(57)【要約】【課題】基板の表面に遮光層が形成された電気光学基板において、遮光能力をさらに高める構成を提供する。【解決手段】本発明の電気光学基板２００は、基材２１０上に半導体層を備えるとともに、該基材２１０上に、所定パターンの遮光層２１５と、該遮光層２１５上に形成された絶縁体層２１２と、該絶縁体層２１２上に形成された半導体層２０６とを備え、遮光層２１５が、所定パターンの遮光本体層２１１上にシリコン層２１４が形成された構成を具備している。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に半導体層を備えた電気光学基板であって、
前記基材上に、所定パターンの遮光層と、該遮光層上に形成された絶縁体層と、該絶縁体層上に形成された半導体層とを備え、
前記遮光層が、所定パターンの第１遮光膜とシリコン膜とが積層された構成を具備していることを特徴とする電気光学基板。
【請求項２】
支持基板と、半導体層を備えた半導体基板とを貼り合わせてなる電気光学基板であって、
前記支持基板上に、所定パターンの遮光層と、該遮光層上に形成された絶縁体層と、該絶縁体層と貼合せ絶縁体層を介して貼り合わされた半導体層とを備え、
前記遮光層が、所定パターンの第１遮光膜上にシリコン膜が形成された構成を具備していることを特徴とする電気光学基板。
【請求項３】
前記第１遮光膜が、高融点金属シリサイド膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学基板。
【請求項４】
前記シリコン膜が、ポリシリコン膜であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電気光学基板。
【請求項５】
前記シリコン膜が、前記第１遮光膜の上面及び／又は側面を覆う態様にて形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電気光学基板。
【請求項６】
一対の基板間に電気光学材料が挟持されてなる電気光学装置であって、前記基板の少なくとも一方を、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電気光学基板にて構成したことを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
基材上に半導体層を備えた電気光学基板の製造方法であって、
基材上に所定パターンの第１遮光層を形成する工程と、
該第１遮光層上にシリコン膜を形成する工程と、
前記第１遮光層及びシリコン膜からなる遮光層上に絶縁体層を形成する工程と、
該絶縁体層上に半導体層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする電気光学基板の製造方法。
【請求項８】
支持基板と、半導体層を備えた半導体基板とを貼り合わせてなる電気光学基板の製造方法であって、
支持基板上に所定パターンの第１遮光層を形成する工程と、
該第１遮光層上にシリコン膜を形成する工程と、
前記第１遮光層及びシリコン膜からなる遮光層上に絶縁体層を形成する工程と、
該絶縁体層上に貼合せ絶縁体層を介して、半導体層を備える半導体基板を貼り合わせる工程と、
を含むことを特徴とする電気光学基板の製造方法。
【請求項９】
基材上に半導体層を備えた電気光学基板を用いた電気光学装置の製造方法であって、
基材上に所定パターンの第１遮光層を形成する工程と、
該第１遮光層上にシリコン膜を形成する工程と、
前記第１遮光層及びシリコン膜からなる遮光層上に絶縁体層を形成する工程と、
該絶縁体層上に半導体層を形成する工程と、
を含む電気光学基板作成工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
支持基板と、半導体層を備えた半導体基板とを貼り合わせてなる電気光学基板を用いた電気光学装置の製造方法であって、
支持基板上に所定パターンの第１遮光層を形成する工程と、
該第１遮光層上にシリコン膜を形成する工程と、
前記第１遮光層及びシリコン膜からなる遮光層上に絶縁体層を形成する工程と、
該絶縁体層上に貼合せ絶縁体層を介して、半導体層を備える半導体基板を貼り合わせる工程と、
を含む電気光学基板作成工程を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１遮光層上にシリコン膜を形成する工程において、前記シリコン膜を前記基板全面を覆う態様にて前記第１遮光層上に形成するものとし、
前記シリコン膜の形成後、該シリコン膜上に窒化シリコン膜及びレジストを形成し、前記第１遮光層をマスクとして露光することにより、該第１遮光層上に窒化シリコン膜及びレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を除去して、第１遮光層上に選択的に窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとし、前記第１遮光層の形成領域以外の領域において前記シリコン膜を酸化させる工程と、
を含むことを特徴とする請求項９又は１０に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を備えた電気光学基板、及び電気光学装置と、これらの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、薄膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦＴと略す）を用いたアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置では、各画素に設けられた画素スイッチング用のＴＦＴのチャネル領域に光が照射されると、光による励起で光リーク電流が発生しＴＦＴの特性が変化してしまう場合がある。特に、プロジェクタにおけるライトバルブ用の電気光学装置の場合には、入射光の強度が高いため、ＴＦＴのチャネル領域やその周辺領域において入射光を遮光することが重要となる。そこで従来は、対向基板に設けられた各画素の開口領域を規定する遮光膜により、或いはＴＦＴアレイ基板上においてＴＦＴの上を通過すると共にＡｌ（アルミニウム）等の金属膜からなるデータ線により、係るチャネル領域やその周辺領域を遮光するように構成している。
【０００３】
そして特に、ＴＦＴアレイ基板上におけるＴＦＴの下側にも、例えば高融点金属からなる遮光膜を設けることがある。このようにＴＦＴの下側にも遮光膜を設ければ、ＴＦＴアレイ基板側からの裏面反射光や、複数の電気光学装置をプリズム等を介して組み合わせて一つの光学系を構成する場合に他の電気光学装置からプリズム等を突き抜けてくる投射光などの戻り光が、当該電気光学装置のＴＦＴに入射するのを未然に防ぐことができる。例えば、特許文献１参照。
