(57)【要約】【課題】被測定物を貫通していない極めて微小な止まり穴であっても、高精度にその微小穴の内側部分の直径、溝の幅、真円度や表面粗さ等を測定することが可能な測定装置およびこれを用いた測定方法を提供する。【解決手段】先端部に被測定物１の被測定穴１ａの内壁面１ｂに接触させるスタイラス８ａ，８ｂを設けた棒状のマイクロプローブ２と、マイクロプローブ２の胴体表面に直接設けた歪みゲージ８ａ，８ｂと、歪みゲージ８ａ，８ｂの電気抵抗値の変化を検出する歪みアンプと、歪みアンプの検出結果に基づいて各種演算を行うコンピュータ５とを備える。【選択図】　　　　図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
先端部に被測定物の被測定穴の内壁面に接触させる接触子を設けた棒状のプローブと、同プローブの胴体表面に直接設けた歪みゲージと、同歪みゲージの電気抵抗値の変化を検出する検出手段とを備えた測定装置。
【請求項２】
前記接触子は、前記内壁面に点接触するものである請求項１記載の測定装置。
【請求項３】
前記歪みゲージは、前記接触子と同じ側の面と、前記プローブの軸に対してこの面と対称な位置関係にある面に一対に設けたものである請求項１または２に記載の測定装置。
【請求項４】
前記接触子は、前記歪みゲージと同じ側の面と、前記プローブの軸に対してこの面と対称な位置関係にある面に一対に設けたものである請求項１から３のいずれかに記載の測定装置。
【請求項５】
先端部に被測定物の被測定穴の内壁面に接触させる接触子を設けた棒状のプローブと、同プローブの胴体表面に直接設けた歪みゲージと、同歪みゲージの電気抵抗値の変化を検出する検出手段とを備える測定装置を用いた被測定穴の真円度の測定方法であって、
前記プローブの接触子を前記被測定穴の内壁面に接触させ、前記被測定穴の中心線を回転軸として前記被測定物を回転させたときの前記検出手段の検出結果に基づいて前記被測定穴の真円度を算出する測定方法。
【請求項６】
先端部に被測定物の被測定穴の内壁面に接触させる接触子を設けた棒状のプローブと、同プローブの胴体表面に直接設けた歪みゲージと、同歪みゲージの電気抵抗値の変化を検出する検出手段とを備える測定装置を用いた被測定穴の表面粗さの測定方法であって、
前記プローブの接触子を前記被測定穴の内壁面に接触させ、前記プローブを前記被測定穴の軸方向に一定速度で移動させたときの前記検出手段の検出結果に基づいて前記被測定穴の表面粗さを算出する測定方法。
【請求項７】
先端部に被測定物の被測定穴の内壁面に接触させる接触子を設けた棒状のプローブと、同プローブの胴体表面に直接設けた歪みゲージと、同歪みゲージの電気抵抗値の変化を検出する検出手段とを備え、前記接触子が、前記歪みゲージと同じ側の面と、前記プローブの軸に対してこの面と対称な位置関係にある面に一対に設けたものである測定装置を用いた被測定穴の内径の測定方法であって、
前記プローブを前記被測定穴の壁面に向かって移動させる第１ステップと、
前記プローブの一方の接触子が前記被測定穴の壁面に接触したときの接触点の位置を前記検出手段の検出結果に基づいて特定する第２ステップと、
前記プローブをもう一方の接触子の方向に移動させる第３ステップと、
この接触子が前記被測定穴の壁面に接触したときの接触点の位置を前記検出手段の検出結果に基づいて特定する第４ステップと、
前記第２ステップおよび第４ステップによりそれぞれ特定した二つの接触点の位置に基づいて前記接触点間の距離を算出する第５ステップとを、
前記第１および第２ステップの移動方向と直角な方向の座標が異なる複数の測定位置において実行し、
この各測定位置における接触点間の距離の最大値を前記被測定穴の内径として決定する測定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微小穴の内側部分の直径、溝の幅、真円度や表面粗さ等を測定可能な測定装置およびこれを用いた測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
