル４１からの窒素ガス吐出を停止する。この時点で、目視可能な水分は基板Ｗ上から排除される。その後すぐに、第２ガスノズル４２が基板Ｗの端縁部直上に到達する。第２ガスノズル４２が基板Ｗの端縁部直上に到達すると、第２ガスノズル４２からの窒素ガス吐出を停止する。この時点で、基板Ｗの上面全面において極微量に残留した水分をも完全に取り除かれる。
【００９３】
その後、さらに基板Ｗの回転数を高くして仕上げ乾燥を行う。その後の手順は第１実施形態と同じである。
【００９４】
このようにしても第１実施形態と同様の効果が得られるのに加えて、第２実施形態では基板Ｗの回転中心から第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４までの距離を、それぞれから吐出された窒素ガス流を相互に干渉させることなく、近づけることが出来る。これにより、１度目の吹き付けと２度目の吹き付けとの間の時間間隔をさらに狭めることが可能となり、基板Ｗの表面をより安定して確実に乾燥させることができる。
【００９５】
＜３．第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。図９は、第３実施形態の基板処理装置の構成を示す縦断面図である。同図において、第１実施形態の基板処理装置と同一の部材については同一の符号を付してその説明を省略する。第３実施形態の基板処理装置の構成が第１実施形態と異なるのは、ガスノズル４０の設置態様であり、残余の点については第１実施形態と同じである。
【００９６】
第３実施形態においては、ガスノズル４０を単一のノズルにて構成している。ガスノズル４０は、その吐出口４０ａを鉛直方向下方に向けてノズルアーム４３の先端部近傍に固設されている。ノズルアーム４３の基端部は回動モータ４８の回転軸に連結されている。回動モータ４８の駆動によってガスノズル４０およびノズルアーム４３は水平面内にて回動する。
【００９７】
回動モータ４８は図示を省略するノズル昇降機構によって鉛直方向に沿って昇降自在とされている。該昇降機構によって回動モータ４８が昇降することにより、回動モータ４８に連結されたガスノズル４０およびノズルアーム４３も鉛直方向に沿って昇降する。従って、ガスノズル４０は回動モータ４８の回転軸を中心とした水平面内での回動動作と鉛直方向に沿った昇降動作とを行う。このような動作によりガスノズル４０は、スピンベース１０に保持された基板Ｗの回転中心部上方位置（吐出位置）とスプラッシュガード５０よりも外側の上方位置（待避位置）との間で移動することができる。
【００９８】
ガスノズル４０の水平面内での移動態様は第１実施形態と同じである（図２参照）。すなわち、基板Ｗは電動モータ２０によって水平面内にて鉛直方向に沿った軸Ｊを中心として回転される。一方、ガスノズル４０は回動モータ４８によって水平面内にて鉛直方向に沿った軸を中心として回動される。そして、回動モータ４８によって回動されるガスノズル４０は基板Ｗの回転中心（軸Ｊ）から端縁部へと向かう軌跡を描く。
【００９９】
ガスノズル４０は不活性ガス供給源４６に連通接続されている。すなわち、ガス配管４７の先端部が不活性ガス供給源４６に連通接続されるとともに、その基端部はガスノズル４０に連通接続される。ガス配管４７にはバルブ４４および流量調整弁４５が設けられている。
【０１００】
このバルブ４４の開閉によって、ガスノズル４０の吐出口４０ａからの不活性ガス（例えば窒素ガス）の吐出の有無を切り換えることができる。すなわち、バルブ４４を開放することによってガスノズル４０の吐出口４０ａからチャックピン１４に保持された基板Ｗの上面に窒素ガスを吐出して吹き付けることができる。
【０１０１】
流量調整弁４５は、ガス配管４７を通過する窒素ガスの流量を調整してガスノズル４０から吐出される窒素ガスの流量を制御する機能を有する。また、第１実施形態と同様に、バルブ４４、流量調整弁４５、回動モータ４８および電動モータ２０の動作は乾燥制御部９０によって制御されている。
【０１０２】
ガスノズル４０は、吐出口４０ａを鉛直方向下方に向けてノズルアーム４３の先端部近傍に固設されている。よって、ガスノズル４０からは鉛直方向下方に向けて窒素ガスが吐出されることとなる。また、回動モータ４８によって回動されるガスノズル４０は基板Ｗの回転中心（軸Ｊ）から端縁部へと向かう軌跡を描く。従って、ガスノズル４０から吐出される気体の到達地点が回転される基板Ｗの回転中心から端縁部へと向かう軌跡を描くように、ノズルアーム４３は回動モータ４８により回動されることとなる。
【０１０３】
