(57)【要約】【課題】低誘電率層との同時焼成が可能で、アルミナよりも高い熱膨張係数を持ち、高強度化でかつ高い絶縁破壊電圧を有する高誘電率層を具備する多層配線基板およびその製法を提供する。【解決手段】高誘電率層１ｂと低誘電率層１ａ、１ｃとが多層に積層された絶縁基板１の表面および／または内部にメタライズ配線層３が配設されてなる多層配線基板において、前記高誘電率層１ｂの厚みをｔ１、前記高誘電率層１ｂ中に存在するボイドの最大径をＤ１としたときに、Ｄ１／ｔ１≦０．３の関係を満足する。【選択図】図１
2004228411.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高誘電率層と低誘電率層とが多層に積層された絶縁基板の表面および／または内部にメタライズ配線層が配設されてなる多層配線基板において、前記高誘電率層の厚みをｔ１、前記高誘電率層中に存在するボイドの最大径をＤ１としたときに、Ｄ１／ｔ１≦０．３の関係を満足することを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記高誘電率層がバリウムホウ珪酸ガラス相３５〜６５質量％と、チタン酸バリウムストロンチウム化合物２０〜５５質量％と珪酸ストロンチウム１０〜３５質量％を含有することを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
高誘電率層の厚みｔ１が２５μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
高誘電率層の、４０〜４００℃における熱膨張係数が９×１０−６／℃以上であり、かつ１ＭＨｚ〜３ＧＨｚにおける比誘電率が１３以上であることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか記載の多層配線基板。
【請求項５】
高誘電率層が一対のメタライズ配線層間に配設され、該一対のメタライズ配線層によって所定の静電容量が引き出されることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか記載の多層配線基板。
【請求項６】
少なくともガラス粉末と高誘電率フィラーとを含有する高誘電率グリーンシート並びに少なくとも低誘電率フィラーを含有する低誘電率グリーンシートを形成する工程と、該高誘電率および低誘電率グリーンシート上にメタライズパターンを形成し積層する工程と、該積層体を焼成する工程とを具備する多層配線基板の製法において、前記高誘電率グリーンシートにおける前記高誘電率フィラーを含む全粉末の平均粒径が２．５μｍ以下であることを特徴とする多層配線基板の製法。
【請求項７】
前記高誘電率グリーンシートがガラス粉末としてバリウムホウ珪酸ガラス粉末を３５〜６５質量％と、高誘電率フィラーとしてチタン酸塩系フィラー粉末を２０〜５５質量％と、高熱膨張フィラーとして珪酸ストロンチウムを１０〜３５質量％とを含有することを特徴とする請求項６に記載の多層配線基板の製法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は多層配線基板およびその製法に関し、特に、高誘電率層と低誘電率層とを同時焼成し、低誘電率層間に高誘電率層を形成してなる多層配線基板およびその製法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
従来より、半導体素子収納用パッケージは絶縁基板用の材料として、アルミナ等のセラミックスや、さらに最近では銅メタライズと同時焼成を可能とした低温焼成磁器が多用され、一方で、ＬＳＩの高速、高周波化に伴うゲート数の増加に対応するために接続端子を増やす工夫がなされ、最も高密度化できる構造としてボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）が実用化されている。
