(57)【要約】【課題】低価格でしかも集積度の高いプリント配線基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】金属板１１上に第１のマスキング１６を形成してハーフエッチングを施して略円錐形の金属バンプ１１Ｂを形成する。この金属バンプ１１Ｂが形成された金属板１１上にプリプレグ（絶縁材料層）１２を重ね、ヒートプレスして前記プリプレグ１２に金属バンプ１１Ｂを貫通させる。次に金属板１１の裏面側の配線パターン相当部分に第２のマスキング１５を形成し、この第２のマスキング１５の上からエッチング処理して金属板１１の底部に配線パターン１１Ｄを形成する。【選択図】　　　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の一の面を覆う配線パターンを構成する底部と、前記絶縁性基板の他の面に露出した頭部と、前記底部から前記頭部にかけて前記絶縁性基板を貫通する貫通部とを有する金属配線部材と
を具備することを特徴とするプリント配線基板
【請求項２】
前記金属配線部材が、金属板の片面にハーフエッチング処理してバンプを形成した部材であることを特徴とする請求項１記載のプリント配線基板。
【請求項３】
前記金属配線部材が、金属板の片面に略円錐形の金属バンプを形成した形状を備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント配線基板。
【請求項４】
前記金属バンプが、金属板の片面にハーフエッチング処理して得られる形状を備えていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１記載のプリント配線基板。
【請求項５】
前記金属配線部材が、高さ５０〜１５０μｍ、頭部半径２０〜８０μｍ、底部半径８０〜２００μｍを有する金属バンプを片面に備えていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１記載のプリント配線基板。
【請求項６】
金属板表面にマスキングする工程と、
前記マスキングを介して前記金属板をハーフエッチングして前記金属板底面から略円錐形の金属バンプが延設されたバンプ付金属板を形成する工程と、
前記バンプ付金属板のバンプ形成面に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層表面を研磨する工程と、
前記バンプ付金属板の底面をパターニングして前記絶縁層下面側に配線パターンを形成する工程と
を具備することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
【請求項７】
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の一の面を覆う配線パターンを構成する第１の金属製の底部と、
前記絶縁性基板の他の面に露出した第１の金属製の頭部と、前記底部から前記頭部にかけて前記絶縁性基板を貫通する第１の金属製の貫通部と、前記貫通部と前記底部との間に介挿入された第２の金属製のバリア層とを有する金属配線部材と
を具備することを特徴とするプリント配線基板
【請求項８】
前記第１の金属が銅又は銅合金であり、前記第２の金属がニッケル、ニッケル合金、チタン又はチタン合金であることを特徴する請求項７記載のプリント配線基板。
【請求項９】
前記配線パターンのＬ／Ｓ値が２５／２５〜５０／５０　　　（μｍ／μｍ）であることを特徴とする請求項７又は８に記載のプリント配線基板。
【請求項１０】
前記底部の厚さが５〜２０μｍであり、前記バリア層の厚さが０．３〜３μｍであり、前記貫通部の厚さが５０〜１５０μｍであることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１記載のプリント配線基板。
【請求項１１】
三層からなる金属板の一の表面にマスキングする工程と、
前記マスキングを介して前記金属板をハーフエッチングして前記金属板底面から略円錐形の金属バンプが延設されたバンプ付金属板を形成する工程と、
前記バンプ付金属板のバンプ形成面に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層表面を研磨する工程と、
前記バンプ付金属板の底面をパターニングして前記絶縁層下面側に配線パターンを形成する工程と
