(57)【要約】【課題】本発明の目的は、平型半導体素子内部での電力損失による熱ひずみを低減することの出来る平型半導体素子用スタックを提供することである。【解決手段】２つの平型半導体素子と、前記２つの平型半導体素子各々に設けられ、前記平型半導体素子を冷却する２つの冷却器と、前記２つの平型半導体素子の反前記冷却器側に配置された２つの金属ブロックと、前記２つの冷却器の反半導体素子側と係合する絶縁座と、前記２つの平型半導体素子及び前記２つの冷却器及び前記２つの金属ブロック及び前記絶縁物からなる積層体の加圧のために少なくとも１つの絶縁座と係合する弾性体と、前記弾性体と係合する加圧支持板と、前記弾性体と前記加圧支持板から成る加圧力支持体に設けられた加圧手段とを備えたこと特徴とする平型半導体素子用スタック。【選択図】  図２
2004296764.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの平型半導体素子と、
前記２つの平型半導体素子各々に設けられ、導体を介して前記平型半導体素子と接続され前記平型半導体素子を冷却する２つの冷却器と、
前記２つの平型半導体素子の反前記冷却器側かつ前記２つの平型半導体素子の間に配置された絶縁物と、
前記２つの平型半導体素子と前記絶縁物の間に配置された２つの金属ブロックと、
前記２つの冷却器の反半導体素子側の側面と係合する絶縁座と、
前記２つの平型半導体素子及び前記２つの冷却器及び前記２つの金属ブロック及び前記絶縁物からなる積層体の加圧のために少なくとも１つの絶縁座と係合する弾性体と、
前記弾性体と係合する加圧支持板と、
前記弾性体と前記加圧支持板から成る加圧力支持体に設けられた加圧手段とを有し、
前記２つの平型半導体素子のコレクタ電極同士を向かい合わせに配置し、前記２つの平型半導体素子のエミッタ電極側にそれぞれ２つの前記冷却器を取り付け、積層し加圧したことを、
特徴とする平型半導体素子用スタック。
【請求項２】
複数の平型半導体素子と、
前記複数の平型半導体素子各々と導体を介して接続され、前記平型半導体素子を冷却する複数の冷却器と、
前記平型半導体素子の間に配置された絶縁物と、
前記平型半導体素子と前記絶縁物の間に配置され導体と一体化した構造とした少なくとも１つの金属ブロックと、
前記冷却器の反半導体素子側の側面と係合する絶縁座と、
前記平型半導体素子及び前記冷却器及び前記金属ブロック及び前記絶縁物からなる積層体の加圧のために少なくとも１つの絶縁座と係合する弾性体と、
前記弾性体と係合する加圧支持板と、
前記弾性体と前記加圧支持板から成る加圧力支持体に設けられた加圧手段とを有し、
前記平型半導体素子のコレクタ電極同士を向かい合わせに配置し、前記平型半導体素子のエミッタ電極側に前記冷却器を取り付け、積層し加圧したことを、
特徴とする平型半導体素子用スタック。
【請求項３】
複数の平型半導体素子と、
前記平型半導体素子各々と導体を介して接続され、前記平型半導体素子を冷却する冷却器と、
前記複数の平型半導体素子の間に配置された絶縁物と、
前記複数の平型半導体素子と前記絶縁物の間に配置され絶縁材料から成る金属ブロックと、
前記冷却器の反半導体素子側の側面と係合する絶縁座と、
前記平型半導体素子及び前記冷却器及び前記金属ブロック及び前記絶縁物からなる積層体の加圧のために少なくとも１つの絶縁座と係合する弾性体と、
前記弾性体と係合する加圧支持板と、
前記弾性体と前記加圧支持板から成る加圧力支持体に設けられた加圧手段とを有し、
前記平型半導体素子のコレクタ電極同士を向かい合わせに配置し、前記平型半導体素子のエミッタ電極側に前記冷却器を取り付け、積層し加圧したことを、
特徴とする平型半導体素子用スタック。
【請求項４】
複数の平型半導体素子と、
前記平型半導体素子各々と導体を介して接続され、前記平型半導体素子を冷却する冷却器と、
前記複数の平型半導体素子の間に配置されステンレス鋼から成る中間圧接部材と、
前記冷却器の反半導体素子側の側面と係合する絶縁座と、
前記平型半導体素子及び前記冷却器及び前記中間圧接部材からなる積層体の加圧のために少なくとも１つの絶縁座と係合する弾性体と、
前記弾性体と係合する加圧支持板と、
前記弾性体と前記加圧支持板から成る加圧力支持体に設けられた加圧手段とを有し、
