(57)【要約】【課題】本発明は、薄板フィルム基板の反りを抑制でき、製品歩留まりを上げることができると共に、高発熱量のＬＳＩを搭載した場合に、十分な冷却能力を構成できる実装方法、実装構造及びパッケージ基板の提供を課題とする。【解決手段】本発明のパッケージ基板１は、第１の基板１２に開口１１を形成し、第１の基板１２に薄膜フィルム基板（第２の基板）１３を積層して、開口１１を薄膜フィルム基板１３で覆う。次に、開口１１内にキャパシタ（第１の電子部品）１４を挿入して薄膜フィルム基板に接合し、開口１１内に一定以上の厚さで樹脂１５を充填して硬化させることにより、薄膜フィルム基板１３及びキャパシタ１４を樹脂１５で支持し、薄膜フィルム基板１３の露出されている側の表面にキャパシタ１４と接続すべきＬＳＩ１６（第２の電子部品）を接合し、キャパシタ１４とＬＳＩ１６とを接続する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板に開口を形成し、
前記第１の基板に第２の基板を積層して前記開口を前記第２の基板で覆い、
前記開口内に第１の電子部品を挿入して前記第２の基板に接合し、
前記開口内に一定以上の厚さで樹脂を充填して硬化させることにより、前記第２の基板及び前記第１の電子部品を前記樹脂で支持し、
前記第２の基板の露出されている側の表面に前記第１の電子部品と接続すべき第２の電子部品を接合し、
前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを接続することを特徴とする電子部品の実装方法。
【請求項２】
開口を有する第１の基板と、
前記第１の基板に積層され前記開口を覆う第２の基板と、
前記開口内に挿入されて前記第２の基板に接合された第１の電子部品と、
前記開口内に一定以上の厚さで充填された硬質の樹脂と、
前記第２の基板の露出されている側の表面に接合された第２の電子部品と、
前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを接続する配線と、を備えたことを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項３】
前記第２の基板は、薄膜フィルムであることを特徴とする請求項２に記載の電子部品の実装構造。
【請求項４】
前記第１の電子部品はキャパシタであり、前記第２の電子部品はＬＳＩであることを特徴とする請求項２または３に記載の電子部品の実装構造。
【請求項５】
請求項２から４の何れかに記載の電子部品の実装構造を有することを特徴とするパッケージ基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品の実装方法、実装構造及びパッケージ基板に係り、特にＬＳＩとこれに接続されるキャパシタとを有する電子部品の実装方法、実装構造及びパッケージ基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、図１８に示すように、薄膜フィルム基板１５０の両面にＬＳＩ（大規模集積回路）１５１とキャパシタ１５２が搭載され、この薄膜フィルム基板１５０が親ボード（基板）１５３に積層されたパッケージ基板１５４があった（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
上記で薄膜フィルム基板１５０を使用するのは、基板の両側に搭載されたＬＳＩ１５１とキャパシタ１５２間のインダクタンスを小さくするためである。なお、薄膜フィルム基板とは、一般的にその厚さが５０μｍ以下の基板を指す。
【０００４】
このパッケージ基板１５４を製造する際は、まず図１９（ａ）に示すように、薄膜フィルム基板１５０に配線が形成されると共に、メッキ処理によって金属端子１５５が形成される。
【０００５】
次に、図１９（ｂ）に示すように、薄膜フィルム基板１５０の表面１５０ａにＬＳＩ１５１が例えば半田１５９よって接合される。次に、ＬＳＩ１５１と薄膜フィルム基板１５０との間にアンダーフィル剤１５６が充填される。
【０００６】
ここで、アンダーフィル剤１５６は、各部の接合部分の応力を緩和するために充填される。すなわち、薄膜フィルム基板１５０とＬＳＩ１５１との熱膨張率とが異なるため、そのままでは半田にクラックが発生するおそれがある。
