(57)【要約】【課題】信号蓄積センサーでダーク画素に対して光が入り込むことによる不都合を防止する。【解決手段】複数の画素からなるセンサーにおけるダーク画素からの蓄積信号が所定レベルに達しているか否かを判断し、所定レベルに達している時は、その蓄積信号を測距処理などの処理を禁止する。【選択図】　　　図１
2004053824.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数画素からなる電荷蓄積型センサー部を有し、該センサ部で受光した被写体からの光に対しての信号蓄積を行なわせ、該蓄積された信号に基づいて被写体距離又はデフォーカス量を求め、ピント合わせを行なうピント合わせ装置において、
前記センサー部での蓄積信号に基づいて輝度情報を求めるとともに、該輝度情報と前記センサー部とは別設された測光手段からの輝度情報との差が所定値以上はなれている場合に前記蓄積信号に基づくピント合わせ動作を禁止する事を特徴とするピント合わせ装置。
【請求項２】
投光手段を投光することなしで、複数画素からなる電荷蓄積型センサー部で受光した被写体からの光に対しての信号蓄積を行なわせ、該蓄積された信号に基づいて被写体距離又はデフォーカス量を求め、ピント合わせを行なうとともに、該投光手段を投光することなしでの蓄積信号に基づいて被写体距離又はデフォーカス量を求めることが不適切な場合、前記投光手段を投光した状態で前記センサー部により被写体からの光に対しての信号蓄積を行なわせ、該蓄積された信号に基づいて被写体距離又はデフォーカス量を求め、ピント合わせを行なうピント合わせ装置において、
前記投光手段を投光していない状態で前記センサー部にて蓄積された蓄積信号に基づいて輝度情報を求めるとともに、該輝度情報と前記センサー部とは別設された測光手段からの輝度情報との差が所定値以上はなれている場合に前記投光手段を投光した状態での信号蓄積動作を禁止する事を特徴とするピント合わせ装置。
【請求項３】
遮光された状態の画素を含む複数画素からなる電荷蓄積型センサー部を有し、該センサ部で信号蓄積を行なう信号蓄積装置において、前記遮光された状態の画素で蓄積された信号レベルが蓄積開始前の第１のレベルからはなれた所定のレベルを超えた状態になっているかを判定手段にて判定し、前記センサー部での受光状態を検知する事を特徴とする信号蓄積装置。
【請求項４】
前記判定手段にて、前記所定のレベルを超えた状態になっていると判定された時、警告または蓄積信号を用いた処理動作を禁止する請求項３に記載の信号蓄積装置。
【請求項５】
遮光された状態の画素を含む複数画素からなる電荷蓄積型センサー部を有し、該センサ部で受光した被写体からの光に対しての信号蓄積を行なわせ、該蓄積された信号に基づいて測距またはデフォーカス検知を行ない、ピント合わせを行うピント合わせ装置において、前記遮光された状態の画素で蓄積された信号レベルが蓄積開始前の第１のレベルからはなれた所定のレベルを超えた状態になっているかを判定手段にて判定し、前記所定のレベルを超えた状態になっていると判定された時前記センサー部で蓄積された信号に基づくピント合わせを禁止することを特徴とするピント合わせ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、信号蓄積型センサーを用いた信号蓄積装置または該装置を用いて、測距又はデフォーカス量を求め、ピント合わせを行なうピント合わせ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、電荷蓄積型の光電変換装置について種々の提案がなされており、またこれを適用した測距装置についての提案も既になされている。
【０００３】
上記のような測距装置において、一般的に光電変換装置は複数の光電変換素子が所定の画素ピッチで配列され、それぞれの光電変換素子に対応した電荷蓄積部、電荷蓄積を制御する回路、光電出力を読み出す回路が一つの半導体チップ上で構成されている。
【０００４】
上記のような測距装置の概略図を図２に示す。
【０００５】
図２において、２０１は第１の光路を形成する第１の受光レンズ、２０２は第２の光路を形成する第２の受光レンズである。
【０００６】
２００は光電変換装置であり、後述するセンサアレイ、信号蓄積部、ピーク検出部、信号出力部で構成される。
【０００７】
