(57)【要約】【課題】窒素ガス濃度を安定させて純水を供給できる基板処理装置を提供する。【解決手段】純水供給経路３を分岐し、一方では溶解部４において純水に窒素ガスを溶解させた高濃度純水を、他方では脱気部５において純水から窒素ガスを脱気した低濃度純水を生成する。それぞれの窒素ガス濃度Ｃ１、Ｃ２を逐次測定し、目標窒素ガス濃度をＣ、総純水流量をＶに対しＣ１・Ｘ１＋Ｃ２・Ｘ２＝Ｃ・ＶおよびＸ１＋Ｘ２＝Ｖを満たすように、第１純水バルブ１９および第２純水バルブ２２の開閉を調整してそれぞれの流量Ｘ１、Ｘ２を制御しつつ両者を混合することにより、目標濃度Ｃを有する純水を安定して供給することができる。【選択図】　　　　図１
2004022572.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液により基板に所定の処理を行う処理部と、
不活性ガス濃度の異なる第１および第２処理液を混合して前記処理部へ供給する処理液供給手段と、備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記処理液供給手段は、
第１の供給経路から供給された第１の供給液に対し不活性ガスを溶解させて前記第１処理液を得る溶解手段と、
第２の供給経路から供給された第２の供給液に対し不活性ガスを脱気させて前記第２処理液を得る脱気手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記処理液供給手段は、
前記第１処理液の流量である第１流量を調整する第１処理液流量調整手段と、前記第２処理液の流量である第２流量を調整する第２処理液流量調整手段と、
前記第１および第２処理液流量調整手段を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記第１処理液中の不活性ガス濃度を測定する第１濃度測定手段と、
前記第２処理液中の不活性ガス濃度を測定する第２濃度測定手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記第１濃度測定手段における不活性ガス濃度の測定値である第１測定濃度と、前記第２濃度測定手段における不活性ガス濃度の測定値である第２測定濃度とに基づいて前記第１流量と前記第２流量とを制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記第１測定濃度をＣ１、前記第２測定濃度をＣ２、前記第１流量をＸ１、前記第２流量をＸ２、混合により得られる処理液中の不活性ガス濃度の目標値をＣ、混合後の処理液の総流量をＶとするとき、前記処理液流量制御手段における制御が、
Ｃ１・Ｘ１＋Ｃ２・Ｘ２＝Ｃ・Ｖ
なる関係を近似的に満たすように行われることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記第１処理液と前記第２処理液とが、
Ｘ１＋Ｘ２＝Ｖ
なる関係を満たすように供給されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
処理液により基板に所定の処理を行う装置において、処理液中の不活性ガス濃度を制御する方法であって、
不活性ガス濃度の異なる第１および第２処理液を混合して供給する混合工程を備えることを特徴とする不活性ガス濃度制御方法。
【請求項８】
請求項７に記載の不活性ガス濃度制御方法であって、
第１の供給経路から供給された第１の供給液に対し不活性ガスを溶解させて前記第１処理液を得る溶解工程と、
第２の供給経路から供給された第２の供給液に対し不活性ガスを脱気させて前記第２処理液を得る脱気工程と、
を備えることを特徴とする不活性ガス濃度制御方法。
【請求項９】
請求項８に記載の不活性ガス濃度制御方法であって、
前記第１処理液の流量である第１流量を調整する第１処理液流量調整工程と、前記第２処理液の流量である第２流量を調整する第２処理液流量調整工程と、前記第１および第２処理液流量調整工程における流量調整を制御する制御工程と、
を備えることを特徴とする不活性ガス濃度制御方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の不活性ガス濃度制御方法であって、
前記第１処理液中の不活性ガス濃度を測定する第１濃度測定工程と、
