(57)【要約】【課題】本発明の目的は、対環境性に優れ、エネルギー線に対する感度が良好で、形状の整った高解像度のレジストパターンを形成可能な化学増幅ポジ型レジスト組成物を提供することである。【解決手段】オニウムカチオンと、下記一般式（１）のボレートアニオンとから構成される酸発生剤（Ａ）、スルホン化合物またはスルホネート化合物から選ばれる少なくとも１種の酸発生剤（Ｂ）、および酸不安定基を有する高分子（Ｃ）を含むことを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト組成物。一般式（１）［ＢＹｍＺｎ］−【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
オニウムカチオンと、下記一般式（１）のボレートアニオンとから構成される酸発生剤（Ａ）、
スルホン化合物またはスルホネート化合物から選ばれる少なくとも１種の酸発生剤（Ｂ）、および
酸不安定基を有する高分子（Ｃ）を含むことを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト組成物。
一般式（１）
［ＢＹｍＺｎ］−
（ただし、Ｙは、フッ素または塩素、
Ｚは、フッ素、シアノ基、ニトロ基、およびトリフルオロメチル基の中から選ばれる少なくとも２個の電子吸引性基で置換されたフェニル基、
ｍは０〜３の整数、ｎは１〜４の整数を表し、ｍ＋ｎ＝４である。）
【請求項２】
ボレートアニオンが、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートまたはテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートである請求項１に記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物。
【請求項３】
オニウムカチオンが、下記一般式（２）または（１１）で表されるスルホニウムカチオンである請求項１または２記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物。
一般式（２）
【化１】
2004053980.tif 000008
（ただし、Ｒ１は、置換基を有していてもよいベンジル基、置換基を有していてもよいフェナシル基、置換基を有していてもよいアリル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、または、置換基を有していてもよいβ位にオキソ基を有する炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルキル基から選ばれる基を表す。
Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、もしくは、アジド基で置換されていてもよい炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルキル基を表すか、
フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、もしくは、アジド基で置換されていてもよい炭素数６〜１８の単環、縮合多環アリール基を表す。
Ａｒ１〜Ａｒ３は、それぞれ独立に、フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、もしくは、アジド基で置換されていても良い炭素数６　〜１８の単環、縮合多環アリール基を表す。
Ｒ１とＲ２、Ｒ１とＲ３、Ｒ２とＲ３、Ａｒ１とＡｒ２、Ａｒ１とＡｒ３、Ａｒ２とＡｒ３は互いに共有結合によって環構造を形成していてもよい。）
【請求項４】
請求項１ないし３いずれか１項に記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物を用いてなるレジストパターン。
【請求項５】
請求項１ないし３いずれか１項に記載の化学増幅ポジ型レジスト組成物を用いてなることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
【００００】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路等のパターンを作成する工程に用いられるレジスト材料に関する。詳しくは、酸発生剤としてオニウムボレート化合物およびスルホン化合物またはスルホネート化合物を含む化学増幅ポジ型レジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路の高度な集積化を実現するため、リソグラフィー技術の発展によるレジストパターンの微細化がすすめられている。このような微細パターンを形成するには、基盤上にレジスト溶液を塗布し乾燥させて塗膜を形成した後、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線、γ線、シンクロトロン放射線、イオンビームなどのエネルギー線を部分的に照射した後にポスト露光ベークして潜像を形成し、現像およびエッチングにより所望のパターンを得るという技術を用いる。近年のフォトリソグラフィー技術においては更なる微細なパターンを形成するために照射波長の短波長化が進み、ＫｒＦエキシマーレーザー（２４８ｎｍ）に続いて、ＡｒＦエキシマーレーザー（１９３ｎｍ）やＦ２レーザー（１５７ｎｍ）によるパターン形成も検討されており、それぞれのプロセスに適したレジスト材料の設計もなされている。特に化学増幅ポジ型レジスト組成物はこの分野に不可欠な材料であり、形成可能なパターンの更なる微細化の要求に応じて様々な改良が重ねられてきている。
【０００３】
化学増幅ポジ型レジスト材料には通常、酸不安定基を有する高分子を使用する。これらの酸不安定基と、エネルギー線の照射により酸発生剤から発生する酸とをポスト露光ベーク工程にて反応させ、エネルギー線照射部と非照射部のアルカリ現像液に対する溶解度の差を生じさせることによりレジストパターンを形成する。
【０００４】
酸発生剤は化学増幅型レジストには欠かせない材料である。いかに高解像度で良好な形状を有するパターンを形成できるかは酸発生剤から発生する酸の強さや拡散性などの特性に依存する部分も大きく、更なるレジストパターンの微細化を達成すべく酸発生剤の開発も進められている。
【０００５】
オニウム塩は、化学増幅型レジストにおける酸発生剤として有用な化合物であることが既に知られている。例えば、特開昭６３−２７８２９号公報、特開平２−２５８５０号公報、特開平２−１５０８４８号公報、特開平５−１３４４１４号公報、特開平５−２３２７０５号公報等には、トリフルオロメタンスルホン酸アニオンを有するオニウム塩の使用が記載されている。このようなオニウム塩から発生する酸は、レジスト塗膜中における拡散性が大きいトリフルオロメタンスルホン酸である。このような酸は、フッ素で置換されていないアルキルスルホン酸と比較して酸強度が優れるため、高い感度が得られるが、露光からポスト露光ベーク処理までのあいだに過剰な拡散を起こしてレジストパターンを細らせたり、レジストパターンの壁面を平滑性を低下させるなどの問題点を抱えている。また、これらの酸発生剤はプロセスの雰囲気によってはレジストパターンの断面形状をＴ型にさせるなどの傾向を有している。
【０００６】
レジスト形状を改善するために、拡散性を抑えた酸を発生するようなオニウム塩の開発も進められている。例えば、特開平２−２５８５０号公報、特開平２−１５０８４８号公報、特開平５−５９９３号公報、特開平６−４３６５３号公報、特開平６−１２３９７２号公報等には、トルエンスルホン酸アニオンを有するオニウム塩が、特開平６−１９９７７０号公報、特開平９−２４４２３４号公報、特開平９−２５８４３５号公報、特開平１０−２７４８４５号公報、特開２００１−１７２２５１号広報等には、アルキル基、カルボニル基、アルコキシル基、カルボン酸エステル基もしくはアリールアルキル基を有するアリールスルホン酸アニオンを有するオニウム塩が記載されている。また、特開平９−３０４９３１号公報にはテトラキスペンタフルオロフェニルボレート等のアニオンを有するオニウム塩の記載があり、これらの酸発生剤から発生する酸も拡散性が低いことが予想される。
【０００７】
また、酸発生剤の組み合わせによるレジストパターンの形状を改善する検討もなされている。例えば、特開平１１−２９５８８７号広報には、オニウム塩とスルホン化合物またはスルホネート化合物の組み合わせを用いたレジスト組成物が開示されている。これらは、比較的強い酸を発生し解像度が得やすいオニウム塩と、発生する酸が比較的弱いが対環境性に優れるスルホン化合物やスルホネート化合物という異なる特性を持った２種類の酸発生剤を組み合わせることにより、レジスト特性を改良したものである。この広報で開示されているオニウム塩系の酸発生剤はアルキルスルホン酸アニオンやアリールスルホン酸アニオンを有している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記新しいプロセスの提案や酸発生剤の検討により、レジストパターンの微細化やパターン形状の改善が試みられているが、半導体集積回路の高度な集積化にともなう更なる微細化への要求はとどまることがなく続いており、エネルギー線に対する感度向上、レジストパターンの解像度の向上、レジストパターンの形状の安定性、対環境性等のプロセス適正の向上をすべて満たす酸発生剤系の開発は重要な課題である。特に解像度の向上は、そのレジストを使用可能なプロセスの寿命を延ばすことにつながるため、大きなメリットとなる。従って本発明の目的は、対環境性に優れ、エネルギー線に対する感度が良好で、形状の整った高解像度のレジストパターンを形成可能な化学増幅ポジ型レジスト組成物を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、以上の諸問題点を考慮し解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明に至った。
【００１０】
すなわち、本発明は、オニウムカチオンと、下記一般式（１）のボレートアニオンとから構成される酸発生剤（Ａ）、
スルホン化合物またはスルホネート化合物から選ばれる少なくとも１種の酸発生剤（Ｂ）、および
酸不安定基を有する高分子（Ｃ）を含むことを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト組成物に関する。
【００１１】
一般式（１）
［ＢＹｍＺｎ］−
（ただし、Ｙは、フッ素または塩素、
Ｚは、フッ素、シアノ基、ニトロ基、およびトリフルオロメチル基の中から選ばれる少なくとも２個の電子吸引性基で置換されたフェニル基、
ｍは０〜３の整数、ｎは１〜４の整数を表し、ｍ＋ｎ＝４である。）
【００１２】
また、本発明は、ボレートアニオンが、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートまたはテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートである上記化学増幅ポジ型レジスト組成物に関する。
【００１３】
また、本発明は、オニウムカチオンが、下記一般式（２）または（１１）で表されるスルホニウムカチオンである上記化学増幅ポジ型レジスト組成物に関する。一般式（２）
【００１４】
【化２】
2004053980.tif 000002
【００１５】
（ただし、Ｒ１は、置換基を有していてもよいベンジル基、置換基を有していてもよいフェナシル基、置換基を有していてもよいアリル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、または、置換基を有していてもよいβ位にオキソ基を有する炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルキル基から選ばれる基を表す。
【００１６】
Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、もしくは、アジド基で置換されていてもよい炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルキル基を表すか、
【００１７】
フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、もしくは、アジド基で置換されていてもよい炭素数６〜１８の単環、縮合多環アリール基を表す。
【００１８】
Ａｒ１〜Ａｒ３は、それぞれ独立に、フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、もしくは、アジド基で置換されていても良い炭素数６　〜１８の単環、縮合多環アリール基を表す。
Ｒ１とＲ２、Ｒ１とＲ３、Ｒ２とＲ３、Ａｒ１とＡｒ２、Ａｒ１とＡｒ３、Ａｒ２とＡｒ３は互いに共有結合によって環構造を形成していてもよい。）
【００１９】
また、本発明は、上記化学増幅ポジ型レジスト組成物を用いてなるレジストパターンに関する。
【００２０】
また、本発明は、上記化学増幅ポジ型レジスト組成物を用いてなることを特徴とするレジストパターンの形成方法に関する。
【００２１】
【発明の実施の形態】
まず初めに、本発明の酸発生剤（Ａ）について説明する。本発明の酸発生剤（Ａ）とはエネルギー線の照射に感応して酸を発生するオニウム塩であり、オニウムカチオンとボレートアニオンから構成される。本発明の酸発生剤（Ａ）を構成するオニウムカチオンとは、ヨードニウム、スルホニウム、スルホキソニウム、ホスホニウム、金属アレーンカチオンのほか、ピリジニウム、キノリニウム、イソキノリニウム、ベンゾオキサゾリウム、ベンゾチアゾリウム等の複素環カチオンをあげることができる。
【００２２】
この内、本発明の酸発生剤（Ａ）として好ましいオニウムカチオンの構造としては、下記一般式（２）〜（１３）から選ばれるオニウムカチオンをあげることができる。
【００２３】
【化３】
2004053980.tif 000003
【００２４】
（ただし、Ｒ１は、一般式（２）〜（８）に共通して、置換基を有していてもよいベンジル基、置換基を有していてもよいフェナシル基、置換基を有していてもよいアリル基、置換基を有していてもよいアルコキシル基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、または、置換基を有していてもよいβ位にオキソ基を有する炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルキル基から選ばれる基を表す。
【００２５】
Ｒ２〜Ｒ４は、上記一般式（２）〜（４）に共通してそれぞれ独立に、フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、もしくは、アジド基で置換されていてもよい炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルキル基を表すか、
【００２６】
フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、もしくは、アジド基で置換されていてもよい炭素数６〜１８の単環、縮合多環アリール基のいずれかを表す。
【００２７】
Ｒ５は、水素、メルカプト基、または、フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、もしくは、アジド基で置換されていてもよい炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルキル基を表すか、
【００２８】
フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、もしくは、アジド基で置換されていてもよい炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルキルチオ基から選ばれる基を表す。
【００２９】
Ｒ６およびＲ７は、それぞれ独立に、水素または、フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、もしくは、アジド基で置換されていてもよい炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルキル基を表すか、
フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、もしくは、アジド基で置換されていてもよい炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルコキシル基から選ばれる基を表す。
【００３０】
Ｒ８およびＲ９は、上記一般式（５）〜（８）に共通して、それぞれ独立に、水素、フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、カルバモイル基に加え、以下の有機残基から選ばれる基を表す。ここで有機残基とは、フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、もしくは、アジド基で置換されていてもよい、炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルキル基、炭素数２〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルケニル基、炭素数６〜１８の単環、縮合多環アリール基、炭素数７〜１９の単環、縮合多環アリールアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルコキシル基、炭素数６〜１８の単環、縮合多環アリールオキシ基、炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状脂肪族、炭素数７〜１９の単環、縮合多環芳香族アシル基、炭素数２〜１９の直鎖状、分岐鎖状、環状アルコキシカルボニル基、もしくは、炭素数７〜１９の単環、縮合多環アリールオキシカルボニル基、のいずれかを表す。
【００３１】
Ａｒ１〜Ａｒ３は、一般式（１０）〜一般式（１３）に共通して、それぞれ独立に、フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、もしくは、アジド基で置換されていてもよい炭素数６〜１８の単環、縮合多環アリール基を表す。
【００３２】
Ｃｐは、シクロペンタジエニル基もしくはペンタメチルシクロペンタジエニル基を表す。Ｘ１およびＸ２は、それぞれ独立に酸素原子もしくは硫黄原子を表す。
【００３３】
さらに、Ｒ１とＲ２、Ｒ１とＲ３、Ｒ１とＲ４、Ｒ１とＲ５、Ｒ１とＲ８、Ｒ１とＲ９、Ｒ２とＲ３、Ｒ２とＲ４、Ｒ３とＲ４、Ｒ５とＲ８、Ｒ６とＲ７、Ｒ８とＲ９、Ａｒ１とＡｒ２、Ａｒ１とＡｒ３、Ａｒ２とＡｒ３、Ａｒ１とＣｐは互いに共有結合によって環構造を形成していてもよい。
【００３４】
この内、より好ましいオニウムカチオンの構造としては、一般式（２）、一般式（３）、一般式（５）、一般式（７）、および一般式（９）〜一般式（１３）から選ばれるオニウムカチオンであり、さらに好ましいオニウムカチオンの構造としては、一般式（２）、一般式（３）、および一般式（９）〜一般式（１３）のオニウムカチオンであり、さらに好ましくは一般式（２）、一般式（３）、一般式（１１）、一般式（１２）のオニウムカチオンであり、さらに好ましくは一般式（２）、一般式（１１）のオニウムカチオンである。
【００３５】
これらのオニウムカチオンを有する酸発生剤（Ａ）はエネルギー線の照射によって分解し易く、酸発生効率に優れるため好ましい。これらの酸発生剤を用いることにより、より大きな酸発生感度およびレジスト感度が得ることができる。
【００３６】
以下に、本発明の酸発生剤（Ａ）を構成するオニウムカチオン中の置換基についてさらに詳細に説明する。まず、本発明の酸発生剤（Ａ）を構成する一般式（２）〜一般式（８）で表されるオニウムカチオンにおける置換基Ｒ１において、
置換基を有していてもよいベンジル基とは、ベンジル基または置換されたベンジル基を表す。置換されたベンジル基とは、フッ素、塩素、臭素、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、水酸基、メルカプト基、メチルスルフィニル基、メチルスルホニル基、アセチル基、ベンゾイル基、炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルキル基、炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルコキシル基、炭素数２〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルコキシカルボニル基から選ばれる基で置換されたベンジル基等があげられ、さらに、ベンジル基中のベンゼン環が、不飽和炭化水素基によって、炭素数１０〜２２の縮合多環芳香族環を形成していても良い構造があげられる。
【００３７】
これら置換されたベンジル基の具体例としては、ｏ−フルオロベンジル基、ｍ−フルオロベンジル基、ｐ−フルオロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、２，４−ジフルオロフェニルメチル基、２、６−ジクロロフェニルメチル基、２、４、６−トリブロモフェニルメチル基、ペンタフルオロフェニルメチル基、ｐ−（トリフルオロメチル）ベンジル基、３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニルメチル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−メルカプトベンジル基、ｍ−メルカプトベンジル基、ｐ−メルカプトベンジル基、ｏ−メチルスルフィニルベンジル基、ｍ−メチルスルフィニルベンジル基、ｐ−メチルスルフィニルベンジル基、ｏ−メチルスルホニルベンジル基、ｍ−メチルスルホニルベンジル基、ｐ−メチルスルホニルベンジル基、ｏ−アセチルベンジル基、ｍ−アセチルベンジル基、ｐ−アセチルベンジル基、ｏ−ベンゾイルベンジル基、ｍ−ベンゾイルベンジル基、ｐ−ベンゾイルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｐ−メチルベンジル基、ｐ−エチルベンジル基、ｐ−プロピルベンジル基、ｐ−イソプロピルベンジル基、ｐ−ｔ−ブチルベンジル基、ｐ−オクタデシルベンジル基、ｐ−シクロヘキシルベンジル基、ｏ−メトキシベンジル基、ｍ−メトキシベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基、ｐ−エトキシベンジル基、ｐ−プロポキシベンジル基、ｐ−イソプロポキシベンジル基、ｐ−ｔ−ブトキシベンジル基、ｐ−オクタデシルオキシベンジル基、ｐ−シクロヘキサンオキシベンジル基、ｏ−メトキシカルボニルベンジル基、ｍ−メトキシカルボニルベンジル基、ｐ−メトキシカルボニルベンジル基、ｐ−エトキシカルボニルベンジル基、ｐ−プロポキシカルボニルベンジル基、ｐ−イソプロポキシカルボニルベンジル基、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルベンジル基、ｐ−オクタデシルオキシカルボニルベンジル基、ｐ−シクロヘキサンオキシカルボニルベンジル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、９−アンスリルメチル基、１−ピレニルメチル基、５−ナフタセニルメチル基、６−ペンタセニルメチル基などがあげられる。
【００３８】
また、置換基Ｒ１における置換基を有していてもよいフェナシル基とは、フェナシル基または置換されたフェナシル基を表す。置換されたフェナシル基とは、フッ素、塩素、臭素、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、水酸基、メルカプト基、メチルスルフィニル基、メチルスルホニル基、アセチル基、ベンゾイル基、炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルキル基、炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルコキシル基、炭素数２〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルコキシカルボニル基から選ばれる基で置換されたフェナシル基等があげられ、さらに、フェナシル基中のベンゼン環が、不飽和炭化水素基によって、炭素数１０〜２２の縮合多環芳香族環を形成していても良い構造があげられる。
【００３９】
これらの置換されたフェナシル基の具体例としては、ｏ−フルオロフェナシル基、ｍ−フルオロフェナシル基、ｐ−フルオロフェナシル基、ｏ−クロロフェナシル基、ｍ−クロロフェナシル基、ｐ−クロロフェナシル基、ｏ−ブロモフェナシル基、ｍ−ブロモフェナシル基、ｐ−ブロモフェナシル基、ｏ−シアノフェナシル基、ｍ−シアノフェナシル基、ｐ−シアノフェナシル基、ｏ−ニトロフェナシル基、ｍ−ニトロフェナシル基、ｐ−ニトロフェナシル基、２，４−ジフルオロフェニルカルボニルメチル基、２、６−ジクロロフェニルカルボニルメチル基、２、４、６−トリブロモフェニルカルボニルメチル基、ペンタフルオロフェニルカルボニルメチル基、ｐ−（トリフルオロメチル）フェナシル基、３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニルカルボニルメチル基、ｏ−ヒドロキシフェナシル基、ｍ−ヒドロキシフェナシル基、ｐ−ヒドロキシフェナシル基、ｏ−メルカプトフェナシル基、ｍ−メルカプトフェナシル基、ｐ−メルカプトフェナシル基、ｏ−メチルスルフィニルフェナシル基、ｍ−メチルスルフィニルフェナシル基、ｐ−メチルスルフィニルフェナシル基、ｏ−メチルスルホニルフェナシル基、ｍ−メチルスルホニルフェナシル基、ｐ−メチルスルホニルフェナシル基、ｏ−アセチルフェナシル基、ｍ−アセチルフェナシル基、ｐ−アセチルフェナシル基、ｏ−ベンゾイルフェナシル基、ｍ−ベンゾイルフェナシル基、ｐ−ベンゾイルフェナシル基、ｏ−メチルフェナシル基、ｍ−メチルフェナシル基、ｐ−メチルフェナシル基、ｐ−エチルフェナシル基、ｐ−プロピルフェナシル基、ｐ−イソプロピルフェナシル基、ｐ−ｔ−ブチルフェナシル基、ｐ−オクタデシルフェナシル基、ｐ−シクロヘキシルフェナシル基、ｏ−メトキシフェナシル基、ｍ−メトキシフェナシル基、ｐ−メトキシフェナシル基、ｐ−エトキシフェナシル基、ｐ−プロポキシフェナシル基、ｐ−イソプロポキシフェナシル基、ｐ−ｔ−ブトキシフェナシル基、ｐ−オクタデシルオキシフェナシル基、ｐ−シクロヘキサンオキシフェナシル基、ｏ−メトキシカルボニルフェナシル基、ｍ−メトキシカルボニルフェナシル基、ｐ−メトキシカルボニルフェナシル基、ｐ−エトキシカルボニルフェナシル基、ｐ−プロポキシカルボニルフェナシル基、ｐ−イソプロポキシカルボニルフェナシル基、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルフェナシル基、ｐ−オクタデシルオキシカルボニルフェナシル基、ｐ−シクロヘキサンオキシカルボニルフェナシル基、１−ナフトイルメチル基、２−ナフトイルメチル基、９−アンスロイルメチル基、１−ピレニルカルボニルメチル基、５−ナフタセニルカルボニルメチル基、６−ペンタセニルカルボニルメチル基などがあげられる。
【００４０】
また、置換基Ｒ１における置換基を有していてもよいアリル基とは、アリル基または置換されたアリル基を表す。置換されたアリル基とは、フッ素、ニトロ基、トリフルオロメチル基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイル基、炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルキル基、炭素数２〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルコキシカルボニル基、フェニル基から選ばれる基で置換されたアリル基等があげられる。
