(57)【要約】【課題】金属材料の省資源化を達成することができる金属層の形成方法を提供する。【解決手段】表面が親水性の基板１０上の選択された領域にシランカップリング剤からなる疎水膜１１を設けて疎水性にする。有機物３に保護された金属粒子２を含む粒子分散液５を少なくとも疎水性の領域に付着させ、疎水性の領域に選択的に凝集させて、金属粒子２同士を結合させる。このようにすることにより、基板１０上に選択的に金属層２０を形成することができる。このように形成した金属層２０を配線に適用することで、微細配線、低抵抗配線、長配線を達成できる。【選択図】      図１
2004296424.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも選択された領域が疎水性を有する基板を準備する工程と、
有機物で保護された金属又は金属酸化物の粒子を含む分散液を少なくとも前記基板上の疎水性の領域に付着させる工程と、
前記金属又は金属酸化物の粒子を結合させる工程とを具備してなることを特徴とする前記基板上の選択された領域への金属層の形成方法。
【請求項２】
基板上の選択された領域に金属層を形成する方法であって、
前記基板上の選択された領域を疎水性にする工程と、
有機物で保護された金属又は金属酸化物の粒子を含む分散液を少なくとも前記基板上の疎水性の領域に付着させる工程と、
前記金属又は金属酸化物の粒子を結合させる工程とを具備してなることを特徴とする金属層の形成方法。
【請求項３】
前記基板上の選択された領域を疎水性にする工程は、前記基板上の選択された領域の少なくとも周りの領域を親水性にする工程であることを特徴とする請求項２に記載の金属層の形成方法。
【請求項４】
前記基板として、少なくとも表面が親水性を有する基板を用い、且つ、前記基板上の選択された領域を疎水性にするとともに前記基板上の選択された領域の少なくとも周りの領域を親水性にする工程が、少なくとも表面が親水性を有する前記基板上に疎水性の層を形成し、前記選択された領域の少なくとも周りの領域に形成された前記疎水性の層を前記基板から除去する工程を具備してなることを特徴とする請求項３に記載の金属層の形成方法。
【請求項５】
前記選択された領域の少なくとも周りの領域に形成された前記疎水性の層を前記基板から除去する工程は、所定のパターンを有するマスクを介してエキシマレーザ光、真空紫外線領域の波長光、又は紫外線領域の波長光を前記選択された領域の少なくとも周りの領域に照射して前記疎水性の層を分解する工程であることを特徴とする請求項４に記載の金属層の形成方法。
【請求項６】
前記金属又は金属酸化物の粒子を結合させる工程は、前記選択された領域に形成された前記疎水性の層を除去する工程であることを特徴とする請求項４又は５に記載の金属層の形成方法。
【請求項７】
前記分散液を少なくとも前記基板上の疎水性の領域に付着させる工程は、前記有機物に保護された金属又は金属酸化物の粒子を前記疎水性の領域に凝集させるとともに、前記分散液中の分散媒を除去する工程であることを特徴とする請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載の金属層の形成方法。
【請求項８】
前記金属又は金属酸化物の粒子を結合させる工程は、前記金属又は金属酸化物の粒子を保護している前記有機物を除去する工程であることを特徴とする請求項１〜７のうちのいずれか１項に記載の金属層の形成方法。
【請求項９】
前記金属又は金属酸化物の粒子を結合させる工程は、不活性ガス又は還元性ガスの雰囲気中で行うことを特徴とする請求項１〜８のうちのいずれか１項に記載の金属層の形成方法。
【請求項１０】
金属又は金属酸化物の粒子を結合させてなる結合層上に、無電解めっき法もしくは電解めっき法により金属めっき層を形成する工程を具備してなることを特徴とする請求項１，６，８，９のうちのいずれか１項に記載の金属層の形成方法。
【請求項１１】
前記粒子は、平均粒径が１ｎｍ〜１００ｎｍの粒子であることを特徴とする請求項１，６，７，８，９，１０のうちのいずれか１項に記載の金属層の形成方法。
【請求項１２】
前記粒子は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｓｎ及びＲｕのうちの少なくとも１つの金属、これらの金属のうちの少なくとも１つの金属を含む合金、もしくはＣｕ２Ｏを含む金属酸化物からなることを特徴とする請求項１，６，７，８，９，１０のうちのいずれか１項に記載の金属層の形成方法。
【請求項１３】
金属又は金属酸化物の粒子を結合させてなる結合層を有する金属層であって、前記結合層が基板上の選択された領域に設けられていることを特徴とする金属層。
【請求項１４】
前記結合層上には、金属めっき層が設けられていることを特徴とする請求項１３に記載の金属層。
【請求項１５】
マトリックス状に設けられた複数の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを駆動するための複数の走査配線及び複数の信号配線と、複数の画素電極と、複数の接続端子と、を具備する表示装置であって、
前記薄膜トランジスタの電極、前記複数の走査配線、前記複数の信号配線、前記画素電極、及び前記複数の接続端子のうちの少なくとも１つが、金属もしくは金属酸化物の粒子の結合層を有する金属層により形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
前記結合層上には、金属めっき層が設けられていることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記金属めっき層の少なくとも表面が金属拡散防止膜で構成されていることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、半導体集積回路装置のような半導体装置が備える配線や、液晶表示装置のような表示装置が備える配線、端子、電極、又は薄膜トランジスタの一部等に用いられる金属層の形成方法、金属層、及び金属層を用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路装置、例えばＬＳＩ、ＵＬＳＩ等では、高い素子集積度や高い動作速度の実現のために、回路内の信号伝達の高速化が図られている。そのため、このような半導体集積回路装置では、低い比抵抗を有する材料で配線を行うことが要求されている。