このように、第３実施形態では単一のガスノズル４０が回動されることとなる。次に、第３実施形態の基板処理装置における基板Ｗの処理手順について説明する。第３実施形態の枚葉式基板処理装置における処理手順の概要は、第１実施形態と同じく、基板Ｗに対して薬液（希フッ酸）によるエッチング処理を行った後、純水によって薬液を洗い流すリンス処理を行い、さらにその後基板Ｗの乾燥処理を行うというものである。これらのうちリンス処理までは第１実施形態と全く同じであるため、その説明を省略する。
【０１０４】
リンス処理が終了した後、処理液ノズル３０を待避位置に移動させるとともに、ガスノズル４０が基板Ｗの回転中心直上（軸Ｊ上）に位置するように回動モータ４８がノズルアーム４３を回動させる。
【０１０５】
ガスノズル４０が基板Ｗの回転中心直上に位置した後、ガスノズル４０からの窒素ガス吐出を開始すると同時に、基板Ｗの回転中心直上から端縁部に向けての上記軌跡に沿ったガスノズル４０の回動を開始する。このときに、スピンベース１０とともにそれに保持された基板Ｗも回転させる。
【０１０６】
基板Ｗの回転中心部にガスノズル４０から窒素ガスを吹き付けるとともに、基板Ｗを回転させることによって当該回転中心部上の水分が端縁部方向に向けて排除される。そして、ガスノズル４０が窒素ガスを吐出し続けたまま基板Ｗの回転中心直上から基板端縁部に向けて移動することにより、基板Ｗ上の水分が排除された領域が大きくなる。基板Ｗは回転を続けているため、このような水分排除領域は上方から見ると略円形となる。なお、第３実施形態においても第１実施形態と同様に、この時点でのガスノズル４０の役割は窒素ガス吐出によって基板Ｗ上の目視可能な水分を端縁部に向けて徐々に押し出すようにして緩やかに排除することである。
【０１０７】
やがて、ガスノズル４０が基板Ｗの端縁部直上に到達した時点でガスノズル４０からの窒素ガス吐出を一旦停止する。この時点で、目視可能な水分は基板Ｗ上から排除される。その後すぐに、ガスノズル４０が再び基板Ｗの回転中心直上に位置するように回動モータ４８がノズルアーム４３を回動させる。そして、ガスノズル４０が基板Ｗの回転中心直上に位置した時点で直ちに、ガスノズル４０からの窒素ガス吐出を再開すると同時に、基板Ｗの回転中心直上から端縁部に向けての上記軌跡に沿ったガスノズル４０の２度目の回動を開始する。このときに、スピンベース１０とともにそれに保持された基板Ｗの回転も続行する。
【０１０８】
基板Ｗの上面は既にガスノズル４０からの１度目の窒素ガス吹き付けによって水分が排除された領域であり、それと同一の領域に再度ガスノズル４０から窒素ガスを吹き付けるのである。これにより、第１実施形態と同じく、微細なパターン等に極微量に残留した水分をも完全に取り除くことが出来る。
【０１０９】
このように、第３実施形態においては、ガスノズル４０からの１度目の窒素ガス吐出と２度目の窒素ガス吐出とではその役割が異なり、１度目の窒素ガス吐出は目視可能な水分を緩やかに排除するためであり、２度目の窒素ガス吐出は微細なパターン等に極微量に残留した水分を完全に取り除くことを目的としている。このため、ガスノズル４０から基板Ｗに２度目に吹き付けられる窒素ガスの流量はガスノズル４０から１度目に基板Ｗに吹き付けられる窒素ガスの流量よりも多い。
【０１１０】
やがて、ガスノズル４０が基板Ｗの端縁部直上に到達した時点でガスノズル４０からの窒素ガス吐出を停止する。この時点で、基板Ｗの上面全面において極微量に残留した水分をも完全に取り除かれる。
【０１１１】
その後、さらに基板Ｗの回転数を高くして仕上げ乾燥を行う。その後の手順は第１実施形態と同じである。
【０１１２】
このようにしても第１実施形態と同様の効果が得られるのに加えて、単一のガスノズル４０によって乾燥処理を行っているため、装置構成を簡易なものとすることができる。もっとも、１度目の窒素ガス吹き付けと２度目の吹き付けとの間の時間間隔を短くする観点からは、上記第１および第２実施形態のように２本のガスノズルを設けた方が好ましい。
【０１１３】
＜４．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記の各実施形態においては不活性ガスとして窒素ガスを使用していたが、窒素ガスに限定されるものではなく、他の不活性ガス（例えばヘリウム）を使用しても良い。また、不活性ガスに代えて空気等の気体をガスノズルから吐出するようにしても良い。もっとも、反応性に乏しい不活性ガスを使用した方が良好な乾燥結果が得られやすい。また、微細なパターンが形成された半導体基板等に空気を吹き付ける場合は、十分に正常化されたクリーンエアを使用する必要がある。
【０１１４】
