(57)【要約】【課題】電気的な接続信頼性の高い配線基板及びその製造方法、積層配線基板、半導体装置、回路基板並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】配線基板は、ベース基板１０と、ベース基板１０に形成された配線パターン２０と、を有する。配線パターン２０は複数のランド３０を有する。複数のランド３０は、それぞれ、相互に共通の形状をなす基準部３２と、基準部３２から延びる付加部分３４とを含む。それぞれの付加部分３４は、１点３６で交差する複数の直線３８のうちいずれか１つの直線３８に沿って、いずれかの基準部３２から延びるように形成されてなる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板に形成された配線パターンと、
を有し、
前記配線パターンは複数のランドを有し、
前記複数のランドは、それぞれ、相互に共通の形状をなす基準部と、前記基準部から延びる付加部分と、を含み、
それぞれの前記付加部分は、１点で交差する複数の直線のうちいずれか１つの直線に沿っていずれかの前記基準部から延びるように形成されてなる配線基板。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板において、
前記付加部分の長さは、それぞれ、前記１点と前記基準部分との距離に比例する配線基板。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の配線基板において、
前記ベース基板は可撓性基板である配線基板。
【請求項４】
積み重ねられた複数のベース基板と、
前記複数のベース基板のそれぞれに形成された複数の配線パターンと、
を有し、
少なくとも１つの前記配線パターンは、複数のランドを有し、
前記複数のランドは、それぞれ、相互に共通の形状をなす基準部分と、前記基準部分から延びる付加部分と、を含み、
それぞれの前記付加部分は、１点で交差する複数の直線のうちいずれか１つの直線に沿っていずれかの前記基準部分から延びるように形成されてなり、
前記複数の配線パターンは、それぞれ、他の配線パターンの一部と電気的に接続された配線を含む積層配線基板。
【請求項５】
請求項４記載の積層配線基板において、
前記付加部分の長さは、それぞれ、前記１点と前記基準部分との距離に比例する積層配線基板。
【請求項６】
請求項４又は請求項５記載の積層配線基板において、
前記複数のベース基板の少なくとも１つは、可撓性基板である積層配線基板。
【請求項７】
ベース基板と、
前記ベース基板に形成された配線パターンと、
前記配線パターンに電気的に接続された半導体チップと、
を有し、
前記配線パターンは、複数のランドを有し、
前記複数のランドは、それぞれ、相互に共通の形状をなす基準部分と、前記基準部分から延びる付加部分と、を含み、
それぞれの前記付加部分は、１点で交差する複数の直線のうちいずれか１つの直線に沿っていずれかの前記基準部分から延びるように形成されてなる半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置において、
前記付加部分の長さは、それぞれ、前記１点と前記基準部分との距離に比例する半導体装置。
【請求項９】
請求項７又は請求項８記載の半導体装置において、
前記ベース基板は可撓性基板である半導体装置。
【請求項１０】
請求項７から請求項９のいずれかに記載の半導体装置において、
前記ベース基板はインターポーザである半導体装置。
【請求項１１】
請求項７から請求項１０のいずれかに記載の半導体装置が実装された回路基板。
【請求項１２】
請求項７から請求項１０のいずれかに記載の半導体装置を有する電子機器。
【請求項１３】
ベース基板に、複数のランドを有する配線パターンを形成することを含み、
前記ランドを、それぞれ、相互に共通の形状をなす基準部と、前記基準部から延びる付加部分とを含むように形成し、
それぞれの前記付加部分を、１点で交差する複数の直線のうちいずれか１つの直線に沿っていずれかの前記基準部から延びるように形成する配線基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の配線基板の製造方法において、
前記付加部分の長さが、それぞれ、前記１点と前記基準部分との距離に比例するように、前記ランドを形成する配線基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３又は請求項１４記載の配線基板の製造方法において、
前記ベース基板は可撓性基板である配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板及びその製造方法、積層配線基板、半導体装置、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】
ランドを有する配線が形成された配線基板については、ベース基板が伸縮した場合でもランドが電気的な導通を図ることが可能であれば、配線基板の電気的な信頼性を高めることができる。
