(57)【要約】【課題】半導体素子の拡散層に抵抗素子を面積効率よく形成し、半導体素子の大型化を防ぐ。【解決手段】半導体素子の第２の半導体領域（２）は、複数の電極（５〜７）に接続された複数の電極領域（１０〜１２）間を接続する連続的又は間欠的な環状に形成された抵抗領域（１３，１４）を形成する。第２の半導体領域（２）は、半導体層（２０）の深さ方向（拡散方向）には半導体領域として作用し、深さ方向と直角な半導体層（２０）の主面（２０ａ）と並行な方向には抵抗素子として作用する。第１の半導体領域（１）の単位面積に対し第２の半導体領域（２）の長さを増大（面積効率の向上）させて、複数の電極領域（１０〜１２）間で十分に大きな抵抗値の抵抗領域（１３，１４）を形成できる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、該半導体層の主面上に互いに離間して形成された複数の電極とを備え、
前記半導体層は、第１の半導体領域と、該第１の半導体領域に隣接して形成され且つ前記第１の半導体領域とは異なる導電型の第２の半導体領域とを備え、
前記第２の半導体領域に前記複数の電極を接続した半導体素子において、
前記第２の半導体領域は、前記複数の電極に接続された複数の電極領域と、該電極領域間を接続する抵抗領域とを有し、
前記抵抗領域は、連続的又は間欠的な環状に形成されることを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記半導体層の主面を被覆し且つ開口部を有する絶縁層を備え、
前記複数の電極の電極部は、前記絶縁層の開口部を通じて前記第２の半導体領域の電極領域に接続され、
前記電極は、前記絶縁層の主面を被覆する放熱面を形成し、
前記第２の半導体領域は、前記抵抗領域に接続され且つ前記抵抗領域よりも幅の広い半導体領域を有し、前記半導体層の深さ方向には能動素子を形成する半導体領域として作用し、前記半導体層の深さ方向と直角な前記半導体層の主面と並行な方向には抵抗素子として作用する請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記第２の半導体領域は、前記第１の半導体領域の主面の上部で略渦状に形成された第１の抵抗領域を有し、
前記複数の電極領域は、前記第１の抵抗領域の一端側に前記半導体領域を介して形成された第１の電極領域と、前記第１の抵抗領域の他端側に形成された第２の電極領域とを有する請求項１又は２に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記第２の半導体領域は、前記第１の抵抗領域から分岐して形成された第２の抵抗領域を有し、
前記第２の抵抗領域は、略渦状に形成された前記第１の抵抗領域の内周側に形成される請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子、特に、小面積で拡散層内に形成できる抵抗領域を有する半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ダイオード等の能動素子とこの能動素子に電気的に接続された抵抗素子とを一体的に集積した半導体素子は公知である。例えば、下記の特許文献１は、多数の半導体層を形成した半導体基板の上面に、絶縁層を介して多結晶シリコンから成る薄膜の抵抗素子を設けた半導体素子を示す。多結晶シリコン抵抗素子を形成するには、イオン注入及び複雑な微細加工技術を必要とする。また、高抵抗値の抵抗を得るためには比較的大きな面積を必要とする多結晶シリコン抵抗素子は、半導体素子の大型化を招来する。特に、集積度の低い半導体素子では、抵抗素子による半導体素子の大型化が大きな問題となる。また、下記の特許文献２に示されるように、半導体基板内に形成された拡散層に抵抗素子を形成する拡散抵抗が提案されている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平７−３２６７７２号公報（図１、第２頁）
【特許文献２】
