(57)【要約】【課題】テープキャリアから回路パターン毎に打ち抜いたパッケージを実装するとき、パッケージのランドと被実装物の端子との間に導通不良を生じない、テープキャリアの製造方法を提供することにある。【解決手段】準備として、テープ状の絶縁フィルム２０の表面に、接着材２１を備え、表裏両面に保護フィルムを備えるものを用意する。先ず、絶縁フィルムにビアホール２３などを形成する。次に、絶縁フィルム上に保護フィルムに代えて導体層２４を設ける。次いで、絶縁フィルムのビアホール内壁、およびビアホール内の導体層上に導電性被膜２６を設ける。次いで、そのビアホール内壁の導電性被膜表面と、そのビアホール内の導体層上とに金属メッキ層２７を設ける。次に、導体層の所要の個所をエッチングして回路パターンを設ける。そして、最後に、回路パターンの表面に仕上げメッキ層を設けて、テープキャリアを得る。【選択図】        図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁フィルムにビアホールを形成してから、
前記絶縁フィルム上に導体層を設け、
その後、前記絶縁フィルムの前記ビアホール内壁に導電性被膜を設けてから、
そのビアホール内壁の導電性被膜表面と、そのビアホール内の前記導体層上とに金属メッキ層を設けることを特徴とする、テープキャリアの製造方法。
【請求項２】
絶縁フィルム上に導体層を設けてから、
前記絶縁フィルムにビアホールを形成し、
その後、前記絶縁フィルムの前記ビアホール内壁に導電性被膜を設けてから、
そのビアホール内壁の導電性被膜表面と、そのビアホール内の前記導体層上とに金属メッキ層を設けることを特徴とする、テープキャリアの製造方法。
【請求項３】
ビアホールを有する絶縁フィルム上に導体層を備えるとともに、前記ビアホール内壁に導電性被膜を備え、その導電性被膜表面と、前記ビアホール内の導体層上とに金属メッキ層を備えることを特徴とする、テープキャリア。
【請求項４】
前記金属メッキ層の厚さが、１０μｍ以下であることを特徴とする、請求項３に記載のテープキャリア。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、可撓性を有し、ＩＣ・ＬＳＩなどの電子部品を実装して用いるテープキャリア、およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のテープキャリアの製造工程の一例を図１１に示す。準備として、図１１（Ａ）に示すように、テープ状の絶縁フィルム１の表面に、接着材２を備えるものを用意する。
【０００３】
先ず、図１１（Ｂ）に示すように、例えば金型を用いてパンチングを行って、接着材２とともに絶縁フィルム１に、例えばスプロケットホール３、デバイスホール４、ビアホール５などを形成する。
【０００４】
次に、図１１（Ｃ）に示すように、例えば銅箔などを接着材２を介して絶縁フィルム１の表面にラミネートして、絶縁フィルム１上に導体層６を設ける。
【０００５】
次いで、導体層６の所要の個所をエッチングして、図１１（Ｄ）に示すように、回路パターン７を設ける。
【０００６】
最後に、図１１（Ｅ）に示すように、回路パターン７の表面に、仕上げメッキ層８を設けて、テープキャリアを得ていた。
【０００７】
そのようにして得たテープキャリアの表裏を図１２および図１３に示す。そのテープキャリア９は、可撓性を有し、テープ状をしている。そして、テープキャリア９は、テープの長さ方向に、例えば矩形状のデバイスホール４を一定間隔毎に１列に有するとともに、円形のビアホール５を個々のデバイスホール４の周りに縦横に一定間隔毎に有していた。そのような絶縁フィルム１の表面には、図１２に示すように、インナーリード１０と後述するランド６を結ぶように回路パターン７を備えていた。
【０００８】
また、テープキャリア９は、図１３に示すように、テープキャリア９の裏面から見ると、絶縁フィルム１に形成したビアホール５を通して、回路パターン７を設けた導体層の一部をのぞかせて、テープキャリア９の端子となるランド６を備えていた。
【０００９】
そして、そのようなテープキャリア９には、デバイスホール４に、ＩＣ・ＬＳＩなどの電子部品を搭載してから、その電子部品の端子と、デバイスホール４内のインナーリード１０とを接続して、電子部品を実装する。
【００１０】
