(57)【要約】【課題】基板に付着した薬液の乾燥ムラおよび乾燥不良を抑制しつつ、減圧乾燥における処理時間を短縮させる。【解決手段】基板９０に付着した薬液を減圧乾燥させる減圧乾燥装置１３に、吸引機構１４と攪拌機構１６とを設ける。基板９０に対して減圧処理を実行する際には、まず、吸引機構１４が処理空間１３２の雰囲気を吸引することにより処理空間１３２を減圧する。所定の時間が経過した後、攪拌機構１６が基板９０の周辺雰囲気を攪拌することにより、基板９０の表面に形成される気流の滞留を解消し、基板９０の周辺雰囲気から薬液の気体成分濃度の高い雰囲気を攪拌除去する。【選択図】        図２
2004296661.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に存在する薬液を減圧により乾燥させる減圧乾燥装置であって、
基板を減圧乾燥させるための処理空間を形成する減圧チャンバと、
前記処理空間内で基板を保持する保持台と、
前記処理空間内の雰囲気を吸引する吸引手段と、
前記保持台に保持された基板の周辺雰囲気から前記薬液の気体成分を除去する除去手段と、
を備えることを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項２】
請求項１に記載の減圧乾燥装置であって、
前記除去手段が、
前記処理空間内に気流を発生させる攪拌手段を有し、
前記攪拌手段が、
前記基板の周辺雰囲気から前記薬液の気体成分を攪拌除去することを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項３】
請求項２に記載の減圧乾燥装置であって、
前記攪拌手段が、
回転駆動力を生成する回転機構と、
前記回転駆動力によって回転し、前記処理空間内に気流を発生させるファンと、
を有することを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項４】
請求項２に記載の減圧乾燥装置であって、
前記攪拌手段が、
所定の回動軸を中心に回動する板状部材と、
前記板状部材を前記所定の回動軸を中心に回動させる回動機構と、
を有することを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項５】
請求項１に記載の減圧乾燥装置であって、
前記除去手段が、
前記基板と前記減圧チャンバとの相対距離を変化させることにより、前記基板の主面と前記減圧チャンバとの間の空間体積を変化させる変更手段を有し、
前記変更手段が、
前記基板に対する減圧乾燥処理が行われている間に、前記空間体積が減少する方向に前記相対距離を変化させることを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項６】
請求項５に記載の減圧乾燥装置であって、
前記変更手段が、
前記処理空間内の圧力に応じて伸縮する伸縮部材を有し、
前記保持台が前記伸縮部材に取り付けられており、前記伸縮部材が収縮することにより、前記保持台が前記空間体積を減少させる方向に移動することを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項７】
請求項５に記載の減圧乾燥装置であって、
前記変更手段が、
前記基板を前記減圧チャンバに対して相対的に移動させる移動機構と、
前記吸引手段によって前記処理空間内の雰囲気が吸引されるにしたがって、前記相対距離を減少させる方向に前記移動機構を駆動制御する制御機構と、
を有することを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項８】
請求項１に記載の減圧乾燥装置であって、
前記除去手段が、
前記処理空間内の雰囲気を吸引する補助吸引手段を有し、
前記補助吸引手段が、
前記基板の主面中央部に対向する位置の近傍に設けられ、前記基板の周辺雰囲気を吸引することを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項９】
請求項８に記載の減圧乾燥装置であって、
前記補助吸引手段が、
前記吸引手段による吸引が開始されてから所定の時間が経過した後に、吸引を開始することを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項１０】
基板上に存在する薬液を減圧により乾燥させる減圧乾燥方法であって、
減圧チャンバによって形成される処理空間内に基板を保持する保持工程と、
前記処理空間内の雰囲気を吸引する吸引工程と、
前記保持工程において保持された基板の主面と前記減圧チャンバとの間の空間体積を減少させる方向に、前記基板と前記減圧チャンバとを相対的に移動させる移動工程と、
を有することを特徴とする減圧乾燥方法。
【請求項１１】
基板上に存在する薬液を減圧により乾燥させる減圧乾燥方法であって、
減圧チャンバによって形成される処理空間内で基板を保持する保持工程と、
前記処理空間内の雰囲気を吸引する吸引工程と、
前記保持工程において保持された基板の主面中央部に対向する位置の近傍から、前記基板の周辺雰囲気を吸引する補助吸引工程と、
を有し、
前記補助吸引工程が、
前記吸引工程の開始後に実行されることを特徴とする減圧乾燥方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に存在する薬液を減圧して乾燥させる技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体基板や液晶用ガラス基板などの製造工程においては、例えば、基板の表面にレジスト液を塗布して薄膜を形成する処理や、基板に洗浄液を吐出して洗浄する処理など、各種薬液を使用した処理が行われる。基板に対して薬液を使用した処理が行われると、処理後の基板の表面から薬液を除去する処理を行う必要があり、従来より、このような除去処理を行う装置として、減圧された雰囲気下に基板を保持し、付着した薬液を揮発させることによって乾燥除去する減圧乾燥装置が提案されている。例えば、このような減圧乾燥装置が特許文献１に記載されている。
【０００３】
特許文献１に記載されている減圧乾燥装置では、処理する基板をチャンバなどの部材で密閉された処理空間内に保持し、処理空間内の雰囲気を真空ポンプなどの吸引装置で吸引することにより減圧する。このように基板周辺の雰囲気を減圧することによって、基板の周辺雰囲気中の気体密度が低下することから、基板に付着した薬液を効率よく揮発させることができる。また、揮発した薬液は、真空ポンプによって吸引され、処理空間内から装置外に排気される。なお、このような従来の減圧乾燥装置によって乾燥除去される薬液は、基板に対して使用された処理液そのものであってもよいし、処理液のうちの液体成分（溶剤成分）であってもよい。処理液のうちの溶剤成分が乾燥除去される場合とは、例えば、処理液としてレジスト液を使用した場合などであって、基板の表面にレジスト液の固体成分が薄膜として残留することによってレジスト膜が形成される。
【０００４】
