(57)【要約】【課題】良好な段差被覆性と膜質とを有する金属酸化膜をスループット高く形成する、金属酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】金属酸化膜の形成方法は、下地膜上に加熱されたＨ２Ｏガスを供給して、下地膜の表面を酸化させる工程（ステップＳ１）と、ＴａＣｌ５ガスを供給し、ＴａＣｌ５ガスを、酸化させた下地膜の表面で反応させ、１分子層のＴａＣｌ４基からなるシード層を形成する工程（ステップＳ４）と、ＣＶＤ法を用いて、シード層上に酸化タンタル膜のバルク層を成長させる工程（ステップＳ７）とを備える。【選択図】    図３
2004296814.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地膜の表面に所定の金属の酸化物から成る金属酸化膜を形成する方法であって、
前記下地膜の表面に、酸素を含まない前記所定の金属の化合物を金属ソースとして供給し、前記所定の金属の単原子層を形成する第１の工程と、
ＣＶＤ法を利用して、前記単原子層の表面に前記所定の金属の酸化物から成る金属酸化膜を堆積する第２の工程とを有することを特徴とする金属酸化膜の形成方法。
【請求項２】
前記第１の工程に先立って、前記下地膜の表面に酸化性ガスを供給する第３の工程を有する、請求項１に記載の金属酸化膜の形成方法。
【請求項３】
前記酸化性ガスが加熱されたＨ２Ｏである、請求項２に記載の金属酸化膜の形成方法。
【請求項４】
前記酸化性ガスが、Ｏ２、活性酸素、オゾン、及びＮ２Ｏから成る群から選択されるガスを１種類以上含む、請求項２に記載の金属酸化膜の形成方法。
【請求項５】
前記第１の工程に先立って、前記下地膜の表面に弗酸を供給する第４の工程を有する、請求項１に記載の金属酸化膜の形成方法。
【請求項６】
前記金属ソースが、ＴａＣｌ５、ＴａＦ５、及びＴａ（Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２）３から成る群から選択される化合物を１種類以上含み、前記金属酸化膜が酸化タンタルである、請求項１〜５の何れかに記載の金属酸化膜の形成方法。
【請求項７】
前記金属ソースが、Ａｌ（ＣＨ３）３を含み、前記金属酸化膜が酸化アルミニウムである、請求項１〜５の何れかに記載の金属酸化膜の形成方法。
【請求項８】
前記金属ソースが、ＴｉＣｌ４、又は、Ｔｉ（Ｎ（ＣＨ３）２）４を含み、前記金属酸化膜が酸化チタンである、請求項１〜５の何れかに記載の金属酸化膜の形成方法。
【請求項９】
前記金属ソースが、Ｈｆ（Ｎ（ＣＨ３）２）４、Ｈｆ（Ｎ（Ｃ２Ｈ５）（ＣＨ３））４、及びＨｆ（Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２）４から成る群から選択される化合物を１種類以上含み、前記金属酸化膜が酸化ハフニウムである、請求項１〜５の何れかに記載の金属酸化膜の形成方法。
【請求項１０】
前記金属ソースがＮｂＣｌ５、ＮｂＦ５、及びＮｂ（Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２）３から成る群から選択される化合物を１種類以上含み、前記金属酸化膜が酸化ニオブである、請求項１〜５の何れかに記載の金属酸化膜の形成方法。
【請求項１１】
前記第１の工程と前記第２の工程との間に、酸化性ガスを前記単原子層の表面に供給する工程を更に有する、請求項１〜１０の何れかに記載の金属酸化膜の形成方法。
【請求項１２】
前記下地膜が、シリコン基板、ポリシリコン膜、シリコン窒化膜、又は、金属膜である、請求項１〜１１の何れかに記載の金属酸化膜の形成方法。
【請求項１３】