その後、図１４に示すように、テープキャリア９の裏面側に、例えば半田ボール１１を、ビアホール５内にその一部を入れてランド６に接触するように設けてから、回路パターン７毎、例えば図１２および図１３中２点鎖線で示す位置で打ち抜いてパッケージを得ていた。
【００１１】
そのようなパッケージは、そのパッケージを例えば他の回路基板（被実装物）の上に搭載してから、上述した半田ボール１１を他の回路基板の端子にそれぞれ接続して、他の回路基板に実装して用いていた。
【００１２】
そのようなテープキャリア９において、上述したように、例えば半田ボール１１をランド６に接触するように設けるとき、半田ボール１１は、もともと絶縁フィルム１との親和性が低いから、ビアホール５内の奥まで入りずらい問題があった。
【００１３】
ところで、近年、電子機器の高機能化および小型化が図られている。それにより、テープキャリア９のビアホール５もファインピッチ化が求められる。そこで、ビアホール５の大きさを小さくすることが求められていた。
【００１４】
しかし、ビアホール５の大きさを小さくすると、半田ボール１１を設けるとき、その半田ボール１１がビアホール５の入口に当たってビアホール５内の奥まで一層入りずらくなり、半田ボール１１とランド６との接触が難しくなるので、半田ボール１１とランド６との間でボイド等が発生して導通不良が発生する原因となり問題となっていた。
【００１５】
そこで、従来のテープキャリアの中には、例えば、特許文献１に記載される技術があった。
【００１６】
【特許文献１】特許第３２３８０７４号公報
特許文献１に記載されたテープキャリアを図１５に示す。そのテープキャリア１２は、電解メッキにより、前述したランド６の表面に金属メッキ層１３を設けていた。そのようなテープキャリア１２に、半田ボール１１を設けるとき、金属メッキ層１３により、ビアホール５の深さを浅くするので、半田ボール１１を金属メッキ層１３に接触しやすくして、半田ボール１１と金属メッキ層１３との間に発生する導通不良を防止していた。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献１に記載の技術は、電解メッキの周辺効果により、絶縁フィルム１に縦横に一定間隔毎に形成したビアホール５内のそれぞれの金属メッキ層１３の厚さを均一にすることが困難である、という問題があった。そして、金属メッキ層１３の厚さを均一にできないと、ビアホール５の深さにばらつきが発生するので、テープキャリアに半田ボール１１を設けたとき、その半田ボール１１高さにばらつきが発生し、そのようなばらつきの発生により、その後、テープキャリアから回路パターン７毎に打ち抜いたパッケージを他の回路基板に実装する場合、導通不良の発生の原因となり問題となっていた。
【００１８】
そこで、この発明の第１の目的は、テープキャリアから回路パターン毎に打ち抜いたパッケージを実装するとき、パッケージのランドと被実装物の端子との間に導通不良を生じない、テープキャリアの製造方法を提供することにある。
【００１９】
この発明の第２の目的は、テープキャリアにおいて、そのテープキャリアから回路パターン毎に打ち抜いたパッケージを実装するとき、パッケージのランドと被実装物の端子との間に発生する導通不良を防止することにある。
【００２０】
この発明の第３の目的は、金属メッキ層を設ける時間を短くして、テープキャリアの生産性を向上することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
そのため、請求項１に係る発明は、上述した第１の目的を達成すべく、
テープキャリアの製造方法において、
絶縁フィルムにビアホールを形成してから、
絶縁フィルム上に導体層を設け、
その後、絶縁フィルムのビアホール内壁に導電性被膜を設けてから、
そのビアホール内壁の導電性被膜表面と、そのビアホール内の導体層上とに金属メッキ層を設けることを特徴とする。
【００２２】
請求項２に係る発明は、上述した第１の目的を達成すべく、
テープキャリアの製造方法において、
絶縁フィルム上に導体層を設けてから、
絶縁フィルムにビアホールを形成し、
その後、絶縁フィルムのビアホール内壁に導電性被膜を設けてから、
そのビアホール内壁の導電性被膜表面と、そのビアホール内の導体層上とに金属メッキ層を設けることを特徴とする。
【００２３】
請求項３に係る発明は、上述した第２の目的を達成すべく、
