(57)【要約】【課題】磁区拡大再生方式の光磁気記録媒体に適したディフェクトマネージメント処理を可能とする光磁気記録媒体及びその記録再生装置を提供することである。【解決手段】情報が記録される記録層と、前記記録層に記録された記録磁区が転写された後に拡大されて前記情報を読み出すための再生層とを備えた光磁気記録媒体において、欠陥を退避処理するためのデータ領域の一部、特に、ディフェクトマネージメントエリアの開始位置を含む領域に、磁気的な結合が分断された領域を設けることにより、ディフェクトマネージメントエリアの開始位置を検出してディフェクトマネージメントを確実に行う。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報が記録される記録層と、前記記録層に記録された記録磁区が転写された後に拡大されて前記情報を読み出すための再生層とを備えた光磁気記録媒体であって、
前記光磁気記録媒体の欠陥を退避処理するためのデータ領域の一部に磁気的な結合が分断された領域が形成されていることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
欠陥を退避処理するためのデータ領域の一部として、ディフェクトマネージメントエリアの開始位置を含む領域に、磁気的な結合が分断された領域が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】
磁気的な結合が分断された領域が、高出力のレーザ光を前記光磁気記録媒体に照射することにより形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光磁気記録媒体。
【請求項４】
磁気的な結合が分断された領域を有する光磁気記録媒体を記録再生する装置であって、
前記光磁気記録媒体に設けた磁気的な結合が分断された領域を判定することにより、欠陥を退避処理するためのデータ領域の位置を判定する手段を具備した光磁気記録再生装置。
【請求項５】
磁気的な結合が分断された領域を有する光磁気記録媒体を記録再生する装置であって、
前記光磁気記録媒体に設けた磁気的な結合が分断された領域を判定することにより、ディフェクトマネージメントエリアの開始位置を判定する手段を具備した光磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気記録媒体及びその記録再生装置に関し、更に詳細には、情報が記録磁区として記録される記録層と、記録磁区を読み出すための再生層を備えた光磁気記録媒体及びその記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光磁気記録媒体は、動画像データや音声データなどのデジタルデータを記録または再生することができる情報記録媒体として広く利用されている。近年、動画像や音声データの高画質化、高音質化が進み、それらのデータ量は増加している。このため、光磁気記録媒体においては、かかるデータ量の増加に十分に対応するために、更なる大容量化が要望されている。
【０００３】
この要望に応えるために、微小な記録マークを形成して記録密度を向上させ、この微小な記録マークを微小な光スポット径で読み出す方法が検討されている。光スポット径は、光の波長に比例し、光を集光するレンズの開口数に反比例する。したがって、光スポット径を微小化するには、記録再生の際に用いるレーザ光を短波長化するか、または、対物レンズの開口数を上げることが効果的である。
【０００４】
一方、微小な記録磁区を読み出す技術として、磁気超解像技術や磁区拡大再生技術が知られている。これらの技術は、記録層以外の磁性層として再生層を設けて、再生層に記録磁区を転写して情報の再生を行なう技術であり、磁区拡大再生技術は、再生層に転写された磁区を再生層で拡大させることによって大きな信号振幅を得ることができるために注目されている。磁区拡大再生技術の中で、ＭＡＭＭＯＳ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ａｍｐｌｉｆｙｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）方式では、再生時に、レーザ光及び外部磁界の少なくとも一方を変調して適用することによって、情報記録層に形成されている記録マーク（記録磁区）を磁区拡大再生層に転写し、転写された磁区を外部磁界により磁区拡大再生層で拡大させる（例えば、特許文献１参照）。