(57)【要約】【課題】プラズマダメージを少なくできるスパッタリング法により保護膜を成膜して外部からの水分や酸素等の侵入を防止できる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び装置を提供する。【解決手段】本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法においては、二つのターゲットに交流を印加するスパッタリング法を用いて保護膜が形成される。また本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置は、上部に保護層を形成すべき有機エレクトロルミネッセンス素子の上面に対して３０〜７０度の角度を成して配置され、各々交流電力の印加される保護層構成材質の二つのターゲットを備えたスパッタリング装置を有する。【選択図】　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明または半透明の基板上に、少なくとも正孔を注入する陽極と、発光領域を備えた発光層と、電子を注入する陰極と、上部に設けられた保護層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、二つのターゲットに交流を印加するスパッタリング法を用いて上記保護膜を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
二つのターゲットの成す角度が３０〜７０度であることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】
二つの各ターゲットと処理すべき有機エレクトロルミネッセンス素子との距離が１００ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】
透明または半透明の基板上に、少なくとも正孔を注入する陽極と、発光領域を備えた発光層と、電子を注入する陰極と、上部に設けられた保護層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置において、上部に保護層を形成すべき有機エレクトロルミネッセンス素子の上面に対して３０〜７０度の角度を成して配置され、各々交流電力の印加される保護層構成材質の二つのターゲットを備えたスパッタリング装置を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、種々の表示装置、それら装置の光源又はバックライト、或いは光通信機器に使用される発光素子等に用いられ得る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
エレクトロルミネッセンス素子は、固体蛍光性物質の電界発光を利用した発光素子であり、無機系材料を発光体として用いた無機エレクトロルミネッセンス素子と有機材料を用いたエレクトロルミネッセンス素子とがある。最初に実用化されたのは無機エレクトロルミネッセンス素子で、液晶ディスプレイのバックライト等に利用されてきた。一方、有機材料を用いたエレクトロルミネッセンス素子は初期の開発研究では発光効率が非常に悪く、本格的な実用化研究へは進展しなかったが、その後の研究開発により１９８７年代には有機材料を正孔輸送層と発光層とに分けた機能分離型の積層構造をもち、１０Ｖ以下の低電圧でも１０００ｃｄ／ｍ２以上の高い発光輝度が得られる有機エレクトロルミネッセンス素子が提案された。その後、同様な機能分離型の積層構造をもつ有機エレクトロルミネッセンス素子についての研究が盛んに行われるようになり、実用化されるようになってきた。
【０００３】
添付図面の図７には、従来構造の有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示している。図７に示す有機エレクトロルミネッセンス素子は、ガラス等の透明又は半透明の基板１上に、陽極２、正孔輸送層３、発光層４、陰極５を順に積層した構造をもっている。陽極２はＩＴＯ等の透明な導電性膜から成り、スパッタリング法や抵抗加熱蒸着法等により形成される。正孔輸送層３は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン等から成り、抵抗加熱蒸着法等により形成される。発光層４は８−ヒドロキシキノリンアルミニウム等から成り、正孔輸送層３と同様に抵抗加熱蒸着法等により形成される。また陰極５は、１００ｎｍ〜３００ｎｍの膜厚の金属膜から成り、同様に抵抗加熱蒸着法等により形成される。
