(57)【要約】【課題】埋込樹脂組成物のヒートサイクルに対する信頼性を向上させる。【解決手段】本発明の埋込樹脂組成物２２は、電子部品１７を配線基板１内部に埋め込むためのものであり、無機フィラーと、１種類以上の熱硬化性樹脂を含む２種類以上の樹脂とを含有している。そして、本埋込樹脂組成物２２は、この２種類以上の樹脂のうち、分子量の最も大きい樹脂の分子量が、分子量の最も小さい樹脂の分子量の２．５倍以上であることを特徴としている。つまり、本埋込樹脂組成物２２には、分子量の大きく異なる２種類の樹脂が用いられており、分子量の小さい樹脂により埋め込み性や耐熱性を確保しつつ、分子量の大きい樹脂により可撓性を向上させたものとなっている。したがって、ヒートサイクルに晒される環境下で使用されても、クラックの発生が効果的に防止される。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を配線基板内部に埋め込むための埋込樹脂組成物であって、
無機フィラーと、１種類以上の熱硬化性樹脂を含む２種類以上の樹脂とを含有し、該２種類以上の樹脂のうち、分子量の最も大きい樹脂の分子量が、分子量の最も小さい樹脂の分子量の２．５倍以上であること、
を特徴とする埋込樹脂組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の埋込樹脂組成物において、
当該埋込樹脂組成物の樹脂成分中、前記分子量の最も大きい樹脂の配合量が５０〜９５重量％であること、
を特徴とする埋込樹脂組成物。
【請求項３】
電子部品が内部に埋め込まれた配線基板であって、
前記電子部品を埋め込むための埋込樹脂組成物として、請求項１又は請求項２に記載の埋込樹脂組成物が用いられていること、
を特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品を基板内部に埋め込むための埋込樹脂組成物及びその埋込樹脂組成物を用いて電子部品が埋め込まれた配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ビルドアップ配線基板に多数の半導体素子を搭載したマルチチップモジュール（ＭＣＭ）が検討されている。こうした配線基板に、チップコンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗、ＩＣ等の電子部品を実装する場合には、配線基板の表面に形成された実装用配線層上に半田を用いて表面実装するのが一般的である。
【０００３】
しかし、このように基板表面に電子部品を実装する構成では、個々の電子部品に対応する実装面積を確保する必要性から、配線基板の小型化には自ずと限界がある。しかも、表面実装する際の配線の取り回しによって、特性上好ましくない寄生インダクタンスが大きくなることから、電子機器の高周波化への対応も難しい。
【０００４】
そこで、基板内部に電子部品を収納するといった手法が提案されており、例えば、特許文献１や特許文献２に開示されている。この手法を用いれば、基板表面のみならず、基板内部にまで電子部品を実装することができるため、配線基板の小型化を好適に図ることができる。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−１２６９７８号公報
【特許文献２】
特開２０００−１２４３５２号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、こうした配線基板では、基板内部に収納された電子部品と基板との隙間を、耐湿性、耐熱性、絶縁性（絶縁抵抗）等に優れた埋込樹脂組成物で埋めることが、信頼性を高める上で好ましい。
【０００７】
しかしながら、配線基板は、例えば高温〜室温というヒートサイクルに晒される場所で使用されることが多いため、埋込樹脂組成物にクラックが生じやすいという問題があった。
本発明は、こうした問題に鑑みなされたものであり、埋込樹脂組成物のヒートサイクルに対する信頼性を向上させることを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
