(57)【要約】【課題】  表面平坦性が高く、表面粗さが小さく、表面の微小スクラッチや微小ピットなどをほとんど生じさせないような精度に優れた表面研磨を達成しつつ、かつ、速い研磨速度を達成することができる研磨材スラリーを提供する。【解決手段】  本発明の研磨材スラリーは、酸化セリウムを含む希土類酸化物を主成分とする研磨材と、アニオン系界面活性剤と、ノニオン系界面活性剤とを含有し、且つ、ｐＨが１１以上であることを特徴とする。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化セリウムを含む希土類酸化物を主成分とする研磨材と、アニオン系界面活性剤と、ノニオン系界面活性剤とを含有し、且つ、ｐＨが１１以上であることを特徴とする研磨材スラリー。
【請求項２】
前記研磨材は希土類酸化物を９０質量％以上含有することを特徴とする請求項１に記載の研磨材スラリー。
【請求項３】
前記希土類酸化物は酸化セリウムを５０〜９０質量％含有することを特徴とする請求項１に記載の研磨材スラリー。
【請求項４】
前記希土類酸化物は、炭酸希土塩を出発原料として製造されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の研磨材スラリー。
【請求項５】
研磨材粒子の５０％累積平均径（Ｄ５０）が、０．０１〜１０μｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の研磨材スラリー。
【請求項６】
研磨材粒子の比表面積が、１〜５０ｍ２／ｇであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の研磨材スラリー。
【請求項７】
前記アニオン系界面活性剤が、カルボン酸塩、スルホン酸塩、硫酸エステル塩、燐酸エステル塩の低分子化合物および高分子化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の研磨材スラリー。
【請求項８】
前記ノニオン系界面活性剤が、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステルからなる群から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の研磨材スラリー。
【請求項９】
水、炭素数１〜１０の１価アルコール類、グリコール類、炭素数１〜１０の多価アルコール、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフランおよびジオキサンからなる群から選ばれる少なくとも１種の溶媒を含有することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の研磨材スラリー。
【請求項１０】
リン酸塩、セルロースエーテル類および水溶性高分子からなる群から選ばれる少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の研磨材スラリー。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の研磨材スラリーを用いて研磨することを特徴とする基板の研磨方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の研磨方法を用いることを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の基板の製造方法を用いて製造される基板。
【請求項１４】
光学レンズ用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、液晶用ガラス基板、液晶テレビ用カラーフィルター、ＬＳＩフォトマスク用ガラス基板、および磁気ディスク用ガラス基板からなる群から選ばれることを特徴とする請求項１３に記載の基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学レンズ用、光ディスク用、磁気ディスク用、プラズマディスプレイ用、液晶用、またはＬＳＩフォトマスク用などのガラス基板を始めとする光学、エレクトロニクス関連基板の精密研磨に用いられる研磨材に関するものであり、特に、研磨レート（研磨速度）および表面粗さなどの研磨特性に優れており、かつ、スクラッチなどの表面欠陥をほとんど生ずることなく研磨できる研磨材スラリーに関する。
