(57)【要約】【課題】  発光効率および信頼性が向上した量子ウェルを有する光素子を提供する。【解決手段】  ＩＩＩ−Ｖ族の半導体化合物からなり、伝導帯エネルギーと価電子帯エネルギーとの間のエネルギーバンドギャップが所定の値に維持されつつ、所定の成分の含量の変化に伴って前記伝導帯エネルギーおよび前記価電子帯エネルギーが直線的に傾斜して変化する、バンドギャップグレーディング構造の量子ウェルを有する、活性層と、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体化合物からなり、前記活性層よりも高い伝導帯エネルギーおよび低い価電子帯エネルギーを有し、一方は前記活性層の上部に位置し、他方が前記活性層の下部に位置する、２つの障壁層とを有する、光素子である。【選択図】図２Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ−Ｖ族の半導体化合物からなり、伝導帯エネルギーと価電子帯エネルギーとの間のエネルギーバンドギャップが所定の値に維持されつつ、所定の成分の含量の変化に伴って前記伝導帯エネルギーおよび前記価電子帯エネルギーが直線的に傾斜して変化する、バンドギャップグレーディング構造の量子ウェルを有する、活性層と、
ＩＩＩ−Ｖ族の半導体化合物からなり、前記活性層よりも高い伝導帯エネルギーおよび低い価電子帯エネルギーを有し、一方は前記活性層の上部に位置し、他方が前記活性層の下部に位置する、２つの障壁層と、
を有する、光素子。
【請求項２】
前記活性層はＧａ１−ｘＩｎｘＮｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）からなり、前記所定の成分は、ＩｎおよびＮであることを特徴とする請求項１に記載の光素子。
【請求項３】
前記ｘは０＜ｘ≦０．３の範囲内の値であることを特徴とする請求項２に記載の光素子。
【請求項４】
前記ｙは０＜ｙ≦０．２の範囲内の値であることを特徴とする請求項２または３に記載の光素子。
【請求項５】
前記障壁層はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１）からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光素子。
【請求項６】
前記活性層と前記障壁層の少なくとも一方との間に、圧縮ひずみを減らすための中間層がさらに介在することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光素子。
【請求項７】
前記中間層はＧａ１−ｘＩｎｘＡｓ（０＜ｘ＜０．６）、またはＧａＮｘＡｓ１−ｘ（０＜ｘ＜０．１）からなることを特徴とする請求項６に記載の光素子。
【請求項８】
前記活性層のエネルギーバンドギャップは１ｅＶ以下に維持されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の光素子。
【請求項９】
前記活性層の最低価電子帯エネルギーと最高価電子帯エネルギーとの差は０．３ｅＶ以上であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の光素子。
【請求項１０】
前記障壁層のエネルギーバンドギャップは１．２〜３．４ｅＶであることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の光素子。
【請求項１１】
ＩＩＩ−Ｖ族の半導体化合物からなり、伝導帯エネルギーと価電子帯エネルギーとの間のエネルギーバンドギャップが所定の値に維持されつつ、前記伝導帯エネルギーと前記価電子帯エネルギーとのエネルギーレベルは異なる、バンドギャップステップ構造の量子ウェルを有する、積層された２つの活性層と、
ＩＩＩ−Ｖ族の半導体化合物からなり、前記活性層の最高伝導帯エネルギーよりも高い伝導帯エネルギー、および前記活性層の最低価電子帯エネルギーよりも低い価電子帯エネルギーを有し、一方は前記活性層の一方の上部に位置し、他方が前記活性層の他方の下部に位置する、２つの障壁層と、
を有する、光素子。
【請求項１２】
前記活性層は、それぞれＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１）およびＧａＮｘＡｓ１−ｘ（０＜ｘ＜１）からなることを特徴とする請求項１１に記載の光素子。
