(57)【要約】【課題】短波長の低出力光に対しても、記録感度が良く、ジッタなどのノイズが発生せず、オーバーライト（Ｏ／Ｗ）特性が優れ、アーカイバル特性も良好で、高密度記録が可能な相変化型光記録媒体の提供。【解決手段】基板上に、少なくとも第一の記録構成層、樹脂中間層、第二の記録構成層が順次設けられ、該第一の記録構成層は、基板側から順に反射層、光吸収層、第１保護層、第１記録層、第２保護層で構成され、該第二の記録構成層は、樹脂中間層側から順に、第３保護層、Ａｇ又はＡｇ合金層、第４保護層、第２記録層、第５保護層で構成され、前記第１記録層と第２記録層が少なくともＳｂＴｅを含有し、前記光吸収層の光学定数である消衰係数ｋが１×１０−２以上であることを特徴とする相変化型光記録媒体。【選択図】　　　　図１
2004095111.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも第一の記録構成層、樹脂中間層、第二の記録構成層が順次設けられ、該第一の記録構成層は、基板側から順に反射層、光吸収層、第１保護層、第１記録層、第２保護層で構成され、該第二の記録構成層は、樹脂中間層側から順に、第３保護層、Ａｇ又はＡｇ合金層、第４保護層、第２記録層、第５保護層で構成され、前記第１記録層と第２記録層が少なくともＳｂＴｅを含有し、前記光吸収層の光学定数である消衰係数ｋが１×１０−２以上であることを特徴とする相変化型光記録媒体。
【請求項２】
第３保護層がＩＴＯからなることを特徴とする請求項１記載の相変化型光記録媒体。
【請求項３】
光吸収層の形成成分が、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｉｎ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３とＺｎＯの混合物、Ａｌ２Ｏ３とＳｉＯ２の混合物、ＭｇＯとＳｉＯ２の混合物、Ｉｎ２Ｏ３とＺｎＯとＳｎＯの混合物の何れかであることを特徴とする請求項１又は２記載の相変化型光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、書換え可能なＤＶＲ等の相変化型記録層を有する高密度記録用の光記録媒体（相変化型光記録媒体）に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般にコンパクトディスク（ＣＤ）やＤＶＤは、凹ピットの底部及び鏡面部からの反射光の干渉により生じる反射率変化を利用して２値信号の記録及びトラッキング信号を検出することにより行われている。
近年、ＣＤと再生互換性（互換性）のある媒体として、相変化型の書換え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ：ＣＤ−Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）が広く使用されつつあるほか、ＤＶＤについても相変化型の書換え可能なＤＶＤが各種提案されている。また、ＤＶＤの容量が４．７ＧＢであるのに対して、記録再生波長を３９０ｎｍ〜４２０ｎｍと短波長化し、開口数ＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ　Ａｐｅｒｔｕｒｅ）を上げて２０ＧＢ以上の容量とするシステム高密度ＤＶＲが提案されている〔例えば、ＩＳＯＭ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｄｉｇｅｓｔ，’００（２０００），２１０〕。
【０００３】
これら相変化型の書換え可能なＣＤ、ＤＶＤ及びＤＶＲは、非晶質と結晶状態の屈折率差によって生じる反射率差及び位相差変化を利用して記録情報信号の検出を行う。通常の相変化型光記録媒体は、基板上に下部保護層、相変化型記録層、上部保護層、反射層を設けた構造を有し、これら構成層の多重干渉を利用して反射率差及び位相差を制御し、ＣＤやＤＶＤとの互換性を持たせることができる。ＣＤ−ＲＷにおいては、反射率を１５〜２５％程度に落とした範囲内ではＣＤと記録信号及び溝信号の互換性が確保でき、反射率の低いことをカバーする増幅系を付加したＣＤドライブで再生が可能である。なお、相変化型光記録媒体は消去と再記録過程を１つの集束光ビームの強度変調のみによって行うことができるため、ＣＤ−ＲＷや書換え可能ＤＶＤ等の相変化型光記録媒体において、記録とは記録と消去を同時に行うオーバーライト（Ｏ／Ｗ）記録を含む。
相変化を利用した情報の記録には、結晶、非晶質又はそれらの混合状態を用いることができ、複数の結晶相を用いることもできるが、現在実用化されている書き換可え可能相変化型光記録媒体は、未記録・消去状態を結晶状態とし、非晶質のマークを形成して記録するのが一般的である。
【０００４】
相変化型記録層の材料としては、カルコゲン元素、即ちＳ、Ｓｅ、Ｔｅを含むカルコゲナイド系合金を用いることが多い。例えば、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３疑似二元合金を主成分とするＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３疑似二元合金を主成分とするＩｎＳｂＴｅ系、Ｓｂ０．７Ｔｅ０．３共晶合金を主成分とするＡｇＩｎＳｂＴｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系などである。
このうち、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３疑似二元合金に過剰のＳｂを添加した系、特にＧｅ１Ｓｂ２Ｔｅ４、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５などの金属間化合物近傍組成が主に実用化されている。
これらの組成は金属間化合物特有の相分離を伴わない結晶化を特徴とし、結晶成長速度が速いために初期化が容易で、消去時の再結晶化速度が速い。そのため従来から、実用的なオーバーライト（Ｏ／Ｗ）特性を示す記録層としては、疑似二元合金系や金属間化合物近傍組成が注目されていた〔文献Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，ｖｏｌ．６９（１９９１），ｐ２８４９、或いは、ＳＰＩＥ，ｖｏｌ．２５１４（１９９５），ｐｐ２９４−３０１等〕。
