(57)【要約】【課題】明るく、高コントラストを有する液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の液晶表示装置（１００）のアクティブマトリックス基板（１０１）において、第２の層間絶縁膜（１１９）の各突出部（１７０）上に、異なる極性の電位が印加される相互に隣接した各画素電極（１０３）の間の領域が配置されており、各画素電極（１０３）および対応する各スイッチング素子（１０８）とが各引き出し電極（１５０）を介してそれぞれ電気的に接続されている。【選択図】　図４
2004013123.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリックス基板と、前記アクティブマトリックス基板に対向して配置される対向基板と、前記アクティブマトリックス基板と前記対向基板との間に配置される液晶層とを備える液晶表示装置であって、前記アクティブマトリックス基板は、
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に、それぞれが平行に設けられた複数の第１の導電線と、
前記絶縁基板上に、それぞれが前記各第１の導電線と対になり、前記各第１の導電線とは一定の間隔をあけてそれぞれ平行に設けられた複数の第２の導電線と、
前記複数の第１の導電線および前記複数の第２の導電線を覆う第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上において、前記各第１の導電線から対応する第２の導電線までの領域内にそれぞれ設けられた複数の引き出し電極と、
前記各引き出し電極に対応して表面がそれぞれ突出した複数の突出部が設けられるように前記複数の引き出し電極を覆う第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上にマトリックス状に配置された複数の画素電極と、
前記各画素電極にそれぞれ電気的に接続された複数のスイッチング素子と
を有し、
前記第２の層間絶縁膜の各突出部上に、異なる極性の電位が印加される相互に隣接した各画素電極の間の領域が配置されており、
前記各画素電極および対応する各スイッチング素子とが前記各引き出し電極を介してそれぞれ電気的に接続されている、液晶表示装置。
【請求項２】
前記アクティブマトリックス基板は、前記絶縁基板上において、それぞれが前記複数の第１の導電線および前記複数の第２の導電線が設けられた領域とは異なる領域に設けられた複数の第１のダミー絶縁部をさらに含み、
前記第１の層間絶縁膜は、前記複数の第１の導電線と、前記複数の第２の導電線と、前記複数の第１のダミー絶縁部とを覆う、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記アクティブマトリックス基板は、前記第１の層間絶縁膜上に、それぞれが前記複数の引き出し電極と同じ材料によって設けられた複数の第３の導電線をさらに含む、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記アクティブマトリックス基板は、前記第１の層間絶縁膜上において、それぞれが前記各第３の導電線の近傍にそれぞれ設けられた複数の第２のダミー絶縁部をさらに含み、
前記第２の層間絶縁膜は、前記複数の引き出し電極と、前記複数の第３の導電線と、前記複数の第２のダミー絶縁部とを覆う、請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
絶縁基板上に複数のスイッチング素子を形成するステップと、
前記絶縁基板上に、それぞれが平行に設けられた複数の第１の導電線と、それぞれが前記各第１の導電線と対になり、前記各第１の導電線とは一定の間隔をあけてそれぞれ平行に設けられた複数の第２の導電線とを形成するステップと、
前記複数の第１の導電線および前記複数の第２の導電線を第１の層間絶縁膜で覆うステップと、
前記第１の層間絶縁膜上において、前記各第１の導電線から対応する第２の導電線までの領域内にそれぞれ配置される複数の引き出し電極を、対応するスイッチング素子にそれぞれ電気的に接続されるように、形成するステップと、
前記複数の引き出し電極を第２の層間絶縁膜で覆い、前記各引き出し電極に対応して前記第２の層間絶縁膜の表面がそれぞれ突出した複数の突出部を形成するステップと、
異なる極性の電位が印加される相互に隣接した画素電極の間の領域が前記第２の層間絶縁膜の各突出部上に配置されるように複数の画素電極を前記第２の層間絶縁膜上にマトリックス状に形成して、前記各画素電極を対応する引き出し電極に電気的に接続するステップと
を包含する、液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁基板上において、前記複数の第１の導電線および前記複数の第２の導電線が形成された領域とは異なる領域に複数の第１のダミー絶縁部を形成するステップをさらに包含し、
前記第１の層間絶縁膜で覆うステップは、前記複数の第１の導電線と、前記複数の第２の導電線と、前記複数の第１のダミー絶縁部とを覆うステップを包含する、請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の層間絶縁膜上に複数の第３の導電線を形成するステップをさらに包含し、
前記複数の第３の導電線を形成するステップは、前記複数の引き出し電極を形成するステップの工程と同時に行なわれる、請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の層間絶縁膜上において、前記各第３の導電線の近傍に複数の第２のダミー絶縁部をそれぞれ形成するステップをさらに包含し、
前記第２の層間絶縁膜を覆うステップは、前記複数の引き出し電極と、前記複数の第３の導電線と、前記複数の第２のダミー絶縁部とを覆うステップを包含する、請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に関する。より詳細には、アクティブマトリックス型液晶表示装置およびアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のアクティブマトリックス型液晶表示装置は、表示単位となる複数の画素電極がマトリックス状に配置されたアクティブマトリックス基板と、アクティブマトリックス基板から適当な間隔をあけて対向配置された対向基板と、これらのアクティブマトリックス基板と対向基板とに挟まれた液晶層とを有する。対向基板には、対向電極が設けられている。
