(57)【要約】【課題】ＩＣから発生するＥＭＩを効率よく除去し、特にＩＣの高周波での動作を良好にする。【解決手段】ＩＣ１０に内蔵されたＥＭＩ消去回路３０が、ダイ２０に近接した位置に設置される。ＩＣ１０より発生するＥＭＩを抑制するために、ＩＣ１０の製造工程において、ＥＭＩ消去回路３０がＩＣ１０の内部にパッケージされる。【選択図】　図１
2004111600.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣをパッケージする過程において、ＥＭＩ消去回路がノイズ信号源の上部でありノイズ信号源の近接に配置され、さらにＩＣの内部にパッケージされていることを特徴とする、ＩＣ（集積回路）に内蔵されたＥＭＩ（電磁妨害）消去回路。
【請求項２】
ＩＣパッケージ方法が缶パッケージである、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
ＩＣパッケージ方法がＤＩＰ（ダブル・インライン・パッケージ）である、請求項１に記載の回路。
【請求項４】
ＩＣパッケージ方法がＦＰ（フラット・パッケージ）である、請求項１に記載の回路。
【請求項５】
ＩＣパッケージ方法がグレーティング・アレイ方法である、請求項１に記載の回路。
【請求項６】
ＩＣパッケージ方法がチップ・ベース・パッケージ方法である、請求項１に記載の回路。
【請求項７】
ＩＣパッケージ方法がベルト・キャリア・パッケージ方法である、請求項１に記載の回路。
【請求項８】
ＩＣをパッケージする過程において、ＥＭＩ消去回路がノイズ信号源の下部でありノイズ信号源の近接に配置され、さらにＩＣの内部にパッケージされていることを特徴とする、ＩＣ（集積回路）に内蔵されたＥＭＩ（電磁妨害）消去回路。
【請求項９】
ＩＣパッケージ方法が缶パッケージである、請求項８に記載の回路。
【請求項１０】
ＩＣパッケージ方法がＤＩＰ（ダブル・インライン・パッケージ）である、請求項８に記載の回路。
【請求項１１】
ＩＣパッケージ方法がＦＰ（フラット・パッケージ）である、請求項８に記載の回路。
【請求項１２】
ＩＣパッケージ方法がグレーティング・アレイ方法である、請求項８に記載の回路。
【請求項１３】
ＩＣパッケージ方法がチップ・ベース・パッケージ方法である、請求項８に記載の回路。
【請求項１４】
ＩＣパッケージ方法がベルト・キャリア・パッケージ方法である、請求項８に記載の回路。
【請求項１５】
ＩＣをパッケージする過程において、ＥＭＩ消去回路がノイズ信号源の周囲でありノイズ信号源の近接に配置され、さらにＩＣの内部にパッケージされていることを特徴とする、ＩＣ（集積回路）に内蔵されたＥＭＩ（電磁妨害）消去回路。
【請求項１６】
ＩＣパッケージ方法が缶パッケージである、請求項１５に記載の回路。
【請求項１７】
ＩＣパッケージ方法がＤＩＰ（ダブル・インライン・パッケージ）である、請求項１５に記載の回路。
【請求項１８】
ＩＣパッケージ方法がＦＰ（フラット・パッケージ）である、請求項１５に記載の回路。
【請求項１９】
ＩＣパッケージ方法がグレーティング・アレイ方法である、請求項１５に記載の回路。
【請求項２０】
ＩＣパッケージ方法がチップ・ベース・パッケージ方法である、請求項１５に記載の回路。
【請求項２１】
ＩＣパッケージ方法がベルト・キャリア・パッケージ方法である、請求項１５に記載の回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＥＭＩを消去するためのＥＭＩ消去回路、特にＩＣに内蔵された回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電磁気現象は電気的、磁気的エネルギーの動的交換または変動によるもので、波の形で存在する。時間が変化するにつれて電磁波相互作用によるノイズが媒体中に伝搬する発生する現象は、ＥＭＩ（電磁妨害）と呼ばれている。
【０００３】
干渉源により発生したＥＭＩ低電位レベルは、回路中の低電位レベルとたびたび相互作用し、増幅されてノイズ信号出力となる。この相互作用には、静電気相互作用、電磁妨害、伝導性相互作用等がある。多くの場合、ＥＭＩが発生する原因と場所は、複数である。ＥＭＩを効果的に防ぐ為には、それが形成された要因及びノイズ信号の発生源と考えられる装置に対する十分な理解が必要である。高周波数で動作するＩＣは無視できない装置である。
【０００４】
