(57)【要約】【課題】コア基板の表面上方にのみビルドアップ層を有し反りにくく且つ無機繊維などを含む裏面絶縁層に所定の内径の開口部を精度良く形成できる配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】表・裏面４，５を有するコア基板２と、かかる表・裏面４，５に形成した表面配線層８および裏面配線層９と、表・裏面４，５を貫通し且つ表面配線層８および裏面配線層９と接続するスルーホール導体６と、を含む配線基板１の製造方法において、上記コア基板２の裏面５および裏面配線層９の上方に裏面絶縁層１１を形成する積層工程と、かかる裏面絶縁層１１にレーザ加工を施して底面に裏面配線層９が露出する開口部１５を形成する開口工程と、を含み、かかる開口工程は、炭酸ガスレーザＬの中心を上記裏面絶縁層１１に形成する上記開口部１５の中心の周囲に沿って回転させることにより、当該炭酸ガスレーザＬの外径よりも大きな内径の上記開口部１５を形成する、配線基板の製造方法。【選択図】　図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面および裏面を有するコア基板と、かかる表面および裏面に個別に形成した表面配線層および裏面配線層と、上記コア基板の表面と裏面との間を貫通し且つ上記表面配線層および裏面配線層と接続するスルーホール導体と、を含む配線基板の製造方法において、
上記コア基板の裏面および裏面配線層の上方に裏面絶縁層を形成する積層工程と、
上記裏面絶縁層にレーザ加工を施して底面に上記裏面配線層が露出する開口部を形成する開口工程と、を含み、
上記開口工程は、炭酸ガスレーザの中心を上記裏面絶縁層に形成する上記開口部の中心の周囲に沿って回転させることにより、当該炭酸ガスレーザの外径よりも大きな内径の上記開口部を形成する、
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記裏面絶縁層は、無機繊維または有機繊維を含む半硬化性樹脂シートを硬化させたものである、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記配線基板は、前記コア基板の表面および前記表面配線層の上方にのみ、複数の絶縁層とその間に位置する複数の配線層とを含むビルドアップ層が形成されるものである、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記コア基板は、セラミックからなる、
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コア基板の表面上方にのみビルドアップ層を有する配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、低コスト化の要請に応じるため、図７（Ａ）に示すように、コア基板３１の片面（表面）３２上方にのみ複数の絶縁層３５，３９，４１および複数の配線層３４，３７，４０を積層したビルドアップ層ＢＵを形成した配線基板３０が提案されている。上記コア基板３１は、厚み約８００μｍの絶縁板であり、その表面３２上方に厚み約３０μｍの絶縁層３５，３９，４１と厚み約１５μｍの配線層３４，３７，４０とを交互に積層している。
また、図７（Ａ）に示すように、配線層３４，３７，４０間を導通するため、ビア導体３６，３８が絶縁層３５，３９に形成されている。更に、最上層の配線層４０上の所定の位置には、絶縁層（ソルダーレジスト層）４１を貫通し且つ第１主面４３よりも高く突出するハンダバンプ４２が複数形成され、第１主面４３上に実装する図示しないＩＣチップなどの電子部品の端子と個別に接続される。
【０００３】
以上のような配線基板３０おいては、コア基板３１の表面３２側に絶縁層３５，３９，４１と配線層３４，３７，４０とからなるビルドアップ層ＢＵを形成しているのに対し、コア基板３１の裏面３３側には何も形成されていない。
