(57)【要約】【課題】  インク流路を正確かつ均一に形成したインクジェットプリントヘッドを提供する。【解決手段】  ヘッドは，インクチャンバ入口および隣接したインクチャンバの連結部分から１〜５μｍ範囲の離隔距離を有する第１パターンで基板の第１面に形成された第１トレンチと，第１トレンチと共に基板を貫通するよう基板の第１面に形成され，第１パターンの範囲内で第１トレンチ面積と同一以下の面積を有する第２パターンで形成された第２トレンチとを備えたインク供給口含む。本方法は，インク加熱用の抵抗発熱体を形成した基板を準備し，湿式または乾式エッチング工程を介して抵抗発熱体が形成された基板の第１面に後で形成されるインクチャンバと連通する浅めの第１のトレンチを形成し，乾式エッチング工程を介して基板の第２面に第１のトレンチと連通し基板を貫通する深めの第２のトレンチを形成する。  【選択図】      図６Ｆ
2004237734.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクを格納するインクチャンバと；
インクを加熱するための抵抗体を形成した基板と；
前記インクチャンバと連結され，前記基板を貫通するインク供給口と；を含むバブルインクジェットプリントヘッドであって：
前記インク供給口は：
前記インクチャンバの入口および隣接した前記インクチャンバの連結部分のうち少なくとも１つから選択された離隔距離を有する第１のパターンで前記インクチャンバが配した前記基板の第１面に形成された第１のトレンチと；
前記第１のトレンチと共に前記基板を貫通する前記インク供給口を形成するように前記基板の第２面に前記第１のトレンチと連通するよう形成し，前記第１のトレンチの第１のパターンの範囲内で前記第１のトレンチ面積と同一面積および小さい面積の中いずれか１つを有する第２のパターンで形成された第２のトレンチと；
を含むことを特徴とするバブルインクジェットプリントヘッド。
【請求項２】
前記第１のトレンチは，５〜２０μｍ範囲の深さで形成されることを特徴とする請求項１に記載のバブルインクジェットプリントヘッド。
【請求項３】
前記選択された離隔距離は，１〜５μｍ範囲を有することを特徴とする請求項１に記載のバブルインクジェットプリントヘッド。
【請求項４】
前記第２のトレンチは，前記第１のトレンチより大幅を有することを特徴とする請求項１に記載のバブルインクジェットプリントヘッド。
【請求項５】
一面に最小のインクを加熱するための抵抗発熱体を形成した基板を準備するステップと，
エッチング工程を介して前記基板の第１面に後で形成されるインクチャンバと連通する浅めの第１のトレンチを形成するステップと，
乾式エッチング工程を介して，前記第１のトレンチと共に前記基板を貫通するインク供給口を形成するように前記基板の第２面に前記第１のトレンチと連通するよう形成された深めの第２のトレンチを形成するステップと，を含むことを特徴とするバブルインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記第１のトレンチを形成するステップは，
前記基板の第１面に前記第１のトレンチを形成するための第１のエッチングマスクを形成するステップと，
前記第１のエッチングマスクを用いて前記基板の第１面を湿式エッチングおよび乾式エッチングの中いずれか１つでエッチングするステップと，
前記第１のエッチングマスクを取り除くステップと，を含むことを特徴とする請求項５に記載のバブルインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記第１のエッチングマスクは，前記第１のトレンチが前記インクチャンバの入口および隣接した前記インクチャンバの連結部分のうち少なくとも１つから１〜５μｍ範囲の離隔距離を有するようにする第１のパターンで形成されたことを特徴とする請求項６に記載のバブルインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記第１のエッチングマスクは，後で形成される単位ヘッドの平面状がノズルの座標配列と関係なしに前記インクチャンバの外郭線から一定の距離離隔された閉曲線をなすように形成されたことを特徴とする請求項６に記載のバブルインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記第１のエッチングマスクは，シリコン酸化膜，室化膜，フォトレジスト，エポキシ樹脂，金属の中いずれか１つから形成されたことを特徴とする請求項７に記載のバブルインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記第１のトレンチを形成するステップにおいて，前記乾式エッチングはエッチングガスとしてＳＦ６ガス，ＣＦ３ガス，ＣＨＦ３ガスのいずれか１つを用いて前記第１のトレンチが５〜２０μｍ範囲の深さで形成されるようにし，
前記第１のトレンチを形成するステップにおいて，前記湿式エッチングはエッチング液としてＴＭＡＨおよびＫＯＨのような異方性エッチング液を用いて，前記第１のトレンチが５〜２０μｍ範囲の深さで形成されように行うことを特徴とする請求項６に記載のバブルインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記第２のトレンチを形成する前記ステップは，
前記基板の第２面に前記第２のトレンチを形成するための第２のエッチングマスクを形成するステップと，
前記第２のエッチングマスクを用いて基板の前記第２面を乾式エッチングするステップと，
前記第２のエッチングマスクを取り除くステップと，を含むことを特徴とする請求項５に記載のバブルインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記第２のエッチングマスクは，前記第１のトレンチのパターンの範囲内で前記第１のトレンチの面積と同一面積および小さい面積の中いずれか１つを有する第２のパターンで形成されたことを特徴とする請求項１１に記載のバブルインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記第２のエッチングマスクは，シリコン酸化膜，室化膜，フォトレジスト，エポキシ樹脂，金属の中いずれか１つから形成されたことを特徴とする請求項１２に記載のバブルインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記乾式エッチングは，エッチングガスとしてＳＦ６ガス，ＣＦ３ガス，ＣＨＦ３ガスのいずれか１つを用いることを特徴とする請求項１１に記載のバブルインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記第１のトレンチを形成する前記ステップと前記第２のトレンチを形成する前記ステップとの間で前記基板の第１面に前記インクチャンバとノズルとを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載のバブルインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記インクチャンバと前記ノズルを形成する前記ステップは，
前記基板の第１面にフォトレジスト層を形成するステップと，
