(57)【要約】　　　（修正有）【課題】記録層の非晶質状態と結晶状態との光吸収の差を改善し高記録密度化に適した情報記録媒体を提供する。【解決手段】本発明の情報記録媒体は、基板６と、光ビームを受光し、受光部分が状態変化を生じることにより情報が記録される相変化型の記録層１と、前記基板６と前記記録層１との間に設けられた誘電体保護層３と、前記基板６と前記誘電体保護層３との間に設けられ、誘電体材料と金属、半金属または半導体材料とを含む光吸収性保護層７とを有する。【選択図】図２
2004111048.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　基板と、
　光ビームを受光し、受光部分が状態変化を生じることにより情報が記録される相変化型の記録層と、
　前記基板と前記記録層との間に設けられた誘電体保護層と、
　前記基板と前記誘電体保護層との間に設けられ、誘電体材料と金属、半金属または半導体材料とを含む光吸収性保護層と、
　を有することを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
　前記誘電体保護層は、前記基板上に直接設けられている請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項３】
　前記光吸収性保護層の金属、半金属または半導体材料は、前記記録膜の材料よりも融点が高く、記録膜材料とは固溶しないものであることを特徴とする請求項２に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
　前記光吸収性保護層の誘電体材料は、ＳｉＯ2 、ＳｉＯ、ＡｌＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ3 、ＺｎＳ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、およびこれらの混合材料からなるなる群から選択される少なくとも一種であることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
　前記光吸収性保護層の金属材料、半金属または半導体材料は、周期律表の３族ａのＹ、４族ａのＴｉ，Ｚｒ、５族ａのＶ，Ｎｂ，Ｔａ、６族ａのＣｒ，Ｍｏ，Ｗ、７族ａのＭｎ、８族のＦｅ，Ｒｕ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ、１族ｂのＣｕ，Ａｇ，Ａｕ、２族ｂのＺｎ，Ｃｄ、３族ｂのＢ，Ａｌ，Ｉｎ、４族ｂのＣ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ、５族ｂのＳｂ，Ｂｉ、６族ｂのＳｅ，Ｔｅ、およびこれらの混合材料からなる群から選択少なくとも一種であることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、相変化型の記録層を備え、情報の記録再生に用いられる光ディスク等の情報記録媒体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　情報の記録再生で用いられる相変化型の光ディスクとしては、カルコゲナイド系材料を記録層に用いた光ディスク（以下、相変化光ディスクと略記する）が検討されている。相変化光ディスクの従来技術については、「書換え可能光ディスク材料」奥田昌宏著、株式会社工業調査会発行、１９８９年５月２０日初版発行、に詳しい。
【０００３】
　相変化光ディスクは、カルコゲナイド系記録層の結晶相、非晶質相の相変化を利用して情報の記録再生を行なう。従来の相変化光ディスクの動作は次のように行なわれている。
【０００４】
　１）スパッタ、蒸着などで成膜された記録層は非晶質であるので、加熱アニール処理または光ビーム照射などで、記録層を結晶相とする。これを初期（結晶）化という。
【０００５】
　２）短パルス、高パワーの記録パルスで結晶相の記録層を溶融、急冷し非晶質化して記録マークとする。
【０００６】
　３）長パルス、低パワーの消去パルスで非晶質相の記録マークを結晶化し、記録マークを消去する。
【０００７】
　また、消去パワーに記録パワーを重畳させて、オーバーライトを行なうことも検討されている。相変化光ディスクの層構成としては、光ディスク基板上、誘電体保護層、相変化記録層、誘電体保護層、金属または合金反射膜を積層したものが、この分野で一般に用いられている。
【０００８】
　光ディスク基板と相変化記録層との間に金属膜を設けた層構成については、特開昭６２−２２６４４６号公報、特開平４−２６５５４１号公報に開示されている。
【０００９】
　特開昭６２−２２６４４６号公報には、光ディスク基板と相変化記録層との間に半透明の金属膜を設けた層構成で、記録層の記録感度を向上させるために光吸収層として半透明の金属膜を設けることが記載されている。
【００１０】
