(57)【要約】【課題】トレンチの幅を狭くしても、トレンチの溝形状を崩すことなく、トレンチを区画する基板表面の角部を十分な丸め形状に成形する。【解決手段】半導体基板Ｗ上に第１の絶縁膜１２と第２の絶縁膜１４を順次形成する工程と、前記第１及び第２の絶縁膜を含んで前記半導体基板の表面をエッチングすることにより所定のパターンの溝部１６を形成するエッチング工程と、前記半導体基板の上面であって前記溝部に晒されている角部を丸めるための丸め工程と、を有する半導体基板の処理方法において、前記丸め工程は、プロセス温度Ｔが８５０℃＜Ｔ＜１０５０℃の範囲内であって、プロセス圧力Ｐが０．０１ｋｐａ≦Ｐ＜３０ｋｐａの範囲内で設定された水素ガス雰囲気中で行われる。【選択図】　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に第１の絶縁膜と第２の絶縁膜を順次形成する工程と、
前記第１及び第２の絶縁膜を含んで前記半導体基板の表面をエッチングすることにより所定のパターンの溝部を形成するエッチング工程と、
前記半導体基板の上面であって前記溝部に晒されている角部を丸めるための丸め工程と、
を有する半導体基板の処理方法において、
前記丸め工程は、プロセス温度Ｔが８５０℃＜Ｔ＜１０５０℃の範囲内であって、プロセス圧力Ｐが０．０１ｋｐａ≦Ｐ＜３０ｋｐａの範囲内で設定された水素ガス雰囲気中で行われることを特徴とする半導体基板の処理方法。
【請求項２】
前記プロセス温度Ｔは９００≦Ｔ≦１０２５の範囲内であって、前記プロセス圧力Ｐは０．０５ｋｐａ≦Ｐ≦２０ｋｐａの範囲内であることを特徴とする請求項１記載の半導体基板の処理方法。
【請求項３】
前記丸め工程では、前記半導体基板は前記プロセス温度に瞬間的に晒されることを特徴とする請求項１または２記載の半導体基板の処理方法。
【請求項４】
前記丸め工程では、前記半導体基板は前記プロセス温度に所定の時間だけ晒されることを特徴とする請求項１または２記載の半導体基板の処理方法。
【請求項５】
前記第１の絶縁膜はシリコン酸化膜であり、前記第２の絶縁膜はシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体基板の処理方法。
【請求項６】
更に、前記溝部内の表面を酸化する表面酸化工程を行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体基板の処理方法。
【請求項７】
更に、前記溝部を絶縁物によって埋め込むための埋め込み工程を行うことを特徴とする請求項６記載の半導体基板の処理方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体基板の処理方法を用いて製造されたことを特徴とする半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコン基板等の表面に、いわゆる溝部（以下、トレンチとも称す）を形成する際の処理方法及び半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、シリコン基板や化合物半導体基板の表面に、各種の素子、例えばトランジスタ等を形成する場合には、トランジスタ間の素子分離を行うために、半導体基板の表面に、所定のパターンで溝部、すなわちトレンチを形成し、このトレンチ内をシリコン酸化膜等の絶縁物により埋め込んで、各素子毎に電気的に分離することが行われている。
図８は半導体基板の表面に形成したトレンチに絶縁物を埋め込んで素子分離を行った状態を示す部分拡大図である。図８に示すように、半導体基板Ｗの表面をパターンエッチングすることにより形成したトレンチ内に例えばシリコン酸化膜等よりなる絶縁物２が埋め込まれており、この絶縁物２により各素子４を囲むことによって各素子４が電気的に分離されている。ここで、素子４としては例えばゲート酸化膜６上にゲート電極８を積層してなるトランジスタが示されている。
