(57)【要約】【課題】熱伝導率が高く、かつ熱膨張係数が高いリッド型放熱基板を提供する。【解決手段】Ａｌ−ＳｉＣ系の半導体放熱基板であって、半導体放熱基板は、ＳｉＣを５０〜８０質量％、珪素とＡｌを含む複合材料で構成され、矩形枠内に底部を有する形状のリッド型放熱基板であり、底面の内底面の平面度が対角方向の１ｍｍあたり０．５μｍ以下である半導体放熱基板である。また、本発明は、ＳｉＣを５０〜８０質量％、珪素とＡｌを含む複合材料をリッド型に成形する成形工程と、その成形体をＡｌの融点以下の温度で焼結する焼結工程と、焼結体を熱間鍛造する熱間鍛造工程を含む半導体放熱基板の製造方法を提供するものである。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌ−ＳｉＣ系の半導体放熱基板において、前記半導体放熱基板は、ＳｉＣを５０〜８０質量％、珪素とＡｌを含む複合材料で構成され、矩形枠内に底部を有する形状のリッド型放熱基板であり、前記底部の内底面の平面度が対角方向の１ｍｍあたり０．５μｍ以下であることを特徴とする半導体放熱基板。
【請求項２】
前記半導体放熱基板の表面が熱間鍛造されたままであることを特徴とする請求項１に記載の半導体放熱基板。
【請求項３】
前記珪素が複合材料の０．０５〜１質量％であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体放熱基板。
【請求項４】
前記ＳｉＣの平均粒経が、４〜５０μｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体放熱基板。
【請求項５】
リッド深さｄのバラツキ範囲が±５０μｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体放熱基板。
【請求項６】
前記リッドの内底面の対角の大きさＬ３が３０ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体放熱基板。
【請求項７】
リッド深さｄと底部厚さｔの和（ｄ＋ｔ）ｍｍを基板の上面の面積（Ｌ１ｍｍ×Ｌ２ｍｍ）で割った値が０．０００１〜０．００４ｍｍ−１であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の半導体放熱基板。
【請求項８】
ＳｉＣを５０〜８０質量％、珪素とＡｌを含む複合材料をリッド型に成形する成形工程と、その成形体をＡｌの融点以下の温度で焼結する焼結工程と、焼結体を熱間鍛造する熱間鍛造工程を含むことを特徴とする半導体放熱基板の製造方法。
【請求項９】
前記熱間鍛造工程において、雰囲気が大気中であることを特徴とする請求項８に記載の半導体放熱基板の製造方法。
【請求項１０】
前記熱間鍛造工程において、熱間鍛造の温度が６５０℃〜８００℃であることを特徴とする請求項８〜９のいずれかに記載の半導体放熱基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれかに記載の半導体放熱基板を搭載したパッケージ。
【請求項１２】
請求項１〜７のいずれかに記載の半導体放熱基板を搭載した半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置に有用な放熱基板、特に主成分がＳｉＣ、珪素とＡｌを含む複合材料で構成された放熱基板、その製造方法、及びそれを用いたパッケージ、半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子は年々高性能化、高機能化が進み、それに応じて半導体素子を搭載するパッケージの形態もいろいろに変遷してきている。このうち、入出力端子数の増大に対応する図４に示すパッケージ構造が用いられるようになった。この構造では、半導体素子４と半導体パッケージ１０の接合をフリップチップ実装（Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ）を使った方式で行っているのが特徴である。この構造のものでは板状の放熱基板５と、それを支えるスティフナー（Ｓｔｉｆｆｎｅｒ）６といわれる枠状の金属部材が使用される。放熱基板等のパッケージ用部材には、軽量で優れた熱伝導性を有するとともに、形状の多様化に対応可能なものが要求される。最近熱伝導性に優れ、軽量な炭化珪素（以下ＳｉＣという）と、アルミニウム（以下Ａｌという）を組み合わせた複合材（以下この複合材をＡｌ−ＳｉＣという）が注目されている。
