(57)【要約】【課題】開放状態の開口部を備えると共に電磁波を減衰させる電磁遮蔽筒体、及びこれを用いた電磁遮蔽室を提供する。【解決手段】電磁遮蔽室２に設けられた電磁遮蔽筒体１は導波管３からなり、導波管３の内面に磁性体層４を備える。また、磁性体層４は、導波管３の遮断周波数より高い所定範囲の周波数の電磁波に対し、その磁性体層４の厚さを所定の電気長にする複素透磁率を有する。さらに、その磁性体層４の内面にその電磁波に損失を生じさせる抵抗層５を備える。【選択図】図２
2004221271.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両端が開口された導波管からなる電磁遮蔽筒体であって、前記導波管は、その導波管の内面に、その導波管のサイズから規定される遮断周波数より高い所定範囲の周波数の電磁波に対し、損失を生じさせる損失層を備えることを特徴とする電磁遮蔽筒体。
【請求項２】
前記損失層は、前記所定範囲の周波数の電磁波に対し、その損失層の厚さをさらに所定の電気長にするべく複素透磁率を有するものであることを特徴とする請求項１記載の電磁遮蔽筒体。
【請求項３】
前記損失層は、所定の厚さを有する磁性体層を備え、その磁性体層の磁気損失によって前記所定範囲の周波数の電磁波に損失を生じさせるものであることを特徴とする請求項１又は２記載の電磁遮蔽筒体。
【請求項４】
前記磁性体層は、磁性体微粒子が絶縁体中に分散されてなる誘電体であり、その磁性体層の誘電損失によって前記所定範囲の周波数の電磁波にさらに損失を生じさせるものであることを特徴とする請求項３記載の電磁遮蔽筒体。
【請求項５】
前記損失層は、前記磁性体層の内面に抵抗層を備え、その抵抗層の抵抗損失によって、前記所定範囲の周波数の電磁波にさらに損失を生じさせるものであることを特徴とする請求項３又は４記載の電磁遮蔽筒体。
【請求項６】
前記損失層は、前記磁性体層と前記抵抗層との間に非磁性体層を備えることにより、その損失層の複素透磁率が前記所定範囲の周波数の電磁波に対してその損失層の厚さをさらに所定の電気長にさせる値にされるものであることを特徴とする請求項５記載の電磁遮蔽筒体。
【請求項７】
前記導波管は、矩形導波管であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の電磁遮蔽筒体。
【請求項８】
電磁遮蔽空間との間の境界に設けられ、通路として用いられることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の電磁遮蔽筒体。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の電磁遮蔽筒体を通路として備えることを特徴とする電磁遮蔽室。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、その内部を伝送する電磁波を減衰させる電磁遮蔽筒体、およびこれを用いた電磁遮蔽室に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電気機器から不要輻射として放射される放射電磁界強度を測定したり、人の脳波等の微弱な電気信号を測定したりする場合、外部からの電磁波ノイズの影響を排除するため、金属板等のシールド板で覆われた電磁遮蔽室が用いられる（例えば、特許文献１参照。）。このような電磁遮蔽室は、シールド板に隙間や穴等があると、外部から電磁波ノイズが電磁遮蔽室内に入り込んでしまうため、シールド板で隙間なく密閉された構造にされている。また、機器類等を電磁遮蔽室に出し入れするための遮蔽扉にも電磁シールドが施され、遮蔽扉を閉じることによって、電磁遮蔽室内が電磁遮蔽状態に保たれるようにされている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平５−９９８８号公報
【特許文献２】