　一方、特開平４−２６５５４１号公報には、光ディスク基板と相変化記録層との間に金属膜を設けた層構成として、ディスクの光反射率を高めることが記載されている。
【非特許文献１】「書換え可能光ディスク材料」奥田昌宏著、株式会社工業調査会発行、１９８９年５月２０日初版発行
【特許文献１】特開昭６２−２２６４４６号公報
【特許文献２】特開平４−２６５５４１号公報
【特許文献３】特開昭６２−２２６４４６号公報
【特許文献４】特開平４−２６５５４１号公報
【特許文献５】特開平５−１５９３６０号公報
【特許文献６】特開平２−２４０８４２号公報
【特許文献７】特開平１−１３８６３５号公報
【特許文献８】特開平７−１０６５６４号公報
【特許文献９】特開昭５８−１２１１５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
　従来の相変化光ディスクの層構成は、上述したように、基板上に誘電体保護層、相変化記録層、誘電体保護層、金属または合金の反射膜、さらに紫外線硬化樹脂膜を積層したものが一般的であるが、この層構成の相変化光ディスクでは、記録層の光吸収が非晶質状態の方が結晶状態よりかなり大きいために高記録密度で記録変調歪を生じ易い。これは非晶質状態の記録マークの上にオーバライトした記録マークの形状のほうが、結晶状態の消去トラックに記録したときの記録マークより光吸収が大きいためマーク形状が大きくなるためである。
【００１２】
　この発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、記録層の非晶質状態と結晶状態との光吸収の差を改善し高記録密度化に適した情報記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
　本発明の情報記録媒体は、基板と、光ビームを受光し、受光部分が状態変化を生じることにより情報が記録される相変化型の記録層と、前記基板と前記記録層との間に設けられた誘電体保護層と、前記基板と前記誘電体保護層との間に設けられ、誘電体材料と金属、半金属または半導体材料とを含む光吸収性保護層とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
　この発明によれば、上記の層の配置構成により、表2のディスクNo.3に示すように非晶質状態と晶質状態との光吸収率の差が、従来に比べて改善された。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】
（第１の実施例）図１は本発明の第１の実施例に係る相変化光ディスクの層構成を模式的に示す図である。この図に示すように、この実施例に係る相変化光ディスクは、光ディスク基板６上に、保護層３、記録層１、保護層２、光吸収性保護層７、反射層４、保護層５がこの順に形成された層構成を有している。
【００１７】
　この層構成は単板の場合の例であり、記録層１のある面を内側にしてこの単板光ディスク２枚を貼り合わせ両面使用の光ディスクとすることも可能である。また、用途によっては、保護層３、保護層５、はそれぞれ省略することも可能である。
【００１８】
　光ディスク基板６は、透明で経時変化が少ない材料、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、またはガラス等で形成される。記録フォーマットに応じて連続溝、サンプルサーボマーク、プリフォーマットマーク等が形成される。
【００１９】
　記録層１は、光ビームが照射されることにより状態が変化する材料で形成されている。このような相変化型材料としては、ＧｅＴｅ系、ＴｅＳｅ系、ＧｅＳｂＳｅ系、ＴｅＯｘ系、ＩｎＳｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系等のカルコゲナイド系アモルファス半導体材料やＩｎＳｂ系、ＧａＳｂ系、ＩｎＳｂＴｅ系等の化合物半導体材料などを用いることができる。この記録層１は、真空蒸着法やスパッタリング法等で形成することができる。この記録層１の膜厚としては、実用上数ｎｍ〜数μｍの範囲であることが好ましい。
【００２０】
　保護層２，３は、記録層１を挟むように配設されており、記録ビームの照射により記録層１が、飛散したり、穴があいてしまうことを防止する役割を有している。また記録のときの記録層の加熱，冷却の熱拡散を制御する役割もある。この保護層２，３は、ＳｉＯ2 、ＳｉＯ、ＡｌＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2、Ｔａ2 Ｏ3 、ＺｎＳ、またはこれらの混合材料等を真空蒸着法やスパッタリング法などで形成することができる。保護層２，３の膜厚は実用上数ｎｍ〜数μｍであることが好ましい。
【００２１】
