(57)【要約】【課題】処理に用いる薬液成分が基板上に残ることが原因で起こる薬液シミの発生を防止できる複数の薬液処理槽を備えた基板洗浄装置を実現すること。【解決手段】基板１の表面を酸性の薬液により処理するための薬液処理槽２と、薬液処理槽２内で基板１の表面を酸性の薬液により洗浄している最中に、基板１と接触する支持ピン５１　〜５４　および位置決めピン６１　〜６８　と、基板１の表面をアルカリ性の薬液により処理するための薬液処理槽３と、薬液処理槽３内で基板１の表面をアルカリ性の薬液により処理している最中に、支持ピン５１　〜５４　および位置決めピン６１　〜６８　が接触する箇所とは別の箇所で基板１と接触する支持ピン９１　〜９４　および位置決めピン１０１　〜１０８　とを備えている。【選択図】　　図１
2004095870.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面を第１の液体により処理するための第１の処理槽と、
前記基板の表面を前記第１の液体により処理する際に、前記基板の表面と接触する第１の接触部材と、
前記基板の表面を第２の液体により処理するための第２の処理槽と、
前記基板の表面を第２の液体により処理する際に、前記第１の接触部材が接触した箇所とは別の箇所で前記基板の表面と接触する第２の接触部材と
を具備してなることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第１の処理槽内には前記基板を載置するための第１の載置台が設けられ、前記第１の接触部材は前記第１の載置台上に設けられた前記基板を下から支持する第１の支持部材を含み、
前記第２の処理槽内には前記基板を載置するための第２の載置台が設けられ、前記第２の接触部材は前記第２の載置台上に設けられた前記基板を下から支持する第２の支持部材を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１の載置台は第１の回転テーブルであり、前記第１の接触部材は、前記第１の回転テーブル面内における前記基板の位置を決めるための第１の位置決め部材をさらに含み、
前記第２の載置台は第２の回転テーブルであり、前記第２の接触部材は、前記第２の回転テーブル面内における前記基板の位置を決めるための第２の位置決め部材をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１の接触部材は、前記第１の処理槽内に前記第１の液体が入れられた状態で、前記第１の液体中に前記基板が浸されるように、前記基板を懸架する第１の懸架部材を含み、
前記第２の接触部材は、前記第２の処理槽内に前記第２の液体が入れられた状態で、前記第２の液体中に前記基板が浸されるように、前記基板を懸架する第２の懸架部材を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
第１および第２の液体は薬液であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１の液体は酸性の薬液、前記第２の液体はアルカリ性の薬液であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１の液体は硫酸と過酸化水素水との混合液、前記第２の薬液はアンモニア水であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記１および第２の液体の一方が薬液、他方が純水であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記基板の表面を少なくとも一つの以上の液体により処理するための少なくとも一つ以上の処理槽および前記基板の表面を前記液体により処理している最中に前記基板と接触する少なくとも一つ以上の接触部材をさらに備え、
