(57)【要約】【課題】光モジュールの小型化を図ることが可能なサブアセンブリ，小型化された光モジュール，およびその実装方法を提供すること。【解決手段】サブアセンブリ１は，支持基板１０上に実装されたレーザダイオード２０と，レーザダイオード２０と光ファイバ７０を光結合させるレンズ素子３０と，アイソレータ素子４０とを有する。レンズ素子３０は，光学基板の表面に形成されたレンズ部３２と，実装時にＶ溝１６に接する形状を有する適合部３６を有する。光モジュール３において，サブアセンブリ１は，パッケージを構成する台座部であるヘッダ５４に搭載され，その両側にアイソレータ素子４０に磁界を印加するための磁石４６ａ，４６ｂが搭載される。【選択図】      図４
2004288686.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部材配置用の溝を有する支持基板と，
前記支持基板に実装され，光学基板の表面に形成されたレンズ部と，実装時に前記支持基板の前記溝に接する形状を有する適合部と，を有するレンズ素子と，
前記支持基板に実装され，アイソレータ機能を有するアイソレータ素子と，
を具備することを特徴とするサブアセンブリ。
【請求項２】
前記支持基板の前記溝の断面形状は，略Ｖ字形状，略台形形状，略半円形状，略長方形形状，略正方形形状のいずれか１つであることを特徴とする請求項１に記載のサブアセンブリ。
【請求項３】
前記適合部は円弧形状を有することを特徴とする請求項１または２に記載のサブアセンブリ。
【請求項４】
前記レンズ部は回折光学素子からなることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のサブアセンブリ。
【請求項５】
前記光学基板はシリコン結晶基板であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のサブアセンブリ。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載のサブアセンブリと，
台座部を有するパッケージ部品と，を具備し，
前記サブアセンブリは前記台座部に配置されていることを特徴とする光モジュール。
【請求項７】
請求項１から５のいずれか１項に記載のサブアセンブリと，
前記サブアセンブリが配置される台座部を有するパッケージと，
光ファイバと，
前記レンズ素子を介して前記光ファイバと光学的に結合する光学素子と，
を具備することを特徴とする光モジュール。
【請求項８】
前記光学素子は発光素子または受光素子のいずれかであることを特徴とする請求項７に記載の光モジュール。
【請求項９】
前記アイソレータ素子に磁界を印加する磁界印加手段をさらに具備し，前記磁界印加手段は前記台座部に配置されることを特徴とする請求項６から８のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項１０】
前記パッケージは同軸型パッケージであることを特徴とする請求項６から９のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項１１】
請求項１から５のいずれか１項に記載のサブアセンブリと，前記サブアセンブリが配置される台座部を含むパッケージ部品と，を具備する光モジュールの実装方法であって，
前記台座部に前記サブアセンブリを配置する工程と，
前記台座部に前記アイソレータ素子に磁界を印加する磁界印加手段を配置する工程と，
を含むことを特徴とする光モジュールの実装方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，光通信機器に適用するのに好適な光学素子等が基板上に実装されたサブアセンブリ，このサブアセンブリを含む光モジュール，およびその実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の光モジュールは一般に，サブアセンブリ用の基板にレーザダイオードを搭載し，光結合用のレンズ，光ファイバと共にパッケージに実装されて構成されている。光軸の調整は，調芯器を用いて光出力をモニタしながら調芯を行う。サブアセンブリ用の基板の材料としては，窒化アルミ，アルミナ，炭化珪素，シリコン等が用いられる。従来知られている同軸型の光モジュールとしては，ｃａｎ型，ピグテイル型（例えば，特許文献１参照。），レセプタクル型等がある。
