(57)【要約】【課題】高速の記録再生等を可能にする相変化型の情報記録媒体を提供する。【解決手段】グルーブＧとランドＬ及びランドプリピットＬＰを有する基板ＳＵＢ１の一主面に、第１誘電体層２、相変化記録層３、第２誘電体層４、反射層５、オーバーコート層６を積層しＤＶＤ−ＲＷディスク１を形成する。ＤＶＤ−ＲＷディスク１を３．４９ｍ／ｓｅｃ乃至７．０ｍ／ｓｅｃの範囲内の線速度で回転し、開口数０．５５乃至０．７０の範囲内の対物レンズにより収光された波長６００ｎｍ乃至７００ｎｍのレーザ光を基板ＳＵＢ１側から相変化記録層３に照射し記録再生等を行う。相変化記録層３をＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料、反射層５をＡｇ−Ｎｄ−Ｃｕ系材料で形成し、第１誘電体層２を厚み６５ｎｍ乃至８５ｎｍの範囲内、相変化記録層３を厚み１０ｎｍ乃至２０ｎｍ、第２誘電体層４を厚み１３ｎｍ乃至２３ｎｍ、反射層５を厚み１００ｎｍ乃至２２５ｎｍの範囲内、グルーブＧの幅ｗを２００ｎｍ乃至３５０ｎｍの範囲内で深さｄを２５ｎｍ乃至５０ｎｍの範囲内、ランドプリピットＬＰの深さｄｐｐをグルーブＧの深さｄに対し±３ｎｍの範囲内とする。【選択図】　図１
2004095034.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面にグルーブとグルーブ間のランド及びランド内のランドプリピットとを有する基板と、前記基板の一主面上に順に形成された第１誘電体層と相変化記録層と第２誘電体層及び反射層とを有し、３．４９ｍ／ｓｅｃ乃至７．０ｍ／ｓｅｃの範囲内の線速度で回転され、開口数０．５５乃至０．７０の範囲内の対物レンズによって集光された波長６００ｎｍ乃至７００ｎｍのレーザ光が前記グルーブ内の前記相変化記録層に照射されることにより情報記録又は情報再生を行う情報記録媒体であって、
前記相変化記録層がＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の材料、前記反射層がＡｇ−Ｎｄ−Ｃｕ系の材料で夫々形成され、
前記第１誘電体層の厚みが６５ｎｍ乃至８５ｎｍの範囲内、前記相変化記録層の厚みが１０ｎｍ乃至２０ｎｍの範囲内、前記第２誘電体層の厚みが１３ｎｍ乃至２３ｎｍの範囲内、前記反射層の厚みが１００ｎｍ乃至２２５ｎｍの範囲内であり、
前記グルーブの幅が２００ｎｍ乃至３５０ｎｍの範囲内、前記グルーブの深さが２５ｎｍ乃至５０ｎｍの範囲内、前記ランドプリピットの深さが前記グルーブの深さに対して−３ｎｍ乃至３ｎｍの範囲内に決められていることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
前記グルーブは、周期的に蛇行して形成され、０．７μｍ乃至０．８μｍの範囲内のトラックピッチを有することを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記相変化記録層を形成する前記Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料の組成比は、Ｇｅが３ａｔｏｍ％乃至５．５ａｔｏｍ％の範囲内、Ｉｎが３ａｔｏｍ％乃至５．５ａｔｏｍ％の範囲内、Ｓｂが６８．５ａｔｏｍ％乃至７２ａｔｏｍ％の範囲内、Ｔｅが２０ａｔｏｍ％乃至２３．５ａｔｏｍ％の範囲内であることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記反射層を形成する前記Ａｇ−Ｎｄ−Ｃｕ系材料の組成比は、Ｎｄが０．３ａｔｏｍ％乃至０．８ａｔｏｍ％の範囲内、Ｃｕが０．５ａｔｏｍ％乃至１．０ａｔｏｍ％の範囲内であることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記第１誘電体層は、前記基板側に第３誘電体層を、前記相変化記録層側に第４誘電体層を含み、
前記第３誘電体層が酸化珪素及び硫化亜鉛を主成分とし、
前記第４誘電体層が窒化アルミニウム、窒化ゲルマニウム及び窒化珪素のうちのいずれか一つを主成分とし、
前記第３誘電体層の厚みが６５ｎｍ乃至８０ｎｍの範囲内、前記第４誘電体層の厚みが５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項６】
前記第２誘電体層は、前記相変化記録層側に第５誘電体層を、前記反射層側に第６誘電体層を含み、
前記第５誘電体層が酸化珪素及び硫化亜鉛を主成分とし、
前記第６誘電体層が窒化アルミニウム、窒化ゲルマニウム及び窒化珪素のうちのいずれか一つを主成分とし、
前記第５誘電体層の厚みが１２ｎｍ乃至１８ｎｍの範囲内、前記第６誘電体層の厚みが５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の情報記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、書き換え型の情報記録媒体に関し、特に高速で記録再生等を行うことが可能な相変化型の情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
書き換え型の大容量情報記録媒体として、情報の記録と消去、及び上書き記録等の再記録を相変化方式で行い、情報の再生を反射方式で行うＤＶＤ−ＲＷが注目されている。
【０００３】
