(57)【要約】【課題】スリットが切り込まれて周縁部が複数に分割されたダミー基板を水平ローラによって搬送する際に、このダミー基板の周縁部に段差を生じさせない。【解決手段】真空処理装置のセルフクリーニング時に、成膜すべき基板に代えて電極に固定されるダミー基板１０であって、その外周縁から中心部に向けて切り込まれることによって周縁部を複数に分割する複数のスリット１１と、これらスリット１１をそれぞれ跨ぐように取り付けられて、複数に分割された周縁部におけるスリット１１を挟んで互いに隣接するもの同士を、厚み方向でのズレが生じないように拘束する撓み防止部材１２とを備える。【選択図】　　　図２
2004111558.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の原料ガスが供給される真空容器内に設けられた一方の電極と、この一方の電極に相対向するように前記真空容器内に設けられるとともに、表面上に載置される基板の周縁部を押圧してこの基板を固定する導電性の押え板を備えた他方の電極とを有し、これら一方及び他方の電極間に高周波電圧を印加して両電極間に前記原料ガスのプラズマを形成することにより、前記基板の表面に前記原料ガスに基づく膜を形成する等の所定の処理を行う真空処理装置において、
前記基板の表面への成膜によって前記真空容器内の構成部材に付着した膜を、前記真空容器内にクリーニングガスを導入して形成したプラズマと反応させて除去するセルフクリーニングを行う際に、前記基板に代えて前記他方の電極に固定される導電性のダミー基板であって、
外周縁から中心部に向けて切り込まれることによって周縁部を複数に分割する複数のスリットと、
これらスリットをそれぞれ跨ぐように取り付けられて、前記複数に分割された周縁部における前記スリットを挟んで互いに隣接するもの同士を、厚み方向でのズレが生じないように拘束する撓み防止部材とを有していることを特徴とするダミー基板。
【請求項２】
所定の原料ガスが供給される真空容器内に設けられた一方の電極と、この一方の電極に相対向するように前記真空容器内に設けられるとともに、表面上に載置される基板の周縁部を押圧してこの基板を固定する導電性の押え板を備えた他方の電極とを有し、これら一方及び他方の電極間に高周波電圧を印加して両電極間に前記原料ガスのプラズマを形成することにより、前記基板の表面に前記原料ガスに基づく膜を形成する等の所定の処理を行う真空処理装置において、
前記基板の表面への成膜によって前記真空容器内の構成部材に付着した膜を、前記真空容器内にクリーニングガスを導入して形成したプラズマと反応させて除去するセルフクリーニングを行う際に、前記基板に代えて前記他方の電極に固定される導電性のダミー基板であって、
前記基板の外形寸法よりも基板搬送台車を用いた受渡し及び搬送が可能なかぎり小さい外形寸法に設定されているとともに、それらの寸法差が基板長の０．１〜０．２％の範囲内あるいはそれ以上に設定されていることを特徴とするダミー基板。
【請求項３】
所定の原料ガスが供給される真空容器内に設けられた一方の電極と、この一方の電極に相対向するように前記真空容器内に設けられるとともに、表面上に載置される基板の周縁部を押圧してこの基板を固定する導電性の押え板を備えた他方の電極とを有し、これら一方及び他方の電極間に高周波電圧を印加して両電極間に前記原料ガスのプラズマを形成することにより、前記基板の表面に前記原料ガスに基づく膜を形成する等の所定の処理を行う真空処理装置において、
前記基板の表面への成膜によって前記真空容器内の構成部材に付着した膜を、前記真空容器内にクリーニングガスを導入して形成したプラズマと反応させて除去するセルフクリーニングを行う際に、前記基板に代えて前記他方の電極に、請求項１または請求項２に記載のダミー基板が固定されていることを特徴とする真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空処理装置に関するものであり、とくに、太陽電池の素子を形成するための成膜を行うプラズマＣＶＤ装置などの大面積基板対応の真空処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
