(57)【要約】【課題】本発明は、前記問題を解決すべく、可撓性薄膜シリコン太陽電池において、安価で、近紫外の透明性に優れる透明電極を用いることにより、安価で、高電圧値を実現できる可撓性の太陽電池を提供することを目的とする。【解決手段】可撓性基材上に、入射光側電極を設け、入射光側より順次ｐ型、ｉ型およびｎ型の構造で積層されている単位セルを１つ以上設け、対向電極を順次設けてなる薄膜シリコン太陽電池であって、該入射光側電極が、金属薄膜であり、かつ波長領域３８０ｎｍから４２０ｎｍの光の透過率が４０％以上であることを特徴とする太陽電池素子を提供するものである。【選択図】図１
2004111890.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性基材上に、入射光側電極を設け、入射光側より順次ｐ型、ｉ型およびｎ型の構造で積層さている単位セルを１つ以上設け、対向電極を順次設けてなる薄膜シリコン太陽電池であって、該入射光側電極が、金属薄膜であり、かつ波長領域３８０ｎｍから４２０ｎｍの光の透過率が４０％以上であることを特徴とする太陽電池素子。
【請求項２】
可撓性基材上に、入射光側電極を設け、入射光側より順次ｎ型、ｉ型およびｐ型の構造で積層さている単位セルを１つ以上設け、対向電極を順次設けてなる薄膜シリコン太陽電池であって、該入射光側電極が、金属薄膜であり、かつ波長領域３８０ｎｍから４２０ｎｍの光の透過率が４０％以上であることを特徴とする太陽電池素子。
【請求項３】
前記金属薄膜が複数層からなることを特徴とする請求項１または２に記載の太陽電池素子。
【請求項４】
前記金属薄膜がＣｒ、Ａｇ、Ｃｒの３層からなることを特徴とする請求項３に記載の太陽電池素子。
【請求項５】
光入射側に最も近い単位セルのｉ層の光学的禁制帯幅（Ｔａｕｃギャップ）が、１．７ｅＶ以上であることを特徴とする請求項１〜４記載の太陽電池素子。
【請求項６】
前記単位セルがひとつであり、かつ開放電圧が０．８Ｖ以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の太陽電池素子。
【請求項７】
前記単位セルが複数であり、かつ開放電圧が１．６Ｖ以上であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の太陽電池素子。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の太陽電池素子を主電源および補助電源として用いたことを特徴とする表示媒体または情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜シリコン系太陽電池素子およびそれを用いた表示媒体、情報記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
太陽電池の入射光側電極としては一般に透明導電性金属酸化物が用いられている。透明導電性金属酸化物としては酸化錫、インジウムを添加した酸化錫、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミを添加した酸化亜鉛）などが通常使用されている。しかしこれら透明導電性金属酸化物は稀少金属を用いることが多く価格が高い。またスパッタ法や蒸着法を用いて透明導電性金属酸化物は形成されるがその成膜速度は遅く生産工程においては大きな問題となってきた。
【０００３】
また近年フレキシブルな太陽電池が大変注目を浴びており、特に安価なプラスチックフィルム上に低温で薄膜シリコン太陽電池を作製することが試みられている。この場合、透明導電性金属酸化物も安価なプラスチック基材が耐えられるような温度で形成する必要があり、例えばＰＥＴ基材などを用いると成膜温度はそのガラス転移点以下の７０℃程度で作製しなければならない。このような低温で透明導電性金属酸化物を作製するとその透過率は特に５００ｎｍ以下の波長領域において大きく減少する。こういった透明導電性金属酸化物を入射側の電極材料として用いると特に多重接合太陽電池においてはトップセルで有効に用いられるはずの近紫外領域の光をロスしてしまうという大きな問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記問題を解決すべく、可撓性薄膜シリコン太陽電池において、安価で、近紫外の透明性に優れる透明電極を用いることにより、安価で、高電圧値を実現できる可撓性の太陽電池を提供することを目的とする。また、十分な機械強度を有する太陽電池及びそれを用いた表示媒体または情報記録媒体を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、可撓性基材上に、入射光側電極を設け、入射光側より順次ｐ型、ｉ型およびｎ型の構造で積層さている単位セルを１つ以上設け、対向電極を順次設けてなる薄膜シリコン太陽電池であって、該入射光側電極が、金属薄膜であり、かつ波長領域３８０ｎｍから４２０ｎｍの光の透過率が４０％以上であることを特徴とする太陽電池素子である。
