(57)【要約】【課題】ＩＧＢＴの制御を安定して行えることができ、また消費電力の低いストロボ回路を提供する。【解決手段】本発明は、閃光放電管１と、前記閃光放電管１の発光制御を行うＩＧＢＴ２と、前記ＩＧＢＴ２のゲートへの電圧供給制御を行う第１のトランジスタＱ１と、前記ゲートへの電圧非供給制御を行う第２のトランジスタＱ２と、外部からの発光制御信号によりオン、オフされる第３のトランジスタＱ３と、前記第３のトランジスタＱ３がオフの場合に充電を行い、前記第３のトランジスタＱ３がオンの場合に充電により蓄積された電荷を前記第３のトランジスタＱ３を介して放電するコンデンサＣ１と、を有することを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
閃光放電管と、
前記閃光放電管に直列接続され、スイッチング制御により前記閃光放電管の発光制御を行う絶縁ゲート型バイポーラトランジスタと、
前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのゲートに接続され、前記ゲートへの電圧供給制御を行う第１のトランジスタと、
前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのゲートに接続され、前記ゲートへの電圧非供給制御を行う第２のトランジスタと、
外部からの発光制御信号によりスイッチング動作が行われる第３のトランジスタと、
前記第２のトランジスタのベースと前記第３のトランジスタのコレクタ間に接続され、前記第３のトランジスタがオフの場合に充電を行い、前記第３のトランジスタがオンの場合に充電により蓄積された電荷を前記第３のトランジスタを介して放電するコンデンサと、
を有することを特徴とするストロボ回路。
【請求項２】
アノードが前記第３のトランジスタのエミッタに接続されたダイオードと、
前記ダイオードのカソードと前記コンデンサ間に接続された抵抗と、を有し、
前記ダイオード、前記抵抗、前記コンデンサ及び前記第３のトランジスタによって形成される回路が、前記コンデンサの放電回路となることを特徴とする請求項１に記載のストロボ回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのスイッチング制御により閃光放電管の発光動作を制御するストロボ回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（以下、ＩＧＢＴと呼ぶ。）をスイッチング（オン、オフ）制御することにより閃光放電管の発光動作を制御するストロボ回路として、例えば、特許文献１で開示されているような回路がよく知られている。
【０００３】
このストロボ回路は、閃光放電管と直列にＩＧＢＴを接続し、ＩＧＢＴのゲートを直列接続した２つのトランジスタの間に接続した構成とし、同調信号発生器から出力される同調信号と調光回路から出力される信号により２つのトランジスタのスイッチング制御が行われ、それにより、ＩＧＢＴのゲートへの電圧供給、非供給動作が行われ、閃光放電管の発光動作を制御するものである（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
しかし、上記従来のストロボ回路は、同調信号及び調光回路からの信号の２つの信号により閃光放電管の発光制御を行うため、ストロボ回路を含む周辺回路が複雑化する傾向にある。そこで、同調信号の発生器と調光回路をまとめてＩＣ化し、１つの制御信号により閃光放電管の発光制御を行うとした、図２に示されるストロボ回路が現在主流となっている。
【０００５】
図２において、１は閃光放電管、２は閃光放電管１と直列に接続されて閃光放電管１の発光動作を制御するＩＧＢＴ、３は閃光放電管１の駆動電圧の入力端子、４はＩＧＢＴ２の駆動用電圧の入力端子、Ｑ１はＩＧＢＴ２のゲートに対する電圧供給動作の制御を行うＰＮＰ型のトランジスタ、Ｑ２はゲートに対する電圧非供給動作の制御を行うＮＰＮ型のトランジスタ、５は調光制御回路（図示しない）から出力される制御信号の入力端子、Ｑ３は制御信号のＨ（ＨＩＧＨレベル信号）／Ｌ（ＬＯＷレベル信号）に従いオン／オフのスイッチング動作を行うＮＰＮ型のトランジスタ、Ｒ１〜Ｒ１０は抵抗である。
【０００６】
本従来例のストロボ回路は、トランジスタＱ１と抵抗Ｒ８がＩＧＢＴ２のゲートへの電圧供給回路を構成し、トランジスタＱ２と抵抗Ｒ９がＩＧＢＴ２のゲートへの電圧非供給回路を構成している点に特徴を持つ。
