(57)【要約】【課題】本発明は耐還元性誘電体磁器組成物に関するもので、より詳しくは低温焼成によっても比誘電率が高くてＸ５Ｒ特性（−５５〜８５℃、△Ｃ＝±１５％以内）を満足する誘電体磁器組成物とこれを用いた積層セラミックキャパシター及びその製造方法に関するものを提供する。【解決手段】ＢａＴｉＯ３と、前記ＢａＴｉＯ３１００モルに対してＭｇＣＯ３０．２〜３．０モル、Ｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３のグループにから選ばれた１種以上の化合物０．０５〜１．５モル、Ｃｒ２Ｏ３０．１〜１．５モル、ＢａｘＣａ（１−ｘ）ＳｉＯ３（但し、０≦ｘ≦１）０．２〜３．０モル、及び、Ｍｎ２Ｖ２Ｏ７０．０１〜１．５モルを含んで成る耐還元性低温焼成誘電体磁器組成物、及び、それを用いた積層セラミックキャパシター及びその製造方法。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＢａＴｉＯ３と、前記ＢａＴｉＯ３１００モルに対してＭｇＣＯ３０．２〜３．０モル、Ｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３のグループにから選ばれた１種以上の化合物０．０５〜１．５モル、Ｃｒ２Ｏ３０．１〜１．５モル、ＢａｘＣａ（１−ｘ）ＳｉＯ３（但し、０≦ｘ≦１）０．２〜３．０モル、及び、Ｍｎ２Ｖ２Ｏ７０．０１〜１．５モルを含んで成る耐還元性低温焼成誘電体磁器組成物。
【請求項２】
前記ＢａｘＣａ（１−ｘ）ＳｉＯ３は０．２〜１．４モルであることを特徴とする請求項１に記載の耐還元性低温焼成誘電体磁器組成物。
【請求項３】
前記ＢａｘＣａ（１−ｘ）ＳｉＯ３においてＸは０．３〜０．６であることを特徴とする請求項１に記載の耐還元性低温焼成誘電体磁器組成物。
【請求項４】
前記Ｍｎ２Ｖ２Ｏ７は０．０１〜１．０モルであることを特徴とする請求項１に記載の耐還元性低温焼成誘電体磁器組成物。
【請求項５】
前記ＢａｘＣａ（１−ｘ）ＳｉＯ３と前記Ｍｎ２Ｖ２Ｏ７とは総和が１〜１．６モルであることを特徴とする請求項１ないし４中いずれか一項に記載の耐還元性低温焼成誘電体磁器組成物。
【請求項６】
請求項１に記載の誘電体磁器組成物から成る誘電体層と内部電極層とが交互積層されて成る積層セラミックキャパシター。
【請求項７】
前記内部電極はＮｉまたはＮｉ合金から選ばれたものであることを特徴とする請求項６に記載の積層セラミックキャパシター。
【請求項８】
ＭｎＯとＶ２Ｏ５を６５０〜８００℃でか焼してＭｎ２Ｖ２Ｏ７粉末を得る段階と、ＢａＴｉＯ３と、前記ＢａＴｉＯ３１００モルに対してＭｇＣＯ３０．２〜３．０モル、Ｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３のグループから選ばれた１種以上の化合物０．０５〜１．５モル、Ｃｒ２Ｏ３０．１〜１．５モル、ＢａｘＣａ（１−ｘ）ＳｉＯ３（但し、０≦ｘ≦１）０．２〜３．０モルと、前記得たＭｎ２Ｖ２Ｏ７０．０１〜１．５モルとを混合した誘電材料を得る段階と、前記誘電材料と内部電極とを交互積層した後焼成する段階と、を含んで成る積層セラミックキャパシターの製造方法。
【請求項９】
前記ＢａｘＣａ（１−ｘ）ＳｉＯ３は０．２〜１．４モルであることを特徴とする請求項８に記載の積層セラミックキャパシターの製造方法。
【請求項１０】
前記Ｍｎ２Ｖ２Ｏ７は０．０１〜１．０モルであることを特徴とする請求項８に記載の積層セラミックキャパシターの製造方法。
【請求項１１】
