(57)【要約】【課題】ＧａＡｓ基板上に、ＡｌＧａＡｓクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰあるいはＩｎＧａＰ光導波層、ＩｎＧａＡｓあるいはＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層を備えた半導体レーザ素子において、低抵抗であって低ノイズなものとする。【解決手段】面抵抗を２×１０−４（Ω・ｃｍ２）以下とし、ノイズを１％以下とするために、ｎ型不純物濃度（ｃｍ−３）を１．４×１０１７以上１．４×１０１８以下の範囲、量子井戸層６からｎ型不純物ドーピング層までの距離（ｎｍ）を５０以上２５０以下の範囲で適宜調整する。また、ｐ型不純物濃度（ｃｍ−３）を１．４×１０１７以上１．４×１０１８以下の範囲、量子井戸層６からｐ型不純物ドーピング層までの距離（ｎｍ）を１００以上３５０以下の範囲で適宜調整する。【選択図】　　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型およびｎ型の一方の導電性を示すＧａＡｓ基板上に、少なくとも、一方の導電性を示すＡｌｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ（０．４５≦ｘ３＜１）クラッド層、ＧａＡｓに格子整合するＩｎｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ１−ｙ２Ｐｙ２（ｘ２＝０．４８ｙ２、０．９≦ｙ２≦１．０）光導波層、Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ１−ｙ１Ｐｙ１（０≦ｘ１≦０．３、０≦ｙ１≦０．４）量子井戸層、ＧａＡｓに格子整合するＩｎｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ１−ｙ２Ｐｙ２（ｘ２＝０．４８ｙ２、０．９≦ｙ２≦１．０）光導波層、他方の導電性を示すＡｌｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ（０．４５≦ｘ３＜１）クラッド層を備えた半導体レーザ素子において、
素子の面抵抗が２×１０−４（Ω・ｃｍ２）以下、かつ光出力ノイズが１％以下となるように、ｎ型不純物濃度、ｐ型不純物濃度、前記量子井戸層からｎ型層までの距離、前記量子井戸層からｐ型層までの距離が設定されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＧａＡｓ基板上に、ＡｌＧａＡｓクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰあるいはＩｎＧａＰ光導波層、ＩｎＧａＡｓあるいはＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層を備えた半導体レーザ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
７５０〜８５０ｎｍ帯の高出力半導体レーザ素子として、ｎ−ＧａＡｓ基板上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層、ｎ−ＡｌＧａＡｓ第一クラッド層、ＩｎＧａＰ第一光導波層、ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層、ＩｎＧａＰ第二光導波層、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第二クラッド層およびｐ＋コンタクト層を積層してなるものが知られている。また、上記構造のうち光導波層をＩｎＧａＡｓＰとして、発振波長が７５０〜１１００ｎｍ帯のブロードエリア半導体レーザ素子は、短波長域のＳＨＧ固体励起レーザの励起光源として用いられており、固体結晶との高結合効率化、あるいはレーザ光の高品質化等の観点から低雑音であることが要求されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記構造の半導体レーザ素子は、活性領域にＡｌを含まないため、同一波長帯のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ素子に比べて、ＣＯＤレベルが高く、信頼性が高いという特徴がある。
【０００４】