【０００４】
このように構成した従来の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、陽極２をプラス極、陰極５をマイナス極として、これら電極に直流電圧又は直流電流を印加することにより、陽極２から正孔輸送層３を介して発光層４に正孔が注入され、陰極５から発光層４には電子が注入される。これにより発光層４内で正孔と電子の再結合が生じ、これに伴って生成される励起子は励起状態から基底状態へ移行し、発光する。
【０００５】
この種の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、特性を向上するために多くの場合陰極に活性の高い合金材料が使用されている。そのため、空気中の水分や酸素との反応による腐食や酸化が生じ易い。このように腐食や酸化により陰極が劣化すると、発光層内にダークスポットと呼ばれる未発光部が著しく成長され、有機エレクトロルミネッセンス素子における経時的な特性劣化の原因となっている。またこの種の有機エレクトロルミネッセンス素子では、陰極の他に、発光層や正孔輸送層等の有機薄膜層に用いられる有機材料においても、一般に水分や酸素との反応によって構造の変化が生じるため、同様にダークスポットを成長させる原因となっている。
【０００６】
ダークスポットの成長に関して、例えば１０−４Ｔｏｒｒ程度の真空中に存在するような極微量の水分であっても、ダークスポットの成長を促進させてしまうことが従来報告されている。従って、ダークスポットの成長を完全に抑制し、有機エレクトロルミネッセンス素子の耐久性や信頼性を高めるためには、有機エレクトロルミネッセンス素子全体を封止して陰極や有機薄膜層に用いる材料と水分や酸素との反応を防止する必要がある。
【０００７】
有機エレクトロルミネッセンス素子の封止については、従来多くの提案がなされてきた。例えば、絶縁性無機化合物からなる保護膜を形成した後、電気絶縁ガラス又は電気絶縁性気密流体によりシールドする方法、封着した気密容器内に乾燥剤を封入する方法等がある。しかし、これらの従来の解決方法では、有機エレクトロルミネッセンス素子の特徴である薄型化が損なわれ、今後需要が高まるとみられるフィルム化に対応することは困難である。
【０００８】
フィルム化に対応した封止方法としては、保護膜を形成して有機エレクトロルミネッセンス素子を被覆することが提案されており、例えばＳｉ３Ｎ４やダイアモンドのような炭素膜等をＥＣＲプラズマＣＶＤ法により有機エレクトロルミネッセンス素子の外表面に形成する方法が提案されている。
【０００９】
また、ダークスポットの成長は、ダークスポットの中心部に核となる物質が存在し、この核部を介して水分が素子部へと進入することが原因であるとの報告がある。ところで核はサブミクロン程度から数十ミクロン程度まで種々の大きさをもっており、これら全ての核への水分の侵入を防ぐための保護膜としては膜単体での透湿性が低くしかも厚膜形成が可能であるという特性をもたなければならない。しかし、上述の従来の方法では上記の特性を満足できる保護膜を提供することができない。
【００１０】
さらに、ダークスポット成長と同様な現象として、発光面端部から非発光領域が次第に成長していくことも報告されている。有機エレクトロルミネッセンス素子の端部では有機材料が剥き出しになっており、そこから水分が進入することに起因するものであり、特に発光面を高精細のドット状に形成した場合にその影響が非常に大きなものとなる。このような発光面端部からの非発光領域成長を抑制する手段として満足できるものは従来提案されていない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造において、上記問題点が発生する原因として、保護膜をスパッタ法により成膜する時のプラズマダメージが一つとしてあげられる。