２０３は複数の光電変換素子がリニアに配列される第１のセンサーアレイ、２０４は同じく第２のセンサーアレイ、２０５は第１の信号蓄積部であり、ＳＴパルスにより第１のセンサーアレイ２０１で光電変換された電荷を電圧に変換し各画素ごとに蓄積する。また、ＲＥＳパルスにより信号蓄積部２０５で蓄積された信号がクリアすることができる。２０６は第２の信号蓄積部であり、第１の蓄積部と同様に第２のセンサーアレイ２０２で光電変換された電荷を電圧に変換し各画素ごとに蓄積する。
【０００８】
また、センサアレイには、アルミで遮光された画素（以下ダーク画素）があり、このダーク画素についても蓄積動作を行ない、後に述べるＰＫＭＯＮ信号や、各画素の信号レベルの基準信号に使用する。
【０００９】
２０７はピーク検出部であり、第１の信号蓄積部２０５および第２の信号蓄積部２０６の各画素の信号蓄積レベルのＭＡＸ値を検出し、ダーク画素信号との差をＰＫＭＯＮ信号として出力する。２１０は第１の信号出力部であり、第１の信号蓄積部の各画素に対応した信号を、ＣＬＫ１パルスにより順次ＯＵＴ信号として出力する。２１１は第２の信号出力部であり、第１の信号出力部２１０と同様に、第２の信号蓄積部の各画素に対応した信号を、ＣＬＫ２パルスにより順次ＯＵＴ信号として出力する。
【００１０】
図２の測距装置の蓄積動作と信号読み出し動作を図４のタイミングチャートを用いて説明する。
【００１１】
まず、ＲＥＳパルスＬ→Ｈにより第１の信号蓄積部２０５と第２の信号蓄積部２０６内の信号をクリアする。この時、ダーク画素とその他の画素信号の電圧レベルはリセット電圧Ｖｒｅｓにクランプされる。そして所定時間後にＲＥＳパルスＨ→Ｌにし、またＳＴパルスをＨ→Ｌにし、信号蓄積を許可することで、蓄積動作を開始する。
【００１２】
図６は、センサアレイ２０３，２０４上の輝度分布であり、受光される輝度の強度が強くなるほど信号が高くなるものとする。センサーアレイ２０３はＬ１〜Ｌ１０、センサーアレイ２０４はＲ１〜Ｒ１０の光電変換素子からなる。同図（ａ）はセンサーアレイ２０３上の像信号、同図（ｂ）はセンサーアレイ２０４上の像信号である。同図（ａ）では、Ｌ３〜Ｌ７にまたがって受光像が結像されており、（ｂ）では、Ｒ４〜Ｒ８にまたがって受光象が結像されている。
【００１３】
蓄積動作中は、センサアレイの各画素ごとの入射光量に応じた傾きで信号蓄積部の電圧レベルが降下してゆく、一番輝度の高い画素（Ｌ５，Ｒ６）の信号レベル（以下ピークレベル）Ｖｐｋは、各画素に対応した信号蓄積レベルのうち最も低い出力になる。一方、ダーク画素の信号のレベルＶｄｋ（以下ダークレベル）は、遮光されているため、蓄積動作を開始しても、Ｖｒｅｓ付近からほとんど降下しない。ピーク検出部２０７では、ピークレベルＶｐｋおよびダークレベルＶｄｒを検出し、これらの差分電圧をＰＫＭＯＮ信号として出力する。
【００１４】
ＰＫＭＯＮ信号レベルは、ピークレベルＶｐｋの電圧降下とほぼ同じ割合で上昇し、不図示の制御部に内蔵しているＡ／Ｄ変換コンバータでＡ／Ｄ変換し、そのレベルを制御部にてチェックする。
【００１５】
そして、ＰＫＭＯＮ信号レベルが、蓄積量が蓄積停止レベルＶｃｏｍｐを超えると、ＳＴパルスをＬ→Ｈにすることで、第１の信号蓄積部２０５および第２の信号蓄積部２０６での蓄積動作を終了し、同時に各画素の蓄積信号レベルを保持する。
【００１６】
蓄積動作終了後、蓄積信号の読み出しを行う。ここで読み出しクロックとしてまずＣＬＫ１パルスを入力すると第１のセンサアレイ２０３の各画素の信号が順次ＯＵＴに出力される。第１のセンサアレイ２０３の全ての画素信号を出力が終了すると、ＣＬＫ２パルスを入力することで第２のセンサアレイ２０４の各画素の信号が順次ＯＵＴに出力される。
【００１７】
この時、ＯＵＴ信号はダークレベルを基準にしており、ＰＫＭＯＮ信号と同様に、各画素の出力はダークレベルとの差分信号で出力される。
【００１８】
また、不図示の制御部はＣＬＫパルスに同期して出力信号をＡ／Ｄ変換して内部の制御部内のメモリに格納していき、全ての画素についての蓄積信号の読み出しが完了したところでその読み出し動作を終了する。
【００１９】
以上のように第１のセンサアレイ２０３上で得られた測距対象物の像信号と第２のセンサアレイ２０４上で得られた被写体の像信号の相対値に基づいて三角測距の原理により被写体までの距離を求める。
【００２０】
ところで、上記説明で、ＰＫＭＯＮ信号と各画素の出力信号がダークレベル基準にしている理由は、各信号からダークレベルを差分することで、蓄積動作中に発生する暗電流をキャンセルするためである。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