【０００５】
また、従来からＧｅＳｂＴｅ三元組成、又は該三元組成を母体として添加元素を加えた記録層組成に関して報告がなされている（特開昭６１−２５８７８７号公報、同６２−５３８８６号公報、同６２−１５２７８６号公報、特開平１−６３１９５号公報、同１−２１１２４９号公報、同１−２７７３３８号公報）。
しかしながら、まだ開発が始まったばかりであり、このような組成の材料を書換え可能なＤＶＲなどの高密度記録用の光記録媒体へ適用するには、解決しなければならない問題が多々ある。
特に、青色レーザーなど短波長の光学系の場合にはビーム出力が低く、そのため記録層にノイズが出易いという欠点があり、オーバーライト（Ｏ／Ｗ）特性を満足することが難しく、高速高密度記録化における課題となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上述のごとき実情に鑑みてなされたもので、その目的は、青色レーザーなど短波長の低出力光に対しても記録感度が良く、ジッタなどのノイズが発生せず、オーバーライト（Ｏ／Ｗ）特性が優れ、アーカイバル特性も良好で、高密度記録が可能な相変化型光記録媒体を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、次の１）〜３）の発明（以下、本発明１〜３という）によって解決される。
１）　基板上に、少なくとも第一の記録構成層、樹脂中間層、第二の記録構成層が順次設けられ、該第一の記録構成層は、基板側から順に反射層、光吸収層、第１保護層、第１記録層、第２保護層で構成され、該第二の記録構成層は、樹脂中間層側から順に、第３保護層、Ａｇ又はＡｇ合金層、第４保護層、第２記録層、第５保護層で構成され、前記第１記録層と第２記録層が少なくともＳｂＴｅを含有し、前記光吸収層の光学定数である消衰係数ｋが１×１０−２以上であることを特徴とする相変化型光記録媒体。
２）　第３保護層がＩＴＯからなることを特徴とする１）記載の相変化型光記録媒体。
３）　光吸収層の形成成分が、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｉｎ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３とＺｎＯの混合物、Ａｌ２Ｏ３とＳｉＯ２の混合物、ＭｇＯとＳｉＯ２の混合物、Ｉｎ２Ｏ３とＺｎＯとＳｎＯの混合物の何れかであることを特徴とする１）又は２）記載の相変化型光記録媒体。
【０００８】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明では、第一の記録構成層において、光学定数である消衰係数ｋが１×１０−２以上である光吸収層を反射層と第１保護層の間に形成することにより、従来の媒体では殆ど透過していた光の一部が光吸収層で吸収され、この光が熱に変換されるため、第１記録層の記録感度が良好になり、ジッタなどのノイズが発生せず、オーバーライト（Ｏ／Ｗ）特性、アーカイバル特性、高密度記録性能が向上する。なお、光吸収層の光学定数ｋはあまり大きくなると光を透過しなくなってしまうので、２×１０程度が上限である。
また、第二の記録構成層において、第３保護層とＡｇ又はＡｇ合金層を厚さ２０ｎｍ以下で形成することにより放熱性をよくし、かつ、記録波長４０５ｎｍ付近で光の透過率及び熱伝導率が高いＡｇ又はＡｇ合金を用いることによってオーバーライト（Ｏ／Ｗ）における放熱性を保ち、Ｏ／Ｗ特性を良くし、かつ高密度での記録を可能とするものである。
更に、第１記録層及び第２記録層の２層の記録層を設け、各記録層に少なくともＳｂＴｅを含む材料を用いることにより、小さいマークが形成し易くなり高密度記録特性が向上する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の相変化型光記録媒体の一例に係る層構成断面図（模式図）であり、基板１／反射層２／光吸収層１４／第１保護層３／第１記録層４／第２保護層５／樹脂中間層６／第３保護層７／Ａｇ又はＡｇ合金層８／第４保護層９／第２記録層１０／第５保護層１１／接着層１２／カバー基板１３という層構成を有している。図１のような各層の順序は、透明カバー基板１３を介して記録再生用の集束光ビーム、例えばレーザ光を各記録層に照射する場合に適している。
【００１０】
本発明の相変化型光記録媒体における基板１の材料としては、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリオレフィンなどの透明樹脂、或いは透明ガラスを用いることができる。中でも、ポリカーボネート樹脂はＣＤにおいて最も広く用いられているなど実績もあり、また安価でもあるため最も好ましい材料である。
基板１には通常、記録再生光を案内するピッチ０．８μｍ以下の溝を設けるが、この溝は必ずしも幾何学的に矩形又は台形状の溝である必要はなく、例えばイオン注入などによって、屈折率の異なる導波路のようなものを形成した光学的な溝が形成されていてもよい。
【００１１】
本発明の相変化型光記録媒体の第１記録層４及び第２記録層１０は、ＳｂＴｅを主たる構成元素として含有する合金を主成分とする薄膜からなるものであり、このような合金としては、例えばＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを構成元素とするものが挙げられる。
上記各記録層には必要に応じて他の元素を、合計１０原子％程度まで添加してもよい。また、各記録層に更にＯ、Ｎ、Ｓから選ばれる少なくとも一つの元素を０．１〜５原子％添加することにより、記録層の光学定数を微調整することができる。しかし、５原子％を超えて添加すると結晶化速度を低下させ、消去性能を悪化させるので好ましくない。
【００１２】
また、オーバーライト（Ｏ／Ｗ）時の結晶化速度を低下させずに経時安定性を良くするため、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｚｒから選ばれる少なくとも一種を８原子％以下添加するのが好ましく、より好ましい添加量は０．１〜５原子％である。ＳｂＴｅに対する、上記添加元素とＧｅの合計添加量は１５原子％以下であることが望ましい。１５原子％より過剰に含まれるとＳｂ以外の相分離を誘起してしまう。Ｇｅ含有量は、特に３〜５原子％の場合に添加効果が大きい。