前記インクチャンバ，レストリクタを構成するインク供給路などの流路構造のパターンが形成されたマスクを用いて前記フォトレジスト層をフォトリソグラフィー工程でパターニングすることによりチャンバプレートを形成するステップと，
前記チャンバプレート上にドライフィルムレジスト層を形成するステップと，
前記ノズルのパターンが形成されたマスクを用いて前記ドライフィルムレジスト層をフォトリソグラフィー工程でパターニングしノズルプレートを形成するステップと，を含むことを特徴とする請求項１５に記載のバブルインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記インクチャンバと前記ノズルを形成する前記ステップは，
前記基板の第１面に第１のフォトレジスト層を形成するステップと，
前記第１のフォトレジスト層をフォトリソグラフィー工程でパターニングしフォトレジストモールドを形成するステップと，
前記フォトレジストモールドが形成された前記基板の第１面に第２のフォトレジスト層を形成するステップと，
前記第２のフォトレジスト層を前記ノズルのパターンが形成されたマスクを用いてフォトリソグラフィー工程でパターニングするステップと，を含むことを特徴とする請求項１５に記載のバブルインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記第２のトレンチを形成する前記ステップの後，前記フォトレジストモールドを取除くステップをさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載のバブルインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１９】
前記第２のトレンチを形成する前記ステップ後，前記基板の第１面に前記インクチャンバとノズルを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載のバブルインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項２０】
前記インクチャンバと前記ノズルを形成する前記ステップは，
前記基板の第１面にドライフィルムレジスト層を形成するステップと，
前記インクチャンバ，インク供給路などの流路構造のパターンが形成されたマスクを用いて前記ドライフィルムレジスト層をフォトリソグラフィー工程でパターニングしチャンバプレートを形成するステップと，
フォトレジストなどからなる，マンドレルを有する基板上に電解メッキで形成したノズルプレートおよびレーザブレーションでノズルを形成したポリイミドフィルムのノズルプレートのうち１つを前記チャンバプレートに加熱および圧着するステップと，を含むことを特徴とする請求項１９に記載のバブルインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，インクジェットプリントのプリントヘッドおよびその製造方法に関し，特に，ノズルからのインク吐出特性の均一性を改善することにより，ノズルの集積度が向上しても，各ノズルに供給されるインク量が均一で，各ノズルから吐出されるインク量も均一することが可能なインク供給口を有するバブルインクジェットプリントヘッドおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に，インクジェットプリントは，ノイズが小さくかつ解像度が優れている。さらに，低コストでカラー印刷も可能であるため消費者の需要が急増している。
【０００３】
半導体技術の発展と共に，インクジェットプリントの主な部品であるプリントヘッドの製造技術もここ１０年の間飛躍的に発展した。その結果，現在のところ，ほぼ５００〜１，０００個余りの噴射ノズルを備え，１２００ｄｐｉの解像度の提供できるプリントヘッドが使用後に廃棄可能な形態でインクカートリッジに取付けられて使用されている。
【０００４】
図１を参照すると，従来のインクジェットプリント用のプリントヘッド１０が概略的に図示されている。
【０００５】
通常，インクは，プリントヘッド１０の基板１の裏面から，インクカートリッジ（図示せず）と連結されるインク供給口を構成する第１のインク供給路２を介して，基板１の前面に供給される。
【０００６】
第１のインク供給口２から供給されるインクは，チャンバプレート８とノズルプレート９により形成されたレストリクタを構成する第２のインク供給路３に沿ってインクチャンバ４に至る。インクチャンバ４にて一時的に滞留するインクは，保護層５の下側に配しているヒータからの熱により瞬間加熱される。
【０００７】
この際，インクは爆発性バブルを発生し，よってインクチャンバ４内の一部のインクがバブルによりインクチャンバ４上に形成されたノズル７を介してプリントベッド１０へ吐出される。
【０００８】
かかるプリントヘッド１０において，第１および第２のインク供給路２，３と，インクチャンバ４の形状および配列は，インクの流れや単位ノズルの周波数特性に影響を与える重要な要素である。
【０００９】
例えば，図２および図３に示すように，単位ノズルの周波数特性は，第１のインク供給路２からインクチャンバ４の入口および隣接したインクチャンバ４の連結部分４’までの距離ＳＨに大きく影響を受ける。
【００１０】
詳説すると，第２のインク供給路３の幅が小幅であるほど，即ち，第１のインク供給路２のエッジがインクチャンバ４に隣接しているほど，ノズル７のインク供給能力が向上し，よって単位ノズルの周波数特性が改善され得る。
【００１１】
さらに，５００個以上の多数のノズル７を含むプリントヘッド１０を製造する場合，インク吐出時に散布特性の優れたプリントヘッド１０を得るためには，第１のインク供給路２から各インクチャンバ４までの距離ＳＨが均一に維持されることができるようにプリントヘッド１０が製造される必要がある。
【００１２】
従って，第１および第２のインク供給路２，３とインクチャンバ４の形状および配列は，第１のインク供給路２から各インクチャンバ４までの距離ＳＨが均一に維持されるよう設計されなければならない。
【００１３】
かかるプリントヘッド１０において，第１のインク供給路２は，ヒータ６とトランジスタのようなスイッチング素子が形成された基板１に，チャンバプレート８とノズルプレート９，または一体のチャンバ／ノズルプレート（図示せず）を形成する前後に，湿式エッチングあるいは乾式エッチングにより，基板１を裏面から前面の方にエッチングすることにより形成される。
【００１４】
しかし，テトラメチルアンモニウム水酸化物（ＴＭＡＨ）などの強アルカリ性のエッチング液を使う湿式エッチングで第１のインク供給路２を形成する場合には，エッチング前に第１のインク供給路２を形成すべき部分を除いた基板１の裏面とヒータ６などが形成された基板１の前面は，それぞれアンダーカットを抑える物質の膜とエッチング液に対するエッチング選択比の高い酸化膜，あるいは室化膜でマスクされる必要がある。エッチング後には第１のインク供給路２に沿って残りが残留しないようにマスキング物質を取り除かなければならない問題点がある。
【００１５】
さらに，サンドブラスターを用いる乾式エッチングで第１のインク供給路２を形成する場合には，第１のインク供給路２のエッジが，図４に示すように，きれいに形成されず，サンドブラスト工程中に微粒子が生じてヒータ６およびスイッチング素子などが汚れる恐れがある。