を具備することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプリント配線基板の製造方法に係り、更に詳細には配線層間を貫通型の導体配線部で接続する、いわゆる導体貫通型のプリント配線基板及びプリント配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、プリント配線基板の製造方法として、スルホールメッキ層を用いて層間接続を形成するスルホール型のプリント配線基板１００の製造方法が知られている。図１２は従来の代表的なスルホール型のプリント配線基板の構造を模式的に示した断面図である。
【０００３】
この方法では、まず絶縁性基板１０１の両面に銅箔１０３，１０５が積層された二層板１１０を用意し、この二層板１１０の両面の銅箔１０３，１０５をパターニングして配線パターン１０３ａ，１０５ａを形成する。しかる後に二層板１１０の所定位置に貫通孔１０７，１０９をドリルなどにより機械的に穿孔する。次いでこれら貫通孔１０７，１０９の内壁に無電解メッキなどを施すことにより金属層を析出させ、スルホール１０７ａ，１０９ａを形成し、これらスルホール１０７ａ，１０９ａにより配線パターン１０３ａと１０５ａとを電気的に接続する。次いで下面側の配線パターン１０５ａを介してベアチップ等の半導体素子１２０を実装する。一方、上面側の配線パターン１０３ａの接合部以外の部分はソルダーレジスト１０４で覆い、接合部にハンダボール１３０を溶着して半導体装置１００を完成させる。
【０００４】
ところで、昨今のＩＴ機器の小型化への要求は日々高まる一方であり、プリント配線基板に対する要求も例外ではなく、小型化や高集積化の要請が高いと同時に低価格化も要請されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来のスルホール型の製造方法では、配線パターンとは別にスルホール接続のための貫通孔が必要となるため、高集積化への妨げとなっている。更にスルホール接続するための機械的穴あけ工程やメッキ工程などが必要なため、製造コストが高く、低価格化の障害になるという問題が有る。更にスルーホールにメッキをするためメッキを厚くつけなくてはならず、配線パターンの解像度が低下するため、Ｌ／Ｓ値（ライン・アンド・スペース比）はせいぜい７５／７５（μｍ）止まりである。また、ハンダボール形成のためのソルダーレジストを上面に塗布する工程が必要となり、コスト上昇に繋がるという問題もある。本発明は上記の従来の問題を解決するためになされた発明である。即ち、本発明は低価格でしかも集積度の高いプリント配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明のプリント配線基板は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の一の面を覆う配線パターンを構成する底部と、前記絶縁性基板の他の面に露出した頭部と、前記底部から前記頭部にかけて前記絶縁性基板を貫通する貫通部とを有する金属配線部材とを具備することを特徴とする。
【０００７】
前記プリント配線基板において、前記金属配線部材の例として、金属板の片面にハーフエッチング処理してバンプを形成した部材を挙げることができる。前記プリント配線基板において、前記金属配線部材の例として、金属板の片面に略円錐形の金属バンプを形成した形状を備えているものを挙げることができる。前記プリント配線基板において、前記金属バンプの例として、金属板の片面にハーフエッチング処理して得られる形状を備えているものを挙げることができる。前記プリント配線基板において、前記金属配線部材の例として、高さ５０〜１５０μｍ、頭部半径２０〜８０μｍ、底部半径８０〜２００μｍを有する金属バンプを片面に備えているものを挙げることができる。
【０００８】
本発明のプリント配線基板の製造方法は、金属板表面にマスキングする工程と、前記マスキングを介して前記金属板をハーフエッチングして前記金属板底面から略円錐形の金属バンプが延設されたバンプ付金属板を形成する工程と、前記バンプ付金属板のバンプ形成面に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層表面を研磨する工程と、前記バンプ付金属板の底面をパターニングして前記絶縁層下面側に配線パターンを形成する工程とを具備することを特徴とする。
【０００９】
本発明の他のプリント配線基板は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の一の面を覆う配線パターンを構成する第１の金属製の底部と、前記絶縁性基板の他の面に露出した第１の金属製の頭部と、前記底部から前記頭部にかけて前記絶縁性基板を貫通する第１の金属製の貫通部と、前記貫通部と前記底部との間に介挿入された第２の金属製のバリア層とを有する金属配線部材とを具備することを特徴とする。