【０００４】
【特許文献１】
特開平４−１３３０３３号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このような遮光膜を備えたＴＦＴにおいても、光リーク電流の発生を更に防止する構成を採用することが望ましく、例えばＴＦＴの下側に形成する遮光膜の遮光性向上が望まれる。
【０００６】
一方、このようなＴＦＴを製造する技術としてＳＯＩ技術が知られている。ＳＯＩ技術は、素子の高速化や低消費電力化、高集積化を図ることができる等の利点を有することから、例えば電気光学装置に好ましく適用されている技術である。基板上に上述の遮光層及び絶縁体層を形成してなる支持基板と、単結晶シリコンなどからなる単結晶半導体層を含むデバイス形成層とを貼り合わせ、研磨する方法等により薄膜単結晶半導体層を形成し、その薄膜単結晶半導体層を例えば液晶駆動用のＴＦＴに適用している。
【０００７】
そして、薄膜単結晶半導体層を液晶駆動用のＴＦＴ等のトランジスタ素子に適用する場合には、パターニングした薄膜単結晶半導体層をウエットエッチングする方法や、薄膜単結晶半導体層を酸化して酸化膜とした後、その酸化膜をウエットエッチングする方法などにより、トランジスタ素子を構成する薄膜単結晶半導体層の膜厚の制御が行われている。
【０００８】
このようなＳＯＩ技術を用いて製造されるＴＦＴにおいても、光リーク電流の発生を防止するために遮光膜の遮光性向上は必須で、例えばＴＦＴの下側に形成する遮光膜の遮光性向上が更に望まれている。
【０００９】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、基板の表面に遮光層が形成された電気光学基板において、遮光能力をさらに高める構成を提供することを目的とし、また、このような耐光性の高い電気光学基板を用いた電気光学装置を提供することを目的としている。さらに、これら電気光学基板、電気光学装置を好適に提供可能な製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学基板は、基材上に半導体層を備えた電気光学基板であって、前記基材上に、所定パターンの遮光層と、該遮光層上に形成された絶縁体層と、該絶縁体層上に形成された半導体層とを備え、前記遮光層が、所定パターンの第１遮光膜とシリコン膜とが積層された構成を具備していることを特徴とする。
【００１１】
このような構成の電気光学基板によると、遮光層の構成を、第１遮光膜とシリコン膜とを積層して２層構造としたため、単に１層の遮光層を設けた場合に比して遮光能力が向上する。また、シリコン膜表面での反射が生じ難いため、該反射に基づいて外部からの迷光が半導体層に入射することも防止ないし抑制される。したがって、このような電気光学基板を用いて半導体素子を構成した場合にも、該半導体素子において光リーク電流が極めて生じ難くなり、その駆動特性が優れたものとなる。
【００１２】
また、本発明の電気光学基板は、その異なる態様として、支持基板と、半導体層を備えた半導体基板とを貼り合わせてなる電気光学基板であって、前記支持基板上に、所定パターンの遮光層と、該遮光層上に形成された絶縁体層と、該絶縁体層と貼合せ絶縁体層を介して貼り合わされた半導体層とを備え、前記遮光層が、所定パターンの第１遮光膜上にシリコン膜が形成された構成を具備していることを特徴とする。
【００１３】
このような構成の電気光学基板によると、支持基板と半導体基板とを貼り合わせてなる電気光学基板において、遮光層の構成を、第１遮光膜上にシリコン膜を形成した２層構造としたため、単に１層の遮光層を設けた場合に比して遮光能力が向上する。また、シリコン膜表面での反射が生じ難いため、該反射に基づいて外部からの迷光が半導体層に入射することも防止ないし抑制される。したがって、このような電気光学基板を用いて半導体素子を構成した場合にも、該半導体素子において光リーク電流が極めて生じ難くなり、その駆動特性が優れたものとなる。
【００１４】
本発明の電気光学基板において、前記第１遮光膜として高融点金属シリサイド膜を用いることができる。この場合、高融点金属シリサイド膜と前記シリコン膜との２層構造となり、またシリコン膜表面での反射も生じ難いため、上述の通り遮光性能が向上するとともに、当該高融点金属シリサイド膜とシリコン膜とからなる遮光層をアニールすることで遮光性を一層向上させることが可能となる。具体的には、高融点金属シリサイド膜をアニールすることにより、膜中に形成された余剰のシリコン成分が抜け、第１遮光膜たる高融点金属シリサイド膜の遮光性が向上する。さらに、本発明では、高融点金属シリサイド膜上にシリコン膜が形成されているため、高融点金属シリサイド膜から上記シリコン成分がシリコン膜側に抜けやすくなり、遮光能力が一層向上するものとなる。なお、例えば高融点金属としてＷ（タングステン）を用いた場合には、ＷＳｉがよりＷＳｉ２に近づくため遮光能力が増加することとなる。
さらに、薄膜単結晶半導体層を酸化して酸化膜とした時、シリコン膜が酸化されることによって高融点金属シリサイド膜が酸化されることが防止されるため、該高融点金属シリサイド膜が酸化して高融点金属が飛散することが防止される。さらに該高融点金属シリサイド膜が酸化され遮光性が低下する事を防止する事が可能となる。
【００１５】
また、前記シリコン膜としてポリシリコン膜を用いることができ、この場合、当該遮光層の遮光性向上効果が一層顕著となる。なお、前記シリコン膜は、遮光性向上を考慮して、前記第１遮光膜の上面及び／又は側面を覆う態様にて形成することが好ましく、特に第１遮光膜の上面を覆う態様にて形成するのが遮光性向上の観点から最も効果的である。
【００１６】
次に、本発明の電気光学装置は、一対の基板間に電気光学材料が挟持されてなる電気光学装置であって、前記基板の少なくとも一方を上述の電気光学基板にて構成したことを特徴とする。このような電気光学装置によると、上記電気光学基板を用いて電気光学材料を挟持し、その半導体層を主体として半導体素子を構成することにより駆動特性に優れ、信頼性の高い電気光学装置を提供することが可能となる。
【００１７】
次に、本発明の電気光学基板の製造方法は、支持基板と、半導体層を備えた半導体基板とを貼り合わせてなる電気光学基板の製造方法であって、支持基板上に所定パターンの第１遮光層を形成する工程と、該第１遮光層上にシリコン膜を形成する工程と、前記第１遮光層及びシリコン膜からなる遮光層上に絶縁体層を形成する工程と、該絶縁体層上に貼合せ絶縁体層を介して、半導体層を備える半導体基板を貼り合わせる工程とを含むことを特徴とする。
【００１８】
このような製造方法により、上述した電気光学基板が製造され、例えば遮光層の構成が、第１遮光膜上にシリコン膜を形成した２層構造となり遮光能力が向上する。この場合も、第１遮光膜としては例えば高融点金属シリサイド膜を用いることができ、シリコン膜としては例えばポリシリコン膜を用いることができる。なお、シリコン膜は、第１遮光膜の上面及び／又は側面を覆う態様にて形成することが遮光性向上の観点から好ましい。
【００１９】
また、本発明の電気光学基板の製造方法は、支持基板と、半導体層を備えた半導体基板とを貼り合わせてなる電気光学基板を用いた電気光学装置の製造方法であって、支持基板上に所定パターンの第１遮光層を形成する工程と、該第１遮光層上にシリコン膜を形成する工程と、前記第１遮光層及びシリコン膜からなる遮光層上に絶縁体層を形成する工程と、該絶縁体層上に貼合せ絶縁体層を介して、半導体層を備える半導体基板を貼り合わせる工程とを含む電気光学基板作成工程を具備することを特徴とする。
【００２０】
このような電気光学基板作成工程により得られた基板を用いて電気光学材料を挟持することで、その基板に形成された半導体層を主体として半導体素子を構成することが可能となり、駆動特性に優れ、信頼性の高い電気光学装置を提供することが可能となる。
【００２１】
なお、前記第１遮光層上にシリコン膜を形成する工程において、前記シリコン膜を前記基板全面を覆う態様にて前記第１遮光層上に形成するものとし、前記シリコン膜の形成後、該シリコン膜上に窒化シリコン膜及びレジストを形成し、前記第１遮光層をマスクとして露光することにより、該第１遮光層上に窒化シリコン膜及びレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を除去して、第１遮光層上に選択的に窒化シリコン膜を形成する工程と、前記窒化シリコン膜をマスクとし、前記第１遮光層の形成領域以外の領域において前記シリコン膜を酸化させる工程とを含むものとすることができる。
【００２２】
このような工程を採用することにより、電気光学基板上に形成される積層膜において段差が生じ難く、膜厚を均一にすることが可能となる。すなわち、上記方法ではシリコン膜を基板全面に形成し、これを第１遮光層形成領域以外の領域（非遮光領域）において選択的に酸化するものとしたため、該非遮光領域のシリコン膜が酸化シリコン膜となり、この酸化に伴って該シリコン膜の膜厚が増大することとなる。したがって、第１遮光層形成領域のシリコン膜よりも非形成領域の酸化シリコン膜が相対的に厚膜となり、第１遮光層が形成されたことによる膜厚差分を補うことが可能となる。その結果、例えば第１遮光層上にシリコン膜を形成して２層構造とした場合にも、作成される電気光学基板上の積層膜に段差が生じ難くなり、当該電気光学基板を電気光学装置に適用した場合にも段差に基づく表示不具合が生じ難くなり、例えば液晶材料を該基板で挟持して液晶装置（電気光学装置）を構成した場合にも、段差によるディスクリネーションが発生し難くなる。
【００２３】
一方、上記のような段差を解消するための工程を含む製造方法は、貼り合わせ構造を含む電気光学装置に限定されず、例えば単に基材上に半導体素子を備えてなる電気光学基板を用いた電気光学装置の製造方法にも適用可能である。すなわち本発明の電気光学装置の製造方法について、その異なる態様は、基材上に所定パターンの第１遮光層を形成する工程と、該第１遮光層上にシリコン膜を形成する工程と、前記第１遮光層及びシリコン膜からなる遮光層上に絶縁体層を形成する工程と、該絶縁体層上に所定パターンの半導体層を形成する工程とを含み、前記第１遮光層上にシリコン膜を形成する工程において、前記シリコン膜を前記基板全面を覆う態様にて前記第１遮光層上に形成するものとし、前記シリコン膜の形成後、該シリコン膜上に窒化シリコン膜及びレジストを形成し、前記第１遮光層をマスクとして露光することにより、該第１遮光層上に窒化シリコン膜及びレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を除去して、第１遮光層上に選択的に窒化シリコン膜を形成する工程と、前記窒化シリコン膜をマスクとし、前記第１遮光層の形成領域以外の領域において前記シリコン膜を酸化させる工程とを含むことを特徴とする。このような方法により、半導体素子を備える電気光学基板において段差の大きさを低減することが可能となる。また、第１遮光層をマスクとして露光し、該第１遮光層上に選択的に窒化シリコン膜及びレジスト膜を形成する工程においては、別途フォトマスクを用意する手間が省かれ、製造効率が向上する。
【００２４】
なお、本発明に用いる支持基板としては透光性の絶縁基板、例えば石英基板等を主体として構成することが好ましい。また、本発明においては遮光層を所定パターンに形成するものとしたが、例えば格子状、ストライプ状、島状などの所定形状の平面パターンを有する遮光層により、半導体層（例えばチャネル領域）を下側から遮光することができる。ここで遮光層を構成する第１遮光膜としては、例えば高融点金属の珪素化合物により形成することができるものとしたが、高融点金属としては例えばＴｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｂ（鉛）等を例示できる。
【００２５】
また、前記遮光層上に形成する絶縁体層としては例えば酸化シリコンを主体として構成することが好ましく、例えば多層構造のものを採用することができる。絶縁体層は遮光層を完全に覆う、例えば支持基板の略全面に形成することができるが、例えば遮光層よりも一回り大きい格子状、ストライプ状、島状などの形状の平面パターンにて形成することも可能である。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
【００２７】
（電気光学基板）
まず、本発明に係る電気光学基板の第１実施形態について説明する。図１は、電気光学基板２００の断面構成図であって、この電気光学基板２００は、支持基板２１０と、この支持基板２１０上に形成され、所定の形状にパターニングされた遮光層２１５と、さらに遮光層２１５上に形成された絶縁体層２１２と、この絶縁体層２１２上に、貼合せ絶縁層２１６を介して形成された単結晶シリコン層（半導体層）２０６とを備えて構成されている。ここでは、例えば遮光層２１５に下側から覆われる位置の半導体層２０６に、トランジスタ素子等の各種スイッチング素子が形成されるようになっている。なお、絶縁体層２１２と貼合せ絶縁体層２１６の間が貼り合わせ界面とされている。
【００２８】