前記下地膜が容量素子の下部電極であり、前記金属酸化膜が容量絶縁膜であり、更に、該容量絶縁膜上に容量素子の上部電極が形成される、請求項１〜１２の何れかに記載の金属酸化膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属酸化膜の形成方法に関し、特に、良好な段差被覆性と膜質とを有する金属酸化膜をスループット高く形成する、金属酸化膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年のＤＲＡＭの高集積化に伴って、容量素子の微細化も進んでいる。容量絶縁膜としては、窒化シリコン膜が一般的に用いられており、構造を複雑化して表面積を増やすことにより、容量不足の解消を図っている。しかし、微細化と表面積の増加とはトレードオフの関係にあり、窒化シリコン膜を容量絶縁膜として利用する限りは、容量素子における静電容量の大きな増加は望めない。そこで、ＤＲＡＭ用の容量絶縁膜として、高誘電体材料が求められており、特に酸化タンタル膜は以前から有望視され、広く研究されている。これは、窒化シリコン膜の比誘電率が７程度であるのに対して、酸化タンタル膜の比誘電率は２５以上であるため、３倍以上の容量増加が期待できるからである。
【０００３】
従来、容量絶縁膜の形成には、ＣＶＤ法が用いられている。ＣＶＤ法では、反応チャンバ内に容量絶縁膜を成長させる基板を設置し、基板温度を所定の値に保持しつつ、金属化合物ガスとＯ２ガスとを同時に供給し、基板上で反応させて容量絶縁膜を成長させる。例えば、酸化タンタル膜からなる容量絶縁膜を形成する場合には、金属ソースとしてのＴａ（ＯＣ２Ｈ５）５ガスとＯ２ガスとを同時に供給する。ＣＶＤ法は、簡易でかつ高速の容量絶縁膜の成膜を可能にしている。
【０００４】
しかし、ＣＶＤ法では、下地膜の構造が複雑であると膜厚の均一性が劣化するという問題がある。例えば容量素子では、一般に静電容量を増加させるために複雑な段差構造を有する下地膜上に容量絶縁膜を形成する。このような下地膜上で、反応速度を高くしつつＣＶＤ成長を行うと、膜厚の均一性が悪くなり、下地膜の段差部分で膜厚のむらが顕著になる。つまり、段差被覆性が低くなる。また、これを回避するために反応速度を低くしつつＣＶＤ成長を行うと、膜厚の均一性は高まるものの、不純物が除去され難くなるので、膜中の不純物濃度が高まると共に膜の密度が下がり、膜質を低下させる。
【０００５】
また、ＣＶＤ法で容量絶縁膜を成長させる場合に、下地膜が容量絶縁膜と大きく材質が異なると、インキュベーションタイムが不可避である。つまり、容量絶縁膜の形成に際して、先ず下地膜上に点在して核が形成され、形成された核の周りに容量絶縁膜が成長する。このため、核の近傍領域とそれ以外の領域との間で、形成される容量絶縁膜の膜厚は不均一なものとなり、前述の段差被覆性を一層低下させ、欠陥の原因となる。インキュベーションタイムを短くすれば、均一な膜厚は可能であるが、この場合、下地膜の材質が限定されるという問題がある。
【０００６】
上記問題に対して、特許文献１は、酸化タンタル膜などの高誘電率（高ｋ）誘電体からなる容量絶縁膜の形成に際して、１原子層（１分子層）づつ成膜を行うことにより所望の膜を形成する単原子層成長（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いる方法を提案している。図７は、特許文献１に記載の方法により、酸化タンタル膜からなる容量絶縁膜の形成手順を示すフローチャートである。
【０００７】
