(57)【要約】【課題】  共振モードを乱さずにフェライト上の電極と接地導体とを電気的に接続した非可逆回路素子を提供する。【解決手段】  基板１０上に、スルーホール２０ａ，２０ｂ，２０ｃを介して接地導体１２と導通している導体ランド１３ａ，１３ｂ，１３ｃを設け、フェライト３０上の電極３１と導体ランド１３ａ，１３ｂ，１３ｃとを金属部材で接続する。このとき、上面から見てフェライト３０の中心からスルーホール２０ａ，２０ｂ，２０ｃへ向けて引いたそれぞれ２本の接線のなす角θ１、θ２、θ３の和である中心角を９０°以内とするように、より好ましくは６０°以内とするようにスルーホール２０ａ，２０ｂ，２０ｃを形成する。【選択図】        図３
2004336709.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性体基板と、前記非磁性体基板の上面に形成されたストリップ導体と下面に形成された接地導体とからなるマイクロストリップ線路と、前記非磁性体基板上に配置されたフェライトとを備える非可逆回路素子であって、
前記非磁性体基板上には、第１のスルーホールによって前記接地導体と接続している導体ランドを備え、
前記フェライトの上面には電極を備え、
前記導体ランドと前記フェライトの上面の電極とが金属部材によって電気的に接続されていることを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項２】
前記非磁性体基板の上面方向から見て、前記フェライトの中心を中心点とし、該中心点から前記第１のスルーホールへ向けて引いた２本の接線のなす角である中心角、あるいは前記第１のスルーホールが複数である場合には前記中心点から各々のスルーホールへ向けて引いたそれぞれ２本の接線のなす角の和である中心角が９０°以内となるように前記第１のスルーホールが形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の非可逆回路素子。
【請求項３】
前記中心角が６０°以内となるように前記第１のスルーホールが形成されていることを特徴とする、請求項２に記載の非可逆回路素子。
【請求項４】
前記金属部材はボンディングワイヤであることを特徴とする、請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の非可逆回路素子。
【請求項５】
前記金属部材を複数個有し、複数個の前記金属部材が樹脂によって一体化されていることを特徴とする、請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の非可逆回路素子。
【請求項６】
前記金属部材は、前記フェライトの側面に形成されていることを特徴とする、請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の非可逆回路素子。
【請求項７】
前記金属部材は、前記フェライトに形成した第２のスルーホールからなることを特徴とする、請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の非可逆回路素子。
【請求項８】
前記フェライトは自己バイアス型フェライトであることを特徴とする、請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の非可逆回路素子。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載の非可逆回路素子を具備することを特徴とする無線装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ミリ波帯、マイクロ波帯などの高周波帯で用いられる、サーキュレータやアイソレータなどの非可逆回路素子、およびこれを用いた無線装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ミリ波帯やマイクロ波帯などの高周波帯で用いられるサーキュレータやアイソレータなどの非可逆回路素子としては、従来、磁性体からなる基板上に放射状に３本のマイクロストリップ線路を形成し、それらの交点に略円形の導体からなる共振器パターンを設け、磁石によって直流磁界を印加する構成のものが用いられている。
【０００３】
ところが、基板として磁性体を用いているため、誘電体基板上に形成されるマイクロ波集積回路に非可逆回路素子を組み込む場合、非可逆回路素子を形成する部分のみ基板の材質を変更する必要があり、コストの上昇につながる。
【０００４】
そのため、特許文献１に開示されているように、非磁性体の基板上に非可逆回路素子を構成する技術が開発されるに至った。
