(57)【要約】【課題】  電子部品の特性を十分に向上させることができる電子部品及び多層基板を提供すること。【解決手段】  本発明は、有機絶縁材料及びこれより大きい比誘電率を有する誘電体セラミック粉末を含む複合誘電体層１０ａ〜１０ｅ、インダクタ素子を構成する導電性素子部１３ａ等を備える電子部品１０において、有機絶縁材料が、エポキシ樹脂と、２以上のカルボキシル基を有する化合物及びフェノール性水酸基を有する化合物を反応させてなる活性エステル化合物とを硬化反応させてなる樹脂硬化物を含む。電子部品１０は、誘電体セラミック粉末が有機絶縁材料より大きい比誘電率を有し、有機絶縁材料が低い誘電正接を有する。また１００℃以上の高温下で長時間使用しても、１００ＭＨｚ以上の高周波域での誘電率の経時変化を十分小さくでき、電子部品１０の取扱い時における変形等を十分防止できる。【選択図】  図２  
2004221572.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機絶縁材料と、前記有機絶縁材料よりも大きい比誘電率を有する誘電体セラミック粉末とを含有する少なくとも１つの複合誘電体層と、
前記複合誘電体層に設けられ、キャパシタ素子又はインダクタ素子を構成する少なくとも１つの導電性素子部とを備える電子部品において、
前記有機絶縁材料が、エポキシ樹脂と、２以上のカルボキシル基を有する化合物及びフェノール性水酸基を有する化合物を反応させてなる活性エステル化合物とを硬化反応させてなる樹脂硬化物を含むことを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記活性エステル化合物が下記一般式(１)で表される芳香族系活性エステル化合物であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【化１】
2004221572.tif 000015
［式中、ｋは２〜４の整数を示し、
Ｒ1は、ハロゲン原子及びアルキル基からなる群より選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよいナフチル基、又は、
ハロゲン原子、アルキル基及びフェニル基（該フェニル基はハロゲン原子及び／又はアルキル基で置換されていてもよい。）からなる群より選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよいフェニル基、を示し、
Ｒ2は、１〜３個の芳香環（該芳香環はハロゲン原子及び／又はアルキル基で置換されていてもよい。）を含む２〜４価の基を示す。
但し、Ｒ2が芳香環を複数含む場合は、当該複数の芳香環は、縮合環を形成しているか、エーテル結合、チオエーテル結合、スルホン結合、カルボニル結合及び単結合からなる群より選ばれる少なくとも１つの結合で結合している。］
【請求項３】
前記誘電体セラミック粉末が、マグネシウム、ケイ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、バリウム、スズ、ネオジウム、ビスマス、リチウム、サマリウム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも１つの金属を含む金属酸化物粉末であって、比誘電率が３．７〜３００であり、Ｑ値が５００〜１００，０００である金属酸化物粉末であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記有機絶縁材料がポリアリレートを更に含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記ポリアリレートは、構造単位Ｘ及び構造単位Ｙから構成された−Ｘ−Ｙ−で表される繰り返し単位が複数反復してなるものであり（複数存在する当該構造単位Ｘ及び構造単位Ｙのそれぞれは、同一でも異なっていてもよい。）、
前記構造単位Ｘは、下記式（２）で表されるフタロイル基、イソフタロイル基又はテレフタロイル基であり（当該フタロイル基、イソフタロイル基及びテレフタロイル基の合計モル数に占めるテレフタロイル基のモル数は、４０モル％未満である。）、
【化２】
2004221572.tif 000016
前記構造単位Ｙは下記一般式（３）で表される２価基であることを特徴とする請求項４に記載の電子部品。
【化３】
2004221572.tif 000017
［式中、Ｒ11及びＲ12は、それぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子、Ｚは、単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、スルホン結合又はカルボニル結合、ｐ及びｑはそれぞれ独立に０〜４の整数、をそれぞれ示す。但し、前記ポリアリレートにおいてＲ11、Ｒ12及びＺが複数存在するときは、Ｒ11、Ｒ12及びＺはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
【請求項６】
前記Ｒ11及び前記Ｒ12がメチル基であり、前記Ｚが単結合であることを特徴とする請求項５に記載の電子部品。
【請求項７】
前記誘電体セラミック粉末が、前記有機絶縁材料１００体積部に対して５〜１８５体積部添加されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項８】
前記樹脂硬化物が、前記エポキシ樹脂と前記活性エステル化合物とを添加剤の存在下に硬化反応させてなり、前記添加剤が、硬化促進剤、表面処理剤、難燃剤及び可撓性付与剤からなる群より選ばれる少なくとも１つの添加剤であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項９】
前記複合誘電体層は、前記有機絶縁材料中に分散される磁性体粉末を更に含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項１０】
前記複合誘電体層は、強化繊維からなるクロスを更に含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項１１】
樹脂を含む少なくとも１つの第１誘電体層と、
樹脂を含む少なくとも１つの第２誘電体層と、
少なくとも１つの導体層とを積層して構成され、
前記第２誘電体層の誘電正接ｔａｎδが０．０１以下であり、
前記第１誘電体層の限界たわみ量が、前記第２誘電体層の１．３倍以上であることを特徴とする多層基板。
【請求項１２】
前記第２誘電体層が、前記樹脂よりも比誘電率の大きいセラミック粉末を更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の多層基板。
【請求項１３】
２つの最外層を有し、前記２つの最外層の少なくとも一方が前記第１誘電体層で構成され、前記２つの最外層の間に前記少なくとも１つの第２誘電体層が配置されていることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の多層基板。
【請求項１４】
前記第１誘電体層のピール強度が、前記第２誘電体層のピール強度の１．５倍以上であることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の多層基板。
【請求項１５】
樹脂を含む２つの第１誘電体層と、
前記２つの第１誘電体層の間に配置され、樹脂を含む少なくとも１つの第２誘電体層と、
少なくとも１つの導体層とを積層して構成され、
前記２つの第１誘電体層の少なくとも一方が最外層を構成し、
前記第２誘電体層の誘電正接ｔａｎδが０．０１以下であり、
前記第１誘電体層のピール強度が、前記第２誘電体層のピール強度の１．５倍以上であることを特徴とする多層基板。
【請求項１６】
前記第１誘電体層のピール強度が８Ｎ／ｃｍ以上であることを特徴とする請求項１４又は１５に記載の多層基板。
【請求項１７】
樹脂を含む少なくとも１つの第１誘電体層と、
樹脂を含む少なくとも１つの第２誘電体層と、
少なくとも１つの導体層とを積層して構成され、
前記第２誘電体層の誘電正接ｔａｎδが０．０１以下であり、
前記第１誘電体層の限界たわみ量が前記第２誘電体層の１．３倍以上であることを特徴とする電子部品。
【請求項１８】
前記第２誘電体層が、前記樹脂よりも比誘電率の大きいセラミック粉末を更に含むことを特徴とする請求項１７に記載の電子部品。
【請求項１９】
２つの最外層を有し、前記２つの最外層の少なくとも一方が前記第１誘電体層で構成され、前記２つの最外層の間に前記少なくとも１つの第２誘電体層が配置されていることを特徴とする請求項１７又は１８に記載の電子部品。
【請求項２０】
前記第１誘電体層のピール強度が、前記第２誘電体層のピール強度の１．５倍以上であることを特徴とする請求項１７〜１９のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項２１】
樹脂を含む２つの第１誘電体層と、
前記２つの第１誘電体層の間に配置され、樹脂を含む少なくとも１つの第２誘電体層と、
少なくとも１つの導体層とを積層して構成され、
前記２つの第１誘電体層の少なくとも一方が最外層を構成し、
前記第２誘電体層の誘電正接ｔａｎδが０．０１以下であり、
前記第１誘電体層のピール強度が、前記第２誘電体層のピール強度の１．５倍以上であることを特徴とする電子部品。
【請求項２２】
前記第１誘電体層のピール強度が８Ｎ／ｃｍ以上であることを特徴とする請求項２０又は２１に記載の電子部品。
【請求項２３】
請求項１１〜１６のいずれか一項に記載の多層基板と、
前記多層基板に設けられる電気素子と、
を備えることを特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及び多層基板に係り、より詳しくは１００ＭＨｚ以上の高周波領域において有用な電子部品及び多層基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信情報の急増に伴い、通信機器の小型化、軽量化が強く望まれており、これに伴って電子部品の小型化、軽量化が望まれている。一方、携帯移動通信、衛星通信においては、ギガＨｚ帯の高周波域の電波が使用されるようになってきている。
【０００３】
上記のような高周波域の電波に対応するためには、電子部品においてエネルギー損失ないし伝送損失が小さいことが必要である。すなわち電子部品においては、誘電損失といわれる伝送過程における伝送損失が生じるが、この伝送損失は、熱エネルギーとして電子部品内で消費され、電子部品における発熱の原因となるため好ましくない。
【０００４】
伝送損失は一般に下記式：
伝送損失＝係数×周波数×（誘電率）1/2×誘電正接
で表されるため、伝送損失を低くするためには、誘電率、誘電正接を小さくする必要がある。
【０００５】
一方、電子部品の小型化、軽量化を図るためには、単位面積あたりの静電容量値をあげて電極面積を小さくする必要がある。
【０００６】
静電容量値は一般的に下記式：
静電容量値＝真空の誘電率×材料の比誘電率×電極面積／絶縁層厚み
で表されるため、静電容量値を高くするには材料の比誘電率を上げる必要がある。
【０００７】
よって、高周波域における伝送損失の低減及び電子部品の小型化、軽量化をすべて達成するためには、誘電率を高くし且つ誘電正接を低くしたバランスの取れた材料が望まれる。
【０００８】
一般に、誘電率が高い材料としては、ポリフッ化ビニリデン、トリフルオロエチレン−テトラフルオロエチレンの共重合体、シアノ基含有ポリマーなどが知られているが、周波数特性、低誘電正接、耐熱性の点で問題があり、電子部品を構成する絶縁材料として使用することに適しているとは言えない。
【０００９】
また誘電率が低い材料としては、ポリオレフィン、塩化ビニル樹脂、フッソ樹脂、シンジオタクティックポリスチレン、芳香族ポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(ＢＴレジン)、架橋性ポリフェニレンオキサイド、硬化性ポリフェニレンオキサイド、ポリビニルベンジルエーテル樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等、さまざまな樹脂が知られているが、これらは上述したように高周波域の電波の使用に対応できないばかりか、耐熱性、薄膜加工性、耐薬品性、絶縁性、低誘電正接、低吸水率等の電子部品に要求される基本的性能をすべて満足するものはないのが現実であり、また上記樹脂のみでは高誘電率で且つ低誘電正接を実現するのは困難であるのが実情である。
【００１０】
そこで、電子部品に要求される基本性能を満足しつつ、複合誘電体層の高誘電率及び低誘電正接を達成するべく、電子部品の複合誘電体層を構成する絶縁材料として、ポリビニルベンジルエーテル化合物に誘電体セラミック粉末を分散したものが知られている（特開２００１−２４７７３３号公報）。
【特許文献１】特開２００１−２４７７３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
前述した従来の公報に記載の複合誘電体層を用いた電子部品は、特性の上で未だ改善の余地を有していた。
【００１２】
即ち、上述した特許文献１の複合誘電体層を用いた電子部品は、高誘電率及び低誘電正接を示すものの、曲げ強度や高温下で使用した時の誘電特性の点で未だ改良の余地を有していた。即ち、前述した従来の電子部品は、取り扱い性や、高温使用時における性能維持については未だ改良の余地が残されていた。
【００１３】
また、上述した特許文献１の複合誘電体層を用いた電子部品においては、複合誘電体層の誘電率や誘電正接（ｔａｎδ）等の電気的特性は良好であるものの、その材料は強度面で優れているわけではない。従って、特許文献１に記載の電子部品には、強度面で未だ改良の余地が残されていた。
【００１４】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、特性を十分に向上させることができる電子部品及び多層基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、本発明者らは、特に電子部品を構成する複合誘電体層の材料に着目して鋭意開発を続けた結果、特定の樹脂硬化物を含む有機絶縁材料に対して誘電体セラミック粉末が添加されることで、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１６】
すなわち本発明は、有機絶縁材料と、前記有機絶縁材料よりも大きい比誘電率を有する誘電体セラミック粉末とを含有する少なくとも１つの複合誘電体層と、前記複合誘電体層に設けられ、キャパシタ素子又はインダクタ素子を構成する少なくとも１つの導電性素子部とを備える電子部品において、前記有機絶縁材料が、エポキシ樹脂と、２以上のカルボキシル基を有する化合物及びフェノール性水酸基を有する化合物を反応させてなる活性エステル化合物とを硬化反応させてなる樹脂硬化物を含むことを特徴とする。また本発明は、有機絶縁材料と、前記有機絶縁材料よりも大きい比誘電率を有する誘電体セラミック粉末とを含有する少なくとも１つの複合誘電体層と、前記複合誘電体層に設けられる少なくとも１つの導電性素子部と、前記導電性素子部に対して電気的に接続される電気素子とを備える電子部品において、前記有機絶縁材料が、エポキシ樹脂と、２以上のカルボキシル基を有する化合物及びフェノール性水酸基を有する化合物を反応させてなる活性エステル化合物とを硬化反応させてなる樹脂硬化物を含むことを特徴としてもよい。なお、本発明の電子部品においては、活性エステル化合物は、フェノール性水酸基を有する化合物と、該フェノール性水酸基と反応してエステル結合を形成する基を２以上有する化合物とを反応させてなるものであってもよい。ここで、フェノール性水酸基と反応してエステル結合を形成する基としてはカルボキシル基やハロホルミル基（クロロホルミル基等）が挙げられる。
【００１７】
この電子部品によれば、誘電体セラミック粉末が、樹脂硬化物を含む有機絶縁材料よりも大きい比誘電率を有し、有機絶縁材料が低い誘電正接を有するため、ギガＨｚの高周波域においても複合誘電体層が高誘電率及び低誘電正接を示す。このため、電子部品における伝送損失が低減され、電子部品の小型化、軽量化が可能となる。また１００℃以上の高温下で長時間使用しても、１００ＭＨｚ以上の高周波域における比誘電率の経時変化を十分に小さくすることができる。更にこの電子部品によれば、曲げ強度が大きくなるため、電子部品の取扱い性が向上し、電子部品の欠損ないし変形等を十分に防止することができる。
【００１８】
上記電子部品における活性エステル化合物が下記一般式(１)で表される芳香族系活性エステル化合物であることが好ましい。
【化４】
2004221572.tif 000003
［式中、ｋは２〜４の整数を示し、Ｒ1は、ハロゲン原子及びアルキル基からなる群より選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよいナフチル基、又は、ハロゲン原子、アルキル基及びフェニル基（該フェニル基はハロゲン原子及び／又はアルキル基で置換されていてもよい。）からなる群より選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよいフェニル基、を示し、Ｒ2は、１〜３個の芳香環（該芳香環はハロゲン原子及び／又はアルキル基で置換されていてもよい。）を含む２〜４価の基を示す。但し、Ｒ2が芳香環を複数含む場合は、当該複数の芳香環は、縮合環を形成しているか、エーテル結合、チオエーテル結合、スルホン結合、カルボニル結合及び単結合からなる群より選ばれる少なくとも１つの結合で結合している。］
【００１９】
活性エステル化合物として上記芳香族系活性エステル化合物を用いることにより、樹脂硬化物のギガＨｚの周波数領域における誘電正接の低減がより顕著となるばかりでなく、芳香環の存在に起因して、樹脂硬化物の耐熱性、ガラス転移温度及び分解開始点温度が更に向上する。
【００２０】
上記電子部品においては、上記誘電体セラミック粉末が、マグネシウム、ケイ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、バリウム、スズ、ネオジウム、ビスマス、リチウム、サマリウム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも１つの金属を含む金属酸化物粉末であって、比誘電率が３．７〜３００であり、Ｑ値が５００〜１００，０００である金属酸化物粉末であることが好ましく、前記誘電体セラミック粉末が、前記有機絶縁材料１００体積部に対して５〜１８５体積部添加されていることが好ましい。なお、上記比誘電率及びＱ値は、ギガＨｚ帯における値であり、本発明において、ギガＨｚ帯とは、１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの周波数帯をいう。
【００２１】
上記電子部品において、上記誘電体セラミック粉末を用いることにより、また、有機絶縁材料に対する誘電体セラミック粉末の添加量を上記範囲内にすることにより、誘電率向上及び誘電正接低減の度合いを向上できる。
【００２２】
前記樹脂硬化物は、前記エポキシ樹脂と前記活性エステル化合物とを添加剤の存在下に硬化反応させてなり、前記添加剤が、硬化促進剤、表面処理剤、難燃剤及び可撓性付与剤からなる群より選ばれる少なくとも１つの添加剤であってもよい。
【００２３】
硬化促進剤はエポキシ樹脂と活性エステル化合物との硬化反応を高速化させる。また表面処理剤の添加により、樹脂硬化物における誘電体セラミック粉末の濡れや界面接着性を向上させることができる。また、難燃剤の添加により難燃性を向上でき、可とう性付与剤の添加により、樹脂硬化物の取扱い性を改良することができるとともに、樹脂硬化物の脆性を改善して靭性を付与できる。
【００２４】
上記電子部品においては、上記有機絶縁材料がポリアリレートを更に含むことが好ましい。この場合、Ｂステージ状態での可とう性及び屈曲性が上昇し、ハンドリング性が良好となる。
【００２５】
また上記ポリアリレートが、構造単位Ｘ及び構造単位Ｙから構成された−Ｘ−Ｙ−で表される繰り返し単位が複数反復してなるものであり（複数存在する当該構造単位Ｘ及び構造単位Ｙのそれぞれは、同一でも異なっていてもよい。）、前記構造単位Ｘは、下記式（２）で表されるフタロイル基、イソフタロイル基又はテレフタロイル基であり（当該フタロイル基、イソフタロイル基及びテレフタロイル基の合計モル数に占めるテレフタロイル基のモル数は、４０モル％未満である。）、
【化５】
2004221572.tif 000004
【００２６】
前記構造単位Ｙは下記一般式（３）で表される２価基であることが好ましい。
【化６】
2004221572.tif 000005
［式中、Ｒ11及びＲ12は、それぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子、Ｚは、単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、スルホン結合又はカルボニル結合、ｐ及びｑはそれぞれ独立に０〜４の整数、をそれぞれ示す。但し、前記ポリアリレートにおいてＲ11、Ｒ12及びＺが複数存在するときは、Ｒ11、Ｒ12及びＺはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
