(57)【要約】【課題】ワイヤボンディング不良を低減させることのできる半導体装置の製造装置を提供すること。【解決手段】ワイヤボンディング装置２１のヒートコマ２２は予備加熱部３１と本加熱部３２とを有し、予備加熱部３１にはワイヤブラシ３４ａにより構成される清浄化機構３４が設けられている。これにより、インナーリード１５の裏面に発生しているバリや突起、異物、あるいはメッキの剥離により突出化した部分は予備加熱部３１を通過する際に各ワイヤブラシ３４ａによって除去される。【選択図】　　　図１
2004111838.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップが搭載されたリードフレームを位置決めして該リードフレームを加熱しながらワイヤボンディング工程を行うためのヒートコマを備える半導体装置の製造装置において、
前記ヒートコマには、前記リードフレームの位置決めに先立って、該リードフレームの裏面を摺接して清浄化するための清浄化機構が設けられていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２】
チップが搭載されたリードフレームを位置決めして該リードフレームを加熱しながらワイヤボンディング工程を行うために使用されるヒートコマであって、
前記ヒートコマは、
前記リードフレームを予備的に加熱する予備加熱部と、
前記リードフレームを位置決めするための位置決め機構を有し、前記予備加熱部よりもさらに高い温度まで加熱する本加熱部と、を備え、
前記予備加熱部には、前記リードフレームの位置決めに先立って、該リードフレームの裏面を摺接して清浄化するための清浄化機構が設けられていることを特徴とするヒートコマ。
【請求項３】
チップが搭載されたリードフレームをヒートコマ上に位置決めし、該ヒートコマにより前記リードフレームを加熱しながらワイヤボンディング工程を行う半導体装置の製造方法において、
前記リードフレームを加熱しながら少なくとも該リードフレームの裏面を清浄化した後に、前記チップと前記リードフレームとのワイヤボンディングを行うようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造装置、ヒートコマ及び半導体装置の製造方法に係り、詳しくは、チップ周辺に設けられた多数のパッドとインナーリードとを電気的に接合するワイヤボンディング工程に使用して好適な半導体装置の製造装置、ヒートコマ及び半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
近年、半導体装置は、トランジスタの微細化に伴い集積化がますます進んでいる。こうしたなか、半導体製造工程においても、ワイヤボンディング工程の品質及び歩留まりの向上が求められ、このような要求を満たす半導体装置の製造装置が望まれている。
【０００３】
【従来の技術】
図９は、半導体製造工程の概略を示すフローチャートである。
一般に、半導体製造工程では、ウェハにチップを作り込むウェハプロセスが終了すると（ステップ５１）、ウェハ検査工程により各チップがプローブを用いて検査される（ステップ５２）。この検査の後、ウェハはチップ単位にダイシングされ（ステップ５３）、その後、ダイスボンディング工程により各チップはリードフレームの各ステージ（ダイパッド、アイランドともいう）上に接着固定される（ステップ５４）。
【０００４】
次いで、ワイヤボンディング工程により、チップ周辺の多数のパッドとリード先端部（インナーリード）とが金（Ａｕ）線あるいはアルミニウム（Ａｌ）線により電気的に接合された後（ステップ５５）、例えば樹脂封止品であればモールディング等の封止処理が行われる（ステップ５６）。
【０００５】
こうして封止された各チップは、基板との接続電極であるアウターリードのメッキ処理が行われた後（ステップ５７）、バリ取り装置、リード加工機等を用いて仕上げ処理（樹脂バリの除去、リードフレームの切断，曲げ等のリード加工）が行われる（ステップ５８）。そして、目視等により外観検査（ステップ５９）及び検査評価装置を用いて通電検査（ステップ６０）を実施した後、最終製品として出荷される。
【０００６】