【特許文献１】特開昭６１−２９３００１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この技術は、非磁性体からなる基板上に、放射状の３本のマイクロストリップ線路を形成するとともにその交点に略円形の共振器パターンを形成し、共振器パターン上にフェライトを載置し、フェライトを覆う金属カバーを設けるとともにこの金属カバーの爪部が基板の接地導体と接続しているというものである。
【０００６】
この技術によれば、非可逆回路素子を他のマイクロ波集積回路と同一の基板上に形成することができるが、以下に挙げる２点の問題点を有している。
【０００７】
第１に、金属カバーを接地導体に接続する爪部が基板を貫通する構造になっているため、金属からなる爪部が基板内に発生する電磁界に影響を与え、所望の共振モードを得られなくなって非可逆特性の劣化を招いている。爪部を細くすればその影響は小さくなるものの、爪部の破断等を防ぐ観点から爪部は一定以上の幅を持たせておく必要があった。
【０００８】
第２に、金属カバーをあらかじめ形成しておいてからフェライトと接合すると、金属カバーの反りや変形が起こることがある。金属カバーの反りや変形が起こると、金属カバーとフェライトとの間に隙間が生じ、共振器パターンと金属カバーとの間に発生する変位電流が安定しなくなり、非可逆回路素子の特性のバラツキにつながっている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記問題点を解決するために本発明の非可逆回路素子は、非磁性体基板と、前記非磁性体基板の上面に形成されたストリップ導体と下面に形成された接地導体とからなるマイクロストリップ線路と、前記非磁性体基板上に配置されたフェライトとを備える非可逆回路素子であって、前記非磁性体基板上には、第１のスルーホールによって前記接地導体と接続している導体ランドを備え、前記フェライトの上面には電極を備え、前記導体ランドと前記フェライトの上面の電極とが金属部材によって電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１０】
このように構成することにより、非磁性体基板には径の小さなスルーホールを形成するのみで接地導体とフェライト上面の電極との電気的接続を図ることができ、共振モードに悪影響を与えずに接地導体とフェライト上面の電極との十分かつ安定した電気的接続を実現できる。
【００１１】
また、フェライト上面の電極は前記従来技術のような爪部を持たないから、例えばペースト印刷などの手法によって、フェライトの上面と十分に密着するように形成することができ、非可逆回路素子の特性が安定する。
【００１２】
ここで、前記非磁性体基板の上面方向から見て、前記フェライトの中心を中心点とし、該中心点から前記第１のスルーホールへ向けて引いた２本の接線のなす角である中心角、あるいは前記第１のスルーホールが複数である場合には前記中心点から各々の前記第１のスルーホールへ向けて引いたそれぞれ２本の接線のなす角の和である中心角が９０°以内となるように前記第１のスルーホールが形成されていることが好ましい。さらには中心角が６０°以内となるようにすることがより好ましい。スルーホールをこのように形成することによって、良好な非可逆特性を保つことができる。
【００１３】
前記金属部材としては、ボンディングワイヤを好適に用いることができる。ボンディングワイヤは既存の装置で簡単かつ高速に形成することが可能であり、また、ワイヤ長を任意に調節可能であるから、金属部材部分で発生するインダクタンスや浮遊容量値を適宜調整して、良好な非可逆特性を得ることができる。
【００１４】
前記金属部材を複数個有する場合には、複数個の前記金属部材が樹脂によって一体化されていてもよい。
【００１５】
複数個の金属部材をあらかじめ樹脂で一体に形成しておけば、この一体成形物をフェライト上の電極に接合することによって複数個の金属部材を一度に電極に接続することができ、製造の効率がよくなる。
【００１６】
前記金属部材は、前記フェライトの側面に形成してもよい。これにより、金属部材がフェライトと一体に形成されるので、非可逆回路素子の組み立てが容易になる。
【００１７】
前記金属部材は、前記フェライトに形成した第２のスルーホールによって構成してもよい。これにより、金属部材がフェライトと一体に形成されるので、非可逆回路素子の組み立てが容易になる。
【００１８】
さらに、前記フェライトは自己バイアス型フェライトとしてもよい。自己バイアス型フェライトを用いることにより、直流磁界を印加するための磁石を別に備える必要がなく、非可逆回路素子の小型化を実現できる。
【００１９】
本発明の非可逆回路素子は例えば通信機やレーダなどの無線装置などに組み込んで使用することができる。
【発明の効果】
【００２０】
以上のように本発明の非可逆回路素子は、スルーホールを介して接地導体と接続された導体ランドを設け、導体ランドとフェライト上面の電極とをボンディングワイヤなどの金属部材で接続する。これにより、非磁性体基板には径の小さなスルーホールを形成するのみで接地導体とフェライト上面の電極との電気的接続を図ることができるから、共振モードに悪影響を与えずに接地導体とフェライト上面の電極との十分かつ安定した電気的接続を実現できる。
