(57)【要約】【課題】凹凸部を有する基材に対して安定したメッキ被膜の形成が容易な無電解メッキ方法及びこの無電解メッキ方法を使用し、溝の側壁と溝につながる平面とにメッキ被膜（電極層）電極を形成した剪断モード型インクジェットヘッド用圧電性基盤の電極形成方法の提供。【解決手段】複数の凹凸形状を有する基材にメッキを行う無電解メッキ方法において、該基材を無電解メッキ液中で回転数２００〜１０００ｒｐｍで回転しながら無電解メッキを行うことを特徴とする無電解メッキ方法。【選択図】　　　　図１
2004027248.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の凹凸形状を有する基材にメッキを行う無電解メッキ方法において、該基材を無電解メッキ液中で回転数２００〜１０００ｒｐｍで回転しながら無電解メッキを行うことを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項２】
前記基材にメッキを行う方法は、無電解ニッケル・ホウソメッキ方法であることを特徴とする請求項１に記載の無電解メッキ方法。
【請求項３】
前記凹凸形状は、幅１０〜３００μｍ、アスペクト比３〜１０の部分を有する溝形状であることを特徴とする請求項１又は２に記載の無電解メッキ方法。
【請求項４】
前記基材が剪断モード型インクジェットヘッド用圧電性基盤であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の無電解メッキ方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項に記載の無電解メッキ方法により、剪断モード型インクジェットヘッド用の圧電性基盤に設けられた複数の溝に、電圧を印加する電極と、該電極に接続された配線とを形成することを特徴とする剪断モード型インクジェットヘッド用圧電性基盤の電極形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、無電解メッキ方法及び剪断モード型インクジェットヘッド用圧電性基盤の電極形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基材の表面に金属被膜を形成して電気的特性を付与する方法として、スパッタリング方法、真空蒸着方法、電解メッキ方法、無電解メッキ方法等が使用されている。無電解メッキ方法はスパッタリング方法、真空蒸着方法、電解メッキ方法に比べ、装置も比較的簡単で、常圧下での工程であって大量に生産できるため製造コストも低く、凹凸を有する構造物に対しても均一に電極膜が形成でき、電気的エネルギを用いないで金属水溶液中の金属イオンを置換反応、あるいは酸化還元反応により、導体や不導体（合成樹脂、ガラス、陶器、ホウロウ等）の基材表面に電極膜を形成することが可能であることから利用価値が高い方法である。
【０００３】
無電解メッキ方法を利用している一例としては、例えばインクジェットプリンタの剪断モード型インクジェットヘッドに用いる圧電性基盤への電極の設置、サーマルルプリンタのサーマルヘッドの基板への発熱体の設置等が挙げられる。
【０００４】
剪断モード型インクジェットヘッドの一例としては、例えば特開昭６３−２４７０５１号には、圧電性基盤にインク圧力室と空気圧力室用の溝を研削し、各圧力室の側壁に電極を設け、インク圧力室側の電極に信号電圧を印加し、空気圧力室側の電極を接地して、インク圧力室側から空気圧力室側に電圧を掛けることにより、側壁を剪断変形させてインク圧力室の圧力変化でインクを吐出させる方式が挙げられている。
【０００５】
