(57)【要約】【課題】マルチモードのポリマー光導波路のようにコア層３ａ及び側面クラッド層３ｂの厚みが２０μｍ以上であるようなポリマー光導波路であっても、側面クラッド層３ｂのフォトブリーチングを短時間でかつ均一に行うことができるポリマー光導波路の製造方法を得る。【解決手段】コア層３ａと、側面クラッド層３ｂと、下方クラッド層２と、上方クラッド層４とを備えるポリマー光導波路を製造する方法であって、ポリシランと有機過酸化物を含むポリシラン組成物を下方クラッド層２の上に塗布することにより、コア層３ａ及び側面クラッド層３ｂに対応するポリシラン層３を形成し、側面クラッド層３ｂに対応する領域に紫外線を照射することにより、該領域を未照射領域より低い屈折率に変化させて側面クラッド層３ｂを形成すると共に、未照射領域をコア層３ａとすることを特徴としている。【選択図】        図１
2004333883.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア層と、該コア層の側方に設けられる側面クラッド層と、前記コア層及び前記側面クラッド層の下方に設けられる下方クラッド層と、前記コア層及び前記側面クラッド層の上方に設けられる上方クラッド層とを備えるポリマー光導波路を製造する方法であって、
ポリシランと有機過酸化物を含むポリシラン組成物を前記下方クラッド層の上に塗布することにより、前記コア層及び前記側面クラッド層に対応するポリシラン層を形成する工程と、
前記ポリシラン層の前記側面クラッド層に対応する領域に紫外線を照射することにより、該領域を未照射領域より低い屈折率に変化させて側面クラッド層を形成すると共に未照射領域をコア層とする工程とを備えることを特徴とするポリマー光導波路の製造方法。
【請求項２】
前記ポリシラン組成物が、分岐型ポリシラン化合物とシリコーン化合物を重量比３０：７０〜８０：２０で含有し、前記有機過酸化物を分岐型ポリシラン化合物とシリコーン化合物の合計１００重量部に対し１〜３０重量部の割合で含有することを特徴とする請求項１に記載のポリマー光導波路の製造方法。
【請求項３】
前記有機過酸化物がベンゾフェノン基を有する有機過酸化物であることを特徴とする請求項１または２に記載のポリマー光導波路の製造方法。
【請求項４】
前記コア層及び前記側面クラッド層の厚みが２０μｍ以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のポリマー光導波路の製造方法。
【請求項５】
前記光導波路が、マルチモードの光導波路であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のポリマー光導波路の製造方法。
【請求項６】
コア層と、該コア層の側方に設けられる側面クラッド層と、前記コア層及び前記側面クラッド層の下方に設けられる下方クラッド層と、前記コア層及び前記側面クラッド層の上方に設けられる上方クラッド層とを備えるポリマー光導波路であって、
前記コア層及び前記側面クラッド層が、ポリシランと有機過酸化物を含むポリシラン組成物から形成されており、前記側面クラッド層が、紫外線照射によりポリシランのＳｉ−Ｓｉ結合をＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合に変化させてその屈折率を前記コア層よりも低くすることにより形成されていることを特徴とするポリマー光導波路。
【請求項７】
コア層と、該コア層の側方に設けられる側面クラッド層と、前記コア層及び前記側面クラッド層の下方に設けられる下方クラッド層と、前記コア層及び前記側面クラッド層の上方に設けられる上方クラッド層とを備えるポリマー光導波路の前記コア層及び前記側面クラッド層を形成するためのポリシラン組成物であって、
分岐型ポリシラン化合物とシリコーン化合物を重量比３０：７０〜８０：２０で含有し、有機過酸化物を分岐型ポリシラン化合物とシリコーン化合物の合計１００重量部に対し１〜３０重量部の割合で含有することを特徴とするポリシラン組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ポリマー光導波路の製造方法及びポリマー光導波路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ポリマー導波路は、大面積化が可能であり、簡易な方法でかつ低コストで製造することができるため、その実用化が期待されている。ポリマー光導波路は、一般に、コア層の周りにクラッド層を設けることにより構成されている。コア層の側方には側面クラッド層が設けられ、コア層の上方及び下方には、それぞれ上方クラッド層及び下方クラッド層が設けられている。ポリマー光導波路としては、例えば、コア層及び側面クラッド層にポリシラン化合物を用いたポリマー光導波路が提案されている（特許文献１）。
【０００３】
