(57)【要約】【課題】電解メッキ法で銅メッキする際に、電解液の銅イオン濃度を高精度に制御して良好な銅メッキを行うこと【解決手段】不溶性陽極と、陰極をなす被メッキ体と、例えば硫酸銅および遊離硫酸を含む電解液を満たしたメッキ浴槽と、を備えたメッキ装置を用いて銅メッキする際に、測定光の波長が５００ｎｍ以上、好ましくは５４０ｎｍに設定された比色計によりメッキ浴槽中の銅の濃度を検知し、その検出値に基づいて補給剤である例えば酸化銅を補給する構成とする。この場合例えばチタン、鉄などの不純物の影響を避けられて高精度な銅濃度の検知がなされ、更にその検出値に基づいて銅の補給を行うことにより、補給するタイミングを容易に設定することができる。このため電解液中の銅イオン濃度を高精度に制御することができ、その結果良好な銅メッキをすることができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
不溶性陽極と、陰極をなす被メッキ体と、メッキ材である銅を含む電解液を満たしたメッキ浴槽と、を備えたメッキ装置において、
メッキ浴槽中の銅の濃度を検知するための測定光の波長が５００ｎｍ以上の比色計と、
前記電解液に銅を溶解させるための溶解槽と、
前記メッキ浴槽と前記溶解槽との間で電解液を循環させる循環手段と、
前記比色計により検出される銅の濃度の検出値に基づいて、メッキ浴槽中の銅濃度が予め設定された値になるように、前記溶解槽に銅を供給するための供給手段と、を備えたことを特徴とする銅メッキ装置。
【請求項２】
前記メッキ浴槽中の電解液は、硫酸銅および遊離硫酸を含んでおり、この硫酸銅の濃度は１６０ｇ／リットル〜１９５ｇ／リットルに制御されることを特徴とする請求項１記載の銅メッキ装置。
【請求項３】
前記遊離硫酸の濃度は９０ｇ／リットル〜１３０ｇ／リットルであることを特徴とする請求項２記載の銅メッキ装置。
【請求項４】
前記溶解槽に補給される銅は、酸化銅であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の銅メッキ装置。
【請求項５】
前記酸化銅は、塩基性炭酸銅を還元雰囲気とはならない雰囲気下で２５０℃〜８００℃に加熱することにより熱分解し、次いで水洗することにより得られた易溶解性のものであることを特徴とする請求項４記載の銅メッキ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被メッキ材に銅メッキをするための銅メッキ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
被メッキ体例えばプリント基板に銅メッキ処理を施す手法の一つとして、電解液である硫酸中に銅メッキ材を供給し、不溶性陽極と陰極をなす被メッキ体との間で通電する電解メッキ法が知られている。
【０００３】
前記電解メッキ法においては、図８に示すメッキ装置が用いられることが知られている（例えば、特許文献１）。
図中１０はメッキ浴槽であり、硫酸に例えば酸化銅からなる銅メッキ材を溶解せしめた電解液が満たされていると共に、直流電源１１の正極側に接続された陽極１２と、直流電源１１の負極側に接続された陰極１３である被メッキ材例えば被メッキ用金属板とが浸漬されている。ここで各電極１２、１３に電流が通電されると、陽極１２では反応式１に示す電極反応により酸素が生成する一方、陰極１３である被メッキ体の表面には反応式２に示す電極反応により銅が析出することで銅メッキがなされる。また銅イオンが少なくなった電解液は、ポンプＰ１を介して撹拌手段１４ａを備えた溶解槽１４に供給され、ここでホッパから例えば酸化銅の粉体が所定量投入されて銅が補給される。このとき通電電流と、陰極表面でおこる反応効率、つまり陰極に析出する電解液中の銅イオンの量とは対応関係が良好であり、そのため通電された電流積算値から電解液の銅イオン濃度を把握して、それに見合う量の酸化銅が補給されていた。そして銅が補給された電解液がポンプＰ２を介してメッキ浴槽１０に戻される。なお１５は電解液中の不溶解残渣を取り除くためのフィルタである。
Ｈ２Ｏ→（１／２）Ｏ２＋２Ｈ＋＋２ｅ…（１）
Ｃｕ２＋＋２ｅ→Ｃｕ…（２）
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−６８７４３号公報（第４頁、図２）