【０００３】
特許文献１には、液相焼結法によって得られ、その熱伝導率が１８０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上のＡｌ−ＳｉＣ系複合材料が開示されている。この複合材料は、例えば１０〜７０重量％の粒子状ＳｉＣ粉末とＡｌ粉末との混合粉末を成形した後、９９％以上の窒素を含み、酸素濃度が２００ｐｐｍ以下、露点が−２０℃以下の非酸化性雰囲気中、６００〜７５０℃で焼結する工程によって得られる。そして、非酸化性雰囲気においてさらに再圧縮したり、再圧縮後にさらに加熱処理をすることができることが開示されている。これらの目的は、寸法精度の向上と、残存した気孔を除去し緻密化を図ることにある。
【０００４】
特許文献２は、常圧焼結法とＨＩＰ法とを組み合わせた複合材料の製造方法を提案している。それによれば、例えば粒子状ＳｉＣを１０〜７０重量％混合したＡｌ−ＳｉＣ系混合粉末の成形体を、窒素ガスを９９％以上含む非酸化性雰囲気中、６００℃以上、Ａｌの溶融温度以下の温度範囲で常圧焼結する。次に、金属容器に封入して７００℃以上の温度でＨＩＰすることによって、均質でその熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上のＡｌ−ＳｉＣ系複合材料が得られている。また、焼結後さらに熱間鍛造することも開示されている。熱間鍛造の目的は、熱伝導率が高く、かつ熱膨張係数が１０×１０−６／Ｋ以下のものを得ることにある。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１０−３３５５３８号公報
第２頁、第１２頁、第２２欄、６−１０行
【特許文献２】
特開平１１−３１０８４３号公報
第２頁、表３
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
半導体素子の性能向上により、半導体素子からの発熱量が増大している。半導体素子からの放熱は、例えば図４に示されているように、半導体素子４上に塗布された樹脂２を介して放熱基板５に伝えられる。放熱基板５に塗布された樹脂は、熱伝導率が放熱基板の１／１０〜１／２０程度とかなり低いので、樹脂２の厚さを薄くすることが必要である。図４で使用している単純な板状の放熱基板５、スティフナー６と半導体パッケージ１０で構成された半導体装置では、スティフナー６の両側の２箇所を樹脂２により接合するので高さを精度良く維持することが難しい。しかしながらリッド型放熱基板を用いると、接合箇所が１箇所になるので、より精度の出しやすい構造でありリッド型の形状の場合が有利となる。
【０００７】
しかしながら図１に示すようなリッド型放熱基板１を粉末冶金法によって製造する場合、内底面１３の平面度及びリッド深さのバラツキすなわち内底面１３からリッド足部９の高さのバラツキを精密に制御することが困難である。これは、リッド型放熱基板１のリッド足部９と底部８で厚さが異なるので、金型へ粉末を供給するときに各部の厚さに比例した粉末を供給するのが難しく、厚さの異なる境界などに歪やいわゆる引けが発生し寸法精度が悪い。すなわちＡｌ−ＳｉＣ系の複合材料を用いて内底面１３の平面度が対角方向の１ｍｍあたり０．５μｍ以下のリッド型放熱基板を製造するには、研削又は切削加工が必須の工程であった。
【０００８】