一方、光導波路においては、シングルモード光ファイバーを用いた光通信システムが従来より主流であったため、シングルモードの光導波路についての研究開発が盛んになされていた。シングルモードの光導波路は、導波光の制御が容易であり、デバイスの小型化に有利であり、高速動作に適している。
【０００４】
しかしながら、近年のマルチメディアの急速な立ち上がりにより、オフィスや家庭にも光による高速信号の配信が求められてきており、低コストの光部品としてマルチモードの光導波路が注目され始めている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−３１１２６３号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
マルチモードの光導波路においては、一般にコア層及び側面クラッド層の厚みが厚いため、従来のポリマー材料を用いてコア層及び側面クラッド層を形成する場合、側面クラッド層のフォトブリーチングを均一に行うことができないという問題があった。
【０００７】
本発明の目的は、マルチモードのポリマー光導波路のようにコア層及び側面クラッド層の厚みが２０μｍ以上であるようなポリマー光導波路であっても、側面クラッド層のフォトブリーチングを短時間でかつ均一に行うことができるポリマー光導波路の製造方法及びポリマー光導波路を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、コア層と、該コア層の側方に設けられる側面クラッド層と、コア層及び側面クラッド層の下方に設けられる下方クラッド層と、コア層及び側面クラッド層の上方に設けられる上方クラッド層とを備えるポリマー光導波路を製造する方法であり、ポリシランと有機過酸化物を含むポリシラン組成物を下方クラッド層の上に塗布することにより、コア層及び側面クラッド層に対応するポリシラン層を形成する工程と、ポリシラン層の側面クラッド層に対応する領域に紫外線を照射することにより、該領域を未照射領域より低い屈折率に変化させて側面クラッド層を形成すると共に未照射領域をコア層とする工程とを備えることを特徴としている。
【０００９】
本発明においては、ポリシランと有機過酸化物を含むポリシラン組成物を用いて、コア層及び側面クラッド層に対応するポリシラン層を形成している。ポリシラン層には、有機過酸化物が含まれているため、ポリシラン層の側面クラッド層に対応する領域に紫外線を照射して、ポリシランのＳｉ−Ｓｉ結合を切断し、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成して屈折率を低下させる際、有機過酸化物からの酸素を効率的に供給することができる。このため、側面クラッド層の厚みが２０μｍであっても、側面クラッド層のフォトブリーチングを短時間でかつ均一に行うことができる。
【００１０】
従って、本発明によれば、コア層及び側面クラッド層の厚みが２０μｍ以上であるようなマルチモードのポリマー光導波路を、効率的に生産することができる。
【００１１】
なお、本発明の光導波路は、マルチモードに限定されるものではなく、コア層及び側面クラッド層の厚みが２０μｍ未満であるようなシングルモードのポリマー光導波路にも適用することができるものである。
【００１２】
本発明に従う好ましい実施形態において、ポリシラン組成物は、分岐型ポリシラン化合物とシリコーン化合物を重量比（分岐型ポリシラン化合物：シリコーン化合物）３０：７０〜８０：２０で含有し、有機過酸化物を分岐型ポリシラン化合物とシリコーン化合物の合計１００重量部に対し、１〜３０重量部の割合で含有することを特徴としている。
【００１３】
本発明のポリマー光導波路は、コア層と、該コア層の側方に設けられる側面クラッド層と、コア層及び側面クラッド層の下方に設けられる下方クラッド層と、コア層及び側面クラッド層の上方に設けられる上方クラッド層とを備えるポリマー光導波路であり、コア層及び側面クラッド層が、ポリシランと有機過酸化物を含むポリシラン組成物から形成されており、側面クラッド層が、紫外線照射によりポリシランのＳｉ−Ｓｉ結合をＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合に変化させてその屈折率をコア層よりも低くすることにより形成されていることを特徴としている。
【００１４】
本発明のポリマー光導波路は、コア層及び側面クラッド層が、ポリシランと有機過酸化物を含むポリシラン組成物から形成されているため、側面クラッド層に紫外線照射してフォトブリーチングする際、有機過酸化物からの酸素をポリシランに供給することができ、Ｓｉ−Ｓｉ結合からＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合に容易に変化させることができる。このため、本発明のポリマー光導波路は、従来のポリマー光導波路に比べ、効率的に生産することができる。
【００１５】
