(57)【要約】【課題】電子ビームの径を太くすることなく、電子ビームの径を太くした場合と同等の描画を行うことを可能にする電子ビーム描画装置を提供する。【解決手段】周波数重畳回路１１５は、可変ゲイン回路１１７ａ、１１７ｂと、可変周波数回路１１９と、を含んで構成されており、可変ゲイン回路１１７ａ、１１７ｂは、制御部からのゲイン外部コントロール信号に従い、入出力回路１１３ｂ、１１３ｄに入力される偏向信号に重畳する周波数信号の振幅を各々調整する。また、可変周波数回路１１９は、制御部１７０からの周波数外部コントロール信号に従い、入出力回路１１３ｂ、１１３ｄに入力される偏向信号に重畳する周波数信号の周波数を調整する。これにより、電子ビームは、基材の被描画面において副走査方向に振られることで、蛇行しながら主走査方向に走査されることになる。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被描画対象である基材に対して、所定の構造を描画するための電子ビーム描画装置であって、
前記基材に対して電子ビームを照射するための電子ビーム照射手段と、
前記電子ビーム照射手段から照射される電子ビームを、第１の入力信号に従って偏向させることで前記基材上を主走査方向に走査すると共に、第２の入力信号に従って偏向させることで前記主走査方向に走査される電子ビームを前記主走査方向と異なる方向である副走査方向に移動して、前記基材上を順次走査する電子ビーム走査手段と、
前記電子ビーム走査手段に入力される前記第２の入力信号に対して、特定の周波数を有する周波数信号を重畳する周波数重畳手段と、を備えたことを特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記周波数信号の振幅を調整する振幅調整手段を、さらに備えたことを特徴とする請求項１記載の電子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記周波数信号の周波数を調整する周波数調整手段を、さらに備えたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記周波数信号の振幅及び周波数に応じて、前記電子ビーム走査手段を制御することで、前記電子ビームの副走査方向に関する走査間隔を調整する走査間隔制御手段を、さらに備えたことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の電子ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子ビームによる描画技術に関するものであり、特に、被描画対象となる基材に対して、電子ビームによって所定のパターンを描画する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子ビーム描画装置により描画を行うことが試みられている（例えば、特許文献１参照）。このような電子ビーム描画装置においては、微細なパターン形状を形成するために、一般に、細いビーム径にて描画を行うことが要求されている。また一方では、生産効率を上げるべく短時間で描画を終了させたい場合や、描画する線幅を微調整したい場合などには、太いビーム径にて描画を行うことが部分的に望まれることがある。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−３３３７２２号公報
（段落〔００６１〕‐〔０１６０〕、第１図乃至第４図）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、例えば一般的なスポットビーム方式の電子ビーム描画装置においては、電子ビームのビーム径は、通常、数ｎｍから数十ｎｍの範囲に設定されており、描画時間を短縮しようとして、ビーム径をこれ以上に太くした場合には、収差などの問題が生じて実用的でなくなるという問題がある。