【００１６】
また，エッチングガスを用いるシリコン乾式エッチングの場合には，ヒータ６が形成された基板１の前面には，酸化膜あるいは室化膜のようなエッチングガスに対するエッチング選択比が高い保護層５が，エッチングストップ層に存するため，基板１の裏面にてエッチングを行なう際，基板１と保護層５間の界面では，図５Ａおよび図５Ｂのように，帯電による側方向エッチング（ｌａｔｅｒａｌ  ｅｔｃｈｉｎｇ）が生じて，保護層５が除去された後でも，基板１の前面にノッチ２’が不均一に形成されるなど精密な制御が困難である。
【００１７】
このように，ノッチ２’が不均一に発生すると，第１のインク供給路２から第２のインク供給路３およびインクチャンバ４を経てノズル７に供給されるインクの流れが不均一になり，よってインクを吐出する単位ノズルの周波数特性が不均一になる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明は前述した問題点を解決するために案出されたもので，本発明の第１の目的は，ノズルからのインク吐出特性の均一性を改善し，ノズルの集積度が高くなっても，各ノズルに供給されるインク量が均一で，各ノズルから吐出されるインク量が均一になるように，インクカートリッジと連結されたインク供給口を構成する第１のインク供給路から第２のインク供給路およびインクチャンバを通ってノズルに供給されるインク流路を正確かつ均一に形成した，バブルインクジェットプリントヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【００１９】
本発明の第２の目的は，基板の前面と裏面においてサイズの異なるトレンチを湿式およびおよび／または乾式エッチングを行い第１のインク供給路を形成することによって，基板の裏面においての乾式エッチングまたは湿式エッチングを介して第１のインク供給路を形成する時に生じるノッチによるサイズの正確性の低下問題が改善されたバブルインクジェットプリントヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【００２０】
本発明の第３の目的は，基板の前面において先に形成される第１のインク供給路の出口面積が，基板の裏面において後で形成される第１のインク供給路の入口面積より大きく形成することにより，後で形成される第１のインク供給路の入口をエッチングする時のサイズエラーを補償できるだけでなく，工程マージンを高めることが可能なバブルインクジェットプリントヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【００２１】
本発明の第４の目的は，基板の前面に形成された第１のインク供給路の出口部分をインクチャンバに隣接するように形成し，インク吐出の効率およびインク吐出の均一性が改善されたバブルインクジェットプリントヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【００２２】
本発明の第５の目的は，基板とインクカートリッジの接触面接が大きくなるよう基板の裏面に形成された第１のインク供給路の入口を小さく形成してインクの漏れを抑えたバブルインクジェットプリントヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【００２３】
本発明の第６の目的は，モノリシック（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ）方式によるヘッド製造方法と接合（Ｈｙｂｒｉｄ）方式によるヘッド製造方法とが適用できるバブルインクジェットプリントヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
前述した目的を達成するための第一の観点によれば，本発明は，インクを格納するインクチャンバとインクを加熱するための抵抗体を形成した基板と，インクチャンバと連結し基板を貫通するインク供給口を含むバブルインクジェットプリントヘッドにおいて，インク供給口は，インクチャンバの入口および隣接したインクチャンバの連結部分のうち少なくとも１つから１〜５μｍ範囲の離隔距離を有する第１のパターンでインクチャンバが配した基板の第１面に形成された第１のトレンチと，第１のトレンチと共に基板を貫通するインク供給口を形成するように基板の第２面に第１のトレンチと連通するよう形成され，第１のトレンチの第１のパターンの範囲内で第１のトレンチ面積と同一面積および小さい面積の中いずれか１つを有する第２のパターンで形成された第２のトレンチと，を含むバブルインクジェットプリントヘッドを提供する。
【００２５】
好ましくは，第１のトレンチは５〜２０μｍ範囲の深さを有する。
【００２６】
他の観点によれば，一面に最小のインクを加熱するための抵抗発熱体を形成した基板を準備するステップと，エッチング工程を介して基板の第１面に後で形成されるインクチャンバと連通する浅めの第１のトレンチを形成するステップと，乾式エッチング工程を介して，第１のトレンチと共に基板を貫通するインク供給口を形成するように基板の第２面に第１のトレンチと連通するよう形成された深めの第２のトレンチを形成するステップと，を含むバブルインクジェットプリントヘッドの製造方法を提供する。
【００２７】
好適な例として，第１のトレンチを形成するステップは，基板の第１面に第１のトレンチを形成するための第１のエッチングマスクを形成するステップと，第１のエッチングマスクを用いて基板の第１面を湿式エッチングおよび乾式エッチングの中いずれか１つでエッチングするステップと，第１のエッチングマスクを取り除くステップからなる。
【００２８】
なお，第１のエッチングマスクは，第１のトレンチがインクチャンバの入口および隣接したインクチャンバの連結部分のうち少なくとも１つから１〜５μｍ範囲の離隔距離を有するようにする第１のパターンで形成されたり，後で形成される単位ヘッドの平面状がノズルの座標配列と関係なしにインクチャンバの外郭線から一定の距離離隔された閉曲線をなすように形成されることが好ましい。
【００２９】
また，第１のエッチングマスクは，シリコン酸化膜，室化膜，フォトレジスト，エポキシ樹脂，金属の中いずれか１つから形成されることが好ましい。
【００３０】
さらに，第１のトレンチを形成するステップにおいて，乾式エッチングはエッチングガスとしてＳＦ６ガス，ＣＦ３ガス，ＣＨＦ３ガスのいずれか１つを用いて第１のトレンチが５〜２０μｍ範囲の深さで形成されるようにし，湿式エッチングはエッチング液としてＴＭＡＨおよびＫＯＨのような異方性エッチング液を用いて第１のトレンチが５〜２０μｍ範囲の深さで形成すされように行うことが好ましい。
【００３１】
第２のトレンチを形成するステップは，基板の第２面に第２のトレンチを形成するための第２のエッチングマスクを形成するステップと，第２のエッチングマスクを用いて基板の第２面を乾式エッチングするステップと，第２のエッチングマスクを取り除くステップと，からなる。
【００３２】
なお，第２のエッチングマスクは，第１のトレンチのパターンの範囲内で第１のトレンチの面積と同一面積および小さい面積の中いずれか１つを有する第２のパターンで形成されることが好ましい。
【００３３】
