(57)【要約】【課題】電波吸収蓋部材に電波吸収層を直接強固に被着できるようにして、電波吸収層が熱によって剥れることのない低背化された高周波装置を作製できる電波吸収蓋部材および高周波装置を提供すること。【解決手段】電波吸収蓋部材１は、金属蓋体２の一主面に、Ｔｉ，ＺｒおよびＨｆのうちの１種以上を含有したＡｇ−Ｃｕ合金を主成分とする金属層３ａと、金属層３ａの酸化層３ｃと、磁性材を５１乃至９０質量％および軟化点が２５０乃至５００℃の低融点ガラスを５乃至４０質量％ならびにチタン酸バリウムを１乃至２０質量％含有するとともに、厚みが２００乃至５００μｍである電波吸収層とが順次積層されている。【選択図】  図１
2004296791.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属蓋体の一主面に、Ｔｉ，ＺｒおよびＨｆのうちの１種以上を含有したＡｇ−Ｃｕ合金を主成分とする金属層と、該金属層の酸化層と、磁性材を５１乃至９０質量％および軟化点が２５０乃至５００℃の低融点ガラスを５乃至４０質量％ならびにチタン酸バリウムを１乃至２０質量％含有するとともに、厚みが２００乃至５００μｍである電波吸収層とが順次積層されていることを特徴とする電波吸収蓋部材。
【請求項２】
上面に形成された凹部の底面に高周波素子が載置される載置部を有する基体と、前記載置部に載置固定された高周波素子と、前記基体の上面の前記凹部の周囲に前記一主面が前記高周波素子に対向するように取着された請求項１記載の電波吸収蓋部材とを具備していることを特徴とする高周波装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波素子を収容する高周波装置に用いられる電波吸収蓋部材および高周波装置に関し、特にマイクロ波帯やミリ波帯の高周波（電磁波）の吸収特性に優れる電波吸収蓋部材および高周波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の電波吸収蓋部材の断面図を図４に、従来の高周波装置の断面図を図５に示す。これらの図に示すように、１１は電波吸収蓋部材、１２は金属蓋体、１３は電波吸収層、１４は高周波装置、１５は基体、１６は高周波素子、Ｓは接合材である。
【０００３】
近年、電子機器はますます高速化、高密度化、デジタル化が進み、小型、多機能化も加速傾向にある。電子機器の小型多機能化の要求から、特にマイクロ波帯やミリ波帯で使用される高周波素子１６は、配線基板への部品実装密度が非常に高まり、高周波素子１６のピン間、周辺回路、他の高周波素子等に電磁波障害が発生するといった問題がある。この原因は、高周波素子１６としての多数の半導体素子にあり、個々の半導体素子で発生する微弱な電磁波が他の半導体素子にとっては妨害波（放射ノイズ）となり、配線の線間結合やピン間の結合の増大、放射ノイズによる電磁干渉に起因する性能劣化や異常共振等が誘起され、電磁波障害が発生するためである。
【０００４】
従来、このようないわゆる電磁波障害に対しては、回路にノイズフィルタを挿入したり、高周波素子１６の周囲を金属板や金属メッキ層等の導電層をコーティングしたケースで囲んで成る電磁シールディングを施したり、または電波吸収シートから成る電波吸収層１３を回路基板表面、高周波装置１４表面に熱硬化性樹脂、低融点ガラスあるいは半田等の低融点ロウ材などの接合材Ｓで貼り付けて、電磁波障害を抑制してきた（下記の特許文献１参照）。
【０００５】
また、針状または扁平状であって表面に酸化被膜を有する軟磁性粉末と有機結合剤等とを含む複合磁性体で構成されているＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ：電磁的障害）対策部品を、高周波装置の上面に配置して電磁波障害を抑制することが提案されている（下記の特許文献２参照）。
【０００６】
さらに、ガラスまたはセラミックスをマトリックスとし、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｚｎおよびそれらの合金、ステンレス鋼、パーマロイおよび超耐熱性合金から選ばれる少なくとも一種である金属粒子を複合相とする複合材料から成る電波吸収材料が開示されている（下記の特許文献３参照）。
【０００７】
〔特許文献１〕
特開２００２−２８９７２０号公報
〔特許文献２〕
特開平１０−６４７１４号公報
〔特許文献３〕
特開平９−２５５４０８号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１に記載されている、電波吸収シートから成る電波吸収層１３を高周波装置１４表面に貼り付けるといった手段は、高周波装置１４全体の厚さが厚くなり、機器の小型化には不利である。また、電波吸収層１３がゴムやエポキシ樹脂等に磁性材料を混合させたものであり、また金属蓋体１２に電波吸収層１３を樹脂接着剤で貼り付けているため、電波吸収層１３や樹脂接着剤の耐熱性が非常に小さいことから、高周波素子１６の熱等によって電波吸収層１３に容易に反りが生じ、電波吸収層１３が金属蓋体１２から剥離するといった問題点があった。
