(57)【要約】【課題】放熱効果の優れた薄膜磁気ヘッド、ヘッドスライダ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法の提供。【解決手段】薄膜磁気ヘッド１０は、第１の磁極６１ａと、第１の磁極６１ａと磁気的に連結された第２の磁極６４と、コイル６６と、第２の磁極６４における第１の磁極６１ａとは反対側に位置する金属材料からなる放熱層８３と、第２の磁極６４と放熱層８３との間に位置する非磁性材料からなる磁極保護層８１とを備える。放熱層８３は、磁極保護層８１を介して、第２の磁極６４の少なくとも両側部を覆っている。【選択図】　図３
2004022003.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の磁極と、
前記第１の磁極との間に非磁性材料からなるギャップ層を挟むとともに、記録媒体対向面から離れた位置において前記第１の磁極と磁気的に連結された第２の磁極と、
少なくとも一部が前記第１の磁極と前記第２の磁極との間に位置するコイルと、
前記第２の磁極における前記第１の磁極とは反対側に位置する、金属材料からなる放熱層と、
前記第２の磁極と前記放熱層との間に位置する、非磁性材料からなる磁極保護層と、を備える誘導型電磁変換素子を有し、
前記放熱層は、前記磁極保護層を介して、前記第２の磁極の少なくとも両側部を覆っていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
第１の磁極と、
前記第１の磁極との間に非磁性材料からなるギャップ層を挟むとともに、記録媒体対向面から離れた位置において前記第１の磁極と磁気的に連結された第２の磁極と、
少なくとも一部が前記第１の磁極と前記第２の磁極との間に位置するコイルと、
前記第２の磁極における前記第１の磁極とは反対側に位置する、金属材料からなる放熱層と、
前記第２の磁極と前記放熱層との間に位置する、非磁性材料からなる磁極保護層と、を備える誘導型電磁変換素子を有し、
前記放熱層は、前記記録媒体対向面からの奥行き方向において、前記第２の磁極との距離が略一定であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
第１の磁極と、
前記第１の磁極との間に非磁性材料からなるギャップ層を挟むとともに、記録媒体対向面から離れた位置において前記第１の磁極と磁気的に連結された第２の磁極と、
少なくとも一部が前記第１の磁極と前記第２の磁極との間に位置するコイルと、
前記第２の磁極における前記第１の磁極とは反対側に位置する、金属材料からなる放熱層と、
前記第２の磁極と前記放熱層との間に位置する、非磁性材料からなる磁極保護層と、を備える誘導型電磁変換素子を有し、
前記第２の磁極は、高さが変化する段部を有しており、
前記放熱層は、前記第２の磁極における前記段部に対応する位置に、段部を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記放熱層における前記磁極保護層が位置する側とは反対側に、絶縁材料からなる保護層が形成されており、
前記保護層には貫通孔が形成され、
前記貫通孔を介して前記放熱層が露出していることを特徴とする請求項１〜請求項３のうち何れか一項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記放熱層における前記磁極保護層が位置する側とは反対側に、絶縁材料からなる保護層が形成されており、
前記保護層には貫通孔が形成され、
前記貫通孔内に金属材料からなる伝熱層が前記放熱層と接するように形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項３のうち何れか一項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記磁極保護層は、非磁性の無機材料で形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項５のうち何れか一項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドスライダであって、
前記誘導型電磁変換素子は、
第１の磁極と、
前記第１の磁極との間に非磁性材料からなるギャップ層を挟むとともに、記録媒体対向面から離れた位置において前記第１の磁極と磁気的に連結された第２の磁極と、
少なくとも一部が前記第１の磁極と前記第２の磁極との間に位置するコイルと、
前記第２の磁極における前記第１の磁極とは反対側に位置する、金属材料からなる放熱層と、
前記第２の磁極と前記放熱層との間に位置する、非磁性材料からなる磁極保護層と、を備え、
前記放熱層は、前記磁極保護層を介して、前記第２の磁極の少なくとも両側部を覆っていることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項８】
誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドスライダであって、
前記誘導型電磁変換素子は、
第１の磁極と、
前記第１の磁極との間に非磁性材料からなるギャップ層を挟むとともに、記録媒体対向面から離れた位置において前記第１の磁極と磁気的に連結された第２の磁極と、
少なくとも一部が前記第１の磁極と前記第２の磁極との間に位置するコイルと、
前記第２の磁極における前記第１の磁極とは反対側に位置する、金属材料からなる放熱層と、
前記第２の磁極と前記放熱層との間に位置する、非磁性材料からなる磁極保護層と、を備え、
前記放熱層は、前記記録媒体対向面からの奥行き方向において、前記第２の磁極との距離が略一定であることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項９】
誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドスライダであって、
前記誘導型電磁変換素子は、
第１の磁極と、
前記第１の磁極との間に非磁性材料からなるギャップ層を挟むとともに、記録媒体対向面から離れた位置において前記第１の磁極と磁気的に連結された第２の磁極と、
少なくとも一部が前記第１の磁極と前記第２の磁極との間に位置するコイルと、
前記第２の磁極における前記第１の磁極とは反対側に位置する、金属材料からなる放熱層と、
前記第２の磁極と前記放熱層との間に位置する、非磁性材料からなる磁極保護層と、を備え、
前記第２の磁極は、高さが変化する段部を有しており、
前記放熱層は、前記第２の磁極における前記段部に対応する位置に、段部を有することを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項１０】
誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリであって、