このように、基板の表面に薄膜を形成する場合には、未乾燥の基板に気流が当たると、薄膜の表面に気流による流紋や風紋などが形成されてしまい、薄膜の膜厚が不均一になるため、減圧乾燥装置では、雰囲気を吸引する吸引口を基板の表面から比較的遠い位置に設けている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−２６３５４８公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記減圧乾燥装置のように吸引口を基板の表面から遠い位置（主には裏面側）に設けると、基板の表面付近に気流の滞留部分が生じ、その部分においては基板の表面から揮発した薬液の気体成分がすみやかに排気されないという問題があった。すなわち、薬液の気体成分が基板の表面付近に高濃度で残留するという問題があった。このように、基板の周辺雰囲気中に薬液の気体成分が高濃度で残留した場合、以後の薬液の揮発を阻害するために、結果として乾燥処理時間の長期化を招来する。また、残留した気体成分が復圧時に凝縮して基板に再付着する。
【０００７】
また、上記減圧乾燥装置では、吸引口の分布状態などにより、処理空間内において気流を均一に発生させることが難しく、特に基板が大型化した場合に、基板の表面付近に気流の滞留ムラを生じるため、基板の乾燥ムラおよび乾燥不良が発生するという問題があった。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板に付着した薬液の乾燥ムラおよび乾燥不良を抑制しつつ、減圧乾燥における処理時間を短縮させることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、基板上に存在する薬液を減圧により乾燥させる減圧乾燥装置であって、基板を減圧乾燥させるための処理空間を形成する減圧チャンバと、前記処理空間内で基板を保持する保持台と、前記処理空間内の雰囲気を吸引する吸引手段と、前記保持台に保持された基板の周辺雰囲気から前記薬液の気体成分を除去する除去手段とを備える。
【００１０】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る減圧乾燥装置であって、前記除去手段が、前記処理空間内に気流を発生させる攪拌手段を有し、前記攪拌手段が、前記基板の周辺雰囲気から前記薬液の気体成分を攪拌除去する。
【００１１】
また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係る減圧乾燥装置であって、前記攪拌手段が、回転駆動力を生成する回転機構と、前記回転駆動力によって回転し、前記処理空間内に気流を発生させるファンとを有する。
【００１２】
また、請求項４の発明は、請求項２の発明に係る減圧乾燥装置であって、前記攪拌手段が、所定の回動軸を中心に回動する板状部材と、前記板状部材を前記所定の回動軸を中心に回動させる回動機構とを有する。
【００１３】
また、請求項５の発明は、請求項１の発明に係る減圧乾燥装置であって、前記除去手段が、前記基板と前記減圧チャンバとの相対距離を変化させることにより、前記基板の主面と前記減圧チャンバとの間の空間体積を変化させる変更手段を有し、前記変更手段が、前記基板に対する減圧乾燥処理が行われている間に、前記空間体積が減少する方向に前記相対距離を変化させる。
【００１４】
また、請求項６の発明は、請求項５の発明に係る減圧乾燥装置であって、前記変更手段が、前記処理空間内の圧力に応じて伸縮する伸縮部材を有し、前記保持台が前記伸縮部材に取り付けられており、前記伸縮部材が収縮することにより、前記保持台が前記空間体積を減少させる方向に移動する。
【００１５】
また、請求項７の発明は、請求項５の発明に係る減圧乾燥装置であって、前記変更手段が、前記基板を前記減圧チャンバに対して相対的に移動させる移動機構と、前記吸引手段によって前記処理空間内の雰囲気が吸引されるにしたがって、前記相対距離を減少させる方向に前記移動機構を駆動制御する制御機構とを有する。
【００１６】
また、請求項８の発明は、請求項１の発明に係る減圧乾燥装置であって、前記除去手段が、前記処理空間内の雰囲気を吸引する補助吸引手段を有し、前記補助吸引手段が、前記基板の主面中央部に対向する位置の近傍に設けられ、前記基板の周辺雰囲気を吸引する。
【００１７】
また、請求項９の発明は、請求項８の発明に係る減圧乾燥装置であって、前記補助吸引手段が、前記吸引手段による吸引が開始されてから所定の時間が経過した後に、吸引を開始する。
【００１８】
また、請求項１０の発明は、基板上に存在する薬液を減圧により乾燥させる減圧乾燥方法であって、減圧チャンバによって形成される処理空間内に基板を保持する保持工程と、前記処理空間内の雰囲気を吸引する吸引工程と、前記保持工程において保持された基板の主面と前記減圧チャンバとの間の空間体積を減少させる方向に、前記基板と前記減圧チャンバとを相対的に移動させる移動工程とを有する。
【００１９】
また、請求項１１の発明は、基板上に存在する薬液を減圧により乾燥させる減圧乾燥方法であって、減圧チャンバによって形成される処理空間内で基板を保持する保持工程と、前記処理空間内の雰囲気を吸引する吸引工程と、前記保持工程において保持された基板の主面中央部に対向する位置の近傍から、前記基板の周辺雰囲気を吸引する補助吸引工程とを有し、前記補助吸引工程が、前記吸引工程の開始後に実行される。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。
【００２１】
＜１．  第１の実施の形態＞
図１は、本発明に係る減圧乾燥装置を搭載した基板処理装置１の構成を示す図である。基板処理装置１は、各装置間で基板を保持しつつ搬送する搬送機構１０、図示しない装置外の搬送機構から基板を受け取るインデクサ１１、基板にレジスト液を塗布する塗布装置１２、塗布されたレジスト液を減圧乾燥させる減圧乾燥装置１３、外部の搬送機構に基板を排出するインデクサ１９、および制御装置２０を備える。なお、図１において、図示および説明の都合上、Ｚ軸方向が鉛直方向を、ＸＹ平面が水平面をそれぞれ表すものとして定義するが、それらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、方向を限定するものではない。以下の図についても同様である。
【００２２】
本実施の形態において基板処理装置１は、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板を被処理基板９０としているが、基板処理装置１は、液晶表示装置用のガラス基板だけでなく、一般に、半導体ウェハ、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルタ用基板などの種々の基板を利用することもできる。
【００２３】
搬送機構１０は、複数の搬送シャトル（図示せず）を備え、Ｘ軸方向に基板９０を搬送する。なお、本実施の形態における搬送機構１０は、いわゆる１軸駆動型の搬送機構であるが、各装置間で基板９０を搬送する機構はこれに限られるものではない。例えば、基板９０を３次元的に移動させることができる搬送ロボットなどが用いられてもよい。
【００２４】
インデクサ１１および１９は、基板処理装置１と外部の搬送機構との間で基板９０を受け渡しするインタフェース機能を有するとともに、図示しない回転機構により基板９０を水平面内で回転させることにより、基板９０の向きを調整する機能をも有する。
【００２５】
