(57)【要約】【課題】モジュール部品の低背化と充分なシールド効果を実現することを目的としている。【解決手段】回路基板１に電子部品からなる実装部品３を搭載し、この実装部品３を第一の樹脂で封止した回路基板１と同じ外形の封止体４と、この封止体４の表面を金属膜２で覆った構成で、回路基板１の表面の外周にグランドパターン５を形成し前記金属膜２とグランドパターン５とを導通させた構成とした薄型で確実にシールドされたモジュール部品を提供する。【選択図】　図１
2004095607.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品からなる実装部品を搭載した回路基板と、この実装部品を第１の樹脂で封止した上記回路基板と同じ外形の封止体と、この封止体の表面と上記回路基板の側面を覆った金属膜とからなり、上記回路基板の表層面の最外周にグランドパターンを形成し、前記金属膜とこのグランドパターンの側面端部とを導通させたモジュール部品。
【請求項２】
回路基板の外部接続面側の最外周にグランドパターンを形成し、前記金属膜とこのグランドパターンの側面端部とを導通した請求項１に記載のモジュール部品。
【請求項３】
電子部品からなる実装部品を搭載した回路基板と、この実装部品を第１の樹脂で封止した上記回路基板と同じ外形の封止体と、この封止体の表面と上記回路基板の側面を覆った金属膜とからなり、上記封止体が所望の回路ブロックに対応した分割溝を有し、前記分割溝の底面もしくは側面で前記金属膜を回路基板のグランドパターンに接続させたモジュール部品。
【請求項４】
封止体が所望の回路ブロックに対応した分割溝を有し、前記分割溝の底面もしくは側面で金属膜と回路基板のグランドパターンが個々に独立する構成とした請求項３に記載のモジュール部品。
【請求項５】
分割溝を第２の樹脂で充填する構成とした請求項３に記載のモジュール部品。
【請求項６】
封止体に無電解メッキを形成し、その上に電解メッキを形成した金属膜からなる請求項１または請求項３に記載のモジュール部品。
【請求項７】
回路基板と電子部品からなる実装部品を鉛フリー半田で接続した請求項１に記載のモジュール部品。
【請求項８】
回路基板と電子部品からなる実装部品を導電性接着剤で接続した請求項１に記載のモジュール部品。
【請求項９】
回路基板と電子部品からなる実装部品の隙間を第３の樹脂で封止する構成とした請求項１に記載のモジュール部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は各種電子機器、通信機器等に用いられるモジュール部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のモジュール部品は図７に示すように、少なくとも片面に１つ以上の実装部品２３を搭載した回路基板２１と、この回路基板２１の側面に設けられた凹状のグランド電極２４と、前記実装部品２３を覆うように設けられた金属ケース２２で構成され、前記金属ケース２２の一端が前記凹状のグランド電極２４に挿入されはんだで接続した構成で電気シールドを行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来のモジュール部品では、金属ケース２２を回路基板２１の側面と半田で接続するため金属ケース２２が自立できる程度の回路基板２１の厚みが必要である。また、回路基板２１に搭載されている実装部品２３に金属ケース２２が当たることによるショートや外部応力による回路動作の不具合が発生する。これを防ぐために金属ケース２２の高さは実装部品２１の高さより高くする必要があり、回路基板２１と金属ケース２２の接続には金属ケース２２が回路基板２１の表面に形成した回路パターン及び実装部品２３と接しないように回路基板２１と金属ケース２２とは隙間を設け金属ケース２２に形成した端子と数箇所で回路基板２１の側面端子部分と接続しているため、薄型化が困難で不十分なシールド効果しか得られなかった。
【０００４】
