(57)【要約】【課題】電気・電子機器の腐食性物質（例えば、硫黄、含硫黄化合物）や湿気に曝される金属製導電部（例えば、銀、銅、アルミニウム、またはそれらの合金により形成されている電極や回路基板上の電気回路）の腐食性物質による腐食やマイグレーションによる電食を抑制する方法を提供する。【解決手段】電気・電子機器の腐食性物質や湿気に曝される金属製導電部に、ベンゾトリアゾールまたはその誘導体を重量単位で１ｐｐｍ〜３０％含有する室温硬化性シリコーンゴム組成物を塗布した後、硬化することを特徴とする、電気・電子機器の金属製導電部の保護方法。【選択図】              なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気・電子機器の腐食性物質や湿気に曝される金属製導電部に、ベンゾトリアゾールまたはその誘導体を重量単位で１ｐｐｍ〜３０％含有する室温硬化性シリコーンゴム組成物を塗布した後、硬化することを特徴とする、電気・電子機器の金属製導電部の保護方法。
【請求項２】
金属製導電部が、銀、銅、アルミニウム、またはそれらの合金により形成されていることを特徴とする、請求項１記載の電気・電子機器の金属製導電部の保護方法。
【請求項３】
腐食性物質が、硫黄、または含硫黄化合物であることを特徴とする、請求項１記載の電気・電子機器の金属製導電部の保護方法。
【請求項４】
室温硬化性シリコーンゴム組成物が、脱アルコール、脱ケトン、または脱水素縮合反応硬化型である、請求項１乃至３のいずれか１項記載の電気・電子機器の金属製導電部の保護方法。
【請求項５】
脱アルコール縮合反応硬化型室温硬化性シリコーンゴム組成物が、
2004149611.tif 000004
からなることを特徴とする、請求項４記載の電気・電子機器の金属製導電部の保護方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気・電子機器の金属製導電部の保護方法に関し、詳しくは、電気・電子機器の腐食性物質や湿気に曝される金属製導電部に室温硬化性シリコーンゴム組成物を塗布した後、硬化することにより、金属製導電部の腐食性物質による腐食やマイグレーションによる電食を抑制することができる、電気・電子機器の金属製導電部の保護方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
室温硬化性シリコーンゴム組成物は室温で硬化するため、電気・電子機器の接着剤、コーティング剤等に使用されている。しかし、電気・電子機器の電極や回路基板上の電気回路等の金属製導電部が、銀、銅、アルミニウム等の腐食性物質による腐食やマイグレーションを起こしやすい材質である場合には、これらを室温硬化性シリコーンゴム組成物の硬化物で保護しても、雰囲気中に存在している腐食性物質による金属製導電部の腐食を十分に抑制できなかったり、また、湿気により促進される金属製導電部のマイグレーションによる電食を十分に抑制できないという問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは、上記の課題を解消するため鋭意検討した結果、ベンゾトリアゾールまたはその誘導体を含有する室温硬化性シリコーンゴム組成物によれば、電気・電子機器の腐食性物質や湿気に曝される金属製導電部の腐食性物質による腐食やマイグレーションによる電食を著しく抑制できることを見出し、本発明に到達した。
【０００４】
すなわち、本発明の目的は、電気・電子機器の腐食性物質や湿気に曝される金属製導電部の腐食性物質による腐食およびマイグレーションによる電食を抑制する方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、電気・電子機器の腐食性物質や湿気に曝される金属製導電部に、ベンゾトリアゾールまたはその誘導体を重量単位で１ｐｐｍ〜３０％含有する室温硬化性シリコーンゴム組成物を塗布した後、硬化することを特徴とする、電気・電子機器の金属製導電部の保護方法に関する。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明の電気・電子機器の金属製導電部の保護方法を詳細に説明する。
本発明の方法では、電気・電子機器の腐食性物質や湿気に曝される金属製導電部に室温硬化性シリコーンゴム組成物を塗布した後、硬化することにより、該導電部の腐食性物質による腐食やマイグレーションによる電食を抑制するものである。この電気・電子機器としては、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイが例示され、これらの電気・電子機器の金属製導電部としては、電極、回路基板上の電気回路が例示される。特に、これらの金属製導電部が、銀、銅、アルミニウム、またはそれらの合金により形成されている場合には、腐食性物質による腐食やマイグレーションによる電食を著しく抑制することができる。この腐食性物質としては、硫黄、または含硫黄化合物が例示され、この含硫黄化合物としては、硫化水素、亜硫酸ガス、硫酸ミスト、メルカプタンガスが例示される。これらの腐食性物質は、電気・電子機器やそれらの部品の製造時や使用時に雰囲気中に存在していることが多く、また、電気・電子機器の使用時に、それらの内部の部品や材料から発生することもある。
【０００７】