【０００３】
また、近年では、携帯電話などモバイルコンピューティングの発達に伴い、電子機器の小型化および高密度実装化の要求が高まっており、従来、半導体素子収納用パッケージの近傍に配置させていたコンデンサ等の電子部品をパッケージ内に内蔵し、パッケージ自体に機能性を付与することが行われている。
【０００４】
そして、このような高密度実装および高機能化に対応する多層配線基板として、例えば、下記の特許文献１に開示されたものが知られている。この公報に開示された多層配線基板では、基板内にコンデンサを内蔵する工夫がなされ、そのため高誘電率層として、例えば、ＢａＴｉＯ３を主成分とする高誘電率フィラーと、ＢａＯ、ＳｉＯ２を主成分とするガラス成分とを混合して調製された低温焼成磁器が用いられることが記載されている。
【０００５】
また、最近では、上記のＢＧＡ型のような半導体素子収納用パッケージを、プリント基板等の外部回路基板の表面に接続した状態でも高い実装信頼性が得られるように、絶縁基板材料を高熱膨張化する試みが行われているが、上記特許文献１に開示された低温焼成磁器のように、ＢａＯやＳｉＯ２を主成分とするガラス成分に対して、本来、高誘電率を有する誘電体材料の代表であるＢａＴｉＯ３を混在させるようなものでは、低温焼成磁器の高誘電率化を図ることができるものの、プリント基板の熱膨張係数（１５×１０−６／℃）に近づけるほどの高熱膨張化はできなかった。
【０００６】
そこで、高誘電率化した低温焼成磁器を高熱膨張化するために、ＢａＯやＳｉＯ２を主成分とするようなガラス成分とＢａＴｉＯ３等の誘電体材料とを混合したものに、さらに、高熱膨張化用の第３成分として、例えば、熱膨張係数が１８×１０−６／℃と高いクオーツを添加することが行われている。この場合、添加するフィラー粉末の本来の特性を維持できるように、フィラー粉末の平均粒径を、例えば、３μｍ以上まで大きくしたものが用いられている。
【０００７】
【特許文献１】
特開２０００−５８３８１号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このように平均粒径の大きなフィラー粉末を用いた場合には、焼成後の磁器中に、そのフィラー粉末の平均粒径に依存して大きなボイドが形成されやすく、このため高誘電率層の磁器密度が低くなるとともに、この磁器の絶縁破壊電圧が低下するという問題があった。
【０００９】
従って、本発明は、低誘電率層との同時焼成が可能で、アルミナよりも高い熱膨張係数を持ち緻密でかつ高い絶縁破壊電圧を有する高誘電率層を具備する多層配線基板およびその製法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の多層配線基板は、高誘電率層と低誘電率層とが多層に積層された絶縁基板の表面および／または内部にメタライズ配線層が配設されてなる多層配線基板において、前記高誘電率層の厚みをｔ１、前記高誘電率層中に存在するボイドの最大径をＤ１としたときに、Ｄ１／ｔ１≦０．３の関係を満足することを特徴とする。
【００１１】
このように高誘電率層中に形成されるボイド径を小さくすることにより、この高誘電率層を緻密化でき、絶縁破壊電圧を向上できる。
【００１２】
上記多層配線基板では、前記高誘電率層がバリウムホウ珪酸ガラス相３５〜６５質量％と、チタン酸バリウムストロンチウム化合物２０〜５５質量％と珪酸ストロンチウム１０〜３５質量％を含有することが望ましい。多層配線基板を構成する高誘電率層中に、高誘電率で高熱膨張係数を有するチタン酸バリウムストロンチウム化合物に加えて、低温から４００℃までの温度範囲において高い熱膨張係数を有する珪酸ストロンチウムをさらに含有させることにより、高誘電率かつ高熱膨張率の高誘電率層を形成できる。