【０００９】
また、特許文献２に記載されている、ＥＭＩ対策部品として用いられる扁平状、針状の軟磁性体粉末を用いた複合磁性体も有機結合材を含むため、耐熱性、寸法安定性に劣るといった問題があった。従って、この複合磁性体を高周波装置１４の構成部品として用いると、熱硬化性樹脂、低融点ろう材、低融点ガラス等による接合ができないといった問題点があった。
【００１０】
さらに、特許文献３に記載されている、ガラスまたはセラミックスをマトリックスとし、Ｔｉ等の金属粒子を複合相とする複合材料から成る電波吸収材料は、それ自体は耐熱性および機械的特性に優れたものである。しかしながら、特許文献３にはこのような電波吸収材料を他の金属蓋体等に接合性良く被着させて、電波吸収蓋部材やパッケージ、電子装置、半導体装置等に好適に適用する点については一切開示されていない。
【００１１】
従って、本発明は上記従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、電波吸収蓋部材に電波吸収層を直接強固に被着できるようにして、電波吸収層が熱によって剥れることのない低背化された高周波装置を作製できる電波吸収蓋部材、およびこの電波吸収蓋部材を用いた、マイクロ波帯やミリ波帯の高周波帯域で良好にＥＭＩ対策の施された小型の高周波装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の電波吸収蓋部材は、金属蓋体の一主面に、Ｔｉ，ＺｒおよびＨｆのうちの１種以上を含有したＡｇ−Ｃｕ合金を主成分とする金属層と、該金属層の酸化層と、磁性材を５１乃至９０質量％および軟化点が２５０乃至５００℃の低融点ガラスを５乃至４０質量％ならびにチタン酸バリウムを１乃至２０質量％含有するとともに、厚みが２００乃至５００μｍである電波吸収層とが順次積層されていることを特徴とする。
【００１３】
本発明の電波吸収蓋部材は、電波吸収層が、磁性材を５１乃至９０質量％および軟化点が２５０乃至５００℃の低融点ガラスを５乃至４０質量％ならびにチタン酸バリウムを１乃至２０質量％含有していることから、耐熱性に優れたものとなり、高周波素子の熱や高周波装置を外部電気回路基板等に半田等で接合する際の熱によって電波吸収層が金属蓋体から剥離することがなくなる。また、電波吸収層が強誘電体であるチタン酸バリウムを含んでいることから、電波吸収効果が大幅に向上する。さらに、電波吸収層の厚みが２００乃至５００μｍであることから、電波吸収蓋部材の大幅な薄型化が可能となり、高周波装置の大幅な低背化につながる。
【００１４】
また、電波吸収層は、Ｔｉ，ＺｒおよびＨｆのうちの１種以上を含有したＡｇ−Ｃｕ合金を主成分とする金属層と金属層の酸化層とを介して、金属蓋体の一主面に積層されていることから、金属層に含有されるＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆの活性金属が金属蓋体の金属粒界に拡散して金属蓋体と金属層とを強固に接合するとともに、金属層の酸化層の酸化物が電波吸収層中のガラスの酸化物成分と反応して金属層と電波吸収層とを強固に接合する。その結果、金属蓋体を、高周波素子を収容した基体にシーム溶接やロウ付けする際に２３０〜２４０℃の熱履歴が加わったとしても、電波吸収層が熱によって剥離することがなくなる。
【００１５】
また、電波吸収層が電波吸収して電磁波のエネルギーを熱に変換した際に、その熱を互いに強固に接合された電波吸収層、金属層および金属蓋体を介して外部に効率良く放熱させることができる。
【００１６】
本発明の高周波装置は、上面に形成された凹部の底面に高周波素子が載置される載置部を有する基体と、前記載置部に載置固定された高周波素子と、前記基体の上面の前記凹部の周囲に前記一主面が前記高周波素子に対向するように取着された請求項１記載の電波吸収蓋部材とを具備していることを特徴とする。
【００１７】
本発明の高周波装置は、上記の構成により、電波吸収層が熱によって剥れることのない低背化されたものとなるとともに、内部で電磁波の共振が発生するのを抑えることができる。その結果、マイクロ波帯やミリ波帯の高周波帯域で良好にＥＭＩ対策の施された高周波装置を作製することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の電波吸収蓋部材および高周波装置を以下に詳細に説明する。  図１は、本発明の電波吸収蓋部材の実施の形態の一例を示す断面図、図２はその要部拡大断面図である。これらの図において、１は電波吸収蓋部材、２は金属蓋体、３は電波吸収体、３ａは金属層、３ｂは電波吸収層、３ｃは酸化層であり、主にこれらで本発明の電波吸収蓋部材１が構成されている。
