(57)【要約】【課題】焼結機からのダイオキシン類の放出を、完全にかつ安価に抑制するダイオキシン放出抑制方法を提供する。【解決手段】焼結機のウインドボックス、ウインドレグ及び／又はメインダクトに付着ないし堆積しているダスト、スス及び／又は油分の一部ないし全部を、好ましくは、ウインドボックス、ウインドレグ及び／又はメインダクトにて３００℃以上に加熱される部分に限定して、物理的に除去するか、もしくは、上記一部ないし全部に、好ましくは、上記部分に限定して、アルカリ又はアミン類を散布するか又は３００℃未満に冷却する。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
焼結機のウインドボックス、ウインドレグ及び／又はメインダクトに付着ないし堆積しているダスト、スス及び／又は油分の一部ないし全部を、物理的に除去することを特徴とする焼結機のダイオキシン放出抑制方法。
【請求項２】
前記除去を、ウインドボックス、ウインドレグ及び／又はメインダクトにて３００℃以上に加熱される部分に限定して行なうことを特徴とする請求項１に記載の焼結機のダイオキシン放出抑制方法。
【請求項３】
前記除去を、ウインドボックス、ウインドレグ及び／又はメインダクトに設けた除去装置を用いて行なうことを特徴とする請求項１又は２に記載の焼結機のダイオキシン放出抑制方法。
【請求項４】
焼結機のウインドボックス、ウインドレグ及び／又はメインダクトの一部ないし全部に、アルカリ又はアミン類を散布することを特徴とする焼結機のダイオキシン放出抑制方法。
【請求項５】
前記散布を、ウインドボックス、ウインドレグ及び／又はメインダクトにて３００℃以上に加熱される部分に限定して行なうことを特徴とする請求項４に記載の焼結機のダイオキシン放出抑制方法。
【請求項６】
前記散布を、ウインドボックス、ウインドレグ及び／又はメインダクトに設けた散布装置を用いて行なうことを特徴とする請求項４又は５に記載の焼結機のダイオキシン放出抑制方法。
【請求項７】
前記除去又は散布を、焼結機の修理時に行なうことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の焼結機のダイオキシン放出抑制方法。
【請求項８】
焼結機のウインドボックス、ウインドレグ及び／又はメインダクトにて３００℃以上に加熱される部分を冷却して３００℃未満とすることを特徴とする焼結機のダイオキシン放出抑制方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、鉄鉱石焼結機で発生する排ガス中に含まれているダイオキシン類の有害成分の排ガス中濃度を低減する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
大気汚染防止法にて、ゴミ焼却炉や、電気炉から排出されるダイオキシン類の濃度が厳しく規制される中で、鉄鉱石焼結機から排出されるダイオキシン類も、平成１４年１２月から、本格的に規制の対象となった。
【０００３】
焼結機からのダイオキシン類の放出は、まず、欧州で問題化した。欧州においては、焼結機から排出されるダイオキシン類の排出値が１〜１０ｎｇ−ＴＥＱ／Ｎｍ３であるとともに、その低減対策として、排ガスを循環する方法（例えば、非特許文献１、参照）、排ガスを水洗する方法（例えば、非特許文献２、参照）や、集塵機を電気集塵機からバグフィルターへ変更して集塵を強化する方法（例えば、非特許文献３、参照）が報告されている。
【０００４】
これらの方法は、いずれも、排ガスを何らかの手段で処理し、ダイオキシン類の大気への排出量を削減しようとするものである。
【０００５】
これに対し、焼結過程でのダイオキシン類の生成自体を抑制することを目的とした調査や、対策の検討は少なく、これまで、高炉１次灰やスケールに付着している油分の影響について報告されているだけである（例えば、非特許文献４、参照）。
【０００６】
