(57)【要約】【課題】イオン注入装置において、Ｘ線の漏れを効果的に防ぎ、かつ、Ｘ線遮蔽材の使用量および絶縁材の使用量を減らすことを目的とする。【解決手段】イオン源から取出されたイオンビーム５１を、加速管３内に収められた加速電極５に電圧を印可して加速電場を生成することにより加速し、イオン注入対象物へイオン注入するイオン注入装置に、加速管３内の真空中にイオンビーム５１の軌道を覆うようにＸ線遮蔽材６を設置する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン源から取出されたイオンビームを、加速管内に収められた加速電極に電圧を印可して加速電場を生成することにより加速し、イオン注入対象物へイオン注入するイオン注入装置であって、
前記加速管内の真空中に、前記イオンビームの軌道を覆うようにＸ線遮蔽材が設置されていること
を特徴とするイオン注入装置。
【請求項２】
請求項１に記載のイオン注入装置であって、
前記Ｘ線遮蔽材のイオンビームの軌道に対向する面に、原子番号の低い軽金属が取り付けられていること
を特徴とするイオン注入装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のイオン注入装置であって、
前記Ｘ線遮蔽材は、平板形状であること
を特徴とするイオン注入装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載のイオン注入装置であって、
前記Ｘ線遮蔽材は、円筒形状であること
を特徴とするイオン注入装置。
【請求項５】
請求項１又は２に記載のイオン注入装置であって、
前記Ｘ線遮蔽材は、直方体の角パイプ形状であること
を特徴とするイオン注入装置。
【請求項６】
請求項１又は２に記載のイオン注入装置であって、
前記加速電極は、前記Ｘ遮蔽材により加速管内に保持されていること
を特徴とするイオン注入装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のイオン注入装置であって、
Ｘ線遮蔽材の材質は、Ｗ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｃｕ等の重金属、又は、これらを主成分とした合金のうちのいずれかであること
を特徴とするイオン注入装置。
【請求項８】
イオン源から取出されたイオンビームを、加速管内に収められた加速電極に電圧を印可して加速電場を生成することにより加速し、イオン注入対象物へイオン注入するイオン注入装置におけるＸ線を遮蔽する方法であって、
前記加速管内の真空中に前記イオンビームの軌道を覆うようにＸ線遮蔽材を設置し、該加速管内で発生するＸ線を該Ｘ線遮蔽材により遮蔽すること
を特徴とするイオン注入装置におけるＸ線を遮蔽する方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、半導体基板の製作プロセスに用いられるイオン注入装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体基板の製作プロセスにおいて、不純物ドーピングや表面改質に用いられるイオン注入装置がある。従来のイオン注入装置の概略構成を図７に示す。イオン注入装置は、イオンを発生させ、イオンビームを引き出すイオン源１と、特定の質量と電荷の比を持つイオンだけを取り出す質量分離器２と、イオン注入に必要なエネルギーを持つようにイオンビームを加速させる加速管３と、注入される対象物４（例えば半導体基板）が載置されているイオン注入室９と、Ｘ線の漏れを防止するためのＸ線遮蔽カバー１０と、を有する。そして、図示するように、イオン源１、質量分離器２、加速管３、イオン注入室９は、接続管５０で接続されている。また、接続管５０に接続されているイオン源１、質量分離器２、加速管３、そしてイオン注入室９までの経路は、気密連結されており、それらの内部は真空に保たれている。なお、以下の説明においてイオン源１からイオン注入室９までの経路（経路を構成する機器）をビームラインと呼ぶこととする。