特許文献１によれば、酸化タンタル膜の形成にあたっては、シリコン基板を反応チャンバ内に設置し、基板温度を３００℃程度に設定し、先ず、反応チャンバにＨ２Ｏガスなどの酸化性ガスを供給して、シリコン基板の表面を酸化する（ステップＡ１）。これにより、シリコン基板表面にＯＨ基が結合する。この際に、ＯＨ基はシリコン基板表面の結合子と化学的に結合するので、過剰なＨ２Ｏガスを供給しても１分子層のＯＨ基しか形成されない。その後、反応チャンバにＮ２ガスを供給して、未反応のＨ２Ｏガスを反応チャンバからパージし（ステップＡ２）、次いで、真空引きを行う（ステップＡ３）。
【０００８】
次に、反応チャンバ内にＴａＣｌ５ガスを供給する（ステップＡ４）。これにより、シリコン基板表面に結合したＯＨ基のＨ原子と、ＴａＣｌ５ガスのＴａＣｌ４基とが置換し、シリコン基板表面にＯ原子と結合した単層のＴａＣｌ４層が形成される。続いて、反応チャンバにＮ２ガスを供給して、未反応のＴａＣｌ５ガスを反応チャンバからパージし（ステップＡ５）、真空引きを行う（ステップＡ６）。
【０００９】
次いで、反応チャンバにＨ２Ｏガスを供給する（ステップＡ７）。これにより、シリコン基板表面のＴａＣｌ４基中のＣｌが、供給されたＨ２ＯガスのＯＨ基によって置換される。続いて、反応チャンバにＮ２ガスを供給して、未反応のＨ２Ｏガスを反応チャンバからパージし（ステップＡ８）、真空引きを行う（ステップＡ９）。
【００１０】
ステップＡ４及びステップＡ７では、それぞれシリコン基板表面における置換反応を利用して成長させるので、ステップＡ４からステップＡ９を１サイクルとして１分子層の酸化タンタル膜を成長させることができる。そして、このサイクルを酸化タンタル膜が所望の膜厚に達するまで繰り返すことによって、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜からなる容量絶縁膜を形成することができる。
【００１１】
【特許文献１】
特開２００２−１６４３４８号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、ＡＬＤ法を用いて容量絶縁膜を形成する場合には、シリコン基板上に１分子層毎の酸化タンタル膜を成長させていくことができるので、ＣＶＤ法のような核形成が不要であり、膜厚が均一で、良好な段差被覆性及び膜質を有する容量絶縁膜を形成できる。
【００１３】
しかし、ＡＬＤ法によると、酸化タンタル膜を１分子層毎に成長させるので、成長に多くの時間がかかるという問題がある。例えば５ｎｍの酸化タンタル膜を形成する場合には、ステップＡ４からステップＡ９を１サイクルとして、１サイクル当り１分程度の成長時間を要し、トータルでは５０分程度の時間を必要とする。ここで、ステップＡ４からステップＡ９までの各サイクルの時間を短くすると以下のような問題が生ずる。
【００１４】
即ち、ステップＡ４においてＴａＣｌ５ガス（金属化合物ガス）の供給時間が不足すると、単層のＴａＣｌ４層を均一に形成できないので、形成される酸化タンタル層の膜厚及び膜質が不均一になると同時に、膜密度が低下し、その電気特性が劣化する。また、ステップＡ７においてＨ２Ｏガス（酸化性ガス）の供給時間が不足すると、単層のＴａＣｌ４層中の不純物の除去、及び表面の酸化処理が十分に行えず、形成される酸化タンタル膜の膜質及び電気特性が劣化する。
【００１５】
従って、ＡＬＤ法により良質な容量絶縁膜を成長させるには、ＣＶＤ法により同じ膜厚の容量絶縁膜を成長させるのに必要な時間（２分程度）に比較して、非常に多くの時間を必要とする。このため、ＡＬＤ法により容量絶縁膜を形成する方法は、スループットが低く、実用的ではなかった。
【００１６】
