(57)【要約】　　　（修正有）【課題】ナノ構造を有するＳｉＣ焼結体及びそのような焼結体を製造する新規な製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、ナノＳｉＣ焼結体の製造方法に関する。この製造方法は、５０ｎｍ以下の平均粒径を有するＳｉＣ粒子及び不可避不純物から成る粉末を得る工程と、前記ＳｉＣ及び不可避不純物から成る粉末を所望量所望の焼結型内に充填する工程と、前記焼結型内に充填された粉末をパルス通電加圧焼結法にて焼結する工程と、を備え、前記焼結を、焼結圧力１０ＭＰａないし１００ＭＰａの範囲内の加圧下で、１００℃／分ないし３００℃／分の範囲内の昇温速度で、かつ１６００℃ないし２０００℃の範囲内の焼結温度に昇温させて行うことにより相対密度６０％ないし９９％のナノＳｉＣ焼結体を得るようになっている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノＳｉＣ焼結体の製造方法において、
５０ｎｍ以下の平均粒径を有するＳｉＣ粒子及び不可避不純物から成る粉末を得る工程と、
前記ＳｉＣ及び不可避不純物から成る粉末を所望量所望の焼結型内に充填する工程と、
前記焼結型内に充填された粉末をパルス通電加圧焼結法にて焼結する工程と、を備え、前記焼結を、
焼結圧力１０ＭＰａないし１００ＭＰａの範囲内の加圧下で、１００℃／分ないし３００℃／分の範囲内の昇温速度で、かつ１６００℃ないし２０００℃の範囲内の焼結温度に昇温させて行うことにより相対密度６０％ないし９９％のナノＳｉＣ焼結体を得ることを特徴とするナノＳｉＣ焼結体の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のナノＳｉＣ焼結体の製造方法において、
前記焼結温度に昇温した後、その焼結温度を所望の保持時間の間保持した後降温させることを特徴とするナノＳｉＣ焼結体の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のナノＳｉＣ焼結体の製造方法において、
前記保持時間が０．５分ないし１０分であることを特徴とするナノＳｉＣ焼結体の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載のナノＳｉＣ焼結体の製造方法において、
前記焼結温度が１７００℃ないし２０００℃の範囲内であることを特徴とするナノＳｉＣ焼結体の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載のナノＳｉＣ焼結体の製造方法において、
前記焼結温度に昇温した後、直ぐに降温させることを特徴とするナノＳｉＣ焼結体の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のナノＳｉＣ焼結体の製造方法において、
前記焼結温度が１６００℃ないし１７５０℃の範囲内であることを特徴とするナノＳｉＣ焼結体の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし４のいずれかに記載のナノＳｉＣ焼結体の製造方法において、前記ＳｉＣ及び不可避不純物から成る粉末を得る工程が、
所望の粒径のＳｉの粉末、所望の粒径のＣの粉末及び不可避不純物から成る粉末を、遊星式ボールミルを使用したメカニカルアロイング法で、モル比Ｓｉ：Ｃ＝１：１で粉砕混合し、平均粒径が５０ｎｍ以下のＳｉＣ粉末を得ることを特徴とするナノＳｉＣ焼結体の製造方法。
【請求項８】
請求項１、５及び６のいずれかに記載のナノＳｉＣ焼結体の製造方法において、前記ＳｉＣ及び不可避不純物から成る粉末を得る工程が、
所望の粒径のＳｉの粉末、所望の粒径のＣの粉末及び不可避不純物から成る粉末を、遊星式ボールミルを使用したメカニカルアロイング法で、モル比Ｓｉ：Ｃ＝１：１で粉砕混合し、平均粒径が５０ｎｍ以下のＳｉＣ粉末を得ることを特徴とするナノＳｉＣ焼結体の製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし４及び７のいずれかに記載の方法により製造されたナノＳｉＣ焼結体であって、相対密度が９０％以上で、焼結体の粒子径が１００ｎｍ以下である緻密なナノ構造を有する焼結体。
【請求項１０】