特公昭５１−２２７９４号公報（図５−ｂ、第３頁）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
高抵抗値を有する拡散抵抗素子は、形状が大きくなるため、半導体素子を十分に小型化することはできない。また、電力用半導体素子では、抵抗素子に比較的大きな電流が流れて発熱が生じ、これにより半導体素子の電気的特性が変動して、所定の特性が得られない問題が発生する。このように、拡散抵抗により抵抗素子を形成する従来の半導体素子では、高抵抗値の抵抗素子を設けると、半導体素子が大型化すると共に、大型化した半導体素子の抵抗素子に発生する熱により半導体素子の電気的特性が変動する欠点があった。
そこで、本発明は、小面積で高抵抗値の抵抗素子を集積できる半導体素子を提供することを目的とする。また、本発明は、抵抗素子に発生する熱を効果的に外部に放出して電気的特性の変動を防止した半導体素子を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明による半導体素子は、半導体層（２０）と、半導体層（２０）の主面（２０ａ）上に互いに離間して形成された複数の電極（５〜７）とを備えている。半導体層（２０）は、第１の半導体領域（１）と、第１の半導体領域（１）に隣接して形成され且つ第１の半導体領域（１）とは異なる導電型の第２の半導体領域（２）とを備え、第２の半導体領域（２）に複数の電極（５〜７）が接続される。第２の半導体領域（２）は、複数の電極（５〜７）に接続された複数の電極領域（１０〜１２）と、電極領域（１０〜１２）間を接続する抵抗領域（１３，１４）とを有する。第２の半導体領域（２）の抵抗領域（１３，１４）を連続的又は間欠的な環状に形成することにより、第１の半導体領域（１）の単位面積に対し第２の半導体領域（２）の長さを増大（面積効率の向上）させて、複数の電極領域（１０〜１２）間で十分に大きな抵抗値の抵抗素子を形成できる。また、抵抗領域（１３，１４）の長さを調整することにより所定の抵抗値に容易に設定できる。更に、第２の半導体領域（２）は、半導体層（２０）の深さ方向には能動素子を形成する半導体領域として作用し、半導体層（２０）の深さ方向と直角な半導体層（２０）の主面（２０ａ）と並行な方向には抵抗素子として作用するので、半導体素子が大型化せずに、抵抗素子を内蔵する高耐圧半導体素子を形成できる。
【０００６】
【発明の実施の形態】
次に、双方向ダイオードに適用した本発明による半導体素子の実施の形態を図１〜図４について説明する。
本発明による半導体素子は、半導体層（２０）と、半導体層（２０）の主面（２０ａ）を被覆し且つ開口部（４ｂ）を有する絶縁層（４）と、半導体層（２０）の主面（２０ａ）及び絶縁層（４）上に形成された複数の電極（５〜７）と、半導体層（２０）の他面（２０ｂ）に形成される接地電極（８）とを備えている。複数の電極（５〜７）は、間隙部（１５）により互いに分離して形成される。半導体層（２０）は、例えば、Ｎ−型半導体領域である第１の半導体領域（１）と、第１の半導体領域（１）の上面に隣接して形成され且つ第１の半導体領域（１）とは異なる導電型であるＰ＋型半導体領域の第２の半導体領域（２）と、第１の半導体領域（１）に隣接して第１の半導体領域（１）の下面に形成され且つ第１の半導体領域（１）とは異なる導電型であるＰ＋型半導体領域である第３の半導体領域（３）とを備える。第２の半導体領域（２）と第３の半導体領域（３）とは同一導電型であり、第１の半導体領域（２）及び第３の半導体領域（３）と第１の半導体領域（１）とは異なる導電型である。
【０００７】
