(57)【要約】      （修正有）【課題】熱放散素子の熱放散性、重量、コスト、機械加工性、及びその他の特徴を最適化する。【解決手段】１つ以上の電子部品から熱を放散させるための特定用途向けヒートシンク組立部品であって、サイズ、形状、質量、コスト、熱伝導性、環境耐性のうちの１つ以上に基づいて選択された熱放散基板１３４３と、１つ以上の熱放散スタッド１３４５，１３５５とを具備し、電子部品１３４４，１３５４の１つを熱放散スタッドの各々へと取り付けることができるように、熱放散スタッドが熱放散基板に取り付けられ、熱放散スタッドのうちの少なくとも１つが、電子部品のＣＴＥと近似するＣＴＥを有する上部層１３３０，１３３５と、上部層と熱放散基板の間に配設された１つ以上の中間層１３２０，１３２５とを備え、中間層が、上部層のＣＴＥと熱放散基板のＣＴＥとの間のＣＴＥの値を有している。【選択図】図１３
2004336047.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の電子部品から熱を放散させるための特定用途向けヒートシンク組立部品であって、
サイズ、形状、質量、コスト、熱伝導性、環境耐性のうちの１つ以上に基づいて選択された熱放散基板と、
１つ以上の熱放散スタッドと
を具備し、前記電子部品の１つを前記熱放散スタッドの各々へと取り付けることができるように、前記熱放散スタッドが前記熱放散基板に取り付けられ、前記熱放散スタッドのうちの少なくとも１つが、前記電子部品のＣＴＥと近似するＣＴＥを有する上部層と、前記上部層と前記熱放散基板の間に配設された１つ以上の中間層とを備え、前記中間層が、前記上部層のＣＴＥと前記熱放散基板のＣＴＥとの間のＣＴＥの値を有していることを特徴とする、特定用途向けヒートシンク組立部品。
【請求項２】
前記熱放散基板が、アルミニウムケイ素炭化物で形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の特定用途向けヒートシンク組立部品。
【請求項３】
前記熱放散基板が、炭素−金属合金で形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の特定用途向けヒートシンク組立部品。
【請求項４】
前記熱放散基板が、セラミックで形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の特定用途向けヒートシンク組立部品。
【請求項５】
前記熱放散基板が、羽根を備えていることを特徴とする、請求項１に記載の特定用途向けヒートシンク組立部品。
【請求項６】
前記熱放散基板が、ヒートパイプを備えていることを特徴とする、請求項１に記載の特定用途向けヒートシンク組立部品。
【請求項７】
前記熱放散基板が、第一の面上に１つ以上の空洞を備え、前記熱放散スタッドの少なくとも１つが前記熱放散基板の前記第一の面上の前記１つ以上の空洞中に取り付けられ、前記空洞がアライメント手段を提供するものであることを特徴とする、請求項１から請求項６のいずれかに記載の特定用途向けヒートシンク組立部品。
【請求項８】
前記熱放散基板の上面に前記熱放散基板のＣＴＥに近いＣＴＥを有する層を形成し、前記１つ以上のスタッドの１つ以上の中間層を前記層から形成することにより、前記１つ以上の熱放散スタッドの各々を形成していることを特徴とする、請求項１から請求項７のいずれかに記載の特定用途向けヒートシンク組立部品。
【請求項９】
前記熱放散スタッドの１つ以上が、前記１つ以上の中間層の上に層を形成し、前記中間層上に形成された前記層が、前記冷却すべき電子部品のＣＴＥと同様のＣＴＥを有していることを特徴とする、請求項８に記載の特定用途向けヒートシンク組立部品。
【請求項１０】
前記熱放散スタッドが、機械加工、レーザー切断、又は化学エッチングにより形成されていることを特徴とする、請求項１から請求項９のいずれかに記載の特定用途向けヒートシンク素子。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
