(57)【要約】【課題】大容量で、かつ双方向の光通信を実現する導波路型光集積デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】導波路型光集積デバイス１０は、複数本のコアを有する光導波路部１０Ａと、複数の光素子を有する光素子部１０Ｂとを光結合する。光導波路部１０Ａは、三次元配列で延在する複数本のコア１８と、コア１８に沿ってコア１８の周りに延在する、屈折率がコア１８より小さいクラッドとを有する。光素子部１０Ｂの複数の光素子は、コア１８の延在方向に垂直な光導波路部１０Ａの断面のコアパターンと同じピッチで配列されている。また、複数本のコア１８を含む光導波路部１０Ａを、コア１８の延在方向に垂直に、かつ複数本のコア１８の断面が露出するように溝部１２が形成され、複数本のコア１８と複数の光素子とが光結合するように、光素子部１０Ｂが溝部１２に装着されている。【選択図】        図１
2004333728.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に交差することなく並列して延在する１段当たり複数本のコアを多段に有するコア群と、前記コア群を横断して、各コアの断面を露出させる溝部とを備える光導波路と、
前記溝部に断面を露出した前記各コアの配列に整合するようにアレイ状に形成され、前記溝部内に装着されて前記各コアに光結合している光素子と
を備えていることを特徴とする導波路型光集積デバイス。
【請求項２】
前記コア及び前記コアの周りに設けられているクラッドが、それぞれ、高分子有機化合物で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の導波路型光集積デバイス。
【請求項３】
前記各光素子は、前記溝部内に充填された紫外線硬化型高分子有機化合物からなる接合剤によって前記光導波路の前記各コアに固定されて光結合していることを特徴とする請求項２に記載の導波路型光集積デバイス。
【請求項４】
前記各光素子は、発光素子及び受光素子のいずれかであることを特徴とする請求項１又は２に記載の導波路型光集積デバイス。
【請求項５】
前記各光素子のそれぞれが、発光素子をアレイ状に集積してなる発光素子アレイを構成する発光素子であることを特徴とする請求項４に記載の導波路型光集積デバイス。
【請求項６】
前記各光素子のそれぞれが、受光素子をアレイ状に集積してなる受光素子アレイを構成する受光素子であることを特徴とする請求項４に記載の導波路型光集積デバイス。
【請求項７】
相互に交差することなく並列して延在する１段当たり複数本のコアを多段に有するコア群と、前記コア群を長手方向の２ヵ所で横断し、各コアの対向する断面をそれぞれ露出させる第１の溝部及び第２の溝部とを備える光導波路と、
前記第１の溝部に断面を露出した前記各コアの配列に整合するようにアレイ状に形成され、前記第１の溝部内に装着されて前記各コアに光結合している第１の光素子と、
前記第２の溝部に断面を露出した前記各コアの配列に整合するようにアレイ状に形成され、前記第２の溝部内に前記第１の光素子に対向して装着されて前記各コアに光結合している第２の光素子と
を有することを特徴とする導波路型光集積デバイス。
【請求項８】
前記コア及び前記コアの周りに設けられているクラッドが、それぞれ、高分子有機化合物から構成されていることを特徴とする請求項７に記載の導波路型光集積デバイス。
【請求項９】
前記第１の光素子は、前記第１の溝部内に充填された紫外線硬化型高分子有機化合物からなる接合剤によって前記光導波路の前記各コアに固定されて光結合し、
前記第２の光素子は、前記第２の溝部内に充填された紫外線硬化型高分子有機化合物からなる接合剤によって前記光導波路の前記各コアに固定されて光結合していることを特徴とする請求項８に記載の導波路型光集積デバイス。
【請求項１０】
前記第１の光素子のそれぞれが発光素子をアレイ状に集積してなる発光素子アレイを構成する発光素子であり、前記第２の光素子のそれぞれが受光素子をアレイ状に集積してなる受光素子アレイを構成する受光素子であることを特徴とする請求項６又は７に記載の導波路型光集積デバイス。
【請求項１１】
前記第１の光素子は発光素子及び受光素子のいずれか一方であり、
前記第２の光素子の各々は、当該第２の光素子に対向する前記第１の光素子が発光素子であるときには、受光素子であり、当該第２の光素子に対向する前記第１の光素子が受光素子であるときには、発光素子であることを特徴とする請求項７又は８に記載の導波路型光集積デバイス。
【請求項１２】
相互に交差することなく並列して延在する１段当たり複数本のコアを多段に有する光導波路と、前記光導波路に設けられた溝部に装着され、前記溝部に断面を露出させている前記各コアに光結合している光素子とを備える導波路型光集積素子の製造方法であって、
前記光導波路を形成する工程と、
前記各コアの断面を露出させる前記溝部を前記光導波路に形成する工程と、
前記溝部に断面を露出した前記各コアの配列に整合するようにアレイ状に形成された光素子を前記溝部に装着する工程と
を有することを特徴とする導波路型光集積デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記光導波路を形成する工程では、前記コア及び前記コアの周りに設けられるクラッドを、それぞれ、高分子有機化合物で形成することを特徴とする請求項１２に記載の導波路型光集積デバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記光素子を前記溝部に装着する工程では、前記光素子を前記溝部内に位置決めし、次いで紫外線硬化型高分子有機化合物を充填し、続いて紫外線照射を行って紫外線硬化型高分子有機化合物を硬化させることを特徴とする請求項１３に記載の導波路型光集積デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光導波路と光素子とを光結合する導波路型光集積デバイス及びその製造方法に関し、更に詳細には、大容量で、かつ双方向の光通信を実現する導波路型光集積デバイス及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
コンピュータの性能向上に伴い、ＣＰＵやメモリなどのチップ間の通信の大容量化及び高速化が必要とされている。一方、従来からチップ間のバスとして用いられている電気配線は、システムの高速化に伴い高周波応答に限界が生じてくる。
