(57)【要約】【課題】電子放出部材として優れているカーボンファイバーを所望の位置に正確に配置する方法を提供する。【解決手段】（Ａ）基板上１１に、第１の保護膜１３を有するカーボンファイバー膜１２を形成する工程と、（Ｂ）前記第１の保護膜１３上に、所望のパターンを有する第２の保護膜１４を形成する工程と、（Ｃ）前記第１の保護膜１３と前記カーボンファイバー膜１２をドライエッチングする工程と、（Ｄ）前記第１の保護膜１３と前記第２の保護膜１４とを除去する工程と、を有するカーボンファイバー膜のパターニング方法。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）基板上に、第１の保護膜を有するカーボンファイバー膜を形成する工程と、
（Ｂ）前記第１の保護膜上に、所望のパターンを有する第２の保護膜を形成する工程と、
（Ｃ）前記第１の保護膜と前記カーボンファイバー膜をドライエッチングする工程と、
（Ｄ）前記第１の保護膜と前記第２の保護膜とを除去する工程と、
を有することを特徴とするカーボンファイバー膜のパターニング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はカーボンファイバー膜のパターニング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＣＮＴ（Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏ  Ｔｕｂｅ）等のカーボンファイバーを電子放出素子として利用する動きが活発である。ＣＮＴ等のカーボンファイバーはナノサイズの直径を有しながらミクロン単位の長さを有しているため、極めて尖鋭なアスペクト比の大きい形状をしている。カーボンファイバーを電子放出部材として利用し、引き出し電極を対向させ、該引出し電極に正電圧を印加すると、カーボンファイバーの先端部にて電界強調効果が起き、数Ｖ／μｍ程度の極めて低い電界強度で電子を放出できる。このカーボンファイバーを用いた電子放出素子をＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）の電子源として利用する動向がある。
【０００３】
また、基板上に触媒を配置し、該基板を炭化水素雰囲気中で加熱することで、基板上に直接カーボンファイバーを成長させる方法（「シード法」と呼ばれる）もある。また、上記シード法を用いて電子源を作製する方法が特許文献１などに記載されている。
【０００４】
【特許文献１】
米国特許第５７７３９２１号明細書
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
電子放出素子の特性を高精度に揃えて作製する際には、カソード電極と、引き出し電極またはアノード電極との距離を極めて正確に制御する必要がある。
【０００６】
そこで本発明の目的は電子放出部材として優れているカーボンファイバーを所望の位置に正確に配置する方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明のカーボンファイバー膜のパターニング方法は、
（Ａ）基板上に、第１の保護膜を有するカーボンファイバー膜を形成する工程と、
（Ｂ）前記第１の保護膜上に、所望のパターンを有する第２の保護膜を形成する工程と、
（Ｃ）前記第１の保護膜と前記カーボンファイバー膜をドライエッチングする工程と、
（Ｄ）前記第１の保護膜と前記第２の保護膜とを除去する工程と、
を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明のカーボンファイバー膜のパターニング方法においては、第１の保護膜が樹脂からなることが好ましく、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂の中から選択された樹脂からなることがより好ましい。
【０００９】
また、工程（Ａ）が、基板上にカーボンファイバー膜を形成する工程と、樹脂を含む液体を塗布し、乾燥及び／又は加熱することにより第１の保護膜を形成する工程とを有することが好ましい。