【００２１】
また、フェライトの中心からスルーホールへ向けて引いた２本の接線の為す角の和を９０°以内とすることによって、より好ましくは６０°以内とすることによって、スルーホールが共振モードに与える影響を実用上問題のない範囲とすることができ、本発明をより実効あらしめることができる。
【００２２】
さらに本発明では、フェライト上面の電極は前記従来技術のような爪部を持たないから、例えばペースト印刷などの手法によって、フェライトの上面と十分に密着するように形成することができ、非可逆回路素子の特性が安定する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下において、図１〜図１３を参照しつつ、本発明の実施の形態について詳細に説明する。各図面において共通する部分には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【実施例１】
【００２４】
図１は本発明の第１の実施例にかかる非可逆回路素子を示す斜視図であり、図２は図１に示した非可逆回路素子のＡ−Ａ線断面図である。
【００２５】
アルミナなどの非磁性体材料からなる基板１０の上面には放射状に３本のストリップ導体１１ａ，１１ｂ，１１ｃが形成されており、基板の下面に形成されている接地導体１２とでそれぞれマイクロストリップ線路を構成している。また、図示していないがマイクロストリップ線路の交点、言い換えれば放射の中心には、略円形の導体からなる共振器パターン１３（図１には図示せず）がある。
【００２６】
さらに、基板１０上には導体ランド１４ａ，１４ｂ，１４ｃがあり、貫通孔２１とその内側面に形成された導体２２とからなるスルーホール（第１のスルーホール）２０によって、基板１０下面の接地導体１２と導体ランド１４ａ，１４ｂ，１４ｃとが電気的に接続されている。
【００２７】
共振器パターン１３上には、円板状のフェライト３０が設置されており、フェライト３０の上面には電極３１が形成されている。フェライト３０上の電極３１は、例えばペースト印刷によって、フェライト３０の上面に密着して形成されている。フェライト３０の形状は特に限定されず、例えば成形の容易性の観点からは、直方体形状であってもよい。
【００２８】
フェライト３０の上方には直流磁界を印加するための磁石４０と、ヨーク５０が設けられている。なお、図１では磁石４０とヨーク５０は省略している。
【００２９】
フェライト３０上面の電極３１と導体ランド１４ａ，１４ｂ，１４ｃとはそれぞれボンディングワイヤ１５ａ，１５ｂ，１５ｃによって接続されている。これにより、フェライト３０上面の電極３１と接地導体１２とが電気的に接続される。ボンディングワイヤ１５ａ，１５ｂ，１５ｃはワイヤ長の調節が比較的容易であるため、金属部材部分で生じるインダクタンスや浮遊容量を適宜調整することができ、非可逆回路素子が良好に動作するようなインダクタンスや浮遊容量に設定することができる。電極３１と導体ランド１４ａ，１４ｂ，１４ｃとを接続する金属部材はボンディングワイヤに限られるものではなく、金属リボンなどの金属部材であればよい。その場合、電極３１と金属部材、金属部材と導体ランド１４ａ，１４ｂ，１４ｃとは、導電性の接着剤やはんだなどを用いて接合することが好ましい。
【００３０】
またここでは一つの導体ランドに１本のボンディングワイヤが接続されているが、１つの導体ランドに対して複数本のボンディングワイヤが接続されていてもよい。
【００３１】
ここでスルーホール２０について詳細に説明する。スルーホール２０は貫通孔２１とその内側面に形成された導体２２とからなり、導体ランド１４ａ，１４ｂ，１４ｃと接地導体１２とを電気的に接続している。図３は本発明の非可逆回路素子を上面側から見た平面図である。ただし、電極３１、ボンディングワイヤ１５ａ，１５ｂ，１５ｃ、磁石４０、ヨーク５０は図示を省略している。略円形のフェライト３０の中心Ｏから３つのスルーホール２０ａ，２０ｂ，２０ｃに対してそれぞれ２本ずつの接線を引き、２本の接線の為す角θ１、θ２、θ３とする。そして、θ＝θ１＋θ２＋θ３としたときのθの値、すなわち、各々のスルーホールのそれぞれ２本の接線がなす角の和θを「スルーホールの中心角」と定義する。すると、スルーホール２０ａ，２０ｂ，２０ｃは中心角θの範囲にわたって形成されているということができる。
【００３２】
スルーホール２０ａ，２０ｂ，２０ｃの径や形状、あるいは数を変えることによりθの値は任意に変化させることができる（スルーホールの数がｎ個であるときのθの値はθ＝θ１＋θ２＋…＋θｎとなる）。また、スルーホール２０ａ，２０ｂ，２０ｃは断面円形状に限らず、例えば図４に示すように略円弧状などであってもよく、その形状は特に限定されない。図４においても図３と同様に電極３１、ボンディングワイヤ１５ａ，１５ｂ，１５ｃ、磁石４０、ヨーク５０は図示を省略している。
