(57)【要約】【課題】複数層の転送電極の加工精度及び均一性が、簡易な加工方法で向上されている固体撮像素子を提供する。【解決手段】Ｎ型シリコン基板１に設けられたＰ型ウェル２内に、フォトダイオード部３０、トランスファゲート部４、及び垂直ＣＣＤ部５０が並設してあり、また、トランスファゲート部４及び垂直ＣＣＤ部５０の上面に、酸化膜６を介して転送電極７，８が形成されており、更に、１層目の転送電極７はＰ型ウェル２内に埋設され、転送電極７の上面とフォトダイオード部３０の上面とが略同一平面上に位置している。【選択図】        図２
2004228328.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一導電型半導体基板に設けられた他導電型ウェル内に、光電変換して電荷を蓄積するフォトダイオード部、該フォトダイオード部からの電荷が移される垂直ＣＣＤ部、該垂直ＣＣＤ部への電荷の通路であるトランスファゲート部、前記垂直ＣＣＤ部及び前記トランスファゲート部の上面に絶縁膜を介して形成された複数層の転送電極を備える固体撮像素子において、
前記複数層の転送電極の内、前記一導電型半導体基板側に位置する転送電極が、前記他導電型ウェルに埋設してあることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記転送電極の上面が、前記フォトダイオード部の上面と略同一平面上に位置することを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記一導電型半導体基板の上面側に形成された平坦化膜と、該平坦化膜上に形成されたカラーフィルタ層と、該カラーフィルタ層上に形成されたマイクロレンズとを備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数層の転送電極を有する固体撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路技術の発展を背景に、電荷結合素子（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅｓ。以下、ＣＣＤと言う）を用いて画像情報を扱う電子機器又はサービス等が非常に身近なものになりつつある。ＣＣＤは半導体集積回路技術の加速度的な発展に伴い、高性能化を重ねてきている。
固体撮像素子は、一般に、一導電型の半導体基板に、フォトダイオード部、トランスファゲート部、及び垂直ＣＣＤ部が内部に並設された他導電型ウェルと、トランスファゲート部及び垂直ＣＣＤ部の上面に絶縁膜を介して設けられた複数の転送電極とを有する単位セルが、複数、アレイ状に配置されている（例えば、特許文献１，２参照）。
以下では転送電極が２層の場合を例示するが、３層以上であっても良い。
【０００３】
図７は、従来の固体撮像素子が備える単位セルの断面図である。
図中１はＮ型シリコン基板であり、該Ｎ型シリコン基板１内の上部領域に、Ｐ型ウェル２が設けられている。このＰ型ウェル２の内部に、選択的に、フォトダイオード部３０の一部であるＮ型領域３が設けられ、更に、フォトダイオード部３０に隣接するトランスファゲート部４を介在させて、垂直ＣＣＤ部５０の一部であるＮ型ウェル５が設けられている。
【０００４】
また、トランスファゲート部４上面及びＮ型ウェル５上面に、例えばポリシリコンを用いてなる１層目の転送電極７及び２層目の転送電極８が、夫々酸化膜６を介して積層してあり、更に、転送電極７，８の上面及び側面を、酸化膜６を介して、例えばタングステン（以下、Ｗと言う）を用いてなる遮光膜１１が覆っている。また、各単位セルはチャネルストッパ部９，９により隔てられており、Ｎ型領域３の上方には、フォトダイオード部３０の一部である表面Ｐ＋層１０、及び酸化膜６が形成されている。チャネルストッパ部９は、一の単位セルのフォトダイオード部３０（又は垂直ＣＣＤ部５０）と、他の単位セルの垂直ＣＣＤ部５０（又はフォトダイオード部３０）とに隣接している。
更に、フォトダイオード部３０及び垂直ＣＣＤ部５０の上側、即ち遮光膜１１上及び酸化膜６上を平坦化膜１２が覆い、更に、平坦化膜１２及び酸化膜６を介してフォトダイオード部３０の上側に、マイクロレンズ１３が形成されている。
【０００５】
