(57)【要約】【課題】被処理体の処理面温度を安定的に制御可能な静電吸着装置を提供すること。【解決手段】静電チャック４２は、誘電体４５とチャック電極４６とから構成される。チャック電極４６に直流電圧が印加されると、第１の吸着面５８及び第２の吸着面６０において、静電吸着力が発生され、第１の吸着面５８に被処理体Ｗが吸着保持され、第２の吸着面６０は載置台の本体部４１に吸着する。【選択図】　　　図２
2004095665.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の処理が施される被処理体を載置する載置台の載置台本体の載置面に設けられ、被処理体を静電気力により吸着保持する静電吸着装置であって、
前記被処理体を吸着する第１の吸着面を構成する第１の誘電体層と、
前記載置台本体の載置面に吸着する第２の吸着面を構成する第２の誘電体層と、
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層との間に設けられるチャック電極と、
を備えることを特徴とする静電吸着装置。
【請求項２】
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層とは、前記第１の誘電体層の体積固有抵抗値が、前記第２の誘電体層の体積固有抵抗値と等しいか、またはそれよりも大きく設定されていることを特徴とする請求項１に記載の静電吸着装置。
【請求項３】
所定の処理が施される被処理体を載置する載置台の載置台本体の載置面に設けられ、被処理体を静電気力により吸着保持する静電吸着装置であって、
前記被処理体を吸着する第１の吸着面を構成する第１の誘電体層と、
前記載置台本体の載置面に吸着する第２の吸着面を構成する第２の誘電体層と、
前記第１の吸着面に吸着力を発生させるための第１のチャック電極と、
前記第２の吸着面に吸着力を発生させるための第２のチャック電極と、
前記第１および前記第２のチャック電極に印加する電圧を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする静電吸着装置。
【請求項４】
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層とは、前記第１の誘電体層の体積固有抵抗値が、前記第２の誘電体層の体積固有抵抗値と等しいか、またはそれよりも大きく設定されていることを特徴とする請求項３に記載の静電吸着装置。
【請求項５】
前記第１のチャック電極と前記第２のチャック電極との間に、体積固有抵抗値が１０１４Ω・ｃｍ以上の第３の誘電体層を設けたことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の静電吸着装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の静電吸着装置を有し、被処理体を前記静電吸着装置に吸着した状態で前記被処理体に所定の処理を施すことを特徴とする処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、静電吸着装置および処理装置に関し、特にたとえば、プラズマ雰囲気の処理空間において、半導体処理基板を吸着保持し、その半導体処理基板にエッチング処理を施すプラズマ処理装置用の静電吸着装置およびプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
エッチング処理やＣＶＤ処理等を含む真空処理技術は、半導体装置の製造や液晶表示装置の製造等において広く使用されている。そして、これらの技術を含む典型的な処理装置は、処理容器内に対向配置された上部電極と下部電極とを備え、上部電極及び下部電極の少なくともいずれか一方に高周波電力を印加して処理容器内の処理ガスをプラズマ化することにより、下部電極上に載置された被処理体にプラズマ処理が施される。この下部電極は載置台として機能し、被処理体を載置固定する載置台の構成として、静電気力を用いた静電吸着装置（静電チャック）が知られている。静電チャックは、クーロン力またはジョンセン・ラーベック力を用いて被処理体を電気的に吸着保持することができるものであり、その力の作用は、誘電体の体積固有抵抗値に依存することが知られている。
