(57)【要約】【課題】レーザー光の照射により相変化型光記録層が相変化して情報の記録を行い、隣接トラックへの記録の影響を低減可能な光情報記録媒体を提供する。【解決手段】ランド１２とグルーブ１１が交互に形成された基板１上に所定の温度以上で高反射率を有する相変化型光記録層４が少なくとも積層されてなり、前記グルーブ１１にレーザー光を照射して記録を行う光情報記録媒体１０において、前記レーザー光の照射側から見て前記ランド１２を凹部とする時、前記ランド１２のみに前記所定の温度以上のパワーの前記レーザー光を照射して、前記ランド１２を前記グルーブ１１よりも高反射率にした。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランドとグルーブが交互に形成された基板上に所定の温度以上で高反射率を有する相変化型光記録層が少なくとも積層されてなり、前記グルーブにレーザー光を照射して記録を行う光情報記録媒体において、
前記レーザー光の照射側から見て前記ランドを凹部とする時、前記ランドのみに前記所定の温度以上のパワーの前記レーザー光を照射して、前記ランドを前記グルーブよりも高反射率にしたことを特徴とする光情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザー光の照射により相変化型光記録層が相変化して情報の記録及び消去を光学的に行う光情報記録媒体に係り、特に隣接トラックへの記録、消去の影響を低減可能な光情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
レーザービームの照射による情報の記録、再生及び消去可能な光メモリー媒体の一つとして、結晶−非晶質間、あるいは結晶−結晶の２つの結晶相間の転移を利用する、いわゆる相変化型情報記録媒体がよく知られている。
【０００３】
相変化型情報記録媒体の相変化記録方式に用いられる記録層材料としては、カルコゲン系合金薄膜を用いることが多い。
その中で、Ｇｅ（ゲルマニウム）−Ｓｂ（アンチモン）−Ｔｅ（テルル）系、Ａｇ（銀）−Ｉｎ（インジウム）−Ｓｂ−Ｔｅ系合金薄膜は、書換え可能な光ディスクとして実用化されている。
【０００４】
前記したＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系で、実用化されている材料以外の系統では、ＳｂとＴｅの共晶組成でも結晶−非結晶状態が相互に転移することがわかっている。
【０００５】
一方、相変化材料を使った光ディスクの記録方法は、これまでＤＶＤ−ＲＯＭで使われている波長６５０ｎｍ付近の赤色レーザー光、またはそれよりも波長の長いレーザー光を用いて行われてきた。
しかし、近年、波長４００ｎｍ付近で発光する半導体レーザーが市場に登場してきた。
これは、より短い波長のレーザーを使うことが出来れば、ビームスポット径が小さくなり、それだけ光ディスクの記録密度を上げることが出来るからである。
【０００６】
そこでより短い波長の青色レーザーを用いた光ディスクシステムの検討が各社で意欲的に進められている。
前記したＧｅ（ゲルマニウム）−Ｓｂ（アンチモン）−Ｔｅ（テルル）系、Ａｇ（銀）−Ｉｎ（インジウム）−Ｓｂ−Ｔｅ系のような赤色レーザーで使われてきた合金を、記録材料として青色レーザーのシステムに対応させた場合、赤色レーザーは赤色レーザーに比べてビーム径が小さいため、より小さな記録マークを形成することが出来る。
光ディスクの記録密度は、光ディスク基板上の凹凸型の案内溝（トラック）の進行方向に対する線密度と、トラックの幅（トラックピッチ）を狭くすることによる、トラック幅方向の密度とにより向上させることが出来る。
【０００７】
この相変化記録方式の記録、再生、及び書換えの原理について次に述べる。
初めに光ディスク成膜直後の記録層は、非晶質状態で反射率は低いのでレーザー光を照射して記録層を加熱し、ディスク全面を反射率の高い結晶状態にする初期化を行う。
通常この初期化は、数１０〜１００μｍ程度に絞ったレーザービームを回転させた光ディスクに照射することにより行う。
【０００８】
次に、初期化した光ディスクにレーザー光を局所的に照射して、記録層を溶融、急冷し、アモルファス状態に相変化させて光ディスクへの記録を行う。
この際、記録層の光学的性質（反射率、透過率、複素屈折率等）が変化して、記録媒体に情報が記録されることになる。
