(57)【要約】【課題】銅などを用いてプラズマ処理をおこなった場合でも，容器内の塩素などのハロゲン元素によるパーティクルの発生を極力防止し，銅配線などのプラズマ処理による歩留りの低下を防止し，生産性を向上させる。【解決手段】処理容器内にプラズマを発生させて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置１００における少なくとも処理容器内の構成材料（例えば天井壁材１０２ａ，側壁材１０２ｂを含む処理容器１０２，上部電極１２６，下部電極１０４，導電部材１０７，スリット１２０ａ等）は，プラズマ処理装置を組立てる前に例えば塩素などのハロゲン元素を低減させたものを使用する。塩素の低減は，超音波洗浄により行い，超音波洗浄は塩素を低減できる程度の所定時間だけ行う。【選択図】　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内にプラズマを発生させて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置の製造方法において，
少なくとも前記処理容器内の構成材料は，塩素を含まない材料で構成することを特徴とするプラズマ処理装置の製造方法。
【請求項２】
処理容器内にプラズマを発生させて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置の製造方法において，
少なくとも前記処理容器内の構成材料は，前記プラズマ処理装置を組立てる前にハロゲン元素を低減させることを特徴とするプラズマ処理装置の製造方法。
【請求項３】
前記ハロゲン元素は塩素であることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置の製造方法。
【請求項４】
前記ハロゲン元素の低減は，超音波洗浄により行うことを特徴とする請求項２又は請求項３に記載のプラズマ処理装置の製造方法。
【請求項５】
前記超音波洗浄は，塩素を低減できる程度の所定時間だけ行うことを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置の製造方法。
【請求項６】
処理容器内にプラズマを発生させて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置において，
少なくとも前記処理容器内の構成材料は，塩素を含まない材料で構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
処理容器内にプラズマを発生させて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置において，
少なくとも前記処理容器内の構成材料は，前記プラズマ処理装置を組立てる前にハロゲン元素を低減したものであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
処理容器内にプラズマを発生させて被処理体をプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において，
少なくとも前記処理容器内の構成材料は，塩素を含まない材料で構成したプラズマ処理装置によりプラズマ処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項９】
前記ハロゲン元素は塩素であることを特徴とする請求項８に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１０】
前記プラズマ処理は，被処理体に金属を用いたエッチング処理であることを特徴とする請求項９に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１１】
前記金属は，銅であることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１２】
処理容器内にプラズマを発生させて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置における不純物低減方法において，
少なくとも前記処理容器内の構成材料は，前記プラズマ処理装置を組立てる前に超音波洗浄によってハロゲン元素を低減することを特徴とする不純物低減方法。
【請求項１３】
前記ハロゲン元素は，塩素であることを特徴とする請求項１２に記載の不純物低減方法。
【請求項１４】
