(57)【要約】      （修正有）【課題】簡単な構成でキャリアが熱膨張差によって反ってもキャリアとベースとは電気的に接触させ、マイクロストリップパターン直下を接地して電気的特性の劣化を軽減したマイクロ波装置を提供する。【解決手段】この発明に係るマイクロ波装置は、誘電体基板２と、この誘電体基板２の一方の主面に設けられたマイクロストリップパターン１と、誘電体基板２の他方の主面におけるマイクロストリップパターン１に対向する部分に第１の接合部６を設け、誘電体基板２を支持する金属製のキャリア３と、第１の接合部６と摺動し、かつ、接触する第２の接合部５を設け、キャリア３を支持する接地されたベース４とを具備し、キャリア３が湾曲してキャリア３とベース４との間に間隙が生じたときに、第１の接合部６と第２の接合部５とが接触状態となるものである。【選択図】        図２
2004336278.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板と、この誘電体基板の一方の主面に設けられたマイクロストリップパターンと、前記誘電体基板の他方の主面における前記マイクロストリップパターンに対向する部分に第１の接合部を設け、前記誘電体基板を支持する金属製のキャリアと、前記第１の接合部と摺動し、かつ、接触する第２の接合部を設け、前記キャリアを支持する接地されたベースとを具備し、前記キャリアが湾曲して前記キャリアと前記ベースとの間に間隙が生じたときに、前記第１の接合部と前記第２の接合部とが接触状態となっていることを特徴とするマイクロ波装置。
【請求項２】
前記第１の接合部は、凹部又は突部であり、前記第２の接合部は、前記第１の接合部の凹部に対応した突部又は前記第１の接合部の突部に対応した凹部である請求項１に記載のマイクロ波装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、マイクロ波集積回路の構造に係わるマイクロ波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来におけるマイクロ波装置は、例えば特公平２−７２０１号公報に記載されたものがあった。その公報には、誘電体基板の一方の面にマイクロストリップパターンを設け、他方の面をアース面とし、そのアース面を金属製のキャリアに密着したマイクロ波装置において、そのキャリアの中央近傍にキャリアを固定するスタッドねじあるいは軸心にねじ穴が形成されたスタッドが突出して設けられ、キャリアを底板（以下、ベースという。）の内面に搭載し、スタッドねじを対応する座ぐり孔に挿入してベースの外側よりナットを螺着する構成が記載されている。これにより、キャリアと誘電体基板を接着する場合に、これらの熱膨張差によりキャリアが弓形に反ってベースの内面との間に間隙が生じるのを抑制するように構成している。
【０００３】
【特許文献１】
特公平２−７２０１号公報（第３頁−第４頁、第２図）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、かかる従来のマイクロ波装置では、スタッドねじをベースの内面に搭載し、スタッドねじを対応する座ぐり孔に挿入してベースの外側よりナットを螺着する構成であるため構成が複雑であるほか、スタッドねじとナットの螺着の緩みによりキャリアが多少なりとも反ってベースの内面との間にわずかの間隙が生じるおそれもあり、またキャリアの反りを強制的に抑制するためキャリアにストレスが加わるといった課題があった。
【０００５】
そこで、この発明は、かかる課題を解決するためになされたもので、簡単な構成でキャリアが熱膨張差により反ってもキャリアとベースとはマイクロストリップパターンに対応する部分において電気的に接触させ、マイクロストリップパターン直下を接地して電気的特性の劣化を軽減した新規なマイクロ波装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１のマイクロ波装置は、誘電体基板と、この誘電体基板の一方の主面に設けられたマイクロストリップパターンと、前記誘電体基板の他方の主面における前記マイクロストリップパターンに対向する部分に第１の接合部を設け、前記誘電体基板を支持する金属製のキャリアと、前記第１の接合部と摺動し、かつ、接触する第２の接合部を設け、前記キャリアを支持する接地されたベースとを具備し、前記キャリアが湾曲して前記キャリアと前記ベースとの間に間隙が生じたときに、前記第１の接合部と前記第２の接合部とが接触状態となるものである。