【０００３】
本発明の目的は、電気的な接続信頼性の高い配線基板及びその製造方法、積層配線基板、半導体装置、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る配線基板は、ベース基板と、
前記ベース基板に形成された配線パターンと、
を有し、
前記配線パターンは複数のランドを有し、
前記複数のランドは、それぞれ、相互に共通の形状をなす基準部と、前記基準部から延びる付加部分と、を含み、
それぞれの前記付加部分は、１点で交差する複数の直線のうちいずれか１つの直線に沿っていずれかの前記基準部から延びるように形成されてなる。本発明によれば、ランドは基準部と付加部分とを有する。そのため、ベース基板が伸縮した場合でも、ランドと他の電子部品の電極とを接触させることが可能となり、電気的な接続信頼性の高い配線基板を提供することができる。
（２）この配線基板において、
前記付加部分の長さは、それぞれ、前記１点と前記基準部分との距離に比例してもよい。これによると、１点から距離が遠いほど、付加部分の長さが長くなり、ランドが大きくなる。すなわち、大きく伸縮する可能性のある部分のランドがより大きくなるため、より電気的な接続信頼性の高い配線基板を提供することができる。
（３）この配線基板において、
前記ベース基板は可撓性基板であってもよい。
（４）本発明に係る積層配線基板は、積み重ねられた複数のベース基板と、
前記複数のベース基板のそれぞれに形成された複数の配線パターンと、
を有し、
少なくとも１つの前記配線パターンは、複数のランドを有し、
前記複数のランドは、それぞれ、相互に共通の形状をなす基準部分と、前記基準部分から延びる付加部分と、を含み、
それぞれの前記付加部分は、１点で交差する複数の直線のうちいずれか１つの直線に沿っていずれかの前記基準部分から延びるように形成されてなり、
前記複数の配線パターンは、それぞれ、他の配線パターンの一部と電気的に接続された配線を含む。本発明によれば、積層されたベース基板の少なくとも１つには、基準部と付加部分とを有するランドが形成されてなる。そのため、積層されたベース基板のいずれかが伸縮した場合でも、配線パターン同士の電気的な接続を維持することが可能な、電気的な接続信頼性の高い積層配線基板を提供することができる。
（５）この積層配線基板において、
前記付加部分の長さは、それぞれ、前記１点と前記基準部分との距離に比例してもよい。これによると、１点から距離が遠いほど、付加部分の長さが長くなり、ランドが大きくなる。すなわち、大きく伸縮する可能性のある部分のランドがより大きくなるため、より電気的な接続信頼性の高い積層配線基板を提供することができる。
（６）この積層配線基板において、
前記複数のベース基板の少なくとも１つは、可撓性基板であってもよい。
（７）本発明に係る半導体装置は、ベース基板と、
前記ベース基板に形成された配線パターンと、
前記配線パターンに電気的に接続された半導体チップと、
を有し、
前記配線パターンは、複数のランドを有し、
前記複数のランドは、それぞれ、相互に共通の形状をなす基準部分と、前記基準部分から延びる付加部分と、を含み、
それぞれの前記付加部分は、１点で交差する複数の直線のうちいずれか１つの直線に沿っていずれかの前記基準部分から延びるように形成されてなる。本発明によれば、ランドは基準部と付加部分とを有する。そのため、ベース基板が伸縮した場合でも、ランドと半導体チップの電極とを接触させることが可能な、電気的な接続信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
（８）この半導体装置において、
前記付加部分の長さは、それぞれ、前記１点と前記基準部分との距離に比例してもよい。これによると、１点から距離が遠いほど、付加部分の長さが長くなり、ランドが大きくなる。すなわち、大きく伸縮する可能性のある部分のランドがより大きくなるため、より電気的な接続信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
（９）この半導体装置において、
前記ベース基板は可撓性基板であってもよい。
（１０）この半導体装置において、
前記ベース基板はインターポーザであってもよい。
（１１）本発明に係る回路基板には、この半導体装置が実装されてなる。
（１２）本発明に係る電子機器は、この半導体装置を有する。
（１３）本発明に係る配線基板の製造方法は、ベース基板に、複数のランドを有する配線パターンを形成することを含み、
前記ランドを、それぞれ、相互に共通の形状をなす基準部と、前記基準部から延びる付加部分とを含むように形成し、
それぞれの前記付加部分を、１点で交差する複数の直線のうちいずれか１つの直線に沿っていずれかの前記基準部から延びるように形成する。本発明によれば、ランドは基準部と付加部分とを有する。そのため、ベース基板が伸縮した場合でも、ランドと他の電子部品の電極とを接触させることが可能な、電気的な接続信頼性の高い配線基板を製造することができる。