図１０は、ワイヤボンディング工程（上記ステップ５５）で使用されるワイヤボンダ（ワイヤボンディング装置）を示す側面図である。
ワイヤボンダ６１は、テーブル６２と、そのテーブル６２に水平（ＸＹ軸）方向に移動可能に支持されるボンダヘッド６３と、そのボンダヘッド６３に垂直（Ｚ軸）方向に移動可能に支持される超音波ホーン６４と、その超音波ホーン６４の先端部に支持されるキャピラリ６５と、ワイヤクランパ６６とを備える。キャピラリ６５は、セラミック或いはルビーで形成された略円筒形の治具であり、このキャピラリ６５内に挿通された例えば金線などのワイヤＷはワイヤクランパ６６によって保持される。
【０００７】
このようなワイヤボンダ６１により、チップ７１上のパッド７２とインナーリード７３とを接合する際は、ワイヤＷの先端を放電により溶融してボールを形成し、図１１（ａ）に示すように、キャピラリ６５を下降させてパッド７２にワイヤＷ（ボール）を超音波（及び加熱及び圧力）接合する（第１ボンド）。
【０００８】
次いで、図１１（ｂ）〜（ｄ）に示すように、キャピラリ６５を所定位置まで上昇、移動並びに下降させてインナーリード７３にワイヤＷを超音波（及び加熱及び圧力）接合する（第２ボンド、ポストボンドともいう）。
【０００９】
その後、図１１（ｅ）に示すように、キャピラリ６５の上昇と同時に圧力によってワイヤＷを切断し、同図（ｆ）に示すように、トーチ電極ＴによってワイヤＷの先端にボールを形成して次のパッド７２との接合を行う。
【００１０】
従来、こうしたワイヤボンディング工程で使用されるワイヤボンディング装置では、リードフレームを載置して位置決めを行い、該リードフレームを加熱しながらワイヤボンディングを行うためにヒートコマが使用されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１１】
また、従来では、このようなヒートコマとして、例えば図１２に示すようなものもある。ここで、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は断面図を示す。このヒートコマ８１は、予備加熱部８２とそれに対して台座状に形成された本加熱部８３とから構成されている。本加熱部８３にはリードフレームのステージ及び該ステージを保持するサポートバー（何れも図示略）を載置する溝状のステージ載置部８３ａ及びサポートバー載置部８３ｂが形成され、ステージ載置部８３ａには図示しない吸着機構によりステージを裏面から吸着するための吸着孔８３ｃが形成されている。
【００１２】
このようなヒートコマ８１では、ステージにチップを搭載したリードフレームが予備加熱部８２である程度の温度まで加熱された後、本加熱部８３に搬送される。本加熱部８３では、リードフレームがステージ載置部８３ａ及びサポートバー載置部８３ｂによって位置決めされ、予備加熱部８２よりも高い温度まで加熱される。
【００１３】
そして、リードフレームが加熱された状態で、例えば金線によりチップ７１上のパッド７２とインナーリード７３とがワイヤボンディングされる（図１１参照）。こうした予備加熱部８２と本加熱部８３を備えるヒートコマ８１では、リードフレームが急激に加熱されることによるインナーリード７３の変形等を防止してワイヤボンディングを行うことができる。
【００１４】
【特許文献１】
特開平７−３２１１４５号公報
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、リードフレームは金属製の薄板材を打ち抜き加工して形成されるため、図１３に示すように、インナーリード７３の先端部（裏面側）に打ち抜きによるバリ９２が一般には生じている。また、少なくともインナーリード７３には銀（Ａｇ）などのメッキが施されるが、こうしたメッキ処理によってインナーリード７３の先端部（裏面側）に突起９３が生じることがある。因みに、こうしたメッキ処理の際に生じる突起９３は、上記のようなバリ９２が存在している場合には特に大きなものとなる。さらには、同図に示すように、メッキカスや他の工程でのゴミ等の異物９４が付着していたり、銀メッキの剥離９５が突出化して生じていたりすることがある。
【００１６】
