(57)【要約】【課題】ボールランド径、ピッチの狭小化に対してはんだボールの実装が容易に、確実にできるボールランドを有する半導体装置用基板及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】接着剤層２１が形成された絶縁基材１１に開口部１２を形成し、銅箔３１を貼り合わせる。銅箔３１を金型８１にて絶縁基材１１の開口部１２に押し込み、絶縁基材１１の他方の面にボールランド３１ｃを形成する。銅箔３１をパターニング処理して、絶縁基材１１の一方の面にパッド３１ａ及び配線層３１ｂを形成する。パッド３１ａ及び配線層３１ｂ面にソルダーレジスト層４２を形成し、パターニング処理してソルダーレジストパターン４２ａを形成し、パッド３１ａ及びボールランド３１ｃ上にめっきを行い、めっき被膜が形成されたボールランド５１及びパッド５２を有する半導体装置用基板１００を得る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂フィルム等からなる絶縁基材の一方の面に配線層及びパッドが、他方の面にボールランドが形成された半導体装置用基板において、前記絶縁基材に設けられた開口部に前記パッド表面側から導体を押込んだ状態で前記パッドと反対位置に前記ボールランドが形成されていることを特徴とする半導体装置用基板。
【請求項２】
少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする請求項１記載の半導体装置用基板の製造方法。
（ａ）絶縁基材（１１）の片面に接着剤層（２１）を形成する工程。
（ｂ）接着剤層（２１）が形成された絶縁基材（１１）の所定位置を孔開け加工して開口部（１２）を形成する工程。
（ｃ）開口部（１２）が形成された接着剤層（２１）面に所定厚の銅箔（３１）を積層する工程。
（ｄ）金型（８１）を用いて、銅箔（３１）側より型押しして、銅箔（３１）を開口部（２１）に押し込み、絶縁基材（１１）の他方の面にボールランド（３１ｃ）を形成する工程。
（ｅ）銅箔（３１）をパターニング処理してパッド（３１ａ）及び配線層（３１ｂ）を形成する工程。
（ｆ）絶縁基材（１１）のパッド（３１ａ）及び配線層（３１ｂ）面にソルダーレジスト層（４２）を形成し、パターニング処理して、ソルダーレジストパターン（４２ａ）を形成する工程。
（ｇ）パッド（３１ａ）及びボールランド（３１ｃ）上にめっきを行い、めっき被膜が形成されたボールランド（５１）及びパッド（５２）を形成する工程。
【請求項３】
少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする請求項１記載の半導体装置用基板の製造方法。
（ａ）絶縁基材（１１）の片面に接着剤層（２１）を形成する工程。
（ｂ）接着剤層（２１）が形成された絶縁基材（１１）の所定位置を孔開け加工して開口部（１２）を形成する工程。
（ｃ）開口部（１２）が形成された接着剤層（２１）面に所定厚の銅箔（３１）を積層する工程。
（ｅ）銅箔（３１）上に円柱状の凸部パターン（３２）を形成する工程。
（ｆ）金型（８１）を用いて、凸部パターン（３２）及びパッド（３１ａ）の一部を開口部（１２）に押し込み、絶縁基材（１１）の他方の面にボールランド（３１ｃ）を形成する工程。
（ｆ）銅箔（３１）をパターニング処理して、パッド（３１ａ）及び配線層（３１ｂ）を形成する工程。
（ｇ）絶縁基材（１１）のパッド（３１ａ）及び配線層（３１ｂ）面にソルダーレジスト層（４２）を形成し、パターニング処理してソルダーレジストパターン（４２ａ）を形成する工程。
（ｈ）パッド（３１ａ）及びボールランド（３１ｃ）上にめっきを行い、めっき被膜が形成されたボールランド（５１）及びパッド（５２）を形成する工程。
【請求項４】
少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする請求項１記載の半導体装置用基板の製造方法。
（ａ）絶縁基材（１１）の片面に接着剤層（２１）を形成する工程。
（ｂ）接着剤層（２１）が形成された絶縁基材（１１）の所定位置を孔開け加工して開口部（１２）を形成する工程。
（ｃ）開口部（１２）が形成された接着剤層（２１）面に所定厚の銅箔（３１）を積層する工程。
（ｄ）銅箔（３１）をパターニング処理して、パッド（３１ａ）及び配線層（３１ｂ）を形成する工程。
（ｅ）パッド（３１ａ）上に円柱状の凸部パターン（３２）を形成する工程。
