(57)【要約】【課題】多少のインピーダンスの不整が信号ラインに存在するときでも、より高速な信号を伝送可能な光モジュール生産物を提供する。【解決手段】光モジュール生産物１は、光モジュール３と、配線基板５と、キャパシタ７と、キャパシタ９と、電子素子１１と、電子素子１３とを備える。キャパシタ７は、導電線１５ａに接続された一端と、導電線１５ｃに接続された他端とを有する。キャパシタ９は、導電線１５ｂに接続された一端と、導電線１５ｄに接続された他端とを有する。電子素子１１は、導電線１５ｅに接続された一端と、導電線１５ｂに接続された他端とを有する。電子素子１３は、導電線１５ｆに接続された一端と、導電線１５ａに接続された他端とを有する。電子素子１１、１３は、インダクタンス及び抵抗の少なくともいずれかを有する。【選択図】　図１
2004095905.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光導波路部品、前記光導波路部品に光学的に結合された半導体発光素子、並びに前記半導体発光素子に電気的に接続された第１及び第２のリード端子を有する光モジュールと、
前記光モジュールの前記第１のリード端子に電気的に接続された一端及び駆動信号を受ける他端を有する第１のキャパシタと、
前記光モジュールの前記第２のリード端子に電気的に接続された一端及び別の駆動信号を受ける他端を有する第１のキャパシタと、
前記光モジュールの前記第１のリード端子に電気的に接続された一端と他端とを有する第１の電子素子と、
前記光モジュールの前記第２のリード端子に電気的に接続された一端と他端とを有する第２の電子素子と、
前記光モジュール、前記第１及び第２のキャパシタ、並びに前記第１及び第２の電子素子を搭載する基板デバイスと
を備え、
前記第１の電子素子は、インダクタンス及び抵抗の少なくともいずれかを有しており、
前記第２の電子素子は、インダクタンス及び抵抗の少なくともいずれかを有している、光モジュール生産物。
【請求項２】
前記基板デバイスは、前記光モジュールを搭載する第１の配線基板と、前記第１及び第２のキャパシタ並びに前記第１及び第２の電子素子を搭載する第２の配線基板と、前記第１の配線基板と前記第２の配線基板を接続するフレキシブルプリント基板とを含む、請求項１に記載の光モジュール生産物。
【請求項３】
前記基板デバイスは、前記光モジュール、前記第１及び第２のキャパシタ、並びに前記第１及び第２の電子素子を搭載する配線基板を含む、請求項１に記載の光モジュール生産物。
【請求項４】
前記配線基板は、前記第１及び第２のキャパシタ並びに前記第１及び第２の電子素子を搭載する素子面と、前記光モジュールを搭載する搭載面と、前記素子面から前記搭載面に伸びており前記光モジュールの前記第１及び第２のリード端子が通過する複数の貫通孔とを有する、請求項３に記載の光モジュール生産物。
【請求項５】
前記駆動信号及び前記別の駆動信号を提供する第１及び第２の出力を有する半導体駆動素子を更に備え、
前記半導体駆動素子は、前記配線基板上に搭載されており、
前記半導体駆動素子の前記第１の出力は、前記第１のキャパシタに電気的に接続されており、
前記半導体駆動素子の前記第２の出力は、前記第２のキャパシタに電気的に接続されている、請求項１〜請求項４のいずれかに記載の光モジュール生産物。
【請求項６】
前記半導体駆動素子は、前記第１の電子素子に電気的に接続された一端子と、前記第２の電子素子に電気的に接続された別の端子とを更に有しており、
前記半導体駆動素子は、前記一端子と前記別の端子と間に設けられた電流源を含んでいる、請求項１〜請求項５のいずれかに記載の光モジュール生産物。
【請求項７】
前記第１の電子素子と前記第２の電子素子との間に電気的に接続された電流源を含む半導体素子を更に備える、請求項１〜請求項５のいずれかに記載の光モジュール生産物。
【請求項８】
前記光モジュールは、抵抗素子を更に含み、
前記半導体発光素子は一端及び他端を有しており、
前記半導体発光素子の前記一端は、前記第１のリード端子に電気的に接続されており、
前記半導体発光素子の前記他端は、前記抵抗素子を介して前記第２のリード端子に電気的に接続されている、請求項１〜７のいずれかに記載の光モジュール生産物。
【請求項９】
前記光モジュールは、搭載部材を備えており、前記搭載部材は、前記配線基板の前記素子面に向いている第１の面及び前記半導体発光素子を搭載する第２の面を有する導電体と、前記第１の面から前記第２の面に伸びており前記第１及び第２のリード端子が通過する複数の孔と、各孔内に設けられ各孔内の該リード端子と前記導電体とを絶縁する絶縁体とを有する、請求項１〜請求項８のいずれかに記載の光モジュール生産物。
【請求項１０】
前記光モジュールは、搭載部材を備えており、
前記搭載部材は、前記配線基板の前記素子面に向いている第１の面及び前記半導体発光素子を搭載する第２の面を有する導電体と、前記第１の面から前記第２の面に伸びており前記第１及び第２のリード端子が通過する複数の孔と、各孔内に設けられ各孔内の該リード端子と前記導電体とを絶縁する絶縁体とを有しており、
前記駆動素子の前記第１及び第２の出力は、１０オーム以上４０オーム以下のインピーダンスを有しており、
前記半導体発光素子は、２０オーム以上８０オーム以下のインピーダンスを有している、請求項１〜８のいずれかに記載の光モジュール生産物。
【請求項１１】
前記半導体発光素子は、面発光レーザ素子を含んでいる、請求項１０に記載の光モジュール生産物。
【請求項１２】
所定の軸に交差する第１及び第２の面を有する導電体と、第１の駆動信号を受けるための第１のリード端子と、第２の駆動信号を受けるための第２のリード端子と、前記第１の面から前記第２の面に伸びており前記第１及び第２のリード端子がそれぞれ通過する第１及び第２の孔と、各孔内に設けられ各孔内を通過する該リード端子と前記導電体とを絶縁するための絶縁体とを有する搭載部材と、
前記第１のリード端子に電気的に接続された一端及び前記第２のリード端子に電気的に接続された他端を有しており前記搭載部材に搭載されており光ファイバに光学的に結合された半導体発光素子と
を備える、光モジュール。
【請求項１３】
前記光モジュールは、抵抗素子を更に含み、
前記半導体発光素子の前記一端は、前記第１のリード端子に電気的に接続されており、
前記半導体発光素子の前記他端は、前記抵抗素子を介して前記第２のリード端子に電気的に接続されている、請求項１２に記載の光モジュール。
【請求項１４】
前記光ファイバと、該光ファイバを保持する保持部材とを有する光導波路部品と、
前記光導波路部品を前記所定の軸方向に向けて支持する支持部材と、
前記支持部材と前記搭載部材との間に設けられ前記搭載部材の前記第２の面上に設けられた隔置部材と
を更に備える、請求項１２又は請求項１３に記載の光モジュール。
【請求項１５】
前記半導体発光素子は面発光レーザ素子を含んでおり、
前記面発光レーザ素子は、前記搭載部材の前記第２の面上に搭載されている、請求項１４に記載の光モジュール。
【請求項１６】
前記光導波路部品は、前記半導体発光素子と光学的に結合された一端面と他端面とを有するファイバスタブを含み、
前記支持部材は、前記ファイバスタブを収容する領域を提供する内側面を有しており、
前記支持部材の前記内側面は、前記ファイバスタブの他端面と光学的に結合する別の光ファイバを有するフェルール部品を収容可能な長さを有する、請求項１４に記載の光モジュール。
【請求項１７】
前記光導波路部品は、前記半導体発光素子と光学的に結合された一端を有するピグテールファイバを含み、
前記支持部材は、前記光導波路部品を収容する領域を提供する内側面を有する、請求項１４に記載の光モジュール。
【請求項１８】
第１のノードと第２のノードとの間に設けられた半導体発光素子と、
第１の駆動信号を受ける第３のノードと前記第１のノードとの間に設けられた第１のキャパシタと、
第２の駆動信号を受ける第４のノードと前記第２のノードとの間に設けられた第２のキャパシタと、
前記第１のノードと第１の電力線との間に設けられた第１の電子素子と、
前記第２のノードと第２の電力線との間に設けられた第２の電子素子と、
を備え、
前記第１の電子素子は、インダクタンス及び抵抗の少なくともいずれかを有しており、
前記第２の電子素子は、インダクタンス及び抵抗の少なくともいずれかを有する、発光素子回路。
【請求項１９】
前記第３のノードに接続された第１の出力と、前記第４のノードに接続された第２の出力とを有する駆動回路を更に備え、
前記駆動回路は、前記第１の駆動信号を前記第１の出力に提供すると共に前記第２の駆動信号を前記第２の出力に提供する、請求項１８に記載の発光素子回路。
【請求項２０】
抵抗素子を更に備え、
