(57)【要約】【課題】繰り返し使用が可能で製造が容易な電鋳用原版、およびその電鋳用原版を用いて、従来法に比べて製造工程が短く、処理液による環境汚染がない電鋳部品の製造方法、ならびにその製造方法で製造された高品質、高精度な電鋳部品を提供する。【解決手段】絶縁性基板もしくは半導体基板上にクロム薄膜層を形成する工程と、前記クロム薄膜層をフォトエッチングして電鋳用パターンを設けた電鋳用原版を形成する工程と、該電鋳用原版を回転させながら噴流めっき法により電鋳用パターン上にめっき金属層を形成する工程と、該めっき金属層を前記電鋳用パターン上から剥離する工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板もしくは半導体基板上の電解めっきによりめっき金属層を形成する領域に、クロム薄膜層で電鋳用パターンを形成したことを特徴とする電鋳用原版。
【請求項２】
前記絶縁性基板がガラス基板であり、前記半導体基板がシリコン基板であることを特徴とする請求項１に記載の電鋳用原版。
【請求項３】
前記電鋳用パターンがクロム単層薄膜をフォトエッチングして形成されたものであり、該クロム単層薄膜の厚さが０．０５μｍ〜０．１５μｍの範囲であって、エッチング断面に段差がないことを特徴とする請求項１もしくは２に記載の電鋳用原版。
【請求項４】
絶縁性基板もしくは半導体基板上にクロム薄膜層を形成する工程と、前記クロム薄膜層をフォトエッチングして電鋳用パターンを設けた電鋳用原版を形成する工程と、該電鋳用原版を回転させながら噴流めっき法により電鋳用パターン上にめっき金属層を形成する工程と、該めっき金属層を前記電鋳用パターン上から剥離して電鋳部品を形成する工程と、を有することを特徴とする電鋳部品の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁性基板がガラス基板であり、前記半導体基板がシリコン基板であることを特徴とする請求項４に記載の電鋳部品の製造方法。
【請求項６】
前記電鋳用パターンがクロム単層薄膜をフォトエッチングして形成されたものであり、該クロム単層薄膜の厚さが０．０５μｍ〜０．１５μｍの範囲であって、エッチング断面に段差がないことを特徴とする請求項４もしくは５に記載の電鋳部品の製造方法。
【請求項７】
請求項４〜６のいずれかに記載の電鋳部品の製造方法において、同一の電鋳用原版を繰り返し用いて電鋳部品を製造する工程を有することを特徴とする電鋳部品の製造方法。
【請求項８】
めっき金属の一主面側が均一な深さの凹部および該凹部を均一な幅で囲む平坦な凹部周辺部で形成されており、前記凹部と凹部周辺部との境がほぼ垂直であり、前記凹部と凹部周辺部との表面段差が０．１５μｍ以下であることを特徴とする電鋳部品。
【請求項９】
前記めっき金属の凹部周辺部の幅がめっき金属厚よりも小さく、アスペクト比が１を越えていることを特徴とする請求項８に記載の電鋳部品。
【請求項１０】
前記めっき金属の凹部周辺部の１箇所以上にめっき導通用配線となるつなぎが設けられていたことを特徴とする請求項８〜９のいずれかに記載の電鋳部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電鋳用原版、電鋳部品およびその製造方法に関し、さらに詳しくは、繰り返し使用が可能な電鋳用原版、その原版を用いた精密な電鋳部品およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、精密な形状を有する金属製品の製造方法として、電鋳法が用いられており、特に離型性を付与した導電性基板上にフォトレジストで製版して所望のフォトレジストパターンを形成し、レジスト開口部に電気めっきした後に、めっき金属を基板から剥離するフォトエレクトロフォーミング法は、フォトエッチング法よりも寸法精度の高い微細孔を形成し得る精密な金属製電鋳部品の製造技術として知られており、例えば、インクジェットヘッドのノズル部品、振動板部品、マイクロマシーン等の製造に用いられている。
