(57)【要約】【課題】中央に配置されるリード端子とタイバとの連結部根本に曲がりを生じさせないリードフレームを提供すること。【解決手段】中間のタイバ・カット時に、所定のタイバ帯幅の中間部タイバ８が残存し、中央に配置されるリード端子１３ｂと中間部タイバ８とが相対的に短い長さで連結されるようにする。そのため、リード端子１３ｂと中間部タイバ８の連結部根本に外力が加わったとしても曲げモーメントによる力を緩和し、かつ、中間部タイバ８が剛体として作用するため、連結部根本の曲がりはなくなる。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを搭載・固着する互いに等ピッチで隣接する放熱板と、該放熱板から幅方向で、かつ、直角に延在する３本のリード端子とを有し、該リード端子のうち、中央に配置されるリード端子のみが、下部タイバと前記放熱板との間に配置される中間部タイバに連結され、かつ、該中間部タイバは、前記放熱板の下端から該リード端子の左右に配置されるリード端子の先端部までの長さよりも少なくとも長いタイバ帯幅を有する形状を残存させて、中間のタイバ分離カット工程で分離カットされることを特徴とする半導体素子用リードフレーム。
【請求項２】
半導体素子用リードフレームであって、その中央に配置されたリード端子から延在する放熱板上に半導体チップが搭載・固着され、前記リード端子の左右に配置されたリード端子に前記半導体チップの電極面から所定の配線を施す工程と、
前記放熱板の一部が外部に露出し、かつ、前記放熱板上の半導体チップ及び前記３本のリード端子の一部が外部に露出するように樹脂封止する工程と、
該樹脂封止工程を経た前記半導体素子用リードフレームを、中央に配置されるリード端子のみが所定のタイバ帯幅を有する中間部タイバを介して下部タイバに連結された形状で分離カットされる第１のタイバ・カット工程と、
該タイバ・カット工程を経た前記半導体素子用リードフレームの前記リード端子に所定のフォーミングを施すフォーミング工程と、
該フォーミング工程を経た前記半導体素子用リードフレームを半田バスに送り半田ディプを実施する半田ディプ工程と、
該半田ディプ工程を経た前記半導体素子用リードフレームから各半導体素子片を分離カットして個々の半導体素子とする第２のタイバ・カット工程と、
を含むことを特徴とする半導体素子用リードフレームを使用した半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記第１のタイバ・カット工程において、前記中間部タイバのみ残存させ、下部タイバの連結部を含めて該下部タイバを分離カットすることを特徴とする請求項２に記載の前記半導体素子用リードフレームを使用した半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子用リードフレーム及びそのリードフレームを使用した半導体素子の製造方法に関し、特にリードの形状が異なる半導体素子を共通のリードフレームを使用して製作する場合に好適なリードフレーム及びそれを使用した半導体素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
２つのダイオードをカソード・コンモン・ベース（ｃａｔｈｏｄｅ　ｃｏｍｍｏｎ　ｂａｓｅ）として樹脂封止したタイプの半導体素子がある。
例えば、図４及び図５にＴＯ―２２０型（ＴＯ−２６２，ＴＯ−２６３ＡＢ）と呼ばれるこの種のタイプの半導体素子を示す。この２つの半導体素子１の異なる点は、樹脂封止部２から外部に突出した３本のリード端子、３ａ，３ｂ，３ｃ，１３ａ，１３ｂ，１３ｃの形状のみである。
【０００３】
すなわち、図４に示した形状の半導体素子１（ＴＯ−２６２）は、一般にプリント基板上への搭載用として使用され、図５に示した形状の半導体素子１（ＴＯ−２６３ＡＢ）は、平面搭載に便利なようにリード端子１３ｂを除いて、リード端子１３ａ，１３ｃに所定のフォーミングを施したタイプのものである。