このＤＶＤ−ＲＷは、一般にカルコゲナイド系材料等（Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ等）の相変化記録材料で形成された記録層を有している。強いパワーのレーザ光によって記録層が融点より高い温度で加熱された後冷却されると非結晶（アモルファス）状態となり、それより低パワーのレーザ光によって融点より低い温度で加熱された後冷却されると結晶状態に戻るという相変化特性を利用して、記録と消去及び再記録を実現する。
【０００４】
すなわち、情報記録再生装置等で、レーザ光のパワーを所定のパワーストラテジに基づいて制御し、上述の記録層に非結晶状態の記録マークを形成させることによって記録や再記録を行うことができ、また、記録層に形成されている記録マークを結晶状態に戻すことによって、記録されている情報を消去することができるようになっている。
【０００５】
また、再生に際し、上述の低パワーより更に低いパワーのレーザ光が記録層に照射されると、非結晶と結晶状態の各部位での反射率の違いに応じて、記録と未記録の情報を有する反射光を生じさせ、その反射光に対し情報記録再生装置等で信号処理等を行わせることで、上述の反射方式による再生を実現させる。
【０００６】
更にＤＶＤ−ＲＷでは、所定の規格（ＤＶＤ−ＲＷ　Ｖｅｒｓｉｏｎ　１．１規格等）に準拠した基本仕様を満足すべく、物理フォーマット及び論理フォーマットが規定されている。
【０００７】
例えば物理フォーマットとして、レーザ光の入射する入射面側の基板に、記録層に対応するスパイラル状のガイド溝が予め刻まれ、そのガイド溝を構成するランド及びグルーブより反射されてくる反射光に基づいて高精度のトラッキング制御を行えるようになっている。
【０００８】
更に、上述のグルーブは一定周期で蛇行したウォブルの形成されたウォブルグルーブとなっており、ランド内にランドプリピットが形成されている。これらのウォブルとランドプリピットより反射されてくる反射光を利用することで、記録中のＤＶＤ−ＲＷの回転速度（線速度）を一定速度に制御したり、記録クロック及びアドレス情報等を得ることが可能となっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述したＤＶＤ−ＲＷ等の相変化型の情報記録媒体では、大容量化と相俟って、記録再生等に要する時間の短縮化、すなわちより速く情報記録及び消去等を行うための要請が高まっている。
【００１０】
特に、情報記録再生装置側で単に線速度を上げただけでは、記録又は消去の際に、記録層を安定して非結晶化又は結晶化させることが困難となったり、再生の際に得られる再生信号にノイズや歪みが生じる等の問題を招来するため、記録再生及び消去に際して、精度の低下を招くことなく高速化を実現し得る新規な構造を有した相変化型の情報記録媒体が望まれていた。
【００１１】
本発明は、こうした従来の課題に鑑みてなされたものであり、高速の記録再生等を可能にする新規な構造を有する相変化型の情報記録媒体を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の情報記録媒体は、一主面にグルーブとグルーブ間のランド及びランド内のランドプリピットとを有する基板と、前記基板の一主面上に順に形成された第１誘電体層と相変化記録層と第２誘電体層及び反射層とを有し、３．４９ｍ／ｓｅｃ乃至７．０ｍ／ｓｅｃの範囲内の線速度で回転され、開口数０．５５乃至０．７０の範囲内の対物レンズによって集光された波長６００ｎｍ乃至７００ｎｍのレーザ光が前記グルーブ内の前記相変化記録層に照射されることにより情報記録又は情報再生を行う情報記録媒体であって、前記相変化記録層がＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の材料、前記反射層がＡｇ−Ｎｄ−Ｃｕ系の材料で夫々形成され、前記第１誘電体層の厚みが６５ｎｍ乃至８５ｎｍの範囲内、前記相変化記録層の厚みが１０ｎｍ乃至２０ｎｍの範囲内、前記第２誘電体層の厚みが１３ｎｍ乃至２３ｎｍの範囲内、前記反射層の厚みが１００ｎｍ乃至２２５ｎｍの範囲内であり、前記グルーブの幅が２００ｎｍ乃至３５０ｎｍの範囲内、前記グルーブの深さが２５ｎｍ乃至５０ｎｍの範囲内、前記ランドプリピットの深さが前記グルーブの深さに対して−３ｎｍ乃至３ｎｍの範囲内に決められていることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、好適な実施形態として、ＤＶＤ−ＲＷ規格のバージョン１．１との互換性を確保しつつ高精度且つ高速の記録再生及び消去等を実現し得る相変化型の情報記録媒体（以下「ＤＶＤ−ＲＷディスク」という）について説明する。
【００１４】
図１は、円板形状のＤＶＤ−ＲＷディスク１を半径方向に沿って破断した場合の一部縦断面構造を模式的に示した断面図である。
【００１５】
同図において、ＤＶＤ−ＲＷディスク１は、後述のレーザ光に対して透明な第１の基板ＳＵＢ１と、第１の基板ＳＵＢ１に対して背面側に位置する第２の基板ＳＵＢ２とを備え、これらの基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２間に、第１誘電体層２、相変化記録層３、第２誘電体層４、反射層５、オーバーコート層６及び接着層７が挟まれた状態で形成されている。
【００１６】
より詳細に述べると、第１の基板ＳＵＢ１の一主面には、ＤＶＤ−ＲＷディスク１の中心に位置するいわゆるクランプ穴を中心として、スパイラル状又は同心円状のグルーブＧとランドＬが形成され、グルーブＧは周方向に沿って所定周期で蛇行するウォブルが形成され、ランドＬ内には、プリアドレス情報やディスクコード等が記録されたランドプリピットＬＰが形成されている。
【００１７】
