(57)【要約】【課題】処理する基材の寸法（幅）に応じてガス供給口及び／またはガス排気口を開閉できるようにする。【解決手段】対向電極間に電界を印加することによって発生するグロー放電プラズマで被処理基材を処理する装置であって、対向電極間に処理ガスを導入する処理ガス導入手段が設けられている。この処理ガス導入手段は、対向電極の長手方向に沿って配置された多数のガス供給口５，５・・・及びガス排気口を備えており、ガス供給口５，５・・・が電極の長手方向に沿って複数領域Ｅ１〜Ｅｎに区分されている。そして、各区分領域Ｅ１〜Ｅｎごとに領域内の全ガス供給口５，５・・・を開閉する開閉手段を備えている。この開閉手段は、各区分領域Ｅ１〜Ｅｎ内の各ガス供給口５，５・・・に処理ガスを導く各ガス流路２１の分岐前の配管部２２に設けられた１個の開閉バルブ２３で構成されている。【選択図】　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向電極間に電界を印加することによって発生するグロー放電プラズマで基材を処理する装置であって、
前記対向電極間に処理ガスを導入する処理ガス導入手段が設けられ、
この処理ガス導入手段は、対向電極の長手方向に沿って配置された多数のガス供給口及びガス排気口と、ガス供給口が電極の長手方向に沿って複数領域に区分され、各区分領域ごとに領域内の全ガス供給口を開閉する開閉手段とを備えたことを特徴とする放電プラズマ処理装置。
【請求項２】
各区分領域ごとに設けられた前記開閉手段が、区分領域内の各ガス供給口に処理ガスを導く各ガス流路の分岐前の配管部に設けられた１個の開閉バルブで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の放電プラズマ処理装置。
【請求項３】
各区分領域ごとに設けられた前記開閉手段が、区分領域内の全ガス供給口を同時に塞ぐことのできる１枚のスライド板で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の放電プラズマ処理装置。
【請求項４】
対向電極間に電界を印加することによって発生するグロー放電プラズマで基材を処理する装置であって、
前記対向電極間に処理ガスを導入する処理ガス導入手段が設けられ、
この処理ガス導入手段は、対向電極の長手方向に沿って配置された多数のガス供給口及びガス排気口と、ガス供給口が電極の長手方向に沿って複数領域に区分され、各区分領域ごとに領域内の全ガス供給口を開閉する供給側開閉手段と、ガス排気口が電極の長手方向に沿って複数領域に区分され、各区分領域ごとに領域内の全ガス排気口を開閉する排気側開閉手段とを備えたことを特徴とする放電プラズマ処理装置。
【請求項５】
各区分領域ごとに設けられた前記供給側開閉手段が、区分領域内の各ガス供給口に処理ガスを導く各ガス流路の分岐前の配管部に設けられた１個の供給側開閉バルブで構成され、各区分領域ごとに設けられた前記排気側開閉手段が、区分領域内の各ガス排気口から吸い込まれた処理ガスを導く各ガス流路の合流後の配管部に設けられた１個の排気側開閉バルブで構成されていることを特徴とする請求項４に記載の放電プラズマ処理装置。
【請求項６】
各区分領域ごとに設けられた前記供給側開閉手段が、区分領域内の全ガス供給口を同時に塞ぐことのできる１枚の供給側スライド板で構成され、各区分領域ごとに設けられた前記排気側開閉手段が、区分領域内の全ガス排気口を同時に塞ぐことのできる１枚の排気側スライド板で構成されていることを特徴とする請求項４に記載の放電プラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、放電プラズマ処理装置に係り、特に、処理ガスの無駄を省いた放電プラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、低圧条件下でグロー放電プラズマを発生させて被処理体の表面改質または被処理体上に薄膜形成を行う方法が実用化されている。しかし、これらの低圧条件下における処理装置は、真空チャンバー、真空排気装置などが必要であるため、表面処理装置が高価なものとなり、大面積基板等を処理する際にはほとんど用いられていなかった。
【０００３】
そこで、大気圧近傍の圧力下で放電プラズマを発生させる常圧プラズマ処理装置が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【０００４】