また、ＡＬＤ法により容量絶縁膜を形成する際には、ＴａＣｌ５ガス（金属化合物ガス）とＨ２Ｏガス（酸化性ガス）とを１分子層成長毎に交互に供給し、次いでＮ２ガスなどの不活性ガスを供給して残留ガスをパージして、真空引きをしなければならないので、多数回のバルブ動作を必要とし、操作が煩雑であるという問題もある。
【００１７】
本発明は、上記問題点を解消し、良好な段差被覆性と膜質とを有する金属酸化膜をスループット高く形成する、金属酸化膜の形成方法を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の金属酸化膜の形成方法は、下地膜の表面に所定の金属の酸化物から成る金属酸化膜を形成する方法であって、
前記下地膜の表面に、酸素を含まず前記所定の金属の化合物を含む金属ソースを供給し、前記所定の金属の単原子層を形成する第１の工程と、
ＣＶＤ法を利用して、前記単原子層の表面に前記所定の金属の酸化物から成る金属酸化膜を堆積する第２の工程とを有することを特徴としている。
【００１９】
本発明の金属酸化膜の形成方法によれば、第２の工程で、第１の工程で形成された所定の金属の単原子層（シード層）の表面に、シード層と同じ材質を有する金属酸化膜（バルク層）を堆積するので、核の形成を要することなくバルク層の堆積が可能となり、良好な段差被覆性及び膜質を有する金属酸化膜を形成できる。また、シード層の形成にのみＡＬＤ法と同様の方法を用い、バルク層の成長には、ＣＶＤ法を用いて金属酸化膜を成長させるので、上記特性を有する金属酸化膜をスループット高く形成できる。
【００２０】
本発明の好適な実施態様では、前記第１の工程に先立って、前記下地膜の表面に酸化性ガスを供給する第３の工程を有する。或いは、前記第１の工程に先立って、前記下地膜の表面に弗酸を供給する第４の工程を有する。これにより、下地膜の表面が酸化され、第１の工程で金属ソースを供給した際に、金属ソースと酸化された下地膜の表面とが結合し易くなるので、容易にシード層を形成することができる。
【００２１】
本発明は、好適には、前記酸化性ガスが加熱されたＨ２Ｏである。この場合、酸化により下地膜の表面にＯＨ基が結合する。或いは、前記酸化性ガスが、Ｏ２、活性酸素、オゾン、及びＮ２Ｏから成る群から選択されるガスを１種類以上含む。この場合、酸化により下地膜の表面にＯ原子が結合する。
【００２２】
本発明の好適な実施態様では、前記金属ソースが、ＴａＣｌ５、ＴａＦ５、及びＴａ（Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２）３からなる群から選択される化合物を１種類以上含み、前記金属酸化膜が酸化タンタルである。或いは、前記金属ソースが、Ａｌ（ＣＨ３）３を含み、前記金属酸化膜が酸化アルミニウムである。或いは、前記金属ソースが、ＴｉＣｌ４、又は、Ｔｉ（Ｎ（ＣＨ３）２）４を含み、前記金属酸化膜が酸化チタンである。或いは、前記金属ソースが、Ｈｆ（Ｎ（ＣＨ３）２）４、Ｈｆ（Ｎ（Ｃ２Ｈ５）（ＣＨ３））４、及びＨｆ（Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２）４から成る群から選択される化合物を１種類以上含み、前記金属酸化膜が酸化ハフニウムである。或いは、前記金属ソースがＮｂＣｌ５、ＮｂＦ５、及びＮｂ（Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２）３からなる群から選択される化合物を１種類以上含み、前記金属酸化膜が酸化ニオブである。
【００２３】
本発明の好適な実施態様では、前記第１の工程と前記第２の工程との間に、酸化性ガスを前記単原子層の表面に供給する第３の工程を更に有する。これにより、シード層を構成する金属に結合し、金属酸化膜に含まれない元素を、第２の工程に移行する前に、酸化性ガスで置換することができる。従って、より不純物が少なく、良好な膜質を有する金属酸化膜を形成することができる。
