(57)【要約】【課題】記録再生特性が良好であり、かつ高密度の情報の記録再生が可能な垂直磁気記録媒体を得る。【解決手段】磁気記録層が、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ及び０．２ａｔ％以上１ａｔ％未満のＣを含むか、あるいは磁気記録層が、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃを含有し、かつＮｉ、Ｆｅ、Ｒｅ、及びＲｕからなる群から選択される少なくとも１元素をさらに含有する垂直二層媒体。【選択図】　　　図１
2004095074.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板と、該非磁性基板上に設けられた軟磁性層と、該軟磁性層上に設けられ、コバルト、クロム、プラチナ及び０．２ａｔ％以上１ａｔ％未満の炭素を含む垂直磁気記録層とを具備することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記垂直磁気記録層は、さらに、ニッケル、鉄、レニウム、及びルテニウムからなる群から選択される少なくとも１元素を含有することを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
非磁性基板と、該非磁性基板上に設けられた軟磁性層と、該軟磁性層上に設けられ、コバルト、クロム、プラチナ、炭素を含む垂直磁気記録層とを具備し、
前記垂直磁気記録層は、さらに、ニッケル、鉄、レニウム、及びルテニウムからなる群から選択される少なくとも１元素をさらに含有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記炭素は、その含有量が前記垂直磁気記録層中に０．２ａｔ％ないし１０ａｔ％である請求項３に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記垂直磁気記録層上にコバルト、クロム、プラチナ、及びホウ素を含有する層をさらに具備することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
前記コバルト、クロム、プラチナ、及びホウ素を含有する層上に、前記垂直磁気記録層と同様の垂直磁気記録層をさらに具備することを特徴とする請求項５に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
前記垂直磁気記録層と前記軟磁性層との間に、ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＧｄ、ＣｏＮｄ、ＮｉＴａ、ＮｉＮｂ、ＣｏＮｉＴａ、ＣｏＮｉＺｒ、ゲルマニウム、チタン、ハフニウム、ルテニウム、ＮｉＡｌ．ＦｅＡｌ、ＣｏＣｒ、ＴｉＮ、炭素、パラジウム、及びプラチナからなる群から選択される少なくとも１つの物質を含有するシード層をさらに具備することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
前記垂直磁気記録層と前記シード層との間に、ＮｉＴａ、ＮｉＮｂ、ＣｏＮｉＴａ、ＣｏＮｉＺｒ、ゲルマニウム、チタン、ハフニウム、ルテニウム、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、ＣｏＣｒ、ＣｏＧｄ、ＴｉＮ、炭素、パラジウム、及びプラチナからなる群から選択される少なくとも１つの物質を含有する配向制御層をさらに具備することを特徴とする請求項７に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項９】
前記垂直磁気記録層と前記配向制御層との間にさらにＣｏＣｒＰｔを主成分として、ホウ素、銅、ルテニウム、ジルコニウム、タングステン、及び炭素からなる群から選択される少なくとも１つの物質を含有する中間層をさらに具備することを特徴とする請求項８に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１０】
該垂直磁気記録層と軟磁性層と間に、コバルト、クロム、プラチナ、及びホウ素を含有する層をさらに具備することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１１】
前記コバルト、クロム、プラチナ、及びホウ素を含有する層と前記軟磁性層との間に、ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＧｄ、ＣｏＮｄ、ＮｉＴａ、ＮｉＮｂ、ＣｏＮｉＴａ、ＣｏＮｉＺｒ、ゲルマニウム、チタン、ハフニウム、ルテニウム、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、ＣｏＣｒ、ＴｉＮ、炭素、パラジウム、及びプラチナからなる群から選択される少なくとも１つの物質を含有するシード層をさらに具備することを特徴とする請求項１０に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１２】
前記コバルト、クロム、プラチナ、及びホウ素を含有する層と前記シード層との間に、ＮｉＴａ、ＮｉＮｂ、ＣｏＮｉＴａ、ＣｏＮｉＺｒ、ゲルマニウム、チタン、ハフニウム、ルテニウム、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、ＣｏＣｒ、ＣｏＧｄ、ＴｉＮ、炭素、パラジウム、及びプラチナからなる群から選択される少なくとも１つの物質を含有する配向制御層をさらに具備することを特徴とする請求項１１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１３】
前記コバルト、クロム、プラチナ、及びホウ素を含有する層と前記配向制御層との間にさらにＣｏＣｒＰｔを主成分として、ホウ素、銅、ルテニウム、ジルコニウム、タングステン、及び炭素からなる群から選択される少なくとも１つの物質を含有する中間層をさらに具備することを特徴とする請求項１２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１４】
前記非磁性基板から一番遠い位置に設けられた垂直磁気記録層上に、コバルトと、マンガン、ツリウム、エルビウム、ホルミウム、ジスプロシウム、テルビウム、ガドリニウム、ユーロピウム、サマリウム、プロメチウム、ネオジム、プラセオジム、セリウム、及びランタンからなる群から選択される少なくとも１元素とを含有するコバルト含有層をさらに具備することを特徴とする請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１５】