図８は、従来の固体撮像素子が備える転送電極の平面視の配置図である。この場合、図７は、図８中Ｉ−Ｉ線の断面図に相当し、後述する図９は、図８中ＩＩ−ＩＩ線の断面図に相当する。
転送電極７，７，…（又は転送電極８，８，…）の間には、転送電極７，７，…（又は転送電極８，８，…）を夫々電気的に遮断するための間隔７０，７０，…（間隔８０，８０，…）が設けられている。この場合、転送電極７，８にパルス電圧を交互に印加して順次転送させるために、転送電極７上に（酸化膜６を介して）転送電極８が積層されたオーバーラップ領域７８が設けられている。即ち、固体撮像素子においては、２層以上の転送電極が必要となる。
【０００６】
１層目の転送電極７，７，…及び２層目の転送電極８，８，…の形状は夫々複雑であり、また、転送電極８，８，…の転送電極７，７，…へのオーバーラップ領域７８，７８，…も非常に入り組んだものとなっている。
なお、３層以上の転送電極を形成する場合は、より形状が複雑になる。
【０００７】
図９は、従来の固体撮像素子が備える転送電極７，８の形成手順の説明図であり、図７に示す酸化膜６、及び半導体層２０の形成に関しては省略している。また、半導体層２０は、図７に示すＮ型シリコン基板１、Ｐ型ウェル２、フォトダイオード部３０、トランスファゲート部４、垂直ＣＣＤ部５０、及びチャネルストッパ部９を含んでいる。
【０００８】
まず、半導体層２０上に、転送電極７となるポリシリコン膜を形成し、次いでフォトリソグラフィー法により、マスクとなるレジストパターン１４を形成する。（図９（ａ））。
次に、エッチングを行なうことによって、レジストパターン１４に覆われていないポリシリコン膜（ポリシリコン膜の不要部分）を除去して転送電極７，７，…を形成し、次いで、レジストパターン１４を除去し、更に、半導体層２０上及び転送電極７，７，…上に、転送電極８となるポリシリコン膜を形成する（図９（ｂ））。
次に、フォトリソグラフィー法により、マスクとなるレジストパターン１４を形成した後、エッチングを行なうことによって転送電極８を形成する（図９（ｃ））。
最後に、レジストパターン１４を除去する（不図示）。
【０００９】
【特許文献１】
特開平５−３１５５８４号公報
【特許文献２】
特開２００１−９４０９０号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図９（ｂ）に示すように、転送電極８となるポリシリコン膜を形成する場合、転送電極７による段差が反映されるため、前記ポリシリコン膜にレジストパターン１４を形成するとき、図９（ｃ）に示すように、レジスト膜の膜厚が局所的に大きく変動する。このため、２層目の転送電極８の精密かつ均一な加工が困難となるという問題があった。
【００１１】
また、単位セルを微細化する場合、単位セルのサイズに対する転送電極７による段差が大きくなり、レジストパターン１４の膜厚の変動が相対的に大きくなる。このため、転送電極７，８のオーバーラップ領域不良、又は単位セル夫々の形状のバラツキ等が発生する。更に、このような加工不良を有する固体撮像素子を用いた場合、画像ムラ等の不良が発生する。
３層以上の転送電極による段差を低減する場合、例えば、転送電極の層数を減少させることが考えられる。しかしながら、転送電極の最小層数は２層であるため、２層目の転送電極形成時の１層目の転送電極による段差を無くすことはできない。
【００１２】
特許文献１，２においては、半導体層上に転送電極を形成せず、半導体層に転送電極を埋め込むことによって、転送電極による段差をなくしている。
図１０は、従来の他の固体撮像素子が備える単位セルの断面図である。また、図１１及び図１２は、該固体撮像素子が備える転送電極７，８の形成手順の説明図である。
図１０に示す固体撮像素子の単位セルは、図７に示す固体撮像素子の単位セルとは異なり、Ｐ型ウェル２にトレンチ（溝）が形成されており、該トレンチの底面であるトランスファゲート部４上面及びＮ型ウェル５上面に、酸化膜６を介して、１層目の転送電極７及び２層目の転送電極８が形成されている。この場合、転送電極８の上面とフォトダイオード部３０の上面とが略同じ高さの平坦面にしてあり、転送電極７，８の上面を、遮光膜１１が覆っている。
【００１３】
このような転送電極７，８を形成する場合、まず、半導体層２０上に、フォトリソグラフィー法により、マスクとなるレジストパターン１４を形成する（図１１（ａ））。