【０００５】
ところで最近、図９に示すように、被メッキ体として複数のプリント基板１６ａ、１６ｂを圧着してなる多層プリント基板１６が用いられるようになっている。この場合、先ず予め表面に無電解銅メッキ膜が形成された基板１６ａ、１６ｂの各々において銅メッキがなされて例えば円形の貫通孔であるスルーホール１７ａ、１７ｂがメッキ銅で埋められ、次いで基板１６ａおよび基板１６ｂが圧着されて多層プリント基板を得る。この場合、スルーホール１７ａ（１７ｂ）をメッキ銅で密に埋めるには、できるだけ銅濃度の高い電解液を用いた方がよい。即ち、従来のように硫酸銅の濃度が例えば９０〜１００ｇ／リットルの電解液を用いていたのでは銅濃度が低すぎてスルーホール１７ａ（１７ｂ）が密に埋まらず空隙ができてしまい、結果として各基板１６ａ、１６ｂ間の接触抵抗が大きいプリント基板となる。このため硫酸銅の濃度が例えば１８０〜１９０ｇ／リットル、遊離硫酸濃度が９０〜１００ｇ／リットルにすることが検討されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上述の高濃度の電解液を用いてメッキする場合、硫酸銅濃度の制御が難しくなる問題がある。即ち、硫酸銅の濃度が高すぎると硫酸銅が電解液中で析出してしまい、この析出した硫酸銅が陰極であるメッキ材の表面に付着して、水洗したときにその部分が溶けて欠陥品になる場合があり、更には電解液中の遊離硫酸濃度が低下してメッキ時の電流が流れにくくなる。また逆に硫酸銅濃度が低くなると既述のように密な銅メッキをすることができず、更にまた遊離硫酸濃度が高くなって酸化銅が溶けにくくなる。このような理由から高濃度な電解液を用いる場合にはシビアな濃度管理が要求されるが、前記したように通電された電流積算値から硫酸銅濃度を把握していたのでは例えば上部が開放構造のメッキ浴槽１０から水が蒸発することで電解液中の硫酸銅濃度が変わってしまうなどの外乱により実際の硫酸銅濃度との間に差が生じてしまう問題が懸念される。
【０００７】
本発明のメッキ装置はこのような事情の下になされたものであり、その目的は不溶性陽極を用いて電解銅メッキをする際に、電解液の銅イオン濃度を高精度に制御をすることができ、良好なメッキを行うことのできる銅メッキ装置を提供することにある。また他の目的は広範囲な銅イオン濃度に亘って高精度な銅イオン濃度の制御を行うことのできる銅メッキ装置を提供することにある。
【０００８】
本発明のメッキ装置は、不溶性陽極と、陰極をなす被メッキ体と、メッキ材である銅を含む電解液を満たしたメッキ浴槽と、を備えたメッキ装置において、
メッキ浴槽中の銅の濃度を検知するための測定光の波長が５００ｎｍ以上の比色計と、
前記電解液に銅を溶解させるための溶解槽と、
前記メッキ浴槽と前記溶解槽との間で電解液を循環させる循環手段と、
前記比色計により検出される銅の濃度の検出値に基づいて、メッキ浴槽中の銅濃度が予め設定された値になるように、前記溶解槽に銅を供給するための供給手段と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
本発明の銅メッキ装置によれば、測定波長を所定の値に設定した比色計を用いてメッキ浴槽の電解液に含まれる銅の濃度を検知することにより、例えばチタン、鉄などの不純物の影響を回避して高精度な銅濃度の検知がなされ、更にその検出値に基づいて銅の補給を行うことにより、補給するタイミングを容易に設定することができる。このため電解液中の銅イオン濃度を高精度に制御することができ、その結果良好な銅メッキをすることができる。
【００１０】
前記メッキ浴槽中の電解液は、例えば硫酸銅および遊離硫酸を含んでおり、この硫酸銅の濃度は１６０ｇ／リットル〜１９５ｇ／リットルに制御される構成であってもよく、遊離硫酸の濃度は９０ｇ／リットル〜１３０ｇ／リットルであってもよい。
【００１１】