本発明は、さらに、上記の研磨剤スラリーを用いる基板の研磨方法、該研磨方法による基板の製造方法、および、製造される基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク用ガラス基板、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）型ＬＣＤや、ねじれネマチック（ＴＮ）型ＬＣＤなどの液晶用ガラス基板、液晶テレビ用カラーフィルター、ＬＳＩフォトマスク用ガラス基板などのエレクトロニクス関連基板分野において、研磨技術は益々重要な地位を占めつつある。
【０００３】
特に磁気ディスク用基板分野においては、軽量化に伴う薄型化や高速回転時のディスクのうねりに耐えうる高い剛性などの機械的特性が要求されるとともに、高記録密度化への要求が非常に高まっている。高記録密度化を達成する目的で、磁気ヘッドの磁気ディスク基板に対する浮上高さは非常に小さくなりつつあり、それを達成するために、磁気ディスク基板は鏡面のような平坦性や小さい表面粗さが要求され、かつ表面の微小スクラッチ、微小ピットなどの欠陥が極力無いことが要求される。そのため、高精度に表面研磨することが必要とされる。また、薄型化、機械的特性あるいは高い記録密度を満足させるために、ガラスの化学組成や製法についても種々の改良がなされている。例えば、ガラス基板としては従来から用いられている化学強化ガラス以外に、リチウムシリケートを含む結晶化ガラス基板や、クオーツ結晶が大半を占める結晶化ガラス基板も開発されてきている。しかしながら、これらのガラス基板は非常に加工性が悪く、従来の研磨材による研磨では加工速度が遅く、生産性が悪化する。
【０００４】
ガラス基板の表面研磨に用いられる研磨材としては、酸化鉄や酸化ジルコニウムあるいは二酸化珪素に比べて研磨速度が数倍優れているとの理由から、希土類酸化物、特に酸化セリウムが用いられており、一般的には砥粒を水などの液体に分散させて使用する。研磨材を用いて表面研磨を行う際には、高精度な表面研磨性能と共に、高い研磨速度を両立させることが要求されている。
【０００５】
そこで、研磨材として酸化セリウムを用いた場合に、研磨速度を速くするための方策が種々開示されている。例えば、酸化セリウムなどにコロイド状シリカやアルミナなどを添加する研磨方法や、酸化セリウムを含む研磨材に塩化マグネシウを含有させた研磨材などが開示されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。しかし、このような異粒子ゾルを添加すると、表面スクラッチあるいはピットの増加につながり、高い表面精度を達成することができない。
【０００６】
一方で、高い表面精度を達成するために、例えば、２以上のカルボキシル基を有する有機酸を含有したアルカリ性酸化第二セリウムゾルからなる研磨材や、アニオン系界面活性剤とノニオン系界面活性剤を被覆した酸化セリウム粒子、並びに界面活性剤を分散させた水よりなるＣＭＰ研磨液が開示されている（例えば、特許文献３、特許文献４参照。）。
【０００７】
しかしながら、２以上のカルボキシル基を有する有機酸を含有したアルカリ性酸化第二セリウムゾルからなる研磨材を用いた場合、ゾルの平均粒子径が２〜２００ｎｍと小さいため研磨速度が極端に遅くなるだけでなく、研磨加工コストの増加や安定した品質の達成が困難であるという問題点があった。また、ＣＭＰ研磨液は、研磨材が酸化セリウムであるため研磨液のｐＨが高くならず、研磨速度が低く、表面粗さも大きくなってしまう。
従って、上述したいずれの研磨材、研磨方法によっても、精度に優れた表面研磨と研磨速度とを両方満足させることができなかった。
【０００８】
【特許文献１】特公昭３８−３６４３号公報
【特許文献２】特開平３−１４６５８５号公報
【特許文献３】特開平８−３５４１号公報
【特許文献４】特開２０００−２４８２６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、表面平坦性が高く、表面粗さが小さく、表面の微小スクラッチや微小ピットなどをほとんど生じさせないような精度に優れた表面研磨を達成しつつ、かつ、速い研磨速度を達成することができる研磨材スラリーを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の研磨材スラリーは、酸化セリウムを含む希土類酸化物を主成分とする研磨材と、アニオン系界面活性剤と、ノニオン系界面活性剤とを含有し、且つ、ｐＨが１１以上であることを特徴とする。なお、本明細書において「主成分」とは、８０質量％以上含有されることを示す。
