(57)【要約】【課題】耐熱性、耐油性、機械特性に優れた熱可塑性エラストマーのハードセグメントのモノマー、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテル樹脂、液晶ポリマー等のモノマー、高分子化合物の添加剤として有用な新規のジヒドロキシ芳香族アミド化合物を提供する。【解決手段】下記一般式（１）で示されるジヒドロキシ芳香族アミド化合物。【化１５】2004292346.tif 000016（ここで、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して炭素数１〜２０の炭化水素基を示す。）【選択図】                  選択図なし。【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で示されることを特徴とするジヒドロキシ芳香族アミド化合物。
【化１】
2004292346.tif 000011
（ここで、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して炭素数１〜２０の炭化水素基を示す。）
【請求項２】
下記一般式（２）で示される芳香族アミノヒドロキシ化合物と、一般式（３）で示される芳香族ジカルボン酸クロライドとを必要に応じて酸捕捉剤の存在下、有機溶媒中、−３０℃から１００℃の範囲で反応することを特徴とする請求項１に記載のジヒドロキシ芳香族アミド化合物の製造方法。
【化２】
2004292346.tif 000012
（ここで、Ｒ３は炭素数１〜２０の炭化水素基を示す。）
【化３】
2004292346.tif 000013
【請求項３】
下記一般式（４）で示される芳香族エステルアミド化合物と、一般式（５）で示されるアミノヒドロキシ化合物とを反応することを特徴とする請求項１に記載のジヒドロキシ芳香族アミド化合物の製造方法。
【化４】
2004292346.tif 000014
（ここで、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して炭素数１〜２０の炭化水素基を示す。）
【化５】
2004292346.tif 000015
（ここで、Ｒ６は炭素数１〜２０の炭化水素基を示す。）
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は高純度、高結晶性、高融点及び高反応性の新規なジヒドロキシ芳香族アミド化合物及びその製造方法に関するものである。さらに詳しくは、ブロック共重合体型熱可塑性エラストマーのハードセグメントのモノマー、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、液晶ポリマー等のモノマー、高分子化合物の添加剤として有用な新規のジヒドロキシ芳香族アミド化合物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、リサイクル性、省エネルギー性の観点から、熱可塑性エラストマーによる架橋ゴム代替が進んでいる。熱可塑性エラストマーは、ゴム弾性に富むソフトセグメントと分子鎖拘束相となるハードセグメントから構成され、ハードセグメントの種類の異なる各種熱可塑性エラストマーが開発、上市されている。なかでも、ポリアミド系、ポリエステル系熱可塑性エラストマーは耐熱性、耐油性に優れた熱可塑性エラストマーとして自動車部品、電気・電子部品、工業用部品等に幅広く用いられている。ポリアミド系、ポリエステル系エラストマーは、ハードセグメントに６−ナイロン、６，６−ナイロン、あるいはポリ（ブチレンテレフタレート）等の高融点を有する高分子化合物から構成されている。しかしながら、これらは耐熱性の面で不十分であり、また、高分子化合物をハードセグメントとして用いているため比較的高硬度のものしか得られず、低硬度で耐熱性、ゴム弾性に優れた熱可塑性エラストマーを製造することは困難であった。
【０００３】
上記課題を解決する方法として、高結晶性、高融点を有する芳香族オリゴマーをハードセグメントとする新しいタイプの熱可塑性エラストマーが報告されている。例えば、４，４’−ジヒドロキシ−ｐ−クォーターフェニルをハードセグメントとし、脂肪族ポリエステル鎖をソフトセグメントとする低硬度かつ耐熱性に優れた熱可塑性エラストマーが開示されている（例えば、特許文献１参照。）。また、芳香族オリゴエステルアミド化合物をハードセグメントとし、ポリ（オキシアルキレングリコール）、脂肪族ポリエステル、脂肪族ポリカーボネート、脂肪族ポリエーテルカーボネート、ポリオルガノシロキサン、ポリオレフィンをソフトセグメントとする熱可塑性エラストマーが開示されている（例えば、特許文献２〜６参照。）。上述したように反応性を有する高結晶性、高融点を有する芳香族オリゴマーは熱可塑性エラストマーのハードセグメント成分として有用である。
