(57)【要約】【課題】膜形成室内において太陽電池膜の形成を繰り返し行うときに、常に予め設定された支持板温度（上記の設定温度）で膜形成を行うように制御することを可能とする、太陽電池膜形成装置を提供する。【解決手段】本発明の太陽電池膜形成装置２００は、太陽電池膜ＰＬ〜ＮＬの基板１３ａ〜１５ａ上への形成を繰り返し行うための膜形成室１２を具備している。前記膜形成室１２には、前記基板１３ａ〜１５ａが支持される支持板１８と、前記支持板１８を加熱するヒータ１６−ｉとが設置される。また、本発明の太陽電池膜形成装置２００は、前記支持板１８の温度である支持板温度２６−ｉを検出する支持板温度検出部▲１▼〜▲３▼と、前記支持板温度２６−ｉが第１設定支持板温度ＳＴ１となるように、前記支持板温度検出部▲１▼〜▲３▼が検出した支持板温度２６−ｉと、前記太陽電池膜ＰＬ〜ＮＬを前記膜形成室１２で繰り返し形成するときの前記支持板温度２６−ｉの変動幅に基づいて決定された第２設定支持板温度ＳＴ２とに基づいて、前記支持板温度２６−ｉを調節する支持板温度調節部１０Ｂとを具備する。【選択図】　図７
2004095682.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池膜の基板上への形成を繰り返し行うための膜形成室と、前記膜形成室には、前記基板が支持される支持板と、前記支持板を加熱するヒータとが設置され、
前記支持板の温度である支持板温度を検出する支持板温度検出部と、
前記支持板温度が第１設定支持板温度となるように、前記支持板温度検出部が検出した支持板温度と、前記太陽電池膜を前記膜形成室で繰り返し形成するときの前記支持板温度の変動幅に基づいて決定された第２設定支持板温度とに基づいて、前記支持板温度を調節する支持板温度調節部と
を具備する太陽電池膜形成装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記太陽電池膜が前記膜形成室で形成されるときには、前記膜形成室において放電が行われ、前記支持板温度は、前記支持板上に前記基板が設置されることにより降下し、前記降下した支持板温度は、前記放電と、前記支持板温度調節部による前記ヒータの加熱の制御とによって上昇し、前記変動幅は、前記降下した支持板温度と前記上昇した支持板温度との温度差を示し、前記第２設定支持板温度は、前記第１設定支持板温度から前記温度差に基づいて決定された設定値を減算することで算出され、
前記支持板温度調節部は、前記算出された第２設定支持板温度と、前記支持板温度検出部が検出した支持板温度とに基づいて前記支持板温度を調節する
太陽電池膜形成装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記設定値は、前記膜形成室で前記太陽電池膜が繰り返し形成されるときにおける、前記上昇した支持板温度と前記降下した支持板温度の各々の変動と前記温度差とに基づいて決定され、
前記支持板温度調節部は、前記第１設定支持板温度から前記決定された設定値を減算することで算出された第２設定支持板温度と、前記支持板温度検出部が検出した支持板温度とに基づいて前記支持板温度を調節する
太陽電池膜形成装置。
【請求項４】
太陽電池膜の基板上への形成を繰り返し行うための膜形成室と、前記膜形成室には、前記基板が支持される支持板と、前記支持板を加熱するヒータとが設置され、
前記支持板の温度である支持板温度を検出する支持板温度検出部と、
前記支持板温度が設定支持板温度となるように、前記支持板温度検出部が検出した支持板温度を、前記支持板温度検出部が検出した支持板温度と、前記太陽電池膜を前記膜形成室で繰り返し形成するときの前記支持板温度の変動幅とに基づいて変換し、前記変換された支持板温度と前記設定支持板温度とに基づいて前記支持板温度を調節する支持板温度調節部と
を具備する太陽電池膜形成装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記太陽電池膜が前記膜形成室で形成されるときには、前記膜形成室において放電が行われ、前記支持板温度は前記支持板上に前記基板が設置されることにより降下し、前記降下した支持板温度は前記放電と、前記支持板温度調節部による前記ヒータの加熱の制御とによって上昇し、前記変動幅は、前記降下した支持板温度と前記上昇した支持板温度との温度差を示し、前記支持板温度調節部が変換した支持板温度は、前記支持板温度検出部が検出した支持板温度に、前記温度差に基づいて決定された設定値を加算することで算出され、
前記支持板温度調節部は、前記設定支持板温度と前記算出された支持板温度とに基づいて前記支持板温度を調節する
太陽電池膜形成装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記設定値は、前記膜形成室で前記太陽電池膜が繰り返し形成されるときにおける、前記上昇した支持板温度と前記降下した支持板温度の各々の変動と前記温度差とに基づいて決定され、
前記支持板温度調節部は、前記支持板温度検出部が検出した支持板温度に、前記決定された設定値を加算することで算出された支持板温度と前記設定支持板温度とに基づいて前記支持板温度を調節する
太陽電池膜形成装置。
【請求項７】
太陽電池膜の基板上への形成を繰り返し行うための膜形成室と、前記膜形成室には、前記基板が支持される支持板と、前記支持板を加熱するヒータとが設置され、
前記支持板の温度である支持板温度を検出する支持板温度検出部と、
前記支持板上に前記太陽電池膜が設定支持板温度で形成されるように、前記支持板温度検出部が検出した支持板温度と前記設定支持板温度とに基づいて前記支持板温度を調節する支持板温度調節部と
を具備する太陽電池膜形成装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記太陽電池膜が前記膜形成室で形成されるときには、前記膜形成室において放電が行われ、前記支持板温度は前記支持板上に前記基板が設置されることにより降下し、前記降下した支持板温度は前記放電と、前記支持板温度調節部による前記ヒータの加熱の制御とによって上昇し、
前記支持板温度調節部は、前記設定支持板温度、前記上昇した支持板温度、前記降下した支持板温度の各々に基づいて前記支持板温度を調節する
太陽電池膜形成装置。
【請求項９】
太陽電池膜の基板上への形成を繰り返し行うための膜形成室、支持板温度検出部、支持板温度調節部の各々を具備する太陽電池膜形成装置により実行される太陽電池膜形成方法において、
前記膜形成室には、前記基板が支持される支持板と、前記支持板を加熱するヒータとが設置され、
前記支持板温度検出部が、前記支持板の温度である支持板温度を検出するステップと、
前記支持板温度調節部が、前記支持板温度が第１設定支持板温度となるように、前記支持板温度検出部が検出した支持板温度と、前記太陽電池膜を前記膜形成室で繰り返し形成するときの前記支持板温度の変動幅に基づいて決定された第２設定支持板温度とに基づいて、前記支持板温度を調節するステップと
を具備する太陽電池膜形成方法。
【請求項１０】
太陽電池膜の基板上への形成を繰り返し行うための膜形成室、支持板温度検出部、及び支持板温度調節部の各々を具備する太陽電池膜形成装置により実行される太陽電池膜形成方法において、
前記膜形成室には、前記基板が支持される支持板と、前記支持板を加熱するヒータとが設置され、
前記支持板温度検出部が、前記支持板の温度である支持板温度を検出するステップと、
前記支持板温度調節部が、前記支持板温度が設定支持板温度となるように、前記支持板温度検出部が検出した支持板温度を、前記支持板温度検出部が検出した支持板温度と、前記太陽電池膜を前記膜形成室で繰り返し形成するときの前記支持板温度の変動幅とに基づいて変換し、前記変換された支持板温度と前記設定支持板温度とに基づいて前記支持板温度を調節するステップと
を具備する太陽電池膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、太陽電池膜の形成において用いられる装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
添付図面を参照して、本発明の太陽電池膜形成装置に係る従来の技術について説明する。本発明の太陽電池膜形成装置を用いて形成される太陽電池は、特に、図１５に示すアモルファス型太陽電池１０ａである。アモルファス型太陽電池１０ａは、ガラス基板１１ａ、透明電極膜１２ａ、Ｐ膜ＰＬ、Ｉ膜ＩＬ、Ｎ膜ＮＬの各々からなる構造を有している。
【０００３】
アモルファス型太陽電池１０ａは、次の（ａ）〜（ｄ）を経て形成される。（ａ）〜（ｄ）には、（ａ）ガラス基板１１ａ上に透明電極膜１２ａを形成することで中間生成物１３ａを形成し、（ｂ）中間生成物１３ａ上にＰ膜ＰＬを形成することで中間生成物１４ａを形成し、（ｃ）中間生成物１４ａ上にＩ膜ＩＬを形成することで中間生成物１５ａを形成し、（ｄ）中間生成物１５ａ上にＮ膜ＮＬを形成することでアモルファス型太陽電池１０ａを形成する過程が含まれる。（ｂ）で形成されるＰ膜ＰＬ、（ｃ）で形成されるＩ膜ＩＬ、（ｄ）で形成されるＮ膜ＮＬの各々は、複数の膜形成室（Ｐ膜ＰＬを形成するための第１膜形成室、Ｉ膜ＩＬを形成するための第２膜形成室、Ｎ膜ＮＬを形成するための第３膜形成室を含む）を有する膜形成室内において、プラズマＣＶＤ法を用いた蒸着により形成される。
【０００４】
プラズマＣＶＤ法は、次の（１）、（２）の手順を経て行われる。（１）膜形成室内を高真空状態として、膜ＰＬ、ＩＬ、ＮＬの形成の対象となる形成物（中間生成物１３ａ、中間生成物１４ａ、中間生成物１５ａのいずれか）を一定温度（２００〜２５０℃程度に設定される）の支持板上に載せる。（２）膜形成室内に備えられる電極を用いてグロー放電を行い、プラズマを発生させる。膜形成室内に、Ｐ膜ＰＬ、Ｉ膜ＩＬ、Ｎ膜ＮＬのいずれかの原料である原料ガスを封入する。封入された原料ガスは分解され、中間生成物１３ａ〜１５ａ上に蒸着する。この蒸着の結果、膜ＰＬ、ＩＬ、ＮＬが形成される。複数のアモルファス型太陽電池１０ａを形成するときには、上記の（１）、（２）の手順が連続して繰り返し行われる。
【０００５】
（１）においては、形成される膜ＰＬ、ＩＬ、ＮＬを支持する支持板上に載せられる中間生成物１３ａ〜１５ａ（いずれも、底部にガラス基板１１ａが備えられている）の温度は、通常、設定温度と比較して低い。従って、支持板上に中間生成物１３ａ〜１５ａが設置されることで、設定温度（２００〜２５０℃）に保たれていた支持板の温度は下降する。（２）においては、グロー放電が行われることで、（１）において下降した支持板の温度は、再び設定温度の前後にまで上昇する。また、（２）においては、膜ＰＬ、ＩＬ、ＮＬの形成の際、支持板の温度が時間的（膜形成の回数に対応する）に、又は局所的に異なると、最終的に形成されるアモルファス型太陽電池１０ａの品質（光電効率）に影響を与えることがある。これは、プラズマによって分解された原料ガスが支持板上で膜ＰＬ、ＩＬ、ＮＬを形成する速度が、支持板の温度によって異なるためである。そのため、カートリッジヒータによって加熱される支持板の温度を熱電対等の温度センサを用いて計測し、計測された温度（以下、「支持板温度計測値」と記す）と、支持板の温度に対する上記の設定温度とに基づいて、カートリッジヒータによる加熱の程度を制御する処理が行われている。この制御は、一般的に、支持板温度計測値と設定温度とを用いた、ＰＩＤ演算（他の演算形態であっても構わない。以下同）によって行われることが多い。
【０００６】
上記の膜形成室を用いて膜形成を繰り返し行うときにおいても、設定温度で膜形成を行うように制御することを可能とする、太陽電池膜形成装置が望まれる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、膜形成室内において太陽電池膜の形成を繰り返し行うときに、常に予め設定された支持板温度（上記の設定温度）で膜形成を行うように制御することを可能とする、太陽電池膜形成装置を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、上記の太陽電池膜形成装置を用いた太陽電池膜形成方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
以下に、［発明の実施の形態］で使用される番号・符号を括弧付で用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの符号は、［特許請求の範囲］の記載と［発明の実施の形態］の記載との対応を明らかにするために付加されたものであり、［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１０】
