(57)【要約】      （修正有）【課題】セラミックス絶縁形薄膜ＥＬ素子と同様の構造を有するエレクトロルミネッセンス機能部を各種セラミックス板や金属板等の任意の基体上に張り付けることによって、エレクトロルミネッセンス機能部の強誘電体セラミックスシートの厚さを増加させることなく機械的強度を向上させることにより、大面積なセラミックス絶縁形薄膜ＥＬ素子、並びにその製造技術を提供する。【解決手段】基体兼絶縁層材料である強誘電体セラミックシート３の表面上に発光層として各種蛍光体薄膜２を公知の成膜技術を用いて形成し、その後、電極を形成して作製したエレクトロルミネッセンス素子部を、セラミックス、金属及び各種プラスチック等の任意の材料で作製した基体５上に張り付けることにより、低電圧駆動、高輝度を有する大面積薄膜ＥＬ素子を達成できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
強誘電体セラミックシートからなる絶縁層上に、少なくとも１種の蛍光体薄膜を形成して発光層とし、その上に透明電極層を、他面に対向電極層を配置した薄膜エレクトロルミネッセンス機能部を任意の基体上に張り付けてなる構造を特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記請求項１記載の薄膜エレクトロルミネッセンス機能部の透明電極のみをパターン形成してなる構造を特徴とする前記請求項１記載の薄膜エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記請求項１記載のエレクトロルミネッセンス機能部の透明電極及び背面電極をそれぞれパターン形成してなる構造を特徴とする前記請求項１記載の薄膜エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記請求項１記載の薄膜エレクトロルミネッセンス機能部の蛍光体薄膜、透明電極及び背面電極をそれぞれパターン形成してなる構造を特徴とする前記請求項１記載の薄膜エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記請求項１から４記載の薄膜エレクトロルミネッセンス機能部の蛍光体薄膜を形成後、蛍光体薄膜に熱処理を施すことにより発光性能を向上させた後、透明電極および背面電極を形成し、その後任意の基体上へ有機及び無機接着剤により張り付けを行うことを特徴とする前記請求項１記載の薄膜エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
前記請求項１から４記載の薄膜エレクトロルミネッセンス機能部の蛍光体薄膜及び背面電極を形成後、無機接着剤により任意の基体上に張り付け、その後蛍光体薄膜に熱処理を施すことにより発光性能を向上させ、最後に透明電極を形成することを特徴とする前記請求項１記載の薄膜エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
前記請求項１から４記載の薄膜エレクトロルミネッセンス機能部の蛍光体薄膜及び背面電極を形成後、基体の出発材料である任意グリーンシート上に張り付け、その後熱処理を施すことにより基体の焼結、薄膜エレクトロルミネッセンス機能部との接着及び蛍光体層の発光性能の向上を同時に行い、最後に透明電極を形成することを特徴とする前記請求項１記載の薄膜エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項８】
前記請求項５から７記載の製造方法により作製した前記請求項１記載の薄膜エレクトロルミネッセンス素子を用いるエレクトロルミネッセンス照明装置
【請求項９】
前記請求項５から７記載の製造方法により作製した前記請求項１記載の薄膜エレクトロルミネッセンス素子を用いるエレクトロルミネッセンス表示装置