太陽電池の作製工程においては、基板の表面にアモルファスシリコン膜を形成する工程があり、このアモルファスシリコン膜は、通常プラズマＣＶＤ装置を用いて成膜している。
【０００３】
この種のプラズマＣＶＤ装置は、図４に示すように、真空容器１内に相対向するように設けられるとともに高周波電源２に接続された一対の電極３，４を有している。
そして、真空容器１内に、原料ガスとして、例えばシランガス（ＳｉＨ４）を供給するとともに、両電極３、４間に高周波（例えば１３．５６ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ）電圧を印加することにより、電極３，４間に原料ガスである主としてシランガス（ＳｉＨ４）のプラズマを形成し、このとき生成される原料ガスのラジカル（主としてＳｉＨ４ラジカル）を利用して、例えばガラスからなる矩形板状の基板５の表面にＳｉ膜を形成するのである。
【０００４】
また、一方の電極３は、原料ガスの供給手段としての機能も呈し、外部から供給される原料ガスが流入する中空部を有しているとともに、他方の電極４と相対向する面に形成された多数の孔３ａを有しており、これら孔３ａを介して電極３，４間に原料ガスを供給するようになっている。
より具体的に言うと、一方の電極３は、その両端部に位置して、高周波電源２からの高周波が給電される複数の給電位置を有するパイプ状をなす一対の給電棒３ｂ，３ｂと、これら一対の給電棒３ｂ，３ｂを電気的に接続するとともに上記の孔３ａが複数ずつ形成された複数の平行なパイプ部材３ｃとから構成されたラダー型ガスパイプ電極となっていて、ガス供給とプラズマ発生電極との２つの役割を兼ねている（ただし、今回の発明においては、電極３はガス供給とプラズマ発生電極の役割を兼ねても良いし、別々の機能を持つものを個々に設置したものでもよい）。
【０００５】
接地側にあたる他方の電極４は、その表面上に基板５が載置されるものであって、この基板５と電極４との密着性を良好に保持するため、基板５の周縁部に当接してこれを電極４側に押圧する導電性の押え板６を有している。
また、この電極４の裏面側には、相対向するようにヒータ７が設けられて、電極４がヒータ７で加温されるようになっている。これは、電極４を介して基板５を所定の温度に保持することにより、基板５の表面への膜の形成を容易かつ良質なものとするためである。なお、電極４は、プラズマに対するヒータカバーとしても機能する。
【０００６】
上述したようなプラズマＣＶＤ装置を用いた成膜時には、この真空容器１内の基板５以外の構成部材（例えば、電極３や、電極４の基板５で覆われていない部分及び押え板６）にもＳｉ膜が成膜され、このＳｉ膜は、所定の成膜処理毎に膜厚を増してゆき、ついには、真空容器１内の構成部材との熱膨張率の差により剥がれ落ちてしまう。
そして、これが、基板５の表面に成膜中の膜を損傷したり、欠陥を増加するなどの不具合を生じさせる原因となるおそれがあるため、このようなプラズマＣＶＤ装置においては、定期的にクリーニング処理を行い、基板５以外の構成部材に付着したＳｉ膜を除去してやる必要がある。
【０００７】
このときのクリーニング処理を、真空容器１の真空状態を開放して洗浄対象部品を予備部品と取り替えることなく、短時間に合理的に行う方式として、セルフクリーニング方式が提案されている。
セルフクリーニング方式とは、原料ガスの代わりに、クリーニングガスとして例えばＮＦ３などのＦ系ガスを真空容器１内に供給してから、電極３，４間にそのプラズマ（Ｆプラズマ）を形成し、これによって生成されるＦラジカルをＳｉ膜に作用させてＳｉＦ４のガスを生成して排気するものである。例えば、特許文献１参照。