本発明の方法において、電気・電子機器の金属製導電部を保護するための室温硬化性シリコーンゴム組成物は、ベンゾトリアゾールまたはその誘導体を含有することを特徴とする。このベンゾトリアゾールまたはその誘導体としては、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、ナトリウムベンゾトリアゾール、ナトリウムトリルトリアゾール、ベンゾトリアゾールブチルエステル、ナフトトリアゾール、クロロベンゾトリアゾールが例示される。本発明の方法では、これらのベンゾトリアゾールまたはその誘導体を２種以上を混合して使用してもよい。このベンゾトリアゾールまたはその誘導体の含有量は、室温硬化性シリコーンゴム組成物中に重量単位で１ｐｐｍ〜３０％の範囲内となる量であり、好ましくは、１０ｐｐｍ〜１％の範囲内となる量である。これは、ベンゾトリアゾールまたはその誘導体の含有量が上記範囲の下限未満であると、電気・電子機器の腐食性物質や湿気に曝される金属製導電部の腐食性物質による腐食やマイグレーションによる電食を十分に抑制できなくなるからであり、一方、上記範囲の上限をこえると、得られる硬化物の物性が低下するからである。
【０００８】
この室温硬化性シリコーンゴム組成物としては、脱アルコール、脱アセトン、または脱水素縮合反応硬化型のものが例示され、好ましくは、脱アルコール縮合反応硬化型のものである。この脱アルコール縮合反応硬化型室温硬化性シリコーンゴム組成物としては、
2004149611.tif 000002
からなるものが好ましい。
【０００９】
（Ａ）成分は上記組成物の主成分である、一分子中にケイ素原子に結合した水酸基またはアルコキシ基を少なくとも２個有するオルガノポリシロキサンである。これは、一分子中のケイ素原子に結合した水酸基またはアルコキシ基が２個未満であると、得られる組成物が十分に硬化しなくなるからである。このアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、メトキシエトキシ基が例示され、このアルコキシ基は分子鎖中のケイ素原子に直接結合したものであってもよく、また、分子鎖中のケイ素原子に結合した、トリメトキシシリルエチル基、メチルジメトキシシリルエチル基、トリトリエトキシシリルエチル基、トリメトキシシリルプロピル基等のアルコキシシルアルキル基中のアルコキシ基であってもよい。（Ａ）成分中のその他のケイ素原子結合基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基等のアルキル基；ビニル基、アリル基等のアルケニル基；フェニル基、トリル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；３，３，３−トリフルオロプロピル基、３−クロルプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示される。（Ａ）成分の分子構造は限定されず、直鎖状、一部分岐を有する直鎖状、分岐鎖状、樹枝状が例示され、好ましくは、直鎖状、一部分岐を有する直鎖状である。また、（Ａ）成分の２５℃における粘度は２０〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓの範囲内であり、好ましくは、１００〜１００，０００ｍＰａ・ｓの範囲内である。これは、（Ａ）成分の粘度が上記範囲の下限未満であると、得られる硬化物の強度が低下する傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限をこえると、得られる組成物の取扱作業性や塗布作業性が低下する傾向があるからである。
【００１０】
このような（Ａ）成分のジオルガノポリシロキサンとしては、分子鎖両末端ヒドロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ヒドロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ヒドロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ヒドロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチル（３，３，３−トリフルオロプロピル）シロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメトキシシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端トリメトキシシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメトキシシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメトキシシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチル（３，３，３−トリフルオロプロピル）シロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメトキシシリルエチルジメチルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端トリメトキシシリルエチルジメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメトキシシリルエチルジメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメトキシシリルエチルジメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチル（３，３，３−トリフルオロプロピル）シロキサン共重合体、およびこれらの２種以上の混合物が例示される。
