(57)【要約】【課題】切断すべきヒューズ素子を選択的に切断するためのヒューズ素子切断工程において、製造コストを低減する。【解決手段】ヒューズ素子切断工程において、一表面１ａ上に少なくともヒューズ素子４１ａ，４１ｂと、ヒューズ素子４１ａ，４１ｂの形成位置に対応して開口部４７ａ，４７ｂをもつ絶縁層４３，４５が形成された半導体ウエハ基板１に対して（Ａ）、未硬化エッチング阻止材料樹脂の液滴２９を適宜噴出させながら吐出ノズル１１を走査して、切断しないヒューズ素子４１ｂに対応する開口部４７ｂ内に未硬化エッチング素子材料樹脂層４９を形成した後（Ｂ）、未硬化エッチング阻止材料樹脂層４９を硬化させてエッチング阻止材料層５１を形成し（Ｃ）、エッチングにより、絶縁層４５及びエッチング阻止材料層５１をマスクにして内部にエッチング阻止材料層が形成されていない開口部４７ａに対応するヒューズ素子４１ａを切断する（Ｄ）。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハ基板を保持するための基板保持部と、未硬化エッチング阻止材料樹脂の液滴を吐出ノズルから前記基板保持部に保持された半導体ウエハ基板の一表面に向けて噴出するための吐出機構と、前記基板保持部及び前記吐出ノズルの少なくとも一方を移動させるための駆動機構と、前記吐出機構及び前記駆動機構を制御して、半導体ウエハ基板の一表面上に未硬化エッチング阻止材料樹脂を付着させるための制御部を備え、
前記半導体ウエハ基板は、一表面上に少なくともヒューズ素子と、ヒューズ素子の形成位置に対応して開口部をもつ絶縁層が形成されたものであり、
前記制御部は、前記基板保持部に保持された半導体ウエハ基板に対して、切断しないヒューズ素子に対応する前記開口部に未硬化エッチング阻止材料樹脂を充填するように前記吐出機構及び前記駆動機構を制御することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２】
前記吐出機構は複数の吐出ノズルを備えている請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項３】
前記基板保持部は半導体ウエハ基板の温度を制御するための基板温度制御機構を備えている請求項１又は２に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項４】
異なる量の液滴を噴出する２種類以上の吐出機構を備えている請求項１、２又は３のいずれかに記載の半導体装置の製造装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記開口部の周囲の近傍領域では他の吐出機構よりも小さい液滴量を噴出する吐出機構を用いて未硬化エッチング阻止材料樹脂の噴出を行なうように前記吐出機構及び前記駆動機構を動作させる請求項４に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項６】
前記吐出機構は、前記樹脂収容部に収容された未硬化エッチング阻止材料樹脂の温度を制御するための樹脂温度制御機構を備えている請求項１から５のいずれかに記載の半導体装置の製造装置。
【請求項７】
一表面上に少なくともヒューズ素子と、ヒューズ素子の形成位置に対応して開口部をもつ絶縁層が形成された半導体ウエハ基板に対して、切断すべきヒューズ素子を選択的に切断するヒューズ素子切断工程を含む半導体装置の製造方法において、
ヒューズ素子切断工程は、切断しないヒューズ素子に対応する開口部内にエッチング阻止材料層を形成するエッチング阻止材料層形成工程と、
前記絶縁層及び前記エッチング阻止材料層をマスクにして、ドライエッチング又はウェットエッチングにより、内部に前記エッチング阻止材料層が形成されていない開口部に対応するヒューズ素子を切断するエッチング工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記エッチング阻止材料層形成工程は、未硬化エッチング阻止材料樹脂の液滴を噴出するための吐出ノズルを未硬化エッチング阻止材料樹脂の液滴を適宜噴出させながら走査して、切断しないヒューズ素子に対応する開口部内に未硬化エッチング阻止材料樹脂を充填した後、充填した未硬化エッチング阻止材料樹脂を硬化させて前記エッチング阻止材料層を形成する請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
開口部の周囲の近傍領域では、他の領域よりも小さい液滴量で未硬化エッチング阻止材料樹脂を噴出させて、未硬化エッチング阻止材料樹脂を開口部内に充填する請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ヒューズ素子として、多結晶シリコンからなるものを用いる請求項７から９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体基板の一表面上に少なくともヒューズ素子と、ヒューズ素子の形成位置に対応して開口部をもつ絶縁層が形成されている半導体装置において、
切断されていないヒューズ素子に対応する開口部にはエッチング阻止材料層が形成されており、切断されているヒューズ素子に対応する開口部には前記エッチング阻止材料層が形成されていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
２個以上の抵抗による分圧によって電圧出力を得、ヒューズ素子の切断によって電圧出力を調節できる分圧抵抗を備えた半導体装置において、
前記分圧抵抗の形成領域において、ヒューズ素子の形成位置に対応して開口部をもつ絶縁層が形成されており、切断されていないヒューズ素子に対応する開口部にはエッチング阻止材料層が形成されており、切断されているヒューズ素子に対応する開口部には前記エッチング阻止材料層が形成されていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
入力電圧を分圧して分圧電圧を供給するための分圧抵抗と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、前記分圧抵抗からの分圧電圧と前記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較するための比較回路をもつ電圧検出回路を備えた半導体装置において、
前記分圧抵抗として請求項１２に記載の分圧抵抗を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
入力電圧の出力を制御する出力ドライバと、出力電圧を分圧して分圧電圧を供給するための分圧抵抗と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、前記分圧抵抗からの分圧電圧と前記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較し、比較結果に応じて前記出力ドライバの動作を制御するための比較回路をもつ定電圧発生回路を備えた半導体装置において、