通常、光電変換装置は半導体チップ上に形成され、チップ表面にはセンサアレイ以外には光が入射しないようにアルミ等の遮光材料で遮光されており、センサアレイ以外で光電変換作用により電荷が発生することはない。しかしながら、チップ側面は遮光していないため、被写体やその周辺の輝度が非常に高い場合は、光電変換装置の側面から光が入射することにより、発生した電荷がセンサアレイや信号蓄積部に漏れ込み、不要な電荷を蓄積してしまう。
【００２２】
光電変換装置の側面から光が入射することにより、不要な電荷を蓄積した場合の像信号を図８、図９を用いて説明する。
【００２３】
図８におてい、図４と同様の動作により蓄積動作開始を開始する。通常、ピーク検出部２０７は、一番輝度の高い画素（Ｌ４，Ｒ５）の信号レベルがピークレベルＶｐｋになるが、電荷の漏れ込みが大きい画素、ここではＬ１，Ｒ１０の画素信号がピークレベルＶｐｋとして出力される。したがって、電荷の漏れ込んだ画素信号により蓄積が停止してしまう。この場合、漏れ込んだ電荷による像信号が加算され、正しい被写体の像信号を検出できない。また、ダークレベルもダーク画素への電荷の漏れ込みで電圧レベルが降下している。
【００２４】
このような像信号をもとに測距算出した場合は誤測距してしまう。
【００２５】
次に、図９では、図８の場合に比べ、更に電荷の漏れ込みが大きい状態での像信号を説明する。
【００２６】
電荷の漏れ込みが更に大きい場合、ダーク画素への漏れ込み量も大きくなる。したがってダークレベルＶｄｋの降下が大きくなるため、ピークレベルとダークレベルの差分信号であるＰＫＭＯＮ信号の上昇の割合は、ピークレベルＶｐｋの降下の割合に対して小さくなる。更にピークレベル、ダークレベル共に飽和レベル（０Ｖ）に達した場合は、ＰＫＭＯＮ信号は最小レベルの０Ｖになる。
【００２７】
通常、ＰＫＭＯＮ信号が所定時間経っても小さく、蓄積停止レベルを超えない場合は、被写体輝度が低く、信号が得られないと判断し、蓄積動作を停止する。図９の状態ではダーク画素を含めた、センサアレイ全ての画素信号が飽和レベルに達しており、ダークレベルを基準にした出力信号は０Ｖになり、まったく像信号が得られない。このように電荷の漏れ込み量が大きい場合は、被写体の輝度情報が得られなく、更に被写体輝度が高輝度であるのにも関わらず、検出結果は暗時のように像信号が得られなくなる。
【００２８】
また、このようなチップ側面からの入射光による電荷の漏れこみの影響を少なくするため、信号蓄積部からチップ端までの距離を十分離して構成する方法もあるが、チップ面積が大きくなりコストが高くなる問題が生じる。
【００２９】
また、特開平０９−２２９６７３号公報に複数の光電変換素子を含む受光手段を用いた測距装置において、暗電流分あるいは外光成分により、転送段ＣＣＤ（リングＣＣＤなど）に徐々に電荷が漏れ込むことによる像信号の歪みの補正方法が提案されているが、チップ側面からの入射光による電荷の漏れこみは被写体とその周辺輝度により不均一であるため上記公報に記載されている方法では補正できない。
【００３０】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、複数画素からなる電荷蓄積型センサー部を有し、該センサ部で受光した被写体からの光に対しての信号蓄積を行なわせ、該蓄積された信号に基づいて被写体距離又はデフォーカス量を求め、ピント合わせを行なうピント合わせ装置において、
前記センサー部での蓄積信号に基づいて輝度情報を求めるとともに、該輝度情報と前記センサー部とは別設された測光手段からの輝度情報との差が所定値以上はなれている場合に前記蓄積信号に基づくピント合わせ動作を禁止する事により不要な光がセンサーに受光された際の不都合を解消するものである。
【００３１】
請求項２の発明は、投光手段を投光することなしで、複数画素からなる電荷蓄積型センサー部で受光した被写体からの光に対しての信号蓄積を行なわせ、該蓄積された信号に基づいて被写体距離又はデフォーカス量を求め、ピント合わせを行なうとともに、該投光手段を投光することなしでの蓄積信号に基づいて被写体距離又はデフォーカス量を求めることが不適切な場合、前記投光手段を投光した状態で前記センサー部により被写体からの光に対しての信号蓄積を行なわせ、該蓄積された信号に基づいて被写体距離又はデフォーカス量を求め、ピント合わせを行なうピント合わせ装置において、
前記投光手段を投光していない状態で前記センサー部にて蓄積された蓄積信号に基づいて輝度情報を求めるとともに、該輝度情報と前記センサー部とは別設された測光手段からの輝度情報との差が所定値以上はなれている場合に前記投光手段を投光した状態での信号蓄積動作を禁止する事により、不必要な光がセンサーに受光された場合に、無駄に補助光を投光して測距動作などが行なわれることを防止するものである。