前記垂直磁気記録層上に設けられた、コバルトと、マンガン、ツリウム、エルビウム、ホルミウム、ジスプロシウム、テルビウム、ガドリニウム、ユーロピウム、サマリウム、プロメチウム、ネオジム、プラセオジム、セリウム、及びランタンから選択される少なくとも１元素とを含有するコバルト含有層、及び該コバルト含有層上に設けられた、前記垂直磁気記録層と同様の垂直磁気記録層をさらに具備する請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１６】
前記軟磁性層と前記非磁性基板との間に、面内硬磁性層をさらに具備する請求項１ないし１５のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１７】
請求項１ないし１６のいずれか１項に記載の垂直磁気記録と、前記垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行う単磁極記録ヘッドとを具備することを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録技術を用いたハードディスク装置等に用いられる磁気記録媒体、及びそれを用いた磁気記録再生装置に係り、特に、垂直方向の磁化変化を利用した垂直磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録再生装置の１種であるハードディスク装置（ＨＤＤ）は、現在その記録密度が年率６０％以上で増えており、今後もその傾向は続くと言われている。その為に、高記録密度に適した磁気記録用ヘッドの開発、及び磁気記録媒体の開発が進められている。
【０００３】
現在、市販されている磁気記録再生装置に搭載されている磁気記録媒体は、主に、磁性層の磁化容易軸が基板に対して水平に配向した面内磁気記録媒体である。ここで磁化容易軸とは、磁化の向き易い軸のことであり、Ｃｏ系合金の場合、Ｃｏのｈｃｐ構造のｃ軸のことを指す。
【０００４】
このような面内磁気記録媒体では、高記録密度化すると、記録ビットの１ビットあたりの磁性層の体積が小さくなりすぎ、熱揺らぎ効果により、記録再生特性が悪化する可能性がある。また、高記録密度化した際に、記録ビット間の境界領域で発生する反磁界の影響により、媒体ノイズが増加する傾向がある。
【０００５】
これに対し、磁性層の磁化容易軸が主に垂直に配向した、いわゆる垂直磁気記録媒体は、高記録密度化した際にも、記録ビット間の境界領域における反磁界の影響が小さく、鮮明なビット境界が形成されるため、ノイズの増加が抑えられる。しかも、面内磁気記録媒体よりも記録層が厚くても、良好な記録分解能が得られ、また、高記録密度化に伴う記録ビット体積の減少が少なくてすむため、熱揺らぎ効果にも強い。そこで、近年大きな注目を集めており、垂直磁気記録に適した媒体の構造が提案されている。
【０００６】
また、近年では、磁気記録媒体の更なる高記録密度化が要望に対して、垂直磁気記録膜に対する書きこみ能力に優れている単磁極ヘッドと記録層である垂直磁気記録膜と基板との間に、裏打ち層として軟磁性材料からなる層を設けたいわゆる垂直二層膜媒体を組み合わせた垂直磁気記録装置が検討されている。
【０００７】
しかしながら、現状の技術では、まだ、記録再生時の記録再生特性が不十分であり、垂直磁気記録装置を製品化するに至っていない。このため、記録再生特性に優れる磁気記録媒体が要望されていた。
【０００８】
一般に、磁気記録媒体は、基板上に、磁性層の磁化容易軸を基板面に対して垂直または面内に配向させる下地層、磁性合金からなる垂直または面内磁気記録層および保護層の順で構成されている。この中で、磁気記録媒体の記録再生特性を改善するため、記録層の組成を検討したり、記録層を複数重ねるなどの層構造についても幾つかの改善手法が提案されている。しかし、従来の磁気記録媒体は、その記録再生特性がまだ、十分ではなく、さらに改善の必要がある。
【０００９】
このような磁気記録媒体として、例えば非磁性基板上に、多結晶材料例えばＣｒ系合金からなる下地層、及びＣｏＣｒＰｔ合金に、Ｗ及びＣ（炭素）のうち少なくとも１種、あるいはＴａ及びＮｄのうち少なくとも１種を１ないし７ａｔ％添加した磁性層を積層し、この磁性層に含まれる磁性合金粒子の平面的な大きさが下地層を構成する多結晶粒子の平面的な大きさにより規定され、その大きさが２０ｎｍ以下である面内磁気記録媒体等があげられる（例えば特許文献１参照。）。
【００１０】
また、ＣｏＣｒＰｔ合金にホウ素（Ｂ）を添加した記録層組成も、面内磁気記録媒体の記録層に使用されている。Ｂは、結晶粒を微細化するとともに、粒界に偏析し、低ノイズ化に効果があると考えられており、垂直媒体においても、面内と同様に検討されているが、Ｂを多く添加すると、垂直配向性が低下してしまうため、垂直媒体の記録層としてはＢの添加量が微量に限定され、粒界への偏析が期待できず、面内媒体ほどの効果が得られていない。
【００１１】
【特許文献１】
特開２０００−２６８３３８号（第１−５頁）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、記録再生特性が良好であり、かつ高密度の情報の記録再生が可能な垂直磁気記録媒体を得ることにある。
【００１３】
本発明の第２の目的は、記録再生特性が良好であり、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録再生装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第１に、非磁性基板と、該非磁性基板上に設けられた軟磁性層と、該軟磁性層上に設けられ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ及び０．２ａｔ％以上１ａｔ％未満の炭素を含む垂直磁気記録層とを具備することを特徴とする垂直磁気記録媒体を提供する。
【００１５】
前記垂直磁気記録層は、さらに、ニッケル、鉄、レニウム、及びルテニウムからなる群から選択される少なくとも１元素を含有し得る。
【００１６】
