(57)【要約】　　　（修正有）【課題】製造コストの増大を伴うことなくバイアホールの開口寸法を小さくすることが可能な厚膜多層基板の製造方法を提供する。【解決手段】導体印刷層８４が形成されると共にバイアホール２８，３０内に導体ペーストが塗布された未焼成厚膜絶縁体シート（生シート）５４が、基板１２上に積層され且つ熱圧着された後に焼成処理が施されるが、パンチング加工によって形成されたバイアホール２８，３０は、印刷中の開口面積の縮小が生じ得ないので開口寸法を小さくできる。また、焼成する際には、生シート５４が熱圧着されているため、基板１２によってその生シート５４の面方向における収縮が妨げられる。そのため、何ら特別な工程を設けなくとも、面方向の大きな収縮に起因する配線パターン４６、４０やバイアホール２８，３０等の位置ずれが生じないので、それらの相互間隔を小さくすることができる。【選択図】　　　　図６
2004095676.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に絶縁体層を介して積層された第１配線層および第２配線層がその絶縁体層を貫通するバイアホール内に設けられた貫通導体を介して相互に接続された厚膜多層基板の製造方法であって、
焼成済の前記基板上に前記第１配線層を形成する第１配線層形成工程と、
所定位置に前記バイアホールを有する未焼成厚膜絶縁体シートを前記第１配線層を覆うように前記基板に重ね合わせて熱圧着する圧着工程と、
前記バイアホール内に厚膜導体ペーストを塗布する導体塗布工程と、
所定温度で加熱することにより、前記基板上において前記未焼成厚膜絶縁体シートから前記絶縁体層を生成すると同時に前記厚膜導体ペーストから前記貫通導体を生成する焼成工程と
を、含むことを特徴とする厚膜多層基板の製造方法。
【請求項２】
前記バイアホールは、前記未焼成厚膜絶縁体シートにパンチング加工を施すことにより形成されたものである請求項１の厚膜多層基板の製造方法。
【請求項３】
前記導体塗布工程は、前記圧着工程に先立って実施され且つ前記バイアホール内に厚膜導体ペーストを塗布すると同時に前記未焼成厚膜絶縁体シートの表面に前記第２配線層を形成するための厚膜導体ペーストを所定パターンで塗布するものである請求項１または請求項２の厚膜多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、厚膜多層基板の製造方法に関し、特に積層された複数の配線層を相互に接続する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、絶縁体層を介して複数の配線層が積層された厚膜多層基板においては、全ての層を貫通するスルーホールを備えた基板よりも配線密度延いては実装密度を高める目的で、所望の一乃至複数層だけを貫通してその上下或いはそれら複数層の配線を相互に接続するためのバイアホール（ビアホール：ｖｉａ　ｈｏｌｅ）を設けることが行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようなバイアホール基板を製造するに際しては、例えば、厚膜スクリーン印刷法を利用して、基板上に設けられた第１配線層を覆うように厚膜絶縁体ペーストを塗布して貫通穴（バイアホール）を有する絶縁体層を形成した後、その絶縁体層上に厚膜導体ペーストを所定パターンで塗布して第２配線層を形成する。下側の第１配線層には、上側の第２配線層と接続するためのランドが備えられており、上記のバイアホールはそのランド上に位置させられている。そのため、第２配線層を形成する際に同時に或いは別工程で、そのバイアホール内に厚膜導体ペーストを塗布することにより、その導体ペーストから生成された貫通導体で第１配線層および第２配線層が相互に接続されることとなる。
【０００４】
しかしながら、厚膜スクリーン印刷においては、ペーストを塗布する際にスクリーンと基板或いは基板上に設けられている印刷パターンとの間で滲み、或いは、塗布されたペーストが乾燥するまでの間に自身の流動性に基づいて広がる（だれる）ことが避けられない。そのため、これらに起因する寸法変化を考慮すると、バイアホールを経由した接続を確保するためには、例えば矩形のバイアホールではその開口寸法を一辺２００（μｍ）以上の大きさで設計する必要がある。更に、印刷積層時の位置ずれを考慮すると、第１配線層および第２配線層のランドも、矩形とした場合で一辺４００（μｍ）以上の大きさとする必要がある。したがって、多層厚膜基板を小型化する上で、これらの寸法を小さくできないことが障碍となっていた。