この剪断モード型インクジェットヘッドに用いる圧電性基盤は、複数の溝部と溝部につながる平面とを有する微細構造をしている。溝の構造の一例としては、溝部分の幅は８０μｍ、深さは４００μｍ、溝部分の長さは１００ｍｍが挙げられる。このため、無電解メッキ方法で溝の内側にメッキ被膜（電極）を形成する場合、溝の奥部分までメッキ液が流入しにくく、溝の底付近はメッキ液が滞留しやすく、また、化学反応によるガスが発生し気泡が生じ、この気泡によりメッキ液の供給が阻止され、メッキ被膜が不均一になり、また、ピンホール等の欠陥が発生し易く、均一なメッキ被膜が得られにくい問題がある。上記の微細構造を有する剪断モード型インクジェットヘッドに用いる圧電性基盤は、無電解メッキ方法でも溝の側壁と溝部につながる平面とに均一にメッキ被膜（電極）を形成するのは非常に困難な構造物の一つとして挙げられている。
【０００６】
溝部の側壁に形成したメッキ被膜（電極）が不均一になった場合は、側壁の剪断変形が一定に生じなくなる危険があり、これに伴いインクの吐出が一定でなくなり、印刷品質の低下が生じる危険があるため、剪断モード型インクジェットヘッドに用いる圧電性基盤は、溝の側壁部分と溝部につながる平面とに均一に電極層を形成するのは必須とされている。
【０００７】
特に無電解メッキ方法ではメッキ液自体が化学反応により消耗するため、液組成変化の影響を直接受ける。このため、剪断モード型インクジェットヘッドに使用する圧電性基盤に設けられた微細な溝の深部まで均一なメッキ被膜を形成するためには、メッキ液の安定した供給が必要とされている。
【０００８】
このような観点から、特開昭６０−１３０７７号や特開昭６２−１０２９３号に、メッキすべき対称物に対してメッキ液を吹き付けながらメッキを行なうことや、メッキ液を撹拌しながらメッキを行なう技術が開示されている。しかしながらこれらの技術は平坦な面に対してメッキ膜の品質を向上させることやメッキの高速化に対してはメッキ液を均等に供給するために有効であるが、狭く深い溝部と平面部とを有する微細な構造の圧電性基盤等には有効の技術とはなっていない。
【０００９】
特開平１０−２３５８７９号にはメッキ処理槽中で圧電性基盤に設けられた溝に対して深さ方向にメッキ液を噴出することで溝の深部までメッキを行う方法が開示されている。しかしながらこの方法では溝とメッキ液の噴出位置を合わせる精度が要求される前作業を必要とするため生産性が低く、且つメッキ装置もメッキ液の噴出装置を付けなければならずコストが高くなる欠点を有している。
【００１０】
特開平１０−１５７１４４号には、圧電性基盤に設けられた溝を一旦トンネル状にして、このトンネル内に強制的にメッキ液を流すことで溝の深部までメッキを行う方法が開示されている。しかしながらこの方法は、メッキを行う前に圧電性基盤に設けられた溝を一旦トンネル状にする作業と、メッキ終了後に解体して圧電性基盤を取り出す作業が必要とするため生産性が低く、トンネル状にした溝にメッキ液を強制的にメッキ液を流す装置を付けなければならずコストが高くなる欠点を有している。
【００１１】
この様な状況から、凹凸部を有する基材（例えば剪断モード型インクジェットヘッドに使用する複数の溝を有する圧電性基盤）に対して安定したメッキ被膜の形成が容易な無電解メッキ方法及びこの無電解メッキ方法を使用し、溝の側壁と溝につながる平面とにメッキ被膜（電極）を形成した剪断モード型インクジェットヘッド用圧電性基盤の電極形成方法の開発が望まれている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記状況に鑑みなされたもので、その目的は凹凸部を有する基材に対して安定したメッキ被膜の形成が容易な無電解メッキ方法及びこの無電解メッキ方法を使用し、溝の側壁と溝につながる平面とにメッキ被膜（電極層）電極を形成した剪断モード型インクジェットヘッド用圧電性基盤の電極形式方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、下記の構成により達成された。
