(57)【要約】【課題】温度変化を補償して、メモリセルをより確実に動作させるための手段を提供する。【解決手段】メモリセル(130)の交点アレイ(100)を有するメモリデバイス(50)は、温度センサ(150)と基準メモリセル(160)を備える。温度センサ(150)は、メモリデバイス(50)の温度(T)を検出し、温度センサ(150)及び基準メモリセル(160)からのデータを用いて、メモリセル(130)のアレイ(100)をプログラムするために使用される書き込み電流（IxPA、IyPA, IxAP, IyAP, Ix, Iy)を更新する。メモリデバイス(50)を較正する方法は、メモリデバイス(50)の温度(T)を検出するステップと、メモリデバイスの温度が閾値(ΔT）だけ変化したか否かを判定するステップと、メモリデバイスの温度(T)が閾値(ΔT）だけ変化した場合に、書き込み電流（IxPA、IyPA, IxAP, IyAP, Ix, Iy)の値を更新するステップとを含む。書き込み電流の値は、基準メモリセル(160)からのデータ、または、ルックアップテーブルに格納されている書き込み電流値からのデータで更新することができる。【選択図】図３
2004095157.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　メモリ素子（５０）において、
　基板と、
　前記基板上に配置されるメモリセル（１３０）のアレイ（１００）と、
　複数の第１の導体（１１０）と、
　複数の第２の導体（１２０）であって、前記第１の導体（１１０）は前記メモリセル（１３０）において該第２の導体（１２０）と交差することからなる、複数の第２の導体と、
　前記第１の導体（１１０）に選択的に結合され、選択された第１の導体（１１０）に第１の書込み電流（ＩｘＡＰ、ＩｘＰＡ、Ｉｘ）を供給することが可能な第１の電流源（８００）と、
　前記第２の導体（１２０）に選択的に結合され、選択された第２の導体（１２０）に第２の書込み電流（ＩｙＡＰ、Ｉｙ）を供給することが可能な第２の電流源（７０２）と、
　前記メモリセル（１３０）の前記アレイ（１００）への前記第１および前記第２の書込み電流の印加を制御するコントローラ（５２）と、
　前記メモリ素子（５０）の温度（Ｔ）を読み取るために前記メモリ素子（５０）内に配置される温度センサ（１５０）であって、該温度センサ（１５０）からのデータが、前記第１および前記第２の書込み電流を更新するために用いられることからなる、温度センサ
を備える、メモリ素子。
【請求項２】
　前記第２の導体（１２０）に選択的に結合され、選択された第２の導体（１２０）に第３の書込み電流（ＩｙＰＡ、−Ｉｙ）を供給することが可能な第３の電流源（７０４）を備える、請求項１に記載のメモリ素子。
【請求項３】
　基準メモリセル（１６０）を備え、該基準メモリセル（１６０）からのデータを用いて、前記第１および前記第２の書込み電流が更新される、請求項１に記載のメモリ素子。
【請求項４】
　メモリ素子（５０）を較正する方法であって、該メモリ素子は、メモリセル（１３０）のアレイ（１００）と、複数の第１の導体（１１０）と、複数の第２の導体（１２０）とを備え、
　前記メモリ素子（５０）の温度（Ｔ）を検出するステップと、
　前記メモリ素子（５０）の前記温度（Ｔ）が、ある閾値（ΔＴ）だけ変化したか否かを判定するステップと、
　前記メモリ素子（５０）の前記温度（Ｔ）が前記閾値（ΔＴ）だけ変化した場合には、少なくとも１つの書込み電流値（ＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰ、Ｉｘ、Ｉｙ）を更新するステップ
を含む、方法。
【請求項５】
　前記メモリ素子の前記温度（Ｔ）が前記閾値（ΔＴ）だけ変化した場合には、現在の較正温度（Ｔｃ）に対して、前記検出された温度（Ｔ）に少なくとも概ね等しい値を割り当てることにより、現在の較正温度（Ｔｃ）を更新するステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
　少なくとも１つの書込み電流値（ＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰ、Ｉｘ、Ｉｙ）を更新する前記ステップは、
　ａ）基準メモリセル（１６０）において交差する導体（１６１、１６２）に第１の書込み電流（ＩｘＰＡ、Ｉｘ）および第２の書込み電流（ＩｙＰＡ、Ｉｙ）を印加するステップと、
　ｂ）前記基準メモリセル（１６０）の状態を検出するステップと、
　ｃ）前記基準メモリセル（１６０）の状態が変化しない場合には、前記第１の書込み電流（ＩｘＰＡ、Ｉｘ）および前記第２の書込み電流（ＩｙＰＡ、Ｉｙ）を増加させるステップと、
　ｄ）前記基準メモリセル（１６０）の状態が第１の状態から第２の状態に変化するまでステップａないしｃを繰り返すステップと、
　ｅ）前記基準メモリセル（１６０）の状態が変化すると、前記第１の書込み電流（ＩｘＰＡ、Ｉｘ）および前記第２の書込み電流（ＩｙＰＡ、Ｉｙ）に従って前記少なくとも１つの書込み電流値（ＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、Ｉｘ、Ｉｙ）を更新するステップ
を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
　少なくとも１つの書込み電流値（ＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰ、Ｉｘ、Ｉｙ）を更新する前記ステップは、
　ｆ）前記基準メモリセル（１６０）において交差する前記導体（１６１、１６２）に第３の書込み電流（ＩｘＡＰ、Ｉｘ）および第４の書込み電流（ＩｙＡＰ、−Ｉｙ）を印加するステップと、
　ｇ）前記基準メモリセル（１６０）の状態を検出するステップと、
　ｈ）前記基準メモリセル（１６０）の状態が変化しない場合には、前記第３の書込み電流（ＩｘＡＰ、Ｉｘ）および前記第４の書込み電流（ＩｙＡＰ、−Ｉｙ）を増加させるステップと、
　ｄ）前記基準メモリセル（１６０）の状態が前記第２の状態から前記第１の状態に変化するまでステップｆないしｈを繰り返すステップと、