【０００３】
ところで、半導体基板Ｗの表面にトレンチを形成するために、この表面をエッチングする際、トレンチを区画する基板表面の角部１０が例えば９０度程度の角度で鋭く角ばってしまうことは避けられない。
このように、角部１０が角ばった状態で半導体基板Ｗの表面に、ゲート酸化膜６を形成するための酸化膜を形成すると、上記角部１０における酸化速度が遅くなる傾向になるので、この角部１０におけるゲート酸化膜６の膜厚Ｈ１が他の部分と比較してかなり薄くなってしまう。このように、局部的にゲート酸化膜６の膜厚が薄くなってしまうと、角ばった角部１０には電界集中が発生することからこの角部１０の薄くなったゲート酸化膜６からリーク電流が発生してしまう不都合が生ずる。
【０００４】
そこで、従来にあっては角部１０におけるゲート酸化膜の薄膜化を防止するために上記トレンチを区画する角部の部分に丸味を持たせる処理方法が採用されている。図９はトレンチを区画する角部に丸味を持たせるようにした従来の半導体基板の処理方法を説明するための工程図、図１０は図９に示す処理方法を行った後に最終的に形成される素子の部分を示す拡大図である。
まず、図９（Ａ）に示すように、半導体基板Ｗの表面に例えばシリコン酸化膜等よりなる第１の絶縁膜１２と、例えばシリコン窒化膜等よりなる第２の絶縁膜１４とをこの順序で順次積層形成する。
【０００５】
次に、図９（Ｂ）に示すように、上記第１及び第２の絶縁膜１２、１４を含んで上記半導体基板Ｗの表面をエッチングすることにより所望のパターンのトレンチ（溝部）１６を形成する。
次に、酸素等の雰囲気の下で、高温で酸化処理を行うことにより、図９（Ｃ）に示すように酸素雰囲気に晒されている上記トレンチ１６の側面を酸化して、ここにライナー酸化膜１８を薄く形成する。このようにライナー酸化膜１８を形成することによって、上記トレンチ１６を区画する基板表面の角部１０には曲面状に盛り上がったライナー酸化膜１８の曲面部１８Ａが連続するように形成されることになる。
【０００６】
次に、図９（Ｄ）に示すように、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によってシリコン酸化膜２０を全面に堆積することによって上記トレンチ１６内を完全に埋め込む。
次に、図９（Ｅ）に示すように、最上層の上記第２の絶縁膜１４が露出するまで、上記シリコン酸化膜２０をエッチングする。
次に、図９（Ｆ）に示すように、上記第２の絶縁膜１４及び第１の絶縁膜１２をエッチングにより順次除去し、トレンチ１６に埋め込まれたシリコン酸化膜２０を残留させる。これにより、各素子が形成されるべき領域毎に電気的に分離することができる。この時、ライナー酸化膜１８の曲面部１８Ａも、曲面状態を維持して残留することになる。以後は、前述したように、ゲート酸化膜６やゲート電極８（図１０参照）を形成しトランジスタを形成する。
【０００７】
これによれば、図１０に示すように、トレンチを区画する角部１０にはライナー酸化膜１８の曲面部１８Ａが連続して接合された状態となっているので、この部分のゲート酸化膜６の膜厚Ｈ２は他の部分と同様な十分な厚さとなっており、リーク電流が発生することを抑制することが可能となる。
ところで、半導体集積回路の更なる集積化及び微細化が要請されている今日にあっては、上記トレンチ１６の幅も更に狭くすることが要求されている。このトレンチ１６の幅Ｌ１（図９（Ｂ）参照）は、例えば０．１μｍ程度まで狭くすることが要求されるが、この場合に、上記したようなライナー酸化膜１８を形成すると、このライナー酸化膜１８の膜厚が例えば１５ｎｍ程度と薄いにもかかわらず、トレンチ１６の開口部が非常に狭くなり、この結果、後工程においてこのトレンチ１６内をシリコン酸化膜２０で十分に埋め込むことができなくなってボイドが発生する、といった問題が発生してしまう。