こうしたバリ９２や突起９３、異物９４、メッキの剥離９５等がインナーリード７３の裏面側に生じていると、ヒートコマ８１（図１２では本加熱部８３）にリードフレームを位置決めする際に、インナーリード７３とヒートコマ８１との密着性が低下する。このため、ワイヤボンディングの際にインナーリード７３が変形し、ワイヤ剥離やワイヤループ形状の異常などのワイヤボンディング不良が発生するという問題があった。
【００１７】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的はワイヤボンディング不良を低減させることのできる半導体装置の製造装置、ヒートコマ及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１〜３に記載の発明によれば、半導体装置の製造装置は、チップが搭載されたリードフレームを位置決めして該リードフレームを加熱しながらワイヤボンディング工程を行うためのヒートコマを備えている。このヒートコマには、前記リードフレームの裏面を摺接して清浄化する清浄化機構が設けられ、前記リードフレームは、前記清浄化機構により裏面に付着しているバリ、突起、異物等が清浄化された後に位置決めされる。これにより、リードフレームの位置決めに際して、該リードフレームとヒートコマとの密着性を高めることができるため、ワイヤボンディング不良を低減することができる。従って、ワイヤボンディング工程の品質及び歩留まりを向上させることができる。
【００１９】
また、請求項２に記載の発明によれば、前記ヒートコマは、前記リードフレームを予備的に加熱する予備加熱部と、前記リードフレームを位置決めして前記予備加熱部よりもさらに高い温度まで加熱する本加熱部と、を備えており、前記清浄化機構は前記予備加熱部に設けられている。これにより、リードフレームを加熱しながらインナーリード裏面の清浄化を図ることができるため、清浄効果はより一層高められる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
（第一実施形態）
以下、本発明を具体化した第一実施形態を図１〜図３に従って説明する。
【００２１】
図３は、本実施形態のワイヤボンディング装置で使用するリードフレームの一例を示す平面図である。
リードフレーム１１は金属製の薄板材を打ち抜き加工して形成され、同一形状をなす複数個のパターン（図は４個のパターンが形成されている場合を示す）が連続して形成されている。リードフレーム１１は、スプロケット等により移動が可能なキャリア１２を両側に備え、中央には半導体装置としてのチップを搭載するステージ１３（ダイパッド、アイランドともいう）が形成されている。このステージ１３は、その各頂点と接続される４本のサポートバー１４によってリードフレーム１１の下面側に若干突出した状態で支持されている。
【００２２】
また、リードフレーム１１には、チップ上に多数設けられる各パッドと接続される複数のインナーリード１５がステージ１３の周囲（４辺）に向かって形成され、それらインナーリード１５の外側には基板との接続電極である複数のアウターリード１６が各インナーリード１５に対応して形成されている。各インナーリード１５の間、及び各アウターリード１６の間は、ダムバー１７によって結合されている。
【００２３】
図１は、このようなリードフレーム１１を使用してワイヤボンディング工程を行うワイヤボンディング装置の概略構成を示す説明図である。尚、同図では、上述した図３に示すリードフレーム１１の形状を簡略化して示している。
【００２４】
このワイヤボンディング装置２１は、ダイスボンディング工程を経て各ステージ１３の上にチップＤが搭載されたリードフレーム１１を載置して位置決めを行い、該リードフレーム１１を加熱しながらワイヤボンディングを行うためのヒートコマ２２を備えている。
【００２５】
このヒートコマ２２は、ヒータブロック２３の上に載置され、該ヒータブロック２３が内蔵するヒータ（カートリッジヒータ）２４によって所定の温度にまで加熱される。ヒートコマ２２の上に載置されたリードフレーム１１は、同ヒートコマ２２に対して上下動可能に設けられたシートクランパ２５によってインナーリード１５が上から押さえ付けられて固定される。そして、ワイヤボンディング装置２１は、このシートクランパ２５に貫通形成された窓２６を通して、ワイヤボンダ（図１０参照）により金（Ａｕ）線あるいはアルミニウム（Ａｌ）線などのワイヤを用いてチップＤ上に多数設けられたパッド（図示略）とインナーリード１５とを電気的に接合する。
