(57)【要約】【課題】電気インデックス法における検出信号の高周波特性を改善し、高い周波数成分まで信号検出を行うことができるようにする。【解決手段】従来ではアノードに直接接続されていたビームシールド２７を、特性改善用抵抗Ｒ１を介してアノードに接続する。これにより、浮遊容量Ｃ０，Ｃ１によるシャント効果が軽減され、信号振幅（信号レベル）を低下させずに、インデックス検出信号の高域の周波数特性が改善される。このとき、ビームシールド２７による電子ビームの遮蔽機能自体はまったく損なわれない。【選択図】　　　図３
2004022236.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の分割画面を蛍光面上で互いに繋ぎ合わせることにより、全体として単一の画面を形成するようにした陰極線管であって、
前記複数の分割画面を形成するための複数の電子ビームを放出する複数の電子銃と、
管内の過走査領域に設けられ、前記電子ビームの入射に応じて電気的な検出信号を出力する電子ビーム検出手段と、
管内の過走査領域に設けられ、不要な電子ビームが蛍光面に到達しないよう、その電子ビームを遮蔽する遮蔽手段と、
一端が前記遮蔽手段に接続され、他端が管内のアノード電圧が保たれている部分に接続された抵抗素子と
を備えたことを特徴とする陰極線管。
【請求項２】
前記電子ビーム検出手段および前記遮蔽手段は、前記複数の分割画面の繋ぎ目側の過走査領域に設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の陰極線管。
【請求項３】
前記複数の分割画面は、その一部分が重複するようにして繋ぎ合わせられている
ことを特徴とする請求項１記載の陰極線管。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、テレビジョン受像機や各種のモニタ装置などに利用される陰極線管に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、テレビジョン受像機や各種のモニタ装置などには、陰極線管（ＣＲＴ；Ｃａｔｈｏｄｅ　Ｒａｙ　Ｔｕｂｅ）が広く使用されている。陰極線管は、単一の電子銃を備えた構成が一般的であるが、近年では、複数の電子銃を備えた構成のものが開発されている。陰極線管において複数の電子銃を用いる方式は、“複電子銃方式”などと呼ばれている。
【０００３】
複電子銃方式の陰極線管では、画面領域を複数に分割すると共に、その分割された複数の画面領域（以下、「分割画面」ともいう。）を互いに繋ぎ合わせることにより、全体として１つの画面を形成する。電子銃は、画面の分割数に対応した数だけ設けられる。各分割画面は、それぞれ、対応する電子銃から放出された電子ビームによって走査される。複電子銃方式の陰極線管における画面構成としては、単に各分割画面の端部を線状に繋ぎ合わせることにより１つの画面を得るようにしたものと、隣接する分割画面同士を部分的に重複（オーバ・ラップ）させて１つの画面を得るようにしたものとがある。
【０００４】
ところで、従来より陰極線管は、その使用条件によって画像の表示状態が変化することが知られている。例えば、陰極線管を利用する環境によっては、地磁気などの外部磁場から受ける影響が異なるため、一般に、「画歪み」と呼ばれる画像の歪みが生じる。このような表示状態の変化は、上述の複電子銃方式の陰極線管においては、繋ぎ目部分の表示状態の精度にも悪影響を及ぼす。
【０００５】
そこで、本願出願人は、先に、特許第３０６８１１５号公報および特許第３０５７２３０号公報等において、電子ビームの走査位置に応じて電気的な検出信号を出力し、その検出信号を画像の表示状態の補正に利用する技術を提案している。この技術では、管内における電子ビームの過走査領域に、インデックス電極と呼ばれる電極を設け、電子ビームの入射に応じてインデックス電極から電気的な信号（インデックス検出信号）を出力する。以下、このインデックス電極を用いた信号検出方法を「電気インデックス法」という。
【０００６】