【０００３】
一方、液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置、或いは無機ＥＬ表示装置のような表示装置では、大画面化による配線長の増加、高精細化のための微細化、多機能化のための周辺回路の付加、メモリ機能を付加するためのモノリシック化等が進んできている。そのため、このような表示装置もまた、これまでのＡｌ、Ｔａ、Ｍｏ等よりも低い比抵抗を有する材料で配線することが要求されている。また、基板上のシリコンアレイに薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）を直接形成するような場合には、これらと同レベルの微細配線の形成が必要となる。
【０００４】
半導体集積回路装置や表示装置が備える配線の形成方法としては、従来、基板上の全面に金属膜を形成し、レジストパターニング後に所望の領域以外の領域をエッチングする方法や、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を含むダマシン法により研磨除去する方法が知られている（例えば、特許文献１及び２参照。）。
【０００５】
また、半導体集積回路装置や表示装置が備える配線の他の形成方法としては、露光により親水化させることが可能となる疎水性の処理剤を用いて選択された領域に配線を形成する方法が知られている。この形成方法では、まず、基板のパターン形成面を疎水性のシランカップリング剤を用いて疎水化させるとともに露光部を親水化させる。金属化合物の親水性又は疎水性溶液をパターン形成面に塗布する。そして、焼成することにより金属化合物を析出させて、所望の配線パターン状に金属層を形成している（例えば、特許文献３参照。）。
【特許文献１】特開平２００２−３５３２２２号公報（段落００３０〜段落００３２、図１）
【特許文献２】特開平２００１−１８９２９５号公報（段落０００４〜段落０００９、図１）
【特許文献３】特開平７−３２６２３５号公報（段落００２５〜段落００４０、図２〜図７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、半導体集積回路装置や表示装置では、配線の総面積が基板の面積に比べて数パーセント程度と非常に小さい。そのため、基板上の全面に金属膜を形成し、その後、選択された配線領域以外の領域を除去するといった特許文献１又は２に記載の技術では、金属膜の大部分が除去されることになる。その結果、金属膜を形成する金属材料の利用効率は非常に低くなるので、特に、原料的に高価な金属材料を用いるような場合には、半導体集積回路装置や表示装置の製造コストを高騰させるという問題がある。
【０００７】
また、大型で且つ薄いガラス基板を用いる表示装置の製造工程に特許文献１又は２に記載の技術を適用すると、ガラス基板の全面に形成される金属膜の応力によりガラス基板に大きな反りが発生するという問題もある。
【０００８】
特許文献３では、パターン状の疎水性領域を形成後、金属化合物の疎水性溶液を液滴状に塗布し、析出させた金属化合物を金属化処理することが記載されているが、析出させる金属化合物のサイズや形成される膜厚等の具体的な記載はなく、大面積ガラス上に低抵抗でかつ微細な長配線を形成する技術開示は見当たらない。
【０００９】
この発明は、このような事情に基づいてなされたもので、微細配線、低抵抗配線、長配線を達成することができる金属層の形成方法、金属層、及び金属層を用いた表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するために、本発明は、金属粒子、例えば、金属のナノ粒子による配線や金属層の形成を可能にしたものである。
【００１１】
第１の観点に基づく本発明の金属層の形成方法は、少なくとも選択された領域が疎水性を有する基板を準備する工程と、有機物で保護された金属又は金属酸化物の粒子を含む分散液を少なくとも前記基板上の疎水性の領域に付着させる工程と、前記金属又は金属酸化物の粒子を結合させる工程とを具備してなることを特徴とする。
【００１２】
「少なくとも選択された領域が疎水性を有する基板」とは、基板上の全域が疎水性を有する基板であっても基板上の一部分が疎水性を有する基板であってもよい。また、この発明において「基板」とは、金属層が形成される層であり、少なくとも選択された領域が疎水性を有するように形成されたものをいう。つまり、少なくとも選択された領域が基板上の全域である場合には、少なくとも表面が疎水性を有する基板をそのまま用いることができる。さらに、基板は、基体上に例えば酸化シリコン等の膜や層を設け、前記膜や層の表面の選択された領域に対応する領域を疎水性に形成したものを含む。
【００１３】
前記課題を解決するために、第２の観点に基づく発明の金属層の形成方法は、基板上の選択された領域に金属層を形成する方法であって、前記基板上の選択された領域を疎水性にする工程と、有機物で保護された金属又は金属酸化物の粒子を含む分散液を少なくとも前記基板上の疎水性の領域に付着させる工程と、前記金属又は金属酸化物の粒子を結合させる工程とを具備してなることを特徴とする。
【００１４】
「基板上の選択された領域」とは、表面の全域であっても一部分であってもよい。また、この発明では、基板上の選択された領域を疎水性にする工程を含むので、基板は選択された領域が疎水性を有するように形成されたものでなくてよい。つまり、基板の表面は疎水性であっても親水性であってもよい。さらに、基板は、基体上に例えば酸化シリコン等の膜や層を設けたものを含む。
【００１５】
上記第２の観点に基づく発明を実施するにあたり、前記基板上の選択された領域を疎水性にする工程は、前記基板上の選択された領域の少なくとも周りの領域を親水性にする工程とすることができる。
【００１６】
その場合、例えば、前記基板として、少なくとも表面が親水性を有する基板を用い、且つ、前記基板上の選択された領域を疎水性にするとともに前記基板上の選択された領域の少なくとも周りの領域を親水性にする工程が、少なくとも表面が親水性を有する前記基板上に疎水性の層を形成し、前記選択された領域の少なくとも周りの領域に形成された前記疎水性の層を前記基板から除去する工程を具備してなるようにすることで実現できる。
