(57)【要約】【課題】共通の磁気ヘッドで記録フォーマットの異なる光磁気記録媒体に対応する。【解決手段】Ｈブリッジ回路４０が備える、電源側に接続される第１及び第２のスイッチング部、並びにグラウンド側に接続される第３及び第４のスイッチング部を、上記変調信号に基づいてオン・オフさせると共に、同一極性の変調磁界の印加時において、上記電源側に接続される上記第１及び第２のスイッチング部を、書き込み最短繰り返し周波数と、磁気ヘッド１３を含めた上記Ｈブリッジ回路４０の回路特性とによって決まるデューティ比でオン・オフさせてチョッパ制御をする制御部５０を備えることで実現する。【選択図】  図３
2004288244.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光磁気記録媒体に所定の変調方式により変調された変調信号に基づいた変調磁界を印加する磁気ヘッドに対して、上記変調磁界を生成する際の駆動電流を供給する第１乃至第４のスイッチング手段を有するＨブリッジ回路を備えた磁気ヘッド駆動回路において、
電源側に接続される第１及び第２のスイッチング手段、並びにグラウンド側に接続される第３及び第４のスイッチング手段を、上記変調信号に基づいてオン・オフさせると共に、
同一極性の上記変調磁界の印加時において、上記電源側に接続される上記第１及び第２のスイッチング手段を、書き込み最短繰り返し周波数と、上記磁気ヘッドを含めた上記Ｈブリッジ回路の回路特性とによって決まるデューティ比でオン・オフさせてチョッパ制御をする制御手段を備えること
を特徴とする磁気ヘッド駆動回路。
【請求項２】
上記制御手段は、上記チョッパ制御を開始するタイミングを、印加された上記変調磁界の極性が切り替わってから、上記書き込み最短繰り返し周波数と、上記磁気ヘッドを含めた上記Ｈブリッジ回路の回路特性とによって決まる遅延時間だけ遅らせるように制御すること
を特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド駆動回路。
【請求項３】
上記制御手段は、上記光磁気記録媒体を光磁気記録する際に、レーザ光のレーザパワーをＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルに切り替える切り替え信号に同期して、上記Ｈブリッジ回路の動作を開始させること
を特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド駆動回路。
【請求項４】
上記電源側に接続される第１及び第２のスイッチング手段に印加する第１の電圧と、上記グラウンド側に接続される第３及び第４のスイッチング手段に印加する第２の電圧とをそれぞれ独立に供給する電源供給手段を備えること
を特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド駆動回路。
【請求項５】
光磁気記録媒体に所定の変調方式により変調された変調信号に基づいた変調磁界を印加する磁気ヘッドに対して、上記変調磁界を生成する際の駆動電流を供給する第１乃至第４のスイッチング手段を有するＨブリッジ回路を備えた磁気ヘッド駆動回路において、
電源側に接続される第１及び第２のスイッチング手段、並びにグラウンド側に接続される第３及び第４のスイッチング手段を、上記変調信号に基づいてオン・オフさせると共に、
同一極性の上記変調磁界の印加時において、上記電源側に接続される上記第１及び第２のスイッチング手段を、書き込み最短繰り返し周波数と、上記磁気ヘッドを含めた上記Ｈブリッジ回路の回路特性とによって決まるデューティ比でオン・オフさせてチョッパ制御をし、
さらに、上記チョッパ制御を開始するタイミングを、印加された上記変調磁界の極性が切り替わってから、上記書き込み最短繰り返し周波数と、上記磁気ヘッドを含めた上記Ｈブリッジ回路の回路特性とによって決まる遅延時間だけ遅らせるように制御する制御手段とを備えること
を特徴とする磁気ヘッド駆動回路。
【請求項６】
光磁気記録媒体に所定の変調方式により変調された変調信号に基づいた変調磁界を印加する磁気ヘッドに対して、上記変調磁界を生成する際の駆動電流を供給する第１乃至第４のスイッチング手段を有するＨブリッジ回路を備えた磁気ヘッド駆動回路の磁気ヘッド駆動制御方法において、
電源側に接続される第１及び第２のスイッチング手段、並びにグラウンド側に接続される第３及び第４のスイッチング手段を、上記変調信号に基づいてオン・オフさせると共に、
同一極性の上記変調磁界の印加時において、上記電源側に接続される上記第１及び第２のスイッチング手段を、書き込み最短繰り返し周波数と、上記磁気ヘッドを含めた上記Ｈブリッジ回路の回路特性とによって決まるデューティ比でオン・オフさせてチョッパ制御をする制御工程を備えること
を特徴とする磁気ヘッド駆動制御方法。
【請求項７】
上記制御工程は、上記チョッパ制御を開始するタイミングを、印加された上記変調磁界の極性が切り替わってから、上記書き込み最短繰り返し周波数と、上記磁気ヘッドを含めた上記Ｈブリッジ回路の回路特性とによって決まる遅延時間だけ遅らせるように制御することを
を特徴とする請求項６記載の磁気ヘッド駆動制御方法。
【請求項８】
上記制御工程は、上記光磁気記録媒体を光磁気記録する際に、レーザ光のレーザパワーをＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルに切り替える切り替え信号に同期して、上記Ｈブリッジ回路の動作を開始させること
を特徴とする請求項６記載の磁気ヘッド駆動制御方法。
【請求項９】
上記電源側に接続される第１及び第２のスイッチング手段に印加する第１の電圧と、上記グラウンド側に接続される第３及び第４のスイッチング手段に印加する第２の電圧とをそれぞれ独立に供給する電源供給工程を備えること
を特徴とする請求項６記載の磁気ヘッド駆動制御方法。
【請求項１０】
光磁気記録媒体に所定の変調方式により変調された変調信号に基づいた変調磁界を印加する磁気ヘッドに対して、上記変調磁界を生成する際の駆動電流を供給する第１乃至第４のスイッチング手段を有するＨブリッジ回路を備えた磁気ヘッド駆動回路の磁気ヘッド駆動制御方法において、
電源側に接続される第１及び第２のスイッチング手段、並びにグラウンド側に接続される第３及び第４のスイッチング手段を、上記変調信号に基づいてオン・オフさせると共に、
同一極性の上記変調磁界の印加時において、上記電源側に接続される上記第１及び第２のスイッチング手段を、書き込み最短繰り返し周波数と、上記磁気ヘッドを含めた上記Ｈブリッジ回路の回路特性とによって決まるデューティ比でオン・オフさせてチョッパ制御をし、
さらに、上記チョッパ制御を開始するタイミングを、印加された上記変調磁界の極性が切り替わってから、上記書き込み最短繰り返し周波数と、上記磁気ヘッドを含めた上記Ｈブリッジ回路の回路特性とによって決まる遅延時間だけ遅らせるように制御する制御工程とを備えること
を特徴とする磁気ヘッド駆動制御方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気記録媒体に情報を記録する光磁気記録に関するものであり、詳しくは、光磁気記録時に上記光磁気記録媒体に磁界を印加する磁気ヘッドを駆動させる磁気ヘッド駆動回路及び磁気ヘッド駆動制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
情報記録媒体である光磁気ディスクに、光磁気記録方式により情報を記録させたり、記録させた情報を再生するディスクドライブ装置がある。
【０００３】
このようなディスクドライブ装置が採用する光磁気記録方式では、まず、キュリー温度以上のレーザ光を光磁気ディスクに照射する。さらに、記録させる情報を所定の変調方法で変調した変調信号に基づいて磁気ヘッドから、光磁気ディスクの磁性体膜上に磁界を印加することで、磁化された記録マークを形成し、情報を記録している。