【０００３】
図５は、フォトレジストを用いたフォトエレクトロフォーミング法による従来の電鋳部品の製造方法を示す工程図である。図５に示すように、ステンレス等の導電性基板５１を洗浄し、必要に応じてめっき後の離型性を高める表面処理をする（図５（ａ））。次いで、フォトレジストで製版する際に、非めっき部分はフォトレジストパターン５２で覆い、電鋳用原版５３を形成する（図５（ｂ））。電鋳用原版５３のフォトレジストパターン５２は、電気絶縁性、耐めっき液性を向上させる点から、通常、２μｍ〜４μｍの厚さを有している。続いて、フォトレジストパターン５２の開口部にめっき金属５４が形成される（図５（ｃ））。次に、めっき金属５４を導電性基板５１上から剥離し、図５（ｄ）に示すように、電鋳部品５５を得ている。
【０００４】
しかしながら、フォトレジストを用いたフォトエレクトロフォーミング法は、１回の電鋳工程で有機物であるフォトレジストにオーバーハングした電鋳金属が食い込み、レジストに欠けや脱落等の欠陥が生じてしまうので、電鋳用原版５３はほぼ１回程度の使用しかできず、電鋳工程ごとにフォトレジスト製版を繰り返さなければならないという問題があった。
【０００５】
また、上記のレジスト製版形状がそのまま電鋳部品５５の形状に反映されるので、電鋳部品によっては好ましくない形状とされることがある。すなわち、図５（ｄ）に示すように、電鋳部品５５は、めっき金属の一主面側が凸部形状をしており、該凸部５６と凸部周辺部５７との表面段差（レジスト・ギャップと呼ばれる）が前述のレジスト厚を反映して、２μｍ〜４μｍもあるからである。前記のように、めっき金属の一主面側が凸部形状で周辺部５７が凸部５６よりも低く段差があると、例えば、インクジェットヘッドのノズル部品では、インクが段差部分に滞留し易くなるので、インクによるシミ、ムラの原因となり品質上の問題となっていた。
【０００６】
上記のようなフォトレジストパターンを電鋳用原版に用いたフォトエレクトロフォーミング法の問題点を解決するために、ガラス等の絶縁性基板上に、クロム／銅の２層薄膜もしくはクロム／ニッケルの２層薄膜により電鋳用パターンを形成し、これらの電鋳用パターン上にめっき金属層を形成した後、めっき金属層を剥離して電鋳部品とする方法がある。クロムはガラス等への密着性向上のためにガラス側に設けられるものであり、導電層として銅もしくはニッケルを設けて２層構造としたものである。
また、非導電性基板表面に微細な溝を形成し、この溝内にのみ導電性のめっき用下地を形成して電鋳用原版とする方法もある（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
【特許文献１】
特開２０００−３０１７２７号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の従来のクロム／銅の２層薄膜もしくはクロム／ニッケルの２層薄膜により電鋳用パターンを形成し、これらの電鋳用パターン上にめっき金属層を形成した後、めっき金属層を剥離して電鋳部品とする方法には以下のような問題があった。
クロム／銅の２層薄膜を用いた電鋳用原版は、銅とクロムの境界面において、銅がクロム中に拡散しており、原版作製時にクロムのエッチング特性が悪くなってエッチング断面に階段状の段差を生じ、原版のパターン精度を低下させるという問題があった。原版のパターン精度低下は、めっきされた電鋳部品の精度低下、品質低下につながる。
また、原版の銅上にめっきされた電鋳製品の離型が難しいので、電鋳するごとに予め銅表面にクロム酸水溶液等で薄い離型層であるクロメート皮膜等を設けておかなければならず、製造工程が長くなり、有害なクロム酸水溶液等を用いるため、クロム酸水溶液処理のための環境対策が必要になるという問題があった。
【０００９】