【００２７】
ポリアリレートが上記構成とされることにより、上記構成以外の構成を有するポリアリレートに比べて、プリプレグに靭性を付加できハンドリング性が向上する。
【００２８】
上記一般式（３）において、前記Ｒ11及び前記Ｒ12がメチル基であり、前記Ｚが単結合であることが好ましい。
【００２９】
この場合、特にプリプレグに靭性を付加できハンドリング性が向上する。
【００３０】
前記複合誘電体層は、前記有機絶縁材料中に分散される磁性体粉末を更に含むことが好ましい。
【００３１】
この場合、磁性体粉末により、複合誘電体層に磁気特性を付加でき、線膨張係数が低減され、材料強度が向上する。
【００３２】
前記複合誘電体層は、強化繊維からなるクロスを更に含むことが好ましい。
【００３３】
この場合、強化繊維からなるクロスにより、複合誘電体層の曲げ強度が増強される。従って、電子部品の変形や欠損等が十分に防止される。
【００３４】
また、本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、多層基板及び電子部品を以下の構成とすることによっても上記課題を解決しうることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００３５】
即ち、本発明は、樹脂を含む少なくとも１つの第１誘電体層と、樹脂を含む少なくとも１つの第２誘電体層と、少なくとも１つの導体層とを積層して構成され、前記第２誘電体層の誘電正接ｔａｎδが０．０１以下であり、前記第１誘電体層の限界たわみ量が、前記第２誘電体層の１．３倍以上であることを特徴とする多層基板及び電子部品である。
【００３６】
この多層基板及び電子部品によれば、第１誘電体層の限界たわみ量が第２誘電体層の１．３倍以上となっており、第２誘電体層の誘電正接ｔａｎδが０．０１以下となっている。即ち本発明の多層基板及び電子部品は、機械的強度に優れた誘電体層と、電気的特性に優れた誘電体層とを含む。このため、製品化後において過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら多層基板又は電子部品における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。
【００３７】
上記第２誘電体層が、上記樹脂よりも誘電率の大きいセラミック粉末を更に含んでもよい。この場合、誘電率の小さい樹脂を用いる場合でも、良好な電気的特性を維持することが可能となる。
【００３８】
上記多層基板及び電子部品は２つの最外層を有し、前記２つの最外層の少なくとも一方が前記第１誘電体層で構成され、前記２つの最外層の間に前記少なくとも１つの第２誘電体層が配置されていることが好ましい。この場合、多層基板及び電子部品に過大な負荷が加えられても、多層基板又は電子部品における欠損の発生をより十分に防止することが可能となる。
【００３９】
上記多層基板及び電子部品においては、前記第１誘電体層のピール強度が、前記第２誘電体層のピール強度の１．５倍以上であることが好ましい。この場合、製品化後において過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら多層基板又は電子部品における欠損の発生をより十分に防止することが可能となる。
【００４０】
また本発明は、樹脂を含む２つの第１誘電体層と、前記２つの第１誘電体層の間に配置され、樹脂を含む少なくとも１つの第２誘電体層と、少なくとも１つの導体層とを積層して構成され、前記２つの第１誘電体層の少なくとも一方が最外層を構成し、前記第２誘電体層の誘電正接ｔａｎδが０．０１以下であり、前記第１誘電体層のピール強度が、前記第２誘電体層のピール強度の１．５倍以上であることを特徴とする多層基板及び電子部品である。これら多層基板及び電子部品によれば、ピール強度が、前記第２誘電体層のピール強度の１．５倍以上となっており、第２誘電体層の誘電正接ｔａｎδが０．０１以下となっている。即ち本発明の多層基板及び電子部品は、機械的強度に優れた誘電体層と、電気的特性に優れた誘電体層とを含む。このため、製品化後において過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら多層基板又は電子部品における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。
【００４１】
上記多層基板及び電子部品においては、上記第１誘電体層のピール強度は８Ｎ／ｃｍ以上であることが好ましい。この場合、第１誘電体層のピール強度が８Ｎ／ｃｍ未満である場合に比べて、実装する受動素子及び能動素子の固着強度及び引き剥がし強度や、多層基板及び電子部品の電極強度がより向上する。
【００４２】
また本発明は、上述した多層基板と、多層基板に設けられる電気素子とを備えることを特徴とする電子部品である。この場合でも、多層基板が、機械的強度に優れた誘電体層と、電気的特性に優れた誘電体層とを含むため、製品化後において電子部品に過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら多層基板又は電子部品における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。
なお、本発明の多層基板及び電子部品において、限界たわみ量とは、縦１００ｍｍ、横７５ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの矩形平板状の第１誘電体層又は第２誘電体層に厚さ１２μｍのＣｕ箔を積層したものを加重によりたわませたときに、第１誘電体層又は第２誘電体層が破壊するか、又は第１誘電体層又は第２誘電体層に欠損（クラック）が発生するときのたわみ量のことを言うものとし、たわみ量は３点曲げによる測定（ＪＩＳ  Ｃ６４８１に記載の曲げ強さの試験方法に準拠した測定）によって得られるたわみ量のことを言う。また、ピール強度とは、ＪＩＳ  Ｃ６４８１で定義される引き剥がし強さを言うものとする。
【発明の効果】
【００４３】
本発明の電子部品によれば、電子部品の特性を十分に向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００４５】
本発明の電子部品は、有機絶縁材料と、有機絶縁材料よりも大きい誘電率を有する誘電体セラミック粉末とを含有する少なくとも１の複合誘電体層と、複合誘電体層に設けられ、キャパシタ素子又はインダクタ素子を構成する少なくとも１つの導電性素子部とを備えており、上記有機絶縁材料が、エポキシ樹脂と、２以上のカルボキシル基を有する化合物及びフェノール性水酸基を有する化合物を反応させてなる活性エステル化合物とを硬化反応させてなる樹脂硬化物を含むものである。
【００４６】
この電子部品によれば、誘電体セラミック粉末が、樹脂硬化物を含む有機絶縁材料よりも大きい比誘電率を有し、有機絶縁材料が低い誘電正接を有するため、ギガＨｚの高周波域においても複合誘電体層が高誘電率及び低誘電正接を示す。このため、電子部品における伝送損失が低減され、電子部品の小型化、軽量化が可能となる。また１００℃以上の高温下で長時間使用しても、１００ＭＨｚ以上の高周波域における比誘電率の経時変化を十分に小さくすることができる。更にこの電子部品によれば、曲げ強度が大きくなるため、電子部品の取扱い性が向上し、電子部品の欠損ないし変形等を十分に防止することができる。また本発明の電子部品によれば、高温使用時の誘電特性も向上し得る。言い換えると、本発明の電子部品によれば、その特性を十分に向上させることができる。
【００４７】
まず上述した複合誘電体層について説明する。
【００４８】
複合誘電体層は、樹脂硬化物を含む有機絶縁材料を含有しており、樹脂硬化物は、エポキシ樹脂と、活性エステル化合物とを硬化反応させてなるものである。
【００４９】
エポキシ樹脂は、エポキシ基を１以上有した化合物であればよいが、分子量及び架橋度の観点からはエポキシ基を２以上有した化合物が好ましい。
【００５０】
エポキシ樹脂としては、例えばクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトール変性ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェニル型エポキシ樹脂などのフェノール系グルシジルエーテル型エポキシ樹脂、ポリプロピレングリコールグルシジルエーテル型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂などのアルコール系グルシジルエーテル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格を有するジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシベンゾピラン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシジナフタレン型エポキシ樹脂、ヘキサヒドロ無水フタル酸やダイマー酸などを原料としたグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ジアミノフェニルメタンなどのポリアミンを原料としたグリシジルアミン型エポキシ樹脂、脂環式型エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５１】
上記活性エステル化合物は、２以上のカルボキシル基を有する化合物と、フェノール性水酸基を有する化合物とを反応させてなるものである。
【００５２】
活性エステル化合物は、上記一般式（１）で表される芳香族系活性エステル化合物が好ましい。そして、一般式（１）におけるＲ1としては、以下の基のいずれかが特に好適である。なお、以下の基において、Ａ及びＢは、それぞれ独立にハロゲン原子又はアルキル基を示し、ｍ1は０〜５の整数、ｍ2は０〜４の整数、ｍ3は０〜３の整数、をそれぞれ示す。
【化７】
2004221572.tif 000006
【００５３】
一般式（１）においてｋが２である場合は、Ｒ2は以下の基のいずれかが特に好適である。
【化８】
2004221572.tif 000007
【００５４】
また、一般式（１）においてｋが３である場合は、Ｒ2は以下の基が好ましく、
【化９】
2004221572.tif 000008
【００５５】
ｋが４である場合は、Ｒ2は以下の基のいずれかが好ましい。
【化１０】
2004221572.tif 000009
【００５６】
上記式中Ｄ、Ｅ及びＧは、それぞれ独立にハロゲン原子又はアルキル基を示し、Ｔはエーテル結合（−Ｏ−）、チオエーテル結合（−Ｓ−）、スルホン結合（−ＳＯ2−）又はカルボニル結合（−ＣＯ−）を示す。また、ｎ1、ｎ2及びｎ3はそれぞれ独立に０〜４の整数、ｎ4及びｎ5はそれぞれ独立に０〜３の整数、ｎ6は０〜２の整数、をそれぞれ示す。
【００５７】
上記２以上のカルボキシル基を有する化合物（以下、「多価カルボン酸」と言う）としては、例えば脂肪族系カルボン酸及び芳香族系カルボン酸が挙げられる。脂肪族系カルボン酸は、上記エポキシ樹脂との混合時における相溶性を増すために用いられるものであり、芳香族系カルボン酸は、主として複合誘電体層の耐熱性を増すために用いられるものである。
【００５８】
脂肪族系カルボン酸としては、例えばマロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸、アコニット酸、トリカルバリル酸、１,２，３，４−ブタンテトラカルボン酸、４−メチル−４−シクロヘキセン、１,２−ジカルボン酸、１,２，３,４−シクロペンタンテトラカルボン酸、５−(２,５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラニル)−３−メチルシクロヘキセン−１,２−ジカルボン酸無水物等の飽和又は不飽和の脂肪族多価カルボン酸、その無水物又は塩化物が用いられる。
【００５９】
また芳香族系カルボン酸としては、例えば安息香酸、メチル安息香酸、ジメチル安息香酸、トリメチル安息香酸などの安息香酸類、１−ナフトエ酸、２−ナフトエ酸などのナフトエ酸類、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸などのべンゼンジカルボン酸あるいはその酸無水物又は酸塩化物、トリメリット酸、トリメシン酸などのトリカルボン酸あるいはその酸無水物又は酸塩化物、ピロメリット酸や３，３'，４，４'−ビフェニレンテトラカルボン酸などのテトラカルボン酸あるいはその酸無水物、１,４−ナフタレンジカルボン酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、２,３−ナフタレンジカルボン酸などのナフタレンジカルボン酸あるいはその酸無水物、３,３'，４，４−ベンゾフェノンテトラカルボン酸あるいはその酸無水物等が挙げられる。
【００６０】
またフェノール牲水酸基を有する化合物（以下、「フェノール系化合物」と言う）としては、例えばフェノール、クレゾール、キシレノールなどのフェノール類、ヒドロキノン、レゾルシン、カテコール、メチルヒドロキノンなどのベンゼンジオール類、フロログルシンなどのべンゼントリオール類、α−ナフトール、β−ナフトールなどのナフトール類、ナフタレンジオール類、ｏ−フェニルフェノール、２,２'−ジヒドロキシビフェニルや２，２'，４，４'−テトラメチルビフェノールなどのビフェノール類、２，２'，４，４−テトラヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。
【００６１】
上記活性エステル化合物の合成法としては、無水酢酸法、界面法、直接法等の従来公知の合成法が適用可能である。例えば、無水酢酸法では、フェノール系化合物を、例えば過剰の無水酢酸によりアセチル化した後、多価カルボン酸と脱酢酸反応を行うことにより、活性エステル化合物を得ることができる。このとき、無水酢酸は、十分なアセチル化を行うべく、フェノール性水酸基と等モル以上使用することが好ましい。
【００６２】
界面法では、多価カルボン酸の酸塩化物を含む有機相と、フェノール系化合物を含む水相とを接触させて活性エステル化合物を得ることができる。有機相に用いる溶媒としては、多価カルボン酸の酸塩化物を溶解せしめる非水溶性の溶媒が用いられ、かかる非水溶性の溶媒としては、例えばトルエン、ヘキサン等が好ましい。
【００６３】
上記エポキシ樹脂に対する上記活性エステル化合物の添加量は、エポキシ樹脂のエポキシ当量に対しエステル当量が０．３〜４．０倍当量となる量であることが好ましく、０．８〜３．０倍当量となる量であることがより好ましい。エステル当量が０．３倍当量未満では、エポキシ樹脂の硬化が不十分となる傾向があり、４．０倍当量を超えると、誘電率の十分低い樹脂硬化物を得ることが困難となる傾向がある。
【００６４】
上記樹脂硬化物は、エポキシ樹脂と活性エステル化合物とを添加剤の存在下に硬化反応させてなるものであってもよい。
【００６５】
添加剤は、硬化促進剤、表面処理剤、難燃剤及び可撓性付与剤からなる群より選ばれる少なくとも１つの添加剤である。
【００６６】
上記硬化促進剤は、エポキシ樹脂と活性エステル化合物との硬化反応を促進し得るものであれば特に制限されず、かかる硬化促進剤としては、主としてエポキシ樹脂の硬化時に使用される一般的な硬化促進剤を用いることができる。
【００６７】
すなわちこの硬化促進剤としては、例えば２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール化合物、トルフェニルホスフィン、トリブチルホスフィンなどの有機ホスフィン化合物、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイトなどの有機ホスファイト化合物、エチルトリフェニルホスホニウムブロミド、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどのホスホニウム塩、トリエチルアミン、トルブチルアミンなどのトリアルキルアミン、１，８−ジアザシクロ(５,４,０)−ウンデセン−７(以下、「ＤＢＵ」と略称する)などのアミン類及びＤＢＵとテレフタル酸や２，６−ナフタレンカルボン酸との塩、テトラエチルアンモニウムクロリド、テトラプロピルアンモニウムクロリド、テトラブチルアンモニウムクロリド、テトラブチルアンモニウムブロミド、テトラヘキシルアンモニウムブロミド、ベンジルトルメチルアンモニウムクロリドなどの第４級アンモニウム塩、３−フェニル−１,１−ジメチル尿素、３−(４−メチルフェニル)−１，１−ジメチル尿素、３−(４−クロロフェニル)−１，１−ジメチル尿素、３−(３，４−ジクロロフェニル)−ジメチル尿素などの尿素化合物、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの塩基類、カリウムフェノキシドやカリウムアセテートなどのクラウンエーテルの塩等が挙げられ、これらを単独でもしくは２種以上の混合物として用いることができる。
【００６８】
硬化促進剤の添加量は、エポキシ樹脂及び活性エステル化合物の合計１００重量部に対して０.００５〜１０.０重量部であることが好ましい。０.００５重量部未満では硬化反応が遅くなる傾向があり、１０.０重量部を超えると保存安定性が低下し、さらにはエポキシ樹脂の自己重合が優先される傾向がある。
【００６９】
上記難燃剤は、必要とされる難燃性に応じて添加する。難燃剤には、大きく分けて反応系難燃剤と添加系難燃剤の二種類がある。反応系難燃剤の主剤としては、臭素化ビスフェノール型エポキシ樹脂、臭素化フェノール樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などが挙げられ、硬化剤としては、クロレンド酸無水物、テトラブロモ無水フタル酸などが挙げられる。また添加系難燃剤としては、ハロゲン化リン酸エステル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロゲン系難燃剤；リン酸エステルアミド等のリン酸系難燃剤；チッソ系難燃剤；金属塩系難燃剤；水和金属系難燃剤；三酸化アンチモン、水素化アルミニウム等の無機系難燃剤等が挙げられる。上記難燃剤は１種類、もしくは２種類以上を混合してもよい。
【００７０】
また難燃剤の添加量は、樹脂組成物１００重量部に対して５〜５０重量部の範囲で添加することが好ましい。これは、ポリアリレート、誘電体セラミック粉末はそれ自体難燃性を有するか、あるいは難燃効果を発現する材料であり、ポリアリレート、誘電体セラミック粉末の配合が多い場合は難燃剤の添加量は少なくてもよく、少ない場合は添加量を多くすれば良い。また添加量は、必要とされる難燃性（例えばＵＬ９４の５Ｖ、Ｖ−０、Ｖ−１、Ｖ−２、ＨＢクラス及び取得したい厚み)に応じて決定すればよい。
【００７１】
上記可撓性付与剤は、複合誘電体層に靭性を付与することが可能であり、また複合誘電体層が、強化繊維を含むプリプレグである場合、そのハンドリング性が向上する。
【００７２】
上記可撓性付与剤としては、例えばダイマー酸変性等の指環式エポキシ樹脂、エポキシ化ポリブタジエン、ポリブタジエン、水添ポリブタジエン、ゴム変性エポキシ樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマーなどが挙げられるが、可撓性付与剤はこれらに限定されるものではない。
【００７３】
上記表面処理剤は、誘電体セラミック粉末と有機絶縁材料との密着性を高め、吸水性を低減するものである。
【００７４】
このような表面処理剤としては、例えばクロロシラン系カップリング剤、アルコキシシラン系カップリング剤、有機官能性シラン系カップリング剤、シラザン系シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤などが挙げられる。使用する表面処理剤は、必要とされる特性に応じて単独で、あるいは２種類以上を混合してもよい。
【００７５】
電子部品においては、リフロー等の耐熱性が要求されるため、表面処理剤は、有機官能性シラン系カップリング剤、アルコキシシラン系カップリング剤であることが好ましい。
【００７６】
表面処理剤の添加量は、誘電体セラミック粉末１００重量部に対して０.１〜５重量部の範囲内で適宜選択すればよい。添加量の選択は、使用する誘電体セラミック粉末の粒径、形状、添加する表面処理剤の種類により決定される。表面処理方法としては、例えば乾式法、湿式法、スプレー法、インテグラルブレンド法などが挙げられるが、必要に応じて選択すればよい。
【００７７】
また有機絶縁材料は、上述した樹脂硬化物のほか、ポリアリレートを更に含むことが好ましい。この場合、Ｂステージ状態での可とう性及び屈曲性が上昇し、ハンドリング性が良好となる。
【００７８】
