(57)【要約】【課題】異なる特性インピーダンスを有する複数の信号線路が形成される多層配線基板において、外部からのノイズの侵入防止、高密度配線化、多ピン化に対応し、低コストの多層配線基板を提供すること。【解決手段】絶縁基板２の主面に下部接地導体層３と第一の信号線路層４と内層接地導体層５と第二の信号線路層６と上部接地導体層７とがそれぞれ絶縁層８を介して順次積層されており、第一および第二の信号線路層４，６は、それぞれ特性インピーダンスの異なる信号線路４ａ〜４ｃ，６ａ〜６ｃを含む複数の信号線路から成り、内層接地導体層５は、複数の信号線路４ａ〜４ｃ，６ａ〜６ｃのうち特性インピーダンスが７０Ωよりも大きい信号線路４ａ，６ｃの直上または直下の部位に導体非形成部５ｂ，５ｃが設けられている。【選択図】　図１
2004022890.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の主面に下部接地導体層と第一の信号線路層と内層接地導体層と第二の信号線路層と上部接地導体層とがそれぞれ絶縁層を介して順次積層されており、前記第一および第二の信号線路層は、それぞれ特性インピーダンスの異なるものを含む複数の信号線路から成り、前記内層接地導体層は、前記複数の信号線路のうち特性インピーダンスが７０Ωよりも大きい前記信号線路の直上または直下の部位に導体非形成部が設けられていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記内層接地導体層は、前記複数の信号線路のうち特性インピーダンスが４０Ω以下の前記信号線路の直上または直下で前記信号線路との間隔を小さくした部位を有していることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、幅の異なる複数の信号線路から成る信号線路層と、信号線路層の上方および下方に形成された接地導体層とを具備した多層配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の多層配線基板の断面図を図２に示す。図２において、１１は多層配線基板、１２は絶縁基板、１３は絶縁基板１２基板の一方の主面に形成された下部接地導体層、１４は下部接地導体層１３の上方に積層された第一の信号線路層、１４ａは信号線路層１４中の第一の信号線路、１４ｂは信号線路層１４中の第二の信号線路、１５は信号線路層１４の上方に積層された内層接地導体層、１６は内層接地導体層１５の上方に積層された第二の信号線路層、１７は第二の信号線路層１６の上方に積層された上部接地導体層である。また、下部接地導体層１３、第一の信号線路層１４、内層接地導体層１５、第二の信号線路層１６および上部接地導体層１７は、それぞれ絶縁層１８を介して積層されている。また、１８ａは第一の絶縁層、１８ｂは第二の絶縁層、１８ｃは第三の絶縁層、１８ｄは第四の絶縁層である。
【０００３】
なお、この場合第二の信号線路層１６は１本の第三の信号線路１６ａから成る。
【０００４】
また、多層配線基板１１の上面にはＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子が、その入出力用の電極パッドが第一の信号線路１４ａ，第二の信号線路１４ｂ，第三の信号線路１６ａに電気的に接続されて搭載される。
【０００５】
図２に示すように、第一，第二の信号線路層１４，１６の上方および下方に絶縁層１８を介して下部接地導体層１３、内層接地導体層１５、上部接地導体層１７が設けられており、ストリップライン構造となっている。この場合、一つの信号線路層内に異なる特性インピーダンスの信号線路を複数形成しようとすると、特性インピーダンス値が大きい信号線路は特性インピーダンス値が小さい信号線路よりもその幅を小さくする必要がある。例えば、一つの信号線路層内に５０Ωの特性インピーダンスを有する信号線路Ａと６０Ωの特性インピーダンスを有する信号線路Ｂとを形成する場合、信号線路Ａの幅が３１μｍとなるのに対して信号線路Ｂの幅は１８μｍとなり、信号線路Ａの幅より小さくしなければならない。
【０００６】
また、異なる特性インピーダンスを有する複数の信号線路が一つの信号線路層に形成された構造の多層配線基板を図３に示す（特開２００１−２８４８２７参照）。図３において、２１は多層配線基板、２２は絶縁基板、２３は下部接地導体層、２４は信号線路層、２４ａは第一の信号線路、２４ｂは第二の信号線路、２４ｃは第三の信号線路、２７は上部接地導体層、２７ａは導体非形成部、２８は絶縁層、２８ａは第一の絶縁層、２８ｂは第二の絶縁層である。