　ｅ）前記基準メモリセル（１６０）の状態が変化すると、前記第３の書込み電流（ＩｘＡＰ、Ｉｘ）および前記第４の書込み電流（ＩｙＡＰ、−Ｉｙ）に従って前記少なくとも１つの書込み電流値（ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰ、Ｉｘ、Ｉｙ）を更新するステップ
を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
　メモリ素子（５０）において用いるための書込み電流値（ＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰ、Ｉｘ、Ｉｙ）でテーブルを埋める方法であって、前記書込み電流値（ＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰ、Ｉｘ、Ｉｙ）は温度値（Ｔ）に関連付けられ、前記メモリ素子（５０）は、メモリセル（１３０）のアレイ（１００）と、複数の第１の導体（１１０）と、複数の第２の導体（１２０）とを備え、
　ａ）前記メモリアレイ（１００）がある温度（Ｔ）であるときに、基準メモリセル（１６０）において交差する導体（１６１、１６２）に第１の書込み電流（ＩｘＰＡ、Ｉｘ）および第２の書込み電流（ＩｙＰＡ、Ｉｙ）を印加するステップと、
　ｂ）前記基準メモリセル（１６０）の状態を検出するステップと、
　ｃ）前記基準メモリセル（１６０）の状態が変化しない場合には、前記第１の書込み電流（ＩｘＰＡ、Ｉｘ）および前記第２の書込み電流（ＩｙＰＡ、Ｉｙ）を増加させるステップと、
　ｄ）前記基準メモリセル（１６０）の状態が第１の状態から第２の状態に変化するまでステップａないしｃを繰り返すステップと、
　ｅ）前記基準メモリセル（１６０）の状態を変化せしめる前記第１の書込み電流値（ＩｘＰＡ、Ｉｘ）および前記第２の書込み電流値（ＩｙＰＡ、Ｉｙ）を格納するステップであって、前記第１および前記第２の書込み電流値（ＩｘＰＡ、Ｉｘ、ＩｙＰＡ、Ｉｙ）は前記温度（Ｔ）に関連付けられることからなる、ステップ
含む、方法。
【請求項９】
　ｆ）前記アレイ（１００）の温度（Ｔ）を変更するステップと、
　ｇ）前記基準メモリセル（１６０）の状態が第１の状態から第２の状態に変化するまで、ステップａないしｃを繰り返すステップと、
　ｈ）前記基準メモリセル（１６０）の状態を変化せしめる前記第１の書込み電流値（ＩｘＰＡ、Ｉｘ）および前記第２の書込み電流値（ＩｙＰＡ、Ｉｙ）を格納するステップであって、前記第１および前記第２の電流値（ＩｘＰＡ、Ｉｘ、ＩｙＰＡ、Ｉｙ）は前記温度（Ｔ）に関連付けられることからなるステップ
を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
　ｉ）前記メモリアレイ（１００）が温度（Ｔ）であるときに、前記基準メモリセル（１６０）において交差する導体（１６１、１６２）に第３の書込み電流（ＩｘＡＰ、Ｉｘ）および第４の書込み電流（ＩｙＡＰ、−Ｉｙ）を印加するステップと、
　ｊ）前記基準メモリセル（１６０）の状態を検出するステップと、
　ｋ）前記基準メモリセル（１６０）の状態が変化しない場合には、前記第３の書込み電流（ＩｘＡＰ、Ｉｘ）および前記第４の書込み電流（ＩｙＡＰ、−Ｉｙ）を増加させるステップと、
　ｌ）前記基準メモリセル（１６０）の状態が前記第２の状態から前記第１の状態に変化するまでステップｉないしｋを繰り返すステップと、
　ｍ）前記基準メモリセル（１６０）の状態を変化せしめる前記第３の書込み電流値（ＩｘＡＰ、Ｉｘ）および前記第４の書込み電流値（ＩｙＡＰ、−Ｉｙ）を格納するステップであって、前記第３および前記第４の電流値（ＩｘＡＰ、Ｉｘ、ＩｙＡＰ、−Ｉｙ）は前記温度（Ｔ）に関連付けられることからなる、ステップ
を含む、請求項８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本技術分野は、温度変動を補償するために書込み電流を較正することが可能なメモリ素子（メモリデバイス）に関する。
【背景技術】
【０００２】
　磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）は、１つの提案されているタイプの不揮発性メモリである。ＭＲＡＭ素子によって、ハードドライブのような従来の記憶素子よりも高速にデータにアクセスできるようになる。図１は、行導体１４と列導体１６との交点に配置された抵抗性メモリセル１２を有する従来のＭＲＡＭメモリアレイ１０を示す。各メモリセル１２は、「１」および「０」の二値状態を格納することができる。
【０００３】
　図２は従来のＭＲＡＭメモリセル１２を示す。メモリセル１２はピン止め層２４と自由層１８とを含む。ピン止め層２４は、矢印２６によって示される固定された向きの磁化を有する。自由層１８の磁化は、双方向の矢印２８によって示されており、自由層１８の「容易軸」に沿って２つの方向のうちのいずれかに向けられることができる。自由層１８およびピン止め層２４の磁化は互いに対して「平行」か、あるいは「逆平行（または反平行）」かのいずれかにすることができる。その２つの向きは、それぞれ「１」および「０」の二値状態に対応する。自由層１８およびピン止め層２４は、絶縁性トンネル障壁層２０によって分離される。絶縁性トンネル障壁層２０によって、自由層１８とピン止め層２４との間に量子力学的トンネル現象が生じるようになる。そのトンネル現象は電子スピン依存性であり、メモリセル１２の抵抗が、自由層１８およびピン止め層２４の磁化の相対的な向きの関数になる。
【０００４】
　メモリアレイ１０内の各メモリセル１２は、書込み動作によって、その二値状態を変更することができる。選択されたメモリセル１２において交差する行導体１４および列導体１６に供給される書込み電流ＩｘおよびＩｙが、自由層１８の磁化を、ピン止め層２４に対して平行と逆平行との間で切り替える。列導体１６内に電流Ｉｙが流れる結果として、磁界Ｈｘが生じ、行導体１４内に電流Ｉｘが流れる結果として、磁界Ｈｙが生じる。磁界ＨｘおよびＨｙは合成されて、メモリセル１２の磁気的な向きを平行から逆平行に切り替える。メモリセル１２を平行に戻すために、電流Ｉｘとともに電流−Ｉｙが印加される。
【０００５】
