(57)【要約】【課題】基板の溶融物からなる突起や飛散が発生しない、マーキング方法を提供する。【解決手段】ウェットエッチング可能な液滴を基板１表面に載せることにより、液滴を塗布した場所に対してウェットエッチングによりドット穴４が形成され、マーキングが行われる。その結果、ウェットエッチングにより基板１が溶解してドット穴４が形成出来るので、レーザー照射マーキングのように、レーザー照射２１によって基板１にドット穴４を形成する際に、基板１上に基板の溶融物からなる突起２２や飛散物２３が形成されない。よって、半導体装置の製造歩留りの低下を引き起こす、欠陥若しくはスクラッチが発生しない。【選択図】　図１
2004095814.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェットエッチング可能な液滴を基板表面に載せることにより、ドット穴からなるマークを形成することを特徴とする、基板のマーキング方法。
【請求項２】
基板に液滴を載せる工程と、
前記液滴と前記基板とを反応させる工程と、
前記基板を洗浄する工程と、
前記基板を乾燥させる工程と、を備えることを特徴とする基板のマーキング方法。
【請求項３】
前記液滴は、モル量を前記薬液が前記基板との反応に必要な量に設定することを特徴とする、請求項１又は２記載の基板のマーキング方法。
【請求項４】
前記液滴は、フッ化水素酸と酸化性酸との混合溶液を使用することを特徴とする、請求項１又は２記載の基板のマーキング方法。
【請求項５】
前記液滴は、アルカリ系の溶液を使用することを特徴とする、請求項１又は２記載の基板のマーキング方法。
【請求項６】
前記液滴は、体積が１００μＬ以下であることを特徴とする、請求項２記載の基板のマーキング方法。
【請求項７】
前記液滴と前記基板が反応するための所定の時間は、１秒以下であることを特徴とする、請求項２記載の基板のマーキング方法。
【請求項８】
液滴を載せる前に、前記基板の表面を撥水化する工程を有することを特徴とする、請求項２記載の基板のマーキング方法。
【請求項９】
前記基板の表面を撥水化する工程は、基板をフッ化水素酸で洗浄することにより行うことを特徴とする、請求項８記載の基板のマーキング方法。
【請求項１０】
前記基板に前記液滴を載せる工程において、液滴ノズルを前記基板に接触させて行うことを特徴とする、請求項２記載の基板のマーキング方法。
【請求項１１】
前記液滴ノズルは、針状、若しくは複数個の先端部を有するノズルにより、あらかじめ所望の文字に形成された先端部であることを特徴とする、請求項２記載のマーキング方法。
【請求項１２】
前記基板に前記液滴を載せる工程において、前記液滴を前記基板上に噴射して載せることを特徴とする、請求項２記載の基板のマーキング方法。
【請求項１３】
前記液滴を前記基板上に噴射して載せる工程において、ノズル若しくは圧電振動子を用いることを特徴とする、請求項１２記載の基板のマーキング方法。
【請求項１４】
基板に対してウェットエッチングする薬液を貯蔵するタンクと、
前記薬液を液滴にして噴射するためのノズル及び印字ヘッドと、
前記印字ヘッドを動かすための印字ヘッド駆動部と、
前記基板を載せるためのステージと、
前記基板上から前記薬液を除去するための除去ノズルと、を有することを特徴とする基板のマーキング装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に係わるもので、特に半導体基板に識別番号を形成するためのマーキング形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
高品質な半導体装置を安定して製造するためには、各製造工程においてその製造特性のバラツキ低減は重要な課題であり、高精度な品質管理が要求されている。各製造工程の品質管理を行うためには半導体基板の識別が必須であり、半導体装置の製造方法においては、はじめに半導体基板にマーキングを行うことにより半導体基板に数字やアルファベット等の識別番号を形成し、その識別番号によって半導体基板を管理している。