【０００５】
これに対して、未焼成の厚膜絶縁体シートを積層して焼成することによって多層化する低温積層基板が提案されている。この低温積層基板を製造するに際しては、厚膜絶縁体シートにパンチング加工を施してバイアホールを設け、その表面に所定のパターンで厚膜導体ペーストを塗布すると共に、そのバイアホール内に厚膜導体ペーストを塗布した後、複数枚の厚膜絶縁体シートを積層する。このような低温積層基板によれば、バイアホールがパンチング加工で形成されることから、例えば１００（μｍ）程度の開口寸法とすることも可能である。しかしながら、低温積層基板は焼成時の面方向収縮が例えば２０（％）程度と大きく、しかも、面内における収縮率のばらつきが大きいため、焼成後に表面に導体パターンを印刷形成する際にパターンの位置ずれが生じる不都合がある。そのため、配線パターンを高密度化できないので、バイアホールを小さくできても多層基板の小型化は困難であった。
【０００６】
なお、面方向の収縮を抑制し且つ一様にする目的で、例えば加圧しつつ焼成する方法や、特開平１１−２２４９８４号公報に記載されているように、厚膜絶縁体シートの積層体の両面に焼結温度がそれよりも十分に高い未焼成セラミックシートを熱圧着する方法等が提案されている。しかしながら、前者は焼成効率が著しく低下し、後者は一回の焼成毎に新たな未焼成セラミックシートを必要とするため、何れも製造コストが増大する問題がある。
【０００７】
本発明は、以上の事情を背景として為されたものであって、その目的は、製造コストの増大を伴うことなくバイアホールの開口寸法を小さくすることが可能な厚膜多層基板の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
斯かる目的を達成するため、本発明の要旨とするところは、基板上に絶縁体層を介して積層された第１配線層および第２配線層がその絶縁体層を貫通するバイアホール内に設けられた貫通導体を介して相互に接続された厚膜多層基板の製造方法であって、（ａ）焼成済の前記基板上に前記第１配線層を形成する第１配線層形成工程と、（ｂ）所定位置に前記バイアホールを有する未焼成厚膜絶縁体シートを前記第１配線層を覆うように前記基板に重ね合わせて熱圧着する圧着工程と、（ｃ）前記バイアホール内に厚膜導体ペーストを塗布する導体塗布工程と、（ｄ）所定温度で加熱することにより、前記基板上において前記未焼成厚膜絶縁体シートから前記絶縁体層を生成すると同時に前記厚膜導体ペーストから前記貫通導体を生成する焼成工程とを、含むことにある。
【０００９】
【発明の効果】
このようにすれば、予めバイアホールが設けられた未焼成厚膜絶縁体シートを第１配線層が設けられた基板上に重ねて熱圧着すると共に、貫通導体を形成するための厚膜導体ペーストをそのバイアホール内に塗布し、焼成処理を施すことによって、バイアホール内に貫通導体を備えた絶縁体層が基板上に形成される。そのため、第１配線層上に厚膜絶縁体ペーストを塗布する場合のように滲みやだれ等に起因してバイアホールの開口寸法の変化が生じないので、その開口寸法を小さくしても第１配線層と第２配線層との導通の確保に支障が無い。このとき、熱圧着された未焼成厚膜絶縁体シートは、厚膜の焼成温度では収縮させられない焼成済の基板に熱圧着されていることから、その面方向における収縮が抑制されるので、収縮に伴う寸法変化やパターンの位置ずれ等が生じることもない。また、第１配線層が設けられている基板はそのまま厚膜多層基板の一部を構成すると共に、厚膜絶縁体シートの収縮を抑制するために特に装置を必要とすることも無いので、その目的で製造コストが増大することもない。したがって、製造コストの増大を伴うことなくバイアホールの開口寸法を小さくすることができる。
【００１０】