前記半導体発光素子は前記抵抗素子を介して前記第２のノードに接続されている、請求項１８又は請求項１９に記載の発光素子回路。
【請求項２１】
前記第１の電力線と前記第２の電力線との間に設けられた電流源を更に備える、請求項１７〜請求項１９のいずれかに記載の発光素子回路。
【請求項２２】
半導体発光素子を駆動する方法であって、
ハイレベル値及びロウレベル値の一方を有する第１の駆動信号を第１のキャパシタの一端に加えて前記第１のキャパシタの他端に接続された前記半導体発光素子の一端を駆動すると共に、ハイレベル値及びロウレベル値の他方を有する第２の駆動信号を第２のキャパシタの一端に加えて前記第２のキャパシタの他端に接続された前記半導体発光素子の他端を駆動して、前記半導体発光素子に消光状態を生じさせるステップと、
ハイレベル値及びロウレベル値の他方を有する第１の駆動信号を第１のキャパシタの一端に加えて前記第１のキャパシタの他端に接続された前記半導体発光素子の一端を駆動すると共に、ハイレベル値及びロウレベル値の一方を有する第２の駆動信号を第２のキャパシタの一端に加えて前記第２のキャパシタの他端に接続された前記半導体発光素子の他端を駆動して、前記半導体発光素子に発光状態を生じさせるステップと
を備える、方法。
【請求項２３】
半導体発光素子を駆動する方法であって、
前記半導体発光素子の一端が電気的に接続された第１のノードを所定の電位より大きい電位に第１のキャパシタを介して駆動すると共に、前記半導体発光素子の他端が電気的に接続された第２のノードを前記所定の電位より小さい電位に第２のキャパシタを介して駆動するステップと、
前記第１のノードを所定の電位より小さい電位に前記第１のキャパシタを介して駆動すると共に、前記第２のノードを前記所定の電位より大きい電位に前記第２のキャパシタを介して駆動して、前記半導体発光素子に光を生じさせるステップと
を備える、方法。
【請求項２４】
前記半導体発光素子は、抵抗素子と直列に接続されている、請求項２２または請求項２３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光モジュール生産物、光モジュール、発光素子回路および半導体発光素子を駆動する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信の分野では、光信号を発生するための光源として、半導体レーザ素子または半導体光増幅素子といった半導体発光素子を含む光モジュールを用いる。この光モジュールを駆動するために、半導体発光素子の一端を電源に接続すると共に、半導体発光素子の他端に駆動回路を接続している。駆動回路は、駆動電流を提供する電流源を備えており、駆動信号に応答して電流源を切り替えている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
近年、光通信も分野では、２．５Ｇｂｐｓ以上の伝送速度を達成可能な光モジュールが求められている。駆動素子では、２．５Ｇｂｐｓ以上の駆動信号を提供する出力のインピーダンスが５０オームといった所定の値に設定されることがある。一方、光モジュールでは、そのハウジングの構造に関する制約から、駆動信号を受けるリード端子及び信号配線のインピーダンスを所定の値にできない場合、或いは該インピーダンスを所定の値にすることが技術的又は経済的な不利益が生じる場合がある。これらの場合、高速信号ラインにおけるインピーダンスの不整が大きくなる。
【０００４】
そこで、本発明の目的は、多少のインピーダンスの不整が信号ラインに存在するときでも、より高速な信号を伝送可能な光モジュール生産物、光モジュール、発光素子回路および半導体発光素子を駆動する方法を提供することにする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の一側面は、光モジュール生産物に係わる。光モジュール生産物は、基板デバイスと、第１のキャパシタと、第２のキャパシタと、第１の電子素子と、第２の電子素子と、光モジュールとを備える。光モジュールは、光導波路部品、半導体発光素子、及び第１及び第２のリード端子を有する。半導体発光素子は、光導波路部品に光学的に結合されている。第１及び第２のリード端子は、半導体発光素子に電気的に接続されている。第１のキャパシタは、光モジュールの第１のリード端子に電気的に接続された一端及び駆動信号を受ける他端を有する。第２のキャパシタは、光モジュールの第２のリード端子に電気的に接続された一端及び別の駆動信号を受ける他端を有する。第１の電子素子は、光モジュールの第１のリード端子に電気的に接続された一端と他端とを有する。第２の電子素子は、光モジュールの第２のリード端子に電気的に接続された一端と他端とを有する。基板デバイスは、光モジュール、第１及び第２のキャパシタ、並びに第１及び第２の電子素子を搭載する。第１の電子素子は、インダクタンス及び抵抗の少なくともいずれかを有する。第２の電子素子は、インダクタンス及び抵抗の少なくともいずれかを有する。
【０００６】
光モジュール生産物によれば、第１及び第２の電子素子を介して電力が提供される半導体発光素子において、第１及び第２のキャパシタを介して半導体発光素子の一端及び他端にそれぞれの駆動信号を加えることができる。
この光モジュール生産物では、基板デバイスは、光モジュールを搭載する第１の配線基板と、第１及び第２のキャパシタ並びに第１及び第２の電子素子を搭載する第２の配線基板と、第１の配線基板と第２の配線基板を接続するフレキシブルプリント基板とを含むことができる。フレキシブルプリント基板を用いると、光モジュールと、第２の配線基板との配置の自由度が向上する。
この光モジュール生産物では、基板デバイスは、光モジュール、第１及び第２のキャパシタ、並びに第１及び第２の電子素子を搭載する配線基板を含むことができる。
本発明の一側面は、光モジュール生産物に係わる。光モジュール生産物は、配線基板と、第１のキャパシタと、第２のキャパシタと、第１の電子素子と、第２の電子素子と、光モジュールとを備える。光モジュールは、光導波路部品、半導体発光素子、及び第１及び第２のリード端子を有する。半導体発光素子は、光導波路部品に光学的に結合されている。第１及び第２のリード端子は、半導体発光素子に電気的に接続されている。第１のキャパシタは、光モジュールの第１のリード端子に電気的に接続された一端及び駆動信号を受ける他端を有する。第２のキャパシタは、光モジュールの第２のリード端子に電気的に接続された一端及び別の駆動信号を受ける他端を有する。第１の電子素子は、光モジュールの第１のリード端子に電気的に接続された一端と第１の配線に電気的に接続された他端とを有する。第２の電子素子は、光モジュールの第２のリード端子に電気的に接続された一端と第２の配線に電気的に接続された他端とを有する。配線基板は、光モジュール、第１及び第２のキャパシタ、並びに第１及び第２の電子素子を搭載する。第１の電子素子は、インダクタンス及び抵抗の少なくともいずれかを有する。第２の電子素子は、インダクタンス及び抵抗の少なくともいずれかを有する。
これらの光モジュール生産物によれば、第１及び第２の電子素子を介して電力が提供される半導体発光素子において、第１及び第２のキャパシタを介して半導体発光素子の一端及び他端にそれぞれの駆動信号を加えることができる。
【０００７】
本発明の光モジュール生産物では、配線基板は、素子面と、搭載面と、複数の貫通孔とを有する。素子面は、第１及び第２のキャパシタ並びに第１及び第２の電子素子を搭載する。搭載面は、光モジュールを搭載する。複数の貫通孔は、素子面から搭載面に伸びており、光モジュールの第１及び第２のリード端子が通過する。
第１及び第２のキャパシタ並びに第１及び第２の電子素子が搭載されている素子面と異なる搭載面上に光モジュールを搭載しているので、第１及び第２のキャパシタ並びに第１及び第２の電子素子と、光モジュールとの間に配線基板を配置できる。
【０００８】
本発明の光モジュール生産物では、配線基板は、第１の面と、第２の面と、複数の貫通孔とを有する。第１の面は、第１及び第２のキャパシタ、第１及び第２の電子素子並びに光モジュールを搭載する。複数の貫通孔は、第１の面から第２の面に伸びており、光モジュールの第１及び第２のリード端子が通過する。配線基板において、第１の面は第２の面の反対にある。
【０００９】
本発明の光モジュール生産物は、駆動信号及び別の駆動信号を提供する第１及び第２の出力を有する半導体駆動素子を更に備えることができる。半導体駆動素子は、配線基板上に搭載されている。半導体駆動素子の第１の出力は、第１のキャパシタに電気的に接続されている。半導体駆動素子の第２の出力は、第２のキャパシタに電気的に接続されている。この形態によれば、第１及び第２のキャパシタに近くに半導体駆動素子を配置できる。