【００３３】
ここで図５を用いて、スルーホールが共振モードに与える影響について説明する。図５は非可逆回路素子を示す断面図であり、磁石、ヨーク、を省略して図示している。
【００３４】
図５において実線の矢印は基板１０内に分布している電界を模式的に示しているが、スルーホールを設けていない図５（ａ）の構成を参照して、共振器パターン１３の直下部分では電界は垂直に発生しているが、共振器パターン１３の周辺部では外側へ向かって湾曲して流れている。ここで、図５（ｂ）に示すように共振器パターン１３の周囲にスルーホール２０を設けることによって、共振器パターン１３の直下から外側へ湾曲して発生している電界に影響を与え、共振モードに悪影響を与えることがある。よって、スルーホール２０は、基板１０内に分布している電界にできる限り影響を及ぼさないように形成されることが好ましい。
【００３５】
一つの方法としては、スルーホール２０を共振器パターン１３から遠ざけて形成することが考えられるが、非可逆回路素子全体の大型化を招くため、この方法には限界がある。
【００３６】
そこで本発明者らが鋭意研究した結果、スルーホール２０が共振モードに与える影響は前述のθの値と相関関係があるとの知見を得た。本発明者らは好ましいθの範囲を求めるため、以下において説明するシミュレーションを行った。
【００３７】
スルーホール２０ａ，２０ｂ，２０ｃの中心角θが６０°、９０°、１２０°のときの反射損失（Ｓ１１）、挿入損失（Ｓ２１）、アイソレーション（Ｓ３１）を図６〜図８に示す。一般に使用周波数帯（ここでは中心周波数を３８．５ＧＨｚに設定している）において反射損失とアイソレーションは１５ｄＢ以上の減衰が要求されることが多い。この解析結果からわかるように、９０°より大きくなると１５ｄＢ以上の減衰を得ることができない。すなわち、図６および図８から明らかなように中心角１２０°のときには最も大きな減衰をとれる帯域を使用周波数に設定するとしても、１５ｄＢ以上の減衰を得ることができない。また、図７からはスルーホール２０ａ，２０ｂ，２０ｃの形成される角度が大きくなるほど３ｄＢ通過帯域幅も狭くなっていることがわかる。よって、基板１０に形成されるスルーホール２０の幅は中心角９０°以下とされることが好ましい。
【００３８】
さらには、実際には実用上要求される特性に対して、製造上のバラツキや温度変化に起因する特性変化などを見こして一定の余裕を持って設計されることが好ましく、スルーホールの幅は中心角６０°以内とされることがより好ましい。
【００３９】
なおここでは、スルーホール２０の形状は図４に示したように円弧状のものを等しい大きさで３つ形成し（すなわちθ１＝θ２＝θ３）、スルーホールの１つあたりの接線のなす角を２０°から４０°まで変化させることによってθを６０°から１２０°まで変化させてシミュレーションを行った。
【００４０】
また、別のシミュレーションとして、スルーホール２０の寸法を変えずにスルーホール２０の数（ｎ）を変えることによってθの値を変化させたときの反射損失（Ｓ１１）、挿入損失（Ｓ２１）、アイソレーション（Ｓ３１）を図９〜図１１に示す。ここではスルーホール２０一つあたりの接線の為す角を１０°となるように設定し、スルーホール２０の数（ｎ）を６個、９個、１２個、１５個と変化させて特性を調べた。
【００４１】
上述のように一般に使用周波数帯において反射損失とアイソレーションは１５ｄＢ以上の減衰が要求されることが多いが、スルーホール２０の数が１２個のときと１５個のとき、すなわちスルーホール２０の中心角が合わせて１２０°のときと１５０°のときには、図９および図１１に示すように１５ｄＢ以上の減衰を得ることができない。また、図１０からはスルーホール２０の形成される角度が大きくなるほど３ｄＢ通過帯域幅も狭くなっていることがわかる。
【００４２】
よってこのシミュレーション結果からも、スルーホールは中心角９０°以内にされることが好ましく、６０°以内とすることがより好ましいことがわかる。
【実施例２】
【００４３】
次に本発明の第２の実施例に係る非可逆回路素子について、図１２および図１３を参照して説明する。図１２は本実施例に係る非可逆回路素子を示す斜視図であり、図１３は図１２におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【００４４】
