(57)【要約】【課題】半導体用シリコン基板、液晶用ガラス基板などの高い清浄度を要求される電子材料を、表面に損傷を与えるおそれなく洗浄する。【解決手段】水素ガス溶解手段２０で超純水に水素ガスを溶解し、Ｈ２Ｏ２添加手段３０で過酸化水素を添加し、得られた洗浄液に超音波印加手段４０で超音波を照射しながら、洗浄部５０で洗浄対象８０を洗浄する。超純水を、脱気手段１０で脱気しておくとよい。さらに、ｐＨ調整手段により、洗浄液のｐＨを調整するとよい。また、Ｈ２Ｏ２分解剤添加手段からＨ２Ｏ２分解剤を供給しつつ洗浄を行なうとよい。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
超純水に水素ガスを溶解してなる洗浄液を用い、該洗浄液に超音波を照射しながら被洗浄物を洗浄する洗浄方法であって、前記洗浄液に過酸化水素を添加する洗浄方法。
【請求項２】
被洗浄物上で過酸化水素を分解しながら洗浄する請求項１記載の洗浄方法。
【請求項３】
過酸化水素分解剤を含む溶液を、被洗浄物上に供給しながら洗浄する請求項１記載の洗浄方法。
【請求項４】
超純水に水素ガスを溶解して洗浄液を生成する水素ガス溶解手段、洗浄液に超音波を印加する超音波印加手段、および被洗浄物に洗浄液を供給して洗浄する洗浄手段を備える洗浄装置であって、さらに洗浄液に過酸化水素を添加する過酸化水素添加手段を具備する洗浄装置。
【請求項５】
被洗浄物上の過酸化水素を分解する過酸化水素分解手段を具備する請求項４記載の洗浄装置。
【請求項６】
被洗浄物上に過酸化水素分解剤を供給する過酸化水素分解剤添加手段を具備する請求項４記載の洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体基板、ガラス基板、電子部品基板、さらに、これらの製造装置部品などの電子部品類の洗浄方法および洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子材料の洗浄方法としては、従来からＲＣＡ洗浄と呼ばれる高濃度の薬液を用いる高温洗浄技術が多くの工場で使われている。ＲＣＡ洗浄とは、硫酸と過酸化水素水の混合液（ＳＰＭ）を１２０〜１５０℃に加熱したもの、アンモニアと過酸化水素水の混合液（ＡＰＭ）を６０〜８０℃に加温したもの、あるいは、塩酸と過酸化水素水の混合液（ＨＰＭ）を６０〜８０℃に加温したものを洗浄液として用いる洗浄方法である。ＲＣＡ洗浄を用いると、確かに清浄な表面が得られる。しかし、使用する薬液、薬液切り替えに要する時間、切り替えの合間および最終工程で行なわれるリンスに要する超純水などによるコスト圧迫、大量に排出される薬液含有排水や薬液排気による環境負荷などが問題視されており、薬液を極力使用しない省資源型洗浄への移行が求められている。
【０００３】
これに対して、超純水にオゾンや水素といった特定の気体をわずかに溶解しただけのオゾン水や水素水などによる洗浄技術が開発されている。オゾン水は非常に高い酸化力を有し、基板上の有機物の除去と金属の除去に効果を発揮することが知られている。とくに酸を添加すると、オゾン水の有機物と金属の除去効果は一層高められる。一方、水素水、酸素水、希ガス水などを用い、超音波照射を併用して洗浄すると、微粒子の除去に高い効果が発揮されることが、明らかにされている。
【０００４】
たとえば、特許文献１に記載の装置では、水素ガス溶解部で超純水に水素ガスを溶解し、ｐＨ調整部でアンモニア水などを添加してｐＨを調整し、超音波印加部で洗浄液に超音波を照射することによって、粒子の除去性を向上させている。
【０００５】
また、特許文献２では、超純水に還元性ガスまたは酸化性ガスを溶解させた洗浄水を、ジェット流体として基板に噴射することで粒子の洗浄を行なう方法が検討されている。