塗布装置１２は、搬送機構１０によりインデクサ１１から搬送された基板９０を所定の位置に保持しつつ、レジスト液供給部（図示せず）から供給されるレジスト液をスリットノズルから基板９０の表面に対して吐出することにより、レジスト液を塗布する、いわゆるスリットコータである。なお、本実施の形態における塗布装置１２は、基板９０の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングするプロセスにおいて、基板９０の表面にレジスト液を塗布する装置として構成されており、レジスト液を吐出するようになっているが、例えばカラーフィルタ用材料などを塗布する装置であってもよい。
【００２６】
図２は、第１の実施の形態における減圧乾燥装置１３の概略断面図である。減圧乾燥装置１３は、減圧乾燥装置１３を構成する各部の基台として機能するベース１３０、基板９０を覆うためのチャンバ１３１、および基板９０を保持するベースプレート１３３を備えており、チャンバ１３１によって処理空間１３２が形成される。なお、図２では、図示を省略しているが、減圧乾燥装置１３の各構成は、必要に応じて適宜、制御装置２０と接続されており、制御装置２０による制御が可能とされている。
【００２７】
チャンバ１３１は、図示しない駆動機構によってＺ軸方向に移動する。搬送機構１０によって減圧乾燥装置１３に基板９０が搬出入される場合には、チャンバ１３１は（＋Ｚ）方向に移動することにより搬入位置（図示せず）に移動し、搬送機構１０（および搬送されている基板９０）と干渉することがないようにされる。また、減圧乾燥装置１３が基板９０に対して減圧乾燥処理を行う間、チャンバ１３１は（−Ｚ）方向に移動することにより処理位置（図２に示す位置）に移動し、ベース１３０と密着することによって、密閉された空間である処理空間１３２を形成する。
【００２８】
ベースプレート１３３の（＋Ｚ）側の面には、Ｚ軸方向に進退する複数の支持ピンが設けられており、当該支持ピンの先端が基板９０の裏面に当接することによって基板９０を処理空間１３２の所定の位置に水平保持する。なお、ベースプレート１３３は、図示しない支持部材によってベース１３０に対して所定の位置となるように配置されている。
【００２９】
減圧乾燥装置１３は、これらの構成の他に、さらに、吸引機構１４および攪拌機構１６を備えている。
【００３０】
吸引機構１４は、制御装置２０からの制御信号に応じて駆動される真空ポンプ１４０、吸引した雰囲気を導くための流路となる吸引配管１４１、および吸引配管１４１が連通接続される吸引口１４２から構成される。吸引機構１４は、真空ポンプ１４０を駆動することにより処理空間１３２の雰囲気を吸引配管１４１を介して吸引口１４２から吸引する機能を有する。なお、吸引機構１４によって吸引された処理空間１３２内の雰囲気は、さらに図示しない排気配管を介して装置外に排気される。また、図２では、１つの吸引口１４２のみがベース１３０の中央部に設けられている状態を図示しているが、本実施の形態における減圧乾燥装置１３は複数の吸引口１４２を有しており、それらの吸引口１４２はベース１３０の中央部以外の位置にも配置されている。
【００３１】
攪拌機構１６は、制御装置２０からの制御信号に応じて駆動される回転モータ１６０、回転モータ１６０によって生成される回転駆動力を伝播させる駆動軸１６１、および駆動軸１６１に取り付けられるファン１６２を備え、チャンバ１３１の基板９０に対向する位置に取り付けられている。
【００３２】
攪拌機構１６は、制御装置２０からの制御信号に応じて回転モータ１６０を駆動することにより、駆動軸１６１に取り付けられているファン１６２を軸Ｐを中心に回転させる。ファン１６２が回転によって処理空間１３２内には気流が発生するため、これによって処理空間１３２内の雰囲気が攪拌される。すなわち、攪拌機構１６は、基板９０の周辺雰囲気を攪拌させることによって、気流の滞留を解消し、処理空間１３２内の雰囲気を均一化させる機能を有する。なお、本実施の形態における攪拌機構１６は、処理空間１３２を均一に攪拌するために、回転モータ１６０の回転軸Ｐの位置がベースプレート１３３に保持された基板９０の中心位置付近になるように配置されている。
【００３３】
図１に戻って、制御装置２０は、一般的なマイクロコンピュータとしての機能を有する装置であって、主に演算装置（ＣＰＵ）および記憶装置（ＲＡＭおよびＲＯＭ）などから構成される。また、制御装置２０は、基板処理装置１の各装置および各構成との間で信号のやり取りが可能な状態で接続されており、プログラムに基づいて動作することによって、適宜、各構成に対して制御信号を出力し、それらを制御する。なお、図１において、制御装置２０を基板処理装置１の外部に図示しているが、実際は制御装置２０は基板処理装置１の内部に設けられている。
【００３４】
以上が本実施の形態における基板処理装置１の構成および機能の説明である。次に、基板処理装置１における基板処理の動作について説明する。なお、基板処理装置１では、特に断らない限り、以下の動作は制御装置２０によって各装置および各構成が制御されることによって実行される。
【００３５】
基板処理装置１では、図示しない外部の搬送機構により基板９０が搬入されると、インデクサ１１によって搬入された基板９０の向きが調節された後、搬送機構１０によって当該基板９０が塗布装置１２に搬送される。
【００３６】
次に、塗布装置１２が、搬送された基板９０を所定の位置に保持しつつ、スリットノズルからレジスト液を吐出して当該基板９０の主面にレジスト液を塗布する。レジスト液が塗布された基板９０は、搬送機構１０により塗布装置１２から搬出され、減圧乾燥装置１３に搬送される。
【００３７】
図３は、本実施の形態における減圧乾燥装置１３の動作を示す流れ図である。減圧乾燥装置１３では、基板９０に対する処理に先立って、まず初期設定が行われる（ステップＳ１１）。初期設定では、図示しない駆動機構によりチャンバ１３１を搬入位置に配置するとともに、ベースプレート１３３の支持ピンがベースプレート１３３内に退出した状態とされる。
【００３８】
次に、搬送機構１０の搬送シャトルによりレジスト液が塗布された基板９０が搬入されるまで待機する（ステップＳ１２）。搬送機構１０により基板９０が搬入されると、ベースプレート１３３の支持ピンを（＋Ｚ）方向に進出させ、支持ピンを基板９０の裏面に当接させることにより、基板９０を所定の位置に保持する（ステップＳ１３）。基板９０がベースプレート１３３に保持されると、搬送機構１０の搬送シャトルは減圧乾燥装置１３から退出する。
【００３９】
搬送機構１０の搬送シャトルが退出すると、減圧乾燥装置１３は、チャンバ１３１を処理位置に移動させて処理空間１３２を形成し（ステップＳ１４）、吸引機構１４による吸引を開始する（ステップＳ１５）。具体的には、吸引機構１４が真空ポンプ１４０を駆動して、処理空間１３２の雰囲気を吸引口１４２から吸引配管１４１を介して吸引する。減圧乾燥装置１３では、処理空間１３２は密閉された空間として形成されているため、吸引機構１４が吸引を開始することにより、処理空間１３２の減圧が開始される（基板９０に対する減圧乾燥処理が開始される）。
【００４０】
減圧乾燥処理が開始されてから所定の時間が経過した時点で、攪拌機構１６が回転モータ１６０を駆動してファン１６２の回転を開始させることにより、攪拌機構１６による攪拌を開始する（ステップＳ１６）。
