(57)【要約】【課題】気泡の抜けが良いディップ方式を採用し、しかもめっき槽内のめっき液の流れを調節して、めっき膜の膜厚の面内均一性をより高めることができるようにする。【解決手段】めっき液１２を保持するめっき槽１６の内部に、該めっき槽１６の内部に垂直に配置される被めっき材Ｗの被めっき面に向けてめっき液１２を噴射するめっき液噴射ノズル４８を配置した。このめっき液噴射ノズル４８は、例えば被めっき材Ｗの被めっき面に対面した位置に配置され、該被めっき面に沿って移動してめっき槽１６内のめっき液１２を攪拌するパドル３４に設けられる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっき液を保持するめっき槽の内部に、該めっき槽の内部に垂直に配置される被めっき材の被めっき面に向けてめっき液を噴射するめっき液噴射ノズルを配置したことを特徴とするめっき装置。
【請求項２】
前記めっき液噴射ノズルは、前記被めっき材の被めっき面に平行に相対移動することを特徴とする請求項１記載のめっき装置。
【請求項３】
前記めっき液噴射ノズルは、前記被めっき材と該被めっき材に対向してめっき液に接触して配置されたアノードとの間に配置されていることを特徴とする請求項１または２記載のめっき装置。
【請求項４】
前記めっき液噴射ノズルは、前記被めっき材の被めっき面に対面した位置に配置され、該被めっき面に沿って移動して前記めっき槽内のめっき液を攪拌するパドルに設けられていることを特徴とする請求項１記載のめっき装置。
【請求項５】
前記めっき液噴射ノズルは、前記被めっき材と該被めっき材と対向するアノードとの間に配置された調整板に取付けられていることを特徴とする請求項１記載のめっき装置。
【請求項６】
前記めっき液噴射ノズルは、該めっき液噴射ノズルから噴射されるめっき液の被めっき面に対する角度が調整できるようになっていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項７】
前記めっき槽内のめっき液を循環させて、前記めっき液噴射ノズルから噴射することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項８】
前記めっき液噴射ノズルから噴射されるめっき液の流量を調節する流量調節手段を有することを特徴とする請求項７記載のめっき装置。
【請求項９】
前記めっき液噴射ノズルが、複数のノズルを並べたノズル列であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１０】
めっき液を保持するめっき槽内部に被めっき材をその被めっき面をほぼ垂直に配置し、
前記被めっき材に対向させてアノードをめっき液に接触させて配置し、
前記被めっき材と前記アノードとの間に該被めっき材の被めっき面に向けてめっき液を噴射するめっき液噴射ノズルを配置し、
前記めっき液噴射ノズルと前記被めっき材とを被めっき面に平行に相対移動させつつ該めっき液噴射ノズルから前記被めっき材の被めっき面に向けてめっき液を噴射し、
前記アノードと前記被めっき材との間にめっき電流を流して該被めっき材の被めっき面にめっきを行うめっき方法。
【請求項１１】
前記めっき液噴射ノズルと前記被めっき材との被めっき面に平行な相対移動は、被めっき面に平行な往復運動であることを特徴とする請求項１０記載のめっき方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば基板の被めっき面にめっきを施すめっき装置及びめっき方法、特に半導体ウエハ等の表面に設けられた微細な配線用溝やホール、レジスト開口部にめっき膜を形成したり、半導体ウエハの表面にパッケージの電極等と電気的に接続するバンプ（突起状電極）を形成したりするのに使用されるめっき装置及びめっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）やフリップチップにおいては、配線が形成された半導体チップの表面の所定箇所（電極）に金、銅、はんだ、或いはニッケル、更にはこれらを多層に積層した突起状接続電極（バンプ）を形成し、このバンプを介してパッケージの電極やＴＡＢ電極と電気的に接続することが広く行われている。このバンプの形成方法としては、電解めっき法、蒸着法、印刷法、ボールバンプ法といった種々の手法があるが、半導体チップのＩ／Ｏ数の増加、細ピッチ化に伴い、微細化が可能で性能が比較的安定している電解めっき法が多く用いられるようになってきている。
【０００３】
ここで、電解めっき法は、半導体ウエハ等の基板の被めっき面を下向き（フェースダウン）にして水平に置き、めっき液を下から噴き上げてめっきを施す噴流式またはカップ式と、めっき槽の中に基板を垂直に立て、めっき液をめっき槽の下から注入しオーバフローさせつつめっきを施すディップ式に大別される。ディップ方式を採用した電解めっき法は、めっきの品質に悪影響を与える泡の抜けが良く、フットプリントが小さいという利点を有しており、このため、めっき穴の寸法が比較的大きく、めっきにかなりの時間を要するバンプめっきに適していると考えられる。
【０００４】
図１６は、いわゆるディップ方式を採用した従来の電解めっき装置の一例を示す。この電解めっき装置は、半導体ウエハ等の基板Ｗを着脱自在に保持する基板ホルダ１０と、めっき液１２を収容し、基板ホルダ１０で保持した基板Ｗとアノード（陽極電極）１４とをめっき液１２内に浸漬させて互いに対面するように配置するめっき槽１６と、アノード１４と基板Ｗの表面（被めっき面）に設けた給電層（シード層）との間にめっき電圧を印加してめっき電流を流すめっき電源１８を備えている。そして、めっき槽１６の側方には、このめっき槽１６の溢流堰２０の上端をオーバフローしためっき液１２を流すオーバフロー槽２２が設けられ、このオーバフロー槽２２とめっき槽１６とは循環ライン２４で結ばれている。そして、この循環ライン２４の内部に、循環ポンプ２６、恒温ユニット２８及びフィルタ３０が介装されている。これによって、循環ポンプ２６の駆動に伴ってめっき槽１６内に供給されためっき液１２は、めっき槽１６の内部を満たし、しかる後、溢流堰２０からオーバフローしてオーバフロー槽２２内に流れ込み、循環ポンプ２６に戻って循環するように構成されている。
【０００５】
このめっき装置によれば、めっき槽１６の内部にこの下部からめっき液１２を供給し、溢流堰２０をオーバフローさせて循環させた状態で、基板Ｗを保持した基板ホルダ１０をめっき槽１６内のめっき液１２中にアノード１４と対面するように配置し、アノード１４と基板Ｗとの間にめっき電源１８から所定のめっき電圧を印加することで、基板Ｗの表面にめっき膜が形成される。
【０００６】