開口部（４ｂ）を有する絶縁層（４）は、第１の半導体領域（１）、第２の半導体領域（２）及び第３の半導体領域（３）の上面を被覆し、絶縁層（４）の上面に互いに分離して形成される複数の電極（５〜７）は、絶縁層（４）の複数の開口部（４ｂ）を通じて第２の半導体領域（２）に形成される複数の電極領域（１０〜１２）にそれぞれ接続される。第２の半導体領域（２）は、複数の電極（５〜７）に接続された複数の電極領域（１０〜１２）間を接続する複数の抵抗領域（１３，１４）と、能動素子を構成する半導体領域（１９）とを形成する。細長い連続的な抵抗体層を形成する第２の半導体領域（２）は、第１の電極領域（１０）〜第３の電極領域（１２）でそれぞれ第１の電極（５）〜第３の電極（７）に接続され、第１の電極領域（１０）と第２の電極領域（１１）との間は、連続的又は間欠的な環状に形成される第１の抵抗領域（１３）により接続される。また、第１の電極領域（１０）と第３の電極領域（１２）との間は、第１の抵抗領域（１３）と第１の抵抗領域（１３）に接続された第２の抵抗領域（１４）とにより接続される。第１の抵抗領域（１３）及び第２の抵抗領域（１４）は、高い抵抗値を有するように細長い帯状に形成される。図１に示す実施の形態では、第１の抵抗領域（１３）は、半導体層（２０）の主面（２０ａ）に第１の半導体領域（１）に隣接して同心の略渦状に形成される。
【０００８】
第１の電極領域（１０）と第２の電極領域（１１）との間には、電極領域（１０〜１２）と比較して大きな面積を有し且つ第２の半導体領域（２）の中で半導体層（２０）の厚み方向に比較的大きな電流を流すことができる略矩形状の半導体領域（１９）が形成される。半導体領域（１９）及び電極領域（１０〜１２）の角部は、電界集中を緩和する湾曲接合部（２ｄ）が設けられる。
【０００９】
複数の電極（５〜７）の電極部（５ａ〜７ａ）は、絶縁層（４）の開口部（４ｂ）を通じて第２の半導体領域（２）の電極領域（１０〜１２）に接続され、電極（５〜７）は、絶縁層（４）の主面（４ａ）の略全体を被覆する放熱面を形成する。複数の電極（５〜７）の放熱面により第２の半導体領域（２）の抵抗領域（１３，１４）、半導体領域（１９）及び電極領域（１０〜１２）で発生した熱を絶縁層（４）を介して複数の電極（５〜７）から効果的に放出することができる。
複数の電極領域（１０〜１２）は、第１の半導体領域（１）の主面（１ａ）の上部で同心の略渦状に形成される第１の抵抗領域（１３）の一端（２ｂ）側に半導体領域（１９）を介して形成された第１の電極領域（１０）と、第１の抵抗領域（１３）の他端（２ｃ）側に形成された第２の電極領域（１１）と、第１の抵抗領域（１３）から分岐して形成された第２の抵抗領域（１４）に接続された第３の電極領域（１２）とを有する。第２の抵抗領域（１４）は、略渦状に形成された第１の抵抗領域（１３）の内周側に形成される。図１に示す実施の形態では、第１の電極領域（１０）は、略渦状に形成される第２の半導体領域（２）の内周側に設けられ、第２の電極領域（１１）は、第２の半導体領域（２）の外周側に設けられる。第１の電極領域（１０）に接続された電極（５）は略矩形に形成され、第２の半導体領域（２）の半導体領域（１９）及び抵抗領域（１３，１４）の略全体を被覆する。
【００１０】
半導体層（２０）は、例えば、第３の半導体領域（３）を構成する厚さ２００μｍ程度のＮ−型シリコンウエーハに、第１の半導体領域（１）を構成する厚さ４０μｍ程度のエピタキシャル層が設けられた基板を出発母材として形成される。図示しないが、次に、周知のフォトリソグラフィ技術により所定の形状を有する拡散マスクを基板の主面に被覆する。拡散マスクに形成された開口には、半導体領域（１９）、抵抗領域（１３，１４）及び電極領域（１０〜１２）を形成する部分の第１の半導体領域（１）の上面が露出している。続いて、この拡散マスクの開口を通じて第１の半導体領域（１）の主面（１ａ）にＰ型不純物を拡散して１５μｍ程度の厚みで第２の半導体領域（２）を形成する。第３の半導体領域（３）のうち半導体層（２０）の主面（２０ａ）に露出する部分も、第２の半導体領域（２）と同様に不純物拡散によって形成する。このように、第１の半導体領域（１）をエピタキシャル成長層によって形成することによって、双方向ダイオードを構成する２つのダイオードの耐圧を略同じにすることができる。
【００１１】