前記ＢａｘＣａ（１−ｘ）ＳｉＯ３と前記Ｍｎ２Ｖ２Ｏ７とは総和が１〜１．６モルであることを特徴とする請求項８に記載の積層セラミックキャパシターの製造方法。
【請求項１２】
前記か焼は６５０〜６８０℃で施されることを特徴とする請求項８に記載の積層セラミックキャパシターの製造方法。
【請求項１３】
前記焼成は１２００〜１２５０℃で施されることを特徴とする請求項８に記載の積層セラミックキャパシターの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は耐還元性誘電体磁器組成物に関するもので、より詳しくは低温焼成によっても比誘電率が高くてＸ５Ｒ特性（−５５〜８５℃、△Ｃ＝±１５％以内）を満足する誘電体磁器組成物とこれを用いた積層セラミックキャパシター及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
積層セラミックキャパシターは小型、大容量、高信頼性の電子部品として幅広く使用されており、一台の電子機器における使用個数も多数に至る。最近、電子機器の小型化と高性能化につれ積層セラミックキャパシターに対しても小型化、大容量化、低価格化、高信頼性化の要求は漸次高まっている。
【０００３】
積層セラミックキャパシターは誘電体層と内部電極層とを交互に積層してから、該積層体を焼成して製造するのである。
内部電極層の導電材には、一般にＰｄやＰｄ合金が用いられる。近来には比較的安価なＮｉやＮｉ合金など卑金属の使用が多くなってきている。内部電極層の導電材に卑金属を用いる場合、大気中で焼成を行うと電極層が酸化する。したがって、誘電体と内部電極層の同時焼成を還元雰囲気において行う必要がある。しかし、還元性雰囲気中で焼成すると誘電体層が還元し比抵抗が下がるので、非還元性誘電体材料の開発が進んでいる。
【０００４】
非還元性誘電体材料を用いた積層セラミックキャパシターにおいては電界の印加によるＩＲ（絶縁抵抗）劣化が著しくなる。即ち、ＩＲの寿命が短く、信頼性が低いとの問題がある。また誘電体が直流電界に露出されると比誘電率（εｒ）が経時的に低下する問題が発生する。チップキャパシターを小型且つ大容量化させるべく誘電体層を薄くすると、直流電圧印加の際誘電体層にかかる電界が強くなるので、比誘電率εｒの経時変化（即ち、容量の経時変化）が著しく大きくなる。さらにキャパシターには温度に伴う容量変化（ＴＣＣ、Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ　Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ；以下「容量温度特性」という）が良好であることも要求される。とりわけ、用途によっては劣悪な条件下の容量温度特性が平坦化されることが要求される。
【０００５】
容量温度特性の優れた温度補償型キャパシター材料には、（Ｓｒ、Ｃａ）（Ｔｉ、Ｚｒ）Ｏ３系、Ｃａ（Ｔｉ、Ｚｒ）Ｏ３系、Ｎｄ２Ｏ３−２ＴｉＯ２系、Ｌａ２Ｏ３−２ＴｉＯ２系などが一般に知られている。これらの組成物は比誘電率がかなり低く（一般に１００以下）、大容量キャパシターの作製は実状不可能である。誘電率が高く平坦な容量温度特性を有す誘電体磁器組成物に、ＢａＴｉＯ３を主成分とし、Ｎｂ２Ｏ５−Ｃｏ３Ｏ４、ＭｇＯ−Ｙ、希土類元素（Ｄｙ、Ｈｏなど）、ＢａＴｉＯ３−ＴｉＯ２などを添加した組成が知られている。ＢａＴｉＯ３を主成分とする誘電体磁器組成物の容量温度特性はＢａＴｉＯ３のキュリー温度が約１３０℃付近なので、高温領域においた容量温度特性のＸＲ特性（△Ｃ＝±１５％以内）を満足させることが大変難しい。
【０００６】