従来のディップ方式を採用しためっき装置にあっては、めっき液１２はめっき槽１６の下部から供給され、めっき槽１６の内部を上方に向けて流れた後、溢流堰２０をオーバフローして循環するようになっており、このため、めっき処理中にめっき液１２を基板Ｗの表面（被めっき面）に沿って該表面の全域に亘って均一に流すことがかなり困難であるといった問題があった。
【０００７】
このため、めっき槽１６の上方に位置して、基板ホルダ１０とアノード１４との間にパドルシャフト３２を平行に配置し、このパドルシャフト３２の下面に複数のパドル（掻き混ぜ棒）３４をほぼ垂直に垂設して、めっき処理中に、パドルシャフト３２を介してパドル３４を基板Ｗと平行に往復動させてめっき槽１６内のめっき液１２を攪拌することで、基板Ｗの表面に沿っためっき液１２の流れを該表面の全面でより均等にして（めっき液の流れの方向性をなくして）、基板Ｗの全面に亘ってより均一な膜厚のめっき膜を形成することが行われている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、めっき処理中に、パドルを基板（被めっき体）と平行に往復動させてめっき槽内のめっき液を攪拌することで、基板の表面に沿っためっき液の流れを該表面の全面でより均等にするようにしても、前述のように、めっき液をめっき槽の内部に該めっき槽の下部から供給して溢流堰の上部からオーバフローさせるようにしているため、このめっき液の流れに強い影響を受けためっき膜が形成され、めっき膜の面内均一性にも一定の限界があるのが現状であった。このように、めっき液の流れに強い影響を受けためっき膜が形成され、めっき膜の面内均一性にも一定の限界があるのは、無電解めっき装置においても同様である。
【０００９】
本発明は上記事情に鑑みて為されたもので、気泡の抜けが良いディップ方式を採用し、しかもめっき槽内のめっき液の流れを調節して、めっき膜の膜厚の面内均一性をより高めることができるようにしためっき装置及びめっき方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、めっき液を保持するめっき槽の内部に、該めっき槽の内部に垂直に配置される被めっき材の被めっき面に向けてめっき液を噴射するめっき液噴射ノズルを配置したことを特徴とするめっき装置である。
これにより、めっき液噴射ノズルから垂直に配置される被めっき材の被めっき面に向けてめっき液を噴射して、被めっき面に対しより垂直な方向から噴流としてより均一に当てることで、めっき膜の膜厚の面内均一性をより高めることができる。この噴射形態としては、例えばストレート、シャワーまたは噴霧が挙げられる。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、前記めっき液噴射ノズルは、前記被めっき材の被めっき面に平行に相対移動することを特徴とする請求項１記載のめっき装置である。
請求項３に記載の発明は、前記めっき液噴射ノズルは、前記被めっき材と該被めっき材に対向してめっき液に接触して配置されたアノードとの間に配置されていることを特徴とする請求項１または２記載のめっき装置である。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、前記めっき液噴射ノズルは、前記被めっき材の被めっき面に対面した位置に配置され、該被めっき面に沿って移動して前記めっき槽内のめっき液を攪拌するパドルに設けられていることを特徴とする請求項１記載のめっき装置である。これにより、パドルによってめっき槽内のめっき液を攪拌し、しかも、パドルにめっき液噴射ノズルを設けることで、めっき液噴射ノズルを備え移動させる専用の部材を別途備えることなく、めっき液噴射ノズルを被めっき材の被めっき面に沿って移動させつつ、めっき液噴射ノズルから被めっき材の被めっき面に向けてめっき液を噴射して、被めっき面に対しより垂直な方向から噴流としてより均一に当てることができる。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、前記めっき液噴射ノズルは、前記被めっき材と該被めっき材と対向するアノードとの間に配置された調整板に取付けられていることを特徴とする請求項１記載のめっき装置である。これにより、例えば基板等の周辺部の電位を下げて、めっき膜の膜厚のより均等化を図るために、電解めっき装置に広く備えられている調整板に、めっき液噴射ノズルを保持する保持材としての役割を兼用させることで、比較的簡単な構成で、めっき液噴射ノズルを所定の位置に配置することができる。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、前記めっき液噴射ノズルは、該めっき液噴射ノズルから噴射されるめっき液の被めっき面に対する角度が調整できるようになっていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のめっき装置である。これにより、例えば被めっき材の被めっき面に形成された凹部の大きさ等に合わせて、めっき液の流れが被めっき面に当たる角度を任意に調整して、めっき液が被めっき面に形成された凹部等に効率よく当たるようにすることができる。
【００１５】
請求項７に記載の発明は、前記めっき槽内のめっき液を循環させて、前記めっき液噴射ノズルから噴射することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のめっき装置である。
請求項８に記載の発明は、前記めっき液噴射ノズルから噴射されるめっき液の流量を調節する流量調節手段を有することを特徴とする請求項７記載のめっき装置である。これにより、所定量のめっき液をめっき液噴射ノズルから被めっき材の被めっき面に向けて噴射することができる。
【００１６】
請求項９に記載の発明は、前記めっき液噴射ノズルが、複数のノズルを並べたノズル列であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のめっき装置である。
【００１７】
請求項１０に記載の発明は、めっき液を保持するめっき槽内部に被めっき材をその被めっき面をほぼ垂直に配置し、前記被めっき材に対向させてアノードをめっき液に接触させて配置し、前記被めっき材と前記アノードとの間に該被めっき材の被めっき面に向けてめっき液を噴射するめっき液噴射ノズルを配置し、前記めっき液噴射ノズルと前記被めっき材とを被めっき面に平行に相対移動させつつ該めっき液噴射ノズルから前記被めっき材の被めっき面に向けてめっき液を噴射し、前記アノードと前記被めっき材との間にめっき電流を流して該被めっき材の被めっき面にめっきを行うめっき方法である。
【００１８】