前記分圧抵抗として請求項１２に記載の分圧抵抗を備えていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造装置並びに半導体装置及びその製造方法に関し、特に、一表面上に少なくともヒューズ素子と、ヒューズ素子の形成位置に対応して開口部をもつ絶縁層が形成されている半導体ウエハ基板に対して、切断すべきヒューズ素子を選択的に切断するヒューズ素子切断工程を含む半導体装置の製造方法、その製造方法によって作成された半導体装置及びその製造方法を用いる半導体装置の製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えばアナログ回路を含む半導体装置の電気的特性を調整するために、個々のチップに分割する前の半導体ウエハ基板の状態で、半導体ウエハ基板上に形成されている複数のヒューズ素子のうち適当なものをレーザービームを照射して切断するレーザートリミングが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
レーザートリミングにより電気的特性が調整されるアナログ回路を含む半導体装置として、例えば定電圧発生回路を備えた半導体装置や電圧検出回路を備えた半導体装置を挙げることができる。
【０００４】
図７は、定電圧発生回路を備えた半導体装置の一例を示す回路図である。
直流電源５５からの電源を負荷５７に安定して供給すべく、定電圧発生回路５９が設けられている。定電圧発生回路５９は、直流電源５５が接続される入力端子（Ｖｂａｔ）６１、基準電圧発生回路（Ｖｒｅｆ）６３、演算増幅器６５、出力ドライバを構成するＰチャネル型ＭＯＳトランジスタ（以下、ＰＭＯＳと略記する）６７、分圧抵抗Ｒ１，Ｒ２及び出力端子（Ｖｏｕｔ）６９を備えている。
【０００５】
定電圧発生回路５９の演算増幅器６５では、出力端子がＰＭＯＳ６７のゲート電極に接続され、反転入力端子に基準電圧発生回路６３から基準電圧Ｖｒｅｆが印加され、非反転入力端子に出力電圧Ｖｏｕｔを抵抗Ｒ１とＲ２で分圧した電圧が印加され、抵抗Ｒ１，Ｒ２の分圧電圧が基準電圧Ｖｒｅｆに等しくなるように制御される。
【０００６】
図８は、電圧検出回路を備えた半導体装置の一例を示す回路図である。
６５は演算増幅器で、その反転入力端子に基準電圧発生回路６３が接続され、基準電圧Ｖｒｅｆが印加される。入力端子（Ｖｓｅｎｓ）７３から入力される測定すべき端子の電圧が分圧抵抗Ｒ１とＲ２によって分圧されて演算増幅器６５の非反転入力端子に入力される。演算増幅器６５の出力は出力端子７５を介して外部に出力される。
【０００７】
電圧検出回路７１において、測定すべき端子の電圧が高く、分圧抵抗Ｒ１とＲ２により分圧された電圧が基準電圧Ｖｒｅｆよりも高いときは演算増幅器６５の出力がＨレベルを維持し、測定すべき端子の電圧が降下してきて分圧抵抗Ｒ１とＲ２により分圧された電圧が基準電圧Ｖｒｅｆ以下になってくると演算増幅器６５の出力がＬレベルになる。
【０００８】
一般に、図７に示した定電圧発生回路や図８に示した電圧検出回路では、製造プロセスのバラツキに起因して基準電圧発生回路からの基準電圧Ｖｒｅｆが変動するので、その変動に対応すべく、分圧抵抗としてヒューズ素子の切断により抵抗値を調整可能な抵抗回路を用いて、分圧抵抗の抵抗値を調整している。
【０００９】
図９は、分圧抵抗の一例を示す回路図である。
抵抗素子Ｒｂｏｔｔｏｍ、ｍ＋１個（ｍは正の整数）の設定抵抗素子ＲＴ０，ＲＴ１，…，ＲＴｍ、抵抗素子Ｒｔｏｐが直列に接続されている。設定抵抗素子ＲＴ０，ＲＴ１，…，ＲＴｍには、各設定抵抗素子に対応してヒューズ素子ＲＬ０，ＲＬ１，…，ＲＬｍが並列に接続されている。このような分圧抵抗は例えば特許文献２に開示されている。
【００１０】
このように、抵抗対の比の精度が重視される分圧抵抗では、製造工程での作り込み精度を上げるために、一対の設定抵抗素子及びヒューズ素子からなる単位抵抗が直列に接続されて梯子状に配置されている。
このような分圧抵抗では、任意のヒューズ素子ＲＬ０，ＲＬ１，…，ＲＬｍをレーザービームで切断することにより、所望の直列抵抗値を得ることができる。
【００１１】
図９に示した分圧抵抗を図７に示した定電圧発生回路の分圧抵抗Ｒ１，Ｒ２に適用する場合、例えば抵抗素子Ｒｂｏｔｔｏｍ端を接地し、抵抗素子Ｒｔｏｐ端をＰＭＯＳ６７のドレインに接続し、抵抗素子Ｒｂｏｔｔｏｍ、ＲＴ０間の端子ＮｏｄｅＬを演算増幅器１５の非反転入力端子に接続する。また、抵抗素子Ｒｂｏｔｔｏｍ端を接地し、抵抗素子Ｒｔｏｐ端をＰＭＯＳ６７のドレインに接続し、抵抗素子Ｒｔｏｐ、ＲＴｍ間の端子ＮｏｄｅＭを演算増幅器１５の非反転入力端子に接続するようにしてもよい。
【００１２】
また、図９に示した分圧抵抗を図８に示した電圧検出回路の分圧抵抗Ｒ１，Ｒ２に適用する場合、例えば抵抗素子Ｒｂｏｔｔｏｍ端を接地し、抵抗素子Ｒｔｏｐ端を直流電源５に接続し、端子ＮｏｄｅＬを演算増幅器１５の非反転入力端子に接続する。また、抵抗素子Ｒｂｏｔｔｏｍ端を接地し、抵抗素子Ｒｔｏｐ端を直流電源５に接続し、端子ＮｏｄｅＭを演算増幅器１５の非反転入力端子に接続するようにしてもよい。
【００１３】
【特許文献１】
特開２０００−３２３５７６号公報
【特許文献２】
特開２０００−１５７９９号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
レーザービームの照射によりヒューズ素子を切断する際、▲１▼レーザービームを照射するためレーザートリミング装置が高価であること、▲２▼レーザートリミング装置のランニングコストが高いこと、▲３▼レーザービームにより周辺の保護膜やヒューズ素子の下地の膜が損傷を受けること、▲４▼開口部周辺に溶けたヒューズ素子材料等が飛び散ること、などの問題があった。
【００１５】
本発明の第１の目的は、一表面上に少なくともヒューズ素子と、ヒューズ素子の形成位置に対応して開口部をもつ絶縁層が形成された半導体ウエハ基板に対して、切断すべきヒューズ素子を選択的に切断するヒューズ素子切断工程において、製造コストを低減することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供することである。
本発明の第２の目的は、ヒューズ素子の切断処理が施される半導体装置の信頼性を向上させることである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造装置は、半導体ウエハ基板を保持するための基板保持部と、未硬化エッチング阻止材料樹脂の液滴を吐出ノズルから上記基板保持部に保持された半導体ウエハ基板の一表面に向けて噴出するための吐出機構と、上記基板保持部及び上記吐出ノズルの少なくとも一方を移動させるための駆動機構と、上記吐出機構及び上記駆動機構を制御して、半導体ウエハ基板の一表面上に未硬化エッチング阻止材料樹脂を付着させるための制御部を備え、上記半導体ウエハ基板は、一表面上に少なくともヒューズ素子と、ヒューズ素子の形成位置に対応して開口部をもつ絶縁層が形成されたものであり、上記制御部は、上記基板保持部に保持された半導体ウエハ基板に対して、切断しないヒューズ素子に対応する上記開口部に未硬化エッチング阻止材料樹脂を充填するように上記吐出機構及び上記駆動機構を制御するものである。