このセルフクリーニングは、基板５がＳｉＯ２を主成分とするガラス基板であるとＦラジカルでエッチングされてしまうため、通常、基板５を電極４に固定しない状態で行われる。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００２−５７１１０号公報（第１３図など）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、クリーニングガスのプラズマを利用したセルフクリーニング処理において、一辺が１ｍを越える大面積の基板５を成膜の対象とするような真空処理装置の場合、同じく大面積となる電極３，４間にプラズマを均一に発生させることが難しく、とくに、プラズマ発生のための供給電力を２ｋｗ／ｍ２以上にしてプラズマ密度が高い状態にあるときには、Ｆ系ガスのＦプラズマが一旦発生した部分に集中し易くなるために、このＦプラズマが局在化し、クリーニング分布（クリーニングのむら）が発生し易かった。
一方、上述のようなプラズマ発生の局在化を抑制するためには、プラズマ密度を低くすれば良いが、こうすると、例えばクリーニングガスにＮＦ３ガスを用いた場合には、Ｓｉ膜に作用するＦラジカルの発生量が少なくなり、構成部材に付着したＳｉ膜のエッチングレートが低下して、クリーニング時間が長くなるという問題を生じてしまう。
【００１０】
そこで、本出願人は、特願２００２−２９００９号の出願明細書に示すように、成膜時には基板５を押え板６で固定する他方の電極４に対して、セルフクリーニング時に、単に基板５を固定していない状態にするだけでなく、この基板５に代えて、基板５と同形で例えばアルミなどの導電性金属からなるダミー基板を固定する技術を提案している。
これは、ダミー基板の周縁部を押圧している押え板６から一方の電極３までの距離と、ダミー基板の表面から一方の電極３までの距離とをほぼ同一にして、相対向する一対の電極３，４間の距離を均一化することによって、クリーニングガスのプラズマ均一化を狙ったものである。
さらに、この特願２００２−２９００９号の出願明細書には、面内温度分布に起因する熱座屈変形を抑制するため、ダミー基板の外周縁から中心部に向けて複数のスリットを切り込んで、このダミー基板の周縁部を複数に分割するようにした技術も提案されている。
【００１１】
ここで、上記のようなダミー基板をプラズマＣＶＤ装置に搬入する、あるいはプラズマＣＶＤ装置から搬出するときには、このダミー基板を水平ローラに載せて水平な状態に維持したまま搬送することになる。
しかしながら、搬送の際に水平ローラが接触するダミー基板の周縁部が、上述のように複数のスリットによって複数に分割されていると、この水平ローラが接触している部分（複数に分割された周縁部における一部分）のみが、水平ローラから加わる荷重によって撓んでしまい、この部分が、スリットを挟んで隣接する他の部分（複数に分割された周縁部における一部分）に対して厚み方向にズレてしまう。
それゆえ、水平ローラによって搬送途中のスリット付きダミー基板の周縁部には段差が生じてしまうこととなり、この段差によって、水平ローラを傷つけてしまうおそれがあった。
【００１２】
また、セルフクリーニング時におけるプラズマ発生のための供給電力が高い（２ｋｗ／ｍ２以上）状態が数十分と長く続いているときや、Ｓｉ膜を成膜後に早々とセルフクリーニングを実施したときなど、真空容器１内の構成部材の温度が上昇している場合には、アルミなどの導電性金属からなるダミー基板の温度も上昇して熱膨張した状態となっている。
ここで、セルフクリーニング時に用いた後のダミー基板は、基板搬送台車（本出願人による特願２００１−３５６２７６号の出願明細書）によって受渡し・搬送することになるのであるが、このような基板搬送台車における基板を支持する支持爪は構造上、わずかな距離範囲でしか可動できないため、熱膨張して大きくなったダミー基板を受け取って支持することができなくなってしまう。
