(57)【要約】【課題】光学デバイスの製造コストの上昇や作業効率の低下を生じることなく、接着剤が接着すべき部分の周囲へ流れ出すことを防いで、所望の機能および性能を確保する。【解決手段】下部基板１１の第１のＶ溝１２内には、可動光ファイバ１７が部分的に固定されるとともに、それと先端同士が対向する第１の固定光ファイバ１６が固定されている。上部基板２１の第２のＶ溝２２には第２の固定光ファイバ２６が固定されている。可動光ファイバ１７は、板ばね１３および電磁石１８の作用により、先端が第１の固定光ファイバ１６と第２の固定光ファイバ２６のいずれか一方の先端と選択的に対向するように変位可能である。各Ｖ溝１２，２２内への各光ファイバ１６，１７，２６の接着部分１９と、両基板１１，２１の接着部分１９の周囲には、接着剤の余剰部分を収容する流れ防止溝２０が設けられている。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に保持溝が形成された基板と、
少なくとも一部が接着剤によって前記保持溝内に固定されている光ファイバと、
前記光ファイバの前記保持溝内への接着部分の近傍に設けられており、前記接着剤の余剰部分を収容可能な流れ防止溝とを有する光学デバイス。
【請求項２】
前記基板がシリコン基板であり、前記保持溝がエッチングによって形成されており、前記流れ防止溝がエッチング或いは少なくとも一部がダイシングによって形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項３】
前記シリコン基板が、接着剤によってもう１つのシリコン基板に接合されており、前記シリコン基板と前記もう１つのシリコン基板との接着部分の近傍に前記流れ防止溝が設けられている、請求項２に記載の光学デバイス。
【請求項４】
前記光ファイバは、前記保持溝内に固定されていない可動部分を有しており、前記流れ防止溝の少なくとも一部が、前記光ファイバの前記保持溝内への接着部分と前記可動部分との間に位置している、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光学デバイス。
【請求項５】
前記可動部分が移動して前記光ファイバの先端が変位することによってスイッチングが行われる光スイッチとして機能する、請求項４に記載の光学デバイス。
【請求項６】
前記可動部分を有する前記光ファイバの前記先端と対向可能な位置に先端を有する固定光ファイバを有し、前記固定光ファイバの少なくとも一部が前記保持溝内に接着剤によって固定されており、前記固定光ファイバの前記保持溝内への接着部分の近傍に前記流れ防止溝が設けられている、請求項５に記載の光学デバイス。
【請求項７】
前記固定光ファイバから前記可動部分の可動方向に沿って離れた位置に、前記可動部分を有する前記光ファイバの前記先端と対向可能な先端を有するもう１つの固定光ファイバが設けられており、
前記可動部分の移動に伴って、前記光ファイバの先端が、前記固定光ファイバの先端および前記もう１つの光ファイバの先端のいずれか一方と選択的に対向する、請求項６に記載の光学デバイス。
【請求項８】
シリコン基板の表面に、保持溝と、接着剤の余剰部分を収容可能な流れ防止溝とを、エッチングによって形成する工程と、
前記保持溝内に、光ファイバの少なくとも一部を接着剤によって固定する工程とを含む、光学デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記シリコン基板の前記保持溝の一部に、固定光ファイバを、接着剤によって、前記光ファイバの先端と対向可能な位置に先端が位置するように固定する工程をさらに含む、請求項８に記載の光学デバイスの製造方法。
【請求項１０】
もう１つのシリコン基板の表面に、もう１つの保持溝と、接着剤の余剰部分を収容可能な流れ防止溝とを、エッチングによって形成する工程と、
もう１つの固定光ファイバを、接着剤によって、前記もう１つの保持溝内に、前記光ファイバの前記先端と対向可能な位置に先端を有するように固定する工程と、