上記目的を達成するためになされた本発明の埋込樹脂組成物は、電子部品を配線基板内部に埋め込むためのものであり、無機フィラーと、１種類以上の熱硬化性樹脂を含む２種類以上の樹脂とを含有している。そして、本埋込樹脂組成物は、この２種類以上の樹脂のうち、分子量の最も大きい樹脂の分子量が、分子量の最も小さい樹脂の分子量の２．５倍以上であることを特徴としている。尚、ここでいう「分子量」とは、重量平均分子量のことであり、ゲル浸透クロマトグラフィーにより標準ポリスチレン換算で得られたものである。また、以下の説明における「分子量」も同様の意味で用いている。
【０００９】
つまり、本発明の埋込樹脂組成物には、樹脂成分として、分子量の大きく異なる２種類の樹脂が用いられており、埋め込み性、耐熱性及び柔軟性（可撓性）の高いものとなっている。即ち、例えば、埋込樹脂組成物の樹脂成分として、分子量の大きい樹脂のみを用いた場合には、埋込樹脂組成物の硬化物に十分な可撓性を与えることができる反面、埋込樹脂組成物の粘度が大きく上昇することによる埋め込み性の悪化や、架橋密度が小さくなることによる耐熱性の低下を招いてしまう。逆に、分子量の小さい樹脂のみを用いた場合には、埋込樹脂組成物の埋め込み性や耐熱性を向上させることができる反面、埋込樹脂組成物の硬化物の構造がリジットになり、堅く脆いものになってしまう。これに対し、本発明の埋込樹脂組成物は、分子量の小さい樹脂により埋め込み性や耐熱性を高めつつ、分子量の大きい樹脂により可撓性を確保している。
【００１０】
そして特に、本発明の埋込樹脂組成物では、分子量の最も小さい樹脂の分子量に対し、その２．５倍以上の分子量の樹脂が用いられているため、可撓性が大幅に向上したものとなり、ヒートサイクルに晒される環境下で使用されても、クラックの発生が効果的に防止される。また、本発明の埋込樹脂組成物の直上部に形成された銅メッキなどにより、配線層との密着性においても、フクレや剥がれの発生が効果的に防止される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
前述したように、本発明の埋込樹脂組成物では、分子量の最も大きい樹脂の分子量が、分子量の最も小さい樹脂の分子量の２．５倍以上となっている。
ここで、当該埋込樹脂組成物の樹脂成分中、分子量の最も大きい樹脂の配合量が５０〜９５重量％であることが好ましい。この配合量であれば、耐熱性、埋め込み性及び可撓性をバランスよく確保することができるからである。尚、分子量の最も小さい樹脂に関しては熱硬化性樹脂を用いることがより好ましい。低分子量樹脂が熱硬化性でない場合、相互に化学結合をすることなく独立な２種の高分子網目が互いに侵入しあった構造を取りづらく、ＩＰＮ構造を取りにくいからである。
【００１２】
一方、本発明の埋込樹脂組成物には、無機フィラーが含まれている。この無機フィラーにより、埋込樹脂組成物の熱膨張係数を調整する効果が得られるだけでなく、硬化後の３次元構造の骨格や、無機フィラーが奏する骨材としての効果によって、粗化処理後の埋込樹脂組成物の形状が必要以上に崩れることが防止される。
【００１３】
そして、無機フィラーとしては、例えば、結晶性シリカ、溶融シリカ、アルミナ、窒化ケイ素、タルク等を用いることが好ましい。埋込樹脂組成物の熱膨張係数を効果的に下げることができるからである。ここで、埋込樹脂組成物の熱膨張係数は、特に限定はされないが、熱に対する信頼性を高めることができるという点で、３０ｐｐｍ／℃以下、好ましくは２０ｐｐｍ／℃以下がよい。
【００１４】
また、無機フィラーのフィラー径（粒径）は、５０μｍ以下のものが好ましい。粒径５０μｍ以下であれば、電子部品の電極間のような狭い隙間にも埋込樹脂組成物が流れ込みやすくなり、充填不良が防止されるからである。そして特に、無機フィラーの形状が略球状であれば、埋込樹脂組成物の流動性及び充填率を一層高くすることができ、シリカ系の無機フィラーは、容易に球状のものが得られるため好ましい。また、無機フィラーの充填率は３０体積％以上であることが好ましい。充填率が３０体積％未満であると、埋込樹脂組成物の熱膨張係数を低下させることが困難となるからである。
【００１５】
また更に、無機フィラーの表面は、必要に応じてカップリング剤にて表面処理するとよい。無機フィラーの樹脂成分に対する濡れ性が良好となり、埋込樹脂組成物の流動性を向上させることができるからである。ここで、カップリング剤の種類としては、例えば、シラン系、チタネート系、アルミネート系等のものを用いることができる。
