(57)【要約】【課題】コア基板を有さず、ビルドアップ層を多層配線層とする多層配線基板において、そのビルドアップ層の電気的特性などの品質向上を含めて、該ビルドアップ層の製造に適した多層配線基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】金属支持板２の第一主表面ＰＦ１の直上に、ビルドアップ層５０の第一主表面側に位置する第一レジスト層となるべき、絶縁体層１０に属する第一絶縁体層３を形成し、該第一絶縁体層３の第一主表面ＰＦ２の所定位置に、配線層１１に属し、金属パッド層となるべき第一金属パッド層４を形成する。【選択図】　　　　図１
2004111536.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板を有さず、配線層および絶縁体層からなるビルドアップ層を有し、該ビルドアップ層の一方の主表面上に金属支持枠体が形成されてなる多層配線基板の製造方法であって、
金属支持板の第一主表面の直上に、前記ビルドアップ層の第一主表面側に位置する第一レジスト層となるべき、前記絶縁体層に属する第一絶縁体層を形成する第一絶縁体層形成工程と、
該第一絶縁体層の第一主表面の所定位置に、前記配線層に属するとともに、金属パッド層となるべき第一金属パッド層を形成する第一金属パッド層形成工程と、
を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記金属支持板に対してエッチング処理を施すエッチング工程を有し、該エッチング処理は、前記第一絶縁体層をエッチストップ層として用いる処理とされることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第一絶縁体層に対して穿孔処理を施し、該第一絶縁体層の所定位置を、前記第一金属パッド層の前記第一絶縁体層側の主表面が、該第一絶縁体層に被覆される被覆領域と、該被覆領域を除く領域は表面露出した形の露出領域とからなるように、開口する第一開口工程を有することを特徴とする請求項１または２記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第一開口工程は、ドライエッチングを用いて開口する工程とされることを特徴とする請求項３記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記ドライエッチングは、レーザ加工とされることを特徴とする請求項４記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記ビルドアップ層の前記第一主表面側とは反対側の第二主表面側に位置する第二レジスト層となるべき、前記絶縁体層に属する第二絶縁体層を形成する第二絶縁体層形成工程と、
該第二絶縁体層形成工程に先立ち、前記第二絶縁体層の直下に位置し、前記配線層に属するとともに、金属パッド層となるべき第二金属パッド層を形成する第二金属パッド層形成工程と、
前記第二絶縁体層に対して穿孔処理を施し、該第二絶縁体層の所定位置を、前記第二金属パッド層の前記第二絶縁体層側の主表面が、該第二絶縁体層に被覆される被覆領域と、該被覆領域を除く領域は表面露出した形の露出領域とからなるように、開口する第二開口工程と、
を有することを特徴とする請求項３ないし５のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第一開口工程にて形成される前記第一金属パッド層の前記露出領域は、前記第二開口工程にて形成される前記第二金属パッド層の前記露出領域に比べて小さいものとされ、かつ、前記第一開口工程は、ドライエッチングを用いて開口する工程とされることを特徴とする請求項６記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記ドライエッチングは、レーザ加工とされることを特徴とする請求項７記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記第一金属パッド層の前記第一絶縁体層側の主表面の大きさは、２８００μｍ２以上３２０００μｍ２以下とされるとともに、前記第一開口工程にて形成される前記第一金属パッド層の前記露出領域の大きさは、１９００μｍ２以上２６０００μｍ２以下とされることを特徴とする請求項７または８に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第二金属パッド層の前記第二絶縁体層側の主表面の大きさは、４９０００μｍ２以上６０００００μｍ２以下とされるとともに、前記第二開口工程にて形成される前記第二金属パッド層の前記露出領域の大きさは、３００００μｍ２以上４０００００μｍ２以下とされることを特徴とする請求項７または８に記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品が搭載されるパッケージ基板に適した多層配線基板の製造方法に関し、詳細には、コア基板を有さず、ビルドアップ層の一方の主表面上に金属支持枠体が形成されてなる多層配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、デジタル製品の高速化は目覚しい遍歴で加速しており、それに伴い、デジタル製品に用いられるパッケージ基板においても、搭載するＬＳＩやＩＣチップあるいはチップコンデンサなどの電子部品の高集積化および高密度化を図るために、小型化や接続端子数（ピン数）の多ピン化が進められている。このことは、パッケージ基板における配線密度も、高密度化することを意味する。そこで、このようなパッケージ基板の配線密度の高密度化を可能とする製造方法として、近年注目されているものに、ビルドアップ法がある。これは、コア基板上に、樹脂材からなる層間絶縁体膜を用いて絶縁体層を積層形成し、その上に配線層を形成することで多層化がなされ、最終的にビルドアップ層とする方法である。コア基板上にビルドアップ層を形成した配線基板については、例えば、特開Ｈ１１−２３３９３７号公報、特開Ｈ１１−２８９０２５号公報にて提案されている。