また、クロム／ニッケルの２層薄膜を用いた電鋳用原版は、エッチング特性の異なるニッケル、クロムの２層薄膜を順次エッチングするので、エッチング制御が難しいという問題があった。また、ニッケルを電鋳する場合などには、原版のニッケルがめっき液中に溶解しプロセスの安定性にかけるという問題があり、一方、溶出したニッケル残渣が原版上に残ったり、原版の耐久性を損ない、原版の寿命を短くするという問題があった。
また、原版のニッケル上にめっきされた電鋳製品の離型が難しいので、上述の銅と同じように、電鋳するごとにニッケル表面に予めクロム酸水溶液等で離型層であるクロメート皮膜等を設けておかなければならず、製造工程が長くなり、有害なクロム酸水溶液を用いるため、クロム酸水溶液処理のための環境対策が必要になるという問題があった。
【００１０】
また、特許文献１に開示されているように、非導電性基板表面に微細な溝を形成して導電性のめっき用下地を形成して電鋳用原版とする方法は、ガラス等の非導電性基板を均一にエッチングするのが難しく、銀鏡反応等の化学めっきで導電性のめっき用下地を形成しても、ガラス等への密着性が弱く、電鋳用原版の繰り返し使用は困難であるという問題があった。
【００１１】
そこで、本発明はこのような問題点を解決するためになされたものである。その目的は、繰り返し使用が可能で製造が容易な電鋳用原版、およびその電鋳用原版を用いて、従来法に比べて製造工程が短く、処理液による環境汚染がない電鋳部品の製造方法、ならびにその製造方法で製造された高品質、高精度な電鋳部品を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、請求項１の発明に係わる電鋳用原版は、絶縁性基板もしくは半導体基板上の電解めっきによりめっき金属層を形成する領域に、クロム薄膜層で電鋳用パターンを形成したものである。本発明によれば、短い製造工程で高品質の電鋳部品を製造できる電鋳用原版が提供される。
【００１３】
請求項２の発明に係わる電鋳用原版は、前記絶縁性基板がガラス基板であり、前記半導体基板がシリコン基板であるようにしたものである。
【００１４】
請求項３の発明に係わる電鋳用原版は、前記電鋳用パターンがクロム単層薄膜をフォトエッチングして形成されたものであり、該クロム単層薄膜の厚さが０．０５μｍ〜０．１５μｍの範囲であって、エッチング断面に段差がないようにしたものである。エッチング断面に段差のないシャープな電鋳用パターンに基づいて、エッジのシャープネスのよい高精度の電鋳部品が提供される。
【００１５】
請求項４の発明に係わる電鋳部品の製造方法は、絶縁性基板もしくは半導体基板上にクロム薄膜層を形成する工程と、前記クロム薄膜層をフォトエッチングして電鋳用パターンを設けた電鋳用原版を形成する工程と、該電鋳用原版を回転させながら噴流めっき法により電鋳用パターン上にめっき金属層を形成する工程と、該めっき金属層を前記電鋳用パターン上から剥離して電鋳部品を形成する工程と、を有するようにしたものである。本発明によれば、高電流密度で高速めっきを行い、高精度の電鋳部品が得られる電鋳部品の製造方法が提供される。
【００１６】
請求項５の発明に係わる電鋳部品の製造方法は、前記絶縁性基板がガラス基板であり、前記半導体基板がシリコン基板であるようにしたものである。
【００１７】
請求項６の発明に係わる電鋳部品の製造方法は、前記電鋳用パターンがクロム単層薄膜をフォトエッチングして形成されたものであり、該クロム単層薄膜の厚さが０．０５μｍ〜０．１５μｍの範囲であって、エッチング断面に段差がないようにしたものである。
【００１８】
請求項７の発明に係わる電鋳部品の製造方法は、請求項４〜６のいずれかに記載の電鋳部品の製造方法において、同一の電鋳用原版を繰り返し用いて電鋳部品を製造する工程を有するようにしたものである。
【００１９】