【００１４】
１）複数の凹凸形状を有する基材にメッキを行う無電解メッキ方法において、該基材を無電解メッキ液中で回転数２００〜１０００ｒｐｍで回転しながら無電解メッキを行うことを特徴とする無電解メッキ方法。
【００１５】
２）前記基材にメッキを行う方法は、無電解ニッケル・ホウソメッキ方法であることを特徴とする１）に記載の無電解メッキ方法。
【００１６】
３）前記凹凸形状は、幅１０〜３００μｍ、アスペクト比３〜１０の部分を有する溝形状であることを特徴とする１）又は２）に記載の無電解メッキ方法。
【００１７】
４）前記基材が剪断モード型インクジェットヘッド用圧電性基盤であることを特徴とする１）〜３）の何れか１項に記載の無電解メッキ方法。
【００１８】
５）１）〜４）の何れか１項に記載の無電解メッキ方法により、剪断モード型インクジェットヘッド用の圧電性基盤に設けられた複数の溝に、電圧を印加する電極と、該電極に接続された配線とを形成することを特徴とする剪断モード型インクジェットヘッド用圧電性基盤の電極形成方法。
【００１９】
以下、凹凸形状を有する基材として、図１〜図３に示すインク圧力室と空気圧力室用の複数の溝を配設した剪断モード型インクジェットヘッド用圧電性基盤を用いて、本発明を詳細に説明する。
【００２０】
図１は、一部破断面を有する剪断モード型インクジェットヘッドの一例を示す概略斜視図である。
【００２１】
図中１は、剪断モード型インクジェットヘッドを示す。剪断モード型インクジェットヘッド１は、下層圧電性基盤２０１と上層圧電性基盤２０２とを接合して形成された圧電性基盤２と、天板３と、ノズル板４とを有している。
【００２２】
圧電性基盤２には、研削加工を施すことによりノズル板４側が開口し、反対側が閉塞している互いに平行な所定の長さを有する複数の溝２０３と、溝２０３の閉塞した側につながる平坦な面２０５と、溝２０３の両側に側壁２０４とを有している。複数の溝２０３は交互にインク圧力室用の溝２０３ａと空気圧力室用の溝２０３ｂとなっている。溝２０３は本発明に係わる基材の凹部に相当し、側壁２０４は本発明の基材の凸部に相当する。
【００２３】
３０１はインク供給管３０２から供給されたインクのインク溜を示し、各溝２０３に連通した各インク供給口３０３より各インク圧力室用の溝２０３ａに供給される様になっている。３０４は圧電性基盤２の上面を覆う第１天板を示し、３０５は第１天板の上面を覆う第２天板を示す。各溝２０３は第１天板３０４とノズル板４とにより覆われることで複数の密閉されたチャネル（インク圧力室及び空気圧力室）が形成される様になっている。４０１は各側壁の剪断変形に伴い、インク圧力室及び空気圧力室の圧力変化でインクを吐出させる穴を示す。
【００２４】
第１天板３０４及び第２天板の材料は特に限定されず、例えば有機材料からなっても良いが、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、シリコン、窒化シリコン、シリコンカーバイド、石英、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等が挙げられる。
【００２５】
ノズル板４を構成する基材としては、金属や樹脂が使用される。例えばステンレス、ポリイミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン等が好ましく採用できる。特に好ましくはポリイミド樹脂で、Ｄｕｐｏｎｔ社製：カプトンや宇部興産（株）製：ユーピレックス等が寸法安定性、耐インク性、耐熱性等に優れているので好ましい。
【００２６】
