(57)【要約】【課題】成膜雰囲気の酸素濃度を低減することで、膜中酸素濃度を低減し、膜特性の改善を図る。【解決手段】大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極間にパルス化された電界を印加することにより発生するプラズマを用いて基板に成膜する常圧プラズマＣＶＤ装置において、成膜チャンバ２の入口２６側と出口２７側であって、ガス吹出口２８の前段とガス吹出口２９の後段とに、多孔性の架橋粘土化合物や層状リン酸塩有酸素吸着剤などの酸素吸着剤８１をフォトクロミック高分子膜に担持された状態で充填した充填室８がそれぞれ配置されている。すなわち、基板５が充填室８を通過すると、フォトクロミック高分子膜に担持された酸素吸着剤８１によって酸素吸着が行われる結果、成膜チャンバ２内の酸素濃度を低減できる。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極間に電界を印加することにより発生するプラズマを用いて基板に成膜する常圧プラズマＣＶＤ装置であって、成膜チャンバと大気との間に酸素除去手段を設けたことを特徴とする常圧プラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記酸素除去手段が酸素吸着剤であることを特徴とする請求項１に記載の常圧プラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記酸素吸着剤がフォトクロミック高分子膜に担持されていることを特徴とする請求項２に記載の常圧プラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記フォトクロミック高分子膜を再生させるための光照射用ランプをさらに設けたことを特徴とする請求項３に記載の常圧プラズマＣＶＤ装置。
【請求項５】
大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極間にパルス化された電界を印加することにより発生するプラズマを用いて基板に成膜する常圧プラズマＣＶＤ装置であって、成膜チャンバと大気との間に、還元性ガスを吹き出す吹出機構部と、吹き出した還元性ガスを排気する排気機構部とを設けたことを特徴とする常圧プラズマＣＶＤ装置。
【請求項６】
大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極間にパルス化された電界を印加することにより発生するプラズマを用いて基板に成膜する常圧プラズマＣＶＤ方法であって、成膜工程の前に、酸素吸着剤によって成膜雰囲気の酸素濃度を低減する工程を備えたことを特徴とする常圧プラズマＣＶＤ方法。
【請求項７】
前記酸素吸着剤がフォトクロミック高分子膜に担持されていることを特徴とする請求項６に記載の常圧プラズマＣＶＤ方法。
【請求項８】
大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極間にパルス化された電界を印加することにより発生するプラズマを用いて基板に成膜する常圧プラズマＣＶＤ方法であって、成膜工程の前に、還元性ガスを吹き出して酸素を吸着する工程と、酸素を吸着した還元性ガスを排気する工程とを備えたことを特徴とする常圧プラズマＣＶＤ方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）ＴＦＴ作製プロセスに代表される多層膜連続成膜工程に用いられる常圧プラズマＣＶＤ装置及び常圧プラズマＣＶＤ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ａ−ＳｉＴＦＴ作製プロセスに使用される装置は、真空クラスターツールと呼ばれる装置である。この装置は、中央にトランスファー室を配置し、その周囲に複数の成膜用真空チャンバを配置した構成となっている。
【０００３】
近年のＬＣＤ基板の大型化とともに、真空チャンバのサイズも大型化しており、そのチャンバを排気する真空ポンプも大型化の一途をたどっている。そのため、装置の部品点数が著しく増加し、基板パネルのコストダウンも進まないのが現状である。
【０００４】
このような問題を解決するため、近年、枚葉連続搬送型製造ラインが提唱されている。
【０００５】