【００１０】
本発明の光モジュール生産物は、半導体駆動素子は、第１の電子素子に電気的に接続された一端子と、第２の電子素子に電気的に接続された別の端子とを更に有している。半導体駆動素子は、一端子と別の端子と間に設けられた電流源を含んでいる。電流源は、半導体発光素子に電力を供給するために利用される。
【００１１】
本発明の光モジュール生産物では、第１の電子素子と第２の電子素子との間に電気的に接続された電流源を含む半導体素子を更に備えることができる。この光モジュール生産物によれば、半導体駆動素子は半導体発光素子に電力を供給できる。
【００１２】
本発明の光モジュール生産物では、素子面と、搭載面と、複数の貫通孔とを有することができる。素子面は、第１及び第２のキャパシタ並びに第１及び第２の電子素子を搭載する。搭載面は、光モジュールを搭載する。各貫通孔は、素子面から搭載面に伸びている。貫通孔には、光モジュールの第１及び第２のリード端子がそれぞれ通過する。
光モジュールは、搭載部材を備えている。搭載部材は、導電体と、複数の孔と、絶縁体とを有する。導電体は、配線基板の素子面に向いている第１の面及び半導体発光素子を搭載する第２の面を有する。複数の孔の各々は、第１の面から第２の面に伸びている。複数の孔の各々には、第１及び第２のリード端子が通過する。絶縁体は、各孔内に設けられ各孔内の該リード端子と導電体とを絶縁する。
【００１３】
第１及び第２のリード端子が導電体から絶縁されているので、第１及び第２のリード端子の電位と異なる電位に導電体を与えることができる。
【００１４】
本発明の光モジュール生産物では、光モジュールは、抵抗素子を更に備えることができる。半導体発光素子は一端及び他端を有している。半導体発光素子の一端は、第１のリード端子に電気的に接続されている。　半導体発光素子の他端は、抵抗素子を介して第２のリード端子に電気的に接続されている。抵抗素子は、光モジュールの高周波特性を向上するために役立つ。
【００１５】
本発明の光モジュール生産物では、配線基板は、配線面と、搭載面と、貫通孔とを有することができる。搭載面は、光モジュールを搭載する。貫通孔は、光モジュールのリード端子が通過する。また、搭載部材は、導電体と、貫通孔と、絶縁体を備えている。導電体は、配線基板の素子面に向いている第１の面及び第２の面を有する。貫通孔は、第１の面から第２の面に伸びておりリード端子が通過する。絶縁体は、リード端子と導電体とを絶縁するように各貫通孔内に設けられている。駆動素子の第１及び第２の出力は、１０オーム以上４０オーム以下のインピーダンスを有している。半導体発光素子は、２０オーム以上８０オーム以下のインピーダンスを有している。
【００１６】
発明者の知見によれば、上記のような搭載部材を備える光モジュールでは、駆動素子の第１及び第２の出力並びに半導体発光素子のインピーダンスは、それぞれ上記の値の範囲が好ましい。
【００１７】
この光モジュール生産物において、半導体発光素子は、面発光レーザ素子を含んでいる。上記の光モジュールは、面発光レーザ素子に特に好適な形態である。
【００１８】
本発明の光モジュール生産物では、半導体発光素子は、面発光レーザ素子を含んでいる。搭載部材は、導電体と、貫通孔と、絶縁体を備えている。導電体は、配線基板の素子面に向いている第１の面及び第２の面を有する。貫通孔は、第１の面から第２の面に伸びており前記リード端子が通過する。絶縁体は、リード端子と前記導電体とを絶縁するように各貫通孔内に設けられている。半導体発光素子は、搭載部材上に搭載されている。面発光レーザ素子は、第２の面上に搭載されている。
【００１９】
本発明の別の側面は、光モジュールに係わる。光モジュールは、搭載部材と、半導体発光素子とを備える。搭載部材は、導電体と、第１及び第２のリード端子と、第１及び第２の貫通孔と、絶縁体とを有する。導電体は、所定の軸に交差する第１及び第２の面を有する。第１のリード端子は、第１の駆動信号を受ける。第２のリード端子は、第２の駆動信号を受ける。第１及び第２の貫通孔の各々は、第１の面から第２の面に伸びている。第１及び第２の貫通孔の各々は、第１及び第２のリード端子がそれぞれ通過する。絶縁体は、各貫通孔内に設けられており、リード端子と導電体とを絶縁する。半導体発光素子は、第１のリード端子に電気的に接続された一端及び第２のリード端子に電気的に接続された他端を有する。半導体発光素子は、搭載部材に搭載されている。半導体発光素子は、光ファイバに光学的に結合されている。
【００２０】
第１及び第２のリード端子が導電体から絶縁されているので、第１のリード端子、第２のリード端子、及び導電体の各々に別個の電位を与えることかでき、半導体発光素子の一端及び他端にそれぞれの駆動信号を加えることができる。また、第１及び第２のリード端子の電位と異なる電位を搭載部材の導電体を与えることができる。
【００２１】
本発明の光モジュールでは、光モジュールは、抵抗素子を更に含んでいる。半導体発光素子の一端は、第１のリード端子に電気的に接続されている。半導体発光素子の他端は、抵抗素子を介して第２のリード端子に電気的に接続されている。抵抗素子は、光モジュールの高周波特性を向上するために役立つ。
【００２２】
本発明の光モジュールでは、光導波路部品と、支持部材と、隔置部材とを更に備えることができる。光導波路部品は、光ファイバと、該光ファイバを保持する保持部材とを有する。支持部材は、光導波路部品を所定の軸方向に向けて支持する。隔置部材は、支持部材と搭載部材との間に設けられている。隔置部材は、搭載部材の第２の面上に設けられている。
【００２３】
本発明の光モジュールでは、半導体発光素子は面発光レーザ素子を含む。面発光レーザ素子は、搭載部材の第２の面上に搭載されている。
搭載部材の第２の面上に面発光レーザ素子を搭載すれば、光ファイバとの光学的に結合が容易になる。
【００２４】
本発明の光モジュールでは、光導波路部品は、半導体発光素子と光学的に結合された一端面と他端面とを有するファイバスタブを含んでいる。支持部材は、ファイバスタブを収容する領域を提供する内側面を有する。支持部材の内側面は、ファイバスタブの他端面と光学的に結合する別の光ファイバを有するフェルール部品を収容可能な長さを有する。
【００２５】
本発明の光モジュールでは、光導波路部品は、半導体発光素子と光学的に結合された一端を有するピグテールファイバを含む。支持部材は、光導波路部品を収容する領域を提供する内側面を有する。
【００２６】
本発明の更なる別の側面は、発光素子回路に係わる。発光素子回路は、半導体発光素子と、第１のキャパシタと、第２のキャパシタと、第１の電子素子と、第２の電子素子とを備える。半導体発光素子は、第１のノードに接続された一端と、第２のノードに接続された他端とを有する。
第１のキャパシタは、第１の駆動信号を受ける第３のノードと前記第１のノードとの間に設けられている。第２のキャパシタは、第２の駆動信号を受ける第４のノードと前記第２のノードとの間に設けられている。第１の電子素子は、第１のノードと第１の電力線との間に設けられている。第２の電子素子は、第２のノードと第２の電力線との間に設けられている。第１の電子素子は、インダクタンス及び抵抗の少なくともいずれかを有する。第２の電子素子は、インダクタンス及び抵抗の少なくともいずれかを有する。
【００２７】
発光素子回路によれば、第１及び第２の電子素子を介して電力が提供される半導体発光素子において、第１及び第２のキャパシタを介して半導体発光素子の一端及び他端にそれぞれの駆動信号を加えることができる。
【００２８】
本発明の発光素子回路は、駆動回路を更に備えることができる。駆動回路は、第１の出力と、第２の出力とを更に有することができる。第１の出力は、前記第３のノードに接続されている。第２の出力は、第４のノードに接続されている。駆動回路は、第１の駆動信号を第１の出力に提供するものであり、また第２の駆動信号を第２の出力に提供する。この回路形態によれば、半導体発光素子の各端子に加える駆動信号を駆動回路により生成できる。
【００２９】
本発明の発光素子回路は、抵抗素子を更に備えることができる。半導体発光素子の他端は、抵抗素子を介して第２のノードに接続されている。抵抗素子は、発光素子回路の高周波特性を向上するために役立つ。
【００３０】
本発明の発光素子回路は、第１の電力線と第２の電力線との間に設けられた電流源を更に備えることができる。この電流源は、半導体発光素子に電力を供給するために役立つ。
【００３１】