前記超音波洗浄は，塩素を低減できる程度の所定時間だけ行うことを特徴とする請求項１３に記載の不純物低減方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，プラズマ処理装置の製造方法，プラズマ処理装置，プラズマ処理方法，不純物低減方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体装置においては，近年，半導体集積回路の微細化にともないアルミ配線（Ａｌ配線）の抵抗が大きいことなどが問題となってきている。このため，配線抵抗の減少による動作周波数の向上，消費電力の低減などを図ることのできる新技術として，銅配線（Ｃｕ配線）が注目されている。従って，プラズマ処理装置においても，銅（Ｃｕ）などに対してプラズマ処理を行うものが所望される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが，銅配線のように銅（Ｃｕ）を含む膜に対してプラズマ処理を行う場合には，様々な問題点がある。中でも，塩素（Ｃｌ）などのハロゲン元素によるパーティクル（塩化銅など）が発生することが本出願人による実験，調査により判明した。このような塩素（Ｃｌ）などによるパーティクルは，従来のアルミ配線では生じなかったものである。
【０００４】
例えばプラズマが発生する処理容器内の構成材料（処理容器内壁，サセプタ，電極など）に塩素（Ｃｌ）が含有，付着等している場合に，ウエハ上に銅（Ｃｕ）をプラズマ処理により配線しようとすると，銅（Ｃｕ）と塩素（Ｃｌ）とが反応し塩化銅（ＣｕＣｌ２）が形成され，処理容器の内壁などに塩化銅（ＣｕＣｌ２）を含むパーティクルが発生する。
【０００５】
従って，銅（Ｃｕ）を含む膜に対してプラズマ処理する場合には塩素（Ｃｌ）を低減させてパーティクルの発生を防止する必要がある。
【０００６】
しかしながら，従来では超音波を利用して洗浄を行うものもあるが，従来の洗浄工程ではパーティクルの発生しない程度に塩素（Ｃｌ）を低減させるには不十分であった。これは従来のアルミ配線のプロセスでは，塩素（Ｃｌ）がパーティクルの発生原因となることはなかったため，塩素（Ｃｌ）の低減を考慮する必要はなかったからである。
【０００７】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，容器内の塩素（Ｃｌ）などのハロゲン元素によるパーティクルの発生を防止できるプラズマ処理装置の製造方法等を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために，本発明の第１の観点によれば，処理容器内にプラズマを発生させて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置の製造方法において，少なくとも前記処理容器内の構成材料は，塩素を含まない材料で構成することを特徴とするプラズマ処理装置の製造方法が提供される。
【０００９】
また，別の観点によれば，処理容器内にプラズマを発生させて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置の製造方法において，少なくとも前記処理容器内の構成材料は，前記プラズマ処理装置を組立てる前にハロゲン元素を低減させることを特徴とするプラズマ処理装置の製造方法が提供される。上記ハロゲン元素は塩素であってもよい。また，前記ハロゲン元素の低減は，超音波洗浄により行うようにしてもよい。この場合，超音波洗浄は，塩素を低減できる程度の所定時間だけ行うことが好ましい。
【００１０】
上記課題を解決するために，本発明の第２の観点によれば，処理容器内にプラズマを発生させて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置において，少なくとも前記処理容器内の構成材料は，塩素を含まない材料で構成したことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
【００１１】
また，別の観点によれば処理容器内にプラズマを発生させて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置において，少なくとも前記処理容器内の構成材料は，前記プラズマ処理装置を組立てる前にハロゲン元素を低減したものであることを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
【００１２】