上記ポリアリレートは、構造単位Ｘ及び構造単位Ｙから構成された−Ｘ−Ｙ−で表される繰り返し単位が複数反復してなるものであり（複数存在する当該構造単位Ｘ及び構造単位Ｙのそれぞれは、同一でも異なっていてもよい。）、前記構造単位Ｘは、下記式（２）で表されるフタロイル基、イソフタロイル基又はテレフタロイル基であり（当該フタロイル基、イソフタロイル基及びテレフタロイル基の合計モル数に占めるテレフタロイル基のモル数は、４０モル％未満である。）、
【化１１】
2004221572.tif 000010
【００７９】
前記構造単位Ｙは下記一般式（３）で表される２価基であることが好ましい。
【化１２】
2004221572.tif 000011
［式中、Ｒ11及びＲ12は、それぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子、Ｚは、単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、スルホン結合又はカルボニル結合、ｐ及びｑはそれぞれ独立に０〜４の整数、をそれぞれ示す。但し、前記ポリアリレートにおいてＲ11、Ｒ12及びＺが複数存在するときは、Ｒ11、Ｒ12及びＺはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
【００８０】
ポリアリレートが上記構成とされることにより、上記構成以外の構成を有するポリアリレートに比べて、プリプレグに靭性を付加できハンドリング性が向上する。
【００８１】
上記一般式（３）において、前記Ｒ11及び前記Ｒ12がメチル基であり、前記Ｚが単結合であることが好ましい。
【００８２】
この場合、特にプリプレグに靭性を付加できハンドリング性が向上する。
【００８３】
上記ポリアリレートの合成法としては、界面重合法、溶液重合法が適用できるが、中でも純度が高く誘電正接が低いポリアリレートが短時間で得られることから、界面重合法が好ましい。
【００８４】
界面重合法では、フタル酸、イソフタル酸及びテレフタル酸からなる群より選ばれる１種以上のジカルボン酸のハロゲン化物を、有機溶剤溶液及び下記一般式（３ａ）で示される２価フェノール化合物のフェノラートイオンと接触させ、界面重縮合を生じせしめポリアリレートを得ることが好ましい。なお、一般式（３ａ）中のＲ11、Ｒ12、Ｚ、ｐ及びｑについては上記と同義である。また、上記反応において、ジカルボン酸ハロゲン化物中のテレフタル酸ハロゲン化物の割合は４０モル％以下でなければならない。
【化１３】
2004221572.tif 000012
【００８５】
上記反応は、ジカルボン酸ハロゲン化物をトルエンや塩化メチレン等の有機溶剤に溶解させ、上述の２価フェノールをアルカリ金属の水溶液に各々０．１〜２モル／Ｌの節囲で溶解させ、これら２液を接触させることにより、ジカルボン酸ハロゲン化物と、２価フェノールを界面重合させることがより好ましい。
【００８６】
この場合において、有機溶剤に相間移動触媒を添加すると反応が促進されるため好適である。相間移動触媒としては、塩化メチルトリオクチルアンモニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム等のアンモニウム塩、臭化テトラブチルホスホニウム等のホスホニウム塩が挙げられる。
【００８７】
界面重合を行う場合には用いる水の酸素を予め除去しておくことが好ましい。酸素の除去により得られるポリアリレートの着色が抑制できる。
【００８８】
また、反応系には界面活性剤を添加することも可能である。重縮合反応方式はバッチ式でも連続式でもよく、反応温度は、−５〜１００℃の温度であって有機溶剤の沸点を超えない温度が好ましく、０〜８０℃が特に好ましい。
【００８９】
また有機絶縁材料が上記ポリアリレートを含む場合は、ポリアリレートの添加量は、上記エポキシ樹脂及び活性エステル化合物の総量１００重量部に対し５〜７０重量部とすればよい。ポリアリレートの添加量が５重量部未満では、電子部品の製造効率が低下する傾向があり、７０重量部を超えると、複合誘電体層の導電性金属に対する密着性が低下し、長期間の使用により導電性金属が複合誘電体層から剥離し、電子部品の性能が変動するおそれがある。
【００９０】
本発明に用いる複合誘電体層は、上述した有機絶縁材料中に分散される誘電体セラミック粉末を含有する。この誘電体セラミック粉末としては、１００ＭＨｚ以上の高周波領域において有機絶縁材料よりも大きい比誘電率及びＱ値を有するものが用いられる。
【００９１】
上記誘電体セラミック粉末は、マグネシウム、ケイ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、バリウム、スズ、ネオジウム、ビスマス、リチウム、サマリウム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも１つの金属を含む金属酸化物粉末であって、比誘電率が３．７〜３００であり、Ｑ値が５００〜１００，０００である金属酸化物粉末であることが好ましい。
【００９２】
金属酸化物粉末の比誘電率が３．７未満である場合は、複合誘電体層の比誘電率を高くすることができず、電子部品の小型化、軽量化が困難となる傾向がある。金属酸化物粉末の比誘電率が３００を超えるか、Ｑ値が５００未満である場合、使用時に電子部品が過剰に発熱すると共に、伝送損失が低下する傾向がある。なお、上記誘電体セラミック粉末は通常、単結晶や多結晶で構成される。
【００９３】
上記誘電体セラミック粉末の具体例としては、下記成分を主成分とするものが挙げられる。
【００９４】
すなわちＭｇ2ＳｉＯ4[ε＝７、Ｑ＝２００００]、Ａｌ2Ｏ3[ε＝９.８、Ｑ＝４００００]、ＭｇＴｉＯ3[ε＝１７、Ｑ＝２２０００]、ＺｎＴｉＯ3[ε＝２６、Ｑ＝８００]、Ｚｎ2ＴｉＯ4[ε＝１５、Ｑ＝７００]、ＴｉＯ2[ε＝１０４、Ｑ＝１５０００]、ＣａＴｉＯ3[ε＝１７０、Ｑ＝１８００]、ＳｒＴｉＯ3[ε＝２５５、Ｑ＝７００]、ＳｒＺｒＯ3[ε＝３０、Ｑ＝１２００]、ＢａＴｉ2Ｏ5[ε＝４２・Ｑ＝５７００]、ＢａＴｉ4Ｏ9[ε＝３８、Ｑ＝９０００]、Ｂａ2Ｔｉ9Ｏ20[ε＝３９、Ｑ＝９０００]、Ｂａ2(Ｔｉ,Ｓｎ)9Ｏ20[ε＝３７、Ｑ＝５０００]、ＺｒＴｉＯ4[ε＝３９、Ｑ＝７０００]、(Ｚｒ，Ｓｎ)ＴｉＯ4[ε＝３８、Ｑ＝７０００]、ＢａＮｄ2Ｔｉ5Ｏ14[ε＝８３、Ｑ＝２１００]、ＢａＮｄ2Ｔｉ4Ｏ12[ε＝９２、Ｑ＝１７００]、ＢａＳｍ2ＴｉＯ14[ε＝７４、Ｑ＝２４００]、ＢａＯ−ＣａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2[ε＝９０、Ｑ＝２２００]、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2[ε＝９０、Ｑ＝１７００]、ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3、ＭｇＯ−ＴｉＯ2、ＭｇＯ−ＳｉＯ2[ε＝６．１、Ｑ＝５０００]、ＺｎＯ−ＴｉＯ2[ε＝２６、Ｑ＝８４０]、Ｂｉ2Ｏ3−ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2[ε＝８８、Ｑ＝２０００]、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3-ＴｉＯ2[ε＝９０、Ｑ＝５２００]、(Ｂｉ2Ｏ3、ＰｂＯ)−ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2[ε＝１０５、Ｑ＝２５００]、Ｌａ2Ｔｉ2Ｏ7[ε＝４４、Ｑ＝４０００]、Ｎｄ2Ｔｉ2Ｏ7[ε＝３７、Ｑ＝１１００]、(Ｌｉ，Ｓｍ)ＴｉＯ3[ε＝８１、Ｑ＝２０５０]、Ｂａ(Ｍｇ1/3Ｔａ2/3)Ｏ3[ε＝２５、Ｑ＝３５０００]、Ｂａ(Ｚｎ1/3Ｔａ2/3)Ｏ3[ε＝３０、Ｑ＝１４０００]、Ｂａ(Ｚｎ1/3，Ｎｂ2/3)Ｏ3[ε＝４１、Ｑ＝９２００]、Ｓｒ(Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3)Ｏ3[ε＝４０、Ｑ＝４０００]、ＢａＴｉＯ3(ε＝１５００、Ｑ＝１００)、（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ3(ε＝６０００)、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3(ε＝９０００)又は、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3(ε＝７０００)。
【００９５】
上記誘電体セラミック粉末のうち、Ｑが高く且つεが樹脂よりも大きいという理由から、ＴｉＯ2、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2、ＢａＯ−ＣａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2、ＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2、ＢａＴｉ4Ｏ9、Ｂａ2Ｔｉ9Ｏ20、Ｂａ2(Ｔｉ,Ｓｎ)9Ｏ20、ＭｇＯ−ＴｉＯ2、ＺｎＯ−ＴｉＯ2、ＭｇＯ−ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3の成分を主成分とするものが好ましい。上記成分を主成分とする誘電体セラミック粉末は単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【００９６】
上記誘電体セラミック粉末の平均粒径は、０．０１〜１００μｍの範囲内にあることが好ましく、０．２〜２０μｍの範囲内にあることがさらに好ましい。平均粒径が０．０１μｍ未満では、ワニス粘度の増加、樹脂組成物の流動性の低下を起こし、接着性能が発現しなくなるおそれがあり、１００μｍを超えるとプリプレグ作製時に誘電体セラミック粉末が沈降するおそれがある。
【００９７】
また誘電体セラミック粉末の添加量は、有機絶縁材料１００体積部に対して５〜１８５体積部の範囲とすることが好ましく、この範囲内で、必要とされる誘電率及び誘電正接に応じて適切な量を選択すればよい。誘電体セラミック粉末の添加量が５体積部未満では、誘電体セラミック粉末により誘電率を増加させることが困難となる傾向があり、１８５体積部を超えると、複合誘電体層の導電性金属に対する密着性が低下し、長期間の使用により導電性金属が複合誘電体層から剥離し、電子部品の性能が変動するおそれがある。
【００９８】
また本発明に用いる複合誘電体層は、上記誘電体セラミック粉末に加えて、更に磁性体粉末を含有することが好ましい。この磁性体粉末により、複合誘電体層に磁気特性を付加し、線膨張係数を低減し、材料強度を向上させることができる。
【００９９】
上記磁性体粉末としては、Ｍｎ−ＭｇＺｎ、Ｎｉ−Ｚｎ、Ｍｎ−Ｍｇ、プラナ材等のフェライトもしくはカルボニル鉄、鉄−シリコン系合金、鉄−アルミ−珪素系合金、鉄−ニッケル系合金、アモルファス系の強磁性金属が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１００】
上記磁性体粉末の平均粒径は、０.０１〜１００μｍの範囲内にあることが好ましく、０.２〜２０μｍの範囲内にあることがさらに好ましい。磁性体粉末の平均粒径が０．０１μｍ未満では、樹脂の混練がしにくくなる傾向があり、１００μｍを超えると、均一な分散を行うことができなくなる傾向がある。
【０１０１】
また磁性体粉末の添加量は、有機絶縁材料１００体積部に対して５〜１８５体積部の範囲とすることが好ましく、この範囲内で適切な量を選択すればよい。５体積部未満では、粉末添加の効果が表れない傾向があり、１８５重量部を超えると、流動性が悪くなる。
【０１０２】
また上記複合誘電体層は、強化繊維からなるクロスを更に含むことが好ましい。この場合、強化繊維からなるクロスにより複合誘電体層の機械強度が増強され、電子部品の欠損又は変形等が十分に防止される。
【０１０３】
上記強化繊維の材質は、Ｅガラス、Ｄガラス、ＮＥガラス、Ｈガラス、Ｔガラス又はアラミド繊維のいずれかであることが好ましい。これらのうち、ＮＥガラスは低誘電正接であり、Ｈガラスは高誘電率を有し、Ｅガラスは、コストとのバランスが取れる。従って、要求する特性に応じて、適宜使い分ければよい。
【０１０４】
クロスの厚さは、２０〜３００μｍであることが好ましく、必要とする厚さ、特性に応じて適宜使い分ければよい。
【０１０５】
クロスの具体例としては、１０１（厚さ２０μｍ）、１０６（厚さ３０μｍ）、１０８０（厚さ５０μｍ)、２１１６(厚さ１００μｍ)、７６２８（厚さ２００μｍ）などが挙げられる。
【０１０６】
またクロスの表面には、必要に応じて開繊、閉塞等の処理を施してもよく、さらにはクロス表面に、樹脂との密着力を高めるためにカップリング剤等による表面処理を施しても良い。
【０１０７】
本発明の電子部品は、上記複合誘電体層に設けられる少なくとも１つの導電性素子部を有している。導電性素子部は、キャパシタ素子又はインダクタ素子を構成するものであり、複合誘電体層において、導電性素子部は１つに限らず、複数あってもよい。複合誘電体層に複数又は複数種類の導電性素子部を設けることにより、電子部品に種々の機能を付与することが可能である。具体的には、導電性素子部は、複合誘電体層に形成される金属箔等で構成される。
【０１０８】
上記金属箔としては、銅、ニッケル、クロム、金、銀、錫、ニッケル−クロム合金等が挙げられるが、安価、入手の容易性という理由から、銅が好ましい。金属箔の厚さは１〜７０μｍであることが好ましい。金属箔の作製方法は、電解、圧延、スパッタ、蒸着のいずれの方法であってもよく、要求される厚さ、特性によって適宜選択すればよい。
【０１０９】
本発明において、電子部品の基礎となるプリプレグを得るには、所定の配合としたエポキシ樹脂、活性エステル化合物、ポリアリレート、及び誘電体セラミック粉末、磁性体粉末を含む樹脂組成物を溶剤に混練してスラリー化したペーストを塗工し、乾燥して半硬化の状態とすればよい。ここで、「半硬化」とは、エポキシ樹脂と活性エステル化合物との反応が一部進行しているものの、示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いた場合に、上記反応に伴う熱の収支が観察される状態をいい、かかる状態は、例えば、プリプレグを硬化温度で短時間加熱することにより到達される。一方、プリプレグを硬化させることにより上記反応を完了させることができ、この場合には、反応に伴う熱の収支がＤＳＣで観察されない。この際に用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ジメチルアセトアミド、ジオキソラン等の揮発性溶剤が挙げられる。かかる溶剤は、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及びポリアリレートを液状化すると共に、ペーストの粘度調整するために用いられる。混練は、ボールミル、攪拌機等の公知の方法により行うことができる。
【０１１０】
上述したプリプレグ及びプリプレグを完全に硬化させて構成されるシート状硬化物（基板）の作製方法としては、下記２つの方法が挙げられる。
（方式１）
【０１１１】
スラリー化したペーストを強化繊維からなるクロスに含浸塗工した後、乾燥して半硬化の状態とし、クロス入りプリプレグを得る。この際に塗工するペーストの厚さは、クロスに対して片側５〜５０μｍとすることが好ましい。５μｍ未満では、プリプレグとしての流動性を確保することが困難となる傾向があり、５０μｍを超えると、ペーストのだれ等が生じやすくなり、厚さ、付着重量等にバラツキが大きくなる。乾燥条件は、使用する溶剤、塗工する厚さによって適時条件を定めればよいが、５０℃〜１５０℃程度で１〜６０分程度の範囲から選択すればよく、必要に応じて温度を何段階かに分けるステップ乾燥を行ってもよい。
【０１１２】
シート状硬化物を得るには、高温真空プレスを用いてプリプレグを加熱及び加圧することが一般的であり、温度及び加熱時間は、１５０〜２５０℃の間で０．５〜２０時間の時間とすればよい。減圧は必要に応じて行うが、３０Ｔｏｒｒ以下で行うことが好ましい。なお、この際にシート状硬化物の片面又は両面金属箔をつけた積層体を得ようとする場合は、高温真空プレスの際にプリプレグの上下に金属箔を置いて加熱、加圧プレスすればよい。
（方式２）
【０１１３】
スラリー化したペーストを金属箔若しくはＰＥＴ、ＰＩ、ＰＰＳ、ＬＣＰ等のフィルム上にドクターブレード制御による方式、スプレー方式、カーテンコート方式、スピンコート方式、スクリーン印刷方式など公知の方法のいずれかを用いて塗工すればプリプレグを得ることができる。必要とされる厚さ、精度、材料供給形態（例えばロールによる供給か、シートによる供給か）に応じて適時選択すればよい。
【０１１４】
この際に塗工されるペーストの厚さは、乾燥後で５〜１００μｍの範囲内とすればよく、さらに詳しくは、誘電体セラミック粉末の最大粒径の２倍以上の厚さとすればよい。誘電体セラミック粉末の最大粒径の２倍未満では、塗工の際のペーストの塗工性、平滑性やその硬化物の絶縁性に問題が生じるおそれがあり、厚さが１００μｍを超えると、残存する溶剤を除去する乾燥条件出しが困難となる傾向がある。
【０１１５】
但し、この場合は薄い厚さのペーストを重ね塗りしてもよい。乾燥条件は材料組成、得たい厚み、使用する溶剤によって適時条件を定めればよいが、５０〜１５０℃程度の温度で１〜６０分程度の時間、乾燥させればよく、必要に応じて温度を何段階かに分けて変化させるステップ乾燥を行ってもよい。
【０１１６】
こうして得られた半硬化接着シート（上下に金属箔が必要な場合は金属箔に塗工した半硬化接着シート、上下に金属箔が不要な場合はＰＥＴ、ＰＩ、ＰＰＳ、ＬＣＰ等のフィルム上に塗工した半硬化接着シート）を２つ用い、間にクロスを挟んで高温真空プレスを行う。なお、クロス中への含浸、充填性が心配される場合は、あらかじめクロスに、固形分濃度を薄くしたペースト（エポキシ樹脂、活性エステル化合物及び溶剤の混合物）を含浸、乾燥しておいてもよい。高温真空プレスは、１５０〜２５０℃の温度で０．５〜２０時間の時間で行えばよい。また必要に応じステップキュアを行ってもよい。圧力は１．５〜６．０ＭＰａの間で行えばよく、減圧は必要に応じて行うが、３０Ｔｏｒｒ以下で行うのが好ましい。
【０１１７】
なお、上記積層体には、両面パターンニング基板や多層基板などがあり、これらは以下のようにして製造することができる。
【０１１８】
図７２は、両面パターニング基板の製造フローを示すものであり、図７３は、両面パターンニング基板形成例の工程図を示す。図７２、図７３に示されるように、所定厚さのプリプレグ（銅箔無し）１と所定厚さの銅（Ｃｕ）箔２とを重ねて加圧加熱して成形する（工程Ａ）。次にスルーホールをドリリングにより形成する（工程Ｂ）。形成したスルーホールに銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッキ膜２３を形成する（工程Ｃ）。さらに両面の銅箔２にパターニングを施し、導体パターン２１１を形成する（工程Ｄ）。その後、図７２に示されるように、外部端子等の接続のためのメッキを施す（工程Ｅ）。この場合のメッキはＮｉメッキ後にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉメッキ後にさらにＡｕメッキを施す方法（メッキは電解または無電解メッキ）、半田レベラーを用いる方法により行われる。
【０１１９】
図７４は多層基板製造例のフローであり、図７５は多層基板の製造工程図であり、誘電体層を３層積層する例が示されている。図７４、図７５に示されるように、所定厚さのプリプレグ１と所定厚さの銅（Ｃｕ）箔とを重ね合せ、加圧加熱して成形する（工程ａ）。次に両面の銅箔２にパターニングを施し、導体パターン２１を形成する（工程ｂ）。このようにして得られた両面パターンニング基板の両面側に、さらに所定厚さのプリプレグ１と銅箔２とを重ねて、同時に加圧加熱して成形する（工程ｃ）。次にスルーホールをドリリングにより形成する（工程ｄ）。形成したスルーホールに銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッキ膜４を形成する（工程ｅ）。さらに両面の銅箔２にパターニングを施し、導体パターン２１を形成する（工程ｆ）。その後図７４に示されるように、外部端子との接続のためのメッキを施す（工程ｇ）。この場合のメッキはＮｉメッキ後にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉメッキ後にさらにＡｕメッキを施す方法（メッキは電解または無電解メッキ）、半田レベラーを用いる方法により行われる。
【０１２０】
上記の加熱加圧の成形条件は、１００〜２００℃の温度で、９．８×１０5〜７．８４×１０6Ｐａ（１０〜８０ｋｇｆ／ｃｍ2）の圧力で、０．５〜２０時間とすることが好ましい。
【０１２１】
本発明の電子部品は、上記の例に限らず、種々の基板を用いて製造することができる。例えば成形材料としての基板や銅箔付基板（積層体）と、プリプレグとを用い、プリプレグを接着層として多層化し、多層基板を得ることも可能である。