この枚葉連続搬送型製造ラインは、基板をコンベア上に載せて搬送し、成膜プロセスも常圧で行うことにより、装置コストの低減を図ったものである（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特開平８−２０３８３５号公報（第３頁−図１）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、常圧プラズマＣＶＤでは、成膜チャンバ内と外気とが完全に遮断されるわけではないので、成膜する際、膜中に酸素が取り込まれ、膜質が低下するといった事態が発生する。
【０００８】
この場合、上記した真空クラスターツールと呼ばれる装置では、一度高真空に引いて不活性ガスでパージする、若しくは繰り返し不活性ガスでパージすることで、酸素濃度を低減することができるが、非密閉型の成膜チャンバを使用する常圧プラズマＣＶＤ装置では、成膜中の酸素取り込みを完全に防止することが難しいといった問題があった。
【０００９】
本発明はかかる問題点を解決すべく創案されたもので、その目的は、成膜雰囲気の酸素濃度を低減することで、膜中酸素濃度を低減し、膜特性の改善を図った常圧プラズマＣＶＤ装置及び常圧プラズマＣＶＤ方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の常圧プラズマＣＶＤ装置は、大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極間にパルス化された電界を印加することにより発生するプラズマを用いて基板に成膜する常圧プラズマＣＶＤ装置であって、成膜チャンバと大気との間に酸素除去手段である酸素吸着剤を設けたことを特徴としている。また、本発明の常圧プラズマＣＶＤ方法は、大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極間にパルス化された電界を印加することにより発生するプラズマを用いて基板に成膜する常圧プラズマＣＶＤ方法であって、成膜工程の前に、酸素吸着剤によって成膜雰囲気の酸素濃度を低減する工程を備えたことを特徴としている。
【００１１】
このような特徴を有する本発明によれば、成膜雰囲気の酸素濃度を低減でき、膜質の改善が図れる。
【００１２】
この場合、前記酸素吸着剤はフォトクロミック高分子膜に担持されていることが好ましい。また、フォトクロミック高分子膜を再生させるための光照射用ランプが設けられていることが好ましい。
【００１３】
このように、フォトクロミック高分子膜に酸素吸着剤を担持させることで、光照射による再活性可能な酸素吸着を行うことができる。
【００１４】
また、本発明の常圧プラズマＣＶＤ装置は、大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極間にパルス化された電界を印加することにより発生するプラズマを用いて基板に成膜する常圧プラズマＣＶＤ装置であって、成膜チャンバと大気との間に、還元性ガスを吹き出す吹出機構部と、吹き出した還元性ガスを排気する排気機構部とを設けたことを特徴としている。また、本発明の常圧プラズマＣＶＤ方法は、大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極間にパルス化された電界を印加することにより発生するプラズマを用いて基板に成膜する常圧プラズマＣＶＤ方法であって、成膜工程の前に、還元性ガスを吹き出して酸素を吸着する工程と、酸素を吸着した還元性ガスを排気する工程とを備えたことを特徴としている。
【００１５】
このような特徴を有する本発明によれば、還元性ガスを流して酸素を吸着させることで、成膜雰囲気の酸素濃度を低減でき、膜質の改善が図れる。
【００１６】
次に、本発明をさらに詳しく説明する。
【００１７】
本発明の常圧プラズマＣＶＤ装置及び常圧プラズマＣＶＤ方法は、特に、大気圧近傍下の圧力下で用いるとその効果が十分に発揮される。
【００１８】
上記大気圧近傍の圧力下とは、１．３３３×１０４　〜１０．６６４×１０４　Ｐａの圧力下を指す。中でも、圧力調整が容易で、装置構成が簡便になる９．３３１×１０４　〜１０．３９７×１０４　Ｐａの範囲が好ましい。
【００１９】
