(57)【要約】      （修正有）【課題】ＢＳＴ膜を絶縁層とした強誘電記憶電界効果トランジスタにおいて、 記憶保持時間の向上をはかる。【解決手段】強誘電層電極構造及びその製造方法に関し、その製造方法は（ａ）基板１を提供するステップと、（ｂ）絶縁層２を該基板上に形成するステップと、（ｃ）複数の酸化物電極４を該絶縁層の上に形成するステップと、（ｄ）強誘電層５を該絶縁層及び該複数の酸化物電極上に形成するステップと、（ｅ）該複数の酸化物電極に対応して複数の金属電極７を該強誘電層上に形成するステップとを備えてなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
この基板の上に形成された絶縁層と、
この絶縁層上に形成された複数の酸化物電極と、
前記絶縁層及び前記複数の酸化物電極の上に形成された強誘電層と、
前記複数の酸化物電極に対応して前記強誘電層の上に形成された複数の金属電極と、
を備えてなる強誘電層電極構造。
【請求項２】
前記基板はシリコン基板であり、
このシリコン基板はｐ−型シリコン基板又はｎ−型シリコン基板であり、
前記絶縁層の材料はチタン酸ストロンチウム・バリウムであり、そして該絶縁層中には、更に酸化マグネシウムがドープされてあり、
前記複数の酸化物電極の材料はチタン酸ランタンであり、及び、
前記強誘電層の材料はチタン酸ランタン・ビスマスである請求項１記載の強誘電層電極構造。
【請求項３】
前記複数の金属電極の材料は、化学性質が安定な貴金属、例えば白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）；及び含カルシウム・チタン鉱構造の酸化物電極、例えばニッケル酸チタン（ＬＮｏ）、ルテニウム酸ストロンチウム（ＳｒＲｕＯ３）、ルテニウム酸バリウム（ＢａＲｕＯ３）、イットリウム・バリウム銅酸素（ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７）、が使用される請求項１記載の強誘電層電極構造。
【請求項４】
前記複数の金属電極はそれぞれ第一の電極面積を有し、そして前記複数の酸化物電極はそれぞれ第二の電極面積を有しており、該第一の電極面積と該第二の電極面積との比は、１／１２よりも小である請求項１記載の強誘電層電極構造。
【請求項５】
（ａ）基板を提供するステップと、
（ｂ）絶縁層を該基板上に形成するステップと、
（ｃ）複数の酸化物電極を前記絶縁層の上に形成するステップと、
（ｄ）強誘電層を前記絶縁層及び前記複数の酸化物電極上に形成するステップと、
（ｅ）前記複数の酸化物電極に対応して複数の金属電極を前記強誘電層上に形成するステップと、
を備えてなる強誘電層電極構造の製造方法。
【請求項６】
前記製造方法におけるステップ（ａ）はさらに、前記基板を順にＲＣＡ清潔法及び窒化法で前置処理を行うステップを備えている請求項５記載の製造方法。
【請求項７】
前記ステップ（ｂ）の絶縁層製造方法において、
前記絶縁層は金属有機沈積法により形成され、又は、該絶縁層は化学気相沈積法により形成され、もしくは、該絶縁層は物理気相沈積法により形成され、そのターゲット材はチタン酸ストロンチウム・バリウム・スパッタリング・ターゲットであって、成分がＢａｘＳｒ１−ｘＴｉＯ３（ｘ＝０〜１）であり、
前記チタン酸ストロンチウム・バリウム・スパッタリング・ターゲットは炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）を調合してなるものであり、そして、
このチタン酸ストロンチウム・バリウム・スパッタリング・ターゲットには更に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）がドープされてある請求項５記載の製造方法。
【請求項８】
上記ステップ（ｃ）の酸化物電極製造方法において、