また、上記研磨材は希土類酸化物を９０質量％以上含有することが好ましい。
また、上記希土類酸化物は酸化セリウムを５０〜９０質量％含有することが好ましい。
また、上記希土類酸化物は、炭酸希土塩を出発原料として製造されることが好ましい。
また、研磨材粒子の５０％累積平均径（Ｄ５０）が、０．０１〜１０μｍであることが好ましい。
また、研磨材粒子の比表面積が、１〜５０ｍ２／ｇであることが好ましい。
また、上記アニオン系界面活性剤が、カルボン酸塩、スルホン酸塩、硫酸エステル塩、燐酸エステル塩の低分子化合物および高分子化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。
また、上記ノニオン系界面活性剤が、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステルからなる群から選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。
また、研磨剤スラリーは、水、炭素数１〜１０の１価アルコール類、グリコール類、炭素数１〜１０の多価アルコール、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフランおよびジオキサンからなる群から選ばれる少なくとも１種の溶媒を含有することが好ましい。
また、研磨剤スラリーは、リン酸塩、セルロースエーテル類および水溶性高分子からなる群から選ばれる少なくとも１つを含むことが好ましい。
上記研磨剤スラリーは、基板の研磨に用いることが好ましい。
また、基板は、上記研磨剤スラリーによる研磨方法を用いて製造されることが好ましい。
また、上記基板は、光学レンズ用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、液晶用ガラス基板、液晶テレビ用カラーフィルターおよびＬＳＩフォトマスク用ガラス基板からなる群から選ばれることが好ましい。特に、磁気ディスク用ガラス基板として用いることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、エレクトロニクス関連の基板、特に時期ディスク用のガラス基板などの精密研磨において、表面平坦性が高く、表面粗さが小さく、表面の微小スクラッチや微小ピットなどをほとんど生じさせないような精度の高い方面研磨を達成しつつ、かつ速い研磨速度を達成することができる研磨剤スラリーを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の研磨材スラリーは、酸化セリウムを含む希土類酸化物を主成分とする研磨材と、アニオン系界面活性剤と、ノニオン系界面活性剤とを必須成分とし、且つ、ｐＨが１１以上であることを特徴とする。このような構成を採用することにより、表面平坦性が高く、表面粗さが小さく、表面の微小スクラッチや微小ピットなどをほとんど生じさせないような精度に優れた表面研磨を達成するとともに、良好な研磨レート（研磨速度）とすることができる。
一方、上記界面活性剤を単独で用いた場合や、スラリーのｐＨが１１未満の場合では、望ましい表面粗さと研磨レートとを得ることができない。
【００１３】
以下、研磨材スラリーを構成する各成分について説明する。
〈研磨材〉
本発明に使用される研磨材は、希土類酸化物を８０質量％以上含有していることが必要であり、好ましくは９０質量％以上含有していることがよい。希土類酸化物が８０質量％未満の場合、被研磨体の表面にスクラッチが発生しやすくなる。
【００１４】
希土類酸化物は、酸化セリウムを５０質量％〜９０質量％の範囲で含有していることが好ましい。酸化セリウムの含有量が５０質量％未満では、望ましい研磨レートを得ることが難しくなり、逆に、９０質量％を超えると、アニオン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤を含有してもｐＨを１１以上とすることが困難となる。そのため、十分な研磨レートを得ることができないだけでなく、表面粗さも粗くなってしまう。
【００１５】
また、希土類酸化物中には、酸化セリウムの他に、酸化ランタン、酸化プラセオジム、酸化ネオジムなどを含有していてもよい。
【００１６】
本発明において、研磨材粒子は、体積換算の５０％累積平均径（Ｄ５０）が０．０１〜１０μｍであることが好ましく、より好ましくは０．０５〜５．０μｍ、特に好ましくは０．１〜２．０μｍである。５０％累積平均粒（Ｄ５０）が０．０１μｍ未満であると、十分な研磨レートを得ることが難しくなり、逆に、１０μｍを超えると被研磨体の表面にスクラッチや微小ピットが発生しやすくなる傾向にある。