【００１７】
疎水性の層は、基板の複数の面のうちの一面のみに形成してもよく、また、複数の面に形成してもよい。また、必ずしも疎水性の層を形成した全ての面に金属層を形成しなくてもよい。「前記選択された領域の少なくとも周りの領域に形成された前記疎水性の層を前記基板から除去する」とは、選択された領域の周囲に形成された疎水性の層を基板から除去する他、選択された領域以外の領域に形成された疎水性の層を基板から除去する場合も含む。
【００１８】
さらに、前記選択された領域の少なくとも周りの領域に形成された前記疎水性の層を前記基板から除去する工程は、所定のパターンを有するマスクを介してエキシマレーザ光、真空紫外線領域の波長光、又は紫外線領域の波長光を前記選択された領域の少なくとも周りの領域に照射して前記疎水性の層を分解する工程とすることができる。
【００１９】
その場合、前記金属又は金属酸化物の粒子を結合させる工程は、前記選択された領域に形成された前記疎水性の層を除去する工程としてもよい。これは、選択された領域に形成された疎水性の層を除去する工程が金属又は金属酸化物の粒子を結合させる工程を含むことを意味している。すなわち、選択された領域に形成された疎水性の層を除去する工程で、これとともに、金属又は金属酸化物の粒子を結合させることを意味している。
【００２０】
なお、前記選択された領域に形成された前記疎水性の層を除去する工程が、前記金属又は金属酸化物の粒子を結合させる工程を含むようにしてもよい。
【００２１】
また、上記第２の観点に基づく発明を実施するにあたり、前記基板として、少なくとも表面が疎水性を有する基板を用い、且つ、前記基板上の選択された領域を疎水性にするとともに前記基板上の選択された領域の少なくとも周りの領域を親水性にする工程が、少なくとも表面が疎水性を有する前記基板上に親水性の層を形成する工程を具備してなるようにすることでも実現できる。前記選択された領域に形成された前記親水性の層を前記基板に残存させるもしくは除去する工程を含むようにしてもよい。
【００２２】
これらの発明によれば、金属又は金属酸化物の粒子を結合させてなる結合層を選択的に形成することができるので、結合層を有する金属層を金属材料の省資源化を達成しつつ形成することができる。
【００２３】
また、金属層は、金属又は金属酸化物の粒子の粒子径と露光マスクを調整することで、サブミクロンのような微細なパターンも形成することができる上、量産性にも優れる。さらに、上述のように金属材料の省資源化が図れるだけでなく、従来の真空成膜法と比べて装置が安価であるので、生産性もよいという利点がある。
【００２４】
加えて、金属層として配線用の銅層を形成する場合においては、通常のバリアメタル上に無電解めっきを行う場合に必要とされているめっき触媒、例えばパラジウムイオンを含有するコロイド又は有機錯体を付与し活性化する工程が不要となる。さらに、パラジウムイオンが不純物として混入することによる比抵抗の増加も生じない。
【００２５】
これらの発明を実施するにあたり、前記分散液を少なくとも前記基板上の疎水性の領域に付着させる工程は、前記有機物に保護された金属又は金属酸化物の粒子を前記疎水性の領域に凝集させるとともに、前記分散液中の分散媒を除去する工程を含むようにすることができる。
【００２６】
ここで、「分散液中の分散媒」とは、分散液の媒質をなす実質的に均一な液体をいう。すなわち、分散媒は、有機溶媒のような単一物質からなる液体であっても、分散相としての有機物に保護された金属又は金属酸化物の粒子以外の溶質を溶解させた溶液、例えばｐＨを所定の値に調整した水溶液であってもよい。
【００２７】
また、前記金属又は金属酸化物の粒子を結合させる工程は、前記金属又は金属酸化物の粒子を保護している前記有機物を除去する工程としてもよい。
【００２８】
これは、金属又は金属酸化物の粒子を保護している有機物を除去する工程が、金属又は金属酸化物の粒子を結合させる工程を含むことを意味している。すなわち、１つの工程で、金属又は金属酸化物の粒子を保護している有機物を除去する工程で、これととともに、前記金属又は金属酸化物の粒子を結合させることを意味している。
【００２９】
なお、前記金属又は金属酸化物の粒子を結合させる工程が、前記金属又は金属酸化物の粒子を保護している前記有機物を除去する工程を含むようにしてもよい。
【００３０】
さらに、前記金属又は金属酸化物の粒子を結合させる工程は、不活性ガス又は還元性ガスの雰囲気中で加熱処理を行うのが好ましい。もしくは、紫外線照射を行うことで有機物を分解する工程を含むのが望ましい。もちろん、紫外線照射を行って有機物の分解を促進させた後にさらに加熱処理したり、加熱処理しながら紫外線照射を行って有機物の分解を促進させたりしてもよい。
【００３１】
また、金属又は金属酸化物の粒子を結合させてなる結合層上に、無電解めっき法もしくは電解めっき法により金属めっき層を形成する工程を具備してなるようにすることができる。
【００３２】
これらの発明を実施するにあたり、前記粒子は、平均粒径が１ｎｍ〜１００ｎｍの粒子、いわゆるナノ粒子であるのが好ましい。すなわち、粒径が小さくなるにつれて粒子の表面エネルギーは指数関数的に増大する。この特性に起因して、金属本来の融点よりもはるかに低い温度で金属又は金属酸化物の粒子が結合する。したがって、このようにすることにより、半導体装置や表示装置等の製造工程の低温化に寄与するという利点がある。
【００３３】
前記粒子は、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、Ｃｕ（銅）、Ｓｎ（錫）及びＲｕ（ルテニウム）のうちの少なくとも１つの金属、これらの金属のうちの少なくとも１つの金属を含む合金、もしくはＣｕ２Ｏ（酸化銅（I））を含む金属酸化物からなる粒子を好適に用いることができる。
【００３４】
ここで、前記粒子が「Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｓｎ及びＲｕのうちの少なくとも１つの金属」であるとは、これらの金属のうちの１つの金属からなる粒子を有機物で保護させた状態で分散媒中に分散させて分散液とする他、これらの金属のうちから複数の金属を選択し、これらの金属からなる粒子を夫々有機物で保護させた状態で分散媒に分散させて分散液とする、すなわち、前記分散液が複数の種類の金属粒子を含む分散液である場合を含むことを指している。