【００３２】
請求項３の発明は、遮光された状態の画素を含む複数画素からなる電荷蓄積型センサー部を有し、該センサ部で信号蓄積を行なう信号蓄積装置において、前記遮光された状態の画素で蓄積された信号レベルが蓄積開始前の第１のレベルからはなれた所定のレベルを超えた状態になっているかを判定手段にて判定し、前記センサー部での受光状態を検知する事で、センサーに不必要な光が受光しているかの検知を行なう信号蓄積装置を提供するものである。
【００３３】
請求項４の発明は、請求項３の装置において、前記判定手段にて、前記所定のレベルを超えた状態になっていると判定された時、警告または蓄積信号を用いた処理動作を禁止する信号蓄積装置を提供するものである。
【００３４】
請求項５の発明は、遮光された状態の画素を含む複数画素からなる電荷蓄積型センサー部を有し、該センサ部で受光した被写体からの光に対しての信号蓄積を行なわせ、該蓄積された信号に基づいて測距またはデフォーカス検知を行ない、ピント合わせを行うピント合わせ装置において、前記遮光された状態の画素で蓄積された信号レベルが蓄積開始前の第１のレベルからはなれた所定のレベルを超えた状態になっているかを判定手段にて判定し、前記所定のレベルを超えた状態になっていると判定された時前記センサー部で蓄積された信号に基づくピント合わせを禁止することで、不適切なピント合わせを防止するものである。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下この本発明の第１の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００３６】
図１は、本発明による測距装置を有するカメラの構成を示したブロック図である。
【００３７】
図１において、
１０１は、カメラ制御部（以下ＣＰＵ）であり、カメラ全体シーケンス制御を行なうとともに、後述するＡ／Ｄ変換部１０５およびメモリ１０６、距離算出手段１０７、輝度算出手段１０８、輝度比較手段１０９を有する。
【００３８】
１０２は、被写体の輝度を検出する測光手段である。
【００３９】
１０３は、図２と同様構成をしており、被写体からの像信号を２つのセンサーアレイ２０３、２０４で検出し出力する測距装置である。
【００４０】
１０５は、測距手段１０３で出力される被写体の像信号に応じたアナログ信号などをデジタル化するＡ／Ｄ変換部である。
【００４１】
１０６は、Ａ／Ｄ変換部１０５でディジタル化された被写体の像信号などの情報を記憶するメモリである。
【００４２】
１０７は、メモリ１０６で記憶されている、図２の２つのセンサーアレイ２０３、２０４で検出した被写体の像信号の位相差を演算することで、被写体までの距離を算出する距離算出手段である。
【００４３】
１０８は、測距手段１０３で検出した被写体の像信号から被写体の輝度を算出する輝度算出手段である。
【００４４】
１０９は、測光手段１０２で検出した被写体の輝度と測距手段１０３の出力情報から輝度算出手段１０８で算出した被写体の輝度の比較を行なう輝度比較手段である。
【００４５】
ここで、測光手段１０２で検出した被写体の輝度と輝度算出手段１０８で算出した被写体の輝度の差が小さければ、測距手段１０３で外光による電荷が漏れ込みが発生していないと判断する。一方、輝度差が大きい場合は、外光により電荷が漏れ込みが発生していると判断する。外光により電荷が漏れ込んでいる場合、測距手段１０３で検出した被写体の輝度分布は、図８、図９のように漏れ込んだ信号やダーク画素レベルに変動により、輝度算出手段１０８では正しい輝度が算出できない。そのため、被写体の輝度を正しく検出できている測光手段１０２で検出した被写体の輝度と差ができる。この差から測距手段１０４での外光による電荷の漏れ込みを検出できる。
【００４６】
測光手段１０２はＳＰＤなどの光電変換素子であり、測距手段１０３の光電変換素子に比べて大きく、被写体からの信号を多く得られるので電荷の漏れ込みの影響を受けにくい。
【００４７】
１１０は、輝度比較手段１０９で輝度差が検出され、測距手段１０２で光漏れが発生していると判断された場合に、測距が不可能なことを撮影者に対して表示する警告表示手段である。
【００４８】
１１１は、測光手段１０２からの検出結果をもとにシャッターの開口制御を行なうシャッター駆動手段であり、