【０００６】
超純水に、わずかに数ｐｐｍオーダーの水素ガスを溶解させただけの水が、粒子除去能力を高めることができる理由については、現段階で２点考えられる。１つは水素水の酸化還元電位である。水素水の酸化還元電位は還元領域にあり、酸化還元電位が負の領域にある場合には、ｐＨが中性付近でもウエハ表面および微粒子の表面電位を負に帯電させることができ、電気的反発による微粒子の再付着を防止できる。また、水素水にアルカリ性の物質を添加し、ｐＨをアルカリ領域とすることで、さらに再付着の防止作用を向上させることも試みられている。もう１つは、ラジカルの作用である。水素水に超音波を照射すると微粒子の洗浄効率が増加するのは、超音波と水素分子および水分子の相互作用によって、水素ラジカル（・Ｈ）あるいは水酸化ラジカル（・ＯＨ）が生成し、それが粒子除去に強く影響を及ぼすことが分かった。
【０００７】
しかしながら、特許文献１に示された方法では、水素水に超音波を照射するだけの洗浄では、実際の製造工程で必要とされる洗浄度を満たすには不充分であった。また、アルカリの添加は、静電反発に作用するだけで、基板から粒子を離す、いわゆるリフトオフ作用は付与されないために、基板からの微粒子の除去効率は殆ど向上しないという問題点があった。
【０００８】
また、特許文献２では、洗浄水をジェット流体として基板に噴射する方法では、ジェット洗浄することで微粒子のリフトオフ作用は付与されているが、超音波印加によって生成する水素ラジカルや水酸化ラジカルは生成しないために、基板の除去効率が不充分であるという問題点があった。
【０００９】
超音波を印加した水素水を用いて洗浄度を向上させるためには、印加する超音波の出力をあげる方法、または、ラジカル濃度をあげるために溶存水素濃度をあげる方法などが考えられる。しかし、超音波の出力をあげすぎると、電子素子などの配線にダメージを与えるため、好ましくない。一方、常圧下での水素水濃度は１．５ｐｐｍ程度であり、通常の水素水洗浄では飽和濃度レベルで行なっているために、これ以上溶存水素濃度をあげることもできない。
【００１０】
【特許文献１】
特開平１０−６４８６７号公報
【特許文献２】
特開平１１−２６５８７０号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、半導体用シリコン基板、液晶用ガラス基板などの高い清浄度を要求される電子材料を、表面に損傷を与えるおそれなく洗浄することができる洗浄方法および洗浄装置を提供する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
飽和濃度の水素水に、さらに超音波と相互作用してラジカルを生成する化学物質を添加することにより、洗浄液中のラジカル濃度を増加させ、洗浄効率を大幅に改善させることができた。
【００１３】
すなわち、本発明は、超純水に水素ガスを溶解してなる洗浄液を用い、該洗浄液に超音波を照射しながら被洗浄物を洗浄する洗浄方法であって、前記洗浄液に過酸化水素を添加する洗浄方法に関する。
【００１４】
また、本発明は、超純水に水素ガスを溶解して洗浄液を生成する水素ガス溶解手段、洗浄液に超音波を印加する超音波印加手段、および被洗浄物に洗浄液を供給して洗浄する洗浄手段を備える洗浄装置であって、さらに洗浄液に過酸化水素を添加する過酸化水素添加手段を具備する洗浄装置に関する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の基板洗浄方法では、洗浄液として、超純水に水素ガスを溶解した水素水を使用する。
【００１６】