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は張り付け型薄膜エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】申請者らは、基体兼絶縁層材料として強誘電体セラミックスシートを用いるセラミックス絶縁形薄膜ＥＬ素子を実現している。該薄膜ＥＬ素子は、従来からの交流駆動二重絶縁構造薄膜エレクトロルミネッセンス素子（以下薄膜ＥＬ素子と呼ぶ）における、絶縁層絶縁破壊による素子特性の劣化や、カタストロフィック破壊の問題を解決でき、且つ簡単な素子の構造を有することから、安価な素子作製が期待できる。例えば、申請者らの発明になる特願昭６１−２２７４１０、特願昭６３−９９１２９及び特願昭６３−９９１３０においては、基板兼絶縁層として強誘電体である焼結チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）セラミックシート上に各種硫化物蛍光体からなる薄膜発光層を形成したＥＬ素子において高輝度多色発光を実現している。また、ごく最近ではＭｎ添加亜鉛ガレート（Ｚｎ２ＧａＯ４：Ｍｎ）（特願平７−２１２３３２）等の各種酸化物蛍光体薄膜を発光層に用いる同様の素子構造を有するセラミックス絶縁形薄膜ＥＬ素子において、長寿命・高輝度多色発光を実現している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】該薄膜ＥＬ素子の絶縁層兼基体材料として、例えばＢａＴｉＯ３セラミックスシートを用いた場合、ＢａＴｉＯ３セラミックスシートの比誘電率が約５０００程度であることから、発光層に有効に電界を印加するためにはＢａＴｉＯ３セラミックシートの厚さを０．０１から０．８ｍｍ程度に薄く作製することが重要である。しかしながら、この様な薄いセラミックシートは大面積に作製した場合、機械的強度が十分ではない問題点がある。機械的な強度を増強するためには、セラミックスシートを厚くす方法があるが、その分発光層に十分な電界が印加できなくなるため、薄膜ＥＬ素子の駆動電圧の高電圧化、低輝度化を引き起こしてしまう。
【０００４】
本発明は、セラミックス絶縁形薄膜ＥＬ素子と同様の構造を有するエレクトロルミネッセンス機能部を各種セラミックス板や金属板等の任意の基体上に貼り付けることによって、エレクトロルミネッセンス機能部の強誘電体セラミックスシートの厚さを増加させることなく機械的強度を向上させることにより、大面積なセラミックス絶縁形薄膜ＥＬ素子、並びにその製造技術を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記問題点を解決するため、厚さ０．５ｍｍから５．０ｍｍ程度の任意の基体上にセラミックス絶縁形薄膜ＥＬ素子と同様の構造を有するセラミックス絶縁形薄膜エレクロルミネッセンス機能部を張り付けて薄膜ＥＬ素子とするものである。基体材料としては、電子回路用基板材料として使用されている安価な酸化物、窒化物、酸窒化物等の各種セラミックス板及び各種金属板が使用できる。また、一般に食器等に使用されている安価な陶器及び磁器も基体材料として使用可能である。さらに、エレクロルミネッセンス機能部と基体とを有機系の接着剤等で張り付ける場合においては、基体には耐熱性が必要ないため、各種プラスチック材料も基体材料として使用可能である。
【０００６】
シンウェイ・ウーらは、特開平７−５０１９７号広報の中でセラミックス基体上に厚さ１０μｍから５０μｍ程度の厚膜絶縁層を積層形成して作製するＥＬラミネート誘電層構造体を用いるエレクトロルミネッセンス素子について記している。これらのエレクトロルミネッセンス素子においては、絶縁層厚膜を形成するために基体材料としては１３００℃程度の耐熱性が求められる。それに対して、本発明に係わる薄膜ＥＬ素子はエレクトロルミネッセンス機能部を単独で先に作製し、その後に基体と貼り付けることにより薄膜ＥＬ素子を作製している。したがって、基本的に基体材料の耐熱性は必要なく、エレクトロルミネッセンス機能部を張り付ける機械的強度があれば十分であり、極めて広範な材料が利用可能である特徴を有している。また、基体材料にセラミックス等の材料を用いる場合には、エレクトロルミネッセンス機能部を焼結前のグリーンシート上に置き熱処理行うことにより、基体の焼結とエレクトロルミネッセンス機能部の蛍光体薄膜の熱処理による発光性能の向上を同時に行うことが可能であり、さらにエレクトロルミネッセンス機能部が基体材料に焼き付くため、接着剤が必要ない。