【０００３】
そして、イオン源１から放出されたイオンビーム５１は、図示する矢印のように進みイオン対象物４に注入される。
【０００４】
さて、イオン注入装置では、イオン源１で発生させたイオンビームがビームラインの構成部材に衝突することにより、二次電子が発生する。そして、その二次電子が、ビームラインに存在する電場により、あるエネルギー（あるエネルギーとは、Ｘ線を発生させるに必要な２次電子エネルギーのしきい値をさす）以上にまで加速されビームラインの構成部材と衝突した場合、Ｘ線が発生する（主に、高電圧が印加されている加速管３でＸ線が発生する）。そのため、イオン注入装置には、このＸ線が装置外に漏れることを防止する手段を設ける必要がある。
【０００５】
従来のイオン注入装置には、この加速管３等のビームラインから発生するＸ線が装置外へもれることを防ぐため、Ｘ線発生部位を大気側よりＸ線遮蔽材（Ｘ線遮蔽能力のある重金属）で覆うものや、ビームライン全体を囲むカバーの広範囲にＸ線遮蔽材を取付けているものがある（例えば図７に示す例では、ビームライン全体をＸ線遮蔽材のカバー１０で囲っている）。
【０００６】
さて、ビームラインのＸ線発生箇所は、発生した２次電子が加速される高電圧部位である（例えば加速管３）。そのため、Ｘ線遮蔽材を高電圧部位に接触させて設置（または極近傍に設置）した場合、短絡あるいは放電により、イオン注入装置の運転ができなくなる。したがって、イオン注入装置では、加速管３等の高電圧部位に対し、Ｘ線遮蔽材を絶縁破壊距離から十分に離間した大気側に設置している。その結果、Ｘ線遮蔽材で囲む範囲が大きくなり、Ｘ線遮蔽材の使用量も多くなる。また、イオン注入装置の設置スペースを大きくとる必要が生じる。また、このＸ線遮蔽材は、高密度の重金属であることから、重量が大きく、その原価が高価である。従って、上述のイオン注入装置は、装置重量が大きく、装置の製造コストが高価なものとなる。
【０００７】
従来のイオン注入装置には、高電圧部位である真空のイオン源全体を、大気側から外套チャンバー（なお外套チャンバーは、特殊鋼などのＸ線を遮蔽できる金属で構成されている）により囲むものがある。そして、イオン源と外部との電力線の出入りを絶縁材（絶縁碍子）により連結された高電位フランジにより行い、Ｘ線の漏れる可能性がある絶縁材の周囲を、さらにシールド（Ｘ線遮蔽材）で囲んでいる（例えば特許文献１）。
【０００８】
また、従来のイオン注入装置には、絶縁物にはさみ込まれたＸ線遮蔽材により、大気側からＸ線発生部位の加速管を覆うものがある（例えば特許文献２）。上述の両者の特許文献に記載の技術によれば、高電圧部位のビームラインの大気側に絶縁距離を設けることなく、Ｘ線遮蔽材の覆いを設けることが出来るためイオン注入装置の設置スペースを軽減することができる。
【特許文献１】
特開平６−８９６８１号公報
【特許文献２】
実開平４−６６０９９号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献の技術を用いた場合であっても、Ｘ線の漏れを防止するために、所定の厚さを有するＸ線遮蔽材を用いて、Ｘ線発生部位を大気側から覆うことから（例えば加速管を大気側から覆う）、Ｘ線遮蔽材を大量に使用する必要がある。また、上記特許文献の技術は、Ｘ線を遮蔽するために、大気側に絶縁する手段を設けているため、使用する絶縁材の量も多くなる。そのため、イオン注入装置全体の総重量、製造コストが大きくなるという問題を有している。
【００１０】
そこで、本発明の目的は、イオン注入装置において、Ｘ線の漏れを効果的に防ぎ、かつ、Ｘ線遮蔽材および絶縁材の使用量を減らすことを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、イオン注入装置において、Ｘ線が発生するビームラインの内側にＸ線を遮蔽する手段を設けることとする。