【０００３】
液晶表示装置では、画素電極および対向電極に電圧を印加して、画素電極と対向電極との間に挟まれた液晶層の液晶分子の配向状態を変化させることによって、液晶層を通過する光の量を制御する。しかし、液晶層の液晶分子を意図したように配向できず（配向不良）、光抜けが生じることがある。配向不良が生じる原因として、以下の２つの理由が挙げられる。
【０００４】
（１）配向膜の段差
（２）横電界
まず、（１）配向膜の段差について説明する。
【０００５】
液晶分子の配向状態は、液晶層の材料の性質と、２つの基板のそれぞれの液晶層と接する部分に設けられた配向膜とによって規定されている。したがって、アクティブマトリックス基板において、配向膜の下地面となる画素電極の表面、または、画素電極の下地面となる層間絶縁膜の表面に段差があると、この段差に起因して配向膜の表面に段差が生じ、この段差の度合いに応じて液晶分子の配向不良（ディスクリネーション）が生じる。画素電極の下方に、画素電極を制御するスイッチング素子、もしくは、画素電極またはスイッチング素子に接続された配線が設けられている場合、画素電極の下地面となる層間絶縁膜の表面に段差が存在し、それにより、画素電極に段差が生じる。
【０００６】
このように配向膜の下地面に段差があると、液晶分子を配向するために配向膜をラビングする際に、この段差に起因して均一にラビングすることができない。したがって、この段差に対応する液晶分子の配向状態を良好に制御することが困難となり、光抜け等によって、液晶表示装置のコントラスト比が低下するおそれがある。
【０００７】
このような段差をなくす平坦化技術が、特開２００１−６６６３５号公報において開示されている。
【０００８】
この従来技術では、基板上に設けられた平坦な絶縁膜表面上に配線が配置され、その平坦な絶縁膜表面面上の配線が配置されていない領域に、配線の厚さに相当するダミー絶縁部が形成されて、その後、配線およびダミー絶縁部を覆うように絶縁膜が形成されている。このようにダミー絶縁部が形成されていることにより、配線が設けられた領域と配線が設けられていない領域との段差が無くなり、配線を覆うように形成された絶縁膜の表面が平坦化される。したがって、画素電極の下地面となる絶縁膜表面が平坦化されることにより、配向膜に段差が形成されることが抑制され、ラビング時における段差の影響が低減されて、配向不良などの表示品位低下が防止される。
【０００９】
次に、（２）横電界について説明する。
【００１０】
横電界は、液晶表示装置を反転駆動方式で駆動する場合に発生する。
【００１１】
液晶表示装置では、直流電圧印加による液晶の劣化防止、表示画像におけるクロストーク、フリッカの防止などのために、各画素電極に印加される電位極性を所定の周期で反転させる反転駆動方式が採用されている。この反転駆動方式では、１つのフレームまたはフィールドの画像信号に対応する表示を行う間は、奇数行に配列された画素電極を対向電極の電位を基準として正極性の電位が印加されると共に、偶数行に配列された画素電極を対向電極の電位を基準として負極性の電位が印加される。これに続く次のフレームまたはフィールドにおいて画像信号に対応する表示を行う場合には、逆に、偶数行に配列された画素電極を正極性の電位が印加されると共に奇数行に配列された画素電極を負極性の電位が印加される。
【００１２】
反転駆動方式において、同一行の画素電極を同一極性の電位により駆動して、同一行の画素電極の電位の極性を行毎にフレームまたはフィールド周期で反転させる方式を１Ｈ反転駆動方式という。１Ｈ反転駆動方式は、制御が比較的容易であり、高品位の画像表示が可能である。また、同一列の画素電極を同一極性の電位により駆動して、同一列の画素電極の電位の極性を列毎にフレームまたはフィールド周期で反転させる方式を１Ｓ反転駆動方式という。１Ｓ反転駆動方式も、制御が比較的容易であり高品位の画像表示が可能になる。
【００１３】
このように反転駆動方式で画素電極が駆動されるアクティブマトリックス基板では、隣接する画素電極の間には、横電界が生じる。この横電界によって、液晶分子の配向不良が生じる結果、光抜けが起こり、液晶表示装置のコントラストが低下するおそれがある。
【００１４】
このような光抜けが生じる領域（以下、「光抜け領域」とよぶ）に対して遮光部を配置することにより、光抜けをなくすことは可能である。しかし、液晶表示装置の表示領域に大きな表面積にわたって遮光部を配置すると、各表示画素単位あたりの開口面積が低下し、明るさが低下する。
【００１５】
横電界による光抜けの影響を減らす１つの方法は、アクティブマトリックス基板と対向基板との間の距離（以下、「セルギャップ」と称する）を短くすることである。しかしながら、最適なセルギャップは、液晶層の材料の性質によって決定されるため、セルギャップを単純に短くすると、液晶表示装置の透過率が低下し、表示領域の明るさが低下するおそれがある。
【００１６】
特開２００１−１４２４１４号公報には、異なる極性の電位が印加される隣接した画素電極の間の領域が、走査線および容量線を層間絶縁膜で覆うことにより、層間絶縁膜に設けられた突出部上に配置されていることによって、隣接した画素電極の間の領域と対向電極とのセルギャップを他の領域のセルギャップより薄くする構成が開示されている。このような構成により、隣接する画素電極間の領域では横電界による液晶分子の配向不良が防止され、光抜けが抑制される。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは、セルギャップと横電界によって光抜けする領域（以下、「横電界光抜け領域」とよぶ）との関係について測定を行なった。図７は、セルギャップの長さと横電界光抜け領域の幅との関係を示すグラフである。このグラフから、セルギャップが短くなるほど、横電界光抜け領域の幅が小さくなることが分かる。
【００１８】
一般的なセルギャップの長さは約３．０μｍであり、そのセルギャップの長さを０．５μｍ薄くして２．５μｍになるように設計すると、図７に示されるように、横電界光抜け領域の幅は約１．０μｍ小さくなる。
【００１９】
前述した特開２００１−１４２４１４号公報では、走査線または容量線を層間絶縁膜で覆って、層間絶縁膜における走査線または容量線を覆う部分を突出させて、横電界光抜け領域のセルギャップを短くしている（特開２００１−１４２４１４号公報の図７参照）。しかしながら、このように、走査線および容量線を覆う部分によって層間絶縁膜の突出部を形成すると、突出部の幅が広くなる。しかも、この場合には、突出部の幅を制御することが容易ではない。