前記酸化物層は金属有機沈積法により形成され、又は、該酸化物層は化学気相沈積法により形成され、もしくは、該酸化物は物理気相沈積法により形成され、その中、該物理気相沈積法のターゲット材はニッケル酸ランタン・スパッタリング・ターゲットであり、このニッケル酸ランタン・スパッタリング・ターゲットの成分はＬａ２ＮｉＯ３であり、及び／又は酸化ランタン（Ｌａ２Ｏ３）、二酸化ニッケル（ＮｉＯ２）を調合してなるものである請求項５記載の製造方法。
【請求項９】
上記ステップ（ｃ）はさらに、前記酸化物層を前記絶縁層上に形成し、更にマイクロ・イメージ製造プロセスで該酸化物層に複数の酸化物電極を形成させるステップを備えてなる請求項５に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記ステップ（ｄ）の強誘電層製造方法において、
前強誘電層は物理気相沈積法により形成され、又は、該強誘電層酸化物層は化学気相沈積法により形成され、もしくは該強誘電層は金属有機物沈積法により形成されてなり、その中、当該金属有機物沈積法の溶液は、成分がＢｉｘＬａ４−ｘＴｉ３Ｏ１２（ｘ＝０〜４）であるチタン酸ランタン・ビスマス溶液であり、このチタン酸ランタン・ビスマス溶液は酢酸を溶剤とし、酢酸ランタン、酢酸ビスマス及びテトライソ・プロピル・アルコール・チタンを溶質とする請求項５記載の製造方法。
【請求項１１】
前記請求項５記載のステップ（ｅ）はさらに、一金属層を前記強誘電層上に形成し、更にフォト・レジスタンス剥落法で該金属層に複数金属電極を形成させるステップを備え、その中、これら金属電極が各々有する第一の電極面積と該複数の酸化物電極がそれぞれ有する第二の電極面積との比は１／１２より小さく設定され、そして該金属層の材料は化学性質が安定した貴金属、例えば白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）；及び含カルシウムチタン鉱構造の酸化電極、例えばニッケル酸ランタン（ＬＮＤ）、ルテニウム酸ストロンチウム(ＳｒＲｕＯ３)、ルテニウム酸バリウム(ＢａＲｕＯ３)、イットリウムバリウム銅酸素(ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７)が使用される請求項５記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、強誘電層／電極／絶縁層／シリコン（ＭＦＭＩＳ）構造及びその製造方法に関し、特に、記憶保留時間を増加する強誘電層／電極／絶縁層／シリコン構造及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、強誘電記憶電界効果トランジスタ（ＦｅＭＦＥＴ）が非常に嘱目されているのは、それが非破壊読取および素子集積化向上の機能を有しているためにノン・ボラタイルＲＡＭ（ＮＶＦｅＲＡＭｓ）として応用され得るからである。広いメモリ・ウィンドー及び快速な読み書き速度については既に文献又は特許公報にて報道されており、目前この両方面においていずれも達成されているが、ＩＳＨＩＷＡＲＡ等のＩＥＥＥ．Ｔｒａｎｓ．ｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅｓ  ４８，Ｐ２００２．（２００１）及びＵｎｉｔｅｄ  Ｓｔａｔｅｓ  Ｐａｔｅｎｔ  ６，４４９，１８５、６，２８５，５５７特許公報の報道によれば、目前最適な強誘電記憶電界効果トランジスタの記憶保留時間はいずれも１０５秒より低く、甚だしくは僅か数秒しかない上、強誘電フィルム結晶温度が６００℃以上をも要するといわれている。故に、実際に工業生産上に応用する場合は、低記憶保留時間及び高結晶温度の欠点を克服しなければならない。
【０００３】
効果的に記憶保留時間を向上したい場合は、理論模擬に基づいて、低電圧操作下で、
１）残留分極量と飽和分極量との比（Ｐｒ／Ｐｓ）を向上し、
２）絶縁層の漏れ電流を低下させ、