ここ数年、情報産業が盛況となっている。ＩＣもまた、携帯電話、パソコン、家庭電化製品等において適用され、日常生活に広く行き渡っている。ＩＣの体積がより小さくなり、スピードが上がり、ループが大きくなると、動作周波数も高くなる。ループ信号と電磁場の相互作用が大きくなると、ＥＭＩもより深刻になる。その理由は、周波数が高くなると、電磁波の波長が短くなるからである。それゆえ、回路内ではＥＭＩの不規則な反射が発生し、高周波数ノイズ信号が生じ得る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、ノイズ信号源から発生するＥＭＩを効率よく除去することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、ＩＣをパッケージする過程において、ＥＭＩ消去回路がノイズ信号源の上部でありノイズ信号源の近接に配置され、さらにＩＣの内部にパッケージされていることを特徴とする、ＩＣ（集積回路）に内蔵されたＥＭＩ（電磁妨害）消去回路であることを要旨とする。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の回路において、ＩＣパッケージ方法が缶パッケージであることを要旨とする。
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の回路において、ＩＣパッケージ方法がＤＩＰ（ダブル・インライン・パッケージ）であることを要旨とする。
【０００８】
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の回路において、ＩＣパッケージ方法がＦＰ（フラット・パッケージ）であることを要旨とする。
請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の回路において、ＩＣパッケージ方法がグレーティング・アレイ方法であることを要旨とする。
【０００９】
請求項６に記載の発明は、請求項１に記載の回路において、ＩＣパッケージ方法がチップ・ベース・パッケージ方法であることを要旨とする。
請求項７に記載の発明は、請求項１に記載の回路において、ＩＣパッケージ方法がベルト・キャリア・パッケージ方法であることを要旨とする。
【００１０】
請求項８に記載の発明は、ＩＣをパッケージする過程において、ＥＭＩ消去回路がノイズ信号源の下部でありノイズ信号源の近接に配置され、さらにＩＣの内部にパッケージされていることを特徴とする、ＩＣ（集積回路）に内蔵されたＥＭＩ（電磁妨害）消去回路であることを要旨とする。
【００１１】
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の回路において、ＩＣパッケージ方法が缶パッケージであることを要旨とする。
請求項１０に記載の発明は、請求項８に記載の回路において、ＩＣパッケージ方法がＤＩＰ（ダブル・インライン・パッケージ）であることを要旨とする。
【００１２】
請求項１１に記載の発明は、請求項８に記載の回路において、ＩＣパッケージ方法がＦＰ（フラット・パッケージ）であることを要旨とする。
請求項１２に記載の発明は、請求項８に記載の回路において、ＩＣパッケージ方法がグレーティング・アレイ方法であることを要旨とする。
【００１３】
請求項１３に記載の発明は、請求項８に記載の回路において、ＩＣパッケージ方法がチップ・ベース・パッケージ方法であることを要旨とする。
請求項１４に記載の発明は、請求項８に記載の回路において、ＩＣパッケージ方法がベルト・キャリア・パッケージ方法であることを要旨とする。
【００１４】
請求項１５に記載の発明は、ＩＣをパッケージする過程において、ＥＭＩ消去回路がノイズ信号源の周囲でありノイズ信号源の近接に配置され、さらにＩＣの内部にパッケージされていることを特徴とする、ＩＣ（集積回路）に内蔵されたＥＭＩ（電磁妨害）消去回路であることを要旨とする。
【００１５】
請求項１６に記載の発明は、請求項１５に記載の回路において、ＩＣパッケージ方法が缶パッケージであることを要旨とする。
請求項１７に記載の発明は、請求項１５に記載の回路において、ＩＣパッケージ方法がＤＩＰ（ダブル・インライン・パッケージ）であることを要旨とする。
【００１６】
請求項１８に記載の発明は、請求項１５に記載の回路において、ＩＣパッケージ方法がＦＰ（フラット・パッケージ）であることを要旨とする。
請求項１９に記載の発明は、請求項１５に記載の回路において、ＩＣパッケージ方法がグレーティング・アレイ方法であることを要旨とする。
【００１７】
請求項２０に記載の発明は、請求項１５に記載の回路において、ＩＣパッケージ方法がチップ・ベース・パッケージ方法であることを要旨とする。