【００１２】
例えば、本発明の一態様では、イオン源から取出されたイオンビームを、加速管内に収められた加速電極に電圧を印可して加速電場を生成することにより加速し、イオン注入対象物へイオン注入するイオン注入装置に、前記加速管内の真空中に前記イオンビームの軌道を覆うようにＸ線遮蔽材を設置する。このように、絶縁能力が高い真空中にＸ線遮蔽材を設置することにより、Ｘ線発生部に局所的にＸ線遮蔽材を配置することができ、Ｘ線の漏れ出しを効果的に防ぐことができる。また、Ｘ線発生部に局所的にＸ線遮蔽材を配置するため、使用するＸ線遮蔽材の量を減らすことができる。また、本発明の一態様では、ビームラインの内側にＸ線を遮蔽する手段を設けるため、Ｘ線遮蔽材を設置するために必要な絶縁材を大気側に設ける必要がなくなる。そのため、イオン注入装置における絶縁材の使用量を減らすことができる。
【００１３】
すなわち、本発明の第１の態様によれば、Ｘ線遮蔽材および絶縁材の使用量を減らすことがきるため、イオン注入装置の軽量化および低コスト化を実現することができる。
【００１４】
また、例えば、前記Ｘ線遮蔽材のイオンビームの中心軌道に対向する面に、原子番号の低い軽金属を取り付けることとしてもよい。このように、軽金属を取り付けることにより、２次電子がＸ線遮蔽材の衝突することにより発生するＸ線の発生およびイオンビームがＸ線遮蔽材に衝突することにより引き起こすイオン注入対象物への金属汚染を防止することができる。
【００１５】
また、前記Ｘ線遮蔽材は、平板形状であることとしてもよい。また、前記Ｘ線遮蔽材は、円筒形状であることとしてもよい。また、前記Ｘ線遮蔽材は、直方体の中身にない角パイプ形状であることとしてもよい。
【００１６】
また、本発明の第１の態様によれば、Ｘ線遮蔽材の材質として、Ｗ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｃｕ等の重金属、これらを主成分とした合金のうちのいずれかを用いることとしてもよい。
【００１７】
また、前記加速電極は、前記Ｘ遮蔽材により加速管内に保持されていることとしてもよい。このように、前記加速電極を、前記Ｘ遮蔽材により加速管内に保持することにより、Ｘ線遮蔽材がＸ線を遮蔽する機能と電極支持体としての機能を合せ持つので、前述してきた効果に加えて、加速管を構成する部品点数を減らすことが出来る。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
【００１９】
先ず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実施形態が適用されたイオン注入装置の概略構成を示す図である。図示するように本発明のイオン注入装置は、上述の図７で示した従来のイオン注入装置と同様に、イオン源１と、質量分離器２と、加速管３と、注入される対象物４が載置されているイオン注入室９と、を有する（また、図７の例と同様に、イオン源１、質量分離器２、加速管３、イオン注入室９は接続管５０で接続されている）。なお、図７で示したイオン注入装置と同じ構成については同じ符号を用いることとする。
【００２０】
そして、イオン源１から放出されたイオンビーム５１は、図示する矢印のように進み対象物４に注入される。また、図７の例と同様に、イオン源１、質量分離器２、加速管３、そしてイオン注入対象物４までの経路は、気密連結されており、それらの内部は真空に保たれている。また、上述したように、イオン注入装置のビームラインには、運転中に、Ｘ線が発生する箇所（例えば、加速管３）がある。本実施形態では、Ｘ線の発生するビームラインの内側に、強度計算で求めた絶縁強度に十分耐えうるような構造物で構成されている絶縁部材（図示せず）が配置されている。そして、Ｘ線の発生するビームラインの内側にイオンビーム５１の中心軌道を取り囲むようにＸ線遮蔽材（図１には図示せず）が配置されている。