このような処理方法においては、固体誘電体等で被覆した例えば平行平板型等の電極間に被処理体を設置し、電極間に処理ガスを導入し、電極間に電圧を印加し、発生したプラズマで被処理体を処理する装置を用いている。
【０００５】
このように、常圧プラズマ処理装置では、電極間に処理ガスを導入するためのガス導入手段を備えている。
【０００６】
図６（ａ），（ｂ）は、平行平板型電極に設けられたガス導入手段の構成の一例を示しており、（ａ）は平板電極の電極面を手前に向けて置いた状態の斜視図、（ｂ）は平板電極の電極面を通常通り下に向けて置いた状態の側面図である。
【０００７】
このガス導入手段は、平板電極（以下、単に電極という）８１の長手方向に沿って、その一方の側（同図（ａ）では上側）に一定の間隔を存して多数のガス供給口８２，８２・・・が設けられており、他方の側（同図（ｂ）では下側）に一定の間隔を存して多数のガス排気口８３，８３・・・が設けられている。
【０００８】
【特許文献１】
特開平６−２１４９号公報
【特許文献２】
特開平７−８５９９７号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
このようなガス導入手段では、電極間に処理ガスを均質（均等）に供給する必要があるが、電極８１の長さＬ１に比べて処理する基材（図中、二点鎖線で示す）Ｐの幅Ｌ２が短い場合、基材Ｐから外れた部分（図６（ａ）中、斜線を付して示す）のガス流は基材Ｐの処理に寄与しないだけでなく、処理ガス自体が無駄になるといった問題があった。
【００１０】
本発明は係る問題点を解決すべく創案されたもので、その目的は、処理する基材の寸法（幅）に応じてガス供給口及び／またはガス排気口を開閉できるようにした放電プラズマ処理装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の放電プラズマ処理装置は、対向電極間に電界を印加することによって発生するグロー放電プラズマで基材を処理する装置であって、前記対向電極間に処理ガスを導入する処理ガス導入手段が設けられ、この処理ガス導入手段は、対向電極の長手方向に沿って配置された多数のガス供給口及びガス排気口と、ガス供給口が電極の長手方向に沿って複数領域に区分され、各区分領域ごとに領域内の全ガス供給口を開閉する開閉手段とを備えたことを特徴としている。ここで、各区分領域ごとに設けられた前記開閉手段は、区分領域内の各ガス供給口に処理ガスを導く各ガス流路の分岐前の配管部に設けられた１個の開閉バルブで構成されていてもよいし、区分領域内の全ガス供給口を同時に塞ぐことのできる１枚のスライド板で構成されていてもよい。いずれにしても、処理する基材の幅に応じて、必要でない区分領域の開閉手段を閉じることによって、処理ガスの無駄を省くことができる。
【００１２】
また、本発明の放電プラズマ処理装置は、対向電極間に電界を印加することによって発生するグロー放電プラズマで基材を処理する装置であって、前記対向電極間に処理ガスを導入する処理ガス導入手段が設けられ、この処理ガス導入手段は、対向電極の長手方向に沿って配置された多数のガス供給口及びガス排気口と、ガス供給口が電極の長手方向に沿って複数領域に区分され、各区分領域ごとに領域内の全ガス供給口を開閉する供給側開閉手段と、ガス排気口が電極の長手方向に沿って複数領域に区分され、各区分領域ごとに領域内の全ガス排気口を開閉する排気側開閉手段とを備えたことを特徴としている。ここで、各区分領域ごとに設けられた前記供給側開閉手段が、区分領域内の各ガス供給口に処理ガスを導く各ガス流路の分岐前の配管部に設けられた１個の供給側開閉バルブで構成され、各区分領域ごとに設けられた前記排気側開閉手段が、区分領域内の各ガス排気口から吸い込まれた処理ガスを導く各ガス流路の合流後の配管部に設けられた１個の排気側開閉バルブで構成されていてもよいし、または、各区分領域ごとに設けられた前記供給側開閉手段が、区分領域内の全ガス供給口を同時に塞ぐことのできる１枚の供給側スライド板で構成され、各区分領域ごとに設けられた前記排気側開閉手段が、区分領域内の全ガス排気口を同時に塞ぐことのできる１枚の排気側スライド板で構成されていてもよい。このように、ガス排気口にも開閉手段を設け、ガス供給口とガス排気口とを対応させて開閉制御することにより、ガス流の均質（均等）を保つことができる。また、処理する基材の幅に応じて、必要でない区分領域の開閉手段を閉じることによって、処理ガスの無駄を省くことができる。
【００１３】