したがって、リード端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃを分離カット及びフォーミングする以前の工程は全て共通化することが可能であり、また、現実にコスト削減等の見地からそのようにしている。
【０００４】
さて、上記のような半導体素子１を形成するためのリードフレーム上に、周知のダイ・ボンダ（Ｄｉｅ−Ｂｏｎｄｅｒ）で半導体チップを載置し、同じく周知のワイヤ・ボンダ（Ｗｉｒｅ−Ｂｏｎｄｅｒ）を用いるか、あるいは内部リードを用いて、該半導体チップの電極面の裏面側は、リードフレームの放熱板上に、また、該半導体チップの電極面の表面側は、リードフレームのリード端子上に、十分な電気伝導性と長期使用にも耐える接続強度を以って接続される。
【０００５】
続いて、ダイ・ボンド及びワイヤ・ボンド工程を経たチップ搭載済みのリードフレームがトラスファ・モールド樹脂金型内に送られ、周知の方法により、半導体チップ及びリード端子の一部がモールド樹脂内に封止される。
図６は、モールド樹脂成形済みのリードフレームである。
図中、４は１０〜２０連とした半導体用リードフレーム全体を示し、５は樹脂封止部２の一端から露出した放熱板である。また、樹脂封止部２の他端からはリード端子、３ａ，３ｂ，３ｃの部分が露出し、中間部タイバ６に接続されている。さらに、下方に連続して設けた下部タイバ６ａの中間部タイバ６の長手方向端部には同一ピッチの位置決め用透孔７が形成されている。
【０００６】
上記のようなリードフレーム４を処理する次の工程は、タイバ・カット工程である。
なお、リードフレーム４の中間部タイバ６が果たす役割は、周知のようにワイヤ・ボンド工程→ダイ・ボンド工程→樹脂封止工程の各工程において、各々の放熱板５に半導体チップを図６中の位置決め用透孔７を利用して精度良く搭載し、ワイヤ・ボンドあるいはリード付けし、また、モールド樹脂金型内での放熱板５とリード端子３ａ，３ｂ，３ｃの位置を正確に保持することである。さらに、単品製品となる各々の半導体素子片の相互の位置を確実に維持することでもある。
【０００７】
すなわち、中間部タイバ６が存在する間の工程は、各々の半導体素子片の放熱板５及びリード端子、３ａ，３ｂ，３ｃがしっかりと該中間部タイバ６によって相互に連結されているので、上記の樹脂封止工程に到る間には、各々の半導体素子片の放熱板５及びリード端子、３ａ，３ｂ，３ｃの各部分に曲がりや相互の相対位置関係に狂いが生じることがない。
特に、放熱板５の上端に上部タイバが形成されないタイプのリードフレームでは、中間部タイバ６の果たす役割は大きい。
【０００８】
しかしながら、タイバ・カット工程を経た後は、様相が一変することとなる。
以下に、この間の事情を、図を参照して説明する。
図７（ａ）中の左側に示したタイバ・カット前の半導体素子１Ａは、図４に対応したプリント基板搭載型（ＴＯ−２６２）のもので、長いリード端子３ａ，３ｂ，３ｃを有する。また、図７（ａ）中の右側に示した半導体素子１Ｂは、図５に対応した平面搭載型（ＴＯ−２６３ＡＢ）のもので、短いリード端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃを有する。
そして、個々の半導体素子１Ａ，１Ｂに分離するタイバ・カット方法は、中間部タイバ６のハッチングを施した部分を切断・除去することである。
【０００９】
したがって、タイバ・カット後の半導体素子１Ｂの外形品は、図８に示すような形状となって以後の工程に進められることになる。
すなわち、タイバ・カットされた半導体用リードフレーム４は、図８のように下部タイバ６ａのみを残した形状となり、この下部タイバ６ａと、分離カットする前の中央のリード端子１３ｂとが、相対的に細くて長い板材で接続された不安定な形状となっている。
【００１０】