上記課題を解決するために，本発明の第３の観点によれば，処理容器内にプラズマを発生させて被処理体をプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において，少なくとも前記処理容器内の構成材料は，塩素を含まない材料で構成したプラズマ処理装置によりプラズマ処理することを特徴とするプラズマ処理方法が提供される。上記ハロゲン元素は塩素であってもよい。また，前記プラズマ処理は，被処理体に金属を用いたエッチング処理であってもよい。さらに，前記金属は，銅であってもよい。
【００１３】
上記課題を解決するために，本発明の第４の観点によれば，処理容器内にプラズマを発生させて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置における不純物低減方法において，少なくとも前記処理容器内の構成材料は，前記プラズマ処理装置を組立てる前に超音波洗浄によって不純物として含まれる塩素などのハロゲン元素を低減することを特徴とする不純物低減方法が提供される。また，前記ハロゲン元素は，塩素であってもよい。さらに，前記超音波洗浄は，塩素を低減できる程度の所定時間だけ行うことが好ましい。
【００１４】
このような発明においては，処理容器内の構成材料（例えば処理容器の天井壁材や側壁材などの内壁材，電極など）を，塩素を含まない材料又は塩素などのハロゲン元素を低減した材料で構成することにより，例えば銅を含む膜に対してプラズマ処理を行った場合であっても塩化銅などのパーティクルが発生することを極力防止できることができる。従って，例えば銅配線など銅を含む膜に対してプラズマ処理による歩留りの低下を防止でき，生産性を向上させることができる。
【００１５】
また，プラズマ処理装置を組立てる前に，処理容器内の構成材料に対して塩素などのハロゲン元素を低減させる処理を行うことにより，塩素を含まない材料又は塩素などのハロゲン元素を低減した材料で構成したプラズマ処理装置を得ることができる。例えば銅を用いてプラズマ処理を行った場合であっても塩化銅などのパーティクルが発生することを極力防止できるプラズマ処理装置を提供することができる。
【００１６】
また，塩素などのハロゲン元素の低減を，超音波洗浄によって行い，さらに塩素を低減できる程度の所定時間だけ行うことにより，塩素を確実に低減させることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照しながら，本発明にかかるプラズマ処理装置の好適な実施の形態について詳細に説明する。
【００１８】
まず，図１を参照しながら，本発明を適用可能なプラズマ処理装置１００の全体構成について説明する。図１に示すプラズマ処理装置１００の処理容器１０２は，導電部材で構成され，この処理容器１０２は接地されている。処理容器１０２は，天井壁材１０２ａ，側壁材１０２ｂを有する。
【００１９】
処理容器１０２内には，被処理体，例えば半導体ウエハ（以下，「ウエハ」と称する。）Ｗを載置するサセプタを兼ねた下部電極１０４が配置されている。さらに，図１に示す例では，下部電極１０４の載置面以外の部分は，絶縁部材１０５と，導電部材１０７によって覆われている。
【００２０】
また，下部電極１０４は，昇降軸１０６の駆動によって上下動自在に構成されている。さらに，導電部材１０７と処理容器１０２との間には，例えばステンレスから成るベローズ１０９が設けられている。さらに，導電部材１０７の側面およびベローズ１０９を囲うように，ベローズカバー１１１が設けられている。
【００２１】
また，図１に示すように，下部電極１０４の載置面には，高圧直流電源１０８に接続された静電チャック１１０が設けられていると共に，静電チャック１１０を囲うようにして，絶縁性のフォーカスリング１１２が配置されている。
【００２２】
さらに，下部電極１０４には，整合器１１６を介して高周波電力を出力する高周波電源１１８が接続されている。下部電極１０４の側方には，排気リング１２０が配置されており，図示の例では，排気リング１２０は，フォーカスリング１１２と導電部材１０７とによって挟持されると共に，導電性のネジ（図示せず）で導電部材１０７の上部に固定されている。
【００２３】
排気リング１２０は，導電部材１０７とベローズ１０９と処理容器１０２を介して接地されるので，排気リング１２０と処理容器１０２内壁とを略同電位（接地電位）にすることができる。排気リング１２０は，プラズマを排気リング１２０の上部，すなわち後述の処理空間１２２内に閉じ込めることができる。
【００２４】
また，下部電極１０４の載置面と対向する処理容器１０２内の内壁面には，上部電極（シャワーヘッド）１２６が設けられている。さらに，上部電極１２６には，多数のガス吐出孔１２６ａが設けられていると共に，ガス吐出孔１２６ａには，処理ガスを供給する不図示のガス供給源が接続されている。従って，処理ガスは，ガス吐出孔１２６ａを介して，処理空間１２２内に供給される。