【００２０】
走査線および容量線を覆う層間絶縁膜の膜厚は、一般的に、１．０μｍ以上になっており、このような膜厚の層間絶縁膜では、走査線および容量線を覆う突出部のテーパー領域さも同程度の長さとなる。このような長さのテーパー領域が形成されると、そのテーパー領域の傾斜によって配向不良が生じる。このような配向不良の影響を抑えるために、遮光部を設ければよいが、層間絶縁膜上または対向基板上に遮光部を設けることは開口面積の低下を伴う。
【００２１】
図８（ａ）および図８（ｂ）を参照して、突出部を設けることで横電界光抜け領域を狭くできるが、それにより、段差による光抜けが生じることを説明する。
【００２２】
図８（ａ）は、印加される電圧の極性が異なる画素電極８１１を平坦な平面上に形成した液晶表示装置８１０の模式的な断面図である。
【００２３】
図８（ａ）に示される液晶表示装置８１０は、極性の異なる電圧を印加する２つの画素電極８１１が平面上に配置されている。２つの画素電極８１１に対向する対向電極８１２と、２つの画素電極８１１との間には、液晶層８１３が設けられている。
【００２４】
この液晶表示装置８１０では、２つの画素電極８１１の間の領域を中心とした横電界による光抜けが生じる。この領域を図８（ａ）に横電界光抜け領域８１５として示す。
【００２５】
図８（ｂ）は、前述した特開２００１−１４２４１４号公報に開示される液晶表示装置８２０の模式的な断面図である。この液晶表示装置８２０では、同じ方向に沿って平行になった走査線８２５ａおよび容量線８２５ｂを覆うように第１の絶縁部８２６が形成され、第１の絶縁部８２６を覆うように第２の絶縁部８２８が形成されている。第２の絶縁部８２８には、走査線８２５ａおよび容量線８２５ｂに起因して、突出部８３０が形成されている。極性の異なる電圧が印加される隣接した画素電極８２１は、隣接した画素電極８２１の間の領域が突出部８３０上に位置している。画素電極８２１上に液晶層８２３が設けられ、さらにその上に、対向電極８２２が設けられている。
【００２６】
このような液晶表示装置８２０でも、隣接する画素電極８２１の間の領域を中心とした横電界による光抜けが生じる。この領域を図８（ｂ）に横電界光抜け領域８２５として示す。
【００２７】
図８（ａ）の液晶表示装置８１０と図８（ｂ）の液晶表示装置８２０とを比較すると、図８（ｂ）に示す液晶表示装置８２０の横電界光抜け領域８２５は、図８（ａ）に示す液晶表示装置８１０の横電界光抜け領域８１５と比べて狭くなっている。これは、図８（ｂ）に示す液晶表示装置８２０では、第２の絶縁部８２８が走査線８２５ａおよび容量線８２５ｂを覆う第１の絶縁部８２６を覆うことによって設けられた突起部８３０上に、隣接する画素電極８２１の間の領域が配置されているため、隣接する画素電極８２１間に対応したセルギャップが短くなっているからである。
【００２８】
しかし、図８（ｂ）に示す液晶表示装置８２０では、走査線８２５ａおよび容量線８２５ｂを覆う第１の絶縁部８２６上に第２の絶縁部８２８が形成されているため、突出部８３０の幅が広くなり、それにより、突出部８３０のテーパー領域も長くなって、光抜けが生じる領域（以下、「段差光抜け領域」とよぶ）８２４が生じる。突出部８３０を形成することによって横電界光抜け領域が小さくなった面積と、突出部８３０を形成することによって生じる段差光抜け領域８２４の面積は同程度になる。したがって、図８（ｂ）に示す液晶表示装置８２０では、段差光抜け領域８２４の対策のために表示領域上に遮光部を設ける必要があり、それによって、開口面積が低下するおそれがある。
【００２９】
開口面積の低下を防ぐための１つの方法として、走査線８２５ａおよび容量線８２５ｂを細くすることが考えられるが、査線８２５ａおよび容量線８２５ｂを細くすることは、配線抵抗の増加および保持容量面積の低下を伴い、表示品位が低下するおそれがある。
【００３０】
本発明は、以上のような問題点を鑑みてなされたもので、明るく、高コントラストを有する液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００３１】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶表示装置は、アクティブマトリックス基板と、前記アクティブマトリックス基板に対向して配置される対向基板と、前記アクティブマトリックス基板と前記対向基板との間に配置される液晶層とを備える液晶表示装置であって、前記アクティブマトリックス基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に、それぞれが平行に設けられた複数の第１の導電線と、前記絶縁基板上に、それぞれが前記各第１の導電線と対になり、前記各第１の導電線とは一定の間隔をあけてそれぞれ平行に設けられた複数の第２の導電線と、前記複数の第１の導電線および前記複数の第２の導電線を覆う第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上において、前記各第１の導電線から対応する第２の導電線までの領域内にそれぞれ設けられた複数の引き出し電極と、前記各引き出し電極に対応して表面がそれぞれ突出した複数の突出部が設けられるように前記複数の引き出し電極を覆う第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜上にマトリックス状に配置された複数の画素電極と、前記各画素電極にそれぞれ電気的に接続された複数のスイッチング素子とを有し、前記第２の層間絶縁膜の各突出部上に、異なる極性の電位が印加される相互に隣接した各画素電極の間の領域が配置されており、前記各画素電極および対応する各スイッチング素子とが前記各引き出し電極を介してそれぞれ電気的に接続されている。
【００３２】
本発明によれば、異なる極性の電位が印加される相互に隣接した画素電極の間の領域が、突出部上に位置付けられることにより、横電界光抜け領域を狭くすることができる。また、第１の導電線からその第１の導電線と対になる第２の導電線までの領域内に設けられた各引き出し電極に起因して、第２の層間絶縁膜に各突出部が設けられていることから、段差光抜け領域を狭くすることができる。
【００３３】
また、各引き出し電極を介して、対応する画素電極を対応するスイッチング素子に電気的に接続することにより、その画素電極とそのスイッチング素子とを接続する設計の自由度を向上させることができる。
【００３４】