磁区拡大再生層で拡大した磁区からは増幅された再生信号が検出されるので、記録層に微小な記録マークを形成しても、それを十分な信号強度で再生することができる。こうした技術によって、波長／開口数の１／２よりも微小な記録マークを再生することが可能である。磁区拡大再生技術によれば、例えば、波長６８０ｎｍ、対物レンズの開口数０．５５の光学系を用いて、０．２μｍの最短磁区長の記録磁区を読み出すことができる。
【０００５】
また、磁区を拡大して再生する別の技術としてＤＷＤＤ（Ｄｏｍａｉｎ  Ｗａｌｌ  Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）方式も提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２にはＤＷＤＤ方式の媒体構造が開示されており、その記述の中で、磁性層において、各情報トラック間で互いに磁気的に分離されている光磁気記録媒体も開示されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平８−７３５０号公報（第２−３頁、第１、５及び６図）
【特許文献２】
特開平６−２９０４９６号公報（第６頁、第７図）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来技術では、磁区拡大再生技術を適用可能な光磁気記録媒体に欠陥が含まれていた場合の考慮が不十分であった。通常の光磁気記録媒体では、欠陥を退避処理するためのデータ領域が設けられ、ディフェクトマネージメント処理が行われる。しかしながら、上述した従来技術の磁区拡大再生技術を適用可能な光磁気記録媒体では、欠陥が含まれていた場合に適したディフェクトマネージメント処理に関する技術について開示されていなかった。
【０００８】
こうした状況を鑑み、本発明は、磁区拡大再生技術を適用可能な光磁気記録媒体に適したディフェクトマネージメント処理を可能とする光磁気記録媒体及びその記録再生装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の態様に従えば、情報が記録される記録層と、前記記録層に記録された記録磁区が転写された後に拡大されて前記情報を読み出すための再生層とを備えた光磁気記録媒体であって、前記光磁気記録媒体の欠陥を退避処理するためのデータ領域の一部に磁気的な結合が分断された領域が形成されていることを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
【００１０】
本明細書における「磁気的な結合が分断される」とは、同じ磁性層の中で磁気的性質が著しく変化し、磁性層の別の場所との磁気的な結合がゼロまたは極めて弱い状態を指すものである。例えば、垂直磁化を有する磁性層の一部に、極めて高出力のレーザ光を照射してアニールすることにより、アニールされた磁性層の領域の磁化を垂直磁化から面内磁化に変化させて磁気的な結合が分断された領域を形成することができる。
【００１１】
本発明の第１の態様における欠陥を退避処理するためのデータ領域の一部としては、ディフェクトマネージメントエリアの開始位置を含む領域に、磁気的な結合が分断された領域を設けることが望ましい。さらに、磁気的な結合が分断された領域が、高出力のレーザ光を照射することにより形成されていることが望ましい。
【００１２】
本発明の第１の態様に従う光磁気記録媒体において、記録層を形成する材料には、例えば、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＦｅ及びＤｙＣｏのような希土類−遷移金属合金、あるいは、これらの合金にＣｒ、Ｚｒなどを添加した材料を用いることができる。また、再生層を形成する材料には、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ及びＧｄＤｙＴｂＦｅＣｏのような希土類−遷移金属合金、または、Ｐｔ層とＣｏ層との交互積層体、ＰｔＣｏ合金等の材料を用いることができる。