【００４１】
このように、減圧乾燥装置１３では、減圧乾燥処理の実行中に攪拌機構１６によって処理空間１３２の雰囲気を攪拌することにより、溶剤の気体成分濃度が高い雰囲気を基板の周辺雰囲気から攪拌除去する。すなわち、周辺雰囲気中の溶剤の気体成分濃度を低下させることにより、基板９０の周辺雰囲気から溶剤の気体成分が除去されるため、溶剤のさらなる揮発を阻害することがなく、減圧乾燥処理に要する時間を短縮することができる。
【００４２】
また、このような攪拌によって、基板９０の周辺雰囲気において、揮発した溶剤の気体成分濃度を均一化させることができるため、乾燥ムラや乾燥不良を防止することができる。
【００４３】
なお、本実施の形態における減圧乾燥装置１３のように、攪拌機構１６による攪拌は、減圧乾燥処理が開始されてから所定の時間が経過し、基板９０に塗布されたレジスト液がある程度乾燥した後に開始することが好ましい。これは、攪拌によって発生する気流が未乾燥のレジスト膜に当たると、塗布ムラ（膜圧の不均一）を生じるからである。また、減圧乾燥処理が十分に行われていない状態（所定の時間が経過する前の状態）では、基板９０の周辺雰囲気中の溶剤の気体成分濃度は低く、攪拌する必要性も低いからである。
【００４４】
また、攪拌機構１６の回転モータ１６０は、発生する気流によってレジスト膜に塗布ムラを生じさせることのないように、十分に低速回転で駆動される。このように、攪拌機構１６の回転モータ１６０を低速に回転させたとしても、気流の滞留を解消するには十分であり、本実施の形態における減圧乾燥装置１３は前述の効果を得ることができる。
【００４５】
処理空間１３２が所定の圧力に減圧されると、吸引機構１４による吸引を停止し（ステップＳ１７）、さらに、当該所定の圧力による減圧乾燥処理が所定の時間継続された後、攪拌機構１６による攪拌を停止する（ステップＳ１８）。
【００４６】
次に、減圧乾燥装置１３は、チャンバ１３１を搬入位置に移動させて（ステップＳ１９）、処理空間１３２を大気開放し、基板９０の減圧乾燥処理を終了する。減圧乾燥装置１３では、前述のように、攪拌機構１６によって処理空間１３２内の雰囲気が攪拌されているため、従来の装置に比べて、基板９０の周辺雰囲気における溶剤の気体成分濃度が低い状態とされている。したがって、減圧乾燥処理の終了に伴う複圧（大気開放）によって、溶剤が凝縮して基板９０に再付着することを抑制することができる。
【００４７】
さらに、減圧乾燥装置１３は、搬送機構１０の搬送シャトルが基板９０の受け取り位置に移動した時点で、ベースプレート１３３の支持ピンを（−Ｚ）方向に退出させて基板９０を当該搬送シャトルに受け渡す。
【００４８】
減圧乾燥装置１３は、搬送機構１０の搬送シャトルにより基板９０が搬出されるまで待機した後（ステップＳ２０）、基板９０に対する処理を終了する。なお、基板処理装置１では、順次、他の基板９０に対して処理を継続するため、減圧乾燥装置１３はステップＳ１１に戻って処理を繰り返す。
【００４９】
減圧乾燥装置１３から搬出された基板９０は、インデクサ１９に搬送され、図示しない装置外の搬送機構に応じて基板９０の向きが調整された後、当該装置外の搬送機構により、基板処理装置１から搬出される。
【００５０】
以上のように、本実施の形態における減圧乾燥装置１３は、ベースプレート１３３に保持された基板９０の周辺雰囲気から溶剤（薬液）の気体成分を、攪拌機構１６によって攪拌除去する。これにより、減圧乾燥処理の実行中に、溶剤の気体成分濃度の高い雰囲気が基板９０の表面付近に滞留することを抑制することができるため、減圧乾燥処理に要する時間を短縮することができる。また、減圧乾燥処理を終了して、処理空間１３２を大気開放する際に、溶剤が凝縮して基板９０に再付着することを抑制することができる。
【００５１】
また、攪拌機構１６によって基板９０の周辺雰囲気における溶剤の気体成分濃度を均一化させることができるため、乾燥ムラや乾燥不良を抑制することができる。
【００５２】
さらに、回転モータ１６０およびファン１６２からなる平易な攪拌機構１６によって基板９０の周辺雰囲気から溶剤の気体成分を除去することができるため、減圧乾燥装置１３の装置構成を複雑化させることがなく、装置のコストの上昇を抑えることができる。
【００５３】
＜２．  第２の実施の形態＞
第１の実施の形態では、回転モータ１６０およびファン１６２から構成される攪拌機構１６により、処理空間１３２内の雰囲気を攪拌させる例について説明したが、攪拌機構１６の構成は、このような部材から構成される機構に限られるものではない。すなわち、処理空間１３２内において物体を可動させることによって気流を発生させ、発生した気流によって基板９０の周辺雰囲気を攪拌する機構であれば、どのような周知の機構が用いられてもよい。
【００５４】
図４は、このような原理に基づいて構成した第２の実施の形態における基板処理装置１の減圧乾燥装置１３ａを示す部分断面図である。なお、第１の実施の形態と同様の機能および構成については同符号を付すとともに、適宜説明を省略する。
【００５５】
本実施の形態における基板処理装置１は、基板９０に対して減圧乾燥処理を行う装置として減圧乾燥装置１３ａを採用する点を除いて、第１の実施の形態における基板処理装置１とほぼ同様の機能および構成を有している。
【００５６】
減圧乾燥装置１３ａは、処理空間１３２内の雰囲気を攪拌する機構として攪拌機構１６ａを備えている。攪拌機構１６ａは、回動機構１６３および複数のルーパー１６４を備えている。
【００５７】
回動機構１６３は、回転駆動力を生成する回転モータと、回転量を所定量に制限する部材とから構成され（共に図示せず）、各ルーパー１６４を回動させる機能を有する。
【００５８】
各ルーパー１６４は、矩形の板状部と、円筒状のシャフト部とから構成される。シャフト部は、円筒の中心軸が回転軸となっており、各ルーパー１６４は、当該回転軸がＹ軸と平行となる向きに、互いに所定の間隔でチャンバ１３１に取り付けられている。なお、図４には４つのルーパー１６４を図示しているが、ルーパーの数はこれに限られるものではない。
【００５９】
各ルーパー１６４は、基板９０のＹ軸方向のほぼ全幅に相当する長さを有しており、回動機構１６３によってシャフト部の回転軸を中心として、図４に示すように所定の回転量の範囲で回動する。すなわち、回動機構１６３は、各ルーパー１６４に対して、各回転軸を中心としたいわゆる首振り運動をさせる。
【００６０】
以上のような構成を有する本実施の形態における基板処理装置１の動作は、第１の実施の形態における基板処理装置１とほぼ同様である。ただし、図３に示すステップＳ１６において、攪拌機構１６ａによる攪拌が開始されると、回動機構１６３が各ルーパー１６４を回動駆動させ、ステップＳ１８の実行により攪拌機構１６ａによる攪拌が停止されるまで、各ルーパー１６４の回動駆動を継続する。
【００６１】
このように、ルーパー１６４が回動駆動されることにより、処理空間１３２内に気流が発生し、処理空間１３２内の雰囲気が攪拌され、溶剤の気体成分濃度が均一化される。
【００６２】