【請求項１３】
前記障壁層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１）からなることを特徴とする請求項１１または１２に記載の光素子。
【請求項１４】
前記活性層の一方と前記障壁層の一方との間、および前記活性層の他方と前記障壁層の他方との間に、圧縮ひずみを減らすための中間層がさらに介在することを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の光素子。
【請求項１５】
前記中間層は、Ｇａ１−ｘＩｎｘＡｓ（０＜ｘ＜０．６）、またはＧａＮｘＡｓ１−ｘ（０＜ｘ＜０．１）からなることを特徴とする請求項１４に記載の光素子。
【請求項１６】
前記活性層のエネルギーバンドギャップは１ｅＶ以下に維持されることを特徴とする請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の光素子。
【請求項１７】
前記活性層の価電子帯エネルギー間の差は０．３ｅＶ以上であることを特徴とする請求項１１〜１６のいずれか１項に記載の光素子。
【請求項１８】
前記障壁層のエネルギーバンドギャップは１．２〜３．４ｅＶ以下であることを特徴とする請求項１１〜１７のいずれか１項に記載の光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は量子ウェルを有する光素子に係り、より詳細には発光効率および信頼性を向上させた量子ウェルを有する光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
量子ウェルとは、２つの異なる半導体層間に、前記半導体層間のエネルギーバンドギャップよりずっと小さいエネルギーバンドギャップを有する薄い半導体層を挿入することにより形成される構造である。量子ウェル中では、電子または正孔のようなキャリアがエネルギー障壁に閉じ込められている。量子ウェルを有する光素子は小さな駆動電圧でも大量の光を発生しうるため、研究が活発に行われている。
【０００３】
図１Ａは、従来の光素子の駆動電圧印加前の量子ウェル構造を、図１Ｂは同一物の駆動電圧印加後の量子ウェル構造を示す。
【０００４】
図１Ａによれば、光素子は、高い伝導帯エネルギーおよび低い価電子帯エネルギーを有する第１および第２の障壁層ＤおよびＤ’、並びに、前記第１および第２の障壁層ＤおよびＤ’間に形成され、前記第１および第２の障壁層ＤおよびＤ’よりも低い伝導帯エネルギーおよび高い価電子帯エネルギーを有する活性層Ｅを有する。駆動電圧が印加される前は、量子ウェル構造の基底部に対応する前記活性層Ｅの伝導帯エネルギーは一定のエネルギーレベルを示す。
【０００５】
駆動電圧が印加されると、図１Ｂに示すように、量子ウェル構造において電子および正孔が非対称的に分布するように電子および正孔が再配置される。図１Ｂによれば、活性層Ｅの伝導帯エネルギーおよび価電子帯エネルギーは直線的に傾斜して変化する。この際、電子および正孔の大部分は、それぞれ伝導帯量子ウェルおよび価電子帯量子ウェルの反対側に分布するようになり、これにより電子と正孔との再結合の効率が低下する。
【０００６】
特に、量子ウェル構造を有する活性層がＧａＩｎＮＡｓ半導体材料からなる光素子においては、ＮとＩｎとの結合が不安定であるために結晶が容易には成長しない。また、Ｎの添加によって、発光効率および寿命が悪化しうる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、本発明が解決しようとする技術的課題は、前述した従来技術の問題点を改善するためのものであって、発光効率が向上した量子ウェル構造を有する光素子を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記技術的課題を達成するために本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体化合物からなり、伝導帯エネルギーと価電子帯エネルギーとの間のエネルギーバンドギャップが所定の値に維持されつつ、所定の成分の含量の変化に伴って前記伝導帯エネルギーおよび前記価電子帯エネルギーが直線的に傾斜して変化する、バンドギャップグレーディング構造の量子ウェルを有する、活性層と、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体化合物からなり、前記活性層よりも高い伝導帯エネルギーおよび低い価電子帯エネルギーを有し、一方は前記活性層の上部に位置し、他方が前記活性層の下部に位置する、２つの障壁層とを有する、光素子を提供する。
