(57)【要約】【課題】蛍光色素で標識することなく、磁気ビーズの方位を検出することができる磁気ビーズの方位検出方法および装置を提供すること。【解決手段】照明光学系に配置した光軸に垂直な面内を移動する開口絞り２４と、光軸に垂直な面内で回転する偏光子２５とを通過した照明光５０を、対物レンズ３０を介して磁気ビーズを含む標本に照明し、対物レンズ３０を介して集光した標本で反射された光５１を、検出光学系に配置した光軸に垂直な面内で回転する検光子３２を介して光検出器で検出し、開口絞りの位置によって決まる標本への照明方位と、偏光子の方位と、検光子の方位と、光検出器で検出する反射光の強度とから標本に含まれる磁気ビーズの方位を検出する。【選択図】　図２
2004125590.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ビーズの磁化の向きを検出して磁気ビーズの方位を検出する磁気ビーズの方位検出方法において、
極カー効果と横カー効果とから磁気ビーズの磁化の向きを検出する
ことを特徴とする磁気ビーズの方位検出方法。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気ビーズの方位測定方法において、
照明光学系の光軸に垂直な面内を移動する開口絞りと、偏光子とを通過した照明光を、磁気ビーズを含む標本に照明し、
前記標本で反射された光を、検光子を介して光検出器で検出し、
前記開口絞りの位置によって決まる標本への照明方位と、前記偏光子及び前記検光子の方位と、前記光検出器の出力とから前記標本に含まれる磁気ビーズの方位を検出する
ことを特徴とする磁気ビーズの方位検出方法。
【請求項３】
請求項２に記載の磁気ビーズの方位検出方法において、
前記磁気ビーズを含む標本を照明する光を、前記磁気ビーズの反射面に対して垂直に入射し、前記反射面での反射光から前記極カー効果を測定する工程と、
前記磁気ビーズを含む標本を照明する光を、前記反射面に対して垂直でない方向から入射面に平行又は垂直な偏光で入射させ、前記照明する光を前記反射面の入射点における法線を中心に回転しながら前記反射面での反射光から前記横カー効果を測定する工程と、
前記極カー効果から前記反射面に垂直な面内での前記磁気ビーズの磁化の方位を検出する工程と、
前記横カー効果から前記反射面に平行な面内での前記磁気ビーズの磁化の方位を検出する工程とを有する
ことを特徴とする磁気ビーズの方位検出方法。
【請求項４】
光源と光軸に垂直な面内を移動する開口絞りと光軸に垂直な面内で回転する偏光子とを有する照明光学系と、
前記照明光学系から射出した光を磁気ビーズを含む標本に照明し、前記標本で反射された前記照明光を集光する対物レンズと、
光軸に垂直な面内で回転する検光子と前記対物レンズで集光された光を検出する光検出器とを有する検出光学系と、
前記開口絞りと前記偏光子と前記検光子を駆動する駆動部と、
前記開口絞りの位置と前記偏光子の方位と前記検光子の方位を検出する検出部と、
前記開口絞りの位置と前記偏光子の方位と前記検光子の方位を制御する制御装置と、
前記開口絞りの位置と前記偏光子の方位と前記検光子の方位と前記光検出器で検出した光の強度とから前記標本に含まれる磁気ビーズの方位を求める処理装置と、
を具備することを特徴とする磁気ビーズ方位検出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気ビーズの方位検出方法及び装置に関するものであり、特に磁気カー効果を利用した磁気ビーズの方位検出方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より生体分子や細胞を操作する手段として磁気ビーズが用いられている。磁気ビーズとは、直径が数百ｎｍから十数μｍの球状の磁性体で、その表面を化学的に処理することによって抗体や核酸などを吸着することができる。磁気ビーズと生体分子を混合すると、磁気ビーズ表面の抗体や核酸などの種類に応じて特定の生体分子や細胞と結合する。ここに磁石を近づけたり、遠ざけたりすることによって磁気ビーズを回収したり、分散させたりすることができる。また近年では単一の磁気ビーズに単一の生体分子を結合し、顕微鏡下で微小な磁石によって単一分子を操作したり、単一分子の動きを磁気ビーズの位置や回転によって検出することが行われている。この場合、磁気ビーズの位置は光学顕微鏡の透過照明で検出することができる。しかしながら磁気ビーズは球状であるためその回転方位を検出することは難しく、通常は磁気ビーズの表面に蛍光ビーズを付着させ、蛍光ビーズの蛍光の動きから磁気ビーズの回転方位を検出している。これは、磁気ビーズの表面に磁気ビーズよりも直径の小さい蛍光ビーズを１個付着させ、磁気ビーズの回転に伴う蛍光ビーズの回転運動を、蛍光ビーズが放射する蛍光から検出するものである。