図１４に、複電子銃方式の陰極線管において、上記電気インデックス法を適用した構成例を示す。この陰極線管は、内側に蛍光面１１１Ａが形成されたパネル部１１０と、このパネル部１１０に一体化されたファンネル部１２０とを備えている。ファンネル部１２０の後端部の左右にはそれぞれ電子銃１３１Ｌ，１３１Ｒを内蔵した２つのネック部１３０Ｌ，１３０Ｒが形成されている。
【０００７】
この陰極線管では、左側に配置された電子銃１３１Ｌからの電子ビーム１０５Ｌによって、画面の約左半分が描画されると共に、右側に配置された電子銃１３１Ｒからの電子ビーム１０５Ｒによって、画面の約右半分が描画される。そして、左右の電子ビーム１０５Ｌ，１０５Ｒによって形成された各分割画面の端部を、部分的に重ねて繋ぎ合わせることにより、全体として単一の画面を形成して画像表示を行う。全体形成された画面の中央部分が、左右の分割画面がオーバ・ラップする（重複する）領域ＯＬとなる。図中、領域ＳＷ２，ＳＷ１は、それぞれ各電子ビーム１０５Ｌ，１０５Ｒについての有効画面領域を示す。
【０００８】
この陰極線管の管内において、各分割画面の繋ぎ目側における電子ビーム１０５Ｌ，１０５Ｒの過走査（オーバ・スキャン）領域ＯＳには、インデックス電極１７０が、蛍光面１１１Ａに対向する位置に設けられている。インデックス電極１７０は、長方形の平板状のものであり、図１４の紙面に垂直な方向に細長い形状となっている。このインデックス電極１７０は、インデックス抵抗Ｒ１２の一端に電気的に接続されている。インデックス抵抗Ｒ１２の他端は、アノード電圧が供給される部分（例えばフレーム１１３など）に電気的に接続されている。従って、インデックス電極１７０には、インデックス抵抗Ｒ１２を介してアノード電圧ＨＶが供給される。このインデックス電極１７０において、過走査した電子ビーム１０５Ｌ，１０５Ｒが入射すると、インデックス電極１７０における電位が、通常より電圧降下する。この電圧降下した信号が、インデックス検出信号としてインデックス信号出力用キャパシタＣ１００を経由して管外に出力され、画像補正に利用される。このインデックス電極１７０により、電子ビーム１０５Ｌ，１０５Ｒの走査の軌跡を直接的に検出することが可能となり、精度良く画像補正を行うことができる。
【０００９】
この陰極線管の管内において、さらに、インデックス電極１７０と蛍光面１１１Ａとの間には、ビームシールド１２７が配置されている。ビームシールド１２７は、過走査領域ＯＳを過走査した電子ビーム１０５Ｌ，１０５Ｒが蛍光面１１１Ａに到達して不用意に発光しないように、電子ビーム１０５Ｌ，１０５Ｒを遮蔽する機能を有している。このビームシールド１２７は、断面が例えばＶ字形状で、インデックス電極１７０と同様、図１４の紙面に垂直な方向に細長い形状となっている。ビームシールド１２７は、例えばフレーム１１３を基台にして架設されている。このため、ビームシールド１２７は、フレーム１１３を介して内部導電膜１２２に電気的に接続されることになり、アノード電圧ＨＶが供給される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
このように、この陰極線管の管内には、インデックス電極１７０とビームシールド１２７とが近接して設けられている。そして、ビームシールド１２７は、電気的には管内のアノードに接続されている。
【００１１】
このような構造のため、管内において、インデックス電極１７０とビームシールド１２７との間や、インデックス電極１７０と内部導電膜１２２との間などには、通常、浮遊静電容量（浮遊容量）が発生している。特に、ビーム軌道の検出精度を高めるために、インデックス電極１７０は極力蛍光面１１１Ａに接近させることが望ましく、結果的にインデックス電極１７０とビームシールド１２７との間隔は極めて接近した状態になる。このため、インデックス電極１７０とビームシールド１２７との間には大きな浮遊容量ができてしまう。
【００１２】
図１５は、インデックス検出信号の検出部分の等価回路を示している。この回路において、抵抗Ｒ１０および容量Ｃ１２は、入力抵抗Ｒ１０および入力容量であり、管外に設けられている。Ｃ１０は、インデックス電極１７０とビームシールド１２７との間にできる浮遊容量、Ｃ１１は、インデックス電極１７０と内部導電膜１２２との間にできる浮遊容量を示している。ＩＢは、インデックス電極１７０に入射する電子ビーム１０５Ｌ，１０５Ｒに相当する電流源である。