【００１７】
本発明の半導体装置の製造装置では、切断しないヒューズ素子に対応する開口部に未硬化エッチング阻止材料樹脂を充填して、切断しないヒューズ素子を封止する。未硬化エッチング阻止材料樹脂を硬化させて、切断しないヒューズ素子上にエッチング阻止材料層を形成した後、絶縁層及びヒューズ素子材料をマスクにしてエッチング処理を施すことにより、内部にエッチング阻止材料層が形成されていない開口部に対応するヒューズ素子のみを切断することができる。これにより、レーザービーム照射によりヒューズ素子を切断する高価なレーザートリミング装置を用いなくてもよいので、レーザートリミング装置を維持するための高い維持費を削減でき、製造コストを低減できる。
【００１８】
さらに、レーザービーム照射によりヒューズ素子を切断する場合にはヒューズ素子の切断すべき場所にレーザービームを正確に位置合わせをする必要があるが、本発明の半導体装置の製造装置では、切断しないヒューズ素子に対応する開口部に未硬化エッチング阻止材料樹脂を充填すればよいので、開口部からはみ出して未硬化エッチング阻止材料樹脂が充填されても特に問題はない。したがって、本発明の半導体装置の製造装置を構成する駆動機構の位置決め精度は、レーザートリミング装置の位置決め機構よりも低精度であってもよいので、製造装置のコストの低減、ひいては製造コストの低減を図ることができる。さらに、位置決めに要する時間を短縮することができるので、スループットを向上させることができる。
【００１９】
本発明の半導体装置の製造方法は、一表面上に少なくともヒューズ素子と、ヒューズ素子の形成位置に対応して開口部をもつ絶縁層が形成された半導体ウエハ基板に対して、切断すべきヒューズ素子を選択的に切断するヒューズ素子切断工程を含む半導体装置の製造方法であって、ヒューズ素子切断工程は、切断しないヒューズ素子に対応する開口部内にエッチング阻止材料層を形成するエッチング阻止材料層形成工程と、上記絶縁層及び上記エッチング阻止材料層をマスクにして、ドライエッチング又はウェットエッチングにより、内部に上記エッチング阻止材料層が形成されていない開口部に対応するヒューズ素子を切断するエッチング工程を含む。
【００２０】
本発明の半導体装置の製造方法では、レーザービーム照射によりヒューズ素子を切断する高価なレーザートリミング装置を用いなくてもヒューズ素子を選択して切断することができるので、レーザートリミング装置を維持するための高い維持費を削減でき、製造コストを低減できる。
【００２１】
さらに、半導体ウエハ基板へのレーザービーム照射を行なわないので、レーザービーム照射に起因する配線材料や保護膜材料の飛散やヒューズ素子の下地へのダメージがなくなり、半導体装置の品質を向上させることができる。
さらに、切断しないヒューズ素子に対応する開口部をエッチング阻止材料層により封止するので、半導体素子の信頼性向上につながる。
【００２２】
また、レーザービーム照射によりヒューズ素子の切断を行なう場合にはヒューズ素子への水分の浸入などを防止するためにヒューズ素子が露出しないように、開口部を形成する際に薄い酸化膜等の保護膜をヒューズ素子上に残存させたり別途形成したりしているが、本発明の半導体装置の製造方法では、切断しないヒューズ素子に対応する開口部をエッチング阻止材料層により封止するので、ヒューズ素子上に保護膜を形成する必要がなく、プロセスの簡略化を図ることができる。
【００２３】
本発明の半導体装置は、半導体基板の一表面上に少なくともヒューズ素子と、ヒューズ素子の形成位置に対応して開口部をもつ絶縁層が形成されているものであって、切断されていないヒューズ素子に対応する開口部にはエッチング阻止材料層が形成されており、切断されているヒューズ素子に対応する開口部には上記エッチング阻止材料層が形成されていないものである。
【００２４】
切断されていないヒューズ素子に対応する開口部はエッチング阻止材料層により封止されているので、水分等の浸入を防止することができ、半導体素子の信頼性を向上させることができる。さらに、エッチングによりヒューズ素子が切断されている場合には、ヒューズ素子を切断するために従来行なわれていたレーザービーム照射が行なわれていないので、レーザービーム照射に起因する配線材料や保護膜材料の飛散やヒューズ素子の下地へのダメージがなく、半導体装置の品質を向上させることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体装置の製造装置において、上記吐出機構は複数の吐出ノズルを備えていることが好ましい。その結果、未硬化エッチング阻止材料樹脂を開口部に充填する時間を短縮することができる。
【００２６】
さらに、上記基板保持部は半導体ウエハ基板の温度を制御するための基板温度制御機構を備えていることが好ましい。その結果、開口部に充填された未硬化エッチング阻止材料樹脂の粘度を調節することができ、未硬化エッチング阻止材料樹脂表面の平準化、開口部内の細部への充填度の向上、未硬化エッチング阻止材料樹脂の膜厚の制御を図ることができる。
【００２７】
さらに、異なる量の液滴を噴出する２種類以上の吐出機構を備えていることが好ましく、さらには上記開口部の周囲の近傍領域では他の吐出機構よりも小さい液滴量を噴出する吐出機構を用いて未硬化エッチング阻止材料樹脂の噴出を行なうように上記吐出機構及び上記駆動機構を動作させることが好ましい。その結果、異なる量の液滴を噴出する２種類以上の吐出機構を備えることにより、開口部内の領域ごとに異なる量の未硬化エッチング阻止材料樹脂の液滴を噴出することができ、ヒューズ素子に対応する開口部の周囲の近傍領域では他の吐出機構よりも小さい液滴量を噴出する吐出機構を用いて未硬化エッチング阻止材料樹脂の噴出を行なうことにより、エッチング阻止材料樹脂層の精密な境界の形成を行なうことができ、さらにヒューズ素子に対応する開口部周囲の近傍領域以外の領域においてより大きい液滴量を噴出する吐出機構を用いることによりスループットを向上させることができる。
【００２８】
さらに、上記吐出機構は、上記樹脂収容部に収容された未硬化エッチング阻止材料樹脂の温度を制御するための樹脂温度制御機構を備えていることが好ましい。その結果、噴出する未硬化エッチング阻止材料樹脂の粘度を調節することができ、未硬化エッチング阻止材料樹脂表面の平準化、開口部内の細部への充填度の向上、未硬化エッチング阻止材料樹脂の膜厚の制御を図ることができる。また、吐出ノズル近傍での樹脂の硬化による詰まりを軽減できる。
【００２９】
本発明の半導体装置の製造方法において、上記エッチング阻止材料層形成工程は、未硬化エッチング阻止材料樹脂の液滴を噴出するための吐出ノズルを未硬化エッチング阻止材料樹脂の液滴を適宜噴出させながら走査して、切断しないヒューズ素子に対応する開口部内に未硬化エッチング阻止材料樹脂を充填した後、充填した未硬化エッチング阻止材料樹脂を硬化させて上記エッチング阻止材料層を形成することが好ましい。