また前記溶解槽に補給される銅は、例えば酸化銅であってもよく、この酸化銅は、例えば塩基性炭酸銅を還元雰囲気とはならない雰囲気下で２５０℃〜８００℃に加熱することにより熱分解し、次いで水洗することにより得られた易溶解性のものであってもよい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明のメッキ装置に係る実施の形態について図１を参照しながら説明する。図中２０は例えば硫酸銅（ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ）および遊離硫酸（Ｈ２ＳＯ４）を含む電解液が満たされるメッキ浴槽であり、このメッキ浴槽２０には不溶性陽極例えばチタン（Ｔｉ）板に白金イリジウム系貴金属でコーティングされた陽極２１と、陰極２２である被メッキ材例えばプリント基板をなす被メッキ用金属板とが前記電解液に浸漬されて設けられている。更に陽極２１および陰極２２には直流電源Ｅが接続されており、メッキ処理時において各電極２１、２２には所定の直流電流（メッキ電流）が供給されるように構成されている。
【００１３】
また前記メッキ浴槽２０には、メッキ浴槽２０中の電解液の濃度がばらつくのを抑えるために、電解液を循環するための循環ポンプ２３が循環路を介して接続されており、その途中には循環された電解液中の銅イオン濃度を例えば硫酸銅換算で検知するための濃度検知部例えば吸光光度法を用いた比色計３が設けられている。
【００１４】
前記比色計３の概略について図２を用いて詳しく説明すると、図中３０はその一部が光透過性部材で構成されたサンプル通流部である吸収セル部であり、その上部には前記循環ポンプ２３からのサンプル液を吸収セル部３０に供給するための供給路３１および、このサンプルが排出される排出路３２が夫々接続されている。また吸収セル部３０の光透過性部材を挟んで相対向する発光部をなす光源３３と、受光した光を電気量に変換するための受光部３４とからなる光センサーが設けられている。更に吸収セル部３０と受光部３４との間には、電解液中の不純物例えば通電時に陽極２１から極めて僅かながら溶出するチタン（Ｔｉ）あるいは、ポンプや配管の接液部から溶出する鉄（Ｆｅ）などの吸収領域を避けるために、光源３３から発せられた光のうち所定の波長例えば５００ｎｍ〜６００ｎｍ、例えば５４０ｎｍの光を通過させる光学フィルター３５が設けられている。なお、３６は増幅部であり、３７は出力部である。
【００１５】
図１に説明を戻すと、図中４０は、メッキ浴槽２０からオーバフローした電解液に、銅イオンの補給材である例えば酸化銅（ＣｕＯ）を溶解せしめるための銅溶解手段をなす溶解槽であり、この溶解槽４０の上部には例えば酸化銅粉を所定量供給するためのダンパなどの開閉機構４１ａを備え、当該酸化銅粉を貯蔵するためのホッパ４１が設けられている。また溶解槽４０の内部は仕切部材４２で仕切られており、例えば３槽の液貯留部４３ａ、４３ｂ、４３ｃに分割されている。これらの液貯留部４３ａ〜４３ｃを上流側から順に第１の液貯留部４３ａ、第２の液貯留部４３ｂおよび第３の液貯留部４３ｃと呼ぶものとすると、酸化銅が供給される第１の液貯留部４３ａには、酸化銅の溶解を促進させると共に槽内の銅濃度を均一にするための撹拌手段４４が設けられている。更にまた第３の液貯留部４３ｃの底部側には、銅が補給された電解液を前記メッキ浴槽２０に供給するための供給ポンプ４８が供給路を介して接続されている。また第１の液貯留部４３ａに供給された酸化銅が未溶解のまま後段に配される供給ポンプ４８に直接行かないように液流規制板４７が設けられている。なお図中Ｆは、電解液中の不溶解残渣を取り除くためのフィルターである。
【００１６】
更にまた、図中５は制御部であり、この制御部は例えば比色計３により検出される銅濃度の検出値が予め決められた投入開始の設定値Ｌを下回るとホッパ４１の回転機構４１ａが開いて銅の供給動作が開始される一方、この銅濃度の検出値が予め決められた投入停止の設定値Ｈを越えると回転機構４１ａを閉じて銅の供給動作を停止するといったように、比色計３により検出される銅の濃度の検出値に基づいて供給動作を制御する機能を有している。
【００１７】