【００３５】
本発明に係る金属層は、金属又は金属酸化物の粒子を結合させてなる結合層を有する金属層であって、前記結合層が基板上の選択された領域に設けられていることを特徴とする。
【００３６】
本発明を実施するにあたり、結合層上に金属めっき層を設けてもよい。
【００３７】
本発明に係る表示装置は、マトリックス状に設けられた複数の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを駆動するための複数の走査配線及び複数の信号配線と、複数の画素電極と、複数の接続端子と、を具備する表示装置であって、  
前記薄膜トランジスタの電極、前記複数の走査配線、前記複数の信号配線、前記画素電極、及び前記複数の接続端子のうちの少なくとも１つが、金属もしくは金属酸化物の粒子の結合層を有する金属層により形成されていることを特徴とする。
【００３８】
本発明の表示装置は、例えば、一対の基板の間に液晶層を設けた液晶表示装置や、有機ＥＬ層或いは無機ＥＬ層を設けた表示装置等に適用することができる。
【００３９】
また、本発明の表示装置では、前記薄膜トランジスタの電極、前記複数の走査配線、前記複数の信号配線、前記画素電極、及び前記複数の接続端子のうちの少なくとも１つが、金属もしくは金属酸化物の粒子の結合層を有する金属層により形成されたものであればよい。
【００４０】
「薄膜トランジスタの電極」としては、例えば、ゲート電極、ドレイン電極、或いは、ソース電極等が挙げられる。
【００４１】
この表示装置によれば、前記薄膜トランジスタの電極、前記複数の走査配線、前記複数の信号配線、前記画素電極、及び前記複数の接続端子のうちの少なくとも１つを、金属又は金属酸化物の粒子を結合させてなる結合層を有する金属層で選択的に形成しているので、金属材料の省資源化を達成して安価に製造することができる。
【００４２】
本発明を実施するにあたり、結合層上に金属めっき層を設けてもよい。金属めっき層は、複数のめっき層を積層させたものであってもよい。また、その場合、金属めっき層の少なくとも表面を金属拡散防止膜としてもよい。
【発明の効果】
【００４３】
本発明によれば、金属材料の省資源化を達成できるだけでなく、微細配線、低抵抗配線、長配線を達成することができる金属層の形成方法、金属層、及び金属層を用いた表示装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下、本発明に係る第１の実施形態を説明する。
【００４５】
まず、金属粒子２を有機物３で保護した保護粒子１及びこの保護粒子１を含む分散液（以下、粒子分散液という）５について説明する。
【００４６】
金属粒子２としては、平均粒径が１ｎｍ〜１００ｎｍのナノ粒子を用いることが長距離の微細配線での低抵抗配線の実現に好ましい。さらに好ましくは、平均粒径が２ｎｍ〜３０ｎｍのナノ粒子を用いるとよい。本実施形態では、例えば、有機物３としての１１−メルカプトウンデカン酸（以下、ＭＵＡ）で金属粒子２としての金ナノ粒子の周囲を保護した保護粒子１を用いている。以下、保護粒子１をＭＵＡ保護金ナノ粒子１という。
【００４７】
このＭＵＡ保護金ナノ粒子１は、以下のように合成する。テトラ−ｎ−オクチルアンモニウムブロマイド（以下、ＴＯＡＢという）により塩化金（III）酸イオンを水層からトルエン層に移層する。移層後、ＭＵＡ存在下で、塩化金（III）酸イオンを水酸化ホウ酸ナトリウム水溶液で約１．５時間還元する。これにより、ＭＵＡ保護金ナノ粒子１が合成される。
【００４８】
その後、トルエン層を水洗、濃縮した後、クロロホルムによる再沈殿生成を行い、ＭＵＡ保護金ナノ粒子１を精製する。このようにして合成・精製されたＭＵＡ保護金ナノ粒子１は、ＭＵＡのチオール（ＳＨ）基が金の粒子と吸着しており、末端基がカルボキシル基となっている。
【００４９】
次に、基板１０上の選択された領域に金属層２０を形成する方法について、図１（ａ）〜（ｆ）を参照して説明する。
【００５０】
まず、基板１０上の選択的に金属層２０を形成するために、基板１０上の選択された領域を疎水性にするとともに基板１０上の選択された領域の少なくとも周りの領域を親水性にする。この実施形態では、予め定められた金属層２０を形成する基板１０の上面の選択された領域を疎水性にし、前記上面の選択された領域以外の領域を親水性にしている。
【００５１】
基板１０としては、金属層２０を形成する表面が親水性を有する基板、例えば、表面に水酸基が露出しているガラス基板を用いることができる。この基板１０上、例えば基板１０の上面の上に、例えばアルキル基で修飾するような疎水性の層を形成することで、金属層２０を形成する基板１０の上面を一旦全域にわたって疎水性にする。
【００５２】
すなわち、この疎水性にする処理は、図１（ａ）に示すように、基板１０上に疎水性の膜を形成するためにｎ−オクタデシルトリメトキシシラン（以下、ＯＤＳという）等のシランカップリング剤を、例えば化学気相法、蒸気吸着法、又は塗布法により設ける。これにより、基板１０上には、疎水性の層１１としてのシランカップリング剤からなる疎水膜１１が形成される。以下、疎水性の層１１を疎水膜という。
【００５３】
その後、この疎水膜１１を選択的に次のようにして除去する。即ち、図１（ｂ）に矢印Ｘで示すように、選択された領域（金属層２０を形成する領域）以外の領域に対応させて開口１２ａを形成したメタルフォトマスク１２を介して、疎水膜１１の上記選択された領域以外の領域に、前記疎水膜１１を除去するための波長、例えば１９３ｎｍの波長を有するＡｒＦレーザ光を照射する。ＡｒＦレーザ光が照射された領域は、疎水膜１１が光分解して除去される。したがって、選択された領域以外の領域では、親水基である水酸基を有する基板１０の表面が露出される。これにより、選択された領域が疎水膜１１により疎水性となり、選択された領域以外の領域が親水性となる。
【００５４】
基板１０としては、酸化シリコンからなる基板を用いてもよい。この場合、以下のようにして、選択された領域を疎水性にするとともに選択された領域以外の領域を親水性にしてもよい。