【０００４】
【特許文献１】
特開平０２−２７６８１７号公報
【特許文献２】
特開平０６−２０７００６号公報
【特許文献３】
特開平０６−２０７００７号公報
【特許文献４】
特開平０８−１３４２１０号公報
【特許文献５】
特開平０８−２１７８７５号公報
【特許文献６】
特開平０８−２５３５６９号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、高耐熱性で機械特性に優れた熱可塑性エラストマーのハードセグメントのモノマー、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテル樹脂、液晶ポリマー等の高分子化合物のモノマー、あるいは高分子化合物の添加剤として有用な、高結晶性、高融点で高反応性を有する新規なジヒドロキシ芳香族アミド化合物、並びにその製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を達成するため鋭意検討した結果、ブロック共重合体型熱可塑性エラストマーのハードセグメントのモノマー、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、液晶ポリマー等のモノマー、高分子化合物の添加剤として有用な新規のジヒドロキシ芳香族アミド化合物及びその製造方法を見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００７】
即ち、本発明は、下記一般式（１）で示されることを特徴とするジヒドロキシ芳香族アミド化合物及びその製造方法に関するものである。
【０００８】
【化６】
2004292346.tif 000002
（ここで、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して炭素数１〜２０の炭化水素基を示す。）
上記一般式（１）で示される本発明の新規なジヒドロキシ芳香族アミド化合物を構成するＲ１およびＲ２は、それぞれ独立して炭素数１〜２０の炭化水素基であり、該炭化水素基としては直鎖状又は分岐状であってもよく、例えばメチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、２，２−ジメチルトリメチレン基、ヘキサメチレン基、２−メチルヘプタメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、１，４−シクロヘキシレン基、２−ベンジル基、３−ベンジル基、４−ベンジル基、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基等を挙げることができる。
【０００９】
また、本発明の新規なジヒドロキシ芳香族アミド化合物としては、上記一般式（１）に示される化合物であれば如何なる制限を受けることはなく、例えばＮ，Ｎ’−ビス（４−（ヒドロキシメチルカルバモイル）フェニル）テレフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−（２−ヒドロキシエチルカルバモイル）フェニル）テレフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−（３−ヒドロキシプロピルカルバモイル）フェニル）テレフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−（４−ヒドロキシブチルカルバモイル）フェニル）テレフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−（５−ヒドロキシペンチルカルバモイル）フェニル）テレフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−（６−ヒドロキシヘキシルカルバモイル）フェニル）テレフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−（ヒドロキシメチルカルバモイル）フェニル）テレフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−（２−ヒドロキシエチルカルバモイル）フェニル）テレフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−（３−ヒドロキシプロピルカルバモイル）フェニル）テレフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−（４−ヒドロキシブチルカルバモイル）フェニル）テレフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−（５−ヒドロキシペンチルカルバモイル）フェニル）テレフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−（６−ヒドロキシヘキシルカルバモイル）フェニル）テレフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−（ヒドロキシメチルカルバモイル）フェニル）イソフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−（２−ヒドロキシエチルカルバモイル）フェニル）イソフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−（３−ヒドロキシプロピルカルバモイル）フェニル）イソフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−（４−ヒドロキシブチルカルバモイル）フェニル）イソフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−（５−ヒドロキシペンチルカルバモイル）フェニル）イソフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−（６−ヒドロキシヘキシルカルバモイル）フェニル）イソフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−（ヒドロキシメチルカルバモイル）フェニル）イソフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−（２−ヒドロキシエチルカルバモイル）フェニル）イソフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−（３−ヒドロキシプロピルカルバモイル）フェニル）イソフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−（４−ヒドロキシブチルカルバモイル）フェニル）イソフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−（５−ヒドロキシペンチルカルバモイル）フェニル）イソフタルアミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−（６−ヒドロキシヘキシルカルバモイル）フェニル）イソフタルアミド等を挙げることができる。
【００１０】
本発明の新規なジヒドロキシ芳香族アミド化合物の製造方法としては、上記一般式（１）で示される化合物が得られる限りにおいて如何なる製造方法をも用いることができ、例えば以下の２つの方法により製造することが可能である。
【００１１】
（Ａ）方法；下記一般式（２）で示される芳香族アミノヒドロキシ化合物と、一般式（３）で示される芳香族ジカルボン酸クロライドとを必要に応じて酸捕捉剤の存在下、有機溶媒中、−３０℃から１００℃の範囲で反応するジヒドロキシ芳香族アミド化合物の製造方法。
【００１２】
【化７】
2004292346.tif 000003
（ここで、Ｒ３は炭素数１〜２０の炭化水素基を示す。）
【００１３】
【化８】
2004292346.tif 000004
（Ｂ）方法；下記一般式（４）で示される芳香族エステルアミド化合物と、一般式（５）で示されるアミノヒドロキシ化合物とを反応させるジヒドロキシ芳香族アミド化合物の製造方法。
【００１４】
【化９】
2004292346.tif 000005
（ここで、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して炭素数１〜２０の炭化水素基を示す。）
【００１５】
【化１０】
2004292346.tif 000006
（ここで、Ｒ６は炭素数１〜２０の炭化水素基を示す。）
（Ａ）方法は、一般式（２）で示される芳香族アミノヒドロキシ化合物と、一般式（３）で示される芳香族ジカルボン酸クロライドとを必要に応じて酸捕捉剤の存在下、有機溶媒中、−３０℃から１００℃の範囲で反応するジヒドロキシ芳香族アミド化合物の製造方法である。