【００１９】
本発明の電波吸収蓋部材１は、金属蓋体２の一主面に、Ｔｉ，ＺｒおよびＨｆのうちの１種以上を含有したＡｇ−Ｃｕ合金を主成分とする金属層３ａと、金属層３ａの酸化層３ｃと、磁性材を５１乃至９０質量％および軟化点が２５０乃至５００℃の低融点ガラスを５乃至４０質量％ならびにチタン酸バリウムを１乃至２０質量％含有するとともに、厚みが２００乃至５００μｍである電波吸収層とが順次積層されている。
【００２０】
本発明における金属蓋体２は、例えば４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属や合金から成るのが好ましく、これらは電磁波シールド性や電波吸収層３ｂとの熱整合が良いという利点がある。そして、金属蓋体２は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の母材を打抜き金型で打ち抜くことによって、四角形状等の所定の形状に製作される。
【００２１】
なお、金属蓋体２の電波吸収層３ｂが被着されていない領域には、酸化腐食の防止とロウ付け性の向上のため、Ｎｉめっき層やＡｕめっき層等のめっき層が形成されている。
【００２２】
本発明の電波吸収層３ｂは、磁性材を５１乃至９０質量％および軟化点が２５０乃至５００℃の低融点ガラスを５乃至４０質量％ならびにチタン酸バリウムを１乃至２０質量％含有するとともに、厚みが２００乃至５００μｍである。これにより、従来の２００℃程度の耐熱性しかないゴムや樹脂に磁性材を混入させたものと異なり耐熱性に優れ、接着剤を用いて貼り付けることもないので電波吸収層３ｂが金属蓋体２から剥離することもない。したがって、電波吸収層３ｂは、耐熱性に優れたものとなり、高周波素子の熱や高周波装置を外部電気回路基板等に半田等で接合する際の熱によって電波吸収層３ｂが金属蓋体２から剥離することがなくなる。また、電波吸収層３ｂの厚みが２００乃至５００μｍであることから、電波吸収蓋部材１の大幅な薄型化が可能となり、高周波装置の大幅な低背化につながる。
【００２３】
また、低融点ガラスとして鉛を含まない無鉛の低融点ガラスを用いるのがよく、環境問題に配慮されたものを作製できるとともに、低融点ガラスの加熱溶融時にアウトガスやブリードの発生も一切無い。
【００２４】
磁性材としては、Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ系合金，Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ−Ｃ系合金，Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ−Ｃｒ系合金，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ−Ｓｉ系合金，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｂ系合金，Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｂ−Ｓｉ系合金，Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ−Ｓｉ系合金等の高透磁率のアモルファス磁性金属やアモルファス磁性合金、または、３６−パーマロイ（Ｆｅを３６質量％含有するＦｅ−Ｎｉ合金），４５−パーマロイ，７８−パーマロイ，スーパーマロイ（急冷熱処理Ｍｏ含有Ｆｅ−Ｎｉ合金），Ｃｒ−パーマロイ（Ｃｒ含有Ｆｅ−Ｎｉ合金），Ｍｏ−パーマロイ（Ｍｏ含有Ｆｅ−Ｎｉ合金），μ−メタル（μ−ｍｅｔａｌ：Ｃｒ，Ｃｕ含有Ｆｅ−Ｎｉ合金）等のＮｉ−Ｆｅ系合金、または、純鉄，軟鋼，Ｆｅ−Ｓｉ合金，Ｆｅ−Ａｌ合金，Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金，Ｃｏ−Ｆｅ合金，Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト，Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト，Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト，Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ系フェライト，Ｍｎ−Ｍｇ−Ａｌ系フェライト，Ｙ型六方晶フェライト，Ｚ型六方晶フェライト，Ｍ型六方晶フェライト等があり、これらの少なくとも一種から成るものである。特に、高透磁率のアモルファス磁性金属やアモルファス磁性合金、Ｎｉ−Ｆｅ系合金が、高い電波吸収効果を有する点で好ましい。