【０００９】
ここで好ましくは、前記活性層はＧａ１−ｘＩｎｘＮｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）からなり、前記所定の成分はＩｎおよびＮである。また、前記ｘは好ましくは０＜ｘ≦０．３の範囲内の値であり、前記ｙは好ましくは０＜ｙ≦０．２の範囲内の値である。
【００１０】
前記障壁層は、好ましくはＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１）からなる。
【００１１】
前記活性層と前記障壁層の少なくとも一方との間に、圧縮ひずみを減らすための中間層がさらに介在してもよく、この際、前記中間層は、好ましくはＧａ１−ｘＩｎｘＡｓ（０＜ｘ＜０．６）、またはＧａＮｘＡｓ１−ｘ（０＜ｘ＜０．１）からなる。
【００１２】
前記活性層のエネルギーバンドギャップは、好ましくは１ｅＶ以下に維持され、前記活性層の最低価電子帯エネルギーと最高価電子帯エネルギーとの差は、好ましくは０．３ｅＶ以上であり、前記障壁層のエネルギーバンドギャップは、好ましくは１．２〜３．４ｅＶである。
【００１３】
前記技術的課題を達成するために、本発明はまた、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体化合物からなり、伝導帯エネルギーと価電子帯エネルギーとの間のエネルギーバンドギャップが所定の値に維持されつつ、前記伝導帯エネルギーと前記価電子帯エネルギーとのエネルギーレベルは異なる、バンドギャップステップ構造の量子ウェルを有する、積層された２つの活性層と、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体化合物からなり、前記活性層の最高伝導帯エネルギーよりも高い伝導帯エネルギー、および前記活性層の最低価電子帯エネルギーよりも低い価電子帯エネルギーを有し、一方は前記活性層の一方の上部に位置し、他方が前記活性層の他方の下部に位置する、２つの障壁層とを有する、光素子を提供する。
【００１４】
前記活性層は、好ましくはＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１）およびＧａＮｘＡｓ１−ｘ（０＜ｘ＜１）からなり、前記障壁層は、好ましくはＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１）からなる。
【００１５】
前記活性層の一方と前記障壁層の一方との間、および前記活性層の他方と前記障壁層の他方との間に、圧縮ひずみを減らすための中間層がさらに介在してもよく、この際、前記中間層は、好ましくはＧａ１−ｘＩｎｘＡｓ（０＜ｘ＜０．６）、またはＧａＮｘＡｓ１−ｘ（０＜ｘ＜０．１）からなる。
【００１６】
前記活性層のエネルギーバンドギャップは、好ましくは１ｅＶ以下に維持され、前記活性層の価電子帯のエネルギー間の差は、好ましくは０．３ｅＶ以上であり、前記障壁層のエネルギーバンドギャップは、好ましくは１．２〜３．４ｅＶである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の光素子は、量子ウェルの伝導帯エネルギーおよび価電子帯エネルギーが所定の直線状の傾斜を有する、バンドギャップグレーディング構造を有し、あるいは、複数の活性層を用いたバンドギャップステップ構造を有する。したがって、駆動電圧の印加時には、電子と正孔とが対称的に分布しうる。その結果、電子と正孔との再結合率が上昇し、これにより光素子の発光効率および信頼性が向上しうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の光素子の好ましい形態を、図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