【０００７】
本発明に係わる薄膜ＥＬ素子のエレクトロルミネッセンス機能部は、強誘電体セラミックシートの表面上に発光層として各種蛍光体薄膜をスパッタリング法、真空蒸着法、レーザーアブレーション法、有機金属化学気相成長法もしくはゾル・ゲル法等の公知の薄膜作製技術を用いて形成し、その後、蛍光体薄膜の結晶性の改善によるＥＬ特性の向上を目的として熱処理を施す。その上に透明電極として透明導電膜を前記の薄膜作製技術を用いて形成する。次に強誘電体セラミックスシートの裏面に背面電極として金属膜を形成することによって作製する。基体は、セラミックス板を構成する原材料の原子や化合物の混合粉末を乾式、半乾式あるいは湿式法による一軸性加圧成形、押出加圧成形、静水圧加圧成形もしくはドクターブレード法等公知の任意の成形方法によって適当な形状とした後、各種雰囲気中で焼結することにより製造することができる。また、成形と焼結が同時に行い得る高温加圧成形、静水圧高温加圧成形も適用できる。基体に金属板を使用する場合は、各種圧延金属版等が適用できる。該薄膜ＥＬ素子は、前記のエレクトロルミネッセンス機能部を基体上に有機系もしくは無機系の接着剤を用いて張り付けることにより作製できることを発明した。また、エレクトロルミネッセンス機能部と基体の張り付けは、前記方法のみならず、強誘電体セラミックスシートの表面上に発光層、裏面に電極を形成したエレクトロルミネッセンス機能部をグリーンシート等の酸化物成形体上に設置して成形体の焼結による基体作製時に発光部を同時に焼き付け、その後に蛍光体薄膜上に透明電極を形成する方法、及び強誘電体セラミックスシートの表面上に発光層を形成したエレクトロルミネッセンス機能部を、表面に電極を形成したグリーンシート等の酸化物成形体上に設置して成形体の焼結による基体作製時に発光部を同時に焼き付け、その後に蛍光体薄膜上に透明電極を形成する方法も発明した。これらの、エレクトロルミネッセンス機能部を基体作製時に同時に焼き付ける方法を用いた時には、焼結雰囲気を制御することにより、エレクトロルミネッセンス機能部を基体の張り付けと同時に蛍光体薄膜の熱処理も行うことが可能であり、ＥＬ素子の作製工程を短縮することを発明した。
【０００８】
【作用】本発明に係わる薄膜ＥＬ素子は、エレクトロルミネッセンス機能部を任意の基体上に張り付ける構造を採用することにより、強誘電体セラミックスシートの厚さを薄く保ち、低電圧駆動、高発光輝度を維持した状態で大面積化を実現できる。また、基体材料は機械的強度とある程度の耐熱性を持っていれば良く、幅広い材料を使用可能な作用効果がある。さらに、該薄膜ＥＬ素子は単純な素子構造であることから実用的には非常に安価に製作できる。また、該薄膜ＥＬ素子は強誘電体セラミックスシートを基体上に貼り付ることから、薄膜ＥＬ素子駆動時に強誘電体セラミックスシートの圧電性に起因する音の発生を抑制する作用効果がある。
【０００９】
以下、本発明を実施例により説明する。
【００１０】
【実施例１】厚さ０．２ｍｍ、１０ｃｍ角のＢａＴｉＯ３セラミックシート絶縁層上に申請者らの発明になる硫黄ソースとして二硫化炭素を用いる有機金属化学気相長法によりＭｎ添加硫化亜鉛（ＺｎＳ：Ｍｎ）蛍光体薄膜を膜厚約４５０ｎｍ成膜し、その後、蛍光体薄膜の結晶性の改善によるＥＬ特性の向上を目的として不活性ガス雰囲気中、８００℃で１時間熱処理を行って発光層を形成する。そして該発光層薄膜上にアルミニウム添加酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）透明電極を、他面には金属Ａｌ電極を形成しエレクトロルミネッセンス機能部を形成した。その後、厚さ１．５ｍｍ、１２ｃｍ角のアルミナセラミックス基体上に該エレクトロルミネッセンス機能部をエポキシ系樹脂で張り付けて図１に示す構造の薄膜ＥＬ素子を作製した。該薄膜ＥＬ素子に１ｋＨｚ正弦波交流電圧を印加したところ、図２に示すように、９０００ｃｄ／ｍ２を越える高輝度黄色発光が得られた。
【００１１】