ここで、処理ガスの流速としては、１ｍ／ｓｅｃ以上であることが条件であるが、好ましくは１〜５０ｍ／ｓｅｃ程度がよく、プラズマの状態や処理条件により適宜調整すればよい。ただし、より好ましくは２〜２０ｍ／ｓｅｃである。
【００１４】
また、対向電極の材質としては、例えば、鉄、銅、アルミニウム等の金属単体、ステンレス、真鍮等の合金、金属間化合物等などが挙げられる。
【００１５】
プラズマを発生させる対向電極の対向面は固体誘電体で被覆されている必要がある。この際、固定誘電体と電極とが密着し、かつ、接する電極の対向面を完全に覆うようにする。固定誘電体によって覆われずに電極同士が直接対向する部位があると、そこからアーク放電が生じやすい。
【００１６】
上記個体誘電体の材質としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチック、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン等の金属酸化物、チタン酸バリウム等の複酸化物等が挙げられる。なお、平板電極を被覆する固体誘電体としては、このようなセラミックコーティングやホーロー処理など電極表面に直接固着するものの他、石英板、ガラス板、アルミナ板などのセラミック板を電極表面に密着させるものでもよい。
【００１７】
特に、２５℃環境下における比誘電率が１０以上のものである個体誘電体を用いれば、低電圧で高密度の放電プラズマを発生させることができ、処理効率が向上する。比誘電率の上限は特に限定されるものではないが、現実の材料では１８，５００程度のものが入手可能である。特に好ましくは比誘電率が１０〜１００の個体誘電体である。上記比誘電率が１０以上である個体誘電体の具体例としては、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン等の金属酸化物、チタン酸バリウム等の複酸化物を挙げることができる。
【００１８】
上記個体誘電体の厚みは、コーティングしている場合には０．１〜１．５ｍｍであることが好ましいが、より好ましくは１．２ｍｍ程度である。また、セラミック板である場合には、０．５〜２．０ｍｍであることが好ましいが、より好ましくは０．７ｍｍ程度である。０．７ｍｍ程度とする理由は、アルミナの誘電率が７〜８程度、ガラスの誘電率が２．５程度、石英の誘電率が３程度であり、石英板にした場合、誘電率が低いので、その分厚みを下げてコンデンサ容量をほぼ一定にするためである。
【００１９】
対向電極の距離は、個体誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮して適宜決定されるが、０．１〜５ｍｍであることが好ましい。０．１ｍｍ未満では、電極間の間隔を置いて設置するのに充分でないことがあり、一方、５ｍｍを超えると、均一な放電プラズマを発生させにくい。さらに好ましくは、放電が安定しやすい０．５〜３ｍｍの間隔である。
【００２０】
このような対向電極間に、高周波、パルス波、マイクロ波等の電界が印加され、プラズマを発生させるが、パルス電界を印加することが好ましく、特に、電界の立ち上がり及び／または立ち下がり時間が、１０μｓ以下である電界が好ましい。１０μｓを超えると放電状態がアークに移行しやすく不安定なものとなり、パルス電界による高密度プラズマ状態を保持しにくくなる。また、立ち上がり時間及び立ち下がり時間が短いほどプラズマ発生の際のガスの電離が効率よく行われるが、４０ｎｓ未満の立ち上がり時間のパルス電界を実現することは、実際には困難である。より好ましくは５０ｎｓ〜５μｓである。なお、ここでいう立ち上がり時間とは、電圧（絶対値）が連続して増加する時間、立ち下がり時間とは、電圧（絶対値）が連続して減少する時間を指すものとする。
【００２１】
上記電界の電界強度は、１０〜１０００ｋＶ／ｃｍとなるようにするのが好ましい。電界強度が１０ｋＶ／ｃｍ未満であると処理に時間がかかりすぎ、１０００ｋＶ／ｃｍを超えるとアーク放電が発生しやすくなる。
【００２２】
上記電界の周波数は、０．５ｋＨｚ以上であることが好ましい。０．５ｋＨｚ未満であるとプラズマ密度が低いため処理に時間がかかりすぎる。上限は特に限定されないが、常用されている１３．５６ＭＨｚ、試験的に使用されている５０ＭＨｚといった高周波帯でも構わない。負荷との整合のとり易さや取り扱い性を考慮すると、５００ｋＨｚ以下が好ましい。このようなパルス電界を印加することにより、処理速度を大きく向上させることができる。