このため、コア基板３１と絶縁層３５，３９，４１との熱膨張率の差により、図７（Ａ）中の一点鎖線で示すように、配線基板３０全体が、当該配線基板３０の厚み方向と垂直方向の長さ３３０ｍｍに対し、厚み方向に約４〜５ｍｍ変形した反りを生じることがある。かかる反りにより、例えば配線層３４，３７，４０、ビア導体３６，３８、およびハンダバンプ４２相互間の接続が不十分になるため、これらの間において導通が取れなくなる、という問題があった。
また、ハンダバンプ４２に電子部品を実装する際して、接続が不十分になる、という問題もあった。
【０００４】
以上の問題点を解決するため、図７（Ｂ）に示すような配線基板５０も検討されている。即ち、配線基板５０は、厚み約８００μｍの絶縁板であるコア基板５１と、その表面５２上方に厚み約３０μｍの絶縁層６０，６６，７２と厚み約１５μｍの配線層５８，６４，７０とを交互に積層したビルドアップ層ＢＵと、コア基板５１の裏面５３に形成した厚み約１５μｍの配線層５９および厚みが約４０μｍの裏面絶縁層（ソルダーレジスト層）６１と、を備えている。
コア基板５１には、その表面５２と裏面５３との間を貫通する複数のスルーホール５４が形成され、それらの内壁に沿ってスルーホール導体５６および充填樹脂５７が形成されている。各スルーホール導体５６は、上端と下端で配線層５８，５９と接続している。
【０００５】
図７（Ｂ）に示すように、上記配線層５８，６４，７０間を導通するため、ビア導体６２，６８が絶縁層６０，６６に形成されている。最上層の配線層７２上の所定の位置には、絶縁層（ソルダーレジスト層）７２を貫通し且つ第１主面７４よりも高く突出するハンダバンプ７６が複数形成され、第１主面７４上に実装する図示しないＩＣチップなどの電子部品の端子と個別に接続される。
一方、図７（Ｂ）に示すように、コア基板５１の裏面５３に形成した配線層５９から延び且つ絶縁層６１の開口部６５から第２主面６３側に露出する配線６７は、図示しないマザーボードなどのプリント基板との接続端子として用いられる。
以上の配線基板５０では、コア基板５１を挟んでビルドアップ層ＢＵと厚めの絶縁層（ソルダーレジスト層）６１が配置されている。このため、コア基板５１と絶縁層６０，６６，７２との熱膨張率の差による反りは、図７（Ｂ）中の一点鎖線で示すように、第２主面６３寄りのある程度の変形に抑制される。
【０００６】
【発明が解決すべき課題】
しかしながら、図７（Ｂ）に示す反りによっても、配線層５８，６４，７０、ビア導体６２，６８、ハンダバンプ７６、スルーホール導体５６、および、配線層５９の相互間の接続が不十分になり得るため、これらの間において導通が取れなくなる、という問題があった。また、上記ハンダバンプ７６に電子部品を実装する際して、接続が不十分になる、という問題もあった。
上記配線基板５０の反りを解消するため、例えばコア基板５１の裏面５３にガラス繊維入りの樹脂からなる裏面絶縁層を形成することが検討されている。しかしながら、かかる裏面絶縁層に前記開口部６５をレーザ加工により形成すると、当該レーザのパワー不足により開口部６５の周縁に溶断されたガラス繊維の残滓が発生し、開口部６５の底面に露出する配線６７と図示しない接続端子との接続操作が行い難くなったり、外観を損ねたりする、という問題があった。
本発明は、以上において説明した従来の技術における問題点を解決し、コア基板の表面上方にのみビルドアップ層を有し反りにくく且つ無機繊維などを含む裏面絶縁層に所定の内径の開口部を精度良く形成できる配線基板の製造方法を提供する、ことを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するため、裏面絶縁層にエネルギ密度の高いレーザによってこれよりも大径の開口部を開口することに着想して成されものである。