(57)【要約】【課題】より短時間での製造が可能で、垂直磁気異方性及びＭｓＨｃ積を大としうる光磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。【解決手段】光透過性の基板１上に、少なくとも誘電体層２、垂直磁気記録膜よりなる磁性層１１が形成されてなる光磁気記録媒体１０であって、その磁性層１１を、プロセスガスとしてＫｒガスを用いてスパッタリングにより形成される構成とする。【選択図】　図１
2004095073.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性の基板上に、少なくとも誘電体層、垂直磁気記録膜よりなる磁性層が形成されてなる光磁気記録媒体にあって、
上記磁性層が、プロセスガスとしてＫｒガスを用いてスパッタリングにより形成されてなることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
上記磁性層として、少なくとも再生層、移動層、切断層及び記録層が形成され、上記記録層の上に少なくとも誘電体層、熱拡散層がこの順に積層されてなり、
上記記録層の磁区が、再生時にレーザ光が照射されて上記再生層に転写されて再生がなされ、
上記再生層、上記移動層、上記切断層、上記記録層のうち少なくとも１層以上が、プロセスガスとしてＫｒガスを用いてスパッタリングにより形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】
光透過性の基板上に、少なくとも誘電体層、垂直磁気記録膜よりなる磁性層が形成されてなる光磁気記録媒体の製造方法であって、
上記磁性層を、Ｋｒガスをプロセスガスとしてスパッタリングにより形成することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
上記磁性層として、少なくとも再生層、移動層、切断層、記録層を形成し、上記記録層上に少なくとも誘電体層、熱拡散層をこの順にスパッタリングし、
少なくとも上記再生層、上記移動層、上記切断層、上記記録層のうち１層以上を、Ｋｒガスを導入して成膜することを特徴とする請求項３に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気記録媒体、特にＭＳＲ（Ｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙ　Ｉｎｄｕｃｅｄ　Ｓｕｐｅｒ　Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）方式により記録及び再生が行われる光磁気記録媒体とその製造方法に関わる。
【０００２】
【従来の技術】
光磁気記録媒体、特にＭＤ（Ｍｉｎｉ　Ｄｉｓｃ　）、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ　Ｄｉｓｃ）等のディスク型光磁気記録媒体は、安価で互換性の高い商品を生み出している。その価格を支えるために、製造方法は近年大きく変化している。
【０００３】
主要な製造過程の１つにスパッタリングがある。そのプロセスの変遷を時代ごとに見ていくと、バッチ式、インライン式、枚葉式と変化してきている。まず、バッチ式は、基板を投入する毎に真空チャンバーの真空を破る必要があり、高価なデバイスなどの生産には用いられている場合もあるが、安価なディスクの大量生産には向かない。
【０００４】
この問題点を解決したのが、インライン式のスパッタ装置である。インライン式では、プロセスチャンバーと、真空チャンバーへのロード／アンロードのチャンバーが独立しており、それらのチャンバー間を基板が真空を破ることなく行き来することができるようにしたものである。
これにより、バッチ式と比較して劇的に生産性が向上し、実用的な価格でＣＤ、ＭＤ、ＤＶＤ等の光磁気記録媒体を提供できるようになった。
【０００５】
しかしながら、インライン方式では、基板の脱着に時間がかかるため、タクトの限界が１０秒程度となってしまう。この問題を解決したのが、枚葉式といわれる装置である。
