(57)【要約】【課題】保存安定性に優れた組成を有するシリカゾル含有塗布液を用いて、低誘電率を示し膜強度に優れた絶縁膜を形成し、半導体装置の配線遅延を改善すること。【解決手段】水分およびアルコール類の濃度を全て１重量％以下とするシリカゾル含有塗布液を用いて、前記塗布液を基板へ塗布する前に基板表面を水またはアルコール類に晒す工程を有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリカゾルを焼結してなる絶縁膜の形成方法において、基板上に前記シリカゾルの焼結促進剤を付着させる工程を有することを特徴とする絶縁膜の形成方法。
【請求項２】
前記焼結促進剤が水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールのいずれかを含むことを特徴とする請求項１に記載の絶縁膜形成方法。
【請求項３】
前記絶縁膜が、下記一般式（Ｉ）で示されるアルコキシシランを加水分解して得られたシリカゾルを含有する塗布液によって形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の絶縁膜形成方法。
ＸｎＳｉ（ＯＲ）４−ｎ                              （Ｉ）
（ここで、Ｘは水素原子、フッ素原子または炭素数１乃至８のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基またはビニル基を表し、Ｒは水素原子または炭素数１〜８のアルキル基、アリール基またはビニル基を表す。ｎは０乃至３の整数である。）
【請求項４】
前記塗布液中の水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールの含有量が全て１重量％以下であることを特徴とする請求項３に記載の絶縁膜形成方法。
【請求項５】
互いに並行して伸びる複数の配線層に形成された複数の絶縁層を含み、前記複数の絶縁層の少なくとも一層が、請求項３記載のシリカゾルを基板接触面から焼結してなした絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁膜の形成方法とそれを用いた半導体デバイスに関する。詳しくは、例えば半導体デバイスや表示デバイスの配線間に設けられる層間絶縁膜や、磁気ディスクヘッドなどの微細部品の絶縁層の形成方法、およびそれを用いた半導体デバイスに関する。近年、半導体集積回路の多層配線における信号の伝播速度を改善させるため、配線を微細化することや配線材料を低抵抗化することのみならず、同一配線層を互いに隣接して伸びる複数配線の配線間容量（キャパシタンス）を低減させるための絶縁膜が使用される。
【０００２】
【従来の技術】
高集積化された半導体装置の多層配線層間には絶縁膜（通常、「層間絶縁膜」と呼ばれる）が積層されており、また、この絶縁膜の材料には、半導体装置の信頼性を維持するため優れた耐熱性、膜強度と加工性が求められている。さらに配線間容量を小さくし、配線を伝播する信号の伝播速度を上げるため比誘電率の小さい材料が求められている。
【０００３】
スピンオングラス（ＳＯＧ）系の材料（比誘電率＝３乃至４）は、スピンコート法で容易に成膜できる利点を有し、尚且つ加工性にも優れているので多くの絶縁膜形成工程で実用化されている。アルコキシシランを加水分解して得られたシリカゾルを用いた有機ＳＯＧの中には比誘電率が３．０以下となるものも検討されている。（特許文献１）
【０００４】
【特許文献１】特許第２８５１９１５号
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
有機ＳＯＧの絶縁膜形成用塗布液は、水やアルコール類が有する水酸基によって加水分解反応を起こし劣化する。しかし、水やアルコール類の含有量が低い塗布液は保存安定性が向上しても、それを用いて絶縁膜を形成する工程において十分に焼結せず、膜強度が低下する。
【０００６】