本発明の更なる別の側面は、半導体発光素子を駆動する方法に係わる。一の方法は、（ａ）ハイレベル値及びロウレベル値の一方を有する第１の駆動信号を第１のキャパシタの一端に加えて第１のキャパシタの他端に接続された半導体発光素子の一端を駆動すると共に、ハイレベル値及びロウレベル値の他方を有する第２の駆動信号を第２のキャパシタの一端に加えて第２のキャパシタの他端に接続された半導体発光素子の他端を駆動して、半導体発光素子に消光状態を生じさせるステップ、（ｂ）ハイレベル値及びロウレベル値の他方を有する第１の駆動信号を第１のキャパシタの一端に加えて前記第１のキャパシタの他端に接続された半導体発光素子の一端を駆動すると共に、ハイレベル値及びロウレベル値の一方を有する第２の駆動信号を第２のキャパシタの一端に加えて第２のキャパシタの他端に接続された半導体発光素子の他端を駆動して、半導体発光素子に発光状態を生じさせるステップを備える。この方法によれば、駆動信号をキャパシタに加えることにより、半導体発光素子を駆動できる。この方法は、これらのステップを繰り返すステップを更に備えることができる。
【００３２】
別の方法は、（ａ）半導体発光素子の一端が電気的に接続された第１のノードを所定の電位より大きい電位に第１のキャパシタを介して駆動すると共に、半導体発光素子の他端が電気的に接続された第２のノードを該所定の電位より小さい電位に第２のキャパシタを介して駆動するステップ、（ｂ）第１のノードを該所定の電位より小さい電位に第１のキャパシタを介して駆動すると共に、第２のノードを該所定の電位より大きい電位に第２のキャパシタを介して駆動して、半導体発光素子に光を生じさせるステップを備える。この方法によれば、キャパシタを介して第１及び第２のノード駆動することにより、半導体発光素子を駆動できる。この方法は、これらのステップを繰り返すステップを更に備えることができる。
【００３３】
これらの方法において、半導体発光素子は、抵抗素子と直列に接続されている。抵抗素子は、高周波特性が向上できる該方法を提供する。
【００３４】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の光モジュール生産物、光モジュール、発光素子回路、および半導体発光素子を駆動する方法に係わる実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００３６】
（第１の実施の形態）
図１は、本実施の形態に係わる光モジュール生産物の構成を示す図面である。図２は、本実施の形態に係わる光モジュール生産物の構成を示す図面である。
【００３７】
図１及び図２を参照すると、光モジュール生産物１は、光モジュール３と、配線基板５といった基板デバイスと、第１のキャパシタ７と、第２のキャパシタ９と、第１の電子素子１１と、第２の電子素子１３とを備える。配線基板５は、第１〜第６の導電線１５ａ〜１５ｆを有する。配線基板５としては、エポキシ製配線基板またはフレキシブルプリント基板が例示される。第１のキャパシタ７は、一端７ａ及び他端７ｂを有する。第１のキャパシタ７の一端７ａは、第１の導電線１５ａに電気的に接続されており、他端７ｂは、第３の導電線１５ｃに電気的に接続されている。第２のキャパシタ９は、一端９ａ及び他端９ｂを有する。第２のキャパシタ９の一端９ａは第２の導電線１５ｂに電気的に接続されており、他端９ｂは第４の導電線１５ｄに電気的に接続されている。第１の電子素子１１は、一端１１ａ及び他端１１ｂを有する。第１の電子素子１１の一端１１ａは、第５の導電線１５ｅに電気的に接続されており、他端１１ｂは第２の導電線１５ｂに電気的に接続されている。第２の電子素子１３は、一端１３ａ及び他端１３ｂを有する。第２の電子素子１３の一端１３ａは、第６の導電線１５ｆに電気的に接続されており、他端１３ｂは第１の導電線１５ａに電気的に接続されている。第１の電子素子１１は、インダクタンス及び抵抗の少なくともいずれかを有する。第２の電子素子１３は、インダクタンス及び抵抗の少なくともいずれかを有する。
【００３８】
光モジュール３は、光導波路１７に光学的に結合された半導体発光素子１９と、半導体発光素子１９に電気的に接続された第１及び第２のリード端子２１ａ、２１ｂとを有する。光モジュール３の第１のリード端子２１ａは、第２の導電線１５ｂに電気的に接続されている。光モジュール３の第２のリード端子２１ｂは、第１の導電線１５ａに電気的に接続されている。光モジュール３は、また、第３及び第４のリード端子２１ｃ、２１ｄを有しており、第３及び第４のリード端子２１ｃ、２１ｄは、モニタ用受光素子の一端及び他端に接続されている。
【００３９】
光モジュール生産物１によれば、第１及び第２の電子素子１１、１３を介して電力が提供される半導体発光素子１９において、第１及び第２のキャパシタ７、９を介して半導体発光素子１９の一端及び他端にそれぞれの駆動信号（正相信号及び逆相信号）を加えることができる。故に、光モジュール生産物１は、多少のインピーダンスの不整が信号ラインに存在するときでも、より高速な信号を伝送可能である。
【００４０】
配線基板５は、搭載面５ａ及び配線面５ｂを有している。配線基板５において、搭載面５ａは配線面５ｂと対向している。第１〜第６の導電線１５ａ〜１５ｆは、配線基板５の配線面５ａ上に設けられている。配線基板５は、また貫通孔２３ａ〜２３ｄを有することができる。貫通孔２３ａ〜２３ｄの各々には、光モジュール３のリード端子２１ａ〜２１ｄが通過する。貫通孔２３ａ、２３ｂは、第１の導電線１５ａ及び第２の導電線１５ｂに位置合わせされている。貫通孔２３ｃ、２３ｄは、第７の導電線１５ｇ及び第８の導電線１５ｈに位置合わせされている。第１及び第２のキャパシタ７、９並びに第１及び第２の電子素子１１、１３は、配線基板５の配線面５ｂ上に搭載されている。搭載面５ａは、光モジュール３を搭載する。光モジュール３が、第１及び第２のキャパシタ７、９並びに第１及び第２の電子素子１１、１３が搭載されている配線面５ｂと異なる搭載面５ａに搭載されているので、配線面５ｂ上の導電線１５ａ〜１５ｇと光モジュール３との間に配線基板５を配置できる。光モジュール３が向いている方向に、駆動信号のノイズが放射されにくい。搭載面５ａ上には、導電層１５ｋを設けることができる。導電層１５ｋは、ノイズを遮断するために役立つ。
【００４１】
光モジュール生産物１は、半導体駆動素子２５を更に備えることができる。半導体駆動素子２５は、配線基板５上に搭載されている。半導体駆動素子２５は、半導体発光素子１９を駆動するための駆動信号を提供する第１の出力２５ａ及び第２の出力２５ｂを有している。半導体駆動素子２５の第１の出力２５ａは、第４の導電線１５ｄに電気的に接続されており、第３の出力２５ｃは第３の導電線１５ｃに電気的に接続されている。この形態によれば、第１及び第２のキャパシタ７、９に近くに半導体駆動素子２５を配置できる。半導体駆動素子２５は、第１の入力２５ｃ及び第２の入力２５ｄを有する。半導体駆動素子２５は、導電線１５ｉ、１５ｊを介して第１の入力２５ｃ及び第２の入力２５ｄに受けた送信信号２７から駆動信号２９を生成する増幅部２５ｇを有する。
【００４２】
また、光モジュール生産物１は、電流源３１を更に備えることができる。電流源３１は、第５の導電線１５ｅと第６の導電線１５ｆとの間に電気的に接続されている。電流源３１は、半導体発光素子１９に電力を供給するために利用できる。
【００４３】
半導体駆動素子２５は、第５の導電線１５ｅに電気的に接続された第３の出力２５ｅと、第６の導電線１５ｆに電気的に接続された第４の出力２５ｆとを更に有することができる。この形態によれば、半導体駆動素子２５は、第５の導電線１５ｅと第６の導電線１５ｆを介して半導体発光素子１９に電力を提供できる。
【００４４】
半導体駆動素子５は、電流源３１を含むことができる。電流源３１は、出力２５ｅと出力２５ｆとの間に電気的に接続されている。光モジュール生産物１によれば、半導体駆動素子２５は半導体発光素子１９に電力を供給できる。
【００４５】
光モジュール３は、抵抗素子３３を更に備えることができる。半導体発光素子１９の一端は、第１のリード端子２１ａに電気的に接続されており、半導体発光素子１９の他端は抵抗素子３３を介して第２のリード端子２１ｂに電気的に接続されている。抵抗素子３３は、光モジュール３の高周波特性を向上するために役立つ。
【００４６】
好適な実施例においては、半導体駆動素子２５の第１及び第２の出力２５ａ、２５ｂは、１０オーム以上４０オーム以下のインピーダンスを有することが好ましい。半導体発光素子１９は、２０オーム以上８０オーム以下のインピーダンスを有することが好ましい。この値によれば、ＣＡＮ型パッケージのリード端子に起因するインピーダンス不整合を抑えることができる。発明者の実験によれば、リード端子の周囲に設けられた封止用ガラスの厚さを小さくすると、リード端子部のインピーダンスが変化して小さくなる。この変化に合わせて、駆動素子２５の第１及び第２の出力２５ａ、２５ｂのインピーダンスを低めに設定することが好ましい。また、発明者の実験によれば、半導体発光素子１９が面発光レーザ素子であるとき、面発光レーザ素子のインピーダンスは、温度に伴う変化を含めると、２０オームから８０オーム程度まで変化する。