【０００３】
従来の半導体基板のマーキング形成方法は、例えば、特開２０００−２８６１７３号公報などに開示されているように、レーザーを用いて行う。以下図面を使って従来の半導体基板のマーキング形成方法の一例について説明する。
【０００４】
まず、図９（ａ）に示すように、半導体基板１に対してＹＡＧレーザー等のレーザービーム２１を照射する。
【０００５】
その後、図９（ｂ）に示すように、半導体基板１上にドット穴４が形成される。
【０００６】
以後、場所を変えながらレーザー照射を繰り返し行うことにより、ドット穴４を複数個形成し、その複数のドット穴４の並びが数字などの文字として認識できるように形成する。
【０００７】
ここで、図９（ｂ）に示すように、レーザー照射によりドット穴４を形成すると、レーザー照射の反動として半導体基板の溶融物が跳ね返り、ドット穴４形成と同時に、その周辺に突起２２や飛散２３が発生する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
最近の半導体装置は、より高性能化、高速化を目的とするために半導体装置の構造は複雑化し、この複雑な構造を達成するために、半導体装置は一層微細化し、配線の多層化が著しい。
【０００９】
ここで、図９（ｂ）に示すような、マーキング形成時に発生する突起２２や飛散２３の存在が問題となる。突起２２や飛散２３は、その後洗浄することによりある程度は除去されるが、そのほとんどは除去されずに残ったままとなる。突起２２や飛散２３を残したまま半導体装置の製造を行うと、例えば図９（ｃ）に示すように、ＣＭＰ工程時に基板に付着していた突起２２や飛散物２３が取れて転がり、これが半導体基板１のあらゆる場所にスクラッチを生じさせ、基板表面や配線層上に傷を付ける原因となる。その結果、配線間ショートやリーク電流を誘発し、半導体装置製造の歩留りを低下させる。
【００１０】
そこで本発明は、欠陥やスクラッチの原因となる突起や飛散がほとんど発生しないドット穴を形成し、半導体装置の歩留りの低下を防ぐマーキング形成方法とその装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、基板に液滴を載せる工程と、液滴と基板とを反応させる工程と、基板を洗浄する工程と、基板を乾燥させる工程と、を備えることを特徴とする基板のマーキング方法を提供する。
【００１２】
その結果、基板をウェットエッチングする液滴を基板上に載せ、液滴を載せた場所がウェットエッチングされることにより、レーザー照射により発生する突起や飛散物をほとんど発生させることなくドット穴を形成することが出来る。よって、ＣＭＰ工程時のスクラッチ等の欠陥が発生しにくく、歩留り低下を防止することが出来る。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明は、基板に対してウェットエッチングによりマーキングを形成する点に特徴がある。以下、本発明に係る基板のマーキング方法について、図面を参照しながら説明する。
【００１４】
（実施形態１）
本発明の第１の実施形態における基板のマーキング方法について説明する。
【００１５】
まず、図１（ａ）に示すように、表面を洗浄したシリコン基板１があり、図１（ｂ）に示すように、ウェットエッチングする薬液を液滴状にし、液滴２を形成する。
【００１６】
次に、図１（ｃ）に示すように、液滴２を基板１上に載せる。ここで液滴２は、基板１に接触した際に自身の自重により液滴形状がつぶれてしまうのを防ぐために、その液滴の体積が１００μＬ以下にしたものを使用するのが望ましい。液滴形状が潰れると、マーキングが所望の広さ以上に広がると共に、単位面積辺りの液適量が減ってしまい、マーキングは、狙ったマーキングサイズより大きくなると共に、マーキングの深さが浅くなり、視認性が低下する場合があるためである。
【００１７】