なお、第１配線層は、例えば厚膜プロセスや薄膜プロセス、或いは金属箔の貼付等によって形成することができるが、例えば厚膜プロセスで形成される場合において、その焼成処理は、積層工程に先立って実施しても、積層工程の後に絶縁体層を生成する加熱処理と同時に実施してもよい。すなわち、請求の範囲にいう「第１配線層を覆うように」には、形成された第１配線層を覆う態様に限られず、その第１配線層に生成される未焼成の厚膜印刷層を覆う場合も含まれる。
【００１１】
また、上記未焼成厚膜絶縁体シートは、例えば、ガラス粉末が樹脂で結合されたものであり、所望により、無機顔料や無機材料粉末から成るフィラー等が含まれてもよい。
【００１２】
【発明の他の態様】
ここで、好適には、前記バイアホールは、前記未焼成厚膜絶縁体シートにパンチング加工を施すことにより形成されたものである。このようにすれば、バイアホールが予め形成された未焼成厚膜絶縁体シートを容易に得ることができる。
【００１３】
また、好適には、前記厚膜多層基板の製造方法は、前記導体塗布工程は、前記圧着工程に先立って実施され且つ前記バイアホール内に厚膜導体ペーストを塗布すると同時に前記未焼成厚膜絶縁体シートの表面に前記第２配線層を形成するための厚膜導体ペーストを所定パターンで塗布するものである。このようにすれば、絶縁体層の生成後に第２導体層を形成するための厚膜導体ペーストを塗布する場合に比較して厚膜導体ペーストの滲みが生じ難いので、ファインラインの形成が容易になると共に、バイアホール内への導体ペースト塗布が容易になる利点がある。
【００１４】
また、好適には、前記基板上には、前記第１配線層と前記絶縁体層との間においてその第１配線層に接続される位置に回路部品が固着される。このようにすれば、基板上に直に設けられた第１配線層は、未焼成厚膜絶縁体シートから生成された絶縁体層上に設けられた第２配線層に比較して、その基板への固着強度が高いため、その上に固着された回路部品の固着強度も高められる。そのため、固着強度の耐久信頼性が特に要求される回路部品において、要求される信頼性を満足させることができる。
【００１５】
また、好適には、前記厚膜多層基板の製造方法は、それぞれ所定パターンで厚膜導体ペーストが塗布された複数枚の未焼成厚膜絶縁体シートを積層して圧着する仮圧着工程を含むものであり、前記積層工程は、その仮圧着された積層体を前記基板上に熱圧着するものである。このようにすれば、３層以上の導体層が絶縁体層を介して積層された多層基板を一層容易に製造することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】
図１は、本発明の製造方法を用いて製造された厚膜多層基板１０の層構成の一例を表した断面図である。図において、厚膜多層基板１０は、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）から成る基板１２の一面１４に、第１絶縁体層１６および第２絶縁体層１８を介して第１配線層２０，第２配線層２２，および第３配線層２４が順に積層されることにより構成されている。絶縁体層１６，１８は、例えば、Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３等を主成分とする厚膜絶縁体である。また、配線層２０，２２，２４は、例えば、厚膜銅或いは厚膜銀等の厚膜導体から成るものである。絶縁体層１６，１８は、例えば２０〜９０（μｍ）の範囲内、例えば３０（μｍ）程度の厚さ寸法を有しており、配線層２０，２２，２４は、例えば５〜３０（μｍ）の範囲内、例えば１５（μｍ）程度の厚さ寸法を有している。
【００１８】
上記の第１絶縁体層１６は、第１配線層２０を構成する厚膜導体２６上の適宜の位置に、第２絶縁体層１８は、第２配線層２２を構成する厚膜導体２６上の適宜の位置に、各々を厚み方向に貫通するバイアホール２８，３０を備えている。前者のバイアホール２８上には、第２配線層２２の厚膜導体２６が位置し、後者のバイアホール３０上には、第３配線層２４の厚膜導体２６が位置する。このため、厚膜導体２６はその一部がバイアホール２８，３０内に入り込んでおり、第１配線層２０と第２配線層２２、第２配線層２２と第３配線層２４は、それらバイアホール２８，３０を介して相互に接続されている。本実施例においては、厚膜導体２６のうちバイアホール２８，３０内に入り込んだ部分が貫通導体に相当する。
【００１９】
