(57)【要約】【課題】モジュラプラグとの組合せにおいて、広周波数帯域に亘って漏話成分及び反射成分を低減させる高速伝送用のモジュラコネクタの提供。【解決手段】複数のコンタクトピンと、ハウジングに設けた端子台４に立設される複数の端子板８と、コンタクトピンと端子板８とを接続する接続導体９と、を有し、第１の接続導体９と、第２の接続導体９と、を平行近接させ誘導性結合による漏話補償機能を備えたモジュラコネクタ１において、第１の接続導体９と第２の接続導体９とを部分的に近接させて配置するとともに第１の接続導体９の電流と第２の接続導体９の電流が互いに異なる向きになるように配置した。【選択図】  図１
2004296250.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モジュラプラグを挿入するプラグ挿入口が開口するハウジングと、１対の伝送線路を構成するチップ導体とリング導体が複数対交互に並んだモジュラプラグの接触子に接触可能な弾性体からなる複数のコンタクトピンと、ハウジングに設けた端子台に立設される複数の端子板と、導体層が２層以上のプリント基板と、前記コンタクトピンと前記端子板とをプリント基板上で電気的に接続する接続導体と、を有し、チップ導体側に接続する接続導体とリング導体側に接続する接続導体とが２本で１対になった伝送対の一方の第１の接続導体と、上記とは別のチップ導体側に接続する接続導体と上記とは別のリング導体側に接続する接続導体とが２本で１対になった伝送対の一方の第２の接続導体と、を平行近接させ誘導性結合による漏話補償機能を備えたモジュラコネクタにおいて、第１の接続導体と第２の接続導体とを部分的に近接させて配置するとともに第１の接続導体の電流と第２の接続導体の電流が互いに異なる向きになるように配置したこと特徴とするモジュラコネクタ。
【請求項２】
前記第１の接続導体は伝送対のチップ導体側と、前記第２の接続導体は別の伝送対のチップ導体側と、或いは、前記第１の接続導体は伝送対のリング導体側と、前記第２の接続導体は別の伝送対のリング導体側と、に接続したことを特徴とする請求項１記載のモジュラコネクタ。
【請求項３】
前記第１の接続導体は伝送対のチップ導体側と、前記第２の接続導体は別の伝送対のリング導体側と、に接続したことを特徴とする請求項１記載のモジュラコネクタ。
【請求項４】
前記第１の接続導体と前記第２の接続導体を、前記プリント基板の同一層に配置したことを特徴とする請求項１乃至請求項３いずれかに記載のモジュラコネクタ。
【請求項５】
前記第１の接続導体と前記第２の接続導体を、前記プリント基板の異なる層に配置したことを特徴とする請求項１乃至請求項３いずれかに記載のモジュラコネクタ。
【請求項６】
前記第１の接続導体と、前記第２の接続導体と、が近接した部分に高透磁率の磁性体を設けたことを特徴とする請求項１乃至請求項５いずれかに記載のモジュラコネクタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主として情報通信に使用する高速伝送用のモジュラコネクタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
情報通信に使用する高周波伝送用のモジュラコネクタ１として、例えば図１４に示すようなものがある。このモジュラコネクタ１は、モジュラプラグの接触子に弾接する８本のコンタクトピン６と、モジュラプラグ（図示せず）が挿入されるプラグ挿入口２が設けられたハウジング３と、ハウジング３においてプラグ挿入口２の背面側上部には端子台４と、端子台４の下部に配設されたプリント基板５と、備え、コンタクトピン６はプリント基板５に接続されている。ここで、コンタクトピン６はプラグ挿入口２内部の奥における下部に載置されたプリント基板５から下向きに延び前方へ曲がってプラグ挿入口２の下部を通過して上向きにＵ字状に曲がりプラグ挿入口２内部の入り口付近からプラグ挿入口２の奥に向かって上向きに互いに平行に延びた構造である。
【０００３】