即ち、本発明の配線基板の製造方法（請求項１）は、表面および裏面を有するコア基板と、かかる表面および裏面に個別に形成した表面配線層および裏面配線層と、上記コア基板の表面と裏面との間を貫通し且つ上記表面配線層および裏面配線層と接続するスルーホール導体と、を含む配線基板の製造方法において、上記コア基板の裏面および裏面配線層の上方に裏面絶縁層を形成する積層工程と、かかる裏面絶縁層にレーザ加工を施して底面に上記裏面配線層が露出する開口部を形成する開口工程と、を含み、かかる開口工程は、炭酸ガスレーザの中心を上記裏面絶縁層に形成する上記開口部の中心の周囲に沿って回転させることにより、当該炭酸ガスレーザの外径よりも大きな内径の上記開口部を形成する、ことを特徴とする。
【０００８】
これによれば、エネルギ密度の高い炭酸ガスレーザを裏面絶縁層に対し複数回にわたって照射することにより、所定の内径を有する開口部を精度良く形成することができる。即ち、配線基板の反りを防ぐため、裏面絶縁層に次述するガラス繊維などの無機繊維または有機繊維を含む裏面絶縁層に、数１０ｍＪレベルのエネルギである炭酸ガスレーザを、形成しようとする開口部の中心の周囲に沿って回転しつつ連続的に照射することにより、内径が約０．５〜１ｍｍであって且つ周縁に無機繊維や有機繊維の残滓が残らない開口部が得られる。
尚、上記炭酸ガスレーザを用いるのは、ＹＡＧレーザを裏面絶縁層に照射すると、開口部の底面に露出する裏面配線層の銅メッキ膜までも不用意に溶損する、という事態を防ぐためである。また、上記積層工程には、個別のコア基板の裏面に個別の裏面絶縁層を積層する形態のほか、一対のコア基板の裏面同士を対向させ、離型シートを介して各コア基板の裏面に裏面絶縁層をそれぞれ積層して加圧する形態や、多数のコア基板を含む多数個取りのパネルの状態で上述した２つの形態を行う方法が含まれる。
【０００９】
また、本発明には、前記裏面絶縁層は、無機繊維または有機繊維を含む半硬化性樹脂シートを硬化させたものである、配線基板の製造方法（請求項２）も含まれる。これによれば、コア基板の裏面側が熱膨張し易くなるため、追ってコア基板の表面上方に形成されるビルドアップ層の中央付近が凹むような反り変形を確実に防止または抑制することができる。このため、各部が平坦性を有し且つ裏面側の接続配線が容易な配線基板を確実に提供することができる。
尚、半硬化性樹脂シートは、例えばＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）、エポキシ、ポリイミド樹脂などからなるプリプレグであり、硬化させるとは、上記シートに対してＵＶ（紫外線）照射、熱硬化、熱圧着などの処理を施すことを指す。また、上記無機繊維には、例えばガラス繊維からなる不織布などが含まれ、上記有機繊維には、エポキシ繊維などが含まれる。
【００１０】
更に、本発明には、前記配線基板は、前記コア基板の表面および前記表面配線層の上方にのみ、複数の絶縁層とその間に位置する複数の配線層とを含むビルドアップ層が形成されるものである、配線基板の製造方法（請求項３）も含まれる。これによれば、コア基板の表面上方にのみ上記ビルドアップ層が形成され、コア基板の裏面側に前記開口部が形成された裏面絶縁層が形成されており、各部が反りにくく且つ接続性に優れた配線基板を確実に提供することが可能となる。
加えて、本発明には、前記コア基板は、セラミックからなる、配線基板の製造方法（請求項４）も含まれる。これによれば、コア基板にセラミックを用いることで、コア基板自体が反りにくい材質であるため、前記各部が一層反りにくくなり、且つ接続性に優れた配線基板を確実に提供することが可能となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下において、本発明の実施に好適な形態を図面と共に説明する。
図１（Ａ）は、厚みが約８００μｍのコア基板２の断面を示し、その表面４と裏面５とには、厚みが約１８μｍの銅箔４ａ，５ａが全面に貼り付けてある。かかるコア基板２における所定の位置に対し、その厚み方向に沿ってドリルの挿入またはレーザ（炭酸ガスレーザなど）の照射を行う。