【０００８】
そこで、上記したライナー酸化膜１８を形成することなく、トレンチを区画する基板表面の角部１０を曲面化する処理方法として、特開２０００−５８７８０号公報（特許文献１）に開示されているような処理方法が提案されている。
この処理方法では、図９（Ｂ）に示すように、トレンチ１６を形成した後に、この半導体基板Ｗの全体を、水素雰囲気中で高温熱処理することによってシリコン表面にマイグレーションを生ぜしめて、これによって上記角部１０を曲面化するようにしている。
【０００９】
【特許文献１】
特開２０００−５８７８０号公報（第１３−１５頁、図５０−図６６）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献１に開示されている処理方法では、プロセス条件が十分ではないことから、トレンチ１６を区画する側面に過度の表面粗れが生じたり、或いはマイグレーションが過度に発生し過ぎて、トレンチ１６の溝形状が大きく変形する等の問題が新たに発生してしまった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、トレンチの幅を狭くしても、トレンチの溝形状を崩すことなく、トレンチを区画する基板表面の角部を十分な丸め形状に成形することが可能な半導体基板の処理方法及び半導体素子を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、半導体基板上に第１の絶縁膜と第２の絶縁膜を順次形成する工程と、前記第１及び第２の絶縁膜を含んで前記半導体基板の表面をエッチングすることにより所定のパターンの溝部を形成するエッチング工程と、前記半導体基板の上面であって前記溝部に晒されている角部を丸めるための丸め工程と、を有する半導体基板の処理方法において、前記丸め工程は、プロセス温度Ｔが８５０℃＜Ｔ＜１０５０℃の範囲内であって、プロセス圧力Ｐが０．０１ｋｐａ≦Ｐ＜３０ｋｐａの範囲内で設定された水素ガス雰囲気中で行われることを特徴とする半導体基板の処理方法である。
これにより、トレンチの幅を狭くしても、トレンチの溝形状を崩すことなく、トレンチを区画する基板表面の角部を十分な丸め形状に成形することが可能となる。
【００１２】
この場合、例えば請求項２に規定するように、前記プロセス温度Ｔは９００≦Ｔ≦１０２５の範囲内であって、前記プロセス圧力Ｐは０．０５ｋｐａ≦Ｐ≦２０ｋｐａの範囲内である。
また、例えば請求項３に規定するように、前記丸め工程では、前記半導体基板は前記プロセス温度に瞬間的に晒される。
或いは、例えば請求項４に規定すように、前記丸め工程では、前記半導体基板は前記プロセス温度に所定の時間だけ晒される。
【００１３】
また、例えば請求項５に規定するように、前記第１の絶縁膜はシリコン酸化膜であり、前記第２の絶縁膜はシリコン窒化膜である。
また、例えば請求項６に規定するように、更に、前記溝部内の表面を酸化する表面酸化工程を行う。
また、例えば請求項７に規定するように、更に、前記溝部を絶縁物によって埋め込むための埋め込み工程を行う。
請求項８に係る発明は、請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体基板の処理方法を用いて製造されたことを特徴とする半導体素子である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る半導体基板の処理方法及び半導体素子の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明方法の主要部の工程を実施するための熱処理装置を示す構成図、図２は本発明の半導体基板の処理方法を説明するための工程図、図３は図１に示す熱処理装置を用いて行われる処理工程の温度変化を示すグラフである。