【０１２２】
また、プリプレグやその成形材料としての基板と、銅箔とを接着する態様において、上記誘電体セラミック粉末、磁性体粉末、必要により難燃剤、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及びブチルカルビトールアセテート等の高沸点溶剤を混練して得られた複合誘電体材料からなるペーストを、パターニングした基板の上にスクリーン印刷等にて形成してもよく、これにより特性の向上を図ることができる。
【０１２３】
本発明の電子部品は、上記のようなプリプレグ、銅箔付き基板、積層基板等と素子構成パターンを組み合わせることにより得ることができる。
【０１２４】
本発明の電子部品は、上記のようなコンデンサ（キャパシタ）、コイル（インダクタ）、フィルタ等の他、これらと、これら以外の配線パターン、増幅素子、機能素子を組み合わせたアンテナや、ＲＦモジュール（ＲＦ増幅段）、ＶＣＯ（電圧制御発振回路）、パワーアンプ（電力増幅段）等の高周波電子回路、光ピックアップなどに用いられる重畳モジュール等であってもよい。
【０１２５】
次に、本発明の電子部品の実施形態についてさらに具体的に説明する。
（第１実施形態）
【０１２６】
図１は本発明の電子部品の第１実施形態であるインダクタを示した透視斜視図、図２は、本発明の電子部品の第１実施形態であるインダクタを示した断面図である。
【０１２７】
図１，２において、インダクタ１０は、構成層１０ａ〜１０ｅを積層してなる積層体と、構成層１０ｂ〜１０ｅに設けられる内部導体１３ａ〜１３ｄと、この内部導体１３ａ〜１３ｄを電気的に接続するためのビアホール１４とを有する。また内部導体１３とビアホール１４とによりコイルパターン（導電性素子部）が構成されている。
【０１２８】
各構成層１０ａ〜１０ｅは、上記複合誘電体層により構成されている。ビアホール１４はドリル、レーザー加工、エッチング等により形成することができる。
【０１２９】
また、積層体の対向する両側面にはそれぞれ端子電極１２が設けられており、コイルパターンの両端部はそれぞれ、各端子電極１２に接続されている。なお、端子電極１２の両端にはランドパターン１１が設けられている。
【０１３０】
端子電極１２は、貫通ビアの円筒を半分に分割した構造となっている。端子電極１２がこのような構造になるのは、集合積層基板に複数の素子を形成し、最終的に各素子ごとに切断する場合に、ダイシング、Ｖカット等により、貫通ビアの中心から切断するためである。
【０１３１】
インダクタ１０を高周波用のチップインダクタとして使用する場合、分布容量をできるだけ減らす必要があることから、各構成層１０ａ〜１０ｅの比誘電率は、２．６〜３．５とすることが好ましい。またインダクタ１０が共振回路を構成するインダクタである場合は、積極的に分布容量を用いる場合があり、このような用途では各構成層１０ａ〜１０ｅの比誘電率を５〜４０とすることが好ましい。
【０１３２】
このインダクタ１０においては、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、インダクタ１０の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、インダクタ１０は、構成層１０ａ〜１０ｅとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、インダクタ１０の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。また電子部品の小型化、回路への容量素子の取付けの省略を図ることができる。また、これらのインダクタにおいては、材料の損失をできるだけ抑える必要があるため、各構成層１０ａ〜１０ｅの誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることにより、材料損失の極めて少ない、Ｑの高いインダクタを得ることができる。また、各構成層１０ａ〜１０ｅは同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
【０１３３】
なお、図１の電子部品の等価回路を図１０（ａ）に示す。図１０（ａ）に示されるように、等価回路ではインダクタ１０は、コイル３１を有する電子部品（インダクタ）として示されている。
（第２実施形態）
【０１３４】
図３は本発明の電子部品の第２実施形態であるインダクタを示した透視斜視図、図４は、電子部品の第２実施形態であるインダクタを示した断面図である。
【０１３５】
本実施形態の電子部品は、コイルパターンが、横方向、すなわち対向する端子電極１２を結ぶ方向に巻回されている点で第１実施形態の電子部品と相違する。
【０１３６】
その他の構成要素は、第１実施形態と同様であり、図３、図４において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
（第３実施形態）
【０１３７】
図５は本発明の電子部品の第３実施形態であるインダクタを示した透視斜視図、図６は、本発明の電子部品の第２実施形態であるインダクタを示した断面図である。
【０１３８】
本実施形態の電子部品は、上下面においてそれぞれスパイラル状に形成された内部導体１３がビアホール１４により連結されている点で第１実施形態の電子部品と相違する。
【０１３９】
その他の構成要素は、第１実施形態と同様であり、図５、図６において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
（第４実施形態）
【０１４０】
図７は本発明の電子部品の第４実施形態であるインダクタを示した透視斜視図、図８は、本発明の電子部品の第４実施形態であるインダクタを示した断面図である。
【０１４１】
本実施形態の電子部品は、積層体の両側に設けられる端子電極１２を結ぶ内部導体１３のパターン形状をミアンダ状にしている点で第１実施形態の電子部品と相違する。
【０１４２】
その他の構成要素は、第１実施形態と同様であり、図７、図８において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
（第５実施形態）
【０１４３】
図９は本発明の電子部品の第５実施形態であるインダクタを示した透視斜視図である。
【０１４４】
本実施形態の電子部品は、積層体にコイルパターンを４連設けている点で、積層体にコイルパターンを１つ設けている第１実施形態の電子部品と相違する。このような構成とすることにより、電子部品を回路基板等に配置する場合に、１つのコイルバターンを有する電子部品を４つ用いる場合に比べて、省スペース化を図ることができる。
【０１４５】
なお、図１０（ｂ）は、本実施形態のインダクタの等価回路図である。図１０（ｂ）に示すように、本実施形態のインダクタは、等価回路ではコイル３１ａ〜３１ｄが４連装されたものとして示されている。
（第６実施形態）
【０１４６】
図１１は本発明の電子部品の第６実施形態であるキャパシタ（コンデンサ）を示した透視斜視図、図１２は、本発明の電子部品の第６実施形態であるキャパシタ（コンデンサ）を示した断面図である。
【０１４７】
図１１、図１２において、キャパシタ２０は、構成層２０ａ〜２０ｇを積層してなる積層体と、構成層２０ｂ〜２０ｇ上に形成されている内部導体２３と、積層体の両側にそれぞれ設けられる端子電極２２とを備えている。そして、隣り合う内部導体２３は、それぞれ異なる端子電極２２に接続されている。また端子電極２２の両端にはランドパターン２１が設けられている。積層体に設けられる内部導体２３により導電性素子部が構成されている。また各構成層２０ａ〜２０ｇは、上記複合誘電体層により構成されている。
【０１４８】
また各構成層２０ａ〜２０ｇは、得られる容量の多様性や精度の観点からは２．６〜４０の比誘電率を有し、０．００２５〜０．００７５の誘電正接を有することが好ましい。このキャパシタ２０においては、高周波域においても比誘電率が高くなるため、内部導体２３の面積を小さくすることができ、ひいてはキャパシタ２０の小型化が可能となる。またキャパシタ２０を高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、キャパシタ２０の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、キャパシタ２０は、構成層２０ａ〜２０ｇとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、キャパシタ２０の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。また誘電正接（ｔａｎδ）を０．００７５〜０．０２５とすることにより、材料損失の極めて少ないキャパシタとすることができる。各構成層２０ａ〜２０ｇは同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
【０１４９】
図１４（ａ）は、キャパシタ２０の等価回路図である。図１４（ａ）に示すように、等価回路ではキャパシタ３２を有する電子部品（コンデンサ）が示されている。
（第７実施形態）
【０１５０】
図１３は本発明の電子部品の第７実施形態であるキャパシタを示した透視斜視図である。
【０１５１】
本実施形態の電子部品は、キャパシタ素子を構成する４つの導電性素子部が積層体にアレイ状に設けられている点で、キャパシタ素子を構成する１つの導電性素子部が積層体に設けられている第６実施形態のキャパシタと相違する。またキャパシタ素子の数に合せて端子電極１２及びランドパターン１１が設けられている。さらにキャパシタをアレイ状に形成する場合、様々な容量を精度よく形成する場合がある。このため、上記誘電率、誘電正接の範囲が好ましいといえる。
【０１５２】
その他の構成要素は、第６実施形態と同様であり、図１３において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１５３】
図１４（ｂ）は、本実施形態のキャパシタの等価回路図である。図１４（ｂ）に示されるように、等価回路ではキャパシタ３２ａ〜３２ｄが４連装された電子部品（コンデンサ）が示されている。
（第８実施形態）
【０１５４】
図１５〜図１８は、本発明の電子部品の第８実施形態であるバルントランスを示している。ここで図１５は透過斜視図、図１６は断面図、図１７は各構成層の分解平面図、図１８は等価回路図である。
【０１５５】
図１５〜１７において、バルントランス４０は、構成層４０ａ〜４０ｏを積層してなる積層体と、積層体の上下および中間に配置された内部ＧＮＤ導体４５と、この内部ＧＮＤ導体４５間に形成されている内部導体４３とを有する。この内部導体４３は、λｇ／４長のスパイラル状導体４３であり、図１８の等価回路に示される結合ライン５３ａ〜５３ｄを構成するようにビアホール４４等で連結されている。
【０１５６】
このバルントランス４０の構成層４０ａ〜４０ｏは、比誘電率を２．６〜４０とし、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００７５〜０．０２５とすることが好ましく、各構成層４０ａ〜４０ｏとしては、上記複合誘電体層が用いられる。なお、各構成層は同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
【０１５７】
このバルントランス４０によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、バルントランス４０の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、バルントランス４０は、構成層４０ａ〜４０ｏとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、バルントランス４０の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。
（第９実施形態）
【０１５８】
図１９〜図２２は、本発明の電子部品の第９実施形態である積層フィルタを示している。ここで図１９は斜視図、図２０は分解斜視図、図２１は等価回路図、図２２は伝達特性図である。
【０１５９】
本実施形態の積層フィルタは、２ポール型の伝達特性を有するように構成されている。図１９〜２１に示すように、積層フィルタ６０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体を備えている。ここで、構成層６０ｂは上部構成層群であり、構成層６０ｄは下部構成層群である。積層体のほぼ中央の構成層６０ｃには一対のストリップ線路６８が形成され、これに隣接する下部構成層群６０ｄ上には、一対のコンデンサ導体６７が形成されている。構成層６０ｂ、６０ｅの表面にはそれぞれＧＮＤ導体６５が形成され、これらＧＮＤ導体６５によりストリップ線路６８及びコンデンサ導体６７が挟み込まれるようになっている。ストリップ線路６８、コンデンサ導体６７及びＧＮＤ導体６５はそれぞれ、積層体の端面に形成された端部電極（外部端子）６２に接続されている。また端部電極６２の両側にはＧＮＤパターン６６が形成され、ＧＮＤパターン６６はＧＮＤ導体６５に接続されている。
【０１６０】
ストリップ線路６８は、図２１の等価回路図に示されるλｇ／４長またはそれ以下の長さを有するストリップ線路７４ａ、７４ｂであり、コンデンサ導体６７は、入出力結合容量Ｃｉを構成する。またストリップ線路７４ａ、７４ｂ間は、結合容量Ｃｍおよび結合係数Ｍにより結合されている。積層型フィルタ６０は、このような等価回路を形成するように構成されているため、図２２に示すような２ポール型の伝達特性を有する。
【０１６１】
積層フィルタ６０の構成層６０ａ〜６０ｅは、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚの帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。また、ストリップライン共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましいため、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。このような構成層６０ａ〜６０ｅとしては、上記複合誘電体層を用いられる。なお、各構成層は同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
【０１６２】
この積層フィルタ６０によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、積層フィルタ６０の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、積層フィルタ６０は、構成層６０ａ〜６０ｅとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、積層フィルタ６０の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。
（第１０実施形態）
【０１６３】
図２３〜図２６は、本発明の電子部品の第１０実施形態である積層フィルタを示している。ここで、図２３は斜視図、図２４は分解斜視図、図２５は等価回路図、図２６は伝達特性図である。
【０１６４】
本実施形態の積層フィルタは、４ポール型の伝達特性を有するように構成されている。図２３〜２５示すように、積層フィルタ６０は、構成層６０ｃに４本のストリップ線路６８が形成されている点で、構成層６０ｃに２本のストリップ線路６８が形成されている第９実施形態の積層フィルタと相違する。
【０１６５】
本実施形態の積層フィルタにおいては、ストリップ線路６８は、図２５の等価回路図に示されるλｇ／４長またはそれ以下の長さを有するストリップ線路７４ｃ、７４ｄ、７４ｅ、７４ｆであり、またストリップ線路７４ｃ、７４ｄ間、ストリップ線路７４ｄ、７４ｅ間、及びストリップ線路７４ｅ、７４ｆ間はそれぞれ、結合容量Ｃｍおよび結合係数Ｍにより結合されている。積層型フィルタ６０は、このような等価回路を形成するように構成されているため、図２６に示すような４ポール型の伝達特性を有する。
【０１６６】
その他の構成要素は、第９実施形態と同様であり、図２３、図２４において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
（第１１実施形態）
【０１６７】
図２７〜図３２は、本発明の電子部品の第１１実施形態であるブロックフィルタを示している。ここで図２７は透過斜視図、図２８は正面断面図、図２９は側面断面図、図３０は平面断面図、図３１は等価回路図、図３２は金型の構造を示した透過側面図である。
【０１６８】
本実施形態のブロックフィルタは、２ポール型の伝達特性を有するように構成されている。図２７〜図３２に示すように、ブロックフィルタ８０は、構成ブロック８０ａと、構成ブロック８０ａ内に設けられる一対の同軸導体８１と、同軸導体８１に接続されるコンデンサ同軸導体８２とを有する。同軸導体８１及びコンデンサ同軸導体８２は、構成ブロック８０ａをくりぬくように中空状に形成された導電体で構成されている。また、構成ブロック８０ａの周囲には、これを覆うように表面ＧＮＤ導体８７が形成されている。そして構成ブロック８０ａのコンデンサ同軸導体８２に対向する位置にはコンデンサ導体８３が形成されている。またコンデンサ導体８３及び表面ＧＮＤ導体８７はそれぞれ、入出力端子および部品固着用端子としても使用される。なお、同軸導体８１及びコンデンサ同軸導体８２の内面には、導電材料が無電解メッキ、蒸着などで付着されており、これにより伝送路が形成されている。
【０１６９】
同軸導体８１は、図３１の等価回路図に示されるλｇ／４長またはそれ以下の長さを有する同軸線路９４ａ、９４ｂであり、それらを囲むようにＧＮＤ導体８７が形成されている。また、コンデンサ同軸導体８２とコンデンサ導体８３は入出力結合容量Ｃｉを構成する。更に同軸導体８１間は、結合容量Ｃｍおよび結合係数Ｍにより結合されている。ブロックフィルタ８０は、図３１に示すような等価回路を形成するように構成されているため、２ポール型の伝達特性を有する。
【０１７０】
図３２はブロックフィルタ８０の構成ブロック８０ａを形成するための金型の一例を示した概略断面図である。図３２において、金型は鉄などの金属ベース１０３に、樹脂注入口１０４および注入孔１０６が形成され、これと連通して部品形成部１０５ａ，１０５ｂが形成されている。構成ブロック８０ａを形成するための複合樹脂材料は、液体の状態で樹脂注入口１０４から注入され、注入孔１０６を通って部品形成部１０５ａ，１０５ｂに達する。そして、この金型の内部に複合樹脂が満たされた状態で、冷却または加熱処理を行い複合樹脂を固化して金型から取り出し、注入口１０４内などで硬化した不要な部分を切断する。こうして、図２７〜図３０に示される構成ブロック８０ａが形成される。
【０１７１】
このようにして形成された構成ブロック８０ａに、メッキ、エッチング、印刷、スパッタ、蒸着等の処理を行うと、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等により形成された表面ＧＮＤ導体８７、同軸導体８１とコンデンサ同軸導体８２等が形成される。
【０１７２】
ブロックフィルタ８０の構成ブロック８０ａは、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭHzから数ＧHzの帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。また、同軸共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましいため、誘電正接（tanδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。このような構成ブロック８０ａとしては、上記複合誘電体層が用いられる。
【０１７３】
このブロックフィルタ８０によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、ブロックフィルタ８０の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、ブロックフィルタ８０は、構成ブロック８０ａとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、ブロックフィルタ８０の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。
（第１２実施形態）
【０１７４】
図３３〜図３７は、本発明の電子部品の第１２実施形態であるカプラを示している。ここで図３３は透過斜視図、図３４は断面図、図３５は各構成層の分解平面図、図３６は内部結線図、図３７は等価回路図である。
【０１７５】