前記第１の接触部材、前記第２の接触部材および前記少なくとも一つ以上の接触部材は互いに別の箇所で前記基板と接触することを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の基板処理装置を用いて基板の表面を液体により処理する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板の表面を処理するための複数の処理槽を備えた基板処理装置および同装置を用いて基板の表面を処理する工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体プロセス中には種々の処理があるが、フォトマスクあるいは液晶基板等のガラス基板の洗浄処理は必須である。このような洗浄処理を行う基板洗浄装置のなかには、複数の薬液処理槽を備えたタイプのものがある。この種の基板洗浄装置では、異なる薬液による洗浄をそれぞれ別の薬液処理槽内で行うようになっている。
【０００３】
図６に、従来の複数の薬液処理槽を備えた基板洗浄装置の模式図を示す。これは、二つの薬液処理槽を備えたスピン型の枚葉式の基板洗浄装置である。図において、８０は基板、８１，８２は薬液処理槽、８３，８４は回転テーブル、８５１　，８５２　，８６１　，８６２　は基板８０を支持する支持ピン、８７１　，８７２　，８８１　，８８２　は基板８０の位置を決める位置決めピン、８９，９０は薬液供給管をそれぞれ示している。なお、図には、基板８０が薬液処理槽８１内の回転テーブル８３上に載置されている様子が示されているが、薬液処理槽８１内での洗浄が終了した後には、薬液処理槽８２内の回転テーブル８４上に基板８０は載置される。
【０００４】
この種の従来の基板洗浄装置では、薬液処理槽８１内の回転テーブル８３および薬液処理槽８２内の回転テーブル８４にはそれぞれ同じ位置に支持ピン８５１　，８５２　および支持ピン８６１　，８６２　が設けられている。したがって、支持ピン８５１　，８５２　と支持ピン８６１　，８６２　とは基板８０のほぼ同一箇所と接触する。
【０００５】
同様に、回転テーブル８３および回転テーブル８４にはそれぞれ同じ位置に位置決めピン８７１　，８７２　および位置決めピン８８１　，８８２　が設けられ、位置決めピン８７１　，８７２　と位置決めピン８８１　，８８２　とは基板８０のほぼ同一箇所と接触する。
【０００６】
また、支持ピン８５１　，８５２　の先端は基板８０との接触面積が小さくなるように球状になっており、支持ピン８５１　，８５２　と基板４０との間には小さな隙間が生じる。そのため、上記隙間には薬液処理槽８１内での薬液洗浄工程で使用した薬液（第１の薬液）が表面張力の影響で残りやすい。この残った薬液は、上記薬液洗浄工程の後に薬液処理槽８１内で行われるリンス工程でも完全にリンス液（例えば純水）と置換することは難しい。
【０００７】
ここで、前述したように、支持ピン８５１　，８５２　と支持ピン８６１　，８６２　とは基板８０のほぼ同一箇所とを接触するので、基板４０と支持ピン８５１　，８５２　との隙間に残った薬液は、薬液処理槽８２内での薬液洗浄工程において、基板４０と支持ピン８６１　，８６２　との隙間に残存し続ける。
【０００８】
その結果、上記隙間に残存した第１の薬液と、薬液処理槽８２内での薬液洗浄工程で使用する薬液（第２の薬液）とが反応し、反応生成物が基板４０の表面に生成される。そして、反応生成物が基板４０の乾燥工程まで残ると、基板４０の表面に薬液シミが発生することがしばしばある。このような薬液シミは、基板４０と位置決めピン８７１　，８７２　との隙間に残った第１の薬液と第２の薬液との反応によっても生じ得る。
【０００９】
ここで、基板４０は、具体的には上述したようにフォトマスク等であり、露光等の光学的なプロセスを経るものである。この種の光学的なプロセスは、薬液シミの影響を受ける可能性がある。したがって、基板４０は薬液シミが無いことが望まれている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上述の如く、従来の複数の薬液処理槽を備えた基板洗浄装置では、各薬液処理槽内の回転テーブルにはそれぞれ同じ位置に支持ピン等が設けられているので、前段の薬液処理槽内での洗浄工程で基板と支持ピン等の間に残った薬液が、後段の薬液洗浄槽内での洗浄工程でも残ることがある。その結果、前段および後段の薬液処理槽内で使用した薬液の成分同士が反応し、薬液シミの原因となる反応生成物が基板の表面に形成されることがある。