ＢａＴｉＯ３を主成分とする誘電体磁器組成物に係る先行技術には、米国特許第５，６６８，６９４号、米国特許第５，８６２，０３４号、日本特許公開公報平６−２１５９７９号、日本特許公開公報２０００−３１１８２８号、韓国特許公開公報２０００−００１２０８０号がある。
米国特許第５，６６８，６９４号（または米国特許第５，８６２，０３４号）は、ＢａＴｉＯ３１００モルに対してＭｇＯ０．１〜３モル、Ｙ２Ｏ３０〜５モル、ＢａＯ＋ＣａＯ２〜１２モル、ＳｉＯ２２〜１２モル、ＭｎＯ０〜０．５モル、Ｖ２Ｏ５０〜０．３モル、ＭｏＯ３０〜０．３モル、Ｖ２Ｏ５＋ＭｏＯ３０モル以上で組成される積層セラミックチップキャパシターを提示している。該キャパシターは比誘電率が２６００レベルでＸ７Ｒ特性を満足するが、比誘電率が低いばかりでなく１３００℃の高温において焼成しなければならない欠点がある。
【０００７】
日本特許公開公報平６−２１５９７９号は８６．３２〜９７．６４モルのＢａＴｉＯ３、０．０１〜１０．００モルのＹ２Ｏ３、０．０１〜１０．０モルのＭｇＯ及び０．００１〜０．２００モルのＶ２Ｏ５とＭｎＯ、Ｃｒ２Ｏ３、Ｃｏ２Ｏ３中の１種以上の化合物０．０１〜１．０モル、ＢａｘＣａ（１−ｘ）ＳｉＯ３（但し、０≦ｘ≦１）０．５〜１０モルで組成される誘電体組成物を提示している。該誘電体組成物は比誘電率が２５６０〜３８５０でＸ７Ｒ特性を満足するものであるが、焼成温度が１３００〜１３８０℃と高すぎる。
【０００８】
日本特許公開公報２０００−３１１８２８号は、ＢａＴｉＯ３１００モル、ＭｇＯまたはＣａＯの１種以上の化合物０．１〜３モル、ＭｎＯ０．０５〜１．０モル、Ｙ２Ｏ３０．１〜５モル、Ｖ２Ｏ５０．１〜３モル、ＢａｘＣａ（１−ｘ）ＳｉＯ３（但し、０≦ｘ≦１）２〜１２モルで組成される誘電体磁器組成物を提示している。該誘電体組成物はＸ７Ｒ特性を満足するものであるが、比誘電率が３０００未満で焼成温度も１２７０℃と高い。
【０００９】
韓国特許公開公報２０００−００１２０８０号は、主成分のＢａＴｉＯ３と、主成分１００モルに対してＣｒ２Ｏ３０．１〜３モル、Ｖ２Ｏ５０．０１〜０．５モル、Ｒ１の酸化物（Ｒ１：Ｙ、Ｈｏ、Ｄｙ）０．７〜７モル、ＭｎＯ０．５モル以下で組成される誘電体組成物を提示している。該誘電体組成物は１４７３〜３０８６の比誘電率特性とＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、△Ｃ＝±１５％以内）を呈すが、１２８０〜１３００℃の高い焼成温度を必要とする。
【００１０】
これらの先行技術はＢａＴｉＯ３系でＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性（−５５〜１２５℃、△Ｃ＝±１５％以内）を具現してはいるが、誘電率が高くない。しかも、誘電率が３０００レベルの場合には焼成温度が１３００℃以上とかなり高い。内部電極層がセラミック誘電体層より低温で収縮する為焼成温度が１３００℃位高温の場合両層間のデラミネーション（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）が発生し易い。また焼成温度が高くなるほど電極層のちぢれ（ｂａｌｌ　ｕｐ）や途絶えが多発になり容量低下はもちろん内部電極間の短絡（ｓｈｏｒｔ）不良が発生する可能性が増すようになる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、低い焼成温度によっても高い比誘電率特性を呈しながらＸ５Ｒ特性（−５５〜８５℃　、△Ｃ＝±１５％以内）を満足し還元性雰囲気中での焼成が可能でＩＲ寿命の長い誘電体磁器組成物を提供することにある。