(57)【要約】【課題】ＳＯＩ基板分離過程でのＳＯＩ表面へ与えられるダメージを低減するとともに、優れた均一性をもち、さらに低コストかつ基板汚染・結晶欠陥を発生させずにＳＯＩ基板を製造する方法を提供することを目的とする。【解決手段】（ａ）第１の半導体基板の表面に絶縁膜を形成するとともに、この絶縁膜より半導体基板内部に半導体層を挟んで脆弱半導体層領域を形成する工程、（ｂ）第１の半導体基板表面の絶縁膜と第２の半導体基板表面とを接合する工程、（ｃ）接合された基板の脆弱半導体層領域に向けて超臨界流体を噴射し脆弱半導体層領域において基板を分離する工程、によりＳＯＩ基板を製造する。【選択図】　図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１の半導体基板の表面に絶縁膜を形成するとともに、この絶縁膜より半導体基板内部に半導体層を挟んで脆弱半導体層領域を形成する工程、
（ｂ）第１の半導体基板表面の絶縁膜と第２の半導体基板表面とを接合する工程、
（ｃ）接合された基板の脆弱半導体層領域に向けて超臨界流体を噴射し脆弱半導体層領域において基板を分離する工程、からなるＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項２】
（ｃ）工程において、ノズルにより超臨界流体を脆弱半導体層領域の一部に向けて連続的又はパルス的に噴射するとともに、脆弱半導体層領域に沿って噴射位置を移動するようにして分離することを特徴とする請求項１に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項３】
第１半導体基板および第２半導体基板がシリコン基板からなり、（ａ）工程で形成される絶縁膜がシリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項１に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項４】
（ｃ）工程において、超臨界流体には二酸化炭素を使用することを特徴とする請求項１に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＳＯＩ（　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　）基板の製造方法に関し、さらに詳細には貼り合わせ法（ｗａｆｅｒ　ｂｏｎｄｉｎｇ）によるＳＯＩ基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
絶縁物上の単結晶シリコン半導体層の形成は、ＳＯＩ（　Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　）技術として広く知られている。ＳＯＩ技術によって作成されるＳＯＩ基板は、ＭＯＳＦＥＴの高速化・低消費電力化を実現する基板として注目されている。また、ＳＯＩ基板を用いる場合は、素子の下部に絶縁層があるために、バルクシリコン基板上に素子を形成する場合と比べて素子分離プロセスが単純化でき、また、ウェル工程が省略できるため、デバイス作製工程が短縮される。さらに放射線耐性に優れ、ラッチアップを防止できる等、通常のバルクシリコン基板を用いたデバイスでは成し遂げられない優位な特性を得ることができる。
【０００３】
また、薄膜ＳＯＩ層上にデバイスを作製する完全空乏型ＭＯＳＦＥＴは、比較的厚いＳＯＩ層を用いた部分空乏型ＭＯＳＦＥＴやバルクシリコン上に作製したＭＯＳＦＥＴに比べて、駆動力の向上による高速化・低消費電力化が可能となる。
その一方で、部分空乏型ＭＯＳＦＥＴやバルクＭＯＳＦＥＴの閾値電圧（Ｖｔｈ）は一般的にはチャネル部の不純物濃度により決定されるが、完全空乏型ＭＯＳＦＥＴの場合には空乏層幅がＳＯＩ層の膜厚の影響を大きく受けることになる。したがって、完全空乏型ＭＯＳＦＥＴを用いて集積回路を歩留まりよく作製するためには、ＳＯＩ層の膜厚の均一性が重要となる。
【０００４】
ＳＯＩ基板の製造方法には、イオン注入によって埋め込み酸化膜を形成する方法と、表面に酸化膜を形成した第１の基板とシリコン表面を有する第２の基板とを貼り合わせて形成する方法が実用化されている。