【０００３】
上記ビルドアップ法を用いて形成されるビルドアップ層においては、高密度配線化が可能とされるが、現況において、もはや上記デジタル製品の高速化の要請速度に追随できない側面がある。それは、ビルドアップ層の機械的強度を補償する部材であるコア基板に関する。該コア基板をパッケージ基板に組み入れることを前提とすると、このコア基板の形成領域相当分が、パッケージ基板の高密配線化を図る際、設計上使用できない領域であるために、パッケージ基板の更なる高密度配線化に対して足かせとなってしまう。また、デジタル製品の高速化を図るために、使用する電気信号の周波数もＧ（ギガ）Ｈｚ帯に突入し、さらなる高周波化がなされている。このように使用する電気信号が高周波化すると、パッケージ基板に搭載される電子部品の動作電源と電子部品とを繋ぐ配線がインダクタンスとして寄与するため、その配線長が無視できなくなる。つまり、コア基板の層厚が無視できなくなる。
【０００４】
そこで、コア基板を形成することなく、高密度配線化を可能とするビルドアップ層の特質を生かした新しいタイプのパッケージ基板が提案されている。例えば、図５の模式図に示すようなものである。配線層１１０および絶縁体層９０からなるビルドアップ層８０が形成されており、コア基板を形成しないがためのビルドアップ層８０の機械的強度の補償は、ビルドアップ層８０の一方の主表面（図面上面）上に形成されてなる金属支持枠体７０が担う。また、ビルドアップ層８０の両主表面には、表面露出した形で配線層１１０に属する金属パッド層４０、６５が形成されてなる。そして、ビルドアップ層８０において図面上面の主表面側に位置する金属パッド層６５は、電子部品搭載のための接続端子の役割を担い、他方、図面下面の主表面側に位置する金属パッド層４０は、例えば、マザーボードに搭載するための接続端子の役割を担う。このような、コア基板を有さず、ビルドアップ層を多層配線層として機能させるパッケージ基板を、本明細書においては、多層配線基板と総称する。なお、図５の模式図に示すような多層配線基板は、例えば、特開２００２−２６１７１号公報にて、提案されている。
【０００５】
【特許文献１】特開Ｈ１１−２３３９３７号公報
【特許文献２】特開Ｈ１１−２８９０２５号公報
【特許文献３】特開２００２−２６１７１号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような多層配線基板のタイプをパッケージ基板に採用することで、さらなる高密度配線化を図ることが可能とされる。しかしながら、次のような問題がある。ビルドアップ層の機械的強度を補償するために金属支持枠体が形成されてなるが、従来のコア基板のように、ビルドアップ層の層面内領域に対して全面被覆する形でないので、外力を受けた際、ビルドアップ層における配線層と絶縁体層との界面付近に応力が集中しやすくなる。図５の模式図を用いれば、表面が露出した金属パッド層においては、絶縁体層との接着面積が少ないがために、応力集中した際、特にクラック等の欠陥が発生しやすい領域となる。また、該領域は、製造過程においても応力が集中すると、クラック等の欠陥が発生しやすい領域となる。
【０００７】
上記のように、ビルドアップ層における配線層と絶縁体層との界面近傍にクラック等の欠陥が発生すると、ビルドアップ層に求められる電気的特性などの品質を所望のものとできず、その欠陥が過大なものとなれば、不良品として取り扱われることになる。本発明は、かかる問題を考慮してなされたものである。すなわち本発明は、コア基板を有さず、ビルドアップ層を多層配線層とする多層配線基板を対象とし、そのビルドアップ層の電気的特性などの品質向上を含めて、該ビルドアップ層の製造に適した多層配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段および作用・効果】
上記課題を解決するための本発明の多層配線基板の製造方法は、
コア基板を有さず、配線層および絶縁体層からなるビルドアップ層を有し、該ビルドアップ層の一方の主表面上に金属支持枠体が形成されてなる多層配線基板の製造方法であって、
金属支持板の第一主表面の直上に、前記ビルドアップ層の第一主表面側に位置する第一レジスト層となるべき、前記絶縁体層に属する第一絶縁体層を形成する第一絶縁体層形成工程と、
該第一絶縁体層の第一主表面の所定位置に、前記配線層に属するとともに、金属パッド層となるべき第一金属パッド層を形成する第一金属パッド層形成工程と、
を有することを特徴とする。
【０００９】