集積回路又はプリント回路基板などの電子部品は、様々なデバイスにおいて一般的に使用されるようになってきている。例えば、中央演算装置、インターフェース、グラフィックス及びメモリ回路は、一般に複数の集積回路を備えている。集積回路などの多くの電子部品は、通常作動中、相当な熱を発生する。これら及び他のデバイスの作動中に生じる熱を除去しない場合、電子部品及びその周囲にある他のデバイスは過熱され、部品の破損又は部品性能の劣化を生じることになる。
【０００２】
このような過熱による問題を回避するために、電子部品と一緒に熱を放散させるためのヒートシンク又は他の熱放散素子を使用することが多い。ヒートシンクの熱放散条件は、他の要因とバランスが取れたものでなければならない。ヒートシンクの熱膨張係数（以下、ＣＴＥという）が電子部品のＣＴＥと大幅に異なる場合、電子部品に取り付けられたヒートシンクは、電子部品にクラックや損傷を与えたり、又は電子部品から離間したりする可能性がある。また、多くのヒートシンク材料は相対的に重い。ヒートシンクを取り付
けた電子部品が振動や衝撃に晒された場合、電子部品に取り付けられたヒートシンクの重量によって電子部品にクラックや損傷が生じたり、ヒートシンクが取り付けられていた電子部品から離間したりする可能性がある。
【０００３】
プリント回路基板、マルチチップ・モジュール又は電子システム上の複数の電子部品では、熱の放散が必要になる場合もしばしばある。システムコストや重量、サイズ及び他の特徴を最適化する上で、複数の部品に単一の熱放散素子を用いることができれば有利である。しかしながら、プリント回路基板上、又はマルチチップ・モジュール中にある異なるダイは、異なる熱膨張係数、又は異なる熱放散条件を持っている場合がある。熱の放散を必要とする複数の素子の様々に異なる要求を満たすことができる熱放散素子があれば有利である。
【０００４】
マイクロエレクトロニクス及びマイクロ波電子部品においては、平面型のヒートシンク素子の１０倍〜３０倍以上の熱伝導能力を提供することができるヒートパイプを使用することにより、増大した熱放散要求を満たすことができる場合が多い。しかしながら、このような構造体は、その冷却対象となるダイやマルチチップ・モジュール、プリント回路アセンブリ又は他の部品などとのＣＴＥの不整合性が大きく、過剰な機械的ストレスを生じかねない。従って、当該産業においては、良好な熱伝導性を持つヒートシンク及びヒートパイプ素子と冷却すべき部品との間に、より効果的なＣＴＥの整合性、又は段階的変化が要求されている。
【０００５】
一部の材料は良好な熱伝導性を有するが、成形が困難であったり、高額、高重量であったり、又は特定の熱放散条件下では他の望ましくない特徴を持つものもある。従って当該産業においては、熱放散素子の熱の放散性、重量、コスト、機械加工性、及び他の特徴を最適化し、電子組立部品中の複数のダイ又は部品に対して単一の熱放散素子で対応する能力が要求されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
熱放散素子の、熱放散性、ＣＴＥ整合性、重量、コスト、機械加工性、又は他の特徴を最適化するための装置及び方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
１つ以上の電子部品から熱を放散させるための特定用途向けヒートシンク・アセンブリは、サイズ、形状、質量、コスト、熱伝導性、及び環境耐性特性のうちの少なくとも１つに基づいて選択された熱放散基板と、１つ以上の熱放散スタッドとを備えている。１つの電子部品が熱放散スタッドの各々に取り付けられるように、各熱放散スタッドが熱放散基板に取り付けられている。この熱放散スタッドは、熱放散基板と冷却すべき電子部品の間にＣＴＥの遷移(transition)を提供するものである。熱放散スタッドのうちの少なくとも１つは、電子部品のＣＴＥに近いＣＴＥを持つ上部層と、その上部層と熱放散基板との間に中間層を備えている。この中間層は、熱放散基板のＣＴＥと熱放散スタッドの上部層のＣＴＥとの間のＣＴＥを有している。
【０００８】