次に、エッチングを行なうことによって第１トレンチ２１，２１，…を形成し（図１１（ｂ））、次いで、レジストパターン１４を除去し、更に、第１トレンチ２１，２１，…の底面を含む半導体層２０上に、転送電極７となるポリシリコン膜を形成する（図１１（ｃ））。
次に、トレンチによる段差を有するポリシリコン膜をエッチバックによって平坦化（図１１（ｃ）のハッチング部分を除去）する（図１１（ｄ））。
【００１４】
次いで、パターニングを行なうべく、平坦化されたポリシリコン膜上に、フォトリソグラフィー法により、マスクとなるレジストパターン１４を形成する（図１２（ａ））。
次に、エッチングを行なうことによって転送電極７，７，…を形成する。このとき、転送電極７は凸形の断面を有し、また、転送電極７と転送電極７との間に挟まれるようにして、第２トレンチ２２，２２，…が形成される（図１２（ｂ））。
次いで、レジストパターン１４を除去し、更に、第２トレンチ２２，２２，…の底面を含む半導体層２０上及び転送電極７，７，…上に、転送電極８となるポリシリコン膜を形成する（図１２（ｃ））。
【００１５】
最後に、ポリシリコン膜の凹凸をエッチバックによって平坦化（図１２（ｃ）のハッチング部分を除去）する。このとき、ポリシリコン膜の上面と、転送電極７，７，…の最上面とが略同じ高さになるよう平坦化することによって、転送電極８，８，…を形成する（図１２（ｄ））。
以上のような固体撮像素子においては、転送電極７，８を形成する場合、フォトリソグラフィー、エッチング（トレンチ形成）、エッチバックを夫々２回ずつ行なう必要がある。
【００１６】
また、図１３は、従来の更に他の固体撮像素子が備える単位セルの断面図である。
図１３に示す固体撮像素子の単位セルは、図７又は図１０に示す固体撮像素子の単位セル（転送電極７，８がＮ型シリコン基板１に対して略平行）とは異なり、転送電極７，８が縦方向（Ｎ型シリコン基板１に対して略垂直）に配置されている。
図１３に示す固体撮像素子の単位セルには、トランスファゲート部４に隣接せず、かつ、垂直ＣＣＤ部５０のＮ型ウェル５に隣接する小開口トレンチが形成されている。また、該小開口トレンチの下部及び該小開口トレンチのＮ型ウェル５とは逆側に隣接してチャネルストッパ部９が設けられている。
【００１７】
更に、小開口トレンチ内部に、酸化膜６を介して、転送電極７及び転送電極８が縦方向に形成されている。この場合、転送電極７，８の上側端面とフォトダイオード部３０の上面とが略同じ高さの平坦面にしてあり、転送電極７，８の上側端面及びＮ型ウェル５上面を、遮光膜１１が覆っている。
以上のような固体撮像素子においては、転送電極７，８の形成が困難である。
【００１８】
本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであり、複数の転送電極の内、一部の転送電極を他導電型ウェルに埋設し、他の転送電極を他導電型ウェルの上側に積層することにより、各転送電極の加工精度及び均一性を簡易に向上できる固体撮像素子を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る固体撮像素子は、一導電型半導体基板に設けられた他導電型ウェル内に、光電変換し電荷を蓄積するフォトダイオード部、該フォトダイオード部からの電荷が移される垂直ＣＣＤ部、該垂直ＣＣＤ部への電荷の通路であるトランスファゲート部、前記垂直ＣＣＤ部及び前記トランスファゲート部の上面に絶縁膜を介して形成された複数層の転送電極からなる固体撮像素子において、前記複数層の転送電極の内、前記一導電型半導体基板側に位置する転送電極が、前記他導電型ウェルに埋設してあることを特徴とする。
【００２０】
本発明に係る固体撮像素子は、前記転送電極の上面が、前記フォトダイオード部の上面と略同一平面上に位置することを特徴とする。
【００２１】
本発明に係る固体撮像素子は、前記一導電型半導体基板の上面側に形成された平坦化膜と、該平坦化膜上に形成されたカラーフィルタ層と、該カラーフィルタ層上に形成されたマイクロレンズとを備えることを特徴とする。
【００２２】
本発明にあっては、例えば２層の転送電極を形成する場合、１層目の転送電極を他導電型ウェルに埋設するため、２層目の転送電極を形成するときに、１層目の転送電極による段差を低減している。