図１及び図２に示すように、第１の半導体領域（１）に隣接する第３の半導体領域（３）の主面（３ａ）は、下面から上方に向けて末広がりとなる傾斜状の縁部（３ｂ）を通じて半導体層（２０）の主面（２０ａ）に露出する。第３の半導体領域（３）の縁部（３ｂ）は、第１の半導体領域（１）を包囲して半導体層（２０）の外周縁に沿って環状に形成される。第１の半導体領域（１）の主面（１ａ）の中央側には第２の半導体領域（２）の主面（２ａ）が露出し、外周側には縁部（３ｂ）により第３の半導体領域（３）の主面（３ａ）が露出する。即ち、第１の半導体領域（１）は、第２の半導体領域（２）と第３の半導体領域（３）との間に形成され、図１に示すように、半導体層（２０）の主面（２０ａ）に島状に露出する。第３の半導体領域（３）は、半導体層（２０）の他面（２０ｂ）に露出して接地電極（８）に電気的に接続される。接地電極（８）は、例えば、アルミニウム等の金属膜をスパッタリング又は真空蒸着することにより第３の半導体領域（３）の底面に形成される。
【００１２】
第１の半導体領域（１）は、第２の半導体領域（２）及び第３の半導体領域（３）との界面に各々ＰＮ接合を形成し、第１の半導体領域（１）、第２の半導体領域（２）及び第３の半導体領域（３）によって双方向ダイオードのＰＮＰ構造が構成されている。図２及び図３に示すように、双方向ダイオード（９）は、アノード領域を形成する第２の半導体領域（２）とカソード領域を形成する第１の半導体領域（１）とにより構成される一方のダイオード（９ａ）と、アノード領域を構成する第３の半導体領域（３）とカソード領域を構成する第１の半導体領域（１）とにより形成される他方のダイオード（９ｂ）とを備える。ここで、図２は、図４に示す双方向ダイオード（９）のＡ−Ａ断面図を示す。
【００１３】
図１に示すように、第１の電極領域（１０）は、略渦状に形成される第１の抵抗領域（１３）の内周側の一端（２ｂ）に形成され、第２の電極領域（１１）は、外周側の他端（２ｃ）に形成される。第１の抵抗領域（１３）は、第１の電極領域（１０）と第２の電極領域（１１）との間に且つ第３の半導体領域（３）の縁部（３ｂ）に沿って環状に形成される。略渦状に形成された第１の抵抗領域（１３）の両端（２ｂ，２ｃ）に第１の電極領域（１０）及び第２の電極領域（１１）を形成することにより、第１の電極領域（１０）と第２の電極領域（１１）間の距離を延長でき、比較的大きな抵抗値を得ることができる。また、比較的大きな抵抗値を有する抵抗素子を小さなスペースに形成することができる。即ち、第１の半導体領域（１）の主面（１ａ）での第１の抵抗領域（１３）を有する第２の半導体領域（２）の面積効率が低下せず、高集積化が図られる。また、第２の半導体領域（２）の湾曲接合部（２ｅ）を大きい曲率で形成して、電界集中を良好に緩和することができる。半導体領域（１９）のみならず、第１、第２の抵抗領域（１３，１４）においても電界集中が生じると、半導体素子（双方向ダイオード）の耐圧が低下する。本実施の形態では、第１の抵抗領域（１３）を第３の半導体領域（３）の縁部（３ｂ）に沿って環状に且つ帯状に長く形成することにより、高抵抗値を得ると共に、電界集中を回避し、高耐圧を確保することができる。
【００１４】
第１の電極領域（１０）と半導体領域（１９）との間には、出島状に接続された第３の電極領域（１２）及び第２の抵抗領域（１４）が形成される。第２の抵抗領域（１４）は、第１の抵抗領域（１３）よりも短く形成され、第１の抵抗領域（１３）より低い抵抗値を有する。本実施の形態では、第２の抵抗領域（１４）の抵抗値を１５０〜３００Ωと設定し、第２の抵抗領域（１４）に対して長く形成された第１の抵抗領域（１３）を３〜６ｋΩと設定した。抵抗領域（１３，１４）の抵抗値は、抵抗領域（１３，１４）を構成する第２の半導体領域（２）の幅、長さ及び深さからなる寸法並びに不純物濃度により設定又は調整ができる。
【００１５】
