(57)【要約】【課題】放熱特性の向上、また、小型・薄型化を実現する薄型直流電源装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】電源用半導体、インダクタ、コンデンサ等の電力変換に必要な部品を配設した直流電源装置であって、前記電源用半導体を構成する電源制御用ＩＣベアチップ上に、入力端子配線パターン３１、出力端子配線パターン３２、グランド端子配線パターン３３を形成し、前記入力端子配線パターン３１、出力端子配線パターン３２、グランド端子配線パターン３３上に、インダクタ４２、コンデンサ４３等の電力変換に必要な部品を配設した薄型直流電源装置とする。【選択図】  図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源用半導体、インダクタ、コンデンサ等の電力変換に必要な部品を配設した薄型直流電源装置であって、前記電源用半導体を構成する電源制御用ＩＣベアチップ上に配線パターンを形成したことを特徴とする薄型直流電源装置。
【請求項２】
前記配線パターン上に、インダクタ、コンデンサ等の電力変換に必要な部品を配設し、前記電源制御用ＩＣベアチップ、インダクタ、コンデンサ等の電極取り出しのために電極ブロックを取り付けた構造としたことを特徴とする請求項１に記載の薄型直流電源装置。
【請求項３】
前記配線パターン上において、インダクタ、コンデンサ等の電力変換に必要な部品を直接配線パターンに接続したことを特徴とする請求項１または２に記載の薄型直流電源装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の薄型直流電源装置において、前記インダクタ、コンデンサ等の受動部品取付面だけをモールド封止し、前記電源制御用ＩＣベアチップ裏面は露出した構造としたことを特徴とする薄型直流電源装置。
【請求項５】
請求項１ないし３のいずれかに記載の薄型直流電源装置において、引き出し電極をモールド封止後の平面及び側面の少なくとも２面にまたがるように電極が露出するようにモールド封止した構造としたことを特徴とする薄型直流電源装置。
【請求項６】
請求項４または５の記載の薄型直流電源装置において、引き出し電極をモールド封止後の表面及び側面の１辺に電極が露出する構造としたことを特徴とする薄型直流電源装置。
【請求項７】
請求項６に記載の薄型直流電源装置において、引き出し電極表面に半田ホールを施した構造としたことを特徴とする薄型直流電源装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の薄型直流電源装置において、発熱源となるシリコンからなる電源制御用ＩＣベアチップの裏面を露出した構造としたことを特徴とする薄型直流電源装置。
【請求項９】
電源用半導体、インダクタ、コンデンサ等の電力変換に必要な部品を配設する薄型直流電源装置の製造方法であって、前記電源用半導体を構成する電源制御用ＩＣベアチップ上に配線パターンを形成し、前記配線パターン上に、インダクタ、コンデンサ等の電力変換に必要な部品を配設し、前記電源制御用ＩＣベアチップ、インダクタ、コンデンサ等の電極取り出しのための引き出し電極を、モールド封止後の平面及び側面の少なくとも２面にまたがるように電極が露出するようにモールド封止することを特徴とする薄型直流電源装置の製造方法。
【請求項１０】
電源用半導体、インダクタ、コンデンサ等の電力変換に必要な部品を配設する薄型直流電源装置の製造方法であって、前記電源用半導体を構成する電源制御用ＩＣベアチップ上に配線パターンを形成し、前記配線パターン上に、インダクタ、コンデンサ等の電力変換に必要な部品を配設し、前記電源制御用ＩＣベアチップ、インダクタ、コンデンサ等の電極取り出しのための引き出し電極表面に半田ホールを施し、モールド封止後の平面に電極が露出するようにモールド封止することを特徴とする薄型直流電源装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電源用半導体やインダクタ、コンデンサ等の電力変換用部品を用いて小型・薄型化を図った直流電源であり、特に携帯機器等に使用される小型・軽量化を図る電源に好適な薄型直流電源装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の小型・薄型・高性能化が急速に進んでいる。