(57)【要約】【課題】被測定光ファイバ特性を測定するコストを低減させ、光ファイバ特性測定装置をコンパクト化する。【解決手段】被測定光ファイバの一端から空間分解能を規定するＭＨｚ帯の第１変調信号によって角度変調されたレーザ光を入射させ、他端から上記ＭＨｚ帯の第１変調信号をさらにブリルアン周波数シフト近傍に周波数設定されたマイクロ波帯の第２変調信号によって角度変調されたレーザ光を入射させ、その透過光の強度に基づいて被測定光ファイバのブリルアン周波数シフトを測定する光ファイバ特性測定装置及び方法において、第１変調信号の周波数を所定範囲に亘って連続的に掃引させた際の透過光の強度を第２変調信号の各周波数を所定の周波数幅でステップ状に順次変化させることによって各々取得し、このようにして取得された各強度を総合することによってブリルアン周波数シフトを測定する。【選択図】　　　　　　　図１
2004125520.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定光ファイバ特性の測定における空間分解能を規定するＭＨｚ帯の第１変調信号を発生する第１信号発生器（１０２）と、ブリルアン周波数シフト近傍に周波数設定されたマイクロ波帯の第２変調信号を発生する第２信号発生器（１０５）と、前記第１変調信号で角度変調されたレーザ光を出射する第１光変調部（１０１）と、前記レーザ光を２つに分岐させ、一方のレーザ光を第１測定光（Ｌ２）として被測定光ファイバ（Ｘ）の一端に出射する光分岐器（１０３）と、前記光分岐器（１０３）から入射された他方のレーザ光を第２変調信号で変調し第２測定光（Ｌ１）として被測定光ファイバ（Ｘ）の他端に出射する第２光変調部（１０６）と、被測定光ファイバ（Ｘ）の一端から出射される透過光の強度を検出する光検出部（１０９，１１０）と、該光検出部（１０９，１１０）から取得した検出信号に基づいて被測定光ファイバ（Ｘ）のブリルアン周波数シフトを測定する信号処理部（１１１）とを備える光ファイバ特性測定装置であって、
前記第１信号発生器（１０２）は、周波数を所定範囲に亘って連続的に掃引した信号を第１変調信号として発生し、
前記第２信号発生器（１０５）は、周波数を所定の周波数幅でステップ状に変化させた信号を第２変調信号として発生し、
前記信号処理部（１１１）は、第１変調信号の周波数を掃引させた際の検出信号を第２変調信号の各周波数毎に各々取得し、この結果得られた各々の検出信号を総合することによりブリルアン周波数シフトを測定する
ことを特徴とする光ファイバ特性測定装置。
【請求項２】
第１測定光（Ｌ２）あるいは第２測定光（Ｌ１）を遅延させる光遅延器（１０７）をさらに具備することを特徴とする請求項１記載の光ファイバ特性測定装置。
【請求項３】
前記光検出部（１０９，１１０）は、前記透過光の低周波側の側帯波のみを通過させる光波長フィルタ（１０９）と、前記側帯波の強度を検出して、その検出結果を検出信号として出力する光強度検出器（１１０）とを具備することを特徴とする請求項１または２記載の光ファイバ特性測定装置。
【請求項４】
被測定光ファイバ特性の測定における空間分解能を規定するＭＨｚ帯の第１変調信号によって角度変調されたレーザ光を２つに分岐させて、一方のレーザ光を第１測定光（Ｌ２）として被測定光ファイバ（Ｘ）の一端に入射させる一方、他方のレーザ光をブリルアン周波数シフト近傍に周波数設定されたマイクロ波帯の第２変調信号で変調し、第２測定光（Ｌ１）として被測定光ファイバ（Ｘ）の他端に入射させ、被測定光ファイバ（Ｘ）の一端から出射される透過光の強度に基づいて被測定光ファイバ（Ｘ）のブリルアン周波数シフトを測定する光ファイバ特性測定方法において、
第１変調信号の周波数を所定範囲に亘って連続的に掃引させた際の透過光の強度を第２変調信号の各周波数を所定の周波数幅でステップ状に順次変化させることによって各々取得し、このようにして取得された各強度を総合することによってブリルアン周波数シフトを測定する
ことを特徴とする光ファイバ特性測定方法。
【請求項５】
第１測定光（Ｌ２）あるいは第２測定光（Ｌ３）を遅延させることを特徴とする請求項４記載の光ファイバ特性測定方法。
【請求項６】