（ｆ）金型（８１）を用いて、凸部パターン（３２）及びパッド（３１ａ）の一部を開口部（１２）に押し込み、絶縁基材（１１）の他方の面にボールランド（３１ｃ）を形成する工程。
（ｇ）絶縁基材（１１）のパッド（３１ａ）及び配線層（３１ｂ）面にソルダーレジスト層（４２）を形成し、パターニング処理してソルダーレジストパターン（４２ａ）を形成する工程。
（ｈ）パッド（３１ａ）及びボールランド（３１ｃ）上にめっきを行い、めっき被膜が形成されたボールランド（５１）及びパッド（５２）を形成する工程。
【請求項５】
前記開口部の直径をＡ、前記銅箔の厚さをＢ、銅箔面側から押込む金型のポンチまたは円柱状の凸部パターンの直径をＣとした時、Ａ≒２Ｂ＋Ｃなる条件が満たされていることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を外部基板に接続する際の接続媒体となる半導体装置用基板に関し、特に接続ピッチが狭小化された片面配線の半導体装置用基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近テープキャリアを用いたＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）及びＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケージ）用の半導体装置用基板が高密度実装を目的としたチップサイズＬＳＩパッケージ分野に利用されるようになってきた。
高密度実装対応の半導体装置用基板はパッド及びボールランドの径及びピッチは益々狭小化の傾向にある。
図９（ａ）に、従来の半導体装置用基板の構成例を示す。これは、絶縁基材１１の一方の面にパッド６２が、他方の面にボールランド６１が形成されており、パッド６２及びボールランド６１はソルダーレジストもしくは絶縁層４７にて樹脂開口部が形成されたものである。
外部基板との接続ピッチが狭小化された半導体装置用基板においては、パッド６２及びボールランド６１の開口径Ｄに対してソルダーレジストもしくは絶縁層４７の厚みｔが相対的に大きくなることから、該開口部にはんだボールを接続しようとすると、はんだボールがパッドに接触しない確率が指数的に増大し、接続不良を引き起こし易いという問題を有している。
この接続不良を少しでも緩和するため、特開平１０―４１３５６号公報では、銅めっき等の方法で樹脂開口部に金属を析出させ、パッド表面位置を樹脂開口部の表面付近まで高くすることによって、はんだボール接続を安定化させる工夫が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、樹脂開口部の深さは５０μｍかそれ以上あるものがほとんどで、それに対応するめっき厚を確保するためには６０〜１２０分程度めっきを行わなければならず、樹脂開口部の位置によってめっき厚が１．５〜２倍程度ばらつくこともあり、めっきコストや品質面で十分なものとは言えなかった。更に、めっき時間を短縮するために電流密度を上げると、めっき厚ばらつきは一層増大し、はんだボールが安定して接続できない、または、めっき厚の開口部と開口部からめっきが溢れてオーバーハングを起こす開口部が共存することもあったり、めっき表面に異様に凹凸が形成されてはんだボールの接続に悪影響を及ぼすこともあるなど、品質は更に低下する傾向が見られる。
【０００４】
本発明は上記問題点に鑑み考案されたもので、ボールランド径、ピッチの狭小化に対してはんだボールの実装が容易に、確実にできるボールランドを有する半導体装置用基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明において上記課題を達成するために、まず請求項１においては、樹脂フィルム等からなる絶縁基材の一方の面に配線層及びパッドが、他方の面にボールランドが形成された半導体装置用基板において、前記絶縁基材に設けられた開口部に前記パッド表面側から導体を押込んだ状態で前記パッドと反対位置に前記ボールランドが形成されていることを特徴とする半導体装置用基板としたものである。
【０００６】
また、請求項２においては、少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする請求項１記載の半導体装置用基板の製造方法としたものである。
（ａ）絶縁基材１１の片面に接着剤層２１を形成する工程。
（ｂ）接着剤層２１が形成された絶縁基材１１の所定位置を孔開け加工して開口部１２を形成する工程。