請求項８の発明に係わる電鋳部品は、めっき金属の一主面側が均一な深さの凹部および該凹部を均一な幅で囲む平坦な凹部周辺部で形成されており、前記凹部と凹部周辺部との境がほぼ垂直であり、前記凹部と凹部周辺部との表面段差が０．１５μｍ以下であるようにしたものである。本発明によれば、高精細、高精度の電鋳部品が提供される。
【００２０】
請求項９の発明に係わる電鋳部品は、前記めっき金属の凹部周辺部の幅がめっき金属厚よりも小さく、アスペクト比が１を越えているようにしたものである。
【００２１】
請求項１０の発明に係わる電鋳部品は、前記めっき金属の凹部周辺部の１箇所以上にめっき導通用配線となるつなぎが設けられていたようにしたものである。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は、本発明の電鋳用原版を用いた電鋳部品の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【００２３】
本発明の電鋳部品の製造方法では、まず、表面が平滑なガラス基板等の絶縁性基板もしくはシリコン基板等の半導体基板をベース基板１として用い、ベース基板１の表面を洗浄して清浄にした後、スパッタリングや真空蒸着等の真空成膜法により、ベース基板１上にクロム薄膜層２’を０．０５μｍ〜０．１５μｍの範囲の厚さに形成する（図１（ａ））。
【００２４】
本発明で用いるガラス基板としては、ガラス表面に汚れや傷のないソーダライムガラス基板、低熱膨張ガラス基板、石英ガラス基板が用いられ、シリコン基板としては、通常、半導体用に製造されている基板を使用することができる。ベース基板１としての厚さは、機械的な強度が維持できればよく、特に限定されない。また、ベース基板１の外形の大きさは、電鋳製品の大きさと所望する個数に応じて適宜定めればよく、外形形状も限定されないが、通常、ガラス基板は方形、シリコン基板は略円形である。
【００２５】
本発明において、クロム薄膜層２’を０．０５μｍ〜０．１５μｍの範囲の厚さに設けるのは、クロム薄膜層の厚さが０．０５μｍ未満であると、クロム膜にピンホールが発生し易く電鋳製品の品質に影響し、まためっき時の電気抵抗値も高くなり製造上好ましくないからである。一方、０．１５μｍを越えると、電鋳金属のクロム薄膜層側の表面段差が大きくなり、電鋳部品としての品質に悪影響を及ぼしてくるからである。本発明においては、ピンホール防止、電気抵抗値、電鋳部品の表面段差の点から、上記のクロム薄膜層の厚さは０．１μｍ前後がより好ましい。
【００２６】
次に、クロム薄膜層２’上にフォトレジストを塗布し、プレベーク後、電鋳用部品のパターンを設けたフォトマスクで紫外線露光し、現像し、ポストベークした後、露出しているクロム薄膜層を所定の方法でエッチングするフォトエッチング法により、ベース基板１上にクロム薄膜層による電鋳用パターン２を形成し、電鋳用原版３とする（図１（ｂ））。
電鋳部品は最後の工程で電鋳用原版３から剥離する時に、個々の電鋳部品がばらばらに脱落して散乱しないように、個々の電鋳部品をつないでおく。本発明においては、クロム薄膜層による電鋳用パターン２は個々の電鋳部品を各々つなげた形でパターン形成しておき、各々のつなぎをめっき時の導通用配線として兼用し、電鋳用パターン２の周囲に設けためっき用リード部に接続している。本発明によれば、多数面付けする場合に、個々の電鋳部品のつなぎをめっき導通用配線として兼用するので、効率的である。
【００２７】
本発明の電鋳用原版３は、クロム単層薄膜で電鋳用パターン２を形成しており、めっき用導体としてのクロム薄膜層はガラス基板への密着性が良く、単層クロムなのでエッチング特性に優れ、パターンエッジがシャープで直線性が良いので、寸法精度の高い電鋳製品が得られる。また、クロム薄膜層表面が鏡面なので表面光沢を有する電鋳製品が形成される。本発明におけるクロム薄膜層は離型性もよく、クロム薄膜層表面には特に離型のためのクロム酸水溶液等による表面処理を必要としない。さらに、本発明のクロム薄膜層は耐めっき液性にも優れ、薄膜層成分であるクロムが電鋳用めっき液中に溶出することはない。