請求項１、５、６及び８のいずれかに記載の方法により製造されたナノＳｉＣ焼結体であって、相対密度が６０％ないし８５％で焼結体の粒子径が５０ｎｍ以下である多孔質ナノ構造を有する焼結体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はナノＳｉＣ焼結体及びその製造方法に関し、詳細には、炭化珪素（以下ＳｉＣ）の粉末粒子の平均粒径が０．１ミクロン（１００ｎｍ）以下のナノ粒子からなり、そのナノ粒子の粒成長を抑制させた状態で比較的低温で焼結し、焼結後のＳｉＣの粒子径が１００ｎｍ以下であるナノ構造にした焼結体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】
近年、粒子径が０．１ミクロン未満のナノ構造を有する焼結体の開発が進み、母材として炭化珪素（以下ＳｉＣ）を使用したナノＳｉＣ焼結体の研究も行われている。
ところで、ナノ構造の焼結体を得るには出発材料である素材粉末の粒子の粒径を０．１ミクロン（１００ｎｍ）以下にする必要があるが、このような超微細な粒子を得ることは必ずしも容易ではなく、また、焼結に際しても出発材料の種類或いは粒径により焼結条件が種々異なり、単に従来の焼結法による熱処理、加圧条件では焼結体の粒子が数百ｎｍないし数ミクロンの粒子径までに粒成長してしまうため、上記のようなナノ粒子径を維持した状態で焼結できない。
【０００３】
本発明者等は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、ボロン（Ｂ）等の焼結助剤を含まない、ナノ構造を有するＳｉＣ焼結体の製造について鋭意研究を重ねた結果、ある特定の条件下で放電プラズマ焼結法に代表されるパルス通電加圧焼結法（放電プラズマ焼結法、プラズマ活性化焼結法或いは放電焼結法等を総称してこのように呼ぶ）を用いて焼結することによって比較的低温で焼結時の粒成長を抑制して超微細な粒子結晶構造を保持した焼結体を得ることが可能であることを見出した。また、パルス通電加圧焼結法に適したＳｉＣの超微粒粉末を得るのに、遊星式ボールミルを使用したメカニカルアロイング法により珪素Ｓｉ及び固形炭素Ｃ又は炭化水素物を合成処理することにより、適度な歪エネルギを有しかつナノＳｉＣ焼結体を得るためにパルス通電加圧焼結法に適した粒径及び性質を有するＳｉＣ粉末を得ることができることを見出した。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明が解決しようとする課題は、ナノ構造を有するＳｉＣ焼結体及びそのような焼結体を製造する新規な製造方法を提供することである。
本発明が解決しようとする他の課題は、パルス通電加圧焼結法を使用して、特定の条件下で焼結することにより緻密なナノ構造或いは多孔質のナノ構造を有するＳｉＣ焼結体を製造する方法及びそのようなナノ構造を有する焼結体を提供することである。
本発明が解決しようとする別の課題は、遊星式ボールミルを利用したメカニカルアロイング法により、パルス通電加圧焼結を用いナノ構造の焼結体を焼結するのに適したＳｉＣの粉末をつくり、その粉末をパルス通電加圧焼結するナノＳｉＣ焼結体の製造方法及びその方法により製造された焼結体を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本願の一つの発明は、ナノＳｉＣ焼結体の製造方法において、
５０ｎｍ以下の平均粒径を有するＳｉＣ粒子及び不可避不純物から成る粉末を得る工程と、
前記ＳｉＣ及び不可避不純物から成る粉末を所望量所望の焼結型内に充填する工程と、
前記焼結型内に充填された粉末をパルス通電加圧焼結法にて焼結する工程と、を備え、前記焼結を、
焼結圧力１０ＭＰａないし１００ＭＰａの範囲内の加圧下で、１００℃／分ないし３００℃／分の範囲内の昇温速度で、かつ１６００℃ないし２０００℃の範囲内の焼結温度に昇温させて行うことにより相対密度６０％ないし９９％のナノＳｉＣ焼結体を得ることに特徴を有する。