【００２６】
図１及び図２（ａ），（ｂ）を参照しながら、ヒートコマ２２について詳述すると、ヒートコマ２２は主にＳＫＳ−２などの材質で構成され、表面にレイデントなどの被膜処理が施された予備加熱部３１と本加熱部３２とを備えている。本加熱部３２は予備加熱部３１に対して台座状に形成され、ダイスボンディング工程を経て搬送（図１の矢印方向）されるリードフレーム１１は、予備加熱部３１を経て本加熱部３２上に載置される。
【００２７】
すなわち、リードフレーム１１は、予備加熱部３１である程度の温度（例えば２３０〜２４０℃）まで加熱された後に本加熱部３２に搬送され、本加熱部３２では予備加熱部３１よりもさらに高い温度（例えば２７０℃）まで加熱される。このように、リードフレーム１１を予備加熱部３１と本加熱部３２とにより加熱することによって、急激な加熱処理によるインナーリード１５等の変形を防止するようにしている。
【００２８】
ここで、本加熱部３２は、搬送されるリードフレーム１１を載置して位置決めする位置決め機構３３を備えている。詳しくは、本加熱部３２には、チップＤを搭載したステージ１３及び該ステージ１３を保持するサポートバー１４をそれぞれ載置する溝状のステージ載置部３３ａ及びサポートバー載置部３３ｂが形成され、ステージ載置部３３ａには同ステージ１３を裏面から吸着するための吸着孔３３ｃが形成されている。このような位置決め機構３３では、図示しない吸着機構によりステージ１３がステージ載置部３３ａに吸着保持されることによって、リードフレーム１１が本加熱部３２に位置決めされる。
【００２９】
一方、予備加熱部３１は、リードフレーム１１の裏面を清浄化する清浄化機構３４としてのワイヤブラシ３４ａを備えている。詳しくは、ワイヤブラシ３４ａは、リードフレーム１１に形成される各パターンのピッチに合わせて、本加熱部３２でリードフレーム１１が位置決めされる際、予備加熱部３１に搬送されるインナーリード１５の位置に対応して設けられる。尚、本実施形態において、ワイヤブラシ３４ａは、インナーリード１５が配列されるステージ１３の周囲（４辺）に沿って４個所に配置されている。
【００３０】
ここで、図２（ｂ）に示すように、各ワイヤブラシ３４ａは予備加熱部３１を通過するリードフレーム１１（具体的にはインナーリード１５）の裏面に接触する高さとなるよう（本加熱部３２の高さと同じ）に加工されている。
【００３１】
このような清浄化機構３４（ワイヤブラシ３４ａ）では、本加熱部３２へ搬送されるリードフレーム１１が予備加熱部３１を通過する際に、同リードフレーム１１におけるインナーリード１５の裏面がワイヤブラシ３４ａに摺接する。これにより、リードフレーム１１は、そのインナーリード１５の裏面に発生している打ち抜きによるバリやメッキ処理による突起、メッキカス等の異物、メッキの剥離により突出化した部分（図１３参照）が予備加熱部３１で除去されて本加熱部３２に搬送される。
【００３２】
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）ワイヤボンディング装置２１のヒートコマ２２は予備加熱部３１と本加熱部３２とを有し、予備加熱部３１にはワイヤブラシ３４ａにより構成される清浄化機構３４が設けられている。これにより、インナーリード１５の裏面に発生しているバリや突起、異物、あるいはメッキの剥離により突出化した部分は、予備加熱部３１を通過する際にワイヤブラシ３４ａによって除去される。従って、本加熱部３２にリードフレーム１１を位置決めする際にインナーリード１５とヒートコマ２２との密着性を高めることができるため、ワイヤボンディング時にワイヤ剥離やワイヤループ形状の異常などのワイヤボンディング不良が発生するのを防止することができる。これにより、ワイヤボンディング工程の品質及び歩留まりの向上に貢献することができる。
【００３３】
（２）本実施形態では、清浄化機構３４（ワイヤブラシ３４ａ）によりインナーリード１５の裏面の清浄化を図ることで、該インナーリード１５が載置される本加熱部３２上に異物等が堆積して該本加熱部３２表面の平坦性が損なわれることを防止できる。これにより、インナーリード１５とヒートコマ２２との密着性を高めてワイヤボンディング不良が発生することを防止できる。