３）ＭＦＭＩＳ構造における強誘電フィルムと絶縁膜との面積比を低下して比較的良いＭＦＭ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）及びＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｔａｔｏｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）の容量マッチングを達成する。
ことが必要となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、本発明の目的は高熱安定性、低漏れ電流密度及び高誘電係数を有する酸化マグネシウムがドープされてあるチタン酸ストロンチウム・バリウム（ＭｇＯ  ｄｏｐｅｄ  ＢＳＴ）フィルムを絶縁層とし、ニッケル酸ランタン（ＬＮＯ）を酸化物金属電極とし、及び、チタン酸ランタン・ビスマスを強誘電材料として利用することにより、効果的に記憶保留時間を１０６秒以上（ＡＦ／ＡＩ＝１／１２及び１／１６）に大きくなるように向上できるばかりでなく、ＬＮｏ底電極上で成長した強誘電フィルムも低チタン酸ランタン・ビスマス強誘電フィルムの製造プロセス温度を６００℃までに下げることができるＭＦＭＩＳを提供することにある。
【０００５】
本発明の記憶保留時間を増加する強誘電層／電極／絶縁層／シリコン（ＭＦＭＩＳ）構造及びその製造方法において、低温製造プロセスの強誘電フィルムは比較的高い残留分極と飽和分極との比（Ｐｒ／Ｐｓ）、低漏れ電流密度および比較的よいＭＦＭとＭＩＳとの容量マッチングを有しているので、効果的にＭＦＭＩＳ構造容量記憶時間を１０６以上よりも大きくすることができる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記本発明のＭＦＭＩＳ構造は、基板と、この基板の上に形成された絶縁層と、この絶縁層上に形成された複数の酸化物電極と、該絶縁層及び該複数の酸化物電極の上に形成された強誘電層と、該複数の酸化物電極に対応して強誘電層の上に形成された複数の金属電極と、を備えてなり、これより本発明の目的が達せられる。（請求項１に対応）。
【０００７】
上記本発明の強誘電層電極構造において、該基板はシリコン基板であり、その中、ｐ−型シリコン基板又はｎ−型シリコン基板のいずれかが使用されてあり、該絶縁層の材料はチタン酸ストロンチウム・バリウムであり、そして該絶縁層中には、更に酸化マグネシウムがドープされており、該複数の酸化物電極の材料はチタン酸ランタンであり、そして、この強誘電層の材料はチタン酸ランタン・ビスマスが好適に使用される。（請求項２に対応）。
【０００８】
上記本発明の強誘電層電極構造において、該複数の金属電極の材料は、化学性質が安定な貴金属、例えば白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）；及び含カルシウム・チタン鉱構造の酸化物電極、例えばニッケル酸チタン（ＬＮｏ）、ルテニウム酸ストロンチウム（ＳｒＲｕＯ３）、イットリウム・バリウム銅酸素（ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７）、が使用される。（請求項３に対応）。
【０００９】
また、本発明の強誘電層電極構造において、該複数の金属電極はそれぞれ第一の電極面積を有し、そして該複数の酸化物電極はそれぞれ第二の電極面積を有し、該第一の電極面積と該第二の電極面積との比は、１／１２よりも小である。（請求項４に対応）。
【００１０】
更には、強誘電層電極構造の製造方法は、（ａ）基板を提供するステップと、（ｂ）絶縁層を該基板上に形成するステップと、（ｃ）複数の酸化物電極を該絶縁層の上に形成するステップと、（ｄ）強誘電層を該絶縁層及び該複数の酸化物電極上に形成するステップと、（ｅ）該複数の酸化物電極に対応して複数の金属電極を該強誘電層上に形成するステップとを備えてなる。（請求項５に対応）。