【０００９】
再生は、記録時より弱いレーザー光を照射して、結晶とアモルファスとの反射率差、または位相差を検出して行う。
また、書換えは、結晶化を引き起こす低エネルギーの消去パワーの上に重畳した記録ピークパワーを記録層に投入することにより、消去過程を経ることなく既に記録された記録マーク上にオーバーライトして行う。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、トラック幅方向の密度を上げるには物理的に狭い幅を形成可能な技術さえあれば密度を上げることは出来るが、ここに問題がある。
青色レーザーのシステムに対応するように設計された記録媒体は短いレーザー照射時間でも結晶−アモルファスの相変化が起きるように感度の向上が図られている。
凹凸部のある基板上に形成された光ディスクの場合、凹部では反射率が低くなるため、凸部に比べ熱が蓄積されやすいので、この凸部に記録すると、記録マークがトラック幅方向に記録マークが広がってしまう（図９参照）。
凹部に熱が蓄積されるのは、青色レーザー光の照射ビームスポット径はグルーブトラック幅より大きく、両側のランドトラックにも及ぶ為である。
【００１１】
通常、記録可能な光ディスクでは隣接するトラックに連続して記録することが多い。その際、トラック幅方向に記録マークが広がってしまうと、隣接トラックへの記録（クロスライト）や隣接トラックへの消去（クロスイレーズ）が生じてしまい、オーバーライト時に記録マークの形状が歪んでしまう原因となる。
そうすると、Ｃ／Ｎやジッターの悪化が引き起こされて、良好な記録及び書換えが出来なくなってしまうという問題がある。
【００１２】
この隣接トラックへの記録（クロスライト）や消去（クロスイレーズ）問題を解消する方法として、クロスライト低減のために補助層を設ける方法が特開２００１−１６７４７４号公報に提案されている（図５参照）。
また、基板の溝形状をＶ字にして熱がトラック方向にたまらないようにする方法が特開平６−３３３２３７号公報に提案されている（図６、図７参照）。
【００１３】
図５はその相変化記録媒体の構成を示したもので、表面に凹凸部の案内溝が形成された基板５１上に、エネルギー吸収層（補助層）５２、第１保護層５３、記録層５４、第２保護層５５及び反射層５６がこの順で積層されている。
これは従来のものとは異なり、エネルギー吸収層５２を必要とするもので、相変化記録媒体の作製工程もエネルギー吸収層５２を形成する工程だけ複雑になるものである。
【００１４】
また、図６は記録媒体が従来のものとは異なりＶ字型の案内溝の部分を示したもので、７１は基板、７７はＶ字型の案内溝、８１はプリフォーマット信号を形成する溝を示したものである。
この媒体は図７に示されるように基板７１上に、下部保護層７２、記録層７３、上部保護層７４、反射層７５を順次積層して構成される。新たにこのＶ字型の案内溝７７を有する基板を用意する必要があり、従来の基板は使用することは出来ない。
【００１５】
よって、これら図５乃至図７に示した記録媒体では、媒体の構成にエネルギー吸収層（補助層）を追加したり、基板の溝構造をＶ字型の案内溝に変更したりして、初めてクロスライト低減等の性能が発揮されるものであり、従来の製造方法では製造することが出来ないという課題がある。
【００１６】
そこで本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、従来の製造方法を大幅に変更しないで製造が出来、かつ従来のものと比較してクロスライト及びクロスイレーズの低減が可能な光情報記録媒体を提供することを目的とするものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するためになされたものであり、
請求項１に記載された発明は、
ランド１２とグルーブ１１が交互に形成された基板１上に所定の温度以上で高反射率を有する相変化型光記録層４が少なくとも積層されてなり、前記グルーブ１１にレーザー光を照射して記録を行う光情報記録媒体１０において、
前記レーザー光の照射側から見て前記ランド１２を凹部とする時、前記ランド１２のみに前記所定の温度以上のパワーの前記レーザー光を照射して、前記ランド１２を前記グルーブ１１よりも高反射率にしたことを特徴とする光情報記録媒体を提供するものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の光情報記録媒体の実施の形態につき、好ましい実施例により、以下に説明する。