枚葉式では、１枚ずつ成膜するので、一考しただけではインライン式のほうが生産性が高いように思われるが、チャンバーの大きさを極限まで小さくできるため、タクトが向上し、またターゲットの利用効率が上がる。また、基板間のばらつきを小さくするための装置構成を不要とし、チャンバーの小型化により稼働率を上げることもできるなどのメリットが得られるため、現在の各種光ディスク、光磁気ディスクなどはほとんどこの枚葉式装置によって製造されている。
【０００６】
上述したように、枚葉式のスパッタ装置は、優れた生産性を有する。しかしながら、光磁気記録媒体の磁性層等を非常な短時間で成膜した場合、成膜された光磁気膜の垂直磁気異方性Ｋｕ、またこれにほぼ大きさが比例するＭｓＨｃ積、すなわち飽和磁化と保磁力との積が小さくなることが知られている。
【０００７】
この様子を表したのが図１３である。通常の枚葉式のスパッタ装置を用いて、成膜速度を変えて磁性層を基板上に成膜した。図１３において、実線ｐ１　〜ｐ３　はそれぞれ、成膜材料のターゲットに印加する電力を０．５　ｋＷ、１．５　ｋＷ、２．５　ｋＷとし、Ａｒガス流量を変えてＭｓＨｃ積を測定した結果を示す。Ａｒガス流量を大きく、すなわちＡｒガス圧を大とすると、成膜した磁性層のグレインサイズが大きくなり、あるガス圧で磁気異方性定数Ｋｕが極大値をもつ。
【０００８】
図１３の結果から、成膜速度を上げると、すなわちパワーを大とするとＭｓＨｃ積が小さくなってしまうことがわかる。したがって、生産性を上げれば上げるほど、ＭｓＨｃ積は小さくなる、すなわち磁気異方性定数Ｋｕが小さくなるといえる。また、Ａｒガス流量を大としても、それほどＭｓＨｃ積は上昇しないことがわかる。
【０００９】
一方、光磁気記録媒体の記録マークの安定性について考える。記録マークは、記録層に略円筒磁区の形状で記録される。この円筒磁区の概略形状を図１４に示す。図１４において、ｈは円筒磁区の高さ、ｒは円筒磁区の底面または上面の半径を示し、また矢印Ｍｓ、Ｈｄ及びＨａはそれぞれ円筒磁区の磁化、外部磁界及び円筒磁区の反磁界を模式的に示す。Ｍｓ、Ｈｄ及びＨａを飽和磁化、反磁界及び外部磁界の大きさとし、またσｗを磁壁エネルギーとすると、ゼーマンエネルギーＥｚ、反磁界エネルギーＥｓ、ブロッホ磁壁エネルギーＥｂはそれぞれ、
（１）Ｅｚ＝２ＭｓＨａ（πｒ２　ｈ）
（２）Ｅｓ＝−２ＭｓＨｄ（πｒ２　ｈ）
（３）Ｅｂ＝σｗ（２πｒｈ）
となる。
【００１０】
円筒磁区は、上述の３つのエネルギーにより安定な磁区状態が決定される。上述の（１）〜（３）式の和であるトータルのエネルギーとブロッホ磁壁エネルギーが、磁区の大きさ（円筒磁区の半径）に対しどのように変化するかを図１５に模式的に示す。図１５において、Ｅ１　及びＥｂ１　は飽和磁化Ｍｓと保磁力Ｈｃとの積（ＭｓＨｃ積）が小さい場合のトータルエネルギーとブロッホ磁壁エネルギー、Ｅ２　及びＥｂ２　はＭｓＨｃ積が大きい場合のトータルエネルギーとブロッホ磁壁エネルギーを示す。
【００１１】
図１５からわかるように、極小値は、ＭｓＨｃ積が小さい場合はｒ１　、ＭｓＨｃ積が大きい場合はｒ２　であり、ｒ１　＞ｒ２　となる。すなわち、より小さい半径の磁区、（より微小な磁区）を安定に存在させるためには、飽和磁化Ｍｓと保磁力Ｈｃの積が大きく、ＭｓＨｃ積に比例する垂直磁気異方性Ｋｕが大きくなくてはならず、すなわち前述のスパッタリングによる成膜時の問題から、記録マークを微細化して高密度すなわち大容量の光磁気記録媒体を生産性よく製造することは難しいこととなる。
【００１２】
また、垂直磁気記録層として少なくとも記録層、切断層、移動層及び再生層を設け、記録層の微小記録磁区を再生層に拡大転写して読み取るいわゆる磁区拡大型ＭＳＲ方式（例えば特許第２８０５７４６　号、特開平８−７３５０号公開公報等）を採用した光磁気記録媒体の場合、再生層と移動層の間に界面磁壁が形成されると信号量が低下し、ノイズレベルが上昇してしまう。そのため、再生層と移動層との間の界面磁壁エネルギーを大きく設定し、再生層と移動層との間の界面磁壁が形成されないようにする必要がある。界面磁壁を大きく設定するためには、やはり再生層ならびに移動層のＭｓＨｃ、垂直磁気異方性Ｋｕを大きくする必要があり、やはり生産性に問題を生じることとなる。
【００１３】