１つ以上の電子部品から熱を放散させるための特定用途向けヒートシンク素子の製造方法は、熱放散基板又はヒートパイプを選択又は形成するステップと、各々が冷却すべき電子デバイスの１つに合致する形状及びサイズに作られる１つ以上の熱放散スタッドを形成するステップと、そして熱放散スタッドの各々を基板へと取り付けるステップとを含む。冷却すべき電子デバイスは、各熱放散スタッドに取り付けることができる。熱放散スタッドは、熱放散基板又はヒートパイプと冷却すべき電子部品との間にＣＴＥの段階的整合性を提供するために複数層の材料から形成される場合もある。
【０００９】
本発明に対するより深い理解、及びこれに付随する利点の多くは、添付図を参照しつつ以下の詳細説明を読むことにより明らかとなる。添付図においては、同様の符号は同一又は同様の部品を示すものである。
【００１０】
説明用の図に示したように、本発明は、熱伝導性、正確な許容範囲、低質量、良好なボンディング性、コスト、機械加工性などの様々な特徴を選択的に最適化することが可能な熱放散素子を提供するための技術に関する。ヒートシンク素子の様々な特徴の最適化は、複数材料から成るヒートシンクであって、モノリシック(monolithic)なヒートシンク構造よりも容易に異なる場所、異なる条件に適合させることができる特定用途向けヒートシンクを製作することにより実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１は、本発明の第一の実施例に基づく熱放散素子を示している。熱放散基板１１０が設けられている。熱放散基板１１０は、既知のヒートシンク材料、合金、又はその組み合わせによって形成されており、例えばアルミニウムケイ素炭化物、銅、アルミニウム、炭素／金属複合物、炭素―金属合金(carbon-metal alloy)、セラミック、又は他の既知のヒートシンク材料が使用されている。一つの例としては、その熱伝導性と低重量から、ＡｌＳｉＣを選択することができる。熱放散スタッド１２０は、銅、タングステン、モリブデン、アルミニウム、銅／モリブデン／銅、又は他の既知のヒートシンク材料などが使用されており、これらの既知のヒートシンク材料、合金又はその組み合わせを、スタンピング、機械加工、エッチング、又はレーザー切断することにより形成することができる。
【００１２】
熱放散スタッド１２０は、そのＣＴＥ（熱膨張係数）が、それに取り付けられるデバイス（集積回路チップ、集積回路パッケージ、集積回路モジュール、プリント回路基板など）のＣＴＥと近似する値となるように選択されている。図４のフローチャートに示したように、熱放散スタッド１２０は、熱放散基板１１０の表面１８０の所定位置１３０に取り付けられており、この取付方法としては、ロウ付け、はんだ付け、接着剤ボンディング、圧力ばめ、ねじ締め、鋲留め、溶接、高圧下での低温拡散、拡散接合、又は熱伝導性金属接着など、いずれかの周知の取り付け方法を用いることができる。熱放散スタッド１２０は、機械加工、スタンピング、エッチング又はレーザー切断という手段により高い精度で成形されており、熱放散基板１１０の所定位置１３０へと取り付けられる。
【００１３】
本発明の特定用途向けヒートシンクのアプリケーションは用途が広いため、様々な材料及びサイズで形成された様々な熱放散基板１１０、および、様々な材料及びサイズで形成された様々な熱放散スタッド１２０を使用することができる。よって冷却すべきデバイス（図７、図８に示した実施例）の製造者は、特定の熱放散アプリケーション用に、造作条件、コスト、低質量、良好な熱伝導性、正確な許容範囲などに基づいて基板１１０とスタッド１２０を選択することができる。この場合、図４に示したように、製造者は基板１１０を選択し（ステップ４１０）、スタッド１２０を選択し、そしてヒートシンクコストを抑制しつつもその特定のアプリケーション向けにヒートシンクの特徴を最適化するためにそのアプリケーションが必要とする適切な取り付け方法を選択（ステップ４２０）することができる。冷却すべきデバイスは、そのスタッドに取り付けることができる（ステップ４２０）。スタッド１２０は、基板１１０へと取り付ける前に、冷却すべきデバイスへと取り付けることも可能である。
【００１４】