前記アクティブマトリックス基板は、前記絶縁基板上において、それぞれが前記複数の第１の導電線および前記複数の第２の導電線が設けられた領域とは異なる領域に設けられた複数の第１のダミー絶縁部をさらに含み、
前記第１の層間絶縁膜は、前記複数の第１の導電線と、前記複数の第２の導電線と、前記複数の第１のダミー絶縁部とを覆ってもよい。
【００３５】
このように、絶縁基板上において、複数の第１の導電線および複数の第２の導電線が設けられた領域とは異なる領域に複数の第１のダミー絶縁部を設け、第１の層間絶縁膜が、複数の第１の導電線と、複数の第２の導電線と、複数の第１のダミー絶縁部とを覆うことにより、第１の層間絶縁膜の表面を平坦化することができる。
【００３６】
前記アクティブマトリックス基板は、前記第１の層間絶縁膜上に、それぞれが前記複数の引き出し電極と同じ材料によって設けられた複数の第３の導電線をさらに含んでもよい。
【００３７】
このように、複数の第３の導電線が、複数の引き出し電極と同じ材料によって設けることにより、複数の第３の導電線を複数の引き出し電極と同時に形成することが可能になる。
【００３８】
前記アクティブマトリックス基板は、前記第１の層間絶縁膜上において、それぞれが前記各第３の導電線の近傍にそれぞれ設けられた複数の第２のダミー絶縁部をさらに含み、前記第２の層間絶縁膜は、前記複数の引き出し電極と、前記複数の第３の導電線と、前記複数の第２のダミー絶縁部とを覆ってもよい。
【００３９】
このように、第１の層間絶縁膜上の複数の第３の導電線の近傍に複数の第２のダミー絶縁部を設け、第２の層間絶縁膜は、複数の引き出し電極と、複数の第３の導電線と、複数の第２のダミー絶縁部とを覆うことにより、複数の突出部を除いた第２の層間絶縁膜の表面を平坦化することができる。
【００４０】
本発明の液晶表示装置を製造する方法は、絶縁基板上に複数のスイッチング素子を形成するステップと、前記絶縁基板上に、それぞれが平行に設けられた複数の第１の導電線と、それぞれが前記各第１の導電線と対になり、前記各第１の導電線とは一定の間隔をあけてそれぞれ平行に設けられた複数の第２の導電線とを形成するステップと、前記複数の第１の導電線および前記複数の第２の導電線を第１の層間絶縁膜で覆うステップと、前記第１の層間絶縁膜上において、前記各第１の導電線から対応する第２の導電線までの領域内にそれぞれ配置される複数の引き出し電極を、対応するスイッチング素子にそれぞれ電気的に接続されるように、形成するステップと、前記複数の引き出し電極を第２の層間絶縁膜で覆い、前記各引き出し電極に対応して前記第２の層間絶縁膜の表面がそれぞれ突出した複数の突出部を形成するステップと、異なる極性の電位が印加される相互に隣接した画素電極の間の領域が前記第２の層間絶縁膜の各突出部上に配置されるように複数の画素電極を前記第２の層間絶縁膜上にマトリックス状に形成して、前記各画素電極を対応する引き出し電極に電気的に接続するステップとを包含する。
【００４１】
本発明によれば、異なる極性の電位が印加される相互に隣接した画素電極の間の領域が、突出部上に位置付けられるように複数の画素電極が配置されていることにより、横電界光抜け領域を狭くすることができる。また、第１の導電線からその第１の導電線と対になる第２の導電線までの領域に対応する領域内に形成される引き出し電極に起因して、第２の層間絶縁膜の突出部が設けられていることから、段差光抜け領域を狭くすることができる。
【００４２】
また、各引き出し電極を介して、対応する画素電極を対応するスイッチング素子に電気的に接続することにより、その画素電極とそのスイッチング素子とを接続する設計の自由度を向上させることができる。
【００４３】
前記絶縁基板上において、前記複数の第１の導電線および前記複数の第２の導電線が形成された領域とは異なる領域に複数の第１のダミー絶縁部を形成するステップをさらに包含し、前記第１の層間絶縁膜で覆うステップは、前記複数の第１の導電線と、前記複数の第２の導電線と、前記複数の第１のダミー絶縁部とを覆うステップを包含してもよい。
【００４４】
このように、絶縁基板上において、複数の第１の導電線および複数の第２の導電線が形成された領域とは異なる領域に複数の第１のダミー絶縁部を形成し、第１の層間絶縁膜が、複数の第１の導電線と、複数の第２の導電線と、複数の第１のダミー絶縁部とを覆うことにより、第１の層間絶縁膜の表面を平坦化することができる。
【００４５】
前記第１の層間絶縁膜上に複数の第３の導電線を形成するステップをさらに包含し、前記複数の第３の導電線を形成するステップは、前記複数の引き出し電極を形成するステップの工程と同時に行なわれてもよい。
【００４６】
このように、複数の第３の導電線が、複数の引き出し電極と同じ材料によって形成されることにより、複数の第３の導電線を複数の引き出し電極と同時に形成することが可能になる。
【００４７】
前記第１の層間絶縁膜上において、前記各第３の導電線の近傍に複数の第２のダミー絶縁部をそれぞれ形成するステップをさらに包含し、前記第２の層間絶縁膜を覆うステップは、前記複数の引き出し電極と、前記複数の第３の導電線と、前記複数の第２のダミー絶縁部とを覆うステップを包含してもよい。
【００４８】
このように、第１の層間絶縁膜上の複数の第３の導電線の近傍に複数の第２のダミー絶縁部を形成し、第２の層間絶縁膜は、複数の引き出し電極と、複数の第３の導電線と、複数の第２のダミー絶縁部とを覆うことにより、複数の突出部を除いた第２の層間絶縁膜の表面を平坦化することができる。
【００４９】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明による液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法について、説明する。
【００５０】
図１は、本発明による液晶表示装置１００の模式的な斜視図を示す。液晶表示装置１００は、アクティブマトリックス基板１０１と、アクティブマトリックス基板１０１と対向するように配置される対向基板１０２と、アクティブマトリックス基板１０１と対向基板１０２とに挟まれた液晶層１０９とを備える。アクティブマトリックス基板１０１には、マトリックス状に配置される複数の画素電極１０３が設けられている。複数の画素電極１０３の各々が、画像表示を行う際の表示単位となる。対向基板１０２には、表示領域に対応して対向電極１０４が設けられている。
【００５１】