【０００４】
この光磁気記録方式によって、記録マークが形成された光磁気ディスクは、磁気光学効果を利用することで記録マークとして記録された情報を再生することができる。
【０００５】
特に、ＭＤ（ミニディスク：登録商標）方式では、光磁気ディスクに情報を記録する際には、一定のレーザパワーを照射し、変調信号に基づいてリアルタイムに磁界を変化させる磁界変調方式が採用されている。
【０００６】
ところで、このようなディスクドライブ装置では、情報を記録させる光磁気ディスクの情報記録容量（以下、単に記録容量とも呼ぶ。）を増加させることが考案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】
特開平１３−０４３５７８号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、光磁気ディスクの記録容量を増加させるには、媒体そのものを高密度記録可能な媒体にする他に、例えば、冗長度の低い誤り訂正方式や、新たな変調方式を適用するなどして、記録フォーマットを変更することで可能となる。
【０００８】
ところが、記録フォーマットが異なると、磁気ヘッドで発生させる必要記録磁界、周波数特性及び、磁気ヘッドの駆動回路に印加する電圧なども変更する必要があるため、記録フォーマットそれぞれに対応した磁気ヘッド駆動回路が必要となってしまう。このように、記録フォーマット毎の磁気ヘッド駆動回路が要求されると、それを搭載するディスクドライブ装置は、大型化し、コストの増加を生じさせてしまうといった問題がある。
【０００９】
また、異なる記録フォーマット毎に、それに対応した磁気ヘッド駆動回路を搭載したディスクドライブ装置を作製することも考えられるが、ユーザは、記録フォーマットが異なる光磁気ディスクを使用するたびに、使用するディスクドライブ装置を替える必要があるため、利便性を大幅に低下させてしまうといった問題がある。
【００１０】
そこで、本発明は上述したような問題を解決するために案出されたものであり、記録フォーマットの異なる光磁気ディスクへの情報記録に対応した共通の磁気ヘッドを駆動させる磁気ヘッド駆動回路及び磁気ヘッド駆動制御方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明に係る磁気ヘッド駆動回路は、光磁気記録媒体に所定の変調方式により変調された変調信号に基づいた変調磁界を印加する磁気ヘッドに対して、上記変調磁界を生成する際の駆動電流を供給する第１乃至第４のスイッチング手段を有するＨブリッジ回路を備えた磁気ヘッド駆動回路において、電源側に接続される第１及び第２のスイッチング手段、並びにグラウンド側に接続される第３及び第４のスイッチング手段を、上記変調信号に基づいてオン・オフさせると共に、同一極性の上記変調磁界の印加時において、上記電源側に接続される上記第１及び第２のスイッチング手段を、書き込み最短繰り返し周波数と、上記磁気ヘッドを含めた上記Ｈブリッジ回路の回路特性とによって決まるデューティ比でオン・オフさせてチョッパ制御をする制御手段を備えることを特徴とする。
【００１２】
上述の目的を達成するために、本発明に係る磁気ヘッド駆動回路は、光磁気記録媒体に所定の変調方式により変調された変調信号に基づいた変調磁界を印加する磁気ヘッドに対して、上記変調磁界を生成する際の駆動電流を供給する第１乃至第４のスイッチング手段を有するＨブリッジ回路を備えた磁気ヘッド駆動回路において、電源側に接続される第１及び第２のスイッチング手段、並びにグラウンド側に接続される第３及び第４のスイッチング手段を、上記変調信号に基づいてオン・オフさせると共に、同一極性の上記変調磁界の印加時において、上記電源側に接続される上記第１及び第２のスイッチング手段を、書き込み最短繰り返し周波数と、上記磁気ヘッドを含めた上記Ｈブリッジ回路の回路特性とによって決まるデューティ比でオン・オフさせてチョッパ制御をし、さらに、上記チョッパ制御を開始するタイミングを、印加された上記変調磁界の極性が切り替わってから、上記書き込み最短繰り返し周波数と、上記磁気ヘッドを含めた上記Ｈブリッジ回路の回路特性とによって決まる遅延時間だけ遅らせるように制御する制御手段とを備えることを特徴とする。
【００１３】
上述の目的を達成するために、本発明に係る磁気ヘッド駆動制御方法は、光磁気記録媒体に所定の変調方式により変調された変調信号に基づいた変調磁界を印加する磁気ヘッドに対して、上記変調磁界を生成する際の駆動電流を供給する第１乃至第４のスイッチング手段を有するＨブリッジ回路を備えた磁気ヘッド駆動回路の磁気ヘッド駆動制御方法において、電源側に接続される第１及び第２のスイッチング手段、並びにグラウンド側に接続される第３及び第４のスイッチング手段を、上記変調信号に基づいてオン・オフさせると共に、同一極性の上記変調磁界の印加時において、上記電源側に接続される上記第１及び第２のスイッチング手段を、書き込み最短繰り返し周波数と、上記磁気ヘッドを含めた上記Ｈブリッジ回路の回路特性とによって決まるデューティ比でオン・オフさせてチョッパ制御をする制御工程を備えることを特徴とする。
【００１４】
上述の目的を達成するために、本発明に係る磁気ヘッド駆動制御方法は、光磁気記録媒体に所定の変調方式により変調された変調信号に基づいた変調磁界を印加する磁気ヘッドに対して、上記変調磁界を生成する際の駆動電流を供給する第１乃至第４のスイッチング手段を有するＨブリッジ回路を備えた磁気ヘッド駆動回路の磁気ヘッド駆動制御方法において、電源側に接続される第１及び第２のスイッチング手段、並びにグラウンド側に接続される第３及び第４のスイッチング手段を、上記変調信号に基づいてオン・オフさせると共に、同一極性の上記変調磁界の印加時において、上記電源側に接続される上記第１及び第２のスイッチング手段を、書き込み最短繰り返し周波数と、上記磁気ヘッドを含めた上記Ｈブリッジ回路の回路特性とによって決まるデューティ比でオン・オフさせてチョッパ制御をし、さらに、上記チョッパ制御を開始するタイミングを、印加された上記変調磁界の極性が切り替わってから、上記書き込み最短繰り返し周波数と、上記磁気ヘッドを含めた上記Ｈブリッジ回路の回路特性とによって決まる遅延時間だけ遅らせるように制御する制御工程とを備えることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る磁気ヘッド駆動回路及び磁気ヘッド駆動制御方法の実施の形態を図面を参照にして詳細に説明する。
【００１６】
本実施の形態として示すディスクドライブ装置は、従来の光磁気記録方式として採用したディスク状の光磁気記録媒体に対して、この光磁気記録媒体の記録再生方式として通常用いられている記録フォーマットとは異なる信号方式を適用することによって、従来の光磁気記録媒体の記録容量を増加することを実現したものである。さらに、高密度記録技術及び新規ファイルシステムを適用することによって、従来の光磁気記録媒体と筐体外形及び記録再生光学系に互換性を有しつつ、記録容量を飛躍的に増加することを可能にした記録形式を提供するものである。
【００１７】
また、本実施の形態では、ディスク状の光磁気記録媒体として、ミニディスク（登録商標）方式の記録媒体に適用した場合に関して説明をする。ここでは、特に通常用いられる変復調記録方式とは異なる方式を適用することによって、従来の光磁気記録媒体を用いて、その記録容量を増加することを実現したディスクを「次世代ＭＤ１」とし、高密度記録可能な新規記録媒体に対して新規変復調記録方式を適用することにより、記録容量の増加を実現したディスクを「次世代ＭＤ２」として説明をする。
【００１８】
以下では、次世代ディスクＭＤ１及び次世代ディスクＭＤ２との仕様例を説明する。
【００１９】
