(57)【要約】【課題】大型の基板のような被処理体であっても、被処理体の表面の全面に均一な表面処理を行うことができ、高周波電力のロスを最小限にすることができ、経時安定性の良好な表面処理装置および表面処理方法を提供すること。【解決手段】アノード電極部１３とカソード電極部１５の間に生成されるプラズマ放電領域４４の励起活性種を被処理体３０の表面３１に対して曝露させるための被処理体移動部２０と、を備え、カソード電極部１５は、アノード電極部１３に対面してプラズマ放電領域４４を形成する対向電極部４０と、対向電極部４０に対して連続的に形成されており、アノード電極部１３からカソード電極部１５を経て、交流電源のアースに至る高周波交流電力の経路を形成する高周波交流電力経路形成部４１と、を有する。【選択図】  図１
2004269983.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波交流電源と、
前記高周波交流電源から交流電力が付与される平板状のアノード電極部と、
前記アノード電極部に平行に対向して配置されるカソード電極部と、
表面処理をするための被処理体を移動することで前記アノード電極部と前記カソード電極部の間に通過させて、前記アノード電極部と前記カソード電極部の間に生成されるプラズマ放電領域の励起活性種を前記被処理体の表面に対して曝露させるための被処理体移動部と、を備え、
前記カソード電極部は、
前記アノード電極部に対面して前記プラズマ放電領域を形成する対向電極部と、
前記対向電極部に対して連続的に形成されており、前記アノード電極部から前記カソード電極部を経て、前記交流電源のアースに至る高周波交流電力の経路を形成する高周波交流電力経路形成部と、を有することを特徴とする表面処理装置。
【請求項２】
前記カソード電極部の前記対向電極部と前記高周波交流電力経路形成部は、前記アノード電極部の周囲を囲むような形状を有しており、前記被処理体を通過させる通過方向でみて矩形断面を有することを特徴とする請求項１に記載の表面処理装置。
【請求項３】
前記カソード電極部の上部には、インピーダンス整合を図るためのマッチングボックスが配置されていることを特徴とする請求項２に記載の表面処理装置。
【請求項４】
前記アノード電極部は、前記被処理体の前記表面に所定の処理を施すためのガスを前記プラズマ放電領域に導入するためのガス導入部を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表面処理装置。
【請求項５】
前記被処理体移動部は、前記被処理体を保持して搬送するための前記カソード電極部の上流側に配置された第１ローラと、前記カソード電極部の下流側に配置された第２ローラを有することを特徴とする請求項３に記載の表面処理装置。
【請求項６】
高周波交流電源から交流電力が付与される平板状のアノード電極部と、前記アノード電極部に平行に対向して配置されるカソード電極部の間に、表面処理をするための被処理体を移動することで前記アノード電極部と前記カソード電極部の間に通過させる被処理体移動ステップと、
通過する前記被処理体の表面に対して、前記アノード電極部と前記カソード電極部の間に生成されるプラズマ放電領域の励起活性種を曝露させるための表面処理ステップと、を有し、
前記表面処理ステップでは、前記高周波交流電源の交流電力は、前記アノード電極部に対面して前記プラズマ放電領域を形成する前記カソード電極部の対向電極部と、前記対向電極部に対して連続的に形成されている前記カソード電極部の高周波交流電力経路形成部とを経て、前記高周波交流電源のアースに至る高周波交流電力の経路を通ることを特徴とする表面処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、大気圧または大気圧近傍の圧力下でプラズマ放電することで被処理体（ワークともいう）の表面を処理するための表面処理装置および表面処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