【０００６】
請求項２の発明は、可撓性基材上に、入射光側電極を設け、入射光側より順次ｎ型、ｉ型およびｐ型の構造で積層さている単位セルを１つ以上設け、対向電極を順次設けてなる薄膜シリコン太陽電池であって、該入射光側電極が、金属薄膜であり、かつ波長領域３８０ｎｍから４２０ｎｍの光の透過率が４０％以上であることを特徴とする太陽電池素子である。
【０００７】
請求項３の発明は、前記金属薄膜が複数層からなることを特徴とする請求項１または２に記載の太陽電池素子である。
【０００８】
請求項４の発明は、前記金属薄膜がＣｒ、Ａｇ、Ｃｒの３層からなることを特徴とする請求項３に記載の太陽電池素子である。
【０００９】
請求項５の発明は、光入射側に最も近い単位セルのｉ層の光学的禁制帯幅（Ｔａｕｃギャップ）が、１．７ｅＶ以上であることを特徴とする請求項１〜４記載の太陽電池素子である。
【００１０】
請求項６の発明は、前記単位セルがひとつであり、かつ開放電圧が０．８Ｖ以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の太陽電池素子である。
【００１１】
請求項７の発明は、前記単位セルが複数であり、かつ開放電圧が１．６Ｖ以上であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の太陽電池素子である。
【００１２】
請求項８の発明は、請求項１〜７のいずれかに記載の太陽電池素子を主電源および補助電源として用いたことを特徴とする表示媒体または情報記録媒体である。
【００１３】
【発明の実施形態】
以下に本発明について詳細に説明する。
本発明は、フィルムなどの可撓性基材上に入射光側電極、ｐ型、ｎ型、ｉ型の単位セル、対向電極を設けてなる薄膜シリコン系太陽電池において、入射光側電極として、波長領域３８０ｎｍから４２０ｎｍの光の透過率が４０％以上である金属薄膜を用いることにより、低温での製造が可能で、かつ低波長域のエネルギーの高い光線を有効に利用できるものとなる。
【００１４】
以下に、図面を用いて本発明の太陽電池を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらの図面に限定されるものではない。図１〜図６に一例として本発明の太陽電池の断面概略図示した。図１は可撓性基材に極薄金属膜を形成し、その上にｐ型、ｉ型、ｎ型Ｓｉ薄膜を積層し続いて対向電極を積層した例である。図２は可撓性基材に金属薄膜を形成し、その上にｎ型、ｉ型、ｐ型Ｓｉ薄膜を積層し、続いて対向電極を積層した例である。図１と図２の可撓性基材は光を透過する必要がある。図３は可撓性基材に対向電極を形成し、その上にｎ型、ｉ型、ｐ型Ｓｉ薄膜を作製し、最後に金属薄膜を積層した例である。図４は可撓性基材に対向電極を形成し、その上にｐ型、ｉ型、ｎ型Ｓｉ薄膜を作製し、最後に金属薄膜を積層した例である。図３、図４の可撓性基材は光を透過してもよいし、しなくても構わない。
【００１５】
入射光側電極に用いられる金属薄膜はクロム、アルミ、銀、白金、金、ニッケルクロム合金などが好ましいがこれらに限定されるわけではない。厚さは各金属の透過率、導電性を勘案して最適な値を用いることができるが、波長領域３８０ｎｍから４２０ｎｍの光の透過率が４０％以上であることが必要である。また膜圧は可視光域で十分な透明性を有すれば、特に限定はしないが５〜２５ｎｍの範囲内であることが好ましい。また、ガラス上に２５℃で成膜した銀を用いた金属薄膜の透過率を図１に、比較としてガラス上７０℃で成膜したインジウム−スズ酸化物の薄膜を図２に示す。
【００１６】
また、前記金属薄膜は、単層に比べ成膜速度は若干劣るものの、機械的強度などの点から、複数層から構成されていても良い。用いる材料としては、上記した金属などが好適に用いられる。中でもクロム、銀、クロムからなる３層構造であることが好ましい。
【００１７】
図１、２に示した金属薄膜、金属酸化物薄膜の透過率からわかるように、金属薄膜は、可視−紫外域での透過率が高く、近赤外域の透過率が透明導電性金属酸化物と比較して劣ることがあり、太陽電池に用いた場合、高い電圧を容易に取ることはできるが、透明導電性金属酸化物を用いた場合と比較して電流が若干すくなるという傾向がある。従って本発明の構成による太陽電池は電圧駆動型機器の多い携帯用の民生品機器、情報記録媒体の電源として極めて有効に用いることができる。
【００１８】
可撓性基材は前記したように、入射光側に設ける場合は可視光域での透明性が必要である。入射光側とは反対側に設ける場合は透明であってもなくてもよい。