その後、図１（ｄ）に示すように、基板１と液滴２がエッチング反応するために必要な所定時間を経過させる。ここで所定の時間は、１秒以下であることが望ましい。少しでも短い時間で反応が終了する方が、各マーキングドット間におけるドット穴のサイズや深さのバラツキが小さくなるからである。
【００１８】
続いて、図１（ｅ）に示すように、所定時間経過後基板１表面を水３で洗浄することにより、未反応の薬液成分や、ウェットエッチングにより溶解した基板部分などを、基板１上から洗い流し、除去することが出来る。
【００１９】
最後に、図１（ｆ）に示すように、水洗後基板１を乾燥させ、基板１上に液滴２を載せた場所にドット穴４が形成される。
【００２０】
本実施形態では、基板１をウェットエッチングする薬液の種類や、薬液の濃度、液滴の量、液滴の温度、またエッチング反応するために必要な時間（反応時間）の５つのパラメータをコントロールすることにより、最終的に形成されるドット穴４の大きさや深さを制御することができる。
【００２１】
まず、薬液の種類としては、フッ化水素酸と酸化性酸の混合溶液や、アルカリ性の溶液を使用することができる。フッ化水素酸と酸化性酸の混合溶液等を使用すればシリコン基板に対して等方性のエッチングが出来、アルカリ性の溶液を使用すれば、異方性のエッチングによりマークを形成することが出来る。ここで、フッ化水素酸と酸化性酸の混合溶液としては、例えばフッ化水素酸と硝酸の混合溶液を用いればよい。酸性溶液による等方性のエッチングを行うと、大きく深いドット穴を形成することができる。一方、アルカリ性溶液による異方性のエッチングを行うと、散乱性の高いドット穴を形成し、視認性の向上に対して効果的なマークを形成することが出来る。よって、溶液の種類を使い分けることによって、其々目的に応じて形成するドット穴の形状を変更することができる。
【００２２】
また、液滴の量としては、およそ１００μＬ以下であることが望ましい。それは、理想的にはドット穴４の視認性を維持するために、ドット穴４の大きさ及び深さが１μｍ以上あることが必要なためである。
【００２３】
更に、ドット穴４間でサイズや深さにバラツキが生じないように、一連のマーキング形成にかかる時間を短くし、エッチング反応時間（反応時間）として、１秒以下に設定できるように液滴２の薬液濃度を設定するのが望ましい。例えば、薬液としてフッ化水素酸と硝酸の混合溶液を用いた場合では、具体的に市販のフッ化水素酸水溶液（５０ｗｔ．％）を１の比率に対して市販の硝酸水溶液（７０ｗｔ．％）を１以下の比率で混合した溶液を使用すると、１秒以下で所望のマークを形成することが出来る。
【００２４】
なお、シリコン基板１はあらかじめ基板１の表面を洗浄し、その表面状態を清浄化しておくことが望ましい。これを行うことにより、基板１に液滴２を載せた際に、基板１表面の汚れによって液滴２の濡れ具合が変化し、最終的に形成されるドット穴４の形状がいびつになることを防止することが出来、均一な大きさの液滴２を基板１表面上に載せることが出来るためである。基板１をあらかじめ洗浄する方法として、例えばフッ化水素酸により基板１表面を洗浄し、基板１表面の自然酸化膜を除去し撥水化させておく方法等が挙げられる。
【００２５】
以上、本実施形態では、基板をウェットエッチングする薬液を液滴状にして基板に載せ、その後基板と液滴がエッチング反応するために所定時間を経過させ、基板を水洗し乾燥させることにより、レーザー照射により発生する突起や飛散を発生させることなく、ドット穴を形成することが出来る。その結果、マーキングによるパーティクルやＣＭＰ工程時のスクラッチ等の欠陥を防ぐことにより、歩留り低下を防止することが出来る。
【００２６】
また、ドット穴の大きさや深さを、薬液の濃度や液滴の量、経過させる時間等のパラメータにより容易に制御出来る。
【００２７】
更に、未反応の薬液成分やウェットエッチングにより生じた反応生成物、マーキングの一連の工程において発生したパーティクル等を水洗により基板上から除去することにより、マーキング後の基板をパーティクル等のほとんどないきれいな状態に維持することが出来る。