したがって、放熱基板として満足のいく価格性能比を持った製品は開示されていなかった。また、従来から行われてきた鋳造法、溶浸法、焼結法、ホットプレス法やそれらを組み合わせたいずれの方法でも価格性能比を満足する製品を得ることは困難であった。そこで本発明は、切削加工や研削加工をすることなく、安価で高い寸法精度を維持したＡｌ−ＳｉＣ系のリッド型放熱基板を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明では上記の課題を、まずリッド足部の密度を底部の密度より低くした焼結体であっても、次の熱間鍛造により底部からリッド足部に物質移動を起こして密度を均一化し、平面度を高めるという画期的手法を用いて解決したものである。
【００１０】
本発明は、Ａｌ−ＳｉＣ系の半導体放熱基板に関するもので、半導体放熱基板は、ＳｉＣを５０〜８０質量％、珪素とＡｌを含む複合材料で構成され、矩形枠内に底部を有する形状のリッド型放熱基板であり、底部の内底面の平面度が対角方向の１ｍｍあたり０．５μｍ以下である半導体放熱基板である。ここでいう平面度は、まず定盤上に置かれたリッド型放熱基板の内底面の対角線に沿って表面粗さ計で高さ方向の変位量を測定する。次に、その測定チャート上において開始点と終了点を直線で結び、その直線から最も離れた点までの距離を、測定した長さで割った値である。測定長さは、内底面の対角長さの半分以上とするのが望ましい。
【００１１】
そして本発明の方法は、ＳｉＣを５０〜８０質量％、珪素とＡｌを含む複合材料をリッド型に成形する成形工程と、その成形体をＡｌの融点以下の温度で焼結する焼結工程と、焼結体を熱間鍛造する熱間鍛造工程を含む半導体放熱基板の製造方法である。このような方法を採用することで、切削加工や研削加工が不要になり価格性能比の高い半導体放熱基板を提供することができる。そして、熱間鍛造の雰囲気は大気中が望ましい。
【００１２】
放熱基板に含有されるＳｉＣは５０〜８０質量％である。ＳｉＣの含有量が５０質量％より少ない場合は、鍛造時に大気中で焼結体の温度を上げた際にＡｌ合金の強度が低くなり、熱間鍛造時の製品取り扱いが難しくなる。また、ＳｉＣの含有量が８０質量％より大きい場合は、成形体を焼結する際、Ａｌ合金の成分量が少なくなり過ぎ、焼結することが難しいからである。また、この範囲にあれば、半導体放熱基板の熱膨張係数を１３×１０−６／Ｋ以下の範囲に保つことができる。
【００１３】
半導体放熱基板の表面は、熱間鍛造されたままであることが望ましい。一般的に、Ａｌの焼結体は色むらを生じ易く、焼結体や熱間鍛造したものは、その表面をバレル処理や軽くブラスト処理されるのが通常である。従ってここでいう熱間鍛造されたままとは、研削や切削をしない状態を意味し、バレル処理や軽くブラスト処理されるものを含む意味である。本発明においても、熱間鍛造品の角部のバリを取り、丸くする目的と上記の色むらを除去するためにバレル処理や軽いブラスト処理することが望ましい。このとき内底面の角などには色むらなどが残り、バレル処理やブラスト処理したことがわかる。
【００１４】
本発明の半導体基板および半導体の製造方法は、珪素を焼結体の０．０５〜１質量％含有していることが望ましい。Ａｌの中に溶融した珪素は、ＳｉＣとＡｌの濡れ性を高める働きと、溶湯の粘度を下げる働きがある。珪素の含有量が１質量％を越えると珪素分がＡｌと反応し、Ａｌ−Ｓｉ合金となり、融点が下がり、溶融金属の粘度が低くなる。その結果、熱間鍛造するときに焼結体を予備加熱するが、そのときにＡｌ−Ｓｉの溶湯が製品からにじみ出たり、また形状を保ちにくくなるとともに、熱間鍛造時に溶湯が金型から漏れる可能性がある。逆に、０．０５質量％未満の場合は、ＳｉＣとＡｌの濡れ性が不足し、また粘度が高くなり熱間鍛造に時間がかかる。
【００１５】
ＳｉＣの平均粒経が、４〜５０μｍの範囲にあることが望ましい。ＳｉＣは、焼結体の骨格をなすので成形や熱間鍛造のときの支えになる。熱間鍛造する前に予備加熱するとき、形状を維持できるのは実にこのＳｉＣの働きによるものである。ＳｉＣの平均粒度が５０μｍを越えると、熱間鍛造のときにＳｉＣが割れて製品の熱伝導率が下がる原因となる。また、４μｍ未満の場合は、成形体強度が不足する。
【００１６】