ここで、ランドプリピットＬＰは、スパイラル状又は同心円状のランドＬの長手方向に沿って、そのランドＬ内に、予め決められた間隔をおいて形成されているが、ランドＬとは別個独立のものとして形成されている。なお、ランドＬとそのランドＬ内のランドプリピットＬＰとの構造等については、後述の実施例（図４）において示されており、詳細については、その実施例において説明することととする。
【００１８】
かかるランドグルーブ構造を有する第１の基板ＳＵＢ１の一主面上に、第１誘電体層２、相変化記録層３、第２誘電体層４及び反射層５がこの順番で積層形成され、更に反射層５上に積層されたオーバーコート層６と第２の基板ＳＵＢ２とが接着層７によって接着されている。
【００１９】
したがって、ＤＶＤ−ＲＷディスク１は、第１誘電体層２乃至接着層７が第１，第２の基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２間に挟まれ一体化されたサンドイッチ構造を有している。
【００２０】
ここで、基板ＳＵＢ１の一主面に形成されているランドＬはスパイラル状又は同心円状に形成され、グルーブＧは上述のスパイラル状又は同心円状のランドＬに対して凹条に形成され、その凹条の断面形状がＶ溝形状となっている。
【００２１】
基板ＳＵＢ１は、後述のレーザ光に対して光学的異方性が小さく、且つ８５％以上の透過率を有する透明なガラス又は樹脂で形成されている。樹脂で形成する場合には、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂等の熱可塑性樹脂で形成され、特に、本ＤＶＤ−ＲＷディスク１の機械的強度や、基板ＳＵＢ１への上述のランドグルーブ構造の成型容易性等の点から、ポリカーボネート樹脂が好適である。
【００２２】
更に基板ＳＵＢ１の厚みは０．６±０．０３ｍｍ程度に設定され、グルーブＧの深さｄが２５ｎｍ乃至５０ｎｍの範囲内、幅（深さｄ／２における幅）ｗが２００ｎｍ乃至３５０ｎｍの範囲内に設定され、同図中に示されているトラックピッチ（ランドＬとグルーブＧの１ピッチ分の間隔）ｐが０．７μｍ乃至０．８μｍ程度の範囲内に決められている。
【００２３】
更に、ランドＬ内に形成されているランドプリピットＬＰの深さｄｐｐが、グルーブＧの深さｄに対して±３ｎｍの範囲内に決められている。つまり、上述したグルーブＧの深さｄが２５ｎｍ乃至５０ｎｍの範囲内のいずれかの値ｄｇ（ｎｍ）に設定されると、ランドプリピットＬＰの深さｄｐｐ（ｎｍ）は、ｄｇ−３≦ｄｐｐ≦ｄｇ＋３の関係を満足する値に決められている。
【００２４】
第１誘電体層２は、レーザ光に対して透明で、熱伝導率が高い誘電体材料で形成され、その厚みが６５ｎｍ乃至８５ｎｍの範囲内に設定されている。また、第１誘電体層２は、相変化記録層３を保護する保護層として機能する他、相変化記録層３の光学的及び熱的特性を調整するために設けられ、特に記録又は消去が行われる際に、非結晶又は結晶状態に変化する相変化記録層３の放熱効果を向上させるために設けられている。
【００２５】
相変化記録層３は、結晶化速度が速く、且つ消去率の高い組成であっても結晶と非結晶の何れの状態でも安定となる特性を有した相変化記録材料で形成され、かかる特性を有するＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の相変化記録材料で形成されている。また、その厚みが１０ｎｍ乃至２０ｎｍの範囲内に設定されている。
【００２６】
第２誘電体層４は、レーザ光に対して透明で、熱伝導率の高い誘電体材料で形成され、その厚みが１３ｎｍ乃至２３ｎｍの範囲内に設定されている。この第２誘電体層４は、相変化記録層３を保護する保護層として機能する他、相変化記録層３の光学的及び熱的特性を調整するために設けられ、特に記録又は消去が行われる際に、非結晶又は結晶状態に変化する相変化記録層３の放熱効果を向上させるために設けられている。
【００２７】
反射層５は、レーザ光に対する反射率が高く且つ熱伝導率の高いＡｇ−Ｎｄ−Ｃｕ系の金属材料で形成され、その厚みが１００ｎｍ乃至２２５ｎｍの範囲内に設定されている。
【００２８】
オーバーコート層６は、反射層５上に紫外線硬化樹脂等をスピンコーティングし、紫外線照射によって固化させることで形成され、その厚みが１μｍ乃至２５０μｍ程度の範囲内に設定されている。
【００２９】
接着層７は、例えば紫外線硬化型の有機材料系接着材等が用いられている。
【００３０】
第２の基板ＳＵＢ２は、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂等の熱可塑性樹脂で形成され、本ＤＶＤ−ＲＷディスク１の機械的強度等を保つために設けられている。
【００３１】
かかる構造を有する本ＤＶＤ−ＲＷディスク１は、情報記録再生装置等によって３．４９ｍ／ｓｅｃ乃至７．０ｍ／ｓｅｃの範囲内の回転数（線速度）で回転される。更に、当該装置に設けられている半導体レーザより照射される波長６００ｎｍ乃至７００ｎｍの範囲内のレーザ光が開口数０．５５乃至０．７０の範囲内の対物レンズによって収光され、そのビーム状に収光されたレーザ光が第１の基板ＳＵＢ１側より照射されることで、相変化記録層３への情報の記録又は消去若しくは情報再生を実現する。
【００３２】
すなわち、上述の回転数と波長及び開口数の条件下で、所定のパワーストラテジに基づいて制御された情報記録用の高パワーのレーザ光が照射され、相変化記録層３の照射部位が融点以上の温度で加熱及び冷却されると非結晶状態の記録マークを生じ、情報記録を実現する。
【００３３】
また、パワーストラテジにより制御された情報記録用よりも低パワーの消去用レーザ光が照射され、非結晶状態の記録マークが融点未満の温度で加熱及び冷却されると、非結晶から結晶状態に戻ることによって消去を実現する。