【００１３】
本発明の第２の態様に従えば、磁気的な結合が分断された領域を有する光磁気記録媒体を記録再生する装置であって、前記光磁気記録媒体に設けた磁気的な結合が分断された領域を判定することにより、欠陥を退避処理するためのデータ領域の位置を判定する手段を具備した光磁気記録再生装置が提供される。
【００１４】
本発明の第２の態様の光磁気記録再生装置において、光磁気記録媒体に設けた磁気的な結合が分断された領域を判定することにより、ディフェクトマネージメントエリアの開始位置を判定する手段を具備することが望ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の光磁気記録媒体の実施例について図面を参照しながら具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１６】
【実施例１】
本実施例では、本発明に従う光磁気記録媒体の一例として、基板側から光を入射させる基板面入射タイプの光磁気ディスクを説明する。
【００１７】
図１に、光磁気ディスクの断面構成の概略を示す。光磁気ディスク１０は、基板１上に、誘電体層２、再生層３、誘電体層４、記録層５、誘電体層６、ヒートシンク層７及び誘電体層８を順次積層した構造を有する。かかる光磁気ディスク１０においては、記録再生時に、レーザ光９が基板１側から入射される。かかる光磁気ディスク１０の製造方法について以下に説明する。
【００１８】
基板１は、トラッキング用の溝とアドレスピットを表面に有する基板であり、ポリカーボネートを基板材料として、原盤露光装置及び射出成型機を用いて作製した。
【００１９】
本実施例では、ポリカーボネートを基板材料に用いたが、基板面入射タイプの光磁気ディスクの場合は、透光性を有する別の基板材料を用いることも可能である。透光性を有する別の基板材料としては、例えば、アモルファスポリオレフィン、ガラス等を用いることができる。
【００２０】
かかる基板１上に、誘電体層２、再生層３、誘電体層４、記録層５、誘電体層６、ヒートシンク層７及び誘電体層８を、スパッタリング装置を用いて順次積層した。なお、以下の説明では、本発明に従う製造方法の実施例として、スパッタリング装置を用いた製造方法の例を説明するが、本発明の製造方法は、これに限定されず、基板面に薄膜を形成する別の製造方法にも適用可能である。例えば、蒸着法やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などの成膜方法を、本発明の製造方法に適用することができる。また、スパッタリング装置も、ＲＦマグネトロン・スパッタリング方式、ＤＣマグネトロン・スパッタリング方式、枚葉式、自公転方式等の多様な種類のスパッタリング装置が存在するが、薄膜の成膜の制御が可能なスパッタリング装置であれば、どのようなスパッタリング装置であっても本発明の製造方法に適用することができる。
【００２１】
基板１を、複数のスパッタチャンバを有する連続スパッタリング装置の第１スパッタチャンバ内の基板キャリアに装着した。基板キャリアはスパッタチャンバ内でスパッタリングターゲットに対して回転可能に支持されており、基板１も基板キャリア内でスパッタリングターゲットに対して回転可能に支持されている。ターゲットとしてＳｉターゲットをスパッタチャンバ内に装着した後、チャンバ内を５×１０−５Ｐａ以下の真空度まで排気して、Ａｒガスと窒素ガスを導入して反応性スパッタリングを行った。このスパッタリングにより基板１上にＳｉＮからなる誘電体層２を厚さ６０ｎｍで成膜した。本実施例では、誘電体層２としてＳｉＮを用いたが、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＴｉＯ２、ＺｎＳ、ＢＮ等を使用することもできる。
【００２２】
次に、基板キャリアを、第２スパッタチャンバに搬送してＡｒガスを導入してスパッタリングを行い、厚さ２０ｎｍのＧｄＦｅＣｏからなる再生層３を成膜した。ただし、再生層３は垂直磁化を有する。第２スパッタチャンバは、Ｇｄターゲット、Ｆｅターゲット及びＣｏターゲットの３つのターゲットが装着されており、基板キャリアを回転しながら、これらの３つのターゲットによる３元同時スパッタリングを行った。ここで、Ｇｄターゲット、Ｆｅターゲット及びＣｏターゲットに投入される電力の比を変更することによって、再生層３の組成比を調整することができる。