【０００３】
図５に、従来の処理装置の下部電極の構成を概略的に示す。図５において、参照符号１は被処理体Ｗの載置台を示す。この載置台１は、載置台本体部１１の上面に静電チャック１２と、この静電チャック１２の側方を囲むように設けられるリング体１３と、を設けた構成とされている。この静電チャック１２は、導電性を有するシート状のチャック電極１４を誘電体１５にて挟持した構成とされ、たとえばエポキシ樹脂系またはシリコーン樹脂系の接着剤により、載置台本体部１１の上面（載置面）に強固に取り付けられる。
【０００４】
そして、直流電源１６からチャック電極１４に直流電圧（チャック電圧）を印加することで生じる静電気力により、被処理体Ｗを静電チャック１２のチャック面に吸着保持できるようになっている。そして、誘電体１５の体積固有抵抗値が約１０１４Ω・ｃｍ以上のとき、クーロン力による静電吸着力が生じ、体積固有抵抗値が約１０１２Ω・ｃｍ〜１０１４Ω・ｃｍになると、クーロン力とジョンセン・ラーベック力とが混在した状態となり、そして、体積固有抵抗値が約１０１２Ω・ｃｍ未満になると、ジョンセン・ラーベック力による静電吸着力が支配的となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このような静電チャック１２を、プラズマエッチング処理装置などの腐食性の高いプロセスガスを用いる環境下で使用した場合、静電チャック１２を固定している接着剤が、プロセスガス（プラズマ）に曝されることによって侵食される恐れがある。そして、静電チャック１２と被処理体Ｗとの間に供給されて、載置台１と被処理体Ｗとの間の熱交換を促進する熱伝達ガスが、接着剤が侵食した部分でリークして、被処理体Ｗの裏面に充分な熱伝達ガスが供給されない、あるいは、接着剤を介した熱伝達が充分に行われないなどして、被処理体Ｗの処理面を安定的に所望の温度に制御することができないといった問題がある。
【０００６】
本発明は、従来の技術が有する上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、被処理体の処理面温度を安定的に制御可能な、新規かつ改良された静電吸着装置および処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、所定の処理が施される被処理体を載置する載置台の載置台本体の載置面に設けられ、被処理体を静電気力により吸着保持する静電吸着装置であって、前記被処理体を吸着する第１の吸着面を構成する第１の誘電体層と、前記載置台本体の載置面に吸着する第２の吸着面を構成する第２の誘電体層と、前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層との間に設けられるチャック電極と、を備えることを特徴とする静電吸着装置を提供する。
【０００８】
この静電吸着装置において、第１の誘電体層と第２の誘電体層とは、第１の誘電体層の体積固有抵抗値が、第２の誘電体層の体積固有抵抗値と等しいかまたはそれよりも大きく設定されていることが好ましい。
【０００９】
また、本発明は、所定の処理が施される被処理体を載置する載置台の載置台本体の載置面に設けられ、被処理体を静電気力により吸着保持する静電吸着装置であって、前記被処理体を吸着する第１の吸着面を構成する第１の誘電体層と、前記載置台本体の載置面に吸着する第２の吸着面を構成する第２の誘電体層と、前記第１の吸着面に吸着力を発生させるための第１のチャック電極と、前記第２の吸着面に吸着力を発生させるための第２のチャック電極と、前記第１および前記第２のチャック電極に印加する電圧を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする静電吸着装置を提供する。
【００１０】
この静電吸着装置において、第１の誘電体層と第２の誘電体層とは、第１の誘電体層の体積固有抵抗値が、第２の誘電体層の体積固有抵抗値と等しいかまたはそれよりも大きく設定されていることが好ましい。さらに、第１のチャック電極と第２のチャック電極との間に、体積固有抵抗値が１０１４Ω・ｃｍ以上の第３の誘電体層が設けられていることが好ましい。
【００１１】
