(57)【要約】【課題】機械的、電気的耐久性を両立させた電子写真感光体、及び該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供する。【解決手段】支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、重合反応性基を２つ有する電荷輸送性モノマーと重合反応性基を３つ以上有する電荷輸送性モノマーの重合生成物を少なくとも含有する感光層を形成する。前記モノマーは、式（１）および（２）で表される。式（１）のものとして４，４′−ビス［２−（ジメチルエトキシシリル）エチル］トリフェニルアミンが例示され、式（２）のものとして４，４′−ビス［２−（トリエトキシシリル）エチル］トリフェニルアミンが例示される。【化１】2004053913.tif 000011【選択図】図１
2004053913.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、該感光層が重合反応性基を２つ有する電荷輸送性モノマーと重合反応性基を３つ以上有する電荷輸送性モノマーの重縮合生成物を少なくとも含有することを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
上記電子写真感光体の表面層が、式（１）
【化１】
2004053913.tif 000008
（Ａは正孔輸送性基を示し、Ｒ１は置換もしくは無置換の有機基を示し、Ｑは加水分解性基または水酸基を示し、Ｒ２は置換もしくは無置換の一価炭化水素基を示し、ｎは１〜２の整数を示し、ｍは１〜２の整数を示し、ｎ×ｍ＝２である。）
および、式（２）
【化２】
2004053913.tif 000009
（Ｂは正孔輸送性基を示し、Ｒ３は置換もしくは無置換の有機基を示し、Ｑ’は加水分解性基または水酸基を示し、Ｒ４は置換もしくは無置換の一価炭化水素基を示し、ｎ’は１〜３の整数を示し、ｍ’は正の整数を示し、ｎ’×ｍ’は３以上である。）
で示される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物の重縮合生成物を少なくとも含有する請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
上記式（１）および（２）において、該Ａおよび該Ｂが下記式（３）
【化３】
2004053913.tif 000010
（Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は有機基であり、そのうち少なくともひとつは芳香族炭化水素環基または複素環基を含み、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は同一であっても異なっていてもよい。）
で示され、また、該Ａと該Ｂは同一であっても異なっていてもよい請求項２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
上記式（１）および（２）で示される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物の重縮合生成物が４．５〜６．２ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する請求項２〜３のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項５】
上記表面層が１×１０−７ｃｍ２／Ｖｓｅｃ以上のドリフト移動度を有する請求項２〜４のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項６】
上記式（１）および（２）において、該Ａおよび該Ｂがトリフェニルアミン構造を有する請求項２〜５のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項７】
上記式（１）において、ｎ＝１、ｍ＝２である請求項２〜６のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の電子写真感光体と、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段、静電潜像の形成された該電子写真感光体をトナーで現像する現像手段、及び転写行程後の該電子写真感光体上に残余するトナーを回収するクリーニング手段からなる群より選ばれた少なくともひとつの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれかに記載の電子写真感光体、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段、帯電した該電子写真感光体に対し露光を行い、静電潜像を形成する露光手段、静電潜像の形成された該電子写真感光体をトナーで現像する現像手段、及び転写材上のトナー像を転写する転写手段を有することを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特定の組成の感光層を有する電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび画像形成装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子写真感光体の表面には、帯電手段、現像手段、転写手段及びクリーニング手段等により、電気的あるいは機械的な影響が直接に加えられるために、それらに対する耐久性が要求される。具体的には、摺擦による感光体表面の摩耗や傷の発生、および高温下におけるコロナ帯電の該感光体表面の劣化等に対する耐久性が要求される。また、現像とクリーニングの繰り返し等に起因した、該感光体表面へのトナーの付着という問題もあり、これに対しては該感光体表面のクリーニング性の向上が求められている。また、感度の低下や残留電位の上昇などの悪化を招かないような電気的特性も要求されている。
【０００３】
上記のような該感光体表面に要求される様々な特性を満たすために、感光層上に樹脂を主成分とする種々の表面保護層を設ける試みがなされている。例えば、特開昭５７−３０８４３号公報には、導電性粒子として金属酸化物粒子を添加することによって抵抗を制御した保護層が開示されている。
【０００４】