一方、製造者は、ストックとして、又は販売者からの注文に応じて、様々な材料及びサイズの様々な熱放散基板１１０を保有しても良い。ある特定の用途向けに熱放散基板１１０が選択された（ステップ４１０）場合、その特定用途向けにカスタマイズした熱放散スタッド１２０を特定のサイズ、熱伝導性条件などに合わせて製作することができる。スタッド１２０の製造後、これをその用途に適正な取り付け方法で取り付ける（ステップ４２０）ことができる。この実施例においては、基板１１０は良好な熱伝導性、低価格性、低質量などの他のヒートシンク特性を有してはいるが、容易には機械加工できない材料、合金又は複合材料であっても良く、スタッド１２０が冷却すべきデバイスとのＣＴＥ整合性や、冷却すべきデバイスに適合したサイズにするためにより精度の高い機械加工性を提供することができるものである。スタッドは、それぞれの対応ダイとの間に相対的なＣＴＥの整合性を得るために使用されている。精密なＣＴＥ整合性は、一般的に要求されるものではなく、この参照により本願に含まれるＰｏｌｅｓｅなどによる米国特許第５，８８６，４０７号に開示されているように、相対的に近いＣＴＥとすることで十分である。
【００１５】
図２は、本発明の第二の実施例に基づく熱放散素子を示す。図２においては、熱放散スタッド２２０を整列させて取り付けるためのアライメント空洞２３０を備えた熱放散基板２１０が設けられている。熱放散基板２１０は、機械加工又はスタンピングなどのようないずれの周知の方法により形成されたものであっても良い。空洞２３０は、機械加工又は鋳造／スタンピングにより基板２１０中に形成することができる。図５のフローチャートに示したように、基板が選択されると（ステップ５１０）、スタッド２２０がとロウ付け、はんだ付け、接着剤ボンディング、拡散ボンディング、高圧下での低温拡散、熱伝導性金属接着又は他の周知の取り付け手段によりアライメント空洞２３０中へ取り付けられる（ステップ５２０）。冷却すべきデバイス（図示せず）は、エポキシ又は共晶ダイ・アタッチ法(die attach method)を含むいずれかの標準的ダイ・アタッチ法により、スタッド２２０へと取り付けられる（ステップ５３０）。本実施例は、スタッド２２０の基板２１０上におけるより正確なアライメントを提供するものである。
【００１６】
図３は、本発明の第三の実施例に基づく熱放散素子を示す図である。図３においては、熱放散基板３１０が特定の熱放散アプリケーションの正確な条件に合わせて所定のサイズに、そして所定の材料、金属、合金、又は複合材料で形成されている。図６に示したように、熱放散基板３１０が選択された（ステップ６１０）後、熱放散スタッド３２０を形成するために選択された層３９０が、ロウ付け、はんだ付け、接着剤ボンディング、拡散ボンディング、減圧下での高温加圧などのような既知の取り付け手段により取り付けられる（ステップ６２０）。層３９０が取り付けられた後、冷却すべきデバイスと結合させるための所定サイズのスタッド３２０が、機械加工、レーザー切断、化学エッチング又は他の周知のプロセスにより、層３９０の上面の所定の位置３３０に形成される（ステップ６３０）。層３９０中に熱放散スタッド３２０が形成された後、冷却すべきデバイスが取り付けられる（ステップ６４０）。熱放散スタッドは、冷却すべきデバイスに合う形状に作られている。
【００１７】
上述した熱放散組み立て部品を用いて集積回路デバイスを冷却するという状況下におけるアプリケーションを、図７及び図８を参照しつつ以下に説明する。集積回路デバイス７４１は、ポリアミド又は他の高分子誘電体などの相対的に安価な誘電体材料、又は相対的に高いＣＴＥを持つエポキシ材料などの１つ以上の層で構成された電気相互接続支持構造(electrical interconnect support structure)７４２を備えている。電気相互接続支持構造７４２は、基板１１０、２１０、３１０及び図１〜図８を参照しながら先に説明したように、特定用途向けの品質に応じて選択された熱放散基板７４３を支持している。
【００１８】