特開平７−１５９４４１号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記のような電磁遮蔽室では、機器類等の出し入れのためにその遮蔽扉を開けると、遮蔽扉を開けた開口部から電磁波ノイズが電磁遮蔽室内に入り込んでしまうため、電磁遮蔽室の電磁遮蔽効果が失われてしまうという不都合があった。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、開放状態の開口部を備えると共に電磁波を減衰させる電磁遮蔽筒体、及びこれを用いた電磁遮蔽室を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、両端が開口された導波管からなる電磁遮蔽筒体であって、前記導波管は、その導波管の内面に、その導波管のサイズから規定される遮断周波数より高い所定範囲の周波数の電磁波に対し、損失を生じさせる損失層を備えることを特徴としている。
【０００７】
請求項１に記載の発明によれば、前記導波管によりその導波管の遮断周波数より低い周波数の電磁波は遮断される。また、前記導波管の内面に設けられた損失層により、その導波管の遮断周波数より高い所定範囲の周波数の電磁波に対して損失が生じる。これにより、電磁遮蔽筒体内を伝送する電磁波が減衰する。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１記載の電磁遮蔽筒体において、前記損失層は、前記所定範囲の周波数の電磁波に対し、その損失層の厚さをさらに所定の電気長にするべく複素透磁率を有するものであることを特徴としている。請求項２に記載の発明によれば、前記損失層により、その導波管の遮断周波数より高い所定範囲の周波数の電磁波に対してその損失層の厚さが物理長よりも増大された所定の電気長にされるので、その損失層の厚みを増加させた場合に近似する損失が、その電磁波に生じる。これにより、電磁遮蔽筒体内を伝送する電磁波の減衰量を大きくすることが可能になる。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２記載の電磁遮蔽筒体において、前記損失層は、所定の厚さを有する磁性体層を備え、その磁性体層の磁気損失によって前記所定範囲の周波数の電磁波に損失を生じさせるものであることを特徴としている。請求項３に記載の発明によれば、磁性体層による磁気損失が、その電磁波に生じる。これにより、電磁遮蔽筒体内を伝送する電磁波を減衰させることが可能になる。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の電磁遮蔽筒体において、前記磁性体層は、磁性体微粒子が絶縁体中に分散されてなる誘電体であり、その磁性体層の誘電損失によって前記所定範囲の周波数の電磁波にさらに損失を生じさせるものであることを特徴としている。請求項４に記載の発明によれば、磁性体微粒子が絶縁体中に分散されることにより誘電体にされた磁性体層の誘電損失によって、所定範囲の周波数の電磁波にさらに損失が生じる。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、請求項３又は４記載の電磁遮蔽筒体において、前記損失層は、前記磁性体層の内面に抵抗層を備え、その抵抗層の抵抗損失によって、前記所定範囲の周波数の電磁波にさらに損失を生じさせるものであることを特徴としている。請求項５に記載の発明によれば、磁性体層の内面に抵抗層が設けられるので、その導波管の内壁面から離れた位置、すなわち電界が強い位置に抵抗層を設けた場合に近似する損失が、その電磁波に生じる。これにより、電磁遮蔽筒体内を伝送する電磁波の減衰量を大きくすることが可能になる。
【００１２】