微小穴の内部形状の測定法の一つとして、電気的接触検知を用いたバイブロスキャニング法が知られている。バイブロスキャニング法では、被測定物に電気を流しておき、この被測定物の微小穴内に導電体により形成したプローブを挿入する。このプローブが微小穴の内面に接触した際、プローブと被測定物とが導通して電気が流れるため、そのときの電気信号を検出することにより測定する。
【０００３】
ところが、このバイブロスキャニング法では、被測定物が導電体でない場合は測定することができない。この導電体でない（絶縁体の）被測定物の微小穴の測定法としては、２本の導電体プローブを被測定物の微小穴内に入れ、この２本の導電体プローブが互いに接触した際の導通を検出することにより測定する方法が知られている。
【０００４】
また、特開平９−３１１０１５号公報に記載のように、被測定物の微小穴の一方から光を投射し、微小穴の壁面（被測定面）による反射像を観察することにより、この微小穴の内径を高精度に測定する光学式測長装置が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
バイブロスキャニング法のように電気的接触検知を用いた測定方法では、被測定物とプローブとが接触した際に、わずかながらスパークが発生してしまう。そのため、この発生したスパークによってプローブに電気的な力が作用し、測定誤差を生じることから、不正確な測定結果が出力される可能性がある。
【０００６】
２本の導電体プローブを用いた測定方法では、被測定物の微小穴に２本のプローブを挿入する必要がある。したがって、たとえプローブの外径を小さくしても、測定可能な最小内径はそのプローブ外径の２倍以上に制限されてしまう。これらの電気的接触検知によって測定可能な最小内径は従来１００μｍ程度である。
【０００７】
光学式測長装置では、微小穴の一方から入射した光を被測定物の反対側へ通過させる必要があるため、測定する穴が被測定物を貫通しているものでなければ測定することができない。また、穴の途中に光の通過を阻害するような段差等がある場合にも測定することができない。
【０００８】
そこで、本発明においては、被測定物を貫通していない極めて微小な止まり穴であっても、高精度にその微小穴の内側部分の直径、溝の幅、真円度や表面粗さ等を測定することが可能な測定装置およびこれを用いた測定方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の測定装置は、先端部に被測定物の被測定穴の内壁面に接触させる接触子を設けた棒状のプローブと、プローブの胴体表面に直接設けた歪みゲージと、歪みゲージの電気抵抗値の変化を検出する検出手段とを備えたものである。
【００１０】
本発明によれば、プローブの先端部に設けた接触子の変位に応じて、このプローブの胴体表面に直接設けた歪みゲージの電気抵抗値の変化が検出され、この検出結果に基づく接触子の変位から、被測定物の被測定穴の内側部分の直径、溝の幅、真円度や表面粗さ等を算出することができる。
【００１１】
ここで、接触子は、内壁面に点接触するものであることが望ましい。接触子の形状を円錐状、角錐状や球状として被測定穴の内壁面に点接触させることで、接触子と内壁面との接触箇所がより明確となるからである。
【００１２】
歪みゲージは、接触子と同じ側の面と、プローブの軸に対してこの面と対称な位置関係にある面に一対に設けるのが望ましい。これにより、接触子の変位が、プローブの軸に対して互いに対称な位置関係にある面に一対に設けた歪みゲージの伸び変形と縮み変形の両方に変換されるため、歪みゲージの電気抵抗値のより大きな変化として検出される。
【００１３】
本発明の測定装置を用いた被測定穴の真円度の測定方法は、プローブの接触子を被測定穴の内壁面に接触させ、被測定穴の中心線を回転軸として被測定物を回転させたときの検出手段の検出結果に基づいて被測定穴の真円度を算出するものである。