前記平型半導体素子のコレクタ電極同士を向かい合わせに配置し、前記平型半導体素子のエミッタ電極側に前記冷却器を取り付け、積層し加圧したことを、
特徴とする平型半導体素子用スタック。
【請求項５】
複数の平型半導体素子と、
前記平型半導体素子各々と導体を介して接続され、前記平型半導体素子を冷却する冷却器と、
前記複数の平型半導体素子の間に配置され絶縁物から成る中間圧接部材と、
前記冷却器の反半導体素子側の側面と係合する絶縁座と、
前記平型半導体素子及び前記冷却器及び前記中間圧接部材からなる積層体の加圧のために少なくとも１つの絶縁座と係合する弾性体と、
前記弾性体と係合する加圧支持板と、
前記弾性体と前記加圧支持板から成る加圧力支持体に設けられた加圧手段とを有し、
前記平型半導体素子のコレクタ電極同士を向かい合わせに配置し、前記平型半導体素子のエミッタ電極側に前記冷却器を取り付け、積層し加圧したことを、
特徴とする平型半導体素子用スタック。
【請求項６】
複数の平型半導体素子と、
前記平型半導体素子各々と導体及びセラミック絶縁板を介して接続され、前記平型半導体素子を冷却する冷却器と、
前記複数の平型半導体素子の間に配置された中間圧接部材と、
前記冷却器の反半導体素子側の側面と係合する絶縁座と、
前記平型半導体素子及び前記冷却器及び前記中間圧接部材からなる積層体の加圧のために少なくとも１つの絶縁座と係合する弾性体と、
前記弾性体と係合する加圧支持板と、
前記弾性体と前記加圧支持板から成る加圧力支持体に設けられた加圧手段とを有し、
前記平型半導体素子のコレクタ電極同士を向かい合わせに配置し、前記平型半導体素子のエミッタ電極側に前記冷却器を取り付け、積層し加圧したことを、
特徴とする平型半導体素子用スタック。
【請求項７】
平型半導体素子と、
前記平型半導体素子を冷却する冷却器と、
前記平型半導体素子の反前記冷却器側に配置された絶縁物と、
前記平型半導体素子のコレクタ電極同士を向かい合わせに配置したことを、
特徴とする平型半導体素子用スタック。
【請求項８】
平型半導体素子と、
前記平型半導体素子のエミッタ電極側に配置され、前記平型半導体素子を冷却する冷却器と、
前記平型半導体素子のコレクタ電極側に配置された絶縁物と、
を備えることを特徴とする平型半導体素子用スタック。
【請求項９】
第１の平型半導体素子と、
第２の平型半導体素子と、
前記第１の平型半導体素子のコレクタ側電極と前記第２の平型半導体素子のエミッタ側電極とを電気的に接続する導体と、
前記第１の平型半導体素子及び前記第２の平型半導体素子のエミッタ電極側に配置され前記平型半導体素子を冷却する冷却器と、
前記第１の平型半導体素子と前記第２の平型半導体素子の間に配置された絶縁物と、
前記第１の平型半導体素子のコレクタ側電極と前記第２の平型半導体素子のコレクタ側電極とを向かい合わせに配置したことを、
特徴とする平型半導体素子用スタック。
【請求項１０】
前記請求項１乃至請求項９記載の平型半導体素子用スタックにおいて、前記平型半導体素子用スタックをＩＧＢＴおよびＩＥＧＴとしたことを特徴とする平型半導体素子用スタック。
【請求項１１】
前記請求項１乃至１０記載の平型半導体素子用スタックを用いたことを特徴とする電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は平型半導体素子用スタックに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より鉄道車両に使用される半導体変換装置は大きな電流を流すため、平型半導体素子内部での電力損失による熱が発生する。そのため、平型半導体素子を冷却するための冷却器としてヒートパイプ、又は沸騰冷却、又は水冷ヒートシンクを積層し、弾性的な押圧力を負荷する平型半導体素子用スタック（以下単にスタックと言う）を半導体変換装置の回路構成要素として多数使用している。
従来の平型半導体素子用スタックについて、図を参照して詳細に説明する。図７は、従来の平型半導体素子用スタックの構成図である。尚、説明のためにそれぞれの部品を区別する必要がある場合には、ａ，ｂ等のローマ字を使用する。
従来の平型半導体素子用スタック１は、金属ロッド２、加圧支持板３、冷却器４、導体５、平型半導体素子６、中間圧接部材７、絶縁座８、板ばね９、ナット１０、加圧体１１から構成されている。