さらに本発明では、リッド深さｄがｄ０±５０μｍの範囲にあることが望ましい。ただしｄ０はリッド深さの平均値を示す。±５０μｍの範囲を超えると、パッケージや半導体装置に組み上げたとき、接合用の樹脂の厚さが厚くなり放熱性が悪くなる。
【００１７】
本発明のリッド型放熱基板は、放熱基板の内底面の対角長さＬ３が３０ｍｍ以上であることが好ましい。リッドの対角線長さＬ３によりリッドの大きさを定めたもので、細長い矩形から正方形まで各種のものを包含する。
【００１８】
図２を参照して、リッド深さｄと底部の厚さｔの和（ｄ＋ｔ）ｍｍを基板の上面７の面積（Ｌ１ｍｍ×Ｌ２ｍｍ）で割った値、（ｄ＋ｔ）／（Ｌ１×Ｌ２）の値が０．０００１〜０．００４ｍｍ−１の間にあることが望ましい。この数値の意味は、例えば基板の上面の面積が５０ｍｍ×５０ｍｍのとき、厚さが０．２５ｍｍから１０ｍｍの間が望ましいという意味である。さらに望ましい値は、底部の厚さｔが１〜４ｍｍ、リッドの深さｄが０．３〜０．９ｍｍの範囲である。
【００１９】
本発明の方法において熱間鍛造は、大気中で温度は６５０〜８００℃の範囲が望ましい。６５０℃未満では、Ａｌ合金の粘度が低い。一方、８００℃を越えると、製品内のＡｌの粘度が低くなり過ぎ、製品からＡｌが溶出しやすくなり、また金型にくっつきやすくなる。
【００２０】
本発明は、さらに前述したリッド型放熱基板を搭載したパッケージを提供するものである。また、本発明は、前述のリッド型放熱基板を搭載した、高い価格性能比を有する半導体装置を提供するものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明のリッド型放熱基板は、矩形枠の中の底に枠の高さより薄い板状体をはめ込んだいわゆる蓋の形状をしている。この発明では、枠のことをリッド足部、板状体のことを底部と呼んでいる。本発明の途中で得られる図１、図２に示すような焼結体は、焼結体のリッド足部９の密度を低くし、それ以外の底部８の密度を高くした多孔質の焼結体である。この焼結体は、余肉の逃げ場所を多孔質部に備えている。従って、熱間鍛造により物質移動を起こしリッド足部９と底部８の密度を均一にした後にゆがみが発生せず、機械加工や研削加工が不要な製品となる。なお、本発明においてリッド足部９とは、足部底面１１から基板の上面７に至る部分のことである。
【００２２】
本発明のリッド型放熱基板は、放熱基板の内底面の対角長さＬ３が３０ｍｍ以上、足の幅Ｗ１、Ｗ２は１〜１０ｍｍが好ましい。リッドの大きさを内底面の対角線長さＬ３により規定した。また本発明では成形用金型や鍛造用金型を用いるので、各部の角部は金型の角部に対応して約０．５ｍｍのアールや０．５ｍｍの面取りをしてある。
【００２３】
本発明のリッド型放熱基板は以下のようにして製造される。まず、主成分としてＳｉＣ、珪素とＡｌを含む混合粉末を調製する。次に、図３（Ａ）に示す断面形状の金型に粉末２４を入れる。このとき、粉末はスプレードライヤーにより造粒されているので、金型の中に粉末を充填した時点では、金型の空間に均等に供給される。次に、上杵２１を下方に、また下杵２３を上方に動かして粉末２４を臼２２の中で圧縮して図３（Ｂ）の状態にする。このとき、リッド足部９と底部８の圧縮率が異なるので、成形密度の差が生じる。技術的に言えば、臼２２と上杵２１、下杵２３を成形時に適切に動かすことで成形体自体のリッド足部９と底部８の密度差を小さくすることはできる。しかしながら、設備的に複雑となると共に、調整にも熟練度を必要とする。本発明はこのような課題を、熱間鍛造法を導入することで解決した。
【００２４】
リッド深さｄがｄ０±５０μｍの範囲にあることが望ましいとする具体的な理由を図面を用いて説明する。図１に示すように、半導体素子４を半田ボール３により半導体パッケージ１０に接合し、さらにリッド型放熱基板１を樹脂２により半導体素子４に接合する。樹脂の熱伝導率は、放熱基板の１／１０〜１／２０程度とかなり低いので、樹脂の厚さを極力薄くする必要がある。そのためには、リッド深さｄのバラツキを５０μｍ以下とすることが望ましい。また、リッド深さは、リッド型放熱基板を定盤の上に置き、ダイヤルゲージを用いて内底面１３から足部底面１１までの高さを測定して求める。内底面の反りの影響を極力減らすため、足部底面１１の測定点直下の内底面１３との高さの違いをリッド深さとするのが好ましい。