【００３４】
また、パワーストラテジにより制御された消去用レーザ光よりも更に低パワーの情報再生用のレーザ光が相変化記録層３に照射されると、非結晶と結晶状態の各部位での反射率の違いに応じて、記録と未記録の情報を有する反射光を生じさせ、その反射光に対し情報記録再生装置等で信号処理等を行わせることで再生を実現させる。
【００３５】
本実施形態のＤＶＤ−ＲＷディスク１によれば、次に述べる効果が得られ、ＤＶＤ−ＲＷ規格のバージョン１．１との互換性を確保しつつ、１倍速（３．４９ｍ／ｓｅｃ）での記録再生及び消去のみならず、１倍速以上で約２倍速（７．０ｍ／ｓｅｃ）までの範囲内での高速の記録再生及び消去を高精度で実現することができる。
【００３６】
まず、上述したように相変化記録層３をＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料で形成することによって結晶化速度の向上と、結晶と非結晶の各状態の安定化を実現したことにより、高速且つ高精度の記録再生及び消去を可能にした。
【００３７】
すなわち、高速の記録再生及び消去を実現するためには、相変化記録層３の結晶化速度を向上させて結晶化しやすくする必要がある。つまり、結晶化速度が遅いと、非結晶の記録マークが結晶化されずに残存するという事態を招くこととなるため、結晶化速度を向上させる必要がある。また、結晶化又は非結晶化後の各状態が安定であることが必要である。
【００３８】
かかる要件に対し、相変化記録層３をＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料で形成することとしたので、結晶化速度の向上を図ることができ、更にＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料を消去率の高い組成としても結晶と非結晶の各状態を安定化することができることから、高速且つ高精度の記録再生及び消去を可能にした。
【００３９】
また、第１誘電体層２と第２誘電体層４及び反射層５を熱伝導率の高い材料で形成したため、相変化記録層３に蓄熱する熱をすばやく放熱することができ、特に反射層５をＡｇ−Ｎｄ−Ｃｕ系材料で形成したことで、相変化記録層３の放熱を向上させ、高速且つ高精度の記録再生及び消去を可能にした。これにより、例えば高速記録に際して融点より高温度で加熱後、急速に冷却することができるため、記録マークの終端エッジをシャープにすることができ、高精度の情報記録を実現することができる。
【００４０】
また、グルーブＧとランドＬ及びランドＬ内のランドプリピットＬＰを上述の幾何学的構造にしたことで、高品位の再生信号が得られる高速再生を可能にした。すなわち、高速で情報再生が行われると、ランドプリピットＬＰより得られるランドプリピット信号がグルーグＧより得られるＲＦ再生信号に漏れ込み、ＲＦ再生信号にノイズ成分や歪みが加わることで誤差が生じる等の問題を招来する。かかる問題に対し本実施形態では、特にランドプリピットＬＰの深さｄｐｐとグルーブＧの深さｄに着目し、グルーブＧの深さｄを２５ｎｍ乃至５０ｎｍの範囲内、ランドプリピットＬＰの深さｄｐｐをグルーブＧの深さｄに対して−３ｎｍ乃至３ｎｍの範囲内としたことで、高速再生であっても、ランドプリピットＬＰによる悪影響を大幅に低減し、高品質のＲＦ再生信号を生成することを可能にした。
【００４１】
このように、本実施形態によれば、相変化記録層３と第１，第２誘電体層２，３及び反射層５の材質を向上させると共に、グルーブＧとランドＬ及びランドプリピットＬＰを新規な構造としたことにより、高精度且つ高速のＤＶＤ−ＲＷを提供することが可能である。
【００４２】
【実施例】
次に、本発明のより具体的な実施例を図２乃至図８を参照して説明する。なお、ＤＶＤ−ＲＷ規格のバージョン１．１との互換性を確保しつつ高精度且つ高速の記録再生等を実現し得る相変化型のＤＶＤ−ＲＷディスクについて説明する。
【００４３】
図２は、本実施例のＤＶＤ−ＲＷディスクの構造を模式的に示した断面図であり、図１と同一又は相当する部分を同一符号で示している。また、図２では、図１に記載されているランドグルーブ構造を省略して示している。
【００４４】
図２において、本ＤＶＤ−ＲＷディスク１は、図１を参照して説明した実施形態と同様、新規なランドグルーブ構造が形成された第１の基板ＳＵＢ１の一主面上に、第１誘電体層２、相変化記録層３、第２誘電体層４及び反射層５がこの順番で積層形成され、更に反射層５上に積層されたオーバーコート層６と第２の基板ＳＵＢ２とが接着層７によって接着されることで、一体化されたサンドイッチ構造を有している。
【００４５】
つまり、基板ＳＵＢ１は、レーザ光に対して光学的異方性が小さく、且つ８５％以上の透過率を有する透明なガラス、又はアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂等の熱可塑性樹脂で形成され、厚みが０．６±０．０３ｍｍ程度に設定されている。
【００４６】
グルーブＧの深さｄは２５ｎｍ乃至５０ｎｍの範囲内、幅（深さｄ／２における幅）ｗは２００ｎｍ乃至３５０ｎｍの範囲内に設定され、トラックピッチｐが０．７μｍ乃至０．８μｍ程度の範囲内に決められている。
【００４７】
更に、ランドＬ内のランドプリピットＬＰの深さｄｐｐが、グルーブＧの深さｄに対して±３ｎｍの範囲内に決められている。
【００４８】