モジュラコネクタ１と組合わせて使用するモジュラプラグは複数の伝送線路が互いに接近して平行に並べられている（以降、伝送対と呼称）という構造上、回線間の静電容量不平衡（以降、容量性結合と呼称）及び相互誘導（以降、誘導性結合と呼称）によって回線を伝送する信号中に漏話成分が発生しやすい。そこで、モジュラプラグに発生した漏話成分を打ち消す漏話成分をモジュラコネクタにおいて意図的に発生させることが考えられる。具体的には、伝送線路間に容量性結合又は誘導性結合を発生させる構成をモジュラコネクタに組込むという手法が採用されている。例えば、図１４のモジュラコネクタ１においては、図１５に示すようにプリント基板５上の配線を互いに近接させることにより誘導性結合を発生させて、モジュラプラグの誘導性結合を打ち消し近端漏話減衰量を減少させている。
【０００４】
ここで漏話成分は大きさと位相で定義される電気信号成分であり、その特性は周波数に依存する。漏話成分には信号の伝播方向に現れる遠端漏話成分（以降、ＦＥＸＴと略称）と、その反対方向に現れる近端漏話成分（以降、ＮＥＸＴと略称）とがある。
【０００５】
また、モジュラプラグに発生した漏話成分を打ち消す漏話成分を意図的に発生させているモジュラコネクタとして、特開平０６−８４５６２号公報に記載するものがある。このものは、図１６に示すように、誘電体バネブロック（図示せず）に取付けた一対の金属リードフレーム１０１により相互接続される多数の入力および出力端子を有する。リードフレーム１０１には、細長い接続導体１０２ａ、ｂを有している。接続導体１０２ａ、ｂ間には、絶縁層があり、接続導体１０２ａ、ｂ間は電気的に絶縁されている。そして、各接続導体は一端がバネ接点（図示せず）に接続され、他端がコネクタ１０３に接続されている。各接続導体１０２ａ、ｂが互いに重複するように配置され、この重複は交差領域Ａで、交差領域内の導体の鈍角な曲げにより電気的接触を形成することなく行われる。交差位置および特定の交差パターンを選択することにより、誘導性結合、容量性結合を発生させて特定の導体間の漏話を減少させることができるようにしたものである。
【０００６】
【特許文献１】
特開平０６−８４５６２号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
図１４で説明した従来技術及び特許文献１に記載している従来技術は、プリント基板上に構成した伝送線路を部分的に近接させて、伝送線路の漏話結合を補正しようとするものである。すなわち、誘導性結合のみを利用して補正する方法はＮＥＸＴまたはＦＥＸＴのいずれか一方を低減させるかわりもう一方を増大させるという問題があり、容量性結合のみを利用して補正する方法はＮＥＸＴを改善させる一方でＦＥＸＴを悪化させるという問題がある。また、誘導性結合のみを利用する方法は、近接させた導体線路間の離隔距離が大きく平行距離が長い場合に補償漏話の位相遅れが大きくなり、漏話性能が改善されない場合がある。
【０００８】
従って、これらの方法は、限られた面積のプリント基板上でおこなうために、モジュラプラグの漏話特性に対して所定の周波数帯域の大きさと位相を十分にコントロールできない場合がある。
【０００９】
本発明は、かかる事由に鑑みてなしたものであり、その目的とするところは、モジュラコネクタ内部の伝送対間に発生する漏話成分の大きさと位相と、モジュラプラグ内部の伝送対間に発生する漏話成分の大きさと位相と、が広周波数帯域にわたって対応し、モジュラプラグとの組合せにおける漏話を低減することができるモジュラコネクタを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するため、請求項１記載の発明は、モジュラプラグを挿入するプラグ挿入口が開口するハウジングと、１対の伝送線路を構成するチップ導体とリング導体が複数対交互に並んだモジュラプラグの接触子に接触可能な弾性体からなる複数のコンタクトピンと、ハウジングに設けた端子台に立設される複数の端子板と、導体層が２層以上のプリント基板と、前記コンタクトピンと前記端子板とをプリント基板上で電気的に接続する接続導体と、を有し、チップ導体側に接続する接続導体とリング導体側に接続する接続導体とが２本で１対になった伝送対の一方の第１の接続導体と、上記とは別のチップ導体側に接続する接続導体と上記とは別のリング導体側に接続する接続導体とが２本で１対になった伝送対の一方の第２の接続導体と、を平行近接させ誘導性結合による漏話補償機能を備えたモジュラコネクタにおいて、第１の接続導体と第２の接続導体とを部分的に近接させて配置するとともに第１の接続導体の電流と第２の接続導体の電流が互いに異なる向きになるように配置したものである。