ここで支持基板２１０は透光性を備えた絶縁基板であればよく、本実施形態では石英基板を用いている。遮光層２１５は、遮光本体層（第１遮光膜）２１１と、この遮光本体層２１１を覆うように形成されたシリコン層２１４とが積層された構成を有している。
【００２９】
遮光本体層２１１は、例えば高融点金属の珪素化合物により形成することができ、本実施形態ではＷＳｉ（タングステンシリサイド）を用いている。なお、高融点金属としてはＷ（タングステン）の他にも、例えばＴｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｂ（鉛）等を用いることができる。また、シリコン層２１４は、本実施形態ではポリシリコン層を用いて構成したが、例えばアモルファスシリコンを採用することも可能である。
【００３０】
絶縁体層２１２は、所定パターンの遮光層２１５を形成したことにより生じる段差を解消するための平坦化膜であり、例えば酸化シリコン膜にて構成することができ、例えば多層構造のものを採用することができる。絶縁体層２１２は遮光層２１５を完全に覆う形にて、例えば支持基板２１０の略全面に形成することができるが、少なくとも遮光層２１５よりも一回り大きい平面パターンにて形成すればよい。なお、この絶縁体層２１２は本発明において特に必須の構成要素ではない。貼合せ絶縁層２１６は、絶縁体層２１２との接着性を考慮して例えば酸化シリコン膜にて構成することができる。
【００３１】
半導体層２０６は、本実施形態では単結晶シリコンにて構成され、遮光層２１５のパターンに対応して該遮光層に下側から覆われる形にて配設されている。なお、遮光層２１５のパターン形状としては、例えば格子状、ストライプ状、島状などの所定形状の平面パターンにて形成することで、半導体層（例えばチャネル領域）２０６を下側から遮光することができる。
【００３２】
このような構成の電気光学基板２００では、遮光層２１５が遮光本体層２１１上にシリコン層２１４を形成した２層構造であるため、単に１層の遮光層（遮光本体層２１１）を設けた場合に比して遮光能力が向上する。また、シリコン層２１４表面での反射が生じ難いため、該反射に基づいて外部からの迷光が半導体層２０６に入射することも防止ないし抑制される。したがって、このような電気光学基板２００の半導体層２０６を用いて半導体素子を構成した場合にも、該半導体素子において光リーク電流が極めて生じ難くなり、その駆動特性が優れたものとなる。
【００３３】
また、遮光本体層２１１を高融点金属シリサイドにて構成したため、これをアニールすることにより、該遮光本体層２１１中に形成された余剰のシリコン成分が抜け、遮光本体層２１１の遮光性を向上させることが可能である。さらに、高融点金属シリサイドで構成された遮光本体層２１１上にシリコン層２１４が形成されているため、遮光本体層２１１から上記シリコン成分がシリコン層２１４側に抜けやすくなり、遮光能力を一層向上させることが可能となる。なお、本実施形態では、遮光本体層２１１としてＷＳｉが用いられ、このＷＳｉがアニールによりＷＳｉ２に近づくため遮光能力が増加することとなる。
さらに、半導体層２０６をゲート酸化等で酸化膜とした時、シリコン層２１４が酸化されることによって遮光本体層２１１のＷＳｉの酸化が防止されるため、遮光本体層２１１のＷＳｉの酸化に基づいてＷが飛散することが防止される。さらに遮光本体層２１１が酸化され遮光性が低下する事を防止する事が可能となる。
【００３４】
次に、本発明の電気光学基板の第２実施形態について説明する。図２は、第２実施形態の電気光学基板２９０の断面構成図であって、この電気光学基板２００は、基板２１０と、この基板２１０上に形成され、所定の形状にパターニングされた遮光層２１５と、さらに遮光層２１５上に形成された絶縁体層２１２と、この絶縁体層２１２上に形成された半導体層２０６とを備えて構成されている。ここでは、例えば遮光層２１５に下側から覆われる位置の半導体層２０６に、トランジスタ素子等の各種スイッチング素子が形成されるようになっている。なお、図１に示した第１実施形態と同じ符号を付した要素については、特に説明のない限り同じ構成を有するものとする。
【００３５】
このように本実施形態の電気光学基板２９０は、貼り合わせ構造を有しておらず、したがって、半導体層２０６と絶縁体層２１２との間に貼合せ絶縁層２１６が形成されていない。このような電気光学装置２９０においても、遮光層２１５が２層構造をなしているため、第１実施形態と同様に半導体層２０６に対して高い遮光性が確保されるようになる。なお、本第２実施形態では、半導体層２０６は単結晶シリコン、ポリシリコン、アモルファスシリコンのいずれかにて構成することができる。
【００３６】
次に、図３は第２実施形態の電気光学基板２９０の変形例を示す断面模式図であって、この電気光学基板２８０においては、遮光本体層２１１に沿う形にて、該遮光本体層２１１の上面及び側面にシリコン層２１４が形成されている。このような電気光学装置２８０においても、遮光層２１５が２層構造をなしているため、第１実施形態と同様に半導体層２０６に対して高い遮光性が確保されるようになる。
【００３７】
なお、図３に示した電気光学基板２８０のシリコン層２１４を形成する方法としては以下のような方法を採用することができる。すなわち、まず、遮光本体層２１１を所定パターンで形成した後、該遮光本体層２１１を覆う態様にて基板２１０の全面にシリコン膜をＣＶＤ法もしくはスパッタ法等にて堆積し、これにポジ型のレジストを積層する。そして、遮光本体層２１１を介してレジストに対して裏面露光することにより、該遮光本体層２１１の形成領域のみにレジストを残存させ、レジストを介してシリコン膜に対してエッチングを行うことで、遮光本体層２１１の形成領域のみにシリコン層２１４を形成することができる。なお、この場合、遮光本体層２１１の側面においては、シリコン膜が露光方向に膜厚が大きいためレジストが露光されず、該側面部分にも図３に示すようにシリコン層２１４が残存することとなる。
【００３８】
次に、図４は第２実施形態の電気光学基板２９０の変形例を示す断面模式図であって、この電気光学基板２７０においては、遮光本体層２１１に沿う形にて、該遮光本体層２１１の上面にシリコン層２１４が形成されている。このような電気光学装置２７０においても、遮光層２１５が２層構造をなしているため、第１実施形態と同様に半導体層２０６に対して高い遮光性が確保されるようになる。
【００３９】
なお、図４に示した電気光学基板２７０のシリコン層２１４を形成する方法としては、例えば遮光本体層２１１に使用するＷＳｉ膜とシリコン層２１４を構成するシリコン膜をＣＶＤ法もしくはスパッタ法等にて堆積することで、所定パターンで遮光本体層２１１とシリコン層２１４を形成する事が出来る。
【００４０】