【００１０】
また、第２の保護膜は、第１の保護膜よりもドライエッチングに対する耐性を有する材料からなることが好ましく、金属からなる膜であることがより好ましい。
【００１１】
また、工程（Ｂ）は、第１の保護膜上に第２の保護膜を形成する工程と、第２の保護膜上に所望のパターンを有する第３の保護膜を形成する工程と、第２の保護膜をドライエッチングする工程とを有することが好ましい。
【００１２】
また、カーボンファイバー膜は、基板上に、複数の触媒粒子を配置し、炭化水素ガスを含む雰囲気中で加熱することにより形成されることが好ましい。
【００１３】
本発明によれば、カーボンファイバーを基板上の所望の位置にフォトリソグラフィと同程度の精度で配置できる。
【００１４】
従って、本発明の応用として、例えば、
カーボンファイバー膜を電子放出部材として用いる電子放出素子の製造方法であって、前記カーボンファイバー膜が本発明のパターニング方法を用いて形成されることを特徴とする電子放出素子の製造方法、
複数の電子放出素子を有する電子源と、発光部材とを有するディスプレイの製造方法であって、前記電子放出素子が上記製造方法により製造されることを特徴とするディスプレイの製造方法、。
【００１５】
電子放出素子と発光部材とを有するライトバルブであって、前記電子放出素子が上記製造方法により製造されることを特徴とするライトバルブの製造方法等が挙げられる。
【００１６】
本発明のパターニング方法を電子放出素子の製造方法に用いれば、均一性の高い電子放出特性を持つ電子放出素子を、歩留まり良く作成することができる。その結果、本発明のパターニング方法を複数の電子放出素子を有するディスプレイなどの製造方法に用いれば、均一性の高い画像を表示することのできるディスプレイを提供することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下に本発明のパターニング方法の一例を図１を用いて説明するが、本発明は下記材料や条件などに限定されるものではない。
【００１８】
＜工程Ａ−１＞
まず、図１（ａ）に示すように、基板１１上にカーボンファイバー膜１２を形成する。
【００１９】
基板１１にはＴａ、Ｗ、Ｍｏ等の金属や石英、ソーダライムガラス、アルミナなどの絶縁体を用いることができ、電子放出素子の電極となるべき金属膜を表面に有する絶縁体も用いることができる。
【００２０】
本発明における「カーボンファイバー」とは、「炭素を主成分とする柱状物質」あるいは、「炭素を主成分とする線状物質」ということもできる。また、「カーボンファイバー」とは、「炭素を主成分とするファイバー」ということもできる。
【００２１】
本発明では、カーボンファイバーとしては、グラファイトナノファイバーだけではなく、カーボンナノチューブ、アモルファスカーボンファイバー、ダイアモンドファイバーなどのカーボンファイバーを用いることができる。本発明は、特に、配向性が低い（屈曲した）カーボンファイバーのパターニングに好適に用いることができる。そのため、配向性の低いグラファイトナノファイバーを用いた時に本発明は特に有効である。
【００２２】
カーボンナノチューブには、複数の種類がある。グラフェンが円筒形状の形態をとるものはカーボンナノチューブと呼ばれる。そして、１つのグラフェンの円筒からなるものはシングルウォールナノチューブ（ＳＷＮＴ）と呼ばれる。また、グラフェンの円筒が多重構造（入れ子構造）になっているものはマルチウォールナノチューブ（ＭＷＮＴ）と呼ばれる。特にチューブ先端を開放させた構造の時に、最もその電子放出に必要な閾値電界が下がる。より具体的には、カーボンナノチューブは、その長手方向（ファイバーの軸方向）を囲むよう（円筒形状）にグラフェンが配置されているファイバー状の物質である。換言すると、グラフェンがファイバーの軸に対して実質的に平行に配置されるファイバー状の物質である。
【００２３】
また、長手方向（ファイバーの軸方向）にグラフェンが積層されたファイバー状の物質がグラファイトナノファイバーと呼ばれる。換言すると、グラフェンがファイバーの軸に対して非平行に配置されたグラフェンの積層体からなるファイバー状の物質である。