【０００３】
【非特許文献１】
「Ｎａｔｕｒｅ」、（英国）、２００１年１月４日、第４０９巻、ｐ．１１３−１１５
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の蛍光ビーズを利用した磁気ビーズの方位検出方法は、磁気ビーズの表面に蛍光ビーズを付着させる処理を行わなければならず、標本の処理が複雑化するという問題があった。
【０００５】
そこで、本発明は磁気ビーズを蛍光ビーズで標識することなく磁気ビーズの方位を検出することができる磁気ビーズの方位検出方法および装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために請求項１に係る発明は、磁気ビーズの磁化の向きを検出して磁気ビーズの方位を検出する磁気ビーズの方位検出方法において、極カー効果と横カー効果とから磁気ビーズの磁化の向きを検出することを特徴とする磁気ビーズの方位検出方法を提供する。
【０００７】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の磁気ビーズの方位測定方法において、照明光学系の光軸に垂直な面内を移動する開口絞りと、偏光子とを通過した照明光を磁気ビーズを含む標本に照明し、標本で反射された光を検光子を介して光検出器で検出し、開口絞りの位置によって決まる標本への照明方位と、偏光子及び検光子の方位と、光検出器の出力とから前記標本に含まれる磁気ビーズの方位を検出することを特徴とする磁気ビーズの方位検出方法を提供する。
【０００８】
請求項３に係る発明は、請求項２に記載の磁気ビーズの方位検出方法において、磁気ビーズを含む標本を照明する光を、磁気ビーズの反射面に対して垂直に入射し、反射面での反射光から極カー効果を測定する工程と、磁気ビーズを含む標本を照明する光を、反射面に対して垂直でない方向から入射面に平行又は垂直な偏光で入射させ、前記照明する光を前記反射面の入射点における法線を中心に回転しながら反射面での反射光から横カー効果を測定する工程と、極カー効果から反射面に垂直な面内での磁気ビーズの磁化の方位を検出する工程と、横カー効果から反射面に平行な面内での前記磁気ビーズの磁化の方位を検出する工程とを有することを特徴とする磁気ビーズの方位検出方法を提供する。
【０００９】
請求項４に係る発明は、光源と光軸に垂直な面内を移動する開口絞りと光軸に垂直な面内で回転する偏光子とを有する照明光学系と、照明光学系から射出した光を磁気ビーズを含む標本に照明し、標本で反射された照明光を集光する対物レンズと、光軸に垂直な面内で回転する検光子と対物レンズで集光された光を検出する光検出器とを有する検出光学系と、開口絞りと偏光子と検光子を駆動する駆動部と、開口絞りの位置と偏光子の方位と検光子の方位を検出する検出部と、開口絞りの位置と偏光子の方位と検光子の方位を制御する制御装置と、開口絞りの位置と偏光子の方位と検光子の方位と光検出器で検出した光の強度とから標本に含まれる磁気ビーズの方位を求める処理装置とを具備することを特徴とする磁気ビーズ方位検出装置を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
本実施の形態では標本として磁気ビーズで標識した単一の一本鎖ＤＮＡ分子を使用する。
【００１１】
