(57)【要約】【課題】積層体に配された配線回路層のパターン形状の違いや収縮挙動の異なる数種類からなる絶縁層の層構成にほとんど制約がなく、配線回路層の設計や絶縁層の層構成の自由度を高くできる低温焼成多層セラミック配線基板の製法を提供する。【解決手段】複数の絶縁層３１からなる低温焼成多層セラミック配線基板において、配線回路層３５の配設比率あるいは収縮挙動の異なる数種類の絶縁層４５が混在することにより発生する配線基板の反りを、低温焼成セラミック積層体の表裏面に積層する拘束シート５１の厚みを調整することにより抑制できる。【選択図】図１
2004288939.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）低温焼成セラミック組成物からなるグリーンシートを作製する工程と、（ｂ）得られたグリーンシートを貫通するビアホールを形成し、前記ビアホールに導体材料を充填するとともに、グリーンシート表面、あるいは表裏面に配線回路層を形成する工程と、（ｃ）（ａ）〜（ｂ）工程を経て作製したグリーンシートを積層し、低温焼成セラミック積層体を作製する工程と、（ｄ）前記低温焼成セラミック積層体の両面に該低温焼成セラミック積層体の焼成温度では焼結しない難焼結性セラミック組成物からなる拘束シートを積層して積層体を形成する工程と、（ｅ）（ｄ）工程で得られた積層体を焼成して、絶縁層の少なくとも一方主面に配線回路層を具備してなる複合基板を形成する工程と、（ｆ）（ｅ）工程で得られた複合基板から前記拘束シートを除去する工程と、を具備する低温焼成多層セラミック配線基板の製法において、
該低温焼成多層セラミック配線基板の厚み方向の中心線より上方に位置する上部層に配された前記配線回路層の総体積と、前記中心線より下方に位置する下部層に配された前記配線回路層の総体積とを比較した際に、前記配線回路層の総体積が大きい方の前記積層体の表面に積層される前記拘束シートの厚みに比較して、前記配線回路層の総体積の小さい方の前記積層体表面に積層される前記拘束シートの厚みを厚くすることを特徴とする低温焼成多層セラミック配線基板の製法。
【請求項２】
（ａ）低温焼成セラミック組成物からなり、焼結開始温度の異なる少なくとも２種類以上のグリーンシートを作製する工程と、（ｂ）得られたグリーンシートを貫通するビアホールを形成し、前記ビアホールに導体材料を充填するとともに、グリーンシート表面、あるいは表裏面に配線回路層を形成する工程と、（ｃ）（ａ）〜（ｂ）工程を経て作製したグリーンシートを積層し、低温焼成セラミック積層体を作製する工程と、（ｄ）該低温焼成セラミック積層体の両面に前記低温焼成セラミック積層体の焼成温度では焼結しない難焼結性セラミック組成物からなる拘束シートを積層して積層体を形成する工程と、（ｅ）（ｄ）工程で得られた前記積層体を焼成して、絶縁層の少なくとも一方主面に配線回路層を具備してなる複合基板を形成する工程と、（ｆ）（ｅ）工程で得られた前記複合基板から前記拘束シートを除去する工程と、を具備する低温焼成多層セラミック配線基板において、
該低温焼成多層セラミック配線基板の厚み方向の中心線より上部に位置する上部層を構成する焼結開始温度の最も低い絶縁層の総体積と、前記中心線より下部に位置する下部層を構成する焼結開始温度の最も低い絶縁層の総体積とを比較した際に、前記した焼結開始温度の最も低い絶縁層の総体積の大きい方の前記積層体表面に積層する前記拘束シートの厚みより、前記した焼結開始温度が最も低い絶縁層の総体積が小さい方の積層体表面に積層する前記拘束シートの厚みを厚くすることを特徴とする低温焼成多層セラミック配線基板の製法。
【請求項３】
前記拘束シートは難焼結性セラミック材料を主成分とし、かつガラス成分を０．５〜１５質量％含有することを特徴とする請求項１または２に記載の低温焼成多層セラミック配線基板の製法。
【請求項４】