貼り合わせ法によるＳＯＩ基板作成方法のひとつに、シリコン単結晶基板を熱酸化した別のシリコン単結晶基板に貼り合わせる方法がある。この方法では、貼り合わせた基板を機械的強度の脆弱な半導体層領域において分離する。この脆弱なシリコン領域として、多孔質シリコン層を使用する方法が実用化されている。この方法は第１のシリコン基板に形成した多孔質シリコン層上に単結晶シリコン層をエピタキシャル成長させ、エピタキシャルシリコン層表面を酸化してシリコン酸化膜を形成し、第２のシリコン基板と貼り合わせ、その後、多孔質シリコン層で分離を行うものである。
【０００５】
この方法で作成されたＳＯＩ基板は、ＳＯＩ層がシリコンエピタキシャル成長により形成され、埋め込み酸化膜が熱酸化により形成されるため、膜厚の選択範囲が広く、ＣＯＰ　（　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ　　Ｐａｒｔｉｃｌｅ　）の少ない良質なＳＯＩ層が得られる。またこの方法では分離した基板が再利用できるため、経済的なメリットが大きい。
【０００６】
また脆弱なシリコン領域として、高濃度水素イオン注入層を使用する方法が実用化されている。この方法は、第１のシリコン基板にシリコン酸化膜を形成し高濃度の水素イオン注入を行った後、第２のシリコン基板と貼り合わせ、水素イオン注入層で分離を行う方法である。
ＳＯＩ基板の膜厚均一性は水素イオン注入及び熱酸化膜の均一性に大きく依存しており、これらの工程は通常の半導体製造工程で用いられているため、比較的容易に制御が可能であり均一性に優れたＳＯＩ膜厚を得ることができる。この方法においても分離した基板が再利用できるため、経済的なメリットが大きい。
【０００７】
これらの貼り合わせ法によるＳＯＩ基板の製造工程において貼り合わせた２枚の基板を分離する方法として、分離領域へ応力を与えて引き剥がす方法、例えば貼り合わせ面に対して垂直な方法に引っ張る方法や、貼り合わせ面に対して平行に剪断応力をかける方法、貼り合わせ面に平行な面内でそれぞれの基板を互いに反対方向に移動させる方法や円周方向にそれぞれの基板を反対方向に回転させる方法などがある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、貼り合わせ法によるＳＯＩ基板の製造工程には、貼り合わせた２枚の基板を分離する工程が含まれるが、この分離工程で用いられている従来方法には以下の問題点がある。
【０００９】
分離領域へ応力を与えて引き剥がす方法では、比較的強い応力を必要とし、そのためには治具等を用いて２枚の基板をしっかりと固定して物理的な力を与えなければならない。しかし、貼り合わせたシリコン基板は一般に円盤状であり、またその厚さは５００〜１０００ｕｍ程度と薄いために治具を挿入できる比較的大きな凹部が少ない。このため、この方法は高精度を必要とし、再現性が得られない。また基板の湾曲や治具と基板との摩擦による基板への損傷や機械的ダメージが極めて大きい。
【００１０】
基板への損傷とダメージを低減する分離方法として、高圧の純水を貼り合わせ基板（ウエハ）の分離領域に噴出するウォータージェットを用いた方法が特開平１１−１９５５６８号公報に開示されている。この方法の場合は、基板の固定は静電チャック等で可能なため、治具による問題は軽減され良好な分離が実現される。
【００１１】
第２図は、上記特開平１１−１９５５６８号公報に開示されている貼り合わせ法におけるＳＯＩ基板の分離方法を示したものである。本方法では、第１のシリコン基板（２０１）に形成した多孔質シリコン層（２０２）上に単結晶シリコン層をエピタキシャル成長（２０３）させ、エピタキシャルシリコン層表面にシリコン酸化膜（２０４）を形成して、第２のシリコン基板（２０５）と貼り合わせ、貼り合わせた２枚の基板の多孔質シリコン層に、直径０．０５〜０．５ｍｍ程度のノズルから圧力　数１０００ｋｇｆ／ｃｍ２　　の高圧純水すなわちウォータージェット（２０６）をウエハの分離界面に平行な方向から噴射し、図示しないノズル水平駆動機構又は基板移動機構によりノズルを貼り合わせた２枚のシリコン基板の分離界面に沿って走査することによって分離を行う。