（１４）この配線基板の製造方法において、
前記付加部分の長さが、それぞれ、前記１点と前記基準部分との距離に比例するように、前記ランドを形成してもよい。これによると、１点から距離が遠いほど、付加部分の長さが長くなり、ランドが大きくなる。すなわち、大きく伸縮する可能性のある部分のランドがより大きくなるため、より電気的な接続信頼性の高い配線基板を製造することができる。
（１５）この配線基板の製造方法において、
前記ベース基板は可撓性基板であってもよい。
【０００５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
【０００６】
（配線基板）
図１は、本発明の実施の形態に係る配線基板の一部拡大図である。本発明の実施の形態に係る配線基板は、ベース基板１０を有する。ベース基板１０は、可撓性基板であってもよく、リジット基板であってもよい。ベース基板１０は、有機系又は無機系のいずれの材料で形成されていてもよく、これらの複合構造からなるものであってもよい。ベース基板１０として、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基板又はフィルムを使用してもよい。あるいは、ベース基板１０としてポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板を使用してもよい。フレキシブル基板としてＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）や、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術で使用されるテープを使用してもよい。また、無機系の材料から形成されたベース基板１０として、例えばセラミック基板やガラス基板が挙げられる。有機系及び無機系の材料の複合構造として、例えばガラスエポキシ基板が挙げられる。
【０００７】
配線基板は、配線パターン２０を有する。配線パターン２０は、ベース基板１０に形成されてなる。配線パターン２０は、例えば、銅箔などの金属箔を接着剤を介してベース基板１０に貼り付けて、フォトリソグラフィを適用した後にエッチングして形成してもよい。あるいは、スパッタリング等を利用して、配線パターン２０を形成してもよい。また、無電解メッキで配線パターン２０を形成するアディティブ法を適用してもよい。配線パターン２０は、ベース基板１０の一方の面にのみ形成されていてもよく、ベース基板１０の両面に形成されてもよい。配線パターン２０がベース基板１０の両面に形成される場合、ベース基板１０の両面の配線パターン２０を、スルーホールを介して電気的に接続してもよい。
【０００８】
配線パターン２０は、複数のランド３０を有する。ランド３０は、ベース基板１０にエリアアレイ状に配置されてなる。ランド３０は、ベース基板１０の一方の面にのみ形成されてもよく、あるいは、ベース基板１０の両面に形成されてもよい。ランド３０は、それぞれ、相互に共通の形状をなす基準部３２と、基準部３２から伸びる付加部分３４と、を含む。そして、それぞれの付加部分３４は、１点３６で交差する複数の直線３８のうちいずれか１つの直線３８に沿って、いずれかの基準部３２から延びるように形成されてなる（図１参照）。すなわち、ランド３０は、基準部３２を通る直線３８に沿って伸びた形状をなす。なお、直線３８は、基準部３２の中心と１点３６とを結ぶ直線であってもよい。１点３６の配置は特に限定されるものではないが、例えば、１点３６をベース基板１０の伸縮の中心に配置してもよい。基板は湿度や熱の影響を受けて伸縮することがあり、このとき一般的に基板は等方的に伸縮する。そして、基板が等方的に伸縮する場合、基板上の任意の各点は、伸縮の中心と該各点を通る直線の方向に沿って伸縮する。そのため、１点３６をベース基板１０の伸縮の中心に配置すれば、ランド３０付近では、該ランド３０の基準部３２を通る直線３８に沿った方向に、ベース基板１０が伸縮する。ところで、本実施の形態に係る配線基板は、直線３８に沿って伸びた形状のランド３０を有する。すなわち、１点３６をベース基板１０の伸縮の中心に配置すれば、ランド３０が伸びる方向は、ベース基板１０が伸縮する方向と一致する。そのため、ベース基板１０が伸縮した後でも、ランド３０を基準部３２とオーバーラップさせることができる。このことから、ベース基板１０が伸縮した後であっても、予め基準部３２と接触するように設計された電子部品と、ランド３０とを接触させることが可能となり、電気的な接続信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【０００９】