上記において、ＳｉＣ粒子及び不可避不純物から成る粉末の平均粒径を５０ｎｍ以下としたのは、パルス通電加圧焼結法で粒成長を最小限度に抑制して焼結体結晶組成の平均粒径が１００ｎｍ以下のナノ構造焼結体を得るためには、５０ｎｍ以下である必要があり、それを超えると焼結後の結晶組織が１００ｎｍを超えてしまうからである。また、焼結圧力を１０ＭＰａないし１００ＭＰａの範囲内としたのは、１０ＭＰａ未満では未焼結となり、緻密度が上がらず密度６０％以下となって粒子間の結合力も弱く、容易に崩れてしまい、多孔体としても緻密体としても実用に不適だからであり、１００ＭＰａを超えると高密度焼結体は得られるが、パルス通電加圧焼結法を用いるグラファイト製焼結型の耐久性（圧縮・引張り強度）を超えてしまい焼結型の破壊を引き起こし、使用できなくなるからである。
また、昇温速度を１００℃／分ないし３００℃／分の範囲内としたのは、１００℃／分未満では直流パルス通電法の急速昇温効果による粒成長抑制や高速物質移動を促進する電界拡散効果などが減ぜられ、短時間焼結によるナノ構造維持や強固な粒間結合ができなくなるからであり、３００℃／分を超えると印加した直流パルス電流が局所的に集中し、偏熱効果が助長され、焼結体の焼結状態のばらつきが大きくなるからである。また、高電流密度となるため、パルス通電装置の水冷流路を内蔵する通電パンチ電極本体、先端部構造体（冷却盤及び保護カバー）、グラファイト型への負荷が過大となり、装置の局部溶解、破損、装置劣化を生じせしめ、寿命を損なうからである。
更に、焼結温度を１６００℃ないし２０００℃の範囲としたのは、１６００℃未満では焼結温度不足による未焼結状態で緻密度が上がらず粒間結合も十分行えず、もろく崩れ易く、実用できないからであり、２０００℃を超えると過焼結状態となり、粒成長が１００ｎｍ以上数ミクロン（μ）と過大となり、ナノ構造焼結体を維持できず、また機械的性質も劣化し実用に供しないからである。
【０００６】
上記発明の好ましい実施形態として、前記焼結温度に昇温した後、その焼結温度を所望の保持時間の間保持した後降温させてもよく、この場合、前記保持時間が０．５分ないし１０分であってもよく、前記焼結温度が１７００℃ないし２０００℃の範囲内であってもよい。
また、上記発明の好ましい実施形態として前記焼結温度に昇温した後、直ぐに降温させてもよく、前記焼結温度を１６００℃ないし１７５０℃の範囲内としてもよい。
更に、上記発明の別の実施形態として、前記ＳｉＣ及び不可避不純物から成る粉末を得る工程が、
所望の粒径のＳｉの粉末、所望の粒径のＣの粉末及び不可避不純物から成る粉末を、遊星式ボールミルを使用したメカニカルアロイング法で、モル比Ｓｉ：Ｃ＝１：１で粉砕混合し、平均粒径が５０ｎｍ以下のＳｉＣ粉末を得るようになっていてもよい。
なお、ここで言う焼結温度とは、放電プラズマ焼結法などのパルス通電加圧焼結法で一般に常用されている焼結温度のことで、グラファイト製焼結型の表面を、例えば赤外線放射型温度計などで非接触測定法で測定した温度である。
【０００７】
本願の別の発明は、上記のいずれかに記載の方法により製造されたナノＳｉＣ焼結体であって、相対密度が９０％以上で、焼結体の粒子径が１００ｎｍ以下である緻密なナノ構造を有する焼結体に特徴を有する。
本願の更に別の発明は、上記いずれかに記載の方法により製造されたナノＳｉＣ焼結体であって、相対密度が６０％ないし８５％で焼結体の粒子径が５０ｎｍ以下である多孔質ナノ構造を有する焼結体に特徴を有する。
【０００８】
【実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例について図面を参照して説明する。
本発明によるナノＳｉＣ焼結体の製造方法は、前述のように、
５０ｎｍ以下の平均粒径を有するＳｉＣ粒子及び不可避不純物から成るＳｉＣ粉末を得る工程と、
前記ＳｉＣ及び不可避不純物粉末を所望量所望の焼結型内に充填する工程と、
前記焼結型内に充填された粉末を通電加圧焼結法にて焼結する工程と、
を備え、焼結圧力１０ＭＰａないし１００ＭＰａの範囲内の加圧下で、１００℃／分ないし３００℃／分の範囲内の昇温速度で、かつ１６０００℃ないし２０００℃の範囲内の焼結温度に昇温させて行うようにしている。
そこで、まず５０ｎｍ以下のＳｉＣ粉末を得る方法の実施例について説明する。
ＳｉＣの原料として、所望の平均粒径、例えば１μｍ、純度９９．９％以上、例えば９９．９％の珪素Ｓｉの粉末と、所望の平均粒径、例えば８０ｎｍの固形炭素Ｃとを用意する。本発明の実施例ではこのような原料粉末をメカニカルアロイング法によりＳｉＣの微細な粉末にする。