ここでは、それぞれ導体ランド１４ａ，１４ｂ，１４ｃに接続される金属部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃは樹脂１６によって一体化されている。金属部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃはインサートモールドなどの適当な方法によってあらかじめ樹脂１７と一体に形成しておく。そしてこの一体成形物を、上面に電極３１を形成しておいたフェライト３０上に導電性接着剤などで接続する。このように組み立てることによって、３つの金属部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃを一度に電極３１に接続することができ、製造工程を簡素化して製造コストを低減させることができる。
【００４５】
本実施例においても実施例１と同様に、基板１０に形成されるスルーホールは中心角９０°以内とされることが好ましく、中心角６０°以内とすることがより好ましい。
【実施例３】
【００４６】
次に本発明の第３の実施例に係る非可逆回路素子について説明する。図１４は本実施例の非可逆回路素子を示す分解斜視図であり、図１５はフェライトの下面を示す平面図である。なお、本実施例の非可逆回路素子は実施例１，２に記載された非可逆回路素子と同様に磁石およびヨークを備えるが、図１４においては磁石とヨークを省略して図示している。
【００４７】
本実施例では、金属部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃはフェライト３０の側面に形成され、フェライト３０の側面から裏面に折り返されている。そして、金属部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃの折り返し部分と導体ランド１４ａ，１４ｂ，１４ｃとが接続するようにフェライト３０が基板１０上に載置される。金属部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃと導体ランド１４ａ，１４ｂ，１４ｃとは導電性接着剤やはんだなどによって接合されることが好ましい。金属部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃはフェライト３０の側面および下面に導電性ペーストを塗布したり、金属箔を貼りつけたりすることによって形成することができる。
【００４８】
本実施例においても実施例１，２と同様に、基板１０に形成されるスルーホール２０ａ，２０ｂ，２０ｃは中心角９０°以内とされることが好ましく、中心角６０°以内とすることがより好ましい。
【００４９】
このように構成することにより、金属部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃがフェライト３０と一体化して設けられているので、非可逆回路素子の組み立てが簡単になり、製造コストが低減される。また、金属部材１６ａ，１６ｂ，１６ｃと導体ランド１４ａ，１４ｂ，１４ｃとの接合強度が強くなり、確実な導通をとることができる。
【実施例４】
【００５０】
次に本発明の第４の実施例に係る非可逆回路素子について説明する。図１６は本実施例の非可逆回路素子を示す分解斜視図であり、図１７はフェライトの下面を示す平面図である。なお、本実施例の非可逆回路素子は実施例１，２に記載された非可逆回路素子と同様に磁石およびヨークを備えるが、図１６においては磁石とヨークを省略して図示している。
【００５１】
本実施例では三角柱状のフェライト３０に貫通孔を形成し、該貫通孔の内壁に導体膜を設けてスルーホール３２ａ，３２ｂ，３２ｃ（第２のスルーホール）を形成している。このスルーホール３２ａ，３２ｂ，３２ｃによってフェライト３０上面の電極３１をフェライト３０の下面に形成された導体ランド３３ａ，３３ｂ，３３ｃに接続し、フェライト３０下面の導体ランド３３ａ，３３ｂ，３３ｃと基板１０上面の導体ランド１４ａ，１４ｂ，１４ｃとをはんだや導電性接着剤などによって接合している。すなわち、スルーホール３２ａ，３２ｂ，３２ｃが電極３１と導体ランド１４ａ，１４ｂ，１４ｃとを電気的に接続する金属部材として作用している。
【００５２】
フェライト３０の形状は三角柱状に限定されるものではなく、実施例１〜３と同様に円盤状でもよいし、直方体状や多角柱状であってもよい。
【００５３】
本実施例においても実施例１，２と同様に、基板１０に形成されるスルーホール２０ａ，２０ｂ，２０ｃは中心角９０°以内とされることが好ましく、中心角６０°以内とすることがより好ましい。
【００５４】
このように構成することにより、金属部材（スルーホール３２ａ，３２ｂ，３２ｃ）がフェライト３０と一体化して設けられているので、非可逆回路素子の組み立てが簡単になり、製造コストが低減される。また、金属部材（スルーホール３２ａ，３２ｂ，３２ｃ）と導体ランドとの接合強度が強くなり、確実な導通をとることができる。
【００５５】