上記本発明の製造方法において第一に特質すべき特徴は、図４（ａ）の模式図に示すように、金属支持板２の第一主表面ＰＦ１の直上に、まず、ビルドアップ層の第一主表面側に位置する第一レジスト層となるべき、絶縁体層に属する第一絶縁体層３を形成し（第一絶縁体層形成工程）、その後に、該第一絶縁体層３の第一主表面ＰＦ２の所定位置に、配線層に属するとともに、金属パッド層となるべき第一金属パッド層４を形成する（第一金属パッド層形成工程）という点にある。従来の製造方法によると、図６（ａ）の模式図に示すように、金属支持板２’の第一主表面ＰＦ１と第一金属パッド層４’とが界面を形成する形で、第一金属パッド層４’および絶縁体層１０を形成すると、図６（ｂ）の模式図に示すように配線層１１および絶縁体層１０を順次形成することで多層化した後に、第一金属パッド層４’の金属支持板２’側の主表面が露出するように金属支持板２’の形成領域の一部（左図）又は全形成領域（右図）を除去する際、または、除去後において、製造工程において発生する外力が特に第一金属パッド層４’と絶縁体層１０の界面に集中しやすくなる。そのため、図６（ｂ）に示すＦ領域近傍にクラック等の欠陥が誘起されやすくなる。
【００１０】
しかしながら、本発明においては、図４（ａ）のように、金属支持板の第一主表面の直上に第一絶縁体層を形成し、該第一絶縁体層の第一主表面の所定位置に第一金属パッド層を形成するので、上記したクラック等の欠陥が発生する不具合を効果的に抑制することが可能となる。図４（ｂ）に示すように、第一金属パッド層４と界面を形成する新たな絶縁体層１０が形成され、多層化がなされていくので、その後、第一金属パッド層４の金属支持板２側の主表面が露出するように、金属支持板２の形成領域の一部（左図）又は全形成領域（右図）を除去する際、または、除去後において、製造工程において発生する外力が特に第一金属パッド層４と絶縁体層１０の界面に集中しやすくなることを緩和することができる。つまり、第一金属パッド層４の絶縁体層１０（第一絶縁体層３も含む）との接着面積が、図６の第一金属パッド層４’に比べて大きく確保されているためである。なお、図４（ｂ）の左図のように、金属支持板２の形成領域の一部を除去するのは、最終的に製造される多層配線基板における金属支持枠体に転用するためである。
【００１１】
上記のように、第一絶縁体層形成工程にて形成される第一絶縁体層は、最終的に製造される多層配線基板においてレジスト層として機能する第一レジスト層となるべきものなので、製造効率の低下になるものではない。また、第一金属パッド層形成工程にて形成される第一金属パッド層は、最終的に製造される多層配線基板において、電子部品搭載のための接続端子、または、マザーボードなどに搭載するための接続端子の役割を担うものである。
【００１２】
次に本発明の多層配線基板の製造方法においては、金属支持板に対してエッチング処理を施すエッチング工程を有し、該エッチング処理は、第一絶縁体層をエッチストップ層として用いる処理とされることを特徴とする。上記したように、金属支持板の形成領域の一部又は全形成領域を除去するかは別にして、金属支持板を除去する工程を必要とする。そこで、本発明においては、金属支持板の除去をエッチング処理にて行なう。金属支持板を除去する方法としては、平面研削盤などを用いた機械研削などでも行なうことができるが、平滑性よく簡便に金属支持板のみを選択的に除去するには、やはり化学的研磨、つまりエッチング処理にて行なうのがよい。また、機械研削を用いた場合、意図しない機械振動にて、絶縁体層と配線層との界面に応力が集中することも考えられるので、エッチング処理にて金属支持板を除去するのが好適であると言える。さらに、本発明においては、第一絶縁体層をエッチストップ層として用いることができる。よって、図６（ｂ）のような場合には、第一金属パッド層４’の少なくとも金属支持板２’側の表層部と金属支持板２’とのそれぞれ材質を、エッチング選択性を考慮して材料選択する必要があるが、本発明によるとこのような問題はなく、例えば第一金属パッド層を同一材料からなる単一層とするとともに、金属支持板と同材料とすることもできる。つまり、金属支持板を選択的にエッチングするために、第一金属パッド層を、金属支持板側の表層部のみ金属支持板とのエッチング選択性を有する材料にて余分に形成した形で、構成させる必要がない。また、金属支持板と第一金属パッド層との材料の組み合わせの幅も大きくなる利点がある。つまり作業効率とともに作業利便性を高めることができる。
【００１３】
上記のように、金属支持板に対する除去工程を、第一絶縁体層をエッチストップ層としてエッチング処理するエッチング工程とすることで、金属支持板の除去工程を簡便に行なうことができる。また、この場合、第一絶縁層は樹脂材を用いて形成されているので、基本的に樹脂材と金属とのエッチング選択性を考慮すればよいので、上記のような金属と金属とのエッチング選択性に関わる問題がない。そして、エッチングに使用するエッチングガス種またはエッチング液などを適宜選択することで、確実に金属支持板のみをエッチングすることが可能である。さらに、エッチング方法としては、ドライエッチング処理とウエットエッチング処理があるが、コスト面などから、特には、エッチング液を用いたウエットエッチングを採用することが望ましい。
【００１４】
次に本発明の多層配線基板の製造方法においては、第一絶縁体層に対して穿孔処理を施し、該第一絶縁体層の所定位置を、第一金属パッド層の第一絶縁体層側の主表面が、該第一絶縁体層に被覆される被覆領域と、該被覆領域を除く領域は表面露出した形の露出領域とからなるように、開口する第一開口工程を有することを特徴とする。
【００１５】