【００１１】
本発明の目的は、処理に用いる液体成分が基板上に残ることが原因で起こるシミの発生を防止できる、複数の薬液処理槽を備えた基板洗浄装置および複数の薬液処理槽で基板表面の処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１３】
すなわち、上記目的を達成するために、本発明に係る基板処理装置は、基板の表面を第１の液体により処理するための第１の処理槽と、前記基板の表面を前記第１の液体により処理する際に、前記基板の表面と接触する第１の接触部材と、前記基板の表面を第２の液体により処理するための第２の処理槽と、前記基板の表面を第２の液体により処理する際に、前記第１の接触部材が接触した箇所とは別の箇所で前記基板の表面と接触する第２の接触部材とを備えてなることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記本発明に係る基板処理装置を用いて基板の表面を液体により処理する工程を有することを特徴とする。
【００１５】
本発明によれば、基板の表面を液体により処理している最中に基板と接触する複数の接触部材は、互いに別の箇所で基板と接触するので、前段の処理槽内での処理の際に基板表面上に残存した液体成分を、後段の処理槽内での処理の際に除去することが可能となる。これにより、各処理槽での処理の際に残存した液体成分同士が反応して生じる、シミの原因となる反応生成物の発生を防止できるようになる。
【００１６】
本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明らかになるであろう。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
【００１８】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る複数の薬液処理槽を備えた基板洗浄装置を横から見た模式図である。本装置は、スピン型の枚葉式の基板洗浄装置である。図には、簡単のために第１および第２の薬液処理槽しか示していないが、薬液処理槽の数は三つ以上であっても構わない。
【００１９】
また、図２に、薬液処理槽を上から見た図を示す。これは、支持ピンと位置決めピンと基板との位置関係を示しており、また位置関係を分かりやすくするために、第１および第２の薬液処理槽内の支持ピン、位置決めピンを同一基板、同一回転テーブル上に示してある。
【００２０】
本実施形態の基板洗浄装置は、大きく分けて、基板１を酸性の薬液で洗浄するための第１の薬液処理槽２と、基板１をアルカリ性の薬液で洗浄するための第２の薬液処理槽３とで構成されている。
【００２１】
酸性の薬液は、例えば基板表面の有機物を除去し、接触角をつくる作用がある。一方、アルカリ性の薬液は、エッチングにより基板表面を洗浄するとともに、基板表面に汚染物が電気的な力によって付着することを抑制する作用がある。
【００２２】
第１の薬液処理槽２内には回転テーブル４が設けられている。回転テーブル４上には、基板１を下から支持するための先端が球状の支持ピン５１　〜５４　が設けられている。基板１はここでは角型のガラス基板（透明基板）上に遮光膜からなるパターンが設けられたフォトマスクである。支持ピン５１　〜５４　は基板１の四隅に対応した回転テーブル４上に設けられている。
【００２３】
ここでは、４本の支持ピン５１　〜５４　で基板１を支持しているが、支持ピン数は５本以上であっても構わない。例えば、基板１のサイズが大きく、基板１が撓みやすい場合には、支持ピン５１　〜５４　と、基板１の中央部に対応した回転テーブル４上に設けた一つ以上の支持ピンとで、基板１を支持すると良い。
【００２４】
また、回転テーブル４上には、基板１の位置を決めるための位置決めピン６１　〜６８　が設けられている。位置決めピン６１　〜６８　は、基板１の四つの角部の側面に対応した回転テーブル４上に設けられている。これにより、回転テーブル４が回転している洗浄時に基板１に遠心力が働いても、回転テーブル４面内における基板１の位置を安定に保つことができる。
