(57)【要約】【課題】熱処理後における四探針法による抵抗値のウェーハ面内ばらつきをより正確に測定することのできる熱処理装置及び熱処理方法を提供する。【解決手段】熱処理装置１０は、ウェーハＷが内部に配されて、該ウェーハＷに水素雰囲気下で熱処理を施す反応室１と、熱処理後のウェーハＷの主面の一部に接触してウェーハＷを保持するウェーハ保持具３３を用いて、反応室１からウェーハＷを搬出する搬送手段３とを備える。また、ウェーハ保持具３３を加熱する加熱手段６を設ける。【選択図】　　　　図１
2004095846.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン単結晶ウェーハが内部に配されて、該シリコン単結晶ウェーハに水素雰囲気下で熱処理を施す反応室と、
シリコン単結晶ウェーハの主面の一部に接触して当該シリコン単結晶ウェーハを保持するウェーハ保持具を用いて、前記反応室から前記シリコン単結晶ウェーハを搬出する搬送手段とを備えた熱処理装置であって、
前記ウェーハ保持具を加熱する加熱手段を備えたことを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
水素雰囲気の反応室内でシリコン単結晶ウェーハに熱処理を施す熱処理工程と、
前記熱処理工程後のシリコン単結晶ウェーハの主面の一部を、加熱されたウェーハ保持具によって水素雰囲気下で保持する保持工程と、
該シリコン単結晶ウェーハを前記反応室から搬出する搬出工程と、
前記搬出工程後のシリコン単結晶ウェーハを四探針法で測定する測定工程とを行うことを特徴とする熱処理方法。
【請求項３】
前記反応室から前記シリコン単結晶ウェーハを搬出する際の当該シリコン単結晶ウェーハの温度とほぼ等しい温度に前記ウェーハ保持具を加熱することを特徴とする請求項２に記載の熱処理方法。
【請求項４】
シリコン単結晶ウェーハに水素雰囲気の反応室内で熱処理を施す熱処理工程と、
前記熱処理工程後のシリコン単結晶ウェーハの主面の一部を、水素雰囲気下で搬送手段のウェーハ保持具によって保持する保持工程と、
該シリコン単結晶ウェーハを前記反応室から搬出する搬出工程と、
前記反応室から酸素含有雰囲気下に取り出したシリコン単結晶ウェーハの表面にフッ酸処理を施すフッ酸処理工程と、
前記フッ酸処理工程後のシリコン単結晶ウェーハを四探針法で測定する測定工程とを行うことを特徴とする熱処理方法。
【請求項５】
前記熱処理工程は、前記シリコン単結晶ウェーハの主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程であることを特徴とする請求項２又は４に記載の熱処理方法。
【請求項６】
前記シリコンエピタキシャル層がｎ型であることを特徴とする請求項５に記載の熱処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコン単結晶ウェーハに熱処理を施す熱処理装置及び熱処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、シリコン単結晶基板（以下、単に基板と言うことがある）の主表面上に、シリコンエピタキシャル層を気相成長することによってシリコンエピタキシャルウェーハ（以下、単にエピタキシャルウェーハと言うことがある）を製造する熱処理や、基板もしくはエピタキシャルウェーハ（以下、これらを総称してシリコン単結晶ウェーハ又は単にウェーハと言う）を水素雰囲気中で加熱する熱処理などは、熱処理装置を用いて行われている。
このうち枚葉式の熱処理装置は、ウェーハを１枚ずつ処理する装置である。枚葉式熱処理装置は、ウェーハを１枚載置するためのサセプタを内部に有し、周囲にハロゲンランプ等からなる加熱装置を有する透光性の反応室と、該反応室のサセプタ上にウェーハを載置するハンドラ（ｈａｎｄｌｅｒ）等の搬送手段とを備えて概略構成されている。