【００１６】
ここで、一般式（２）で示される芳香族アミノヒドロキシ化合物中のＲ３は炭素数１〜２０の炭化水素基を示すものであり、該炭化水素基としては、例えばメチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、２，２−ジメチルトリメチレン基、ヘキサメチレン基、２−メチルヘプタメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、１，４−シクロヘキシレン基、２−ベンジル基、３−ベンジル基、４−ベンジル基、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基等を挙げることができ、上記一般式（２）で示される芳香族アミノヒドロキシ化合物としては、例えばアミノ安息香酸系化合物と、炭素数１〜２０の炭化水素基を有するアミノヒドロキシ化合物を反応させることにより得ることができる。
【００１７】
アミノ安息香酸系化合物としては、例えば２−アミノ安息香酸、３−アミノ安息香酸、４−アミノ安息香酸等のアミノ安息香酸；２−アミノ安息香酸メチルエステル、３−アミノ安息香酸メチルエステル、４−アミノ安息香酸メチルエステル、２−アミノ安息香酸エチルエステル、３−アミノ安息香酸エチルエステル、４−アミノ安息香酸エチルエステル、２−アミノ安息香酸プロピルエステル、３−アミノ安息香酸プロピルエステル、４−アミノ安息香酸プロピルエステル、２−アミノ安息香酸ブチルエステル、３−アミノ安息香酸ブチルエステル、４−アミノ安息香酸ブチルエステル等のアミノ安息香酸アルキルエステル、等が挙げられ、なかでも高結晶性、高融点のジヒドロキシ芳香族アミド化合物を生成することが可能となることから３−アミノ安息香酸、３−アミノ安息香酸アルキルエステル、４−アミノ安息香酸、４−アミノ安息香酸アルキルエステルが好ましい。
【００１８】
また、炭素数１〜２０の炭化水素基を有するアミノヒドロキシ化合物としては、例えばアミノメタノール、２−アミノエタノール、３−アミノプロパノール、４−アミノブタノール、５−アミノペンタノール、３−アミノ−２，２−ジメチル−１−プロパノール、６−アミノヘキサノール、６−アミノ−２−メチル−２−ヘプタノール、７−アミノヘプタノール、８−アミノオクタノール、９−アミノノナノール、１０−アミノデカノール、４−アミノシクロヘキサノール、２−アミノベンジルアルコール、３−アミノベンジルアルコール、４−アミノベンジルアルコール、２−アミノフェノール、３−アミノフェノール、４−アミノフェノール等が挙げられ、なかでも良好な溶剤溶解性を示すジヒドロキシ芳香族アミド化合物が生成することから脂肪族アミノヒドロキシ化合物を用いることが好ましく、特に入手が容易で安価な２−アミノエタノールが好ましい。
【００１９】
一般式（２）で示される芳香族アミノヒドロキシ化合物を例えばアミノ安息香酸系化合物とアミノヒドロキシ化合物を反応して得る際の該反応系としては、無溶媒下で行うことも可能であるが、各種有機溶剤の存在下で反応を行うことも可能である。その際の溶媒としては該反応を阻害しない溶媒であればいかなるものを用いることも可能であり、例えばジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、ホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルプロピオン酸アミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、テトラメチルホスホルトリアミド、ヘキサメチルホスホルアミド、スルホラン、Ｎ−メチルカプロラクタム、ジフェニルスルホン、ジフェニルエーテル、ジクロロメタン、四塩化炭素、テトラヒドロフラン等を挙げることができる。
【００２０】
また、アミノ安息香酸とアミノヒドロキシ化合物を反応させる際は、該反応が脱水反応であるために単に加熱するだけでも反応は進行するが、モレキュラーシーブ等の脱水剤やジシクロヘキシルカルボジイミド等のカルボジイミド化合物、Ｎ，Ｎ’−カルボニルジイミダゾール化合物、リン、亜リン酸、リン酸ハロゲン化物やアミド化合物等の縮合剤を用いることがより好ましい。
【００２１】
さらに、アミノ安息香酸アルキルエステルとアミノヒドロキシ化合物とを反応させる際には、不活性ガス雰囲気下、反応温度１００〜２５０℃、好ましくは１４０〜２２０℃、反応時間３０分〜２４時間、好ましくは１〜１２時間で反応を行うことが好ましい。
【００２２】