【００２３】
また、上記パルス電界におけるひとつのパルス継続時間は、２００μｓｅｃ以下であることが好ましい。２００μｓｅｃを超えるとアーク放電に移行しやすくなる。ここで、ひとつのパルス継続時間とは、ＯＮ、ＯＦＦの繰り返しからなるパルス電界における、ひとつのパルスの連続するＯＮ時間をいう。
【００２４】
本発明の放電プラズマ処理装置は、どのような圧力下でも用いることができるが、常圧放電プラズマ処理に用いるとその効果を十分に発揮でき、特に、大気圧近傍下の圧力下で用いるとその効果が十分に発揮される。
【００２５】
上記大気圧近傍の圧力下とは、１．３３３×１０４　〜１０．６６４×１０４　Ｐａの圧力下を指す。中でも、圧力調整が容易で、装置構成が簡便になる９．３３１×１０４　〜１０．３９７×１０４　Ｐａの範囲が好ましい。ただし、チャンバーで囲い真空にした場合にも、異常放電が起こらない範囲で電極の近傍から処理ガスを導入してもよい。
【００２６】
本発明において処理できる被処理体としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、アクリル樹脂等のプラスチック、ガラス、セラミック、金属、シリコンウェハ等が挙げられる。被処理体の形状としては、板状、フィルム状等のものが挙げられるが、特にこれらに限定されない。本発明によれば、様々な形状を有する被処理体の処理に容易に対応することができる。また、被処理体の表面処理としては、ポリマーフィルムや繊維、紙等の表面改質や接着性の向上を目的としたものや、有機物除去を目的としたガラス系基板やプリント配線基板の洗浄、表面粗化、デスミア、デスカム、滅菌などが挙げられる。
【００２７】
本発明に用いる処理ガスとしては、電界を印加することによってプラズマを発生するガスであれば、特に限定されず、処理目的に応じて種々のガスを使用できる。
【００２８】
上記処理ガスとして、ＣＦ４　、Ｃ２　Ｆ６　、ＣＣｌＦ３　、ＳＦ６　等のフッ素含有化合物ガスを用いることによって、撥水性表面を得ることができる。
【００２９】
また、処理ガスとして、Ｏ２　、Ｏ３　、水、空気等の酸素元素含有化合物、Ｎ２　ＮＨ３　等の窒素元素含有化合物、ＳＯ２　、ＳＯ３　等の硫黄元素含有化合物を用いて、被処理体の表面にカルボニル基、水酸基、アミノ基等の親水性官能基を形成させて表面エネルギーを高くし、親水性表面を得ることができる。また、アクリル酸、メタクリル酸等の親水基を有する重合性モノマーを用いて親水性重合膜を堆積することもできる。
【００３０】
さらに、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ等の金属の金属−水素化合物、金属−ハロゲン化合物、金属アルコール等の処理ガスを用いて、ＳｉＯ２　、ＴｉＯ２　、ＳｎＯ２　等の金属酸化物薄膜を形成させることができる。
【００３１】
さらに、被処理体の表面に電気的・光学的機能を与えたり、被処理体の表面から有機物除去、レジスト除去、高分子フィルムの接着性向上、ガラス系基板・プリント配線基板（ＦＰＣ）の洗浄、成膜、金属除去、デスミア、アッシング、エッチング、デスカム、滅菌洗浄などに利用できる。
【００３２】
経済性及び安全性の観点から、上記処理ガス単独雰囲気よりも、以下に挙げるような希釈ガスによって希釈された雰囲気中で処理を行うことが好ましい。希釈ガスとしては、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等の希ガス、窒素気体等が挙げられる。これらは単独でも２種類以上を混合して用いてもよい。
【００３３】
なお、このような放電プラズマ処理によれば、プラズマ節制空間中に存在する気体の種類を問わずグロー放電プラズマを発生させることが可能である。公知の低圧条件下におけるプラズマ処理はもちろん、特定のガス雰囲気下の大気圧プラズマ処理においても、外気から遮断された密閉容器内で処理を行うことが必須であったが、本発明に係わるプラズマ処理においては、開放系、あるいは、気体の自由な流失を防ぐ程度の低気密系での処理が可能となる。
【００３４】
本発明によると、対向電極間において直接大気圧下で放電を発生させることが可能であり、より単純化された電極構造、放電手順による大気圧プラズマ装置、及び処理手法でかつ高速処理を実現することができる。また、印加電界の周波数、電圧、電極間隔等のパラメータにより処理に関するパラメータも調整できる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００３６】