（ｃ）開口部１２が形成された接着剤層２１面に所定厚の銅箔３１を積層する工程。
（ｄ）金型８１を用いて、銅箔３１側より型押しして、銅箔３１を開口２１に押し込み、絶縁基材１１の他方の面にボールランド３１ａを形成する工程。
（ｅ）銅箔３１をパターニング処理してパッド３１ａ及び配線層３１ｂを形成する工程。
（ｆ）絶縁基材１１のパッド３１ａ及び配線層３１ｂ面にソルダーレジスト層４２を形成し、パターニング処理して、ソルダーレジストパターン４２ａを形成する工程。
（ｇ）パッド３１ａ及びボールランド３１ｃ上にめっきを行い、めっき被膜が形成されたボールランド５１及びパッド５２を形成する工程。
【０００７】
また、請求項３においては、少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする請求項１記載の半導体装置用基板の製造方法としたものである。
（ａ）絶縁基材１１の片面に接着剤層２１を形成する工程。
（ｂ）接着剤層２１が形成された絶縁基材１１の所定位置を孔開け加工して開口部１２を形成する工程。
（ｃ）開口部１２が形成された接着剤層２１面に所定厚の銅箔３１を積層する工程。
（ｅ）銅箔３１上に円柱状の凸部パターン３２を形成する工程。
（ｆ）金型８１を用いて、凸部パターン３２及び銅箔３１を開口部１２に押し込み、絶縁基材１１の他方の面にボールランド３１ｃを形成する工程。
（ｆ）銅箔３１をパターニング処理して、パッド３１ａ及び配線層３１ｂを形成する工程。
（ｇ）絶縁基材１１のパッド３１ａ及び配線層３１ｂ面にソルダーレジスト層４２を形成し、パターニング処理してソルダーレジストパターン４２ａを形成する工程。
（ｈ）パッド３１ａ及びボールランド３１ｃ上にめっきを行い、めっき被膜が形成されたボールランド５１及びパッド５２を形成する工程。
【０００８】
また、請求項４においては、少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする請求項１記載の半導体装置用基板の製造方法としたものである。
（ａ）絶縁基材１１の片面に接着剤層２１を形成する工程。
（ｂ）接着剤層２１が形成された絶縁基材１１の所定位置を孔開け加工して開口部１２を形成する工程。
（ｃ）開口部１２が形成された接着剤層２１面に所定厚の銅箔３１を積層する工程。
（ｄ）銅箔３１をパターニング処理して、パッド３１ａ及び配線層３１ｂを形成する工程。
（ｅ）パッド３１ａ上に円柱状の凸部パターン３２を形成する工程。
（ｆ）金型８１を用いて、凸部パターン３２及びパッド３１ａの一部を開口部１２に押し込み、絶縁基材１１の他方の面にボールランド３１ｃを形成する工程。
（ｇ）絶縁基材１１のパッド３１ａ及び配線層３１ｂ面にソルダーレジスト層４２を形成し、パターニング処理してソルダーレジストパターン４２ａを形成する工程。
（ｈ）パッド３１ａ及びボールランド３１ｃ上にめっきを行い、めっき被膜が形成されたボールランド５１及びパッド５２を形成する工程。
【０００９】
さらにまた、請求項５においては、前記開口部の直径をＡ、前記銅箔の厚さをＢ、銅箔面側から押込む金型のポンチまたは円柱状の凸部パターンの直径をＣとした時、Ａ≒２Ｂ＋Ｃなる条件が満たされていることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置用基板の製造方法としたものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態につき説明する。
図１（ａ）に、絶縁基材１１の一方の面にパッド３１ａ及び配線層３１ｂが形成された半導体装置用基板の途中工程の模式平面図を、図１（ｂ）に、本発明の半導体装置用基板１００の一方の面から見た模式平面図を、図１（ｃ）は、図１（ｂ）の模式平面図をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図を、図２は、本発明の半導体装置用基板１００の他方の面から見た模式平面図をそれぞれ示す。
請求項１に係る本発明の半導体装置用基板は、図１（ｃ）からも分かるように、めっき被膜が形成されたボールランド５１は絶縁基材１１の他方の面の同一面に形成されるので、ソルダーレジストもしくは絶縁層等で樹脂開口部を設ける必要も無く、ボールランドの径、ピッチが狭小化しても、半田ボールの実装が容易に、且つ確実にできる。
【００１１】
以下、本発明の半導体装置用基板の作製方法について説明する。