さらに，第２のエッチングマスクはシリコン酸化膜，室化膜，フォトレジスト，エポキシ樹脂，金属の中いずれか１つから形成され，乾式エッチングはエッチングガスとしてＳＦ６ガス，ＣＦ３ガス，ＣＨＦ３ガスのいずれか１つを用いることが好ましい。
【００３４】
本発明の製造方法は，第１のトレンチを形成するステップと第２のトレンチを形成するステップとの間で基板の第１面にインクチャンバとノズルとを形成するステップをさらに含む。
【００３５】
この場合，インクチャンバとノズルを形成するステップは，基板の第１面にフォトレジスト層を形成するステップと，インクチャンバ，レストリクタを構成するインク供給路などの流路構造のパターンが形成されたマスクを用いてフォトレジスト層をフォトリソグラフィー工程でパターニングすることによりチャンバプレートを形成するステップと，チャンバプレート上にドライフィルムレジスト層を形成するステップと，ノズルのパターンが形成されたマスクを用いて前記ドライフィルムレジスト層をフォトリソグラフィー工程でパターニングしノズルプレートを形成するステップ，からなる。
【００３６】
選択的に，インクチャンバとノズルを形成するステップは，基板の第１面に第１のフォトレジスト層を形成するステップと，第１のフォトレジスト層をフォトリソグラフィー工程でパターニングしフォトレジストモールドを形成するステップと，フォトレジストモールドが形成された基板の第１面に第２のフォトレジスト層を形成するステップと，第２のフォトレジスト層をノズルのパターンが形成されたマスクを用いてフォトリソグラフィー工程でパターニングするステップ，からなる。この際，第２のトレンチを形成するステップの後にフォトレジストモールドを取除くことをさらに含む。
【００３７】
選択的に，本発明の製造方法は第２のトレンチを形成するステップの後に基板の第１面にインクチャンバとノズルを形成するステップをさらに含むことができる。
【００３８】
この場合，インクチャンバとノズルを形成するステップは，基板の第１面にドライフィルムレジスト層を形成するステップと，インクチャンバ，レストリクタを構成するインク供給路などの流路構造のパターンが形成されたマスクを用いてドライフィルムレジスト層をフォトリソグラフィー工程でパターニングしチャンバプレートを形成するステップと，フォトレジストなどからなる，マンドレルを有する基板上に電解メッキで形成されたノズルプレートおよびレーザブレーションでノズルを形成したポリイミドフィルムのノズルプレートのうち１つをチャンバプレートに加熱および圧着するステップからなる。
【発明の効果】
【００３９】
さらに，本発明のバブルインクジェットプリントヘッドおよびその製造方法は，基板の前面と裏面にてサイズの異なるトレンチを湿式および／または乾式エッチングを行い第１のインク供給路を形成することによって，基板の裏面にての乾式エッチング，または湿式エッチングを介して第１のインク供給路を形成する時に生じるノッチによるサイズの正確性の低下問題を改善することができる。
【００４０】
さらに，本発明のバブルインクジェットプリントヘッドおよびその製造方法は，基板の前面で先に形成される第１のインク供給路の出口部分の面積が基板の裏面で後で形成される第１のインク供給路の入口面積より大きく形成されることにより，後で形成された第１のインク供給路の入口をエッチングする時サイズエラーが補償できるだけでなく，工程マージンを高めることができる。
【００４１】
さらに，本発明のバブルインクジェットプリントヘッドおよびその製造方法は，基板の前面に形成された第１のインク供給路の出口部分をインクチャンバに隣接して形成することでインク吐出効率およびインク吐出の均一性を改善することができる。
【００４２】
さらに，本発明のバブルインクジェットプリントヘッドおよびその製造方法は，ノズルの密集度と解像度によって一直線あるいは不規則なジグザグ状で形成されるノズルの座標配列にかかわらずに適用することができ，その適用範囲が多様である。
【００４３】
さらに，本発明のバブルインクジェットプリントヘッドおよびその製造方法は，基板とインクカートリッジの接触面接が大きくなるよう基板の裏面に形成される第１のインク供給路の入口を小さく形成することでインクの漏れを抑えることができる。
【００４４】
さらに，本発明のバブルインクジェットプリントヘッドおよびその製造方法は，接合方式のヘッド製造方法およびモノリシック方式によるヘッド製造方法に適用することが可能な第１のインク供給路を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
以下，添付の図面を参照して本発明の好適な実施形態を詳述する。
（実施形態１）
図６Ｆを参照すると，モノリシック方式で製造された本発明の好適な第１の実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッド１００が示されている。
【００４６】
プリントヘッド１００は，インクを加熱するためのヒータ１０６，トランジスタのようなスイッチング素子（図示せず），ヒータ１０６とスイッチング素子を保護すべくヒータ１０６とスイッチング素子の上に保護層１０５を形成した例えば５００〜８００μｍ厚さのシリコン基板１０１，基板１０１を貫通するインク供給口が構成される第１のインク供給路１０２，インクチャンバ１０４，レストリクタを構成する第２のインク供給路１０３などの流路構造のパターンが形成されたフォトマスクを用いてフォトレジストをフォトリソグラフィー工程でパターニングすることにより保護層１０５上に形成されるチャンバプレート１０８，ノズル１０７のパターンが形成されたフォトマスクを用いてドライフィルムレジストをフォトリソグラフィー工程でパターニングすることによりチャンバプレート１０８上に形成されたノズルプレート１０９を含む。
【００４７】
第１のインク供給路１０２は，インクチャンバ１０４を配した基板１０１の前面側に形成された第１のトレンチ１０２ａ，およびインクカートリッジ（図示せず）と連結される基板１０１の裏面で第１トレンチ１０２ａと連通するよう形成された第２のトレンチ１０２ｂを含む。
【００４８】
第１のトレンチ１０２ａは，単位ノズルの周波数特性を改善するため，図９および図１０に示すように一直線あるいはジグザグ状で形成されるインクチャンバ１０４およびノズル１０７の座標配列にかかわらず，単位ヘッドの平面形状がインクチャンバ１０４の外郭線をなすインクチャンバ１０４の入口１２０，１２０’および／または隣接のインクチャンバ１０４の連結部分１０４’，１０４”から例えば１〜５μｍ範囲の離隔距離ＳＨを有する閉曲線を形成するパターンで形成され，例えば５〜２０μｍ範囲の深さを有する。ここで，図９および図１０に示すように，インクチャンバの入口１２０，１２０’は，インク供給路１０２の第１トレンチ１０２ａと隣接した部分である。また，インクチャンバの連結部分１０４’，１０４”インクチャンバ１０４との連結部分である。さらに，閉曲線とは，インクチャンバ１０４の入口，つまり，インク供給路１０２の第１のトレンチ１０２ａと隣接した部分１２０，１２０をなす外郭線からの一定の距離，すなわち離隔距離ＳＨを隔てた閉曲線を意味する。
【００４９】
第２のトレンチ１０２ｂは，第１のトレンチ１０２ａのパターンの範囲内で第１のトレンチ１０２ａの面積と同一か小さい面積を有するパターンで基板１０１の残りの深さに形成される。