請求項６に記載の発明は、請求項５記載の電磁遮蔽筒体において、前記損失層は、前記磁性体層と前記抵抗層との間に非磁性体層を備えることにより、その損失層の複素透磁率が前記所定範囲の周波数の電磁波に対してその損失層の厚さをさらに所定の電気長にさせる値にされるものであることを特徴としている。請求項６に記載の発明によれば、前記磁性体層と前記抵抗層との間に非磁性体層を設けることにより、その損失層の複素透磁率を所定範囲の周波数の電磁波に対してその損失層の厚さが物理長よりも増大された所定の電気長にされる。
【００１３】
請求項７に記載の発明は、請求項１〜６のいずれかに記載の電磁遮蔽筒体において、前記導波管は、矩形導波管であることを特徴としている。請求項７に記載の発明によれば、前記導波管は矩形導波管であるので、電磁遮蔽筒体の内壁面を平らにすることが可能になる。
【００１４】
請求項８に記載の発明は、請求項１〜７のいずれかに記載の電磁遮蔽筒体において、電磁遮蔽空間との間の境界に設けられ、通路として用いられることを特徴としている。請求項８に記載の発明によれば、電磁遮蔽空間との間の境界に設けられた請求項１〜７のいずれかに記載の電磁遮蔽筒体が通路として用いられるので、通路を伝送する電磁波が減衰させられる。
【００１５】
請求項９に記載の電磁遮蔽室は、請求項１〜８のいずれかに記載の電磁遮蔽筒体を通路として備えることを特徴としている。請求項９に記載の発明によれば、請求項１〜８のいずれかに記載の電磁遮蔽筒体が、電磁遮蔽室の内外をつなぐ通路として用いられるので、通路を伝送する電磁波が減衰させられる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る電磁遮蔽筒体１を備えた電磁遮蔽室２を示す外観斜視図である。図１に示す電磁遮蔽室２は、例えば、その壁面が電磁波を遮蔽する金属導体で構成された略立方体形状にされている。また、電磁遮蔽室２の一壁面部に矩形状の開口部１１が設けられ、さらに開口部１１から矩形の管状に延設された電磁遮蔽筒体１が設けられている。そして、電磁遮蔽筒体１の他端側には開口部１２が設けられている。
【００１７】
これにより、電磁遮蔽室２は、電磁遮蔽筒体１の開口部１２及び開口部１１を介して物を出し入れしたり、換気したりすることが可能にされている。また、電磁遮蔽筒体１は、その内部を伝送する電磁波を減衰させ、開口部１２及び開口部１１を通って外部から電磁遮蔽室２内に入り込む電磁波を遮蔽するものである。これにより、電磁遮蔽室２は、開口部を有すると共にその内部は電磁遮蔽状態に保たれる。
【００１８】
図２は、図１に示す電磁遮蔽筒体１の詳細を説明するためのＸ方向から見た断面図である。図２に示す電磁遮蔽筒体１は、例えば、断面が矩形の導波管３と、導波管３の内壁面のすべてを覆うように密着して設けられた磁性体層４と、磁性体層４の内側表面のすべてを覆うように密着して設けられた抵抗層５とを備え、磁性体層４と抵抗層５とから電磁波を減衰させる損失層が構成されている。
【００１９】
導波管３は、例えばその管壁面が金属等の導体で構成された断面形状が矩形の導波管である。図３は、磁性体層４の構成の一例を示す図である。図３に示す磁性体層４は、例えば、アモルファス合金等の強磁性体からなる微粒子４１と、誘電体からなるバインダー４２とから構成される。そして、微粒子４１と微粒子４１との間には、バインダー４２が入り込んで微粒子４１同士が非接触にされ、磁性体層４全体として、誘電体（絶縁体）になるようにされている。
【００２０】
この磁性体層４は、例えば、磁気テープ等と同様の公知の方法により製造が可能であり、例えば、微粒子４１に対して濡れ性の良い液状のバインダー４２の中に所定の重量比、例えば７０％程度の重量比で微粒子４１を入れることにより、バインダー４２が濡れによって微粒子４１の表面をコーティングしつつその隙間に入り込んで微粒子４１同士が非接触にされた材料が得られる。さらにこの材料をローラ等を用いてシート状に引き伸ばした後に、液状のバインダー４２を硬化させることによって、シート状にされた磁性体層４を得ることが可能である。
【００２１】
