(57)【要約】【課題】大型化した装置、及び狭いスペースであっても、習熟度を問わず誰でも簡単に清掃可能な清掃装置を提供する。【解決手段】シャフト部４２と、シャフト部４２を挟んだ両側に回転自在に支持された粘着部４３とを有する。【選択図】      図１
2004221105.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シャフト部と、該シャフト部を挟んだ両側に回転自在に支持された粘着部とを有することを特徴とする清掃装置。
【請求項２】
請求項１記載の清掃装置において、
前記粘着部は、低アウトガス性を有することを特徴とする清掃装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の清掃装置において、
前記粘着部の回転摺動部には、低アウトガス性を有する潤滑剤が用いられることを特徴とする清掃装置。
【請求項４】
基板保持面に保持された基板を用いて露光処理を行う露光装置であって、
請求項１から３のいずれかに記載の清掃装置と、
前記基板保持面と前記清掃装置とを相対移動させる駆動装置と、
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項５】
請求項４記載の露光装置において、
前記清掃装置は、前記粘着部が前記基板保持面上を転動することを特徴とする露光装置。
【請求項６】
基板保持面に保持された基板を用いて露光処理を行う露光装置の前記基板保持面を清掃する方法であって、
前記基板保持面を所定の清掃位置に移動させる移動ステップと、
請求項１から３のいずれかに記載の清掃装置により前記基板保持面を清掃する清掃ステップとを含むことを特徴とする露光装置の清掃方法。
【請求項７】
請求項６記載の露光装置の清掃方法において、
前記清掃ステップでは、前記粘着部を前記基板保持面上で転動させることを特徴とする露光装置の清掃方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、清掃装置および露光装置並びにその清掃方法に関し、例えば、ウエハ等の基板を保持するホルダの基板保持面を清掃する際に用いて好適な清掃装置、及びこの清掃装置を具備する露光装置並びにその清掃方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子又は液晶表示素子等をフォトリソグラフィー工程で製造する場合に、フォトマスク又はレチクル（以下「レチクル」と総称する）のパターンを投影光学系を介してウエハステージ上のウエハに露光する投影露光装置が使用されている。斯かる従来の投影露光装置ではウエハを平坦な状態で動かないように保持するために、ウエハステージ上に取り付けられたウエハホルダーによりウエハを吸着して保持している。
【０００３】
しかしながら、ウエハを保持するウエハホルダーとウエハとの間にゴミ等の異物が存在する状態でウエハを吸着すると、その異物によりウエハの露光面の平面度が悪化する。その露光面の平面度の悪化は、ウエハの各ショット領域の位置ずれ誤差やフォーカス誤差の要因となり、ＬＳＩ等を製造する際の歩留まりを悪化させる大きな要因になっていた。その為、従来は一般に一定の間隔で露光工程を停止して、ウエハホルダのウエハ保持面を作業者の手が届く位置に移動させて、砥石や無塵布（不織布）を用いて作業者が手を動かしてウエハホルダ全体を拭いていた。
【０００４】
また、手動ではなく自動的にウエハホルダを清掃する装置としては、例えば特許文献１に示されるように、ウエハステージが所定の駆動領域内を移動したときに、ウエハホルダ全面に接触する位置に配置された砥石・無塵布等のクリーニング用工具と、クリーニング用工具をウエハホルダに付勢する付勢手段とを備えた露光装置が開示されている。この露光装置では、クリーニング用工具をウエハホルダに付勢した状態でウエハステージを所定の駆動領域内で移動させることで、ウエハホルダのクリーニングを自動的に高速で行うことができる。
【０００５】
【特許文献１】
特開平６−７７１１３号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。近年のウエハの大型化に伴い、ウエハステージ及び露光装置全体が大型化している。そのため、手動による清掃時に装置外側から手が届きづらい部分が生じ、十分な清掃ができないという問題があった。特に、ウエハステージ近傍には、オートフォーカス装置、ウエハアライメント装置、干渉系等、様々なユニットが配置されているためスペースが狭く手が入りづらい又は入らない部分があり、十分な清掃が困難であった。さらに、ホルダ上の異物を拭き取る（除去する）作業には技能を要するため、十分に異物を取り除くには習熟が必要であるという問題もあった。