本発明の太陽電池膜形成装置（２００）は、太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）の基板（１３ａ〜１５ａ）上への形成を繰り返し行うための膜形成室（１２）を具備している。前記膜形成室（１２）には、前記基板（１３ａ〜１５ａ）が支持される支持板（１８）と、前記支持板（１８）を加熱するヒータ（１６−ｉ）とが設置される。また、本発明の太陽電池膜形成装置（２００）は、前記支持板（１８）の温度である支持板温度（２６−ｉ）を検出する支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）と、前記支持板温度（２６−ｉ）が第１設定支持板温度（ＳＴ１）となるように、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が検出した支持板温度（２６−ｉ）と、前記太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）を前記膜形成室（１２）で繰り返し形成するときの前記支持板温度（２６−ｉ）の変動幅に基づいて決定された第２設定支持板温度（ＳＴ２）とに基づいて、前記支持板温度（２６−ｉ）を調節する支持板温度調節部（１０Ｂ）とを具備する。
【００１１】
本発明の太陽電池膜形成装置（２００）において、前記太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）が前記膜形成室（１２）で形成されるときには、前記膜形成室（１２）において放電が行われる。前記支持板温度（２６−ｉ）は、前記支持板（１８）上に前記基板（１３ａ〜１５ａ）が設置されることにより降下する。前記降下した支持板温度（２６−ｉ）は、前記放電と、前記支持板温度調節部（１０Ｂ）による前記ヒータ（１６−ｉ）の加熱の制御とによって上昇する。前記変動幅は、前記降下した支持板温度（２６−ｉ）と前記上昇した支持板温度（２６−ｉ）との温度差を示す。前記第２設定支持板温度（ＳＴ２）は、前記第１設定支持板温度（ＳＴ１）から前記温度差に基づいて決定された設定値（ＳＴＡ）を減算することで算出される。前記支持板温度調節部（１０Ｂ）は、前記算出された第２設定支持板温度（ＳＴ２）と、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が検出した支持板温度（２６−ｉ）とに基づいて前記支持板温度（２６−ｉ）を調節する。
【００１２】
本発明の太陽電池膜形成装置（２００）において、前記設定値（ＳＴＡ）は、前記チャンバー（１２）で前記太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）が繰り返し形成されるときにおける、前記上昇した支持板温度（２６−ｉ）と前記降下した支持板温度（２６−ｉ）の各々の変動と前記温度差とに基づいて決定される。
【００１３】
前記支持板温度調節部（１０Ｂ）は、前記第１設定支持板温度（ＳＴ１）から前記決定された設定値（ＳＴＡ）を減算することで算出された前記第２設定支持板温度（ＳＴ２）と、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が検出した支持板温度（２６−ｉ）とに基づいて前記支持板温度（２６−ｉ）を調節する。
【００１４】
本発明の太陽電池膜形成装置（３００）は、太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）の基板（１３ａ〜１５ａ）上への形成を繰り返し行うための膜形成室（１２）を具備している。前記膜形成室（１２）には、前記基板（１３ａ〜１５ａ）が支持される支持板（１８）と、前記支持板（１８）を加熱するヒータ（１６−ｉ）とが設置される。本発明の太陽電池膜形成装置（３００）は、前記支持板（１８）の温度である支持板温度（２６−ｉ）を検出する支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）を具備する。更に、本発明の太陽電池膜形成装置（３００）は、前記支持板温度（２６−ｉ）が設定支持板温度（ＳＴ１）となるように、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が検出した支持板温度（２６−ｉ）を、前記太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）を前記膜形成室（１２）で繰り返し形成するときの前記支持板温度（２６−ｉ）の変動幅に基づいて変換し、前記変換された支持板温度（（２６−ｉ）´）と前記設定支持板温度（ＳＴ１）とに基づいて前記支持板温度（２６−ｉ）を調節する支持板温度調節部（１０Ｃ）を具備する。
【００１５】
本発明の太陽電池膜形成装置（３００）において、前記太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）が前記膜形成室（１２）で形成されるときには、前記膜形成室（１２）において放電が行われる。前記支持板温度（２６−ｉ）は前記支持板（１８）上に前記基板（１３ａ〜１５ａ）が設置されることにより降下し、前記降下した支持板温度（２６−ｉ）は前記放電と、前記支持板温度調節部（１０Ｃ）による前記ヒータ（１６−ｉ）の加熱の制御とによって上昇する。前記変動幅は、前記降下した支持板温度（２６−ｉ）と前記上昇した支持板温度（２６−ｉ）との温度差を示す。前記支持板温度調節部（１０Ｃ）が変換した支持板温度（（２６−ｉ）´）は、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が検出した支持板温度（２６−ｉ）に、前記温度差に基づいて決定された設定値（ＳＴＢ）を加算することで算出される。前記支持板温度調節部（１０Ｃ）は、前記設定支持板温度（ＳＴ１）と前記算出された支持板温度（（２６−ｉ）´）とに基づいて前記支持板温度（２６−ｉ）を調節する。
【００１６】
本発明の太陽電池膜形成装置（３００）において、前記設定値（ＳＴＢ）は、前記膜形成室（１２）で前記太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）が繰り返し形成されるときにおける、前記上昇した支持板温度（２６−ｉ）と前記降下した支持板温度（２６−ｉ）の各々の変動と前記温度差とに基づいて決定される。前記支持板温度調節部（１０Ｃ）は、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が検出した支持板温度（２６−ｉ）に、前記決定された設定値（ＳＴＢ）を加算することで算出された支持板温度（（２６−ｉ）´）と前記設定支持板温度（ＳＴ１）とに基づいて前記支持板温度（２６−ｉ）を調節する。
【００１７】
本発明の太陽電池膜形成装置（１００）は、太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）の基板（１３ａ〜１５ａ）上への形成を繰り返し行うための膜形成室（１２）と、前記膜形成室（１２）には、前記基板（１３ａ〜１５ａ）が支持される支持板（１８）と、前記支持板（１８）を加熱するヒータ（１６−ｉ）とが設置される。また、本発明の太陽電池膜形成装置（１００）は、前記支持板（１８）の温度である支持板温度（２６−ｉ）を検出する支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）と、前記支持板（１８）上に前記太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）が設定支持板温度（ＳＴ１）で形成されるように、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が検出した支持板温度（２６−ｉ）と前記設定支持板温度（ＳＴ１）とに基づいて前記支持板温度（２６−ｉ）を調節する支持板温度調節部（１０Ａ）とを具備する。
【００１８】
本発明の太陽電池膜形成装置（１００）において、前記太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）が前記膜形成室（１２）で形成されるときには、前記膜形成室（１２）において放電が行われる。前記支持板温度（２６−ｉ）は前記支持板（１８）上に前記基板（１３ａ〜１５ａ）が設置されることにより降下し、前記降下した支持板温度（２６−ｉ）は前記放電と、前記支持板温度調節部（１０Ａ）による前記ヒータ（１６−ｉ）の加熱の制御とによって上昇する。前記支持板温度調節部（１０Ａ）は、前記設定支持板温度（ＳＴ１）、前記上昇した支持板温度（２６−ｉ）、前記降下した支持板温度（２６−ｉ）の各々に基づいて前記支持板温度（２６−ｉ）を調節する。
【００１９】
本発明の太陽電池膜形成方法は、太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）の基板（１３ａ〜１５ａ）上への形成を繰り返し行うための膜形成室（１２）、支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）、支持板温度調節部（１０Ｂ）の各々を具備する太陽電池膜形成装置（２００）により実行される。前記膜形成室（１２）には、前記基板（１３ａ〜１５ａ）が支持される支持板（１８）と、前記支持板（１８）を加熱するヒータ（１６−ｉ）とが設置される。また、本発明の太陽電池膜形成方法は、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が、前記支持板（１８）の温度である支持板温度（２６−ｉ）を検出するステップ（Ｓ２ｂ）を具備する。更に、本発明の太陽電池膜形成方法は、前記支持板温度調節部（１０Ｃ）が、前記支持板温度（２６−ｉ）が第１設定支持板温度（ＳＴ１）となるように、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が検出した支持板温度（２６−ｉ）と、前記太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）を前記膜形成室（１２）で繰り返し形成するときの前記支持板温度（２６−ｉ）の変動幅に基づいて決定された第２設定支持板温度（ＳＴ２）とに基づいて、前記支持板温度（２６−ｉ）を調節するステップ（Ｓ３ｂ、Ｓ４ｂ、Ｓ５ｂｂ）を具備する。
【００２０】
本発明の太陽電池膜形成方法は、太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）の基板（１３ａ〜１５ａ）上への形成を繰り返し行うための膜形成室（１２）、支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）、及び支持板温度調節部（１０Ｃ）の各々を具備する太陽電池膜形成装置（３００）により実行される。前記膜形成室（１２）には、前記基板（１３ａ〜１５ａ）が支持される支持板（１８）と、前記支持板（１８）を加熱するヒータ（１６−ｉ）とが設置される。また、本発明の太陽電池膜形成方法は、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が、前記支持板（１８）の温度である支持板温度（１６−ｉ）を検出するステップ（Ｓ２ｃ）と、前記支持板温度調節部（１０Ｃ）が、前記支持板温度（１６−ｉ）が設定支持板温度（ＳＴ１）となるように、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が検出した支持板温度（２６−ｉ）を、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が検出した支持板温度（２６−ｉ）と、前記太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）を前記膜形成室（１２）で繰り返し形成するときの前記支持板温度（２６−ｉ）の変動幅とに基づいて変換し、前記変換された支持板温度（（２６−ｉ）´）と前記設定支持板温度（ＳＴ１）とに基づいて前記支持板温度（２６−ｉ）を調節するステップ（Ｓ３ｃ、Ｓ４ｃ、Ｓ５ｃ、Ｓ６ｃ）とを具備する。
【００２１】
【発明の実施の形態】
添付図面を参照して、本発明の太陽電池膜形成装置、及び太陽電池膜形成方法に係る実施の形態１〜５について説明する。
【００２２】
（実施の形態１）
図１に、本発明の実施の形態１に係る太陽電池膜形成装置１００の構成を示す。太陽電池膜形成装置１００は、膜形成室１２、膜形成室１２に隣接して設置される第１室１１、第２室１３の各々を備えるチャンバー１０Ａ´、及び膜形成室１２と接続される制御装置１０Ａを具備している。第１室１１にはガスボンベ１４−１、膜形成室１２にはガスボンベ１４−２、１４−３、１４−４、第２室１３にはガスボンベ１４−５が接続されている。ガスボンベ１４−ｈ（ｈ＝１，２，３，４，５）には各々、栓１５−ｈ（ｈ＝１，２，３，４，５）が備えられている。膜形成室１２は、内部にカートリッジヒータ１６−ｉ（ｉ＝１，２，３）、水冷式反射板１７、ヒータカバー１８、電極１９、防着板１９Ａ、ガス流入口２０−ｊ（ｊ＝１，２）、弁２１−２の各々を具備している。また、第１室１１には弁２１−１、第２室１３には弁２１−３の各々が備えられている。ヒータカバー１８は、中間生成物１３ａ〜１５ａのいずれかを支持し、また、複数の熱電対▲１▼，▲２▼，▲３▼（以下、「熱電対▲１▼〜▲３▼」と記す）が備えられる。制御装置１０Ａは、出力装置２２、減算器２３、表示部２４、ＰＩＤ演算器２５、サイクリスタ２５Ａの各々を具備している。