【０００３】
最近では，レーザダイオードへ戻り光が入射することを防止するため，アイソレータ付きの光モジュールが用いられている。アイソレータとしては例えば，ファラデー回転子とその両側に配置された偏光子からなる素子で主に構成され，場合によってはさらにそれらの周囲に，ファラデー回転子に磁界を印加するための磁石が配置される。アイソレータ付きの光モジュールでは一般に，アイソレータを小型化するために，光束径の小さな光ファイバ端側にアイソレータを配置した構成をとることが多い（例えば，特許文献２参照。）。アイソレータの小型化は，光モジュールの低コスト化に大きく貢献できるだけでなく，光モジュールの小型化という点でも有効である。
【０００４】
【特許文献１】
特開平５−３４３７０９号公報
【特許文献２】
米国特許５，８４１，９２２号
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，上記のような従来の光モジュールでは一般に，ボールレンズ等の外径サイズの大きなレンズをキャップ等の保持部材を用いて実装しているため，レーザダイオードから光ファイバまでの距離を短くすることが困難であった。レンズ材質に高屈折率のものを用いた場合でも，その距離は最短で約５ｍｍであり，さらなる短縮化は非常に難しく，小型化の限界にほぼ近づいていた。
【０００６】
また，従来の構成のアイソレータを含む光モジュールでは，偏光子やファラデー回転子はある程度小型化を進めることができても，その周囲に配置される磁石が小型化の限界の要因となっていた。
【０００７】
本発明は，このような問題に鑑みてなされたものであり，その目的とするところは，光モジュールの小型化を図ることが可能なサブアセンブリ，小型化された光モジュール，およびその実装方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために，本発明の第１の観点によれば，部材配置用の溝を有する支持基板と，この支持基板に実装され，光学基板の表面に形成されたレンズ部と，実装時に支持基板の前記溝に接する形状を有する適合部と，を有するレンズ素子と，支持基板に実装され，アイソレータ機能を有するアイソレータ素子と，を具備することを特徴とするサブアセンブリが提供される。
【０００９】
かかる構成のサブアセンブリでは，従来使用していたボールレンズとは異なり，レンズ部が表面に形成されたレンズ素子を用いている。このレンズ素子は適合部を有するため，レンズ素子の実装時は支持基板の溝に載置するだけで高精度に実装でき，従来使用されていたキャップ等の部材が不要になる。よって，レンズ素子周辺を省スペース化できるので，レーザダイオードから光ファイバまでの距離を短縮でき，アイソレータ素子を含んで小型化されたサブアセンブリを容易に実現できる。
【００１０】
また，本発明の第２の観点によれば，上記サブアセンブリと，台座部を有するパッケージ部品と，を具備し，上記サブアセンブリは台座部に配置されていることを特徴とする光モジュールが提供される。
【００１１】
かかる構成によれば，上記記載のサブアセンブリはアイソレータ素子を含んで小型化された構成を有するため，アイソレータ素子を含んで小型化された光モジュールを提供できる。
【００１２】
また，本発明の第３の観点によれば，上記サブアセンブリと，上記サブアセンブリが配置される台座部を有するパッケージと，光ファイバと，上記レンズ素子を介して光ファイバと光学的に結合する光学素子と，を具備することを特徴とする光モジュールが提供される。光学素子は例えば発光素子または受光素子を用いることができる。
【００１３】
かかる構成によれば，上記記載のサブアセンブリはアイソレータ素子を含んで小型化された構成を有するため，アイソレータ素子，光ファイバを含んで小型化された光モジュールを提供できる。
【００１４】