　メモリセル１２の状態を平行から逆平行に、およびその逆に切り替えるために、結果として＋／−ＨｘおよびＨｙから合成された磁界が、メモリセル１２の臨界切替え磁界（critical switching field）Ｈｃよりも大きくなる。ＨｘおよびＨｙが小さすぎる場合には、それらの磁界は選択されたメモリセル１２の向きを切り替えないであろう。ＨｘあるいはＨｙのいずれかが大きすぎる場合には、選択されたメモリセル１２の行導体１４あるいは列導体１６上のメモリセル１２が、ＨｘあるいはＨｙいずれかのみが作用することにより切り替えられることがある。ＨｘあるいはＨｙのいずれかのみの作用を受けるメモリセル１２は「半選択された」メモリセルと呼ばれる。
【０００６】
　ＭＲＡＭアレイの動作モードおよび動作中の周囲温度の変化によって、ＭＲＡＭアレイの温度が変動し、それによりメモリセルの保磁力が変化することになるので、ＭＲＡＭアレイにおいて１つの問題が生じる場合がある。メモリセルの保磁力が変化すると、臨界切替え磁界Ｈｃが変化し、それによりさらに、セルの状態を切り替えるために必要とされる磁界ＨｘおよびＨｙが変化する。臨界切替え磁界Ｈｃの温度に依存した変化によって、ＩｘあるいはＩｙのみが作用することに起因して半選択されたメモリセルの全行あるいは列がプログラミングされることになる可能性、または、書込み電流ＩｘおよびＩｙが両方作用しても選択されたメモリセルを切り替えるのに不十分になる可能性が高くなる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　従って、メモリセルのより確実な動作のためには温度変化の影響を軽減または排除する必要がある。　
【課題を解決するための手段】
【０００８】
　第１の実施形態によれば、メモリ素子は、基板と、基板上に配置されるメモリセルのアレイと、複数の第１の導体と、メモリセルにおいて第１の導体と交差する複数の第２の導体と、第１の導体に選択的に結合され、選択された第１の導体に第１の書込み電流を供給することができる第１の電流源と、第２の導体に選択的に結合され、選択された第２の導体に第２の書込み電流を供給することができる第２の電流源と、メモリセルのアレイへの第１および第２の書込み電流の印加を制御するためのコントローラと、メモリ素子内に配置される温度センサとを含む。温度センサはメモリ素子の温度を検出し、その温度センサからのデータを用いて、検出された温度に応じて第１および第２の書込み電流が更新される。
【０００９】
　第２の実施形態によれば、メモリ素子を較正する方法は、メモリ素子の温度を検出することと、メモリ素子の温度がある閾値だけ変化したか否かを判定することと、メモリ素子の温度がその閾値だけ変化した場合には、少なくとも１つの書込み電流値を更新することとを含む。
【００１０】
　第３の実施形態によれば、メモリ素子において用いるための書込み電流値を含むテーブルを埋める方法は、メモリアレイがある温度にあるときに、基準メモリセルにおいて交差する導体に第１の書込み電流および第２の書込み電流を印加するステップと、基準メモリセルの状態を検出するステップと、基準メモリセルの状態が変化しない場合には第１の書込み電流および第２の書込み電流を増加させるステップと、基準メモリセルの状態が第１の状態から第２の状態に変化するまで上記のステップを繰り返すステップと、基準メモリセルの状態を変化させる第１の書込み電流および第２の書込み電流を格納するステップとを含み、この場合に、第１および第２の書込み電流値はその温度に関連付けられる。
【００１１】
　他の態様および利点は、添付の図面と共に、以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
【発明の効果】
【００１２】
　本発明によれば、温度変化を補償して、メモリセルをより確実に動作させることができる。
【実施例】
【００１３】
　詳細な説明では、添付の図面が参照される。図面においては、同じ参照番号は同様の構成要素を指示する。
【００１４】
　好ましい実施形態および図面を用いて、温度変動を補償するために較正を行うことができるメモリ素子およびその較正方法を説明する。
【００１５】
　図３は一実施形態による交点メモリ素子５０の概略図である。メモリ素子５０は、コントローラ５２と、列デコーダ５４と、行デコーダ５６と、メモリアレイ１００と、書込み選択スイッチのバンク２００と、読出し／書込み選択スイッチのバンク３００と、読出し／書込み選択スイッチのバンク４００と、書込み終了選択スイッチのバンク５００と、センス増幅器６００と、電流源７０２、７０４、８００とを含む。またメモリ素子５０は、メモリ素子５０を較正するために用いられる温度センサ１５０および基準メモリセル１６０も含む。
【００１６】
　コントローラ５２はメモリ素子５０の読出しおよび書込み動作を制御する。コントローラ５２は、読出し／書込み（Ｒ／Ｗ）データおよび行アドレスデータを含むコマンドを行デコーダ５６に送信するために、行デコーダ５６に結合される。行デコーダ５６はスイッチバンク４００および５００内のスイッチのゲートに結合され、コントローラ５２の指示に従ってスイッチを開閉する。同様に、コントローラ５２は列デコーダ５４に結合され、列デコーダ５４はスイッチバンク２００、３００内のスイッチのゲートに結合される。メモリ素子５０のスイッチはトランジスタとして示されている。しかしながら、たとえばＦＥＴあるいはＭＯＳＦＥＴスイッチのようなスイッチ、および他のスイッチを用いることもできる。またコントローラ５２は、メモリ素子５０の較正を制御するために、温度センサ１５０および基準メモリセル１６０にも結合されることができる。
【００１７】
　メモリアレイ１００はメモリ素子５０のためのデータを格納する。メモリアレイ１００では、行導体１１０が水平な行内に延在し、列導体１２０が垂直な列内に延在する。行導体１１０はメモリセル１３０において列導体１２０と交差する。各メモリセル１３０は、二値状態１および０を格納することができる。図３に、２４個のメモリセル１３０において交差する、３行の行導体１１０および８列の列導体１２０が例示されている。実際には、１０２４×１０２４以上のメモリセルのアレイが用いられる場合がある。
【００１８】
