(57)【要約】【課題】基板の搬送速度を増加させることなく処理液による基板の処理時間を確保することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】制御部は、搬送ローラにより基板を処理室に搬入する。次に、制御部は、処理室内の入口センサにより基板の後端が検知されたか否かを判別する。基板の後端が検知された場合、制御部は、基板の表面処理を実行する。基板の後端が検知されていない場合、制御部は、入口センサにより基板の後端が検知されるまで待機する。次に、制御部は、所定時間が経過したか否かを判別する。所定時間が経過した場合、制御部は、搬送ローラにより基板を搬出する。次に、制御部は、処理室内の出口センサにより基板の先端が検知されたか否かを判別する。基板の先端が検知された場合、制御部は、処理すべき次の基板があるか否かを判別する。処理すべき次の基板がない場合、作業が終了する。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する基板処理装置であって、
基板の搬入部および搬出部を有し、基板に処理を行う処理室と、
前記処理室に前記搬入部を通して基板を搬入および前記処理室から前記搬出部を通して基板を搬出する搬送手段と、
前記処理室内の前記搬出部の近傍の第１の位置において基板を検知する第１の検知手段と、
前記搬送手段による基板の搬送を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記処理室での基板の処理が終了した基板を前記搬送手段により前記処理室から搬出するとともに、前記第１の検知手段の出力に基づいて、前記処理室から搬出される基板の後端が前記第１の位置を通過するより前に、前記搬送手段により前記処理室への次の基板の搬入動作を開始させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記処理室から搬出される基板の前端が前記第１の位置に達すると同時または基板の前端が前記第１の位置を通過した後に、前記搬送手段により前記処理室への次の基板の搬入動作を開始させることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理室内の前記搬入部の近傍の第２の位置において基板を検知する第２の検知手段と、
前記処理室の前記搬入部の外部の第３の位置において基板を検知する第３の検知手段と、
前記処理室の前記搬出部の外部の第４の位置において基板を検知する第４の検知手段とをさらに備え、
前記制御手段は、前記第１の検知手段および前記第４の検知手段の出力に基づいて前記処理室から搬出される基板の搬送速度を検出するとともに、前記第３の検知手段および前記第２の検知手段の出力に基づいて前記処理室へ搬入される基板の搬送速度を検出し、検出結果に基づいて前記処理室から搬出される基板と前記処理室へ搬入される基板とが衝突するか否かを判別することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記処理室から搬出される基板と前記処理室へ搬入される基板とが衝突すると判別した場合に、前記搬送手段を停止させることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理室は、複数連なって設けられたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
基板を処理する基板処理方法であって、
処理室に搬入部を通して基板を搬入するステップと、
前記処理室内で基板に処理を行うステップと、
前記処理室から搬出部を通して基板を搬出するステップと、
前記処理室内の前記搬出部の近傍の第１の位置において基板を検知するステップと、
前記処理室から搬出される基板の後端が前記第１の位置を通過するより前に、前記処理室への次の基板の搬入動作を開始させるステップとを備えたことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板、半導体ウエハ等の基板に種々の処理を行うために基板処理装置が用いられる。
【０００３】