その際に，アイソレータ素子に磁界を印加する磁界印加手段をさらに具備し，磁界印加手段は台座部に配置されるように構成してもよい。
【００１５】
かかる構成によれば，アイソレータ素子がファラデー回転子を含んで構成されている場合には，磁界印加手段により，ファラデー回転子の磁性を制御し安定性を向上させることができる。また，台座部に磁界印加手段を配置することによりコンパクトに構成でき，小型化を進めることができる。
【００１６】
また，本発明の第４の観点によれば，上記サブアセンブリと，サブアセンブリが配置される台座部を含むパッケージ部品と，を具備する光モジュールの実装方法が提供される。この実装方法は，台座部にサブアセンブリを配置する工程と，台座部にアイソレータ素子に磁界を印加する磁界印加手段を配置する工程と，を含むことを特徴とする。
【００１７】
かかる構成によれば，台座部に磁界印加手段を配置することにより，コンパクトに構成でき，小型化を進めることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１９】
図１（ａ）は，本発明の実施の形態にかかるサブアセンブリ１の構成を示す斜視図であり，図１（ｂ）はサブアセンブリ１の分解斜視図である。サブアセンブリ１は，支持基板１０と，レーザダイオード２０と，レンズ素子３０と，アイソレータ素子４０とを有する。レーザダイオード２０，レンズ素子３０，アイソレータ素子４０は，この順に所定の間隔をもって支持基板１０上に実装されている。
【００２０】
支持基板１０は，シリコン結晶基板からなる。図１（ｂ）に示すように，支持基板１０は，段差が設けられた２段構造を有し，かつ部材配置用のＶ溝１６が形成されている。以下，上段部の上面を上段面１２，下段部の上面を下段面１４と呼ぶ。Ｖ溝１６は，上段面１２の段差側の一端から途中までに形成されている。段差は例えばダイシングにより形成可能であり，Ｖ溝１６は例えば異方性エッチングにより形成可能である。
【００２１】
図１（ａ）に示すように，レンズ素子３０はＶ溝１６に載置され，レーザダイオード２０は上段面１２のＶ溝１６の延長上のＶ溝１６が形成されていない部分に載置され，アイソレータ素子４０は下段面１４に載置されて，それぞれ実装される。
【００２２】
レンズ素子３０は光学素子であり，光学基板からなり，ここではシリコン結晶基板からなる。レンズ素子３０は，光学基板の表面に形成されたレンズ部３２と，実装時にＶ溝１６に接する形状を有する適合部３６と，取扱時の保持を容易にするための取扱部３４とを主に有する。
【００２３】
レンズ部３２は，光学基板の片面の表面に形成された回折光学素子からなる。レンズ部３２は，ここでは円形形状をしており，その直径は例えば５０〜１２５μｍとすることができる。レンズ部３２は半導体製造プロセスで用いられるフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して形成される。以下，レンズ素子３０において，レンズ部３２が形成されている側の面をレンズ形成面と呼ぶ。ここでは，レンズ形成面に垂直な方向が光軸方向となるように構成されている。
【００２４】
レンズ部３２の下部側にはレンズ部３２の外周の一部としての縁部３３が位置し，レンズ部３２の円周形状に沿った円弧形状を有する。この縁部３３の円弧形状を呈する外形はレンズ形成面側からその対向面側まで延びており，レンズ部３２の光軸を中心軸とする略円柱形状の一部である略蒲鉾形の形状となっている。取扱部３４の中間位置から下方に張り出すこの略蒲鉾形の部分を適合部３６と呼ぶ。適合部３６のこの形状は，Ｖ溝１６に適合部３６が接した状態でレンズ素子３０が支持基板１０に実装されるよう，Ｖ溝１６に適合する形状となっている。適合部３６がＶ溝１６に当接するようにレンズ素子３０を載置するだけで，上段面１２に垂直な方向の位置決めが行われるよう構成されている。なお，ここでは縁部３３はレンズ部３２を囲むように設けられているが，レンズ部３２の外周が縁部３３を構成するようになっていてもよい。
【００２５】