一方、日本では、通産省の環境問題連絡会ダイオキシン対策検討会で、ダイオキシン類の発生、放出について調査、検討が行われた。その対策検討会の第二次中間報告書によれば、日本の焼結機から放出されるダイオキシン類の平均濃度は０．６９ｎｇ−ＴＥＱ／Ｎｍ３であり、年間総排出量は１１８．８ｇ−ＴＥＱである。
【０００７】
そして、同報告書によれば、平成１４年１２月１日までに、排出量を１ｎｇ−ＴＥＱ／Ｎｍ３以下にまで抑制することを目標に、無煙炭（炭化水素からなる揮発分を含む）とミルスケール（塩素を含む油分が付着している）の使用量を削減することにより焼結配合原料中の塩素分、有機物分を低減して、ダイオキシン類の生成量を削減すること、及び、集塵機の除塵効率を向上させて大気放散されるダイオキシン類の量を低減することの２点の対策を講じなければならないとしている。
【０００８】
このような方向に沿う焼結鉱の製造方法として、特許文献１には、クロロベンゼン類濃度が２００ｎｇ／Ｎｍ３以上の焼結排ガスを、所要位置の焼結原料層の上面に供給して焼結することを特徴とする焼結鉱の製造方法が開示されている。
【０００９】
特許文献１記載の製造方法は、ダイオキシン類などの有機塩素化合物の濃度が高い排出ガスを選択的に焼結機前半部の加熱・焼結過程の原料充填層に吹き込むことにより、ダイオキシン類を分解、吸着させ、ダイオキシン類の排出量と排ガス量の削減を図る点で有効なものであるが、焼成温度や焼成終了温度などの操業条件によって焼結充填層での分解率及び吸着率は左右されるため、ダイオキシン類の排出量を確実に安定して低減するには限界がある。
【００１０】
また、特許文献２には、上記特許文献１におけるクロロベンゼン類の濃度測定器の設備費削減を狙って、ダイオキシン類の濃度が高い焼結機後半部の焼結排ガスを選択的に焼結機前半部の加熱・焼結過程の原料充填層に吹き込み、排出ガス中のダイオキシン類を分解、吸着させた後、脱ダイオキシン処理設備で処理することを特徴とする焼結排ガス削減装置と方法が開示されている。
【００１１】
特許文献２記載の方法は、脱ダイオキシン処理が必要な焼結排ガス量が減り、脱ダイオキシン処理設備を最小限にできるものの、脱ダイオキシン処理設備の使用を前提とする限り、そのための費用が必要となる。
【００１２】
【特許文献１】
特開平１１−６１２８５号公報
【特許文献２】
特開２００１−２８０８５７号公報
【非特許文献１】
Ｊ．  Ｒｅｎｇｅｒｓｅｎら：Ｒｅｖｕｅ  ｄｅ  Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｅ−ＣＩＴ，  （１９９５），  ３２９
【非特許文献２】
Ｊ．  Ｋｉｎｚｅｌら：Ｏｒｇａｎｏｈａｌｏｇｅｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ，  １９（１９９４），  ３１１
【非特許文献３】
Ｕ．  Ｌａｈｌ：Ｃｈｅｍｏｓｐｈｅｒｅ，  ２９（１９９４），  １９３９
【非特許文献４】
Ｐｕｔｚら：ＶＤＩ  ＢＥＲＩＣＨＴＥ，  （１９９６），  ２４９
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
これまで検討されている手段は、上記のように、（ａ）焼結原料から塩素分、有機物分などのダイオキシン類生成の原因物質を除去するか、（ｂ）焼結機パレット内で焼結原料を加熱焼成する際に生成したダイオキシン類を含む排ガスを焼結ベッドに吹き込んでダイオキシン類を加熱・分解、あるいは吸着して削減するか、又は、（ｃ）最終的な排ガス処理により排ガス中のダイオキシン類を除去しようとする、ものである。
【００１４】
上記（ａ）及び（ｂ）の方法は、設備対策を必要としない点で安価な対策といえるが、今もって、ダイオキシン類の削減効果が十分でないという課題を抱えている。また、上記（ｃ）の方法は、焼結機の場合、莫大な排ガス量に見合う大規模な排ガス処理設備が必要となる点で問題を残している。