大気圧または大気圧近傍の圧力下において、プラズマ放電を用いて被処理体に対して表面処理をする装置が提案されている。大気圧または大気圧近傍の圧力下でプラズマ放電により表面処理をするメリットとしては、低圧雰囲気下での形成および制御用の装備が不要であり、大面積処理の実現および製造コストの低減が図りやすいことである。
このようなプラズマを用いた表面処理装置は、一対の電極の間に大気圧付近の圧力下で生成されるプラズマを生成するようになっている（たとえば、特許文献１参照。）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平８−３２７９５９号公報（第１頁、図１）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような従来の表面処理装置では次のような問題がある。
従来の表面処理装置では、ステージの上に配置した大型の基板に対してライン状の放電ユニットがスキャンされる。またはテーブルに大型基板を載せて、このテーブルと大型基板を放電ユニットに対して移動するようにしている。このような構造の表面処理装置は、電極に高周波交流電力を供給することで表面処理を行うのであるが、動作時に高周波インピーダンスが変化してしまう問題があった。また動作部分の部品摩耗などにより、高周波回路の時定数が変化してしまい、高周波インピーダンスの経時劣化が起こる可能性が高く、高周波動のロスが生じる。
そこで本発明は上記課題を解消し、大型の基板のような被処理体であっても、被処理体の表面の全面に均一な表面処理を行うことができ、高周波電力のロスを最小限にすることができる、経時安定性の良好な表面処理装置および表面処理方法を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の表面処理装置は、高周波交流電源と、前記高周波交流電源から交流電力が付与される平板状のアノード電極部と、前記アノード電極部に平行に対向して配置されるカソード電極部と、面処理をするための被処理体を移動することで前記アノード電極部と前記カソード電極部の間に通過させて、前記アノード電極部と前記カソード電極部の間に生成されるプラズマ放電領域の励起活性種を前記被処理体の表面に対して曝露させるための被処理体移動部と、を備え、前記カソード電極部は、前記アノード電極部に対面して前記プラズマ放電領域を形成する対向電極部と、前記対向電極部に対して連続的に形成されており、前記アノード電極部から前記カソード電極部を経て、前記交流電源のアースに至る高周波交流電力の経路を形成する高周波交流電力経路形成部と、を有することを特徴とする。
【０００６】
このような構成によれば、平板状のアノード電極部は、高周波交流電源から交流電力が付与される。カソード電極部は、アノード電極部に平行に対向して配置される。
被処理体移動部は、表面処理をするための被処理体を移動することで、アノード電極部とカソード電極部の間に通過させる。そして被処理体移動部は、アノード電極部とカソード電極部の間に生成されるプラズマ放電領域の励起活性種を被処理体の表面に対して曝露させる。
このカソード電極部は、対向電極部と高周波交流電力経路形成部を有している。対向電極部は、アノード電極部に対面してプラズマ放電領域を形成する。高周波交流電力経路形成部は、対向電力部に対して連続的に形成されており、アノード電極部からカソード電極部を経て交流電源のアースに至る高周波交流電力の経路を形成するものである。
【０００７】
これにより、高周波交流電力の流れる経路がアノード電極部により確実に常に一定状態で形成することができる。このために、たとえ大型基板のような被処理体の表面であってもその表面の全面にわたって均一な表面処理が行える。また高周波交流電力のロスが最小限にできるので、必要とする高周波交流電力を最小限に留めることができる。したがって、高周波交流電源の容量を小さくすることができる。表面処理装置による処理能力は、長期にわたり経時変化の少ない良好なものになる。
【０００８】
上記構成において、前記カソード電極部の前記対向電極部と前記高周波交流電力経路形成部は、前記アノード電極部の周囲を囲むような形状を有しており、前記被処理体を通過させる通過方向でみて矩形断面を有することを特徴とすることが望ましい。