【００１５】
まず、本発明方法を実施する熱処理装置について説明する。
図１に示すように、この縦型の熱処理装置２２は、有天井の円筒体状の石英製の処理容器２４を有しており、この処理容器２４の下端部は開放されて開口部２６が形成され、この外周には、接合用のフランジ部２８が設けられる。この処理容器２４は、内側に加熱手段として加熱ヒータ３０を配設した円筒体状の断熱材３２により被われており、加熱炉を形成している。
【００１６】
処理容器２４の下部側壁には、水素を導入するための水素導入ノズル３４と、酸素を導入するための酸素導入ノズル３６とがそれぞれ貫通させて設けられると共に、これらの各ノズル３４、３６は処理容器２４の内側壁に沿って天井部まで延在されており、天井部より各ガスをそれぞれ必要に応じて流量制御しつつ噴出するようになっている。更に、処理容器２４の下部側壁には、処理容器２４内の雰囲気を排出するための比較的大口径の排気口３８が形成されており、この排気口３８には、排気ポンプを介設した図示しない排気系が接続される。
【００１７】
この処理容器２４のフランジ部２８の最外周は、例えばステンレス製のベースプレート４０により支持されて、処理容器２４の全体を保持している。そして、この処理容器２４の下端部の開口部２６は、例えばボートエレベータのごとき昇降機構４２により昇降可能になされた石英製或いはステンレス製のキャップ部４４により開閉可能になされている。このキャップ部４４上に、半導体基板Ｗを所定のピッチで多段に載置した石英製の被処理体支持手段として支持ボート４６が保温筒４８を介して載置されており、キャップ部４４の昇降によって処理容器２４内に対してロード或いはアンロードできるようになっている。尚、この支持ボート４６を回転するようにしてもよいし、回転しないようにしてもよい。
【００１８】
このように形成された熱処理装置２２内で所定の処理を行う場合には、まず、昇降機構４２を降下させたアンロード状態において、支持ボート４６に半導体基板Ｗを多段に載置し、昇降機構４２を上昇駆動させる。尚、これらの半導体基板Ｗには、前工程にて、後述するように所定の処理がすでに施されている。昇降機構４２の上昇駆動により、キャップ部４４は次第に上昇して多数枚、例えば８インチウエハを５０〜１００枚程度を多段に載置した支持ボート４６は処理容器２４の下端開口部２６より内部へ搬入してロードされ、最終的にこの開口部２６はキャップ部４４により気密に閉じられて、処理容器２４内を密閉することになる。
【００１９】
そして、加熱ヒータ３０の温度を上げて半導体基板Ｗを所定のプロセス温度まで昇温すると共に、必要なプロセスガス、例えば水素ガスや酸素ガスを必要に応じて流量制御しつつ流し、且つ処理容器２４内のプロセス圧力も所定の圧力に維持して所定の熱処理を行うことになる。この熱処理装置２２では、実際には、後述する丸め工程と表面酸化工程とを連続して行うことになる。
【００２０】
次に、本発明の半導体基板の処理方法について図１乃至図３を参照して説明する。
まず、図２（Ａ）に示すように、シリコンや化合物半導体よりなる半導体基板Ｗの表面に例えばシリコン酸化膜よりなる第１の絶縁膜１２と例えばシリコン窒化膜よりなる第２の絶縁膜１４を、この順序で順次積層する。尚、第１の絶縁膜１２及び第２の絶縁膜１４は、上記したものに限定されず、例えば第１の絶縁膜１２として酸窒化膜等を用いてもよく、また、第２の絶縁膜１４として酸窒化膜等を用いてもよい。
【００２１】
次に、図２（Ｂ）に示すように、上記第１及び第２の絶縁膜１２、１４を含んで上記半導体基板Ｗの表面を、例えばプラズマを用いてエッチングすることにより、所望のパターンのトレンチ（溝部）１６を形成する。このトレンチ１６の幅Ｌ１は略０．１μｍ程度である。