【実施例２】厚さ０．２ｍｍ、１０ｃｍ角のＢａＴｉＯ３セラミックスシート絶縁層上に申請者らの発明になる硫黄ソースとして二硫化炭素を用いる有機金属化学気相長法によりＭｎ添加硫化亜鉛（ＺｎＳ：Ｍｎ）蛍光体薄膜を膜厚約４５０ｎｍ成膜し、その後、蛍光体薄膜の結晶性の改善によるＥＬ特性の向上を目的として不活性ガス雰囲気中、８００℃で１時間熱処理を行って発光層を形成する。該発光層薄膜上にアルミニウム添加酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）透明電極を形成し、Ａｒプラズマを用いるドライエッチング法を用いてＺｎＯ：Ａｌ透明電極を日の字形の７セグメント形にパターニングした。他面には金属Ａｌ電極を形成しエレクトロルミネッセンス機能部を形成した。その後、厚さ１．５ｍｍ、１２ｃｍ角の窒化硼素セラミックス基体上に該エレクトロルミネッセンス機能部をエポキシ系樹脂で張り付け日の字形の７セグメント薄膜ＥＬ表示装置を作製した。該薄膜ＥＬ表示装置において、図３に示すようなセグメント表示が実現できた。
【００１２】
【実施例３】厚さ０．２ｍｍ、１０ｃｍ角のＢａＴｉＯ３セラミックシート絶縁層上に申請者らの発明になる硫黄ソースとして二硫化炭素を用いる有機金属化学気相長法によりＭｎ添加硫化亜鉛（ＺｎＳ：Ｍｎ）蛍光体薄膜を膜厚約４５０ｎｍ成膜し、その後、蛍光体薄膜の結晶性の改善によるＥＬ特性の向上を目的として不活性ガス雰囲気中、８００℃で１時間熱処理を行って発光層を形成する。そして該セラミックシート絶縁層の裏面に金属Ａｌ電極を形成しエレクトロルミネッセンス機能部を形成した。その後、厚さ１．５ｍｍ、１２ｃｍ角の酸窒化アルミニウムセラミックス基体上に該エレクトロルミネッセンス機能部をエポキシ系樹脂で張り付けて、その後該発光層薄膜上にアルミニウム添加酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）透明電極を形成して薄膜ＥＬ素子を作製した。該薄膜ＥＬ素子に１ｋＨｚ正弦波交流電圧を印加したところ、９０００ｃｄ／ｍ２を越える高輝度黄色発光が得られた。
【００１３】
【実施例４】厚さ０．２ｍｍ、１０ｃｍ角のＢａＴｉＯ３セラミックスシート絶縁層上に申請者らの発明になる硫黄ソースとして二硫化炭素を用いる有機金属化学気相長法によりＭｎ添加硫化亜鉛（ＺｎＳ：Ｍｎ）蛍光体薄膜を膜厚約４５０ｎｍ成膜し、その後、蛍光体薄膜の結晶性の改善によるＥＬ特性の向上を目的として不活性ガス雰囲気中、８００℃で１時間熱処理を行って発光層を形成してエレクトロルミネッセンス機能部を形成した。その後、表面に電極を形成した厚さ１．５ｍｍ、１２ｃｍ角の珪酸マグネシウムセラミックス基体上に該エレクトロルミネッセンス機能部をエポキシ系樹脂で張り付け、その後該発光層薄膜上にアルミニウム添加酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）透明電極を形成して薄膜ＥＬ素子を作製した。該薄膜ＥＬ素子に１ｋＨｚ正弦波交流電圧を印加したところ、９０００ｃｄ／ｍ２を越える高輝度黄色発光が得られた。
【００１４】
【実施例５】厚さ０．２ｍｍ、１０ｃｍ角のＢａＴｉＯ３セラミックスシート絶縁層上に申請者らの発明になる硫黄ソースとして二硫化炭素を用いる有機金属化学気相長法によりＭｎ添加硫化亜鉛（ＺｎＳ：Ｍｎ）蛍光体薄膜を膜厚約４５０ｎｍ成膜し、その後、蛍光体薄膜の結晶性の改善によるＥＬ特性の向上を目的として不活性ガス雰囲気中、８００℃で１時間熱処理を行って発光層を形成する。そして該発光層薄膜上にアルミニウム添加酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）透明電極を、他面には金属Ａｌ電極を形成しエレクトロルミネッセンス機能部を形成した。その後、厚さ１．５ｍｍ、１２ｃｍ角の銅板基体上に該エレクトロルミネッセンス機能部をエポキシ系樹脂で張り付けて図４に示す構造の薄膜ＥＬ素子を作製した。該薄膜ＥＬ素子に１ｋＨｚ正弦波交流電圧を印加したところ、９０００ｃｄ／ｍ２を越える高輝度黄色発光が得られた。
【００１５】