以上により、本実施の形態における減圧乾燥装置１３ａのように、回動機構１６３および複数のルーパー１６４によって構成される攪拌機構１６ａによっても、処理空間１３２内の雰囲気を攪拌することができることから、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００６３】
＜３．  第３の実施の形態＞
上記実施の形態では、基板９０の周辺雰囲気を攪拌することによって、周辺雰囲気から溶剤（溶液）の気体成分を除去するよう構成していたが、溶剤の気体成分を除去する手法としては、これに限られるものではない。
【００６４】
図５は、このような原理に基づいて構成した第３の実施の形態における基板処理装置１の減圧乾燥装置１３ｂを示す部分断面図である。なお、上記実施の形態と同様の機能および構成については同符号を付すとともに、適宜説明を省略する。
【００６５】
本実施の形態における基板処理装置１は、基板９０に対して減圧乾燥処理を行う装置として減圧乾燥装置１３ｂを採用する点を除いて、第１の実施の形態における基板処理装置１とほぼ同様の機能および構成を有している。
【００６６】
本実施の形態における減圧乾燥装置１３ｂは、吸引機構１５および変更機構１７を備えている。
【００６７】
吸引機構１５は、真空ポンプ１５０、吸引口１５１，１５２、吸引配管１５３，１５４を備えており、第１の実施の形態における吸引機構１４とほぼ同様の機能を有する。
【００６８】
変更機構１７は、支柱部材１７０、固定部材１７１、ストッパー１７２、および伸縮部材１７３を備えている。
【００６９】
柱状の部材である支柱部材１７０は、処理空間１３２内にＺ軸に沿った方向に配置され、その（＋Ｚ）側の端部がベースプレート１３３の裏面（基板９０の保持面に対して反対側の面）中央部に取り付けられている。また、支柱部材１７０はベース１３０を貫通して、その（−Ｚ）側の端部が固定部材１７１に固設されている。支柱部材１７０とベース１３０との間は、シールされることなく、隙間が設けられており、処理空間１３２は、後述する伸縮部材１７３の内部と連通接続されている。
【００７０】
固定部材１７１は、Ｘ軸方向の両端部がストッパー１７２に設けられた空洞部にはめ込まれており、ストッパー１７２によってそのＺ軸方向の移動範囲が制限されている。また、固定部材１７１には、図示しないバネなどの付勢部材が取り付けられており、常に（−Ｚ）方向に付勢されている。これにより、固定部材１７１は（＋Ｚ）方向の力が作用しない状態では、図５に示すように、（−Ｚ）方向の最端部に配置される。なお、本実施の形態における減圧乾燥装置１３ｂのようにＺ軸が鉛直方向とされる場合には、固定部材１７１には、常に（−Ｚ）方向に重力が作用するため、変更機構１７は前述のような付勢部材を設けない構成とされていてもよい。
【００７１】
ストッパー１７２は、固定部材１７１を挟み込むように配置されており、図示しない部材によりベース１３０との相対位置が固定されている。ストッパー１７２は、前述のように、固定部材１７１のＺ軸方向の移動範囲を制限するとともに、固定部材１７１がＸ軸およびＹ軸方向に移動しないように、その移動方向を案内するガイドとしての機能を有している。
【００７２】
伸縮部材１７３は、Ｚ軸方向に伸縮可能であるとともに、伸縮部材１７３の内部と外部との間で気体の出入りがないように遮断可能な部材で構成されている。また、伸縮部材１７３の（＋Ｚ）側の端部はベース１３０に固設され、（−Ｚ）側の端部は固定部材１７１に固設される。
【００７３】
これにより、減圧乾燥装置１３ｂでは、ベースプレート１３３が支柱部材１７０および固定部材１７１を介して伸縮部材１７３に取り付けられた構成となっており、伸縮部材１７３がＺ軸方向に伸縮することにより、ベースプレート１３３がＺ軸方向に移動する。なお、固定部材１７１が（−Ｚ）方向の最端部にある場合に伸縮部材１７３は最大伸長状態（図５に示す状態）となり、一方、固定部材１７１が（＋Ｚ）方向の最端部にある場合に伸縮部材１７３は最大収縮状態となる。
【００７４】
図６は、伸縮部材１７３の最大収縮状態を示す図である。減圧乾燥装置１３ｂでは、伸縮部材１７３が最大収縮状態にある場合に、ベースプレート１３３に保持された基板９０がチャンバ１３１と接触しないように、予めストッパー１７２の配置位置が決定されている。
【００７５】
次に、第３の実施の形態における基板処理装置１の動作を説明する。第３の実施の形態における基板処理装置１は、減圧乾燥装置１３ｂの動作以外は上記実施の形態における基板処理装置１の動作とほぼ同様の動作を行う。
【００７６】
図６は、第３の実施の形態における減圧乾燥装置１３ｂの動作を示す流れ図である。減圧乾燥装置１３ｂにおいても、上記実施の形態における減圧乾燥装置１３，１３ａと同様に、まず、初期設定が行われる（ステップＳ２１）。このとき、チャンバ１３１は予め搬入位置に配置される。また、伸縮部材１７３は最大伸長状態となっており、固定部材１７１に（＋Ｚ）方向の力が作用していないため、固定部材１７１は（−Ｚ）方向の最端部に配置されている（図５）。
【００７７】
次に、搬送機構１０により減圧乾燥装置１３ｂに基板９０が搬入されると（ステップＳ２２においてＹｅｓ）、ベースプレート１３３の支持ピンが（＋Ｚ）方向に進出し、ベースプレート１３３が基板９０を保持する（ステップＳ２３）。続いて、チャンバ１３１を処理位置に移動させて（ステップＳ２４）、基板９０を外部雰囲気と遮断し、処理空間１３２を形成する（図５に示す状態となる）。
【００７８】
基板９０が外部雰囲気と遮断され密閉状態におかれると、吸引機構１５が処理空間１３２の雰囲気の吸引を開始する（ステップＳ２５）。これにより、減圧乾燥装置１３ｂによる減圧乾燥処理が開始される。
【００７９】
本実施の形態における減圧乾燥装置１３ｂにおいて減圧乾燥処理が開始されると、処理空間１３２と伸縮部材１７３の内部とが連通接続されていることから、伸縮部材１７３の内部雰囲気が処理空間１３２に向かって吸引される。すなわち、処理空間１３２が減圧されるにしたがって伸縮部材１７３の内部圧が減少し、大気圧の作用によって伸縮部材１７３が収縮する。
【００８０】
伸縮部材１７３は主にＺ軸方向にのみ伸縮可能とされていることから、当該収縮によって生じる力が固定部材１７１に（＋Ｚ）方向の力として作用し、これにより、ベースプレート１３３が（＋Ｚ）方向に移動する。すなわち、減圧乾燥装置１３ｂでは、処理空間１３２の減圧が進行するにしたがって、ベースプレート１３３が（＋Ｚ）方向に移動する。
【００８１】
ここで、基板９０の主面とチャンバ１３１との間の空間を空間Ｄとすると、空間Ｄの体積は、基板９０とチャンバ１３１との相対距離（Ｚ軸に沿った方向の距離、以下、「距離Ｔ」と称する）と、基板９０の面積との積によって決定される。したがって、減圧乾燥装置１３ｂにおいて減圧が進行し、前述のようにベースプレート１３３が（＋Ｚ）方向に移動すると、その移動距離に応じて、距離Ｔが減少方向に変化するため、空間Ｄの体積が減少する。すなわち、減圧乾燥処理を開始する時点における空間Ｄの体積をＶ０（図５）、減圧乾燥処理が終了する時点における空間Ｄの体積をＶ１（図６）とすると、Ｖ０＞Ｖ１の関係となる。
【００８２】
空間Ｄは、基板９０の周辺雰囲気が存在する空間であるから、空間Ｄの体積が減少すると、基板９０の周辺雰囲気が基板９０の端部全周から押し出されるように流出する。これにより、減圧乾燥装置１３ｂは、気流の滞留を解消させることができるため、乾燥ムラや乾燥不良を抑制することができる。