【０００７】
図３のように、一つの信号線路層に異なる特性インピーダンスを持つ信号線路を複数設ける構成として、高い特性インピーダンス値を要求される第一の信号線路２４ａの直上の上部接地導体層２７の部位に、導体非形成部２７ａを設けることが提案されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の図２の配線基板１１においては、より大きな特性インピーダンスを持つ信号線路を形成しようとすると、信号線路の幅が微細になるため、信号線路の形成が製造上困難となってしまうという問題点があった。また、信号線路の幅が微細になると、特性インピーダンスの制御が困難になるため、特性インピーダンスの値にばらつきが生じ、高周波信号の伝送効率が低下するという問題点があった。
【０００９】
また、特性インピーダンス値の異なる信号線路を別々の信号線路層に設け、信号線路層の上方および下方の接地導体層との間にある絶縁層の厚みを調整する構成もあるが、この場合、信号線路層数が増加して多層配線基板が厚くなるという問題点があった。また、絶縁層の厚みも厚くなるため、製造コストが高くなるという問題点があった。
【００１０】
そこで、上述の問題点を解消するために図３のような構成の多層配線基板２１が提案されている。この構成では、一つの信号線路層２４に異なる特性インピーダンスの信号線路２４ａ〜２４ｃを形成することが可能となるが、従来のストリップライン構造の多層配線基板１１に対し、上部接地導体層２７に導体非形成部２７ａがあるため、第一の信号線路２４ａを外部からのノイズから保護することが不可能となる。その結果、第一〜第三の信号線路２４ａ〜２４ｃに接続された半導体素子にノイズが影響して、半導体素子の動作速度の高速化に対応できないという問題点があった。
【００１１】
また、信号線路層２４が一層しかないことから、クロス配線のジャンパ層を設けることができないため、即ち信号線路層を複数層設けて上層の信号線路と下層の信号線路とが交差する場合等に上層の信号線路と下層の信号線路とを貫通導体を介して接続させるといったことができないため、半導体素子の多ピン化や高速演算処理化に対応するのが困難となるという問題点があった。
【００１２】
従って、本発明は、上記従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、異なる特性インピーダンスの信号線路を複数有する多層配線基板において、外部からのノイズの侵入防止、高密度配線化、多ピン化を可能とした低コストの多層配線基板を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の多層配線基板は、絶縁基板の主面に下部接地導体層と第一の信号線路層と内層接地導体層と第二の信号線路層と上部接地導体層とがそれぞれ絶縁層を介して順次積層されており、前記第一および第二の信号線路層は、それぞれ特性インピーダンスの異なるものを含む複数の信号線路から成り、前記内層接地導体層は、前記複数の信号線路のうち特性インピーダンスが７０Ωよりも大きい前記信号線路の直上または直下の部位に導体非形成部が設けられていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の多層配線基板は、異なる特性インピーダンスの複数の信号線路を一つの信号線路層に形成しているため、信号線路の高密度配線化が可能となる。また、クロス配線のジャンパ線を設けることが可能になり、即ち信号線路層を複数層設けて上層の信号線路と下層の信号線路とが交差する場合等に上層の信号線路と下層の信号線路とを貫通導体を介して接続させるといったことができ、半導体素子の多ピン化に対応することができる。
【００１５】