透過光の低周波側の側帯波のみを通過させ、その側帯波の強度に基づいて被測定光ファイバ（Ｘ）のブリルアン周波数シフトと測定することを特徴とする請求項４または５記載の光ファイバ特性測定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ファイバ特性測定装置及び方法に係り、特に被測定対象としての光ファイバ内において生ずる誘導ブリルアン散乱現象を利用して光ファイバの特性を測定する光ファイバ特性測定装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、大容量の情報を伝送するために、光ファイバが用いられる機会が多くなっている。光ファイバを情報伝送媒体として用いる場合には、通信品質を確保する目的で光ファイバの長さ方向における特性（例えば、障害が発生している箇所、又は障害が発生する虞のある箇所）を定期的に測定することが必要である。このために、光ファイバの一端から光パルスを入射して、この光パルスが光ファイバ中を進行している間に生ずる後方散乱光を測定して、光ファイバの歪み等の特性を測定するＯＴＤＲ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｔｉｍｅ　Ｄｏｍａｉｎ　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｅｒ）等の測定技術が案出されている。
【０００３】
ＯＴＤＲ等の測定技術は、光ファイバの歪み箇所を特定することが可能な技術であるため、光ファイバが設置されている環境における温度、歪み等の物理量の分布を測定する光ファイバセンサ等に応用できる。この光ファイバセンサでは、ダム、堤防、その他の大規模構造物に光ファイバを張り巡らして光ファイバの歪み等の特性を測定することによって構造物の変形等を検出し、構造物の保守管理行うことができる。近年、空間分解能が高く、より正確に歪み等が生ずる箇所を特定することができる光ファイバセンサが要求されている。
【０００４】
この要求に答えるために、被測定光ファイバの一端からプローブ光を入射させつつ他端からポンプ光を入射させて、被測定光ファイバ中で生ずる誘導ブリルアン散乱現象を利用した測定装置が案出されている。例えば、特開２０００−１８０２６５号公報には、このような被測定光ファイバの一端からプローブ光を入射させつつ他端からポンプ光を入射させて、被測定光ファイバ中で生ずる誘導ブリルアン散乱現象を利用した測定技術が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−１８０２６５号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特開２０００−１８０２６５号公報に開示されている技術は、１０ＧＨｚ周辺でマイクロ波を高速に掃引することによってブリルアンゲインスペクトラムを取得するために、高価なマイクロ波発生器を設ける必要があり、これに伴って装置全体のコストが高くなるという問題点がある。
【０００７】
本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので以下の点を目的とするものである。
（１）被測定光ファイバ特性を測定するコストを低減させる。
（２）光ファイバ特性測定装置をコンパクト化する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明では、光ファイバ特性測定装置に係わる第１の手段として、被測定光ファイバ特性の測定における空間分解能を規定するＭＨｚ帯の第１変調信号を発生する第１信号発生器と、ブリルアン周波数シフト近傍に周波数設定されたマイクロ波帯の第２変調信号を発生する第２信号発生器と、上記第１変調信号で角度変調されたレーザ光を出射する第１光変調部と、上記レーザ光を２つに分岐させ、一方のレーザ光を第１測定光として被測定光ファイバの一端に出射する光分岐器と、上記光分岐器から入射された他方のレーザ光を第２変調信号で変調し第２測定光として被測定光ファイバの他端に出射する第２光変調部と、被測定光ファイバの一端から出射される透過光の強度を検出する光検出部と、該光検出部から取得した検出信号に基づいて被測定光ファイバのブリルアン周波数シフトを測定する信号処理部とを備える光ファイバ特性測定装置であって、上記第１信号発生器は、周波数を所定範囲に亘って連続的に掃引した信号を第１変調信号として発生し、上記第２信号発生器は、周波数を所定の周波数幅でステップ状に変化させた信号を第２変調信号として発生し、上記信号処理部は、第１変調信号の周波数を掃引させた際の検出信号を第２変調信号の各周波数毎に各々取得し、この結果得られた各々の検出信号を総合することによりブリルアン周波数シフトを測定するという構成を採用する。