超純水としては、半導体工場などの超純水製造装置で製造された超純水などをあげることができるが、半導体などの基板洗浄に用いられるものであれば、とくに限定されない。超純水は、２５℃における電気抵抗率が１７ＭΩ・ｃｍ以上であり、有機体炭素が１０μｇ／リットル以下であり、微粒子が１０，０００個／リットル以下であることが好ましい。
【００１７】
超純水には水素ガスが溶解されるが、その前に超純水中に溶解しているガスを脱気装置で除去し、超純水中の溶存ガス濃度を極限まで低くしておくことが好ましい。脱気後の超純水に含まれる酸素ガス、窒素ガス、炭酸ガスなどの溶存ガス濃度は、１０ｐｐｍ以下が好ましく、２ｐｐｍ以下がより好ましい。溶存ガス濃度が１０ｐｐｍを超えると、水素ガスが溶解しがたくなり、所望の水素濃度が得られなくなる傾向がある。
【００１８】
超純水中に水素ガスを溶解して得た水素水は、負の酸化還元電位を有する。溶存水素ガス濃度は、２５℃、１気圧で０．０５ｐｐｍ以上が好ましく、とくに０．５〜１．５ｐｐｍであることが好ましい。溶存水素ガス濃度が０．０５ｐｐｍより低いと洗浄効果が不充分となる傾向がある。
【００１９】
超純水に水素ガスを溶解させる方法としては、超純水にガス透過膜を介して水素ガスを注入して溶解する方法、超純水中に水素ガスをバブリングして溶解させる方法、超純水中にエジェクターを介して水素ガスを溶解させる方法、ガス溶解槽に超純水を供給するポンプの上流側に水素ガスを供給し、ポンプ内の攪拌によって溶解させる方法などがあげられる。ガス溶解槽において超純水に溶解せしめる水素ガスは、高純度水素ガスを用いることが好ましい。
【００２０】
つぎに、水素水に過酸化水素を添加する。過酸化水素は、過酸化水素水として添加することができる。過酸化水素の添加濃度は０．０１〜３％、さらには０．１〜３％、とくには０．１〜１％であることが好ましい。過酸化水素の添加濃度が０．０１％未満では、洗浄効果が不充分となる傾向があり、また、３％をこえると、基板にダメージを与えたりする傾向がある。
【００２１】
過酸化水素を添加することによって、ｐＨが中性のままでも、充分に洗浄度を向上させることができるが、ｐＨを２〜１２、とくには４〜１０に調製することが好ましい。ｐＨ２未満もしくはｐＨ１２をこえると、洗浄効果が不充分になったり、基板にダメージを与えたりする傾向がある。
【００２２】
つぎに、水素水に過酸化水素を添加して得られた洗浄液に、超音波を照射しながら基板を洗浄する。
【００２３】
被洗浄物（基板）を洗浄液によって洗浄する方法としては、洗浄液中に被洗浄物を浸漬して洗浄するバッチ洗浄法、洗浄液を循環させながら被洗浄物と接触させて洗浄する循環洗浄法、洗浄槽の底部側から洗浄液を供給し、洗浄槽の上部からオーバーフローさせながら洗浄するフロー洗浄法、被洗浄物に洗浄液をシャワー状に吹き掛けて洗浄する方法、高速回転させた基板に洗浄液を吹き掛けて洗浄する方法などがあげられる。
【００２４】
枚葉式で、被洗浄物に洗浄液を吹き掛けて洗浄する場合、洗浄液の供給速度は０．３〜３．０リットル／分、とくには１．０〜２．０リットル／分とすることが好ましい。０．３リットル／分未満では洗浄性が不充分となる傾向があり、３．０リットル／分をこえると、同様に洗浄性が不充分となる傾向がある。
【００２５】
超音波としては３０ｋＨｚ以上、さらには４００〜３０００ｋＨｚ、とくには８００〜３０００ｋＨｚの周波数のものが好ましい。３０ｋＨｚ未満では、基板の微細構造に損傷を与えてしまう傾向がある。
【００２６】
超音波を照射する場合、たとえば、バッチ洗浄法では洗浄槽内に供給した洗浄液に被洗浄物を浸漬した状態で照射するなどの方法が採用され、洗浄液を被洗浄物にノズルなどから吹き掛けて洗浄する方法の場合には、洗浄液噴射ノズルの上流部において洗浄液に超音波を照射する方法が採用される。