【０００７】
また、自動による清掃は、クリーニング用工具をウエハステージに付勢した状態で行うため、クリーニング用工具とホルダとの摺接により塵埃を生じさせたり、ホルダのウエハ保持面が摩耗してウエハのフラットネスに悪影響を及ぼす可能性もある。さらに、特許文献１の技術では、クリーニング用工具をホルダ上に移動させるための機構のみならず、クリーニング用工具を付勢する機構や、複数種のクリーニング用工具を交互に用いるための機構等が必要になるため、装置の更なる大型化を招いてしまう。
【０００８】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、大型化した装置、及び狭いスペースであっても、習熟度を問わず誰でも簡単に清掃可能な清掃装置、及びホルダの摩耗や装置の大型化を招くことなくホルダを清掃できる露光装置とその清掃方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために本発明は、実施の形態を示す図１ないし図５に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の清掃装置は、シャフト部（４２）と、シャフト部（４２）を挟んだ両側に回転自在に支持された粘着部（４３）とを有することを特徴とするものである。
【００１０】
従って、本発明の清掃装置では、手動での清掃時にはシャフト部（４２）を把持した状態で、例えば清掃面（３ａ）に対してシャフト部（４２）を移動させて、粘着部（４３）を清掃面（３ａ）上で転動させることにより、清掃面（３ａ）上の異物を粘着力により粘着部（４３）に付着させて取り除くことができる。そのため、本発明では、ウエハステージや露光装置が大型化した場合でも、装置の大きさに応じてシャフト部（４２）の長さを設定することで清掃面に手が届きづらいという問題を解消できる。また、本発明では、粘着部（４３）を清掃面（３ａ）上で転動させるという簡単な作業で清掃できるので、作業者の習熟度を問う必要もなく容易に清掃を行うことができる。さらに、本発明の清掃装置は、シャフト部（４２）と粘着部（４３）という簡素な構成なので、必要な長さを確保しつつ、小型・薄型化、結果として軽量化も実現することが可能になり、狭いスペースであっても容易、且つ十分に清掃を実施することができる。また、本発明では、異物除去の際に粘着部（４３）と清掃面（３ａ）とに摺接を伴わないため、清掃面である基板保持面（３ａ）に摩耗を生じさせることも回避できる。
【００１１】
なお、粘着部（４３）に低アウトガス性を備えさせたり、粘着部（４３）の回転摺動部に低アウトガス性を有する潤滑剤を用いることが好ましい。また、シャフト部（４２）としては、長さが調節自在であることが好ましい。
【００１２】
また、本発明の露光装置は、基板保持面（３ａ）に保持された基板を用いて露光処理を行う露光装置であって、請求項１から３のいずれかに記載の清掃装置（４１）と、基板保持面（３ａ）と清掃装置（４１）とを相対移動させる駆動装置（１７Ｘ、１７Ｙ）と、を有することを特徴とするものである。
【００１３】
そして、本発明の露光装置の清掃方法は、基板保持面（３ａ）に保持された基板を用いて露光処理を行う露光装置の基板保持面（３ａ）を清掃する方法であって、基板保持面（３ａ）を所定の清掃位置に移動させる移動ステップと、請求項１から３のいずれかに記載の清掃装置（４１）により基板保持面（３ａ）を清掃する清掃ステップとを含むことを特徴とするものである。
【００１４】
従って、本発明の露光装置とその清掃方法では、基板保持面（３ａ）と清掃装置（４１）との相対移動により基板保持面（３ａ）上で粘着部（４３）を転動させることにより、基板保持面（３ａ）と粘着部（４３）とを摺接させることなく異物を粘着力により粘着部（４３）に付着させて取り除くことができる。そのため、基板保持面（３ａ）に摩耗が生じることを防止できるとともに、クリーニング用工具を付勢する機構や、複数種のクリーニング用工具を交互に用いるための機構が不要になり、装置の大型化を防止することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の清掃装置および露光装置並びにその清掃方法の実施の形態を、図１ないし図６を参照して説明する。
ここでは、まず手動式の清掃装置について説明する。
【００１６】
図１は、清掃装置の外観斜視図である。