ここで、体積換算の５０％累積平均径（Ｄ５０）とは、体積換算で示された粒度分布において、粒度の小さい方から積算して５０％になる粒径である。
【００１７】
本発明においては、炭酸希土塩を出発原料として製造される希土類酸化物を用いることが望ましい。ここで、出発原料となる炭酸希土塩は、天然に存在するセリウム、ランタン、プラセオジム、およびネオジムなどを多く含む希土精鉱を粉砕した後、アルカリ金属、アルカリ土類金属、放射性物質などの希土類以外の成分を化学的に分離除去して、重炭酸アンモニウムやシュウ酸などで炭酸塩とすることで得られる。
この炭酸希土を電気炉などで約５００℃〜約１２００℃で焼成した後、焼成粉を粉砕することにより、希土類酸化物を主成分とする研磨材を製造することができる。なお、焼成条件、粉砕条件などを適宜選択することにより、所望の粒度分布を有する研磨材を得ることができる。
【００１８】
また、焼成の状態は、研磨材粒子の比表面積の数値で判断することができるが、比表面積が１〜５０ｍ２／ｇの範囲であることが好ましく、さらには２〜２０ｍ２／ｇの範囲であることが特に好ましい。比表面積が１ｍ２／ｇが未満の場合、被研磨体の表面にスクラッチや微小ピットが発生しやすくなり、５０ｍ２／ｇを超えると、研磨レートが低下する。
【００１９】
〈アニオン系界面活性剤〉
本発明に使用されるアニオン系界面活性剤としては、公知のカルボン酸塩（石鹸、Ｎ−アシルアミノ酸塩、アルキルエーテルカルボン酸塩、アシル化ペプチドなど）、スルホン酸塩（アルカンスルホン酸塩（アルキルベンゼンスルホン酸塩も含む）、アルキルナフタレンスルホン酸塩、スルホコハク酸塩、α−オレフィンスルホン酸塩、Ｎ−アシルスルホン酸塩など）、硫酸エステル塩（硫酸化油、アルキル硫酸塩、アルキルエーテル硫酸塩、アルキルアリルエーテル硫酸塩、アルキルアミド硫酸塩など）、燐酸エステル塩（アルキル燐酸塩、アルキルエーテル燐酸塩、アルキルアリルエーテル燐酸塩など）から選ばれ、低分子化合物や高分子化合物も含まれる。ここで、塩とはＬｉ塩、Ｎａ塩、Ｋ塩、Ｒｂ塩、Ｃｓ塩、アンモニウム塩、およびＨ型の少なくとも１種から選ばれる。
【００２０】
例えば、石鹸としては、炭素数がＣ１２〜Ｃ１８の脂肪酸塩であり、一般には脂肪酸基としては、ラウリル酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸が挙げられ、Ｎ−アシルアミノ酸塩としては、炭素数がＣ１２〜Ｃ１８のＮ−アシル−Ｎ−メチルグリシン塩やＮ−アシルグルタミン酸塩が挙げられる。アルキルエーテルカルボン酸塩としては、炭素数がＣ６〜Ｃ１８の化合物が挙げられ、アシル化ペプチドとしては、炭素数がＣ１２〜Ｃ１８の化合物が挙げられる。スルホン酸塩としては、炭素数がＣ６〜Ｃ１８の前記化合物が挙げられ、例えば、アルカンスルホン酸では、ラウリルスルホン酸、ジオクチルサクシンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ミリスチルスルホン酸、ケリルベンゼンスルホン酸、ステアリルスルホン酸などが挙げられる。硫酸エステル塩としては、炭素数がＣ６〜Ｃ１８の前記化合物が挙げられ、例えば、ラウリル硫酸、ジオクチルサクシン硫酸、ミリスチル硫酸、ステアリル硫酸などのアルキル硫酸塩、燐酸エステル塩としては、炭素数がＣ８〜Ｃ１８の前記化合物が挙げられる。高分子化合物である界面活性剤としては、特殊ポリカルボン酸型化合物（花王（株）、商品名：デモールＥＰ）が例示できる。
【００２１】
本発明において、アニオン系界面活性剤の含有量は、研磨材に対して０．０５〜２０質量％が好ましく、より好ましくは０．１〜１０質量％である。
【００２２】
〈ノニオン系界面活性剤〉
本発明に使用されるノニオン系界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルなどが挙げられる。
【００２３】
本発明において、ノニオン系界面活性剤の含有量は、研磨材に対して０．０００１〜１０質量％が好ましく、より好ましくは０．００１〜１．０質量％である。
【００２４】
研磨材スラリーの製造方法としては、例えば、研磨材を製造する際に、あらかじめ焼成して得られた焼成粉を水や水溶性有機溶媒などに分散させ、次いで湿式粉砕を行う方法でもよいし、あるいは、焼成粉を乾式粉砕した後、得られた粉末を水に湿式分散させる方法でもよい。ただし、本発明においては、例えばボールミルなどを用いた湿式粉砕プロセスを経ることが望ましい。
