(57)【要約】      （修正有）【課題】５〜５０％の気孔率を有する複合材をセラミックス製静電チャックに接合した場合でも１．３×１０−１０Ｐａ・ｍ３／ＳＥＣの真空気密性を確保できる静電チャックを提供する。【解決手段】板状セラミックス体１の一方の主面側をウェハＷの載置面７とし、他方の表面または内部に電極２を備えた静電吸着部と、上記静電吸着部の載置面と反対側の面に金属接合層３を介して接合したＳｉＣとＡｌとＳｉの複合材プレート４からなり、前記金属接合層３の厚みが１０〜２００μｍであり、前記複合材プレート４の金属接合層に接触する面におけるＡｌの占有面積率を８０％以下とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状セラミックス体の一方の主面側をウェハの載置面とし、他方の表面または内部に電極を備えた静電吸着部と、上記静電吸着部の載置面と反対側の面に金属接合層を介して接合されたＳｉＣとＡｌとＳｉの複合材プレートからなり、前記金属接合層の厚みが１０〜２００μｍであり、前記金属接合層に接触する前記複合材プレートの表面におけるＡｌの占有面積率が５〜８０％であることを特徴とする静電チャック。
【請求項２】
前記プレートを構成する複合材のＡｌとＳｉの重量比（Ａｌ／Ｓｉ）が０．１〜６であることを特徴とする請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記板状セラミックス体とプレートを、互いの接合面に垂直な方向に平均圧力１０〜２００ｋＰａの押圧力を印加して接合することを特徴とする請求項１に記載の静電チャックの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
半導体の製造に使用するＣＶＤ、ＰＶＤ、スパッタリング、ＳＯＤ、ＳＯＧ、等の成膜装置やエッチング装置において、半導体ウエハを保持する静電チャックに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスを製造する半導体ウエハ（以下、ウエハという）の処理工程であるＣＶＤ、ＰＶＤ、スパッタリング、ＳＯＤ、ＳＯＧ等の成膜工程やエッチング工程では、被処理物であるウエハに均一な厚みで均質な膜を成膜することや、成膜した膜に均一な深さでエッチングを施すことが重要である。このため、ウエハを吸着し、加熱する静電チャックには、強い吸着力や、ウエハを均一に加熱することが要求されてきた。
【０００３】
しかしながら近年、半導体デバイスの内部配線は従来のＡｌ配線からＣｕ配線へと移行が進み、Ｃｕ配線ではウエハを高温に加熱する必要はなくなり、室温付近でウエハを吸着する静電チャックが必要となっている。しかしながら、静電チャックの載置面のＳｉウエハは、ＣｕやＡｒなどのプラズマにさらされているため、温度が上昇する。この温度上昇を抑えるには、静電吸着用の電極を備えた静電吸着部の熱を外部に逃がす必要があり、静電吸着部に熱伝導率が１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上と大きなＡｌとＳｉＣとからなる複合材プレートをロウ材またはハンダなどで接合している。そして、前記の複合材プレートに水冷または空冷を施してＣｕまたはＡｒプラズマに晒されて加熱されたＳｉウエハから熱を取り除き冷却する方法が考案されている。
【０００４】
特許文献１には図３に示すように静電吸着用の電極を埋設した板状セラミックス体８と、セラミックとＡｌとからなる複合材プレート１２とを接合した静電チャック２０が提案されている。前記静電チャック２０には中央に複合材プレート１２と板状セラミックス体８を貫通するガス導入孔１０を備えている。前記の複合材プレート１２に含まれるセラミックス成分として熱伝導率の大きなＳｉＣが提案され、更に該複合材プレート中のセラミックス成分の割合に応じて接合温度を１５０〜６３０℃の範囲で選択して一体に接合する方法が提案されている。