【００１３】
上記多層配線基板では、この層の高誘電率層の厚みｔ１が２５μｍ以下であることが望ましい。本発明の多層配線基板では、このように高誘電率層中に形成されるボイド径を小さくできることから、高誘電率層が、例えば２５μｍ以下まで薄層化された場合にも、好適に用いることができる。
【００１４】
上記多層配線基板では、高誘電率層の、４０〜４００℃における熱膨張係数が９×１０−６／℃以上であり、かつ１ＭＨｚ〜３ＧＨｚにおける比誘電率が１３以上であることが望ましく、また、本発明の多層配線基板を構成する高誘電率層の１ＭＨｚ〜３ＧＨｚにおける比誘電率が１３以上であれば、多層配線基板内に形成される一対のメタライズ配線層によって、所定の静電容量を引き出すことができる。
【００１５】
本発明の多層配線基板の製法は、少なくとも高誘電率フィラーを含有する高誘電率グリーンシート並びに少なくとも低誘電率フィラーを含有する低誘電率グリーンシートを形成する工程と、該高誘電率および低誘電率グリーンシート上にメタライズパターンを形成し積層する工程と、該積層体を焼成する工程とを具備する多層配線基板の製法において、前記高誘電率グリーンシートにおける前記高誘電率フィラーを含む全粉末の平均粒径が２．５μｍ以下であることを特徴とする。
【００１６】
本発明においては、高誘電率グリーンシートを構成するフィラー粉末として、平均粒径が２．５μｍ以下と小さいものを用いることにより、高誘電率層中に形成されるボイドの最大径を容易に小さくできることから高誘電率層を緻密にでき、高誘電率層の絶縁破壊電圧を容易に高めることができる。
【００１７】
上記多層配線基板の製法では、前記高誘電率グリーンシートがガラス粉末としてバリウムホウ珪酸ガラス粉末を３５〜６５質量％と、高誘電率フィラーとしてチタン酸塩系フィラー粉末を２０〜５５質量％と、高熱膨張フィラーとして珪酸ストロンチウムを１０〜３５質量％とを含有することが望ましい。本発明の多層配線基板を形成するためのフィラー粉末として、高誘電率で高熱膨張係数を有するチタン酸バリウムストロンチウム化合物に加えて、低温から４００℃までの温度範囲において高い熱膨張係数を有する珪酸ストロンチウムをさらに含有させることにより、高誘電率でかつ高熱膨張率の高誘電率層を容易に形成できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の多層配線基板について図１を基に詳細に説明する。
【００１９】
本発明の多層配線基板は、低誘電率層１ａ、１ｃと高誘電率層１ｂが多層に積層された絶縁基板１の表面および／または内部にメタライズ配線層３が配設されている。
【００２０】
この高誘電率層１ｂの上下にＣｕなどの導体から成るメタライズ配線層３を形成し、スルーホール導体４などを経由して絶縁基板１表面のメタライズ配線層３と接続することにより、メタライズ配線層３間で所定の静電容量を取り出すことができる。
【００２１】
高誘電率層１ｂは、その厚みをｔ１、この高誘電率層１ｂ中に存在するボイド１１の最大径をＤ１としたときにＤ１／ｔ１＜０．３の関係を満足することが重要であるが、この高誘電率層１ｂの比誘電率および絶縁性をさらに高めるという理由から、Ｄ１／ｔ１比は０．２４以下であることがさらに望ましい。
【００２２】
また、本発明の高誘電率層１ｂでは、このように形成されるボイドが小さいことから高誘電率層１ｂの厚みｔ１は２５μｍ以下と薄層化することができ、特に、２０μｍ以下であることがより望ましい。
【００２３】
一方、Ｄ１／ｔ１が０．３よりも大きい場合には、ボイド１１のために、高誘電率層１ｂの比誘電率および耐電圧がともに低下する。