【００１９】
本発明の光情報記録媒体は、ランドとグルーブが交互に形成された基板上に所定の温度以上で高反射率を有する相変化型光記録層が少なくとも積層されてなり、前記グルーブにレーザー光を照射して記録を行う光情報記録媒体において、前記レーザー光の照射側から見て前記ランドを凹部とする時、前記ランドのみに前記所定の温度以上のパワーの前記レーザー光を照射して、前記ランドを前記グルーブよりも高反射率にしたことを特徴とするものである。
【００２０】
図１は本発明の光情報記録媒体（光ディスク）の一実施例の構成を示した断面図であり、
図２は本発明の光情報記録媒体の一実施例の断面図（同図（Ａ））、及びその平面図（同図（Ｂ））を示したものであり、
図３は本発明の光ディスクに記録を行ったときの信号波形（ストラテジ）を示した図であり、
図４は図３に示す波形を使って本発明の手法を用いた光ディスクに記録を行ったときの始端と後端のジッターの平均を示した図であり、
図８は本発明の光情報記録媒体にレーザー光により相変化型光記録層に記録される記録マークと記録トラックとの位置関係を模式的に示した図である。
【００２１】
図１の本実施例になる光ディスク１０は、基板１上に反射層２を、この反射層２上に第一保護層３を、この第一保護層３上に相変化型光記録層４を、この相変化型光記録層４上に第二保護層５を、そしてこの第二保護層５上に接着層６を介してカバーシート７を設けて構成したものである。
【００２２】
本実施例になる光ディスク１０は、基板１上に相変化型記録層４を有し、青色レーザー光の照射によりこの相変化型光記録層４を構成する原子の配列が変化して情報の記録及び消去が行われる光ディスクがその前提である。
また、本実施例になる光ディスク１０は、図８の記録マークと記録トラックとの位置関係の一実施例の模式図に示されるように、前記レーザー光の照射側から見て基板１の凸部トラック１１ａのトラック幅Ｔを前記青色レーザー光が照射される前記光情報記録媒体面のビームスポット径Ｄ以下に形成されて前記情報の記録及び消去が行われる光ディスクがその前提である。
【００２３】
本実施例における光ディスク１０の基板１としては、ガラス、プラスチック、光硬化性樹脂を設けたもの等のいずれであってもよいが、コストを含む生産性の点を考慮するとプラスチックが好ましく、中でもポリカーボネート樹脂が好ましい。
【００２４】
相変化型光記録層４の厚さは、３ｎｍ〜１００ｎｍであり、特に記録、消去感度が高く、多数回の記録、消去が可能である点を考慮すると３ｎｍ〜３０ｎｍの範囲とすることがより好ましい。
【００２５】
誘電体層となる前記の第一保護層３、第二保護層５は、このように構成配置することによって、記録時に前記した基板１、相変化型光記録層４などがレーザービームの照射熱によって変形し、記録特性が劣化することを防止するなど、前記した基板１、相変化型光記録層４を熱から保護する効果、光学的な干渉効果により、再生時の信号のコントラストを改善する効果がある。
【００２６】
さらに、前記相変化型光記録層４の結晶化を促進して、消去率を向上させる効果もある。
この第一保護層３、第二保護層５としては、ＺｎＳ−ＳｉＯ２　、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３などの無機薄膜がある。
【００２７】
特に、Ｓｉ（珪素）、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｔａ（タンタル）などの金属、あるいは半導体の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌなどの金属、あるいは半導体の窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｓｉなどの金属、あるいは半導体の炭化物の薄膜、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４、ＧｅＳ２等の金属、あるいは半導体の硫化物の薄膜、及びこれら化合物の２種類以上の混合物の膜が、耐熱性が高く、化学的に安定なことから好ましい。
【００２８】
さらに、相変化型光記録層４への保護層を構成する第一保護層３、第二保護層５としては、原子の拡散がないものが好ましい。