【０００５】
また、特許文献２には、図４に示すように複合材プレート１３の上面に絶縁層を形成しその上に静電吸着用の電極１４を形成し更にその上面に絶縁層１５を被覆した静電チャックが開示されている。上記の複合材プレート１３のＡｌとＳｉの重量比（Ａｌ／Ｓｉ）は６．７であった。また、前記の絶縁層１５は、１×１０８〜５×１０１３Ω・ｃｍの体積固有抵抗値を有する誘電体からなり、その下層が絶縁体からなるものである。
【０００６】
〔特許文献１〕
特開平１０−３２２３９号公報
〔特許文献２〕
特開２００３−３７１５８号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、図３のＡｌとＳｉＣからなる複合材プレート１２と板状セラミック体からなる静電吸着部８とを金属接合層１１で接合する場合には、上記のＡｌと金属接合層１１との濡れ性が悪く、複合材プレート１２と静電吸着部８を一体化する事はできても、どうしても金属接合層１１と上記Ａｌの濡れ性の悪さから接合層１１に空洞が発生した。この空洞が発生することから特許文献１や特許文献２に提案されるような従来の製造方法で作製された静電チャック２０、３０は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、スパッタリング、ＳＯＤ、ＳＯＧ、等の成膜工程やエッチング工程で使用される半導体ウエハを保持する静電チャックに要求される１．３×１０−１０Ｐａ・ｍ３／ｓの真空気密性を確保できなかった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前述の状況に鑑み、鋭意研究の結果、板状セラミックス体の一方の主面側をウェハの載置面とし、他方の表面または内部に電極を備えた静電吸着部と、上記静電吸着部の載置面と反対側の面に金属接合層を介して接合したＳｉＣとＡｌとＳｉの複合材プレートからなり、前記金属接合層の厚みが１０〜２００μｍであり、前記金属接合層に接触する前記複合材プレートの表面におけるＡｌの占有面積率が５〜８０％であることを特徴とする。
【０００９】
また、前記複合材プレートのＡｌとＳｉの重量比（Ａｌ／Ｓｉ）が０．１〜６であることを特徴とする。
【００１０】
また、前記静電吸着部と複合材プレートとを上記金属接合層で接合する際に、上記金属接合層に垂直な方向に印可する平均圧力が１０〜２００ｋＰａであることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について説明する。図１は、本発明の静電チャック１００の断面図の一例を示す。
【００１２】
板状セラミックス体１の一方の主面側をウェハＷを載せる載置面７とし、上記板状セラミックス体１の内部に電極２を備えた静電部吸着部１１と、上記静電吸着部１０１の載置面７と反対側の面に金属接合層３を介して、ＳｉＣとＡｌとＳｉからなる複合材プレート４が接合されている。上記電極２と導通した給電端子５を備え、載置面７にウェハＷを載せ、給電端子５に直流電圧を印加しウェハＷを載置面７に静電吸着することができる。そして、ガス導入孔６からＨｅ等の熱伝導性ガスを導入しウェハＷからの熱を板状セラミックス体１に伝え、更に板状セラミックス体１から複合材プレート５に熱を伝えることができる。
【００１３】
そして、複合材プレート４に熱媒体を還流させて複合プレート４の熱を外部に放出することができる。
【００１４】
さて、実際の半導体デバイスの製造工程においては、静電チャック１００はＣＶＤ工程、ＰＶＤ工程、スパッタリング、ＳＯＤ、ＳＯＧ、等の成膜工程やエッチング工程において、半導体ウエハＷを保持する役目を果たす。これらの工程は、全て真空中での処理となるため、静電チャック２０のＳｉウエハの載置面７側は高真空に晒され、ＳｉＣとＡｌとＳｉの複合材プレート側は大気圧下となる。この際、ガス導入孔６を通って、Ａｒなどの冷却ガスなどが導入されるため、金属接合層４には一般的に１．３×１０−１０Ｐａ・ｍ３／ｓ程度の真空気密性が要求される。