また、表面層中に種々の物質を添加することで感光体表面の物性を改善することも検討されている。例えば、シリコーンの低表面エネルギーに注目した添加物としては、シリコーンオイル（特開昭６１−１３２９５４号公報）、ポリジメチルシロキサン、シリコーン樹脂粉体（特開平４−３２４４５４号公報）、架橋シリコーン樹脂、（ポリカーボネート−シリコン）ブロック共重合体、シリコーン変成ポリウレタン、シリコーン変成ポリエステル、コロイダルシリカ含有シリコーン樹脂が報告されている。低表面エネルギーの代表的なポリマーとしてはフッ素系高分子があり、該フッ素系高分子としては、ポリテトラフルオロエチレン粉体、フッ化カーボン粉末等が挙げられる。また、耐磨耗性や電気的特性の向上の観点から表面層に電荷輸送性ポリエステルを用いる報告もなされている。
【０００５】
上記のように、樹脂バインダー成分中に正孔輸送性有機分子を分散した表面層以外にも電気的特性の向上のために金属酸化物粒子などの種々の物質を分散した表面保護層や電荷輸送層が提案されている。しかし、通常のバインダー樹脂成分には正孔輸送能がないため、バインダー樹脂の含有量を多くした場合には、感度の低下や残留電位の上昇など、電気的特性の悪化を招きやすいという問題があった。
【０００６】
また、金属酸化物等を含む表面保護層は高い硬度及び電荷輸送能を有するものが得られるが、表面抵抗が低いために画像ボケしやすいという問題がある。
【０００７】
上記に列挙した問題点を改善する方法として、特開平１１−０１５１８５号公報では有機ケイ素変成正孔輸送性化合物をモノマー成分として重縮合することによって得られる樹脂を含有する表面層を有する感光体が開示している。しかし、溶剤中に架橋性モノマー成分のみを含有した溶液では、溶液粘度をコントロールしにくいため、溶液がゲル化したり、十分な膜厚を得たりすることが困難な場合がある。
【０００８】
また、溶液粘度をコントロールするためにポリマーを加えると、電位特性がポリマーを加えない場合よりも悪化してしまうという問題点があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は上記の問題点を解決することのできる、すなわち正孔輸送能のないバインダー成分に起因する感度の低下や残留電位の上昇などの電気的特性の悪化を招くことなく、かつ、溶液のゲル化を招くことなく、液粘度をコントロールしやすくし、機械的、電気的耐久性を両立させた電子写真感光体、及び該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記の問題点を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、重合反応性基を２つ有する電荷輸送性モノマーと重合反応性基を３つ以上有する電荷輸送性モノマーの２種類を用いることで、製造時の塗工性と、感光体としての表面性ならびに電位特性を両立できることを見いだし本発明に至った。
【００１１】
すなわち、本発明は、支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、該感光層が重合反応性基を２つ有する電荷輸送性モノマーと重合反応性基を３つ以上有する電荷輸送性モノマーの重縮合生成物を少なくとも含有することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、上記電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び画像形成装置である。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明では式（１）で表される重合反応性基を２つ有する電荷輸送性モノマーと式（２）で表される重合反応性基を３つ以上有する電荷輸送性モノマーを用いることができる。
【００１４】
【化４】
2004053913.tif 000003
（Ａは正孔輸送性基を示し、Ｒ１は置換もしくは無置換の有機基を示し、Ｑは加水分解性基または水酸基を示し、Ｒ２は置換もしくは無置換の一価炭化水素基を示し、ｎは１〜２の整数を示し、ｍは１〜２の整数を示し、ｎ×ｍ＝２である。）
【００１５】
【化５】
2004053913.tif 000004
（Ｂは正孔輸送性基を示し、Ｒ３は置換もしくは無置換の有機基を示し、Ｑ’は加水分解性基または水酸基を示し、Ｒ４は置換もしくは無置換の一価炭化水素基を示し、ｎ’は１〜３の整数を示し、ｍ’は正の整数を示し、ｎ’×ｍ’は３以上である。）
【００１６】
上記式（１）及び（２）はクロロシラン類、アルコキシシラン類、シラザン類、ＳｉＨ含有物等であり、Ｑ及びＱ’は加水分解性基または水酸基を示し、加水分解性基としては、アルコキシ基、オキシム基、イソシアナト基、ジエチルアミノ基、アセトキシ基、ハロゲン基等が挙げられ、反応性の高さと保存性のバランスにより決定される。
【００１７】
また、本発明における電荷輸送性とは電荷を輸送する能力のことであり、イオン化ポテンシャルで６．２ｅＶ以下であることが好ましい。つまり、前記式（１）で示される有機ケイ素変性正孔輸送性化合物の重縮合生成物は、イオン化ポテンシャルが６．２ｅＶ以下であることが好ましく、特に４．５〜６．２ｅＶであることが好ましい。イオン化ポテンシャルが６．２ｅＶを超えると正孔注入が起こりにくく帯電し易くなる。また、４．５ｅＶ未満では化合物が容易に酸化されるために劣化し易くなる。イオン化ポテンシャルは大気下光電子分析法（理研計器製、表面分析装置ＡＣ−１）によって測定される。
【００１８】
また、上記有機ケイ素変成正孔輸送性化合物の重縮合生成物は正孔輸送能として１×１０−７ｃｍ２／Ｖｓｅｃ以上のドリフト移動度を有しているものが好ましい。１×１０−７ｃｍ２／Ｖｓｅｃ未満では電子写真感光体として露光後、現像までに正孔が十分に移動できないために見かけ上感度が低減し、残留電位も高くなってしまう問題が発生する場合がある。
【００１９】
上記正孔輸送性基ＡおよびＢとしては、正孔輸送性を示すものであればいずれのものでもよく、その水素付加化合物（正孔輸送性有機分子）として示せば、例えば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン等のトリアリールアミン誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）アントラセン、１，１−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェン誘導体、Ｎ−フェニルカルバゾール誘導体等が挙げられる。
【００２０】
該正孔輸送性基Ａおよび該正孔輸送性基Ｂの具体的な構造としては下記式（３）
【００２１】
【化６】
2004053913.tif 000005
（Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は有機基であり、少なくともひとつは芳香族炭化水素環基または複素環基を含み、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は同一であっても異なっていてもよい。
）
で示されるものが好ましく、該正孔輸送性基Ａと該正孔輸送性基Ｂは同一であっても異なっていてもよい。
【００２２】
このように該正孔輸送性基Ａおよび該正孔輸送性基ＢはＲ５、Ｒ６及びＲ７からｍ個もしくはｍ’個の水素原子が除かれて形成された基である。
【００２３】
Ｒ５、Ｒ６及びＲ７の構造の好ましい具体例を以下に示す。
【００２４】
【表１】
2004053913.tif 000006
【００２５】
【表２】
2004053913.tif 000007
【００２６】
また、本発明では該正孔輸送性基Ａおよび該正孔輸送性基Ｂは正孔輸送性を示せばいずれのものでも良いが、式（３）で示され、さらにトリフェニルアミン構造を有するものが好ましい。式（３）で示されるがトリフェニルアミン構造を有していないものは好ましくない。また、３−アミノプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤には市販されているものも多く、式（１）、（２）および（３）の構造を満たすものが多く考えられるが、芳香族炭化水素基や複素環基を多く含まない構造のもので、正孔輸送性を示さない場合は本発明の有機ケイ素変成正孔輸送性化合物とは異なる。
【００２７】
上記式（１）および（２）の有機ケイ素変成電荷輸送性化合物の合成方法としては、公知の方法、例えば、芳香族環にビニル基を有する化合物と置換基を有する水素化ケイ素化合物とから白金系触媒、或いは有機過酸化物等を触媒にヒドロシリル化反応を行うものが好適に用いられる。この場合に使用される白金触媒についてはとくに限定するものではなく、通常のヒドロシリル化反応、付加型シリコーンゴムに用いられている白金触媒であればよく、塩化白金、塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金−フォスフィン錯体等が挙げられる。白金触媒の添加量に関しては特に制限するものではなく、残留触媒が特性に悪影響を与えないようにできる限り少量で用いることが望ましい。
【００２８】
芳香族環にビニル基を有する化合物と置換基を有する水素化ケイ素化合物とから白金系触媒等により、付加反応により本発明の化合物を合成する場合にはビニル基のα位と反応する場合とβ位と反応する場合があり、一般には混合物が生じる。本発明においてはα位、β位のどちらに反応したものも用いられるが、ケイ素原子と電荷輸送性基を結合している炭化水素基の炭素数が少ない場合には立体障害からはβ位に反応したものが好ましい。
【００２９】
有機過酸化物としては室温以上に１０時間半減期温度を示すものであればよく、特に、ラウリルパーオキシド等のアルキル過酸化物が水素引き抜きを起こしにくいことから好適に用いることができる。ビニル基を有しないものについては、芳香族環をホルミル化し、還元、脱水するか、または直接Ｗｉｔｔｉｇ反応によりビニル基を導入する方法等により、本発明の合成原料として用いることが可能である。
【００３０】
上記式（１）および（２）で示される有機ケイ素変性正孔輸送性化合物の加水分解、重縮合には、必ずしも触媒が必要視されるわけではないが、通常ケイ素樹脂等の加水分解、重縮合に用いられる触媒の使用を妨げるものではなく、加水分解、重縮合に要する時間、硬化温度等を考慮してジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル錫オクトエート等のアルキル錫有機酸塩等もしくはノルマルブチルチタネート等の有機チタン酸エステル等から適宜選択される。
【００３１】
本発明においては、式（１）で表される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物は重合反応性基を２つ有し、重縮合時に直鎖状のポリマー構造を形成してゲル化を招くことなく溶液粘度の向上に寄与する。式（１）で表される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物の構造はｎ＝１、ｍ＝２であるか、ｎ＝２、ｍ＝１であるかのどちらかであるが、ｎ＝１、ｍ＝２の方が分子量が大きいポリマーになりやすく、溶液粘度が向上し、製造時の塗工性という点で効果が大きくより好ましい。
【００３２】
式（２）で表される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物は重合反応性基を３つ以上有し、重縮合時に３次元架橋構造を形成して膜の硬化を促進する。膜の硬化により各元素間の運動や外部からの化合物の侵入が困難になることから、硬度や機械的強度が増大し、耐摩耗性が向上するのみでなく、帯電時に発生するアーク放電等の電気的な障害や化学物質等に対する耐久性も向上させることができる。
【００３３】
本発明は式（１）で表される直鎖状成分と式（２）で表される架橋成分の混合比を調整することによって製造時の塗工性と硬化時の強度を両立させたものである。式（１）および（２）で表される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物はモノマー同士を混合して共重合させてもよく、また、式（１）で表される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物をあらかじめ重合し、ある程度の分子量を持つポリマーを作製してから式（２）で表される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物を塗工時に架橋剤として添加してもよい。
【００３４】
硬化の条件としては１００〜２００℃で加熱することが好ましい。１００℃未満では硬化反応に時間がかかるため、未反応の加水分解性基が残存する可能性もある。２００℃を超えると電荷輸送性基が酸化劣化しやすくなり、悪影響が発生しやすい。より望ましい硬化の条件は、１２０〜１６０℃で加熱することである。
【００３５】
本発明の正孔輸送能を有する硬化性組成物を用いて電子写真感光体を製造する例を下記に示す。
【００３６】