【００３４】
（３）清浄化機構３４（ワイヤブラシ３４ａ）を予備加熱部３１に設け、リードフレーム１１を加熱しながらインナーリード１５の裏面を清浄化するようにしたことで、清浄効果をより一層高めることができる。
【００３５】
（４）清浄化機構３４（ワイヤブラシ３４ａ）は、本加熱部３２でリードフレーム１１が位置決めされる際、予備加熱部３１に搬送されるインナーリード１５の位置に対応して配置される。これにより、インナーリード１５の裏面に発生しているバリ、突起、異物、あるいはメッキの剥離により突出化した部分を確実に除去することが可能である。
【００３６】
（５）本実施形態のように、インナーリード１５の裏面を清浄化する清浄化機構（ワイヤブラシ３４ａ）を備えることで、ワイヤボンディング工程において、比較的低品質のリードフレームを使用することが可能となる。従って、リードフレームの低コスト化にも貢献できる。
【００３７】
（第二実施形態）
以下、本発明を具体化した第二実施形態を図４に従って説明する。
尚、本実施形態は、第一実施形態のヒートコマ２２において、予備加熱部３１に備える清浄化機構３４を他の部材にて構成した例を示すものである。従って、上記第一実施形態と同様な構成部分については同一符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００３８】
図４（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態において、清浄化機構３４は、例えばＣＢＮ（Ｃｕｂｉｃ　Ｂｏｒｏｎ　Ｎｉｔｒｉｄｅ）　などの砥粉からなる砥石３４ｂによって構成されている。
【００３９】
この砥石３４ｂは、第一実施形態と同様、本加熱部３２にてリードフレーム１１が位置決めされる際、予備加熱部３１に搬送されるインナーリード１５の位置に対応して、予備加熱部３１上に４個所配置されている。また、図４（ｂ）に示すように、各砥石３４ｂは、上記同様、予備加熱部３１を通過するインナーリード１５の裏面に高さを合わせて（本加熱部３２の高さと同じになるように）加工されている。
【００４０】
このような砥石３４ｂによって構成される清浄化機構３４では、リードフレーム１１が予備加熱部３１を通過する際に、インナーリード１５の裏面が砥石３４ｂによって薄く削りとられる。これにより、本実施形態では、第一実施形態と同様にしてインナーリード１５の裏面の清浄化を図ることができる。
【００４１】
（第三実施形態）
以下、本発明を具体化した第三実施形態を図５に従って説明する。
尚、本実施形態は、第一実施形態のヒートコマ２２において、予備加熱部３１に備える清浄化機構３４を他の部材にて構成した例を示すものである。従って、上記第一実施形態と同様な構成部分については同一符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００４２】
図５（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態において、清浄化機構３４は、例えばミオセラムやマセライトなどの機械加工が比較的容易なマイカ系マシナブルセラミックスからなる多孔質セラミックス３４ｃによって構成されている。
【００４３】
この多孔質セラミックス３４ｃは、第一実施形態と同様、本加熱部３２にてリードフレーム１１が位置決めされる際、予備加熱部３１に搬送されるインナーリード１５の位置に対応して、予備加熱部３１上に４個所配置されている。また、図５（ｂ）に示すように、各多孔質セラミックス３４ｃは、上記同様、予備加熱部３１を通過するインナーリード１５の裏面に高さを合わせて（本加熱部３２の高さと同じになるように）加工されている。
【００４４】
このような通気性を有したポーラスな表面を持つ多孔質セラミックス３４ｃによって構成される清浄化機構３４では、リードフレーム１１が予備加熱部３１を通過する際に、インナーリード１５の裏面が多孔質セラミックス３４ｃの表面と摺接することによって清浄化される。従って、本実施形態では、第一実施形態と同様にしてインナーリード１５の裏面の清浄化を図ることができる。