アクティブマトリックス基板１０１は、ガラス基板などの光透過性の絶縁基板１１１上に相互に直交する状態にそれぞれ設けられた複数の走査線１０５および複数の信号線１０６を有している。複数の走査線１０５は、それぞれ平行に設けられており、また、複数の信号線１０６は、それぞれ平行に設けられている。各走査線１０５と各信号線１０６の交差部近傍には、ＴＦＴ１０８がそれぞれ設けられている。ＴＦＴ１０８は、走査線１０５に印加される走査信号によってオン・オフするスイッチング素子である。また、アクティブマトリックス基板１０１には、各走査線１０５と対になり、各走査線１０５とは一定の間隔をあけて、各走査線１０５にそれぞれ平行に設けられた容量線１０７が設けられている。
【００５２】
図２は、図１に示すアクティブマトリックス基板１０１の等価回路を示す。図２において、走査線１０５および容量線１０７はＸ（行）方向に沿っており、信号線１０６はＹ（列）方向に沿っている。
【００５３】
図２に示されるように、各信号線１０６には、各信号線１０６に沿って配置されたＴＦＴ１０８のソース部が電気的に接続されている。各信号線１０６を介して、画像信号（Ｓ１、Ｓ２．．．Ｓｎ）が供給される。信号線１０６を介して供給される画像信号（Ｓ１、Ｓ２．．．Ｓｎ）は、この順番に線順次に供給されるか、隣接する複数の信号線１０６に対してまとまって供給される。また、各走査線１０５は、各走査線１０５に沿ったＴＦＴ１０８のゲートに電気的に接続されている。各走査線１０５は、所定のタイミングで、パルス的に走査信号（Ｇ１、Ｇ２．．．Ｇｍ）がそれぞれこの順番に線順次に印加される。
【００５４】
各画素電極１０３は、対応するＴＦＴ１０８のドレイン部に電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ１０８を一定期間だけオン状態にすることにより、そのＴＦＴ１０８が接続された信号線１０６から、画像信号（Ｓ１、Ｓ２．．．Ｓｎ）が所定のタイミングで画素電極１０３に供給される。画素電極１０３に供給された画像信号（Ｓ１、Ｓ２．．．Ｓｎ）は、対向基板１０２（図１参照）に設けられた対向電極１０４（図１参照）との間で一定期間保持される。
【００５５】
液晶層１０９（図１参照）の液晶分子は、電圧を印加することによって、分子集合の配向および秩序が変化し、また、印加される電圧レベルに応じて、分子集合の配向および秩序の程度が変化する。それにより、液晶を通過する光が変調され、階調表示される。
【００５６】
液晶表示装置１００がノーマリーホワイトモードである場合、液晶層１０９に所定の電圧が印加されると、液晶層１０９に入射する光は液晶層１０９を通過することができない。
【００５７】
液晶表示装置１００がノーマリーブラックモードである場合、液晶層１０９に所定の電圧が印加されると、液晶層１０９に入射する光は液晶層１０９を透過する。
【００５８】
液晶表示装置１００がノーマリーホワイトモードであっても、ノーマリーブラックモードであっても、供給される画像信号の電圧に応じて、液晶層１０９を通過する光の量は変化し、画像信号に応じたコントラストを持つ光が液晶表示装置１００から出射する。
【００５９】
アクティブマトリックス基板１０１では、複数の画素電極１０３と対向電極１０４との間に設けられる液晶層１０９の容量と並列に複数の蓄積容量１２０を設けて、供給された画像信号に対応する電荷がリークすることを防いでいる。各蓄積容量１２０には、対応するＴＦＴ１０８のドレイン電極と対応する容量線１０７とが接続されている。
【００６０】
図３は、図１に示すアクティブマトリックス基板１０１を拡大した模式的な上面図を示す。各走査線１０５および各容量線１０７は、各信号線１０６と直交するように配置されている。各走査線１０５の近傍に１つの容量線１０７が、各走査線１０５と対の形態で配置されている。図面を過度に複雑にしないために、画素電極１０３を破線で示す。
【００６１】
各信号線１０６は、Ｘ方向に隣接する２つの画素電極１０３の間にわたってそれぞれ配置されている。Ｙ方向に隣接する２つの画素電極１０３の間の領域は、走査線１０５からその走査線１０５と対になる容量線１０７までの領域に重なるように配置されている。走査線１０５からその走査線１０５と対になる容量線１０７までの領域内に、引き出し電極１５０が配置されている。引き出し電極１５０は、ＴＦＴ１０８（図１および図２参照）のドレイン部と画素電極１０３とを電気的に接続する。走査線１０５からその走査線１０５と対になる容量線１０７までの領域のＹ方向の長さは、引き出し電極１５０のＹ方向の長さよりも長くなっている。引き出し電極１５０は、走査線１０５および走査線１０５と対になる容量線１０７と重なるように配置されている。
【００６２】
図３に示される「＋」および「−」は、あるタイミングにおける画素電極１０３の電位の極性を示す。液晶表示装置１００を反転駆動方式で駆動する場合、図３のＸ（行）方向に沿った第１の方向に配置される画素電極１０３は同じ極性を示すのに対し、図３のＹ（行）方向に沿った第２の方向に配置される画素電極１０３は交互に異なる極性を示す。
【００６３】
図４（ａ）は、図３に示した信号線１０６とは垂直なＡ―Ａ’線に沿った断面図を示し、図４（ｂ）は、図３に示した走査線１０５、引き出し電極１５０および容量線１０７とは垂直なＢ―Ｂ’線に沿った断面図を示す。なお、図４（ａ）および図４（ｂ）は、アクティブマトリックス基板１０１だけでなく、液晶表示装置１００全体の断面図を示している。
【００６４】
アクティブマトリックス基板１０１において、絶縁基板１１１上に複数の下部遮光部１１２が所定のパターンで設けられている。絶縁基板１１１は透明絶縁基板であり、例えば、ガラスまたは石英から形成されている。各下部遮光部１１２は、金属膜（Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ）またはポリシリコンなどの単層膜、あるいは、ＡｌＳｉ、ＭｏＳｉ２、ＴａＳｉ２、ＴｉＳｉ２、ＷＳｉ２、ＣｏＳｉ２、ＮｉＳｉ２、ＰｔＳｉ、Ｐｄ２Ｓ、ＨｆＮ、ＺｒＮ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＮｂＮ、ＴｉＣ、ＴａＣ、ＴｉＢ２またはそれらを組み合わせた遮光効果のある材料から形成されている。各下部遮光部１１２は、絶縁基板１１１側から、後に形成される各走査線１０５、各信号線１０６、各容量線１０７および各ＴＦＴ１０８に入射する光を遮るように機能する。
【００６５】
絶縁基板１１１上には、複数の下部遮光部１１２を覆うように絶縁基板１１１の全面にわたって絶縁膜ｌ１３が設けられている。絶縁膜１１３は、例えば、ＳｉＯ２から形成されている。