【００５０】
ヒータ６０は，非抵抗の高い金属，または不純物がドーピングされたポリシリコンのような抵抗発熱体からなる。
【００５１】
ヒータ１０６上に形成された保護層１０５は，例えば０．５μｍの厚さでＬＰＣＶＤで蒸着することによって形成されたシリコン室化膜（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｎｉｔｒｉｄｅ），シリコン炭素膜（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｃａｒｂｉｄｅ）のようなパッシベーション層（図示せず），およびインクを分離するようにパッシベーション層上に蒸着したＴａ，ＴａＮ，ＴｉＮの金属膜のようなキャビテーション防止層（ａｎｔｉ―ｃａｖｉｔａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）（図示せず）からなる。
【００５２】
チャンバプレート１０８は，レストリクタを構成する第２のインク供給路１０３，インクチャンバ１０４などの流路構造のパターンを構成し，ノズルプレート１０９はノズル１０７のパターンを構成する。
【００５３】
インクチャンバ１０４などの流路構造およびノズル１０７のパターンは，ノズル１０７の密集度と解像度によってインクチャンバ１０４およびノズル１０７の座標配列が一直線あるいはジグザグ状で形成されるように構成することができる。
【００５４】
チャンバプレート１０８を形成するフォトレジストは，ＳＵ―８のような感光性エポキシ系ポリマーやポリイミドにより，例えば１０〜１００μｍ，好ましくは約３０〜４０μｍの厚さで形成される。
【００５５】
かかる構成のモノリシック方式バブルインクジェットプリントヘッド１００の製造法方が図６Ａないし図６Ｆに示されている。
【００５６】
先ず，シリコン基板１０１の前面にはヒータ１０６とトランジスタのようなスイッチング素子（図示せず）が公知の方法で形成される。
【００５７】
一般に，ヒータ１０６は，非抵抗の高い金属や低い金属とが積層されている金属薄膜のうち部分的に抵抗の低い金属を選んでエッチングしたり，シリコン基板１０１の前面にて不純物がドーピングされたポリシリコンを蒸着してからこれをパターニングしたりすることにより形成される。
【００５８】
次に，図６Ａに示されているように，基板１０１にはヒータ１０６とスイッチング素子の保護膜として保護層１０５が形成される。
【００５９】
保護層１０５は，例えば０．５μｍの厚さでＬＰＣＶＤで蒸着することによって形成されたシリコン室化膜，シリコン炭素膜のようなパッシベーション層，パッシベーション層上に蒸着したＴａ，ＴａＮ，ＴｉＮの金属膜のようなキャビテーション防止層からなる。
【００６０】
第１のインク供給路１０２の一部を構成する浅めの第１のトレンチ１０２ａを形成するために，保護層１０５上には第１のフォトレジストが第１のフォトレジスト層（図示せず）を形成するため厚く塗布され，第１トレンチ１０２ａの第１のパターンを含むフォトマスク（図示せず）を用いて露光および現像を行なうことで第１のトレンチ用エッチングマスクパターン（図示せず）が形成される。
【００６１】
この際，フォトマスクの第１のトレンチ１０２ａの第１のパターンは，後で形成される一直線あるいはジグザグ状をなすインクチャンバ１０４およびノズル１０７の座標配列にかかわらず，単位ヘッドの平面形状がインクチャンバ１０４の外郭線をなすインクチャンバ１０４の入口１２０，１２０’および／または隣接のインクチャンバ１０４の連結部分１０４’，１０４”から例えば１〜５μｍ範囲の離隔距離ＳＨを有する閉曲線を形成するよう構成される。ここで，図９および図１０に示すように，インクチャンバの入口１２０，１２０’は，インク供給路１０２の第１トレンチ１０２ａと隣接した部分である。また，インクチャンバの連結部分１０４’，１０４”インクチャンバ１０４との連結部分である。さらに，閉曲線とは，インクチャンバ１０４の入口，つまり，インク供給路１０２の第１のトレンチ１０２ａと隣接した部分１２０，１２０をなす外郭線からの一定の距離，すなわち離隔距離ＳＨを隔てた閉曲線を意味する。
【００６２】
さらに，第１のトレンチ用エッチングマスクパターンは，第１のフォトレジスト層をフォトリソグラフィー工程でパターニングする他，シリコン酸化膜，室化膜，エポキシ樹脂膜，純粋な金属フィルムなどを蒸着またはスパッタリングする方法で形成することができる。
【００６３】
第１のトレンチ用エッチングマスクパターンが形成された後，基板１０１の前面の保護層１０５は，第１のトレンチ用エッチングマスクパターンをエッチングマスクとして使用し，保護層１０５に対してエッチング選択性を有するＴＭＡＨおよびＫＯＨのような異方性エッチング液，またはＣＦ３ガス，ＣＨＦ３ガスのエッチングガスを用いるシリコン湿式・乾式エッチング工程によりエッチングされる。
【００６４】
保護層１０５のエッチングの結果，図６Ｂに示すように，第１のトレンチ１０２ａを形成すべき部分の基板前面が露出される。
【００６５】
その後，基板前面の露出部分は，第１のトレンチ用エッチングマスクパターンをエッチングマスクとして使用し，シリコン乾式エッチング工程でエッチングされる。この際，エッチングガスとしては基板１０１に対してエッチング選択性を有するＳＦ６ガスが使用される。その結果，図６Ｃに示すように，基板前面の露出部分には例えば５〜２０μｍ範囲の深さを有する浅めの第１のトレンチ１０２ａが形成される。
【００６６】
ここで注意すべきものは，本実施形態において，第１のトレンチ１０２ａは，保護層１０５上に第１のトレンチ用エッチングマスクパターンを形成し，これを用いて保護層１０５と基板１０１を順次エッチングすることにより形成されると説明したが，第１のトレンチ用エッチングマスクパターンを用いて保護層１０５をパターニングした後に，第１のトレンチ用エッチングマスクパターンを取り除き，別のエッチングマスクパターンを形成して基板１０１をエッチングすることにより形成することも可能である。
【００６７】
この場合，別のエッチングマスクパターンは，第１のトレンチ用エッチングマスクパターンと同様に，フォトレジストをフォトリソグラフィー工程でパターニングする他，シリコン酸化膜，室化膜，エポキシ樹脂膜，純粋な金属フィルムなどを蒸着またはスパッタリングする方法で形成することができる。
【００６８】
さらに，保護層１０５と基板１０１に対するエッチング工程について￥，保護層１０５に対してはシリコン湿式エッチング工程または乾式エッチング工程で，基板１０１に対しては乾式エッチング工程で行ない，保護層１０５と基板１０１とがそれぞれ異なるエッチングで行われることにつき説明したが，エッチング工程の便宜のために保護層１０５と基板１０１について，エッチング液もしくはエッチングガスのみを相違させて使用する同一のエッチング工程，即ち，シリコン湿式エッチング工程と乾式エッチング工程のうちいずれか１つだけを使用して保護層１０５と基板１０１を順次エッチングすることも可能である。
【００６９】
湿式エッチング工程を介して保護層１０５と基板１０１を順次エッチングする場合，保護層１０５だけでなく基板１０１は基板１０１におけるエッチング選択性を有するＴＭＡＨおよびＫＯＨなどの異方性エッチング液を用いてエッチングされる。