【００１１】
（Ｂ）成分は本組成物の硬化剤であり、一般式：
Ｒ１ａＳｉ（ＯＲ２）４−ａ
で表されるアルコキシシランまたはその部分加水分解縮合物である。上式中、Ｒ１は置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基等のアルキル基；ビニル基、アリル基等のアルケニル基；フェニル基、トリル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；３，３，３−トリフルオロプロピル基、３−クロルプロピル基等のハロゲン化アルキル基が例示される。また、上式中、Ｒ２はアルキル基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基、メトキシエトキシ基が例示される。また、上式中、ａは０〜２の整数である。
【００１２】
このような（Ｂ）成分としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルセロソルブオルソシリケート等の４官能アルコキシシラン；メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン等の３官能アルコキシシラン；ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジビニルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン等の２官能アルコキシシラン；およびこれらのアルコキシシランの部分加水分解縮合物が例示される。上記組成物では、（Ｂ）成分として、これらを２種以上を混合して用いてもよい。
【００１３】
（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００重量部に対して０．５〜１５重量部の範囲内であるが、（Ａ）成分がケイ素原子結合の水酸基を有する場合には、（Ｂ）成分中のアルコキシ基のモル数が（Ａ）成分中の水酸基のモル数を上回るような量とすることが好ましい。また、（Ａ）成分がケイ素原子結合のアルコキシ基を有する場合には、（Ｂ）成分の含有量は２〜１５重量部の範囲内であることが好ましい。
【００１４】
（Ｃ）成分は、上記組成物を用いて電気・電子機器の腐食性物質や湿気に曝される金属製導電部の腐食性物質による腐食やマイグレーションによる電食を抑制するための特徴的な成分であるベンゾトリアゾールまたはその誘導体である。このような（Ｃ）成分としては、前記と同様の化合物が例示される。
【００１５】
（Ｃ）成分の含有量は、上記組成物中に重量単位で１ｐｐｍ〜３０％の範囲内となる量であり、好ましくは、１０ｐｐｍ〜１％の範囲内となる量である。これは、（Ｃ）成分び含有量が上記範囲の下限未満であると、電気・電子機器の腐食性物質や湿気に曝される金属製導電部の腐食性物質による腐食やマイグレーションによる電食を十分に抑制できなくなるからであり、一方、上記範囲の上限をこえると、得られる硬化物の物性が低下するからである。
【００１６】
（Ｄ）成分は上記組成物の硬化を促進するための縮合反応用触媒である。このような（Ｄ）成分の縮合反応用触媒としては、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル錫ジオクトエート、ジオクチル錫ジラウレート、ジブチル錫マレートエステル、スタナスオクトエート等の錫化合物；テトラブチルチタネート、ジイソプロポキシビス（アセチルアセトネート）チタン、ジイソプロポキシビス（エチルアセトアセテート）チタン等のチタン化合物が例示され、防食性の点から、特に、チタン化合物が好ましい。
【００１７】
（Ｄ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００重量部に対して０．１〜１０重量部の範囲内であり、好ましくは、０．３〜６重量部の範囲内である。これは、（Ｄ）成分の含有量が上記範囲の下限未満であると、得られる組成物の硬化が促進されないからであり、一方、上記範囲の上限をこえると、得られる組成物の保存安定性が悪化するためである。
【００１８】
上記組成物には、その他任意の成分として、フュームドシリカ、沈降性シリカ、焼成シリカ、石英微粉末、炭酸カルシウム、煙霧質二酸化チタン、けいそう土、水酸化アルミニウム、微粒子状アルミナ、マグネシア、酸化亜鉛、炭酸亜鉛、金属微粉末等の無機質充填剤；およびこれらの充填剤をシラン類、シラザン類、低重合度シロキサン類、有機化合物等で表面処理した充填剤；シラトラン誘導体、カルバシラトラン誘導体等の接着促進剤；防カビ剤、難燃剤、耐熱剤、可塑剤、チクソ性付与剤、顔料等を本発明の目的を阻害しない限り含有してもよい。
【００１９】
上記組成物を調製する方法は限定されないが、上記組成物は湿気により硬化が進行するため、湿気遮断下で調製することが必要である。また、上記組成物は湿気遮断下では１液型として貯蔵可能であり、また、これを２液型とすることもできる。上記組成物は空気中の湿気により硬化して硬化物を形成する。