図中のリード端子のうち、左側のリード端子１３ａと右側のリード端子１３ｃは、フォーミング金型中で、図５中に示すように、クランク状にフォーミングされる必要がある。しかしながら、中央のリード端子１３ｂは何等フォーミングされることなく、この相対的に細くて長いリード端子１３ｂのみで各半導体素子片を下部タイバ６ａに連結・支持させた状態で次の半田ディプ工程にと送ることになる。そして、この中央のリード端子１３ｂの根本の部分Ｒが極めて曲がり易いため、搬送中変形すると、左右のリード端子１３ａ，１３ｂがフォーミング金型中の正規の位置に入らないという問題が生じてくる。
【００１１】
続いて、半田ディプ工程に移る。半田ディプ中には上記のリード端子１３ｂが変形した結果、隣接する半導体素子片同士が接近すると、放熱板５の上部にも半田がディプされるので、図８の符号Ｓで示すように隣の放熱板５同士が半田で繋がってしまう不都合が発生する。このようになってしまうと、最早、次の中央のリード端子１３ｂをカットラインＬから切断する分離カット工程には送れなくなってしまう。
【００１２】
さらに続いて、各々の半導体素子片を分離カットする工程がある。
上記の工程では図示の分離カットラインＬが、金型内に精度良く位置決めされている必要がある。それにも拘らず、リード端子１３ｂの下部タイバ６ａとの連結部分である根本の部分Ｒが僅かでも曲がっていたり、あるいはリード端子１３ｂの途中の部分が曲がっていたりすると、結果的に分離カットラインＬが金型内の正規の位置に固定されなくなるので、左右のリード端子１３ａ，１３ｃをもカットしてしまう場合がある。あるいは金型バイトが触れてしまったり、中央のリード端子１３ｂが正規の寸法に収まらなかったり、また、最悪の場合には上部放熱板５の繋がり現象を呈し、分離カット工程そのものが不可能となる。
【００１３】
図５に示した半導体素子１Ｂのタイプ（ＴＯ−２６３ＡＢ）では、上記のような不都合がある一方で、図４に示した半導体素子１Ａのタイプ（ＴＯ−２６２）では、そのような不都合が殆ど発生することがない。
その理由は、図７（ａ）に示したように各半導体素子片がリード端子３ａ，３ｂ，３ｃの３本の板材をもって、下部タイバ６ａに、タイバ・カット後も連結されているためである。
すなわち、３本のリード端子３ａ，３ｂ，３ｃが下部タイバ６ａに連結されている場合には、外部から予期せぬ応力が加わったとしてもそれらのリード端子が応力を分散して支え合う枠組み構造として作用するからである。
【００１４】
以上述べたように、従来の共通型のリードフレームを用いて半導体素子１Ａタイプ及び半導体素子１Ｂタイプの両タイプ（ＴＯ−２６２，ＴＯ−２６３ＡＢ）の製品を製造しようとすると、タイバ・カット以後、特に、半導体素子１Ｂタイプ（ＴＯ−２６３ＡＢ）製品の製造工程に種々の問題が生じることが明らかとなった。
その原因を考察すると、前述したように中央のリード端子１３ｂの１本のみが下部タイバ６ａと連結されているために、その下部タイバ６ａの根本部分Ｒ付近で極めて曲がり易いことにある。それに加えて中央のリード端子１３ｂの下部タイバ６ａまでの長さが相対的に長すぎることにも原因がある。
【００１５】
他方、上記のことから半導体素子１Ａタイプと半導体素子１Ｂタイプとを別個のリードフレームを使用して、スタート時から別ラインで組み立てるということも考えられるが、その場合には投資効果の点で負担が大き過ぎる。また、中央のリード端子１３ｂのみを太く、かつ、厚くして曲がり難いようにすることも解決策の１つではあるが、これもダイ・ボンド及びワイヤ・ボンド工程、あるいは樹脂モールド金型の寸法変化を伴うことや、製品の外形表示の変更、材料費の高騰などを招来させることから得策とは言えない。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
従来の共用リードフレームを使用して半導体素子１Ａタイプと半導体素子１Ｂタイプを製作には、以下のような解決すべき課題があった。
（１）半導体素子１Ａタイプと半導体素子１Ｂタイプを共用リードフレームを使用して製作する場合、半導体素子１Ａタイプを製作する際には問題が生じないが、半導体素子１Ｂタイプを製作する際には、中央のリード端子１３ｂの１本で下部タイバ６ａに連結されることとなるために、連結部である根本部分Ｒが曲がり易い。