【００３０】
レーザービーム照射によりヒューズ素子を切断する場合にはヒューズ素子の切断すべき場所にレーザービームを正確に位置合わせをする必要があるが、この製造方法の局面では、切断しないヒューズ素子に対応する開口部に未硬化エッチング阻止材料樹脂を充填すればよいので、開口部からはみ出して未硬化エッチング阻止材料樹脂が充填されても特に問題はない。したがって、吐出ノズルと開口部を位置決めする駆動機構は、レーザートリミング装置の位置決め機構よりも低精度のものであってもよいので、製造装置のコストの低減、ひいては製造コストの低減を図ることができる。さらに、位置決めに要する時間を短縮することができるので、スループットを向上させることができる。
【００３１】
さらに、開口部の周囲の近傍領域では、他の領域よりも小さい液滴量で未硬化エッチング阻止材料樹脂を噴出させて、未硬化エッチング阻止材料樹脂を開口部内に充填することが好ましい。その結果、開口部の周囲の近傍領域において未硬化エッチング阻止材料樹脂の精密な境界の形成を行なうことができ、さらに、開口部の周囲の近傍領域以外の領域においては、より大きい液滴量で未硬化エッチング阻止材料樹脂を噴出させて未硬化エッチング阻止材料樹脂の充填を行なうことによりスループットを向上させることができる。
【００３２】
また、上記ヒューズ素子として、例えば多結晶シリコンからなるものを用いることを挙げることができる。その結果、上記エッチング工程において、例えばＳＦ６（六フッ化硫黄）をエッチングガスとするドライエッチングを用いることにより、絶縁層及びエッチング阻止材料層と、ヒューズ素子を形成する多結晶シリコンとの間に高い選択比をもたせることができる。
【００３３】
本発明の半導体装置が適用される一例として、２個以上の抵抗による分圧によって電圧出力を得、ヒューズ素子の切断によって電圧出力を調節できる分圧抵抗を備えたものであって、上記分圧抵抗の形成領域において、ヒューズ素子の形成位置に対応して開口部をもつ絶縁層が形成されており、切断されていないヒューズ素子に対応する開口部にはエッチング阻止材料層が形成されており、切断されているヒューズ素子に対応する開口部には上記エッチング阻止材料層が形成されていないものを挙げることができる。
切断されていないヒューズ素子に対応する開口部がエッチング阻止材料層により封止されていることにより、水分の浸入などによる切断されていないヒューズ素子の腐食などを防止することができ、分圧抵抗の電圧出力の精度を安定させることができる。
【００３４】
本発明の半導体装置が適用される他の例として、入力電圧を分圧して分圧電圧を供給するための分圧抵抗と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、上記分圧抵抗からの分圧電圧と上記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較するための比較回路をもつ電圧検出回路を備えた半導体装置であって、上記分圧抵抗として本発明の半導体装置が適用された分圧抵抗を備えているものを挙げることができる。
本発明の半導体装置が適用された分圧抵抗では、分圧抵抗の電圧出力の精度を安定させることができるので、電圧検出回路の検出出力を安定させることができる。
【００３５】
本発明の半導体装置が適用されるさらに他の例として、入力電圧の出力を制御する出力ドライバと、出力電圧を分圧して分圧電圧を供給するための分圧抵抗と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、上記分圧抵抗からの分圧電圧と上記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較し、比較結果に応じて上記出力ドライバの動作を制御するための比較回路をもつ定電圧発生回路を備えた半導体装置であって、上記分圧抵抗として本発明の半導体装置が適用された分圧抵抗を備えているものを挙げることができる。
本発明の半導体装置が適用された分圧抵抗では、分圧抵抗の電圧出力の精度を安定させることができるので、定電圧発生回路の出力電圧を安定させることができる。
【００３６】
【実施例】
図１は半導体装置の製造方法の一実施例を示す工程断面図である。図２は半導体装置の製造装置の一実施例を示す概略構成図である。まず、図２を参照して半導体装置の製造装置の実施例について説明する。
【００３７】
一表面１ａ上にヒューズ素子（図示は省略）が形成された半導体ウエハ基板１を、一表面１ａを上方側にして保持するための基板保持部３が設けられている。基板保持部３には半導体ウエハ基板１を保持する面に真空吸着用の小さな開口部（図示は省略）が設けられており、その開口部は吸引経路を介して排気装置（図示は省略）に接続されている。これにより、基板保持部３に半導体ウエハ基板１を吸着保持できるように構成されている。基板保持部３には、半導体ウエハ基板１を加熱するためのヒーター５と、基板保持部３の温度を測定するための温度センサー７が設けられている。ヒーター５及び温度センサー７は本発明の半導体装置の製造装置の基板温度制御機構を構成する。
【００３８】
基板保持部３を位置決めするためのステージ部９が設けられている。ステージ部９はモータなどの駆動部（図示は省略）により、基板保持部３を水平方向及び高さ方向に移動させ、水平面で回転させる機能を備えている。ステージ部９は本発明の半導体装置の製造装置の駆動機構を構成する。
【００３９】
ステージ部９の上方に、未硬化エッチング阻止材料樹脂を噴出するための吐出ヘッド１１と、半導体ウエハ基板１の画像情報を取得するための画像情報カメラ３１が設けられている。吐出ヘッド１１は本発明の半導体装置の製造装置の吐出機構を構成する。この実施例では吐出ヘッド１１及び画像情報カメラ３１の位置は固定されている。
【００４０】
図３は、吐出ヘッドの概略構成図であり、（Ａ）は待機状態、（Ｂ）は吐出状態を示す。
吐出ヘッド１１の半導体ウエハ基板１と対向する面に複数の吐出ノズル１３が直線上又はアレイ状に配置されている。吐出ノズル１３を図２では２個のみ、図３では１個のみ示している。吐出ノズル１３ごとに未硬化エッチング阻止材料樹脂を収容するための樹脂収容部１５が設けられている。
【００４１】
樹脂収容部１５は液供給流路１７及び吐出容器１９を介して吐出ノズル１３に接続されている。液供給流路１７の壁面の一部は可撓性を有する薄膜２１により構成されている。薄膜２１の液供給流路１７とは反対側にピエゾ素子２３が設けられている。吐出ヘッド１１には未硬化エッチング阻止材料樹脂を加熱するためのヒーター２５と未硬化エッチング阻止材料樹脂の温度を測定するための温度センサー２７も設けられている。
【００４２】
吐出ヘッド１１の動作について説明する。吐出ヘッド１１では、ピエゾ素子２３が変形する際の圧力を利用して未硬化エッチング阻止材料樹脂の液滴２９の噴出を行なう。例えばピエゾ素子２３に電圧がかかるとピエゾ素子２３は伸張し、液供給流路１７が加圧され、その圧力により所定量の未硬化エッチング阻止材料樹脂の液滴２９が吐出ノズル１３から噴出される（図３（Ｂ）参照）。