【０００９】
光ファイバ特性測定装置に係わる第２の手段として、上記第１の手段において、第１測定光あるいは第２測定光を遅延させる光遅延器をさらに具備するという構成を採用する。
【００１０】
光ファイバ特性測定装置に係わる第３の手段として、上記第１あるいは第２の手段において、上記光検出部は、上記透過光の低周波側の側帯波のみを通過させる光波長フィルタと、上記側帯波の強度を検出して、その検出結果を検出信号として出力する光強度検出器とを具備するという構成を採用する。
【００１１】
光ファイバ特性測定方法に係わる第１の手段として、被測定光ファイバ特性の測定における空間分解能を規定するＭＨｚ帯の第１変調信号によって角度変調されたレーザ光を２つに分岐させて、一方のレーザ光を第１測定光として被測定光ファイバの一端に入射させる一方、他方のレーザ光をブリルアン周波数シフト近傍に周波数設定されたマイクロ波帯の第２変調信号で変調し、第２測定光として被測定光ファイバの他端に入射させ、被測定光ファイバの一端から出射される透過光の強度に基づいて被測定光ファイバのブリルアン周波数シフトを測定する光ファイバ特性測定方法において、第１変調信号の周波数を所定範囲に亘って連続的に掃引させた際の透過光の強度を第２変調信号の各周波数を所定の周波数幅でステップ状に順次変化させることによって各々取得し、このようにして取得された各強度を総合することによってブリルアン周波数シフトを測定するという構成を採用する。
【００１２】
光ファイバ特性測定方法に係わる第２の手段として、上記第１の手段において、第１測定光あるいは第２測定光を遅延させるという構成を採用する。
【００１３】
光ファイバ特性測定方法に係わる第３の手段として、上記第１または第２の手段において、透過光の低周波側の側帯波のみを通過させ、その側帯波の強度に基づいて被測定光ファイバのブリルアン周波数シフトと測定するという構成を採用する。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明に係わる光ファイバ特性測定装置及び方法の一実施形態について説明する。
【００１５】
図１は、本実施形態における光ファイバ特性測定装置の機能構成を表したブロック図である。この図において、１００は光源、１０１は半導体レーザ（第１光変調部）、１０２は信号発生回路（第１信号発生器）、１０３は第１の光分岐器（光分岐器）、１０４は光変調器、１０５はマイクロ波発生器（第２信号発生器）、１０６は光強度変調器（第２光変調部）、１０７は光遅延器、１０８は第２の光分岐器、１０９は光波長フィルタ（光検出部）、１１０は光強度検出器（光検出部）、１１１は信号処理部、またＸは被測定光ファイバ、Ｌ１はプローブ光（第２測定光）、Ｌ２はポンプ光（第１測定光）である。
【００１６】
光源１００は、半導体レーザ１０１及び信号発生回路１０２を備える。ここで、信号発生回路１０２は、半導体レーザ１０１から出射されるレーザ光を角度変調、例えば周波数変調するＭＨｚ帯（約２０ＭＨｚ）の変調信号を発生するものであり、所定の範囲で上記変調信号の周波数を掃引するものである。第１の光分岐器１０３は、光源１００から出射されたレーザ光を第１のレーザ光（他方のレーザ光）と第２のレーザ光（一方のレーザ光）とに２分岐するものである。
【００１７】
第１の光分岐器１０３で分岐された第１のレーザ光は、光変調器１０４に入力する。光変調器１０４は第１の光分岐器１０３で分岐された第１のレーザ光を変調して、レーザ光の中心波長に対する側波帯を発生させ、上記第１のレーザ光をプローブ光Ｌ１として出射するものであり、マイクロ波発生器１０５と光強度変調器１０６とを備える。ここで、レーザ光を変調して側波帯を発生させるのは、被測定光ファイバＸ内で誘導ブリルアン散乱を生じさせるためである。マイクロ波発生器１０５は第１の光分岐器１０３で分岐された第１のレーザ光のブリルアン周波数シフト近傍に周波数設定されたマイクロ波帯の変調信号（約１０ＧＨｚ）を出力し、光強度変調器１０６は入力光の中心周波数に対してマイクロ波発生器１０５から出力されるマイクロ波周波数に等しい周波数差を有する側帯波を発生させるものである。尚、マイクロ波発生器１０５から出力されるマイクロ波の周波数はステップ状に可変である。光変調器１０４から出力されたプローブ光Ｌ１は、被測定光ファイバＸの一端から被測定光ファイバＸ内に入射する。