また、経時安定性の向上と屈折率の微調整のため、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂの少なくとも一種を５原子％以下添加するのが好ましい。これら添加元素とＧｅの合計の添加量は１５原子％以下が好ましい。なお、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂの各元素は、Ｇｅと同じく４配位ネットワークを持った元素である。
【００１３】
また、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎを８原子％以下添加すると、結晶化温度を上昇させると同時にジッタを低減させたり、記録感度を改善する効果があるが、偏析も生じ易いため、６原子％以下とするのが好ましい。Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎの各添加量は、Ｇｅと合わせた合計添加量で１５原子％以下、好ましくは１３原子％以下とすることが望ましい。
また、Ａｇを８原子％以下の量で添加すると、記録感度を改善する上で効果があり、特にＧｅ原子量が５原子％を超える場合に用いれば効果が顕著である。しかし、Ａｇの添加量が８原子％を超えるとジッタを増加させたり、非晶質マークの安定性を損ねるので好ましくない。更に、Ｇｅと併せた合計添加量が１５原子％を超えると偏析を生じ易いので好ましくない。Ａｇの含有量として特に好ましいのは５原子％以下である。
【００１４】
また、第１記録層４及び第２記録層１０は相変化型の記録層であり、その厚さは一般的に５〜１００ｎｍの範囲が好ましい。厚みが５ｎｍより薄いと十分なコントラストを得難く、また結晶化速度が遅くなる傾向があり、短時間での消去が困難となり易い。一方、１００ｎｍを越すとやはり光学的なコントラストが得難くなり、またクラックが生じ易くなる。コントラストとしては、ＤＶＤなど再生専用ディスクと互換性が取れるようにする必要がある。
また、最短マーク長が０．５μｍ以下となるような高密度記録では、記録層の厚さは５〜２５ｎｍが好ましい。５ｎｍ未満では反射率が低くなり過ぎ、また膜成長初期の不均一な組成や密度の疎な膜の影響が現れ易いので好ましくない。一方、２５ｎｍより厚いと熱容量が大きくなり記録感度が悪くなる他、結晶成長が３次元的になるため、非晶質マークのエッジが乱れジッタが高くなる傾向にある。更に、第１記録層４及び第２記録層１０の相変化による体積変化が顕著になり、繰返しオーバーライト（Ｏ／Ｗ）耐久性が悪くなるので好ましくない。マーク端のジッタ及び繰返しオーバーライト（Ｏ／Ｗ）耐久性の観点からは２０ｎｍ以下とすることがより望ましい。
【００１５】
第１記録層４及び第２記録層１０の密度は、バルク密度の８０％以上が好ましく、より好ましくは９０％以上である。
記録層の密度を高くするには、スパッタリング成膜法の場合、成膜時のスパッタリングガス（Ａｒ等の希ガス）の圧力を低くしたり、ターゲット正面に近接して基板を配置するなどして記録層に照射される高エネルギーＡｒ量を多くする必要がある。高エネルギーＡｒは、スパッタリングのためにターゲットに照射されるＡｒイオンが、一部跳ね返されて基板側に到達するもの、或いはプラズマ中のＡｒイオンが基板全面のシース電圧で加速されて基板に達するものかの何れかである。このような高エネルギーの希ガスの照射効果を「ａｔｏｍｉｃ　ｐｅｅｎｉｎｇ効果（アトミックピーニング効果）」という。
【００１６】
一般的に使用されるＡｒガス中でのスパッタリングでは、ａｔｏｍｉｃ　ｐｅｅｎｉｎｇ効果によってＡｒがスパッタリング膜に混入される。この混入された膜中のＡｒ量により、ａｔｏｍｉｃ　ｐｅｅｎｉｎｇ効果を見積もることができる。即ち、Ａｒ量が少なければ高エネルギーＡｒ照射効果が少ないことを意味し、密度の疎な膜が形成され易い。一方、Ａｒ量が多ければ高エネルギーＡｒの照射が激しく、密度は高くなるものの膜中に取り込まれたＡｒが繰返しオーバーライト（Ｏ／Ｗ）時にボイド（ｖｏｉｄ）となって析出し、繰返しの耐久性を劣化させる。
記録層膜中の適当なＡｒ量は、０．１〜１．５原子％である。
更に、直流スパッタリングよりも高周波スパッタリングを用いた方が、膜中Ａｒ量を少なくして高密度膜が得られるので好ましい。
【００１７】
また、第１記録層４及び第２記録層１０の成膜後の状態は通常、非晶質である。従って、成膜後に各記録層全面を結晶化して初期化された状態（未記録状態）とする必要がある。
初期化方法としては、固相でのアニールによる初期化も可能であるが、一旦記録層を溶融させ再凝固時に徐冷して結晶化させる、いわゆる溶融再結晶化による初期化が望ましい。上記各記録層は成膜直後には結晶成長の核が殆どなく、固相での結晶化は困難であるが、溶融再結晶化によれば少数の結晶核が形成された後、溶融状態において結晶成長が主体となって高速で再結晶化が進む。
第１記録層４及び第２記録層１０における溶融再結晶化による結晶と固相でのアニールによる結晶とは反射率が異なるため、混在するとノイズの原因となる。そして、実際のオーバーライト（Ｏ／Ｗ）記録の際には、消去部は溶融再結晶化による結晶となるため、初期化も溶融再結晶化により行うのが好ましい。
【００１８】
溶融再結晶化による初期化の際、記録層の溶融は局所的かつ１ミリ秒程度以下の短時間で行うのがよい。その理由は、溶融領域が広かったり、溶融時間或いは冷却時間が長過ぎると熱によって各層が破壊されたり、プラスチック基板表面が変形したりするためである。
初期化に適した熱履歴を与えるには、波長６００〜１０００ｎｍ程度の高出力半導体レーザー光を長軸１００〜３００μｍ、短軸１〜３μｍに集束して照射し、短軸方向を走査軸として１〜１０ｍ／ｓの線速度で走査することが望ましい。
同じ集束光でも円形に近いと溶融領域が広すぎて再非晶質化が起き易く、また基板や各層へのダメージが大きく好ましくない。
【００１９】