【０００７】
次に上記従来のストロボ回路の動作について説明する。
【０００８】
まず、制御信号がＨとなると、トランジスタＱ３がオンとなり、トランジスタＱ２がオフとなる。トランジスタＱ３がオンになるとトランジスタＱ１がオンとなり、抵抗Ｒ８を介してＩＧＢＴ２のゲートに駆動用電圧が供給される。これによりＩＧＢＴ２がオンとなり、閃光放電管１が発光する。
【０００９】
その後、閃光放電管１の光量が所定量に達すると、調光制御回路（不図示）が動作し、制御信号がＨからＬとなる。すると、今度は逆にトランジスタＱ３及びトランジスタＱ１がオフとなり、トランジスタＱ２がオンとなる。トランジスタＱ１がオフになるとＩＧＢＴ２のゲートへの駆動用電圧の供給が停止される。また、トランジスタＱ２がオンすると抵抗Ｒ９を介してＩＧＢＴ２のゲートがグランドに接地されることになりＩＧＢＴ２はオフとなる。ＩＧＢＴ２がオフとなると閃光放電管１は発光を停止する。
【００１０】
上記従来のストロボ回路は、電圧供給回路と電圧非供給回路を独立して形成していることで、閃光放電管の発光とその停止動作を繰り返す際にどうしても生じることになるトランジスタＱ１、Ｑ２の両者が共にオンとなる状態においても、ＩＧＢＴ２のゲートへの電圧供給／非供給動作をバランス良く、安定して行えることを目的とするものであった。
【００１１】
【特許文献１】
特開平１０−２４６９０７号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＩＧＢＴ２のスイッチング制御が、抵抗Ｒ８、Ｒ９の調整値に依存してしまうため、チャタリングが発生し、その影響によりＩＧＢＴ２が破損してしまう可能性があった。また、抵抗Ｒ３、Ｒ６、Ｒ７（Ｑ２）のラインにおいては、トランジスタＱ３のオンオフに関わらず常時電流が流れているため、消費電力が大きく、電池の寿命を短縮してしまうという問題があった。
【００１３】
本発明は、上記従来技術の問題点を解決するものであり、ＩＧＢＴの制御を安定して行えることができ、また消費電力の低いストロボ回路を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明のストロボ回路は、下記の構成を有する。
【００１５】
請求項１に記載の発明は、閃光放電管と、前記閃光放電管に直列接続され、スイッチング制御により前記閃光放電管の発光制御を行う絶縁ゲート型バイポーラトランジスタと、前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのゲートに接続され、前記ゲートへの電圧供給制御を行う第１のトランジスタと、前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのゲートに接続され、前記ゲートへの電圧非供給制御を行う第２のトランジスタと、外部からの発光制御信号によりスイッチング動作が行われる第３のトランジスタと、前記第２のトランジスタのベースと前記第３のトランジスタのコレクタ間に接続され、前記第３のトランジスタがオフの場合に充電を行い、前記第３のトランジスタがオンの場合に充電により蓄積された電荷を前記第３のトランジスタを介して放電するコンデンサと、を有することを特徴とするストロボ回路である。
【００１６】
上記構成からなる発明によれば、第３のトランジスタがオフの場合に充電を行い、第３のトランジスタがオンの場合に蓄積した電荷を放電するコンデンサを備えることで、不必要な電流の流れを遮断し、電力消費量を低くすることができる。また、第２のトランジスタのスイッチング制御の精度が向上することで、ＩＧＢＴのスイッチング制御の精度が向上し、ゲートへの電圧供給／非供給動作をバランス良く、安定して行えることができる。
【００１７】
また、請求項２に記載の発明は、アノードが前記第３のトランジスタのエミッタに接続されたダイオードと、前記ダイオードのカソードと前記コンデンサ間に接続された抵抗と、を有し、前記ダイオード、前記抵抗、前記コンデンサ及び前記第３のトランジスタによって形成される回路が、前記コンデンサの放電回路となることを特徴とする請求項１に記載のストロボ回路である。
【００１８】