【００８３】
また、このようにして溶剤の気体成分濃度が高い周辺雰囲気（気流の滞留部分の周辺雰囲気）自体が空間Ｄから流出することにより、周辺雰囲気から溶剤の気体成分が除去される。したがって、溶剤の揮発が阻害されることを抑制することができ、減圧乾燥処理に要する時間を短縮することができる。なお、距離Ｔを急激に減少させると、その間、空間Ｄが加圧された状態となり溶剤の揮発が阻害されるなどの問題を生じるが、減圧乾燥装置１３ｂでは、処理空間１３２の減圧が進行するにしたがって、徐々に距離Ｔが減少するため、空間Ｄにおいてそのような現象は生じない。
【００８４】
ステップＳ２５により吸引機構１５による吸引を開始してから所定の時間が経過すると、吸引機構１５による吸引を停止し（ステップＳ２６）、定圧による減圧乾燥処理を行う。その後、さらに所定の時間が経過すると、減圧乾燥装置１３ｂは、チャンバ１３１を搬入位置に移動させて（ステップＳ２７）、処理空間１３２を大気開放して、減圧乾燥処理を終了する。
【００８５】
減圧乾燥装置１３ｂでは、処理空間１３２が復圧されると、伸縮部材１７３の内部と外部との圧力差が解消されるため、伸縮部材１７３が図示しない付勢部材の付勢力によって伸長する。これによって、固定部材１７１が（−Ｚ）方向の最端部に移動するため、空間Ｄの体積が増加する。すなわち、減圧乾燥装置１３ｂは、復圧時に基板９０の周辺雰囲気が減圧される方向にベースプレート１３３が移動するため、急激に周辺雰囲気が復圧されることによって溶剤が基板９０の表面に凝縮して再付着することを抑制することができる。
【００８６】
減圧乾燥処理が終了すると、減圧乾燥装置１３ｂは、搬送機構１０の搬送シャトルが基板９０の受け取り位置に配置されるまで待機した後、ベースプレート１３３の支持ピンを退出させて、基板９０を搬送機構１０に受け渡す。
【００８７】
さらに、搬送機構１０が減圧乾燥装置１３ｂから退出するまで待機（ステップＳ２８）した後、基板９０に対する処理を終了する。なお、本実施の形態における減圧乾燥装置１３ｂにおいても、さらに他の基板９０について処理を行う場合には、ステップＳ２２に戻って処理を繰り返す。
【００８８】
以上のように、第３の実施の形態における減圧乾燥装置１３ｂは、基板９０に対する減圧乾燥処理を行っている間に、基板９０とチャンバ１３１との間の空間（空間Ｄ）の体積を減少させることにより、基板９０の周辺雰囲気から溶剤の気体成分を除去することができるため、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００８９】
また、減圧乾燥装置１３ｂは、基板９０の周辺雰囲気から溶剤の気体成分を除去するための機構として、別途、駆動機構など用いる必要がないことから、装置のコスト上昇を抑制することができる。また、減圧乾燥処理において、そのような駆動機構を制御する必要もないことから、制御装置２０の処理が複雑化することもない。
【００９０】
また、復圧時に基板９０の周辺雰囲気が減圧される方向にベースプレート１３３が移動することにより、基板９０の周辺雰囲気の急激な復圧を緩和することができ、基板９０に溶剤が凝縮することをさらに抑制することができる。
【００９１】
＜４．  第４の実施の形態＞
第３の実施の形態における減圧乾燥装置１３ｂでは、伸縮部材１７３の内部空間と外部との圧力差によってベースプレート１３３を移動させることにより、空間Ｄの体積を減少させて、基板９０の周辺雰囲気から溶剤の気体成分を除去する。しかし、減圧乾燥処理中に空間Ｄの体積を変更する手法はこれに限られるものではない。
【００９２】
図８は、このような原理に基づいて構成した第４の実施の形態における基板処理装置１の減圧乾燥装置１３ｃを示す部分断面図である。なお、上記実施の形態と同様の機能および構成については同符号を付すとともに、適宜説明を省略する。
【００９３】
本実施の形態における基板処理装置１は、基板９０に対して減圧乾燥処理を行う装置として減圧乾燥装置１３ｃを採用する点を除いて、第３の実施の形態における基板処理装置１とほぼ同様の機能および構成を有している。
【００９４】
本実施の形態における減圧乾燥装置１３ｃは、変更機構１７ａを備えている。変更機構１７ａは、固定部材１７１および伸縮部材１７３の代わりに、駆動機構１７４およびシール部材１７５を有している点が、第３の実施の形態における変更機構１７と異なっている。
【００９５】
駆動機構１７４は、制御装置２０からの制御信号によって駆動され、支柱部材１７０を介してベースプレート１３３をＺ軸方向に移動させる機能を有する。このような機能を有する駆動機構１７４としては、例えば、Ｚ軸に平行に配置されたボールネジと支柱部材１７０に固定されたナット部材とを組み合わせ、ボールネジを回転モータで回転させることによってナット部材をＺ軸方向に移動させる機構などを用いて実現することができる。なお、駆動機構１７４としては、エアシリンダを用いた機構など、他の周知の手法が用いられてもよい。また、駆動機構１７４によるベースプレート１３３の駆動は、第３の実施の形態と同様に、十分低速でおこなわれる。
【００９６】
シール部材１７５は、処理空間１３２と外部とを密閉するための部材であって、処理空間１３２が吸引機構１５による吸引によって減圧された場合に、処理空間１３２に外部雰囲気が流入することを防止する機能を有する。
【００９７】
制御装置２０は、減圧乾燥処理中の駆動機構１７４の駆動を制御する。例えば、駆動機構１７４がベースプレート１３３を移動させる際に、ベースプレート１３３の位置としてそれぞれ予め設定されている離隔位置や、近接位置を超えて移動させることのないように制御する。なお、離隔位置とは、ベースプレート１３３が図８において示される位置であって、ベースプレート１３３によって、ベース１３０に設けられた吸引口１５１，１５２からの吸引が妨げられることのない位置（ベースプレート１３３とベース１３０との間隔が十分に存在する位置）である。また、近接位置とは、ベースプレート１３３が離隔位置から（＋Ｚ）方向に所定の距離だけ移動した位置であって、ベースプレート１３３に保持された基板９０がチャンバ１３１に接触しないだけの十分な間隔が設けられている位置である。
【００９８】
次に、第４の実施の形態における減圧乾燥装置１３ｃの動作について説明する。なお、本実施の形態における基板処理装置１は、減圧乾燥装置１３ｃの動作以外は、第１の実施の形態における基板処理装置１とほぼ同様の動作を行う。
【００９９】
図９は、減圧乾燥装置１３ｃの動作を示す流れ図である。減圧乾燥装置１３ｃは、第１の実施の形態における減圧乾燥装置１３と同様に、予め初期設定（ステップＳ３１）を実行した後に、基板９０が搬送機構１０により搬入されるまで待機する（ステップＳ３２）。そして、基板９０が搬入されると、ベースプレート１３３が当該基板９０を保持し（ステップＳ３３）、チャンバ１３１を下降させる（ステップＳ３４）ことによって、処理空間１３２を形成した後、吸引機構１５による吸引を開始する（ステップＳ３５）。
【０１００】