【００２８】
（実施形態２）
本実施形態は、ノズルを基板に接触させてマーキングを行う点に、特徴がある。以下、図面を参照しながら説明する。
【００２９】
まず、図２（ｂ）に示すように、基板１（図２（ａ））上に、基板１をウェットエッチングする薬液５をノズル６内部に通すことにより、ノズル６の直径の大きさ、若しくはノズル６内部を流れる液滴の流量等を調整してノズル先端部に液滴２を形成し、液滴２を直接基板１上に接触させて載せる。
【００３０】
次に、図２（ｃ）に示すように、基板１と液滴２がウェットエッチング反応するために必要な所定時間を経過させる。ここで、一連のマーキング形成にかかる時間を短くするために、エッチング反応時間（反応時間）として、１秒以下に設定できるように液滴２の薬液濃度を設定するのが望ましい。
【００３１】
その後、図２（ｄ）に示すように、所定時間経過後、基板１を水洗することにより未反応の薬液成分やウェットエッチングにより溶解した基板部分などを基板１上から洗い流し、続けて基板１を乾燥させる。これにより、基板１上に液滴２を載せた場所にドット穴４が形成される。
【００３２】
本実施形態では、液滴２を基板１に載せる際に、ノズルの先端を直接基板１に接触させることによって行う。よって、液滴２を所望の位置に確実に載せることが出来、また液滴を塗布する際に基板１と液滴２の間の距離が近いため、液滴２が基板１上の意図せぬ部分に飛散する可能性が低く、より正確に狙った位置にマークを形成することが出来る。
【００３３】
なお、図３に示すように、図２に示す本実施形態の方法を繰り返し行うことにより、複数のドット穴４を形成し、その集合によりある記号等を認識させるマークを形成することが出来る。
【００３４】
具体的には、図３（ｂ）に示すように、基板１（図３（ａ））上に液滴２を載せた後、図３（ｃ）に示すように、ノズル６を所望位置に動かし再度液滴２を載せる。
【００３５】
続いて、図３（ｄ）に示すように、これを所望の回数繰り返すことにより、基板１上に複数個の液滴２を載せる。
【００３６】
次に、図３（ｅ）に示すように、液滴２と基板１がエッチング反応するために必要な所定時間を経過させた後、図３（ｆ）に示すように、基板１を水等の溶液で洗浄し、その後乾燥させる。これにより、基板１上に複数個のドット穴４が形成され、その集合によりある記号等を認識させるマークを得ることが出来る。
【００３７】
ここで、本方法では、ノズルを基板に接触させる、若しくは近い位置で液滴を載せているので、液滴を離れた位置から滴下する場合と比較して、ドット間の距離が狭い複数のドット穴をより正確に、形成することが出来る。
【００３８】
以上本実施形態では、基板１をウェットエッチングする液滴を、ノズル内部を通すことによりノズル先端部に液滴２を形成し、ノズルを基板１に近づけて載せる一連の工程を有しているため、より確実に所望の位置にマークを形成することが出来る。
【００３９】
また、この液滴２を形成し基板１上へ載せるという工程を繰り返し行うことにより、短時間に複数個のドット穴４を形成するマーキングを行うことが出来る。
【００４０】
更に実施形態１と同様に、基板に液滴を載せるウェットエッチングによりマークを形成するため、レーザー照射により発生する突起や飛散を発生させることなく、ドット穴を形成することが出来る。
【００４１】
その結果、マーキングによるパーティクルやＣＭＰ工程時のスクラッチ等の欠陥を防ぐことにより、歩留り低下を防止することが出来る。
【００４２】
（実施形態３）
本実施形態は、液滴転写針を用いて液滴を形成し、マーキングを行う点に特徴がある。以下、図面を参照しながら説明する。
【００４３】
まず、図４（ａ）に示すように、基板１をウェットエッチングする薬液５の入った薬液タンク７に液滴転写針８を浸漬し、その後引き上げることにより液滴転写針８の先端部に液滴２を形成する。