前記配線回路層が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種を含有する金属ペーストあるいは金属箔からなることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか記載の低温焼成多層セラミック配線基板の製法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、低温焼成多層セラミック配線基板の製法に関し、特に、集積回路などを実装する半導体素子収納用パッケージなどに適した低温焼成多層セラミック配線基板の製法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
従来、配線基板、例えば、半導体素子収納用パッケージに使用される多層配線基板として、比較的高密度の配線が可能な低温焼成多層セラミック配線基板が多用されている。
【０００３】
この低温焼成多層セラミック配線基板は、低温焼成セラミックスからなる絶縁層を複数層重ねた基板であり、その表面および内部にＣｕ、Ａｇなどの金属からなる配線回路層を付与することにより形成される。
【０００４】
そして、ここで用いられる配線回路層としては、金属粉末と有機バインダー、セラミックフィラーなどからなる導体ペーストを焼結させて得られる金属焼結体や、電気化学的な製法あるいは圧延法により得られる金属箔等が好適に用いられている。
【０００５】
しかし、これら金属焼結体や金属箔は絶縁層を形成する低温焼成セラミックスと収縮開始温度が異なるため、このような収縮開始温度の異なる絶縁層と配線回路層とが混在する低温焼成多層セラミック配線基板では、焼成工程において基板に反りが発生しやすいという問題があった。
【０００６】
また、近年では基板内部に誘電率や透磁率などがベースとなる基板材料とは異なる絶縁材料を組み入れ、コンデンサやコイルを形成することにより複数の機能を内蔵した高品質な低温焼成多層セラミック配線基板が要求されている。
【０００７】
しかしながら、ベースとなる基板材料と組み入れる他の絶縁材料とは、収縮開始温度が異なることが一般的であり、収縮開始温度の異なる数種類の絶縁層が混在する低温焼成多層セラミック配線基板においても、焼成工程における基板の反りが問題となっていた。
【０００８】
このような基板の反りという課題に対して、下記に示す特許文献１、２によれば、基板の表裏両面から等しい距離にある中心線に対して、この中心線より上部の絶縁層と配線回路層との構成と、中心線より下部の絶縁層と配線回路層との構成とを対称となるようにする方法や、中心線より上部の収縮開始温度の異なる数種類からなる絶縁層の層構成と、中心線より下部の収縮開始温度の異なる数種類からなる絶縁層の層構成とを対称となるようにする方法が提案されている。
【０００９】
また、下記の特許文献３によれば、上記のような低温焼成多層セラミック配線基板を製造する際に、配線回路層を具備するグリーンシートを複数積層して形成した低温焼成セラミック積層体の少なくとも一方の表面に、この積層体の焼成温度では殆ど収縮しない拘束シートを積層して焼成を行うことにより、基板の寸法精度の向上を図るとともに、反りや変形を抑制できることが記載されている。
【００１０】
〔特許文献１〕
特開平５−１１０２５７号公報
〔特許文献２〕
特開平１０−３０８５８４号公報
〔特許文献３〕
特開２００２−１９８６４６号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記特許文献に開示されている配線基板では、配線回路層の設計や収縮開始温度の異なる数種類からなる絶縁層の層構成に制約が多く、中心線に対して上部層および下部層に配された配線回路層あるいは収縮開始温度の異なる数種類からなる絶縁層の層構成を非対称に設定すると、基板に反りが発生するという問題があった。
【００１２】
即ち、本発明に至った課題は、図３および４に示す以下のようなものである。
【００１３】
図３は、低温焼成多層セラミック配線基板に、配線回路層の影響により通常発生する反りを示す断面図である。
【００１４】
通常用いられる低温焼成多層セラミック配線基板は、図３に示すように、絶縁層３１を複数積層して形成された絶縁基板３３から構成され、各層間および表層に位置する絶縁層３１の表面側には、配線回路層３５が被着形成されている。
【００１５】
また、絶縁基板３３内には、絶縁層３１の厚み方向に貫通したビアホール導体３７が形成されている。
【００１６】
