(57)【要約】【課題】アクティブ型プラスチックパネルディスプレイの製造方法を提供する。【解決手段】本方法は、ガラス基板を提供し、前記ガラス基板の頂部に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上にＴＦＴを形成する工程と、前記ＴＦＴ上にディスプレイ材を形成する工程と、前記ディスプレイ材上にプラスチック基板を貼接する工程と、レーザー光を前記ガラス基板に照射して、前記ガラス基板と前記犠牲層を前記ＴＦＴから分離し、前記ＴＦＴを露出する工程と、プラスチック基板を前記ＴＦＴに貼接する工程とからなる。【選択図】　　　図１Ｅ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブ型プラスチックパネルディスプレイの製造方法であって、
（ａ）ガラス基板を提供し、前記ガラス基板の頂部に犠牲層を形成する工程と、
（ｂ）前記犠牲層上にＴＦＴを形成する工程と、
（ｃ）前記ＴＦＴ上にディスプレイ材を形成する工程と、
（ｄ）前記ディスプレイ材上にプラスチック基板を貼接する工程と、
（ｅ）レーザー光を前記ガラス基板に照射して、前記ガラス基板と前記犠牲層を前記ＴＦＴから分離し、前記ＴＦＴを露出する工程と、
（ｆ）プラスチック基板を前記ＴＦＴに貼接する工程と、
からなることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記犠牲層は、アモルファスシリコンであり、水素の含有濃度が１〜４０ｖｏｌ％であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記工程（ａ）は、前記犠牲層に保護層を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パネルディスプレイの製造方法に関するもので、特に、アクティブ型プラスチックパネルディスプレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】
パネルディスプレイ技術は、大面積化に更に進化すると同時に、軽量、薄型、可撓性が求められる。軽くて、可撓性があり、０．１ｍｍまで薄く成形できるプラスチック材は最近の研究の主流である。しかし、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の処理温度３００℃及び低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）ＴＦＴの４００℃と比較すると、プラスチック材のガラス転移温度は約１８０℃と低い。よって、プラスチック材はＴＦＴ工程には不適切である。アクティブ型パネルディスプレイがプラスチック基板に直接製造される場合、処理温度は大幅に低くなり、素子の特性を維持することが出来ない。更に、ＴＦＴを直接プラスチック基板に製造すると、応力や静電気の問題、熱膨張係数が高い、リソグラフィ工程における配列の問題、などの問題が生じる。これにより、可撓性のプラスチック基板上にアクティブパネルディスプレイを製造するのは難しい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上述の問題を解決するため、本発明は、アクティブ型プラスチックパネルディスプレイの製造方法を提供することを目的とする。主な工程は、ＴＦＴをガラス基板に形成し、ディスプレイ材をＴＦＴに形成し、プラスチック基板をディスプレイ材に貼接する。次に、ディスプレイは反転し、レーザーアブレーションにより、ガラス基板を分離する。もう一つのプラスチック基板はその後、ＴＦＴに貼接されて、上下にプラスチック基板を備えるアクティブ型プラスチックパネルディスプレイを形成する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するため、アクティブ型プラスチックパネルディスプレイの製造方法を提供し、（ａ）ガラス基板を提供し、前記ガラス基板の頂部に犠牲層（ｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌ　ｌａｙｅｒ）を形成する工程と、（ｂ）前記犠牲層上にＴＦＴを形成する工程と、（ｃ）前記ＴＦＴ上にディスプレイ材を形成する工程と、（ｄ）前記ディスプレイ材上にプラスチック基板を貼接する工程と、（ｅ）前記ガラス基板がレーザー光を受けて、前記ガラス基板と前記犠牲層を前記ＴＦＴから分離し、前記ＴＦＴを露出する工程と、（ｆ）プラスチック基板を前記ＴＦＴに貼接する工程とからなる。
【０００５】
本発明における犠牲層は、好ましくは、高濃度の水素Ｈを有するアモルファスシリコンで、好ましくは２００〜１００００Åの厚さを備える。犠牲層を設置する目的は、高濃度の水素を利用し、その後レーザーアブレーションを実行する工程時に水素化分解（ｈｙｄｒｏ　ｃｒａｃｋｉｎｇ）を生じさせて、ガラス基板に犠牲層とＴＦＴとを分離させるためである。よって、水素の濃度は水素化分解を生じさせるのに十分でなければならず、好ましくは１〜４０ｖｏｌ％である。レーザー光の好ましいエネルギーは２０〜４５０ｍＪ／ｃｍ２で、例えば、３０８ｎｍの波長を有するＸｅＣｌである。
【０００６】
工程（ｄ）において、プラスチック基板をディスプレイ材に貼接するのは、好ましくは、高透光度のゲルで、ＵＶゲル、熱溶解ゲル、エポキシゲル、或いはその他の高透光度のゲルである。更に、工程（ａ）において、犠牲層が形成された後、保護層が犠牲層上に形成されて、工程中の水素の損失を回避する。そうすることにより、後続のレーザーアブレーション時、水素濃度は水素化分解を生じさせるのに十分である。保護層は好ましくは、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、或いはＡｌ２Ｏ３である。厚さは、好ましくは、５００〜５０００Åである。