【００２５】
そして、第１の薬液処理槽２の上方には、硫酸と過酸化水素水との混合液（酸性の薬液）を第１の薬液処理槽２内に供給するための薬液供給管７が設けられている。酸性の薬液は上記混合液に限定されるものではない。
【００２６】
一方、第２の薬液処理槽３内にも、第１の薬液処理槽２内との同様の回転テーブル８、支持ピン９１　〜９４　、位置決めピン１０１　〜１０８　が設けられ、第２の薬液処理槽３の上方には、アンモニア水（アルカリ性の薬液）を第２の薬液処理槽３内に供給するための薬液供給管１１が設けられている。アルカリ性の薬液はアンモニア水に限定されるものではない。
【００２７】
ここで、支持ピン９１　〜９４　、位置決めピン１０１　〜１０８　は、図２に示すように、それぞれ、支持ピン５１　〜５４　、位置決めピン６１　〜６８　から少しずれた位置に設けられている。具体的には、支持ピン９１　〜９４　は、回転テーブル８の回転軸からみて、支持ピン５１　〜５４　よりも外側の位置に設けられている。位置決めピン１０１　〜１０８　は、回転テーブル８の回転軸からみて、位置決めピン６１　〜６８　よりも基板側面の中心側の位置に設けられている。
【００２８】
基板１に対する支持ピン５１　〜５４の位置、基板１に対する支持ピン９１　〜９４の位置は、上記の例に限定されるものではなく、要は両者が同じ位置でなければ良い。同様に、基板１に対する位置決めピン６１　〜６８　の位置、基板１に対する位置決めピン１０１　〜１０８　の位置は、上記の例に限定されるものではなく、要は両者が同じ位置でなければ良い。
【００２９】
第１の薬液処理槽２と第２の薬液処理槽３とは図示しない筐体内に収められ、一つの独立した基板洗浄装置の形態をとる。筐体内に収められていない場合、第１の薬液処理槽２と第２の薬液処理槽３とは図示しない機構により連結され、一つの独立した基板洗浄装置の形態をとる。
【００３０】
次に、上記の如きに構成された基板洗浄装置を用いた基板洗浄方法について説明する。
【００３１】
まず、第１の薬液処理槽２内の回転テーブル４上に基板１を載置し、回転テーブル４を回転させるとともに、薬液供給管７から硫酸と過酸化水素水との混合薬液を基板１上に吐出させることにより、基板１の表面を薬液洗浄する。
【００３２】
次に、第１の薬液処理槽２内で基板１を純水によりリンスし、基板１上の上記混合薬液をすすぎ落とす。上記純水は、例えば図示しない純水供給管により基板１上に吐出されたものである。純水の代わりにシミを伴わない薬液を使用しても構わない。
【００３３】
ここで、支持ピン５１　〜５４　と基板１との隙間、位置決めピン６１　〜６８　と基板１との隙間は非常に小さいことから（例えば１ｍｍ以下）、上記隙間内の混合薬液は十分には純水と置換されず、混合薬液の濃度が低下しても、上記隙間には混合薬液の成分が残存する。
【００３４】
次に、基板１を図示しない搬送機構により第２の薬液処理槽３内の回転テーブル８上に載置する。ここで、支持ピン５１　〜５４　と基板１との隙間、位置決めピン６１　〜６８　と基板１との隙間に対応した基板１の表面上には上記混合薬液の成分が残存している。
【００３５】
次に、回転テーブル８を回転させるとともに、薬液供給管１１からアンモニア水を基板１上に吐出させることにより、基板１の表面を薬液洗浄し、続いて第２の薬液処理槽３内で基板１を純水あるいはシミを伴わない薬液でリンスする。
【００３６】
このとき、回転テーブル８に設けられた支持ピン９１　〜９４　、位置決めピン１０１　〜１０８　は、上述したように、回転テーブル４に設けられた支持ピン５１　〜５４　，位置決めピン６１　〜６８　とは異なる位置にあるので、上記隙間に対応した基板１の表面は露出するので、その上に残存している混合薬液の成分は、アルカリ水による薬液洗浄、その後のリンスによって十分に除去される。
【００３７】
次に、基板１を乾燥させる。このとき、混合薬液の成分は十分に除去されているので、混合薬液の成分とアンモニア水の成分との反応により生成される塩つまり硫酸アンモニウムによる薬液シミが、支持ピン５１　〜５４　，９１　〜９４　や、位置決めピン６１　〜６８　，ピン１０１　〜１０８　に対応した基板表面に発生することを防止できる。