【００２５】
上記水溶性有機溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノールなどの炭素数が１乃至１０の１価アルコール類、エチレングリコール、グリセリンなどの炭素数３乃至１０の多価アルコール、アセトン、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルホムアミド（ＤＭＦ）、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどが挙げられる。これらの中でも、水、アルコールまたはグリコール類が好ましい。これらは、単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。
【００２６】
さらに、本発明の研磨材スラリーには、スラリーの沈降防止あるいは安定性向上を図るために、必要に応じてトリポリリン酸塩のような高分子分散剤、ヘキサメタリン酸塩などのリン酸塩、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロースなどのセルロースエーテル類、ポリビニルアルコールなどの水溶性高分子などの添加剤を添加することもできる。これらの添加剤の添加量は、研磨材に対して、０．０５〜２０質量％の範囲内であることが一般的に好ましく、特に好ましくは０．１〜１０質量％の範囲である。
【００２７】
このようにして調製される研磨材スラリーの研磨材濃度（スラリー濃度）は１〜５０質量％、好ましくは５〜４０質量％、さらに好ましくは１０〜３０質量％である。研磨材濃度が１質量％を下回ると、十分な研磨性能を発揮させることが難しくなり、５０質量％を越えるとスラリーの粘度が上昇して流動性が低くなるので製造上の問題が発生しやすくなり、かつ過剰な研磨材を使用することになるので不経済でもある。
【００２８】
本発明の研磨材スラリーが適用される被研磨体に特に制限はないが、好ましくは、光学レンズ用ガラス基板、光ディスクや磁気ディスク用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）型ＬＣＤやねじれネマチック（ＴＮ）型ＬＣＤなどの液晶用ガラス基板、液晶テレビ用カラーフィルター、ＬＳＩフォトマスク用などのガラス基板などの各種光学、エレクトロニクス関連ガラス材料や、一般のガラス製品などの仕上げ研磨に用いられる。これらの中でも、特に磁気ディスク用ガラス基板に好適である。
【００２９】
磁気ディスク用ガラス基板は、高剛性で薄型化に対応できる上に、耐衝撃性が高いなどのメリットを生かした基板として注目されており、その基板のガラス材料は、化学強化ガラスと結晶化ガラスに大別されている。これらの材料はいずれもガラス本来の脆いという欠点を克服するために強化処理を施したものである。通常、ガラス表面の傷の存在は機械的強度を大きく損なうため、ディスク信頼性向上の点からイオン交換による化学強化処理が施されている。すなわち、ガラス基板（原板）をアルカリ溶融塩中に浸し、ガラス表面のアルカリイオンと溶融塩中のより大きなイオンとを交換することで、ガラスの表面層に圧縮応力歪み層を形成して、破壊強度を大幅に増加させたものである。このように化学強化されたガラス基板はガラス内部からのアルカリ溶出が抑えられており、このような化学強化された磁気ディスク（ＨＤ）用基板材料に対しても、本発明の研磨材スラリーは優れた研磨性能（研磨速度、基板の表面粗さ、スクラッチなどの表面欠陥の抑制など）を得ることができる。好ましく使用されるＨＤ用ガラス基板としては、Ｌｉ＋とＮａ＋とを含むアルミノシリケートガラス基板、Ｋ＋とＮａ＋とを含むソーダライムガラス基板や、結晶化ガラスが挙げられる。
【実施例】
【００３０】
以下、実施例を用いて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３１】
（実施例１）
市販の粗炭酸希土粉末（灼熱減量：５５．８％）を４ｋｇ用い、箱形電気炉で焼成を行った。焼成条件は昇温速度を１．７℃／分とし、焼成温度が９００℃で保持時間を２時間とした。焼成後の粉末中に含まれる元素を分析したところ、希土類酸化物の含有率が９９質量％であり、希土類酸化物のうちに含まれる酸化セリウム濃度は６０質量％であった。また、得られた焼成粉の比表面積をＢＥＴ法の比表面積測定装置で求めたところ、１０ｍ２／ｇであった。