電子写真感光体の支持体（図１及び２中の１）としては支持体自体が導電性を有するもの、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、クロム、チタン、ニッケル、マグネシウム、インジウム、金、白金、銀、鉄等を用いることができる。その他にアルミニウム、酸化インジウム、酸化スズ、金、等を蒸着等によりプラスチック等の誘電体基材に被膜形成し、導電層としたものや、導電性微粒子をプラスチックや紙に混合したもの等を用いることができる。これらの支持体は均一な導電性が求められるとともに平滑な表面が必要である。表面の平滑性はその上層に形成される下引き層、電荷発生層、正孔輸送層の均一性に大きな影響を与えることから、その表面荒さは０．３μｍ以下である。０．３μｍを超える凹凸は、下引き層や電荷発生層のような薄い層に印加される局所電場を大きく変化させてしまうためにその特性が大きく変化してしまい、電荷注入や残電のむら等の欠陥を生じ易いことから好ましくない。
【００３７】
特に導電性微粒子をポリマーバインダー中に分散して塗布することにより得られる導電層（図１及び２中の２）は形成が容易であり、均質な表面を形成することに適している。このとき用いられる導電性微粒子の１次粒径は１００ｎｍ以下であり、より好ましくは５０ｎｍ以下のものが用いられる。導電性微粒子としては、導電性酸化亜鉛、導電性酸化チタン、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、カーボンブラック、ＩＴＯ、酸化スズ、酸化インジウム、インジウム、等が用いられ、これらを絶縁性微粒子の表面にコーテイングして用いてもよい。
前記導電性微粒子の含有量は体積抵抗が十分に低くなるように使用され、好ましくは１×１０１０Ωｃｍ以下の抵抗となるように添加される。より好ましくは１×１０８Ωｃｍ以下で用いられる。
【００３８】
レーザー等のコヒーレントな光源を用いて露光する場合は、干渉による画像劣化を防止するために、上記支持体（導電性基材）の表面に凹凸を形成することも可能である。この場合は、直径が数μｍ以下のシリカビーズ等の絶縁物を分散させ、電荷注入や残留電位のむら等の欠陥が生じにくいように使用する波長の１／２λ程度の凹凸を１０μｍ以下の周期で形成して用いることができる。
【００３９】
本発明においては、導電性基材と感光層の中間に、注入阻止機能と接着機能をもつ下引層（図１及び２中の３）を設けることもできる。下引き層の材料としてはカゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポリビニルブチラール、フェノール樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、ゼラチン、金属アルコキシドの縮合物等が挙げられる。下引き層の膜厚は０．１μｍ〜１０μｍであることが好ましく、特には０．３μｍ〜３μｍであることが好ましい。
【００４０】
感光層としては電荷発生物質を含有する電荷発生層（図１及び２中の４）と電荷輸送物質を含有する電荷輸送層（図１及び２中の５）からなる機能分離タイプのものや電荷発生物質と電荷輸送物質を同一の層に含有する単層タイプ（不図示）が用いられる。
【００４１】
電荷発生材料としては、例えば、セレンーテルル、ピリリウム系染料、チオピリリウム系染料、フタロシアニン系顔料、アントアントロン系顔料、ジベンズピレンキノン系顔料、ピラントロン系顔料、トリスアゾ系顔料、ジスアゾ系顔料、アゾ系顔料、インジゴ系顔料、キナクリドン系顔料、シアニン系顔料等を用いることができる。
【００４２】
本発明の表面層は電荷輸送層（図１中の５）もしくは正孔輸送能を有する表面保護層（図２中の６）として用いることが可能である。
【００４３】
単層感光体として用いる場合は前記電荷発生材料と前記正孔輸送性化合物の重縮合生成物と組み合わせて用いることにより良好な特性が得られる。
【００４４】
本発明の表面層では式（１）示される正孔輸送性化合物の重縮合生成物と式（２）で示されるケイ素化合物の重縮合生成物以外のバインダー成分を用いることは好ましくない。正孔輸送能のないバインダー成分の添加は電気的特性に悪影響を与えやすく、また、ケイ素系以外のバインダー成分を本発明の表面層に含有させた場合に有機ケイ素変性正孔輸送性化合物と同時に縮合させることが困難になるからである。しかしながら、機械的特性の改良や耐久性向上のために最低限の添加剤を用いることができる。このような添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、安定化剤、架橋剤、潤滑剤、導電性制御剤等が用いられる。
【００４５】
本発明における電荷発生層の膜厚は３μｍ以下であることが好ましく、特には０．０１〜１μｍであることが好ましい。また、電荷輸送層の膜厚は１〜４０μｍであることが好ましく、特には３〜３０μｍであることが好ましい。
【００４６】
感光層が単層タイプである場合は、その膜厚は１〜４０μｍであることが好ましく、特には３〜３０μｍであることが好ましい。
【００４７】
本発明における表面保護層の厚みは１〜１５μｍであることが好ましい。１μｍ未満では保護効果が十分ではなく、１５μｍを超えると感光層全体の膜厚が増加することにより、画像劣化が生じ易くなってしまう。
【００４８】
図３に本発明のプロセスカートリッジを有する画像形成装置の第１の例の概略構成を示す。
【００４９】
図において７はドラム状の本発明の電子写真感光体であり、軸８を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。感光体７は、回転過程において、一次帯電手段９によりその周面に正または負の所定電位の均一帯電を受け、次いで、レーザービーム走査露光等の像露光手段（不図示）からの画像露光１０を受ける。
こうして感光体７の周面に静電潜像が順次形成されていく。
【００５０】
形成された静電潜像は、現像手段１１によりトナー現像され、現像されたトナー現像像は不図示の給紙部から感光体７と転写手段１２との間に感光体７の回転と同期取り出されて給紙された転写材１３に、転写手段１２により順次転写されていく。
【００５１】
像転写を受けた転写材１３は、感光体７の面から分離されて像定着手段１４へ導入されて像定着を受けることにより複写物（コピー）として装置外にプリントアウトされる。
【００５２】
像転写後の感光体７の表面は、クリーニング手段１５によって転写残りトナーの除去を受けて清浄面化され、更に前露光手段（不図示）からの前露光光１６により除電処理された後、繰り返し像形成に使用される。なお、一次帯電手段９が帯電ローラー等を用いた接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではない。
【００５３】