【００１２】
そこで、本発明は、このプラズマダメージを少なくできるスパッタリング法により保護膜を成膜して外部からの水分や酸素等の侵入を防止できる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び装置を提供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明によれば、透明または半透明の基板上に、少なくとも正孔を注入する陽極と、発光領域を備えた発光層と、電子を注入する陰極と、上部に設けられた保護層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、二つのターゲットに交流を印加するスパッタリング法を用いて上記保護膜を形成することを特徴としている。
【００１４】
好ましくは、処理すべき素子の表面に対して二つのターゲットの成す角度は３０〜７０度に設定され得る。
【００１５】
二つの各ターゲットと処理すべき有機エレクトロルミネッセンス素子との距離は好ましくは１００ｍｍ以上に設定され得る。
【００１６】
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置は、上部に保護層を形成すべき有機エレクトロルミネッセンス素子の上面に対して３０〜７０度の角度を成して配置され、各々交流電力の印加される保護層構成材質の二つのターゲットを備えたスパッタリング装置を有することを特徴としている。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１には、本発明によって製造される有機エレクトロルミネッセンス素子の構成を示している。図１に示す有機エレクトロルミネッセンス素子において、透明または半透明の基板１上に、少なくとも正孔を注入する陽極２と、正孔輸送層３と、発光領域を備えた発光層４と、電子を注入する陰極５と、上部に設けられた保護層６とを有している。上部に設けられた保護層６の少なくとも一部分はシリコン窒化酸化物層として形成される。
【００１８】
基板１上における陽極２、正孔輸送層３、発光層４及び陰極５の形成については、従来法により形成され得る。
例えば、ＩＴＯパターン付ガラス基板は、スパッタリング法により、ガラス基板１上に陽極２として膜厚１２０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、フォトレジスト（東京応化工業社製、ＯＦＰＲ−８００）をスピンコート法により塗布し、厚さ２μｍのレジスト膜を形成し、次にマスク露光、現像し、レジスト膜をパターニングしたあと、ＨＩガスを用いたＲＩＥ法によりＩＴＯ膜をドライエッチングし、レジスト膜を剥離して、得られる。
【００１９】
正孔輸送層３は、ＩＴＯ付ガラス基板１をオゾン処理及び紫外線処理でクリーニングしてから、抵抗加熱蒸着装置を用いてＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を成膜速度０．２ｎｍ／ｓで２０ｎｍの膜厚で成膜して得られる。
【００２０】
発光層４は、８−ヒドロキシキノリンアルミニウムを抵抗加熱蒸着装置を用いて成膜速度０．３ｎｍ／ｓで膜厚３５ｎｍで成膜して得られる。
【００２１】
陰極５は、抵抗加熱蒸着装置を用いて１５原子％のＬｉを含むＡｌ−Ｌｉ合金を２００ｎｍの膜厚で成膜して得られる。
【００２２】
図２には、本発明の方法を実施するための製造装置の一実施の形態を概略的に示し、図示装置は反応性交流マグネトロンスパッタリング装置から成っている。図２において、１０は基板の搬入、搬出室であり、１１はスパッタリング室である。スパッタリング室１１は図示していない排気系統に接続されている。スパッタリング室１１と基板の搬入、搬出室１０は仕切りバルブ１２で仕切られている。スパッタリング室１１には、基板ホルダ１３が配置され、この基板ホルダ１３に基板すなわち処理すべき有機エレクトロルミネッセンス素子１４が装着される。また、スパッタリング室１１には、基板１４の表面に対して角度θを成して二つのターゲット１５、１６が配置され、各ターゲット１５、１６は共通の交流電源（４０ＫＨｚ）１７に接続されている。従って一方のターゲット１５がカソードとして機能している時には他方のターゲットがアノードとして機能する。なお図示していないが、各ターゲット１５、１６には適当な磁場印加手段が組み込まれている。