【００７０】
その後，エッチング時に基板１０１の表面に流入された有機物および第１のトレンチ用エッチングマスクパターンを取り除く。
【００７１】
引き続き，基板１０１の保護層１０５の上側には，ＳＵ―８またはポリイミドのうちいずれか１つから形成されたネガティブフォトレジスト層（図示せず）が例えば１０〜１００μｍ，好ましくは，約３０〜４０μｍの厚さで形成される。ネガティブフォトレジスト層は，一直線あるいはジグザグ状の座標配列を有するインクチャンバ１０４，第２のインク供給路１０３の流路構造のパターンが形成されたフォトマスク（図示せず）を用いてＵＶ露光および現像するフォトリソグラフィー工程でパターニングされる。
【００７２】
その結果，図６Ｄに示すように，保護層１０５上にはチャンバプレート１０８が形成される。該チャンバプレート１０８は，後でインクチャンバ１０４や第２のインク供給路１０３の流路構造を提供することになる。さらに，チャンバプレート１０８の厚さは後で形成される第２のインク供給路１０３とインクチャンバ１０４の高さとなる。
【００７３】
保護層１０５上にチャンバプレート１０８が形成された後，図６Ｅに示すように，チャンバプレート１０８上にはドライフィルムレジストがドライフィルムレジスト層を形成するために高熱および高圧でラミネートされ，ドライフィルムレジスト層はインクチャンバ１０４と同様に一直線およびジグザグ状の座標配列を有するノズル１０７のパターンが形成されたフォトマスク（図示せず）を使用してＵＶ露光および現像するフォトリソグラフィー工程でパターニングされる。その結果，チャンバプレート１０８上にはノズル１０７を形成したノズルプレート１０９が形成される。
【００７４】
ノズルプレート１０９が形成された後，第１のインク供給路１０２の残りを構成する深めの第２のトレンチ１０２ｂ形成するために，基板１０１の裏面には第２のフォトレジスト（図示せず）を厚く塗布し，第１のトレンチ１０２ａの面積と同一か小さい面積を有する第２のトレンチ１０２ｂの第２のパターンを含むフォトマスク（図示せず）を用いて露光および現像により基板１０１の裏面には第２のトレンチ用エッチングマスクパターン（図示せず）が形成される。
【００７５】
なお，第２のトレンチ用エッチングマスクパターンは，第２のフォトレジスト層を用いてフォトリソグラフィー工程で形成される場合を説明したが，第１のトレンチ用エッチングマスクパターンと同様にフォトレジスト層の他にシリコン酸化膜，室化膜，エポキシ樹脂膜，純粋な金属フィルムなどを蒸着またはスパッタリングする方法で形成することができる。
【００７６】
第２のトレンチ用エッチングマスクパターンが形成された後，基板１０１の裏面は，第２のトレンチ用エッチングマスクパターンをエッチングマスクとして用いるシリコン乾式エッチング工程を介して異方性でエッチングされる。なお，エッチングガスとしてはＳＦ６ガスが使用される。その結果，図６Ｆに示すように，基板１０１の裏面には第１のトレンチ１０２ａの例えば５〜２０μｍ範囲の深さを除いた基板１０１の残りの深さを有する第２のトレンチ１０２ｂが形成される。
【００７７】
その後，シリコン乾式エッチング時に基板１０１の表面に流入された有機物および第２のトレンチ用エッチングマスクパターンを取り除いた後，基板１０１について数百から数千ｍＪ／ｃｍ２のドーズでＵＶ露光するフラッド露光工程と，ノズルプレート１０９とチャンバプレート１０８をより緊密に基板１０１に固着させるためにハードベーキング工程が，例えば１３０°〜１５０°で３０分間進行されれば，プリントヘッド１００の製造は終了される。
（実施形態２）
【００７８】
図７Ｆを参照すると，接合（Ｈｙｂｒｉｄ）方式で製造された第２の実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッド１００’が例示されている。
【００７９】
プリントヘッド１００’は，チャンバプレート１０８ｃとノズルプレート１０９ａを接合方式で製造するというところ以外には図６Ｆのプリントヘッド１００と実質的に同一である。よって，プリントヘッド１００’の詳説は除く。
【００８０】
第２の実施形態の接合方式バブルインクジェットプリントヘッド１００’の製造方法につき図７Ａないし図７Ｆを参照して詳説する。
【００８１】
先ず，基板１０１’の前面にヒータ１０６’とトランジスタのようなスイッチング素子（図示せず）が形成された例えば５００〜８００μｍ厚さの基板１０１’が用意される。
【００８２】
図７Ａに示すように，基板１０１’の前面には第１の実施形態と同様の方法で，保護層１０５’が形成されてから，第１のトレンチ用エッチングマスクパターン（図示せず）を用いてシリコン乾式エッチング工程を介し，後で形成されるインクチャンバ１０４’の入口および隣接のインクチャンバ１０４’の連結部分（図示せず）から１〜５μｍ範囲の離隔距離ＳＨを有する，第１のインク供給路１０２’の一部を構成する浅めの第１のトレンチ１０２ａ’が形成される。
【００８３】
第１のインク供給路１０２’の残り部分を構成する深めの第２のトレンチ１０２ｂ’を形成するために，基板１０１’の裏面は，第１のトレンチ用エッチングマスクパターンと同様な方法で形成された第２のトレンチ用エッチングマスクパターン（図示せず）をエッチングマスクとして用いり，シリコン乾式エッチング工程を介して裏面から前面に異方性でエッチングされる。その結果，図７Ｂに示すように，露出された基板１０１’の裏面には第１のトレンチ１０２ａ’と共に第１のインク供給路１０２’を形成し，第１のトレンチ１０２ａ’と同一であるか小さい面積および第１のトレンチ１０２ａの例えば５〜２０μｍ範囲の深さを除いた基板１０１’の残りの深さを有する第２のトレンチ１０２ｂ’が形成される。
【００８４】
その後，シリコン乾式エッチング時に基板１０１’の表面に流入された有機物と第１および第２のトレンチ用エッチングマスクパターンを取り除く。
【００８５】
それから図７Ｃに示すように，基板１０１’の前面にはディポン（Ｄｕｐｏｎｔ）社のＶａｃｒｅｌ，Ｒｉｓｔｏｎなどの樹脂材のネガティブフォトレジストであるドライフィルムレジストが，ドライフィルムレジスト層１０８ａを形成するために加熱および圧着によりラミネートされる。
【００８６】
図７Ｄに示すように，インクチャンバ，レストリクタを構成する第２のインク供給路１０３’の流路構造のパターンが形成されたフォトマスク１０８’を用いて，紫外線露光が行われ，その結果，ドライフィルムレジスト層１０８ａにはＵＶに露出されないため硬化されない非硬化部分１０８ｂが形成される。
【００８７】
図７Ｅに示すように，硬化されないドライフィルムレジスト層１０８ａの非硬化部分１０８ｂは，現像過程を介してエッチングされ取り除かれる。その結果，基板１０１’上にはインクチャンバ１０４’，第２のインク供給路１０３’などの流路構造が形成されたチャンバプレート１０８ｃが形成される。
【００８８】
この状態で，図７Ｆに示すように，フォトレジストなどからなる，マンドレルを有する基板上で電解メッキで形成したノズルプレートやレーザブレーションでインクノズルを形成したポリイミドフィルムのノズルプレート１０９ａがチャンバプレート１０８ｃに加熱および圧着されて接着されると，プリントヘッド１００’の製造が終了する。
【００８９】
（実施形態３）