【００４３】
ピエゾ素子２３が復元するとき、樹脂収容部１５から液供給流路１７に未硬化エッチング阻止材料樹脂が吸引される（図３（Ａ）参照）。吐出ヘッド１１から噴出される未硬化エッチング阻止材料樹脂の液滴量は例えば０．０５ナノリットルである。この実施例で用いている吐出ヘッド１１はインクジェットプリンタで用いられるピエゾ式（ピエゾジェット方式とも呼ばれる）プリンタヘッドと同様の構造をもっている。
【００４４】
図２に戻って説明を続けると、ステージ部９及び吐出ヘッド１１に電気的に接続され、それらの動作を制御するための制御部３３が設けられている。ステージ部９の近傍に、ステージ部９の位置情報を取得するためのステージ位置検出器３５が設けられている。制御部３３は温度センサー７、画像情報カメラ３１及びステージ位置検出器３５にも電気的に接続されている。温度センサー７及び温度センサー２７の温度情報、画像情報カメラ３１の画像情報、ステージ位置検出器３５のステージ位置情報は制御部３３へ送られる。制御部３３には設定情報などを表示するためのモニター３７も電気的に接続されている。さらに制御部３３には、ウエハテスト結果などの個々の半導体装置の電気的な特性評価などに基づいて、切断しないヒューズ素子の位置情報が入力さている。
【００４５】
図１及び図２を参照して半導体装置の製造方法の一実施例及び半導体装置の製造装置の動作を説明する。図１では半導体装置の製造装置については吐出ノズルのみを図示し、他の部分の図示は省略している。この実施例では未硬化エッチング阻止材料樹脂として例えば熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂液状封止材（ＣＥＬ−Ｃ−３１４０（日立化成工業（株）の製品）、粘度は０．６Ｐａ・ｓ）を用いた。
【００４６】
（１）一表面１ａを上方側にして半導体ウエハ基板１を基板保持部３に配置する。基板保持部３は半導体ウエハ基板１を真空吸着して保持する。半導体ウエハ基板１には、一表面１ａ上に、熱酸化膜３９を介して、多結晶シリコンからなるヒューズ素子４１ａ，４１ｂが形成されている。ヒューズ素子４１ａ，４１ｂ上及び熱酸化膜３９上に、例えばＰＳＧ（ｐｈｏｓｐｈｏ　ｓｉｌｉｃａｔｅ　ｇｌａｓｓ）酸化膜４３が形成されており、さらにその上にパッシベーション膜としての窒化膜４５が形成されている。ＰＳＧ酸化膜４３及び窒化膜４５には、ヒューズ素子４１ａ，４１ｂの切断予定領域に対応して開口部４７ａ，４７ｂが形成されている（図１（Ａ）参照）。ここで、ヒューズ素子４１ａ，４１ｂは同じ構造であり、ヒューズ素子４１ａは後工程で切断されるものであり、ヒューズ素子４１ｂは切断されないものを例として挙げている。
【００４７】
図１に対応する部分の半導体ウエハ基板１の平面図を図４に示す。図１及び図４を参照して半導体ウエハ基板１について説明する。図１及び図４では半導体装置を構成するトランジスタなどの回路素子や配線材料等は省略し、図示していない。図１の断面図は図４のＡ−Ａ位置での断面に相当する。
【００４８】
例えば、熱酸化膜３９の膜厚は８００ｎｍ（ナノメートル）、ＰＳＧ酸化膜４３の膜厚は８５０ｎｍ、窒化膜４５の膜厚は１２００ｎｍ、ヒューズ素子４１ａ，４１ｂを形成する多結晶シリコン膜の膜厚は３５０ｎｍである。ヒューズ素子４１ａ，４１ｂの切断予定領域は他の部分よりも線幅が細く形成されており、その線幅は例えば５〜８μｍ（マイクロメートル）である。開口部４７ａ，４７ｂの寸法は例えば２０×２０μｍである。
【００４９】
半導体ウエハ基板１としては、一表面１ａ、ヒューズ素子４１ａ，４１ｂ及び窒化膜４５の表面に、後述する未硬化エッチング阻止材料樹脂に対する濡れ性を向上させるための処置が施されたものや、未硬化エッチング阻止材料樹脂に対する適度な濡れ性を有する素材からなる薄膜が形成されたものを用いてもよい。例えば濡れ性を向上させる処理としては、オゾンガスやプラズマなどの活性種を表面に接触させる方法によるものを挙げることができる。ただし、このような表面処理は必ずしも必要なものではない。
【００５０】
図１及び図２に戻って製造方法の一実施例の説明を続ける。
（２）制御部３３により、温度センサー２７からの温度情報に基づいてヒーター２５の加熱を制御して、吐出ヘッド１１の樹脂収容部１５内、液供給流路１７内及び吐出容器１９内の未硬化エッチング阻止材料樹脂の温度を制御する。また、温度センサー７からの温度情報に基づいてヒーター５の加熱を制御して、半導体ウエハ基板１の一表面１ａの温度を制御する。
【００５１】
制御部３３の制御により、画像情報カメラ３１からの画像情報に基づいてステージ部９を動作させて基板保持部３に保持された半導体ウエハ基板１の位置合わせを行なう。制御部３３は画像認識技術により、予め入力された切断しないヒューズ素子の位置情報と画像情報カメラ３１からの半導体ウエハ基板１の画像情報に基づいて、切断しないヒューズ素子に対応する開口部に未硬化エッチング阻止材料樹脂の液滴を付着させるべき半導体ウエハ基板１の一表面１ａの領域を計算する。
【００５２】
その後、ステージ位置検出器３５からのステージ位置情報と照らし合わせ、ステージ部９及び吐出ヘッド１１へ駆動信号を送り、半導体ウエハ基板１を吸着した基板保持部３を順次位置決めするとともに、吐出ヘッド１１から未硬化エッチング阻止材料樹脂の液滴２９を適宜噴出させて、切断しないヒューズ素子４１ｂに対応する開口部４７ｂに未硬化エッチング阻止材料樹脂を充填して未硬化エッチング阻止材料樹脂層４９を形成する。ここでは、例えば熱酸化膜３９上での未硬化エッチング阻止材料樹脂層４９の膜厚が１６５０ｎｍ程度、ヒューズ素子４１ｂ上での未硬化エッチング阻止材料樹脂層４９の膜厚が１３００ｎｍ程度になるように未硬化エッチング阻止材料樹脂を開口部４７ｂに充填した（図１（Ｂ）参照）。
【００５３】
この実施例では、開口部４９ｂの深さと同じ厚みの未硬化エッチング阻止材料樹脂層４９を形成しているが、後のエッチングに支障がない範囲であれば、これより薄くても、厚くても構わない。また、厚い場合は、後のエッチングに支障がない範囲であれば開口部周辺に未硬化エッチング阻止材料樹脂がはみ出しても構わない。
【００５４】
また、吐出ヘッド１１から噴出される未硬化エッチング阻止材料樹脂の液滴２９の容積は例えば最小で５ナノリットル程度にまで精度良く制御できるので、液滴２９の樹脂量は開口部４７ｂの周囲の境界に精度が必要な場合は、例えば数μｍ程度の精度に対応できる液滴量に制御することもできる。
【００５５】
（３）切断しないヒューズ素子４１ｂに対応する開口部４７ｂ内に未硬化エッチング阻止材料樹脂層４９を形成した後、半導体ウエハ基板１を基板保持部３から取り出す。取り出した半導体ウエハ基板１において、切断すべきヒューズ素子４１ａに対応する開口部４７ａには未硬化エッチング阻止材料樹脂は充填されていない。取り出した半導体ウエハ基板１に対して、例えば温度は１２０℃、時間は３０分の条件で熱処理を施し、さらに温度は１５０℃、時間は１２０分の条件で熱処理を施して未硬化エッチング阻止材料樹脂層４９を硬化させて、エッチング阻止材料層５１を形成する（図１（Ｃ）参照）。