【００１１】
上記本発明の強誘電層電極構造の製造方法において、該基板はシリコン基板であり、その中、ｐ−型シリコン基板又はｎ−型シリコン基板のいずれかが使用される。
また、上記本発明の強誘電層電極構造の製造方法において、
前記製造方法におけるステップ（ａ）はさらに、該基板を順にＲＣＡ清潔法及び窒化法で前置処理を行うステップを備えている。（請求項６に対応）。
【００１２】
また、上記ステップ（ｂ）の絶縁層製造方法において、該絶縁層は金属有機物沈積法により形成され、又は、該絶縁層は化学気相沈積法により形成され、もしくは、該絶縁層は物理気相沈積法により形成され、そのターゲット材はチタン酸ストロンチウム・バリウム・スパッタリング・ターゲットであって、成分がＢａｘＳｒ１−ｘＴｉＯ３（ｘ＝０〜３）であり、該チタン酸ストロンチウム・バリウム・スパッタリング・ターゲットは炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）を調合してなるものであり、そして、このチタン酸ストロンチウム・バリウム・スパッタリング・ターゲットには更に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）がドープされてある。（請求項７に対応）。
また上記ステップ（ｃ）は更に該酸化物層を該絶縁層上に形成し、更にマイクロ・イメージ製造プロセスで該酸化物層に複数の酸化物電極を形成させるステップを備えてなる。
【００１３】
上記ステップ（ｃ）の酸化物電極製造方法において、該酸化物層は金属有機沈積法により形成され、又は、該酸化物層は化学気相沈積法により形成され、もしくは、該酸化物は物理気相沈積法により形成され、その中、該物理気相沈積法のターゲット材はニッケル酸ランタン・スパッタリング・ターゲットであり、このニッケル酸ランタン・スパッタリング・ターゲットの成分はＬａ２ＮｉＯ３であり、及び／又は酸化ランタン（Ｌａ２Ｏ３）、二酸化ニッケル（ＮｉＯ２）を調合してなるものである。（請求項８に対応）。
【００１４】
また、前記ステップ（ｄ）の強誘電層製造方法において、該強誘電層は物理気相沈積法により形成され、又は、該強誘電層酸化物層は化学気相沈積法により形成され、もしくは該強誘電層は金属有機物沈積法により形成されてなり、その中、当該金属有機物沈積法の溶液は、成分がＢｉｘＬａ４−ｘＴｉ３Ｏ１２（ｘ＝０〜４）であるチタン酸ランタン・ビスマス溶液が使用され、そしてこのチタン酸ランタン・ビスマス溶液は酢酸を溶剤とし、酢酸ランタン、酢酸ビスマス及びテトライソ・プロピル・アルコール・チタンを溶質とする。（請求項１０に対応）。
【００１５】
また、本発明における強誘電層電極構造の製造方法におけるステップ（ｅ）はさらに、一金属層を該強誘電層上に形成し、更にフォト・レジスタンス剥落法で該金属層に複数金属電極を形成させるステップを備え、これら複数の金属電極がそれぞれ有する第一の電極面積と該複数の酸化物電極がそれぞれ有する第二の電極面積との比は１／１２より小さく設定され、そして該金属層の材料は化学性質が安定した貴金属、例えば白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）；及び含カルシウムチタン鉱構造の酸化電極、例えばニッケル酸ランタン（ＬＮＤ）、ルテニウム酸ストロンチウム(ＳｒＲｕＯ３)、ルテニウム酸バリウム(ＢａＲｕＯ３)、イットリウムバリウム銅酸素(ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７)が使用される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施例を説明する。