１１２は、距離算出手段１０７で算出した被写体までの距離の検出結果をもとに不図示の撮影レンズの駆動を行いフィルム面に被写体ピントを合わせるレンズ駆動手段である。
【００４９】
１１３は、フィルムのオートローディング、巻き上げおよび巻き戻しを行なうフィルム給装手段である。
【００５０】
１１４は、不図示のシャッター釦の第１ストロークでカメラ内の電気回路を起動させ測光および測距などの検出を行なうＳＷ１、
１１５は不図示のシャッター釦の第２ストロークで、ＳＷ１以後の撮影シーケンスの起動信号となるＳＷ２である。
【００５１】
次に、本実施の形態におけるカメラの動作の流れを図３のフローチャートを用いて説明する。
【００５２】
［＃３０１］
まず、ステップ３０１ではＣＰＵ１０１は、レリーズＳＷの第１ストロークであるＳＷ１（１１４）がＯＮされたか否かの検出を行ない、ここでＳＷ１がＯＮされるまで待機する。ＳＷ１のＯＮが検出されたときは、次のステップ３０２に移る。
【００５３】
［＃３０２］
ステップ３０２では、測光手段１０２により被写体に係る測光を行い、この測光結果（被写体輝度）をメモリ１０６に記憶する。
【００５４】
［＃３０３］
次に、ステップ３０３では、ＲＥＳパルスおよびＳＴパルスにより測光手段１０３内の第１・第２センサアレイ２０３、２０４の全画素の信号蓄積を許可し、蓄積動作を開始する。
【００５５】
［＃３０４］
ステップ３０４では、測距手段１０３内のピーク検出部２０７から出力されるＰＫＭＯＮ信号レベルをＣＰＵ１０１に内蔵しているＡ／Ｄ変換部１０５でＡ／Ｄ変換し、そのレベルをチェックすることで、蓄積量が所定レベルか否かを判定する。この実施例では、蓄積量が大きくなるほど、ＰＫＭＯＮレベルは大きくなるので、ＰＫＭＯＮレベルが所定レベル以上になった場合は、蓄積量が所定レベルに達していると判断し、次のステップ３０６に移り、蓄積動作を停止する。
【００５６】
一方、ＰＫＭＯＮレベルが所定レベル以上の場合、つまり蓄積レベルが所定レベルに達していない場合は、蓄積レベルが所定レベルに達していないと判断し、ステップ３０５に移る。
【００５７】
［＃３０５］
ステップ３０５では、蓄積を開始してからの時間（以下蓄積時間）があらかじめ設定している最大時間に達しているか否かを判定する。ここで蓄積時間が最大時間に達していない場合は、ステップ３０４に移り引き続き蓄積を継続する。一方、蓄積時間が最大時間に達している場合は、ステップ３０６に移り、蓄積動作を停止する。
【００５８】
ここで、最大時間に達しているか否かを判定する理由は、例えば、暗所などの撮影では、被写体輝度が非常に低いため、いくら時間が経っても蓄積レベルは所定レベルには達しない。そこで、最大の蓄積時間を設定することで無駄に測距蓄積動作が長くなることを防ぐためである。
【００５９】
［＃３０６］
ステップ３０６では、ＳＴパルスにより、測距手段１０３内の第１の信号蓄積部２０５および第２の信号蓄積部２０６での蓄積動作を終了し、同時に各画素の蓄積信号レベルを保持する。
【００６０】
［＃３０７］
ステップ３０７では、信号読み出し動作を開始する。
【００６１】
まず、読み出しクロックＣＬＫ１およびＣＬＫ２パルスにより、測距手段１０３内の第１のセンサアレイ２０３および第２のセンサアレイ２０４の信号が順次ＯＵＴに出力される。
【００６２】
このときＣＰＵ１０１でＣＬＫ１パルスおよびＣＬＫ２パルスに同期してＡ／Ｄ変換部１０５でＡ／Ｄ変換し、メモリ１０６の所定アドレスに順次格納していく。
【００６３】
［＃３０８］
ステップ３０８では、輝度算出手段１０８により、メモリー１０６に格納されている測距手段１０３からの像信号と、蓄積に要した時間から被写体の輝度を算出する。この輝度の求め方としては、例えば読み出されたセンサアレイからの信号のうち信号として前記ピークを示す信号のレベルと蓄積時間とから輝度に応じた値を算出する方法や、ピークに変えて、各画素（ダーク画素は除く）の信号の平均値や、中央部などの所定位置または範囲の画素からの信号レベルを用いて輝度に応じた値を算出する方法などが用いられる。また蓄積時間を用いることなく、画素信号のみで輝度を求めてもよい。
【００６４】
［＃３０９］
ステップ３０９では、輝度比較手段１０９により、測光手段１０２による被写体輝度（ステップ３０２）と、ステップ３０８で算出した測距手段１０３による被写体輝度との差が、所定レベル以下であるか否かを判定する。
【００６５】
輝度差が所定レベル以下の場合は、測距手段１０３で外光による電荷の漏込みが発生していないと判断してステップ３１０に移り、