そこで、メカニカルアロイングを行うミリング装置として、図１に示されるような原理的構造を有する公知の構造（例えば、フリッチェ社製の遊星式ボールミル型式（Ｐ−５））のものを使用する。該遊星式ボールミル１は、ポット２がジルコニア製で２５０ｍｌの容量を有し、ボール３が同じくジルコニア製で３００ｇの重量（直径１０ｍｍ）を有する、構造のものである。
【０００９】
上記のような仕様を有する遊星式ボールミルに、上記Ｓｉ粉末、固形炭素Ｃ粉末及び不可避不純物から成る原料粉末を所望量、例えば７．５ｇ（モル比　Ｃ／Ｓｉ＝１）を装填する。この場合のボール対粉末の重量比は４０：１である。この原料粉末を、遊星式ボールミルの回転体を所望の回転速度、例えば３００ｒ．ｐ．ｍ．で回転させて原料粉末のミリングを行う。このように遊星式ボールミルを使用して機械的にＳｉ粉末とＣの粉末とを粉砕し混ぜ合わせることにより、平均粒径が３０ｎｍ或いはそれ以下の超微細なＳｉＣの粉末を製造でき、この超微細なＳｉＣ粒子の表面エネルギ（歪エネルギ）は大きくなっていて、低温での焼結を可能とするものと考えられる。すなわち、遊星式ボールミルによるメカニカルアロイングによりＳｉの粒子及びＣの粒子が超微粒の粉末に粉砕される際に粉末の粒子には粉砕による歪みエネルギが蓄積され、パルス通電加圧焼結法に適したある種の不安定状態の出発原料粉末となり、また粒子が上記のような超微粒になると粒子同士が結合し易くなり、ＳｉＣの粒子に合成されていくものと考えられる。
【００１０】
このような遊星式ボールミルによるメカニカルアロイングを行う過程において、乾式下でミリング時間を１時間、３時間、６時間、等種々変えて得られた粉末に付いてＸ線回折解析装置（ＸＲＤ）で調べた結果、ミリング時間が１２時間を超えれば、図３に示されるＸ線回折解析パターンから明らかなように、Ｓｉのピークが消えて全てＳｉＣに合成され、平均粒径が所望の値（この実施例の場合）１０〜３０ｎｍのＳｉＣの粉末が得られることがわかった。また、ミリング時間が２４時間を超えてもＳｉＣの粉末の粒径をそれより小さくすることが不可能であることも分かった。更に得られたＳｉＣ粉末中にはフリーＳｉを含んでいないこともわかった。もちろん、上記ミリング時間は、ボール対粉末の重量比及び／又はボールミルのボールの回転速度などによる投入エネルギ量が上記値と異なる場合には異なってくる。ボール対粉末の重量比は３０：１ないし５０：１の範囲が好ましく、またボールミルの回転数も２００ｒ．ｐ．ｍ．ないし５００ｒ．ｐ．ｍ．の範囲が好ましい。図８は上記Ｓｉの粉末、Ｃの粉末及び不可避不純物を含む原料粉末のメカニカルアロイング後、凝集しているが平均粒径が５０ｎｍ以下の合成されたナノＳｉＣ原料粉末の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真である。
【００１１】
上記のようにして得られた、フリーＳｉを含まない平均粒径が１０ｎｍないし３０ｎｍのＳｉＣ粉末ｐを、図２に示されるようなグラファイト製の筒状の焼結型ａの中で、同じくグラファイト製の下パンチｂの上に充填し、焼結型の上部には上からグラファイト製の上パンチｃを挿入してセットする。このようにセットした焼結型を、パルス通電加圧焼結法の一種である放電プラズマ焼結機（例えば住友石炭鉱業製のＤＲ．ＳＩＮＴＥＲ　ＳＰＳ−１０５０）に装填し、真空雰囲気下で所望の直流パルス電流を流して、焼結体の寸法によって異なるが、例えば下記のような焼結条件で焼結を行う。
焼結条件
焼結電流　：　１５００（Ａ）ないし８０００（Ａ）
焼結電圧　：　２（Ｖ）ないし１２（Ｖ）
昇温速度　：　１００℃／分（ｍｉｎ）ないし３００℃／分（ｍｉｎ）
焼結温度　：　１６００℃ないし２０００℃
焼結圧力　：　１０ＭＰａないし１００ＭＰａ
保持時間　：　０ないし１０分（ｍｉｎ）
【００１２】
焼結助剤を含まない、気相法で得られた３０ｎｍオーダーの超微粒ＳｉＣ粉末を放電プラズマ焼結法で焼結した場合、高密度の焼結体を得るためには２３００℃ないし２４００℃の焼結温度が必要であり、また、アルミナ、イットリア或いはボロンなどの焼結助剤を添加したサブミクロンのＳｉＣの粉末をホットプレス法、熱間等方加圧焼結法（ＨＩＰ法）、常圧焼結法等の通常の従来焼結法で焼結する場合、高密度の焼結体を得るには１９００℃ないし２１００℃の焼結温度が必要であり、更に、同様な焼結助剤を用いて放電プラズマ焼結法で相対密度が９６％以上の焼結体にするには前述の二つの場合より低い１７００℃以上の焼結温度でよいが、焼結体の粒子が大きく粒成長してしまうため、本発明が意図しているナノ構造の焼結体を得ることは不可能である。