特に、半導体メモリーの高速化、大容量処理化の急速な進展に対応してＬＳＩの発熱を押さえるため、これの駆動電圧をいかに低くするかが各メーカのターゲットになっている。低電圧ＬＳＩを使用するデバイスは、電池電圧を２Ｖ以下の電圧に降圧する方法として、抵抗を入れて電圧を降下する方法とか、ＤＣ／ＤＣコンバータを使用して降圧する方法が用いられている。特に、低電圧化、高密度化するＬＳＩの電圧の高精度化要求により、ＤＣ／ＤＣコンバータを用いた電源は必要不可欠となっている。最近では、小容量品の電力変換素子の多くがＩＣ化されており、わずかな点数の外付け部品でＤＣ／ＤＣコンバータや直流電源が構成できるようになっている。
【０００３】
従来の直流電源装置に関する特許としては、例えば特許文献１がある。特許文献１には、パワ半導体素子と、電子部品とを、一体樹脂成形した内容が記載されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−０８５６１３号公報
【０００５】
ここで、直流電源装置の一つであるＤＣ／ＤＣコンバータを例に、説明する。図１は、ＤＣ／ＤＣコンバータの回路構成を示す図である。図１のＤＣ／ＤＣコンバータは、スイッチング用トランジスタ１、整流用ダイオード２、インダクタ３、コンデンサ４、及び制御回路５より構成されている。
【０００６】
図２は、ＤＣ／ＤＣコンバータの回路構成に、電源制御用ＩＣベアチップの範囲を示す図である。また、図３は、電源制御用ＩＣベアチップの回路構成を示す図である。図２に示すように、扱う電力にもよるが、通常は、スイッチング用トランジスタ１、整流用ダイオード２、及び制御回路５の部分が電源制御用ＩＣ回路６となり、サイズの比較的大きくなるインダクタ３、コンデンサ４は外部接続で使われる。
【０００７】
これらを構成する部品が非常に小型化された。しかし、多くの電源はパターニングした配線を有するエポキシ樹脂やセラミックス類の硬質回路基板上に、各々個別の部品として制御用のパワーＩＣやコンデンサ部品、インダクタ部品といった表面実装部品単体を平面的にもしくは２次元的に実装し、その後、樹脂モールドしたハイブリッド型の直流電源である。
【０００８】
図１５に、従来の直流電源装置の製造方法の説明図を示す。エポキシ樹脂やセラミックスの類の硬質回路基板上３０上に入力端子配線パターン３１、出力端子配線パターン３２、グランド端子配線パターン３３を形成し、該配線パターン上に電源制御用ＩＣベアチップ３６、インダクタ３４、コンデンサ３５を搭載し、それぞれが入力端子配線パターン３１、出力端子配線パターン３２、グランド端子配線パターン３３、及びワイヤボンディング４０により接続されている。
【０００９】
電極引き出しのために、入力端子引き出し電極３７、出力端子引き出し電極３８、グランド端子引き出し電極３９を入力端子配線パターン３１、出力端子配線パターン３２、グランド端子配線パターン３３の一部に配置し、前記入力端子引き出し電極３７、出力端子引き出し電極３８、グランド端子引き出し電極３９の一部が露出し、硬質回路基板３０上の入力端子配線パターン３１、出力端子配線パターン３２、グランド端子配線パターン３３、電源制御用ＩＣベアチップ３６、インダクタ３４、コンデンサ３５を覆うようにモールド樹脂４１を施し、ＤＣ／ＤＣコンバータや直流電源装置を構成している。
【００１０】
完成形状を図１６に示す。エポキシ樹脂やセラミックス類の硬質回路基板３０の入力端子配線パターン３１、出力端子配線パターン３２、グランド端子配線パターン３３、電源制御用ＩＣベアチップ３６、インダクタ３４、コンデンサ３５、ＤＣ／ＤＣコンバータや直流電源を覆うようにモールド樹脂４１され、入力端子引き出し電極３７、出力端子引き出し電極３８、グランド端子引き出し電極３９のみが露出したＤＣ／ＤＣコンバータや直流電源装置を構成している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本構造では、エポキシ樹脂やセラミックス類の熱伝導率の良くない硬質回路基板上に各部品を搭載していることから、発熱源となる電源制御用ＩＣベアチップ３６、インダクタ３４の放熱効果が悪く、本来必要のないエポキシ樹脂やセラミックス類の硬質回路基板を用いているため、薄型化に限界があった。また、本構造では、薄型化のために各種部品を２次元的に配置しているため、平面面積が大きくなり、実装面積の縮小化を阻む要因となっていた。