本発明は、第２に、非磁性基板と、該非磁性基板上に設けられた軟磁性層と、該軟磁性層上に設けられ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、炭素を含む垂直磁気記録層とを具備し、
前記垂直磁気記録層は、さらに、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｒｅ、及びＲｕからなる群から選択される少なくとも１元素をさらに含有することを特徴とする垂直磁気記録媒体を提供する。
【００１７】
前記第２の発明において、炭素は、好ましくは、その含有量が前記垂直磁気記録層中に０．２ａｔ％ないし１０ａｔ％である。
【００１８】
前記垂直磁気記録層上にコバルト、クロム、プラチナ、及びホウ素を含有する層をさらに具備することができる。
【００１９】
前記コバルト、クロム、プラチナ、及びホウ素を含有する層上に、前記垂直磁気記録層と同様の垂直磁気記録層をさらに具備することができる。
【００２０】
前記垂直磁気記録層と前記軟磁性層との間に、ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＧｄ、ＣｏＮｄ、ＮｉＴａ、ＮｉＮｂ、ＣｏＮｉＴａ、ＣｏＮｉＺｒ、ゲルマニウム、チタン、ハフニウム、ルテニウム、ＮｉＡｌ．ＦｅＡｌ、ＣｏＣｒ、ＴｉＮ、炭素、パラジウム、及びプラチナからなる群から選択される少なくとも１つの物質を含有するシード層をさらに具備することができる。
【００２１】
前記垂直磁気記録層と前記シード層との間に、ＮｉＴａ、ＮｉＮｂ、ＣｏＮｉＴａ、ＣｏＮｉＺｒ、ゲルマニウム、チタン、ハフニウム、ルテニウム、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、ＣｏＣｒ、ＣｏＧｄ、ＴｉＮ、炭素、パラジウム、及びプラチナからなる群から選択される少なくとも１つの物質を含有する配向制御層をさらに具備することができる。
【００２２】
前記垂直磁気記録層と前記配向制御層との間にさらにＣｏＣｒＰｔを主成分として、ホウ素、銅、ルテニウム、ジルコニウム、タングステン、及び炭素からなる群から選択される少なくとも１つの物質を含有する中間層をさらに具備することができる。
【００２３】
前記垂直磁気記録層と軟磁性層と間に、コバルト、クロム、プラチナ、及びホウ素を含有する層をさらに具備することができる。
【００２４】
前記コバルト、クロム、プラチナ、及びホウ素を含有する層と前記軟磁性層との間に、ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＧｄ、ＣｏＮｄ、ＮｉＴａ、ＮｉＮｂ、ＣｏＮｉＴａ、ＣｏＮｉＺｒ、ゲルマニウム、チタン、ハフニウム、ルテニウム、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、ＣｏＣｒ、ＴｉＮ、炭素、パラジウム、及びプラチナからなる群から選択される少なくとも１つの物質を含有するシード層をさらに具備することができる。
【００２５】
前記コバルト、クロム、プラチナ、及びホウ素を含有する層と前記シード層との間に、ＮｉＴａ、ＮｉＮｂ、ＣｏＮｉＴａ、ＣｏＮｉＺｒ、ゲルマニウム、チタン、ハフニウム、ルテニウム、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、ＣｏＣｒ、ＣｏＧｄ、ＴｉＮ、炭素、パラジウム、及びプラチナからなる群から選択される少なくとも１つの物質を含有する配向制御層をさらに具備することができる。
【００２６】
前記コバルト、クロム、プラチナ、及びホウ素を含有する層と前記配向制御層との間にさらにＣｏＣｒＰｔを主成分として、ホウ素、銅、ルテニウム、ジルコニウム、タングステン、及び炭素からなる群から選択される少なくとも１つの物質を含有する中間層をさらに具備することができる。
【００２７】
前記非磁性基板から一番遠い位置に設けられた垂直磁気記録層上に、コバルトと、マンガン、ツリウム、エルビウム、ホルミウム、ジスプロシウム、テルビウム、ガドリニウム、ユーロピウム、サマリウム、プロメチウム、ネオジム、プラセオジム　、セリウム、及びランタンからなる群から選択される少なくとも１元素とを含有するコバルト含有層をさらに具備することができる。
【００２８】
前記垂直磁気記録層上に設けられた、コバルトと、マンガン、ツリウム、エルビウム、ホルミウム、ジスプロシウム、テルビウム、ガドリニウム、ユーロピウム、サマリウム、プロメチウム、ネオジム、プラセオジム、セリウム、及びランタンから選択される少なくとも１元素とを含有するコバルト含有層、及び該コバルト含有層上に設けられた、前記垂直磁気記録層と同様の垂直磁気記録層をさらに具備することができる。
【００２９】
前記軟磁性層と前記非磁性基板との間に、面内硬磁性層をさらに具備することができる。
【００３０】
本発明は、第３に、上記垂直磁気記録媒体と、前記垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行う単磁極記録ヘッドとを具備することを特徴とする磁気記録再生装置を提供する。
【００３１】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の観点にかかる垂直磁気記録媒体は、非磁性基板上に順次積層された軟磁性層及び垂直磁気記録層を有し、垂直磁気記録層がＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔ及び０．２ａｔ％以上１ａｔ％未満のＣを含む。
【００３２】
図１に、第１の観点に係る垂直磁気記録媒体の層構成を表す概略断面図を示す。
【００３３】
図示するように、第１の観点に係る垂直磁気記録媒体は、非磁性基板１上に、軟磁性層２及びＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔ及び０．２ａｔ％以上１ａｔ％未満のＣを含む垂直磁気記録層３が積層された構成を有する。
【００３４】
本発明の第２の観点にかかる垂直磁気記録媒体は、非磁性基板上に、順次積層された軟磁性層、及び垂直磁気記録層を有し、垂直磁気記録層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃを含有し、かつＮｉ、Ｆｅ、Ｒｅ、及びＲｕからなる群から選択される少なくとも１元素をさらに含有する。
【００３５】
磁気記録層としては、垂直方向に磁化しやすい垂直磁気記録層が設けられる。垂直磁気記録層は、垂直方向が磁化容易軸となるような磁気異方性と配向性を持ち、高密度記録でも記録ビットが安定でノイズが小さくなるように、微細な磁化単位が求められる。