【００５５】
酸化シリコン基板は、予め、紫外線を照射して金属層を形成する表面を洗浄しておく。化学気相法により基板の前記表面をアルキル基で修飾する。すなわち、酸化シリコン基板をＯＤＳ等のシランカップリング剤とともに湿度１０％に調整した密閉容器に入れて、１７０℃の電気炉内で約１．５時間程度加熱することで、前記基板上にシランカップリング剤を吸着させる。これにより、疎水性の層としての疎水膜が形成される。なお、疎水膜は蒸気吸着法や塗布法により形成してもよい。
【００５６】
このように作成した基板は、紫外線を照射して表面を洗浄した酸化シリコン基板と比べて接触角が増大することが確認された。このことから、化学気相法により、アルキル基を有するＯＤＳが基板の表面を修飾していると考えられる。
【００５７】
その後、選択された領域以外の領域に対応させて開口を形成したメタルフォトマスクを介して、疎水膜の選択された領域以外の領域に紫外線を照射する。紫外線照射箇所は、ＯＤＳ分子が分解されて疎水膜が除去される。これにより、前記基板の選択された領域以外の領域に酸化シリコン部分が露出されるので、選択された領域が疎水性となり、選択された領域以外の領域が親水性となる。
【００５８】
なお、前記シランカップリング剤としては、ｎ−オクタデシルトリメトキシシランの他、ヘキサメチルジシラザン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン等のカップリング剤を用いることができる。また、フッ素シランカップリング剤を用いることもできる。
【００５９】
疎水性の層をシランカップリング剤により形成する場合、選択された領域以外の領域を真空紫外線領域の波長光、紫外線領域の波長光、又はエキシマレーザ光により光分解させて除去する観点から、前記疎水膜１１の膜厚は分子の大きさ程度の厚さとするのが望ましく、さらに望ましくは、単分子膜とするのがよい。
【００６０】
その後、図１（ｃ）に示すように、ＭＵＡ保護金ナノ粒子１を分散媒４としてのｐＨ１３のアルカリ水溶液中に分散させた粒子分散液５を図示しないディスペンサーにて基板１０上に設ける。また、粒子分散液５を基板１０上に設ける方法としては、種々の方法を用いることができるが、材料効率の観点から、ディスペンサー塗布、インクジェット塗布、あるいは吹き付け等の疎水性領域への局所的な塗布が可能な方法を用いることが好ましい。
【００６１】
基板１０上に設けられた粒子分散液５に酸性溶液、例えば、ｐＨ１の塩酸を粒子分散液に付与することで、図１（ｄ）に示すように、保護粒子１が選択領域（疎水性領域）に選択的に凝集する。保護粒子１が凝集した状態で粒子分散液５中の分散媒４を水洗等で除去することで、保護粒子１が基板１０の選択領域のみに固定される。
【００６２】
このように、保護粒子１が疎水性領域にのみ選択的に凝集するのは、塩酸により粒子分散液のｐＨが酸性側に偏り、保護粒子１の表面がプロトン化されることで保護粒子１の分散性が低下して凝集するためであると考えられる。また、凝集体全体としては疎水的性質が増大するので、疎水性領域のみに選択的に凝集すると考えられる。
【００６３】
さらに、金属粒子２同士を結合させてなる結合層２１を形成する工程を実行する。この工程は、金属粒子２の酸化の抑制と有機物の分解を促進するために、非酸化性雰囲気、例えば窒素からなる不活性ガスもしくは水素を含む還元性ガス雰囲気中で加熱処理を行う。もしくは、紫外線照射を行うことで有機物を分解する工程を用いるのが望ましい。もちろん、紫外線照射を行って有機物の分解を促進させた後にさらに加熱処理したり、加熱処理しながら紫外線照射を行って有機物の分解を促進させたりしてもよい。
【００６４】
金属粒子２同士を結合させる温度は、保護している有機物（ＭＵＡ）３及び疎水膜（シランカップリング剤）１１が分解する温度、例えば１８０℃以上の温度で行うのが好ましい。
【００６５】
これにより、図１（ｅ）に示すように、金属粒子２同士を結合させてなる結合層２１が形成される。同時に、保護している有機物３が分解、気化して除去されるとともに、選択された領域に残されている疎水膜１１が分解、気化して除去される。
【００６６】
ところで、１８０℃は、金属粒子２を構成する金の融点よりも低い温度であるが、ナノサイズの金属粒子２では、表面エネルギーが増大しているため、融点よりも低い温度でも金属粒子２同士の結合が達成できる。この結果、微細線で長距離配線しても低抵抗の配線が可能となる。
【００６７】
また、結合層２１の厚さは、保護粒子１の粒子分散液５中の濃度を調整することにより、約２ｎｍ〜約１００ｎｍ程度の範囲内で調整が可能である。
【００６８】
結合層２１のみで金属層２０としてもよいが、必要に応じて、金属層２０の層厚を結合層２１よりも増大させてもよい。この実施形態では、図１（ｆ）に示すように、結合層２１をシード層とし、無電解めっき法もしくは電解めっき法により、この結合層２１の上に厚さ４００ｎｍ層厚増大用の金属めっき層２２を積層させて金属層２０としている。金属めっき層２２としては、例えば、金よりも比抵抗の小さい銀、金−銀、金−銅等の合金により好適に形成することができる。
【００６９】
図２中のグラフ（ａ）は、ＴＯＡＢにより塩化金（III）酸イオンを水層からトルエン層に移層し、ＭＵＡ存在下で、塩化金（III）酸イオンを水酸化ホウ酸ナトリウム水溶液で還元した後のＦＴ−ＩＲ分析結果を示している。
【００７０】
波数（ｗａｖｅ  ｎｕｍｂｅｒ）が１７００ｃｍ−１付近にカルボキシル基に帰属する炭素と水素との二重結合の伸縮振動を示すバンド（ｓｔｒｅｔｃｈｉｎｇ  ｂａｎｄｓ）が見られることから、水酸化ホウ素ナトリウム還元により、表面にカルボキシル基を有するＭＵＡ保護金ナノ粒子１が生成していることが確認された。
【００７１】
図２中のグラフ（ｂ）は、ｐＨ１３のアルカリ水溶液中にＭＵＡ保護金ナノ粒子１を分散媒としてのアルカリ水溶液に分散させた後のＦＴ−ＩＲ分析結果を示している。
【００７２】