【００２７】
このとき、同時に基板上に過酸化水素分解剤（過酸化水素を分解する物質）を供給することが好ましい。過酸化水素分解剤の供給によって、さらに洗浄度を向上させることができるとともに、電子素子のダメージを低減させることができる。
【００２８】
過酸化水素分解剤としては、カタラーゼ、スーパーオキサイドディスムスターゼ（ＳＯＤ）、チトクロームオキシダ−ゼ、パーオキシダーゼ、グルタチオンペルオキシダーゼなどの化学物質およびその誘導体、オゾン、アルカリ物質などがあげられる。
【００２９】
これらの過酸化水素分解剤は、水溶液などの溶液として供給することができる。このとき、過酸化水素分解剤の濃度は０．０１〜３重量％、とくには０．１〜３重量％であることが好ましい。０．０１重量％未満では、過酸化水素との反応が充分でなくなり洗浄性が不充分となる傾向がある。３重量％をこえると、分解剤自身が汚染源となって洗浄性が不充分となる傾向がある。
【００３０】
なお、化学物質の添加のほかにも、Ｈ２Ｏ２を分解する方法はあり、たとえば、紫外線を照射する方法、電子線を照射する方法、熱を与えて分解する方法なども有効である。紫外線を照射する方法では、たとえば、水素放電管、キセノン放電管、水銀ランプ、レーザーなどを備えた紫外線照射装置を用いることができる。
【００３１】
本発明において、洗浄の対象となる電子部品部剤類（被洗浄物）としては、電子部品製造分野などにおいて用いられる種々の部品、材料などがあげられ、たとえばシリコン基板、ＩＩＩ−Ｖ族半導体ウエハなどの半導体基板、液晶用ガラス基板などの基板材料、メモリ素子、ＣＰＵ、センサー素子などの電子部品などの完成品やその半製品、石英反応管、洗浄槽、基板キャリヤなどの電子部品製造装置用部品などがあげられる。
【００３２】
【実施例】
以下に、実施例を用いて本発明の方法およびそれに用いる装置を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００３３】
以下の実施例および比較例において、洗浄評価は以下の手法で行なった。
【００３４】
評価用の基板として、８インチのシリコンウエハ、および、銅、アルミニウム、タングステンなどの金属薄膜をウエハ全面に５００ｎｍの厚さで成膜した８インチウエハを用いた。これらの基板を、平均粒径０．３μｍのアルミナ研磨剤微粒子で強制的に汚染したものを被洗浄物として用いた。ウエハ上の微粒子を、ＫＬＡテンコール製のレーザー散乱異物検査装置を用いて測定した。汚染ウエハの初期汚染状態では、粒径０．３μｍ以上の微粒子が５万個以上であった。
【００３５】
ウエハの洗浄には、スピン洗浄機を用い、ウエハを１５０ｒｐｍで回転し、１．４ｐｐｍの水素ガスを溶解した水素水を１．５リットル／分でノズルより噴射し、ノズルをウエハ中心とエッジとの間を３０秒単位でスイングさせながら、１分間洗浄した。超音波を照射する場合は、０．９５ＭＨｚの超音波を照射した。洗浄終了後、ウエハの回転速度を３０００ｒｐｍにあげて、２０秒間乾燥した。
【００３６】
乾燥後のウエハ上の微粒子数を異物検査装置で測定した。洗浄後にウエハ上に残る粒子は、製造歩留まりの観点から１００個以下であることが好ましく、５０個以下であることがさらに好ましい。また、枚葉式洗浄を前提とした場合、洗浄時間は１分以内に終了することが好ましい。
【００３７】
洗浄後の金属薄膜のダメージ評価は、洗浄前後の金属薄膜のエッチング量を測定することで行なった。膜厚の測定には、（株）アルバック製の触針式膜厚測定装置、および、（株）リガク製の蛍光Ｘ線分析装置を用いた。
【００３８】
実施例１