【００２５】
また，処理容器１０２内の下方には，不図示の真空引き機構に接続された排気管１２８が接続されている。従って，処理空間１２２内は，排気リング１２０の排気スリット１２０ａと，排気経路１２４と，排気管１２８を介して真空引きされる。処理容器１０２の外部には，下部電極１０４と上部電極１２６との間に形成されるプラズマ領域を囲うようにして，磁石１３０が配置されている。
【００２６】
本実施例にかかるプラズマ処理装置１００における処理容器１０２内の構成材料，例えば天井壁材１０２ａ，側壁材１０２ｂを含む処理容器１０２，上部電極（シャワーヘッド）１２６，下部電極１０４，導電部材１０７，排気リング１２０，排気スリット１２０ａ，フォーカスリング１１２等は，例えば塩素（Ｃｌ）などのハロゲン元素を含まない材料で構成される。ここで，塩素（Ｃｌ）を含まない材料としては，例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３），イットリア（Ｙ２Ｏ３）セラミックがある。導電性が必要な部分には導電セラミックを使用する。
【００２７】
また，上記処理容器１０２内の構成材料を後述する洗浄などにより塩素（Ｃｌ）などのハロゲン元素を低減させた材料で構成してもよい。従って，上記処理容器１０２内の構成材料をアルマイトなど不純物として塩素（Ｃｌ）が含有するものや，塩素（Ｃｌ）が付着したアルミニウムを材料とする場合でも，プラズマ処理装置１００を組立てる前にその材料から洗浄などにより塩素（Ｃｌ）を低減させればよい。
【００２８】
この場合，塩素（Ｃｌ）は，銅（Ｃｕ）を含む膜に対してプラズマ処理を行う際に，塩化銅などのパーティクルが発生しない程度まで低減する。具体的には例えばアルマイトには０．１ｗｔ％程度の塩素（Ｃｌ）が不純物として含有しているが，これを洗浄などにより０．０１ｗｔ％程度以下まで塩素（Ｃｌ）を低減させる。
【００２９】
このように，本実施の形態にかかるプラズマ処理装置１００は，処理容器１０２内の構成材料（例えば処理容器の天井壁材や側壁材などの内壁，電極など）を，塩素（Ｃｌ）を含まない材料又は塩素（Ｃｌ）などのハロゲン元素を低減した材料で構成することにより，例えば銅（Ｃｕ）を含む膜に対してプラズマ処理を行った場合であっても塩化銅（ＣｕＣｌ２）などのパーティクルが発生することを防止でき又はパーティクルの発生を極力抑えることができる。従って，例えば銅配線など銅（Ｃｕ）を含む膜に対してプラズマ処理による歩留りの低下を防止でき，生産性を向上させることができる。
【００３０】
次に，本発明にかかるプラズマ処理装置の製造方法（不純物低減方法を含む）について説明する。ここでは，アルミニウムなど塩素（Ｃｌ）を低減させる必要がある材料で，処理容器１０２内の構成材料を構成する場合における材料入荷から装置組立てまでの大まかな流れを図２に示す。材料によってはさらに細かい工程が必要な場合もあるが，ここでは大局的な流れを示す。
【００３１】
先ず，ステップＳ１００にてアルミニウムなどの材料を入荷すると，ステップＳ１１０にて荒洗浄を行う。荒洗浄では材料を市水により洗浄する。市水には塩素（Ｃｌ）が含まれるため，この工程では材料に塩素が付着する可能性が高い。
【００３２】
次いでステップＳ１２０にてＮＣ（ｎｕｍｅｒｉｃａｌ　ｃｏｎｔｒｏｌ）加工などにより材料を加工して処理容器１０２の天井壁材１０２ａ，側壁材１０２ｂ，上部電極１２６，下部電極１０４などを成形する。例えばアルミニウムの加工工程では，硫酸Ｈ２ＳＯ４で浸すアルマイト処理を行う。アルマイト処理では材料を塩酸（ＨＣｌ）を含む市水で洗浄するので，そのときに塩素（Ｃｌ）が材料に付着する可能性が高い。続いてステップＳ１３０にて加工した材料を外観測定や三次元測定により所望の精度に加工されたか検査する。
【００３３】
次にステップＳ１４０にて出荷前に材料を洗浄する出荷洗浄を行う。この出荷洗浄では，例えば中性洗剤で５分洗浄し，超音波洗浄により５分洗浄した後，純水（浸漬）洗浄を行い，乾燥させる。
【００３４】
続いてステップＳ１５０にて材料に対して不純物低減方法としての塩素低減洗浄を行う。例えば超音波洗浄を上記出荷洗浄による超音波洗浄に加えて１０分以上，より好ましくは３０分以上行う。上記超音波洗浄としては，例えば純水中に洗浄する材料を浸した後，超音波発生装置で発生した超音波振動を材料に印加することによって材料を振動させることにより材料を洗浄する。ここで発生させる超音波の周波数は例えば数ＭＨｚがより好ましいが，数十ｋＨｚ以上でもよい。なお，塩素低減洗浄として超音波洗浄を行う場合には，出荷洗浄のときの超音波洗浄で塩素低減洗浄を行うようにしてもよい。