しかし、ｐ型またはｎ型不純物濃度が高すぎる場合、または、量子井戸層からｐ型層またはｎ型層までの距離が近すぎる場合には、量子井戸層へのｐ型またはｎ型不純物の拡散により、素子の信頼性が低下する。特に、ブロードエリアレーザの場合には、素子のノイズレベルが悪化するという問題がある。一方、ｐ型またはｎ型不純物濃度が低すぎる場合、または、量子井戸層からｐ型層またはｎ型層までの距離が遠すぎる場合には、素子抵抗が高くなり、良好な特性を得ることができないという欠点がある。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みて、信頼性の高い半導体レーザ素子を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体レーザ素子は、ｐ型およびｎ型の一方の導電性を示すＧａＡｓ基板上に、少なくとも、一方の導電性を示すＡｌｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ（０．４５≦ｘ３＜１）クラッド層、ＧａＡｓに格子整合するＩｎｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ１−ｙ２Ｐｙ２（ｘ２＝０．４８ｙ２、０．９≦ｙ２≦１．０）光導波層、Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ１−ｙ１Ｐｙ１（０≦ｘ１≦０．３、０≦ｙ１≦０．４）量子井戸層、ＧａＡｓに格子整合するＩｎｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ１−ｙ２Ｐｙ２（ｘ２＝０．４８ｙ２、０．９≦ｙ２≦１．０）光導波層、他方の導電性を示すＡｌｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ（０．４５≦ｘ３＜１）クラッド層を備えた半導体レーザ素子において、素子の面抵抗が２×１０−４（Ω・ｃｍ２）以下、かつ光出力ノイズが１％以下となるように、ｎ型不純物濃度、ｐ型不純物濃度、前記量子井戸層からｎ型層までの距離、前記量子井戸層からｐ型層までの距離が設定されていることを特徴とするものである。
【０００７】
前記設定されるｎ型不純物濃度およびｐ型不純物濃度には、ＧａＡｓ基板とクラッド層との間に形成され得るＧａＡｓバッファ層およびコンタクト層は含まないこととする。
【０００８】
前記「量子井戸層からｎ型層までの距離」とは、量子井戸層のｎ型半導体層側の面からｎ型不純物がドーピングされている層の量子井戸層側の面までの距離を示す。すなわち、量子井戸層とｎ型不純物がドーピングされている層との間に在るアンドープ層の厚さを示す。また、前記「量子井戸層からｐ型層までの距離」とは、量子井戸層のｐ型半導体層側の面からｐ型不純物がドーピングされている層の量子井戸層側の面までの距離を示す。すなわち、量子井戸層とｐ型不純物がドーピングされている層との間に在るアンドープ層の厚さを示す。
【０００９】
【発明の効果】
本発明の半導体レーザ素子によれば、ｐ型およびｎ型の一方の導電性を示すＧａＡｓ基板上に、少なくとも、一方の導電性を示すＡｌｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ（０．４５≦ｘ３＜１）クラッド層、ＧａＡｓに格子整合するＩｎｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ１−ｙ２Ｐｙ２（ｘ２＝０．４８ｙ２、０．９≦ｙ２≦１．０）光導波層、Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ１−ｙ１Ｐｙ１（０≦ｘ１≦０．３、０≦ｙ１≦０．４）量子井戸層、ＧａＡｓに格子整合するＩｎｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ１−ｙ２Ｐｙ２（ｘ２＝０．４８ｙ２、０．９≦ｙ２≦１．０）光導波層、他方の導電性を示すＡｌｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ（０．４５≦ｘ３＜１）クラッド層を備えた半導体レーザ素子において、素子の面抵抗が２×１０−４（Ω・ｃｍ２）以下、かつ光出力ノイズが１％以下となるように、ｎ型不純物濃度、ｐ型不純物濃度、前記量子井戸層からｎ型層までの距離、前記量子井戸層からｐ型層までの距離が設定されているものであるので、信頼性の高い半導体レーザ素子を得ることができる。
【００１０】
特に、上記のような本発明の半導体レーザ素子であって、ストライプ幅を５μｍ以上としたブロードエリア半導体レーザ素子においては、この半導体レーザ素子を固体レーザの励起光源に用いた場合、光出力ノイズを１％以下にすることは、固体レーザの光出力ノイズを低くすることができ、高品質なレーザ光を得ることができるため効果的である。また、面抵抗を２×１０−４（Ω・ｃｍ２）以下とすることにより、素子の発熱を良好に抑制することができるので、高い実装精度を得ることができる。
【００１１】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
【００１２】
本発明の第１の実施例によるリッジ型の半導体レーザ素子についてその製造方法に沿って説明する。その半導体レーザ素子の断面図を図１に示す。
【００１３】