　反射層４は、記録層の光学的変化を光学的にエンハンスして再生信号を増大させる効果と記録層の冷却効果がある。この反射層４は、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ−Ｃｒ、またはこれらを主成分とした合金等の金属膜を真空蒸着法やスパッタリング法などで形成することができる。反射層の膜厚は、実用上数ｎｍ〜数μｍであることが好ましい。
【００２２】
　保護層５は、相変化光ディスクを取り扱う上での傷、ほこり等を防止するために配設されるものであり、通常紫外線硬化樹脂などにより形成される。この保護層５は、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコート法により反射層４の表面に塗布し、紫外線を照射して硬化させて形成する。この保護層５の膜厚としては、実用上数μｍ〜数百μｍの範囲であることが好ましい。
【００２３】
　光吸収性保護層７は、誘電体材料と金属材料、半金属材料または半導体材料（以下、金属材料等と記す）との混合材料からなる。誘電体材料は、使用する光ビームの波長に対して光吸収を持たないが、用いる光ビームの波長に対して光吸収を有する金属材料等を混合することによって、適切な光吸収性を持たせることができる。すなわち、誘電体材料と金属材料等とを適宜の割合で混合することにより、所望の層厚で所望の光吸収性を持たせることができるのである。光吸収性の点のみを考慮するとこのような目的の保護層を金属材料等のみで構成することが考えられるが、この場合には光吸収が高いため薄い膜に限られ、媒体設計の自由度が低下してしまう。なお、金属材料等には、金属等の単体、合金、および金属間化合物のいずれも含む。
【００２４】
　上記誘電体材料としては、使用する光ビームの波長に対して光吸収を持たない誘電体材料を用いることができる。例えば半導体レーザの波長に対しては、ＳｉＯ2 、ＳｉＯ、ＡｌＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ3 、ＺｎＳ、ＳｉＣ、ＳｉＮなどの材料、またはこれらの混合材料等を用いることができる。
【００２５】
　上記金属材料としては、使用する光ビームの波長に対して光吸収を有する金属材料あるいは半金属や半導体材料を用いることができる。例えば半導体レーザの波長に対しては、元素周期表の３族ａのＹ、４族ａのＴｉ，Ｚｒ、５族ａのＶ，Ｎｂ，Ｔａ、６族ａのＣｒ，Ｍｏ，Ｗ、７族ａのＭｎ、８族のＦｅ，Ｒｕ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ、１族ｂのＣｕ，Ａｇ，Ａｕ、２族ｂのＺｎ，Ｃｄ、３族ｂのＢ，Ａｌ，Ｉｎ、４族ｂのＣ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ、５族ｂのＳｂ，Ｂｉ、６族ｂのＳｅ，Ｔｅ、などのまたはこれらの混合材料等を用いることができる。
【００２６】
　また、光吸収性保護層７の誘電体材料と金属材料等との混合比は、要求される光吸収性に応じて適宜設定される。すなわち、誘電体材料は本質的に吸収係数が０であるから、吸収係数が０より大きい値になるように金属材料等の量を適宜設定する。そして、吸収係数が０．０１以上９．０以下になるように金属材料等の量を設定することが好ましい。吸収係数が０．０１以下では光吸収効果が小さく、９．０以上では吸収性が高いのでこの層厚を厚くすることができず、光ディスクの設計マージンが狭くなってしまう。
【００２７】
　この光吸収性保護層７の膜厚は、実用上光吸収性保護層としての機能から光記録の記録再生で使用される光ビームを完全には遮断しない膜厚で、さらに光学的、熱的要件から数ｎｍから数μｍの範囲の所定の膜厚が設定されることが望ましい。
【００２８】
　この光吸収性保護層７はスパッタリングまたは真空蒸着などの気相法で形成することができる。例えば、スパッタリングでは、光吸収性保護層７を構成する材料の金属または合金のターゲットを用いる。または、光吸収性保護層７を構成する材料のターゲットを用いて同時スパッタ法により形成することも可能である。
【００２９】
　金属薄膜は活性で吸着性が高いので、真空を破ることなく、記録層１、保護層２、光吸収性保護層７、反射層４、を連続して成膜することが望ましい。
【００３０】
（第２の実施例）図２は本発明の第２の実施例に係る相変化光ディスクの層構成を模式的に示す図である。この図に示すように、この実施例に係る相変化光ディスクは、光ディスク基板６上に、光吸収性保護層７、保護層３、記録層１、保護層２、反射層４、保護層５がこの順に形成された層構成を有している。この実施例では、光ディスクの構造上、光吸収保護層７の位置が第１の実施例とは異なっている。
【００３１】
　この層構成は単板の場合の例であり、第１の実施例と同様、記録層１のある面を内側にしてこの単板光ディスク２枚を貼り合わせ両面使用の光ディスクとすることも可能である。また、用途に応じて、保護層５は省略することも可能である。
【００３２】