図１（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施例における強誘電層電極構造製造方法のステップを示す図である。図に示すように、先ずｐ−型又はｎ−型シリコン基板表面の有機物及び雑物を除去する。次に該シリコン基板に対して窒化処理、つまり高温下でＮ２Ｏ又はＮＨ３ガスを注入し、炉管、ＰＥＣＶＤ又はＬＰＣＶＤ方式を利用して、該シリコン基板表面に一層の約２０〜１００ÅのＳｉＯＮ犠牲層を成長させ、そして既に希釈された弗酸（ＨＦ）に浸漬してＳｉＯＮの犠牲層を除去する。
【００１７】
次に、窒化処理した後の該シリコン基板をラジオ周波スパッタリング・チャンバ中に入れると共に、１〜１０ｍｏｌ％酸化マグネシウム（ＭｇＯ）がドープされたチタン酸ストロンチウム・バリウム（ＢａｘＳｒ１−ｘＴｉＯ３、ｘ＝０〜１）スパッタリング・ターゲットに入れ、該シリコン基板上に一層の絶縁層を成長させる。ここにおいて、チタン酸ストロンチウム・バリウム（ＢａｘＳｒ１−ｘＴｉＯ３、ｘ＝０〜１）スパッタリング・ターゲットの製作条件は、メモルの炭酸バリウム(ＢａＣＯ３)、(１−ｘ)モルの炭酸ストロンチウム(ＳｒＣＯ３)、１モルの二酸化チタン(ＴｉＯ２)、及び１〜１０ｍｏｌ％酸化マグネシウム（ＭｇＯ）粉末を、無水アルコールに加入して４８〜７２時間湿式粉砕する。ベーキング後、第一回の研磨を行い、３２５ｍｅｓｈまでに篩分して、昇温速率１０℃／ｍｉｎで先ず９００℃の温度で２時間焼き、再び第二回の研磨及び篩分のステップを通して、昇温速度５℃／ｍｉｎで最後に１３５０℃の温度で４時間か焼する。
【００１８】
そして、図１（ａ）に示すように、ドーピング酸化マグネシウムがめっきされた厚さが１０〜１００ｎｍの絶縁層（ＢａｘＳｒ１−ｘＴｉＯ３）のシリコン基板を、６００〜９００℃の温度下で快速赤外線により１〜３０分のアニーリング処理を行い、これにより、高熱安定性、低漏れ電流、高誘電係数の絶縁膜２を得る。
【００１９】
次に、絶縁膜２がめっきされたシリコン基板１をラジオ周波スパッタリング・チャンバ中に入れると共に、ニッケル酸ランタン（ＬＮＯ）スパッタリング・ターゲットに入れ、スパッタリング条件が２０ｍＴｏｒｒ圧力下であるアルゴンガス：酸素ガス＝１：１の混合ガスを注入し、同時に、シリコン基板温度が３００℃、出力パワーが１００Ｗ等の条件下で３０〜８０分間スパッタリングして、該絶縁膜２上に良好な結晶性及び低抵抗率を有する酸化物フィルム３（厚さ２０〜１００ｎｍ）を得る。（図１（ｂ）参照）。
【００２０】
ここにおいて、ニッケル酸ランタン（ＬＮＯ）スパッタリング・ターゲットの製作条件は、２モルのＬａ２Ｏ３、２モルのＮｉＯ２を無水アルコールに加入して２４〜４８時間湿式粉砕する。ベーキング後第一回の研磨を行い、３２５ｍｅｓｈまでに篩分して、純粋酸素の状態下において昇温速率１０℃／ｍｉｎで先ず６００℃の温度で１時間焼き、再び第二回の研磨及び篩分のステップを通して最後の段階で１０００℃の温度で３時間か焼する。
【００２１】
次に図１（ｃ）に示すように、酸化物フィルム３上でマイクロ・イメージ食刻プロセスを進行し、該絶縁膜２に複数の酸化物電極４（ＬＮＯ）を形成させる。しかる後、酢酸を溶剤とすると共に、酢酸ランタン、酢酸ビスマス及びテトライソ・プロピル・アルコール・チタンを溶質として２〜１０ｍｌのエチル・グリコール（結晶温度を下げるものを目的とする）に混入し、９０〜１５０℃の温度下で１２０分間回転して０．２Ｍのチタン酸ビスマス溶液(Ｂｉ４−ｘＴｉＯ３)（ＢＬＴ）を２０ミリリットル調合する。
【００２２】
そして、金属有機物沈積法（ＭＯＤ）により調合されたチタン酸ランタン・ビスマス溶液(Ｂｉ４−ｘＴｉＯ３)を、第一の段階の回転速度が１０００ｒｐｍ、時間が３０秒及び第二段階の回転速度が４０００ｒｐｍ、時間が３０秒の条件下において、１５０℃の温度で１０〜３０分間で軽く焼いた後４００℃の温度で１０〜３０分間か焼する。このステップを２回重複すると厚さが１８０ｎｍの強誘電層が得られた。