基板処理装置においては、例えば、複数の搬送ローラにより基板が処理室内へ順次搬入される。処理室内では、吐出ノズルから処理液が基板に吐出され、基板の表面に洗浄処理、現像処理、エッチング処理、剥離処理等のウエット処理が行われる。処理室内で所定時間の処理が終了すると、基板は搬送ローラにより処理室から搬出される。この場合、処理室での処理が終了した基板が処理室から搬出された後に次の基板が処理室内へ搬入されるように、基板の搬送タイミングが制御される（例えば、特許文献１参照）。それにより、前の基板と後の基板とが衝突することが防止される。
【０００４】
【特許文献１】
特許第２８２４０３１号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
近年、表示装置の大画面化に伴って基板の大サイズ化が進行している。上記の従来の基板処理装置では、基板の大サイズ化に伴って、基板の搬送時間が長くなる。それにより、一定のタクトタイムにおける基板の搬送時間の占める割合が大きくなり、処理液による基板の処理時間が短くなる。また、基板の厚さは非常に薄いものであるので、基板の搬送速度を上げると、基板の割れ等が生じる可能性がある。ここで、タクトタイムとは、基板を搬送ローラにより処理室に順次搬送して基板の処理を行う基板処理装置において、処理室で基板処理動作を開始してから次に同一の処理室で同一の基板処理動作を開始するまでの時間をいう。
【０００６】
そのため、一定の処理時間を確保するために、１つの処理を複数の処理室に分けて行う必要が生じる。それにより、複数の処理室の設置場所を確保する必要が生じるとともに、処理コストが上昇する。
【０００７】
本発明の目的は、基板の搬送速度を増加させることなく処理液による基板の処理時間を確保することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
本発明に係る基板処理装置は、基板を処理する基板処理装置であって、基板の搬入部および搬出部を有し、基板に処理を行う処理室と、処理室に搬入部を通して基板を搬入および処理室から搬出部を通して基板を搬出する搬送手段と、処理室内の搬出部の近傍の第１の位置において基板を検知する第１の検知手段と、搬送手段による基板の搬送を制御する制御手段とを備え、制御手段は、処理室での基板の処理が終了した基板を搬送手段により処理室から搬出するとともに、第１の検知手段の出力に基づいて、処理室から搬出される基板の後端が第１の位置を通過するより前に、搬送手段により処理室への次の基板の搬入動作を開始させるものである。
【０００９】
本発明に係る基板処理装置においては、搬送手段により処理室に搬入部を通して基板が搬入され、処理室内で基板に処理が行われる。処理の終了後、搬送手段により処理室から搬出部を通して基板が搬出される。その際に、処理室内の搬出部の近傍の第１の位置において第１の検知手段により基板が検知される。制御手段により、第１の検知手段の出力に基づいて、処理室から搬出される基板の後端が第１の位置を通過するより前に、処理室への次の基板の搬入動作が開始される。
【００１０】
このように、処理室から処理された基板の全体が搬出される前に処理室への次の基板の搬入動作が開始されるので、予め定められたタクトタイムにおいて基板の搬送時間が占める割合が低くなる。それにより、処理室内で十分な処理時間を確保することができる。
【００１１】
制御手段は、処理室から搬出される基板の前端が第１の位置に達すると同時または基板の前端が第１の位置を通過した後に、搬送手段により処理室への次の基板の搬入動作を開始させてもよい。
【００１２】
この場合、処理室から搬出される基板の前端が第１の位置に達すると同時または基板の前端が第１の位置を通過した後に、処理室への次の基板の搬入動作が開始されるので、タクトタイムにおいて基板の搬送時間が占める割合がさらに低くなる。それにより、処理室内でさらに十分な処理時間を確保することができる。
【００１３】
処理室内の搬入部の近傍の第２の位置において基板を検知する第２の検知手段と、処理室の搬入部の外部の第３の位置において基板を検知する第３の検知手段と、処理室の搬出部の外部の第４の位置において基板を検知する第４の検知手段とをさらに備え、制御手段は、第１の検知手段および第４の検知手段の出力に基づいて処理室から搬出される基板の搬送速度を検出するとともに、第３の検知手段および第２の検知手段の出力に基づいて処理室へ搬入される基板の搬送速度を検出し、検出結果に基づいて処理室から搬出される基板と処理室へ搬入される基板とが衝突するか否かを判別するものである。