１．ディスクの仕様
まず、従来のミニディスク、次世代ＭＤ１及び次世代ＭＤ２の仕様について、図１を用いて説明をする。ミニディスク（及びＭＤ−ＤＡＴＡ）の物理フォーマットは、以下のように定められている。トラックピッチは、１．６μｍ、ピット長は、０．５９μｍ／ｂｉｔとなる。また、レーザ波長λは、λ＝７８０ｎｍであり、光学ヘッドの開口率は、ＮＡ＝０．４５としている。記録方式としては、グルーブ（ディスク盤面上の溝）をトラックとして記録再生に用いるグルーブ記録方式を採用している。また、アドレス方式としては、ディスク盤面上にシングルスパイラルのグルーブを形成し、このグルーブの両端に対して所定の周波数（２２．０５ＫＨｚ）で蛇行したウォブル（Ｗｏｂｂｌｅ）を形成し、絶対アドレスを上記周波数を基準にＦＭ変調してウォブルドグルーブトラックに記録する方式を採っている。なお、本実施の形態では、ウォブルとして記録される絶対アドレスをＡＤＩＰ（Ａｄｄｒｅｓｓ  Ｉｎ  Ｐｒｅ−ｇｒｏｏｖｅ）ともいう。
【００２０】
従来のミニディスクでは、メインデータ部である３２セクタにリンクセクタである４セクタを付加して合計３６セクタを１クラスタ単位として記録を行っている。上記ＡＤＩＰ信号は、クラスタアドレス、セクタアドレスから構成される。上記クラスタアドレスは、８ビットのクラスタＨと、８ビットのクラスタＬとから構成され、セクタアドレスは、４ビットのセクタから構成される。
【００２１】
記録データの変調方式としてＥＦＭ（８−１４変換）変調方式が採用されている。また、誤り訂正方式としてはＡＣＩＲＣ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｃｒｏｓｓ  Ｉｎｔｅｒｌｅａｖｅ  Ｒｅｅｄ−Ｓｏｌｏｍｏｎ  Ｃｏｄｅ）を用いている。データインタリーブには、畳み込み型を採用している。これにより、データの冗長度は、４６．３％となっている。
【００２２】
また、データの検出方式は、ビットバイビット方式であって、ディスク駆動方式としては、ＣＬＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ｌｉｎｅａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）が採用されている。ＣＬＶの線速度は、１．２ｍ／ｓである。
【００２３】
記録再生時の標準のデータレートは、１３３ＫＢ／ｓ、記録容量は、１６４ＭＢ（ＭＤ−ＤＡＴＡでは、１４０ＭＢ）、セクタサイズは、２３３２Ｂ（ＭＤ−ＤＡＴＡでは２０４８Ｂ）である。また、データの最小書換単位は、上述のように３２個のメインセクタと、４個のリンクセクタによる３６セクタで構成されている。
【００２４】
続いて、次世代ＭＤ１に関して説明をする。次世代ＭＤ１では、トラックピッチが１．６μｍ、レーザ波長λが、λ＝７８０ｎｍであり、光学ヘッドの開口率が、ＮＡ＝０．４５である。記録方式としては、グルーブ記録方式を採用している。また、アドレス方式は、ＡＤＩＰを利用する。このようにディスクドライブ装置における光学系の構成やＡＤＩＰアドレス読み出し方式、サーボ処理は、従来のミニディスクと同様であるため、従来のディスクとの互換性が達成されている。
【００２５】
記録データの変調方式として、高密度記録に適合したＲＬＬ（１−７）ＰＰ変調方式（ＲＬＬ：Ｒｕｎ  Ｌｅｎｇｔｈ  Ｌｉｍｉｔｅｄ、ＰＰ：Ｐａｒｉｔｙ  ｐｒｅｓｅｒｖｅ／Ｐｒｏｈｉｂｉｔ  ｒｍｔｒ（ｒｅｐｅａｔｅｄ  ｍｉｎｉｍｕｍ  ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  ｒｕｎ  ｌｅｎｇｔｈ））を採用している。また、誤り訂正方式としては、より訂正能力の高いＢＩＳ（Ｂｕｒｓｔ  Ｉｎｄｉｃａｔｏｒ  Ｓｕｂｃｏｄｅ）付きのＲＳ−ＬＤＣ（Ｒｅｅｄ  Ｓｏｌｏｍｏｎ−Ｌｏｎｇ  Ｄｉｓｔａｎｃｅ  Ｃｏｄｅ）方式を用いている。データインタリーブには、ブロック完結型を採用している。これにより、データの冗長度は、２０．５０％となっている。また、データの検出方式としてＰＲ（１，２，１）ＭＬによるビタビ復号方式を用いる。
【００２６】
ディスク駆動方式には、ＣＬＶ方式を用い、その線速度は２．４ｍ／ｓとする。記録再生時の標準データレートは、６１４ＫＢ／ｓである。この方式を採用することにより、総記録容量を約３００ＭＢにすることができる。変調方式をＥＦＭからＲＬＬ（１−７）ＰＰ変調方式とすることによって、ウィンドウマージンが０．５から０．６６６となるため、１．３３倍の高密度化が実現できる。またデータの最小書換単位であるクラスタは、１６セクタ、６４ｋＢで構成される。このように、誤り訂正方式をＡＣＩＲＣ方式からＢＩＳ付きのＲＳ−ＬＤＣ方式及びセクタ構造の差異とビタビ復号を用いる方式にすることで、データ効率が５３．７％から７９．５％となるため、１．４８倍の高密度化が実現できる。
【００２７】
これらを総合すると、次世代ＭＤ１は、記録容量を従来のミニディスクの約２倍である約３００ＭＢにすることができる。
【００２８】
また、次世代ＭＤ２は、例えば、磁壁移動検出方式（ＤＷＤＤ：Ｄｏｍａｉｎ  Ｗａｌｌ  Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）等の高密度化記録技術を適用した記録媒体であって、上述した従来のミニディスク及び次世代ＭＤ１とは、物理フォーマットが異なっている。次世代ＭＤ２は、トラックピッチが１．２５μｍ、ピット長が０．１６μｍ／ｂｉｔであり、線方向に高密度化されている。
【００２９】
また、従来のミニディスク及び次世代ＭＤ１との互換をとるため、光学系、読み出し方式、サーボ処理等は、従来の規格に準じて、レーザ波長λは、λ＝７８０ｎｍ、光学ヘッドの開口率は、ＮＡ＝０．４５とする。記録方式は、グルーブ記録方式、アドレス方式は、ＡＤＩＰを利用した方式とする。また筐体外径も従来のミニディスク及び次世代ＭＤ１と同一規格とする。
【００３０】
ただし、従来のミニディスク及び次世代ＭＤ１と同等の光学系を用いて、上述のように従来より狭いトラックピッチ、及び線密度（ピット長）を読み取る際には、デトラックマージン、ランド及びグルーブからのクロストーク、ウォブルのクロストーク、フォーカス漏れ、ＣＴ信号等における制約条件を解消する必要がある。そのため、次世代ＭＤ２では、グルーブの溝深さ、傾斜、幅などを変更した点が特徴的である。具体的には、グルーブの溝深さを１６０ｎｍ〜１８０ｎｍ、傾斜を６０°〜７０°、幅を６００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲と定める。
【００３１】
また、記録データの変調方式として、高密度記録に適合したＲＬＬ（１−７）ＰＰ変調方式を採用している。また、誤り訂正方式としては、より訂正能力の高いＢＩＳ付きのＲＳ−ＬＤＣ方式を用いている。
【００３２】
データインタリーブは、ブロック完結型とする。これによりデータの冗長度は、２０．５０％になる。またデータの検出方式は、ＰＲ（１，−１）ＭＬによるビタビ復号方式を用いる。また、データの最小書換単位であるクラスタは、１６セクタ、６４ｋＢで構成されている。
【００３３】
ディスク駆動方式には、ＺＣＡＶ（Ｚｏｎｅ  Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ａｎｇｕｌａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）方式を用い、その線速度は、２．０ｍ／ｓとする。記録再生時の標準データレートは、１．２３ＭＢ／ｓである。したがって、次世代ＭＤ２では、ＤＷＤＤ方式及びこの駆動方式を採用することにより、総記録容量を約１ＧＢにできる。
【００３４】
２．ディスクドライブ装置