図２は、厚膜多層基板１０の表面に現れた配線パターン３２すなわち最上層に位置する第３配線層２４のパターンの一例を示す。配線パターン３２は、図示しない電子部品を実装するための複数の部品ランド３４、厚膜多層基板１０を図示しない機械装置の所定位置に電気的に接続した状態で取り付けるための複数の接続端子３６、下側に位置する第２配線層２２に接続するための接続部３８、および接続端子３６や接続部３８を相互に接続するための配線４０等を備えている。前記のバイアホール３０は、この接続部３８の下側に設けられているので、その接続部３８を形成するための厚膜導体２６がバイアホール３０内に入り込んで貫通導体となるのである。なお、図示しない第１配線層２０および第２配線層２２にも、配線パターン３２とは形状が異なるが、略全面に亘る配線パターンが形成されている。また、それらの配線パターンには、必要に応じて厚膜抵抗体等の電子部品が実装されている。
【００２０】
図３は、上記の接続部３８の一つを拡大して、バイアホール３０と接続部３８との平面的な位置関係等を説明する図である。図において破線で示される第２配線層２２の配線パターン４２には、接続部３８の略直下の位置に接続パッド４４が備えられている。接続パッド４４は、例えば第２配線層２２内の配線４６の一端に形成されており、例えば、その配線４６を介して第２配線層２２内の接続部４８すなわち第１配線層２０内の接続パッド５０に接続されている（図１参照）。
【００２１】
上記の接続部３８および接続パッド４４は、何れも例えば一辺がｐ＝３００（μｍ）程度の略正方形を成すものである。この接続パッド４４はその周縁部が第２絶縁体層１８で覆われており、内周部のみがその第２絶縁体層１８に設けられた開口すなわちバイアホール３０内に露出する。このため、バイアホール３０はその接続パッド４４よりも僅かに小さい面積を有し、その全体がその接続パッド４４上に位置している。また、バイアホール３０の平面形状は例えば円形であり、その直径はｖ＝１００（μｍ）程度である。なお、図１および図３を対比すれば明らかなように、バイアホール２８もバイアホール３０と同様に構成されている。すなわち、接続パッド５０はその周縁部を第１絶縁体層１６によって覆われており、バイアホール２８はその内周部に位置する。
【００２２】
上記のように接続パッド４４，５０やバイアホール２８，３０が小寸法に形成された結果として、厚膜多層基板１０の配線密度は従来に比較して高められている。すなわち、従来は接続パッドの一辺の長さ寸法が最小でも４００（μｍ）程度であったが、本実施例によれば接続パッド４４，５０等の一辺の長さ寸法がそれよりも少なくとも１００（μｍ）程度は短く、その７５（％）程度以下の大きさにされているので、配線相互の間隔を従来よりも少なくとも１００〜２００（μｍ）程度は小さくできるのである。
【００２３】
ところで、上記の厚膜多層基板１０は、例えば、図４に製造工程の要部が示されるように、別々に製造した厚膜絶縁体シートおよびアルミナ基板を積層することで製造される。以下、工程の要部段階における実施状態を説明する図５、図６を参照しつつ図４に従って製造方法を説明する。
【００２４】
先ず、未焼成厚膜絶縁体シートの製造工程では、絶縁体生シート成形工程５２において、例えばドクターブレード法等のシート成形法を用いることにより、未焼成厚膜絶縁体シート５４（以下、生シート５４という）を作製する。このとき用いられるスラリーは、例えば、ガラス粉末またはガラス粉末および無機フィラーと樹脂粉末等が溶剤中に分散させられたもの、すなわち厚膜形成に用いられるものと同様な構成材料を低粘度に調製したものである。
【００２５】
次いで、打抜き・パンチング工程５６では、例えばプレス機を用いて、その生シート５４を打ち抜いた後にパンチングを施し、或いは、打抜きと同時にパンチングを施すことにより、生シート５４を基板寸法に対応する所定寸法に加工すると共に、前記のバイアホール２８（３０）を予め定められた複数箇所に形成する。後者の方法による場合には、バイアホール２８等を形成する位置にピンが立てられた金型を用いて打抜き加工を実施すればよい。
【００２６】