さらに、磁区拡大型のＭＳＲ方式をとる場合、切断層の役割は、室温で大きなＭｓＨｃ積を有し、急峻にその磁性を失うことである。これによりジッター特性が向上する。
したがって、切断層においてもできるだけ室温のＭｓＨｃ積は大きいほうがよく、この要求も上述した生産性の問題と矛盾することになる。
【００１４】
なお、垂直磁化膜を記録層として用いない光記録媒体においては、スパッタリングによる成膜時に、プロセスガスとしてＡｒガスを用いることによる不都合を解決するための方法が、各種提案されている。
例えば、記録層として有機色素材料を用いる光記録媒体において、色素層の膜厚減少を回避するために、Ａｒに比べ原子量の大きなＫｒ、Ｘｅガスを用いることによってこの比較的重いＫｒ、Ｘｅガスとの衝突によりスパッタ粒子のエネルギーを失わせ、色素層が逆スパッタリングされることを抑制する方法が特開平４−２５１４５３号公開公報に記載されている。
また例えば、記録層として、結晶質と非晶質との相変化を利用した相変化材料記録層を用いる光記録媒体において、スパッタ時に誘電体層にとりこまれたＡｒが、繰り返しオーバーライト動作により記録層に抜け出してボイドを発生させることを解決するために、ＸｅまたはＫｒガスを用いることが特許第３２１４２１０　号に記載されている。
またスパッタ時のＡｒの反跳により、下層の誘電体層のＯ２　が逆スパッタされて相変化材料記録層にとりこまれることを防ぐために、Ｋｒガスを用いてスパッタする方法が、特開平７　−９３８０７　号公開公報に記載されている。
しかしながら、上述したような垂直磁化膜を用いる光磁気記録媒体、特にＭＳＲ方式を採用して超解像再生を行って高記録密度化を図る光磁気記録媒体において、Ａｒガス以外のプロセスガスを用いて良好な記録再生特性が得られるかどうかは、全く解明されておらず、現状ではＡｒガス以外のプロセスガスを用いる例は報告されていない。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
上述した問題を解決するために、本発明においては、より短時間での製造が可能で、垂直磁気異方性及びＭｓＨｃ積を大としうる光磁気記録媒体及びその製造方法を提供するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明による光磁気記録媒体は、光透過性の基板上に、少なくとも誘電体層、垂直磁気記録膜よりなる磁性層が形成されてなる光磁気記録媒体にあって、その磁性層を、プロセスガスとしてＫｒガスを用いてスパッタリングにより形成される構成とする。
また本発明は、上述の構成において、磁性層を少なくとも再生層、移動層、切断層および記録層より構成し、その上に少なくとも誘電体層、熱拡散層をこの順に積層し、記録層の磁区が、再生時にレーザ光が照射されて再生層に転写されて再生がなされる構成とし、特にその再生層、移動層、切断層、記録層のうち少なくとも１層以上を、プロセスガスとしてＫｒガスを用いてスパッタリングにより形成される構成とする。
【００１７】
また本発明は、光透過性の基板上に、少なくとも誘電体層、垂直磁気記録膜よりなる磁性層が形成された光磁気記録媒体の製造方法にあって、磁性層を、プロセスガスとしてＫｒガスを用いて形成する。
また本発明は、上述の製造方法において、磁性層として少なくとも再生層、移動層、説断層及び記録層より構成し、この上に少なくとも誘電体層、熱拡散層をこの順にスパッタリングし、少なくともその再生層、移動層、切断層、記録層のうち１層以上を、Ｋｒガスを導入して成膜するものである。
【００１８】
上述したように本発明においては、垂直磁気記録膜を有する光磁気記録媒体の磁性層、特に再生層、移動層、切断層及び記録層よりなる磁性層を設ける光磁気記録媒体において、その各磁性層を成膜する際にＫｒガスを導入するものであるが、このように従来通常用いられていたＡｒガスに換えてＫｒガスを導入することによって、Ａｒガスを導入する場合と比較して高い垂直磁気異方性が得られることが本発明者等の研究考察の結果わかった。
本発明によれば、Ｋｒガスを導入するという簡易な方法によって、従来に比して垂直磁気異方性が高く、したがって、より微小な磁区を記録することが可能な光磁気記録媒体を生産性よく製造することが可能になる。
【００１９】