図２は図１に示される圧電性基盤の概略図である。図２の（ａ）は圧電性基盤の概略斜視図である。図２の（ｂ）は図２の（ａ）のＡ−Ａ′に沿った概略断面図である。
【００２７】
圧電性基盤２は下層圧電性基盤２０１と上層圧電性基盤２０２とを接合して形成され、これらの下層圧電性基盤２０１と上層圧電性基盤２０２とは基盤の厚さ方向に逆方向に分極されている。２０３ｃは溝２０３の閉塞されている側の傾斜した面を有する底面を示し、平坦な面２０５とつながっている。
【００２８】
２０６は側壁の内面に形成され、側壁２０４を剪断変形させるために、電圧が印加されるメッキ被膜（電極）を示す。２０７は外部のプリント配線基板等への電気的接続のためのリード線接続部となる配線となるメッキ被膜（配線）を示す。メッキ被膜（電極）２０６とメッキ被膜（配線）２０７とは連続して形成されている。
【００２９】
本図では分極化した圧電性基盤を厚さ方向に分極が逆になるように接合し、溝の側壁の全面にメッキ被膜（電極）を形成し、側壁の上と下とで剪断変形させる場合を示しているが、溝の側壁の上半分の分極化した圧電性基盤にメッキ被膜（電極）を形成し、側壁の上半分を剪断変形させる方法であってもかまわない。
【００３０】
本図で示される構成の圧電性基盤の方が側壁の上半分に電極を形成する場合よりも効率が良く、同じ電圧の場合、側壁の剪断変形量が大きいので高い圧力を発生し、射出されたインクの飛翔速度が速いので、着弾ずれを少なくでき画質の大幅な向上が可能である。或いは必要とする剪断変形量に対して電圧を小さくできるので剪断モード型インクジェットヘッドの発熱を抑えることができる。
【００３１】
圧電性基盤に使用する材料としては、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ等のセラミックスが挙げられ、主にＰｂＯｘ、ＺｒＯｘ、ＴｉＯｘの混合微結晶体に、ソフト化剤又はハード化剤として知られる微量の金属酸化物、例えばＮｂ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｌａ、Ｃｒ等の酸化物を含むものが好ましい。
【００３２】
ＰＺＴは充填密度が大きいので圧電性定数が大きく、加工性が良いので好ましい。ＰＺＴは、焼成後、温度を下げると、急に結晶構造が変化して、原子がズレ、片側がプラス、反対側がマイナスという双極子の形の、細かい結晶の集まりになる。こうした自発分極は方向がランダムで、極性を互いに打ち消しあっているので、更に分極処理が必要となる。
【００３３】
分極処理は、ＰＺＴの薄板を電極で挟み、シリコン油中に漬けて、１０〜３５ｋＶ／ｃｍ程度の高電界を掛けて分極する。分極したＰＺＴに分極方向に直角に電圧を掛けると、側壁が圧電滑り効果により、斜め方向に、くの宇形に、剪断変形して、インク室の容積が膨張する。
【００３４】
本図に示される圧電性基盤において、溝２０３は幅が１０〜３００μｍ、溝幅に対する溝の深さ（アスペクト比）が２〜１０であることが好ましい。アスペクト比が２未満の場合は、圧電性基盤に使用する材料によっては剪断変形量が少なくなり、必要とするインクの飛翔速度が得られなくなる場合がある。１０を越えた場合は、圧電性基盤に使用する材料によっては溝の幅の精度が不安定になり、これに伴いメッキ被膜（電極）を形成しても、安定した剪断変形量が得られなくなる場合がある。
【００３５】
本図に示される圧電性基盤において、メッキ被膜（電極）２０６を形成する部分とメッキ被膜（配線）２０７とを形成する部分は互いに形状の異なる部分であり、両者に均等にメッキ層を形成しなければならないものである。
【００３６】
このためにメッキ液は全ての溝２０３の内部と平坦な面２０５とに均等に供給することが必要である。
【００３７】