【００２４】
尚、グラファイトの１枚面を「グラフェン」あるいは「グラフェンシート」と呼ぶ。より具体的には、グラファイトは、炭素原子がｓｐ２混成により共有結合でできた正六角形を敷き詰める様に配置された炭素平面が、約３．３５４Åの距離を保って積層してできたものである。この一枚一枚の炭素平面を「グラフェン」あるいは「グラフェンシート」と呼ぶ。
【００２５】
どちらのカーボンファイバーも電子放出の閾値が１Ｖ〜１０Ｖ／μｍ程度であり、本発明のエミッタ材料として好ましい。
【００２６】
特に、複数のグラファイトナノファイバーからなる膜を用いた電子放出材は、低電界で電子放出を起こすことができ、大きな放出電流を得ることができ、安定な電子放出特性が得られ、しかも簡易に製造ができる。
【００２７】
カーボンファイバー膜１２は、基板１１上に触媒層（触媒粒子層）を配置し、この触媒を用いて雰囲気中の炭化水素を分解することで、基板上に複数のカーボンファイバーを成長させる方法（シード法）を用いることができる。具体的には、例えば、まず基板１１上にメタルマスクを配置して特定箇所に触媒微粒子を散布する。触媒微粒子としてＮｉ、Ｃｏ，Ｆｅ、Ｐｄやそれらの合金が利用でき、散布方法にはスパッタ蒸着法などが利用できる。次にその基板１１を炭化水素雰囲気中で６００℃程度の温度で加熱処理すると、基板１１上に複数のカーボンファイバーが成長し、カーボンファイバー膜が形成される。炭化水素にはエチレン、アセチレン、メタンなどが利用でき、さらに炭化水素と水素の混合ガス雰囲気も利用できる。
【００２８】
また、カーボンファイバー膜１２は、予め用意したカーボンファイバーをバインダーに混ぜで基板１１上に塗布することによっても形成することもできる。
【００２９】
尚、本発明における「カーボンファイバー膜」とは、複数のカーボンファイバーが互いに間隔を置いて、規則的にあるいはランダムに、配置されたものをも含む表現である。勿論、複数のカーボンファイバーが互いに絡み合うように密集して配置されたものも「カーボンファイバー膜」の範疇である。このように、本発明における「カーボンファイバー膜」とは、複数のカーボンファイバーがある程度の集団になっているものを指す。また、本発明における「カーボンファイバー膜」は、カーボンファイバー以外のアモルファスな炭素物質を含む場合もある。
【００３０】
＜工程Ａ−２＞
次に、図１（ｂ）に示すように、カーボンファイバー膜１２を覆う第１の保護膜１３を形成する。
【００３１】
第１の保護膜１３は、例えば、基板１１上に第１の保護膜１３となる材料、例えば樹脂あるいはその前駆体等を含む液状物質を塗布し、カーボンファイバー膜１２に染み込ませた後、乾燥及び／又は加熱することで形成することができる。この工程により、第１の保護膜１３中にカーボンファイバーが埋め込まれた形態が得られる。樹脂にはホトレジスト、導電性樹脂などが利用でき、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂の中から選択された樹脂などを利用できる。
【００３２】
尚、カーボンファイバー膜１２を基板１１上に、第１の保護膜１３となる材料からなるバインダーに分散させたカーボンファイバーを塗布して形成する場合は、本工程は必ずしも必要ではない。
【００３３】
＜工程Ｂ＞
次に第１の保護膜１３上に所望形状のパターンを有する第２の保護膜１４を配置する。
【００３４】
この第２の保護膜１４は、第１の保護膜１３よりもドライエッチングに対する耐性を有する材料からなることが好ましい。第２の保護膜１４は、たとえば、以下のように形成することができる。
【００３５】