プラズマを発生させる電極の材質としては、例えば、鉄、銅、アルミニウム等の金属単体、ステンレス、真鍮等の合金あるいは金属間化合物等などが挙げられる。電極は、電界集中によるアーク放電の発生を避けるために、プラズマ空間（電極間）の距離が一定となる構造であることが好ましい。より好ましくは平行平板型の対向電極である。
【００２０】
また、プラズマを発生させる電極（対向電極）は、一対のうち少なくとも一方の対向面に固体誘電体が配置されている必要がある。この際、固体誘電体と設置される側の電極が密着し、かつ、接する電極の対向面を完全に覆うようにすることが好ましい。固体誘電体によって覆われずに電極同士が直接対向する部位があると、そこからアーク放電が生じやすくなる。
【００２１】
上記固体誘電体の形状は、シート状もしくはフィルム状のいずれであってもよい。固体誘電体の厚みは、０．０１〜４ｍｍであることが好ましい。固体誘電体の厚みが厚すぎると放電プラズマを発生するのに高電圧を要することがあり、薄すぎると電圧印加時に絶縁破壊が起こり、アーク放電が発生することがある。なお、固体誘電体は溶射法にて電極表面にコーティングされた膜であってもよい。
【００２２】
上記固体誘電体としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチック、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン等の金属酸化物、チタン酸バリウム等の複酸化物等が挙げられる。
【００２３】
また、固体誘電体は、比誘電率が２以上（２５℃環境下、以下同じ）であることが好ましい。比誘電率が２以上の固体誘電体の具体例としては、ポリテトラフルオロエチレン、ガラス、金属酸化膜等を挙げることができる。さらに高密度の放電プラズマを安定して発生させるためには、比誘電率が１０以上の固体誘電体を用いることが好ましい。比誘電率の上限は特に限定されるものではないが、現実の材料では１８，５００程度のものが知られている。上記比誘電率が１０以上である固体誘電体としては、例えば、酸化チタニウム５〜５０重量％、酸化アルミニウム５０〜９５重量％で混合された金属酸化物被膜、または、酸化ジルコニウムを含有する金属酸化物被膜からなるものを挙げることができる。
【００２４】
固体誘電体の厚みは、０．０１〜４ｍｍであることが好ましい。厚すぎると放電プラズマを発生するのに高電圧を要することがあり、薄すぎると電圧印加時に絶縁破壊が起こり、アーク放電が発生することがある。
【００２５】
電極間の距離は、固体誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮して適宜決定されるが、０．１〜５ｍｍであることが好ましい。電極間の距離が０．１ｍｍ未満であると、電極間の間隔を置いて設置するのに充分でないことがあり、一方、５ｍｍを超えると、均一な放電プラズマを発生させにくい。さらに好ましくは、放電が安定しやすい０．５〜３ｍｍの間隔である。
【００２６】
上記電極間には、高周波、パルス波、マイクロ波等の電界が印加され、プラズマを発生させるが、パルス電界を印加することが好ましく、特に、電界の立ち上がり及び／または立ち下がり時間が１０μｓ以下であるパルス電界が好ましい。１０μｓを超えると放電状態がアークに移行しやすく不安定なものとなり、パルス電界による高密度プラズマ状態を保持しにくくなる。また、立ち上がり時間及び立ち下がり時間が短いほどプラズマ発生の際のガスの電離が効率よく行われるが、４０ｎｓ未満の立ち上がり時間のパルス電界を実現することは、実際には困難である。立ち上がり時間及び立ち下がり時間のより好ましい範囲は５０ｎｓ〜５μｓである。なお、ここでいう立ち上がり時間とは、電圧（絶対値）が連続して増加する時間、立ち下がり時間とは、電圧（絶対値）が連続して減少する時間を指すものとする。
【００２７】
上記パルス電界の電界強度は、１〜１０００ｋＶ／ｃｍであり、好ましくは２０〜３００ｋＶ／ｃｍである。電界強度が１ｋＶ／ｃｍ未満であると処理に時間がかかりすぎ、１０００ｋＶ／ｃｍを超えるとアーク放電が発生しやすくなる。
【００２８】