この分析結果より、波数が１５５０ｃｍ−１及び１４５０ｃｍ−１付近にカルボン酸アニオンに帰属するＣＯＯ―の逆対称伸縮振動を示すバンド（ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ｓｔｒｅｔｃｈｉｎｇ  ｂａｎｄ）及びＣＯＯ−の対称伸縮振動を示すバンド（ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ｓｔｒｅｔｃｈｉｎｇ  ｂａｎｄ）が夫々確認された。
【００７３】
図２中のグラフ（ｃ）は、ＭＵＡ保護金ナノ粒子１を分散させたアルカリ水溶液に塩酸を滴下してＭＵＡ保護金ナノ粒子１を凝集させた後のＦＴ−ＩＲ分析結果を示している。
【００７４】
この分析結果より、図２中のグラフ（ａ）が示す結果と同様に、波数が１７００ｃｍ−１付近にカルボキシル基に帰属する炭素と水素との二重結合の伸縮振動を示すバンドが確認された。
【００７５】
図２中グラフ（ｂ）及びグラフ（ｃ）示す分析結果は、ＭＵＡ保護金ナノ粒子１が末端にカルボキシル基を有していることを示唆するものである。
【００７６】
以上のように、この実施形態によれば、金属粒子２を結合させてなる結合層２１を有する金属層２０を選択的に形成することができる。したがって、金属材料の省資源化を達成しつつ金属層２０を形成することができる。しかも、このように形成した金属層２０を配線に適用することで、微細配線、低抵抗配線、長配線を達成できる。
【００７７】
また、基板１０上の選択された領域を疎水性にする工程が、選択された領域以外の領域を親水性にする工程を含むようにすることで、選択された領域以外の領域には結合層２１を有する金属層２０を形成せずに、基板１０上の選択された領域のみに選択的に結合層２１を有する金属層２０を形成することができる。
【００７８】
しかも、金属粒子２を結合させる工程が、選択された領域に設けられた疎水性の層（シランカップリング剤からなる疎水膜）１１を除去する工程を含むので、疎水性の層を形成する物質が結合層２１に残留するのを抑制できる。
【００７９】
さらに、金属粒子２を結合させる工程が、金属粒子２を保護している有機物３（ＭＵＡ）を除去する工程を含むので、有機物３が結合層に残留するのを抑制できる。
【００８０】
また、金属粒子２として、平均粒径が１ｎｍ〜１００ｎｍのいわゆるナノ粒子を用いているので、金属本来の融点よりもはるかに低い温度で金属粒子２を結合させることができる。
【００８１】
さらに、この実施形態では、結合層２１をシード層として、この結合層２１上に金属めっき層２２を形成する工程を含んでいる。そのため、金よりも比抵抗の小さい銀、金−銀、金−銅等の合金からなる金属めっき層２２を形成することで、金属層２０の比抵抗率を低くすることができる。
【００８２】
なお、金属粒子２を保護する有機物３は、チオール基から極性官能基（本実施形態ではカルボキシル基）までの炭素鎖の長さを自由に選定することができる。結合温度を低くする観点からは、炭素鎖は短い方が好ましい。最も炭素鎖が短いメルカプト酢酸や、メルカプトエタノールを用いてもよく、このように炭素鎖の短い有機物３を用いることで、結合温度を１５０℃程度にすることが可能である。もちろん、結合温度を低くする観点からは、紫外線照射による有機物分解を用いることも有効である。
【００８３】
また、この実施形態では、金属粒子２として金を用いたが、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｓｎ及びＲｕのうちの少なくとも１つの金属、これらの金属のうちの少なくとも１つの金属を含む合金、もしくはＣｕ２Ｏを含む金属酸化物からなる粒子を用いることもできる。
【００８４】
ところで、ナノサイズの微粒子は表面が非常に活性で酸化されやすいため、保護粒子を例えばベンゾチアゾールとポリエチレングリコールを用いて作る場合に酸化されて、Ｃｕ２Ｏのような金属酸化物の微粒子になることがある。このような場合には、金属酸化物の微粒子の保護粒子を用いるとよい。この場合、水素を含む還元性雰囲気中で加熱処理を施してＣｕ２Ｏを還元することによりＣｕからなる配線金属層を形成することができる。
【００８５】
さらに、この実施形態では、選択された領域以外の領域を親水性にするための光源としてＡｒＦレーザ光を用いたが、この他にも、Ｆ２、ＫｒＦ、ＸｅＣｌ等のエキシマレーザであってもよく、さらには、紫外線領域の波長光を照射する光源、或いは、真空紫外線領域の波長光を照射する光源を用いてもよい。
【００８６】
また、金属層２０の層厚を結合層２１よりも増大させる場合、この実施形態では、結合層２１をシード層として用いて無電解めっき法もしくは電解めっき法により金属めっき層２２を形成することで実現しているが、図１（ａ）〜図１（ｅ）の工程を繰り返すことで金属層２０の層厚の増大させるようにしてもよい。
【００８７】
さらに、基板１０は、ガラスや酸化シリコンだけでなく、ポリイミド樹脂やフッ素樹脂等、真空紫外線光又は紫外線光を照射して親水性の表面を形成することが可能な有機材料により形成することができる。このような有機材料からなる基板１０を用いることで、シランカップリング剤からなる疎水膜１１を形成する過程を省略することができる。また、疎水性の有機材料の上に親水性の絶縁膜等を形成して所望の配線パターンに相当する開口部を形成してもよい。
【００８８】
以下、本発明に係る第２の実施形態を説明する。この実施形態では、金属層を多層配線に適用した例について説明する。
【００８９】
まず、基体３１、例えばガラス基体上に所定のパターンで親水性の第１の金属層３２を形成しておく。第１の金属層３２は、例えば、基体３１上の全面にアルミニウムからなる層を３００ｎｍ〜４００ｎｍの層厚で形成するとともに、これをパターニングすることで形成することができる。
【００９０】
なお、第１の金属層３２は、第１の実施形態と同様にして形成することもできる。すなわち、基体３１上の所定の領域に金からなる結合層を形成するとともに、その上に銅の金属めっき層を形成することで、総層厚が３００ｎｍ〜４００ｎｍの第１の金属層３２を形成してもよい。
【００９１】
次に、基体３１に、例えば、親水性の酸化シリコンからなる層間絶縁膜３３を形成する。この層間絶縁膜３３は、基体３１に形成された第１の金属層３２を覆うように設ける。そして、この層間絶縁膜３３に、後述する第２の金属層４０と第１の金属層３２との電気的接触を形成するためのコンタクトホール３４を形成する。
【００９２】