【００２３】
図１においては、チャンバー１０Ａ´は、第１室１１と第２室１３に加えて、１室の膜形成室１２を具備するように示されている。しかしながら、実際には、図１の右端から第１室１１、隔離板１１Ａ、Ｐ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２、隔離板、Ｉ膜ＩＬを形成するための膜形成室１２、隔離板、Ｎ膜ＮＬを形成するための膜形成室１２、隔離板１２Ａ、第２室１３が順に設置される構成になっている。即ち、第１室１１は、隔離板１１Ａを介してＰ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２と接しており、第２室１３は、隔離板１２Ａを介してＮ膜ＮＬを形成するための膜形成室１２と接している。従って、各々の膜形成室１２を用いて、（ａ）Ｐ膜ＰＬの形成、（ｂ）Ｉ膜ＩＬの形成、（ｃ）Ｎ膜ＮＬの形成を連続して繰り返し行う（即ち、複数のアモルファス型太陽電池１０ａを連続して形成する）ことが可能となっている。
【００２４】
以下の説明においては、Ｐ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２を主に例に挙げて説明を行うが、特に断りの無い限り、Ｉ膜ＩＬを形成するための膜形成室１２、Ｎ膜ＮＬを形成するための膜形成室１２のいずれにおいても同様である。Ｉ膜ＩＬを形成するための膜形成室１２においては、以下の説明において、「Ｐ膜ＰＬ」は「Ｉ膜ＩＬ」、「原料ガス２６Ｐ」は「原料ガス２６Ｉ」、「中間生成物１３ａ」は「中間生成物１４ａ」にそれぞれ読み替えられる。一方、Ｎ膜ＮＬを形成するための膜形成室１２においては、以下の説明において、「Ｐ膜ＰＬ」は「Ｎ膜ＮＬ」、「原料ガス２６Ｐ」は「原料ガス２６Ｎ」、「中間生成物１３ａ」は「中間生成物１５ａ」にそれぞれ読み替えられる。
【００２５】
ガスボンベ１４−２、１４−３、１４−４には、Ｐ膜ＰＬ、Ｉ膜ＩＬ、Ｎ膜ＮＬの原料となる複数種類のガスのいずれかが充填されており、これらのガスが所定の割合で混合される（各々の栓１５−２、１５−３、１５−４の開度が所定開度に調節される）ことで原料ガス２６Ｐ（Ｉ膜ＩＬの原料となる原料ガス２６Ｉ、Ｎ膜ＮＬの原料となる原料ガス２６Ｎでも同様）が生成される。生成された原料ガス２６Ｐは、ガス流入口２０−ｊを通過し、その結果、膜形成室１２の内部（但し、ヒータカバー１４上の中間生成物１３ａから上方の領域。以下、「第１所定領域」と記す）は均一な濃度の原料ガス２６Ｐで充填される。ガスボンベ１４−１、１４−５には、空気（又は酸素ガス等）ＡＩＲが充填されている。ガスボンベ１４−１（又は１４−５）に充填される空気ＡＩＲは、膜形成室１２における膜形成が全て終了した後に、栓１５−１（又は１５−５）を所定の開度で開けることで、第１室１１（又は第２室１３）の内部に充填される。その後、第２室１３から、形成されたアモルファス型太陽電池１０ａが取り出される。
【００２６】
カートリッジヒータ１６−ｉは各々、筒型の放熱口（丸型の斜線部分）を有しており、制御装置１０Ａからの制御電流ΔＩ１−ｉ（ｉ＝１，２，３）に応答してヒータカバー１８を加熱する（又は、加熱の程度を調節する）ことで、ヒータカバー１８の表面の全体が設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１になるように制御する。複数のカートリッジヒータ１６−ｉが設置されていることから、ヒータカバー１８表面上の複数の箇所（熱電対▲１▼〜▲３▼の設置される箇所に対応）におけるヒータカバー表面温度２６−ｉ（ｉ＝１，２，３）の違いに基づいた、ヒータカバー表面温度２６−ｉの制御が可能となっている。水冷式反射板１７は、膜形成室１２の底部の壁とカートリッジヒータ１６−ｉとの隙間に設けられており、内部又は周辺部を流通する冷却水によって、各々のカートリッジヒータ１６−ｉから放出される熱を吸収することで、冷却を行う。
【００２７】
ヒータカバー１８は、中間生成物１３ａを支持しており、この支持される中間生成物１３ａ上に、原料ガス２６Ｐが分解されて生成した、電子とイオンとを含む電離種（又は、分子ラジカル種）が蒸着することで、Ｐ膜ＰＬ（Ｉ膜ＩＬ、Ｎ膜ＮＬのときでも同様）が形成される。
【００２８】
熱電対▲１▼〜▲３▼は、ヒータカバー１８の表面上の複数の箇所に設けられており、各々の箇所におけるヒータカバー表面温度２６−ｉ（ｉ＝１，２，３）、及びその変動を検出する。熱電対▲１▼は、カートリッジヒータ２６−１による加熱の程度（カートリッジヒータ１６−１へ流す制御電流ΔＩ１−１によって調節される）に基づいたヒータカバー温度２６−１、及びその変動を検出する。熱電対▲２▼は、カートリッジヒータ２６−２による加熱の程度（カートリッジヒータ１６−２へ流す制御電流ΔＩ１−２によって調節される）に基づいたヒータカバー温度２６−２、及びその変動を検出する。熱電対▲３▼は、カートリッジヒータ２６−３による加熱の程度（カートリッジヒータ１６−３へ流す制御電流ΔＩ１−３によって調節される）に基づいたヒータカバー温度２６−３、及びその変動を検出する。
【００２９】
また、熱電対▲１▼〜▲３▼の各々は、検出されたヒータカバー表面温度２６−ｉを示す情報（以下、単に「ヒータカバー表面温度２６−ｉ」と記す）を制御装置１０Ａに出力する。このとき、各々の熱電対▲１▼〜▲３▼を示す情報（以下、「熱電対指示情報２６−ｋ（ｋ＝▲１▼，▲２▼，▲３▼）」と記す）も共に制御装置１０Ａに出力される。熱電対▲１▼は、検出されたヒータカバー表面温度２６−１と共に、その番号を示す熱電対指示情報２６−▲１▼を制御装置１０Ａに出力する。熱電対▲２▼は、検出されたヒータカバー表面温度２６−２と共に、その番号を示す熱電対指示情報２６−▲２▼を制御装置１０Ａに出力する。熱電対▲３▼は、検出されたヒータカバー表面温度２６−３と共に、その番号を示す熱電対指示情報２６−▲３▼を制御装置１０Ａに出力する。ヒータカバー表面温度２６−ｉと共に、その番号を示す熱電対指示情報２６−ｋが出力されることで、制御装置１０Ａにおいては、後述する電流制御対象カートリッジヒータ表示テーブルを参照して、どのカートリッジヒータ１６−ｉに対する制御電流ΔＩ１−ｉを調節すればよいかを判断することが可能となる。
【００３０】
電極１９は、電圧を印加され、膜形成室１２内においてグロー放電を発生する。このグロー放電によって、膜形成室１２内に注入された原料ガス２６Ｐは、電子とイオン（又は、分子ラジカル種同士）に電離して、最終的にヒータカバー１８上の中間生成物１３ａ上に蒸着する。防着板１９Ａは、分解された原料（以下、「分解原料」と記す）が膜形成室１２の内壁に付着するのを可能な限り防止している。この防着板１９Ａを設置することで、膜形成室１２の内壁へ分解原料が付着することによる、膜形成室１２の腐食を可能な限り防止することが可能となる。
【００３１】
弁２１−１からは、３室の膜形成室１２における膜形成が行われる前（このとき、第１室１１内には中間生成物１３ａが入れられており、また、各々の膜形成室１２は高真空状態となっている）に、第１室１１内の空気が放出され、その結果、第１室１１内は高真空状態になるように制御される。３室の膜形成室１２とは、Ｐ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２、Ｉ膜ＩＬを形成するための膜形成室１２、Ｎ膜ＮＬを形成するための膜形成室１２の各々を含んでいる。
【００３２】
弁２１−２からは、膜形成室１２における膜形成が行われる前に、膜形成室１２内の空気が放出され、その結果、膜形成室１２内は高真空状態になるように制御される（この制御は、３室の膜形成室１２の各々に対して行われる）。その後、隔離板１１Ａが開けられ、中間生成物１３ａに対する、第１室１１からＰ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２への移動が行われる。中間生成物１４ａの生成後、中間生成物１４ａに対する、Ｐ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２からＩ膜ＩＬを形成するための膜形成室１２への移動が行われる。中間生成物１５ａの生成後、中間生成物１５ａに対する、Ｉ膜ＩＬを形成するための膜形成室１２からＮ膜ＮＬを形成するための膜形成室１２への移動が行われる。
【００３３】
弁２１−３からは、膜形成室１２における膜形成が行われる前に、第２室１３内の空気が放出され、その結果、第２室１３内は高真空状態になるように制御される。これにより、Ｎ膜ＮＬを形成するための膜形成室１２への空気ＡＩＲの混入を可能な限り防止することが可能となる。膜形成室１２における膜形成が終了した後、隔離板１２Ａが開けられ、アモルファス型太陽電池１０ａに対する、Ｎ膜ＮＬを形成するための膜形成室１２から第２室１３への移動が行われる。
【００３４】
出力装置２２は、ヒータカバー表面温度２６−ｉに対して設定された設定ヒータカバー表面温度（ヒータカバー表面温度２６−ｉの各々は、同一の温度になるように設定される）ＳＴ１を、太陽電池膜形成装置１００の操作者（以下、「操作者」と記す）の操作に基づいて、予め減算器２３に出力する。出力装置２２は、表示部２４に接続されており、表示部２４は、図２に示す表示画面ＳＣ１を表示する。表示画面ＳＣ１は、演算データ１Ｄ、Ｐ膜演算データ表示要求ボタン１Ｂ、Ｉ膜演算データ表示要求ボタン２Ｂ、Ｎ膜演算データ表示要求ボタン３Ｂ、設定ボタン４Ｂの各々を示している。演算データ１Ｄは、Ｐ膜演算データ、Ｉ膜演算データ、Ｎ膜演算データのいずれかである（図２の例では、Ｐ膜演算データが表示されている。Ｐ膜演算データ、Ｉ膜演算データ、Ｎ膜演算データの各々は、予め操作者によって出力装置２２に入力され、出力装置２２によって記憶される）。
【００３５】
演算データ１Ｄは、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１（ＳＴ１ａ、ＳＴ１ｂ、ＳＴ１ｃ、ＳＴ１ｄ）、比例ゲイン：Ｋｐ（Ｋｐ１、Ｋｐ２、Ｋｐ３、Ｋｐ４）、比例帯：ｐ（ｐ１、ｐ２、ｐ３、ｐ４）、積分時間：ＴＩ（ＴＩ１、ＴＩ２、ＴＩ３、ＴＩ４）、微分時間：ＴＤ（ＴＤ１、ＴＤ２、ＴＤ３、ＴＤ４）の各々を対応付けて示している。比例ゲイン：Ｋｐ、比例帯：ｐ、積分時間：ＴＩ、微分時間：ＴＤは、ＰＩＤ演算器２５がＰＩＤ演算を行うときに用いられる（組み合わせは、（１）〜（４）のいずれかである）。但し、実際のＰＩＤ演算は、比例ゲイン：Ｋｐと比例帯：ｐのいずれか一方を用いて行われる（比例ゲイン：Ｋｐを用いたときには制御電流ΔＩ１−ｉが算出され、比例帯：ｐを用いたときにはカートリッジヒータ操作量（後述）が算出される）。
【００３６】
表示画面ＳＣ１からは、タッチパネル式の操作が可能であり、操作者は、図２に示される演算データ１Ｄのうち、（１）〜（４）のいずれかをタッチ操作によって指定する。（１）〜（４）のいずれかが指定された上で設定ボタン４Ｂがタッチ操作されると、操作者によって指定された設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１は出力装置２２から減算器２３に出力され、比例ゲイン：Ｋｐ、比例帯：ｐ１、積分時間：ＴＩ、微分時間：ＴＤの各々は、出力装置２２からＰＩＤ演算器２５に出力される。例えば、（１）が指定されたときには、Ｐ膜演算データについて、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１ａが減算器２３に出力され、比例ゲイン：Ｋｐ、比例帯：ｐ１、積分時間：ＴＩ１、微分時間：ＴＤ１の各々がＰＩＤ演算器２５に出力される。
【００３７】
図２における演算データ１Ｄ（Ｐ膜演算データ）は、Ｐ膜ＰＬが形成されるときの演算処理に用いられる、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１、比例ゲイン：Ｋｐ、比例帯：ｐ、積分時間：ＴＩ、微分時間：ＴＤの各々を示している。しかしながら、Ｉ膜ＩＬが形成されるときの演算処理に用いられる、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１、比例ゲイン：Ｋｐ、比例帯：ｐ、積分時間：ＴＩ、微分時間：ＴＤの各々（値はＰ膜演算データのものと異なる）を示した演算データ１Ｄ（Ｉ膜演算データ）についても、図２と同様の形式で表示画面ＳＣ１に示される。また、Ｎ膜ＮＬが形成されるときの演算処理に用いられる、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１、比例ゲイン：Ｋｐ、比例帯：ｐ、積分時間：ＴＩ、微分時間：ＴＤの各々（値はＰ膜演算データのものと異なる）を示した演算データ１Ｄ（Ｎ膜演算データ）についても、図２と同様の形式で表示画面ＳＣ１に示される。図２の状態からＩ膜演算データ表示要求ボタン２Ｂが操作されると、Ｐ膜演算データはＩ膜演算データに切り替わり、Ｎ膜演算データ表示要求ボタン３Ｂが操作されると、Ｐ膜演算データはＮ膜演算データに切り替わる。Ｉ膜演算データ、Ｎ膜演算データの各々に対しても、Ｐ膜演算データのときと同様の形態で設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１、比例ゲイン：Ｋｐ、比例帯：ｐ、積分時間：ＴＩ、微分時間：ＴＤの各々が指定され、ＰＩＤ演算器２５、又は減算器２３に出力される。