前記誘導型電磁変換素子は、
第１の磁極と、
前記第１の磁極との間に非磁性材料からなるギャップ層を挟むとともに、記録媒体対向面から離れた位置において前記第１の磁極と磁気的に連結された第２の磁極と、
少なくとも一部が前記第１の磁極と前記第２の磁極との間に位置するコイルと、
前記第２の磁極における前記第１の磁極とは反対側に位置する、金属材料からなる放熱層と、
前記第２の磁極と前記放熱層との間に位置する、非磁性材料からなる磁極保護層と、を備え、
前記放熱層は、前記磁極保護層を介して、前記第２の磁極の少なくとも両側部を覆っていることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１１】
誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリであって、
前記誘導型電磁変換素子は、
第１の磁極と、
前記第１の磁極との間に非磁性材料からなるギャップ層を挟むとともに、記録媒体対向面から離れた位置において前記第１の磁極と磁気的に連結された第２の磁極と、
少なくとも一部が前記第１の磁極と前記第２の磁極との間に位置するコイルと、
前記第２の磁極における前記第１の磁極とは反対側に位置する、金属材料からなる放熱層と、
前記第２の磁極と前記放熱層との間に位置する、非磁性材料からなる磁極保護層と、を備え、
前記放熱層は、前記記録媒体対向面からの奥行き方向において、前記第２の磁極との距離が略一定であることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１２】
誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリであって、
前記誘導型電磁変換素子は、
第１の磁極と、
前記第１の磁極との間に非磁性材料からなるギャップ層を挟むとともに、記録媒体対向面から離れた位置において前記第１の磁極と磁気的に連結された第２の磁極と、
少なくとも一部が前記第１の磁極と前記第２の磁極との間に位置するコイルと、
前記第２の磁極における前記第１の磁極とは反対側に位置する、金属材料からなる放熱層と、
前記第２の磁極と前記放熱層との間に位置する、非磁性材料からなる磁極保護層と、を備え、
前記第２の磁極は、高さが変化する段部を有しており、
前記放熱層は、前記第２の磁極における前記段部に対応する位置に、段部を有することを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１３】
誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置であって、
前記誘導型電磁変換素子は、
第１の磁極と、
前記第１の磁極との間に非磁性材料からなるギャップ層を挟むとともに、記録媒体対向面から離れた位置において前記第１の磁極と磁気的に連結された第２の磁極と、
少なくとも一部が前記第１の磁極と前記第２の磁極との間に位置するコイルと、
前記第２の磁極における前記第１の磁極とは反対側に位置する、金属材料からなる放熱層と、
前記第２の磁極と前記放熱層との間に位置する、非磁性材料からなる磁極保護層と、を備え、
前記放熱層は、前記磁極保護層を介して、前記第２の磁極の少なくとも両側部を覆っていることを特徴とするハードディスク装置。
【請求項１４】
誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置であって、
前記誘導型電磁変換素子は、
第１の磁極と、
前記第１の磁極との間に非磁性材料からなるギャップ層を挟むとともに、記録媒体対向面から離れた位置において前記第１の磁極と磁気的に連結された第２の磁極と、
少なくとも一部が前記第１の磁極と前記第２の磁極との間に位置するコイルと、
前記第２の磁極における前記第１の磁極とは反対側に位置する、金属材料からなる放熱層と、
前記第２の磁極と前記放熱層との間に位置する、非磁性材料からなる磁極保護層と、を備え、
前記放熱層は、前記記録媒体対向面からの奥行き方向において、前記第２の磁極との距離が略一定であることを特徴とするハードディスク装置。
【請求項１５】
誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置であって、
前記誘導型電磁変換素子は、
第１の磁極と、
前記第１の磁極との間に非磁性材料からなるギャップ層を挟むとともに、記録媒体対向面から離れた位置において前記第１の磁極と磁気的に連結された第２の磁極と、
少なくとも一部が前記第１の磁極と前記第２の磁極との間に位置するコイルと、
前記第２の磁極における前記第１の磁極とは反対側に位置する、金属材料からなる放熱層と、
前記第２の磁極と前記放熱層との間に位置する、非磁性材料からなる磁極保護層と、を備え、
前記第２の磁極は、高さが変化する段部を有しており、
前記放熱層は、前記第２の磁極における前記段部に対応する位置に、段部を有することを特徴とするハードディスク装置。
【請求項１６】
誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
第１の磁極、記録媒体対向面から離れた位置において前記第１の磁極と磁気的に連結された第２の磁極、及び、少なくとも一部が前記第１の磁極と前記第２の磁極との間に位置するコイルを形成するステップと、
前記第２の磁極の上部及び両側部を覆うように、非磁性材料からなる磁極保護層を形成するステップと、
前記第２の磁極の上部及び両側部を覆うように、前記磁極保護層上に、金属材料からなる放熱層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記磁極保護層を形成するステップは、
前記第２の磁極の両側から間隔を隔ててレジストパターンを形成する工程と、前記第２の磁極及び前記レジストパターン上に、非磁性材料を積層する工程と、
前記レジストパターンを当該レジストパターン上の前記非磁性材料とともに除去する工程と、
を含むことを特徴とする請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
第１の磁極、記録媒体対向面から離れた位置において前記第１の磁極と磁気的に連結された第２の磁極、及び、少なくとも一部が前記第１の磁極と前記第２の磁極との間に位置するコイルを形成するステップと、