【００５６】
（４）切断しないヒューズ素子４１ｂに対応する開口部４７ｂ内にエッチング阻止材料層５１を形成した後、半導体ウエハ基板１を例えば平行平板型のプラズマエッチャーにて、エッチングガスとしてＳＦ６を用いて１２０秒間プラズマエッチング処理を施す。これにより、切断しないヒューズ素子４１ｂはエッチング阻止材料層５１がマスクとなってエッチングされず、切断すべきヒューズ素子４１ａの切断予定領域のみが選択的にエッチング除去され、ヒューズ素子４１ａが切断される（図１（Ｄ）参照）。これにより、個々の半導体装置において所望の切断すべきヒューズ素子を切断でき、所望の電気的特性を得ることができる。
【００５７】
この実施例では、ドライエッチングの一種である、エッチングガスとしてＳＦ６を用いたプラズマエッチングによりヒューズ素子の切断を行なっているが、本発明の半導体装置の製造方法はこれに限定されるものではなく、切断すべきヒューズ素子が切断でき、かつ他の部分の形状が保たれるのであれば他のエッチングガスを用いてもよいし、プラズマエッチング以外のドライエッチングやウェットエッチングなど、他のエッチング方法を用いてもよい。
【００５８】
図５は半導体装置の製造装置の他の実施例を示す概略構成図である。図２と同じ部分には同じ符号を付し、それらの部分の説明は省略する。
ステージ部９の上方に、吐出ヘッド１１と、吐出ヘッド１１とは異なる量の液滴を噴出するための吐出ヘッド５３が設けられている。吐出ヘッド５３の位置は固定されている。吐出ヘッド５３の構造は吐出ヘッド１１と同様であり、例えば１００ナノリットル程度の未硬化エッチング阻止材料樹脂の液滴を噴出する。制御部３３は吐出ヘッド５３の動作も制御する。
【００５９】
図６は半導体装置の製造方法の他の実施例を示す工程断面図である。この実施例では図４に示した半導体装置の製造装置を用いた。図６では半導体装置の製造装置について２つの吐出ノズルのみを図示し、他の部分の図示は省略している。図５及び図６を参照して半導体装置の製造方法の実施例及び半導体装置の製造装置の動作を説明する。
【００６０】
（１）一表面１ａ上に熱酸化膜３９を介してヒューズ素子４１ａ，４１ｂが形成され、さらにその上に、ヒューズ素子４１ａ，４１ｂの切断予定領域に対応して開口部４７ａ，４７ｂをもつＰＳＧ酸化膜４３、窒化膜４５が形成された半導体ウエハ基板１を、一表面１ａを上方側にして基板保持部３に配置する（図６（Ａ）参照）。
【００６１】
（２）制御部３３により、未硬化エッチング阻止材料樹脂の液滴を付着させるべき半導体ウエハ基板１の一表面１ａの領域を計算した後、吐出ヘッド１１，５３及びステージ部９の動作を制御して、半導体ウエハ基板１の一表面１ａへ未硬化エッチング阻止材料樹脂の噴出を開始する。切断しないヒューズ素子４１ｂに対応する開口部４７ｂの周囲の近傍領域、例えば開口部４７ｂ内で開口部４７ｂの周囲から３μｍの枠状の領域において、より小さい量の液滴２９を噴出する吐出ヘッド１１を用いて開口部４７ｂ内の周囲近傍領域に未硬化エッチング阻止材料樹脂層４９を形成する。これにより、開口部４７ｂ内の周囲近傍において未硬化エッチング阻止材料樹脂４９の精密な境界の形成を行なうことができる（図６（Ｂ）参照）。
【００６２】
（３）開口部４７ｂの周囲の近傍領域以外の領域、すなわち開口部４７ｂの中央側の領域において、より大きい量の液滴５０を噴出する吐出ヘッド５３を用いて未硬化エッチング阻止材料樹脂層４９を形成する。これにより、液滴量が小さい吐出ヘッド１１のみを用いて未硬化エッチング阻止材料樹脂層４９を形成する場合に比べてスループットを向上させることができる（図６（Ｃ）参照）。
【００６３】
（４）切断しないヒューズ素子４１ｂに対応する開口部４７ｂに未硬化エッチング阻止材料樹脂層４９を形成した後、半導体ウエハ基板１を基板保持部３から取り出し、図１（Ｃ）を参照して説明した工程（３）と同様にして、未硬化エッチング阻止材料樹脂層４９を硬化させて、エッチング阻止材料層５１を形成する（図５（Ｄ）参照）。
【００６４】
（５）図１（Ｄ）を参照して説明した工程（４）と同様にして、半導体ウエハ基板１にプラズマエッチング処理を施し、ヒューズ素子４１ａを切断する（図５（Ｅ）参照）。
【００６５】
この実施例によれば、未硬化エッチング阻止材料樹脂を充填する開口部４７ｂ内の領域ごとに、異なる液滴量を噴出する吐出ヘッド１１，５３を適宜選択して用いることにより、開口部４７ｂ内の周囲近傍において未硬化エッチング阻止材料樹脂層４９の精密な境界の形成を行なうことができる。さらに、液滴量が小さい吐出ヘッド１１のみを用いて未硬化エッチング阻止材料樹脂層４９を形成する場合に比べてスループットを向上させることができる。
【００６６】
この実施例では、吐出ヘッド１１を用いて開口部４７ｂ内の周囲近傍の領域に未硬化エッチング阻止材料樹脂層４９を形成した後、吐出ヘッド５３を用いて開口部４７ｂの中央側の領域に未硬化エッチング阻止材料樹脂を充填することにより開口部４７ｂ内全体に未硬化エッチング阻止材料樹脂層４９を形成しているが、本発明の半導体装置の製造方法はこれに限定されるものではなく、開口部４７ｂの中央側の領域、周囲近傍の領域の順で未硬化エッチング阻止材料樹脂を充填してもよいし、吐出ヘッド１１，５３の走査方向に従って、中央側の領域と周囲近傍の領域に対して順次充填するようにしてもよい。
【００６７】
このようにして製作された、切断されていないヒューズ素子４１ｂに対応する開口部４７ｂにはエッチング阻止材料層５１が形成されており、切断されているヒューズ素子４１ａに対応する開口部４７ａにはエッチング阻止材料層が形成されていない構造を含む半導体装置の一実施例として、例えば図９に示した分圧抵抗を備えた半導体装置を挙げることができる。
【００６８】
切断されていないヒューズ素子に対応する開口部がエッチング阻止材料層により封止されていることにより、水分の浸入などによる切断されていないヒューズ素子の腐食などを防止することができ、分圧抵抗の電圧出力の精度を安定させることができる。
【００６９】
さらに、このような分圧抵抗を備えた半導体装置の実施例として、例えば図７に示した定電圧発生回路と図８に示した電圧検出回路を備えた半導体装置を挙げることができる。
上記の分圧抵抗の実施例では、分圧抵抗の電圧出力の精度を安定させることができるので、電圧検出回路の検出出力を安定させることができる。
また、上記の分圧抵抗の実施例では、分圧抵抗の電圧出力の精度を安定させることができるので、定電圧発生回路の出力電圧を安定させることができる。
【００７０】
以上、本発明の半導体装置の製造装置並びに半導体装置及びその製造方法の実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。
【００７１】