清掃装置４１は、長尺のシャフト部４２と、シャフト部４２を挟んだ両側に設けられた粘着ローラ（粘着部）４３、４３とを主体に構成されている。シャフト部４２は、例えばステンレス等の防錆性に優れた材料で形成されており、その基端部には把持用のグリップ部４４がシャフト部４２よりも大径に設けられている。また、シャフト部４２の先端側には、シャフト部４２と直交する方向に延在する軸部４５が設けられている。軸部４５の両端に設けられた回転軸４５ａ、４５ａ（図１では一端側のみ図示）には、粘着ローラ４３、４３が回転摺動部としての軸受４６（図１では一端側のみ図示）を介してそれぞれ回転軸４５ａ周りに回転自在に支持されている。
【００１７】
軸受４６としては、すべり軸受、玉軸受（ボールベアリング）等が用いられており、ケミカルクリーンに配慮して、その潤滑剤には低アウトガス性を有するグリースが用いられている。
【００１８】
粘着ローラ４３は、移行、抽出がなく（非ブリード性）、低アウトガス性を有する粘着材で形成されており、２０〜８６ｈＰａの粘着力を有している。各粘着ローラ４３は、清掃対象となるウエハステージの周辺構造物との配置関係からここでは直径Ｄが約１７０ｍｍに設定され、装置内での取り回しに支障がなく、且つ往復動作回数を少なくするために両粘着ローラ４３、４３に亘る全長Ｌが約１１０ｍｍに設定されている。
【００１９】
次に、上記構成の清掃装置４１の使用方法について説明する。
グリップ部４４を把持して、図２に示すように、シャフト部４２がほぼ水平または粘着ローラ４３側が少し下がった状態で清掃面であるウエハホルダ３のウエハ保持面（基板保持面）３ａ上に粘着部４３を載置する。この状態で、シャフト部４２の長さ方向に清掃装置４１を往復移動させると、粘着ローラ４３がそれぞれウエハ保持面３ａ上を転動する。この粘着ローラ４３の転動により、摺接することなくウエハ保持面３ａ上の塵埃等の異物を粘着力により付着させて除去することができる。
【００２０】
ここで、粘着ローラ４３の全長Ｌ（１１０ｍｍ）は、８インチ（２０３．２ｍｍ）ウエハの直径の約半分であるため、そのウエハを保持するウエハホルダ３であれば、清掃装置４１をおよそ１．５往復させることで、ウエハ保持面３ａの全面に対して粘着ローラ４３を転動させて清掃することができる。なお、粘着ローラ４３をその長さ方向にステップ移動させる場合（転動経路を変更する場合）、粘着ローラ４３とウエハ保持面３ａとを摺接させないように、シャフト部４２を介して粘着ローラ４３を持ち上げた状態で移動させることが望ましい。なお、清掃装置４１による清掃前に、ウエハ保持面３ａに対して混合溶剤等により予め拭き上げ清掃を実施してもよい。
【００２１】
このように、本実施の形態では、ウエハ保持面３ａ上を粘着ローラ４３を転動させるという操作で異物を除去できるので、作業に習熟度を要することなく誰でも簡単に清掃を行うことができる。また、本実施の形態では、清掃に要するスペースも粘着ローラ４３の直径に、転動経路変更時に粘着ローラ４３を持ち上げる数ｍｍ程度の高さを加えた程度で済むので、狭いスペースであっても容易に清掃作業を実施することが可能になる。また、装置の大型化により、装置外側から手が届きづらい場所であっても、その場所に応じてシャフト部４２の長さを予め設定しておくことで容易、且つ十分に清掃を行うことができる。
【００２２】
また、本実施の形態では、シャフト部４２を挟んだ両側に粘着ローラ４３、４３を設けているので、粘着ローラ４３の外側にシャフト部４２やローラ支持部材を設けた場合のように、これらの部材が突出してホルダ３の外縁を清掃する際にホルダ上の構造物（例えば移動鏡、フィデュシャルマーク）と干渉してしまうという事態を回避できる。さらに、本実施の形態では、粘着ローラ４３とウエハ保持面３ａとを摺接させることなく清掃作業を行えるので、摺接（摩擦）に伴って塵埃が生じたり、ウエハ保持面３ａを摩耗させることも防止できる。さらに、本実施の形態では、軸受４６のの潤滑剤及び粘着ローラ４３がケミカルクリーンに配慮した低アウトガス性を有しているので、これらから生じるガス状物質が電子回路のパターン形状を崩したり、縮小投影レンズをはじめとするガラス表面に付着して光学特性を劣化させる等の悪影響を未然に回避することができる。
【００２３】
続いて、図３乃至図５を参照して上記の清掃装置４１を具備する露光装置について説明する。ここでは、ウエハホルダを介してウエハを保持する露光装置に本発明を適用するものとする。これらの図において、図１及び図２に示した構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００２４】
図３は本実施形態の投影露光装置の概略構成を示し、この図において、水銀ランプ等の光源１０から射出された露光光は、楕円鏡１１で焦光された後にインプットレンズ１２でほぼ平行な光束に変換されてフライアイレンズ１３に入射する。フライアイレンズ１３の後側（レチクル側）焦点面には多数の２次光源が形成され、これら２次光源から射出された露光光はコンデンサーレンズ系１４により集光されてレチクル１５を均一な照度で照明する。図示省略するも、コンデンサーレンズ系１４には可変視野絞りが備えられ、この可変視野絞りによりレチクル１５上の照明視野を任意に設定することができる。