【００４４】
次に、図４（ｂ）に示すように、先端部に液滴２を形成している液滴転写針８を基板１上へ移動させ、液滴２を基板１上へ接触して載せる。
【００４５】
その後、図４（ｃ）に示すように、基板１と液滴２がウェットエッチング反応するために必要な所定時間を経過させる。ここで、一連のマーキング形成にかかる時間を短くするために、エッチング反応時間（反応時間）として、１秒以下に設定できるように液滴２の薬液濃度を設定するのが望ましい。
【００４６】
最後に、図４（ｄ）に示すように、水等の溶液で洗浄した後基板１を乾燥させ、基板１上に液滴２を塗布した場所にドット穴４が形成される。
【００４７】
なお、図４（ｂ）により液滴２を基板１上に載せた後、図４（ａ）に戻り再度別の所望位置に液滴２を載せることを繰り返し、複数個の液滴２を基板１表面上に載せ、複数個のドット穴を形成することも出来る。
【００４８】
更に、あらかじめ所望の文字に形成された複数個の先端部を有する液滴転写用印字ヘッド９を用いて、一度に複数のドット穴を形成してマーキングを行うことが出来る。以下、図面を参照しながら説明する。
【００４９】
まず、図５（ａ）に示すように、基板１をウェットエッチングする薬液５の入った薬液タンク７に、あらかじめ所望の文字に形成された複数個の先端部を有する液滴転写用印字ヘッド９、例えば「Ａ」の文字になっているような複数個の液滴転写針からなる印字ヘッドを浸漬する。その後、液滴転写用印字ヘッド９を引き上げると、先端部に複数個の液滴２を同時に形成することが出来る。
【００５０】
次に、図５（ｂ）に示すように、先端部に複数個の液滴２を有する液滴転写用印字ヘッド９を基板１上へ移動させ、液滴２を基板１上へ接触させて載せる。
【００５１】
その後、図５（ｃ）に示すように、液滴２と基板１がエッチング反応するために必要な所定時間を経過させる。
【００５２】
続いて、図５（ｄ）に示すように、基板１を水等の溶液で洗浄した後乾燥させ、基板１上に液滴２を載せた場所にドット穴４が形成される。
【００５３】
なお、所望の文字に形成された複数個の先端部を有する液滴転写用印字ヘッド９を必要な文字数分あらかじめ用意しておき、これらを組み合わせて使用することにより、各種の単語を同時に形成してもよい。
【００５４】
以上、本実施形態によると、基板１をウェットエッチングする薬液の液滴を、薬液タンクに液滴転写用針を浸すことによって、薬液転写針の先端部に形成することにより液滴を形成することが出来る。
【００５５】
また、あらかじめ所望の文字に形成された複数個の先端部を有する液滴転写用印字ヘッドを用いて、印字ヘッドにある複数の先端部に液滴を同時に複数個形成することにより、同時に複数個のドット穴を同時に形成することが出来る。
【００５６】
よって、液滴を形成するための複雑な機構を必要とせず、簡便な方法で液滴を形成出来ると共に、複数個の先端部を有する印字ヘッドを用いることにより、より短時間で多くのマーキングを行うことが出来る。
【００５７】
更に実施形態１と同様に、基板に薬液を載せるウェットエッチングによりマークを形成するため、レーザー照射により発生する突起や飛散を発生させることなく、ドット穴を形成することが出来る。
【００５８】
その結果、マーキングによるパーティクルやＣＭＰ工程時のスクラッチ等の欠陥を防ぐことにより、歩留り低下を防止することが出来る。
【００５９】
（実施形態４）
本実施形態は、ウェットエッチングの薬液の液滴を、噴射することにより基板上に載せる点に特徴がある。以下、図面を参照しながら説明する。
【００６０】
まず、図６（ｂ）に示すように、基板１（図６（ａ））上に、基板１をウェットエッチングする薬液５をノズル６内部を通すことによって液滴状にし、ノズル先端部に液滴２を形成する。
【００６１】
次に、図６（ｃ）に示すように、ノズル先端部に形成した液滴２を噴射して、基板１上に載せる。ここで、液滴２の噴射の方法としては、ノズルの先端から窒素等の気体を同時に流すことによって、気体の気流に乗せて液滴を飛ばす方法、若しくは液滴２の自重落下により飛ばす方法等があるが、液滴２の自重落下による方法が簡易である。