初期化が溶融再結晶化によって行われたことは以下のようにして確認できる。即ち、該初期化後の媒体に直径約１．５μｍより小さいスポット径に集束された記録層を溶融するに足る記録パワーＰｗの記録光を、直流的に一定線速度で照射する。案内溝がある場合は、その溝又は溝間からなるトラックにトラッキングサーボ及びフォーカスサーボをかけた状態で行う。
その後、同じトラック上に消去パワーＰｅ（≦Ｐｗ）の消去光を直流的に照射して得られる消去状態の反射率が、全く未記録の初期化状態の反射率とほぼ同じであれば、該初期化状態は溶融再結晶状態と確認できる。何故なら、記録光照射により記録層は一旦溶融されており、それを消去光照射で完全に再結晶化した状態は、記録光による溶融と消去光による再結晶化の過程を経ており、溶融再結晶化された状態にあるからである。
【００２０】
なお、初期化状態の反射率Ｒｉｎｉと溶融再結晶化状態Ｒｃｒｙの反射率がほぼ同じであるとは、（Ｒｉｎｉ−Ｒｃｒｙ）／｛（Ｒｉｎｉ＋Ｒｃｒｙ）／２｝で定義される両者の反射率差が２０％以下であることを言う。通常、アニール等の固相結晶化だけでは、その反射率差は２０％より大きい。
このような第１記録層４及び第２記録層１０は、それぞれ図１に示すように、第１記録層４は、第１保護層３と第２保護層５との間に、また第２記録層１０は、第４保護層９と第５保護層１１との間に挟み込まれた構成となって、基板１表面（溝形成面）上に設けられている。
【００２１】
次に、本発明の第１保護層３、第２保護層５、第４保護層９、第５保護層１１の各保護層について説明する。
第一の記録構成層１００の第１保護層３は、第１記録層４と反射層２の相互拡散を防止し、第１記録層４の変形を抑制しつつ、反射層２へ効率的に熱を逃すという機能を併せ持つ。また、第２保護層５は、主として記録時の高温による樹脂中間層６の表面の変形を防止するのに有効である。
第二の記録構成層２００の第４保護層９は、第２記録層１０からＡｇ又はＡｇ合金層８及び第３保護層７に熱を逃がす機能と、第２記録層１０とＡｇ又はＡｇ合金層８の相互拡散を防止する機能を併せ持つ。また、第５保護層１１は、反射率の調整並びに記録時の高温による接着層１２及びカバー基板１３の変形を防止するのに有効である。
【００２２】
第１保護層３、第２保護層５、第４保護層９、第５保護層１１の材料は、屈折率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して決定される。
これらの保護層を形成する材料は熱伝導特性が低い方が望ましいが、その目安は１×１０−３ｐＪ／（μｍ・Ｋ・ｎｓｅｃ）である。なお、このような低熱伝導率材料の薄膜状態の熱伝導率を直接測定するのは困難であり、直接測定に代るものとして熱シミュレーションと実際の記録感度の測定結果から目安を得ることができる。
【００２３】
好ましい結果をもたらす低熱伝導率の上記各保護層用材料としては、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＴａＳ２、希土類硫化物のうちの少なくとも一種を５０〜９０モル％含み、かつ、透明性が高く融点又は分解点が１０００℃以上の耐熱性化合物を含む複合誘電体が挙げられる。希土類硫化物の具体例としては、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｙ等の希土類の硫化物を６０〜９０モル％含む複合誘電体が挙げられる。更に、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＴａＳ２、又は希土類硫化物の割合を７０〜９０モル％とすることが好ましい。
融点又は分解点が１０００℃以上の耐熱化合物としては、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂ等の酸化物、窒化物、炭化物やＣａ、Ｍｇ、Ｌｉ等のフッ化物が挙げられる。
なお、上記酸化物、硫化物、窒化物、炭化物、フッ化物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成を変えたり、混合して用いることも有効である。
【００２４】
第１保護層３、第２保護層５、第４保護層９、第５保護層１１の材料としては、上記留意点並びに第１記録層４及び第２記録層１０を構成する材料との整合性を考慮すると、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物が最も好ましい。
各保護層とも同じ材料（例えば、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物）を用いると、製造上のコスト低減の面からも有利である。
続いて、上記各保護層の機能等について、更に詳述する。
本発明の層構成は、急冷構造と呼ばれる層構成の一種に属する。急冷構造は、放熱を促進して記録層再凝固時の冷却速度を高める層構成を採用することで、非晶質マーク形成の際における再結晶化の問題を回避しつつ、高速結晶化による高消去比を実現するものである。
【００２５】
第１保護層３及び第４保護層９の膜厚は、繰返しオーバーライト（Ｏ／Ｗ）における耐久性に大きく影響し、特にジッタの悪化を抑制する上でも重要である。膜厚は一般的に５〜３０ｎｍである。５ｎｍ未満では、上記保護層部での熱伝導の遅延効果が不十分で記録感度低下が著しくなり好ましくない。膜厚が３０ｎｍより厚いとマーク幅方向の温度分布の十分な平坦化効果が得られないほか、記録時にそれぞれ第２保護層５及び第５保護層１１の各記録側と放熱層側とで温度差が大きくなり、保護層の両側における熱膨張差から保護層自体が非対称に変形し易くなる。この繰返しは、保護層内部に微視的塑性変形を蓄積させ、ノイズの増加を招くので好ましくない。
第１保護層３及び第４保護層９の膜厚は、更に詳細には、記録レーザー光の波長が６００〜７００ｎｍでは１５〜２５ｎｍが好ましく、波長が３５０〜６００ｎｍでは好ましくは５〜２０ｎｍ、より好ましくは５〜１５ｎｍである。
また、第２保護層５及び第５保護層１１の膜厚は、５０〜１５０ｎｍとする必要がある。これらの層は反射率を調整するために用いる。５０ｎｍより薄いと、記録層溶融時の変形等によって破壊され易く、また、放熱効果が大き過ぎて記録に要するパワーが不必要に大きくなってしまう。
【００２６】