【００２５】
レチクル１５の下方に順に投影光学系１及びウエハステージ５が配置され、ウエハステージ５上にウエハホルダ３が固定されている。露光時にはウエハホルダ３上にウエハが吸着して保持され、露光光のもとでレチクル１５のパターンが投影光学系１を介してそのウエハ上の各ショット領域に投影露光される。
【００２６】
符号１６ＸはＸ軸用のレーザー干渉計、符号１６ＹはＹ軸用のレーザー干渉計を示し、レーザー干渉計１６Ｘからの２本のレーザービームＬＢ１及びＬＢ２がそれぞれ投影光学系１の固定鏡２Ｘ（図４参照）及びウエハステージ５上の移動鏡６Ｘにより反射される。また、Ｙ軸用のレーザー干渉計１６Ｙからの２本のレーザービームＬＢ３及びＬＢ４がそれぞれ投影光学系１の固定鏡２Ｙ（図３参照）及びウエハステージ５上の移動鏡６Ｙにより反射される。これにより、レーザー干渉計１６Ｘ及び１６Ｙにおいて、ウエハステージ５のＸ座標及びＹ座標が計測される。また、リニアモータ等のＸ軸用の駆動装置１７Ｘがウエハステージ５をＸ方向に駆動し、リニアモータ等のＹ軸用の駆動装置１７Ｙがウエハステージ５をＹ方向に駆動することにより、ウエハステージ５の投影光学系１に対する相対座標（Ｘ，Ｙ）を任意の座標に設定することができる。
【００２７】
本実施形態では、投影光学系１の側面近傍にオフアクシスのアライメント顕微鏡１９が配置されている。このアライメント顕微鏡１９でウエハ上のアライメントマークの座標を検出することにより、ウエハのアライメントが行われる。このアライメント顕微鏡１９の近傍には、上述した清掃装置４１を備えたクリーニング機構２０が配設されている。
【００２８】
クリーニング機構２０は、ウエハステージ５の近傍にＺ方向に延在して配置された回転軸２１と、回転軸２１に沿ってＺ方向に移動するとともに回転軸２１の周りに回転するアーム２２と、アーム２２のＺ駆動及び回転駆動を制御する制御装置２３と、アーム２２の先端部に略水平方向に保持される清掃装置４１とを主体に構成されている。制御装置２３は、図４に示すように、清掃装置４１がウエハホルダ３の上方に位置する清掃位置Ｐ１と、清掃装置４１がウエハホルダ３（ウエハステージ５）に対して退避した待機位置Ｐ２との間でアーム２２を回転駆動するとともに、清掃装置４１の粘着ローラ４３がウエハホルダ３のウエハ保持面３ａに当接する位置と、ウエハ保持面３ａから（例えば数ｍｍ程度）離間する位置との間でアーム２２をＺ駆動する。なお、Ｚ方向とは、投影光学系１の光軸に平行な方向である。また、制御装置２３は、アーム２２の駆動に加えて、レーザ干渉計１６Ｘ、１６Ｙの計測結果に基づいて駆動装置１７Ｘ、１７Ｙの駆動も統括的に制御する構成となっている。
【００２９】
続いて、上記露光装置の動作について説明する。
露光対象とするウエハをウエハホルダ３上に吸着保持して、そのウエハへの露光を行う。このとき、制御装置２３は、露光処理に支障を来さないように、予めクリーニング機構２０のアーム２２を位置待機位置Ｐ２へ移動させて、清掃装置４１をウエハステージ５から退避させておく。
【００３０】
そして、所定枚数のウエハに対して露光処理が完了すると、制御装置２３は駆動装置１７Ｘ、１７Ｙを介してウエハステージ５を駆動して、図４に示す清掃開始位置にウエハホルダ３を位置決めするとともに（移動ステップ）、アーム２２を清掃位置Ｐ１へ回転移動させて清掃装置４１をウエハホルダ３の上方に位置決めする。通常、アライメント顕微鏡１９はウエハホルダ３上のウエハの全面を観察できる位置に配置されているため、このようにクリーニング機構２０をアライメント顕微鏡１９の近傍に配置することにより、クリーニング機構２０はウエハホルダ３の全面を確実に清掃できる利点がある。次に、アーム２２をウエハステージ５側に下降させて、清掃装置４１の粘着ローラ４３を所定の圧力でウエハホルダ３のウエハ保持面３ａに接触させる。このウエハ保持面３ａに対する圧力は、清掃装置４１（粘着ローラ４３及び軸部４５）の自重がかかる程度でよい。
【００３１】