その結果、図１（Ｂ）に示すように、コア基板２において、その表面４と裏面５との間を貫通する直径約２００μｍのスルーホール３が複数穿孔される。
【００１２】
次に、各スルーホール３の内壁に予めＰｄなどを含むメッキ触媒を付着した後、図１（Ｃ）に示すように、コア基板２の全面に対し無電解銅メッキおよび電解銅メッキを施す。
その結果、図１（Ｃ）に示すように、各スルーホール３の内壁に沿ってスルーホール導体６が形成され、コア基板２の表面４と裏面５には、前記銅箔４ａ，５ａを含む銅メッキ膜４ｂ，５ｂが形成される。尚、図１（Ｃ）では、かかる銅メッキ膜４ｂ，５ｂの厚みは、前記銅箔４ａ，５ａと便宜上同じ厚みとして現した。
【００１３】
次いで、図１（Ｄ）に示すように、各スルーホール導体６の内側に、シリカフィラなどの無機フィラを含むエポキシ樹脂からなる充填樹脂７を形成した後、かかる充填樹脂７を蓋メッキするため、コア基板２の表面４および裏面５の全面に図示しない銅メッキ層を形成する。この状態で、かかる銅メッキ層の上に所定のパターンを有する図示しないエッチングレジストを形成した後、かかるレジストの隙間から露出する上記銅メッキ層４ｂ，５ｂをエッチングして除去する公知のサブトラクティブ法を施す。その結果、図１（Ｄ）に示すように、コア基板２の表面４および裏面５には、上記レジストのパターンに倣った所定パターンの表面配線層８と裏面配線層９が個別に形成される。
【００１４】
図２（Ａ）に示すように、スルーホール導体６、表面配線層８、および裏面配線層９を有する一対のコア基板２，２を、それらの裏面５，５を対向させ、両者の間に一対の裏面絶縁層１１を、厚みの均一な離型シート２７を介して積層する。
かかる裏面絶縁層１１は、例えばガラス繊維などの無機繊維または有機繊維を含有するエポキシ樹脂のプリプレグからなる半硬化性樹脂シートを、熱硬化処理して硬化させたものであり、（１）ヤング率が４Ｇｐａ以上、（２）平面方向に沿った熱膨張率（ＲＴ〜Ｔｇ）が２０ｐｐｍ以上、（３）伸び率が４％以下、（４）硬化収縮が１０００ｐｐｍ以上、という特性を有する。
次に、図２（Ａ）中の矢印で示すように、上記一対のコア基板２，２、一対の裏面絶縁層１１，１１、および離型剤２７を厚み方向に沿って図示しないホットプレスにより加圧しつつ加熱する（積層工程）。
【００１５】
これにより、図２（Ｂ）に示すように、各裏面絶縁層１１は、各コア基板２の裏面５に密着すると共に、これら裏面絶縁層１１自体が生じる反りを互いに抑制しつつ、各コア基板２の裏面５にかかる裏面絶縁層１１を平坦に形成できる。
図２（Ｂ）に示す状態で、一対のコア基板２の外側に露出する表面４および表面配線層８の上方に、ビルドアップ層ＢＵを形成する。
このビルドアップ工程は、図３に示すように、ビルドアップ層ＢＵを形成する絶縁層１０，１６、配線層１４，２０、ビア導体１２，１８、およびソルダーレジスト層（絶縁層）２２を、公知のビルトアップ技術（セミアディティブ法、フルアディティブ法、サブトラクティブ法、フィルム状樹脂材料のラミネートによる絶縁層の形成、フォトリソグラフィ技術）により形成する。
【００１６】
最上層の配線層２０の適所には、ソルダーレジスト層（絶縁層）２２を貫通するハンダバンプ（ＩＣ接続端子）２６を第１主面２４よりも高く突出させて形成する。更に、ビルドアップ層ＢＵが形成された一対のコア基板２，２を、離型剤２７を除去することにより分離する。以上の各工程は、製品単位である複数のコア基板２を有する多数個取り用の一対の基板（パネル）の状態で行っても良い。
そして、図４（Ａ）に示すように、分離されたコア基板２の裏面側絶縁層１１に炭酸ガスレーザＬを照射して開口部１５を形成する（開口工程）。
【００１７】