また、本発明は該誘電体組成物を用いた積層セラミックキャパシターとその製造方法を提供することをも目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、ＢａＴｉＯ３と、前記ＢａＴｉＯ３１００モルに対してＭｇＣＯ３０．２〜３．０モル、Ｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３のグループから選ばれた１種以上の化合物０．０５〜１．５モル、Ｃｒ２Ｏ３０．１〜１．５モル、ＢａｘＣａ（１−ｘ）ＳｉＯ３（但し、０≦ｘ≦１）０．２〜３．０モル、Ｍｎ２Ｖ２Ｏ７０．０１〜１．５モルを含んで成る。
【００１３】
そして、本発明の積層セラミックキャパシターは前記誘電体磁器組成物から成る誘電体層と内部電極層とが交互積層されて成る。
本発明の積層セラミックキャパシターの製造方法は、ＭｎＯとＶ２Ｏ５を６５０〜８００℃でか焼してＭｎ２Ｖ２Ｏ７粉末を得る段階と、ＢａＴｉＯ３と、前記ＢａＴｉＯ３１００モルに対してＭｇＣＯ３０．２〜３．０モル、Ｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３のグループから選ばれた１種以上の化合物０．０５〜１．５モル、Ｃｒ２Ｏ３０．１〜１．５モル、ＢａｘＣａ（１−ｘ）ＳｉＯ３（但し、０≦ｘ≦１）０．２〜３．０モルと、前記得たＭｎ２Ｖ２Ｏ７０．０１〜１．５モルを混合して誘電材料を得る段階と、前記誘電材料と内部電極とを交互積層した後焼成する段階と、を含んで成る。
【００１４】
以下、本発明を詳細に説明する。
ＢａＴｉＯ３系誘電体組成物において焼成温度を下げるべくＢａｘＣａ（１−ｘ）ＳｉＯ３（以下、簡単に「ＢＣＧ」という）の添加量を増やす。しかしながら、ＢＣＧ添加量が増えると誘電率が低下する。したがって、本発明者は、高誘電率を確保しつつ低温焼成を実現させるための研究過程において、Ｍｎ２Ｖ２Ｏ７を焼結助剤に用いた結果、ＢＣＧとＭｎ２Ｖ２Ｏ７を共に使用すれば低温焼成が可能なことを確認した。
【００１５】
本発明によるとＢＣＧ添加量を下げられるので３０００以上の高誘電率を確保できるようになるのである。
現在のところ、ＢａＴｉＯ３系誘電体組成物においてＭｎＯとＶ２Ｏ５とを独立的に用いた先行技術は数多くあったが、それらを合成しＭｎ２Ｖ２Ｏ７として取り入れた技術は周知でない。Ｍｎ２Ｖ２Ｏ７は低温焼成を可能にするが、ＭｎＯとＶ２Ｏ５とが独立的に使用されるとそのことは図り難い。即ち、前記米国特許第５，６６８，６９４号、米国特許第５，８６２，０３４号、日本特許公開公報平６−２１５９７９号、日本特許公開公報２０００−３１１８２８号、韓国特許公開公報２０００−００１２０８０号は全てＭｎＯとＶ２Ｏ５とを独立的に用いる技術であり、１３００℃ほどの高温で焼成を行うとしている。
【００１６】
ＢａＴｉＯ３系誘電体組成物においたＭｎ２Ｖ２Ｏ７の焼結助剤としての作用とＢＣＧとの有機的な作用とに着眼し完成した本発明の誘電体磁器組成物について具体的に説明する。
【００１７】
［ＭｇＣＯ３：０．２〜３モル］
ＭｇＣＯ３は誘電体の耐還元性を向上させる作用を働くが、その組成はＢａＴｉＯ３　１００モルに対して０．２〜３．０モルの範囲が好ましい。ＭｇＣＯ３が０．２モル未満の場合損失係数が上昇し容量温度変化率が大きくなり、３．０モルを超過する場合加速寿命が低下し焼結性が悪化する。
【００１８】
［Ｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３のグループから選ばれた１種以上の化合物：０．０５〜１．５モル］