【００１６】
これら埋込樹脂組成物としては、室温での形態が粉末、シート状、液状のものが考えられる。その中でもシート状又は液状のものは、治工具類が少なくて済むため好ましい。そして特に、必要な量の供給や、埋め込みを行う電子部品の温度による位置精度を考慮すると、液状のものが好ましい。
【００１７】
そして、以上述べたような埋込樹脂組成物が電子部品を埋め込むために用いられた配線基板は、基板内部に収納された電子部品と基板との隙間が確実に埋められると共に、ヒートサイクルに晒される環境下で使用されてもクラック及び埋込樹脂組成物に施されたメッキ界面のフクレや剥がれが生じにくいものとなり、高い信頼性を有する。
【００１８】
具体的には、例えば図１に示すような配線基板１として実現することができる。
即ち、図１に示す配線基板１においては、導体層３ａ，３ｂが内部に形成された厚さ０．８ｍｍ程のガラス−エポキシ樹脂複合材料製の絶縁性基板である配線基板本体５の表裏の両面（第１主面５ａ及び第２主面５ｂ）に、厚さ約２５μｍ程度の導体層７ａ，７ｂが形成されている。
【００１９】
配線基板本体５には、両主面５ａ，５ｂの一方から他方に貫通するスルーホール貫通孔９の内壁にメッキが施された直径約２５０μｍ程度のスルーホール１１が形成されている。このスルーホール１１により、第１主面５ａ上の導体層７ａと第２主面５ｂ上の導体層７ｂとは相互に接続されている。尚、スルーホール１１の内部には穴埋樹脂１３が充填されている。
【００２０】
また、配線基板本体５には電子部品を配置するための電子部品配置用貫通孔１５（縦横約１２ｍｍ×１２ｍｍ）が両主面５ａ，５ｂの一方から他方に貫通するよう形成されており、その内部には複数のコンデンサ素子１７（約３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．７ｍｍ）が設けられている。コンデンサ素子１７は、ＢａＴｉＯ３を主成分とする高誘電体セラミックからなる本体１９と、Ｐｄを主成分とする電極端子２１とから構成されている。
【００２１】
電子部品配置用貫通孔１５の内部において、コンデンサ素子１７は、硬化した本発明の埋込樹脂組成物２２により固定されている。コンデンサ素子１７は、配線基板１に設けられることとなるＩＣチップ２３にて発生されるスイッチングノイズの抑制や、またＩＣチップ２３に供給すべき動作電源電圧の安定化などを図るためのものである。
【００２２】
そして導体層７ａ，７ｂの上には、層間絶縁層２５ａ，２５ｂ（厚さ約３０μｍ程度）が積層されている。このうち、第１主面５ａ側の層間絶縁層２５ａの上には、破線で示すＩＣチップ２３と配線基板１の配線とを接続するためフリップチップパッド３１が多数形成され、各フリップチップパッド３１上には、高温はんだからなる略半球状のフリップチップバンプ３３が形成されている。
【００２３】
尚、第１主面５ａ側の層間絶縁層２５ａ上において、フリップチップパッド３１の周囲には、フリップチップバンプ３３の形成時に、フリップチップパッド３１の周囲に半田が流れ出すのを防ぐためのソルダーレジスト層３５ａ（厚さ約２０μｍ程度）が形成されている。
【００２４】
一方、第２主面５ｂ側の層間絶縁層２５ｂの上には、マザーボードなどの他の配線基板の配線と、当該配線基板１の配線と接続するためのＬＧＡパッド３７が多数形成されている。そして、第２主面５ｂ側の層間絶縁層２５ｂ上において、ＬＧＡパッド３７の周囲にもソルダーレジスト層３５ｂが形成されている。
【００２５】
尚、第１主面５ａ側において導体層７ａとフリップチップパッド３１とは、層間絶縁層２５ａに形成されたフィルドビア３９ａにより互いに接続されている。そして、第２主面５ｂ側において、導体層７ｂとＬＧＡパッド３７とは、層間絶縁層２５ｂに形成されたフィルドビア３９ｂを介して互いに接続されている。このように層間接続にフィルドビアを用いることで、コンデンサ素子の電極端子２１とフリップチップパッド３１を一直線で結ぶことができる（即ち、スタックトビアを形成できる）。そのため、ＩＣチップ２３とコンデンサ素子１７とを短い距離で結ぶことが可能となり、電気的特性の向上を図ることが可能となる。
【００２６】
そして、この配線基板１は、例えば次のように製造することができる。