【００２８】
次に、電鋳用原版３を回転させながら、噴流めっき法により電鋳用パターン２上にめっきを所定膜厚まで行ない、めっき金属４を形成する（図１（ｃ））。
本発明の噴流めっき法では、アノードとカソードである電鋳用パターン２との電極間距離を短くし、噴流により常に新しいめっき液が供給されることによりイオン交換率が高い状態を維持させ、高電流密度による高速均一めっきを可能とし、従来の浸漬めっき法に比べ、めっき時間を数分の１に短縮できる。
本発明におけるアノードとカソードの電極間距離の好ましい形態は、１ｃｍ〜１０ｃｍの範囲である。また、本発明における噴流の流量の好ましい形態は、２０ｌ／分〜５０ｌ／分の範囲である。
さらに、本発明では、電鋳用原版３を回転させることにより、膜厚均一性を高めためっき金属が得られる。本発明における電鋳用原版の回転数の好ましい形態は、１０回転／分〜１００回転／分の範囲である。本発明によれば、例えば、従来の浸漬法によるニッケルめっきでは、電流密度は３〜５Ａ／ｄｍ２  であったが、本発明による製造方法では１０〜３０Ａ／ｄｍ２  と高電流密度に上げることができる。
【００２９】
本発明で用いるめっき浴としては、ニッケルめっき浴、ニッケル−コバルトめっき浴、ニッケル−鉄めっき浴、銅めっき浴等の通常の電鋳用めっき浴を用いることができる。めっき液は、めっき金属の応力が零もしくは零に近い低応力となるように建浴するのが望ましい。電鋳部品としての金属は、通常の電鋳金属であるニッケル、ニッケル−コバルト等のニッケル合金、銅、銅合金、金が用いられる。
【００３０】
次いで、所定膜厚までめっきされためっき金属４を、電鋳用パターン２上から剥離し電鋳部品５を得る（図１（ｄ））。電鋳部品５を剥離した後の電鋳用原版３は、電鋳用パターン２が損傷しない限り何度も再使用することが可能であり、通常、１０数回の再使用に十分に耐えられ、工程短縮、製造コスト削減に寄与する。
個々の電鋳部品をつないだめっき導通用配線およびめっき用リード部は、最終的には切断除去されて、個々の電鋳部品が得られる。
【００３１】
本発明の電鋳用原版３を用い、上述の本発明の製造方法により製造された本発明の電鋳部品５は、以下のような特徴を有する。
まず、前述したように、金属表面光沢を有する電鋳製品が形成され、その寸法精度は高く、例えば、３０μｍ〜５０μｍの範囲の膜厚のめっきにおいて、±１．５μｍ〜２．５μｍの公差で均一めっきをすることができる。
さらに、  図１（ｄ）に示すように、本発明では電鋳部品５の一主面側が均一な深さの凹部６および該凹部６を囲む平坦な凹部周辺部７で形成されている。凹部６と凹部周辺部７との境はほぼ垂直であり、凹部６と凹部周辺部７との表面段差は０．１５μｍ以下である。本発明の電鋳部品５は、フォトレジストを用いた従来法の数１０分の１の段差であって、平坦性に優り、エッジのシャープネスにおいて、クロム／銅、クロム／ニッケル２層薄膜を用いた従来法による電鋳部品に優る。
【００３２】
また、図２に、電鋳部品のめっき金属の厚さ（Ａ）と凹部周辺部の幅（Ｂ）との比をアスペクト比（Ａ／Ｂ）と定義し、図２（ａ）に示す本発明の電鋳部品５と、図２（ｂ）に示すクロム／銅もしくはクロム／ニッケル２層薄膜を電鋳用原版とした従来の浸漬めっき法による電鋳部品２５とを対比する。
本発明の電鋳部品５は、図２（ａ）に示すように、めっき金属の厚さ（Ａ）と凹部周辺部の幅（Ｂ）との比は、Ａ：Ｂ＝１：０．７〜０．９であり、アスペクト比（Ａ／Ｂ）は１を越えており、凹部周辺部の幅がめっき金属厚よりも小さく、製品設計の自由度が上がり、電鋳部品の高精細化、狭ピッチ化がより可能となる。
これに対し、従来の浸漬めっき法による電鋳部品２５は、図２（ｂ）に示すように、めっき金属の厚さ（Ａ）と凹部周辺部の幅（Ｂ）との比は、Ａ：Ｂ＝１：１〜１．２であり、アスペクト比（Ａ／Ｂ）は１以下であり、凹部周辺部の幅がめっき金属厚よりも大きくなっている。