図３３〜３７において、カプラ１１０は、構成層１１０ａ〜１１０ｃが積層された積層体と、積層体の構成層１１０ｂの上下面上に形成された内部ＧＮＤ導体１１５と、この内部ＧＮＤ導体１１５間に形成され、トランスを構成する２つのコイルパターンとを有する。各コイルパターンは、複数の内部導体１１３と、これら内部導体１１３を連結するビアホール１１４とにより構成されており、スパイラル状となっている。また形成された各コイルパターンの端部と内部ＧＮＤ導体１１５とは、図３６に示すように、それぞれ積層体の側面に形成された端子電極１１２に接続されている。なお、端子電極１１２の両端部にはランドパターン１１１が形成されている。
【０１７６】
このように、カプラ１１０においては、図３７の等価回路図で示すように、２つのコイル１２５ａ，１２５ｂが結合したものとなる。
【０１７７】
カプラ１１０の構成層１１０ａ〜１１０ｃは、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。一方、小型化を考えると比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、構成層１１０ａ〜１１０ｃを構成する材料として、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した比誘電率を有する材料を用いればよい。通常は、構成層１１０ａ〜１１０ｃの比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭHzから数ＧHzの帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。また内部インダクタのＱ値を上げるためには、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。これにより、材料損失が極めて少なくなり、Ｑ値の高いインダクタを形成でき、高性能のカプラを得ることができる。上記構成層１１０ａ〜１１０ｃとしては、上記複合誘電体層が用いられる。なお、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
【０１７８】
このカプラ１１０によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、カプラ１１０の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、カプラ１１０は、構成層１１０ａ〜１１０ｃとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、カプラ１１０の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。
（第１３実施形態）
【０１７９】
図３８〜図４０は、本発明の電子部品の第１３実施形態であるアンテナを示した図であり、図３８は透視斜視図、図３９（ａ）は平面図、（ｂ）は側面断面図、（ｃ）は正面断面図、図４０は各構成層の分解斜視図である。
【０１８０】
図３８〜図４０に示すように、アンテナ１３０は、構成層１３０ａ〜１３０ｃを積層してなる長尺状の積層体と、この構成層１３０ｂ及び構成層１３０ｃ上にそれぞれ形成されている内部導体１３３と、長尺状の積層体の両端にそれぞれ設けられる端子電極１３２とを有する。
【０１８１】
内部導体１３３はアンテナパターンを構成している。本実施形態では、内部導体１３３は、使用周波数に対し、長さが約λｇ／４となるようなリアクタンス素子として構成され、アンテナパターンは、ミアンダ状に形成されている。
【０１８２】
また内部導体１３３の両端部はそれぞれ、各端子電極１３２に接続されている。  このアンテナ１３０の構成層１３０ａ〜１３０ｃには、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。一方、小型化を考えると比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、構成層１３０ａ〜１３０ｃを構成する材料として、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した比誘電率を有する材料を用いればよい。通常は、構成層１３０ａ〜１３０ｃの比誘電率が２．６〜４０であり、誘電正接が０．００７５〜０．０２５であることが好ましく、構成層１３０ａ〜１３０ｃとしては、上記複合誘電体層が用いられる。これにより、周波数の範囲が広がり、高精度に形成できる。また、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。このため、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることにより、材料損失の極めて少ないアンテナとすることができる。なお、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
【０１８３】
このアンテナ１３０によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、アンテナ１３０の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、アンテナ１３０は、構成層１３０ａ〜１３０ｃとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、アンテナ１３０の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。
（第１４実施形態）
【０１８４】
図４１は、本発明の電子部品の第１４実施形態であるアンテナの透視斜視図、図４２は、本発明の電子部品の第１４実施形態であるアンテナの分解斜視図である。
【０１８５】
図４１、４２において、アンテナ１４０は、構成層１４０ａ〜１４０ｃを積層してなる積層体と、この構成層１４０ｂ及び構成層１４０ｃ上にそれぞれ形成されている内部導体１４３ａとを有する。そして、上下の内部導体１４３ａはビアホール１４４にて接続され、ヘリカル状のアンテナパターン（インダクタンス素子）を形成するようになっている。なお、積層体の両端にはそれぞれ、第１３実施形態と同様、端子電極が設けられており、アンテナパターンの両端部はそれぞれ各端子電極に接続されている。
（第１５実施形態）
【０１８６】
図４３は本発明の電子部品の第１５実施形態であるパッチアンテナを示した透視斜視図、図４４は、本発明の電子部品の第１５実施形態であるパッチアンテナを示した断面図である。
【０１８７】
図４３、４４に示すように、本実施形態のパッチアンテナ１５０は、構成層１５０ａと、この構成層１５０ａの表面上に形成されている平板状のパッチ導体１５９と、このパッチ導体１５９に対向するように構成層１５０ａの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。ここで、パッチ導体１５９は、アンテナパターンを構成している。また、パッチ導体１５９には給電用のスルー導体１５４が給電部１５３で接続され、このスルー導体１５４はＧＮＤ導体１５５とは接続されないようにＧＮＤ導体１５５との間にギャップ１５６が設けられている。このため、ＧＮＤ導体１５５の下部からスルー導体１５４を通って給電が行われるようになっている。
【０１８８】
このパッチアンテナ１５０の構成層１５０ａには、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。一方、小型化を考えると比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、構成層１５０ａとしては、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した比誘電率を有する材料を用いればよい。通常は、構成層１５０ａの比誘電率は２．６〜４０であり、誘電正接は０．００７５〜０．０２５であることが好ましく、構成層１５０ａとしては、上記の複合誘電体層が用いられる。これにより、周波数の範囲が広がり、高精度に形成できる。また、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることにより、材料損失の極めて少ない放射効率の高いアンテナとすることができる。
【０１８９】
また、数１００ＭHz以下の周波数帯域においては、磁性体も誘電体と同様の波長短縮効果が得られ、さらに、放射素子のインダクタンス値を上げることができる。また、Ｑの周波数ピークを合わせることにより、比較的低い周波数においても高いＱが得られる。このため、パッチアンテナ１５０を数十〜数１００ＭＨｚの無線機器の用途に使用する場合には透磁率を３〜２０とすることが好ましく、構成層１５０ａとして、磁性体粉末を含有した複合磁性体層を用いることが好ましい。これにより、数１００ＭHz以下の周波数帯域において高特性化、小型化を実現できる。また各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
【０１９０】
このパッチアンテナ１５０によれば、条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、パッチアンテナ１５０の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、パッチアンテナ１５０は、構成層１５０ａとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、パッチアンテナ１５０の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。
（第１６実施形態）
【０１９１】
図４５は本発明の電子部品の第１６実施形態であるパッチアンテナを示した透視斜視図、図４６は、本発明の電子部品の第１６実施形態であるパッチアンテナを示した断面図である。
【０１９２】
図４５、図４６に示すように、パッチアンテナ１６０は構成層１６０ａと、この構成層１６０ａの表面上に形成されているパッチ導体（アンテナパターン）１６９と、このパッチ導体１６９に対向するように構成層１６０ａの底面に形成されたＧＮＤ導体１６５とを有する。また構成層１６０ａの側面であって、パッチ導体１６９の近傍に、これと接触しないように給電用の給電導体１６１が配置され、給電端子１６２から給電導体１６１に給電が行われるようになっている。給電端子１６２は、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等により構成されており、メッキ、ターミネート、印刷、スパッタ、蒸着等の処理法を用いて形成することができる。その他の構成要素は第１５実施形態と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
（第１７実施形態）
【０１９３】
図４７は、本発明の電子部品の第１７実施形態である多層型パッチアンテナを示した透視斜視図、図４８は本発明の電子部品の第１７実施形態である多層型パッチアンテナを示した断面図である。
【０１９４】
図４７に示すように、本実施形態のパッチアンテナ１７０は、構成層１５０ａ及び構成層１５０ｂを積層してなる積層体と、この構成層１５０ａ、１５０ｂ上にそれぞれ形成されているパッチ導体１５９ａ，１５９ｅと、このパッチ導体１５９ａ，１５９ｅに対向するように構成層１５０ｂの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。また、パッチ導体１５９ａには給電用のスルー導体１５４が給電部１５３ａで接続され、このスルー導体１５４はＧＮＤ導体１５５およびパッチ導体１５９ｅとは接続されないようにＧＮＤ導体１５５およびパッチ導体１５９ｅとの間にギャップ１５６が設けられている。このため、ＧＮＤ導体１５５の下部からスルー導体１５４を通ってパッチ導体１５９ａに給電が行われるようになっている。このときパッチ導体１５９ｅには、パッチ導体１５９ａとの容量結合およびスルー導体１５４とのギャップによって形成される容量により給電される。その他の構成要素は第１５実施形態と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
（第１８実施形態）
【０１９５】
図４９は本発明の電子部品の第１８実施形態である多連型パッチアンテナを示した透視斜視図、図５０は、本発明の電子部品の第１８実施形態である多連型パッチアンテナを示した断面図である。
【０１９６】
本実施形態のパッチアンテナ１８０は、積層体にアンテナを構成する４つの導電性素子部が格子状に設けられている点で、積層体に１つの導電性素子部のみが設けられている第１７実施形態のパッチアンテナと相違する。すなわち図４９、図５０に示すように、パッチアンテナ１８０は、構成層１５０ａ、１５０ｂを積層してなる積層体と、構成層１５０ａ上に形成されているパッチ導体１５９ａ、１５９ｂ、１５９ｃ、１５９ｄと、構成層１５０ｂ上に形成されているパッチ導体１５９ｅ、１５９ｆ、１５９ｇ、１５９ｈと、これらのパッチ導体１５９ａ，１５９ｅに対向するように構成層１５０ｂの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。その他の構成要素は第１７実施形態と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１９７】
このように複数の導電性素子部を１つの積層体に格子状に配設することにより、パッチアンテナの小型化と部品点数の削減が可能となる。
（第１９実施形態）
【０１９８】
図５１〜図５３は、本発明の電子部品の第１９実施形態であるＶＣＯ（電圧制御発振器）を示している。ここで図５１は透過斜視図、図５２は断面図、図５３は等価回路図である。
【０１９９】
図５１〜５３において、ＶＣＯ２１０は、構成層２１０ａ〜２１０ｇが積層された積層体と、積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体素子、レジスタ等の電気素子２６１と、構成層２１０ａ〜２１０ｄ上に形成されている導体パターン及び構成層２１０ｅ〜２１０ｇ上にそれぞれ形成されている導体パターン２６２，２６３，２６４とを有する。ＶＣＯ２１０は、図５３に示すような等価回路を形成するように構成されており、導体パターン２６３は、ストリップラインとなっている。またＶＣＯ２１０は、ストリップラインのほか、コンデンサ、信号線、半導体素子、電源ラインなどを有する。このため、構成層は、それぞれの機能に適した材料で形成するのが効果的である。
【０２００】
より具体的には、上記構成層２１０ｇの表面には、内部導体であるストリップライン２６３が形成され、裏面にはＧＮＤ導体２６２及び端子導体２６６が形成されている。また、構成層２１０ｅの表面にはコンデンサ導体２６４が形成され、構成層２１０ｂの表面上には配線インダクタ導体２６５が形成される。また、各構成層に形成された内部導体はビアホール２１４により接続され、表面にはマウントされた電子部品２６１が搭載されて図５３の等価回路に示すようなＶＣＯが形成される。
【０２０１】
例えば本実施形態のＶＣＯ２１０では、共振器を構成する構成層２１０ｆ，２１０ｇには誘電正接が０．００２５〜０．００７５の複合誘電体層を用いることが好ましく、コンデンサを構成する構成層２１０ｃ〜２１０ｅには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が５〜４０となるような複合誘電体層を用いることが好ましい。配線およびインダクタを構成する構成層２１０ａ，２１０ｂには、誘電正接が０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜３．５の複合誘電体層を用いることが好ましい。
【０２０２】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した比誘電率、Ｑ、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。このＶＣＯ２１０によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、ＶＣＯ２１０の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、ＶＣＯ２１０は、構成層２１０ａ〜２１０ｇとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、ＶＣＯ２１０の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。
（第２０実施形態）
【０２０３】
図５４〜図５６は、本発明の電子部品の第２０実施形態であるパワーアンプ（電力増幅器）を示している。ここで図５４は各構成層の分解平面図、図５５は断面図、図５６は等価回路図である。
【０２０４】
図５４〜５６に示すように、パワーアンプ３００は、構成層３００ａ〜３００ｅを積層してなる積層体と、積層体の上に配設されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電気素子３６１と、この構成層３００ａ〜３００ｅ中およびその上下面に形成されている導体パターン３１３，３１５を有する。このパワーアンプは図５６に示すような等価回路により構成されているため、ストリップラインＬ１１〜Ｌ１７、コンデンサＣ１１〜Ｃ２０、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０２０５】
より具体的には、これらの構成層３００ａ〜３００ｅの表面には、内部導体３１３、ＧＮＤ導体３１５等が形成されている。またそれぞれの内部導体はビアホール３１４により接続され、積層体の表面には、マウントされた電子部品３６１が搭載されて図５６の等価回路に示すようなパワーアンプが形成される。
【０２０６】
本実施形態のパワーアンプ３００では、ストリップラインを構成する構成層３００ｄ，３００ｅには誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が２．６〜４０の複合誘電体層を用いることが好ましい。コンデンサを構成する構成層３００ａ〜３００ｃには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が５〜４０となるような複合誘電体層を用いることが好ましい。
【０２０７】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。このパワーアンプ３００によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、パワーアンプ３００の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、パワーアンプ３００は、構成層３００ａ〜３００ｅとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、パワーアンプ３００の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。
（第２１施形態）
【０２０８】
図５７〜図５９は、本発明の電子部品の第２１実施形態である、光ピックアップなどに使用される重畳モジュールを示している。ここで図５７は各構成層の分解平面図、図５８は断面図、図５９は等価回路図である。
【０２０９】
図５７〜５９において、重畳モジュール４００は、構成層４００ａ〜４００ｋが積層された積層体と、積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電気素子４６１と、この構成層４００ａ〜４００ｋ中およびその上下面に形成されている導体パターン４１３，４１５等を有する。この重畳モジュール４００は図５９に示すような等価回路により構成されているため、インダクタＬ２１、Ｌ２３、コンデンサＣ２１〜Ｃ２７、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０２１０】
より具体的には、これらの構成層４００ａ〜４００ｋの表面には、内部導体４１３、ＧＮＤ導体４１５等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール４１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品４６１が搭載されて図５９の等価回路に示すような重畳モジュールが形成される。
【０２１１】
本実施形態の重畳モジュール４００では、コンデンサを構成する構成層４００ｄ〜４００ｈには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が１０〜４０となるような複合誘電体層を用いることが好ましい。インダクタを構成する構成層４００ａ〜４００ｃ，４００ｊ〜４００ｋには誘電正接が０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜３．５の複合誘電体層を用いることが好ましい。