【００２４】
そして、このように緻密で高誘電率、高熱膨張の高誘電率層１ｂを形成する成分構成としては、高熱膨張係数および／または高誘電率を有するガラス粉末や各種フィラー粉末を含有することが望ましく、特に、本発明では、ガラス粉末としてバリウムホウ珪酸ガラス相が、フィラー粉末としてチタン酸塩系フィラー粉末を用いることが好ましい。そして、これらの組成としては、例えば、バリウムホウ珪酸ガラス相を３５〜６５質量％と、チタン酸バリウムストロンチウム化合物を２０〜５５質量％と、さらなる高熱膨張化に対して珪酸ストロンチウムを１０〜３５質量％を含有することが望ましく、特性として、４０〜４００℃における熱膨張係数を９×１０−６／℃以上、かつ、１ＭＨｚ〜３ＧＨｚにおける比誘電率を１３以上、特に、同条件での熱膨張係数および比誘電率をそれぞれ９．５×１０−６／℃以上および３７以上にするという点で、高誘電率層１ｂを構成するバリウムホウ珪酸ガラス相は４０〜５０質量％、チタン酸バリウムストロンチウム化合物は２５〜４５質量％、および、珪酸ストロンチウムは１５〜３０質量％の割合であることがより望ましい。この場合、本発明の高誘電率層１ｂは開気孔率が１．５％以下であることが望ましい。
【００２５】
本発明のバリウムホウ珪酸ガラス相自体の特性は、４０〜４００℃における熱膨張係数が８〜１８×１０−６／℃であり、かつ、めっき工程等において耐薬品性を有するものであることが望ましい。ここで、ガラス相の熱膨張係数とは、所定の焼成温度で熱処理された後の熱膨張係数を指すものであり、線膨張係数を意味する。
【００２６】
バリウムホウ珪酸ガラス相の構成成分としては、ＴｉＯ２が０〜１５モル％、ＳｉＯ２が０〜２０モル％、ＢａＯが０〜８０モル％、および、Ｂ２Ｏ３が０〜２０モル％の組成範囲であることが、磁器の焼結性を向上させ、熱膨張係数を高くするという点で望ましく、特に、ＴｉＯ２が１〜５モル％、ＳｉＯ２が５〜１５モル％、ＢａＯが４０〜７０モル％、および、Ｂ２Ｏ３が１０〜２０モル％であることがより望ましい。
【００２７】
チタン酸バリウムストロンチウム化合物としては、ガラス成分との焼結性が良好であり、化学式で、Ｂａ１−ＸＳｒＸＴｉＯ３で表されるものである。ここで、Ｂａ１−ＸＳｒＸＴｉＯ３の特性は、Ｘの値によることが知られ、所望の熱膨張係数および比誘電率を達成するためには、フィラーとしての組成の調整も適宜調整することが必要である。具体的には、後述する実施例から明らかなように、ｘ値が大きくなるに従い、高熱膨張性を達成できる範囲が徐々に狭くなり、ｘ＞０．７では、熱膨張係数の大きいガラス成分を用いないと高熱膨張化が難しくなる。
【００２８】
そして、チタン酸バリウムストロンチウム化合物（Ｂａ１−ＸＳｒＸＴｉＯ３）は、単体での特性として、４０〜４００℃における熱膨張係数が８×１０−６／℃以上、且つ、１ＭＨｚにおける比誘電率が１３以上であることが望ましく、さらには２０以上であることが望ましく、このため、Ｘ＝０．０２〜０．７、特には、Ｘ＝（０．０３〜０．３）の範囲であることがより望ましい。
【００２９】
尚、本発明では、チタン酸バリウムストロンチウム化合物はバリウムホウ珪酸ガラス相との反応が抑えられ、そのままの形で結晶の殆どが残っているものであり、チタン酸バリウムストロンチウム化合物そのものが持つ高い熱膨張率、比誘電率がそのまま材料特性に反映された形で特性が発現されるものである。
【００３０】
低誘電率層１ａ、１ｃは、４０〜４００℃における熱膨張係数が８×１０−６／℃以上であり、かつ１ＭＨｚ〜３ＧＨｚにおける比誘電率が１０未満、誘電正接が５０×１０−４以下であることが、前記高誘電率層１ｂとの同時焼結性、積層安定性および基板の伝送特性を向上させるという点で望ましい。
【００３１】