上述したように第一金属パッド層は、電子部品を搭載するため、または、マザーボードなどに搭載するための接続端子の役割を担うものである。そのため、少なくとも第一金属パッド層における第一絶縁値層側の表面の一部が表面露出するように、第一絶縁体層に対して穿孔処理を施し、該第一絶縁体層における所定位置、つまり第一金属パッドの形成位置に対応したそれぞれ位置を開口する工程を必要とする。この開口する工程にて開口させる形態は、図７の模式図の（ａ）、（ｂ）のように大別することができる。図７（ａ）は、第一金属パッド層３の第一絶縁体層３側の主表面が、第一絶縁体層３に被覆される被覆領域と、該被覆領域を除く領域は表面露出した形の露出領域とからなる形態である。一方、図７（ｂ）は、第一金属パッド層３における第一絶縁体層３側の主表面の全領域が、表面露出した形の形態である。これら形態において、特には図７（ａ）に示すように、第一金属パッド層の第一主表面が、第一絶縁体層に被覆される被覆領域と、該被覆領域を除く領域は表面露出した形の露出領域とからなる形態の方が、絶縁体層（第一絶縁体層も含む）　と第一金属パッド層との接着面積を大きくとることができるので、製造工程上にて発生する外力に対する応力が、絶縁体層と第一金属パッド層との界面近傍に集中することを抑制することができる。つまり、絶縁体層と第一金属パッド層との界面近傍にクラックなどの欠陥が発生することを効果的に抑制することができる。また、最終的に製造された本発明の多層配線基板は、その後、電子部品の搭載や、マザーボードなどへの搭載がなされるものである。その際、第一金属パッド層はハンダバンプやハンダボールなどを介して接続端子の役割を担うので、このハンダバンプやハンダボール形成時、電子部品などの実装時、または実装後において、第一金属パッド層と絶縁体層との界面近傍には応力が特に集中することが懸念されるが、図７（ａ）のような形態とすることで、そのような不具合の発生も効果的に抑制することができる。即ち、上記のように第一開口工程を、第一絶縁体層に対して穿孔処理を施し、該第一絶縁体層の所定位置を、第一金属パッド層の第一絶縁体層側の主表面が、該第一絶縁体層に被覆される被覆領域と、該被覆領域を除く領域は表面露出した形の露出領域とからなるように、開口する工程とするのが望ましい。
【００１６】
上記第一開口工程における第一絶縁体層に対する開口は、具体的には、ドライエッチングを用いて行うのが望ましい。ドライエッチングを用いることで、簡便に所望の開口径や開口形状に確実に仕上げることができる。ここでは、第一絶縁体層は、第一開口工程を行なう時には、すでに樹脂材からなる層間絶縁体膜を硬化処理させた状態であるので、例えば、該層間絶縁体膜を感光樹脂材から構成することで、ウエットエッチングの１つであるフォトバイア法にて開口し、さらに硬化処理を行うという方法を取ることができない。そこで、ここで用いるドライエッチングの具体的なものとしては、公知のレーザ加工、プラズマエッチング、イオンビームエッチングなどを挙げることができる。現況において、最も技術的に確立され、簡便に所望開口径や開口形状に確実に仕上げられる観点より、特にはレーザ加工を採用するのが望ましい。レーザ加工を用いる場合であれば、エキシマレーザ、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧ（Ｙｉｔｔｒｉｕｍ　Ａｌｕｍｉｎｕｍ　Ｇａｒｎｅｔ）レーザなどの公知のレーザより適宜、開口する開口径や開口深さなどに応じる形で、それらのレーザ波長などを加味して選択されることになる。
【００１７】
次に、本発明の多層配線基板の製造方法においては、ビルドアップ層の第一主表面側とは反対側の第二主表面側に位置する第二レジスト層となるべき、絶縁体層に属する第二絶縁体層を形成する第二絶縁体層形成工程と、
該第二絶縁体層形成工程に先立ち、第二絶縁体層の直下に位置し、配線層に属するとともに、金属パッド層となるべき第二金属パッド層を形成する第二金属パッド層形成工程と、
第二絶縁体層に対して穿孔処理を施し、該第二絶縁体層の所定位置を、第二金属パッド層の第二絶縁体層側の主表面が、該第二絶縁体層に被覆される被覆領域と、該被覆領域を除く領域は表面露出した形の露出領域とからなるように、開口する第二開口工程と、
を有することを特徴とする。
【００１８】
上記した第一絶縁体層は、ビルドアップ層の第一主表面側に位置する第一レジスト層となるべきものとされる。そこで、ビルドアップ層の第一主表面側とは反対側の第二主表面側にも第二レジスト層を形成するものとし、該第二レジスト層となるべき、絶縁体層に属する第二絶縁体層を形成する（第二絶縁体層形成工程）。そして、該第二絶縁体層形成工程に先立ち、第二金属パッド層形成工程にて、第二絶縁体層の直下に位置し、配線層に属するとともに、金属パッド層となるべき第二金属パッド層を形成させておく。この第二金属パッド層もまた、上記第一金属パッド層と同様に、電子部品を搭載するため又はマザーボードなどに搭載するための接続端子の役割を担うものである。ただし、第一金属パッド層および第二金属パッド層の一方が、電子部品搭載のための接続端子の役割をなし、他方が、マザーボードなどに搭載するための接続端子の役割をなす。このように第二金属パッド層形成工程および第二絶縁体層形成工程にて第二金属パッド層および第二絶縁体層を形成し、そして第二開口工程にて、該第二絶縁体層に対して穿孔処理を施し、第二絶縁体層の所定位置を、第二金属パッド層の第二絶縁体層側の主表面が、該第二絶縁体層に被覆される被覆領域と、該被覆領域を除く領域は表面露出した形の露出領域とからなるように、開口する。