本発明は、特にＫｒガスをプロセスガスとして用いることによって、再生層、移動層、切断層、記録層を設けるいわゆる磁区拡大型のＭＳＲ方式を採用する光磁気記録媒体において、その各磁性層の垂直磁気異方性を確実に向上させることができることを見出したものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下本発明による光磁気記録媒体とその製造方法について図面を参照して説明するが、本発明は以下の例に限定されることなく、その他種々の変形、変更が可能であることはいうまでもない。
【００２１】
上述したように、本発明による光磁気記録媒体は、その一例の要部の模式的な拡大断面構成を図１に示すように、光透過性の基板１上に、少なくとも誘電体層２、磁性層１１、この例においては再生層３、移動層４、切断層５、記録層６より構成される磁性層１１、更に記録層６の上に、少なくとも誘電体層７、熱拡散層８がこの順に積層されて光磁気記録媒体１０が構成される。
この光磁気記録媒体１０の再生時には、再生用のレーザ光が照射されると、キュリー温度が比較的低く設けられた切断層５の磁化が消失し、比較的磁壁移動度が大に設定された移動層４の磁壁が横方向に広がって磁区が拡大し、拡大した磁区が再生層３に転写されて再生がなされる。そして本発明においては、この光磁気記録媒体１０において、その再生層３、移動層４、切断層５、記録層６のうち少なくとも１層以上を、プロセスガスとしてＫｒガスを用いてスパッタリングにより形成される構成とするものである。
【００２２】
図１において、９は保護層、１２は光ピックアップ用の対物レンズで、記録及び／又は再生用の光Ｌを集光する。図示の例においては、基板１側から照射して再生層に集光する場合を示す。
【００２３】
このように、本発明においては再生層３から記録層６のうち少なくとも１層以上をスパッタリングによりＫｒガスを用いて成膜するものである。図２に本発明の実施の形態に用いて好適なスパッタ装置の一例の模式的な構成図を示す。
【００２４】
図２において、４１はメインチャンバーで、この例では、その周囲にプロセスチャンバー４２が複数（図示の例では１２個）配置されるいわゆる枚葉式のスパッタ装置を示している。基板ホルダー４３は、回転機構部４４を中心軸として、各プロセスチャンバー４２へ順次矢印ａ０　で示すように搬送される。４５は基板入れ換え部を示し、ここにおいて矢印ａで示すように、基板１の搬入、搬出がなされる。
図２においては、各チャンバー間のゲートバルブ、排気管等を省略しているが、通常の基板処理装置と同様に設けられ、各処理室が相互に独立した雰囲気とされることはいうまでもない。
【００２５】
図３に、基板の搬送態様の一例を模式的に示す。ターゲット２０はプロセスチャンバー４２内に配置され、基板ホルダー４３がメインチャンバー４１から、ゲートバルブ（図示せず）を通して矢印ａ１　で示すようにプロセスチャンバー４２に搬送される。そして、所定の組成の成膜処理が終わると、基板ホルダー４３がメインチャンバー４１に搬送され、矢印ｒで示すように基板ホルダー４３が回転移動して、次のプロセスチャンバー４２に搬送される。
【００２６】
図３において、２１はガス導入管を示し、プロセスチャンバー４２の外部から矢印ｂで示すようにプロセスガスを導入する。この例においては、ガス導入管２１のプロセスチャンバー内の先端部において矢印ｃで示すように、開口部２１ａから所定のプロセスガスが基板１の近傍に噴射される。この先端部は、例えば図４に模式的な平面構成を示すようにリング状に構成され、矢印ｄで示すように、そのリング中央に向かってガスが噴射するように開口部２１ａがその内周部に複数個設けられる構成とすることができる。図４において１は基板を示す。
【００２７】
また、図３に示すように、このガス導入管２１とターゲット２０との間に必要に応じて例えば平面リング状の防着板２２を設けてもよい。図３において、ガス導入管２１及び防着板２２は断面構成を示す。
【００２８】
このようなスパッタ装置において、光磁気記録媒体の再生層、移動層、切断層及び記録層のうち少なくとも１層以上を、Ｋｒガスをプロセスガスとして成膜することによって、後段の実施例において詳細に説明するように、高いＭｓＨｃ積、高い垂直磁気異方性Ｋｕの磁性層を成膜することができる。