請求項２１に記載の発明は、請求項１５に記載の回路において、ＩＣパッケージ方法がベルト・キャリア・パッケージ方法であることを要旨とする。
【００１８】
本発明は、本発明を限定するものではなくあくまで例示として以下に与える詳細な説明と図面によってのみ、さらに深く理解することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の第一の実施例について、図１（Ａ），（Ｂ）を参照する。ＩＣ（集積回路）１０を製造する時、基板の上部にノイズ発生源としてのダイ２０が配置される。その後、ＩＣ１０用のＥＭＩ（電磁妨害）消去回路３０がダイ２０の上にダイ２０に近接して配置される。ダイ２０とＩＣ１０との間のＩＬＢ（内部リードボンディング）が完成した後、ダイ２０とＥＭＩ消去回路３０はさらにＩＣ１０の内部にパッケージされる。
【００２０】
本発明の第二の実施例について、図２（Ａ），（Ｂ）を参照する。ＩＣ１０を製造する時、基板の上部にノイズ発生源としてのダイ２０が配置される。ＩＣ１０用のＥＭＩ（電磁妨害）消去回路３０が基板とダイ２０の間に挿入される。ダイ２０とＩＣ１０の間のＩＬＢが完成した後、ダイ２０とＥＭＩ消去回路３０はさらにＩＣ１０の内部にパッケージされる。
【００２１】
本発明の第三の実施例について、図３（Ａ），（Ｂ）を参照する。ＩＣ１０を製造する時、基板の上部にノイズ発生源としてのダイ２０が配置される。ＩＣ１０用のＥＭＩ（電磁妨害）消去回路３０がダイ２０の周囲に設置される。ダイ２０とＩＣ１０の間のＩＬＢが完成した後、ダイ２０とＥＭＩ消去回路３０はさらにＩＣ１０の内部にパッケージされる。
【００２２】
図１（Ａ），（Ｂ）、図２（Ａ），（Ｂ）、図３（Ａ），（Ｂ）に示される回路は本質的に同一である。唯一の相違は、ＥＭＩ消去回路３０が設置される場所である。図１（Ａ），（Ｂ）ではＥＭＩ消去回路３０はダイ２０の上に配置されている。図２（Ａ），（Ｂ）ではＥＭＩ消去回路３０はダイ２０の下に配置されている。図３（Ａ），（Ｂ）ではＥＭＩ消去回路３０はダイ２０の周囲に設置されている。信号出力の影響がない状態下では、ノイズ信号をカップリングすると共にＥＭＩを抑圧するという目的を達成するために、ＥＭＩ消去回路３０はダイ２０の周囲の近接した場所に異なる方法で設計される。
【００２３】
図４（Ａ）〜（Ｃ）、図５（Ａ）〜（Ｃ）を参照すると、本発明によるＥＭＩ消去回路３０は、缶パッケージ、ＤＩＰ（デュアル・インライン・パッケージ　　）、ＦＰ（フラット・パッケージ）等、種々のパッケージ４０の種類で使用することができる。
【００２４】
本明細書に開示したＩＣに内蔵されたＥＭＩ消去回路は、種々のノイズ信号源を原因としたＩＣにより発生する高周波信号を消去するために、ＩＣからの距離を極小にしている。従って、ＩＣの通常の動作は保証される。
【００２５】
当業者にとっては、ある程度の変更は明白であり、そのような変更は、本発明の趣旨および範囲内に包含されるものとする。
【００２６】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、ＩＣから発生するＥＭＩが効率よく除去され、特にＩＣの高周波での動作が良好となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）ＩＣの開示されたＥＭＩ消去回路の第一の実施例の平面図である。（Ｂ）ＩＣの開示されたＥＭＩ消去回路の第一の実施例の側断面図である。
【図２】（Ａ）ＩＣの開示されたＥＭＩ消去回路の第二の実施例の平面図である。（Ｂ）ＩＣの開示されたＥＭＩ消去回路の第二の実施例の側断面図である。
【図３】（Ａ）ＩＣの開示されたＥＭＩ消去回路の第三の実施例の平面図である。（Ｂ）ＩＣの開示されたＥＭＩ消去回路の第三の実施例の側断面図である。
【図４】（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）ＩＣの開示されたＥＭＩ消去回路のパッケージの種類である。
【図５】（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）ＩＣの開示されたＥＭＩ消去回路のパッケージの種類である。
【符号の説明】
１０…ＩＣ、２０…ノイズ発生源としてのダイ、３０…ＥＭＩ消去回路、４０…パッケージ。
【図１】
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【図２】
2004111600.tif 000004
【図３】
2004111600.tif 000005
【図４】
2004111600.tif 000006
【図５】
2004111600.tif 000007