【００１５】
図１に示す本発明の静電チャック１００は、特許文献１のＡｌとＳｉＣからなる複合材プレート１２と異なり、ＳｉＣとＡｌとＳｉの複合材プレート４からなり、複合材プレート４の中のＡｌとＳｉの組み合わせから、複合材プレート４として製造した際にＡｌ・Ｓｉ系の共晶材料を形成していることから、金属接合層３との濡れ性が改善される。Ａｌ・Ｓｉ系の共晶材料がＳｉＣとＡｌとＳｉの複合材中に形成されていなくても、Ｓｉ自体の金属接合層３との濡れ性が好ましい為にＡｌとＳｉＣの複合材プレート１２と比べて、金属接合層３との濡れ性が改善され、ＳｉＣ・Ａｌ・Ｓｉ複合材プレート４と金属接合層３との間に空洞が発生する事がなく、Ｈｅリークレートで１．３×１０−１０Ｐａ・ｍ３／ｓ程度の真空気密性を確保する事ができる。
【００１６】
また、金属接合層３の厚みを１０μｍ〜２００μｍとすることで、板状セラミックス体１とＳｉＣ・Ａｌ・Ｓｉ複合材プレート４との真空気密性を確保することができる。金属接合層３の厚みが１０μｍを下回ると、アンカー効果が充分に得られないためにＨｅリークレートが大きくなる。また、金属接合層３の厚みが２００μｍを越えると、金属接合層３が流れすぎて、ガス導入孔６に進入してきて好ましくない。
【００１７】
更に、前記複合材プレート４の金属接合層３に接触する面においてＡｌの占有する面積率が５〜８０％であることが好ましい。
【００１８】
８０％以下とした理由は、前記複合材プレート４と金属接合層３との濡れ性を飛躍的に向上させることができるからである。前記複合材プレート４の組成が如何なる組成であろうとも、金属接合層３との濡れ性を決めるのは金属接合層３に接触する前記複合材プレート３の面である。該面内においてＡｌの占有する面積が８０％を越えるとＡｌの他の金属材料との濡れ性の低下が顕著に現れて、金属接合層３に空洞、ボイドが発現し、前記の真空気密性を悪化させるからである。
【００１９】
また、前記のＡｌの占有する面積が５％以上とした理由は、Ａｌの専有面積が５％未満とすると、静電チャックと複合材プレート間の熱伝達率が低下しすぎて、静電チャックとしての機能が成立しなくなるからである。
【００２０】
さて、前記複合材プレート４の金属接合層３に接触する面においてＡｌの占有する面積が５〜８０％とする方法は、複合材プレート４はセラミックス粒子に溶融した金属を含浸させ、含浸中はセラミックス粒子と溶融金属に熱だけを加え、圧力はかけない、含浸が終了した時点で、１０〜１００ｒｐｍの回転数の撹拌ブレードにより溶融金属が含浸されたセラミックス粒子を加熱しながら１〜１０時間混合する。その後、鋳込み成型により所望の形状に成型し、複合材プレート４とする。
【００２１】
ＳｉＣとＡｌとＳｉの複合材プレート４を製造する場合には、ＡｌとＳｉの重量比（Ａｌ／Ｓｉ）と鋳込み成型の冷却速度により、Ａｌの複合複合材プレート４の金属接合層３に接触する面においてＡｌの占有する面積が決定される。Ａｌの複合材プレート４の金属接合層３に接触する面においてＡｌの占有する面積を５〜８０％にするためには、ＡｌとＳｉの重量比（Ａｌ／Ｓｉ）が０．１〜６の範囲にしないとＡｌの占有する面積を５〜８０％を逸脱する虞がある。
【００２２】
また、鋳込み成型時の冷却速度が１℃／分よりも遅いと同じＡｌ／Ｓｉ比の複合材プレートであっても、Ａｌの複合材プレート４の金属接合層３に接触する面においてＡｌの占有する面積が大きくなりやすい。これは、ＳｉＣとＡｌとＳｉでは、Ａｌだけが溶融しているが、冷却速度が１℃／分以上と充分に早い場合には、調合した組成が複合材プレートの内部から表面まで反映されやすいが、冷却速度が１℃／分未満になると、Ａｌの表層への析出が起こりやすくなるからである。
【００２３】