【００１３】
電気インデックス法を利用する場合においては、上記浮遊容量Ｃ１０，Ｃ１１が、定電流ドライブされて発生するインデックス検出信号の並列負荷（シャント）になり、シャント効果により、インデックス検出信号の高周波数特性を劣化させてしまう問題がある。高周波数特性を改善するには、インデックス抵抗Ｒ１２（例えば１ｋΩ）を小さくすれば良いが、この場合、インデックス検出信号の振幅が減少し、Ｓ／Ｎ比が悪化して信号の検出が困難になる問題がある。
【００１４】
一方、近年、テレビジョン用の陰極線管などでは、大型化が進み、また高精細化のために偏向周波数が高くなる傾向にある。このような陰極線管においては、電子ビームの走査速度が速くなり、インデックス電極１７０も高い周波数で走査される。このため、インデックス検出信号も高い周波数成分まで検出できなくてはならない。上記高周波数特性の劣化があると、高い周波数成分まで信号検出を行うことが困難になり、好ましくない。
【００１５】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、電気インデックス法における検出信号の高周波特性を改善し、高い周波数成分まで信号検出を行うことができるようにした陰極線管を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明による陰極線管は、複数の分割画面を蛍光面上で互いに繋ぎ合わせることにより、全体として単一の画面を形成するようにした陰極線管であって、複数の分割画面を形成するための複数の電子ビームを放出する複数の電子銃と、管内の過走査領域に設けられ、電子ビームの入射に応じて電気的な検出信号を出力する電子ビーム検出手段と、管内の過走査領域に設けられ、不要な電子ビームが蛍光面に到達しないよう、その電子ビームを遮蔽する遮蔽手段と、一端が遮蔽手段に接続され、他端が管内のアノード電圧が保たれている部分に接続された抵抗素子とを備えたものである。
【００１７】
本発明による陰極線管では、複数の電子銃から複数の電子ビームが放出され、複数の分割画面が形成される。これら複数の分割画面を蛍光面上で互いに繋ぎ合わせることにより、全体として単一の画面が形成される。電子ビーム検出手段からは、電子ビームの入射に応じて電気的な検出信号が出力される。遮蔽手段には抵抗素子が接続され、この抵抗素子を介してアノード電圧が供給される。遮蔽手段に抵抗素子が接続されていることにより、電子ビーム検出手段と遮蔽手段との間などに浮遊容量が発生したとしても、そのシャント効果が低減される。これにより、電子ビーム検出手段からの検出信号の高周波特性の劣化が抑制される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
図１（Ａ），（Ｂ）に示したように、本実施の形態に係る陰極線管は、内側に蛍光面１１Ａが形成されたパネル部１０と、このパネル部１０に一体化されたファンネル部２０とを備えている。ファンネル部２０の後端部の左右にはそれぞれ電子銃３１Ｌ，３１Ｒを内蔵した２つのネック部３０Ｌ，３０Ｒが形成されている。パネル部１０、ファンネル部２０およびネック部３０Ｌ，３０Ｒよりなる全体形状部分は「外囲器」とも呼ばれる。パネル部１０の表面は、蛍光面１１Ａの発光により画像が表示される画像表示面（管面）１１Ｂとなっている。
【００２０】
この陰極線管の内部には、蛍光面１１Ａに対向するように配置された金属製の薄板よりなる色選別機構（ｃｏｌｏｒ　ｓｅｌｅｃｔｉｏｎ　ｍｅｃｈａｎｉｓｍ）１２が配置されている。色選別機構１２は、その外周がフレーム１３によって支持されている。
【００２１】
ファンネル部２０には、アノード電圧ＨＶを供給するための図示しないアノード端子（アノードボタン）が設けられている。ファンネル部２０から各ネック部３０Ｌ，３０Ｒにかけての外周部分には、偏向ヨーク２１Ｌ，２１Ｒと、コンバーゼンスヨーク３２Ｌ，３２Ｒとが取り付けられている。偏向ヨーク２１Ｌ，２１Ｒは、電子銃３１Ｌ，３１Ｒから放出された各電子ビーム５Ｌ，５Ｒを偏向させるためのものである。コンバーゼンスヨーク３２Ｌ，３２Ｒは、各電子銃３１Ｌ，３１Ｒから放出された各色用の電子ビームのコンバーゼンス（集中）を行うためのものである。