次に、図５は第２実施形態の電気光学基板２９０の変形例を示す断面模式図であって、この電気光学基板２６０においては、遮光本体層２１１に沿う形にて、該遮光本体層２１１の下面にシリコン層２１４が形成されている。このような電気光学装置２６０においては、遮光本体層２１１をアニールする際のシリコン成分の抜けを促進する効果があり、また遮光層２１５と基板２１０との間に入射した迷光を吸収する効果を併せ持っている。
【００４１】
なお、図５に示した電気光学基板２６０のシリコン層２１４を形成する方法としては、シリコン層２１４を構成するシリコン膜をＣＶＤ法もしくはスパッタ法等にて堆積し、遮光本体層２１１に使用するＷＳｉ膜を堆積することで、所定パターンで遮光本体層２１１とシリコン層２１４を形成する事が出来る。
【００４２】
次に、図６は第２実施形態の電気光学基板２９０の変形例を示す断面模式図であって、この電気光学基板２５０においては、遮光本体層２１１に沿う形にて、該遮光本体層２１１の上面及び下面にシリコン層２１４ａ、２１４ｂが形成されている。このような電気光学装置２５０においては、遮光層２１５が２層構造をなしているため、第１実施形態と同様に半導体層２０６に対して高い遮光性が確保され、また遮光本体層２１１をアニールする際のシリコン成分の抜けを促進する効果があり、また遮光層２１５と基板２１０との間に入射した迷光を吸収する効果を併せ持っている。
【００４３】
なお、図６に示した電気光学基板２５０のシリコン層２１４ａ，２１４ｂを形成する方法としては、遮光本体層２１１に使用するＷＳｉ膜を堆積し、さらに遮光本体層２１１に使用するＷＳｉ膜上に第２のシリコン膜を形成し、所定パターンでシリコン層２１４ａ、遮光本体層２１１、及びシリコン層２１４ｂを形成する事が出来る。
【００４４】
次に、図１に示す電気光学基板２００の製造方法について、図面を参照して説明する。図７及び図８は、図１に示す電気光学基板の製造工程を示す断面工程図であり、図７（ａ）〜（ｄ）、図８（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ各工程における断面図を示している。また、以下に示す製造方法は、一例であって、本発明は以下に記載のものに限定されない。
【００４５】
まず、図７（ａ）に示すように、支持基板２１０上の全面に第１遮光膜たる遮光本体層２１１を形成し、これを所定形状にパターニングする。支持基板２１０としては、例えば厚さ１．２ｍｍの石英基板を用いることができる。遮光本体層２１１は、例えばタングステンシリサイドをスパッタ法により１００〜２５０ｎｍ程度の厚さ、より好ましくは２００ｎｍの厚さに堆積することにより得る。なお、この遮光本体層２１１の材料は本実施形態に限定されるものではなく、製造するデバイスの熱プロセス最高温度に対して安定な材料であればどのような材料を用いても問題はない。例えば他にもモリブデン、タンタルなどの高融点金属や多結晶シリコン、さらにはモリブデンシリサイド等のシリサイドが好ましい材料として用いられ、形成法もスパッタ法の他、ＣＶＤ法、電子ビーム加熱蒸着法などを用いることができる。
【００４６】
次に、図７（ｂ）に示すように、遮光本体層２１１上に、そのパターン形状に対応させて、該遮光本体層２１１を覆う態様にてシリコン層２１４を形成する。このシリコン層２１４としては例えばポリシリコンを主体として構成されるものを用いることができ、その成膜方法としては例えばＣＶＤ法もしくはスパッタ法等にて堆積し、これを所定形状にパターニングすることによって構成することができる。
【００４７】
次に、図７（ｃ）に示すように、シリコン層２１４及び遮光本体層２１１が形成された支持基板２１０を覆うように、例えば酸化シリコン膜からなる絶縁体層２１２を堆積する。このような絶縁体層２１２は、例えばスパッタ法、あるいはＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケート）を用いたプラズマＣＶＤ法により堆積させる。なお、絶縁体層２１２の材料としては、上記の酸化シリコン膜の他に、例えばＮＳＧ（ノンドープトシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などの高絶縁性ガラス等を用いることができる。
【００４８】
なお、図７（ｄ）に示すように、絶縁体層２１２の表面を、遮光本体層２１１上に所定の膜厚を残す条件で、例えば研磨後の遮光本体層２１１上の層厚が０．４μｍから１．０μｍ程度となるようにグローバルに研磨して平坦化してもよい。なお、研磨による平坦化の手法としては、例えばＣＭＰ（化学的機械研磨）法を用いることができる。
【００４９】
次に、絶縁体層２１２上に半導体層として例えば単結晶シリコン層を形成するが、本実施形態では以下の方法を用いた。なお、絶縁体層２１２上に直接半導体層を形成する方法を採用することも可能であるが、以下の方法を採用することにより薄膜の単結晶半導体層を形成することが可能となる。
すなわち、まず図８（ａ）に示すように、図７（ｄ）に示した絶縁体層付き支持基板２１０と、単結晶シリコン基板（単結晶半導体基板）２６０との貼り合わせを行う。貼り合わせに用いる単結晶シリコン基板２６０は、貼合せ絶縁層２１６と、厚さ０．２μｍ程度の単結晶シリコン層２２６とを積層した構成を含み、貼合せ絶縁層２１６と、上記支持基板２１０の絶縁体層２１２とを貼り合わせるものとしている。上記貼り合わせ工程は、例えば室温で２枚の基板を直接貼り合わせる方法が採用できる。
【００５０】
このような貼合せ工程後、単結晶シリコン層２２６上に、所定の平面形状にフォトレジストを塗布し、このフォトレジストをマスクとして単結晶シリコン層２２６のエッチングを行い、その後フォトレジストを剥離して図８（ｂ）に示すように所定のパターンの単結晶シリコン層２２６を得る。次に、形成した単結晶シリコン層２２６の膜厚制御を行う。この場合、例えば図８（ｃ）に示すように、単結晶シリコン層２２６の一部を酸化して所定の層厚の犠牲酸化層２２６ａを形成し、この犠牲酸化層２２６ａをドライエッチング、或いはウェットエッチングにより除去することで、所定膜厚の単結晶シリコン層（半導体層）２０６を得る。以上のような方法により、図１に示すような半導体層２０６を備えた電気光学基板２００が得られる。なお形成した単結晶シリコン層２０６の形成方法としては前記記載の方法のみならず、図８（ａ）に示された基板上に形成された単結晶シリコン層２２６を酸化して所定の膜厚の犠牲酸化層２２６ａを形成し、この犠牲酸化層２２６ａをドライエッチング、或いはウェットエッチングにより除去して膜厚制御を行い、所定の形状のフォトレジストでパターニングを行って所定膜厚の単結晶シリコン層（半導体層）２０６を得ても良い。