このような構成によれば、カソード電極部の対向電極部と高周波交流電力経路形成部は、アノード電極部の周囲を囲むような形状になっている。この対向電極部と高周波交流電力経路形成部は、被処理体を通過させる通過方向でみて矩形断面を有している。
これにより、アノード電極部とカソード電極部の対向電極部の間には、被処理体を通過させるようになっている。
上記構成において、前記カソード電極部の上部には、インピーダンス整合を図るためのマッチングボックスが配置されていることを特徴とすることが望ましい。
このような構成によれば、マッチングボックスがカソード電極部の上部にあるので、高周波交流電力の供給経路の長さが最短にでき、電力ロスの少ない経時安定性の良好な表面処理装置が提供できる。しかも高周波交流電力の変動にも強くなる。
【０００９】
上記構成において、前記アノード電極部は、前記被処理体の前記表面に所定の処理を施すためのガスを前記プラズマ放電領域に導入するためのガス導入部を有することを特徴とすることが望ましい。
このような構成によれば、アノード電極部のガス導入部を通じて、所定の処理をするためのガスがプラズマ放電領域に確実に導入することができる。
【００１０】
上記構成において、前記被処理体移動部は、前記被処理体を保持して搬送するための前記カソード電極部の上流側に配置された第１ローラと、前記カソード電極部の下流側に配置された第２ローラを有することを特徴とすることが望ましい。
このような構成によれば、被処理体移動部は、被処理体を保持して搬送するカソード電極部の上流側に配置された第１ローラとカソード電極部の下流側に配置された第２ローラを有している。これらの第１ローラと第２ローラは、カソード電極部の上流側と下流側に位置しているので、カソード電極部内には配置されていない。このことから、動作部分である第１ローラと第２ローラの部品摩耗があっても、カソード電極部で構成される高周波交流電力の経路は常に一定状態にすることができる。したがって、動作部分の部品摩耗が高周波交流回路の時定数に変化を与えることなく、経時変化も起こさない。
しかも、被処理体移動部の第１ローラと第２ローラの存在により、被処理体とアノード電極部との間隔を一定に保つことができる。
【００１１】
本発明の表面処理方法は、高周波交流電源から交流電力が付与される平板状のアノード電極部と、前記アノード電極部に平行に対向して配置されるカソード電極部の間に、表面処理をするための被処理体を移動することで前記アノード電極部と前記カソード電極部の間に通過させる被処理体移動ステップと、通過する前記被処理体の表面に対して、前記アノード電極部と前記カソード電極部の間に生成されるプラズマ放電領域の励起活性種を曝露させるための表面処理ステップと、を有し、前記表面処理ステップでは、前記高周波交流電源の交流電力は、前記アノード電極部に対面して前記プラズマ放電領域を形成する前記カソード電極部の対向電極部と、前記対向電極部に対して連続的に形成されている前記カソード電極部の高周波交流電力経路形成部とを経て、前記高周波交流電源のアースに至る高周波交流電力の経路を通ることを特徴とする。
【００１２】
このような構成によれば、被処理体移動ステップでは、高周波交流電源から交流電力が付与される平板状のアノード電極部と、アノード電極部に平行に対向して配置されるカソード電極部の間に、被処理体を移動する。これにより、被処理体が、アノード電極部とカソード電極部の間に通過する。
表面処理ステップでは、通過する被処理体の表面に対してアノード電極部とカソード電極部の間に生成されるプラズマ放電領域の励起活性種が曝露される。
表面処理ステップでは、高周波交流電源の交流電力は、アノード電極部に対面してプラズマ放電領域を形成するカソード電極部の対向電極部と、高周波交流電力経路形成部を経て、高周波交流電源のアースに至る高周波交流電力の経路を通るようになっている。
【００１３】