上記パルス電界の周波数は、０．５ｋＨｚ以上であることが好ましい。０．５ｋＨｚ未満であると処理に時間がかかりすぎる。上限は特に限定されないが、常用されている１３．５６ＭＨｚ、試験的に使用されている５００ＭＨｚといった高周波帯でも構わない。負荷との整合性のとり易さや取扱い性を考慮すると、５００ｋＨｚ以下が好ましい。このようなパルス電界を印加することにより、処理速度を大きく向上させることができる。
【００２９】
また、上記パルス電界における１つのパルス継続時間は、２００μｓ以下であることが好ましく、より好ましくは３〜２００μｓである。２００μｓを超えるとアーク放電に移行しやすくなる。ここで、１つのパルス継続時間とは、ＯＮ／ＯＦＦの繰り返しからなるパルス電界における、１つのパルスの連続するＯＮ時間を言う。
【００３０】
本発明で用いるプロセスガスとしては、電界を印加することによってプラズマを発生するガスであれば、特に限定されず、処理目的により種々のガスを使用できる。
【００３１】
薄膜の原料としての原料ガスとして、例えば、ＳｉＨ４　、Ｓｉ２　Ｈ６　、ＳｉＣｌ４　、ＳｉＨ２　Ｃｌ２　、Ｓｉ（ＣＨ３　）４　等のシリコン含有ガスからアモルファスシリコン膜、ポリシリコン膜、また上記シリコン含有ガスと無水アンモニア、窒素ガス等の窒素含有ガスから、ＳｉＮ膜が形成される。また、ＳｉＨ４　、Ｓｉ２　Ｈ６　、テトラエトキシシラン等のシリコン含有ガスと酸素ガスからＳｉＯ２　等の酸化膜が得られる。
【００３２】
さらに、ＣＦ４　、Ｃ２　Ｆ６　、ＣＦ３　ＣＦＣＦ２　、Ｃ４　Ｆ８　等のフッ素含有化合物ガス、Ｏ２　、Ｏ３　、Ｈ２　Ｏ、ＣＨ３　ＯＨ、Ｃ２　Ｈ５　ＯＨ等の酸素含有化合物ガス、Ｎ２　、ＮＨ３　等の窒素含有化合物ガス、ＳＯ２　、ＳＯ３　等のイオウ含有化合物ガス、アクリル酸、メタクリルアミド、ポリエチレングリコールジメタクリル酸エステル等の重合性親水モノマーガス等をそれぞれの目的に応じて用いることができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００３４】
［実施の形態１］
図１は、本発明の実施の形態１に係る常圧プラズマＣＶＤ装置の要部の概略構成を示している。
【００３５】
本実施の形態１の常圧プラズマＣＶＤ装置は、被成膜用の基板５を載置する複数個の基板トレイ１１を一方向Ｘに連続的に搬送する搬送ユニット１を備えている。この搬送ユニット１は、例えばベルトコンベア等の搬送用コンベア１２によって構成されており、この搬送用コンベア１２上に、連続して複数個の基板トレイ１１が設けられている。図１では、１個の基板トレイ１１のみを示しているが、実際には、連続して基板トレイが設けられている。なお、搬送用コンベア１２は、一方向にのみ進むラインでもよいし、途中で折れ曲がったＵ字型のラインでもよい。要するに、本実施の形態１ではライン型のシステムとなっている。
【００３６】
そして、この搬送ユニット１の上方位置に、搬送されてくる基板トレイ１１に対向して成膜チャンバ２が配置されている。
【００３７】
成膜チャンバ２の前後の側壁、すなわち基板トレイ１１の入口２６側と出口２７側の側壁には、パージ用の不活性ガスを下方に吹き出すためのガス吹出口２８，２９が設けられている。このガス吹出口２８，２９の幅（紙面奥行き方向の長さ）は、成膜チャンバ２の入口２６及び出口２７の幅より若干幅広に形成されている。すなわち、不活性ガス吹出機構部７から吹き出された不活性ガスがこのガス吹出口２８，２９から下方に吹き出されることにより、成膜チャンバ２の入口２６と出口２７とが不活性ガスのエアーカーテンで仕切られるようになっている。
【００３８】
また、成膜チャンバ２の入口２６側と出口２７側であって、ガス吹出口２８の前段とガス吹出口２９の後段とに、酸素吸着剤８１を充填した充填室８がそれぞれ配置されている。酸素吸着剤８１としては、多孔性の架橋粘土化合物や層状リン酸塩有機誘導体やゼオライト構造を持つ物質の使用が可能である。具体的には、例えば有限会社ＩＳＯ社のＡ−５００−ＨＳ等を使用することができる。
【００３９】
また、酸素吸着剤８１はフォトクロミック高分子膜に担持されており、このフォトクロミック高分子膜を再生させるための光照射用ランプ８２が、充填室８に設けられている。すなわち、フォトクロミック高分子膜に酸素吸着剤を担持することで、光照射による再活性化可能な酸素吸着を行う。
【００４０】
成膜チャンバ２内には、プラズマ発生機構部４と、成膜チャンバ２内を微減圧に減圧する排気機構部６とが設けられている。
【００４１】