【００２３】
以下、このように構成したスパッタリング装置を用いて有機エレクトロルミネッセンス素子に保護膜を形成した実施例について説明する。
【００２４】
【実施例１】
図２に示す反応性ＡＣマグネトロンスパッタリング装置において、各ターゲット１５、１６としてＳｉターゲットを用い、スパッタリング室１１にＡｒガスを３０ｓｃｃｍ、Ｎ２ガスを２０ｓｃｃｍ供給し、電力を１ｋＷ投入し、スパッタリング室１１内の圧力を０．４Ｐａにして成膜をした。各ターゲット１５、１６と基板１４との間の距離は１００ｍｍとし、ターゲット１５、１６の取付け角度は３０度とした。プラズマダメージの評価はＭＮＯＳ法により行った。
【００２５】
【実施例２】
図２に示す反応性ＡＣマグネトロンスパッタリング装置において、各ターゲット１５、１６としてＳｉターゲットを用い、スパッタリング室１１にＡｒガスを３０ｓｃｃｍ、Ｎ２ガスを２０ｓｃｃｍ供給し、電力を１ｋＷ投入し、スパッタリング室１１内の圧力を０．４Ｐａにして成膜をした。各ターゲット１５、１６と基板１４との間の距離は１００ｍｍとし、ターゲット１５、１６の取付け角度は４５度とした。プラズマダメージの評価はＭＮＯＳ法により行った。
【００２６】
【実施例３】
図２に示す反応性ＡＣマグネトロンスパッタリング装置において、各ターゲット１５、１６としてＳｉターゲットを用い、スパッタリング室１１にＡｒガスを３０ｓｃｃｍ、Ｎ２ガスを２０ｓｃｃｍ供給し、電力を１ｋＷ投入し、スパッタリング室１１内の圧力を０．４Ｐａにして成膜をした。各ターゲット１５、１６と基板１４との間の距離は１００ｍｍとし、ターゲット１５、１６の取付け角度は７０度とした。プラズマダメージの評価はＭＮＯＳ法により行った。
【００２７】
【実施例４】
図２に示す反応性ＡＣマグネトロンスパッタリング装置において、各ターゲット１５、１６としてＳｉターゲットを用い、スパッタリング室１１にＡｒガスを３０ｓｃｃｍ、Ｎ２ガスを２０ｓｃｃｍ供給し、電力を１ｋＷ投入し、スパッタリング室１１内の圧力を０．４Ｐａにして成膜をした。各ターゲット１５、１６と基板１４との間の距離は１５０ｍｍとし、ターゲット１５、１６の取付け角度は３０度とした。プラズマダメージの評価はＭＮＯＳ法により行った。
【００２８】
【実施例５】
図２に示す反応性ＡＣマグネトロンスパッタリング装置において、各ターゲット１５、１６としてＳｉターゲットを用い、スパッタリング室１１にＡｒガスを３０ｓｃｃｍ、Ｎ２ガスを２０ｓｃｃｍ供給し、電力を１ｋＷ投入し、スパッタリング室１１内の圧力を０．４Ｐａにして成膜をした。各ターゲット１５、１６と基板１４との間の距離は１５０ｍｍとし、ターゲット１５、１６の取付け角度は４５度とした。プラズマダメージの評価はＭＮＯＳ法により行った。
【００２９】
【実施例６】
図２に示す反応性ＡＣマグネトロンスパッタリング装置において、各ターゲット１５、１６としてＳｉターゲットを用い、スパッタリング室１１にＡｒガスを３０ｓｃｃｍ、Ｎ２ガスを２０ｓｃｃｍ供給し、電力を１ｋＷ投入し、スパッタリング室１１内の圧力を０．４Ｐａにして成膜をした。各ターゲット１５、１６と基板１４との間の距離は１５０ｍｍとし、ターゲット１５、１６の取付け角度は７０度とした。プラズマダメージの評価はＭＮＯＳ法により行った。
【００３０】
【実施例７】
図２に示す反応性ＡＣマグネトロンスパッタリング装置において、各ターゲット１５、１６としてＳｉターゲットを用い、スパッタリング室１１にＡｒガスを３０ｓｃｃｍ、Ｎ２ガスを２０ｓｃｃｍ供給し、電力を１ｋＷ投入し、スパッタリング室１１内の圧力を０．４Ｐａにして成膜をした。各ターゲット１５、１６と基板１４との間の距離は２００ｍｍとし、ターゲット１５、１６の取付け角度は３０度とした。プラズマダメージの評価はＭＮＯＳ法により行った。
【００３１】
【実施例８】