そこで、大容量でかつ高速の通信方式で用いられる次世代光インタコネクションでは、電気配線に代わり、光信号を伝達する光配線が脚光を浴びている。
【０００３】
面発光レーザ素子やフォトダイオードなど光素子は、高速変調が可能な光素子である。これらの光素子は、それぞれ、二次元方向に並列して集積が可能な面型の光素子であって、何れも基板と垂直方向に光の受発光を行う。
一方、チップ間を接続する光導波路は、配線を行う基板上に水平方向に延在して設けられる。従って、面型の光素子と光導波路とを光結合させるためには、光素子と光導波路との間で、光の進行方向を９０°曲げる必要がある。
【０００４】
光の進行方向を９０°曲げるには、例えば、光導波路の端部に光導波路の延在方向に対して４５°に切断されたミラー端面（４５°ミラー）を形成する方法がある。
この方法は、光導波路及び光素子の集積が容易で、また、光素子の電極を形成し易い等の利点がある。一方、良好な反射率を有するミラー端面を形成し、また、光導波路と光素子とを高い位置精度で光結合するように光導波路及び光素子を実装するには、高度の技術が要求されるという難点がある。
【０００５】
このような観点に対して、特開２００２−１９６１６９号公報は、光導波路に形成した溝に光素子を実装する導波路型光素子を提案している。
ここで、図１３（ａ）及び（ｂ）を参照して、前掲公報に開示されている導波路型光素子の構成を説明する。図１３（ａ）は前掲公報に開示されている導波路型光素子の構成を示す斜視図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）の矢視ＩＩＩ−ＩＩＩでの断面を示す斜視図である。
【０００６】
前掲公報によれば、導波路型光素子５０は、図１３（ａ）に示すように、光導波路部（光導波路基板）５０Ａ及び光素子部（面型光デバイス）５０Ｂを有する。
光導波路部５０Ａは、平面型の光導波路であって、二次元配列で相互に平行に延在する複数本のコア（光導波路コア）５２と、コア５２の周囲に延在する、屈折率がコア５２より小さいクラッド５４とを有する。コア５２及びクラッド５４は、ガラス、又は高分子化合物で形成されている。
【０００７】
光素子部５０Ｂは、例えば、面発光レーザ、又は面型ディテクタなどの光素子がコア５２と同じピッチで集積された光素子アレイである。光導波路部５０Ａには、コア５２に垂直な断面を有する溝５６が形成され、溝５６の中に光素子部５０Ｂが装着され、光素子部５０Ｂを構成する複数の光素子と複数本のコア５２とがアライメントされている。
また、光導波路部５０Ａの表面及び溝５６の側面に連続して、コア５２毎にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）透明電極等の電極（引き出し電極）５８が形成されている。複数の光素子の電極部（図示せず）と電極５８とは、それぞれはんだにより接続されている。
【０００８】
導波路型光素子５０の製造方法は、光導波路部５０Ａについて、先ず、光導波路部５０Ａと同様の層構造を有する平面状の光導波路を形成し、次いで、ブレードを用いて溝５６を形成することにより、光導波路部５０Ａを形成する。次に、ＭＯＣＶＤ法により平面状の光導波路の表面及び溝５６の側面に連続して、コア５２毎に電極５８を形成する。
光素子部５０Ｂについては、例えば、光素子が所定のピッチで配列した光素子アレイ（図示せず）を用意して、光素子部５０Ｂとし、光素子部５０Ｂを構成する各光素子の電極部に、パターニングによりはんだを成膜する。
【０００９】
光素子部５０Ｂを光導波路部５０Ａの溝５６に挿入して、複数の光素子の光入出射部と複数本のコア５２とをアライメントさせた状態ではんだを加熱して、光素子部５０Ｂを光導波路部５０Ａに固定することにより、同引用文献に開示の導波路型光素子５０を完成することができる。
【００１０】
前掲公報に開示の導波路型光素子５０は、上述の構成により、光素子から出射される光をコアに直接入射させ、また、コアから出射された光を光素子に直接入射させることができる。従って、４５°ミラーや集光用のレンズを用いることなく、光結合が容易な導波路型光集積デバイスを実現している。
【００１１】
同特許文献に開示の導波路型光素子５０では、例えば、導波路型光素子５０の一方の端部に発光素子を集積した発信用の光素子部５０Ｂを設け、他方の端部に受光素子を集積した受信用の光素子部５０Ｂを設けることにより、並列に形成された光導波路（コア）による単方向光通信を実現できる。
【００１２】
【特許文献１】
特開２００２−１９６１６９号公報（段落００２１から００３７、段落００５７から００６４）
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、次世代の光配線では、大容量のチップ間通信に対応するために、更なる大容量化を実現することが必要とされる。しかし、前掲公報に開示のような導波路型光素子では、大容量化を実現するには平面方向にコアの数を増やす必要があり、光配線の小型化の要請に対応できず、大容量化が難かしいという問題があった。
【００１４】
また、同公報に開示の導波路型光素子では、アライメントを容易に行うために、光素子部として光素子を同一基板上に集積した光素子アレイが用いられる。この場合、面発光レーザ素子とフォトダイオードのように、異なる機能を有する光素子を同一基板上に集積することは技術的、コスト的に容易ではない。従って、光素子部としては、通常、同一の光素子を同一基板上に集積した光素子アレイが用いられる。
従って、同公報に開示の導波路型光素子では、実際上、双方向の光通信を実現できないという問題があった。
【００１５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、光導波路と光素子とを光結合する導波路型光集積デバイスであって、大容量で、かつ双方向の光通信を実現する導波路型光集積デバイス及びその製造方法を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記課題の解決に際して、以下のように考察した。
即ち、従来の二次元状に形成された光導波路部に代えて、三次元の光導波路部を用いることにより、光通信の大容量化を実現する。この場合、例えば高分子有機化合物などを用いることにより、三次元の光導波路部を容易に形成できる。
