(57)【要約】【課題】強度および曲げ加工性はそのままに、ばね限界値を高強度化した電子電気機器部品用銅合金を提供する。【解決手段】Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金において、最終圧延加工方向と平行な断面における結晶粒の長径ａと直角な断面における結晶粒径の長径ｂの比（ａ／ｂ）が１．５を超え５以下であり、かつ最終圧延加工方向と平行または直角な断面における短径ｃと平行な断面における結晶粒の長径ａの比（ａ／ｃ）の比が２を超え１０以下であり、かつ最終圧延加工方向と平行な断面における結晶粒の長径ａと直角な断面における結晶粒径の長径ｂと最終圧延加工方向と平行または直角な断面における短径ｃの和（ａ＋ｂ＋２ｃ）／４が１μｍを超え３０μｍ未満、かつ直径０．５μｍ以上の介在物が１００個／ｍｍ２以上であることを特徴とする高力銅合金。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎｉ：１．０〜４．５質量％、Ｓｉ：０．２〜１．２質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物から成る銅合金であって、最終圧延加工方向と平行な断面における結晶粒の長径ａと直角な断面における結晶粒径の長径ｂの比（ａ／ｂ）が１．５を超え５以下であり、かつ最終圧延加工方向と平行または直角な断面における短径ｃと平行な断面における結晶粒の長径ａの比（ａ／ｃ）の比が２を超え１０以下であり、かつ最終圧延加工方向と平行な断面における結晶粒の長径ａと直角な断面における結晶粒径の長径ｂと最終圧延加工方向と平行または直角な断面における短径ｃの和（ａ＋ｂ＋２ｃ）／４が１μｍを超え３０μｍ未満、かつ直径０．５μｍ以上の介在物が１００個／ｍｍ２以上であることを特徴とする高力銅合金。
【請求項２】
Ｍｇ：０．０５〜０．３質量％を含有する請求項１に記載の高力銅合金。
【請求項３】
Ｐ：０．５質量％以下を含有する請求項１ないし２に記載の高力銅合金。
【請求項４】
Ｓｎを１．５質量％以下を含有する請求項１〜３のいずれかに記載の高力銅合金。
【請求項５】
Ｚｎを１．５質量％以下を含有する請求項１〜４のいずれかに記載の高力銅合金。
【請求項６】
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｍｎ、Ａｌのうち１種以上を総量で１．０質量％以下の範囲で添加する請求項１〜５のいずれかに記載の高力銅合金。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はリードフレームやコネクター等の電子材料に利用される高強度銅合金に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器に使用される材料は、部品の小型化や高信頼性の要求に伴い、高強度、高電導性に加え、耐食性や耐熱性のより優れたものが望まれている。従来の電子機器用の銅合金としては、りん青銅や黄銅といった固溶強化型が広く用いられてきたが、高導電性の観点からＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金（以下、コルソン合金）のような析出硬化型の銅合金も使用されるようになってきた。
しかし、近年の半導体機器の高集積化や小型化、或いは高密度実装に応じて電子機器に使用される材料も板厚が薄くなり、材料から加工後の部品の形状も小型化しているにも関わらず、材料に求められる強度、導電性といった特性は従来材並またはより厳しくなり、前記従来材では十分な対応ができなくなってきている。特にコネクターに使用される材料は、ばね部に要求される接触圧力は従来と同じであるが、ばね部に負荷をかけた後に除荷した場合、負荷応力を掛ける前と負荷応力を掛けた後の形状の変位量（以下へたり）は小さいことが要求される。また、曲げ加工についても同様であり、部品の小型化に比例して曲げ半径が小さくなるなど、より厳しい条件での曲げ加工が増えてきており、材料に要求される特性も従来材より曲げ加工性が良いものが要求されている。