ランド３０の付加部分３４の長さは、それぞれ、１点３６と該ランド３０の基準部３２との距離に比例してもよい。すなわち、１点３６から遠い位置にあるランド３０ほどその付加部分３４の長さが長くなるように、ランド３０を形成してもよい。１点３６をベース基板１０の伸縮の中心に配置すると、１点３６に近い位置ではベース基板１０の伸縮は小さくなり、１点３６から遠ざかるほどベース基板１０の伸縮は大きくなる。本実施の形態に係る配線基板は、１点３６と基準部３２との距離に比例する長さで付加部分３４を形成するため、伸縮の影響を大きく受ける位置に配置されたランド３０ほどその大きさが大きくなり、伸縮の影響が小さい位置に配置されたランド３０は、その大きさが小さくなる。すなわち、伸縮が小さい場所ではランド３０が小さくなるため、配線の引き回しの自由度を高めることができ、大きく伸縮する場所ではランド３０が大きくなることから、ベース基板１０が伸縮した後でも電子機器との電気的な接続を確保することができる。すなわち、配線の引き回しの自由度が高く、かつ、電気的な接続信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【００１０】
本実施の形態に係る配線基板では、１点３６の位置は特に限定されるものではないが、上述したように、１点３６はベース基板１０の伸縮の中心に配置されてもよい。例えば、配線パターン２０が密に形成された部分（最密部）を有する場合、ベース基板１０における最密部付近は、配線パターン２０の影響で伸縮しにくくなるため、最密部付近に１点３６を配置してもよい。あるいは、ベース基板１０の平面形状の重心（矩形であれば、対角線の交点）に１点３６を配置してもよい。なお、１点３６は必ずしもベース基板１０上に配置される必要はなく、ベース基板１０の外側に配置されてもよい。
【００１１】
なお、付加部分３４は、基準部３２の１点３６側にのみ形成されてもよく、１点３６の反対側にのみ形成されてもよい。あるいは、付加部分３４は、基準部３２の両側に形成されてもよい。ランド３０の形状は、図１に示すように円を伸ばした形状であってもよいが、これに限られるものではなく、例えば矩形を伸ばした形状であってもよい。また、基準部３２の形状も、図１に示すように円形としてもよいが、これに限られるものではない。
【００１２】
本実施の形態に係る配線基板のベース基板１０は、可撓性基板であってもよい。可撓性基板は、リジット基板に比べて伸縮しやすく、ランドの位置が大きく変わることがあった。しかし、上述したランド３０によれば、電気的な接続を確保することが可能な、信頼性の高い可撓性配線基板を提供することができる。
【００１３】
（積層配線基板）
以下、本発明の実施の形態に係る積層配線基板について説明する。図２は、本発明の実施の形態に係る積層配線基板の断面の一部拡大図である。本実施の形態に係る積層配線基板は、積み重ねられた複数のベース基板を有する。ベース基板として、上述したベース基板の内容を適用してもよい。複数のベース基板の少なくとも１つは、可撓性基板であってもよい。また、積層配線基板は、複数のベース基板のそれぞれに形成された複数の配線パターンを有する。積層配線基板の複数の配線パターンの少なくとも１つは、ランド３０を有する配線パターン２０である。すなわち、本実施の形態に係る積層配線基板は、上述の配線基板１を少なくとも１つ含んでいる。積層配線基板の複数の配線パターンは、それぞれ、他の配線パターンの一部と電気的に接続された配線を含む。例えば図２に示すように、他のベース基板１１に形成された配線パターンのランド３１とランド３０とを直接接触させることで、配線パターン同士を電気的に接続してもよい。積層配線基板では、材質や、配線パターンの引き回しの違いが原因となって、ベース基板ごとに伸縮率が異なることがあった。本実施の形態に係る積層配線基板は、上述したランド３０を有する配線パターン２０が形成されたベース基板１０を少なくとも１つ有する。そのため、積層されたベース基板ごとに伸縮率が異なる場合でも、ランド３０によって層間の電気的な接続を確保することが可能な、電気的な接続信頼性の高い積層配線基板を提供することができる。
【００１４】
（半導体装置）
以下、本発明の実施の形態に係る半導体装置について説明する。図３は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。本実施の形態に係る半導体装置は、配線基板１を有する。配線基板１は、上述したいずれの内容を適用したものであってもよい。すなわち、配線基板１は、ベース基板１０を有し、ベース基板１０には、複数のランド３０を含む配線パターン２０が形成されてなる。例えば図３に示すように、配線パターン２０は、ベース基板１０の両面に形成されてもよい。このとき、両面の配線パターン２０同士は、スルーホール２２を介して電気的に接続されていてもよい。また、各ランド３０は、基準部３２と付加部分３４とを有する。ただし、上述した積層配線基板を、本実施の形態に係る半導体装置のベース基板としてもよい。
【００１５】
半導体装置は、配線パターン２０に電気的に接続された半導体チップ４０を有する。半導体チップ４０には集積回路が形成されてもよい。半導体チップ４０は、ベース基板１０にフェースダウンボンディングされてもよい。
【００１６】