図１は標本の構造を示す図である。まず本発明の検出方法に用いる磁気ビーズの標識方法について説明する。磁気ビーズ３は直径が約５μｍの球体で、その表面にはｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ基４がコートされている。磁気ビーズは磁性体からなっているため、そのままでは表面にＤＮＡやタンパク質などの生体分子は吸着しない。そこで生体分子を表面に吸着させるために、ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ基４をコートする方法が一般に使用されている。ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ基４が表面に存在すると、ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ基４を介して様々な生体分子が磁気ビーズの表面に吸着する。ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ基４をコートした磁気ビーズ３にビオチン５を加えると、ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ基４を介して磁気ビーズ３の表面にビオチン５が吸着する。さらにビオチン５と強く結合する性質を持つアビジン６を加えると、磁気ビーズ３の表面にビオチン５を介してアビジン６が吸着する。すなわち磁気ビーズ３の表面はｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ基４、ビオチン５を介してアビジン６で被われる。
【００１２】
磁気ビーズ３に結合させる一本鎖ＤＮＡ分子２は約１００塩基の核酸からなっており、片方の末端にはビオチン７が結合している。磁気ビーズ３と一本鎖ＤＮＡ分子２を混合すると磁気ビーズの表面にアビジン６を介して一本鎖ＤＮＡ分子２が吸着される。ここで磁気ビーズ３と一本鎖ＤＮＡ分子２の混合の割合などの反応条件を変えると、単一の磁気ビーズに単一の一本鎖ＤＮＡ分子２を標識することができる。この方法で作製した単一の一本鎖ＤＮＡ分子２が表面に吸着した磁気ビーズを含む溶液をカバーガラス８上に滴下し標本１とする。
【００１３】
次に本実施の形態に使用する検出装置を図２、３に従って説明する。
図２は、本実施の形態に使用する装置の構成を示す図であり、図３は、本実施の形態に使用する装置の検出部と駆動部、光検出器、制御装置、処理装置、表示装置の関係を示すブロック図である。
【００１４】
光源２１は標本１を照明する光５０を射出するものである。例えば水銀ランプやキセノンランプなどが使用され、紫外線や可視光線などの磁気ビーズを照明する光５０を射出する。光源２１から射出された照明光５０は、落射照明装置６０の光路中に配置されたコレクタレンズ２２およびリレーレンズ２３によって、開口絞り２４の近傍に集光され光源２１の像が形成される。開口絞り２４は、円形状の開口２４ａを備え、開口２４ａの大きさを連続的に変えることができる。開口絞り２４は開口２４ａの大きさを連続的に変えられるものに限られず、開口の大きさが固定している固定絞りを使用しても構わない。開口絞り２４は光軸に垂直な面内で開口２４ａの位置を移動させる不図示のＸ軸、Ｙ軸駆動ねじと、落射照明装置６０の光軸を中心として開口２４ａを回転させる不図示の回転機構とを備えている。回転機構としては、二重になった円筒の内側の円筒の一端にＸ、Ｙ軸駆動ねじを備えた開口絞り２４を固定し、外側の円筒に対して内側の円筒を回転させるコロレース、ボールレース等の機構を使用する。開口絞り２４はさらに開口絞りのＸ，Ｙ軸駆動ねじ及び回転機構を駆動する開口絞り駆動部７２と開口２４ａの位置を検出する開口位置検出部７１とを備えている。開口絞り駆動部７２にはステッピングモータなどが使用され、開口位置検出部にはロータリーエンコーダやマイクロメータが使用されるが、これに限られるものではない。
【００１５】
開口絞り２４と対物レンズ３０の入射瞳面３１とは略共役の位置関係にあり、開口２４ａの位置から対物レンズ３０の入射瞳面３１における照明光５０の光束の位置が特定され、対物レンズ３０を介して標本１を照明する方位がわかる。照明する方位とは、照明光５０の標本に対する向きと角度のことを言う。Ｘ軸、Ｙ軸駆動ねじで開口２４ａを移動させると、対物レンズ３０の入射瞳面３１での照明光５０の光束の位置が移動し、標本１に照射される照明光５０の角度が変化する。回転機構で開口２４ａを回転させると、対物レンズ３０の入射瞳面３１での照明光５０の光束の位置が光軸を中心に回転し、標本１に照射される照明光５０の角度は変わらずに向きだけが変化する。
【００１６】