本発明は、以上のような問題を解決するものであり、保存安定性に優れた有機ＳＯＧ塗布液を用いても十分に焼結して膜強度の高い低誘電率絶縁膜の形成方法と、これによって得られた低誘電率絶縁膜を有して動作が高速で信頼性が高くなる半導体装置を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記問題は、シリカゾルを含んで且つ水とアルコール類の含有量が全て１重量％以下とした絶縁膜形成用塗布液を半導体基板へ塗布する直前に、基板表面をシリカゾルの焼結促進剤である水またはアルコール類に晒すことで解決される。
【０００８】
本発明の原理説明図である図１を用いて上記手段を説明する。
【０００９】
図１（ａ）参照
基板２７上に金属配線３０とそれを覆う拡散防止層２８とが形成されている。
【００１０】
図１（ｂ）参照
まず焼結促進剤２９を基板表面に付着させる。
【００１１】
図１（ｃ）参照
次いでシリカゾルを含む絶縁膜形成用塗布液を塗布し、加熱して焼結し絶縁膜１２となる。焼結過程は基板表面と塗布液との界面から始まり、焼結促進剤が膜中を拡散するようにして全体が焼結される。
【００１２】
焼結を促進するアルコール類とは加水分解反応を促進するものであればよく、沸点が水に近いメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールを含むと焼成温度を変えることなく焼結条件が一定となる。尚このような水、アルコール類はシリカゾルを含む絶縁膜形成用塗布液の製造工程で混入し易い物質である。
【００１３】
基板表面を水またはアルコール類に晒す方法として、それらを直接基板へ塗布するか、または基板をそれらの蒸気に晒す方法が適用できる。
【００１４】
塗布する方法は、スピンコータで塗布しそのまま高速回転して乾燥させるように行える。また蒸気に晒す方法は、熱で気化した水またはアルコール類か、窒素などのキャリアガス流にのせて気化した水またはアルコール類を基板表面に吹き付けるように行える。
【００１５】
これらによって、焼結前の塗布膜に供給される水またはアルコール類はわずかであっても、触媒的に作用して焼結を促進する。さらに、加熱された水またはアルコール類は表面張力が下がり基板表面へ均一に接触する。また、基板表面をＵＶ光照射、または基板材料をエッチングしないガスプラズマの照射によって改質することで水またはアルコール類を均一に接触させることもできる。
【００１６】
以上のように、絶縁膜形成用塗布液の経時変化に依存せず、基板表面に水酸基を有して付着した水またはアルコール類を焼結促進剤とし膜強度が高く、尚且つ基板表面より焼結が始まるため密着性にも優れた絶縁膜を形成できる。
【００１７】
本発明の半導体装置は、半導体基板と、その上に交互に積層して互いに並行して伸びる複数の配線層とこれらに形成された複数の絶縁層とを含み、これらの絶縁層のうちの少なくとも一層が本発明の絶縁膜形成方法によって作られた膜となる。この半導体装置は、本発明による絶縁膜形成方法を用いることで配線間容量を再現性よく低減でき配線遅延が改善される。中でも多層配線工程において微細な配線構造を有するバルク近傍では、同一配線層を互いに隣接して伸びる複数配線の配線間容量を低減させる効果は顕著となる。
【００１８】
このような絶縁膜を拡散防止膜で覆う場合は、配線材料の抵抗を実質的に低下させるように薄膜化することが望ましい。本発明による絶縁膜の形成方法に従えば、焼結が十分に促進されて膜密度が均一な絶縁膜を得る。これによって拡散防止膜には、スパッタ法にて容易に被着可能なチタン、チタンを主体とした合金、タンタル、タンタルを主体とした合金などを薄膜化して用いても被覆性に影響しない。
【００１９】
【発明の実施の形態】
［実施例１］
本発明の絶縁膜形成方法に適する塗布液に用いる樹脂を得るために以下の工程に従った。
【００２０】
メチルイソブチルケトン３９．６ｇに、テトラエトキシシラン２０．８ｇ（０．１モル）を溶解させた。濃度４００ｐｐｍの硝酸水１６．２ｇ（０．９モル）を１０分間で滴下し、その後１８０℃で２時間の熟成反応を行った。テトラエトキシシランが共重合し球状シロキサン樹脂が生成される。
【００２１】
続いてトリメチルエトキシシラン１１．８ｇ（０．１モル）を１０分間で滴下し、その後１８０℃で２時間の熟成反応を行った。本工程を経た後、球状シロキサン樹脂の残存エトキシ基またはシラノール基はシリル化され、化学的に安定な球状シロキサン樹脂となる。