【００１２】
しかしながら、ウォータージェットによる分離の際に基板にストレスが加わることがある。このストレスを低減するために、ウエハ分離領域に空孔密度の異なる２層の多孔質シリコン層を形成して分離時のストレスを緩和する、いわゆるジッパー層を形成する方法がある。しかしながら、この方法は基板製造工程の増加を伴い、製造コストの増加をもたらす。
【００１３】
さらにウォータージェットを使用した分離方法では、水中に融解している有機分子がウエハへ付着するコンタミネーションの問題が避けられない。
また、分離の際にＳＯＩ基板表面に付着する有機分子に起因する炭素（Ｃ）はＳＯＩ表面平坦化のための水素雰囲気中でのアニールの際にＳＯＩ内部に拡散して結晶欠陥を生じ、品質を低下させる原因となる。
【００１４】
そこで、本発明は、ＳＯＩ基板分離過程でのＳＯＩ表面へ与えられるストレス・ダメージを低減するとともに、優れた均一性をもち、さらに低コストでかつ基板汚染や結晶欠陥を発生させずにＳＯＩ基板を製造する方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明のＳＯＩ基板の製造方法は、（ａ）第１の半導体基板の表面に絶縁膜を形成するとともに、この絶縁膜より半導体基板内部に半導体層を挟んで脆弱半導体層領域を形成する工程、（ｂ）第１の半導体基板表面の絶縁膜と第２の半導体基板表面とを接合する工程、（ｃ）接合された基板の脆弱半導体層領域に向けて超臨界流体を噴射し脆弱半導体層領域において基板を分離する工程、とからなる。
【００１６】
本発明によれば、まず、第１の半導体基板（例えばシリコン基板）の表面に絶縁膜（例えばシリコン酸化膜）を形成するとともに、この絶縁膜より半導体基板内部に半導体層を挟んで脆弱半導体層領域（例えば多孔質シリコン層）が形成される（工程（ａ））。続いて第１の半導体基板表面の絶縁膜と第２の半導体基板（例えばシリコン基板）表面とが接合される（工程（ｂ））。これにより、第１図に示すように第１半導体基板（１０１）、脆弱半導体層領域（１０３）、半導体層（１０６）、絶縁膜（１０２）、第２半導体基板（１０４）がこの順で積層された構造が形成される。
【００１７】
次に、上記により形成した処理基板の脆弱半導体層１０３に向けて超臨界流体が噴射されることにより脆弱半導体層が分離する（工程（ｃ））。
このとき超臨界流体は、直径数１００μｍ程度の噴射ノズルにより超臨界流体を超臨界流体ジェットとして脆弱半導体層領域の一部に向けて連続的又はパルス的に脆弱半導体層に平行な方向から噴射するとともに、脆弱半導体層領域に沿って噴射位置を移動するようにするのが好ましい。そのため、ノズルは、ノズル水平駆動機構又は基板移動機構を設けて噴射位置を調整することができるようにするのが望ましい。
【００１８】
本発明の超臨界流体としては、例えば超臨界状態の二酸化炭素（ＣＯ２）を使用することが望ましい。
なお、上記条件での噴射を行うため、処理基板は超臨界流体が存在しうる高圧耐圧容器内で処理される。また、基板は静電チャック機構により固定されるのが望ましい。
また、脆弱半導体層領域に沿って超臨界流体の噴射位置を移動するようにして超臨界流体と接触した部分から順次分離していくことで、ストレスを低減するようにするのが望ましい。
【００１９】
ここで、超臨界流体を用いることについて簡単に説明する。
第３図の相図に示されるように、一般に分子量が低い安定な物質は、臨界圧力（Ｐｃ）と臨界温度（Ｔｃ）で特徴づけられる臨界点を持つ。
臨界点以上では、液体と気体との区別がつかなくなる状態となり、気液の境界面も消失する。それゆえ、この臨界点より高温の状態では、気液共存状態を生じることなく液体と気体の間を連続的に移り変わることができる。この領域ではいくら密度を増大させても凝縮が起こらなくなる。この臨界温度以上で、かつ臨界圧力以上の状態にある流体を超臨界流体と呼ぶ。
【００２０】