一般に、強磁性体はマイクロ波に対して反射導体として働くため、マイクロ波は強磁性体材料の中に浸入することができない。一方、磁性体層４は、強磁性体である微粒子４１を含みながら、全体としては絶縁体であるため、マイクロ波が磁性体層４の中まで浸入可能にされている。
【００２２】
また、磁性体層４が図３に示す構成にされている場合、磁性体層４の内部では導体である微粒子４１によって絶縁距離が短縮されるため、磁性体層４全体として、材料そのものの誘電率よりも等価的に高い誘電率が得られる。実験によれば、直径が２０〜３０μｍ程度の微粒子４１を７０％程度の重量比で、誘電率が２Ｆ／ｍ程度のバインダー４２中に分散させ、その微粒子４１同士の間隔（バインダー４２による微粒子４１間の絶縁距離）を０．１μｍ〜０．５μｍ程度とすることにより、磁性体層４全体として４０Ｆ／ｍ程度の誘電率が得られた。
【００２３】
また、このようにして構成された磁性体層４は、電磁波の周波数が高くなると、その透磁率及び誘電率が低下する傾向があるが、微粒子４１の直径を小さくすることにより、その透磁率及び誘電率の低下傾向を抑制することができる。なお、微粒子４１は、必ずしも図３に示すような球体である必要はなく、その形状がばらついている場合であっても、おおよそ球体に近似して、同様の効果を得ることが可能である。
【００２４】
これにより、磁性体層４に浸入した電磁波は、その磁界成分のエネルギーは、高い透磁率を有する微粒子４１の表面に電流を生じることにより熱に変換され、磁気損失（磁性体層４の複素透磁率の虚数項）等として消費される。一方、磁性体層４中に分散された微粒子４１は導体であるため、電界は誘電体であるバインダー４２に集中させられ、強い電界がバインダー４２に印加される。そして、強められた電界に応じてバインダー４２の分子が振動させられる等による誘電損失（磁性体層４の複素誘電率の虚数項）が生じるので、電界成分のエネルギーが効率よく消費される。
【００２５】
また、磁性体層４そのものは、微粒子４１の絶縁距離の短縮効果によって等価的に誘電率が高められた誘電体となるので、電界によって磁性体層４に誘起される電荷量は高められた誘電率に応じて増加し、さらにその増加された電荷が微粒子４１中を移動する結果、電流が微粒子４１中を流れることによる等価的な誘電損失が生じることによっても電界成分のエネルギーが消費される。
【００２６】
抵抗層５は例えば炭素皮膜等からなる抵抗体であり、導波管３内で電磁波の電界成分に抵抗損失を生じさせ、電磁波を減衰させる。
【００２７】
以上のように、図３に示す構成にされた磁性体層４と抵抗層５からなる損失層は、その内部にマイクロ波（電磁波）が浸入可能にされると共に、その電磁波に対して磁気損失、誘電損失、及び抵抗損失を生じさせることができるので、効果的に電磁波を減衰させることができる。
【００２８】
図４、図５は、図２に示す電磁遮蔽筒体１の作用を説明するための図である。図４は、矩形導波管１００の中をＴＥ１０モードで伝送される電磁波による電界１０１の分布を示す断面図である。矩形導波管１００の内部には正弦波状に電界１０１が分布し、電界１０１は矩形導波管１００の側壁面に接する位置で零になり、その側壁面から離れるに従って電界強度が上昇し、矩形導波管１００の略中央で最も電界が強くなる。
【００２９】
一方、従来より、導波管内の電界に平行に板状の抵抗体を挿入することによって、その抵抗損失によって電磁波を減衰させるものが、導波管抵抗減衰器として知られている。このような抵抗体を用いて電磁波を減衰させる場合、上記のように矩形導波管１００の略中央で電界が最大になるため、抵抗体が矩形導波管１００の略中央に配置されたときに最も減衰量が大きくなる一方、電界が弱い矩形導波管１００の壁面付近に抵抗体が配置された場合には、十分な減衰効果を得ることができない。しかし、電磁波を十分減衰させるために矩形導波管１００の中央付近に抵抗体を配置したのでは、矩形導波管１００を介して物を出し入れしたり、人が出入りしたりすることが困難である。
【００３０】