可撓性基材としては、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルホン、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、ポリビニルフルオライドフィルム、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合樹脂、耐候性ポリエチレンテレフタレート、耐候性ポリプロピレン、ガラス繊維強化アクリル樹脂フィルム、ガラス繊維強化ポリカーボネート、ポリイミド、透明性ポリイミド、フッ素系樹脂、環状ポリオレフィン系樹脂、ポリアクリル系樹脂、ＳＵＳ薄板、アルミホイルなどを使用することができるが、これらに限定されるわけではない。これらは単独のフィルムとして使用してもよいが、二種以上を積層した複合フィルムを使用することもできる。
【００１９】
対向電極は、公知の導電材料を用いることができる。例えば、銀、クロム、アルミ、白金、金、ニッケルクロム合金などの金属薄膜や酸化スズ、インジウムを添加した酸化スズ、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミを添加した酸化亜鉛などの金属酸化物薄膜などを使用できるが、これらに限定されるわけではない。好ましくは、反射率が高い金属薄膜が用いられる。また、複数層でも構わない。
【００２０】
Ｓｉ薄膜は、公知の方法で作成した公知の材料を用いることができる。作成方法としては、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＨＯＴ−ｗｉｒｅ　ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタ法等で作成されるが、好ましくはプラズマＣＶＤ法が用いられる。ここで薄膜Ｓｉとはアモルファスシリコンおよび微結晶シリコンを含む概念である。また、Ｓｉ薄膜のバンドギャップをひろくするためにＳｉ薄膜内にＣを導入することもできるし、またバンドギャップを狭くするためにＧｅを導入することも可能である。ドープ材料としては、ｎ型としてはＰを、ｐ型としてはＢ、Ａｌ、Ｇａ等が用いられるが、これらに限定されるわけではない。
【００２１】
また、本発明において太陽光をより有効利用するために、光の干渉を利用した反射防止層が上記の層上あるは層間のいずれかに設けることも可能である。反射防止膜は、光の干渉性を利用したもので、一般に目的の反射防止特性を得るために所定の光学膜厚ｎｄ（屈折率ｎ×形状膜厚ｄ）の層から構成されればよく本発明において積層数は特に限定されない。反射防止膜として珪素酸化物や有機フッ素化合物等の低屈折率層を単層で設けることも可能であるが、通常は、コスト及び反射防止効果の面から１〜６層とすることが好ましい。
【００２２】
反射防止膜は真空蒸着法、反応性蒸着法、イオンビームアシスト蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法等の真空成膜プロセス、グラビアコートやスクリーンコート等のウェットコートと、熱乾燥法、熱硬化法、紫外線照射硬化法、電子線照射硬化法等を組み合わせた成膜プロセスによることができ、各々の薄膜の特性に最適な方法が適宜選択される。この他のいかなる成膜方法であっても構わない。
【００２３】
また太陽電池素子の耐候性をあげるために、上記の層上あるは層間のいずれかに設けガスバリアー層を設けることも可能である。ケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）、ケイ素窒化物（ＳｉＮｘ）、酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）のいずれかの単独、もしくは二種以上の混合系の蒸着層、または無機−有機のハイブリッドコート層のうちのいずれか一種、または二種以上を組み合わせた複合層を好適に使用できる。
【００２４】
上記、ケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）、ケイ素窒化物（ＳｉＮｘ）、酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）などの蒸着層は蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、ディッピング法、ゾルゲル法などにより基材フィルム上に容易に形成することができる。このようなバリア層の厚さは５〜５００ｎｍの範囲が適当であり、特に３０〜１５０ｎｍの範囲が好ましい。
【００２５】
更にその上にフィルムラミネートや樹脂コーティングによる保護層をもうけることもできる。また太陽電池用素子の最表面に防汚層を設けることも好ましい。