一方、輝度差が所定レベル以上の場合は、強い外光により測距手段１０３の画素へ電荷の漏込みが発生していると判断してステップ３１１に移る。
【００６６】
［＃３１０］
ステップ３１０では、距離算出手段１０７により、メモリ１０６に格納されている測距手段１０３のセンサーアレイ２０３、２０４で得られたそれぞれの像信号の位相差から被写体までの距離を算出し、その測距結果をメモリ１０６に記憶する。
【００６７】
［＃３１１］
ステップ３１１では、測光手段１０２による被写体輝度（ステップ３０２）と、ステップ３０７で算出した測距手段１０３による被写体輝度データとの差が所定レベル以上と判断されている。（ステップ３０９）この場合、強い外光により測距手段１０３の画素へ電荷の漏込みが発生しており、被写体までの距離を正しく検出することができない。したがって、距離算出手段１０７での結果を、測距手段１０３の検出結果に依らず、撮影レンズの過焦点距離に決定し、メモリ１０６に記憶する。
【００６８】
［＃３１２］
ステップ３１２では、警告表示手段１１０により、測距手段１０３での測距動作が不可能であることを、不図示の撮影者に対して知らせる
［＃３１３］
ステップ３１３では、ＳＷ２がＯＮであるか否かを判定する。ＳＷ２がＯＮでないと判定したときはステップ３１３に戻り、ＳＷ２がＯＮであると判定したときはステップ３１４に移る。
【００６９】
［＃３１４］
ステップ３２１では、メモリーに記憶している測距結果（ステップ３１０およびステップ３１１）に従って、レンズ駆動手段１１２により撮影レンズの駆動制御を行なう。
【００７０】
［＃３１５］
ステップ３１５では、メモリーに記憶している測光結果（ステップ３０２）に従って、シャッター制御手段１１１によりシャッター駆動制御を行なう。
【００７１】
［＃３１６］
ステップ３１６では、フィルム給装手段１１３により、次の撮影駒へのフィルム給装制御を行なう。これにより、一連のカメラシーケンスを終了する。
【００７２】
以上説明したように、測光手段１０２と測距手段１０３で得られた被写体輝度の差から測距手段１０３で電荷の漏れ込みを判定することで、誤測距を防ぐことが可能になる。
【００７３】
（第２の実施の形態）
本発明による第２の実施の形態について図７を用いて説明する。
【００７４】
図７はの本実施の形態においてのカメラの構成を示したブロック図である。なお、図１と同記号のものについては既に説明されているので、ここでの説明は省略する。
【００７５】
図７において、
１０４は、測距手段１０３における、被写体からの信号の蓄積量が所定レベル以下の場合に、被写体に対して照明光を投光する補助光照明手段である。
【００７６】
次に、本実施の形態におけるカメラの動作の流れを図５のフローチャートを用いて説明する。
【００７７】
［＃５０１］
まず、ステップ５０１ではＣＰＵ１０１は、レリーズＳＷの第１ストロークであるＳＷ１（１１４）がＯＮされたか否かの検出を行ない、ここでＳＷ１がＯＮされるまで待機する。ＳＷ１のＯＮが検出されたときは、次のステップ５０２に移る。
【００７８】
［＃５０２］
ステップ５０２では、測光手段１０２により被写体に係る測光を行い、この測光結果（被写体輝度）をメモリ１０６に記憶する。
【００７９】
［＃５０３］
次に、ステップ５０３では、ＲＥＳパルスおよびＳＴパルスにより測光手段１０３内の第１・第２センサアレイ２０３、２０４の全画素の信号蓄積を許可し、蓄積動作を開始する。
【００８０】
［＃５０４］
ステップ５０４では、測距手段１０３内のピーク検出部２０７から出力されるＰＫＭＯＮ信号レベルをＣＰＵ１０１に内蔵しているＡ／Ｄ変換部１０５でＡ／Ｄ変換し、そのレベルをチェックすることで、蓄積量が所定レベルか否かを判定する。この実施例では、蓄積量が大きくなるほど、ＰＫＭＯＮレベルは大きくなるので、ＰＫＭＯＮレベルが所定レベル以下になった場合は、蓄積量が所定レベルに達していると判断し、次のステップ５０６に移り、蓄積動作を停止する。
【００８１】
一方、ＰＫＭＯＮレベルが所定レベル以上の場合は蓄積レベルが所定レベルに達していない場合は蓄積レベルが所定レベルに達していないと判断し、ステップ３０５に移る。
【００８２】
［＃５０５］
ステップ５０５では、蓄積を開始してからの時間（以下蓄積時間）があらかじめ設定している最大時間に達しているか否かを判定する。ここで蓄積時間が最大時間に達していない場合は、ステップ５０４に移り引き続き蓄積を継続する。一方、蓄積時間が最大時間に達している場合は、ステップ５０６に移り、蓄積動作を停止する。
【００８３】
［＃５０６］