また、前記複合材プレート４の中のＡｌとＳｉの重量比（Ａｌ／Ｓｉ）が０．１〜６としたのは、前記複合材プレートの金属接合層に接触する面においてＡｌの占有する面積が５〜８０％となるように調整するためである。ＡｌとＳｉの重量比が０．１未満では、Ｓｉが過多となり、複合材プレート４と金属接合層３との界面が脆くなりすぎるために、接合時にクラックを生じる虞がある。また、ＡｌはＳｉＣ、Ｓｉとも基本的には濡れ性が悪く、偏在しやすいことから、ＡｌはＳｉに比べて表面に析出し易く、ＡｌとＳｉの重量比（Ａｌ／Ｓｉ）が６を越えると、前記複合材プレートの金属接合層に接触する面においてＡｌの占有する面積が８０％を越える虞があり好ましくない。また、前記重量比（Ａｌ／Ｓｉ）が０．１を下回るとＡｌの占有する面積が５％未満となる虞があり好ましくない。
【００２４】
また、前記静電吸着部１０１とプレート４とを上記金属接合層１１で接合するには、互いの接合面に垂直な方向に平均圧力が１０〜２００ｋＰａの押圧力を印加することが好ましい。
【００２５】
その理由は、前記静電吸着部１０１と複合材プレート４との金属接合は接合面に所望の荷重をかけるか、あるいはホットプレス法で加圧しながら、所望の温度、所望の圧力下にて接合するが、この際に金属接合層１１の厚みのバラツキは中心値±３０％以下が望ましく、金属接合層１１の厚みのバラツキを中心値±３０％以下を達成するためには、接合のために印可する荷重は１０〜２００ｋＰａの範囲であることが好ましい。印可荷重が１０ｋＰａ未満では、金属接合材の厚みの均一性が充分に得られない為に直径が２００ｍｍを越える静電チャック１００を接合する場合には、部分的な剥がれが発生し、Ｈｅリークレートが大きくなる。
【００２６】
一方、金属接合層３に垂直な方向に加える圧力が２００ｋＰａを越えると、印可荷重が高すぎて、静電チャック１００の中心部と外周部の金属接合層３の厚みが不均一になりやすく、中心部の金属接合層３が薄くなり過ぎて、充分なアンカー効果が得られず、Ｈｅリークレートが大きくなり好ましくない。
【００２７】
次に、本発明の静電チャック１００の製造方法を説明する。
【００２８】
静電チャック１００を構成する絶縁性セラミックスとしては、ＡｌＮ質焼結体が用いられるが、ＡｌＮ質焼結体の製造に当たっては、ＡｌＮ粉末に重量換算で１０質量％程度の第３ａ族酸化物を添加し、ＩＰＡとウレタンボールを用いてボールミルにより４８時間混合し、得られたＡｌＮのスラリーを２００メッシュに通し、ウレタンボールやボールミル壁の屑を取り除いた後、防爆乾燥機にて１２０℃で２４時間乾燥して、均質なＡｌＮ質混合粉末を得る。得られたＡｌＮ質混合粉末に所望の有機バインダーを所望の量だけ添加し、スプレードライ方法などの方法で乾燥させ、ＡｌＮ質混合粉末の造粒された顆粒を得る。得られたＡｌＮ質混合粉末の顆粒を一軸プレス法、ＣＩＰ法などの方法により成形し、必要に応じて生切削を施して、所望の形状のＡｌＮ質成形体を得る。得られたＡｌＮ質成形体を非酸化性ガス気流中にて３００〜５００℃で３〜８時間程度の脱脂を行い、更に非酸化性雰囲気にて１７００〜２０００℃で１〜１０時間程度の焼成を行い、ＡｌＮ質焼結体を得る。
【００２９】
ＡｌＮ質焼結体で静電チャック１００を製造する場合には、前記と同様の方法でＡｌＮ質混合粉末を作成し、得られたＡｌＮ質混合粉末にアクリル系のバインダーと溶媒を混合してＡｌＮ質のスリップを作成し、ドクターブレード法にてテープ成形を行う。得られたＡｌＮのテープを複数枚積層し、その上に静電チャックの電極２としてＷを印刷法で形成し、無地のテープに所望の密着液を塗り、テープを複数枚重ねてプレス成形を行う。得られたＡｌＮとＷ電極の混合成形体を非酸化性ガス気流中にて５００℃で５時間程度の脱脂を行い、更に非酸化性雰囲気にて１９００℃で５時間程度の焼成を行い、誘電体からなるＡｌＮ質焼結体を得る。こうして得られたＡｌＮ質焼結体に所望の形状、所望の誘電体層厚みが得られるように機械加工を施し、静電吸着部１０１とする。
【００３０】