従来の平型半導体素子用スタック１は、２本または４本の金属ロッド２と加圧支持板３でスタッキングのためのフレームを構成している。フレームの内側に冷却器４ａ、導体５ａ、導体５ａとエミッタ側が接するように配置された平型半導体素子６ａ、金属製の中間圧接部材７、中間圧接部材７とエミッタ側が接するように配置された平型半導体素子６ｂ、導体５ｂ、冷却器４ｂの順に積層される（積層体）。積層体の両端部に球面座を具備した絶縁座８と、板ばね９を取り付け、金属ロッド２を貫通して板ばね９を取り付け、ナット１０を締めこむことで加圧体１１を介し積層体を加圧し加圧力を保持する。
【０００３】
このように構成された平型半導体素子用スタックは、ＩＧＢＴやＩＥＧＴ等の平型半導体素子を内蔵し冷却のための冷却器や通電のための導体と共に数十ｋＮという高荷重で加圧して使用することができる。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１０−２２９８４２号公報
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このように構成された平潟半導体素子用スタックにおいて、平型半導体素子内部での電力損失による発熱が、平型半導体素子の耐熱温度よりも低くなるようにに冷却して用いるが、一般に耐熱温度を越えない温度であっても熱サイクルの繰り返しによって半導体チップの接合面が熱ひずみによって疲労し絶縁不良となる熱疲労特性がある。
そこで本発明の目的は、平型半導体素子内部での電力損失による熱ひずみを低減することの出来る平型半導体素子用スタックを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、複数の平型半導体素子と、前記平型半導体素子と導体を介して接続され、前記平型半導体素子を冷却する冷却器と、前記複数の平型半導体素子の間に配置された絶縁物と、前記複数の平型半導体素子と前記絶縁物の間に配置された金属ブロックと、前記冷却器の反半導体素子側の側面と係合する絶縁座と、前記平型半導体素子及び前記冷却器及び前記金属ブロック及び前記絶縁物からなる積層体の加圧のために少なくとも１つの絶縁座と係合する弾性体と、前記弾性体と係合する加圧支持板と、前記弾性体と前記加圧支持板から成る加圧力支持体に設けられた加圧手段とを有し、前記平型半導体素子のコレクタ電極同士を向かい合わせに配置し、前記平型半導体素子のエミッタ電極側に前記冷却器を取り付け、積層し加圧したことを特徴とすることにより達成できる。
上記目的は、複数の平型半導体素子と、前記平型半導体素子と導体を介して接続され、前記平型半導体素子を冷却する冷却器と、前記複数の平型半導体素子の間に配置された絶縁物と、前記複数の平型半導体素子と前記絶縁物の間に配置され導体と一体化した構造とした少なくとも１つの金属ブロックと、前記冷却器の反半導体素子側の側面と係合する絶縁座と、前記平型半導体素子及び前記冷却器及び前記金属ブロック及び前記絶縁物からなる積層体の加圧のために少なくとも１つの絶縁座と係合する弾性体と、前記弾性体と係合する加圧支持板と、前記弾性体と前記加圧支持板から成る加圧力支持体に設けられた加圧手段とを有し、前記平型半導体素子のコレクタ電極同士を向かい合わせに配置し、前記平型半導体素子のエミッタ電極側に前記冷却器を取り付け、積層し加圧したことにより達成できる。
【０００６】
上記目的は、複数の平型半導体素子と、前記平型半導体素子と導体を介して接続され、前記平型半導体素子を冷却する冷却器と、前記複数の平型半導体素子の間に配置された絶縁物と、前記複数の平型半導体素子と前記絶縁物の間に配置され絶縁材料から成る金属ブロックと、前記冷却器の反半導体素子側の側面と係合する絶縁座と、前記平型半導体素子及び前記冷却器及び前記金属ブロック及び前記絶縁物からなる積層体の加圧のために少なくとも１つの絶縁座と係合する弾性体と、前記弾性体と係合する加圧支持板と、前記弾性体と前記加圧支持板から成る加圧力支持体に設けられた加圧手段とを有し、前記平型半導体素子のコレクタ電極同士を向かい合わせに配置し、前記平型半導体素子のエミッタ電極側に前記冷却器を取り付け、積層し加圧したことにより達成できる。