ここで前記酸化銅は市販されているものを用いてもよいが、硫酸に対して溶解特性に優れた易溶解性のものを用いるのが好ましい。この易溶解性の酸化銅を製造する手法の一例を簡単に説明すると、先ず原料である塩基性炭酸銅を加熱炉、例えばロ−タリキルンに供給し、例えば当該塩基性炭酸銅を直接バ−ナで加熱しないようにして加熱雰囲気が還元雰囲気にならないようにすると共に、例えば２５０℃以上で８００℃以下の温度に加熱して熱分解を促進させて酸化銅を生成させる。続いて当該酸化銅を例えば純水あるいは超純水で水洗した後、遠心分離機により水分を飛ばしてから乾燥機で乾燥させることで、粉体である酸化銅を得る。このようにして得られた酸化銅は遊離硫酸に対して優れた易溶解特性を有しており、そのためホッパ４１から投入された酸化銅は速やかに硫酸に溶解する。従って当該酸化銅が投入されてからこのメッキ装置が保有する電解液の銅濃度（比色計３の検出値）に下げ止まりがあるまでの時間が短く、更には溶解槽４０内に残った未溶解の酸化銅が時間差をおいて溶けることで銅の投入を止めたにも拘らず銅濃度が上昇するといったことも抑えられるので、結果として酸化銅を投入するタイミングの設定が簡単になり制御が容易となる点で得策である。
【００１８】
続いて上述のメッキ装置を用いてメッキ処理がなされる工程について説明する。先ず溶解槽４０にて硫酸銅の濃度が例えば１６０〜１９５ｇ／リットル、遊離硫酸濃度が例えば９０〜１３０ｇ／リットルになるように酸化銅が溶解され、更にメッキ表面を平坦化するための所定の添加剤を図示しない供給源から供給されて調製された電解液が循環ポンプ４８によりメッキ浴槽２０に供給されて建浴がなされる。そしてメッキ浴槽２０からオーバーフローした電解液が第１の液貯留部４３ａに戻されることで、当該メッキ装置系内での電解液の循環が行われる。
【００１９】
ここで循環ポンプ２３によりメッキ浴槽２０の電解液のサンプルが比色計３に供給され、この比色計３により銅濃度の検出が開始される。当該比色計３においては、光源３３から発せられた光は、吸収セル３０内を通流するサンプルにより一部が吸光され、吸光されずに通過した光のうち光学フィルタ３５を通過する所定の波長例えば５４０ｎｍの光を受光部３４が受光して電気量に変換する。そして増幅部３６により増幅された後、出力部３７を介して制御部５へ出力される。この制御部５において、例えば予め作成された関数（例えば、図３に示す検量線に相当）に基づいて、前記出力部３７からの信号である電気量に対応する硫酸銅濃度が算出されることで硫酸銅の濃度が求められる。なお、図３（ａ）は硫酸銅濃度と吸光度との関係で示した検量線であり、図３（ｂ）は硫酸銅濃度と前記変換された出力との関係を示す検量線であり、両者共に予め試験を行って作成されたものである。
【００２０】
続いて上述のようにして比色計３により銅濃度の検知が行われると共に、メッキ装置系内の電解液の濃度分布を少なくするために、即ちメッキ浴槽２０と溶解槽４０の夫々に満たされる電解液の濃度差を少なくするために、循環ポンプ４８による電解液の循環が続けて行われた状態で、直流電源Ｅから各電極２１、２２に直流電流が通電されてメッキ処理が開始される。このとき「従来の技術」に記載の反応式１および反応式２により陽極２１では酸素が生成する一方、電解液中の銅イオンが陰極２２である被メッキ材の表面に析出することにより当該被メッキ材に銅メッキがなされることとなる。
【００２１】
メッキ時における電解液中の銅濃度に着目して以下に説明するが、濃度の経時変化の様子を一例として示す図４を参照すると理解しやすい。先ず上述のようにして電解液中の銅イオンが被メッキ材の表面に析出することにより、電解液中の硫酸銅の濃度が低下する一方、電解液中の遊離硫酸の濃度が上昇する。このとき例えば連続的に比色計３の検出値がサンプリングされており、設定値内に収まっているか否か判断される。そして時刻ｔ１において比色計３により検出される硫酸銅の濃度が予め決められた投入開始の設定値Ｌを下回ると、開閉機構４１ａが開いて所定量の酸化銅が溶解槽４１へ投入され、そして酸化銅が溶解することで銅イオンが補給される。このように比色計３の検出値がサンプリングされて酸化銅が投入されると、電解液中の硫酸銅濃度が上昇し、時刻ｔ２において比色計３により検出される硫酸銅の濃度が予め決められた投入停止の設定値Ｈを上回ると開閉機構４１ａを閉じて、次に設定値Ｌを下回るまで投入動作を停止する（時刻ｔ３）。ここで設定値Ｌは１６０ｇ／リットルよりも大きく、設定値Ｈは１９５ｇ／リットルよりも小さく設定され、目標濃度に対してマージンを取っておくことにより、銅濃度が目標濃度から外れないようにしている。
【００２２】