また、三次元の光導波路部と光結合させる光素子部として、例えば、発光素子を同一基板上に集積した発光素子アレイと、受光素子を同一基板上に集積した受光素子アレイとを高さ方向に積層した光素子部を用いる。
そして、発光素子及び受光素子のそれぞれが、コアを挟んで発光素子と受光素子とが対向するように設けられることにより、双方向の光通信を実現することに着想し、本発明を発明するに至った。
【００１７】
そこで、上記目的を達成するために、上述の知見に基づいて、本発明の第１発明に係る導波路型光集積デバイスは、相互に交差することなく並列して延在する１段当たり複数本のコアを多段に有するコア群と、コア群を横断して、各コアの断面を露出させる溝部とを備える光導波路と、
溝部に断面を露出した各コアの配列に整合するようにアレイ状に形成され、溝部内に装着されて各コアに光結合している光素子と
を備えていることを特徴としている。
【００１８】
本発明の第１発明では、光導波路が、上記１段当たり複数本のコアを多段に有するコア群を有し、光素子が、溝部に断面を露出した各コアの配列に整合するようにアレイ状に形成され、溝部内に装着されて各コアに光結合していることにより、大容量の光通信を実現できる。
また、各光素子として発光素子又は受光素子を用い、本発明の導波路型光集積デバイスと光通信を行う相手側の光通信装置で、上記発光素子に対向させて受光部を設け、上記受光素子に対応させて発光部を設けることにより、双方向の光通信を実現できる。
【００１９】
本発明は、好適には、コア及びコアの周りに設けられているクラッドが、それぞれ、高分子有機化合物で形成されている。これにより、上記光導波路を容易に製造することができる。この場合、高分子有機化合物として、紫外線硬化型の高分子有機化合物を用いるのが好ましい。
【００２０】
本発明は、好適には、各光素子は、溝部内に充填された紫外線硬化型高分子有機化合物からなる接合剤によって光導波路の各コアに固定されて光結合している。紫外線照射により各光素子を光導波路の各コアに固定するので、各光素子と光導波路の各コアとの良好なアライメントを保ちつつ、各光素子を光導波路の各コアに容易に固定できる。また、各光素子を光導波路の各コアに固定する際に、光素子や光導波路に熱を与えることもなく、光素子や光導波路の特性への熱影響を最小限に抑えることができる。
【００２１】
本発明の好適な実施態様では、各光素子は、発光素子及び受光素子のいずれかである。
この場合、各光素子の全てを同一の光素子から構成してもよく、各光素子のそれぞれを発光素子又は受光素子から構成してもよい。
【００２２】
本発明は、好適には、各光素子のそれぞれが、発光素子をアレイ状に集積してなる発光素子アレイを構成する発光素子である。これにより、各光素子と光導波路の各コアとのアライメントを容易にすることができる。
本発明は、好適には、各光素子のそれぞれが、受光素子をアレイ状に集積してなる受光素子アレイを構成する受光素子である。上記同様の効果を得る。
尚、光素子は、１つの受光素子アレイ又は発光素子アレイを構成する光素子であってもよく、或いは、複数の受光素子アレイ及び／又は発光素子アレイを、交互に又は任意の積み方で多段に積層した積層・光素子アレイを構成する光素子であってもよい。受光素子アレイと発光素子アレイとを、交互に又は任意の積み方で多段に積層することにより、上記本発明に係る導波路型光集積デバイスを簡易な構成で実現できる。
【００２３】
また、本発明の第２発明に係る導波路型光集積デバイスは、相互に交差することなく並列して延在する１段当たり複数本のコアを多段に有するコア群と、コア群を長手方向の２ヵ所で横断し、各コアの対向する断面をそれぞれ露出させる第１の溝部及び第２の溝部とを備える光導波路と、
第１の溝部に断面を露出した各コアの配列に整合するようにアレイ状に形成され、第１の溝部内に装着されて各コアに光結合している第１の光素子と、
第２の溝部に断面を露出した各コアの配列に整合するようにアレイ状に形成され、第２の溝部内に第１の光素子に対向して装着されて各コアに光結合している第２の光素子と
を有することを特徴としている。
【００２４】
本発明の第２発明によれば、第１の光素子と第２の光素子との間で、大容量の光通信を実現する。また、各光素子として発光素子又は受光素子を用い、発光素子及び受光素子のそれぞれが、コアを挟んで発光素子と受光素子とが対向するように設けられることにより、双方向の光通信を実現できる。
本発明は、好適には、コア及びコアの周りに設けられているクラッドが、それぞれ、高分子有機化合物から構成されている。
また、本発明は、好適には、第１の光素子は、第１の溝部内に充填された紫外線硬化型高分子有機化合物からなる接合剤によって光導波路の各コアに固定されて光結合し、
第２の光素子は、第２の溝部内に充填された紫外線硬化型高分子有機化合物からなる接合剤によって光導波路の各コアに固定されて光結合している。
【００２５】
本発明の好適な実施態様では、第１の光素子のそれぞれが発光素子をアレイ状に集積してなる発光素子アレイを構成する発光素子であり、第２の光素子のそれぞれが受光素子をアレイ状に集積してなる受光素子アレイを構成する受光素子である。
【００２６】
本発明の好適な実施態様では、第１の光素子は発光素子及び受光素子のいずれか一方であり、
第２の光素子の各々は、当該第２の光素子に対向する第１の光素子が発光素子であるときには、受光素子であり、当該第２の光素子に対向する第１の光素子が受光素子であるときには、発光素子である。
これにより、良好な上記効果を得る。
この場合、光素子として、発光素子を同一基板上に集積した発光素子アレイと、受光素子を同一基板上に集積した受光素子アレイとを高さ方向に、交互に又は任意の積み方で積層した光素子を用いることにより、上記本発明に係る導波路型光集積デバイスを簡易な構成で実現できる。
【００２７】
本発明方法に係る導波路型光集積デバイスの製造方法は、相互に交差することなく並列して延在する１段当たり複数本のコアを多段に有する光導波路と、光導波路に設けられた溝部に装着され、溝部に断面を露出させている各コアに光結合している光素子とを備える導波路型光集積素子の製造方法であって、
光導波路を形成する工程と、
各コアの断面を露出させる溝部を光導波路に形成する工程と、
溝部に断面を露出した各コアの配列に整合するようにアレイ状に形成された光素子を溝部に装着する工程と