【００４７】
図３は、本実施の形態の光モジュール生産物の変形例を示す図面である。図３を参照すると、光モジュール生産物１ａは、光モジュール３と、配線基板５と、第１のキャパシタ７と、第２のキャパシタ９と、第１の電子素子１１と、第２の電子素子１３とを備える。配線基板５は、第１〜第６の導電線１５ａ〜１５ｆに加えて第７の導電線１５ｍを有する。
【００４８】
光モジュール生産物１ａは、半導体駆動素子２４及び電源素子２６を更に備えることができる。半導体駆動素子２４及び電源素子２６は、配線基板６上に搭載されている。半導体駆動素子２４は、半導体発光素子１９を駆動するための駆動信号を提供する第１の出力２４ａ及び第２の出力２４ｂを有している。半導体駆動素子２４の第１の出力２４ａは、第４の導電線１５ｄに電気的に接続されており、第２の出力２４ｂは第３の導電線１５ｃに電気的に接続されている。この形態によれば、第１及び第２のキャパシタ７、９に近くに半導体駆動素子２４を配置できる。半導体駆動素子２４は、第１の入力２４ｃ及び第２の入力２４ｄする。半導体駆動素子２５は、導電線１５ｉ、１５ｊを介して第１の入力２４ｃ及び第２の入力２４ｄに受けた送信信号２７から駆動信号２９を生成する増幅部２４ｇを有している。
【００４９】
電源素子２６は、電流源回路２６ａを含む。電流源回路２６ａは、出力２６ａと出力２６ｂとの間に電気的に接続されている。光モジュール生産物１ａにおいては、電源素子２６は半導体発光素子１９に電力を供給できる。電源素子２６は、第５の導電線１５ｅに接続された端子２６ａと、第６の導電線１５ｆに電気的に接続された端子２６ｂとを有する。電流源回路２６ａは、第５の導電線１５ｅと第６の導電線１５ｆとに電気的に接続されている。
図４は、第１の実施の形態の変形例を示す図面である。図４を参照すると、光モジュール生産物１ｂは、光モジュール３と、配線基板８と、第１のキャパシタ７と、第２のキャパシタ９と、第１の電子素子１１と、第２の電子素子１３とを備える。配線基板８は、第１の面８ａ及び第２の面８ｂを有している。配線基板８において、第１の面８ａは第２の面８ｂと対向している。第２の面８ｂは、光モジュール３を搭載する。配線基板８は、導電線１５ｍ、１５ｎ、１５ｃ〜１５ｆを有する。導電線１５ｍ、１５ｎ、１５ｃ〜１５ｆは、配線基板８の第２の面８ｂ上に設けられている。配線基板８は、また貫通孔２３ａ〜２３ｄを有することができる。貫通孔２３ａ〜２３ｄの各々には、光モジュール３のリード端子２１ａ〜２１ｄが通過する。貫通孔２１ａ、２１ｂは、第１の面８ａ上に設けられた導電線１５ｔ及び導電線１５ｕに位置合わせされている。貫通孔２１ｃ、２１ｄは、第１の面８ａ上に設けられた導電線１５ｒ及び導電線１５ｓに位置合わせされている。導電線１５ｔ、１５ｕは、導電線１５ｍ、１５ｎとスルーホールを介して接続されている。導電線１５ｒ、１５ｓは、導電線１５ｐ、１５ｑとスルーホールを介して接続されている。
光モジュール３が、第１及び第２のキャパシタ７、９並びに第１及び第２の電子素子１１、１３が搭載されている面８ｂと同じ面に搭載されている。第１の面８ａ上には、導電層１５ｋを設けることができる。導電層１５ｋは、ノイズを遮断するために役立つ。
【００５０】
以上説明したように、本実施の形態によれば、多少のインピーダンスの不整が信号ラインに存在するときでも、より高速な信号を伝送可能な光モジュール生産物が提供される。
【００５１】
（第２の実施の形態）
図５は、本実施の形態に係わる発光素子回路の回路図を示す。図６（ａ）及び図６（ｂ）は、電子素子のいくつかの形態を示す回路図である。図６は、半導体発光素子部の形態を示す回路図である。
【００５２】
発光素子回路５０は、半導体発光素子部５２と、第１のキャパシタ５４と、第２のキャパシタ５６と、第１の電子素子５８と、第２の電子素子６０とを備える。第１のキャパシタ５４は、第１のノード６２に接続された一端５４ａと、第１の駆動信号２９ａを受ける他端５４ｂとを有する。第２のキャパシタ５６は、第２のノード６４に接続された一端５６ａと、第２の駆動信号２９ｂを受ける他端５６ｂとを有する。第１の電子素子５８は、第１のノード６２に接続された一端５８ａと、第１の電力線６６に接続された他端５８ｂとを有する。第２の電子素子６０は、第２のノード６４に接続された一端６０ａと、第２の電力線６８に接続された他端６０ｂとを有する。第１及び第２の電子素子５８、６０は、図６（ａ）に示されるような抵抗７０、及び図６（ｂ）に示されるようなインダクタ７２の少なくともいずれかを備えることができる。図７を参照すると、半導体発光素子部５２の一形態が示されている。半導体発光素子部５２は、半導体レーザ素子、半導体光増幅素子（半導体光増幅素子はファイバグレーティングといった回折格子を一緒に使用される）といった半導体発光素子６２を含むことができる。半導体発光素子７４は、一端７４ａ及び他端７４ｂを有する。半導体発光素子７４の一端７４ａは第１のノード６２に接続され、半導体発光素子７４の他端７４ｂは第２のノード６４に接続される。
【００５３】
発光素子回路５０によれば、第１及び第２のキャパシタ５４、５６を介して半導体発光素子部５２の一端５２ａ及び他端５２ｂにそれぞれの駆動信号を加えることができる。発光素子回路５０においては、第１及び第２の電子素子５８、６０を介して半導体発光素子部５２に電力を提供できる。
回路を構成する素子の値を例示的に示せば、
2004095905.tif 000003
である。
【００５４】
図６を参照すると、発光素子回路５０は、駆動回路７６を更に備えることができる。駆動回路７６は、第１の出力７６ａと、第２の出力７６ｂとを有することができる。第１の出力７６ａは、第１のキャパシタ５４の他端５４ｂに接続されている。第２の出力７６ｂは、第２のキャパシタ５６の他端５６ｂに接続されている。駆動回路７６は、第１の入力７６ｃ及び第２の入力７６ｄを有する。第１の入力７６ｃ及び第２の入力７６ｄにおいて、入力信号２７ａ及び２７ｂを受ける。駆動回路７６は、入力信号２７ａ及び２７ｂから駆動信号２９ａ及び２９ｂを生成する増幅回路７６ｅを有する。駆動回路７６は、第１の駆動信号２９ａを第１の出力７６ａに提供するものであり、また第２の駆動信号２９ｂを第２の出力７６ｂに提供する。この回路形態によれば、半導体発光素子部５２の各端子５２ａ、５２ｂに加える駆動信号を駆動回路７６により生成できる。
【００５５】
図８は、発光素子回路の主要なノードの電圧波形を示すチャートである。図８を参照すると、駆動信号２９ａ、２９ｂの電圧波形、第１のノード６２の電圧波形８０、及び第２のノード６４の電圧波形８２が示されている。駆動信号２９ａ、２９ｂは、キャパシタ５４、５６を介して第１及び第２のノード６２、６４にそれぞれ加えられる。第１及び第２のノード６２、６４は、駆動信号に応答して、加えられた信号と同相の電圧変化を示す。
【００５６】
図８において、期間Ｔ１において、波形８０は、基準レベル８０ａ（Ｖ８０）に比べて相対的に高い信号レベル（ハイレベル値）を示しており、波形８２は、基準レベル８２ａ（Ｖ８２）に比べて相対的に低い信号レベル（ロウレベル値）を示している。基準レベル８０ａ（Ｖ８０）は、例えば、第１のノード６２の平均電位であり、第基準レベル８２ａ（Ｖ８２）は、例えば、第２のノード６４の平均電位である。波形８０及び波形８２の振幅は、それぞれ、駆動信号の振幅にほぼ等しい。故に、波形８０の振幅Ｖ１０と波形８２の振幅Ｖ２０との和は、駆動信号の振幅のほぼ倍になる。故に、半導体発光素子の両端には、より大きな電位差が印加可能になる。また、約半分の振幅値の駆動信号を用いても、これまでと同程度の振幅値の信号を半導体発光素子の両端に印加可能になる。
【００５７】
図８に示された波形８０及び８２について詳述する。期間Ｔ１において、キャパシタ５４の他端５４ｂに駆動信号２９ａのハイレベル値が加えられると、キャパシタ５４の一端５４ａの電位は、駆動信号２９ａの振幅分だけ上昇して、図８に示されるようにＶ８０＋Ｖ１０／２になる。キャパシタ５６の他端５６ｂに駆動信号２９ｂのロウレベル値が加えられると、キャパシタ５６の一端５６ａの電位は、駆動信号２９ｂの振幅分だけ下降して、図７に示されるようにＶ８２−Ｖ２０／２になる。期間Ｔ１において、第１のノード６２と第２のノード６４との電位差△Ｖ１＝（Ｖ８０＋Ｖ１０／２）−（Ｖ８２−Ｖ２０／２）＝（Ｖ８０−Ｖ８２）＋（Ｖ１０＋Ｖ２０）／２となる。この電位差は、半導体発光素子部５２に順方向に加えられる。
【００５８】