前述したような相変化型記録層材料を用いると、最短マーク長０．３μｍ以下の高密度記録において低ジッタを実現できるが、本発明者の検討によれば高密度記録を実現するために短波長のレーザーダイオード（例えば、波長４１０ｎｍ以下）を用いる場合には、上記急冷構造の層構成についても一層の留意が必要になる。特に、波長が５００ｎｍ以下、開口数ＮＡが０．５５以上の小さな集束光ビームを用いた１ビームオーバーライト（Ｏ／Ｗ）特性の検討において、マーク幅方向の温度分布を平坦化することが高消去比及び消去パワーマージンを広く取るために重要であることが分った。上記傾向は、波長３９０〜４２０ｎｍ、ＮＡ＝０．８５前後の光学系を用いた、ＤＶＲ対応の光学系においても同様である。
本発明者は、前記要求に適合するように２層記録構造の相変化型光記録媒体の適切な層構成を検討し、光透過性があると共に放熱性もあり、かつ高記録感度になるように光吸収層１４を設けて、記録感度を良好にする設計を行った。
【００２７】
前記のような光学系を用いた高密度マーク長変調記録においては、特に熱伝導特性の低いものが第２保護層５として用いられ、好ましくはその膜厚を７〜２５ｎｍとすることが重要である。このため、第２保護層５上に設けられる第３保護層７は、高熱伝導率であることが必要となり、この構成によって高速記録時に熱が急激に逃げず、かつ熱傾斜ができていることから高速記録が可能となる。
また、第一の記録構成層に到達する光は、第二の記録構成層を透過してくることにより、入射光の半分以下となるので、入射光を増やすか、第１記録層の感度を良くする必要がある。
本発明では、入射光の少ない第一の記録構成層において、第１記録層を熱伝導率の低い保護層で挟んで記録感度を良くし、第１保護層を３〜１０ｎｍと薄く形成し、第１保護層と反射層の間に光学定数である消衰係数ｋが１×１０−２以上の光吸収層１４を設けることで熱を吸収し易くし、記録感度を良くする。
【００２８】
上記の層構成において、熱伝導性のみを考えた場合には、第１保護層３又は第４保護層９の熱伝導係数を高くしても放熱は促進されるが、あまり放熱が促進されると記録に要する照射パワーが高くなり、記録感度が著しく低下してしまうという問題を生ずるため、熱伝導率を低く抑える必要がある。
そして、低熱伝導率の薄膜保護層を用いることにより、記録パワー照射開始時点の数ｎｓｅｃ〜数１０ｎｓｅｃ（ナノ秒）において記録層から放熱層への熱伝導に時間的な遅延を与え、その後に放熱層への放熱を促進することができるため、保護層の熱伝導特性により必要以上に記録感度を低下させることがない。
このような理由から、従来知られているＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＮ等を主成分とする保護層材料は、それ自身の熱伝導率が高すぎるために単体で使用することは好ましくない。
【００２９】
光吸収層１４の好ましい材料としては、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｉｎ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３とＺｎＯの混合物、Ａｌ２Ｏ３とＳｉＯ２の混合物、ＭｇＯとＳｉＯ２の混合物、Ｉｎ２Ｏ３とＺｎＯとＳｎＯの混合物などが挙げられる。
これらの材料で光吸収層１４を形成すると、第一の記録構成層における光吸収能が向上し、第１記録層４の感度が一層良くなる。更に、アーカイバル保存性（８０℃８５％、２００時間）についても、記録したマークのジッタが変化せず、良好な特性を示す。
【００３０】
本発明の層構成を満足し、厚さ４ｎｍのＳｉＣからなる光吸収層１４を有する相変化型光記録媒体と、該光吸収層１４を有しない点以外は全く同じ層構成を有する相変化型光記録媒体について、第１記録層１０の記録感度特性を比較した結果を下記表１に示した。
記録再生条件は、記録再生光波長：４０５ｎｍ、対物レンズのＮＡ＝０．８５、記録線速：５．７ｍ／ｓ、記録線密度：０．１３μｍ／ｂｉｔ、記録感度（記録パワー）はジッタ最小となるパワー、再生パワーは０．６ｍＷ、記録パターンは１−７変調とし、ランダム信号を記録した。
【表１】
2004095111.tif 000003
表１から分るように、光吸収層１４を設けた方が記録感度が良くなっている。
【００３１】
第３保護層７の材料としては、熱伝導率が高いＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋ＳｎＯ）を用いると、第２記録層１０で記録される際に発生する熱が、Ａｇ及びＡｇ合金層を経由して第３保護層７で放熱されるので好ましい。これによって、急激な冷却が必要とされる相変化材料ＳｂＴｅを主成分とする記録層は最適な急冷状態となり、小さなアモルファスマークが形成可能となる。
しかし、第二の記録構成層２００の放熱性については、前述のように第３保護層７の放熱性だけでは不十分であるから、Ａｇ又はＡｇ合金層８を設けて放熱性を改善する。特にＳｂＴｅをべースにした記録層では熱の最初の急冷性がアモルファスマークを形成するので、Ａｇ又はＡｇ合金層８と第３保護層７を組み合わせた構成とすることにより、高密度とオーバーライト（Ｏ／Ｗ）特性と保存性が改善される。
【００３２】
次に、放熱機能を担う反射層２とＡｇ又はＡｇ合金層８についてそれぞれ説明する。
反射層２はとりわけ高熱伝導率の材料とすることにより、消去比及び消去パワーマージンを改善できる。検討の結果、広い消去パワー範囲において本発明の記録層が持つ良好な消去特性を発揮させるには、単に膜厚方向の温度分布や時間変化のみならず膜面方向（記録ビーム走査方向に対して垂直方向）の温度分布をできるだけ平坦化できるような層構成を用いるのが好ましい。本発明においては、非常に高熱伝導率で３００ｎｍ以下の薄い反射層２を用いて、横方向の放熱効果を促進するのが特徴である。
一般には薄膜の熱伝導率はバルク状態の熱伝導率と大きく異なり、小さくなっているのが普通である。特に、３０ｎｍ未満の薄膜では成長初期の島状構造の影響で熱伝導率が１桁以上小さくなる場合があり好ましくない。更に、成膜条件によって結晶性や不純物量が異なり、これが同じ組成でも熱伝導率が異なる要因になる。
【００３３】