【００２４】
本発明は、好適には、前記下地膜が、シリコン基板、ポリシリコン膜、シリコン窒化膜、又は、金属膜である。これにより、良好な金属酸化膜が得られる。また、本発明は、好適には、前記下地膜が容量素子の下部電極であり、前記金属酸化膜が容量絶縁膜であり、更に、該容量絶縁膜上に容量素子の上部電極が形成される。この場合、上記本発明の特性を有する金属酸化膜からなる容量絶縁膜を形成することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態例に基づいて、本発明を更に詳細に説明する。
【００２６】
第１実施形態例
本実施形態例は本発明を酸化タンタル膜からなる容量絶縁膜の形成方法に適用した実施形態の一例であり、図１（ａ）〜（ｃ）はその様子を示す断面図である。本実施形態例では、容量絶縁膜を形成する前段階の工程として、容量絶縁膜の下地膜を形成するまでの工程を行う。この前工程は以下のように行われる。先ず、図１（ａ）に示すように、シリコン基板１１上に酸化シリコン膜から成る第１層間絶縁膜１２を形成する。次に、第１層間絶縁膜１２を貫通してシリコン基板１１に到達するコンタクト孔１３ａを形成した後、コンタクト孔１３ａをｐドープ・ポリシリコンで埋め込み、コンタクトプラグ１３を形成する。
【００２７】
次いで、図１（ｂ）に示すように、第１層間絶縁膜１２及びコンタクトプラグ１３上に、酸化シリコン膜から成る第２層間絶縁膜１４を形成する。続いて、第２層間絶縁膜１４を貫通して、第１層間絶縁膜１２及びコンタクトプラグ１３に到達するノード孔１５ａを形成する。
【００２８】
次いで、ノード孔１５ａが形成された第２層間絶縁膜１４上に、下部電極を成す、ｐドープ・ポリシリコンからなるＨＳＧ（Ｈｅｍｉ  Ｓｐｈｅｒｉｃａｌ  Ｇｒａｉｎ）層１５を形成する。続いて、ＲＴＮ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｎｉｔｒｉｚａｔｉｏｎ）法を用いＨＳＧ層１５の表面を窒化して、下地膜として窒化シリコン膜１６を形成する。
【００２９】
次に、容量絶縁膜の形成に移行する。図２は、容量絶縁膜の形成を行う装置を示す平面図である。同図中、第１反応チャンバ２２はＡＬＤ法による成膜等が可能なチャンバで、第２反応チャンバ２３はＣＶＤ法による成膜等が可能なチャンバである。また、トランスファチャンバ２４は、容量絶縁膜を形成するウエハ（基板）２１を移動させるためのチャンバで、ウエハ（基板）２１を第１反応チャンバ２２と第２反応チャンバ２３との間で移動させるロボットアーム２５を有し、通常時、真空に保たれている。尚、同図中、容量絶縁膜以外の形成に必要な装置については図示していない。
【００３０】
図３は、本実施形態例の容量絶縁膜の形成方法を示すフローチャートである。先ず、ＲＴＮ処理後のウエハ２１を第１反応チャンバ２２に移動し、基板温度を３００℃に、且つ第１反応チャンバ２２内の気圧を４００Ｐａに保持しつつ、流量５０ＳＣＣＭのＨ２Ｏガスを１０秒間供給する（ステップＳ１）。これにより、図４（ａ）に示すように、窒化シリコン膜１６の表面にＯＨ基が結合する。続いて、Ｎ２ガスを流量２ＳＬＭで供給して、図４（ｂ）に示すように、未反応のＨ２Ｏガスを第１反応チャンバ２２からパージする（ステップＳ２）。続いて、真空引きを１０秒間行う（ステップＳ３）。
【００３１】