前記第２処理液中の不活性ガス濃度を測定する第２濃度測定工程と、
を備え、
前記制御工程における制御が、前記第１濃度測定工程における不活性ガス濃度の測定値である第１測定濃度と、前記第２濃度測定工程における不活性ガス濃度の測定値である第２測定濃度とに基づいて前記第１流量と前記第２流量とを制御することを特徴とする不活性ガス濃度制御方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の不活性ガス濃度制御方法であって、
前記第１測定濃度をＣ１、前記第２測定濃度をＣ２、前記第１流量をＸ１、前記第２流量をＸ２、混合により得られる処理液中の不活性ガス濃度の目標値をＣ、混合後の処理液の総流量をＶとするとき、前記制御工程における制御が、
Ｃ１・Ｘ１＋Ｃ２・Ｘ２＝Ｃ・Ｖ
なる関係を近似的に満たすように行われることを特徴とする不活性ガス濃度制御方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の不活性ガス濃度制御方法であって、
前記第１処理液と前記第２処理液とが、
Ｘ１＋Ｘ２＝Ｖ
なる関係を満たすように供給されることを特徴とする不活性ガス濃度制御方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハ等の基板を洗浄処理する際に用いられる処理液の不活性ガス濃度を制御する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス等の製造プロセスにおいてなされる基板洗浄処理においては、純水、あるいはこれと過酸化水素やアンモニアなどとの混合液が処理液として用いられるが、例えば、メガソニック超音波洗浄装置などでは、洗浄効率を高める目的で、純水中に大気圧下で５ｐｐｍ〜２０ｐｐｍ程度の濃度となるように不活性ガスである窒素ガスを溶解させたうえで使用することがある。
【０００３】
図４は、従来の基板処理装置１０００を示す図である。基板処理装置１０００は、純水調整部１００１と処理部１０１２とを主として備えている。
【０００４】
純水調整部１００１は、工場のユーティリティー等として備わる純水供給源１００２から純水供給経路１００３を経て供給される純水に、同じく工場のユーティリティー等として備わる窒素供給源１００４から、窒素ガス供給経路１００５を経て供給される窒素ガスを溶解させることにより、純水の窒素ガス濃度を所定の濃度に調整し、例えばメガソニック超音波洗浄を行う処理部１０１２へと供給する。
【０００５】
純水調整部１００１は、供給された純水に窒素を溶解させる溶解部１００６と、溶解部１００６を経た純水の窒素ガス濃度を測定する窒素濃度計１００７と、窒素ガス供給経路１００５にて供給される窒素ガスの圧力を測定する圧力計１００８と、その流量を測定する流量計１００９と、バルブ１０１０と、窒素濃度計１００７に基づいてバルブ１０１０の開閉を制御する制御部１０１１とを備えている。
【０００６】
図５は、純水調整部１００１において、純水の窒素ガス濃度が所定の目標濃度Ｃとなるように窒素ガスを溶解させる手順を示す図である。図５に示すように、純水調整部１００１では、まず、溶解部１００６への窒素ガスの供給を停止して、窒素ガスを純水に溶解させない状態での窒素ガス濃度に相当する初期窒素ガス濃度Ｃ０、すなわちブランクデータの測定を、窒素濃度計１００７において行う（ステップＳ１００１）。次に得られた初期窒素ガス濃度Ｃ０を目標濃度Ｃから差し引き、溶解必要濃度ΔＣを求める（ステップＳ１００２）。そして、圧力−溶存濃度関係線図より、溶解必要濃度ΔＣに対する目標ガス圧力Ｐｔを求める（ステップＳ１００３）。さらに、圧力−流量線図より目標ガス圧力Ｐｔに対するガス流量Ｆｔを求め（ステップＳ１００４）、圧力−圧力昇圧時間関係図より目標ガス圧力Ｐｔに対するガス圧力昇圧時間Ｔを求める（ステップＳ１００５）。
【０００７】
以上のように初期設定値が定まると、これに基づいて窒素溶解処理を開始し（ステップＳ１００６）、以降、窒素濃度計１００７において窒素ガス濃度を逐次測定し、測定値に基づいてガス流量、ガス圧力を比例制御する（ステップＳ１００７）。これにより、目標濃度の窒素ガスが溶解した純水を供給することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の基板処理装置における窒素溶解処理には、次のような問題点があった。