前記シリコン基板と前記もう１つのシリコン基板の、前記保持溝および前記流れ防止溝の形成面同士を、接着剤によって接合する工程とをさらに含む、請求項９に記載の光学デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ファイバ伝送路の光路の切り換えや遮断を行う光通信用の光スイッチなどの光学デバイスとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光通信分野などにおいて様々な光学デバイスが使用されており、例えば、光ファイバ伝送路の光路の切り換えや遮断を行う光スイッチとして、光ファイバを直接駆動して光路を切り替える構造のメカニカル光スイッチが多く用いられている。このメカニカル光スイッチは、構造が簡単であり、低挿入損失、小型化、低駆動電力が得られると言う特徴を有しているため、これまでに多くの構造が提案されている。図９にその一例を示す。
【０００３】
図９に示すメカニカル光スイッチは１×２型のスイッチであり、１本の可動光ファイバ１０９と、中空ソレノイドコイル１１０と、１対の永久磁石１１１ａ，１１１ｂと、２本の固定光ファイバ（半割円柱３内に隠れて見えない）と、円筒スリーブ１１２とを有している。円筒スリーブ１１２は、円筒管１０７および半割円柱１０３を整列保持し、かつ中空ソレノイドコイル１１０および永久磁石１１１ａ，１１１ｂが固定されている。可動光ファイバ１０９は、基部が円筒管１０７に片持ち梁状に固定されていて、その先端近傍表面に、所望の磁気特性を有するパイプ状の磁性体１０８が固着されている。中空ソレノイドコイル１１０は、流れる電流の向きを変えることにより、磁性体１０８両端の磁極を反転させるものである。１対の永久磁石１１１ａ，１１１ｂは、磁性体１０８に対して光軸と垂直方向に磁気吸引力を付与するものである。固定光ファイバは、半割円柱１０３の平坦部に形成されたＶ溝１０５内に固定されている。
【０００４】
このような構造のメカニカル光スイッチの動作は以下に示す通りである。可動光ファイバ１０９は、磁性体１０８の両端部の磁極に応じて、１対の永久磁石のいずれか一方（例えば１１１ａ）に磁気的に吸引され、その先端は、半割円柱１０３の平坦部に形成されたＶ溝１０５内において２本の固定光ファイバのいずれか一方と光結合する。そして、中空ソレノイドコイル１１０に通電して磁性体１０８に光軸に沿った磁界を印加することにより、磁性体１０８両端の磁極を反転させると、可動光ファイバ１０９は他方の永久磁石（例えば１１１ｂ）側に吸引されて他方の固定光ファイバに光結合する。電流を供給しない状態においても、磁性体１０８は永久磁石１１１ａまたは１１１ｂに磁気的に吸引されているため、一方の固定光ファイバとの結合状態を保つことができ、自己保持型のスイッチング動作を得ることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
図９に示す従来例では、半割円柱１０３や円筒スリーブ１１２などの主要な構成部品に、極めて高い加工精度および組立精度が要求される。そのため、部品費用が高く、組立には長い時間を要し、製造コストが高くなる。
【０００６】
図９に示す例に限らず、従来のメカニカル光スイッチは、構造が比較的簡単であるものの、高精度の構成部品を必要とする。また、構成部品が高精度であっても、加工公差や組立誤差があるため、高性能の光学特性を得るためには、組立時の調整に時間がかかるという問題がある。そのため、大量生産には適さず低コスト化は困難であるという問題がある。
【０００７】