次いで、導体パターン印刷工程５８においては、バイアホール２８（３０）を形成した生シート５４に、例えば厚膜スクリーン印刷法を利用して厚膜導体ペーストを所定パターンで塗布する。図５は、この工程の実施状態を模式的に示すものである。生シート５４は、印刷台６０上に載せられており、その上方には所定の開口パターンを有するスクリーン６２を備えたスクリーン製版６４が配置されている。導体パターンの印刷は、このスクリーン６２上に厚膜導体ペースト６６を供給すると共に、スキージ６８をスクリーン６２を押下げつつ一方向に沿って摺動させることによって行われる。このとき、スクリーン６２の開口パターンはバイアホール２８（３０）上にも設けられているため、表面７０に配線パターンを形成するための厚膜導体ペースト６６が塗布されると同時にそのバイアホール２８（３０）内にもその厚膜導体ペースト６６が塗布される（例えば充填される）こととなる。なお、厚膜導体ペースト６６は、例えば銅粉末や銀粉末等の導体粉末、ガラス粉末、樹脂、および溶剤等から成るものである。このようにして塗布された厚膜導体ペースト６６に乾燥処理を施すことにより導体印刷層８４が得られる。一回の印刷で所定の厚さ寸法が得られない場合には、乾燥後、更に印刷および乾燥が必要回数だけ繰り返される。
【００２７】
図４に戻って、次いで、仮圧着工程７２では、別々に処理された例えば２枚の生シート５４を重ね合わせて加圧することにより、それらを仮圧着する。このとき、それらの相対位置は、例えば後述する積層工程８２と同様に、圧着装置に備えられているピンを生シート５４の孔９２に差し入れること等の方法により、高精度に定められる。
【００２８】
なお、図４においては、同一の生シート５４の製造工程が２つ記載されている。前述したように、厚膜多層基板１０には２層の厚膜絶縁体層１６，１８が備えられているので、基板１２の上には第２配線層２２および第３配線層２４を形成するための導体印刷層８４がそれぞれ設けられた２枚の生シート５４が積層される。そのため、図に示されるように２つの生シート製造工程が設けられているのである。すなわち、生シート５４の製造工程は、基板１２上への積層枚数に応じた数だけ実施される。したがって、基板１２の上に生シート５４が１枚だけ積層される場合にはこの製造工程は１つだけ実施され、３枚積層される場合にはこの製造工程が３つ実施されることとなる。
【００２９】
一方、基板の製造工程においては、先ず、基板生シート成形工程７４において、前述した絶縁体生シート成形工程５２と同様にして、ドクターブレード法等のシート成形法により未焼成セラミック・シートを成形する。このとき用いられるスラリーは、例えばアルミナ粉末等のセラミック粉末および樹脂等が溶剤に分散させられたものである。次いで、打抜き・パンチング工程７６では、成形された基板生シートを後工程に応じた適当な寸法に切断すると共に、後述する積層工程８２において位置決めするための位置決め孔８８を形成する。
【００３０】
次いで、焼成工程７８においては、打ち抜いた基板生シートをその原料組成に応じて定められる所定温度で焼成処理を施す。これにより、基板生シート中の有機成分が焼失させられると同時にセラミック粒子が焼結させられて、前記の基板１２が得られる。導体パターン印刷工程８０では、この焼結済の基板１２に、前記の導体パターン印刷工程５８と同様にして、例えば厚膜スクリーン印刷法を用いて厚膜導体ペーストを所定のパターンで塗布し、乾燥処理を施すことにより、接続パッド５０や配線５１等を備えた前記の第１配線層２０を形成するための導体印刷層８４が形成される。
【００３１】
次いで、積層工程８２では、上記のようにして導体印刷層８４が設けられた基板１２上に、別途作製して仮圧着した前記の生シート５４の積層体を重ねて加圧しつつ加熱することにより、これらを熱圧着する。図６は、この積層工程８２の実施状態を示している。図において、基板１２は、圧着装置の下側加圧面８６上に載せられている。前述したように、基板１２には位置決め孔８８が備えられており、基板１２は、導体印刷層８４が形成された面が上側となる向きで、下側加圧面８６の対応する位置に突設されている位置決めピン９０がその位置決め孔８８内に刺し通されることで位置決めされる。なお、位置決め孔８８は、例えば基板１２の四隅にそれぞれ一つずつ、合計４つが備えられている。
【００３２】