前記第２の磁極上に、非磁性材料からなる磁極保護層を形成するステップと、前記磁極保護層の上面に対して平坦化処理を施すことなく、当該磁極保護層上に、金属材料からなる放熱層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、誘導型の電磁変換素子を備える薄膜磁気ヘッド、ヘッドスライダ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ハードディスク装置（ＨＤＤ）の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドを搭載したスライダのハードディスクからの浮上量が低減されつつあり、現在、浮上量は約５ｎｍ〜約２０ｎｍにまで達している。そして、このように浮上量が小さな状況下では、薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面（記録媒体対向面）を平坦にすることが必要となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッドには、次のような問題があった。すなわち、薄膜磁気ヘッドの誘導型電磁変換素子においては、薄膜コイルの記録電流による発熱によって書込み用の磁極や保護膜等が突出する現象が起こることがある。このように熱膨張等が原因で磁極等が突出すると、エアベアリング面の平坦性を担保できないという問題があった。
【０００４】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、放熱効果の優れた薄膜磁気ヘッド、ヘッドスライダ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明の薄膜磁気ヘッドは、第１の磁極と、上記第１の磁極との間に非磁性材料からなるギャップ層を挟むとともに、記録媒体対向面から離れた位置において上記第１の磁極と磁気的に連結された第２の磁極と、少なくとも一部が上記第１の磁極と上記第２の磁極との間に位置するコイルと、上記第２の磁極における上記第１の磁極とは反対側に位置する、金属材料からなる放熱層と、上記第２の磁極と上記放熱層との間に位置する、非磁性材料からなる磁極保護層と、を備える誘導型電磁変換素子を有し、上記放熱層は、上記磁極保護層を介して、上記第２の磁極の少なくとも両側部を覆っていることを特徴としている。
【０００６】
本発明の薄膜磁気ヘッドでは、金属材料からなる放熱層が、第２の磁極における記録媒体の流出側のみならず、その両側部を覆っている。このため、放熱層が第２の磁極を覆う領域が広くなっており、第２の磁極の放熱効果が高められている。
【０００７】
本発明に係るヘッドスライダ、ヘッドジンバルアセンブリ、及びハードディスク装置においては、上記薄膜磁気ヘッドと同様に、金属材料からなる放熱層を備え、この放熱層は、磁極保護層を介して、第２の磁極の少なくとも両側部を覆っている。このため、放熱層が第２の磁極を覆う領域が広くなっており、第２の磁極の放熱効果が高められている。
【０００８】
（２）本発明に係る他の薄膜磁気ヘッドは、第１の磁極と、上記第１の磁極との間に非磁性材料からなるギャップ層を挟むとともに、記録媒体対向面から離れた位置において上記第１の磁極と磁気的に連結された第２の磁極と、少なくとも一部が上記第１の磁極と上記第２の磁極との間に位置するコイルと、上記第２の磁極における上記第１の磁極とは反対側に位置する、金属材料からなる放熱層と、上記第２の磁極と上記放熱層との間に位置する、非磁性材料からなる磁極保護層と、を備える誘導型電磁変換素子を有し、上記放熱層は、上記記録媒体対向面からの奥行き方向において、上記第２の磁極との距離が略一定であることを特徴としている。
【０００９】
このような薄膜磁気ヘッドでは、金属材料からなる放熱層が第２の磁極から略一定の距離となるように形成されている。このため、第２の磁極は、記録媒体対向面からの奥行き方向について全体的に放熱されることになり、放熱効果が高められている。
【００１０】
本発明に係るヘッドスライダ、ヘッドジンバルアセンブリ、及びハードディスク装置においては、このような薄膜磁気ヘッドと同様に、金属材料からなる放熱層を備え、この放熱層は、記録媒体対向面からの奥行き方向において第２の磁極との距離が略一定になっている。このため、第２の磁極は、記録媒体対向面からの奥行き方向について全体的に放熱されることになり、放熱効果が高められている。
【００１１】
（３）本発明に係る他の薄膜磁気ヘッドは、第１の磁極と、上記第１の磁極との間に非磁性材料からなるギャップ層を挟むとともに、記録媒体対向面から離れた位置において上記第１の磁極と磁気的に連結された第２の磁極と、少なくとも一部が上記第１の磁極と上記第２の磁極との間に位置するコイルと、上記第２の磁極における上記第１の磁極とは反対側に位置する、金属材料からなる放熱層と、上記第２の磁極と上記放熱層との間に位置する、非磁性材料からなる磁極保護層と、を備える誘導型電磁変換素子を有し、上記第２の磁極は、高さが変化する段部を有しており、上記放熱層は、上記第２の磁極における上記段部に対応する位置に、段部を有することを特徴としている。
【００１２】
放熱層が第２の磁極から遠い位置にあると放熱効果が低減してしまう。ところが、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、特に磁気抵抗による発熱が大きい磁極先端部を覆うように放熱層にも段部が設けられていることから、記録媒体対向面から見た第２の磁極の段部の前後において、第２の磁極と金属材料からなる放熱層との距離の差を低減できる。このため、第２の磁極の放熱効果が高められている。
【００１３】
本発明に係るヘッドスライダ、ヘッドジンバルアセンブリ、及びハードディスク装置においては、このような薄膜磁気ヘッドと同様に、第２の磁極は、高さが変化する段部を有しており、金属材料からなる放熱層は、第２の磁極における上記段部に対応する位置に、段部を有している。このように放熱層にも段部が設けられていることから、記録媒体対向面から見た第２の磁極の段部の前後において、第２の磁極と金属材料からなる放熱層との距離の差を低減できる。このため、第２の磁極の放熱効果が高められている。
【００１４】
更に、上記の各薄膜磁気ヘッドにおいて、上記放熱層における上記磁極保護層が位置する側とは反対側に、絶縁材料からなる保護層が形成されており、上記保護層には貫通孔が形成され、上記貫通孔を介して上記放熱層が露出していることが好適である。
【００１５】
薄膜磁気ヘッドの外層に、誘導型電磁変換素子を保護するために絶縁材料からなる保護層が形成されることがある。このような保護層に貫通孔を形成して放熱層を露出させることで、第２の磁極の放熱効果が一層向上する。
【００１６】
また、上記の各薄膜磁気ヘッドにおいて、上記放熱層における上記磁極保護層が位置する側とは反対側に、絶縁材料からなる保護層が形成されており、上記保護層には貫通孔が形成され、上記貫通孔内に金属材料からなる伝熱層が上記放熱層と接するように形成されていることも好適である。
【００１７】
このような構成とした場合、保護層の貫通孔内に形成された伝熱層によって、放熱層の熱を効果的に外部に放出できる。
【００１８】