【００１４】
この場合、処理室から搬出される基板の搬送速度および処理室へ搬入される基板の搬送速度の検出結果に基づいて処理室から搬出される基板と処理室へ搬入される基板とが衝突するか否かが判別されるので、搬送速度の誤差により前後の基板が衝突することを回避することが可能となる。
【００１５】
制御手段は、処理室から搬出される基板と処理室へ搬入される基板とが衝突すると判別した場合に、搬送手段を停止させてもよい。
【００１６】
この場合、処理室から搬出される基板と処理室へ搬入される基板とが衝突すると判別された場合に、搬送手段を停止されるので、搬送速度の誤差により前後の基板が衝突することを確実に防止することができる。
【００１７】
処理室は、複数連なって設けられてもよい。この場合、複数の処理室で連続的に基板に処理が行われる際に各処理室内で十分な処理時間を確保することができる。
【００１８】
基板を処理する基板処理方法であって、処理室に搬入部を通して基板を搬入するステップと、処理室内で基板に処理を行うステップと、処理室から搬出部を通して基板を搬出するステップと、処理室内の搬出部の近傍の第１の位置において基板を検知するステップと、処理室から搬出される基板の後端が第１の位置を通過するより前に、処理室への次の基板の搬入動作を開始させるステップとを備えたものである。
【００１９】
本発明に係る基板処理方法によれば、処理室に搬入部を通して基板が搬入され、処理室内で基板に処理が行われる。処理の終了後、処理室から搬出部を通して基板が搬出される。その際に、処理室内の搬出部の近傍の第１の位置において基板が検知される。処理室から搬出される基板の後端が第１の位置を通過するより前に、処理室への次の基板の搬入動作が開始される。
【００２０】
このように、処理室から処理された基板の全体が搬出される前に処理室への次の基板の搬入動作が開始されるので、予め定められたタクトタイムにおいて基板の搬送時間が占める割合が低くなる。それにより、処理室内で十分な処理時間を確保することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について、図面を参照しながら説明する。
【００２２】
図１は本発明の一実施の形態に係る基板処理装置１００を示す概略模式図である。
【００２３】
ここで、基板とは、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、半導体ウエハ等をいう。図１に示すように、基板処理装置１００は、処理室１ａ，１ｂ，１ｃを有する。処理室１ａ，１ｂ，１ｃは、順に隣接するように設けられている。また、処理室１ａ，１ｂ，１ｃ内の下方には複数の搬送ローラＲが互いに平行に設けられている。各搬送ローラＲは、回転自在に軸支されている。複数の搬送ローラＲは、搬送ローラ駆動部３により回転する。これらの搬送ローラＲによって基板Ｗが矢印Ｘの方向に搬送されるとともに、基板Ｗの処理室１ａ，１ｂ，１ｃ内への搬入および処理室１ａ，１ｂ，１ｃ外への搬出が行われる。
【００２４】
処理室１ｂ内の上方には、シャワーパイプ５が設けられている。シャワーパイプ５は、配管を介して処理室１ｂ外に設けられた処理液を貯留する貯留タンク（図示せず）と接続されている。シャワーパイプ５の下部には、基板Ｗの表面に処理液を供給する複数のスプレーノズル４が設けられている。処理液は、例えばエッチング液、現像液、洗浄液などである。
【００２５】
また、処理室１ｂ内の入口付近の搬送ローラＲの上方には液ナイフ６が設けられ、出口付近の搬送ローラＲの上方および下方にはエアーナイフ７が設けられている。液ナイフ６は、処理室１ｂ内における急激な処理液の吐出により基板Ｗ上の処理液にむらが生じることを防止するために用いられる。エアーナイフ７は、基板Ｗ上の処理液を吹き飛ばすために用いられる。
【００２６】
なお、本実施の形態においては、処理室１ａおよび処理室１ｂは、シャワーパイプ５の代わりに他の処理を行うための処理機構（図示せず）を有する。
【００２７】