【００１１】
請求項２記載の発明は、請求項１の構成において、前記第１の接続導体は伝送対のチップ導体側と、前記第２の接続導体は別の伝送対のチップ導体側と、或いは、前記第１の接続導体は伝送対のリング導体側と、前記第２の接続導体は別の伝送対のリング導体側と、に接続したものである。
【００１２】
請求項３記載の発明は、前記第１の接続導体は伝送対のチップ導体側と、前記第２の接続導体は別の伝送対のリング導体側と、に接続したものである。
【００１３】
請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれかの構成において、前記第１の接続導体と前記第２の接続導体を、前記プリント基板の同一層に配置したものである。
【００１４】
請求項５記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれかの構成において、前記第１の接続導体と前記第２の接続導体を、前記プリント基板の異なる層に配置したものである。
【００１５】
請求項６記載の発明は、請求項１乃至請求項５のいずれかの構成において、前記第１の接続導体と、前記第２の接続導体と、が近接した部分に高透磁率の磁性体を設けたものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
第１の実施形態を図１乃至図６に基づいて説明する。
【００１７】
このモジュラコネクタ１は８極８心用であって、図１又は図２に示すようにモジュラプラグ（図示せず）を挿入するプラグ挿入口２が開口するハウジング３を備えている。ハウジング３においてプラグ挿入口２の背面側上部には端子台４が設けられていて、端子台４の下部にはプリント基板５が配設されている。
【００１８】
プラグ挿入口２の内部には、モジュラプラグの接触子（図示せず）に弾接する４対のコンタクトピン６を備えている。コンタクトピン６は、図２乃至図３に示すようにプラグ挿入口２の背面側のプリント基板５上に設けられたコンタクトピン支持部７に支持されている。端子台４にはコンタクトピン６と１対１対応した８個の端子板８が立設されている。
【００１９】
プリント基板５は、表面の部品面５ａと、裏面のハンダ面５ｂと、の導体層が２層の基板から構成されている。そして、プリント基板５には、各コンタクトピン６と電気的に接続された第１のビアホール１２と、各端子板８と電気的に接続された第２のビアホール１３と、第３のビアホール１４と、が設けられている。また、プリント基板５は、第１のビアホール１２と対応する第２のビアホール１３とを電気的に接続する接続導体９が導体パターンによって形成されている。そして、プリント基板５は、望ましくない誘導性結合の発生を抑制するため接続導体９は部品面５ａとハンダ面５ｂとに分けて形成されている。第三のビアホール１４は、部品面５ａとハンダ面５ｂを電気的に接続するためのもので、一部の接続導体９にのみ接続している。
【００２０】
以下において、コンタクトピン６、接続導体９、第１のビアホール１２、第２のビアホール１３、第三のビアホール１４の電気的に接続されたものについてはそれぞれ同じ符号ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈを番号の後に付すものとする。ここで、番号の後に付した符号においては、ａとｂ、ｃとｆ、ｄとｅ、ｇとｈが夫々伝送対を構成している。
【００２１】