【００５１】
次に、本発明に係る電気光学基板の製造方法について、その一実施形態を示す。図９及び図１０は、その製造工程を示す断面工程図であり、図９（ａ）〜（ｄ）、図１０（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ各工程における断面図を示している。また、以下に示す製造方法は、一例であって、本発明は以下に記載のものに限定されない。
【００５２】
まず、図９（ａ）に示すように、支持基板（基材）２１０上に所定パターンの遮光本体層２１１を形成した後、該遮光本体層２１１を覆う態様にて支持基板２１０上にシリコン層２１４を形成し、さらにシリコン層２１４上に窒化シリコン膜２２１を形成する。支持基板２１０としては、例えば厚さ１．２ｍｍの石英基板を用いることができる。遮光本体層２１１は、例えばタングステンシリサイドをスパッタ法により１００〜２５０ｎｍ程度の厚さ、より好ましくは２００ｎｍの厚さに堆積することにより得る。また、シリコン層２１４としては、例えばポリシリコンを主体として構成されるものを用いることができる。
【００５３】
次に、図９（ｂ）に示すように、窒化シリコン膜２２１上全面にフォトレジスト２２２を形成するとともに、遮光本体層２１１をマスクとして支持基板２１０側から光Ｌを照射し裏面露光を行う。このような露光により、図９（ｃ）に示すように遮光本体層２１１の形成領域に平面的に重なってレジスト２２２がパターン形成される。続いて、パターン形成されたレジスト２２２をマスクとして、窒化シリコン膜２２１のエッチングを行い、さらにレジスト２２２を除去して、図９（ｄ）に示すように遮光本体層２１１の形成領域に平面的に重なって形成された窒化シリコン膜２２１を得る。
【００５４】
次に、図９（ｄ）に示したようなパターン化された窒化シリコン膜２２１をマスクとして、シリコン層２１４を酸化させる。この場合、図１０（ａ）に示すように、窒化シリコン膜２２１の非形成領域、すなわち遮光本体層２１１の非形成領域に位置するシリコン層２１４が酸化され、酸化シリコン層２２３が形成されることとなる。そして、この場合、酸化に伴ってシリコン膜の容積が増大するため、酸化シリコン層２２３の膜厚がシリコン層２１４の膜厚よりも大きく形成されることとなる。
【００５５】
その後、図１０（ｂ）に示すように窒化シリコン膜２２１を除去し、残ったシリコン層２１４及び酸化シリコン層２２３上に絶縁体層２１２を形成することで、２層構造の遮光層を備えた支持基板２１０を得ることができる。この場合、酸化シリコン層２２３を遮光本体層２１１の非形成領域に形成したため、所定パターンの遮光本体層２１１を形成したことに基づいて、絶縁体層２１２に段差が発生する問題が解消されることとなる。すなわち、酸化シリコン層２２３が段差抑制層として機能し、より平坦な表面を有した絶縁体層２１２を備える支持基板２１０を得ることが可能となる。なお、図１１に示すように、窒化シリコン膜２２１を除去することなく、その上層に絶縁体層２１２を形成することも可能であり、この場合、窒化シリコン膜２２１がシリコン層２１４に対する酸化抑制層として機能することとなる。
【００５６】
（液晶装置）
図１２は電気光学装置としての液晶装置の画像形成領域（画素部若しくは表示領域）を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。また、図１３は、データ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群を拡大して示す平面図である。
また、図１４は、図１３のＡ−Ａ’断面図である。尚、図１４においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００５７】
図１２において、本実施形態による液晶装置の画像表示領域（画素部若しくは表示領域）を構成するマトリクス状に形成された複数の画素は、マトリクス状に複数形成された画素電極９ａと画素電極９ａを制御するためのＴＦＴ（トランジスタ素子）３０とからなり、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００５８】
画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０（図１４参照）に形成された対向電極２１（図１４参照）との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過不可能とされ、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過可能とされ、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。例えば、画素電極９ａの電圧は、データ線に電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量７０により保持される。これにより、保持特性は更に改善され、コントラスト比の高い液晶装置が実現できる。本実施形態では特に、このような蓄積容量７０を形成するために、後述の如く走査線と同層、もしくは導電性の遮光膜を利用して低抵抗化された容量線３ｂを設けている。
【００５９】
次に、図１３に基づいて、ＴＦＴアレイ基板の画素部（画像表示領域）内の平面構造について詳細に説明する。図１３に示すように、液晶装置のＴＦＴアレイ基板上の画素部内には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられている。データ線６ａは、コンタクトホール５を介して単結晶シリコン層の半導体層１ａのうち後述のソース領域に電気的接続されており、画素電極９ａは、コンタクトホール８を介して半導体層１ａのうち後述のドレイン領域１ｅに電気的接続されている。また、半導体層１ａのうちチャネル領域１ａ’（図中右上りの斜線の領域；図１４参照）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。
【００６０】
容量線３ｂは、走査線３ａに沿ってほぼ直線状に伸びる本線部（即ち、平面的に見て、走査線３ａに沿って形成された第１領域）と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中、上向き）に突出した突出部（即ち、平面的に見て、データ線６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。
【００６１】