本発明の実施例１ないし実施例４の変形例として、フェライト３０として自己バイアス型のフェライトを用いることができる。自己バイアス型のフェライトを用いることにより、直流磁界を印加するための磁石４０やヨーク５０を用いずに非可逆回路素子を構成することができ、非可逆回路素子の小型化を実現できる。また、高い内部磁界を必要とする場合には、自己バイアス型のフェライトと磁石４０を併用してもよい。この場合でも、自己バイアス型ではないフェライトを用いる場合と比べて磁石４０による外部磁界が弱くてもよいため、小型の磁石を用いることが可能であり、非可逆回路素子の小型化を実現できる。
【実施例５】
【００５６】
次に第５の実施例として、本発明に係る無線装置について説明する。図１４は本発明の無線装置の構成を示すブロック図である。
【００５７】
電圧制御発振器ＶＣＯは変調信号に応じたミリ波を発振する。アイソレータＩＳＯは、電圧制御発振器ＶＣＯの出力信号を方向性結合器ＣＰＬに伝送すると共に、電圧制御発振器ＶＣＯ方面に反射波が戻ることを防ぐ。方向性結合器ＣＰＬは、アイソレータＩＳＯからの信号をサーキュレータＣＩＲ方面へ伝送すると共に、その一部をローカル信号として取り出し、ミキサＭＩＸへ伝送する。サーキュレータＣＩＲは、送信信号をアンテナＡＮＴ方面へ伝搬させるとともに、アンテナＡＮＴからの受信信号をミキサＭＩＸ方面へ伝搬させる。ミキサＭＩＸは、受信信号とローカル信号をミキシングして、そのビート信号を中間周波数ＩＦとして出力する。本発明の非可逆回路素子をアイソレータＩＳＯやサーキュレータＣＩＲとして用いることにより、非可逆回路素子が良好な非可逆動作をするから、良好な特性を示す無線装置を得ることができる。
【００５８】
本発明の無線装置は、例えば携帯電話などの無線通信装置や、レーダなどとして使用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施例１に係る非可逆回路素子を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施例１に係る非可逆回路素子を示す断面図である。
【図３】本発明の非可逆回路素子を示す平面図である。
【図４】本発明の非可逆回路素子を示す平面図である。
【図５】非可逆回路素子において、基板内部に分布している変位電流を模式的に示す断面図である。
【図６】本発明の非可逆回路素子において、スルーホールの大きさを変化させ、θ＝６０°，９０°，１２０°としたときのＳ１１特性（反射損失）を示す図である。
【図７】本発明の非可逆回路素子において、スルーホールの大きさを変化させ、θ＝６０°，９０°，１２０°としたときのＳ２１特性（挿入損失）を示す図である。
【図８】本発明の非可逆回路素子において、スルーホールの大きさを変化させ、θ＝６０°，９０°，１２０°としたときのＳ３１特性（アイソレーション）を示す図である。
【図９】本発明の非可逆回路素子において、スルーホールの数ｎを６から１５まで変化させたときのＳ１１特性（反射損失）を示す図である。
【図１０】本発明の非可逆回路素子において、スルーホールの数ｎを６から１５まで変化させたときのＳ２１特性（挿入損失）を示す図である。
【図１１】本発明の非可逆回路素子において、スルーホールの数ｎを６から１５まで変化させたときのＳ３１特性（アイソレーション）を示す図である。
【図１２】本発明の実施例２に係る非可逆回路素子を示す斜視図である。
【図１３】本発明の実施例２に係る非可逆回路素子を示す断面図である。
【図１４】本発明の実施例３に係る非可逆回路素子を示す分解斜視図である。
【図１５】本発明の実施例３に係る非可逆回路素子のフェライトを示す平面図である。
【図１６】本発明の実施例４に係る非可逆回路素子を示す分解斜視図である。
【図１７】本発明の実施例４に係る非可逆回路素子のフェライトを示す平面図である。
【図１８】本発明に係る無線装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０    基板
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ    ストリップ導体
１２    接地導体
１３    共振器パターン
１４ａ，１４ｂ，１４ｃ    導体ランド
１５ａ，１５ｂ，１５ｃ    ボンディングワイヤ
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ    金属部材
１７    樹脂
２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ    スルーホール（第１のスルーホール）
２１    貫通孔
２２    導体
３０    フェライト
３１    電極
３２ａ，３２ｂ，３２ｃ    スルーホール（第２のスルーホール）
３３ａ，３３ｂ，３３ｃ    導体ランド
４０    磁石
５０    ヨーク
【図１】
2004336709.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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