このような低温焼成多層セラミック配線基板において、その表面および裏面から等しい距離にある線を中心線Ｃとし、この中心線Ｃより上方側の層を上部層４１、前記中心線Ｃより下方側の層を下部層４３とする。
【００１７】
これら上部層４１および下部層４３における配線回路層３５の総体積を比較した際に、下部層４３側の配線回路層３５の総体積が大きい場合には、低温焼成多層セラミック配線基板は凹型に反る傾向にある。
【００１８】
一方、図４は、低温焼成多層セラミック配線基板に焼結開始温度の異なる絶縁層が介装された場合に通常発生する反りを示す断面図である。
【００１９】
このような低温焼成多層セラミック配線基板は、図４の基板を構成する上部層４１および下部層４３に配された配線回路層３５を略同一体積とし、かつ、複数の絶縁層３１間の一部を焼結開始温度の低い絶縁層４５に置き換えたものである。
【００２０】
即ち、このような低温焼成多層セラミック配線基板において、その表面および裏面から等しい距離にある線を中心線Ｃとし、この中心線Ｃより上方側の層を上部層４１、前記中心線Ｃより下方側の層を下部層４３とする。
【００２１】
これら上部層４１および下部層４３における最も焼結開始温度が低い絶縁層４５の総体積を比較した際に、下部層４３側の最も焼結開始温度が低い絶縁層４５の総体積が大きい場合を想定すると、低温焼成多層セラミック配線基板は凹型に反る傾向にある。
【００２２】
図５は、低温焼成セラミック積層体を構成する各材料の加熱による収縮挙動を示す図である。
【００２３】
これらの原因は、図５に示すように、低温焼成多層セラミック配線基板を構成する絶縁層３１（図５では絶縁層材料Ａ）となるグリーンシートの収縮開始温度に比べて、配線回路層３５を形成する導体や、絶縁基板３３内に介装される絶縁層４５（図５では絶縁層材料Ｂ）の焼結開始温度が低いためである。
【００２４】
従って本発明は、積層体に配された配線回路層のパターン形状の違いや収縮挙動の異なる数種類からなる絶縁層の層構成にほとんど制約がなく、配線回路層の設計や絶縁層の層構成の自由度を高くできる低温焼成多層セラミック配線基板の製法を提供することを目的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記のような課題について鋭意検討した結果、（ａ）低温焼成セラミック組成物からなるグリーンシートを作製する工程と、（ｂ）得られたグリーンシートを貫通するビアホールを形成し、前記ビアホールに導体材料を充填するとともに、グリーンシート表面、あるいは表裏面に配線回路層を形成する工程と、（ｃ）（ａ）〜（ｂ）工程を経て作製したグリーンシートを積層し、低温焼成セラミック積層体を作製する工程と、（ｄ）前記低温焼成セラミック積層体の両面に該低温焼成セラミック積層体の焼成温度では焼結しない難焼結性セラミック組成物からなる拘束シートを積層して積層体を形成する工程と、（ｅ）（ｄ）工程で得られた積層体を焼成して、絶縁層の少なくとも一方主面に配線回路層を具備してなる複合基板を形成する工程と、（ｆ）（ｅ）工程で得られた複合基板から前記拘束シートを除去する工程と、を具備する低温焼成多層セラミック配線基板の製法において、
該低温焼成多層セラミック配線基板の厚み方向の中心線より上方に位置する上部層に配された前記配線回路層の総体積と、前記中心線より下方に位置する下部層に配された前記配線回路層の総体積とを比較した際に、前記配線回路層の総体積が大きい方の前記積層体の表面に積層される前記拘束シートの厚みに比較して、前記配線回路層の総体積の小さい方の前記積層体表面に積層される前記拘束シートの厚みを厚くする方法を見出した。
【００２６】
すなわち、低温焼成多層セラミック配線基板の製法において、積層体の中心線より上方に位置する上部層に配された前記配線回路層の総体積と、前記中心線より下方に位置する下部層に配された前記配線回路層の総体積とを比較した際に、下部層側の配線回路層の総体積が大きい場合を想定すると、低温焼成多層セラミック配線基板は凹型に反る傾向にある。
【００２７】
そこで、この積層体に積層する拘束シートの厚みを基板下層部側の表面に、より上層側表面のそれを厚くすることにより、基板の反りを低減することができる。
【００２８】