（２）上記根本部分の曲がりにより分離カット金型への正規の位置への正確な固定に支障を来たし、そのための切断寸法不良、ディプ工程での隣接放熱板５同士の半田連結、最終分離カット工程の実施不能化等の不都合を招来させるおそれがある。
【００１７】
本発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、新たの投資を伴うことなく、また、製品外形形状、寸法の変更、材料費の高騰を生じさせることなく、樹脂封止部から突出した中央のリード端子に曲がりを生じさせることなく半導体素子１Ａ，１Ｂの両タイプに共通に使用できる半導体素子用リードフレーム及びそのリードフレームを使用した半導体素子の製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
第１の発明の半導体素子用リードフレームは、半導体チップを搭載・固着する互いに等ピッチで隣接する放熱板と、該放熱板から幅方向で、かつ、直角に延在する３本のリード端子とを有し、該リード端子のうち、中央に配置されるリード端子のみが、下部タイバと前記放熱板との間に配置される中間部タイバに連結され、かつ、該中間部タイバは、前記放熱板の下端から該リード端子の左右に配置されるリード端子の先端部までの長さよりも少なくとも長いタイバ帯幅を有する形状を残存させて、中間のタイバ分離カット工程で分離カットされることを特徴とするものである。
【００１９】
第２の発明の半導体素子用リードフレームを使用した半導体素子の製造方法は、半導体素子用リードフレームであって、その中央に配置されたリード端子から延在する放熱板上に半導体チップが搭載・固着され、前記リード端子の左右に配置されたリード端子に前記半導体チップの電極面から所定の配線を施す工程と、前記放熱板の一部が外部に露出し、かつ、前記放熱板上の半導体チップ及び前記３本のリード端子の一部が外部に露出するように樹脂封止する工程と、
該樹脂封止工程を経た前記半導体素子用リードフレームを、中央に配置されるリード端子のみが所定のタイバ帯幅を有する中間部タイバを介して下部タイバに連結された形状で分離カットされる第１のタイバ・カット工程と、
該タイバ・カット工程を経た前記半導体素子用リードフレームの前記リード端子に所定のフォーミングを施すフォーミング工程と、
該フォーミング工程を経た前記半導体素子用リードフレームを半田バスに送り半田ディプを実施する半田ディプ工程と、
該半田ディプ工程を経た前記半導体素子用リードフレームから各半導体素子片を分離カットして個々の半導体素子とする第２のタイバ・カット工程と、
を含むことを特徴とするものである。
【００２０】
第３の発明の半導体素子用リードフレームを使用した半導体素子の製造方法は、前記第１のタイバ・カット工程において、前記中間部タイバのみ残存させ、下部タイバの連結部を含めて該下部タイバを分離カットすることを特徴とするものである。
【００２１】
【作用】
第１の発明の半導体素子用リードフレームでは、該リードフレームおける下部タイバと３本のリード端子のうち、その中央に配置されるリード端子と所定のタイバ帯幅を有する中間部タイバを介して連結された形状を以って中間分離カットされるようにするものである。
このため、分離カットされた後のリードフレームは、相対的に距離の短い板材で中央に配置されたリード端子と中間部タイバとが連結されることになる。これにより連結部に外部応力が加わっても中央のリード端子は曲がり難くなり、分離カット金型への正規の位置への正確な固定ができ、設計通りの寸法切断、半田ディプ工程での隣接放熱板同士の半田連結、最終分離カット工程の実施不能化等を招来させるおそれがなくなる。
【００２２】
第２の発明では、樹脂封止工程を経た半導体素子用リードフレームを、中央に配置されるリード端子のみが所定のタイバ帯幅を有する中間部タイバを介して下部タイバに連結された形状で分離カットされる中間タイバ・カット工程を備えている。