上記目的は、複数の平型半導体素子と、前記平型半導体素子と導体を介して接続され、前記平型半導体素子を冷却する冷却器と、前記複数の平型半導体素子の間に配置されたステンレス鋼から成る中間圧接部材と、前記冷却器の反半導体素子側の側面と係合する絶縁座と、前記平型半導体素子及び前記冷却器及び前記中間圧接部材からなる積層体の加圧のために少なくとも１つの絶縁座と係合する弾性体と、前記弾性体と係合する加圧支持板と、前記弾性体と前記加圧支持板から成る加圧力支持体に設けられた加圧手段とを有し、前記平型半導体素子のコレクタ電極同士を向かい合わせに配置し、前記平型半導体素子のエミッタ電極側に前記冷却器を取り付け、積層し加圧したことにより達成できる。
【０００７】
上記目的は複数の平型半導体素子と、前記平型半導体素子と導体を介して接続され、前記平型半導体素子を冷却する冷却器と、前記複数の平型半導体素子の間に配置され絶縁物から成る中間圧接部材と、前記冷却器の反半導体素子側の側面と係合する絶縁座と、前記平型半導体素子及び前記冷却器及び前記中間圧接部材からなる積層体の加圧のために少なくとも１つの絶縁座と係合する弾性体と、前記弾性体と係合する加圧支持板と、前記弾性体と前記加圧支持板から成る加圧力支持体に設けられた加圧手段とを有し、前記平型半導体素子のコレクタ電極同士を向かい合わせに配置し、前記平型半導体素子のエミッタ電極側に前記冷却器を取り付け、積層し加圧したことにより達成できる。
上記目的は複数の平型半導体素子と、前記平型半導体素子と導体及びセラミック絶縁板を介して接続され、前記平型半導体素子を冷却する冷却器と、前記複数の平型半導体素子の間に配置された中間圧接部材と、前記冷却器の反半導体素子側の側面と係合する絶縁座と、前記平型半導体素子及び前記冷却器及び前記中間圧接部材からなる積層体の加圧のために少なくとも１つの絶縁座と係合する弾性体と、前記弾性体と係合する加圧支持板と、前記弾性体と前記加圧支持板から成る加圧力支持体に設けられた加圧手段とを有し、前記平型半導体素子のコレクタ電極同士を向かい合わせに配置し、前記平型半導体素子のエミッタ電極側に前記冷却器を取り付け、積層し加圧したことにより達成できる。
【０００８】
上記目的は、複数の平型半導体素子と、前記平型半導体素子と導体を介して接続され、前記平型半導体素子を冷却する冷却器と、前記複数の平型半導体素子の間に配置された絶縁物と、前記平型半導体素子のコレクタ電極同士を向かい合わせに配置し、前記平型半導体素子のエミッタ電極側に前記冷却器を取り付けたことにより達成できる。
上記目的は、第１の平型半導体素子と、第２の平型半導体素子と、前記第１の平型半導体素子のコレクタ側電極と前記第２の平型半導体素子のエミッタ側電極とを電気的に接続する導体と、前記第１の平型半導体素子及び前記第２の平型半導体素子のエミッタ電極側に配置され前記平型半導体素子を冷却する冷却器と、前記第１の平型半導体素子と前記第２の平型半導体素子の間に配置された絶縁物と、前記第１の平型半導体素子のコレクタ側電極と前記第２の平型半導体素子のコレクタ側電極とを向かい合わせに配置したことにより達成できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
本発明に基づく第１の実施の形態の平型半導体素子用スタックについて図を参照し詳細に説明する。図１は、本発明に基づく第１の実施の形態の平型半導体素子用スタックの構成図である。図２は、本発明に基づく第１の実施の形態の平型半導体素子の内部構造の概略図である。尚、図６に記載したものと構造上同一のものについては、同符号を付して説明を省略する。
本発明に基づく第１の実施の形態の平型半導体素子用スタック１ａは、金属ロッド２、加圧支持板３、冷却器４、導体５、平型半導体素子６、中間圧接部材７ａ、絶縁座８、板ばね９、ナット１０、加圧体１１から構成されている。
このように構成された平型半導体素子用スタックにおいて、中間圧接部材７は、絶縁物１２の両側に金属ブロック１３ａ及び金属ブロック１３ｂを配置した構造となっている。平型半導体素子６ａのコレクタ電極側は、略コの字をした導体５ｃを介して金属ブロック１３ａと接続される。平型半導体素子６ｂのコレクタ側電極は、導体５ｂを介して金属ブロック１３ｂと接続される。
このように構成された平型半導体素子用スタックにおいて、電流は、導体５ｂから平型半導体素子６ｂ，導体５ｃ，平型半導体素子６ａ，導体５ａの順に流れる。
【００１０】