更に、上記の各薄膜磁気ヘッドにおいて、上記磁極保護層は、非磁性の無機材料で形成されていることが好ましい。このように構成した場合、有機材料で形成する場合と比較して、記録媒体と接触した際の磁極保護層の損傷を抑制できるとともに、該層の熱収縮を抑えられる。磁極保護層の熱収縮を抑えることで、記録媒体対向面の平坦性を更に向上できる。
【００１９】
（４）本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、第１の磁極、記録媒体対向面から離れた位置において上記第１の磁極と磁気的に連結された第２の磁極、及び、少なくとも一部が上記第１の磁極と上記第２の磁極との間に位置するコイルを形成するステップと、上記第２の磁極の上部及び両側部を覆うように、非磁性材料からなる磁極保護層を形成するステップと、上記第２の磁極の上部及び両側部を覆うように、上記磁極保護層上に、金属材料からなる放熱層を形成するステップと、を含むことを特徴としている。
【００２０】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第２の磁極の上部及び両側部を覆うように、磁極保護層を介して金属材料からなる放熱層が形成される。このため、放熱層が第２の磁極を覆う領域が広くなっており、第２の磁極の放熱効果が高められている。
【００２１】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法において、上記磁極保護層を形成するステップは、上記第２の磁極の両側から間隔を隔ててレジストパターンを形成する工程と、上記第２の磁極及び上記レジストパターン上に、非磁性材料を積層する工程と、上記レジストパターンを当該レジストパターン上の上記非磁性材料とともに除去する工程と、を含むことが好適である。
【００２２】
この場合、第２の磁極の両側から間隔を隔ててレジストパターンが形成されているため、積層される非磁性材料は、第２の磁極の上部及び両側部を覆う形になり、容易に磁極保護層を形成することができる。そして、このようにして形成された磁極保護層に放熱層を積層すれば、該記録シールド層は、第２の磁極の上部及び両側部を覆うことになり、薄膜磁気ヘッドの製造工程が容易になる。
【００２３】
（５）本発明に係る他の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、第１の磁極、記録媒体対向面から離れた位置において上記第１の磁極と磁気的に連結された第２の磁極、及び、少なくとも一部が上記第１の磁極と上記第２の磁極との間に位置するコイルを形成するステップと、上記第２の磁極上に、非磁性材料からなる磁極保護層を形成するステップと、上記磁極保護層の上面に対して平坦化処理を施すことなく、当該磁極保護層上に、金属材料からなる放熱層を形成するステップと、を含むことを特徴としている。
【００２４】
この製造方法では、第２の磁極上に形成される磁極保護層に対して平坦化処理を施さずに、金属材料からなる放熱層が積層される。従って、記録媒体対向面からの奥行き方向において第２の磁極と放熱層の距離が略一定となる。このため、第２の磁極は、記録媒体対向面からの奥行き方向について全体的に放熱されることになり、放熱効果を向上できる。また、第２の磁極が段部を有するようなものである場合に、その段部に対応する位置において磁極保護層に段部が形成される。更に、磁極保護層には平坦化処理を施さないため、該層の段部は放熱層にも引き継がれる。このため、記録媒体対向面から見た第２の磁極の段部の前後において、第２の磁極と金属材料からなる放熱層との距離の差を低減できる。これにより、第２の磁極の放熱効果が向上する。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。尚、同一要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略する。
【００２６】
まず、図１〜図３を参照して、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、及び、ハードディスク装置を説明する。
【００２７】
図１は、本実施形態の薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置を示す図である。ハードディスク装置１は、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Ｈｅａｄ　Ｇｉｍｂａｌｓ　Ａｓｓｅｍｂｌｙ）１５を作動させて、高速回転するハードディスク２の記録面（図１の上面）に、薄膜磁気ヘッド１０によって磁気情報を記録及び再生するものである。ヘッドジンバルアセンブリ１５は、薄膜磁気ヘッド１０が形成されたヘッドスライダ１１を搭載したジンバル１２と、これが接続されたサスペンションアーム１３とを備え、支軸１４周りに例えばボイスコイルモータによって回転可能となっている。ヘッドジンバルアセンブリ１５を回転させると、スライダ１１は、ハードディスク２の半径方向、すなわちトラックラインを横切る方向に移動する。
【００２８】
図２は、スライダ１１の拡大斜視図である。スライダ１１は、略直方体形状をなし、アルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）等のセラミックスからなる基台１１ａ上に、薄膜磁気ヘッド１０が形成されている。同図における手前側の面は、ハードディスク２の記録面に対向する記録媒体対向面であり、エアベアリング面（ＡＢＳ：Ａｉｒ　Ｂｅａｒｉｎｇ　Ｓｕｒｆａｃｅ）Ｓと称される。ハードディスク２が回転する際、この回転に伴う空気流によってヘッドスライダ１１が浮上し、エアベアリング面Ｓはハードディスク２の記録面から離隔する。薄膜磁気ヘッド１０には記録用パッド１８ａ，１８ｂ及び再生用パッド１９ａ，１９ｂが設けられており、図１に示したサスペンションアーム１３には、各パットに接続される、電気信号の入出力用の配線（図示省略）が取付けられている。また、薄膜磁気ヘッド１０を保護するために、図中破線で示したオーバーコート層２１が設けられている。尚、エアベアリング面Ｓに、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ　Ｌｉｋｅ　Ｃａｒｂｏｎ）等のコーティングを施してもよい。
【００２９】
図３は、ヘッドスライダ１１に形成された薄膜磁気ヘッド１０を模式的に示した拡大図であり、縦横の縮尺は必ずしも正確ではない。薄膜磁気ヘッド１０の概要を説明するために、同図では、部分的に破断して示し、言及しない層の図示を省略している。基台１１ａには、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の電気絶縁材料からなる下地層１１ｂが成膜され、この上に薄膜磁気ヘッド１０が形成されている。
【００３０】