【００１０】
前記他のプリント配線基板において、前記第１の金属の例として銅又は銅合金を挙げることができ、前記第２の金属の例として、ニッケル又はニッケル合金を挙げることができる。前記他のプリント配線基板において、前記配線パターンのＬ／Ｓ値が２５／２５〜５０／５０（μｍ／μｍ）であるものを挙げることができる。
【００１１】
前記プリント配線基板において、前記金属バンプの例として、前記底部の厚さが５〜２０μｍであり、前記バリア層の厚さが０．３〜３μｍであり、前記貫通部の厚さが５０〜１５０μｍであるものを挙げることができる。
【００１２】
本発明の他のプリント配線基板の製造方法は、三層からなる金属板の一の表面にマスキングする工程と、前記マスキングを介して前記金属板をハーフエッチングして前記金属板底面から略円錐形の金属バンプが延設されたバンプ付金属板を形成する工程と、前記バンプ付金属板のバンプ形成面に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層表面を研磨する工程と、前記バンプ付金属板の底面をパターニングして前記絶縁層下面側に配線パターンを形成する工程とを具備することを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、バンプ貫通型の金属配線部材を用いて層間接続しているので低コストで製造することができる。またメッキ工程が不要なので低コストで高集積度の配線パターンを備えた金属プリント配線基板を得ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明の実施の形態に係るプリント配線基板の製造方法について説明する。図１は本実施形態に係るプリント配線基板の製造方法の各工程の流れを示したフローチャートであり、図２、図３及び図４は本実施形態に係るプリント配線基板の製造途中の各段階のものを模式的に示した断面図である。本実施形態に係るプリント配線基板１を製造するには、図２（ａ）に示したように、まず銅板などの金属板１１を用意する。この金属板１１としては例えば無酸素銅や、銅合金などが挙げられる。銅合金としては、例えばＣｒ、Ｓｎなどの金属を０．２％含んだものを用いる事ができる。この金属板１１の厚さは形成しようとする金属バンプの高さや残厚に応じて選択する。例えば、高さ約１３０μｍの金属バンプを形成し、約２０μｍの残厚が必要である場合、金属板１１は厚さ約１５０μｍのものを用いる。
【００１５】
次に図２（ｂ）に示したように、この金属板１１の表面のうち、ハーフエッチングを施す方の面、例えば図２（ｂ）中では金属板１１の上面側に第１のマスキング１６を形成する（ステップ１）。この第１のマスキング１６を形成する方法としては、最初に感光性樹脂を塗布し、乾燥させた後マスクパターンを介して選択的に露光し、部分的に硬化させ、次いで現像して不要部分を溶解除去するフォトリソグラフ法などが挙げられる。
【００１６】
一方金属板１１の表面のうち、ハーフエッチングを施さない方の面、図２（ｂ）中の下面側には表面全体にわたって保護層１７を形成する。保護層１７としてはレジストを全面に形成したもの、或いは粘着性のフィルムを貼り付けたものなどを使用できる。こうして、図２（ｂ）に示したように、金属板１１の上表面に第１のマスキング１６が形成され、金属板１１の下表面には保護層１７が形成される。
【００１７】
この状態で金属板１１の上面側にハーフエッチング処理を施す（ステップ２）。このハーフエッチング処理の方法としては、エッチング液を噴霧するスプレー法、エッチング液槽中に第１のマスキング１６と保護層１７とを形成した金属板１１を浸漬する湿式法、或いはプラズマなどのエネルギー波を衝突させる乾式法などを挙げることができる。
【００１８】
今、スプレー法を例にして説明すると、図２（ｂ）に示した状態の金属板１１の上面側からエッチング液を噴霧すると、霧状に噴霧されたエッチング液は第１のマスキング１６と第１のマスキング１６との間の露出した表面の金属板１１を侵蝕し、更に第１のマスキング１６の下面側にまで回り込んで金属板１１をエッチングしてゆく。ここで用いるエッチング液としては以下のようなものを用いることができる。例えば、塩化第２鉄水溶液、塩化第２銅水溶液、及び銅アンモニウム錯イオンを主成分とするアルカリ水溶液からなるエッチング液が挙げられる。
【００１９】
このエッチング処理を適当なところで停止すると（ハーフエッチング／ステップ２）、図２（ｃ）のように放物線或いは楕円状の曲線で描かれる断面形状（負の曲率半径を有する曲面）を呈する金属バンプ１１Ｂ，１１Ｂ，…が得られる。これらの金属バンプ１１Ｂ，１１Ｂ，…はその根元部分１１Ａで繋がっている。