【００４１】
これら置換されたアリル基の具体例としては、２，３，３−トリフルオロ−２−プロペニル基、３，３−ジニトロ−２−プロペニル基、３，３−ビス（トリフルオロメチル）−２−プロペニル基、３，３−ジシアノ−２−プロペニル基、２−メチル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル基、２−ヘキシル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル基、２−オクタデシル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル基、２−イソプロピル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル基、２−ｔ−ブチル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル基、２−シクロヘキシル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル基、２−アセチル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル基、２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル基、２−フェニル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル基、３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル基、２−メチル−３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル基、２−ヘキシル−３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル基、２−オクタデシル−３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル基、２−イソプロピル−３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル基、２−ｔ−ブチル−３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル基、２−シクロヘキシル−３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル基、２−アセチル−３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル基、２−ベンゾイル−３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル基、２−フェニル−３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル基、２−フェニル−３，３−ビス（ヘキシルオキシカルボニル）−２−プロペニル基、２−フェニル−３，３−ビス（オクタデシルオキシカルボニル）−２−プロペニル基、２−フェニル−３，３−ビス（ｔ−ブトキシカルボニル）−２−プロペニル基、２−フェニル−３，３−ビス（シクロヘキシルオキシカルボニル）−２−プロペニル基などがあげられる。
【００４２】
また、置換基Ｒ１における置換基を有していてもよいアルコキシル基とは、アルコキシル基または置換されたアルコキシル基を表す。アルコキシル基としては、炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルコキシル基等があげられ、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、オクチルオキシ基、オクタデカンオキシ基、イソプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等があげられる。
【００４３】
また、置換基Ｒ１における置換されたアルコキシル基とは、フッ素、塩素、臭素、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、水酸基から選ばれる基で置換された炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状アルコキシル基があげられ、フルオロメトキシ基、２−クロロエトキシ基、３−ブロモプロポキシ基、４−シアノブトキシ基、８−ニトロオクチルオキシ基、１８−トリフルオロメチルオクタデカンオキシ基、２−ヒドロキシイソプロポキシ基、トリクロロメトキシ基等があげられる。
【００４４】
また、置換基Ｒ１における置換基を有していてもよいアリールオキシ基とは、アリールオキシ基または置換されたアリールオキシ基を表す。アリールオキシ基とは、炭素数６〜１８の単環、縮合多環アリールオキシ基であり、フェノキシ基、１ーナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、９−アンスリルオキシ基、９−フェナントリルオキシ基、１−ピレニルオキシ基、５−ナフタセニルオキシ基、１−インデニルオキシ基、２−アズレニルオキシ基、１−アセナフチルオキシ基、９−フルオレニルオキシ基、ｏ−トリルオキシ基、ｍ−トリルオキシ基、ｐ−トリルオキシ基、２，３−キシリルオキシ基、２，５−キシリルオキシ基、メシチルオキシ基、ｐ−クメニルオキシ基、ｐ−デシルフェノキシ基、ｐ−シクロヘキシルフェノキシ基、４−フェニルフェノキシ基等があげられる。
【００４５】
また、置換基Ｒ１における置換されたアリールオキシ基とは、フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、アジド基から選ばれる基で置換された炭素数６〜１８の単環、縮合多環アリールオキシ基であり、ｏ−フルオロフェノキシ基、ｍ−クロロフェノキシ基、ｐ−ブロモフェノキシ基、ｐ−ヒドロキシフェノキシ基、ｍ−カルボキシフェノキシ基、ｏ−メルカプトフェノキシ基、ｐ−シアノフェノキシ基、ｍ−ニトロフェノキシ基、ｍ−アジドフェノキシ基、２−クロロ−１−ナフチルオキシ基、１０−シアノ−９−アンスリルオキシ基、１１−ニトロ−５−ナフタセニルオキシ基等があげられる。
【００４６】
また、置換基Ｒ１における置換基を有していてもよいアリールオキシ基には、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含むアリール構造を有するアリールオキシ基も含まれる。
また、置換基Ｒ１における置換基を有していてもよいβ位にオキソ基を有する炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルキル基としては、２−オキソブチル基、２−オキソヘキシル基、２−オキソオクチル基、２−オキソドデシル基、２−オキソシクロヘキシル基、２−オキソシクロペンチル基、２−オキソシクロブチル基、２−オキソ−２−シクロヘキシルエチル基、２−オキソ−２−シクロペンチルエチル基、２−オキソ−２−アダマンチルエチル基等が挙げられる。ビシクロ環やスピロ環構造等の分子中に複数の環構造を有する構造も、環状アルキルの中に含まれる。こららの構造がフッ素、塩素、臭素、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、水酸基から選ばれる基で置換された構造も置換基Ｒ１に含まれる。
【００４７】
さらに、本発明の酸発生剤（Ａ）を構成する一般式（２）〜一般式（４）で表されるオニウムカチオンにおける置換基Ｒ２〜Ｒ４、一般式（８）で表されるオニウムカチオンにおける置換基Ｒ５、一般式（５）〜一般式（８）で表されるオニウムカチオンにおける置換基Ｒ８およびＲ９、一般式（９）にで表されるオニウムカチオンにおけるＲ６およびＲ７おいて、
【００４８】
フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、アジド基で置換されていてもよい炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−デシルシクロヘキシル基、フルオロメチル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基、ヒドロキシメチル基、カルボキシメチル基、メルカプトメチル基、シアノメチル基、ニトロメチル基、アジドメチル基等があげられる。
【００４９】
また、本発明の酸発生剤（Ａ）を構成する一般式（２）〜一般式（４）で表されるオニウムカチオンにおける置換基Ｒ２〜Ｒ４、一般式（５）〜一般式（８）で表されるオニウムカチオンにおける置換基Ｒ８およびＲ９、一般式（１０）〜一般式（１３）で表されるオニウムカチオンにおける置換基Ａｒ１〜Ａｒ３において、
【００５０】
フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、アジド基で置換されていてもよい炭素数６〜１８の単環、縮合多環アリール基としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アンスリル基、９−フェナントリル基、１−ピレニル基、５−ナフタセニル基、１−インデニル基、２−アズレニル基、１−アセナフチル基、９−フルオレニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，３−キシリル基、２，５−キシリル基、メシチル基、ｐ−クメニル基、ｐ−ドデシルフェニル基、ｐ−シクロヘキシルフェニル基、４−ビフェニル基、ｏ−フルオロフェニル基、ｍ−クロロフェニル基、ｐ−ブロモフェニル基、ｐ−ヒドロキシフェニル基、ｍ−カルボキシフェニル基、ｏ−メルカプトフェニル基、ｐ−シアノフェニル基、ｍ−ニトロフェニル基、ｍ−アジドフェニル基等があげられる。
【００５１】
さらに、本発明の酸発生剤（Ａ）を構成する一般式（８）で表されるオニウムカチオンにおける置換基Ｒ５において、
【００５２】
フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、アジド基で置換されていてもよい炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、ドデシルチオ基、オクタデシルチオ基、イソプロピルチオ基、イソブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基、４−デシルシクロヘキシルチオ基、フルオロメチルチオ基、クロロメチルチオ基、ブロモメチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基、トリクロロメチルチオ基、トリブロモメチルチオ基、ヒドロキシメチルチオ基、カルボキシメチルチオ基、メルカプトメチルチオ基、シアノメチルチオ基、ニトロメチルチオ基、アジドメチルチオ基等があげられる。
【００５３】
また、一般式（５）〜一般式（８）で表されるオニウムカチオンにおける置換基Ｒ８およびＲ９、一般式（９）で表されるオニウムカチオンにおける置換基Ｒ６およびＲ７において、
【００５４】
フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、アジド基で置換されていてもよい炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルコキシル基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、オクチルオキシ基、オクタデカンオキシ基、イソプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、フルオロメトキシ基、クロロメトキシ基、ブロモメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリブロモメトキシ基、ヒドロキシメトキシ基、カルボキシメトキシ基、メルカプトメトキシ基、シアノメトキシ基、ニトロメトキシ基、アジドメトキシ基等があげられる。
【００５５】
さらに、本発明の酸発生剤（Ａ）を構成する一般式（５）〜一般式（８）で表されるオニウムカチオンにおける置換基Ｒ８およびＲ９において、
【００５６】
フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、アジド基で置換されていてもよい炭素数２〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状アルケニル基としては、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、１−オクテニル基、１−オクタデセニル基、イソプロペニル基、１−シクロヘキセニル基、トリフルオロエテニル基、１−クロロエテニル基、２，２−ジブロモエテニル基、４−ヒドロキシ−１−ブテニル基、１−カルボキシエテニル基、５−メルカプト−１−ヘキセニル基、１−シアノエテニル基、３−ニトロ−１−プロペニル基、４−アジド−２−ブテニル基等があげられる。
【００５７】
フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、アジド基で置換されていてもよい炭素数７〜１９の単環、縮合多環アリールアルキル基としては、ベンジル基、ｐ−トリルメチル基、２−ナフチルメチル基、９−アンスリルメチル基、４−（９−アンスリル）ブチル基、ｏ−フルオロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−カルボキシベンジル基、ｏ−メルカプトベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｍ−アジドベンジル基等があげられる。また、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含むアリール構造を有するアリールアルキル基も置換基Ｒ８およびＲ９に含まれる。
【００５８】
フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、アジド基で置換されていてもよい炭素数６〜１８の単環、縮合多環アリールオキシ基としては、フェノキシ基、１ーナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、９−アンスリルオキシ基、９−フェナントリルオキシ基、１−ピレニルオキシ基、５−ナフタセニルオキシ基、１−インデニルオキシ基、２−アズレニルオキシ基、１−アセナフチルオキシ基、９−フルオレニルオキシ基、ｏ−トリルオキシ基、ｍ−トリルオキシ基、ｐ−トリルオキシ基、２，３−キシリルオキシ基、２，５−キシリルオキシ基、メシチルオキシ基、ｐ−クメニルオキシ基、ｐ−デシルフェノキシ基、ｐ−シクロヘキシルフェノキシ基、４−ビフェノキシ基、ｏ−フルオロフェノキシ基、ｍ−クロロフェノキシ基、ｐ−ブロモフェノキシ基、ｐ−ヒドロキシフェノキシ基、ｍ−カルボキシフェノキシ基、ｏ−メルカプトフェノキシ基、ｐ−シアノフェノキシ基、ｍ−ニトロフェノキシ基、ｍ−アジドフェノキシ基等があげられる。また、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含むアリール構造を有するアリールオキシ基も置換基Ｒ８およびＲ９に含まれる。
【００５９】
フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、アジド基で置換されていてもよい炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状、環状脂肪族もしくは炭素数７〜１９の単環、縮合多環芳香族アシル基としては、ホルミル基、アセチル基、ヘキサノイル基、ラウロイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、イソブチリル基、イソバレリル基、ピバロイル基、シクロペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、ベンゾイル基、１−ナフトイル基、２−ナフトイル基、９−アンスロイル基、５−ナフタセロイル基、シンナモイル基、α−フルオロアセチル基、α−クロロアセチル基、α−ブロモアセチル基、α−ヒドロキシアセチル基、α−カルボキシアセチル基、α−メルカプトアセチル基、α−シアノアセチル基、α−ニトロアセチル基、α−アジドアセチル基等があげられる。
【００６０】
フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、アジド基で置換されていてもよい炭素数２〜１９の直鎖状、分岐鎖状、環状アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、オクタデカンオキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、フルオロメトキシカルボニル基、クロロメトキシカルボニル基、ブロモメトキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、トリクロロメトキシカルボニル基、トリブロモメトキシカルボニル基、ヒドロキシメトキシカルボニル基、カルボキシメトキシカルボニル基、メルカプトメトキシカルボニル基、シアノメトキシカルボニル基、ニトロメトキシカルボニル基、アジドメトキシカルボニル基等があげられる。
【００６１】
フッ素、塩素、臭素、水酸基、カルボキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、アジド基で置換されていてもよい炭素数７〜１９の単環、縮合多環アリールオキシカルボニル基としては、フェノキシカルボニル基、１ーナフチルオキシカルボニル基、２−ナフチルオキシカルボニル基、９−アンスリルオキシカルボニル基、９−フェナントリルオキシカルボニル基、１−ピレニルオキシカルボニル基、５−ナフタセニルオキシカルボニル基、１−インデニルオキシカルボニル基、２−アズレニルオキシカルボニル基、１−アセナフチルオキシカルボニル基、９−フルオレニルオキシカルボニル基、ｏ−トリルオキシカルボニル基、ｍ−トリルオキシカルボニル基、ｐ−トリルオキシカルボニル基、２，３−キシリルオキシカルボニル基、２，５−キシリルオキシカルボニル基、メシチルオキシカルボニル基、ｐ−クメニルオキシカルボニル基、ｐ−シクロヘキシルフェノキシカルボニル基、４−フェニルフェノキシカルボニル基、ｏ−フルオロフェノキシカルボニル基、ｍ−クロロフェノキシカルボニル基、ｐ−ブロモフェノキシカルボニル基、ｐ−ヒドロキシフェノキシカルボニル基、ｍ−カルボキシフェノキシカルボニル基、ｏ−メルカプトフェノキシカルボニル基、ｐ−シアノフェノキシカルボニル基、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル基、ｍ−アジドフェノキシカルボニル基等があげられる。また、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含むアリール構造を有するアリールオキシカルボニル基も置換基Ｒ８およびＲ９に含まれる
【００６２】
さらに、隣接する置換基であるＲ１とＲ２、Ｒ１とＲ３、Ｒ１とＲ４、Ｒ１とＲ５、Ｒ１とＲ８、Ｒ１とＲ９、Ｒ２とＲ３、Ｒ２とＲ４、Ｒ３とＲ４、Ｒ５とＲ８、Ｒ６とＲ７、Ｒ８とＲ９、Ａｒ１とＡｒ２、Ａｒ１とＡｒ３、Ａｒ２とＡｒ３、Ａｒ１とＣｐは互いに共有結合によって環構造を形成していてもよい。このようなものとして例えば、メチレン基、エチレン基、テトラメチレン基、ヘキサメチレン基等のアルキレン基、エチレンジオキシ基、ジエチレンジオキシ基等のエーテル基、エチレンジチオ基、ジエチレンジチオ基等のチオエーテル基等を介して結合をする構造が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６３】
以下に、本発明の酸発生剤（Ａ）の一般式（２）〜一般式（１３）で表されるオニウムカチオンの構造の具体例をあげるが、これらに限定されるものではない。
【００６４】
一般式（２）に該当するオニウムカチオン（スルホニウムカチオン）：
ベンジルスルホニウムカチオンの例：ジメチル（ベンジル）スルホニウム、ジメチル（ｏ−フルオロベンジル）スルホニウム、ジメチル（ｍ−クロロベンジル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−ブロモベンジル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−シアノベンジル）スルホニウム、ジメチル（ｍ−ニトロベンジル）スルホニウム、ジメチル（２，４，６−トリブロモフェニルメチル）スルホニウム、ジメチル（ペンタフルオロフェニルメチル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−（トリフルオロメチル）ベンジル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−ヒドロキシベンジル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−メルカプトベンジル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−メチルスルフィニルベンジル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−メチルスルホニルベンジル）スルホニウム、ジメチル（ｏ−アセチルベンジル）スルホニウム、ジメチル（ｏ−ベンゾイルベンジル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−メチルベンジル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−イソプロピルベンジル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−オクタデシルベンジル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−シクロヘキシルベンジル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−メトキシベンジル）スルホニウム、ジメチル（ｏ−メトキシカルボニルベンジル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−イソプロポキシカルボニルベンジル）スルホニウム、ジメチル（２−ナフチルメチル）スルホニウム、ジメチル（９−アンスリルメチル）スルホニウム、ジエチル（ベンジル）スルホニウム、メチルエチル（ベンジル）スルホニウム、メチルフェニル（ベンジル）スルホニウム、ジフェニル（ベンジル）スルホニウム、ジイソプロピル（ベンジル）スルホニウムなど。
【００６５】
フェナシルスルホニウムカチオンの例：ジメチル（フェナシル）スルホニウム、ジメチル（ｏ−フルオロフェナシル）スルホニウム、ジメチル（ｍ−クロロフェナシル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−ブロモフェナシル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−シアノフェナシル）スルホニウム、ジメチル（ｍ−ニトロフェナシル）スルホニウム、ジメチル（２，４，６−トリブロモフェニルメチル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−（トリフルオロメチル）フェナシル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−ヒドロキシフェナシル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−メルカプトフェナシル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−メチルスルフィニルフェナシル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−メチルスルホニルフェナシル）スルホニウム、ジメチル（ｏ−アセチルフェナシル）スルホニウム、ジメチル（ｏ−ベンゾイルフェナシル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−メチルフェナシル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−イソプロピルフェナシル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−オクタデシルフェナシル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−シクロヘキシルフェナシル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−メトキシフェナシル）スルホニウム、ジメチル（ｏ−メトキシカルボニルフェナシル）スルホニウム、ジメチル（ｐ−イソプロポキシカルボニルフェナシル）スルホニウム、ジメチル（２−ナフトイルメチル）スルホニウム、ジメチル（９−アンスロイルメチル）スルホニウム、ジエチル（フェナシル）スルホニウム、メチルエチル（フェナシル）スルホニウム、メチルフェニル（フェナシル）スルホニウム、ジフェニル（フェナシル）スルホニウム、ジイソプロピル（フェナシル）スルホニウム、テトラメチレン（フェナシル）スルホニウム、ペンタメチレン（フェナシル）スルホニウム、ヘキサメチレン（フェナシル）スルホニウム、エチレンジオキシ（フェナシル）スルホニウム、ジエチレンジオキシ（フェナシル）スルホニウム、エチレンジチオ（フェナシル）スルホニウムなど。
【００６６】
アリルスルホニウムカチオンの例：ジメチル（アリル）スルホニウム、ジメチル（２，３，３−トリフルオロ−２−プロペニル）スルホニウム、ジメチル（３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホニウム、ジメチル（２−メチル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホニウム、ジメチル（２−アセチル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホニウム、ジメチル（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホニウム、ジメチル（２−フェニル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホニウム、ジメチル（３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル）スルホニウムなど。
【００６７】
アルコキシスルホニウムカチオンの例：ジメチル（メトキシ）スルホニウム、ジメチル（エトキシ）スルホニウム、ジメチル（プロポキシ）スルホニウム、ジメチル（ブトキシ）スルホニウム、ジメチル（オクチルオキシ）スルホニウム、ジメチル（オクタデカンオキシ）スルホニウム、ジメチル（イソプロポキシ）スルホニウム、ジメチル（ｔ−ブトキシ）スルホニウム、ジメチル（シクロペンチルオキシ）スルホニウム、ジメチル（シクロヘキシルオキシ）スルホニウム、ジメチル（フルオロメトキシ）スルホニウム、ジメチル（２−クロロエトキシ）スルホニウム、ジメチル（３−ブロモプロポキシ）スルホニウム、ジメチル（４−シアノブトキシ）スルホニウム、ジメチル（８−ニトロオクチルオキシ）スルホニウム、ジメチル（１８−トリフルオロメチルオクタデカンオキシ）スルホニウム、ジメチル（２−ヒドロキシイソプロポキシ）スルホニウム、ジメチル（トリス（トリクロロメチル）メチル）スルホニウムなど。