薄膜磁気ヘッド１０は、磁気抵抗効果素子としてＴＭＲ素子を有する再生ヘッド部３０と、誘導型の電磁変換素子としての記録ヘッド部６０とを積層した複合型薄膜磁気ヘッドとなっている。ＴＭＲ素子は、トンネル効果を利用しＧＭＲ膜よりも磁気抵抗変化率が高いＴＭＲ膜を利用したものである。
【００３１】
再生ヘッド部３０は、下部電極を兼ねる下部シールド層３２と、非磁性且つ導電性材料で形成された下部ギャップ層３４と、ＴＭＲ素子４０と、この両側に設けられた絶縁層３６と、ＴＭＲ素子４０上に適宜設ける上部ギャップ層（図示略）と、上部電極を兼ねる上部シールド層３８と、を主として備えている。下部ギャップ層３４は、記録媒体の記録密度に応じたリードギャップを所望の値に調整するためのものである。下部シールド層３２及び上部シールド層３８は、不要な外部磁界をＴＭＲ素子が感知するのを防止する機能を有する。ＴＭＲ素子４０は、ＴＭＲ膜４２とこの両側に設けられた例えばハードマグネット等からなる磁気バイアス印加層４３とを有している。また、図示は省略するが、下部シールド層（下部電極）３２と上部シールド層（上部電極）３８は、それぞれ再生用パッド１９ａと再生用パッド１９ｂ（図２参照）に電気的に接続されている。尚、本明細書において、シールド層のように「上部」及び「下部」という語を用いる場合があるが、「下部」とは基台１１ａに近い側であることを意味し、「上部」とは基台１１ａから遠い側であることを意味する。
【００３２】
詳細な図示は省略するが、ＴＭＲ素子４０は、磁化の方向が外部磁界に応じて変化するフリー層と、薄厚の非磁性且つ絶縁性で、トンネル効果によりスピンを保存しながら電子が通過できるトンネルバリア層と、強磁性体を含み、磁化の方向が外部磁界の影響を受けず一定に保持されるピンド層と、ピンド層の磁化の方向を固定する（エアベアリング面からの奥行き方向）ためのピン止め層と、を備える。上記の磁気バイアス印加層４３は、ＴＭＲ膜４２のフリー層に対して、エアベアリング面から見た左右方向にバイアス磁界を印加するものである。
【００３３】
このような再生ヘッド部３０において、再生用パッド１９ａ，１９ｂ（図２参照）間に電圧を印加すると、ハードディスク２の磁化によって、フリー層の磁化の向きが変化する。そして、フリー層とピンド層の磁化の向きの相対角度から得られる抵抗値に基づいて、ハードディスク２に記録された磁気情報が読取られる。
【００３４】
再び図３を参照して、薄膜磁気ヘッド１０の記録ヘッド部６０について説明する。記録ヘッド部６０は、再生ヘッド部３０上に非磁性層３９を介して配されており、誘導型の電磁変換素子となっている。また、記録方式は、ハードディスク２の長手（面内）方向に記録する長手記録方式を採用している。尚、非磁性層３９は必ずしも設ける必要はない。このような記録ヘッド部６０は、下部磁性層６１と、下部磁性層６１の一部がトリム処理されてなる下部磁極（第１の磁極）６１ａと、非磁性の絶縁材料からなる記録ギャップ層６２と、記録ギャップ層６２上に形成されると共に下部磁極６１ａ（下部磁性層６１）に磁気的に連結された上部磁極（第２の磁極）６４と、少なくとも一部が下部磁極６１ａと上部磁極６４との間に位置する複数の薄膜コイル６６とを主として備えている。
【００３５】
上部磁極６４は、本実施形態では一度に形成するようになっているが、エアベアリング面Ｓ側に位置する磁極部分層と、これに接続されると共に薄膜コイル６６の上方を迂回するヨーク部分層とに分けて形成してもよい。記録ギャップ層６２には、薄膜コイル６６の中心部に開口６２ａが形成されており、この開口６２ａを介してエアベアリング面Ｓから離れた位置において上部磁極６４と下部磁極６１ａが磁気的に連結される。尚、薄膜コイル６６には、記録用パッド１８ａ，１８ｂ（図２参照）が電気的に接続されている。
【００３６】
このような記録ヘッド部６０は、次のようにして、ハードディスク２へ情報を記録する。すなわち、記録用パッド１８ａ，１８ｂを通じて薄膜コイル６６に記録電流を流すと、下部磁極６１ａと上部磁極６４との間に磁界が発生する。そして、記録ギャップ層６２の近傍に生じる磁束によってハードディスク２を磁化することで、情報の記録が行われる。
【００３７】
また、本実施形態の記録ヘッド部６０では、上部磁極６４のエアベアリング面Ｓ側において、上部磁極６４の上部及び両側部を覆うように非磁性体からなる磁極保護層８１が積層されている。磁極保護層８１は、上部磁極６４のエアベアリング面Ｓ側をスライダ形成工程やハードディスク２上を摺動する際の磨耗から保護するためのものである。尚、図３では、下部磁性層６１よりも上方の要素については、エアベアリング面Ｓ側から見た図中左側のみを示しているが、実際は右側においても磁極保護層８１は上部磁極６４の側部を覆っている。更に、該層８１を介して上部磁極６４の上部、両側部及び後端部を覆うように、金属材料からなる放熱層８３が形成されている。放熱層８３は、上部磁極６４における下部磁極６１ａとは反対側（記録媒体の流出側）に位置することになる。尚、放熱層８３上には、薄膜磁気ヘッド１０を保護するために、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料からなるオーバーコート層２１が形成されている。
【００３８】
磁極保護層８１は、例えばＡｌ２Ｏ３等で形成され、厚さ約２μｍ〜約６μｍ程度にすることができる。磁極保護層８１は、トラック幅方向における中央部が最も高くなっている。また、磁極保護層８１の上面は、トラック幅方向全体にわたって平坦になっているわけではなく、その幅は下部磁性層６１よりも狭くなっている。このため、上記のように放熱層８３のエアベアリング面Ｓにおける断面形状が上部磁極６４の上部及び両側部を覆う円弧状になっている。見方を変えると、下部磁性層６１に接するように放熱層８３を磁極保護層８１上に積層することで、必然的に放熱層８３が上部磁極６４の上部及び両側部を覆うことになっている。
【００３９】
磁極保護層８１は、Ａｌ２Ｏ３の他、酸化シリコン等の非磁性の無機材料で形成することが好適である。無機材料で形成すれば、有機材料で形成する場合と比較して、記録媒体と接触した際の磁極保護層８１の損傷を抑制できるとともに、該層８１の熱収縮を抑えられる。
【００４０】
放熱層８３は、Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ等の高熱伝導率、高熱容量の金属材料で形成することが好ましく、厚さ約１〜約６μｍ程度にすることが好適である。また、放熱層８３の中央から下部磁性層６１と接する個所までの図中左右方向（トラック幅方向）の幅は、例えば約２μｍ〜約４μｍ程度にする。
【００４１】