【００２５】
なお、例えば上記のＦｅ−Ｂ−Ｓｉ系合金とは、Ｆｅ，Ｂ，Ｓｉを主成分として含む（５０質量％程度以上含む）合金という意味である。
【００２６】
また、軟化点が２５０乃至５００℃の低融点ガラスとしては、高周波素子６（図３）への熱的影響を小さくすること、およびガラス内の残留応力を小さくする観点から、できる限り低温で溶融可能なものが好ましく、例えば、Ｎａ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３系等のホウ酸塩、Ｎａ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３−Ｐ２Ｏ５系等のリン酸塩、Ｌｉ２Ｏ−ＧｅＯ２系等のゲルマン酸塩、Ｔａ２Ｏ５−Ｂ２Ｏ３系等のタリウム酸塩、Ｎａ２Ｏ−ＭｏＯ３系等のモリブデン酸塩、Ｖ２Ｏ５−ＧｅＯ２−Ｐ２Ｏ５系等のバナジン酸塩、テルル酸塩、フッ化物、フツリン酸、カルコゲナイド、オキシカルコゲナイド等が挙げられる。特に、１０〜５０質量％の酸化銀と１０〜２０質量％のヨウ化銀とから成るガラスが、その軟化点が約２８０℃であり耐熱性に優れていることから、好適である。
【００２７】
電波吸収層３ｂに含まれるチタン酸バリウムは、その含有量が１質量％未満だと、１〜２０ＧＨｚ帯域の電波吸収特性が不充分となる。２０質量％を超えると、低融点ガラスとの分散性が劣化して、電波吸収層３ｂの強度が低下して剥離し易くなる。
【００２８】
磁性材の含有量が５１質量％未満だと、高周波装置と成した際に高周波装置内部で電磁波の共振を抑えることが不十分となり、また電波吸収層３ｂに反りが発生して剥離し易くなる。９０質量％を超えると、粉体とされた磁性材の低融点ガラスへの分散性が悪くなり、電波吸収層３ｂの強度が著しく低下し、電波吸収層３ｂの剥離が発生し易くなる。
【００２９】
低融点ガラスが５質量％未満だと、磁性材の分散性が悪くなり、電波吸収層３ｂの強度が著しく低下し、電波吸収層３ｂの剥離が発生し易くなる。一方、４０質量％を超えると、高周波装置と成した際に高周波装置内部で電磁波の共振を抑えることが不十分となり、また電波吸収層３ｂに反りが発生して剥離し易くなる。
【００３０】
低融点ガラスの軟化点が２５０℃未満だと、電波吸収蓋部材１を高周波素子６を収容した基体にシーム溶接やロウ付けする際に、電波吸収層３ｂが溶融し易くなる。一方、低融点ガラスの軟化点が５００℃を超えると、磁性材が凝集してしまい、その結果電波吸収層３ｂの強度が著しく低下して電波吸収層３ｂが剥離し易くなる。
【００３１】
電波吸収層３ｂの厚みが２００μｍ未満では、電波吸収特性が不十分となる傾向があり、厚みが５００μｍを超えると、電波吸収蓋部材１全体が厚くなり薄型化が困難になる。また、金属蓋体２と電波吸収層３ｂとの熱膨張差によって金属蓋体２に反りが発生して、電波吸収層３ｂが剥離し易くなる。
【００３２】
本発明の電波吸収蓋部材１は、電波吸収層３ｂは、活性金属であるＴｉ，ＺｒおよびＨｆのうちの１種以上を含有したＡｇ−Ｃｕ合金を主成分とする金属層３ａ、金属層３ａの酸化層３ｃを介して金属蓋体２の一主面に積層されていることから、金属層３ａに含有されたＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆの活性金属が金属蓋体２の金属粒界に拡散して金属蓋体２と金属層３ａとを強固に接合するとともに、金属層３ａの酸化層３ｃの酸化物が電波吸収層３ｂ中のガラスの酸化物成分と反応して金属層３ａと電波吸収層３ｂとを強固に接合する。その結果、金属蓋体２を基体にシーム溶接やロウ付けする際に２３０〜２４０℃の熱履歴が加わったとしても、電波吸収層３ｂが熱によって剥離することがなくなる。
【００３３】
また、電波吸収層３ｂが電波吸収して電磁波のエネルギーを熱に変換した際に、その熱を互いに強固に接合された電波吸収層３ｂ、金属層３ａおよび金属蓋体２を介して外部に効率良く放熱させることができる。
【００３４】
このような電波吸収層３ｂ、金属層３ａは以下の方法により金属蓋体２に被着される。まず、Ａｇ−Ｃｕ合金粉末とＴｉ，ＺｒおよびＨｆのうちの１種以上の活性金属粉末、アクリル樹脂等の有機バインダ、トルエン，アセトン等の溶剤を混合して得た活性金属ペーストを、金属蓋体２に厚みが約７０μｍとなるようにスクリーン印刷し、還元雰囲気中、約８００℃の温度で熱処理して金属蓋体２に密着させる方法により金属層３ａを被着する。次に、磁性材とチタン酸バリウムを含有した低融点ガラスに有機溶剤、溶媒を添加混合して得た磁性材ペーストを、金属蓋体２に厚みが２００乃至５００μｍとなるようにスクリーン印刷して、電波吸収層３ｂとなる磁性材ペースト層を形成し、大気中、約３５０〜６００℃で焼成することで、電波吸収層３ｂのガラス成分と金属層３ａの活性金属が酸化して形成された酸化層３ｃが同時に形成される。これにより、金属層３ａに電波吸収層３ｂが酸化層３ｃを介して強固に被着される。