【００６８】
アリールオキシスルホニウムカチオンの例：ジメチル（フェノキシ）スルホニウム、ジメチル（１ーナフチルオキシ）スルホニウム、ジメチル（２−ナフチルオキシ）スルホニウム、ジメチル（９−アンスリルオキシ）スルホニウム、ジメチル（９−フェナントリルオキシ）スルホニウム、ジメチル（ｐ−トリルオキシ）スルホニウム、ジメチル（２，３−キシリルオキシ）スルホニウム、ジメチル（ｏ−フルオロフェノキシ）スルホニウム、ジメチル（ｍ−クロロフェノキシ）スルホニウム、ジメチル（ｐ−ブロモフェノキシ）スルホニウム、ジメチル（ｐ−ヒドロキシフェノキシ）スルホニウム、ジメチル（ｍ−カルボキシフェノキシ）スルホニウム、ジメチル（ｏ−メルカプトフェノキシ）スルホニウム、ジメチル（ｐ−シアノフェノキシ）スルホニウム、ジメチル（ｍ−ニトロフェノキシ）スルホニウム、ジメチル（ｍ−アジドフェノキシ）スルホニウム、ジメチル（２−クロロ−１−ナフチルオキシ）スルホニウム、ジメチル（１１−ニトロ−５−ナフタセニル）スルホニウムなど。
【００６９】
β−オキソアルキルスルホニウムカチオンの例：β−オキソシクロヘキシルメチル（２−ノルボルニル）スルホニウム、シクロヘキシルメチル（β−オキソノルボルニル）スルホニウム、アダマンチルメチル（β−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、ジシクロヘキシル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、シクロペンチルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、シクロヘプチルメチル（２−オキソシクロペンチル）スルホニウム、ジメチル（２−オキソ−２−シクロヘキシルエチル）スルホニウム、ジメチル（２−オキソ−２−アダマンチルエチル）スルホニウム、ジメチル−２−オキソドデシルスルホニウムなど。
【００７０】
一般式（３）に該当するオニウムカチオン（スルホキソニウムカチオン）：
ベンジルスルホキソニウムカチオンの例：ジメチル（ベンジル）スルホキソニウム、ジメチル（ｐ−ブロモベンジル）スルホキソニウム、ジメチル（ｐ−シアノベンジル）スルホキソニウム、ジメチル（ｍ−ニトロベンジル）スルホキソニウム、ジメチル（ペンタフルオロフェニルメチル）スルホキソニウム、ジメチル（ｐ−ヒドロキシベンジル）スルホキソニウム、ジメチル（ｏ−アセチルベンジル）スルホキソニウム、ジメチル（ｏ−ベンゾイルベンジル）スルホキソニウム、ジメチル（ｐ−イソプロピルベンジル）スルホキソニウム、ジメチル（ｐ−メトキシベンジル）スルホキソニウム、ジメチル（ｏ−メトキシカルボニルベンジル）スルホキソニウム、ジメチル（２−ナフチルメチル）スルホキソニウム、ジメチル（９−アンスリルメチル）スルホキソニウム、ジエチル（ベンジル）スルホキソニウム、メチルエチル（ベンジル）スルホキソニウム、メチルフェニル（ベンジル）スルホキソニウム、ジフェニル（ベンジル）スルホキソニウム、ジイソプロピル（ベンジル）スルホキソニウムなど。
【００７１】
フェナシルスルホキソニウムカチオンの例：ジメチル（フェナシル）スルホキソニウム、ジメチル（ｐ−ブロモフェナシル）スルホキソニウム、ジメチル（ｐ−シアノフェナシル）スルホキソニウム、ジメチル（ｍ−ニトロフェナシル）スルホキソニウム、ジメチル（２、４、６−トリブロモフェニルメチル）スルホキソニウム、ジメチル（ｐ−ヒドロキシフェナシル）スルホキソニウム、ジメチル（ｐ−メルカプトフェナシル）スルホキソニウム、ジメチル（ｏ−ベンゾイルフェナシル）スルホキソニウム、ジメチル（ｐ−メチルフェナシル）スルホキソニウム、ジメチル（ｐ−メトキシフェナシル）スルホキソニウム、ジメチル（ｏ−メトキシカルボニルフェナシル）スルホキソニウム、ジメチル（２−ナフチルメチル）スルホキソニウム、ジメチル（９−アンスリルメチル）スルホキソニウム、ジエチル（フェナシル）スルホキソニウム、メチルエチル（フェナシル）スルホキソニウム、メチルフェニル（フェナシル）スルホキソニウム、ジフェニル（フェナシル）スルホキソニウム、ジイソプロピル（フェナシル）スルホキソニウム、テトラメチレン（フェナシル）スルホキソニウムなど。
【００７２】
アリルスルホキソニウムカチオンの例：ジメチル（アリル）スルホキソニウム、ジメチル（３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホキソニウム、ジメチル（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホキソニウム、ジメチル（２−フェニル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホキソニウム、ジメチル（３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル）スルホキソニウムなど。
【００７３】
アルコキシスルホキソニウムカチオンの例：ジメチル（エトキシ）スルホキソニウム、ジメチル（プロポキシ）スルホキソニウム、ジメチル（オクチルオキシ）スルホキソニウム、ジメチル（イソプロポキシ）スルホキソニウム、ジメチル（シクロヘキシルオキシ）スルホキソニウム、ジメチル（２−クロロエトキシ）スルホキソニウムなど。
【００７４】
アリールオキシスルホキソニウムカチオンの例：ジメチル（フェノキシ）スルホキソニウム、ジメチル（２−ナフチルオキシ）スルホキソニウム、ジメチル（９−アンスリルオキシ）スルホキソニウム、ジメチル（ｐ−トリルオキシ）スルホキソニウム、ジメチル（ｍ−クロロフェノキシ）スルホキソニウム、ジメチル（ｍ−カルボキシフェノキシ）スルホキソニウム、ジメチル（ｐ−シアノフェノキシ）スルホキソニウムなど。
【００７５】
一般式（４）に該当するオニウムカチオン（ホスホニウムカチオン）：
ベンジルホスホニウムカチオンの例：トリメチルベンジルホスホニウム、トリエチルベンジルホスホニウム、トリフェニルベンジルホスホニウム、トリフェニル（ｐ−フルオロベンジル）ホスホニウム、トリフェニル（ｏ−クロロベンジル）ホスホニウム、トリフェニル（ｍ−ブロモベンジル）ホスホニウム、トリフェニル（ｐ−シアノベンジル）ホスホニウム、トリフェニル（ｍ−ニトロベンジル）ホスホニウム、トリフェニル（ｏ−ヒドロキシベンジル）ホスホニウム、トリフェニル（ｏ−アセチルベンジル）ホスホニウム、トリフェニル（ｍ−ベンゾイルベンジル）ホスホニウム、トリフェニル（ｐ−メチルベンジル）ホスホニウム、トリフェニル（ｐ−イソプロポキシベンジル）ホスホニウム、トリフェニル（ｏ−メトキシカルボニルベンジル）ホスホニウム、トリフェニル（１−ナフチルメチル）ホスホニウム、トリフェニル（９−アンスリルメチル）ホスホニウムなど。
【００７６】
フェナシルホスホニウムカチオンの例：トリメチルフェナシルホスホニウム、トリエチルフェナシルホスホニウム、トリフェニルフェナシルホスホニウム、トリフェニル（ｐ−フルオロフェナシル）ホスホニウム、トリフェニル（ｏ−クロロフェナシル）ホスホニウム、トリフェニル（ｍ−ブロモフェナシル）ホスホニウム、トリフェニル（ｐ−シアノフェナシル）ホスホニウム、トリフェニル（ｍ−ニトロフェナシル）ホスホニウム、トリフェニル（ｏ−ヒドロキシフェナシル）ホスホニウム、トリフェニル（ｏ−アセチルフェナシル）ホスホニウム、トリフェニル（ｍ−ベンゾイルフェナシル）ホスホニウム、トリフェニル（ｐ−メチルフェナシル）ホスホニウム、トリフェニル（ｐ−イソプロポキシフェナシル）ホスホニウム、トリフェニル（ｏ−メトキシカルボニルフェナシル）ホスホニウム、トリフェニル（１−ナフチロイルメチル）ホスホニウム、トリフェニル（９−アンスロイルメチル）ホスホニウムなど。
【００７７】
アリルホスホニウムカチオンの例：トリフェニルアリルホスホニウム、トリフェニル（３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ホスホニウム、トリフェニル（２−ヘキシル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ホスホニウム、トリフェニル（２−アセチル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ホスホニウム、トリフェニル（２−フェニル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ホスホニウムなど。
アルコキシホスホニウムカチオンの例：トリフェニルメトキシホスホニウム、トリフェニルブトキシホスホニウム、トリフェニルオクタデシルオキシホスホニウム、トリフェニルイソプロポキシホスホニウム、トリフェニル（２−クロロエトキシ）ホスホニウム、トリフェニル（４−シアノブトキシ）ホスホニウムなど。アリールオキシホスホニウムカチオンの例：トリフェニルフェノキシホスホニウム、トリフェニル（１−ナフチルオキシ）ホスホニウム、トリフェニル（２−ナフチルオキシ）ホスホニウム、トリフェニル（９−アンスリルオキシ）ホスホニウム、トリフェニル（ｐ−トリルオキシ）ホスホニウム、トリフェニル（２，３−キシリルオキシ）ホスホニウム、トリフェニル（ｐ−ヒドロキシフェノキシ）ホスホニウム、トリフェニル（ｍ−カルボキシフェノキシ）ホスホニウムなど。
【００７８】
一般式（５）に該当するオニウムカチオン（ピリジニウムカチオン）：
ベンジルピリジニウムカチオンの例：Ｎ−ベンジルピリジニウム、Ｎ−（ｏ−クロロベンジル）ピリジニウム、Ｎ−（ｍ−クロロベンジル）ピリジニウム、Ｎ−（ｐ−シアノベンジル）ピリジニウム、Ｎ−（ｏ−ニトロベンジル）ピリジニウム、Ｎ−（ｐ−アセチルベンジル）ピリジニウム、Ｎ−（ｐ−イソプロピルベンジル）ピリジニウム、Ｎ−（ｐ−オクタデシルオキシベンジル）ピリジニウム、Ｎ−（ｐ−メトキシカルボニルベンジル）ピリジニウム、Ｎ−（９−アンスリルメチル）ピリジニウム、２−クロロ−１−ベンジルピリジニウム、２−シアノ−１−ベンジルピリジニウム、２−メチル−１−ベンジルピリジニウム、２−ビニル−１−ベンジルピリジニウム、２−フェニル−１−ベンジルピリジニウム、１，２−ジベンジルピリジニウム、２−メトキシ−１−ベンジルピリジニウム、２−フェノキシ−１−ベンジルピリジニウム、２−アセチル−１−ベンジルピリジニウム、２−メトキシカルボニル−１−ベンジルピリジニウム、３−フルオロ−１−ベンジルピリジニウム、４−メチル−１−ベンジルピリジニウムなど。
【００７９】
フェナシルピリジニウムカチオンの例：Ｎ−フェナシルピリジニウム、Ｎ−（ｏ−クロロフェナシル）ピリジニウム、Ｎ−（ｍ−クロロフェナシル）ピリジニウム、Ｎ−（ｐ−シアノフェナシル）ピリジニウム、Ｎ−（ｏ−ニトロフェナシル）ピリジニウム、Ｎ−（ｐ−アセチルフェナシル）ピリジニウム、Ｎ−（ｐ−イソプロピルフェナシル）ピリジニウム、Ｎ−（ｐ−オクタデシルオキシフェナシル）ピリジニウム、Ｎ−（ｐ−メトキシカルボニルフェナシル）ピリジニウム、Ｎ−（９−アンスロイルメチル）ピリジニウム、２−クロロ−１−フェナシルピリジニウム、２−シアノ−１−フェナシルピリジニウム、２−メチル−１−フェナシルピリジニウム、２−ビニル−１−フェナシルピリジニウム、２−フェニル−１−フェナシルピリジニウム、１，２−ジフェナシルピリジニウム、２−メトキシ−１−フェナシルピリジニウム、２−フェノキシ−１−フェナシルピリジニウム、２−アセチル−１−フェナシルピリジニウム、２−メトキシカルボニル−１−フェナシルピリジニウム、３−フルオロ−１−フェナシルピリジニウム、４−メチル−１−フェナシルピリジニウムなど。
【００８０】
アリルピリジニウムカチオンの例：Ｎ−アリルピリジニウム、Ｎ−（２−メチル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ピリジニウム、Ｎ−（２−イソプロピル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ピリジニウム、Ｎ−（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ピリジニウム、Ｎ−（２−ヘキシル−３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル）ピリジニウムなど。
Ｎ−アルコキシピリジニウムカチオンの例：Ｎ−メトキシピリジニウム、Ｎ−オクチルオキシピリジニウム、Ｎ−オクタデシルオキシピリジニウム、Ｎ−イソプロポキシピリジニウム、Ｎ−シクロヘキシルオキシピリジニウム、１−エトキシ−２−メチルピリジニウム、Ｎ−（２−クロロエトキシ）ピリジニウムなど。
Ｎ−アリールオキシピリジニウムカチオンの例：Ｎ−フェノキシピリジニウム、Ｎ−（２−ナフチルオキシ）ピリジニウム、Ｎ−（９−アンスリルオキシ）ピリジニウム、Ｎ−（ｐ−トリルオキシ）ピリジニウム、Ｎ−（２，３−キシリルオキシ）ピリジニウム、Ｎ−（ｐ−ブロモフェノキシ）ピリジニウム、Ｎ−（ｐ−ヒドロキシフェノキシ）ピリジニウムなど。
【００８１】
一般式（６）に該当するオニウムカチオン（キノリニウムカチオン）：
ベンジルキノリニウムカチオンの例：Ｎ−ベンジルキノリニウム、Ｎ−（ｏ−クロロベンジル）キノリニウム、Ｎ−（ｍ−クロロベンジル）キノリニウム、Ｎ−（ｐ−シアノベンジル）キノリニウム、Ｎ−（ｏ−ニトロベンジル）キノリニウム、Ｎ−（ｐ−アセチルベンジル）キノリニウム、Ｎ−（ｐ−イソプロピルベンジル）キノリニウム、Ｎ−（ｐ−オクタデシルオキシベンジル）キノリニウム、Ｎ−（ｐ−メトキシカルボニルベンジル）キノリニウム、Ｎ−（９−アンスリルメチル）キノリニウム、２−クロロ−１−ベンジルキノリニウム、２−シアノ−１−ベンジルキノリニウム、２−メチル−１−ベンジルキノリニウム、２−ビニル−１−ベンジルキノリニウム、２−フェニル−１−ベンジルキノリニウム、１，２−ジベンジルキノリニウム、２−メトキシ−１−ベンジルキノリニウム、２−フェノキシ−１−ベンジルキノリニウム、２−アセチル−１−ベンジルキノリニウム、２−メトキシカルボニル−１−ベンジルキノリニウム、３−フルオロ−１−ベンジルキノリニウム、４−メチル−１−ベンジルキノリニウムなど。
【００８２】
フェナシルキノリニウムカチオンの例：Ｎ−フェナシルキノリニウム、Ｎ−（ｏ−クロロフェナシル）キノリニウム、Ｎ−（ｍ−クロロフェナシル）キノリニウム、Ｎ−（ｐ−シアノフェナシル）キノリニウム、Ｎ−（ｏ−ニトロフェナシル）キノリニウム、Ｎ−（ｐ−アセチルフェナシル）キノリニウム、Ｎ−（ｐ−イソプロピルフェナシル）キノリニウム、Ｎ−（ｐ−オクタデシルオキシフェナシル）キノリニウム、Ｎ−（ｐ−メトキシカルボニルフェナシル）キノリニウム、Ｎ−（９−アンスロイルメチル）キノリニウム、２−クロロ−１−フェナシルキノリニウム、２−シアノ−１−フェナシルキノリニウム、２−メチル−１−フェナシルキノリニウム、２−ビニル−１−フェナシルキノリニウム、２−フェニル−１−フェナシルキノリニウム、１，２−ジフェナシルキノリニウム、２−メトキシ−１−フェナシルキノリニウム、２−フェノキシ−１−フェナシルキノリニウム、２−アセチル−１−フェナシルキノリニウム、２−メトキシカルボニル−１−フェナシルキノリニウム、３−フルオロ−１−フェナシルキノリニウム、４−メチル−１−フェナシルキノリニウムなど。
【００８３】
アリルキノリニウムカチオンの例：Ｎ−アリルキノリニウム、Ｎ−（２−メチル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）キノリニウム、Ｎ−（２−イソプロピル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）キノリニウム、Ｎ−（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）キノリニウム、Ｎ−（２−ヘキシル−３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル）キノリニウムなど。
Ｎ−アルコキシキノリニウムカチオンの例：Ｎ−メトキシキノリニウム、Ｎ−オクチルオキシキノリニウム、Ｎ−オクタデシルオキシキノリニウム、Ｎ−イソプロポキシキノリニウム、Ｎ−シクロヘキシルオキシキノリニウム、１−エトキシ−２−メチルキノリニウム、Ｎ−（２−クロロエトキシ）キノリニウムなど。
Ｎ−アリールオキシキノリニウムカチオンの例：Ｎ−フェノキシキノリニウム、Ｎ−（２−ナフチルオキシ）キノリニウム、Ｎ−（９−アンスリルオキシ）キノリニウム、Ｎ−（ｐ−トリルオキシ）キノリニウム、Ｎ−（２，３−キシリルオキシ）キノリニウム、Ｎ−（ｐ−ブロモフェノキシ）キノリニウム、Ｎ−（ｐ−ヒドロキシフェノキシ）キノリニウムなど。
【００８４】
一般式（７）に該当するオニウムカチオン（イソキノリニウムカチオン）：
ベンジルイソキノリニウムカチオンの例：Ｎ−ベンジルイソキノリニウム、Ｎ−（ｏ−クロロベンジル）イソキノリニウム、Ｎ−（ｍ−クロロベンジル）イソキノリニウム、Ｎ−（ｐ−シアノベンジル）イソキノリニウム、Ｎ−（ｏ−ニトロベンジル）イソキノリニウム、Ｎ−（ｐ−アセチルベンジル）イソキノリニウム、Ｎ−（ｐ−イソプロピルベンジル）イソキノリニウム、Ｎ−（ｐ−オクタデシルオキシベンジル）イソキノリニウム、Ｎ−（ｐ−メトキシカルボニルベンジル）イソキノリニウム、Ｎ−（９−アンスリルメチル）イソキノリニウム、１，２−ジベンジルイソキノリニウムなど。
【００８５】
フェナシルイソキノリニウムカチオンの例：Ｎ−フェナシルイソキノリニウム、Ｎ−（ｏ−クロロフェナシル）イソキノリニウム、Ｎ−（ｍ−クロロフェナシル）イソキノリニウム、Ｎ−（ｐ−シアノフェナシル）イソキノリニウム、Ｎ−（ｏ−ニトロフェナシル）イソキノリニウム、Ｎ−（ｐ−アセチルフェナシル）イソキノリニウム、Ｎ−（ｐ−イソプロピルフェナシル）イソキノリニウム、Ｎ−（ｐ−オクタデシルオキシフェナシル）イソキノリニウム、Ｎ−（ｐ−メトキシカルボニルフェナシル）イソキノリニウム、Ｎ−（９−アンスロイルメチル）イソキノリニウムなど。
【００８６】
アリルイソキノリニウムカチオンの例：Ｎ−アリルイソキノリニウム、Ｎ−（２−メチル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）イソキノリニウム、Ｎ−（２−イソプロピル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）イソキノリニウム、Ｎ−（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）イソキノリニウム、Ｎ−（２−ヘキシル−３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル）イソキノリニウムなど。
【００８７】
Ｎ−アルコキシイソキノリニウムカチオンの例：Ｎ−メトキシイソキノリニウム、Ｎ−オクチルオキシイソキノリニウム、Ｎ−オクタデシルオキシイソキノリニウム、Ｎ−イソプロポキシイソキノリニウム、Ｎ−シクロヘキシルオキシイソキノリニウムなど。
【００８８】
Ｎ−アリールオキシイソキノリニウムカチオンの例：Ｎ−フェノキシイソキノリニウム、Ｎ−（２−ナフチルオキシ）イソキノリニウム、Ｎ−（９−アンスリルオキシ）イソキノリニウム、Ｎ−（ｐ−トリルオキシ）イソキノリニウム、Ｎ−（２，３−キシリルオキシ）イソキノリニウム、Ｎ−（ｐ−ブロモフェノキシ）イソキノリニウム、Ｎ−（ｐ−ヒドロキシフェノキシ）イソキノリニウムなど。
【００８９】
一般式（８）に該当するオニウムカチオン（ベンゾオキサゾリウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン）：
ベンゾオキサゾリウムカチオンの例：Ｎ−ベンジルベンゾオキサゾリウム、Ｎ−（ｐ−フルオロベンジル）ベンゾオキサゾリウム、Ｎ−（ｐ−クロロベンジル）ベンゾオキサゾリウム、Ｎ−（ｐ−シアノベンジル）ベンゾオキサゾリウム、Ｎ−（ｏ−メトキシカルボニルベンジル）ベンゾオキサゾリウム、Ｎ−フェナシルベンゾオキサゾリウム、Ｎ−（ｏ−フルオロフェナシル）ベンゾオキサゾリウム、Ｎ−（ｐ−シアノフェナシル）ベンゾオキサゾリウム、Ｎ−（ｍ−ニトロフェナシル）ベンゾオキサゾリウム、Ｎ−（ｐ−イソプロポキシカルボニルフェナシル）ベンゾオキサゾリウム、Ｎ−アリルベンゾオキサゾリウム、Ｎ−（２−メチル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ベンゾオキサゾリウム、Ｎ−（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ベンゾオキサゾリウム、Ｎ−（３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル）ベンゾオキサゾリウム、Ｎ−メトキシベンゾオキサゾリウム、Ｎ−（ｔ−ブトキシ）ベンゾオキサゾリウム、Ｎ−（３−ブロモプロポキシ）ベンゾオキサゾリウム、Ｎ−フェノキシベンゾオキサゾリウム、Ｎ−（１−ナフチルオキシ）ベンゾオキサゾリウム、Ｎ−（ｍ−カルボキシフェノキシ）ベンゾオキサゾリウム、２−メルカプト−３−ベンジルベンゾオキサゾリウム、２−メチル−３−ベンジルベンゾオキサゾリウム、２−メチルチオ−３−ベンジルベンゾオキサゾリウム、６−ヒドロキシ−３−ベンジルベンゾオキサゾリウム、７−メルカプト−３−ベンジルベンゾオキサゾリウム、４，５−ジフルオロ−３−ベンジルベンゾオキサゾリウムなど。
【００９０】
ベンゾチアゾリウムカチオンの例：Ｎ−ベンジルベンゾチアゾリウム、Ｎ−（ｐ−フルオロベンジル）ベンゾチアゾリウム、Ｎ−（ｐ−クロロベンジル）ベンゾチアゾリウム、Ｎ−（ｐ−シアノベンジル）ベンゾチアゾリウム、Ｎ−（ｏ−メトキシカルボニルベンジル）ベンゾチアゾリウム、Ｎ−フェナシルベンゾチアゾリウム、Ｎ−（ｏ−フルオロフェナシル）ベンゾチアゾリウム、Ｎ−（ｐ−シアノフェナシル）ベンゾチアゾリウム、Ｎ−（ｍ−ニトロフェナシル）ベンゾチアゾリウム、Ｎ−（ｐ−イソプロポキシカルボニルフェナシル）ベンゾチアゾリウム、Ｎ−アリルベンゾチアゾリウム、Ｎ−（２−メチル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ベンゾチアゾリウム、Ｎ−（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ベンゾチアゾリウム、Ｎ−（３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル）ベンゾチアゾリウム、Ｎ−メトキシベンゾチアゾリウム、Ｎ−（ｔ−ブトキシ）ベンゾチアゾリウム、Ｎ−（３−ブロモプロポキシ）ベンゾチアゾリウム、Ｎ−フェノキシベンゾチアゾリウム、Ｎ−（１−ナフチルオキシ）ベンゾチアゾリウム、Ｎ−（ｍ−カルボキシフェノキシ）ベンゾチアゾリウム、２−メルカプト−３−ベンジルベンゾチアゾリウム、２−メチル−３−ベンジルベンゾチアゾリウム、２−メチルチオ−３−ベンジルベンゾチアゾリウム、６−ヒドロキシ−３−ベンジルベンゾチアゾリウム、７−メルカプト−３−ベンジルベンゾチアゾリウム、４，５−ジフルオロ−３−ベンジルベンゾチアゾリウムなど。
【００９１】
一般式（９）に該当するオニウムカチオン（フリルもしくはチエニルヨードニウムカチオン）：
ジフリルヨードニウム、ジチエニルヨードニウム、ビス（４，５−ジメチル−２−フリル）ヨードニウム、ビス（５−クロロ−２−チエニル）ヨードニウム、ビス（５−シアノ−２−フリル）ヨードニウム、ビス（５−ニトロ−２−チエニル）ヨードニウム、ビス（５−アセチル−２−フリル）ヨードニウム、ビス（５−カルボキシ−２−チエニル）ヨードニウム、ビス（５−メトキシカルボニル−２−フリル）ヨードニウム、ビス（５−フェニル−２−フリル）ヨードニウム、ビス（５−（ｐ−メトキシフェニル）−２−チエニル）ヨードニウム、ビス（５−ビニル−２−フリル）ヨードニウム、ビス（５−エチニル−２−チエニル）ヨードニウム、ビス（５−シクロヘキシル−２−フリル）ヨードニウム、ビス（５−ヒドロキシ−２−チエニル）ヨードニウム、ビス（５−フェノキシ−２−フリル）ヨードニウム、ビス（５−メルカプト−２−チエニル）ヨードニウム、ビス（５−ブチルチオ−２−チエニル）ヨードニウム、ビス（５−フェニルチオ−２−チエニル）ヨードニウムなど。
【００９２】
一般式（１０）に該当するオニウムカチオン（ジアリールヨードニウムカチオン）：
ジフェニルヨードニウム、ビス（ｐ−トリル）ヨードニウム、ビス（ｐ−オクチルフェニル）ヨードニウム、ビス（ｐ−オクタデシルフェニル）ヨードニウム、ビス（ｐ−オクチルオキシフェニル）ヨードニウム、ビス（ｐ−オクタデシルオキシフェニル）ヨードニウム、フェニル（ｐ−オクタデシルオキシフェニル）ヨードニウム、ビス（ｐ−ｔ−ブチル）ヨードニウム、（ｐ−イソプロピルフェニル）トリルヨードニウムなど。
【００９３】
一般式（１１）に該当するオニウムカチオン（トリアリールスルホニウムカチオン）：
トリフェニルスルホニウム、トリス（ｐ−トリル）スルホニウム、トリス（フェニル）スルホニウム、トリス（２，６−ジメチルフェニル）スルホニウム、トリス（ｐ−シアノフェニル）スルホニウム、トリス（ｐ−クロロフェニル）スルホニウムなど。
【００９４】
一般式（１２）に該当するオニウムカチオン（トリアリールスルホキソニウムカチオン）：
トリフェニルスルホキソニウム、トリス（ｐ−トリル）スルホキソニウム、トリス（フェニル）スルホキソニウム、トリス（２，６−ジメチルフェニル）スルホキソニウム、トリス（ｐ−シアノフェニル）スルホキソニウム、トリス（ｐ−クロロフェニル）スルホキソニウムなど。
【００９５】
一方、本発明の酸発生剤（Ａ）を構成する一般式（１）で表されるボレートアニオンにおける置換基Ｚとしては、３，５−ジフルオロフェニル基、２，４，６−トリフルオロフェニル基、２，３，４，６−テトラフルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、２，４−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基、３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基、２，４，６−トリフルオロ−３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基、３，５−ジニトロフェニル基、２，４，６−トリフルオロ−３，５−ジニトロフェニル基、２，４−ジシアノフェニル基、４−シアノ−３，５−ジニトロフェニル基、４−シアノ−２，６−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基等があげられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００９６】
したがって、本発明の酸発生剤（Ａ）のボレートアニオンの構造として、具体的には、ペンタフルオロフェニルトリフルオロボレート、３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニルトリフルオロボレート、ビス（ペンタフルオロフェニル）ジフルオロボレート、ビス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ジフルオロボレート、トリス（ペンタフルオロフェニル）フルオロボレート、トリス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］フルオロボレート、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート等があげられる。