超臨界状態にある物質は、気体に近い状態から液体に近い状態まで圧力を変えることによって、密度を連続的に変化させることができる。特に臨界点近傍ではその変化が劇的に起こる。物質の粘度、拡散係数や極性などの諸物性もそれとともに変化する。超臨界流体は、これらの物性を制御することにより高い溶解力と高拡散性の特性をもつ。上記超臨界流体は、精密加工の分野に適するような種々の特性を有している。
例えば、超臨界流体として、二酸化炭素（ＣＯ２）が工業的に広く使用されている。これは、二酸化炭素が適当な臨界点（Ｔｃ＝３１℃、Ｐｃ＝７３ａｔｍ）を有しており、毒性、腐食性、引火性がなく安全であること、及び経済的であることによる。この超臨界流体中では、有機物の溶解度が気体状態に比べ著しく大きくなる。また、液体状態に比べて粘性が低いため、微細な隙間や微細孔内部に浸透しやすいという特徴がある。
【００２１】
貼り合わせた２枚の半導体基板の接合領域に形成されている微細空孔を有する機械的強度の脆弱領域（例えば多孔質シリコン層や水素注入による脆弱シリコン層）に前記超臨界二酸化炭素を臨界点よりわずかに高い温度と圧力状態で局在化させて噴射すると、超臨界二酸化炭素は高圧のウォータージェットに比べて粘度が低いために微細空孔内深くまで容易に浸入することができる。
そして、超臨界流体が微細空孔内に浸入すると、浸入した部分から分離が始まり、やがて微細空孔全体に浸入して完全に分離する。
【００２２】
また超臨界状態の二酸化炭素は水に比べて純度が高いため、有機分子による基板の汚染は少ない。それに加え、有機分子の溶解度が大きいために微細空孔部に浸透する過程で有機分子を抽出する。そして、超臨界流体状態から気体状態に相変化する際の拡散係数の増大によって、上記抽出された有機分子が微細空孔外に放出される。
【００２３】
このため脆弱なシリコン層を形成する工程、例えば多孔質シリコン層を形成する陽極化成の工程で、微細空孔部、すなわちＳＯＩ基板表面となる部分に生じた有機物質の除去が可能となり、より結晶欠陥の少ない高品質なＳＯＩ表面を得ることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。
第１の実施形態
第４図は、本発明の一実施形態であるＳＯＩ基板の製造方法を工程順に説明する図である。本実施形態では、多孔質シリコン層によって機械的強度の脆弱な半導体領域を形成する。なお、各図（ａ）〜（ｇ）は各工程の断面図を示す。
【００２５】
第４図（ａ）の工程では、（第１の）８インチＰ型単結晶シリコン基板（４０１）の表面に陽極化成によって多孔質シリコン層（４０２）を形成する。陽極化成はフッ酸（ＨＦ）とアルコールの混合液中でシリコン基板を陽極にして通電することによって行う。このとき電流量または通電時間の調整によって粒径が数ｎｍから数１０ｎｍの空洞領域を有する厚さ１０ｕｍの多孔質シリコン層（４０２）を形成する。
【００２６】
第４図（ｂ）の工程では、工程（ａ）によるシリコン基板を１１００℃の水素雰囲気中で１時間のアニールを行なって多孔質シリコン層（４０２）表面のシリコン原子のマイグレーションを活性化させ、多孔質シリコン層（４０２）の表面に緻密化した多孔質シリコン層（４０３）を形成する。
この緻密化した多孔質シリコン層は、ストレス低減のためのジッパー層としての役割を果たすことができる。すなわち、後の工程で多孔質シリコン層（４０２）での分離を行う際、応力を緩和し、エピタキシャルシリコン層（４０４）へのダメージを低減できる。
なお、分離の際に超臨界流体を用いることによって、例えばウォータジェットによる分離よりも基板への応力が緩和するので、上記緻密化した多孔質シリコン層を形成する工程は省略することも可能である
【００２７】
第４図（ｃ）の工程では、工程（ｂ）による緻密なシリコン層（４０３）上に減圧ＣＶＤ法によって単結晶シリコン層であるエピタキシャルシリコン層（４０４）を成長させる。このときソースガスとしては、トリクロルシラン（ＳｉＨ　Ｃｌ３）と水素（Ｈ２）の混合ガスを使用し、反応温度１０００℃で２００ｎｍ程度のシリコン層をエピタキシャル成長する。
【００２８】
第４図（ｄ）では、工程（ｃ）によるエピタキシャルシリコン層（４０４）表面に熱酸化により１００ｎｍのシリコン酸化膜（４０５）を形成する。熱酸化は、９５０℃に加熱された酸素と塩化水素の混合ガス中で行う。