ステップＳ３５により、減圧乾燥処理が開始されると、制御装置２０が駆動機構１７４に対して制御信号を出力し、ベースプレート１３３を（＋Ｚ）方向に移動させるように制御する。このようにして、駆動機構１７４がベースプレート１３３を移動させることにより、基板９０とチャンバ１３１との相対距離Ｔが減少し、空間Ｄの体積が減少する。したがって、減圧乾燥装置１３ｃにおいても、第３の実施の形態における減圧乾燥装置１３ｂと同様に、基板９０の周辺雰囲気を除去することができる。
【０１０１】
次に、減圧乾燥装置１３ｃは、所定の圧力になるまで吸引による減圧を行い、減圧が完了すると吸引機構１５による吸引を停止する（ステップＳ３７）。本実施の形態における減圧乾燥装置１３ｃは、吸引機構１５による吸引が停止されて処理空間１３２が定圧力状態になるとともに、ベースプレート１３３が近接位置に到達すると、ベースプレート１３３がＺ軸に沿って揺動するように駆動機構１７４を制御する（ステップＳ３８）。
【０１０２】
第３の実施の形態における減圧乾燥装置１３ｂでは、処理空間１３２が定圧力状態になった後は、処理空間１３２が大気開放されるまで、空間Ｄの体積は変化せず、その間は気流の滞留を生じるおそれがある。しかし、本実施の形態における減圧乾燥装置１３ｃは、定圧力状態になった後も、ベースプレート１３３をＺ軸に沿って揺動させることにより、空間Ｄの体積を増減させて、基板９０の周辺に気流の滞留が生じることを抑制することができる。
【０１０３】
所定の処理時間が経過すると、駆動機構１７４によりベースプレート１３３を離隔位置に移動させる（ステップＳ３９）。ベースプレート１３３の離隔位置への移動が完了すると、チャンバ１３１を（＋Ｚ）方向に移動させて処理空間１３２を大気開放し（ステップＳ４０）、減圧乾燥処理を終了する。さらに、搬送機構１０により基板９０が搬出されるまで待機した後（ステップＳ４１）、処理を終了する。
【０１０４】
以上のように、第４の実施の形態における減圧乾燥装置１３ｃにおいても、減圧乾燥処理中に、基板９０とチャンバ１３１との間の空間Ｄの体積を減少させることができるため、基板９０の周辺雰囲気を気流の滞留を抑制しつつ、除去することができる。したがって、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１０５】
また、減圧乾燥処理において、定圧力状態となった後にも空間Ｄの体積変化をさせることができるため、基板９０の周辺雰囲気における気流の滞留をさらに減少させることができる。
【０１０６】
＜５．  第５の実施の形態＞
上記実施の形態における基板処理装置１では、減圧乾燥中において、基板９０の周辺雰囲気に滞留する溶剤の気体成分を、一旦、処理空間１３２内で移動させることにより基板９０の周辺雰囲気中に含まれる溶剤の気体成分濃度の低下を図るものである。しかし、基板９０の周辺雰囲気から溶剤の気体成分を除去する手法としては、直接、周辺雰囲気を吸引除去する手法を用いてもよい。
【０１０７】
図１０は、このような原理に基づいて構成された第５の実施の形態における基板処理装置１の減圧乾燥装置１３ｄを示す部分断面図である。なお、上記実施の形態と同様の機能および構成については同符号を付すとともに、適宜説明を省略する。
【０１０８】
本実施の形態における基板処理装置１は、基板９０に対して減圧乾燥処理を行う装置として減圧乾燥装置１３ｄを採用する点を除いて、上記実施の形態における基板処理装置１とほぼ同様の機能および構成を有している。
【０１０９】
本実施の形態における減圧乾燥装置１３ｄは、吸引機構１４ａおよび補助吸引機構１８を備えており、吸引機構１４ａは、吸引配管１４１が開閉バルブ１４３によって開閉制御可能とされている。また、補助吸引機構１８は、吸引口１８１、吸引配管１８２および開閉バルブ１８３から構成される。
【０１１０】
吸引口１８１は、図１０に示すように、ベースプレート１３３に保持された基板９０の中央近傍に対向するようにチャンバ１３１に設けられる。吸引配管１８２の一端は吸引口１８１に連通接続され、他方端は真空ポンプ１４０に接続される。開閉バルブ１８３は、吸引配管１８２の開閉を行う。
【０１１１】
なお、補助吸引機構１８の吸引口１８１は、複数設けられていてもよい。また、本実施の形態における減圧乾燥装置１３ｄでは、吸引配管１８２が真空ポンプ１４０に接続されることにより、吸引機構１４ａと補助吸引機構１８とが真空ポンプ１４０を共有する構成とされているが、補助吸引機構１８が別途真空ポンプを有する構成としてもよい。
【０１１２】
本実施の形態における制御装置２０は、開閉バルブ１４３および開閉バルブ１８３の開閉動作を制御する。
【０１１３】
次に、第５の実施の形態における減圧乾燥装置１３ｄの動作について説明する。なお、本実施の形態における基板処理装置１は、減圧乾燥装置１３ｄの動作以外は、第１の実施の形態における基板処理装置１とほぼ同様の動作を行うため、説明は省略する。
【０１１４】
図１１は、減圧乾燥装置１３ｄの動作を示す流れ図である。減圧乾燥装置１３ｄは、第１の実施の形態における減圧乾燥装置１３と同様に、予め初期設定（ステップＳ５１）を実行した後に、基板９０が搬送機構１０により搬入されるまで待機する（ステップＳ５２）。そして、基板９０が搬入されると、ベースプレート１３３が当該基板９０を保持し（ステップＳ５３）、チャンバ１３１を（−Ｚ）方向に移動させる（ステップＳ５４）ことによって、処理空間１３２を形成する。
【０１１５】
さらに、制御装置２０が真空ポンプ１４０を駆動するとともに、開閉バルブ１４３を開放状態にすることにより、吸引機構１４ａによる吸引を開始する（ステップＳ５５）。これによって、基板９０に対する減圧乾燥処理が開始される。
【０１１６】
吸引機構１４ａによる吸引を開始してから所定の時間が経過すると、制御装置２０は、開閉バルブ１８３を開放状態にして補助吸引機構１８による吸引を開始する（ステップＳ５６）。
【０１１７】
このように、本実施の形態における減圧乾燥装置１３ｄは、減圧乾燥処理中に補助吸引機構１８にる吸引を行うことにより、気流の滞留を解消して、基板９０の周辺雰囲気を吸引除去することができる。
【０１１８】
基板９０のレジスト膜が未乾燥の状態で、吸引によって基板９０の表面に急激な気流を発生させると、レジスト膜が当該気流の影響により不均一になる。したがって、本実施の形態における減圧乾燥装置１３ｄでは、制御装置２０が開閉バルブ１４３と開閉バルブ１８３との開閉タイミングに時間差を設けており、処理空間１３２の減圧が進行し、レジスト膜が十分乾燥してから補助吸引機構１８による吸引を行うようにしている。しかし、補助吸引機構１８による吸引は、吸引機構１４ａによる吸引の後に開始されることに限定されるものではなく、例えばレジスト膜に影響を与えない程度の緩やかな吸引を行う場合には、補助吸引機構１８による吸引を吸引機構１４ａによる吸引に先立って開始するようにしてもよい。
【０１１９】
処理空間１３２内の圧力が所定値となると、制御装置２０は開閉バルブ１４３を閉鎖状態にして、吸引機構１４ａによる吸引を停止する（ステップＳ５７）。さらに、所定の時間が経過するまで減圧乾燥処理を継続した後、開閉バルブ１８３を閉鎖状態にして、補助吸引機構１８による吸引を停止する（ステップＳ５８）。また、チャンバ１３１を（−Ｚ）方向に移動させる（ステップＳ５９）ことにより、処理空間１３２が大気開放され、減圧乾燥処理が終了する。
【０１２０】