有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）における成長材料として以下のものを用いた。ＩＩＩ族のＡｌ、Ｇａ、Ｉｎの原料として、それぞれトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）およびトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を用い、Ｖ族のＡｓ、Ｐの原料として、それぞれアルシン（ＡｓＨ３）、フォスフィン（ＰＨ３）を用い、ｎ型、ｐ型のドーパントとしてそれぞれ、シラン（ＳｉＨ４）、ジエチルジンク（ＤＥＺ）を用いた。
【００１４】
図１に示すように、有機金属気相成長法により、（００１）面ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、温度７３０℃で、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２（厚さ２００ｎｍ）、ｎ−Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓクラッド層３（厚さ１９６０ｎｍ）、ｉ−Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓクラッド層４、ｉ−Ｉｎ０．４８Ｇａ０．５２Ｐ下部光導波層５（厚さ１１０ｎｍ）、ｉ−Ｉｎ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓ０．７５Ｐ０．２５単一量子井戸層６（厚さ１０ｎｍ）、ｉ−Ｉｎ０．４８Ｇａ０．５２Ｐ上部光導波層７（厚さ１１０ｎｍ）、ｉ−Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓクラッド層８、ｐ−Ｉｎ０．４８Ｇａ０．５２Ｐエッチングストップ層９（厚さ１０ｎｍ）、ｐ−Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓクラッド層１０（厚さ１９００ｎｍ）およびｐ＋ＧａＡｓコンタクト層１１（厚さ２００ｎｍ）を成長した。
【００１５】
引き続き、ＣＶＤ装置で、コンタクト層上にＳｉＯ２膜（厚さ３００ｎｍ）を形成し、リソグラフィ法およびエッチングにより、＜１１０＞方向に、間隔５０μｍをあけて、幅１０μｍの２本のストライプ状にＳｉＯ２膜を除去し、ｐ＋ＧａＡｓコンタクト層１１を露出させた。引き続き、このＳｉＯ２膜をマスクにして酒石酸により、ｐ＋ＧａＡｓコンタクト層１１、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層１０をｐ−エッチングストップ層９の表面までエッチングして溝１２を形成した。これにより５０μｍ幅のリッジストライプ１３が形成された。
【００１６】
ＳｉＯ２膜を除去した後、再度ＣＶＤ装置で全面にＳｉＯ２膜１４を形成し、リソグラフィおよびエッチングによりリッジストライプ１３の上部のみＳｉＯ２膜１４を除去し、コンタクト層１１を露出させた。次に、リフトオフ法を用いて、露出したコンタクト層１１上のみにＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉからなるｐ側電極１５を形成した。
【００１７】
次に、ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面を研磨し、素子の総厚１００μｍとし、研磨面にＡｕ／ＡｕＧｅからなるｎ側電極１６を形成し、共振器長を１０００μｍとして、共振器の両端面の一方に低反射率コート膜、他方に高反射率コート膜を形成することにより、５０μｍ幅のリッジ型ブロードエリアレーザを完成させた。
【００１８】
上記構造を有する半導体レーザ素子であって、ｎ型不純物ドーピング層（ｎ−ＧａＡｓバッファ層２を除く）のＳｉ濃度（ｃｍ−３）が、１．４×１０１７、３．０×１０１７および７．０×１０１７の場合について、単一量子井戸層６からｎ型ドーピング層までの距離（ｎｍ）が、５０、１００、１５０、２００および２５０の素子を作製して面抵抗を測定した。このとき、ｉ−Ｉｎ０．４８Ｇａ０．５２Ｐ下部光導波層５の厚さは１１０ｎｍであるので、単一量子井戸層６からｎ型ドーピング層までの距離を１００ｎｍ以下とする場合には、ｉ−Ｉｎ０．４８Ｇａ０．５２Ｐ下部光導波層５の途中からと、ｉ−Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓクラッド層４とにｎ型不純物のドーピングを行って距離を調整している。また、単一量子井戸層６からｎ型ドーピング層までの距離を１１０ｎｍ以上とする場合には、ｉ−Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓクラッド層４の厚さを厚くして調整している。その結果を図２に示す。グラフに示す面抵抗とは、上記のようにして作製された半導体レーザ素子（すなわち、ストライプ幅が５０μｍで共振器長が１０００μｍの場合）における駆動電流が１００〜３００ｍＡの場合の平均素子抵抗値から求めたものである。
【００１９】