【００２１】
このように、本実施形態のイオン注入装置によれば、Ｘ線を遮蔽する手段をビームラインの内側に設けているため、大気側（ビームラインの外側）にＸ線遮蔽材を設置する場合に比べ、少量のＸ線遮蔽材を用いて効果的にＸ線を遮蔽することを実現できる。また、本実施形態では、ビームラインの内側に絶縁部材を配置する構成とするため、大気側で絶縁する場合に比べて絶縁部材の使用する量を少なくできる。すなわち、本実施形態では、イオン注入装置において、Ｘ線遮蔽材および絶縁材料の使用量を減らすことがきるため、装置の総重量およびコストを軽減することを実現できる。
【００２２】
続いて、本実施形態が適用されるイオン注入装置のビームラインの内側に設けるＸ線を遮蔽する手段について説明する。なお以下の説明では、Ｘ線を遮蔽する手段が加速管３に設けられている例を説明するが、本実施形態は特にこれに限定されるものではない。Ｘ線を遮蔽する手段を設ける部位は、Ｘ線が発生するビームライン内（例えばイオン源１）であればよい。
【００２３】
さて、図２は、本実施形態が適用されるイオン注入装置の加速管３の構成を説明するための図である。加速管３は、加速管３の内側に支持体７ａにより固定されている少なくとも２枚以上の加速電極５と、加速管３の内側に支持体７ｂにより固定されている複数のＸ線遮蔽材６と、を有する。また、この加速管３は、内側に絶縁部材（図示せず）が配置されて構成されている（この絶縁部材は、強度計算で求めた絶縁強度に十分耐えうるような構造物で構成されている）。
【００２４】
また、少なくとも２枚以上の加速電極５は、それぞれ加速管３の外部から電圧が印加されており、互いに絶縁破壊距離以上に離間して配置されている。また、この加速電極５のそれぞれの中心部には円形の穴が設けられており、この円形の穴をイオンビーム５１は、加速されながら通過する。すなわち、加速管３において、イオンビーム５１は、加速電極５が真空中に設けた電位勾配により発生させた電場により加速される。そして、単一質量また単一荷電状態にあるイオンビーム５１は、この加速電極５の電圧差に、イオンビーム自身の荷電状態数を乗じた分だけのエネルギー（エネルギーの単位はｅＶである）を付与されて、イオン注入対象物４に注入されることになる。
【００２５】
また、図示するようにＸ線遮蔽材６は平板形状を構成しており、イオンビーム５１の中心軌道を取り囲むように配置されている。そして、このＸ線遮蔽材６同士やＸ線遮蔽材６とその他の加速管３の構成部材とは、絶縁破壊距離以上離して設置されている。なお、イオン注入装置では、ビームライン内部が高真空に保たれているため、絶縁破壊距離が非常に小さい。そのため、Ｘ線遮蔽材６同士やＸ線遮蔽材６とその他の加速管３の構成部材との離間距離を小さくすることが出来る。したがって、本実施形態では、Ｘ線が漏れる隙間を効果的に埋めるようにＸ線発生部位の周辺の極近傍にＸ線遮蔽材６が配置されている。
【００２６】
また、このＸ線遮蔽材６には、高真空内においてもＸ線遮蔽材に付着したガスが放出されにくい（脱ガスの少ない）材質の材料が用いられる。例えば、Ｘ線遮蔽材６には、元素記号がＷ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｃｕ等の重金属、または、これらを主成分とした合金などで、イオン注入対象物４に金属不純物が付着しないものを用いることができる（高真空中においてもＸ線遮蔽材を構成する金属が拡散しないもの、つまり蒸気圧の低い材料を用いることができる）。
【００２７】
次に、図３に示す加速管３における、Ｘ線の発生および発生したＸ線の遮蔽する原理について詳細に説明する。
【００２８】