これに対して、前述のようにメカニカルアロイングにより得られた超微粒のＳｉＣ粉末を上記のような条件により放電プラズマ焼結法により焼結することにより、上記のような方法に比較して低い焼結温度で、焼結時に原料粉末の粒成長を抑制させてナノ粒子構造を有する焼結体を得ることが可能となる。しかも、その焼結条件にしたがって、緻密でナノ構造（ＳｉＣ粒子が殆ど粒成長せずに焼結前の粒径にほぼ等しい粒径を保った状態の構造）を有する焼結体、或いは、多孔質のナノ構造（したがって、焼結体内の孔径が１０ｎｍないし数百ｎｍで相対密度が６０％ないし８５％の微細な構造）を有する多孔質焼結体を得ることができる。更に、ＳｉＣ粉末の大きさや性質、例えば粒径や組成を変えることなく焼結条件を上記の範囲内で変えるだけで上記のような所望の緻密質或いは多孔質の焼結体を得ることができる。
このようにナノ構造の焼結体が１７００℃程度の極めて低い焼結温度範囲で放電プラズマ焼結によって得られる理由は必ずしも明らかでないが、メカニカルアロイングで創製されたナノ粒子のＳｉＣを放電プラズマ焼結法で焼結すると、グラファイト型中に充填された超微粒ＳｉＣは機械的加圧力とパルス通電による粉体粒子間のミクロな放電現象によって生じる局所的な衝撃圧力、振動などで粒子の再配列及び塑性流動を起こしつつ粒間結合が進行する。また急速昇温効果により粉末原料のナノ粒子の粒成長は抑制され、更に放電プラズマ熱の発生、ジュール熱による熱拡散効果、電磁場による電界拡散効果により粒子間での結合促進が行われるためと考えられる。
【００１３】
【実施例１】
上記メカニカルアロイング方法によって得られた、フリーＳｉを含まない平均粒径３０ｎｍのＳｉＣ粉末７ｇを、外径４０ｍｍ、内径２０．４ｍｍ、軸方向長さ４０ｍｍを有するグラファイト製の焼結型及び外径２０ｍｍ、軸方向長さ３０ｍｍを有するグラファイト製の上、下パンチを使用して、上記放電プラズマ焼結機により、下記の焼結条件で焼結した。
2004035327.tif 000003
このような焼結条件で焼結して得られた焼結体の物理的性質は下記の表１の実施例１の欄に示される通りである。
【００１４】
【実施例２】
実施例１と同じＳｉＣ粉末７ｇを、実施例１と同じ寸法及び構造を有する焼結型及び上、下パンチを使用して、上記放電プラズマ焼結機により、下記の焼結条件で焼結した。
2004035327.tif 000004
このような焼結条件で焼結して得られた焼結体の物理的性質は下記の表１の実施例２の欄に示される通りである。
【００１５】
【実施例３】
実施例１と同じＳｉＣ粉末７ｇを、実施例１と同じ寸法及び構造を有する焼結型及び上、下パンチを使用して、上記放電プラズマ焼結機により、下記の焼結条件で焼結した。
2004035327.tif 000005
このような焼結条件で焼結して得られた焼結体の物理的性質は下記の表１の実施例３の欄に示される通りである。
【００１６】
【実施例４】
実施例１と同じＳｉＣ粉末７ｇを、実施例１と同じ寸法及び構造を有する焼結型及び上、下パンチを使用して、上記放電プラズマ焼結機により、下記の焼結条件で焼結した。
2004035327.tif 000006
このような焼結条件で焼結して得られた焼結体の物理的性質は下記の表１の実施例４の欄に示される通りである。
【００１７】
【実施例５】
実施例１と同じＳｉＣ粉末７ｇを、実施例１と同じ寸法及び構造を有する焼結型及び上、下パンチを使用して、上記放電プラズマ焼結機により、下記の焼結条件で焼結した。
2004035327.tif 000007
このような焼結条件で焼結して得られた焼結体の物理的性質は下記の表１の実施例５の欄に示される通りである。
【表１】
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【００１８】
上記実施例を含めた本発明の方法により保持時間を変えて焼結したナノＳｉＣ焼結体について、焼結温度と相対密度との関係をグラフで示せば図４に示されるようになる。