【００２２】
次に、硝酸マグネシウム５ｇを添加し過剰の水分を除去した。ロータリエバポレータを用い反応溶液を除去し、さらに１，４−ジオキサンを使用して凍結乾燥を行って球状シロキサン樹脂を得た。
【００２３】
［実施例２］
第１の実施例で合成した球状シロキサン樹脂をメチルイソブチルケトンに溶解させ、固形分濃度１７．５重量％の溶液を得た。これを３００℃で加熱脱水処理したモレキュラシーブに通し溶液の脱水処理を行った。脱水処理後の溶液の水含有量は０．４重量％であり、脱アルコール処理は特に行わなかったが、アルコール類の含有量はエタノールが０．１重量％以下でその他は検出できなかった。
【００２４】
次に、上記実施例によって得られた絶縁膜形成用塗布液を用いて、絶縁膜を形成する方法について説明する。
【００２５】
シリコン基板に水を回転数１０００ｒｐｍで２０秒間塗布し、３０００ｒｐｍで３０秒間振り切り乾燥する。さらに実施例による絶縁膜形成用塗布液を塗布後、回転数３０００ｒｐｍで２０秒間スピンコートする。その後２００℃で溶剤を蒸発させ、酸素濃度１００ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で、４００℃にて３０分間の熱処理を行う。この熱処理により球状シロキサン同士が樹脂表面で架橋を生じ絶縁膜となる。この絶縁膜をＡとし、比較のため基板上に水の塗布処理を行わずに形成した絶縁膜をＢとする。
【００２６】
絶縁膜Ａの比誘電率は２．３、絶縁膜Ｂの比誘電率は２．３５であった。しかし、硬度の比較をナノインデンター法にて評価したところ、絶縁膜Ａが１．２ＧＰａだったのに対して絶縁膜Ｂは０．３ＧＰａとなった。これは、絶縁膜Ａは基板表面に水が焼結促進剤として十分に供給され、焼結を促進したためと考える。
【００２７】
上記シロキサン樹脂は負の電荷を帯電しやすいので、実際の塗布液となる場合は、微粒子同士の結合を促すバインダあるいは、微粒子の凝集を防ぐ界面活性剤などが加えられ、目的とする膜厚や膜厚分布を得られるように調製される。
【００２８】
塗布溶媒は、例えばトルエン、キシレン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノンなどが用いられる。
【００２９】
本発明の絶縁膜形成方法は、上記塗布溶媒に溶解した球状シロキサン樹脂溶液を、スピンコート法により基板上に塗布し、１２０℃乃至３５０℃で５分乃至１０分間の熱処理を行い溶媒乾燥した後、不活性雰囲気中（例えば酸素濃度１００ｐｐｍ  以下の不活性ガス中）において３５０℃乃至４５０℃で３０分又はそれ以上の熱処理を行うことが望ましい。但し、溶媒乾燥の温度が１２０℃未満では溶媒乾燥が不十分であり、３５０℃以上では酸化によって性能が変質する恐れがある。さらに、溶媒乾燥後の熱処理は過度の酸化分解を抑制するために不活性ガス中で行うことが望ましい。このとき熱処理温度が３５０℃未満では膜中の空隙形成が不完全な状態のまま、その後の半導体製造工程内で施される熱処理工程中に脱ガスを発生する問題がある。また、４５０℃を超えるとクラックなどが生じる恐れがある。
【００３０】
溶媒乾燥後に紫外線、赤外線、電子線、Ｘ線、酸素プラズマの照射によって焼結処理の代りになる。
【００３１】
各エネルギー線は球状シロキサンの樹脂を架橋する作用の点では同一であるが、次のように使い分ける。膜の表面から樹脂の結合を生じさせる場合は紫外線照射が好ましい。この場合、樹脂結合を促進し、オープンポア（巨大空隙の表層露出）を抑制する効果がある。急速昇降温制御を行う場合には赤外線加熱が好ましい。結合過程を精密制御したい場合には電子線照射が好ましい。この場合、後方散乱電子の影響により、膜内部から結合を進めることもできる。被膜深さ方向に対して樹脂分子を均一に励起して結合させたい場合はＸ線照射が好ましい。表面の疎水化処理を兼ねる場合には酸素プラズマの照射が好ましい。この場合、表面疎水化による吸湿性を低減させる効果のみならず、表面エネルギーの変化によりギャップ膜（酸化膜など）との密着性も改善する。
【００３２】
［実施例３］