【００３８】
減算器２３は、出力装置２２から入力した設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１を記憶する。また、減算器２３は、熱電対▲１▼〜▲３▼から熱電対指示情報２６−ｋとヒータカバー表面温度２６−ｉとを入力したときに、記憶される設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１と、入力したヒータカバー表面温度２６−ｉとの差Δ１を算出する。更に、減算器２３は、算出された差Δ１と熱電対指示情報２６−ｋとをＰＩＤ演算器２５に出力する。
【００３９】
ＰＩＤ演算器２５は、減算器２３から熱電対指示情報２６−ｋと差Δ１とを入力し、出力装置２２から比例ゲイン：Ｋｐ、比例帯：ｐ、積分時間：ＴＩ、微分時間：ＴＤの各々を入力する。ＰＩＤ演算器２５は、入力した比例ゲイン：Ｋｐ、積分時間：ＴＩ、微分時間：ＴＤ、ヒータカバー表面温度２６−ｉ、差Δ１を所定のＰＩＤ演算式に代入することで、ＰＩＤ演算を行う。このＰＩＤ演算の結果、ヒータカバー表面温度２６−ｉの各々を設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１にする（このとき、中間生成物１４ａ、１５ａ、アモルファス型太陽電池１０ａがヒータカバー１８上において、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１で形成される）ための、各々のカートリッジヒータ１６−ｉに対する制御電流ΔＩ１−ｉが算出される。制御電流ΔＩ１−ｉは、ＰＩＤ演算器２１からカートリッジヒータ１６−ｉに流す電流の増加分（ヒータカバー表面温度２６−ｉは上昇）、又は減少分（ヒータカバー表面温度２６−ｉは降下）を示している。即ち、制御電流ΔＩ１−ｉは、ヒータカバー表面温度２６−ｉの各々を設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１とするように制御するための値である。
【００４０】
ＰＩＤ演算器２５は、図３に示す電流制御対象カートリッジヒータ表示テーブル１Ｔを記憶している。電流制御対象カートリッジヒータ表示テーブル１Ｔには、熱電対指示情報２６−ｋに示される熱電対▲１▼〜▲３▼と、制御電流ΔＩ１−ｉに基づいた制御の対象となるカートリッジヒ−タ１６−ｉとが対応付けて示されている。ＰＩＤ演算器２１は、熱電対指示情報２６−ｋと電流制御対象カートリッジヒータ表示テーブル１Ｔとを参照して、いずれかのカートリッジヒ−タ１６−ｉに対して、上記の形態で算出された制御電流ΔＩ１−ｉによる制御（流す電流を制御電流ΔＩ１−ｉの分だけ増加、又は減少）を行う。これにより、熱電対▲１▼〜▲３▼によって検出されるヒータカバー温度２６−ｉが、設定ヒータカバー温度ＳＴ１になるように制御することが可能となる。サイクリスタ２５Ａは、ＰＩＤ演算器２５から出力された制御電流ΔＩ１−ｉを、カートリッジヒータ１６−ｉが使用可能な形態に変化させて出力する。
【００４１】
ＰＩＤ演算器２５は、図４に示す外乱表示データ２Ｄ、数値表示データ２Ｄ´を生成して出力装置２２を介し、表示部２４に出力する（表示部２４は、外乱表示データ２Ｄを図４の表示画面ＳＣ２によって表示する）。外乱表示データ２Ｄは、膜形成室１２において膜形成を行わずに、外乱（後述）によるヒータカバー表面温度２６−ｉの変動を測定したときのデータである。また、ＰＩＤ演算器２５は、図５に示すヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ３Ｄ、数値表示データ３Ｄ´の各々を生成して出力装置２２を介し、表示部２４に出力する（表示部２４は、これらのデータを図５の表示画面ＳＣ３によって表示する）。表示画面ＳＣ２には、表示画面ＳＣ３表示要求ボタン１Ｂ´が表示されており、操作者はこの表示画面ＳＣ３表示要求ボタン１Ｂ´を操作することで、表示画面ＳＣ２を表示画面ＳＣ３に切り替えることが可能である。表示画面ＳＣ３には、表示画面ＳＣ２表示要求ボタン２Ｂ´が表示されており、操作者はこの表示画面ＳＣ２表示要求ボタン２Ｂ´を操作することで、表示画面ＳＣ３を表示画面ＳＣ２に切り替えることが可能である。
【００４２】
外乱表示データ２Ｄには、第１曲線１Ｃが示されている。第１曲線１Ｃは、膜形成室１２においてＰ膜ＰＬ、Ｉ膜ＩＬ、Ｎ膜ＮＬのいずれかが形成されるときの、外乱が原因となる、時間ｔの経過によるヒータカバー表面温度２６−ｉを示している。外乱とは、ヒータカバー表面温度２６−ｉを設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１（図５の例では２３０℃）から乱す要因となる現象のことである。具体的には、ヒータカバー表面温度２６−ｉが設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１に保たれているヒータカバー１８上に、その設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１と比較して表面温度の低い中間生成物１３ａが設置されたときに、ヒータカバー表面温度２６−ｉは設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１から降下する。図４の例では、この温度降下は時間ｔ１の範囲内で起こっており、１０℃の温度降下が見られる。その後、膜形成室１２内でグロー放電が行われることで、降下した温度は設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１にまで再び上昇する。図４の例では、この温度上昇は時間ｔ２の範囲内で起こっており、１０℃の温度上昇が見られる。ヒータカバー表面温度２６−ｉが設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１にまで再び上昇すると、暫くの間（図４の例では時間ｔ３の間）、ヒータカバー表面温度２６−ｉはほぼ設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１で安定する。図４においては、外乱による、ヒータカバー表面温度２６−ｉの温度上昇の期間（ｔ２）、温度降下の期間（ｔ１）、及び温度一定の期間（ｔ３）とを含む（膜形成）サイクルＣＣが時間０〜ｔ４の間に１１回繰り返されており、この回数は、時間０〜ｔ４の間に膜形成室１２において膜形成の行われた回数に対応する。数値表示データ２Ｄ´は、各々の点（１）´〜（１２）´におけるヒータカバー表面温度２６−ｉを示している。
【００４３】
上記の例では外乱による温度降下を、中間生成物１３ａの表面温度が設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１より低いことに起因するものとしている。これは、Ｐ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２、及び第１室１１を高真空状態とした上で隔離板１１Ａを開放して、中間生成物１３ａを第１室１１からＰ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２へ移動させることから、第１室１１からＰ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２へのガス流入に伴うヒータカバー温度２６−ｉへの影響を考慮する必要は無いためである。同様にして、Ｐ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２からＩ膜ＩＬを形成するための膜形成室１２への中間生成物１４ａの移動、及びＩ膜ＩＬを形成するための膜形成室１２からＮ膜ＮＬを形成するための膜形成室１２への中間生成物１５ａの移動のいずれも、互いの室を高真空状態にした上で行われるため、一方の室から他方の室へのガス流入に伴うヒータカバー表面温度２６−ｉへの影響を考慮する必要は無い。
【００４４】
ヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ３Ｄは第２曲線２Ｃと第３曲線３Ｃの各々を示している。第２曲線２Ｃは、第１曲線１Ｃに対応しており、膜形成室１２においてＰ膜ＰＬ、Ｉ膜ＩＬ、Ｎ膜ＮＬのいずれかが形成されるときの、時間ｔの経過によるヒータカバー表面温度２６−ｉの変動を示している（例えばサイクルＣＣは、サイクルＣＣ´に対応する）。第２曲線２Ｃに示されるヒータカバー表面温度２６−ｉの変動は、上記の外乱によるヒータカバー表面温度２６−ｉの変化と、ＰＩＤ演算器２５によって出力された制御電流ΔＩ１−ｉに基づいてカートリッジヒータ１６−ｉがヒータカバー１８を加熱したことによる、ヒータカバー表面温度２６−ｉの変化（上昇）とが合成されたものである。（１）は（１）´、（２）は（２）´、（３）は（３）´、（４）は（４）´、（５）は（５）´、（６）は（６）´、（７）は（７）´、（８）は（８）´、（９）は（９）´、（１０）は（１０）´、（１１）は（１１）´、（１２）は（１２）´にそれぞれ対応する。
【００４５】
例えば、（４）´→（４）におけるヒータカバー表面温度２６−ｉの上昇（２３０℃→２３１℃）は、ＰＩＤ演算器２５によって制御電流ΔＩ１−ｉの分だけカートリッジヒータ１６−ｉへ流す電流が増大され、その結果、ヒータカバー表面温度２６−ｉが１℃上昇したことを示している（他も同様）。ＰＩＤ演算器２５が、制御電流ΔＩ１−ｉの分だけカートリッジヒータ１６−ｉへ流す電流が増大するように制御するのは、時間ｔＡ（１バッチであり、ｔＢ（ｔ１＋ｔ２）：成膜時）、ｔＣ（＝ｔ３）：非成膜時とを含む）の間のヒータカバー表面温度２６−ｉが、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１（図４、図５では２３０℃）以下であるためである。ＰＩＤ演算器２５は、ヒータカバー表面温度２６−ｉが設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１よりも低いときには制御電流ΔＩ１−ｉだけカートリッジヒータ１６−ｉに流す電流を増大させ、ヒータカバー表面温度２６−ｉが設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１よりも高いときには制御電流ΔＩ１−ｉだけカートリッジヒータ１６−ｉに流す電流を減少させる。従って、１回のサイクルにおける制御電流ΔＩ１−ｉが±０となったとき（ΔＩａ＝ΔＩｂのときであり、時間ｔ＝ｔ４ａの後に相当する）後に、ヒータカバー表面温度２６−ｉの温度変動は安定することになる（時間ｔ＝ｔ４ａの後は、膜形成が行われる度に、２２５℃〜２３５℃の間の温度変動が繰り返される）。
【００４６】
第３曲線３Ｃは、第２曲線２Ｃに対応しており、膜形成室１２においてＰ膜ＰＬ、Ｉ膜ＩＬ、Ｎ膜ＮＬのいずれかが形成されるときの、時間ｔの経過によるカートリッジヒータ操作量Ｍ１−ｉ（ｉ＝１，２，３）（単位：％）の変化を示している。カートリッジヒータ操作量Ｍ１−ｉは、比例帯：ｐ、積分時間：ＴＩ、微分時間：ＴＤ、差Δ１の各々を用いて算出されたものであり、比例ゲイン：Ｋｐ、積分時間：ＴＩ、微分時間：ＴＤ、差Δ１の各々を用いて算出される制御電流ΔＩ１−ｉに対応している。カートリッジヒータ操作量Ｍ１−１は制御電流ΔＩ１−１に対応する値であり、カートリッジヒータ操作量Ｍ１−２は制御電流ΔＩ１−２に対応する値であり、カートリッジヒータ操作量Ｍ１−３は制御電流ΔＩ１−３に対応する値である（比例ゲイン：Ｋｐと比例帯：ｐとが対応しているため）。
【００４７】
次に、本発明の太陽電池膜形成方法に係る処理の過程について説明する。太陽電池膜形成方法に係る処理が行われる前に、（Ａａ）、（Ａｂ）に述べられる準備が行われる。
【００４８】
（Ａａ）操作者によって、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１が出力装置２２から減算器２３に出力され、比例ゲイン：Ｋｐ、比例帯：ｐ、積分時間：ＴＩ、微分時間：ＴＤの各々が出力装置２２からＰＩＤ演算器２５に出力される。減算器２３は出力装置２２から入力した設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１を記憶し、ＰＩＤ演算器２５は出力装置２２から入力した比例ゲイン：Ｋｐ、比例帯：ｐ、積分時間：ＴＩ、微分時間：ＴＤの各々を記憶する。（Ａｂ）第１室１１内に中間生成物１３ａが設置される。弁２１−１、２１−２、２１−３から、各々の室に残存する空気を排気することで、第１室１１内、第２室１３内の各々と、膜形成室１２の第１所定領域内を高真空状態とする。制御装置１０Ａから電流を、各々の膜形成室１２のカートリッジヒータ１６−ｉに流すことで、カートリッジヒータ１６−ｉによるヒータカバー１８の加熱を開始する（ヒータカバー表面温度２６−ｉは、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１にまで上昇する）。