この熱処理装置によってウェーハを水素雰囲気中で熱処理する場合は、反応室外からハンドラのブレード（ｂｌａｄｅ）によってウェーハの主裏面を保持して反応室内のサセプタに１枚載置し、加熱装置によってウェーハを加熱する。そして、例えば基板の主表面上へのシリコンエピタキシャル層の形成では、反応室内にシリコン原料ガスやドーパントガスを、所定時間、所定の流量で供給することによりシリコンエピタキシャル層を形成しエピタキシャルウェーハとする。このように所望の処理が行われたウェーハは、再び主裏面をハンドラのブレードによって保持されて反応室外に搬出される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、熱処理後に上記反応室外に搬出されたウェーハを、四探針法で抵抗測定した場合に、抵抗値のウェーハ面内ばらつきが予想以上に大きいことがある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、熱処理後における四探針法による抵抗値のウェーハ面内のばらつきをより正確に測定することのできる熱処理装置及び熱処理方法を提供することを課題としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
反応室外に搬出されたウェーハを四探針法で抵抗測定した場合に、ウェーハ面内ばらつきが大きくなるのは、以下の理由に依ると考えられる。
ウェーハに対する水素雰囲気中での熱処理は、例えば、約１１００℃〜１２００℃と高温環境下で行われるものが多い。一方、従来のハンドラの基板保持具はほぼ室温であるため、約１１００℃〜１２００℃に加熱されたウェーハを搬出する場合に、基板保持具が部分的に接触したウェーハの主面は、該基板保持具によって冷却されて水素終端される。ところが、基板保持具が接触しない部分は水素雰囲気から搬出される際に高温に保たれているため、ウェーハ表面がほとんど水素終端されていない。
したがって、ウェーハ面内で水素終端の程度に差が生じた状態でウェーハを酸素含有雰囲気下に搬出すると、ほとんど水素終端されていない部分は酸化され易く、表面に比較的厚い自然酸化膜（ＳｉＯ２膜）が形成されるが、水素終端されている表面には自然酸化膜がほとんど形成されない。そして、自然酸化膜の膜厚分布が面内で大きく異なるウェーハを四探針法で抵抗測定すると、当該四探針法では探針が自然酸化膜を貫いてウェーハの抵抗値を測定するので、酸化膜厚の違いにより異なる抵抗値を示してしまう。
【０００５】
水素終端の程度の差は、ウェーハの表面が７５０℃程度でまだ高温の時に該ウェーハを取り出すために、冷たいブレードが高温のウェーハに部分的に接触した際に発生するので、熱処理されたウェーハを反応室から取り出す際の温度を、例えば、約６００℃まで下げることによってその差を小さくすることができる。
しかしながら、ウェーハの取り出し温度を下げる場合には、反応室内の温度を下げるのに時間がかかるため、ウェーハの生産性が落ちてしまう。
【０００６】
そこで、前記課題を解決するため、本発明は、
シリコン単結晶ウェーハが内部に配されて、該シリコン単結晶ウェーハに水素雰囲気下で熱処理を施す反応室と、
シリコン単結晶ウェーハの主面の一部に接触して当該シリコン単結晶ウェーハを保持するウェーハ保持具を用いて、前記反応室から前記シリコン単結晶ウェーハを搬出する搬送手段とを備えた熱処理装置であって、
前記ウェーハ保持具を加熱する加熱手段を備えたことを特徴としている。
【０００７】
また、本発明の熱処理方法は、
水素雰囲気の反応室内でシリコン単結晶ウェーハに熱処理を施す熱処理工程と、
前記熱処理工程後のシリコン単結晶ウェーハの主面の一部を、加熱されたウェーハ保持具によって水素雰囲気下で保持する保持工程と、
該シリコン単結晶ウェーハを前記反応室から搬出する搬出工程と、
前記搬出工程後のシリコン単結晶ウェーハを四探針法で測定する測定工程とを行うことを特徴としている。
【０００８】
本発明の熱処理装置及び熱処理方法によれば、反応室で熱処理されたシリコン単結晶ウェーハを、加熱されたウェーハ保持具により保持するので、ウェーハ保持具によって部分的に接触されたシリコン単結晶ウェーハの主面の一部が他の部分に比べて冷却され難くなり、面内の温度がほぼ均一に保たれる。そのため、水素雰囲気下でシリコン単結晶ウェーハの主面の一部にウェーハ保持具が接触しても、面内における水素終端の程度に差がほとんど生じない。したがって、シリコン単結晶ウェーハを酸素含有雰囲気下に搬出しても自然酸化膜（ＳｉＯ２膜）がほぼ均一に形成される。よって、自然酸化膜厚の違いによる抵抗値のばらつきが無視できるほどに小さくなるので、四探針法による抵抗値を正確に測定することができる。