また、第１ガスノズル４１および第２ガスノズル４２のそれぞれは、吐出口４１ａ，４２ａを鉛直方向下方に向けてノズルアームに固設されることに限定されるものではなく、傾斜姿勢にてノズルアームに固設しても良い。
【０１１５】
また、上記各実施形態の基板処理装置は薬液処理、純水リンス処理、乾燥処理の全てを行っていたが、他の装置にて薬液処理および純水リンス処理が施された基板Ｗを上記各実施形態の基板処理装置に搬送してから追加の純水リンス処理および乾燥処理を行うようにしても良い。
【０１１６】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項１の発明によれば、第１気体吐出手段によって既に気体が吹き付けられた基板上の領域と同一の領域にさらに第２気体吐出手段が気体を吹き付けるため、基板の表面に極微量に残留した水分をも完全に取り除くことができ、基板の表面を安定して確実に乾燥させることができる。
【０１１７】
また、請求項２の発明によれば、第２気体吐出手段から基板に吹き付けられる気体の流量が第１気体吐出手段から基板に吹き付けられる気体の流量よりも多いため、極微量に残留した水分を確実に取り除くことができる。
【０１１８】
また、請求項３の発明によれば、基板を回転させるとともに、第１ノズルおよび第２ノズルのそれぞれから吐出される気体の到達地点が回転される基板の回転中心から端縁部へと向かう軌跡を描くように第１ノズルおよび第２ノズルのそれぞれが移動されるため、基板の全面を安定して確実に乾燥させることができる。
【０１１９】
また、請求項４の発明によれば、第１ノズルによって気体が吹き付けられた基板上の領域と同一の領域に第２ノズルから気体を吹き付けるため、基板の表面に極微量に残留した水分をも完全に取り除くことができ、基板の表面を安定して確実に乾燥させることができる。
【０１２０】
また、請求項５の発明によれば、第２ノズルから基板に吹き付けられる気体の流量が第１ノズルから基板に吹き付けられる気体の流量よりも多いため、極微量に残留した水分を確実に取り除くことができる。
【０１２１】
また、請求項６の発明によれば、基板を回転させるとともに、第１ノズルおよび第２ノズルのそれぞれから吐出される気体の到達地点が回転される基板の回転中心から端縁部へと向かう軌跡を描くようにしているため、基板の全面を安定して確実に乾燥させることができる。
【０１２２】
また、請求項７の発明によれば、ノズルによって気体が吹き付けられた基板上の領域と同一の領域に再度該ノズルから気体を吹き付けているため、基板の表面に極微量に残留した水分をも完全に取り除くことができ、基板の表面を安定して確実に乾燥させることができる。
【０１２３】
また、請求項８の発明によれば、ノズルから基板に２度目に吹き付けられる気体の流量が１度目に吹き付けられる気体の流量よりも多いため、極微量に残留した水分を確実に取り除くことができる。
【０１２４】
また、請求項９の発明によれば、基板を回転させるとともに、ノズルから１度目および２度目に吐出される気体の到達地点のそれぞれが回転される基板の回転中心から端縁部へと向かう軌跡を描くようにしているため、基板の全面を安定して確実に乾燥させることができる。
【０１２５】
また、請求項１０の発明によれば、気体が不活性ガスであるため、より良好に基板の表面を乾燥させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる基板処理装置の構成を示す縦断面図である。
【図２】第１ガスノズルおよび第２ガスノズルの水平面内での移動の様子を示す図である。
【図３】第１ガスノズルから窒素ガス吐出を開始した状態を示す図である。
【図４】第２ガスノズルが基板Ｗの回転中心直上に位置した状態を示す図である。
【図５】第１ガスノズルおよび第２ガスノズルが基板の回転中心直上から端縁部に向けて移動する過程を示す図である。
【図６】第２ガスノズルが基板の端縁部直上に位置した状態を示す図である。
【図７】第２実施形態の基板処理装置の構成を示す縦断面図である。
【図８】第２実施形態の第１ガスノズルおよび第２ガスノズルの水平面内での移動の様子を示す図である。
【図９】第３実施形態の基板処理装置の構成を示す縦断面図である。
【符号の説明】
１０　スピンベース
２０　電動モータ
４０　ガスノズル
４１　第１ガスノズル
４２　第２ガスノズル
４３，４３ａ，４３ｂ　ノズルアーム
４８，４８ａ，４８ｂ　回動モータ
９０　乾燥制御部
Ｗ　基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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