【０００７】
そこで、薄膜フィルム基板１５０とＬＳＩ１５１との間にアンダーフィル剤１５６を充填することによって、熱膨張率の差による応力を緩和し、半田にクラックが発生するのを防止する。
【０００８】
次に、図１９（ｃ）に示すように、薄膜フィルム基板１５０の裏面１５０ｂにキャパシタ１５２が搭載される。
【０００９】
一方、図２０に示すように、親ボード１５３に、所定の大きさの開口１５７及び半田ボール１５８が形成される。
【００１０】
そして、図１８に示したように、ＬＳＩ１５１及びキャパシタ１５２が搭載された薄膜フィルム基板１５０が、親ボード１５３に積層される。薄膜フィルム基板１５０は、半田ボール１５５によって親ボード１５３に接合される。
【００１１】
このときには、薄膜フィルム基板１５０に搭載されたキャパシタ１５２が、親ボード１５３の開口１５７内に挿入される。
【００１２】
このように、従来のパッケージ基板１５４は、薄膜フィルム基板１５０の裏面１５０ｂに搭載されたキャパシタ１５２が、親ボード１５３の開口１５７内に挿入されている。
【００１３】
このパッケージ基板１５４は、電子部品の実装密度を高くできると共に、小型化が可能である。
【００１４】
【特許文献１】
特開２００２−３１４０３１号公報
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のパッケージ基板１５４は、薄膜フィルム基板１５０の剛性が低いため、図２１に示すように、薄膜フィルム基板１５０に反りｄが発生しその平面度を一定以上に確保するのが困難であった。
【００１６】
一方、ＬＳＩ５１の端子は非常に精密に形成されている。このように精密に形成されている端子を薄膜フィルム基板１５０に接続する場合、従来のように薄膜フィルム基板１５０に反りｄがあると、全ての端子を薄膜フィルム基板１５０に完全に接続するのが困難であった。
【００１７】
そのため、パッケージ基板１５４の製品歩留まりが低く、場合によっては、数％程度に低下するという問題があった。
【００１８】
また、高発熱量のＬＳＩ１５１を搭載する場合、ＬＳＩ１５１を冷却するために、フィンのように大型で十分な冷却能力を有する冷却部品をＬＳＩ１５１に接合する必要がある。
【００１９】
しかし、このような冷却部品は重量が大きくなるので、これを従来のパッケージ基板１５４のＬＳＩ１５１に搭載すると、薄膜フィルム基板１５０の反りｄが更に大きくなる。従って、従来は十分な冷却能力を構成するのが困難であった。
【００２０】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、薄板フィルム基板の反りを抑制でき、これにより、製品歩留まりを上げることができると共に、高発熱量の電子部品を搭載した場合に、十分な冷却能力を構成できる電子部品の実装方法、実装構造及びパッケージ基板の提供を課題とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記課題を解決するため、以下の手段を採用した。
【００２２】
すなわち、本発明は、第１の基板に開口を形成し、前記第１の基板に第２の基板を積層して前記開口を前記第２の基板で覆い、前記開口内に第１の電子部品を挿入して前記第２の基板に接合し、前記開口内に一定以上の厚さで樹脂を充填し、この樹脂を硬化させて前記第２の基板及び前記第１の電子部品を前記樹脂で支持し、前記第２の基板の露出されている側の表面に前記第１の電子部品と接続すべき第２の電子部品を接合し、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを接続することを特徴とする。
【００２３】
本発明によれば、第１の基板に第２の基板を積層した後、第２の基板に第２の電子部品を搭載する前に、第１の基板の開口に樹脂を充填して硬化させる。これにより、第２の基板及び第１の電子部品が樹脂で支持されるので、第２の基板の反りが抑制され、一定以上の平面度が確保される。
【００２４】
この後、第２の基板に第２の電子部品を搭載するときには、第２の基板の平面度が確保されているので、第２の電子部品の端子が精密に形成されている場合でも、全ての端子を第２基板に完全に接続できる。
【００２５】