即ち、図４（Ａ）に示すように、裏面側絶縁層１１の表面である第２主面１３側の所定位置から、エネルギが３０〜４０ｍＪで且つ外径が４００μｍである第１の炭酸ガスレーザＬを照射する。その結果、図４（Ｂ），（ｂ）に拡大して示すように、内径が約４００μｍの開口部１５ａが裏面側絶縁層１１に形成される。
この際、裏面配線層９から延びて係る開口部１５ａの底面に露出する配線１７は、上記レーザＬがその銅メッキ膜に反射するため、溶損しない。次に、上記開口部１５ａに隣接し且つ平面視で左下寄りの位置に、上記と同様の第２の炭酸ガスレーザＬを照射する。その結果、図４（Ｃ），（ｃ）に示すように、開口部１５ａに隣接し且つ平面視で左下寄りの位置に、新たな開口部１５ｂが形成される。
【００１８】
更に、上記開口部１５ｂに隣接し且つ平面視で左上寄りの位置に、上記同様の第３の炭酸ガスレーザＬを照射し、図４（ｄ）に示すように、開口部１５ｂに隣接し且つ平面視で左上寄りの位置に、新たな開口部１５ｃを形成する。
以下同様にして、開口部１５ｃに隣接し且つ平面視で右上の位置に開口部１５ｄを形成し、更に炭酸ガスレーザＬを形成すべき開口部１５の中心の周囲に沿った位置で連続的に順次照射する。
それらの結果、図４（Ｄ）に示すように、内径が約０．７ｍｍで且つ底面に裏面配線層９から延びた配線１７が露出する開口部１５が形成される。
【００１９】
以上の開口工程において、裏面絶縁層１１に含まれるガラス繊維などは、高いエネルギ密度の上記レーザＬによって溶損するため、開口部１５の周縁には、かかるガラス繊維などが突出しなくなる。従って、所要の内径を有する開口部１５を精度良く裏面絶縁層１１に形成することができる。尚、開口部１５の底面に露出する上記配線１７は、その表面にＮｉメッキおよびＡｕメッキが施され、追って図示しないマザーボードの端子と接続するための接続端子として活用される。
【００２０】
この結果、図５に示すように、コア基板２の表面４上方にのみ平坦なビルドアップ層ＢＵを有し且つ裏面絶縁層１１に所定の内径を有する開口部１５を精度良く形成した配線基板１を得ることができる。
尚、以上のような製造工程は、複数のコア基板２（製品単位）を平面方向に併有する多数個取りの基板（パネル）を用いて行っても良い。また、裏面絶縁層１１の前記各特性を保つため、平面視における開口部１５全体の面積率を１５％以下にすることが好ましい。更に、開口部１５の底面に露出する配線１７には、銅合金などからなるピンやボールをハンダなどの低融点合金により接続しても良い。
【００２１】
図６は、本発明によって製造される異なる形態の配線基板１ａの断面を示す。
配線基板１ａは、図６に示すように、多層基板のコア基板２と、該コア基板２の表面４と裏面５との間を貫通する複数のスルーホール導体６と、コア基板２の表面４や裏面５に形成した表面配線層８および裏面配線層９と、を備えている。
また、図６に示すように、コア基板２の表面４上方には、前記ビルドアップ工程により、複数の絶縁層１０，１６，２２と複数の配線層１４，２０とを、交互に積層したビルドアップ層ＢＵなどが形成される。併せて、表面配線層８、ビルドアップ配線層１４，２０間を導通するフィルドビア導体１２，１８や、最上層の上記配線層２０にはハンダバンプ２６も形成される。
【００２２】
更に、コア基板２の裏面５の上方（図面下側）には、前記特性（１）〜（４）を併有する裏面絶縁層１１が前記積層工程により形成される。
かかる裏面絶縁層１１の所定の位置には、前記炭酸ガスレーザＬを用いて開口される複数の開口部１５が前記開口工程によって形成され、それらの底部には前記同様の配線１７が位置している。
コア基板２は、エポキシ系樹脂にガラス繊維などを含有させた厚みが約４００μｍで熱膨張率が３０ｐｐｍ／℃以下の絶縁層２ａと、同じ素材からなり厚みが約２００μｍで熱膨張率が３０ｐｐｍ／℃以下の絶縁層２ｂ，２ｃと、これらの間に位置する銅メッキからなる厚み約１５μｍの配線層２５，２７とからなる。
【００２３】