また、近年の光ファイバを用いた光通信においては、時分割多重（ＴＤＭ：Ｔｉｍｅ　Ｄｉｖｉｓｉｏｎ　Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）伝送ばかりでなく、波長分割多重（ＷＤＭ：Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ　Ｄｉｖｉｓｉｏｎ　Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）伝送を用いて、より大量の情報を伝達することが可能になっている。それに伴って、光信号を解析し、伝達された大量の情報を処理するために、光スイッチや光源や波長可変減衰器などの多数の様々な光学デバイスが複合されて用いられる。したがって、光通信システム全体をあまり大型化させないためには、光スイッチ等の個々の光学デバイスをできる限り小型化することが必要であり、光通信の多チャンネル化が進めば進むほど、さらに一層の小型化が望まれる。
【０００８】
そこで、従来、半導体製造などで多用されている、いわゆるＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ　Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｓｙｓｔｅｍ）技術、すなわち、シリコン基板に対して露光およびエッチングなどを施すフォトリソグラフィ法で加工を行う技術を利用して、前記した従来例と同様な作動を行うメカニカル光スイッチを製造することが考えられる。図示しないが、この場合、シリコン基板を光スイッチの本体として、これにフォトリソグラフィ法により保持溝を形成し、この保持溝内に、可動光ファイバの少なくとも一部と固定光ファイバの少なくとも一部を、接着剤等により固定する構成である。ＭＥＭＳ技術は、高精度かつ微細な加工を行える技術として確立されており、小型の光学デバイスを低コストで大量生産することが可能になる。
【０００９】
しかしながら、ＭＥＭＳ技術を用いて微細な光学デバイスを製造する場合、光ファイバをシリコン基板に接着する際の接着剤の取り扱いが、新たな問題として浮上してくる。すなわち、光学デバイスの微細化に伴って接着部分も微小になり、必要とする接着剤量がごく微量になる。ところが、接着剤等の流体を塗布するための一般的なディスペンサでは、それほど微量の接着剤塗布は困難である。そして、接着部分が微小で他部材等との間隔が狭いため、保持溝をはみ出した接着剤の余剰部分が、狭い間隔で密集して設けられている他部材や、固定されるべきでない光ファイバの可動部分にまで流れ出してしまい、光学デバイスとして十分な機能を果たし得なくなったり、所望の性能が得られなくなるおそれがある。極めて微小な量の接着剤を塗布可能な非常に精密なディスペンサを用いたり、何らかの方法で接着剤塗布量を減らすことは不可能ではないが、それに伴う製造コストの上昇や作業効率の低下は避けられない。
【００１０】
そこで本発明の目的は、ＭＥＭＳ技術を用いて微細な光学デバイスを製造する上で、製造コストの上昇や作業効率の低下を生じることなく、光ファイバを接着するための接着剤が接着すべき部分の周囲へ流れ出すことを防ぎ、所望の機能および性能が得られる光学デバイスとその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の光学デバイスは、表面に保持溝が形成された基板と、少なくとも一部が接着剤によって保持溝内に固定されている光ファイバと、光ファイバの保持溝内への接着部分の近傍に設けられており、接着剤の余剰部分を収容可能な流れ防止溝とを有することを特徴とする。そして、基板がシリコン基板であり、保持溝がエッチングによって形成されており、流れ防止溝がエッチング或いは少なくとも一部がダイシングによって形成されていることが好ましい。さらに、シリコン基板が、接着剤によってもう１つのシリコン基板に接合されており、シリコン基板ともう１つのシリコン基板との接着部分の近傍に流れ防止溝が設けられていてもよい。
【００１２】
光ファイバは、保持溝内に固定されていない可動部分を有しており、流れ防止溝の少なくとも一部が、光ファイバの保持溝内への接着部分と可動部分との間に位置していてもよい。そして、可動部分が移動して光ファイバの先端が変位することによってスイッチングが行われる光スイッチとして機能するものであってもよい。その場合、可動部分を有する光ファイバの先端と対向可能な位置に先端を有する固定光ファイバを有し、固定光ファイバの少なくとも一部が保持溝内に接着剤によって固定されており、固定光ファイバの保持溝内への接着部分の近傍に流れ防止溝が設けられていてもよい。さらに、固定光ファイバから可動部分の可動方向に沿って離れた位置に、可動部分を有する光ファイバの先端と対向可能な先端を有するもう１つの固定光ファイバが設けられており、可動部分の移動に伴って、光ファイバの先端が、固定光ファイバの先端およびもう１つの光ファイバの先端のいずれか一方と選択的に対向する構成であってもよい。