次に、このように表面にトレンチ１６が形成された半導体基板Ｗを、図１において説明した熱処理装置２２の処理容器２４内へ複数枚収容し、まず、この半導体基板Ｗに図２（Ｃ）に示すような丸め工程を施し、引き続いてこの処理容器２４内で図２（Ｄ）に示すような表面酸化工程を連続的に施す。
図３にも示すように具体的には、上記丸め工程では、半導体基板Ｗを、例えば３００℃程度に加熱されている処理容器２４内に導入し（ロード）、これと同時に処理容器２４内に水素ガスの導入を開始する。
そして、この半導体基板Ｗの温度を８５０℃程度まで急激に昇温させて５分間程度このまま放置して半導体基板Ｗの温度を安定化させる。また、プロセス圧力は、例えば１ｋｐａ程度に維持する。
【００２２】
次に、基板温度が安定したならばこの半導体基板Ｗの温度を８５０℃よりも高く且つ１０５０℃よりも低い温度の範囲内、例えば１０００℃まで昇温する。これにより丸め工程が完了することになる。後述するように、半導体基板Ｗの温度を１０００℃まで昇温させる場合には、半導体基板Ｗをこの温度に瞬間的に晒すだけで半導体基板Ｗの材料表面にマイグレーションが生じて表面が流動的になり、図２（Ｃ）に示すようにトレンチ１６を区画する基板表面の角部１０が所定の曲率の丸味を帯びることになり、丸め工程が完了することになる。この時の水素ガスの流量は、処理容器２４の容量にもよるが、例えば２〜３０リットル／分程度である。
【００２３】
このようにして、丸め工程が完了したならば、すなわち、半導体基板Ｗの温度が、ここでのプロセス温度である１０００℃に達したならば、次に、引き続いて表面酸化工程へ移行する。この表面酸化工程では、半導体基板Ｗの温度をこのまま維持し、すなわち１０００℃に維持し、プロセスガスとしては水素と酸素とを同時に供給する。この時の各ガスの流量は、例えば水素が１リットル／分、酸素が２リットル／分程度である。そして、プロセス圧力は、１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）以下の非常に低い圧力に設定し、いわゆる低圧活性種酸化処理（ＬＰＲＯ：Ｌｏｗ　Ｐｒｅｓｓｕｒｅ　Ｒａｄｉｃａｌ　Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）を行う。この低圧活性種酸化処理は、例えば本出願人による特願２００２−１９７６７１号に開示されたように、酸素活性種と水酸基活性種とにより水蒸気が発生し、これらにより半導体基板の表面、具体的にはトレンチ１６の内面に晒されているシリコン面が均一に酸化されて、ＳｉＯ２　よりなる保護膜５０が薄く、例えば６分間程度の処理を行った場合には６ｎｍ程度の厚さで形成される。この保護膜５０により、図２（Ｂ）に示すプラズマエッチングによりダメージを受けたトレンチ１６の内面の保護を行うことができる。
【００２４】
この時の各ガスの供給量、プロセス温度、プロセス圧力は、上述した低圧活性種酸化処理が可能な範囲で種々変更できるのは勿論である。
このようにして、表面酸化工程が終了したならば、この半導体基板Ｗを処理容器２４からアンロードして外へ取り出す。
【００２５】
次に、この半導体基板Ｗに対して、例えばプラズマＣＶＤ処理、例えばＨＤＰ（Ｈｉｇｈ　Ｄｅｎｓｉｔｙ　Ｐｌａｚｍａ）処理を施すことにより、埋め込み工程を行う。これにより、図２（Ｅ）に示すように、例えばシリコン酸化物よりなる絶縁物５０で上記トレンチ１６内を埋め込むと共に、基板表面の全面にこの絶縁物５０の薄膜を形成する。
このように埋め込み工程が完了したならば、次に、図２（Ｆ）に示すようにエッチング処理を行って、第２の絶縁膜１４の表面が露出するまで上記絶縁物５０の薄膜を削り取る。
【００２６】