そして、粘着ローラ４３をウエハ保持面３ａに当接させた状態でウエハステージ５を駆動して、ウエハステージ５上のウエハホルダ３に、矢印で示す軌跡２７に沿って＋Ｘ方向に等速移動を開始させる。これにより、粘着ローラ４３がウエハ保持面３ａ上を転動し（図２参照）、その粘着力でウエハ保持面３ａ上の異物を付着させて除去（清掃）する（清掃ステップ）。なお、ウエハステージ５の例えば＋Ｘ方向への駆動が完了した後に、ウエハステージ５を−Ｙ方向へ駆動する際には、制御装置２３はウエハホルダ３と粘着ローラ４３とを摺接させないために、アーム２２を一旦上昇させて、ウエハホルダ３と粘着ローラ４３とを離間させる。そして、ウエハステージ５の−Ｙ方向の駆動が完了すると、制御装置２３は再度アーム２２を下降させて、ウエハ保持面３ａの粘着ローラ４３を当接させる。そして、続いて上記と同様に、ウエハステージ５を−Ｘ方向に駆動することで粘着ローラ４３をウエハ保持面３ａ上で転動させて異物を除去する。粘着ローラ４３の全長Ｌ（図１参照）は約１１０ｍｍであるので、ウエハホルダ３の直径が例えば約２５０ｍｍであれば、Ｙ方向へのステップ移動を挟んでウエハステージ５をＸ方向に１．５往復させればウエハ保持面３ａの全面に対して粘着ローラ４３を転動させて清掃することができる。
【００３２】
ウエハ保持面３ａに対する清掃が完了すると、制御装置２３は、アーム２２を上昇させるとともに待機位置Ｐ２へ回転移動させて、清掃装置４１をウエハステージ５から退避させる。その後、上記と同様に、ウエハホルダ３に保持されたウエハへの露光が行われる。
【００３３】
このように本実施の形態では、清掃装置４１をＺ駆動するとともに回転駆動するクリーニング機構２０によりウエハ保持面３ａ上を清掃できるので、複雑で大型化の機構を設けることなく、狭いスペースであっても十分に清掃作業を実施することが可能になり、装置の更なる大型化を回避することができる。
【００３４】
なお、上記実施の形態では、清掃装置４１を回転駆動して清掃位置に位置決めするクリーニング機構２０を用いる構成としたが、これに限定されるものではなく、例えば図５に示すように、制御装置２３の制御の下、清掃装置４１をＺ駆動するとともに、エアシリンダ等によりＸ方向に直線的に駆動する駆動装置４７を設ける構成としてもよい。この場合も上述した回転駆動する場合と同様に、簡単な構成でウエハ保持面３ａを十分に清掃することが可能になり、装置の更なる大型化を防止することができる。
【００３５】
また、上記実施の形態では、本発明に係る清掃装置４１によりウエハホルダ３を清掃する構成としたが、これに限られず、例えばレチクル１５を保持するレチクルステージ（レチクルホルダ）を清掃する構成としてもよい。また、上記実施の形態では、清掃装置４１を露光装置に設ける構成としたが、露光装置以外にも転写マスクの描画装置、マスクパターンの位置座標測定装置等の精密測定機器にも適用可能である。
【００３６】
なお、本実施の形態の基板としては、半導体デバイス用の半導体ウエハのみならず、液晶ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００３７】
露光装置としては、レチクルとウエハとを同期移動してレチクルのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニング・ステッパー；ＵＳＰ５，４７３，４１０）や、レチクルとウエハとを静止した状態でレチクルのパターンを露光し、ウエハを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパー）に適用することができる。また、本発明はウエハ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用可能である。
【００３８】
露光装置の種類としては、ウエハに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００３９】
また、露光用光源として、超高圧水銀ランプから発生する輝線（ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０４．ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ））、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）、Ａｒ２レーザ（１２６ｎｍ）のみならず、電子線やイオンビームなどの荷電粒子線を用いることができる。例えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱電子放射型のランタンヘキサボライト（ＬａＢ６）、タンタル（Ｔａ）を用いることができる。また、ＹＡＧレーザや半導体レーザ等の高調波などを用いてもよい。
【００４０】