を有することを特徴としている。
【００２８】
本発明方法によれば、本発明に係る導波路型光集積デバイスの好適な作成方法を実現している。
本発明方法は、好適には、光導波路を形成する工程では、コア及びコアの周りに設けられるクラッドを、それぞれ、高分子有機化合物で形成する。
本発明方法は、好適には、光素子を溝部に装着する工程では、光素子を溝部内に位置決めし、次いで紫外線硬化型高分子有機化合物を充填し、続いて紫外線照射を行って紫外線硬化型高分子有機化合物を硬化させる。上記同様の効果を得る。
尚、本発明及び本発明方法で、コアは、相互に交差することなく並列して延在する限り、延在の態様には制約はなく、相互に平行でも、末広がりでも、末広がりの逆でも、湾曲していてもよい。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下に、実施の形態例を挙げ、添付図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明する。
導波路型光集積デバイスの実施形態例１
本実施形態例は、本発明に係る導波路型光集積デバイスの実施形態の一例であって、図１は本実施形態例の導波路型光集積デバイスの構成を示す斜視図であり、図２（ａ）は図１の矢視Ｉ−Ｉでの断面を示す断面図で、図２（ｂ）は図１の矢視ＩＩ−ＩＩでの断面を示す断面図である。
本実施形態例の導波路型光集積デバイス１０は、三次元配列で相互に平行に延在する複数本の光導波路を有する光導波路部１０Ａと、光導波路部１０Ａの上面から光導波路部１０Ａの一部を、光導波路の延在方向に垂直に形成された溝部１２と、溝部１２に装着された光素子部１０Ｂとを有する。
【００３０】
光導波路部１０Ａは、図２（ａ）に示すように、シリコンからなる基板１４上に積層された２段の平面型光導波路から構成され、第１段目の平面型光導波路は、基板１４上に成膜された下部クラッド１６上に、相互に平行に形成された３本の第１層目のコア１８１と、第１層目のコア１８１を囲んで下部クラッド１６上に成膜された第１層目の上部クラッド２０１とを有する。
第２段目の平面型光導波路は、第１段目の平面型光導波路の第１層目の上部クラッド２０１上に相互に平行に形成された３本の第２層目のコア１８２と、第２層目のコア１８２を囲んで第１層目の上部クラッド２０１上に成膜された第２層目の上部クラッド２０２とを有する。
【００３１】
第１層目及び第２層目のコア１８は、図２（ａ）に示すように、何れも断面の縦が４０μｍで横が６０μｍに設定されている。
また、第１層目及び第２層目のコア１８は、縦方向（高さ方向）及び横方向（水平方向）に等間隔で配置され、同図中、Ｌ１＝２５０μｍ、Ｌ２＝１００μｍに設定されている。
【００３２】
コア１８は、高分子有機化合物で形成されている。また、下部クラッド１６及び上部クラッド２０は、コア１８を構成する高分子有機化合物の屈折率より０．２％から３．０％程度小さい屈折率を有する、相互に同一の高分子有機化合物で形成されている。従って、コア１８が光導波路を構成し、コア１８に入射されたレーザ光はコア１８内をコア１８とクラッド１６、２０との境界面で全反射して伝搬する。
本実施形態例では、コア１８及びクラッド１６、２０は、それぞれ相互に屈折率が異なるオキセタン樹脂で形成されている。
【００３３】
オキセタン樹脂を用いて光導波路を形成する方法は、特開２０００−３５６７２０号公報に詳述されている。前掲公報を参照して、オキセタン樹脂を簡単に説明すると、オキセタン樹脂は、オキセタン環を有するオキセタン化合物と、オキシラン環を有するオキシラン化合物と、連鎖反応によりオキセタン化合物の重合を開始させるカチオン重合開始剤とを含み、紫外線等のエネルギービームを照射することにより硬化する樹脂成分であって、例えばソニーケミカル（株）から販売されている。
【００３４】
オキセタン化合物として、例えばジ［１−エチル（３−オキセタニル）］メチルエーテル（室温で液体）、１，４−ビス｛［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ］メチル｝ベンゼンとジ［４−（１−エチル−３−オキセタニルメトキシメチル）］ベンジルエーテルとの混合物（以下、キシレンジオキセタンともいう。）（室温で液体）、フェノールノボラックオキセタン（室温で固体）、オキセタニルシルセスキオキセタン（室温で液体）等が挙げられる。
【００３５】
オキシラン化合物として、例えばリモネンジオキサイド、多官能脂肪族環状エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との混合物（混合比約１：１）、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、二官能脂肪族環状エポキシ樹脂等が挙げられる。
また、カチオン重合開始剤は、例えば４−４′ビス［ジ（βヒドロキシエトキシ）フェニルスルフォニオ］フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネート（旭電化社製）である。
【００３６】
オキセタン化合物の屈折率（２５℃、ナトリウムＤ線）は、オキセタン化合物の種類によって異なり、例えばジ［１−エチル（３−オキセタニル）］メチルエーテルで１．４５４４、またフェノールノボラックオキセタンで１．５７程度である。
また、オキシラン化合物の屈折率（２５℃、Ｄ線）は、例えばリモネンジオキサイドで１．４６５６、またビスフェノールＡ型エポキシ樹脂で１．５６８３である。
【００３７】
オキセタン樹脂は、オキセタン化合物及びオキシラン化合物の種類並びに配合比を調整することにより、屈折率を調節することができる。
例えば、光導波路のコア部を形成するためには、クラッド部との屈折率の差が安定して得られるように、屈折率が１．５未満のものを１０〜３０重量％含み、屈折率が１．５以上のものを４０〜６０重量％含み、残部がオキシラン化合物であるオキセタン樹脂を使用する。また、クラッド部を形成するためには、屈折率が１．５未満のオキセタン化合物を４０重量％よりも多く含み、残部がオキシラン化合物であって、屈折率が１．５以上のオキセタン化合物を含まないオキセタン樹脂を使用する。
【００３８】