【００４５】
（第四実施形態）
以下、本発明を具体化した第四実施形態を図６に従って説明する。
尚、本実施形態は、第一実施形態のヒートコマ２２において、予備加熱部３１に備える清浄化機構３４を他の部材にて構成した例を示すものである。従って、上記第一実施形態と同様な構成部分については同一符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００４６】
図６（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態において、清浄化機構３４は、例えば銅合金からなるソルダーウィック（半田吸い取り網線）３４ｄによって構成されている。
【００４７】
このソルダーウィック３４ｄは、第一実施形態と同様、本加熱部３２にてリードフレーム１１が位置決めされる際、予備加熱部３１に搬送されるインナーリード１５の位置に対応して、予備加熱部３１上に４個所配置されている。また、図６（ｂ）に示すように、各ソルダーウィック３４ｄは、上記同様、予備加熱部３１を通過するインナーリード１５の裏面に高さを合わせて（本加熱部３２の高さと同じになるように）加工されている。
【００４８】
このような網線状をなすソルダーウィック３４ｄによって構成される清浄化機構３４では、リードフレーム１１が予備加熱部３１を通過する際に、インナーリード１５の裏面がソルダーウィック３４ｄに摺接して清浄化される。その際、ソルダーウィック３４ｄが予備加熱部３１によって加熱されることにより、清浄効果を高めることができる。これにより、本実施形態では、第一実施形態と同様にしてインナーリード１５の裏面の清浄化を図ることができる。
【００４９】
（第五実施形態）
以下、本発明を具体化した第五実施形態を図７に従って説明する。
尚、本実施形態は、第一実施形態のヒートコマ２２において、予備加熱部３１に備える清浄化機構３４を他の部材にて構成した例を示すものである。従って、上記第一実施形態と同様な構成部分については同一符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００５０】
図７（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態において、清浄化機構３４は、例えばＳＫＳ−２などのヒートコマ２２と同一の材質で構成され、表面にレイデントなどの被膜処理が施されていない金属ブロック３４ｅによって構成されている。
【００５１】
この金属ブロック３４ｅは、第一実施形態と同様、本加熱部３２にてリードフレーム１１が位置決めされる際、予備加熱部３１に搬送されるインナーリード１５の位置に対応して、予備加熱部３１上に４個所配置されている。また、図７（ｂ）に示すように、各金属ブロック３４ｅは、上記同様、予備加熱部３１を通過するインナーリード１５の裏面に高さを合わせて（本加熱部３２の高さと同じになるように）加工されている。
【００５２】
このような被膜処理が施されていない金属ブロック３４ｅにおいては、その表面にメッキカスやゴミ等の異物が付着しやすい。すなわち、リードフレーム１１が予備加熱部３１を通過する際に、インナーリード１５の裏面に付着している異物等が金属ブロック３４ｅの表面に転写されやすくなる。尚、こうした金属ブロック３４ｅは、加工しやすいため、容易に形成することが可能である。従って、本実施形態では、清浄効果は上記各実施形態に比べて薄くなるものの、同様にしてインナーリード１５の裏面の清浄化を図ることができる。
【００５３】
（第六実施形態）
以下、本発明を具体化した第六実施形態を図８（ａ），（ｂ）に従って説明する。尚、本実施形態は、ヒートコマ２２の予備加熱部３１に備える清浄化機構３４を同ヒートコマ２２に対して脱着可能な構成としたものである。尚、第一実施形態と同様な構成部分については同一符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００５４】
すなわち、図８（ｂ）に示すように、本実施形態では、清浄化機構３４が予備加熱部３１に設けられる支持部３５に脱着可能に嵌合されて支持されることによって予備加熱部３１上に設けられている。
【００５５】