図６に示すように、多層基板のコア基板２の表面４と裏面５との間を貫通する直径約２００μｍで複数のスルーホール３が複数貫通し、各スルーホール３の内壁に沿って厚み数１０μｍで銅メッキ製のスルーホール導体６が形成される。
各スルーホール導体６の内側には、シリカフィラなどの無機フィラを含む充填樹脂７が形成される。また、各スルーホール導体６は、その中間で配線層２５，２７と接続されている。
【００２４】
以上のような配線基板１ａは、予め別個に形成した多層構造のコア基板２，２に前記積層工程、ビルドアップ工程、および前記開口工程を施すことにより確実に製造される。また、かかる配線基板１ａは、裏面絶縁層１１によりビルドアップ層ＢＵ側が凹形となる反りが防げると共に、コア基板２中の配線層２５，２７もスルーホール導体６を介して表・裏面配線層８，９やビルドアップ配線層１４，２０と確実に導通する。このため、多くの配線層を高密度で有し且つ安定した導通を得ることが可能となる。しかも、上記配線層８，９，１４，２０が平坦に形成され、コア基板２の裏面５下方の裏面絶縁層１１には、比較的開口径が大きな開口部１５が形成されるため、平坦性と共に接続容易性をも有する。
【００２５】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
前記裏面絶縁層の素材は、前記（１）〜（４）の特性を有するものであれば、前記形態のものに限るものではない。
また、前記コア基板２などの材質は、前記ガラス繊維または炭素繊維を含むものであれば、エポキシ系樹脂の他、ビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを用いても良い。あるいは、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にガラス繊維などを含有させた複合材料などを用いることも可能である。
【００２６】
あるいは、前記コア基板２または多層基板のコア基板２の材質をセラミックとしても良い。かかるセラミックには、アルミナ、珪酸、ガラスセラミック、窒化アルミニウムなどが含まれ、更には約１０００℃以下の比較的低温で焼成が可能な低温焼成基板を用いることもできる。
かかるセラミックからなるコア基板２は、以下のようにして形成される。
未焼成のアルミナなどからなるセラミックグリーンシートにレーザ加工または金型加工などにて、スルーホール３を形成する。次に、かかるスルーホール３にＷなどの金属粉末を含む導電性ペーストを印刷して充填する。尚、この導電性ペーストは、追ってセラミックグリーンシートの焼成時に同時に燒結されて、前記スルーホール導体６となる。次いで、上記セラミックグリーンシート表面上の所定位置にも、導電性ペーストを所定パターンで印刷する。尚、この表面に印刷された導電性ペーストは、追ってセラミックグリーンシートの焼成時に同時に燒結されて、前記配線層２５，２７、表面配線層８、裏面配線層９などとなる。
更に、導電性ペーストが印刷された単層または複数の未焼成セラミックセラミックグリーンシート２ａ，２ｂ，２ｃをラミネートし熱圧着することで一体化し、未焼成のコア基板２とする。そして、かかる未焼成のコア基板２を約１３００℃にて焼成することで、焼成後のセラミックからなる単層または多層基板のコア基板２が得られる。尚、セラミックからなるコア基板２の場合、スルーホール３の内側には、前記充填樹脂７は形成せず、省略される。加えて、かかるコア基板２の表面４上には、樹脂フィルムからなる絶縁層１０などがラミネートされると共に、前述したビルドアップ工程によりビルドアップ層ＢＵが形成される。
尚、上記導電性ペーストは、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄなどの素材としても良い。
【００２７】