【００１４】
この測定方法によれば、被測定穴の真円からの偏差が、被測定物を回転させたときの接触子の変位として検出されるため、これに基づいて被測定穴の真円度が算出される。
【００１５】
本発明の測定装置を用いた被測定穴の表面粗さの測定方法は、プローブの接触子を被測定穴の内壁面に接触させ、プローブを被測定穴の軸方向に一定速度で移動させたときの検出手段の検出結果に基づいて被測定穴の表面粗さを算出するものである。
【００１６】
この測定方法によれば、被測定穴の内壁面の凹凸が、プローブを被測定穴の軸方向に一定速度で移動させたときの接触子の変位として検出されるため、これに基づいて被測定穴の表面粗さが算出される。
【００１７】
また、本発明の測定装置において、接触子を、歪みゲージと同じ側の面と、プローブの軸に対してこの面と対称な位置関係にある面に一対に設けたものとすることで、被測定穴の内径を測定することができる。
【００１８】
この被測定穴の内径の測定方法は、プローブを被測定穴の壁面に向かって移動させる第１ステップと、プローブの一方の接触子が被測定穴の壁面に接触したときの接触点の位置を検出手段の検出結果に基づいて特定する第２ステップと、プローブをもう一方の接触子の方向に移動させる第３ステップと、この接触子が被測定穴の壁面に接触したときの接触点の位置を検出手段の検出結果に基づいて特定する第４ステップと、第２ステップおよび第４ステップによりそれぞれ特定した二つの接触点の位置に基づいて接触点間の距離を算出する第５ステップとを、第１および第２ステップの移動方向と直角な方向の座標が異なる複数の測定位置において実行し、この各測定位置における接触点間の距離の最大値を被測定穴の内径として決定するものである。
【００１９】
この測定方法によれば、互いに対称の面に一対に設けた各接触子の一方が被測定穴の壁面に接触したときの接触点の位置と、もう一方の接触子が被測定穴の壁面に接触したときの接触点の位置との間の距離（弦の長さ）が最大となる部分が、その被測定穴の内径として測定される。
【００２０】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施の形態における測定装置の概略構成図である。
図１において、本実施形態における測定装置は、測定対象としての被測定物１と、被測定物１の被測定穴１ａに挿入する測定用のマイクロプローブ２とを備える。また、測定装置は、被測定物１の超精密移動手段としてのそれぞれｘ方向（図面に対して垂直方向）、ｙ方向（図１の左右方向）に移動可能なＸテーブル３ａおよびＹテーブル３ｂを備える。被測定物１は、同じく被測定物１の超精密移動手段としてのＸテーブル３ａ上で回転可能なＣテーブル３ｃ上に載置される。
【００２１】
マイクロプローブ２は、超精密移動手段としてのｚ方向（図１の上下方向）に移動可能なＺテーブル３ｄに固定されている。このＺテーブル３ｄには、Ｃテーブル３ｃ上の被測定物１を撮像するためのＣＣＤカメラ４が設置されている。ＣＣＤカメラ４の出力はコンピュータ５に入力される。Ｘテーブル３ａ、Ｙテーブル３ｂ、Ｃテーブル３ｃおよびＺテーブル３ｄは、それぞれコンピュータ５によって動作制御される。
【００２２】
図２（ａ）はマイクロプローブ２の側面図、（ｂ）は正面図である。
本実施形態において、マイクロプローブ２の被測定穴１ａへの挿入部２ａは、一辺の長さが１４μｍの正方形断面を有する棒状の部材である。また、その先端部２ｂの両側面には、被測定穴１ａの内壁面に接触させる接触子としてのダイヤモンド製のスタイラス７ａ，７ｂを対称に一対備える。なお、マイクロプローブ２は、正方形断面に限定されるものではなく、長方形断面や楕円形断面としてもよい。
【００２３】
図３（ａ）は図２のＡ部を右側面からみた拡大図、図３（ｂ）は同図（ａ）を下からみた図、図４は歪みゲージの拡大図である。