図２Ａは、本発明の第１実施形態の光素子の量子ウェル構造を示す模式図である。図２Ａによれば、２つの障壁層ＤおよびＤ’の伝導帯エネルギーおよび価電子帯エネルギーは一定のエネルギーレベルであり、かつ一定のエネルギーバンドギャップにより互いに分離している。２つの障壁層ＤおよびＤ’の間には、活性層Ｅが位置している。前記活性層Ｅの伝導帯エネルギーおよび価電子帯エネルギーは、直線的に傾斜して変化している。活性層Ｅのこのような量子ウェル構造をバンドギャップグレーディング構造という。ここで、前記活性層Ｅは、全ての位置で一定のエネルギーバンドギャップＥｇを有しており、活性層Ｅのエネルギーバンドのバンドオフセット（ΔＥ）は一定である。
【００２０】
図２Ｂは、図２Ａに示す、量子ウェルを有する光素子の、駆動電圧印加後の量子ウェル構造を示す模式図である。
【００２１】
図２Ｂによれば、図２Ａに示す量子ウェル構造と異なり、障壁層ＤおよびＤ’の伝導帯エネルギーおよび価電子帯エネルギーは、直線的に傾斜して変化している。活性層Ｅの伝導帯エネルギーおよび価電子帯エネルギーは、位置に関係なく一定のエネルギーレベルを有している。この量子ウェル構造は、図１Ｂに示すように、従来の光素子において駆動電圧を印加した後に、電子および正孔が非対称分布を示す量子ウェル構造とは対照的である。すなわち、図２Ａに示す量子ウェル構造に駆動電圧を印加すると、図２Ｂに示すように、電子および正孔が対称に分布する。電子と正孔とが対称的に分布することにより、電子と正孔とが再結合しやすくなり、発光効率が向上する。
【００２２】
図３は、図２Ａに示す量子ウェル構造を有する本発明の第１実施形態の光素子の例としての、発光ダイオード（ＬＥＤ）を示す断面模式図である。
【００２３】
基板１上にバッファ層２が形成され、バッファ層２の上面には第１化合物半導体層３が形成される。第１化合物半導体層３は、ｎ型のＩＩＩ−Ｖ族の化合物からなる。前記第１化合物半導体層３の段差部分には、ｎ型電極８が位置する。前記第１化合物半導体層３の上面には、第１障壁層４、活性層５および、第２障壁層６が順次形成される。前記第２障壁層６の上面には、ｐ型のＩＩＩ−Ｖ族の化合物からなる第２化合物半導体層７が形成される。前記第２化合物半導体層７の上面にはｐ型電極９が形成される。ここで、前記第１障壁層４がｎ型のＩＩＩ−Ｖ族の化合物からなり、前記第２障壁層６がｐ型のＩＩＩ−Ｖ族の化合物からなる場合、前記活性層５は、窒素を添加した、ＩＩＩ−Ｖ族の化合物からなる。前記活性層５は、バンドギャップグレーディング構造を有することを特徴とする。
【００２４】
例えば、第１障壁層４および第２障壁層６がＧａＡｓからなる場合の、本発明の実施例による光素子の特徴である図２Ａに示す量子ウェル構造を形成する方法を図４に示す。
【００２５】
図４において、Ｙ軸は＋Ｙ軸方向にバンドエネルギーが増加するように設定されており、Ｙ軸に垂直なＸ軸は、ＧａＡｓを基準として＋Ｘ方向に圧縮ひずみが増加し、−Ｘ方向に引っ張り歪みが増加するように設定されている。−Ｘ軸方向には、ＧａＡｓに対するＧａＮＡｓの価電子帯および伝導帯のエネルギー変化および相対的な位置が図示されている。一方、＋Ｘ軸方向には、ＧａＡｓに対するＧａＩｎＡｓの価電子帯および伝導帯のエネルギー変化および相対的な位置が図示されている。ＧａＮＡｓの伝導帯エネルギーは、＋Ｘ軸方向へいくほど、すなわち、Ｎの含量が減少するほど増加することが分かる。ＧａＩｎＡｓの伝導帯エネルギーは、＋Ｘ軸方向へいくほど、すなわち、Ｉｎの含量が増加するほど低下することが分かる。
【００２６】
ＧａＩｎＡｓのグラフでは、点Ｃ’において、のＧａＩｎＡｓ中のＩｎ含量が最も多く、点Ａ’において、ＧａＩｎＡｓ中のＩｎ含量が最も少ない。ＧａＩｎＡｓにＮを添加すると、伝導帯エネルギーはＡ’からＡに、Ｂ’からＢに、Ｃ’からＣにそれぞれ移動する。すなわち、ＧａＡｓに所定量のＩｎとＮとを添加すれば、図４に示すような、直線状に傾斜するエネルギーバンドが得られる。この際、価電子帯エネルギーもまた直線状に傾斜して変化する。したがって、伝導帯と価電子帯との間のエネルギーバンドギャップはＥｇで一定に維持される。好ましくは、光素子は、Ｎ含有（０〜１０％）ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１）からなる活性層、およびＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１）からなる障壁層を有する。
【００２７】