【００３６】
ＣｏＣｒＰｔ記録層は、六方最密構造（ＨＣＰ）をとり異方性が大きいＣｏ合金を主元素として、これに異方性を高めるためＰｔを加え、粒子間の磁気的相互作用を弱め磁気単位を微細にして、高密度記録が可能なようにＣｒを添加したものである。磁気記録層製膜時に、基板の加熱等により、このＣｏＣｒＰｔ記録層を加熱することで、Ｃｒは結晶粒界に偏析するようになり、ＨＣＰのＣ軸が基板に垂直に配向したＣｏ合金結晶がＣｒによって磁気的に分離微細化した好ましい構造をとり得る。本発明では、上記ＣｏＣｒＰｔ記録層の特性をさらに改善するため、さらにＣを添加する。
【００３７】
Ｃは、ＣｏやＰｔと固溶しにくく、Ｃｒと結合しやすい。このため、Ｃｏの含有量が多い磁性結晶粒子内から粒界に出やすく、さらに、磁性結晶粒子内のＣｒを粒界に引き出しやすい。この結果として、Ｃｒの偏析が促進され、磁気的分離がすすみ、媒体ノイズが低下する。
【００３８】
第１の観点に係る垂直磁気記録層のＣの添加量は０．２．以上１．０ａｔ．％以下である。Ｃが多すぎるとＣｏ結晶粒子内に残る結果、Ｃｏ結晶粒子の結晶異方性を低下させたり、垂直配向性を劣化させてしまう傾向がある。
【００３９】
第２の観点に使用される垂直磁気記録層のＣの添加量は、好ましくは１０ａｔ．％以下、さらに好ましくは０．２ないし１０ａｔ％である。Ｃの含有量が１０ａｔ％を超えると、Ｃｏ結晶粒子中にＣが多量に残留し、Ｃｏ結晶粒子の結晶異方性を低下させたり、垂直配向性を劣化させる傾向がある。
【００４０】
第２の観点に係る垂直磁気記録層中に使用されるＮｉ、Ｆｅ、Ｒｅ、及びＲｕは、ＣｏやＰｔとは固溶しやすいけれども、Ｃとは固溶し難いため、Ｃの効果例えばＣが磁性結晶粒子内から容易に粒界に出ること、及びＣが磁性結晶粒子内のＣｒを粒界に引き出すことを、阻害しない。
【００４１】
また、これらのＮｉ、Ｆｅ、Ｒｕ、及びＲｅは、Ｐｔと置換して添加することで、飽和磁化Ｍｓの大きさや異方性の大きさを制御し、ヘッドとの組み合わせで特性を最適化することができる。
【００４２】
第１の観点にかかる垂直磁気記録層にもまた、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｒｕ、及びＲｅからなる群から選択される少なくとも１元素をさらに含有し得る。
【００４３】
Ｎｉ、Ｆｅ、Ｒｕ、及びＲｅの好ましい添加量は、１ａｔ％ないし１０ａｔ％である。１０ａｔ％を超えると、異方性が低下し、垂直保磁力が低下する傾向があり、１ａｔ％未満であると、Ｃが磁性結晶粒子内のＣｒを粒界に引き出すことを、阻害することなく、ＣｏやＰｔと固溶する効果が現れ難い傾向がある。　第２の観点に係る垂直磁気記録媒体の層構成は、図１に示す層構成と同様である。
【００４４】
第１及び第２の観点に係る垂直磁気記録媒体において、非磁性基板としては、結晶化ガラス基板、化学強化アルミノ珪酸アモルファスガラス等が好ましく用いられる。
【００４５】
また、軟磁性層としては、例えばＢｓが高く軟磁気特性が良好なＣｏＺｒＮｂ合金、ＦｅＣｏＢ合金、ＦｅＴａＣ合金、ＦｅＨｆＮ合金、ＣｏＦｅ合金、ＮｉＦｅ合金、ＦｅＡｌＳｉ合金などが好ましく用いられる。
【００４６】
軟磁性層は、単磁極ヘッドとの組み合わせで磁界の垂直成分を増加させ、記録層に急峻で充分な垂直磁界を印加させるために設けられる。軟磁性層は、磁区を形成しやすく、この磁区はスパイク状のノイズを発生することから、アモルファス系の軟磁性膜では、面内硬磁性層や反強磁性層と組み合わせて使用し、半径方向にバイアス磁界をかけて磁区の発生を防止したり、あるいは、結晶性の軟磁性膜では、Ｃなどの非磁性膜と組み合わせて積層構造とし、結晶異方性を細かく分散して大きな磁区を形成し難くするなどの試みがなされている。
【００４７】
この軟磁性層上には、好ましくは、磁気記録層の磁性粒子の粒径を制御し、垂直配向性を向上するための非磁性下地層を設けることができる。また、この下地層を設けて、記録層と軟磁性層との磁気的分離を起こすことにより、軟磁性層の特性の劣化を防止することができる。このような非磁性下地層としては、非磁性ＣｏＣｒ系やＲｕ系、Ｔｉ系、Ｎｉ合金系などのＨＣＰ構造あるいはＦＣＣ（面心立方）構造を有し、その最密面が基板に平行に成長しやすく、記録層と格子定数が近いものや、ＧｅやＣのように非晶質となりやすいものが好ましく使用される。下地層は一層または二層以上形成することができる。
【００４８】
本発明の第３の観点に係る垂直磁気記録媒体は、垂直磁気記録層上または垂直磁気記録層と軟磁性層との間に、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、及びホウ素を含有するＣｏＣｒＰｔＢ系層が設けられる。
【００４９】
ＣｏＣｒＰｔＢ系層は、主としてＣｏＣｒＰｔを含み、これに少なくともホウ素Ｂが添加される。垂直配向性を乱さない程度にＢを加えることで、Ｃｏの結晶粒子自体を微細化することができる。
【００５０】
この膜は、Ｃｒ量を少なくし、磁性を持たせることにより、記録層の一部として用いることができる。このときのＣｒ量は、好ましくは１４ないし２８ａｔ％である。
【００５１】
あるいは、Ｃｒを多く添加して、非磁性にせしめ、上記ＣｏＣｒＰｔＢ系層を下地層として使用することができる。とくに、本発明に用いられるＣを含む磁気記録層の下に形成しておくと、この磁気記録層が、この下地層中のＣｏが微細な状態を引き継いで、これにより、Ｃｒ偏析が促進されるため、磁気的分離がさらに進み、媒体ノイズが低下する効果が大きくなる。このとき、Ｃｒ量は、好ましくは２８ないし４０ａｔ％である。
【００５２】
また、Ｂの含有量は、０．２ａｔ％ないし６ａｔ％である。６ａｔ％を超えると、垂直配向性が劣化する傾向があり、０．２ａｔ％未満であると、Ｃｏの結晶粒子自体を微細化する効果が得られない傾向がある
第３の観点に係る垂直磁気記録媒体の層構成を表す図を図２ないし図５に示す。
【００５３】
図２に示すように、第３の観点に係る垂直磁気記録媒体の第１の例は、非磁性基板１上に順次積層された軟磁性層２、上記ＣｏＣｒＰｔＢ系層４及び垂直磁気記録層３を有し、垂直磁気記録層３はＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔ及び０．２ａｔ％以上１ａｔ％未満のＣを含有する。
【００５４】