第一の記録構成層１００の反射層２における放熱は、反射層２の厚みを厚くしても達成できるが、反射層２の厚みが３００ｎｍを超えると第１記録層４の膜面方向よりも膜厚方向の熱伝導が顕著になり、膜面方向の温度分布改善効果が得られない。また、反射層２自体の熱容量が大きくなり、反射層２ばかりでなく、ひいては第１記録層４の冷却に時間がかかるようになって非晶質マークの形成が阻害される。最も好ましいのは、高熱伝導率の反射層２を薄く設けて横方向への放熱を選択的に促進することである。
従来用いられていた急冷構造は、膜厚方向の１次元的な熱の逃げにのみ注目し、第１記録層４から反射層２に早く熱を逃すことのみを意図しており、この平面方向の温度分布の平坦化に十分留意していなかった。
【００３４】
本発明に適した反射層２の材料としては、Ａｇ又はＡｇ合金、Ｃｕ合金、Ａｌ合金等が挙げられる。
Ａｇ合金としては、後述のＡｇ又はＡｇ合金層８に用いられるのと同様のＡｇ合金が挙げられる。Ａｇ合金を反射層２として用いる場合、好ましい膜厚は３０〜２００ｎｍである。３０ｎｍ未満では、純Ａｇでも放熱効果は不十分である。２００ｎｍを超えると熱が水平方向より垂直方向に逃げて水平方向の熱分布改善に寄与しないし、不必要な厚膜は生産性を低下させる。また、膜表面の微視的な平坦性も悪くなる。
Ｃｕ合金としては、例えばＣｕを０．３〜５．０重量％含有するＡｌ−Ｃｕ系合金がある。特に、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる層とＴａ２Ｏ５層を組み合わせた２層構成の保護層とする場合には、Ｃｕを０．５〜４．０重量％含有するＡｌ−Ｃｕ系合金が、耐食性、密着性、高熱伝導率の全てをバランス良く満足する反射層として望ましい。
【００３５】
Ａｌ合金としては、例えばＡｌに対しＴａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｍｎの何れかを０．２〜２原子％含む合金が挙げられ、これらは添加元素濃度に比例して体積抵抗率が増加し、また耐ヒロック性が改善され、耐久性、体積抵抗率、成膜速度等を考慮して用いることができる。添加不純物量が０．２原子％未満では、成膜条件にもよるが、耐ヒロック性は不十分であることが多い。また２原子％より多いと上記の低抵抗率が得難い。更に、経時安定性をより重視する場合の添加成分としてはＴａが好ましい。また、Ａｌを主成分とし、Ｓｉを０．３〜０．８重量％、Ｍｇを０．３〜１．２重量％含有するＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金も有効である。
上記Ａｌ合金を反射層２として用いる場合、好ましい膜厚は１５０〜３００ｎｍである。１５０ｎｍ未満では純Ａｌでも放熱効果は不十分であり、３００ｎｍを超えると前述のように熱が水平方向より垂直方向に逃げて水平方向の熱分布改善に寄与しないし、反射層そのものの熱容量が大きくなるため記録層の冷却速度が遅くなってしまう。また、膜表面の微視的な平坦性も悪くなる。
【００３６】
続いて、Ａｇ又はＡｇ合金層８について説明する。
本発明の第２記録層１０はＴｍ（融点）近傍での再凝固時の結晶成長が再結晶化の律速になっている。Ｔｍ近傍での冷却速度を極限まで大きくして非晶質マーク及びそのエッジの形成を確実かつ明確なものとするには、超急冷構造が有効であり、かつ膜面方向の温度分布の平坦化により、元々Ｔｍ近傍で高速消去可能であったものがより高い消去パワーまで確実に再結晶化による消去が可能となる。このため、いわゆる「第３保護層７での熱伝導遅延効果を考慮した超急冷構造」を本発明に係る第二の記録構成層２００に適用すると、従来のＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３記録層に比べて一層効果がある。
【００３７】
このような超急冷のための放熱層としてＡｇ又はＡｇ合金層８が用いられる。Ａｇ又はＡｇ合金層８の形成に際しては、製膜時のデポジションレートを反射層２の場合よりも遅くして膜厚不均一性を無くすようにする。
Ａｇ又はＡｇ合金層８の膜厚は５〜２０ｎｍが望ましい。５ｎｍ未満ではデポジションレートを遅くしても不均一になる。
Ａｇ合金としては、Ａｇに対しＣｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｍｎの何れかを０．２〜５原子％含む合金が望ましい。経時安定性をより重視する場合の添加成分としてはＴｉ、Ｍｇが好ましい。
本発明者は、前記反射層２やＡｇ又はＡｇ合金層８に用いるＡｌ合金及びＡｇ合金は、その添加元素濃度に比例して体積抵抗率が増加することを確認している。一方、不純物の添加は一般的に結晶粒径を小さくし、粒界の電子散乱を増加させて熱伝導率を低下させると考えられる。添加不純物量を調節することは、結晶粒径を大きくして材料本来の高熱伝導率を得るために必要である。
【００３８】
反射層２及びＡｇ又はＡｇ合金層８は、通常スパッタ法や真空蒸着法で形成されるが、ターゲットや蒸着材料そのものの不純物だけでなく、成膜時に混入する水分や酸素量も含めて全不純物量を２原子％以下とする必要がある。
そのためにプロセスチャンバの到達真空度は１×１０−３Ｐａ以下とすることが望ましい。また、１０−４Ｐａより悪い到達真空度で成膜する場合には、成膜レートを１ｎｍ／秒以上、好ましくは１０ｎｍ／秒以上として不純物が取り込まれるのを防ぐことが望ましい。更に、意図的に配合する添加元素を１原子％より多く含む場合には、成膜レートを１０ｎｍ／秒以上として付加的な不純物混入を極力防ぐことが望ましい。
【００３９】
成膜条件は不純物量とは無関係に結晶粒径に影響を及ぼす場合もある。例えば、ＡｌにＴａを２原子％程度混入した合金膜は、結晶粒の間に非晶質相が混在するが、結晶相と非晶質相の割合は成膜条件に依存する。また、低圧でスパッタリングするほど結晶部分の割合が増え、体積抵抗率が下がり、熱伝導率が増加する。
膜中の不純物組成或いは結晶性は、スパッタリングに用いる合金ターゲットの製法やスパッタガス（Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅ等）にも依存する。