請求項１１に記載の発明は、前記めっき液噴射ノズルと前記被めっき材との被めっき面に平行な相対移動は、被めっき面に平行な往復運動であることを特徴とする請求項１０記載のめっき方法である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１及び図２は、電解めっき装置に適用した本発明の実施の形態を示す。この電解めっき装置には、半導体ウエハ等の基板（被めっき材）Ｗを着脱自在に保持する上下動自在な基板ホルダ１０と、めっき液１２を収容し、基板ホルダ１０で保持し垂直に配置した基板Ｗとアノード（陽極電極）１４とをめっき液１２内に浸漬させて互いに対面するように配置するめっき槽１６と、アノード１４と基板Ｗの表面（被めっき面）に設けた給電層（シード層）との間にめっき電圧を印加してめっき電流を流すめっき電源１８が備えられている。
【００２０】
めっき槽１６の上方に位置して、基板ホルダ１０とアノード１４との間にパドルシャフト３２が平行に配置され、このパドルシャフト３２の下面に、略平板状で基板ホルダ１０の方向に延びる複数のパドル（掻き混ぜ棒）３４がほぼ垂直に垂設されている。このパドルシャフト３２は、パドルシャフト３２に取付けたラック４０と、モータ４２の駆動軸に固着した該ラック４０と噛み合うウォーム４４とからなる駆動機構４６を介して、モータ４２の正逆回転に伴って前後動（左右動）するよう構成されている。これにより、パドルシャフト３２の前後動に伴って、パドル３４が基板Ｗと平行に往復動して、めっき槽１６内のめっき液１２を攪拌するようになっている。
なお、この駆動機構としては、例えばラックとピニオンの組合せ、リンク機構、リニアスライダ等、任意のものを使用してもよいことは勿論である。
【００２１】
各パドル３４の基板ホルダ１０側の端部には、その高さ方向に沿った所定の位置に、基板ホルダ１０で保持した基板Ｗに向けてめっき液１２を噴射するめっき液噴射ノズル（噴射口）４８が基板ホルダ１０で保持した基板Ｗに向け開口して設けられている。パドルシャフト３２及び各パドル３４の内部には、互いに連通してめっき液噴射ノズル４８に達するめっき液流路５０が設けられ、このめっき液流路５０の開口端は、内部に循環ポンプ５２と流量調節器５４を設置しためっき液循環ライン５６の一端に接続され、このめっき液循環ライン５６の他端は、めっき槽１６に接続されている。これによって、この循環ポンプ５２の駆動に伴って、めっき槽１６内のめっき液１２が順次汲み上げられ、流量調節器５４を介してめっき液循環ライン５６を流れるめっき液１２の流量が調節されて、この流量が調節されためっき液１２がめっき液流路５０から各めっき液噴射ノズル４８に供給され、この各めっき液噴射ノズル４８から基板ホルダ１０で保持した基板Ｗに向けて噴射されるようになっている。
【００２２】
このように、基板Ｗと平行に往復動してめっき槽１６内のめっき液１２を攪拌するパドル３４にめっき液噴射ノズル４８を設けることで、めっき液噴射ノズルを備え移動させる専用の部材を別途備える必要をなくして、構造の簡素化を図ることができる。
【００２３】
なお、この例では、めっき液噴射ノズル４８から噴射されるめっき液１２の流量を調節する流量調節手段として流量調節器５４を備え、所定量のめっき液１２をめっき液噴射ノズル４８から基板Ｗに向けて噴射できるようにした例を示しているが、循環ポンプ５２として、容積式ポンプを使用し、ポンプ自体に流量調節手段としての役割を果たさせるようにしてもよい。
【００２４】
また、めっき液１２の噴射形態として、この例では、めっき液１２を直線状に噴射するストレート方式を採用しているが、図３に示すように、めっき液１２をシャワー状に分散させて噴射するシャワー方式を採用したり、めっき液１２を霧状にして噴射する噴霧方式等の任意の方式を適宜選択して採用することができる。
【００２５】
次に、このめっき装置によるめっき処理について説明する。
先ず、めっき槽１６の内部に所定の量のめっき液１２を入れ、基板Ｗを保持した基板ホルダ１０を該基板Ｗがめっき液１２中に浸漬されアノード１４と対面する所定の位置まで垂直に下降させる。そして、アノード１４と基板Ｗとの間にめっき電源１８から所定のめっき電圧を印加することで、基板Ｗの表面にめっき膜を形成する。この時、駆動機構４６を介して、パドル３４を基板Ｗと平行に前後方向（左右方向）に往復動させてめっき槽１６内のめっき液１２を攪拌し、同時に循環ポンプ５２を駆動して、めっき液噴射ノズル４８からめっき液１２を基板ホルダ１０で保持した基板Ｗに向けて噴射する。
【００２６】
このように、めっき処理中にパドル３４を往復動させて、めっき槽１６内のめっき液１２を攪拌し、同時にこのパドル３４の往復動に同期して、めっき液噴射ノズル４８からめっき液１２を基板ホルダ１０で保持した基板Ｗに向けて噴射することで、十分なイオンを基板により均一に供給しつつ、ほぼ垂直な方向からめっき液１２を噴流としてより均一に基板Ｗに当てることができ、これによって、めっき膜の膜厚の面内均一性をより高めることができる。
そして、めっき終了後、アノード１４と基板Ｗをめっき電源１８から切り離し、基板ホルダ１０を基板Ｗごとめっき槽１６から引き上げ、しかる後、純水によるリンス等の必要な処理を施した後、めっき後の基板を次工程に搬送する。
【００２７】
なお、例えばボールジョイント等を介してパドルをパドルシャフトに取付け、このパドルの取付け角度を調節して、めっき液噴射ノズルから噴射されるめっき液の基板表面に対する角度を調整できるようにしてもよい。これにより、例えば基板の表面に形成された凹部の大きさ等に合わせて、めっき液の流れが基板表面に当たる角度を任意に調整して、めっき液が基板表面に形成された凹部等に効率よく当たるようにすることができる。
また、図１６に示す従来例のように、オーバフロー槽を設け、このオーバフロー槽内に流入しためっき液をめっき液噴射ノズルから噴射して循環させるようにしても良いことは勿論である。
【００２８】
図４は、無電解めっき装置に適用した本発明の他の実施の形態を示す。この実施の形態の前述の例と異なる点は、無電解めっきにあっては、外部電源を使用しないので、アノードとめっき電源を省略し、更にめっき液１２として、還元剤を使用して金属皮膜を連続的に析出させる無電解めっき液を使用した点にある。その他の構成は、前述の例と同一である。
【００２９】