次ぎに、図１、図２に示される複数の溝を有する圧電性基盤に無電解メッキ方法にてメッキ被膜（電極）２０６とメッキ被膜（配線）２０７とを形成する方法を図３〜図６に基づき説明する。
【００３８】
複数の溝が形成されて圧電性基盤は、１）フォトレジスト層形成工程、２）メッキ前処理工程、３）無電解メッキ工程、４）フォトレジスト層剥離工程を順次経て形成される。
【００３９】
図３はフォトレジストパターンを形成した圧電性基盤の概略斜視図である。フォトレジストパターン形成工程においては、圧電性基盤２にフォトレジスト膜を塗布した後、マスクをかけて露光現像し、これにより、メッキ被膜（電極）２０６とメッキ被膜（配線）２０７とを形成しない部分にフォトレジストパターン２０８（図中のドットで示した部分を示す）を形成するものである。その形状は、図３に示すものであり、溝２０３の側壁と溝２０３につながる平坦な面２０５の一部が露出されたフォトレジストパターン２０８が形成されている。
【００４０】
フォトレジストパターン形成工程が終了した後、メッキ被膜（電極）２０６とメッキ被膜（配線）２０７とを形成する箇所（露出された溝２０３の側壁と溝２０３につながる平坦な面２０５の一部）に触媒核を形成するメッキ前処理工程が行われる。メッキ前処理としては、酸性フッ化アンモニウム、フッ化水素酸、ホウフッ化水素酸等の０．５％水溶液に漬けてＰＺＴの粒子界面をエッチングする。続いて、塩化第１錫（ＳｎＣｌ２）と塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）を吸着させて、ＳｎＣｌ２＋ＰｄＣｌ２→Ｐｄ＋ＳｎＣｌ４の反応により無電解メッキの触媒である金属パラジウムＰｄを生成させる。
【００４１】
メッキ前処理が終了後無電解メッキ処理が行われる。尚、無電解メッキ処理に関しては図５、図６で詳しく説明する。
【００４２】
無電解メッキ処理が終了後、フォトレジストパターン２０８をアルカリ性溶液で剥離するフォトレジストパターン剥離工程が行なわれ、溝２０３の側壁２０４の内面にメッキ被膜（電極）２０６と溝２０３につながる平坦な面２０５の一部にメッキ被膜（配線）２０７が形成された圧電性基盤が得られる。
【００４３】
図４は、フォトレジストパターンを剥離した後の圧電性基盤の概略斜視図である。
【００４４】
図中のドットで示した部分は、メッキ被膜（電極）２０６とメッキ被膜（配線）２０７とが形成された箇所を示す。
【００４５】
図５は無電解メッキ処理装置の一例を示す概略図である。図５の（ａ）は圧電性基盤の載置台を複数段有する無電解メッキ処理装置の概略斜視図である。図５の（ｂ）は図５の（ａ）のＢ−Ｂ′に沿った概略断面図である。
【００４６】
図中５は、無電解メッキ処理装置（以下、メッキ処理装置ともいう）を示す。メッキ処理装置５は、無電解メッキ処理液槽（以下、メッキ処理液槽ともいう）５０１と、圧電性基盤２をメッキ処理液槽中に保持するための保持装置５０２とを有している。５０２ａはフレームを示し、５０２ｂはメッキ処理液槽５０１の底面５０１ａに平行に取り付け軸５０２ｃに取り付けられた圧電性基盤２の載置台を示し、５０２ｂ１は上段の載置台を示し、５０２ｂ２は下段の載置台を示す。５０２ｂ１１は載置台５０２ｂ１の圧電性基盤２の載置面に設けられた開口部を示し、複数が配設されている。開口部５０２ｂ１１を設けることで回転したとき載置台５０２ｂ２への無電解メッキ処理液の供給を上段の載置台５０２ｂ１と均一にする効果があるので好ましい。載置台５０２ｂ１の圧電性基盤２の載置面に配設された複数の開口部５０２ｂ１１の総開口面積は載置台５０２ｂ１の載置面の面積に対して１０〜８０％が好ましい。
【００４７】