第２の半導体領域（２）は、抵抗領域（１３，１４）に接続され且つ抵抗領域（１３，１４）よりも幅の広い半導体領域（１９）を有し、半導体層（２０）の深さ方向には能動素子を形成する半導体領域として作用し、半導体層（２０）の深さ方向と直角な半導体層（２０）の主面（２０ａ）と並行な方向には抵抗素子として作用する。第１の半導体領域（１）内に形成された第２の半導体領域（２）は、能動素子としての一方のダイオード（９ａ）を構成する半導体領域（１９）と、半導体領域（１９）の延長部に形成された２つの抵抗領域（１３，１４）と、半導体領域（１９）の延長部に形成された電極領域（１０〜１２）とを有する。半導体領域（１９）、抵抗領域（１３，１４）及び電極領域（１０〜１２）は、同一の不純物拡散工程により同時に一体的に形成される。即ち、本発明は、拡散抵抗である抵抗領域（１３，１４）が能動素子である一方のダイオード（９ａ）を構成する半導体領域（１９）と一体的に延長部として形成される特徴を有する。この構成により面積効率が向上し、素子の小型化が実現される。また、２つの抵抗領域（１３，１４）を一方のダイオード（９ａ）を構成する半導体領域（１９）と一体的に延長部分として形成する構造は、半導体素子の小型化を実現するだけに留まらず、抵抗領域（１３，１４）が一方のダイオード（９ａ）のアノード領域の一部として機能できる効果を有する。この結果、双方向ダイオードの電流容量を増大できる。
【００１６】
第１の半導体領域（１）、第２の半導体領域（２）及び第３の半導体領域（３）を被覆する絶縁層（４）は、電極領域（１０〜１２）に電極（５〜７）を接続するための開口部（４ｂ）を有し、例えば、半導体層（２０）の主面（２０ａ）を熱酸化して形成されたシリコン酸化膜から成る。図１に示す半導体層（２０）の主面（２０ａ）は、図４に示すように、絶縁層（４）を介して電極（５〜７）により被覆される。また、絶縁層（４）の主面（４ａ）を被覆して形成される電極（５〜７）の放熱面は、放熱面の間に各々形成された間隙部（１５）により絶縁層（４）の主面（４ａ）で互いに分離される。間隙部（１５）により放熱面の間で３つの電極（５〜７）が電気的に接触するのを防止できる。
【００１７】
電極（５〜７）は、周知のアルミニウム蒸着等の方法により形成され、それぞれ一方のダイオード（９ａ）のアノード電極、第１及び第２の抵抗領域（１３，１４）の電極を構成する。アルミニウム等の熱伝導率の高い金属膜である放熱面は、抵抗領域（１３，１４）、半導体領域（１９）及び電極領域（１０〜１２）等の領域の放熱体として機能する。よって、第２の半導体領域（２）の抵抗領域（１３，１４）、半導体領域（１９）及び電極領域（１０〜１２）、更には第１及び第３の半導体領域（１，３）で発生した熱を絶縁層（４）を介して３つの電極（５〜７）の放熱面から効果的に放出することができる。また、略渦状に形成することにより抵抗領域（１３，１４）は拡張されるので、抵抗領域（１３，１４）、半導体領域（１９）及び電極領域（１０〜１２）の熱を半導体層（２０）の主面（２０ａ）の広範囲から外部に放出できる。本実施の形態では、抵抗領域（１３，１４）に比較的大きな電流が流れても、放熱面により熱を良好に放出させることができ、抵抗値の変動や半導体素子の特性変動が防止される。
【００１８】
本発明を双方向ダイオードに適用した本実施の形態は、２００Ｖの耐圧を保証する双方向ツェナーダイオードであり、前述のように、１５０〜３００Ωの低抵抗と、３〜６ｋΩの高抵抗を内蔵する。通常動作時は、第１の電極領域（１０）から第２の電極領域（１１）間、第１の電極領域（１０）から第３の電極領域（１２）間は抵抗として働き、２００Ｖ以上の過電圧が印加された時は、双方向ダイオードがオンしてバックメタルとしての接地電極（８）を通じて電流を流すことができる。
【００１９】
第２の半導体領域（２）の抵抗領域（１３，１４）を連続的又は間欠的な同心の環状に形成することにより、第１の半導体領域（１）の単位面積に対し第２の半導体領域（２）の長さを増大（面積効率の向上）させて、複数の電極領域（１０〜１２）間で十分に大きな抵抗値の抵抗素子を形成できる。また、抵抗領域（１３，１４）の長さを調整することにより所定の抵抗値に容易に設定できる。更に、第２の半導体領域（２）は、半導体層（２０）の深さ方向に能動素子を形成する半導体領域として作用し、半導体層（２０）の深さ方向と直角な半導体層（２０）の主面（２０ａ）と並行な方向に抵抗素子として作用するので、半導体素子が大型化せずに、抵抗素子を内蔵する高耐圧半導体素子を形成できる。
【００２０】