【００２５】
また、調製した粉末の嵩密度のコントロールが大切である。嵩密度は、０．９〜１．３ｇ／ｃｍ３が適している。嵩密度を０．９ｇ／ｃｍ３未満に調製することは難しい。また、嵩密度を１．３ｇ／ｃｍ３より大きくしたときには、成形時に粉末の移動が起こりにくく、底部は固まっているのにリッド足部は固まらず所望の成形体を得ることが出来ない。この得られた成形体を、窒素ガスを９９％以上含む非酸化性雰囲気中で、Ａｌの融点以下の温度範囲で常圧焼結し、焼結体を得る。
【００２６】
本発明の方法において、熱間鍛造の温度は６５０〜８００℃の範囲が望ましい。熱間鍛造の際、金型と製品はくっつき易いので金型にくっつき防止剤を塗布することが望ましい。本発明では、水にカーボンを浮遊させたものをスプレーで適量塗布し、水分を蒸発させる方法が最適と判断した。その他の方法としては窒化ホウ素を塗布する方法、また予め製品に窒化チタンを塗布しておく方法等がある。これらの表面付着物は後工程の表面処理工程で簡単に除去できる。
【００２７】
以上のように本発明の複合材料は、ＳｉＣを５０〜８０質量％含み、内底面の平面度が対角方向の１ｍｍあたり０．５μｍ以下である製品を安価に大量に製作することが可能となる。このような複合材料からなる半導体放熱基板は優れた熱伝導率と熱膨張率を有するので、パッケージや半導体装置に用いられる半導体素子やその周辺部材との整合性が良い。
【００２８】
（実施例１）
平均粒径１０μｍのＳｉＣ粒子と平均粒径５０μｍの溶湯噴射（アトマイズ）によるＳｉを０．５質量％含むＡｌ合金粉末を用意した。これらの粉末を、表１の原料配合組成で混合した。この混合粉末と１質量％のポリビニルアルコールを混合しさらに水を加え、スラリ−を製作した。このスラリーを窒素雰囲気のスプレードライヤーにて乾燥し、混合粉末を製作した。このときの粉末の嵩密度を測定したところ、各粉末とも０．９５〜１．０５ｇ／ｃｍ３の嵩密度であった。
【００２９】
この調製した粉末を用いて図２の形状の成形体を製作した。このようにして得られた成形体の、底部８とリッド足部９の密度を測定し、その差を求めて表１の密度差の欄に記載した。約１５〜２０％リッド足部の密度が低かった。図２の放熱基板の幅Ｌ１と長さＬ２が４０ｍｍで、内底面の対角長さＬ３が４０ｍｍ、リッド側面１２の厚さ（ｄ＋ｔ）が３．０ｍｍ、ｔが２．３ｍｍ、Ｗ１とＷ２が５．９ｍｍである。この成形体を窒素雰囲気のベルト炉にて６４５℃まで昇温し、３０分間キープして焼結し、次に降温し、焼結体を製作した。
【００３０】
【表１】
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【００３１】
次に得られた焼結体は、熱間鍛造機を用いて成形体と同じ形状となるように熱間鍛造した。熱間鍛造の条件は、圧力を８ｔｏｎ／ｃｍ２（７８４ＭＰａ）、保持時間を５秒間とし、温度を表１に示した。
【００３２】
得られたリッド型放熱基板をバレル処理したのち、各試料の密度、熱伝導率、熱膨張率、内底面の平面度を測定し、表２に示した。リッド深さｄのバラツキは、標準偏差をσとしたとき３σで評価し表２に示した。本発明のＳｉＣ量の範囲内では、内底面の平面度が１ｍｍあたり０．５μｍ以下となる片面に凹形状を有する目的とする製品を製作できた。各試料の密度、熱伝導率、熱膨張率、内底面平面度および３σは、いずれも良好な値であった。尚、密度については、各試料共に５個を測定した平均値である。
【００３３】
【表２】
2004288912.tif 000004
【００３４】
これらのリッド型放熱基板を、半導体パッケージに接合された半導体素子の上に樹脂で接合し半導体装置を作製した。その放熱特性は表２の測定結果から予想されるとおり優れていて、近年高性能化が著しい半導体素子の能力を十分発揮できる半導体装置を得ることができた。また、スティフナーを用いたものと比較すると、高い精度を実現しているため、高歩留まりで、実用的な信頼性を有する半導体装置を得ることができた。すなわち、価格性能比の極めて高い、半導体装置を実現することが可能となった。