【実施例６】厚さ０．２ｍｍ、１０ｃｍ角のＢａＴｉＯ３セラミックスシート絶縁層上に申請者らの発明になる硫黄ソースとして二硫化炭素を用いる有機金属化学気相長法によりＭｎ添加硫化亜鉛（ＺｎＳ：Ｍｎ）蛍光体薄膜奪膜厚約４５０ｎｍ成膜し、その後、蛍光体薄膜の結晶性の改善によるＥＬ特性の向上を目的として不活性ガス雰囲気中、８００℃で１時間熱処理を行って発光層を形成する。そして該発光層薄膜上にアルミニウム添加酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）透明電極を、他面には金属Ａｌ電極を形成しエレクトロルミネッセンス機能部を形成した。その後、厚さ１．６ｍｍ、１２ｃｍ角のアクリル基体上に該エレクトロルミネッセンス機能部をエポキシ系樹脂で張り付けて図５に示す構造の薄膜ＥＬ素子を作製した。該薄膜ＥＬ素子に１ｋＨｚ正弦波交流電圧を印加したところ、９０００ｃｄ／ｍ２を越える高輝度黄色発光が得られた。
【００１６】
【実施例７】
厚さ０．２ｍｍ、１０ｃｍ角のＢａＴｉＯ３セラミックスシート絶縁層上に、申請者らの発明になるＭｎ添加Ｇａ２Ｏ３（Ｇａ２Ｏ３：Ｍｎ）蛍光体粉末をターゲットとして用いる高周波マグネトロンスパッタ法を用いてＧａ２Ｏ３：Ｍｎ蛍光体薄膜発光層を膜厚約１μｍに成膜し、その後、該蛍光体薄膜の結晶性の改善によるＥＬ特性の向上を目的として不活性ガス雰囲気中、１０２０℃で１時間熱処理を行って発光層を形成する。そして該発光層薄膜上にアルミニウム添加酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）透明電極を、他面には金属Ａｌ電極を形成しエレクトロルミネッセンス機能部を形成した。その後、厚さ１．５ｍｍ、１２ｃｍ角のアルミナセラミックス基体上に該エレクトロルミネッセンス機能部をエポキシ系樹脂で張り付けて薄膜ＥＬ素子を作製した。該薄膜ＥＬ素子に１ｋＨｚ正弦波交流電圧を印加したところ、３０００ｃｄ／ｍ２を越える高輝度緑色発光が得られた。
【００１７】
【実施例８】厚さ０．２ｍｍ、１０ｃｍ角のＢａＴｉＯ３セラミックスシート絶縁層上に、ゾルーゲル法を用いて申請者らの発明になるマンガン（Ｍｎ）添加亜鉛ガレート（ＺｎＧａ２Ｏ４：Ｍｎ）蛍光体薄膜発光層を膜厚約１μｍに成膜し、その後、該蛍光体薄膜の結晶性の改善によるＥＬ特性の向上を目的として不活性ガス雰囲気中、１０００℃で１時間熱処理を行って発光層を形成する。そして該発光層薄膜上にアルミニウム添加酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）透明電極を、他面には金属Ａｌ電極を形成しエレクトロルミネッセンス機能部を形成した。その後、厚さ１．５ｍｍ、１２ｃｍ角のアルミナセラミックス基体上に該エレクトロルミネッセンス機能部をエポキシ系樹脂で張り付けて薄膜ＥＬ素子を作製した。該薄膜ＥＬ素子に１ｋＨｚ正弦波交流電圧を印加したところ、３０００ｃｄ／ｍ２を越える高輝度緑色発光が得られた。
【００１８】
【実施例９】厚さ０．２ｍｍ、１０ｃｍ角のＢａＴｉＯ３セラミックスシート絶縁層上に申請者らの発明になるＭｎ添加Ｇａ２Ｏ３（Ｇａ２Ｏ３：Ｍｎ）蛍光体粉末をターゲットとして用いる高周波マグネトロンスパッタ法を用いてＧａ２Ｏ３：Ｍｎ蛍光体薄膜発光層を膜厚約１μｍに成膜し、セラミックスシート絶縁層の裏面には金属Ｍｏ電極を形成しエレクトロルミネッセンス素子部を形成した。その後、ドクターブレード法により作製した厚さ２．０ｍｍ、１２ｃｍ角のアルミナグリーンシート上にエレクトロルミネッセンス機能部を置き、１１００℃で焼結して基体の形成及び基体とエレクトロルミネッセンス機能部の張り付けを同時に行って、図６に示す構造の薄膜ＥＬ素子を作製した。また、該蛍光体薄膜はこの時同時に熱処理されるので、特別な熱処理工程は不要である。その後、該発光層薄膜上にアルミニウム添加酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）透明電極を形成した。該薄膜ＥＬ素子に１ｋＨｚ正弦波交流電圧を印加したところ、１０００ｃｄ／ｍ２を越える高輝度緑色発光が得られた。
【００１９】