各処理室１ａ，１ｂ，１ｃの入口付近には、それぞれ入口センサＳＩ１，ＳＩ２，ＳＩ３が設けられている。また、各処理室１ａ，１ｂ，１ｃの出口付近には、それぞれ出口センサＳＯ１，ＳＯ２，ＳＯ３が設けられている。
【００２８】
各入口センサＳＩ１，ＳＩ２，ＳＩ３および各出口センサＳＯ１，ＳＯ２，ＳＯ３は、基板Ｗの通過を検知するとともに、処理液がスプレーノズル４から吐出される際における基板Ｗの往復動範囲を定めている。
【００２９】
なお、本実施の形態においては、入口センサＳＩ１，ＳＩ２，ＳＩ３および出口センサＳＯ１，ＳＯ２，ＳＯ３は、タッチセンサ等の接触式のセンサからなるが、これに限定されず光電スイッチ等の光学式センサ等の他のセンサを用いてもよい。
【００３０】
図２は本実施の形態に係る基板処理装置１００における制御系の構成を示すブロック図である。
【００３１】
図２に示すように、制御部１０は、入口センサＳＩ１，ＳＩ２，ＳＩ３および出口センサＳＯ１，ＳＯ２，ＳＯ３により出力される基板Ｗの検知信号を受け取る。制御部１０は、搬送ローラ駆動部３を制御する。それにより、搬送ローラＲにより基板Ｗが搬送されるとともに、各処理室１ａ，１ｂ，１ｃへの基板Ｗの搬入および各処理室１ａ，１ｂ，１ｃからの基板Ｗの搬出が行われる。また、処理液による処理中に各処理室１ａ，１ｂ，１ｃ内で基板Ｗが往復動範囲内で矢印Ｘの方向およびその逆方向に繰り返し往復動する。
【００３２】
また、制御部１０は、スプレーノズル駆動部１１を制御する。それにより、スプレーノズル４が繰り返し揺動する。さらに、制御部１０は、処理液供給部１２を制御する。それにより、処理液がスプレーノズル４に供給される。また、制御部１０は、液ナイフ６およびエアーナイフ７を制御する。
【００３３】
次に、本実施の形態に係る基板処理装置１００における制御部１０の制御動作について図３から図５に基づき説明する。ここでは、処理室１ｂにおける基板の表面処理について説明する。
【００３４】
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、処理室１ｂの出口センサＳＯ２が搬出される基板Ｗの後端を検知する時点より前でかつ出口センサＳＯ２が搬出される基板Ｗの前端を検出する時点以後に次の基板Ｗの搬入動作を開始するように制御部１０が搬送ローラＲを制御する。最大限の基板Ｗの表面処理時間を確保できるのは、出口センサＳＯ２が搬出される基板Ｗの先端を検知したと同時に、次の基板Ｗの搬入動作を開始される場合であるので、以下はこの場合について説明する。
【００３５】
図３は本実施の形態に係る基板処理装置１００における制御部１０の制御動作の一例を示すフローチャートである。
【００３６】
図３に示すように、初めに、制御部１０は、搬送ローラＲにより基板Ｗを処理室１ｂに搬入する（ステップＳ１）。
【００３７】
次に、制御部１０は、処理室１ｂ内の入口センサＳＩ２により基板Ｗの後端が検知されたか否かを判別する（ステップＳ２）。基板Ｗの後端が検知されていない場合、制御部１０は、入口センサＳＩ２により基板Ｗの後端が検知されるまで待機する。基板Ｗの後端が検知された場合、制御部１０は、処理液による基板Ｗの表面処理を実行する（ステップＳ３）。処理液による基板Ｗの表面処理では、基板Ｗを入力センサＳＩ２から出力センサＳＯ２までの往復動範囲を往復動させつつスプレーノズル４から処理液を吐出する。
【００３８】
次に、制御部１０は、所定時間が経過したか否かを判別する（ステップＳ４）。所定時間が経過していない場合、ステップＳ３に戻り基板Ｗの表面処理を続ける。所定時間が経過した場合、制御部１０は、搬送ローラＲにより基板Ｗを搬出する（ステップＳ５）。
【００３９】
次に、制御部１０は、処理室１ｂ内の出口センサＳＯ２により基板Ｗの先端が検知されたか否かを判別する（ステップＳ６）。基板Ｗの先端が検知されていない場合、制御部１０は、出口センサＳＯ２により基板Ｗの先端が検知されるまで待機する。
【００４０】
基板Ｗの先端が検知された場合、制御部１０は、処理すべき次の基板Ｗがあるか否かを判別する（ステップＳ７）。処理すべき次の基板Ｗがない場合、作業が終了する。処理すべき次の基板Ｗがある場合、制御部１０は、搬送ローラＲにより次の基板Ｗを搬入する（ステップＳ８）。