この低誘電率層１ａ、１ｃを形成する低温焼成磁器は、前記高誘電率層１ｂを構成する前記低温焼成磁器におけるチタン酸塩系フィラーを、前記他の低誘電率のフィラー成分によって置換した組成物からなること、特に、フォルステライト、エンスタタイト、リチウムシリケート、クオーツ、セルシアンのうちの少なくとも１種によって置換した組成物からなることが高熱膨張化の点で望ましい。
【００３２】
これによって、同一のガラス成分から形成されることから、低誘電率層１ａ、１ｃと高誘電率層１ｂとを同時焼成によって形成することができる。
【００３３】
かかる発明によれば、絶縁基板１として用いる低温焼成磁器が、いずれも高熱膨張特性を具備することから、プリント基板等の有機樹脂を含む絶縁基体からなる外部回路基板に実装した状態で、熱サイクルが印加されても、熱膨張差に起因する熱応力の発生を抑制することができる結果、長期にわたり安定した実装が可能となる。しかも、この低温焼成磁器は、高熱膨張特性に加え、高誘電率を有することから、コンデンサとして高い静電容量を引き出すことできる。このためにコンデンサ等の部品を基板に実装する必要がなく、多層配線基板を含めた電子機器の小型化に寄与することができ、しかも信号の伝送損失を低減することができる。さらには、このような低温焼成磁器を用いると、低誘電率の高熱膨張低温焼成磁器との積層化が可能であるために、多層配線基板内に高誘電率の低温焼成磁器を内蔵させることができ、多層配線基板を小型化できる。
【００３４】
本発明における絶縁基板は、例えば、上記組成からなるガラス粉末と、チタン酸塩系フィラー粉末と、熱膨張係数を高める粉末として珪酸ストロンチウムとを混合、成形、焼成して作製される。ガラス粉末とチタン酸塩系フィラー粉末と熱膨張係数を高める粉末とは、ガラス粉末：３５〜６５質量％と、チタン酸塩系フィラー粉末：２０〜５５質量％、熱膨張係数を高める粉末（珪酸ストロンチウム）：１０〜３５質量％の割合で混合、調合する。これは、ガラス粉末が３５質量％よりも少なく、チタン酸塩系フィラー粉末と珪酸ストロンチウムの合計が６５質量％よりも多いと、銅と同時焼成可能な温度域において良好な緻密体が得られず、ガラス粉末が６５質量％よりも多く、チタン酸塩系フィラー粉末と熱膨張係数を高める粉末の合計が３５質量％よりも少ない場合、低温焼成磁器として製造することが難しくなるためである。
【００３５】
本発明のチタン酸バリウムストロンチウム化合物となるチタン酸塩系フィラー粉末は、ＢａＯ、ＳｒＯおよびＴｉＯ２を所定の組成になるように混合したものを一旦温度１２００〜１４００℃で１〜３時間仮焼を行い、チタン酸バリウムストロンチウム化合物を合成する。
【００３６】
熱膨張係数を高める粉末としては珪酸ストロンチウム粉末が好適に用いられる。珪酸ストロンチウム粉末は、ＳｒＯおよびＳｉＯ２を所定の組成になるように混合したものを一旦温度１２００〜１３５０℃で１〜３時間の仮焼を行い、珪酸ストロンチウムを合成する。
【００３７】
また、上記の混合物には、フィラー成分として、前記チタン酸塩系フィラー粉末量が上記の範囲から逸脱しない範囲で、比誘電率、誘電正接、比誘電率の温度変化率、熱膨張係数などの制御のために、チタン酸塩系フィラー粉末の一部を他のフィラー成分で置換することもできる。
【００３８】