これらの酸化物、硫化物、窒化物、炭化物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成を制御したり、混合して用いることも有効である。
また、これらにＭｇＦ２などのフッ化物を混合してなる第一保護層３、第二保護層５も、膜（層）の残留応力が小さいことから好ましい。
【００２９】
特にＺｎＳとＳｉＯ２の混合膜は、記録、消去の繰返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化が起きにくいことから好ましい。第一保護層３、第二保護層５の厚さは、およそ５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００３０】
また、第一保護層３の厚さは、Ｃ／Ｎ、消去率などの記録特性、安定に多数回の書換えが可能なことから５ｎｍ〜３０ｎｍがより好ましい。
また、第二保護層５の厚さは、相変化型光記録層４や接着層６から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いことから、３０ｎｍ〜２００ｎｍがより好ましい。
第一保護層３、第二保護層５は、同一ではなく異なる化合物から構成されていてもよい。
【００３１】
反射層２の材質としては、光反射性を有するＡｌ（アルミニウム）、Ａｕ（金）、Ａｇなどの金属、及びこれらを主成分とし、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｃｕなどの添加元素を含む合金、及びＡｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化物、金属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したものなどが挙げられる。
【００３２】
Ａｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属、及びこれらを主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導率を高くすることが出来ることから好ましい。前記した反射層２の厚さとしては、５ｎｍ〜３００ｎｍが好ましい。
【００３３】
本実施例の光ディスク１０の記録に用いる光源としては、レーザー光（レーザービーム）を用いることが好ましく、主に近赤外域の波長８３０ｎｍから紫外域の３００ｎｍの範囲にあるレーザー光である。
【００３４】
高出力の赤外レーザーを２次高調波発生素子（ＳＨＧ（Ｓｅｃｏｎｄ　Ｈａｒｍｏｎｉｃ　Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）素子）を用いてその赤外レーザー光の波長の１／２波長を出力する光源を用いて青色レーザー光を得ることも出来る。
【００３５】
（実施例）
以下に本発明になる光ディスクの一実施例を図１及び図２を用いて説明する。本発明になる光情報記録媒体（光ディスク）は、数１０〜１００μｍ程度に絞ったレーザービームを回転する媒体に照射することにより、相変化型光記録層４を結晶化して初期状態の形成、つまり初期化を行う。
【００３６】
また、初期化工程を必要とせず、相変化型光記録層４が既に記録可能な結晶状態であるものでも構わない。初期化工程の要、不要を問わず、相変化型光記録層４が記録可能な初期状態である光ディスク１０に対して、記録部分であるグルーブ１１ｂの両脇の記録に使用しないランド１２ｂに１μｍ以下のきわめて小さく絞られたレーザービーム（スポット）１３を照射する。
レーザービーム（スポット）１３を照射することにより結晶化をさらに進行させ、記録しないランド１２ｂの反射率を記録部分の反射率よりも高くする。
【００３７】
以下に具体的な実施例を示すが、前記した如く、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
本実施例では、初期化装置として波長８１０ｎｍのレーザーダイオード、開口数ＮＡ＝０．３４の光学レンズ（対物レンズ）を搭載したイニシャライザ（シバソク社製ＬＫ２０１Ａ）を使用した。
【００３８】
また、波長４０５ｎｍのレーザーダイオード、開口数ＮＡ＝０．８５の光学レンズ（対物レンズ）を搭載した光ディスクドライブテスタ（シバソク社製ＬＭ３３０Ａ）を用いて非記録部分の高反射率化及び記録（１ビーム・オーバーライト）を行った。