本発明においては、上述の感光体７、一次帯電手段９、現像手段１１及びクリーニング手段１５等の構成要素のうち、複数のものをプロセスカートリッジとして一体に結合して構成し、このプロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンタ等の画像形成装置本体に対して着脱可能に構成してもよい。例えば、感光体７を一次帯電手段と共に一体に支持してカートリッジ化して、装置本体のレール１８等の案内手段を用いて装置本体に着脱可能なプロセスカートリッジ１７とすることができる。
【００５４】
図４に本発明の画像形成装置の第２の例であるカラー複写機の概略構成を示す。図において２０１はイメージスキャナ部であり、原稿を読み取り、デジタル信号処理を行う部分である。また、２０２はプリンタ部であり、イメージスキャナに読み取られた原稿画像に対応した画像を用紙にフルカラーでプリント出力する部分である。
【００５５】
イメージスキャナ部２０１において、２００は原稿厚板であり、原稿台ガラス２０３上の原稿２０４を固定するために用いられる。原稿２０４は、ハロゲンランプ２０５の光で照射される。原稿２０４からの反射光はミラー２０６、２０７に導かれ、レンズ２０８により３本のＣＣＤラインセンサで構成される３ラインセンサ（以下、ＣＣＤという）２１０上に像を結ぶ。ＣＣＤ２１０は原稿からの光情報を色分解して、フェルカラー情報のうちレッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）、ブルー（Ｂ）成分として信号処理部２０９に送られる。なお、２０５、２０６は速度ｖで、２０７は１／２ｖでラインセンサの電気的走査方向（以下、主走査方向という）に対して垂直方向（以下、副走査方向という）に機械的に動くことにより、原稿全面を走査する。
【００５６】
信号処理部２１１では読み取られた信号を電気的に処理し、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、イエロー（Ｙ）、及びブラック（ＢＫ）の各成分に分解し、プリンタ部２０２に送られ、計４回の原稿走査により一回のプリントアウトが完成する。
【００５７】
イメージスキャナ部２０１より送られてくるＭ、Ｃ、Ｙ、及びＢＫの画像信号は、レーザドライバ２１２に送られる。レーザドライバ２１２は画像信号に応じ、半導体レーザー２１３を変調駆動する。レーザー光はポリゴンミラー２１４、ｆ−θレンズ２１５、ミラー２１６を介し、感光体ドラム２１７上を走査する。
【００５８】
２１８は回転現像器であり、マゼンタ現像器２１９、シアン現像器２２０、イエロー現像器２２１、ブラック現像器２２２より構成され、４つの現像器が交互に感光体ドラム２１７に接し、感光体ドラム２１７上に形成されたＭ、Ｃ、Ｙ、ＢＫの静電潜像を対応するトナーで現像する。
【００５９】
２２３は転写ドラムで、用紙カセット２２４または２２５より給紙された用紙をこの転写ドラム２２３に巻付け、感光体ドラム２１７上に現像されたトナー像を用紙に転写する。
【００６０】
このようにしてＭ、Ｃ、Ｙ、ＢＫの４色が順次転写された後に、用紙は定着ユニット２２６を通過して定着後、排紙される。
【００６１】
次に本発明に用いられる硬化性有機ケイ素高分子の合成例を示す。
【００６２】
【実施例】
合成例１〜３に、式（１）で表される重合反応性基を２つ有する有機ケイ素変成正孔輸送性化合物の合成例を示す。
【００６３】
［合成例１］
４，４′−ビス［２−（ジメチルエトキシシリル）エチル］トリフェニルアミンの合成
〈Ｎ，Ｎ−ビス（４−ホルミルフェニル）アミノベンゼンの合成〉
三つ口フラスコにトリフェニルアミン５０．７ｇとＤＭＦ３５．５ｍｌを入れ、氷水冷却下、撹拌しながらオキシ塩化リン８４．４ｍｌを滴下した。滴下終了後、混合溶液を９５℃で５時間反応させ、５リットルの温水へ注ぎ、１時間撹拌した。その後、沈殿物を濾取し、エタノール／水（１：１）の混合溶液で洗浄し、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ホルミルフェニル）アミノベンゼンを得た。収量は３６．４ｇであった。
【００６４】
〈Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビニルフェニル）アミノベンゼンの合成〉
水素化ナトリウム４．８ｇ、１，２−ジメトキシエタン７００ｍｌを三つ口フラスコに取り、室温で撹拌しながらメチルトリフェニルホスフォニウムブロマイド７３．２ｇを加えた。次に無水エタノールを１滴加えた後、７０℃で４時間反応させた。以上のようにして得られた反応混合液にＮ，Ｎ−ビス（４−ホルミルフェニル）アミノベンゼン３０．０ｇを加え、７０℃で５時間反応させた後、水洗し、トルエンで抽出した。ついで、トルエン溶液を塩化カルシウムで脱水後、溶媒を除去し淡黄色のＮ，Ｎ−ビス（４−ビニルフェニル）アミノベンゼンを得た。収量は１８．４ｇであった。
【００６５】
〈Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビニルフェニル）アミノベンゼンのヒドロシリル化〉
トルエン４０ｍｌ、ジメチルエトキシシラン６．１ｇ（５８ｍｍｏｌ）及びトリス（テトラメチルジビニルジシロキサン）二白金（０）のトルエン溶液０．０１７ｍｍｏｌを三つ口フラスコに取り、室温で撹拌しながらＮ，Ｎ−ビス（４−ビニルフェニル）アミノベンゼン２．６ｇ（８．７ｍｍｏｌ）のトルエン溶液２０ｍｌを滴下した。滴下終了後、７０℃で３時間撹拌を行った後、溶媒を減圧下で除去し、淡黄色油状の４，４’−ビス［２−（ジメチルエトキシシリル）エチル］トリフェニルアミンを得た。収量は４．４ｇであった。
【００６６】
この化合物のイオン化ポテンシャルを大気下光電子分析法（理研計器製、表面分析装置ＡＣ−１）にて測定したところ、５．６０ｅＶであった。
【００６７】
［合成例２］
Ｎ，Ｎ′−ビス｛４−〔２−（ジメチルエトキシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ，Ｎ′−ビス−（フェニル）−ベンジジンの合成
トルエン４０ｍｌ、ジメチルエトキシシラン２０．２ｇ　（１９３ｍｍｏｌ）及びジクロロ（ｈ−シクロオクタ−１，５−ジエン）白金（ＩＩ）１．７３ｍｍｏｌを三つ口フラスコに取り、室温で撹拌しながらＮ，Ｎ′−ビス−４−（ビニルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス−（フェニル）−ベンジジン１５．７ｇ（２９．０ｍｍｏｌ）のトルエン溶液４０ｍｌを滴下した。滴下終了後、７０℃で３時間撹拌を行った後、溶媒を減圧下で除去し、淡黄色油状のＮ，Ｎ′−ビス｛４−〔２−（ジメチルエトキシシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ，Ｎ′−ビス−（フェニル）−ベンジジンを得た。収量は２０．８ｇであった。