図２に示す反応性ＡＣマグネトロンスパッタリング装置において、各ターゲット１５、１６としてＳｉターゲットを用い、スパッタリング室１１にＡｒガスを３０ｓｃｃｍ、Ｎ２ガスを２０ｓｃｃｍ供給し、電力を１ｋＷ投入し、スパッタリング室１１内の圧力を０．４Ｐａにして成膜をした。各ターゲット１５、１６と基板１４との間の距離は２００ｍｍとし、ターゲット１５、１６の取付け角度は４５度とした。プラズマダメージの評価はＭＮＯＳ法により行った。
【００３２】
【実施例９】
図２に示す反応性ＡＣマグネトロンスパッタリング装置において、各ターゲット１５、１６としてＳｉターゲットを用い、スパッタリング室１１にＡｒガスを３０ｓｃｃｍ、Ｎ２ガスを２０ｓｃｃｍ供給し、電力を１ｋＷ投入し、スパッタリング室１１内の圧力を０．４Ｐａにして成膜をした。各ターゲット１５、１６と基板１４との間の距離は２００ｍｍとし、ターゲット１５、１６の取付け角度は７０度とした。プラズマダメージの評価はＭＮＯＳ法により行った。
【００３３】
【比較例１】
図２に示す反応性ＡＣマグネトロンスパッタリング装置において、各ターゲット１５、１６としてＳｉターゲットを用い、スパッタリング室１１にＡｒガスを３０ｓｃｃｍ、Ｎ２ガスを２０ｓｃｃｍ供給し、電力を１ｋＷ投入し、スパッタリング室１１内の圧力を０．４Ｐａにして成膜をした。各ターゲット１５、１６と基板１４との間の距離は１００ｍｍとし、ターゲット１５、１６の取付け角度は０度とした。プラズマダメージの評価はＭＮＯＳ法により行った。
【００３４】
【比較例２】
図２に示す反応性ＡＣマグネトロンスパッタリング装置において、各ターゲット１５、１６としてＳｉターゲットを用い、スパッタリング室１１にＡｒガスを３０ｓｃｃｍ、Ｎ２ガスを２０ｓｃｃｍ供給し、電力を１ｋＷ投入し、スパッタリング室１１内の圧力を０．４Ｐａにして成膜をした。各ターゲット１５、１６と基板１４との間の距離は１００ｍｍとし、ターゲット１５、１６の取付け角度は９０度とした。プラズマダメージの評価はＭＮＯＳ法により行った。
【００３５】
【比較例３】
図２に示す反応性ＡＣマグネトロンスパッタリング装置において、各ターゲット１５、１６としてＳｉターゲットを用い、スパッタリング室１１にＡｒガスを３０ｓｃｃｍ、Ｎ２ガスを２０ｓｃｃｍ供給し、電力を１ｋＷ投入し、スパッタリング室１１内の圧力を０．４Ｐａにして成膜をした。各ターゲット１５、１６と基板１４との間の距離は１５０ｍｍとし、ターゲット１５、１６の取付け角度は０度とした。プラズマダメージの評価はＭＮＯＳ法により行った。
【００３６】
【比較例４】
図２に示す反応性ＡＣマグネトロンスパッタリング装置において、各ターゲット１５、１６としてＳｉターゲットを用い、スパッタリング室１１にＡｒガスを３０ｓｃｃｍ、Ｎ２ガスを２０ｓｃｃｍ供給し、電力を１ｋＷ投入し、スパッタリング室１１内の圧力を０．４Ｐａにして成膜をした。各ターゲット１５、１６と基板１４との間の距離は１５０ｍｍとし、ターゲット１５、１６の取付け角度は９０度とした。プラズマダメージの評価はＭＮＯＳ法により行った。
【００３７】
【比較例５】
図２に示す反応性ＡＣマグネトロンスパッタリング装置において、各ターゲット１５、１６としてＳｉターゲットを用い、スパッタリング室１１にＡｒガスを３０ｓｃｃｍ、Ｎ２ガスを２０ｓｃｃｍ供給し、電力を１ｋＷ投入し、スパッタリング室１１内の圧力を０．４Ｐａにして成膜をした。各ターゲット１５、１６と基板１４との間の距離は２００ｍｍとし、ターゲット１５、１６の取付け角度は０度とした。プラズマダメージの評価はＭＮＯＳ法により行った。
【００３８】
【比較例６】
図２に示す反応性ＡＣマグネトロンスパッタリング装置において、各ターゲット１５、１６としてＳｉターゲットを用い、スパッタリング室１１にＡｒガスを３０ｓｃｃｍ、Ｎ２ガスを２０ｓｃｃｍ供給し、電力を１ｋＷ投入し、スパッタリング室１１内の圧力を０．４Ｐａにして成膜をした。各ターゲット１５、１６と基板１４との間の距離は２００ｍｍとし、ターゲット１５、１６の取付け角度は９０度とした。プラズマダメージの評価はＭＮＯＳ法により行った。
【００３９】
各実施例及び比較例における測定結果を表１に示す。
【００４０】
【表１】