そのため、基板搬送台車を用いて、セルフクリーニング後のダミー基板の受渡し・搬送ができるまでには、ダミー基板の温度が下がるまでの待機時間が数十分程度必要となり、時間の無駄が生じてしまうのであった。
【００１３】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、以下に示すような、真空処理装置のセルフクリーニング時に用いられるダミー基板及びこれが固定された真空処理装置を提供することを目的とする。
▲１▼スリットが切り込まれて周縁部が複数に分割されたダミー基板を水平ローラによって搬送する際に、このダミー基板の周縁部に段差を生じさせない。
▲２▼セルフクリーニング時に用いた後の熱膨張したダミー基板を、このダミー基板の温度が下がるまで待機することなく、ただちに基板搬送台車で受渡し・搬送する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決して、このような目的を達成するために、本発明によるダミー基板は、所定の原料ガスが供給される真空容器内に設けられた一方の電極と、この一方の電極に相対向するように前記真空容器内に設けられるとともに、表面上に載置される基板の周縁部を押圧してこの基板を固定する導電性の押え板を備えた他方の電極とを有し、これら一方及び他方の電極間に高周波電圧を印加して両電極間に前記原料ガスのプラズマを形成することにより、前記基板の表面に前記原料ガスに基づく膜を形成する等の所定の処理を行う真空処理装置において、前記基板の表面への成膜によって前記真空容器内の構成部材に付着した膜を、前記真空容器内にクリーニングガスを導入して形成したプラズマと反応させて除去するセルフクリーニングを行う際に、前記基板に代えて前記他方の電極に固定される導電性のダミー基板であって、外周縁から中心部に向けて切り込まれることによって周縁部を複数に分割する複数のスリットと、これらスリットをそれぞれ跨ぐように取り付けられて、前記複数に分割された周縁部における前記スリットを挟んで互いに隣接するもの同士を、厚み方向でのズレが生じないように拘束する撓み防止部材とを有していることを特徴とするものである。
このような構成とされた本発明によれば、複数のスリットによって複数に分割された周縁部に対して、上記のような撓み防止部材が取り付けられていることから、このスリット付きダミー基板を水平ローラによって搬送するときに、水平ローラとの接触によってダミー基板の周縁部における複数に分割された一部分に荷重が加わったとしても、他の部分に対する厚み方向でのズレを生じることがないので、この周縁部に段差が形成されることもなくなる。
【００１５】
また、本発明によるダミー基板は、所定の原料ガスが供給される真空容器内に設けられた一方の電極と、この一方の電極に相対向するように前記真空容器内に設けられるとともに、表面上に載置される基板の周縁部を押圧してこの基板を固定する導電性の押え板を備えた他方の電極とを有し、これら一方及び他方の電極間に高周波電圧を印加して両電極間に前記原料ガスのプラズマを形成することにより、前記基板の表面に前記原料ガスに基づく膜を形成する等の所定の処理を行う真空処理装置において、前記基板の表面への成膜によって前記真空容器内の構成部材に付着した膜を、前記真空容器内にクリーニングガスを導入して形成したプラズマと反応させて除去するセルフクリーニングを行う際に、前記基板に代えて前記他方の電極に固定される導電性のダミー基板であって、前記基板の外形寸法よりも基板搬送台車を用いた受渡し及び搬送が可能なかぎり小さい外径寸法に設定されているとともに、それらの寸法差が基板長の０．１〜０．２％の範囲内あるいはそれ以上（基板長が１ｍのときは１〜２ｍｍの範囲内あるいはそれ以上）に設定されていることを特徴とするものである。
このような構成とされた本発明によれば、成膜すべき基板の外形寸法よりも、基板搬送台車を用いた受渡し及び搬送が可能な範囲で小さくなるように外形寸法が設定されていることにより、熱膨張する前の状態でも、基板搬送台車で受渡し可能な最小限の外形寸法を維持できるのに加えて、セルフクリーニング時に用いた後の熱膨張した状態でも、基板搬送台車による受渡し可能な余裕代内に収まる外形寸法を維持することができて、ダミー基板の温度が下がるまで待機することなく、ただちに基板搬送台車で受渡し・搬送することができる。