また、本発明は、開口を有する第１の基板と、前記第１の基板に積層され前記開口を覆う第２の基板と、前記開口内に挿入されて前記第２の基板に接合された第１の電子部品と、前記開口内に一定以上の厚さで充填された硬質の樹脂と、前記第２の基板の露出されている側の表面に接合された第２の電子部品と、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを接続する配線と、を備えたことを特徴とする。
【００２６】
本発明によれば、第１の基板の開口内に一定以上の厚さで硬質の樹脂が充填されているので、第２の基板の上記開口に面した部分に搭載されている第２の基板、第１及び第２電子部品の重量が樹脂によって支持される。
【００２７】
従って、第１及び第２の電子部品の重量が大きい場合でも、第２の基板の反り及び破損を防止できる。
【００２８】
ここで、前記第２の基板としては、その厚さが５０μｍ程度以下の薄膜フィルムを例示できる。この場合は、肉厚の非常に薄い薄膜フィルムの反りを抑制できる。
【００２９】
また、前記第１の電子部品としてはキャパシタを例示でき、前記第２の電子部品としてはＬＳＩを例示できる。この場合には、薄膜フィルム基板に高消費電力のＬＳＩを搭載し、このＬＳＩを冷却するべく、冷却能力が大きく重量が大きな冷却部品を搭載した場合でも、薄膜フィルム基板の反りを抑制できる。
【００３０】
また、前記樹脂は、フィラー剤を含んでいる。フィラー剤にはシリカ（ＳｉＯ２）を含んでいる。
【００３１】
また、前記樹脂は、その熱膨張係数（ＣＴＥ）を、前記第１及び第２の基板、前記第１及び第２の電子部品に応じて調整する。樹脂のヤング率を調整することもできる。熱膨張係数及びヤング率は、フィラー剤に含まれているシリカの量及び粒径を調整することによって調整できる。
【００３２】
樹脂のＣＴＥは、各部の接合部分における熱膨張係数の差を吸収するように調整する。また、ＣＴＥを調整した後、ヤング率ができるだけ大きくなるように調整する。
【００３３】
これにより、第１の基板及び第２の基板、第１の電子部品及び第２の電子部品間の接合部の信頼性が向上する。
【００３４】
前記第１の基板には、前記開口内に設けられ前記樹脂の露出面を支持する支持部材を備えることができる。この場合は、樹脂及び支持部材によって第２の基板、第１及び第２の電子部品の重量を支持できるので、信頼性が更に向上する。
【００３５】
また、前記支持部材は格子状、又は十字状に形成できる。これにより、第１の電子部品を搭載するスペースを確保できる。
【００３６】
また、前記第２の電子部品に冷却用のフィンを接合できる。この場合、冷却用フィンの冷却能力が大きくその重量が大きい場合でも、第２の基板の反りを抑制できる。
【００３７】
また、前記第２の基板には、補強用のスティフナを備えることができる。この場合は、第２の基板が薄く剛性が低い場合でも、スティフナを備えることによって第２の基板の剛性が高くなる。従って、第２の基板の取り扱い性が向上する。
【００３８】
前記スティフナは、前記第１の電子部品側に設けることができる。この場合、前記スティフナは、格子状、又は十字状に形成できる。この場合も、第１の電子部品を搭載するスペースを確保できる。
【００３９】
更に、前記スティフナは、前記第２の電子部品側に装着できる。この場合、前記スティフナは、前記第２の基板の外周縁に配置できる。これにより、スティフナの内側に第２の電子部品を搭載するスペースを確保できる。
【００４０】
また、前記樹脂に高熱伝導性材料を含めることができる。これにより、第２の基板に搭載された電子部品を、第１の基板側から樹脂を介して冷却できる。
【００４１】
前記高熱伝導性材料としては、セラミック又はダイヤモンドを例示できる。
【００４２】
また、本発明は、パッケージ基板に好適である。
【００４３】
なお、以上述べた各構成要素は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
【００４４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付した図１から図１７に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１は本発明を適用したパッケージ基板１を示す図である。このパッケージ基板１は、開口１１を有する親ボード（第１の基板）１２と、この親ボード１２に開口１１を覆う状態で積層された薄膜フィルム基板（第２の基板）１３とを備えている。