【０００９】
すなわち、溶解部１００６に対して供給される純水の初期窒素ガス濃度Ｃ０には、純水供給源１００２における純水の製造状況や貯留環境などに基づく変動が生じうるが、従来の方法の場合、溶解部１００６は窒素ガスを除去する機能を備えていないので、目標濃度Ｃよりも高い窒素ガス濃度を有する純水が供給された場合に、その濃度を低減させることができなかった。そのため、目標濃度Ｃよりも高い窒素ガス濃度を有する純水を、処理部１０１２に供給せざるを得なかった。
【００１０】
たとえば、処理部１０１２においてメガソニツク超音波洗浄を行う場合であれば、投入電力が同じであっても窒素ガス濃度に応じて基板に及ぼす物理的なエネルギーの強度は変動する。基板の洗浄効果はこれに左右されるので、純水の窒素ガス濃度が目標濃度Ｃよりも高い純水を用いることによってパーティクル除去率ＰＲＥが低下したり、あるいは基板にダメージを与えてしまい、結果として製造における歩留まりが悪くなるという問題が生じる。
【００１１】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、窒素ガス等の不活性ガス濃度を安定させて純水等の処理液を供給できる基板処理装置を、提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、処理液により基板に所定の処理を行う処理部と、不活性ガス濃度の異なる第１および第２処理液を混合して前記処理部へ供給する処理液供給手段と、備えることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記処理液供給手段は、第１の供給経路から供給された第１の供給液に対し不活性ガスを溶解させて前記第１処理液を得る溶解手段と、第２の供給経路から供給された第２の供給液に対し不活性ガスを脱気させて前記第２処理液を得る脱気手段と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項３の発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記処理液供給手段は、前記第１処理液の流量である第１流量を調整する第１処理液流量調整手段と、前記第２処理液の流量である第２流量を調整する第２処理液流量調整手段と、前記第１および第２処理液流量調整手段を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項４の発明は、請求項３に記載の基板処理装置であって、前記第１処理液中の不活性ガス濃度を測定する第１濃度測定手段と、前記第２処理液中の不活性ガス濃度を測定する第２濃度測定手段と、を備え、前記制御手段は、前記第１濃度測定手段における不活性ガス濃度の測定値である第１測定濃度と、前記第２濃度測定手段における不活性ガス濃度の測定値である第２測定濃度とに基づいて前記第１流量と前記第２流量とを制御することを特徴とする。
【００１６】
また、請求項５の発明は、請求項４に記載の基板処理装置であって、前記第１測定濃度をＣ１、前記第２測定濃度をＣ２、前記第１流量をＸ１、前記第２流量をＸ２、混合により得られる処理液中の不活性ガス濃度の目標値をＣ、混合後の処理液の総流量をＶとするとき、前記処理液流量制御手段における制御が、
Ｃ１・Ｘ１＋Ｃ２・Ｘ２＝Ｃ・Ｖ
なる関係を近似的に満たすように行われることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項６の発明は、請求項５に記載の基板処理装置であって、前記第１処理液と前記第２処理液とが、
Ｘ１＋Ｘ２＝Ｖ
なる関係を満たすように供給されることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項７の発明は、処理液により基板に所定の処理を行う装置において、処理液中の不活性ガス濃度を制御する方法であって、不活性ガス濃度の異なる第１および第２処理液を混合して供給する混合工程を備えることを特徴とする。
【００１９】