【００１２】
半導体メモリーの高速化が進められるなか、これに呼応した電源の要求に応えるべく、小型かつ薄型の電源の開発が求められている。こうした状況下で、最近では、外付けの部品点数が少なくて済む電源用コンバータ用ＩＣやレギュレータの開発が進んでいる。発熱量が大きい電源用半導体やインダクタを用いた電力変換装置の大電流容量化のためには、放熱性能が高く薄型のＤＣ／ＤＣコンバータや直流電源が要求されている。
【００１３】
従って、本発明の目的は、放熱特性の向上、また小型化、薄型化を実現した薄型直流電源装置及びその製造方法を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記の課題解決のため、本発明の薄型直流電源装置は、エポキシ樹脂やセラミックス類の硬質回路基板を用いず、熱伝導率の高いシリコンからなる電源制御用ＩＣ上に直接、絶縁膜を形成し、前記電源制御用ＩＣの絶縁膜上に、ＤＣ／ＤＣコンバータや直流電源の配線パターンを形成し、本配線パターン上に直接、インダクタやコンデンサを搭載し、ＤＣ／ＤＣコンバータや直流電源をワイヤボンディングなし構造で、実現するものである。
【００１５】
即ち、本発明は、電源用半導体、インダクタ、コンデンサ等の電力変換に必要な部品を配設した薄型直流電源装置であって、前記電源用半導体を構成する電源制御用ＩＣベアチップ上に配線パターンを形成した薄型直流電源装置である。
【００１６】
また、本発明は、前記配線パターン上に、インダクタ、コンデンサ等の電力変換に必要な部品を配設し、前記電源制御用ＩＣベアチップ、インダクタ、コンデンサ等の電極取り出しのために電極ブロックを取り付けた構造とした薄型直流電源装置である。
【００１７】
また、本発明は、前記配線パターン上において、インダクタ、コンデンサ等の電力変換に必要な部品を直接配線パターンに接続した薄型直流電源装置である。
【００１８】
また、本発明は、前記薄型直流電源装置において、前記インダクタ、コンデンサ等の受動部品取付面だけをモールド封止し、前記電源制御用ＩＣベアチップ裏面は露出した構造とした薄型直流電源装置である。
【００１９】
また、本発明は、前記薄型直流電源装置において、引き出し電極をモールド封止後の平面及び側面の少なくとも２面にまたがるように電極が露出するようにモールド封止した構造とした薄型直流電源装置である。
【００２０】
また、本発明は、前記薄型直流電源装置において、引き出し電極をモールド封止後の表面及び側面の１辺に電極が露出する構造とした薄型直流電源装置である。
【００２１】
また、本発明は、前記薄型直流電源装置において、引き出し電極表面に半田ホールを施した構造とした薄型直流電源装置である。
【００２２】
また、本発明は、前記薄型直流電源装置において、発熱源となるシリコンからなる電源制御用ＩＣベアチップの裏面を露出した構造とした薄型直流電源装置である。
【００２３】
また、本発明は、電源用半導体、インダクタ、コンデンサ等の電力変換に必要な部品を配設する薄型直流電源装置の製造方法であって、前記電源用半導体を構成する電源制御用ＩＣベアチップ上に配線パターンを形成し、前記配線パターン上に、インダクタ、コンデンサ等の電力変換に必要な部品を配設し、前記電源制御用ＩＣベアチップ、インダクタ、コンデンサ等の電極取り出しのための引き出し電極を、モールド封止後の平面及び側面の少なくとも２面にまたがるように電極が露出するようにモールド封止する構造とする薄型直流電源装置の製造方法である。
【００２４】
また、本発明は、電源用半導体、インダクタ、コンデンサ等の電力変換に必要な部品を配設する薄型直流電源装置の製造方法であって、前記電源用半導体を構成する電源制御用ＩＣベアチップ上に配線パターンを形成し、前記配線パターン上に、インダクタ、コンデンサ等の電力変換に必要な部品を配設し、前記電源制御用ＩＣベアチップ、インダクタ、コンデンサ等の電極取り出しのための引き出し電極表面に半田ホールを施し、モールド封止後の平面に電極が露出するようにモールド封止する構造とする薄型直流電源装置の製造方法である。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態による薄型直流電源装置及びその製造方法について、以下に説明する。