【０２１２】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。この重畳モジュール４００によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、重畳モジュール４００の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、重畳モジュール４００は、構成層４００ａ〜４００ｋとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、重畳モジュール４００の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。
（第２２実施形態）
【０２１３】
図６０〜図６３は、本発明の電子部品の第２２実施形態であるＲＦモジュールを示している。ここで図６０は斜視図、図６１は外装部材を外した状態での斜視図、図６２は各構成層の分解斜視図、図６３は断面図である。
【０２１４】
図６０〜６３において、ＲＦモジュール５００は、構成層５００ａ〜５００ｉが積層された積層体と、積層体の上に配設されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電気素子５６１と、この構成層５００ａ〜５００ｉ中およびその上下面に形成されている導体パターン５１３，５１５、５７２と、アンテナパターン５７３とを有する。このＲＦモジュール５００は、上記のようにインダクタ、コンデンサ、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０２１５】
本実施形態のＲＦモジュールでは、アンテナ構成、ストリップライン構成および配線層５００ａ〜５００ｄ、５００ｇには、誘電正接が０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜３．５の複合誘電体層を用いることが好ましい。コンデンサ構成層５００ｅ〜５００ｆには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が１０〜４０となるような複合誘電体層を用いることが好ましい。電源ライン層５００ｈ〜５００ｉには、透磁率が３〜２０であり、磁性体粉末を含む複合磁性体層を用いることが好ましい。
【０２１６】
そして、これらの構成層５００ａ〜５００ｉの表面には、内部導体５１３、ＧＮＤ導体５１５、アンテナ導体５７３等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール５１４により上下に接続され、積層体の表面にはマウントされた電気素子５６１が搭載されてＲＦモジュールが形成される。
【０２１７】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。このＲＦモジュール５００によれば、ＲＦモジュール５００を高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、ＲＦモジュール５００の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、ＲＦモジュール５００は、構成層５００ａ〜５００ｉとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、ＲＦモジュール５００の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。
（第２３実施形態）
【０２１８】
図６４、図６５は、本発明の電子部品の第２３実施形態である共振器を示している。ここで図６４は透過斜視図、図６５は断面図である。
【０２１９】
図６４、６５において、共振器６００は、ベース材６１０と、ベース材６１０を貫通する筒状の同軸導体６４１とを備えている。
【０２２０】
共振器６００の製造方法は、第１１実施形態のブロックフィルタと同様である。すなわちまず、金型成形により円筒状の貫通孔が形成されたベース材６１０の表面に、メッキ、エッチング、印刷、スパッタ、蒸着等の処理法により表面ＧＮＤ導体６４７及び端部導体６８２を形成し、この表面ＧＮＤ導体６４７と端部導体６８２が接続されるようにベース材６１０の内壁面に同軸導体６４１を形成し、同軸導体６４１と接続されるように共振器用ＨＯＴ端子６８１等を形成する。表面ＧＮＤ導体６４７、端部導体６８２、同軸導体６４１、共振器用ＨＯＴ端子６８１は、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等で形成する。ここで、同軸導体６４１は、ある特性インピーダンスを有する同軸型線路であり、同軸導体６４１を囲むようにベース材６１０に表面ＧＮＤ導体６４７が形成されている。
【０２２１】
この共振器のベース材６１０は、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭＨｚから数ＧＨｚの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。このようなベース材６１０としては、上記複合誘電体層が用いられる。この共振器６００によれば、共振器６００を高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、共振器６００の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、共振器６００は、ベース材６１０として曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、共振器６００の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。
（第２４実施形態）
【０２２２】
図６６、図６７は、本発明の電子部品の第２４実施形態であるストリップ共振器を示している。ここで図６６は透過斜視図、図６７は断面図である。
【０２２３】
図６６、６７に示すように、ストリップ共振器７００は、構成層７１０ａ〜７１０ｄを積層してなる積層体と、構成層７１０ｃ上に形成される長方形のストリップ導体７８４と、構成層７１０ｂ、構成層７１０ｄ上に、ストリップ導体７８４を挟むように形成される矩形状のＧＮＤ導体７８３とを有する。また積層体の両側にはそれぞれ、共振器用ＨＯＴ端子７８１およびＧＮＤ端子７８２が設けられ、ストリップ導体７８４の両端はそれぞれ、共振器用ＨＯＴ端子７８１およびＧＮＤ端子７８２に接続されている。ストリップ共振器７００は、第１実施形態のインダクタと同様にして製造すればよい。
【０２２４】
共振器の構成層７１０ａ〜７１０ｄは、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭHzから数ＧHzの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。このような構成層７１０ａ〜７１０ｄとしては、上記複合誘電体層が用いられる。
（第２５実施形態）
【０２２５】
図６８は、本発明の電子部品の第２５実施形態である共振器を示す透過斜視図である。
【０２２６】
図６８に示すように、共振器８００は、ベース材８１０と、ベース材８１０を貫通する円筒状の同軸型導電体８４１と、ベース材８１０を貫通し同軸型導電体８４１と平行に設けられる同軸型導電体８４２とを備えている。ベース材８１０には、同軸型導電体８４２の一端に端部電極８８２が形成され、他端に接続用電極８８５が形成されている。また同軸型導電体８４１の一端は接続用電極８８５を介して同軸型導電体８４１と接続され、他端には共振器用ＨＯＴ端子８８１が形成されている。ここで、端部電極８８２と共振器用ＨＯＴ端子８８１とは電気的に絶縁されている。そして、ベース材８１０を囲むように、表面ＧＮＤ導体８４７が形成されている。表面ＧＮＤ導体８４７は、端部電極８８２とは接続されているが、共振器用ＨＯＴ端子８８１とは電気的に絶縁されている。従って、同軸導体８４１、８４２は、ある特性インピーダンスを有する同軸型線路として機能する。
【０２２７】
この共振器のベース材８１０は、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭHzから数ＧHzの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。このようなベース材８１０として、上記複合誘電体層が用いられる。
（第２６実施形態）
【０２２８】
図６９は、本発明の電子部品の第２６実施形態であるストリップ共振器を示す透過斜視図である。
【０２２９】
図６９において、ストリップ共振器８５０は、複数の構成層８１０を積層してなる積層体と、構成層８１０上に形成されるＵ字状のストリップ導体８８４と、ストリップ導体８８４を、構成層８１０を介して上下より挟み込むようにして配置された矩形状のＧＮＤ導体８８３とを有する。また積層体の両側にはそれぞれ、共振器用ＨＯＴ端子８８１およびＧＮＤ端子８８２が並設され、ストリップ導体８８４の両端部はそれぞれ、共振器用ＨＯＴ端子８８１およびＧＮＤ端子８８２に接続されている。ストリップ共振器８５０の製造方法は、第１実施形態のインダクタと同様である。
【０２３０】
この共振器８５０の構成層８１０の材料は、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭHzから数ＧHzの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。このような構成層８１０としては、上記複合誘電体層を用いることが好ましい。
【０２３１】
図７０は、上記第２３〜２６実施形態の共振器の等価回路図を示している。図７０において、共振器用ＨＯＴ端子９８１は、同軸路、またはストリップラインから構成される共振器９８４，９４１の一端に接続され、その他端にはＧＮＤ端子９８２が接続されている。
（第２７実施形態）
【０２３２】
図７１は、本発明の電子部品の第２７実施形態を示すブロック構成図であり、携帯端末機器に本発明の電子部品を使用した例を示している。
【０２３３】
図７１に示す携帯端末器１０００においては、ベースバンドユニット１０１０から送出された送信信号は、ミキサ１００１により混成回路１０２１からのＲＦ信号と混合される。この混成回路１０２１には電圧制御発信回路（ＶＣＯ）１０２０が接続されていて、フェーズロックループ回路１０１９と共にシンセサイザ回路を構成し、所定の周波数のＲＦ信号が供給されるようになっている。
【０２３４】
ミキサー１００１によりＲＦ変調が行われた送信信号は、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）１００２を経て、パワーアンプ１００３により増幅される。このパワーアンプ１００３の出力の一部は、カップラ１００４から取り出され、減衰器１００５で所定のレベルに調整された後、再びパワーアンプ１００３に入力され、パワーアンプの利得が一定になるように調整される。カップラー１００４から送出された送信信号は、逆流防止用のアイソレータ１００６、ローパスフィルタ１００７を経てデュプレクサ１００８に入力され、これと接続されているアンテナ１００９から送信される。
【０２３５】
一方、アンテナ１００９に入力された受信信号は、デュプレクサ１００８からアンプ１０１１に入力され、所定のレベルに増幅される。アンプ１０１１から出力された受信信号は、バンドパスフィルタ１０１２を経て、ミキサ１０１３に入力される。このミキサ１０１３には、混成回路１０２１からバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）１０２２を経てＲＦ信号が入力され、ＲＦ信号成分が除去され、復調される。ミキサ１０１３から出力された受信信号は、ＳＡＷフィルタ１０１４を経てアンプ１０１５で増幅された後、ミキサ１０１６に入力される。ミキサ１０１６には局部発信回路１０１８から所定の周波数の局部発信信号が入力され、前記受信信号は所望の周波数に変換され、アンプ１０１７で所定のレベルに増幅された後、ベースバンドユニットへ送出される。
【０２３６】
上記携帯端末器１０００は、アンテナ１００９、デュプレクサ１００８、ローパスフィルタ１００７を含むアンテナフロントエンドモジュール（図７１の破線参照）１２００や、アイソレータ１００６、カップラ１００４、減衰器１００５、パワーアンプ１００３を含むアイソレータパワーアンプモジュール（図７１の破線参照）１１００等として、上記のアンテナやパワーアンプを用いることができ、これによりハイブリッドモジュールを構成することができる。また、これら以外の構成要素を含むものをＲＦユニットとして構成できることは既に第２２実施形態で示した通りであり、図７１のＢＰＦ、ＶＣＯ等も、第９〜１２実施形態および第１９実施形態に示すＶＣＯ等を用いることができる。
【０２３７】
上記のようにして携帯端末機器に本実施形態の電子部品を搭載すると、電子部品の小型化により携帯端末機器１０００を小型化することができる。また本実施形態の電子部品は曲げ強度に優れるため、電子部品の取付け時において、電子部品の欠損ないし変形等を十分に防止することができる。さらに本実施形態の電子部品は、高温で使用しても誘電特性の経時変化が十分に防止されるため、携帯端末機器１０００を高温で使用しても、その性能を長期間にわたって維持することができる。
（第２８実施形態）
【０２３８】
次に、本発明の第２８実施形態について詳細に説明する。
【０２３９】
図７６は、本発明の電子部品の第２８実施形態を示す部分断面図である。
【０２４０】
図７６には、電子部品として、多層基板１１１０と、多層基板１１１０上に設けられる電気素子１１２０ａ，１１２０ｂとを備えたパワーアンプ１１００が示されている。
【０２４１】
多層基板１１１０は、最外層である２つの構成層（第１誘電体層）１１１０ａ、１１００ｇを有しており、２つの最外層１１１０ａ，１１１０ｇの間には、樹脂を含む複数（本実施形態では３つ）の構成層（第２誘電体層）１１１０ｂ〜１１１０ｆが配置されている。また多層基板１１１０は、構成層１１１０ａの表面上、構成層１１１０ａと構成層１１１０ｂとの間、構成層１１１０ｂと構成層１１１０ｃとの間、構成層１１１０ｃと構成層１１１０ｄとの間、構成層１１１０ｄと構成層１１１０ｅとの間、構成層１１１０ｅと構成層１１１０ｆとの間、構成層１１１０ｆと構成層１１１０ｇとの間、及び構成層１１１０ｇの表面上にそれぞれ、導体層１１３０ａ〜１１３０ｈを有している。構成層１１１０ａ〜１１１０ｇ、導体層１１３０ａ〜１１３０ｈは積層して構成されている。
【０２４２】
上記多層基板１１１０において、構成層１１００ａ，１１００ｇの限界たわみ量は、構成層１１１０ｂ〜１１１０ｆの１．３倍以上となっており、構成層１１１０ｂ〜１１１０ｆの誘電正接ｔａｎδはいずれも０．０１以下となっている。
【０２４３】
即ち多層基板１１１０は、機械的強度に優れた構成層１１１０ａ，１１１０ｇと、電気的特性に優れた構成層１１１０ｂ〜１１１０ｆとを含む。このため、製品化後においてパワーアンプ１１００に過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながらパワーアンプ１１００における多層基板１１１０における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。言い換えると、パワーアンプ１１００によれば、その特性を十分に向上させることができる。
【０２４４】
また、通常は、多層基板を曲げたりたわませたりした場合には、破断するのは表層部分からである場合が多く、多層基板の強度は最外層の強度に依存する割合が非常に大きいが、多層基板１１１０においては、機械的強度の大きい材料からなる構成層１１１０ａ，１１１０ｇが多層基板１１１０の最外層となっているため、多層基板１１１０の破断がより十分に防止される。
【０２４５】
なお、構成層１１１０ａ，１１１０ｇの限界たわみ量が構成層１１１０ｂ〜１１１０ｆの１．３倍未満では、多層基板１１１０の強度アップにはつながりにくく、過大な負荷が加えられた場合の多層基板１１１０における欠損の発生を十分に防止することができない。また、構成層１１１０ｂ〜１１１０ｆの誘電正接ｔａｎδが０．０１を超えると、ｔａｎδが０．０１以下である場合に比べて、パワーアンプ１１００のＱ値が大幅に減少し、電気的特性が良好に維持されなくなる。
【０２４６】
構成層１１１０ａ，１１１０ｂの限界たわみ量は、パワーアンプ１１００の機械的強度を増大させる観点からは、構成層１１１０ｂ〜１１１０ｆの１．５倍以上であることが好ましいが、２０倍以下であることが好ましい。限界たわみ量が２０倍を超えると、工程上の取扱いが困難となる。また構成層１１１０ｂ〜１１１０ｆの誘電正接ｔａｎδは０．００５以下であることが好ましい。この場合、ｔａｎδが０．００５を超える場合に比べて、電気的特性をより良好なものとすることが可能となる。
【０２４７】
構成層１１１０ｂ〜１１１０ｆに含まれる樹脂は特に制限されない。この樹脂としては、例えばテトラフロオロエチレン、芳香族液晶ポリエステル、ポリフェニレンサルファイド、ポリビニルベンジルエーテル化合物、ジビニルベンゼン、フマレート、ポリフェニレンオキサイド(エーテル)、シアネートエステル、ビスマレイミドトリアジン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミドなどが挙げられる。なお、上記樹脂としては、エポキシ樹脂と高いＱ値を有する活性エステル硬化樹脂との混合物を用いてもよい。
【０２４８】
但し、構成層１１１０ｂ〜１１１０ｆは、上記樹脂のほか、この樹脂よりも誘電率の大きいセラミック粉末を更に含んでも良い。この場合、誘電率の小さい樹脂を用いる場合でも、構成層１１１０ｂ〜１１１０ｆにおいて、誘電正接ｔａｎδを０．０１以下とすることが可能となる。
【０２４９】
このようなセラミック粉末は、誘電体セラミック粉末と磁性体粉末とに分けられる。
【０２５０】
上記誘電体セラミック粉末は、マグネシウム、ケイ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、バリウム、スズ、ネオジウム、ビスマス、リチウム、サマリウム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも１つの金属を含む金属酸化物粉末であって、比誘電率が３．７〜３００であり、Ｑ値が５００〜１００，０００である金属酸化物粉末であることが好ましい。
【０２５１】
金属酸化物粉末の比誘電率が３．７未満である場合は、複合誘電体層の比誘電率を高くすることができず、電子部品の小型化、軽量化が困難となる傾向がある。金属酸化物粉末の比誘電率が３００を超えるか、Ｑ値が５００未満である場合、使用時に電子部品１１００が過剰に発熱すると共に、伝送損失が低下する傾向がある。なお、上記誘電体セラミック粉末は通常、単結晶や多結晶で構成される。
【０２５２】
上記誘電体セラミック粉末の具体例としては、上述した複合誘電体層中に含まれる誘電体セラミック粉末の具体例として挙げたもののほか、シリカ、ガラス、水酸化物(水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等)等の絶縁性を有するものが挙げられる。誘電体セラミック粉末の形状は、球状、破砕状、鱗片状、針状のいずれの形状でもよい。
【０２５３】
上記誘電体セラミック粉末として、ＴｉＯ2、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2、ＢａＯ−ＣａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2、ＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2、ＢａＴｉ4Ｏ9、Ｂａ2Ｔｉ9Ｏ20、Ｂａ2(Ｔｉ,Ｓｎ)9Ｏ20、ＭｇＯ−ＴｉＯ2、ＺｎＯ−ＴｉＯ2、ＭｇＯ−ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3の成分を主成分とするものが好ましいのは、上述した複合誘電体層中に含まれる誘電体セラミック粉末と同様である。上記成分を主成分とする誘電体セラミック粉末は単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【０２５４】
上記誘電体セラミック粉末の平均粒径は、上述した複合誘電体層中に含まれる誘電体セラミック粉末と同様の理由から、０．０１〜１００μｍの範囲内にあることが好ましく、０．２〜２０μｍの範囲内にあることがさらに好ましい。
【０２５５】
また誘電体セラミック粉末の添加量は、上述した複合誘電体層中に含まれる誘電体セラミック粉末と同様の理由から、有機絶縁材料１００体積部に対して５〜１８５体積部の範囲とすることが好ましく、この範囲内で、必要とされる誘電率及び誘電正接に応じて適切な量を選択すればよい。
【０２５６】
一方、磁性体粉末は、構成層１１１０ｂ〜１１１０ｆに磁気特性を付加し、線膨張係数を低減し、材料強度を向上させることができる。
【０２５７】