【０００７】
請求項２のマイクロ波装置は、前記第１の接合部を凹部又は突部に形成し、前記第２の接合部を前記第１の接合部の凹部に対応して突部又は前記第１の接合部の突部に対応して凹部に形成した請求項１に記載のものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
以下、この発明の実施の形態１について、図１及び図２を用いて説明する。図１は、実施の形態１に係るマイクロ波装置の断面図である。図２は、キャリア３とベース４との間に間隙が生じたときの状態を示す断面図である。図１及び図２において、１は、導体により構成したマイクロストリップパターンで、誘電体基板２の一方の主面に形成したものである。３は、誘電体基板２の他方の主面側において誘電体基板２を支持するキャリアで、例えばコバール等の金属により構成している。キャリア３は、誘電体基板２側と反対側の面であって、マイクロストリップパターン１に対向する部分に凹部６を形成している。４は、キャリア３の凹部６を形成している側においてキャリア３を支持するベースで、アルミニウム等の金属により構成して接地している。ベース４は、キャリア３の凹部６に対応する位置に突部５を形成している。この突部５は、相互に接触するように凹部６に貫挿している。
【０００９】
前述のようにキャリア３とベース４は、互いに異なる材料によって構成しているためにその熱膨張率の差により、図２に示すように、キャリア３はベース４に対して湾曲することがある。このとき、キャリア３とベース４との間に間隙が生じることになる。しかし、温度変動によりキャリア３とベース４との間に間隙が生じても、図２に示すように、ベース４の突部５はキャリア３の凹部６から完全に離脱することなく、ベース４の突部５の突部５はキャリア３の凹部６と接触状態を維持している。このように、キャリア３とベース４とを構成する材料による熱膨張率との関係で、キャリア３のベース４に対する湾曲の程度に応じてベース４の突部５の高さを設定するとともに、その突部５の機械的強度によりその突部５の幅を設定する。一方、キャリア３の凹部６は、ベース４の突部５が摺動可能であって、キャリア３とベース４との間に間隙が生じてもベース４の突部５が接触状態を維持する大きさに設定する。
【００１０】
したがって、温度変動によりキャリア３とベース４との間に間隙が生じても、ベース４の突部５とキャリア３の凹部６は接触状態を維持し、マイクロストリップパターン１の直下においては接地された状態であるため、電磁波の反射量等の電気的特性に影響を与えることは少ないという効果を奏する。
【００１１】
実施の形態２．
以下、この発明の実施の形態２について、図３及び図４を用いて説明する。図３は、この実施の形態２に係るマイクロ波装置の断面図である。図４は、キャリア３とベース４との間に間隙が生じたときの状態を示す断面図である。この実施の形態２においては、キャリア３に突部５を設けてベース４に凹部６を設けたものであり、その他の構成については、実施の形態１の場合と同様である。この場合においても、実施の形態１の場合と同様の作用効果を奏する。
【００１２】
【発明の効果】
以上説明したようにこの発明によれば、マイクロストリップパターンに対向するキャリアの部分に第１の接合部を設け、この第１の接合部と摺動し、かつ、接触するベースの部分に第２の接合部を設けたので、キャリアがベースに対して湾曲してキャリアとベースとの間に間隙が生じても、第１の接合部と第２の接合部とは接触状態を維持し、マイクロストリップパターンの直下においては接地された状態であるため、電磁波の反射量等の電気的特性に影響を与えることは少ないという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１に係るマイクロ波装置の断面図である。
【図２】実施の形態１に係るマイクロ波装置の断面図である。
【図３】実施の形態２に係るマイクロ波装置の断面図である。
【図４】実施の形態２に係るマイクロ波装置の断面図である。
【符号の説明】
１・・マイクロストリップパターン、２・・誘電体基板、３・・キャリア、４・・ベース、５・・突部、６・・凹部
【図１】
2004336278.tif 000003
【図２】
2004336278.tif 000004
【図３】
2004336278.tif 000005
【図４】
2004336278.tif 000006