コンタクトピン６は、図１乃至図４に示すように、コンタクトピン６のうちチップ導体側に接続される４本であるコンタクトピン６ａ、６ｃ、６ｅ、６ｇは支持部７に支持され支持部７から２ｍｍ程度後方において９０度下向きに曲げられてそれぞれ対応するビアホール１２ａ、１２ｃ、１２ｅ、１２ｇに固定され、支持部７より開口２の方向に伸びる片持ち梁構造になっている。また、コンタクトピン６のうちリング導体側に接続される４本であるコンタクトピン６ｂ、６ｄ、６ｆ、６ｈはコンタクトピン６ａ、６ｃ、６ｅ、６ｇより低い位置で支持部７に支持され支持部７近傍において９０度下向きに曲げられてそれぞれ対応するビアホール１２ｂ、１２ｄ、１２ｆ、１２ｈに固定され、支持部７より開口２の方向に伸びる片持ち梁構造になっている。従って、ビアホール１２は側面から見て千鳥状の配置になっており、チップ導体に対応するビアホール１２ａ、１２ｃ、１２ｅ、１２ｇとリング導体に対応するビアホール１２ｂ、１２ｄ、１２ｆ、１２ｈとが前後に離されている。
【００２２】
次に、漏話の大きさと位相を設計するための基本構成について、一つの伝送対を構成する接続導体９ｄ、９ｅのうちの９ｄを第１の接続導体とし、別の伝送対を構成する接続導体９ｇ、９ｈのうちの９ｈを第２の接続導体として、この関係を基に説明する。
【００２３】
接続導体９ｄ、９ｈは、コンタクトピン６ｄ、６ｈを介してモジュラプラグのリング導体側に接続されている。接続導体９ｅ、９ｇは、コンタクトピン６ｅ、６ｇを介してモジュラプラグのチップ導体側に接続されている
図５はプリント基板５の部品面５ａの平面図、図６はプリント基板５のハンダ面５ｂを部品面５ａから透視した平面図である。
【００２４】
接続導体９ｄは、図５又は図６に示すように、ハンダ面５ｂの第１のビアホール１２ｄから第１のビアホール１２ｅと１２ｆの間、１２ｇと１２ｈの間、第２のビアホール１３ｇと１３ｆの間をとおって第３のビアホール１４ｄに接続されている。そして、第３のビアホール１４ｄにより部品面５ａに接続され第２のビアホール１３ｄに接続されている。
【００２５】
接続導体９ｈは、図５に示すように、第１のビアホール１２ｈから第２のビアホール１３ｄと１３ｇの間をとおって１３ｈの方向へ配線されている。
【００２６】
このように接続導体９ｄ、９ｈを配置すれば、図５の斜線で示されている部分では電流が互いに異なる向きになり、平行して近接に配置させることで誘導性結合を付加することができる。このとき、接続導体９ｄ、９ｈは、導体中に流れる電流が互いに異なる向きなので、誘導の極性が逆結合で漏話補償を行っている。すなわち、電流が同じ向きに流れる場合の誘導性結合と反対特性の漏話補償を行うとともに、接続導体９ｄ、９ｈが平行している距離を変えることによって、漏話補償を大きくしたり小さくしたりできる。従って、接続導体９ｄと接続導体９ｈとの間の漏話補償は、所定の周波数帯域において所定の大きさと位相にコントロールすることができる。
【００２７】
なお、接続導体９ａと９ｃ、９ｃと９ｅ、９ｆと９ｈは、図５に示すように、互いに平行近接させて誘導性結合による漏話補償を行っている。
（第２の実施形態）
第２の実施形態のモジュラコネクタを図７又は図８に基づいて説明する。
【００２８】
図７はプリント基板５の部品面５ａの平面図、図８はプリント基板５のハンダ面５ｂを部品面５ａから透視した平面図である。
【００２９】
この実施形態のものは、前述した第１の実施形態とはプリント基板５の配線パターンのみを換えたものであり、それら以外の構成要素は第１の実施形態と同様であるので説明は省略する。
【００３０】
漏話の大きさと位相を設計するための基本構成について、一つの伝送対を構成する接続導体９ｄ、９ｅのうちの９ｄを第１の接続導体とし、別の伝送対を構成する接続導体９ｇ、９ｈのうちの９ｇを第２の接続導体として、この関係を基に説明する。
【００３１】
接続導体９ｄは、図８に示すように、第１のビアホール１２ｄから第１のビアホール１２ｅと１２ｆの間、１２ｇと１２ｈの間、第２のビアホール１３ｇと１３ｈの間をとおって第２のビアホール１３ｄに接続されている。
【００３２】