本発明は上記問題点に鑑み、モジュール部品の低背化と充分なシールド効果を実現することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために本発明のモジュール部品は、回路基板に電子部品からなる実装部品を搭載し、この実装部品を第１の樹脂で封止した封止体と、この封止体の表面と回路基板の側面を金属膜で覆ったモジュール部品で、回路基板の表層面の最外周にグランドパターンを形成し前記金属膜とグランドパターンとを導通する構成とし、これにより薄型で確実にシールドされたモジュール部品を提供することができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、電子部品からなる実装部品を搭載した回路基板と、この実装部品を第１の樹脂で封止した上記回路基板と同じ外形の封止体と、この封止体の表面と上記回路基板の側面を覆った金属膜とからなり、上記回路基板の表層面の最外周にグランドパターンを形成し、前記金属膜とこのグランドパターンの側面端部とを導通させた構成とし、回路基板と金属膜間の隙間を無くし確実なシールドができる。
【０００７】
本発明の請求項２に記載の発明は、回路基板の外部接続面側の最外周にグランドパターンを形成し、前記金属膜とこのグランドパターンの側面端部とを導通した構成とし、回路基板の側面までシールドができシールドの効果がさらに高くなる。
【０００８】
本発明の請求項３に記載の発明は、電子部品からなる実装部品を搭載した回路基板と、この実装部品を第１の樹脂で封止した上記回路基板と同じ外形の封止体と、この封止体の表面と上記回路基板の側面を覆った金属膜とからなり、上記封止体が所望の回路ブロックに対応した分割溝を有し、前記分割溝の底面もしくは側面で前記金属膜を回路基板のグランドパターンに接続させた構成とし回路ブロックごとにシールドができる。
【０００９】
本発明の請求項４に記載の発明は、封止体が所望の回路ブロックに対応した分割溝を有し、前記分割溝の底面もしくは側面で金属膜と回路基板のグランドパターンが個々に独立する構成とし回路ブロックごとにシールド効果が高まる。
【００１０】
本発明の請求項５に記載の発明は、分割溝を第２の樹脂で充填する構成とし、モジュール部品の剛性を高めシールド特性を保持することができる。
【００１１】
本発明の請求項６に記載の発明は、封止体に無電解メッキを形成し、その上に電解メッキを形成した金属膜からなる構成とし、封止体と回路基板との境界部分のシールド特性を高めることができる。
【００１２】
本発明の請求項７に記載の発明は、回路基板と電子部品からなる実装部品を鉛フリー半田で接続した構成とし、マザー基板との接続時に回路の接続を維持することができシールド効果を維持できる。
【００１３】
本発明の請求項８に記載の発明は、回路基板と電子部品からなる実装部品を導電性接着剤で接続した構成とし、マザー基板との接続時に回路の接続を維持することができシールド効果を維持できる。
【００１４】
本発明の請求項９に記載の発明は、回路基板と電子部品からなる実装部品の隙間を第３の樹脂で封止する構成とし、隙間の空間に存在する空気を排除することで高信頼性を確保することができシールド特性を維持できる。
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態１について説明する。
【００１６】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１におけるモジュール部品は図１の斜視図で示すように多層基板で形成した回路基板１と図２の断面図に示すように電源、グランド、高周波回路パターンなどが少なくとも２層以上の配線層にわたって形成され回路基板１の表面には抵抗、コンデンサ、コイル、半導体、水晶振動子などの実装部品３を搭載し、鉛フリー半田で接続している。また、回路基板１の裏面にはマザー基板（図示せず）と接続するための電極１１を形成している。そして、この実装部品３を覆うように第１の樹脂としてのエポキシ系樹脂からなる封止体４を回路基板１と同じ外形で形成する。さらに、この封止体４の表面および回路基板１の側面に金属膜２を形成している。この金属膜２は回路基板１の表層の最外周の４辺に形成した第１のグランドパターン５と接続してある。
【００１７】
この構成により回路基板１の裏面の電極１１以外を金属膜２で覆うことにより確実なシールド効果を得ることができる。
【００１８】
図２で示すように回路基板１の表層に形成したグランドパターン５と金属膜２を接続させる場合や図３で示すように回路基板１の裏面の外周部に形成したグランドパターン１２の側面端部と金属膜２を接続することも可能である。
【００１９】