マイクロプローブ２の挿入部２ａの根元部２ｃには、スタイラス７ａ，７ｂとそれぞれ同じ側の両側面に一対の歪みゲージ８ａ，８ｂを備える。歪みゲージ８ａ，８ｂは、リソグラフィ技術を利用してマイクロプローブ２の胴体表面に直接形成した１μｍ幅の銅パターンである。この歪みゲージ８ａ，８ｂは、歪みアンプ６を介してコンピュータ５に接続されている。なお、マイクロプローブ２は、絶縁体であるジルコニア（酸化ジルコニウム）を用いるが、絶縁体でない部材を用いる場合には絶縁体により被覆した後に銅パターンを施す。
【００２４】
図５（ａ）は図２のＢ部の拡大図、図５（ｂ）は同図（ａ）を下からみた図である。
図５に示すスタイラス７ａ，７ｂは、底面の径が１０μｍの円錐状であって、その頂点の角度は９０°である。また、両頂点間の幅は２４μｍである。このような形状のスタイラス７ａ，７ｂは、被測定穴１ａの内壁面１ｂに点接触する。なお、本測定装置によって内径等を測定するには被測定穴１ａにマイクロプローブ２が挿入できればよいため、本測定装置により測定可能な被測定穴１ａの最小内径は３０μｍ程度となる。
【００２５】
図６は別のスタイラスの例を示している。
図６に示すスタイラス９ａ，９ｂは、底面の幅が１０μｍの正方形の角錐状であって、その頂点の角度は９０°である。また、このスタイラス９ａ，９ｂの場合、マイクロプローブ２の先端部２ｂを１０μｍ幅の正方形断面へと一段細く形成しているため、スタイラス９ａ，９ｂの両頂点間の幅は２０μｍとなっている。なお、スタイラスの形状は半球状でもよい。要するに、被測定穴１ａの内壁面１ｂに点接触するものであれば、スタイラスと内壁面１ｂとの接触範囲が狭まるため、接触箇所がより明確となり、高精度の測定を行うことが可能となる。
【００２６】
ここで、図７および図８を用いてマイクロプローブ２における出力信号の発生原理について説明する。図７はマイクロプローブ２と被測定穴１ａの内壁面１ｂとが接触した状態を示す模式図、図８は歪みアンプ６の回路図である。
【００２７】
図７において、マイクロプローブ２の上部のスタイラス７ａが被測定穴１ａの内壁面１ｂに接触すると、このスタイラス７ａと同じ側の面の歪みゲージ８ａ（Ｒ１）には引張歪みが発生し、他方の面の歪みゲージ８ｂ（Ｒ２）には圧縮歪みが発生する。歪みアンプ６では、これら二つの歪みゲージ８ａ，８ｂ（Ｒ１，Ｒ２）を図８に示すホイートストーンブリッジに組み込むことにより、歪みゲージ８ａ，８ｂの電気抵抗値の変化を検出する。
【００２８】
図８において、Ｒ３およびＲ４は固定抵抗である。マイクロプローブ２のスタイラス７ａが被測定穴１ａの内壁面１ｂに接触していない状態（バランスが取れている状態）では、Ｒ１×Ｒ４＝Ｒ２×Ｒ３であり、このときの出力信号Ｇはゼロである。しかし、スタイラス７ａが内壁面１ｂに接触し、歪みゲージ８ａ，８ｂ（Ｒ１，Ｒ２）に抵抗の変化が起こるとこのバランスが崩れ、その結果、歪み量に比例した電圧が出力される。この出力信号（電圧）Ｇ（Ｖ）がコンピュータ５へ入力される。
【００２９】
以下、上記構成の測定装置を用いた各種測定方法について説明する。
〔内径測定〕
図９は被測定穴１ａをｚ方向からみた図、図１０は図９のＣ−Ｃ断面図である。内径測定は以下の手順により行う。
【００３０】
ステップ１：ＣＣＤカメラ４による撮像画像に基づいてコンピュータ５により画像処理を行い、被測定穴１ａの概略位置を把握する。
ステップ２：ステップ１の結果に基づいてＸテーブル３ａ、Ｙテーブル３ｂおよびＣテーブル３ｃを移動して被測定穴１ａをマイクロプローブ２の直下に合わせ、Ｚテーブル３ｄを移動して被測定穴１ａにマイクロプローブ２を挿入する。
【００３１】
ステップ３：Ｙテーブル３ｂを移動させることによりマイクロプローブ２を被測定穴１ａ内のｙ方向に移動させ、スタイラス７ａが被測定穴１ａの内壁面１ｂに接触したときの歪みゲージ８ａ，８ｂの抵抗変化の信号をトリガとしてＹテーブル３ｂを停止し、そのときのスタイラス７ａの先端の位置（ｙ座標ｙ１）をコンピュータ５に記憶する。
【００３２】