【００３８】
また、第２の薬液処理槽３内の洗浄工程において、支持ピン９１　〜９４　、位置決めピン１０１　〜１０８　と基板１との隙間にアルカリ水の成分が残存するが、該成分は基板１を乾燥するときに揮発し、最終的には残らない。
【００３９】
以上述べたように、本実施形態によれば、薬液処理槽毎に、支持ピン、位置決めピンの位置が変更された基板洗浄装置を使用することにより、前段の薬液処理槽内での洗浄工程で基板表面上に残存した薬液成分を、後段の薬液処理槽内での洗浄工程（薬液洗浄工程、リンス工程）で除去できる。これにより、各薬液処理槽での洗浄工程で残存した薬液成分同士が反応して生じる、薬液シミの原因となる反応生成物の発生を防止できる。したがって、薬液シミを発生することなく、基板の洗浄処理を行えるようになる。
【００４０】
上記洗浄の後には周知の半導体プロセスが行われる。この周知の半導体プロセスは、通常、上記洗浄とは別の場所で別の日時に行われる。上記周知の半導体プロセスは、例えば、基板１（フォトマスク）を用いた露光プロセスである。基板１がマスクブランクスの場合、上記周知の半導体プロセスは、例えば、マスクブランクスの遮光膜をエッチングし、遮光膜からなるパターンを形成するパターン形成プロセスである。
【００４１】
また、基板１が表面に露光が施されたレジストが設けられた半導体基板（ウェハ）の場合には、現像液を用いて薬液処理槽２内でレジストの現像処理が行われてレジストパターンが形成され、続いて純水を用いて薬液処理槽３（洗浄処理槽）内で半導体基板およびレジストパターンの洗浄処理が行われ、その後、続けてもしくは別の場所で別の日時において、上記レジストパターンを用いたエッチングが続く。このエッチングは半導体基板自身のエッチングあるいは半導体基板上に形成された絶縁膜や導電膜のエッチングである。
【００４２】
また、基板１は液晶基板であっても構わない。この場合、液晶基板はＴＦＴ等の素子形成前のガラス基板あるいはＴＦＴ等の素子形成後のガラス基板であっても構わない。すなわち、種々の段階の液晶基板に対して適用可能であり、その段階に応じて処理槽２，３で行われる処理および該処理の後に行われる処理が決まる。
【００４３】
なお、本実施形態では、薬液処理槽２，３内で基板１と接触する部材として、支持ピン５１　〜５４　，９１　〜９４　、位置決めピン６１　〜６８　，ピン１０１　〜１０８　を例にあげて説明したが、その他にも接触する部材がある場合には、該部材についても同様に薬液処理槽毎にその位置を変えることで、本実施形態と同様の効果を得ることができる。また、支持ピンおよび位置決めピン以外の部材で、基板の支持や位置決めを行う場合も同様である。また、薬液処理槽の数が三つ以上の場合も、同様に、薬液処理槽毎に、支持ピン、位置決めピン等の位置を変更すれば良い。
【００４４】
また、本実施形態では、第１および第２の薬液処理槽２，３内で薬液による洗浄を行ったが、例えば第１の薬液処理槽２内では薬液（または純水）による洗浄を行い、第２の薬液処理槽３内では純水（または薬液）による洗浄を行っても構わない。
【００４５】
（第２の実施形態）
図３は、本発明の第２の実施形態に係る複数の薬液処理槽を備えた基板洗浄装置を横から見た模式図である。本装置は、一度に５個程度までの基板を同時に洗浄できるバッチ式の基板洗浄装置であるが、図には簡単のため一つの基板しか示していない。高い洗浄度が要求される場合には、一度に洗浄する基板の数を減らすことが望ましい。
【００４６】
また、複数の基板を同時に洗浄する場合、複数の基板は紙面垂直方向に配置される。図には、簡単のために第１および第２の薬液処理槽しか示していないが、薬液処理槽の数は三つ以上であっても構わない。なお、装置はバッチ式であるが枚葉式の装置として使用することも可能である。
【００４７】
また、図４に、薬液処理槽を上から見た図を示す。これは、基板保持懸架部と基板との位置関係を示しており、また位置関係を分かりやすくするために、第１および第２の薬液処理槽内の基板保持懸架部を同一基板上に示してある。
【００４８】