これにより、高周波交流電力の流れる経路には、一切の可動部分がなく、経路の長さが短い。このため、高周波交流電力の流れる経路がアノード電極部により確実に常に一定状態で形成することができる。このために、たとえ大型基板のような被処理体の表面であってもその表面の全面にわたって均一な表面処理が行える。また高周波交流電力のロスが最小限にできるので、必要とする高周波交流電力を最小限に留めることができる。したがって、高周波交流電源の容量を小さくすることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の表面処理装置の好ましい実施形態を示している。
図１に示す表面処理装置１０は、いわゆる平行平板型の大気圧プラズマ表面処理装置などとも呼んでいる。
表面処理装置１０は、大気圧または大気圧近傍の圧力下でプラズマ放電を用いて、被処理体の表面に対して表面処理を被処理体を移動しながら処理できる装置である。
【００１５】
本発明の実施形態で用いる表面処理とは、アッシング、エッチング、親水処理、撥水処理などの表面改質、成膜、および洗浄などを含んでいる。アッシング処理は、たとえばガラス上の有機物の除去処理である。エッチング処理は、たとえばガラス上の成膜物の除去処理である。親水処理は、たとえばガラスの表面に親水性の膜を形成する処理あるいは表面の活性化処理である。撥水処理は、たとえばガラスの表面に撥水膜を形成する処理である。
表面処理装置１０において発生するプラズマの種類としては、大気圧または大気圧近傍の圧力下で発生するグロー放電プラズマである。このグロー放電プラズマは、プラズマ生成用のガス中でのグロー放電の発生に伴って生成する。
【００１６】
図１に示す表面処理装置１０は、高周波交流電源１１、平板状のアノード電極部１３、カソード電極部１５、被処理体移動部２０を備えている。
アノード電極部１３とカソード電極部１５は、いわゆる平行平板型のプラズマ発生装置を形成している。アノード電極部１３は、印加側電極部あるいは第１電極部と呼ぶことができる。カソード電極部１５は、アース側電極部または第２電極部とも呼ぶことができる。
このように、表面処理装置１０は、一対のアノード電極部１３とカソード電極部１５を有しており、いわゆる直接放電式のプラズマ放電手段を構成している。
【００１７】
図１に示す表面処理装置１０は、小型の被処理体３０の表面３１に対して表面処理するのは勿論のこと、大型の基板のような被処理体３０の表面３１に対しても表面処理することができるものである。
大型の被処理体３０は、たとえば大型の液晶表示装置の大型基板などであり、寸法例としては、たとえば１．５ｍ以上の縦横の長さを有する大型基板である。図１に示す表面処理装置１０は、均一に安定して高周波交流電力を効率的に使用して、常に安定したグロー放電により被処理体３０の表面３１の表面処理ができる装置である。
【００１８】
高周波交流電源１１は、高周波交流電力をアノード電極部１３側に供給するための電源である。高周波交流電源１１は、マッチングボックス３３によりアノード電極部１３とカソード電極部１５に対するインピーダンスの整合を図っている。マッチングボックス３３は、カソード電極部１５の上部に配置されている。
高周波交流電源１１は、アノード電極部１３に対して電気的に接続されているとともに、高周波交流電源１１は、マッチングボックス３３側のアース３５に電気的に接続されている。
【００１９】
次に、アノード電極部１３について説明する。
アノード電極部１３は、電極となりうる材質、たとえばアルミニウム、銅、ステンレス、チタン、タングステンなどにより作られている。
アノード電極部１３は平板状の電極であり、サポート部３７によりマッチングボックス３３に支持されている。サポート部３７は、高周波交流電源１１に電気的に接続されている。
サポート部３７は、アノード電極部１３と同じように、高周波交流電力の電流が効率よく流れる材質で作られていて、表面積も大きくなるようにするのが望ましい。
【００２０】
図２は、図１に示す表面処理装置１０をＡ−Ａ線からみた側面図である。
図１と図２に示すように、アノード電極部１３は、ガス導入部３８を有している。このガス導入部３８は、ガス収容部３９に接続されている。ガス収容部３９は、被処理体３０の表面３１に対して所定の表面処理を行うための混合ガスが収容されている。このガス収容部３９に収容されているガス種は、表面３１に対して処理をする表面処理の種類に応じて選択して収容されている。