ステップ４：同様に、Ｙテーブル３ｂをステップ３と逆方向に移動させることによりマイクロプローブ２を被測定穴１ａ内の−ｙ方向に移動させ、スタイラス７ｂが被測定穴１ａの内壁面１ｂに接触したときの歪みゲージ８ａ，８ｂの抵抗変化の信号をトリガとしてＹテーブル３ｂを停止し、そのときのスタイラス７ｂの先端の位置（ｙ座標ｙ２）をコンピュータ５に記憶する。
【００３３】
ステップ５：コンピュータ５によってスタイラス７ａ，７ｂのそれぞれの接触点間の距離（ｙ１−ｙ２）を算出する。
ステップ６：マイクロプローブ２を（ｙ１＋ｙ２）／２の位置に戻し、ｘ方向に微少量移動させた後、ステップ１〜ステップ５を繰り返し行い、（ｙ１−ｙ２）の最大値を内径とする。
【００３４】
なお、本実施形態においては、スタイラス７ａ，７ｂの先端の位置の取得の際、図１１に示すグラフに基づいて位置補正を行っている。図１１のグラフの横軸はマイクロプローブ２の移動量（μｍ）であり、縦軸は出力信号（電圧Ｖ）である。本測定装置では、出力信号Ｇが予め設定された閾値に達したときに、マイクロプローブ２が被測定穴１ａの内壁面１ｂに接触したものと判断し、そのときの位置をコンピュータ５に記憶する。しかしながら、実際には出力信号Ｇがゼロから閾値まで増加する間にもマイクロプローブ２は移動しているため、この移動量を位置補正量として補正する。
【００３５】
また、このような補正の他、Ｙテーブル３ｂの送り速度に関係して慣性によるＹテーブル３ｂの行き過ぎや信号の遅れなどを考慮した補正を行うことも可能である。これらの補正は、上述の閾値に関連して、マイクロプローブ２は出力信号Ｇが閾値に達したときに停止すればよいが、慣性が大きかったり、移動速度が過大であったりした場合にマイクロプローブ２が行き過ぎることになるために行うものである。
【００３６】
〔真円度測定〕
図１２は被測定穴１ａをｚ方向からみた図である。真円度測定は以下の手順により行う。
【００３７】
ステップ１：ＣＣＤカメラ４による撮像画像に基づいてコンピュータ５により画像処理を行い、被測定穴１ａの位置を正確に把握する。
ステップ２：ステップ１の結果に基づいてＸテーブル３ａ、Ｙテーブル３ｂおよびＣテーブル３ｃを移動して被測定穴１ａをマイクロプローブ２の直下に合わせる。このとき、Ｃテーブル３ｃの回転中心に被測定穴１ａの中心を一致させる。
【００３８】
ステップ３：Ｚテーブル３ｄを移動して被測定穴１ａにマイクロプローブ２を挿入し、マイクロプローブ２の中心軸をｙ軸に合わせる。
ステップ４：Ｙテーブル３ｂを移動させることによりマイクロプローブ２を被測定穴１ａ内のｙ方向に移動させ、スタイラス７ａが被測定穴１ａの内壁面１ｂに軽く接触した状態で、Ｃテーブル３ｂを回転させ、歪みアンプ６の出力信号Ｇ（Ｖ）をコンピュータ５に記録する。
【００３９】
図１３はコンピュータ５に記録された歪みアンプ６の出力信号の例を示している。図１３の横軸はＣテーブル３ｂの回転角（被測定物１の回転角）であり、縦軸は出力信号Ｇである。コンピュータ５は、図１３の結果に基づいて真円度を算出する。なお、真円度の算出には、予め出力信号Ｇ（Ｖ）とスタイラス７ａの変位量（μｍ）との関係を明らかにしておく必要がある。
【００４０】
また、真円度を測定する場合、スタイラス７ａの先端にはｒ＝５〜１０μｍの丸みを持たせ、Ｃテーブル３ｂの回転時にスタイラス７ａの先端が被測定穴１ａの内壁面１ｂの凹凸に引っ掛からないようにするのが望ましい。これにより、スタイラス７ａの先端が、内壁面１ｂの凹凸に追従しやすくなり、より正確な真円度の測定を行うことが可能となる。
【００４１】
〔表面粗さ測定〕
図１４は被測定穴１ａをｚ方向からみた図、図１５は図１４のｙ軸における断面図である。表面粗さ測定は以下の手順により行う。
【００４２】
ステップ１：ＣＣＤカメラ４による撮像画像に基づいてコンピュータ５により画像処理を行い、被測定穴１ａの位置を正確に把握する。
ステップ２：ステップ１の結果に基づいてＸテーブル３ａ、Ｙテーブル３ｂおよびＣテーブル３ｃを移動して被測定穴１ａをマイクロプローブ２の直下に合わせる。