更に、得られた静電吸着部１０１にＳｉＣ・Ａｌ・Ｓｉからなる複合材プレート４を金属接合層３で接合する際には、Ａｌロウ、Ｉｎロウなどの金属接合材を選択すると良い。金属接合層の厚みが１０〜２００μｍになるように調整した後に静電吸着部１０１と複合材プレート４との間に配置し、所望の荷重をかけるか、あるいはホットプレス法で加圧しながら、所望の温度、所望の圧力下にて接合する。
【００３１】
【実施例】
（実施例１）ＡｌＮ粉末に重量換算で１０質量％の第３ａ族酸化物を添加し、ＩＰＡとウレタンボールを用いてボールミルにより４８時間混合し、得られたＡｌＮのスラリーを２００メッシュに通し、ウレタンボールやボールミル壁の屑を取り除いた後、防爆乾燥機にて１２０℃で２４時間乾燥して、均質なＡｌＮ質混合粉末を得る。得られたＡｌＮ質混合粉末にアクリル系のバインダーと溶媒を混合してＡｌＮ質のスリップを作成し、ドクターブレード法にてテープ成形を行った。
【００３２】
得られたＡｌＮのテープを複数枚積層し、その上に静電チャックの電極としてＷを印刷法で形成し、無地のテープに所望の密着液を塗り、テープを複数枚重ねてプレス成形を行った。
【００３３】
得られたＡｌＮとＷ電極の混合成形体を非酸化性ガス気流中にて５００℃で５時間程度の脱脂を行い、更に非酸化性雰囲気にて１９００℃で５時間程度の焼成を行い、誘電体からなるＡｌＮ質焼結体を得た。
【００３４】
こうして得られたＡｌＮ質焼結体に所望の形状、載置面と電極の絶縁膜が所望の厚みが得られるように機械加工を施し、静電吸着部とした。更に所望のガス溝を静電チャックのウエハ載置面にサンドブラストなどの方法で形成した。
【００３５】
更に得られた静電吸着部に様々にＳｉの含有量を変えて、金属接合層に接触する面のＡｌの占有する面積を変化させたＳｉＣ・Ａｌ・Ｓｉからなる複合材プレートをＡｌロウ、Ｉｎロウなどの金属接合層を介して接合した。
【００３６】
金属接合層に接触する複合材プレートの面のＡｌの占有する面積は、複合材の表面のＳＥＭ／ＥＤＳ分析から以下の方法で算出した。複合材プレート表面の中心部の一点と最外周部４点と、更に中心部の一点と最外周部の４点を結ぶ各直線の中間点４点との合計９箇所をＳＥＭ／ＥＤＳ分析器にて１０００倍で観察した。そして、上記の９箇所のＡｌのマッピングを行った。各１０００倍の画像中に占めるＡｌの占める面積を測定し、上記９箇所の平均値を求め複合材プレートの表面のＡｌの占有する面積とした。
【００３７】
接合は、１×１０−８Ｐａ程度の真空炉中で行い、Ａｌロウの場合は５５０〜６００℃で、Ｉｎロウの場合は１８０〜２００℃程度で５８ｋＰａの荷重をかけて接合した。接合する際には、金属接合層の厚みが１〜２１０μｍになるように変化させた。
【００３８】
完成した静電チャックを図２に示すようにＳｉラバーゴム栓１７をセットし、ガス導入孔６から真空引きを行い、Ｈｅリークディテクターに接続した。周囲からＨｅを吹きかけて、ＨｅリークディテクターでＨｅのリークレートを測定した。表１に結果を示す。
【００３９】
【表１】
2004296579.tif 000003
【００４０】
本発明の範囲内である金属接合層の厚みが１０〜２００μｍで、複合材プレートの金属接合層に接触する面のＡｌの占有する面積が５〜８０％である試料Ｎｏ．１〜１３は、Ｈｅリークレートで１．３×１０−１０Ｐａ・ｍ３／ｓ以下の値が得られ優れていることが分った。
【００４１】
また、金属接合層の厚みが１０μｍを下回る試料Ｎｏ．１４、１５は、Ｈｅリークレートが１．０×１０−９、１．０×１０−８Ｐａ・ｍ３／ｓと大きく静電チャックとして使用できなかった。更に、金属接合層の厚みが２００μｍを超えた試料Ｎｏ．１６、１７はガス導入孔にロウ材のはみ出しがあり静電チャックとして使用できなかった。
【００４２】