次いで、第１反応チャンバ２２にＴａＣｌ５ガスを、流量５０ＳＣＣＭで１０秒間供給する（ステップＳ４）。これにより、図４（ｃ）に示すように、窒化シリコン膜の表面に結合したＯＨ基中のＨ原子と、ＴａＣｌ５ガスのＴａＣｌ４基とが置換し、窒化シリコン膜１６の表面にＯ原子と結合した単層（１分子層）のＴａＣｌ４基からなるシード層が形成される。このようにして形成されたシード層は、ＡＬＤ法で成膜する場合と同様に、均一な膜厚及び良好な膜質を有する。続いて、Ｎ２ガスを流量２ＳＬＭで供給して、図４（ｄ）に示すように、未反応のＴａＣｌ５ガスを第１反応チャンバ２２からパージする（ステップＳ５）。続いて、真空引きを１０秒間行う（ステップＳ６）。
【００３２】
次いで、ウエハ２１をトランスファチャンバ２４を経由させて第２反応チャンバ２３に移動し、ＣＶＤ法により、基板温度を４３０℃、第２反応チャンバ２３内の圧力を４００Ｐａに保持しつつ、第２反応チャンバ２３に流量２００ｍｇ／ｍｉｎのＴａ（ＯＣ２Ｈ５）５ガスと、流量１．５ＳＬＭのＯ２ガスとを同時に供給する（ステップＳ７）。これにより、基板表面のＴａＣｌ４基のＣｌ原子とＯ２分子とが置換し、ＴａＯ２層が形成される。更に、この上に酸化タンタル膜のバルク層の成長が進み、図１（ｃ）に示す酸化タンタル膜からなる容量絶縁膜１７を形成することができる。
【００３３】
この場合、ＣＶＤ法で形成される酸化タンタル層とそのシード層との材質が同じであるため、核の形成なくして堆積が可能となる。例えば、４分程度のガスの供給を行うことにより、膜厚１０ｎｍ程度の酸化タンタル膜を得ることができる。更に、容量絶縁膜１７上に上部電極としてＴｉＮ膜１８などを形成することにより、容量素子１９を形成することができる。
【００３４】
本実施形態例の容量絶縁膜の形成方法では、同じ材質を有するシード層上に酸化タンタル膜のバルク層を成長させるため、従来のＣＶＤ法のように下地膜上に点在する核を形成する必要がなく、良好な段差被覆性及び膜質を有する容量絶縁膜を形成することができる。このように、シード層の形成にのみＡＬＤ法と同様の方法を用い、その後のバルク層の成長にはＣＶＤ法を用いて成長させるので、スループット高く容量絶縁膜を形成できる容量絶縁膜の形成方法を実現している。
【００３５】
尚、本実施形態例では、ステップＳ１からステップＳ６を第１反応チャンバ２２で行い、ステップＳ７を第２反応チャンバ２３で行うものとしたが、ステップＳ１からステップＳ６とステップＳ７との成膜温度（基板温度）差が小さい場合には、ステップＳ１からステップＳ７までの工程を１つの反応チャンバで連続して行ってもよい。例えば、温度差が４０℃以下の場合には、基板温度を変化させる時間も短いので、１つの反応チャンバ内で連続して行っても、大きなスループットを維持することができる。
【００３６】
図５は、本実施形態例の容量絶縁膜の形成方法、ＣＶＤ法、及びＡＬＤ法を用いてそれぞれ形成された、酸化タンタル膜からなる容量絶縁膜の経時絶縁破壊（ＴＤＤＢ：Ｔｉｍｅ  Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）試験の結果を示すグラフである。同図中、縦軸はＷｅｉｂｕｌｌ分布を、横軸は絶縁破壊が発生した時間（秒）を示し、それぞれ、４０個程度のサンプルの絶縁破壊時間をＷｅｉｂｕｌｌ分布に従って並べたものである。試験は、何れのサンプルも容量絶縁膜の膜厚が１０ｎｍ程度、周囲温度が８５℃で、容量絶縁膜に対するストレス電圧が４．６Ｖの条件下で行った。
【００３７】
同図によると、本実施形態例の容量絶縁膜の形成方法を用いて形成された容量絶縁膜は、ＣＶＤ法を用いて形成された容量絶縁膜と比較して絶縁性が大幅に向上し、かつＡＬＤ法を用いて形成された容量絶縁膜とほぼ同様の、良好な絶縁性を示している。
【００３８】