【００３５】
金属層３ａの厚みは５０〜１００μｍが好ましい。５０μｍ未満では、活性金属が酸化して形成される酸化層３ｃが十分な厚さとならない傾向にある。１００μｍを超えると、還元雰囲気中で熱処理した際、金属層３ａ内で不均一な部分を生じることがある。
【００３６】
酸化層３ｃの厚みは１〜３μｍが好ましい。１μｍ未満では、金属層３ａと電波吸収層３ｂとの接合強度が弱くなり、熱により電波吸収層３ｂが金属層３ａから剥れ易くなる。３μｍを超えると、過剰酸化となり、酸化層３ｃと電波吸収層３ｂとの接合界面において気泡をまき込み易くなるため、接合面積が減少して電波吸収層３ｂが金属層３ａから剥れ易くなる。
【００３７】
次に、本発明の電波吸収蓋部材１を用いた高周波装置４について、図３に基づいて詳細に説明する。同図は、本発明の高周波装置４の実施の形態の一例を示し、（ａ）は金属から成る基体５ａを用いた高周波装置の断面図、（ｂ）は絶縁体から成る基体５ｂを用いた高周波装置の断面図である。これらの図に示すように、２は金属蓋体、３は電波吸収体、４は高周波装置、５ａ，５ｂは基体、６は高周波素子、７はメタライズ層、８は封止材である。
【００３８】
本発明の高周波装置は、上面に形成された凹部の底面に高周波素子６が載置される載置部を有する基体５ａ，５ｂと、載置部に載置固定された高周波素子６と、基体５ａ，５ｂの上面の凹部の周囲に一主面が高周波素子６に対向するように取着された本発明の電波吸収蓋部材１とを具備している。
【００３９】
本発明における基体５ａ，５ｂは、上面の中央部に高周波素子６を収容するための凹部が設けられており、この凹部の底面に高周波素子６が低融点ガラス、樹脂接着剤、ロウ材等の接着剤を介して接着固定される。また、基体５ａ，５ｂの凹部の側面や底面から外面にかけて、複数のメタライズ配線層や複数のリード端子（図示せず）が、基体５ａ，５ｂの表面をつたって、または基体５ａ，５ｂを貫通するとともにガラスで気密封止されて設けられている。このメタライズ配線層やリード端子の凹部の底面に位置する部位は、高周波素子６の各電極がボンディングワイヤ等（図示せず）を介して電気的に接続され、基体５ａ，５ｂの外面に導出された部位は、外部電気回路基板の配線導体（図示せず）にボンディングワイヤ等の導電性接続部材を介して電気的に接続される。
【００４０】
金属からなる基体５ａは、４２アロイやＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等のから成るのが好ましく、それらの金属の母材を打抜き金型で打ち抜いたり、切削などの機械加工を施すことによって、凹部を有する所定の形状のものとして製作される。なお、基体５ａの表面に、耐食性に優れ、Ａｕ−Ｓｎロウ材や半田等のロウ材との濡れ性の良好な金等の金属をめっき法等により、０．１〜１μｍの厚さに被着させておくのが好ましい。
【００４１】
そして、基体５ａの上面の凹部の周囲と電波吸収蓋部材１の下面の外周部とを、シーム溶接などの抵抗溶接で接合する。または、電波吸収蓋部材１の下面の外周部に被着形成されたロウ材から成る封止材８を介して接合したり、さらにはシーム溶接とロウ付けとを組み合わせても構わない。
【００４２】
例えば、基体５ａと電波吸収蓋部材１とをシーム溶接する場合、基体５ａの上面の凹部の周囲に電波吸収蓋部材１を載置し、窒素雰囲気の下で、電波吸収蓋部材１の上面の外周部に通電されたローラー電極を当てて、電波吸収蓋部材１を基体５ａ側にローラー電極で一定圧力で押圧しつつローラー電極を周回させて、０．５〜１０分間圧着させることにより、気密に接合する。
【００４３】
一方、絶縁体からなる基体５ｂの場合、基体５ｂは、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体、ガラスセラミックス等を主成分とする焼結体（セラミックス）等の無機材料、または樹脂から成る。例えば、基体５ｂが酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、先ずアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やシリカ（ＳｉＯ２）、カルシア（ＣａＯ）、マグネシア（ＭｇＯ）等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状と成し、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等によりシート状に成形してセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）を得る。その後、グリーンシートを所定形状に打ち抜き加工するとともに複数枚積層し、約１６００℃の温度で焼成することにより製作される。