また、請求項８の発明は、請求項７に記載の不活性ガス濃度制御方法であって、第１の供給経路から供給された第１の供給液に対し不活性ガスを溶解させて前記第１処理液を得る溶解工程と、第２の供給経路から供給された第２の供給液に対し不活性ガスを脱気させて前記第２処理液を得る脱気工程と、を備えることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項９の発明は、請求項８に記載の不活性ガス濃度制御方法であって、前記第１処理液の流量である第１流量を調整する第１処理液流量調整工程と、前記第２処理液の流量である第２流量を調整する第２処理液流量調整工程と、前記第１および第２処理液流量調整工程における流量調整を制御する制御工程と、を備えることを特徴とする。
【００２１】
また、請求項１０の発明は、請求項９に記載の不活性ガス濃度制御方法であって、前記第１処理液中の不活性ガス濃度を測定する第１濃度測定工程と、前記第２処理液中の不活性ガス濃度を測定する第２濃度測定工程と、を備え、前記制御工程における制御が、前記第１濃度測定工程における不活性ガス濃度の測定値である第１測定濃度と、前記第２濃度測定工程における不活性ガス濃度の測定値である第２測定濃度とに基づいて前記第１流量と前記第２流量とを制御することを特徴とする。
【００２２】
また、請求項１１の発明は、請求項１０に記載の不活性ガス濃度制御方法であって、前記第１測定濃度をＣ１、前記第２測定濃度をＣ２、前記第１流量をＸ１、前記第２流量をＸ２、混合により得られる処理液中の不活性ガス濃度の目標値をＣ、混合後の処理液の総流量をＶとするとき、前記制御工程における制御が、
Ｃ１・Ｘ１＋Ｃ２・Ｘ２＝Ｃ・Ｖ
なる関係を近似的に満たすように行われることを特徴とする。
【００２３】
また、請求項１２の発明は、請求項１１に記載の不活性ガス濃度制御方法であって、前記第１処理液と前記第２処理液とが、
Ｘ１＋Ｘ２＝Ｖ
なる関係を満たすように供給されることを特徴とする。
【００２４】
【発明の実施の形態】
＜全体構成＞
図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置１００を示す図である。基板処理装置１００は、純水調整部１と、入力操作部２４と、表示部２５と、処理部２６とを主として備えている。
【００２５】
純水調整部１は、工場のユーティリティー等として備わる純水供給源２から純水供給経路３を経て供給される純水の窒素ガス濃度を所定の濃度に調整し、処理部２６へと供給するためのものである。
【００２６】
この目的のため、純水調整部１は、純水（第１供給液）に窒素ガスを溶解させる溶解部４と、純水（第２供給液）から窒素ガスを脱気させる脱気部５と、溶解部４を経た純水の窒素ガス濃度を測定する第１窒素濃度計６と、脱気部５を経た純水の窒素ガス濃度を測定する第２窒素濃度計７とを主として備えている。また、純水調整部１においては、純水供給経路３を、溶解部４を経由する第１供給経路３ａと脱気部５を経由する第２供給経路３ｂとの２系統にいったん分岐し、その後再び合流するように、配管が接続されている。
【００２７】
溶解部４および脱気部５は、窒素ガスの溶解／脱気のために接続される機器類を除いていずれも同一の機構的構成を有しており、気体透過性および液体不透過性を有する中空子分離膜を介して、純水への窒素ガスの溶解および純水からの窒素ガスの脱気を行うことにより、純水の窒素ガス濃度を変化させるためのものである。
【００２８】
溶解部４に対しては、工場のユーティリティー等として備わる窒素ガス供給源８から、窒素ガス供給経路９を通じて窒素ガスが供給される。窒素ガス供給経路９上には、供給される窒素ガスの圧力を測定する第１ガス圧力計１０と、その流量を測定する窒素ガス流量計１１と、窒素ガスの供給流量を調整可能な第１ガスバルブ１２とが配置されている。
【００２９】
一方、純水調整部１には、脱気部５において窒素ガスを脱気する目的のために真空排気可能な真空ポンプ１３が備わっており、脱気部５から真空ポンプ１３への窒素ガス脱気経路１４上には、真空ポンプ１３によって得られる圧力、すなわち真空度を測定する第２ガス圧力計１５と、真空度を調整可能な第２ガスバルブ１６とが配置されている。
【００３０】
第１ガスバルブ１２の開閉度を調整することにより、窒素ガス流量が調整でき、第１供給液への不活性ガスの溶解速度を調整することが可能となる。また、第２ガスバルブ１６の開閉度を調整することにより、真空度が調整でき、第２供給液からの不活性ガスの脱気速度とを調整することが可能となる。
【００３１】