【００１８】
一方、第１の光分岐器１０３で分岐された第２のレーザ光は光遅延器１０７に入射する。光遅延器１０７は、被測定光ファイバＸの他端から入射されるポンプ光Ｌ２を遅延させるためのものである。つまり、この光遅延器１０７によって、ポンプ光Ｌ２とプローブ光Ｌ１との間には所定の遅延時間が設定される。光遅延器１０７から出力されたレーザ光は、第２の光分岐器１０８を介してポンプ光Ｌ２として被測定光ファイバＸの他端から被測定光ファイバＸ内に入射される。
【００１９】
また、上記第２の光分岐器１０８は、被測定光ファイバＸを伝播して被測定光ファイバＸの他端から出射される透過光を分岐するものである。ここで、透過光強度は、被測定光ファイバＸ中で生ずる誘導ブリルアン散乱現象による影響を受けたものとなる。光波長フィルタ１０９は、第２の光分岐器１０８で分岐された光から低周波側の側波帯のみを通過させる通過特性を有するものである。光強度検出器１１０は、光波長フィルタ１０９で分離された低周波側の側波帯の光の強度を検出し、検出信号として出力するものである。信号処理部１１１は、上記検出信号に所定の演算を行い、測定結果として画面上に表示するものである。
【００２０】
続いて、このように構成された本光ファイバ特性測定装置の動作及び光ファイバ特性測定方法について説明する。
【００２１】
光源１００から周波数変調されたレーザ光が出射されると、第１の光分岐器１０３で第１のレーザ光と第２のレーザ光に分岐される。第１の光分岐器１０３で分岐された第１のレーザ光は光変調器１０４へ入射し、マイクロ波によって強度変調されてプローブ光Ｌ１として被測定光ファイバＸに入射する。一方、第１の光分岐器１０３で分岐された第２のレーザ光は、光遅延器１０７で所定の時間遅延を受けた後、第２の光分岐器１０８を介して、ポンプ光Ｌ２として被測定光ファイバＸに入射する。
【００２２】
ここで、プローブ光Ｌ１とポンプ光Ｌ２は、それぞれ同一の光源１００にて周波数変調された光であるため、被測定光ファイバＸに入射したプローブ光Ｌ１とポンプ光Ｌ２とは被測定光ファイバＸに沿って周期的な相関ピークを示す。この相関ピークを示した位置では、プローブ光Ｌ１とポンプ光Ｌ２との光周波数差は一定しているため、誘導ブリルアン散乱現象によって光強度が増幅される。
【００２３】
一方、相関ピークを示した位置以外の位置ではプローブ光Ｌ１とポンプ光Ｌ２との光周波数はたえず変動しているため、プローブ光Ｌ１はブリルアン増幅の効果を受けず光強度はほぼ変化しない。従って、プローブ光Ｌ１がブリルアン増幅により得る利得の大部分は、この相関ピークを示した位置で生じるものとなる。
【００２４】
以上のように、ブリルアン増幅によって利得を得たプローブ光Ｌ１は被測定光ファイバ１０７の他端から出射された後、第２の光分岐器１０８へ入射する。光分岐器１０９から出射されたプローブ光Ｌ１は光波長フィルタ１０９へ入射し、プローブ光Ｌ１から低周波側の側波帯の光が分離される。この側波帯の光は光検出器１１１に入射して、その強度が検出される。そして、側帯波の光の強度は、検出信号として信号処理部１１１に入力される。
【００２５】
そして、上述した動作は、光源１００の信号発生回路１０２によってレーザ光を周波数変調する変調信号の周波数を例えば２０ＭＨｚ近傍で掃引させ、光変調器１０４のマイクロ波発生器１０５によってマイクロ波を例えば１０．４ＧＨｚ〜１０．８ＧＨｚの範囲でステップ状に変化させながら繰り返し行う。
【００２６】
図２は、図１中の被測定光ファイバＸ内における相関ピークを模式的に示す図である。図２において、ｆｍは半導体レーザ１０１に印加する変調信号を表し、ｄｍは隣接する相関ピークの間隔である。図２に示したように、被測定光ファイバＸに入射したプローブ光Ｌ１とポンプ光Ｌ２とが相関ピークを示す位置では誘導ブリルアン散乱が強く生じる。図中の符号１２０〜１２２に示した波形のピークは相関ピークを示しており、１２０は０次の相関ピーク、１２１は１次の相関ピーク、１２２は２次の相関ピークである。尚、０次の相関ピークの位置はプローブ光Ｌ１とポンプ光Ｌ２との光路差が零となる位置である。