まず、図１（ｃ）に示すように、第１の保護膜１３上に第２の保護膜１４および第２の保護膜１４をパターニングするための第３の保護膜１５を積層する。そして、第２の保護膜１４を第３の保護膜１５を用いてパターニングする。これにより、所望形状の第２の保護膜１４を形成することができる。この第２の保護膜１４のパターニングは、後述のカーボンファイバー膜１２のパターニング（工程Ｃ）の観点からドライエッチングにより行うことが好ましい。そのため、第２の保護膜１４の材料としては、金属が好ましく用いられ、特には、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｔ等の酸素のドライエッチングに耐性のある材料を用いることができる。
【００３６】
＜工程Ｃ＞
続いて、図１（ｄ）に示すように、カーボンファイバー膜１２を、第１の保護膜１３と共に、例えばＯ２を用いてドライエッチングする。
【００３７】
＜工程Ｄ＞
次に、図１（ｅ）に示すように、第２の保護膜１４を第１の保護膜１３ごと除去する。第１の保護膜１３が樹脂よりなる場合は、加熱した剥離液に基板１１を浸することでリフトオフできる。
【００３８】
【実施例】
以下に、実施例を挙げてより具体的に本発明を説明する。
【００３９】
［実施例１］
本発明のパターニング方法の一例を図１を用いて説明する。
【００４０】
＜工程Ａ−１＞
Ｔａからなる基板１１上にメタルマスクを配置して、特定箇所に触媒微粒子をスパッタ蒸着法により散布する。触媒微粒子としては、Ｐｄを用いた。次にその基板１１を水素とアセチレンの混合雰囲気中、６００℃で加熱処理し、基板１１上にグラファイトナノファイバーを成長させ、カーボンファイバー膜１２を形成した（図１（ａ））。
【００４１】
＜工程Ａ−２＞
次に、この基板１１上にホトレジスト樹脂を塗布してカーボンファイバー膜１２に染み込ませ、１４０℃で加熱しながらＵＶ処理をして硬化させて、ホトレジスト樹脂よりなる第１の保護膜１３を形成した。この工程により、第１の保護膜１３中にカーボンファイバー膜１２が埋め込まれた形態が得られる（図１（ｂ））。
【００４２】
＜工程Ｂ＞
次に５０００ÅのＡｌよりなる第２の保護膜１４およびホトレジストよりなる第３の保護膜１５を第１の保護膜１３上に積層する。そして、カーボンファイバー膜１２の不要な部分に相当する領域の第３の保護膜１５を、フォトリソグラフィにて所望の形状にパターニングし、除去する（図１（ｃ））。次に、第２の保護膜１４を、ＢＣｌ３を５０ｓｃｃｍ、２Ｐａ、２００Ｗという条件にてドライエッチングし、第１の保護膜１３上に、所望のパターンを有する第２の保護膜１４を形成した。
【００４３】
＜工程Ｃ＞
続いて、カーボンファイバー膜１２を第１の保護膜１３ごと、Ｏ２を２０ｓｃｃｍ、５Ｐａ、１００Ｗという条件にて酸素プラズマでドライエッチングする（図１（ｄ））。
【００４４】
＜工程Ｄ＞
次に、加熱した剥離液に基板１１を浸し、第２の保護膜１４、第３の保護膜１５を第１の保護膜１３ごとリフトオフした（図１（ｅ））。
【００４５】
以上の工程にてカーボンファイバー膜のパターニングを高精度に制御することができ、フォトリソグラフィにおける位置合わせと同程度の誤差範囲で、基板上にカーボンファイバー膜を形成することができる。
【００４６】
［実施例２］
本発明のパターニング方法の他の例を図２を用いて説明する。
【００４７】
＜工程Ａ−１＞
基板１１として、石英ガラス表面に、後に電極となる金属膜１６としてのＴｉ膜を成膜したものを用いた以外は、実施例１と同様にして、カーボンファイバー膜１２を形成した（図１（ａ））。
【００４８】
＜工程Ａ−２＞
実施例１と同様にして、カーボンファイバー膜１２を覆う第１の保護膜１３を形成した（図１（ｂ））。
【００４９】
＜工程Ｂ＞
実施例１と同様にして、第１の保護膜１３上に第２の保護膜１４を形成し、その上に所望のパターンを有する第３の保護膜１５を形成し（図２（ｃ））、その後、第２の保護膜１４をドライエッチングすることにより、第１の保護膜１３上に所望のパターンを有する第２の保護膜１４を形成した。
【００５０】
＜工程Ｃ−１＞
続いて、カーボンファイバー膜１２を第１の保護膜１３ごと、Ｏ２を５０ｓｃｃｍ、２Ｐａ、１５０Ｗという条件にて酸素プラズマでドライエッチングする。
【００５１】
続いて金属膜１６を、ＣＦ４を５０ｓｃｃｍ、２Ｐａ、２００Ｗという条件にてドライエッチングした（図２（ｄ））。
【００５２】
＜工程Ｃ−２＞