次に、平型半導体素子６の内部構造の概略について図２を参照し詳細に説明する。平型半導体素子６は、銅のエミッタ電極１４とモリブデン板１５と半導体チップ１６とモリブデン円板１７と銅のコレクタ電極１８、セラミック製外囲器１９とから構成されている。コレクタ電極１８側は１枚のモリブデン円板１７で構成され、反対側のエミッタ電極１４側は半導体チップ１６の配置に応じた銅の突起を有しているため、両者の間にある半導体チップ１６にはコレクタ側がモリブデン円板１７の、またエミッタ側が銅の熱膨張の影響を受け、両者の熱膨張差による伸びの差がひずみとなって作用することになり、この繰り返しによって半導体チップ１６が疲労する。モリブデンの線膨張率は４．８ｐｐｍ／℃で銅は１６．６ｐｐｍ／℃である。このため温度が高くなるに従って熱膨張変位の差が大きくなる。
本発明に基づく第１の実施の形態の平型半導体素子用スタックにおいて、平型半導体素子６のエミッタ電極１４は冷却器側であるため冷却されるが、コレクタ電極１８は中間圧接部材７ａ側であるため、コレクタ電極１８の冷却は中間圧接部材７ａの金属（例えば銅）を介しての自然放熱とエミッタ電極１４を伝わって放熱される片面冷却状態となるため、コレクタ電極１８はエミッタ電極１４より温度が高くなる。
【００１１】
このように構成された平型半導体素子用スタックにおいて、平型半導体素子６のコレクタ電極側の温度をエミッタ電極側より高くし、エミッタ電極側の温度をコレクタ電極側の温度を低くすることにより、コレクタ側のモリブデン円板１７とエミッタ電極１４の銅との熱膨脹差が少なくなる。コレクタ側のモリブデン円板１７とエミッタ電極１４の銅との熱膨張差が少なくなるため半導体チップ１６に生じるひずみを少なくすることができるので平型半導体素子の熱に対する疲労寿命を向上することができる。
このように構成された平型半導体素子用スタックは、１対の平型半導体素子６ａ及び平型半導体素子６ｂのコレクタ電極の温度を同じにすることができる。
このように構成された平型半導体素子用スタックを使用すると、大容量の電力変換装置を提供することが出来る。
（第２の実施の形態）
本発明に基づく第２の実施の形態の平型半導体素子用スタックについて図を参照し詳細に説明する。図３は、本発明に基づく第２の実施の形態の平型半導体素子用スタックの構成図である。尚、図１及び図２に記載したものと構造上同一のものについては、同符号を付して説明を省略する。
【００１２】
本発明に基づく第２の実施の形態の平型半導体素子用スタックは、金属ロッド２、加圧支持板３、冷却器４、導体５、平型半導体素子６、中間圧接部材７、絶縁座８、板ばね９、ナット１０、加圧体１１から構成されている。
本発明の第２の実施の形態の平型半導体素子用スタックにおいて、中間圧接部材７は、金属ブロック１３と通電用の導体８を一体化した放熱ブロック２０ａ，絶縁物１２，金属ブロック１３と通電用の導体８を一体化した放熱ブロック２０ｂから構成されている。
このように構成された第２の実施の形態の平型半導体素子用スタックにおいて、中間圧接部材７の金属ブロック１３と導体８を一体化した構造とし、絶縁物１２を中心に左右対称の厚み形状とした。金属ブロック１３と導体８が一体になっているので左右の平型半導体素子６との接触状態が良好となり加圧力や接触熱抵抗をより均等にすることができる。
このように構成された平型半導体素子用スタックを使用すると、大容量の電力変換装置を提供することが出来る。
（第３の実施の形態）
本発明に基づく第３の実施の形態の平型半導体素子用スタックについて図を参照し詳細に説明する。図４は、本発明に基づく第３の実施の形態の平型半導体素子用スタックの構成図である。尚、図１乃至図３に記載したものと構造上同一のものについては、同符号を付して説明を省略する。
【００１３】
本発明に基づく第３の実施の形態の平型半導体素子用スタックは、金属ロッド２、加圧支持板３、冷却器４、導体５、平型半導体素子６、中間圧接部材７、絶縁座８、板ばね９、ナット１０、加圧体１１から構成されている。
本発明の第３の実施の形態の平型半導体素子用スタックにおいて、中間圧設部材７は、絶縁物１２のみから構成されている。
本実施に基づく第３の実施の形態の平型半導体素子用スタックによれば、絶縁物１２の熱伝導が低いためコレクタ電極１８とエミッタ電極１４の温度差を大きくすることができる。コレクタ側電極１８とエミッタ側電極１４の温度差を大きく出来るので、熱膨張差が小さくなり、半導体チップ１６に生じるひずみを少なくすることができ疲労寿命も長くなる。