【００６８】
［合成例３］
Ｎ，Ｎ′−ビス｛４−〔２−（ジメチルアセトキシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ，Ｎ′−ビス−（フェニル）−ベンジジンの合成
トルエン４０ｍｌ、ジメチルアセトキシシラン２２．８ｇ（１９３ｍｍｏｌ）及びジクロロ（ｈ−シクロオクタ−１，５−ジエン）白金（ＩＩ）１．７３ｍｍｏｌを三つ口フラスコに取り、室温で撹拌しながらＮ，Ｎ′−ビス−４−（ビニルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス−（フェニル）−ベンジジン１５．７ｇ（２９．０ｍｍｏｌ）のトルエン溶液４０ｍｌを滴下した。滴下終了後、７０℃で３時間撹拌を行った後、溶媒を減圧下で除去し、淡黄色油状のＮ，Ｎ′−ビス｛４−〔２−（ジメチルアセトキシシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ，Ｎ′−ビス−（フェニル）−ベンジジンを得た。収量は２１．３ｇであった。
【００６９】
合成例４〜７に、式（２）で表される重合反応性基を３つ以上有する有機ケイ素変成正孔輸送性化合物の合成例を示す。
【００７０】
［合成例４］
４，４′−ビス［２−（ジメチルエトキシシリル）エチル］トリフェニルアミンの合成
〈４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒドの合成〉
三つ口フラスコにトリフェニルアミン１０１．４ｇとＤＭＦ３５．５ｍｌを入れ、氷水冷却下、撹拌しながらオキシ塩化リン８４．４ｍｌを滴下し、温度を９５℃に上げて５時間反応させた。反応液を４ｌの温水へ注ぎ１時間撹拌した。その後、沈殿物をロ取し、エタノール／水（１：１）の混合溶液で洗浄し、４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒドを得た。収量は９１．５ｇであった。
【００７１】
〈４−ビニルトリフェニルアミンの合成〉
水素化ナトリウム１４．６ｇ、１，２−ジメトキシエタン７００ｍｌを三つ口フラスコに取り、室温で撹拌しながらトリメチルホスフォニウムブロマイド１３０．８ｇを加えた。次に無水エタノールを１滴加えた後、７０℃で４時間反応させた。これに４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒド１００ｇを加え、７０℃に温度を上げ５時間反応させた。反応液を濾過し、その濾液と沈殿物のエーテル抽出液を混合し、水洗した。ついで、エーテル液を塩化カルシウムで脱水後、エーテルを除去し、反応混合物を得た。これを用いてエタノールから再結晶を行い、針状、淡黄色のビニルトリフェニルアミンを得た。収量は８３．４ｇであった。
【００７２】
〈４−ビニルトリフェニルアミンのヒドロシリル化〉
トルエン４０ｍｌ、トリエトキシシラン１６．５ｇ（１０１ｍｍｏｌ）及びトリス（テトラメチルジビニルジシロキサン）二白金（０）のトルエン溶液０．０３ｍｍｏｌを三つ口フラスコに取り、室温で撹拌しながら４−ビニルトリフェニルアミン８．２ｇ（３０．２ｍｍｏｌ）のトルエン溶液２０ｍｌを滴下した。滴下終了後、７０℃で３時間撹拌を行った後、溶媒を減圧下で除き、淡黄色油状の４−［２−（トリエトキシシリル）エチル］トリフェニルアミンを得た。収量は１２．１ｇであった。
【００７３】
この化合物のイオン化ポテンシャルを大気下光電子分析法（理研計器製、表面分析装置ＡＣ−１）にて測定したところ、５．６８ｅＶであった。
【００７４】
この化合物を銅基板上にワイヤーバーコート法により塗布し、１２０℃にて１２時間熱硬化し、約８μｍの厚さの膜を作製した。次に蒸着により半透明金電極を形成した。
【００７５】
このサンプルに対してパルス巾３ｎｓｅｃの波長３３７ｎｍの窒素レーザーを用いてＴｉｍｅ−ｏｆ−ｆｌｉｇｈｔ法にてドリフト移動度を測定したところ１×１０−７ｃｍ２／Ｖｓｅｃであった。
【００７６】
［合成例５］
４，４′−ビス［２−（トリエトキシシリル）エチル］トリフェニルアミンの合成
合成例１と同様にＮ，Ｎ−ビス（４−ビニルフェニル）アミノベンゼンを得た。トルエン４０ｍｌ、トリエトキシシラン９．５ｇ（５８ｍｍｏｌ）及びトリス（テトラメチルジビニルジシロキサン）二白金（０）のトルエン溶液０．０１７ｍｍｏｌを三つ口フラスコに取り、室温で撹拌しながらＮ，Ｎ−ビス（４−ビニルフェニル）アミノベンゼン２．６ｇ（８．７ｍｍｏｌ）のトルエン溶液２０ｍｌを滴下した。滴下終了後、７０℃で３時間撹拌を行った後、溶媒を減圧下で除去し、淡黄色油状の４，４′−ビス［２−（トリエトキシシリル）エチル］トリフェニルアミンを得た。収量は５．３ｇであった。
【００７７】
この化合物のイオン化ポテンシャルを大気下光電子分析法（理研計器製、表面分析装置ＡＣ−１）にて測定したところ、５．６７ｅＶであった。
【００７８】
この化合物を銅基板上にワイヤーバーコート法により塗布し、１２０℃にて１２時間熱硬化し、約５μｍの厚さの膜を作製した。次に蒸着により半透明金電極を形成した。
【００７９】
このサンプルに対してパルス巾３ｎｓｅｃの波長３３７ｎｍの窒素レーザーを用いてＴｉｍｅ−ｏｆ−ｆｌｉｇｈｔ法にてドリフト移動度を測定したところ３×１０−７ｃｍ２／Ｖｓｅｃであった。
【００８０】
［合成例６］
Ｎ，Ｎ′−ビス｛４−〔２−（トリエトキシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ，Ｎ′−ビス−（フェニル）−ベンジジンの合成
トルエン４０ｍｌ、トリエトキシシラン３１．７ｇ　（１９３ｍｍｏｌ）及びジクロロ（ｈ−シクロオクタ−１，５−ジエン）白金（ＩＩ）１．７３ｍｍｏｌを三つ口フラスコに取り、室温で撹拌しながらＮ，Ｎ′−ビス−４−（ビニルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス−（フェニル）−ベンジジン１５．７ｇ（２９．０ｍｍｏｌ）のトルエン溶液４０ｍｌを滴下した。滴下終了後、７０℃で３時間撹拌を行った後、溶媒を減圧下で除去し、淡黄色油状のＮ，Ｎ′−ビス｛４−〔２−（トリエトキシシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ，Ｎ′−ビス−（フェニル）−ベンジジンを得た。収量は２４．３ｇであった。
【００８１】
［合成例７］
Ｎ，Ｎ′−ビス｛４−〔２−（メチルジメトキシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ，Ｎ′−ビス−（フェニル）−ベンジジンの合成