本発明の光導波路は、コア層及び側面クラッド層の厚みが２０μｍ以上であるマルチモードの光導波路に適したものであるが、これに限定されるものではなく、シングルモードの光導波路にも適用し得るものである。
【００１６】
本発明のポリシラン組成物は、上記本発明のポリマー光導波路のコア層及び側面クラッド層を形成するためのポリシラン組成物であり、分岐型ポリシラン化合物とシリコーン化合物を重量比３０：７０〜８０：２０で含有し、有機過酸化物を分岐型ポリシラン化合物とシリコーン化合物の合計１００重量部に対し、１〜３０重量部の割合で含有することを特徴としている。
【００１７】
本発明のポリシラン組成物を用いることにより、厚みが２０μｍ以上である側面クラッド層を短時間でかつ均一にフォトブリーチングすることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
＜ポリシラン＞
本発明で使用するポリシランは、直鎖型及び分岐型のいずれを用いてもよいが、分岐型が特に好ましく用いられる。分岐型と直鎖型は、ポリシラン中に含まれるＳｉ原子の結合状態によって区別される。分岐型ポリシランとは、隣接するＳｉ原子と結合している数（結合数）が、３または４であるＳｉ原子を含むポリシランである。これに対して、直鎖型のポリシランでは、Ｓｉ原子の、隣接するＳｉ原子との結合数は２である。通常Ｓｉ原子の原子価は４であるので、ポリシラン中に存在するＳｉ原子の中で結合数が３以下のものは、Ｓｉ原子以外に、炭化水素基、アルコキシ基または水素原子と結合している。このような炭化水素基としては、ハロゲンで置換されていてもよい炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基が好ましい。脂肪族炭化水素基の具体例として、メチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、トリフルオロプロピル基およびノナフルオロヘキシル基などの鎖状のもの、およびシクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基のような脂環式のものなどが挙げられる。また、芳香族炭化水素基の具体例としては、フェニル基、ｐ−トリル基、ビフェニル基およびアントラシル基などが挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数１〜８のものが挙げられる。具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基、オクチルオキシ基などが挙げられる。合成の容易さを考慮すると、これらの中でメチル基およびフェニル基が特に好ましい。また、ポリシランの構造で屈折率を調整する場合は、高屈折率が所望の場合はジフェニル基を導入し、低屈折率を所望の場合はジメチル基を多くすることで調整可能である。
【００１９】
分岐型ポリシランは、隣接するＳｉ原子との結合数が３または４であるＳｉ原子が、分岐型ポリシラン中の全体のＳｉ原子数の２％以上であることが好ましい。２％未満のものや直鎖状のポリシランは結晶性が高く、膜中で微結晶が生成しやすいことにより散乱の原因とり、透明性が低下する。
【００２０】
本発明に使用されるポリシランはハロゲン化シラン化合物をナトリウムのようなアルカリ金属の存在下、ｎ−デカンやトルエンのような有機溶媒中において８０℃以上に加熱することによる重縮合反応によって製造することができる。また、電解重合法や、金属マグネシウムと金属塩化物を用いた方法でも合成可能である。
【００２１】
分岐型ポリシランの場合には、オルガノトリハロシラン化合物、テトラハロシラン化合物、およびジオルガノジハロシラン化合物から成り、オルガノトリハロシラン化合物およびテトラハロシラン化合物が全体量の２モル％以上であるハロシラン混合物を加熱して重縮合することにより、目的とする分岐型ポリシランが得られる。ここで、オルガノトリハロシラン化合物は、隣接するＳｉ原子との結合数が３であるＳｉ原子源となり、一方のテトラハロシラン化合物は、隣接するＳｉ原子との結合数が４であるＳｉ原子源となる。なお、ネットワーク構造の確認は、紫外線吸収スペクトルや硅素の核磁気共鳴スペクトルの測定により確認することができる。
【００２２】
ポリシランの原料として用いられるオルガノトリハロシラン化合物、テトラハロシラン化合物、およびジオルガノジハロシラン化合物がそれぞれ有するハロゲン原子は、塩素原子であることが好ましい。オルガノトリハロシラン化合物およびジオルガノジハロシラン化合物が有するハロゲン原子以外の置換基としては、上述の炭化水素基、アルコキシ基または水素原子が挙げられる。
【００２３】
この分岐型ポリシランは、有機溶剤に可溶であり、塗布により透明な膜が成膜できるものであれば特に限定されない。このような有機溶媒として好ましいものは、炭素数５〜１２の炭化水素系、ハロゲン化炭化水素系、エーテル系である。
【００２４】