【００９７】
この内、本発明の酸発生剤（Ａ）のボレートアニオンの構造として、好ましいものは、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートおよびテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートである。
【００９８】
したがって、本発明の酸発生剤（Ａ）を構成する好ましいオニウムボレート錯体の具体例としては、以下に掲げるものをあげることができるが、本発明は、なんらこれらに限定されるものではない。
【００９９】
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：
ベンジルスルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：ジメチル（ベンジル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−ブロモベンジル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−シアノベンジル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｍ−ニトロベンジル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ペンタフルオロフェニルメチル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−（トリフルオロメチル）ベンジル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−メチルスルホニルベンジル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｏ−アセチルベンジル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｏ−ベンゾイルベンジル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−イソプロピルベンジル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−メトキシベンジル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（２−ナフチルメチル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（９−アンスリルメチル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジエチル（ベンジル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、メチルエチル（ベンジル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、メチルフェニル（ベンジル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジフェニル（ベンジル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１００】
フェナシルスルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：ジメチル（フェナシル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−シアノフェナシル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｍ−ニトロフェナシル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−（トリフルオロメチル）フェナシル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−メチルスルホニルフェナシル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｏ−アセチルフェナシル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｏ−ベンゾイルフェナシル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−イソプロピルフェナシル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−イソプロポキシカルボニルフェナシル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（２−ナフトイルメチル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（９−アンスロイルメチル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジエチル（フェナシル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、メチルエチル（フェナシル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビス（２−ヒドロキシエチル）（フェナシル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、メチルフェニル（フェナシル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジフェニル（フェナシル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、テトラメチレン（フェナシル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１０１】
アリルスルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：ジメチル（アリル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（２−メチル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１０２】
アルコキシスルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：ジメチル（メトキシ）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（エトキシ）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ブトキシ）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（イソプロポキシ）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（４−シアノブトキシ）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１０３】
アリールオキシスルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：ジメチル（フェノキシ）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（１ーナフチルオキシ）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（２−ナフチルオキシ）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（９−アンスリルオキシ）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−トリルオキシ）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−ブロモフェノキシ）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１０４】
ベンジルスルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：ジメチル（ベンジル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−ブロモベンジル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−シアノベンジル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｍ−ニトロベンジル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ペンタフルオロフェニルメチル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−（トリフルオロメチル）ベンジル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−メチルスルホニルベンジル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｏ−アセチルベンジル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｏ−ベンゾイルベンジル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−イソプロピルベンジル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−メトキシベンジル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（２−ナフチルメチル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（９−アンスリルメチル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジエチル（ベンジル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、メチルエチル（ベンジル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、メチルフェニル（ベンジル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジフェニル（ベンジル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。フェナシルスルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：ジメチル（フェナシル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−シアノフェナシル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｍ−ニトロフェナシル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−（トリフルオロメチル）フェナシル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−メチルスルホニルフェナシル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｏ−アセチルフェナシル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｏ−ベンゾイルフェナシル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−イソプロピルフェナシル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−イソプロポキシカルボニルフェナシル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（２−ナフトイルメチル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（９−アンスロイルメチル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジエチル（フェナシル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、メチルエチル（フェナシル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、メチルフェニル（フェナシル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジフェニル（フェナシル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、テトラメチレン（フェナシル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１０５】
β−オキソアルキルスルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：β−オキソシクロヘキシルメチル（２−ノルボルニル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、シクロヘキシルメチル（β−オキソノルボルニル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、アダマンチルメチル（β−オキソシクロヘキシル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジシクロヘキシル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、シクロペンチルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、シクロヘプチルメチル（２−オキソシクロペンチル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（２−オキソ−２−シクロヘキシルエチル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（２−オキソ−２−アダマンチルエチル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１０６】
アリルスルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：ジメチル（アリル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（２−メチル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１０７】
アルコキシスルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：ジメチル（メトキシ）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（エトキシ）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ブトキシ）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（イソプロポキシ）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（４−シアノブトキシ）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１０８】
アリールオキシスルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：ジメチル（フェノキシ）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（１ーナフチルオキシ）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（２−ナフチルオキシ）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（９−アンスリルオキシ）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−トリルオキシ）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチル（ｐ−ブロモフェノキシ）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１０９】
ベンジルホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：トリメチルベンジルホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリエチルベンジルホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルベンジルホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニル（ｐ−シアノベンジル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニル（ｍ−ニトロベンジル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニル（１−ナフチルメチル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニル（９−アンスリルメチル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１１０】
フェナシルホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：トリエチルフェナシルホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルフェナシルホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニル（ｐ−シアノフェナシル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニル（ｍ−ニトロフェナシル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニル（１−ナフタロイルメチル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニル（９−アンスロイルメチル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１１１】
アリルホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：トリフェニルアリルホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニル（３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニル（２−フェニル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１１２】
アルコキシホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：トリフェニルメトキシホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルイソプロポキシホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニル（２−クロロエトキシ）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１１３】
アリールオキシホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：トリフェニルフェノキシホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニル（９−アンスリルオキシ）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニル（ｐ−トリルオキシ）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニル（ｐ−ヒドロキシフェノキシ）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１１４】
ベンジルピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−ベンジルピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノベンジル）ピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｏ−ニトロベンジル）ピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−アセチルベンジル）ピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（９−アンスリルメチル）ピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４−シアノ−１−ベンジルピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１１５】
フェナシルピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−フェナシルピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノフェナシル）ピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｏ−ニトロフェナシル）ピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−アセチルフェナシル）ピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（９−アンスロイルメチル）ピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、２−シアノ−１−フェナシルピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１１６】
アリルピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−アリルピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（２−イソプロピル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１１７】
Ｎ−アルコキシピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−メトキシピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、１−エトキシ−２−メチルピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（２−クロロエトキシ）ピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１１８】
Ｎ−アリールオキシピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−フェノキシピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（９−アンスリルオキシ）ピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−トリルオキシ）ピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１１９】
ベンジルキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−ベンジルキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノベンジル）キノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｏ−ニトロベンジル）キノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−アセチルベンジル）キノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（９−アンスリルメチル）キノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、２−シアノ−１−ベンジルキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１２０】
フェナシルキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−フェナシルキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノフェナシル）キノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｏ−ニトロフェナシル）キノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−イソプロピルフェナシル）キノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−メトキシカルボニルフェナシル）キノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（９−アンスロイルメチル）キノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、２−シアノ−１−フェナシルキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１２１】
アリルキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−アリルキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）キノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（２−ヘキシル−３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル）キノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１２２】