テープキャリアにおいて、
ビアホールを有する絶縁フィルム上に導体層を備えるとともに、ビアホール内壁に導電性被膜を備え、その導電性被膜表面と、ビアホール内の導体層上とに金属メッキ層を備えることを特徴とする。
【００２４】
請求項４に係る発明は、上述した第３の目的も達成すべく、
請求項３に記載のテープキャリアにおいて、
金属メッキ層の厚さが、１０μｍ以下であることを特徴とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ、この発明の実施の形態につき説明する。準備として、図１に示すように、テープ状の絶縁フィルム２０の表面に、接着材２１を備え、表裏両面に保護フィルム２２ａ・２２ｂを備えるものを用意する。
【００２６】
絶縁フィルム２０には、可撓性と絶縁性を有する材料、例えばポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂または液晶ポリマなどを用いる。
【００２７】
先ず、例えば金型を用いてパンチングを行って、図２に示すように、接着材２１・保護フィルム２２ａ・２２ｂとともに、絶縁フィルム２０に、不図示のスプロケットホール、デバイスホール、およびビアホール２３などを形成する。
【００２８】
次に、表面の保護フィルム２２ａのみを除去してから、例えば銅箔を接着材を介して絶縁フィルムの表面にラミネートし、図３に示すように、絶縁フィルム２０上に導体層２４を設ける。
【００２９】
そのようにして導体層２４を設けるので、絶縁フィルム２０の裏面から見ると、絶縁フィルム２０に設けたビアホール２３を通して導体層２４の一部をのぞかせる。
【００３０】
次いで、図４に示すように、絶縁フィルム２０の裏面の保護フィルム２２上、および絶縁フィルム２０のビアホール２３内壁、およびビアホール２３内の導体層２４上に導電性被膜２６を設ける。
【００３１】
その導電性被膜２６を設ける場合、例えば、マイクロエッチ溶液に浸漬して、図５（Ａ）に示すように、導体層２４に表面処理を行ってから、コンディショニング溶液に浸漬して、図５（Ｂ）に示すように、絶縁フィルム２０のビアホール２３内壁に表面処理を行い、その後、プレディプ溶液である例えばＰｄ−Ｓｎコロイド溶液に浸漬して上述したコンディショニング溶液などを落してから、アクチベーター溶液である同じくＰｄ−Ｓｎコロイド溶液に浸漬して、図５（Ｃ）に示すように、絶縁フィルム２０の裏面の保護フィルム２２ｂ上、絶縁フィルム２０のビアホール２３内壁、およびビアホール２３内の導体層２４上にＰｄ−Ｓｎ被膜２６Ａを設け、その後、アクセレレーター溶液に浸漬して、図５（Ｄ）に示すように、ＳｎをＣｕ２Ｏに置換してＰｄ−Ｃｕ２Ｏ被膜（非導電性被膜）２６Ｂを設け、その後、活性化溶液に浸漬し、還元して導電性被膜２６である例えばＰｄ−Ｃｕ被膜を設けて、図５（Ｅ）に示すようにする。
【００３２】
次に、絶縁フィルム２０の裏面の保護フィルム２２ｂを除去して、図６に示すように、導電性被膜２６の不要個所を除去する。
【００３３】
次いで、例えばメッキ液に浸漬して、ビアホール２３内壁の導電性被膜２６表面と、テープキャリアの端子であるランド２５となるビアホール２３内の導体層２４上とに金属メッキ層２７を設けて、図７に示すようにする。このとき、図５（Ａ）で示したように、マイクロエッチ溶液に浸漬して導体層２４の表面状態を良好とするので、表面状態が良好な導電性被膜２６を設け、それにより、導体層２４上に導電性被膜２６を介して設ける金属メッキ層２７の表面状態を良好にできる。
【００３４】
なお、その金属メッキ層２７を設ける場合、金属メッキ層２７の厚さが、１０μｍ以下であることが好ましい。金属メッキ層２７の厚さを１０μｍ以上とすると、金属メッキ層２７を設けるのに時間がかかるためである。よって、金属メッキ層２７の厚さを限定するので、金属メッキ層２７を設ける時間を短くし、テープキャリアの生産性を向上することができる。
【００３５】
次に、絶縁フィルム２０の表面の導体層２４の所要の個所をエッチングして、例えばインナーリードとランド２５とを接続する回路パターンを設ける。
【００３６】