【００６２】
その後、図６（ｄ）に示すように、液滴２と基板１がエッチング反応するために必要な所定時間を経過させる。ここで、一連のマーキング形成にかかる時間を短くするために、エッチング反応時間（反応時間）として、１秒以下に設定できるように液滴２の薬液濃度を設定するのが望ましい。
【００６３】
最後に、図６（ｅ）に示すように、基板１を水等の溶液で洗浄した後乾燥させ、基板１上に液滴２を載せた場所にドット穴４が形成される。
【００６４】
なお、図７に示すように、図６に示す本実施形態の方法を繰り返し行うことにより、複数のドット穴４を形成し、その集合によりある記号等を認識させるマークを形成することが出来る。
【００６５】
具体的には、図７（ｂ）に示すように、基板１（図７（ａ））上に液滴２を噴射後、ノズル６を所望位置に動かし再度液滴２を噴射する。
【００６６】
これを所望回数繰り返すことにより、図７（ｃ）に示すように、基板１上に液滴２を複数個塗布し、図７（ｄ）に示すように、液滴２と基板１がエッチング反応するために必要な所定時間を経過させる。
【００６７】
その後、図７（ｅ）に示すように、基板１を水等の溶液により洗浄した後乾燥させ、基板１上に液滴２を載せた場所にドット穴４が形成される。
【００６８】
以上、本実施形態によると、基板をウェットエッチングする液滴をノズル先端部から基板に噴射して塗布するため、ノズル先端部を基板に近づけるというＺ軸方向のノズル動作が不要になり、３次元の調整ではなく、ＸＹ軸方向２次元の平面的な調整で位置を合わせられるので、ノズル動作が簡便になる。その結果、ノズルを動作させるための機構も簡易にできる上、ノズル動作時間、つまりはマーキング形成時間をも短時間化したマーキングを行うことが出来る。ただし、噴射して載せた液滴が基板にぶつかった際に、液滴が潰れて飛び散る可能性があるため、液滴の噴射スピードを調整する、または基板と液滴ノズル間のＺ軸距離を短くしておく必要がある。
【００６９】
また実施形態１と同様に、基板に薬液を塗布するウェットエッチングによりマークを形成するため、レーザー照射により発生する突起や飛散を発生させることなく、ドット穴を形成することが出来る。
【００７０】
その結果、マーキングによるパーティクルやＣＭＰ工程時のスクラッチ等の欠陥を防ぐことにより、歩留り低下を防止することが出来る。
【００７１】
（実施形態５）
本実施形態は、圧電素子を用いて液滴を基板上に載せる点に特徴がある。以下、図面を参照しながら説明する。
【００７２】
まず、図８（ａ）に示した処理チャンバー１７内のステージ１３上に基板１を載せる。
【００７３】
次に、ステージ駆動部１４を動作させて、基板１上にマーキングを形成するための所望位置にステージ１３を移動させる。
【００７４】
その後、さらに印字ヘッド駆動部１２を動作させて、基板１上にドット穴を形成する所望位置に印字ヘッド１１を移動させる。
【００７５】
続いて、図８（ｂ）▲１▼に示すように、薬液タンク７から印字ヘッド１１に接続されるノズル６の回りに設置されたピエゾ素子等の圧電振動子１０に、電圧を印加する。
【００７６】
その結果、図８（ｂ）▲２▼に示すように、圧電振動子１０が変形し、それによってノズル６が圧縮変形され、図８（ｂ）▲３▼に示すように、圧縮変形されたノズル６先端部より液滴２を噴射し、液滴２を基板１上に載せる。
【００７７】
次に、図８（ａ）に示すように、印字ヘッド駆動部１２を動作させ基板１上にドット穴４を形成する別の所望位置に印字ヘッド１１を移動させる。その後、再度圧電振動子１０に電圧を印加し、ノズル６の先端部より液滴２を噴射する。この液滴２を基板上に載せる一連の動作を所望回数繰り返し行い、基板１上に液滴２を複数個載せる。
【００７８】