【００４５】
また、このパッケージ基板１は、薄膜フィルム基板１３に接合され開口１１内に挿入されたキャパシタ（第１の電子部品）１４と、開口１１内に充填された硬質の樹脂１５と、薄膜フィルム基板１３のキャパシタ１４と反対側の面に接合されたＬＳＩ（大規模集積回路、第２の電子部品）１６と、キャパシタ１４とＬＳＩ１６とを接続する配線（図示せず）と、親ボード１２に設けられた半田ボール１７とを備えている。
【００４６】
親ボード１２は、その厚さが例えば０．６〜１．０ｍｍ程度の基板を使用できる。また、薄膜フィルム基板１３は、その厚さが例えば５０μｍ程度以下の基板を使用できる。
【００４７】
上記のように薄膜フィルム基板１３の両面に、ＬＳＩ１６とこれに供給される電源ノイズを除去するキャパシタ１４とを搭載することにより、ＬＳＩ１６とキャパシタ１４間のインダスタンスを低減できる。従って、薄膜フィルム基板１３の厚さは、できるだけ薄い方が好ましい。
【００４８】
次に、このパッケージ基板１の製造方法を説明する。パッケージ基板１を製造する際は、まず図２（ａ）に示すように、親ボード１２に所定の大きさの開口１１を形成する。
【００４９】
また、図２（ｂ）に示すように、薄膜フィルム基板１３にメッキ処理によって金属端子２０及び配線（図示せず）を形成する。薄膜フィルム基板１３の金属端子２０は、親ボード１２と電気的に接続するために形成する。
【００５０】
次に、図３に示すように、親ボード１２の開口１１を覆う状態で、親ボード１２に薄膜フィルム基板１３を積層する。そして、薄膜フィルム基板１３を半田２０で親ボード１２に接合する。薄膜フィルム基板１３は、半田２０に代えて異方性導伝性接着剤などで親ボード１２に接合することもできる。なお、図２中の符号２１は、接着剤又はアンダーフィル剤である。
【００５１】
次に、親ボード１２の開口１１内にキャパシタ１４を挿入する。そして、開口１１内に露出されている薄膜フィルム基板１３に、半田２２によってキャパシタ１４を接合する。
【００５２】
次に、図４に示すように、親ボード１２の開口１１内に硬質の樹脂１５を充填する。樹脂１５は、開口１１内に一定以上の厚さで充填する。本例では、開口１１を全体的に埋めるように樹脂１５を充填する。
【００５３】
なお、樹脂１５の厚さは、薄膜フィルム基板１３及びこのフィルム基板１３に搭載される電子部品の重量を支持できると共に、フィルム基板１３の反りを一定以下に抑制できる厚さとする。
【００５４】
また、樹脂１５の表面１５ａを平坦に形成する。そして、この樹脂１５を硬化させる。この樹脂１５としては、エポキシ樹脂に後述のフィラー剤を混入したものを例示できる。
【００５５】
また、この樹脂１５は、親ボード１２をマザ−ボード（図示せず）に接合した際に、薄膜フィルム基板１３、親ボード１２及びマザーボードの熱膨張率の差によって、各部の接合部分にクラックが発生するのを防止する目的も有している。
【００５６】
そのため、ここでは、次に説明するように、周知の方法で硬化後の熱膨張係数（ＣＴＥ）及びヤング率を調整する。
【００５７】
すなわち、ＣＴＥ及びヤング率の調整は、樹脂１５にフィラー剤を混入することによって行うことができる。このフィラー剤は、シリカ（ＳｉＯ２）を含んでいる。
【００５８】
フィラー剤に混入するシリカの混入量及び粒径を調整することにより、樹脂１５のＣＴＥを調整する。一般的に、マザーボード及び親ボード１２は、エポキシ樹脂で形成されており、その熱膨張係数は１７ｐｐｍ／℃程度である。この場合、樹脂１５のＣＴＥを３〜２０ｐｐｍ／℃に調整するのが好ましい。
【００５９】
このようにして、まず樹脂１５のＣＴＥを調整する。その後、調整されたＣＴＥを保持した状態で、ヤング率を調整する。ヤング率は、可能な限り大きくする。
【００６０】
なお、樹脂１５のＣＴＥ及びヤング率は、パッケージ基板１を構成する各部の材質及び大きさなどに応じて、適宜調整する。
【００６１】
また、マザーボード及び親ボード１２にもフィラー剤が混入されている。そこで、マザーボード及び親ボード１２に混入されているフィラー剤の混入量及び粒径を調整することによって、マザーボード及び親ボード１２のＣＴＥ及びヤング率を調整することもできる。
