(57)【要約】【課題】容器内のクリーニング時期をより適したものとすることにより装置の稼働率を向上させた半導体処理装置及び半導体処理方法を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体処理方法は、チャンバー１内でプラズマを発生させてエッチング処理を行う半導体処理方法において、エッチング処理中のチャンバー１内のプラズマ発光体による発光スペクトルをチャンバー１の壁面を通して検出することにより発光強度を測定し、この測定した発光強度からチャンバー１内のクリーニング時期を判断するものである。上記チャンバー１内のクリーニング時期の判断は、上記測定した発光強度からチャンバーの内壁に付着した付着物５の厚さを計測し、該付着物５の厚さが所定厚さ以上となった時、チャンバー１内のクリーニング時期と判断するものである。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器内でプラズマを発生させて半導体処理を行う半導体処理方法において、
半導体処理中の容器内のプラズマ発光体による発光スペクトルを容器の壁面を通して検出することにより発光強度を測定し、
この測定した発光強度から容器内のクリーニング時期を判断することを特徴とする半導体処理方法。
【請求項２】
上記容器内のクリーニング時期の判断は、上記測定した発光強度から容器の内壁に付着した付着物の厚さを計測し、該付着物の厚さが所定厚さ以上となった時、容器内のクリーニング時期と判断することを特徴とする請求項１に記載の半導体処理方法。
【請求項３】
容器内でプラズマを発生させて半導体処理を行う半導体処理方法において、
あらかじめ設定しておいた容器内のクリーニング時期に、半導体処理中の容器内のプラズマ発光体による発光スペクトルを容器の壁面を通して検出することにより発光強度を測定し、
この測定した発光強度からクリーニング条件を判断することを特徴とする半導体処理方法。
【請求項４】
上記クリーニング条件の判断は、上記測定した発光強度から容器の内壁に付着した付着物の厚さを計測し、その厚さの付着物を除去するのに適したクリーニング条件を決定することを特徴とする請求項３に記載の半導体処理方法。
【請求項５】
上記半導体処理がエッチング加工処理であることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の半導体処理方法。
【請求項６】
プラズマを発生させて半導体処理が行われる半導体処理室を構成する容器と、
この容器の外部に取付けられ、半導体処理中のプラズマ発光体の発光強度を検出する検出器と、
この検出器で検出された発光強度から容器内のクリーニング時期を判断する制御部と、
を具備することを特徴とする半導体処理装置。
【請求項７】
上記制御部は、検出器で検出された発光強度から容器の内壁に付着した付着物の厚さを測定し、該付着物の厚さが所定厚さ以上となった時、容器内のクリーニング時期と判断することを特徴とする請求項６に記載の半導体処理装置。
【請求項８】
プラズマを発生させて半導体処理が行われる半導体処理室を構成する容器と、
この容器の外部に取付けられ、あらかじめ設定しておいた容器内のクリーニング時期に半導体処理中のプラズマ発光体の発光強度を検出する検出器と、
この検出器で検出された発光強度からクリーニング条件を判断する制御部と、
を具備することを特徴とする半導体処理装置。
【請求項９】
上記制御部は、検出器で検出された発光強度から容器の内壁に付着した付着物の厚さを測定し、その厚さの付着物を除去するのに適したクリーニング条件を決定することを特徴とする請求項８に記載の半導体処理装置。
【請求項１０】
上記半導体処理がエッチング加工処理であることを特徴とする請求項６〜９のうちいずれか１項に記載の半導体処理装置。
【請求項１１】
請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の半導体処理方法を用いて半導体処理が行われて製造された半導体装置。
【請求項１２】
請求項６〜１０のうちいずれか１項に記載の半導体処理装置を用いて半導体処理が行われて製造された半導体装置。
【請求項１３】
半導体処理方法を用いて半導体処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
上記半導体処理方法は、
容器内でプラズマを発生させて半導体処理を行う方法であり、
半導体処理中の容器内のプラズマ発光体による発光スペクトルを容器の壁面を通して検出することにより発光強度を測定し、
この測定した発光強度から容器内のクリーニング時期を判断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