このため、その中間タイバ・カット工程を経て分離カットされた後のリードフレームは、相対的に距離の短い板材で中央に配置されたリード端子と中間部タイバとが連結されることになる。これにより連結部に外部応力が加わっても中央のリード端子は曲がり難くなり、分離カット金型への正規の位置への正確な固定ができ、設計通りの寸法切断、半田ディプ工程での隣接放熱板同士の半田連結、最終分離カット工程の実施不能化等の不都合を招来させるおそれがなくなる。
【００２３】
第３の発明では、中間タイバ・カット工程において、中間部タイバのみ残存させ、下部タイバを、その連結部を含めて分離カットする。
このため、下部タイバは残存しないが、上記リード端子の曲がりに対する対策には何等影響を与えることなく、分離カット金型への正規の位置への正確な固定ができ、設計通りの寸法切断、半田ディプ工程での隣接放熱板同士の半田連結、最終分離カット工程の実施不能化等の不都合を招来させるおそれがなくなる効果が得られると共に、半田ディプ工程において、余分な半田が余分な部分に付着しないので、半田消費量を減少させ、製品コストの引き下げに寄与する。
【００２４】
【実施例】
以下に、本発明の実施例を、図を参照して説明する。
図１は、本発明の半導体素子用リードフレームのタイバ・カット前の状態を示す平面図である。
従来の半導体素子用リードフレーム４に比べ、フレームの高さ、幅、板厚、送りピッチ等は全て変更がない。変更があるのは中間部タイバの高さ（以下、タイバ帯幅という。）のみである。
【００２５】
すなわち、本発明の半導体素子用リードフレーム１４では、図１中のｈ１−ｈ’１ラインからｈ２−ｈ’２ラインの間に挟まれた部分の面積が広くなったタイバ帯幅（ｈ０からｈ２までの高さ）の中間部タイバ８を有することを特徴としている。
このことは、本発明で使用するリードフレーム１４のように、放熱板５の上端に上部タイバを形成しないタイプのものでは、中間のタイバ・カット後のリード端子の動きを規制する上で極めて重要な意義を有している。
なお、図中、樹脂封止部２の下端からｈ０−ｈ’０ラインの寸法は、従来のものと同一、若しくは略同等である。その理由は、かかる寸法がトランスファモールド金型、あるいはプレスカットの刃の逃げ量等を考慮して最適値を以って設計されているためである。
【００２６】
本発明の半導体素子用リードフレーム１４は、従来のリードフレーム４の中間部タイバ６のタイバ帯幅が、ｈ０−ｈ１であったの対して、本発明のものはｈ０−ｈ２までがタイバ帯幅である。したがって、ｈ１−ｈ２に相当する部分だけ従来よりも広い面積のタイバ帯幅を有する中間部タイバ８となっている。
なお、下部タイバ６ａのタイバ帯幅は従来と同じである。また、該下部タイバ６ａに同一ピッチでリードフレーム１４の長手方向に形成された位置決め用透孔７を有することも従来と同じである。
【００２７】
次に、図２のハッチングを施した部分をタイバ・カットした後のリードフレーム１４を図３に示す。
なお、ｈ０−ｈ’０ラインとｈ１−ｈ’１ラインの間のハッチング部分は、必ずタイバ・カットされる必要がある一方で、ｈ２−ｈ’２ラインよりも下の連結部６ｂを含めた下部タイバ６ａの部分は、カット除去しても良いし、あるいは除去しなくても良い。
【００２８】
したがって、図２のハッチングを施した部分以外の白地の部分が、タイバ・カット後に残り、以後のフォーミング工程→半田ディプ工程→半導体素子片分離カット工程にと進められるリードフレーム形状（図３参照）である。
なお、検査工程以後は、各素子が個々に分離された状態で、検査用ハンドラ工程→ＰＫＧ（外囲器）工程までが進められるので、リードフレーム単位での作業は半導体素子に分ける分離カット工程までである。
【００２９】
つまり、各素子への分離カット以前の工程では、半導体素子片相互間の位置関係や、リード端子の曲がりが深刻な問題となるが、それ以後の工程においては、外囲器に収められた半導体素子の外形寸法を以って位置決めするために、各素子が個々に指定の寸法内に入っているだけで良い。