【００６２】
次に、図５に示すように、薄膜フィルム基板１３の露出されている面、すなわち、キャパシタ１４が搭載されている面の反対側の面に、ＬＳＩ１６を半田２３で接合する。
【００６３】
次に、ＬＳＩ１６と薄膜フィルム基板１３との間にアンダーフィル剤２４を充填する。続いて、図１に示したように、親ボード１２の底面１２ａに半田ボール１７を形成する。
【００６４】
図６に上記パッケージ基板１の各部の寸法を例示する。本例では、親ボード１２が略正方形に形成され、その一辺が４０〜５０ｍｍである。また、親ボード１２の厚さは０．６〜１．０ｍｍである。親ボード１２の開口１１も略正方形に形成され、その一辺が１５〜２０ｍｍである。
【００６５】
薄膜フィルム基板１３は略正方形に形成され、その一辺が３０ｍｍ程度に形成されている。薄膜フィルム基板１３の厚さは、約５０μｍである。薄膜フィルム基板１３の下面に形成された半田ボール１７は、５０〜１００μｍの高さを有する。
【００６６】
このように、本発明のパッケージ基板１は、薄膜フィルム基板１３が親ボード１２に積層された後、ＬＳＩ１６が薄膜フィルム基板１３に搭載される前に、親ボード１２の開口１１内に硬質の樹脂１５が一定以上の厚さで充填される。
【００６７】
これにより、薄膜フィルム基板１３及びキャパシタ１４が樹脂１５で支持されるので、薄膜フィルム基板１３の反りが抑制される。
【００６８】
そして、薄膜フィルム基板１３にＬＳＩ１６を搭載するときには、薄膜フィルム基板１３の平面度が一定以上に確保されている。本例では、薄膜フィルムの反りｄ（図２１参照）を約３５μｍ以下にする。
【００６９】
これにより、ＬＳＩ１６を薄膜フィルム基板１３に搭載するときに、ＬＳＩ１６に形成された精密な端子を、薄膜フィルム基板１３の配線に完全に接続できる。そのため、パッケージ基板１の製品歩留まりを大幅に向上させることができる。
【００７０】
また、樹脂１５によって、薄膜フィルム基板１３に搭載されたＬＳＩ１６及びキャパシタ１４の重量が支持される。更に、樹脂１５のＣＴＥ及びヤング率が調整され、パッケージ基板１の各接合部分の応力が緩和される。従って、パッケージ基板１の信頼度が向上し、その寿命が長くなる。
【００７１】
また、このパッケージ基板１は、薄膜フィルム基板１３が樹脂１５で支持されるので、従来に比べて大型のＬＳＩ１６などを搭載しても薄膜フィルム基板１３の反りを抑制できる。従って、パッケージ基板１の大型化が可能になる。
（第２実施形態）
図７は、本発明に係る第２実施形態のパッケージ基板３を示す。このパッケージ基板３は、図１のパッケージ基板１と同様に、親ボード１２の開口１１内に樹脂１５が充填されている。
【００７２】
但し、このパッケージ基板３は、樹脂１５の露出面（図７中の下側）に、樹脂１５を支持する支持部材３０が接合されている。これ以外の部分は、図１のパッケージ基板１と同一なので、その詳細な説明を省略する。
【００７３】
支持部材３０は、金属又はカーボンファイバーなどで所定の厚さｔを有する板状に形成されている。支持部材３０の大きさは、開口１１の大きさと同一である。この支持部材３０は開口１１内に挿入され、半田又は接着剤で開口１１の内周面に接合されている。
【００７４】
このパッケージ基板３を製造する際は、上記第１の実施形態のパッケージ基板１と同様に、まず親ボード１２に開口１１を形成する（図２（ａ）参照）。また、薄膜フィルム基板１３に金属端子２０を形成する（図２（ｂ）参照）。
【００７５】
次に、親ボード１２に薄膜フィルム基板１３を積層して接合する（図３参照）。続いて、図８に示すように、開口１１内に樹脂１５を一定以上の厚さで充填して硬化させる。
【００７６】
但し、このパッケージ基板３においては、上記のパッケージ基板１と異なり、開口１１内に樹脂１５を充填するときに、開口１１内に支持部材３０を挿入する空間３１を残しておく。
【００７７】
そして、図９に示すように、開口１１内の空間３１に支持部材３０を挿入し、半田又は接着剤で接合する。このとき、支持部材３０を樹脂１５に全面的に当接させる。これにより、樹脂１５全体を支持部材３０で支持する。
【００７８】
次に、親ボード１２に半田ボール１７を形成する。この後、図６に示したように、薄膜フィルム基板１３にＬＳＩ１６を搭載する。