ステップ５０６では、ＳＴパルスにより、測距手段１０３内の第１の信号蓄積部２０５および第２の信号蓄積部２０６での蓄積動作を終了し、同時に各画素の蓄積信号レベルを保持する。
【００８４】
［＃５０７］
ステップ５０７では、信号読み出し動作を開始する。
【００８５】
まず、読み出しクロックＣＬＫ１およびＣＬＫ２パルスにより、測距手段１０３内の第１のセンサアレイ２０３および第２のセンサアレイ２０４の信号が順次ＯＵＴに出力される。
【００８６】
このときＣＰＵ１０１でＣＬＫ１パルスおよびＣＬＫ２パルスに同期してＡ／Ｄ変換部１０５でＡ／Ｄ変換し、メモリ１０６の所定アドレスに順次格納していく。
【００８７】
［＃５０８］
ステップ５０８では、ステップ５０４と同様の動作で、蓄積停止後のＰＫＭＯＮ信号のレベルをチェックことで、測距手段１０３での蓄積量が所定レベル以上であるか否かを判定する。ＰＫＭＯＮレベルが所定量以上の場合は、蓄積量が所定レベルに達しているので、ステップ５１８に移り、被写体までの距離の算出動作を行なう。
【００８８】
一方、ＰＫＭＯＮレベルが所定量以下の場合は、蓄積量が所定レベルに達していないので、補助光照明手段１０４を使用した測距動作が必要であると判断し、ステップ５０９に移る。
【００８９】
［＃５０９］
ステップ５０９では、第１の実施の形態のステップ３０８と同様にして、輝度算出手段１０８により、メモリ１０６に格納されている測距手段１０３の像信号と、蓄積に要した時間などから被写体の輝度を算出する。
【００９０】
［＃５１０］
ステップ５１０では、輝度比較手段１０９により、測光手段１０２による被写体輝度（ステップ５０２）と、ステップ５０９で算出した測距手段１０３による被写体輝度との差が、所定レベル以下であるか否かを判定する。
【００９１】
輝度差が所定レベル以下の場合は、測距手段１０３で外光による電荷の漏れ込みが発生していないと判断しステップ５１１に移る。
【００９２】
一方、輝度差が所定レベル以上の場合は、強い外光により測距手段１０３のダーク画素へ電荷の漏れ込みが発生していると判断してステップ５１９に移る。
【００９３】
［＃５１１］
ステップ５１１では、補助光照明手段１０４を点灯し、測距手段１０３で、より被写体からの信号を得られるよう被写体を照明する。
【００９４】
［＃５１２］
ステップ５１２では、ステップ５０３と同様の動作により測距手段１０３による蓄積動作を開始する。
【００９５】
［＃５１３］
ステップ５１３では、ステップ５０４と同様に、ＰＫＭＯＮレベルと所定レベルを比較することで、蓄積量が適正なレベルに達しているか否かを判定する。ＰＫＭＯＮレベルが所定レベル以下の場合は、ステップ５１５に移り蓄積動作を停止する。一方、ＰＫＭＯＮレベルが所定レベル以上の場合はステップ５１４に移る。
【００９６】
［＃５１４］
ステップ５１４では、ステップ５０５と同様に、蓄積時間があらかじめ設定している最大時間達しているか否かを判定する。ここで蓄積時間が最大時間に達していない場合は、ステップ５１３に移り引き続き蓄積を継続する。一方、蓄積時間が最大時間に達している場合は、ステップ５１５に移り、蓄積動作を停止する。
【００９７】
ここで、補助光照射による蓄積動作の最大時間は、補助光を使用しない蓄積動作の最大時間（ステップ５０５）よりも長く設定し、被写体からの信号をより多く得られるようする。
【００９８】
［＃５１５］
ステップ５１５では、ステップ５０６と同様の動作により、測距手段１０３内の第１の信号蓄積部２０５および第２の信号蓄積部２０６での蓄積動作を停止する。
【００９９】
［＃５１６］
ステップ５１６では、補助光照明手段１０４を消灯し、ステップ５１７に移る。
【０１００】
［＃５１７］
ステップ５１７では、ステップ５０７と同様の動作により、測距手段１０３内の第１のセンサアレイ２０３および第２のセンサアレイ２０４の信号を順次ＯＵＴに出力させ、Ａ／Ｄ変換部１０５でＡ／Ｄ変換し、メモリー１０６の所定アドレスに順次格納していく。
【０１０１】
［＃５１８］
ステップ５１８では、距離算出手段１０７により、メモリー１０６に格納されている測距手段１０３のセンサーアレイ２０３、２０４で得られたそれぞれの被写体の像信号の位相差から被写体までの距離を算出する。
【０１０２】
［＃５１９］
ステップ５１９では、測光手段１０２による被写体輝度（ステップ１０２）と、ステップ３０７で算出した測距手段１０３による被写体輝度との差が所定レベル以上と判断されている。（ステップ５１０）この場合、強い外光により測距手段１０３のダーク画素へ電荷の漏込みが発生しており、被写体までの距離を正しく検出することができない。したがって、距離算出手段１０７での結果を、測距手段１０３の検出結果に依らず、撮影レンズの過焦点距離に決定し、メモリ１０６に記憶する。