さらに、本発明は、以上のような静電吸着装置を有し、被処理体をその静電吸着装置に吸着した状態で前記被処理体に所定の処理を施すことを特徴とする処理装置を提供する。
【００１２】
このように、静電チャックの裏面側に静電吸着力を発生させ、静電チャックを載置台本体（載置面）に吸着保持させるようにしたので、従来のように、静電チャックを固定している接着剤が劣化して、載置台と被処理体との間で期待する熱伝達が得られず、被処理体の処理面を安定的に所望の温度に制御することができないといった問題が生じない。また、接着による接合部がないので、熱容量や線膨張の差による影響を受けることなく、載置台の高温化や被処理体の大径化を図ることが可能となる。この場合に、吸着面を構成する誘電体層の体積固有抵抗値をそれぞれ制御することにより、所望の吸着力を得ることができる。
【００１３】
また、第１の吸着面に吸着力を発生させるための第１のチャック電極と、前記第２の吸着面に吸着力を発生させるための第２のチャック電極とを設け、各々のチャック電極に印加する電圧を独立して制御することによって、被処理体側と載置台側の吸着力を個別制御して、吸着面のそれぞれに目的に応じた吸着力を作用させることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に係る処理装置を、図面を参照しつつ詳細に説明する。図１は本発明の実施の形態に係る処理装置であるマグネトロン型のプラズマエッチング装置の全体構造を示す縦断面図である。
【００１５】
図１において、参照符号２は処理容器をなす真空チャンバを示す。この真空チャンバ２は、アルミニウムなどの導電性材料により気密構造をなすように形成されており、保安接地されている。真空チャンバ２内には、上部電極を兼用するガスシャワーヘッド３と、下部電極を兼用する載置台４と、が対向して設けられており、真空チャンバ２の底面には、たとえばターボ分子ポンプやドライポンプなどからなる真空排気手段２１と連通する真空排気路としての排気管２２が接続される。
【００１６】
また、真空チャンバ２の側壁部には、被処理体たとえばウエハＷを搬入出するための開口部２３が形成され、ゲートバルブＧにより開閉自在とされている。この側壁部の外方には、開口部２３を上下に挟む位置に、それぞれリング状をなす永久磁石２４，２５が設けられている。この永久磁石２４，２５は、例えばダイポールリング磁石として構成される。ガスシャワーヘッド３は、載置台４上の被処理体Ｗに対向する位置に多数の孔部３１が形成され、上部のガス供給管３２から送られる流量制御または圧力制御された処理ガスを、当該孔部３１を介して被処理体Ｗの表面へ均一に供給するように構成されている。
【００１７】
ガスシャワーヘッド３の下方に約５ｍｍ〜１５０ｍｍの間隔で離間して設けられる載置台４は、たとえば表面をアルマイト処理されたアルミニウムなどからなり、真空チャンバ２に対して絶縁部材４１ａにより絶縁された円柱状の本体部４１と、この本体部４１の上面、すなわち載置面に設けられた静電チャック（静電吸着装置）４２と、この静電チャック４２の周囲を囲む環状のフォーカスリング４３と、を備えた構成とされている。なお、フォーカスリング４３は、プロセスに応じて絶縁性または導電性の材料が選択され、反応性イオンを閉じ込めるまたは拡散させるように作用する。
【００１８】
静電チャック４２は、後述するように、第１および第２の吸着面を有し、第１の吸着面と被処理体Ｗとの間において静電吸着力を発生し、第２の吸着面と載置台４の本体部４１（載置面）との間においても静電吸着力を発生する。すなわち、この静電チャック４２は、その表裏で吸着力の異なる静電吸着力をそれぞれ発生し、一方の面で被処理体Ｗを吸着保持し、他方の面が載置台４の本体部４１（載置面）に吸着する。つまり、静電チャック４２は、接着剤を用いることなく、載置台４の本体部４１に取り付けられる。
【００１９】