【００２２】
ネック部３０Ｌ，３０Ｒからパネル部１０の蛍光面１１Ａに至る内周面は、導電性の内部導電膜２２によって覆われている。内部導電膜２２は、アノード端子に電気的に接続され、アノード電圧（高電圧）ＨＶに保たれている。ファンネル部２０の外周面は、導電性の外部導電膜２３によって覆われている。
【００２３】
電子銃３１Ｌ，３１Ｒは、図示しないが、それぞれ、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色に対応した３本のカソード（熱陰極）を有している。電子銃３１Ｌ，３１Ｒから放出された電子ビーム５Ｌ，５Ｒは、それぞれ色選別機構１２などを通過して蛍光面１１Ａの対応する色の蛍光体に照射される。
【００２４】
ここで、図１（Ｂ）および図２を参照して、この陰極線管の画面構成および電子ビームの走査方式の具体例を説明する。この陰極線管は、左側に配置された電子銃３１Ｌからの電子ビーム５Ｌによって、画面の約左半分を描画すると共に、右側に配置された電子銃３１Ｒからの電子ビーム５Ｒによって、画面の約右半分を描画するようになっている。そして、左右の電子ビーム５Ｌ，５Ｒによって形成された各分割画面６Ｌ，６Ｒの端部を、部分的に重ねて繋ぎ合わせることにより、全体として単一の画面ＳＡを形成して画像表示を行うようになっている。画面ＳＡの中央部分は、左右の分割画面６Ｌ，６Ｒがオーバ・ラップする（重複する）領域ＯＬとなる。オーバ・ラップ領域ＯＬにおける蛍光面１１Ａは、各電子ビーム５Ｌ，５Ｒに共有される（共通して走査される）ことになる。
【００２５】
なお、本実施の形態において、過走査領域とは、電子ビーム５Ｌ，５Ｒの各々の走査領域において、有効画面を形成する電子ビーム５Ｌ，５Ｒの各々の走査領域の外側の領域のことをいう。図１においては、領域ＳＷ１が、電子ビーム５Ｒについての水平方向の有効画面領域であり、領域ＳＷ２が、電子ビーム５Ｌについての水平方向の有効画面領域である。
【００２６】
図２（Ａ），（Ｂ）に示した走査方式は、いわゆるライン走査（主走査）を画面上の上下方向（縦方向）に行い、いわゆるフィールド（またはフレーム）走査を水平方向（横方向）に行うようにしたものである。この走査方式は、ライン走査を縦方向に行っているので、以下では、“縦走査方式”と呼ぶ。なお、図２（Ａ），（Ｂ）に示した走査例において、ライン走査を、画面の下から上（−Ｙ方向）に向けて行うことも可能である。
【００２７】
図２（Ｃ）に示した走査方式は、一般的な陰極線管と同様に、ライン走査を水平方向に行い、フィールド（またはフレーム）走査を上下方向に行うようにしたものである。この例では、図２（Ｂ）に示した走査方式に対して、電子ビーム５Ｌ，５Ｒによるそれぞれのライン走査およびフィールド走査をちょうど逆転させた形となっている。
【００２８】
この陰極線管の管内において、隣接する左右の分割画面６Ｌ，６Ｒの繋ぎ目側（画面全体のほぼ中央部分）における電子ビーム５Ｌ，５Ｒの過走査（オーバ・スキャン）領域ＯＳには、図１（Ａ）の紙面に垂直な方向に細長い、長方形の平板状のインデックス電極７０が、蛍光面１１Ａに対向する位置に設けられている。インデックス電極７０は、管内において、重複領域ＯＬに対応する位置に設けられているともいえる。
【００２９】
この陰極線管の管内において、さらに、インデックス電極７０と蛍光面１１Ａとの間には、ビームシールド２７が配置されている。ビームシールド２７は、過走査領域ＯＳを過走査した電子ビーム５Ｌ，５Ｒが蛍光面１１Ａに到達して不用意に発光しないように、電子ビーム５Ｌ，５Ｒを遮蔽する機能を有している。このビームシールド２７は、断面が例えばＶ字形状で、インデックス電極７０と同様、図１（Ａ）の紙面に垂直な方向に細長い形状となっている。
【００３０】
ビームシールド２７は、その両端部が、絶縁体を介して、例えばフレーム１３に取り付けられている。このビームシールド２７には、後述するように周波数特性改善用抵抗Ｒ１（図３）が接続されている。なお、図１では、周波数特性改善用抵抗Ｒ１の図示を省略している。
【００３１】