接続導体９ｇは、図８に示すように、第１のビアホール１２ｇから第１のビアホール１２ｇと第２のビアホール１３ｇの間をとおり、第２のビアホール１３ｄと１３ｇの間をとおり第２のビアホール１３ｇに接続されている。
【００３３】
このように接続導体９ｄ、９ｇを配置すれば、図８の斜線で示されている部分では電流が互いに異なる向きになり、平行して近接に配置させることで誘導性結合を付加することができる。このとき、接続導体９ｄ、９ｇは、導体中に流れる電流が互いに異なる向きなので、誘導の極性が逆結合で漏話補償を行っている。すなわち、電流が同じ向きに流れる場合の誘導性結合と反対特性の漏話補償を行うとともに、接続導体９ｄ、９ｇが平行している距離を変えることによって、漏話補償を大きくしたり小さくしたりできる。従って、接続導体９ｄと接続導体９ｈとの間の漏話補償は、所定の周波数帯域において所定の大きさと位相にコントロールすることができる。
【００３４】
なお、接続導体９ａと９ｃ、９ｃと９ｅ、９ｆと９ｈは、図７に示すように、互いに平行近接させて誘導性結合による漏話補償を行っている。
（第３の実施形態）
第３の実施形態のモジュラコネクタを図９又は図１０に基づいて説明する。
【００３５】
図９はプリント基板５の部品面５ａの平面図、図８はプリント基板５のハンダ面５ｂを部品面５ａから透視した平面図である。
【００３６】
この実施形態は、前述した第１の実施形態とはプリント基板５の配線パターンのみを換えたものであり、それら以外の構成要素は第１の実施形態と同様であるので説明は省略する。
【００３７】
漏話の大きさと位相を設計するための基本構成について、一つの伝送対を構成する接続導体９ｄ、９ｅのうちの９ｄを第１の接続導体とし、別の伝送対を構成する接続導体９ｇ、９ｈのうちの９ｈを第２の接続導体として、この関係を基に説明する。
【００３８】
接続導体９ｄは、図１０に示すように、第１のビアホール１２ｄから第１のビアホール１２ｅと１２ｆの間、１２ｇと１２ｈの間、第２のビアホール１３ｇと１３ｈの間をとおって第２のビアホール１３ｄに接続されている。
【００３９】
接続導体９ｈは、図９に示すように、第１のビアホール１２ｈから第１のビアホール１２ｇと第２のビアホール１３ｈの間、第２のビアホール１３ｄと１３ｇの間をとおり第２のビアホール１３ｈに接続されている。
【００４０】
このように接続導体９ｄ、９ｈを配置すれば、図９及び図１０の斜線で示されている部分では電流が互いに異なる向きになり、平行して近接に配置させることで誘導性結合を付加することができる。このとき、接続導体９ｄ、９ｈは、導体中を流れる電流が互いに異なる向きなので、誘導の極性が逆結合で漏話補償を行っている。すなわち、電流が同じ向きに流れる場合の誘導性結合と反対特性の漏話補償を行うとともに、接続導体９ｄ、９ｈが平行している距離を変えることによって、漏話補償を大きくしたり小さくしたりできる。従って、接続導体９ｄと接続導体９ｈとの間の漏話補償は、所定の周波数帯域において所定の大きさと位相にコントロールすることができる。
【００４１】
なお、接続導体９ａと９ｃ、９ｃと９ｅ、９ｆと９ｈは、図９に示すように、互いに平行近接させて誘導性結合による漏話補償を行っている。
（第４の実施形態）
第４の実施形態のモジュラコネクタを図１１又は第１２図に基づいて説明する。
【００４２】
図１１はプリント基板５の部品面５ａの平面図、図１２はプリント基板５のハンダ面５ｂを部品面５ａから透視した平面図である。
【００４３】
この実施形態は、前述した第１の実施形態とはプリント基板５の配線パターンのみを換えたものであり、それら以外の構成要素は第１の実施形態と同様であるので説明は省略する。
【００４４】
漏話の大きさと位相を設計するための基本構成について、一つの伝送対を構成する接続導体９ｄ、９ｅのうちの９ｄを第１の接続導体とし、別の伝送対を構成する接続導体９ｇ、９ｈのうちの９ｇを第２の接続導体として、この関係を基に説明する。
【００４５】
接続導体９ｄは、図１２に示すように、ハンダ面５ｂの第１のビアホール１２ｄから第１のビアホール１２ｅと１２ｆの間、１２ｇと１２ｈの間、第２のビアホール１３ｇと１３ｆの間をとおって第３のビアホール１４ｄに接続されている。そして、第３のビアホール１４ｄにより部品面５ａに接続され第２のビアホール１３ｄに接続されている。