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、電子ビームのビーム径を太くすることなく、ビーム径を太くした場合と同等の描画を行うことを可能にする電子ビーム描画装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、被描画対象である基材に対して、所定の構造を描画するための電子ビーム描画装置であって、前記基材に対して電子ビームを照射するための電子ビーム照射手段と、前記電子ビーム照射手段から照射される電子ビームを、第１の入力信号に従って偏向させることで前記基材上を主走査方向に走査すると共に、第２の入力信号に従って偏向させることで前記主走査方向に走査される電子ビームを前記主走査方向と異なる方向である副走査方向に移動して、前記基材上を順次走査する電子ビーム走査手段と、前記電子ビーム走査手段に入力される前記第２の入力信号に対して、特定の周波数を有する周波数信号を重畳する周波数重畳手段と、を備えたことを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る電子ビーム描画装置の好適な一実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。
【０００８】
［電子ビーム描画装置の全体構成］
図１に、本実施形態における電子ビーム描画装置の全体構成を表す説明図を示す。図１に示すように、当該電子ビーム描画装置１は、大電流で高解像度の電子線プローブを形成して高速に描画対象の基材２上を走査するものであり、高解像度の電子線プローブを形成し、電子ビームを生成してターゲットに対してビーム照射を行う電子ビーム生成手段である電子銃１２と、この電子銃１２からの電子ビームを通過させるスリット１４と、スリット１４を通過する電子ビームの基材２に対する焦点位置を制御するための電子レンズ１６と、電子ビームが出射される経路上に配設されたアパーチャー１８と、電子ビームを偏向させることでターゲットである基材２上の走査位置等を制御する偏向器２０と、偏向を補正する補正用コイル２２と、を含んで構成されている。尚、これらの各部は、鏡筒１０内に配設されて電子ビーム出射時には真空状態に維持される。
【０００９】
尚、電子銃１２は、本発明の「電子ビーム照射手段」に対応する。また、偏向器２０は、本発明の「電子ビーム走査手段」に対応する。
【００１０】
さらに、電子ビーム描画装置１は、描画対象となる基材２を載置するための載置台であるＸＹＺステージ３０と、このＸＹＺステージ３０上の載置位置に基材２を搬送するための搬送手段であるローダ４０と、ＸＹＺステージ３０上の基材２の表面の基準点を測定するための測定手段である測定装置８０と、ＸＹＺステージ３０を駆動するための駆動手段であるステージ駆動手段５０と、ローダを駆動するためのローダ駆動装置６０と、鏡筒１０内及びＸＹＺステージ３０を含む筐体１１内を真空となるように排気を行う真空排気装置７０と、これらの制御を司る制御手段である制御回路１００と、を含んで構成されている。
【００１１】
尚、電子レンズ１６は、高さ方向に沿って複数箇所に離間して設置される各コイル１７ａ、１７ｂ、１７ｃに電流を供給することで電子的なレンズを複数生成し、上述の電流値を制御することで、電子ビームの焦点位置及び焦点幅（ビームウエストの幅）を調整する。
【００１２】
測定装置８０は、基材２に対してレーザーを照射することで基材２を測定するレーザー測長器８２と、レーザー測長器８２にて発光されたレーザー光（照射光）が基材２を反射し当該反射光を受光する受光部８４と、を含んで構成されている。
【００１３】
ステージ駆動手段５０は、ＸＹＺステージ３０をＸ方向に駆動するＸ方向駆動機構５２と、ＸＹＺステージ３０をＹ方向に駆動するＹ方向駆動機構５４と、ＸＹＺステージ３０をＺ方向に駆動するＺ方向駆動機構５６と、ＸＹＺステージ３０をθ方向に駆動するθ方向駆動機構５８と、を含んで構成されている。これによって、ＸＹＺステージ３０を３次元的に動作させたり、アライメントを行うことができる。
【００１４】
制御回路１００は、電子銃１２に電源を供給するための電子銃電源部１０２と、この電子銃電源部１０２での電流、電圧などを調整制御する電子銃制御部１０４と、電子レンズ１６（複数の各電子的なレンズを各々）を動作させるためのレンズ電源部１０６と、このレンズ電源部１０６での各電子レンズに対応する各電流を調整制御するレンズ制御部１０８と、を含んで構成される。
【００１５】
さらに、制御回路１００は、補正用コイル２２を制御するためのコイル制御部１１０と、偏向器２０にて成形方向の偏向を行う成形偏向部１１２ａと、偏向器２０にて副走査方向の偏向を行うための副偏向部１１２ｂと、偏向器２０にて主走査方向の偏向を行うための主偏向部１１２ｃと、成形偏向部１１２ａを制御するためにデジタル信号をアナログ信号に変換制御する高速Ｄ／Ａ変換器１１４ａと、副偏向部１１２ｂを制御するためにデジタル信号をアナログ信号に変換制御する高速Ｄ／Ａ変換器１１４ｂと、主偏向部１１２ｃを制御するためにデジタル信号をアナログ信号に変換制御する高精度Ｄ／Ａ変換器１１４ｃと、を含んで構成される。尚、此処にいう副走査方向とは、主走査方向と異なる方向であって、本実施形態においては、主走査方向と直交する方向であるものとする。即ち、電子ビームは、主走査方向に走査されつつ副走査方向に移動され、これが順次繰り返されることで基材の表面を描画することとなる。