図５は、電解めっき装置に適用した本発明の更に他の実施の形態を示す。この例は、基板ホルダ１０で保持した基板Ｗとアノード１４との間に、基板Ｗの大きさに見合った中央孔６０ａを有する調整板（レギュレーションプレート）６０を配置した電解めっき装置に適用したものである。すなわち、このように、中央孔６０ａを有する調整板６０を配置することで、基板ホルダ１０で保持した基板Ｗの周辺部の電位を調整板６０で下げて、めっき膜の膜厚のより均等化を図るようにすることが広く行われている。この例は、この調整板６０の基板ホルダ１０側表面の中央孔６０ａに近接した位置乃至内周面の、例えば対角線に沿った４カ所に、基板ホルダ１０で保持された基板Ｗに向けてめっき液を噴射するめっき液噴射ノズル４８を取付け、調整板６０の内部に、このめっき液噴射ノズル４８に連通するめっき液流路（図示せず）を設けたものである。なお、調整板６０と基板ホルダ１０との間に、パドル３４を配置するようにしてもよい。
このように、電解めっき装置に広く備えられている調整板６０に、めっき液噴射ノズル４８を保持する保持材としての役割を兼用させることで、比較的簡単な構成で、めっき液噴射ノズル４８を所定の位置に配置することができる。
【００３０】
前述の電解めっき装置を備えた基板処理装置の平面配置図を図６に示す。この基板処理装置は、ロード・アンロード部５１０、各一対の洗浄・乾燥処理部５１２、第１基板ステージ５１４、ベベルエッチ・薬液洗浄部５１６及び第２基板ステージ５１８、基板Ｗを１８０゜反転させる機能を有する水洗部５２０及び４基のめっき処理部（電解めっき装置）５２２を有している。更に、ロード・アンロード部５１０、洗浄・乾燥処理部５１２及び第１基板ステージ５１４の間で基板Ｗの受渡しを行う第１搬送装置５２４と、第１基板ステージ５１４、ベベルエッチ・薬液洗浄部５１６及び第２基板ステージ５１８の間で基板Ｗの受渡しを行う第２搬送装置５２６、第２基板ステージ５１８、水洗部５２０及びめっき処理部５２２の間で基板Ｗの受渡しを行う第３搬送装置５２８が備えられている。
【００３１】
基板処理装置の内部は、仕切り壁５２３によってめっき空間５３０と清浄空間５４０に仕切られ、これらの各めっき空間５３０と清浄空間５４０は、それぞれ独自に給排気できるようになっている。そして、仕切り壁５２３には、開閉自在なシャッタ（図示せず）が設けられている。また、清浄空間５４０の圧力は、大気圧より低く、かつめっき空間５３０の圧力より高くしてあり、これにより、清浄空間５４０内の空気がめっき装置の外部に流出することがなく、かつめっき空間５３０内の空気が清浄空間５４０内に流入することがないようになっている。
【００３２】
図７は、基板処理装置内の気流の流れを示す。清浄空間５４０においては、配管５４３より新鮮な外部空気が取込まれ、この外部空気は、ファンにより高性能フィルタ５４４を通して清浄空間５４０内に押込まれ、天井５４５ａよりダウンフローのクリーンエアとして洗浄・乾燥処理部５１２及びベベルエッチ・薬液洗浄部５１６の周囲に供給される。供給されたクリーンエアの大部分は、床５４５ｂから循環配管５５２を通して天井５４５ａ側に戻され、再び高性能フィルタ５４４を通してファンにより清浄空間５４０内に押込まれて清浄空間５４０内を循環する。一部の気流は、洗浄・乾燥処理部５１２及びベベルエッチ・薬液洗浄部５１６内から配管５４６により外部に排気される。これにより、清浄空間５４０内は、大気圧より低い圧力に設定される。
【００３３】
水洗部５２０及びめっき処理部５２２が存在するめっき空間５３０は、清浄空間ではない（汚染ゾーン）とはいいながらも、基板表面にパーティクルが付着することは許されない。このため、配管５４７から取込まれ高性能フィルタ５４８を通して天井５４９ａ側からファンによりめっき空間５３０内に押込まれたダウンフローのクリーンエアを流すことにより、基板Ｗにパーティクルが付着することを防止している。しかしながら、ダウンフローを形成するクリーンエアの全流量を外部からの給排気に依存すると、膨大な給排気量が必要となる。このため、めっき空間５３０内を清浄空間５４０より低い圧力に保つ程度に配管５５３より外部排気を行い、ダウンフローの大部分の気流を床５４９ｂから延びる循環配管５５０を通した循環気流でまかなうようにしている。
【００３４】
これにより、循環配管５５０から天井５４９ａ側に戻ったエアは、再びファンにより押込まれ高性能フィルタ５４８を通ってめっき空間５３０内にクリーンエアとして供給されて循環する。ここで、水洗部５２０、めっき処理部５２２、搬送装置５２８及びめっき液調整タンク５５１からの薬液ミストや気体を含むエアは、前記配管５５３を通して外部に排出されて、めっき空間５３０内は、清浄空間５４０より低い圧力に設定される。
従って、シャッタ（図示せず）を開放すると、これらのエリア間の空気の流れは、ロード・アンロード部５１０、清浄空間５４０及びめっき空間５３０の順に流れる。また、排気は、ダクト５５３及び５４６を通して、外部に排気される。
【００３５】
次に、前述のようにして構成した電解めっき装置と電解エッチング装置を備えた配線形成装置の平面配置図を図８に示す。この配線形成装置は、各一対のロード・アンロード部２１０、洗浄・乾燥処理部２１２、仮置き部２１４、めっき処理部（電解めっき装置）２１６、水洗部２１８及びエッチング処理部２２０を有し、更にロード・アンロード部２１０、洗浄・乾燥処理部２１２及び仮置き部２１４との間で基板Ｗの受渡しを行う第１搬送機構２２２と、仮置き部２１４、めっき処理部２１６、水洗部２１８及びエッチング処理部２２０との間で基板Ｗの受渡しを行う第２搬送機構２２４が備えられている。
【００３６】
この配線形成装置における配線形成処理を、図９及び図１０を更に参照して説明する。先ず、表面にシード層を形成した基板Ｗをロード・アンロード部２１０から第１搬送機構２２２で１枚ずつ取出し、仮置き部２１４を経由してめっき処理部２１６に搬入する（ステップ１）。
【００３７】
次に、このめっき処理部２１６でめっき処理を行って、図１０に示すように、基板Ｗの表面に銅層７を形成する（ステップ２）。この時、大穴の存在に伴う銅層７の凹み７ａの軽減を第一優先に考え、めっき液として、レベリング性の優れたもの、例えば硫酸銅の濃度が高く、硫酸の濃度が低いレベリング性の優れた組成、例えば、硫酸銅１００〜３００ｇ／ｌ、硫酸１０〜１００ｇ／ｌの組成を有し、レベリング性を向上させる添加剤、例えばポリアルキレンイミン、４級アンモニウム塩、カチオン染料などを含有したものを使用する。ここで、レベリング性とは、穴中のボトムアップ成長に優れた性質を意味する。
【００３８】
このように、レベリング性の優れためっき液を使用して基板Ｗの表面にめっきを施すことで、図１０に示すように、大穴内でのボトムアップ成長が促進され、平坦部における銅層７の膜厚ｔ１より、大穴部における銅層７の膜厚ｔ２の方が厚くなる。これによって、薄いめっき膜厚ｔ１で大穴を埋めることが可能になる。
そして、必要に応じて、このめっき処理後の基板Ｗを水洗部２１８に搬送して水洗し、しかる後、水洗後の基板Ｗをエッチング処理部２２０に搬送する（ステップ３）。