【００１３】
本発明の光学デバイスの製造方法は、シリコン基板の表面に、保持溝と、接着剤の余剰部分を収容可能な流れ防止溝とを、エッチングによって形成する工程と、保持溝内に、光ファイバの少なくとも一部を接着剤によって固定する工程とを含むことを特徴とする。そして、シリコン基板の保持溝の一部に、固定光ファイバを、接着剤によって、光ファイバの先端と対向可能な位置に先端が位置するように固定する工程をさらに含んでもよい。
【００１４】
さらに、もう１つのシリコン基板の表面に、もう１つの保持溝と、接着剤の余剰部分を収容可能な流れ防止溝とを、エッチングによって形成する工程と、もう１つの固定光ファイバを、接着剤によって、光ファイバの先端と対向可能な位置に先端を有するように、もう１つの保持溝内に固定する工程と、シリコン基板と前記もう１つのシリコン基板の、流れ防止溝の形成面同士を、接着剤によって接合する工程とをさらに含んでもよい。
【００１５】
本発明によると、比較的単純な構造で、組立時の調整が容易であり、高性能な光スイッチを低コストで供給できる。そして、接着部分に必要以上に大量に塗布された接着剤の余剰部分が、流れ防止溝内に収容されて、外部へはみ出して他部材に付着したり基板や光ファイバの接着すべきでない部分に付着したりすることがなく、光スイッチとしての機能および性能の低下が防止できる。しかも、接着剤塗布工程は、従来通りの作業でよいため、製造コストや作業効率は維持できる。また、流れ防止溝のうち、保持溝と平行な部分は保持溝と同時に同じ方法で形成でき、保持溝と平行でない部分は基板の外形切断と同時に同じ方法で行えるため、作業工程を煩雑にすることはなく、作業時間も殆ど長くならない。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。まず、本実施形態の光スイッチ全体の基本構成について説明する。図１は、本実施形態の１×２光スイッチの主要部の斜視図であり、図２はその上部基板を外した状態の模式的平面図である。また、図３はその第１の状態のＡ−Ａ’線断面図、図４は第２の状態のＡ−Ａ’線断面図である。図５〜８はそれぞれ、図２中のＢ−Ｂ’線断面図からＥ−Ｅ’線断面図である。なお、これらの図においては、見易くするために、一部の寸法の縮尺を変えて図示している。
【００１７】
本実施形態の光スイッチは、１つの入力側裸光ファイバ（可動光ファイバ１７）が基板（下部基板）１１に対して垂直方向に移動することにより、２つの出力側裸光ファイバ（固定光ファイバ１６ともう１つの固定光ファイバ２６）へ光路の切り換えを行うことができる、１×２光スイッチである。この光スイッチの本体は、下部基板（シリコン基板）１１と上部基板（もう１つのシリコン基板）２１から構成されており、それぞれの基板１１，２１が向かい合う面には、Ｖ溝（保持溝）１２，２２と凹部１４，２４と流れ防止溝２０が形成されている。図７，８に示すように、下部基板１１に形成された第１のＶ溝（保持溝）１２には、根元部が固定されていて、先端部（可動部分）が下部基板１１に対して垂直方向に移動可能な片持ち梁状の可動光ファイバ１７と、可動光ファイバ１７と端面同士が近接して対向する第１の固定光ファイバ１６が固定されている。また、上部基板２１に形成された第２のＶ溝（保持溝）２２には、図７に示すように端面の光軸方向の位置が第１の固定光ファイバ１６とほぼ一致する第２の固定光ファイバ（もう１つの固定光ファイバ）２６が、第１の固定光ファイバ１６と平行に並んで固定されている。各光ファイバ１６，１７，２６の各Ｖ溝１２，２２内への固定は接着剤によって行われ、それぞれの接着部分１９の近傍には、流れ防止溝２０が設けられている。この流れ防止溝２０の詳細については後述する。なお、通常の光ファイバは心線の周りが樹脂コートされているが、ここでは、先端から所望の長さだけ樹脂コートを剥離して裸にした光ファイバを使用し、その裸にされた部分をＶ溝内に挿入している。