本発明では、前記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。実施の形態では、図３に示すように、抵抗値の異なる２つの抵抗領域（１３，１４）とを備えた双方向ダイオードに本発明を適用したが、単方向ダイオード、サイリスタ、トランジスタ、パワーＩＣ等の異なる形態の半導体素子に適用してもよい。
【００２１】
また、抵抗領域（１３，１４）、半導体領域（１９）及び電極領域（１０〜１２）は、同一の不純物拡散工程により同時に一体的に形成することにより、低コスト化及びリードタイムの短縮化が図れるが、同時形成でない場合も本発明の範囲に含まれる。電極（５〜８）を形成する材料はアルミニウムに限定されず、より熱伝導率の高い導電材料により形成し、抵抗領域（１３，１４）、半導体領域（１９）及び電極領域（１０〜１２）の放熱性を向上することも可能である。更に、抵抗領域（１３，１４）等の領域を覆う絶縁層（４）に熱伝導率の高い物質を混合して、抵抗領域（１３，１４）等の領域の放熱性を更に向上することができる。第２の半導体領域（２）に設けられた抵抗領域（１３，１４）は、渦状のパターンに限定されず、本発明の特徴である連続的又は間欠的な環状に含まれる範囲であれば、抵抗値の設定等の条件により適宜の変更が可能である。
【００２２】
本実施の形態の半導体素子では、下記の作用効果が得られる。
［１］  第２の半導体領域（２）の３つの電極領域（１０〜１２）間の距離を略渦状に延長し、第１の半導体領域（１）内で面積効率よく拡張された抵抗領域（１３，１４）を形成できる。
［２］  よって、高抵抗値の抵抗領域（１３，１４）を比較的小さい占有面積で形成できる。
［３］  抵抗領域（１３，１４）も能動素子の一部として作用させることができるので、双方向ダイオード（９）の電流容量を増大できる。
［４］  抵抗領域（１３，１４）の長さにより容易に抵抗値を設定でき、設計自由度が高い。
［５］  第２の半導体領域（２）の抵抗領域（１３，１４）、半導体領域（１９）及び電極領域（１０〜１２）で発生した熱を絶縁層（４）を介して電極（５〜７）の放熱面から効果的に放出することができる。
［６］  抵抗領域（１３，１４）を略渦状に形成して第２の半導体領域（２）は拡張されるので、抵抗領域（１３，１４）、半導体領域（１９）及び電極領域（１０〜１２）の熱を第１の半導体領域（１）の広範囲から外部に放出できる。
［７］  抵抗領域（１３，１４）が略渦状に長く形成されるので、抵抗領域（１３，１４）のシート抵抗を例えば、５０Ω／□以下の比較的小さな表面抵抗率に設定しても抵抗値の高い抵抗が得られる。このため、抵抗温度特性が０．１％／℃程度の高抵抗領域を拡散抵抗によって形成することができる。
【００２３】
【発明の効果】
以上のように本発明では、高抵抗の抵抗素子を集積した小面積の半導体素子を提供することができる。また、半導体素子や抵抗素子に発生する熱を効果的に外部に放出して電気的特性の変動を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図４の双方向ダイオードの半導体層の主面を示す平面図
【図２】図４の双方向ダイオードのＡ−Ａ断面図
【図３】図４の双方向ダイオードの電気回路図
【図４】本発明が適用された双方向ダイオードの平面図
【符号の説明】
（１）・・第１の半導体領域（Ｎ−型半導体領域）、  （２）・・第２の半導体領域（Ｐ＋型半導体領域）、  （２ｂ）・・一端、  （２ｃ）・・他端、  （３）・・第３の半導体領域（Ｐ＋型半導体領域）、  （４）・・絶縁層、  （４ａ）・・主面、  （５〜７）・・電極、  （５ａ〜７ａ）・・電極部、  （１０）・・第１の電極領域、  （１１）・・第２の電極領域、  （１２）・・第３の電極領域、  （１３）・・第１の抵抗領域、  （１４）・・第２の抵抗領域、  （１５）・・間隙部、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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