【００７９】
このパッケージ基板３は、樹脂１５及び支持部材３０によって、薄膜フィルム基板１３、キャパシタ１４及びＬＳＩ１６の重量が支持される。
【００８０】
従って、更に大型のＬＳＩ１６を搭載できる。また、パッケージ基板１の製品歩留まりの向上、パッケージ基板３の大型化が可能になる。
（第３実施形態）
図１０は、本発明に係る第３実施形態のパッケージ基板４を示す。このパッケージ基板４は、親ボード４０の開口４１内に補強用の梁部材４２が形成されている。これ以外は、第１実施形態のパッケージ基板１（図１参照）と同一なので、その詳細な説明を省略する。
【００８１】
梁部材４２は、図１１に示すように、親ボード４０に開口４１を形成する際に、その一部を格子状に残すことによって形成されている。本例では、梁部材４２が十字状に形成されている。
【００８２】
この梁部材４２によって仕切られた空間内に、キャパシタ１４が挿入されると共に、樹脂１５が充填されている。
【００８３】
このパッケージ基板４は、樹脂１５及び梁部材４２によって薄膜フィルム基板１３が支持される。これにより、薄膜フィルム基板１３に重量の大きな電子部品を搭載したばあいでも、薄膜フィルム基板１３の反りを抑制できる。
【００８４】
従って、このパッケージ基板４は、例えば図１２に示すように、薄膜フィルム基板１３に高発熱のＬＳＩ１６を搭載し、このＬＳＩ１６に大型フィン４３を圧接接合する場合などに好適である。
（第４実施形態）
図１３は、本発明に係る第４実施形態のパッケージ基板５を示す。このパッケージ基板５は、薄膜フィルム基板５０に、例えばステンレスなどで形成された補強用のスティフナ５１が設けられている。
【００８５】
また、親ボード５２には、段状の開口５３が形成されている。この開口５３は、薄膜フィルム基板５０を積層する側に形成された大径の開口部５３ａと、この開口５３ａより小径の開口部５３ｂとを有している。
【００８６】
更に、開口５３の小径の開口部５３ｂには、板状の支持部材５４が挿入されてい接合されている。
【００８７】
これ以外の部分は、第１実施形態のパッケージ基板１（図１参照）と同一なので、その詳細な説明を省略する。
【００８８】
上記のスティフナ５１は、薄膜フィルム基板５０のキャパシタ１４が搭載されている側の面に、接着剤などで接合されている。
【００８９】
また、このスティフナ５１は、図１４に示すように、親ボード５２の大径の開口５３ａとほぼ同じ大きさの枠部５１ａと、この枠部５１ａ内に形成された十字状の支持部５１ｂとを有している。
【００９０】
そして、スティフナ５１の枠部５１ａが、開口５３の大径の開口部５３ａに挿入されている。このスティフナ５１は、薄膜フィルム基板５０を親ボード５２に積層する前に、薄膜フィルム基板５０に接合する。
【００９１】
このパッケージ基板５は、薄膜フィルム基板５０の剛性がスティフナ５１によって増大するので、薄膜フィルム基板５０の取り扱い性が非常に良好になる。
（第５実施形態）
図１５は、本発明に係る第５実施形態のパッケージ基板６を示す。このパッケージ基板６は、薄膜フィルム基板６０のＬＳＩ１６が搭載されている側の面に、例えばステンレスなどで形成されたスティフナ６１が接合されている。また、親ボード１２の開口１１には、板状の支持部材６２が設けられている。
【００９２】
これ以外は、第１実施形態のパッケージ基板１（図１参照）と同一なので、その詳細な説明を省略する。
【００９３】
スティフナ６１は、図１６に示すように、薄膜フィルム基板６０と略同一の大きさで四角形の枠状に形成されている。このスティフナ６１は、ＬＳＩ１６を包囲するように配置されている。
【００９４】
このパッケージ基板６は、薄膜フィルム基板６０の全周に亘ってスティフナ６１が固定されている。そのため、薄膜フィルム基板６０を平坦にした状態でスティフナ６１を固定することにより、薄膜フィルム基板６０の反りを抑制し、その平面度を一定以上に確保できる。
【００９５】
従って、薄膜フィルム基板６０にＬＳＩ１６の全ての端子を完全に接続できるので、製品歩留まりが向上する。
（第６実施形態）
図１７は、上記の第２実施形態のパッケージ基板３（図７参照）をマザーボード７０に搭載した状態を示す。マザーボード７０には、孔７１が形成されている。この孔７１は、パッケージ基板３の親ボード１２に形成されている開口１１に整合配置されている。