【００２７】
ここで、相関ピークの間隔ｄｍは、光源１００の周波数変調信号をｆｍ、被測定光ファイバＸ内の光速度をｖとすると以下の（１）式で表される。
ｄｍ＝ｖ／（２・ｆｍ）　……（１）
この（１）式から、相関ピークの間隔ｄｍは半導体レーザ１０１に与える周波数変調信号ｆｍにより決定されることが分かる。
【００２８】
図３は、周波数変調信号を変化させたときの相関ピークの位置が変化する様子を示す図である。図３に示すように、周波数変調信号ｆｍを変化させると、相関ピークの間隔ｄｍが変化し、相関ピーク位置を変化させることができる。ただし、周波数変調信号ｆｍのみを変化させても０次の相関ピーク１２０の位置は変化しない。また、図３中のδは、相関ピークの空間分解能である。
【００２９】
前述のように、０次の相関ピーク１２０の位置はプローブ光Ｌ１とポンプ光Ｌ２との光路差が零となる位置である。図４は、０次の相関ピーク１２０の位置を可変させる様子を示す図である。光遅延器１０７による遅延時間を可変させると、図４に示すように、０次の相関ピーク１２０の位置が変化する。ここで、０次の相関ピーク１２０の位置は周波数変調信号ｆｍには依存しない。従って、光遅延器１０７による遅延時間を可変させることにより、０次の相関ピーク１２０のみならず、１次の相関ピーク１２１、２次の相関ピーク１２２等も、相関ピークの間隔ｄｍを変化させずに移動させることができる。
【００３０】
ここで、被測定光ファイバＸのブリルアンゲイン線幅をΔνＢ、光源１００の周波数変調信号をｆｍ、光源１００の周波数変調時の周波数変動分をΔｆ、被測定光ファイバＸ内の光速度をｖとすると空間分解能（δｚ）は以下の（２）式により与えられる。
δｚ＝（ｖ×ΔνＢ）／（２π×ｆｍ×Δｆ）　……（２）
【００３１】
０次の相関ピーク１２０は、光源１００の周波数変調信号ｆｍを変化させても移動しないため、被測定光ファイバＸの外部に位置させる必要がある。そこで、上記光遅延器１０７は、上記０次の相関ピーク１２０が被測定光ファイバＸの外部に位置するように第２のレーザ光を遅延させる。
【００３２】
図５は、被測定光ファイバＸの特性図である。この図において、縦軸はマイクロ波の周波数、横軸は被測定光ファイバＸの軸方向における位置、垂直軸は側帯波の強度である。上述のように、プローブ光Ｌ１がブリルアン増幅によって得る利得の大部分は、この相関ピークを示した位置で生じるので、周波数変調信号ｆｍ、すなわち信号発生回路１０２が変調信号の周波数を掃引することによって、相関ピークは、被測定光ファイバＸの軸方向に移動し、その結果信号処理部１１１は、被測定光ファイバＸの軸方向における各部位においてブリルアン増幅によって利得を得た側帯波の強度を検出することができる。つまり、信号発生回路１０２における変調信号の周波数を掃引することによって、信号処理部１１１は、図５の特性図における側帯波の強度と被測定光ファイバＸにおける位置との関係を得ることができる。そして信号処理部１１１は、この側帯波の強度と被測定光ファイバＸにおける位置との関係を記憶する。
【００３３】
続いて、マイクロ波発生器１０５は、マイクロ波の周波数をステップアップさせる。そして信号発生回路１０２は、再び変調信号の周波数を掃引することによって、相関ピークを被測定光ファイバＸの長さに亘って移動させ、その結果信号処理部１１１は、そのステップアップされたマイクロ波の周波数における側帯波の強度と被測定光ファイバＸにおける位置との関係を取得して記憶する。
【００３４】
信号処理部１１１は、マイクロ波発生器１０４におけるマイクロ波がステップ状に変化される度に、そのマイクロ波の周波数毎の側帯波の強度と被測定光ファイバＸにおける位置との関係を記憶する。そして、信号処理部１１１は、上記動作を繰り返すことによって複数のマイクロ波の周波数毎の側帯波の強度と被測定光ファイバＸにおける位置との関係を記憶する。
【００３５】