そして、３．４９ｍ／ｓｅｃ（１倍速）乃至７．０ｍ／ｓｅｃ（約２倍速）の回転数の下で回転されると共に、波長６００ｎｍ乃至７００ｎｍの範囲内のレーザ光が開口数０．５５乃至０．７０の範囲内の対物レンズによって収光され、そのビーム状に収光されたレーザ光が第１の基板ＳＵＢ１側より照射されることで、相変化記録層３への記録又は消去もしくは再生を実現する。
【００４９】
ここで、第１誘電体層２は、基板ＳＵＢ１の一主面側に積層された第３誘電体層（以下「下部保護層」という）２ａと、その下部保護層２ａに積層され相変化記録層３側に位置する第４誘電体層（以下「下部バリア層」という）２ｂとを含んだ構造を有している。
【００５０】
下部保護層２ａは、ＺｎＳ（硫化亜鉛）とＳｉＯ２（酸化珪素）とを主成分とし、厚みが６５ｎｍ乃至８０ｎｍの範囲内で形成されている。より具体的には、ＺｎＳの含有率（モルパーセント：ｍｏｌ％）が８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２の含有率が２０ｍｏｌ％に設定されている。
【００５１】
下部バリア層２ｂは、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、Ｇｅ３Ｎ４（窒化ゲルマニウム）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化珪素）のうちのいずれか一つを主成分とし、厚みが５ｎｍ以下に設定されている。なお、図２ではＡｌＮを用いた場合を示している。
【００５２】
そして、第１誘電体層２の全体の厚みが６５ｎｍ乃至８５ｎｍの範囲内となることを条件として、下部保護層２ａと下部バリア層２ｂが上述の範囲の厚みで積層形成されている。
【００５３】
相変化記録層３は、Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料で形成され、その厚みが１０ｎｍ乃至２０ｎｍの範囲に設定されている。ここで、Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料において、各元素の組成比（原子百分率：ａｔｏｍ％）が次のように設定されている。
【００５４】
Ｇｅ＋Ｉｎ＋Ｓｂ＋Ｔｅ＝１００ａｔｏｍ％、
３ａｔｏｍ％≦Ｇｅ≦５．５ａｔｏｍ％、
３ａｔｏｍ％≦Ｉｎ≦５．５ａｔｏｍ％、
６８．５ａｔｏｍ％＜Ｓｂ＜７２ａｔｏｍ％、
２０ａｔｏｍ％＜Ｔｅ＜２３．５ａｔｏｍ％
すなわち、Ｇｅ（ゲルマニウム）の組成比は３ａｔｏｍ％乃至５．５ａｔｏｍ％の範囲内、Ｉｎ（インジウム）の組成比は３ａｔｏｍ％乃至５．５ａｔｏｍ％の範囲内、Ｓｂ（アンチモン）の組成比は６８．５ａｔｏｍ％乃至７２ａｔｏｍ％の範囲内、Ｔｅ（テルル）の組成比は２０ａｔｏｍ％乃至２３．５ａｔｏｍ％に設定されている。
【００５５】
第２誘電体層４は、相変化記録層３側に積層された第５誘電体層（以下「上部保護層」という）４ａと、その上部保護層４ａに積層され反射層５側に位置する第６誘電体層（以下「上部バリア層」という）２ｂとを含んだ構造を有している。
【００５６】
上部保護層４ａは、ＺｎＳ（硫化亜鉛）とＳｉＯ２（酸化珪素）とを主成分とし、厚みが１２ｎｍ乃至１８ｎｍの範囲内で形成されている。より具体的には、ＺｎＳの含有率（モルパーセント：ｍｏｌ％）が８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２の含有率が２０ｍｏｌ％に設定されている。
【００５７】
上部バリア層４ｂは、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、Ｇｅ３Ｎ４（窒化ゲルマニウム）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化珪素）のうちのいずれか一つを主成分とし、厚みが５ｎｍ以下に設定されている。なお、図２ではＡｌＮを用いた場合を示している。
【００５８】
そして、第２誘電体層４の全体の厚みが１３ｎｍ乃至２３ｎｍの範囲内となることを条件として、上部保護層４ａと上部バリア層４ｂとが上述の範囲の厚みで積層形成されている。
【００５９】
反射層５は、Ａｇ−Ｎｄ−Ｃｕ系の金属材料で形成され、その厚みが１００ｎｍ乃至２２５ｎｍの範囲内に設定されている。更に、Ａｇ−Ｎｄ−Ｃｕ系材料において、各元素の組成比（原子百分率：ａｔｏｍ％）が次のように設定されている。
【００６０】
Ａｇ＋Ｎｄ＋Ｃｕ＝１００ａｔｏｍ％、
０．３ａｔｏｍ％≦Ｎｄ≦０．８ａｔｏｍ％、
０．５ａｔｏｍ％≦Ｃｕ≦１．０ａｔｏｍ％
すなわち、Ｎｄ（ネオジウム）の組成比は０．３ａｔｏｍ％乃至０．８ａｔｏｍ％の範囲内、Ｃｕ（銅）の組成比は０．５ａｔｏｍ％乃至１．０ａｔｏｍ％の範囲内に設定され、更にＡｇ（銀）を含めて１００ａｔｏｍ％に設定されている。
【００６１】
オーバーコート層６は、紫外線硬化樹脂等で形成され、その厚みが１μｍ乃至２５０μｍ程度の範囲内に設定されている。
【００６２】
接着層７は、例えば紫外線硬化型の有機材料系接着材等が用いられている。
【００６３】
第２の基板ＳＵＢ２は、第１の基板ＳＵＢ１と同様、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂等の熱可塑性樹脂で形成され、その厚みが０．６ｍｍ程度に設定されている。なお、本実施例ではポリオレフィン樹脂が用いられている。
【００６４】
次に、本ＤＶＤ−ＲＷディスク１の製造方法を図３を参照して説明する。
【００６５】
まず、図示するように、ガラス原盤１００に所定膜厚Ｈのポジ型フォトレジスト２００をスピンコートによって塗布し、ベーキングを施した後、露光用レーザ光を照射し露光する。
【００６６】