【００２９】
したがって、本発明による光磁気記録媒体は、より微小な記録マークを記録することが可能であり、高記録密度化、すなわち大容量化が可能となる。
また、従来と同様の垂直磁気異方性をもって磁性層を構成する光磁気記録媒体に本発明を適用することによって、成膜速度を上げることが可能となり、生産性の向上を図ることができることとなる。
【００３０】
次に、本発明による実施例及びＡｒガスのみをプロセスガスとして各磁性層を成膜した比較例とについて、図面を参照して詳細に説明する。
［実施例１］
図１において説明した例と同様の構成による光磁気記録媒体を作製した。
この例においては、ポリカーボネートよりなる基板１の上に、ＳｉＯ２　よりなる誘電体層２、再生層３、移動層４、切断層５、記録層６、ＳｉＯ２　よりなる誘電体層７、ＡｌＴｉよりなる熱拡散層８を順次スパッタリングにより成膜し、さらに紫外線硬化樹脂よりなる保護層９をスピンコート法による塗布、紫外線照射により成膜した。
【００３１】
ここで、各磁性層の組成、キュリー温度Ｔｃ及び室温での保磁力Ｈｃは、以下の通りである。
再生層：Ｇｄ２６（Ｆｅ９５Ｃｏ５　）７４、Ｔｃ＝２６０　℃、Ｈｃ＝３００　Ｏｅ
移動層：（Ｇｄ２５．５Ｆｅ７４．５）９５Ａｌ５　、Ｔｃ＝２００　℃、Ｈｃ＝３００　Ｏｅ
切断層：（Ｔｂ２６（Ｆｅ９２Ｃｏ８）７４）９５Ａｌ５　、Ｔｃ＝１４０　℃、Ｈｃ＝１８ｋＯｅ
記録層：Ｔｂ２５．５Ｆｅ４７．５Ｃｏ３０、Ｔｃ≒３００　℃、Ｈｃ≧２０ｋＯｅ
である。なお、各元素記号の右側の数値は、それぞれ原子％を示す。
また、プロセスガス（以下の各例において、特定の層のみをＫｒガスを用いて成膜し、他の層をＡｒガスを用いて成膜する場合はそれぞれＫｒガスないしはＡｒガスとする）のガス流量、及びガス圧は以下の通りである。
再生層：ガス流量３０ｓｃｃｍ、ガス圧０．３８Ｐａ
移動層；ガス流量３０ｓｃｃｍ、ガス圧０．３８Ｐａ
切断層：ガス流量７０ｓｃｃｍ、ガス圧０．７２Ｐａ
記録層：ガス流量７０ｓｃｃｍ、ガス圧１．１Ｐａ
【００３２】
まず、各磁性層単層のＭｓＨｃ積をＶＳＭ（Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ　Ｓａｍｐｌｅ　Ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ：試料振動型磁力計）　により測定した。スパッタパワーはそれぞれ１ｋＷである。
【００３３】
図５は再生層のＭｓＨｃ積の変化を示す。実線ｄ１　はＫｒガスを導入した場合、実線ｄ２　はＡｒガスのみをプロセスガスとした場合を示す。
また図６は移動層のＭｓＨｃ積の変化を示す。実線ｅ１　はＫｒガスを導入した場合、実線ｅ２　はＡｒガスのみをプロセスガスとした場合を示す。
【００３４】
また図７は切断層のＭｓＨｃ積の変化を示す。実線ｆ１　はＫｒガスを導入した場合、実線ｆ２　はＡｒガスのみをプロセスガスとした場合を示す。
また図８は記録層のＭｓＨｃ積の変化を示す。実線ｇ１　はＫｒガスを導入した場合、実線ｇ２　はＡｒガスのみをプロセスガスとした場合を示す。
【００３５】
以上の図５〜図８の結果から、いずれの磁性層の組成においても、プロセスガスをＡｒからＫｒに変更することによってその垂直磁気異方性が向上し、結果として磁区拡大型のＭＳＲの信号特性を向上させることができることがわかる。
また、Ｋｒガスをプロセスガスとして用いる場合においても、ガス流量を大とすることによって、垂直磁気異方性が向上し、所定のガス流量とするときに極大値を有する傾向があることがわかる。
【００３６】
次に、このようにして作製した光磁気記録媒体に対し、ＭＳＲ方式による記録再生を行ってその再生信号のジッターを測定した。測定条件は、以下の通りである。
記録方法：記録磁界２００　Ｏｅ程度の磁界変調方式
再生方法：再生波長７８０　ｎｍ、対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．０．４５、線速度２ｍ／　ｓ
最短記録ビット長：０．１６μｍ
信号変調方式：１−７ＲＬＬ変調方式
以上の方法により、磁区拡大型のＭＳＲ方式による記録再生を行って再生特性を調べた。