【００２０】
次に第１のマスキング１６と保護層１７とを除去し（ステップ３）、表面を洗浄してエッチング液を除去すると図２（ｄ）に示したような金属バンプ１１Ｂ，１１Ｂ，…を備えたバンプ付金属板１１Ｃが得られる。
【００２１】
図５はハーフエッチング処理後に得られる金属バンプの斜視図及び断面図であり、図６はこの第２のマスキング１５側からのエッチングにより形成される、配線パターンと金属バンプとの結合部の斜視図及び断面図であり、図７はハーフエッチング処理後に得られる金属バンプの電子顕微鏡写真であり、図８は第２のマスキング１５側からのエッチングにより形成される、配線パターンと金属バンプとの結合部の電子顕微鏡写真である。
【００２２】
図５及び図７に示したように、金属板１１の片面をハーフエッチングすることにより、略円錐形の金属バンプ１１Ｂが形成される。この金属バンプ１１Ｂの断面は円錐台の側面を凹型曲面に置換した形状を備えており、換言すれば負の曲率半径を有する曲面を側面に備えている。図５及び図７に示したように、金属バンプ１１Ｂの上部は半径３０〜１５０μｍ程度の円形に仕上げることが可能であり、金属バンプ１１Ｂの高さは５０〜１５０μｍ程度に仕上げることが可能である。実際の製品では、金属バンプの上部は半径４０〜１００μｍ程度の円形に仕上げることが好ましく、また、金属バンプ１１Ｂの高さは７０〜１２０μｍ程度に仕上げることが好ましい。
【００２３】
この金属バンプ１１Ｂを備えたバンプ付金属板１１Ｃにおいて、金属バンプが形成された部分以外の導体板の厚み（残厚）は、後に配線を形成するために、４０μｍ以下が好ましく、そのバラツキは残厚に対して±３０％以下にすることが好ましい。残厚が４０μｍより厚いと、後の工程でファインな回路を形成することが困難になる。残厚の調整は、ハーフエッチングを行う際のエッチング液のスプレー圧等の調整によって行う。また、金属バンプと導体板は同一の金属材料からなることが好ましく、こうすることによって金属バンプが剥離したりすることがなく、金属バンプと導体板の間の熱伝導性が良好で、放熱効果が高くなるという利点がある。
【００２４】
次にこうして形成した金属バンプ１１Ｂ，１１Ｂ，…の上に、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させて形成した、例えば厚さ６０μｍのプリプレグ（図示省略）を重ね合わせ（ステップ４）、ゴムシートのような弾性体に当接させた状態で加熱下に加圧（ヒートプレス）する（ステップ５）。このヒートプレスの結果、図２（ｅ）に示したように絶縁材料層１２を金属バンプ１１Ｂ，１１Ｂ，…が貫通した配線板ユニット１３が得られる。
【００２５】
なお、絶縁材料層１２の形成の仕方としては上記の方法以外にも、光硬化型エポキシ樹脂を用いて真空ラミネーションやロールラミネーションにより塗工した後硬化する方法や、ポリアミック酸樹脂を用いてウェットラミネーションにより塗工した後硬化する方法などが挙げられる。
【００２６】
次にこの配線板ユニット１３の絶縁材料層形成面（図中上面）を表面研磨する（ステップ６）。図３（ｆ）に示したように、この表面研磨工程により配線板ユニット１３の全体の厚さは約１００〜１５０μｍにまで薄く成形される。また絶縁材料層１２の表面と共に金属バンプ１１Ｂの頭部も研磨られ、例えば頭部の半径が７０〜１００μｍになるまで研磨される。こうした工程の後、図３（ｇ）に示したように配線板ユニット１３の金属板露出面側（図中下面）に第２のマスキング１５を例えばフォトリソグラフ法などの既知の方法で形成する（ステップ８）。配線板ユニット１３の上面側を保護層（図中省略）で覆った後、エッチング液中に浸漬するなどによりバンプ付金属板１１Ｃの底部１１Ａをエッチングして（ステップ９）パターニングし、図３（ｈ）に示したように配線板ユニット１３の下面側に配線パターン１１Ｄを形成する。次いで前記保護層と第２のマスキング１５を除去すると図３（ｉ）に示したような配線板ユニット１３ａが得られる。こうして形成した配線板ユニット１３ａの配線パターン１１Ｄ上にベアチップ等の半導体素子３０を実装し（ステップ１０）、配線板ユニット１３ａの上面に露出した金属バンプ１１Ｂ頭部にハンダボール４０を溶着することにより、半導体装置５０が得られる。
【００２７】
以上説明したように本実施形態に係るプリント配線基板の製造方法では、スルーホールを形成する必要がないので、工数を少なくすることができ、製造コストを低く抑えることができる。また、スルーホール穿孔用のスペースを確保する必要がないので、プリント配線基板の表面全体に配線パターンを形成することができ、集積密度の高い配線パターンを形成することができる。更に本実施形態に係る方法では、メッキ工程が不要なので製造コストを低下させ、しかも集積密度の高い配線パターンを形成することができる。例えば図３（ｉ）に示したプリント配線基板では、Ｌ／Ｓ値＝４０／４０（μｍ／μｍ）程度の高密度の配線パターンを形成することが出来た。また、プリント配線基板表面にソルダーレジスト層を形成する必要がないので、製造コストを低下させることができる。