【００６６】
絶縁膜１１３上には、複数の活性部１１４が設けられている。活性部１１４は、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＧａＰなどの半導体から形成され、その結晶は、非晶質、多結晶または単結晶でもよい。
【００６７】
絶縁膜１１３上には、複数の活性部１１４を覆うようにゲート絶縁膜１１５が絶縁膜１１３の全面にわたって設けられている。
【００６８】
ゲート絶縁膜１１５上には、複数の走査線１０５、複数の容量線１０７および複数のゲート電極１１０がそれぞれ所定のパターンで設けられている。ゲート絶縁膜１１５上において、複数の第１のダミー絶縁部１１６が、複数の走査線１０５、複数の容量線１０７および複数のゲート電極１１０が設けられていない領域に設けられている。複数の第１のダミー絶縁部１１６は、複数の走査線１０５、複数の容量線１０７および複数のゲート電極１１０から距離Ｄ１だけ離れてそれぞれ配置されている。
【００６９】
各ＴＦＴ１０８は、対応するゲート電極１１０、対応する活性部１１４およびゲート絶縁膜１１５の一部から形成されている。
【００７０】
複数の走査線１０５、複数の容量線１０７、複数のゲート電極１１０および複数の第１のダミー絶縁部１１６を覆うように、ゲート絶縁膜１１５の全面にわたって第１の層間絶縁膜１１７が設けられている。第１の層間絶縁膜１１７の厚さは、第１の層間絶縁膜１１７の表面を平坦化するために、距離Ｄ１の１／２倍以上であることが好ましい。
【００７１】
第１の層間絶縁膜１１７上には、複数の信号線１０６および複数の引き出し電極１５０が所定のパターンで設けられている。図３に示されるように、各信号線１０６はＹ方向に沿っており、各引き出し電極１５０はＸ方向に沿っている。
【００７２】
各引き出し電極１５０は、導電性材料で埋められた複数の第１のコンタクトホール１６１の各々を介して、各ＴＦＴ１０８のドレイン部と電気的に接続されている。
【００７３】
各第２のダミー絶縁部１１８は、対応する引き出し電極１５０を覆うように、設けられている。各第２のダミー絶縁部１１８は、対応する信号線１０６からある距離Ｄ２だけ離れて配置されている。
【００７４】
複数の信号線１０６および複数の第２のダミー絶縁部１１８を覆うように、第１の層間絶縁膜１１７の全面にわたって第２の層間絶縁膜１１９が設けられている。第２の層間絶縁膜１１９には、各引き出し電極１５０を覆う部分がそれぞれ突出した複数の突出部１７０が設けられている。
【００７５】
すなわち、第１の層間絶縁膜１１７上の複数の信号線１０６および複数の第２のダミー絶縁部１１８を覆うように、第１の層間絶縁膜１１７の全面にわたって第２の層間絶縁膜１１９が形成されている。第２の層間絶縁膜１１９の厚さは、第２の層間絶縁膜１１９の複数の突出部１７０以外の領域を平坦化するために、距離Ｄ２の１／２倍以上の厚さであることが好ましい。
【００７６】
第２の層間絶縁膜１１９上には、複数の画素電極１０３がマトリックス状に形成されている。各画素電極１０３は、導電性材料で埋められた第２のコンタクトホール１６２を介して、対応する引き出し電極１５０と電気的に接続されている。
【００７７】
マトリックス状に形成された各画素電極１０３上には、複数の配向膜１３０がそれぞれ設けられている。各画素電極１０３は、異なる極性の電位が印加される隣接した画素電極１０３の間の領域が各突出部１７０上に位置付けられるように配置されている。このように、各引き出し電極１５０を介して、対応する画素電極１０３を対応するＴＦＴ１０８に電気的に接続することにより、その画素電極１０３とそのＴＦＴ１０８とを接続する設計の自由度を向上させることができる。
【００７８】
アクティブマトリックス基板１０１に対向する対向基板１０２には、透明基板１２２と、透明基板１２２上に設けられる対向電極１０４と、対向電極１０４上に設けられる配向膜１３２とが設けられている。
【００７９】
液晶層１０９は、アクティブマトリックス基板１０１と対向基板１０２との間に設けられており、液晶層１０９の液晶分子の配向状態は、画素電極１０３および対向電極１０４の電位と、配向膜１３０および配向膜１３２によって制御される。
【００８０】
図３および図４を参照して理解されるように、異なる極性の電位が印加される隣接した画素電極１０３の間の領域は、対応する走査線１０５からその走査線１０５と対になる容量線１０７までの領域内に配置される。横電界による光抜けは、異なる極性の電位が印加される隣接した画素電極１０３の間の領域を中心として生じるため、この領域のセルギャップを短くするように、突出部１７０が設けられている。
【００８１】
本実施形態の液晶表示装置１００のアクティブマトリックス基板１０１では、複数の第１のダミー絶縁部１１６を、絶縁膜１１５上において、複数の走査線１０５、複数の容量線１０７および複数のゲート電極１１０が設けられていない領域に設けることによって、複数の走査線１０５、複数の容量線１０７および複数のゲート電極１１０を覆う第１の層間絶縁膜１１７の表面が平坦になっている。
【００８２】
また、本実施形態の液晶表示装置１００のアクティブマトリックス基板１０１では、複数の第２のダミー絶縁部１１８を、第１の層間絶縁膜１１７上において、複数の信号線１０６が設けられていない領域に設けているために、複数の信号線１０６の各々を覆う第２の層間絶縁膜１１９の複数の突出部１７０を除く領域が平坦になっている。
【００８３】
また、本実施形態の液晶表示装置１００のアクティブマトリックス基板１０１では、異なる極性の電位が印加される隣接した画素電極１０３の間の領域をカバーするように、信号線１０６と同じ材料で引き出し電極１５０が設けられている。引き出し電極１５０は、信号線１０６と同じ材料で構成され、いずれも第１の層間絶縁膜１１７上に形成されているため、引き出し電極１５０を、信号線１０６を形成するのと同時に形成することができる。
【００８４】
各ＴＦＴ１０８のドレイン部と対応する引き出し電極１５０とを電気的に接続する第１のコンタクトホール１６１が、各ＴＦＴ１０８のドレイン部に対応する位置にそれぞれ形成されている。そして、第２の層間絶縁膜１１９上に設けられた各画素電極１０３は、対応する第２のコンタクトホール１６２を介して対応する引き出し電極１５０に接続されている。
【００８５】
また、図３を参照して理解されるように、各走査線１０５、各信号線１０６および各容量線１０７は、隣接する画素電極１０３の間の領域およびその領域の近傍に配置されている。
【００８６】