そして、図中右上がりの斜線で示した領域には、図１に示した遮光本体層２１１に対応する複数の第１遮光膜１１ａが設けられている。より具体的には、第１遮光膜１１ａは夫々、画素部において半導体層１ａのチャネル領域を含むＴＦＴをＴＦＴアレイ基板の側から見て覆う位置に設けられており、更に、容量線３ｂの本線部に対向して走査線３ａに沿って直線状に伸びる本線部と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って隣接する段側（即ち、図中下向き）に突出した突出部とを有する。第１遮光膜１１ａの各段（画素行）における下向きの突出部の先端は、データ線６ａ下において次段における容量線３ｂの上向きの突出部の先端と重ねられている。この重なった箇所には、第１遮光膜１１ａと容量線３ｂとを相互に電気的接続するコンタクトホール１３が設けられている。即ち、本実施形態では、第１遮光膜１１ａは、コンタクトホール１３により前段あるいは後段の容量線３ｂに電気的接続されている。
【００６２】
次に、図１４に基づいて、液晶装置の画素部内の断面構造について説明する。図１４に示すように、液晶装置は、光透過性基板の一例を構成するＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、石英基板１０Ａを備えてなり、対向基板２０は、ガラス基板（石英基板でも良い）２０Ａを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜４０が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ膜（インジウム・ティン・オキサイド膜）などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。
【００６３】
他方、対向基板２０には、ＴＦＴアレイ基板１０上のデータ線６ａ、走査線３ａ、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成領域に対向する領域、すなわち各画素部の開口領域以外の領域に第２遮光膜２３が設けられている。さらに、第２遮光膜２３を含む対向基板２０上には、その全面にわたって対向電極（共通電極）２１が設けられている。対向電極２１もＴＦＴアレイ基板１０の画素電極９ａと同様、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜から形成されている。第２遮光膜２３の存在により、対向基板２０側からの入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに侵入することはない。さらに、第２遮光膜２３は、カラーフィルターを備えた構成の表示装置においては、コントラスト比の向上、色材の混色防止などの機能、いわゆるブラックマトリクスとしての機能を発現することが可能である。また、前記対向電極２１の上側全面に配向膜６０が形成されている。この配向膜６０は、ポリイミドなどの有機配向膜の他、酸化シリコンなどを射方蒸着して形成した無機配向膜を適用することができる。
【００６４】
このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、シール材（図示を省略）により囲まれた空間に液晶が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜４０及び６０により所定の配向状態を採る。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材は、二つの基板１０及び２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサが混入されている。
【００６５】
図１４に示すように、画素スイッチング用ＴＦＴ３０に各々対向する位置においてＴＦＴアレイ基板１０表面の各画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対応する位置には第１遮光膜１１ａが各々設けられている。ここで、第１遮光膜１１ａはＷＳｉにて構成されているが、その他、不透明な高融点金属であるＴｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等から構成することができる。このような材料から構成すれば、ＴＦＴアレイ基板１０上の第１遮光膜１１ａの形成工程の後に行われる画素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成工程における高温処理により、第１遮光膜１１ａが破壊されたり溶融しないようにできる。
【００６６】
また、本実施形態においては、ＴＦＴアレイ基板１０上の第１遮光膜１１ａ上には更にポリシリコンからなる第２遮光層１４（図１のシリコン層２１４に相当）が形成されている。これにより本実施形態では画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対して遮光機能を担う層が２層構造となり、ＴＦＴアレイ基板１０の側からの戻り光等が画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’やＬＤＤ領域１ｂ、１ｃに入射する事態を未然に防ぐことができ、光電流の発生によりトランジスタ素子としての画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性が低下し難く構成されている。そして、本実施形態の液晶装置では、上述した図１の電気光学基板２００の製造方法によりＴＦＴアレイ基板１０を製造するものとしている。
【００６７】
すなわち、本実施形態の液晶装置の製造方法は、以下の工程を少なくとも含むものとしており、図７〜図８に示した工程を用いて第１遮光層１１ａ（遮光本体層２１１）及び第２遮光層１４（シリコン層２１４）上に半導体層１ａを備えた基板を製造する工程と、該基板の半導体層１ａに、チャネル領域１ａ’、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ、高濃度ドレイン領域１ｅ、第１蓄積容量電極１ｆ、走査線３ａ、容量線３ｂ、第２層間絶縁膜４、データ線６ａ、第３層間絶縁膜７、コンタクトホール８、画素電極９ａを従来と同様の方法（例えばフォトリソグラフィ法）により形成するとともに、画素電極９上に配向膜４０を形成してＴＦＴアレイ基板１０を製造する工程とを含んでいる。さらに、同様の工程により基板上に第２遮光膜２３、対向電極２１、配向膜６０を形成して対向基板２０を得る工程と、上述のように各層が形成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを配向膜の配向方向が交差（例えば９０°）になるように配置し、セル厚が４μｍになるようにシール材（図示略）により貼り合わせ、空パネルを作製する。液晶としてはＴＮ液晶を使用し、この液晶をパネル内に封入し、本実施形態の液晶装置が得られる。