【００４９】
（Ａａ）、（Ａｂ）の後に、（Ａｃ）〜（Ａｈ）の処理が順次行われると共に、図６に示されるステップＳ１ａ〜Ｓ４ａの処理が行われる。
【００５０】
（Ａｃ）〜（Ａｈ）には、（Ａｃ）第１室１１内の中間生成物１３ａの第１室１１から、Ｐ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２のヒータカバー１８上への移動、（Ａｄ）Ｐ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２においてのグロー放電の開始、及び原料ガス２６Ｐの供給が含まれる。また、（Ａｃ）〜（Ａｈ）には、（Ａｅ）中間生成物１４ａに対する、Ｐ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２からＩ膜ＩＬを形成するための膜形成室１２のヒータカバー１８上への移動、（Ａｆ）Ｉ膜ＩＬを形成するための膜形成室１２においてのグロー放電の開始、及び原料ガス２６Ｉの供給が含まれる。更に、（Ａｃ）〜（Ａｈ）には、（Ａｇ）中間生成物１５ａに対する、Ｉ膜ＩＬを形成するための膜形成室１２からＮ膜ＮＬを形成するための膜形成室１２のヒータカバー１８上への移動、（Ａｈ）Ｎ膜ＮＬを形成するための膜形成室１２においてのグロー放電の開始、及び原料ガス２６Ｎの供給が含まれる。
【００５１】
熱電対▲１▼〜▲３▼は、ヒータカバー表面温度２６−ｉ（及びその変動）を検出し、検出されたヒータカバー温度２６−ｉと、熱電対指示情報２６−ｋとを制御装置１０Ａに出力する（ステップＳ１ａ）。減算器２３は、熱電対▲１▼〜▲３▼から熱電対指示情報２６−ｋとヒータカバー表面温度２６−ｉとを入力したときに、記憶される設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１と、入力したヒータカバー表面温度２６−ｉとの差Δ１を算出し、算出された差Δ１と熱電対指示情報２６−ｋとをＰＩＤ演算器２５に出力する（ステップＳ２ａ）。ＰＩＤ演算器２５は、減算器２３から入力した比例ゲイン：Ｋｐ、積分時間：ＴＩ、微分時間：ＴＤ、ヒータカバー表面温度２４−ｉ、差Δ１を所定のＰＩＤ演算式に代入することでＰＩＤ演算を行い、制御電流ΔＩ１−ｉを算出する。ＰＩＤ演算器２５は、減算器２３から入力した比例帯：ｐ、積分時間：ＴＩ、微分時間：ＴＤ、ヒータカバー表面温度２４−ｉ、差Δ１を所定のＰＩＤ演算式に代入することでＰＩＤ演算を行い、カートリッジヒータ操作量Ｍ１−ｉを算出する（ステップＳ３ａ）。
【００５２】
ＰＩＤ演算器２５は、算出されたカートリッジヒータ操作量Ｍ１−ｉ、ヒータカバー表面温度２６−ｉの各々に基づいて、ヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ３Ｄ、数値表示データ３Ｄ´の各々を生成して減算器２３、出力装置２２の各々を介し、表示部２４に出力する。表示部２４は、これらのデータを表示画面ＳＣ３によって表示する（ステップＳ４ａ）。ＰＩＤ演算器２５は、熱電対指示情報２６−ｋと電流制御対象カートリッジヒータ表示テーブル１Ｔとを参照して、いずれかのカートリッジヒ−タ１６−ｉに対して制御電流ΔＩ１−ｉに基づいた制御を行う（ステップＳ５ａ）。尚、ステップＳ４ａにおいては、表示画面ＳＣ２に示される外乱表示データ２Ｄ、数値表示データ２Ｄ´の各々についても、操作者の操作に基づいて表示部２４に表示させることが可能である。
【００５３】
（実施の形態２）
図７に、本発明の実施の形態２、３に係る太陽電池膜形成装置２００の構成を示す。太陽電池膜形成装置２００は、膜形成室１２、膜形成室１２に隣接して設置される第１室１１、第２室１３の各々を備えるチャンバー１０Ａ´、及び膜形成室１２と接続される制御装置１０Ｂを具備している。チャンバー１０Ａ´については実施の形態１において上述したものと同様であるので、その詳細な説明は省略する。制御装置１０Ｂは、出力装置２７、表示部２８、切替装置２８Ａ、ＬＡＧ装置２９、減算器３０、減算器３１、ＰＩＤ演算器３２、サイクリスタ３３の各々を具備している。
【００５４】
尚、図７と図１で同一の番号が付されている構成要素については、特に断りのない限りは実施の形態１と同様であるので、以下においてその詳細な説明は省略する。また、カートリッジヒータ１６−ｉについては、
【００２６】における「制御装置１０Ａ」を「制御装置１０Ｂ」、「制御電流ΔＩ１−ｉ」を「制御電流ΔＩ２−ｉ」に読み替えたものと同様であるので、その詳細な説明は省略する。
更に、熱電対▲１▼〜▲３▼については、
【００２８】と
【００２９】における「制御電流ΔＩ１−１」を「制御電流ΔＩ２−１」、「制御電流ΔＩ１−２」を「制御電流ΔＩ２−２」、「制御電流ΔＩ１−３」を「制御電流ΔＩ２−３」、「制御装置１０Ａ」を「制御装置１０Ｂ」に読み替えたものと同様であるので、その詳細な説明は省略する。
【００５５】
出力装置２７は、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１を操作者の操作に基づいて予め減算器３０に出力する。出力装置２７は、表示部２８に接続されており、表示部２８は図２に示される表示画面ＳＣ１を表示する。表示画面ＳＣ１には、実施の形態１で説明したように、演算データ１Ｄ、Ｐ膜演算データ表示要求ボタン１Ｂ、Ｉ膜演算データ表示要求ボタン２Ｂ、Ｎ膜演算データ表示要求ボタン３Ｂ、設定ボタン４Ｂの各々が示される。表示画面ＳＣ１、及びそれに示されるデータについては、
【００３４】、
【００３５】、
【００３６】において「ＰＩＤ演算器２５」を「ＰＩＤ演算器３２」、「制御電流ΔＩ１−ｉ」を「制御電流ΔＩ２−ｉ」、「出力装置２２」を「出力装置２７」、「減算器２３」を「減算器３０」にそれぞれ読み替えたものと同様であるので、それらの詳細な説明は省略する。
【００５６】
減算器３０は、操作者の操作に基づいて、出力装置２７から設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１と、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１に対して予め定められた設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡとを入力する。また、減算器３０は、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１と設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡとの差（＝設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２）を算出して減算器３１に出力する。減算器３１は、減算器３０から入力した設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２を記憶する。また、減算器３１は、熱電対▲１▼〜▲３▼から熱電対指示情報２６−ｋとヒータカバー表面温度２６−ｉとを入力したときに、記憶される設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２と、入力したヒータカバー表面温度２６−ｉとの差Δ２を算出する。更に、減算器３１は、算出された差Δ２と熱電対指示情報２６−ｋとをＰＩＤ演算器３２に出力する。
【００５７】
ＰＩＤ演算器２５によるＰＩＤ演算の処理の形態については、
【００３８】と
【００３９】において「ＰＩＤ演算器２５」を「ＰＩＤ演算器３２」、「減算器２３」を「減算器３１」、「差Δ１」を「差Δ２」、「出力装置２２」を「出力装置２７」に読み替えたものと同様である。また、そのＰＩＤ演算の処理の形態については、
【００４０】と
【００４１】において、「設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１」を「設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２」、「制御電流ΔＩ１−ｉ」を「制御電流ΔＩ２−ｉ」、「サイクリスタ２５Ａ」を「サイクリスタ３３」に読み替えたものと同様である。従って、実施の形態２においては、ＰＩＤ演算器２５によるＰＩＤ演算（制御電流ΔＩ２−ｉの算出）の処理の形態についての詳細な説明は省略する。
【００５８】
ＰＩＤ演算器３２は、外乱表示データ２Ｄ、数値表示データ２Ｄ´を生成して出力装置２７を介し、表示部２８に出力する（表示部２８は、外乱表示データ２Ｄを表示画面ＳＣ２によって表示する）。また、ＰＩＤ演算器３２は、図８に示すヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ３Ｄ、数値表示データ３Ｄ´の各々を生成して出力装置２７を介し、表示部２８に出力する（表示部２８は、これらのデータを図８の表示画面ＳＣ４によって表示する）。外乱表示データ２Ｄ、及び外乱については、実施の形態１において述べたので、ここではその説明を省略する。
【００５９】
ヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ４Ｄは第４曲線４Ｃと第５曲線５Ｃの各々を示している。第４曲線４Ｃは、第２曲線２Ｃに対応しており、膜形成室１２においてＰ膜ＰＬ、Ｉ膜ＩＬ、Ｎ膜ＮＬのいずれかが形成されるときの、時間ｔの経過によるヒータカバー表面温度２６−ｉの変動を示している。例えば１回の膜形成のサイクルＣ´Ｃ´は、サイクルＣＣに対応する。時間ｔ＝０は、膜形成室１２（３室のいずれでもよい）内において、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２のヒータカバー１８上に中間生成物１３ａ（中間生成物１４ａ、１５ａでも同様）を設置したときに相当する。第４曲線４Ｃに示されるヒータカバー表面温度２６−ｉの変動は、上記の外乱によるヒータカバー表面温度２６−ｉの変化と、ＰＩＤ演算器３２によって出力された制御電流ΔＩ２−ｉに基づいてカートリッジヒータ１６−ｉがヒータカバー１８を加熱したことによる、ヒータカバー表面温度２６−ｉの変化（上昇）との合成を示している。ここで、設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡ＝５℃に設定されている。即ち、第４曲線４Ｃでは、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２が設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１＝２３０℃と比較して５℃低くなる（設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２＝２２５℃となる）ように設定されたときのヒータカバー表面温度２６−ｉが示されている。（１ａ）は（１）、（２ａ）は（２）、（３ａ）は（３）、（４ａ）は（４）、（５ａ）は（５）、（６ａ）は（６）、（７ａ）は（７）、（８ａ）は（８）、（９ａ）は（９）、（１０ａ）は（１０）、（１１ａ）は（１１）、（１２ａ）は（１２）にそれぞれ対応する。数値表示データ４Ｄ´と数値表示データ３Ｄ´とに示される値の差（（１ａ）−（１）、（２ａ）−（２）、（３ａ）−（３）、（４ａ）−（４）、（５ａ）−（５）、（６ａ）−（６）、（７ａ）−（７）、（８ａ）−（８）、（９ａ）−（９）、（１０ａ）−（１０）、（１１ａ）−（１１）、（１２ａ）−（１２））は各々、５℃である。尚、設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡは、ヒータカバー表面温度２６−ｉの変動幅（いずれも１０℃）を考慮して決定されたものである。
【００６０】
時間ｔ＝ｔ４ａの後は、実施の形態１で述べたことと同様の理由で、ヒータカバー表面温度２６−ｉの温度変動は安定することになる。即ち、時間ｔ＝ｔ４ａの後は、膜形成の行われる１回のサイクル毎に、２２０〜２３０℃での温度変化が繰り返される。従って、時間ｔ＝ｔ４ａの後（１０回目以後の膜形成に対応する）においては、ヒータカバー表面温度２６−ｉを設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１（＝２３０℃）として膜形成を行うことが可能となる。即ち、一定温度での膜形成が可能となる（膜形成が行われるのは、降下したヒータカバー表面温度２６−ｉが、グロー放電により設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１にまで再び上昇した後である）。実施の形態１のとき（２２５〜２３５℃）と比較して低い値の範囲での温度変化となっているのは、差Δ２が、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１とヒータカバー表面温度２６−ｉとの差と比較して小さいことから、ＰＩＤ演算において算出される制御電流ΔＩ２−ｉもその分少なくなり、結果的に、カートリッジヒータ１６−ｉによるヒータカバー１８の加熱の程度も少なくなることによる。