【０００７】
工程（ｅ）の後、ＴＦＴ上に犠牲層が残留する可能性が有るので、アルカリ溶液によりそれを除去する。アルカリ溶液は、好ましくは、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）、或いは、水酸化カリウム（ＫＯＨ）である。
【０００８】
本発明のプラスチックアクティブディスプレイの製造方法によると、処理温度を低くする必要なしに、ディスプレイの長所が維持される。更に、ＴＦＴは先にガラス基板上に形成され、プラスチック基板上に直接形成する時に生じる応力や静電気の問題、或いは、熱膨張係数が高いせいで生じるリソグラフィ工程における配列の問題を回避することが出来る。
【０００９】
【発明の実施の形態】
上述した本発明の目的、特徴、及び長所をいっそう明瞭にするため、以下に本発明の好ましい実施の形態を挙げ、図を参照にしながらさらに詳しく説明する。
【００１０】
図１Ａ〜図１Ｅは、本発明の具体例によるアクティブ型プラスチックディスプレイの製造方法を示す図である。
【００１１】
先ず、図１Ａで示されるように、犠牲層１２がガラス基板１０上に形成される。犠牲層は好ましくは、厚さが２００〜１００００Åのアモルファスシリコンである。犠牲層の形成方法は、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）、或いは、減圧化学気相成長法（ＣＶＤ）などの化学気相蒸着により行われる。注意すべきことは、犠牲層は十分な水素濃度を有さなければいけないことで、好ましくは、レーザーアブレーションの後、水素化分解を生じさせることが出来る、１〜４０ｖｏｌ％である。
【００１２】
次に、図１Ｂで示されるように、ＴＦＴ１４が犠牲層上に形成される。ＴＦＴの構造はこれに限定するものではなく、全ての公知のＴＦＴが応用できる。ＴＦＴの基本構造が図２で示される。図２において、１はガラス、或いは石英などの基板を示し、２ａはＴＦＴのゲートとなる導電層を示す。２ｂは蓄電装置の電極、３はゲート絶縁層、４はＴＦＴの半導体層（アモルファスシリコンからなる）を示す。５はＮ＋ドーパントを有するシリコンドープで、ＴＦＴのソース／ドレインとして用いられる。６は電極層で、通常は金属である。７はパッシべーション層で、８は透明電極層、通常はインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）で、駆動液晶の下電極となる。９はチャネル領域を示す。
【００１３】
ＴＦＴを形成する前、図１Ａで示されるように、保護層１３が任意で犠牲層１２上に形成される。保護層１３は好ましくは、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、或いはＡｌ２Ｏ３である。厚さは好ましくは、５００〜５０００Åである。保護層は、工程間の水素の損失を最小限にし、水素濃度を十分に維持するのに用いられ、後続の水素化分解を促す。
【００１４】
その後、図１Ｃで示されるように、ディスプレイ材１６がＴＦＴ１４上に形成される。ディスプレイ材は、液晶、有機発光ダイオードＯＬＥＤ、ポリマーＬＥＤ、或いは、電気泳動ディスプレイ材ＥＰＤである。次に、プラスチック基板１８が、好ましくはＵＶゲル、熱溶解ゲル、エポキシゲル、或いは他の高い透光度を有するゲル１７により、ディスプレイ材１６上に貼接される。図１Ｃにおいて、頂部にプラスチック基板、底部にガラス基板を備えるディスプレイが示される。
【００１５】
図１Ｄで示されるように、エキシマレーザーが用いられ、犠牲層１２の水素化分解が生じる。本具体例において、３０８ｎｍの波長のＸｅＣｌが用いられる。レーザー工程において、犠牲層１２中の水素はエネルギーが加えられて水素化分解を生じ、これにより、犠牲層１２はＴＦＴ１４から分離する。レーザーエネルギーは好ましくは、２０〜４５０ｍＪ／ｃｍ２である。次に、プラスチック基板２０が、上述と同様の方法により、高い透光度のゲルを用いて、ＴＦＴ１４上に貼接され、図１Ｅで示されるように、頂部と底部両方にプラスチック基板を有するアクティブ型プラスチックパネルディスプレイが形成される。
【００１６】
本発明では好ましい実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えることができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】本発明の具体例によるプラスチックアクティブディスプレイの製造方法を示す図である。
【図１Ｂ】本発明の具体例によるプラスチックアクティブディスプレイの製造方法を示す図である。
【図１Ｃ】本発明の具体例によるプラスチックアクティブディスプレイの製造方法を示す図である。
【図１Ｄ】本発明の具体例によるプラスチックアクティブディスプレイの製造方法を示す図である。
【図１Ｅ】本発明の具体例によるプラスチックアクティブディスプレイの製造方法を示す図である。
【図２】公知のＴＦＴの断面図である。
【符号の説明】
１　　基板
２ａ　導電層
２ｂ　蓄電装置
３　　ゲート絶縁層
４　　半導体層
５　　シリコンドープ
６　　電極層
７　　パッシべーション層
８　　透明電極層
９　　チャネル領域
１０　ガラス基板
１２　犠牲層
１３　保護層
１４　ＴＦＴ
１６　ディスプレイ材
１７　透明ゲル
１８、２０　プラスチック基板
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図２】
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