本実施例に用いた洗浄装置の概略図を図１に示す。
【００３９】
図１の装置は、超純水中の溶存ガスを除去するための脱気手段１０、超純水に水素ガスを溶解する水素ガス溶解手段２０、水素ガスが溶解した水素水に過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）を添加するためのＨ２Ｏ２添加手段３０、洗浄液に超音波を照射する超音波印加手段４０、および洗浄対象８０を洗浄する洗浄手段５０からなる。
【００４０】
前記のごとく脱気した超純水中に飽和濃度に近い水素ガスを溶解したのち、超音波照射手段４０の前段に設けたＨ２Ｏ２添加手段３０より所定量のＨ２Ｏ２を添加した液に対して、超音波を照射しながら、シリコンウエハの洗浄を行なった。洗浄結果を表１に示す。
【００４１】
また、比較例として、溶存水素を含まず超純水のみで洗浄した場合（比較実験例１）、超純水にＨ２Ｏ２のみを添加した場合（比較実験例２〜４）、水素水のみで洗浄した場合（比較実験例５）、さらに、従来例で示したように水素水にアルカリ（この場合、アンモニア水）を添加した水素水で洗浄した場合（比較実験例６、７）も合わせて示す。
【００４２】
水素水にＨ２Ｏ２を添加した実験例１〜３では、Ｈ２Ｏ２の添加濃度に依存して洗浄度が向上した。水素水のみの比較実験例５と比較すると、Ｈ２Ｏ２添加によって５倍〜５０倍の洗浄度の向上が確認された。
【００４３】
一方、比較実験例１〜７のいずれの洗浄条件も、水素水にＨ２Ｏ２を添加した実験例１〜３に比べて、洗浄度が劣ることが確認された。とくに、従来例として示した中性水素水およびアルカリ水素水を用いた比較実験例５〜７は、洗浄度の点で実験例１〜３に及ばなかった。
【００４４】
【表１】
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【００４５】
前記実施例においては、アルミナ研磨剤微粒子を用いたが、その他の粒子、たとえば、シリカ系研磨剤粒子、チッ化シリコン系粒子、ポリビニルアルコールやポリビニルスチレンなどの有機系ラテックス粒子、タングステン、銅などの金属粒子に関しても、同様の効果が確認された。
【００４６】
また、前記実施例においては、周波数が０．９５ＭＨｚの超音波印加素子を用いたが、その他の周波数、たとえば、周波数が０．４５ＭＨｚ、３．０ＭＨｚなどの超音波素子を用いても、同様の効果が確認された。
【００４７】
実施例２
つぎに、溶存水素濃度を変え、溶存水素濃度による洗浄度の違いを確認した。結果を図２に示す。なお、本実施例において、Ｈ２Ｏ２の添加濃度は０．５％とした。
【００４８】
溶存水素が０．０５ｐｐｍ以上で洗浄度の向上効果が得られることが確認された。洗浄度は溶存水素濃度に依存して向上した。飽和濃度に近い１．２ｐｐｍ以上で効果は一定となり、ほとんどの粒子が除去された。
【００４９】
実施例３
洗浄度の向上要因は、超音波による物理力と、その超音波と溶存水素およびＨ２Ｏ２との相互作用によって生成する水素ラジカル（・Ｈ）やヒドロキシルラジカル（・ＯＨ）であると考えられる。そこで、電子スピン共鳴法（ＥＳＲ）に用いられるラジカルトラップ剤である５，５−ジメチル−１−ピロリン−Ｎ−オキサイド（ＤＭＰＯ）を、１％  Ｈ２Ｏ２添加水素水に添加して、実施例１と同様の洗浄実験を行なった。
【００５０】
その結果、ＤＭＰＯを添加しない場合、残留粒子数が１５個であったのに対し、ＤＭＰＯを添加した場合、残留粒子数は１２００個となった。これは超音波との相互作用によって生成したラジカルが、スピントラップ剤と反応して、ウエハ上の付着粒子に作用したラジカル濃度が減少したためである。したがって、・Ｈもしくは・ＯＨラジカルの生成が、粒子除去に強く関与していることが確認された。