ここで、露光用レーザ光の強度を制御することにより、リーダブルエンボスピット（Ｒｅａｄａｂｌｅ　Ｅｍｂｏｓｓ　Ｐｉｔｓ）を形成するためのエンボス部ＲＥＰｓと、グルーブＧを形成するためのグルーブ部Ｇｓ、及びランドプリピットＬＰを形成するためのランドプリピット部ＬＰｓの潜像を形成し、フォトレジスト２００を所定の現像液で現像することにより、潜像部分（露光された部分）のフォトレジストを除去して、図示するような断面形状を有するマスター盤を作製する。
【００６７】
なお、上述の露光に際しエンボス部ＲＥＰｓに対しては露光用レーザ光がガラス原盤１００の板面まで露光する強度に設定し、グルーブ部Ｇｓに対しては露光用レーザ光がガラス原盤１００の板面まで露光しない強度に設定することで、図示するように、エンボス部ＲＥＰｓがＵ溝形状、グルーブ部ＧｓがＶ溝形状となるマスター盤を作製する。
【００６８】
次に、このマスター盤からニッケル等を用いて電鋳によりスタンパを作製する。
【００６９】
次に、このスタンパを用い、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ樹脂）等を射出成形等することにより、リーダブルエンボスピット、グルーブＧ、ランドＬ及びランドプリピットＬＰが転写された一主面を有する第１の基板ＳＵＢ１を作製する。
【００７０】
次に、上述の作成された第１の基板ＳＵＢ１の一主面、すなわちリーダブルエンボスピット、グルーブＧ、ランドＬ及びランドプリピットＬＰが形成されている面上に、図２に示した下部保護層２ａ、下部バリア層２ｂ、相変化記録層３、上部保護層４ａ、上部バリア層４ｂ、反射層５を、スパッタ法等によって順次に積層形成し、更に反射層５上に紫外線硬化樹脂よりなるオーバーコート層６をスピンコート法により形成した後、接着層７を介して第２の基板Ｓｕｂ２を貼り合わせることで、本ＤＶＤ−ＲＷディスク１を完成する。
【００７１】
かかる構成を有する本実施例のＤＶＤ−ＲＷディスク１によれば、次のような効果が得られる。
【００７２】
〔新規構造及び組成に基づく効果〕
一般に高速記録等を実現するためには、相変化記録層３の結晶化速度を速くし結晶化しやすくする必要がある。結晶化速度が遅いと記録マークの消え残りが生じるためである。
【００７３】
また、非結晶（アモルファス）である記録マークを安定化させるために、相変化記録層３に蓄熱した熱をすばやく放熱する必要がある。例えば、放熱速度を速くすることにより、記録マークの終端エッジをシャープにすることができる等の効果が得られ、この結晶化速度と放熱速度が高速記録への重要なキーポイントとなる。
【００７４】
本実施例では上述の如く、相変化記録層３をＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の相変化記録材料で形成した。このため、結晶化速度を速くすることができ、高速記録等の実現を可能にした。
【００７５】
また、Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料は、結晶化速度が速く消去率が高い組成においても結晶と非結晶それぞれの状態が比較的安定であるという特長を有し、Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料における各元素（Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅ）の組成比を上述の如く設定したことで、高速記録等を行う上でより最適な結晶と非結晶状態の得られる相変化記録層３を実現することができた。
【００７６】
また、反射層３をＡｇ−Ｎｄ−Ｃｕ系材料で形成したことにより、高速記録等において特に重要となる相変化記録層３の放熱効果を向上させることに成功した。
【００７７】
つまり、Ａｇ−Ｎｄ−Ｃｕ系材料は熱伝導率が高いため、特に記録時の相変化記録層３に蓄熱される熱を効率よく逃がすことが可能となり、高品位の高速記録を実現することができた。また、Ａｇ−Ｎｄ−Ｃｕ系材料における各元素（Ａｇ，Ｎｄ，Ｃｕ）の組成比を上述の如く設定したことで、優れた放熱効果を得ることができた。
【００７８】
更に、第１誘電体層２と第２誘電体層４に、下部バリア層２ｂと上部バリア層４ｂを夫々備えたことで、耐食性の向上並びにダイレクトオーバーライト（Ｄｉｒｅｃｔ　Ｏｖｅｒ　Ｗｒｉｔｅ：ＤＯＷ）特性の向上を可能とした。
【００７９】
つまり、第２誘電体層４を、ＺｎＳとＳｉＯ２を主成分とする上部保護層４ａのみで形成し、反射層５をＡｇ−Ｎｄ−Ｃｕ系材料で形成した場合、Ａｇ−Ｎｄ−Ｃｕ系材料のＡｇ（銀）とＺｎＳのＳ（硫黄）とが反応してＡｇＳ（硫化銀）が生成されやすく、一般に耐食性をより向上させる上で困難を伴う。
【００８０】
これに対し本実施例では、ＺｎＳとＳｉＯ２を主成分とする上部保護層４ａと、ＡｌＮ又はＧｅ３Ｎ４若しくはＳｉ３Ｎ４よりなる上部バリア層４ｂを備えた第２誘電体層４を形成し、更に上部バリア層４ｂを反射層５と上部保護層４ａとの間に介在させる構造としたことにより、上述の耐食性の更なる向上に成功した。すなわち、耐食性の向上と放熱効果の向上との両立を実現することができた。
【００８１】
更にまた、第１誘電体層２を、下部保護層２ａと下部バリア層２ｂとの積層構造にし、下部バリア層２ｂを下部保護層２ａと相変化記録層３の間に介在させる構造としたことにより、パワーマージンの拡大を図ることが可能となり、ＤＯＷ特性の向上を実現することができた。
【００８２】
〔製造方法、リーダブルエンボス及びグルーブ構造に基づく効果〕
リーダブルエンボスに対応したＤＶＤ−ＲＷディスクでは、一般に同一基板上に深さの異なるリーダブルエンボスとグルーブを作製する必要がある。