すなわち、この実施形態では、基板３０は、基体３１、親水性の第１の金属層３２、親水性の層間絶縁膜３３、及びコンタクトホール３４を有している。
【００９３】
その後、図１（ａ）〜図１（ｆ）と同様の工程である図３（ａ）〜図３（ｆ）の工程を実施する。つまり、第１の金属層３２を露出させるコンタクトホール３４の周辺に疎水膜１１を形成して疎水性領域とする。そして、疎水性領域に粒子分散液５を設け、酸性溶液を付与することで保護粒子１を固定させるとともに、分散媒４を蒸発させて除去する。さらに、加熱処理し、金属粒子２同士を結合させるとともに金属粒子２を保護する有機物３及び疎水膜１１を気化させて除去する。これにより、コンタクトホール３４を介して第１の金属層３２と電気的に接続する結合層４１が形成される。なお、第１の金属層３２と結合層４１とのコンタクトを良好にするためには、５％程度の水素を添加した窒素雰囲気中で前記加熱処理を施すことが好ましい。さらに、金属めっき層４２により結合層４１の層厚を増大化させる。これにより、結合層４１と金属めっき層４２とを有する第２の金属層４０が形成される。
【００９４】
以上のように、この実施形態によれば、金属層４０を多層配線に適用することができる。
【００９５】
上記実施形態で説明した本発明の金属層は、例えば、表示装置が備える薄膜トランジスタの一部、複数の走査配線、複数の信号配線、複数の走査配線端子、複数の信号配線端子、及び複数の画素電極として適用することができる。
【００９６】
図４及び図５は、表示装置、例えばアクティブマトリックス型の液晶表示装置を示している。なお、図４及び図５では、補助容量を省略して示している。
【００９７】
液晶表示装置５０は、図４及び図５に示すように、前後一対の透明基体５１，５２、液晶層５３、画素電極５４、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）５５、走査配線５６、信号配線５７、接続端子としての走査配線端子５８、接続端子としての信号配線端子５９、及び対向電極６０等を備えている。
【００９８】
一対の透明基体５１，５２としては、例えば一対のガラス基板を用いることができる。以下、透明基体５１，５２をガラス基板という。これらガラス基板５１，５２は、図示しない枠状のシール材を介して接合されている。液晶層５３は、一対のガラス基板５１，５２の間のシール材により囲まれた領域に設けられている。
【００９９】
図５に示すように、一対のガラス基板５１，５２のうちの一方のガラス基板、例えば後側のガラス基板（アレイ基板）５１の内面には、行方向および列方向にマトリックス状に設けられた複数の透明な画素電極５４と、複数の画素電極５４と夫々電気的に接続された複数のＴＦＴ５５と、複数のＴＦＴ５５と電気的に接続された走査配線５６及び信号配線５７と、ガラス基板（基体）５１の一端縁部および一側縁部にそれぞれ形成された複数の走査配線端子５８及び複数の信号配線端子５９とが設けられている。
【０１００】
走査配線５６は、画素電極５４の行に夫々沿わせて設けられている。これら走査配線５６の一端は、後側のガラス基板（後側の基体）５１の一側縁部に設けられた複数の走査配線端子５８に夫々接続されている。複数の走査配線端子５８は夫々走査回路（図示せず）に接続されている。
【０１０１】
一方、信号配線５７は、画素電極５４の列に夫々沿わせて設けられている。これら信号配線５７の一端は、後側のガラス基板（後側の基体）５１の一端縁部に設けられた複数の信号配線端子５９に夫々接続されている。複数の信号配線端子５９は夫々サンプルホールド回路（図示せず）に接続されている。
【０１０２】
他方のガラス基板である前側のガラス基板（対向基板）５２の内面には、複数の画素電極５４に対向する一枚膜状の透明な対向電極６０が設けられている。また、前側のガラス基板５２の内面には、複数の画素電極５４と対向電極６０とが互いに対向する複数の画素部に対応させてカラーフィルタを設けるとともに、前記画素部の間の領域に対応させて遮光膜を設けてもよい。
【０１０３】
一対のガラス基板５１，５２の外側には、図示しない偏光板が設けられている。また、透過型の液晶表示装置５０では、後側のガラス基板５１の後側に図示しない面光源が設けられている。なお、液晶表示装置５０は、反射型或いは半透過反射型としてもよい。
【０１０４】
図５では、例えばボトムゲート型のＴＦＴ５５を示している。なお、ＴＦＴ５５はボトムゲート型に限定されるものではなく、例えば、トップゲート型等としてもよい。
【０１０５】
図５に示すように、本実施の形態の表示装置５０が備えるＴＦＴ５５では、前記実施の形態１で説明した金属層をゲート電極６２に適用している。
【０１０６】
同図に示すように、ＴＦＴ５５は、窒化シリコン膜からなる下地絶縁膜６１を有するガラス基板５１の上にゲート電極６２を有している。すなわち、本実施形態では、窒化シリコン膜からなる下地絶縁膜６１を有するガラス基板（基体）５１が、第１及び第２の実施形態での基板１０，３０に相当する。このゲート電極６２は、実施の形態１で説明したように、シードとなる結合層６２ａを形成後、無電解めっきにより金属めっき層６２ｂを形成して層厚化した。
【０１０７】
このゲート電極６２の上にはゲート絶縁膜６３が形成されている。また、ゲート絶縁膜６３の上には、ゲート電極６２の上方に位置して、チャネル部の非結晶シリコン膜（ａ−Ｓｉ膜）６４が形成され、そのａ−Ｓｉ膜６４の上にはコンタクト層としてｎ＋型ａ−Ｓｉ膜６５が形成されている。上記のａ−Ｓｉ膜６４及びｎ＋型ａ−Ｓｉ膜６５は半導体膜を形成している。また、ａ−Ｓｉ膜６４及びｎ＋型ａ−Ｓｉ膜６５の上を覆うように、Ａｌからなるソース電極６６及びドレイン電極６７が形成されている。そして、ゲート絶縁膜６３の上にはＩＴＯからなる画素電極５４が形成されており、この画素電極５４はドレイン電極６７に接続されている。また、ソース電極６６及びドレイン電極６７を覆うように窒化シリコンからなる絶縁保護膜６８が設けられている。
【０１０８】
走査配線５６は、対応するＴＦＴ５５が備えるゲート電極６２と一体に形成されている。また、信号配線５７は、対応するＴＦＴ５５が備えるソース電極６６と電気的に接続している。
【０１０９】