この強誘電層を６００〜９００℃の温度下で快速赤外線によりアニーリング処理を１〜３０分間行ったところ、複数の酸化物電極４（ＬＮＯ）上に強誘電フィルム5が形成された。（図１（ｄ）参照）。
【００２３】
最後に図１（ｅ）に示すように、更に白金金属層６を強誘電層６にめっきし、再びフォトレジスト剥落法(ｌｉｆｔ−ｏｆｆ)により白金金属層６を食刻して図１（ｆ）に示すように複数の白金金属電極７に形成すると、本発明により定義された強誘電層電極構造を形成する。
【００２４】
しかしながら、上記により提供された構造製作方法は数多い製造プロセスの中の一種しかなく、本発明においては各層の材料層を形成する場合はＰＶＤ、ＣＶＤ又はＭＯＤ等の方式に限らず、また、各層材料層に対して熱処理アニーリング法を実行して得られる各層の電極は必ずしも赤外線、炉管、準分子レーザー又はスパッタリング・チャンバ方式を使用するとは限らない。すなわち、実際の需要及び性能規格の要求に応じて定められる。
【００２５】
上記の実施方式に示すように、図１（ｆ）に顕現された強誘電層電極構造において、フォトレジスト剥落法を利用して複数の白金金電極７を形成する場合には、複数個の白金金属電極がそれぞれ有する第一の電極面積８（ＡＦ）と複数の酸化物電極４（ＬＮＯ）がそれぞれ有する第二の電極面積９（ＡＩ）との比を調整することができる。
先ず、低温製造プロセス下の強誘電フィルム５（ＢＬＴ）に比較的高い残留分極及び飽和分極比（Ｐｒ／Ｐｓ）を具備させる。これは図２に示すようにＡＦ／ＡＩは１／２から１／１６に降下した時、残留分極量と飽和分極量との比（Ｐｒ／Ｐｓ）が０．６７から０．９１に向上している。
【００２６】
さらには、高熱安定性及び高誘電係数を有するドーピング酸化マグネシウムのチタン酸ストロンチウム・バリウム（ＭｇＯ  ｄｏｐｅｄ  Ｂｅｓｔ）フィルムを絶縁膜２として使用すれば、記憶ウィンドー及び漏れ電流密度は、ＡＦ／ＡＩの降下につれてユーザーにそれぞれ満意な結果を与えさせる。これは図３及び図４からわかるように、構造特性はＡＦ／ＡＩの降下につれて、高記憶ウィンドー及び低漏れ電流密度に傾いている。最も重要なのはＡＦ／ＡＩ面積比の減少につれて、より良好なＭＦＭとＭＩＳとの容量マッチングが伴って形成されていることである。図５から解るように、本発明の構造はＡＦ／ＡＩが１／１２よりも小さい時に効果的にＭＦＭＩＳ構造容量記憶保留時間を１０６秒よりも大きく向上させることができる。
【００２７】
要するに、本発明に強誘電記憶構造は、従来構造の短記憶保留時間の欠点を改善することができ、ひいては記憶保留時間を１０６秒以上に改良すると同時に、該特点もノンボラタイル強誘電記憶電界効果トランジスタに応用されることができる。この他に、本発明は素子製備温度を降下し、界面反応を減少して素子の損傷を回避し、製作コストを低下することができる。
【００２８】
上記実施例は、本発明の技術的思想を具体的に説明したもので、当然本発明はこの実施の形態に限定されず、添付クレームの範囲を逸脱しない限り、当業者による単純な設計変更、付加、修飾、置換はいずれも本発明の技術的範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例の強誘電層電極構造製造方法ステップ見取図である。
【図２】本発明構造の分極量の印加電界に対する関係図である。
【図３】本発明構造の記憶ウィンドーのＡＦ／ＡＩ面積比に対する関係図である。
【図４】本発明構造の漏れ電流密度の印加電圧に対する関係図である。
【図５】本発明構造の容量の記憶保留時間に対する関係図である。
【符号の説明】
【００３０】
１                    シリコン基板
２                    絶縁膜
３                    酸化物フィルム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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