また接着層を用いて各層を積層することもできる。接着層を用いる場合は、接着層の厚さは特に限定されず太陽電池素子の種類や形状に応じて適する厚さで基材フィルムなどに積層する事ができる。積層方法についても、接着層の材質と積層する厚さに応じて、たとえば、溶液、ディスパージョンなどを用いるコーティング法、押し出しコート法、カレンダーコート法、熱ラミネート法、ドライラミネート法などの適宜の手段により基材フィルム面などに積層することができる。
【００２６】
本発明の太陽電池は電圧駆動型機器の多い表示媒体、特に電子ブック、ＰＤＡなどの携帯用の表示媒体、情報記録媒体の電源として極めて有効に用いることができる。その非接触型情報記録媒体の補助電源としての実施例を図７に示す。
【００２７】
【実施例】
以下に実施例を示す。なお、実施例、比較例で用いたｐ層、ｉ層、ｎ層は同じ組成の材料を用いた。
【００２８】
＜実施例１＞
耐候性ＰＥＴ（厚さ１８８μｍ）の両面にＳｉＯｘを４０ｎｍずつ蒸着法により形成しその片面に入射光側電極としてＣｒの薄膜（膜厚５ｎｍ、波長３８０ｎｍ、４２０ｎｍでの透過率がそれぞれ、４６％、４２％）を基板温度室温で蒸着法を用いて形成した。続いてＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方式でアモルファスシリコンのｐ層（基板温度７５℃）、ｉ層（基板温度７０℃）、ｎ層（基板温度７５℃）を積層し、最後に対向電極としてＡｇの蒸着層を形成した。作製後の太陽電池を真空中で７５℃で１８時間放置し特性改善のための真空熱処理を行った。
【００２９】
＜実施例２＞
耐候性ＰＥＴ（厚さ１８８μｍ）の両面にＳｉＯｘを４０ｎｍずつ蒸着法により形成しその片面に対向電極としてＡｇを蒸着により形成し、続いてＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方式でアモルファスシリコンのｎ層（基板温度７５℃）、ｉ層（基板温度７０℃）、ｐ層（基板温度７５℃）を積層した。最後に入射光側電極として、蒸着法で銀の薄膜（膜厚１２ｎｍ、波長３８０ｎｍ、４２０ｎｍでの透過率がそれぞれ、５０％、４１％）を基板温度室温で蒸着法を用いて形成した。作製後の太陽電池を真空中で７５℃で１８時間放置し特性改善のための真空熱処理を行った。
【００３０】
＜実施例３＞
耐候性ＰＥＴ（厚さ１８８μｍ）の両面にＳｉＯｘを４０ｎｍずつ蒸着法により形成し、その片面に入射光側電極として、Ａｇの薄膜（膜厚１８ｎｍ、波長３８０ｎｍ、４２０ｎｍでの透過率がそれぞれ、７２％、６０％）を基板温度室温で蒸着法を用いて形成し続いてＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方式でアモルファスシリコンのｐ層（基板温度７５℃）、ｉ層基板温度６５℃）、ｎ層（基板温度７５℃）、ｐ層（基板温度７５℃）、ｉ層基板温度７０℃）、ｎ層（基板温度７５℃）を積層し、最後に対向電極としてとしてＡｇの蒸着層を形成した。作製後の太陽電池を真空中で７５℃で１８時間放置し特性改善のための真空熱処理を行った。
【００３１】
＜実施例４＞
耐候性ＰＥＴ（厚さ１８８μｍ）の両面にＳｉＯｘを４０ｎｍずつ蒸着法により形成しその片面に入射光側電極として、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｒの３層からなる多層金属膜（３層の膜厚の合計２０ｎｍ、波長３８０ｎｍ、４２０ｎｍでの透過率がそれぞれ、６８％、６８％）を基板温度室温で蒸着法を用いて形成し、続いてＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方式でアモルファスシリコンのｐ層（基板温度７０℃）、ｉ層（基板温度７０℃）、ｎ層（基板温度７０℃）を積層し、対向電極としてＺｎＯ、Ａｇの蒸着層を順次積層した。作製後の太陽電池を真空中において７５℃で１８時間放置し特性改善のための真空熱処理を行った。
【００３２】
＜実施例５＞
耐候性ＰＥＴ（厚さ１８８μｍ）の両面にＳｉＯｘを４０ｎｍずつ蒸着法により形成しその片面に対向電極としてＡｇ、ＺｎＯの蒸着層を順次積層し、続いてＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方式でアモルファスシリコンのｎ層（基板温度７５℃）、ｉ層（基板温度７０℃）、ｐ層（基板温度７５℃）を積層し、入射光側電極としてＣｒ、Ａｇ、Ｃｒの３層からなる多層金属膜（３層の膜厚の合計２０ｎｍ、波長３８０ｎｍ、４２０ｎｍでの透過率がそれぞれ、６８％、６８％）を基板温度室温で蒸着法を用いて形成した。作製後の太陽電池を真空中において７５℃で１８時間放置し特性改善のための真空熱処理を行った。
【００３３】
＜実施例６＞