【００２８】
更に本実施形態に係る方法では、金属板１１をエッチングして形成した金属バンプ１１Ｂ，１１Ｂ，…を用いて層間接続を行うので、金属バンプ１１Ｂ，１１Ｂ，…の高さのバラツキが小さく、接続信頼性の高い層間接続を形成することができる。
【００２９】
更に本実施形態に係るプリント配線基板では、単一材料からなる金属板１１を上面側からのハーフエッチングと裏面側からのエッチングとにより加工して金属バンプ１１Ｂ，１１Ｂ，…と配線パターンとを形成するので、安価な材料を用いることができ、製品コストを低く抑えることができる。
【００３０】
なお、本実施形態では図３（ｊ）のように配線パターン１１Ｄとハンダボール４０とをプリント配線基板の反対側に配設したが、図４に示したように配線パターン１１Ｄとハンダボール４０とをプリント配線基板の反対側に配設しても良い。
【００３１】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施の形態に係るプリント配線基板の製造方法について説明する。図９は本実施形態に係るプリント配線基板の製造方法の各工程の流れを示したフローチャートであり、図１０、及び図１１は本実施形態に係るプリント配線基板の製造途中の各段階のものを模式的に示した断面図である。本実施形態に係るプリント配線基板１Ａを製造するには、図１０（ａ）に示したように、まず銅板などの金属板２１を用意する。この金属板２１は三層構造を有しており、第１の金属からなる第１層２１ａ及び第３層２１ｃ、と第２の金属からなる第２層２１ｂとから形成されている。各層の厚さは第１層２１ａが１００〜１５０μｍ、第２層２１ｂが０．３〜３μｍ、第３層２１ｃが５〜２０μｍであるのが好ましい。
【００３２】
前記第１の金属としては例えば無酸素銅や、銅合金などが挙げられる。銅合金としては、例えばＣｒ、Ｓｎなどの金属を０．２％含んだものを用いる事ができる。前記第２の金属としては前記第１の金属のエッチングに対してエッチングバリアとして機能する金属、例えばニッケル又はニッケル合金を挙げることができる。
【００３３】
各層の厚さは形成しようとする金属バンプの高さや残厚に応じて選択する。例えば、高さ約１３０μｍの金属バンプを形成し、約２０μｍの残厚が必要である場合、第１層２１ａと第２層２１ｂの厚さの合計が約１３０μｍのものを用い、第３層２１ｃの厚さが約２０μｍのものを用いる。
【００３４】
次に図１０（ｂ）に示したように、この金属板２１の表面のうち、エッチングを施す方の面、例えば図１０（ｂ）中では金属板２１の上面側に第１のマスキング２６を形成する（ステップ１）。
【００３５】
一方金属板２１の表面のうち、エッチングを施さない方の面、図１０（ｂ）中の下面側には表面全体にわたって保護層２７を形成する。こうして図１０（ｂ）に示したように金属板２１の上表面に第１のマスキング２６が形成され、金属板２１の下表面には保護層２７が形成される。この状態で金属板２１の上面側にエッチング処理を施す（ステップ２）。
【００３６】
ここで用いるエッチング液としては以下のようなものを用いることができる。例えば、銅アンモニウム錯イオンを主成分とするアルカリ水溶液からなるエッチング液が挙げられる。
【００３７】
このエッチングが進んで第１層２１ａが無くなり、第２層２１ｂが露出するとエッチングが停止して図１０（ｃ）のような状態になる。すなわち放物線或いは楕円状の曲線で描かれる断面形状（負の曲率半径を有する曲面）を呈する金属バンプ２２，２２，…が得られる。これらの金属バンプ２２，２２，…はその根元部分の第２層２１ｂ及び第３層２１ｃで繋がっている。
【００３８】
次いで、エッチング液を変えて第２層２１ｂをエッチング処理する（ステップ３）。ここではエッチング液を選択することにより第２層２１ｂのみを選択的にエッチングする。エッチング液として、例えばフッ素系薬品（メルテックス社製ＭＮ−９５６）と硫酸と過酸化水素水の混合液を用いることにより第２層２１ｂを選択的に除去する。
【００３９】
次に第１のマスキング２６と保護層２７とを除去し（ステップ４）、表面を洗浄してエッチング液を除去すると図１０（ｄ）に示したような金属バンプ２２，２２，…を備えたバンプ付金属板２８が得られる。
【００４０】