【００６１】
第５曲線５Ｃは、膜形成室１２においてＰ膜ＰＬ、Ｉ膜ＩＬ、Ｎ膜ＮＬのいずれかが形成されるときの、時間ｔの経過によるカートリッジヒータ操作量Ｍ２−ｉ（単位：％）の変化を示している。カートリッジヒータ操作量Ｍ２−ｉは、比例帯：ｐ、積分時間：ＴＩ、微分時間：ＴＤ、差Δ２の各々を用いて算出されたものであり、比例ゲイン：Ｋｐ、積分時間：ＴＩ、微分時間：ＴＤ、差Δ２の各々を用いて算出される制御電流ΔＩ２−ｉに対応している。カートリッジヒータ操作量Ｍ２−１は制御電流ΔＩ２−１、カートリッジヒータ操作量Ｍ２−２は制御電流ΔＩ２−２、カートリッジヒータ操作量Ｍ２−３は制御電流ΔＩ２−３にそれぞれ対応する。
【００６２】
切替装置２８Ａは、操作者の操作に基づいて、膜形成室１２における膜形成が開始されたことを通知する膜形成開始通知を、ＬＡＧ装置２９、減算器３０を介して減算器３１に出力する。また、切替装置２８Ａは、膜形成室１２における膜形成が終了したことを通知する膜形成終了通知を、ＬＡＧ装置２９、減算器３０を介して減算器３１に出力する。減算器３１は、膜形成開始通知を入力した後において、熱電対▲１▼〜▲３▼からヒータカバー表面温度２６−ｉを入力したときに、入力したヒータカバー表面温度２６−ｉと設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２とを用いて差Δ２を算出してＰＩＤ演算器３２に出力する。
【００６３】
（実施の形態３）
実施の形態３においては、ＬＡＧ装置２９は、図９に示す膜形成回数−設定ヒータカバー表面温度減算値対応表示テーブル２Ｔを記憶している。膜形成回数−設定ヒータカバー表面温度減算値対応表示テーブル２Ｔは、膜形成回数２〜１０／回と設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡとの対応を示している。膜形成回数２〜１０／回には、各々の回数目における膜形成開始時の時間ｔ／ｍｉｎも付記されている。膜形成回数−設定ヒータカバー表面温度減算値対応表示テーブル２Ｔは、例えば、２回目の膜形成においては、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２＝（（設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１）−１）に設定されることが示されている。実施の形態１、２において上述したことを例に挙げると、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１＝２３０℃であることから、２回目の膜形成において、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２＝２２９℃となる。４回目、６回目、８回目、１０回目の膜形成における設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２は各々、２２８℃、２２７℃、２２６℃、２２５℃となる。尚、図９においては偶数回目の膜形成に対応する設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡのみが示されているが、実際には、膜形成回数−設定ヒータカバー表面温度減算値対応表示テーブル２Ｔには、奇数回目の膜形成に対応する設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡも同様の形態で示される。
【００６４】
ＬＡＧ装置２９は、切替装置２８Ａから膜形成開始要求を入力したときに、時間ｔの計測を開始する。また、ＬＡＧ装置２９は、その計測結果と膜形成回数−設定ヒータカバー表面温度減算値対応表示テーブル２Ｔとを参照し、計測された時間ｔと参照結果とに基づいて（各々の回数目における膜形成の開始される時間ｔの直前等に）減算器３０に対し、設定ヒータカバー温度ＳＴ２を設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡに基づいて切替えることを要求する切替要求と、膜形成回数２〜１０／回に対応する設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡとを出力する。減算器３０は、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２を算出して減算器３１に出力する。尚、実施の形態３においては、上記のようにＬＡＧ装置２９から設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡが出力されるので、実施の形態２においてのように、出力装置２７からの設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡの出力は行われない。減算器３１は、熱電対▲１▼〜▲３▼からヒータカバー表面温度２６−ｉを入力したときに、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２とヒータカバー表面温度２６−ｉを用いて差Δ２を算出してＰＩＤ演算器３２に出力する。
【００６５】
ＰＩＤ演算器３２は、減算器３１から入力した差Δ２に基づいてＰＩＤ演算を行う。ＰＩＤ演算器３２は、図１０に示すヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ５Ｄ、数値表示データ５Ｄ´とを生成する。生成されたヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ５Ｄと数値表示データ５Ｄ´の各々は、表示部２８が表示画面ＳＣ５によって表示する。
【００６６】
ヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ５Ｄは第６曲線６Ｃと第７曲線７Ｃの各々を示している。第６曲線６Ｃは、第４曲線４Ｃに対応しており、膜形成室１２においてＰ膜ＰＬ、Ｉ膜ＩＬ、Ｎ膜ＮＬのいずれかが形成されるときの、時間ｔの経過によるヒータカバー表面温度２６−ｉの変動を示している。例えば１回の膜形成のサイクルＣ´´は、サイクルＣ´Ｃ´に対応する。時間ｔ＝０は、膜形成室１２（３室のいずれでもよい）内において、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２のヒータカバー１８上に中間生成物１３ａ（中間生成物１４ａ、１５ａでも同様）を設置したときに相当する。第６曲線６Ｃに示されるヒータカバー表面温度２６−ｉの変動は、上記の外乱によるヒータカバー表面温度２６−ｉの変化と、ＰＩＤ演算器３２によって出力された制御電流ΔＩ２−ｉに基づいてカートリッジヒータ１６−ｉがヒータカバー１８を加熱したことによる、ヒータカバー表面温度２６−ｉの変化（上昇）との合成を示している。（１ｂ）は（１ａ）、（２ｂ）は（２ａ）、（３ｂ）は（３ａ）、（４ｂ）は（４ａ）、（５ｂ）は（５ａ）、（６ｂ）は（６ａ）、（７ｂ）は（７ａ）、（８ｂ）は（８ａ）、（９ｂ）は（９ａ）、（１０ｂ）は（１０ａ）、（１１ｂ）は（１１ａ）、（１２ｂ）は（１２ａ）にそれぞれ対応する。
【００６７】
実施の形態３においては、実施の形態２とは異なり、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１＝２３０℃としたときにおける、ヒータカバー表面温度２６−ｉの温度変動幅（２２０〜２３０℃）は常にほぼ一定している。即ち、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１＝２３０℃としたとき、全ての時間ｔにおいて、膜形成の行われる１回のサイクルＣ´´毎に、２２０〜２３０℃の範囲での温度変化が繰り返される。これは、ヒータカバー表面温度２６−ｉの変動幅と、ヒータカバー１８上に中間生成物１３ａを設置したときのヒータカバー表面温度２６−ｉ、及びグロー放電後のヒータカバー表面温度２６−ｉの各々の時間ｔによる差異とを考慮して、設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡを設定したことによるものである。これにより、実施の形態３においては、常にヒータカバー表面温度２６−ｉを設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１として膜形成を行うことが可能となり、実施の形態２と比較して更に安定した膜形成が可能となる。
【００６８】
第５曲線５Ｃは、第４曲線４Ｃに対応しており、膜形成室１２においてＰ膜ＰＬ、Ｉ膜ＩＬ、Ｎ膜ＮＬのいずれかが形成されるときの、時間ｔの経過によるカートリッジヒータ操作量Ｍ２−ｉ（単位：％）の変化を示している。カートリッジヒータ操作量Ｍ２−ｉは、比例帯：ｐ、積分時間：ＴＩ、微分時間：ＴＤ、差Δ２の各々を用いて算出されたものであり、比例ゲイン：Ｋｐ、積分時間：ＴＩ、微分時間：ＴＤ、差Δ２の各々を用いて算出される制御電流ΔＩ２−ｉに対応している。カートリッジヒータ操作量Ｍ２−１は制御電流ΔＩ２−１、カートリッジヒータ操作量Ｍ２−２は制御電流ΔＩ２−２、カートリッジヒータ操作量Ｍ２−３は制御電流ΔＩ２−３にそれぞれ対応する値である（比例帯：ｐは比例ゲイン：Ｋｐの逆数に比例するため）。
【００６９】
次に、本発明の実施の形態２、３に係る太陽電池膜形成方法の処理の過程について説明する。太陽電池膜形成方法に係る処理が行われる前に、上記の
【００４８】の（Ａａ）、（Ａｂ）に述べられる準備が行われる。但し、実施の形態２、３においては、
【００４８】における「出力装置２２」は「出力装置２７」、「減算器２３」は「減算器３０」、「ＰＩＤ演算器２５」は「ＰＩＤ演算器３２」、「制御装置１０Ａ」は「制御装置１０Ｂ」に読み替えられる。また、（Ａａ）において、出力装置２７は操作者の操作に基づいて、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１に加えて、設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡを減算器３０に出力する（但し、実施の形態３においては、出力装置２７から設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡは出力されない）。また、図１１を参照して以下に述べるステップＳ１ｂａ（又はステップＳ１ｂｂ）〜Ｓ５ｂａ、Ｓ５ｂｂの処理と平行して、
【００５０】において上述した（Ａｃ）〜（Ａｈ）の処理が行われるが、この処理については上述したものと同様であるので、その説明は省略する。
【００７０】
減算器３０は、出力装置２７から入力した設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１と設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡとを用いて、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２を算出して減算器３１に出力する（ステップＳ１ｂａ）。熱電対▲１▼〜▲３▼は、ヒータカバー表面温度２６−ｉ（及びその変動）を検出し、検出されたヒータカバー温度２６−ｉと、熱電対指示情報２６−ｋとを減算器３２に出力する（ステップＳ２ｂ）。減算器３２は、熱電対▲１▼〜▲３▼から熱電対指示情報２６−ｋとヒータカバー表面温度２６−ｉとを入力したときに、記憶される設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２と、入力したヒータカバー表面温度２６−ｉとの差Δ２を算出し、算出された差Δ２と熱電対指示情報２６−ｋとをＰＩＤ演算器３２に出力する（ステップＳ３ｂ）。ＰＩＤ演算器３２は、減算器３１から入力した比例ゲイン：Ｋｐ、積分時間：ＴＩ、微分時間：ＴＤ、ヒータカバー表面温度２６−ｉ、差Δ２を所定のＰＩＤ演算式に代入することでＰＩＤ演算を行い、制御電流ΔＩ２−ｉを算出する。ＰＩＤ演算器３２は、減算器３１から入力した比例帯：ｐ、積分時間：ＴＩ、微分時間：ＴＤ、ヒータカバー表面温度２６−ｉ、差Δ２を所定のＰＩＤ演算式に代入することでＰＩＤ演算を行い、カートリッジヒータ操作量Ｍ２−ｉを算出する（ステップＳ４ｂ）。
【００７１】