半導体処理方法を用いて半導体処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
上記半導体処理方法は、
容器内でプラズマを発生させて半導体処理を行う方法であり、
あらかじめ設定しておいた容器内のクリーニング時期に、半導体処理中の容器内のプラズマ発光体による発光スペクトルを容器の壁面を通して検出することにより発光強度を測定し、
この測定した発光強度からクリーニング条件を判断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
半導体処理装置を用いて半導体処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
上記半導体処理装置は、
プラズマを発生させて半導体処理が行われる半導体処理室を構成する容器と、
この容器の外部に取付けられ、半導体処理中のプラズマ発光体の発光強度を検出する検出器と、
この検出器で検出された発光強度から容器内のクリーニング時期を判断する制御部と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
半導体処理装置を用いて半導体処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
上記半導体処理装置は、
プラズマを発生させて半導体処理が行われる半導体処理室を構成する容器と、
この容器の外部に取付けられ、あらかじめ設定しておいた容器内のクリーニング時期に半導体処理中のプラズマ発光体の発光強度を検出する検出器と、
この検出器で検出された発光強度からクリーニング条件を判断する制御部と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマを発生させて半導体処理が行われる半導体処理室を構成する容器を備えた半導体処理装置、半導体処理方法、半導体装置及びその製造方法関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスなどの半導体装置の製造では、ウエハなどの被処理物の上に所要の成膜を施し、これを所定のパターンに加工するプラズマエッチング処理が施される。このプラズマエッチング処理を実行するエッチング処理室は、その内壁や電極等にエッチング処理に伴う生成物が汚れとなって付着し、堆積する。
【０００３】
この生成物の堆積量は処理回数を経るに従って多くなり、それが剥離して被処理物に付着してエッチング不良を招くことになる。そのため、エッチング処理室を構成するチャンバーはウエハの枚数カウント又はエッチング処理時間を基準として定期的にドライクリーニングを行っている。ここで、ドライクリーニングは、装置からチャンバーを取り外さずにプラズマによりクリーニングするものである。
【０００４】
ドライクリーニングを行う時期は、製品不良を招かない程度の処理時間（例えば１８時間）を予め設定しておく。この処理時間はある幅のマージンを持たせて決められている。そして、その設定の処理時間が経過した後、チャンバー内のドライクリーニングを行うようにしていた。また、ドライクリーニングを実施する際のクリーニング条件は、一定のマージンを持った条件で固定されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来のプラズマエッチング処理装置では、クリーニング時期のマージン幅を小さくすると、クリーニングによる装置稼働率の低下を抑制できるが、クリーニングが不十分となるおそれがあり、その場合はエッチング加工処理の安定性が低下することになる。従って、クリーニング時期のマージン幅をある程度大きくする必要があり、その結果、クリーニング時期が早くなってしまい、マージン幅の分だけ時間的なロスとなり、この時間的なロスによって装置の稼働率が低下し、スループットが低下する。
【０００６】
また、上記従来のプラズマエッチング装置では、クリーニング条件を一定のマージンを持った条件で固定し、チャンバー内の状態を考慮していないため、過剰なクリーニング条件でクリーニングを実施していた。このため、クリーニング時間やガス供給量などでロスがあり、このロスによって装置の稼働率が低下したり、必要以上のクリーニングコストがかかることがあった。