これら要求特性を満足するべく従来のコルソン合金に対して、例えば結晶粒径および結晶粒の形状を規定して応力緩和特性を改善した銅合金（例えば、特許文献１参照。）が提案され、また、介在物の大きさと分布を規定し強度及び導電率並びにエッチング性を改善した銅合金（例えば、特許文献２参照。）が提案されている。
【特許文献１】
特開２００２−３８２２８号公報
【特許文献２】
特願平１１−２２１９８７号公報
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、へたりを改善した銅合金は従来材の中に無く、当該特性を改善した材料の開発が望まれていた。このへたりはばね限界値と相関がある。これは、ばね限界値があるばね長に負荷をかけた場合に生じる永久たわみ量に相当する表面最大応力値のことであり、この表面最大応力値、すなわちばね限界値が小さい場合、へたり量は大きくなり、表面最大応力値が大きいほど、すなわちばね限界値が大きいほどへたり量は小さくなる。ばね限界値を増加させる方法としては広く一般的に、低温で焼鈍する方法が知られている。しかしこの方法では、ばね限界値の増加と共に強度の低下がみられ、好ましくない。ここで、ばね限界値とはＪＩＳＨ３１３０に記載のモーメント式による値である。
本発明は、強度および曲げ加工性はそのままに、ばね限界値を高強度化した電子電気機器部品用銅合金を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記問題を解決するために本発明者らは、析出型銅合金に関する研究を重ねたところ、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金の成分調整を行った上で、必要に応じＭｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｂｅを含有させると共に、製造条件を制御・選定してマトリックス中の析出物、晶出物、酸化物等の介在物の分布の制御を行うことにより、結晶粒径および結晶粒の形状を制御し、電子材料用銅合金として好適な素材を提供できることを見出した。
【０００５】
すなわち、（１）Ｎｉ：１．０〜４．５質量％、Ｓｉ：０．２〜１．２質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物から成る銅合金であって、最終圧延加工方向と平行な断面における結晶粒の長径ａと直角な断面における結晶粒径の長径ｂの比（ａ／ｂ）が１．５を超え５以下であり、かつ最終圧延加工方向と平行または直角な断面における短径ｃと平行な断面における結晶粒の長径ａの比（ａ／ｃ）の比が２を超え１０以下であり、かつ最終圧延加工方向と平行な断面における結晶粒の長径ａと直角な断面における結晶粒径の長径ｂと最終圧延加工方向と平行または直角な断面における短径ｃの和（ａ＋ｂ＋２ｃ）／４が１μｍを超え３０μｍ未満、かつ直径０．５μｍ以上の介在物が１００個／ｍｍ２以上であることを特徴とする高力銅合金である。
【０００６】
（２）Ｍｇ：０．０５〜０．３質量％を含有する上記（１）に記載の高力銅合金。
【０００７】
（３）Ｐ：０．５質量％以下を含有する上記（１）ないし（２）に記載の高力銅合金。
【０００８】
（４）Ｓｎを１．５質量％以下を含有する上記（１）〜（３）のいずれかに記載の高力銅合金。
【０００９】
（５）Ｚｎを１．５質量％以下を含有する上記（１）〜（４）のいずれかに記載の高力銅合金。
【００１０】
（６）Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｍｎ、Ａｌのうち１種以上を総量で１．０質量％以下の範囲で添加する上記（１）〜（５）のいずれかに記載の高力銅合金。
【００１１】
【発明の実施の形態】
次に本発明において銅合金の組成範囲ならびに結晶粒径および結晶粒の形状ならびに析出物の個数を前記の如くに限定した理由をその作用とともに説明する．