アクティブマトリックス基板１０１の遮光領域は、複数の走査線１０５、複数の信号線１０６および複数の容量線１０７に入射する光を遮光する複数の下部遮光部１１２によって決定される。
【００８７】
本実施形態の液晶表示装置は、遮光領域内に、複数の信号線１０６と同時に形成される複数の引き出し電極１５０が第２の層間絶縁膜１１９によって覆われており、複数の引き出し電極１５０を覆う第２の層間絶縁膜１１９に複数の突出部１７０が形成されているために、開口面積を低下させることなく、横電界光抜け領域を低減することができる。
【００８８】
また、各引き出し電極１５０の幅（Ｙ方向の長さ）は、各引き出し電極１５０の下方の対応する走査線１０５から対となる容量線１０７までの長さよりも短いために、段差光抜け領域が小さくなる。
【００８９】
このように、各突出部１７０を設けることで、横電界光抜け領域および段差光抜け領域が小さくなり、各表示画素単位を有効利用することができる。したがって、本実施形態による液晶表示装置１００の開口面積を高めることができる。
【００９０】
図５は、アクティブマトリックス基板１０１を製造するステップを説明するための図である。図５の紙面左側は、図３に示したＡ−Ａ’線に沿った断面図を示し、図５の紙面右側は、図３に示したＢ−Ｂ’線に沿った断面図を示す。
【００９１】
図５（ａ）において、絶縁基板１１１上に複数の下部遮光部１１２を形成する。ＣＶＤ法またはスパッタ法等によって下部遮光層を堆積させ、下部遮光層をフォト／エッチングによりパターニングすることで複数の下部遮光部１１２を形成する。
【００９２】
図５（ｂ）において、複数の下部遮光部１１２を覆うように絶縁基板１１１の全面にわたって絶縁膜ｌ１３を形成する。
【００９３】
絶縁膜１１３上に、複数の活性部１１４を形成する。
【００９４】
多結晶シリコンからなる活性部１１４を形成するには、一般的には、絶縁膜１１３上に非晶質シリコン薄膜を５０〜１５０ｎｍの膜厚で堆積させた後、高温で熱処理するか、または、レーザー光を照射することによって、非晶質シリコン薄膜を多結晶化させる。その後、フォト／エッチングによりパターニングを行い、所定の形状の複数の活性部１１４を形成する。この後、しきい値電圧を制御するために、不純物イオン注入を行ってもよい。
【００９５】
次いで、複数の活性部１１４を覆うように絶縁膜１１３の全面にわたってゲート絶縁膜１１５を形成する。ＣＶＤによる堆積または酸化、もしくはその両方によって、ゲート絶縁膜１１５を形成する。
【００９６】
続いて、ゲート絶縁膜１１５上に、複数の走査線１０５、複数の容量線１０７および複数のゲート電極１１０を形成する。複数のゲート電極１１０をマスクとして、複数の活性部１１４に不純物イオンを注入し、複数の活性部１１４にソース部、ドレイン部を形成する。不純物イオンを注入していない領域には、チャネル部が形成される。
【００９７】
次いで、図５（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜１１５上において、複数の走査線１０５、複数の容量線１０７および複数のゲート電極１１０が形成されていない領域に、各走査線１０５、各容量線１０７および各ゲート電極１１０の厚さにほぼ等しい厚さを有する複数の第１のダミー絶縁部１１６を形成する。絶縁膜を堆積した後、各走査線１０５、各容量線１０７および各ゲート電極１１０などが形成されていない領域に絶縁膜のパターンを残すようにパターンニングすることによって、複数の第１のダミー絶縁部１１６を形成する。
【００９８】
次に、複数の走査線１０５、複数の容量線１０７、複数のゲート電極１１０および複数の第１のダミー絶縁部１１６を覆うように、第１の層間絶縁膜１１７を形成する。このように、第１の層間絶縁膜１１７が、複数の走査線１０５、複数の容量線１０７および複数のゲート電極１１０だけでなく、複数の第１のダミー絶縁部１１６を覆うことによって、第１の層間絶縁膜１１７の表面は平坦化される。
【００９９】
次いで、図５（ｄ）に示すように、複数の活性部１１４に対応して形成される各ＴＦＴ１０８のソース部、ドレイン部上に、後に形成する画素電極１０３と電気的に接続するために複数の第１のコンタクトホール１６１を開口する。
【０１００】
次いで、各第１のコンタクトホール１６１を導電性の材料で埋めた形態で、第１の層間絶縁膜１１７上に複数の引き出し電極１５０を形成する。また、第１の層間絶縁膜１１７上に複数の信号線１０６を形成する。各信号線１０６および各引き出し電極１５０は同じ材料から形成されることが好ましい。例えば、各信号線１０６および各引き出し電極１５０は、Ａｌ等の金属材料から形成されてもよい。第１のコンタクトホール１６１の充填、信号線１０６および引き出し電極１５０のための材料の堆積は、一度の堆積工程で行なわれることが好ましい。
【０１０１】
各引き出し電極１５０は、後の工程で第２の層間絶縁膜１１９を形成する時に、第２の層間絶縁膜１１９の表面に設けられる各突出部１７０の傾斜領域を考慮して、下方の走査線１０５からその走査線１０５の対となる容量線１０７までの領域に対応する領域の内側に配置されている。
【０１０２】
次いで、図５（ｅ）に示すように、複数の第２のダミー絶縁部１１８を形成する。複数の第２のダミー絶縁部１１８は、以下のように形成する。
【０１０３】
窒化膜および酸化膜を堆積させたパッシベーション膜を形成する。ここで、パッシベーション膜は、信号線１０６および引き出し電極１５０と同程度か、または、それ以上の厚さで形成されている。そのパッシベーション膜に水素化処理を行い、次いで、パッシベーション膜をパターニングすることで、複数の第２のダミー絶縁部１１８を形成する。ここで、各第２のダミー絶縁部１１８は、各引き出し電極１５０を覆うようにパターニングしている。
【０１０４】
次いで、複数の信号線１０６および複数のダミー絶縁部１１８を覆うように、第２の層間絶縁膜１１９を形成する。各引き出し電極１５０の上方には、各引き出し電極１５０に起因して、第２の層間絶縁膜１１９の表面が突出した突出部１７０がそれぞれ形成されている。このように第２の層間絶縁膜１１９を形成することによって、各信号線１０６の上方の第２の層間絶縁膜１１９の表面を平坦化し、各引き出し電極部１５０の上方の第２の層間絶縁膜１１９に対応した複数の突出部１７０を形成することができる。
【０１０５】
この後、図５（ｆ）に示すように、第２の層間絶縁膜１１９および複数の第２のダミー絶縁部１１８を介して複数の第２のコンタクトホール１６２を形成する。各第２のコンタクトホール１６２を導電性材料で充填し、その後、ＩＴＯ等の透明導電膜により複数の画素電極１０３を形成する。各第２のコンタクトホール１６２の充填と、複数の画素電極１０３のための導電膜の堆積を一度の堆積工程で行なうことが好ましい。