さて、加速管３では、イオンビーム５１が加速管３の構成部材（例えば電極５）と衝突干渉することにより２次電子が生成される。そして、その生成された２次電子が、加速電極５により生成された電位勾配により、上述したあるエネルギー以上まで加速されて加速管３の構成部材と衝突干渉してＸ線が生成される。この現象は、ビームラインの中では、電位勾配が存在し、２次電子にエネルギーを付与し得る加速管３の内部にて顕著に発生する。また、これらのＸ線は、加速管３内において四方八方に放出される。そして、本実施形態のイオン注入装置では、この四方八方に放出されたＸ線は、イオンビーム５１の中心軌道を取り囲むように配置されている複数のＸ線遮蔽材６により遮蔽される。
【００２９】
このように、本実施形態によれば、真空中の加速管３の内側にＸ線遮蔽材６を配置することとしたため、Ｘ線遮蔽材６同士やＸ線遮蔽材６とその他の加速管３の構成部材との離間距離を小さくできる。そのため、Ｘ線がもれるような隙間を効果的に埋めるようにＸ線遮蔽材６を配置できる。また、本実施形態によれば、Ｘ線遮蔽材６を、Ｘ線発生部位の周辺の極近傍に配置するため、遮蔽面積を少なくできる。すなわち、これによって、大気側にＸ線遮蔽材を設置する場合に比べて、少量のＸ線遮蔽材を用いて効果的にＸ線を遮蔽することを実現できる。また、本実施形態では、加速管３の内側に絶縁部材を配置する構成とするため、大気側で絶縁する場合に比べて絶縁部材の使用量を少なくできる（また、真空なので絶縁部材に要求される絶縁強度は大気側に比べて低いもので足りる）。すなわち、本実施形態によれば、イオン注入装置において、Ｘ線の漏れを効果的に防ぎ、かつ、Ｘ線遮蔽材および絶縁材の使用量を減らすことができるため、イオン注入装置の総重量およびコストを低減できる。
【００３０】
続いて、本発明の第２の実施形態のイオン注入装置について説明する。本発明の第２の実施形態のイオン注入装置は、上述の第１の実施形態のイオン注入装置において、Ｘ線遮蔽材６のイオンビーム５１の中心軌道に対向する面に、軽金属を設ける構成としたものである。なお、以下の第２の実施形態の説明において、上記の第１の実施形態と同じ構成については、同じ符号を用いることとする。
【００３１】
さて、本発明の第２の実施形態のイオン注入装置の概略構成は、図１で示した第１の実施形態で示したものと同じである。次に、本発明の第２の実施形態が適用されるイオン注入装置のビームラインの内側に設けるＸ線を遮蔽する手段について説明する。
【００３２】
図３は、本実施形態が適用されるイオン注入装置の加速管３の構成を説明するための図である。第２の実施形態の加速管３は、第１の実施形態の加速管３と、Ｘ線遮蔽材６の構成が異なる以外は同じである。図示するように、第２の実施形態のＸ線遮蔽材６は、イオンビーム５１の中心軌道に対向する面に軽金属８（図３の斜線で示す部分）が設けられている。なお、軽金属８とは、イオン注入対象物４との関係において金属不純物にならない原子番号の低い金属のことを云う。
【００３３】
このように、Ｘ線遮蔽材６のイオンビーム５１の中心軌道に対向する面に軽金属層８を設ける構成としたのは、以下の理由によるものである。すなわち、Ｘ線遮蔽材６は重金属であるため、２次電子（あるエネルギー以上まで加速されている２次電子）の衝突干渉によりＸ線を発生し易いという性質を有している。また、イオンビーム５１が重金属であるＸ線遮蔽材６に衝突することで、イオン注入対象物４への金属汚染を引き起こす場合がある。そのため、本発明の第２の実施形態では、これらを避けるために、イオンビームが衝突し得る、又は２次電子が発生し衝突干渉し得る、Ｘ線遮蔽材６のイオンビーム５１の中心軌道に対向する面に軽金属８を設置することとした（軽金属は２次電子との衝突干渉によるＸ線を放出する割合が重金属に比べて少なく、かつ、イオン注入対象物４の金属汚染を引き起こす可能性が重金属に比べて少ない）。
【００３４】