また、複数の信号線路のうち特性インピーダンスが７０Ωよりも大きい信号線路の直上または直下の部位に導体非形成部が設けられていることにより、その導体非形成部の上方の上部接地導体層または下方の下部接地導体層と特性インピーダンスが７０Ωよりも大きい信号線路とによってその信号線路はストリップライン構造になる。これにより、特性インピーダンスが７０Ωよりも大きい信号線路と上部接地導体層または下部接地導体層との間隔が大きくなり、電気的な容量が小さくなって特性インピーダンス値が大きくなる。この場合、導体非形成部がない場合に比べて同じ特性インピーダンス値を得ようとすると信号線路の幅が大きくなる。従って、特性インピーダンスの大きい信号線路の幅を従来に比べて大きくすることができる。その結果、特性インピーダンスの制御が容易になり、特性インピーダンスのばらつきの小さい信号線路を形成することができる。
【００１６】
さらに、第一の信号線路層、内層接地導体層および第二の信号線路層の上方および下方には、上部接地導体層と下部接地導体層とが積層されているため、外部からのノイズの影響を受けない信号線路を形成することができる。従って、信号線路に接続される半導体素子の動作速度の高速化に対応することができる。
【００１７】
本発明の多層配線基板において、好ましくは、前記内層接地導体層は、前記複数の信号線路のうち特性インピーダンスが４０Ω以下の前記信号線路の直上または直下で前記信号線路との間隔を小さくした部位を有していることを特徴とする。
【００１８】
本発明の多層配線基板は、内層接地導体層は複数の信号線路のうち特性インピーダンスが４０Ω以下の信号線路の直上または直下で信号線路との間隔を小さくした部位を有していることから、その部位では特性インピーダンスが４０Ω以下の信号線路との電気的な容量が大きくなって特性インピーダンス値が小さくなる。この場合、間隔が小さい部位がない場合に比べて同じ特性インピーダンス値を得ようとすると信号線路の幅が小さくなる。従って、特性インピーダンスの小さい信号線路の幅を従来に比べて小さくして、より特性インピーダンスの大きい信号線路の幅に近づけることができる。その結果、上記のように導体非形成部を設けることによる作用効果と相俟って、特性インピーダンスの異なる複数の信号線路においてそれらの幅がきわめて近似したり略同じになるため、さらなる高密度配線が可能となる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の多層配線基板について以下に詳細に説明する。図１は、本発明の多層配線基板について実施の形態の例の断面図である。図１において、１は多層配線基板、２は絶縁基板、３は下部接地導体層、４は第一の信号線路層、４ａは第一の信号線路、４ｂは第二の信号線路、４ｃは第三の信号線路、５は内層接地導体層、５ａは内部接地導体、５ｂは第一の導体非形成部、５ｃは第二の導体非形成部、５ｄは内部接地導体５ａの小間隔部である。また、６は第二の信号線路層、６ａは第四の信号線路、６ｂは第五の信号線路、６ｃは第六の信号線路、７は上部接地導体層、８は絶縁層、８ａは第一の絶縁層、８ｂは第二の絶縁層、８ｃは第三の絶縁層、８ｄは第四の絶縁層である。
【００２０】
なお、本発明の多層配線基板１の上部にはＩＣやＬＳＩ等の半導体素子（不図示）が、その電極に信号配線４ａ〜４ｃ，６ａ〜６ｃ等が電気的に接続されて搭載されるが、多層配線基板１には半導体素子を搭載しなくてもよい。
【００２１】
絶縁基板２は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）セラミックス、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）セラミックス、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）セラミックス、ガラスセラミックス等のセラミック基板などが、スルーホール導体等の貫通導体を同時焼成によって形成できるため好ましい。また、四ふっ化エチレン樹脂（ポリテトラフルオロエチレン；ＰＴＦＥ）、四ふっ化エチレン・エチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−エチレン共重合樹脂；ＥＴＦＥ）、四ふっ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂；ＰＦＡ）等のフッ素樹脂よりなる基板、ガラスエポキシ樹脂よりなる基板、ポリイミド等の樹脂よりなる基板などでもよい。
【００２２】
絶縁基板２の上面に形成する、下部接地導体層３、第一の信号線路層４、内層接地導体層５の内部接地導体５ａ、第二の信号線路層６および上部接地導体層７の導体層は、薄膜形成法、印刷ペーストによるメタライズ法、金属箔法またはメッキ法等によって形成される。また、これらの形成法を組み合わせてもよい。