このような放電回路を形成することで、第３のトランジスタがオンとなった場合に（オン状態は非常に短い時間である。）、スムーズにコンデンサに蓄積された電荷の放電が完了する。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る遊技機の一実施形態について添付図面を参照しながら説明する。
【００２０】
図１は、本実施形態におけるストロボ回路の構成を示す図である。
【００２１】
図１において、１はキセノンガスを封入した閃光放電管、２は閃光放電管１と直列に接続されて閃光放電管１の発光動作を制御するＩＧＢＴ、３は閃光放電管１を駆動するための電圧を入力する入力端子、４はＩＧＢＴ２の駆動用電圧の入力端子、Ｑ１はＩＧＢＴ２のゲートに対する電圧供給動作の制御を行うＰＮＰ型のトランジスタ、Ｑ２はゲートに対する電圧非供給動作の制御を行うＮＰＮ型のトランジスタ、５は調光制御回路（図示しない）から出力される制御信号の入力端子、Ｑ３は制御信号のＨ（ＨＩＧＨレベル信号）／Ｌ（ＬＯＷレベル信号）に従いオン／オフのスイッチング動作を行うＮＰＮ型のトランジスタ、Ｃ１はトランジスタＱ３がオフの場合に充電が行われ、トランジスタＱ３がオンになると蓄積した電荷の放電を開始するコンデンサ、Ｄ１はダイオード、Ｒ１〜Ｒ１０は抵抗である。ダイオードＤ１及び抵抗Ｒ６は、放電の際に形成される電流路の一部となる。
【００２２】
トランジスタＱ１は第１のトランジスタを構成し、トランジスタＱ２は第２のトランジスタを構成し、トランジスタＱ３は第３のトランジスタを構成する。
【００２３】
次に本実施形態のストロボ回路の動作について説明する。
【００２４】
まず、調光制御回路からの制御信号がＨ（発光指令）となると、トランジスタＱ３がオンになり、トランジスタＱ１がオンとなって、抵抗Ｒ９を介してＩＧＢＴ２のゲートに駆動用電圧が供給される。これによりＩＧＢＴ２がオンとなり、閃光放電管１が発光する。
【００２５】
また、同時に、トランジスタＱ３がオフの間にコンデンサＣ１に蓄積されていた電荷の放電が開始される。この時、トランジスタＱ３がオンの間にスムーズに放電を完了させるためダイオードＤ１、抵抗Ｒ６、コンデンサＣ１及びトランジスタＱ３からなる放電路が形成される。
【００２６】
その後、閃光放電管１の光量が所定量に達すると、調光制御回路が動作し、制御信号がＨからＬとなる（発光停止指令）。すると、トランジスタＱ３はオフとなりトランジスタＱ１もオフとなる。そしてＩＧＢＴ２のゲートへの駆動用電圧の供給が停止される。
【００２７】
また、同時に、コンデンサＣ１は充電を開始し、その間トランジスタＱ２がオンとなる。すると抵抗Ｒ９を介してＩＧＢＴ２のゲートがグランドに接地されることになりＩＧＢＴ２はオフとなる。ＩＧＢＴ２がオフとなると閃光放電管１は発光を停止する。
【００２８】
しかる後、コンデンサＣ１の充電が完了すると、抵抗Ｒ７を通過する電流の流れは遮断され、Ｑ２はオフになる。
【００２９】
以上のように本実施形態のストロボ回路によれば、トランジスタＱ３がオフの場合に充電を行い、オンになると蓄積した電荷を放電するコンデンサＣ１を備えることで、不必要な電流の流れを遮断し、電力消費量を低くすることができる。
【００３０】
例えば、銀塩カメラと比較すると消費電力の大きいデジタルカメラに適用すると電池寿命を延ばせるという効果が期待できる。
【００３１】
また、トランジスタＱ３のスイッチング動作に従いコンデンサＣ１の充電、放電が行われるため、トランジスタＱ２のスイッチング制御が的確に行われ、それによりＩＧＢＴ２のスイッチング制御の精度が向上し、ゲートへの電圧供給／非供給動作がバランス良く、安定して行われる。
【００３２】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係るストロボ回路によれば、ＩＧＢＴの制御を安定させ、チャタリングによるＩＧＢＴの破壊を防止するとともに消費電力を低くできるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るストロボ回路の構成を示す図
【図２】従来例のストロボ回路の構成を示す図
【符号の説明】
１  閃光放電管
２  ＩＧＢＴ
３、４  電圧入力端子
５  信号入力端子
Ｑ１  第１のトランジスタ
Ｑ２  第２のトランジスタ
Ｑ３  第３のトランジスタ
Ｃ１  コンデンサ
Ｄ１  ダイオード
Ｒ１〜Ｒ１０  抵抗
【図１】
2004288383.tif 000003
【図２】
2004288383.tif 000004