【００４３】
ステップ３：Ｚテーブル３ｄを移動して被測定穴１ａにマイクロプローブ２を挿入し、スタイラス７ａと被測定穴１ａの内壁面１ｂとの接点がｙ軸上に来るようにする。
ステップ４：Ｚテーブル３ｄをｚ方向に一定速度で移動させ、そのときの歪みアンプ６の出力信号Ｇ（Ｖ）をコンピュータ５に記録する。
【００４４】
図１６はコンピュータ５に記録された歪みアンプ６の出力信号の例を示している。図１６の横軸はＺテーブル３ｄの移動量（マイクロプローブ２の移動量）であり、縦軸は出力信号Ｇである。コンピュータ５は、図１６の結果に基づいて表面粗さを算出する。なお、表面粗さの算出には、予め出力信号Ｇ（Ｖ）とスタイラス７ａの変位量（μｍ）との関係を明らかにしておく必要がある。
【００４５】
【発明の効果】
本発明により、以下の効果を奏することができる。
【００４６】
（１）先端部に被測定物の被測定穴の内壁面に接触させる接触子を設けた棒状のプローブと、プローブの胴体表面に直接設けた歪みゲージと、歪みゲージの電気抵抗値の変化を検出する検出手段とを備えたことにより、プローブの先端部の接触子を挿入できる程度の被測定穴であっても、このプローブを挿入すれば、その先端部に設けた接触子の変位に応じて被測定穴の内側部分の直径、溝の幅、真円度や表面粗さ等を高精度に測定することが可能となる。そのため、極めて微小な止まり穴であっても測定することが可能であり、プローブおよび接触子を小さく形成することでさらに微小な穴を測定することも可能となる。
【００４７】
（２）接触子の形状を円錐状、角錐状や球状として被測定穴の内壁面に点接触させることで、接触子と内壁面との接触範囲が狭まるため、接触範囲がより明確となり、より高精度な測定を行うことが可能となる。
【００４８】
（３）歪みゲージが、接触子と同じ側の面と、プローブの軸に対してこの面と対称な位置関係にある面に一対に設けたものであることによって、接触子の変位が、プローブの軸に対して互いに対称な位置関係にある面に一対に設けた歪みゲージの伸び変形と縮み変形の両方に変換され、歪みゲージの電気抵抗値のより大きな変化として検出されるため、より高精度な測定を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における測定装置の概略構成図である。
【図２】（ａ）はマイクロプローブの側面図、（ｂ）は正面図である。
【図３】（ａ）は図２のＡ部を右側面からみた拡大図、（ｂ）は（ａ）を下からみた図である。
【図４】歪みゲージの拡大図である。
【図５】（ａ）は図２のＢ部の拡大図、（ｂ）は（ａ）を下からみた図である。
【図６】別のスタイラスの例を示す図であって、（ａ）は図２のＢ部の拡大図、（ｂ）は（ａ）を下からみた図である。
【図７】マイクロプローブと被測定穴の内壁面との接触状態を示す模式図である。
【図８】歪みアンプの回路図である。
【図９】内径測定に際して被測定穴をｚ方向からみた図である。
【図１０】図９のＣ−Ｃ断面図である。
【図１１】位置補正のグラフを示す図である。
【図１２】真円度測定に際して被測定穴をｚ方向からみた図である。
【図１３】真円度測定の際の歪みアンプの出力信号の例を示す図である。
【図１４】表面粗さ測定に際して被測定穴をｚ方向からみた図である。
【図１５】図１４のｙ軸における断面図である。
【図１６】表面粗さ測定の際の歪みアンプの出力信号の例を示す図である。
【符号の説明】
１　被測定物
１ａ　被測定穴
１ｂ　内壁面
２　マイクロプローブ
２ａ　挿入部
２ｂ　先端部
２ｃ　根元部
３ａ　Ｘテーブル
３ｂ　Ｙテーブル
３ｃ　Ｃテーブル
３ｄ　Ｚテーブル
４　ＣＣＤカメラ
５　コンピュータ
６　歪みアンプ
７ａ，７ｂ，９ａ，９ｂ　スタイラス
８ａ，８ｂ　歪みゲージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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