このガス種としては、複数種類のガスを用意して、これらのガスを混合して流すことが可能である。表面処理の種類としては、アッシング、エッチング、洗浄、表面改質、成膜などである。表面改質としては、親水性処理または撥水性処理である。
【００２１】
たとえば親水性処理を表面３１に行う場合には、不活性ガス（キャリアガス）としてはＨｅを用い、反応ガス（処理ガス）としてはＯ２を用いる。また撥水性処理を表面３１に施す場合には、不活性ガスとしてはＨｅを用い、反応ガスとしてはＣＦ４を用いる。
しかしこれに限らず表面処理の種類によっては、不活性ガスとしてＨｅ，ＡｒやＮ２，Ｎｅ，Ｘｅ，Ｏ２，ＣＦ４，Ｃ２Ｆ６などでもよい。また、不活性ガス中に液材を混入してもよい（デカンなど）。
いずれにしても、ガス収容部３９には、不活性ガス（キャリアガス）と処理ガス（反応ガス）の混合ガスが収容されている。ガス収容部３９内に収容された混合ガスは、ガス導入部３８を通じて、アノード電極部１３と被処理体３０の表面３１の間に形成されているプラズマ放電領域４４内に矢印Ｄに沿って供給することができる。
【００２２】
次に、図１と図２に示すカソード電極部１５について説明する。
カソード電極部１５は、対向電極部４０と高周波交流電力経路形成部４１を有している。
カソード電極部１５は、上述したアノード電極部１３と同様に電極となりうる材質により作られている。
【００２３】
図１と図２のカソード電極部１５の対向電極部４０は、アノード電極部１３に平行に対面する部分である。高周波交流電力経路形成部４１は、アノード電極部１３と同様の材質により作られている。対向電極部４０に対して連続的に形成されている。この高周波交流電力経路形成部４１は、図２に示すように上部４５と側部４６を有している。側部４６，４６は、対向電極部４０の両端部４７，４７に対して連続的に形成されている。上部４５，４５は、側部４６，４６に対して連続的に形成されている。上部４５は、マッチングボックス３３のアース３５に電気的に接続されている。
【００２４】
このカソード電極部１５は、高周波交流電力経路形成部４１と対向電極部４０を有しているが、図２に示すように被処理体３０の通過方向（搬送方向ともいう）Ｔに対して垂直な面に関してほぼ断面矩形状を有している。このカソード電極部１５の内部は空間５１になっている。この空間５１は図２でみて断面矩形状の断面を有している。
このカソード電極部１５は、図１に示すように被処理体の導入口５４と被処理体の排出口５５を有している。
【００２５】
次に、図１に示す被処理体移動部２０の構造について説明する。
被処理体移動部２０は、２つの第１ローラ６０，６１と２つの第２ローラ６３，６４を有している。
第１ローラ６０，６１はたとえばそれぞれモータ６５，６６により、回転駆動されるようになっている。これによって、被処理体３０は挟むようにして通過方向Ｔに沿って移動される。被処理体３０が通過方向Ｔに移動する際には、被処理体３０はアノード電極部１３とカソード電極部１５の対向電極部４０の間に形成されているプラズマ放電領域４４を通過する。通過した被処理体３０は、第２ローラ６３，６４により挟まれるようにして案内される。
【００２６】
被処理体移動部２０は、被処理体３０のＺ方向（上下方向）に関する位置の安定化をするとともに、通過方向Ｔへ所定の速度で送ることができる能力を有している。
第１ローラ６０，６１は、カソード電極部１５の通過方向Ｔに関して上流側に配置されている。第２ローラ６３，６４は、カソード電極部１５の通過方向Ｔに関する下流側に位置されている。
【００２７】
このようにすることで、第１ローラ６０，６１と第２ローラ６３，６４はカソード電極部１５の空間５１の外部にある。しかも、被処理体３０が送られて第１ローラ６０，６１および第２ローラ６３，６４が摩耗しても、その摩耗により生じる粉がカソード電極部１５とアノード電極部１３の間に侵入するのを防ぐ。しかも、第１ローラ６０，６１と第２ローラ６３，６４が摩耗しても、摩耗により生じる粉はカソード電極部１５とアノード電極部１３における高周波交流電力の経路は不変であり影響を与えない。
【００２８】