図１は、本発明の放電プラズマ処理装置の電極部分の全体構成を説明する模式的説明図である。
【００３７】
図１において、上下に配置されている対向電極２，３は、本実施形態では、ともに平行平板型電極となっている。そして、これら対向電極２，３の表面が固定誘電体７，８で被覆され、その間に放電空間４が形成されている。
【００３８】
また、上部側の電極２の上流側（図１中右側）にはガス供給口５が設けられ、下流側（図１中左側）にはガス排気口６が設けられている。ガス供給口５は、図２に示すように、電極２の長手方向に沿って一定の間隔を存して多数設けられており、ガス排気口６も、電極２の長手方向に沿って一定の間隔を存して多数設けられている。
【００３９】
処理ガスは、図１中矢印Ａ方向にガス供給口５から放電空間４に吹き出される。この状態で電極２，３の間に電源１から電界がかけられると、処理ガスは放電空間４内でプラズマ化し、電極２，３間を矢印Ａ方向に搬送されてくる被処理基材１０の表面を処理する。処理後のガスは、ガス排気口６から吸い込まれて回収される。
【００４０】
このような構成において、ガス供給口５は、図２に示すように、電極２の長手方向に沿って複数領域Ｅ１〜Ｅｎに区分され、各区分領域Ｅ１〜Ｅｎごとに、領域内の全ガス供給口５，５，５を同時に開閉する開閉手段を備えている。
【００４１】
【実施例】
ここで、開閉手段の実施例について以下に説明する。
【００４２】
＜実施例１＞
本実施例１では、この開閉手段は、図３に示すように、各区分領域Ｅ１〜Ｅｎ内の各ガス供給口５，５，５に処理ガスを導く各ガス流路２１，２１，２１の分岐前の配管部２２に設けられた１個の開閉バルブ２３によって構成されている。
【００４３】
すなわち、各区分領域Ｅ１〜Ｅｎごとに１個の開閉バルブ２３，２３・・・がそれぞれ設けられており、これらを個別に開閉制御することにより、必要な区分領域のみのガス供給口５を開き、不要な区分領域のガス供給口５を閉じるようになっている。
【００４４】
なお、図示は省略しているが、この開閉バルブ２３が電磁バルブである場合には、放電プラズマ処理装置の制御部（図示省略）により、この開閉バルブ２３を自動的に開閉制御するように構成してもよい。
【００４５】
例えば、品番ごとの被処理基材１０の寸法から、予め処理に必要な区分領域と不要な区分領域とを決定しておき、これらのデータをメモリ部に格納しておく。すなわち、品番に対して開閉バルブ２３を開く区分領域と閉じる区分領域とを対応させて格納しておく。これにより、被処理基材１０の処理を行うときに、作業者が被処理基材１０の品番を入力すると、制御部ではこの品番をキーとしてメモリ部を検索し、メモリ部から対応する品番の開閉バルブの開、閉の指示情報を読み取り、この指示情報に従って開閉バルブ２３の開閉を制御する。このように、作業者は、品番のみを入力するだけで、その品番の被処理基材１０に対応した最適な区分領域のみ開閉バルブ２３を開き、他の区分領域の開閉バルブ２３を閉じることができる。
【００４６】
なお、開閉バルブ２３はその都度作業者が手動で開閉するように構成されていてもよい。ただし、処理ガスの流速や流量等、微妙な調整を行うためには、開閉バルブ２３の開閉制御を制御部により行うように構成しておく方がよい。
【００４７】
＜実施例２＞
本実施例２では、この開閉手段は、図４に示すように、各区分領域Ｅ１〜Ｅｎ内の全ガス供給口５，５，５を同時に塞ぐことのできる１枚のスライド板３１で構成されている。ただし、図４は、電極２の電極面２ａを上に向けた状態で示している。
【００４８】
すなわち、各区分領域Ｅ１〜Ｅｎごとに１枚のスライド板３１，３１・・・がそれぞれ設けられており、これらスライド板３１，３１・・・を図中矢符Ｘ方向に個別にスライド制御（ガス供給口５を開閉制御）することにより、必要な区分領域のみのガス供給口５を開き、不要な区分領域のガス供給口５を閉じるようになっている。
【００４９】
図５は、スライド板３１をスライドさせたときのガス供給口５とスライド板３１との開閉構造を示す説明図である。同図（ａ）では、ガス供給口５がスライド板１３によって完全に密閉される構造となっている。これに対し、同図（ｂ）では、ガス供給口５から吹き出した処理ガスを、スライド板３１の先端部と電極２の角部との接触によって封じ込める構造となっている。同図（ｂ）は、従来のガス供給口５の形状に本発明に係わるスライド板３１を単純に適用した場合の例であり、同図（ａ）は、ガス供給口５の形状にも工夫を持たせることによって、スライド板３１によりガス供給口５を完全に密閉し得る構造としたものである。