【００２６】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１による薄型直流電源装置およびその製造方法について、図４から図１０を使用して説明する。
【００２７】
図４は、本発明の実施の形態１による薄型直流電源装置の電源制御用ＩＣベアチップ７の説明図である。図４（ａ）は、電源制御用ＩＣベアチップの外観斜視図、図４（ｂ）は、図４（ａ）の側面図、図４（ｃ）は、電源制御用ＩＣベアチップの回路図である。
【００２８】
本発明の電源制御用ＩＣベアチップ７は、シリコン基板８上にスイッチング用トランジスタ１、整流ダイオード２、制御回路５で構成されており、入出端子１０Ｖｉｎ、出力端子１１Ｖｏｕｔ、グランド１３Ｇ、出力モニタ用端子１２ＳＹＮよりなっている。スイッチング用トランジスタ１、整流ダイオード２、制御回路５、入出端子１０Ｖｉｎ（ＩＣ）、出力端子１１Ｖｏｕｔ（ＩＣ）、グランド１３Ｇ（ＩＣ）、出力モニタ用端子１２ＳＹＮ（ＩＣ）は、シリコン基板８内に構成、配線されており、その表面をＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等の膜９で保護し、入出端子１０Ｖｉｎ、出力端子１１Ｖｏｕｔ、グランド１３Ｇ、出力モニタ用端子１２ＳＹＮのみが表面に露出した構造となっている。
【００２９】
図５から図１０までは、本発明の実施の形態１による薄型直流電源装置の製造方法の説明図である。
【００３０】
（１）図５に示すように、電源制御用ＩＣベアチップ７を準備する。
【００３１】
（２）図６に示すように、電源制御用ＩＣベアチップ７上にＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等を形成し保護膜１４とし、その保護膜１４の開口部を介して、保護膜１４上に入出端子１０Ｖｉｎ（ＩＣ）、出力端子１１Ｖｏｕｔ（ＩＣ）、グランド１３Ｇ（ＩＣ）、出力モニタ用端子１２ＳＹＮ（ＩＣ）を引き出し、その上に、ＤＣ／ＤＣコンバータ用の配線パターンを施し、入力端子１５Ｖｉｎ、出力端子１６Ｖｏｕｔ、グランド端子１８Ｇ、出力モニタ用端子１７ＳＹＮを形成する。
【００３２】
（３）図７（ａ）に示すように、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等の保護膜１４上に、入出端子１５Ｖｉｎ、出力端子１６Ｖｏｕｔ、グランド端子１８Ｇ、出力モニタ用端子１７ＳＹＮ上と電気的な接続を持つように、インダクタ４２、コンデンサ４３を搭載し、図７（ｃ）に示すＤＣ／ＤＣコンバータ回路構成とする。
【００３３】
（４）図８に示すように、電極取り出しのために、入力端子１５Ｖｉｎ、出力端子１６Ｖｏｕｔ、グランド端子１８Ｇ、出力モニタ用端子１７ＳＹＮ上に、入力端子引き出し電極１９、出力端子引き出し電極２０、グランド端子引き出し電極２１を搭載する。ここで、半田接続、導電性ペースト接続とする。
【００３４】
（５）図９の透し図に示すように、入力端子引き出し電極１９、出力端子引き出し電極２０、グランド端子引き出し電極２１の一部を除いて、シリコン基板８上に、配線パターン、入力端子１５Ｖｉｎ、出力端子１６Ｖｏｕｔ、グランド端子１８Ｇ、出力モニタ用端子１７ＳＹＮ、インダクタ４２、コンデンサ４３を覆うようにモールド樹脂２２で封止する。
【００３５】
（６）図１０に示すように、電源制御用ＩＣベアチップ７のシリコン基板８上をモールド樹脂２２で封止され、入力端子引き出し電極１９、出力端子引き出し電極２０、グランド端子引き出し電極２１の一部が露出し、入力端子引き出し電極１９Ｖｉｎ、出力端子引き出し電極２０Ｖｏｕｔ、グランド端子引き出し２１ＧとしたＤＣ／ＤＣコンバータが完成する。電極は、モールド封止後の表面及び側面の２辺に露出する構造となる。
【００３６】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２による薄型直流電源装置およびその製造方法について説明する。図１１から図１４までは、本発明の実施の形態２による薄型直流電源装置の製造方法の説明図である。