【０００７】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、容器内のクリーニング時期をより適したものとすることにより装置の稼働率を向上させた半導体処理装置、半導体処理方法、半導体装置及びその製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、容器内のクリーニング条件をより適したものとすることによりクリーニングコストを低減させた半導体処理装置、半導体処理方法、半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体処理方法は、容器内でプラズマを発生させて半導体処理を行う半導体処理方法において、
半導体処理中の容器内のプラズマ発光体による発光スペクトルを容器の壁面を通して検出することにより発光強度を測定し、
この測定した発光強度から容器内のクリーニング時期を判断することを特徴とする。
【０００９】
上記半導体処理方法によれば、半導体処理を行う際に発生するプラズマ発光体による発光スペクトルを容器の壁面を通して検出することにより発光強度を測定する。この発光強度から容器内のクリーニング時期を判断することができる。このため、従来の半導体処理方法のようにクリーニング時期のマージン幅を大きくとる必要がなく、最適なクリーニング時期又はより適したクリーニング時期を判断することができる。従って、装置の稼働率を向上させることができる。
【００１０】
また、本発明に係る半導体処理方法において、上記容器内のクリーニング時期の判断は、上記測定した発光強度から容器の内壁に付着した付着物の厚さを計測し、該付着物の厚さが所定厚さ以上となった時、容器内のクリーニング時期と判断することが好ましい。
【００１１】
本発明に係る半導体処理方法は、容器内でプラズマを発生させて半導体処理を行う半導体処理方法において、
あらかじめ設定しておいた容器内のクリーニング時期に、半導体処理中の容器内のプラズマ発光体による発光スペクトルを容器の壁面を通して検出することにより発光強度を測定し、
この測定した発光強度からクリーニング条件を判断することを特徴とする。
【００１２】
上記半導体処理方法によれば、容器内のクリーニング時期に、半導体処理を行う際に発生するプラズマ発光体による発光スペクトルを容器の壁面を通して検出することにより発光強度を測定し、この発光強度から最適なクリーニング条件又はより適したクリーニング条件を判断することができる。つまり、従来の半導体処理装置のように過剰なクリーニング条件でクリーニングを行うことがなく、最適なクリーニング条件又はより適したクリーニング条件でクリーニングを行うことができる。これにより、クリーニング時間、ガス供給量や印加電力などのロスを低減することができる。従って、クリーニングコストを低減することができる。
【００１３】
また、本発明に係る半導体処理方法において、上記クリーニング条件の判断は、上記測定した発光強度から容器の内壁に付着した付着物の厚さを計測し、その厚さの付着物を除去するのに適したクリーニング条件を決定することが好ましい。
【００１４】
また、本発明に係る半導体処理方法においては、上記半導体処理がエッチング加工処理であることも可能である。
【００１５】
本発明に係る半導体処理装置は、プラズマを発生させて半導体処理が行われる半導体処理室を構成する容器と、
この容器の外部に取付けられ、半導体処理中のプラズマ発光体の発光強度を検出する検出器と、
この検出器で検出された発光強度から容器内のクリーニング時期を判断する制御部と、
を具備することを特徴とする。
【００１６】
また、本発明に係る半導体処理装置において、上記制御部は、検出器で検出された発光強度から容器の内壁に付着した付着物の厚さを測定し、該付着物の厚さが所定厚さ以上となった時、容器内のクリーニング時期と判断することが好ましい。
【００１７】
本発明に係る半導体処理装置は、プラズマを発生させて半導体処理が行われる半導体処理室を構成する容器と、
この容器の外部に取付けられ、あらかじめ設定しておいた容器内のクリーニング時期に半導体処理中のプラズマ発光体の発光強度を検出する検出器と、
この検出器で検出された発光強度からクリーニング条件を判断する制御部と、
を具備することを特徴とする。
【００１８】
また、本発明に係る半導体処理装置において、上記制御部は、検出器で検出された発光強度から容器の内壁に付着した付着物の厚さを測定し、その厚さの付着物を除去するのに適したクリーニング条件を決定することが好ましい。
【００１９】
また、本発明に係る半導体処理装置においては、上記半導体処理がエッチング加工処理であることも可能である。
【００２０】
本発明に係る半導体装置は、請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の半導体処理方法を用いて半導体処理が行われて製造されたものである。
【００２１】
本発明に係る半導体装置は、請求項６〜１０のうちいずれか１項に記載の半導体処理装置を用いて半導体処理が行われて製造されたものである。