【００３５】
このように，塩素（Ｃｌ）などのハロゲン元素の低減を，超音波洗浄によって行い，さらに塩素（Ｃｌ）を低減できる程度の所定時間だけ行うことにより，塩素（Ｃｌ）を確実に低減させることができる。
【００３６】
その他の塩素低減洗浄としては，揮発性があって，少なくともフッ素（Ｆ）を含まない洗浄剤を含ませた布で拭取り洗浄してもよい。このような洗浄剤としては例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が挙げられる。フッ素を含まない洗浄剤とするのは，拭取り洗浄によりフッ素が材料に付着すると，プラズマ処理に影響を及すので，それを防止するためである。また揮発性がない洗浄剤では皮膜中に吸水するおそれがあるので適切ではない。なお，純水超音波とＩＰＡによる拭取り洗浄とを組合わせてもよい。また純水だけで洗浄してもよい。
【００３７】
次にステップＳ１６０にて装置の組立が行われる。なお，装置の組立は客先で行ってもよい。この場合は例えば加工された材料（部品）を出荷して客先で組立てる。また，プラズマ処理装置部品（パーツ）単体の交換のための出荷の際は，この装置組立ステップＳ１６０が省略できることは言うまでもない。
【００３８】
このように，プラズマ処理装置１００を組立てる前に，処理容器１０２内の構成材料に対して塩素（Ｃｌ）などのハロゲン元素を低減させる処理を行うことにより，塩素（Ｃｌ）を含まない材料又は塩素（Ｃｌ）などのハロゲン元素を低減した材料で構成したプラズマ処理装置１００を得ることができる。例えば銅（Ｃｕ）を含む膜に対してプラズマ処理を行った場合であっても塩化銅（ＣｕＣｌ２）などのパーティクルが発生することを防止でき又はパーティクルの発生を極力抑えることができるプラズマ処理装置１００を提供することができる。
【００３９】
特に塩素（Ｃｌ）は，付着し易いのでこれを低減させた材料を使用する効果は大きい。例えばプラズマ処理装置の部品として加工する材料を水洗いするだけで，その水に不純物として含まれる塩素（Ｃｌ）が材料に付着する。さらに，アルミニウムを材料とする部品を硫酸Ｈ２ＳＯ４で浸すアルマイト処理において材料を塩酸（ＨＣｌ）を含む市水で洗浄するときに塩素（Ｃｌ）が材料に付着する。さらにアルマイトなどの材料のように材料そのものに不純物として塩素（Ｃｌ）が含有されている場合もある。
【００４０】
次に，上述した各種の塩素低減洗浄を行った場合における塩素（Ｃｌ）の含有量を検出した結果を図３に示す。ここでは１例として上記処理容器１０２内の部品として例えばアルマイト処理を施したアルミニウムで成形した天井壁材１０２ａに対して各種の塩素低減洗浄を行った場合の塩素量を測定した。なお，図３に示す塩素（Ｃｌ）の含有量は，材料の表面から深さを変えて叩いて飛んでくる塩素をｗｔ％で示す。図３（１），（２）はそれぞれ塩素低減洗浄を行わなかった天井壁材１０２ａの新品と古品の塩素（Ｃｌ）の含有量であり，比較のために測定した。図３（３）は純水で超音波洗浄を３０分行った場合，図３（４）は純水で超音波洗浄を１２０分行った場合，図３（５）は純水だけで洗浄した場合である。図３（６）はＩＰＡを含んだ布で拭き洗浄した場合である。
【００４１】
図３（１）に示す新品の場合には他の場合に比して塩素量が多いが，表面よりもある程度の深さのところで塩素量が高くなっていることがわかる。例えば６００ｎｍ程度で塩素量が最も高くなっている。この新品の天井壁材１０２ａを用いて銅（Ｃｕ）を含む膜のエッチング処理を行ったところ，塩化銅を含むパーティクルが発生した。従って，塩素量が１．０５〜２．６ｗｔ％程度のオーダーではパーティクルが発生してしまう。
【００４２】
図３（２）に示す旧品の場合は，塩素量が０．０１２〜０．０２９ｗｔ％程度であり，新品の場合に比して１／１０以下のオーダーとなっている。これはプラズマ処理装置１００を長期間稼働したことにより塩素が抜けて減少したものと考えられる。図３（２）に示す部材は２〜３年で２００〜３００時間稼働したプラズマ処理装置１００の天井壁材１０２ａである。この旧品の天井壁材１０２ａを用いて銅（Ｃｕ）を含む膜のエッチング処理を行ったところ，塩化銅を含むパーティクルは発生しなかった。従って，塩素量を多く含む新品などでは，塩素量を旧品の場合のような０．０１２〜０．０２９ｗｔ％程度のオーダーまで減少させればパーティクルの発生を防止できることがわかる。なお，０．１ｗｔ％のオーダーの塩素量でもパーティクルの発生を防止することができる。