取扱部３４は，レンズ部３２の周辺の上部側を取り巻くように延設され，レンズ部３２表面に略平行な面内でレンズ部３２より広い幅を有し，左右方向に伸長した全体として略直方体形状を有する。取扱部３４は，レンズ部３２，縁部３３，適合部３６と一体的に形成されている。取扱部３４の上面および側面の表面は平坦に形成されている。これらの面を平坦面とすることにより，上方あるいは側方から保持手段によりレンズ素子３０を保持することが容易になる。保持手段としては例えば，挟持手段や吸引保持する負圧吸盤のような負圧保持手段が考えられる。
【００２６】
取扱部３４の上面にはレンズ形成面を判別するための溝３７が形成されている。溝３７は略長方形形状の断面形状を有し，レンズ形成面に略垂直な方向に伸長し，取扱部３４の中央ではなく一側に位置している。したがって，取扱部３４はレンズ部３２の中心を含み上面に垂直な仮想平面に対し左右非対称な構成となる。この非対称性のために，レンズ素子３０はレンズ形成面とその対向面とを識別することが容易になる。なお，ここでは，レンズ形成面を判別するための溝として，略長方形形状の断面形状を有する１つの溝３７を設けているが，非対称性が得られるのであれば溝の数や形状はこれに限定されない。
【００２７】
さらに取扱部３４では，上面に対向する下側の面であり，適合部３６の両側に位置する下面に，位置決め用の溝３８ａ，３８ｂが形成されている。溝３８ａ，３８ｂは，略長方形形状の断面形状を有するレンズ形成面に略垂直な方向に伸長し，それぞれがレンズ部３２の両側に位置している。下面は，レンズ素子３０を支持基板１０に実装したとき，支持基板１０と近接する面であり，溝３８ａ，３８ｂは，レンズ素子３０を支持基板１０に実装する際に，Ｖ溝１６の伸長方向に平行な方向の位置合わせに用いられる。なお，位置決め用の溝の数や形状は上記例に限定されない。
【００２８】
レンズ素子３０を適用する光学系の光源の波長が１．３μｍまたは１．５５μｍである場合には，レンズ素子３０の材質となる基板として，シリコン結晶基板が好適である。レンズ素子３０は半導体製造技術で用いられるフォトリソグラフィとエッチング技術を用いて作製することができる。例えば，シリコン基板にフォトリソグラフィとエッチングを繰り返すことにより回折光学素子からなるレンズ部３２を作製した後，レンズ素子３０に対応する形状のパターンをフォトマスクパターンとして用いてＤｅｅｐ  Ｅｔｃｈｉｎｇ手法を用いて任意の深さまで掘り下げることによりレンズ素子３０を作製できる。
【００２９】
レンズ素子３０の光軸方向の厚さは例えば１００μｍとすることができ，レンズ素子３０とレーザダイオード２０の間の距離は例えば８０μｍとすることができる。また，レンズ素子３０の取扱部３４の長軸方向の長さは例えば２５０〜５００μｍとすることができる。このように，レンズ素子３０は，回折光学素子からなるレンズ部を有する構成のため，従来の光モジュールで使用されていたレンズに比べ，小サイズ化されている。また，光結合されるレーザーダイオード，レンズ素子，光ファイバ間の光軸方向の距離を大幅に短縮でき，これらの間を伝搬する光束の径も小さく維持できる。
【００３０】
レーザダイオード２０は発光素子であり，その出射光がレンズ素子３０のレンズ部３２に入射するように配置されている。
【００３１】
アイソレータ素子４０は，偏光子４２ａ，４２ｂとそれらの間に配置されたファラデー回転子４４とからなる。アイソレータ素子４０は，所定方向に進行する光は透過させ，その反対方向に進行する光を遮るアイソレータ機能を有する。このアイソレータ機能により，戻り光がレーザダイオード２０に入射するのを防ぐ。また，アイソレータ素子４０は，光軸方向に対し微小な傾き角を持つように配置されており，これによりレーザダイオード２０を出射してアイソレータ素子４０の面で反射した戻り光がレーザダイオード２０に入射するのを防ぐ。
【００３２】
図１（ａ）に示すように，上記構成を有するサブアセンブリ１は，アイソレータ素子４０を含み，かつ非常にコンパクトに構成されている。本実施の形態においては，サブアセンブリ１全体の光軸方向の長さは約１ｍｍ未満となっている。
【００３３】
次に，サブアセンブリ１を用いて構成される光モジュールについて説明する。図２は，サブアセンブリ１を用いて構成される光モジュール２の構成を示す上面図である。図３（ａ）は光モジュール２の分解斜視図，図３（ｂ）は光モジュール２の斜視図である。なお，図２，図３（ａ），図３（ｂ）では，レンズ素子３０が有する溝等の細部は省略して図示している。