また、該低温焼成多層セラミック配線基板の厚み方向の中心線より上部に位置する上部層を構成する最も焼結開始温度の低い絶縁層の総体積と、前記中心線より下部に位置する下部層を構成する最も焼結開始温度の低い絶縁層の総体積とを比較した際に、前記した最も焼結開始温度の低い絶縁層の総体積の大きい方の前記積層体表面に積層する前記拘束シートの厚みより、前記した最も焼結開始温度が低い絶縁層の総体積が小さい方の積層体表面に積層する前記拘束シートの厚みを厚くする方法を見出した。
【００２９】
また、低温焼成多層セラミック配線基板となる積層体の表面および裏面から等しい距離にある線を中心線とし、この中心線より上部に位置する上部層を構成する最も焼結開始温度の低い絶縁層の総体積と、この中心線より下部に位置する下部層を構成する最も焼結開始温度の低い絶縁層の総体積とを比較した際に、下部層側の最も焼結開始温度が低い絶縁層の総体積が大きい場合を想定すると、低温焼成多層セラミック配線基板は凹型に反る傾向にある。
【００３０】
そこで、この積層体に積層する拘束シートの厚みを基板下部層側の表面より、上部層側表面のそれを厚くすることにより、反りを低減することができる。
【００３１】
なお、積層体の表裏面に積層する拘束シートの総厚みは、拘束シート１枚あたりの厚みあるいは層数によって調整できる。
【００３２】
上記低温焼成多層セラミック配線基板では、前記拘束シートは難焼結性セラミック材料を主成分とし、かつガラス成分を０．５〜１５質量％含有することが望ましい。
【００３３】
また、上記低温焼成多層セラミック配線基板では、前記配線回路層が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種を含有する金属ペーストあるいは金属箔からなることが望ましい。
【００３４】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の低温焼成多層セラミック配線基板の製法ついて詳細に説明する。
【００３５】
本発明の製法は、前記の図３および４に示した低温焼成多層セラミック配線基板に適用できるものである。
【００３６】
即ち、前記した低温焼成多層セラミック配線基板において配線回路層３５の配置が積層方向に均等でないか、または、絶縁基板３３内に一部異種の絶縁層４５を介装させた低温焼結多層セラミック配線基板を、拘束シートを用いた焼成方法に適用されるものである。
【００３７】
図１は、配線回路層３５の配置が積層方向に均等でない低温焼成多層セラミック配線基板に適用される本発明の製法を示す概略断面図である。
【００３８】
この場合、配線回路層３５の総体積が大きい方の下部層４３の表面に積層される前記拘束シート５１ａの厚みに比較して、前記配線回路層３５の総体積の小さい方の前記上部層４１の表面に積層される前記拘束シート５１ｂの厚みを厚くすることが重要である。
【００３９】
一方、図２は、絶縁基板３３内に一部異種の絶縁層３１を介装させた低温焼成多層セラミック配線基板の製法を示す概略断面図である。
【００４０】
この場合、焼結開始温度の最も低い絶縁層４５の総体積の大きい方の前記下部層４３の表面に積層する前記拘束シート５１ａの厚みより、前記した焼結開始温度が最も低い絶縁層４５の総体積が小さい方の上部層４１表面に積層する前記拘束シート５１ｂの厚みを厚くすることが重要である。
【００４１】
この場合、本発明の製法に適用される低温焼成セラミック積層体を構成する各材料の加熱による収縮挙動は、前記した図５の挙動に他ならないが、さらに本発明では、各材料の焼結終了温度が、前記焼結開始温度の温度列順に相当することが望ましい。
【００４２】
以下、本発明の低温焼成多層セラミック配線基板の製法について説明する。
【００４３】
本発明の低温焼成多層セラミック配線基板を構成する絶縁層３１は、ガラス成分、あるいはガラス成分とセラミックフィラー成分によって構成される。
【００４４】
前記のような構成成分を混合して低温焼成セラミック組成物を調整し、その混合物に有機バインダーなどを加えた後、ドクターブレード法、圧延法、プレス法などにより所望する厚さのシート状に成形し切断することにより、グリーンシートを作製する。
【００４５】