【００１６】
さらに、制御回路１００は、偏向器２０における位置誤差を補正する、即ち、位置誤差補正信号などを各高速Ｄ／Ａ変換器１１４ａ、１１４ｂ、及び高精度Ｄ／Ａ変換器１１４ｃに対して供給して位置誤差補正を促す、或いは、コイル制御部１１０に対して当該信号を供給することで補正用コイル２２にて位置誤差補正を行う位置誤差補正回路１１６と、これら位置誤差補正回路１１６並びに各高速Ｄ／Ａ変換器１１４ａ、１１４ｂ及び高精度Ｄ／Ａ変換器１１４ｃを制御して電子ビームの電界を制御する電界制御手段である電界制御回路１１８と、基材２に対して描画する描画パターンを発生させるパターン発生回路１２０と、を含んで構成される。因みに、パターン発生回路１２０は、メモリ１６０に格納される各種描画パターンの形状に関する情報に基づいて、所定の描画パターンを生成する。
【００１７】
さらに、制御回路１００は、レーザー測長器８２を上下左右に移動させることによるレーザー照射位置の移動及びレーザー照射角の角度等の駆動制御を行うレーザー駆動制御回路１３０と、レーザー測長器８２でのレーザー照射光の出力（レーザーの光強度）を調整制御するためのレーザー出力制御回路１３４と、受光部８４での受光結果に基づき、測定結果を算出するための測定算出部１４０と、を含んで構成される。
【００１８】
さらに、制御回路１００は、ステージ駆動手段５０を制御するためのステージ制御回路１５０と、ローダ駆動装置６０を制御するローダ制御回路１５２と、上述のレーザー駆動回路１３０、レーザー出力制御回路１３４、測定算出部１４０、ステージ制御回路１５０及びローダ制御回路１５２を制御する機構制御回路１５４と、真空排気装置７０の真空排気を制御する真空排気制御回路１５６と、基材２の形状に関する測定情報を入力するための測定情報入力部１５８と、入力された情報や他の複数の情報を記憶するための記憶手段であるメモリ１６０と、各種制御を行うための制御プログラムを記憶したプログラムメモリ１６２と、これらの各部の制御を司る例えばＣＰＵなどにて形成された制御部１７０と、を含んで構成されている。
【００１９】
尚、上述の副偏向部１１２ｂ、高速Ｄ／Ａ変換器１１４ｂ、電界制御回路１１８、メモリ１６０、プログラムメモリ１６２及び制御部１７０は、本発明の「走査間隔制御手段」を構成する。
【００２０】
上述のような構成を有する電子ビーム描画装置１において、ローダ４０によって搬送された基材２がＸＹＺステージ３０上に載置されると、真空排気装置７０によって鏡筒１０及び筐体１１内の空気やダストなどを排気したした後、電子銃１２から電子ビームが照射される。
【００２１】
電子銃１２から照射された電子ビームは、電子レンズ１６を介して偏向器２０により偏向され、偏向された電子ビームＢ（以下、この電子レンズ１６を通過後の偏向制御された電子ビームに関してのみ「電子ビームＢ」と符号を付与することがある）は、ＸＹＺステージ３０上の基材２の表面、例えば平面部２ａ上の描画位置に対して照射されることで描画が行われる。
【００２２】
この際に、測定装置８０によって、基材２上の描画位置（描画位置のうち少なくとも高さ位置）の位置が測定され、制御回路１００は、当該測定結果に基づき、電子レンズ１６のコイル１７ａ、１７ｂ、１７ｃなどに流れる各電流値などを調整制御して、電子ビームＢの焦点深度の位置、即ち、焦点位置を制御し、当該焦点位置が描画位置となるように移動制御される。
【００２３】
或いは、測定結果に基づき、制御回路１００は、ステージ駆動手段５０を制御することにより、電子ビームＢの焦点位置が描画位置となるようにＸＹＺステージ３０を移動させる。
【００２４】
また、本例においては、電子ビームの制御、ＸＹＺステージ３０の制御のいずれか一方の制御によって行っても、双方を利用して行ってもよい。
【００２５】
次に、測定装置８０について、図３を参照しつつ説明する。測定装置８０は、より詳細には、図３に示すように、レーザー測長器８２及び受光部８４を有する。
【００２６】
レーザー測長器８２により電子ビームと交差する方向から基材２に対して光ビームＳ１を照射し、基材２の平面部２ａで反射される光ビームＳ１の受光によって、光ビームの反射位置の変化が検出される。
【００２７】