用いられる他のフィラー成分としては、クオーツ、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、ペタライト、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ２）、コージェライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２）、ウォラストナイト（ＣａＯ・ＳｉＯ２）、モンティセライト（ＣａＯ・ＭｇＯ・ＳｉＯ２）、ネフェリン（Ｎａ２Ｏ・Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２）、リチウムシリケート（Ｌｉ２Ｏ・ＳｉＯ２）、ジオプサイト（ＣａＯ・ＭｇＯ・２ＳｉＯ２）、メルビナイト（２ＣａＯ・ＭｇＯ・２ＳｉＯ２）、アケルマイト（２ＣａＯ・ＭｇＯ・２ＳｉＯ２）、カーネギアイト（Ｎａ２Ｏ・Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）、エンスタタイト（ＭｇＯ・ＳｉＯ２）、ホウ酸マグネシウム（２ＭｇＯ・Ｂ２Ｏ３）、セルシアン（ＢａＯ・Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）、Ｂ２Ｏ３・２ＭｇＯ・２ＳｉＯ２、ガーナイト（ＺｎＯ・Ａｌ２Ｏ３）、ペタライト（ＬｉＡｌＳｉ４Ｏ１０）などが挙げられる。
【００３９】
このような高誘電率層１ｂおよび低誘電率層１ａ、１ｃを具備する多層配線基板は以下のように製造される。まず、前述したガラス粉末、およびフィラー粉末からなる高誘電率あるいは低誘電率のセラミックス組成物のそれぞれに、適当な有機バインダー、溶剤、可塑材を添加混合することによりスラリーを作製し、かかるスラリーを、循環式ビーズミルあるいはボールミルを用いて所定の平均粒径になるまで粉砕する。本発明においては、粉砕効率と分散性が高いという理由から粉砕方式としては循環式ビーズミルが望ましい。この場合、このスラリーを構成する全粉末の平均粒径（Ｄ５０）は２．５μｍ以下であることが重要であるが、分散性を高めると共にフィラーの比誘電率を確保するという理由から１．５μｍ以下であることがより望ましい。尚、この混合粉砕されたフィラー粉末の最大径（Ｄｍａｘ）は１０μｍ以下、特に、３．２μｍ以下であることが望ましい。ここで、平均粒径は粒度分析における５０％累積値（Ｄ５０）である。
【００４０】
このあと、このようにして混合、粉砕されたスラリーを周知のドクターブレード等の塗工方式によるグリーンシート成形法により、高誘電率グリーンシートおよび低誘電率グリーンシートを作製する。
【００４１】
次に、メタライズ配線層３として、適当な金属粉末に有機バインダー、溶剤、可塑材を添加混合して得た金属ペーストを調製し、前記高誘電率および低誘電率グリーンシート上に周知のスクリーン印刷法により、所定のメタライズパターンを形成する。場合によっては、前記グリーンシートに適当な打ち抜き加工によって貫通孔を形成し、この貫通孔内に導体ペーストを充填する。
【００４２】
次に、上記低誘電率グリーンシートと高誘電率グリーンシートとを積層して積層体を形成し、メタライズパターンとともに同時焼成することにより、コンデンサとして機能する高誘電率層を内蔵する多層配線基板を得ることができる。
【００４３】
また、本発明の多層配線基板は、半導体素子を搭載するための半導体素子収納用パッケージ等として利用するだけでなく、弾性表面波、水晶振動子などを搭載可能な配線基板としても利用でき、さらに低温焼成磁器は、ＬＣフィルタなどの積層電子部品における絶縁体として活用することもできる。
【００４４】
【実施例】
まず、焼成後にバリウムホウ珪酸ガラスとなるガラス粉末として、ＴｉＯ２９．１モル％、ＳｉＯ２１３．６モル％、ＢａＯ５９．１モル％、Ｂ２Ｏ３１８．２モル％の組成を有するガラス粉末Ａを準備した。
【００４５】
次に、チタン酸塩系フィラー粉末は、化合物組成として、Ｂａ０．９５Ｓｒ０．０５ＴｉＯ３になるように、ＢａＯ、ＳｒＯおよびＴｉＯ２を所定量混合して、温度１３００℃で２時間仮焼を行い、チタン酸塩系フィラー（チタン酸バリウムストロンチウム化合物、チタン酸バリウム）粉末を合成した。珪酸ストロンチウムも同じ条件で調製した。この後、アルミナ製磁器のボールミルを用い、溶媒にアセトンを使用して粗粉砕を行った。