【００１８】
下部基板１１の一部には凹部１４が設けられており、その凹部１４上に、板ばね１３が取り付けられている。板ばね１３は、下部基板１１に固定されている１対の固定部１３ａと、大面積の単一の中間部１３ｂと、１対の固定部１３ａと中間部１３ｂとをそれぞれ連結する１対の細長い梁状部１３ｃとからなり、中間部１３ｂを中心として対称な形状に形成されている。図示していないが、中間部１３ｂには、後述する電磁石１８の磁力を受ける磁性片が固着されて一体化されている。また、中間部１３ｂには、孔部１３ｄが設けられている。図１〜４に示すように、この孔部１３ｄに可動光ファイバ１７が挿通されて、可動光ファイバ１７は、孔部１３ｄの上下両縁部と屈曲する中間部１３ｂの上下両面に上下から当接されて挟まれた状態に保持されている。
【００１９】
上部基板２１の、凹部２４および第２のＶ溝２２と反対側の面には、電磁石１８（図１には概略的に図示）が配置されている。例えば、この電磁石１８が鉄心とコイルで形成されている場合、コイルに電流を流すことにより、板ばね１３の中間部１３ｂ（図示されていない磁性片）の周辺に磁場を発生させ、下部基板１１に対して垂直な方向の磁気吸引力を与えることができる。この磁気吸引力により、図３に示す初期状態から、図４に示すように、板ばね１３の中間部１３ｂは電磁石１８に向かって移動する。このとき、可動光ファイバ１７の先端部は、板ばね１３の中間部１３ｂにより持ち上げられて、電磁石１８の方へ移動する。
【００２０】
なお、図５，６，８に示す断面図では、可動光ファイバ１７が第１の固定光ファイバ１６と光結合している状態を実線で示し、可動光ファイバ１７が第２の固定光ファイバ２６と光結合している状態を破線で示している。電磁石１８のコイルに電流を流していないとき、すなわち、磁性片に磁気吸引力が働いていないときには、図３，６に示すように、可動光ファイバ１７の先端部には、板ばね１３の中間部１３ｂから下部基板１１方向への付勢力が加わり、図８に示すように、可動光ファイバ１７は第１のＶ溝１２内に保持される。
【００２１】
第１のＶ溝１２には、図１〜３に示すように、第１の固定光ファイバ１６が、可動光ファイバ１７と端面同士が近接するように配置されており、同一のＶ溝１２内で端面が近接する２本の光ファイバ１６，１７間で、挿入損失の低い光結合が行われる。そして、電磁石１８のコイルに電流を流すと、すなわち、板ばね１３の中間部１３ｂ（磁性片）に磁気吸引力が働くと、図４，５に示すように、板ばね１３の中間部１３ｂは下部基板１１から離れる方向へ移動し、可動光ファイバ１７の先端部は、板ばね１３の中間部１３ｂにより持ち上げられて、図８に破線で示すように、上部基板２１に形成した第２のＶ溝２２内に押し付けられる。このように可動光ファイバ１７は第２のＶ溝２２内に保持され、第２の固定光ファイバ２６と光結合する。
【００２２】
このような構成の光スイッチによると、電磁石１８のコイルに流す電流をＯＮ／ＯＦＦすることにより、板ばね１３を変位させ、中間部１３ｂに保持されている可動光ファイバ１７を、第１のＶ溝１２内または第２のＶ溝２２内に選択的に位置させて、２本の固定光ファイバ１６，２６への光の切り換えが可能である。この光スイッチは、比較的単純な構造であるために、組立時の調整が容易であり、高性能な光スイッチを低コストで供給できる。また、主要部品である上部基板２１や下部基板１１は、シリコンやガラスウェハから量産性良く製造できる。
【００２３】
ここで、本実施形態の光スイッチの製造方法について説明する。
【００２４】