【００１６】
また、本発明による真空処理装置は、所定の原料ガスが供給される真空容器内に設けられた一方の電極と、この一方の電極に相対向するように前記真空容器内に設けられるとともに、表面上に載置される基板の周縁部を押圧してこの基板を固定する導電性の押え板を備えた他方の電極とを有し、これら一方及び他方の電極間に高周波電圧を印加して両電極間に前記原料ガスのプラズマを形成することにより、前記基板の表面に前記原料ガスに基づく膜を形成する等の所定の処理を行う真空処理装置において、前記基板の表面への成膜によって前記真空容器内の構成部材に付着した膜を、前記真空容器内にクリーニングガスを導入して形成したプラズマと反応させて除去するセルフクリーニングを行う際に、前記基板に代えて前記他方の電極に、本発明のダミー基板が固定されていることを特徴とするものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を添付した図面を参照しながら説明する。
本実施形態による真空処理装置（プラズマＣＶＤ装置）は、上述した図４に示す真空処理装置と同様の構成をなすものであるが（同様の部分については、同一の符号を用いてその説明及び図面を省略する）、そのセルフクリーニング時において、例えばＳｉＯ２を主成分とするガラスからなる矩形板状の基板５に代えて、図１〜図３に示すような、例えばアルミなどの導電性金属からなるダミー基板１０を他方の電極４の表面上に載置して、導電性の押え板６によってその周縁部を電極４側に押圧することにより、このダミー基板１０を電極４に固定するようにしたものである。
【００１８】
このような真空処理装置においても、セルフクリーニング時に用いられるクリーニングガスとして、例えばＮＦ３などのＦ系ガスが、一方の電極３における複数の孔３ａを介して真空容器１内に供給される。
そして、一方の電極３における一対の給電棒３ｂ，３ｂに設けられた複数の給電位置に対して高周波電源２から供給される高周波を給電し、両電極３，４間に高周波電圧を印加してＦ系ガスのＦプラズマを形成することにより、Ｆラジカルが生成される。
このＦラジカルを除去すべきＳｉ膜に作用させ、ＳｉＦ４のガスを生成してから、これを排気することで、真空容器１内の構成部材に付着したＳｉ膜が除去されるのである。
【００１９】
本実施形態によるダミー基板１０は、その表面１０ａと電極３との間の距離を、電極３と押え板６との間の距離とほぼ同一にして、電極３，４間に形成される電界を可及的に均一にすることで、セルフクリーニング時に電極３、４間に形成されるプラズマの均一化を図るためのものである。
したがって、その材質としては、基本的に導電性でＦラジカルに対する耐蝕性が優れていれば制限はないが、本実施形態では、アルミが選択されている。これは、アルミ基板は、ガラス基板（成膜すべき基板５）と質量、熱量などの物性が類似し、ガラス基板と同様の感覚で使用できるのに加えて、Ｆラジカルに対する耐蝕性が良好であるという特徴を有するためである。なお、ガラス及びアルミの物性は、比重＝２．５／２．７、比熱＝０．２（ｋｃａｌ／ｋｇ・Ｋ）／０．２１（ｋｃａｌ／ｋｇ・Ｋ）である。
【００２０】
また、ダミー基板１０は、その一辺が１ｍを越えるような長方形板状（矩形板状）とされて、成膜すべき基板５と略同形に形成されているものであるが、このダミー基板１０の外形寸法は、成膜すべき基板５の外径寸法よりも、基板長の０．１〜０．２％の範囲内あるいはそれ以上で小さくなるように設定されている。つまり、長方形板状をなすダミー基板１０の一辺の寸法が、同じく略同形の長方形板状をなす基板５における対応する一辺の寸法よりも、基板搬送台車を用いた基板受渡しと基板搬送とが可能なかぎり小さく設定されていて、その寸法差が基板長の０．１〜０．２％の範囲内あるいはそれ以上に設定されているのである。