載置台４のたとえば本体部４１には、コンデンサＣ１及びコイルＬ１を介して高周波電源４０が接続され、たとえば１３．５６ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの高周波電力が印加される。これにより、上部電極として機能するガスシャワーヘッド３と下部電極として機能する載置台４との間の空間に高周波電界が形成される。また、上記永久磁石２４および２５により上記空間に水平方向の磁界が形成されるから、電子のドリフトによりマグネトロン放電が生じ、それによって処理ガスのプラズマが生じる。さらに、載置台４の内部には、冷却ジャケット等の温度調整手段５５ａと、たとえばＨｅガスを被処理体Ｗの裏面に供給する熱伝達ガス供給手段５５ｂと、がそれぞれ設けられ、これら温度調整手段５５ａと熱伝達ガス供給手段５５ｂとを能動化することによって、載置台４上に保持された被処理体Ｗの処理面温度を所望の値に設定することができる。温度調整手段５５ａは、冷媒を冷却ジャケットを介して循環させるための導入管５６および排出管５７を有し、適当な温度に調整された冷媒が、導入管５６によって冷却ジャケット内に供給され、熱交換後の冷媒が、排出管５７によって外部に排出される。なお、図示の冷却ジャケットの代わりに、加熱ヒータやペルチェ素子などを載置台４中に設けるよう構成してもよい。
【００２０】
載置台４と真空チャンバ２との間であって、載置台４表面（載置面）よりも下側には、複数の排気孔が穿設された排気リング４４が、載置台４を囲むように配置される。この排気リング４４により、排気流の流れが整えられるとともに、載置台４とガスシャワーヘッド３との間にプラズマが最適に閉じ込められる。さらに、載置台４の内部には、外部の図示しない搬送アームとの間で被処理体Ｗの受け渡しを行うための昇降部材である昇降ピン５１が複数たとえば３本（２本のみ図示）突没自在に設けられ、この昇降ピン５１は連結部材５２を介して駆動機構５３により昇降できるように構成されている。なお、参照符号５４は昇降ピン５１の貫通孔と大気側との間の気密を保持するベローズである。
【００２１】
次に、図２を参照して、本実施の形態の要部をなす静電チャック４２について詳述する。
【００２２】
静電チャック４２は、焼結または溶射成形したセラミックスからなる誘電体層４５の間に、たとえばタングステンなどからなる箔状のチャック電極４６を挟持させた構成とされ、チャック電極４６は、スイッチ部ＳＷを介して直流電源４７とアースとの間で切り替え接続できるように構成されている。このスイッチ部ＳＷの切り替えはスイッチ制御部８により制御される。そして、静電チャック４２は、上述したように、第１の吸着面５８および第２の吸着面６０を有し、第１の吸着面５８と被処理体Ｗとの間、および第２の吸着面６０と載置台４の本体部４１（載置面）との間のそれぞれにおいて静電吸着力を発生する。
【００２３】
そして、第１の吸着面５８の静電吸着力と、第２の吸着面６０の静電吸着力とは、個別に制御可能に構成し、好ましくは、第１の吸着面５８の静電吸着力が、第２の吸着面６０の静電吸着力と等しいかそれよりも弱くなるように構成される。
【００２４】
すなわち、図２に示すように、誘電体層４５は、チャック電極４６の上面側に配置される第１の誘電体層４５ａと、チャック電極４６の下面側に配置される第２の誘電体層４５ｂとを有し、第１の誘電体層４５ａは、たとえば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などから、体積固有抵抗値がたとえば１０１５Ω・ｃｍとされ、他方、第２の誘電体層４５ｂは、たとえば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）に、二酸化チタン（ＴｉＯ２），炭化珪素（ＳｉＣ）などの添加材を混合してなり、体積固有抵抗値がたとえば１０１１Ω・ｃｍとなるように構成されている。
【００２５】
つまり、被処理体Ｗ側の第１の誘電体層４５ａは、体積固有抵抗値が、１０８Ω・ｃｍ〜１０１５Ω・ｃｍの誘電体で構成し、第２の吸着面６０の静電吸着力と等しいかまたはそれよりも弱い吸着力を第１の吸着面５８に作用させて、被処理体Ｗを吸着保持する。第１の吸着面５８には、第２の吸着面６０に必要とされるほどの高い吸着力を期待する必要もなく、被処理体Ｗの種類に応じて吸着力を選択することが好ましい。
【００２６】