即ち、まず図２（ａ）に示すように、内部に導体層３ａ，３ｂが形成された配線基板本体５にスルーホール貫通孔９を形成した後、パネルめっきを施すことによりメッキ層４０を形成し、更に、スルーホール貫通孔９の内部に穴埋樹脂１３を充填して硬化させたものを用意する。なお、穴埋樹脂１３は、配線基板本体５の両主面５ａ，５ｂ上に形成されたメッキ層４０と略同一面を形成するように研磨されている。
【００２７】
そして、図２（ｂ）に示すように、電子部品を内蔵するための電子部品配置用貫通孔１５を形成する。
続いて、図２（ｃ）に示すように、シート材４１で電子部品配置用貫通孔１５を塞いだ後、コンデンサ素子１７を、粘着剤４３を介してシート材４１に粘着するよう、電子部品配置用貫通孔１５の内部に配置する。その際、コンデンサ素子１７は、その電極端子２１の部分にてシート材４１に粘着すると共に、その本体１９とシート材４１との間には埋込樹脂組成物２２が流入可能な隙間が形成されるよう配置される。また、電極端子２１は互いに反対方向に向いている端部２１ａ，２１ｂを備えており、各端部２１ａ，２１ｂがそれぞれ第１主面５ａ側、第２主面５ｂ側に向けられる。ここでは、第１主面５ａ方向に向けられる端部を上側端部２１ａと称し、第２主面５ｂ側に向けられる端部を下側端部２１ｂと称することとする。
【００２８】
続いて、図２（ｄ）に示すように、電子部品配置用貫通孔１５の開口部のうち、シート材４１で閉塞されていない開口部（第１主面５ａ側）から、電子部品配置用貫通孔１５の内部に本発明の埋込樹脂組成物２２を注入する。そして、この埋込樹脂組成物２２から気泡を抜いた後、埋込樹脂組成物２２を硬化させる。これにより、複数のコンデンサ素子１７が電子部品配置用貫通孔１５内において固定される。
【００２９】
次に、図２（ｅ）に示すように、配線基板本体５の表裏（即ち、第１主面５ａ及び第２主面５ｂ）を反転させ、更に、図３（ａ）に示すように、シート材４１を取り除く。尚、シート材４１の剥離の後に配線基板本体５の反転を行ってもよい。
【００３０】
そして、図３（ｂ）に示すように、第２主面５ｂ側から電子部品配置用貫通孔１５内に埋込樹脂組成物２２を注入し、その埋込樹脂組成物２２からの脱泡後、埋込樹脂組成物２２を硬化させる。尚、第１主面５ａ側からの樹脂注入のみで電子部品配置用貫通孔１５が完全に樹脂で満たされる場合は、第２主面５ｂ側からの２回目の樹脂充填は省略してもよい。
【００３１】
こうして電子部品配置用貫通孔１５内に確実に埋込樹脂組成物２２を充填した後、埋込樹脂組成物２２及び配線基板本体５の各主面５ａ，５ｂを、ベルトサンダーにより研磨する。図３（ｃ）に示すように、第１主面５ａ側における埋込樹脂組成物２２の研磨によって、電極端子２１の上側端部２１ａが、第１主面５ａ側から埋込樹脂組成物２２の外部に露出される。また、第２主面５ｂ側における埋込樹脂組成物２２の研磨によって、電極端子２１の下側端部２１ｂが、第２主面５ｂ側から埋込樹脂組成物２２の外部に露出される。一方、コンデンサ素子１７の本体１９は、埋込樹脂組成物２２の中に埋没した状態となっている。
【００３２】
また、各主面５ａ，５ｂの研磨の際には、コンデンサ素子１７の周囲に形成した埋込樹脂組成物２２が平坦化されると共に、メッキ層４０と埋込樹脂組成物２２の表面との高さが揃えられる。即ち、メッキ層４０と埋込樹脂組成物２２の表面とが同一平面を形成することとなる。その結果、両主面５ａ，５ｂ上には、周知のビルドアップ法により、平坦な導体層及び層間絶縁層を形成することが可能となる。
【００３３】
こうして、各主面５ａ，５ｂを研磨した後に、各主面５ａ，５ｂ上への導体層７ａ，７ｂの形成を行う。即ち、電子部品配置用貫通孔１５内にコンデンサ素子１７を内蔵した配線基板本体５全体に、Ｃｕにて無電解メッキを施した後、更にＣｕにて電解メッキを施すことにより、パネルめっきを行う。このパネルめっきにより、上記のメッキ層４０、埋込樹脂組成物２２、電極端子２１、穴埋樹脂１３などの露出した表面などに、図３（ｄ）に示すように、メッキ層４５を積層する。
【００３４】