【００１９】
上記のように第二開口工程を行なうことで、第二金属パッド層および第二絶縁体層の形態は図８の模式図に示すようなものとなる。つまり、図７（ａ）を用いて上述した第一金属パッド層および第一絶縁体層の形態と同様のものとなる。よって、絶縁体層１０（第二絶縁体層５も含む）　と第二金属パッド層６との接着面積を大きくとることができるので、製造工程上にて発生する外力に対する応力が、絶縁体層と第二金属パッド層６との界面近傍に集中することを抑制することができる。つまり、絶縁体層と第二金属パッド層との界面近傍にクラックなどの欠陥が発生することを効果的に抑制することができる。さらに、第二金属パッド層に対するハンダバンプやハンダボール形成時、電子部品実装やマザーボードなどへの実装時、または実装後において、第二金属パッド層と絶縁体層との界面近傍に発生しやすい応力集中を効果的に緩和させることができる。
【００２０】
上記第二開口工程における開口の方法としては、上記したレーザ加工、プラズマエッチング、イオンビームエッチングなどのドライエッチングを用いた方法を採用してもよいが、次のような方法を用いることも可能である。まず、第二絶縁体層形成工程にて用いる層間絶縁体膜を感光樹脂材から構成し、第二絶縁体層形成工程においては硬化処理を行なわず、この未硬化状態を第二絶縁体層とみなす。そして、第二開口工程にて、該第二絶縁体層の所定位置に対して紫外線を照射し、露光、現像することにより開口する。つまり、公知のフォトバイア法を用いて開口する方法である。このフォトバイア法を用いた場合は、開口後または開口の際に第二絶縁体層に対する硬化処理を行なうことになる。
【００２１】
通常、本発明の多層配線基板も含めてパッケージ基板においては、電子部品を搭載するための接続端子の端子間距離は、電子部品の接続端子間距離に起因して、マザーボードなどに搭載するための接続端子の端子間距離に比べて短い。そのため、電子部品を搭載するための接続端子の役割を担う金属パッド層のパッド面積つまりは主表面の面積は、マザーボードなどを搭載するための接続端子の役割を担う金属パッド層の主表面の面積に比べて小さく、それに応じて、主表面において開口される表面露出面積も小さいものとされる。この内容を踏まえて、本発明の多層配線基板の製造方法においては、第一開口工程にて形成される第一金属パッド層の露出領域は、第二開口工程にて形成される第二金属パッド層の露出領域に比べて小さいものとされ、かつ、第一開口工程は、ドライエッチングを用いて開口する工程とされることを特徴とする。ここで、ドライエッチングとしては、上記した公知のレーザ加工、プラズマエッチング、イオンビームエッチングなどを挙げることができる。この中でも上述同様の理由にて、特には、レーザ加工を採用するのが望ましい。
【００２２】
上述のように第一開口工程にて、第一絶縁体層の所定位置を開口する方法としては、ドライエッチングを用いた方法が望ましい。また、具体的には、レーザ加工やプラズマエッチング、イオンビームエッチングを用いた開口方法は、フォトバイア法などに比べて、特に開口径の縮径化を図る必要がある場合に有効である。そこで、第一開口工程に形成される第一金属パッド層の露出領域は、第二開口工程にて形成される第二金属パッド層の露出領域に比べて小さいものとする。つまり、第一金属パッド層を電子部品搭載のための接続端子として用いることとする。そして、第一開口工程においては、フォトバイア法にて簡便に開口し、さらに層間絶縁体膜を硬化処理するという作業効率の向上に寄与する方法をとることができず、最善策の１つとしてドライエッチングを用いた方法を採用することになるので、でき得る限りドライエッチングを用いた方法の利点を生かすのがよい。そのため、第一金属パッド層を電子部品搭載のための接続端子とすることで、第一開口工程にて開口した際に形成される第一金属パッド層の露出領域を、電子部品における接続端子の端子距離の縮小化に特に応じる形で、形状よく形成することができる。
【００２３】
上記のように、第一金属パッド層を、電子部品搭載のための接続端子として用いる場合、その第一絶縁体層側の主表面の大きさは、例えば２８００μｍ２以上３２０００μｍ２以下とするのがよい。該主表面が略円形状とされる場合は、その直径を６０μｍ以上２００μｍ以下とする範囲に対応する（但し、円面積に用いる全ての数値は有効数字２桁とし、それらの四捨五入の数値範囲を含有するものとしている）。この主表面の大きさの範囲は、現況の電子部品の端子間距離や設計上可能とされる大きさなどを考慮して決定される範囲である。そこで、該主表面の大きさが、３２０００μｍ２を超えると、第一金属パッド層間の最隣接距離を十分にとれず、電気的短絡が生じる場合が想定される。一方、２８００μｍ２未満となると、第一開口工程にて第一金属パッド層の主表面に対して十分に第一絶縁体層にて被覆される被覆領域を確保できない場合が想定される。また、このように第一金属パッド層における第一絶縁体層側の主表面の大きさを限定した場合、第一開口工程にて形成される第一金属パッド層の露出領域の大きさは、１９００μｍ２以上２６０００μｍ２以下とするのがよい。該露出領域が略円形状とされる場合は、その直径を５０μｍ以上１８０μｍ以下とする範囲に対応する（但し、円面積に用いる全ての数値は有効数字２桁とし、それらの四捨五入の数値範囲を含有するものとしている）。この露出領域の大きさが、２６０００μｍ２を超えると、第一開口工程にて第一金属パッド層の主表面に対して十分に第一絶縁体層にて被覆される被覆領域を確保できない場合がある。一方、１９００μｍ２未満となると、第一開口工程にて開口すべき開口径が過度に小さいものとなり、レーザの焦点深度などに起因して、簡便に開口深さを確保できない場合があり、作業効率の低下を招く。