このようにして得られた一般式（２）で示される芳香族アミノヒドロキシ化合物は、有機溶媒中、必要に応じて酸捕捉剤の存在下で、一般式（３）で表される芳香族ジカルボン酸クロライドと反応させることにより、本発明の一般式（１）で示される新規なジヒドロキシ芳香族アミド化合物を得ることができる。
【００２３】
ここで、一般式（３）で表される芳香族ジカルボン酸クロライドとしては、例えばフタル酸ジクロライド、イソフタル酸ジクロライド、テレフタル酸ジクロライドが挙げられ、そのなかでも、高結晶性、高融点のジヒドロキシ芳香族アミド化合物が得られることからイソフタル酸ジクロライド、テレフタル酸ジクロライドが好ましい。
【００２４】
また、（Ａ）方法は、有機溶媒中、必要に応じて酸補足剤の存在下、−３０℃〜１００℃の範囲で行われる。
【００２５】
ここで、有機溶媒としては、例えばジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、ホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルプロピオン酸アミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、テトラメチルホスホルトリアミド、ヘキサメチルホスホルアミド、スルホラン、Ｎ−メチルカプロラクタム、ジフェニルスルホン、ジフェニルエーテル、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等が用いられる。
【００２６】
また、必要に応じて用いられる酸捕捉剤としては、例えばピリジン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン等が挙げられ、その際の酸捕捉剤の添加量としては、芳香族アミノヒドロキシ化合物に対して等モル〜２倍モルが好ましく、特に等モル〜１．５倍モルであることが好ましい。
【００２７】
反応温度が−３０℃未満である場合、一般式（１）で示されるジヒドロキシ芳香族アミド化合物の生成反応速度が遅く、生産性が低下する場合が生じる。一方、反応温度が１００℃を越える場合、芳香族アミノヒドロキシ化合物中のヒドロキシ基と芳香族ジカルボン酸クロライドの反応が進行しやすくなるために、副生成物であるポリマーが発生し易くなる。また、芳香族ジカルボン酸クロライド溶液を芳香族アミノヒドロキシ化合物溶液に加える場合、または芳香族アミノヒドロキシ化合物溶液を芳香族ジカルボン酸クロライド溶液に加える場合の滴下時間に特に制限はなく、１分から１時間が好ましい。また、反応時間は通常１０分〜１０時間、好ましくは３０分〜５時間である。
【００２８】
芳香族ジカルボン酸クロライドに対する芳香族アミノヒドロキシ化合物の仕込み比は、２倍モル〜３倍モルであることが好ましく、特に２倍モル〜２．５倍モルであることが好ましい。
【００２９】
反応系の固形分濃度に特に制限はなく、酸捕捉剤を除いて５〜５０重量％であることが好ましく、特に１０〜３０重量％であることが好ましい。
【００３０】
（Ａ）方法における一般式（２）で示される芳香族アミノヒドロキシ化合物と、一般式（３）で示される芳香族ジカルボン酸クロライド及び反応溶媒の添加順序は特に制限はなく、芳香族アミノヒドロキシ化合物溶液に芳香族ジカルボン酸クロライド溶液を添加する方法、芳香族ジカルボン酸クロライド溶液に芳香族アミノヒドロキシ化合物溶液を添加する方法、また、それらを同時に添加する方法、固形物のまま添加する方法、のいずれでもよく、その中でも、反応効率よく一般式（１）で示されるジヒドロキシ芳香族アミド化合物が得られることから芳香族アミノヒドロキシ化合物溶液に芳香族ジカルボン酸クロライド溶液を滴下することが好ましい。また、必要に応じて酸捕捉剤を用いる場合、一般式（２）で示される芳香族アミノヒドロキシ化合物と一般式（３）で示される芳香族ジカルボン酸クロライドを反応させる前に添加しても、反応させた後に添加してもよく、なかでも反応物を反応させる前に芳香族アミノヒドロキシ化合物溶液に添加し、これに芳香族ジカルボン酸クロライドの溶液を滴下することが好ましい。
【００３１】
（Ｂ）方法は、上記一般式（４）で示される芳香族エステルアミド化合物と、一般式（５）で示されるアミノヒドロキシ化合物とを反応させるジヒドロキシ芳香族アミド化合物の製造方法である。
【００３２】