図３に示すように、第３の観点に係る垂直磁気記録媒体の第２の例は、非磁性基板１上に順次積層された軟磁性層２、上記垂直磁気記録層３、及び上記ＣｏＣｒＰｔＢ系層４を有する。
【００５５】
図４に示すように、第３の観点に係る垂直磁気記録媒体の第３の例は、非磁性基板１上に順次積層された軟磁性層２、第１の垂直磁気記録層３ａ、上記ＣｏＣｒＰｔＢ系層４、及び第２の垂直磁気記録層３ｂを有し、第１及び第２の垂直磁気記録層は、各々、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ及び０．２ａｔ％以上１ａｔ％未満のＣを含有する。
【００５６】
図５に示すように、第３の観点に係る垂直磁気記録媒体の第４の例は、
非磁性基板１上に順次積層された軟磁性層２、上記ＣｏＣｒＰｔＢ系層４ａ、第１の垂直磁気記録層３ａ、上記ＣｏＣｒＰｔＢ系層４ｂ、及び第２の垂直磁気記録層３ｂを有し、ＣｏＣｒＰｔＢ系層と垂直磁気記録層とが交互に積層されて多層体を構成している。ＣｏＣｒＰｔＢ系層と垂直磁気記録層との順序は逆にすることができる。しかしながら、図５のように、第１の垂直磁気記録層３ａの下地層として、ＣｏＣｒＰｔＢ系層４ａが設けられていることが好ましい。
【００５７】
本発明の第４の観点によれば、上述の第１ないし第３の観点に係る垂直磁気記録媒体において、垂直磁気記録層上、２以上の垂直磁気記録層の中間、あるいは、２以上の垂直磁気記録層のうち一番上の層の上に、Ｃｏと、Ｍｎ、Ｔｂ、Ｎｄ、Ｇｄ、及びＣｅから選択される少なくとも１元素とを含有するＣｏ含有層をさらに設けることができる。
【００５８】
第４の観点に使用されるＣｏに、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｔｂ、　Ｇｄ　、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｐｍ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｃｅ、及びＬａからなる群から選択される少なくとも１種の元素を加えた層は、Ｍｓが小さく、膜自体の反磁界を小さくするため、分解能が向上し得る。とくに、Ｍｎ、やＧｄ以降の重希土類（Ｔｍ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｔｂ、及びＧｄ）を添加したものでは、これらのスピン磁気モーメントがＣｏのスピン磁気モーメントと反平行を向く傾向があるため、この効果が大きく好ましい。このＣｏ含有層の厚さは、好ましくは０．５ないし１０ｎｍである。１０ｎｍを超えると、記録層全体の保磁力が低下する傾向があり、０．５ｎｍ未満であると、膜自体の反磁界を小さくせしめ、分解能を向上する効果がみられない傾向がある。
【００５９】
図６に、Ｃｏ含有層を垂直磁気記録層の上層として使用する場合の層構成の一例を表す概略断面図を示す。図示するように、この垂直磁気記録媒体は、垂直磁気記録層３の上にＣｏに、Ｍｎ、Ｔｂ、Ｎｄ、Ｇｄ、及びＣｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素を加えたＣｏ含有層５が設けられていること以外は図１と同様の構成を有する。
【００６０】
また、図７に、Ｃｏ含有層を垂直磁気記録層の中間層として用いる場合の層構成の一例を示す概略断面図を示す。
【００６１】
図示するように、中間層として、ＣｏＣｒＰｔＢ系層４ｂの代わりにＣｏ含有層５が形成されている以外は、図５と同様の構成を有する。
【００６２】
第１及び第４の観点に係る垂直磁気記録媒体では、垂直磁気記録層と軟磁性層との間に、ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＧｄ、ＣｏＮｄ、ＮｉＴａ、ＮｉＮｂ、ＣｏＮｉＴａ、ＣｏＮｉＺｒ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｒｕ、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、ＣｏＣｒ、ＴｉＮ、Ｃ、Ｐｄ、及びＰｔからなる群から選択される少なくとも１つの物質を含有するシード層をさらに設けることができる。
【００６３】
図８に、シード層を有する垂直磁気記録媒体の一例を表す概略断面図を示す。
【００６４】
図示するように、この垂直磁気記録媒体は、垂直磁気記録層３と軟磁性層２との間に、シード層６が設けられている以外は、図１と同様の構成を有する。
【００６５】
また、垂直磁気記録層とシード層との間に、ＮｉＴａ、ＮｉＮｂ、ＣｏＮｉＴａ、ＣｏＮｉＺｒ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｒｕ、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ、ＣｏＣｒ、ＣｏＧｄ、ＴｉＮ、Ｃ、Ｐｄ、及びＰｔからなる群から選択される少なくとも１つの物質を含有する配向制御層をさらに設けることができる。
【００６６】
図９に、シード層及び配向制御層を有する垂直磁気記録媒体の一例を表す概略断面図を示す。
【００６７】
図示するように、垂直磁気記録層３とシード層６との間に配向制御層７がさらに設けられていること以外は、図８と同様の構成を有する。
【００６８】
さらに、垂直磁気記録層と配向制御層との間に、記録層の初期成長層の役目を担うため、Ｃｒ含有量の高い組成を有するＣｏＣｒＰｔを主成分として、Ｂ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｚｒ、Ｗ、Ｃからなる群から選択される少なくとも１つの物質を含有する中間層をさらに設けることができる。
【００６９】
図１０に、シード層、配向制御層及び中間層を有する垂直磁気記録媒体の一例を表す概略断面図を示す。
【００７０】
図示するように、垂直磁気記録層３と配向制御層７との間に中間層８がさらに設けられていること以外は、図９と同様の構成を有する。
【００７１】
また、軟磁性層と前記非磁性基板との間に、軟磁性膜にバイアス磁界を印加させるための面内硬磁性層をさらに設けることができる。
【００７２】
図１１に、面内硬磁性層をさらに有する垂直磁気記録媒体の一例を表す概略断面図を示す。
【００７３】
図示するように、軟磁性層２と基板１との間に面内硬磁性層９がさらに設けられていること以外は、図１０と同様の構成を有する。
【００７４】