また、熱処理されたシリコン単結晶ウェーハが均一に水素終端されるように、シリコン単結晶ウェーハをある程度の温度（例えば、約６００℃）まで冷却して取り出すといった工程を行う必要もないので、生産性が落ちることもない。
【０００９】
また、本発明の熱処理方法において、前記反応室から前記シリコン単結晶ウェーハを搬出する際の当該シリコン単結晶ウェーハの温度とほぼ等しい温度に、前記ウェーハ保持具を加熱することが好ましい。
【００１０】
このことにより、面内の温度をより均一に保つことができ、抵抗値の面内ばらつきをより一層正確に測定することが可能となる。
【００１１】
さらに、本発明の熱処理方法は、
シリコン単結晶ウェーハに水素雰囲気の反応室内で熱処理を施す熱処理工程と、
前記熱処理工程後のシリコン単結晶ウェーハの主面の一部を、水素雰囲気下で搬送手段のウェーハ保持具によって保持する保持工程と、
該シリコン単結晶ウェーハを前記反応室から搬出する搬出工程と、
前記反応室から酸素含有雰囲気下に取り出したシリコン単結晶ウェーハの表面にフッ酸処理を施すフッ酸処理工程と、
前記フッ酸処理工程後のシリコン単結晶ウェーハを四探針法で測定する測定工程とを行うことを特徴としている。
【００１２】
この熱処理方法によれば、シリコン単結晶ウェーハの主面をウェーハ保持具により水素雰囲気下で部分的に保持した後に、酸素含有雰囲気下に取り出すことで、シリコン単結晶ウェーハの主面に不均一に形成される自然酸化膜が、フッ酸処理を施すことによって除去される。したがって、不均一に形成された自然酸化膜の影響を受けることなく、フッ酸処理工程後の測定工程において四探針法により、抵抗値の面内ばらつきを正確に測定することができる。
【００１３】
また、本発明の熱処理方法において、前記熱処理工程を、前記シリコン単結晶ウェーハの主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程としても良い。
加えて、前記シリコンエピタキシャル層がｎ型であることが好ましい。このようにｎ型のシリコンエピタキシャル層とすることで、本発明の効果が顕著に現れる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第１〜第３の実施の形態を図面に基づいて説明する。
〔第１の実施の形態〕
まず、図１を参照して、本発明に係る熱処理装置１０の構成について説明する。ここでは、熱処理装置１０の好適な一例として、枚葉式の気相成長装置としての機能を備えたものについて説明する。また、本実施の形態では、シリコン単結晶インゴットをスライスし、鏡面加工が施された高抵抗率のｐ−型シリコン単結晶基板の主表面に、ｎ型シリコンエピタキシャル層を気相成長させ、エピタキシャルウェーハを製造する場合を例に挙げる。
【００１５】
熱処理装置１０は、反応室１と、ロードロック室２ａ、２ｂと、搬送手段３と、搬送室４等から概略構成されている。また、搬送室４と反応室１との間、及びロードロック室２ａ、２ｂと搬送室４との間は、開閉可能なゲートバルブ５ａ〜５ｃによって仕切られている。
【００１６】
ロードロック室２ａ、２ｂは、気相成長前の基板Ｗ及び気相成長後のエピタキシャルウェーハＷの装置１０内への投入・取り出しを行う場所である。ロードロック室２ａ、２ｂ内には、図示しないが基板ＷやエピタキシャルウェーハＷが収納されるカセットが配置されている。そして、基板ＷあるいはエピタキシャルウェーハＷがカセットに、主表面を上にした状態で上下方向に通常複数枚載置されている。基板Ｗは、ロードロック室２ａから一枚ずつ搬送室４へと搬出され、気相エピタキシャル成長が行われた後に、ロードロック室２ｂに搬送され、カセット内に再び戻されるようになっている。