【００３９】
次に、このエッチング処理部２２０で基板Ｗの表面（被めっき面）に電解エッチング処理を施して、基板Ｗの表面に形成された銅層７のエッチングを行う（ステップ４）。この時、エッチング液として、エッチング促進剤として機能する添加剤、例えばピロリン酸、エチレンジアミン、アミノカルボン酸、ＥＤＴＡ、ＤＴＰＡ、イミノ二酢酸、ＴＥＴＡ、ＮＴＡなどやエッチング抑制剤として機能する添加剤、例えば４級アンモニウム塩、ポリマーなどの銅の錯体化合物、有機錯体またはその誘導体、或いはチオ尿素またはその誘導体などのような銅腐蝕電位を卑にする添加剤を含有したものを使用する。なお、ベース浴としては、硫酸、塩酸、硫酸過水、フッ酸過水などの酸や、アンモニア過水などのアルカリを使用してもよいが、それらに限定されるものではない。
【００４０】
これにより、銅層７の盛り上がり部を選択的にエッチングして、銅層７の平坦性を向上させることができる。これによって、その後のＣＭＰ加工において、ＣＭＰレートを上げることなく、従って、ディッシングの発生を防止しつつ短時間で行うことができる。
次に、必要に応じて、このエッチング処理後の基板Ｗを水洗部２１８に搬送して水洗し、しかる後、水洗後の基板Ｗを洗浄・乾燥処理部２１２に搬送する（ステップ５）。そして、この洗浄・乾燥処理部２１２で基板Ｗの洗浄・乾燥処理を行い（ステップ６）、しかる後、この基板Ｗを第１搬送機構２２２でロード・アンロード部２１０のカセットに戻す（ステップ７）。
【００４１】
なお、めっき処理とエッチング処理を数回繰返して、１回のめっき処理毎に銅膜の盛り上がり部の選択的なエッチングを行うことで、銅膜の平坦度を更に向上させることができる。また、この例では、めっき処理とエッチング処理を１つの配線形成装置内で連続的に行うようにしているが、それぞれ独立した装置で個別に行うようにしても良い。
【００４２】
また、電解めっき装置及び電解エッチング装置として、同一の構成で、異なる電解液を使用するとともに、基板Ｗと電極板（アノードまたはカソード）との間に印加する電圧の極性が異なるようにしたものを使用しているが、例えば電解めっき装置として使用し、基板Ｗとアノード１４との間に印加する電圧を極性を変えることで、つまり、基板Ｗがアノードとなり、アノード１４がカソードとなるように制御して、電解めっき装置が電解エッチング装置を兼用するようにしても良い。
【００４３】
次に、前述の電解めっき装置を使用した半導体製造装置の全体構成を図１１に示す。この装置は、全体が長方形をなす床上のスペースの一端側に第１の研磨ユニット３２４ａと第２の研磨ユニット３２４ｂが左右に対向して配置され、他端側にそれぞれ半導体ウエハ等の基板Ｗを収納する基板カセット３２６ａ，３２６ｂを載置する一対のロード・アンロード部が配置されている。そして、研磨ユニット３２４ａ，３２４ｂとロード・アンロード部を結ぶ線上に２台の搬送ロボット３２８ａ，３２８ｂが配置されている。更に、搬送ラインに沿った一方側には、銅埋め込み用の第１のめっきユニット（電解めっき装置）３３０、反転機を備えた銅膜厚検査ユニット３３２及び反転機を備えためっき前処理ユニット３３４が配置され、他方側には、リンス・乾燥装置３３６、保護膜形成用の第２のめっきユニット（無電解めっき装置）３３８及びロールスポンジを備えた洗浄ユニット３３９が配置されている。研磨ユニット３２４ａ，３２４ｂの搬送ライン側には、基板Ｗを研磨ユニット３２４ａ，３２４ｂとの間で授受する上下動自在なプッシャ３４２が設けられている。
【００４４】
この半導体製造装置による半導体装置の配線形成例を、図１２を更に参照して説明する。先ず、図１２（ａ）に示すように、半導体素子を形成した半導体基材１上の導電層１ａの上に、例えばＳｉＯ２からなる絶縁膜２を堆積し、この絶縁膜２の内部に、例えばリソグラフィ・エッチング技術によりコンタクトホール３と配線用の溝４を形成し、その上にＴａもしくはＴａＮ等からなるバリア層５、更にその上に電解めっきの給電層としてのシード層６をスパッタリング等により形成した基板Ｗを用意する。
【００４５】
この表面にシード層６を形成した基板Ｗを基板カセット３２６ａ，３２６ｂから搬送ロボット３２８ａで１枚ずつ取出し、第１のめっきユニット３３０に搬入する。そして、この第１のめっきユニット３３０で、図１２（ｂ）に示すように、基板Ｗの表面に銅層７を堆積させて、銅の埋め込みを行う。銅層７は、まず基板Ｗの表面の親水処理を行い、その後、銅めっきを行って形成する。この時、前述のように、このめっきユニット３３０を、極性を変えることで電解エッチング装置として使用して、銅層７の表面にエッチングを施すようにしてもよい。銅層７の形成後、銅めっきユニット３３０でリンス若しくは洗浄を行う。時間に余裕があれば、乾燥してもよい。
【００４６】
そして、この銅を埋め込んだ基板Ｗを銅膜厚検査ユニット３３２に搬送し、ここで銅層７の膜厚を測定し、必要に応じて、反転機で基板Ｗを反転させた後、搬送ロボット３２８ｂにより研磨ユニット３２４ａまたは３２４ｂのプッシャ３４２上に移送する。
【００４７】
研磨ユニット３２４ａまたは３２４ｂでは、基板Ｗの被研磨面を研磨テーブルに押圧しつつ、砥液を供給して研磨を行う。そして、例えば、基板Ｗの仕上がりを検査するモニタで終点（エンドポイント）を検知した時に、研磨を終了し、この研磨を終了した基板Ｗを再度プッシャ３４２上に戻し、一旦純水スプレーで洗浄する。次に、搬送ロボット３２８ｂにより洗浄ユニット３３９に搬送して、例えばロールスポンジで基板Ｗを洗浄する。これにより、図１２（ｃ）に示すように、絶縁膜２の内部にシード層６と銅層７からなる配線８を形成する。
【００４８】
次に、この基板Ｗをめっき前処理ユニット３３４に搬送し、ここで、例えばＰｄ触媒の付与や、露出表面に酸化膜の除去等の前処理を行って、第２のめっきユニット３３８に搬送し、この第２のめっきユニット３３８で無電解めっき処理を施す。これによって、図１２（ｃ）に示すように、研磨後に露出した表面に、例えば無電解Ｃｏ−Ｗ−Ｐめっきを施して、配線８の外部への露出表面に、Ｃｏ−Ｗ−Ｐ合金膜からなる保護膜（めっき膜）９を選択的に形成して配線８を保護する。この保護膜９の膜厚は、０．１〜５００ｎｍ、好ましくは、１〜２００ｎｍ、更に好ましくは、１０〜１００ｎｍ程度である。
【００４９】
無電解めっきが終了した後、基板Ｗを高速回転させてスピン乾燥し、しかる後、第２のめっきユニット３３８から取出す。次に、搬送ロボット３２８ｂにより基板Ｗを洗浄ユニット３３９に搬送して、例えばロールスポンジで基板Ｗを洗浄し、更に、搬送ロボット３２８ａにより、基板Ｗをリンス・乾燥装置３３６に搬送する。そして、このリンス・乾燥装置３３６で基板Ｗをリンスし乾燥させた後、基板Ｗを元の基板カセット３２６ａ，３２６ｂの元の位置に戻す。