第２の実施例で脱水処理した絶縁膜形成用塗布液（水分含有量０．４重量％）と脱水処理していない絶縁膜形成用塗布液（水分含有量１．５重量％）とを室温で一週間保存し、同一回転数における膜厚の変化量を比較した。絶縁膜形成方法は、実施例２と同様である。その結果、脱水処理した絶縁膜形成用塗布液を用いた場合は、初期膜厚４５６０Åが一週間後４５８１Åとわずか２１Åの増加だったのに対して、脱水処理していない場合は、初期膜厚４５３２Åが一週間後４９９２Åと４６０Åも増加している。これは、球状シロキサン樹脂が溶液中の水と徐々に反応し高分子量化したためと考える。
【００３３】
［実施例４］
以下、本発明の一実施形態に沿った半導体装置の製造工程途中の断面図である図２乃至図８を工程順に沿って順次引用しながら、本発明の絶縁膜形成方法による半導体装置に適用した場合の製造工程を説明する。尚、以下の説明において、選択エッチングに用いるレジストマスク形成に関する詳細記述は省略する。
図２（ａ）参照
まず、ｐ型シリコン基板１に選択酸化法を用いて素子分離酸化膜２を形成したのち、ゲート絶縁膜３、ゲート電極４、及び保護膜６からなるゲート構造体を形成し、さらに、ＳｉＮをゲート電極積層構造全面に覆うように形成した状態からドライエッチングを使ってエッチバック工程を経て残ったサイドウォール５がゲート構造体と一体となったのち、Ａｓイオンを注入することによってｎ型ソース・ドレイン領域７を形成し、図２（ａ）の構造となる。
図２（ｂ）参照
次いで、ＣＶＤ（化学気相成長）法により全面に、厚さ１μｍのシリコン酸化膜８を堆積させて層間絶縁膜としたのち、後のＣＭＰ（化学機械研磨）工程において研磨ストッパーとなるシリコン窒化膜９を厚さ１００ｎｍに堆積させ図２（ｂ）の構造となる。
図３（ｃ）参照
次いで、ｎ型ソース・ドレイン領域７に達するビアホールを形成するため、フォトリソグラフィで形成したレジストパターン（図示せず）をマスクとし、シリコン窒化膜９とシリコン酸化膜８とをＣＦ４とＣＨＦ３などの混合ガスプラズマによってそれぞれエッチングし図３（ｃ）の構造となる。
図３（ｄ）参照
その後、スパッタ法を用いて全面に、厚さ５０ｎｍの窒化タンタル膜（図示せず）を堆積させて、次いで同じくスパッタ法によってタングステンを厚く堆積させたのち、ＣＭＰ法によってシリコン窒化膜９が露出するまで研磨し、拡散防止膜（窒化タンタル膜）１０に覆われたタングステンビア１１を形成し、図３（ｄ）の構造となる。
図４（ｅ）参照
次いで、実施例２と同様に、水を回転数１０００ｒｐｍで２０秒間塗布し、３０００ｒｐｍで３０秒間振り切り乾燥する。さらに実施例２による絶縁膜形成用塗布液をスピンコートする（回転数：３０００ｒｐｍ、回転時間：２０秒）。その後、２００℃で溶剤を蒸発させ、窒素雰囲気（酸素濃度１００ｐｐｍ以下）中で、４００℃にて３０分間の熱処理を行い、厚さ４５０ｎｍの絶縁膜１２が形成される。次いでシリコン窒化膜１３（厚さ５０ｎｍ）を堆積させて図４（ｅ）となる。このシリコン窒化膜１３も後のＣＭＰ工程におけるストッパーとなる。
図４（ｆ）参照
次いで、フォトリソグラフィで形成したレジストパターン（図示せず）をマスクとし、ＣＦ４  とＣＨＦ３などの混合ガスプラズマによってシリコン窒化膜１３をエッチングしたのち、このシリコン窒化膜１３をマスクとし必要に応じてＣ４Ｆ８などの炭素源を添加したＯ２  ガスプラズマを用いて絶縁膜１２をエッチングし、タングステンビア１１に達する配線層用溝を形成し図４（ｆ）となる。
図５（ｇ）参照
次いで、スパッタ法で全面に窒化タンタル膜１４と銅シード層１５を順次堆積させたのち（各厚さ：５０ｎｍ、５０ｎｍ）、銅シード層１５をメッキベース層とした電解メッキにて銅メッキ層１６（厚さ６００ｎｍ）を成膜し図５（ｇ）の構造とする。
【００３４】
次いで、銅メッキ層１６、銅シード層１５、及び窒化タンタル膜１４をＣＭＰ法にて研磨し、シリコン窒化膜１３を露出させる。
図５（ｈ）参照
銅メッキ層１６と銅シード層１５とが一体になった銅埋込配線層１７を形成し図５（ｈ）となる。
図６（ｉ）参照
次いで全面にシリコン窒化膜１３を５０ｎｍ堆積させた後、図４（ｅ）で示した工程と同様に本発明による絶縁膜１８（厚さ４５０ｎｍ）、５０ｎｍのシリコン窒化膜１９、本発明による絶縁膜２０（４５０ｎｍ）、及び５０ｎｍのシリコン窒化膜２１を順次成膜し図６（ｉ）の構造となる。
図６（ｊ）参照