ここで、一般式（４）で示される芳香族エステルアミド化合物中のＲ４、Ｒ５はそれぞれ独立して炭素数１〜２０の炭化水素基を示すものであり、該炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、フェニル基等を挙げることができ、上記一般式（４）で示される芳香族エステルアミド化合物としては、例えば芳香族ジカルボン酸クロライドとアミノ安息香酸エステルを反応させることにより製造することができる。ここで、芳香族ジカルボン酸クロライドとしては、例えばフタル酸ジクロライド、イソフタル酸ジクロライド、テレフタル酸ジクロライドが挙げられ、なかでも高結晶性、高融点を有するジヒドロキシ芳香族アミド化合物が得られることからイソフタル酸ジクロライド、テレフタル酸ジクロライドが好ましい。また、アミノ安息香酸エステルとしては、例えば２−アミノ安息香酸メチルエステル、３−アミノ安息香酸メチルエステル、４−アミノ安息香酸メチルエステル、２−アミノ安息香酸エチルエステル、３−アミノ安息香酸エチルエステル、４−アミノ安息香酸エチルエステル、２−アミノ安息香酸プロピルエステル、３−アミノ安息香酸プロピルエステル、４−アミノ安息香酸プロピルエステル、２−アミノ安息香酸ブチルエステル、３−アミノ安息香酸ブチルエステル、４−アミノ安息香酸ブチルエステル等が挙げられ、なかでも高結晶性、高融点のジヒドロキシ芳香族アミド化合物を生成することが可能となることから３−アミノ安息香酸アルキルエステル、４−アミノ安息香酸アルキルエステルが好ましい。この一般式（４）で示される芳香族エステルアミド化合物はすでに公知であり、特開平０７−１１２９６１号公報に記載の方法により製造することができる。
【００３３】
上記一般式（５）で示されるアミノヒドロキシ化合物は、化合物中のＲ６は炭素数１〜２０の炭化水素基を示すものであり、該炭化水素基としては、例えばメチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、２，２−ジメチルトリメチレン基、ヘキサメチレン基、２−メチルヘプタメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、１，４−シクロヘキシレン基、２−ベンジル基、３−ベンジル基、４−ベンジル基、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基等を挙げることができ、上記一般式（５）で示されるアミノヒドロキシ化合物としては、アミノメタノール、２−アミノエタノール、３−アミノプロパノール、４−アミノブタノール、５−アミノペンタノール、３−アミノ−２，２−ジメチル−１−プロパノール、６−アミノヘキサノール、６−アミノ−２−メチル−２−ヘプタノール、７−アミノヘプタノール、８−アミノオクタノール、９−アミノノナノール、１０−アミノデカノール、４−アミノシクロヘキサノール、２−アミノベンジルアルコール、３−アミノベンジルアルコール、４−アミノベンジルアルコール、２−アミノフェノール、３−アミノフェノール、４−アミノフェノール等が挙げられ、なかでも、生成するジヒドロキシ芳香族アミド化合物に良好な溶剤溶解性を付与するために、脂肪族アミノヒドロキシ化合物を用いることが好ましく、特に入手が容易で安価な２−アミノエタノールが好ましい。また、これらのアミノヒドロキシ化合物は単独で使用してもよく、二種以上併用してもよい。
【００３４】
（Ｂ）方法において、一般式（４）で示される芳香族エステルアミド化合物に対し一般式（５）で示されるアミノヒドロキシ化合物は等モルから過剰量、好ましくは３〜３０モル用いることが好ましい。
【００３５】
また、該方法は無溶媒で行うことも可能であるが、各種有機溶剤を使用して行ってもよい。この際の溶媒としては、例えばジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、ホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルプロピオン酸アミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、テトラメチルホスホルトリアミド、ヘキサメチルホスホルアミド、スルホラン、Ｎ−メチルカプロラクタム、ジフェニルスルホン、ジフェニルエーテル等が用いられる。また、該方法は、不活性ガス雰囲気下、１００〜２５０℃で行うことが好ましく、特に１４０〜２２０℃で行うことが好ましい。また、反応時間は３０分〜２４時間が好ましく、特に１〜１２時間であることが好ましい。
【００３６】