図５は、図２に示す電磁遮蔽筒体１の中をＴＥ１０モードで伝送される電磁波による電界６の分布を示す断面図である。図５において、説明を容易にするため厚さｔの磁性体層４を導波管３の左右側壁内面に設けた例を示している。実際には、外部から電磁遮蔽筒体１内に浸入してくる電磁波の偏波面に関わらず電磁波を減衰させるために、導波管３の上下壁面の内面にも磁性体層４を備えることがより望ましい。なお、対象とする電磁波の偏波方向が予め判っている場合には、その電磁波の電界と平行な壁面の内面にのみ磁性体層４及び抵抗層５を備える構成としても良い。
【００３１】
図５において、磁性体層４の中に浸入した電磁波は、磁性体層４の透磁率μによりその波長が短縮され、従って磁性体層４内に浸入した電磁波から見た磁性体層４の厚さｔは、その電気長による厚さＴが大きくなる。また、その電磁波の磁界は、導波管３の左右側壁内面位置で磁界最大となるため、その壁面に密着して磁性体層４を設けることにより、効果的に波長短縮効果、すなわち電気長の増大効果が得られる。
【００３２】
この場合、厚さｔの磁性体層４内に浸入した電磁波の波長をλとすると、その電気長による厚さＴは、式（１）で与えられる。
【００３３】
【数１】
2004221271.tif 000003
【００３４】
なお、式（１）は、下記式（３）で示す条件の範囲では式（２）で近似される。
【００３５】
【数２】
2004221271.tif 000004
【００３６】
式（２）において、電気長による厚さＴは透磁率μの関数として与えられるため、Ｔ＞ｔとなる透磁率μを磁性体層４に持たせることにより、磁性体層４の電気長による厚さＴを物理的な厚さｔよりも大きくすることができる。これにより、図５における導波管３の側壁面からｔの距離離れた位置、すなわち磁性体層４の内側表面位置の電界は、図４における矩形導波管１００の側壁面からＴの距離離れた位置の電界とほぼ等しくなる。
【００３７】
また、式（１）においては、電気長による厚さＴは磁性体層４の複素透磁率μｒと複素誘電率εｒとの関数として与えられるが、式（１）において厚さＴとして大きな値が得られる複素透磁率μｒと複素誘電率εｒとを有する材料を磁性体層４として用いることにより、式（２）の場合と同様の作用が得られることが示される。
【００３８】
従って、磁性体層４による電界に対する誘電損失の効果が、物理的な厚さｔよりも厚みが大きい厚さＴの磁性体層４を導波管３の内面に設けた場合と同様となり、電磁波の減衰量を大きくすることができる。さらに、磁性体層４の表面に抵抗層５を設けることにより、抵抗層５を導波管３の壁面から距離Ｔ離れた位置に配置した場合と同様の効果が得られ、抵抗損失による電磁波の減衰量をより大きくすることができる。また、導波管３断面の長辺の長さがａである場合、導波管３の遮断波長λｃは、λｃ＝２ａで与えられ、波長が遮断波長λｃ以上の電磁波は遮断される。
【００３９】
すなわち、導波管３の遮断周波数より高い所定範囲の周波数の電磁波に対する電気長が長くされることにより厚みが増加された磁性体層４の内面に抵抗層５が設けられるので、その導波管３の内壁面から離れた位置、すなわち電界が強い位置に抵抗層４を設けた場合に近似する損失が、その電磁波に生じる。これにより、電磁遮蔽筒体１内を伝送する電磁波の減衰量が大きくなる。
【００４０】
なお、電磁遮蔽筒体１は、磁性体層４によって導波管３内の電磁波を十分減衰させることができる場合は、抵抗層５を設けない構成であっても良い。また、導波管３断面の長辺の長さａが遮蔽しようとする電磁波の波長に対してより大きい場合には、その電磁波の高次のモードで損失が生じるため、電磁遮蔽筒体１の開口寸法を大きくした場合であってもその電磁波を減衰させることができる。また、電磁遮蔽筒体１を長さ方向に大きくしたり、磁性体層４の厚さｔを大きくしたりすることにより、減衰量をさらに増加させることができる。
【００４１】