【００５０】
ただし、スライド板３１によるガス供給口５の開閉構造は、上記２例に限定されるものではない。また、スライド板３１の形状も、図に示す平板状に限定されるものではなく、例えば図５（ｂ）に示す場合には、電極２の傾斜面とガス供給口５の傾斜面とで形成されるＶ字溝部に合致する断面三角形状となっていてもよい。すなわち、断面三角形状のスライド板を、電極２の傾斜面とガス供給口５の傾斜面とで形成されるＶ字溝部にはめ込むようにスライドさせる構造でもよい。
【００５１】
なお、図示は省略しているが、このスライド板３１に駆動機構を設けておき、放電プラズマ処理装置の制御部（図示省略）により、この駆動機構を制御することで、スライド板３１を個別にスライド制御するように構成してもよい。
【００５２】
例えば、品番ごとの被処理基材１０の寸法から、予め処理に必要な区分領域と不要な区分領域とを決定しておき、これらのデータをメモリ部に格納しておく。すなわち、品番に対してスライド板３１を開く区分領域と閉じる区分領域とを対応させて格納しておく。これにより、被処理基材１０の処理を行うときに、作業者が被処理基材１０の品番を入力すると、制御部ではこの品番をキーとしてメモリ部を検索し、メモリ部から対応する品番のスライド板の開、閉の指示情報を読み取り、この指示情報に従ってスライド板３１の開閉を制御する。このように、作業者は、品番のみを入力するだけで、その品番の被処理基材１０に対応した最適な区分領域のみスライド板３１を開き、他の区分領域のスライド板３１を閉じることができる。
【００５３】
なお、スライド板３１はその都度作業者が手動で開閉するように構成されていてもよい。ただし、処理ガスの流速や流量等、微妙な調整を行うためには、スライド板３１のスライド制御を制御部により行うように構成しておく方がよい。
【００５４】
なお、上記実施の形態では、本発明に係わる開閉手段をガス供給口５にのみ設けた構成として説明しているが、同様の開閉手段をガス排気口６側にも設けてもよい。このように、ガス供給口５とガス排気口６の両方に開閉手段を設け、これらガス供給口５とガス排気口６とを対応させて開閉制御することにより、ガス流の均質（均等）を保つことができる。
【００５５】
【発明の効果】
本発明の放電プラズマ処理装置によれば、ガス供給口が電極の長手方向に沿って複数領域に区分され、各区分領域ごとに領域内の全ガス供給口を開閉する開閉手段を備えた構成としたので、処理する基材の幅に応じて、必要でない区分領域の開閉手段を閉じることによって、処理ガスの無駄を省くことができる。
【００５６】
また、本発明の放電プラズマ処理装置によれば、ガス供給口だけでなくガス排気口にも開閉手段を設けた構成としたので、ガス供給口とガス排気口とを対応させて開閉制御することにより、ガス流の均質（均等）を保つことができる。また、処理する基材の幅に応じて、必要でない区分領域の開閉手段を閉じることによって、処理ガスの無駄を省くことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の放電プラズマ処理装置の電極部分の全体構成を説明する模式的説明図である。
【図２】平板電極に設けられたガス導入手段の構成の一例を示しており、平板電極の電極面を横に向けて置いた状態の斜視図である。
【図３】開閉手段の実施例１を示す説明図である。
【図４】開閉手段の実施例２を示す説明図である。
【図５】スライド板をスライドさせたときのガス供給口とスライド板との関係を示す説明図である。
【図６】平行平板型電極に設けられた従来のガス導入手段の構成の一例を示しており、（ａ）は平板電極の電極面を横に向けて置いた状態の斜視図、（ｂ）は平板電極の電極面を通常通り下に向けて置いた状態の側面図である。
【符号の説明】
１　電源（高電圧パルス電源）
２，３　電極
４　放電空間
５　ガス供給口
６　ガス排出口
７，８　固体誘電体
１０　被処理基材
【図１】
2004099989.tif 000003
【図２】
2004099989.tif 000004
【図３】
2004099989.tif 000005
【図４】
2004099989.tif 000006
【図５】
2004099989.tif 000007
【図６】
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