【００３３】
本発明による電鋳部品としては、従来の電鋳製品全般に適用することができ、例えば、インクジェットヘッドのノズル部品、振動板部品、マイクロマシーン部品、蒸着用マスク、ファインメッシュ、ＩＣタグ、フラットコイル、配線基板の実装用バンプ、半導体配線基板、ホログラムの原版等、種々の製品に用いることができ、従来よりも高精度化、高精細化、狭ピッチ化が可能となる。
【００３４】
【実施例】
（実施例１）
光学研磨したソーダライムガラス基板（外形１５０×１５０ｍｍ、板厚２ｍｍ）を洗浄後、その一主面上にスパッタリング法により０．１μｍの厚さにクロム薄膜層を形成した。
続いて、クロム薄膜層上にフォトレジストを塗布し、プレベーク後、インクジェットヘッドのノズル用パターン（ノズル孔径３０μｍ、孔ピッチ２５４μｍ）を多数面付けしたフォトマスクを用いて紫外線露光し、現像し、ポストベーク後、硝酸第２セリウムアンモニウム系エッチング液により露出しているクロム薄膜層をエッチングして電鋳用パターンを形成し、電鋳用原版とした。
【００３５】
次に、上記の電鋳用原版を回転させながら、噴流めっき法により電鋳用パターン上に、下記の条件でスルファミン酸ニッケルめっき浴でめっきを行ない、５０μｍ厚のニッケルめっき金属を形成した。
スルファミン酸ニッケル      ４５０ｇ／ｌ
塩化ニッケル                  １０ｇ／ｌ
ほう酸                        ３０ｇ／ｌ
ｐＨ                            ４
液温度                        ５０℃
電流密度                      ２５Ａ／ｄｍ２  
電極間距離                      ２ｃｍ
噴流速度                      ２５ｌ／分
電鋳用原版回転数              １０回転／分
【００３６】
次に、ニッケルめっき金属を電鋳用パターンから剥離し、インクジェットヘッドのノズルを多数面付けしたニッケル電鋳部品を得た。この面付けしたニッケル電鋳部品は厚さ５０±４μｍであり、ノズルの孔径は３０±２μｍの高精度であった。また、ニッケル電鋳部品の一主面側は凹部形状をしており、該凹部と凹部周辺部との表面段差は０．１μｍであり、さらにノズル孔周囲のニッケル端部のアスペクト比は１．２と急峻な孔が形成された。
【００３７】
ニッケル電鋳部品を剥離した後、同じ原版を用いて再度めっき工程を繰り返して同一形状のニッケル電鋳部品を製造し、この電鋳用原版により１４回の繰り返し使用が可能であった。
【００３８】
（実施例２）
６インチシリコンウェーハ上にスパッタリング法により０．１μｍの厚さにクロム薄膜層を形成した。
続いて、クロム薄膜層上にフォトレジストを塗布し、プレベーク後、ファインメッシュ用パターンを多数面付けしたフォトマスクを用いて紫外線露光し、現像し、ポストベーク後、硝酸第２セリウムアンモニウム系エッチング液により露出しているクロム薄膜層をエッチングして電鋳用パターンを形成し、電鋳用原版とした。
【００３９】
次に、上記の電鋳用原版を回転させながら、噴流めっき法により電鋳用パターン上に、実施例１と同様の条件でスルファミン酸ニッケルめっき浴でめっきを行ない、３０μｍ厚のニッケルめっき金属を形成した。
【００４０】
次に、ニッケルめっき金属を電鋳用パターンから剥離し、ファインメッシュを多数面付けしたニッケル電鋳部品を得た。この面付けしたニッケル電鋳部品は厚さ３０±３μｍであった。また、ニッケル電鋳部品の一主面側は凹部形状をしており、該凹部とニッケル面の周辺部との表面段差は０．１μｍであり、さらにノズル孔周囲のニッケル端部のアスペクト比は１．３と急峻な孔を有するメッシュが形成された。
【００４１】
ニッケル電鋳部品を剥離した後、同じ原版を用いて再度めっき工程を繰り返して同一形状のニッケル電鋳部品を製造し、この電鋳用原版により１５回の繰り返し使用が可能であった。