そして、図２（ｅ）に示すように、カーボンファイバー膜１２を第１の保護膜１３ごと、Ｏ２を８０ｓｃｃｍ、１５Ｐａ、１００Ｗという条件にて酸素プラズマでアンダーカットエッチングした。アンダーカットエッチングは酸素雰囲気の圧力を上げることで可能であり、アンダーカットの量はエッチング時間で正確に制御できる。
【００５３】
＜工程Ｄ＞
実施例１と同様にして、第２の保護膜１４、第３の保護膜１５を第１の保護膜１３ごと除去した（図２（ｆ））。
【００５４】
以上の工程にてカーボンファイバー膜のパターニングを高精度に制御することができ、フォトリソグラフィにおける位置合わせと同程度の誤差範囲で、基板上にカーボンファイバー膜を形成することができる。さらに、電極のエッジから、所望の位置に後退させてカーボンファイバー膜を正確に配置できる。
【００５５】
［実施例３］
本発明のパターニング方法を利用した電子放出素子の製造方法の一例を図３を用いて説明する。
【００５６】
＜工程Ａ−１＞
石英ガラスからなる基板１１上に、ＴｉとＰｔとＴｉとを順に積層してＴｉ／Ｐｔ／Ｔｉ層を作製し、パターニングをすることで電極１７を作製した。パターニングはフォトリソグラフィでホトレジスト膜をＴｉ／Ｐｔ／Ｔｉ層上に作製して、ＴｉはＣＦ４ガスで２０ｓｃｃｍ、２Ｐａ、２００Ｗという条件にて、ＰｔはＡｒガスで５０ｓｃｃｍ，１Ｐａ、３００Ｗという条件にてドライエッチングをすることで行った。
【００５７】
次に、ＳｉＯ２をスパッタ法で１μｍ堆積して絶縁膜１８を作製した。絶縁膜１８にはＡｌ２Ｏ３などの材料を用いることもでき、さらに堆積方法、厚さもこの限りではない。
【００５８】
続いて、Ｔｉ５０ÅとＡｕ１０００Åとを順に堆積して金属膜１６を作製した。
【００５９】
＜工程Ａ−２＞
次に、基板１１上にメタルマスク１９を配置して、金属膜１６上に金属触媒微粒子２０としてのＦｅ粒子を所望の位置に散布した（図３（ａ））。
【００６０】
＜工程Ａ−３＞
次に、基板１１を、アセチレンと水素の混合ガス雰囲気中にて５００℃で５分間加熱し、金属触媒微粒子２０を介してグラファイトナノファイバーを成長させ、カーボンファイバー膜１２を形成した（図３（ｂ））。
【００６１】
＜工程Ａ−４＞
実施例１と同様にして、カーボンファイバー膜１２を覆う第１の保護膜１３を形成した（図３（ｃ））。
【００６２】
＜工程Ｂ＞
実施例１と同様にして、第１の保護膜１３上に第２の保護膜１４を形成し、その上に所望のパターンを有する第３の保護膜１５を形成し（図３（ｃ））、その後、第２の保護膜１４を、ＢＣｌ３ガスを５０ｓｃｃｍ，２Ｐａ，３００Ｗという条件にてドライエッチングすることにより、第１の保護膜１３上に所望のパターンを有する第２の保護膜１４を形成した。
【００６３】
＜工程Ｃ＞
続いて、カーボンファイバー膜１２を第１の保護膜１３ごと、Ｏ２を５０ｓｃｃｍ、１Ｐａ、３００Ｗという条件にて酸素プラズマでドライエッチングする。
【００６４】
続いて金属膜１６を、ＡｕはＡｒガスを３０ｓｃｃｍ，１Ｐａ，２００Ｗという条件にて、ＴｉはＣＦ４ガスを４０ｓｃｃｍ，５Ｐａ，１００Ｗという条件にてドライエッチングし、さらに絶縁膜１８を、ＣＦ４を８０ｓｃｃｍ、５Ｐａ、３００Ｗという条件にてドライエッチングした（図３（ｄ））。
【００６５】
＜工程Ｄ＞
実施例１と同様にして、第２の保護膜１４、第３の保護膜１５を第１の保護膜１３ごと除去した（図３（ｄ））。
【００６６】
以上の工程で作製した電子放出素子のカソード電極２１（金属膜１６）をアースにし、さらに電源２２を使用して電極１７に正電圧を印可し、さらに図示していないが基板１１の上方に離れて配置されているアノード電極に、電極１７よりも高い正電圧を印可すると、カーボンファイバー膜１２から引き出された電子がアノード電極に向けて放出される。
【００６７】
この電子放出素子を同一基板内に１０００個作製したところ、それぞれの電子放出素子から同一放出電流量を引き出すのに必要な電極１７の電圧は、数％以内のバラツキに収めることができた。
【００６８】
本発明のパターニング方法を利用することで、簡便に同一基板内で素子特性のばらつきのない電子放出素子を作製できた。