また、ｎ−Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓクラッド層３のＳｉ濃度が、７．０×１０１７、１．０×１０１８および１．４×１０１８の場合について、単一量子井戸層６からｎ型不純物ドーピング層までの距離（ｎｍ）が、５０、１００、１５０および２００の素子を作製してノイズを測定した。その結果を図３に示す。グラフにはそれぞれの水準におけるメディアン値を示した。光出力ノイズは、３００ｍＡで一定時間ＡＣＣ（自動電流制御）駆動した場合の光出力における、（（最大光出力値−最小光出力値）／２）／平均光出力値×１００により求めた。
【００２０】
なお、ｐ−Ｉｎ０．４８Ｇａ０．５２Ｐエッチングストップ層９およびｐ−Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓクラッド層１０のＺｎ濃度は７×１０１７（ｃｍ−３）とし、量子井戸層６からｐ型不純物ドーピング層までの距離を２００ｎｍとした。
【００２１】
図２および図３から、面抵抗を約２×１０−４（Ω・ｃｍ２）以下とし、ノイズを１％以下とするためには、例えば、ｎ型不純物濃度（ｃｍ−３）が１．４×１０１７以上１．４×１０１８以下の範囲であって、量子井戸層からｎ型不純物ドーピング層までの距離（ｎｍ）が５０以上２５０以下の範囲で、これらを適宜調整することが望ましいことがわかる。
【００２２】
一方、ｐ型不純物ドーピング層（ｐ＋ＧａＡｓコンタクト層１１を除く）のＺｎ濃度（ｃｍ−３）が、１．４×１０１７、３．０×１０１７および７．０×１０１７の場合について、単一量子井戸層６からｐ型不純物ドーピング層までの距離（ｎｍ）を、１００、２００、３００および３５０の素子を作製して面抵抗を測定した。この場合、ｉ−Ｉｎ０．４８Ｇａ０．５２Ｐ上部光導波層７の厚さは１１０ｎｍであるので、単一量子井戸層６からｐ型不純物ドーピング層までの距離を１１０ｎｍ以下とする場合には、ｉ−Ｉｎ０．４８Ｇａ０．５２Ｐ上部光導波層７の途中からとｉ−Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓクラッド層８とにｐ型不純物のドーピングを行って調整している。また、単一量子井戸層６からｐ型不純物ドーピング層までの距離を１１０ｎｍ以上とする場合には、ｉ−Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓクラッド層８の厚さを厚くして調整している。その結果を図４に示す。
【００２３】
また、ｐ型不純物ドーピング層のＺｎ濃度（ｃｍ−３）が、７．０×１０１７、１．０×１０１８および１．４×１０１８の場合について、単一量子井戸層６からｐ型不純物ドーピング層までの距離（ｎｍ）が、１００、２００、３００および３５０の素子を作製してノイズを測定した。その結果を図５に示す。グラフにはそれぞれの水準におけるメディアン値を示した。なお、このとき、ｎ−Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓクラッド層３のＳｉ濃度は５×１０１７（ｃｍ−３）とし、量子井戸層６からｎ型不純物ドーピング層までの距離を１５０ｎｍとした。
【００２４】
図４および図５から、面抵抗を約２×１０−４（Ω・ｃｍ２）以下とし、ノイズを１％以下とするためには、例えば、ｐ型不純物濃度（ｃｍ−３）が１．４×１０１７以上１．４×１０１８以下の範囲であって、量子井戸層６からｐ型不純物ドーピング層までの距離（ｎｍ）が１００以上３５０以下の範囲で、これらを適宜調整することが望ましいことがわかる。
【００２５】
具体的には、ｉ−Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓクラッド層４の厚さを４０ｎｍとし、ｉ−Ｉｎ０．４８Ｇａ０．５２Ｐ下部光導波層５の厚さ１１０ｎｍとして、量子井戸層６からｎ型不純物ドーピング層までの距離、すなわちｎ−Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓクラッド層３までの距離を１５０ｎｍとし、ｎ−Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓクラッド層３のＳｉ濃度を５×１０１７（ｃｍ−３）とした。また、ｉ−Ｉｎ０．４８Ｇａ０．５２Ｐ上部光導波層７の厚さを１１０ｎｍとし、ｉ−Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓクラッド層８の厚さを１００ｎｍとして、量子井戸層６からｐ型不純物ドーピング層までの距離、すなわちｐ−Ｉｎ０．４８Ｇａ０．５２Ｐエッチングストップ層９までの距離を２１０ｎｍとし、ｐ−Ｉｎ０．４８Ｇａ０．５２Ｐエッチングストップ層９およびｐ−Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓクラッド層１０のＺｎ濃度を７×１０１７（ｃｍ−３）とした。これにより、面抵抗を約１．５×１０−４（Ω・ｃｍ２）とでき、光出力ノイズを約０．５５％とすることができた。
【００２６】
次に、本発明の第２の実施例による半導体レーザ素子について説明する。その半導体レーザ素子の断面図を図６に示す。
【００２７】