炭化水素系の例としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メトキシベンゼンなどが挙げられる。ハロゲン化炭化水素系の例としては、四塩化炭素、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、ジクロロメタン、クロロベンゼンなどが挙げられる。エーテル系の例としては、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、テトラハイドロフランなどが挙げられる。
【００２５】
また分岐型ポリシラン化合物には分岐度が２％以上のものを用いれば、その分岐度が高いほど、より光透過率を高めることができる。また、重水素化、あるいは一部またはすべてをハロゲン化、特にフッ素化したものも用いることもできる。従って、特定の波長での吸収を抑え、かつ広い波長域にわたって光透過率が高く、また紫外線照射に対して高感度、高精度で屈折率変化を起こさせることができ、また屈折率の熱安定性も向上させることが可能となる。
【００２６】
＜シリコーン化合物＞
本発明で使用するシリコーン化合物の具体例としては、以下の一般式で示されるものを挙げられる。
【００２７】
【化１】
2004333883.tif 000003
【００２８】
［式中、Ｒ１からＲ１２は、ハロゲンまたはグリシジルオキシ基で置換されていてもよい炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、炭素数１〜８のアルコキシ基からなる群から選択される基であり、同一でも異なっていてもよい。ａ，ｂ，ｃ，およびｄは０を含む整数であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≧１を満たすものである。］
具体的には、有機置換基が２つあるＤ体と呼ばれるジクロロシランと、有機置換基が１つであるＴ体と呼ばれるトリクロロロシランの２種類以上を加水分解縮合したものが挙げられる。
【００２９】
このシリコーン化合物が有する、脂肪族炭化水素基の具体例として、メチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、トリフルオロプロピル基、グリシジルオキシプロピル基などの鎖状のもの、およびシクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基のような脂環式のものなどが挙げられる。また、芳香族炭化水素基の具体例として、フェニル基、ｐ−トリル基、ビフェニル基などが挙げられる。アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基、オクチルオキシ基、ｔｅｒ‐ブトキシ基などが挙げられる。
【００３０】
上記のＲ１〜Ｒ１２の種類およびａ，ｂ，ｃ，ｄの値は特に重要ではなく、ポリシランおよび有機溶媒と相溶し、膜が透明なものであれば特に限定されない。相溶性を考慮した場合には、使用するポリシランが有する炭化水素基と同じ基を有していることが好ましい。例えば、ポリシランとして、フェニルメチル系のものを使用する場合には、同じフェニルメチル系またはジフェニル系のシリコーン化合物を使用することが好ましい。また、Ｒ１〜Ｒ１２のうち、少なくとも２つが炭素数１〜８のアルコキシ基であるような、１分子中にアルコキシ基を２つ以上有するシリコーン化合物は、架橋剤として利用可能である。そのようなものとしては、アルコキシ基を１５〜３５重量％含んだメチルフェニルメトキシシリコーンやフェニルメトキシシリコーンなどを挙げることができる。
【００３１】
分子量としては、１００００以下、好ましくは３０００以下のものが好適に用いられる。
またシリコーン化合物にも重水素化、あるいは一部または全てにハロゲン化、特にフッ素化したものも用いることができるので、特定の波長での吸収を抑え、かつ広い波長域にわたって光透過率が高く、また紫外線照射に対して高感度、高精度で屈折率変化を起こさせることができ、また屈折率の熱安定性も向上させることが可能となる。
【００３２】
＜有機過酸化物＞
本発明において使用する有機過酸化物としては、ポリシランのＳｉ−Ｓｉ結合間に効率良く酸素を挿入できる化合物であれば特に限定されないが、例えば、パーオキシエステル系過酸化物が挙げられる。特に、ベンゾフェノン基を有する有機過酸化物が好ましく用いられる。
【００３３】
パーオキシエステル系過酸化物としては、３，３’，４，４’−テトラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン（以下、「ＢＴＴＢ」という）が挙げられる。
【００３４】
＜ポリシラン組成物＞
本発明においては、ポリシランと有機過酸化物を含むポリシラン組成物を用いて、コア層及び側面クラッド層に対応するポリシラン層を形成する。ポリシラン組成物としては、上述のように、分岐型ポリシラン化合物とシリコーン化合物と有機過酸化物とを含む組成物が挙げられる。
【００３５】