【００２２】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体処理方法を用いて半導体処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
上記半導体処理方法は、
容器内でプラズマを発生させて半導体処理を行う方法であり、
半導体処理中の容器内のプラズマ発光体による発光スペクトルを容器の壁面を通して検出することにより発光強度を測定し、
この測定した発光強度から容器内のクリーニング時期を判断することを特徴とする。
【００２３】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体処理方法を用いて半導体処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
上記半導体処理方法は、
容器内でプラズマを発生させて半導体処理を行う方法であり、
あらかじめ設定しておいた容器内のクリーニング時期に、半導体処理中の容器内のプラズマ発光体による発光スペクトルを容器の壁面を通して検出することにより発光強度を測定し、
この測定した発光強度からクリーニング条件を判断することを特徴とする。
【００２４】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体処理装置を用いて半導体処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
上記半導体処理装置は、
プラズマを発生させて半導体処理が行われる半導体処理室を構成する容器と、
この容器の外部に取付けられ、半導体処理中のプラズマ発光体の発光強度を検出する検出器と、
この検出器で検出された発光強度から容器内のクリーニング時期を判断する制御部と、
を具備することを特徴とする。
【００２５】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体処理装置を用いて半導体処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
上記半導体処理装置は、
プラズマを発生させて半導体処理が行われる半導体処理室を構成する容器と、
この容器の外部に取付けられ、あらかじめ設定しておいた容器内のクリーニング時期に半導体処理中のプラズマ発光体の発光強度を検出する検出器と、
この検出器で検出された発光強度からクリーニング条件を判断する制御部と、
を具備することを特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明に係る第１の実施の形態による半導体処理装置の一例としてのプラズマエッチング装置を模式的に示す構成図である。
【００２７】
このプラズマエッチング装置はプラズマエッチング処理室を構成する石英製のチャンバー１を有しており、このチャンバー１には、プラズマエッチング処理中に発生するイオン、ラジカル等のプラズマ発光体（図示せず）を臨むようにスペクトル検出器２が取付け治具２ａによって取り付けられている。スペクトル検出器２は、プラズマエッチング処理を行っている際、チャンバー１内に反応生成物３が発生し、該チャンバー１の内壁において反応生成物３が比較的に付着し易い部分に配置されている。スペクトル検出器２には制御部４が接続されている。この制御部４は、後述するような制御を行い、チャンバー１の内壁や電極等に反応生成物が付着した付着物５をクリーニングする時期を判断する機能を有するものである。
【００２８】
スペクトル検出器２は、取付け治具２ａでチャンバー１に着脱可能に取付けられる。スペクトル検出器２はチャンバー１の内部において発生するプラズマを観察できる任意の場所に設置される。この設置位置は下部電極（図示せず）と上部電極（図示せず）を横に見る位置に設置することで発生するプラズマを直接観察できるようにする。
【００２９】
チャンバー１の内部及び外部の具体的な構造は図示していないが、例えば次のようになっている。チャンバー内には平行平板電極である上部電極と下部電極とが対向して配置されている。下部電極は、エッチング対象の半導体ウエハを載置するステージとなるものである。上部電極はＧＮＤに接続されており、下部電極には高周波電力を印加する高周波電源が接続されている。高周波電源と下部電極との間には、半導体ウエハに加えられる高周波電力の整合をとるための整合器が設けられている。整合器は、直列に配線される可変コイルと、可変コンデンサとを有している。チャンバー１の上部にはガス供給系が接続されており、チャンバー１の下部には真空ポンプが接続されている。
【００３０】