このように、本発明の第２に実施形態によれば、上記の第１の実施形態と同様に少量のＸ線遮蔽材で効果的にＸ線を遮蔽することが実現でき、かつイオン注入対象物４の金属汚染を防止することができる。
【００３５】
続いて、本発明の第３の実施形態のイオン注入装置について説明する。本発明の第３の実施形態のイオン注入装置は、上述の第１の実施形態のイオン注入装置の平板形状のＸ線遮蔽材６を円筒状の形状にしたものである。なお、以下の第３の実施形態の説明において、上記の第１の実施形態と同じ構成については、同じ符号を用いることとする。
【００３６】
さて、本発明の第３の実施形態のイオン注入装置の概略構成は、図１で示した第１の実施形態で示したものと同じである。
【００３７】
次に、本発明の第３の実施形態が適用されるイオン注入装置のビームラインの内側に設けるＸ線を遮蔽する手段について説明する。
【００３８】
図４は、第３の実施形態が適用されるイオン注入装置の加速管３の構成を説明するための図である。第３の実施形態の加速管３は、第１の実施形態の加速管３と、Ｘ線遮蔽材６の形状が異なる以外は同じである。具体的には、第３の実施形態のＸ線遮蔽材６は、第１の実施形態のＸ線遮蔽材６が平板形状であるのに対して、円筒形状に構成されている。図示するように、円筒形状に構成されているＸ線遮蔽材６は、加速管３の内側に支持体７ｂにより固定されている。そして、円筒形状に構成されているＸ線遮蔽材６の中心をイオンビーム５１が通過している。
【００３９】
このように円筒形状を構成することとしたのは、より少量のＸ線遮蔽材で、Ｘ線の漏れを効果的に防ぐためである。なお、ここでいう円筒形状は、Ｘ線遮蔽材６が一体成型で構成されていてもよく、また、複数の部品を組み合せて構成されていてもよい。最終的に円筒形状をなしていればよい。
【００４０】
また、この第３の実施形態において、上述した第２の実施形態と同様に、軽金属をＸ線遮蔽材６のイオンビーム５１の中心軌道に対向する面に設ける構成としてもよい。
【００４１】
このように、本発明の第３の実施形態によれば、少量のＸ線遮蔽材で効果的にＸ線を遮蔽することが実現できる。
【００４２】
続いて、本発明の第４の実施形態のイオン注入装置について説明する。本発明の第４の実施形態のイオン注入装置は、上述の第１の実施形態のイオン注入装置の平板形状のＸ線遮蔽材６を、直方体の中身がない角パイプ形状にしたものである。なお、以下の第４の実施形態の説明において、上記の第１の実施形態と同じ構成については、同じ符号を用いることとする。
【００４３】
さて、本発明の第４の実施形態のイオン注入装置の概略構成は、図１で示した第１の実施形態で示したものと同じである。
【００４４】
次に、本発明の第４の実施形態が適用されるイオン注入装置のビームラインの内側に設けるＸ線遮蔽する手段について説明する。
【００４５】
図５は、第４の実施形態が適用されるイオン注入装置の加速管３の構成を説明するための図である。具体的には、第４の実施形態のＸ線遮蔽材６は、第１の実施形態が平板形状であるのに対して、角パイプ形状に構成されている。図示するように、角パイプ形状で構成されているＸ線遮蔽材６は、加速管３の内側に支持体７ｂにより固定されている。そして、角パイプ形状に構成されているＸ線遮蔽材６の空洞部分をイオンビーム５１が通過している。このように角パイプ形状を構成することとしたのは、より少量のＸ線遮蔽材で、Ｘ線の漏れを少なくするためである。なお、ここでいう角パイプ形状は、Ｘ線遮蔽材６が一体成型で構成されていてもよく、また、複数の部品を組み合せて構成されていてもよい。最終的に角パイプ形状をなしていればよい。
【００４６】
また、この第４の実施形態においても、上述した第２の実施形態と同様に、軽金属をＸ線遮蔽材６のイオンビーム５１の中心軌道に対向する面に設ける構成としてもよい。
【００４７】
このように、本発明の第４の実施形態によれば、少量のＸ線遮蔽材で効果的にＸ線を遮蔽することが実現できる。
【００４８】