【００４３】
図３（３）〜（６）は，超音波洗浄その他の塩素低減洗浄を行った場合である。いずれの場合も塩素量は減少しているので塩素を低減させる効果があることがわかる。その中でも図３（３）に示す純水で超音波洗浄を３０分行った場合には，塩素量が新品の場合の１／１０程度に減少しており，図３（４）に示す純水で超音波洗浄を１２０分行った場合には，さらに塩素量が減少している。従って，超音波洗浄の時間が長い方が塩素量は減少することがわかる。図３（３），（４）の結果によれば，純水で超音波洗浄を行う場合には，パーティクルの発生を防止できる程度，すなわち図３（２）の旧品程度のオーダー（１０ｐｐｍ程度）まで塩素量を減少するには，１０分〜３０分程度の超音波洗浄が必要である。また，図３（３），（４）に示す結果によれば，超音波洗浄の場合，材料の深さ方向の塩素量のばらつきも改善することができる。なお，図３（６）に示すようにＩＰＡによる拭き洗浄でも塩素量を減少させることができるが，超音波洗浄と組合わせることにより，さらに塩素量を減少させることができる。
【００４４】
本実施の形態におけるプラズマ処理装置１００は，塩素を含まない材料又は塩素の含有量を減少させた材料を処理容器１０２内の構成材料として用いているので，上記のような銅配線など銅を用いたプラズマエッチング処理を行っても，塩化銅などのパーティクルが発生しない又はパーティクルの発生を極力防止できる。
【００４５】
このような本実施の形態においては，プラズマ処理装置１００の処理容器１０２内の構成材料（例えば処理容器の天井壁材や側壁材などの内壁材，電極など）を，塩素（Ｃｌ）を含まない材料又は塩素（Ｃｌ）などのハロゲン元素を低減した材料で構成する。このようなプラズマ処理装置１００によりプラズマ処理を行えば，例えば銅（Ｃｕ）を含む膜に対してプラズマ処理を行った場合であっても，塩化銅（ＣｕＣｌ２）などのパーティクルが発生することを防止でき又はパーティクルの発生を極力抑えることができる。従って，例えば銅配線など銅（Ｃｕ）を含む膜に対してプラズマ処理による歩留りの低下を防止でき，生産性を向上させることができる。
【００４６】
また，例えば銅配線などのプラズマ処理を効率よく行うことができるので，製造された半導体装置を効率よく製造することができる。さらに，製造された半導体装置は，例えば銅配線を有していれば，配線抵抗の減少による動作周波数の向上，消費電力の低減などを図ることができ，半導体素子のさらなる微細化も可能となる。
【００４７】
以上，添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００４８】
例えば，エッチングプラズマ処理装置としては，平行平板型プラズマエッチングプラズマ処理装置に限られず，銅などを用いてプラズマ処理を行うものであれば，ヘリコン波プラズマエッチングプラズマ処理装置、誘導結合型プラズマエッチングプラズマ処理装置等に適用可能である。
【００４９】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば，銅などを用いてプラズマ処理をおこなった場合でも，容器内の塩素などのハロゲン元素によるパーティクルの発生を極力防止できる。このため，例えば銅配線など銅を含む膜に対してプラズマ処理による歩留りの低下を防止でき，生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態にかかるプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図。
【図２】同実施形態にかかるプラズマ処理装置の製造工程の概略を示すブロック図。
【図３】同実施形態にかかるプラズマ処理装置の天井壁材に各種の塩素低減洗浄を行った場合の塩素の含有量を示す図。
【符号の説明】
１００　　　プラズマ処理装置
１０２　　　処理容器
１０２ａ　　　天井壁材
１０２ｂ　　　側壁材
１０４　　　下部電極
１０５　　　絶縁部材
１０６　　　昇降軸
１０７　　　導電部材
１０８　　　高圧直流電源
１０９　　　ベローズ
１１０　　　静電チャック
１１１　　　ベローズカバー
１１２　　　フォーカスリング
１１６　　　整合器
１１８　　　高周波電源
１２０　　　排気リング
１２０ａ　　　スリット
１２２　　　処理空間
１２４　　　排気経路
１２６　　　上部電極
１２６ａ　　　ガス吐出孔
１２８　　　排気管
１３０　　　磁石
【図１】
2004095887.tif 000003
【図２】
2004095887.tif 000004
【図３】
2004095887.tif 000005