【００４２】
（実施例３）
図面を用いて説明する。図３およびそれに続く図４は、本発明による半導体配線基板の製造工程を示す断面模式図である。
光学研磨したソーダライムガラス基板３１（外形１５０×１５０ｍｍ、板厚２ｍｍ）を洗浄後、その一主面上にスパッタリング法により０．１μｍの厚さにクロム薄膜層３２’を形成した（図３（ａ））。
続いて、クロム薄膜層３２’上にフォトレジストを塗布し、プレベーク後、半導体配線基板用パターンを設けたフォトマスクを用いて紫外線露光し、現像し、ポストベーク後、硝酸第２セリウムアンモニウム系エッチング液により露出しているクロム薄膜層３２’をエッチングして電鋳用パターン３２を形成し、電鋳用原版３３とした（図３（ｂ））。その際、電鋳用パターン３２はＬＳＩチップと外部基板を接続するための導通配線を施した。
【００４３】
次に、上記の電鋳用原版３３を回転させながら、噴流めっき法により電鋳用パターン３２上に、実施例１と同様の条件でスルファミン酸ニッケルめっき浴でめっきを行ない、ニッケルによるめっき金属３４を形成した（図３（ｃ））。
ニッケルめっき後、電気特性を得るため、ニッケルめっき金属３４上に金めっき３５を行なった（図３（ｄ））。
【００４４】
次いで、ニッケル／金のめっき金属の所定箇所にＬＳＩチップ３６を搭載し、ワイヤーボンド３７加工を行なった（図３（ｅ））。その後、エポキシ樹脂によりめっき面側を樹脂モールド３８加工し（図３（ｆ））、続いて電鋳用原版３３から剥離した（図３（ｇ））。
剥離後、電鋳用原版３３側のニッケルめっき配線面に金めっき３９を行なうことにより、ＬＳＩチップを搭載し、樹脂モールドされた配線基板４０を得た。
【００４５】
本実施例では、ニッケルめっき金属上に金めっきをした場合を例示したが、銅めっき、銀めっき等の単層めっき、あるいは銅と金の多層めっきを行なうことも可能である。また、樹脂モールドとしてはポリイミド系、ノボラック系、ビフェニル系等の樹脂も適用し得る。
【００４６】
本実施例では、エレクトロフォーミング加工を用いることで微細配線パターンを提供でき、クロム・ガラス基板が支持基材の働きを兼ねることで、樹脂成型加工が容易となり、しかも安価に製造することができた。すなわち、従来の加工では、樹脂加工を行なうに際しては、ソルダーレジストもしくは特殊フィルムを使用し、金属支持体の上に配線を形成した後、金属をエッチング加工して除去する必要があったが、本実施例による方法では、従来の工程は不要となった。
また、電鋳基板であるクロム・ガラス基板は、配線パターン部に傷が生じない限り繰り返し使用することができ、数十回の使用が可能であった。
【００４７】
（比較例）
次に、従来技術による比較例を示し、その結果を本発明の実施例１の結果とともに対比して表１に示す。比較例１〜３において、めっき浴は本発明の実施例１と同じスルファミン酸ニッケルめっき浴であり、製品対象は実施例１と同一のインクジェットヘッドのノズルを多数面付けした電鋳部品とし、めっきするニッケル厚も同じ５０μｍとした。また、めっき厚の公差は、めっき領域の直径２００ｍｍ内での数値である。エッジのシャープネスは、顕微鏡観察による電鋳部品相互の相対比較による。
【００４８】
（比較例１）
導電性のステンレス基板をベース基板とし、非めっき領域に３μｍ厚のフォトレジストパターンを形成して電鋳用原版とし、浸漬法によりニッケルめっきを行なった。めっき後、電鋳部品を基板から剥離する時に、フォトレジストパターンの一部が脱落し、この原版は１回しか使用できなかった。
表１に示す比較例１のアスペクト比は、めっき厚／凸部周辺部の幅を示す数値である。
【００４９】
（比較例２）