取り付け軸５０２ｃは、フレーム５０２ａの上部に配設されたプーリ５０２ｄに連結され左回転又は右回転どちらでも自由に回転可能になっている。取り付け軸５０２ｃのプーリ５０２ｄとの取り付け角度は使用するメッキ処理液槽の形状により適宜選択することが可能である。例えば、メッキ処理液槽が密閉系の場合は水平であってもかまわない。本図では取り付け軸５０２ｃの軸芯を含む面とメッキ処理液槽の底面とが直角に交わるように、フレーム５０２ａの上部に配設されたプーリ５０２ｄに連結され、垂直方向を軸に回転可能の場合を示している。載置台５０２ｂの形状はメッキ処理液槽中で回転可能であれば特に限定はないが、回転を円滑に行う関係から円形が好ましい。
【００４８】
５０２ｅは回転用のベルトを示し、モータ（不図示）の回転部につながっている。本図では載置台５０２ｂが２段の場合を示しているが、載置台５０２ｂの段数は特に限定はなく、必要に応じて変更することは可能である。圧電性基盤２は載置台５０２ｂに取り付け治具（不図示）により取り外し可能に固定されている。
【００４９】
圧電性基盤２を載置台５０２ｂに固定した後、メッキ処理液槽中に無電解メッキ液を入れ載置台５０２ｂを回転させながら無電解メッキ処理を行う。無電解メッキ処理液中で載置台５０２ｂを回転させることで遠心力の作用で、載置台５０２ｂに固定された圧電性基盤２の複数の溝の内部の無電解メッキ液が溝から外に出て、代わりに新しい無電解メッキ液が流入することで絶えず無電解メッキ液の交換が行われる。これにより溝と溝につながる平坦な面に対して安定したメッキ被膜（電極）２０６が形成される。載置台５０２ｂの回転数としては２００〜１０００ｒｐｍであり、より好ましくは３００〜７００ｒｐｍである。２００ｒｐｍ未満では圧電性基盤２に配設された溝の幅、アスペクト比によっては、溝中の無電解メッキ液の交換及び溝の内面に付着している反応で発生したガスの気泡が取れずメッキにムラが発生するため好ましくない。１０００ｒｐｍを越えた場合は、メッキ処理液槽中の無電解メッキ液の飛散防止及び駆動系を頑丈にするため装置に費用が掛かり好ましくない。
【００５０】
本図では、載置台５０２ｂを回転させる手段としてプーリを使用しているが、載置台５０２ｂを回転させる手段は特に限定することなく、例えばフレームに回転用のモータを配置し、モータの回転軸と取り付け軸５０２ｃとを直結する方法であってもかまわない。
【００５１】
図６は無電解メッキ処理装置の他の一例を示す概略図である。図６の（ａ）は圧電性基盤の載置台が１段の無電解メッキ処理装置の概略斜視図である。図６の（ｂ）は図６の（ａ）のＣ−Ｃ′に沿った概略断面図である。
【００５２】
図中、５０３は表面に複数の開口部５０３ａを有する無電解メッキ処理液の流動規制板を示す。流動規制板５０３の形状は載置台５０２ｂと同じ円板形状が、回転を安定にすることから好ましい。複数の開口部５０３ａの総開口面積は流動規制板５０３の表面積に対して１０〜８０％が好ましい。流動規制板５０３を設けることで回転したとき載置台５０２ｂ上に載置された圧電性基盤２の溝と溝につながる平坦面への無電解メッキ処理液の供給を均一にする効果があるので好ましい。開口部５０３ａの形状は特に限定はなく、例えば丸穴を空けてもよいし、網目状であってもよい。他の符号は図５と同義である。
【００５３】
図５、図６では、メッキ処理液槽は開放系の場合を示しているが密閉系であってもかまわない。
【００５４】
本発明の無電解メッキ方法では、無電解メッキ液の温度は、無電解メッキ液の種類により変化するため範囲を設定することは困難であり、無電解メッキ液の種類に合わせ適宜設定し行うことが可能である。
【００５５】
本発明の無電解メッキ方法では、メッキ析出速度は無電解メッキ液の種類により変化するため範囲を設定することは困難であり、無電解メッキ液の種類に合わせ適宜設定し行うことが可能である。
【００５６】