【００２４】
また、第二金属パッド層を、マザーボードなどに搭載するための接続端子として用いる場合、その第二絶縁体層側の主表面の大きさは、例えば、４９０００μｍ２以上６０００００μｍ２以下とするのがよい。該主表面が略円形状とされる場合は、その直径を２５０μｍ以上８７０μｍ以下とする範囲に対応する（但し、円面積に用いる全ての数値は有効数字２桁とし、それらの四捨五入の数値範囲を含有するものとしている）。この主表面の大きさの範囲も、現況のマザーボードなど、多層薄膜配線基板を搭載する側の端子間距離や設計上可能とされる大きさなどを考慮して決定される範囲である。そこで、該主表面の大きさが、６０００００μｍ２を超えると、第二金属パッド層間の最隣接距離を十分にとれず、電気的短絡が生じる場合が想定される。一方、４９０００μｍ２未満となると、第二開口工程にて第二金属パッド層の主表面に対して十分に第二絶縁体層にて被覆される被覆領域を確保できない場合が想定される。また、このように第二金属パッド層における第二絶縁体層側の主表面の大きさを限定した場合、第二開口工程にて形成される第二金属パッド層の露出領域の大きさは、３００００μｍ２以上４０００００μｍ２以下とするのがよい。該露出領域が略円形状とされる場合は、その直径を２００μｍ以上７１０μｍ以下とする範囲に対応する（但し、円面積に用いる全ての数値は有効数字２桁とし、それらの四捨五入の数値範囲を含有するものとしている）。該露出領域の大きさが、４０００００μｍ２を超えると、第二開口工程にて第二金属パッド層の主表面に対して十分に第二絶縁体層にて被覆される被覆領域を確保できない場合がある。一方、３００００μｍ２未満となると、第一開口工程にて開口すべき開口径が過度に小さいものとなり、フォトビア法を用いた場合は勿論、レーザを用いた場合においても、簡便に開口深さを確保できない場合があり、作業効率の低下を招く。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について述べる。
図１は本発明に係わる多層配線基板の製造方法の基本的な実施形態を説明するものである。工程▲１▼にて、金属支持板２の第一主表面ＰＦ１の直上に層間絶縁体膜をラミネート（貼り合わせ）して硬化処理を施すことで、第一絶縁体層３（例えば厚さ３０μｍ）を形成する（第一絶縁体層形成工程）。ここで、金属支持板２を形成する金属材料としては、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＳＵＳ（ＪＩＳ規格）、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、インバー、インバー合金などを用いることができる。第一絶縁体層３を形成するために用いる層間絶縁体膜としては、感光性樹脂や熱硬化性樹脂を用いた公知のものであればよいが、第一絶縁体層３を開口する工程である第一開口工程（後述）を特にレーザを用いて行なうことを考慮すると、層間絶縁膜としては熱硬化性樹脂を用いるのがよい。また、この熱硬化性樹脂としては、例えば、ポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂を挙げることができる。次に工程▲１▼に示すように、第一絶縁体層３の第一主表面ＰＦ２の所定位置に第一金属パッド層４（例えば厚さ１５μｍ）がＣｕメッキにより形成されている。
【００２６】
次に工程▲２▼に示すように、第一金属パッド層４の上層に、層間絶縁体膜をラミネートし硬化処理を施すことで絶縁体層１０（例えば厚さ３０μｍ）を形成する。そして、該絶縁体層１０の表面の所定位置にＣｕメッキにより配線層１１（例えば厚さ１５μｍ）を形成する。また、絶縁体層１０の所定位置に例えばレーザを用いて穿孔し、Ｃｕメッキにより配線層１１に属するビア導体を形成することで、絶縁体層１０の表面に形成された配線層１１と第一金属パッド層とは層間接続がなされる。このようにして順次、絶縁体層１０および配線層１１を形成して多層化することにより工程▲２▼に示す積層体を形成する。また、該積層体における最表層は、本実施形態においては、第二絶縁体層形成工程にて形成する第二絶縁体層５（例えば厚さ３０μｍ）とし、その直下には第二金属パッド層６（例えば厚さ１５μｍ）を第二金属パッド層形成工程にて形成するものとする。
【００２７】
次に、工程▲３▼にて、第二絶縁体層５の所定位置を、レーザを用いて穿孔し、第二金属パッド層６の第二絶縁体層５側の主表面が、第二絶縁体層５に被覆される被覆領域と、該被覆領域を除く領域は表面露出した形の露出領域とからなるようにする（第二開口工程）。また、この第二開口工程は、レーザを用いずフォトビア法を用いても行なうことができる。その場合、工程▲２▼において第二絶縁体層５は、少なくと感光性樹脂とされる層間樹脂材を用いて、かつ硬化処理を行なわいこととする。そして、工程▲３▼にて、マスク処理を施した第二絶縁体層５の所定位置に、紫外線を照射し露光、現像することで、第二金属パッド層６の第二絶縁体層５側の主表面が、第二絶縁体層５に被覆される被覆領域と、該被覆領域を除く領域は表面露出した形の露出領域とからなるようにすることができる。また、フォトビア法を用いた場合は、第二絶縁体層５を穿孔した後、またはその際に硬化処理を行なうことになる。