【００４４】
そして、基体５ｂの場合、その上面の凹部の周囲には、電波吸収蓋部材１に接合するための枠状のメタライズ層７が被着される。このメタライズ層７や凹部の側面や底面に形成されたメタライズ配線層は、タングステンやモリブデン、マンガン等の高融点金属から成り、これらの粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合した金属ペーストをそれぞれグリーンシートの所定位置に従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに被着形成させておき、グリーンシートと同時に焼成することにより形成される。なお、メタライズ層７の表面には、耐食性に優れ、Ａｕ−Ｓｎロウ材や半田等のロウ材との濡れ性の良好な金等の金属を、めっき法等により０．１〜１μｍの厚さに被着させておくのがよく、フラックスを用いることなく金属蓋体２と接合することが可能となる。
【００４５】
なお、半田等に含まれるフラックスは、高周波装置４内部に飛散すると、高周波素子６の電極を腐蝕し断線を発生させる原因となることから、メタライズ層７の表面には、金等の金属をめっき法等により被着させておき、メタライズ層７と電波吸収蓋部材１との接合をフラックスを用いずに行なうことが好ましい。そして、メタライズ層７に電波吸収蓋部材１が、その下面の外周部に被着形成された封止材８を介して接合される。
基体５ｂと電波吸収蓋部材１との接合は、基体５ｂ上面の凹部の周囲に形成されたメタライズ層７と電波吸収蓋部材１との間に封止材８が挟まるように電波吸収蓋部材１を基体５ｂ上面に載置し、電波吸収蓋部材１を基体５ｂ側に一定圧力で押圧しながらピーク温度が約２８０〜３００℃で窒素雰囲気のシール炉に０．５〜１０分間入れて、封止材８を溶融させることにより、封止材８が流れ出しフィレットを形成して気密に接合されることとなる。
【００４６】
かくして、本発明の電波吸収蓋部材１および高周波装置４は、基体５ａ，５ｂの凹部底面の載置部に半導体素子等の高周波素子６を樹脂接着剤等を介して載置固定し、高周波素子６の各電極をボンディングワイヤ等を介してリード端子やメタライズ配線層に接続し、しかる後、基体５ａの上面の凹部の周囲に電波吸収蓋部材１をシーム溶接で接合したり、あるいは電波吸収蓋部材１の下面の外周部に被着された封止材８を加熱溶融させ、メタライズ層７に接合することにより、基体５ａ，５ｂと電波吸収蓋部材１とを封止することによって、製品としての高周波装置４となる。
【００４７】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。例えば、上述の実施の形態では高周波素子６としてＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子を用いた例について説明したが、高周波素子６として圧電振動子や弾性表面波素子等の電子部品を用いることもできる。また、電波吸収蓋部材１を平板状とし、基体５ａ，５ｂを上面の中央部に凹部を有する形状としたが、基体５ａ，５ｂを平板状とし、基体５ａ，５ｂの上面の外周部に枠体をロウ材や樹脂接着剤で取着した高周波装置であってもよい。また、基体５ａ，５ｂを平板状とし、電波吸収蓋部材１を、基体５ａ，５ｂと対向する面に凹部を有する形状としてもよい。
【００４８】
【実施例】
本発明の電波吸収蓋部材の実施例を以下に説明する。
【００４９】
図１の電波吸収蓋部材１を以下のようにして製作した。まず、寸法が縦２１．１ｍｍ×横１９．６ｍｍ×厚み０．３ｍｍの四角形の板状で、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る金属蓋体２を準備し、その電波吸収層３ｂが形成される部位以外の部位の全面に厚さ２．０μｍのＮｉめっき層と厚さ０．５μｍのＡｕめっき層を被着した。
【００５０】
次に、金属蓋体２の一主面の電波吸収層３ｂが形成される部位に、活性金属としてＴｉを３質量％（Ａｇ−Ｃｕ合金を１００質量％とする）含有したＡｇ７２質量％−Ｃｕ２８質量％のＡｇ−Ｃｕ共晶からなる金属層３ａを、スクリーン印刷で厚さ７０μｍに形成し、還元雰囲気中、８００〜８５０℃の温度で熱処理して金属蓋体２に被着した。
【００５１】
電波吸収層３ｂは、パーマロイ（Ｆｅ４２質量％、Ｎｉ５８質量％のＦｅ−Ｎｉ合金）から成る磁性材と、チタン酸バリウムを含有した銀−リン系の低融点ガラス（軟化点約２８０℃）を、種々の割合（下記表１参照）で混合し、これに有機溶剤（日本香料薬品株式会社製「メンタノール」）を少量添加し、スクリーン印刷法によって、縦１９．１ｍｍ×横１７．６ｍｍの大きさ、および焼成後に種々の厚み（下記表１参照）となるようにして、金属蓋体２の一主面の金属層３ａ上に塗布した。これを、炉中で温度３００℃〜３５０℃で焼成して、厚さ１．５μｍの酸化層３ｃを形成し、電波吸収層３ｂを金属蓋体２に被着形成した。