【００３９】
レーザー照射側から見たときの相変化型記録層４の凸部をグルーブ１１ｂといい、凹部をランド１２ｂという。
（実施例１）
直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板１に、まず、反射層２としてＡｇ合金、第一保護層３としてＺｎＳ−ＳｉＯ２、さらに相変化型光記録層４としてＧｅＳｂＴｅ、第二保護層５としてＺｎＳ−ＳｉＯ２をこの順にスパッタリング法により形成した。
【００４０】
その後、ＵＶ硬化樹脂を接着層６として、カバーシート７を貼り合わせた。
この時の各層の膜厚は、反射層２を５０ｎｍ、第一保護層３を１０ｎｍ、相変化型光記録層４を１８ｎｍ、第二保護層５を５０ｎｍとした。
【００４１】
また、相変化型光記録層４の組成は、原子比でＧｅ８．７％、Ｓｂ６９．７％、Ｔｅ２１．６％とした。
貼り合わせた後、接着層６を十分硬化させるためにＵＶ照射を行った。
【００４２】
その後、レーザービームスポット径１２０μｍのイニシャライザで初期化条件を線速度４ｍ／ｓ、送りピッチ４０μｍを固定し、レーザー出力５７０ｍＷで初期化を行った（初期化）。
【００４３】
ドライブテスタで使われているレーザー波長４０５ｎｍにおけるグルーブ１１ｂの反射率は１８．５％であった。
【００４４】
その後、初期化後のディスクをドライブテスタで非記録部分（ランド）１２ｂにフォーカスを合わせて、レーザーパワー４ｍＷで連続照射を行った。
非記録部分（ランド）１２ｂのみに光反射率化処理を行うのである程度の時間を要するがレーザーパワーを大きくして線速度を大きくして光反射率化処理に必要とする時間を短縮することが出来る。
照射前のランド１２ｂの反射率は１６．５％、照射後の反射率は２６％であった。
【００４５】
その後、１−７変調された情報信号をディスク回転速度５．２８ｍ／ｓで、図３に示すストラテジで記録再生を行った。
１Ｔ＝１５．１ｎｓｅｃとし、Ｐ１＝５．２ｍＷ、Ｐ２＝２．７ｍＷ、Ｐ３＝０．１ｍＷ、Ｐ４＝０．１ｍＷ、
Ｔ１＝０．４Ｔ、Ｔ２＝０．４Ｔ、Ｔ３＝０．６Ｔ、Ｔ４＝０．６Ｔでグルーブに記録し、再生信号の振幅の中心でスライスしてクロック・トゥー・データ・ジッタ（ｃｌｏｃｋ　ｔｏ　ｄａｔａ　ｊｉｔｔｅｒ）を測定した。
【００４６】
ジッタは、タイムインターバルアナライザ（型式ＴＡ５２０：横河電機（株）製）により測定した。
グルーブに１トラックのみ初回記録後のジッターは、記録マークの始端で７．７％、記録マークの後端では７．９％であった。
【００４７】
その後、隣接する両側のグルーブに同じ記録条件で記録を行い、最初に記録した箇所を再生すると記録マークの始端で８．３％、記録マークの後端では８．５％であった。
【００４８】
（比較例１）
比較例１と同様の構成で直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板に各層を同一膜厚、記録層の組成も同じとしたものを積層し、レーザービームスポット径１２０μｍのイニシャライザで初期化条件を線速度４ｍ／ｓ、送りピッチ４０μｍを固定し、レーザー出力５７０ｍＷで初期化を行った。
グルーブ波長４０５ｎｍにおける反射率は１８．５％であった。
【００４９】
その後、１−７変調された情報信号を５．２８ｍ／ｓで、図３に示すストラテジで記録再生を行った。
１Ｔ＝１５．１ｎｓｅｃとし、Ｐ１＝５．２ｍＷ、Ｐ２＝２．７ｍＷ、Ｐ３＝０．１ｍＷ、Ｐ４＝０．１ｍＷ、
Ｔ１＝０．４Ｔ、Ｔ２＝０．４Ｔ、Ｔ３＝０．６Ｔ、Ｔ４＝０．６Ｔでグルーブに記録し、再生信号の振幅の中心でスライスしてクロック・トゥー・データ・ジッターを測定した。
【００５０】
ジッターは、タイムインターバルアナライザ（型式ＴＡ５２０：横河電機（株）製）により測定した。
グルーブに１トラックのみ初回記録後のジッターは、記録マークの始端で７．７％、記録マークの後端では７．９％であった。
その後、隣接する両側のグルーブに同じ記録条件で記録を行い、最初に記録したところを再生すると記録マークの始端で１０．５％、記録マークの後端では１０．７％（平均１０．６％）であった。
【００５１】
その後、隣接する両側のグルーブに同じ記録条件で記録を行い、最初に記録したところを再生すると記録マークの始端で８．３％、記録マークの後端では８．５％（平均８．４％）であった。