【００４６】
接続導体９ｇは、図１３に示すように、第１のビアホール１２ｇから第２のビアホール１３ｄと１３ｇの間をとおり第２のビアホール１３ｇに接続されている。
【００４７】
このように、接続導体９ｄ、９ｇを配置すれば、図１１及び図１２の斜線で示されている部分では電流が互いに異なる向きになる。そして、この斜線で示されている部分の部品面５ａとハンダ面５ｂとがプリント基板を挟んで平行に配線することで誘導性結合を付加することができる。このとき、接続導体９ｄ、９ｈは、導体中を流れる電流が互いに異なる向きなので、誘導の極性が逆結合で漏話補償を行っている。すなわち、電流が同じ向きに流れる場合の誘導性結合と反対特性の漏話補償を行うとともに、接続導体９ｄ、９ｈが平行している距離を変えることによって、漏話補償を大きくしたり小さくしたりできる。従って、接続導体９ｄと接続導体９ｇとの間の漏話補償は、所定の周波数帯域において所定の大きさと位相にコントロールすることができる。
【００４８】
なお、接続導体９ａと９ｃ、９ｃと９ｅ、９ｆと９ｈは、図１１に示すように、互いに平行近接させて誘導性結合による漏話補償を行っている。
（第５の実施形態）
第５の実施形態のモジュラコネクタを図１３に基づいて説明する。
【００４９】
図１３はプリント基板５のハンダ面５ｂを部品面５ａから透視した平面図である。
【００５０】
この実施形態は、プリント基板５の配線パターンとプリント基板５上に高透磁率の磁性材料１５を設けたものであり、それら以外の構成要素は第１の実施形態と同様であるので説明は省略する。
【００５１】
漏話の大きさと位相を設計するための基本構成について、一つの伝送対を構成する接続導体９ｄ、９ｅのうちの９ｄを第１の接続導体とし、別の伝送対を構成する接続導体９ｇ、９ｈのうちの９ｇを第２の接続導体として、この関係を基に説明する。
【００５２】
接続導体９ｄは、図１３に示すように、第１のビアホール１２ｄから第１のビアホール１２ｅと１２ｆの間、１２ｇと１２ｈの間、第２のビアホール１３ｇと１３ｈの間をとおって第２のビアホール１３ｄに接続されている。
【００５３】
接続導体９ｇは、図１３に示すように、第１のビアホール１２ｇから第２のビアホール１３ｄと１３ｇの間をとおり第２のビアホール１３ｇに接続されている。
【００５４】
このように、接続導体９ｄ、９ｇを配置すれば、図１３の斜線で示されている部分では電流が互いに異なる向きになる。
【００５５】
この接続導体９ｄと接続導体９ｇの近接部分において、図１３に示すように、基板表面に磁性材料の層を作成したり、磁性材料を塗付する等でプリント基板５上に高透磁率の磁性体１５を設けている。磁性体１５を設けることにより、より大きい誘導性結合を付加することができる。このとき、接続導体９ｄ、９ｈは、導体中を流れる電流が互いに異なる向きなので、誘導の極性が逆結合で漏話補償を行っている。すなわち、電流が同じ向きに流れる場合の誘導性結合と反対特性の漏話補償を行うとともに、近接した部分に設けた磁性体１５の大きさや磁性特性（透磁率等）を変えることによって、漏話補償を大きくしたり小さくしたりできる。また、磁性体１５の磁性特性に周波数依存性をもたせることで漏話補償の周波数特性を制御することもできる。
【００５６】
従って、高透磁率の磁性体１５を設けることにより、極性が逆結合の高い誘導結合特性が得られるので、少ないスペースで、誘導性結合の設定の自由度を増やし、設定範囲を広く取ることができ、効果的な漏話補償ができる。
【００５７】
なお、接続導体９ｄと９ｇは、図１３に示すように、互いに平行近接させて誘導性結合による漏話補償を行っている。
【００５８】
以上のように、第１の実施形態から第５の実施形態に記載した漏話補償は、近接に平行する２本の接続導体９を流れる電流が互いに異なる向きになるように配置しているので、誘導の極性が逆結合になっている。従って、従来の漏話補償を組合わせて設計することにより、モジュラプラグの漏話特性に対して所定の周波数帯域において所定の大きさと位相をコントロールすることができ、モジュラプラグとの組合せにおける漏話を低減することができる。