図２は、溶解部４の構成を模式的に示す図である。図２に示すように、溶解部４は、溶解処理を担う本体部２８と、第１端部３１ａに備えられ、第１供給経路３ａ（図１）から供給される純水を矢印ＡＲ１に示すように取り込む取水口２７と、本体部２８の側面に備えられ、溶解処理がなされた純水を矢印ＡＲ５に示すように送出する送出口３４と、第１端部３１ａおよび第２端部３１ｂに備えられ、それぞれが独立に気体を供給あるいは排気可能な第１気体出入部３２（３２ａ、３２ｂ）および第２気体出入部３３（３３ａ、３３ｂ）とを主として備えている。なお、溶解部４の場合、第１気体出入部３２および第２気体出入部３３のいずれにおいても、窒素ガス供給経路９を経た窒素ガスが矢印ＡＲ３および矢印ＡＲ４にて示すように加圧供給される。
【００３２】
本体部２８の長手方向の中心には、取水口２７と接続され、純水をその周囲に矢印ＡＲ２に示すように供給可能な給水管３０が備わっている。また給水管３０の周囲には、細筒状の中空子分離膜２９が多数、当該本体部２８の給水管３０に沿って同心円上に配置されている。なお、詳細な図示は省略するが、中空子分離膜２９には、その端部が第１気体出入部３２と接続されている第１中空子分離膜２９ａと、第２気体出入部３３と接続されている第２中空子分離膜２９ｂとがある。
【００３３】
本実施の形態においては、上述のように第１気体出入部３２および第２気体出入部３３のいずれからも窒素ガスが加圧供給されているので、純水が給水管３０から供給され本体部２８内部が純水で満たされると、第１中空子分離膜２９ａおよび第２中空子分離膜２９ｂのいずれにおいても、内外の圧力差によって窒素ガス分子のみが第１中空子分離膜２９ａおよび第２中空子分離膜２９ｂ外へと透過して、純水内に溶解する。そして、窒素ガス濃度を増加せしめられた純水が、送出口３４から矢印ＡＲ５のように送出されることとなる。
【００３４】
脱気部５の構成は、溶解部４と同一である。ただし、脱気部５においては、第１気体出入部３２および第２気体出入部３３のいずれにおいても、真空ポンプ１３の作用により、矢印ＡＲ３および矢印ＡＲ４と反対の向きに減圧され、窒素ガスが真空排気される点で、溶解部４と相違している。真空排気がなされることにより、第１中空子分離膜２９ａおよび第２中空子分離膜２９ｂの内部は本体部２８内よりも負圧の状態になるので、内外の圧力差によって、純水内の溶存気体分子が第１中空子分離膜２９ａおよび第２中空子分離膜２９ｂ外から透過して脱気されることとなる。そして、脱気部５においては、窒素ガス濃度を減少せしめられた純水が、送出口３４から矢印ＡＲ５のように送出されることとなる。
【００３５】
第１窒素濃度計６および第２窒素濃度計７は、いずれも同一の構成及び機能を有しており、前者は第１供給経路３ａおよび第２供給経路３ｂ上に配置され、一定時間ごとに窒素濃度を測定するためのものである。図３は、第１窒素濃度計６を例として、その測定原理を概念的に示すための図である。すなわち、第１窒素濃度計６は、第１供給経路３ａを矢印ＡＲ６のように流れる純水の一部を、分岐管３５によって矢印ＡＲ７のように分岐させ、一定時間ごとに測定槽３６にサンプリングする。そして、ヒータ３７によって測定槽３６内にサンプリングされた純水を加熱し、測定子３８によってその温度変化を測定すると、得られた温度変化のデータから、サンプリングされた純水の熱伝導度を求められる。窒素ガスの溶解濃度が高いほど熱伝導度も高くなるので、この相関関係に基づいて、サンプリングした純水の窒素ガス濃度が得られることになる。
【００３６】
また、純水調整部１は、第１供給経路３ａ上の第１窒素濃度計６よりも下流側に、第１供給経路３ａにおける純水の水圧を測定するための第１水圧計１７と、その流量を測定するための第１純水流量計１８と、流量を調整するための第１純水バルブ１９とを備えている。さらには、第２供給経路３ｂ上の第２窒素濃度計７よりも下流側に、第２供給経路３ｂにおける純水の水圧を測定するための第２水圧計２０と、その流量を測定するための第２純水流量計２１と、流量を調整するための第２純水バルブ２２とを備えている。なお、第１供給経路３ａと第２供給経路３ｂとは、第１純水バルブ１９および第２純水バルブ２２を経た後に再び合流し、一の純水供給経路３となって処理部２６へと接続される。
【００３７】