続いて、図２を用いて、従来のミニディスク、次世代ＭＤ１及び次世代ＭＤ２に記録処理、又は再生処理をする本実施の形態として示すディスクドライブ装置１について説明をする。
【００３５】
ディスクドライブ装置１は、記録処理系として、従来のミニディスクの記録のためのＥＦＭ変調・ＡＣＩＲＣエンコードを実行する系と、次世代ＭＤ１及び次世代ＭＤ２の記録のためのＲＬＬ（１−７）ＰＰ変調・ＲＳ−ＬＤＣエンコードを実行する系とを備えている。
【００３６】
また、再生処理系として、従来のミニディスクの再生のためのＥＦＭ復調・ＡＣＩＲＣデコードを実行する系と、次世代ＭＤ１及び次世代ＭＤ２の再生にＰＲ（１，２，１）ＭＬ及びビタビ復号を用いたデータ検出に基づくＲＬＬ（１−７）復調・ＲＳ−ＬＤＣデコードを実行する系とを備えている。
【００３７】
ディスクドライブ装置１は、装着されたディスク７０をスピンドルモータ１１によってＣＬＶ方式又はＺＣＡＶ方式にて回転駆動する。記録又は再生時には、このディスク７０に対して、光学ヘッド１２からレーザ光が照射される。
【００３８】
光学ヘッド１２は、記録時に記録トラックをキュリー温度まで加熱するための高レベルのレーザ出力を行い、また再生時には、磁気カー効果により反射光からデータを検出するための比較的低レベルのレーザ出力を行う。このため、光学ヘッド１２は、レーザ出力手段としてのレーザダイオード、偏光ビームスプリッタや対物レンズ等からなる光学系及び反射光を検出するためのディテクタが搭載されている。光学ヘッド１２に備えられる対物レンズとしては、例えば２軸機構によってディスク半径方向及びディスクに接離する方向に変位可能に保持されている。
【００３９】
また、本実施の形態では、媒体表面の物理的仕様が異なる従来のミニディスク及び次世代ＭＤ１と、次世代ＭＤ２とに対して最大限の再生特性を得るために、両ディスクに対してデータ読取り時のビットエラーレートを最適化できる位相補償板を、光学ヘッド１２の読取光光路中に設ける。
【００４０】
ディスク７０を挟んで光学ヘッド１２と対向する位置には、磁気ヘッド１３が配置されている。磁気ヘッド１３は、記録データによって変調された磁界をディスク７０に印加する。また、図示しないが光学ヘッド１２全体及び磁気ヘッド１３をディスク半径方向に移動させるためのスレッドモータ及びスレッド機構が備えられている。
【００４１】
このディスクドライブ装置１では、光学ヘッド１２、磁気ヘッド１３による記録再生ヘッド系、スピンドルモータ１１によるディスク回転駆動系のほかに、記録処理系、再生処理系、サーボ系等が設けられる。
【００４２】
記録処理系としては、従来のミニディスクに対する記録時にＥＦＭ変調、ＡＣＩＲＣエンコードを行うブロックと、次世代ＭＤ１及び次世代ＭＤ２に対する記録時にＲＬＬ（１−７）ＰＰ変調、ＲＳ−ＬＤＣエンコードを行うブロックとが設けられる。
【００４３】
また、再生処理系としては、従来のミニディスクの再生時にＥＦＭ変調に対応する復調及びＡＣＩＲＣデコードを行うブロックと、次世代ＭＤ１及び次世代ＭＤ２の再生時にＲＬＬ（１−７）ＰＰ変調に対応する復調（ＰＲ（１，２，１）ＭＬ及びビタビ復号を用いたデータ検出に基づくＲＬＬ（１−７）復調）、ＲＳ−ＬＤＣデコードを行うブロックとが設けられる。
【００４４】
まず、再生処理系について説明をする。ディスク７０の再生時には、光学ヘッド１２が備える図示しないレーザダイオードは、レーザドライバ２９の制御によって、再生に適切なレーザパワーが出力されるように制御される。光学ヘッド１２が備える図示しないレーザダイオードから出力されるレーザ光は、ディスク７０に照射される。ディスク７０に記録されている変調済みのデータは、光学ヘッド１２が備える図示しないレーザダイオードのレーザ光の反射光として、同じく光学ヘッド１２が備える図示しないフォトディテクタによって検出されＲＦアンプ１４に供給される。
【００４５】
ＲＦアンプ１４では、入力された検出情報に対して電流−電圧変換、増幅、マトリクス演算等を行い、再生情報としての再生ＲＦ信号、トラッキングエラー信号ＴＥ、フォーカスエラー信号ＦＥ、グルーブ情報（ディスク７０にトラックのウォブリングにより記録されているＡＤＩＰ情報）等を抽出する。
【００４６】
従来のミニディスクの再生時には、ＲＦアンプ１４で得られた再生ＲＦ信号は、ＥＦＭ復調部１５及びＡＣＩＲＣデコーダ１６で処理される。再生ＲＦ信号は、ＥＦＭ復調部１５で２値化されてＥＦＭ信号列とされた後、ＥＦＭ復調され、さらにＡＣＩＲＣデコーダ１６で誤り訂正及びデインタリーブ処理される。オーディオデータであれば、この時点でＡＴＲＡＣ圧縮データの状態となる。このとき、セレクタ１７は、従来のミニディスク信号側が選択されており、復調されたＡＴＲＡＣ圧縮データがディスク７０からの再生データとして出力される。
【００４７】
一方、次世代ＭＤ１又は次世代ＭＤ２の再生時には、ＲＦアンプ１４で得られた再生ＲＦ信号は、ＲＬＬ（１−７）ＰＰ復調部１８及びＲＳ−ＬＤＣデコーダ１９で信号処理される。再生ＲＦ信号は、ＲＬＬ（１−７）ＰＰ復調部１８において、ＰＲ（１，２，１）ＭＬ又はＰＲ（１，−１）ＭＬ、及びビタビ復号を用いたデータ検出によりＲＬＬ（１−７）符号列としての再生データを得て、このＲＬＬ（１−７）符号列に対してＲＬＬ（１−７）復調処理が行われる。さらに、ＲＳ−ＬＤＣデコーダ１９にて誤り訂正及びデインタリーブ処理される。この場合、セレクタ１７は、次世代ＭＤ１・次世代ＭＤ２側が選択され、復調されたデータがディスク７０からの再生データとして出力される。
【００４８】
ＲＦアンプ１４から出力されるトラッキングエラー信号ＴＥ、フォーカスエラー信号ＦＥは、サーボ回路２０に供給され、グルーブ情報は、ＡＤＩＰ復調部２１に供給される。
【００４９】
ＡＤＩＰ復調部２１は、グルーブ情報に対してバンドパスフィルタにより帯域制限してウォブル成分を抽出した後、ＦＭ復調、バイフェーズ復調を行ってＡＤＩＰアドレスを抽出する。抽出された、ディスク上の絶対アドレス情報であるＡＤＩＰアドレスは、システムコントローラ２２に供給される。またグルーブ情報は、スピンドルサーボ制御のためにサーボ回路２０に戻される。
【００５０】
システムコントローラ２２では、各ＡＤＩＰアドレスに基づいて、所定の制御処理を実行する。
【００５１】
サーボ回路２０は、例えばグルーブ情報に対して再生クロック（デコード時のＰＬＬ系クロック）との位相誤差を積分して得られる誤差信号に基づき、ＣＬＶサーボ制御及びＺＣＡＶサーボ制御のためのスピンドルエラー信号を生成する。
【００５２】
また、サーボ回路２０は、スピンドルエラー信号や、上記のようにＲＦアンプ１４から供給されたトラッキングエラー信号、フォーカスエラー信号、或いはシステムコントローラ２２からのトラックジャンプ指令、アクセス指令等に基づいて各種サーボ制御信号（トラッキング制御信号、フォーカス制御信号、スレッド制御信号、スピンドル制御信号等）を生成し、モータドライバ２３に対して出力する。すなわち、上記サーボエラー信号や指令に対して位相補償処理、ゲイン処理、目標値設定処理等の必要処理を行って各種サーボ制御信号を生成する。
【００５３】
モータドライバ２３では、サーボ回路２０から供給されたサーボ制御信号に基づいて所定のサーボドライブ信号を生成する。ここでのサーボドライブ信号としては、２軸機構を駆動する２軸ドライブ信号（フォーカス方向、トラッキング方向の２種）、スレッド機構を駆動するスレッドモータ駆動信号、スピンドルモータ１１を駆動するスピンドルモータ駆動信号となる。このようなサーボドライブ信号により、ディスク７０に対するフォーカス制御、トラッキング制御、及びスピンドルモータ１１に対するＣＬＶ制御又はＺＣＡＶ制御が行われる。
【００５４】