また、ロードロック室２ａ、２ｂには、該ロードロック室２ａ、２ｂにパージガス（例えば、窒素ガス）を導入するためのパージガス導入管（図示略）と、ロードロック室２ａ、２ｂからの排気を行うための排気管（図示略）とがそれぞれ接続されている。ロードロック室２ａ、２ｂ内は、主に窒素ガス雰囲気に保たれている。
【００１７】
搬送室４は、ロードロック室２ａ、２ｂと反応室１との間で、基板Ｗ及びエピタキシャルウェーハＷの搬送を行う場所であって、搬送手段３が備え付けられている。
【００１８】
搬送手段３は、ウェーハ保持具３３の上面に基板ＷあるいはエピタキシャルウェーハＷを搭載して、該基板ＷあるいはエピタキシャルウェーハＷを搬送室４と反応室１との間や、搬送室４とロードロック室２ａ、２ｂとの間に搬送する。
搬送手段３は、いわゆるハンドラと言われるもので、支点部（例えば、搬送室４の中央）３１を軸に水平方向に回動可能な棒状の回動部材３２と、この回動部材３２の一端に設けられ、基板ＷあるいはエピタキシャルウェーハＷの主裏面の一部を保持するウェーハ保持具（いわゆるブレード）３３とを備えて概略構成されている。
【００１９】
ウェーハ保持具３３は、例えば図２に示すように、平面視略矩形状の板状部材であって石英等から構成されている。そして、ウェーハ保持具３３の上面で基板ＷあるいはエピタキシャルウェーハＷを保持するようになっている。また、ウェーハ保持具３３は、後述する２つのリフトピン１３の間に挿入可能とされ、その大きさは基板Ｗよりも小さい。
回動部材３２は、支点部３１からウェーハ保持具３３までの距離を調節できるように伸縮可能に構成されている。そして、ウェーハ保持具３３は、回動部材３２の回動及び伸縮に伴って、搬送室４内、ロードロック室２ａ、２ｂ内、及び反応室１内を移動し、この移動に伴わせてウェーハ保持具３３に保持された基板ＷあるいはエピタキシャルウェーハＷを搬送するようになっている。
【００２０】
また、ハンドラ３には、反応室１から気相成長後のエピタキシャルウェーハＷを搬出する際の、エピタキシャルウェーハＷの温度とほぼ等しい温度まで、ウェーハ保持具３３を加熱する加熱手段６が一体に設けられている。すなわち、ウェーハ保持具３３には、例えば図２に示すように、可撓性の耐熱樹脂により電熱線６１を被覆することによりテープ状に形成された、いわゆるテープヒータが内蔵されている。そして、電熱線６１に電流を流すことにより発熱し、これによってウェーハ保持具３３の温度を加熱できるようになっている。
【００２１】
また、搬送室４には、該搬送室４内にパージガス（例えば、窒素ガス）を導入するためのパージガス導入管（図示略）と、搬送室４からの排気を行うための排気管（図示略）とがそれぞれ接続されている。搬送室４内は、主に窒素ガス雰囲気に保たれている。
【００２２】
反応室１は、基板Ｗを１枚内部に配して、水素雰囲気下で熱処理を施して、基板Ｗの主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる場所である。
ここで、反応室１について詳細に説明する。反応室１内には、図３に示すように、サセプタ１１、サセプタ支持部材１２、リフトピン１３、加熱装置１４、気相成長用ガス導入管１５ａ、パージガス導入管１５ｂ、排気管１５ｃ等が設けられている。
【００２３】
サセプタ１１は、エピタキシャル気相成長を行う際に基板Ｗを支持するものであり、例えば炭化ケイ素で被覆されたグラファイトにより構成されている。このサセプタ１１は、例えば、略円盤状に構成され、その主表面には、該主表面上に基板Ｗを位置決めするための、平面視円形状の凹部である座ぐり１１ａが形成されている。
【００２４】
サセプタ支持部材１２は、サセプタ１１の背面から該サセプタ１１を支持し、矢印ａで示す上下方向に移動可能に配設されているとともに、矢印ｂで示す方向に回転可能に配設されている。サセプタ支持部材１２の先端部には、複数の支持アーム１２ａが放射状に分岐するように設けられている。
支持アーム１２ａの先端部は、サセプタ１１の裏面に形成された凹部１１ｂに嵌入され、これによりサセプタ１１をその上面が略水平状態となるように保たれている。
【００２５】