例えば、上記の実施例では、エッチング阻止材料樹脂の材料として熱硬化性樹脂を用いているが、本発明はこれに限定されるものではなく、紫外線硬化型などの光硬化性樹脂など、他の樹脂材料を用いることができる。未硬化エッチング阻止材料樹脂層の硬化処理は未硬化エッチング阻止材料樹脂の特性に応じた適当な処理、例えば光硬化性樹脂であれば光照射処理を行なう。
【００７２】
また、上記の実施例では、吐出ヘッド１１，５３の樹脂収容部１５内、液供給流路１７内及び吐出容器１９内の未硬化エッチング阻止材料樹脂の温度を制御し、さらに半導体ウエハ基板１の一表面１ａの温度を制御しているが、本発明の半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法はこれに限定されるものではなく、未硬化エッチング阻止材料樹脂及び半導体ウエハ基板の温度制御は、使用する未硬化エッチング阻止材料樹脂の粘度が温度制御無しで適度な状態を保つものであれば必ずしも必要なものではない。
【００７３】
また、図２及び図５に示した半導体装置の製造装置の実施例では、吐出ヘッド１１，５３の位置を固定し、基板保持部３の位置を移動させて半導体ウエハ基板を位置決めする構成としているが、本発明の半導体装置はこれに限定されるものではなく、吐出ヘッドに設けられた吐出ノズルの位置に対して半導体ウエハ基板を位置決めできる構成であれば、吐出ヘッドを移動させる構成であってもよいし、吐出ヘッド及び基板保持部の両方を移動させる構成であってもよい。
【００７４】
また、本発明の半導体装置の製造装置を構成する吐出機構としてピエゾ式の吐出ヘッド１１を用いているが、吐出機構はこれに限定されるものではない。例えばヒーターにより液を急激に加熱して発生させた気泡を液噴出の圧力として利用するサーマルジェット方式、又は電磁バルブの開閉によって液噴出を制御するバルブ方式など、インクジェットプリンタ用のプリンタヘッドを吐出機構に応用することができる。
【００７５】
また、本発明の半導体装置の製造装置を構成する吐出機構はインクジェットプリンタ用のプリンタヘッドを応用したものに限定されるものではなく、樹脂収容部に収容された未硬化エッチング阻止材料樹脂の液滴を吐出ノズルから基板保持部に保持された半導体ウエハ基板の一表面に向けて噴出できる機能を備えたものであればどのような構成であってもよい。
【００７６】
また、吐出ヘッド１１では、複数の吐出ノズル１３ごとに樹脂収容部１５を設けているが、樹脂収容部は複数の吐出ノズルで共通であってもよい。また、吐出ヘッド１１には複数の吐出ノズル１３が設けられているが、吐出ノズルの個数は１個であってもよい。
【００７７】
また、上記の実施例では、本発明の半導体装置が適用される例として、分圧抵抗、定電圧発生回路又は電圧検出回路を備えた半導体装置を挙げているが、本発明が適用される半導体装置はこれらに限定されるものではなく、半導体基板の一表面上に少なくともヒューズ素子と、ヒューズ素子の形成位置に対応して開口部をもつ絶縁層が形成されている構成をもつ半導体装置であれば適用することができる。
【００７８】
【発明の効果】
請求項１に記載された半導体装置の製造装置では、半導体ウエハ基板を保持するための基板保持部と、未硬化エッチング阻止材料樹脂の液滴を吐出ノズルから基板保持部に保持された半導体ウエハ基板の一表面に向けて噴出するための吐出機構と、基板保持部及び吐出ノズルの少なくとも一方を移動させるための駆動機構と、吐出機構及び駆動機構を制御して、半導体ウエハ基板の一表面上に未硬化エッチング阻止材料樹脂を付着させるための制御部を備え、半導体ウエハ基板は、一表面上に少なくともヒューズ素子と、ヒューズ素子の形成位置に対応して開口部をもつ絶縁層が形成されたものであり、制御部は、基板保持部に保持された半導体ウエハ基板に対して、切断しないヒューズ素子に対応する開口部に未硬化エッチング阻止材料樹脂を充填するように吐出機構及び駆動機構を制御するようにしたので、切断しないヒューズ素子に対応する開口部に未硬化エッチング阻止材料樹脂を充填して、切断しないヒューズ素子を封止することができる。これにより、エッチングにより、ヒューズ素子を選択的に切断できるようになり、高価なレーザートリミング装置を用いなくてもよいので製造コストを低減できる。駆動機構の位置決め精度はレーザートリミング装置の位置決め機構よりも低精度であってもよいので、製造装置のコストの低減、ひいては製造コストの低減を図ることができる。さらに、位置決めに要する時間を短縮することができるので、スループットを向上させることができる。
【００７９】
請求項２に記載された半導体装置の製造装置では、吐出機構は複数の吐出ノズルを備えているようにしたので、未硬化エッチング阻止材料樹脂を開口部に充填する時間を短縮することができる。
【００８０】
請求項３に記載された半導体装置の製造装置では、基板保持部は半導体ウエハ基板の温度を制御するための基板温度制御機構を備えているようにしたので、開口部に充填された未硬化エッチング阻止材料樹脂の粘度を調節することができ、未硬化エッチング阻止材料樹脂表面の平準化、開口部内の細部への充填度の向上、未硬化エッチング阻止材料樹脂の膜厚の制御を図ることができる。
【００８１】
請求項４に記載された半導体装置の製造装置では、異なる量の液滴を噴出する２種類以上の吐出機構を備えているようにしたので、開口部内の領域ごとに異なる量の未硬化エッチング阻止材料樹脂の液滴を噴出することができる。
【００８２】
請求項５に記載された半導体装置の製造装置では、請求項４に記載された半導体装置の製造装置において、開口部の周囲の近傍領域では他の吐出機構よりも小さい液滴量を噴出する吐出機構を用いて未硬化エッチング阻止材料樹脂の噴出を行なうように吐出機構及び駆動機構を動作させるようにしたので、エッチング阻止材料樹脂層の精密な境界の形成を行なうことができ、さらにヒューズ素子に対応する開口部周囲の近傍領域以外の領域においてより大きい液滴量を噴出する吐出機構を用いることによりスループットを向上させることができる。
【００８３】
請求項６に記載された半導体装置の製造装置では、吐出機構は、樹脂収容部に収容された未硬化エッチング阻止材料樹脂の温度を制御するための樹脂温度制御機構を備えているようにしたので、噴出する未硬化エッチング阻止材料樹脂の粘度を調節することができ、未硬化エッチング阻止材料樹脂表面の平準化、開口部内の細部への充填度の向上、未硬化エッチング阻止材料樹脂の膜厚の制御を図ることができる。また、吐出ノズル近傍での樹脂の硬化による詰まりを軽減できる。
【００８４】
請求項７に記載された半導体装置の製造方法では、ヒューズ素子切断工程は、切断しないヒューズ素子に対応する開口部内にエッチング阻止材料層を形成するエッチング阻止材料層形成工程と、絶縁層及びエッチング阻止材料層をマスクにして、ドライエッチング又はウェットエッチングにより、内部にエッチング阻止材料層が形成されていない開口部に対応するヒューズ素子を切断するエッチング工程を含むようにしたので、レーザービーム照射によりヒューズ素子を切断する高価なレーザートリミング装置を用いなくてもヒューズ素子を選択して切断することができるので、レーザートリミング装置を維持するための高い維持費を削減でき、製造コストを低減できる。さらに、半導体ウエハ基板へのレーザービーム照射を行なわないので、レーザービーム照射に起因する配線材料や保護膜材料の飛散やヒューズ素子の下地へのダメージがなくなり、半導体装置の品質を向上させることができる。さらに、切断しないヒューズ素子に対応する開口部をエッチング阻止材料層により封止するので、半導体素子の信頼性向上につながる。さらに、ヒューズ素子上に保護膜を形成する必要がなく、プロセスの簡略化を図ることができる。