具体的には、例えば、キシレンジオキセタン１０重量部、フェノールノボラックオキセタン２０重量部、二官能脂肪族環状エポキシ樹脂３０重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との混合物２０重量部、およびビスフェノールＡ型エポキシ樹脂２０重量部を混合し、９０℃で２時間加熱して溶解した後、カチオン重合開始剤２重量部を配合し、更に、フィルタリングを行ってダストなどを除去することにより、光導波路コア形成用のオキセタン樹脂を得ることができる。
【００３９】
また、ジ［１−エチル（３−オキセタニル）］メチルエーテル２２重量部、オキセタニルシルセスキオキセタン１３重量部、多官能脂肪族環状エポキシ樹脂３５重量部、および二官能脂肪族環状エポキシ樹脂３０重量部を混合し、９０℃で２時間加熱して溶解した後、カチオン重合開始剤２重量部を配合し、更に、フィルタリングを行ってダストなどを除去することにより、光導波路クラッド形成用のオキセタン樹脂を得ることができる。
【００４０】
光素子部１０Ｂは、図３に示すように、３個の面発光レーザ素子２２Ａが一次元状に集積された面発光レーザ・アレイ２２上に、３個のフォトダイオード２４Ａが一次元状に集積されたフォトダイオード・アレイ２４を積層してなる。
面発光レーザ素子２２Ａ、及びフォトダイオード２４Ａは、横方向に等間隔で配置され、図中のＬ３＝２５０μｍに設定されている。また、面発光レーザ素子２２Ａとフォトダイオード２４Ａとの間の距離Ｌ４が、Ｌ４＝１００μｍとなるように設定されている。
つまり、面発光レーザ素子２２Ａ、及びフォトダイオード２４Ａは、縦方向及び横方向のピッチが、溝部１２に断面を露出した各コア１８の配列に整合するように形成されている。
【００４１】
溝部１２は、幅が１５０μｍで、深さが２００μｍに形成され、図２（ｂ）に示すように、溝部１２に第１層目及び第２層目のコア１８の断面を露出させている。
光素子部１０Ｂ、つまり面発光レーザ・アレイ２２及びフォトダイオード・アレイ２４は溝部１２に挿入され、かつ紫外線硬化型の高分子有機化合物により固定されている。また、面発光レーザ素子２２Ａ及びフォトダイオード２４Ａは、それぞれ、各コア１８と光結合するようにアライメントされている。
【００４２】
本実施形態例の導波路型光集積デバイス１０によれば、三次元配列で延在する複数本のコア１８と、溝部１２に断面を露出した各コア１８の配列に整合するように形成されている、面発光レーザ素子２２Ａ及びフォトダイオード２４Ａとが光結合するように、光素子部１０Ｂが溝部１２に装着されていることにより、大容量の光通信を実現することができる。
また、光素子部１０Ｂとして、発光素子を同一基板上に集積した面発光レーザ・アレイ２２と、受光素子を同一基板上に集積したフォトダイオード・アレイ２４とを高さ方向に積層した光素子部を用いることにより、低コストで双方向の光通信を実現することができる。
【００４３】
尚、本実施形態例では、複数本のコア１８は、相互に平行に延在するものとしたが、末広がりでも、末広がりの逆でも、湾曲していてもよい。
また、本実施形態例では、第１層目及び第２層目のコア１８の本数を３本とし、面発光レーザ素子２２Ａ及びフォトダイオード２４Ａの集積数を３個とし、光導波路部１０Ａはコア１８が２層に積層されているものとしたが、本発明の理解を容易にするためであり、これ以外の数であっても構わない。
【００４４】
導波路型光集積デバイスの実施形態例１の変形例１
本変形例は、導波路型光集積デバイスの実施形態例１の変形例であり、図７（ａ）は、本変形例の導波路型光集積デバイスに係る、光導波路部の構成を示す断面図であり、図７（ｂ）は、本変形例の導波路型光集積デバイスに係る、光素子部の構成を示す平面図である。同図中、図２（ａ）に示した導波路型光集積デバイスの実施形態例１に係る光導波路部、及び図３に示した導波路型光集積デバイスの実施形態例１に係る光素子部と同様の構成を有する部分についてはそれぞれ同じ符号を付した。
【００４５】
本変形例の導波路型光集積デバイスでは、光導波路部１０Ａは、図７（ａ）に示すように、４段の平面型光導波路から構成され、図２（ａ）に示した光導波路部上に、第３段目及び第４段目の平面型光導波路が積層されている。
第３段目の平面型光導波路は、第２段目の平面型光導波路の第２層目の上部クラッド２０２上に相互に平行に形成された２本の第３層目のコア１８３と、第３層目のコア１８３を囲んで第２層目の上部クラッド２０２上に成膜された第３層目の上部クラッド２０３とを有する。
第４段目の平面型光導波路は、第３段目の平面型光導波路の第３層目の上部クラッド２０３上に相互に平行に形成された２本の第４層目のコア１８４と、第４層目のコア１８４を囲んで第３層目の上部クラッド２０３上に成膜された第４層目の上部クラッド２０４とを有する。
【００４６】
第３層目及び第４層目のコア１８は、何れも断面の縦が１５０μｍで横が２００μｍに設定されている。
また、第３層目及び第４層目のコア１８は、縦方向及び横方向に等間隔で配置され、同図中、Ｌ７＝４００μｍ、Ｌ８＝２００μｍ、Ｌ９＝１６０μｍに設定されている。
【００４７】
光素子部１０Ｂは、図７（ｂ）に示すように、図３に示した光素子部上に、２個の面発光レーザ素子４０Ａが一次元状に集積された面発光レーザ・アレイ４０上に、２個のフォトダイオード４２Ａが一次元状に集積されたフォトダイオード・アレイ４２を積層されている。
面発光レーザ素子４０Ａ、及びフォトダイオード４２Ａは、横方向に等間隔で配置され、図中のＬ１０は４００μｍに設定されている。また、面発光レーザ素子４０Ａとフォトダイオード４２Ａとの間の距離Ｌ１１は２００μｍに設定されている。また、図中のＬ１２は１６０μｍに設定されている。
つまり、面発光レーザ素子４０Ａ、及びフォトダイオード４２Ａは、縦方向及び横方向のピッチが、溝部１２に断面を露出した第３層目の各コア１８３、及び第４層目の各コア１８４の配列にそれぞれ整合するように形成されている。
【００４８】
溝部１２は、深さが７００μｍに形成されている。
本変形例の導波路型光集積デバイスは、上記以外の構成については、前述の導波路型光集積デバイスの実施形態例１に係る導波路型光集積デバイスの構成と同様である。
【００４９】