　書込み選択スイッチのバンク２００は、列導体１２０を、電流源７０２からの列書込み電流ＩｙＡＰまたはＩｙに、あるいはスイッチ２１４を介してグランドに選択的に結合する。スイッチ２１２は、列書込み電流源７０２を、書込み選択スイッチのバンク２００に選択的に結合する。読出し／書込み選択スイッチのバンク３００は、列導体１２０を、電流源７０４からの列書込み電流ＩｙＰＡまたはＩｙに、あるいはスイッチ３１４を介してグランドに選択的に結合する。またバンク３００は列導体１２０をセンス増幅器６００に選択的に結合する。読出し／書込み選択スイッチのバンク４００は、行導体１１０を、スイッチ４１４を介して読出し電圧Ｖｒに、かつスイッチ４１２を介して行書込み電流ＩｘＡＰ、ＩｘＰＡまたはＩｘに選択的に結合する。書込み終了選択スイッチのバンク５００は、行導体１１０をグランドに選択的に結合する。バンク４００に結合される電流源８００は、行書込み電流源としての役割を果たす。
【００１９】
　ここで、メモリセル１３０への書込み、すなわち「プログラミング」について説明する。以下の説明では、下付き文字「ＰＡ」はメモリセル１３０を平行から逆平行にプログラミングすること示し、下付き文字「ＡＰ」はメモリセル１３０を逆平行から平行にプログラミングすることを示す。メモリアレイ１００内のメモリセル１３０に１の状態を、すなわち逆平行状態を書き込むために、列書込み電流ＩｙＰＡが、電流源７０２から、選択されたメモリセル１３０が配置されている列の列導体１２０に供給される。それと同時に、行書込み電流ＩｘＰＡが、選択されたメモリセル１３０が配置されている行の行導体１１０に供給される。バンク５００および３００は、個々の導体１１０、１２０をグランドに接続する。書込み電流ＩｘＰＡおよびＩｙＰＡによって生成される磁界ＨｙおよびＨｘは合成されて、メモリセル１３０の二値状態を０から１に変化させる。メモリセル１３０に０のビットを書き込むために、上記のように、行書込み電流ＩｘＡＰが加えられ、電流源７０４から列書込み電流ＩｙＡＰが加えられる。バンク２００は電流ＩｙＡＰをグランドに接続する。
【００２０】
　上記のプログラミングの方法によれば、メモリセル１３０をプログラミングするために用いられる列書込み電流ＩｙＡＰおよびＩｙＰＡには、異なる大きさの電流を用いることができる。行書込み電流ＩｘＡＰおよびＩｘＰＡも異なる大きさにすることができる。
【００２１】
　またメモリ素子５０は、平行から逆平行に、また逆平行から平行にプログラミングするために、１つのＩｘ値および１つのＩｙ値を用いて動作することもできる。この場合に、１のビットをメモリセル１３０に書き込むために、Ｉｙが電流源７０２から加えられ、Ｉｘが電流源８００から加えられる。０のビットを書き込むために、Ｉｙが電流源７０４から加えられ、Ｉｘが電流源８００から加えられる。電流源７０４から供給されるＩｙは「−Ｉｙ」と呼ばれる場合がある。
【００２２】
　メモリ素子５０の動作中に、読出しおよび書込み動作はメモリアレイ１００内に熱を生成する。さらに、メモリ素子５０内の支援回路が熱を生成する。動作環境の周囲温度の変化とともに、これらの要因および他の要因によって、メモリ素子５０の温度が変動する場合がある。温度変化によって、素子５０の動作中に、メモリセル１３０の保磁力、それゆえ臨界切替え磁界Ｈｃが変動するようになる。
【００２３】
　メモリセルの臨界切替え磁界Ｈｃの変化を補償するために、メモリ素子５０は温度センサ１５０および基準メモリセル１６０を含む。温度センサ１５０から温度データを受け取るために、コントローラ５２を温度センサ１５０に結合することができる。コントローラ５２は、温度センサ１５０および基準メモリセル１６０からのデータを用いて、アレイ１００の温度が変化するのに応じて、書込み電流ＩｙＡＰ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰおよびＩｘＰＡ、または、Ｉｘ及びＩｙを較正することができる。温度センサ１５０は、メモリセル１３０の温度を検出することができる場所であれば、メモリ素子５０内のどこにでも配置することができる。一実施形態では、温度センサ１５０は、メモリアレイ１００の下に配置される。たとえば、メモリ素子５０は半導体基板（図示せず）を含むことができ、温度センサ１５０はメモリセル１３０の近くの基板上に、あるいは他の場所に配置されることができる。アレイ１００の温度はアレイ１００にわたって比較的均一にすることができ、その場合には、温度センサ１５０をメモリセル１３０の直ぐ近くに配置する必要はない。複数の温度センサ１５０を用いることもでき、その場合には、センサ１５０はメモリ素子５０内の複数の場所に配置される。複数の温度センサ１５０が用いられる場合には、コントローラ５２は、たとえば、センサ１５０からの温度指示値の平均値を利用することができる。
【００２４】
　基準メモリセル１６０も、メモリ素子５０内の任意の場所に存在することができる。基準メモリセル１６０は、第１の導体１６１と第２の導体１６２との交点に配置されることができる。第１の導体１６１はスイッチのバンク２００および３００に接続されることができ、第２の導体１６２はスイッチのバンク４００および５００に接続されることができる。これらの接続によって、メモリセル１３０がプログラミングされたのと同じようにして、基準メモリセル１６０の状態がＩｙＡＰ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰおよびＩｘＰＡ、または、Ｉｘ及びＩｙの作用によって変更されることができる。また基準メモリセル１６０は、読出し／書込み選択スイッチのバンク４００を通して読出し電圧Ｖｒに、さらに読出し／書込み選択スイッチのバンク３００を通してセンス増幅器６００に接続されることもできる。それゆえ、コントローラ５２は、センス増幅器６００の出力から、基準メモリセル１６０の状態を検出することができる。
【００２５】
　基準メモリセル１６０および温度センサ１５０の動作を以下にさらに詳細に説明する。図４はメモリセル１３０の保磁力特性を示しており、その特性は、メモリセル１６０および温度センサ１５０を用いて較正するのに好都合である。
【００２６】