図８Ｊを参照すると，モノリシック方式で製造された本発明の第３の実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッド１００”が例示されている。
【００９０】
プリントヘッド１００”は，インクチャンバ１０４”を規定するチャンバプレートとノズルを１０７”を規定するノズルプレート”をモノリシック方式により１つのチャンバ／ノズルプレート１０９ａ”に一体製造された点以外には，図６Ｆおよび図７Ｆに関して説明した第１および第２の実施形態のプリントヘッド１００，１００’と実質的に同一である。よって，プリントヘッド１００”の詳説は除く。
【００９１】
第３の実施形態のモノリシック方式のバブルインクジェットプリントヘッド１００”の製造方法につき図８Ａないし図８Ｊを参照して詳説する。
【００９２】
先ず，ヒータ１０６”とトランジスタのようなスイッチング素子（図示せず）が形成された例えば５００〜８００μｍ厚さのシリコン基板１０１”が用意される。
【００９３】
図８Ａのように，基板１０１”の前面には第１の実施形態と同様の方法で，第１の保護層１０５”が形成されてから，第１のトレンチ用エッチングマスクパターン（図示せず）を用いるシリコン乾式エッチング工程を介し，後で形成されるインクチャンバ１０４”の入口および隣接のインクチャンバ１０４”の連結部分（図示せず）から１〜５μｍ範囲の離隔距離ＳＨを有し５〜２０μｍ範囲の深さを有する，第１のインク供給路１０２”の一部を構成する浅めの第１のトレンチ１０２ａ”が形成される。
【００９４】
シリコン乾式エッチング時に基板１０１”の前面の表面に流入された有機物と第１のトレンチ用エッチングマスクパターンを取り除く。
【００９５】
それから図８Ｂに示すように，基板１０１”の第１の保護層１０５”の上側には例えば数十μｍ，例えば，１０〜３０μｍの厚さのフォトレジストが第１のフォトレジスト層１０８ａ’を形成するために塗布され，第１のフォトレジスト層１０８ａ’は，図８Ｃに示すようにフォトマスク１０８”を用いてＵＶ露光および現像するフォトリソグラフィー工程によりパターニングされる。
【００９６】
その結果，図８Ｄに示されているように，第１の保護層１０５”上に犠牲層であるフォトレジストモールド１０８ｃ’が形成される。フォトレジストモールド１０８ｃ’は，後で除去され第２のインク供給路１０３”，インクチャンバ１０４”などの流路構造を提供する。
【００９７】
第１の保護層１０５”上にフォトレジストモールド１０８ｃ’が形成された後，基板”１０１の前面には図８Ｅに図示されたように，エポキシ樹脂が含まれたフォトレジストが第２のフォトレジスト層１０９ａ”を形成するためにコーティング形成される。
【００９８】
次に図８Ｆに示すように，第２のフォトレジスト層１０９ａ”は，ノズルのパターンが形成されたフォトマスク１０９’によりＵＶ露光された後，現像工程でパターニングされる。その結果，図８Ｇのようにノズル１０７”が形成されたチャンバ／ノズルプレート１０９ａ”が形成される。
【００９９】
チャンバ／ノズルプレート１０９ａ”が形成された後，チャンバ／ノズルプレート１０９ａ”上には，図８Ｈに示すように，第１のインク供給路１０２”を形成するためのエッチングステップにおいてチャンバ／ノズルプレート１０９ａ”を保護するための第２の保護層１１１が形成される。
【０１００】
次に，図８Ｉに示すように，インク供給口の残りを構成する深めの第２のトレンチ１０２ｂ”を形成するために，基板１０１”の裏面は第１のトレンチ用エッチングマスクパターンと同様な方法で形成された第２のトレンチ用エッチングマスクパターン（図示せず）をエッチングマスクとして用い，シリコン乾式エッチング工程を介して裏面から前面の方に異方性でエッチングされる。
【０１０１】
この際，第２のトレンチ用エッチングマスクパターンにより露出された基板の裏面に対するエッチングが殆ど終る時点で，フォトレジストモールド１０８ｃ’と基板１０１”との界面にて帯電現象による側方向エッチングに従ってノッチ１０２ｃが形成される。ところが，該ノッチ１０２ｃは基板１０１”の前面に既に形成された第１のインク供給路１０２”によりインクチャンバ１０４”から離れた第１のインク供給路１０２”の中間位置に配されるので，印刷する際，第１のインク供給路１０２”を介して第２のインク供給路１０３”およびインクチャンバ１０４”を経てノズル１０７”に供給されるインクの流れやノズルの周波数特性にその影響を与えない。
【０１０２】
かかるシリコン乾式エッチングが進み，基板裏面の露出部分においては，第１のトレンチ１０２ａ”と共に第１のトレンチ１０２ａ”が形成され，第１のトレンチ１０２ａ”と同一か小さい面積および第１のトレンチ１０２ａ”の例えば５〜２０μｍ範囲の深さを除いた基板１０１”の残りの深さを有する第２のトレンチ１０２ｂ”が形成される。
【０１０３】
その後，シリコン乾式エッチング時に基板１０１”の表面に流入された有機物と第２のトレンチ用エッチングマスクパターンを取り除く。
【０１０４】
それから，第２の保護層１１１を取り除いた後，フォトレジストモールド１０８’が溶媒により溶解され除去される。その結果，インクチャンバ１０４”，第２のインク供給路１０３”などの流路構造が形成され，プリントヘッド１００の製造は終了される。
【０１０５】
以上，図面を参照して本発明の好適な実施形態を図示および説明してきたが本発明の保護範囲は，前述の実施形態に限定するものではなく，特許請求の範囲に記載された発明とその均等物にまで及ぶものである。
【産業上の利用可能性】
【０１０６】
本発明は，インクジェットプリントにてプリントヘッドの製造時にノズルを介したインク吐出特性の均一性を改善し，ノズルの集積度が向上されたとしても各ノズルに供給されるインク量を均一にし，各ノズルから吐出されるインク量を均一にさせることが可能なインクジェットプリントヘッドに適用される。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】一般のプリントヘッドの端面図である。
【図２】単位インクチャンバと第１のインク供給路を例示する図１のプリントヘッドの平面図である。
【図３】単位インクチャンバと第１のインク供給路との間の距離と単位ノズルの周波数特性との相関関係を例示したグラフである。
【図４】サンドブラスターを用いる乾式エッチングで製造されたプリントヘッドの第１のインク供給路のエッジを例示する概略図である。
【図５Ａ】一般のシリコン乾式エッチング時に生じるノッチ現象を例示した端面図および写真である。
【図５Ｂ】一般のシリコン乾式エッチング時に生じるノッチ現象を例示した端面図および写真である。
【図６Ａ】本発明の一実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドを製造する方法について例示した工程図である。
【図６Ｂ】本発明の一実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドを製造する方法について例示した工程図である。
【図６Ｃ】本発明の一実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドを製造する方法について例示した工程図である。