上記磁性体粉末の具体例は、上述した複合誘電体層中に含まれる磁性体粉末と同じものが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【０２５８】
上記磁性体粉末の平均粒径は、上述した複合誘電体層中に含まれる磁性体粉末と同様の理由から、０.０１〜１００μｍの範囲内にあることが好ましく、０.２〜２０μｍの範囲内にあることがさらに好ましい。
【０２５９】
また磁性体粉末の添加量は、上述した複合誘電体層中に含まれる磁性体粉末と同様の理由から、有機絶縁材料１００体積部に対して５〜１８５体積部の範囲とすることが好ましく、この範囲内で適切な量を選択すればよい。
【０２６０】
構成層１１１０ａ，１１１０ｇに含まれる樹脂としては、構成層１１１０ｂ〜１１１０ｆに含まれる樹脂のほか、エポキシ樹脂やフェノール樹脂なども挙げられるが、構成層１１１０ａ，１１１０ｇは、上記樹脂のほか、この樹脂よりも誘電率の大きいセラミック粉末を更に含んでも良い。但し、構成層１１１０ａ、１１１０ｇがセラミック粉末を多く含むと、構成層１１１０ａ，１１１０ｇの限界たわみ量を構成層１１１０ｂ〜１１１０ｆの１．３倍以上とすることが困難となる。一方、構成層１１１０ａ，１１１０ｇがセラミック粉末を多く含むと、電気的特性はより向上する。従って、セラミック粉末は、適度に加えることが好ましく、具体的には、樹脂１００体積部に対してセラミック粉末を１０〜２００体積部添加することが好ましい。
【０２６１】
なお、構成層１１１０ｂ〜１１１０ｆに含まれる樹脂として、ベンジルエーテル化合物を用いる場合は、ベンジルエーテル化合物よりも曲げ強度が強く、曲げ弾性率が低く、同じ熱硬化性樹脂であって、他の樹脂と比較して硬化温度が比較的近いという理由から、構成層１１１０ａ，１１１０ｇに含まれる樹脂として、エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
【０２６２】
上記多層基板１１１０においては、構成層１１１０ａ，１１１０ｇのピール強度が、構成層１１１０ｂ〜１１１０ｆのピール強度の１．５倍以上であることが好ましい。この場合、製品化後においてパワーアンプ１１００に過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら多層基板１１１０における欠損の発生を十分に防止することが可能となることに加え、１．５倍未満である場合に比べて実装する受動・能動素子（電気素子１１２０ａ，１１２０ｂ）の固着強度及び引き剥がし強度がより向上したり、多層基板１１１０、及び電子部品としてのパワーアンプ１１００の電極としての導体層１１３０ｈの強度がより向上したりする。
【０２６３】
構成層１１１０ａ，１１１０ｇのピール強度は、構成層１１１０ｂ〜１１１０ｆのピール強度の２倍以上であることがより好ましい。但し、構成層１１１０ａ，１１１０ｇのピール強度は、構成層１１１０ｂ〜１１１０ｆのピール強度の２０倍以下であることが好ましい。構成層１１１０ａ，１１１０ｇのピール強度が構成層１１１０ｂ〜１１１０ｆのピール強度の２０倍を超えると、導体層（例えば銅箔）をかなり粗くしなければならず、パワーアンプ１１００の高周波特性に悪影響が生じる。
【０２６４】
構成層１１１０ａ，１１１０ｇのピール強度は具体的には、８Ｎ／ｃｍ以上であることが好ましく、１０Ｎ／ｃｍ以上であることがより好ましい。この場合、構成層１１１０ａ，１１１０ｇのピール強度が８Ｎ／ｃｍ未満である場合に比べて、実装部品としての電気素子１１２０ａ，１１２０ｂの応力による欠損や端子としての導体層１１３０ｈの剥がれ等の問題がより起こりにくくなるという利点が得られる。
【０２６５】
構成層１１１０ａ，１１１０ｇのピール強度は、１００Ｎ／ｃｍ以下であることが好ましい。構成層１１１０ａ，１１１０ｇのピール強度が１００Ｎ／ｃｍを超えると、導体層（例えば銅箔）をかなり粗くしなければならず、パワーアンプ１１００の高周波特性に悪影響が生じる。
なお、図７６において、構成層１１１０ｄは、強化繊維からなるクロス１１３１を有し、コア基板を構成している。このクロス１１３１の材質及び厚さは、前述した通りである。
【０２６６】
上記導体層１１３０ａ〜１１３０ｈを構成する材料は、導電材料であれば特に制限されず、かかる導電材料としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等が挙げられる。これらの中でもＣｕがより好ましい。Ｃｕは内部抵抗を小さくし、マイグレーションを起こしにくいためである。また電気素子１１２０ａ，１１２０ｂとしては、例えばコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等が用いられる。
【０２６７】
上記多層基板１１１０は、ビルドアップ工法、一括積層工法等の一般的なプリント基板の工法を用いて製造することが可能である。
（第２９実施形態）
【０２６８】
図７７は本発明の電子部品の第２９実施形態であるキャパシタ（コンデンサ）を示した透視斜視図、図７８は、本発明の電子部品の第２９実施形態であるキャパシタ（コンデンサ）を示した部分断面図である。
【０２６９】
図７７、図７８において、キャパシタ１２００は、構成層１２００ａ〜１２００ｇを積層してなる積層体と、構成層１２００ｂ〜１２００ｇ上に形成されている導体層２３と、積層体の両側にそれぞれ設けられる端子電極２２とを備えている。そして、隣り合う内部導体２３は、それぞれ異なる端子電極２２に接続されている。また端子電極２２の両端にはランドパターン２１が設けられている。また各構成層１２００ａ，１２００ｇは、上記第２７実施形態の構成層１１００ａ，１１００ｂと同様の材料で構成され、各構成層１２００ｂ〜１２００ｆは、第２７実施形態の構成層１１１０ｂ〜１１１０ｆと同様の材料で構成されている。即ち、構成層１２００ａ，１２００ｇの限界たわみ量は、構成層１２００ｂ〜１２００ｆの１．３倍以上となっており、構成層１２００ｂ〜１２００ｆの誘電正接ｔａｎδは０．０１以下となっている。従って、このキャパシタ１２００によれば、製品化後においてキャパシタ１２００に過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながらキャパシタ１２００における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。
【０２７０】
各構成層１２００ａ〜１２００ｇは、キャパシタ１２００を大容量化するには、構成層１２００ｂ〜１２００ｆの材料の誘電率をできるだけ高くする必要があり、そのためには、構成層１２００ｂ〜１２００ｆ中に含まれる樹脂に対し、その樹脂より高い誘電率を有するセラミック粉末をコンポジットさせることが好ましい。また、キャパシタ１２００を、高周波の電磁界が印加される用途に使用する場合には、キャパシタ１２００のＱも電気特性に影響を与える場合が多いので、そのような場合には、ｔａｎδをできるだけ小さくすることが好ましく、そのためには、構成層１２００ｂ〜１２００ｆを構成する樹脂として、樹脂自体のｔａｎδが小さいものを選択するか、樹脂よりもｔａｎδの低いセラミック粉末をコンポジットすればよい。このような樹脂やセラミック粉末としては、第２７実施形態における樹脂やセラミック粉末を用いることができる。各構成層１２００ａ，１２００ｇは同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。また各構成層１２００ｂ〜１２００ｆも同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。
なお、上記実施形態と同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、重複説明を省略する。
（第３０実施形態）
【０２７１】
図７９は本発明の電子部品の第３０実施形態であるインダクタを示した透視斜視図、図８０は、本発明の電子部品の第３０実施形態であるインダクタを示した部分断面図である。
【０２７２】
図７９，８０において、インダクタ１３００は、構成層１３００ａ〜１３００ｅを積層してなる積層体と、構成層１３００ｂ〜１３００ｅに設けられる内部導体１３ａ〜１３（導体層）ｄと、この内部導体１３ａ〜１３ｄを電気的に接続するためのビアホール１４とを有する。また内部導体１３とビアホール１４とによりコイルパターン（導電性素子部）が構成されている。
【０２７３】
各構成層１３００ａ，１３００ｅは、上記第２８実施形態の構成層１１１０ａ，１１１０ｇと同様の材料で構成され、各構成層１３００ｂ〜１３００ｄは、第２８実施形態の構成層１１１０ｂ〜１１１０ｆと同様の材料で構成されている。即ち、構成層１３００ａ，１３００ｇの限界たわみ量は、構成層１３００ｂ〜１３００ｄの１．３倍以上となっており、構成層１３００ｂ〜１３００ｄの誘電正接ｔａｎδは０．０１以下となっている。従って、このインダクタ１３００によれば、製品化後においてインダクタ１３００に過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながらインダクタ１３００における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。
【０２７４】
また、積層体の対向する両側面にはそれぞれ端子電極１２が設けられており、コイルパターンの両端部はそれぞれ、各端子電極１２に接続されている。なお、端子電極１２の両端にはランドパターン１１が設けられている。
【０２７５】
なお、各構成層１３００ａ，１３００ｅは同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。また各構成層１３００ｂ〜１３００ｄも同一でも異なってもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。なお、上記実施形態と同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、重複説明を省略する。
【０２７６】
なお、内部導体１３ａ〜１３ｄは、ビアホール１４とともにヘリカル状に構成されているが、ビアホール１４を除去し、内部導体１３ａ〜１３ｄを１つにまとめてこれをミアンダ状に構成してもよい。このような構成でも、インダクタとして機能することが可能である。
【０２７７】
本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば本発明の電子部品は、上記第１〜第２７実施形態に記載の電子部品のほか、コイルコア、トロイダルコア、円盤コンデンサ、貫通コンデンサ、クランプフィルタ、コモンモードフィルタ、ＥＭＣフィルタ、電源用フィルタ、パルストランス、偏向コイル、チョークコイル、ＤＣ−ＤＣコンバータ、ディレイライン、電波吸収シート、薄型電波吸収体、電磁シールド、ダイプレクサ、デュプレクサ、アンテナスイッチモジュール、アンテナフロントエンドモジュール、アイソレータ・パワーアンプモジュール、ＰＬＬモジュール、フロントエンドモジュール、チューナーユニット、方向性結合器、ダブルバランスドミキサー（ＤＢＭ）、電力合成器、電力分配器、トナーセンサ、電流センサ、アクチュエータ、サウンダ（圧電型音声発生器）、マイク、レシーバ、ブザー、ＰＴＣサーミスタ、温度ヒューズ、フェライト磁石等であってもよい。
【０２７８】
また上記第２８〜第３０実施形態では、電子部品として、パワーアンプ１１００、キャパシタ１２００、インダクタ１３００が用いられているが、本発明の電子部品は、上記パワーアンプ、キャパシタ、インダクタのほかに、ＶＣＯ、アンテナスイッチモジュール、フロントエンドモジュール、ＰＬＬモジュール、ＲＦチューナーモジュール、ＲＦユニット、重畳モジュール、ＴＣＸＯ等に適用することも可能である。
【０２７９】
また、上記第２８〜第３０実施形態では、最外層の限界たわみ量が、それらの間に配置される構成層の１．３倍以上となっているが、最外層のピール強度が、それらの間に配置される構成層の１．５倍以上となっていれば、必ずしも最外層の限界たわみ量が、それらの間に配置される構成層の１．３倍以上となっている必要はない。この場合でも、製品化後において電子部品に過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら電子部品における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。なお、最外層のピール強度は、それらの間に配置される構成層の２０倍以下であることが好ましい。最外層のピール強度がそれらの間に配置される構成層のピール強度の２０倍を超えると、導体層（例えば銅箔）をかなり粗くしなければならず、電子部品の高周波特性に悪影響が生じる。
また、上記第２８〜第３０実施形態では、２つの最外層のいずれも、それらの間に配置される構成層の１．３倍以上の限界たわみ量を有しているが、いずれか一方の最外層の限界たわみ量が、上記構成層の１．３倍以上であればよい。この場合でも、製品化後において電子部品に過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら電子部品における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。
【実施例】
【０２８０】
以下、実施例により本発明の内容をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
（製造例Ａ：活性エステル化合物の合成）
【０２８１】
窒素導入管を備えた２Ｌのセパラブルフラスコに、蒸留水９００ｍＬ及び水酸化ナトリウム０．５８３３モル(２３．３３ｇ)を入れ、窒素導入管より窒素を導入して充分にバブリングし、蒸留水中及び反応系内の酸素を除去した。そこへ、α−ナフトール０．５４モル(７７．８５ｇ)を１時間かけて溶解させ、α−ナフトール溶液を得た。これとは別に、６０℃まで昇温した別のフラスコにトルエン６００ｍＬを入れ、イソフタル酸クロライド（東京化成工業株式会社製）０．２７モル(５４．８２ｇ)を溶解させた。
【０２８２】
このイソフタル酸クロライド溶液を６０℃に昇温し、ファードラー翼にて３００回転で撹拌している上記α−ナフトール溶液中に１５秒かけて滴下し、そのままの回転数で４時間保持し反応させた。反応終了後、静置分液し水相を取り除いた。トルエン相について０．５％炭酸ソーダ水にて洗浄３０分と静置分液とを３回繰り返した後、脱イオン水にて洗浄３０分と静置分液とを３回繰り返した。その後、昇温してトルエンを４００ｍＬ程度除去し濃縮した後、ヘプタン６００ｍＬを１５秒で滴下し、ジ(α−ナフチル)イソフタレートを析出させた。これを濾過して、３００ｍＬのメタノールで３０分室温にて洗浄し、濾過−乾燥により、活性エステル化合物であるジ(α−ナフチル)イソフタレート１０６ｇを得た。エステル化率は９９．８％であった。以下、得られたジ(α−ナフチル)イソフタレートを「ＩＡＡＮ」と呼ぶ。
（製造例Ｂ：ポリアリレートの合成）
【０２８３】
１．０３１ｋｇの塩化イソテレフタロイル、０．２５８ｋｇの塩化テレフタロイル、０．０５７ｋｇの塩化メチルトトリオクチルアンモニウム及び２７．３ｋｇのトルエンからなる溶液と、１．５４０ｋｇの３,３'−５,５'−テトラメチルビフェノール、０．６４８ｋｇの水酸化ナトリウム及び１９．２ｋｇの脱酸素水からなる溶液を１００Ｌ釜の中で１１℃にて３０分間、撹拌混合し接触させた。
【０２８４】
生成液を静置分離後、水相を除去し、次いでトルエン相を３回繰り返し水で洗浄した。続いて得られたトルエン相に、貧溶媒であるメタノールを各々１０Ｌ／分、１００Ｌ／分の供給速度で供給し、連続式剪断機（太平洋機工製ファインフローミルＦＭ−２５、ブレード周速＝１５ｍ／秒）に連続的に通じて、沈殿操作（ポリアリレートの析出）を行った。次いで得られたポリアリレートを濾材上に捕集し、釜中で８０℃の温水で３０分間洗浄、濾過を３回繰り返し、その後、乾燥してポリアリレートを得た。クロロホルム中(０．１ｇ／ｄＬ)３０℃で、ウベローデ粘度計にて決定したポリアリレートのインヘレント粘度は、１．５ｄＬ／ｇであった。以下、得られたポリアリレートを「ポリアリレート１」と呼ぶ。
（実施例１）
【０２８５】
Ba2Ti9O20系誘電体セラミック粉末（平均粒径１．７μｍ、周波数ギガＨｚ帯における誘電特性：ε３９／Ｑ９０００、ＴＤＫ(株)）１４１５重量部、有機溶剤であるテトラヒドロフラン６２０重量部、カップリング剤であるＫＢＭ５７３(信越化学工業(株))７．１重量部を５リットルビーカに入れ、撹拌機を用いて４時間撹拌処理を行った。その後エポキシ樹脂であるＥＰＩＣＬＯＮＨＰ７２００Ｈ（大日本インキ化学工業(株)）１７４重量部、活性エステル化合物であるＩＡＡＮ１５８重量部、難燃剤であるＥＰＩＣＬＯＮ１５２（大日本インキ化学工業(株)）４８重量部、硬化促進剤であるキュアゾール２Ｅ４ＭＺ（四国化成工業(株)）１．１重量部を添加し、完全に溶解、分散するまで撹拌を行い、ペースト（ペーストＡ）を得た。
【０２８６】
一方、ポリアリレート１の６７重量部と有機溶剤であるテトラヒドロフラン８４０重量部を２リットルビーカに入れて完全にポリアリレートが溶解、分散するまで撹拌を行い、ペースト（ペーストＢ）を得た。
【０２８７】
次いで、上記ペーストＢをペーストＡのビーカ中に入れて、完全に分散するまで撹拌を行いペースト（ペーストＣ）を得た。
【０２８８】
このペーストＣを１８μｍ電解銅箔（ＣＦ−Ｔ９、福田金属箔工業（株））若しくは５０μｍＰＥＴフィルム上にドクターブレードを用いて塗工し、５０℃／１０分＋１２０℃／１０分の乾燥処理を行った。得られたシートの厚さは５０μｍであった。これを１２枚重ねて高温真空プレス機（ＫＶＨＣ型、北川精機(株)）にて、「２℃／分にて３０℃から１５０℃まで昇温後、６０分保持した後３℃／分にて１９０℃まで昇温し６０分保持する温度プロファイル、３ＭＰａの圧力、３０ｔｏｒｒ以下の真空度」の条件にてプレスを行った。プレス後に得られたシートの硬化物の厚さは５００μｍであった。
（比較例１）
【０２８９】
表１に記載の材料を同表記載の重量用いた他は実施例１と同様にして、エポキシ樹脂及び活性エステル化合物に代えて３３２ｇのポリビニルベンジルエーテルを含む硬化物を得た。なお、表１中、可撓性付与材として使用したタフテックＨ１０４３は、スチレン−ブタジエン−スチレントリブロック共重合体を水素添加したもの（旭化成社製）であり、ＳＡＹＴＥＸ  ＢＴ９３は、エチレンビステトラブロモフタルイミド（アルベマール社製）である。
【０２９０】
実施例１で得られたシート硬化物を用いて以下の方法により比誘電率、誘電正接、ガラス転移温度、吸水率及び曲げ強度を求めた。
（比誘電率及び誘電正接）
【０２９１】
硬化物を、長さ１００ｍｍ、幅１．５ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの棒状試料とし、空洞共振器摂動法（ＴＤＫ（株）開発高周波誘電特性測定装置、ヒューレットパッカード(株)製８３６２０Ａ及び８７５７Ｄを使用）にて２ＧＨｚの周波数にて誘電率及び誘電正接の測定を行った。
（ガラス転移温度）
【０２９２】
ＪＩＳ Ｃ６４８１の測定方法に準拠し、ＤＳＣ−５０(島津製作所製)を用いて、１０℃／分の昇温にて３０℃から２００℃の温度範囲で測定を行い、発熱、吸熱曲線のオンセット及びエンドセットの中点温度を計算しガラス転移温度を求めた。
（吸水率）
【０２９３】
硬化物を、長さ５０ｍｍ、幅５０、厚さ０．５ｍｍの平板状試料とし、１２０℃／１時間の減圧乾燥（減圧度５ｔｏｒｒ以下）を行い、２５℃／６０％ＲＨに保たれた定温定湿槽に１時間放置した後、精密天秤（ＥＲ−１８２Ａ、研精工業(株)）にて初期重量を測定した。その後８５℃／８５％ＲＨの高温高湿槽に２４時間放置して当該槽より取り出し、２５℃／６０％ＲＨに保たれた定温定湿槽に１時間放置した後、上記精密天秤にて試験後重量を測定した。吸水率は下記式より算出した。
【０２９４】
吸水率（％）＝（試験後重量−初期重量）／初期重量×１００
（曲げ強度）
【０２９５】
シート硬化物に対する曲げ強度（ＭＰａ）は、ＪＩＳ  Ｃ６４８１に準拠して測定した。
【０２９６】
上記試験の結果を樹脂組成物の組成とともに以下の表１に示す。なお、上記条件で測定した比誘電率の値が３．６以上であれば高誘電率であるということができ、誘電正接が０．０５以下であれば低誘電正接であるということができる。また、ガラス転移温度が１２０℃以上であれば当該温度が高いということができ、吸水率の値が０．１以下であれば吸水率が低いということができる。表１の流動性の欄には○を記載しているが、○は流動性が１０１％以上を意味し、△は流動性が１０１％未満を意味する。
【表１】
2004221572.tif 000013
【０２９７】
表１に示すように、実施例１のシート硬化物については、曲げ強度が大きかったのに対し、比較例１のシート硬化物については、曲げ強度が小さかった。このことから、実施例１のシート硬化物により構成される電子部品は、その取扱い時において、変形や欠損等が起こり難いものと考えられる。
【０２９８】
（実施例２）
以下のようにして、図８１に示す電子部品としてのパワーアンプモジュールを作製した。なお、図８１において、図７６と同一又は同等の構成要素には同一符号を付してある。