次に、図２（Ｇ）に示すように、エッチング処理を施すことにより、絶縁物５０を残留させて不要になった上記第２の絶縁膜１４及び第１の絶縁膜１２を順次取り除く。尚、この際、絶縁物５０の上端も僅かに削り取られることになる。
以上の操作によって、半導体素子を形成すべき領域毎に電気的に分離することができる。
そして、その後は図２（Ｈ）に示すように、例えばゲート酸化膜６及びゲート電極８を順次パターン形成することにより個別に電気的に分離された半導体素子５２を形成する。
【００２７】
このような半導体素子５２では、図２（Ｃ）に示したようにトレンチ１６を区画する基板表面の角部１０が丸味を帯びるように丸め処理が行われているので、この上に形成されるゲート酸化膜６（図１０参照）が局部的に薄くなることはなく、リーク電流を抑制できる。また、トレンチ１６の内面に、図９（Ｃ）にて説明したような厚いライナー酸化膜１８を形成する必要もないので、このトレンチ１６内を、ボイドが発生することなく十分に埋め込むことができる。尚、図２（Ｄ）に示される保護膜４９は上記ライナー酸化膜１８と比較してその膜厚が遥かに薄いので、トレンチ１６の幅Ｌ１（図２（Ｂ）参照）に大きな影響を与えることはない。
【００２８】
ここで、図２（Ｃ）に示す丸め工程において、角部１０に十分な丸味を形成できるプロセス条件について評価を行ったので、その評価結果について説明する。
図４及び図５は丸め工程の評価を行った時の半導体基板の温度変化を示すグラフ、図６は丸め工程におけるプロセス温度とプロセス圧力との関係の評価結果を示すグラフ、図７はトレンチの形状が変化する状態を示す模式図である。尚、図６中において○印は良好な結果を示し、×印は不良を示す。
この評価では、プロセス温度（到達最高値）を８５０℃〜１０５０℃の範囲内で５０℃毎に種々変更すると共に、プロセス圧力も０．０５ｋＰａ〜３０ｋｐａの範囲内で種々変更して行った。プロセスガスとしては、前述と同様に水素ガスのみを流した。
【００２９】
半導体基板Ｗの温度に関しては、図４に示すように、３００℃程度に予め加熱した処理容器２４（図１参照）に半導体基板Ｗを導入し、これを８５０℃まで急激に昇温して温度安定化のためにこの温度で５分間程度放置し、その後、この半導体基板Ｗの温度を８５０℃〜１０５０℃の範囲内の種々の到達最高値まで昇温した後、直ちに（瞬時に）降温させてトレンチ１６の角部１０等の表面を観察した。尚、水素ガスは、基板温度が３００℃程度まで低下するまで流し続けた。この理由は、基板が高温状態のままで水素ガスの供給を停止すると、処理容器内が高真空になり過ぎてシリコン表面からシリコン原子が脱離してしまうので、この脱離現象を防止するためである。
【００３０】
この評価の結果、図６に示すように、プロセス温度が８５０℃の時及び１０５０℃の時には、プロセス圧力に関係なく好ましい効果が得られなかった。この理由は、プロセス温度が８５０℃の場合には、加熱温度が低過ぎて十分なマイグレーションが生ぜず、この結果、図７（Ａ）に示すようにトレンチ１６の角部１０の形状が角ばったまま維持されてしまう。
これに対して、プロセス温度が１０５０℃の場合には、逆に加熱温度が高過ぎてマイグレーションが十分に発生して流動化が促進され、図７（Ｃ）に示すようにトレンチ１６の角部１０の形状は丸味を帯びても、トレンチ１６内の底部で液滴状に大きな空洞５４が発生し、これがボイドを発生させる原因になるので好ましくない。
【００３１】
また、プロセス温度が９５０℃の場合にはプロセス圧力が０．０５ｋＰａ〜１０ｋｐａの時、及びプロセス温度が９７５℃及び１０２５℃の場合にはプロセス圧力が０．０５ｋＰａ〜２０ｋｐａの時、それぞれ図７（Ｂ）に示すようにトレンチ１６の角部１０には適切な丸味が付き、しかも図７（Ｃ）に示すような大きな空洞５４も発生しないので、最も適正な範囲であることが判明した。尚、プロセス温度が９５０℃でプロセス圧力が２０ｋｐａの時、そしてプロセス温度が９７５℃及び１０２５℃でプロセス圧力が３０ｋｐａの時は、角部１０には適切な丸味がつかなかった。