本発明に使用する無電解メッキ液は市販されている無電解メッキ液を含め特に限定は無く使用することが可能であり、形成されるメッキ被膜としては、例えばニッケル、銅、スズ、金、コバルト、ニッケル・リン、銅・ホウソ、ニッケル・ホウソ、銅・リン等が挙げられる。これらのメッキ被膜は、目的により適宜選択して使用することができる。
【００５７】
図１、図２に示される剪断モード型インクジェットヘッド用圧電性基盤の場合の特に好ましいメッキ被膜としては、ニッケル・ホウソ被膜が挙げられる。
【００５８】
剪断モード型インクジェットヘッド用の圧電性基盤にニッケル・ホウソメッキ被膜を形成する場合の無電解メッキ液としては、例えば奥野製薬（株）製　トップケミアロイ、上村工業（株）製　ＢＥＬ８０１、（株）ワールドメタル製　ニボロン７０、ニボロン５等が挙げられる。
【００５９】
本発明の無電解メッキ方法で作製した圧電性基盤を用いた図１に示す如き剪断モード型インクジェットヘッドでは、下層基盤と上層基盤とは基盤の厚さ方向に逆方向に分極されている圧電性基盤自体が誘電体を形成している。
【００６０】
印字に際しては、溝（インク圧力室）内にインクを供給した状態で側壁のメッキ被膜（電極）へ電圧を印加する。電圧が印加されたメッキ被膜（電極）に対応する側壁は、インク室の容積を大きくする方向へ剪断変形する。このメッキ被膜（電極）に印加する電圧の極性を逆転させると、側壁が急激に初期位置に復帰する。側壁が初期位置に復帰した際に、インク室内のインクが加圧されて、インク室内のインクの一部がインク滴となってインク吐出口から吐出する。
【００６１】
よって、圧電性基盤に設けられた複数の溝（インク圧力室）の側壁の剪断変形量を全て一定に合わせることでインクの吐出量が安定になる。全ての側壁の剪断変形量を合わせるには、全ての溝（インク圧力室）の側壁及び溝に繋がる平坦な面のメッキ被膜（電極）を安定に且つ均一にすることが有効な手段の一つである。
【００６２】
したがって、本発明は図５、図６に示される如き無電解メッキ処理装置を使用し、本発明の無電解メッキ方法により剪断モード型インクジェットヘッド用の複数の溝が設けられた圧電性基盤をメッキすることで、溝（インク圧力室）の側壁及び溝につながる平坦な面の一部に均一なメッキ被膜（電極）を形成する効果を有するものである。
【００６３】
尚、インクと接触するインク室側の電極に信号電圧を掛けて駆動する場合、水系インクを使用すると、インク室の電極表面で水が電気分解されて酸素の気泡が発生し、電極が溶解するため、水系インクも使用できるように、信号電圧が掛かるインク室の電極と接続電極と配線には絶縁膜（図示せず）が設けられるのが好ましい。この絶縁膜としては、有機絶縁膜でも無機絶縁膜でも良いが、溝の隔壁が変形することから柔軟な有機絶縁膜が好ましい。有機絶縁膜は、塗布や電着によりメッキ膜上に形成できる。電着は、例えばアクリル系のアニオン電着樹脂、アクリル酸−メタアクリル酸メチル−アクリル酸ブチル−２−ヒドロキシエチルアクリレート共重合体をアミンで中和して、水に溶解し、メラミン硬化剤を添加して、メッキしたヘッドを陽極に、ステンレス板を陰極にして、３０ボルトの直流電圧を１分掛けると、数μｍの絶縁膜がメッキ膜上に析出する。膜厚は、電圧と電圧印加時間で制御できる。塗布する場合は、電極上にポリマー被膜をスピンコーティングしたり、コンフォールマイコーティングする。但し、塗布の場合マスキングが必要になるので電着の方が好ましい。
【００６４】
その他にも、化学蒸着法（ＣＶＤ法）で製膜するポリパラキシリレン又はその誘導体を絶縁膜として用いることもできる。
【００６５】
【実施例】
次に本発明の効果を実施例によって具体的に説明するが、本発明の実施態様はこれらに限定されるものではない。
【００６６】
以下に示す方法に従って、剪断モード型インクジェットヘッド用の複数の溝を有する圧電性基盤を作製した。
【００６７】
〈圧電性基盤の作製〉