前記Ｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３はＢａ２＋イオンの位置に置換されＩＲ及びＩＲ寿命を向上させる役目を果たしながら容量温度特性を小さくする。このために０．０５モル以上添加するのであるが、１．５モルを超過する場合には焼結性が悪化する傾向があり誘電体磁器組成物が半導体化される。よって、本発明においては、上記グループから選ばれた１種以上成分の組成はＢａＴｉＯ３１００モルに対して０．０５〜１．５モルの範囲が好ましい。
【００１９】
［Ｃｒ２Ｏ３：０．１〜１．５モル］
Ｃｒ２Ｏ３は耐還元性を強化する役目を果たす。その含量が０．１未満の場合半導体化され、１．５を超過するとＩＲが低下する。よって、本発明においては、Ｃｒ２Ｏ３の組成はＢａＴｉＯ３１００モルに対して０．１〜１．５モルの範囲が好ましい。
【００２０】
［ＢａｘＣａ（１−ｘ）ＳｉＯ３（但し、０≦ｘ≦１）：０．２〜３．０モル］
前記ＢａｘＣａ（１−ｘ）ＳｉＯ３は、融点が低く主成分に対する反応性が良好で焼結助剤の役目を果たす。ＢＣＧ含量が０．２モル未満であると焼結性が悪くなり容量温度特性が規格から外れ、ＩＲも低下する。ＢＣＧ含量が３．０モルを超過するとＩＲ寿命が不十分になる他に誘電率が低下する。よって、本発明においては、ＢＣＧ含量はＢａＴｉＯ３１００モルに対して０．２〜３．０モルの範囲が好ましい。より好ましくはＢＣＧ含量を０．２〜１．４モルにすることである。本発明においてはＭｎ２Ｖ２Ｏ７の添加によりＢＣＧ含量を減らすことができる。
また、ＢａｘＣａ（１−ｘ）ＳｉＯ３においてｘは０〜１であり、好ましくは０．３〜０．６とすることである。
【００２１】
［Ｍｎ２Ｖ２Ｏ７：０．０１〜１．５］
Ｍｎ２Ｖ２Ｏ７は融点が約８２０℃と低く、第２焼結助剤として作用し磁器組成物の焼結性を向上させる役目を果たす。即ち、Ｍｎ２Ｖ２Ｏ７により低温焼成（１２００〜１２５０℃）が可能な為内部電極層とセラミック誘電体間の収縮率差が減少し、これによりデラミネーション、電極ちぢれ、電極途絶えなど高温焼成の欠点を解決することができる。また低温焼成することにより過焼成が防止され誘電体結晶粒大を縮減でき信頼性の向上を図れる。Ｍｎ２Ｖ２Ｏ７の添加によりＢＣＧ含量を減らせ容量の向上が可能となる。また、Ｍｎ２Ｖ２Ｏ７はキュリー温度以上での容量温度特性を平坦化する効果とＩＲ寿命を向上させる効果を奏す。Ｍｎ２Ｖ２Ｏ７は融点が低くＭｎＯとＶ２Ｏ５として夫々存在する場合より一層均一な分布が可能で少量でも特性改善効果が高い。即ち、ＭｎＯとＶ２Ｏ５が夫々存在する場合には融点が高く固相で存在するが、相合成により融点を下げると、低温焼成において液相で存在し均一に分布される。
【００２２】
Ｍｎ２Ｖ２Ｏ７の含量が０．０１モル未満であると焼結助剤としての効果が不十分で、１．５モルを超過するとＩＲが低下し容量温度特性に悪影響を及ぼす。よって、本発明においては、ＢＣＧ含量はＢａＴｉＯ３１００モルに対して０．０１〜１．５モルの範囲が好ましい。より好ましくはＢａＴｉＯ３　１００モルに対して０．０１〜１モルで添加することである。
本発明によれば、前記ＢａｘＣａ（１−ｘ）ＳｉＯ３と前記Ｍｎ２Ｖ２Ｏ７の総和が１〜１．６モルの場合に、低温焼成でも比誘電率などの特性が最も良い。
【００２３】
次いで、本発明の積層セラミックキャパシターについて説明する。
本発明の積層セラミックキャパシターは本発明の誘電体磁器組成物から成る誘電体層と内部電極層とが交互積層されて成る。内部電極は誘電体磁器組成物が耐還元性を有するので卑金属を用いることができる。内部電極の卑金属としては通常のものを用いることができるが、本発明においては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。