図３（ａ）〜（ｈ）、図４（ｉ）〜（ｋ）に請求項２に係る半導体装置用基板の製造方法の一例を、図５（ａ）〜（ｈ）、図６（ｉ）〜（ｍ）に請求項３に係る半導体装置用基板の製造方法の一例を、図７（ａ）〜（ｈ）、図８（ｉ）〜（ｍ）に請求項４に係る半導体装置用基板の製造方法の一例をそれぞれ示す。
請求項２に係る半導体装置用基板の製造方法は、図３（ａ）〜（ｈ）、図４（ｉ）〜（ｋ）に示すように、絶縁基材１１上に形成された銅箔３１を金型８１にて絶縁基材１１の一方の面から開口部１２に押し込み、絶縁基材１１の他方の面にボールランド３１ａを一定間隔で形成したものである。
以下図面を用いて詳細に説明する。
【００１２】
まず、ポリイミドもしくはエポキシ樹脂等の樹脂フィルムからなる絶縁基材１１の片面に接着剤層２１を形成し（図３（ａ）参照）、絶縁基材１１の両端をパンチングで穿孔して搬送用のスプロケットホールを形成し、さらに、絶縁基材１１及び接着剤層２１の所定位置をパンチングして開口部１２を形成する（図３（ｂ）参照）。
【００１３】
次に、所定厚の片面粗化処理を施した銅箔３１を開口部１２が形成された絶縁基材１１に加熱ロールラミネーターで貼り合わせる（図３（ｃ）参照）。
次に、銅箔３１が積層された絶縁基材１１を平坦なプレス台８３上に載置し、押さえ型枠８２で銅箔３１及び絶縁基材１１を押さえ、ポンチ８１ａを有する金型８１を位置合わせして（図３（ｄ）参照）、加圧する。銅箔３１は絶縁基材１１の開口部１２に押し込まれ、絶縁基材１１の他方の面にボールランド３１ｃが形成される（図３（ｅ）参照）。
ここで、金型８１のポンチ８１ａの高さは、絶縁基材１１、接着剤層２１及び銅箔３１の厚みの総和にしておくとプレス後のボールランド３１ａの表面と絶縁基材１１の他方の面とを面一にできる。
【００１４】
次に、レジストを塗布するか、ドライフィルムを積層する等の方法で、銅箔３１上に感光層４１を形成し（図３（ｆ）参照）、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン４１ａを形成する（図３（ｇ）参照）。さらに、レジストパターン４１ａをマスクにして、塩化第２鉄溶液で銅箔３１をエッチングし、レジストパターンを剥離して、絶縁基材１１の一方の面にパッド３１ａ及び配線層３１ｂを形成する（図３（ｈ）参照）。
【００１５】
次に、ソルダーレジストをパッド３１ａ及び配線層３１ｂ面にスクリーン印刷等で塗布し、乾燥してソルダーレジスト層４２を形成し（図４（ｉ）参照）、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、パッド３１ａ上に開口部を有するソルダーレジストパターン４２ａを形成する（図４（ｊ）参照）。
【００１６】
次に、パッド３１ａ及びボールランド３１ｃ上に電解ニッケル及び金めっきを行い、ニッケル及び金被膜を形成し、ニッケル及び金被膜が形成されたボールランド５１及びニッケル及び金被膜が形成されたパッド５２を有する半導体装置用基板１００を得ることができる（図４（ｋ）参照）。
【００１７】
請求項３に係る半導体装置用基板の製造方法は、図５（ａ）〜（ｈ）、図６（ｉ）〜（ｍ）に示すように、絶縁基材１１の銅箔３１上に形成された凸部パターン４３ａを金型８１にて絶縁基材１１の一方の面から開口部１２に押し込み、絶縁基材１１の他方の面にボールランド３１ｃを一定間隔で形成したものである。
以下図面を用いて詳細に説明する。
【００１８】
まず、ポリイミドもしくはエポキシ樹脂等の樹脂フィルムからなる絶縁基材１１の片面に接着剤層２１を形成し（図５（ａ）参照）、絶縁基材１１の両端をパンチングで穿孔して搬送用のスプロケットホールを形成し、さらに、絶縁基材１１及び接着剤層２１の所定位置をパンチングして開口部１２を形成する（図５（ｂ）参照）。ここで、接着剤層２１の形成は、ポリイミドもしくはエポキシ樹脂等の樹脂フィルムにあらかじめ接着剤層を形成したものが市販されているので、それを用いると好都合である。
【００１９】
次に、所定厚の片面粗化処理を施した銅箔３１を開口部１２が形成された絶縁基材１１に加熱ロールラミネーターで貼り合わせる（図５（ｃ）参照）。
【００２０】
次に、レジストを塗布するか、ドライフィルムを積層するかの方法で、銅箔３１上に感光層４３を形成し（図５（ｄ）参照）、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、銅箔３１上の所定位置に円柱状の凸部パターン４３ａを形成する（図５（ｅ）参照）。