第４図（ｅ）では、工程（ｄ）により形成したシリコン酸化膜（４０５）の表面と、第２の８インチＰ型単結晶シリコン基板（４０６）の表面とを重ね合わせ、１２００℃の窒素雰囲気中でアニールを行い、２枚のシリコン基板（４０１、４０６）を貼り合わせる。
【００２９】
第４図（ｆ）では、工程（ｅ）により形成された貼合わせ基板の分離領域となる多孔質シリコン層（４０２）に、直径０．１ｍｍのノズルから圧力１００ａｔｍ、温度５０℃　の超臨界二酸化炭素（４０７）を噴射する。
【００３０】
図示しないノズル水平駆動機構により、ノズルを多孔質シリコン層（４０２）に沿って走査することによって第１のシリコン基板（４０１）に形成されたシリコン酸化膜（４０５）、エピタキシャルシリコン層（４０４）、および多孔質シリコン層（４０２）の一部が、第２のシリコン基板（４０６）側に移り、第１の基板表面（４０１）には多孔質シリコン層（４０２）の一部のみが残る。
【００３１】
工程（ｇ）では、工程（ｆ）の後、第２の基板（４０６）上に移設された多孔質シリコン層（４０２、４０３）をフッ酸と硝酸と界面活性剤の混合液でエッチングして除去する。このエッチング液に対する多孔質シリコン層以外のエッチングレートは、多孔質シリコン層（４０２、４０３）のエッチングレートに比べて極めて小さいために、多孔質シリコン層（４０２、４０３）が除去され、シリコン酸化膜（４０５）上に厚さ１００ｎｍのシリコン単結晶領域（エピタキシャルシリコン層（４０４））を有するＳＯＩ基板が形成される。
【００３２】
本実施形態により得られたＳＯＩ基板の性能を比較するために同様の方法で貼り合わせ基板を作成し、従来のウォータージェットで分離して製造した８インチＳＯＩ基板と比較した。
その結果、従来のウォータージェットで分離して製造した８インチＳＯＩ基板を面内５００点で分光エリプソメーターを用いて測定したＳＯＩ層膜厚均一性は１００ｎｍ　±５ｎｍであったのに対し、本発明の超臨界ＣＯ２ジェットで分離して製造した場合は　１００ｎｍ±３ｎｍ　に改善された。
また原子間力顕微鏡（ＡＦＭ　）を使用してＳＯＩ表面の１μｍ角領域で測定した微小領域での凹凸の指標となる中心線平均荒さ（Ｒａ）は、従来方法で分離した場合が０．１５ｎｍであるのに対し、本発明の分離方法を使用した場合は０．１２ｎｍに改善された。
【００３３】
第２の実施形態
次に、本発明の他の実施形態について図を参照して説明する。
第５図は、本発明の他の一実施形態であるＳＯＩ基板の製造方法を工程順に説明する図である。本実施形態では、水素イオン注入とアニールとによって機械的強度の脆弱な半導体領域を形成する。
【００３４】
工程（ａ）では、（第１の）１２インチＰ型単結晶シリコン基板（５０１）の表面に１０００℃で酸素と水素の混合ガスを使用したパイロジェニック酸化によって膜厚１００ｎｍのシリコン酸化膜（５０２）を形成する。
工程（ｂ）では、工程（ａ）によるシリコン基板（５０１）に水素（Ｈ）イオンをイオン注入して水素イオン注入領域（５０３）を形成する。水素イオン注入の加速エネルギーは１５ＫｅＶ　、注入角度７度、ドーズ量は５　ｘ　１０１６　ｃｍ−２　にしている。この時の水素のシリコン基板への注入深さは約１００ｎｍである。
【００３５】
工程（ｃ）では、工程（ｂ）によるシリコン基板の水素イオン注入面（即ちシリコン酸化膜（５０２）面）と、第２の１２インチＰ型単結晶シリコン基板（５０４）の表面とを重ね合わせ、数１００Ｖ〜数ｋＶの高電圧を印加することによって２つのシリコン基板（５０１、５０４）を貼り合わせる。
工程（ｄ）では、工程（ｃ）により貼り合わせられたシリコン基板（５０１、５０４）を４５０℃に加熱して、第１シリコン基板（５０１）側の水素注入領域（５０３）に微小気泡を発生させ脆弱シリコン層（５０５）を形成する。
【００３６】
工程（ｅ）では、工程（ｄ）によるシリコン基板（５０１、５０４）の分離領域となる脆弱シリコン層（５０５）に、直径０．０５ｍｍのノズルから圧力１２０ａｔｍ、温度６０℃　の超臨界二酸化炭素（５０６）を噴射する。