本変形例の導波路型光集積デバイスは、第３層目及び第４層目の平面型光導波路を有する光導波路部１０Ａと、コアの延在方向に垂直な第３層目のコア１８３のコアパターンと整合するように面発光レーザ素子４０Ａが配列された第２の面発光レーザ・アレイ４０、及びコアの延在方向に垂直な第４層目のコア１８４のコアパターンと整合するようにフォトダイオード４２Ａが配列された第２のフォトダイオード・アレイ４２を有することにより、光通信の更なる大容量化を実現できると共に、１本の導波路型光集積デバイスを複数の導波モードの光通信に対応させることができる。
【００５０】
導波路型光集積デバイスの実施形態例１の変形例２
本変形例は、導波路型光集積デバイスの実施形態例１の別の変形例であり、図８は本変形例の導波路型光集積デバイスを示す平面図である。
本変形例の導波路型光集積デバイス３４は、図８に示すように、光導波路部１０Ａが、複数本のコア１８が直線状に形成された線状部３６と、線状部３６のそれぞれのコア１８に接続して、複数本のコア１８が曲率半径３０ｍｍで湾曲する湾曲部３６を有し、光素子部１０Ｂは線状部３６に形成された溝部１２に装着されている。湾曲部３６の曲率半径は、複数本のコア１８内で、導波光が全反射する値に設定されている。また、θ＝９０°に設定されている。
本変形例の導波路型光集積デバイス３４は、上述の構成を除いては、前述の実施形態例１に係る導波路型光集積デバイス１０と同様の構成を有する。
【００５１】
本変形例の導波路型光集積デバイス３４は、屈曲部３６を有することにより、光配線基板等で、様々な配列を有するチップ間の光通信を行えるので、光配線基板等の集積率を高めることができる。尚、上記構成に代えて、光素子部１０Ｂが屈曲部３６に形成された溝部１２に装着されているものとしてもよい。
【００５２】
導波路型光集積デバイスの製造方法の実施形態例１
本実施形態例は本発明に係る導波路型光集積デバイスの製造方法を上述の導波路型光集積デバイス１０の製造に適用した実施形態の一例である。図４から図６は、それぞれ、本実施形態例の方法に従って導波路型光集積デバイスを製造する際の各工程の断面図である。また、図４は、図１の矢視Ｉ−Ｉに沿った断面を示す、図５及び図６は、図１の矢視ＩＩ−ＩＩに沿った断面を示す。
導波路型光集積デバイス１０は、光導波路部１０Ａ及び光素子部１０Ｂをそれぞれ形成し、光導波路部１０Ａの溝部１２に光素子部１０Ｂを装着することによって製造することができる。具体的には、以下のように行う。
【００５３】
先ず、図４（ａ）に示すように、基板１４上に屈折率の低いオキセタン樹脂を塗布してスピンコート法で成膜し、紫外線を照射して、オキセタン樹脂層を硬化させ、下部クラッド１６を形成する。
【００５４】
次いで、図４（ｂ）に示すように、下部クラッド１６上に、屈折率の高いオキセタン樹脂を塗布して、第１層目のコア１８１の膜厚に等しい膜厚の第１層目のコア形成層１８１ａをスピンコート法で成膜する。
続いて、第１層目のコア１８１のパターンを透明な領域３２ａとして、その他の領域を不透明な領域３２ｂとして有するマスク３２を介して、第１層目のコア形成層１８１ａに対して、照度１０ｍＷ／ｃｍ２、照射量３分の紫外線照射を行う。第１層目のコア１８１を形成するマスク３２では、透明な領域３２ａのピッチＬ１’が、面発光レーザ素子・アレイ２２を構成する面発光レーザ素子２２ＡのピッチＬ３に整合している。
紫外線照射により、コア形成層１８１ａ中で、領域３２ａの下部の紫外線照射領域のみが硬化して、第１層目のコア１８１が形成される。
【００５５】
次いで、領域３２ｂの下部の紫外線非照射領域の第１層目のコア形成層１８１ａ（非硬化層）をアセトンで除去する。続いて、図４（ｃ）に示すように、第１層目のコア１８１を形成後、屈折率の低いオキセタン樹脂を塗布してスピンコート法で成膜し、紫外線を照射して硬化させ第１層目の上部クラッド２０１を形成する。
第１層目の上部クラッド２０１の膜厚は、第１層目のコア１８１と第１層目の上部クラッド２０１上に形成される第２層目のコア１８２とのピッチＬ２が、面発光レーザ素子２２Ａとフォトダイオード２４ＡとのピッチＬ４に整合するように設定される。
【００５６】
次に、第１層目の上部クラッド２０２上に、第１層目のコア１８１及び第１層目の上部クラッド２０１の形成方法と同様に、第２層目のコア１８２及び第２層目の上部クラッド２０２を形成する。
第２層目のコア１８２を形成するマスクでは、透明な領域のピッチＬ１’が、フォトダイオード・アレイ２４を構成するフォトダイオード２４ＡのピッチＬ３に整合している。
これにより、図４（ｃ）及び図５（ｄ）に示す光導波路部１０Ａを形成することができる。
【００５７】
次に、図５（ｅ）に示すように、ダイシング装置（図示せず）を使って、図５（ｄ）に示した光導波路部１０Ａを、光導波路部１０Ａの上面から切削して、幅１５０μｍで深さ２００μｍの溝部１２を形成する。
ダイシング装置としては、例えばディスコ社製の型式ＤＡＤ３２１などを使用できる。
【００５８】
面発光レーザ・アレイ２２は、同一基板上に面発光レーザ素子が所定のビッチＬ３で集積されたウエハを、バー形状にへき開又はダイシングすることにより形成することができる。
フォトダイオード・アレイ２４は、同一基板上にフォトダイオードが所定のビッチＬ３で集積されたウエハを、バー形状にへき開又はダイシングすることにより形成することができる。
面発光レーザ・アレイ２２及びフォトダイオード・アレイ２４のバー形状の幅は、面発光レーザ・アレイ２２及びフォトダイオード・アレイ２４を溝部１２に順次挿入して積層した際に、面発光レーザ素子２２Ａ及びフォトダイオード２４Ａの高さが第１層目及び第２層目のコア１８に整合するように、それぞれ設定する。
【００５９】
光素子部１０Ｂを光導波路部１０Ａに固定するには、先ず、図６（ｆ）に示すように、溝部１２に面発光レーザ・アレイ２２を挿入し、面発光レーザ・アレイ２２を構成する３個の面発光レーザ素子２２Ａと、３本の第１層目のコア１８１とが光結合するようにアライメントを行う。
次に、面発光レーザ・アレイ２２と溝部１２との隙間にコア１８との屈折率差が０〜２．０％の紫外線硬化型の高分子有機化合物を充填し、紫外線照射を行う。
これにより、面発光レーザ・アレイ２２と溝部１２との隙間に充填された紫外線硬化型の高分子有機化合物が硬化し、面発光レーザ・アレイ２２を光導波路部１０Ａに固定できる。
【００６０】
次いで、図６（ｇ）に示すように、溝部１２に固定された面発光レーザ・アレイ２２上に、フォトダイオード・アレイ２４を挿入し、フォトダイオード・アレイ２４を構成する３個のフォトダイオード２４Ａと、３本の第２層目のコア１８２とが光結合するようにアライメントを行う。