【００３７】
先の実施の形態１と同一の製造方法を施し、
（１）図１１に示すように、電極取り出しのために、入出端子１５Ｖｉｎ、出力端子１６Ｖｏｕｔ、グランド端子１８Ｇ、出力モニタ用端子１７ＳＹＮ上に、入力端子引き出し電極２３、出力端子引き出し電極２４、グランド端子引き出し電極２５を搭載する。ここで、半田接続、導電性ペースト接続とする。
【００３８】
（２）図１２の透し図に示すように、入力端子引き出し電極２３、出力端子引き出し電極２４、グランド端子引き出し電極２５の一部を除いて、シリコン基板８上に、配線パターン、入力端子１５Ｖｉｎ、出力端子１６Ｖｏｕｔ、グランド端子１８Ｇ、出カモニタ用端子１７ＳＹＮ、インダクタ４２、コンデンサ４３を覆うようにモールド樹脂２６で封止する。
【００３９】
（３）図１３に示すように、電源制御用ＩＣベアチップ７のシリコン基板８上をモールド樹脂２６で封止され、入力端子引き出し電極２３、出力端子引き出し電極２４、グランド端子引き出し電極２５の一部が露出し、入力端子Ｖｉｎ２３、出力端子Ｖｏｕｔ２４、グランドＧ２５としたＤＣ／ＤＣコンバータが完成する。電極はモールド封止後の表面内に埋め込まれた構造となる。
【００４０】
（４）図１４に示すように、入力端子引き出し電極２３、出力端子引き出し電極２４、グランド端子引き出し電極２５上に半田ホールを搭載し、入力端子半田ホールＶｉｎ２７、出力端子半田ホールＶｏｕｔ２８、グランド端子半田ホールＧ２９としたＤＣ／ＤＣコンバータが完成する。
【００４１】
本発明により、従来、０．５ｍｍのエポキシ樹脂やセラミックス類の硬質回路基板上に、電源制御用ＩＣベアチップ、インダクタ、コンデンサを搭載していた場合の容積は、幅８．０×長さ８．０×高さ１．５ｍｍあったものが、電源制御用ＩＣベアチップ上に直接配線パターンを形成し、インダクタ、コンデンサを搭載したことにより、制御ＩＣを載せる硬質回路基板が不要となり、また、配線引き回し分のスペースも不要となり、また、電源制御用ＩＣベアチップは０．３ｍｍと薄くでき、ワイヤボンディングも不要となったことで、高さも低くでき、幅５．０×長さ５．０×高さ１．０ｍｍとなり、実装面積で６４ｍｍ２から２５ｍｍ２と約６０％小さくでき、容積では、９６ｍｍ３から２５ｍｍ３と７５％小型化できた。
【００４２】
また、従来構造でのガラスエポキシ基板を用いた場合は、熱伝導率０．４（Ｗ／ｍＫ）のガラスエポキシ基板上に、発熱源となる電源制御用ＩＣベアチップと、さらに発熱源となるインダクタが搭載されているため、放熱特性が悪かったが、本発明では、発熱源となる電源制御用ＩＣベアチップの裏面、つまり、熱伝導率１６８（Ｗ／ｍＫ）のシリコン面が直接放熱面となり、また、インダクタの発熱も同シリコンを介して放熱されるため著しく放熱特性が改善された。
【００４３】
【発明の効果】
以上、本発明により、熱伝導率の高いシリコン上への配置により、放熱特性の向上、また、小型化、薄型化を実現した薄型直流電源装置及びその製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＤＣ／ＤＣコンバータの回路構成を示す図。
【図２】ＤＣ／ＤＣコンバータの回路構成に、電源制御用ＩＣベアチップの範囲を示す図。
【図３】電源制御用ＩＣベアチップの回路構成を示す図。
【図４】本発明の実施の形態１による電源制御用ＩＣベアチップの説明図。図４（ａ）は電源制御用ＩＣベアチップの外観斜視図、図４（ｂ）は図４（ａ）の側面図、図４（ｃ）は電源制御用ＩＣベアチップの回路図。
【図５】本発明の実施の形態１による薄型直流電源装置の製造方法の説明図。図５（ａ）は、電源制御用ＩＣベアチップの外観斜視図、図５（ｂ）は、図５（ａ）の側面図。
【図６】本発明の実施の形態１による薄型直流電源装置の製造方法の説明図。図６（ａ）は、電源制御用ＩＣベアチップの外観斜視図、図６（ｂ）は、図６（ａ）の側面図。
【図７】本発明の実施の形態１による薄型直流電源装置の製造方法の説明図。図７（ａ）は、薄型直流電源装置の外観斜視図、図７（ｂ）は、図７（ａ）の側面図、図７（ｃ）は  、薄型直流電源装置の回路図。