【００４１】
次に、制御部１０は、入口センサＳＩ２により所定時間内に次の基板Ｗの先端が検知されたか否かを判別する（ステップＳ９）。所定時間内に次の基板Ｗの先端が検知された場合、ステップＳ２に戻りステップＳ２〜Ｓ９の処理を繰り返す。所定時間内に次の基板Ｗの先端が検知されていない場合、制御部１０は、作業を中止する（ステップＳ１０）。
【００４２】
なお、本例においては、制御部１０によって入口センサＳＩ２により基板Ｗの後端が検知されると同時に処理液による基板Ｗの表面処理が行われ、所定時間の表面処理が行われた後、基板Ｗは搬送ローラＲにより搬出されるよう制御している。すなわち、基板Ｗの搬送の際には処理液は吐出されていないが、これに限定されるものではなく、タクトタイム内で処理液を継続的に吐出することにより、基板Ｗの搬入および搬出時においても基板Ｗの表面処理を行えるよう処理液の吐出を制御してもよい。それにより、基板Ｗの表面処理の時間を増やすことができる。
【００４３】
図４は本実施の形態に係る基板処理装置１００による基板の表面処理時間の算出の一例を示す模式図である。図５は図４の比較例として従来の基板処理装置１００による基板の表面処理時間の算出例を示す模式図である。
【００４４】
図４に示すように、縦軸は時間（秒）を示し、横軸は搬送方向の位置を示す。本例では、基板Ｗ１，Ｗ２の長さは１８００ｍｍである。また、各処理室１ａ，１ｂ内の入口センサＳＩ１，ＳＩ２と出口センサＳＯ１，ＳＯ２との距離は２１００ｍｍである。さらに、出口センサＳＯ１と入口センサＳＩ２との距離は５００ｍｍである。なお、基板Ｗ１，Ｗ２の搬送速度は２００ｍｍ／秒である。また、タクトタイムは５０秒である。
【００４５】
ここで、基板Ｗ１は先行する基板（前の基板）であり、基板Ｗ２は後続する基板（後の基板）である。
【００４６】
初めに、基板Ｗ１の後端Ｐ２は、時間０秒で入口センサＳＩ１の位置にある。この基板Ｗ１の後端Ｐ２が、処理室１ｂ内の入口センサＳＩ２に到達する時間は１３秒である。すなわち、時間１３秒で処理室１ｂ内への基板Ｗ１搬入が終了し、時間１３秒経過以降は処理液による基板Ｗ１の表面処理が行われる。
【００４７】
次に、タクトタイムが５０秒であるので、次の基板Ｗ２の後端Ｐ２は、５０秒後に処理室１ａの入口センサＳＩ１の位置にある。この基板Ｗ２の処理室１ｂ内への搬入動作が開始されるためには、処理室１ｂの出口センサＳＯ２により処理液による基板の表面処理が終了した基板Ｗ１の先端Ｐ１が検知される必要がある。すなわち、基板Ｗ１の先端Ｐ１が出口センサＳＯ２により検知される時間は、基板Ｗ２の搬入動作が開始される時間である５０秒である。
【００４８】
基板Ｗ１は、その搬送速度が２００ｍｍ／秒であることより時間４８．５秒で処理室１ｂからの搬出動作が開始される。すなわち、時間４８．５秒で処理液による基板Ｗ１の表面処理が終了する。
【００４９】
以上のことから、基板Ｗ１の表面処理時間は４８．５秒から１３秒を差し引いた３５．５秒ということになる。
【００５０】
図５の比較例では、次の基板Ｗ２の搬入動作の開始が、処理液による表面処理が終了した基板Ｗ１の搬出動作が開始された後、出口センサＳＯ２により基板Ｗ１の後端Ｐ２が検知された時点である。
【００５１】
図４に示す算出方法と同様に、基板Ｗ１は、その搬送速度が２００ｍｍ／秒であることより時間３９．５秒で処理室１ｂからの搬出動作が開始される。すなわち、時間３９．５秒で処理液による基板の表面処理が終了する。
【００５２】
以上のことから、基板Ｗ１の表面処理時間は３９．５秒から１３秒を差し引いた２６．５秒ということになる。
【００５３】
ここで、１枚の基板Ｗに必要な表面処理時間を６０秒とする。従来の基板処理装置では、１つの処理室１ｂにおける基板Ｗの表面処理時間は２６．５秒である。したがって、３つの処理室１ｂが必要となる。一方、本実施の形態に係る基板処理装置１００では、１つの処理室１ｂにおける基板の表面処理時間は３５．５秒である。したがって、２つの処理室１ｂは２槽で足りる。
【００５４】
このように、処理室１ｂにおける基板Ｗの表面処理時間を増加させることができるので、基板Ｗの表面処理のために用いる処理室１ｂの数を削減することができ、これに伴い処理コストを低減することができる。
【００５５】