スペクトル検出器２は、チャンバー１の内部からのプラズマ発光スペクトルより特定波長光を分光する光学フィルター（モノクロメータ等、他の光学手段でもよい）と、光学フィルターで分光された特定波長光を光量に応じた電気信号に変換して発光強度を測定する光量測定器と、を備えている。制御部４は、この光量測定器に電気的に接続されており、出力値をデータ処理しチャンバー１の交換時期を検出するものである。
【００３１】
次に、上記プラズマエッチング装置を用いてエッチング加工を行う方法について説明する。
真空ポンプによりチャンバー１内を排気し、ガス供給系より一定流量のエッチング処理用ガスを供給してチャンバー１内を一定圧力に保つ。この状態において、高周波電源から下部電極に高周波電力を印加し、整合器で整合を取って上部電極と下部電極の間にプラズマを発生させ、下部電極上に設置した半導体ウエハをプラズマエッチングする。なお、エッチングされる半導体ウエハは、種々のものを用いることが可能であるが、例えば、シリコンウエハの全面にシリコン酸化膜を堆積し、このシリコン酸化膜上にフォトレジスト膜をパターニングすることによりレジストパターンを形成したものである。
【００３２】
上記半導体ウエハをプラズマエッチングすることにより、イオン、ラジカル等のプラズマ発光体が発生し、この発光体から発せられるプラズマ発光スペクトルをチャンバー１の壁面から取り込み、スペクトル検出器２の光学フィルターを介して光量測定器に導入することにより、光学フィルターで選択した特定波長光の発光強度を検出する。そして、この発光強度からプラズマ発光の透過量を制御部４で算出し、その結果から最適なクリーニング時期又はより適したクリーニング時期を判断する。
【００３３】
上述したようにして検出した発光強度とプラズマ処理時間との関係の一例を図２に示している。図２に示すプラズマ処理時間１〜３は、チャンバー１の内部をドライクリーニングするタイミングを示すものである。ドライクリーニングを行う時期は、エッチング処理時にモニターしている発光強度の値がｂになった時にクリーニングすることとする。この値ｂは、クリーニングした直後の発光強度ａに対して所定の割合で発光強度が低下したものである。この所定の割合で低下した発光強度の値ｂは、チャンバー１の内壁に付着した付着物５が内壁から剥離する厚さよりやや薄い厚さになった時の発光強度である。
【００３４】
つまり、半導体ウエハに対してプラズマエッチング処理を行うに従って、チャンバー１の内壁に反応生成物が付着した付着物５の厚さが厚くなる。すると、プラズマ発光スペクトルがチャンバーの壁面を透過する量が少なくなるので、スペクトル検出器２で検出される発光強度は低くなる。したがって、図２に示すように、発光強度はプラズマ処理時間が経過するにつれて低くなる。そして、スペクトル検出器２で図２に示す値ｂの発光強度を検出した時がチャンバー１の内部のクリーニング時期と判断するように制御部を設定しておく。なお、この発光強度の値ｂは、エッチング対象物やエッチング条件などによって異なるため、エッチング対象物及びエッチング条件ごとに実験などを行って予め確認し設定しておくことが好ましい。
【００３５】
また、製品不良を招かない程度の製品に対するエッチング処理回数又はエッチング処理時間をあらかじめ設定しておき、その処理回数を行った後にクリーニングを行うものとあらかじめ設定しておき、その設定されているクリーニング時期に前記発光強度の値がｂとなった時期の結果を反映させるという方法を採ることも可能である。
【００３６】
上記第１の実施の形態によれば、半導体ウエハをプラズマエッチングした際に発生するプラズマ発光体によるプラズマ発光スペクトルをチャンバー１の壁面を通して取り込み、スペクトル検出器２により発光強度を検出する。この発光強度からプラズマ発光の透過量を算出し、その結果よりチャンバー１の内壁に付着した付着物５の厚さを比較的正確に測定することができる。このため、従来の半導体処理装置のようにクリーニング時期のマージン幅を大きくとる必要がなく、最適なクリーニング時期又はより適したクリーニング時期を判断することができる。従って、装置の稼働率を向上させることができ、スループットを向上させることができる。
【００３７】
次に、本発明に係る第２の実施の形態による半導体処理装置の一例としてのプラズマエッチング装置について説明する。ただし、第１の実施の形態と同一部分の説明は省略する。
【００３８】
製品不良を招かない程度の製品に対するエッチング処理回数又はエッチング処理時間をあらかじめ設定しておき、その処理回数又は処理時間を行った後にクリーニングを行うものとあらかじめ設定しておき、その設定されているクリーニング時期にスペクトル検出器２でプラズマの発光強度を第１の実施の形態と同様の方法で検出する。そして、制御部４において、前記発光強度からプラズマ発光の透過量を算出し、その透過量からチャンバーの内壁に付着している付着物５の厚さを測定し、その測定結果から最適なクリーニング条件又はより適したクリーニング条件を判断する。