プラズマ発生機構部４は、図１及び図３に示すように、電圧印加電極４２と接地電極４３とからなる対向電極４１、電源４６、ＳｉＨ４　等のプロセスガスを供給するプロセスガス供給源４７などを備えている。
【００４２】
対向電極４１の電圧印加電極４２と接地電極４３とは、所定の間隔をあけて互いに平行となるように対向配置されており、これら一対の電極４２，４３間にプラズマ空間Ｐが形成される。電圧印加電極４２及び接地電極４３の各表面はそれぞれ固体誘電体（図示せず）によって被覆されている。
【００４３】
対向電極１にはガス導入口４１ａとガス吹出口４１ｂが設けられている。ガス導入口４１ａにはプロセスガス供給源４７が接続されており、電圧印加電極４２と接地電極４３との間にプロセスガスを供給することができる。なお、対向電極４１を構成する電圧印加電極４２及び接地電極４３は長方形の平板電極であり、ガス吹出口４１ｂの形状は紙面奥行き方向に細長い長方形となっている。
【００４４】
排気機構部６は、成膜チャンバ２の上部に配置されており、成膜チャンバ２の天壁２１に設けられた排気口２２から強制的に排気する構造となっている。排気機構部６には例えばブロワー等が用いられる。
【００４５】
そして、以上の構造の常圧プラズマＣＶＤ装置において、基板５が載置された基板トレイ１１を、搬送用コンベア１２により酸素吸着剤８１を充填した充填室８まで搬送し、ここでフォトクロミック高分子膜に担持された酸素吸着剤８１によって酸素吸着が行われた後、さらに充填室８を通過して成膜チャンバ２内まで搬送する。次に、ガス吹出口２８，２９から不活性ガスを吹き出した状態で、成膜チャンバ２の入口２６と出口２７とを不活性ガスのエアーカーテンで仕切ると同時に、排気機構部６によって成膜チャンバ２内を強制的に排気する。そして、電圧印加電極４２と接地電極４３との間にプロセスガス（例えば、ＳｉＨ４　等）を供給し、この状態で、電圧印加電極４２と接地電極４３との間に電源４６からの電界（パルス電界）を印加して電圧印加電極４２と接地電極４３との間にプラズマ空間Ｐを発生させ、プロセスガスをプラズマ励起する。このプラズマ空間Ｐを通過したプロセスガス（励起状態）は基板５に向けて吹き出す。このとき、基板トレイ１１は、所定の速度で搬送方向Ｘに移動することにより、対向電極４１によって基板５がスキャンされる。成膜後の基板トレイ１１は、成膜チャンバ２の出口２７から成膜チャンバ２外に搬出され、再び酸素吸着剤８１を充填した充填室８の下を通過する。そして、ここでもフォトクロミック高分子膜に担持された酸素吸着剤８１によって酸素吸着が行われた後、図示しない次工程に搬送される。
【００４６】
このように、本実施の形態１の常圧プラズマＣＶＤ装置によれば、成膜チャンバ２の前後に酸素吸着剤８１を充填した充填室８を設けることにより、酸素ガスの成膜チャンバ２内への拡散を防止している。これにより、成膜雰囲気における酸素濃度を低減できるので、膜質の改善が図れるものである。
【００４７】
［実施の形態２］
図２は、本発明の実施の形態２に係る常圧プラズマＣＶＤ装置の要部の概略構成を示している。
【００４８】
本実施の形態２の常圧プラズマＣＶＤ装置は、被成膜用の基板５を載置する複数個の基板トレイ１１を一方向Ｘに連続的に搬送する搬送ユニット１を備えている。この搬送ユニット１は、例えばベルトコンベア等の搬送用コンベア１２によって構成されており、この搬送用コンベア１２上に、連続して複数個の基板トレイ１１が設けられている。図２では、１個の基板トレイ１１のみを示しているが、実際には、連続して基板トレイが設けられている。なお、搬送用コンベア１２は、一方向にのみ進むラインでもよいし、途中で折れ曲がったＵ字型のラインでもよい。
【００４９】
そして、この搬送ユニット１の上方位置に、搬送されてくる基板トレイ１１に対向して成膜チャンバ２が配置されている。
【００５０】
成膜チャンバ２の前後の側壁、すなわち基板トレイ１１の入口２６側と出口２７側の側壁には、ＳｉＨ４　等の還元性ガスを下方に吹き出すためのガス吹出口３１，３２が設けられている。このガス吹出口３１，３２の幅（紙面奥行き方向の長さ）は、成膜チャンバ２の入口２６及び出口２７の幅より若干幅広に形成されている。すなわち、還元性ガス吹出機構部７１から吹き出された還元性ガスがこのガス吹出口３１，３２から下方に吹き出されるようになっている。