そして、図３（ｅ）に示すように、エッチングによって不要部分を除去することにより、導体層７ａ，７ｂを形成する。導体層７ａ，７ｂの形成後、以下のようなビルドアップ工程を行う。まず第１主面５ａ側及び第２主面５ｂ側において、埋込樹脂組成物２２、導体層７ａ，７ｂ並びに上側端部２１ａ及び下側端部２１ｂの上に、エポキシ樹脂を主成分とするフィルム化された感光性樹脂を貼付する。そして、この感光性樹脂を露光・現像することにより、上側端部２１ａ及び下側端部２１ｂを露出すべき位置にビアホールを形成し、感光性樹脂を硬化させて、層間絶縁層２５ａ，２５ｂを形成する。尚、ビアホールは、層間絶縁層２５ａ，２５ｂを感光性のない樹脂で形成した後、レーザなどを用いて穿設してもよい。
【００３５】
更に、Ｃｕにて無電解メッキ及び電解メッキを施し、層間絶縁層２５ａ、２５ｂに形成したビアホールに導電体を充填すると共に、パネルメッキを行ってメッキ層を形成する。このメッキ層の上にドライフィルムを貼り付け、露光現像してエッチングレジストを形成し、メッキ層の内の不要部分をエッチングにより除去する。これにより、導体層７ａ，７ｂからなる配線及びフリップチップパッド３１が形成される。尚、導体層の形成には、周知のサブトラクティブ法の他、フルアディティブ法やセミアディティブ法を用いてもよい。
【００３６】
その後、ソルダーレジスト層３５ａ，３５ｂを形成する。そして、ソルダーレジスト層３５ａから露出したフリップチップパッド３１の上には、Ｎｉ−Ａｕメッキ層を形成し、更にハンダペーストを塗布しリフローすることで、フリップチップバンプ３３を形成する。
【００３７】
以上のようにして、図１に示す構造の配線基板１が完成する。
尚、上記配線基板１では、電子部品としてコンデンサ素子１７を用いたが、これに限らず、チップ状の抵抗体、インダクタ、フィルタ（ＳＡＷフィルタ、ＬＣフィルタ等）、トランジスタ、メモリ、ローノイズアンプ（ＬＮＡ）、半導体素子、ＦＥＴ、アンテナスイッチモジュール、カプラ、ダイプレクサなど、各種の電子部品を内蔵させてもよい。また、これらのうちで異種の電子部品同士を同じ貫通孔内に内蔵してもよい。
［実施例］
以下、本発明者が行った実験内容及びその結果について説明する。
【００３８】
本実験では、まず表１に示す複数種類の埋込樹脂組成物（実施例１，２、比較例１〜３）を、各成分を秤量、混合し、３本ロールミルで混練することにより作製した。ここで、表１中の記載事項の詳細は以下の通りである。
■エポキシ樹脂（熱硬化性樹脂）
「セロキサイド３０００」（商品名）：ダイセル化学工業株式会社製の脂肪族環状エポキシ樹脂（分子量５６）
「セロキサイド２０２１Ａ」（商品名）：ダイセル化学工業株式会社製の脂肪族環状エポキシ樹脂（分子量８３）
「ＹＬ−９８０」（商品名）：ジャパンエポキシレジン株式会社製のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（分子量２４０）
「Ｅ−８０７」（商品名）：ジャパンエポキシレジン株式会社製のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（分子量１６３）
■硬化触媒
「サンエイドＳＩ−１００Ｌ」（商品名）：三新化学工業株式会社製の熱カチオン重合性触媒（ヘキサフルオロアンチモン酸のスルホニウム塩）
■無機フィラー
「ＴＳＳ−６」（商品名）：株式会社龍森製の溶融シリカ（シランカップリング処理済，粒度分布による最大粒子径２４μｍ）
【００３９】
【表１】
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そして、本発明者は、表１に示す各埋込樹脂組成物の信頼性を評価するため、以下の要領で試験を行った。
【００４０】
この試験では、各埋込樹脂組成物についてサンプルを１０枚ずつ作製して評価を行った。
ここで、本試験用のサンプルは、以下のように作製した。
まず、厚さ０．８ｍｍのＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）基板をコア基板とし、このコア基板に金型を用いて略長方形状の貫通孔を設ける。そして、このコア基板の一面に透明のバックテープを貼り付けて貫通孔の一方を塞ぎ、この塞いだ面を下側にしてコア基板を載置する。
【００４１】
次に、バックテープを貼り付けた面とは反対側の面から、貫通孔により形成された収納空間内におけるバックテープの粘着面上に、チップマウンタを用いてチップコンデンサを配置する。そして、このチップコンデンサとコア基板との隙間に、ディスペンサを用いて埋込樹脂組成物を流し込み、１２０℃×１５０分＋１７０℃×３００分の条件で脱泡及び熱硬化する。こうして硬化した埋込樹脂組成物の表面を、ベルトサンダーを用いて粗研磨した後、ラップ研磨にて仕上げ研磨する。そして、炭酸ガスレーザを照射してビアホールを形成し、チップコンデンサの電極を露出させる。