続いて、本発明の第５の実施形態のイオン注入装置について説明する。本発明の第５の実施形態のイオン注入装置は、加速管３の加速電極５の電極支持をＸ線遮蔽材６により行う構成としたものである。なお、以下の第５の実施形態の説明において、上記の第１の実施形態と同じ構成については、同じ符号を用いることとする。
【００４９】
さて、本発明の第５の実施形態のイオン注入装置の概略構成は、図１で示した第１の実施形態で示したものと同じである。
【００５０】
次に、本発明の第５の実施形態が適用されるイオン注入装置のビームラインの内側に設けるＸ線を遮蔽する手段について説明する。
【００５１】
図６は、第５の実施形態が適用されるイオン注入装置の加速管３の構成を説明するための図である。第５の実施形態のイオン注入装置は、加速電極５の支持にＸ線遮蔽材６が用いられている構成以外は、本発明の第３の実施形態と同じである。
【００５２】
図示するように、加速管３は、加速管３の内側に中心部には円形の穴が設けられている円盤状の支持体７で支持され固定されている円筒状のＸ線遮蔽材６と、円筒状のＸ線遮蔽材６に支持されて固定されている加速電極５と、を有する。なお、加速電極５と加速電極５を支持するＸ線遮蔽材６との間には絶縁部材（図示せず）が配置されて構成されている（この絶縁部材は、強度計算で求めた絶縁強度に十分耐えうるような構造物で構成されている）。
【００５３】
また、上記円盤状の支持体７は、Ｘ線遮蔽材６と一体成型で構成されていてもよい。なお、この第５の実施形態においても、上述した第３の実施形態と同様に、軽金属をＸ線遮蔽材６のイオンビーム５１に対向する面に設ける構成としてもよい。なお、第５の実施形態の上記の説明では、Ｘ線遮蔽材６が円筒状を構成する場合を説明したが、本実施形態はこれに限定されるものではない。例えば、上述の第４の実施形態のようにＸ線遮蔽材６は、角パイプ形状であってもよい。
【００５４】
このように本発明の第５実施形態では、Ｘ線遮蔽材６がＸ線を遮蔽する機能と電極支持体としての機能を合せ持つので、前述してきた効果に加えて、加速管３を構成する部品点数を減らすことが出来る。
【００５５】
なお、本発明は以上で説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々の変形が可能である。例えば、本実施形態では、Ｘ線遮蔽材を加速管３の内側に設けることとしたが、例えば、イオン源１に設けることとしてもよい。
【００５６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、イオン注入装置において、Ｘ線の漏れを効果的に防ぎ、かつ、Ｘ線遮蔽材および絶縁材の使用量を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態が適用されたイオン注入装置の概略構成を説明するための図である。
【図２】本発明の第１実施形態が適用された加速管３の構成を説明するための図である。
【図３】本発明の第２実施形態が適用された加速管３の構成を説明するための図である。
【図４】本発明の第３実施形態が適用された加速管３の構成を説明するための図である。
【図５】本発明の第４実施形態が適用された加速管３の構成を説明するための図である。
【図６】本発明の第５実施形態が適用された加速管３の構成を説明するための図である。
【図７】従来のイオン注入装置の概略構成を説明するための図である。
【符号の説明】
１…イオン源、２…質量分離器、３…加速管、４…イオン注入対象物、５…加速電極、６…Ｘ線遮蔽材、７ａ…支持体、７ｂ…支持体、８…軽金属、９…イオン注入室、１０…Ｘ線遮蔽カバー、５０…接続管、５１…イオンビーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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