【００２１】
さらに、ダミー基板１０には、面内温度分布に起因する熱座屈変形を抑制するため、その外周縁をなす４つの各辺から中心部に向けて切り込まれた複数のスリット１１が形成されていて、これにより、ダミー基板１０における周縁部が複数に分割されている。
ダミー基板１０の４つの各辺のうち、同じ１つの辺から中心部に向けて切り込まれた複数のスリット１１は、この辺に対して略直交するとともに、互いに略平行かつ略等間隔に配置されており、辺の中央部側に位置しているものほど、その長さが長くなるように形成されている。
【００２２】
各スリット１１の長さは、基板長（スリット１１の長さ方向（切り込み方向）におけるダミー基板１０の長さ）の約１０％以上（基板長が１ｍを越える場合、約１００ｍｍ以上）であることが好ましく、また、互いに隣接する略平行なスリット１１同士の間の間隔は１００〜１５０ｍｍの範囲に設定されることが好ましく、さらに、各スリット１１の幅はプラズマ異常放電抑制のために１ｍｍ以下（より好ましくは、０．５ｍｍ以下）に設定されていることが好ましい。
【００２３】
また、ダミー基板１０には、４つの各辺から所定距離だけ中心部側へ離間した位置（水平ローラが接触する部分よりも中心部側）に、複数のスリット１１をそれぞれ跨ぐようにして、撓み防止部材１２が取り付けられている。
撓み防止部材１２は、導電性金属からなる帯状部材が、合計４箇所、約９０゜に屈曲されることにより、帯状部材の中央に位置する中央部１２ａと、帯状部材の両端に位置する一対の端部１２ｂ，１２ｂと、これら中央部１２ａと一対の端部１２ｂ，１２ｂとをそれぞれ接続する一対の接続部１２ｃ，１２ｃとから構成されている。
【００２４】
すなわち、撓み防止部材１２は、中央部１２ａにおける両端に、約９０゜の角度を介して、同一方向に向かって平行に延びる接続部１２ｃ，１２ｃがそれぞれ接続され、かつ、これら接続部１２ｃ，１２ｃの端に、約９０゜の角度を介して、互いに反対方向に向かって延びる端部１２ｂ，１２ｂがそれぞれ接続されたものであり、一対の端部１２ｂ，１２ｂが、略同一平面状に位置しているとともに、中央部１２ａに対して略平行に位置するようになっている。
【００２５】
この撓み防止部材１２を取り付けるため、ダミー基板１０には、４つの各辺から所定距離だけ中心部側へ離間し、スリット１１を挟んで互いに反対側に位置するとともに表面１０ａ及び裏面１０ｂに開口するような一対の貫通孔１３，１３が、各スリット１１に対応するようにそれぞれ形成されている。
一対の貫通孔１３，１３におけるダミー基板１０の表面１０ａへの２つの開口部付近には、これら一対の貫通孔１３，１３とスリット１１の一部分とが位置する部分を含むようにしてこの表面１０ａが一段凹むことによってできた１つのぬすみ部１４が形成されているのであり、貫通孔１３，１３は、実際には、表面１０ａに形成された１つのぬすみ部１４の底面１４ａに開口している。
【００２６】
一方、一対の貫通孔１３，１３におけるダミー基板１０の裏面１０ｂへの２つの開口部付近には、これら一対の貫通孔１３，１３が位置する部分をそれぞれ含むようにして（スリット１１が位置する部分は含まない）この裏面１０ｂが一段凹むことによってできた２つのぬすみ部１５が形成されているのであり、貫通孔１３，１３は、実際には、裏面１０ｂに形成された２つのぬすみ部１５，１５の底面１５ａ，１５ａのそれぞれに開口している。
【００２７】
そして、上記の一対の貫通孔１３，１３内に、撓み防止部材１２における接続部１２ｃ，１２ｃが収容されるようにして、この撓み防止部材１２がスリット１１を跨ぐようにダミー基板１０に取り付けられている。
この取付状態では、撓み防止部材１２における中央部１２ａが、ダミー基板１０の表面１０ａに形成されたぬすみ部１４内に収容されて、この中央部１２ａが表面１０ａから突出しないように図られているとともに、撓み防止部材１２における一対の端部１２ｂ，１２ｂが、裏面１０ｂに形成された一対のぬすみ部１５，１５内にそれぞれ収容されて、これら一対の端部１２ｂ，１２ｂが裏面１０ｂから突出しないように図られている。