【００３４】
光モジュール２は，サブアセンブリ１と，２つの磁石４６ａ，４６ｂと，パッケージ部品と，フォトダイオード６０を有する。光モジュール２におけるパッケージ部品は，サブアセンブリ１が配置される台座部であるヘッダ５４と，略円盤形状の基体５６と，電極端子５８とを含む。これらのパッケージ部品は，同軸型パッケージに適応可能である。ヘッダ５４は基体５６の一面に固定されている。電極端子５８は基体５６を貫通して固定され，基体５６の他面側に伸長している。
【００３５】
ヘッダ５４上には，サブアセンブリ１および磁石４６ａ，４６ｂが配置されて固定されている。磁石４６ａ，４６ｂは，アイソレータ素子４０のファラデー回転子４４に磁界を印加する磁界印加手段であり，アイソレータ素子４０の両側に配置されている。
【００３６】
フォトダイオード６０は受光素子であり，レーザダイオード２０の後端面からの光をモニタできるよう，ヘッダ５４より上方の基体５６の表面に固定されている。なお，レーザダイオード２０およびフォトダイオード６０は電極端子５８と電気的に接続されている。
【００３７】
上述のように，光モジュール２では，ヘッダ５４上に，レーザダイオード２０，レンズ素子３０，アイソレータ素子４０，磁石４６ａ，４６ｂ全ての部材が非常にコンパクトに配置されている。
【００３８】
図４は，サブアセンブリ１を用いて構成される光モジュール３の構成を示す部分切開図である。なお，図４では，レンズ素子３０が有する溝３７は省略して図示している。光モジュール３は，前述の光モジュール２に，円筒形状の円筒部５２と，光ファイバ７０と，フェルール７２とをさらに加えた構成を有する。以下，光モジュール２と同様の構成については一部説明を省略する。
【００３９】
光モジュール３は，サブアセンブリ１と，２つの磁石４６ａ，４６ｂと，パッケージと，光ファイバ７０と，フェルール７２と，フォトダイオード６０を有する。光モジュール３におけるパッケージは，円筒部５２と，サブアセンブリ１が配置される台座部であるヘッダ５４と，基体５６と，電極端子５８とを含み，同軸型パッケージである。円筒部５２は金属製であり，例えばステンレスを材質とする。
【００４０】
円筒部５２はその一端が基体５６に固着されている。円筒部５２の内部には，光ファイバ７０およびその周囲のフェルール７２が挿入固定されており，円筒部５２と，光ファイバ７０と，フェルール７２とは一体構造になっている。空洞部７４は空洞であり，コネクタが挿入される部分である。
【００４１】
光モジュール３において，レーザダイオード２０からレンズ素子３０に向かって出射した発散光はレンズ素子３０により集光されて，アイソレータ４０を経由した後，光ファイバ７０に入射する。レーザダイオード２０はレンズ素子３０を介して光ファイバ７０と光学的に結合するよう構成されている。
【００４２】
以下に，サブアセンブリ１および光モジュール３の作製方法の一例を説明する。まず，支持基板１０上部からマーカーを用いて高精度に位置決めして，レーザーダイオード２０を支持基板１０の上段面１２に配置し，ハンダ等で接合する。次に，溝３７を用いてレンズ素子３０のレンズ形成面を判別した後，レンズ素子３０を適合部３６がＶ溝１６に当接するよう配置する。これによって上段面１２に垂直な方向の位置決めが行われる。光軸方向の位置に関しては，位置決め用の溝３８ａ，３８ｂと，支持基板にあらかじめ設けられたマーカー（不図示）を用いて位置決めして配置する。レンズ素子３０の配置の際には，平坦面である上面または側面を適当な保持手段により保持して行うことができる。適切な位置にレンズ素子３０が配置されたことが確認されたら，レンズ素子３０をＶ溝１６に接合する。接合用の接着剤としては，熱硬化性樹脂，ＵＶ（紫外線）硬化型樹脂，ハンダ等を用いることができる。次に，下段面１４にアイソレータ素子４０を配置して，樹脂等により接着固定する。以上の動作により，サブアセンブリ１が作製される。
【００４３】