【００２８】
次に工程▲４▼にて、金属支持板２を、エッチング液を用いたウエットエッチングにて、選択的にエッチング除去する（エッチング工程）。この際、第一絶縁体層３は、エッチストップ層として機能する。尚、第二絶縁体層５の表面に図示しないエッチレジストを形成し、第二金属パッド層６をエッチング液から保護する。また、このエッチング工程に使用されるエッチング液は、金属支持板２と第一絶縁体層３とのそれぞれ材料間にてエッチング選択比が異なるもの、特には大きいものを適宜用いればよい。
【００２９】
次に工程▲５▼にて、第一絶縁体層３の所定位置を、レーザを用いて穿孔し、第一金属パッド層４の第一絶縁体層３側の主表面が、第一絶縁体層３に被覆された被覆領域と、該被覆領域を除く領域は表面露出した形の露出領域とからなるにする（第一開口工程）。そして、この第一開口工程の後、第一金属パッド層４および第二金属パッド層６の露出領域の表面に図示しない無電解Ｎｉ−ＰメッキおよびＡｕメッキを施す。このようにして配線層１１（第一金属パッド層４および第二金属パッド層５を含む）と絶縁体層１０（第一絶縁体層３および第二絶縁体層５を含む）とを有するビルドアップ層５０が形成される。
【００３０】
本実施形態においては、第二絶縁体層５を形成する形態としており、第二絶縁体層５は、ビルドアップ層５０においてレジスト層の機能を果たす第二レジスト層とされる。他方、第一絶縁体層３は、第一レジスト層とされる。また、第一金属パッド層４および第二金属パッド層６の一方は、電子部品搭載のための接続端子の役割を担い、他方がマザーボードや他の配線基板に搭載するための接続端子の役割を担うことになる。そこで、本実施形態においては、第二金属パッド層６を電子部品搭載のための接続端子を担うものとし、工程▲６▼にて第二絶縁体層５の所定の位置に金属支持枠体７を形成する。金属支持枠体７の金属材料としては、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＳＵＳ（ＪＩＳ規格）、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、インバー、インバー合金などを用いることができる。
【００３１】
上記のような工程を経て多層配線基板１を作製することができる。この多層配線基板１はパッケージ基板として用いるものなので、例えば、第二金属パッド層６は、ハンダバンプを介して電子部品と電気的接続をなすものとなり、第一金属パッド層４は、ハンダボールを介してマザーボードや他の配線基板と電気的接続をなすものとなる。
【００３２】
ここで、多層配線基板１の絶縁体層１０においては、第一絶縁体層３のみを熱硬化性樹脂を用いて形成し、他の絶縁体層１０は感光性樹脂を用いて形成してもよいし、絶縁体層１０全てを、熱硬化性樹脂を用いて形成することもできる。また、第一金属パッド層４を電子部品搭載のための接続端子の役割を担うようにしてもよい。その場合は、図１の工程▲５▼に図示されるビルドアップ層５０の配線パターンの形成形態および形成形状が、図面上にて上下反転するように、工程▲２▼にて配線層１０および絶縁体層１１を形成すればよい。このように、図１を用いて説明した上記本発明の一実施形態に、本発明は限定されるのではなく、請求項の記載に基づく技術的範囲を逸脱しない限り、種々の変形ないし改良を付加することができる。そこで、本発明に係わる他の実施形態の代表的なものを以下に説明する。
【００３３】
図２は、本発明に係わる多層配線基板の製造方法の第二実施形態を説明するものである。ここでは、第一金属パッド層４を電子部品搭載のための接続端子の役割を担うものとする。工程▲３▼までは、図１と同様の方法にて行なうことができるので説明は省略する。ただし、工程▲２▼における配線層１１の配線パターンの形成形態および形成形状が図１のものと図面上、上下反転するように絶縁体層１０および配線層１１を形成したものとしてある。そして、工程▲４▼にて、金属支持板２をエッチング処理するエッチング工程を行なうわけであるが、この際、マスク処理を施し、金属支持板２の形成領域の一部を除去する。ただし、エッチング工程にて残存する金属支持板２が、第一金属パッド層４の層厚方向への直下投影領域にまたがらないようにする。
【００３４】
次に、工程▲５▼において、図１の工程▲５▼と同様の方法にて第一絶縁体層３の所定位置を穿孔し開口する（第一開口工程）。そして、第一金属パッド層４および第二金属パッド層６の露出領域の表面に図示しない無電解Ｎｉ−ＰメッキおよびＡｕメッキを施す。このようにして配線層１１（第一金属パッド層４および第二金属パッド層５を含む）と絶縁体層１０（第一絶縁体層３および第二絶縁体層５を含む）とを有するビルドアップ層５０が形成される。そして、工程▲４▼におけるエッチング工程にて残存させた金属支持板２を、図１の工程▲６▼にて形成する金属支持枠体７として兼用させる。その結果、図２においては、工程▲５▼にてビルドアップ層５０を形成することで、多層配線基板１が形成されることになる。
【００３５】