【００４２】
続いて、埋込樹脂組成物の露出面を、膨潤液とＫＭｎＯ４溶液とを用いて粗化する。そして、この粗化面をＰｄ触媒活性化した後、無電界メッキ、電解メッキの順に銅メッキを施す。
こうして作製したサンプルを、熱サイクル試験（−５５℃〜＋１２５℃）にかけ、このヒートサイクルを１０００回，２０００回，２５００回繰り返した時点で表面及び切断面を観察して、埋込樹脂組成物の有効性を評価した。具体的には、クラック及び埋込樹脂組成物に施されたメッキ界面のフクレや剥がれが無ければ合格とし、ヒートサイクルを２０００回繰り返した時点で１０枚のサンプル全てが合格である埋込樹脂組成物を良好と判断した。
【００４３】
以上説明した試験によって、表１から明らかなように、以下のような結果が得られた。
実施例１の埋込樹脂組成物は、樹脂成分中、分子量の最も大きい樹脂（ＹＬ−９８０）の分子量２４０が、分子量の最も小さい樹脂（セロキサイド３０００）の分子量５６の約４．３倍となっている。そして、この埋込樹脂組成物では、ヒートサイクルを２５００回繰り返してもクラックが発生せず、埋込樹脂組成物として極めて満足のいく特性が得られた。
【００４４】
実施例２の埋込樹脂組成物は、樹脂成分中、分子量の最も大きい樹脂（Ｅ−８０７）の分子量１６３が、分子量の最も小さい樹脂（セロキサイド３０００）の分子量５６の約２．９倍となっている。そして、この埋込樹脂組成物も、実施例１の組成物と同様に、ヒートサイクルを２５００回繰り返してもクラックが発生せず、埋込樹脂組成物として極めて満足のいく特性が得られた。
【００４５】
一方、比較例１の埋込樹脂組成物は、樹脂成分中、分子量の最も大きい樹脂（セロキサイド２０２１Ａ）の分子量８３が、分子量の最も小さい樹脂（セロキサイド３０００）の分子量５６の約１．５倍となっている。そして、この埋込樹脂組成物では、ヒートサイクルを２０００回繰り返した時点でサンプルにクラックや埋込樹脂組成物に施されたメッキ界面の剥離やフクレ等が認められ、埋込樹脂組成物として満足のいく特性が得られなかった。
【００４６】
一方また、比較例２及び比較例３の埋込樹脂組成物は、実施例２の組成物と同様に、分子量の最も大きい樹脂の分子量が、分子量の最も小さい樹脂の分子量の約２．９倍となっているが、この２種類の樹脂の配合割合が極端に偏っている。そして、これらの埋込樹脂組成物は、ヒートサイクルを２０００回繰り返してもクラックが発生せず、埋込樹脂組成物として満足のいく特性が得られた。尚、これらの埋込樹脂組成物については、ヒートサイクルを２５００回繰り返した時点で、クラックや埋込樹脂組成物に施されたメッキ界面の剥離やフクレ等が認められた。
【００４７】
以上の結果から、樹脂成分中、分子量の最も大きい樹脂の分子量が、分子量の最も小さい樹脂の分子量に対し、ある程度大きい埋込樹脂組成物は、埋込樹脂組成物として満足のいく特性が得られることが分かる。したがって、この埋込樹脂組成物を用いれば、電子部品が基板内部に確実に埋め込まれると共に、ヒートサイクルに晒される環境下でもクラックが発生しにくいといった信頼性の高い配線基板を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の埋込樹脂組成物が用いられた配線基板の構成を表わす説明図である。
【図２】配線基板の製造方法を説明する説明図（その１）である。
【図３】配線基板の製造方法を説明する説明図（その２）である。
【符号の説明】
１…配線基板、３ａ，３ｂ…導体層、５…配線基板本体、７ａ，７ｂ…導体層、１１…スルーホール、１３…穴埋樹脂、１５…電子部品配置用貫通孔、１７…コンデンサ素子、２２…埋込樹脂組成物、２５ａ，２５ｂ…層間絶縁層、３１…フリップチップパッド、３３…フリップチップバンプ、３５ａ，３５ｂ…ソルダーレジスト層、３９ａ，３９ｂ…フィルドビア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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