【００５０】
次に、前述の図１及び図２に示すめっき槽１６を使用してバンプを形成するようにした基板処理装置の平面配置図を図１３に示す。この基板処理装置には、半導体ウエハ等の基板を収納したカセット１１０を搭載する２台のカセットテーブル１１２と、基板のオリフラやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるアライナ１１４と、めっき処理後の基板を高速回転させて乾燥させるスピンドライヤ１１６が同一円周方向に沿って備えられている。更に、この円周の接線方向に沿った位置には、基板ホルダ１１８を載置して基板の該基板ホルダ１１８との着脱を行う基板着脱部１２０が設けられ、この中心位置には、これらの間で基板を搬送する搬送用ロボットからなる基板搬送装置１２２が配置されている。
【００５１】
そして、基板着脱部１２０側から順に、基板ホルダ１１８の保管及び一時仮置きを行うストッカ１２４、基板を純水に浸漬させて濡らすことで表面の親水性を良くするプリウェット槽１２６、基板の表面に形成したシード層表面の電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸などの薬液でエッチング除去するプリソーク槽１２８、基板の表面を純水で水洗する第１の水洗槽１３０ａ、洗浄後の基板の水切りを行うブロー槽１３２、第２の水洗槽１３０ｂ及びめっきユニット１３４が順に配置されている。このめっきユニット１３４は、オーバフロー槽１３６の内部に、前述の図１及び図２に示す複数のめっき槽１６を収納して構成され、各めっき槽１６は、内部に１個の基板を収納してめっきを施すようになっている。なお、この例では、銅めっきについて説明するが、ニッケルやはんだ、更には金めっきにおいても同様であることは勿論である。
【００５２】
更に、これらの各機器の側方に位置して、これらの各機器の間で基板ホルダ１１８を基板Ｗとともに搬送する基板ホルダ搬送装置（基板搬送装置）１４０が備えられている。この基板ホルダ搬送装置１４０は、基板着脱部１２０とストッカ１２４との間で基板を搬送する第１のトランスポータ１４２と、ストッカ１２４、プリウェット槽１２６、プリソーク槽１２８、水洗槽１３０ａ，１３０ｂ、ブロー槽１３２及びめっきユニット１３４との間で基板を搬送する第２のトランスポータ１４４を有している。この例では、第１のトランスポータ１４２は水洗槽１３０ａまで移動可能で、第２のトランスポータ１４４との分担（移動）範囲を変えることができるようになっている。なお、第２のトランスポータ１４４を備えることなく、第１のトランスポータ１４２のみを備えるようにしてもよい。
また、この基板ホルダ搬送装置１４０のオーバフロー槽１３６を挟んだ反対側には、各めっき槽１６の内部に位置してめっき液１２を攪拌する掻き混ぜ棒としてのパドル３４（図１及び図２参照）を駆動するパドル駆動装置１４６が配置されている。
【００５３】
前記基板着脱部１２０は、レール１５０に沿って横方向にスライド自在な平板状の載置プレート１５２を備えており、この載置プレート１５２に２個の基板ホルダ１１８を水平状態で並列に載置して、この一方の基板ホルダ１１８と基板搬送装置１２２との間で基板の受渡しを行った後、載置プレート１５２を横方向にスライドさせて、他方の基板ホルダ１１８と基板搬送装置１２２との間で基板の受渡しを行うようになっている。
【００５４】
このように構成した基板処理装置による一連のバンプめっき処理を説明する。先ず、図１４（ａ）に示すように、表面に給電層としてのシード層５００を成膜し、このシード層５００の表面に、例えば高さＨが２０〜１２０μｍのレジスト５０２を全面に塗布した後、このレジスト５０２の所定の位置に、例えば直径Ｄが２０〜２００μｍ程度の開口部５０２ａを設けた基板をその表面（被めっき処理面）を上にした状態でカセット１１０に収容し、このカセット１１０をカセットテーブル１１２に搭載する。
このカセットテーブル１１２に搭載したカセット１１０から、基板搬送装置１２２で基板を１枚取出し、アライナ１１４に載せてオリフラやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。このアライナ１１４で方向を合わせた基板を基板搬送装置１２２で基板着脱部１２０まで搬送する。
【００５５】
基板着脱部１２０においては、ストッカ１２４内に収容されていた基板ホルダ１１８を基板ホルダ搬送装置１４０のトランスポータ１４２の把持機構（図示せず）で２基同時に把持し上昇させた後、基板着脱部１２０まで搬送し、９０゜回転させて基板ホルダ１１８を水平な状態とする。しかる後、２基の基板ホルダ１１８を下降させ、基板着脱部１２０の載置プレート１５２の上に同時に載置する。この時、シリンダ（図示せず）を作動させて基板ホルダ１１８を開いた状態にしておく。
この状態で、中央側に位置する基板ホルダ１１８に基板搬送装置１２２で搬送した基板を挿入し基板ホルダ１１８を閉じて基板を装着し、次に、載置プレート１５２を横方向にスライドさせ、同様にして、他方の基板ホルダ１１８に基板を装着し、しかる後、載置プレート１５２を元の位置に戻す。
【００５６】
次に、基板を装着した基板ホルダ１１８を基板ホルダ搬送装置１４０のトランスポータ１４２の把持機構で２基同時に把持し、上昇させた後、ストッカ１２４まで搬送し、９０゜回転させて基板ホルダ１１８を垂直な状態となし、しかる後、下降させ、これによって、２基の基板ホルダ１１８をストッカ１２４に吊下げ保持（仮置き）する。
これらの基板搬送装置１２２、基板着脱部１２０及び基板ホルダ搬送装置１４０のトランスポータ１４２においては、前記作業を順次繰り返して、ストッカ１２４内に収容された基板ホルダ１１８に順次基板を装着し、ストッカ１２４の所定の位置に順次吊り下げ保持（仮置き）する。
【００５７】
一方、基板ホルダ搬送装置１４０の他方のトランスポータ１４４にあっては、基板を装着しストッカ１２４に仮置きした基板ホルダ１１８をこの把持機構（図示せず）で２基同時に把持し、上昇させた後、プリウェット槽１２６まで搬送し、しかる後、下降させ、これによって、２基の基板ホルダ１１８をプリウェット槽１２６内に入れた、例えば純水に浸漬させて基板の表面を濡らして表面の親水性を良くする。なお、基板の表面を濡らし穴の中の空気を水に置換して親水性をよくできるものであれば、純水に限らないことは勿論である。
【００５８】
次に、この基板を装着した基板ホルダ１１８を、前記と同様にして、プリソーク槽１２８に搬送し、プリソーク槽１２８に入れた硫酸や塩酸などの薬液に基板を浸漬させてシード層表面の電気抵抗の大きい酸化膜をエッチングし、清浄な金属面を露出させる。更に、この基板を装着した基板ホルダ１１８を、前記と同様にして、水洗槽１３０ａに搬送し、この水洗槽１３０ａに入れた純水で基板の表面を水洗する。