以上の（Ａ）方法又は（Ｂ）方法により、本発明の一般式（１）で示される新規なジヒドロキシ芳香族アミド化合物を得ることができ、これらの方法により得られるジヒドロキシ芳香族アミド化合物は再結晶、晶析などの精製工程を必要とせずに製造することが可能ではあるが、さらに高純度のジヒドロキシ芳香族アミド化合物が必要な場合、適当な溶媒を用いて再結晶に処することができる。
【００３７】
本発明のジヒドロキシ芳香族アミド化合物は、高融点を示す高結晶性化合物であり、この化合物は耐熱性、耐油性、機械特性に優れた熱可塑性エラストマーのハードセグメントのモノマー、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテル樹脂、液晶ポリマー等のモノマー、高分子化合物の添加剤として使用することができる。
【００３８】
【実施例】
以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００３９】
なお、実施例により得られたジヒドロキシ芳香族アミド化合物の分析に用いた分析機器、分析方法を以下に示す。
【００４０】
〜ジヒドロキシ芳香族アミド化合物の同定〜
ジヒドロキシ芳香族アミド化合物の同定は、核磁気共鳴測定装置（日本電子製、商品名ＪＮＭ−２７０ＧＳＸ：重水素化ジメチルスルホキシド中、室温、積算回数６４回）により測定した１Ｈ−ＮＭＲスペクトルにより行った。
【００４１】
〜融点、分解温度の測定〜
ＴＧ／ＤＴＡ（セイコー電子工業製  商品名ＴＧ−ＤＴＡ２００）を用い、昇温速度２０℃／分で測定した。
【００４２】
合成例１（芳香族アミノヒドロキシ化合物の調製）
窒素導入管、温度計、蒸留塔および攪拌翼を備えた５００ｍｌの４つ口フラスコに、４−アミノ安息香酸エチル８２．６ｇ（０．５モル）、および２−アミノエタノール１２２．２ｇ（２．０モル）を仕込み、窒素雰囲気下、１６０℃で７時間撹拌して反応を行った。反応後、過剰の２−アミノエタノールを減圧留去した。冷却後、得られた固体を、テトラヒドロフラン２００ｍｌに溶解した後、この溶液を塩化メチレン８００ｍｌに投入し、吸引ろ過により白色固体を得た。さらに塩化メチレン５００ｍｌで２回洗浄を行った後、８０℃で減圧乾燥することにより８１．２ｇ（収率：９０．１％）の芳香族アミノヒドロキシ化合物を得た。
【００４３】
得られた芳香族アミノヒドロキシ化合物を化合物（ａ）とする。該化合物（ａ）の構造式を下記一般式（６）に示す。
【００４４】
【化１１】
2004292346.tif 000007
合成例２（芳香族エステルアミド化合物の調製）
窒素導入管、温度計および攪拌翼を備えた５００ｍｌの４つ口フラスコに、４−アミノ安息香酸エチル８２．６ｇ（０．５モル）とＮ−メチル−２−ピロリドン（以下、単にＮＭＰと記す。）２５０ｍｌを加え撹拌し均一溶液を得た。別途に、窒素導入管を備えた２００ｍｌ滴下ロートに、ＮＭＰ１７０ｍｌ及びテレフタル酸ジクロライド５０．７ｇ（０．２５モル）を加え、撹拌し均一溶液とし、この溶液を先の溶液中に１時間かけて滴下した。さらに１時間反応を行った後、固形分を吸引濾過により回収し、ＮＭＰ２５０ｍｌ、次いで、アセトン１０００ｍｌで洗浄した。得られた固形物は８０℃で１２時間減圧乾燥し、１１２．８ｇ（収率：９８．０％）の芳香族エステルアミド化合物を得た。
【００４５】
得られた芳香族エステルアミド化合物を化合物（ｂ）とする。該化合物（ｂ）の構造式を下記一般式（７）に示す。
【００４６】
【化１２】
2004292346.tif 000008
実施例１
窒素導入管、温度計、蒸留塔および攪拌翼を備えた５００ｍｌの４つ口フラスコに、合成例１により得られた化合物（ａ）７２．１ｇ（０．４モル）、ＮＭＰ２００ｍｌを加え均一溶液を得た。別途に、窒素導入管を備えた２００ｍｌ滴下ロートに、テレフタル酸ジクロライド４０．６ｇ（０．２モル）、ＮＭＰ１００ｍｌを加え、撹拌し均一溶液とし、この溶液を先の溶液中に１時間かけて滴下した。さらに５０℃で２時間反応させた後、得られたスラリーをアセトン２．５ｌに投入し、吸引ろ過により白色固体を回収した。得られた固体をＮＭＰ／トルエン混合溶媒により再結晶を行い、ジヒドロキシ芳香族アミド化合物８８．２ｇ（収率８９．９％）を得た。
【００４７】
得られたジヒドロキシ芳香族アミド化合物の融点は４２５℃、分解温度４１１℃であった。該ジヒドロキシ芳香族アミド化合物の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図１に示す。
【００４８】
１Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果より、得られたジヒドロキシ芳香族アミド化合物が下記一般式（８）の構造を有するＮ，Ｎ’−ビス（４−（２−ヒドロキシエチルカルバモイル）フェニル）テレフタルアミドであることを確認した。