ここで、本実施形態の清浄化機構３４としては、上記各実施形態で述べたワイヤブラシ３４ａ，砥石３４ｂ，多孔質セラミックス３４ｃ，ソルダーウィック３４ｄ，金属ブロック３４ｅなど、何れにより構成されるものであっても構わない。尚、ワイヤブラシ３４ａやソルダーウィック３４ｄで構成する場合には、それらを支持部３５に対して脱着可能とした構成にする必要がある。
【００５６】
このように、清浄化機構３４を予備加熱部３１（ヒートコマ２２）に対して脱着可能に設けることで、清浄化機構３４が長期間の使用等により異物が蓄積して清浄効果が薄くなる場合には、新たなものに交換することができる。また、清浄化機構３４が砥石３４ｂで構成される場合において、その砥石３４ｂの表面が摩擦により削り取られて清浄効果が薄くなるような際にも、新たなものに交換することができる。
【００５７】
尚、上記各実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・ヒートコマ２２の予備加熱部３１に清浄化機構３４を配置する位置は、必ずしも上記各実施形態の態様のみに限定されない。すなわち、清浄化機構３４は、少なくともインナーリード１５の位置に対応して配置されていればよく、予備加熱部３１上の他の位置に配置することによって、ステージ１３の裏面等、リードフレーム１１の他の個所にて裏面の清浄化を図るようにしてもよい。
【００５８】
・上記各実施形態では、予備加熱部３１上に清浄化機構３４を１個所（１パターン分に対応する個所）のみに配置したが、複数個所（複数パターン分に対応する個所）に配置するようにしてもよい。
【００５９】
・ヒートコマ２２の予備加熱部３１に備える清浄化機構３４としては、上記各実施形態で記述したものに限らず、インナーリード１５裏面の清浄化を図ることができる部材であればその他の部材であってもよい。
【００６０】
・第二，第三，第四，第五実施形態において、清浄化機構３４をそれぞれ構成する砥石３４ｂ，多孔質セラミックス３４ｃ，ソルダーウィック３４ｄ，金属ブロック３４ｅの材質は、上記各実施形態で述べたもののみに限定されない。
【００６１】
・第六実施形態において、清浄化機構３４をヒートコマ２２に対して脱着可能とする方法は支持部３５に嵌合する方法のみならず、ネジ止め等のその他のいかなる方法であっても構わない。
【００６２】
・各実施形態で使用するリードフレーム１１としては、図３に示すものに限らず、その他の形状を持つリードフレームであってもよい。例えば、リードフレーム１１は、ステージ１３の周囲（４辺）に沿ってインナーリード１５が配列される形状をなすが、ステージの対向する２辺に沿ってインナーリードが配列されるリードフレームに適用してもよい。この場合、上記各実施形態で記述した予備加熱部３１上に設ける清浄化機構３４は、リードフレームの仕様（各パターンのピッチやインナーリードの配列等）に合わせて、それらの配置を適宜変更する。
【００６３】
上記各実施形態の特徴をまとめると以下のようになる。
（付記１）　チップが搭載されたリードフレームを位置決めして該リードフレームを加熱しながらワイヤボンディング工程を行うためのヒートコマを備える半導体装置の製造装置において、
前記ヒートコマには、前記リードフレームの位置決めに先立って、該リードフレームの裏面を摺接して清浄化するための清浄化機構が設けられていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
（付記２）　前記清浄化機構は、前記ヒートコマに搬送される前記リードフレームに対して、少なくともインナーリードの位置に対応して配置されることを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造装置。
（付記３）　前記ヒートコマは、前記リードフレームを予備的に加熱する予備加熱部と、前記リードフレームを位置決めして前記予備加熱部よりもさらに高い温度まで加熱する本加熱部と、を備え、
前記清浄化機構は、前記予備加熱部に設けられていることを特徴とする付記１又は２記載の半導体装置の製造装置。
（付記４）　前記清浄化機構は、前記リードフレームを位置決めした状態で前記インナーリードの裏面に接触する高さで形成されていることを特徴とする付記３記載の半導体装置の製造装置。