期間Ｔ２において、キャパシタ５４の他端５４ｂに駆動信号２９ａのロウレベル値が加えられると、キャパシタ５４の一端５４ａの電位は、駆動信号２９ａの振幅分だけ下降して、図７に示されるようにＶ８０＋Ｖ１０／２になる。キャパシタ５６の他端５６ｂに駆動信号２９ｂのハイレベル値が加えられると、キャパシタ５６の一端５６ａの電位は、駆動信号２９ｂの振幅分だけ上昇して、図７に示されるようにＶ８２＋Ｖ２０／２になる。期間Ｔ２において、第１のノード６２と第２のノード６４との電位差△Ｖ２＝（Ｖ８０−Ｖ１０／２）−（Ｖ８２＋Ｖ２０／２）＝（Ｖ８０−Ｖ８２）−（Ｖ１０＋Ｖ２０）／２となる。この電位差は、半導体発光素子部５２に順方向に加えられる。電位差△Ｖ２は、電位差△Ｖ１より小さい。
【００５９】
引き続いて、期間Ｔ３においては、期間Ｔ１と同様に半導体発光素子部５２が順方向に大きな電圧が印加される。再び、期間Ｔ４においては、期間Ｔ３と同様に半導体発光素子部５２が順方向に小さな電圧が印加される。次いで、これらが繰り返される。
【００６０】
例えば、期間Ｔ２においては、ロウレベル値を有する第１の駆動信号２９ａを第１のキャパシタ５４の一端５４ｂに加えて第１のキャパシタ５４の他端５４ａに接続された半導体発光素子部５２の一端５２ａを駆動すると共に、ハイレベル値を有する第２の駆動信号２９ｂを第２のキャパシタ５６の一端５６ｂに加えて第２のキャパシタ５６の他端５６ａに接続された半導体発光素子部５２の他端５２ｂを駆動するステップが行われる。
【００６１】
期間Ｔ３においては、ハイレベル値を有する第１の駆動信号２９ａを第１のキャパシタ５４の一端５４ｂに加えて第１のキャパシタ５４の他端５４ａに接続された半導体発光素子部５２の一５２ａ端を駆動すると共に、ロウレベル値を有する第２の駆動信号２９ｂを第２のキャパシタ５６の一端５６ｂに加えて第２のキャパシタ５６の他端５６ａに接続された半導体発光素子部５２の他端５２ｂを駆動して、半導体発光素子５２に光を強めるステップが行われる。
【００６２】
この駆動方法によれば、駆動信号をキャパシタに加えることにより、半導体発光素子を駆動できる。
【００６３】
別の例では、期間Ｔ２においては、半導体発光素子部５２の一端５２ａが電気的に接続された第１のノード６２を所定の電位Ｖ８０より小さい電位に第１のキャパシタ５４を介して駆動すると共に、半導体発光素子部５２の他端５２ｂが電気的に接続された第２のノード６４を所定の電位Ｖ８２より大きい電位に第２のキャパシタ５６を介して駆動するステップが行われる。
【００６４】
期間Ｔ３においては、第１のノード６２を所定の電位８０ａより大きい電位に第１のキャパシタ５４を介して駆動すると共に、第２のノード６４を所定の電位８２ａより小さい電位に第２のキャパシタ５６を介して駆動して、半導体発光素子部５２に光を強めるステップが行われる。
【００６５】
この方法によれば、キャパシタ５４、５６を介して第１及び第２のノード６２、６４駆動することにより、半導体発光素子部５２を駆動できる。
【００６６】
図９（ａ）及び図９（ｂ）は、本実施の形態の発光素子回路の変形例のための半導体発光素子部を示す図面である。図９（ａ）及び図９（ｂ）を参照すると、半導体発光素子７４と抵抗素子８６とが示されており、抵抗素子８６は半導体発光素子７４に直列に接続されている。図９（ａ）に示された図面では、半導体発光素子７４のアノード７４ａが抵抗素子８６の一端８６ａに接続されており、抵抗素子８６の他端８６ｂが半導体発光素子部の端子５２ａに接続されており、半導体発光素子７４のカソード７４ｂが半導体発光素子部５２の端子５２ｂに接続されている。図８（ｂ）に示された図面では、半導体発光素子７４のカソード７４ｂが抵抗素子８６の一端８６ｂに接続されており、抵抗素子８６の他端８６ａが半導体発光素子部の端子５２ｂに接続されており、半導体発光素子７４のアノード７４ａが半導体発光素子部５２の端子５２ａに接続されている。発光素子回路５０が抵抗素子８６を更に備えることにより、発光素子回路部５２の高周波特性を向上できる。
【００６７】
図１０は、本実施の形態に係わる発光素子回路の変形例の回路図を示す。発光素子回路５１ａは、第１の電力線６６と第２の電力線６８との間に設けられた電流源９０を更に備えることができる。電流源９０は、電力線６６に接続された端子９０ａと、電力線６８に接続された端子９０ｂとを有する。この電流源９０は、半導体発光素子部５２に電力を供給するために利用される。図７に示された所定レベルの値は、電流源の電流供給能力に応じて決まる。なお、抵抗８６を用いるときは、この抵抗間の電位降下が加わる。
【００６８】
なお、好適な実施の形態では、増幅回路７６及び電流源９０は、駆動回路を構成するように単一の集積回路９２に構成されることができる。駆動回路９２は、第１の出力〜第４の出力９２ａ〜９２ｄと、第１及び第２の入力９２ｅ及び９２ｆを更に備えることができる。第１の出力９２ａは、第１のキャパシタ５４に接続されている。第２の出力９２ｂは、第２のキャパシタ５６に接続されている。第３の出力は、第１の電子素子５８に接続されている。第４の出力９２ｄは、第２の電子素子６０に接続されている。第１及び第２の入力９２ｅ、９２ｆは、入力信号２７を受ける。
【００６９】
以上説明したように、本実施の形態によれば、多少のインピーダンスの不整が信号ラインに存在するときでも、より高速な信号を伝送可能な発光素子回路が提供される。
【００７０】
（第３の実施の形態）
図１１は、本実施の形態に係る光モジュールの構成部品を示す図面である。図１２は、本実施の形態に係る光モジュールを示す図面である
【００７１】
図１１及び図１２を参照しながら、本実施の形態に係る光モジュール３を説明する。光モジュール３は、ステムといった搭載部材１２０と、半導体発光素子１９と、キャップといったレンズ保持部材１３０と、スリーブガイド１３６と、光導波路部品１３９とを備える。光モジュール３は、スリーブ１３４およびフェルール１３８を備えることができ、スリーブ１３４にはフェルール１３８が挿入されている。スリーブ１３４およびフェルール１３８は、スリーブガイド１３６に収納されることができる。光導波路部品１３９は、フェルール１３８と、フェルール１３８に保持された光ファイバ１７を含むことができる。光モジュール３は、また、半導体発光素子１９と光導波路部品１３９との間に設けられたレンズ１３２といった集光手段を更に備えるようにしてもよい。
【００７２】
光モジュール３においては、以下のものが所定の方向に伸びる軸１１２に沿って配置される。つまり、光モジュール３は、搭載部材１２０、半導体発光素子１９、レンズ保持部材１３０、レンズ１３２、スリーブ１３４、スリーブホルダ１３６、フェルール１３８、および光導波路部品１３９を備える。所定の軸１１２は、半導体発光素子１９に関連する光軸に一致するように配置されることができる。以下の説明は、光導波路部品１３９が光導波路として光ファイバを含む場合について行われる。光ファイバは、コア部およびこの周囲に設けられたクラッド部を有する光導波路である。光ファイバ素線は、周囲が樹脂によって被覆された状態のフィラメントを意味し、図９においては、フェルール１３８に挿入されている。
【００７３】
搭載部材１２０は、所定の軸１１２に交差する平面に沿って伸びる板状の部材であり、例えば所定形状の鉄板に金メッキを施して形成した導電体からなる金属製部材を含む。搭載部材１２０は、所定の軸に交差する部品搭載面１２０ａおよび端子配置面１２０ｂを有する。部品搭載面１２０ａ上には、チップキャリア又はヒートシンクといった部品搭載部材１２６が配置されている。部品搭載部材１２６は、半導体発光素子１９を支持するための支持面１２６ａを有する。この支持面１２６ａ上には、面発光レーザ素子といった半導体発光素子１９が配置されている。
【００７４】
また、光モジュール３は、抵抗３３を更に備えることができる。抵抗素子３３は、部品搭載面１２０ａ上に設けられている。例えば、抵抗素子３３は、サブマウントといった搭載部材１１６の主面上に設けられた抵抗層により実現される。さらに、光モジュール３は、受光素子１１４を更に備えることができる。受光素子１１４は、部品搭載面１２０ａ上に位置する搭載部材１１０の搭載面１１０ａ上に位置しており、半導体発光素子１９と光学的に結合されるように配置されている。受光素子１１４は、受光面を半導体発光素子１９の光放出面に向けて、チップキャリアといった部品搭載部材１１２上に配置されている。受光素子１１４は、半導体発光素子１９からの光を受けて、モニタ用の光電流信号を生成する。半導体受光素子としてはフォトダイオードがある。
【００７５】