仮圧着された生シート５４は、このように位置決めされた基板１２上に重ねられるが、その生シート５４にも、図に示すように位置決め孔９２が、位置決め孔８８に対応する位置に設けられており、この位置決め孔９２に位置決めピン９０を刺し通すことにより、基板１２と生シート５４とが位置決めされる。生シート５４は、導体印刷層８４が設けられた表面７０が上側となる向きで基板１２に重ねられるが、そのバイアホール２８（３０）は基板１２上の接続パッド５０に対応する位置に形成されているので、所定の相対位置精度で重ね合わされることにより、それらが接続されることとなる。
【００３３】
なお、図においては、説明の便宜上、仮圧着されていない１枚の生シート５４が積層される場合を示している。また、図に示される段階では、導体印刷層８４が焼成されていないので接続部４４や配線４６等は未だ生成されていないが、便宜上焼成後と共通の符号を付した。また、図に示される配線パターンは、説明の便宜上簡略化したものであり、基板８４，生シート５４共に実際には導体印刷層８４が極めて高密度に形成されている。
【００３４】
図４に戻って、次いで、焼成工程９４においては、上記のようにして熱圧着された基板１２を、生シート５４の焼成温度で焼成処理を施す。これにより、生シート５４中および導体印刷層８４中に含まれる有機成分が焼失させられると共に、ガラス粉末や導体粉末が焼結させられ、前記の第１絶縁体層１６および第２絶縁体層１８が生成されると同時に、それらを介して積層された厚膜導体層すなわち第１配線層２０，第２配線層２２，および第３配線層２４が生成される。基板１２は、例えば１枚から多数枚の厚膜多層基板１０が製造される多数個取りされるものであり、上記のようにして焼成処理を終えた後、１枚毎に分割されることにより前記の厚膜多層基板１０が得られる。なお、図６においては、便宜上１枚分を示している。
【００３５】
上述した製造工程において、本実施例では、導体印刷層８４が形成されると共にバイアホール２８，３０内に導体ペースト６６が塗布された未焼成厚膜絶縁体シート５４が、基板１２上に積層され且つ熱圧着された後に焼成処理が施される。そのため、パンチング加工によって形成されたバイアホール２８，３０は、厚膜絶縁体ペーストを印刷積層して形成されたバイアホールに比較して、印刷中の開口面積の縮小が生じ得ないので、前述したような微小な開口寸法で設けることができる。しかも、絶縁体層１６，１８や配線層２０，２２，２４を基板１２上に固着する焼成工程９４が実施される際には、生シート５４が熱圧着されているため、厚膜材料の焼成温度では収縮させられない基板１２によって、その生シート５４の面方向における収縮が妨げられる。そのため、何ら特別な工程を設けなくとも、未焼成厚膜絶縁体シート５４のみが積層された状態で焼成処理が施される従来の低温焼成基板のような、面方向の大きな収縮に起因する配線パターン３２、４２やバイアホール２８，３０等の位置ずれが生じないので、それらの相互間隔を小さくすることができる。以上により、製造コストの増大を伴うことなくバイアホール２８，３０の開口寸法を小さくすることができる。
【００３６】
また、本実施例においては、バイアホール２８，３０が生シート５４にパンチング加工を施すことによって設けられる。そのため、厚膜印刷によって形成する場合に比較して、寸法精度の高いバイアホール２８，３０を容易に得ることができる利点もある。
【００３７】
また、本実施例においては、基板１２と生シート５４とを積層するに先立って、バイアホール２８，３０内に厚膜導体ペーストを塗布すると同時に、その生シート５４の表面に導体印刷層８４が設けられる。そのため、絶縁体層１６，１８の生成後（すなわち焼成後）に配線層２２，２４を形成するための厚膜導体ペーストを塗布する場合に比較して、厚膜導体ペーストの滲みが生じ難いので、ファインラインの形成が容易になると共に、バイアホール２８，３０内への導体ペースト塗布が容易になる利点がある。
【００３８】
また、本実施例においては、２枚の未焼成厚膜絶縁体シート５４が積層して仮圧着された後、基板１２上に熱圧着することから、３層の配線層２０，２２，２４が絶縁体層１６，１８を介して積層された多層基板１０を一層容易に製造することができる。
【００３９】