次に、図２を参照しながら図４に示す表面処理方法の一例について説明する。
図４に示す被処理体移動ステップＳＴ１では、図１に示すモータ６５，６５が作動されることにより、被処理体移動部２０の第１ローラ６０，６１が被処理体３０を通過方向Ｔに沿って移動する。これによって、被処理体３０はアノード電極部１３とカソード電極部１５の対向電極部４０の間を通過することになる。
【００２９】
図４に示す表面処理ステップＳＴ２では、アノード電極部１３とカソード電極部１５の対向電極部４０の間に生成されるプラズマ放電領域４４において反応ガスの励起活性種が発生される。この励起活性種は、通過する被処理体３０の表面３１に曝露させる。
これにより、プラズマ放電領域４４の放電ガスの励起活性種が被処理体３０の表面３１に曝露されるので、たとえば表面３１は撥水処理が行われる。このようにして、通過方向Ｔに沿って通過する被処理体３０の表面３１には、プラズマ放電領域４４において、所定の表面処理が連続的に行われていく。
【００３０】
被処理体３０は通過方向Ｔに沿ってプラズマ放電領域４４に連続的に通過させる構成なので、大面積、すなわち大型の被処理体であっても連続的に表面処理を行うことができる。
このようにプラズマ放電により表面処理を行う場合には、表面処理ステップＳＴ２では、図１と図２の高周波交流電源１１からアノード電極部１３に与えられる交流電力は、次のような高周波交流電力の経路を通過することになる。
【００３１】
図３に示すように、高周波交流電源１１の交流電力は、マッチングボックス３３およびサポート部３７を経てアノード電極部１３に供給される。この交流電力は、アノード電極部１３を通じてプラズマ放電領域４４に流れる。そしてこの交流電力は、プラズマ放電領域４４から対向電極部４０を通じて、図２に示す高周波交流電力経路形成部４１を経て高周波交流電源１１のアース３５に戻る。
この時に、高周波交流電力の経路は、上述したようなアノード電極部１３、対向電極部４０、そして高周波交流電力経路形成部４１であり、この経路は常に固定されているので一切変化しない。したがって、安定したプラズマ放電領域４４が確保できる。
また、プラズマ放電領域４４に対してマッチングボックス３３が限りなく近付ける配置にすることにより、電力ロスが少なくプラズマ放電領域４４に流れ込む電力比率を高めることが可能である。
【００３２】
これらによって得られたプラズマ放電領域（プラズマ空間ともいう）４４は、たとえばガラス基板のような被処理体３０側に搬送されて、表面３１の全面に均一な表面処理を行うことができる。
なお、プラズマ放電領域４４には、ガス収容部３９からの混合ガスがガス導入部３８を通じて矢印Ｄに沿って供給される。
【００３３】
このように、アノード電極部１３とカソード電極部１５は、高周波交流電力の経路が一定になるように閉回路を形成している。このために、高周波の特性インピーダンスは一定にすることができる。カソード電極部１５は、図２に示すようにほぼカタカナ文字の“ロ”字型の構造を有している。この構造を有することにより、高周波交流電力の閉回路を構成することができる。
【００３４】
アノード電極部１３とカソード電極部１５の表面には、酸化を防止して経時変化のないようにするために、たとえばメッキ処理を行うことができる。このメッキとしては、たとえば金メッキや金メッキのような導通を有する金属のメッキが採用できる。
このメッキの厚さは、高周波交流電源（ＲＦ電源ともいう）の周波数の大小に応じて設定することができる。高周波交流電源の周波数は、たとえば１３．５６ＭＨｚである。メッキ厚さは、周波数に応じた“表皮深さ”以上の厚さにする。
【００３５】
図１に示す被処理体移動部２０は、大型の被処理体３０を撓ませずに安定して通過方向Ｔに送ることができる。
被処理体３０は、たとえば大型の液晶表示装置の大型基板であり、ガラス基板のようなものである。この大型基板は、たとえば１．５ｍ以上の縦横の長さを有する基板である。
【００３６】
本発明の表面処理装置１０は、いわゆる平行平板型の大気圧プラズマ表面処理装置であり、高周波電力を効率的に使用して、たとえば大型の被処理体３０の表面に対して常に安定したグロー放電により表面処理をすることができる。