【００２３】
再生層３の成膜後、基板キャリアを第３スパッタチャンバに搬送し、Ａｒガスと窒素ガスを導入して反応性スパッタリングを行った。第３スパッタチャンバにはＳｉターゲットが装着されており、このスパッタリングにより再生層３上にＳｉＮからなる誘電体層４を厚さ１０ｎｍで成膜した。
【００２４】
その後、基板キャリアを第４スパッタチャンバに搬送し、Ａｒガスを導入してスパッタリングを行い、厚さ５０ｎｍのＴｂＦｅＣｏからなる記録層５を成膜した。第４スパッタチャンバは、Ｔｂターゲット、Ｆｅターゲット及びＣｏターゲットの３つのターゲットが装着されており、基板キャリアを回転しながら、これらの３つのターゲットによる３元同時スパッタリングを行った。ここで、Ｔｂターゲット、Ｆｅターゲット及びＣｏターゲットに投入される電力の比を変更することによって、記録層５の組成比を調整することができる。
【００２５】
その後、基板キャリアを第５スパッタチャンバに搬送し、Ａｒガスと窒素ガスを導入して反応性スパッタリングを行った。第５スパッタチャンバにはＳｉターゲットが装着されており、このスパッタリングにより記録層５上にＳｉＮからなる誘電体層６を厚さ２０ｎｍで成膜した。
【００２６】
その後、基板キャリアを第６スパッタチャンバに搬送し、Ａｒガスを導入してスパッタリングを行い、厚さ３０ｎｍのＡｌ合金からなるヒートシンク層７を成膜した。第６スパッタチャンバは、Ａｌ合金ターゲットが装着されており、基板キャリアを回転しながら、スパッタリングを行った。
【００２７】
最後に、基板キャリアを第７スパッタチャンバに搬送し、Ａｒガスと窒素ガスを導入して反応性スパッタリングを行った。第７スパッタチャンバにはＳｉターゲットが装着されており、このスパッタリングによりヒートシンク層７上にＳｉＮからなる誘電体層８を厚さ５０ｎｍで成膜した。
【００２８】
こうして図１に示す積層構造を有する光磁気ディスク１０を作製した後、磁気的な結合が分断された領域を形成する。既に述べたように、本明細書における「磁気的な結合が分断される」とは、同じ磁性層の中で磁気的性質が著しく変化し、磁性層の別の場所との磁気的な結合がゼロまたは極めて弱い状態を指す。本実施例では、再生層３の所定の領域に極めて高出力のレーザ光を照射してアニールすることにより、アニールされた再生層３の領域の磁化を垂直磁化から面内磁化に変化させて磁気的な結合が分断された領域を形成した。本発明においては、欠陥を退避処理するためのデータ領域の一部に磁気的な結合が分断された領域を設ける。
【００２９】
図２に、一例として、欠陥を退避処理するためのデータ領域の一部として、ディフェクトマネージメントエリアの開始位置を含む領域に、磁気的な結合が分断された領域を設けた例を示す。図２では、１トラック内のセクタがＳＣＴ０からＳＣＴ１６まであり、ディフェクトマネージメントエリアが、トラック位置がＴＲＫ＿０からＴＲＫ＿２と、ＴＲＫ＿Ｎ−２からＴＲＫ＿Ｎの２箇所に設けられた場合について示した。本実施例では、ＴＲＫ＿３からＴＲＫ＿Ｎ−３までの間がユーザーデータ領域となる。通常、光磁気ディスクのディフェクトマージメントにおいて、ディフェクトマネージメントエリアの開始位置にはＤＤＳ（Ｄｉｓｋ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）とよぶ領域が設けられるが、本実施例ではＤＤＳの直前に、磁気的な結合が分断された領域を設けた。ただし、本実施例では、図２に示すように、磁気的な結合が分断された領域全体をレーザ光を照射してアニールした。すなわち、磁気的な結合が分断された領域が、ディフェクトマネージメントエリアの開始位置を含むことになる。ＤＤＳには、通常の光磁気ディスクの場合と同様に、ＰＤＬ（Ｐｒｉｍａｒｙ  Ｄｅｆｅｃｔ  Ｌｉｓｔ）の有無、ＰＤＬの開始位置、交替セクタの数、ＳＤＬ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｄｅｆｅｃｔ  Ｌｉｓｔ）の位置等の情報が格納される。