ＰＩＤ演算器３２は、算出されたカートリッジヒータ操作量Ｍ２−ｉ、ヒータカバー表面温度２６−ｉの各々に基づいて、ヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ４Ｄ、数値表示データ４Ｄ´の各々を生成して出力装置２７を介し、表示部２８に出力する。表示部２８は、これらのデータを図５の表示画面ＳＣ４によって表示する（ステップＳ５ｂａ）。ＰＩＤ演算器３２は、熱電対指示情報２６−ｋと電流制御対象カートリッジヒータ表示テーブル１Ｔとを参照して、いずれかのカートリッジヒ−タ１６−ｉに対して制御電流ΔＩ２−ｉに基づいた制御を行う（ステップＳ５ｂｂ）。
【００７２】
上記の
【００７０】、
【００７１】は、本発明の実施の形態２に係る太陽電池膜形成方法の説明である。本発明の実施の形態３に係る太陽電池膜形成方法においては、
【００７０】におけるステップＳ１ｂａは、ステップＳ１ｂｂに置き換えられ、その他は
【００７０】、
【００７１】と同様である。ステップＳ５ｂａ、ステップＳ５ｂｂについては、実施の形態２、３のいずれにおいても行われる。
【００７３】
切替装置２８Ａは、操作者の操作に基づいて、膜形成室１２における膜形成が開始されたことを通知する膜形成開始通知をＬＡＧ装置２９に出力する。ＬＡＧ装置２９は、切替装置２８Ａから膜形成開始要求を入力したときに、時間ｔの計測を開始する（ステップＳ１ｂｂ）。
【００７４】
また、実施の形態３においては、ステップＳ１ｂｂの後、ステップＳ２ｂ〜Ｓ５ｂａ、Ｓ５ｂｂの処理と平行して、以下の
【００７５】において述べられる処理が行われる。
【００７５】
ＬＡＧ装置２９は、時間ｔの計測結果と膜形成回数−設定ヒータカバー表面温度減算値対応表示テーブル２Ｔとを参照し、計測された時間ｔと参照結果とに基づいて（各々の回数目の膜形成の開始される時間ｔの直前等に）減算器３０に対し、設定ヒータカバー温度ＳＴ２を設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡに基づいて切替えることを要求する切替要求と、膜形成回数２〜１０／回に対応する設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡとを出力する。減算器３０は、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２を算出して減算器３１に出力する。
【００７６】
（実施の形態４）
図１２に、本発明の実施の形態４、５に係る太陽電池膜形成装置３００の構成を示す。太陽電池膜形成装置３００は、膜形成室１２、膜形成室１２に隣接して設置される第１室１１、第２室１３の各々を備えるチャンバー１０Ａ´、及び膜形成室１２と接続される制御装置１０Ｃを具備している。チャンバー１０Ａ´については実施の形態１において上述したものと同様であるので、その詳細な説明は省略する。制御装置１０Ｃは、出力装置４１、表示部４２、切替装置４３、ＬＡＧ装置４４、加算器４５、減算器４６、ＰＩＤ演算器４７、サイクリスタ４８の各々を具備している。
【００７７】
尚、図１２と図１（及び図７）で同一の番号が付されている構成要素については、特に断りのない限りは実施の形態１〜３と同様であるので、以下においてその詳細な説明は省略する。また、カートリッジヒータ１６−ｉについては、
【００２６】における「制御装置１０Ａ」を「制御装置１０Ｃ」、「制御電流ΔＩ１−ｉ」を「制御電流ΔＩ３−ｉ」に読み替えたものと同様であるので、その詳細な説明は省略する。更に、熱電対▲１▼〜▲３▼については、
【００２８】と
【００２９】における「制御電流ΔＩ１−１」を「制御電流ΔＩ３−１」、「制御電流ΔＩ１−２」を「制御電流ΔＩ３−２」、「制御電流ΔＩ１−３」を「制御電流ΔＩ３−３」、「制御装置１０Ａ」を「制御装置１０Ｃ」に読み替えたものと同様であるので、その詳細な説明は省略する。
【００７８】
出力装置４１は、操作者の操作に基づいて、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１を予め減算器４６に出力し、ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＢを加算器４５に出力する。出力装置４１は、表示部４２に接続されており、表示部４２は図２に示される表示画面ＳＣ１を表示する。表示画面ＳＣ１には、実施の形態１で説明したように、演算データ１Ｄ、Ｐ膜演算データ表示要求ボタン１Ｂ、Ｉ膜演算データ表示要求ボタン２Ｂ、Ｎ膜演算データ表示要求ボタン３Ｂ、設定ボタン４Ｂの各々が示される。表示画面ＳＣ１、及びそれに示されるデータについては、
【００３４】、
【００３５】、
【００３６】において「ＰＩＤ演算器２５」を「ＰＩＤ演算器４７」、「制御電流ΔＩ１−ｉ」を「制御電流ΔＩ３−ｉ」、「出力装置２２」を「出力装置４１」、「減算器２３」を「減算器４６」にそれぞれ読み替えたものと同様であるので、それらの詳細な説明は省略する。
【００７９】
加算器４５は、操作者の操作に基づいて、出力装置４１からヒータカバー表面温度減算値ＳＴＢを入力する。また、加算器４５は、熱電対▲１▼〜▲３▼から入力したヒータカバー表面温度２６−ｉに、出力装置４１から入力したヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢを加算して、ヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´を算出して減算器４６に出力する。減算器４６は、操作者の操作に基づいて、出力装置４１から設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１を入力して記憶する。また、減算器４６は、加算器４５からヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´を入力したときには、入力したヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´と設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１との差Δ３を算出してＰＩＤ演算器４７に出力する。
【００８０】
ＰＩＤ演算器４７によるＰＩＤ演算の処理の形態については、
【００３８】と
【００３９】において「ＰＩＤ演算器２５」を「ＰＩＤ演算器４７」、「減算器２３」を「減算器４６」、「差Δ１」を「差Δ３」、「出力装置２２」を「出力装置４１」に読み替えたものと同様である。また、そのＰＩＤ演算の処理の形態については、
【００４０】と
【００４１】において、「制御電流ΔＩ１−ｉ」を「制御電流ΔＩ３−ｉ」、「サイクリスタ２５Ａ」を「サイクリスタ４８」に読み替えたものと同様である。従って、実施の形態４においては、ＰＩＤ演算器４７によるＰＩＤ演算（制御電流ΔＩ３−ｉの算出）の処理の形態についての詳細な説明は省略する。
【００８１】
ＰＩＤ演算器４７は、外乱表示データ２Ｄ、数値表示データ２Ｄ´を生成して出力装置４１を介し、表示部４２に出力する（表示部４２は、外乱表示データ２Ｄを表示画面ＳＣ２によって表示する）。また、ＰＩＤ演算器４７は、図８に示すヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ４Ｄ、数値表示データ４Ｄ´の各々を生成して出力装置４１を介し、表示部４２に出力する（表示部４２は、これらのデータを図８の表示画面ＳＣ４によって表示する）。外乱表示データ２Ｄ、数値表示データ２Ｄ´、及び外乱については、実施の形態１において述べたので、ここではその説明を省略する。また、ヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ４Ｄ、数値表示データ４Ｄ´の各々については、実施の形態２で説明したので、その説明を省略する。
【００８２】
実施の形態４においては、
【００６０】で述べたことと同様の理由で、時間ｔ＝ｔ４の後においては、ヒータカバー表面温度２６−ｉを設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１（＝２３０℃）として膜形成を行うことが可能となる。実施の形態１のとき（２２５〜２３５℃）と比較して、時間ｔ＝ｔ４の後で低い値の範囲での温度変化（２２０〜２３０℃）となっている。これは、差Δ３が、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１とヒータカバー表面温度２６−ｉとの差と比較して小さいことから、ＰＩＤ演算において算出される制御電流ΔＩ３−ｉも小さくなり、結果的に、カートリッジヒータ１６−ｉによるヒータカバー１８の加熱の程度も小さくなることによる。
【００８３】
切替装置４３は、操作者の操作に基づいて、膜形成室１２における膜形成が開始されたことを通知する膜形成開始通知を、ＬＡＧ装置２９を介して加算器４５に出力する。また、切替装置４３は、膜形成室１２における膜形成が終了したことを通知する膜形成終了通知を、ＬＡＧ装置２９を介して加算器４５に出力する。加算器４５は、膜形成開始通知を入力した後において、熱電対▲１▼〜▲３▼からヒータカバー表面温度２６−ｉを入力したときに、入力したヒータカバー表面温度２６−ｉをヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´に変換して減算器４６に出力する。
【００８４】
（実施の形態５）
実施の形態５においては、ＬＡＧ装置４４は、図１３に示す膜形成回数−設定ヒータカバー表面温度加算値対応表示テーブル３Ｔを記憶している。膜形成回数−設定ヒータカバー表面温度加算値対応表示テーブル３Ｔは、膜形成回数２〜１０／回とヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢとの対応を示している。膜形成回数２〜１０／回には、膜形成開始時からの時間ｔ／ｍｉｎも付記されている。ヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´＝（（ヒータカバー表面温度２６−ｉ）＋ヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢ）である。例えば、２回目の膜形成において、熱電対▲１▼〜▲３▼によってヒータカバー表面温度２６−ｉ＝２１９〜２２９℃と検出され、２回目の膜形成において、熱電対▲１▼〜▲３▼によってヒータカバー表面温度２６−ｉ＝２１８〜２２８℃と検出されたときには、図１３に基づいていずれも２２０〜２３０℃に変換されて減算器４６に出力される。尚、図１３においては偶数回目の膜形成に対応するヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢのみが示されているが、実際には、膜形成回数−ヒータカバー表面温度加算値対応表示テーブル３Ｔには、奇数回目の膜形成に対応するヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢも同様の形態で示される。
【００８５】
ＬＡＧ装置４４は、切替装置４３から膜形成開始要求を入力したときに、時間ｔの計測を開始する。また、ＬＡＧ装置４４は、その計測結果と膜形成回数−ヒータカバー表面温度加算値対応表示テーブル３Ｔとを参照し、計測された時間ｔと参照結果とに基づいて（各々の回数目の膜形成の開始される時間ｔの直前等に）加算器４５に対し、入力したヒータカバー表面温度２６−ｉをヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´に切替えることを要求する切替要求と、膜形成回数２〜１０／回に対応するヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢとを出力する。尚、上記のように、実施の形態５においては、ＬＡＧ装置４４からヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢが出力されるため、実施の形態４とは異なり、出力装置４１からのヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢの出力は行われない。
【００８６】
加算器４５は、ヒータカバー表面温度２６−ｉとヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢとを用いてヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´を算出して減算器４６に出力する。減算器４６は、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１とヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´を用いて差Δ３を算出してＰＩＤ演算器４７に出力する。
【００８７】