ここで、凸部パターン４３ａは樹脂パターンで形成したがこれに限定されず、導体、絶縁体いずれの材料も使用可能で、開口部１２に凸部パターンを金型で押し込む際に圧力に耐えるだけの硬さ特性を備えていればよい。
【００２１】
次に、円柱状の凸部パターン４３ａが形成された絶縁基材１１を平坦なプレス台８３上に載置し、押さえ型枠８２で銅箔３１及び絶縁基材１１を押さえつけ、ポンチ８１ｂを有する金型８１を位置合わせして（図５（ｆ）参照）、加圧する。円柱状の凸部パターン４３ａ及び銅箔３１は絶縁基材１１の開口部１２に押し込まれ、絶縁基材１１の他方の面にボールランド３１ｃが形成される（図５（ｇ）参照）。
ここで、金型８１のポンチ８１ｂの高さは、押さえ型枠８２の厚みとほぼ同じにしておくとプレス後のボールランド３１ｃの表面と絶縁基材１１の他方の面とを面一にできる。
【００２２】
次に、レジストを塗布するか、ドライフィルムを積層するかの方法で、銅箔３１上に感光層４１を形成し（図５（ｈ）参照）、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン４１ａを形成し（図６（ｉ）参照）、さらに、レジストパターン４１ａをマスクにして、塩化第２鉄溶液等で銅箔３１をエッチングし、レジストパターン４１ａを剥離して、絶縁基材１１の一方の面にパッド３１ａ及び配線層３１ｂを形成する（図６（ｊ）参照）。
【００２３】
次に、ソルダーレジストをパッド３１ａ及び配線層３１ｂ面にスクリーン印刷等で塗布し、乾燥してソルダーレジスト層４２を形成し（図６（ｋ）参照）、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、パッド３１ａ上に開口部を有するソルダーレジストパターン４２ａを形成する（図６（ｌ）参照）。
【００２４】
次に、パッド３１ａ及びボールランド３１ｃ上に電解ニッケル及び金めっきを行い、ニッケル及び金被膜を形成し、ニッケル及び金被膜が形成されたボールランド５１及びニッケル及び金被膜が形成されたパッド５２を有する半導体装置用基板２００を得ることができる。
【００２５】
請求項４に係る半導体装置用基板の製造方法は、図７（ａ）〜（ｈ）、図８（ｉ）〜（ｍ）に示すように、絶縁基材１１のパッド３１ａ上に形成された凸部パターン３２を金型８１にて絶縁基材１１の一方の面から開口部１２に押し込み、絶縁基材１１の他方の面にボールランド３１ｃを一定間隔で形成したものである。
以下図面を用いて詳細に説明する。
【００２６】
まず、ポリイミドもしくはエポキシ樹脂等の樹脂フィルムからなる絶縁基材１１の片面に接着剤層２１を形成し（図７（ａ）参照）、絶縁基材１１の両端をパンチングで穿孔して搬送用のスプロケットホールを形成し、さらに、絶縁基材１１及び接着剤層２１の所定位置をパンチングして開口部１２を形成する（図７（ｂ）参照）。
【００２７】
次に、所定厚の片面粗化処理を施した銅箔３１を開口部１２が形成された絶縁基材１１に加熱ロールラミネーターで貼り合わせる（図７（ｃ）参照）。
次に、レジストを塗布するか、ドライフィルムを積層する等の方法で、銅箔３１上に感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成し、さらに、レジストパターンをマスクにして、塩化第２鉄溶液等で銅箔３１をエッチングし、レジストパターンを剥離して、絶縁基材１１の一方の面にパッド３１ａ及び配線層３１ｂを形成する（図７（ｄ）参照）。
【００２８】
次に、レジストを塗布するか、ドライフィルムを積層するかの方法で、パッド３１ａ及び配線層３１ｂ上に感光層４４を形成し（図７（ｅ）参照）、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、パッド３１ａ上に開口部４５を有するめっきレジストパターン４４ａ及び絶縁基材１１の他方の面にめっきレジスト層４６を形成する（図７（ｆ）参照）。
【００２９】
次に、パッド３１ａをカソードにして電解銅めっきを行い、開口部４５に銅をめっきして導体を形成し（図７（ｇ）参照）、めっきレジストパターン４４ａを剥離処理して、パッド３１ａ上に銅の導体からなる円柱状の凸部パターン３２を形成する（図７（ｈ）参照）。
ここで、凸部パターン３２は、導体、絶縁体いずれの材料でも使用可能で、絶縁基材１１の開口部１２に凸部パターンを金型で押し込む際の圧力に耐えるだけの硬さ特性を備えていればよい。
【００３０】