貼り合わせたシリコン基板（５０１、５０４）を固定するための図示しない基板移動機構により移動し、ノズルから噴射される超臨界二酸化炭素を水素注入層（５０３）を脆弱化させた領域脆弱シリコン層（５０５）に沿って移動させることによって、貼り合わせたシリコン基板（５０１、５０４）を分離する。
これによりシリコン基板（５０４）上の酸化膜（５０２）上に膜厚約１００ｎｍの薄いシリコン層（５０７）を有するＳＯＩ構造のシリコン基板を得る。
【００３７】
分離した第２のシリコン基板（５０４）の剥がし面には２０ｎｍ程度の凸凹（脆弱層５０５の残存領域）が形成されている。そのため、工程（ｆ）では、シリコン層（５０７）の表面にある脆弱シリコン層（５０５）の残存領域を化学的機械的に研磨し平滑化を行いシリコン基板（５０４）上の酸化膜（５０２）上に膜厚約１００ｎｍの薄いシリコン層（５０７）（単結晶Ｓｉ）を有するＳＯＩ構造のシリコン基板を得る。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、貼り合わせた２枚の半導体基板の分離領域に形成されている微細空孔を有する機械的強度の脆弱な半導体領域に超臨界流体（超臨界二酸化炭素）を臨界点より高い温度と高い圧力状態で噴射するようにしたので、粘度が低い流体により微細な隙間や微細空孔内深くまで容易に浸入させることができ、しかも基板に与えるダメージを低減することができる。
また、本発明によれば、分離工程の前工程で、均一性の良好な膜形成工程を採用することができるのでＳＯＩ層の均一性が改善されるとともにＳＯＩ層への結晶欠陥発生が抑制され、ＳＯＩ基板上に高品質で特性ばらつきの少ないトランジスタを形成することが可能になる。
【００３９】
また、多孔質シリコン層によって機械的強度の脆弱な半導体領域を形成する貼り合わせ法によるＳＯＩウエハの製造工程において、従来のウォータージェット法で必要となるウエハ分離面に空孔密度の異なる２層の多孔質シリコン層を形成して分離時のストレスを緩和する、いわゆるジッパー層の必要がなくなるので、製造コストが軽減される。
【００４０】
更に、超臨界状態の二酸化炭素は有機分子の溶解度が大きいために、微細空孔部に浸透して有機分子を抽出する。そして、超臨界流体状態から気体状態に相変化する際の拡散係数の増大によって、上記抽出された有機分子が微細空孔外に放出されるため、高圧の水を使用する方法に比べて基板への有機物付着が抑制されるのみならず、基板に付着している有機汚染の除去が可能になり、ＳＯＩ表面平坦化のための水素雰囲気中でのアニールの際にＳＯＩ内部への炭素の拡散が抑制され結晶欠陥の少ない高品質なＳＯＩ基板の製造が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態である貼り合わせ法によるＳＯＩ基板の分離工程を説明する図。
【図２】従来からの貼り合わせ法によるＳＯＩ基板の分離工程を説明する図。
【図３】相図を説明する図。
【図４】本発明の一実施形態であるＳＯＩ基板の製造方法を工程順に説明する図。
【図５】本発明の一実施形態であるＳＯＩ基板の製造方法を工程順に説明する図。
【符号の説明】
１０１：第１半導体基板（第１シリコン基板）
１０２：絶縁膜（シリコン酸化膜）
１０３：脆弱半導体層（多孔質シリコン層）
１０４：第２半導体基板（第２シリコン基板）
１０５：超臨界流体ジェット
１０６：半導体層（単結晶シリコン層）
４０１：第１シリコン基板
４０２：脆弱シリコン層（多孔質シリコン層）
４０３：緻密化した多孔質シリコン層
４０４：エピタキシャルシリコン層（単結晶シリコン層）
４０５：シリコン酸化膜
４０６：第２シリコン基板
４０７：超臨界流体ジェット
５０１：第１シリコン基板
５０２：シリコン酸化膜
５０３：水素イオン注入領域
５０４：第２シリコン基板
５０５：脆弱シリコン層
５０６：超臨界流体ジェット
５０７：単結晶シリコン層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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