【００２０】
本発明の方法では、まずはじめに、電気・電子機器の腐食性物質や湿気に曝される金属製導電部に室温硬化性シリコーンゴム組成物を塗布する。上記組成物を塗布する前に、必要に応じて導電部を洗浄してもよい。また、上記組成物の塗布方法は限定されず、ディスペンサーによる塗布、スクレーパによる塗布、はけによる塗布が例示される。本発明の方法では、電気・電子機器の金属製導電部に塗布する室温硬化性シリコーンゴム組成物の厚さは限定されないが、１００μｍ〜５ｍｍの範囲内であることが好ましい。これは、電気・電子機器の金属製導電部に塗布する室温硬化性シリコーンゴム組成物の厚さが上記下限未満であると、得られる硬化物により、電気・電子機器の腐食性物質や湿気に曝される金属製導電部の腐食性物質による腐食やマイグレーションによる電食を十分に抑制することができなくなるおそれがあるからであり、一方、上記範囲の上限をこえても、電気・電子機器の腐食性物質や湿気に曝される金属製導電部の腐食性物質による腐食やマイグレーションによる電食を抑制する効果に著しい向上は見られないからである。本発明の方法では、次に、室温硬化性シリコーンゴム組成物を硬化させる。この硬化条件は限定されないが、上記組成物は室温で硬化するため、電気・電子機器を加熱したくない場合に好適である。もちろん、上記組成物は加熱により硬化が促進される。上記組成物を室温で硬化させる場合には、数分間〜１週間程度静置することが好ましい。
【００２１】
【実施例】
本発明の電気・電子機器の金属製導電部の保護方法を実施例により詳細に説明する。なお、実施例中の物性は２５℃における値である。また、電気・電子機器の金属製導電部の硫黄腐食試験およびマイグレーション試験は次のようにして行った。
【００２２】
［硫黄腐食試験］
図１で示した、導電部間隔が０．２２ｍｍ、導電部幅が０．２２ｍｍ、導電部の重なりしろが１５．７５ｍｍであるＪＩＳ  Ｚ  ３１９７に準拠して作製した銀製櫛型電極ガラス基板に、室温硬化性シリコーンゴム組成物を１ｍｍ厚に塗布した後、２５℃、５０％ＲＨの条件下で１週間静置することにより硬化させて試験体を作成した。この試験体を硫黄０．６ｇの入った４５０ｍｌの密栓できるガラス容器に入れ、８０℃、１日間放置した後、この試験体をガラス容器から取り出し、試験体の銀電極の腐食状況を観察した。
【００２３】
［マイグレーション試験］
図１で示した、導電部間隔が０．２２ｍｍ、導電部幅が０．２２ｍｍ、導電部の重なりしろが１５．７５ｍｍである銀製櫛型電極ガラス基板に、室温硬化性シリコーンゴム組成物を１ｍｍ厚に塗布した後、２５℃、５０％ＲＨの条件下で１週間静置することにより硬化させて試験体を作製した。この試験体の電極間に電圧１００Ｖ印加した状態で、８５℃、８５％ＲＨの条件下で放置し、電極が短絡するまでの時間を測定した。
【００２４】
［実施例１］
湿気遮断下、粘度３，０００ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端トリメトキシシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン８６重量部、ＢＥＴ比表面積が２００ｍ２／ｇであるフュームドシリカ９重量部、ジメチルジメトキシシラン４重量部、ベンゾトリアゾール０．１重量部、およびジイソプロポキシビス（エチルアセトアセテート）チタン１重量部を混合して脱アルコール縮合反応硬化型室温硬化性シリコーンゴム組成物を調製した。この組成物を用いて、上記のとおり硫黄腐食試験およびマイグレーション試験を行い、それらの結果を表１に示した。
【００２５】
［実施例２］
実施例１において、ベンゾトリアゾールをトリルトリアゾールに代えた以外は実施例１と同様にして脱アルコール縮合反応硬化型室温硬化性シリコーンゴム組成物を調製した。この組成物を用いて、上記のとおり硫黄腐食試験およびマイグレーション試験を行い、それらの結果を表１に示した。
【００２６】
［比較例１］
実施例１において、ベンゾトリアゾールを添加しない以外は実施例１と同様にして脱アルコール縮合反応硬化型室温硬化性シリコーンゴム組成物を調製した。この組成物を用いて、上記のとおり硫黄腐食試験およびマイグレーション試験を行い、それらの結果を表１に示した。
【００２７】
【表１】
2004149611.tif 000003
【００２８】
【発明の効果】
本発明の電気・電子機器の金属製導電部の保護方法では、ベンゾトリアゾールまたはその誘導体を所定量含有する室温硬化性シリコーンゴム組成物を、腐食性物質や湿気に曝される金属製導電部に塗布した後、硬化しているので、電気・電子機器の腐食性物質や湿気に曝される金属製導電部の腐食性物質による腐食やマイグレーションによる電食を著しく抑制することができる。また、本発明の電機・電子機器の金属製導電部の保護方法では、該導電部がシリコーンゴムにより被覆されているので、該導電部が温度変化により膨張収縮したり、衝撃を受けた場合にも、前記シリコーンゴムが剥がれたり、損傷しにくいという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】腐食性試験およびマイグレーション試験で使用した銀製櫛型電極ガラス基板の上面図である。
【図１】
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