続いて、記録処理系について説明をする。従来のミニディスクに対する記録時には、セレクタ２４が従来のミニディスク側に接続され、ＡＣＩＲＣエンコーダ２５及びＥＦＭ変調部２６が機能する。この場合、オーディオ信号であれば、圧縮データは、ＡＣＩＲＣエンコーダ２５でインタリーブ及びエラー訂正コード付加が行われた後、ＥＦＭ変調部２６においてＥＦＭ変調される。ＥＦＭ変調データがセレクタ２４を介して磁気ヘッドドライバ３０に供給され、磁気ヘッド１３がディスク７０に対してＥＦＭ変調データに基づいた磁界印加を行う。
【００５５】
次世代ＭＤ１及び次世代ＭＤ２に対する記録時には、セレクタ２４が次世代ＭＤ１・次世代ＭＤ２側に接続され、ＲＳ−ＬＣＤエンコーダ２７及びＲＬＬ（１−７）ＰＰ変調部２８が機能する。この場合、記録されるデータは、ＲＳ−ＬＣＤエンコーダ２７でインタリーブ及びＲＳ−ＬＤＣ方式のエラー訂正コード付加が行われた後、ＲＬＬ（１−７）ＰＰ変調部２８にてＲＬＬ（１−７）変調される。
【００５６】
ＲＬＬ（１−７）符号列に変調された記録データは、セレクタ２４を介して磁気ヘッドドライバ３０に供給され、磁気ヘッド１３がディスク７０に対して変調データに基づいた磁界印加を行う。なお、磁気ヘッドドライバ３０の詳細な構成、磁気ヘッド１３の制御動作については、後で詳細に説明をする。
【００５７】
レーザドライバ２９は、上記のような再生時及び記録時において光学ヘッド１２が備える図示しないレーザダイオードにレーザ発光動作を実行させる。データの記録時において、レーザドライバ２９は、図示しないレーザダイオードが記録に適切な一定強度となるように制御をする。レーザドライバ２９の制御によって、光学ヘッド１２が備える図示しないレーザダイオードによりディスク７０が加熱されることで、磁気ヘッド１３によって磁界が印加された箇所に変調されたデータが記録される。
【００５８】
システムコントローラ２２は、以上の各動作（アクセス、各種サーボ、データ書込、データ読出の各動作）が実行されるように各構成を制御する。
【００５９】
本実施の形態として示すディスクドライブ装置１は、上述した構成を備えることにより、従来のミニディスク、次世代ＭＤ１及び次世代ＭＤ２の間の互換性を実現できる。
【００６０】
３．磁気ヘッドドライバ
続いて、図３を用いて、磁気ヘッドドライバ３０の構成について説明をする。
【００６１】
磁気ヘッドドライバ３０は、セレクタ２４を含んだ形で、図３に示すような構成となっている。
【００６２】
磁気ヘッドドライバ３０は、磁気ヘッド１３を駆動させる磁気ヘッド駆動回路であるＨブリッジ回路４０と、Ｈブリッジ回路４０を動作させるブリッジ回路制御部５０と、ブリッジ回路制御部５０を制御するＣＰＵ６０とを備えている。なお、セレクタ２４は、ブリッジ回路制御部５０に構成されているものとする。
【００６３】
本実施の形態として示すディスクドライブ装置１は、従来のミニディスク、次世代ＭＤ１、次世代ＭＤ２といった、異なるフォーマットのメディアの記録、再生をする装置である。このように、異なるフォーマットのメディアの記録、再生をする場合、磁気ヘッド１３に要求される必要記録磁界、周波数特性及び駆動回路印加電圧は、図４に示すようにそれぞれ異なっている。例えば、今回使用する磁気ヘッド１３の特性において、従来のミニディスクでは、磁気ヘッド１３で要求される磁界が１００エルステッド（０ｅ）であるため、Ｈブリッジ回路４０に１．０Ｖの電圧を印加する必要があるが、次世代ＭＤ２では、２００エルステッド（０ｅ）の磁界が要求されるため、２．５Ｖの電圧をＨブリッジ回路４０に印加する必要がある。
【００６４】
したがって、ブリッジ回路制御部５０は、上記要求に応えるために、Ｈブリッジ回路４０に供給する電圧値を制御する。また、Ｈブリッジ回路４０は、供給される電圧値が使用するメディアの種類に応じて変化した場合でも、消費電力を抑制できるような回路構成が望ましいといえる。
【００６５】
まず、図５を用いて磁気ヘッドドライバ３０が備えるＨブリッジ回路４０ａの構成について説明をする。なお、磁気ヘッド１３は、インダクタとコンデンサを並列接続した２端子網として表記できることから、図５及び後述する図６では、磁気ヘッド１３をインダクタンスＬのコイル１３ａと、スイッチング効率を高めるために、コイル１３ａと並列となるように設ける場合もあるコンデンサ１３ｂとして示す。ここでは、記述上コイル１３ａを巻き上げたことによって発生する線間容量も含めるものとする。
【００６６】
図５に示すＨブリッジ回路４０ａは、磁気ヘッド１３のコイル１３ａに駆動電流を供給するために、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４を含んだブリッジ型の回路である。各スイッチング素子は、例えば、高速のスイッチング応答が可能な、パワーＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が用いられる。スイッチング素子Ｑ１，Ｑ３は、ＰチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴであり、スイッチング素子Ｑ２，Ｑ４は、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴである。
【００６７】
スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のドレインは、コイル１３ａの一端に接続され、スイッチング素子Ｑ３，Ｑ４のドレインは、コイル１３ａの他端に接続される。また、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ３のソースは、電源ラインＶｄに接続され、スイッチング素子Ｑ２，Ｑ４のソースはグラウンドに接続される。
【００６８】
ただし、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ３のドレインは、それぞれダイオード４１，４２を介してコイル１３ｂに接続される。
【００６９】
なお、以下の説明において、電源ラインＶｄ側に接続されたスイッチング素子、つまり、図５におけるスイッチング素子Ｑ１，Ｑ３を総称して、トップ側ＦＥＴと呼び、グランド側に接続されたスイッチング素子、図５におけるスイッチング素子Ｑ２，Ｑ４を総称してボトム側ＦＥＴと呼ぶ。
【００７０】
Ｈブリッジ回路４０ａのトップ側ＦＥＴには、クランプ回路４３，４４が接続されている。クランプ回路４３，４４は、それぞれコンデンサ４５、ダイオード４６、抵抗４７で構成されている。
【００７１】
クランプ回路４３，４４の各コンデンサ４５は、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ３にそれぞれ直列接続される。また、クランプ回路４３，４４のダイオード４６及び抵抗４７からなる並列回路は、ダイオード４６のアノードを、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ３それぞれのゲート側に接続し、カソードを電源ラインＶｄに接続している。
【００７２】
これは、スイッチング素子を全てＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴで構成した図６に示すＨブリッジ回路４０ｂと比較して電力損失が少なくなる構成である。図６に示す、Ｈブリッジ回路４０ｂは、ボトム側ＦＥＴがソース接地型スイッチ回路として機能するのに対して、トップ側ＦＥＴがソース・フォロワ型スイッチ回路として機能するので、トップ側ＦＥＴを駆動させるゲート電圧が電源Ｖｄよりも数ボルト高い電圧を必要とする。
【００７３】
したがって、図４に示したように、次世代ＭＤ２で要求される駆動回路印加電圧は、従来のミニディスクで要求される駆動回路印加電圧に較べて非常に高いため、Ｈブリッジ回路４０ｂを用いた場合、トップ側ＦＥＴのゲート電圧はさらに高い電圧を必要とし、回路全体での消費電力も非常に高くなってしまう。
【００７４】