上述の実施の形態によれば、比色計３を用いてメッキ浴槽２０の電解液に含まれる硫酸銅濃度を検知し、その検出値に基づいて酸化銅の補給を行うことにより、酸化銅を補給するタイミングを容易に設定することができる。このため予め設定された狭い範囲の高濃度領域に銅濃度を維持できるので、例えば図１０に記載の多層プリント基板１６のスルーホール１７を密に埋めることができ、更に硫酸銅の析出による欠陥の発生が抑えることができる。その結果、良好な銅メッキを行うことができる。また比色計３は、原子吸光計、イオンクロマトグラフなどの測定器に比して安く手に入れることができるので、低コスト化を図れる点で有利である。
【００２３】
また上述の実施の形態によれば、既述のように銅メッキを行う場合に電解液中へ混入することが確実に起こると考えられる例えばチタンや鉄などの不純物の吸光帯域を避けるために、比色計３の測定光の波長を５００ｎｍ以上、好ましくは５４０ｎｍに設定することにより、後述する実施例の結果からも明らかなように、当該不純物の影響を受けることが少ない。そのため高精度に硫酸銅濃度を検知することができ、結果として電解液中の銅濃度を高精度に制御することができる。このため良好な銅メッキを行うことができる。更に不純物ではないが、電解液に添加される前記添加剤の吸収帯域は５００ｎｍ以下にあるので、当該添加剤の影響も回避することができる。なお、波長の上限は特に規定していないが、硫酸銅の吸収波長の理由から６００ｎｍ以下が好ましい。
【００２４】
本発明の銅メッキ装置においては、補給材は酸化銅に限られず、例えば銅粉、亜酸化銅、炭酸銅などの銅化合物であってもよい。このような構成であっても上述の場合と同様の効果を得ることができる。
【００２５】
更に本発明の銅メッキ装置においては、既述のような手法により不純物の影響を回避し、硫酸銅濃度と吸光度との良好な相関関係（図３記載の検量線）把握しているので、硫酸銅濃度が１６０ｇ／リットルよりも低い濃度、例えば「従来の技術」に記載した９０〜１００ｇ／リットル濃度の電解液にも適用することができる。更に３０ｇ／リットルの希薄な電解液にも適用することができる。従って、広範囲な銅イオン濃度に対して高精度な濃度制御をすることができる。
【００２６】
【実施例】
続いて本発明の効果を確認するために行った実施例について説明する。
【００２７】
（実施例１）
本例は、上述のメッキ装置を用いて銅メッキをした実施例である。メッキ浴組成およびメッキ条件を以下に示す。
硫酸銅（ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ）の初期濃度；１９０ｇ／リットル
遊離硫（Ｈ２ＳＯ４）の初期濃度；９０ｇ／リットル
電流密度；３Ａ／ｄｍ２
陽極２１；不溶性陽極
メッキ浴温度；２５℃
メッキ浴槽２０の容量；２０リットル
被メッキ体のサイズ；２００ｍｍ×２００ｍｍ（電解面積４ｄｍ２）
このようなメッキ装置を用いて通電時間４９時間以上の銅メッキの処理を行った。硫酸銅濃度の制御値は１８０〜１９５ｇ／リットルとし、設定値Ｌを１８５ｇ／リットル、設定値Ｈを１９０ｇ／リットルに夫々設定した。メッキ浴の硫酸銅濃度の経時変化の結果を図５に示す。
【００２８】
（実施例２）
本例は、比色計３の測定精度を確認するために行った実施例である。電解液の組成は、硫酸銅濃度が５０ｇ／リットル、遊離硫の濃度が２００ｇ／リットル、チタンが２０ｐｐｍであった。続いて電解液サンプルを２５℃に温調すると共に、比色計３を用いて測定波長３００〜６００ｎｍの範囲で吸光度（ＡＢＳ）を測定した。その結果をグラフ化したものを図６に示す。
【００２９】
（比較例１）
本例は、チタンを加えなかったことを除いて実施例２と同様の試験を行った比較例である。各波長毎に吸光度を測定しグラフ化したものを実施例２と同じく図６に示す。
【００３０】
（実施例３）
本例は、チタンに代えて鉄を夫々５０ｐｐｍ、１００ｐｐｍ相当加え、更に硫酸銅（ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ）の濃度が１８０ｇ／リットル、遊離硫酸（Ｈ２ＳＯ４）の濃度が９０ｇ／リットルであったことを除いて実施例２と同様の試験を行った実施例である。各波長毎に吸光度を測定しグラフ化したものを図７に示す。
【００３１】
（比較例２）
本例は、鉄を加えなかったことを除いて実施例３と同様の試験を行った比較例である。各波長毎に吸光度を測定しグラフ化したものを実施例３と同じく図７に示す。
【００３２】
（実施例１の結果と考察）