熱放散基板７４３の上面７４６から隆起した熱放散スタッド７４５は、マイクロチップ又はダイ７４４を支持している。熱放散スタッド７４５は、熱放散基板７４３とは別に製作され、その後ロウ付け、抵抗溶接、超音波溶接、高圧下での低温拡散などの圧着、はんだ付け、接着剤ボンディング、圧力ばめ、ねじ締め、鋲留め、拡散ボンディング、又は熱伝導性接着材料で構成された接着層７５１又は熱性能条件により決定した厚さを持つ他の薄膜接着材料の利用により、熱放散基板７４３に取り付けられている。一連のワイヤボンディング７４７は、ダイ７４４上の接触ポイントを支持構造体７４２の上面７４９又はその中にパターニングされたメタライゼーション７４８へと接続している。このメタライゼーション７４８は、集積回路デバイス７４１から外に向かって延びる複数のリード７５０と接続している。熱放散基板７４３は、図示していない封入構造体の一部を形成するサイズ／形状に作られていても良い。
【００１９】
留意すべきは、集積回路デバイスにおける熱放散費用を低減するために、熱放散基板７４３を様々な一般材料から、その熱放散品質、低質量、環境条件耐性、価格などに基づいて選択されたサイズ及び形状で選択することができるという点である。デバイスの様々な部品との接合部における機械的ストレスを分散及び低減させるために、支持構造体７４２に用いられる材料としては、熱放散基板７４３とメタライゼーション７４８の中間のＣＴＥを持つものが選択される。熱放散スタッド７４５は、ＣＴＥのダイとの整合性、サイズ調整、環境耐性、値段、質量などをカスタマイズした他の所望の特定用途向けの特徴を持つと共に、熱放散基板７４３と集積回路ダイ７４４の中間のＣＴＥを提供する様々な材料から選択されている。
【００２０】
本発明により、エンドユーザーは特定の用途向けに様々なヒートシンクの特徴を正確に選択することができる。ヒートシンクの本体、即ち基板は、例えば熱伝導性、低質量、低価格材料、低価格製造プロセス、環境耐性、ボンディング性など、選択されたヒートシンクの特徴を最適化する一般的なサイズ、形状及び材料とすることができる。一方でインターフェース表面、即ちスタブについては、冷却すべきデバイスとの改善されたＣＴＥ整合性や、ボンディング性、正確な許容範囲での機械加工性といった選択特性を最適化するための材料、サイズ及び形状が選択される。すなわち、特定用途向けにカスタマイズされるのである。
【００２１】
熱放散スタッドの特定用途向けの形状は、これが熱放散基板へと取り付けられる前に形成されるものでも、取り付けられた後に形成されるものでも良い点に留意する必要がある。また、熱放散スタッドを冷却すべきデバイスに取り付ける作業は、スタッドが熱放散基板へと取り付けられる前に実施されるものでも、後に実施されるものでも良い。更に、図７及び図８においては、冷却対象を集積回路デバイス７４４として描いたが、本発明は、これがプリント回路基板、マルチチップ・モジュール、パッケージされたデバイスなどであっても、本発明の基本的概念から離れることなく適用することができるものである。
【００２２】
実施例１〜実施例４は、この熱放散基板を、マルチチップ・モジュール中の複数の集積回路、ダイ、プリント回路組立部品又は部品の冷却に用いるという状況下のアプリケーションにも適用することができる。基本的に、冷却すべき電子部品の各々と熱放散基板との間に複数の異なる熱放散スタッドを挿入することにより、組立部品中の複数の電子部品に対して単一の熱放散基板を使用することができる。
【００２３】
図９は、本発明の第五の実施例に基づく熱放散装置を示すものであるが、これは第一の熱放散スタッド９２０及び第二の熱放散スタッド９３０が熱放散基板９１０に取り付けられたものである。熱放散スタッド９２０及び９３０は、図１〜図８の実施例で説明したように、それらのＣＴＥが第一及び第二のダイ又は電子組立部品（図示せず）のＣＴＥに整合するなどの特定の所望の特徴を持つように、同様又は異なる材料から選択又は形成されたものである。
【００２４】