トルエン４０ｍｌ、メチルジメトキシシラン２０．３ｇ　（１９３ｍｍｏｌ）及びジクロロ（ｈ−シクロオクタ−１，５−ジエン）白金（ＩＩ）１．７３ｍｍｏｌを三つ口フラスコに取り、室温で撹拌しながらＮ，Ｎ′−ビス−４−（ビニルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス−（フェニル）−ベンジジン１５．７ｇ（２９．０ｍｍｏｌ）のトルエン溶液４０ｍｌを滴下した。滴下終了後、７０℃で３時間撹拌を行った後、溶媒を減圧下で除去し、淡黄色油状のＮ，Ｎ′−ビス｛４−〔２−（メチルジメトキシシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ，Ｎ′−ビス−（フェニル）−ベンジジンを得た。収量は２０．６ｇであった。
【００８２】
［実施例１］
以下の記載において、「部」は「質量部」を意味する。
【００８３】
引き抜き加工により得られた外径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、フェノール樹脂（商品名：プライオーフェン、大日本インキ化学工業（株）製）１６７部をメチルセロソルブ１００部に溶解したものへ導電性硫酸バリウム超微粒子（１次粒径５０ｎｍ）２００部及び平均粒径２μｍのシリコーン樹脂粒子３部を分散したものを浸せきコーテイング法により塗工し、乾燥後の膜厚が１５μｍの導電層を形成した。
【００８４】
上記導電層上にアルコール可溶性共重合ナイロン（商品名：アミランＣＭ−８０００、東レ（株）製）５部をメタノール９５部に溶解した溶液を浸せきコーテイング法により塗工した。８０℃で１０分間乾燥して、膜厚が１μｍの下引き層を形成した。
【００８５】
次に、電荷発生層用分散液としてＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２゜）の９．０゜、１４．２゜、２３．９゜及び２７．１゜に強いピークを有するオキシチタニルフタロシアニン顔料５部をシクロヘキサノン９５部にポリビニルベンザール（ベンザール化度７５％以上）２部を溶解した液に加え、サンドミルで２時間分散した。
【００８６】
この分散液を先に形成した下引き層の上に乾燥後の膜厚が０．２μｍとなるように浸せきコーテイング法で塗工した。
【００８７】
次に合成例１で合成した４，４′−ビス［２−（ジメチルエトキシシリル）エチル］トリフェニルアミン７０．８部と合成例５で合成した４，４′−ビス［２−（トリエトキシシリル）エチル］トリフェニルアミン２９．２部を共にトルエン２３３．３部に溶解し、ジブチル錫ジアセテート１部、蒸留水３．４部を加え混合した溶液を３０ｍｉｎ還流した。
【００８８】
この溶液を浸せきコーテイング法により塗工し、１２０℃で１時間乾燥、熱硬化することで１７μｍの厚さの電荷輸送層を形成した。鉛筆硬度は４Ｈであり、水の接触角は１１０度であった。
【００８９】
この電子写真感光体を−６００Ｖに帯電し、波長６８０ｎｍの光を用いて電子写真特性を測定したところ、Ｅ１／２（−３００Ｖまで帯電電位が減少するために必要な露光量）が０．１５Ｊ／ｃｍ２、残留電位が−２２Ｖと非常に良好であった。
【００９０】
本電子写真感光体をキヤノン製レーザービームプリンタＬＢＰ−ＳＸの改造機（（１／ｅ２）を副走査方向で６３．５μｍ、主走査方向で２０μｍの照射スポット径となるように改造）を用い、初期帯電−６００Ｖに設定して画像評価を行ったところ、１０，０００枚の耐久試験後においても画像の劣化がなく、６００ｄｐｉ相当の入力信号においてのハイライト部の１画素再現性も十分であった。
【００９１】
［実施例２］
実施例１と同様に電荷発生層までを形成した。
【００９２】
次に合成例２で合成したＮ，Ｎ′−ビス｛４−〔２−（ジメチルエトキシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ，Ｎ′−ビス−（フェニル）−ベンジジン７１．１部と合成例６で合成したＮ，Ｎ′−ビス｛４−〔２−（トリエトキシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ，Ｎ′−ビス−（フェニル）−ベンジジン２８．９部を共にトルエン２３３．３部に溶解し、ジブチル錫ジアセテート１部、蒸留水２．４部を加え混合した溶液を３０ｍｉｎ還流した。
【００９３】
この溶液を浸せきコーテイング法により塗工し、１２０℃で１時間乾燥、熱硬化することで１７μｍの厚さの電荷輸送層を形成した。鉛筆硬度は５Ｈであり、水の接触角は１０５度であった。
【００９４】
この電子写真感光体を実施例１と同様にして評価したところ、Ｅ１／２が０．１３Ｊ／ｃｍ２、残留電位が−１５Ｖと非常に良好であった。
【００９５】
本電子写真感光体を実施例１と同様のキヤノン製レーザービームプリンタを用い、初期帯電−６００Ｖに設定して画像評価をおこなったところ、５，０００枚の耐久試験後の感光体の摩耗量は０．１μｍ以下と極めて少なく、耐久後の水の接触角も１００度と良好で、画像の劣化もなく、６００ｄｐｉ相当の入力信号においてのハイライト部の１画素再現性も十分であった。
【００９６】
［実施例３］
実施例１と同様に電荷発生層までを形成した。
【００９７】
次に合成例２で合成したＮ，Ｎ′−ビス｛４−〔２−（ジメチルエトキシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ，Ｎ′−ビス−（フェニル）−ベンジジン４８．７部と合成例７で合成したＮ，Ｎ′−ビス｛４−〔２−（メチルジメトキシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ，Ｎ′−ビス−（フェニル）−ベンジジン５１．３部を共にトルエン２３３．３部に溶解し、ジブチル錫ジアセテート１部、蒸留水２．５部を加え混合した溶液を３０ｍｉｎ還流した。
【００９８】
この溶液を浸せきコーテイング法により塗工し、１２０℃で１時間乾燥、熱硬化することで１７μｍの厚さの電荷輸送層を形成した。鉛筆硬度は５Ｈであり、水の接触角は１０７度であった。
【００９９】
この電子写真感光体を実施例１と同様にして評価したところ、Ｅ１／２が０．１３Ｊ／ｃｍ２、残留電位が−１３Ｖと非常に良好であった。
【０１００】
本電子写真感光体を実施例１と同様のキヤノン製レーザービームプリンタを用い、初期帯電−５００Ｖに設定して画像評価を行ったところ、１万枚の耐久試験後の感光体の摩耗量は０．３μｍと極めて少なく、水の接触角は１０２度と良好で黒ポチ等の電荷注入及び干渉縞による画像の劣化もなく、６００ｄｐｉ相当の入力信号においてのハイライト部の１画素再現性も十分であった。