【００８３】
この深さの異なるリーダブルエンボスとグルーブを作製するにあたり、上述した製造工程を採用することにより、リーダブルエンボスをＵ溝形状、グルーブＧをＶ溝形状とした。
【００８４】
また、リーダブルエンボスを情報記録再生装置等（ＤＶＤプレーヤー等）で適切に読み取り再生するためには、変調度が規格値の６０％以上を満足する必要がある。また、ＤＶＤレコーダ等で情報記録が行われる際には、プッシュプル方式でトラッキングを掛けることから、リーダブルエンボスより得られるプッシュプル信号のレベル（プッシュプルレベル）もグルーブＧの記録前プッシュプル規格値０．２２乃至０．４４の範囲内に収まることが望ましい。
【００８５】
本実施例では、Ｕ溝形状のリーダブルエンボスの深さを６０ｎｍ乃至８５ｎｍの範囲内に設定し、Ｖ溝形状のグルーブＧの深さｄを２５ｎｍ乃至５０ｎｍの範囲内且つ幅ｗを２００ｎｍ乃至３５０ｎｍの範囲内としたことで、高速の記録再生等においても、リーダブルエンボスを適切に読み取り再生することを可能にすると共に、Ｖ溝形状のグルーブＧにおいて十分なプッシュプル信号を得ることを可能にし、ＤＶＤ−ＲＷ　Ｖｅｒｓｉｏｎ１．１の規格との互換性の確保を実現した。
【００８６】
〔新規なランドプリピット形状に基づく効果〕
ＤＶＤ−ＲＷ規格では、情報記録に際して、記録マークをグルーブＧに記録し、ランドプリピットＬＰに記録されたプリアドレス情報やディスクコード等を取得する必要上、ランドプリピットＬＰの存在が極めて重要である。
【００８７】
しかし、ランドプリピットＬＰの形状如何によっては、記録再生に際して、記録再生信号にランドプリピット信号が漏れ込み、ＲＦ再生信号等に雑音や歪みを生じさせる等の問題を引き起こす。特に、１倍速記録では問題を生じていなかったとしても、２倍速記録ではランドプリピットＬＰの形状が大きく影響し、再生品質を劣化させるという問題が従来指摘されていた。
【００８８】
本実施例では、ランドプリピットＬＰの形状及び深さｄｐｐとグルーブＧの深さｄ等の関係に着目し、グルーブＧの深さｄを２５ｎｍ乃至５０ｎｍの範囲内、ランドプリピットＬＰの深さｄｐｐを、グルーブＧの深さｄに対して±３ｎｍの範囲内としたことで、ランドプリピットＬＰによる再生品質劣化の抑制を実現することができた。
【００８９】
図４乃至図７は、上述のランドプリピットＬＰの形状等の最適化を行った結果得られる効果を実証すべく行った実験結果を示している。
【００９０】
なお、図４（ａ）は、ＤＶＤ−ＲＷディスク１におけるランドグルーブ構造の顕微鏡写真を示した図であり、主としてグルーグＧと、ランドＬ内のランドプリピットＬＰとの断面形状を示している。
【００９１】
また、図４（ｂ）は、図４（ａ）の顕微鏡写真を基にトレースした断面図であり、グルーグＧとランドＬ及びランドプリピットＬＰの表面部分を描き起こすことで、グルーグＧとランドＬ及びランドプリピットＬＰの構造を分かりやすく表したものである。
【００９２】
また、図４（ｃ）は、基板ＳＵＢ１の一主面側を見た場合のグルーグＧとランドＬ及びランドプリピットＬＰの構造を模式的に示した平面図であり、図４（ａ）（ｂ）に対応付けて表したものである。ただし、グルーグＧにはグルーブウォブル（蛇行）が形成されているが、説明の便宜上、省略している。
【００９３】
そして、図４（ｃ）中に示されているランドＬ内に形成されているランドプリピットＬＰを通過するＡ−Ａ線（仮想線）に沿った部分の縦断面形状が、図４（ａ）のＡ−Ａ断面写真と図４（ｂ）のＡ−Ａ断面図として表されている。
【００９４】
なお、これら図４（ａ）〜（ｃ）から分かるとおり、ランドプリピットＬＰはランドＬ内に形成されており、更にランドプリピットＬＰはランドＬ内に形成されているものの、ランドＬとは別個の機能を発揮させるべく、ランドＬとは別個独立の構造を有して形成されている。
【００９５】
図５は、グルーブＧの深さｄとランドプリピットＬＰの深さｄｐｐとを異ならせたＤＶＤ−ＲＷディスク１を実験用に複数個製造し、２倍速で記録再生したときの、深さｄとｄｐｐの差分ΔＤ（すなわち、ｄ−ｄｐｐ）に対するＰＩｅｒｒｏｒ（すなわち、８ＥＣＣブロック当たりのインナーパリティエラー数）の測定結果を示した図である。更に図５において、白丸「○」で示されている測定結果は、各被験ディスクに対して初期記録（１回目の記録）を行ったときのＰＩｅｒｒｏｒ、黒丸「●」で示されている測定結果は、１０回ＤＯＷ後に得られたＰＩｅｒｒｏｒを示している。
【００９６】
図６は、１５個の被験ディスクＮｏ．１〜Ｎｏ．１５の夫々について上述の差分ΔＤ（すなわち、ｄ−ｄｐｐ）を測定し、更に各被験ディスクＮｏ．１〜Ｎｏ．１５について初期記録を行ったときのＰＩｅｒｒｏｒと、１０回ＤＯＷ後に得られたＰＩｅｒｒｏｒとを比較対照した図である。
【００９７】
図７は、差分ΔＤの異なっている３個の被験ディスクについて、１０００回ＤＯＷ後に再生したＲＦ再生信号の波形を示した写真の図であり、同図（ａ）は差分ΔＤ（すなわち、ｄ−ｄｐｐ）が負値であって−３ｎｍよりも大きな場合、同図（ｂ）は差分ΔＤが０ｎｍの場合、同図（ｃ）は差分ΔＤ（すなわち、ｄ−ｄｐｐ）が正値であって３ｎｍよりも大きい場合を示している。
【００９８】
本ＤＶＤ−ＲＷディスク１は、図４に例示するように、グルーブＧとランドＬ、及びグルーブＬ間に形成されたランドプリピットＬＰを有するランドグルーブ構造を有している。
【００９９】
そして、グルーブＧの深さｄとランドプリピットＬＰの深さｄｐｐとの差分ΔＤ応じてＰＩｅｒｒｏｒがどのように変化するか実測したところ、図５及び図６に示す結果が得られた。