【００９６】
孔７１内には、高熱伝導性の金属製のブロック７２が挿入されている。このブロック７２は、熱伝導性の接着剤７３によってパッケージ基板３の支持部材３０に接着されている。
【００９７】
また、マザーボード７０の両側には、大型のフィン７４，７５が配置されている。一方のフィン７４は、熱伝導性の接着剤７３によってパッケージ基板３のＬＳＩ１６に接合されている。
【００９８】
もう一方のフィン７５は、熱伝導性の接着剤７３によって、マザーボード７０の孔７１内に挿入されたブロック７２に接合されている。
【００９９】
更に、両側のフィン７４，７５の外周部に、複数のロッド７６が貫通されている。ロッド７６の頭部７６ａは、一方のフィン７５に係止されている。また、ロッド７６に螺入されたナット７６ｂと、もう一方のフィン７４都の間には、ばね７７が挿入されている。
【０１００】
両側のフィン７４，７５が、ばね７７で互いに接近する方向に付勢されている。そして、両側のフィン７４，７５によって、マザーボード７０，パッケージ基板３及びブロック７２が押圧されている。
【０１０１】
更に、パッケージ基板３の開口１１に充填された樹脂１５に、セラミックやダイヤモンドなどの高熱伝導性の材料が混入されている。
【０１０２】
ＬＳＩ１６は、このＬＳＩ１６に直接接合されたフィン７４によって冷却される。また、このフィン７４の反対側に取り付けられたフィン７５によって、ＬＳＩ１６が冷却される。
【０１０３】
つまり、ＬＳＩ１６は両側のフィン７４，７５で十分に冷却される。従って、高発熱のＬＳＩ１６を搭載した場合でも、その信頼性が向上する。
【０１０４】
また、本発明は、以下の付記的事項を含むものである。
【０１０５】
〔その他〕
本発明は、以下のように特定することができる。
（付記１）第１の基板に開口を形成し、前記第１の基板に第２の基板を積層して前記開口を前記第２の基板で覆い、前記開口内に第１の電子部品を挿入して前記第２の基板に接合し、前記開口内に一定以上の厚さで樹脂を充填して硬化させることにより、前記第１の基板及び前記第１の電子部品を前記樹脂で支持し、前記第２の基板の露出されている側の表面に前記第１の電子部品と接続すべき第２の電子部品を接合し、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを接続することを特徴とする電子部品の実装方法。
（付記２）開口を有する第１の基板と、前記第１の基板に積層され前記開口を覆う第２の基板と、前記開口内に挿入されて前記第２の基板に接合された第１の電子部品と、前記開口内に一定以上の厚さで充填された硬質の樹脂と、前記第２の基板の露出されている側の表面に接合された第２の電子部品と、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを接続する配線と、を備えたことを特徴とする電子部品の実装構造。
（付記３）前記第２の基板は、薄膜フィルムであることを特徴とする付記２に記載の電子部品の実装構造。
（付記４）前記第１の電子部品はキャパシタであり、前記第２の電子部品はＬＳＩであることを特徴とする付記２または３に記載の電子部品の実装構造。
（付記５）前記樹脂は、フィラー剤を含むことを特徴とする付記２から４の何れかに記載の電子部品の実装構造。
（付記６）前記樹脂は、その熱膨張係数が前記第１及び第２の基板、前記第１及び第２の電子部品に応じて調整されていることを特徴とする付記２から５の何れかに記載の電子部品の実装構造。
（付記７）前記第１の基板は、前記開口内に設けられ前記樹脂の露出面を支持する支持部材を有することを特徴とする付記２から６の何れかに記載の電子部品の実装構造。
（付記８）前記第２の電子部品に冷却用のフィンが接合されていることを特徴とする付記７に記載の電子部品の実装構造。
（付記９）前記第２の基板は、補強用のスティフナを有することを特徴とする付記２から８の何れかに記載の電子部品の実装構造。
（付記１０）前記スティフナは、前記第１の電子部品側に設けられていることを特徴とする付記９に記載の電子部品の実装構造。
（付記１１）前記スティフナは、前記薄膜フィルム基板の外周縁に設けられていることを特徴とする付記９又は１０に記載の電子部品の実装構造。