上記実施例１から９に記載した基体として用いる材料としては、エレクトロルミネッセンス機能部を張り付けた時に、所定の強度を維持できるものであれば特に限定されるものではない。具体的には、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）、硼化マグネシウム（ＭｇＢ２）、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＯ）素等のセラミック材料を挙げることができる。また、ＢａＴｉＯ３セラミックスシート絶縁層を単独で焼結して作製した後、無機セラミックス系の接着剤を用いて基体と貼り合わせる場合は、無機セラミックス系の接着剤の固化温度である１５０℃程度の耐熱性があれば良い。さらに、有機系の樹脂接着剤を用いて貼り合わせる場合は耐熱温度による制限もないため、上記材料に加えて、ガラスや塩化ビニル、アクリル等のプラスチック材料が使用できる。
【００２０】
また、金属を基体として使用する場合には、主成分が、パラジウム、ロジウム、レニウム、白金、タンタル、ニッケル、クロム、ステンレス、インコネル、コバール、インパール、パーマロイ、ニクロム、鉄系等の金属材料を挙げることができる。
【００２１】
本発明は、上記実施例に限られるものではなく、上記実施例で示したＺｎＯ：Ａｌ透明電極層以外に酸化錫（ＳｎＯ２）系やインジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）系等の透明導電膜を使用することは一向に差し支えない。セラミックスシート絶縁層はその比誘電率が１００以上あれば良く、９００℃程度の熱処理に耐えられれば、必ずしもＢａＴｉＯ３である必要はない。
【００２２】
【発明の効果】
本発明によれば、該薄膜ＥＬ素子は、エレクトロルミネッセンス機能部を任意の基体上に張り付ける構造を採用していることから、エレクトロルミネッセンス機能部の強誘電体セラミックスシートの厚さを薄く保ったまま大面積化が実現できる。強誘電体セラミックスシートの厚さを薄く保っていることから低電圧駆動、高発光輝度を維持したまま大面積化を実現でき、さらに、該薄膜ＥＬ素子は単純な素子構造であることから実用的には非常に安価に製作できる。また、エレクトロルミネッセンス機能部自体が、基体兼絶縁層である強誘電体セラミックスシートを有していることから、貼り付け先となる基体の物性、例えば融点や化学的安定性による薄膜ＥＬ素子作製プロセスの制限を受けない。すなわち、基体自体は、強誘電体セラミックスシートの機械的強度を補強できる機能のみがあれば良く、極めて広範な材料が使用可能である。これは、必ず基体上に電極層、絶縁層、蛍光体発光層、絶縁層、電極層の各種薄膜を順番に積層する必要があり、基体の物性によって薄膜ＥＬ素子の作製プロセスに大きな制限を受ける従来の二重絶縁形薄膜ＥＬ素子の短所を一挙に解決できる画期的な発明である。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１における素子構造
１．．．．．．．．透明電極層
２．．．．．．．．蛍光体層
３．．．．．．．．強誘電体セラミックスシート
４．．．．．．．．背面電極層
５．．．．．．．．アルミナセラミックス基体
【図２】実施例１における駆動周波数１ｋＨｚ正弦波時の輝度−印加電圧特性
【図３】実施例２におけるセグメント表示の状態
【図４】実施例４における素子構造
１．．．．．．．．透明電極層
２．．．．．．．．蛍光体層
３．．．．．．．．強誘電体セラミックスシート
４．．．．．．．．背面電極層
５．．．．．．．  銅板基体
【図５】実施例６における素子構造
１．．．．．．．．透明電極層
２．．．．．．．．蛍光体層
３．．．．．．．．強誘電体セラミックスシート
４．．．．．．．．背面電極層
５．．．．．．．  アクリル基体
【図６】実施例８における素子構造
１．．．．．．．．透明電極層
２．．．．．．．．蛍光体層
３．．．．．．．．強誘電体セラミックスシート
４．．．．．．．．背面電極層
５．．．．．．．  アルミナセラミックス基体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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