【００３２】
そして、プロセス温度が９００℃の場合には、プロセス圧力が０．０５ｋｐａ及び０．１ｋＰａの時には図７（Ｂ）に示すように角部１０は適正な丸味形状となったが、その表面には表面荒れが目立った。従って、このプロセス条件は、最適ではないが一応角部１０に丸味形状を付けられるプロセス条件であることが判明した。更に、プロセス圧力が１ｋｐａの時には図７（Ａ）に示すように、トレンチ１６の角部１０の形状には変化がなくて丸味はつかなかった。この場合、図５に示すように、９００℃で２０分間程度放置した結果、図７（Ｂ）に示すようにトレンチ１６の角部１０に適正な丸味が付くことが判明した。尚、この放置２０分間は、基板処理のスループットを考慮すると限界値である。
【００３３】
また、プロセス圧力が５ｋｐａ及び１０ｋｐａの時にはその時の温度で２０分間放置しても角部１０に丸味はつかなかった。尚、現状の熱処理装置では水素ガスを供給しつつ真空引きできる最低限の圧力は０．０１ｋｐａ程度なので、この処理の下限のプロセス圧力は０．０１ｋｐａ程度となる。
【００３４】
以上の結果より、丸め工程におけるプロセス温度Ｔは、８５０℃＜Ｔ＜１０５０℃の範囲内で且つプロセス圧力Ｐは０．０１ｋｐａ≦Ｐ＜３０ｋｐａの範囲内がよく、好ましくはプロセス温度Ｔは、９００℃≦Ｔ≦１０２５℃の範囲内で且つプロセス圧力Ｐは０．０５ｋｐａ≦Ｐ≦２０ｋｐａの範囲内が最も適切であることが判明した。より詳しくは、図６中において、最終的に○印となる部分で囲まれた領域が必要で、且つ十分な範囲であることが判明した。
【００３５】
尚、熱処理に用いる熱処理装置は図１に示されるものに限定されず、２重管式の処理容器、或いは枚葉式の熱処理装置を用いるようにしてもよい。
また、本発明は、６インチサイズ、８インチサイズ、１２インチサイズの各種サイズの半導体基板に適用できるのは勿論である。
【００３６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体基板の処理方法及び半導体素子によれば、トレンチの幅を狭くしても、トレンチの溝形状を崩すことなく、トレンチを区画する基板表面の角部を十分な丸め形状に成形することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法の主要部の工程を実施するための熱処理装置を示す構成図である。
【図２】本発明の半導体基板の処理方法を説明するための工程図である。
【図３】図１に示す熱処理装置を用いて行われる処理工程の温度変化を示すグラフである。
【図４】丸め工程の評価を行った時の半導体基板の温度変化を示すグラフである。
【図５】丸め工程の評価を行った時の半導体基板の温度変化を示すグラフである。
【図６】丸め工程におけるプロセス温度とプロセス圧力との関係の評価結果を示すグラフである。
【図７】トレンチの形状が変化する状態を示す模式図である。
【図８】半導体基板の表面に形成したトレンチに絶縁物を埋め込んで素子分離を行った状態を示す部分拡大図である。
【図９】トレンチを区画する角部に丸味を持たせるようにした従来の半導体基板の処理方法を説明するための工程図である。
【図１０】図９に示す処理方法を行った後に最終的に形成される素子の部分を示す拡大図である。
【符号の説明】
６　ゲート酸化膜
８　ゲート電極
１０　角部
１２　第１の絶縁膜
１４　第２の絶縁膜
１６　トレンチ（溝部）
５２　半導体素子
Ｗ　半導体基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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