次に前記グリーンシートにレーザーやマイクロドリル、パンチングなどにより貫通孔を形成し、その内部に導体ペーストを充填してビアホール導体３７を形成する。
【００４６】
導体ペースト中には、Ｃｕ、Ａｇ、等の金属成分と、それ以外にアクリル樹脂などからなる有機バインダー、トルエン、イソプロピルアルコール、アセトンなどの有機溶剤とを混合して形成される。
【００４７】
なお、この導体ペースト中には若干のガラス成分等を添加してもよい。配線回路層３５として、適当な金属粉末にこれも有機バインダー、溶剤、可塑剤を添加混合して得た導体ペーストを前記グリーンシートの一方主面上あるいは両面に周知の印刷法を用いて所定のパターンを印刷する。場合によっては、この配線回路層３５を金属箔により形成することも可能である。
【００４８】
その後、同様にして得られた複数のグリーンシートを積層圧着して積層体を形成する。
【００４９】
次に、平面方向の収縮を抑制するため、グリーンシートを積層した低温焼成セラミック積層体の焼成温度で難焼結性のセラミック材料を主成分とする拘束シート５１を、前記低温焼成セラミック積層体の両面に加圧積層して積層体を作製する。
【００５０】
この工程において、本発明では配線回路層３５の構成、あるいは収縮開始温度の異なる絶縁層３１の層構成によって、拘束シート５１の厚みを積層体の表裏面で変えることを特徴としている。
【００５１】
そして、拘束シート５１は難焼結性セラミック材料を主成分とし、かつガラス成分を０．５〜１５質量％含有することが望ましいが、拘束力を高めるとともに、焼成後にこの拘束シートを除去しやすくするという点で、ガラス成分比率は、特に、２〜１０質量％であることが望ましい。
【００５２】
焼成工程においては、成形のために配合したバインダー成分を除去するが、バインダー除去は、配線回路層３５を形成する金属として、例えば、銅を用いる場合には、１００〜８００℃の水蒸気を含有する窒素雰囲気中で行われる。
【００５３】
焼成後、平面方向の収縮を抑制するために積層していた拘束シート５１を、超音波洗浄、研磨、ウォータージェット、ケミカルブラスト、サンドブラスト、ウェットブラスト等で除去する。
【００５４】
最後に、基板表面の電極保護あるいは半田濡れ性向上を図るためのＡｕめっきを施すことにより、本発明の低温焼成多層セラミック配線基板を作製することができる。
【００５５】
【実施例】
実施例１
本発明の低温焼成多層セラミック配線基板について、一実施例に基づき評価する。
【００５６】
先ずガラス粉末としてデイオプサイト系結晶化ガラス、フィラーとしてアルミナを準備した。
【００５７】
前記ガラス粉末とアルミナを所望する割合で調合し、ボールミルを用いて有機バインダー、可塑剤を加えて十分混合させてスラリーを作製し、ドクターブレード法により厚み５０〜１５０μｍのグリーンシートを作製した。
【００５８】
次に、前記グリーンシートの所定箇所にビアホールを形成しその中にも銅を含む導体ペーストを充填し、表面に銅を含む導体ペーストをスクリーン印刷法に基づき塗布した。
【００５９】
印刷後のグリーンシートを用いて、図１に示す低温焼成セラミック積層体を作製し、さらにこの低温焼成セラミック積層体の表裏面に拘束シートを積層した後に、この積層体を所望する大きさに切断し積層体を作製した。なお、積層体の表裏面に積層する拘束シートの厚みについては表１に示す。
【００６０】
次いで、作製した積層体をトレイを介して連続式焼成炉の可動ベルトに載せ焼成を行った。
【００６１】
焼成条件は、まず、積層体を７２０℃の水蒸気を含有する窒素雰囲気中にて脱バインダー処理後、９００℃×１時間の窒素雰囲気中にて加熱した。
【００６２】
焼成後は、拘束シートをウェットブラストにて除去し、低温焼成多層セラミック配線基板を作製した。
【００６３】
表１に積層体表裏面に積層した拘束シートの厚みと、低温焼成セラミック配線基板（７５ｍｍ×７５ｍｍ×０．５ｍｍ）対角線上の反りの測定結果を示した。
【００６４】
【表１】
2004288939.tif 000003
【００６５】
表１の結果から明らかなように、基板上部層側の表面に積層する拘束シートを下部層側のそれより厚くした試料Ｎｏ．４、５では基板反りが５０μｍ以下であった。一方、拘束シートを積層しない場合試料Ｎｏ．１では基板反りが２００μｍであった。また、拘束シートの厚みを基板上部層側、下部層側の表面ともに同一厚みにした試料Ｎｏ．２、３では、基板反りが１４０〜１５０μｍであった。