さらに、この面内硬磁性層と軟磁性層との間に、面内硬磁性層とその上に形成される軟磁性層との磁化固着強度を制御するための弱磁性層を形成することができる。
【００７５】
図１２に、弱磁性層をさらに有する垂直磁気記録媒体の一例を表す概略断面図を示す。
【００７６】
図示するように、軟磁性層２と面内硬磁性層９との間に弱磁性層１０がさらに設けられていること以外は、図１１と同様の構成を有する。
【００７７】
面内硬磁性層と非磁性基板との間に、Ｃｒ合金、Ｖ合金、Ｗ合金、ＮｉＡｌ合金、ＦｅＡｌ合金、及びＮｉＰ合金等からなる群から選択される少なくとも１つの物質を含有する下地層を設けることができる。
【００７８】
図１３に、下地層をさらに有する垂直磁気記録媒体の一例を表す概略断面図を示す。
【００７９】
図示するように、軟磁性層２と弱磁性層１０との間に下地層１１がさらに設けられていること以外は、図１２と同様の構成を有する。
【００８０】
垂直磁気記録層上に、Ｃなどによる保護膜を設けることができる。さらに、保護膜上に潤滑層を設けることができる。
【００８１】
また、本発明の第５の観点によれば、上記垂直磁気記録媒体と、この垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行う単磁極記録ヘッドとを具備することを特徴とする磁気記録再生装置が提供される。
【００８２】
図１４に、本発明にかかる磁気記録再生装置の一例を一部分解した斜視図を示す。
【００８３】
本発明に係る情報を記録するための剛構成の磁気ディスク１２１はスピンドル１２２に装着されており、図示しないスピンドルモータによって一定回転数で回転駆動される。磁気ディスク１２１にアクセスして情報の記録行う単磁極型記録ヘッド及び情報の再生を行うためのＭＲヘッドを搭載したスライダー１２３は、薄板状の板ばねからなるサスペンション１２４の先端に取付けられている。サスペンション１２４は図示しない駆動コイルを保持するボビン部等を有するアーム１２５の一端側に接続されている。
【００８４】
アーム１２５の他端側には、リニアモータの一種であるボイスコイルモータ１２６が設けられている。ボイスコイルモータ１２６は、アーム１２５のボビン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、それを挟み込むように対向して配置された永久磁石および対向ヨークにより構成される磁気回路とから構成されている。
【００８５】
アーム１２５は、固定軸１２７の上下２カ所に設けられた図示しないボールベアリングによって保持され、ボイスコイルモータ１２６によって回転揺動駆動される。すなわち、磁気ディスク１２１上におけるスライダー１２３の位置は、ボイスコイルモータ１２６によって制御される。なお、図１４中、１２８は蓋体を示している。
【００８６】
【実施例】
実施例１、比較例１ないし３
２．５インチハードディスク形状の結晶化ガラス基板を用意した。
【００８７】
スパッタ装置内を１×１０−５Ｐａ以下に真空引きした後に、この基板を装置内に載置して１７００Ｗで７秒間加熱し、Ｎｉ−５０ａｔ％Ａｌターゲットを用いて、Ａｒ圧０．６Ｐａで、スパッタにより５ｎｍ　の厚さを有するＮｉＡｌシード層を形成した。
【００８８】
続いて、ＮｉＡｌシード層上に、硬磁性層を面内に配向させるための５ｎｍの厚さを有するＣｒ合金下地層を形成した。
【００８９】
次に、１５ｎｍの厚さを有するＣｏＣｒＰｔ合金面内硬磁性層を形成した。
【００９０】
さらに、この面内硬磁性層上に、ＣｏＣｒ合金弱磁性層を２ｎｍ厚さで形成した。
【００９１】
その後、この弱磁性層上に、軟磁性裏打ち層としてＣｏ−５ａｔ．％Ｚｒ−８ａｔ．％Ｎｂ軟磁性層を１００ｎｍの厚さで形成し、さらにＣｏ−６ａｔ．％Ｔａ−２ａｔ．％Ｚｒシード層を２０ｎｍの厚さで形成した。
【００９２】
さらに、このＣｏ−６ａｔ．％Ｔａ−２ａｔ．％Ｚｒシード層上に、配向制御層として５ｎｍ　厚のＮｉ−４０ａｔ．％Ｔａ層を形成した。
【００９３】
次に、Ｃｏ−３７ａｔ．％Ｃｒ−１６ａｔ．％Ｐｔ中間層を１５ｎｍの厚さに形成した。
【００９４】
その後、この中間層上にＣｏ−１９ａｔ．％Ｃｒ−１６ａｔ．％Ｐｔ−０．８ａｔ．％Ｃ垂直磁気記録層を２０ｎｍの厚さに形成した。
【００９５】
さらに、この垂直磁気記録層上にＣＶＤ法でＣＶＤ−Ｃ保護層を６ｎｍ形成した後、潤滑層として、パーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）を約１ｎｍ強、ディップ法でコートし、垂直磁気記録媒体と得た。
【００９６】
得られた垂直磁気記録媒体は、垂直磁気記録層上に保護層及び潤滑層を有すること以外は、図１３と同様の層構成を有する。
【００９７】
この後、着磁装置を用いて半径方向に１１８５ｋＡ／ｍ以上のパルス磁界を印加し、面内硬磁性膜の磁化を半径方向にそろえることによって、軟磁性膜にバイアス磁界が印加されるようにし、軟磁性層の磁区を取り除いた。
【００９８】
比較例１、比較例２、及び比較例３として、記録層をＣｏ−２０ａｔ．％Ｃｒ−１６ａｔ．％Ｐｔ、Ｃｏ−２０ａｔ．％Ｃｒ−１６ａｔ．％Ｐｔ−３ａｔ．％Ｔａ、Ｃｏ−２０ａｔ．％Ｃｒ−１６ａｔ．％Ｐｔ−３ａｔ．％Ｂを用いて形成する以外は同じ構成の垂直磁気記録媒体を各々作製し、磁気特性評価と記録再生特性の評価を行なった。
【００９９】
磁気特性は、Ｋｅｒｒ効果を用いて評価した。この媒体の磁気特性は、垂直保磁力が３００．２ｋＡ／ｍ、角型比０．９２、逆磁区発生磁界Ｈｎが１５．８ｋＡ／ｍであった。
【０１００】
また、０．２３ｕｍ幅の単磁極記録ヘッドと０．１５ｕｍ幅のＧＭＲ再生素子を備えた浮上量９ｎｍ対応ヘッドを用いて、記録再生特性を評価したところ、微分回路を通した後の再生波で、記録密度５５２ｋＦＣＩでのノイズ（ｒｍｓ値）と低域孤信号の比ＳＮｍは、２３．０ｄＢが得られ、記録分解能の指標として孤立再生派を微分した波形の半値幅ＰＷ５０として８．９ｎｓｅｃと良好な値が得られた。一方、比較例で用いた媒体は、記録層としてＣｏ−２０ａｔ．％Ｃｒ−１６ａｔ．％Ｐｔ　を用いたものが、Ｈｃが２９２．３ｋＡ／ｍ各型比０．９２、逆磁区発生Ｈｎが１１．８５ｋＡ／ｍで、媒体ＳＮＲ（ＳＮｍ）が２０．５ｄＢ、ＰＷ５０が９．２ｎｓｅｃとなり、記録層として、Ｃｏ−２０ａｔ．％Ｃｒ−１６ａｔ．％Ｐｔ−３ａｔ．％Ｔａ　を用いたものが、Ｈｃ：２５２．８ｋＡ／ｍ、角型比０．８５、逆磁区発生磁界Ｈｎが−１５．８ｋＡ／ｍ、ＳＮｍが２０．０ｄＢ、ＰＷ５０が９．４（ｎｓｅｃ）となり、記録層としてＣｏ−２０ａｔ．％Ｃｒ−１６ａｔ．％Ｐｔ−３ａｔ．％Ｂ　を用いたものが、Ｈｃ２６０．７ｋＡ／ｍ、角型比０．８８、逆磁区発生磁界Ｈｎが−１１．８５ｋＡ／ｍ、ＳＮｍが２１．０（ｄＢ）、ＰＷ５０が９．１ｎｓｅｃとなった。このことから、本発明の垂直磁気記録媒体の方が優れていることがわかった。