Ｎ−アルコキシキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−メトキシキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−イソプロポキシキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、１−エトキシ−２−メチルキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（２−クロロエトキシ）キノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１２３】
Ｎ−アリールオキシキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−フェノキシキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（２−ナフチルオキシ）キノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（９−アンスリルオキシ）キノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−トリルオキシ）キノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−ブロモフェノキシ）キノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１２４】
ベンジルイソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−ベンジルイソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノベンジル）イソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｏ−ニトロベンジル）イソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（９−アンスリルメチル）イソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、１，２−ジベンジルイソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１２５】
フェナシルイソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−フェナシルイソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノフェナシル）イソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−アセチルフェナシル）イソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−メトキシカルボニルフェナシル）イソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（９−アンスロイルメチル）イソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１２６】
アリルイソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−アリルイソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（２−イソプロピル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）イソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）イソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１２７】
Ｎ−アルコキシイソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−メトキシイソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−オクタデシルオキシイソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−イソプロポキシイソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１２８】
Ｎ−アリールオキシイソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−フェノキシイソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（９−アンスリルオキシ）イソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−トリルオキシ）イソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−ヒドロキシフェノキシ）イソキノリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１２９】
ベンゾオキサゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−ベンジルベンゾオキサゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノベンジル）ベンゾオキサゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−フェナシルベンゾオキサゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノフェナシル）ベンゾオキサゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−アリルベンゾオキサゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（２−メチル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ベンゾオキサゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−メトキシベンゾオキサゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（３−ブロモプロポキシ）ベンゾオキサゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−フェノキシベンゾオキサゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（１−ナフチルオキシ）ベンゾオキサゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、２−メルカプト−３−ベンジルベンゾオキサゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、２−メチルチオ−３−ベンジルベンゾオキサゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１３０】
ベンゾチアゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：Ｎ−ベンジルベンゾチアゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノベンジル）ベンゾチアゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−フェナシルベンゾチアゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノフェナシル）ベンゾチアゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−アリルベンゾチアゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（２−メチル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ベンゾチアゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−メトキシベンゾチアゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（３−ブロモプロポキシ）ベンゾチアゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−フェノキシベンゾチアゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−（１−ナフチルオキシ）ベンゾチアゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、２−メルカプト−３−ベンジルベンゾチアゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、２−メチルチオ−３−ベンジルベンゾチアゾリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１３１】
フリルもしくはチエニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：ジフリルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジチエニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビス（４，５−ジメチル−２−フリル）ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビス（５−クロロ−２−チエニル）ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビス（５−アセチル−２−フリル）ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビス（５−（ｐ−メトキシフェニル）−２−チエニル）ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１３２】
ジアリールヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：ジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビス（ｐ−オクタデシルフェニル）ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビス（ｐ−オクタデシルオキシフェニル）ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、フェニル（ｐ−オクタデシルオキシフェニル）ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１３３】
トリアリールスルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：トリフェニルスルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリス（ｐ−トリル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリス（２，６−ジメチルフェニル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリス（ｐ−シアノフェニル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１３４】
トリアリールスルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの例：トリフェニルスルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリス（ｐ−トリル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリス（２，６−ジメチルフェニル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリス（ｐ−シアノフェニル）スルホキソニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなど。
【０１３５】
テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート
ベンジルスルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：ジメチル（ベンジル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−ブロモベンジル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−シアノベンジル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｍ−ニトロベンジル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ペンタフルオロフェニルメチル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−（トリフルオロメチル）ベンジル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−メチルスルホニルベンジル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｏ−アセチルベンジル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｏ−ベンゾイルベンジル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−イソプロピルベンジル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−メトキシベンジル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（２−ナフチルメチル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（９−アンスリルメチル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジエチル（ベンジル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、メチルエチル（ベンジル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、メチルフェニル（ベンジル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジフェニル（ベンジル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。フェナシルスルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：ジメチル（フェナシル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−シアノフェナシル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｍ−ニトロフェナシル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−（トリフルオロメチル）フェナシル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−メチルスルホニルフェナシル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｏ−アセチルフェナシル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｏ−ベンゾイルフェナシル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−イソプロピルフェナシル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−イソプロポキシカルボニルフェナシル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（２−ナフトイルメチル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（９−アンスロイルメチル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジエチル（フェナシル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、メチルエチル（フェナシル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ビス（２−ヒドロキシエチル）（フェナシル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、メチルフェニル（フェナシル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジフェニル（フェナシル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、テトラメチレン（フェナシル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１３６】
アリルスルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：ジメチル（アリル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（２−メチル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１３７】
アルコキシスルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：ジメチル（メトキシ）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（エトキシ）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ブトキシ）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（イソプロポキシ）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（４−シアノブトキシ）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１３８】
アリールオキシスルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：ジメチル（フェノキシ）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（１ーナフチルオキシ）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（２−ナフチルオキシ）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（９−アンスリルオキシ）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−トリルオキシ）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−ブロモフェノキシ）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１３９】
β−オキソアルキルスルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：β−オキソシクロヘキシルメチル（２−ノルボルニル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、シクロヘキシルメチル（β−オキソノルボルニル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、アダマンチルメチル（β−オキソシクロヘキシル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジシクロヘキシル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、シクロペンチルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、シクロヘプチルメチル（２−オキソシクロペンチル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（２−オキソ−２−シクロヘキシルエチル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（２−オキソ−２−アダマンチルエチル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１４０】
ベンジルスルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：ジメチル（ベンジル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−ブロモベンジル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−シアノベンジル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｍ−ニトロベンジル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ペンタフルオロフェニルメチル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−（トリフルオロメチル）ベンジル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−メチルスルホニルベンジル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｏ−アセチルベンジル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｏ−ベンゾイルベンジル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−イソプロピルベンジル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−メトキシベンジル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（２−ナフチルメチル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（９−アンスリルメチル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジエチル（ベンジル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、メチルエチル（ベンジル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、メチルフェニル（ベンジル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジフェニル（ベンジル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。フェナシルスルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：ジメチル（フェナシル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−シアノフェナシル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｍ−ニトロフェナシル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−（トリフルオロメチル）フェナシル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−メチルスルホニルフェナシル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｏ−アセチルフェナシル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｏ−ベンゾイルフェナシル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−イソプロピルフェナシル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−イソプロポキシカルボニルフェナシル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（２−ナフトイルメチル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（９−アンスロイルメチル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジエチル（フェナシル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、メチルエチル（フェナシル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、メチルフェニル（フェナシル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジフェニル（フェナシル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、テトラメチレン（フェナシル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１４１】
アリルスルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：ジメチル（アリル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（２−メチル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１４２】
アルコキシスルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：ジメチル（メトキシ）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（エトキシ）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ブトキシ）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（イソプロポキシ）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（４−シアノブトキシ）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１４３】
アリールオキシスルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：ジメチル（フェノキシ）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（１ーナフチルオキシ）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（２−ナフチルオキシ）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（９−アンスリルオキシ）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−トリルオキシ）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジメチル（ｐ−ブロモフェノキシ）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１４４】
ベンジルホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：トリメチルベンジルホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリエチルベンジルホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリフェニルベンジルホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリフェニル（ｐ−シアノベンジル）ホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリフェニル（ｍ−ニトロベンジル）ホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリフェニル（１−ナフチルメチル）ホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリフェニル（９−アンスリルメチル）ホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１４５】
フェナシルホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：トリエチルフェナシルホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリフェニルフェナシルホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリフェニル（ｐ−シアノフェナシル）ホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリフェニル（ｍ−ニトロフェナシル）ホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリフェニル（１−ナフタロイルメチル）ホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリフェニル（９−アンスロイルメチル）ホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１４６】
アリルホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：トリフェニルアリルホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリフェニル（３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリフェニル（２−フェニル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１４７】
アルコキシホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：トリフェニルメトキシホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリフェニルイソプロポキシホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリフェニル（２−クロロエトキシ）ホスホニウムテトラキス［３，５−
【０１４８】
ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
アリールオキシホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：トリフェニルフェノキシホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリフェニル（９−アンスリルオキシ）ホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリフェニル（ｐ−トリルオキシ）ホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリフェニル（ｐ−ヒドロキシフェノキシ）ホスホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１４９】
ベンジルピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：Ｎ−ベンジルピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノベンジル）ピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｏ−ニトロベンジル）ピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−アセチルベンジル）ピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（９−アンスリルメチル）ピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、４−シアノ−１−ベンジルピリジニウムテトラキス［
【０１５０】
３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
フェナシルピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：Ｎ−フェナシルピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノフェナシル）ピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｏ−ニトロフェナシル）ピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−アセチルフェナシル）ピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（９−アンスロイルメチル）ピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、２−シアノ−１−フェナシルピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。アリルピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：Ｎ−アリルピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（２−イソプロピル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１５１】
Ｎ−アルコキシピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：Ｎ−メトキシピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、１−エトキシ−２−メチルピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（２−クロロエトキシ）ピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１５２】
Ｎ−アリールオキシピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：Ｎ−フェノキシピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（９−アンスリルオキシ）ピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−トリルオキシ）ピリジニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１５３】
ベンジルキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：Ｎ−ベンジルキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノベンジル）キノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｏ−ニトロベンジル）キノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−アセチルベンジル）キノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（９−アンスリルメチル）キノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、２−シアノ−１−ベンジルキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１５４】
フェナシルキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：Ｎ−フェナシルキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノフェナシル）キノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｏ−ニトロフェナシル）キノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−イソプロピルフェナシル）キノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−メトキシカルボニルフェナシル）キノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（９−アンスロイルメチル）キノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、２−シアノ−１−フェナシルキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１５５】
アリルキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：Ｎ−アリルキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）キノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（２−ヘキシル−３，３−ビス（メトキシカルボニル）−２−プロペニル）キノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１５６】
Ｎ−アルコキシキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：Ｎ−メトキシキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−イソプロポキシキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、１−エトキシ−２−メチルキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（２−クロロエトキシ）キノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
Ｎ−アリールオキシキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：Ｎ−フェノキシキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（２−ナフチルオキシ）キノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（９−アンスリルオキシ）キノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−トリルオキシ）キノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−ブロモフェノキシ）キノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１５７】
ベンジルイソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：Ｎ−ベンジルイソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノベンジル）イソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｏ−ニトロベンジル）イソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（９−アンスリルメチル）イソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、１，２−ジベンジルイソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１５８】
フェナシルイソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：Ｎ−フェナシルイソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノフェナシル）イソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−アセチルフェナシル）イソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−メトキシカルボニルフェナシル）イソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（９−アンスロイルメチル）イソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１５９】
アリルイソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：Ｎ−アリルイソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（２−イソプロピル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）イソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（２−ベンゾイル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）イソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１６０】
Ｎ−アルコキシイソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：Ｎ−メトキシイソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−オクタデシルオキシイソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−イソプロポキシイソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１６１】
Ｎ−アリールオキシイソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：Ｎ−フェノキシイソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（９−アンスリルオキシ）イソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−トリルオキシ）イソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−ヒドロキシフェノキシ）イソキノリニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１６２】
ベンゾオキサゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：Ｎ−ベンジルベンゾオキサゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノベンジル）ベンゾオキサゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−フェナシルベンゾオキサゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノフェナシル）ベンゾオキサゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−アリルベンゾオキサゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（２−メチル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ベンゾオキサゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−メトキシベンゾオキサゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（３−ブロモプロポキシ）ベンゾオキサゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−フェノキシベンゾオキサゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（１−ナフチルオキシ）ベンゾオキサゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、２−メルカプト−３−ベンジルベンゾオキサゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、２−メチルチオ−３−ベンジルベンゾオキサゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１６３】
ベンゾチアゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：Ｎ−ベンジルベンゾチアゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノベンジル）ベンゾチアゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−フェナシルベンゾチアゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（ｐ−シアノフェナシル）ベンゾチアゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−アリルベンゾチアゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（２−メチル−３，３−ジシアノ−２−プロペニル）ベンゾチアゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−メトキシベンゾチアゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（３−ブロモプロポキシ）ベンゾチアゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−フェノキシベンゾチアゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、Ｎ−（１−ナフチルオキシ）ベンゾチアゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、２−メルカプト−３−ベンジルベンゾチアゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、２−メチルチオ−３−ベンジルベンゾチアゾリウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１６４】
フリルもしくはチエニルヨードニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：ジフリルヨードニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ジチエニルヨードニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ビス（４，５−ジメチル−２−フリル）ヨードニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ビス（５−クロロ−２−チエニル）ヨードニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ビヨードニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ビス（５−アセチル−２−フリル）ヨードニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ビス（５−（ｐ−メトキシフェニル）−２−チエニル）ヨードニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１６５】
ジアリールヨードニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：ジフェニルヨードニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ビス（ｐ−オクタデシルフェニル）ヨードニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ビス（ｐ−オクタデシルオキシフェニル）ヨードニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、フェニル（ｐ−オクタデシルオキシフェニル）ヨードニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１６６】
トリアリールスルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：トリフェニルスルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリス（ｐ−トリル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリス（２，６−ジメチルフェニル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリス（ｐ−シアノフェニル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、４−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１６７】
トリアリールスルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートの例：トリフェニルスルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリス（ｐ−トリル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリス（２，６−ジメチルフェニル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート、トリス（ｐ−シアノフェニル）スルホキソニウムテトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートなど。
【０１６８】
また、下記化学式で示される各オニウムボレート錯体も、好ましい例としてあげられる。
【０１６９】
【化４】
2004053980.tif 000004
【０１７０】
【化５】
2004053980.tif 000005
【０１７１】
本発明の酸発生剤（Ａ）は、従来知られていたＢＦ４−、ＰＦ６−、ＡｓＦ６−、ＳｂＦ６−、もしくは各種スルホン酸アニオンをもつオニウム塩よりも、サイズが大きく低求核性のアニオンを有するため、エネルギー線の照射により発生する酸の拡散性は低く酸強度は大きいという特徴を有している。さらに、本発明の酸発生剤（Ａ）は未露光部の溶解抑止効果が高いために、レジストの溶解時のコントラストが得やすく、高解像度のレジストパターンが得られるという特徴を有している。これらの特徴により、エネルギー線に対する感度が高く、かつ幅広い温度範囲のポスト露光ベーク工程に対応可能な化学増幅ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法およびパターンを提供することが可能となる。
【０１７２】
さらに本発明の酸発生剤（Ａ）の特徴として、ＢＦ４−、ＰＦ６−、ＡｓＦ６−、ＳｂＦ６−、もしくは各種スルホン酸アニオンをもつオニウム塩よりも、種々の有機溶媒や高分子に対する相溶性、溶解性が極めて高いことがあげられる。結果としてレジスト組成物に対する含有量を高く設定することができるため、エネルギー線に対して感度の高い化学増幅ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法およびパターンを提供することが可能となる。
【０１７３】
次に、本発明に用いるスルホン化合物とスルホネート化合物（Ｂ）について説明する。スルホン化合物およびスルホネート化合物は先に述べた酸発生剤（Ａ）と同様にエネルギー線の照射に感応して酸を発生する材料であるが、比較的弱い酸を発生する特徴を有しており、対環境性に優れており、露光後に生成する分解物の現像液に対する溶解度が高いという特徴を有している材料である。本発明に置いては、少なくとも１種類のスルホン化合物またはスルホネート化合物系の酸発生剤（Ｂ）をオニウムカチオンとボレートアニオンからなる酸発生剤（Ａ）と併用して使用することより、さらに高感度で、高解像度かつ良好な形状を有するレジストパターンを形成することが可能となっている。また、これらを併用した効果として対環境性に優れ、プロセス適用性が高いレジスト材料を得ることが可能である。また、低温〜高温でのポスト露光ベークにおいて、良好な形状を有する高解像度なレジストパターンを得ることが可能となっている。