また、磁性体層４の代わりに、例えば発泡スチロール等の誘電性素材にカーボン粉末等の抵抗体材料を分散して混在させた材料等の損失誘電体を用いても良い。この場合、磁性体層４を用いたときよりも、その損失誘電体の層の厚さｔを大きくすることが望ましい。
【００４２】
また、磁性体層４は、導波管３の壁面に密着して設けられることがより望ましいが、導波管３の内面に設けられるものであれば良く、例えば導波管３の壁面と磁性体層４との間に絶縁性のシート材等を備えたり、壁面位置から所定の距離離れた内面位置に磁性体層４を備える構成としてもよい。
【００４３】
（第２実施形態）
図６は、本発明の第２の実施形態に係る電磁遮蔽筒体１の詳細を説明するための断面図である。図６に示す電磁遮蔽筒体１と図２に示す電磁遮蔽筒体１とは、図６に示す電磁遮蔽筒体１が磁性体層４と抵抗層５の間に例えば誘電体からなる非磁性体層７を備える点で異なる。他の点においては図２に示す電磁遮蔽筒体１と同様であるので、説明を省略する。
【００４４】
図２に示す電磁遮蔽筒体１において、磁性体層４の物理的な厚さｔからより効果的に大きな電気長による厚さＴを得るためには、磁性体層４の複素透磁率μｒを式（１）において厚さＴとして大きな値が得られる複素透磁率μｒを、磁性体層４の複素透磁率として設定することが好ましい。一方、磁性体層４の複素透磁率を任意に設定することは容易ではない。
【００４５】
そこで、図６に示す電磁遮蔽筒体１においては、磁性体層４と抵抗層５の間に、例えば誘電体からなる非磁性体層７を設け、磁性体層４と非磁性体層７とを合わせた厚さｔを有する等価的な磁性体層の複素透磁率μｒを、式（１）において厚さＴとして大きな値が得られる複素透磁率の範囲に設定するようにしている。この場合、非磁性体層７の厚さを調整することにより、等価的な磁性体層の複素透磁率μｒを任意に設定することが可能となる。
【００４６】
このように、透磁率を任意に設定することが難しい磁性体層４と、任意に厚さを調整することができる非磁性体層７とを組み合わせることにより、等価的な磁性体層の複素透磁率μｒを、式（１）において厚さＴとして大きな値が得られる範囲に容易に設定することができる。
【００４７】
なお、磁性体層４は、微粒子４１とバインダー４２とからなる構成に限られず、その透磁率が式（２）において、Ｔ＞ｔとなる透磁率μを有するものであればよい。例えば、発泡性の誘電性素材にフェライト等の磁性付与素材を分散させて混入させたものや、合成樹脂からなるテープ状の基材表面にフェライト等の磁性体の微粒子を塗布して構成される磁気テープを細かく裁断した後に加熱成型したもの（例えば、フジ化成工業社の「ＥＭパネル」（登録商標））等を磁性体層４として用いることができる。あるいは、フェライト等の主に磁気損失のみによって電磁波に損失を生じさせるものを磁性体層４として用いてもよい。
【００４８】
図７は、図２に示す電磁遮蔽筒体１において、透過減衰量の測定を行うための実験装置を示す図である。図７においては、電磁遮蔽体により構成された隔壁２０１を貫通して設けられた電磁遮蔽筒体１と、その隔壁２０１とを示す断面図を示している。図７において、電磁遮蔽筒体１を、隔壁２０１の左右に開口するように設けると共に、電磁遮蔽筒体１の左側開口部から３５０ｍｍ離れた位置に電磁波発生装置２０２を配置し、電磁遮蔽筒体１の右側開口部から３５０ｍｍ離れた位置に電磁波測定装置２０３を配置した。これにより、電磁波発生装置２０２から出力された電磁波は、電磁遮蔽筒体１内部を通って電磁波測定装置２０３に到達し、電磁遮蔽筒体１を通らない電磁波は隔壁２０１によって遮蔽される。また、図７に示す電磁遮蔽筒体１は、導波管３の内径の長辺の長さａを１３０ｍｍ、導波管３の内径の短辺の長さｂを８０ｍｍとし、磁性体層４として厚さｔが１５ｍｍのフジ化成工業社の「ＥＭパネル」（登録商標）を用い、抵抗層５を３９０Ωとしている。
【００４９】