【００６８】
（液晶装置の全体構成）
以上のように構成された本実施形態の液晶装置の全体構成を図１５及び図１６を参照して説明する。尚、図１５は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図１６は、対向基板２０を含めて示す図１５のＨ−Ｈ’断面図である。
【００６９】
図１５において、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５１がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、例えば第２遮光膜２３と同じ或いは異なる材料から成る周辺見切りとしての第２遮光膜５３が設けられている。シール材５１の外側の領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。
【００７０】
走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならない場合には、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画面表示領域の辺に沿って両側に配列してもよい。例えば奇数列のデータ線６ａは画面表示領域の一方の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給し、偶数列のデータ線は前記画面表示領域の反対側の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給するようにしてもよい。この様にデータ線６ａを櫛歯状に駆動するようにすれば、データ線駆動回路の占有面積を拡張することができるため、複雑な回路を構成することが可能となる。
【００７１】
更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間を接続するための複数の配線１０５が設けられており、更に、周辺見切りとしての第２遮光膜５３の下に隠れてプリチャージ回路を設けてもよい。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図１６に示すように、図１５に示したシール材５１とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５１によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。
【００７２】
以上の液晶装置のＴＦＴアレイ基板１０上には更に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。また、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（テープオートメイテッドボンディング基板）上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺領域に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（デュアルスキャン−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光手段などが所定の方向で配置される。
【００７３】
以上、本実施形態では、電気光学材料として液晶を用いた液晶装置を電気光学装置の一実施形態として説明した。液晶としては、例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型のほか、１８０°以上のねじれ配向を有するＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型、ＢＴＮ（Ｂｉｓｔａｂｌｅ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型、強誘電型等のメモリ性を有する双安定型、高分子分散型、ゲストホスト型等を含めて、周知なものを広く用いることができる。
【００７４】
また、本発明はさらに、液晶以外の電気光学材料、例えば、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、或いは、プラズマ発光や電子放出による蛍光等を用いた様々な電気光学装置に対しても適用可能であるということは言うまでもない。
【００７５】
なお、本発明は、上述した各実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう電気光学基板の製造方法、電気光学装置の製造方法並びに電気光学装置にもまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電気光学基板の一実施形態を示す断面構成図。
【図２】本発明の電気光学基板の一変形例を示す断面構成図。
【図３】本発明の電気光学基板の一変形例を示す断面構成図。
【図４】本発明の電気光学基板の一変形例を示す断面構成図。
【図５】本発明の電気光学基板の一変形例を示す断面構成図。
【図６】本発明の電気光学基板の一変形例を示す断面構成図。
【図７】図１に示す電気光学基板の製造工程の一例を示す断面工程図。
【図８】図７に続く、電気光学基板の製造工程を示す断面工程図。
【図９】本発明の電気光学基板の製造方法についてその一例を示す断面工程図。
【図１０】図９に続く、電気光学基板の製造工程を示す断面工程図。
【図１１】本発明の電気光学基板の一変形例を示す断面模式図。
【図１２】本発明の電気光学装置の一実施形態である液晶装置の等価回路図。
【図１３】図１２に示す液晶装置のＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群を示す平面図。
【図１４】図１３のＡ−Ａ’線に沿う断面図。
【図１５】本実施形態の液晶装置のＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに示す平面図。
【図１６】図１５のＨ−Ｈ’線に沿う断面図。
【符号の説明】
２００…電気光学基板、２０６…半導体層、２１０…支持基板（基材）、２１１…遮光本体層、２１２…絶縁体層、２１４…シリコン層、２１５…遮光層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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