他方、本体部４１側の第２の誘電体層４５ｂは、体積固有抵抗値が、１０１２Ω・ｃｍ未満の低抵抗体で構成し、第２の吸着面６０に高い吸着力が得られるジョンセン・ラーベック力を作用させて、載置台４の本体部４１との密着性を強固なものとしている。したがって、被処理体Ｗの裏面に供給される熱伝達ガスを確実にその裏面側に封止でき、被処理体Ｗと載置台４との間の熱伝達を良好に維持して、被処理体Ｗを高精度に温度制御することが可能となる。なお、両吸着面５８および６０の少なくともいずれか一方の吸着力をモニタし、そのモニタ結果に基づいて、チャック電極４６に印加する電圧を可変するように構成すれば、期待する吸着力を安定的に得ることが可能である。
【００２７】
次に、このように構成されるプラズマエッチング装置における処理動作について説明する。
【００２８】
まず、ゲートバルブＧ及び開口部２３を介して被処理体Ｗを真空チャンバ２内に搬入し、静電チャック４２上に載置し、ゲートバルブＧを閉じた後、真空排気手段２１により排気管２２を介して真空チャンバ２内を所定の真空度に排気する。そして、真空チャンバ２内に処理ガスを供給するとともに、直流電源４７からチャック電極４６に直流電圧を印加して、被処理体Ｗを静電チャック４２によって静電吸着させる。
【００２９】
そして、この状態で高周波電源４０から載置台４の本体部４１に所定周波数の高周波電力を印加し、これにより、ガスシャワーヘッド３と載置台４との間の空間に高周波電界を発生させ、これと永久磁石２４，２５によりこの空間に形成されている水平磁界によって、電子のドリフトによるマグネトロン放電を生じさせ、それによって形成された処理ガスのプラズマにより静電チャック４２上の被処理体Ｗにエッチング処理が施される。このとき、温度調整手段５５ａおよび熱伝達ガス供給手段５５ｂをそれぞれ能動化して、載置台４内に冷媒を循環させるとともに、熱伝達ガスを被処理体Ｗの裏面に供給して、被処理体Ｗを所定温度に制御する。
【００３０】
このようなエッチング処理は、腐食性ガスのプラズマにより行われるため、従来では、静電チャック４２を載置台４の本体部４１に固定している接着剤（層）が侵食され、充分な熱伝達が行われず、被処理体Ｗの温度制御が困難となるといった問題があったが、図１に示す実施の形態によれば、静電チャック４２は、その表裏に静電吸着力をそれぞれ発生し、載置台４の本体部４１（載置面）に吸着保持されるので、プラズマにより侵食される恐れがなく、静電チャック４２上の被処理体Ｗを安定的に温度制御することが可能である。
【００３１】
次に、図３および図４を参照して、他の実施の形態の処理装置であるプラズマエッチング装置について詳述する。なお、上述の実施の形態と同一または類似する部分については、同一または類似の符号を付することにより、その詳細な説明は省略する。
【００３２】
被処理体Ｗを保持する載置台４は、真空チャンバ２に対して絶縁部材４１ａにより絶縁された円柱状の本体部４１と、本体部４１の上面に設けられた静電チャック６２と、静電チャック６２の周囲を囲む環状のフォーカスリング４３と、を備えた構成とされている。
【００３３】
静電チャック６２は、焼結または溶射成形したセラミックスからなる誘電体層６４の間に、たとえばタングステンなどからなる箔状のチャック電極６６を挟持させた構成とされている。そして、静電チャック６２は、図１に示す実施形態と同様、第１の吸着面５８と第２の吸着面６０とを有し、第１の吸着面５８と被処理体Ｗとの間、第２の吸着面６０と載置台４の本体部４１（載置面）との間、のそれぞれにおいて静電吸着力を発生する。そして、第１の吸着面５８の静電吸着力と、第２の吸着面６０の静電吸着力とは、独立して制御可能に構成し、好ましくは、第１の吸着面５８の静電吸着力が、第２の吸着面６０の静電吸着力と等しいかそれよりも弱くなるように構成されている。
【００３４】
図４を参照して詳述すると、静電チャック６２の誘電体層６４は、第１の誘電体層６４ａ、第３の誘電体層６４ｂ、第２の誘電体層６４ｃを有し、被処理体Ｗ側からこの順で配置される。そして、第１の誘電体層６４ａと第３の誘電体層６４ｂとの間に第１のチャック電極６６ａが、第３の誘電体層６４ｂと第２の誘電体層６４ｃとの間に第２のチャック電極６６ｂが、それぞれ設けられている。第１のチャック電極６６ａは、スイッチ部ＳＷ１を介して直流電源４７ａとアースとの間で切り替え接続できるように構成され、第２のチャック電極６６ｂは、スイッチ部ＳＷ２を介して直流電源４７ｂとアースとの間で切り替え接続できるように構成されている。これらスイッチ部ＳＷ１，ＳＷ２の切り替えは、スイッチ制御部８により行われる。