【００３９】
つまり、半導体ウエハに対してプラズマエッチング処理を行うに従って、チャンバー１の内壁に反応生成物が付着した付着物５の厚さが厚くなる。すると、プラズマ発光スペクトルがチャンバーの壁面を透過する量が少なくなる。あらかじめ設定しているクリーニング時期に、チャンバー１の内壁に付着している付着物５の厚さを測定し、この測定した厚さの付着物５を除去するのに適したクリーニング条件（クリーニング時間やガス供給量等）を制御部４で判断する。そして、このクリーニング条件によりチャンバー内のクリーニングを実施する。なお、最適なクリーニング条件又はより適したクリーニング条件は、付着物５の材質によって異なるため、付着物ごとに実験などを行って予め確認し設定しておくことが好ましい。
【００４０】
上記第２の実施の形態によれば、半導体ウエハをプラズマエッチングした際に発生するプラズマ発光体によるプラズマ発光スペクトルをチャンバー１の壁面を通して取り込み、スペクトル検出器２により発光強度を検出する。この発光強度からプラズマ発光の透過量を算出し、その結果よりチャンバー１の内壁に付着した付着物５の厚さを比較的正確に測定し、この厚さから最適なクリーニング条件又はより適したクリーニング条件を判断することができる。このため、従来の半導体処理装置のように過剰なクリーニング条件でクリーニングを行うことがなく、最適なクリーニング条件又はより適したクリーニング条件でクリーニングを行うことができる。これにより、クリーニング時間、ガス供給量や印加電力などのロスを低減することができる。従って、クリーニングコストを低減することができ、装置の稼働率を向上させることができる。
【００４１】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、上記第１及び第２の施の形態では、本発明の半導体処理装置としてプラズマエッチング装置を用いているが、これに限定されるものではなく、プラズマを用いるものであれば他の半導体処理装置を用いることも可能である。
【００４２】
また、上記第１及び第２の実施の形態では、本発明の半導体処理方法としてプラズマエッチング加工処理を用いているが、これに限定されるものではなく、プラズマを用いる半導体処理であれば他の半導体処理方法を用いることも可能である。
【００４３】
また、上記第１及び第２の実施の形態では、半導体処理装置及び半導体処理方法について説明しているが、本発明はこれらに限定されるものではなく、前記半導体処理装置を用いて半導体処理を行うことにより半導体装置を製造することも可能であり、また、前記半導体処理方法を用いて半導体処理を行うことにより半導体装置を製造することも可能である。つまり、本発明に係る半導体装置は、前記半導体処理装置を用いて半導体処理が行われて製造されたものである。また、本発明に係る半導体装置は、前記半導体処理方法を用いて半導体処理が行われて製造されたものである。また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記半導体処理装置を用いて半導体処理を行う工程を有するものである。また、本発明に係る半導体処理装置は、前記半導体処理方法を用いて半導体処理を行う工程を有するものである。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、容器内のクリーニング時期をより適したものとすることにより装置の稼働率を向上させた半導体処理装置、半導体処理方法、半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
また、他の本発明によれば、容器内のクリーニング条件をより適したものとすることによりクリーニングコストを低減させた半導体処理装置、半導体処理方法、半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１の実施の形態による半導体処理装置の一例としてのプラズマエッチング装置を模式的に示す構成図である。
【図２】図１に示すスペクトル検出器で検出した発光強度とプラズマ処理時間との関係の一例を示す図である。
【符号の説明】
１…チャンバー　　　　　　　　　　２…スペクトル検出器
２ａ…取付け治具　　　　　　　　　３…反応生成物
４…制御部　　　　　　　　　　　　５…チャンバー内壁の付着物
【図１】
2004111692.tif 000003
【図２】
2004111692.tif 000004