【００５２】
実施例１及び比較例１に示すように、記録するグルーブ１１ｂに対して隣接するランド１２ｂを高反射率化しないと、連続した３トラックに記録を行った中心のグルーブの信号は１トラックのみ記録した場合に比べてジッターが２％以上悪化するのに対して、ランド１２ｂを高反射率化すると、ジッター悪化は１％以下に低減させることが出来た。
【００５３】
また、連続した３トラックに記録を行った後に両脇の記録済み信号を消去するクロスイレーズとランドを高反射率化した場合は１トラックのみの信号記録と同等のジッターとなったが、高反射率化しない場合は、１トラックのみの信号記録に比べ、ジッターが悪化してしまった。
【００５４】
さらに同一の光ディスクを用いて、非記録部分の反射率を各種検討した。結果を図４に示した。
非記録部分の反射率が２％を境にそれ以上高反射率化した場合にクロスライトによるジッター上昇は何もしなかった場合に比べて１％以上低減し、クロスイレーズはジッター上昇がなくなった。
【００５５】
実施例１、及び図４に示すように非記録部分の反射率を上昇させた場合のクロスライト、クロスイレーズ低減効果は顕著である。
カバーシート側からレーザー光を照射して記録する際に、青色レーザー光の照射側から見て凸部トラックに対応する相変化型記録層４の反射率より凹部トラックに対応する相変化型記録層４の反射率を高くしたので、凹部に照射された照射光が熱として蓄積されなく（溜まらなく）なり、記録時に記録マークが、あるいは消去時のレーザー照射による溶融化領域がトラック幅方向に広がらなくなり、隣接トラックへのクロスライト及びクロスイレーズを低減させることが出来る。
【００５６】
【発明の効果】
以上に説明した如く、本発明の光情報記録媒体によると、ランドとグルーブが交互に形成された基板上に所定の温度以上で高反射率を有する相変化型光記録層が少なくとも積層されてなり、前記グルーブにレーザー光を照射して記録を行う光情報記録媒体において、前記レーザー光の照射側から見て前記ランドを凹部とする時、前記ランドのみに前記所定の温度以上のパワーの前記レーザー光を照射して、前記ランドを前記グルーブよりも高反射率にしたことで、従来通りのままの製造方法を大幅に変えることなく、各凹部ランドを高反射率にする高反射率処理工程を追加するだけで、隣接トラックへのクロスライト、及び隣接トラックへのクロスイレーズの影響を低減し、高品質の高密度記録が可能な光情報記録媒体を提供出来る。
【００５７】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光情報記録媒体の一実施例の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の光情報記録媒体の一実施例の断面図（同図（Ａ））、及びその平面図（同図（Ｂ））を示したものである。
【図３】記録時のストラテジのパターンを示した図である。
【図４】実施例及び比較例のジッターを示した図である。
【図５】従来の相変化記録媒体で補助層を設けてクロスライトを解消した一例を示した図である。
【図６】従来の光情報記録媒体の基板の溝形状をＶ字型にしてクロスライトを解消した一例を示した図である。
【図７】図６の光情報記録媒体の構成の一例を示した図である。
【図８】本発明の光情報記録媒体にレーザー光により相変化型光記録層に記録される記録マークと記録トラックとの位置関係の一実施例を模式的に示した図である。
【図９】従来の光情報記録媒体にレーザー光により相変化型光記録層に記録される記録マークと記録トラックとの位置関係の一例を模式的に示した図である。
【符号の説明】
１　　基板
２　　反射層
３　　第一保護層
４　　相変化型光記録層
５　　第二保護層
６　　接着層
７　　カバーシート
１０　　光情報記録媒体（光ディスク）
１１　　グルーブ
１１ａ　　基板１の凸部トラック
１１ｂ　　グルーブ（記録部分）
１２　　ランド
１２ａ　　基板１の凹部トラック
１２ｂ　　ランド（非記録部分）
１３　　レーザービーム（スポット）
Ｄ　　ビームスポット径
Ｔ　　凸部トラックのトラック幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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