図３は、本発明に係わる多層配線基板の製造方法の第三実施形態を説明するものである。工程▲１▼および▲２▼は、図１におけるものと同様の方法にて行なうことができるので省略する。但し、工程▲２▼における第二絶縁体層５は、感光性樹脂を用いた層間絶縁体膜が硬化処理されず未硬化の状態とする。そして、工程▲３▼にて、図示される第二絶縁体層５のパターンとなるように、紫外線照射による露光、現像を用いてパターンニング処理する。そして、パターンニング処理の際、またはその後、硬化処理させる。工程▲３▼の後の工程は、図１と同様の方法にて行なうことができ、工程▲６▼にて多層配線基板１が形成される。この図３の実施形態では、第一金属パッド層４が、電子部品搭載のための接続端子の役割を担う。
【００３６】
図３の多層配線基板１においては、第二金属パッド層６の第二絶縁体層５側の主表面が、第二絶縁体層５にて被覆されない形態とされる。製造工程上において発生する外力に起因する応力は、製造工程の流れをみれば、第一金属パッド層４と第一絶縁体層４との界面に集中する確率が一番高いと言える。そのため、工程▲１▼にて、金属支持板２の主表面上に、第一絶縁体層３、第一金属パッド層４の順に積層形成させている。そこで、工程▲１▼を必須とすれば、少なくとも本発明の所期の目的は達成される。
【００３７】
【実施例】
以下、本発明の効果を確認するために行なった実験結果について説明する。
【００３８】
（実施例）
上記した製造工程に従い、図２の▲５▼に示すような多層配線基板の製造を行った。そして、製造した多層配線基板の第一金属パット層（図２における第一金属パット層４に対応）の露出した主表面に、無電解Ｎｉ−ＰメッキおよびＡｕメッキを施すことにより形成されたメッキ層を介する形でハンダバンプを形成し、さらにその直上に電子部品（ＩＣチップ）を搭載させた。また、第二金属パッド層（図２における第二金属パッド層６に対応）の表面露出した主表面に、無電解Ｎｉ−ＰメッキおよびＡｕメッキを施すことにより形成されたメッキ層を介する形でハンダボールを形成した。ただし、電子部品と多層配線基板との間にはアンダーフィル樹脂からなる絶縁性封止樹脂層が介挿されている。
（比較例）
上記実施例と同様の条件にて多層配線基板の製造を行った。ただし、比較例においては、図７（ｂ）に示した模式図のように、第一金属パッド層および第二金属パッド層の主表面は、全領域が表面露出する形とした。
【００３９】
上記のように製造した実施例および比較例の多層配線基板に対して、それぞれの断面をＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：走査型電子顕微鏡）にて観察を行った。図９に実施例のものに対応する観察結果を、図１０に比較例に対応する観察結果を示す。
【００４０】
図９に示す観察結果より、実施例の多層配線基板においては、第一金属パッド層４と絶縁体層との界面および第二金属パッド層６と絶縁体層との界面にクラック等の発生は認められず、良好な多層配線基板であることが分かる。
【００４１】
図１０の上図は、第一金属パッド層４から第二金属パッド層６に渡る領域に対する観察結果であり、下図は、第一金属パッド層４近傍の拡大観察結果である。両図より、比較例の多層配線基板においては、第一金属パッド層４と絶縁体層との界面および第二金属パッド層６と絶縁体層との界面にクラックが発生していることが分かる。このことは、ハンダバンプ６０やハンダボール６２などの形成過程において、第一金属パッド層４と絶縁体層との界面や、第二金属パッド層６と絶縁体層との界面に過度の応力集中が発生したことに起因すると考えられる。
【００４２】
上記実施例および比較例を用いた実験結果より、それぞれ第一金属パッド層および第二金属パッド層の主表面は、それぞれ第一絶縁体層および第二絶縁体層に被覆された被覆領域を有するように形成するのが特に望ましく、ハンダバンプやハンダボールなどの形成過程においてクラック発生を効果的に抑制させた多層配線基板とすることが可能であることが示された。
【００４３】
なお、上記実施例および比較例の多層配線基板において、ハンダバンプ、ハンダボールなどを形成する前、つまり図２の▲５▼に示すような形態の状態で断面ＳＥＭ観察を行ったが、ビルドアップ層にはクラックの発生は認められなかったことを確認している。このことは、少なくとも本発明に係わる請求項１に則って多層配線基板を製造することで、製造過程において発生するクラックは効果的に抑制できることを示している。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による多層配線基板の製造方法の一実施形態を示す工程説明図。
【図２】本発明による多層配線基板の製造方法の第二実施形態を示す工程説明図。
【図３】本発明による多層配線基板の製造方法の第三実施形態を示す工程説明図。
【図４】本発明における第一絶縁体層の形成効果を説明するための模式図。
【図５】従来の多層配線基板の形態を説明するための模式図。
【図６】本発明における第一絶縁体層の形成効果を説明するための従来例を示す模式図。
【図７】本発明における第一絶縁体層と第一金属パッド層との形成形態を説明するための模式図。
【図８】本発明における第二絶縁体層と第二金属パッド層との形成形態を説明するための模式図。
【図９】実施例に係わるＳＥＭ観察図。
【図１０】比較例に係わるＳＥＭ観察図。
【符号の説明】
１　多層配線基板
２　金属支持板
３　第一絶縁体層
４　第一金属パッド層
５　第二絶縁体層
６　第二金属パッド層
７　金属支持枠体
１０　絶縁体層
１１　配線層
５０　ビルドアップ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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