上部基板２１および下部基板１１としては、結晶方位が存在する単結晶シリコンやガラスを用いる。単結晶シリコンを使用する場合、結晶方位によってエッチングレートの異方性のあるエッチング液に浸して、エッチングを進行させることにより、容易に高精度なＶ溝が加工できる。例えば（１００）方位の単結晶シリコンウェハを使用するときには、（１１１）あるいは（１１０）の側面を有するＶ溝が作製できる。これらの面はウェハ表面の（１００）面に対し、一定の角度を有しており、高精度にエッチングマスクを加工できるフォトリソグラフィ技術と併用することにより、高精度なＶ溝加工が実現できる。そして、上部基板２１と下部基板１１とが、位置決め部材１５によって位置合わせされて、接着剤により互いに接合される。
【００２５】
本実施形態においては、図１，２に示すように、第１のＶ溝１２内への可動光ファイバ１７および第１の固定光ファイバ１６の固定と、下部基板１１と上部基板２１との接合と、第２のＶ溝２２内への第２の固定光ファイバ２６の固定は、すべて接着剤（例えば紫外線硬化型接着剤や、紫外線硬化型接着剤と熱硬化型接着剤の併用）によって行われ、それぞれ接着部分１９が存在する。そして、この接着部分１９の周囲に、流れ防止溝２０が設けられている。この流れ防止溝２０について以下に説明する。
【００２６】
前記した通り、光ファイバ１６，１７，２６のＶ溝１２，２２内への固定や、基板１１，１２の接合は、すべて接着剤によって行われる。一方、シリコン基板をフォトリソグラフィ法によって加工する、いわゆるＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ　Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｓｙｓｔｅｍ）技術を利用することにより、本実施形態の光スイッチは極めて小型化することが可能になっている。従って、各接着部分１９も、従来と比較すると非常に微小になり、必要とする接着剤量が微小量になる。ところが、従来、接着剤塗布などに用いられている一般的なディスペンサでは、それほど微量の接着剤塗布は行えず、この一般的なディスペンサを用いると、接着部分１９に必要以上に大量の接着剤が塗布されてしまう。仮に、この接着剤の余剰部分が接着部分１９から外部へはみ出してしまうと、この光スイッチと近接して配置されている他部材に付着したり、基板１１，２１や光ファイバ１６，１７，２６の、接着すべきでない部分に付着したりするおそれがある。特に、可動光ファイバ１６の可動部分にまで接着剤が流れ出して硬化すると、可動光ファイバ１６が所望の移動を行えなくなり、光スイッチとしての機能を果たせなくなったり、スイッチングの確実性や高速性などの性能を大幅に低下させてしまうおそれがある。
【００２７】
そこで本発明では、接着部分１９の周囲に流れ防止溝２０を形成している。これによって、接着部分１９に必要以上に大量に塗布された接着剤の余剰部分が、流れ防止溝２０内に収容されて、外部へはみ出してしまうことがない。したがって、接着剤の余剰部分が、他部材に付着したり、基板１１，２１や光ファイバ１６，１７，２６の、接着すべきでない部分に付着したりすることがなく、光スイッチとしての機能および性能の低下が防止できる。しかも、一般的なディスペンサを用いて接着剤の塗布が行え、塗布および接着工程中に特別な作業を必要としないため、製造コストは低く作業効率は高く維持できる。流れ防止溝２０のうち、Ｖ溝１２，２２と平行な部分２０ａは、Ｖ溝１２，２２と同時に前記したフォトリソグラフィ法により形成でき、Ｖ溝１２，２２と平行でない部分２０ｂは、ダイシング等による基板１１，２１の外形切断と同時に行えるため、作業工程を煩雑にすることはなく、作業時間も殆ど長くならない。
【００２８】
このように、本実施形態の光スイッチでは、接着剤の塗布量をコントロールするのではなく、構造的に、接着剤の余剰部分が処理されて接着部分１９外への流れ出しを防ぐことができるため、作業効率や製造コストに影響を与えることなく、高性能の光スイッチが得られる。
【００２９】
なお、この光スイッチにおいて、可動ファイバ１７の端面と２本の固定ファイバ１６，２６の端面間に空気が存在する場合、挿入損失を低減させるためには、端面間距離を約２０μｍ以下まで近接させる必要がある。また、光ファイバ１６，１７，２６の端面での屈折率差によって、表面反射が生じ、挿入損失や反射減衰量が増加する。そこで、それぞれの端面に反射防止膜をコーティングすることが望ましい。