続いて、フォトダイオード・アレイ２４と溝部１２との隙間に、上記同様にコア１８との屈折率差が０〜２．０％の紫外線硬化型の高分子有機化合物を充填し、紫外線照射を行う。
これにより、フォトダイオード・アレイ２４と溝部１２との隙間に充填された紫外線硬化型の高分子有機化合物が硬化し、フォトダイオード・アレイ２４を光導波路部１０Ａに固定でき、本実施形態例の導波路型光集積デバイス１０を完成する。
【００６１】
本実施形態例では、紫外線硬化型の高分子有機化合物として、ナガセケムテックス株式会社製の紫外線硬化型エポキシ樹脂である、製品名ＸＮＲ５５０６を用いた。ＸＮＲ５５０６は、屈折率が１．５４である。
また、本実施形態例で、コア１８に使用したオキセタン樹脂は、屈折率が１．５４３で、下部クラッド１６及び上部クラッド２０に使用したオキセタン樹脂は、屈折率が１．５１６である。
【００６２】
本実施形態例の導波路型光集積デバイスの製造方法によれば、面発光レーザ・アレイ２２及びフォトダイオード・アレイ２４が、それぞれ溝部１８内でコア１８に対してアライメントした状態で、溝部１２とアレイ２２、２４との隙間に紫外線硬化型の高分子有機化合物を充填し、紫外線照射を行う。
これにより、アレイ２２、２４とコア１８とが光結合を保った状態で、アレイ２２、２４を溝部１２に容易に固定できる。
また、アレイ２２、２４を溝部１２に固定する際に、光導波路部１０Ａやアレイ２２、２４に熱を与えることもなく、光導波路部１０Ａやアレイ２２、２４の特性に対する影響を最小限に抑え、良好な光学特性を有する導波路型光集積デバイス１０を製造することができる。
【００６３】
尚、本実施形態例では、基板１４としてシリコン基板を用いたが、ガラス基板、石英基板なども使用できる。また、導波路型光集積デバイス１０は、必要に応じて基板１４を下部クラッド１６から取り外して使用できる。
面発光レーザ・アレイ２２及びフォトダイオード・アレイ２４のアライメントには、アクティブアライメント、及びパッシブアライメントの何れを用いてもよい。
【００６４】
導波路型光集積デバイスの実施形態例２
本実施形態例は、本発明の第２発明に係る導波路型光集積デバイスの実施形態の一例であって、図９は本実施形態例の導波路型光集積デバイスの構成を示す斜視図である。同図中、図１等に示した実施形態例１の導波路型光集積デバイスと同様の構成を有する個所については、同じ符号を付した。
【００６５】
本実施形態例の導波路型光集積デバイス３８では、図９に示すように、光導波路部１０Ａの２箇所に、前述の導波路型光集積デバイスの実施形態例１の溝部と同様の構成を有する、第１の溝部１２及び第２の溝部１３が形成されている。
また、第１の溝部１２に、前述の導波路型光集積デバイスの実施形態例１の光素子部と同様の構成を有する、第１の光素子部１０Ｂが装着され、第２の溝部１３に第２の光素子部１０Ｃが、第１の光素子部１０Ｂに対向して装着されている。
【００６６】
第２の光素子部１０Ｃは、図１０に示すように、３個のフォトダイオード２６Ａが一次元状に集積されたフォトダイオード・アレイ２６上に、３個の面発光レーザ素子２８Ａが一次元状に集積された面発光レーザ・アレイ２８を積層してなる。
フォトダイオード２６Ａ、及び面発光レーザ素子２８Ａは、横方向に等間隔で配置され、図中のＬ５＝２５０μｍに設定されている。また、フォトダイオード２６Ａと面発光レーザ素子２８Ａとの間の距離Ｌ６が、Ｌ６＝１００μｍとなるように設定されている。
つまり、フォトダイオード２６Ａ、及び面発光レーザ素子２８Ａは、縦方向及び横方向のピッチが、溝部１２に断面を露出した各コア１８の配列に整合するように形成されている。
【００６７】
第２の光素子部１０Ｃ、つまり、フォトダイオード・アレイ２６及び面発光レーザ・アレイ２８は第２の溝部１３に挿入され、かつ紫外線硬化型の高分子有機化合物により固定されている。また、フォトダイオード２６Ａ及び面発光レーザ素子２８Ａはコア１８と光結合するようにアライメントされている。
【００６８】
本実施形態例の導波路型光集積デバイス３８は、上述の構成を除いては、前述の実施形態例１の導波路型光集積デバイス１０と同様の構成を有している。
また、本実施形態例の導波路型光集積デバイス３８の製造方法は、第１の光素子部１０Ｂを光導波路部１０Ａに装着した後、第２の光素子部１０Ｃを、フォトダイオード・アレイ２４、面発光レーザ・アレイ２６の順に、第１の光素子部１０Ｂを光導波路部１０Ａに装着した際と同様に装着することを除いては、前述の導波路型光集積デバイスの製造方法の実施形態例１と同様である。
本実施形態例の導波路型光集積デバイス３８は、以上の構成により、第１の光素子部１０Ｂと第２の光素子部１０Ｃとの間で、大容量で、かつ双方向の光通信を実現している。
【００６９】
導波路型光集積デバイスの実施形態例２の変形例
本変形例は、導波路型光集積デバイスの実施形態例２の別の変形例である。図１１は本変形例の導波路型光集積デバイスを示す平面図であり、図１２（ａ）は、図１１の第２の溝部１３に露出した光導波路部１０Ａの断面を示す断面図で、図１２（ｂ）は、第２の光素子部１０Ｃの構成を示す平面図である。尚、図１１、及び図１２（ａ）、（ｂ）で、図９に示した導波路型光集積デバイス、図２に示した光導波路部の断面、及び図１０に示した第２の光素子部と同様の構成を有する部分についてはそれぞれ同じ符号を付した。
本変形例の導波路型光集積デバイス４４では、光導波路部１０Ａの第１層目及び第２層目の３本のコア１８の平面配列が、図１１に示すように、光素子部１０Ｂの方向から光素子部１０Ｃの方向に向かって末広がりになっている。
【００７０】
第１の溝部１２に露出した光導波路部１０Ａの断面は、図２（ａ）に示した、導波路型光集積デバイスの実施形態例１の光導波路部の断面と同様の構成を有している。また、第１の光素子部１０Ｂは、図３に示した、導波路型光集積デバイスの実施形態例１の光素子部１０Ｂと同様の構成を有している。
第２の溝部１３に露出した光導波路部１０Ａの断面は、図１２（ａ）に示すように、コア１８の横方向の間隔が、Ｌ１＝４００μｍに設定されている。また、第２の光素子部１０Ｃは、図１２（ｂ）に示すように、フォトダイオード２６Ａ及び面発光レーザ素子２８Ａの横方向の間隔が、Ｌ５＝４００μｍに設定されている。つまり、フォトダイオード２６Ａ、及び面発光レーザ素子２８Ａは、縦方向及び横方向のピッチが、第２の溝部１３に断面を露出した各コア１８の配列に整合するように形成されている。