開口絞り２４を通過した照明光５０は、偏光子２５に入射する。偏光子２５は落射照明装置６０の光軸と垂直な面内で回転する不図示の保持具に固定されたフィルム状の偏光子である。偏光子２５はフィルム状のものに限られず、グラントムソンプリズムなどを使っても構わない。偏光子２５の保持具には、偏光子２５を回転させる偏光子駆動部７４と方位を検出する偏向子方位検出部７３とが設けられている。偏光子駆動部７４には、ステッピングモータなどが使用され、偏光子検出部７３には、マイクロメータやエンコーダーなどが使用されるが、これらに限られるものではない。この回転する保持具で偏光子２５の向き、すなわち照明光５０の偏光方位を設定する。
【００１７】
偏光子２５で偏光された照明光５０はリレーレンズ２６、視野絞り２７、リレーレンズ２８を順次通過し、全反射ミラー２９ａで反射される。リレーレンズ２８に対向するガラス基板２９の斜面の下半分には全反射ミラー２９ａが形成されており、リレーレンズ２８の光軸を境に、照明光５０を対物レンズ３０の方に反射する。ガラス基板２９の上半分２９ｂには全反射ミラーは形成されておらず、対物レンズ３０の光軸を境に、標本４からの反射光５１を検光子３２の方に透過する。本実施の形態では下半分に全反射ミラーを形成したガラス基板を使用しているが、これに限られずハーフミラーなどを使用しても構わない。
【００１８】
全反射ミラー２９ａで反射された照明光５０は対物レンズ３０を介して標本１を照明し、その一部は標本１に含まれる磁気ビーズ３で反射される。反射光５１は対物レンズ３０で集光され、ガラス基板２９の上半分２９ｂを透過して検光子３２に入射する。検光子３２は反射光５１の光軸と垂直な面内で回転する不図示の保持具に固定されたフィルム状の偏光子で、保持具には検光子３２を回転させる検光子駆動部７６、検光子の方位を検出する検光子方位検出部７５設けられている。検光子駆動部７６には、ステッピングモータなどが使用され、検光子検出部７５には、マイクロメータやエンコーダーなどが使用されるが、これらに限られるものではない。この回転する保持具で検光子３２の向きを設定し、検光子３２を透過する反射光５１の偏光方向を設定する。検光子３２を透過した反射光５１は、デポラライザ３３で偏光しない光に変換される。反射光５１は、最終的に結像レンズである第二対物レンズ３４で結像位置３５に配置された図示なき光検出器の撮像素子上に結像する。
【００１９】
光検出器、開口位置検出部７１、偏光子方位検出部７３、検光子方位検出部７５からの出力は、制御装置７８に送られる。制御装置７８は各駆動部を制御し、これらの情報を処理装置７９に出力する。処理装置７９は制御装置７８からの情報を基に磁気ビーズの磁化の方位を計算し、その結果は表示部８０に表示される。
【００２０】
次に磁気カー効果で磁気ビーズの磁化の方位を検出する方法について説明する。一般に物体の表面に入射した直線偏光の光がその表面で反射されると、楕円偏光になる。さらに物体が磁化を帯びている場合には、楕円偏光になるだけではなく、磁気カー効果によって磁化の強度に比例して楕円偏光の主軸方向が入射光の偏光面に対して回転する。この磁気カー効果は磁化の方位と入射光の方位によって、磁化の方位が反射面に垂直な極カー効果、反射面と入射面に平行な縦カー効果、反射面に平行で入射面に垂直な横カー効果に区別される。ここで縦カー効果の配置では光が反射面に垂直に入射すると、カー効果は起こらない。同様に横カー効果の配置では、偏光方位が入射平面に対して平行もしくは垂直のときは、カー効果は起こらない。
【００２１】
磁化の方位を検出する具体的な方法を説明する。図４は本実施形態に係る検出方法を説明するフローチャートである。磁化を反射面に垂直な成分と、反射面に平行な成分に分け、それぞれのカー効果を検出する。検出を開始する前に開口２４ａ、偏光子２５、検光子３２の位置及び方位を、開口位置検出部７１、偏光子方位検出部７３、検光子方位検出部７５で検出し、その情報が制御装置７８に出力される。まず極カー効果による偏光面の回転を検出するための照明光５０の条件を設定する。制御部７８は開口絞り駆動部７２を制御し、開口２４ａを落射照明装置６０の光軸の中心に配置する（Ｓ０１）（以下照明条件１とする）。次に偏光子駆動部７４を制御し、偏光子２５から射出した照明光５０の偏光方位が鉛直方向になるように偏光子２５を回転させる。鉛直方向に偏光した照明光５０は、顕微鏡の接眼レンズがある面を前方向とした場合、顕微鏡の前後方向に偏光した照明光として対物レンズ射出後に標本１に照射される。検光子３２の偏光の方向は、初期状態では照明光５０の偏光方位と平行な方位、すなわち顕微鏡に対して前後方向に偏光した光を透過する向きに設定する。