【００２４】
本発明の積層セラミックキャパシターは上述した本発明の誘電体磁器組成物を用いることにより高比誘電率特性を呈しながらＸ５Ｒ特性（−５５〜８５℃、△Ｃ＝±１５％以内）を満足する。また、直流電界下で容量の経時変化が少なく、絶縁抵抗の寿命が長い。
【００２５】
本発明の積層セラミックキャパシターの製造方法に対して説明する。
積層セラミックキャパシターは通常の印刷法やシート法により製造することができる。
先ず、ＭｎＯとＶ２Ｏ５を６５０〜８００℃でか焼しＭｎ２Ｖ２Ｏ７粉末を製造する。より好ましいか焼温度は６５０〜６８０℃である。か焼温度が６５０℃未満であると化学反応が起こらない為相合成できず、８００℃を超過するとパウダ粒子が大きく且つ硬くなり粉砕し難くなる。したがって、相合成可能な範囲内においてできる限り低温で熱処理してこそ以降の粉砕が容易なので、か焼温度は６５０〜８００℃、より好ましくは６５０〜６８０℃が良い。
【００２６】
Ｍｎ２Ｖ２Ｏ７粉末を得たら原料粉末を混合してスラリーを製造する。
即ち、ＢａＴｉＯ３１００モルに対してＭｇＣＯ３０．２〜３．０モル、Ｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３のグループから選ばれた１種以上の化合物０．０５〜１．５モル、Ｃｒ２Ｏ３０．１〜１．５モル、ＢａｘＣａ（１−ｘ）ＳｉＯ３（但し、０≦ｘ≦１）０．２〜３．０モル、及び前記得たＭｎ２Ｖ２Ｏ７０．０１〜１．５モルを混合して粉砕、脱水、乾燥させる（本発明においてＢＣＧ、Ｍｎ２Ｖ２Ｏ７の添加量は前記言及した最適条件とするとより好ましい）。
【００２７】
乾燥した粉末にバインダと溶媒を添加してスラリーを製造する。
印刷法を用いる場合には、スラリーと内部電極ペーストを基板上に積層印刷し所定形状に切断した後基板から剥離させる。シート法を用いる場合には、スラリーでグリーンシートを形成し該シート上に内部電極ペーストを印刷してからそれらを積層する。
【００２８】
次に、積層体を脱バインダ処理してから還元ガス雰囲気で焼成する。この際焼成は１３００℃以下、好ましくは１２００〜１２５０℃の低温で行える。本発明の誘電体組成物は低温焼成が可能なので１２００〜１２５０℃で焼成しても比誘電率が高くＸ５Ｒ特性を満足するキャパシターを得ることができる。
前記得た焼成体の側面に外部電極ペーストを塗布して熱処理し積層セラミックキャパシターを製造する。外部電極は特に限定されず、Ｎｉ、Ｃｕやこれらの合金を用いることができる。
【００２９】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づきより具体的に説明する。ただし、本発明の内容はここに記載する実施例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の内容をよりよく理解していただくための具体例である。
【００３０】
実施例１
図１の製造工程により積層セラミックキャパシターを製造した。
先ず、出発原料としてＢａＣＯ３とＴｉＯ２を１：１のモル比で組み合せ、９００〜１２００℃で化学反応を起こさせＢａＴｉＯ３を得た後、これを粉砕し粒径０．８〜１．２μｍのＢａＴｉＯ３を用意した。
【００３１】
前記ＢａＴｉＯ３、ＭｇＣＯ３、Ｙ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３粉末と焼結助剤としてＢＣＧ粉末とＭｎ２Ｖ２Ｏ７粉末を秤量し組合せた。焼結助剤のＢＣＧはＢａＣＯ３、ＣａＣＯ３、ＳｉＯ２粉末を１０００℃以上２時間か焼して得た。Ｍｎ２Ｖ２Ｏ７はＭｎＯとＶ２Ｏ７を６５０〜６８０℃で２時間か焼して得た。こうしてか焼した焼結助剤はその粒径が１．０μｍ以下になるよう粉砕して使用した。