本実施例では、ディフェクトマネージメントエリアの開始位置を含む領域に、磁気的な結合が分断された領域を設ける形態としたため、実施例２で後述するように磁気的な結合が分断された領域を判定することにより、ディフェクトマネージメントエリアの位置を確実に識別できる。なお、本実施例では、図２に示すように、磁気的な結合が分断された領域全体をアニールした例を説明したが、本発明はこれに限定されず、磁気的な結合が分断された領域を以下のように形成し得る。例えば、磁気的な結合が分断された領域を複数のマークを設けることによって形成しても良い。そのマークは磁気的な結合が分断されるべき領域に、所望のデータフォーマット（パターン）に従い、高出力のレーザ光を照射してアニールすることで形成される。アニールされた領域の磁化は垂直磁化から面内磁化に変化しているために、隣接する領域と磁気的に分断される。
【００３０】
【実施例２】
本実施例では、本発明に従う光磁気記録再生装置の一例として、図３に示すように、実施例１の光磁気ディスク１０を記録再生するための光磁気記録再生装置１０１について説明する。
【００３１】
図３に示した本発明の記録再生装置１０１は、光磁気ディスク１０にコードデータと同期した一定周期でパルス化された光を照射するためのレーザ光照射部と、記録再生時に光磁気ディスク１０に制御された磁界を印加する磁界印加部と、光磁気ディスク１０からの信号を検出及び処理する信号処理系とから主に構成されている。レーザ光照射部において、レーザ２２はレーザ駆動回路３２及び記録パルス幅／位相調整回路５１（ＲＣ−ＰＰＡ）に接続されており、レーザ駆動回路３２は記録パルス幅／位相調整回路５１からの信号を受けてレーザ２２のレーザパルス幅及び位相を制御する。記録パルス幅／位相調整回路５１はＰＬＬ回路３９から後述するクロック信号を受けて記録光の位相及びパルス幅を調整するための第１同期信号を発生する。
【００３２】
磁界印加部において、磁界を印加する磁気コイル２９は磁気コイル駆動回路（Ｍ−ＤＲＩＶＥ）３４と接続されており、記録時には磁気コイル駆動回路３４はデータが入力される符号器３０から位相調整回路（ＲＥ−ＰＡ）３１を通じて入力データを受けて磁気コイル２９を制御する。一方、再生時には、ＰＬＬ回路３９から後述するクロック信号を受けて再生パルス幅・位相調整回路（ＲＰ−ＰＰＡ）１３１を通じて位相およびパルス幅を調整するための第２同期信号を発生し、第２同期信号に基づいて磁気コイル２９を制御する。磁気コイル駆動回路３４に入力される信号を記録時と再生時で切り換えるために、記録再生切換器（ＲＣ／ＲＰ  ＳＷ）１３４が磁気コイル駆動回路３４に接続されている。
【００３３】
信号処理系において、レーザ２２と光磁気ディスク１０との間には第１の偏光プリズム２５が配置され、その側方には第２の偏光プリズム２５１及び検出器２８及び２８１が配置されている。検出器２８及び２８１は、それぞれ、Ｉ／Ｖ変換器３１１及び３１２を介して、共に、減算器３０２及び加算器３０１に接続される。加算器３０１はクロック抽出回路（ＣＳＳ）３７を介してＰＬＬ回路３９に接続されている。減算器３０２はクロックに同期して信号をホールドするサンプルホールド（Ｓ／Ｈ）回路４１、同様にクロックと同期してアナログデジタル変換を行うＡ／Ｄ変換回路４２、２値化信号処理回路（ＢＳＣ）４３を介して復号器３８に接続される。また、減算器３０２及び加算器３０１からの出力は、磁気的結合分断領域判定部１０００に入力され、信号を検出している領域において磁気的結合が分断されているか否かを判定する。磁気的な結合が分断された領域を判定するには、後述するように、磁気的な結合が分断された領域からの再生信号が、他の領域からの再生信号と異なることを利用する。磁気的結合分断領域判定部１０００にて、磁気的な結合が分断された領域と判定された場合は、ディフェクトマネージメントエリア開始判定部１００１にて、ディフェクトマネージメントエリアの開始部分と判定される。
【００３４】