焼成して得られた焼成粉１．７ｋｇを純水２．５ｋｇ中に投入して攪拌し、次いで、カルボン酸塩として特殊カルボン酸型高分子界面活性剤（商品名「デモールＥＰ」、花王（株）製）を６８ｇ（焼成粉に対して４質量％に該当）および、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル（商品名「エマルゲンＭＳ−１１０」、花王（株）製）を０．１７ｇ（焼成粉に対して０．０１質量％に該当）をそれぞれ添加して攪拌を行い、スラリーを作製した。
得られたスラリーを湿式粉砕機に通して循環しながら２．５時間湿式粉砕処理を行った後、スラリーに純水を添加して濃度が２０質量％の研磨材スラリーを８ｋｇ得た。得られた研磨材スラリーのｐＨは１２．０であった。
また、得られた研磨材スラリーの一部を用い、レーザー回折式粒度分布測定器（「ＨＲ８５０」、ＣＩＬＡＳ社製）で測定したところ、体積換算の５０％累積平均粒径（Ｄ５０）は０．５５μｍであった。
【００３２】
（実施例２〜７）
実施例１において、カルボン酸塩およびポリオキシアルキレンアルキルエーテルの添加量をそれぞれ表１に示す添加量に変更した以外は、実施例１と同様にして研磨材スラリーを製造した。
【００３３】
（比較例１〜２）
実施例１において、カルボン酸塩およびポリオキシアルキレンアルキルエーテルの添加量を適宜調節して、それぞれ表１に示す添加量となるように変更した以外は、実施例１と同様にして研磨材スラリーを製造した。
【００３４】
（比較例３）
実施例１において、出発原料を市販の粗炭酸希土粉末から高純度炭酸セリウムに変更し、カルボン酸塩およびポリオキシアルキレンアルキルエーテルの添加量を表１に示す添加量となるように変更した以外は、実施例１と同様にして研磨材スラリーを製造した。
【００３５】
【表１】
2004162062.tif 000002
【００３６】
実施例、比較例で得られた研磨材スラリーを用いて、下記に示す被加工物（被研磨体）の研磨を行った。研磨機は４ウエイタイプ両面研磨機（「ＵＳＰ−５Ｂ」、不二越機械工業（株）製）を用い、研磨パッドはスウエードタイプのパッド（「ポリテックスＤＧ」、ロデール製）を用いた。また、スラリー供給速度は６０ｍｌ／ｍｉｎ、下定盤回転数は９０ｒｐｍ、加工圧力は７５ｇ／ｃｍ２、研磨時間は１０ｍｉｎで研磨を実施した。研磨後、ガラス基板を研磨機より取り出し、純水を用いて超音波洗浄を行い、その後、乾燥させて以下の評価を行った。その結果を表２に示す。
なお、被加工物としては、予め市販の酸化セリウム系研磨材（「ＳＨＯＲＯＸ  Ｈ−１」、東北金属化学（株）製）で研磨しておいた、磁気デイスク用のφ２．５インチのアルミノシリケートを主成分とするガラス基板（表面粗さＲａ＝９Å）を用いた。
【００３７】
被加工物の評価：
（１）表面粗さ（Ｒａ）
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて、ガラス基板表面の表面粗さ（Ｒａ）を測定した。
【００３８】
（２）表面欠陥
微分干渉顕微鏡を用いてガラス基板表面を観察し、表面の付着状態、ピット、スクラッチの発生の有無などを調べた。スクラッチの評価は、ガラス基板表面に発生したスクラッチの本数で示し、表面欠陥の評価は、３段階の相対的な評価で行い、ピットの発生がほとんどなく表面状態が良好である場合には「Ａ」、ややピットの発生があり、実用上問題である場合を「Ｂ」、表面状態が非常に悪い場合を「Ｃ」で示した。
【００３９】
（３）研磨レート
研磨前後におけるガラス基板の重量変化から研磨レート（μｍ／ｍｉｎ）を求めた。
【００４０】
【表２】
2004162062.tif 000003
【００４１】
表２から明らかなように、実施例１〜７の研磨材スラリーを用いて研磨した場合には、研磨レートが速く、且つ表面粗さが小さく、スクラッチや表面欠陥のない良好な研磨表面を実現することができた。
一方、比較例１の研磨材スラリーは、ノニオン系界面活性剤が含有されていないため、これを用いて研磨した場合には、研磨レートが遅く、且つ表面粗さが大きかった。
比較例２の研磨材スラリーは、アニオン系界面活性剤が含有されておらず、且つｐＨが１１未満のため、これを用いて研磨した場合には、研磨レートが遅く、表面粗さが大きく、スクラッチや表面欠陥が生じ、精密研磨には不適であることが判明した。
比較例３の研磨材スラリーは、アニオン系界面活性剤およびノニオン系界面活性剤は含有されているもののｐＨが１１未満であるため、これを用いて研磨した場合も、研磨レートが遅く、且つ表面粗さが大きかった。