光モジュール３を作製する場合はさらに，サブアセンブリ１をヘッダ５４に配置し，熱硬化性樹脂やハンダ等により固定する。次に，磁石４６ａ，４６ｂをヘッダ５４に配置して固定する。そして，レーザダイオード２０の配線をワイヤボンディングして電気的に接続する。その後，光ファイバ７０およびフェルール７２と一体化された円筒部５２を装着し，レーザダイオード２０を発光させて，光ファイバ７０から出射される光をモニタしながら，光ファイバ７０を調芯し，調芯完了後，固定する。以上の動作により，光モジュール３が作製される。
【００４４】
以上述べたように，光モジュール３では，パッケージのヘッダ５４上にレーザダイオード２０だけでなく，レンズ素子３０，アイソレータ素子４０および磁石４６ａ，４６ｂが配置された非常にコンパクトな構成を有する。前述のように，サブアセンブリ１の光軸方向の長さは約１ｍｍ未満である。よって，基体５６表面から光ファイバ７０端までの距離Ｌ１が約１ｍｍと非常に短くなり，また，基体５６の外径Ｄ１も約３ｍｍになるよう構成でき，非常に小型化が進んだ光モジュールを実現している。また，上記光モジュール３を製作して測定を行ったところ，結合効率が５０％で光ファイバ７０から光出力されることが確認された。
【００４５】
図５（ａ），図５（ｂ）は，比較のために，従来の光モジュールを示した図であり，図５（ａ）はアイソレータを含む従来の光モジュール４の部分切開図であり，図５（ｂ）はアイソレータを含まない従来の光モジュール５の部分切開図である。
【００４６】
図５（ａ）に示す光モジュール４は，光ファイバ７０端側にアイソレータ４４０が配置され，その両側に磁石４４６ａ，４４６ｂが配置された構成を有する。光モジュール４において，基体４５６の一面に固定されたヘッダ４５４上にレーザダイオード２０が配置され，その周囲にはヘッダ４５４を囲むようにレンズ４３０を保持するためのキャップ４１０が設けられている。また，円筒形状のパッケージ部材である円筒部４５２は，その一端がキャップ４１０と接合されており，円筒部４５２内部には光ファイバ７０およびフェルール４７２が挿入固定されている。
【００４７】
図５（ａ）からわかるように，光モジュール４は本実施の形態のレンズ素子３０より大きなレンズ４３０を有し，その周囲にキャップ４１０が配置されているため，レーザダイオード２０から光ファイバ７０までの距離が，本実施の形態の光モジュール３に比べ非常に長くなっている。光モジュール４では，基体４５６表面から光ファイバ７０端までの距離Ｌ２が約５ｍｍとなり，基体４５６の外径Ｄ２は約５ｍｍである。
【００４８】
図５（ｂ）に示す光モジュール５は，アイソレータを有しない構成をとり，大径のボールレンズ５３０を用いてレーザダイオード２０と光ファイバ７０の結合を行っている。光モジュール５において，基体５５６の一面に固定されたヘッダ５５４上にレーザダイオード２０が配置され，その周囲にはヘッダ５５４を囲むようにボールレンズ５３０を保持するためのキャップ５１０が設けられている。また，円筒形状のパッケージ部材である円筒部５５２は，その一端がキャップ５１０と接合されており，円筒部５５２内部には光ファイバ７０およびフェルール５７２が挿入固定されている。
【００４９】
図５（ｂ）からわかるように，光モジュール５は大径のボールレンズ５３０を用いているため，レーザダイオード２０とボールレンズ５３０間の距離を長くとる必要があり，また，ボールレンズ５３０を保持するキャップ５１０も大きな部材となり，小型化を阻んでいる。光モジュール５では，基体５５６表面から光ファイバ７０端までの距離Ｌ３が５ｍｍ以上になり，基体５６の外径Ｄ３は約５ｍｍである。
【００５０】
以上説明したように，本実施の形態によれば，上記構成のレンズ素子を用いて光結合を行うことにより，光結合されるレーザーダイオード，レンズ素子，光ファイバ間の光軸方向の距離を大幅に短縮できる。前述のように，従来の光モジュールでは光軸方向の距離が約５ｍｍであるところ，本実施の形態では，約１ｍｍにまで短縮でき，約４ｍｍもの縮小を達成できる。
【００５１】