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【００４１】
表１において、比較例に示したようにターゲット取付け角度が０度のときはフラットバンドシフトがほとんどないが、成膜速度が非常に遅く、実用的でない。一方、角度が９０度のときは成膜速度は非常に速いが、フラットバンドシフトが非常に大きく、やはり実用的ではない。これに対して実施例に示すように、ターゲット取付け角度が３０〜７０度のときにフラットバンドシフトが小さく、かつ成膜速度も速いことがわかる。
【００４２】
図３は、図２に示す装置においてターゲット取付け角度を一定にして各ターゲット１５、１６と基板１４との間の距離を種々変えた時のダメージ評価の例を示すグラフである。また図４は各ターゲット１５、１６と基板１４との間の距離を一定にしてターゲット取付け角度を種々変えた時のダメージ評価の例を示すグラフである。これらのグラフから各ターゲット１５、１６と基板１４との間の距離が長くなり、ターゲット取付け角度が３０度程度と小さい方がフラットバンドシフトが小さくなることが認められる。
【００４３】
図５には、スパッタリング室１１内の圧力と発生する応力との関係を示し、また図６にはスパッタリング室１１内の圧力と成膜速度との関係を示す。これらのグラフから、成膜時に発生する応力はスパッタリング室１１内の圧力の変化に応じて大きく変化し、１．４Ｐａ程度でほぼゼロになっている。一方、成膜速度はスパッタリング室１１内の圧力の変化してもほぼ一定に維持されることが判る。従って発生する応力を低く抑えるにはスパッタリング室１１内の圧力を１．４Ｐａ程度にするのが好ましい。
【００４４】
以上説明してきたように、本発明によれば、透明または半透明の基板上に、少なくとも正孔を注入する陽極と、発光領域を備えた発光層と、電子を注入する陰極と、上部に設けられた保護層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造において、二つのターゲットに交流を印加するスパッタリング法を用いて保護膜を形成することにより、一方のターゲットがカソードのときに他方のターゲットがアノードとして機能するため、電子の移動やＡｒのようなキャリアガスイオンの移動は、ターゲット間で行われ、基板には、ほとんど電子やＡｒイオンなどが到達しないため、ダメージが小さくなる。従ってダークスポットの原因となる外部からの水分、酸素等の浸入を防止することが可能となる。
【００４５】
また、本発明においては、処理すべき素子の表面に対して二つのターゲットの成す角度は３０〜７０度に設定することによって、プラズマダメージを低く抑えて成膜速度を高く維持することができ、従ってダメージを小さくして高い成膜効率を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態における有機エレクトロルミネッセンス素子の要部断面図。
【図２】本発明を実施している成膜装置の一実施の形態を示す概略線図。
【図３】図２に示す装置においてターゲット取付け角度を一定にして各ターゲットと基板との間の距離を種々変えた時のダメージ評価の例を示すグラフ。
【図４】図２に示す装置において各ターゲットと基板との間の距離を一定にしてターゲット取付け角度を種々変えた時のダメージ評価の例を示すグラフ。
【図５】スパッタリング室内の圧力と発生する応力との関係を示すグラフ。
【図６】スパッタリング室内の圧力と成膜速度との関係を示すグラフ。
【図７】従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す要部断面図。
【符号の説明】
１：基板
２：陽極
３：正孔輸送層
４：発光層
５：陰極
６：保護層
１０：基板の搬入、搬出室
１１：スパッタリング室
１２：仕切りバルブ
１３：基板ホルダ
１４：処理すべき有機エレクトロルミネッセンス素子
１５：ターゲット
１６：ターゲット
１７：交流電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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