　図４は、メモリセル１３０に対する、保磁力（Ｏｅ）、すなわち臨界切替え磁界Ｈｃ対温度のグラフである。メモリセル１３０を逆平行から平行に切り替えるための臨界切替え磁界Ｈｃは、温度が上昇するのに応じて減少する。メモリセル１３０を平行から逆平行に切り替えるための臨界切替え磁界Ｈｃは温度が上昇するのに応じて増加する。いずれの場合でも、Ｈｃの大きさは、温度が上昇するのに応じて減少する。メモリ素子５０の動作中、たとえば、その素子がスタンバイモードあるいは読出しモードに入っている等のとき、メモリアレイ１００の温度は、メモリ素子が書込みモードに入っているときとは、異なる場合がある。また、メモリアレイ１００の温度は、アレイが上記のモードのうちの任意のモードに入っている間にも変動する場合がある。それゆえ、メモリアレイ１００内の温度変動によって、書込み電流ＩｙＰＡおよびＩｘＰＡ、あるいはＩｙＡＰおよびＩｘＡＰの必要とされる大きさが変化する。図４の切替えデータは、メモリセル１３０を逆平行から平行に、およびその逆に切り替えるための保磁力曲線が非線形になる可能性があることを示す。さらに、逆平行から平行への切替え曲線は、平行から逆平行への切替え曲線に対して、０保磁力軸について非対称になる場合もある。切替え曲線が非対称である場合には、温度Ｔにおける平行から逆平行への切替えのためのＩｙＰＡおよびＩｘＰＡは、同じ温度Ｔにおける逆平行から平行への切替えのためのＩｙＡＰおよびＩｘＡＰとは大きさが異なるであろう。
【００２７】
　図５は、メモリ素子内の温度変動を補償するためにメモリ素子を較正する方法を示す流れ図である。この方法を用いて、たとえば図３に示されるメモリ素子５０を較正するか、または他の交点メモリ素子を較正することができる。その較正方法は、書込み電流ＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰを較正するために用いることができ、メモリ素子５０のコントローラ５２によって実施することができる。
【００２８】
　ステップＳ１０では、メモリアレイ１００の温度Ｔが温度センサ１５０によって検出される。温度検出は、たとえば定期的に行われることができる。
【００２９】
　ステップＳ１２では、メモリアレイ１００の温度Ｔが較正温度Ｔｃと比較されて、メモリアレイ１００の温度Ｔと較正温度Ｔｃとの間の差が温度変化閾値ΔＴよりも大きいか否かが判定される。ステップＳ１２は、メモリアレイ１００の温度Ｔがメモリセル１３０の保磁力を変化させるほど十分な量だけ上昇あるいは降下して、メモリセル１３０に書込みを行うために用いられる書込み電流ＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰの更新が必要であるか否かを判定するために行われる。較正温度Ｔｃは、メモリ素子５０が起動されるときに初期基準値として設定されることができる。メモリ素子５０が起動されるとき、書込み電流ＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰは、初期較正温度Ｔｃにおいてメモリセル１３０への書込みを行うのに適するように選択されることができる。Ｔｃのために適した初期値には、たとえば室温を用いることができる。
【００３０】
　｜Ｔ−Ｔｃ｜が温度変化閾値ΔＴ以下である場合には、方法はステップＳ１０に戻る。温度変化閾値ΔＴは、たとえば、メモリアレイ１００の温度Ｔに比較的小さな変化が生じても書込み電流ＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰが更新されないように選択されることができる。ステップＳ１０は、たとえば、較正プロセスに対して望まれる精度に応じて定期的に行われることができる。
【００３１】
　｜Ｔ−Ｔｃ｜が温度変化閾値ΔＴより大きくなる場合には、その方法はステップＳ１４に進む。ステップＳ１４では、メモリアレイ１００の温度Ｔの変化によって引き起こされるメモリセル１３０内の保磁力の変化を補償するために、書込み電流ＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰが更新される。書込み電流ＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰは図６に示された方法に従って更新されることができ、基準メモリセル１６０からのデータを用いて、検出された温度Ｔのために適切なＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰ値を求める。図６に示された方法を以下に詳細に説明する。代替的には、検出された温度Ｔに関連する適切なＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰ値を参照テーブル（ルックアップテーブル）から選択することができる。参照テーブルは、例えば、メモリアレイ１００が動作中に有することが予想され得る温度Ｔ値のそれぞれに対するＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰ値を含むことができる。参照テーブルを、特定の較正温度値Ｔｃに関連するＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰ値で埋める方法については、図７を参照して詳細に後述する。
【００３２】
　ステップＳ１４において、ＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰ値が更新された後に、ステップＳ１６において較正温度Ｔｃが更新される。較正温度Ｔｃには、ステップＳ１０において検出されたメモリアレイ１００の現在の温度Ｔの値を割り当てられることができる。その後、方法はステップＳ１０に戻り、メモリアレイ１００の温度を定期的に監視することができる。代替的には、メモリ素子５０の動作が停止するときに、この方法を中止することができる。
【００３３】
　上記の方法によれば、メモリ素子５０の動作中の任意の時点で、選択されたメモリセル１３０に書込みを行うために適切なＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰ値を利用することができる。
【００３４】
　図６は、第１の実施形態による書込み電流を更新する方法を示す流れ図である。図６に示されたステップは、図５からのステップＳ１４を含む。図６に示された方法は、基準メモリセル１６０からのデータを利用して、検出された温度Ｔにおいて動作するメモリアレイ１００のために適切なＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰ値を求める。