【００５１】
また、成膜チャンバ２の入口２６側と出口２７側であって、ガス吹出口３１，３２のさらに外側に、還元性ガスを排気する排気チャンバ９が設けられている。この排気チャンバ９は、排気チャンバ９内でパージ用の不活性ガスを下方に向けて吹き出す不活性ガス吹出機構部９２と、排気チャンバ９内を減圧する排気機構部９３とを備えている。排気機構部９３は、排気チャンバ９の上部に配置されており、排気チャンバ９の天壁９５に設けられた排気口９６から強制的に排気する構造となっている。排気機構部９３には例えばブロワー等が用いられる。このような構造の排気チャンバ９は、ガス吹出口３１，３２から吹き出された還元性ガスを排気チャンバ９内に吸引し、不活性ガス吹出機構部９２から吹き出した不活性ガスとともに排気機構部９３から外部に排気するようになっている。
【００５２】
成膜チャンバ２内には、プラズマ発生機構部４と、成膜チャンバ２内を微減圧に減圧する排気機構部６とが設けられている。ただし、プラズマ発生機構部４及び排気機構部６の構造は、図１及び図３に示した実施の形態１の構造と同じであるので、ここでは同部材に同符号を付すこととし、詳細な説明は省略する。
【００５３】
そして、以上の構造の常圧プラズマＣＶＤ装置において、基板５が載置された基板トレイ１１を、搬送用コンベア１２により排気チャンバ９の下方を通過して成膜チャンバ２内まで搬送する。このとき、排気チャンバ９の下方を通過するときに、ガス吹出口３１から吹き出された還元性ガスによって酸素がトラップされるので、基板トレイ１１を成膜チャンバ２内に搬送する際、成膜チャンバ２内への酸素拡散が防止される。この後、ガス吹出口２８，２９から還元性ガスを吹き出した状態で、排気機構部６によって成膜チャンバ２内を強制的に排気する。そして、電圧印加電極４２と接地電極４３との間にプロセスガス（例えば、ＳｉＨ４　等）を供給し、この状態で、電圧印加電極４２と接地電極４３との間に電源４６からの電界（パルス電界）を印加して電圧印加電極４２と接地電極４３との間にプラズマ空間Ｐを発生させ、プロセスガスをプラズマ励起する。このプラズマ空間Ｐを通過したプロセスガス（励起状態）は基板５に向けて吹き出す。このとき、基板トレイ１１は、所定の速度で搬送方向Ｘに移動することにより、対向電極４１によって基板５がスキャンされる。成膜後の基板トレイ１１は、成膜チャンバ２の出口２７から成膜チャンバ２外に搬出され、再び排気チャンバ９の下を通過して、図示しない次工程に搬送される。
【００５４】
このように、本実施の形態２の常圧プラズマＣＶＤ装置によれば、成膜チャンバ２の前後に、還元性ガス吹出機構部７１と還元性ガスを排気する排気チャンバ９とを設けることにより、酸素ガスの成膜チャンバ２内への拡散を防止している。これにより、成膜雰囲気における酸素濃度を低減できるので、膜質の改善が図れるものである。
【００５５】
【発明の効果】
本発明の常圧プラズマＣＶＤ装置及び常圧プラズマＣＶＤ方法によれば、成膜雰囲気の酸素濃度を低減することができるので、膜中の酸素濃度を低減でき、膜特性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係わる常圧プラズマＣＶＤ装置の要部の概略構成を示す説明図である。
【図２】本発明の実施の形態２に係わる常圧プラズマＣＶＤ装置の要部の概略構成を示す説明図である。
【図３】プラズマ発生機構部の電極部周辺の断面構造を模式的に示した説明図である。
【符号の説明】
１　搬送ユニット
２　可動チャンバ
３　制御ユニット
４　プラズマ発生機構部
５　基板
６　排気機構部
７　不活性ガス吹出機構部
８　充填室
９　排気チャンバ
１１　基板トレイ
１２　搬送用コンベア
１３　ヒータ
２１　天壁
２２　排気口
２５　下端開口部
２６　シール部材
４１　対向電極
４１ａ　ガス導入口
４１ｂ　ガス吹出口
４２　電圧印加電極
４３　接地電極
４６　電源
４７　プロセスガス供給源
７１　還元性ガス吹出機構部
８１　酸素吸着剤
８２　光照射用ランプ
９２　不活性ガス吹出機構部
９３　排気機構部
９６　排気口
Ｐ　プラズマ空間
【図１】
2004111484.tif 000003
【図２】
2004111484.tif 000004
【図３】
2004111484.tif 000005