【００１２】
（１）Ｎｉ濃度：Ｓｉと反応してＮｉ２Ｓｉ組成の化合物を生成しＣｕマトリックス中に析出して、導電率の低下を抑えて強度を大幅に向上させる。添加量を  １．０〜４．５質量％に規定した理由は、１．０質量％未満では析出量が少なく充分な強度が得られず、４．５質量％を超えると鋳造又は熱間加工時に強度向上に寄与しない析出物が生成し、添加量に見合う強度が得られないばかりか、熱間加工性や曲げ加工性に悪影響を及ぼし、又晶出物や析出物が粗大化してリードフレーム端面から突出して貴金属めっきの密着性を悪化させる為である。
【００１３】
（２）Ｓｉ濃度：Ｓｉは導電性に悪影響を及ぼすことなくＮｉと反応してＮｉ２Ｓｉ組成の化合物を生成する。従ってＮｉの添加量が決まると最適なＳｉ添加量が決まる。Ｓｉの添加量を０．２〜１．２質量％に規定した理由は、０．２質量％未満では、Ｎｉの場合と同様に充分な強度が得られず、１．２質量％を超えるとＮｉの場合と同様の種々の問題が生じる為である。
【００１４】
（３）Ｍｇ濃度：Ｍｇ添加量を０．０５〜０．３質量％とする理由は、Ｍｇは応力緩和特性を向上させるが、めっきの耐熱剥離性を劣化させる成分であり、０．０５質量％未満では応力緩和特性を改善する事ができず、０．３質量％を超えるとめっきの耐熱剥離性が低下するためである。
【００１５】
（４）Ｐ濃度：Ｐは０．５質量％を超えると熱間加工性が低下するとともに導電性が著しく低下するためである。
【００１６】
（５）Ｓｎ濃度：銅合金をコネクタなどの電子材料に用いる場合に、材料の表面にめっきを実施する場合がある。このめっきはＳｎめっきが多く当該材料をスクラップとして回収し再利用する場合には、Ｓｎを含有させない場合には除去するために精錬工程が必要となり、製造上のコストが上がり好ましくない。また、Ｓｎを含有することにより強度が高くなる事も期待されるが、１．５質量％を超えると導電率が低下することから、上限を１．５質量％とした。
【００１７】
（６）Ｚｎ濃度：Ｚｎは銅合金に錫めっきを行った場合の錫めっき層の耐熱剥離性などの耐熱性が向上するが、１．５質量％を超えると導電率が低下することから、上限を１．５質量％とした。
【００１８】
（７）Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｍｎ、またはＡｌ
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｍｎ、またはＡｌには，Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金の強度及び耐熱性を改善する作用がある。また，これらの中でＡｌ及びＭｎは熱間圧延性を改善する効果も有する。この理由は，これらの元素が硫黄との親和性が強いため硫黄と化合物を形成し，熱間圧延割れの原因となるインゴット粒界への硫黄の偏析を軽減するためである。
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｍｎ、またはＡｌの含有量が総量で１．０質量％を超えると導電率が著しく低下する。そこで，これらの含有量を総量で１．０質量％とした。
【００１９】
（８）結晶粒の形状：図１に示すように最終冷間圧延方向と平行な断面を断面Ａ、および最終冷間圧延方向と直角な断面を断面Ｂとした場合、断面Ａでは測定値の大きい方を長径ａ、小さい方を短径ｃ、断面Ｂでは、測定値の大きい方を長径ｂ、小さい方を短径ｃとする。なお、後述するような結晶粒径の測定方法においては、断面Ａの結晶粒径の短径と断面Ｂの短径はそれぞれ平均値を示し、ほぼ一致したので、本発明では短径ｃとして同じ値とし、いずれか一方の測定値で示すこととした。最終圧延加工方向と平行な断面における結晶粒の長径ａと直角な断面における結晶粒径の長径ｂの比（ａ／ｂ）が１．５を超え５以下であり、かつ最終圧延加工方向と平行または直角な断面における短径ｃと平行な断面における結晶粒の長径ａの比（ａ／ｃ）の比が２を超え１０以下、かつ最終圧延加工方向と平行な断面における結晶粒の長径ａと直角な断面における結晶粒径の長径ｂと最終圧延加工方向と平行または直角な断面における短径ｃの和（ａ＋ｂ＋２ｃ）／４が１μｍを超え３０μｍ未満と規定する理由は、ａ／ｂの比が５より大きく、ａ／ｃの比が１０より大きく、（ａ＋ｂ＋２ｃ）／４が３０以上の場合、ばね限界値が低下し、ａ／ｂの比が１．５以下で、ａ／ｃの比が２以下、（ａ＋ｂ＋２ｃ）／４が１以下の場合、ばね限界値を向上させる効果がなくなる為である。