【００５１】
また、ラジカル生成量を水素水のみの場合に対して、０．５％  Ｈ２Ｏ２添加水素水の場合に、ラジカル生成量は約１０倍であることを確認した。
【００５２】
実施例４
図３に示すように、図１の洗浄装置にｐＨ調整手段６０を付加した装置を用いて、洗浄実験を行なった。水素水へのＨ２Ｏ２添加濃度は０．５％とし、ｐＨ調整にはアンモニア水を用いて、ｐＨ７（実験例１）、ｐＨ９（実験例２）およびｐＨ１１（実験例３）に調製した。表２に結果を示す。洗浄液をアルカリ性にすることによって、さらに、洗浄度が向上することが確認された。
【００５３】
【表２】
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【００５４】
実施例５
実施例１〜４で用いた超音波印加部は、超音波が印加された液をスポット的に噴出し、ウエハ上を数秒〜数１０秒かけてスキャンする方式であった。ラジカルは反応活性という点で利点を有するが、その寿命はミリ秒〜ナノ秒と非常に短い。そのため、前記実施例で用いた洗浄方式では、局所的にしか超音波が印加された洗浄液が供給されず、小さい面積でしかラジカルが有効に作用していない可能性が高かった。短時間で、微粒子を効率よく除去するためには、ラジカルをウエハ全体に存在させることが望ましい。ウエハの径方向全体に超音波印加部を配置すれば、ノズル直下の面積が増え、短時間で洗浄することが可能になるはずである。
【００５５】
そこで、図４に示すように、石英棒４２を用いてウエハの径方向全体を超音波印加部とした洗浄装置を用いて洗浄評価を行なった。結果を表３に示す。なお、洗浄液のｐＨは６．２、洗浄時の供給液量やウエハの回転数などはすべて実施例１と同じである。３０秒洗浄によって、すべての洗浄条件で基準をクリアする洗浄度が得られた。６０秒ではほとんどの粒子が残っていなかった。本実施例の洗浄装置を用いることで、短時間で微粒子を除去することが可能であることが確認された。
【００５６】
【表３】
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【００５７】
実施例６
実施例１〜５においては、水素水にＨ２Ｏ２を添加することで、洗浄度が向上することを証明した。ただし、ラジカル生成に関与しないＨ２Ｏ２は、ウエハ上にＨ２Ｏ２のままで供給されてしまう。このようなＨ２Ｏ２は、ｐＨを変化させることはないが、それ自身は酸化剤であるために、電子デバイスなどで用いられる金属配線などを溶解あるいは腐食させてしまう恐れがある。そこで、図５に示すように、ウエハ上のＨ２Ｏ２を分解除去するために、図１の装置にＨ２Ｏ２分解剤添加手段７０を加え、超純水にＨ２Ｏ２分解剤を加え供給するようにした。
【００５８】
本実施例では、Ｈ２Ｏ２によってダメージを受ける代表的な金属としてタングステンを選択し、タングステン薄膜上にアルミナ微粒子を強制汚染し、これを洗浄した。また、Ｈ２Ｏ２分解剤としてカタラーゼを選択し、３％のカタラーゼ溶液を１５０ミリリットル／分の添加速度で、１．３５リットル／分の洗浄液に添加した。洗浄後のタングステン薄膜のダメージを評価するために、蛍光Ｘ線膜厚測定装置を用いて、膜厚測定を実施した。表４に結果を示す。
【００５９】
Ｈ２Ｏ２分解剤を添加しない場合（実験例２）に比べて、分解剤を添加した場合（実験例１）の方が、洗浄度もよく、またタングステン薄膜のエッチングも抑制されることがわかった。
【００６０】
また、ダメージ抑制方法として、Ｈ２Ｏ２を５秒毎に供給・停止する間欠供給方法も実施した（実験例３）。Ｈ２Ｏ２の間欠供給によっても、洗浄度を確保しつつ、ダメージ抑制が可能なことが確認された。