【００３０】
また、反射減衰量を低減させるために、光ファイバ１６，１７，２６の端面を、光軸に垂直な面から５度から８度程度傾けるように加工することも考えられるが、光ファイバ端面での屈折により、光軸ずれが起こり、挿入損失が増加する。そこで、この場合には、１本のＶ溝に光ファイバを配置するのではなく、光軸ずれに対応した位置に光ファイバが配置できる２本の平行なＶ溝を形成することが望ましい。
【００３１】
また、光ファイバ１６，１７，２６の端面間を屈折率整合液で満たすことによって、反射損失及び挿入損失を低減させることも可能である。
【００３２】
図示しないが、本実施形態の板ばね１３の中間部１３ｂには、磁性片が、貼り付けや、真空蒸着やスパッタリングなどの薄膜堆積法や、めっき法などにより一体化されている。しかし、板ばね１３自体を磁性材で形成しても構わない。
【００３３】
本実施形態の基板１１，２１はシリコン基板であるが、光ファイバ１６，１７，２６と同一材料であるガラスにより基板１１，２１を形成すると、熱膨張係数が光ファイバ１６，１７，２６と一致するため、広い温度範囲において、挿入損失、反射損失、偏波依存特性等において、温度変化に依存しない、優れた光スイッチを作製できる。その場合、Ｖ溝１２，２２は、基板１１，２１の表面を機械的に加工して作製される。例えば、切削用ブレードを高速回転させ、回転方向に走査させながらカッティングすることにより、ブレードの断面形状を転写させた形の溝が作製できる。ブレードのテーパ角を制御することにより、任意の傾斜の側面を容易に形成でき、様々な形状のＶ溝加工が実現する。
【００３４】
なお、前記した実施形態は光スイッチの例であるが、本発明は、その他の様々な光学デバイスに関しても適用可能であり、光学デバイスの本体であるシリコン基板にＭＥＭＳ技術を用いて加工を行うものに特に適している。
【００３５】
【発明の効果】
本発明によると、比較的単純な構造で組立時の調整が容易な光学デバイスにおいて、光ファイバなどを固定するための接着剤の余剰部分が流れ防止溝内に収容されるため、外部へはみ出して悪影響を及ぼすことがなく、光学デバイスの機能および性能の低下が防止できる。しかも、製造コストの上昇や作業効率の低下を生じることはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の光スイッチの主要部の斜視図である。
【図２】図１に示す光スイッチの上部基板を外した状態の模式的平面図である。
【図３】図１に示す光スイッチの第１の状態の、図２のＡ−Ａ’線断面図である。
【図４】図１に示す光スイッチの第２の状態の、図２のＡ−Ａ’線断面図である。
【図５】図１に示す光スイッチの、図２のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図６】図１に示す光スイッチの、図２のＣ−Ｃ’線断面図である。
【図７】図１に示す光スイッチの、図２のＤ−Ｄ’線断面図である。
【図８】図１に示す光スイッチの、図２のＥ−Ｅ’線断面図である。
【図９】従来の光スイッチの一部切欠斜視図である。
【符号の説明】
１１　　　下部基板（シリコン基板）
１２　　　第１のＶ溝（保持溝）
１３　　　板ばね
１３ａ　　固定部
１３ｂ　　中間部
１３ｃ　　梁状部
１３ｄ　　孔部
１６　　　第１の固定光ファイバ
１７　　　可動光ファイバ（光ファイバ）
１８　　　電磁石
１９　　　接着部分
２０，２０ａ，２０ｂ　　　流れ防止溝
２１　　　上部基板（もう１つのシリコン基板）
２２　　　第２のＶ溝（保持溝）
２６　　　第２の固定光ファイバ（もう１つの固定光ファイバ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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