なお、本発明では、最終圧延加工方向と平行な断面における結晶粒の長径と短径、直角な断面における結晶粒径の長径と短径の和を平行な断面における結晶粒の短径と直角な断面における結晶粒径の短径を同じとし、（ａ＋ｂ＋２ｃ）／４で表す。
【００２０】
（９）介在物：この合金系ではマトリックス中に介在物の粒子が存在することがある。この合金に必要な強度を得るための析出物は微細であるが、０．５μｍを超える粗大な析出物、晶出物等の介在物は強度に寄与しないばかりか、特に大きさが１０μｍを超える粗大なものは曲げ加工性、エッチング性、めっき性を著しく低下させる。本発明では全く新しい発想に立ちこの粗大化合物を有効に利用したものである。
【００２１】
すなわち、溶体化処理において該工程の前加工工程より存在するＮｉ−Ｓｉ系析出物を利用して、再結晶粒径およびその形状ならびにその分布を制御することである。介在物の分布およびその大きさは圧延工程の加工度制御、熱間圧延前の加熱温度及び加熱時間ならびに熱間圧延終了温度、および熱処理条件を調整することによりＮｉ−Ｓｉ粒を残留させておくことにより達成される。再結晶粒径およびその形状はＮｉ−Ｓｉを残留させておいた材料を加工率およびパス回数等を調整した圧延を行い、次に溶体化処理を行うことにより達成される。
【００２２】
本発明において、「介在物」とは、鋳造時の凝固過程に生じる一般に粗大である晶出物並びに溶解時の溶湯内での反応により生じる酸化物、硫化物等、更には、鋳造時の凝固過程以降、すなわち凝固後の冷却過程、熱間圧延後、溶体化処理後の冷却過程及び時効処理時に固相のマトリックス中に析出反応で生じる析出物であり、本銅合金のＳＥＭ観察によりマトリックス中に観察される粒子を包括するものである。「介在物の大きさ」は、介在物をＳＥＭ観察下でその介在物を含む最小円の直径をいう。「介在物の個数」とは、材料の圧延方向に平行な断面においてエッチング後ＳＥＭ観察により多数箇所で実際に数えた単位平方ｍｍ当たりの介在物個数である。
【００２３】
【実施例】
高周波溶解炉にて表１に示す各種成分組成の銅合金を溶製し、厚さ２０ｍｍのインゴットに鋳造した。次に、このインゴットを加熱温度８００℃以上９５０℃未満の温度で１時間以上加熱した後、厚さ８ｍｍまで熱間圧延を行った。次いで、表面のスケール除去のため面削を施した後、冷間圧延により厚さ３ｍｍの板とした。その後、４００から６００℃の温度で５時間の焼鈍を行い、ここで、再度表面のスケール除去のため面削した後、冷間圧延により厚さ１．０ｍｍの板とした。次いで７５０〜９００℃の温度で１０分間の溶体化処理を行った後、０．５ｍｍまで冷間圧延した。そして４００〜６００℃の各組成で最高の温度が得られる温度で各５時間の時効処理を行い、その後、さらに高強度が得られるよう、冷間圧延で厚さ０．１５ｍｍの板とし、最後に５００〜５５０℃で３０秒〜１０分の歪取り焼鈍を適宜施した。なお、発明例及び比較例２５〜３３までは同一の製造条件（圧延加工度、熱処理条件等）であるが、比較例Ｎｏ．３４，３５については、最終圧延加工度を変えて、比較例３６および３７については最終圧延加工度は発明例と同一としたが、最終圧延前の熱処理条件または圧延加工度を変えている。
【００２４】
【表１】
2004269962.tif 000002
【００２５】
このようにして得られた各合金につき諸特性の評価を行った。結晶粒径および結晶粒の形状は、ＪＩＳで規定する切断法（ＪＩＳＨ０５０１）により結晶粒径を測定し、これを基に算出した。
【００２６】