続いて、基板１と液滴２がエッチング反応するために必要な所定時間を経過させる。ここで、一連のマーキング形成にかかる時間を短くするために、エッチング反応時間（反応時間）として、１秒以下に設定できるように液滴２の薬液濃度を設定するのが望ましい。
【００７９】
その後、洗浄ノズル駆動部バルブ１６を動作し、洗浄ノズル１５から水を吐出して基板１を洗浄する。その結果、未反応の薬液成分や反応により生じる反応生成物などを基板１上から洗い流して除去でき、その際の廃液は排液口１８を通じて処理チャンバー１７外へ排出される。ここで、洗浄する際に、ステージ駆動部１４を動作しステージ１３を回転させて基板１をスピンリンスすると、基板１の回転による遠心力により廃液が除去されやすいため、効果的に洗浄することができる。
【００８０】
次に、所定時間洗浄した後、洗浄ノズル駆動部バルブ１６を再度動作し洗浄ノズル１５からの吐出を止めて、ステージ駆動部１４を動作しステージ１３を回転させて半導体基板１をスピン乾燥する。
【００８１】
最後に、ステージ１３上から基板１を取り除く。その結果、基板１上に液滴２を載せた場所に複数個のドット穴４が形成され、基板１上にマーキングが形成される。
【００８２】
なお、本実施形態では基板上に液滴を噴射して載せる工程と、洗浄工程及び乾燥工程とを同一ステージ、同一処理チャンバー内で実施する形態について説明したが、基板上に液滴を噴射して載せる工程と、洗浄工程及び乾燥工程とは別ステージや別処理チャンバーで実施してもよい。
【００８３】
以上、本実施形態によると、基板をウェットエッチングする液滴の形成と基板へ液滴を噴射して載せるための方法として圧電素子を使うことにより、液滴形成と液滴を基板に載せる工程とを同時に行うことができるため、マーキング形成時間を短縮することが出来る。また、圧電素子は電気信号によりコントロールできるため、形成される液滴や液滴の噴射強度を容易に制御することが出来る。
【００８４】
更に実施形態１と同様に、基板に液滴を載せるウェットエッチングによりマークを形成するため、レーザー照射により発生する突起や飛散を発生させることなく、ドット穴を形成することが出来る。
【００８５】
その結果、マーキングによるパーティクルやＣＭＰ工程時のスクラッチ等の欠陥を防ぐことにより、歩留り低下を防止することが出来る。
【００８６】
【発明の効果】
以上のように本発明によると、基板をウェットエッチングする液滴にして基板に液滴を載せ、液滴を載せた場所をウェットエッチングによりドット穴を形成し、マーキングを行う。
【００８７】
その結果、ウェットエッチングにより基板が溶解してドット穴が形成出来るので、レーザー照射マーキングのように、レーザー照射によって基板にドット穴を形成する際に、基板上に基板の溶融物からなる突起や飛散物が形成されず、欠陥やスクラッチが発生しない。
【００８８】
よって、半導体装置の歩留りの低下を防ぐことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１の工程断面図
【図２】実施形態２の工程断面図
【図３】実施形態２の工程断面図
【図４】実施形態３の工程断面図
【図５】実施形態４の工程断面図
【図６】実施形態５の工程断面図
【図７】実施形態５の工程断面図
【図８】本発明のマーキング装置及び実施形態６の工程断面図
【図９】従来技術の工程断面図
【符号の説明】
１　基板
２　液滴
３　水
４　ドット穴
５　薬液
６　ノズル
７　薬液タンク
８　液滴転写針
９　液滴転写用印字ヘッド
１０　圧電振動子
１１　印字ヘッド
１２　印字ヘッド駆動部
１３　ステージ
１４　ステージ駆動部
１５　洗浄ノズル
１６　洗浄ノズル駆動部バルブ
１７　処理チャンバー
１８　排液口（下）
１９　排気口（上）
２０　コントローラー
２１　レーザービーム
２２　突起
２３　飛散
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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