本実施形態の基板洗浄装置は、第１の実施形態と同様に、大きく分けて、基板２１を酸性の薬液で洗浄するための第１の薬液処理槽２２と、基板２１をアルカリ性の薬液で洗浄するための第２の薬液処理槽２３とで構成されている。基板２１は、第１の実施形態と同様、ここではフォトマスクである。
【００４９】
第１の薬液処理槽２２内には硫酸と過酸化水素水との混合薬液が予め入れられている。また、第１の薬液処理槽２２上には、基板２１を保持するとともに、第１の薬液処理槽２２内の混合薬液中に基板２１が浸されるように、基板２１を懸架するための第１の基板保持懸架部２４が設けられている。
【００５０】
基板保持懸架部２４は、基板２１を保持するための二つの基板保持部２５ａ，２５ｂを備えている。基板保持部２７ａを図４の矢印方向から見た様子を図５に示す。図５に示すように、基板保持部２７ａと基板２１とは点で接触し（実際には奥行き方向があるので線接触）、汚染防止の観点から基板保持部２５ａと基板２１との接触面積をなるべく小さくして、基板２１を保持するようにしている。基板保持部２５ａ，２５ｂについても同様である。
【００５１】
一方、第２の薬液処理槽２３内にはアルカリ水が予め入れられている。第２の薬液処理槽２３の上方には、第１の薬液処理槽２２と同様に、基板２１を保持するとともに、第２の薬液処理槽２３内のアルカリ水中に基板２１が浸されるように、基板２１を懸架するための第２の基板保持懸架部２６が設けられている。
【００５２】
ただし、図４に示すように、基板保持懸架部２６の基板保持部２７ａ，２７ｂは、それぞれ、基板保持懸架部２４の基板保持部２５ａ，２５ｂから少しずれた位置に設けられている。具体的には、基板保持部２７ａ，２７ｂは、基板保持部２５ａ，２５ｂの外側に設けられており、基板保持部２７ａ，２７ｂの基板２１の接触箇所は、基板保持部２５ａ，２５ｂのそれに比べて、基板中心軸に向かって基板２１のより内側の領域となる。
【００５３】
基板２１に対する基板保持部２５ａ，２５ｂの位置、基板２１に対する基板保持部２７ａ，２７ｂの位置は、上記の例に限定されるものではなく、要は両者が同じ位置でなければ良い。
【００５４】
第１の薬液処理槽２２と第２の薬液処理槽２３とは図示しない筐体内に収められ、一つの独立した基板洗浄装置の形態をとる。筐体内に収められていない場合、第１の薬液処理槽２２と第２の薬液処理槽２３とは図示しない機構により連結され、一つの独立した基板洗浄装置の形態をとる。
【００５５】
次に、上記の如きに構成された基板洗浄装置を用いた基板洗浄方法について説明する。
【００５６】
まず、基板保持懸架部２４により第１の薬液処理槽２２内に基板２１を浸漬することにより、基板１の表面を薬液洗浄する。
【００５７】
次に、第１の薬液処理槽２２内で基板２１を純水によりリンスし、基板２１上の上記混合薬液をすすぎ落とす。上記純水は、例えば図示しない純水供給管により基板１上に吐出されたものであるか、あるいは第１の薬液処理槽２２内の薬液と入れ替えられた純水である。純水の代わりにシミを伴わない薬液を使用しても構わない。
【００５８】
ここで、基板保持部２７ａ，２７ｂと基板２１との隙間は非常に小さいことから、上記隙間内の混合薬液は十分には純水と置換されず、混合薬液の濃度が低下しても、上記隙間には混合薬液の成分が残存する。
【００５９】
次に、基板保持懸架部２６により第２の薬液処理槽２３内に基板２１を浸漬することにより、基板２１の表面を薬液洗浄し、続いて第２の薬液処理槽２３内で基板２１を純水あるいはシミを伴わない薬液でリンスする。
【００６０】
このとき、基板保持懸架部２６の基板保持部２７ａ，２７ｂは、上述したように、基板保持懸架部２４の基板保持部２５ａ，２５ｂとは異なる位置にあるので、上記隙間に対応した基板２１の表面は露出するので、その上に残存している混合薬液の成分は、アルカリ水による薬液洗浄、その後のリンスによって十分に除去される。
【００６１】
次に、基板２１を乾燥させる。このとき、混合薬液の成分は十分に除去されているので、混合薬液の成分とアンモニア水の成分との反応により生成される塩つまり硫酸アンモニウムによる薬液シミが、基板保持部２５ａ，２５ｂに対応した基板表面に発生することを防止できる。
【００６２】