【００５９】
水洗が終了した基板を装着した基板ホルダ１１８を、前記と同様にしてめっきユニット１３４に搬送し、めっき槽１６に吊り下げ保持する。基板ホルダ搬送装置１４０のトランスポータ１４４は、上記作業を順次繰り返し行って、基板を装着した基板ホルダ１１８を順次めっきユニット１３４のめっき槽１６に搬送して所定の位置に吊下げ保持する。この時、めっき槽１６の内部は、めっき液で満たされているが、基板ホルダ１１８の吊下げ保持が完了した後にめっき液を満たすようにしてもよい。
【００６０】
全ての基板ホルダ１１８の吊下げ保持が完了した後、アノード１４と基板Ｗ（図１及び図２参照）との間にめっき電圧を印加するとともに、パドル駆動装置１４６によりパドル３４（図１及び図２参照）を基板Ｗの表面と平行に往復移動させ、同時にパドル３４（図１及び図２参照）に設けためっき液噴射ノズル４８（図１及び図２参照）から基板Ｗに向けてめっき液を噴射して、基板の表面にめっきを施す。この時、基板ホルダ１１８はめっき槽１６の上部で吊り下げられて固定され、めっき電源からシード層５００（図１４参照）に給電される。
【００６１】
めっきが終了した後、めっき電源の印加、めっき液の供給及びパドル往復運動を停止し、めっき後の基板を装着した基板ホルダ１１８を基板ホルダ搬送装置１４０のトランスポータ１４４の把持機構で２基同時に把持してめっきユニット１３４のめっき槽１６から引き上げて停止させる。
【００６２】
そして、前述と同様にして、基板ホルダ１１８を水洗槽１３０ｂまで搬送し、この水洗槽１３０ｂに入れた純水に浸漬させて基板の表面を純水洗浄する。しかる後、この基板を装着した基板ホルダ１１８を、前記と同様にして、ブロー槽１３２に搬送し、ここで、エアーの吹き付けによって基板ホルダ１１８に付着した水滴を除去する。しかる後、この基板を装着した基板ホルダ１１８を、前記と同様にして、ストッカ１２４の所定の位置に戻して吊下げ保持する。
基板ホルダ搬送装置１４０のトランスポータ１４４は、上記作業を順次繰り返し、めっきが終了した基板を装着した基板ホルダ１１８を順次ストッカ１２４の所定の位置に戻して吊下げ保持する。
【００６３】
一方、基板ホルダ搬送装置１４０の他方のトランスポータ１４２にあっては、めっき処理後の基板を装着しストッカ１２４に戻した基板ホルダ１１８をこの把持機構で２基同時に把持し、前記と同様にして、基板着脱部１２０の載置プレート１５２の上に載置する。
そして、中央側に位置する基板ホルダ１１８を開き、基板ホルダ１１８内のめっき処理後の基板を基板搬送装置１２２で取出して、スピンドライヤ１１６に運び、リンスの後、このスピンドライヤ１１６の高速回転によってスピンドライ（水切り）した基板を基板搬送装置１２２でカセット１１０に戻す。そして、一方の基板ホルダ１１８に装着した基板をカセット１１０に戻した後、或いはこれと並行して、載置プレート１５２を横方向にスライドさせて、同様にして、他方の基板ホルダ１１８に装着した基板をリンスしスピンドライしてカセット１１０に戻す。
【００６４】
載置プレート１５２を元の状態に戻した後、基板を取出した基板ホルダ１１８を基板ホルダ搬送装置１４０のトランスポータ１４２の把持機構で２基同時に把持し、前記と同様にして、これをストッカ１２４の所定の場所に戻す。しかる後、めっき処理後の基板を装着しストッカ１２４に戻した基板ホルダ１１８を基板ホルダ搬送装置１４０のトランスポータ１４２の把持機構で２基同時に把持し、前記と同様にして、基板着脱部１２０の載置プレート１５２の上に載置して、前記と同様な作業を繰り返す。
【００６５】
そして、めっき処理後の基板を装着しストッカ１２４に戻した基板ホルダ１１８から全ての基板を取出し、スピンドライしてカセット１１０に戻して作業を完了する。これにより、図１４（ｂ）に示すように、レジスト５０２に設けた開口部５０２ａ内にめっき膜５０４を成長させた基板Ｗが得られる。
【００６６】
そして、前述のようにしてスピンドライした基板Ｗを、例えば温度が５０〜６０℃のアセトン等の溶剤に浸漬させて、図１４（ｃ）に示すように、基板Ｗ上のレジスト５０２を剥離除去し、更に図１４（ｄ）に示すように、めっき後の外部に露出する不要となったシード層５００を除去する。次に、この基板Ｗに形成しためっき膜５０４をリフローさせることで、図１４（ｅ）に示すように、表面張力で丸くなったバンプ５０６を形成する。更に、この基板Ｗを、例えば、１００℃以上の温度でアニールし、バンプ５０６内の残留応力を除去する。
【００６７】
図１５は、バンプ等を形成するようにした、他の基板処置装置の平面配置図を示す。図１５に示すように、この基板処理装置には、半導体ウエハ等の基板を収納したカセットを搭載する２台のカセット台４１０と、基板のオリフラやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるアライナ４１２と、めっき処理後の基板をリンスし高速回転させて乾燥させるリンサドライヤ４１４が備えられている。そして、２台のカセット台４１０とアライナ４１２及びリンサドライヤ４１４との間に、これらの間で基板の受渡しを行う走行自在な第１搬送ロボット４１６が配置されている。この第１搬送ロボット４１６は、例えば真空吸着、又は落とし込みタイプのハンドを備え、基板を水平状態で受渡すようになっている。
【００６８】
更に、この例では、合計４台のめっきユニット４２０が直列に配置されて備えられている。これらの各めっきユニット４２０は、互いに隣接した位置に配置されためっき槽４２２及び水洗槽４２４とを有しており、このめっき槽４２２及び水洗槽４２４の上方に、鉛直状態で基板を着脱自在に保持する基板ホルダ４２６が、上下動機構部４２８を介して上下動自在で、かつ左右動機構部４３０を介して左右動自在に配置されている。そして、これらのめっきユニット４２０の前面側に位置して、アライナ４１２、リンサドライヤ４１４と各めっきユニット４２０の基板ホルダ４２６との間で基板の受渡しを行う走行自在な第２搬送ロボット４３２が配置されている。この第２搬送ロボット４３２は、例えばメカチャック方式で基板を保持し、基板を水平状態と鉛直状態の間で９０゜反転させる反転機構４３４を有するハンドを備え、アライナ４１２、リンサドライヤ４１４との間では、基板を水平状態にして、基板ホルダ４２６との間では、基板を鉛直状態にして、基板を受渡すようになっている。
【００６９】