【００２３】
薄膜形成法の場合、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法等により導体層を形成する。例えば、下層側からＴｉ層、Ｔｉ−Ｗ合金層、Ｃｕ層、Ｃｒ層の４層構成からなる導体層を形成する。その後、この導体層は、フォトリソグラフィ法およびエッチング法によりパターン加工することにより、所定パターンに形成される。メタライズ法の場合、Ｗ、Ｍｏ、ＭｎまたはＣｕのうち少なくとも１種を含む金属ペーストをスクリーン印刷法により所望のパターンに印刷塗布し、焼結させることにより形成する。金属箔法の場合、絶縁基板２に予め被着されたＣｕ等の金属箔をドライフィルム等を用いたフォトリソグラフィ法およびエッチング法によって導体層をパターン形成する。または、予めパターン加工した金属箔を絶縁基板２上に転写することによって形成する。メッキ法の場合、無電解メッキ法または電解メッキ法によりＣｕメッキ層等を形成し、パターン加工して形成する。
【００２４】
導体層の厚みは０．５〜５０μｍがよく、０．５μｍ未満では、導体層の導通抵抗値が大きくなる傾向にあり、５０μｍを超えると、微細な信号線路に加工するのが困難となる。
【００２５】
第一の信号線路層４および第二の信号線路層６における各信号線路４ａ〜４ｃ，６ａ〜６ｃの幅は１０〜５０μｍが良い。１０μｍより小さいと、信号線路４ａ〜４ｃ，６ａ〜６ｃの断線が発生し易くなり、５０μｍより大きいと、信号線路４ａ〜４ｃ，６ａ〜６ｃの高密度配線が困難となる。
【００２６】
本発明において、第一および第二の信号線路層４，６は、それぞれ特性インピーダンスの異なる信号線路４ａ〜４ｃ，６ａ〜６ｃを含む複数の信号線路から成り、内層接地導体層５は、複数の信号線路４ａ〜４ｃ，６ａ〜６ｃのうち特性インピーダンスが７０Ωよりも大きい信号線路４ａ，６ｃの直上または直下の部位に導体非形成部５ｂ，５ｃが設けられている。また本発明において、好ましくは、内層接地導体層５は、複数の信号線路のうち特性インピーダンスが４０Ω以下の信号線路４ｂの直上（または直下）で信号線路４ｂとの間隔を小さくした部位を有している。
【００２７】
本発明の第一の導体非形成部５ｂおよび第二の導体非形成部５ｃは、その幅は対応する信号線路層４ａ，６ｃの幅と略同じであるが、要求される特性インピーダンスにより信号線路層４ａ，６ｃの幅よりも小さくしたり大きくすることができる。好ましくは、第一の導体非形成部５ｂおよび第二の導体非形成部５ｃは、その幅は対応する信号線路層４ａ，６ｃの幅よりも若干大きいことがよい。この場合、信号線路層４ａ，６ｃの端部と第一の導体非形成部５ｂおよび第二の導体非形成部５ｃの端部との間で容量成分がほとんど発生せず、信号線路層４ａ，６ｃの幅を小さくせずに特性インピーダンスをより大きくすることができる。
【００２８】
第一の信号線路４ａおよび第六の信号線路６ｃの特性インピーダンスは７０Ω以上であるが、５０Ωを超え７０Ω未満の場合、第一および第二の導体非形成部５ｂ，５ｃを設けて直上または直下の絶縁層の厚みを大きくすると、本来幅が大きい第一の信号線路４ａおよび第六の信号線路６ｃの幅がさらに大きくなり、高密度実装が困難になるため、第一および第二の導体非形成部５ｂ，５ｃを設ける必要はない。
【００２９】
また、第二の信号線路４ｂの特性インピーダンスは４０Ω以下であるが、５０Ω以下で４０Ωを超える場合、直上または直下の絶縁層の厚みを小さくすると、第二の信号線路４ｂの幅が必要以上に小さくなり、特性インピーダンスの制御が困難に成るため、内層接地導体層５の第二の信号線路４ｂの直上で信号線路４ｂとの間隔を小さくした部位（小間隔部５ｄ）を設ける必要はない。
【００３０】
小間隔部５ｄの間隔は３〜５０μｍが好ましい。３μｍ未満では、絶縁不良が発生し易くなる。５０μｍを超えると、導体層間を導通させる貫通導体のコンタクト抵抗が大きくなり電気信号の伝送速度が遅くなる傾向にある。
【００３１】
導体非形成部５ｂ，５ｃおよび小間隔部５ｄは、信号線路の全長にわたって形成してもよいし、信号線路の一部に対して設けてもよい。
【００３２】