【０１００】
これらの図５及び図６から解るように、グルーブＧの深さｄに対して、ランドプリピットＬＰの深さｄｐｐが浅すぎても深すぎても、初期記録でのＰＩｅｒｒｏｒが悪化すると共に、１０回ＤＯＷ後のＰＩｅｒｒｏｒが更に悪化するという傾向が確認された。
【０１０１】
更に、１０００回ＤＯＷ後のＲＦ再生信号の波形を調べたところ、図７（ａ）に示すように、ランドプリピットＬＰの深さｄｐｐがグルーブＧの深さｄより深い場合（ｄｐｐ＞ｄの場合）には、マイナス側の振幅に波形歪み等を引き起こし、図７（ｃ）に示すように、ランドプリピットＬＰの深さｄｐｐがグルーブＧの深さｄより浅い場合（ｄｐｐ＜ｄの場合）には、プラス側の振幅に波形歪み等を引起こし、夫々ＰＩｅｒｒｏｒの悪化を招来する。
【０１０２】
また、図７（ｂ）に示すように、ランドプリピットＬＰの深さｄｐｐとグルーブＧの深さｄがほぼ同じ場合（ｄｐｐ≒ｄの場合）には、波形歪みの問題を生じない。
【０１０３】
よって、ランドプリピットＬＰの深さｄｐｐとグルーブＧの深さｄをほぼ同じとすることが望ましく、更に図５及び図６の実験結果から解る傾向として、グルーブＧの深さｄに対して、ランドプリピットＬＰの深さｄｐｐが±３ｎｍの範囲内であれば、ランドプリピットＬＰの深さｄｐｐとグルーブＧの深さｄをほぼ同じとした場合とほぼ同等の良好な結果が得られることが確認された。
【０１０４】
このように、ランドプリピットＬＰの深さｄｐｐをグルーブＧの深さｄに対して、−３ｎｍ乃至３ｎｍの範囲内に設定したことによる有意性が確認された。
【０１０５】
更に、本実施例の新規な構造を有するＤＶＤ−ＲＷディスク１の総合評価を行った結果を図８に示す。
【０１０６】
なお、図８（ａ）は、システム信号特性の各項目に関し、ＤＶＤ−ＲＷ　Ｖｅｒｓｉｏｎ　１．１規格で定められている規定値と、本ＤＶＤ−ＲＷディスク１の測定値とを対比した図、図８（ｂ）は、記録信号特性の各項目に関し、ＤＶＤ−ＲＷ　Ｖｅｒｓｉｏｎ　１．１規格で定められている規定値と、本ＤＶＤ−ＲＷディスク１の測定値とを対比した図である。
【０１０７】
更に、同図（ａ）（ｂ）において、規格で定められている規定値は１倍速の場合、測定値は１倍速と２倍速の場合を示している。
【０１０８】
更にまた、ＤＶＤ−ＲＷ　Ｖｅｒｓｉｏｎ　１．１規格のベーシックライトストラテジー及び２倍速最適化ストラテジーに準拠してレーザ光のパワーを制御して記録再生した結果を示している。
【０１０９】
尚、同図（ａ）（ｂ）中、記号で示すそれぞれの項目は、次の通りである。
ＮＯＷ：ＮＯＲＭＡＬＩＺＥＤ　ＷＯＢＢＬＥ　ＳＩＧＮＡＬ（正規化された再生ウォブル信号振幅）
ＣＮＲ　ｏｆ　ＷＯｂ：記録前のウォブル信号（ＷＯ）のＣＮ比
ＬＰＰｂ：記録前のランドプリピット（ＬＰ）の再生信号レベル
ＰＰｂ：記録前のプッシュプル（ＰＰ）信号の信号レベル
ＡＲ：記録後のランドプリピット（ＬＰ）のアイパターンの開口率
ＣＮＲ　ｏｆ　ＷＯａ：記録後の再生ウォブル信号のＣＮ比
ＰＩｅｒｒｏｒ／８ＥＣＣ：８ＥＣＣブロック当りのＰＩｅｒｒｏｒの数
同図（ａ）（ｂ）から解るように、本ＤＶＤ−ＲＷディスク１は、１倍速、２倍速とも、ＤＶＤ−ＲＷ　Ｖｅｒｓｉｏｎ１．１の規格で定められている特性を十分に満足しており、高精度且つ高速の記録再生等を実現することが可能である。
【０１１０】
以上説明したように本実施形態並びに実施例のＤＶＤ−ＲＷディスクによれば、相変化記録層３と反射層５の特性向上、グルーブＧとランドプリピットＬＰの各深さの最適化並びにバリア層２ｂ，４ｂの追加等を図ったことにより、高精度且つ高速の記録再生等を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態のＤＶＤ−ＲＷディスクの縦断面構造を模式的に示す図である。
【図２】本実施例のＤＶＤ−ＲＷディスクの縦断面構造を模式的に示す図である。
【図３】本実施例のＤＶＤ−ＲＷディスクの製造方法を示す図である。
【図４】本実施例のＤＶＤ−ＲＷディスクのランドとグルーブ及びランドプリピットの構造を示す顕微鏡写真の図である。
【図５】本実施例のＤＶＤ−ＲＷディスクの特性を示し、グルーブの深さとランドプリピットの深さとの差に対するＰＩｅｒｒｏｒの関係を示した図である。
【図６】更に本実施例のＤＶＤ−ＲＷディスクのグルーブの深さとランドプリピットの深さとの差に対するＰＩｅｒｒｏｒの関係を示した図である。
【図７】グルーブの深さとランドプリピットの深さとの差異に起因して生じる問題点を説明するための図である。
【図８】本実施例のＤＶＤ−ＲＷディスクの総合評価を行った結果を示す図である。
【符号の説明】
２…第１誘電体層
２ａ…下部保護層（第３誘電体層）
２ｂ…下部バリア層（第４誘電体層）
３…相変化記録層
４…第２誘電体層
４ａ…上部保護層（第５誘電体層）
４ｂ…上部バリア層（第６誘電体層）
５…反射層
ＳＵＢ１…第１の基板
Ｇ…グルーブ
Ｌ…ランド
ＬＰ…ランドプリピット
ＯＢＬ…対物レンズ
【図１】
2004095034.tif 000003
【図２】
2004095034.tif 000004
【図３】
2004095034.tif 000005
【図４】
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【図５】
2004095034.tif 000007
【図６】
2004095034.tif 000008
【図７】
2004095034.tif 000009
【図８】
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