【００６６】
実施例２
本実施例は、焼成開始温度が異なる２種のグリーンシートを用いて形成される低温焼成多層セラミック配線基板についての場合である。焼成開始温度が異なる材料として比誘電率の異なる組成物を適用した。
【００６７】
即ち、低誘電率層用組成物にはガラス粉末としてデイオプサイト系結晶化ガラス、フィラーとしてアルミナを準備した。
【００６８】
一方、この低誘電率層用組成物より収縮開始温度が低い高誘電率層用組成物にはガラス粉末として、チタン酸塩系結晶化ガラス、フィラーとしてアルミナを準備した。前記それぞれの組成物を所望する割合で調合し、ボールミルを用いて有機バインダー、可塑剤を加えて十分混合させてスラリーを作製し、ドクターブレード法により厚み５０〜１５０μｍのグリーンシートを作製した。
【００６９】
次に、前記グリーンシートの所定箇所にビアホールを形成しその中にも銅を含む導体ペーストを充填し、表面に銅を含む導体ペーストをスクリーン印刷法に基づき塗布した。
【００７０】
印刷後のグリーンシートを用いて、図２に示す低温焼成セラミック積層体を作製し、さらにこの低温焼成セラミック積層体の表裏面に拘束シートを積層した後に、この積層体を所望する大きさに切断し積層体を作製した。なお、積層体の表裏面に積層する拘束シートの厚みについては表２に示す。
【００７１】
次いで、作製した積層体をトレイを介して連続式焼成炉の可動ベルトに載せ焼成を行った。
【００７２】
焼成条件およびウェットブラストは実施例１と同じ条件として低温焼成多層セラミック配線基板を作製した。
【００７３】
表２に積層体表裏面に積層した拘束シートの厚みと、低温焼成セラミック配線基板（７５ｍｍ×７５ｍｍ×０．５ｍｍ）対角線上の反りの測定結果を示した。
【００７４】
【表２】
2004288939.tif 000004
【００７５】
表２の結果から明らかなように、基板上部層側の表面に積層する拘束シートを下部層側のそれより厚くした試料Ｎｏ．９、１０では基板反りが５０μｍ以下であった。
【００７６】
一方、拘束シートを積層しない試料Ｎｏ．６では、基板反りが４００μｍであった。また、拘束シートの厚みを基板上部層側および下部層側の表面ともに同一厚みにした試料Ｎｏ．７、８では、基板反りが１６０〜１７０μｍであった。
【００７７】
【発明の効果】
以上詳述したように、複数の絶縁層からなる低温焼成多層セラミック配線基板において、配線回路層の配設比率あるいは収縮挙動の異なる数種類の絶縁層が混在することにより発生する配線基板の反りを、低温焼成セラミック積層体の表裏面に積層する拘束シートの厚みを調整することにより抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の、配線回路層の配置が積層方向に均等でない低温焼成多層セラミック配線基板の製法を示す概略断面図である。
【図２】本発明の、絶縁基板内に一部異種の絶縁層を介装させた低温焼成多層セラミック配線基板の製法を示す概略断面図である。
【図３】低温焼成多層セラミック配線基板に、配線回路層の影響により通常発生する反りを示す断面図である。
【図４】低温焼成多層セラミック配線基板に焼結開始温度の異なる絶縁層が介装された場合に通常発生する反りを示す断面図である。
【図５】低温焼成セラミック積層体を構成する各材料の加熱による収縮挙動を示す図である。
【符号の説明】
３１  絶縁層
３３  絶縁基板
３５  配線回路層
３７  ビアホール導体
４１  上部層
４３  下部層
４５  絶縁層３１の材料より収縮開始温度の低い材料からなる絶縁層
５１ａ  配線基板下層側の表面に積層した拘束シート
５１ｂ  配線基板上層側の表面に積層した拘束シート
【図１】
2004288939.tif 000005
【図２】
2004288939.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
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