なお、再生信号は位相補償を２０度回転させて、ランド部やグルーブ壁面からのノイズをキャンセルして測定した。
図９において、実線ｋ１　は再生層３、移動層４、切断層５及び記録層６をすべてプロセスガスとしてＫｒガスを用いてスパッタリングにより成膜した実施例１の光磁気記録媒体の再生特性、実線ｋ２　は各層３〜６をＡｒガスのみをプロセスガスとしてスパッタリングにより成膜した光磁気記録媒体（比較例）の再生特性を示す。この比較例も最短記録ビット長は０．１６μｍとした。
【００３７】
図９の結果からわかるように、Ｋｒガスをプロセスガスとした本発明構成による実施例１においては磁気的特性が向上しており、Ａｒガスのみをプロセスガスとした比較例では、ジッターが１２％を超えており、実用上十分な再生信号を得ることができない。一方実施例１の光磁気記録媒体は、十分な再生パワーマージンを得ることができることがわかる。
【００３８】
［実施例２］
次に、記録層６のみをＡｒガスからＫｒガスに切り換えて成膜した光磁気記録媒体を作製した。すなわち実施例２においては、再生層３、移動層４及び切断層５をプロセスガスとしてＡｒガスを用いて成膜し、その他の構成を上述の実施例１と同様に作製した。
図１０に、この実施例２による光磁気記録媒体の記録再生特性を示す。図１０において、実線ｎ１　は実施例１による光磁気記録媒体の記録再生特性、実線ｎ２　は実施例２による光磁気記録媒体の記録再生特性を示す。この例においても最短記録ビット長は０．１６μｍ　である。
【００３９】
この結果から、再生パワーが２．２　ｍＷ程度以上の領域でエラーレートの悪化が見られることがわかる。したがって、この実施例２においては、再生パワーマージンが減少する。これは、この２．２　ｍＷ以上の再生パワーの領域、すなわちその温度領域で再生層と移動層との間に界面の磁壁が生成され、ジッターが悪化したことによるものである。
【００４０】
しかしながら、再生パワーマージンが実施例１の光磁気記録媒体より低下するものの、それより低い再生パワーの領域では十分使用に耐えうる、すなわち記録再生が可能な性能を有していることがわかる。光磁気記録媒体を記録再生する装置側の性能によっては、充分な記録再生特性が得られるものであるといえる。
【００４１】
［　実施例３］
この例においては、実施例２の光磁気記録媒体と同様に記録層をＫｒがスをプロセスガスとして成膜するとともに、更に切断層をＫｒガスをプロセスガスとして成膜し、移動層及び記録層はＡｒガスを導入して成膜し、その他の構成は上述の実施例１と同様の構成として光磁気記録媒体を作製した。この例における最短記録ビット長を０．１６μｍ　とした場合の記録再生特性を図１１に示す。図１１において、実線ｏは上述の実施例２による光磁気記録媒体の記録再生特性、実線ｐが実施例３による光磁気記録媒体の記録再生特性である。
実施例２に比べて、低い再生パワーの領域でのエラーレートの立ち上がりが急峻であることが分かる。これは、切断層のＭｓＨｃ積が急激に小さくなる効果を反映したものである。したがって、記録層単層のみと比べ、切断層をもＫｒガスをプロセスガスとして成膜することによって、やや記録再生特性の向上が見られることがわかる。
【００４２】
［　実施例４］
次に、再生層、移動層のみをＫｒガスをプロセスガスとして成膜し、他の層をＡｒガスにより成膜して、その他の構成は上述の実施例１と同様の材料構成とした光磁気記録媒体を作製した。この光磁気記録媒体の記録再生特性を図１２に示す。
【００４３】
図１２において、実線ｔは実施例４による光磁気記録媒体に最短記録ビット長を０．１６μｍ　として記録を行った場合、実線ｓは、実施例４による光磁気記録媒体に最短記録ビット長を０．２０μｍ　として記録を行った場合の再生特性をそれぞれ示す。
最短記録ビット長が０．１６μｍ　の場合の記録再生特性は悪いが、最短記録ビット長を０．２０μｍ　とした場合のその再生パワーマージンは実施例２及び３による光磁気記録媒体よりもむしろ広い。再生層、移動層のプロセスガスをＫｒとすることで、再生パワーマージンの改善効果が見られることがわかる。
【００４４】