【００３５】
（実施例２）
平均粒径３０μｍのＳｉＣ粒子と平均粒径２０μｍ市販のＡｌ粉末および市販の珪素粉末を用意した。これらの粉末を表３の質量ベースの各試料組成比率にて、混合した。この混合粉末を転造流動層に投入し、１０質量％ポリビニルアルコール水溶液を投入質量として全体の１質量％となるまで、スプレーにて流動層中の粉末に塗布することにより、調製した混合材料を製作した。このときの粉末の嵩密度を測定したところ、各粉末とも１．０５〜１．２０ｇ／ｃｍ３の嵩密度であった。この調製した粉末を用いて実施例１と同様に成型体を製作した。このようにして得られた成形体の、底部と足部の密度を測定し、その差を求めて表３の密度差の欄に記載した。約１５〜２０％足部の密度が低かった。
【００３６】
この成形体を窒素雰囲気のベルト炉にて６４５℃まで昇温し、３０分キープしたのち、降温し、焼結体を製作した。得られた焼結体は、実施例１と同様に大気中で熱間鍛造された。熱間鍛造の条件は、圧力が８ｔｏｎ／ｃｍ２（７８４ＭＰａ）、保持時間を５秒とし、温度を表３に示した。
【００３７】
【表３】
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【００３８】
以上の結果から以下のことが判る。本発明のＳｉＣ量の範囲内では、内底面の平面度が１ｍｍあたり０．５μｍ以下となる所望の製品を製作できる。又、得られた製品の内底面の平面度およびリッド深さｄを測定し実施例１と同様に標準偏差σを求めた。表４に示すように、各試料の密度、熱伝導率、熱膨張率、内底面平面度および３σは、いずれも良好な値であった。尚、密度については、各試料共に５個を測定した平均値である。
【００３９】
【表４】
2004288912.tif 000006
【００４０】
【発明の効果】
本発明は、Ａｌ−ＳｉＣ系の焼結体を熱間鍛造することにより、内底面の平面度が高く、リッド深さのバラツキが小さいリッド型放熱基板を提供する。上記のように寸法精度の高いリッド型放熱基板を半導体素子に樹脂接合するとき、樹脂層の厚さを薄くすることができる。接合に用いる樹脂は、熱伝導率が小さいのでこれを薄くすることにより、放熱効率を高めることができる。その上、本発明のリッド型放熱基板は、研削や切削しないので安価な放熱基板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明に係るリッド型放熱基板を用いた半導体装置の断面図である。
【図２】図２は、本発明に係るリッド型放熱基板を示し、（Ａ）はその底面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図３は、本発明に係るリッド型放熱基板を作製するための金型の動きを説明するための断面図で、図３（Ａ）は、粉末を供給した状態を示し、図３（Ｂ）は、成形した状態を示す断面図である。
【図４】従来の放熱基板であって、スティフナーを有する半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１    リッド型放熱基板
２    樹脂
３    半田ボール
４    半導体素子
５    放熱基板
６    スティフナー
７    基板の上面
８    底部
９    リッド足部
１０    半導体パッケージ
１１    足部底面
１２    リッド側面
１３    内底面
２１    上杵
２２    臼
２３    下杵
２４    粉末
Ｌ１、Ｌ２  放熱基板の幅と長さ
Ｌ３    内底面の対角長さ。
Ｗ１、Ｗ２  足の幅
ｄ    リッド深さ
ｔ    底部の厚さ
【図１】
2004288912.tif 000007
【図２】
2004288912.tif 000008
【図３】
2004288912.tif 000009
【図４】
2004288912.tif 000010