また、１層目の転送電極の上面が、フォトダイオード部の上面と略同一平面上に位置するときは、１層目の転送電極による段差が無くなる。
また、トレンチの形成は１層目の転送電極を他導電型ウェルに埋設するときに１回だけ行ない、エッチバックは２層目の転送電極を形成する前に１回だけ行なえば良いため、２層全ての転送電極を他導電型ウェルに埋設する場合に比べて転送電極の形成工程が簡易である。
【００２３】
このような固体撮像素子は、下層の転送電極による段差が上層の転送電極の形成を阻害することがないため、転送電極のオーバーラップ領域の不良、又は各単位セルの形状のバラツキ等の加工不良を防止している。即ち、このような固体撮像素子は、転送電極の加工精度を向上しており、また、各転送電極の形状のバラツキを防止して、均一性を向上している。
更に、このような固体撮像素子がカラーフィルタ層を備える場合、転送電極の加工精度及び均一性が向上された固体撮像素子でカラー画像を検知することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。
実施の形態  １．
図１は、本発明の実施の形態１に係る固体撮像素子の平面図であり、該固体撮像素子が備える単位セルの配置を示している。
図中３０はフォトダイオード部であり、フォトダイオード部３０，３０，…はマトリクス状に配置されている。また、フォトダイオード部３０，３０，…一列分毎に、フォトダイオード部３０，３０，…の列方向に長い垂直ＣＣＤ部５０が配置されている。更に、垂直ＣＣＤ部５０，５０，…の一端側に、フォトダイオード部３０，３０，…の行方向に長い水平ＣＣＤ部１５が配置され、該水平ＣＣＤ部１５の一端部に出力部１６が配置されている。
【００２５】
図２は、固体撮像素子が備える単位セルの断面図であり、図１中ＩＩＩ  −ＩＩＩ  線の断面図である。また、図３は、固体撮像素子が備える転送電極７，８の断面図であり、図２のＩＶ−ＩＶ線の断面図であるが、酸化膜６、遮光膜１１、平坦化膜１２及びマイクロレンズ１３の図示は省略している。
図中１は、一導電型半導体基板であるＮ型シリコン基板であり、該Ｎ型シリコン基板１内の上面側に、他導電型ウェルであるＰ型ウェル２が設けられている。
【００２６】
Ｐ型ウェル２内には、各単位セルを隔てるチャネルストッパ部９，９に挟まれるようにして、フォトダイオード部３０、垂直ＣＣＤ部５０、及びフォトダイオード部３０と垂直ＣＣＤ部５０との間に介在するトランスファゲート部４が並設されている。この場合、Ｐ型ウェル２内に、選択的に、フォトダイオード部３０の一部であるＮ型領域３が設けられ、Ｎ型領域３に隣接するトランスファゲート部４を挟んで、垂直ＣＣＤ部５０の一部であるＮ型ウェル５が設けられている。チャネルストッパ部９は、一の単位セルの垂直ＣＣＤ部５０及び後述するトレンチ（又はフォトダイオード部３０）に隣接し、更に、他の単位セルのフォトダイオード部３０（又は垂直ＣＣＤ部５０及び前記トレンチ）に隣接している。
Ｎ型領域３の上面、即ちフォトダイオード部３０の上部には、フォトダイオード部３０の表面安定化のための表面Ｐ＋層１０が設けられている。また、表面Ｐ＋層１０、チャネルストッパ９、及び後述する転送電極７の上面は、酸化膜６に覆われている。
【００２７】
また、Ｐ型ウェル２には、一の単位セルのフォトダイオード部３０と、該フォトダイオード部３０に隣接していないチャネルストッパ９とに挟まれるようにして、トレンチが形成されており、該トレンチは、その底面の一部にトランスファゲート部４及び垂直ＣＣＤ部５０のＮ型ウェル５の上面を有する。また、該トレンチ内の底面及び側面は、酸化膜６に覆われており、該酸化膜６上のトレンチ内部に、例えばポリシリコンを用いてなる転送電極７が配置されている。また、転送電極７の上面は、フォトダイオード部３０の上面と略同じ高さにある。
このようにして、１層目の（即ち、複数層の転送電極７，８の内、Ｎ型シリコン基板１側に位置する）転送電極７は、絶縁膜である酸化膜６を介して、トランスファゲート部４及び垂直ＣＣＤ部５０のＮ型ウェル５の上面に形成されており、かつ、Ｐ型ウェル２内に埋設されている。また、転送電極７の上面とフォトダイオード部３０の上面とは略同一平面上に位置している。
【００２８】