図１０に示すように、熱放散装置９００は、様々なサイズ、形状及び材料で形成された様々な一般的基板から選択することができると共に、図１〜図８に基づいて説明したように、特定用途向けの特徴を得るために選択された様々なサイズ、形状及び材料で基板９１０を形成する（ステップ１０１０）ことにより製作することができる。熱放散スタッド９２０及び９３０は、図１〜図８に基づいて説明したように、特定用途向けに所望される特徴に基づいて選択された同様又は異なる材料から形成され、基板９１０に取り付けられる（ステップ１０２０及びステップ１０４０）。電子部品（図９には図示せず）は、熱放散スタッド９２０及び９３０に取り付けられる。これらのステップは、いずれの順番で実施されても良い。また、基板９１０又はスタッド９２０及び９３０のいずれか一方又は両方は、手持ちの一般的な部品から特定用途向けに選択されて組み立てられたものであっても、特定用途向けに特別に製作されたものであっても良い。
【００２５】
スタッド９２０及び９３０は、各スタッドに取り付けられる電子部品に要求される特定の特徴又は条件に応じ、同様又は異なる方法により、同様又は異なる材料で形成することができる。熱放散基板９１０と個々の熱を生じるデバイス（又は集積回路又はマルチチップ・モジュールの各領域）との間に取り付けられる熱放散スタッドは３つ以上あっても良い。また、熱放散スタッドは、近接性、熱放散条件、サイズ、重量、及び組立部品中の他の熱放散要求のあるデバイスのみにより制約されるものであり、熱放散基板の上面及び底面の両方に取り付けることができる。
【００２６】
図１１は、ポリアミド、又は他の高分子誘電体又はエポキシ材料などの１つ以上の誘電体材料層から形成された電気相互接続支持構造１１２４を備えた電子組立部品１１４１を示したものである。支持構造１１４２は、図１〜図８に関連して説明したように特定用途向けの品質及び特徴に合わせて選択された熱放散材料で形成された熱放散基板１１４３に取り付けられている。
【００２７】
２つ以上のマイクロチップ又はダイ１１４４及び１１５４は、熱放散基板１１４３の上面から隆起した熱放散スタッド１１４５及び１１５５により、それぞれ支持されている。熱放散スタッド１１４５及び１１５５は、熱放散基板１１４３とは別個に製造し、ロウ付け、抵抗溶接、超音波溶接、高圧下での低温拡散などの圧着、はんだ付け、接着剤ボンディング、圧力ばめ、ねじ締め、鋲留め、拡散ボンディング、又は熱伝導性接着剤の接着層（図示せず）又は熱性能条件に基づいて決定される厚さを持つ他の接着材料の薄い層により、熱放散基板１１４３に取り付けることができるようになっている。一連のワイヤボンディング１１４７は、ダイ１１４４及び１１５４上の接触ポイントを支持構造体１１４２の表面又はその中にパターニングされた１つ又は複数のメタライゼーション層１１４８へと接続している。このメタライゼーション層１１４８は、電子組立部品又はマルチチップ・モジュール１１４１から延びる複数のリード１１５０と接続している。熱放散基板１１４３は、電子組立部品の封入構造体（図示せず）の一部を形成するサイズ／形状に作られていても良い。
【００２８】
電子組立部品又はマルチチップ・モジュール１１４１のコストを低減するために、熱放散基板１１４３は、その熱伝導性、低質量性、環境耐性、価格などに基づいて様々な一般材料、サイズ及び形状から選択することができる。組立部品中の様々な部品の接合部における機械的ストレスを分散して低減させるために、支持構造１１４２として用いられる材料のＣＴＥは熱放散基板１１４３とメタライゼーション層１１４８のＣＴＥの中間に入るように選択される。熱放散スタッド１１４５及び１１５５は、ダイに整合するＣＴＥ、サイズ、環境耐性、価格、質量、機械加工性などのカスタマイズといった他の所望の特定用途向けの特徴と共に、熱放散基板１１４３とダイ１１４４及び１１５４の中間のＣＴＥを提供する様々な材料から選択することができる。
【００２９】
次に図１２を参照するが、効率的な熱放散基板１２１０が示されている。基板１２１０は、効率的な熱伝導性材料の平坦基板であっても、ファン付きヒートシンクであっても、又は実質的に平坦なヒートパイプであっても良い。更に熱放散スタッド１２４５を設けることができる。この熱放散スタッドは、これに取り付けられるべき電子部品又はダイとＣＴＥが相対的に良好に一致する熱放散層１２３０から形成することができる。熱放散スタッド１２４５はまた、中間層１２２０を備えていてもよく、この中間層１２２０は、層１２３０のＣＴＥと熱放散基板１２１０のＣＴＥとの間のＣＴＥを提供するように選択することができる。