【００５２】
得られた各種試料について、電波吸収蓋部材１の反り、金属蓋体２と電波吸収層３ｂとの接着強度、電磁波減衰効果を測定した。
【００５３】
なお、電波吸収蓋部材１の反りについては、通炉前と通炉後を比較して、通炉後に反り（最大高低差）が０．１５ｍｍ未満であったものを○、０．１５ｍｍ以上であったものを×とした。
【００５４】
接着強度の測定は、金属蓋体２の一主面に電波吸収層３ｂが被着されている状態で、４９Ｎ（ニュートン）の荷重で３点曲げ試験を行ない、プッシュプルゲージが１．０ｍｍまで下降した際に電波吸収層３ｂが剥がれなかったものを○、剥がれたのものを×とした。
【００５５】
電磁波減衰効果の測定は、図３（ａ）に示すように、基体５ａの凹部の底面に高周波素子６をＡｕ−Ｓｎロウ材で接合し、電波吸収蓋部材１を基体５ａにシーム溶接した高周波装置４の各試料を作製して、キャビティ共振抑制効果の評価を行った。すなわち、ネットワークアナライザー（アジレントテクノロジー社製「ＨＰ８５１０Ｃ」）を用いて、Ｓパラメータ（高周波入出力の比）の値からキャビティ共振抑制効果を測定した。
【００５６】
具体的には、高周波装置４内にマイクロストリップスルーラインが形成された配線基板を配置し、基体５ａの凹部の側面に取り付けられた高周波入出力端子とマイクロストリップスルーラインをＡｕ−Ｓｎ合金ロウ等のロウ材で電気的に接続して、高周波入出力端子とネットワークアナライザーを接続した。基体５ａの上面の凹部の周囲に電波吸収蓋部材１を配置することにより、高周波装置４内部は空洞共振器となり、試料サイズから決まる共振周波数とネットワークアナライザーから入射される高周波信号の周波数が一致したとき、マイクロストリップスルーラインからの放射を共振させてＳパラメータを測定した。このとき、電波吸収層３ｂがない状態を基準とし、キャビティ共振抑制効果はその基準に対して共振量が２０ｄＢ以下であれば○、２０ｄＢを超えれば×とした。評価結果を表１に示す。
【００５７】
【表１】
2004296791.tif 000003
【００５８】
表１より、磁性材としてのパーマロイが９０質量％を超えるもの（Ｎｏ．１）は、電波吸収層３ｂにおける磁性材の分散性が悪いために接着強度が弱くなり、電波吸収層３ｂが金属蓋体２から剥離して接着不良が発生した。また、パーマロイが５１質量％未満のもの（Ｎｏ．５）は、通炉後に２０ＧＨｚ以上４０ＧＨｚ未満の周波数帯域でのキャビティ共振抑制効果が劣化した。
【００５９】
次に、低融点ガラスが４０質量％を超えるもの（Ｎｏ．６）は、電波吸収層３ｂに反りが発生した。また、低融点ガラスが５質量％未満のもの（Ｎｏ．１０）は、磁性材の分散性が悪くなり、電波吸収層３ｂの強度が著しく低下したため電波吸収層３ｂの剥離が発生した。
【００６０】
チタン酸バリウムが２０質量％を超えるもの（Ｎｏ．１１）は、電波吸収層３ｂにおける低融点ガラスに対するチタン酸バリウムの分散性が悪いために接着強度が弱くなり、電波吸収層３ｂが金属蓋体２から剥離して接着不良が発生した。一方の１質量％未満のもの（Ｎｏ．１５）は１ＧＨｚ以上２０ＧＨｚ未満の周波数帯域でのキャビティ共振抑制効果が劣化した。これは、銀−リン系の低融点ガラスの誘電率が鉛系の低融点ガラスと比べて極めて小さいためと、キャビティ共振抑制効果が電波吸収層３ｂにおける磁性材の粒子間距離に依存するためであり、磁性材の含有量が少ないと通炉後にガラス成分が速やかに固化して均一な磁性材の粒子間距離が得られないからと考えられる。
【００６１】
これに対し、磁性材の含有量が５１乃至９０質量％で、低融点ガラスの含有量が５乃至４０質量％で、チタン酸バリウムの含有量が１乃至２０質量％である本発明のもの（Ｎｏ．１２〜１４）は、いずれも電波吸収蓋部材１の反りが小さく、接着強度、キャビティ共振抑制効果も優れていた。
【００６２】
ガラスの軟化点が２５０℃未満のもの（Ｎｏ．１６）は、電波吸収蓋部材１を金属製の基体５ａにシーム溶接した際にガラスが溶融軟化したため、製品として使用できなくなった。また、ガラスの軟化点が５００℃を超えるもの（Ｎｏ．２１）は、５００℃を超える高温下で通炉するので電波吸収蓋部材１の反りが大きくなり、製品として使用できなくなった。
【００６３】
これに対して、ガラスの軟化点が２５０乃至５００℃である本発明のもの（Ｎｏ．１７〜２０）は、いずれも電波吸収蓋部材１の反りが小さく、接着強度、キャビティ共振抑制効果も優れていた。
【００６４】