転送電極７上には、酸化膜６を介して、例えばポリシリコンを用いてなる２層目の転送電極８が形成されている。即ち、転送電極７，８は、絶縁膜である酸化膜６を介して、トランスファゲート部４及び垂直ＣＣＤ部５０のＮ型ウェル５の上面に形成されており、更に、転送電極８は、Ｐ型ウェル２の上面側に積層されている。
また、転送電極７，８の上面及び側面を、酸化膜６を介して、例えばＷを用いてなる遮光膜１１が覆っている。
【００２９】
更に、Ｎ型シリコン基板１の上面側、即ち遮光膜１１上及び酸化膜６上を、転送電極８による凹凸を平坦化させるための平坦化膜１２が覆い、更に、平坦化膜１２及び酸化膜６を介してフォトダイオード部３０の上側に、集光レンズであるマイクロレンズ１３が形成されている。
また、図３に示すように、転送電極７，７，…（又は転送電極８，８，…）の間には、転送電極７，７，…（又は転送電極８，８，…）を夫々電気的に遮断するための間隔７０，７０，…（又は間隔８０，８０，…）が設けられており、転送電極７上に（酸化膜６を介して）転送電極８が積層されたオーバーラップ領域７８が設けられている。
【００３０】
図１の矢符に示すように、フォトダイオード部３０で光電変換され、蓄積された電荷は、トランスファゲート部４を経て、垂直ＣＣＤ部５０に集められる。このとき、転送電極７，８に、交互にパルス電圧が印加されることによって、垂直ＣＣＤ部５０に集められた電荷が、順次水平ＣＣＤ部１５へ転送され、更に、出力部１６へ水平転送され、該出力部１６で信号電圧に変換されて出力される。以上のようにして固体撮像素子は画像を検知する。
【００３１】
図４及び図５は、固体撮像素子の形成手順の説明図である。
まず、Ｎ型シリコン基板１上に、フォトリソグラフィー法でマスクとなるレジストパターンを形成し、イオン注入によりＰ型ウェル２を形成する。次いで、更にレジストパターンをマスクにして、Ｐ型ウェル２をエッチングし、１層目の転送電極７に相当する位置に、深さ数千Åのトレンチを形成する（図４（ａ））。この深さは、転送電極７及びトレンチ内に形成される酸化膜６の厚さである。
次に、前記トレンチの底面及び側面を含むＰ型ウェル２上に、酸化膜６を形成し、更に、レジストパターンをマスクにしたイオン注入によって、垂直ＣＣＤ部５０のＮ型ウェル５、チャネルストッパ部９、及びトランスファゲート部４を夫々設ける（図４（ｂ））。
なお、必要な注入プロファイルが達成できるのならば、イオン注入の後に、トレンチ、酸化膜６の形成を行なうことで、トレンチ段差によるイオン注入時のレジストパターン加工精度低下を回避できる。
【００３２】
次いで、転送電極７となすべき転送電極材（例えばポリシリコン）を用い、前記トレンチの底面を含むＰ型ウェル２上面にポリシリコン膜を形成した後、転送電極７の上面がフォトダイオード部３０上面と略同じ高さになるように、エッチバックを行なう。即ち、トレンチ外部のポリシリコン膜及び酸化膜をエッチング除去して平坦化することにより、転送電極７を形成する（図４（ｃ））。
次に、転送電極７及びＰ型ウェル２上面に酸化膜６を形成し、酸化膜６を介して、転送電極７の上面に、２層目の転送電極８をフォトエッチングにより形成する（図５（ａ））。即ち、形成された酸化膜６上に、転送電極８となるポリシリコン膜を形成し、次いで、形成されたポリシリコン膜上にレジストパターンを形成し、更に、エッチングを行なうことによって転送電極８を形成する。
【００３３】
更に、フォトダイオード部３０のＮ型領域３及び表面Ｐ＋層１０を、イオン注入により順次形成し、次いで、転送電極８の上面及び側面を覆う酸化膜６を形成し、更に、例えばＷデポ及びエッチングにより、酸化膜６を介して転送電極７，８の上面及び側面を覆う遮光膜１１を形成する（図５（ｂ））。
最後に、平坦化膜１２及びマイクロレンズ１３を形成することによって、図２に示すような固体撮像素子を形成する。
【００３４】
以上のような固体撮像素子は、図４（ｃ）に示すように、２層目の転送電極８となすべきポリシリコン膜の形成前に、単位セルの上面が平坦になっている。即ち、転送電極７による段差が存在しない。このため、形成されたポリシリコン膜の上面が平坦となり、フォトレジスト塗布時に、レジスト膜の膜厚も、単位セルの上面内で一定となる。
また、トレンチ形成工程及びエッチバック工程は、夫々１回のみであり、このため転送電極７，８の形成工程は簡易である。
【００３５】