インデックス電極７０は、電子ビーム５Ｌ，５Ｒの入射に応じた電気的な検出信号を出力する機能を有している。インデックス電極７０は、金属などの導電性の物質からなるものであり、例えば、フレーム１３を基台にして図示しない絶縁物を介して架設されている。
【００３２】
このインデックス電極７０において、過走査した電子ビーム５Ｌ，５Ｒが入射すると、インデックス電極７０における電位が、通常より電圧降下する。本陰極線管においては、この電圧降下した信号が、インデックス検出信号としてインデックス信号出力用キャパシタＣｆを経由して管外に導かれ、主として画像状態の補正に利用されるようになっている。
【００３３】
図２（Ｃ）の走査方式の場合には、インデックス電極７０として、例えば図５に示した構造のものを用いることができる。すなわち、長手方向に例えば逆三角形状の切り欠き孔７１を等間隔に複数設けた構造のものを用いることができる。このような切り欠き孔７１が設けられていることにより、図５に示したように、走査位置の異なる電子ビームＢ１，Ｂ２によって走査されると、インデックス電極７０からは、切り欠き孔７１の形状に応じたパルス信号が出力される。このパルス信号を解析することにより、そのビーム軌道を直接的に検出することが可能となる。
【００３４】
一方、例えば図２（Ａ），（Ｂ）の縦走査方式の場合には、例えば図６に示したような構造のインデックス電極７０Ａを用いることができる。このインデックス電極７０Ａには、第１の切り欠き孔１３１と第２の切り欠き孔１３２とが、交互に複数配置されている。第１の切り欠き孔１３１は、例えば水平方向に長い長方形状となっている。第２の切り欠き孔１３２も略長方形状であり、第１の切り欠き孔１３１に対して斜めに配置されている。このインデックス電極７０Ａにおいても、走査位置の異なる電子ビームＢ１，Ｂ２によって走査されると、インデックス電極７０から、第１の切り欠き孔１３１と第２の切り欠き孔１３２の形状に応じたパルス信号が出力され、このパルス信号を解析することにより、そのビーム軌道を直接的に検出することが可能となる。
【００３５】
図３は、インデックス電極７０の周辺部の構造を示している。また、図４は、この周辺部の構造によって形成されるインデックス検出信号の検出回路を等価的に示している。
【００３６】
インデックス電極７０には、インデックス抵抗Ｒ２の一端が電気的に接続されている。インデックス抵抗Ｒ２の他端は、アノード電圧ＨＶが保たれている部分に電気的に接続されている。図３では、インデックス抵抗Ｒ２の他端が内部導電膜２２に接続されているが、実際には、例えばフレーム１３に接続されている。従って、インデックス電極７０には、インデックス抵抗Ｒ２を介してアノード電圧ＨＶが供給される。また、インデックス電極７０は、信号出力用キャパシタＣｆの内部電極４２にリード線２６を介して電気的に接続されている。
【００３７】
信号出力用キャパシタＣｆは、インデックス電極７０によって発生した電気的なインデックス検出信号を管外に出力するためのものである。この信号出力用キャパシタＣｆは、管外側に設けられた外部電極４１と、管内側に設けられた内部電極４２と、誘電体部４３とを有している。誘電体部４３は、ファンネル部２０などの誘電性を有する構成部分２０Ａの一部を利用したものである。外部電極４１と内部電極４２は、誘電体部４３を介して互いに対向配置されている。外部電極４１は、インデックス検出信号を出力するための出力端子６１に電気的に接続されている。
【００３８】
ビームシールド２７には、周波数特性改善用抵抗Ｒ１（以下、単に「特性改善用抵抗Ｒ１」と記す。）の一端が接続されている。特性改善用抵抗Ｒ１の他端は、アノード電圧ＨＶが保たれている部分に電気的に接続されている。図３では、特性改善用抵抗Ｒ１の他端が内部導電膜２２に接続されているが、実際には、例えばフレーム１３に接続されている。従って、ビームシールド２７には、特性改善用抵抗Ｒ１を介してアノード電圧ＨＶが供給される。
【００３９】
管内において、インデックス電極７０とビームシールド２７との間や、インデックス電極７０と内部導電膜２２との間などには、通常、浮遊容量Ｃ０，Ｃ１が発生している。特性改善用抵抗Ｒ１は、これらの浮遊容量Ｃ０，Ｃ１に起因する、インデックス検出信号の高周波数特性の劣化を改善するために設けられている。