その回路パターンを設けるには、例えばフォトエッチング法を用いる。そのフォトエッチング法は、先ず、導体層２４の表面にフォトレジストを塗布した後、そのフォトレジストに所望の回路パターンを露光により焼き付けてマスキング材としてから、そのマスキング材以外の個所のフォトレジストを現像にて除去する。その後、例えば塩化第二鉄などのエッチング溶液に浸漬し、マスキング材のない個所の導体層２４を溶出する。すると、絶縁フィルム２０の表面には、マスキング材のある個所の導体層２４が残り、その後、そのマスキング材を導体層２４から剥離する。これにより、導体層２４を回路パターンとすることができる。
【００３７】
最後に、回路パターンの表面に、仕上げメッキ層を設けて、テープキャリアを得る。
【００３８】
なお、上述には、絶縁フィルム２０に接着材２１を備えるものを用いて、テープキャリアを製造する例を説明した。しかし、この発明は、これに限られず、絶縁フィルム２０に接着材２１を備えないものを用いて、テープキャリアを製造しても良い。
【００３９】
その場合、準備として、絶縁フィルム２０の例えば裏面にのみ保護フィルム２２ｂがあるものを用意する。そして、先ず、絶縁フィルム２０の表面に、例えばニッケルなどの金属をスパッタリングしてから、例えば銅メッキを行い、図８に示すように、絶縁フィルム２０上に導体層２４を設ける。
【００４０】
次に、絶縁フィルム２０の裏面から例えばレーザーを照射して、保護フィルム２２ｂとともに絶縁フィルム２０を除去して、図９に示すように、絶縁フィルム２０にビアホール２３などを形成する。
【００４１】
以下、図示省略するが、前述したのと同様にして、絶縁フィルム２０の裏面の保護フィルム２２ｂ上、絶縁フィルム２０のビアホール２３内壁、およびビアホール２３内の導体層２４上に導電性被膜を設けてから、保護フィルム２２ｂを除去し、その後、ビアホール２３内壁の導電性被膜表面と、ランド２５となるビアホール２３内の導体層２４上とに金属メッキ層を設けてから、絶縁フィルム２０の表面の導体層２４を回路パターンとし、その後、その回路パターンの表面に、仕上げメッキ層を設けて、テープキャリアを得る。
【００４２】
それらのようにして得るテープキャリアは、可撓性を有し、テープ状をしており、上述した図１２および図１３に示すものと同様の形状をしている。また、そのテープキャリアは、ビアホール２３を有する絶縁フィルム２０上に導体層２４を備える。さらに、テープキャリアは、導体層２４の所要の個所をエッチングした回路パターンを備える。
【００４３】
なお、テープキャリアが有するデバイスホールとビアホール２３において、デバイスホールは、テープの長さ方向に、例えば矩形状に１列に形成し、ビアホールは、個々のデバイスホールの周りに、例えば、縦横に一定間隔毎に形成する。
【００４４】
また、テープキャリアは、図７に示すように、ビアホール２３内壁に導電性皮膜２６を備え、その導電性被膜２６表面と、ビアホール２３内の導体層２４上とに金属メッキ層２７を備える。
【００４５】
そのテープキャリアは、その後、例えばデバイスホールに、ＩＣ・ＬＳＩなどの電子部品を搭載してから、その電子部品の端子と、デバイスホール内のインナーリードとを接続して、電子部品を実装する。
【００４６】
その後、図１０に示すように、ランド２５上で、金属メッキ層２７を備えるビアホール２３の入口に当てて、例えば半田ボール２８を設けてから、回路パターン毎に打ち抜いて、パッケージを得る。
【００４７】
ところで、上述した図１２および図１３に示す従来のテープキャリアにおいて、図１４に示すように、ランド６に半田ボール１１を設けるとき、半田ボール１１がビアホール５入口の絶縁フィルム１に接触していた。
【００４８】
一方、この発明によるテープキャリアは、図７に示すように、ビアホール２３内壁の導電性被膜２６表面と、ビアホール２３内の導体層２４上とに、金属メッキ層２７を備える。その後、テープキャリアには、図１０に示すように、その金属メッキ層２７に半田ボール２８を設ける。よって、半田ボール２８を設けるとき、金属メッキ層２７が絶縁フィルム２０よりも半田ボール２８との親和性が良好であるから、半田ボール２８がビアホール２３内に入りやすくなり、ボイド等の発生を確実に防止することができる。
【００４９】
また、パッケージは、そのパッケージを被実装物である例えば他の回路基板に搭載してから、上述した半田ボール２８を他の回路基板の端子にそれぞれ接続して、他の回路基板に実装して用いる。
【００５０】
なお、上述において、絶縁フィルム２０の表面の導体層２４にのみ、回路パターンを設ける例を説明したが、この発明は、それに限られず、絶縁フィルム２０の表裏両面に導体層２４を備えるものを用いて、表裏両面の導体層２４をそれぞれ回路パターンとしても良い。