なお、本実施の形態においては、２層の転送電極の内、１層の転送電極を埋設してある固体撮像素子を例示しているが、Ｎ層（Ｎは３以上の自然数）の転送電極の内、１層以上Ｎ層未満の転送電極を埋設してある固体撮像素子であっても良い。この場合、Ｎ層全てを埋設してある固体撮像素子に比べて転送電極の形成工程が簡易であり、また、Ｎ層全てがＰ型ウェル２の上面側に積層してある固体撮像素子に比べて加工精度及び均一性が向上している。
【００３６】
実施の形態  ２．
図６は、本発明の実施の形態２に係る固体撮像素子が備える単位セルの断面図である。
本実施の形態においては、平坦化膜１２上にカラーフィルタ層１７が形成されており、フォトダイオード部３０の上側のカラーフィルタ層１７上に、マイクロレンズ１３が形成されている。
その他、実施の形態１に対応する部分には同一符号を付してそれらの説明を省略する。
【００３７】
以上のような固体撮像素子は、実施の形態１の固体撮像素子と同様に、２層目の転送電極８となすべきポリシリコン膜の形成前に、転送電極７による段差が存在しないため、形成されたポリシリコン膜の上面が平坦となり、フォトレジスト塗布時にレジスト膜の膜厚も、単位セルの上面内で一定となる。また、転送電極７，８の形成工程は簡易である。更に、このような固体撮像素子は、カラー画像を検知する。
【００３８】
【発明の効果】
本発明の固体撮像素子によれば、複数層の転送電極の内、下層の転送電極を他導電型ウェルに埋設することにより、上層の転送電極の加工精度を飛躍的に向上させ、また、転送電極の均一性を向上しているため、単位セルの微細化によっても、転送電極のオーバーラップ不良、又は単位セル夫々の形状のバラツキ等の加工不良を防止することができる。即ち、このような固体撮像素子は、転送電極間の合わせマージンを確保することができ、また、単位セル間の性能差／転送差を低減することができる。
【００３９】
また、このような固体撮像素子を用いた場合、画像ムラ等の不良を防止することができる。また、固体撮像素子を形成する場合に、複雑な工程を必要としない。
更に、このような固体撮像素子がカラーフィルタ層を備える場合、転送電極の加工精度及び均一性が向上された固体撮像素子でカラー画像を検知することができる等、本発明は優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係る固体撮像素子の平面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る固体撮像素子が備える単位セルの断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る固体撮像素子が備える転送電極の断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る固体撮像素子の形成手順の説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る固体撮像素子の形成手順の説明図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る固体撮像素子が備える単位セルの断面図である。
【図７】従来の固体撮像素子が備える単位セルの断面図である。
【図８】従来の固体撮像素子が備える転送電極の平面視の配置図である。
【図９】従来の固体撮像素子が備える転送電極の形成手順の説明図である。
【図１０】従来の他の固体撮像素子が備える単位セルの断面図である。
【図１１】従来の他の固体撮像素子が備える転送電極の形成手順の説明図である。
【図１２】従来の他の固体撮像素子が備える転送電極の形成手順の説明図である。
【図１３】従来の更に他の固体撮像素子が備える単位セルの断面図である。
【符号の説明】
１  Ｎ型シリコン基板
２  Ｐ型ウェル
３０  フォトダイオード部
４  トランスファゲート部
５０  垂直ＣＣＤ部
６  酸化膜
７，８転送電極
１２  平坦化膜
１３  マイクロレンズ
１７  カラーフィルタ層
【図１】
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【図２】
2004228328.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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