ＡＬＤ法では、容量絶縁膜の成長にあたり、所要時間を短縮するために１分子層を成長させる１サイクルあたりの時間を短く設定する必要があり、実際上は良好な容量絶縁膜を形成する時間が十分に確保できないという事情があった。しかし、本実施形態例では、容量絶縁膜全体の形成時間が少ないため、シード層の形成に十分な時間を取ることができるというメリットがある。そして、良好なシード層上にバルク層を形成することにより、良好な容量絶縁膜を得ることができる。
【００３９】
第２実施形態例
本実施形態例は本発明を酸化タンタル膜からなる容量絶縁膜の形成に適用した実施形態の一例であり、第１実施形態例のステップＳ１で、同様の条件で、Ｈ２Ｏガスに代えて活性酸素ガスが供給されることを除いては、前述の第１実施形態例と同様である。
【００４０】
本実施形態例では、ステップＳ１で活性酸素ガスが供給されることにより、窒化シリコン膜１６の表面に酸化によって酸素が結合する。そして、ステップＳ４でＴａＣｌ５ガスが供給されることにより、窒化シリコン膜１６の表面に結合した酸素と、ＴａＣｌ５ガスのＴａＣｌ４基とが結合して、窒化シリコン膜１６の表面にＯ原子と結合する単層のＴａＣｌ４基からなるシード層が形成される。従って、本実施形態例では、第１実施形態例と同様に、同じ材質を有するシード層上に酸化タンタル膜のバルク層を成長させるので、下地膜上に点在する核を形成せず、第１実施形態例と同様の効果を得ることができる。
【００４１】
第３実施形態例
本実施形態例は本発明を酸化タンタル膜からなる容量絶縁膜の形成に適用した実施形態の一例であり、図６は、本実施形態例における容量絶縁膜の形成方法を示すフローチャートである。本実施形態例に係る容量絶縁膜の形成方法は、第１実施形態例のステップＳ６の後に、ステップＳ１〜ステップＳ３と同様の工程であるステップＳ１’〜ステップＳ３’が繰り返されることを除いては、前述の第１実施形態例と同様である。
【００４２】
即ち、本実施形態例では、ステップＳ６の後に、ステップＳ１と同様の条件でＨ２Ｏガスを供給する。これによって、ＴａＣｌ４基中のＣｌ原子がＯＨ基に置き換わる（ステップＳ１’）。次に、ステップＳ２と同様の条件でＮ２ガスを供給して、残存するＨ２Ｏガス、及びステップＳ１’で置換されたＣｌ原子（ＨＣｌガス）を第１反応チャンバ２２からパージする（ステップＳ２’）。続いて、ステップＳ３と同様の条件で真空引きを行う（ステップＳ３’）。
【００４３】
本実施形態例によれば、ステップＳ６の後にステップＳ１’からステップＳ３’を行うことにより、ステップＳ１’でＴａ原子と結合しているＣｌ原子をＯＨ基で置換し、かつステップＳ２’及びステップＳ３’で置換されたＣｌ原子（ＨＣｌガス）を第１反応チャンバ２２から完全に排出した後にステップＳ７に移行するので、Ｃｌ原子による不純物が容量絶縁膜中に混在することが抑制され、より良好な膜質を有する容量絶縁膜を形成できる。
【００４４】
尚、第１実施形態例〜第３実施形態例では、金属ソースとしてＴａＣｌ５を用いたが、金属ソースとしてＴａＦ５、Ｔａ（Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２）３などを用いることもできる。また、金属ソースとしてそれぞれＡｌ、Ｔｉ、Ｈｆ、及びＮｂの金属化合物を用いることにより、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ハフニウム、及び酸化ニオブからなる金属酸化膜をそれぞれ形成することができる。例えば、金属ソースとしてＡｌ（ＣＨ３）３を用いることにより酸化アルミニウムを、金属ソースとしてＴｉＣｌ４、Ｔｉ（Ｎ（ＣＨ３）２）４を用いることにより酸化チタンを、金属ソースとしてＨｆ（Ｎ（ＣＨ３）２）４、Ｈｆ（Ｎ（Ｃ２Ｈ５）（ＣＨ３））４、Ｈｆ（Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２）４を用いることにより酸化ハフニウムを、金属ソースとしてＮｂＣｌ５、ＮｂＦ５、Ｎｂ（Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２）３を用いることにより酸化ニオブを、それぞれ形成することができる。