次いで、フォトリソグラフィにて形成したビアホール形状のレジストパターン（図示せず）をマスクとし、図４（ｆ）のエッチング工程と同様にしてＣＦ４  とＣＨＦ３の混合ガスプラズマにてシリコン窒化膜２１，１９，１３を、そして必要に応じてＣ４Ｆ８などの炭素源を添加したＯ２  ガスプラズマにて絶縁膜２０，１８とを適宜交互にエッチングするようにして銅埋込配線層１７に達するビアホールを形成し図６（ｊ）の構造となる。
図７（ｋ）参照
次いでフォトリソグラフィにて形成した配線溝形状のレジストパターン（図示せず）をマスクとし、図４（ｆ）で示したエッチング工程と同じようにしてシリコン窒化膜２１と絶縁膜２０とをエッチングし、絶縁膜２０に配線層用溝を形成し図７（ｋ）の構造となる。
図７（ｌ）参照
次いで、スパッタ法を用いて、全面に窒化タンタル膜２２と銅シード層２３を順次堆積させ（各厚さ：５０ｎｍ、５０ｎｍ）次いで厚さ１４００ｎｍの銅メッキ層２４を成膜し図７（ｌ）の構造となる。
【００３５】
次いで、銅メッキ層２４、銅シード層２３、及び窒化タンタル膜２２をＣＭＰ法にて研磨し、シリコン窒化膜２１を露出させる。
図８（ｍ）参照
以上により銅メッキ層と銅シード層とが一体になった銅埋込配線層２５，２６を形成し図８（ｍ）の構造となる。
【００３６】
この様な絶縁膜の形成工程、配線層用溝及びビアホールの形成工程、銅埋込配線層の形成工程を必要回数だけ繰り返すことによって多層配線構造を有する半導体集積回路装置が製作できる。
【００３７】
この実施例においては、本発明の絶縁膜の比誘電率は２．３程度であるので隣接する配線層に起因する寄生容量を大幅に低減する。さらに焼結が十分に進むため比誘電率のバラツキがきわめて小さく、且つ優れた膜強度（硬度、弾性率）を有した絶縁膜によってデバイス特性及び信頼性は向上する。
【００３８】
なお、本実施例では、配線層を形成する金属配線の材料に銅を用いたが、アルミニウム及びアルミニウムを主体とした合金から選ぶことはもちろん、銅を主体とした合金から選ぶこともできる。
【００３９】
本実施例の拡散防止膜に用いた窒化タンタルは、絶縁膜上にスッパッタ法で成膜すると結晶が柱状構造となりやすいため、成膜開始直後に絶縁膜表面のシリコン原子（Ｓｉ）が結晶粒界に容易に拡散してシリサイド層を作る。この場合、窒化タンタル成膜前に密着層となるタンタル膜を成膜する必要はないので工程を短縮すると同時に配線抵抗を下げ、半導体装置の高速化に寄与する。
【００４０】
本発明の効果を発揮する半導体装置とは集積回路の微細化に伴い、配線中を伝播する電気信号の遅延が互いに隣接して伸びる複数配線の配線間容量（キャパシタンス）を問題とする構造であれば、メモリデバイス、ロジックデバイス或いは両者の混載デバイスでも対象とする。
【００４１】
以下、本発明の諸形態を付記としてまとめて記載する。
【００４２】
（付記１）  シリカゾルを焼結してなる絶縁膜の形成方法において、基板上に前記シリカゾルの焼結促進剤を付着させる工程を有することを特徴とする絶縁膜の形成方法。（１）
（付記２）  前記焼結促進剤が水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールのいずれかを含むことを特徴とする付記１に記載の絶縁膜形成方法。（２）
（付記３）    前記焼結促進剤を気体状にして基板上に付着させるようにすることを特徴とした付記１または２に記載の絶縁膜形成方法。
【００４３】
（付記４）    前記絶縁膜が、下記一般式（Ｉ）で示されるアルコキシシランを加水分解して得られたシリカゾルを含有する塗布液によって形成されることを特徴とする付記１乃至３に記載の絶縁膜形成方法。
【００４４】
ＸｎＳｉ（ＯＲ）４−ｎ                              （Ｉ）
（ここで、Ｘは水素原子、フッ素原子または炭素数１乃至８のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基またはビニル基を表し、Ｒは水素原子または炭素数１〜８のアルキル基、アリール基またはビニル基を表す。ｎは０乃至３の整数である。）（３）