ＰＩＤ演算器４７は、減算器４６から入力した差Δ３に基づいてＰＩＤ演算を行う。ＰＩＤ演算器４７は、図１０に示すヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ５Ｄ、数値表示データ５Ｄ´とを生成する。生成されたヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ５Ｄと数値表示データ５Ｄ´の各々は、表示部２８が表示画面ＳＣ５によって表示する。ヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ５Ｄ、数値表示データ５Ｄ´の各々については、実施の形態３で説明したので、その説明を省略する。
【００８８】
実施の形態５においては、
【００６７】で述べたことと同様の理由で、実施の形態４とは異なり、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１＝２３０℃としたときにおける、ヒータカバー表面温度２６−ｉの温度変動幅（２２０〜２３０℃）は常にほぼ一定している。即ち、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１＝２３０℃としたとき、全ての時間ｔにおいて、膜形成の行われる１回のサイクルＣ´´毎に、２２０〜２３０℃の範囲での温度変化が繰り返される。これは、ヒータカバー表面温度２６−ｉの変動幅と、ヒータカバー１８上に中間生成物１３ａを設置したときのヒータカバー表面温度２６−ｉ、及びグロー放電後のヒータカバー表面温度２６−ｉの各々の時間ｔによる差異とを考慮して、設定ヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢを設定したことによるものである。従って、常にヒータカバー表面温度２６−ｉを設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１として膜形成を行うことが可能となり、実施の形態４と比較して更に安定した膜形成が可能となる。
【００８９】
次に、本発明の実施の形態４、５に係る太陽電池膜形成方法の処理の過程について説明する。太陽電池膜形成方法に係る処理が行われる前に、上記の
【００４８】の（Ａａ）、（Ａｂ）に述べられる準備が行われる。但し、実施の形態４、５においては、
【００４８】における「出力装置２２」は「出力装置４１」、「減算器２３」は「減算器４６」、「ＰＩＤ演算器２５」は「ＰＩＤ演算器４７」、「制御装置１０Ａ」は「制御装置１０Ｃ」に読み替えられる。また、（Ａａ）において、出力装置４１は操作者の操作に基づいて、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１に加えて、設定ヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢを減算器４６に出力する（但し、実施の形態５においては、設定ヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢの出力装置４１からの出力は行われない）。また、図１４を参照して以下に述べるステップＳ１ｃ〜Ｓ６ｃの処理と平行して、
【００５０】において上述した（Ａｃ）〜（Ａｈ）の処理が行われるが、この処理については上述したものと同様であるので、その説明は省略する。
【００９０】
切替装置４３は、操作者の操作に基づいて、膜形成室１２における膜形成が開始されたことを通知する膜形成開始通知をＬＡＧ装置４４に出力する。ＬＡＧ装置４４は、切替装置４３から膜形成開始要求を入力したときに、時間ｔの計測を開始する（ステップＳ１ｃ）。熱電対▲１▼〜▲３▼は、ヒータカバー表面温度２６−ｉ（及びその変動）を検出し、検出されたヒータカバー温度２６−ｉと、熱電対指示情報２６−ｋとを制御装置１０Ｃに出力する（ステップＳ２ｃ）。加算器４５は、熱電対▲１▼〜▲３▼から熱電対指示情報２６−ｋとヒータカバー表面温度２６−ｉを入力したときに、記憶される設定ヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢを用いてヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´を算出し、算出されたヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´と熱電対指示情報２６−ｋとを減算器４６に出力する（ステップＳ３ｃ）。減算器４６は、記憶する設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１とヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´との差Δ３を算出してＰＩＤ演算器４７に出力する（ステップＳ４ｃ）。
【００９１】
ＰＩＤ演算器４７は、減算器３１から入力した比例ゲイン：Ｋｐ、積分時間：ＴＩ、微分時間：ＴＤ、ヒータカバー表面温度２６−ｉ、差Δ２を所定のＰＩＤ演算式に代入することでＰＩＤ演算を行い、制御電流ΔＩ３−ｉを算出する。ＰＩＤ演算器３２は、減算器３１から入力した比例帯：ｐ、積分時間：ＴＩ、微分時間：ＴＤ、ヒータカバー表面温度２６−ｉ、差Δ３を所定のＰＩＤ演算式に代入することでＰＩＤ演算を行い、カートリッジヒータ操作量Ｍ３−ｉを算出する（ステップＳ５ｃ）。ＰＩＤ演算器３２は、算出されたカートリッジヒータ操作量Ｍ３−ｉ、ヒータカバー表面温度２６−ｉの各々に基づいて、ヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ４Ｄ、数値表示データ４Ｄ´の各々を生成して出力装置４１を介し、表示部４２に出力する。表示部４２は、これらのデータを図８の表示画面ＳＣ４によって表示する（ステップＳ５ｃａ）。ＰＩＤ演算器３２は、熱電対指示情報２６−ｋと電流制御対象カートリッジヒータ表示テーブル１Ｔとを参照して、いずれかのカートリッジヒ−タ１６−ｉに対して制御電流ΔＩ３−ｉに基づいた制御を行う（ステップＳ５ｃｂ）。
【００９２】
尚、ステップＳ１ｃは、実施の形態５においてのみ行われる。また、ステップＳ５ｃａ、ステップＳ５ｃｂについては、実施の形態４、５のいずれにおいても行われる。また、実施の形態５においては、ステップＳ１ｃの後、ステップＳ２ｃ〜Ｓ５ｃａ、Ｓ５ｃｂの処理と共に、以下の
【００９３】において述べられる処理が行われる。
【００９３】
ＬＡＧ装置４４は、時間ｔの計測結果と膜形成回数−設定ヒータカバー表面温度加算値対応表示テーブル３Ｔとを参照し、計測された時間ｔと参照結果とに基づいて（各々の回数目の膜形成の開始される時間ｔの直前等に）加算器４５に対し、入力したヒータカバー表面温度２６−ｉを、膜形成回数２〜１０／回に対応する設定ヒータカバー温度加算値ＳＴＢに基づいて、ヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´に切替えることを要求する切替要求を出力する。加算器４５は、切替要求に応答して算出したヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´を減算器４６に出力する。
【００９４】
【発明の効果】
本発明の太陽電池膜形成装置により、膜形成室内において太陽電池膜の形成を繰り返し行うときに、常に予め設定された支持板温度（上記の設定温度）で膜形成を行うように制御することが可能となる。
【００９５】
本発明の太陽電池膜形成装置により、上記の太陽電池膜形成装置を用いた太陽電池膜形成方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態１に係る構成を示す図である。
【図２】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態１〜５に係る、表示画面ＳＣ１を示す図である。
【図３】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態１〜５に係る、電流制御カートリッジヒータ表示テーブルを示す図である。
【図４】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態１〜５に係る、表示画面ＳＣ２を示す図である。
【図５】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態１に係る、表示画面ＳＣ３を示す図である。
【図６】本発明の太陽電池膜形成方法の実施の形態１に係る処理の過程を示す図である。
【図７】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態２、３に係る構成を示す図である。
【図８】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態２、４に係る、表示画面ＳＣ４を示す図である。
【図９】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態２、３に係る、膜形成回数−設定ヒータカバー温度減算値対応表示テーブルを示す図である。
【図１０】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態３、５に係る、表示画面ＳＣ４を示す図である。
【図１１】本発明の太陽電池膜形成方法の実施の形態２、３に係る処理の過程を示す図である。
【図１２】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態４、５に係る構成を示す図である。
【図１３】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態３、５に係る、膜形成回数−設定ヒータカバー温度加算値表示テーブルを示した図である。
【図１４】本発明の太陽電池膜形成方法の実施の形態４、５に係る処理の過程を示す図である。
【図１５】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態１〜５、及び従来の技術に係る、アモルファス型太陽電池を示す図である。
【符号の説明】
▲１▼〜▲３▼：熱電対
１０Ａ´：チャンバー
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ：制御装置
１１：第１室
１１Ａ：隔離板
１２：膜形成室
１２Ａ：隔離板
１３：第２室
１４−１、１４−２、１４−３、１４−４、１４−５：ガスボンベ
１５−１、１５−２、１５−３、１５−４、１５−５：栓
１６−１、１６−２、１６−３：カートリッジヒータ
１７：水冷式反射板
１８：ヒータカバー
１９：電極
１９Ａ：防着板
２０−１、２０−２：ガス流入口
２１−１、２１−２、２１−３：弁
２２：出力装置
２３：減算器
２４：表示部
２５：ＰＩＤ演算器
２５Ａ：サイクリスタ
２６Ｐ、２６Ｉ、２６Ｎ：原料ガス
２６−ｉ（ｉ＝１、２、３）：ヒータカバー表面温度
（２６−ｉ）´（ｉ＝１、２、３）：ヒータカバー表面温度変換値
２６−ｋ（ｋ＝▲１▼，▲２▼，▲３▼）
ＡＩＲ：空気
２７：出力装置
２８：表示部
２９：ＬＡＧ装置
３０：減算器
３１：加算器
３２：ＰＩＤ演算器
３３：サイクリスタ
４１：出力装置
４２：表示部
４３：切替装置
４４：ＬＡＧ装置
４５：加算器
４６：減算器
４７：ＰＩＤ演算器
４８：サイクリスタ
１００、２００、３００：太陽電池膜形成装置
１１ａ：ガラス基板
１２ａ：透明電極膜
１３ａ、１４ａ、１５ａ：中間生成物
ＳＴ：設定ヒータカバー表面温度
ＴＳ：設定ヒータ表面温度
Ｋｐ：比例ゲイン
ｐ：比例帯
ＴＩ：積分時間
ＴＤ：微分時間
１Ｂ：Ｐ膜演算データ表示要求ボタン
２Ｂ：Ｉ膜演算データ表示要求ボタン
３Ｂ：Ｎ膜演算データ表示要求ボタン
４Ｂ：設定ボタン
１Ｃ〜７Ｃ：第１〜第７曲線
１Ｄ：演算データ
２Ｄ：外乱表示データ
３Ｄ、４Ｄ、５Ｄ：ヒータカバー表面温度−カートリッジヒータ操作量表示データ
３Ｄ´、４Ｄ´、５Ｄ´：数値表示データ
ΔＩ１−ｉ、ΔＩ２−ｉ、ΔＩ３−ｉ（ｉ＝１，２，３）：制御電流
Ｍ１−ｉ、Ｍ２−ｉ、Ｍ３−ｉ：カートリッジヒータ操作量
Δ１、Δ２、Δ３：差
ＰＬ：Ｐ膜
ＩＬ：Ｉ膜
ＮＬ：Ｎ膜
ＳＴ１、ＳＴ２：設定ヒータカバー表面温度
１Ｔ、２Ｔ：電流制御対象カートリッジヒータ表示テーブル
【図１】
2004095682.tif 000003
【図２】
2004095682.tif 000004
【図３】
2004095682.tif 000005
【図４】
2004095682.tif 000006
【図５】
2004095682.tif 000007
【図６】
2004095682.tif 000008
【図７】
2004095682.tif 000009
【図８】
2004095682.tif 000010
【図９】
2004095682.tif 000011
【図１０】
2004095682.tif 000012
【図１１】
2004095682.tif 000013
【図１２】
2004095682.tif 000014
【図１３】
2004095682.tif 000015
【図１４】
2004095682.tif 000016
【図１５】
2004095682.tif 000017