【００３０】
さて、図３のようにタイバ・カットされたリードフレーム単位の製品群が従来技術に比較して優れている点について考察すると、概略次のようになる。
▲１▼先ず、中央のリード端子１３ｂが１本のみで中間部タイバ８と連結されている点は従来と変わらないものの、樹脂封止部２の下側端部からリード端子１３ｂと下部タイバ６ａの連結部６ｂ（ｈ３−ｈ’３ライン）までの高さが、従来に比べてｈ１−ｈ３高さ分だけ短くなる。
【００３１】
つまり、本発明では樹脂封止部２の下側端部からｈ１までが中央のリード端子１３ｂの高さ（長さ）となる。そのことのために、例えば樹脂封止部２に予期せぬ外部応力が加わっても、リード端子１３ｂと中間部タイバ８の連結部に加わる回転モーメントは従来に比べ小さくなり、リード端子１３ｂが曲がり難くなる効果が発揮される。
【００３２】
▲２▼フォーミング工程においても、リード端子１３ｂの曲がりが発生していなことは勿論メリットがある。
すなわち、ｈ１−ｈ’１ラインと左側のリード端子１３ａ及び右側のリード端子１３ｃの先端部までの距離がフォーミング金型内で正確に位置決めされているので、正規のフォーミング加工が可能である。
【００３３】
▲３▼これも上記▲１▼の曲がりに関係するが、搬送中の変形に対する懸念が大幅に解消されることで収率は勿論、マシン・サイクル等に対しても大きな利点となっている。
【００３４】
▲４▼半田ディプ工程を実施する前に、ｈ２−ｈ’２ラインより下部を予め除去してしまえば、より多くの不要な半田を消費してしまうというデメリットが解消され、また、熱容量が下がる分、半田バスの温度制御、電力消費の点でもメリットが生じる。
【００３５】
▲５▼半田ディプ工程を終えたリードフレーム単位の製品群は、次の工程である半導体素子片の分離カット工程へと進められるが、ここでもリード端子１３ｂの曲がりが殆ど皆無であるので、従来のような不都合が生じることがない。
【００３６】
なお、前記ｈ２−ｈ’２ラインより下部を切り離した場合には、分離カット工程の位置決めは、樹脂封止部２、若しくは放熱板５の上部コーナ部等を用いたり、又は従来から広く知られた方法を用いることによって何等問題なく分離カット工程を実施できることは言うまでもない。
【００３７】
また、上記の実施例では、図５に示した半導体素子１Ｂタイプを製作する場合のリードフレームについて説明したが、勿論、図４に示した半導体素子１Ａタイプを製作する場合にも本発明の上記リードフレームを使用できる。
【００３８】
次に、上記リードフレームを使用した半導体素子の製造方法について説明する。
すなわち、本発明の製造方法は、先ず、上述した半導体素子用リードフレーム１４を使用し、その中央に配置されたリード端子１３ｂから延在する放熱板５上に半導体チップ（図示せず）を周知のダイ・ボンダ等の機械を使用して搭載・固着する。
【００３９】
次に、前記リード端子１３ｂの左右に配置されたリード端子１３ａ，１３ｃに前記半導体チップの電極面からワイヤ・ボンダ等の機械を使用して所定の配線を施す。
次いで、上記リードフレーム１４がトラファ・モールド樹脂金型内に送られる。そして、この金型で、前記放熱板５の一部が外部に露出し、かつ、前記放熱板５上の半導体チップ及び前記３本のリード端子１３ａ，１３ｂ，１３ｃの一部が外部に露出するように樹脂封止される。
【００４０】
次に、樹脂封止工程を経た前記半導体素子用リードフレーム１４を、中央に配置されるリード端子１３ｂのみが所定のタイバ帯幅を有する中間部タイバ８を介して下部タイバ６ａに連結された形状で分離カットされる中間タイバ・カット工程に送られる。
【００４１】
次に、該中間タイバ・カット工程を経た前記半導体素子用リードフレーム１４の前記リード端子１３ａ，１３ｃに所定のフォーミングを施すフォーミング工程を経た後、前記半導体素子用リードフレーム１４を半田バスに送り半田ディプを実施する。