【００２８】
また、ぬすみ部１４に収容された撓み防止部材１２における中央部１２ａは、このぬすみ部１４の（中央部にスリット１１が開口した）底面１４ａに面接触し、かつ、ぬすみ部１５，１５にそれぞれ収容された撓み防止部材１２における端部１２ｂ，１２ｂは、これらぬすみ部１５，１５の底面１５ａ，１５ａにそれぞれ面接触している。
これにより、撓み防止部材１２は、複数のスリット１１によって複数に分割されたダミー基板１０の周縁部のうち、スリット１１を挟んで隣接するもの同士について、ダミー基板１０の厚み方向でのズレが生じないように、これらを拘束するようになっている。
【００２９】
これに対し、一対の貫通孔１３，１３内にそれぞれ収容される撓み防止部材１２における一対の接続部１２ｃ，１２ｃは、スリット１１の長さ方向（切り込み方向）に略直交する方向において、これら貫通孔１３，１３の内周面とは接触せずに隙間を形成するようになっていて、ダミー基板１０に面内温度分布が生じたときに、このスリット１１の幅が伸び縮みするような変形を可能にしている。
すなわち、撓み防止部材１２は、複数に分割された周縁部におけるスリット１１を挟んで隣接するもの同士について、スリット１１の長さ方向に略直交する方向では拘束せず、ダミー基板１０の熱座屈変形が生じるのを抑制する効果を損ねないようになっている。
【００３０】
このようなダミー基板１０が固定された真空処理装置におけるセルフクリーニング時には、ダミー電極１０を接地側にあたる電極４に押え板６で押圧固定しているので、プラズマ発生電極である電極３から、導電性の押え板６までの距離も、ダミー基板１０の表面１０ａまでの距離もほぼ同一となり、電極３，４間には、クリーニングガスとしてのＮＦ３ガスによる均一なＦプラズマが形成される。したがって、基板５が大面積（電極４が大面積）のものであってもプラズマの局在化を生じさせることなく、各構成部材の均質なクリーニングを行うことが可能となっている。
また、接地側にあたる電極４はヒータカバーを兼用しており、このヒータカバーはＦラジカルに対する耐蝕性が要求されるのであるが、ダミー基板１０の電極４への固定により、Ｆラジカルによる腐食を抑制してヒータカバーの表面健全性を長期間に亘り維持することができる。
【００３１】
そして、本実施形態では、複数のスリットによって周縁部が分割されたダミー基板１０に対して、上述したような撓み防止機構１２が取り付けられているため、ダミー基板１０を、真空処理装置に搬入する、あるいは、真空処理装置から搬出するなど、水平ローラに載置して水平な状態に維持したまま搬送するときであっても、何ら不具合が生じることがない。
つまり、水平ローラに載置されたダミー基板１０において、複数のスリット１１で複数に分割された周縁部における一部分に対し、水平ローラが接触することで荷重が加わったとしても、複数に分割された周縁部におけるスリット１１を挟んで隣接するもの同士が、撓み防止部材１２によって厚み方向でのズレを生じないように拘束されていることから、この水平ローラによる搬送時でも周縁部には段差が形成されず、水平ローラを傷つけてしまうおそれをなくすことができる。
【００３２】
さらに、本実施形態では、アルミからなるダミー基板１０の外形寸法が、成膜時に電極４に固定されて成膜されるべき基板５の外形寸法よりも、基板長の０．１〜０．２％の範囲内で小さくなるように設定されている。
この寸法差は、ダミー基板１０の材質であるアルミの熱膨張係数が２３．１×１０−６であり、２００゜Ｃに上昇したときに生じる１ｍ長当たりの熱伸びが４．６ｍｍであることに基づいて設定されたものである。
【００３３】