また図２Ａに戻ると、３０％のＩｎを含有するＩｎＧａＡｓにおいて、Ｎの含量を０〜２０％の範囲で変化させると、バンドオフセット（ΔＥ）は約０．３ｅＶを示し、エネルギーバンドギャップ（Ｅｇ）は０．９５ｅＶを示す。この際、障壁層ＤおよびＤ’のエネルギーバンドギャップは１．２〜２．４ｅＶ範囲内であってもよく、好ましくは、１．４２４〜３．１４ｅＶの範囲内の値である。ＧａＩｎＮＡｓ活性層のΔＥは０．３ｅＶ以上、Ｅｇは１．０ｅＶ以下の値を有するようにそれぞれ選択されうる。
【００２８】
ＧａＡｓに対して適量のＩｎおよびＮを添加してＩｎおよびＮの量を徐々に変化させると、所望の傾斜度の伝導帯および価電子帯のエネルギーを有する光素子が得られる。しかし、本発明の第１実施形態の光素子においては、障壁層の伝導帯および価電子帯のバンドが活性層のバンドと出会う地点で急激なエネルギー変化が起こり、圧縮ひずみおよび引っ張り歪みが発生するおそれがある。このような好ましくない力によって、光素子に構造的な欠陥が誘発され、発光特性が悪化する虞がある。このような問題を解決するための新規な量子ウェル構造を図５に示す。
【００２９】
図５は、本発明の第２実施形態の光素子の量子ウェル構造を示す模式図である。
【００３０】
図５によれば、本発明の第２実施形態の光素子においては、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１）からなる第１および第２障壁層ＤおよびＤ’間に、ＩｎｘＧａ１−ｘＮｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）からなる活性層Ｅが介在している。また、活性層Ｅと第１および第２障壁層ＤおよびＤ’との間には、中間層２２ａ、２２ｂがそれぞれ介在している。前記障壁層と前記活性層との間の圧縮ひずみの急激な変化を緩和するために、前記中間層は、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜０．６）からなっていてもよい。あるいは、前記活性層の圧縮ひずみを補償し、これにより圧縮ひずみによる活性層の劣化を防止するために、前記中間層は、ＧａＮｘＡｓ１−ｘ（０＜ｘ＜０．１）からなっていてもよい。
【００３１】
図６Ａは、本発明の第３実施形態の光素子の、駆動電圧印加前の量子ウェル構造を示す模式図である。一般的に、ＩｎＧａＮＡｓ活性層は、ＩｎとＮとの相互作用により結晶成長が阻害され、Ｎの添加によりＩｎの放出が誘導され、これによって波長が短波長側の帯域に移動するという問題を抱えている。この点に関し、本発明の第３実施形態の光素子は、分離して形成されるＩｎＧａＡｓ活性層ＥおよびＧａＮＡｓ活性層Ｅ’、並びに、２つの活性層Ｅ、Ｅ’間にエネルギーステップを有する量子ウェル構造を含む。エネルギーステップを有する前記量子ウェル構造において、２つの活性層Ｅ、Ｅ’において、伝導帯エネルギーと価電子帯エネルギーとの間のエネルギーバンドギャップは同じであるが、伝導帯エネルギーおよび価電子帯エネルギーはそれぞれ異なる。
【００３２】
図６Ａによれば、本発明の第３実施形態の光素子は、それぞれ異なる伝導帯エネルギーおよび価電子帯エネルギーを有する、第１および第２活性層Ｅ、Ｅ’を有する。前記第１活性層Ｅは、ＧａＮｘＡｓ１−ｘ（０＜ｘ＜１）からなり、前記第２活性層Ｅ’は、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ＜１）からなる。第１活性層Ｅと第２活性層Ｅ’とは異なる伝導帯エネルギー値および価電子帯エネルギー値を有するものの、伝導帯と価電子帯との間のエネルギーバンドギャップはＥｇで一定に維持される。
【００３３】
図６Ｂは、本発明の第３実施形態の光素子の、駆動電圧印加後の量子ウェル構造を示す概念模式図である。図６Ｂによれば、２つの障壁層ＤおよびＤ’並びに２つの活性層ＥおよびＥ’の全てが、一定の傾斜で変化する伝導帯エネルギーおよび価電子帯エネルギーを有している。しかし、図１Ｂに示す従来の量子ウェル構造と異なり、活性層ＥおよびＥ’の量子ウェルはバンドギャップステップ構造を形成するため、電子および正孔の非対称分布の程度が緩和されることが分かる。
【００３４】
図７は、図６に示す量子ウェル構造を有する本発明の第３実施形態の光素子の例としての、ＬＥＤを示す断面模式図である。
【００３５】