本実施の形態における減圧乾燥装置１３ｄは、減圧乾燥処理の実行中に、補助吸引機構１８によって基板９０の周辺雰囲気から溶剤の気体成分を高濃度に含む雰囲気を除去するため、上記実施の形態と同様に、処理空間１３２が大気開放される際の溶剤の再付着を抑制することができる。
【０１２１】
次に、減圧乾燥装置１３ｄは、搬送機構１０の搬送シャトルが所定の位置に配置されるまで待機した後、ベースプレート１３３の支持ピンを基板９０から離間させて基板９０を搬送シャトルに受け渡す。さらに、搬送シャトルが減圧乾燥装置１３ｄから退出するまで待機（ステップＳ６０）した後、基板９０に対する処理を終了する。
【０１２２】
以上のように、第５の実施の形態における減圧乾燥装置１３ｄでは、基板９０に対する減圧乾燥処理の実行中に、補助吸引機構１８が基板９０の周辺雰囲気を吸引することにより、基板９０の周辺雰囲気中の溶剤の気体成分を除去する。これにより、本実施の形態における減圧乾燥装置１３ｄにおいても上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１２３】
また、補助吸引機構１８が吸引機構１４ａが備える真空ポンプ１４０を兼用することにより、装置のコストを削減することができる。
【０１２４】
＜６．  変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【０１２５】
例えば、上記実施の形態では、減圧乾燥装置に搬送される基板は、塗布装置１２によってスリットコートが行われた基板であったが、減圧乾燥装置が処理する基板は、これに限られるものではなく、スピンコートにより薬液が塗布された基板であってもよいし、エッジリンス後の基板などであってもよい。
【０１２６】
また、基板処理装置１における動作順序は、上記実施の形態に示す順次に限られるものではなく、同様の効果が得られる順序であればよい。
【０１２７】
また、上記実施の形態における制御装置２０による制御は、ＣＰＵがプログラムによって動作するソフトウェア制御として実現されると説明したが、これらの全部または一部が専用の回路によってハードウェア制御として実現されてもよい。
【０１２８】
また、第４の実施の形態における減圧乾燥装置１３ｃでは、減圧乾燥処理の実行中にベースプレート１３３をＺ軸方向に移動させるために、駆動機構１７４を設けると説明したが、例えば、減圧乾燥装置１３ｃが基板９０を搬出入する際に、ベースプレート１３３のＺ軸方向の位置調整を行う調整機構を有している場合には、これらの調整機構が駆動機構１７４として兼用されてもよい。
【０１２９】
【発明の効果】
請求項１ないし９に記載の発明では、保持台に保持された基板の周辺雰囲気から薬液の気体成分を除去することにより、薬液が基板に再付着することを抑制することができる。また、薬液の揮発が阻害されることを抑制することができる。
【０１３０】
請求項２に記載の発明では、基板の周辺雰囲気から薬液の気体成分を攪拌除去することにより、基板の周辺雰囲気における薬液の気体成分濃度を均一化させることができる。したがって、周辺雰囲気中の薬液濃度を低下させることによって、周辺雰囲気から薬液を除去することができる。
【０１３１】
請求項３に記載の発明では、回転駆動力を生成する回転機構と回転駆動力によって回転し、前記処理空間内に気流を発生させるファンとを有することにより、周辺雰囲気を容易に攪拌させることができる。
【０１３２】
請求項４に記載の発明では、所定の回動軸を中心に回動する板状部材と板状部材を所定の回動軸を中心に回動させる回動機構とを有することにより、周辺雰囲気を容易に攪拌させることができる。
【０１３３】
請求項５に記載の発明では、基板に対する減圧乾燥処理が行われている間に、基板と減圧チャンバとの間の空間体積が減少する方向に、基板と減圧チャンバとの相対距離を変化させることにより、薬液の気体成分濃度の高い雰囲気を基板の周辺から移動させることができ、周辺雰囲気から薬液の気体成分を除去することができる。
【０１３４】
請求項６に記載の発明では、保持台が処理空間内の圧力に応じて伸縮する伸縮部材に取り付けられており、伸縮部材が収縮することにより、保持台が基板と減圧チャンバとの間の空間体積を減少させる方向に移動することにより、駆動機構を別途設ける必要がなく、容易に周辺雰囲気を移動させることができる。
【０１３５】
請求項７に記載の発明では、吸引手段によって処理空間内の雰囲気が吸引されるにしたがって、基板と減圧チャンバとの相対距離を減少させる方向に移動機構を駆動制御することにより、容易に周辺雰囲気を移動させることができる。
【０１３６】
請求項８に記載の発明では、補助吸引手段が、基板の主面中央部に対向する位置の近傍に設けられ、基板の周辺雰囲気を吸引することにより、周辺雰囲気中の薬液の気体成分を減圧チャンバ外に容易に除去することができる。
【０１３７】
請求項９に記載の発明では、補助吸引手段が、吸引手段による吸引が開始されてから所定の時間が経過した後に、吸引を開始することにより、補助吸引手段によって発生する気流によって薄膜に流紋などが付くことを抑制することができる。
【０１３８】
請求項１０に記載の発明では、基板の主面と前記減圧チャンバとの間の空間体積を減少させる方向に、基板と減圧チャンバとを相対的に移動させることにより、薬液の気体成分濃度の高い雰囲気を基板の周辺から移動させることができ、周辺雰囲気から薬液の気体成分を除去することができる。
【０１３９】
請求項１１に記載の発明では、保持工程において保持された基板の主面中央部に対向する位置の近傍から、基板の周辺雰囲気を吸引することにより、周辺雰囲気中の薬液の気体成分を減圧チャンバ外に容易に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る減圧乾燥装置を搭載した基板処理装置１の構成を示す図である。
【図２】第１の実施の形態における減圧乾燥装置を示す部分断面図である。
【図３】第２の実施の形態における減圧乾燥装置の動作を示す流れ図である。
【図４】第２の実施の形態における減圧乾燥装置を示す部分断面図である。
【図５】第３の実施の形態における減圧乾燥装置を示す部分断面図である。
【図６】伸縮部材の最大収縮状態を示す図である。
【図７】減圧乾燥装置の動作を示す流れ図である。
【図８】第４の実施の形態における減圧乾燥装置を示す部分断面図である。
【図９】減圧乾燥装置の動作を示す流れ図である。
【図１０】第５の実施の形態における減圧乾燥装置を示す部分断面図である。
【図１１】減圧乾燥装置の動作を示す流れ図である。
【符号の説明】
１  基板処理装置
１３，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ  減圧乾燥装置
１３１  チャンバ
１３２  処理空間
１３３  ベースプレート（保持台）
１４，１４ａ，１５  吸引機構
１６，１６ａ  攪拌機構
１６０  回転モータ（回転機構）
１６２  ファン
１６３  回動機構
１６４  ルーパー（板状部材）
１７，１７ａ  変更機構
１７３  伸縮部材
１７４  駆動機構（移動機構）
１８  補助吸引機構
２０  制御装置
９０  基板
Ｄ  空間
Ｔ  距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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