【０１０６】
各画素電極１０３に各配向膜１３０を塗布し、ラビング処理などの工程を経て、アクティブマトリックス基板１０１を作成する。
【０１０７】
上記のように製造されたアクティブマトリックス基板１０１は、対向基板１０２と適当な間隔をあけて貼り合わせ、アクティブマトリックス基板１０１と対向基板１０２と間に液晶層１０９の材料を注入して液晶層１０９を形成する。さらに、液晶層１０９を封止し、アクティブマトリックス基板１０１および対向基板１０２の外側に偏向板を貼り合わせることによって、所望の液晶表示装置１０１を製造する。図５（ｇ）ではアクティブマトリックス基板１０１と対向基板１０２を貼り合わせた液晶表示装置１００の構造を示している。
【０１０８】
以上のように完成された液晶表示装置１００では、アクティブマトリックス基板１０１において、なる極性の電位が印加される隣接した画素電極１０３の間の領域が、第２の層間絶縁膜１１９の各突出部１７０上に配置されている。したがって、横電界光抜け領域を狭くすることができる。各突出部１７０以外の第２の層間絶縁膜１１９の表面は、平坦化されているため、画素電極１０３の表面の段差による液晶分子の配向不良が抑制される。したがって、開口面積は、各画素面積を最大限に活用しており、液晶表示装置の表示が、明るくなり、コントラストが高くなる。
【０１０９】
図６は、本発明による液晶表示装置の複数の画素電極１０３を反転駆動方式で駆動することを説明するためのアクティブマトリックス基板の模式的な上面図である。図６を参照して、反転駆動方式について詳細に説明する。
【０１１０】
ここでは、１Ｈ反転駆動方式における、隣接する画素電極１０３の電位極性と横電界の発生領域との関係について説明する。
【０１１１】
図６（ａ）に示すように、ｎ（但し、ｎは自然数）番目のフィールドまたはフレームの画像信号を表示する間、画素電極１０３毎に＋または−で示す液晶駆動電位の極性は反転されず、行毎に同一極性で画素電極１０３が駆動される。その後、図６（ｂ）に示すように、ｎ＋１番目のフィールド或いは１フレームの画像信号を表示するに際し、各画素電極１０３における液晶駆動電位の電位極性は反転され、このｎ＋１番目のフィールド或いは１フレームの画像信号を表示する間、画素電極１０３毎に＋または−で示す液晶駆動電位の極性は反転されず、行毎に同一極性で画素電極１０３が駆動される。そして、図６（ａ）および図６（ｂ）に示した状態が、１フィールドまたは１フレームの周期で繰り返されて、本実施形態における１Ｈ反転駆動方式による駆動が行われる。この結果、本実施形態によれば、直流電圧印加による液晶の劣化を避けつつ、クロストークやフリッカの低減された画像表示を行える。尚、１Ｈ反転駆動方式によれば、１Ｓ反転駆動方式と比べて、縦方向のクロストークが殆ど無い点で有利である。
【０１１２】
図６（ａ）および図６（ｂ）から分かるように、１Ｈ反転駆動方式では、横電界光抜け領域Ｃ１は常時、縦方向（Ｙ方向）に隣接する画素電極１０３間の間隙付近となる。
【０１１３】
上述の説明では、１Ｈ反転駆動方式について説明したが、本発明を１Ｓ反転駆動方式の液晶表示装置に適用可能なことは、当業者には明らかである。
【０１１４】
【発明の効果】
本発明によれば、明るく、コントラストが高いアクティブマトリックス型液晶表示装置を得ることができる。
【０１１５】
また、本発明によれば、異なる極性の電位が印加される２つの画素電極の間の領域が、突出部上に位置付けられるように２つの画素電極が配置されていることにより、異なる極性の電位が印加される２つの画素電極の間を光が抜ける光抜け領域を狭くすることができる。また、突出部は、第２の方向において、第１の導電線と第２の導電線との間の長さより短い長さを有する引き出し電極に対応して表面の一部が突出していることから、突出部に起因した光抜け領域の幅を狭くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明による液晶表示装置の模式な斜視図を示す。
【図２】図２は、本発明による液晶表示装置のアクティブマトリックス基板の等価回路を示す。
【図３】図３は、本発明による液晶表示装置のアクティブマトリックス基板の模式的な上面図を示す。
【図４】図４（ａ）は、図３に示した信号線に沿った方向に垂直なＡ―Ａ’線に沿ったアクティブマトリックス基板を含む液晶表示装置の断面図を示し、図４（ｂ）は、図３に示した走査線、引き出し電極および容量線に沿った方向に垂直なＢ―Ｂ’線に沿ったアクティブマトリックス基板を含む液晶表示装置の断面図を示す。
【図５】図５は、アクティブマトリックス基板を製造するステップを説明するための図である。
【図６】図６は、本発明による液晶表示装置の複数の画素電極が反転駆動方式で駆動されることを説明するためのアクティブマトリックス基板の模式的な上面図である。
【図７】図７は、セルギャップの長さと横電界光抜け領域の幅との関係を示すグラフである。
【図８】図８（ａ）は、極性の異なる画素電極を平坦な平面上に形成した液晶表示装置の模式的な断面図であり、また、図８（ｂ）は、走査線および容量線を用いて設けられた層間絶縁膜の突出部上に、隣接する画素電極の間の領域を配置した液晶表示装置の模式的な断面図である。
【符号の説明】
１０３　画素電極
１０４　対向電極
１０５　走査線
１０６　信号線
１０７　容量線
１０８　ＴＦＴ
１０９　液晶層
１１１　絶縁基板
１１２　下部遮光部
１１３　絶縁膜
１１４　活性部
１１５　ゲート絶縁膜
１１６　第１のダミー絶縁部
１１７　第１の層間絶縁膜
１１８　第２のダミー絶縁部
１１９　第２の層間絶縁膜
１５０　引き出し電極
１７０　突出部
【図１】
2004013123.tif 000003
【図２】
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【図３】
2004013123.tif 000005
【図４】
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【図５】
2004013123.tif 000007
【図６】
2004013123.tif 000008
【図７】
2004013123.tif 000009
【図８】
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