図８は、図７に示す実験装置によって測定した透過減衰量の測定値を示すグラフである。図７に示す電磁遮蔽筒体１によれば、図８に示すように、０．７ＧＨｚ〜３．１ＧＨｚの周波数範囲の電磁波に対して１００ｄＢを超える透過減衰量が得られた。また、図８において、０．７ＧＨｚ以下の周波数範囲の電磁波に対しては、図７に示す電磁遮蔽筒体１の導波管としての遮断周波数以下の周波数範囲になるため、より高い透過減衰量が得られる。
【００５０】
これにより、例えば、電磁遮蔽室２内の電磁遮蔽状態を保ったまま電磁遮蔽筒体１を介して機器類等を出し入れしたり、電磁遮蔽室２内の換気を行ったりすることが可能になる。また、例えば病院等において電磁遮蔽室２を脳波測定等の微弱な電気信号の測定に用いることにより、脳波測定等の測定結果に外部からの電磁波ノイズの影響を与えることなく電磁遮蔽筒体１を通って医師や測定技師等が電磁遮蔽室２内に出入りすることが可能になる。また、電磁遮蔽筒体１は、外部から電磁遮蔽室２内に浸入する電磁波を遮蔽するものであってもよく、電磁遮蔽室２内の機器や試験装置等によって発生した電磁波を外部に漏らさないように遮蔽するものであっても良い。
【００５１】
また、電磁遮蔽室２に、複数、例えば二つの電磁遮蔽筒体１を備えてもよい。この場合、電磁遮蔽室２内の電磁遮蔽状態を保ったまま一方の電磁遮蔽筒体１から電磁遮蔽室２内を通って他方の電磁遮蔽筒体１へ通り抜け可能にすることができる。
【００５２】
さらに、例えば、上記のように通り抜け可能にされた電磁遮蔽筒体１及び電磁遮蔽室２内にベルトコンベア等の搬送装置を備え、例えば工場の生産ラインから搬送されてきた製品を一方の電磁遮蔽筒体１を経由して電磁遮蔽室２内に搬送し、例えばＩＥＣ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｃｏｍｍｉｓｓｏｎ）規格等による電磁適合性の検査を行いつつ他方の電磁遮蔽筒体１へ通り抜けさせるようにしてもよい。この場合、従来の電磁遮蔽室のように製品の検査を実施するときに生産ラインの流れを止めて遮蔽扉を閉じる必要がないので、生産ライン上に製品を流したままオンラインで電磁適合性の検査を行うことが可能になり、生産効率を向上させることができる。
【００５３】
図９は、上記のように二つの電磁遮蔽筒体１を備えた電磁遮蔽室２をベルトコンベア８を用いて通り抜け可能にした状態を示す断面図である。図９に示すベルトコンベア８は、例えば図略の生産ラインの一部とされている。また、ベルトコンベア８は、生産ラインの上流から搬送されてきた電磁適合性の検査対象製品を、一方の電磁遮蔽筒体１の開口部１２から搬入すると共に電磁遮蔽室２を経由して他方の電磁遮蔽筒体１の開口部１２から搬出するための搬送ベルト８１と、搬送ベルト８１を駆動させるための駆動部８２から構成されている。これにより、検査対象製品を生産ライン上に流したまま電磁遮蔽室２内に搬入し、電磁適合性の検査を実施することが可能にされている。
【００５４】
また、搬送ベルト８１は、その表面に抵抗体、損失誘電体、及び損失磁性体等からなる損失層８３を備えることが望ましい。さらに、搬送ベルト８１の表面に設けられる損失誘電体は、電磁遮蔽筒体１内の電界と平行な方向にされることが望ましい。一方、損失磁性体は、電磁遮蔽筒体１内の磁界と平行な方向にされることが望ましい。これにより、電磁遮蔽筒体１の壁面から離れた中央に近い位置に損失層を配置することが可能になり、より電磁遮蔽筒体１内の電磁波の減衰量を大きくすることができる。
【００５５】
なお、導波管３として矩形導波管を用いる例を示したが、円筒導波管等、他の断面形状の導波管を用いても良い。また、導波管の基本モードであるＴＥ１０モードを例に説明したが、これ以外の高次の伝搬モードであってもよい。
【００５６】