また、複合材プレートの金属接合層に接触する面においてＡｌの占有する面積が５％を下回る試料Ｎｏ．２０はＨｅリークレートが１．０×１０−９Ｐａ・ｍ３／ｓと大きく、一方、Ａｌの占有する面積が８０％を越える試料Ｎｏ．１８，１９は、Ｈｅリークレートが１．０×１０−９Ｐａ・ｍ３／ｓ、１．０×１０−８Ｐａ・ｍ３／ｓと大きく１．０×１０−１０Ｐａ・ｍ３／ｓを越えていることから静電チャックとして使用できなかった。
【００４３】
（実施例２）
実施例１と同様に静電チャックを作製した。複合材プレートの金属接合層に接触する面においてＡｌの占有する面積が３〜８１％の試料についてその組成を定量分析した結果を表２に示す。そして実施例と同様に評価した。その結果を表２に示す。
【００４４】
【表２】
2004296579.tif 000004
【００４５】
本発明の複合材プレートのＡｌとＳｉの比（Ａｌ／Ｓｉ）が０．１〜６である試料Ｎｏ．５１〜６１はＨｅガスリークレートが３×１０−１２Ｐａ・ｍ３／ｓ以下と更に小さく好ましい事が分った。
【００４６】
しかし、試料Ｎｏ．６２はＡｌ／Ｓｉが６．１４と大きくＨｅガスリークレートが３×１０−１１Ｐａ・ｍ３／ｓ
とやや大きかった。また、試料Ｎｏ．６３はＡｌ／Ｓｉの比が０．０９と小さすぎることからＨｅガスリークレートが３×１０−１１Ｐａ・ｍ３／ｓとやや大きかった。
【００４７】
従って、Ａｌ／Ｓｉの比は０．１〜６はＨｅガスリークレートが極めて小さく優れた特性を示す事が分った。
【００４８】
（実施例３）
表１のＮｏ．２の複合材プレートを用いて、金属接合層の厚みは１０μｍに保持したまま、接合時の金属接合層に垂直な方向に加える平均圧力を２〜２１０ｋＰａまで変えて静電チャックを作成し、図２に示す方法でＨｅリーク試験を行った。表２に結果を示す。
【００４９】
【表３】
2004296579.tif 000005
【００５０】
本発明の製造方法で作製した試料Ｎｏ．７１〜７４はＨｅリークレートで１．３×１０−１０Ｐａ・ｍ３／ｓ以下のＨｅリークレートとなり、本発明の範囲外である試料Ｎｏ．７５〜７８は、Ｈｅリークレートで１．３×１０−１０Ｐａ・ｍ３／ｓ以下を達成できなかった。
【００５１】
【発明の効果】
本発明によれば、板状セラミックス体の一方の主面側をウェハの載置面とし、他方の表面または内部に電極を備えた静電吸着部と、上記静電吸着部の載置面と反対側の面に金属接合層を介して接合したＳｉＣとＡｌとＳｉの複合材プレートからなり、前記金属接合層の厚みが１０〜２００μｍであり、前記金属接合層に接触する前記複合材プレートの表面におけるＡｌの占有面積率を５〜８０％として静電チャックを構成したことによって、５〜５０％の気孔率を有する複合材をセラミックス製静電チャックに接合した場合でも１．３×１０−１０Ｐａ・ｍ３／ＳＥＣの真空気密性を確保できる静電チャックを提供する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の静電チャックの断面図である。
【図２】静電チャックのＨｅリーク試験方法の断面図である。
【図３】従来の静電チャックの断面図である。
【図４】従来の静電チャックの断面図である。
【符号の説明】
１００：静電チャック
１０１：静電吸着部
１：板状セラミックス体
２：静電チャック電極
３：金属接合層
４：複合材プレート
５：静電チャック電極端子
６：ガス導入孔
７：載置面
８：セラミックスプレート
９：電極
１０：スルーホール
１１：接合材
１２：複合材プレート
１３：複合材プレート
１４：電極
１５：絶縁層
１６：金属接合層
１７：ゴム栓
２０、３０：静電チャック
【図１】
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【図２】
2004296579.tif 000007
【図３】
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【図４】
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