【００４０】
特性改善用抵抗Ｒ１の抵抗値は、特に精度を要するものではないが、その値が小さいと浮遊容量Ｃ０，Ｃ１によるシャント効果が現れてくるので、インデックス抵抗Ｒ２に比べて数倍以上、望ましくは１０倍以上の値であれば良い。
【００４１】
図４の等価回路に示したように、信号出力用キャパシタＣｆの外部電極４１は、信号増幅用のアンプＡＭＰ１に接続されている。アンプＡＭＰ１の出力端子６３は、後述のインデックス信号処理部５１（図７）に接続されている。信号出力用キャパシタＣｆとアンプＡＭＰ１との間には、アンプＡＭＰ１の入力抵抗Ｒ０および入力容量Ｃ２が接続されている。
【００４２】
この等価回路においては、インデックス電極７０に入射する電子ビーム５Ｌ，５Ｒを、完全な電流源ＩＢとして表している。電流源ＩＢ、インデックス抵抗Ｒ２、および浮遊容量Ｃ０，Ｃ１の一端は、等価的には信号出力用キャパシタＣｆの内部電極４２に接続されている。浮遊容量Ｃ０と特性改善用抵抗Ｒ１は、等価的には直列接続されている。
【００４３】
図７は、この陰極線管の信号処理回路を示している。この陰極線管は、演算部５０と、映像信号処理部５３Ｌ，５３Ｒと、偏向制御部５４Ｌ，５４Ｒとを備えている。演算部５０は、マイクロ・コンピュータなどにより構成され、インデックス信号処理部５１と補正量演算部５２とを有している。
【００４４】
インデックス信号処理部５１は、アンプＡＭＰ１によって増幅されたインデックス検出信号Ｓ１の波形整形などを行い、それを補正量演算部５２に出力するようになっている。補正量演算部５２は、インデックス信号処理部５１からの出力信号に基づいて、画歪み補正など、映像表示を適正化するための補正データを算出し、それを映像信号処理部５３Ｌ，５３Ｒおよび偏向制御部５４Ｌ，５４Ｒに出力するようになっている。
【００４５】
映像信号処理部５３Ｌ，５３Ｒは、補正量演算部５２からの補正データに基づいて、映像信号を補正し、その補正後の信号に基づいて電子銃３１Ｌ，３１Ｒを駆動するようになっている。偏向制御部５４Ｌ，５４Ｒは、同期信号および補正量演算部５２からの補正データに基づいて、偏向ヨーク２１Ｌ，２１Ｒおよびコンバーゼンスヨーク３２Ｌ，３２Ｒを制御し、電子ビーム５Ｌ，５Ｒの走査制御を行うようになっている。
【００４６】
なお、インデックス電極７０による信号検出、ならびにそのインデックス検出信号による映像表示の適正化の手法などについては、本願出願人による特許第３０６８１１５号公報および特許第３０５７２３０号公報等に、より具体的に記載されている。
【００４７】
なお、本実施の形態において、インデックス電極７０が、本発明における「電子ビーム検出手段」の一具体例に対応し、ビームシールド２７が、本発明における「遮蔽手段」の一具体例に対応する。特性改善用抵抗Ｒ１が、本発明における「抵抗素子」の一具体例に対応する。
【００４８】
次に、この陰極線管の動作について説明する。
【００４９】
この陰極線管において、各電子銃３１Ｌ，３１Ｒは、映像信号に対応するよう与えられたカソード駆動電圧に応じて、電子ビーム５Ｌ，５Ｒを放出する。電子ビーム５Ｌ，５Ｒは、それぞれコンバーゼンスヨーク３２Ｌ，３２Ｒの電磁的な作用によりコンバーゼンスが行われると共に、偏向ヨーク２１Ｌ，２１Ｒの電磁的な作用により偏向される。このとき、左側の電子ビーム５Ｌによって、画面の約左半分が描画され、分割画面６Ｌが形成されると共に、右側の電子ビーム５Ｒによって、画面の約右半分が描画され、分割画面６Ｒが形成される。このように形成された左右の分割画面６Ｌ，６Ｒの端部がオーバ・ラップ領域ＯＬにおいて、部分的に重なるように繋ぎ合わされることにより、全体として単一の画面ＳＡが形成される。
【００５０】
電子ビーム５Ｌ，５Ｒが、それぞれ過走査領域ＯＳを走査し、インデックス電極７０に入射すると、インデックス電極７０において電圧降下が生じる。この電圧降下に応じた信号が、インデックス検出信号として、信号出力用キャパシタＣｆを経由して管外に出力される。
【００５１】