下部接地導体層３および上部接地導体層７は、第一および第二の信号線路層４，６の複数の信号線路４ａ〜４ｃ，６ａ〜６ｃの全体を覆うように形成される。この構成により、外部からのノイズの侵入を防止することができる。上部接地導体層７は、全ての信号線路４ａ〜４ｃ，６ａ〜６ｃを覆うように形成される。その結果、全ての信号線路４ａ〜４ｃ，６ａ〜６ｃは、上部接地導体層７と下部接地導体層３と内部接地導体５ａとによりストリップライン構造となり、また外部からのノイズの侵入を防ぐことができる。
【００３３】
また、下部接地導体層３は絶縁基板２の上面に略全面に形成されていてもよく、この場合、信号線路４ａ〜４ｃ，６ａ〜６ｃを下部接地導体層３の大きさの制約を受けることなく形成できる。また上部接地導体層７は、第四の絶縁層８ｄの上面の略全面を覆うように形成してもよい。
【００３４】
絶縁層８は、ポリイミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂などからなり、スピンコート法、ロールコート法、ダイコート法または印刷法等により塗布して形成する。また、フィルム状に加工された樹脂を被着させることによって形成してもよい。各絶縁層８ａ〜８ｄの厚みは３〜５０μｍが好ましい。３μｍ未満では絶縁不良が発生し易くなる。また、５０μｍを超えると導体層間の導通用のスルーホール（不図示）のコンタクト抵抗が大きくなり電気信号の伝送速度が遅くなる傾向にある。
【００３５】
また絶縁層８は、製造工程でのピンホール発生による絶縁不良を防ぐために、２層または３層に分けて形成することが好ましい。加工方法としては、樹脂そのものに感光性を付与してフォトリソグラフィ法によって露光、現像することにより、スルーホールを含むパターンを形成する方法がよい。また、絶縁層８上にレジスト層を塗布し、それをフォトリソグラフィ法によってパターン加工し、エッチング法によりスルーホールを含むパターンを形成してもよい。また、印刷法によって形成してもかまわない。またエキシマレーザなどによってパターン加工しても良い。また、上記の加工方法を組み合わせても良い。各絶縁層８ａ〜８ｄは、同じ種類の樹脂を用いても良いし、違うものを用いても良い。
【００３６】
【実施例】
本発明の多層配線基板１の実施例を以下に説明する。
【００３７】
（実施例１）
多層配線基板１を以下のように構成した。アルミナセラミックスから成る絶縁基板２の上面の略全面に、下層側からＴｉ層、Ｔｉ−Ｗ合金層、Ｃｕ層、Ｃｒ層の４層構成の導体層から成る厚さ３．３μｍの下部接地導体層３をスパッタリング法によって形成した。下部接地導体層３上にポリイミドから成る厚さ２０μｍの第一の絶縁層８ａをフォトリソグラフィ法により形成し、第一の絶縁層８ａ上に下層側からＴｉ層、Ｔｉ−Ｗ合金層、Ｃｕ層、Ｃｒ層の４層構成の導体層から成る厚さ３．２μｍの第一の信号線路層４をスパッタリング法により形成した。同様にして、第二の絶縁層８ｂおよび内層接地導体層５、第三の絶縁層８ｃおよび第二の信号線路層６、第四の絶縁層８ｄおよび上部接地導体層７を形成した。上部接地導体層７は第四の絶縁層８ｄの上面の略全面に形成した。
【００３８】
そして、特性インピーダンスが７０Ωである幅が２０μｍの第一の信号線路４ａの直上には、その全長（約１０ｍｍ）にわたって幅が８０μｍの第一の導体非形成部５ｂが形成されており、これにより、第一の導体非形成部５ｂがない場合の第一の信号線路４ａの幅１０μｍよりも第一の信号線路４ａの幅が大きくなった。同様に、特性インピーダンスが７０Ωである幅が２０μｍの第六の信号線路６ｃの直下には、その全長（約１０ｍｍ）にわたって幅が８０μｍの第二の導体非形成部５ｃが形成されており、これにより、第二の導体非形成部５ｃがない場合の第六の信号線路６ｃの幅１０μｍよりも第六の信号線路６ｃの幅が大きくなった。
【００３９】
従って、第一の導体非形成部５ｂおよび第二の導体非形成部５ｃがない場合には、第一の信号線路４ａおよび第六の信号線路６ｃの幅が小さいため特性インピーダンスが不安定になり、１ＧＨｚの高周波信号を伝送させた際の伝送損失（透過損失）が−２ｄＢ程度であったものが、本実施例の上記構成により−１ｄＢ程度に改善された。
【００４０】
（実施例２）
上記実施例１の構成に加えて、特性インピーダンスが３５Ωである幅が３０μｍの第二の信号線路４ｂの直上に、内層接地導体層５に第二の信号線路４ｂの幅と同じ幅の小間隔部５ｄ（間隔１０μｍ）を、第二の信号線路４ｂの全長（１０ｍｍ）にわたって形成した。これにより、小間隔部５ｄがない場合の第二の信号線路４ｂの幅５０μｍよりも第二の信号線路４ｂの幅が小さくなった。