電波吸収層３ｂの厚みが２００μｍ未満のもの（Ｎｏ．２２）は、キャビティ共振抑制効果が悪く、製品として使用できなくなった。また、電波吸収層３ｂの厚みが５００μｍを超えるもの（Ｎｏ．２６）は、電波吸収蓋部材１全体が薄型化できず、またスクリーン印刷の作業性が悪いので実用的でなかった。
【００６５】
これに対して、電波吸収層３ｂの厚みが２００乃至５００μｍである本発明のもの（Ｎｏ．２３〜２５）は、いずれも電波吸収蓋部材１の反りが小さく、接着強度、キャビティ共振抑制効果も優れていた。
【００６６】
電波吸収層体３として、上記のＮｏ．２４の試料において金属層３ａを有していないものを比較例（Ｎｏ．２４Ａ）とし、Ｎｏ．２４の試料において金属層３ａの種類を変えた試料（Ｎｏ．２７〜３１）を作製した。これらについて、上記と同様に、電波吸収蓋部材１の反り、金属蓋体２と電波吸収層３ｂとの接着強度、キャビティ共振抑制効果を測定し、その結果を表２に示す。
【００６７】
【表２】
2004296791.tif 000004
【００６８】
表２より、金属層３ａがＴｉ、ＺｒおよびＨｆのうちの１種以上の活性金属を含有したＡｇ−Ｃｕ合金を主成分とするものである試料（Ｎｏ．２７〜３１）は、電波吸収蓋部材１の反りがいずれも小さく、キャビティ共振抑制効果も優れていた。さらに接着強度についても、３点曲げ試験でプッシュプルゲージが１．０ｍｍまで下降した際に全く問題なく、さらに下降させ２．０ｍｍでも金属層３ａおよび電波吸収層３ｂが剥がれず、非常に強固に被着されたものとなった。なお、表２で、２．０ｍｍまで下降しても剥がれなかったものを◎とした。
【００６９】
【発明の効果】
本発明の電波吸収蓋部材は、電波吸収層が、磁性材を５１乃至９０質量％および軟化点が２５０乃至５００℃の低融点ガラスを５乃至４０質量％ならびにチタン酸バリウムを１乃至２０質量％含有していることから、耐熱性に優れたものとなり、高周波素子の熱や高周波装置を外部電気回路基板等に半田等で接合する際の熱によって電波吸収層が金属蓋体から剥離することがなくなる。また、電波吸収層が強誘電体であるチタン酸バリウムを含んでいることから、電波吸収効果が大幅に向上する。さらに、電波吸収層の厚みが２００乃至５００μｍであることから、電波吸収蓋部材の大幅な薄型化が可能となり、高周波装置の大幅な低背化につながる。
【００７０】
また、電波吸収層は、Ｔｉ，ＺｒおよびＨｆのうちの１種以上を含有したＡｇ−Ｃｕ合金を主成分とする金属層と金属層の酸化層とを介して、金属蓋体の一主面に積層されていることから、金属層に含有されるＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆの活性金属が金属蓋体の金属粒界に拡散して金属蓋体と金属層とを強固に接合するとともに、金属層の酸化層の酸化物が電波吸収層中のガラスの酸化物成分と反応して金属層と電波吸収層とを強固に接合する。その結果、金属蓋体を、高周波素子を収容した基体にシーム溶接やロウ付けする際に２３０〜２４０℃の熱履歴が加わったとしても、電波吸収層が熱によって剥離することがなくなる。
【００７１】
また、電波吸収層が電波吸収して電磁波のエネルギーを熱に変換した際に、その熱を互いに強固に接合された電波吸収層、金属層および金属蓋体を介して外部に効率良く放熱させることができる。
【００７２】
本発明の高周波装置は、上面に形成された凹部の底面に高周波素子が載置される載置部を有する基体と、載置部に載置固定された高周波素子と、基体の上面の凹部の周囲に一主面が高周波素子に対向するように取着された本発明の電波吸収蓋部材とを具備していることにより、電波吸収層が熱によって剥れることのない低背化されたものとなるとともに、内部で電磁波の共振が発生するのを抑えることができる。その結果、マイクロ波帯やミリ波帯の高周波帯域で良好にＥＭＩ対策の施された高周波装置を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電波吸収蓋部材の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】図１の電波吸収蓋部材の要部拡大断面図である。
【図３】（ａ），（ｂ）は本発明の高周波装置についてそれぞれ実施の形態の例を示す断面図である。
【図４】従来の電波吸収蓋部材の断面図である。
【図５】従来の高周波装置の断面図である。
【符号の説明】
１：電波吸収蓋部材
２：金属蓋体
３：電波吸収体
３ａ：金属層
３ｂ：電波吸収層
３ｃ：酸化層
４：高周波装置
５ａ，５ｂ：基体
６：高周波素子
【図１】
2004296791.tif 000005
【図２】
2004296791.tif 000006
【図３】
2004296791.tif 000007
【図４】
2004296791.tif 000008
【図５】
2004296791.tif 000009