リフトピン１３は、丸棒状に構成された胴体部１３ａと、該胴体部１３ａの上端部に形成され、座ぐり１１ａに載置された基板Ｗを下面側から支持する頭部１３ｂとを備えている。頭部１３ｂは、基板Ｗを支持しやすいように胴体部１３ａに比べて拡径されている。
リフトピン１３は、座ぐり１１ａの底面に形成された貫通孔１１ｃに挿通され、その頭部１３ｂが座ぐり１１ａの底面に臨むように配設されている。さらに、リフトピン１３の胴体部１３ａは、支持アーム１２ａに形成された貫通孔１２ｂを貫通している。
【００２６】
加熱装置１４は、サセプタ１１上に載置された基板Ｗを所望の成長温度（例えば、１１００℃〜１２００℃程度）に加熱する装置である。加熱装置１４としては、例えば、ハロゲンランプ等が挙げられる。
【００２７】
気相成長用ガス導入管１５ａは、原料ガス（例えば、トリクロロシラン等）及びキャリアガス（例えば、水素等）を含む気相成長用ガスを反応室１内のサセプタ１１上側の領域に導入して該サセプタ１１上の基板Ｗの主表面上に供給する。パージガス導入管１５ｂは、反応室１に対して、気相成長用ガス導入管１５ａと同じ側に設けられて、パージガス（例えば、水素等）を反応室１内のサセプタ１１下側の領域に導入する。
排気管１５ｃは、反応室１に対して、気相成長用ガス導入管１５ａ及びパージガス導入管１５ｂと反対側に設けられて、反応室１からガス（気相成長用ガス及びパージガス）を排気する。
【００２８】
次に、上述した構成の熱処理装置１０を用い、シリコン単結晶基板Ｗに熱処理を施してシリコンエピタキシャル層を気相成長することによってエピタキシャルウェーハＷとする熱処理方法について説明する。
【００２９】
まず、図１に示すように、ゲートバルブ５ｂを開いて、ロードロック室２ａに載置されている未処理の基板Ｗの主裏面をハンドラ（搬送手段）３のウェーハ保持具３３によって保持させて搬送室４に搬入し、ゲートバルブ５ｂを閉じる。
次いで、ゲートバルブ５ａを開いて、回動部材３２の収縮・回動によってウェーハ保持具３３を反応室１のサセプタ１１上に移動する。
ここで、図４に示すように、サセプタ支持部材１２を下降させることによってサセプタ１１を下降させ、リフトピン１３を、サセプタ１１に対して相対的に上昇させておく。この状態で、ハンドラ３のウェーハ保持具３３を２つのリフトピン１３の間に挿入させて、上面で保持した基板Ｗを各リフトピン１３の頭部１３ｂ上に搭載して、基板Ｗの主表面を上にして支持させる。
【００３０】
次いで、ハンドラ３を待避させる一方で、図３に示すようにサセプタ支持部材１２を上昇させることによってサセプタ１１を上昇させ、リフトピン１３を、サセプタ１１に対して相対的に下降させる。このサセプタ１１上昇の過程で、座ぐり１１ａの底面が基板Ｗの主裏面に到達すると、それまでリフトピン１３の頭部１３ｂ上に支持されていた基板Ｗが座ぐり１１ａの底面に支持された状態へと移行する。
【００３１】
次に、反応室１内の基板Ｗに水素雰囲気下で熱処理を施して、基板Ｗの主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる（気相成長工程）。
すなわち、サセプタ支持部材１２を鉛直軸回りに回転駆動させることによりサセプタ１１及び基板Ｗを回転させる。そして、加熱装置１４に電力を供給し、サセプタ１１上の基板Ｗを所望の温度（例えば、１１００℃〜１２００℃）に加熱し、この温度を保持するとともに、気相成長用ガス導入管１５ａを介して基板Ｗの主表面上に気相成長用ガスを略水平に供給する。一方、パージガス導入管１５ｂを介してサセプタ１１の下側に水素ガスを導入する。したがって、気相成長中、サセプタ１１の上側には気相成長用ガス流が、下側にはパージガス流がそれぞれサセプタ１１及び基板Ｗと略平行に形成される。
このように基板Ｗの主表面上にシリコンエピタキシャル層を形成してエピタキシャルウェーハＷを製造する。気相成長後、加熱装置１４の出力を止め、加熱処理を終了する。
【００３２】
また、気相成長と並行して、ハンドラ３のウェーハ保持具３３を、該ウェーハ保持具３３内に設けられた電熱線６１に電流を流して発熱させ、エピタキシャルウェーハＷを反応室１から搬出する際のエピタキシャルウェーハＷとほぼ等しい温度（例えば、約７５０℃）にまで加熱しておく。