次に、めっきレジスト層４６を剥離処理してから、パッド３１ａ上に円柱状の凸部パターン３２が形成された絶縁基材１１を平坦なプレス台８３上に載置し、押さえ型枠８２でパッド３１ａ、配線層３１ｂ及び絶縁基材１１を押さえつけ、ポンチ８１ｂを有する金型８１を位置合わせして（図８（ｉ）参照）、加圧する。円柱状の凸部パターン３２及びパッド３１ａの一部は絶縁基材１１の開口部１２に押し込まれ、絶縁基材１１の他方の面にボールランド３１ｃが形成される（図８（ｊ）参照）。
ここで、金型８１のポンチ８１ｂの高さは、押さえ型枠８２の厚みとほぼ同じにしておくとプレス後のボールランド３１ｃの表面と絶縁基材１１の他方の面とを面一にできる。
【００３１】
次に、パッド３１ａ及び配線層３１ｂ面にソルダーレジストをスクリーン印刷等で塗布し、乾燥してソルダーレジスト層４２を形成し（図８（ｋ）参照）、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、パッド３１ａ上に開口部を有するソルダーレジストパターン４２ａを形成する（図８（ｌ）参照）。
【００３２】
次に、パッド３１ａ及びボールランド３１ｃ上に電解ニッケル及び金めっきを行い、ニッケル及び金被膜を形成し、ニッケル及び金被膜が形成されたボールランド５１及びニッケル及び金被膜が形成されたパッド５２を有する半導体装置用基板３００を得ることができる。
【００３３】
請求項５に係る半導体装置用基板の製造方法は、上記銅箔３１またはパッド３１ａ及び円柱状の凸部パターンを絶縁基材１１の開口部１２に押し込む際、開口部１２の直径をＡ、銅箔３１の厚さをＢ、金型８１のポンチ８１ａの直径もしくは凸部パターン３２の直径をＣとしたとき、Ａ≒２Ｂ＋Ｃの関係式が満たされていると、銅箔３１及びパッド３１ａの一部が絶縁基材１１の開口部１２に押し込まれてボールランド３１ｃが形成される際、密着性に優れたボールランド３１ｃが得られるようにしている。
【００３４】
【実施例】
以下実施例により本発明を詳細に説明する。
＜実施例１＞
まず、片側にエポキシ樹脂系接着剤層（タイプＸ（商品名）：巴川製紙所製）２１が形成された５０μｍ厚のポリイミド樹脂フィルム（ユーピレックスＳ（商品名）：宇部興産製）からなる絶縁基材１１の両側に搬送用のスプロケットホールをパンチングで穿孔し、続けて、パンチングにて５００μｍピッチで３００μｍφの開口部１２を形成した（図３（ａ）及び（ｂ）参照）。
【００３５】
次に、１８μｍ厚の片面粗化処理銅箔（ＦＱ−ＶＬＰ（商品名）：三井金属鉱業製）３１と接着剤層２１を加熱しながらロールラミネーターにて貼り合わせた（図３（ｃ）参照）。
次に、銅箔３１が積層された絶縁基材１１を平坦なプレス台８３上に載置し、押さえ型枠８２で銅箔３１及び絶縁基材１１を押さえ、２００μｍφのポンチ８１ａを有する金型８１を位置合わせして（図３（ｄ）参照）、加圧した。銅箔３１は絶縁基材１１の開口部１２に押し込まれ、絶縁基材１１の他方の面にボールランド３１ｃが形成された（図３（ｅ）参照）。
【００３６】
次に、表面を洗浄し、ラミネーターでドライフィルムを銅箔３１面に貼り合わせて感光層４１を形成し（図３（ｆ）参照）、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン４１ａを形成した（図３（ｇ）参照）。さらに、レジストパターン４１ａをマスクにして、塩化第２鉄溶液で銅箔３１をエッチングし、レジストパターンを剥離して、絶縁基材１１の一方の面に４００μｍφのパッド３１ａ及び配線層３１ｂを形成した（図３（ｈ）参照）。
【００３７】
次に、ソルダーレジスト（ＰＳＲ４０００（商品名）：太陽インキ製）をパッド３１ａ及び配線層３１ｂ面にスクリーン印刷で塗布し、乾燥してソルダーレジスト層４２を形成し（図４（ｉ）参照）、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、パッド３１ａ上に開口部を有するソルダーレジストパターン４２ａを形成した（図４（ｊ）参照）。
【００３８】
次に、パッド３１ａ及びボールランド３１ｃ上に電解ニッケル及び金めっきを行い、約２μｍ厚のニッケル及び約０．５μｍ厚の金被膜を形成し、ニッケル及び金被膜が形成されたボールランド５１及びニッケル及び金被膜が形成されたパッド５２を有する半導体装置用基板１００を得た（図４（ｋ）参照）。
【００３９】
＜実施例２＞
まず、片側にエポキシ樹脂系接着剤層（タイプＸ（商品名）：巴川製紙所製）２１が形成された５０μｍ厚のポリイミド樹脂フィルム（ユーピレックスＳ（商品名）：宇部興産製）からなる絶縁基材１１の両側に搬送用のスプロケットホールをパンチングで穿孔し、続けて、パンチングにて５００μｍピッチで３００μｍφの開口部１２を形成した（図５（ａ）及び（ｂ）参照）。