【００４１】
従って、特性インピーダンスが７０Ωの第一の信号線路４ａの幅が２０μｍ、特性インピーダンスが３５Ωの第二の信号線路４ｂの幅が３０μｍ、特性インピーダンスが５０Ωの第三の信号線路４ｃの幅が２０μｍとなり、それらの幅の差が小さくなった。これは、第一の導体非形成部５ｂ、第二の導体非形成部５ｃおよび小間隔部５ｄがない場合の第一の信号線路４ａの幅１０μｍ、第二の信号線路４ｂの幅５０μｍ、第三の信号線路４ｃの幅２０μｍに比べて、きわめて均一化されたものとなった。これにより、上記実施例２の構成とすることにより、図１の構成の多層配線基板１の場合、０．８倍に小型化された。即ち、１．２５倍に高集積化された。また、小型化されたことによって低コストに製造可能となった。
【００４２】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更を行うことは何等差し支えない。例えば、上記実施の形態では信号線路層は２層設けられているが、３層以上設けてもかまわない。
【００４３】
【発明の効果】
本発明の多層配線基板は、絶縁基板の主面に下部接地導体層と第一の信号線路層と内層接地導体層と第二の信号線路層と上部接地導体層とがそれぞれ絶縁層を介して順次積層されており、第一および第二の信号線路層は、それぞれ特性インピーダンスの異なるものを含む複数の信号線路から成り、内層接地導体層は、複数の信号線路のうち特性インピーダンスが７０Ωよりも大きい信号線路の直上または直下の部位に導体非形成部が設けられていることにより、信号線路の高密度配線化が可能となるとともに、クロス配線のジャンパ線を設けることが可能になり、半導体素子の多ピン化に対応することができる。
【００４４】
また、特性インピーダンスが７０Ωよりも大きい信号線路と上部接地導体層または下部接地導体層との間隔が大きくなり、電気的な容量が小さくなって特性インピーダンス値が大きくなって、導体非形成部がない場合に比べて同じ特性インピーダンス値を得ようとすると信号線路の幅が大きくなる。従って、特性インピーダンスの大きい信号線路の幅を従来に比べて大きくすることができ、特性インピーダンスの制御が容易になり、特性インピーダンスのばらつきの小さい信号線路を形成することができる。さらに、第一の信号線路層および第二の信号線路層は、外部からのノイズの影響を受けないものとなり、信号線路に接続される半導体素子の動作速度の高速化に対応することができる。
【００４５】
本発明の多層配線基板は、好ましくは、内層接地導体層は複数の信号線路のうち特性インピーダンスが４０Ω以下の信号線路の直上または直下で信号線路との間隔を小さくした部位を有していることにより、内層接地導体層と特性インピーダンスが４０Ω以下の信号線路との電気的な容量が大きくなって特性インピーダンス値が小さくなり、間隔が小さい部位がない場合に比べて同じ特性インピーダンス値を得ようとすると信号線路の幅が小さくなる。従って、特性インピーダンスの小さい信号線路の幅を従来に比べて小さくして、より特性インピーダンスの大きい信号線路の幅に近づけることができる。その結果、導体非形成部を設けることによる作用効果と相俟って、特性インピーダンスの異なる複数の信号線路においてそれらの幅がきわめて近似したり略同じになるため、さらなる高密度配線が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層配線基板について実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】従来の多層配線基板の断面図である。
【図３】従来の多層配線基板の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
１：多層配線基板
２：絶縁基板
３：下部接地導体層
４：第一の信号線路層
４ａ〜４ｃ：第一〜第三の信号線路
５：内層接地導体層
５ｂ，５ｃ：第一，第二の導体非形成部
６：第二の信号線路層
６ａ〜６ｃ：第四〜第六の信号線路
７：上部接地導体層
８：絶縁層
【図１】
2004022890.tif 000003
【図２】
2004022890.tif 000004
【図３】
2004022890.tif 000005