【０１０１】
得られた結果を下記表１に示す。
【０１０２】
なお、垂直記録層のＣｏＣｒＰｔＣ組成において、Ｃ量を１ａｔ．％以上にしてしまうと、垂直保磁力が低下するとともに、角型比が０．７を割り込んでしまい、媒体ＳＮｍは良好であるものの、記録分解能が大きく低下してしまった。また、Ｃ量が０．２ａｔ．％未満であると、Ｃを添加しないものと違いが見られなくなった。したがって、Ｃの添加量は、０．２ａｔ．％以上、１ａｔ．％未満が適当であった。
【０１０３】
実施例２
垂直磁気記録層の組成をＣｏ−１６ａｔ．％Ｃｒ−１４ａｔ．％Ｐｔ−１０ａｔ．％Ｒｕ−３ａｔ．％Ｃに変更する以外は、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作成した。
【０１０４】
得られた垂直磁気記録媒体について、磁気特性と記録再生特性を同様にして評価した。
【０１０５】
Ｋｅｒｒ効果を用いて評価した媒体の磁気特性は、垂直保磁力が３１２．０５ｋＡ／ｍ、角型比０．９４、逆磁区発生磁界Ｈｎが２３．７ｋＡ／ｍであった。
【０１０６】
また、０．２３ｕｍ幅の単磁極記録ヘッドと０．１５ｕｍ幅のＧＭＲ再生素子を備えた浮上量９ｎｍ対応ヘッドを用いて、記録再生特性を評価したところ、微分回路を通した後の再生波で、記録密度５５２ｋＦＣＩでのノイズ（ｒｍｓ値）と低域孤信号の比ＳＮｍは、２３．５ｄＢ、記録分解能の指標である孤立再生派を微分した波形の半値幅ＰＷ５０として８．８ｎｓｅｃが得られた。
【０１０７】
得られた結果を下記表１に示す。
【０１０８】
垂直磁気記録層にＲｕを添加していない実施例１と比較して、Ｒｕを添加するとＣをより多く添加しても、保磁力の低下が起こらず、記録分可能の低下が見られないことがわかった。媒体ＳＮｍは、Ｃ量の増加に伴って良好な結果となった。
【０１０９】
実施例３
Ｃｏ−３７ａｔ．％Ｃｒ−１６ａｔ．％Ｐｔ中間層の組成を、Ｂが添加されたＣｏ−２６ａｔ．％Ｃｒ−１２ａｔ．％Ｐｔ−４ａｔ．％Ｂに変更する以外は実施例２と同様にして垂直磁気記録媒体を得た。
【０１１０】
得られた垂直磁気記録媒体について、磁気特性と記録再生特性を同様にして評価した。
【０１１１】
Ｋｅｒｒ効果を用いて評価した媒体の磁気特性は、垂直保磁力が２９２．３ｋＡ／ｍ、角型比０．９３、逆磁区発生磁界Ｈｎが２３．７ｋＡ／ｍであった。
【０１１２】
また、０．２３ｕｍ幅の単磁極記録ヘッドと０．１５ｕｍ幅のＧＭＲ再生素子を備えた浮上量９ｎｍ対応ヘッドを用いて、記録再生特性を評価したところ、微分回路を通した後の再生波で、記録密度５５２ｋＦＣＩでのノイズ（ｒｍｓ値）と低域孤信号の比ＳＮｍは、媒体のＳＮとして２４．０ｄＢ、記録分解能の指標である孤立再生派を微分した波形の半値幅ＰＷ５０として８．７ｎｓｅｃが得られた。
【０１１３】
得られた結果を下記表１に示す。
【０１１４】
実施例３の媒体は、記録層の下にＢを添加したＣｏＣｒＰｔＢ膜を用いたことで、実施例２の媒体と比較して、ＮｉＴａ膜上に形成させたＣｏ合金膜の結晶が微細化されているので、この粒径の微細化これによって、より良好な特性が得られたものと考えられる。
【０１１５】
実施例４
垂直磁気記録層とＣ膜との間にさらにＣｏ−２０ａｔ．％Ｇｄ層を３ｎｍ形成する以外は、実施例３と同様にして垂直磁気記録媒体を得た。
【０１１６】
得られた垂直磁気記録媒体について、磁気特性と記録再生特性を同様にして評価した。
【０１１７】
Ｋｅｒｒ効果を用いて評価した本発明媒体の磁気特性は、垂直保磁力が３００．２ｋＡ／ｍ、角型比０．９５、逆磁区発生磁界Ｈｎが３５．５５ｋＡ／ｍであった。また、０．２３ｕｍ幅の単磁極記録ヘッドと０．１５ｕｍ幅のＧＭＲ再生素子を備えた浮上量９ｎｍ対応ヘッドを用いて、記録再生特性を評価したところ、微分回路を通した後の再生波で、記録密度５５２ｋＦＣＩでのノイズ（ｒｍｓ値）と低域孤信号の比ＳＮｍは２４．０ｄＢ、記録分解能の指標である孤立再生派を微分した波形の半値幅ＰＷ５０として８．５ｎｓｅｃが得られた。
【０１１８】
得られた結果を下記表１に示す。
【０１１９】
ＣｏＣｒＰｔＲｕＣ記録層の上にＣｏ−希土類合金であるＣｏ−Ｇｄ膜を形成したことで、記録分解能がより良好となった。
【０１２０】
一方、比較例４の媒体は、垂直保磁力が２５２．８ｋＡ／ｍ、角型比０．９、逆磁区発生磁界が９．４８ｋＡ／ｍであり、また、媒体ＳＮｍが２１ｄＢ、記録分解能が９．０ｎｓｅｃであり、本実施例媒体の方が優れていた。
【０１２１】
実施例５
垂直磁気記録層の組成をＣｏ−１６ａｔ．％Ｃｒ−１６ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｒｕ−２ａｔ．％Ｃに変更し、かつＣｏ−２０ａｔ．％Ｇｄ層を、この垂直磁気記録層と交互に４回ずつ積層する以外は、実施例４と同様にして垂直磁気記録媒体を作成した。この際、Ｃｏ−１６ａｔ．％Ｃｒ−１６ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｒｕ−２ａｔ．％Ｃ膜の合計は２０ｎｍ、ＣｏＧｄ膜の膜厚はそれぞれ０．８ｎｍとした。
【０１２２】
得られた垂直磁気記録媒体について、磁気特性と記録再生特性を同様にして評価した。
【０１２３】
Ｋｅｒｒ効果を用いて評価した媒体の磁気特性は、垂直保磁力が２９２．３ｋＡ／ｍ、角型比０．９５、逆磁区発生磁界Ｈｎが３１．６ｋＡ／ｍであった。
【０１２４】
また、０．２３ｕｍ幅の単磁極記録ヘッドと０．１５ｕｍ幅のＧＭＲ再生素子を備えた浮上量９ｎｍ対応ヘッドを用いて、記録再生特性を評価したところ、微分回路を通した後の再生波で、記録密度５５２ｋＦＣＩでのノイズ（ｒｍｓ値）と低域孤信号の比ＳＮｍは２４．０ｄＢ、記録分解能の指標である孤立再生派を微分した波形の半値幅ＰＷ５０として８．５ｎｓｅｃが得られた。
【０１２５】
得られた結果を下記表１に示す。
【０１２６】
ＣｏＣｒＰｔＲｕＣのトップコートでなくとも、Ｃｏ−希土類合金を記録層中に用いることで、同等の良好な特性が得られた。
【０１２７】
実施例６及び比較例５
垂直磁気記録層の組成をＣｏ−１６ａｔ．％Ｃｒ−１２ａｔ．％Ｐｔ−２ａｔ．％Ｒｅ−１ａｔ．％Ｃに変更する以外は、実施例４と同様にして垂直磁気記録媒体を得た。