【００３２】
前記秤量した粉末を湿式混合及び粉砕後脱水乾燥させた。
有機溶媒にバインダを溶解させて得た有機バインダを前記乾燥させた粉末に混合しスラリーを製造した。バインダは通常のものであれば構わないが、本発明の実施例においてはポリビニルブチル系バインダを使った。
前記スラリーを用いてドクターブレード法により８μｍ厚でフィルム上に塗布し誘電体磁器組成物シートを成形した。
成形された誘電体磁器組成物シートに内部電極材料のＮｉペーストを印刷した。
【００３３】
内部電極の印刷された誘電体磁器組成物を１５層積層し、該積層体の上下両面に保護用ダミーシートを積層して圧着し積層体を形成した。
圧着された積層体を内部電極パターンに沿って３．２×１．６ｍｍ大に切断した。切断された積層体を２００〜３５０℃で１０時間以上脱バインダ処理した。脱バインダ処理された積層体を雰囲気制御を行いながら１２００〜１２５０℃で２時間焼成し、７００〜１０００℃で再酸化させた。
【００３４】
それから焼成体を研磨し、内部電極の端部が露出された焼成体の側面にＣｕとガラスフリット（ｇｌａｓｓ　ｆｒｉｔ）とビークル（ｖｅｈｉｃｌｅ）から成る導電性ペーストを塗布し乾燥させた後７００〜８００℃で熱処理し積層セラミックキャパシターを製造した。最後に、外部電極に電気メッキ法によりＮｉ、Ｓｎ−Ｐｂメッキ層を形成した。
前記製造された試料キャパシターに対して、比誘電率（εｒ）、誘電損失（ｔａｎδ）、比抵抗（Ω・ｍ）、静電容量温度特性（ＴＣＣ（％））等の電気的特性を測定し、その結果を表２に示した。
【００３５】
ここで比誘電率（εｒ）、誘電損失（ｔａｎδ）は常温（２５℃）で周波数１ＫＨｚにおいて測定し、比抵抗（Ω・ｍ）は常温２５０Ｖで６０秒間電流印加後のＩＲ測定値を測定して換算した。静電容量温度特性（ＴＣＣ（％））は各温度での静電容量と２５℃での静電容量との変化率［ＴＣＣ（％）＝｛（△ＣＴ−△Ｃ２５℃）／△Ｃ２５℃｝×１００］で示した。
【００３６】
【表１】
2004035388.tif 000003
【００３７】
【表２】
2004035388.tif 000004
【００３８】
表１、２に示すように、ＢＣＧの量が比較的少量にも拘らず第２焼結助剤としてＭｎ２Ｖ２Ｏ７を添加することにより低温焼成でセラミック磁器組成物の優れた焼結特性を得られるこが判る。
本発明の誘電体組成物は比誘電率が約４０００レベルでＸ５Ｒ特性を満足し、低温焼成が可能であった。したがって、内部電極層とセラミック誘電体層とのデラミネーションが起こらず、また電極層がちぢれたり途絶える現象が減り、過焼成が防止され誘電体結晶粒の大きさを縮減でき信頼性が向上された。
【００３９】
【発明の効果】
上述のように、本発明の誘電体磁器組成物は比誘電率が高く容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性（−５５〜８５℃、Ｃ＝±１５％以内）を満足する。また、還元性雰囲気中での低温焼成が可能で、絶縁抵抗の長寿命化を実現することができる。該誘電体磁器組成物を用いれば、信頼性が高く、Ｘ５Ｒ特性を満足する積層セラミックキャパシターを得ることができる。かかる積層セラミックキャパシターは直流電界下での容量の経時変化が小さく、絶縁抵抗の寿命が長い。
【図面の簡単な説明】
【図１】積層セラミックキャパシターの製造工程の一例図である。
【図１】
2004035388.tif 000005