【００３３】
上記気相成長工程後、ゲートバルブ５ａを開いて、回動部材３２を収縮・回動させて、ウェーハ保持具３３をエピタキシャルウェーハＷの位置へ移動させて、該加熱したウェーハ保持具３３でエピタキシャルウェーハＷの主裏面の一部を水素雰囲気下で保持する（保持工程）。
ここで、予めサセプタ１１の回転を止めた後に、図４に示すようにサセプタ支持部材１２を下降させて、各リフトピン１３を互いに略等量だけサセプタ１１上方に突出させ、これによってエピタキシャルウェーハＷをサセプタ１１の座ぐり１１ａ上方に上昇させておく。そして、この状態で、ハンドラ３のウェーハ保持具３３を座ぐり１１ａとエピタキシャルウェーハＷとの間に挿入させて、ウェーハ保持具３３でエピタキシャルウェーハＷの主裏面の一部に接触して保持する。
【００３４】
上記保持工程後、反応室１から搬送室４へエピタキシャルウェーハＷをハンドラ３によって搬出する（搬出工程）。
搬送室４へと搬出されたエピタキシャルウェーハＷは、ゲートバルブ５ｃを開いて、ロードロック室２ｂのカセット内へと収納され、収納後、ハンドラ３は搬送室４へと戻りゲートバルブ５ｃを閉じる。
【００３５】
上記搬出工程後、ロードロック室２ｂのカセット内に収納されたエピタキシャルウェーハＷを熱処理装置１０（気相成長装置）から空気（酸素含有雰囲気）中に取り出して、エピタキシャルウェーハＷの表面の抵抗率を四探針法により測定する（測定工程）。
【００３６】
以上のような第１の実施の形態によれば、ウェーハ保持具３３によってエピタキシャルウェーハＷの主裏面の一部が保持されて、ウェーハ保持具３３とエピタキシャルウェーハＷとが接触しても、ウェーハ保持具３３は、加熱手段６（電熱線６１）によって、エピタキシャルウェーハＷとほぼ等しい温度に加熱されているので、ウェーハ保持具３３の接触した部分が急冷されることがない。すなわち、エピタキシャルウェーハＷは、ハンドラ３によって搬送される際に、エピタキシャルウェーハＷ全体が均一に徐々に冷却されていき、面内における温度が均一とされる。これにより、面内における水素終端の程度に差が生じない。したがって、エピタキシャルウェーハＷを熱処理装置１０内から酸素含有雰囲気下である空気中に搬出しても自然酸化膜（ＳｉＯ２膜）が均一に形成される。よって、四探針法による抵抗値のウェーハ面内ばらつきをより正確に測定することができる。
【００３７】
なお、ハンドラ３のウェーハ保持具３３内には、加熱手段６である電熱線６１が設けられているので、ウェーハ保持具３３を所定の温度となるように調節することができる。
また、本発明の実施の形態のハンドラ３は、上述したように、棒状の回動部材３２と、平面視略矩形状の板状部材であるウェーハ保持具３３とから構成されているとしたが、ハンドラ３の形状はこれに限らず、例えば、ウェーハ保持具３３を平面視略Ｕ字型のものとしても良い。
さらに、ウェーハ保持具３３は、基板ＷあるいはエピタキシャルウェーハＷの主裏面の一部を保持するとしたが、主表面の一部を保持するようにしても良い。
【００３８】
［第２の実施の形態］
第２の実施の形態に係る熱処理装置は、加熱手段６が搬送手段（ハンドラ）３と別体となっており、その他の構成は第１の実施の形態の熱処理装置１０と同様であるのでその説明は省略する。
すなわち、本発明における加熱手段６は、例えば図３に示すように、反応室１の外側に設けられた加熱装置１４を適用することができる。
したがって、反応室１において気相成長されたエピタキシャルウェーハＷをウェーハ保持具３３によって保持する上記保持工程の前に、予めウェーハ保持具３３を反応室１内に移動させて、ウェーハ保持具３３をエピタキシャルウェーハＷを搬出する際のウェーハ温度近くまで加熱しておく。そして、この加熱したウェーハ保持具３３でエピタキシャルウェーハＷの主面を保持させて、反応室１から搬出するようにする。
【００３９】
以上のような第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態に比して、ウェーハ保持具３３内に電熱線６１を設ける必要がなく、加熱装置１４を利用できるのでコストの削減につながる。