【００５１】
また、上述において、テープキャリアのランド２５上の金属メッキ層２７に半田ボール２８を設ける例を説明したが、この発明は、それに限られず、金属メッキ層２７に半田ペースト層などを設けても良い。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したとおり、請求項１および請求項２に係る発明によれば、テープキャリアの製造方法において、絶縁フィルムのビアホール内壁に導電性被膜を設けてから、そのビアホール内壁の導電性被膜表面と、そのビアホール内の導体層上とに金属メッキ層を設けるので、テープキャリアに例えば半田ボールを設ける場合、金属メッキ層を設けたビアホール入口に当てて半田ボール高さをそろえて設けることができるので、半田ボール高さにばらつきが発生することを防止するから、テープキャリアから回路パターン毎に打ち抜いたパッケージを実装するとき、パッケージのランドと被実装物の端子との間に導通不良を生じない、テープキャリアの製造方法を提供することができる。
【００５３】
加えて、ビアホール内壁の導電性被膜表面と、そのビアホール内の導体層上とに金属メッキ層を設けるので、テープキャリアと、ビアホール入口の金属メッキ層に接触して設ける半田ボール等との親和性を良好とし、半田ボール等を設ける際、ボイドの発生を防止するから、前述の効果を一層確実とすることができる。
【００５４】
請求項３に係る発明によれば、テープキャリアにおいて、ビアホールを有する絶縁フィルム上に導体層を備えるとともに、ビアホール内壁に導電性被膜を備え、その導電性被膜表面とビアホール内の導体層上とに金属メッキ層を備えるので、テープキャリアに例えば半田ボールを設ける場合、金属メッキ層を備えるビアホール入口に当てて半田ボール高さをそろえて設けることができるので、半田ボール高さにばらつきが発生することを防止するから、テープキャリアから回路パターン毎に打ち抜いたパッケージを実装するとき、パッケージのランドと被実装物の端子との間に発生する導通不良を防止することができる。
【００５５】
加えて、導電性被膜表面とビアホール内の導体層上とに金属メッキ層を備えるので、テープキャリアと、ビアホール入口の金属メッキ層に接触して設ける半田ボール等との親和性を良好とし、半田ボール等を設ける際、ボイドの発生を防止するから、前述の効果を一層確実とすることができる。
【００５６】
請求項４に係る発明によれば、金属メッキ層の厚さを限定するので、金属メッキ層を設ける時間を短くし、請求項３に記載の効果に加えて、テープキャリアの生産性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明によるテープキャリアの製造工程の途中における部分拡大断面図である。
【図２】同様の図である。
【図３】同様の図である。
【図４】同様の図である。
【図５】そのテープキャリアの製造工程の途中において、導電性被膜を設ける場合を製造の順番に説明する工程図である。
【図６】そのテープキャリアの製造工程の途中における部分拡大断面図である。
【図７】同様の図である。
【図８】この発明によるテープキャリアのまた別の例の製造工程において、その途中の部分拡大断面図である。
【図９】同様の図である。
【図１０】そのテープキャリアに半田ボールを設けた後の部分拡大断面図である。
【図１１】従来のテープキャリアを、製造の順番に説明する工程図である。
【図１２】そのテープキャリアの平面図である。
【図１３】そのテープキャリアの底面図である。
【図１４】そのテープキャリアに半田ボールを設けた後の部分拡大断面図である。
【図１５】従来のまた別のテープキャリアに、半田ボールを設けた後の部分拡大断面図である。
【符号の説明】
２０    絶縁フィルム
２３    ビアホール
２４    導体層
２６    導電性被膜
２７    金属メッキ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2004228179.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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