結晶粒径の測定は、図１に示すように、前記断面Ａでは最終冷間圧延方向と平行な方向と直角な方向の２方向で結晶粒径を測定し、測定値の大きい方を長径ａ、小さい方を短径ｃとした。前記断面Ｂでは面の法線方向と平行な方向と、面の法線方向と直角な方向の２方向で結晶粒径を測定し、測定値の大きい方を長径ｂとした。なお、本発明の実施例では、前記断面Ａで測定される短径を短径ｃの値として用いることとした。
【００２７】
前記結晶粒径は、前記銅合金板の結晶組織を光学顕微鏡で６００倍に拡大して写真に撮り、写真上に２００ｍｍの線分を引き、前記線分で切られる結晶粒数ｎを数え、〔２００ｍｍ／（ｎ×６００）〕の式から求めた。
【００２８】
結晶粒の形状は、前記断面Ａの長径ａを前記断面Ｂの長径ｂで除した値（ａ／ｂ）および、前記断面Ａにおける長径ａを前記断面Ａの短径ｃで除した値（ａ／ｃ）および、前記断面Ａの長径ａならびに短径ｃと前記断面Ｂの長径ｂならびに短径ｃの和を４で除した値（ａ＋ｂ＋２ｃ）／４で示した。
【００２９】
へたりは、ばね長を√（５００×板厚）、試験片幅を１０ｍｍとし、ばね部にかかる材料表面最大応力が０．２％耐力値と同じ値となるように、ばね部に負荷応力をかけた後に除荷した場合の、負荷応力をかける前と負荷応力をかけた後の形状の変位量を測定した。ここで、ばね部にかかる材料表面最大応力は式（１）より求められる。
σ  ＝  ６×Ｐ×Ｌ÷（ｗ×ｔ２）            …（１）
σ：応力（ＭＰａ）          Ｐ：荷重（Ｎ）
Ｌ：ばね長（ｍｍ）          ｗ：試験片幅（ｍｍ）
ｔ：板厚（ｍｍ）
【００３０】
引張強さについてはＪＩＳ  Ｚ  ２２０１記載の１３Ｂ号試験片を用いた引張試験機により求めた。ばね限界値については、ＪＩＳ  Ｈ  ３３１０に規定されているモーメント式試験によりばね長を√（３０００×板厚）とし、ばね部に応力を負荷し、永久たわみ量が０．０７５ｍｍとなるときの表面最大応力を測定した。介在物個数は、材料の圧延方向に平行な断面をエッチング後ＳＥＭで観察し、多数箇所において実際に数えた単位平方ｍｍ当たりの大きさ０．５μｍ以上の介在物個数である。
【００３１】
表１からわかるように、発明例Ｎｏ．１〜２４は優れた、強度、ばね限界値を有し、へたりが小さいことがわかる。
【００３２】
一方、比較例Ｎｏ．２５はＮｉが少なく強度が劣り、ばね限界値も低くなりへたりが大きくなった。比較例Ｎｏ．２７はＳｉが少なくＮｏ．２５と同じ理由でへたりが大きくなった。比較例Ｎｏ．２６および２８はＮｉまたはＳｉが多かったために熱間圧延時に割れが発生し、以降の工程を進めることが出来ず、製造を断念した。比較例Ｎｏ．２９はＭｇが本発明例よりも多かったために、導電率が低下し、また、Ｍｇが０．０５％未満の発明例Ｎｏ．１では、他の発明例に比べて応力緩和特性が劣っていた。比較例Ｎｏ．３０はＰが多く導電率が低下した。
比較例Ｎｏ．３１、３２はそれぞれ、Ｓｎ、Ｚｎの量が多く導電率が低下した。
Ｎｏ．３３は介在物個数が少ないために、結晶粒の形状を表す指標（ａ＋ｂ＋２ｃ）／４が大きくなったためにばね限界値が低下し、へたりが大きくなった。比較例Ｎｏ．３４は最終圧延の加工度が高すぎるため、比較例Ｎｏ．３５は低すぎるため、ａ／ｂが請求の範囲を満たさず、へたりが大きくなった。比較例Ｎｏ．３６は溶体化処理前の圧延加工度を発明例よりも高く最終圧延加工前までの製造工程において熱処理条件が適正でないために、ａ／ｃが大きくなり、また、比較例Ｎｏ．３７は最終圧延加工前の熱処理条件が適正でないために、ａ／ｃが小さくなりへたりが大きくなった。
【００３３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、優れた強度とばね限界値を有し、へたりの量が少ない銅合金が得られ、端子、コネクター等電子材料用銅合金として好適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明で規定する結晶粒径及び結晶粒径状の説明図である。
【図１】
2004269962.tif 000003