レンズ保持部材１３０は、管状部１３０ａ、第１の端部１３０ｂ、および第２の端部１３０ｃを有する。管状部１３０ａは、所定の軸１１２に沿って伸びている。第１の端部１３０ｂは、管状部１３０ａの一端に設けられている。第２の端部１３０ｃは、管状部１３０ａの他端に設けられている。レンズ保持部材１３０は、ステンレスといった金属から成る。第１の端部１３０ｂは、搭載部材１２０に接触する固定面１３０ｄを備えている。レンズ保持部材１３０は、固定面１３０ｄが搭載部材１２０の部品搭載面１２０ａと面するように固定されている。
【００７６】
管状部１３０ａは、所定の軸１１２に沿って伸びる側壁部を有し、側壁部１３０ｅは、第１の内壁面１３０ｆ及び第２の内壁面１３０ｇを有する。第１の内壁面１３０ｆは、第１の端部１３０ｂをから伸びている。第２の内壁面１３０ｇには、レンズ１３２を配置するように設けられた環状の延出部１３０ｈが設けられている。延出部３０ｈは、軸１１２を囲むように設けられた保持面１３０ｉによって規定されるレンズ配置孔を形成する。レンズ配置孔によって、レンズ１３２の位置決めが可能になる。レンズ１３２は、レンズ配置孔に収容され、低融点ガラスといった接着部材１４２（図１２）を介してレンズ保持部材１３０に固定される。固定されたレンズ１３２は、半導体発光素子１２２に対面している。接着部材１４２は、レンズ１３２と保持面１３０ｉとの間を接着するように環状に設けられ、これによって、接着部位における気密性が確保される。第２の端部１３０ｃは、スリーブホルダ１３６を支持するための端面１３０ｊを有する。
【００７７】
レンズ保持部材１３０が搭載部材１２０上に固定されると、部品搭載面１２０ａ、内壁面１３０ｆ、延出部１３０ｈ、およびレンズ１３２によって、半導体発光素子１２２が収容される空間が規定される。このため、搭載部材１２０およびレンズ保持部材１３０は、ハウジングまたは収容部材の役割を有している。
【００７８】
搭載部材１２０の端子配置面１２０ｂには、１またはそれ以上のリード端子、本実施例では４本のリード端子２１ａ〜２１ｄが設けられている。各リード端子は、所定の軸１２方向に沿って伸び、部品搭載面１２０ａから端子配置面１２０ｂに貫通する孔に挿入されている。孔内に充填されたガラス部材１２８といった絶縁体によって、搭載部材１２０の導電体とリード端子２１ａ〜２１ｄの各々との接続部は気密に封止されると共に、リード端子２１ａ〜２１ｄの各々は、搭載部材１２０から電気的に絶縁される。リード端子２１ａ〜２１ｄは、端子配置面１２０ｂから突出する外部端子部と、部品搭載面１２０ａから突出する内部端子部とを備える。
【００７９】
半導体発光素子１９の一端は、ボンディングワイヤといった接続部品１１８ａを介してリード端子２１ａに電気的に接続されている。半導体発光素子１９の他端は、ボンディングワイヤといった接続部品１１８ｂを介して抵抗３３の一端に電気的に接続されている。抵抗３３の他端は、ボンディングワイヤといった接続部品１１８ｃを介してリード端子２１ｂに電気的に接続されている。受光素子１１２の一端は、ボンディングワイヤといった接続部品１１８ｄを介してリード端子２１ｃに電気的に接続されている。受光素子１１２の他端は、ボンディングワイヤといった接続部品１１８ｅを介してリード端子２１ｄに電気的に接続されている。リード端子２１ａ及び２１ｂは、搭載部材１２０から電気的に絶縁されているので、搭載部材１２０の導電体と別個の電位をリード端子２１ａ及び２１ｂに加えることができる。故に、半導体発光素子１９のそれぞれの端子（半導体発光素子が半導体レーザ素子である場合には、アノード及びカソード）に駆動信号を加えることができる。
【００８０】
スリーブホルダ１３６は、ステンレスといった金属製であり、所定の軸１１２に沿って伸びる管状部材である。スリーブホルダ１３６は、スリーブ１３４をガイドするための内側面１３６ａを有する。スリーブホルダ１３６の一端部１３６ｂには、スリーブ１３４を挿入する開口が設けられている。他端部１３６ｃは、レンズ保持部材１３０の第２の端部１３０ｃの端面１３０ｊ上に配置されている。
【００８１】
スリーブ１３４は、ステンレスといった金属製部材であり、所定の軸１１２に沿って伸びる管状部１３４ａを有する。一端部１３４ｂには、半導体光学素子２２への光が通過する開口が設けられている。管状部１３４ａの他端部１３４ｃには、フェルール１３８を挿入する開口が設けられている。スリーブ１３４は、軸１１２に沿って伸びる内壁面１３４ｅを有する。内壁面１３４ｅは、フェルール３８を収納するために空間と、フェルール１３８をガイドする方向とを規定している。
【００８２】
スリーブ１３４は、レンズ保持部材１３０の第２の端面１３０ｊに配置される。スリーブ１３４は、光ファイバ１７と半導体発光素子１９とが確実に光学的に結合されるようにレンズ保持部材１３０に対して位置合わせされる。スリーブ１３４は、スリーブホルダ１３６の側壁に固定されている。固定は、例えばＹＡＧレーザ光を用いたレーザ溶接によって複数の位置に固定部１４０ａ、１４０ｂ（図１２）を同時に形成するように行われる。スリーブホルダ１３６は、レンズ保持部材１３０の一端面１３０ｊにおいて固定されている。これらの固定は、例えばＹＡＧレーザ光を用いたレーザ溶接によって複数の位置に固定部１４０ｃ、１４０ｄ（図１２）を同時に形成するように行われる。この固定部を対称性高く配置すると、固定によって生じる可能性のある歪みを低減できる。これによって、光ファイバ１７と半導体発光素子１９との位置ずれに起因する光学的な結合の劣化を小さくできる。
【００８３】
図１０を参照すると、フェルール１３８は、スリーブ１３６内に収納されている。スリーブ１３４に対してフェルール１３８の位置が固定されると、光ファイバといった光導波路部品１３９の一端１３９ａとレンズ１３２との光学的な結合が安定化される。また、フェルール１３８の配置位置は、レンズ１３２の焦点距離に応じて決定されている。
【００８４】
フェルール１３８は、第１の端面１３８ａ及び第２の端面１３８ｂを有する。樹脂が剥がされた光ファイバが、第１の端面１３８ａから第２の端面１３８ｂに軸１１２に沿って伸びる孔１３８ｃに挿入される。好ましくは、第１の端面１３８ａおよび第２の端面１３８ｂは、光ファイバを孔１３８ｃに挿入した後に研磨される。この研磨によって、それぞれの端面１３８ａ、１３８ｂに光ファイバ１７の端部が確実に現れる。
【００８５】
第１の端面１３８ｂは、軸１１２に対して第１の角度、例えば略直角になるように研磨されていることができる。この研磨により、光ファイバの端部と光ファイバ１４６との光学的な結合が強くなる。第２の端面１３８ａは、軸１１２に、角度９０度より大きい第１の角度α、例えば６度程度に傾斜されている。この端面１３８ｂを採用すると、フェルール１４４の端面における反射光が低減される。この傾斜された端面１３８ａを採用すると、この端面３８ａからの反射光が光モジュール１０に戻ることが抑制される。また、光モジュールからの反射光が端面１３８ａに戻ることも抑制される。
【００８６】
スリーブ３４の管状部１３４ａは、軸１１２に沿って隣接している第１および第２の部分１３４ｆ、１３４ｇを有する。第１の部分３４ｆはフェルール３８を収容している。第２の部分３４ｇは、別のフェルール４４を挿入可能なように設けられている。別のフェルール４４は、光ファイバ１３９と光学的に結合されるべき別の光ファイバ１４６を保持している。
【００８７】
図１３は、図１１に示された光モジュールの変形例を示す図面である。図１３を参照すると、光モジュール４が示されており、光モジュール４は、ピグテールファイバを備える点において光モジュール３と行っている。第１の実施の形態に示された光モジュール生産物に適用できると共に、第２の実施の形態に示された光素子回路を実現するために利用できる。
【００８８】
第３の実施の形態に示される構造の光モジュールでは、信号伝送路のうちリード端子の部分において主要に生じるインピーダンス不整合が避けられない。しかしながら、半導体発光素子の両端にそれぞれ駆動信号を加えることにより、信号伝送路のインピーダンス不整に対する許容度を大きくできる。結果として、光モジュールは、半導体発光素子の一端に駆動信号を加える光モジュールよりも、より高速の駆動信号に応答して動作するようになる。
【００８９】
以上説明したように、本実施の形態によれば、多少のインピーダンスの不整が信号ラインに存在するときでも、より高速な信号を伝送可能な光モジュールが提供される。
（第４の実施の形態）
図１４は、第４の実施の形態に係わる光モジュール生産物の別の構成を示す図面である。
図１４を参照すると、光モジュール生産物１ｃは、光モジュール３と、フレキシブル・リジッド基板４といった基板デバイスと、第１のキャパシタ７と、第２のキャパシタ９と、第１の電子素子１１と、第２の電子素子１３とを備える。