【００４５】
第１実施形態例〜第３実施形態例では、酸化性ガスとしてＨ２Ｏガス又は活性酸素を用いたが、酸化性ガスとしてＯ２、オゾン、Ｎ２Ｏを用いることもできる。或いは、弗酸を用いて弗酸処理を行っても良い。また、第１実施形態例〜第３実施形態例では、ＲＴＮ法により形成された窒化シリコン膜上に金属酸化膜を形成したが、例えば、シリコン基板、ポリシリコン膜、又は、金属膜上にも上記実施形態例と同様の形成方法により、金属酸化膜を形成することができる。
【００４６】
以上、本発明をその好適な実施形態例に基づいて説明したが、本発明の金属酸化膜の形成方法は、上記実施形態例の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施形態例の構成から種々の修正及び変更を施した金属酸化膜の形成方法も、本発明の範囲に含まれる。
【００４７】
【発明の効果】
本発明の金属酸化膜の形成方法によれば、下地膜の表面に金属ソースを供給しシード層を形成する第１の工程と、ＣＶＤ法を利用して、シード層の表面にバルク層を堆積する第２の工程とを有することにより、第２の工程では、第１の工程で形成されたシード層の表面に、シード層と同じ材質を有するバルク層を堆積するので、核の形成を要することなくバルク層の堆積が可能となり、良好な段差被覆性及び膜質を有する金属酸化膜を形成できる。また、シード層の形成にのみＡＬＤ法と同様の方法を用い、バルク層の成長には、ＣＶＤ法を用いて金属酸化膜を成長させるので、上記特性を有する金属酸化膜をスループット高く形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態例に係る、容量素子の製造工程段階をそれぞれ示す断面図である。
【図２】第１実施形態例に係る、容量絶縁膜の形成に用いる装置を示す平面図である。
【図３】第１実施形態例の容量絶縁膜の形成方法を示すフローチャートである。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、第１実施形態例に係る、容量絶縁膜が形成される各段階の化学反応をそれぞれ示す断面模式図である。
【図５】第１実施形態例に係る容量絶縁膜の形成方法により形成された容量絶縁膜の経時絶縁破壊（ＴＤＤＢ）試験の結果を示すグラフである。
【図６】第３実施形態例の容量絶縁膜の形成方法を示すフローチャートである。
【図７】特許文献１に記載のＡＬＤ法による容量絶縁膜の形成手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１１：シリコン基板
１２：第１層間絶縁膜（酸化シリコン膜）
１３：コンタクトプラグ
１３ａ：プラグ孔
１４：第２層間絶縁膜（酸化シリコン膜）
１５：ＨＳＧ膜（ｐドープ・ポリシリコン）
１５ａ：ノード孔
１６：窒化シリコン膜
１７：容量絶縁膜
１８：ＴｉＮ膜
１９：容量素子
２１：ウエハ（基板）
２２：第１反応チャンバ
２３：第２反応チャンバ
２４：トランスファチャンバ
２５：ロボットアーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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