上記装置構成において、レーザ２２から出射した光はコリメータレンズ２３によって平行光にされ、偏光プリズム２５を通って対物レンズ２４によって光磁気ディスク１０上に集光される。ディスク１０からの反射光は偏光プリズム２５によって偏光プリズム２５１の方向に向けられ、１／２波長板２６を透過した後、偏光プリズム２５１で二方向に分割される。分割された光はそれぞれ検出レンズ２７で集光されて光検出器２８及び２８１に導かれる。ここで、光磁気ディスク１０上にはトラッキングエラー信号及びクロック信号生成用のピットが予め形成されている。クロック信号生成用ピットからの反射光を示す信号が検出器２８及び２８１で検出された後、クロック抽出回路３７において抽出される。次いでクロック抽出回路３７に接続されたＰＬＬ回路３９においてデータチャネルクロックが発生される。
【００３５】
データ記録の際に、レーザ２２はレーザ駆動回路３２によってデータチャネルクロックに同期するように一定周波数で変調され、幅の狭い連続したパルス光を放射し、回転する光磁気ディスク１０のデータ記録エリアを等間隔に局部的に加熱する。また、データチャネルクロックは、磁界印加部の符号器３０を制御して、基準クロック周期のデータ信号を発生させる。データ信号は位相調整回路３１を経て磁気コイル駆動装置３４に送られる。磁気コイル駆動装置３４は、磁界コイル２９を制御してデータ信号に対応した極性の磁界を光磁気ディスク１０のデータ記録エリアの加熱部分に印加する。
【００３６】
本発明の記録再生装置の特徴は、磁気的結合分断領域判定部１０００にて、光磁気記録媒体に設けた磁気的な結合が分断された領域を判定することにより、欠陥を退避処理するためのデータ領域の位置を判定する手段を具備していることである。すなわち、磁気的な結合が分断された領域に対しては、ディフェクトマネージメントエリア開始判定部１００１にて、ディフェクトマネージメントエリアの開始部分と判定される。磁気的な結合が分断された領域を判定するには、磁気的な結合が分断された領域からの再生信号が、他の領域からの再生信号と異なることを利用する。すなわち、磁気的な結合が分断されて他の領域とは異なる磁気的性質を有しているため、カー回転角が大きく変わり、再生信号が他の領域とは異なる。例えば、再生時に外部磁界を印加しても、磁気的結合が分断されている領域は光磁気信号（ＭＯ）信号が反応しないといった挙動を示す。そこで、ＭＯ信号が外部磁界に反応しない領域を判別することで、磁気的な結合が分断された領域を検出できる。また、磁気的な結合が分断された領域では、ＲＦ信号も他の領域とは異なる振幅レベルとなる傾向があるため、これを用いてもよい。磁気的な結合が分断された領域を検出した後に続くデータが、実施例１ではＤＤＳとなる。このＤＤＳには、ＰＤＬ（Ｐｒｉｍａｒｙ  Ｄｅｆｅｃｔ  Ｌｉｓｔ）の有無、ＰＤＬの開始位置、交替セクタの数、ＳＤＬ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｄｅｆｅｃｔ  Ｌｉｓｔ）の位置等の情報が格納されているので、これらの情報を用いてディフェクトマネージメントを行うことができる。すなわち、ＳＤＬを利用して、欠陥セクタに対応した交替セクタにアクセスすること等のディフェクトマネージメントを確実に行うことができる。
【００３７】
【発明の効果】
本発明の光磁気記録媒体は、欠陥を退避処理するためのデータ領域の一部に磁気的な結合が分断された領域を設ける構成をとったため、磁気的な結合が分断された領域を判定することでディフェクトマネージメントエリアの開始位置を検出することが可能となり、ディフェクトマネージメントを確実に行うことができる。また、本発明の記録再生装置は、磁気的な結合が分断された領域を判定する手段を具備したため、ディフェクトマネージメントエリアの開始位置を確実に判定することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明に従う光磁気記録媒体の実施例の概略断面図である。
【図２】図２は、実施例１の光磁気記録媒体に設けた磁気的結合を分断された領域の位置を説明するための図である。
【図３】図３は、本発明に従う光磁気記録再生装置を模式的に示した模式図である。
【符号の説明】
１  基板
２，４，６，８  誘電体層
３  再生層
５  記録層
７  ヒートシンク層
１０  光磁気ディスク
１０１  記録再生装置
【図１】
2004288252.tif 000003
【図２】
2004288252.tif 000004
【図３】
2004288252.tif 000005