この際に、図３に示すように、光ビームＳ１は、基材２の平面部２ａにて反射されるため、光ビームの反射位置の変化に基づき、基材２の平面部２ａ上の（高さ）位置が測定算出されることになる。
【００２８】
そして、この基材の高さ位置を、例えば描画位置として、電子ビームの焦点位置の調整が行われ、描画が行われることとなる。
【００２９】
具体的には、図２（Ｃ）に示すように、ビームウエストＢＷの位置を１フィールド（ｍ＝１）内の描画位置に調整制御する。そして、１フィールド内をＹ方向にシフトしつつ順次Ｘ方向に走査することにより、１フィールド内の描画が行われる。
【００３０】
そして、１フィールド内の描画が行われた後、他のフィールド、例えばｍ＝２のフィールド、ｍ＝３のフィールドにおいても、上述同様に、測定や描画位置の算出を行いつつ描画処理がリアルタイムで行われることとなる。このようにして、描画されるべき描画領域について全ての描画が終了すると、基材２の表面における描画処理が終了することとなる。
【００３１】
ところで、基材２上に描画すべき所定の構造において、特に加工深さは、図４に示すように、所定の焦点深度ＦＺ内で照射する電子ビームＢの露光エネルギー量で変化するよう制御されている。また、当該露光エネルギー量は、描画されるべき構造に対応するドーズ量に対応する。また、本例においては、この描画領域を被描画層とし、この被描画層における平面部２ａ表面の平面に該当する部分を被描画面としている。
【００３２】
尚、上述のような各種演算処理、測定処理、制御処理などは、制御部１７０が行い、その処理プログラムは、予めプログラムメモリ１６２に制御プログラムとして格納される。
【００３３】
［副偏向部の全体構成］
図５に、副偏向部１１２ｂを含む周辺部の構成を表す説明図を示す。図５に示すように、副偏向部１１２ｂは、高速Ｄ／Ａ変換機１１４ｂからの入力に基づいて、予め当該装置において定義されたＸ方向に関する偏向信号、より詳細には、Ｘ方向に関する“＋”と“−”の位相の偏向信号を偏向器２０の対向配置される偏向板２１ａ、２１ｂの各々に出力する入出力回路１１３ａ、１１３ｂと、Ｘ方向と直交するＹ方向に関する偏向信号、より詳細にはＹ方向に関する“＋”と“−”の位相の偏向信号を偏向器２０の対向配置される偏向板２１ｃ、２１ｄの各々に出力する入出力回路１１３ｃ、１１３ｄと、これら入出力回路１１３ａ、１１３ｂ及び入出力回路１１３ｃ、１１３ｄの内、何れかの位相側（本例においては、“−”の位相側である入出力回路１１３ｂ、１１３ｄ）に入力される信号に対して特定の周波数を有する周波数信号（例えば高周波信号）を重畳する周波数重畳回路１１５と、を含んで構成されている。因みに、入出力回路１１３ｂ、１１３ｄは、高速Ｄ／Ａ変換機１１４ｂから入力され、入出力回路１１３ａ、１１３ｃを経由した電子ビームＢの偏向信号と、周波数重畳回路１１５からの周波数信号とを加算処理することで、これらを重畳すると共に、その極性を反転させる。これら入出力回路１１３ｂ、１１３ｄは、通常の演算回路によって構成することができる。
【００３４】
尚、周波数重畳回路１１５及び入出力回路１１３ｂ、１１３ｄで、本発明の「周波数重畳手段」を構成する。また、此処にいうＸ方向に関する偏向信号は、本発明の第１の入力信号に対応する。また、此処にいうＹ方向に関する偏向信号は、本発明の第２の入力信号に対応する。
【００３５】
上述したように、電子銃１２から照射された電子ビームは、電子レンズ１６を介して偏向器２０により偏向され、偏向された電子ビームＢは、ＸＹＺステージ３０上の基材２の表面、例えば平面部（平面）２ａ上の描画位置に対して照射され、描画が行われる。この際、基材２の平面部２ａにバイナリー形状の溝を成形する場合には、制御部１７０による制御の下、上述のような構成を有する副偏向部１１２ｂによって、以下に説明するような電子ビームの描画が行われる。
【００３６】
尚、以下においては、上述した“予め当該装置において定義されたＸ方向”と“Ｘ方向と直交するＹ方向”は、それぞれ電子ビームＢの主走査方向と副走査方向に一致する場合を例に挙げて説明する。
【００３７】
図６（Ｃ）に示すように、例えば基材２の平面部２ａに幅Ｄ３のバイナリー形状の溝を成形する場合には、従来においては、図６（Ａ）に示すように、被描画層であるレジスト層Ｌにおいて、図におけるＸ方向に複数回（例えばｎ回）走査することで、溝の描画を行っている。
【００３８】