【００４０】
次に、１８μｍ厚の片面粗化処理銅箔（ＦＱ−ＶＬＰ（商品名）：三井金属鉱業製）３１と接着剤層２１を加熱しながらロールラミネーターにて貼り合わせた（図５（ｃ）参照）。
次に、ソルダーレジスト（ＰＳＲ４０００（商品名）：太陽インキ製）を銅箔３１上にスクリーン印刷で塗布し、乾燥してソルダーレジスト層４３を形成し（図５（ｄ）参照）、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、銅箔３１上の所定位置に２００μｍφの円柱状の凸部パターン４３ａを形成した（図５（ｅ）参照）。
【００４１】
次に、銅箔３１上に円柱状の凸部パターン４３ａが形成された絶縁基材１１を平坦なプレス台８３上に載置し、押さえ型枠８２で銅箔３１及び絶縁基材１１を押さえ、ポンチ８１ｂを有する金型８１を位置合わせして（図５（ｆ）参照）、加圧した。凸部パターン４３ａ及び銅箔３１は絶縁基材１１の開口部１２に押し込まれ、絶縁基材１１の他方の面にボールランド３１ｃが形成された（図５（ｇ）参照）。
【００４２】
次に、表面を洗浄し、ラミネーターでドライフィルムを銅箔３１面に貼り合わせて感光層４１を形成し（図５（ｈ）参照）、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン４１ａを形成した（図６（ｉ）参照）。さらに、レジストパターン４１ａをマスクにして、塩化第２鉄溶液で銅箔３１をエッチングし、レジストパターンを剥離して、絶縁基材１１の一方の面に４００μｍφのパッド３１ａ及び配線層３１ｂを形成した（図６（ｊ）参照）。
【００４３】
次に、ソルダーレジスト（ＰＳＲ４０００（商品名）：太陽インキ製）をパッド３１ａ及び配線層３１ｂ面にスクリーン印刷で塗布し、乾燥してソルダーレジスト層４２を形成し（図６（ｋ）参照）、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、パッド３１ａ上に開口部を有するソルダーレジストパターン４２ａを形成した（図６（ｌ）参照）。
【００４４】
次に、パッド３１ａ及びボールランド３１ｃ上に電解ニッケル及び金めっきを行い、約２μｍ厚のニッケル及び約０．５μｍ厚の金被膜を形成し、ニッケル及び金被膜が形成されたボールランド５１及びニッケル及び金被膜が形成されたパッド５２を有する半導体装置用基板２００を得た（図６（ｍ）参照）。
【００４５】
＜実施例３＞
まず、片側にエポキシ樹脂系接着剤層（タイプＸ（商品名）：巴川製紙所製）２１が形成された５０μｍ厚のポリイミド樹脂フィルム（ユーピレックスＳ（商品名）：宇部興産製）からなる絶縁基材１１の両側に搬送用のスプロケットホールをパンチングで穿孔し、続けて、パンチングにて３００μｍφの開口部１２を形成した（図７（ａ）及び（ｂ）参照）。
【００４６】
次に、１８μｍ厚の片面粗化処理銅箔（ＦＱ−ＶＬＰ（商品名）：三井金属鉱業製）３１と接着剤層２１を加熱しながらロールラミネーターにて貼り合わせた（図７（ｃ）参照）。
次に、表面を洗浄し、ロールコーターでポジ型レジストを銅箔面に塗布して感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクにして、塩化第２鉄溶液で銅箔３１をエッチングし、レジストパターンを剥離して、絶縁基材１１の一方の面に７００μｍφのパッド３１ａ及び配線層３１ｂを形成した（図７（ｄ）参照）。
【００４７】
次に、めっき液耐性のあるドライフィルム（ニチゴーモートン製）を貼り合わせて感光層４４を形成し（図７（ｅ）参照）、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、２００μｍφの開口部４５を有するめっきレジストパターン４４ａを形成した。さらに、めっき液耐性のあるドライフィルムを絶縁基材１１の他方の面に貼り合わせてめっきレジスト層４６を形成した（図７（ｆ）参照）。
【００４８】
次に、電解銅めっきを行って、開口部４５に銅の導体を形成し（図７（ｇ）参照）、めっきレジストパターン４４ａを剥離して、パッド３１ａ上に銅からなる円柱状の凸部パターン３２を形成した（図７（ｈ）参照）。
【００４９】