【図６Ｄ】本発明の一実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドを製造する方法について例示した工程図である。
【図６Ｅ】本発明の一実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドを製造する方法について例示した工程図である。
【図６Ｆ】本発明の一実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドを製造する方法について例示した工程図である。
【図７Ａ】本発明の他の実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドを製造する方法について例示した工程図である。
【図７Ｂ】本発明の他の実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドを製造する方法について例示した工程図である。
【図７Ｃ】本発明の他の実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドを製造する方法について例示した工程図である。
【図７Ｄ】本発明の他の実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドを製造する方法について例示した工程図である。
【図７Ｅ】本発明の他の実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドを製造する方法について例示した工程図である。
【図７Ｆ】本発明の他の実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドを製造する方法について例示した工程図である。
【図８Ａ】本発明のさらに他の実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドを製造する方法について例示した工程図である。
【図８Ｂ】本発明のさらに他の実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドを製造する方法について例示した工程図である。
【図８Ｃ】本発明のさらに他の実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドを製造する方法について例示した工程図である。
【図８Ｄ】本発明のさらに他の実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドを製造する方法について例示した工程図である。
【図８Ｅ】本発明のさらに他の実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドを製造する方法について例示した工程図である。
【図８Ｆ】本発明のさらに他の実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドを製造する方法について例示した工程図である。
【図８Ｇ】本発明のさらに他の実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドを製造する方法について例示した工程図である。
【図８Ｈ】本発明のさらに他の実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドを製造する方法について例示した工程図である。
【図８Ｉ】本発明のさらに他の実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドを製造する方法について例示した工程図である。
【図８Ｊ】本発明のさらに他の実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドを製造する方法について例示した工程図である。
【図９】ノズルが直線状に配された本発明の一実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドの平面図である。
【図１０】ノズルがジグザグ状に配された本発明の一実施形態に係るバブルインクジェットプリントヘッドの平面図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１，１０１，１０１’，１０１”      基板
２，１０２，１０２’，１０２”      第１のインク供給路
２’，１０２ｃ      ノッチ
３，１０３，１０３’，１０３”      第２のインク供給路
４，１０４，１０４’，１０４”      インクチャンバ
５，１０５，１０５’，１０５”，１１１      保護層
６，１０６，１０６’，１０６”      ヒータ
７，１０７，１０７’，１０７”      ノズル
８，１０８，１０８ｃ      チャンバプレート
９，１０９，１０９ａ      ノズルプレート
１０，１００，１００’，１００”      ヘッド
１０２ａ，１０２ａ’，１０２ａ”      第１のトレンチ
１０２ｂ，１０２ｂ’，１０２ｂ”      第２のトレンチ
１０８’，１０８”  １０９’      フォトマスク
１０８ａ      ドライフィルムレジスト
１０８ａ’，１０９ａ”      フォトレジスト
１０８ｃ’      フォトレジストモールド
１０９ａ”      チャンバ／ノズルプレート
【図１】
2004237734.tif 000003
【図２】
2004237734.tif 000004
【図３】
2004237734.tif 000005
【図４】
2004237734.tif 000006
【図５Ａ】
2004237734.tif 000007
【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
2004237734.tif 000009
【図６Ｂ】
2004237734.tif 000010
【図６Ｃ】
2004237734.tif 000011
【図６Ｄ】
2004237734.tif 000012
【図６Ｅ】
2004237734.tif 000013
【図６Ｆ】
2004237734.tif 000014
【図７Ａ】
2004237734.tif 000015
【図７Ｂ】
2004237734.tif 000016
【図７Ｃ】
2004237734.tif 000017
【図７Ｄ】
2004237734.tif 000018
【図７Ｅ】
2004237734.tif 000019
【図７Ｆ】
2004237734.tif 000020
【図８Ａ】
2004237734.tif 000021
【図８Ｂ】
2004237734.tif 000022
【図８Ｃ】
2004237734.tif 000023
【図８Ｄ】
2004237734.tif 000024
【図８Ｅ】
2004237734.tif 000025
【図８Ｆ】
2004237734.tif 000026
【図８Ｇ】
2004237734.tif 000027
【図８Ｈ】
2004237734.tif 000028
【図８Ｉ】
2004237734.tif 000029
【図８Ｊ】
2004237734.tif 000030
【図９】
2004237734.tif 000031
【図１０】
2004237734.tif 000032