【００３５】
そして、第１の誘電体層６４ａは、たとえば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などからなり、体積固有抵抗値がたとえば１０１４Ω・ｃｍとされ、第３の誘電体層６４ｂは、たとえば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などからなり、体積固有抵抗値がたとえば１０１５Ω・ｃｍとされ、第２の誘電体層６４ｃは、たとえば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）に、二酸化チタン（ＴｉＯ２），炭化珪素（ＳｉＣ）などの添加材を混合してなり、体積固有抵抗値がたとえば１０１１Ω・ｃｍとなるように構成されている。
【００３６】
つまり、被処理体Ｗ側の第１の誘電体層６４ａは、体積固有抵抗値が１０８Ω・ｃｍ〜１０１５Ω・ｃｍの誘電体で構成し、第２の吸着面６０の静電吸着力と等しいかまたはそれよりも弱い吸着力を第１の吸着面５８に作用させて、被処理体Ｗを吸着保持する。第１の吸着面５８には、第２の吸着面６０に必要とされるほど高い吸着力を期待する必要もなく、被処理体Ｗの種類に応じて吸着力を選択することが好ましい。
【００３７】
他方、本体部４１側の第２の誘電体層６４ｃは、体積固有抵抗値が１０１２Ω・ｃｍ未満の低抵抗体で構成し、高い吸着力が得られるジョンセン・ラーベック力を第２の吸着面６０に作用させて、載置台４の本体部４１（載置面）との密着性を強固なものとしている。したがって、被処理体Ｗの裏面に供給される熱伝達ガスを確実にその裏面に封止でき、被処理体Ｗと載置台４との間の熱伝達を良好に維持して、被処理体Ｗを高精度に温度制御することが可能となる。
【００３８】
そして、第１のチャック電極６６ａと第２のチャック電極６６ｂとの間に配置されている第３の誘電体層６４ｂは、体積固有抵抗値が１０１４Ω・ｃｍ以上、好ましくは１０１５Ω・ｃｍ以上の誘電体で構成される。したがって、第１のチャック電極６６ａと第２のチャック電極６６ｂとは、電気的に隔絶されることになる。
【００３９】
一方、直流電源４７ａ，４７ｂは可変電源となっており、これらの電圧の値は電圧制御部６８により個別的に制御され、これにより第１の吸着面５８の静電吸着力と、第２の吸着面６０の静電吸着力とが独立して制御されるようになっている。すなわち、上述のように吸着面を構成する各誘電体層の体積固有抵抗値の調整によって吸着力を調整する他、直流電源４７ａ，４７ｂの電圧値を制御することにより、被処理体側と載置台側の吸着力を個別制御して、吸着面のそれぞれに目的に応じた吸着力を作用させることができる。
【００４０】
なお、第１の吸着面５８および第２の吸着面６０の少なくともいずれか一方の吸着力をモニタし、そのモニタ結果に基づいて、第１のチャック電極６６ａまたは第２のチャック電極６６ｂに印加する電圧を可変するように構成すれば、期待する吸着力を安定的に得ることが可能である。
【００４１】
また、本実施形態において、第１の吸着面５８と第１のチャック電極６６ａとの距離が２５０μｍ、第１のチャック電極６６ａと第２のチャック電極６６ｂとの距離が４５０μｍ、第２のチャック電極６６ｂと第２の吸着面６０との距離が２５０μｍにそれぞれ設定され、第１の誘電体層６４ａと第２の誘電体層６４ｃは、絶縁破壊が生じない程度に薄く設定されることが好ましい。
【００４２】
以上のように、本実施の形態によれば、静電チャックを接着剤を用いずに、静電吸着力により載置台の本体（載置面）に固定するように構成したので、プラズマにより接着剤が侵食されて期待する熱伝達が得られないなどの問題は解消することができる。また、接着による接合部が存在しないので、熱容量や線膨張の差による影響を受けることなく、載置台の高温化や被処理体の大径化を図ることが可能となる。
【００４３】
また、吸着面を構成する誘電体層の体積固有抵抗値をそれぞれ制御し、チャック電極の各々に印加する電圧を独立に制御するように構成し、被処理体側と載置台側の吸着力を個別に制御するようにしているので、それぞれの吸着面に目的に応じた吸着力を作用させることができる。さらに、静電チャックを着脱可能に構成したので、低コスト化及びメンテナンス性の向上を図ることができる。