【００３０】
発熱する電子部品と基板１２１０のＣＴＥ差があまりに大きい場合、このＣＴＥの不整合がサーマルサイクル中に過剰な機械的ストレスを生じることになる。従って、スタッド１２４５は、ＣＴＥ不整合による接合部でのストレスを軽減するために、基板１２１０のＣＴＥと冷却すべきデバイスのＣＴＥとの間でＣＴＥを徐々に段階的に変化させることになるように、複数の層から作ることができる。本実施例はまた、複数のデバイス、部品、マルチチップ・モジュール又は同様のアセンブリを冷却するために単一の熱放散基板又はヒートパイプを使用した組立部品にも適用することができる。中間層１２２０及び熱放散層１２３０は形成されて相互に取り付けられ、そして基板１２１０及び図１〜図６で説明したいずれかの方法で冷却すべき電子部品に取り付けることができる。
【００３１】
留意すべきは、ＣＴＥ差があまりに大きい場合や、サーマルサイクルによる機械的ストレスを最小限に抑える場合、熱放散基板１２１０と冷却すべきデバイスとの間のＣＴＥの段階変化をより緩やかにするためにスタッド１２４５を２つ以上の層から形成することもできる点である。
【００３２】
図１３は、ポリアミド又は他の高分子誘電体、又はエポキシ材料のような誘電体の１つ以上の層から成る電気相互接続支持構造１３４２を備えた電子組立部品１３４１の断面図である。支持構造１３４２は熱放散基板１３４３に取り付けられる。熱放散基板１３４３は、図１〜図１２に関連して説明したように、特定用途向けに要求される品質及び特徴に応じて選択することができるものであり、具体的には既知の羽根付きヒートシンクのいずれか、又は既知の熱放散材料及び手段で構成されたヒートパイプ構造のいずれかを備えたものである。熱放散基板１３４３は、アプリケーションによっては一般的な、例えば熱伝導性、低質量性、低価格性、環境耐性などの特定用途向け品質に基づいて選択された市販部品とすることができる。
【００３３】
複数のマイクロチップ又はダイ１３４４及び１３５４が、熱放散基板１３４３の上面から隆起した熱放散スタッド１３４５及び１３５５によりそれぞれ支持されている。熱放散スタッド１３４５及び１３５５は、熱放散基板１３４３とは別に製造され、ロウ付け、抵抗溶接、超音波溶接、圧着、はんだ付け、接着剤ボンディング、圧力ばめ、ねじ締め、鋲留め、拡散ボンディング、高圧下での低温拡散、又は導電性接着剤の接着層（図示せず）又は熱的パフォーマンス条件により決定する厚さを持った他の接着材料の薄膜により熱放散基板１３４３へと取り付けられたものであっても良い。
【００３４】
一連のワイヤボンディング１３４７は、ダイ１３４４及び１３５４上の接触ポイントを支持構造１３４２の本体表面又は中にパターンニングされた１つ又は複数のメタライゼーション層１３４８へと接続している。メタライゼーション１３４８は電子組立部品又はマルチチップ・モジュール１３４１から延びる複数のリード１３５０へと接続している。熱放散基板１３４２は電子組立部品の封入構造体（図示せず）の一部を形成するものであっても良い。
【００３５】
スタッド１３４５及び１３５５は、デバイス１３４４及び１３５４とそれぞれにＣＴＥが相対的に整合するように、層１３３０及び１３３５からそれぞれに形成することができる。冷却すべきデバイス１３４４及び１３５４と熱放散基板１３４２との間のＣＴＥ差に応じ、スタッド１３４５及び１３５５は、それぞれに中間層１３２０及び１３２５を備えたものであっても良く、これらの中間層１３２０，１３２５は、基板１３４３のＣＴＥと層１３３０及び１３３５のＣＴＥとの間に更なる段階的変化を提供することによりサーマルサイクル中に組立部品にかかる機械的ストレスを低減するものである。スタッド１３４５及び１３５５は、図１〜図６に関連して説明したいずれの技術により形成されたものでも良い。具体的には、スタッド１３４５及び１３５５は図１〜図６のいずれの方法により形成されたものでも良い。
【００３６】