また、例えばガラス等の透明部材を用いて電磁遮蔽筒体１の開口部を閉鎖し、電磁遮蔽筒体１を光の通路として用いることにより、レーザー出力装置やビデオカメラ等の電磁波ノイズ発生源となる光学機器を電磁遮蔽室２の外部に配置し、レーザー出力装置から電磁遮蔽筒体１を介して電磁遮蔽室２内の試料等にレーザー光を照射したり、電磁遮蔽室２内の状態を電磁遮蔽筒体１を介してビデオカメラで撮影したりするようにしてもよい。これにより、電磁遮蔽室２内の気密状態と電磁遮蔽状態とを保ちつつ、電磁遮蔽室２内に配置された試料等に光学的な処置を施したり、電磁遮蔽室２内の状態を撮影したりすることが可能になる。
【００５７】
【発明の効果】
請求項１に記載の発明によれば、電磁遮蔽筒体内を伝送する電磁波を減衰させることができるので、この電磁遮蔽筒体を電磁遮蔽空間と非電磁遮蔽空間との境界に設けることにより、開放状態の開口部を備えると共に電磁波を減衰させることができる。
【００５８】
請求項２に記載の発明によれば、損失層の厚みを増加させた場合に近似する損失を、前記所定範囲の周波数の電磁波に対し生じさせることができるので、電磁遮蔽筒体内を伝送する電磁波の減衰量を大きくすることができる。
【００５９】
請求項３に記載の発明によれば、磁性体層による磁気損失によって、電磁遮蔽筒体内を伝送する電磁波を減衰させることができる。
【００６０】
請求項４に記載の発明によれば、誘電損失によって、電磁遮蔽筒体内を伝送する電磁波をさらに減衰させることができる。
【００６１】
請求項５に記載の発明によれば、電磁遮蔽筒体内を伝送する電磁波の減衰量をより大きくすることができる。
【００６２】
請求項６に記載の発明によれば、磁性体層と抵抗層との間に非磁性体層を設けることにより、その損失層の複素透磁率を、その損失層の厚さが所定範囲の周波数の電磁波に対して物理長よりも増大された所定の電気長になるように調整することができる。
【００６３】
請求項７に記載の発明によれば、電磁遮蔽筒体の内壁面を平らにすることができるので、電磁遮蔽筒体内を物流に好適な形状にすることができる。
【００６４】
請求項８に記載の発明によれば、電磁遮蔽空間との間の境界に設けられた通路を伝送する電磁波を減衰させることができる。
【００６５】
請求項９に記載の発明によれば、電磁遮蔽室の内外をつなぐ通路を伝送する電磁波を減衰させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る電磁遮蔽筒体を備えた電磁遮蔽室を示す外観斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る電磁遮蔽筒体の詳細を説明するための断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る磁性体層の構成の一例を示す図である。
【図４】導波管内の電界分布を説明するための図である。
【図５】図２に示す電磁遮蔽筒体の作用を説明するための図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る電磁遮蔽筒体の詳細を説明するための断面図である。
【図７】図２に示す電磁遮蔽筒体１において、透過減衰量の測定を行うための実験装置を示す図である。
【図８】図７に示す実験装置によって測定した透過減衰量の測定値を示すグラフである。
【図９】本発明の一実施形態に係る電磁遮蔽筒体を用いた搬送装置の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１            電磁遮蔽筒体
２            電磁遮蔽室
３            導波管
４            磁性体層
５            抵抗層
６            電界
７            非磁性体層
８            ベルトコンベア
１１，１２            開口部
４１        微粒子（磁性体微粒子）
４２        バインダー（絶縁体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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