【００１５】
そこで、本発明は、上記の課題、問題に鑑み、焼結機からのダイオキシン類の放出を、完全にかつ安価に抑制する方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、前述した課題や問題を踏まえ、焼結機におけるダイオキシン類の発生について詳細に調査した結果、ダイオキシン類の生成は、焼結機の移動パレット内の焼結原料の焼結過程だけでなく、焼結機の移動パレットの下部に配置されるウインドボックス、ウインドレグ、及び、メインダクト等の設備も関与しているという知見を得るに至った。
【００１７】
本発明は、上記知見に基づきなされたもので、上記ウインドボックス、ウインドレグ、及び、メインダクト等の設備に付着・堆積し、ダイオキシン類の生成原因物質を含むダスト、スス及び／又は油分そのものを、物理的に除去するか、又は、ダスト、スス及び／又は油分の表面におけるダイオキシン類生成を促す触媒作用を、化学的に失活させることにより、ダイオキシン類の放出を抑制することを骨子とするものである。
【００１８】
そして、本発明の要旨は、以下のとおりである。
【００１９】
（１）  焼結機のウインドボックス、ウインドレグ及び／又はメインダクトに付着ないし堆積しているダスト、スス及び／又は油分の一部ないし全部を、物理的に除去することを特徴とする焼結機のダイオキシン放出抑制方法。
【００２０】
（２）  前記除去を、ウインドボックス、ウインドレグ及び／又はメインダクトにて３００℃以上に加熱される部分に限定して行なうことを特徴とする前記（１）に記載の焼結機のダイオキシン放出抑制方法。
【００２１】
（３）  前記除去を、ウインドボックス、ウインドレグ及び／又はメインダクトに設けた除去装置を用いて行なうことを特徴とする前記（１）又は（２）に記載の焼結機のダイオキシン放出抑制方法。
【００２２】
（４）  焼結機のウインドボックス、ウインドレグ及び／又はメインダクトの一部ないし全部に、アルカリ又はアミン類を散布することを特徴とする焼結機のダイオキシン放出抑制方法。
【００２３】
（５）  前記散布を、ウインドボックス、ウインドレグ及び／又はメインダクトにて３００℃以上に加熱される部分に限定して行なうことを特徴とする前記（４）に記載の焼結機のダイオキシン放出抑制方法。
【００２４】
（６）  前記散布を、ウインドボックス、ウインドレグ及び／又はメインダクトに設けた散布装置を用いて行なうことを特徴とする前記（４）又は（５）に記載の焼結機のダイオキシン放出抑制方法。
【００２５】
（７）  前記除去又は散布を、焼結機の定期修理時に行なうことを特徴とする前記（１）〜（６）のいずれかに記載の焼結機のダイオキシン放出抑制方法。
【００２６】
（８）  焼結機のウインドボックス、ウインドレグ及び／又はメインダクトにて３００℃以上に加熱される部分を冷却して３００℃未満とすることを特徴とする焼結機のダイオキシン放出抑制方法。
【００２７】
【発明の実施の形態】
本発明について、詳細に説明する。図１に、焼結機の概要を示す。原料槽１から切り出された焼結原料（鉄鉱石、石灰石、コークス粉、返鉱、その他ダスト類）は、混合・造粒機２で混合、造粒され、サージホッパー３から移動パレット６内に供給され、充填層（焼結ベッド）５を形成する。
【００２８】
移動パレット６内の充填層５においては、点火炉４で原料表層中の粉コークスに着火し、ブロアー１１により充填層５の表面側から下方に吸引した空気で原料中の粉コークスを燃焼させ、移動パレット６が排鉱側（図中矢印方向）へ移動する間に充填層５の焼結反応が進行し、排鉱直前に完了する。
【００２９】
充填層５の焼結過程で発生する排ガスは、集塵機１０の後段に設置されているブロアー１１により吸引され、移動パレット６の下方に配置されるウインドボックス（ＷＢ）７、ウインドレグ（ＷＬ）８、メインダクト９を経て、集塵機１０で集塵された後、煙突１２から排出される。