なお、本算出例においては、基板Ｗ１および基板Ｗ２の搬送速度を２００ｍｍ／秒とし、タクトタイムを５０秒としたが、これに限定されるものではなく、基板の種類および基板処理の種類によって適宜設定されてもよい。
【００５６】
次に、各々の搬送ローラＲの搬送速度に誤差が生じた場合に処理室１ｂ内における前の基板Ｗと後の基板Ｗとの衝突を防止する方法について説明する。
【００５７】
図６は本実施の形態に係る基板処理装置１００における制御部１０による基板Ｗの衝突防止処理を示すフローチャートである。
【００５８】
図６に示すように、制御部１０は、初めに、処理室１ｂの出口センサＳＯ２が前の基板Ｗの先端を検知するタイミングと処理室１ｃの入口センサＳＩ３が前の基板Ｗの先端を検知するタイミングとから前の基板Ｗの搬送速度を算出する（ステップＳ２１）。
【００５９】
次に、制御部１０は、処理室１ａの出口センサＳＯ１が後の基板Ｗの先端を検知するタイミングと処理室１ｂの入口センサＳＩ２が後の基板Ｗの先端を検知するタイミングとから後の基板Ｗの搬送速度を算出する（ステップＳ２２）。
【００６０】
次に、制御部１０は、前の基板Ｗの搬送速度と後の基板Ｗの搬送速度とに基づいて、後の基板Ｗが前の基板Ｗに衝突する位置を検出する（ステップＳ２３）。
【００６１】
さらに、制御部１０は、検知した衝突する位置が処理室１ｂ内にあるか否かを判別する（ステップＳ２４）。衝突する位置が処理室１ｂ内にある場合、制御部１０は、搬送ローラＲによる搬送を停止する（ステップＳ２５）。
【００６２】
衝突する位置が処理室１ｂ内にない場合、制御部１０は、処理すべき次の基板Ｗがあるか否かを判別する（ステップＳ２６）。処理すべき次の基板Ｗがない場合、制御部１０は、衝突防止処理を終了する。処理すべき次の基板Ｗがある場合、ステップＳ２１に戻りステップＳ２１〜Ｓ２６の処理を繰り返す。
【００６３】
このようにして、搬送ローラＲの搬送速度に誤差が生じた場合でも、制御部１０による衝突防止処理により前の基板Ｗと後の基板Ｗとが処理室１ｂ内で衝突することを防止することができる。それにより、基板搬送の安全性を確保することができる。
【００６４】
なお、上記の例では、処理室１ｂの出口センサＳＯ２が前の基板Ｗの先端を検知したと同時に処理室１ｂへの後の基板Ｗの搬入動作を開始させる場合を説明したが、処理室１ｂの出口センサＳＯ２が前の基板Ｗの先端を検知する時点より後に、または処理室１ｂの出口センサＳＯ２が基板Ｗの後端を検知する時点より前に処理室１ｂへの後の基板Ｗの搬入動作を開始させてもよい。
【００６５】
本実施の形態においては、搬送ローラ駆動部３が搬送手段に相当し、制御部１０が制御手段に相当し、出口センサＳＯ２が第１の検知手段に相当し、入口センサＳＩ２が第２の検知手段に相当し、出口センサＳＯ１が第３の検知手段に相当し、入口センサＳＩ３が第４の検知手段に相当する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置を示す概略模式図である。
【図２】本実施の形態に係る基板処理装置における制御系の構成を示すブロック図である。
【図３】本実施の形態に係る基板処理装置における制御部の制御動作の一例を示すフローチャートである。
【図４】本実施の形態に係る基板処理装置による基板の表面処理時間の算出の一例を示す模式図である。
【図５】図４の比較例として従来の基板処理装置による基板の表面処理時間の算出例を示す模式図である。
【図６】本実施の形態に係る基板処理装置における制御部による基板の衝突防止処理を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１ａ，１ｂ，１ｃ  処理室
３  搬送ローラ駆動部
１０  制御部
１００  基板処理装置
Ｒ  搬送ローラ
ＳＩ１，ＳＩ２，ＳＩ３  入口センサ
ＳＯ１，ＳＯ２，ＳＯ３  出口センサ
Ｗ  基板
【図１】
2004288746.tif 000003
【図２】
2004288746.tif 000004
【図３】
2004288746.tif 000005
【図４】
2004288746.tif 000006
【図５】
2004288746.tif 000007
【図６】
2004288746.tif 000008