一方、当該電子ビーム描画装置１においては、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、副偏向部１１２ｂの周波数重畳回路１１５によって、電子ビームＢの副走査方向であるＹ方向に関する偏向信号、より詳細には、入出力回路１１３ｄに入力されるＹ方向に関する偏向信号に対して周波数信号を重畳することで、図６（Ｂ）に示すように、電子ビームＢを被描画層であるレジスト層Ｌにおいて、図におけるＹ方向に振ることにより、電子ビームＢを蛇行させながらＸ方向に走査して、溝の描画を行うので、例えば電子ビームＢのビームウエストＢＷが幅Ｄ２＝Ｄ１である場合には、これを被描画層であるレジスト層Ｌにおいて、図におけるＸ方向に、例えばｍ回（ｍ≦ｎ）走査することで、同様の溝の描画を行うことができる。これは、電子ビームＢを、図におけるＹ方向に振ることにより、電子ビームＢを蛇行させながらＸ方向に走査する場合には、ビームウエストＢＷの幅Ｄ２は、従来におけるビームウエストＢＷの幅Ｄ１よりも小さな値であっても、これと同様の範囲を描画することができるからである。これにより、図６（Ｃ）に示すようなバイナリー形状の溝を成形することができる。因みに、電子ビームＢを複数回走査することで１つの溝の描画を行う場合には、隣接する電子ビームＢの走査間隔は、ビームウエストＢＷの幅や近接効果による影響などを鑑みて、互いの描画範囲が重なることなく、且つ、描画されない範囲が無くなるように決定されることになる。尚、この詳細については後述する。
【００３９】
図５に戻って、周波数重畳回路１１５は、制御部１７０からのゲイン外部コントロール信号に従って、入出力回路１１３ｂ、１１３ｄに入力される信号に重畳する周波数信号の振幅を各々調整する可変ゲイン回路１１７ａ、１１７ｂと、制御部１７０からの周波数外部コントロール信号に従って、入出力回路１１３ｂ、１１３ｄに入力される信号に重畳する周波数信号の周波数を調整する可変周波数回路１１９と、を含んで構成されている。因みに、可変ゲイン回路１１７ａ、１１７ｂは、可変抵抗減衰器などによって構成することができる。また、可変周波数回路１１９は、ＶＣＯ（Ｖａｌｔａｇｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）などによって構成することができる。
【００４０】
尚、可変ゲイン回路１１７ａ、１１７ｂ及び制御部１７０は、本発明の「振幅調整手段」を構成する。また、可変周波数回路１１９及び制御部１７０は、本発明の「周波数調整手段」を構成する。
【００４１】
これにより、当該電子ビーム描画装置１においては、図６（Ｂ）に示すように、電子ビームＢを被描画層であるレジスト層Ｌにおいて、図におけるＹ方向に振ることにより、電子ビームＢを蛇行させながらＸ方向に走査する際の走査線の軌跡に関する振幅Ａ２、及び周波数１／Ｔ２（Ｔ２は周期）を調整することができる。即ち、例えば可変ゲイン回路１１７ｂによって、電子ビームＢの副走査方向であるＹ方向に関する偏向信号、より詳細には、入出力回路１１３ｄに入力されるＹ方向に関する偏向信号に対して重畳される周波数信号の振幅を調整することで、電子ビームＢを被描画層であるレジスト層Ｌにおいて、Ｙ方向に振ることにより、電子ビームＢを蛇行させながらＸ方向に走査する際の走査線の軌跡に関する振幅Ａ２を調整することができる。同様に、例えば、可変周波数回路１１９によって、電子ビームＢの副走査方向であるＹ方向に関する偏向信号、より詳細には、入出力回路１１３ｄに入力されるＹ方向に関する偏向信号に対して重畳される周波数信号の周波数を調整することで、電子ビームＢを被描画層であるレジスト層Ｌにおいて、Ｙ方向に振ることにより、電子ビームＢを蛇行させながらＸ方向に走査に走査する際の走査線の軌跡に関する周波数１／Ｔ２を調整することができる。
【００４２】
このような構成において、例えば基材２の平面部２ａに幅Ｄ３のバイナリー形状の溝を成形する場合には、図６（Ｂ）に示すように、例えば電子ビームＢのビームウエストＢＷを幅Ｄ２に調整して、可変ゲイン回路１１７ｂによって、これを被描画層であるレジスト層Ｌにおいて、図におけるＹ方向に振ることにより、電子ビームＢを蛇行させながらＸ方向に走査する際の走査線の軌跡に関する振幅をＡ２に調整して、さらに、可変周波数回路１１９によって、これを被描画層であるレジスト層Ｌにおいて、図におけるＹ方向に振ることにより、電子ビームＢを蛇行させながらＸ方向に走査する際の走査線の軌跡に関する周波数を１／Ｔ２に調整した上で、これを複数回（例えばｍ回）走査させることで描画を行う際には、隣接する電子ビームＢの走査間隔Ｗ２は、ビームウエストＢＷの幅Ｄ２と、電子ビームＢの走査線の軌跡に関する振幅Ａ２と、電子ビームＢの走査線の軌跡に関する周波数１／Ｔ２とから決定される近接効果による影響（描画影響範囲）を鑑みて、互いの描画影響範囲が重なることなく、且つ、描画影響範囲から漏れる部分が無くなる値に決定される。