【図８】本発明の実施の形態１による薄型直流電源装置の製造方法の説明図、図８（ａ）は、薄型直流電源装置の外観斜視図、図８（ｂ）は、図８（ａ）の側面図、図８（ｃ）は、薄型直流電源装置の回路図。
【図９】本発明の実施の形態１による薄型直流電源装置の製造方法の説明図。図９（ａ）は、薄型直流電源装置の外観斜視図、図９（ｂ）は、図９（ａ）の側面図。
【図１０】本発明の実施の形態１による薄型直流電源装置の製造方法の説明図、図１０（ａ）は、薄型直流電源装置の外観斜視図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の側面図、図１０（ｃ）は、薄型直流電源装置の回路図。
【図１１】本発明の実施の形態２による薄型直流電源装置の製造方法の説明図、図１１（ａ）は、薄型直流電源装置の外観斜視図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）の側面図。
【図１２】本発明の実施の形態２による薄型直流電源装置の製造方法の説明図、図１２（ａ）は、薄型直流電源装置の外観斜視図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）の側面図。
【図１３】本発明の実施の形態２による薄型直流電源装置の製造方法の説明図、図１３（ａ）は、薄型直流電源装置の外観斜視図、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）の側面図。
【図１４】本発明の実施の形態２による薄型直流電源装置の製造方法の説明図、図１４（ａ）は、薄型直流電源装置の外観斜視図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）の側面図、図１４（ｃ）は、薄型直流電源装置の回路図。
【図１５】従来の直流電源装置の製造方法の説明図、図１５（ａ）は、従来の薄型直流電源装置の外観斜視図、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）の側面図、図１５（ｃ）は、従来の薄型直流電源装置の回路図。
【図１６】従来の直流電源装置の製造方法の説明図、図１６（ａ）は、従来の薄型直流電源装置の外観斜視図、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）の側面図、図１６（ｃ）は、従来の薄型直流電源装置の回路図。
【符号の説明】
１    スイッチング用トランジスタ
２    整流用ダイオード
３    インダクタ
４    コンデンサ
５    制御回路
６    電源制御用ＩＣ回路
７    電源制御用ＩＣベアチップ
８    シリコン基板
９    保護膜（パッシベーション）
１０    電源制御用ＩＣ入力端子
１１    電源制御用ＩＣ出力端子
１２    電源制御用ＩＣ制御端子
１３    電源制御用ＩＣグランド端子
１４    保護膜
１５    入力端子
１６    出力端子
１７    出力モニタ用端子
１８    グランド端子
１９    入力端子引き出し電極
２０    出力端子引き出し電極
２１    グランド端子引き出し電極
２２    モールド樹脂
２３    入力端子引き出し電極
２４    出力端子引き出し電極
２５    グランド端子引き出し電極
２６    モールド樹脂
２７    入力端子半田ホール
２８    出力端子半田ホール
２９    グランド端子半田ホール
３０    （エポキシ樹脂やセラミックス類の）硬質回路基板
３１    入力端子配線パターン
３２    出力端子配線パターン
３３    グランド端子配線パターン
３４    インダクタ
３５    コンデンサ
３６    電源制御用ＩＣベアチップ
３７    入力端子引き出し電極
３８    出力端子引き出し電極
３９    グランド端子引き出し電極
４０    ワイヤボンディング
４１    モールド樹脂
４２    インダクタ
４３    コンデンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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