図５の結果から明らかなように、銅メッキを開始すると硫酸銅濃度が時間と共に低下する。そして硫酸銅濃度が設定値Ｌを下回ると、酸化銅の投入動作が開始され１８０ｇ／リットルを下回る前に硫酸銅濃度が上昇する。その後も酸化銅の投入が続けられて硫酸濃度が上昇し、設定値Ｈを上回ると酸化銅の投入が停止され１９５ｇ／リットルを上回る前に硫酸銅濃度が低下する。即ち、このような動作が繰り返し行われることにより、連続電解メッキを行ってもメッキ浴中の銅イオンを制御できることが確認された。なお、このようにして得られた銅メッキは平坦かつ空隙などが殆どない良好なものであることを確認している。
【００３３】
（実施例２および比較例１の結果と考察）
図６の結果から明らかなように、サンプルである電解液にチタンが含まれる場合と、チタンを含まない場合とを比べると、ある波長領域における吸光度が異なっている。即ち、チタンが含まれる場合には約４１０ｎｍをピークとして３４０〜５００ｎｍの範囲においてチタンの吸光帯域があることが明らかである。従って測定光の波長を５００ｎｍ以上、好ましくは５４０ｎｍ以上に設定すればチタンの影響を避けられることが確認された。
【００３４】
（実施例３および比較例２の結果と考察）
図７の結果から明らかなように、上述のチタンを含む場合と同様に電解液に鉄が含まれる場合と、鉄を含まない場合とを比べるとその吸光度が異なっており、４２０ｎｍよりも小さい波長の範囲において鉄の影響を受けていることが分かる。更に鉄の濃度が高いほど影響力が大きいことが分かる。従って測定光の波長を４２０ｎｍ以上に設定すれば鉄の影響を避けられ、更に５００ｎｍ以上に設定すれば同時にチタンの影響も避けられることが確認された。
【００３５】
【発明の効果】
以上のように本発明の銅メッキ装置によれば、比色計を用いてメッキ浴槽の電解液に含まれる銅の濃度を検知し、その検出値に基づいて銅の補給を行うことにより、補給するタイミングを容易に設定することができるので、電解液の銅イオン濃度を高精度に制御をすることができる。更に比色計の測定光を所定の波長に設定することにより、例えばチタン、鉄などの不純物の影響を回避できるので、良好な銅メッキを行うことができる。また広範囲な銅イオン濃度に亘って高精度な銅イオン濃度の制御を行うことができるので、種々の用途に応じた銅メッキを共通の装置を用いて良好に行うことができる。その結果として良好な銅メッキを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る銅メッキ装置の実施の形態を示す説明図である。
【図２】本発明に係る銅メッキ装置に用いられる比色計の概略を示す斜視図である。
【図３】本発明に係る銅メッキ装置に用いられる比色計の検量線を示す説明図である。
【図４】本発明に係る銅メッキ装置を用いてメッキしたときの硫酸銅の濃度の変化を示す説明図である。
【図５】本発明の効果を確認するために行った実施例の結果を示す特性図である。
【図６】本発明の効果を確認するために行った実施例の結果を示す特性図である。
【図７】本発明の効果を確認するために行った実施例の結果を示す特性図である。
【図８】従来の銅メッキ装置を示す説明図である。
【図９】銅メッキが施される多層プリント基板を示す説明図である。
【符号の説明】
２０    メッキ浴槽
２１    陽極
２２    陰極
３      比色計
３０    吸収セル
３３    光源
３４    受光部
３５    光学フィルタ
４０    溶解槽
４１    ホッパ
５      制御部
【図１】
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【図２】
2004162078.tif 000004
【図３】
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【図４】
2004162078.tif 000006
【図５】
2004162078.tif 000007
【図６】
2004162078.tif 000008
【図７】
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【図８】
2004162078.tif 000010
【図９】
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