本発明の表面処理装置１０は、高周波交流電力の経路を常に一定状態で維持しながら被処理体３０の表面３１に対して表面処理をすることができる。したがって、プラズマ放電に必要な高周波交流電力量のロスを防いで最小限に留めることが可能になり、たとえば従来に比べて３分の１乃至１０分の１程度の高周波交流電力量に減らすことができる。
【００３７】
従来の表面処理装置では、たとえば被処理体をテーブルの上に搭載して、放電ユニットの方をスキャンする方式が採用されている。この場合には、テーブルの表面の汚れにより、高周波交流電力の交流電力が、流れやすい方向に流れてしまい、動作時にインピーダンスが変化してしまうという問題があった。
しかし本発明の実施形態では、図１に示すように被処理体３０の移動にはテーブルを用いず、しかも搬送するためのローラが、カソード電極部１５とアノード電極部１３の放電領域からは完全に外部に配置されている。このことから、ローラがあってもローラのような動作部分の部品摩耗の現象により、高周波交流電力回路の時定数が変化してしまうのを防ぐ。
【００３８】
図１と図２に示すアノード電極部１３は、いわゆるライン状のガンである。被処理体３０は、アノード電極部１３とカソード電極部１５の対向電極部４０の間のギャップ内を通過するようになっている。アノード電極部１３のほぼ中央には、上述したようにガス導入部３８が設けられている。したがって、中央のガス導入部３８からは、混合ガスがプラズマ放電領域４４のほぼ中央に確実に供給できる。
【００３９】
本発明の実施形態では、小型の基板および中型の基板のみならず、大型の基板のような被処理体の表面処理であっても、その表面の全面にわたって均一な表面処理ができる。高周波交流電力のロスが最小限にできることから、搭載する高周波交流電源１１の容量を小さくすることができる。表面処理装置１０の経時変化が少なく、プロセスにおける安定性が向上する。
半導体装置や表示装置の製造プロセスでは、被処理体の表面に対して様々な表面処理が必要不可欠である。真空を用いない大気圧プラズマ表面処理装置では、大型基板のような被処理体の表面に対して、アッシング、エッチング、洗浄、薄膜形成や、その他の表面改質を確実に行うことができる。
このような構成によれば、マッチングボックスがカソード電極部の上部にあるので、高周波交流電力の供給経路の長さが最短にでき、電力ロスの少ない経時安定性の良好な表面処理装置が提供できる。しかも高周波交流電力の変動にも強くなる。
【００４０】
本発明は、上記実施の形態に限定されず、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことができる。
上記実施形態の各構成は、その一部を省略したり、上記とは異なるように任意に組み合わせることができる。
本発明の実施形態では被処理体の種類としては、処理目的に応じて種々のものを採用することができる。被処理体は、たとえばパッケージされたＩＣなどの電子部品、シリコン基板、上述したような液晶表示装置（ＬＣＤ）に用いられる大型のガラス基板やプラスチックの板であっても勿論構わない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の表面処理装置の好ましい実施形態を示す図。
【図２】図１のＡ−Ａ線におけるカソード電極部、アノード電極部などを示す側面図。
【図３】高周波交流電力の経路の例を示す図。
【図４】本発明の表面処理方法の一例を示す図。
【符号の説明】
１０・・・表面処理装置、１１・・・高周波交流電源、１３・・・アノード電極部、１５・・・カソード電極部、２０・・・被処理体移動部、３０・・・被処理体、３１・・・被処理体の表面、３３・・・マッチングボックス、３８・・・ガス導入部、３９・・・ガス収容部、４０・・・カソード電極部の対向電極部、４１・・・高周波交流電力経路形成部、４４・・・プラズマ放電領域、Ｔ・・・通過方向
【図１】
2004269983.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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