【００３０】
充填層５の焼結過程で発生するダイオキシン類の生成機構は、現在のところ必ずしも明確になっているとは言えないが、
（ａ）焼結機での実態調査によれば、移動パレット内の充填層で焼結反応が進行していく過程における後半の排ガス温度が上昇する燃焼完了点（ＢＴＰ）付近以降で、ダイオキシン類が排ガス中に混入することが判明し（ＣＡＭＰ−ＩＳＩＪ，１３（２０００），６８、参照）、また、
（ｂ）焼結中断鍋試験によれば、充填層の燃焼界面下０〜２０ｍｍに、ダイオキシン濃度のピークが認められる（ＣＡＭＰ−ＩＳＩＪ，１３（２０００），７９６、参照）、
ことから、ダイオキシンの生成機構は、次のように考えられていた。
【００３１】
つまり、図２（ｃ）に示すように、焼結反応が進行中の充填層（焼結ベッド）は、上面から、焼結完了帯１３、溶融帯１４、粉コークス燃焼帯１５、乾燥帯１６、及び、湿潤帯１７により構成され、図２（ｂ）に示す温度分布が形成されていて、約１３００℃前後の温度となる溶融帯１４においてＨＣｌ（Ｃｌ２）ガスが生成し（図２（ｂ）中Ａ：塩素ガス生成域）、約４００〜５００℃の粉コークス燃焼帯１５においてダイオキシン類の骨格が生成し（図２（ｂ）中Ｂ：ダイオキシン骨格生成域）、そして、約３００〜４００℃の乾燥帯１６（燃焼界面下０〜２０ｍｍの帯域）において、上記ＨＣｌ（Ｃｌ２）ガスと骨格が結合しダイオキシン類が合成される（図２（ｄ）中Ｃ：ダイオキシン生成域）。
【００３２】
上記の生成機構により乾燥帯１６で生成されたダイオキシン類は、その下に存在する湿潤層１７で一旦トラップされて（図２（ｂ）中Ｄ：ダイオキシン類トラップ域）、排ガス中へ殆ど混入しないが、さらに焼結が進行し湿潤層１７（ダイオキシントラップ域Ｄ）が消滅するＢＴＰ（焼結機ストランド長さ方向の焼結終了位置）付近以降から、排ガスへ混入し始める。
【００３３】
そして、焼結過程での充填層においては、燃焼界面の下降に伴い、塩素や銅が下層へ揮発・濃縮するから、下層にいくほど、銅の触媒作用により、ダイオキシン類が多量に合成されて、排ガス中に混入することになる（図２（ａ）、参照）。
【００３４】
しかしながら、本発明者は、焼結機におけるダイオキシン類の発生について詳細に調査する過程で、上記生成機構では説明できない事例に遭遇した。その事例を、図３に示す。
【００３５】
即ち、図３に示す事例においては、１８番ウインドボックスの位置（給鉱側から数えて１８番目のウインドボックス。以下「１８番位置」ということがある。）で、ＣＯ２及びＮＯｘの発生が終了していることから、粉コークスの燃焼が完了していると考えられるが、次の１９番ウインドボックスの位置（１９番位置）で、ダイオキシン類の排出濃度がピークに達している。
【００３６】
上述の生成機構により１９番位置に当たる焼結ベッド内で、ダイオキシン類が合成されたとは考えられないから、１９番位置では、焼結ベッド外で、即ち、移動パレットの下方に配置されるウインドボックス（ＷＢ）やウインドレッグ（ＷＬ）内で、ダイオキシン類が合成されたと考えざるを得ない。
【００３７】
そして、得られたダイオキシン類の構造を調査したところ、１９番位置で得たダイオキシン類の同族体の構成パタンは、上述の生成機構により１８番位置以前で得られるダイオキシン類の同族体の構成パタンとは異なっていて、ＰＣＤＤ（ポリ塩化ジベンゾダイオキシン）が多いことが判明した。
【００３８】
このことは、１９番位置以降においては、１８番位置以前の焼結ベッドでのダイオキシン類の生成機構とは別の機構で、ダイオキシン類が合成されていることを示唆している。
【００３９】
本発明者が、さらに、詳細な実機調査を重ねた結果、次のことが判明した。
【００４０】
（ａ）ＷＢやＷＬでのダイオキシン類の合成は、上記事例のように、特に、ＢＴＰを給鉱側（前）に前進させた操業形態を採る焼結機で顕著である。
【００４１】
（ｂ）ＷＢやＷＬは、ＢＴＰを比較的排鉱側（後）に後退させて操業している焼結機においても、ダイオキシン類の副次的な発生源となっている。