（付記５）    前記塗布液中の水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールの含有量が全て１重量％以下であることを特徴とする付記４に記載の絶縁膜形成方法。（４）
（付記６）    前記塗布液を用いてなる被膜を焼成あるいは紫外線、赤外線、電子線、Ｘ線、酸素プラズマのいずれかを照射することにより酸化分解して多孔質膜にすることを特徴とする付記４または５に記載の絶縁膜形成方法。
【００４５】
（付記７）      互いに並行して伸びる複数の配線層に形成された複数の絶縁層を含み、前記複数の絶縁層の少なくとも一層が、付記４に記載のシリカゾルを基板接触面から焼結してなした絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。（５）
（付記８）互いに並行して伸びる複数の配線層に形成された複数の絶縁層を含み、前記複数の絶縁層の少なくとも一層が、付記１乃至５に記載の絶縁膜形成方法によって形成した絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【００４６】
（付記９）    前記配線層を形成する材料が、アルミニウム、アルミニウムを主体とした合金、銅、銅を主体とした合金のいずれかである、付記７または８に記載の半導体装置。
【００４７】
（付記１０）    前記配線層の拡散防止材料が、チタン、チタンを主体とした合金、タンタル、タンタルを主体とした合金のいずれかである、付記７乃至９に記載の半導体装置。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、信頼性の高い絶縁膜を得ることができる。また、この方法によって形成した絶縁膜を使用する高集積化した半導体装置においては、配線構造における絶縁膜の比誘電率の低下に伴って信号伝播速度の遅延を軽減でき、高速で且つ高信頼性を有する半導体装置の提供を可能とする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理説明図（絶縁膜形成工程図）
【図２】本発明の一実施形態に沿った半導体装置の製造工程途中の断面図（工程ａ，ｂ）
【図３】本発明の一実施形態に沿った半導体装置の製造工程途中の断面図（工程ｃ，ｄ）
【図４】本発明の一実施形態に沿った半導体装置の製造工程途中の断面図（工程ｅ，ｆ）
【図５】本発明の一実施形態に沿った半導体装置の製造工程途中の断面図（工程ｇ，ｈ）
【図６】本発明の一実施形態に沿った半導体装置の製造工程途中の断面図（工程ｉ，ｊ）
【図７】本発明の一実施形態に沿った半導体装置の製造工程途中の断面図（工程ｋ，ｌ）
【図８】本発明の一実施形態に沿った半導体装置の製造工程途中の断面図（工程ｍ）
【符号の説明】
１                      シリコン基板
２                      素子分離酸化膜
３                      ゲート絶縁膜
４                      ゲート電極
５                      サイドウォール
６                      保護膜
７                      ソース・ドレイン領域
８、１３                シリコン酸化膜
９、１９、２１          シリコン窒化膜
１０、１４、２２        窒化タンタル膜
１１                    タングステンプラグ
１２、１８、２０        絶縁膜
１５、２３              銅シード層
１６、２４              銅メッキ層
１７、２５，２６        銅埋め込み配線層
２７                    基板
２８                    拡散防止層
２９                    焼結促進剤
３０                    金属配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004228243.tif 000009
【図８】
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