スタッドの層は、部品１３４４及び１３５４それぞれの特定のＣＴＥ整合条件に応じ、異なる層から形成して別個に、又は同じ層から形成して同時に、基板へと取り付けることができる。かわりに、基板１３４３を製作してその上に最初のＣＴＥ中間層を形成することもできる。アプリケーション・デザインと、各種部品１３４４及び１３５４の配置が決定された後、化学エッチング、レーザー切断、又は他の既知の手段によりスタッドの中間層を形成し、その後特定用途のＣＴＥ整合条件に応じて中間層との間でＣＴＥの整合する層１３３０及び１３３５を同様又は異なる材料で形成することができる。
【００３７】
電子組立部品１３４１のコストを削減するために、熱放散基板１３４３を様々な一般的な材料、サイズ及び形状から、その熱伝導性、低質量性、環境耐性、値段などに基づいて選択することができる。この組立部品中の各種部品の接合部における機械的ストレスを分散させるためには、支持層１３４２をスタッド１３４５、１３５５と同様に２層構造（図示せず）とすることができる。基板１３４３に隣接する層は、スタッド１３４５、１３５５の中間層１３２０、１３２５と同じプロセス中に同じ材料で形成することができる。この層は、化学エッチング又は他の同様の手段によりスタッド１３４５、１３５５の下部層１３２０、１３２５、及び支持構造１３４２の下部層とすることができる。その後スタッド１３４５、１３５５の上部層１３３０、１３３５を形成して中間層１３２０、１３２５に取り付け、誘電体層を形成して支持構造１３４２へと取り付けることができる。これらのステップは、プロセスや組立効率を最適化するために異なる順序で実施される場合もある。
【００３８】
本発明に推奨される実施例を説明目的で記載したが、本発明の範囲から離れることなく様々な変更、付加、及び代替により請求項の範囲に入る同等の実施例を得ることが可能であることは、当業者に明らかである。例えば、一般的な熱放散基板とは、羽根、又は他の一般的な熱放散性の物理的特徴を持つ熱放散基板であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明に基づく熱放散素子の第一の実施例を描いたものである。
【図２】本発明に基づく熱放散素子の第二の実施例を描いたものである。
【図３】本発明に基づく熱放散素子の第三の実施例を描いたものである。
【図４】本発明の第一の実施例に基づく熱放散素子の製造方法のフローチャートである。
【図５】本発明の第二の実施例に基づく熱放散素子の製造方法のフローチャートである。
【図６】本発明の第三の実施例に基づく熱放散素子の製造方法のフローチャートである。
【図７】封入前の、本発明の第四の実施例に基づく集積回路素子パッケージの上面図である。
【図８】図７に示した集積回路素子を、線８−８に沿って切断した場合の断面図である。
【図９】本発明に基づいて複数の部品から熱を放出させるための熱放散素子の第五の実施例を描いた図である。
【図１０】本発明の第六の実施例に基づく熱放散素子の製造方法のフローチャートである。
【図１１】封止前の本発明の第六の実施例に基づく熱放散素子に複数の集積回路が取り付けられた状態を示す断面図である。
【図１２】本発明に基づいて部品から熱を放散させるための熱放散素子の第七の実施例を描いた図である。
【図１３】本発明の第八の実施例に基づき、封止前の熱放散素子に複数の集積回路を取り付けた状態の断面図である。
【図１４】本発明の第八の実施例に基づく熱放散素子の製造方法のフローチャートである。
【符号の説明】
【００４０】
１１０、２１０、３１０、７４３、１１４３、１３４３  熱放散基板
１２０、２２０、３２０、７４５、１１４５、１３４５、１３５５  熱放散スタッド
７４４、１１４４、１１５４、１３４４、１３５４  電子部品
１２２０、１３２０、１３２５  熱放散スタッドの中間層
１２３０、１３３０、１３３５  熱放散スタッドの上部層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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