以上のような構成の薄膜磁気ヘッド１０、ヘッドスライダ１１、ヘッドジンバルアセンブリ１５、及びハードディスク装置１によれば、次のような効果が得られる。すなわち、上記のように放熱層８３が、上部磁極６４における上部（記録媒体の流出側；矢印Ｍが示す側）のみならず、その両側部（詳しくは、記録媒体のトラック幅方向の両側）を覆っている。このため、放熱層８３が上部磁極６４を覆う領域が広くなっており、上部磁極６４の放熱効果が高められている。従って、上部磁極６４の熱膨張による突出を抑えられ、エアベアリング面Ｓの平坦性を保持することができる。尚、薄膜磁気ヘッド１０を長手記録方式ではなく、垂直記録方式に利用する場合、すなわち上部磁極６４に対応する主磁極（第２の磁極）と下部磁性層６１に対応する補助磁極（第１の磁極）とを利用する方式とし、記録媒体の垂直方向に記録する場合にも、同様の効果を得ることができる。また、上部磁極６４をエアベアリング面Ｓ側の磁極部分層とその後方のヨーク部分層との２層構造にした場合においても、同様の効果が得られる。更に、放熱層８３は、上部磁極６４のエアベアリング面Ｓからの奥行き方向の全てを覆っている必要は無く、奥行き方向の一部を覆っていればよい。また、薄膜コイル６６が主たる発熱源であることから、少なくとも上部磁極６４における薄膜コイル６６が下方に位置する領域を放熱層８３で覆うことが好ましい。
【００４２】
また、図３に示すように、放熱層８３は、上面が平坦化されていない磁極保護層８１上に形成されているため、エアベアリング面Ｓからの奥行き方向において、上部磁極６４との距離Ｈが略一定になっている。このため、上部磁極６４は、エアベアリング面Ｓからの奥行き方向について全体的に放熱されることになり、放熱効果が高められている。
【００４３】
また、上部磁極６４には、エアベアリング面Ｓからの奥行き方向において高さが変化する段部６９が形成されている。そして、この段部６９は磁極保護層８１に引き継がれ、更に、放熱層８３にも引き継がれている。このため、上部磁極６４の段部６９の位置に対応する個所（図中上方）に、放熱層８３は段部８３ａを有している。このような構成にすることで、例えば磁極保護層８１の上面を平坦にしたような場合と比較して、エアベアリング面Ｓから見た上部磁極６４の段部６９の前後において、上部磁極６４と放熱層８３との距離の差を低減できる。放熱層８３が上部磁極６４から遠い位置にあると放熱効果が低減してしまうが、このように本実施形態では段部６９の前後において上部磁極６４と放熱層８３との距離の差が小さくなるようにされているため、上部磁極６４の放熱効果が高められている。
【００４４】
次に、図４〜図９を参照して、本実施形態の製造方法について説明する。
【００４５】
図４は、本実施形態の薄膜磁気ヘッドの製造過程を示す図であり、エアベアリング面Ｓに垂直な方向の断面図である。同図に示す状態は公知であるが、まず、この状態までの製造過程を概説する。
【００４６】
薄膜磁気ヘッド１０の製造は、再生ヘッド部３０に相当する部分を作製した後に、記録ヘッド部６０に相当する部分を作製するという手順で行われる。まず、アルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）等からなるウエハ状の基板３０に、スパッタリング法によって、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料からなる下地層１１ｂを厚さ約１μｍ〜約１０μｍで形成する。基板３０は、後工程で上記スライダ１１の基台１１ａとなるものである。次に、下地層１１ｂの上に、例えばメッキ法によって、ＮｉＦｅ（パーマロイ）等の磁性材料からなる下部シールド層３２を厚さ約１μｍ〜約３μｍで形成する。下部シールド層３２上には、例えばスパッタリング法によって、下部ギャップ層３４を厚さ約１ｎｍ〜約７０ｎｍで形成する。下部ギャップ層３４を形成する材料としては、例えば、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｕ，Ｔａ，ＮｉＣｒ等が挙げられる。
【００４７】
続いて、下部ギャップ層３４上にＴＭＲ膜４２を形成する。詳しくは、例えばスパッタリング法によって、フリー層、トンネルバリア層、ピンド層、及びピン止め層をこの順で積層する（ＴＭＲ膜は多層構造であるが、図４では単層で示している）。そして、所定パターンのレジスト層を用いたイオンミリング等でＴＭＲ膜４２を狭小パターンに選択的にエッチングした後、例えばスパッタリング法によって、ＴＭＲ膜４２の両側に一対の磁気バイアス印加層４３を形成し（図３参照）、ＴＭＲ素子４０を得る。磁気バイアス印加層４３は、例えば、ＣｏＰｔ等の高保磁力材料で形成する。
【００４８】
次に、下部シールド層３２、下部ギャップ層３４、及び、磁気バイアス印加層４３を覆うように、例えばスパッタリング法によってＡｌ２Ｏ３等からなる絶縁層３６を形成する（図３参照）。その後、ＴＭＲ膜４２のパターニング時に形成したレジスト層をリフトオフする。更に、ＴＭＲ膜４２の上面を覆うように、図示しない導電性材料からなる上部ギャップ層を形成した後に、例えばメッキ法によって上部シールド層３８を形成する。上部シールド層３８を形成する材料としては、例えばＮｉＦｅ等が挙げられる。尚、公知のスルーホール形成技術等によって、下部シールド層３２（下部電極）と上部シールド層３８（上部電極）を、それぞれ再生用パッド１９ａと再生用パッド１９ｂ（図２参照）に電気的に接続する。以上の過程により、薄膜磁気ヘッドの再生ヘッド部３０として機能する部分が得られる。
【００４９】
引き続き図４を参照して、記録ヘッド部６０に関する製造過程を説明する。上部シールド層３８を形成した後、例えばスパッタリング法によって、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料からなる非磁性層３９を厚さ約０．１μｍ〜約０．５μｍで形成する。次いで、非磁性層３９上に、後に記録ヘッド部６０の下部磁極６１ａ（図３参照）となる部分を含む下部磁性層６１を形成する。更に、下部磁性層６１上に、例えばスパッタリング法によって、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料からなる記録ギャップ層６２を厚さ約０．０５μｍ〜約０．５μｍで形成する。尚、この時点では、エアベアリング面Ｓの近傍における記録ギャップ層６２及び下部磁性層６１の上部は、図３に示したような狭小パターンとなっておらず、下部磁極６１ａが形成されていない。
【００５０】
記録ギャップ層６２の上には、フォトレジスト層６３を厚さ約１．０μｍ〜約２．０μｍで所定パターンに形成する。次いで、フォトレジスト層６３の上に、厚さ約１μｍ〜約３μｍの薄膜コイル６６及びフォトレジスト層６７を２段積層する。本例では薄膜コイル６６及びフォトレジスト層６７の組み合わせを２段積層しているが、段数はこれに限られない。また、薄膜コイル６６には、公知の方法によって記録用パッド１８ａ，１８ｂ（図２参照）が電気的に接続される。
【００５１】