また、光導波路部１０Ａのコア１８の形状は、レーザ光の減衰が発生しない曲率半径で形成されている。
本変形例の導波路型光集積デバイス４４は、上述の構成を除いては、前述の実施形態例２に係る導波路型光集積デバイス３８と同様の構成を有する。
【００７１】
本変形例の導波路型光集積デバイス４４の製造方法は、光導波路部１０Ａを形成する際に、光導波路部１０Ａの第１層目及び第２層目の３本のコア１８が、第１の光素子部１０Ｂから第２の光素子部１０Ｃに向かって末広がり状になるように形成する。
また、フォトダイオード・アレイ２６として、同一基板上にフォトダイオードが所定のピッチで集積されたウエハを、バー形状にへき開又はダイシングすることにより形成し、面発光レーザ・アレイ２８として、同一基板上に面発光レーザ素子が所定のピッチで集積されたウエハを、バー形状にへき開又はダイシングすることにより形成する。
上記を除いては、前述の導波路型光集積デバイスの実施形態例２に係る導波路型光集積デバイスの製造方法と同様である。
本変形例の導波路型光集積デバイス４４は、末広がり状のコア１８を有することにより、光配線基板等で、様々な端子配列を有するチップ間の光通信を行えるので、導波路型光集積デバイスの用途を広げることができる。
【００７２】
【発明の効果】
本発明の第１発明によれば、光導波路が、１段当たり複数本のコアを多段に有するコア群を有し、光素子が、溝部に断面を露出した各コアの配列に整合するようにアレイ状に形成され、溝部内に装着されて各コアに光結合していることにより、大容量の光通信を実現できる。
また、各光素子として発光素子又は受光素子を用い、本発明の導波路型光集積デバイスと光通信を行う相手側の光通信装置で、上記発光素子に対向させて受光部を設け、上記受光素子に対応させて発光部を設けることにより、双方向の光通信を実現できる。
【００７３】
また、本発明の第２発明によれば、第１の光素子と第２の光素子との間で大容量の光通信を実現する。また、各光素子として発光素子又は受光素子を用い、発光素子及び受光素子のそれぞれが、コアを挟んで発光素子と受光素子とが対向するように設けられることにより、双方向の光通信を実現できる。
本発明方法によれば、本発明に係る導波路型光集積デバイスの好適な製造方法を実現している。
【図面の簡単な説明】
【図１】導波路型光集積デバイスの実施形態例１に係る、導波路型光集積デバイスの構成を示す斜視図である。
【図２】図２（ａ）は、図１の矢視Ｉ−Ｉでの断面を示す断面図であり、図２（ｂ）は、図１の矢視ＩＩ−ＩＩでの断面を示す断面図である。
【図３】光素子部の構成を示す平面図である。
【図４】図４（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、導波路型光集積デバイスを製造する際の各工程の断面図である。
【図５】図５（ｄ）及び（ｅ）は、それぞれ、導波路型光集積デバイスを製造する際の各工程の断面図である。
【図６】図６（ｆ）及び（ｇ）は、それぞれ、導波路型光集積デバイスを製造する際の各工程の断面図である。
【図７】図７（ａ）は、導波路型光集積デバイスの実施形態例１の変形例１に係る、光導波路部の構成を示す断面図であり、図７（ｂ）は、導波路型光集積デバイスの実施形態例１の変形例１に係る、光素子部の構成を示す平面図である。
【図８】導波路型光集積デバイスの実施形態例１の変形例２に係る、導波路型光集積デバイスの構成を示す平面図である。
【図９】導波路型光集積デバイスの実施形態例２に係る、導波路型光集積デバイスを示す斜視図である。
【図１０】第２の光素子部の構成を示す平面図である。
【図１１】導波路型光集積デバイスの実施形態例２の変形例に係る、導波路型光集積デバイスの構成を示す平面図である。
【図１２】図１２（ａ）は、図１１の第２の溝部に露出した光導波路部の断面を示す断面図であり、図１２（ｂ）は、図１１の第２の光素子部の構成を示す平面図である。
【図１３】図１３（ａ）は、特開２００２−１９６１６９号公報に開示された導波路型光素子の構成を示す斜視図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）の矢視ＩＩＩ−ＩＩＩでの断面図である。
【符合の説明】
１０……導波路型光集積デバイス、１０Ａ……光導波路部、１０Ｂ……（第１の）光素子部、１０Ｃ……第２の光素子部、１２……（第１の）溝部、１３……第２の溝部、１４……基板、１６……下部クラッド、１８……コア、１８ａ……コア形成層、２０……上部クラッド、２２……（第１の）面発光レーザ・アレイ、２２Ａ……面発光レーザ素子、２４……（第１の）フォトダイオード・アレイ、２４Ａ……フォトダイオード、２６……（第２の）フォトダイオード・アレイ、２６Ａ……フォトダイオード、２８……（第２の）面発光レーザ・アレイ、２８Ａ……面発光レーザ素子、３０……紫外線硬化型の高分子有機化合物、３２……マスク、３２ａ……透明な領域、３２ｂ……不透明な領域、３４……導波路型光集積デバイス、３６……線状部、３７……屈曲部、３８……導波路型光集積デバイス、４０……第２の面発光レーザ・アレイ、４０Ａ……面発光レーザ素子、４２……第２のフォトダイオード・アレイ、４２Ａ……フォトダイオード、４４……導波路型光集積デバイス、５０……特開２００２−１９６１６９号公報に開示の導波路型光素子、５０Ａ……光導波路部（導波路基板）、５０Ｂ……光素子部（面型光デバイス）、５２……コア（導波路コア）、５４……クラッド、５６……溝、５８……電極。
【図１】
2004333728.tif 000003
【図２】
2004333728.tif 000004
【図３】
2004333728.tif 000005
【図４】
2004333728.tif 000006
【図５】
2004333728.tif 000007
【図６】
2004333728.tif 000008
【図７】
2004333728.tif 000009
【図８】
2004333728.tif 000010
【図９】
2004333728.tif 000011
【図１０】
2004333728.tif 000012
【図１１】
2004333728.tif 000013
【図１２】
2004333728.tif 000014
【図１３】
2004333728.tif 000015