【０２９９】
まず下記構造式（Ｉ）：
2004221572.tif 000014
（上記式（Ｉ）中、Ｒ１はメチル基、Ｒ２がベンジル基、Ｒ３がビニルベンジル基を表し、ｎは３である）
で表される分子量約６０００のビニルベンジル樹脂（ポリビニルベンジルエーテル化合物（ＶＢ））とタフテックＨ１０４３をトルエンに入れ、完全に溶解するまで撹拌した。そこに、ＳＡＹＴＥＸＢＴ９３、ジクミルパーオキサイド、ＢａＮｄ２Ｔｉ４Ｏ１２（平均粒径０．２μｍ、比誘電率９３）、ＫＢＭ５７３と、２０ｍｍφのジルコニアボールを２００ｇ入れ、４時間ボールミルで混合した。
こうしてペースト（以下、「ペーストＤ」という）を得た。このとき、ペーストＤ中のセラミック粉末の含有率が約４０体積％となるようにした。そして、ペーストＤを１２μｍ電解銅箔（ＪＴＭ、日鉱マテリアルズ(株)）上にドクターブレードを用いて塗工し、１２０℃で５分の乾燥処理を行い、シート（以下、シートＡという）を得た。得られたシートＡの厚さは５０μｍであった。上記のようにして同一のシートＡを４枚用意した。なお、ペーストＤの誘電率は約１０、ｔａｎδは約０．００２５であった。またシートＡについて曲げ強度、曲げ弾性率及びピール強度を測定したところ、曲げ強度は８０ＭＰａであり、曲げ弾性率は８ＧＰａであった。ピール強度は１２μｍ銅箔で４．２Ｎ／ｃｍであった。またシートＡについて限界たわみ量を測定したところ、限界たわみ量は３．６ｍｍであった。なお、曲げ強度は、上記と同様の方法によって測定し、曲げ弾性率は、ＪＩＳ  Ｋ６９１１に準拠して測定した。
【０３００】
一方、エポキシ樹脂に、溶融シリカからなるセラミック粉末（電気化学工業ＦＢ−３ＳＸ）をコンポジットし、ペースト（以下、「ペーストＥ」という）を得た。このとき、ペーストＥ中のセラミック粉末の含有率が約１５体積％となるようにした。そして、ペーストＥを１２μｍ電解銅箔（ＪＴＭ、日鉱マテリアルズ(株)）上にドクターブレードを用いて塗工し、１１０℃で５分の乾燥処理を行い、シート（以下、シートＢという）を得た。得られたシートＢの厚さは５０μｍであった。上記のようにしてシートＢを２枚用意した。ペーストＥの誘電率は約３．２、ｔａｎδは約０．０１１であった。またシートＢについて曲げ強度、曲げ弾性率及びピール強度を測定したところ、曲げ強度は１４０ＭＰａであり、曲げ弾性率は５ＧＰａであった。ピール強度は１２μ銅箔で１１Ｎ／ｃｍであり、シートＡのピール強度の２．２倍であった。またシートＢの限界たわみ量は５．７ｍｍであり、シートＡの２．３倍であった。なお、曲げ強度、曲げ弾性率及びピール強度は、上記と同様にして測定した。
【０３０１】
次に、２枚のシートＢの間に、ペーストＤ及び厚さ約９５μｍのガラスクロス１１３１で構成される厚さ１５０μｍのコア基板を配置し、２枚のシートＢとコア基板との間にはそれぞれ、シートＡを２枚ずつ配置した。そして、シートＡ、コア基板及びシートＢを重ねて高温真空プレス機（ＫＶＨＣ型、北川精機(株)）を用い、プレス圧を４ＭＰａに保持しながら、３℃／分で昇温した後、１５０℃で４０分保持し、４℃／分で昇温した後、２００℃で１８０分保持するという条件でプレスを行った。こうして、構成層１１１０ａ〜１１１０ｇ及び導体層１１３０ａ〜１１３０ｈで構成される多層基板１１１０を得た。
【０３０２】
続いて、多層基板１１１０上に、電気素子として、増幅回路を内蔵した半導体のベアチップ１１２０ａをワイヤボンディングによって実装した後、このベアチップ１１２０ａをエポキシ樹脂及びシリカからなる樹脂組成物１１４０でモールドした。更に多層基板上には電気素子としてチップコンデンサ１１２０ｂを実装した。こうして図８１に示すパワーアンプモジュール１１００を得た。
【０３０３】
（比較例２）
シートＢを全てシートＡに代えた以外は実施例２と同様にしてパワーアンプモジュールを得た。従って、このパワーアンプモジュールにおいては、最外層の限界たわみ量は、その内側の層の１倍となり、最外層のピール強度は、その内側の層の１倍となる。
【０３０４】
（電気的特性及び機械的特性試験）
上記のようにして得られた実施例２及び比較例２のパワーアンプモジュールについて以下のようにして電気的特性及び機械的特性の試験を行った。
【０３０５】
即ち電気的特性の試験はシグナルジェネレータ、パワーメータ、スペクトラムアナライザ等の測定器を用い、出力レベル、効率、歪み等の測定を行った。一方、機械的特性の試験は、実装部品であるチップコンデンサ１１２０ｂの横押し強度、たわみ試験、固着強度試験、引き剥がし試験を、いずれもＪＩＳ  Ｃ７２１０に従って測定した。
【０３０６】
その結果、実施例２及び比較例２のパワーアンプモジュールのいずれにおいても、電気的特性が良好に維持されていることが分かった。これに対し、実施例２のパワーアンプモジュールは、比較例２のパワーアンプモジュールよりも欠損の発生を十分に防止できることが分かった。
【図面の簡単な説明】
【０３０７】
【図１】本発明の電子部品の第１実施形態であるインダクタを示す透視斜視図である。
【図２】本発明の電子部品の第１実施形態であるインダクタを示す断面図である。
【図３】本発明の電子部品の第２実施形態であるインダクタを示す透視斜視図である。
【図４】本発明の電子部品の第２実施形態であるインダクタを示す断面図である。
【図５】本発明の電子部品の第３実施形態であるインダクタを示す透視斜視図である。
【図６】本発明の電子部品の第３実施形態であるインダクタを示す断面図である。
【図７】本発明の電子部品の第４実施形態であるインダクタを示す透視斜視図である。
【図８】本発明の電子部品の第４実施形態であるインダクタを示す断面図である。
【図９】本発明の電子部品の第５実施形態であるインダクタを示す透視斜視図である。
【図１０】本発明の電子部品の第１、第５実施形態であるインダクタを示す等価回路図である。
【図１１】本発明の電子部品の第６実施形態であるキャパシタを示す透視斜視図である。
【図１２】本発明の電子部品の第６実施形態であるキャパシタを示す断面図である。
【図１３】本発明の電子部品の第７実施形態であるキャパシタを示す透視斜視図である。
【図１４】本発明の電子部品の第７実施形態であるキャパシタを示す等価回路図である。
【図１５】本発明の電子部品の第８実施形態であるバルントランスを示す透視斜視図である。
【図１６】本発明の電子部品の第８実施形態であるバルントランスを示す断面図である。
【図１７】本発明の電子部品の第８実施形態であるバルントランスの各構成層の分解平面図である。
【図１８】本発明の電子部品の第８実施形態であるバルントランスを示す等価回路図である。
【図１９】本発明の電子部品の第９実施形態である積層フィルタを示す斜視図である。
【図２０】本発明の電子部品の第９実施形態である積層フィルタを示す分解斜視図である。
【図２１】本発明の電子部品の第９実施形態である積層フィルタを示す等価回路図である。
【図２２】本発明の電子部品の第９実施形態である積層フィルタの伝達特性を示すグラフである。
【図２３】本発明の電子部品の第１０実施形態である積層フィルタを示す斜視図である。
【図２４】本発明の電子部品の第１０実施形態である積層フィルタを示す分解斜視図である。
【図２５】本発明の電子部品の第１０実施形態である積層フィルタを示す等価回路図である。
【図２６】本発明の電子部品の第１０実施形態である積層フィルタの伝達特性を示すグラフである。
【図２７】本発明の電子部品の第１１実施形態であるブロックフィルタを示す斜視図である。
【図２８】本発明の電子部品の第１１実施形態であるブロックフィルタを示す正面断面図である。
【図２９】本発明の電子部品の第１１実施形態であるブロックフィルタを示す側面断面図である。
【図３０】本発明の電子部品の第１１実施形態であるブロックフィルタを示す平面断面図である。
【図３１】本発明の電子部品の第１１実施形態であるブロックフィルタの等価回路図である。
【図３２】本発明の電子部品の第１１実施形態であるブロックフィルタを作製するための金型を示す概略断面図である。
【図３３】本発明の電子部品の第１２実施形態であるカプラを示す透視斜視図である。
【図３４】本発明の電子部品の第１２実施形態であるカプラを示す断面図である。
【図３５】本発明の電子部品の第１２実施形態であるカプラの各構成層の分解斜視図である。
【図３６】本発明の電子部品の第１２実施形態であるカプラの内部結線図である。
【図３７】本発明の電子部品の第１２実施形態であるカプラの等価回路図である。
【図３８】本発明の電子部品の第１３実施形態であるアンテナを示す透視斜視図である。
【図３９】本発明の電子部品の第１３実施形態であるアンテナを示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面断面図、（ｃ）は正面断面図である。
【図４０】本発明の電子部品の第１３実施形態であるアンテナの各構成層の分解斜視図である。
【図４１】本発明の電子部品の第１４実施形態であるアンテナを示す透視斜視図である。
【図４２】本発明の電子部品の第１４実施形態であるアンテナを示す分解斜視図である。
【図４３】本発明の電子部品の第１５実施形態であるパッチアンテナを示す透視斜視図である。
【図４４】本発明の電子部品の第１５実施形態であるパッチアンテナを示す断面図である。
【図４５】本発明の電子部品の第１６実施形態であるパッチアンテナを示す透視斜視図である。
【図４６】本発明の電子部品の第１６実施形態であるパッチアンテナを示す断面図である。
【図４７】本発明の電子部品の第１７実施形態であるパッチアンテナを示す透視斜視図である。
【図４８】本発明の電子部品の第１７実施形態であるパッチアンテナを示す断面図である。
【図４９】本発明の電子部品の第１８実施形態であるパッチアンテナを示す透視斜視図である。
【図５０】本発明の電子部品の第１８実施形態であるパッチアンテナを示す断面図である。
【図５１】本発明の電子部品の第１９実施形態であるＶＣＯを示す透視斜視図である。
【図５２】本発明の電子部品の第１９実施形態であるＶＣＯを示す断面図である。
【図５３】本発明の電子部品の第１９実施形態であるＶＣＯを示す等価回路図である。
【図５４】本発明の電子部品の第２０実施形態であるパワーアンプの各構成層の分解斜視図である。
【図５５】本発明の電子部品の第２０実施形態であるパワーアンプを示す断面図である。
【図５６】本発明の電子部品の第２０実施形態であるパワーアンプを示す等価回路図である。
【図５７】本発明の電子部品の第２１実施形態である重畳モジュールの各構成層の分解平面図である。
【図５８】本発明の電子部品の第２１実施形態である重畳モジュールを示す断面図である。
【図５９】本発明の電子部品の第２１実施形態である重畳モジュールを示す等価回路図である。
【図６０】本発明の電子部品の第２２実施形態であるＲＦモジュールを示す斜視図である。
【図６１】図６０の外装部材を外した状態でのＲＦモジュールの斜視図である。
【図６２】本発明の電子部品の第２２実施形態であるＲＦモジュールの各構成層の分解斜視図である。
【図６３】本発明の電子部品の第２２実施形態であるＲＦモジュールを示す断面図である。
【図６４】本発明の電子部品の第２３実施形態である共振器を示す透視斜視図である。
【図６５】本発明の電子部品の第２３実施形態である共振器を示す断面図である。
【図６６】本発明の電子部品の第２４実施形態である共振器を示す透視斜視図である。
【図６７】本発明の電子部品の第２４実施形態である共振器を示す断面図である。
【図６８】本発明の電子部品の第２５実施形態である共振器を示す透視斜視図である。
【図６９】本発明の電子部品の第２６実施形態である共振器を示す透視斜視図である。
【図７０】本発明の電子部品の第２３〜２６実施形態である共振器の等価回路図である。
【図７１】本発明の電子部品の第２７実施形態である携帯端末機器の高周波数部を示すブロック構成図である。
【図７２】銅箔付基板の形成例を示すフローチャートである。
【図７３】銅箔付基板の形成例を示す工程図である。
【図７４】多層基板の形成例を示すフローチャートである。
【図７５】多層基板の形成例を示す工程図である。
【図７６】図７６は、本発明の電子部品の第２８実施形態を示す部分断面図である。
【図７７】図７７は本発明の電子部品の第２９実施形態であるキャパシタ（コンデンサ）を示した透視斜視図である。
【図７８】図７８は、本発明の電子部品の第２９実施形態であるキャパシタ（コンデンサ）を示した部分断面図である。
【図７９】図７９は本発明の電子部品の第３０実施形態であるインダクタを示した透視斜視図である。
【図８０】図８０は、本発明の電子部品の第３０実施形態であるインダクタを示した部分断面図である。
【図８１】図８１は、実施例２に係る電子部品を示す部分断面図である。
【符号の説明】
【０３０８】
１０…インダクタ（電子部品）、１０ａ〜１０ｅ…構成層（複合誘電体層）、１３ａ〜１３ｄ…内部導体（導電性素子部、導体層）、１４…ビアホール（導電性素子部）、２０…キャパシタ（電子部品）、２０ａ〜２０ｇ…構成層（複合誘電体層）、２３…内部導体（導電性素子部、導体層）、４０…バルントランス（電子部品）、４０ａ〜４０ｏ…構成層（複合誘電体層）、４５…ＧＮＤ導体（導電性素子部）、４３…内部導体（導電性素子部）、６０…積層フィルタ（電子部品）、８０…ブロックフィルタ（電子部品）、１１０…カプラ（電子部品）、１３０、１４０…アンテナ（電子部品）、１５０、１６０、１７０…パッチアンテナ（電子部品）、１４０ａ〜１４０ｃ…構成層（複合誘電体層）、１４３ａ…内部導体（導電性素子部）、１４４に…ビアホール（導電性素子部）、１５０ａ…構成層（複合誘電体層）、１５０ｂ…構成層（複合誘電体層）、１５５…ＧＮＤ導体（導電性素子部）、１５９…パッチ導体（導電性素子部）、１５９ａ，１５９ｅ…パッチ導体（導電性素子部）、１６０…パッチアンテナ（電子部品）、１６０ａ…構成層（複合誘電体層）、１６５…ＧＮＤ導体（導電性素子部）、１６９…パッチ導体（導電性素子部）、１７０…パッチアンテナ（電子部品）、１８０…パッチアンテナ（電子部品）、２１０…ＶＣＯ（電子部品）、２１０ａ〜２１０ｇ…構成層（複合誘電体層）、２６２，２６３，２６４…導体パターン（導電性素子部）、３００…パワーアンプ（電子部品）、３００ａ〜３００ｅ…構成層（複合誘電体層）、３１３…内部導体（導電性素子部）、３１４…ビアホール（導電性素子部）、３１５…ＧＮＤ導体（導電性素子部）、４００…重畳モジュール（電子部品）、４００ａ〜４００ｋ…構成層（複合誘電体層）、４１３，４１５…導体パターン（導電性素子部）、４１４…ビアホール（導電性素子部）、５００…ＲＦモジュール（電子部品）、５００ａ〜５００ｉ…構成層（複合誘電体層）、５１３，５１５、５７２…導体パターン（導電性素子部）、６００…共振器（電子部品）、６１０…ベース材（複合誘電体層）、６４１…同軸導体（導電性素子部）、６４７…表面ＧＮＤ導体（導電性素子部）、６８１…共振器用ＨＯＴ端子（導電性素子部）、６８２…端部導体（導電性素子部）、７００…ストリップ共振器（電子部品）、７１０ａ〜７１０ｄ…構成層（複合誘電体層）、７８１…共振器用ＨＯＴ端子（導電性素子部）、７８２…ＧＮＤ端子（導電性素子部）、７８３…ＧＮＤ導体（導電性素子部）、７８４…ストリップ導体（導電性素子部）、８００…共振器（電子部品）、８１０…ベース材（複合誘電体層）、８４１、８４２…同軸型導電体（導電性素子部）、８４７…表面ＧＮＤ導体（導電性素子部）、８５０…ストリップ共振器（電子部品）、８８１…共振器用ＨＯＴ端子（導電性素子部）、８８２…端部電極（導電性素子部）、８８３…ＧＮＤ導体（導電性素子部）、８８４…ストリップ導体（導電性素子部）、８８５…接続用電極（導電性素子部）、１１１０ａ、１１１０ｂ、１２００ａ，１２００ｇ，１３００ａ，１３００ｅ…構成層（第１誘電体層）、１１１０ｂ〜１１１０ｆ、１２００ｂ〜１２００ｆ、１３００ｂ〜１３００ｄ…構成層（第２誘電体層）、１１３０ａ〜１１３０ｈ…導体層、１１１０…多層基板、１１００、１２００，１３００…電子部品、１１２０ａ，１１２０ｂ…電気素子。
【図１】
2004221572.tif 000018
【図２】
2004221572.tif 000019
【図３】
2004221572.tif 000020
【図４】
2004221572.tif 000021
【図５】
2004221572.tif 000022
【図６】
2004221572.tif 000023
【図７】
2004221572.tif 000024
【図８】
2004221572.tif 000025
【図９】
2004221572.tif 000026
【図１０】
2004221572.tif 000027
【図１１】
2004221572.tif 000028
【図１２】
2004221572.tif 000029
【図１３】
2004221572.tif 000030
【図１４】
2004221572.tif 000031
【図１５】
2004221572.tif 000032
【図１６】
2004221572.tif 000033
【図１７】
2004221572.tif 000034
【図１８】
2004221572.tif 000035
【図１９】
2004221572.tif 000036
【図２０】
2004221572.tif 000037
【図２１】
2004221572.tif 000038
【図２２】
2004221572.tif 000039
【図２３】
2004221572.tif 000040
【図２４】
2004221572.tif 000041
【図２５】
2004221572.tif 000042
【図２６】
2004221572.tif 000043
【図２７】
2004221572.tif 000044
【図２８】
2004221572.tif 000045
【図２９】
2004221572.tif 000046
【図３０】
2004221572.tif 000047
【図３１】
2004221572.tif 000048
【図３２】
2004221572.tif 000049
【図３３】
2004221572.tif 000050
【図３４】
2004221572.tif 000051
【図３５】
2004221572.tif 000052
【図３６】
2004221572.tif 000053
【図３７】
2004221572.tif 000054
【図３８】
2004221572.tif 000055
【図３９】
2004221572.tif 000056
【図４０】
2004221572.tif 000057
【図４１】
2004221572.tif 000058
【図４２】
2004221572.tif 000059
【図４３】
2004221572.tif 000060
【図４４】
2004221572.tif 000061
【図４５】
2004221572.tif 000062
【図４６】
2004221572.tif 000063
【図４７】
2004221572.tif 000064
【図４８】
2004221572.tif 000065
【図４９】
2004221572.tif 000066
【図５０】
2004221572.tif 000067
【図５１】
2004221572.tif 000068
【図５２】
2004221572.tif 000069
【図５３】
2004221572.tif 000070
【図５４】
2004221572.tif 000071
【図５５】
2004221572.tif 000072
【図５６】
2004221572.tif 000073
【図５７】
2004221572.tif 000074
【図５８】
2004221572.tif 000075
【図５９】
2004221572.tif 000076
【図６０】
2004221572.tif 000077
【図６１】
2004221572.tif 000078
【図６２】
2004221572.tif 000079
【図６３】
2004221572.tif 000080
【図６４】
2004221572.tif 000081
【図６５】
2004221572.tif 000082
【図６６】
2004221572.tif 000083
【図６７】
2004221572.tif 000084
【図６８】
2004221572.tif 000085
【図６９】
2004221572.tif 000086
【図７０】
2004221572.tif 000087
【図７１】
2004221572.tif 000088
【図７２】
2004221572.tif 000089
【図７３】
2004221572.tif 000090
【図７４】
2004221572.tif 000091
【図７５】
2004221572.tif 000092
【図７６】
2004221572.tif 000093
【図７７】
2004221572.tif 000094
【図７８】
2004221572.tif 000095
【図７９】
2004221572.tif 000096
【図８０】
2004221572.tif 000097
【図８１】
2004221572.tif 000098