また、第２の薬液処理槽２３内の洗浄工程において、基板保持部２７ａ，２７ｂと基板２１との隙間にアルカリ水の成分が残存するが、該成分は基板２１を乾燥するときに揮発し、最終的には残らない。
【００６３】
以上述べたように、本実施形態によれば、薬液処理槽毎に、基板保持懸架部の基板保持部の位置が変更された基板洗浄装置を使用することにより、前段の薬液処理槽内での洗浄工程で基板表面上に残存した薬液成分を、後段の薬液処理槽内での洗浄工程で除去できるので、第１の実施形態と同様に、薬液シミを発生することなく、基板の洗浄処理を行えるようになる。
【００６４】
上記洗浄の後には周知の半導体プロセスが行われる。この周知の半導体プロセスは、通常、上記洗浄とは別の場所で別の日時に行われる。上記周知の半導体プロセスは、例えば、基板２１（フォトマスク）を用いた露光プロセスである。また、基板２１がマスクブランクス等のフォトマスク以外の基板である場合については第１の実施形態と同様である。
【００６５】
なお、本実施形態では、薬液処理槽２２，２３内で基板２１と接触する部材として、基板保持部２５ａ，２５ｂ，２７ａ，２７ｂを例にあげて説明したが、その他にも接触する部材がある場合には、該部材についても同様に薬液処理槽毎にその位置を変えることで、本実施形態と同様の効果を得ることができる。また、基板保持部以外の部材で、基板の保持を行う場合も同様である。また、薬液処理槽の数が三つ以上の場合も、同様に、薬液処理槽毎に、基板保持懸架部の基板保持部の位置を変更すれば良い。
【００６６】
また、本実施形態では、第１および第２の薬液処理槽２２，２３内で薬液による洗浄を行ったが、例えば第１の薬液処理槽２２内では薬液（または純水）による洗浄を行い、第２の薬液処理槽２３内では純水（または薬液）による洗浄を行っても構わない。
【００６７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題を解決できる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【００６８】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【００６９】
【発明の効果】
以上詳説したように本発明によれば、処理に用いる液体成分が残ることが原因で起こるシミの発生を防止できる、複数の薬液処理槽を備えた基板洗浄装置および複数の薬液処理槽で基板表面の処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法を実現できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る複数の薬液処理槽を備えた基板洗浄装置の模式図
【図２】同基板洗浄装置の支持ピン、位置決めピンと基板との位置関係を示す図
【図３】本発明の第２の実施形態に係る複数の薬液処理槽を備えた基板洗浄装置の模式図
【図４】同基板洗浄装置の基板保持懸架部と基板との位置関係を示す図
【図５】図４の基板保持懸架部の基板保持部を矢印方向から見た図
【図６】従来の複数の薬液処理槽を備えた基板洗浄装置の模式図
【符号の説明】
１…基板
２…薬液処理槽（第１の処理槽）
３…薬液処理槽（第２の処理槽）
４…回転テーブル（第１の載置台）
８…回転テーブル（第２の載置台）
５１　〜５４　…支持ピン（第１の接触部材）
６１　〜６８　…位置決めピン（第１の接触部材）
９１　〜９４　…支持ピン（第２の接触部材）
１０１　〜１０８　…位置決めピン（第２の接触部材）
７，１１…薬液供給管
２１…基板
２２…薬液処理槽（第１の処理槽）
２３…薬液処理槽（第２の処理槽）
２４…基板保持懸架部（第１の接触部材）
２６…基板保持懸架部（第２の接触部材）
２５ａ，２５ｂ…基板保持部（第１の接触部材）
２７ａ，２７ｂ…基板保持部（第２の接触部材）
【図１】
2004095870.tif 000003
【図２】
2004095870.tif 000004
【図３】
2004095870.tif 000005
【図４】
2004095870.tif 000006
【図５】
2004095870.tif 000007
【図６】
2004095870.tif 000008