前記スルーホール導体６、表面配線層８、配線層１４，２０などの材質は、前記Ｃｕ（銅）の他、Ａｇ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ系などにしても良く、あるいは金属のメッキ層を用いず、導電性樹脂を塗布するなどの方法により形成しても良い。
更に、前記ビルドアップ層の絶縁層１０，１６などの材質は、前記エポキシ樹脂を主成分とするもののほか、同様の耐熱性、パターン成形性などを有するポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、あるいは、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用いることもできる。尚、絶縁層の形成には、絶縁性の樹脂フィルムを熱圧着する方法のほか、液状の樹脂をロールコータにより塗布する方法を用いることもできる。尚また、裏面絶縁層に混入するガラス繊維またはガラスフィラの組成は、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｑガラス、Ｓガラスの何れか、またはこれらのうちの２種類以上を併用したものとしても良い。
また、ビア導体は、前記フィルドビア導体１２などでなく、内部が完全に導体で埋まってない逆円錐形状のコンフォーマルビア導体とすることもできる。あるいは、各ビア導体の軸心をずらしつつ積み重ねるスタッガードの形態でも良いし、途中で平面方向に延びる配線層が介在する形態としても良い。
【００２８】
【発明の効果】
本発明の配線基板の製造方法（請求項１）によれば、エネルギ密度の高い炭酸ガスレーザを裏面絶縁層に対し複数回にわたり連続的に照射することにより、所定の内径を有する開口部を精度良く形成することができる。
また、請求項２の製造方法によれば、追ってコア基板の表面上方に形成されるビルドアップ層の中央付近が凹むような反り変形を防止または抑制することができるため、平坦で裏面側の接続配線が容易な配線基板を確実に提供できる。
更に、請求項３の製造方法によれば、コア基板の表面上方にのみビルドアップ層が形成され、コア基板の裏面側に前記開口部が形成された裏面絶縁層が形成されると共に、各部が反りにくく接続性に優れた配線基板を確実に提供できる。
加えて、請求項４の製造方法によれば、コア基板にセラミックを用いることでコア基板自体が反りにくい材質となるため、前記ビルドアップ層などが一層反りにくくなり、且つ接続性に優れた配線基板を確実に提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の製造方法における各工程を示す概略図。
【図２】（Ａ），（Ｂ）は図１（Ｄ）に続く各工程を示す概略図。
【図３】図２（Ｂ）に続く工程を示す概略図。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は図３に続く各工程を示す概略図で且つ（Ｂ）は（Ａ）中の一点鎖線部分Ｂの拡大図、（ｂ）〜（ｄ）は（Ｂ）〜（Ｄ）の概略底面図。
【図５】本発明により得られた配線基板の断面を示す概略図。
【図６】本発明により得られる異なる形態の配線基板の断面を示す概略図。
【図７】（Ａ），（Ｂ）は従来の配線基板における主要部を示す断面図。
【符号の説明】
１，１ａ……配線基板、　　　　　２……………コア基板、
４……………表面、　　　　　　　５……………裏面、
６……………スルーホール導体、　８……………表面配線層、
９……………裏面配線層、　　　　１０，１６…絶縁層、
１１…………裏面絶縁層、　　　　１４，２０…配線層、
１５…………開口部、　　　　　　Ｌ……………炭酸ガスレーザ、
ＢＵ…………ビルドアップ層
【図１】
2004111919.tif 000003
【図２】
2004111919.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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