【０１０３】
［＃５２０］
ステップ５２０では、警告表示手段１１０により、測距手段１０３での測距動作が不可能であることを、不図示の撮影者に対して知らせる。
【０１０４】
［＃５２１］
ステップ５２１では、ＳＷ２がＯＮであるか否かを判定する。ＳＷ２がＯＮでないと判定したときはステップ５２１に戻り、ＳＷ２がＯＮであると判定したときはステップ５２２に移る。
【０１０５】
［＃５２２］
ステップ５２２では、メモリ１０６に記憶している測距結果（ステップ５１８またはステップ５１９）に従って、レンズ駆動手段１１１に撮影レンズの駆動制御を行なう。
【０１０６】
［＃５２３］
ステップ５２３では、メモリ１０６に記憶している測光結果（ステップ５０２）に従って、シャッター制御手段１１０によるシャッター駆動制御を行なう。
【０１０７】
［＃５２４］
ステップ５２４では、フィルム給装手段１１２により、次の撮影駒へのフィルム給装制御を行なう。これにより、一連のカメラシーケンスを終了する。
【０１０８】
図９のように電荷の漏れ込みにより、像信号が得られない場合（図９）に、通常であれば、補助光による測距動作を行う。しかしながら、以上説明したように、測光手段１０２と測距手段１０３で得られた被写体輝度の差から測距手段１０３での電荷の漏れ込みを検出した場合は、補助光による測距動作を禁止する。すなわち、本来必要でない高輝度時の補助光による測距動作にかかる時間を短縮できる。
【０１０９】
上記各実施の形態での外光による不要な電荷の蓄積判断としては測光輝度とセンサー輝度を用いる方法であるが、その他の方法としてはセンサーからステップ３０７や５０７で読み出された画素信号のうちダーク画素の信号が所定のレベル（本来外光が入りこまない時におけるレベルから変化し、所定のレベルとなっているか）となっているかを判断しダーク画素のレベルが所定のレベルとなっている時に不要な電荷を蓄積していると判断しステップ３１１や５１９へ移行するようにしてもよい。
【０１１０】
また、実施の形態では測距装置を示しているが、センサーからの信号でデフォーカス量を求める焦点検知装置に適応してもよい。
【０１１１】
【発明の効果】
以上説明したように、各発明では、電荷の漏れ込みを判定検出することができるので、不適切な信号蓄積結果を用いた処理（例えば測距動作など）などを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の構成を示すブロック図である。
【図２】光電変換装置を用いた測距装置の構成を示すブロック図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の測距装置における測距動作を説明するためのフローチャートである。
【図４】図２の光電変換装置における出力信号を取り込むときのタイミングチャートおよび出力波形である。
【図５】本発明の第２の実施の形態の測距装置における測距動作を説明するためのフローチャートである。
【図６】図２の光電変換装置におけるセンサーアレイ上の輝度分布を示す図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態の構成を示すブロック図である。
【図８】図２の光電変換装置において、電荷の漏れ込みが発生した場合の、取り込むときのタイミングチャートおよび出力波形である。
【図９】図２の光電変換装置において、更に電荷の漏れ込みが発生した場合の、取り込むときのタイミングチャートおよび出力波形である。
【符号の説明】
１０１　カメラ制御部（ＣＰＵ）
１０２　測光手段
１０３　測距手段
１０５　Ａ／Ｄ変換部
１０６　メモリ
１０７　距離算出手段
１０８　輝度算出手段
１０９　輝度比較手段
【図１】
2004053824.tif 000003
【図２】
2004053824.tif 000004
【図３】
2004053824.tif 000005
【図４】
2004053824.tif 000006
【図５】
2004053824.tif 000007
【図６】
2004053824.tif 000008
【図７】
2004053824.tif 000009
【図８】
2004053824.tif 000010
【図９】
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