【０１７４】
本発明に使用するスルホン化合物としてはβ−スルホニルスルホン系化合物、β−ケトスルホン系化合物などが挙げられる。さらに、これらがα−ジアゾ化されたスルホニルジアゾメタン系化合物も本発明に使用可能なスルホン化合物に含まれる。スルホネート化合物としては、アルキルスルホン酸エステル系化合物、アリールスルホン酸エステル系化合物、ニトロベンジルスルホネート系化合物、ベンゾインスルホネート系化合物、Ｎ−スルホニルオキシイミド系化合物などが挙げられる。以下に本発明に使用可能なスルホン化合物およびスルホネート化合物（Ｂ）のさらに具体的な例を挙げるが、それらに限定されるものではない。
【０１７５】
スルホン化合物の例：
ビス（フェニルスルホニル）メタン、メチルスルホニルｐ−トルエンスルホニルメタン、ビス（４−メチルフェニルスルホニル）メタン、ビス（３−メチルフェニルスルホニル）メタン、ビス（４−エチルフェニルスルホニル）メタン、ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）メタン、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルスルホニル）メタン、ビス（４−メトキシフェニルスルホニル）メタン、ビス（４−フルオロフェニルスルホニル）メタン、ビス（４−クロロフェニルスルホニル）メタン、ビス（４−ブロモフェニルスルホニル）メタン、ビスシクロヘキシルスルホニルメタン、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ　−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロペンチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニルエチルスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニルｔ−ブチルスルホニルジアゾメタン、メチルスルホニルｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（３−メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−エチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−メトキシフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−フルオロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−ブロモフェニルスルホニル）ジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニルシクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、１−ジアゾ−１−シクロヘキシルスルホニル−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−１−（１，１−ジメチルエチルスルホニル）−３，３−ジメチルブタノン、１−アセチル−１−（１−メチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、１−ジアゾ−１−メチルスルホニル−４−フェニル−２−ブタノン、ｐ−トルエンスルホニルシクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、１−ジアゾ−１−（４−メチルフェニルスルホニル）−３，３−ジメチル−２−ブタノン、フェニルスルホニルフェニルカルボニルジアゾメタン、１−ジアゾ−１−フェニルスルホニル−３，３−ジメチル−２−ブタノン、１−ジアゾ−（４−メチルフェニルスルホニル）−３−メチル−２−ブタノン、２−ジアゾ−２−（４−メチルフェニルスルホニル）シクロヘキシルアセテート、２−ジアゾ−２−フェニルスルホニルｔ−ブチルアセテート、２−ジアゾ−２−メチルスルホニルイソプロピルアセテート、２−ジアゾ−２−フェニルスルホニルｔ−ブチルアセテート、２−ジアゾ−２−（４−メチルフェニルスルホニル）ｔ−ブチルアセテート、２−メチル−２−（４−メチルフェニルスルホニル）プロピオフェノン、２−シクロヘキシルカルボニル−２−（４−メチルフェニルスルホニル）プロパン、２−メタンスルホニル−２−メチル−４−メチルチオプロピオフェノン、２，４−ジメチル−２−（４−メチルフェニルスルホニル）ペンタン−３−オン等が挙げられる。
【０１７６】
スルホネート化合物の例：
２−ニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、２，４−ジニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、２，６−ジニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、２，６−ジニトロベンジルｐ−トリフルオロメチルフェニルスルホネート、ピロガロールトリスメタンスルホネート、ピロガロールトリストリフルオロメタンスルホネート、ピロガロールトリスフェニルスルホネート、ピロガロールトリス−４−メチルフェニルスルホネート、ピロガロールトリス−４−メトキシフェニルスルホネート、ピロガロールトリス−２，４，６−トリメチルフェニルスルホネート、ピロガロールトリスベンジルスルホネート、ベンゾイントシレート、ベンゾインメシレート、２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチル−１−（３−ビニルフェニル）−エチル４−クロロベンゼンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１−ｐ−トリル−１−トリフルオロメチルエチル４−クロロベンゼンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１−ｐ−トリル−１−トリフルオロメチルエチル４−（２−フェノキシエトキシ）−ベンゼンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチル−１−（４−ビニルフェニル）−エチルナフタレン−２−スルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１−フェニル−１−トリフルオロメチルエチルプロパンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１−トリフルオロメチル−１−（３−ビニルフェニル）−エチル４−ブトキシベンゼンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１−１−ｐ−トリル−１−トリフルオロメチルエチル３，５−ジクロロベンゼンスルホネート、１，３−ビス−（２，２，２−トリフルオロ−１−メタンスルホニルオキシ−１−トリフルオロメチルエチル）ベンゼン、１，４−ビス−（２，２，２−トリフルオロ−１−メタンスルホニルオキシ−１−トリフルオロメチルエチル）ベンゼン、Ｎ−カンファースルホニルオキシナフタルイミド、Ｎ−トリフルオロメタンスルホニルオキシナフタルイミド、トリフルオロメチルスルホニルビシクロ−（２，２，１）−ヘプト−５−エン−２，３−カルボキシイミド等が挙げられる。
【０１７７】
これら例示の化合物の中で特に好ましいものは、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビスフェニルスルホニルジアゾメタン等のビススルホニルジアゾメタン類であり、酸発生剤（Ａ）と併用することで特に高い感度と高い解像度のレジスト材料を得ることができる。
【０１７８】
酸発生剤（Ａ）の添加量は、使用するエネルギー線に対する感度、エネルギー線の波長における透過率、レジストパターン形状を制御することを目的として、任意の数値とすることができるが、好ましくは化学増幅ポジ型レジスト中の固形分１００重量部に対して０．０５〜２５重量部、さらに好ましくは０．５〜１０重量部である。これらの範囲より低い添加量ではレジストパターン形成に必要な酸発生量が得られず、これらの範囲を超えて添加しても感度の向上は認められない。また、酸発生剤（Ａ）は単独でも２種以上混合しても用いることができる。
【０１７９】
スルホン化合物またはスルホネート化合物（Ｂ）の添加量は、使用するエネルギー線に対する感度、エネルギー線の波長における透過率、レジストパターン形状を制御することを目的として、任意の数値とすることができるが、酸発生剤（Ａ）１重量部に対して、０．０２〜１０重量部を使用することが好ましい。この範囲よりスルホン化合物またはスルホネート化合物（Ｂ）の添加量が多ければ感度が低下する可能性があり、この範囲より少なければ、酸発生剤（Ａ）と併用する相乗効果が得られなくなる可能性がある。
スルホン化合物またはスルホネート化合物（Ｂ）は２種類以上併用して用いることもできる。
【０１８０】
また、本発明の酸発生剤（Ａ）およびスルホン化合物またはスルホネート化合物（Ｂ）以外の構造を有する酸発生剤も併用することもできる。例えば、本発明の酸発生剤（Ａ）以外の構造を有するオニウム塩等を挙げることができるが、構造は特に限定されず、エネルギー線の照射により酸を発生するものであれば併用することができる。
【０１８１】
酸発生剤（Ａ）以外のオニウム塩としては例えば、オニウムカチオンと、ＢＦ４−、ＰＦ６−、ＡｓＦ６−、ＳｂＦ６−もしくはスルホン酸アニオンの組合わせで構成され、オニウムカチオンとしては酸発生剤（Ａ）の例示に挙げたものと同様のものを用いることができる。例えば、トリフェニルスルホニウム、４−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ジメチルフェニルスルホニウム、ジメチルフェナシルスルホニウム、４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム、ジフェニルヨードニウム、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムなどが好適に用いられるがこれらに限定されるものではない。スルホン酸アニオンとしてはベンゼンスルホン酸アニオン、トルエンスルホン酸アニオン、トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸アニオン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、２，２，２−トリフルオロエタンスルホン酸アニオン、ノナフルオロブタンスルホン酸アニオン、ヘプタデカフルオロオクタンスルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオン等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０１８２】
本発明の酸発生剤（Ａ）以外の構造を有する酸発生剤の添加量は、使用するエネルギー線に対する感度、エネルギー線の波長における透過率、レジストパターン形状を制御することを目的として、任意の数値とすることができるが、好ましくは化学増幅ポジ型レジスト中の固形分１００重量部に対して０．０５〜２５重量部、さらに好ましくは０．５〜１０重量部である。これらの範囲より低い添加量ではレジストパターン形成に必要な酸発生量が得られず、これらの範囲を超えて添加しても感度の向上は認められない。また、本発明の酸発生剤（Ａ）以外の構造を有する酸発生剤は、単独でも２種以上混合しても用いることができる。
【０１８３】
次に、本発明の酸不安定基を有する高分子（Ｃ）について説明する。本発明の酸不安定基を有する高分子（Ｃ）としては、酸の反応によりアルカリ性現像液に対する溶解性が向上する高分子化合物であれば任意のものを用いることができる。
【０１８４】
例えば、置換または無置換の、ポリヒドロキシスチレン、水素化ポリヒドロキシスチレン、ポリイソプロペニルフェノール、ポリ（メタ）アクリル酸、ポリノルボルネンなどに酸不安定基が付加した高分子化合物やこれらの共重合体、マレイミドもしくは酸無水物基を繰り返し単位とする高分子化合物やこれらの共重合体、ノボラック樹脂、水素化ノボラック樹脂などを用いることができる。また、上記高分子化合物はα−メチルスチレン、スチレン、アクリルニトリルなどとの共重合体であってもよい。
【０１８５】
なかでも、好ましくは下記一般式（１４）〜（１６）で表される繰り返し単位のうち、少なくともいずれかひとつを含む高分子化合物である。このような高分子化合物を用いることにより、良好なレジスト感度、現像性、パターン形状、保存安定性が得られるため好ましい。
【０１８６】
【化６】
2004053980.tif 000006
【０１８７】
（ただし、Ｒ１０〜Ｒ１４は、それぞれ独立に、水素原子、もしくは置換または無置換の炭素数１〜８の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基を表すが、一般式（１５）においてＲ１３もしくはＲ１４のいずれか一方とＲ１２が相互に結合して炭素数１〜４のオキソアルキレン鎖を形成してもよい。
【０１８８】
Ｒ１７は相互に独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、置換または無置換の炭素数１〜８の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、置換または無置換の炭素数１〜８の直鎖状、分岐状または環状のアルコキシル基、置換または無置換の炭素数１〜８の直鎖状、分岐状または環状のアルキルエステルであるカルボキシル基を表す。
【０１８９】
Ｒ１２およびＲ１７は酸不安定基を有していてもよい。Ｒ１５およびＲ１６はそれぞれ独立に炭素数０〜２のアルキレン鎖を表すが、Ｒ１５とＲ１６の炭素数の和は２である。ただし、Ｒ１５およびＲ１６の炭素数がともに１である場合には互いに結合して環状構造を形成していてもよく、Ｒ１５もしくはＲ１６の炭素数が２である場合には不飽和結合を表していてもよく、ａは０〜６の整数である。）
【０１９０】
本発明の酸不安定基を有する高分子（Ｃ）としてさらに好ましくは、一般式（１４）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物である。このような高分子化合物をは酸発生剤（Ａ）やスルホン化合物またはスルホネート化合物（Ｂ）と併用した場合に特に高い感度と高い解像度を実現できるため、特に好ましい。
【０１９１】
酸不安定基を有する高分子（Ｃ）における酸不安定基としては、酸発生剤（Ａ）およびスルホン化合物またはスルホネート化合物（Ｂ）から発生する酸と反応して、アルカリ性現像液に対する溶解性を向上させることができる基であればいかなる基も用いることができるが、酸との反応により水酸基もしくはカルボキシル基などの酸性基が形成されるものが好適に用いられる。なかでも好ましくは、酸と酸不安定基との反応により酸が再生するような反応を行うことができる酸不安定基である。このような酸不安定基を有する高分子（Ｃ）を用いることにより、エネルギー線に対して高感度な化学増幅ポジ型レジスト組成物を提供でき、生産性の向上に繋げられるため好ましい。
【０１９２】
下記一般式（１７）〜（１９）で表される基、トリアルキルシリル基もしくは酸無水物基が、酸不安定基としてさらに好ましい。このような酸不安定基を有する高分子（Ｃ）を用いることにより、良好なレジスト感度、現像性、パターン形状、保存安定性が得られるため好ましい。
【０１９３】
【化７】
2004053980.tif 000007
【０１９４】
（ただし、Ｒ１８〜Ｒ２０はそれぞれ独立に、置換または無置換の炭素数１〜８の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基を表すが、一般式（１７）および（１８）において、Ｒ１８とＲ１９、Ｒ１８とＲ２０、Ｒ１９とＲ２０、Ｒ１８とＲ１９とＲ２０は互いに結合して環状構造を形成していてもよく、Ｒ２１は水素原子、置換または無置換の炭素数１〜４の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基を表し、Ｒ２２は置換または無置換の炭素数１〜８の直鎖状、分岐状または環状のアルキレン鎖を表し、ｂおよびｃは０または１である。）
【０１９５】
酸不安定基として具体例を挙げる。ｔ−ブチル基、ｔ−アミル基、１，１−ジエチルプロピル基、１−メチルシクロペンチル基、１−エチルシクロペンチル基、１−イソプロピルシクロペンチル基、１−ブチルシクロペンチル基、１−メチルシクロヘキシル基、１−エチルシクロヘキシル基、１−イソプロピルシクロヘキシル基、１−ブチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−メチル−２−アダマンチル基、ｔ−ブトキシカルボニル基などの一般式（１７）で表される基、１−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、１−メトキシ−１−メチル−エチル基、１−エトキシ−１−メチルエチル基、テトラヒドロフラン−２−イル基、２−メチルテトラヒドロフラン−２−イル基、テトラヒドロピラン−２−イル基、２−メチルテトラヒドロピラン−２−イル基などの一般式（１８）で表される基、３−オキソシクロヘキシル基、１−メチル−３−オキソシクロヘキシル基、２−オキソオキサン−４−イル基、４−メチル−２−オキソオキサン−４−イル基、３−オキソシクロペンチル基、１−メチル−３−オキソシクロペンチル基、２−オキソオキソラン−４−イル基、４−メチル−２−オキソオキソラン−４−イル基などの一般式（１９）で表される基、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、トリエチルシリル基などのトリアルキルシリル基、マレイン酸無水物基、イタコン酸無水物基などの酸無水物基などがあげられるがこれらに限定されるものではない。また、酸不安定基は、酸不安定基を有する高分子（Ｃ）中に１種類もしくは２種類以上含まれていてもよい。
【０１９６】
酸不安定基を有する高分子（Ｃ）として、重量平均分子量が３，０００〜２００，０００である高分子化合物が、本発明の酸不安定基を有する高分子（Ｃ）として好ましい。さらに好ましい重量平均分子量の範囲は５，０００〜１００，０００である。これらの範囲より小さい重量平均分子量では良好な耐熱性および成膜性が得られない。これらの範囲を超えた重量平均分子量では良好な現像性が得られない。
【０１９７】
以下に、酸不安定基を有する高分子（Ｃ）を構成する繰り返し単位の具体的な例を示すが、これらに限定されるものではない。
【０１９８】
一般式（１４）の例：ｔ−ブチルオキシスチレン、ｔ−アミルオキシスチレン、１，１−ジエチルプロピルオキシスチレン、１−メチルシクロペンチルオキシスチレン、１−エチルシクロペンチルオキシスチレン、１−イソプロピルシクロペンチルオキシスチレン、１−ブチルシクロペンチルオキシスチレン、１−メチルシクロヘキシルオキシスチレン、１−エチルシクロヘキシルオキシスチレン、１−イソプロピルシクロヘキシルオキシスチレン、１−ブチルシクロヘキシルオキシスチレン、１−アダマンチルオキシスチレン、２−メチル−２−アダマンチルオキシスチレン、ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンなどの一般式（１７）で表される酸不安定基、を有するヒドロキシスチレン、１−メトキシエチルオキシスチレン、１−エトキシエチルオキシスチレン、１−メトキシ−１−メチル−エチルオキシスチレン、１−エトキシ−１−メチルエチルオキシスチレン、テトラヒドロフラン−２−イルオキシスチレン、２−メチルテトラヒドロフラン−２−イルオキシスチレン、テトラヒドロピラン−２−イルオキシスチレン、２−メチルテトラヒドロピラン−２−イルオキシスチレンなどの一般式（１８）で表される酸不安定基、を有するヒドロキシスチレン、３−オキソシクロヘキシルオキシスチレン、１−メチル−３−オキソシクロヘキシルオキシスチレン、２−オキソオキサン−４−イルオキシスチレン、４−メチル−２−オキソオキサン−４−イルオキシスチレン、３−オキソシクロペンチルオキシスチレン、１−メチル−３−オキソシクロペンチルオキシスチレン、２−オキソオキソラン−４−イルオキシスチレン、４−メチル−２−オキソオキソラン−４−イルオキシスチレンなどの一般式（１９）で表される酸不安定基、を有するヒドロキシスチレン、トリメチルシリルオキシスチレン、エチルジメチルシリルオキシスチレン、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシスチレン、トリエチルシリルオキシスチレンなどのトリアルキルシリル基を有するヒドロキシスチレン。
【０１９９】
一般式（１５）の例：ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔ−アミル（メタ）アクリレート、１，１−ジエチルプロピル（メタ）アクリレート、１−メチルシクロペンチル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロペンチル（メタ）アクリレート、１−イソプロピルシクロペンチル（メタ）アクリレート、１−ブチルシクロペンチル（メタ）アクリレート、１−メチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、１−イソプロピルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、１−ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、１−アダマンチル（メタ）アクリレート、２−メチル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブトキシカルボニル（メタ）アクリレートなどの一般式（１７）で表される酸不安定基、を有する（メタ）アクリレート、１−メトキシエチル（メタ）アクリレート、１−エトキシエチル（メタ）アクリレート、１−メトキシ−１−メチル−エチル（メタ）アクリレート、１−エトキシ−１−メチルエチル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフラン−２−イル（メタ）アクリレート、２−メチルテトラヒドロフラン−２−イル（メタ）アクリレート、テトラヒドロピラン−２−イル（メタ）アクリレート、２−メチルテトラヒドロピラン−２−イル（メタ）アクリレートなどの一般式（１８）で表される酸不安定基、を有する（メタ）アクリレート、３−オキソシクロヘキシル（メタ）アクリレート、１−メチル−３−オキソシクロヘキシル（メタ）アクリレート、２−オキソオキサン−４−イル（メタ）アクリレート、４−メチル−２−オキソオキサン−４−イル（メタ）アクリレート、３−オキソシクロペンチル（メタ）アクリレート、１−メチル−３−オキソシクロペンチル（メタ）アクリレート、２−オキソオキソラン−４−イル（メタ）アクリレート、４−メチル−２−オキソオキソラン−４−イル（メタ）アクリレートなどの一般式（１９）で表される酸不安定基、を有する（メタ）アクリレート、トリメチルシリル（メタ）アクリレート、エチルジメチルシリル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチルジメチルシリル（メタ）アクリレート、トリエチルシリル（メタ）アクリレートなどのトリアルキルシリル基を有する（メタ）アクリレート。
【０２００】
一般式（１６）の例：５−ノルボルネン−２−（ｔ−ブチル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（ｔ−アミル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１，１−ジエチルプロピル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１−メチルシクロペンチル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１−エチルシクロペンチル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１−イソプロピルシクロペンチル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１−ブチルシクロペンチル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１−メチルシクロヘキシル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１−エチルシクロヘキシル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１−イソプロピルシクロヘキシル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１−ブチルシクロヘキシル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１−アダマンチル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（２−メチル−２−アダマンチル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（ｔ−ブトキシカルボニル）カルボキシレートなどの一般式（１７）で表される酸不安定基、を有する５−ノルボルネン−２−カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１−メトキシエチル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１−エトキシエチル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１−メトキシ−１−メチル−エチル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１−エトキシ−１−メチルエチル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（テトラヒドロフラン−２−イル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（２−メチルテトラヒドロフラン−２−イル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（テトラヒドロピラン−２−イル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（２−メチルテトラヒドロピラン−２−イル）カルボキシレートなどの一般式（１８）で表される酸不安定基、を有する５−ノルボルネン−２−カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（３−オキソシクロヘキシル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１−メチル−３−オキソシクロヘキシル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（２−オキソオキサン−４−イル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（４−メチル−２−オキソオキサン−４−イル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（３−オキソシクロペンチル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（１−メチル−３−オキソシクロペンチル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（２−オキソオキソラン−４−イル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（４−メチル−２−オキソオキソラン−４−イル）カルボキシレートなどの一般式（１９）で表される酸不安定基、を有する５−ノルボルネン−２−カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（トリメチルシリル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（エチルジメチルシリル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（ｔ−ブチルジメチルシリル）カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−（トリエチルシリル）カルボキシレートなどのトリアルキルシリル基を有する５−ノルボルネン−２−カルボキシレート。