管外に出力されたインデックス検出信号は、図７に示したように、アンプＡＭＰ１を介してインデックス信号処理部５１に入力され、その後、補正量演算部５２に出力される。補正量演算部５２は、インデックス信号処理部５１からの出力信号に基づいて、画歪み補正など、映像表示を適正化するための補正データを算出し、それを映像信号処理部５３Ｌ，５３Ｒおよび偏向制御部５４Ｌ，５４Ｒに出力する。
【００５２】
映像信号処理部５３Ｌ，５３Ｒは、補正量演算部５２からの補正データに基づいて、映像信号を補正し、その補正後の信号に基づいて電子銃３１Ｌ，３１Ｒを駆動する。映像信号を補正することにより、画歪みなどの適正化のほか、左右の分割画面の繋ぎ目部分における輝度分布の適正化を行うことができる。偏向制御部５４Ｌ，５４Ｒは、同期信号および補正量演算部５２からの補正データに基づいて、偏向ヨーク２１Ｌ，２１Ｒおよびコンバーゼンスヨーク３２Ｌ，３２Ｒを制御し、電子ビーム５Ｌ，５Ｒの走査制御を行う。これにより、電子ビーム５Ｌ，５Ｒの走査位置の補正が行われ、画歪みなどが補正される。
【００５３】
このように、インデックス電極７０により、電子ビーム５Ｌ，５Ｒの走査の軌跡を直接的に検出することが可能となり、精度良く画像補正を行うことが可能となる。また、左右の分割画面の繋ぎ目部分における輝度分布の補正を行うことが可能となる。これにより、左右の分割画面が、位置的にも輝度的にも適正に繋ぎ合わされて表示される。
【００５４】
この陰極線管では、ビームシールド２７に特性改善用抵抗Ｒ１（図３）が接続されていることにより、浮遊容量Ｃ０，Ｃ１によるシャント効果が低減され、インデックス検出信号の高周波特性の改善が図られる。次に、この改善されたインデックス検出信号の周波数特性を具体的にシミュレーションして示す。
【００５５】
図８は、シミュレーションに用いた回路の第１の具体例を示している。図のように、信号出力用キャパシタＣｆの入力側（管内側）と出力側（管外側）とに、それぞれ検出器８１，８２を配置して周波数特性を測定した。この回路において、各素子の抵抗値および容量値は、以下のとおりである。特性改善用抵抗Ｒ１の抵抗値は１０ｋΩであり、インデックス抵抗Ｒ２の１０倍に設定した。
Ｒ０＝１ＭΩ
Ｒ１＝１０ｋΩ
Ｒ２＝１ｋΩ
Ｃｆ＝５ｐＦ
Ｃ０＝１７ｐＦ
Ｃ１＝１７ｐＦ
Ｃ２＝１０ｐＦ
【００５６】
図１０は、第２の具体例の回路を示している。この回路は、浮遊容量の容量値をＣ０＝２７ｐＦ，Ｃ１＝７ｐＦに変えたことを除いて、上記第１の具体例と同様である。なお、２つの浮遊容量Ｃ０，Ｃ１の容量値の合計は３４ｐＦとし、第１および第２の具体例で同一値に設定した。
【００５７】
図９および図１１に、それぞれ、上記第１および第２の具体例のシミュレーション結果を示す。図９および図１１において、縦軸はゲイン（ｄＢ）を示し、横軸は周波数（Ｈｚ）を示している。図中、△印でプロットした曲線は、管内側で発生するインデックス検出信号の周波数特性を示し、□印でプロットした曲線は、管外側に出力されたインデックス検出信号の周波数特性を示す。
【００５８】
図１３に、比較例として、特性改善用抵抗Ｒ１を設けなかった場合の周波数特性を示す。この比較例の回路は、図１２に示したように、特性改善用抵抗Ｒ１を設けていないことを除いて、上記第２の具体例（図１０）と同様である。図１３において、曲線２３１は、管内側で発生するインデックス検出信号の周波数特性を示し、曲線２３２は、管外側に出力されたインデックス検出信号の周波数特性を示す。
【００５９】
以上の結果から分かるように、特性改善用抵抗Ｒ１を設けなかった場合（図１３）に比べて、特性改善用抵抗Ｒ１を設けた場合（図９および図１１）の方が、高周波領域での信号劣化が少なく、周波数特性が改善されている。
【００６０】
なお、実際の陰極線管では、インデックス電極７０とビームシールド２７との間の浮遊容量Ｃ０の方が、インデックス電極７０と内部導電膜２２との間の浮遊容量Ｃ１に比べて大きいと考えられる。すなわち、図１１に示した第２の具体例の方が、実際の陰極線管の性能に近いと考えられる。周波数特性は、第２の具体例の方が大きく改善されており、実際の陰極線管に適用した場合には特性改善用抵抗Ｒ１による大きな効果が期待される。
【００６１】