次いで、該半田ディプ工程を経た前記半導体素子用リードフレーム１４から各半導体素子片を分離カットして個々の半導体素子１Ｂとする最終タイバ・カット工程へと送る。
【００４２】
その後は、検査用ハンドラ工程、製品梱包工程を経て出荷されるが、本発明の要旨外となるので、その説明は省略する。
以上のように、上記の製造方法では、中間タイバ・カット工程で、所定のタイバ帯幅を有する中間部タイバ８が残存するようにリードフレーム１４を分離カットするので、中央に配置されたリード端子１３ｂの根本部に、例え曲げ応力が加わっても容易に曲がることがなくなる。このため、その後の工程で設計通りの寸法切断、半田ディプ工程での隣接放熱板同士の半田連結、最終分離カット工程の実施不能化等の不都合を招来させるおそれがなくなる。
【００４３】
また、中間タイバ・カット工程において、中間部タイバ８のみ残存させ、下部タイバ６ａとの連結部６ｂを含めて分離カットすることもできる。かかる場合には下部タイバ６ａは残存しないが、上記リード端子１３ｂの曲がりに対する対策には何等影響を与えることなく、上記と同様の効果が得られると共に、半田ディプ工程において、余分な半田が余分な部分に付着しないので、半田消費量を減少させ、製品コストの引き下げに寄与するという副次的効果も得られる。
【００４４】
なお、上記製造方法の説明においても、本発明のリードフレーム１４を使用して図５に示した半導体素子１Ｂを製作する場合を前提に説明を進めたが、勿論、上記リードフレーム１４を使用して図４に示した半導体素子１Ａを製造する方法にも容易に適用することができる。
【００４５】
【発明の効果】
本発明は以上のように構成したので、新たの投資を伴うことなく、また、製品外形形状、寸法の変更、材料費の高騰を生じさせることなく、樹脂封止部から突出した中央のリード端子の曲がりを効果的防止することができる等の効果がある。そのため、分離カット金型への正規の位置への正確な固定ができ、設計通りの寸法切断、半田ディプ工程での隣接放熱板同士の半田連結、最終分離カット工程の実施不能化等の不都合を招来させるおそれが解消される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体素子用リードフレームのタイバ・カット前の状態を示す平面図である。
【図２】上記リードフレームの中間タイバ・カット部分を示す平面図である。
【図３】図２のハッチングを施した部分をタイバ・カットした後の状態を示す平面図である。
【図４】プリント基板搭載型の半導体素子（ＴＯ−２６２）を示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその側面図、（ｃ）はその等価回路図である。
【図５】平面搭載型（の半導体素子（ＴＯ−２６３ＡＢ）を示し、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその側面図、（ｃ）はその等価回路図である。
【図６】従来のタイバ・カット前の半導体素子用リードフレームを示す平面図である。
【図７】上記従来のリードフレームにおけるタイバ・カット法をハッチングで示した平面図である。
【図８】平面搭載型の半導体素子（ＴＯ−２６３ＡＢ）を製作する場合のタイバ・カット後の状態を示す従来のリードフレームの平面図である。
【符号の説明】
１，１Ａ，１Ｂ　　半導体素子
２　　樹脂封止部
３ａ，３ｂ，３ｃ，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ　　リード端子
４，１４　　半導体素子用リードフレーム
５　　放熱板
６，８　　中間部タイバ
６ａ　下部タイバ
６ｂ　連結部
７　　位置決め用透孔
【図１】
2004022861.tif 000003
【図２】
2004022861.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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