このように薄膜状態の体積抵抗率は、金属材料や組成のみによっては決まらない。高熱伝導率を得るためには、上記のように不純物量を少なくすることが望ましいが、一方でＡｌやＡｇの純金属は耐食性や耐ヒロック性に劣る傾向があるため、両者のバランスを考慮して最適組成を決める必要がある。
【００４０】
更なる高熱伝導と高信頼性を得るために、反射層２及びＡｇ又はＡｇ合金層８を多層化することも有効である。この場合、少なくとも１層は、全層合計膜厚の５０％以上の膜厚を有する前記高熱伝導性材料（低体積抵抗率材料）からなり、実質的に放熱効果に寄与し、その他の層が耐食性、保護層との密着性及び耐ヒロック性の改善に寄与するように構成される。
より具体的には、金属中最も高熱伝導率及び低体積抵抗率であるＡｇを用いた場合に、Ａｇに隣接する保護層中にＳ（硫化物等）を含むと、Ａｇの硫化による腐食を起し易く、繰返しオーバーライト（Ｏ／Ｗ）した場合の劣化がやや速いという傾向がある。また高温高湿の加速試験環境下で腐食を生じ易い傾向がある。そこで、低体積抵抗率材料としてＡｇ又はＡｇ合金を用いる際には、隣接保護層との間に界面層としてＡｌを主成分とする合金層を１〜１００ｎｍ設けることも有効である。この厚さを５ｎｍ以上とすれば、層が島状構造とならず均一に形成され易い。
【００４１】
上記Ａｌ合金としては、前述の反射層の場合と同様に、例えばＴａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｍｎの何れかを０．２〜２原子％含むＡｌ合金が挙げられる。界面層の厚さは１ｎｍ未満では保護効果が不十分であり、１００ｎｍを超えると放熱効果が犠牲になる。
更に、Ａｇ合金反射層とＡｌ合金界面層を用いる場合、ＡｇとＡｌは比較的相互拡散し易い組み合わせであるので、Ａｌ表面を１ｎｍより厚く酸化して界面酸化層を設けることが一層好ましい。なお、界面酸化層が５ｎｍ、特に１０ｎｍを越えるとそれが熱抵抗となり本来の趣旨である極めて放熱性の高い反射層としての機能が損なわれるので好ましくない。
【００４２】
本発明において良好な特性を示す高熱伝導率の反射層２及びＡｇ又はＡｇ合金層８を規定するために、それぞれの熱伝導率を直接測定することも可能であるが、その熱伝導の良否を電気抵抗を利用して見積もることができる。これは、金属膜のような電子が熱伝導や電気伝導を主として司る材料においては、熱伝導率と電気伝導率の間に良好な比例関係が成立することによる。薄膜の電気抵抗は、その膜厚や測定領域の面積で規格化された抵抗率値で表す。体積抵抗率と面積抵抗率は、通常の４探針法で測定でき、ＪＩＳ　Ｋ　７１９４によって規定されている。本法により、薄膜の熱伝導率そのものを実測するよりも遥かに簡便かつ再現性の良いデータが得られる。
【００４３】
本発明において好ましい反射層２及びＡｇ又はＡｇ合金層８の特性としては、体積抵抗率が２０〜１５０ｎΩ・ｍ、より好ましくは２０〜１００ｎΩ・ｍであることが挙げられる。体積抵抗率２０ｎΩ・ｍ未満の材料は、実質上薄膜状態で得ることが難しい。体積抵抗率１５０ｎΩ・ｍより体積抵抗率が大きい場合でも、例えば３００ｎｍを超える厚膜とすれば面積抵抗率を下げることはできるが、本発明者の検討によれば、このような高体積抵抗率材料で面積抵抗率のみを下げても十分な放熱効果は得られなかった。厚膜では単位面積当りの熱容量が増大してしまうためと考えられる。また、このような厚膜では成膜に時間がかかり、材料費も増えるため製造コストの観点から好ましくないばかりでなく、膜表面の微視的な平坦性も悪くなってしまう。従って、膜厚３００ｎｍ以下で面積抵抗率０．２〜０．９Ω／□以下が得られるような低体積抵抗率材料を用いるのが好ましく、０．５Ω／□が最も好ましい。Ａｇ又はＡｇ合金層８の場合は、透過率の関係から膜厚２０ｎｍ以下が望ましい。
【００４４】
反射層２或いはＡｇ又はＡｇ合金層８の前記多層化については、高体積抵抗率材料と低体積抵抗率材料を組み合わせて所望の膜厚で所望の面積抵抗率を得るためにも有効である。合金化による体積抵抗率調節は、合金ターゲットの使用によりスパッタリング工程を簡素化できるが、ターゲット製造コスト、ひいては媒体の原材料比を上昇させる要因にもなる。従って、純Ａｌや純Ａｇの薄膜と上記添加元素そのものの薄膜を多層化して所望の体積抵抗率を得ることも有効である。層数が３層程度までであれば初期の装置コストは増加するものの、個々の媒体コストは却って抑制できる場合がある。
反射層２を複数の金属膜からなる多層反射層とし、全膜厚を４０〜３００ｎｍとし、多層反射層の厚さの５０％以上が体積抵抗率２０〜１５０ｎΩ・ｍの金属薄膜層（多層であってもよい）とするのが好ましい。
【００４５】
樹脂中間層２６や接着層１２の材料としては、ＵＶ樹脂や変性アクリル系粘着材を用いる。ＵＶ樹脂は光硬化型樹脂をスピンコートして作成し、変性アクリル系粘着材はシート状にして接着する。また、樹脂中間層２６の材料として、後述するカバー基板と同じ樹脂材料を用いることもできる。
樹脂中間層の厚みは波長に依存し、青色波長（４０５ｎｍ）では、２５〜３５μｍ程度が適切な範囲である。また接着層の厚みは、青色波長（４０５ｎｍ）、ＮＡ＝０．８５の場合で、カバー基板と接着層のトータル厚みが８５〜１０５μｍ程度が適切であり、カバー基板が６０μであれば、接着層は３０μ程度の厚みとする。
【００４６】
次に、図１に示すようにカバー基板１３を設ける構成で、高ＮＡの対物レンズを用いる場合には、カバー基板１３の厚さは０．３ｍｍ以下、より好ましくは０．０６〜０．２０ｍｍの厚さが要求されるため、シート状であることが好ましい。
その材料としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。
上記透明シートを用いて薄型基板を形成する方法としては、紫外線硬化性樹脂或いは透明な両面粘着シートを介して、透明シートを貼りつける方法が挙げられる。また、紫外線硬化性樹脂を保護層上に塗布してこれを硬化させて薄型基板を形成してもよい。
【００４７】
【実施例】
以下、実施例及び比較例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
【００４８】
実施例１