【００５９】
なお、第１の実施形態から第５の実施形態に記載した誘導の極性が逆結合の漏話補償は、接続導体９ｄ、９ｅの伝送対の９ｄを第１の接続導体とし、接続導体９ｇ、９ｈの伝送対の９ｈを第２の接続導体としているが、第１の接続導体９と第２の接続導体９の組合せは、モジュラプラグの特性と従来の漏話補償とを組合わせて漏話補償が最適になるように適宜決めればよい。
【００６０】
なお、第１の実施形態から第５の実施形態に記載した誘導の極性が逆結合の漏話補償は、部品面５ａとハンダ面５ｂをもつ２層のプリント基板５であるが、導体層が３層以上の多層構造のプリント基板でも上記実施形態と同様の作用効果が生じる。
【００６１】
【発明の効果】
請求項１乃至請求項５記載の発明にあっては、近接に平行する２本の接続導体中を流れる電流が互いに異なる向きになるように接続導体を配置しているので、誘導の極性が逆結合になっている。従って、従来の漏話補償を組合わせて設計することにより、モジュラプラグの漏話特性に対して、所定の周波数帯域において所定の大きさと位相をコントロールすることがきモジュラプラグとの組合せにおける漏話を低減することができる。
【００６２】
請求項６記載の発明にあっては、請求項１乃至請求項５いずれかに記載の効果に加え、高透磁率の磁性体を設けることにより、極性が逆結合の高い誘導結合特性が得られるので、少ないスペースで、誘導性結合の設定の自由度を増やし、設定範囲を広く取ることができ、効果的な漏話補償ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態を示す一部破断した平面図である。
【図２】同上の側面断面図である。
【図３】同上の要部の側面図である。
【図４】同上の要部の平面図である。
【図５】同上のプリント基板の部品面の平面図である。
【図６】同上に用いるプリント基板のハンダ面を部品面側から透視した平面図である。
【図７】第２の実施形態のプリント基板の部品面の平面図である。
【図８】同上に用いるプリント基板のハンダ面を部品面側から透視した平面図である。
【図９】第３の実施形態のプリント基板の部品面の平面図である。
【図１０】同上に用いるプリント基板のハンダ面を部品面側から透視した平面図である。
【図１１】第４の実施形態のプリント基板の部品面の平面図である。
【図１２】同上に用いるプリント基板のハンダ面を部品面側から透視した平面図である。
【図１３】第５の実施形態のプリント基板のハンダ面を部品面側から透視した平面図である。
【図１４】従来例の側面断面図である
【図１５】同上の要部の平面図である。
【図１６】特許文献１に記載のリードフレームの平面図。
【符号の説明】
１      モジュラコネクタ
２      プラグ挿入口
３      ハウジング
４      端子台
５      プリント基板
６      コンタクトピン
７      支持部
８      端子板
９      接続導体
【図１】
2004296250.tif 000003
【図２】
2004296250.tif 000004
【図３】
2004296250.tif 000005
【図４】
2004296250.tif 000006
【図５】
2004296250.tif 000007
【図６】
2004296250.tif 000008
【図７】
2004296250.tif 000009
【図８】
2004296250.tif 000010
【図９】
2004296250.tif 000011
【図１０】
2004296250.tif 000012
【図１１】
2004296250.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2004296250.tif 000016
【図１５】
2004296250.tif 000017
【図１６】
2004296250.tif 000018