【００４３】
尚、上述した各種演算処理、制御処理などは、制御部１７０が行い、その処理プログラムは、予めプログラムメモリ１６２に制御プログラムとして格納されている。また、その際に必要となる情報、例えば基材２の平面部２ａに所望するバイナリー形状の回折構造を形成するための、ビームウエストＢＷの幅、電子ビームＢの走査線の軌跡に関する振幅、電子ビームＢの走査線の軌跡に関する周波数、及び、これらから決定される近接効果による影響などに関する情報は、予めメモリ１６０に格納されている。
【００４４】
以上に説明したように、本実施形態における電子ビーム描画装置によれば、電子ビームを走査する偏向器の入力信号に対して、周波数信号を重畳させることで、電子ビームを副走査方向に振ることにより、電子ビームを蛇行させながら主走査方向に走査することができるので、電子ビームの径を太くすることなく、電子ビームの径を太くした場合と同等の描画を行うことができる。
【００４５】
また、電子ビームの径を従来と同様の大きさにして描画を行う場合であっても、これを副走査方向に振ることにより、電子ビームＢを蛇行させながら主走査方向に走査することで、従来の場合と比較してより広範囲の部分が描画されることになるため、描画を行う際の電子ビームＢの走査回数を減少させることができ、より短時間で描画を終了させることができる（因みに、電子ビームを副走査方向に振ることにより、電子ビームを蛇行させながら主走査方向に走査する場合であっても、主走査方向に関する走査速度は、従来の場合と同様である）。また、走査回数を従来の場合と同等とした場合においても、より滑らかな形状を得る効果が得られる。
【００４６】
また、走査回数を従来の場合と同等とした場合においても、より滑らかな形状を得る効果が得られる。
【００４７】
しかしながら、このような場合には、被描画層であるレジストＬの単位面積当たりのドーズ量は低下するため、制御部１７０の制御の下、電子銃制御部１０４が、電子銃電源部１０２における電流、電圧などを調整制御することで、電子銃１２から照射される電子ビームＢの照射量を調整（多く）して、ドーズ量を従来の場合と同等にする。
【００４８】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明に係る電子ビーム描画装置、及び電子ビーム描画方法によれば、電子ビームの径を太くすることなく、電子ビームの径を太くした場合と同等の描画を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る電子ビーム描画装置の一実施形態における全体構成について説明するための説明図である。
【図２】同図（Ａ）（Ｂ）は、図１に示す電子ビーム描画装置にて描画される基材を示す説明図であり、同図（Ｃ）は、その描画原理を説明するための説明図である。
【図３】図１に示す電子ビーム描画装置の測定装置における測定原理を説明するための説明図である。
【図４】電子ビームのビームウエストについて説明するための説明図である。
【図５】図１に示す電子ビーム描画装置の副偏向部を含む周辺部の構成を説明するための説明図である。
【図６】同図（Ａ）は、同図（Ｃ）に示すバイナリー形状の溝を成形する場合に、従来において行われる描画方法について説明するための説明図であり、同図（Ｂ）は、図１に示す電子ビーム描画装置において行われる描画方法について説明するための説明図である。
【図７】図１に示す電子ビーム描画装置の副偏向部において、周波数重畳回路によって偏向信号に対して周波数信号が重畳される過程について説明するための説明図である。
【符号の説明】
２１ａ〜２１ｄ  偏向板
１１２ｂ  副偏向部
１１３ａ〜１１３ｄ  入出力回路
１１５  周波数重畳回路
１１７ａ、１１７ｂ  可変ゲイン回路
１１９  可変周波数回路
【図１】
2004288764.tif 000003
【図２】
2004288764.tif 000004
【図３】
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【図４】
2004288764.tif 000006
【図５】
2004288764.tif 000007
【図６】
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【図７】
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