【００３５】
　図６に示された書込み電流を更新する方法は、逆平行から平行への切替え（保磁力）曲線が、平行から逆平行への切替え曲線に対して、０保磁力軸について非対称になり得ると仮定している。切替え曲線が非対称である場合には、温度Ｔについて適切なＩｘＰＡおよびＩｙＰＡ（平行から逆平行への切替えのために用いられる電流）は、同じ温度Ｔの場合のＩｘＡＰおよびＩｙＡＰ（逆平行から平行への切替えのために用いられる電流）とは異なるであろう。
【００３６】
　この方法はＩｘＰＡおよびＩｙＰＡの決定から開始する。ステップＳ３０では、ＩｘＰＡおよびＩｙＰＡの任意の低い初期電流が、基準メモリセル１６０において交差する第１および第２の導体１６１、１６２に加えられる。初期電流ＩｘＰＡおよびＩｙＰＡの値は、ＩｘＰＡおよびＩｙＰＡを加えても、基準メモリセル１６０が平行から逆平行に切り替わらないと考えられるほど十分に小さなものとすべきである。ステップＳ３２では、基準メモリセル１６０の状態が検出される。基準メモリセル１６０の状態は、第２の導体１６２に読出し電圧Ｖｒを印加し、第１の導体１６１をセンス増幅器６００に接続することにより検出されることができる。センス増幅器６００の出力を用いて、基準メモリセル１６０の状態を判定することができる。
【００３７】
　ステップＳ３４では、電流ＩｘＰＡおよびＩｙＰＡによって、基準メモリセル１６０が平行状態から逆平行状態に切り替わったか否かが判定される。基準メモリセル１６０の状態が変化していない場合には、ステップＳ３６において、ＩｘＰＡおよびＩｙＰＡを、ある増分量だけ増加させる。ＩｘＰＡおよびＩｙＰＡを増加させる量は、較正プロセスのために望まれる精度に応じて決定することができる。その後、方法はステップＳ３０に戻り、増加した電流ＩｘＰＡおよびＩｙＰＡが基準メモリセル１６０に加えられる。増分式にＩｘＰＡおよびＩｙＰＡを増加させるプロセスは、基準メモリセル１６０の状態が変化するまで繰り返される。その後、ステップＳ３４において、状態変化が検出されると、方法はステップＳ３８に進む。ステップＳ３８では、基準メモリセル１６０の状態を変化させたＩｘＰＡおよびＩｙＰＡの値に対応するように（または一致するように）、ＩｘＰＡおよびＩｙＰＡが更新される。
【００３８】
　ＩｘＰＡおよびＩｙＰＡが更新された後に、基準メモリセル１６０は逆平行状態になる。その後、値ＩｘＡＰおよびＩｙＡＰを求めることができる。
【００３９】
　ステップＳ４０では、ＩｘＡＰおよびＩｙＡＰの初期値が基準メモリセル１６０に加えられる。ステップＳ４２において、基準メモリセル１６０の状態が検出され、ステップＳ４４において、その状態が変化していないものと判定される場合には、ステップＳ４６において、ある増分量だけ値ＩｘＡＰおよびＩｙＡＰを増加させる。ＩｘＡＰおよびＩｙＡＰを加えた場合に基準メモリセル１６０の状態が変化するまで、ＩｘＡＰおよびＩｙＡＰを繰返し増加させる。基準メモリセル１６０の状態が変化した場合は、ステップＳ４８において、状態変化を引き起こした値ＩｘＡＰおよびＩｙＡＰが、更新されたＩｘＡＰおよびＩｙＡＰ値として設定される。
【００４０】
　ステップＳ１４においてＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰ値が更新された後に、その更新された値は格納され、電流源７０２、７０４、８００によって用いられることができる。オプションとして追加されるステップは、ステップＳ１４における更新の後に、所定の量だけＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰのうちの１つまたは複数の値を増加させることを含むことができる。その所定の量は、たとえば更新された電流値によってメモリセル１３０が確実に切り替わるようにするために、ＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰに加えられることができる。
【００４１】
　図７は一実施形態による参照テーブルを埋める方法を示す流れ図である。ＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰの参照テーブル値は格納され、図５に示される方法のステップＳ１４においてアクセスされることができる。
【００４２】
　ステップＳ５０では、較正温度変数Ｔｃが初期値Ｔｃ０に設定される。初期温度値Ｔｃ０は、たとえば、メモリアレイ１００のための予想される動作温度範囲の下限にすることができる。ステップＳ５２では、基準メモリセル１６０が温度Ｔｃに設定される。基準メモリセル１６０は、メモリアレイ１００を適切に加熱あるいは冷却することにより、較正温度Ｔｃに設定されることができる。
【００４３】
　ステップＳ５４では、現在の較正温度Ｔｃの場合の値ＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰが、基準メモリセル１６０を用いて求められる。その値は、たとえば、図６に示されるようなステップＳ３０〜Ｓ４８を用いて求めることができる。
【００４４】
　ステップＳ５６では、電流値ＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰが格納される。それらの値は、コントローラ５２の一部を構成する媒体を含む、コントローラ５２によってアクセス可能な任意の媒体に格納されることができ、それにより、電流源７０２、７０４、８００が電流を生成するように指示されることができる。ＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰについての値は、現在の較正温度Ｔｃに関連付けられる。
【００４５】
　ステップＳ５８では、ある増分量δＴだけ較正温度Ｔｃを増加させる。増分量δＴは、較正プロセスのために望まれる精度を得るために必要な程度に小さくすることができる。その後、方法はステップＳ５２に戻り、メモリアレイ１００の温度を新たな較正温度Ｔｃに上昇させ、ステップＳ５４において、その新たな較正温度ＴｃについてのＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰのための値が求められる。