分極処理を施されたＰＺＴで作られた厚さ２００μｍ、縦７０ｍｍ、幅５０ｍｍの下層基盤と厚さ８００μｍ、縦７０ｍｍ、幅５０ｍｍの上層基盤とを熱硬化性接着剤により接着し圧電性基盤を作製した。
【００６８】
〈圧電性基盤へ溝の形成〉
作製した圧電性基盤にダイシングソーを使用して図２の（ｂ）に示す断面形状の溝を５０本形成した。
溝は幅４０μｍ、アスペクト比５、長さ５０ｍｍとした。
【００６９】
〈触媒処理〉
溝を形成した圧電性基盤に電極層を設けるための前準備として、図３に示すようにフォトレジストパターンを形成し、メッキ被膜（電極）とメッキ被膜（配線）とを形成する箇所に無電解メッキの触媒核となるＰｄを吸着させた。
【００７０】
〈無電解メッキ処理〉
電極層を形成する箇所に触媒核となるＰｄを吸着させた圧電性基盤に図５に示す無電解メッキ処理装置を使用し、回転数を表１に示すように変化させ無電解ニッケル・ホウソメッキ処理を行い試料を作製し１０１〜１０７とした。
【００７１】
尚、無電解ニッケル・ホウソメッキ処理液としては奥野製薬（株）製　トップケミアロイ６６を使用し、温度６０℃、時間１５分、メッキ析出速度が８μｍ／ｈの条件で行った。
【００７２】
〈評価〉
得られた各試料１０１〜１０７につき、溝の深さ方向のメッキ被膜（電極）の厚さのバラツキを光学顕微鏡（×１０００倍）で観察した結果を表１に示す。尚、観察はメッキ被膜（電極）形成箇所を溝の深さ方向に切断し、その断面を観察した。尚、バラツキは次の計算式により求めた。
【００７３】
バラツキ（％）＝　最大厚さ−最少厚さ／平均厚さ×１００
【００７４】
【表１】
2004027248.tif 000003
【００７５】
尚、試料１０７のメッキ被膜（電極）の厚さのバラツキは本発明と同じであったが回転数が早いため無電解メッキ液がメッキ槽から飛散し、作業場を汚すため実施に対しては新たに飛散防止対策が必要になり、余分な費用が掛かるため実施は不可能とした。これらの結果より本発明の有効性が確認された。
【００７６】
【発明の効果】
凹凸部を有する基材に対して安定したメッキ被膜の形成が容易な無電解メッキ方法及びこの無電解メッキ方法を使用した電極を形成した剪断モード型インクジェットヘッド用の圧電性基盤の電極形成方法を提供することができ、高額な設備投資をすることなく安定したメッキ被膜を形成することが可能となり生産効率が上がった。
【図面の簡単な説明】
【図１】一部破断面を有する剪断モード型インクジェットヘッドの一例を示す概略斜視図である。
【図２】図１に示される圧電性基盤の概略図である。
【図３】フォトレジストパターンを形成した圧電性基盤の概略斜視図である。
【図４】フォトレジストパターンを剥離した後の圧電性基盤の概略斜視図である。
【図５】無電解メッキ処理装置の一例を示す概略図である。
【図６】無電解メッキ処理装置の他の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
１　剪断モード型インクジェットヘッド
２　圧電性基盤
２０３　溝
２０４　側壁
２０５　平坦な面
２０６　メッキ被膜（電極）
３　天板
３０１　インク溜
３０２　インク供給管
４　ノズル板
５　無電解メッキ処理装置（メッキ処理装置）
５０１　無電解メッキ処理液槽（メッキ処理液槽）
５０２　保持装置
５０２ａ　フレーム
５０２ｂ　保持部材
５０２ｃ　取り付け軸
５０２ｄ　プーリ
５０３　流動規制板
【図１】
2004027248.tif 000004
【図２】
2004027248.tif 000005
【図３】
2004027248.tif 000006
【図４】
2004027248.tif 000007
【図５】
2004027248.tif 000008
【図６】
2004027248.tif 000009