【００６１】
【表４】
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【００６２】
ここでは、タングステンに対して具体的結果を示したが、その他の金属材料、銅、アルミニウム、コバルト、コバルトシリサイド、タングステンナイトライド、タングステンシリサイド、チタン、チタンナイトライド、タングステンチタン、バリウム、ストロンチウム、タンタル、ジルコニウム、ビスマス、また、それらの複合材料などに対しても、洗浄度向上および配線ダメージ低減の効果があることを確認した。
【００６３】
また、Ｈ２Ｏ２を分解する方法として、ここでは、一化学物質としてカタラーゼを添加したが、スーパーオキサイドディスムスターゼ（ＳＯＤ）、チトクロームオキシダーゼ、パーオキシダーゼ、グルタチオンペルオキシダーゼなどの化学物質およびその誘導体を用いても有効である。また、オゾンを添加すること、アルカリ物質を添加することも有効である。
【００６４】
また化学物質添加以外にもＨ２Ｏ２を分解する方法はあり、たとえば、紫外線を照射する方法、電子線を照射する方法、熱を与えて分解する方法なども有効である。前記紫外線照射装置にとくに制限はなく、たとえば、水素放電管、キセノン放電管、水銀ランプ、レーザーなどを備えた装置を用いても同様以上の効果が確認された。
【００６５】
実施例７
Ｈ２Ｏ２分解剤の添加によって生成するＯＨラジカルの効果として、ウエハ上の有機物除去効果を検証した。ＲＣＡ洗浄を行ない完全清浄化したウエハを、ポリプロピレン製ウエハボックスに一週間放置後、図５の装置を用いて、洗浄を行なった。洗浄前後における有機物の除去量は、高感度反射ＦＴＩＲ法を用い、洗浄前後でのＣＨ結合に対応する２８００ｃｍ−１〜３０００ｃｍ−１ピークの吸光度変化より求めた。超純水に超音波を印加した場合、２０％しか有機物が除去されなかったのに対し、水素水にＨ２Ｏ２を添加した液では、６０％が除去され、さらに、水素水にＨ２Ｏ２を添加してＨ２Ｏ２分解剤を併用した場合には、８０％の有機物が除去された。
【００６６】
【発明の効果】
本発明の洗浄方法および洗浄装置を用いることにより、従来のＲＣＡ洗浄法のように大量の洗浄液を使用せずとも、従来法と同等ないしはそれ以上の洗浄効果を得ることができるため、洗浄液に用いる原料や超純水にかかるコストの低減化を図ることができるとともに、使用済の洗浄液などを処理するためのコストを低減化することができる。
【００６７】
また、従来の水素水に超音波印加した洗浄法や水素水を用いたジェット洗浄よりも高い微粒子除去効果を実現できる。さらに、本発明によれば、中性の洗浄液でも充分な洗浄効果が得られるので、被洗浄物の荒れや溶解といったダメージを起こすことなく、高清浄な表面を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１における基板洗浄装置の模式図である。
【図２】溶存水素濃度による洗浄度の違いを示すグラフである。
【図３】本発明の実施例４における基板洗浄装置の模式図である。
【図４】本発明の実施例５における基板洗浄装置の模式図である。
【図５】本発明の実施例６における基板洗浄装置の模式図である。
【符号の説明】
１０  脱気手段、２０  水素ガス溶解手段、３０  Ｈ２Ｏ２添加手段、
４０  超音波印加手段、４２  石英棒、５０  洗浄手段、６０  ｐＨ調整手段、７０  Ｈ２Ｏ２分解剤添加手段、８０  洗浄対象。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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