【００４４】
なお、上記実施形態では、単極型の静電吸着装置について説明したが、チャック電極を略水平方向に複数配置し、それらの電極間に電圧を印加する双極型の静電吸着装置にも適用できることは言うまでもない。また、上記実施の形態において、チャック電極が箔状のものを例に挙げて説明したが、それに限定されるものでなく、たとえばリング状に形成して、熱伝達ガスの漏洩を積極的に防止するように構成されたチャック電極を用いてもよい。
【００４５】
さらに、上記実施の形態においては、永久磁石を用いたマグネトロン型のプラズマエッチング装置を例示したが、永久磁石を省略した平行平板型のプラズマ処理装置であってもよい。また、被処理体Ｗを保持する下部電極と、それに対向する上部電極とが、上下方向に平行に配置されている場合を例に挙げて説明したが、それに限定されず、本発明は、たとえば、２つの電極が水平方向に離間して配置される処理装置にも適用することができる。また、下部電極に高周波電力を印加する構成の処理装置を例に挙げて説明したが、上部電極のみに高周波電力を印加する処理装置や、上部電極と下部電極の両方の電極に高周波電力を印加する処理装置に適用することもできる。
【００４６】
さらにまた、上記実施の形態においては、平行平板型のプラズマエッチング装置を例に挙げて説明したが、本発明はかかる構成に限定されず、誘導結合型など他のプラズマ処理装置にも適用できる。また、本発明は、プラズマエッチング処理のみならず、アッシング処理や成膜処理などの各種処理装置にも適用できる。さらに、本発明は、被処理体として半導体基板やＬＣＤ用ガラス基板を用いる装置に対して好適であるが、本発明が適用可能な被処理体はこれらに限るものではない。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、静電チャックの裏面側に静電吸着力を発生させ、静電チャックを載置台本体（載置面）に吸着保持させるようにしたので、従来のように、静電チャックを固定している接着剤が劣化して、載置台と被処理体との間で期待する熱伝達が得られず、被処理体の処理面を安定的に所望の温度に制御することができないといった問題が生じない。また、接着による接合部がないので、熱容量や線膨張の差による影響を受けることなく、載置台の高温化や被処理体の大径化を図ることが可能となる。
【００４８】
また、第１の吸着面に吸着力を発生させるための第１のチャック電極と、前記第２の吸着面に吸着力を発生させるための第２のチャック電極とを設け、各々のチャック電極に印加する電圧を独立して制御することによって、被処理体側と載置台側の吸着力を個別制御して、吸着面のそれぞれに目的に応じた吸着力を作用させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るプラズマエッチング装置の実施の形態を示す縦断面図である。
【図２】図１に示すプラズマエッチング装置の静電チャックを示す概略的な拡大断面図である。
【図３】プラズマエッチング装置の他の実施の形態を示す縦断面図である。
【図４】図３に示すプラズマエッチング装置の静電チャックを示す概略的な拡大断面図である。
【図５】従来技術に係る処理装置の静電チャックを示す縦断面図である。
【符号の説明】
Ｗ　　　　　被処理体
２　　　　　真空チャンバ
３　　　　　ガスシャワーヘッド
４　　　　　載置台
４１　　　　本体部
４２　　　　静電チャック
４５　　　　誘電体
４５ａ　　　第１の誘電体層
４５ｂ　　　第２の誘電体層
４６　　　　チャック電極
４７、４７ａ、４７ｂ　　　　直流電源
５１　　　　昇降ピン
５８　　　　第１の吸着面
６０　　　　第２の吸着面
６２　　　　静電チャック
６４　　　　誘電体
６４ａ　　　第１の誘電体層
６４ｂ　　　第３の誘電体層
６４ｃ　　　第２の誘電体層
６６　　　　チャック電極
６６ａ　　　第１のチャック電極
６６ｂ　　　第２のチャック電極
６８　　　　電圧制御部
【図１】
2004095665.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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