フレキシブル・リジッド基板４は、第１の配線基板４ａと、フレキシブルプリント基板４ｂと、第２の配線基板４ｃとを含む。第１の配線基板４ａは、第１及び第２のキャパシタ７、９並びに第１及び第２の電子素子１１、１３を搭載する。第２の配線基板４ｃは、光モジュール３を搭載する。フレキシブルプリント基板４ｂは、第１の配線基板４ａと第２の配線基板４ｃを接続する。第１及び第２の配線基板４ａ、４ｃは、リジッドな基板であり、フレキシブルプリント基板より変形し難い。フレキシブル・リジッド基板４を用いると、第１の配線基板に接続された光モジュール３と、第２の配線基板４ｃとの配置の自由度が向上する。これらの基板としては、エポキシ製配線基板が例示される。
第１の配線基板４ａは、第１〜第６の導電線１５ａ〜１５ｆを有する。第１の配線基板４ａは、第１の面４ｄ及び第２の面４ｅを有している。配線基板４ａにおいて、第１の面４ｄは第２の面４ｅと反対の面である。第１〜第６の導電線１５ａ〜１５ｆは、配線基板４ａの第２の面５ｅ上に設けられている。第１のキャパシタ７、第２のキャパシタ９、第１の電子素子１１、第２の電子素子１３は、第１の実施の形態と同様に、導電線１５ａ〜１５ｆに接続されている。第１及び第２のキャパシタ７、９並びに第１及び第２の電子素子１１、１３は、配線基板４ａの第２の面４ｅ上に搭載されている。
第２の配線基板４ｃは、光モジュール３のリード端子２１ａ〜２１ｄに接続された導電線１５ｖを有する。第２の配線基板４ｃは、第１の面４ｆ及び第２の面４ｇを有している。配線基板４ｃにおいて、第１の面４ｆは第２の面４ｇと反対の面である。第２の配線基板４ｃは、貫通孔２３ａ〜２３ｄを有する。貫通孔２３ａ〜２３ｄの各々には、光モジュール３のリード端子２１ａ〜２１ｄが通過する。貫通孔２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄは、導電線１５ｖに位置合わせされている。第１の面４ｆには、光モジュール３が搭載されている。
フレキシブル・リジッド基板４を基準平面に沿って配置したとき、光モジュール３、第１及び第２のキャパシタ７、９並びに第１及び第２の電子素子１１、１３は、同一の方向に向いている。
図１５は、本実施の形態に係わる光モジュール生産物の更なる別の構成を示す図面である。図１５を参照すると、光モジュール生産物１ｃは、光モジュール３と、フレキシブル・リジッド基板６といった基板デバイスと、第１のキャパシタ７と、第２のキャパシタ９と、第１の電子素子１１と、第２の電子素子１３とを備える。
フレキシブル・リジッド基板６は、第１の配線基板６ａと、フレキシブルプリント基板６ｂと、第２の配線基板６ｃとを含む。第１の配線基板６ａは、第１及び第２のキャパシタ７、９並びに第１及び第２の電子素子１１、１３を搭載する。第２の配線基板６ｃは、光モジュール３を搭載する。フレキシブルプリント基板６ｂは、第１の配線基板６ａと第２の配線基板６ｃを接続する。第１及び第２の配線基板６ａ、６ｃは、リジッドな基板であり、フレキシブルプリント基板より変形し難い。これらの基板としては、エポキシ製配線基板が例示される。
第１の配線基板６ａは、第１〜第６の導電線１５ａ〜１５ｆを有する。配線基板６ａにおいて、第１の面６ｄは第２の面６ｅと反対の面である。第１〜第６の導電線１５ａ〜１５ｆは、配線基板６ａの第２の面５ｅ上に設けられている。第１及び第２のキャパシタ７、９並びに第１及び第２の電子素子１１、１３は、配線基板６ａの第２の面６ｅ上に搭載されている。
第２の配線基板６ｃは、光モジュール３のリード端子２１ａ〜２１ｄに接続された導電線１５ｗを有する。配線基板６ｃにおいて、第１の面６ｆは第２の面６ｇと反対の面である。第２の配線基板６ｃは、貫通孔２３ａ〜２３ｄを有する。貫通孔２３ａ〜２３ｄの各々には、光モジュール３のリード端子２１ａ〜２１ｄが通過する。貫通孔２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄは、導電線１５ｗに位置合わせされている。光モジュール３は、第２の面６ｇに搭載されている。
フレキシブル・リジッド基板６を基準平面に沿って配置したとき、光モジュール３は、第１及び第２のキャパシタ７、９並びに第１及び第２の電子素子１１、１３と異なる方向に向いている。
光モジュール生産物１ｃ、１ｄによれば、第１及び第２の電子素子１１、１３を介して電力が提供される半導体発光素子１９において、第１及び第２のキャパシタ７、９を介して半導体発光素子１９の一端及び他端にそれぞれの駆動信号（正相信号及び逆相信号）を加えることができる。故に、光モジュール生産物１ｃは、多少のインピーダンスの不整が信号ラインに存在するときでも、より高速な信号を伝送可能である。
【００９０】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることができることは、当業者によって認識される。例えば、本実施の形態では、特定の構造の光モジュールを説明したけれども、光モジュールはこれに限られるものではない。また、本実施の形態は、半導体発光素子として面発光レーザ素子を使用しているけれども、半導体発光素子はこれに限られるものではなく、端面発光レーザ素子も用いることができる。搭載部材の基板と回路基板を離間できる構造であれば、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。さらに、基板デバイスの例示として、単一の配線基板並びに複数の配線基板及びフレキシブルプリント基板の結合物を例示的に説明しているけれども、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。たがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【００９１】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、多少のインピーダンスの不整が信号ラインに存在するときでも、より高速な信号を伝送可能な光モジュール生産物、光モジュール、発光素子回路および半導体発光素子を駆動する方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本実施の形態に係わる光モジュール生産物の構成部品を示す図面である。
【図２】図２は、本実施の形態に係わる光モジュール生産物を示す図面である。
【図３】図３は、本実施の形態の光モジュール生産物の変形例を示す図面である。
【図４】図４は、本実施の形態の光モジュール生産物の別の変形例を示す図面である。
【図５】図５は、本実施の形態に係わる発光素子回路の回路図を示す。
【図６】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、電子素子のいくつかの形態を示す回路図である。
【図７】図７は、半導体発光素子の形態を示す回路図である。
【図８】図８は、発光素子回路の主要なノードの電圧波形を示すチャートである。
【図９】図９（ａ）及び図９（ｂ）は、本実施の形態の発光素子回路の変形例のための半導体発光素子部を示す図面である。
【図１０】図１０は、本実施の形態に係わる発光素子回路の変形例の回路図を示す。
【図１１】図１１は、本実施の形態に係る光モジュールの構成部品を示す図面である。
【図１２】図１２は、本実施の形態に係る光モジュールを示す図面である
【図１３】図１３は、図１２に示された光モジュールの変形例を示す図面である。
【図１４】図１４は、実施の形態に係わる光モジュール生産物の別の構成を示す図面である。
【図１５】図１５は、実施の形態に係わる光モジュール生産物の更なる別の構成を示す図面である。
【符号の説明】
１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ…光モジュール生産物、３…光モジュール、４、５、６、８…基板デバイス、７…第１のキャパシタ、９…第２のキャパシタ、１１…第１の電子素子、１３…第２の電子素子、１７…光ファイバ、１９…半導体発光素子、２７…入力信号、２９…駆動信号、３３…抵抗、５０…発光素子回路、５２…半導体発光素子部、５４…第１のキャパシタ、５６…第２のキャパシタ、５８…第１の電子素子、６０…第２の電子素子、抵抗７０…、７２…インダクタ、７４…半導体発光素子、１２０…搭載部材、１３０…レンズ保持部材、１３６…スリーブガイド、１３９…光導波路部品（光ファイバ部品）、１３２…レンズ、１３４…スリーブ、１３６…スリーブホルダ、１３８…フェルール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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