半導体チップ４０は、複数の電極４２を有してもよい。電極４２は、半導体チップ４０の一方の面（能動面）に形成されてもよい。電極４２は、半導体チップ４０の能動面にエリアアレイ状に配置されていてもよい。電極４２は、各ランド３０の基準部３２と対向するように配置されてもよい。電極４２とランド３０とは直接接触することで電気的に接続されてもよいし、例えば導電粒子を介して電気的に接続されてもよい。上述したように、各ランド３０は基準部３２と付加部分３４とを有するため、ベース基板１０が伸縮した場合でも基準部３２上にランド３０が配置される。そして、各ランド３０の基準部３２と対向するように電極４２を配置することによって、ベース基板１０が伸縮した場合でも電極４２とランド３０とが接触する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００１７】
半導体装置は、外部端子２４を有してもよい。外部端子２４は、ベース基板１０における半導体チップ４０と対向する面とは反対側の面に形成されていてもよい。外部端子２４は、配線パターン２０と電気的に接続されてなる。ベース基板１０をインターポーザと称してもよい。また、半導体装置はアンダーフィル樹脂４６を有してもよい。図４には本発明の実施の形態に係る半導体装置１００が実装された回路基板１０００を示す。また、本発明の実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器として、図５にはノート型パーソナルコンピュータ２０００を、図６には携帯電話３０００をそれぞれ示す。
【００１８】
（配線基板の製造方法）
以下、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法は、ベース基板１０に、複数のランド３０を有する配線パターン２０を形成することを含む。ベース基板１０は、上述したいずれかの基板であってもよい。例えば、ベース基板１０は可撓性基板であってもよい。配線パターン２０は、既に公知となっているいずれかの方法で形成してもよい。本実施の形態では、配線パターン２０を、複数のランド３０のそれぞれが、相互に共通の形状をなす基準部３２と、基準部３２から延びる付加部分３４とを含むように形成する。また、それぞれの付加部分３４を、１点３６で交差する複数の直線３８のうちいずれか１つの直線３８に沿って、いずれかの基準部３２から延びるように形成する。このとき、付加部分３４の長さが、それぞれ、１点３６と基準部３２との距離に比例するように、各ランド３０を形成してもよい。
【００１９】
具体的には、はじめに、ベース基板１０上に１点３６と複数の基準部３２とを設定する。そして、１点３６と各基準部３２とを通る直線３８に沿って基準部３２を移動させて、基準部３２が通った領域をランド３０の形状としてもよい。基準部３２は、直線３８に沿って、１点３６に近づく方向と１点３６から遠ざかる方向のいずれか一方向、あるいは両方向に移動させてもよい。このとき、基準部３２が移動する距離を、各ランドの基準部３２と１点３６との距離に比例した距離としてもよい。これにより、付加部分３４の長さが１点３６と基準部３２との距離に比例するように、ランド３０を形成することができる。あるいは、直線３８上に中心を有する２つの円を描き、その２つの円とそれらの包絡線とで囲まれた領域を、ランド３０の形状としてもよい。このとき、その２つの円の中心間距離を、各ランドの基準部３２と１点３６との距離に比例した距離としてもよい。このようにランド３０の形状を設計し、これにあわせてエッチング等の処理を行うことで、基準部３２と付加部分３４とを有するランド３０を形成し、本実施の形態に係る配線基板１を製造してもよい。
【００２０】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明を適用した実施の形態に係る配線基板を示す図である。
【図２】図２は、本発明を適用した実施の形態に係る積層配線基板を示す図である。
【図３】図３は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図４】図４は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板を示す図である。
【図５】図５は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図６】図６は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１０  ベース基板、  ２０  配線パターン、  ３０  ランド、  ３２  基準部、  ３４  付加部分、  ３６  １点、  ３８  直線
【図１】
2004228353.tif 000003
【図２】
2004228353.tif 000004
【図３】
2004228353.tif 000005
【図４】
2004228353.tif 000006
【図５】
2004228353.tif 000007
【図６】
2004228353.tif 000008