【０１０６】
【発明の効果】
本発明では、第１の基板に第２の基板を積層した後、第２の基板に第２の電子部品を搭載する前に、第１の基板の開口に硬質の樹脂を充填し、この硬質の樹脂によって、第２の基板及びこれに搭載された第１の部品を支持する。
【０１０７】
これにより、第２の基板の反りが抑制されて一定以上の平面度が確保される。従って、第２の基板として例えば薄膜フィルムを使用し、第２の電子部品として例えばＬＳＩを使用する場合でも、ＬＳＩの細密に形成された配線の端子を、薄膜フィルムに完全に接続できる。そのため、製品歩留まりが大幅に向上する。
【０１０８】
また、本発明では、第１の基板の開口内に一定以上の厚さで硬質の樹脂が充填されているので、第２の基板の開口に面した部分に搭載されている第１及び第２の電子部品の重量が樹脂によって支持される。
【０１０９】
従って、例えば第２の電子部品として高発熱のＬＳＩを使用する場合、このＬＳＩに大型のフィンを搭載できる。これによって、ＬＳＩを十分に冷却できるので、信頼性が向上すると共に、パッケージ基板の大型化が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１実施形態のパッケージ基板を示す断面図。
【図２】本発明に係る第１実施形態のパッケージ基板の製造方法を示す断面図。
【図３】本発明に係る第１実施形態のパッケージ基板の製造方法を示す断面図。
【図４】本発明に係る第１実施形態のパッケージ基板の製造方法を示す断面図。
【図５】本発明に係る第１実施形態のパッケージ基板の製造方法を示す断面図。
【図６】本発明に係る第１実施形態の各部の寸法を示す断面図。
【図７】本発明に係る第２実施形態のパッケージ基板を示す断面図。
【図８】本発明に係る第２実施形態のパッケージ基板の製造方法を示す断面図。
【図９】本発明に係る第２実施形態のパッケージ基板の製造方法を示す断面図。
【図１０】本発明に係る第３実施形態のパッケージ基板を示す断面図。
【図１１】図１０のＡ矢視図。
【図１２】本発明に係る第３実施形態のパッケージ基板にフィンを接合した状態を示す断面図。
【図１３】本発明に係る第４実施形態のパッケージ基板を示す断面図。
【図１４】本発明に係る第４実施形態のパッケージ基板のスティフナを示す断面図。
【図１５】本発明に係る第５実施形態のパッケージ基板を示す断面図。
【図１６】図１５Ｂ矢視図。
【図１７】本発明に係る第６実施形態のパッケージ基板をマザーボードに接合した状態を示す断面図。
【図１８】従来のパッケージ基板を示す断面図。
【図１９】従来のパッケージ基板の製造方法を示す断面図。
【図２０】従来のパッケージ基板の製造方法を示す断面図。
【図２１】従来のパッケージ基板における薄膜フィルムの反りを示す断面図。
【符号の説明】
１  パッケージ基板
３  パッケージ基板
４  パッケージ基板
５  パッケージ基板
６  パッケージ基板
１１  開口
１２  基板
１２  親ボード
１２ａ  底面
１３  薄膜フィルム基板
１４  キャパシタ
１５ａ  樹脂の表面
１７  半田ボール
２０  金属端子
２１  半田
２２  半田
２３  半田
２４  アンダーフィル剤
３０  支持部材
３１  空間
４０  親ボード
４１  開口
４２  梁部材
４３  大型フィン
５０  薄膜フィルム基板
５１  スティフナ
５１ａ  枠部
５１ｂ  支持部
５２  親ボード
５３  開口
５３ａ  大径の開口部
５３ｂ  小径の開口部
５４  支持部材
６０  薄膜フィルム基板
６１  スティフナ
６２  支持部材
７０  マザーボード
７１  孔
７２  ブロック
７３  接着剤
７４  フィン
７５  フィン
７６  ロッド
７６ａ  頭部
７６ｂ  ナット
１５０  薄膜フィルム基板
１５０ａ  表面
１５０ｂ  裏面
１５２  キャパシタ
１５３  親ボード
１５４  パッケージ基板
１５５  半田ボール
１５６  アンダーフィル剤
１５７  開口
１５８  半田ボール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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