このように構成された平型半導体素子用スタックを使用すると、大容量の電力変換装置を提供することが出来る。
（第４の実施の形態）
本発明に基づく第４の実施の形態の平型半導体素子用スタックについて図を参照し詳細に説明する。図５は、本発明に基づく第４の実施の形態の平型半導体素子用スタックの構成図である。尚、図１乃至図４に記載したものと構造上同一のものについては、同符号を付して説明を省略する。
【００１４】
本発明に基づく第４の実施の形態の平型半導体素子用スタックは、金属ブロック１３の材料をステンレス鋼としたものである。
本発明に基づく第４の実施の形態の平型半導体素子用スタックにおいて、金属ブロック１３ａはステンレス鋼により構成されているので、熱伝導率が銅の１／２０と小さく冷めにくいのでコレクタ電極１８の温度が急激な変化をせず、コレクタ電極１８の温度をエミッタ電極１４より常に高く設定できる。そのため平型半導体素子６の熱に対する疲労寿命を向上することができる。
このように構成された平型半導体素子用スタックは、金属ブロック１３を熱伝導率が低いステンレス鋼により構成しているため、平型半導体素子のエミッタ電極側の温度をコレクタ側より高くすることができ、平型半導体素子６の疲労寿命を向上させることができる。
このように構成された平型半導体素子用スタックを使用すると、大容量の電力変換装置を提供することが出来る。
（第５の実施の形態）
本発明に基づく第５の実施の形態の平型半導体素子用スタックについて図を参照し詳細に説明する。図６は、本発明に基づく第５の実施の形態の平型半導体素子用スタックの構成図である。尚、図１乃至図５に記載したものと構造上同一のものについては、同符号を付して説明を省略する。
【００１５】
本発明に基づく第５の実施の形態の平型半導体素子用スタックは、冷却器４と導体５の間に熱伝導性の良い窒化アルミニウム等のセラミックス絶縁板２１を挟んだものである。
このように構成された平型半導体素子用スタックにおいて、冷却器４を絶縁できるためにヒートパイプ（図示しない）、沸騰冷却器（図示しない）、水冷ヒートシンク（図示しない）、放熱フィン（図示しない）用に絶縁冷媒を使用しなくてよいため装置の小型化が可能である。また保守点検作業時に作業者が放熱部に触れても安全であるという効果がある。
このように構成された平型半導体素子用スタックを使用すると、大容量の電力変換装置を提供することが出来る。
本発明に基づく平型半導体素子用スタックを構成している平型半導体素子６は、ＩＧＢＴ，ＩＥＧＴや将来開発されるであろう半導体素子も含まれることは言うまでもない。
【００１６】
【発明の効果】
本発明により、平型半導体素子内部での電力損失による熱ひずみを低減することの出来る平型半導体素子用スタックを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に基づく第１の実施の形態の平型半導体素子用スタックの構成図である。
【図２】本発明に基づく第１の実施の形態の平型半導体素子の概略図である。
【図３】本発明に基づく第２の実施の形態の平型半導体素子用スタックの構成図である。
【図４】本発明に基づく第３の実施の形態の平型半導体素子用スタックの構成図である。
【図５】本発明に基づく第４の実施の形態の平型半導体素子用スタックの構成図である。
【図６】本発明に基づく第５の実施の形態の平型半導体素子用スタックの構成図である。
【図７】従来の平型半導体素子用スタックの構成図である。
【符号の説明】
１・・・スタック
２・・・金属ロッド
３・・・加圧支持板
４・・・冷却器
５・・・導体
６・・・平型半導体素子
７・・・中間圧接部材
８・・・絶縁座
９・・・板ばね
１０・・・ナット
１１・・・加圧体
１２・・・絶縁物
１３・・・金属ブロック
１４・・・エミッタ電極
１５・・・モリブデン板
１６・・・半導体チップ
１７・・・モリブデン円板
１８・・・コレクタ電極
１９・・・外囲器
２０・・・放熱ブロック
２１・・・絶縁板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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