この金属バンプ２２を備えたバンプ付金属板２８において、金属バンプが形成された部分以外の導体板の厚み（残厚）すなわち第３層２１ｃの厚さは、後に配線を形成するために、４０μｍ以下が好ましく、そのバラツキは残厚に対して±３０％以下にすることが好ましい。残厚が４０μｍより厚いと、後の工程でファインな回路を形成することが困難になる。
【００４１】
次にこうして形成した金属バンプ２２，２２，…の上に、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させて形成した、例えば厚さ６０μｍのプリプレグ（図示省略）を重ね合わせ（ステップ５）、ゴムシートのような弾性体に当接させた状態で加熱下に加圧（ヒートプレス）する（ステップ６）。このヒートプレスの結果、図１０（ｅ）に示したように絶縁材料層２４を金属バンプ２２，２２，…が貫通した配線板ユニット２３が得られる。
【００４２】
次にこの配線板ユニット１３の絶縁材料層形成面（図中上面）を表面研磨する（ステップ７）。図１１（ｆ）に示したように、この表面研磨工程により配線板ユニット２３の全体の厚さは約１００〜１５０μｍにまで薄く成形される。また絶縁材料層２４の表面と共に金属バンプ２２の頭部も研磨られ、例えば頭部の半径が２０〜８０μｍになるまで研磨される。こうした工程の後、図１１（ｇ）に示したように配線板ユニット２３の金属板露出面側（図中下面）に第２のマスキング２９を例えばフォトリソグラフ法などの既知の方法で形成する（ステップ８）。配線板ユニット２３の上面側を保護層（図中省略）で覆った後、エッチング液中に浸漬するなどによりバンプ付金属板２８の底部をエッチングして（ステップ９）パターニングし、図１１（ｈ）に示したように配線板ユニット２３の下面側に配線パターン２２Ａを形成する。次いで前記保護層と第２のマスキング２９を除去すると（ステップ１０）図１１（ｉ）に示したような配線板ユニット２３ａが得られる。こうして形成した配線板ユニット２３ａの配線パターン２２Ａ上にベアチップ等の半導体素子３０を実装し（ステップ１１）、配線板ユニット２３ａの上面に露出した金属バンプ２２頭部にハンダボール４０を溶着することにより、半導体装置６０が得られる。
【００４３】
本実施形態に係る方法では、エッチングバリアとして機能する第２層２１ｂを介挿した三層構造の金属板２１を用いて金属バンプや配線パターンを形成するので、配線パターンを形成する層の厚さを均一にすることができ配線パターンの密度を高くすることができる。
【００４４】
また配線層の厚みが均一であることから配線を形成する前に、配線層の厚みをエッチングで５〜２０μｍ程度に薄くすることができる。その後配線を形成することで配線密度を高くすることができる。例えば図１１（ｉ），図１１（ｊ）に示した構造の配線パターンでは配線密度をＬ／Ｓ値＝２５／２５（μｍ／μｍ）まで上げることができる。
【００４５】
【発明の効果】
本発明によれば、バンプ貫通型の金属配線部材を用いて層間接続しているので低コストで製造することができる。またメッキ工程が不要なので低コストで高集積度の配線パターンを備えた金属プリント配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係るプリント配線基板製造方法の各工程を示したフローチャートである。
【図２】第１の実施形態に係るプリント配線基板製造方法の各工程を示した断面図である。
【図３】第１の実施形態に係るプリント配線基板製造方法の各工程を示した断面図である。
【図４】第１の実施形態に係るプリント配線基板製造方法の各工程を示した断面図である。
【図５】第１の実施形態に係る金属バンプの斜視図及び断面図である。
【図６】第１の実施形態に係る金属バンプと配線パターンの斜視図と断面図である。
【図７】第１の実施形態に係る金属バンプの電子顕微鏡写真である。
【図８】第１の実施形態に係る金属バンプの電子顕微鏡写真である。
【図９】第２の実施形態に係るプリント配線基板製造方法の各工程を示したフローチャートである。
【図１０】第２の実施形態に係るプリント配線基板製造方法の各工程を示した断面図である。
【図１１】第２の実施形態に係るプリント配線基板製造方法の各工程を示した断面図である。
【図１２】従来の配線板の断面図である。
【符号の説明】
１１Ｃ…金属配線部材、１１Ｄ…配線パターン、１３…プリント配線基板、１１…金属板、１１Ｂ…金属バンプ、１６…第１のマスキング、１５…第２のマスキング、１２…絶縁材料層（プリプレグ）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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