また、金属膜２の膜厚は略１ミクロン以上であれば十分なシールド効果が得られている。この金属膜２の形成は、封止体４の表面に無電解メッキで銅の金属膜を形成後、その表面を電解メッキで金属膜２をさらに緻密なものにすることでグランドパターン５との接続抵抗を低くすることで封止体４に形成した金属膜２のグランド電位を安定化してシールド効果を高めている。
【００２０】
図２あるいは図３で示すように金属膜２で覆われた封止体４の投影面積と回路基板１の投影面積が等しい構成とし封止体４と回路基板１とに段差を設けないことで無電解メッキおよび電解メッキで形成した金属膜２を均一に密着させることで封止体４およびグランドパターン５の剥離を防止することができるため、回路基板１に形成したグランドパターン５と封止体４に設けた金属膜２とを接続することにより回路基板１の上に形成された実装部品３からなる回路を確実にシールドすることが可能となる。
【００２１】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２におけるモジュール部品は図４の斜視図で示すように金属膜２で覆われた封止体４が３つのブロックに第２の樹脂で形成した封止体７によって分割されている。
【００２２】
図５の断面図に示すように回路基板１は、実施の形態１で説明した電源、グランド、高周波回路パターンなどが少なくとも２層以上の配線層にわたって形成されており、その表面の外周部には第１のグランドパターン５が形成されている。
【００２３】
回路基板１の表面には抵抗、コンデンサ、コイル、半導体、水晶振動子などの実装部品３が搭載され、これらの実装部品３を覆うように回路基板１より外形の同じ封止体４が形成され、さらに、封止体４には所望の回路ブロックに分割する分割溝６が設けられている。
【００２４】
封止体４および分割溝６の表面には金属膜２がグランドパターン５の表面で接続されるように形成されている。
【００２５】
さらに、分割溝６には金属膜２上に第２の樹脂で充填された封止体７が形成されている。
【００２６】
このように実装部品３を所望の回路ブロックに分割する分割溝６を設けながら封止体４で覆い、個々の回路ブロックはその表面に金属膜２を第１のグランドパターン５と接続するように設けることで、所望の回路ブロック間を電気的に遮蔽することができ、複数の回路ブロックを含んだモジュール部品がお互いに電気的なノイズ干渉がなく、小型に構成することができる。
【００２７】
また、分割溝６に第２の樹脂を充填し封止体７を形成することで低背化による厚みの薄いモジュール部品でも曲げ強度やそりを小さく保つことができ金属膜２とグランドパターン５との接続信頼性が確保できシールド特性の効果を確保できる。
【００２８】
図６は、回路基板１の厚みの途中まで形成されていることにより、回路基板１の内部に形成されているパターンの一部もシールドすることが可能で、図５に比べてさらにシールド効果を高めることができる。
【００２９】
さらに第３の樹脂による封止体１３を回路基板と電子部品からなる実装部品の隙間に構成し隙間に存在する空気を排除することにより信頼性を高めている。
【００３０】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、回路基板に電子部品からなる実装部品を搭載し、この実装部品を第１の樹脂で封止した封止体と、封止体の表面を金属膜で覆ったモジュール部品で、回路基板の表面の外周にグランドパターンを形成し前記金属膜とグランドパターンとを導通した構成とすることでモジュール部品のシールド効果を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１のモジュール部品の斜視図
【図２】本発明の実施の形態１のモジュール部品の断面図
【図３】本発明の実施の形態１のモジュール部品の断面図
【図４】本発明の実施の形態２のモジュール部品の斜視図
【図５】本発明の実施の形態２のモジュール部品の断面図
【図６】本発明の実施の形態２のモジュール部品の断面図
【図７】従来のモジュール部品の斜視図
【符号の説明】
１　回路基板
２　金属膜
３　実装部品
４，７，１３　封止体
５　グランドパターン
６　分割溝
１１　電極
【図１】
2004095607.tif 000003
【図２】
2004095607.tif 000004
【図３】
2004095607.tif 000005
【図４】
2004095607.tif 000006
【図５】
2004095607.tif 000007
【図６】
2004095607.tif 000008
【図７】
2004095607.tif 000009