このような理由により、従来のミニディスク、次世代ＭＤ１、次世代ＭＤ２といった異なるフォーマットのメディアを使用可能とする場合において、Ｈブリッジ回路４０ａを磁気ヘッド駆動回路として採用する方がＨブリッジ回路４０ｂを用いる場合よりも、消費電力を削減することができる。
【００７５】
Ｈブリッジ回路４０ａの各スイッチング素子のゲートには、ディスク７０に記録すべきデータの波形に応じた波形のパルス電圧が印加され、各スイッチング素子がオン・オフ動作をすることで、コイル１３ａには、記録データに応じて極性の切り換わる駆動電流ＩＬが流れ、対応する磁界が生成されてディスク７０に対し情報が記録される。
【００７６】
再び、図３に戻り、ブリッジ回路制御部５０について説明をする。ブリッジ回路制御部５０は、セレクタ２４と、チョッパ回路５１と、プリドライバ５２と、ＤＡＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ  ｔｏ  Ａｎａｌｏｇ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）５３と、ＤＣ−ＤＣコンバータ５４とを備えている。また、ブリッジ回路制御部５０は、ＣＰＵ６０の制御に応じて動作する。
【００７７】
セレクタ２４は、上述したように、ＥＦＭ変調部２６、又はＲＬＬ（１−７）ＰＰ変調部２８から出力された変調信号を適宜切り替えて、チョッパ回路５１に出力する。
【００７８】
チョッパ回路５１は、ＣＰＵ６０の制御に応じて、Ｈブリッジ回路４０をチョッパ制御する。チョッパ回路５１でチョッパ制御されるのは、トップ側ＦＥＴであるスイッチング素子Ｑ１，Ｑ３である。チョッパ回路５１は、トップ側ＦＥＴに供給するゲート電圧を所定の期間、ある間隔で断続的にオン・オフすることでチョッパ制御をする。また、チョッパ回路５１には、チョッパ用クロック発生器６１より、変調データのチャンネルクロックが供給される。チョッパ制御の開始タイミングは、このチャンネルクロックを基準にして行われる。チョッパ回路５１によるＨブリッジ回路４０へのチョッパ制御については後で詳細に説明をする。
【００７９】
プリドライバ５２は、ＥＦＭ変調部２６、又はＲＬＬ（１−７）ＰＰ変調部２８から供給される変調信号に応じて、Ｈブリッジ回路４０に含まれる各スイッチング素子に供給するゲート電圧を生成し、Ｈブリッジ回路４０に供給する。
【００８０】
ＤＣ−ＤＣコンバータ５４は、ＤＡＣ５３を介して、ＣＰＵ６０から送信されるディスク７０の種別に応じた印加電圧Ｖｄを生成し、Ｈブリッジ回路４０に供給する。
【００８１】
ＣＰＵ６０は、ディスク７０が図示しない装着部に装着されると、ディスク７０の種別、例えば、従来のミニディスク、次世代ＭＤ１、又は次世代ＭＤ２のうちのいずれであるのかを判別し、判別結果に応じて、ＤＡＣ５３、チョッパ回路５１を制御する。
【００８２】
ＣＰＵ６０は、ディスク７０の種別に応じて、チョッパ回路５１を制御する。また、ＣＰＵ６０は、ディスク７０の種別に応じて、ＤＣ−ＤＣコンバータ５４で生成されるＨブリッジ回路４０ａへの印加電圧Ｖｄが適切な値となるようにＤＡＣ５３を制御する。
【００８３】
続いて、チョッパ回路５１による、Ｈブリッジ回路４０に対するチョッパ制御について説明をする。
【００８４】
まず、本実施の形態として示すディスクドライブ装置１において、チョッパ制御が必要な理由について説明をする。上述したように、磁気ヘッド１３は、インダクタとコンデンサを並列接続した２端子網として表記できる。
【００８５】
一般に、光磁気ディスクの記録条件としては、記録するデータの“１”、“０”に応じて、最低限必要な磁界が、光磁気ディスクに加わっていればよい。つまり、記録における理想的な磁界、言い換えれば、磁気ヘッド１３に供給される電流は、記録データに応じて交番する方形波となる。
【００８６】
実際には、磁気ヘッド１３に供給される電流は、磁気ヘッド１３がインダクタと、コンデンサにより時定数を持つため、“１”、“０”の切り替わる瞬間において、ある程度の傾きを有し、且つ、電流の極性が切り替わった直後から電流が増加する。仮に、これをサグと呼ぶことにする。
【００８７】
図７（ａ）にディスク７０に記録させる記録データの波形と、図７（ｂ）に、この記録データを記録する際に磁気ヘッド１３のコイル１３ａに供給される電流の変化の様子を示す。サグは、図７（ｂ）中にＩｓａｇとして示している。図７（ｂ）に示すコイル１３ａの電流波形に対して、電流―磁界変換効率（ｋ［０ｅ／Ａ］）を乗じた値が、磁気ヘッド１３で発生する磁界となる。
【００８８】
従来のミニディスク、次世代ＭＤ１及び次世代ＭＤ２のそれぞれにおいて、良好な記録特性を得るためには、電流―磁界変換効率、及び、図４で示した、それぞれのメディアにおける必要記録磁界を用いて、以下に示す条件を満たす必要がある。
【００８９】
従来のミニディスク及び次世代ＭＤ１の場合は、（１）式の条件となる。
【００９０】
Ｉｍａｇ／２×ｋ［０ｅ／Ａ］＞１００［０ｅ］・  ・  ・  （１）
【００９１】
次世代ＭＤ２の場合は、（２）式の条件となる。
【００９２】
Ｉｍａｇ／２×ｋ［０ｅ／Ａ］＞２００［０ｅ］・  ・  ・  （２）
【００９３】
しかし、（１）式、（２）式で示される条件以上の磁界を得るような電流、つまり、図７（ｂ）においてＩｓａｇとして示されたサグの部分の電流は、無駄な電流といえる。一般に、サグは、磁気ヘッドの誘導成分、容量成分に依存し、且つ、駆動周波数が高くなると大きくなってくる。つまり、次世代ＭＤ２にデータを記録する場合において、サグは顕著に現れることになる。
【００９４】
したがって、このような、無駄な電流、つまり無駄な消費電力となるサグを減少させるために、チョッパ制御を用いることが有効となる。また、記録信号品質の向上にも有効である。
【００９５】
続いて、図８に示すタイミングチャートを用いて、Ｈブリッジ回路４０として、Ｈブリッジ回路４０ａを使用した場合に、チョッパ回路５１、プリドライバ５２によって実行されるチョッパ制御動作について説明をする。
【００９６】
図８において、（ａ）は、セレクタ２４を介してＥＦＭ変調部２６、又はＲＬＬ（１−７）ＰＰ変調部２８から供給される変調データのチャンネルクロックを示している。（ｂ）は、ディスク７０に記録する変調データ（ＭＯＤ）の波形を示している。（ｃ）は、スイッチング素子Ｑ４のゲートに印加されるゲート電圧Ｖ４を示している。（ｄ）は、スイッチング素子Ｑ２のゲートに印加されるゲート電圧Ｖ２を示している。（ｅ）は、スイッチング素子Ｑ３のゲートに印加されるゲート電圧Ｖ３を示している。（ｆ）は、スイッチング素子Ｑ１のゲートに印加されるゲート電圧Ｖ１を示している。
【００９７】
なお、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ３は、ＰチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴであるため、それぞれのゲート電圧Ｖ１，Ｖ３がＬｏｗレベルのときオンとなり、スイッチング素子Ｑ２，Ｑ４は、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴであるため、それぞれのゲート電圧Ｖ２，Ｖ４がＨｉｇｈレベルのときオンとなる。
【００９８】
チョッパ回路５１は、トップ側ＦＥＴ、つまりスイッチング素子Ｑ１，Ｑ３に供給するゲート電圧がＬｏｗレベル、つまり、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ３を動作させる期間において、上記ゲート電圧を、変調データのチャンネルクロック単位でオン・オフさせ、チョッパ制御を行う。
【００９９】