【００２２】
このように調整した装置で、まず極カー効果による照明光５０の偏光方位の最大回転角を測定する。極カー効果は磁化の向きが反射面に垂直なときに最大になる。すなわち偏光面の回転角が最大になる。この最大値を測定するために、標本１に含まれているものと同じ複数の磁気ビーズをカバーガラス上にランダムに分散させたものを使用する。ランダムに分散させた磁気ビーズの中には反射面に対して磁化の向きが略垂直になっている磁気ビーズがあり、この磁気ビーズが最大の極カー効果を示す。ランダムに分散させた磁気ビーズに照明光５０を照射し、制御部７８で検光子駆動部７６を制御して検光子３２を回転しながら磁気ビーズの像を図示なき光検出器で検出する。各磁気ビーズの像の光強度に注目し、検光子３２の回転にしたがって像が徐々に明るくなり、極大値を経て暗くなるビーズを選択する。選択したビーズのうち、極大値に達した時の検光子３２の回転角が最も大きな値を示したものが、磁化の向きが反射面に対して垂直な磁気ビーズであり、極大値を示した時の検光子３２の回転角を最大回転角とし、この回転角を検光子方位検出部７５で検出し、制御装置７８に出力する。（Ｓ０３）。次に標本を標本１に変え、同様に光検出器で標本の像を観察しながら検光子３２の方位を回転し、標本１に含まれる磁気ビーズからの反射光５１の像が最も明るくなる検光子３２の方位（方位１とする）を決定し、この回転角を検光子方位検出部７５で検出し、制御装置７８に出力する。（Ｓ０４）。制御装置７８は処理装置７９に最大回転角と方位１を出力する。処理装置７９ではこれらの情報から、以下の方法に従って、磁気ビーズの反射面に対して垂直な面内での磁化の方位を決定する。
【００２３】
反射面に垂直な方向からの照明光は、縦カー効果によって反射面に平行な方向の磁化には影響を受けないが、反射面に垂直な方向の磁化による極カー効果によって偏光方位が回転する。反射面に垂直な面内での磁化の方位が照明光に対して傾いていくと、照明光とのなす角度の余弦成分、すなわち反射面に垂直な磁化に成分に比例して偏光の回転が少なくなり、照明光と磁化の方位が９０度になると偏光面は回転しない。つまりランダムな磁気ビーズによって測定した最大回転角と、標本１に含まれる磁気ビーズからの反射光の強度が最大になる検光子３２の回転角から、反射面に垂直な面内での磁化の照明光とのなす角を決めることができる。
【００２４】
次に磁化の反射面に平行な面内での方位を測定するために照明光５０の状態を変える。制御部７８で開口絞り駆動部７２を制御して開口２４ａの位置を水平方向に移動する（Ｓ０５）。開口２４ａの位置を検出部７１で検出し、その情報を制御部７８に出力する。開口２４ａの位置が移動すると、開口絞り２４と略共役の位置にある対物レンズ３０の入射瞳面３１での、照明光５０の光束の位置が対物レンズ３０の中心から顕微鏡の左右方向のいずれか一方に移動する。照明光５０の光束が対物レンズ３０の入射瞳面３１の中心を通ると、照明光５０は対物レンズ３０から鉛直方向に射出するが、入射瞳面３１での位置を左右方向に移動させると、中心から遠ざかるに従って対物レンズ３０から射出する照明光５０の方向は傾いていく。すなわち標本１を照明する光は、最初の状態では標本１を載せたカバーガラス８に対して垂直な方向から照明するが、開口２４ａを移動するに従って徐々に傾いていく。
【００２５】
制御部７８は開口２４ａの落射照明装置６０の光軸中心からの移動方向と偏光子２５の偏光の方位が常に平行になるように、偏光子駆動部７４を制御する（Ｓ０６）。このように調整すると照明光５０の偏光方位は、常に標本４に入射する光の入射平面と平行になる。ここで入射平面とは、照明光の入射光線と反射面の法線によって決まる平面のことである。照明光５０の偏光方位は、入射平面と平行に限られず、垂直でも構わない。また制御部７８は検光子３２の偏光方位が、照明光５０の偏光方位に対して常に直角になるように検光子駆動部７６を制御する（Ｓ０７）。（以下照明条件２という）。なお開口絞り２４を水平方向にずらし、照明光５０の光束を瞳の周辺にまで移動させる場合には偏光を維持するため直径が約０．２ｍｍの固定絞りもしくは約０．２ｍｍ角の矩形の固定絞りを使用するのが好ましい。