【００４２】
（ｃ）焼結ベッドで上述の機構で発生するダイオキシン類の発生量は、ＢＴＰの位置に影響を受けない（原料でほぼ決まる）が、ＷＢやＷＬでのダイオキシン類の発生量は、ＢＴＰの位置による影響を受ける。
【００４３】
以上の知見から、ＷＢやＷＬでダイオキシン類が生成する機構、さらに、メインダクトでダイオキシン類が生成する機構は、次のように考えられる。
【００４４】
図４に、ＷＢ、ＷＬ、及び、メインダクトの一部を示すが、これらの内部において、ダイオキシン類は、主に、ダスト中に含まれる塩素と銅（骨格源とＨＣｌの反応のための触媒）と、充填層内部から揮発した油脂分やススなど（ダイオキシン類の骨格源）が反応して、壁面（例えば、図４中「生成域Ｅ」）と気流中（例えば、図４中「生成域Ｆ、Ｆ’」）の２箇所で生成する。
【００４５】
壁面の生成域Ｅにおいては、（ａ）主に、ＰＣＤＤ（ポリ塩化ジベンゾダイオキシン）がゆっくりと生成する約３００℃以下での低温合成（生成したダイオキシン類は固体内に吸着される）と、（ｂ）主に、ＰＣＤＦ（ポリ塩化ジベンゾフラン）が生成する約３００℃以上での高温合成（生成したダイオキシン類は気相へ混入する）が、並行して進行する。
【００４６】
そして、上記低温合成されたダイオキシン類（ＰＣＤＤ）は、ＢＴＰの前進に伴う排ガス温度の温度上昇により揮発し、短時間のうちに、排ガス中に混入する。
【００４７】
なお、気流中の生成域Ｆ’は、高濃度で塩素や塩化水素を含有する排ガスと、排鉱側から来る約３００℃以上の高温排ガスとの合流点であり、この点でも、ダイオキシン類の生成が顕著である。
【００４８】
本発明者は、上記１９番位置で観測されるダイオキシン類の合成は、ＷＢやＷＬに付着、堆積したダスト、スス、油等の汚れによるデノーボ合成であると考え、その抑制対策として、本発明、即ち、前記（１）〜（８）の発明に至った。
【００４９】
前記（２）及び（５）の発明において、前記（１）の発明（ダスト、スス及び／又は油分の一部ないし全部の除去）及び前記（４）の発明（アルカリ又はアミン類の散布）、又は、前記（８）の発明（３００℃未満に冷却）の実施対象箇所を、ＷＢ、ＷＬ及び／又はメインダクトにて３００℃以上に加熱される部分に限定する理由は、３００℃未満のＷＢから発生するダイオキシン類は濃度が低いという実験事実、及び、デノーボ合成は、３００〜４００℃で活発であるという従来知見（ＯＲＧＡＮＯＨＡＬＯＧＥＮ  ＣＯＭＰＯＵＮＤＳ，４６（２０００），１８５、参照）に拠るものであり、この限定によって、前記（１）、（４）及び（８）の発明を、より効果的に実施することができる。
【００５０】
前記（４）及び（５）の発明において、ダイオキシン類の合成を抑制するために散布する薬剤として、アルカリとアミン類を挙げたが、これら物質は、既に、文献等でデノーボ合成を抑制する薬剤として報告されている物質である。
【００５１】
例えば、アルカリでは、ＮａＯＨや、Ｃａ（ＯＨ）２が報告され（ＯＲＧＡＮＯＨＡＬＯＧＥＮ  ＣＯＭＰＯＵＮＤＳ，４６（２０００），１８９、参照）、アミン類では、アンモニア、尿素、モノエタノールアミン、トリエタノールアミンが報告されている（ＥＰ０８７５５８７Ａ１、参照）し、また、エチレンジアンも知られている。
【００５２】
本発明は、通常、月一回程度実施されている定期修理のタイミングにあわせて実施するのが適当である。
【００５３】
焼結機の休止時や定期修理時には、ダイオキシン類が高濃度で合成されるＷＢの位置にあるパレットを取り外し、ＷＢ、ＷＬ及びメインダクトに付着ないし堆積しているダスト、スス及び／又は油分を、高圧水又は高圧不活性ガス噴射装置や機械的ハツリ装置などの除去装置を用いて除去するか、もしくは、ダスト、スス及び／又は油分が付着、堆積している部分へ、アルカリ又はアミン類の薬剤を含有する水溶液の噴霧装置などの散布装置を用いて散布するのが好ましい。
【００５４】