図７によれば、基板１１上に、バッファ層１２、第１化合物半導体層１３、第１障壁層１４、活性層１５、第２障壁層１６、および、第２化合物半導体層１７が順次形成される。前記第１化合物半導体層１３の段差部分には、ｎ型電極１８が形成され、第２化合物半導体層１７の上面には、ｐ型電極１９が形成される。かような光素子の構造は、図３に示す本発明の第１実施形態の光素子の例とほぼ同じである。しかし、活性層１５が、相異なる物質で形成された第１活性層１５ａおよび第２活性層１５ｂからなる点で、本実施形態は本発明の第１実施形態とは異なる。
【００３６】
上述したように、ＩｎとＮとの結合は不安定であるため、ＩｎとＮとは結晶構造に成長するのが難しい。この点に関して、前記第１活性層１５ａは、ＧａＡｓにＩｎを添加して得られるＩｎＧａＡｓからなり、前記第２活性層１５ｂは、ＧａＡｓにＮを添加して得られるＧａＮＡｓからなる。前記活性層１５以外の半導体層は、本発明の第１実施形態の光素子と同一または類似の化合物からなっていてもよい。
【００３７】
本発明の第３実施形態の量子ウェル構造を有する光素子においては、ＩｎとＮとの組み合わせによる結晶成長が難しいという問題が解消されうる。さらに、駆動電圧が印加された後の、電子および正孔の非対称な分布の程度が緩和され、これによって発光効率が向上しうる。
【００３８】
前記説明では多くの事項が具体的に記載されているが、これらは本発明の技術的範囲を限定するものではなく、好ましい実施形態の例示として解釈されなければならない。また、本発明の技術的範囲は前記で説明された実施の形態ではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想により定められねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明は量子ウェルを有する光素子、より詳細には発光効率および信頼性が向上した量子ウェルを有する光素子に適用されうる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１Ａ】従来の光素子の駆動電圧印加前の量子ウェル構造を示す模式図である。
【図１Ｂ】従来の光素子の駆動電圧印加後の量子ウェル構造を示す模式図である。
【図２Ａ】本発明の第１実施形態の光素子の量子ウェル構造を示す模式図である。
【図２Ｂ】図２Ａに示す、量子ウェルを有する光素子の、駆動電圧印加後の量子ウェル構造を示す模式図である。
【図３】図２Ａに示す量子ウェル構造を有する本発明の第１実施形態の光素子の例としての、発光ダイオード（ＬＥＤ）を示す断面模式図である。
【図４】図２Ａに示す量子ウェル構造を形成する方法を示す図である。
【図５】本発明の第２実施形態の光素子の量子ウェル構造を示す模式図である。
【図６Ａ】本発明の第３実施形態の光素子の、駆動電圧印加前の量子ウェル構造を示す模式図である。
【図６Ｂ】本発明の第３実施形態の光素子の、駆動電圧印加後の量子ウェル構造を示す模式図である。
【図７】図６に示す量子ウェル構造を有する本発明の第３実施形態の光素子の例としての、ＬＥＤを示す断面模式図である。
【符号の説明】
【００４１】
１    基板
２    バッファ層
３    第１化合物半導体層
４    第１障壁層
５    活性層
６    第２障壁層
７    第２化合物半導体層
８    ｎ型電極
９    ｐ型電極
１１    基板
１２    バッファ層
１３    第１化合物半導体層
１４    第１障壁層
１５    活性層
１５ａ    第１活性層
１５ｂ    第２活性層
１６    第２障壁層
１７    第２化合物半導体層
１８    ｎ型電極
１９    ｐ型電極
２２ａ，２２ｂ    中間層
【図１Ａ】
2004221593.tif 000003
【図１Ｂ】
2004221593.tif 000004
【図２Ａ】
2004221593.tif 000005
【図２Ｂ】
2004221593.tif 000006
【図３】
2004221593.tif 000007
【図４】
2004221593.tif 000008
【図５】
2004221593.tif 000009
【図６Ａ】
2004221593.tif 000010
【図６Ｂ】
2004221593.tif 000011
【図７】
2004221593.tif 000012