ソーダライムガラス基板上に、クロム０．４μｍ、銅０．８μｍの厚さにこの順でスパッタリング成膜して２層薄膜を形成し、次いでフォトエッチング法でパターニングして電鋳用原版を形成した。クロムエッチング時に銅がクロム中に拡散しているため、パターンエッジはややシャープネスに欠けていた。この原版をクロム酸ナトリウム水溶液（１ｇ／ｌ）に浸漬して、銅表面に剥離用皮膜を形成した後、浸漬法によりニッケルめっきを行なった。この原版は５回の使用が可能であったが、めっきする毎に剥離用皮膜の形成が必要であった。
【００５０】
（比較例３）
ソーダライムガラス基板上に、クロム０．４μｍ、ニッケル０．８μｍの厚さにこの順でスパッタリング成膜して２層薄膜を形成し、次いでフォトエッチング法でパターニングして電鋳用原版を形成した。この原版をクロム酸ナトリウム水溶液（１ｇ／ｌ）に浸漬して、銅表面に剥離用皮膜を形成した後、浸漬法によりニッケルめっきを行なった。この原版は、めっき液中に薄膜層のニッケルが少しづつ溶け出し、ニッケルの残渣が原版上に残り、４回までしか使用できなかった。
【００５１】
【表１】
2004269965.tif 000003
【００５２】
【発明の効果】
本発明の電鋳用原版は、クロム単層薄膜で形成されているので薄膜形成が容易で、設備負荷が少なく、エッチング特性が良くて高精度の電鋳用パターン形成が可能であり、めっき液中に薄膜材料が溶出することもなく、繰り返し使用が可能な原版であり、製造期間短縮、製造コスト低減に寄与する原版である。また、本発明の電鋳用原版は、従来のクロム／銅やクロム／ニッケル２層薄膜を用いた電鋳用原版のように、クロム酸水溶液等の有害な薬品による原版の離型処理が不要なので、クロム酸水溶液等による環境汚染がない。
【００５３】
本発明の電鋳部品の製造方法は、本発明の電鋳用原版を回転させながら噴流めっきをすることにより、高いめっき膜厚均一性を保ちながら高速めっきが可能であり、めっき時間を従来の浸漬めっき法の数分の１に短縮することができ、製造期間短縮、製造コスト低下が図れる。
【００５４】
本発明の電鋳部品は、金属表面光沢を有し、電鋳部品の一主面側が凹部と凹部周辺部で形成されており、例えば、開口部となる孔の周囲のめっき金属面側には段差がなくて連続しており、使用目的に適合した孔形状を形成し得る。また、凹部と凹部周辺部との表面段差は０．１５μｍ以下と小さくて平坦性が高く、従来のフォトレジスト法による電鋳部品の表面段差の数１０の１以下である。さらに、開口部周辺のめっき金属のアスペクト比は１を越えており、高精細、高精度、狭ピツチの電鋳部品の製造が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電鋳用原版を用いた電鋳部品の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図２】本発明の電鋳部品（ａ）と従来の電鋳部品（ｂ）とのアスペクト比を対比した説明図である。
【図３】実施例３の本発明の電鋳部品の製造方法を説明する断面図である。
【図４】図３に続く本発明の電鋳部品の製造方法を説明する断面図である。
【図５】従来の電鋳用原版を用いた電鋳部品の製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
１  ベース基板
２’  、３２’    クロム薄膜層
２、３２  電鋳用パターン
３、３３  電鋳用原版
４、３４  めっき金属
５  電鋳部品
６  凹部
７  凹部周辺部
２５、５５  電鋳部品
３１  ガラス基板
３５、３９  金めっき
３６  ＬＳＩチップ
３７  ワイヤーボンド
３８  樹脂モールド
４０  配線基板
５１  導電性基板
５２  フォトレジストパターン
５３  電鋳用原版
５６  凸部
５７  凸部周辺部
Ａ  めっき金属の厚さ
Ｂ  めっき金属の凹部周辺部の幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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