図８（ｅ），（ｆ）に示すようにチョッパ制御時のトップ側ＦＥＴに供給するゲート電圧のパルス繰り返し周波数は、図８（ａ）に示すチャンネルクロックと同じであるが、ゲート電圧をＨｉｇｈにしてトップ側ＦＥＴの動作をＯＦＦにする時間Ｔｄは、データを記録させるメディアの種類に応じて変更される。
【０１００】
つまり、従来のメディア、次世代ＭＤ１又は次世代ＭＤ２のそれぞれに対応した適切なＯＦＦ時間Ｔｄにより、メディアの違いに応じて、パルス繰り返し周波数のデューティ比は、変更されることになる。
【０１０１】
このＯＦＦ時間Ｔｄは、メディアの種類や、データ記録時の倍速比よって変化する書き込み繰り返し周波数と、磁気ヘッド駆動回路、つまりＨブリッジ回路４０ａを含めた磁気ヘッド１３の回路特性によって定まる実験値である。具体的には、メディアの種類や、倍速比を変え、書き込み繰り返し周波数を変化させた場合のそれぞれにおいて、上述したサグが適切となるようにＯＦＦ時間Ｔｄをあらかじめ決定しておく。
【０１０２】
例えば、用いるメディアとして次世代ＭＤ２、倍速比を１倍速、つまり次世代ＭＤ２で規定された線速度とした場合の、書き込み繰り返し周波数が４．９ＭＨｚ、また、磁気ヘッド１３のインダクタンスＬがＬ＝４〜５μＨ、線間容量ＣがＣ＝３３ｐＦであるとすると、ＯＦＦ時間Ｔｄは、Ｔｄ＝２５ｎｓという実験値が得られる。
【０１０３】
このＯＦＦ時間Ｔｄは、例えば、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）などにテーブルにしてあらかじめ記憶されており、ＣＰＵ６０によって、メディアの種類及び倍速比が判別されることによって読み出され、チョッパ回路５１に送出される。なお、このＯＦＦ時間Ｔｄのチョッパ回路５１への送出手法は、上述した以外にも様々な手法が適用可能であり、本発明を限定するものではない。
【０１０４】
このように、チョッパ回路５１は、取得したＯＦＦ時間Ｔｄに基づいてチョッパ制御をするゲート電圧をプリドライバ５２を介して生成し、トップ側ＦＥＴに供給することで無駄電流であるサグを、メディアの種類及び倍速比、つまり書き込み最短繰り返し周波数及びドライバ回路特性や磁気ヘッド特性に応じて低減させることができる。
【０１０５】
しかし、Ｈブリッジ回路４０ａをチョッパ制御すると、Ｈブリッジ回路４０ａが備えるスイッチング素子をオン・オフする周波数が高くなることから、ゲートにおける消費電力が高くなってしまうことになる。
【０１０６】
例えば、図４に示した条件下においては、次世代ＭＤ２をチョッパ制御することは消費電力の削減に有効であるが、従来のミニディスク、次世代ＭＤ１においては、サグ低減による効果よりも、ゲートでの消費電力が高くなってしまうため、チョッパ制御をしないようにする。
【０１０７】
従来のミニディスク、次世代ＭＤ１に関しては、データの記録レートを高くする場合において、磁気ヘッド１３に供給する電流も高くなることからチョッパ制御を実行したほうが消費電力を削減することができる。
【０１０８】
このような、チョッパ制御を実行するかしないかは、メディアの違い、更には記録データレートの違いなどに応じて、ＣＰＵ６０で適宜制御されることになる。
【０１０９】
なお、Ｈブリッジ回路４０として、Ｈブリッジ回路４０ａを用いた場合のチョッパ制御動作について述べたが、Ｈブリッジ回路４０として、Ｈブリッジ回路４０ｂを用いても同様のチョッパ制御をすることができる。図９に、Ｈブリッジ回路４０ｂを使用した場合のチョッパ制御動作を示したタイミングチャートを示す。
【０１１０】
図９において、（ａ）は、セレクタ２４を介してＥＦＭ変調部２６、又はＲＬＬ（１−７）ＰＰ変調部２８から供給される変調データのチャンネルクロックを示している。（ｂ）は、ディスク７０に記録する変調データ（ＭＯＤ）の波形を示している。（ｃ）は、スイッチング素子Ｑ１４のゲートに印加されるゲート電圧Ｖ１４を示している。（ｄ）は、スイッチング素子Ｑ１２のゲートに印加されるゲート電圧Ｖ１２を示している。（ｅ）は、スイッチング素子Ｑ１３のゲートに印加されるゲート電圧Ｖ１３を示している。（ｆ）は、スイッチング素子Ｑ１１のゲートに印加されるゲート電圧Ｖ１１を示している。
【０１１１】
Ｈブリッジ回路４０ｂでは、トップ側ＦＥＴであるスイッチング素子Ｑ１１，Ｑ１３にＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴを用いているため、図９（ｅ），（ｆ）に示すようにゲート電圧がＨｉｇｈレベルでオンとなっており、その期間において、チョッパ制御をする。
【０１１２】
また、チョッパ回路５１は、チョッパ制御するタイミングを、トップ側ＦＥＴがオンとなる期間内において変更させることができる。このチョッパ制御動作について、Ｈブリッジ回路４０として、Ｈブリッジ回路４０ａを用い、図１０に示すタイミングチャートを用いて説明をする。
【０１１３】
図１０において、（ａ）は、セレクタ２４を介してＥＦＭ変調部２６、又はＲＬＬ（１−７）ＰＰ変調部２８から供給される変調データのチャンネルクロックを示している。（ｂ）は、ディスク７０に記録する変調データ（ＭＯＤ）の波形を示している。（ｃ）は、スイッチング素子Ｑ４のゲートに印加されるゲート電圧Ｖ４を示している。（ｄ）は、スイッチング素子Ｑ２のゲートに印加されるゲート電圧Ｖ２を示している。（ｅ）は、スイッチング素子Ｑ３のゲートに印加されるゲート電圧Ｖ３を示している。（ｆ）は、スイッチング素子Ｑ１のゲートに印加されるゲート電圧Ｖ１を示している。
【０１１４】
図１０（ｅ）、（ｆ）に示すように、チョッパ回路５１は、トップ側ＦＥＴがオンとなる期間内において、チョッパ制御を開始するタイミング、つまり、トップ側ＦＥＴがオンとなってから、チョッパ制御での最初のパルスが発振されるタイミングをディレイ時間Ｔｄ’だけ遅らせることができる。
【０１１５】
ディレイ時間Ｔｄ’は、上述したＯＦＦ時間Ｔｄと同様に、メディアの種類、記録時の倍速比によって決まる書き込み繰り返し周波数と、磁気ヘッド１３のＨブリッジ回路４０ａを含んだ回路特性によって定まる実験値である。具体的には、ＯＦＦ時間Ｔｄの場合と同様に、メディアの種類や、倍速比を変え、書き込み繰り返し周波数を変化させた場合のそれぞれにおいて、上述したサグが適切となるようにディレイ時間Ｔｄ’をあらかじめ決定しておく。
【０１１６】
このディレイ時間Ｔｄ’は、例えば、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）などにテーブルにしてあらかじめ記憶されており、ＣＰＵ６０によって、メディアの種類及び倍速比が判別されることによって読み出され、チョッパ回路５１に送出される。なお、このディレイ時間Ｔｄ’のチョッパ回路５１への送出手法は、上述した以外にも様々な手法が適用可能であり、本発明を限定するものではない。
【０１１７】
このように、チョッパ回路５１は、取得したディレイ時間Ｔｄ’に基づいてチョッパ制御をするゲート電圧をプリドライバ５２を介して生成し、トップ側ＦＥＴに供給することで無駄電流であるサグを、メディアの種類及び倍速比、つまり書き込み最短繰り返し周波数及びドライバ回路特性や磁気ヘッド特性に応じて低減させることができる。
【０１１８】
さらに、チョッパ回路５１は、ＣＰＵ６０の制御によって、上述したＯＦＦ時間Ｔｄと、ディレイ時間Ｔｄ’とを組み合わせて最適なチョッパ制御を実行することもできる。
【０１１９】
続いて、上述したチョッパ制御以外によって、磁気ヘッドドライバ３０の消費電力を削減させる手法について説明をする。
【０１２０】
磁気ヘッドドライバ３０での消費電力は、チョッパ回路５１、プリドライバ５２を介して、Ｈブリッジ回路４０に供給されるゲート電圧を、実際に光学ヘッド１２が備える図示しないレーザダイオードからのレーザ出力に同期して印加するように制御することで削減することができる。
【０１２１】