　この実施例において、基板６、光吸収性保護層７、保護層３、記録層１、保護層２、反射層４、保護層５はそれぞれ第１の実施例と同様に構成されている。また、この実施例でも第１の実施例と同様、真空を破ることなく、光ディスク基板６上に光吸収性保護層７、保護層３、記録層１、保護層２、反射層４、を連続して成膜することが望ましい。
【００３３】
　また、この実施例の応用例として、光ディスク基板６上に誘電体の保護層を設けその上に光吸収性保護層７、保護層３、記録層１、保護層２、反射層４、を配設することもできる。光ディスク基板６上の誘電体の該保護層は、保護層３と同様の材料を用いることができ、所定の膜厚に設定することができる。
【００３４】
　（第３の実施例）図３は本発明の第３の実施例に係る相変化光ディスクの層構成を模式的に示す図である。この図に示すように、この実施例に係る相変化光ディスクは、光ディスク基板６上に、保護層３、記録層１、光吸収性保護層７、反射層４、保護層５がこの順に形成された層構成を有している。
【００３５】
　この層構成は単板の場合の例であり、従前の実施例と同様、記録層１のある面を内側にしてこの単板光ディスク２枚を貼り合わせ両面使用の光ディスクとすることも可能である。また、用途に応じて、保護層３、保護層５は、それぞれ省略することも可能である。
【００３６】
　この実施例において、基板６、保護層３、記録層１、光吸収性保護層７、反射層４、保護層５はそれぞれ従前の実施例と同様に構成されている。光吸収性保護層７は、反射層４と記録層１との間に配設される。この実施例においても第３の実施例と同様、光吸収性保護層７が記録層１に接していることから、記録層１との間の拡散を防止するために、光吸収性保護層７を構成する金属材料等の融点は記録層１の融点よりも高いことが望ましく、記録層１の摂氏での融点の３倍以上であることが望ましい。
【００３７】
　金属薄膜は活性で吸着性が高いので、真空を破ることなく、記録層１、光吸収性保護層７、反射層４、を連続して成膜することが望ましい。
【００３８】
　（第４の実施例）図４は本発明の第４の実施例に係る相変化光ディスクの層構成を模式的に示す図である。この図に示すように、この実施例に係る相変化光ディスクは、光ディスク基板６上に、保護層３、記録層１、光吸収性保護層７、保護層５がこの順に形成された層構成を有している。
【００３９】
　この層構成は単板の場合の例であり、従前の実施例と同様、記録層１のある面を内側にしてこの単板光ディスク２枚を貼り合わせ両面使用の光ディスクとすることも可能である。また、用途に応じて、保護層３、保護層５は、それぞれ省略することも可能である。
【００４０】
　この実施例において、基板６、保護層３、記録層１、光吸収性保護層７、保護層５はそれぞれ従前の実施例と同様に構成されている。光吸収性保護層７は、記録層１の上に配設される。この実施例においても第３および第４の実施例と同様、光吸収性保護層７が記録層１に接していることから、記録層１との間の拡散を防止するために、光吸収性保護層７を構成する金属材料等の融点は記録層１の融点よりも高いことが望ましく、記録層１の摂氏での融点の３倍以上であることが望ましい。
【００４１】
　金属薄膜は活性で吸着性が高いので、真空を破ることなく、記録層１、光吸収性保護層７を連続して成膜することが望ましい。
【００４２】
　（製造方法）図５を参照しながら上記第１ないし第４の実施例に係る情報記録媒体（相変化光ディスク）の製造方法の一例について説明する。
【００４３】
　図５はこの実施例の情報記録媒体を製造するために用いられるスパッタリング装置の概略構成を示す縦断面図、図６はその横断面図である。図中参照符号１０は真空容器を示し、この真空容器１０は、その底面にガス導入ポート１１及びガス排出ポート１２を有している。ガス排出ポート１２は排気装置１３に接続されており、排気装置１３により排出ポート１２を介して真空容器１０内が排気される。またガス導入ポート１１はアルゴンガスボンベ１４に接続されており、このボンベ１４から真空容器１０内にガス導入ポート１１を介してスパッタリングガスとしてのアルゴンガスが導入される。
【００４４】
　真空容器１０内の上部には、基板支持用の円盤状の回転基台１５がその面を水平にして配設されており、その下面に基板６が支持され、図示しないモーターによって回転されるようになっている。
【００４５】
　また、真空容器１０内の底部近傍には、基台１５に対向するように、各層を構成する記録層１用のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料からなるスパッタリング源２１、保護層２及び３用のＺｎＳ系材料からなるスパッタリング源２２、反射層４用のＡｌ系合金からなるスパッタリング源２３、及び本発明に係わる光吸収性保護層７および／または光吸収性保護層８用の材料、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｗからなるスパッタリング源２４が配設されており、各スパッタリング源には図示しない高周波電源が接続されている。
【００４６】