【００４６】
そして、ガラス粉末５０質量％に対して、チタン酸塩系フィラー（チタン酸バリウムストロンチウム化合物あるいはチタン酸バリウム）粉末と、珪酸ストロンチウムやクオーツのうち少なくとも１種のフィラー粉末を表１に示す添加量になるように添加し、有機バインダー、溶剤、可塑材、分散剤を加えた。混合方法として循環式ビーズミルを用いて、混合、粉砕を行い、平均粒径（Ｄ５０）を表１に示す値になるようにスラリーを調製した。平均粒径（Ｄ５０）はレーザー回折散乱法を用いて測定した。
【００４７】
次に、このスラリーを用いてドクターブレード法によりそれぞれ焼結後の厚みｔ１が２０、２５、５０μｍになるような高誘電率グリーンシートを作製した。低誘電率グリーンシートも同様の混合、粉砕方法により調製したスラリーを用いて作製した。そして、得られた高誘電率グリーンシートおよび低誘電率グリーンシート上にＣｕを含むメタライズパターンを静電容量測定用の形状になるように印刷し、この後、高誘電率グリーンシートの上下に低誘電率グリーンシートを積層して、焼成を行い、厚み１５０μｍの静電容量測定サンプルを作製した。さらにそのサンプルを切断し、断面を観察することにより、ボイドの最大径Ｄ１を測定し、このＤ１と上記ｔ１との比Ｄ１／ｔ１を求めた。
【００４８】
また、前記方法で得られた高誘電率および低誘電率グリーンシートにそれぞれ所望のパターン形状のＣｕのメタライズパターンを形成し、低誘電率層間に高誘電率層を狭持した多層配線基板を作製し、絶縁破壊電圧を評価した。また、得られた高誘電率層の焼結体に対して、４０〜４００℃における熱膨張係数（α）、３ＧＨｚにおける比誘電率（εｒ）をそれぞれ測定した。
【００４９】
【表１】
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【００５０】
表１の結果から明らかなように、スラリー中のフィラー粉末の平均粒径Ｄ５０を２．５μｍ以下とし、焼成後に形成される高誘電率層中のボイド径Ｄ１とその高誘電率層の厚みｔ１との比Ｄ１／ｔ１を０．３以下とした試料Ｎｏ．１〜５、８、１０では、何れの試料も緻密化され、絶縁破壊電圧を１６Ｖ以上に高めることができた。特に、フィラー粉末としてチタン酸ストロンチウム粉末と珪酸ストロンチウム粉末とを用いた試料Ｎｏ．１〜５では、比誘電率を３７以上に、熱膨張係数を１０．４×１０−６／℃にでき、さらに絶縁破壊電圧を１９Ｖに高めることができた。
【００５１】
さらには、スラリー中のフィラー粉末の平均粒径を１．５μｍとし、Ｄ１／ｔ１比を０．２４以下とした試料Ｎｏ．１、３および４では、絶縁破壊電圧をさらに２０Ｖ以上に高めることができた。また、高誘電率層の厚みｔ１を２５μｍ以下としても絶縁破壊電圧を高く維持できた。
【００５２】
一方、混合、粉砕後のスラリー中のフィラー粉末の平均粒径を２．８μｍ以上とし、Ｄ１／ｔ１比が０．３を越える試料Ｎｏ．６、７および９では、絶縁破壊電圧が何れも８Ｖ以下と低かった。
【００５３】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、本発明の多層配線基板を構成する高誘電率層中に形成されるボイドの最大径を小さくすることにより、緻密で高い絶縁性を有する高誘電率層を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板における一実施例を説明するための概略断面図である。
【符号の説明】
１  絶縁基板
１ａ、１ｃ  低誘電率層
１ｂ  高誘電率層
３  メタライズ配線層
４  スルーホール導体
１１  ボイド
【図１】
2004228411.tif 000004