各めっき槽４２２の内部には、めっき槽４２２内の所定の位置に基板ホルダ４２６で保持した基板を配置した時に、この基板の表面と対面する位置に位置して、アノード４３６が配置されている。更に、この基板とアノード４３６との間に位置して、パドル駆動装置４３８の駆動に伴って、基板と平行に往復動してめっき液の流れを均一にするパドル４４０と、基板の大きさに見合った中央孔を有し基板の周辺部の電位を下げてめっき膜の膜厚を均等化する調整板４４２が配置されている。そして、このパドル４４０または調整板４４２の少なくとも一方に、基板ホルダ４２６で保持した基板に向けてめっき液を噴射するめっき液噴射ノズル４８（図１及び図２、並びに図５参照）が設けられている。
【００７０】
次に、このように構成した基板処理装置による一連のめっき処理を、バンプ処理を例にして説明する。先ず、図１４（ａ）に示すように、表面に給電層としてのシード層５００を成膜し、このシード層５００の表面に、例えば高さＨが２０〜１２０μｍのレジスト５０２を全面に塗布した後、このレジスト５０２の所定の位置に、例えば直径Ｄが２０〜２００μｍ程度の開口部５０２ａを設けた基板Ｗをその表面（被めっき処理面）を上にした状態でカセットに収容し、このカセットをカセット台４１０に搭載する。
【００７１】
そして、このカセット台４１０に搭載したカセットから、第１搬送ロボット４１６で基板Ｗを１枚取出し、アライナ４１２に載せてオリフラやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。このアライナ４１２で方向を合わせた基板Ｗを第２搬送ロボット４３２でアライナ４１２から取出し、反転機構４３４を介して、基板Ｗを水平状態から鉛直状態に９０゜反転させ、この反転させた基板Ｗを、いずれか１つのめっきユニット４２０の基板ホルダ４２６に受渡す。
【００７２】
なお、この例にあっては、基板Ｗの受渡しを、水洗槽４２４の上方で行う。つまり、上下動機構部４２８により上昇させ、左右動機構部４３０により水洗槽４２４側に位置させておいた基板ホルダ４２６で、第２搬送ロボット４３２から基板Ｗを受取って鉛直状態で保持する。
【００７３】
基板Ｗを鉛直状態で保持した基板ホルダ４２６を、左右動機構部４３０により、めっき槽４２２側に移動させる。一方、めっき槽４２２にあっては、この内部にめっき液を満たしておく。この状態で、上下動機構部４２８を介して、基板Ｗを保持した基板ホルダ４２６を下降させて、この基板ホルダ４２６で保持した基板Ｗをめっき槽４２２内のめっき液中に浸漬させ、アノード４３６と基板Ｗとの間にめっき電圧を印加するとともに、パドル駆動装置４３８によりパドル４４０を基板Ｗの表面と平行に往復移動させ、同時にパドル４４０または調整板４４２の少なくとも一方に設けためっき液噴射ノズルから基板に向けてめっき液を噴射することで、基板Ｗの表面にめっきを施す。
めっきが終了した後、めっき電圧の印加、めっき液の供給及びパドル往復運動を停止し、めっき後の基板Ｗを保持した基板ホルダ４２６を、上下動機構部４２８を介して上昇させて、めっき槽４２２から引き上げる。
【００７４】
このめっき処理後、基板Ｗを鉛直状態で保持した基板ホルダ４２６を、左右動機構部４３０により、水洗槽４２４側に移動させる。そして、上下動機構部４２８を介して、基板Ｗを保持した基板ホルダ４２６を水洗槽４２４の内部まで一旦下降させ、これを引き上げながら噴射ノズル（図示せず）から基板ホルダ４２６に向けて純水を噴射するか、または水洗槽４２４の内部に純水を満たしておき、この純水内に基板Ｗを保持した基板ホルダ４２６を入れた後、水洗槽４２４内の純水を急速に引き抜くことで、基板Ｗや基板ホルダ４２６に付着しためっき液を純水で洗い流す。なお、両者を組合せてもよいことは勿論である。
【００７５】
そして、第２搬送ロボット４３２は、水洗槽４２４の上方で、この洗浄後の基板Ｗを基板ホルダ４２６から鉛直状態で受取り、この受取った基板Ｗを鉛直状態から水平状態に９０゜反転させ、この反転後の基板Ｗをリンサドライヤ４１４に搬送して載置する。
このリンサドライヤ４１４でリンス及び高速回転によるスピンドライ（水切り）を行った基板Ｗをカセット台４１０に搭載したカセットに戻して作業を完了する。これにより、図１４（ｂ）に示すように、レジスト５０２に設けた開口部５０２ａ内にめっき膜５０４を成長させた基板Ｗが得られる。
【００７６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、めっき液噴射ノズルを被めっき材の被めっき面に沿って移動させつつ、めっき液噴射ノズルから被めっき材の被めっき面に向けてめっき液を噴射し、ほぼ垂直な方向から噴流としてより均一に当てることで、めっき膜の膜厚の面内均一性をより高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】電解めっき装置に適用した本発明の実施の形態の概要を示す縦断面図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】めっき液噴射ノズルの異なる噴射形態を示す図である。
【図４】無電解めっき装置に適用した本発明の他の実施の形態を示す平面図（図２相当図）である。
【図５】電解めっき装置に適用した本発明の更に他の実施の形態の概要を示す縦断面図（図１相当図）である。
【図６】電解めっき装置を備えた基板処理装置の平面配置図である。
【図７】図６に示す基板処理装置の気流の流れを示す図である。
【図８】電解めっき装置及び電解エッチング装置を備えた配線形成装置の平面配置図である。
【図９】図８に示す配線形成装置における処理工程の流れを示す図である。
【図１０】基板にめっき処理を施す際の過程を概念的に示す断面図である。
【図１１】電解めっき装置及び無電解めっき装置を備えた半導体製造装置の平面配置図である。
【図１２】半導体装置における配線形成例を工程順に示す図である。
【図１３】電解めっき装置を備えた他の基板処理装置の平面配置図である。
【図１４】基板上にバンプ（突起状電極）を形成する過程を工程順に示す断面図である。
【図１５】電解めっき装置を備えた更に他の基板処理装置の平面配置図である。
【図１６】従来のめっき装置（電解めっき装置）の概要図である。
【符号の説明】
１０，１１８，４２６  基板ホルダ
１２  めっき液
１４，４３６  アノード
１６，４２２  めっき槽
１８  電源
３２  パドルシャフト
３４，４４０  パドル
４６，１４６，４３８  パドル駆動機構
４８  めっき液噴射ノズル
５０  めっき液流路
５２  循環ポンプ
５４  流量調節器
５６  めっき液循環ライン
６０，４４２  調整板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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