　これらのスパッタリング源２１，２２，２３，２４の上部には、それぞれモニタ装置（スパッタリング源２１，２３にそれぞれ対応するモニタ装置２５，２７のみ図示）が設けられており、これらモニタ装置により各スパッタリング源からのスパッタリング量をモニタし、各層が所定の膜厚になるように各スパッタリング源のスパッタリング時間を調節するようになっている。
【００４７】
　このようなスパッタリング装置においては、まず排気装置により真空容器１０内を例えば１０-6Ｔｏｒｒ台の真空度まで排気する。次いでガス導入ポート１１を介して容器１０内にアルゴンガスを導入しつつ、排気装置１３の排気量を調節して真空容器１０内を所定のアルゴンガス雰囲気に保持する。この状態で、基板６を回転させつつ、各スパッタリング源に層構成の順番に所定時間所定の電力を印加する。これにより、基板６に所定の層構成を形成することができる。
【００４８】
　本発明では特に、光吸収性保護層７（光吸収性保護層８を有する第３の実施例の層構成では光吸収性保護層７および光吸収性保護層８）の成膜の前後で真空容器１０を開けて大気に曝すことなく光吸収性保護層７および／または光吸収性保護層８を成膜する。これによって、光吸収性保護層７および／または光吸収性保護層８及び記録層１の酸化やゴミの混入を防止することができ、光吸収性保護層７および／または光吸収性保護層８の記録層１との密着性を優れたものにすることができる。
【００４９】
　（実験例）上記製造方法で以下に示す層構成のディスクＮｏ．１，２，３，４を作製した。
【００５０】
　また、記録特性の比較のために、図７に示す層構成の記従来例１に係るディスクＮｏ．５を作製した。この従来例のディスクＮｏ．５は第１の実施例の光ディスクから光吸収保護層７を除いた構成、すなわち、基板６上に、保護層３、記録層１、保護層２、反射層４、保護層５を順に形成した層構成を有している。
【００５１】
　ディスクＮｏ．１は、前述の実施例１に係わるもので、反射層４と保護層２の間にＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｗからなる光吸収性保護層７を設けたものである。各層の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護層３（１００ｎｍ）、ＧｅＳｂＴｅ記録層１（２０ｎｍ）、ＺｎＳ系保護層２（１０ｎｍ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｗ光吸収性保護層７（２５ｎｍ）、Ａｌ系反射層４（１００ｎｍ）とした。
【００５２】
　ディスクＮｏ．２は、前述の実施例２に係わるもので、基板１側の保護層３を介してＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｗからなる光吸収性保護層７を設けたものである。各層の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護層（１００ｎｍ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｗ光吸収性保護層７（２５ｎｍ）、ＺｎＳ系保護層３（１０ｎｍ）、ＧｅＳｂＴｅ記録層１（２０ｎｍ）、ＺｎＳ系保護層２（２５ｎｍ）、Ａｌ系反射層４（１００ｎｍ）とした。
【００５３】
　ディスクＮｏ．３は、前述の実施例３に係わるもので、反射層４と記録層１の間にＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｗからなる光吸収性保護層７を設けたものである。各層の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護層３（１００ｎｍ）、ＧｅＳｂＴｅ記録層１（２０ｎｍ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｗ光吸収性保護層７（２５ｎｍ）、Ａｌ系反射層４（１００ｎｍ）とした。
【００５４】
　ディスクＮｏ．４は、前述の実施例４に係わるもので、記録層１の上にＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｗからなる光吸収性保護層７を設けたものである。各層の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護層３（１００ｎｍ）、ＧｅＳｂＴｅ記録層１（２０ｎｍ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｗ光吸収性保護層７（５００ｎｍ）とした。
【００５５】
　また、上記従来例に係るディスクＮｏ．５の各層の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護層３（１００ｎｍ）、ＧｅＳｂＴｅ記録層１（２０ｎｍ）、ＺｎＳ系保護層２（２５ｎｍ）、Ａｌ系反射層４（１００ｎｍ）とした。
【００５６】