【００４９】
【化１３】
2004292346.tif 000009
（１Ｈ−ＮＭＲスペクトル特性吸収値）
化学シフト（ｐｐｍ）            帰属
３．２−３．５（ｍ）      メチレン基ｂ（＋Ｈ２Ｏ）
３．５−３．６（ｍ）      メチレン基ｃ
４．７５（ｔ）            ヒドロキシル基ａ
７．９０（ｓ）            フェニレン基ｅ，ｈ
８．１３（ｓ）            フェニレン基ｅ
８．３８（ｔ）            アミド基ｄ
１０．６１（ｓ）            アミド基ｇ
実施例２
テレフタル酸ジクロライドに変えて、９８％イソフタル酸ジクロライド４１．４ｇ（０．２モル）を用いた以外は、実施例１と同じ条件で反応を行い、ジヒドロキシ芳香族アミド化合物８８．８ｇ（収率９０．５％）を得た。
【００５０】
得られたジヒドロキシ芳香族アミド化合物の融点は３４７℃、分解温度３５６℃であった。該ジヒドロキシ芳香族アミド化合物の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果を図２に示す。
【００５１】
１Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定結果より、得られたジヒドロキシ芳香族アミド化合物が下記一般式（９）の構造を有するＮ，Ｎ’−ビス（４−（２−ヒドロキシエチルカルバモイル）フェニル）イソフタルアミドであることを確認した。
【００５２】
【化１４】
2004292346.tif 000010
（１Ｈ−ＮＭＲスペクトル特性吸収値）
化学シフト（ｐｐｍ）            帰属
３．２−３．４（ｍ）      メチレン基ｂ（＋Ｈ２Ｏ）
３．４−３．６（ｍ）      メチレン基ｃ
４．７２（ｔ）            ヒドロキシル基ａ
７．７２（ｔ）            フェニレン基ｊ
７．８９（ｓ）            フェニレン基ｅ，ｆ
８．１７（ｄｄ）          フェニレン基ｉ
８．３６（ｔ）            アミド基ｄ
８．５６（ｓ）            フェニレン基ｈ
１０．６２（ｓ）            アミド基ｇ
実施例３
窒素導入管、温度計、蒸留塔および攪拌翼を備えた３００ｍｌの４つ口フラスコに、合成例２により得られた化合物（ｂ）３０．０ｇ（０．０６５モル）、２−アミノエタノール３１．８ｇ（０．５２モル）、ＮＭＰ１５０ｍｌを仕込み、窒素雰囲気下、１７０℃で８．５時間撹拌して反応を行った。反応混合物を冷却後、得られたスラリーをアセトン２．５ｌに投入し、吸引ろ過により白色固体を回収した。得られた固体をＮＭＰ／トルエン混合溶媒により再結晶を行い、ジヒドロキシ芳香族アミド化合物２７．２ｇ（収率８５．３％）を得た。
【００５３】
得られたジヒドロキシ芳香族アミド化合物の１Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定結果及び融点、分解温度は実施例１により得られたジヒドロキシ芳香族アミド化合物と同じであった。
【００５４】
参考例１
反応条件を１２０℃、２時間に変更した以外は、実施例１と同じ条件で反応を行った。再結晶の際、ＮＭＰ不溶部が存在し、最終的に得られたジヒドロキシ芳香族アミド化合物は７１．１ｇ（収率７２．５％）であった。
【００５５】
【発明の効果】
本発明の新規なジヒドロキシ芳香族アミド化合物は、高結晶性、高融点を有することから、耐熱性、耐油性、機械特性に優れた熱可塑性エラストマーのハードセグメントのモノマー、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテル樹脂、液晶ポリマー等のモノマー、高分子化合物の添加剤として有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】；実施例１で得られたジヒドロキシ芳香族アミド化合物の１Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定結果を示す図である。
【図２】；実施例２で得られたジヒドロキシ芳香族アミド化合物の１Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定結果を示す図である。
【図１】
2004292346.tif 000017
【図２】
2004292346.tif 000018