信号処理部１１１は、上述のように取得したマイクロ波の周波数毎の側帯波の強度と被測定光ファイバＸにおける位置との関係、すなわち図５に示すような特性図を画面上に表示する。すなわち、信号処理部１１１は、マイクロ波の各周波数毎に得られる側帯波の強度と被測定光ファイバＸの位置との各関係を総合することによって図５に示す特性図を表示する。この特性図において、側帯波の強度がピークを示すマイクロ波の周波数は、被測定光ファイバＸのブリルアン周波数シフトを表している。
【００３６】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のような変形例も考えられる。
（１）上記実施形態において半導体レーザ１０１から出射されるレーザ光を周波数変調する場合を例に挙げて説明した。しかしながら、半導体レーザ１０１から出射されるレーザ光を角度変調すれば良く、位相変調しても良い。半導体レーザ１０１から出射されるレーザ光を信号発生回路１０２で位相変調する場合には、ｆｍを位相変調の変調信号と読み替えれば良い。
【００３７】
（２）上記実施形態において、光遅延器１０７によって被測定光ファイバＸの他端から入射されるポンプ光Ｌ２を遅延させた。しかしながら、光遅延器１０７によってプローブ光Ｌ１を遅延させても良い。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、被測定光ファイバ特性の測定における空間分解能を規定するＭＨｚ帯の第１変調信号を発生する第１信号発生器と、ブリルアン周波数シフト近傍に周波数設定されたマイクロ波帯の第２変調信号を発生する第２信号発生器と、上記第１変調信号で角度変調されたレーザ光を出射する第１光変調部と、上記レーザ光を２つに分岐させ、一方のレーザ光を第１測定光として被測定光ファイバの一端に出射する光分岐器と、上記光分岐器から入射された他方のレーザ光を第２変調信号で変調し第２測定光として被測定光ファイバの他端に出射する第２光変調部と、被測定光ファイバの一端から出射される透過光の強度を検出する光検出部と、該光検出部から取得した検出信号に基づいて被測定光ファイバのブリルアン周波数シフトを測定する信号処理部とを備える光ファイバ特性測定装置であって、上記第１信号発生器は、周波数を所定範囲に亘って連続的に掃引した信号を第１変調信号として発生し、上記第２信号発生器は、周波数を所定の周波数幅でステップ状に変化させた信号を第２変調信号として発生し、上記信号処理部は、第１変調信号の周波数を掃引させた際の検出信号を第２変調信号の各周波数毎に各々取得し、この結果得られた各々の検出信号を総合することによりブリルアン周波数シフトを測定する。すなわち、空間分解能を規定するＭＨｚ帯の第１変調信号を掃引し、ブリルアン周波数シフト近傍に周波数設定されたマイクロ波帯の第２変調信号をステップ状に変化させるので、第２信号発生器によってマイクロ波帯の第２変調信号を掃引する必要がないので被測定光ファイバ特性を測定するコストを低減させ、光ファイバ特性測定装置をコンパクト化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係わる光ファイバ特性測定装置の機能構成を表したブロック図である。
【図２】図１中の被測定光ファイバＸ内における相関ピークを模式的に示す図である。
【図３】周波数変調周波数を変化させたときの相関ピークの位置が変化する様子を示す図である。
【図４】０次の相関ピーク１２０の位置を可変させる様子を示す図である。
【図５】被測定光ファイバＸにおける特性を表した特性図である。
【符号の説明】
１００……光源
１０１……半導体レーザ（第１光変調部）
１０２……信号発生回路（第１信号発生器）
１０３……第１の光分岐器（光分岐器）
１０４……光変調器
１０５……マイクロ波発生器（第２信号発生器）
１０６……光強度変調器（第２光変調部）
１０７……光遅延器
１０８……第２の光分岐器
１０９……光波長フィルタ（光検出部）
１１０……光強度検出器（光検出部）
１１１……信号処理部
１２０〜１２２……相関ピーク
Ｘ……被測定光ファイバ
Ｌ１……プローブ光（第２測定光）
Ｌ２……ポンプ光（第１測定光）
【図１】
2004125520.tif 000003
【図２】
2004125520.tif 000004
【図３】
2004125520.tif 000005
【図４】
2004125520.tif 000006
【図５】
2004125520.tif 000007