本実施例の半導体レーザ素子は、図６に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板２１上に、温度７００℃で、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２２（厚さ２００ｎｍ）、ｎ−Ａｌ０．６０Ｇａ０．４０Ａｓクラッド層２３（厚さ１６００ｎｍ）、ｎ−Ｉｎ０．４６Ｇａ０．５４Ａｓ０．０４Ｐ０．９６下部第一光導波層２４（厚さ２５０ｎｍ）を成長する。このとき、ｎ−Ａｌ０．６０Ｇａ０．４０Ａｓクラッド層２３およびｎ−Ｉｎ０．４６Ｇａ０．５４Ａｓ０．０４Ｐ０．９６下部第一光導波層２４のＳｉ濃度は、５×１０１７（ｃｍ−３）とする。引き続き、ｉ−Ｉｎ０．４６Ｇａ０．５４Ａｓ０．０４Ｐ０．９６下部第二光導波層２５（厚さ１５０ｎｍ）、ｉ−Ｉｎ０．２０Ｇａ０．８０Ａｓ量子井戸層２６（厚さ７ｎｍ）、ｉ−Ｉｎ０．４６Ｇａ０．５４Ａｓ０．０４Ｐ０．９６バリア層２７（厚さ５ｎｍ）、ｉ−Ｉｎ０．２０Ｇａ０．８０Ａｓ量子井戸層２８（厚さ７ｎｍ）、ｉ−Ｉｎ０．４６Ｇａ０．５４Ａｓ０．０４Ｐ０．９６上部第一光導波層２９（厚さ２５０ｎｍ）を成長する。引き続き、ｐ−Ｉｎ０．４６Ｇａ０．５４Ａｓ０．０４Ｐ０．９６上部第二光導波層３０（厚さ１５０ｎｍ）、ｐ−Ａｌ０．６０Ｇａ０．４０Ａｓクラッド層３１（厚さ１６００ｎｍ）、ｐ＋ＧａＡｓコンタクト層３２（厚さ２００ｎｍ）を成長する。このとき、ｐ−Ｉｎ０．４６Ｇａ０．５４Ａｓ０．０４Ｐ０．９６上部第二光導波層３０およびｐ−Ａｌ０．６０Ｇａ０．４０Ａｓクラッド層３１のＺｎ濃度は７×１０１７（ｃｍ−３）とする。
【００２８】
次に、上記第１の実施例と同様、幅１０μｍ程度の溝３３を形成し、幅５０μｍ程度のリッジストライプ３４を形成する。次に、ＳｉＯ２膜３５を形成し、リッジストライプ３４上を開口し、ｐ側電極３６を形成する。その後、基板１の裏面にｎ側電極３７を形成する。
【００２９】
本実施例において、ｉ−Ｉｎ０．２０Ｇａ０．８０Ａｓ量子井戸層６からｎ型不純物であるＳｉがドーピングされたｎ−Ｉｎ０．４６Ｇａ０．５４Ａｓ０．０４Ｐ０．９６下部第一光導波層４までの距離はｉ−Ｉｎ０．４６Ｇａ０．５４Ａｓ０．０４Ｐ０．９６下部第二光導波層５の厚さ分１５０ｎｍであり、ｎ型不純物であるＳｉの濃度は５×１０１７（ｃｍ−３）である。
【００３０】
一方、ｉ−Ｉｎ０．２０Ｇａ０．８０Ａｓ量子井戸層８からｐ型の不純物であるＺｎがドーピングされたｐ−Ｉｎ０．４６Ｇａ０．５４Ａｓ０．０４Ｐ０．９６上部第二光導波層１０までの距離は、ｉ−Ｉｎ０．４６Ｇａ０．５４Ａｓ０．０４Ｐ０．９６上部第一光導波層９の厚さ分の２５０ｎｍであるあり、ｐ型不純物であるＺｎの濃度は７×１０１７（ｃｍ−３）である。
【００３１】
本実施例においても、面抵抗を２×１０−４（Ω・ｃｍ２）以下とし、ノイズを１％以下にすることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例による半導体レーザ素子を示す断面図
【図２】ｎ型不純物濃度、量子井戸層からｎ型不純物ドーピング層までの距離および抵抗値の関係を示すグラフ
【図３】ｎ型不純物濃度、量子井戸層からｎ型不純物ドーピング層までの距離およびノイズの関係を示すグラフ
【図４】ｐ型不純物濃度、量子井戸層からｐ型不純物ドーピング層までの距離および抵抗値の関係を示すグラフ
【図５】ｐ型不純物濃度、量子井戸層からｐ型不純物ドーピング層までの距離およびノイズの関係を示すグラフ
【図６】本発明の第２の実施例による半導体レーザ素子を示す断面図
【符号の説明】
１　　（００１）面ｎ−ＧａＡｓ基板
２　　ｎ−ＧａＡｓバッファ層
３　　ｎ−Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓクラッド層
４　　ｉ−Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓクラッド層
５　　ｉ−Ｉｎ０．４８Ｇａ０．５２Ｐ下部光導波層
６　　ｉ−Ｉｎ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓ０．７５Ｐ０．２５単一量子井戸層
７　　ｉ−Ｉｎ０．４８Ｇａ０．５２Ｐ上部光導波層
８　　ｉ−Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓクラッド層
９　　ｐ−Ｉｎ０．４８Ｇａ０．５２Ｐエッチングストップ層
１０　　ｐ−Ａｌ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓクラッド層
１１　　ｐ＋ＧａＡｓコンタクト層
１２　　溝
１３　　リッジストライプ
１４　　ＳｉＯ２膜
１５　　ｐ側電極
１６　　ｎ側電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004095837.tif 000007
【図６】
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