【００８５】
請求項８に記載された半導体装置の製造方法では、エッチング阻止材料層形成工程は、未硬化エッチング阻止材料樹脂の液滴を噴出するための吐出ノズルを未硬化エッチング阻止材料樹脂の液滴を適宜噴出させながら走査して、切断しないヒューズ素子に対応する開口部内に未硬化エッチング阻止材料樹脂を充填した後、充填した未硬化エッチング阻止材料樹脂を硬化させてエッチング阻止材料層を形成するようにしたので、吐出ノズルと開口部を位置決めする駆動機構は、レーザートリミング装置の位置決め機構よりも低精度のものであってもよいので、製造装置のコストの低減、ひいては製造コストの低減を図ることができる。さらに、位置決めに要する時間を短縮することができるので、スループットを向上させることができる。
【００８６】
請求項９に記載された半導体装置の製造方法では、開口部の周囲の近傍領域では、他の領域よりも小さい液滴量で未硬化エッチング阻止材料樹脂を噴出させて、未硬化エッチング阻止材料樹脂を開口部内に充填するようにしたので、開口部の周囲の近傍領域において未硬化エッチング阻止材料樹脂の精密な境界の形成を行なうことができ、さらに、開口部の周囲の近傍領域以外の領域においては、より大きい液滴量で未硬化エッチング阻止材料樹脂を噴出させて未硬化エッチング阻止材料樹脂の充填を行なうことによりスループットを向上させることができる。
【００８７】
請求項１０に記載された半導体装置の製造方法では、ヒューズ素子として、多結晶シリコンからなるものを用いるようにしたので、エッチング工程において、例えばＳＦ６をエッチングガスとするドライエッチングを用いることにより、絶縁層及びエッチング阻止材料層と、ヒューズ素子を形成する多結晶シリコンとの間に高い選択比をもたせることができる。
【００８８】
請求項１１に記載された半導体装置では、半導体基板の一表面上に少なくともヒューズ素子と、ヒューズ素子の形成位置に対応して開口部をもつ絶縁層が形成されているものであって、切断されていないヒューズ素子に対応する開口部にはエッチング阻止材料層が形成されており、切断されているヒューズ素子に対応する開口部にはエッチング阻止材料層が形成されていないようにしたので、半導体素子の信頼性を向上させることができる。さらに、エッチングによりヒューズ素子が切断されている場合には、ヒューズ素子を切断するために従来行なわれていたレーザービーム照射が行なわれていないので、レーザービーム照射に起因する配線材料や保護膜材料の飛散やヒューズ素子の下地へのダメージがなく、半導体装置の品質を向上させることができる。
【００８９】
請求項１２に記載された半導体装置では、２個以上の抵抗による分圧によって電圧出力を得、ヒューズ素子の切断によって電圧出力を調節できる分圧抵抗を備えた半導体装置において、分圧抵抗の形成領域において、ヒューズ素子の形成位置に対応して開口部をもつ絶縁層が形成されており、切断されていないヒューズ素子に対応する開口部にはエッチング阻止材料層が形成されており、切断されているヒューズ素子に対応する開口部にはエッチング阻止材料層が形成されていないようにしたので、切断されていないヒューズ素子に対応する開口部がエッチング阻止材料層により封止されていることにより、水分の浸入などによる切断されていないヒューズ素子の腐食などを防止することができ、分圧抵抗の電圧出力の精度を安定させることができる。
【００９０】
請求項１３に記載された半導体装置では、入力電圧を分圧して分圧電圧を供給するための分圧抵抗と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、分圧抵抗からの分圧電圧と基準電圧発生回路からの基準電圧を比較するための比較回路をもつ電圧検出回路を備えた半導体装置において、分圧抵抗として請求項１２に記載された分圧抵抗を備えているようにしたので、分圧抵抗の電圧出力の精度を安定させることができ、電圧検出回路の検出出力を安定させることができる。
【００９１】
請求項１４に記載された半導体装置では、入力電圧の出力を制御する出力ドライバと、出力電圧を分圧して分圧電圧を供給するための分圧抵抗と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、分圧抵抗からの分圧電圧と基準電圧発生回路からの基準電圧を比較し、比較結果に応じて出力ドライバの動作を制御するための比較回路をもつ定電圧発生回路を備えた半導体装置において分圧抵抗として請求項１２に記載された分圧抵抗を備えているようにしたので、分圧抵抗の電圧出力の精度を安定させることができ、定電圧発生回路の出力電圧を安定させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体装置の製造方法の一実施例を示す工程断面図である。
【図２】半導体装置の製造装置の一実施例を示す概略構成図である。
【図３】同実施例の吐出ヘッドの概略構成図であり、（Ａ）は待機状態、（Ｂ）は吐出状態を示す。
【図４】半導体ウエハ基板のヒューズ素子形成領域を示す平面図である。
【図５】半導体装置の製造装置の他の実施例を示す概略構成図である。
【図６】半導体装置の製造方法の他の実施例を示す工程断面図である。
【図７】定電圧発生回路の一例を示す回路図である。
【図８】電圧検出回路の一例を示す回路図である。
【図９】分圧抵抗の一例を示す回路図である。
【符号の説明】
１　　　半導体ウエハ基板
３　　　基板保持部
５，２５　　ヒーター
７，２７　　温度センサー
９　　　ステージ部
１１，５３　　　吐出ヘッド
１３　　　吐出ノズル
１５　　　樹脂収容部
１７　　　液供給流路
１９　　　吐出容器
２１　　　薄膜
２３　　　ピエゾ素子
２９　　　液滴
３１　　　画像情報カメラ
３３　　　制御部
３５　　　ステージ位置検出器
３７　　　モニター
３９　　　熱酸化膜
４１ａ，４１ｂ　　ヒューズ素子
４３　　　ＰＳＧ酸化膜
４５　　　窒化膜
４７ａ，４７ｂ　　開口部
４９　　　未硬化エッチング阻止材料樹脂層
５１　　　エッチング阻止材料樹脂層
【図１】
2004111671.tif 000003
【図２】
2004111671.tif 000004
【図３】
2004111671.tif 000005
【図４】
2004111671.tif 000006
【図５】
2004111671.tif 000007
【図６】
2004111671.tif 000008
【図７】
2004111671.tif 000009
【図８】
2004111671.tif 000010
【図９】
2004111671.tif 000011