また、本実施例によれば、アルミナから成る基板１２上に生シート５４を積層して焼成することにより厚膜多層基板１０が製造されるので、生シート５４のみを積層した従来の低温焼成基板に比較して、基板１２の機械的強度が高いことから、厚膜多層基板１０が損傷させられ難い利点もある。しかも、アルミナの熱伝導率は、そのような低温焼成基板を構成するガラス・セラミックスのそれよりも１０〜２０倍程度の値であるため、放熱性の高い厚膜多層基板１０が得られる利点もある。
【００４０】
また、本実施例においては、第１配線層２０には、アルミナ基板用に開発されている厚膜抵抗体ペーストを用い得るので、耐久信頼性が高く、抵抗温度係数が小さい厚膜抵抗体を設けることができる利点もある。
【００４１】
以上、本発明を図面を参照して詳細に説明したが、本発明は更に別の態様でも実施できる。
【００４２】
例えば、実施例においては、アルミナから成る基板１２を備えた厚膜多層基板１０に本発明が適用された場合について説明したが、他のセラミックス、ガラス、或いは琺瑯等の種々の絶縁体材料を基板１２に代えて用いることもできる。
【００４３】
また、実施例においては、絶縁体層１６，１８がＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３等を主成分とするもの厚膜絶縁体であり、配線層２０，２２，２４が厚膜銅或いは厚膜銀等の厚膜導体から成るものであったが、これらの構成材料は、厚膜多層基板１０の用途に応じて適宜変更される。
【００４４】
また、実施例においては、基板１２と生シート５４との位置決めを位置決めピン９０と位置決め孔８８，９２との嵌め合いに基づいて行ったが、例えば、それらの２辺を基準とする等、種々の位置決め方法を用いることができる。
【００４５】
また、実施例においては、２層の絶縁体層１６，１８を介して３層の配線層２０，２２，２４が積層された厚膜多層基板１０の製造方法に本発明が適用された場合について説明したが、１層の絶縁体層を介して２層の配線層が積層された厚膜多層基板や、４層以上の配線層が絶縁体層を介して積層された厚膜多層基板にも本発明は同様に適用される。
【００４６】
また、実施例においては、基板１２上に設けられる第１配線層２０が厚膜スクリーン印刷法を用いて形成された厚膜導体であったが、薄膜プロセスで形成しても差し支えなく、或いは金属箔の貼付等によって形成することができる。
【００４７】
また、実施例においては、第１配線層２０が第２配線層２２，第３配線層２４，および絶縁体層１６，１８と共に焼成工程９４において焼成されていたが、第１配線層２０の焼成処理の後に積層工程８２を実施することにより、焼成工程９４では生シート５４からの絶縁体層１６，１８の生成と第２配線層２２および第３配線層２４の生成のみが為されるように構成しても良い。
【００４８】
また、実施例においては、バイアホール２８，３０が円形を成していたが、その形状は、要求される配線密度や製造工程等の都合に応じて適宜変更され、例えば楕円形や矩形、多角形等の種々の形状を採りうる。
【００４９】
その他、一々例示はしないが、本発明は、その主旨を逸脱しない範囲で種々変更を加え得るものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の製造方法を適用して製造された厚膜多層基板の層構成を説明する断面図である。
【図２】図１の厚膜多層基板の表面に設けられた配線パターンを示す平面図である。
【図３】図１の厚膜多層基板におけるバイアホールを介した導体層相互の接続状態を説明す平面図である。
【図４】図１の厚膜多層基板の製造方法の要部を説明する工程図である。
【図５】図４の製造工程中の厚膜絶縁体シートに導体ペーストを塗布する工程を説明する図である。
【図６】図４の製造工程中の印刷済の厚膜絶縁体シートを基板に積層する工程を説明する図である。
【符号の説明】
１２：基板
２８，３０：バイアホール
３２，４２：配線パターン
５４：未焼成厚膜絶縁体シート（生シート）
６６：厚膜導体ペースト
８４：導体印刷層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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