さらに、純水調整部１は、純水の窒素ガス濃度を目標濃度に保つために、所定の制御を行う制御部２３を備えている。制御部２３は、ＣＰＵやＲＯＭ、ＲＡＭその他のメモリなどから構成されている。所定のプログラムが読み込まれ、実行されることにより、制御部２３が、第１窒素濃度計６、第２窒素濃度計７、第１純水流量計１８、第２純水流量計２１などで得られる測定値に基づいて、第１純水バルブ１９および第２純水バルブ２２を開閉を制御することによって、目標とする窒素ガス濃度を有する純水が得られ、処理部２６へと供されることとなる。
【００３８】
入力操作部２４は、基板処理装置１００のオペレータが、所定の操作指示をするためのもの、例えば、タッチパネルやキーボードなどである。窒素ガスの目標濃度も入力操作部２４を通じて与えられる。表示部２５は、オペレータからの操作指示内容や、基板処理装置１００の動作状況などを表示するためのもの、例えばディスプレイなどである。
【００３９】
なお、基板処理装置１００は一の筐体に備わる装置として構成されていてもよいし、処理部２６と純水調整部１とがそれぞれ、別個独立の装置として構成されていてもよい。あるいは、入力操作部２４および表示部２５、さらには純水調整部１の制御部２３が、汎用のコンピュータによって実現されていてもよい。
【００４０】
＜窒素ガス濃度の制御＞
次に、純水調整部１における純水の窒素ガス濃度の制御について説明する。本実施の形態においては、純水供給源２から供給される窒素ガス濃度が調整されていない純水を２系統に分岐して、一方に窒素ガスを溶解させてより高い窒素ガス濃度を有する純水（高濃度純水）を生成し、他方では逆に窒素ガスを脱気してより低い窒素ガス濃度を有する純水（低濃度純水）を生成し、これらを所定量ずつ混合することで、所定の窒素ガス濃度を有する純水を得ることとなっている。
【００４１】
そのために、本実施の形態では、溶解部４で窒素ガス溶解を施された高濃度純水の窒素ガス濃度を第１窒素濃度計６により、脱気部５で窒素ガス脱気を施された低濃度純水を第２窒素濃度計７によりそれぞれ逐次測定し、それらの測定の結果に基づいて、制御部２３が、所定の窒素ガス濃度の純水を得るために必要な高濃度純水および低濃度純水の流量を制御する。
【００４２】
具体的には、第１供給経路３ａ上に備わる第１純水バルブ１９と、第２供給経路３ｂ上に備わる第２純水バルブ２２の開閉を調整することによって、高濃度純水および低濃度純水の流量が制御される。いま、純水供給源２から純水供給経路３を経て供給される純水の総流量をＶ、そのうち、第１供給経路３ａへと分岐供給される純水の流量である第１流量をＸ１、第２供給経路３ｂへと分岐供給される純水の流量である第２流量をＸ２、第１窒素濃度計６における窒素ガス濃度の測定値である第１測定濃度をＣ１、第２窒素濃度計７における窒素ガス濃度の測定値である記第２測定濃度をＣ２、処理部２６に対し供給する純水の窒素ガス濃度の目標値をＣとすると、制御部２３は、これらの値の間に、
Ｃ１・Ｘ１＋Ｃ２・Ｘ２＝Ｃ・Ｖ　　（式１）
かつ、
Ｘ１＋Ｘ２＝Ｖ　（式２）
が近似的に成り立つように、第１純水バルブ１９と、第２純水バルブ２２とを制御すればよいことになる。
【００４３】
ここで、総流量Ｖおよび目標濃度Ｃは、あらかじめ一定値として設定され、第１測定濃度Ｃ１および第２測定濃度Ｃ２は、一定時間ごとに測定がなされるので、いずれも既知の値として得られる。よって、窒素ガス濃度を測定する度に、式１および式２を満たす第１流量Ｘ１および第２流量Ｘ２が定まるので、制御部２３は、これらの第１流量Ｘ１および第２流量Ｘ２が得られるように、第１純水バルブ１９および第２純水バルブ２２の開閉を調整し、所定の窒素ガス濃度の純水の供給を実現する。万一、いずれか一方の流量が何らかの要因で固定される場合であっても、式１により、もう一方の流量を一義的に定めることができる。
【００４４】
なお、純水供給源２から供給される未調整の純水の窒素ガス濃度には、純水供給源２に起因する要員により変動があるが、目標濃度Ｃが必ず第１測定濃度Ｃ１と第２測定濃度Ｃ２の間にあるように、溶解部４においては目標濃度Ｃよりも十分高いとみなせる窒素ガス濃度を有する高濃度純水を生成し、脱気部５においては目標濃度Ｃよりも十分小さい窒素ガス濃度を有する低純度純水を生成することで、そうした変動の影響はキャンセルされ、さらには必ず式１および式２を満たす第１流量Ｘ１および第２流量Ｘ２が得られることとなる。また、溶解あるいは脱気後の窒素ガス濃度に基づいて、混合すべき流量が定まるので、溶解部４および脱気部５における溶解および脱気を逐次制御せずとも、所定の窒素ガス濃度を有する純水を得ることができる。