【００４６】
　Ｔｃがメモリアレイ１００のための予想される動作温度範囲の上限に対応する値に達するまで、各値Ｔｃに対するＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰを求めるプロセスは繰り返される。
【００４７】
　各較正温度値Ｔｃに対してＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰ値が生成された後に、メモリアレイ１００のための書込み電流値の完全な参照テーブルが作成される。その参照テーブルはたとえば、図５に示される方法のステップＳ１４においてアクセスされることができる。
【００４８】
　メモリ素子５０の予想される動作温度範囲の下限において較正プロセスを開始することに対する別の形態として、Ｔｃ０を、予想される動作温度範囲の上限に設定することもできる。この場合には、Ｔｃを、ステップＳ５８においてδＴだけ減少させる。
【００４９】
　図５〜図７に示される方法によれば、メモリ素子５０は、メモリアレイ１００のメモリセル１３０を確実に切り替えることができる。温度変動が生じるときに書込み電流ＩｘＰＡ、ＩｙＰＡ、ＩｘＡＰ、ＩｙＡＰを更新することにより、メモリアレイ１００の温度が変動する場合でも適切な切替え磁界ＨｘおよびＨｙが確実にかけられるようになる。さらに、平行から逆平行への切替え電流と、逆平行から平行への切替え電流についての個別の値を計算することにより、較正方法は、メモリセル１３０についての切替え曲線の非対称性を補償する。
【００５０】
　上記の方法は、メモリセル１３０についての逆平行から平行への切替え曲線が、平行から逆平行への切替え曲線に対して、０保磁力軸について非対称な場合があるという状況（上記の図４の説明を参照）に対処する。図８は、メモリ素子を較正する別の方法を示す流れ図であり、メモリアレイ１００が、逆平行から平行への切替え曲線が平行から逆平行への切替え曲線に対して０保磁力軸について概ね対称であるメモリセルを含むことができる。図９は、図８に示される方法に従って書込み電流を更新する方法を示す流れ図である。
【００５１】
　ステップＳ７０では、メモリアレイ１００の温度Ｔが温度センサ１５０によって検出される。温度検出は、たとえば定期的に行うことができる。
【００５２】
　ステップＳ７２では、メモリアレイ１００の温度Ｔが較正温度Ｔｃと比較され、メモリアレイ１００の温度Ｔと較正温度Ｔｃとの間の差が、温度変化閾値ΔＴよりも大きいか否かが判定される。｜Ｔ−Ｔｃ｜が温度変化閾値ΔＴ以下である場合には、方法はステップＳ７０に戻る。｜Ｔ−Ｔｃ｜が温度変化閾値ΔＴよりも大きい場合には、方法はステップＳ７４に進む。
【００５３】
　ステップＳ７４では、メモリアレイ１００の温度Ｔの変化によって引き起こされるメモリセル１３０の保磁力の変化を補償するために、書込み電流ＩｘおよびＩｙが更新される。書込み電流ＩｘおよびＩｙは、たとえば、図９に示される方法に従って更新されることができ、その場合に、基準メモリセル１６０からのデータを用いて、適切なＩｘおよびＩｙ値が求められる。図９に示される方法については以下で詳細に説明する。代替的には、検出された温度Ｔに対して適切なＩｘおよびＩｙ値を参照テーブルから選択することができる。
【００５４】
　ステップＳ７４においてＩｘおよびＩｙ値が更新された後に、ステップＳ７６において、較正温度Ｔｃが更新される。較正温度Ｔｃには、ステップＳ７０において検出されたメモリアレイ１００の現在の温度Ｔの値を割り当てられることができる。その後、方法はステップＳ７０に戻り、メモリアレイ１００の温度を定期的に監視することができる。代替的には、メモリ素子５０の動作が停止するときに、この方法を中止することができる。
【００５５】
　図９は、図８に示される方法に従って書込み電流を更新する方法を示す流れ図である。図９に示されるステップは図８からのステップＳ７４を含む。図９に示される方法は、基準メモリセル１６０からのデータを利用して、検出された温度Ｔにおいて動作するメモリアレイ１００に対して適切なＩｘおよびＩｙ値を求める。図９に示される方法では、較正の開始時に、基準メモリセル１６０が平行状態であるものと仮定される。基準メモリセル１６０が最初に逆平行である場合には、基準メモリセル１６０の状態を変化させるために、Ｉｙの代わりに−Ｉｙが加えられることになる。
【００５６】
　ステップＳ８０では、ＩｘおよびＩｙの任意の低い初期電流が、基準メモリセル１６０において交差する第１および第２の導体１６１、１６２に加えられる。ステップＳ８２では、基準メモリセル１６０の状態が検出される。センス増幅器６００の出力を用いて、基準メモリセル１６０の状態を判定することができる。
【００５７】
　ステップＳ８４では、電流ＩｘおよびＩｙによって、基準メモリセル１６０が平行状態から逆平行状態に切り替わったか否かが判定される。基準メモリセル１６０の状態が変化していない場合には、ステップＳ８６において、ＩｘおよびＩｙをある増分量だけ増加させる。その後、方法はステップＳ８０に戻り、増加した電流ＩｘおよびＩｙが基準メモリセル１６０に加えられる。増分式にＩｘおよびＩｙを増加させるステップは、ステップＳ８０においてＩｘおよびＩｙを印加した状態で基準メモリセル１６０の状態が変化するまで繰り返される。その後、ステップＳ８４において、状態変化が検出されると、方法はステップＳ８８に進む。ステップＳ８８では、基準メモリセル１６０の状態を変化させたＩｘおよびＩｙの値に対応するように（または一致するように）、ＩｘおよびＩｙが更新される。
【００５８】
　図８に示される方法の実施中に、更新された書込み電流ＩｘおよびＩｙを計算することに対する別の形態として、ＩｘおよびＩｙ値を参照テーブルから取り出すことができる。ＩｘおよびＩｙ値は、図７に示される方法と同じようにして計算されることができる。しかしながら、平行から逆平行への切替え電流および逆平行から平行への切替え電流を計算する必要はない。言い換えると、あるいくつかの温度Ｔそれぞれについて、平行から逆平行への状態変化か、あるいは逆平行から平行への状態変化かのいずれか一方の状態変化を用いて、参照テーブルを埋めることができる。ＩｘおよびＩｙの参照テーブル値は格納され、図８に示される方法のステップＳ７４においてアクセスされることができる。