次いで、薄膜コイル６６の中央部に相当する位置において記録ギャップ層６２をエッチングすることで開口６２ａを形成する。その後、例えばメッキ法によって、開口６２ａを通じて下部磁性層６１と連結されるように上部磁極６４を形成する。尚、図４に示すように、上部磁極６４には段部６９が形成されている。
【００５２】
次いで、図５に示すように、上部磁極６４のエアベアリング面Ｓ側を更に狭小化するトリム処理が施され、同時に記録ギャップ層６２及び下部磁性層６１の上部が選択的にエッチングされる。これにより、下部磁極６１ａが形成される。尚、同図は、エアベアリング面Ｓから若干奥側の断面を示す。
【００５３】
次に、図６（ａ）及び図６（ｂ）を参照し、磁極保護層８１の形成過程を説明する。以下に参照する図面において、図番に符号（ａ）が付されたものは、エアベアリング面Ｓと垂直な方向の断面図であり、符号（ｂ）が付されたものは、エアベアリング面Ｓから見た模式図である。まず、下部磁性層６１上のエアベアリング面Ｓ側に、上部磁極６４を挟むように、上部磁極６４のトラック幅方向における両側から間隔を隔てて一対のレジストパターン７６，７７を形成する。各レジストパターン７６，７７は、下側パターン７６ａ，７７ａと上側パターン７６ｂ，７７ｂとを有する２層構造となっている。各レジストパターン７６，７７における上側パターンは下側パターンよりも幅広であり、各レジストパターンは断面略Ｔ字状になっている。また、下側パターンと上側パターンにそれぞれのレジスト材料のインターミキシングが生じないように、上側パターンの底部に、カーボン、ダイヤモンドカーボン（ＤＬＣ；Ｄｉａｍｏｎｄ　Ｌｉｋｅ　Ｃａｒｂｏｎ）、又はアルミナ等からなるバリアパターン７６ｃ，７７ｃが形成されている。
【００５４】
このような２層構造を有する各レジストパターン７６，７７の作製方法の一例を説明する。まず、図５の状態でレジストを塗布して下側パターン７６ａ，７７ａ用の下側レジスト層を形成する。レジストとしてはポジ型レジストを利用でき、例えばノボラック系ｉ線レジスト（信越化学社製ＳＩＰＲ−９２８１）を使用できる。次いで、マスクを介して下側レジスト層を露光する。その後、下側レジスト層上にカーボンを蒸着し、バリアパターン７６ｃ，７７ｃ用のバリア層を成膜する。次に、下側レジスト層と同じレジスト材料をバリア層上に塗布し、上側パターン７６ｂ，７７ｂ用の上側レジスト層を形成する。次いで、マスクを介して上側レジスト層を露光する。
【００５５】
次に、上側レジスト層をアルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥することによって上側パターン７６ｂ，７７ｂを得る。現像液としては、例えば信越化学社製ＳＳＦＤ−２３８を利用できる。次いで、アッシング装置によって、バリア層の露出部分を除去し、バリアパターン７６ｃ，７７ｃを得る。次いで、下側レジスト層をアルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥することによって下側パターン７６ａ，７７ａを形成し、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す各レジストパターン７６，７７が得られる。
【００５６】
図７（ａ）及び図７（ｂ）を参照して、次の過程を説明する。上記のようにレジストパターン７６，７７を形成した後、例えばスパッタリング法によってアルミナ等からなる非磁性材料を下部磁性層６１及びレジストパターン７６，７７上に積層し、磁極保護層８１を形成する。この際、レジストパターン７６，７７によって下部磁性層６１及び上部磁極６４上に積層される非磁性材料の形状が規定されるため、磁極保護層８１を容易に図３に示した構造にすることができる（図７（ｂ）参照）。すなわち、磁極保護層８１のトラック幅方向における幅は下部磁性層６１よりも狭くなり、上部磁極６４の上部及び両側部６４Ｒ，６４Ｌを覆う形になる。尚、図６及び図７では、レジストパターン６７，６８は、本実施形態の製造方法を概念的に理解し易くするため簡便に描いており、実際のレジストパターンは、例えば上部磁極を覆う磁極保護層８１を成膜しない全ての部分に形成されている。
【００５７】
次に、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、レジストパターン７６，７７をその上に積層された非磁性材料とともにリフトオフによって除去する。この際、レジストパターン７６，７７が上記のように断面Ｔ字状に形成されているため、容易にリフトオフを行える。
【００５８】
以上のようにして磁極保護層８１を形成した後、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、磁極保護層８１の上面の形状を保持したまま、すなわち平坦化処理をせずに、メッキ法によって金属材料からなる放熱層８３を形成する。詳しくは、スパッタリング法によってＴｉ（１００ｎｍ）及びＮｉＦｅ（５０ｎｍ）をこの順で積層し、この積層体を電極膜としてフレームメッキする。その後、電極膜の不要な部分をドライエッチングで除去する。尚、メッキ法によらず、スパッタリング法によってパーマロイを所望厚さまで積層してもよい。また、放熱層８３をパーマロイ等の磁性材料で形成した場合は、放熱効果に加え、磁気シールド効果も奏する。
【００５９】
放熱層８３は、磁極保護層８１に被さるように積層されるため、該層８１の形状に倣うことになる。このため、図９（ｂ）に示すように、放熱層８３は、エアベアリング面側において、磁極保護層８１を介して上部磁極６４の上部及び両側部６４Ｒ，６４Ｌを覆うことになる。これにより、上記のように放熱層８３が上部磁極６４を覆う領域が広くなっており、上部磁極６４の放熱効果が高められている。
【００６０】
また、図９（ａ）に示すように、放熱層８３は、上面が平坦化されていない磁極保護層８１上に形成されているため、上記のように、エアベアリング面Ｓからの奥行き方向（図中右向き）において上部磁極（第２の磁極）６４との距離Ｈを略一定にすることができる。これにより、上部磁極６４は、エアベアリング面Ｓからの奥行き方向について全体的に放熱されることになり、放熱効果が高められる。
【００６１】
また、上記のように、上部磁極６４には高さが変化する段部６９が形成されている。この段部は磁極保護層８１に引き継がれるが、上記のように磁極保護層８１の表面を平坦化することなく放熱層８３を形成することで、該段部は放熱層８３にも引き継がれる。このようにして、上部磁極６４の段部６９の位置に対応する個所（図中上方）に、放熱層８３において段部８３ａを形成することができる。これにより、段部６９の前後において上部磁極６４と放熱層８３との距離の差が小さくなり、上部磁極６４の放熱効果が高められる。
【００６２】