図２示す層構成で、ポリカーボネート製基板２１上に、反射層２２（Ａｇ９７Ｃｕ１Ｐｔ１Ｐｄ１）、光吸収層３４（ＳｉＣ）、第１保護層２３（ＺｎＳＳｉＯ２、モル比８０：２０）、第１記録層２４（Ａｇ５Ｉｎ５Ｓｂ６５Ｔｅ２５）、第２保護層２５（ＺｎＳＳｉＯ２、モル比８０：２０）、樹脂中間層２６（ポリカーボネート）、第３保護層２７（ＩＴＯ）、Ａｇ又はＡｇ合金層２８（Ａｇ９７Ｃｕ１Ｐｔ１Ｐｄ１）、第４保護層２９（ＺｎＳＳｉＯ２）、第２記録層３０（Ｇｅ５Ａｇ２Ｓｂ７０Ｔｅ２３）、第５保護層３１（ＺｎＳＳｉＯ２、モル比８０：２０）、接着層３２（アクリル系両面接着剤、日東電工社製　ＤＡ８３１０−Ａ５０）、カバー基板３３（ポリカーボネート）からなる各層を形成して評価用相変化型光記録媒体を作製した。
なお、ポリカーボネート製樹脂中間層２６とアクリル系両面接着層３２以外の層は、スパッタ法により厚さを制御しながら基板２１側から順次形成した。
各構成層の厚さは下記の通りである。
基板２１：１．１ｍｍ、反射層２２：１２０ｎｍ、光吸収層３４：４ｎｍ、第１保護層２３：７ｎｍ、第１記録層２４：１０ｎｍ、第２保護層２５：１００ｎｍ、樹脂中間層２６：３０μｍ、第３保護層２７：１２０ｎｍ、Ａｇ又はＡｇ合金層２８：１０ｎｍ、第４保護層２９：１０ｎｍ、第２記録層３０：６ｎｍ、第５保護層３１：１００ｎｍ、接着層３２：３０μｍ、アクリル系両面接着剤を使用、カバー基板３３：６０μｍ。
【００４９】
実施例２
実施例１における光吸収層３４の材質をＳｉＣからＳｉ３Ｎ４に変えた点以外は、実施例１と全く同様にして評価用相変化型光記録媒体を作製した。
【００５０】
実施例３
実施例１における光吸収層３４の材質をＳｉＣからｌｎ２Ｏ３に変えた点以外は、実施例１と全く同様にして評価用相変化型光記録媒体を作製した。
【００５１】
実施例４
実施例１における光吸収層３４の材質をＳｉＣからＡｌ２Ｏ３に変えた点以外は、実施例１と全く同様にして評価用相変化型光記録媒体を作製した。
【００５２】
実施例５
実施例１における光吸収層３４の材質をＳｉＣからＩｎ２Ｏ３とＺｎＯの混合物（モル比１：１）に変えた点以外は、実施例１と全く同様にして評価用相変化型光記録媒体を作製した。
【００５３】
実施例６
実施例１における光吸収層３４の材質をＳｉＣからＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２の混合物（モル比１：１）に変えた点以外は、実施例１と全く同様にして評価用相変化型光記録媒体を作製した。
【００５４】
実施例７
実施例１における光吸収層３４の材質をＳｉＣからＭｇＯ２とＳｉＯ２の混合物（モル比１：１）に変えた点以外は、実施例１と全く同様にして評価用相変化型光記録媒体を作製した。
【００５５】
実施例８
実施例１における光吸収層３４の材質をＳｉＣからＩｎ２Ｏ３とＺｎＯとＳｎＯの混合物（モル比１：１：１）に変えた点以外は、実施例１と全く同様にして評価用相変化型光記録媒体を作製した。
【００５６】
比較例１
光吸収層を設けなかった点以外は実施例１と全く同様にして評価用相変化型光記録媒体を作製した。
【００５７】
比較例２
実施例１における光吸収層３４の材質をＳｉＣからＳｉＯ２に変えた点以外は、実施例１と全く同様にして評価用相変化型光記録媒体を作製した。
【００５８】
上記実施例１〜５及び比較例１の評価用相変化型光記録媒体の光吸収層の材質及び評価結果を纏めて表２に示す。評価方法及び評価基準は下記の通りである。＜評価方法＞
評価用相変化型光記録媒体に対し、波長４０２ｎｍ、開口数ＮＡ０．８５の光学系を用いて集束光ビームを照射し、線速：６ｍ／ｓ、記録線密度：０．１３０μｍ／ｂｉｔの条件で、初期ジッタ（Ｊｉｔｔｅｒ）、記録パワー（ジッタ最小を示すパワー）、アーカイバル特性、Ｏ／Ｗ特性を評価した。
＜評価基準＞
Ｏ／Ｗ特性：オーバーライト（Ｏ／Ｗ）によるジッタ（Ｊｉｔｔｅｒ）上昇が２０％に到達したオーバーライト（Ｏ／Ｗ）回数（回）。
アーカイバル特性：８０℃、８５％（ＲＨ）の保存でジッタ（Ｊｉｔｔｅｒ）上昇が２０％以上となる時間（Ｈ）。
記録パワー（記録感度）：ジッタ最小となるパワー
【００５９】
【表２】
2004095111.tif 000004
【００６０】
上記評価試験の結果、実施例１〜５の評価用相変化型光記録媒体は何れも優れたアーカイバル特性（１０００Ｈ〜２０００Ｈ）、Ｏ／Ｗ特性（１００００回〜２００００回）を示し、記録感度（８．６〜９．４ｍＷ）も良好で、比較例のアーカイバル特性（１００Ｈ）、Ｏ／Ｗ特性（３０００回）、記録感度（１２．６ｍＷ）に較べて、アーカイバル特性は１０倍以上の性能を示し、記録感度も３ｍＷ程度記録パワーの少ない媒体であることが分った。
【００６１】
【発明の効果】
本発明１〜２によれば、短波長の低出力光に対しても、記録感度が良く、ジッタなどのノイズが発生せず、オーバーライト（Ｏ／Ｗ）特性が優れ、アーカイバル特性も良好で、高密度記録が可能な相変化型光記録媒体を提供できる。
更に本発明３によれば、第一の記録構成層での光吸収能力が向上し、第１記録層の感度が一層良くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の相変化型光記録媒体の一例に係る層構成断面図（模式図）である。
【図２】実施例１の評価用相変化型光記録媒体の層構成断面図（模式図）である。
【符号の説明】
１　基板
２　反射層
３　第１保護層
４　第１記録層
５　第２保護層
６　樹脂中間層
７　第３保護層
８　Ａｇ又はＡｇ合金層
９　第４保護層
１０　第２記録層
１１　第５保護層
１２　接着層
１３　カバー基板
１４　光吸収層
２１　基板（ポリカーボネート）
２２　反射層（Ａｇ９７Ｃｕ１Ｐｔ１Ｐｄ１）
２３　第１保護層（ＺｎＳＳｉＯ２）
２４　第１記録層（Ａｇ５Ｉｎ５Ｓｂ７５Ｔｅ２５）
２５　第２保護層（ＺｎＳＳｉＯ２）
２６　樹脂中間層（ポリカーボネート）
２７　第３保護層（Ｉｎ２Ｏ３・ＳｎＯ）
２８　Ａｇ又はＡｇ合金層（Ａｇ９７Ｃｕ１Ｐｔ１Ｐｄ１）
２９　第４保護層（ＺｎＳＳｉＯ２）
３０　第２記録層（Ｇｅ５Ａｇ２Ｓｂ８０Ｔｅ２３）
３１　第５保護層（ＺｎＳＳｉＯ２）
３２　接着層（アクリル系両面接着剤）
３３　カバー基板（ポリカーボネート）
３４　光吸収層（ＳｉＣ）
１００　第一の記録構成層
２００　第二の記録構成層
【図１】
2004095111.tif 000005
【図２】
2004095111.tif 000006