【００６９】
［実施例４］
本発明のパターニング方法を利用した電子放出素子の製造方法の他の例を図４を用いて説明する。
【００７０】
＜工程Ａ−１＞
石英ガラスからなる基板１１上に、厚み５０ÅのＴｉ膜と厚み１０００ÅのＡｕとを順に堆積し、金属膜１６を形成した。
【００７１】
＜工程Ａ−２＞
次に、基板１１上にメタルマスク１９を配置して、金属膜１６上に金属触媒微粒子２０としてＮｉをスパッタ法で所望の位置に散布した（図４（ａ））。
【００７２】
＜工程Ａ−３＞
次に、基板１１を、アセチレンと水素の混合ガス雰囲気中にて６００℃で５分間加熱し、金属触媒微粒子２０を介してグラファイトナノファイバーを成長させ、カーボンファイバー膜１２を形成した（図４（ｂ））。
【００７３】
＜工程Ａ−４＞
実施例１と同様にして、カーボンファイバー膜１２を覆う第１の保護膜１３を形成した（図４（ｃ））。
【００７４】
＜工程Ｂ＞
実施例１と同様にして、第１の保護膜１３上に第２の保護膜１４を形成し、その上に所望のパターンを有する第３の保護膜１５を形成し（図３（ｃ））、その後、第２の保護膜１４を、ＢＣｌ３ガスを５０ｓｃｃｍ，２Ｐａ，３００Ｗという条件にてドライエッチングすることにより、第１の保護膜１３上に、最終的に形成したいカソード電極２１とゲート電極２３との間隙に相当する位置が除去されたパターンを有する第２の保護膜１４を形成した。
【００７５】
＜工程Ｃ＞
続いて、カーボンファイバー膜１２を第１の保護膜１３ごと、Ｏ２を５０ｓｃｃｍ、１Ｐａ、３００Ｗという条件にて酸素プラズマでドライエッチングする。
【００７６】
続いて金属膜１６を、ＡｕはＡｒガスを３０ｓｃｃｍ，１Ｐａ，２００Ｗという条件にて、ＴｉはＣＦ４ガスを４０ｓｃｃｍ，５Ｐａ，１００Ｗという条件にてドライエッチングした（図４（ｄ））。
【００７７】
＜工程Ｄ＞
実施例１と同様にして、第２の保護膜１４、第３の保護膜１５を第１の保護膜１３ごと除去した（図４（ｄ））。
【００７８】
以上の工程で作製した電子放出素子のカソード電極２１（金属膜１６の一方）をアースにし、さらに電源２２を使用してゲート電極２３（金属膜１６の他方）に正電圧を印可し、さらに図示していないが基板の上方に離れて配置されているアノード電極にゲート電極２３よりも高い正電圧を印可すると、カーボンファイバー膜１２から放出された電子がアノードに達する。
【００７９】
この電子放出素子を同一基板内に１０００個作製したところ、それぞれの電子放出素子から同一放出電流を引き出すのにゲート電極２３に必要な電圧は数％以内に収めることができる。
【００８０】
本発明のパターニング方法を利用することで、簡便に同一基板内で素子特性のばらつきのない電子放出素子を作製できた。
【００８１】
【発明の効果】
以上説明した様に、本発明によれば、電子放出部材として優れているカーボンファイバー膜を所望の位置に正確に配置することができる。本発明のパターニング方法を利用することで、簡便に同一基板内で素子特性のばらつきのない電子放出素子を作製できる。その結果、電子放出素子を多数必要とするディスプレイにおいては、均一性の高い表示を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のパターニング方法の一例を示す図である。
【図２】本発明のパターニング方法の他の例を示す図である。
【図３】本発明の電子放出素子の製造方法の一例を示す図である。
【図４】本発明の電子放出素子の製造方法の他の例を示す図である。
【符号の説明】
１１  基板
１２  カーボンファイバー膜
１３  第１の保護膜
１４  第２の保護膜
１５  第３の保護膜
１６  金属膜
１７  電極
１８  絶縁膜
１９  メタルマスク
２０  金属触媒微粒子
２１  カソード
２２  電源
２３  ゲート電極
【図１】
2004288592.tif 000003
【図２】
2004288592.tif 000004
【図３】
2004288592.tif 000005
【図４】
2004288592.tif 000006