【００４０】
なお、その他に、加熱手段６と搬送手段（ハンドラ）３とが別体の例としては、例えば、搬送手段３を加熱するための加熱装置を、搬送室４内に個別に設けるようにしても良い。
【００４１】
〔第３の実施の形態〕
第３の実施の形態に係る熱処理装置は、ウェーハ保持具３３を加熱するための加熱手段６を備えておらず、その他の構成は第１の実施の形態の熱処理装置１０と同様であるので、その説明は省略する。
ここでは、加熱手段６を備えない上記熱処理装置１０を使用して、シリコン単結晶基板Ｗに熱処理を施して、シリコンエピタキシャル層を気相成長させることによってエピタキシャルウェーハＷとする熱処理方法について説明する。
【００４２】
まず、第１の実施の形態と同様に、反応室１内の基板Ｗに水素雰囲気下で熱処理を施して、基板Ｗの主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる（気相成長工程）。このとき、ハンドラ（搬送手段）３のウェーハ保持具３３は特に加熱しないで常温のままとする。
【００４３】
上記気相成長工程後、上述した保持工程、搬出工程を行う。
搬出工程では、加熱されていないウェーハ保持具３３がエピタキシャルウェーハＷの主面の一部に水素雰囲気中で接触するので、この際に、冷たいウェーハ保持具３３が接触した部分が急冷されて、面内における温度が不均一化される。このため、面内における水素終端の程度に差が生じ、エピタキシャルウェーハＷを空気（酸素含有雰囲気）中に取り出した際に、自然酸化膜（ＳｉＯ２膜）の厚さに違いが生ずる。
【００４４】
上記搬出工程後、ロードロック室２ｂのカセット内からエピタキシャルウェーハＷを取り出して、該エピタキシャルウェーハＷの表面にフッ酸処理を施す（フッ酸処理工程）。
このフッ酸処理工程により、エピタキシャルウェーハＷの表面に不均一に形成されていた自然酸化膜が除去される。
【００４５】
その後、エピタキシャルウェーハＷの表面の抵抗率を四探針法により測定する（測定工程）。
【００４６】
以上のような第３の実施の形態によれば、基板Ｗの主面を冷たいウェーハ保持具３３により水素雰囲気中で保持した後に、酸素含有雰囲気下に取り出すことで、基板Ｗの主面に形成される自然酸化膜が、フッ酸処理を施すことによって除去される。したがって、不均一に形成された自然酸化膜の影響を受けることなく、フッ酸処理工程後の測定工程において四探針法による抵抗値のウェーハ面内ばらつきを正確に測定することができる。
【００４７】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、本発明の熱処理装置１０は、上述した枚葉式に限定されるものではなく、例えば、縦型（パンケーキ型）、バレル型（シリンダ型）等にも適用可能である。
また、本発明では、上記熱処理装置１０を使用して、シリコン単結晶基板Ｗ上にシリコンエピタキシャル層を気相成長させていたが、単に、シリコン単結晶基板Ｗに熱処理を施して加熱するためのものとして使用しても良い。
【００４８】
【発明の効果】
本発明によれば、熱処理後における四探針法による抵抗値のウェーハ面内ばらつきをより正確に測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るエピタキシャルウェーハの製造装置を示す模式的な概略平面図である。
【図２】本発明に係るウェーハ保持具を有する搬送手段を示す図であり、（ａ）は平断面図、（ｂ）は側断面図である。
【図３】本発明に係る反応室の模式的な正面断面図であり、特に、気相成長中の状態を示す。
【図４】本発明に係る反応室の模式的な正面断面図であり、特に、リフトピンにより基板をサセプタ上方に支持した状態を示す。
【符号の説明】
１　反応室
３　搬送手段
６　加熱手段
１０　熱処理装置
３３　ウェーハ保持具
Ｗ　シリコン単結晶基板、シリコンエピタキシャルウェーハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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