【００５９】
　上記の較正方法は、コントローラ５２によって、または命令を実行することができる任意のコンピューティング装置によって行うことができる。たとえば、上記の較正方法を行うために、メモリ素子５２に外部の処理装置を接続することができる。
【００６０】
　上記の較正方法では、基準メモリセル１６０を用いて較正が行われる。基準メモリセル１６０には、メモリ素子５０にデータを格納するために用いられるメモリセル１３０のアレイ１００とは別のメモリセルを用いることができる。代替的には、メモリアレイ１００内の１つのメモリセル１３０が、上記の方法において基準メモリセルとして役割を果たすことができる。１つのメモリセル１３０が基準メモリセルとして用いられる場合には、電流源７０２、７０４、８００を用いて、メモリ素子５０を較正するために用いられる書込み電流を印加することができる。メモリアレイ１００内の１つのメモリセル１３０が基準メモリセルとして用いられる場合には、そのメモリセル１３０を較正前の状態に戻して、メモリセル１３０に格納されたビットが較正中に消去されないように注意を払わなければならない。
【００６１】
　図３に例示したセンス増幅器６００は、メモリ素子５０内のメモリセル１３０の二値状態を検出するためのセンシング装置の一例である。実際には、たとえば、トランスインピーダンスセンス増幅器、電荷注入センス増幅器、差動センス増幅器、あるいはデジタル差動センス増幅器のような他のセンシング装置を用いることができる。メモリセル１３０の二値状態を読み取るために、図３には１つのセンス増幅器６００が示されている。実際には、１つのメモリアレイに、さらに多数のセンシング装置を接続することができる。たとえば、メモリアレイ内の列導体当たり１つのセンス増幅器を含めることができる。
【００６２】
　メモリアレイに０および１の状態を書き込むための電流についての取決めは任意であり、メモリ素子５０の任意の所望の応用形態に適合するように、割り当てをし直すことができる。
【００６３】
　メモリアレイ１００において用いられるメモリセル１３０には、書込み電流に応答する任意のタイプのメモリセルを用いることができる。一実施形態では、メモリセル１３０および基準メモリセル１６０は磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルである。他のセルもメモリアレイ１００において用いるのに適している。たとえば、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）、および他のタイプのメモリセルのようなメモリセルを、メモリアレイ１００において用いることができる。
【００６４】
　メモリ素子５０は多種多様な応用形態において用いられることができる。１つの応用形態として、ＭＲＡＭ記憶モジュールを有するコンピューティング装置に用いることができる。そのＭＲＡＭ記憶モジュールは、長期記憶のための１つあるいは複数のＭＲＡＭメモリアレイを含むことができる。
【００６５】
　ＭＲＡＭ記憶モジュールは、たとえば、ラップトップコンピュータ、パーソナルコンピュータ、およびサーバのような装置において用いることができる。
【００６６】
　上記の実施形態に従う温度補償型の電圧源を、メモリアレイとともに用いることもできる。
【００６７】
　メモリ素子５０を例示的な実施形態を参照して説明したが、当業者には数多くの変更が容易に明らかになり、本開示はそのような変更形態も含むものであることが意図されている。
【００６８】
　本発明によるメモリセル(130)の交点アレイ(100)を有するメモリデバイス(50)は、温度センサ(150)と基準メモリセル(160)を備える。温度センサ(150)は、メモリデバイス(50)の温度(T)を検出し、温度センサ(150)及び基準メモリセル(160)からのデータを用いて、メモリセル(130)のアレイ(100)をプログラムするために使用される書き込み電流（IxPA、IyPA, IxAP, IyAP, Ix, Iy)を更新する。メモリデバイス(50)を較正する方法は、メモリデバイス(50)の温度(T)を検出するステップと、メモリデバイスの温度が閾値(ΔT）だけ変化したか否かを判定するステップと、メモリデバイスの温度(T)が閾値(ΔT）だけ変化した場合に、書き込み電流（IxPA、IyPA, IxAP, IyAP, Ix, Iy)の値を更新するステップとを含む。書き込み電流の値は、基準メモリセル(160)からのデータ、または、ルックアップテーブルに格納されている書き込み電流値からのデータで更新することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】従来のメモリアレイを示す図である。
【図２】従来のメモリセルの二値状態を示す図である。
【図３】メモリ素子の一実施形態の概略図である。
【図４】メモリセルの保磁力、すなわち臨界切替え電流対温度のグラフである。
【図５】メモリ素子を較正する方法を示す流れ図である。
【図６】図５に示される方法に従って書込み電流を更新する方法を示す流れ図である。
【図７】参照テーブルを埋める方法を示す流れ図である。
【図８】メモリ素子を較正する別の方法を示す流れ図である。
【図９】図８に示される方法に従って書込み電流を更新する方法を示す流れ図である。
【符号の説明】
【００７０】
５０　メモリ素子
５２　コントローラ
１００　メモリアレイ
１１０、１２０　導体
１３０　メモリセル
１５０　温度センサ
７０２、８００　電流源
【図１】
2004095157.tif 000003
【図２】
2004095157.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2004095157.tif 000007
【図６】
2004095157.tif 000008
【図７】
2004095157.tif 000009
【図８】
2004095157.tif 000010
【図９】
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