一般式（１６）以外の例：マレイン酸無水物、イタコン酸無水物などの酸無水物。
【０２０１】
これらの繰り返し単位を１種類以上含む単独もしくは共重合体を、酸不安定基を有する高分子（Ｃ）として用いることができる。さらに、少なくとも１種類以上の上記繰り返し単位と、スチレン、ヒドロキシスチレン、（メタ）アクリル酸、メチル（メタ）アクリレート、５−ノルボルネン−２−カルボキシレートなどの酸不安定基を有さない繰り返し単位との共重合体も、酸不安定基を有する高分子（Ｃ）として用いることができる。
【０２０２】
酸不安定基を有する高分子（Ｃ）は、少なくとも一種類以上の、酸不安定基を有する繰り返し単位から構成されるが、一種類以上の、酸不安定基を有さない繰り返し単位を含んでいてもよい。
【０２０３】
なお、酸不安定基を有する高分子（Ｃ）は単独で、または２種以上混合して使用することができる。２種以上混合して使用する場合には、使用するエネルギー線に対する感度、エネルギー線の波長における透過率、レジストパターン形状を制御することを目的として任意の割合とすることができる。
【０２０４】
本発明の化学増幅ポジ型レジストは、塗工のために有機溶剤（Ｄ）を混合して用いることができる。有機溶剤（Ｄ）としては、酸発生剤（Ａ）、スルホン化合物またはスルホネート化合物（Ｂ）と酸不安定基を有する高分子（Ｃ）等からなる成分が充分に均一に溶解し、スピンコーティング法などの通常用いるコーティング法により均一に塗布膜が形成できればいかなる溶媒でもよい。
【０２０５】
具体的には、トルエン、キシレン、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノール、メチルエチルケトン、１，４−ジオキサン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、イソホロン、アセトニルアセトン、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノイソプロビルエーテルアセテート、イソプロペニルアセテート、イソプロベニルプロピオネート、フェニルセロソルブアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネート、３−メチル−３−メトキシブチルブチレート、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、カプロン酸、カプリル酸、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレンなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０２０６】
有機溶剤（Ｄ）は単独でも２種類以上混合して用いることもできる。有機溶剤（Ｄ）の配合量は、レジスト溶液の粘度、塗工性、乾燥性などを制御することを目的として、任意の数値とすることができるが、好ましくは化学増幅ポジ型レジスト中の固形分１００重量部に対して１００〜１０，０００重量部、さらに好ましくは４００〜１，０００重量部である。これらの範囲より低いもしくは高い配合量では塗工性が低下する。
【０２０７】
さらに現像性、ドライエッチング耐性、パターン形状などを調整するために、酸不安定基を有する低分子性溶解抑止剤（Ｅ）を用いることができる。例えば、酸不安定基を有する、重量平均分子量が２，９９９以下のフェノールあるいはカルボン酸誘導体や脂環式化合物などが挙げられる。例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＨ、ビスフェノールＳ、４，４−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）吉草酸、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１，１−トリス（４’−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−ヒドロキシフェニル）エタン、フェノールフタレイン、チモールフタレイン、アダマンタン、デオキシコール酸、リトコール酸等に酸不安定基が付加した化合物が挙げられる。酸不安定基としては、酸不安定基を有する高分子（Ｂ）と同様のものが挙げられる。
【０２０８】
低分子性溶解抑止剤（Ｅ）として具体的には、ビス（４−（２’−テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）メタン、ビス（４−（２’−テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）メタン、ビス（４−ｔ−ブトキシフェニル）メタン、ビス（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）メタン、ビス（４−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）メタン、ビス（４−（１’−エトキシエトキシ）フェニル）メタン、ビス（４−（１’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）メタン、２，２−ビス（４’−（２’’−テトラヒドロピラニルオキシ））プロパン、２，２−ビス（４’−（２’’−テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４’−ｔ−ブトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４’−ｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４’−（１’’−エトキシエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４’−（１’’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）プロパン、４，４−ビス（４’−（２’’−テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）吉草酸ｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−（２’’−テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）吉草酸ｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−ｔ−ブトキシフェニル）吉草酸ｔ−ブチル、４，４−ビス（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）吉草酸ｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）吉草酸ｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−（１’’−エトキシエトキシ）フェニル）吉草酸ｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−（１’’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）吉草酸ｔ−ブチル、トリス（４−（２’−テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）メタン、トリス（４−（２’−テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）メタン、トリス（４−ｔ−ブトキシフェニル）メタン、トリス（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）メタン、トリス（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシメチルフェニル）メタン、トリス（４−（１’−エトキシエトキシ）フェニル）メタン、トリス（４−（１’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）メタン、１，１，２−トリス（４’−（２’’−テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−（２’’−テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−ｔ−ブトキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−ｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−（１’−エトキシエトキシ）フェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−（１’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）エタン、１−アダマンタンカルボン酸ｔ−ブチル、３−アダマンタンカルボン酸ｔ−ブチル、１，３−アダマンタンジカルボン酸ジ−ｔ−ブチル、１−アダマンタン酢酸ｔ−ブチル、３−アダマンタン酢酸ｔ−ブチル、１，３−アダマンタンジ酢酸ジ−ｔ−ブチル、デオキシコール酸ｔ−ブチル、デオキシコール酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸２−エトキシエチル、デオキシコール酸２−シクロヘキシルオキシエチル、デオキシコール酸３−オキソシクロヘキシル、デオキシコール酸テトラヒドロピラニル、デオキシコール酸メバロノラクトンエステル、リトコール酸ｔ−ブチル、リトコール酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸２−エトキシエチル、リトコール酸２−シクロヘキシルオキシエチル、リトコール酸３−オキソシクロヘキシル、リトコール酸テトラヒドロピラニル、リトコール酸メバロノラクトンエステルを挙げることができる。
【０２０９】
低分子性溶解抑止剤（Ｅ）は、単独または２種以上混合して使用することができる。また、低分子性溶解抑止剤（Ｅ）の配合量は、使用するエネルギー線に対する感度、レジストパターン形状を制御することを目的として、任意の数値とすることができるが、好ましくは化学増幅ポジ型レジスト中の固形分１００重量部に対して３０重量部以下である。さらに好ましくは１５重量部以下である。３０重量部より多く配合するとレジスト材料の耐熱性が低下する。
【０２１０】
酸発生剤（Ａ）およびスルホン化合物またはスルホネート化合物（Ｂ）より発生する酸のレジスト膜中における拡散速度を制御し、解像度の向上、露光後の感度変化の制御、露光余裕度やパターンプロファイル等の向上を目的として、本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物中に塩基性化合物を配合することができる。基板や環境中に含まれる塩基性もしくは酸性物質の影響を軽減するためにも塩基性物質を用いることができる。
【０２１１】
このような塩基性化合物としては、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、アミド誘導体、イミド誘導体等が挙げられる。具体的にはアンモニア、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔ−ブチルアミン、ペンチルアミン、ｔ−アミルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラエチレンペンタミン、、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルテトラエチレンペンタミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ−ｓｅｃ−ブチルアミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルテトラエチレンペンタミン、ジメチルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、２，２’−イミノジエタノール、２−アミノエタノール、３−アミノ−１−プロパノール、４−アミノ−１−ブタノール、４−（２−ヒドロキシエチル）モルホリン、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、、フタルイミド、サクシンイミド、マレイミド、アニリン誘導体、ピロール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリン誘導体、ピロリジン誘導体、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体、ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導体、イソインドール誘導体、１Ｈ−インダゾール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体、イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、１，１０−フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体、アミノ酸誘導体などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０２１２】
塩基性化合物は、単独あるいは２種以上レジスト組成物中に添加することができる。塩基性化合物の添加量は、使用するエネルギー線に対する感度、エネルギー線の波長における透過率、レジストパターン形状を制御することを目的として、任意の数値とすることができるが、好ましくは化学増幅ポジ型レジスト中の固形分１００重量部に対し、０．００５〜１０重量部、好ましくは０．０１〜５重量部である。これらの範囲より少ない添加量では酸の拡散抑制効果が得られず、これらの範囲を超えて添加すると感度や解像性の低下を招くおそれがある。
また、必要に応じて界面活性剤、色素、安定剤、塗布性改良剤、染料、架橋剤、可塑剤、光増感剤、アルカリ可溶性化合物、酸増殖剤などの添加剤を、本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物中に配合することができる。
【０２１３】
本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物は、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＴｉＮ、ＷＳｉ、ＢＰＳＧ、ＳＯＧ、有機反射防止膜などの基板表面に塗布した後、溶剤を乾燥除去して、レジスト膜として用いることができる。塗布方法としては、スピンコーティング、ロールコーティング、フローコーティング、ディップコーティング、スプレーコーティング、ドクターコーティングなどを用いて、乾燥膜厚が０．０５〜２．５μｍとなるように塗布する。乾燥（プリベーク）は５０〜１５０℃で０．５〜１０分間で行う。
【０２１４】
レジスト膜に潜像を形成させるリソグラフィー工程として、所望の用途に応じて任意のプロセスを選択することができる。例えば、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線、γ線、シンクロトロン放射線、イオンビームなどから選ばれる任意のエネルギー線を、所定のマスクを用いて照射する。
【０２１５】
レジスト膜にエネルギー線を照射した後、ポスト露光ベークを行い潜像を形成させる。ポスト露光ベーク工程の条件は６０〜１８０℃、１〜２０分間で行う。これらの範囲より低い温度では、潜像およびレジストパターンの形成に十分な酸の拡散が行われない。これらの範囲より高い温度では、マスクによりエネルギー線の照射が行われていない領域まで酸が拡散し良好なレジスト形状が得られない。潜像が形成されたレジスト膜は、現像液を用いて現像する。現像によりエネルギー線の照射が行われた部分のみが溶解するため、用いたマスクに応じて所望のパターンが形成される。現像液としては、有機溶媒あるいは適度な濃度のアルカリ水溶液を用いることができる。また、必要に応じて界面活性剤など他の成分を現像液に添加しても用いることもできる。使用される有機溶媒としてはアセトン、メチルエチルケトン、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどが挙げられるがこれらに限定されるものではない。また、使用されるアルカリ溶液としては、たとえば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニアなどの無機アルカリ類や、エチルアミン、プロピルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、などの有機アミン類、そしてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシメチルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシドなどの有機アンモニウム塩などを含む溶液、水溶液が挙げられるが、これらだけに限定されるものではない。これらの現像液は、単独でも２種類以上混合して用いることもできる。
【０２１６】
【実施例】
以下、実施例により本発明を説明するが、本発明の内容はこれらに限定されるものではない。
【０２１７】
（実施例１）
酸不安定基を有する高分子（Ｃ）としてｐ−１−エトキシエトキシスチレンとｐ−ヒドロキシスチレンの共重合構造（７５：２５）を有する分子量１２０００の高分子１００重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート８００重量部に溶解した。この樹脂溶液に対して、酸発生剤（Ａ）としてジメチルフェナシルスルホニウム・テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートを３重量部、スルホン化合物（Ｂ）としてビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン０．５７重量部を添加して化学増幅型ポジ型レジスト組成物を調製した。このレジスト組成物を、５インチのシリコン基板上にスピンコートし、ホットプレートを使用して９０℃で６０秒加熱して溶媒を除去してレジスト膜を形成した。この時のレジスト膜の厚みは４５０ｎｍであった。塗工したシリコン基板に対して、縮小投影露光機（ＮＡ＝０．６８）を用いて、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）光源にてパターン露光し、その後、ホットプレートを使用して１１０℃で９０秒間のポスト露光ベーク（ＰＥＢ）を実施した。次いで、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド溶液にてアルカリ現像し、レジストパターン（ラインアンドスペース１：１）を作成した。得られたレジストパターンを走査型電子顕微鏡にて観察したところ、２．５ｍＪ／ｃｍ２の露光量にて、１４０ｎｍの解像度が得られており、良好な断面形状であることが確認された。
【０２１８】
（実施例２）
酸不安定基を有する高分子（Ｃ）としてｐ−１−エトキシエトキシスチレンとｐ−ヒドロキシスチレンの共重合構造（７５：２５）を有する分子量１２０００の高分子１００重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート８００重量部に溶解した。この樹脂溶液に対して、酸発生剤（Ａ）としてジメチル（ベンジル）スルホニウム・テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートを３重量部、スルホン化合物（Ｂ）としてビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン０．５７重量部を添加して化学増幅型ポジ型レジスト組成物を調製した。このレジスト組成物を、５インチのシリコン基板上にスピンコートし、ホットプレートを使用して９０℃で６０秒加熱して溶媒を除去してレジスト膜を形成した。この時のレジスト膜の厚みは４５０ｎｍであった。塗工したシリコン基板に対して、縮小投影露光機（ＮＡ＝０．６８）を用いて、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）光源にてパターン露光し、その後、ホットプレートを使用して１１０℃で９０秒間のポスト露光ベーク（ＰＥＢ）を実施した。次いで、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド溶液にてアルカリ現像し、レジストパターン（ラインアンドスペース１：１）を作成した。得られたレジストパターンを走査型電子顕微鏡にて観察したところ、７．９ｍＪ／ｃｍ２の露光量にて、１３０ｎｍの解像度が得られており、良好な断面形状であることが確認された。
【０２１９】
（実施例３）
酸不安定基を有する高分子（Ｃ）としてｐ−１−エトキシエトキシスチレンとｐ−ヒドロキシスチレンの共重合構造（７５：２５）を有する分子量１２０００の高分子１００重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート８００重量部に溶解した。この樹脂溶液に対して、酸発生剤（Ａ）としてトリフェニルスルホニウム・テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートを３重量部、スルホネート化合物（Ｂ）としてピロガロールトリストリフレート０．５７重量部を添加して化学増幅型ポジ型レジスト組成物を調製した。このレジスト組成物を、５インチのシリコン基板上にスピンコートし、ホットプレートを使用して９０℃で６０秒加熱して溶媒を除去してレジスト膜を形成した。この時のレジスト膜の厚みは４５０ｎｍであった。塗工したシリコン基板に対して、縮小投影露光機（ＮＡ＝０．６８）を用いて、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）光源にてパターン露光し、その後、ホットプレートを使用して１１０℃で９０秒間のポスト露光ベーク（ＰＥＢ）を実施した。次いで、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド溶液にてアルカリ現像し、レジストパターン（ラインアンドスペース１：１）を作成した。得られたレジストパターンを走査型電子顕微鏡にて観察したところ、１．９ｍＪ／ｃｍ２の露光量にて、１４０ｎｍの解像度が得られており、良好な断面形状であることが確認された。
【０２２０】
（比較例１）
実施例１においてスルホン化合物（Ｂ）であるビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタンを添加しない他はすべて同様の所作にて実験したところ、２．５ｍＪ／ｃｍ２の露光量にて、１６０ｎｍの解像度が得られた。この時パターン形状は良好であった。
【０２２１】
（比較例２）
実施例２においてスルホン化合物（Ｂ）としてビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタンを添加しない他はすべて同様の所作にて実験したところ、２３．７ｍＪ／ｃｍ２の露光量にて、１６０ｎｍの解像度が得られた。この時パターン形状は良好であった。
【０２２２】
（比較例３）
実施例３においてスルホネート化合物（Ｂ）としてピロガロールトリストリフレートを添加しない他はすべて同様の所作にて実験したところ、２．１ｍＪ／ｃｍ２の露光量にて、１６０ｎｍの解像度が得られた。この時パターン形状は良好であった。
【０２２３】
（比較例４）
実施例１において酸発生剤（Ａ）としてジメチルフェナシルスルホニウム・テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート３重量部の代わりに、トリフェニルスルホニウム・トリフレート３重量部を使用した他はすべて同様の所作にて実験したところ、１．９ｍＪ／ｃｍ２の露光量にて、１６０ｎｍの解像度が得られた。この時、レジストパターンの壁面は平滑性が低く、良好な断面形状ではないことが確認された。
【０２２４】
（比較例５）
実施例１において酸発生剤（Ａ）としてジメチルフェナシルスルホニウム・テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート３重量部の代わりに、ジメチルフェナシルスルホニウム・トリフレート３重量部を使用した他はすべて同様の所作にて実験したところ、２．５ｍＪ／ｃｍ２の露光量にて、１７０ｎｍの解像度が得られた。この時、レジストパターンの壁面は平滑性が低く、良好な断面形状ではないことが確認された。
【０２２５】
（比較例６）
比較例４において、スルホン化合物（Ｂ）としてビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタンを添加しない他はすべて同様の所作にて実験したところ、２．５ｍＪ／ｃｍ２の露光量にて１８０ｎｍの解像度が得られた。この時、レジストパターンの壁面は平滑性が著しく低く、良好な断面形状ではないことが確認された。
【０２２６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の発生剤（Ａ）、スルホン化合物またはスルホネート化合物（Ｂ）、酸不安定基を有する高分子（Ｃ）を含む化学増幅ポジ型レジスト組成物を用いることにより、従来の化学増幅ポジ型レジスト組成物よりも、良好なレジストパターン形状、感度、解像度を得ることが可能となった。特に、解像度については従来のレジストに比較すると同一樹脂系において２０ｎｍ以上の大きな向上が認められた。したがって、本発明の化学増幅ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法およびパターンは、微細化が求められる半導体集積回路の作成などに好適に用いることができる。