　なお、ディスクは直径８６ｍｍの基板を用いた。また、各ディスクの特性の評価は波長６８０ｎｍの光ビームを使用した。光吸収性保護層としては上述したようにＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体にＷを混合したものを用いた。Ｗは融点が約３３８０℃で記録層１のＧｅＳｂＴｅの融点約６００℃の３倍以上高温であり、熱的安定性にも優れている。記録層１に接して使用する場合、ＧｅＳｂＴｅとの濡れ性も優れている。波長６８０ｎｍにおいて、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体の光学定数を測定すると屈折率２．０であるが、これにＷを同時にスパッタ法で混合すると屈折率２．８、吸収係数０．４となった。この混合したときの屈折率と吸収係数は、混合するＷの量によって調整できる。
【００５７】
　以上、５種類のディスクの記録層の光吸収特性の評価を光学計算により行った。光学計算で用いた各膜の波長６８０ｎｍにおける光学定数を表１に示す。これらは、実験的に求めた実測値である。
【表１】
2004111048.tif 000003
【００５８】
　その結果を図８から図１２に示す。図８はディスクＮｏ．１の記録層が非晶質状態（実線）と結晶状態（点線）の場合の各層の光吸収を示す。図９はディスクＮｏ．２の記録層が非晶質状態（実線）と結晶状態（点線）の場合の各層の光吸収を示す。図１０は、ディスクＮｏ．３の記録層が非晶質状態（実線）と結晶状態（点線）の場合の各層の光吸収を示す。図１１はディスクNo.4の記録層が非晶質状態（実線）と結晶状態（点線）の場合の各層の光吸収を示す。図１２は従来例ディスクＮｏ．５の記録層が非晶質状態（実線）と結晶状態（点線）の場合の各層の光吸収を示す。表２に各ディスクの記録層の吸収率の比較をまとめて示す。
【表２】
2004111048.tif 000004
【００５９】
　これらの結果から明らかなように、従来例のディスクＮｏ．５では、非晶質状態のほうが結晶状態より記録層の光吸収が１２％大きい。これに対して本発明の実施例であるディスクＮｏ．１からディスクＮｏ．４では記録層の光吸収率差がいずれも１２％より小さくなり、非晶質状態と結晶状態の記録層の光吸収差が従来の光ディスクよりも改善されていることが確認される。特にディスクNo.4では結晶状態の方が非晶質状態よりも記録層の光吸収が大きくなっており、非晶質状態と結晶状態の記録層の光吸収差の改善の効果が大きい。
【００６０】
　以上説明したように本発明によれば、従来の相変化光ディスクよりも記録層における非晶質状態と結晶状態との光吸収の差を少なくすることができ、高記録密度化に適した情報記録媒体およびその製造方法を提供することができる。
【００６１】
　またこの発明ではこの光吸収性保護層と記録層、誘電体保護層、または反射膜との付着力の改善の効果も期待できるのでより信頼性の向上した相変化光ディスクを提供することができる。
【００６２】
　さらに、相変化型の記録層と接して該光吸収性保護層を設けることによって上の誘電体保護層あるいは反射膜を省略することも可能となり、ディスクの低コスト化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】この発明の実施例に係る相変化光ディスクの断面図。
【図２】この発明の他の実施例に係る相変化光ディスクの断面図。
【図３】この発明のさらに他の実施例に係る相変化光ディスクの断面図。
【図４】この発明のさらに他の実施例に係る相変化光ディスクの断面図。
【図５】この発明に係る情報記録媒体を製造するために用いられるスパッタリング装置の概略構成を示す縦断面図。
【図６】図５のスパッタリング装置の横断面図である。
【図７】従来の相変化光ディスクの層構成を模式的に示す図である。
【図８】この発明の実験例において作成した相変化光ディスクＮｏ．１の光吸収特性の評価を示す図。
【図９】この発明の実験例において作成した相変化光ディスクＮｏ．２の光吸収特性の評価を示す図。
【図１０】この発明の実験例において作成した相変化光ディスクＮｏ．３の光吸収特性の評価を示す図。
【図１１】この発明の実験例において作成した相変化光ディスクＮｏ．４の光吸収特性の評価を示す図。
【図１２】従来の相変化光ディスクＮｏ．５の光吸収特性の評価を示す図。
【符号の説明】
【００６４】
１…記録層、２…保護層、３…保護層、４…反射層、５…保護層、６…光ディスク基板、７，８…光吸収性保護層、９…保護層、１０…真空容器、１１…ガス導入ポート、１２…ガス排気ポート、１３…排気装置、１４…アルゴンガスボンベ、１５…回転台、２１，２２，２３，２４…スパッタリング源、２５，２７…モニタ装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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