（付記５）　前記清浄化機構は、ワイヤブラシによって構成されることを特徴とする付記１乃至４の何れか一記載の半導体装置の製造装置。
（付記６）　前記清浄化機構は、砥石によって構成されることを特徴とする付記１乃至４の何れか一記載の半導体装置の製造装置。
（付記７）　前記清浄化機構は、多孔質セラミックスによって構成されることを特徴とする付記１乃至４の何れか一記載の半導体装置の製造装置。
（付記８）　前記清浄化機構は、ソルダーウィックによって構成されることを特徴とする付記１乃至４の何れか一記載の半導体装置の製造装置。
（付記９）　前記清浄化機構は、表面が被膜処理のされていない金属ブロックによって構成されることを特徴とする付記１乃至４の何れか一記載の半導体装置の製造装置。
（付記１０）　前記清浄化機構を前記ヒートコマに対して脱着可能としたことを特徴とする付記１乃至９の何れか一記載の半導体装置の製造装置。
（付記１１）　チップが搭載されたリードフレームを位置決めして該リードフレームを加熱しながらワイヤボンディング工程を行うために使用されるヒートコマであって、
前記ヒートコマは、
前記リードフレームを予備的に加熱する予備加熱部と、
前記リードフレームを位置決めするための位置決め機構を有し、前記予備加熱部よりもさらに高い温度まで加熱する本加熱部と、を備え、
前記予備加熱部には、前記リードフレームの位置決めに先立って、該リードフレームの裏面を摺接して清浄化するための清浄化機構が設けられていることを特徴とするヒートコマ。
（付記１２）　チップが搭載されたリードフレームをヒートコマ上に位置決めし、該ヒートコマにより前記リードフレームを加熱しながらワイヤボンディング工程を行う半導体装置の製造方法において、
前記リードフレームを加熱しながら少なくとも該リードフレームの裏面を清浄化した後に、前記チップと前記リードフレームとのワイヤボンディングを行うようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１３）　前記ヒートコマ上では、前記リードフレームを予備的に加熱する予備加熱処理と、該予備加熱処理よりも高い温度まで加熱する本加熱処理とが行われ、
前記予備加熱処理と並行して前記リードフレームの裏面を清浄化する処理を行った後、前記本加熱処理と並行して前記ワイヤボンディングを行うようにしたことを特徴とする付記１２記載の半導体装置の製造方法。
【００６４】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、ワイヤボンディング不良を低減させることのできる半導体装置の製造装置、ヒートコマ及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第一実施形態のワイヤボンディング装置の概略構成を示す説明図である。
【図２】（ａ）は第一実施形態のヒートコマを示す平面図、（ｂ）は断面図である。
【図３】リードフレームの一例を示す平面図である。
【図４】（ａ）は第二実施形態のヒートコマを示す平面図、（ｂ）は断面図である。
【図５】（ａ）は第三実施形態のヒートコマを示す平面図、（ｂ）は断面図である。
【図６】（ａ）は第四実施形態のヒートコマを示す平面図、（ｂ）は断面図である。
【図７】（ａ）は第五実施形態のヒートコマを示す平面図、（ｂ）は断面図である。
【図８】（ａ）は第六実施形態のヒートコマを示す平面図、（ｂ）は断面図である。
【図９】半導体製造工程を示すフローチャートである。
【図１０】ワイヤボンダを示す側面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｆ）はワイヤボンディング工程を示す説明図である。
【図１２】（ａ）は従来のヒートコマを示す平面図、（ｂ）は断面図である。
【図１３】インナーリード先端の裏面の状態を示す説明図である。
【符号の説明】
Ｄ　チップ
１１　リードフレーム
２２　ヒートコマ
３１　予備加熱部
３２　本加熱部
３３　位置決め機構
３４　清浄化機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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