以上説明したように、本実施の形態によれば、従来ではアノードに直接接続されていたビームシールド２７を、特性改善用抵抗Ｒ１を介してアノードに接続することにより、浮遊容量Ｃ０，Ｃ１によるシャント効果を軽減させることができる。これにより、信号振幅（信号レベル）を低下させずに、インデックス検出信号の高域の周波数特性を改善することができる。このとき、ビームシールド２７による電子ビーム５Ｌ，５Ｒの遮蔽機能自体はまったく損なわれない。
【００６２】
このように、本実施の形態によれば、電気インデックス法におけるインデックス検出信号の高周波特性を改善し、高い周波数成分まで信号検出を行うことができる。周波数特性が改善されるので、大型のディスプレイ装置や偏向周波数の高い高精細のディスプレイ装置に適用した場合に特に有効であり、その場合においても電子ビーム５Ｌ，５Ｒの軌道を精度良く検出することができる。
【００６３】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず種々の変形実施が可能である。例えば、本発明は、３つ以上の電子銃を備え、１つの画面を３つ以上の走査画面を合成して形成するようにしたものにも適用することが可能である。また、本発明は、カラー表示、およびモノクロ表示のいずれの陰極線管にも適用可能である。
【００６４】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の陰極線管によれば、遮蔽手段に抵抗素子を接続し、電子ビーム検出手段と遮蔽手段との間などに浮遊容量が発生したとしても、そのシャント効果が低減されるようにしたので、電子ビーム検出手段からの検出信号の高周波特性の劣化が抑制される。これにより、電気インデックス法における検出信号の高周波特性が改善され、高い周波数成分まで信号検出を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る陰極線管の概略を示す図であり、（Ｂ）は、陰極線管の画面構成を示す正面図、（Ａ）は、（Ｂ）におけるＩＡ−ＩＡ線断面図である。
【図２】図１に示した陰極線管における電子ビームの走査方式および画面構成の例を示す説明図である。
【図３】図１に示した陰極線管におけるインデックス検出信号の取り出し部分の構成を示す断面図である。
【図４】図１に示した陰極線管におけるインデックス検出信号の検出部分の等価回路を示す回路図である。
【図５】図１に示した陰極線管におけるインデックス電極の構成例を示す図である。
【図６】図１に示した陰極線管におけるインデックス電極の他の構成例を示す図である。
【図７】図１に示した陰極線管における信号処理回路の構成例を示すブロック図である。
【図８】インデックス信号検出回路の第１の具体例を示す回路図である。
【図９】図８に示した回路例における周波数特性を示す図である。
【図１０】インデックス信号検出回路の第２の具体例を示す回路図である。
【図１１】図１０に示した回路例における周波数特性を示す図である。
【図１２】従来のインデックス信号検出回路の具体例を示す回路図である。
【図１３】図１２に示した回路例における周波数特性を示す図である。
【図１４】従来の陰極線管の構成例を示す断面図である。
【図１５】従来の陰極線管におけるインデックス検出信号の検出部分の等価回路を示す回路図である。
【符号の説明】
Ｃ０，Ｃ１…浮遊容量、Ｃｆ…信号出力用キャパシタ、ＯＬ…重複（オーバ・ラップ）領域、ＯＳ…過走査（オーバ・スキャン）領域、Ｒ１…周波数特性改善用抵抗、Ｒ２…インデックス抵抗、Ｓ１…インデックス検出信号、５Ｌ，５Ｒ…電子ビーム、６Ｌ，６Ｒ…分割画面、１０…パネル部、１１Ａ…蛍光面、１１Ｂ…管面、２０…ファンネル部、２１Ｌ，２１Ｒ…偏向ヨーク、２２…内部導電膜、２３…外部導電膜、２７…ビームシールド、３０Ｌ，３０Ｒ…ネック部、３１Ｌ，３１Ｒ…電子銃、５０…演算部、５１…インデックス信号処理部、５２…補正量演算部、５３Ｌ，５３Ｒ…映像信号処理部、５４Ｌ，５４Ｒ…偏向制御部、７０，７０Ａ…インデックス電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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