耐候性ＰＥＴ（厚さ１８８μｍ）の両面にＳｉＯｘを４０ｎｍずつ蒸着法により形成しその片面に入射光側電極として、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｒの３層からなる多層金属膜（３層の膜厚の合計２０ｎｍ、波長３８０ｎｍ、４２０ｎｍでの透過率がそれぞれ、６８％、６８％）を基板温度室温で蒸着法を用いて形成し、続いてＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方式でアモルファスシリコンのｐ層（基板温度７０℃）、ｉ層基板温度７０℃）、ｎ層（基板温度７０℃）、ｐ層（基板温度７０℃）、ｉ層基板温度７０℃）、ｎ層（基板温度７０℃）を積層し、対向電極としてＺｎＯ、Ａｇの蒸着層を順次積層した。作製後の太陽電池を真空中において７５℃で１８時間放置し特性改善のための真空熱処理を行った。
【００３４】
＜比較例＞
耐候性ＰＥＴ（厚さ１８８μｍ）の両面にＳｉＯｘを４０ｎｍずつ蒸着法により形成し、その片面に入射光側電極として、インジウムを添加した酸化錫（ＩＴＯ）薄膜を基板温度７０℃で４５０ｎｍスパッタで形成し続いてＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方式でアモルファスシリコンのｐ層（基板温度７５℃）、ｉ層（基板温度７０℃）、ｎ層（基板温度７５℃）を積層した最後に対向電極としてＡｇの蒸着層を形成した。作製後の太陽電池を真空中で７５℃で１８時間放置し特性改善のための真空熱処理を行った。
【００３５】
以上のようにして用意した実施例１〜６および比較例の太陽電池特性を表１に示す。また本発明で光入射側の電極を作製するのに必要な時間を表２に示す。また、実施例４、５、６及び比較例の繰り返し折り曲げ試験（１５０回）行った後の結果を表３に示す。
【００３６】
【表１】
2004111890.tif 000003
【００３７】
【表２】
2004111890.tif 000004
【００３８】
【表３】
2004111890.tif 000005
【００３９】
実施例１〜６の変換効率は全て比較例を上回り、特に開放電圧が高いことが分かる。
また、表２から明らかな通り、本発明の極薄金属膜を用いることで作製時間が飛躍的に短くなっていることが分かる。しかも材料代においても比較例のインジウムを添加した酸化錫はＡｇやＣｒの蒸着材料と比較すると遙かに高価であり、本発明の太陽電池を用いることで価格面においても有利であることが分かる。
また、表３より多層金属薄膜にすることにより、機械的強度に優れることがわかる。
【００４０】
【発明の効果】
本発明によれば、光入射側の電極層が金属薄膜でできているために一般的に光入射側電極としても用いられる透明導電性金属酸化物と比較して非常に安価に作製することができる。また低温で、可撓性基材上に作製することで、安価で可撓性に飛んだ太陽電池を供給することができる。また、多層金属薄膜とすることにより機械的強度の向上を図ることができる。また、近赤外域の透過率が透明導電性金属酸化物と比較して劣ることがあり高い電圧を容易に取ることはできるが透明導電性金属酸化物と比較して電流が若干すくなるという傾向がある。従って本発明の構成による太陽電池は電圧駆動型機器の多い携帯用の民生品機器、情報記録媒体の電源として極めて有効に用いることができる。
【００４１】
【図面の簡単な説明】
【図１】銀薄膜の透過率を示したグラフ図である。
【図２】インジウム−スズ酸化物の透過率を示したグラフ図である。
【図３】本発明の太陽電池素子構造の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の太陽電池素子構造の一例を示す断面図である。
【図５】本発明の太陽電池素子構造の一例を示す断面図である。
【図６】本発明の太陽電池素子構造の一例を示す断面図である。
【図７】本発明の太陽電池素子構造の一例を示す断面図である。
【図８】本発明の太陽電池素子構造の一例を示す断面図である。
【図９】本発明の太陽電池モジュールを補助電源として用いた非接触情報記録媒体を示す概略図である。
【符号の説明】
１　　フレキシブル基材
２　　金属薄膜（入射光側電極、単層又は複数層）
３　　ｐ型薄膜シリコン
４　　ｉ型薄膜シリコン
５　　ｎ型薄膜シリコン
６　　対抗電極
１０　太陽電池を補助電源とした非接触情報記録媒体
１１　補助電源用太陽電池
１２　補助電源
１３　制御部（ＣＰＵ）
【図１】
2004111890.tif 000006
【図２】
2004111890.tif 000007
【図３】
2004111890.tif 000008
【図４】
2004111890.tif 000009
【図５】
2004111890.tif 000010
【図６】
2004111890.tif 000011
【図７】
2004111890.tif 000012
【図８】
2004111890.tif 000013
【図９】
2004111890.tif 000014