上記表１及び図４からも明らかなように、同じ原料粉末を使用して焼結しても、上記焼結条件を変えることで、例えば、相対密度が６２．５％の多孔質のＳｉＣ焼結体を得ることも、また相対密度が９７．７％の緻密なＳｉＣ焼結体を得ることもできる。しかも緻密な焼結体及び多孔質焼結体の組織を顕微鏡で観察した結果、原料粉末の粒子は成長が抑えられて、焼結体の粒子の粒径が１０ｎｍないし１００ｎｍの微細ナノ構造を有し、また孔径は１０ｎｍないし数百ｎｍであることがわかった。
このようにして得られたナノＳｉＣ焼結体は、高耐熱性、耐食性、高強度、耐摩耗性、高弾性率及び良好な熱伝導性を有するので、高温構造材料、メカニカルシール、軸受け等の材料として使用するのに適している。更に多孔質の性質を利用することにより、高温の製品等を扱う真空吸着装置の吸着部材用の部材、自動車用摩擦材料或いは耐食性を有する超微細なフィルタ等に利用可能である。
【００１９】
また、上記実施例で得られた焼結体についての相対密度とビッカース硬さとの関係は図５に、相対密度と曲げ強度との関係は図６に、相対密度と弾性率との関係は図７に示される。また、図９は実施例１の焼結体の走査型或いは透過型電子顕微鏡（ＳＥＭ或いはＴＥＭ）写真であって、［Ａ］は３００００倍の写真で、［Ｂ］は２０００００倍の写真であり、図１０は実施例２の焼結体の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による写真２０００００倍の写真であり、図１１は実施例５の焼結体の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による２０００００倍の写真である。
【００２０】
【発明の効果】
本発明によれば次のような効果を奏することが可能である。
（イ）材料粉末を変えることなく焼結条件を変えるだけで緻密なナノ構造又は多孔質なナノ構造を有するＳｉＣ焼結体を得ることができる。
（ロ）高耐熱性、耐食性及び耐摩耗性を有し高弾性率で高い強度を有しかつ良好な熱伝導性を有するＳｉＣ焼結体を得ることができる。
（ハ）短時間のメカニカルアロイングでパルス通電加圧焼結法に適したナノＳｉＣ粉末ができ、かつ低温、短時間焼結で緻密なナノＳｉＣ焼結体を得ることができるため、生産性の向上、低コスト化を図ることが容易である。
（ニ）低温、短時間で結合強度の高い（耐久性のある）多孔質ナノＳｉＣ結晶体が得られるため、生産性向上、低コスト化を図ることが容易である。
（ホ）放電加工法（ワイヤカット放電加工機、型彫放電加工機）により容易に任意の輪郭・３次元形状付与が可能な、導電性を有する高純度ＳｉＣ焼結体を安価に提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】遊星式ボールミルの概略構成図である。
【図２】焼結型及びパンチを示す図である。
【図３】メカニカルアロイングにより粉砕混合してつくったＳｉＣ粉末中におけるＳｉ及びＳｉＣ粉末のＸ線回折解析パターンを示す図である。
【図４】本発明による製造方法により製造されるＳｉＣ焼結体の焼結温度と相対密度との関係を示す図である。
【図５】本発明による製造方法により製造されたＳｉＣ焼結体の相対密度とビッカース硬度との関係を示すグラフである。
【図６】本発明による製造方法により製造されたＳｉＣ焼結体の相対密度と曲げ強度との関係を示すグラフである。
【図７】本発明による製造方法により製造されたＳｉＣ焼結体の相対密度と弾性係数との関係を示すグラフである。
【図８】上記Ｓｉの粉末、Ｃの粉末及び不可避不純物を含む粉末のメカニカルアロイング後の粉末の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真である。
【図９】実施例１の焼結体の走査型或いは透過型電子顕微鏡（ＳＥＭ或いはＴＥＭ）写真であって、［Ａ］は３００００倍の写真であり、［Ｂ］は２０００００倍の写真である。
【図１０】実施例２の焼結体の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による２０００００倍の写真である。
【図１１】実施例５の焼結体の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による２０００００倍の写真である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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