【０１０１】
［実施例４］
実施例１と同様に電荷発生層までを形成した。
【０１０２】
次に合成例３で合成したＮ，Ｎ′−ビス｛４−〔２−（ジメチルアセトキシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ，Ｎ′−ビス−（フェニル）ーベンジジン４７．２部トルエン２３３．３部に溶解し、ジブチル錫ジアセテート１部、蒸留水２．５部を加え混合した溶液を１２０ｍｉｎ還流し、合成例６で合成したＮ，Ｎ′−ビス｛４−〔２−（トリエトキシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ，Ｎ′−ビス−（フェニル）−ベンジジン５２．８部を加え均一になるまで攪拌した。
【０１０３】
この溶液を浸せきコーテイング法により塗工し、１２０℃で１時間乾燥、熱硬化することで１４μｍの厚さの電荷輸送層を形成した。鉛筆硬度は５Ｈであり、水の接触角は１０４度であった。
【０１０４】
この電子写真感光体を実施例１と同様にして評価したところ、Ｅ１／２が０．１４Ｊ／ｃｍ２、残留電位が−１３Ｖと非常に良好であった。
【０１０５】
本電子写真感光体を実施例１と同様のキヤノン製レーザービームプリンタを用い、初期帯電−５００Ｖに設定して画像評価を行ったところ、１万枚の耐久試験後の摩耗量は０．２５μｍと極めて少なく、水の接触角は１００度であり、ハイライト部、高濃度部の再現性の優れた画像が得られた。
【０１０６】
［比較例１］
実施例１と同様に電荷発生層までを形成した。
【０１０７】
次に合成例７で合成したＮ，Ｎ′−ビス｛４−〔２−（メチルジメトキシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ，Ｎ′−ビス−（フェニル）−ベンジジン５０部、トルエン１１６．７部に溶解し、ジブチル錫ジアセテート０．５部、蒸留水１．２部を加え混合した溶液を３０ｍｉｎ還流し、ポリカーボネート樹脂（商品名：Ｚ２００、三菱瓦斯化学（株）製）５０部とクロロベンゼン１１６．７部を加え均一になるまで攪拌した。
【０１０８】
この溶液を浸せきコーテイング法により塗工し、１２０℃で１時間乾燥、熱硬化することで１４μｍの厚さの電荷輸送層を形成した。鉛筆硬度は４Ｈであり、水の接触角は１００度であった。
【０１０９】
この電子写真感光体を実施例１と同様にして評価したところ、Ｅ１／２は０．２３Ｊ／ｃｍ２であったが、残留電位が−５７Ｖと大きかった。
【０１１０】
本電子写真感光体を実施例１と同様のキヤノン製レーザービームプリンタを用い、初期帯電−６００Ｖに設定して画像評価を行ったところ、５，０００枚の耐久試験後、画像にゴーストが現れた。
【０１１１】
［比較例２］
実施例１と同様に電荷発生層までを形成した。
【０１１２】
次に合成例２で合成したＮ，Ｎ′−ビス｛４−〔２−（ジメチルエキシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ，Ｎ′−ビス−（フェニル）−ベンジジン１００部をトルエン２３３．３部に溶解し、ジブチル錫ジアセテート１部、蒸留水２．５部を加え混合した溶液を１２０ｍｉｎ還流した。
【０１１３】
この溶液を浸せきコーテイング法により塗工し、１２０℃で１時間乾燥、熱硬化したが、電荷輸送層の膜厚は最大でも１０μｍとなり、白濁した非常に脆い膜となった。この写真感光体は表面層が脆いために実施例１と同様の評価は出来なかった。
【０１１４】
［比較例３］
実施例１と同様に電荷発生層までを形成した。
【０１１５】
次に合成例６で合成したＮ，Ｎ′−ビス｛４−〔２−（トリエトキシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ，Ｎ′−ビス−（フェニル）−ベンジジン１００部をトルエン２３３．３部に溶解し、ジブチル錫ジアセテート１部、蒸留水２．１部を加え混合した溶液を３０ｍｉｎ還流した。
【０１１６】
この溶液を浸せきコーテイング法により塗工したが、溶液はゲル化してゼリー状となり、電荷輸送層の表面は凹凸の激しい塗膜となった。１２０℃で１時間乾燥、熱硬化したが、膜厚が７μｍ〜３５μｍとなり、均一な膜厚とならず、一部ではヒビ割れも発生した。
【０１１７】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、正孔輸送能のないバインダー成分に起因する感度の低下や残留電位の上昇などの電気的特性の悪化を招くことなく、かつ、溶液のゲル化を招くことなく、液粘度をコントロールしやすくし、機械的、電気的耐久性を両立した電子写真感光体、及び該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す図である。
【図２】本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す図である。
【図３】本発明の画像形成装置の第１の例の概略構成を示す図である。
【図４】本発明の画像形成装置の第２の例の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
１　　　支持体
２　　　導電層
３　　　下引き層
４　　　電荷発生層
５　　　電荷輸送層
６　　　表面保護層
７　　　感光体（電子写真感光体）
８　　　軸
９　　　一次帯電手段
１０　　　画像露光
１１　　　現像手段
１２　　　転写手段
１３　　　転写材
１４　　　像定着手段
１５　　　クリーニング手段
１６　　　前露光光
１７　　　プロセスカートリッジ
１８　　　レール
２００　　　原稿厚板
２０１　　　イメージスキャナ部
２０２　　　プリンタ部
２０３　　　原稿台ガラス
２０４　　　原稿
２０５　　　ハロゲンランプ
２０６、２０７、２１６　　　ミラー
２０８　　　レンズ
２０９、２１１　　　信号処理部
２１０　　　３ラインセンサ
２１２　　　レーザドライバ
２１３　　　半導体レーザー
２１４　　　ポリゴンミラー
２１５　　　ｆ−θレンズ
２１７　　　感光体ドラム
２１８　　　回転現像器
２２３　　　転写ドラム
２２４、２２５　　　用紙カセット
【図１】
2004053913.tif 000012
【図２】
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【図３】
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【図４】
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