レーザドライバ２９は、ディスク７０にデータを記録する際、光学ヘッド１２に対して、レーザダイオードの出力をＬｏｗからＨｉｇｈにする命令であるＲＥＣＰ信号という信号を出力している。レーザドライバ２９から、チョッパ回路５１、プリドライバ５２に、このＲＥＣＰ信号が供給されると、チョッパ回路５１、プリドライバ５２は、供給されたＲＥＣＰ信号に同期して、チョッパ制御も含めたゲート電圧をＨブリッジ回路４０に供給する。通常、チョッパ回路５１、プリドライバ５２は、レーザダイオードからレーザ光が出力されるよりも若干早くゲート電圧をＨブリッジ回路４０に印加している。
【０１２２】
つまり、実際にデータが記録される時刻であるレーザ光の出力時刻の前に供給されるゲート電圧によって、無駄に電力が消費されていることになる。そこで、Ｈブリッジ回路４０にゲート電圧を印加するタイミングを、ＲＥＣＰ信号によって、光学ヘッド１２が備えるレーザダイオードからのレーザ光の出力時刻と同期させることで、無駄な消費電力を削減することができる。
【０１２３】
図１１に示すタイミングチャートを用いて、ＲＥＣＰ信号に応じて印加されたゲート電圧によって、Ｈブリッジ回路４０が動作する様子について説明をする。
【０１２４】
説明のため、ここで使用するＨブリッジ回路４０は、図６に示したＨブリッジ回路４０ｂであるが、図５示したＨブリッジ回路４０ａでも同様の制御が可能なことはいうまでもない。
【０１２５】
図１１において、（ａ）は、セレクタ２４を介してＥＦＭ変調部２６、又はＲＬＬ（１−７）ＰＰ変調部２８から供給される変調データのチャンネルクロックを示している。（ｂ）は、レーザドライバ２９から供給されるＲＥＣＰ信号を示している。（ｃ）は、ディスク７０に記録する変調データ（ＭＯＤ）の波形を示している（ｄ）は、スイッチング素子Ｑ１４のゲートに印加されるゲート電圧Ｖ１４を示している。（ｅ）は、スイッチング素子Ｑ１２のゲートに印加されるゲート電圧Ｖ１２を示している。（ｆ）は、スイッチング素子Ｑ１３のゲートに印加されるゲート電圧Ｖ１３を示している。（ｇ）は、スイッチング素子Ｑ１１のゲートに印加されるゲート電圧Ｖ１１を示している。
【０１２６】
図１１（ｂ）に示すようにＲＥＣＰ信号が印加されると、同じタイミングで図１１（ｄ）に示すゲート電圧Ｖ１４、図１１（ｇ）に示すゲート電圧Ｖ１１が印加されているのが分かる。
【０１２７】
ところで、ＲＥＣＰ信号に同期してゲート電圧が印加されない場合は、図１１（ｃ）に示す変調データが供給される以前の、例えば、矢印Ａで示す箇所などからゲート電圧が印加されることになる。したがって、ＲＥＣＰ信号に同期してゲート電圧をＨブリッジ回路４０ｂに印加することで“Ｘ”で示される期間に消費されていた電力を削減することができる。加えて、磁気ヘッド１３にＤＣ的に電流が流れることも回避でき、素子の劣化防止にも寄与する。
【０１２８】
また、プリドライバ５２は、Ｈブリッジ回路４０のトップ側ＦＥＴ、ボトム側ＦＥＴにそれぞれ異なる電圧値のゲート電圧を印加することができる。Ｈブリッジ回路４０のボトム側ＦＥＴに供給するゲート電圧は、トップ側ＦＥＴに供給するゲート電圧より低くてよい。したがって、プリドライバ５２は、トップ側ＦＥＴに印加するトップ側電圧Ｖｇｈを、例えば、３〜４Ｖ、ボトム側ＦＥＴに印加するボトム側電圧Ｖｇｌを、例えば、１〜１．２Ｖというように個別に印加することができる構成となっている。
【０１２９】
これにより、従来まで、トップ側ＦＥＴと、ボトム側ＦＥＴとには共通の電圧、つまりボトム側ＦＥＴには、トップ側ＦＥＴに供給されるゲート電圧と同じ電圧が供給され、無駄に消費されていた電力分を削減することができる。
【０１３０】
このように、ディスクドライブ装置１は、従来のミニディスク、次世代ＭＤ１及び次世代ＭＤ２といった、異なるメディアに対する情報の記録処理を、共通の磁気ヘッド１３、及び、磁気ヘッド１３を制御する磁気ヘッドドライバ３０を用いて実行することができる。また、磁気ヘッドドライバ３０によるチョッパ制御などによって、記録時の消費電力をメディア毎に最適化することができる。
【０１３１】
なお、本発明の実施の形態として示した磁気ヘッドドライブ回路の構成は、一例に過ぎず、本発明の内容は他の回路形式にも応用できることは言うまでもない。
【０１３２】
【発明の効果】
以上の説明からも明らかなように、本発明は、磁気ヘッドに対して、変調磁界を生成する際の駆動電流を供給する第１乃至第４のスイッチング手段を有するＨブリッジ回路に対して、同一極性の変調磁界の印加時において、電源側に接続される第１及び第２のスイッチング手段を書き込み最短繰り返し周波数と、当該磁気ヘッド駆動回路の回路特性及び磁気ヘッド特性とによって決まるデューティ比でオン・オフさせてチョッパ制御をする。また、チョッパ制御の開始タイミングを、印加された変調磁界の極性が切り替わってから、書き込み最短繰り返し周波数と、磁気ヘッドを含めたＨブリッジ回路の回路特性とによって決まる遅延時間だけ遅らせるように制御する。
【０１３３】
これにより、異なる記録フォーマットのメディアに対して、共通の磁気ヘッドを用い、良好な記録特性にてデータを記録することが可能となる。さらに、それぞれの記録フォーマットの特性に応じてチョッパ制御がなされるため、消費電力を最適化することが可能となる。
【０１３４】
また、本発明は、レーザ光のレーザパワーをＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルに切り替える切り替え信号に同期して、上記Ｈブリッジ回路の動作を開始させる制御や、電源側に接続される第１及び第２のスイッチング手段、及びグラウンド側に接続される第３及び第４のスイッチング手段に対して独立に電源供給をすることで、消費電力を削減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のミニディスク、次世代ＭＤ１、次世代ＭＤ２の仕様を示した図である。
【図２】本発明の実施の形態として示すディスクドライブ装置の構成について説明するための図である。
【図３】ディスクドライブ装置が備える磁気ヘッドドライバの構成について説明するための図である。
【図４】記録時において、各メディア毎に磁気ヘッドに要求される条件を示した図である。
【図５】ＰチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴを使用したＨブリッジ回路について説明するための図である。
【図６】ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴを使用したＨブリッジ回路について説明するための図である。
【図７】サグについて説明するための図である。
【図８】ＯＦＦ時間Ｔｄを使用したチョッパ制御動作について説明するための第１のタイミングチャートである。
【図９】ＯＦＦ時間Ｔｄを使用したチョッパ制御動作について説明するための第２のタイミングチャートである。
【図１０】ディレイ時間Ｔｄ’を使用したチョッパ制御動作について説明するためのタイミングチャートである。
【図１１】レーザ出力に同期したＨブリッジ回路の動作について説明するためのタイミングチャートである。
【符号の説明】
１  ディスクドライバ装置、３０  磁気ヘッドドライバ、４０，４０ａ，４０ｂ  Ｈブリッジ回路、５０  ブリッジ回路制御部、５１  チョッパ回路、５２  プリドライバ、５３  ＤＡＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ  ｔｏ  Ａｎａｌｏｇ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）５４  ＤＣ−ＤＣコンバータ、７０  ディスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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