また，従来に比べレンズ素子をレーザダイオードに近接配置できるため，光束径が小さくなり，光ファイバ端側にアイソレータ素子を配置する構成を採用しなくても小サイズのアイソレータ素子を使用可能である。これにより，パッケージのヘッダ上にアイソレータ素子を搭載でき，さらに磁石もヘッダに搭載することができる。前述のように，従来の光モジュールでは基体の外径が約５ｍｍであるところ，本実施の形態では，約３ｍｍである。よって，本実施の形態の光モジュールでは，ヘッダ上にアイソレータ素子および磁石を搭載するという新規な構成を採用しつつ，小型化も実現されているといえる。
【００５２】
またさらに，本実施の形態によれば，小サイズのアイソレータ素子を利用可能であり，キャップ等のレンズ保持用の部材も不要なため，コストを抑えることができる。
【００５３】
以上，添付図面を参照しながら本発明にかかる好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００５４】
なお，上記例において，光モジュールとして，同軸型を例にとり説明しているが，これに限定するものではなく，パッケージの外形が略直方体形状のいわゆるバタフライ型の光モジュールにも適用可能である。また，上記例では，光ファイバとレーザダイオードの結合を例にとり説明しているが，レーザダイオードの代わりにフォトダイオード等の受光素子を用いることも考えられる。
【００５５】
また，レンズ素子，レンズ部，取扱部，適合部等の形状は上記例に限定されず，様々な形状が考えられる。上記例では，レンズ部は光学基板の片面に形成されているが，両面にレンズ部を有するようにしてもよい。また，サブアセンブリに含まれるレンズ素子の数は必ずしも１つに限定されない。レンズ素子を構成する光学基板の材質には，上記例のシリコン以外にも，ＧａＡｓ，ＩｎＰ，ＧａＰ，ＳｉＣ，Ｇｅ等を用いてもよい。支持基板は，ここではシリコン結晶基板からなるが，例えばセラミックス基板を用いてもよい。支持基板およびレンズ素子に形成される溝の断面形状は，上記例に限定されず，略Ｖ字形状，略台形形状，略半円形状，略長方形形状，略正方形形状のいずれか１つであるよう構成してもよい。
【００５６】
【発明の効果】
以上，詳細に説明したように本発明によれば，光モジュールの小型化を図ることが可能なサブアセンブリ，従来に比べ小型化が促進された光モジュール，およびその実装方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は，本発明の実施の形態にかかるサブアセンブリの斜視図であり，図１（ｂ）は同サブアセンブリの分解斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態にかかる光モジュールの上面図である。
【図３】図３（ａ）は図２の光モジュールの分解斜視図であり，図３（ｂ）は同光モジュールの斜視図である。
【図４】本発明の実施の形態にかかる光モジュールの部分切開図である。
【図５】図５（ａ）はアイソレータを含む従来の光モジュールの部分切開図であり，図５（ｂ）はアイソレータを含まない従来の光モジュールの部分切開図である。
【符号の説明】
１        サブアセンブリ
２，３        光モジュール
１０        支持基板
１２        上段面
１４        下段面
１６        Ｖ溝
２０        レーザダイオード
３０        レンズ素子
３２        レンズ部
３３        縁部
３４        取扱部
３６        適合部
３７，３８ａ，３８ｂ        溝
４０        アイソレータ素子
４２ａ，４２ｂ        偏光子
４４        ファラデー回転子
４６ａ，４６ｂ        磁石
５２        円筒部
５４        ヘッダ
５６        基体
５８        電極端子
６０        フォトダイオード
７０        光ファイバ
７２        フェルール
７４        空洞部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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