ゲート電極６２となる金属層を銅（Ｃｕ）を含む金属層で形成した場合は、銅の不純物拡散を防止するために、例えば、図６で示すように、Ｃｏ−Ｗ−Ｂのようなバリアメタル（金属拡散防止膜）６２ｃを、ジメチルアミンボランを還元剤として用いた無電解めっき法で金属層表面のみに選択的に置換めっきすることが望ましい。なお、窒化シリコンからなる下地絶縁膜６１も銅の不純物拡散防止に有効である。
【０１１０】
以上のように、この液晶表示装置５０によれば、上述のようにすることで、ゲート電極６２及びゲート電極６２と一体に形成された走査配線５６をガラス基板５１の内面に選択的に設けることができる。したがって、液晶表示装置を安価に製造することができる。
【０１１１】
前記実施の形態では、本発明の金属層の形成方法及び金属層をゲート電極６２及び走査配線５６に適用した場合について説明したが、もちろん、信号配線５７に用いてもよい。また、反射型液晶の場合にはＩＴＯのような透明電極ではなく反射性電極が必要であるために画素電極５４に用いてもよい。更に、通常補助容量配線は走査配線５６と同時に形成するために補助容量配線に用いてもよい。
【０１１２】
前記実施の形態は、ａ−Ｓｉ膜を用いたＴＦＴ５５への適用例を説明したが、もちろん多結晶シリコン膜(ｐ−Ｓｉ膜) を用いたＴＦＴに適用してもよい。また、前記の画素ＴＦＴ５５だけではなく、駆動回路のためのＴＦＴや電位降下をできるだけ小さくするための駆動回路用の電源配線に適用することもできる。
【０１１３】
なお、第１及び第２の実施形態では、シランカップリング剤を光分解することにより親水性領域を形成するようにしているが、紫外線照射により疎水性の末端基が親水性基に変性するようなカップリング剤を用いてもよい。この場合、末端基を、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、又は、アミノカルボニル基等の極性基を生じさせることで親水性化させるようにしてもよい。
【０１１４】
また、第１及び第２の実施形態では、基板１０，３０上に疎水膜１１を形成し、疎水性領域以外の領域の疎水膜１１を排除することにより選択的な疎水性領域の形成を実現しているが、選択的な疎水性領域の形成方法はこれに限定されない。
【０１１５】
以下、本発明に係る第３の実施形態を図７（ａ）〜（ｆ）を参照して説明する。この実施形態では、疎水性領域の形成手段として、図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、基板１０上にシランカップリング剤の膜１１を形成する代わりに、表面が疎水性となる有機樹脂層１３を形成している。有機樹脂層１３は、例えば、ポリイミド層等により形成することができる。また、親水性領域の形成手段として、膜１１を選択的に除去する代わりに、有機樹脂層１３上に親水性である無機絶縁膜１４を形成している。無機絶縁膜１４は、例えば、窒化シリコン膜等により形成することができる。そして、通常の薄膜製造プロセス（例えば、フォトエッチング処理）を用いて有機樹脂層１３が選択された領域に露出するようなホール１４ａを形成している。
【０１１６】
図７（ｃ）〜（ｆ）は、粒子分散液５を基板１０上に設ける工程、保護粒子１の凝集及び分散媒４の除去工程、金属粒子２同士を結合させる工程、及び無電解めっきにより金属層２０の層厚を増大させる工程を示している。これらの工程は、第１および第２の実施形態と同様に行う。
【０１１７】
すなわち、この実施形態では、無機絶縁膜１４のホール１４ａ内に金属層２０を形成することとなる。そのため、図７（ｆ）に示すように、無電解めっき工程でのパターン幅（金属めっき層２２のパターン幅）をホール１４ａで規定することができるという利点がある。なお、この実施形態を多層配線に適用してもよいことは言うまでもない。
【０１１８】
この他にも、例えば、真空紫外線光又は紫外線光を照射して親水性の表面を形成することが可能な無機層或いは有機層を基板１０，３０上に形成することで、選択的な疎水性領域の形成を実現させてもよい。上述のような無機層としては、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２）等の光照射で親水性化する酸化金属層が挙げられる。上述のような有機層としては、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
【０１１９】
また、コロナ放電等の他の表面処理法で基板１０，３０上に親水性領域（基板上の選択された領域の少なくとも周りの領域）を形成するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る金属層を形成するための工程を説明する断面図。
【図２】前記金属層を形成するＭＵＡ保護金ナノ粒子、ＭＵＡ保護金ナノ粒子分散アルカリ水溶液、及びＭＵＡ保護金ナノ粒子分散アルカリ水溶液に塩酸を滴下して凝集させたＭＵＡ保護金ナノ粒子のＦＴ−ＩＲ分析結果を示す図。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る金属層を形成するための工程を説明する断面図。
【図４】液晶表示装置の一部分を示す平面図。
【図５】前記液晶表示装置の薄膜トランジスタの近傍を示す断面図。
【図６】図５の薄膜トランジスタの別の形態を示す断面図。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る金属層を形成するための工程を説明する断面図。
【符号の説明】
【０１２１】
１…ＭＵＡ保護金ナノ粒子（保護粒子）、２…金属粒子、３…有機物、４…分散媒、５…粒子分散液（分散液）、１０，３０…基板、１１…膜（疎水性の層）、１２…メタルフォトマスク（マスク）、２０，４０…金属層、２１，４１…結合層、２２，４２…金属めっき層、５０…液晶表示装置（表示装置）、５１，５２…ガラス基板（基体）、５４…画素電極、５５…薄膜トランジスタ、５６…走査配線、５７…信号配線、５８…走査配線端子（接続端子）、５９…信号配線端子（接続端子）、６２ａ…結合層、６２ｂ…金属めっき層  ６２ｃ…バリアメタル（金属拡散防止膜）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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