【００２６】
次に制御部７８は照明光５０の照明方位と偏光方位、検光子の方位がこの関係を保つように制御しながら、開口絞り２４を回転させて標本を照明する方位を光軸を中心に回転させる（Ｓ０８）。開口２４ａの位置を光軸を中心に回転し、光検出器７７で検出する磁気ビーズの像の強度が最小になる位置で開口２４ａを停止させる。開口ａ２４の停止位置（位置１とする）を開口位置検出部７１で検出し制御部７８に出力する（Ｓ０９）。制御装置７８は処理装置７９に、位置１を出力する。処理装置７９ではこの情報から、以下の方法に従って、磁気ビーズの反射面に対して平行な面内での磁化の方位を決定する。
【００２７】
入射面に平行な偏光方位を有し、標本１に対して斜めの方向からの照明光５０は、横カー効果によって磁気ビーズの反射面に平行な磁化に影響を受けるが、磁化の方向が照明光５０の入射平面に垂直になったときは影響を受けない。従って検光子３２の方位を照明光５０の偏光の方位と垂直に保ちながら照明光５０の方位を光軸を中心に回転させると、照明光５０の入射平面が磁化の方位と垂直になったときに横カー効果は０になり光検出器で検出する磁気ビーズの像の強度は最小になる。ただし横カー効果だけを考慮すると、照明光５０の入射平面が磁化の反射面と平行な面内での方位と垂直になった時には、光検出器７７で検出する磁気ビーズの像は真っ暗に近い状態になるが、実際には極カー効果によって、偏光面が回転するので真っ暗にはならない。照明光５０の入射平面と垂直な方向が磁化の反射面に平行な面内での方位であり、この方位とすでに決定した反射面に垂直な面内での磁化の方位から磁気ビーズの磁化の方位が決定される（Ｓ１０）。
【００２８】
磁気ビーズの回転方位を決めるためには、任意の時間経過後に再度同じ測定を行う。照明光５０の条件を照明条件１に戻し、標本１中の磁気ビーズの像が最も明るくなる反射光５１の偏光方位を決定する。そして照明光５０の条件を照明条件２に設定し、光検出器で検出する標本１中の磁気ビーズの強度が最小になる照明光５０の方位を決定し、これらから磁気ビーズの磁化の方位を決定する。
【００２９】
最初の測定で決定された磁気ビーズの磁化の方位と、任意の時間経過後に決定された方位を比較することによって、磁気ビーズ３の回転の方位を検出することができる。磁気ビーズ３は一本鎖ＤＮＡ分子２を標識してので、磁気ビーズ３の回転方位を検出することによって、一本鎖ＤＮＡ分子２の回転の方位を検出することができる。
【００３０】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、磁気ビーズに蛍光ビーズを標識することなく磁気ビーズの方位を検出する方法及び装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】単一の一本鎖ＤＮＡ分子を標識した磁気ビーズの構造を示す図である。
【図２】磁気ビーズの方位検出方法に用いる装置の構成を示す図である。
【図３】磁気ビーズの方位検出装置の検出部と駆動部、光検出器、制御装置、処理装置、表示装置の関係を示したブロック図である。
【図４】磁気ビーズの方位検出方法を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
１　標本
２　ＤＮＡ分子
３　磁気ビーズ
４　ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ基
５、７　ビオチン
６　アビジン
８　カバーガラス
２１　光源
２２　コレクタレンズ
２３、２６、２８　リレーレンズ
２４　開口絞り
２４ａ　開口
２５　偏光子
２７　視野絞り
２９　ガラス基板
３０　対物レンズ
３１　入射瞳面
３２　検光子
３３　デポーラライザ
３４　第二対物レンズ
３５　光検出器
５０　照明光
５１　反射光
６０　落射照明装置
【図１】
2004125590.tif 000003
【図２】
2004125590.tif 000004
【図３】
2004125590.tif 000005
【図４】
2004125590.tif 000006