放熱層８３を形成した後、放熱層８３の上（放熱層８３における磁極保護層８１が位置する側とは反対側）に、例えばスパッタリング法によって、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料からなるオーバーコート層（絶縁層）２１を厚さ約２０μｍ〜約３０μｍで形成する。以上により、記録ヘッド部６０が得られる。
【００６３】
この段階では、ウエハ状の基板３０上に複数の薄膜磁気ヘッド１０が形成された状態となっているため、まず、基板３０を切断して薄膜磁気ヘッド１０が列状に配置された複数本のバーを得る。更に、そのバーを切断して、それぞれが薄膜磁気ヘッド１０を有するブロック単位に切断する。そして、イオンミリング等によってスライダレールを形成し、図２に示したヘッドスライダ１１が得られる。更に、このヘッドスライダ１１をジンバル１２に搭載した後、サスペンションアーム１３に接続して図１に示したヘッドジンバルアセンブリ１５が完成する。ヘッドジンバルアセンブリ１５を作製した後、ヘッドスライダ１１がハードディスク２上を移動可能で、且つ、磁気信号の記録及び再生が可能となるように組み立てることで、図１に示したハードディスク装置１が完成する。
【００６４】
このようなヘッドスライダ１１、ヘッドジンバルアセンブリ１５、ハードディスク装置１は、上記の薄膜磁気ヘッド１０を備えていることから、放熱効果の優れたものとなっている。
【００６５】
次に、図１０を参照して、本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態では、オーバーコート層（絶縁層）２１に貫通孔２１ａが形成され、この貫通孔２１ａを介して放熱層８３の上面が露出している。貫通孔２１ａは、例えばマスクを利用したエッチング技術や、磁極保護層８１と同様にＴ字型レジストパターンによるリフトオフ等によって形成することができる。このような構成にすることで、上部磁極６４の放熱効果を一層向上させることができる。この際、放熱層８３の表層部に耐食材料を成膜することも可能である。この場合においても、耐食材料の膜を放熱層８３の一部として捉え、放熱層が露出していることに含まれるものとする。また、放熱層８３のエアベアリング面Ｓ側が延びてハードディスク表面と擦れ、記録の信頼性が低下するような場合は、エアベアリング面Ｓにおいて放熱層８３を露出させなくてもよい。更に、貫通孔２１ａの位置は図１０に示す位置に限られず、例えばスライダ側面等に種々変更することができる。
【００６６】
次に、図１１を参照して、本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態では、オーバーコート層２１に貫通孔２１ａが形成され、この貫通孔２１ａ内に例えばＣｕ，Ａｕ等の金属材料からなる伝熱層９２が放熱層８３と接するように形成されている。伝熱層９２は、例えばスパッタリング法やメッキ法等で形成することができる。このような構成とした場合、伝熱層９２によって、放熱層８３の熱を効果的に外部に放出することができる。尚、伝熱層９２上に例えばＡｕ等で形成するパッド９４によって、空気中に効率よく放熱することができる。また、伝熱層９２の位置は図１０における貫通孔２１ａの位置と同様に、種々変更することができる。
【００６７】
以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、再生ヘッド部において、ＴＭＲ素子の代わりに、異方性磁気抵抗効果を利用するＡＭＲ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ　Ｍａｇｎｅｔｏ　Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子、巨大磁気抵抗効果を利用するＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ　Ｍａｇｎｅｔｏ　Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子等を利用してもよい。更に、薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッド部を備えない型にしてもよい。
【００６８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、放熱効果を向上させることができる。更に、発熱源である誘導型電磁変換素子の熱変動を抑えることができ、ハードディスク装置の信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るハードディスク装置の一実施形態を示す斜視図である。
【図２】磁気ヘッドスライダを示す斜視図である。
【図３】図２における薄膜磁気ヘッド近傍の拡大図であり、一部を破断して示す。
【図４】薄膜磁気ヘッドの製造過程を示す図であり、上部磁極の磁極部分層を形成した状態を示す。
【図５】上部磁極にトリム処理を施して狭小化した状態を示す図である。
【図６】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、レジストパターンを作製した状態を示す図である。
【図７】図７（ａ）及び図７（ｂ）は、磁極保護層となる非磁性材料を積層した状態を示す図である。
【図８】図８（ａ）及び図８（ｂ）は、レジストパターンをその上に積層された非磁性材料とともにリフトオフした状態を示す図である。
【図９】図９（ａ）及び図９（ｂ）は、それぞれ図８（ａ）及び図８（ｂ）の状態に、放熱層及びオーバーコート層（絶縁層）を積層した状態を示す図である。
【図１０】本発明の第２実施形態を示す図である。
【図１１】本発明の第３実施形態を示す図である。
【符号の説明】
１・・・ハードディスク装置、２・・・ハードディスク（記録媒体）、１０・・・薄膜磁気ヘッド、１１・・・ヘッドスライダ、１３・・・サスペンションアーム、１５・・・ヘッドジンバルアセンブリ、１８ａ，１８ｂ・・・記録用パッド、１９ａ，１９ｂ・・・再生用パッド、２１・・・オーバーコート層（絶縁層）、２１ａ・・・貫通孔、３０・・・再生ヘッド部、３２・・・下部シールド層、３４・・・下部ギャップ層、３６・・・絶縁層、３８・・・上部シールド層、３９・・・非磁性層、４０・・・ＴＭＲ素子、４２・・・ＴＭＲ膜、４３・・・磁気バイアス印加層、６０・・・記録ヘッド部、６１・・・下部磁性層、６１ａ・・・下部磁極、６２・・・記録ギャップ層、６３・・・フォトレジスト層、６４・・・上部磁極、６６・・・薄膜コイル、６７・・・フォトレジスト層、６９・・・上部磁極の段部、７６，７７・・・レジストパターン、８１・・・磁極保護層、８３・・・放熱層、８３ａ・・・放熱層の段部、９２・・・伝熱層、９４・・・パッド、Ｓ・・・エアベアリング面（記録媒体対向面）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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