次に、めっきレジスト層４６を剥離処理してから、パッド３１ａ上に円柱状の凸部パターン３２が形成された絶縁基材１１を平坦なプレス台８３上に載置し、押さえ型枠８２で銅箔３１及び絶縁基材１１を押さえつけ、ポンチ８１ｂを有する金型８１を位置合わせして（図８（ｉ）参照）、加圧した。凸部パターン３２及びパッド３１ａの一部は絶縁基材１１の開口部１２に押し込まれ、絶縁基材１１の他方の面にボールランド３１ｃが形成された（図８（ｊ）参照）。
【００５０】
次に、ソルダーレジスト（ＰＳＲ４０００（商品名）：太陽インキ製）をパッド３１ａ及び配線層３１ｂ面にスクリーン印刷で塗布し、乾燥してソルダーレジスト層４２を形成し（図８（ｋ）参照）、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、パッド３１ａ上に開口部を有するソルダーレジストパターン４２ａを形成した（図８（ｌ）参照）。
【００５１】
次に、パッド３１ａ及びボールランド３１ｃ上に電解ニッケル及び金めっきを行い、約２μｍ厚のニッケル及び約０．５μｍ厚の金被膜を形成し、ニッケル及び金被膜が形成されたボールランド５１及びニッケル及び金被膜が形成されたパッド５２を有する半導体装置用基板３００を得た（図８（ｍ）参照）。
【００５２】
実施例１〜３で得られた半導体装置用基板に３５０μｍφのはんだボールを搭載して実装評価を行ったところ、はんだボール欠落が発生しないことが確認された。
【００５３】
【発明の効果】
本発明の半導体装置用基板はボールランドが絶縁基材の他方の面と同一面に形成されているので、ボールランド周辺にソルダーレジストもしくは絶縁層等で樹脂開口部を設ける必要が無く、ボールランドの径、ピッチが狭小化しても、半田ボールの接続、実装が確実に容易にできる。
また、ボールランドの形成にあたっては、金属板絞り加工技術を応用した銅箔押し込みによって作製しているため、大幅な工程時間の短縮が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の半導体装置用基板の途中工程の基板を一方の面から見た模式平面図である。
（ｂ）は、本発明の半導体装置用基板を一方の面から見た模式平面図である。（ｃ）は、（ｂ）の模式平面図をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。
【図２】本発明の半導体装置用基板を他方の面から見た模式平面図である。
【図３】（ａ）〜（ｈ）は、請求項２に係る半導体装置用基板の製造工程の一部を工程順に示す模式構成断面図である。
【図４】（ｉ）〜（ｋ）は、請求項２に係る半導体装置用基板の製造方法である工程の一部を工程順に示す模式構成断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｈ）は、請求項３に係る半導体装置用基板の製造方法である工程の一部を工程順に示す模式構成断面図である。
【図６】（ｉ）〜（ｍ）は、請求項３に係る半導体装置用基板の製造方法である工程の一部を工程順に示す模式構成断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｈ）は、請求項４に係る半導体装置用基板の製造方法である工程の一部を工程順に示す模式構成断面図である。
【図８】（ｉ）〜（ｍ）は、請求項４に係る半導体装置用基板の製造方法である工程の一部を工程順に示す模式構成断面図である。
【図９】（ａ）は、従来の半導体装置用基板の一例を示す模式構成部分断面図である。
（ｂ）は、（ａ）を部分拡大した説明図である。
【符号の説明】
１１……絶縁基材
１２……開口部
２１……接着剤層
３１……銅箔
３１ａ……パッド
３１ｂ……配線層
３２、４３ａ……凸部パターン
３１ｃ……ボールランド
４１、４３、４４……感光層
４１ａ……レジストパターン
４２……ソルダーレジスト層
４２ａ、４７……ソルダーレジストパターン
４４ａ……レジストパターン
４５……開口部
４６……めっきレジスト層
５１、６１……めっき皮膜が形成されたボールランド
５２、６２……めっき被膜が形成されたパッド
８１……金型
８１ａ、８１ｂ……ポンチ
８２……押さえ型枠
８３……プレス台
１００、２００、３００……半導体装置用基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004095821.tif 000009
【図８】
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【図９】
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