【００４５】
また、処理部２６における処理対象の変更などによって、目標濃度Ｃが変更された場合であっても、式１および式２を満たすことにより、速やかに新たな条件における第１流量Ｘ１および第２流量Ｘ２が得られるので、速やかに高濃度純水および低濃度純水の混合量を変更することが可能である。
【００４６】
以上、説明したように、本実施の形態の基板処理装置１００の純水調整部１は、所定の値に窒素ガス濃度が保たれた純水を、安定して処理部２６へと供給することができる。
【００４７】
＜変形例＞
上述の実施の形態においては、純水調整部１内において純水供給経路３が分岐および合流する態様であったが、必ずしもこれは必須の態様ではなく、基板処理装置１００の他の箇所、あるいは基板処理装置外で分岐および合流する態様であってもよい。
【００４８】
また、溶解部４および脱気部５に供給される純水の窒素ガス濃度を測定し、溶解および脱気前後の濃度に基づいて、高濃度純水及び低濃度純水の濃度を安定化させる態様であってもよい。これにより、混合により得られる純水の濃度がより安定化する。
【００４９】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項１ないし請求項１２の発明によれば、第１および第２処理液の混合量を変化させることにより、新たな不活性ガス濃度を有する処理液を供給することができる。
【００５０】
また、請求項２ないし請求項６、および請求項８ないし請求項１２の発明によれば、第１処理液と第２処理液の不活性ガス濃度差をより大きくして混合することができる。
【００５１】
また、請求項３ないし請求項６、および請求項９ないし請求項１２の発明によれば、混合により供給される処理液の不活性ガス濃度を変化させることができる。
【００５２】
また、請求項４ないし請求項６、および請求項１０ないし請求項１２の発明によれば、第１および第２の処理液の不活性ガス濃度に変動が生じる場合であっても、所定の不活性ガス濃度を有する処理液を安定して供給することができる。
【００５３】
また、請求項５、請求項６、請求項１１、および請求項１２の発明によれば、いずれかの流量が定まることにより他の流量が定められるので、定まった流量を得るべく制御することにより、所定の不活性ガス濃度を有する処理液を安定して供給することが可能となる。
【００５４】
また、請求項６および請求項１２の発明によれば、第１流量および第２流量が一義的に定まるので、当該流量が得られるべく制御を行うことで、所定の不活性ガス濃度を有する処理液を安定して供給することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置１００を示す図である。
【図２】溶解部４の構成を模式的に示す図である。
【図３】窒素濃度計の測定原理を概念的に示すための図である。
【図４】従来の基板処理装置１０００を示す図である。
【図５】純水調整部１００１において窒素ガスを溶解させる手順を示す図である。
【符号の説明】
１　純水調整部
２　純水供給源
３　純水供給経路
３ａ　第１供給経路
３ｂ　第２供給経路
４　溶解部
５　脱気部
６　第１窒素濃度計
７　第２窒素濃度計
８　窒素ガス供給源
９　窒素ガス供給経路
１０　第１ガス圧力計
１１　窒素ガス流量計
１２　第１ガスバルブ
１３　真空ポンプ
１４　窒素ガス脱気経路
１５　第２ガス圧力計
１６　第２ガスバルブ
１７　第１水圧計
１８　第１純水流量計
１９　第１純水バルブ
２０　第２水圧計
２１　第２純水流量計
２２　第２純水バルブ
２３　制御部
２４　入力操作部
２５　表示部
２６　処理部
２７　取水口
２８　本体部
２９　中空子分離膜
３０　給水管
３２　気体出入部
３３　気体出入部
３４　送出口
３５　分岐管
３６　測定槽
３７　ヒータ
３８　測定子
１００　基板処理装置
Ｃ　目標濃度
Ｃ１　第１測定濃度
Ｃ２　第２測定濃度
Ｘ１　第１流量
Ｘ２　第２流量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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