【０１２８】
比較のため、記録層として、ＣのないＣｏ−２２ａｔ．％Ｃｒ−１６ａｔ．％Ｐｔを用いた以外は実施例６と同様にして、垂直磁気記録媒体を作製し、比較例５とした。
【０１２９】
得られた垂直磁気記録媒体について、磁気特性と記録再生特性を同様にして評価した。
【０１３０】
Ｋｅｒｒ効果を用いて評価した媒体の磁気特性は、垂直保磁力が３００．２ｋＡ／ｍ、角型比０．９５、逆磁区発生磁界Ｈｎが３３．１８ｋＡ／ｍであった。
【０１３１】
また、０．２３ｕｍ幅の単磁極記録ヘッドと０．１５ｕｍ幅のＧＭＲ再生素子を備えた浮上量９ｎｍ対応ヘッドを用いて、記録再生特性を評価したところ、微分回路を通した後の再生波で、記録密度５５２ｋＦＣＩでのノイズ（ｒｍｓ値）と低域孤信号の比ＳＮｍは２２．５ｄＢ、記録分解能の指標である孤立再生派を微分した波形の半値幅ＰＷ５０として８．５ｎｓｅｃが得られた。
【０１３２】
一方、比較例５の媒体は、垂直保磁力が２６０．７ｋＡ／ｍ、角型比０．８９、逆磁区発生磁界が７．９ｋＡ／ｍであり、また、媒体ＳＮｍが２０．５ｄＢ、記録分解能が９．１ｎｓｅｃであった。
【０１３３】
得られた結果を下記表１に示す。
【０１３４】
これにより、実施例６の媒体の方が優れていることがわかった。
【０１３５】
実施例７及び比較例６
垂直磁気記録層の組成をＣｏ−１８ａｔ．％Ｃｒ−１２ａｔ．％Ｐｔ−６ａｔ．％Ｎｉ−３ａｔ．％Ｃに、Ｃｏ−２０ａｔ．％Ｇｄ層の代わりにＣｏ−２５ａｔ．％Ｃｅ膜を形成する以外は実施例４と同様にして垂直磁気記録媒体を得た。
【０１３６】
得られた結果を下記表１に示す。
【０１３７】
また、比較のため、記録層としてＣのないＣｏ−２２ａｔ．％Ｃｒ−１６ａｔ．％Ｐｔを用いた以外は実施例７と同様にして、同じ構成の垂直磁気記録媒体（比較例６）を作成し、比較例６とした。
【０１３８】
得られた垂直磁気記録媒体について、磁気特性と記録再生特性を同様にして評価した。
【０１３９】
Ｋｅｒｒ効果を用いて評価した本発明媒体の磁気特性は、垂直保磁力が２６８．６ｋＡ／ｍ、角型比０．９５、逆磁区発生磁界Ｈｎが３１．６ｋＡ／ｍであった。
【０１４０】
また、０．２３ｕｍ幅の単磁極記録ヘッドと０．１５ｕｍ幅のＧＭＲ再生素子を備えた浮上量９ｎｍ対応ヘッドを用いて、記録再生特性を評価したところ、微分回路を通した後の再生波で、記録密度５５２ｋＦＣＩでのノイズ（ｒｍｓ値）と低域孤信号の比ＳＮｍは２２．０ｄＢ、記録分解能の指標である孤立再生派を微分した波形の半値幅ＰＷ５０として８．４ｎｓｅｃが得られた。
【０１４１】
一方、比較例６の媒体は、垂直保磁力が２３３．０５ｋＡ／ｍ、角型比０．８９、逆磁区発生磁界Ｈｎが３．９５ｋＡ／ｍ、媒体ＳＮｍが２０．５ｄＢ、ＰＷ５０が９．１ｎｓｅｃであった。このことから実施例７の媒体の方が優れていることがわかった。
【０１４２】
実施例８
垂直磁気記録層の組成をＣｏ−１９ａｔ．％Ｃｒ−１８ａｔ．％Ｐｔ−４ａｔ．％Ｆｅ−６ａｔ．％Ｃに変更し、さらにＣｏ−２０ａｔ．％Ｇｄ層の代わりに、Ｃｏ−２５ａｔ．％Ｇｄ層を形成する以外は、実施例４と同様にして、垂直磁気記録媒体を得た。
【０１４３】
Ｋｅｒｒ効果を用いて評価した媒体の磁気特性は、垂直保磁力が２７６．５ｋＡ／ｍ、角型比０．９５、逆磁区発生磁界Ｈｎが１５．８ｋＡ／ｍであった。
【０１４４】
また、０．２３ｕｍ幅の単磁極記録ヘッドと０．１５ｕｍ幅のＧＭＲ再生素子を備えた浮上量９ｎｍ対応ヘッドを用いて、記録再生特性を評価したところ、微分回路を通した後の再生波で、記録密度５５２ｋＦＣＩでのノイズ（ｒｍｓ値）と低域孤信号の比ＳＮｍは２３ｄＢ、記録分解能の指標である孤立再生派を微分した波形の半値幅ＰＷ５０として８．８ｎｓｅｃと良好な値が得られた。
【０１４５】
得られた結果を下記表１に示す。
【０１４６】
【表１】
2004095074.tif 000003
【０１４７】
【発明の効果】
本発明によれば、垂直磁気記録方式を用いて、高密度で優れた記録再生を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の観点に係る垂直磁気記録媒体の層構成を表す概略断面図
【図２】第３の観点に係る垂直磁気記録媒体の層構成の第１の例を表す概略断面図
【図３】第３の観点に係る垂直磁気記録媒体の層構成の第２の例を表す概略断面図
【図４】第３の観点に係る垂直磁気記録媒体の層構成の第３の例を表す概略断面図
【図５】第３の観点に係る垂直磁気記録媒体の層構成の第４の例を表す概略断面図
【図６】第４の観点に係る垂直磁気記録媒体の一例の層構成を表す概略断面図
【図７】第４の観点に係る垂直磁気記録媒体の他の一例の層構成を表す概略断面図
【図８】本発明の垂直磁気記録媒体のさらに他の層構成の例を表す概略断面図
【図９】本発明の垂直磁気記録媒体のさらに他の層構成の例を表す概略断面図
【図１０】本発明の垂直磁気記録媒体のさらに他の層構成の例を表す概略断面図
【図１１】本発明の垂直磁気記録媒体のさらに他の層構成の例を表す概略断面図
【図１２】本発明の垂直磁気記録媒体のさらに他の層構成の例を表す概略断面図
【図１３】本発明の垂直磁気記録媒体のさらに他の層構成の例を表す概略断面図
【図１４】本発明にかかる磁気記録再生装置の一例を一部分解した斜視図
【符号の説明】
１…基板、２…軟磁性層、３…垂直磁気記録層、４…ＣｏＣｒＰｔＢ系層、５…非磁性層、６…シード層、７…配向制御層、８…中間層、９…面内硬磁性層、１０…弱磁性層、１１…下地層、１２１…磁気ディスク、１２２…スピンドル、１２３…スライダー、１２４…サスペンション、１２５…アーム、１２６…ボイスコイルモータ、１２７…固定軸
【図１】
2004095074.tif 000004
【図２】
2004095074.tif 000005
【図３】
2004095074.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004095074.tif 000010
【図８】
2004095074.tif 000011
【図９】
2004095074.tif 000012
【図１０】
2004095074.tif 000013
【図１１】
2004095074.tif 000014
【図１２】
2004095074.tif 000015
【図１３】
2004095074.tif 000016
【図１４】
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