すなわち、ダミー基板１０が熱膨張していない状態では、その外形寸法が成膜すべき基板５の外形寸法よりも０．１〜０．２％（基板長１ｍの場合は１〜２ｍｍ）の範囲で小さくなっていて、これが基板搬送台車においては一般的ガラス基板サイズの公差である１ｍ長さに対して±２ｍｍを許容できるとともに、プラズマ処理後のガラス基板の熱伸び量の約２ｍｍを考慮して計算されているので、１〜２ｍｍの範囲内で小さいダミー基板は、上述の熱伸び４．６ｍｍから、
（ダミー基板熱伸び量４．６ｍｍ）−（基板公差許容２ｍｍ）−（小さくなる設定量１〜２ｍｍ）＝（０．６〜１．６ｍｍ）≦（ガラス基板熱伸び量２ｍｍ）
となり、基板搬送台車を用いた受渡し・搬送可能な最小限の外形寸法となるため、何ら問題なく基板搬送台車によるダミー基板１０の受渡し及び搬送を行うことができる。
加えて、ダミー基板１０がセルフクリーニング時に用いられた後で概ね２００゜Ｃ以下で熱膨張している状態であったとしても、このダミー基板１０の外形寸法は、成膜すべき基板５の外形寸法よりも、基板搬送台車による受渡し余裕代として確保してある、（（基板公差分２ｍｍ）＋（熱伸び考慮分約２ｍｍ））である４〜５ｍｍよりも小さい範囲で大きくなるだけなので、セルフクリーニング時に用いた後で熱膨張している状態のダミー基板１０を、ただちに基板搬送台車によって受渡し及び搬送することが可能となり、ダミー基板１０の温度が下がる待機時間が必要とならず、処理速度の向上を図ることができる。
【００３４】
なお、上記の実施形態では真空処理装置として、プラズマＣＶＤ装置を用いて説明したが、セルフクリーニング（クリーニングガスのプラズマを利用したクリーニング）を行う真空処理装置であれは、これに限定されることはなく、例えばドライエッチング装置にも適用することができる。
また、ダミー基板１０としては、他にインコネル材及びＮｉメッキを施した鋼材等、耐Ｆラジカル腐食性を有し、使用環境温度で十分な強度を確保し得る材質のものを使用することができる。
【００３５】
【発明の効果】
本発明によれば、複数のスリットによって複数に分割された周縁部を有するダミー基板に対して、撓み防止部材が取り付けられていることから、このスリット付きダミー基板を水平ローラによって搬送するときに、水平ローラが接触することでダミー基板の周縁部における複数に分割された一部分に荷重が加わったとしても、他の部分に対する厚み方向でのズレを生じることがないので、この周縁部に段差が形成されることもなくなり、水平ローラを傷つけてしまうおそれをなくすことができる。
【００３６】
また、本発明によれば、ダミー基板の寸法が、成膜すべき基板の外形寸法よりも基板長の０．１〜０．２％の範囲内あるいはそれ以上で小さくなるように外形寸法が設定されていることにより、熱膨張する前の状態でも、基板搬送台車で受渡し可能な最小限の外形寸法を維持できるのに加えて、セルフクリーニング時に用いた後の熱膨張した状態でも、基板搬送台車による受渡し可能な余裕代内に収まる外形寸法を維持することができ、ダミー基板の温度が下がるまで待機することなく、ただちに基板搬送台車で受渡し及び搬送して、処理速度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態によるダミー基板を示す平面図である。
【図２】図１に示すダミー基板の要部拡大斜視図である。
【図３】図１に示すダミー基板の要部拡大断面図である。
【図４】一般的な真空処理装置を示す概略説明図である。
【符号の説明】
１　真空容器
２　高周波電源
３　一方の電極
３ａ　孔
３ｂ　給電棒
３ｃ　パイプ部材
４　他方の電極
５　基板
６　押え板
７　ヒータ
１０　ダミー基板
１０ａ　表面
１０ｂ　裏面
１１　スリット
１２　撓み防止部材
１２ａ　中央部
１２ｂ　端部
１２ｃ　接続部
１３　貫通孔
１４，１５　ぬすみ部
１４ａ，１５ａ　底面
【図１】
2004111558.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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