例えば、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域又は可視域の単一波長レーザを、例えばエルビウム（又はエルビウムとイットリビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、かつ非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を露光光として用いてもよい。なお、単一波長レーザの発振波長を１．５４４〜１．５５３μｍの範囲内とすると、１９３〜１９４ｎｍの範囲内の８倍高調波、即ちＡｒＦエキシマレーザとほぼ同一波長となる紫外光が得られ、発振波長を１．５７〜１．５８μｍの範囲内とすると、１５７〜１５８ｎｍの範囲内の１０倍高調波、即ちＦ２レーザとほぼ同一波長となる紫外光が得られる。
【００４１】
また、レーザプラズマ光源、又はＳＯＲから発生する波長５〜５０ｎｍ程度の軟Ｘ線領域、例えば波長１３．４ｎｍ、又は１１．５ｎｍのＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）光を露光光として用いてもよく、ＥＵＶ露光装置では反射型レチクルが用いられ、かつ投影光学系が複数枚（例えば３〜６枚程度）の反射光学素子（ミラー）のみからなる縮小系となっている。
【００４２】
投影光学系１の倍率は、縮小系のみならず等倍系および拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系１としては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ２レーザやＸ線を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にし（レチクルＲも反射型タイプのものを用いる）、また電子線を用いる場合には光学系として電子レンズおよび偏向器からなる電子光学系を用いればよい。なお、電子線が通過する光路は、真空状態にすることはいうまでもない。
【００４３】
ウエハステージ５やレチクルステージにリニアモータ（ＵＳＰ５，６２３，８５３またはＵＳＰ５，５２８，１１８参照）を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。
【００４４】
各ステージの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニット（永久磁石）と、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージ２、５を駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステージの移動面側（ベース）に設ければよい。
【００４５】
以上のように、本願実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００４６】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図６に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、シリコン材料からウエハを製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置によりレチクルのパターンをウエハに露光する露光処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、大型化した装置、及び狭いスペースであっても誰でも簡単に清掃を行うことができる。また、本発明では、狭いスペースであっても、基板保持面を摩耗させることなく十分に清掃作業を実施することが可能になり、装置の更なる大型化も回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態を示す図であって、清掃装置の外観斜視図である。
【図２】清掃装置によりウエハ保持面を清掃する動作を説明するための図である。
【図３】清掃装置を備えた露光装置の概略構成図である。
【図４】図１のウエハホルダを投影光学系側から視た場合の要部の平面図である。
【図５】クリーニング機構の別形態を示す正面図である。
【図６】半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【符号の説明】
３ａ  ウエハ保持面（基板保持面、清掃面）
１７Ｘ、１７Ｙ  駆動装置
４１  清掃装置
４２  シャフト部
４３  粘着ローラ（粘着部）
４６  軸受（回転摺動部）
【図１】
2004221105.tif 000003
【図２】
2004221105.tif 000004
【図３】
2004221105.tif 000005
【図４】
2004221105.tif 000006
【図５】
2004221105.tif 000007
【図６】
2004221105.tif 000008