また、本発明においては、ＷＢ、ＷＬ及び／又はメインダクトにおいてダスト、スス及び／又は油分が付着、堆積し易い部分に、高圧水又は高圧不活性ガス噴射装置や機械的ハツリ装置などの除去装置、又は、アルカリ又はアミン類の薬剤を含有した水溶液の噴霧装置などの散布装置、あるいは、ＷＢ、ＷＬ及び／又はメインダクトの壁面を３００℃未満に常時冷却できる水冷又は空冷装置などの冷却装置を設置して、焼結機の運転中でも、適宜、ダスト、スス及び／又は油分を除去したり、又は、ダイオキシン類の合成を抑制できるようにしてもよい。
【００５５】
【実施例】
次に、本発明の実施例について説明するが、本発明は、実施例で採用した装置、条件等に限定されるものではない。
【００５６】
（実施例）
当社のＡ焼結機を用いて本発明を実施して得たダイオキシン類の低減実績を図２に示す。Ａ焼結機においては、ダイオキシン類が放出されていることが明らかになった平成１年ごろから、定期的に、ダイオキシン類の濃度測定を開始し、現在に至っているが、その間の測定値推移を図５の期間１及び期間２に示す。
【００５７】
なお、濃度測定は、厚生省のマニュアルに沿い、電気集塵機の出口と煙突の入口との間のダクトで行った。
【００５８】
濃度測定開始以降で、特別のダイオキシン対策を実施していない期間１では、排ガス中のダイオキシン類の濃度は、平均約１ｎｇ−ＴＥＱ／Ｎｍ３であった。
【００５９】
その後、循環使用している集塵機ダストや、スケールに含まれている塩素や油分が、ダイオキシン類の主要な生成源であることが判明したので、それらを、焼結原料として使用するのを中止した。その結果、図５の期間２に示すように、ダイオキシン類の濃度は、平均０．４４ｎｇ−ＴＥＱ／Ｎｍ３まで低下した。
【００６０】
さらに、最近の１年においては、約１ヶ月ごとの定期修理の際に、前記（５）の発明を実施した。その結果は、図５の期間３に示すとおりである。
【００６１】
即ち、焼結機の後半３０％のＷＢ及びＷＬにおいて、３００℃以上に加熱される部分に、３％尿素水溶液を１ｍ２当り１００ｍｌ程度散布した。その結果、ダイオキシン類の生成は、期間２の平均値（０．４４ｎｇ−ＴＥＱ／Ｎｍ３）よりさらに半減し、平均０．２ｎｇ−ＴＥＱ／Ｎｍ３まで低下した。
【００６２】
【発明の効果】
本発明により、焼結機排ガスからのダイオキシン類の放出を低減できる。また、ダストやスケールの使用中止等のダイオキシン類生成抑制対策と併せて本発明を実施することにより、大幅に、ダイオキシン類の発生の抑制を図ることができ、排ガス処理によるダイオキシン類低減対策のように、多額の設備投資を必要とするダイオキシン対策を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】焼結機の概要を示す図である。
【図２】充填層（焼結ベッド）においてダイオキシン類が生成する機構を説明する図である。
【図３】焼結完了後にダイオキシン類の生成が確認された測定例を示す図である。
【図４】充填層（焼結ベッド）外においてダイオキシン類が生成する機構を説明する図である。
【図５】本発明を実施することによる効果を示す図である。
【符号の説明】
１…原料槽
２…混合・造粒機
３…サージホッパー
４…点火炉
５…充填層（焼結ベッド）
６…移動パレット
７…ウインドボックス（ＷＢ）
８…ウインドレグ（ＷＬ）
９…メインダクト
１０…集塵機
１１…ブロアー
１２…煙突
１３…焼結完了帯
１４…溶融帯
１５…粉コークス燃焼帯
１６…乾燥帯
１７…湿潤帯
１８…排ガスの流れ方向
Ａ…塩素ガス生成域
Ｂ…ダイオキシン骨格生成域
Ｃ…ダイオキシン生成域
Ｄ…ダイオキシン類トラップ域
Ｅ…壁面の生成域
Ｆ、Ｆ’…気流中の生成域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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