これらの結果から、Ｋｒガスをプロセスガスとして用いることによって、特に記録層のみ、または記録層と切断層のみとする場合には、低出力の再生パワーとされる装置に用いて好適な記録再生特性を有する光磁気記録媒体が得られ、再生層及び移動層のみをＫｒガスをプロセスガスとして成膜する場合は、最短記録ビット長を０．２０μｍ　程度とすると充分良好な記録再生特性が得られる光磁気記録媒体を提供することができることがわかる。
【００４５】
しかしながら、特に再生層、移動層、切断層及び記録層の全てをＫｒガスをプロセスガスとして成膜する場合には、最短記録ビット長を０．１６μｍ　とするＭＳＲ方式の光磁気記録媒体において良好な記録再生特性を得ることができることがわかる。
【００４６】
以上本発明の実施の形態及びその各実施例について説明したが、本発明は上述の各例に限定されることなく、本発明の要旨逸脱しない範囲で種々の変形、変更が可能であることはいうまでもない。
【００４７】
例えば上述の各実施例においては、Ｋｒガスをプロセスガスとして成膜する場合は、その流量はＫｒガスを１００　％として行った。しかしながら、ＡｒがスにＫｒガスを添加してプロセスガスとして用いる場合においても、同様に垂直磁気異方性を高める効果が得られることが予想される。
上述の各例における結果から、Ｋｒガスの流量比を、全体のプロセスガス流量の５０％程度以上とする場合に、有意な効果が得られることが予想できる。
【００４８】
また、光磁気記録媒体としては、その他の垂直磁気記録膜を用いる各種の光磁気記録媒体に本発明を適用することもでき、その場合には垂直磁気異方性を高め、より良好な記録再生特性が得られることはいうまでもない。
例えば、上述の各実施例においては、磁性層として再生層、移動層、切断層及び記録層を設けるいわゆる磁区拡大型のＭＳＲ方式を採る光磁気記録媒体に適用した例であるが、本発明によれば上述したように垂直磁気異方性を高める効果を得ることができることから、その他種々のＭＳＲ方式を用いる光磁気記録媒体に適用して好適であることはいうまでもない。
【００４９】
【発明の効果】
上述の本発明によれば、Ｋｒガスをプロセスガスとして、光磁気記録媒体の再生層、移動層、切断層及び記録層のうち少なくとも１層以上をスパッタリングにより成膜することによって、垂直磁気異方性を高めることができ、記録再生特性の向上をはかることができる。
【００５０】
特に、磁区拡大型のＭＳＲ方式を採る光磁気記録媒体において、最短記録ビット長を０．１６μｍ　程度とし高記録密度化をはかる場合に、再生層、移動層、切断層及び記録層をＫｒガスをプロセスガスとして成膜して光磁気記録媒体を構成することによって、良好な記録再生特性を有する光磁気記録媒体を生産性よく提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】光磁気記録媒体の一例の要部の略線的拡大断面図である。
【図２】スパッタ装置の一例の模式的な構成図である。
【図３】スパッタ装置の一例の要部の模式的な構成図である。
【図４】ガス導入管の一例の平面構成の説明図である。
【図５】再生層の磁気的特性を示す図である。
【図６】移動層の磁気的特性を示す図である。
【図７】切断層の磁気的特性を示す図である。
【図８】記録層の磁気的特性を示す図である。
【図９】光磁気記録媒体の記録再生特性を示す図である。
【図１０】光磁気記録媒体の記録再生特性を示す図である。
【図１１】光磁気記録媒体の記録再生特性を示す図である。
【図１２】光磁気記録媒体の記録再生特性を示す図である。
【図１３】光磁気記録媒体の磁気特性の説明図である。
【図１４】記録磁区の説明図である。
【図１５】磁区のエネルギー状態の説明図である。
【符号の説明】
１　基板、２　誘電体層、３　再生層、４　移動層、５　切断層、６　記録層、７　誘電体層、８　熱拡散層、９保護層、１０　光磁気記録媒体、１１　磁性層、１２対物レンズ、２０　ターゲット、２１　ガス導入管、２１ａ　開口部、２２　防着板、４１　メインチャンバー、４２　プロセスチャンバー、４３　基板ホルダー、４４　回転機構部、４５　基板入れ換え部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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