ポリシランとして分岐型ポリシラン化合物を用いる場合、分岐型ポリシラン化合物とシリコーン化合物の混合割合は、重量比（分岐型ポリシラン化合物：シリコーン化合物）で３０：７０〜８０：２０であることが好ましい。分岐型ポリシラン化合物の割合がこれより少なくなると、硬化が不十分となる場合があり、逆に分岐型ポリシラン化合物がこれより多くなると、クラックが発生する場合がある。
【００３６】
また、有機過酸化物の配合割合は、分岐型ポリシラン化合物とシリコーン化合物の合計１００重量部に対し、１〜３０重量部であることが好ましく、さらに好ましくは５〜２０重量部である。有機過酸化物の配合割合がこれより少なすぎると、側面クラッド層のフォトブリーチングを短時間でかつ均一に行うことができるという本発明の効果が十分に得られない場合がある。また、有機過酸化物の配合割合が多すぎると、導波路の光伝搬損失が大きくなる場合がある。
【００３７】
本発明において、ポリシラン組成物は、一般にポリシランを溶解させる溶媒を用いて希釈して用いる。このような溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、メトキシベンゼン等の芳香族系炭化水素、テトラヒドロフラン、ジブチルエーテル等のエーテル系溶剤が好適に用いられる。溶媒の使用量は、ポリシランの濃度が２０〜９０重量％となるような範囲が好ましい。
【００３８】
＜製造工程＞
図１は、本発明のポリマー光導波路の一実施例を示す断面図である。
図１に示すように、基板１の上に下方クラッド層２が形成されている。下方クラッド層２の上には、コア層３ａ及び側面クラッド層３ｂが形成されている。コア層３ａは、紙面に対し垂直方向に延びるように形成されている。側面クラッド層３ｂは、その両側に設けられている。コア層３ａ及び側面クラッド層３ｂの上には、上方クラッド層４が形成されている。
【００３９】
コア層３ａ及び側面クラッド層３ｂは、ポリシラン層３から形成されている。ポリシラン層３は、下方クラッド層２の上に、ポリシラン組成物を塗布することにより形成されている。
【００４０】
ポリシラン層３を形成した後、側面クラッド層３ｂに対応する領域に紫外線を照射することによりフォトブリーチングを行う。この紫外線照射により、ポリシランのＳｉ−Ｓｉ結合が切断され、切断された部分に有機過酸化物からの酸素が導入され、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合が形成される。このような結合の変化により、紫外線が照射されたポリシラン層の部分は、紫外線が照射されなかったコア層３ａの部分に比べ、屈折率が低くなる。紫外線としては、２５０〜４００ｎｍの波長を有する紫外線が好ましく用いられる。照射量は、ポリシランの厚み１μｍあたり０．１〜１０Ｊ／ｃｍ２が好ましく、さらに好ましくは０．１〜１Ｊ／ｃｍ２である。
【００４１】
なお、ポリシラン層は、塗布した後、８０〜１５０℃の温度でプリベークすることが好ましい。また、紫外線を照射した後、３００℃以上の温度、より好ましくは３００℃〜５００℃の温度で熱処理することが好ましい。このような熱処理によりポリシランの側鎖にある有機置換基が分解し、無機化することにより、近赤外領域のＣ−Ｈ吸収を低減化することができ、光導波路として０．１ｄＢ／ｃｍ以下の低損失化が可能となる。
【００４２】
マルチモードのポリマー光導波路とする場合には、コア層３ａ及び側面クラッド層３ｂの厚みは、２０μｍ以上であることが好ましく、さらに好ましくは２０〜１００μｍである。
【００４３】
以上のようにフォトブリーチングすることにより側面クラッド層３ｂを形成する。フォトブリーチングにより側面クラッド層３ｂの屈折率はコア層３ａの屈折率よりも小さくなる。マルチモード光導波路の場合には、コア層３ａと側面クラッド層３ｂの屈折率の差は１〜２％程度であることが好ましい。また、シングルモードの光導波路の場合は、０．３〜０．８％程度であることが好ましい。
【００４４】
下方クラッド層２及び上方クラッド層４は、コア層３ａよりも低い屈折率を有するものであればよい。屈折率の差は、側面クラッド層３ｂの場合と同様であることが好ましい。
【００４５】
本発明においては、下方クラッド層２及び上方クラッド層４を、ポリシラン組成物から形成してもよい。例えば、コア層３ａよりも屈折率が低くなるように、分岐型ポリシラン化合物とシリコーン化合物の組成比を変えたポリシラン組成物を用い、これを塗布することにより下方クラッド層２及び上方クラッド層４を形成してもよい。
【００４６】
なお、本発明において、下方クラッド層２は、コア層３ａよりも低い屈折率を有する基板であってもよい。
【００４７】
【実施例】
以下、合成例及び実施例を示して、本発明を具体的に説明するが、本発明は以下の合成例及び実施例に限定されるものではない。
【００４８】
（ポリシランの合成例）
攪拌機を備えた１０００ｍｌフラスコにトルエン４００ｍｌおよびナトリウム１３．３ｇを充填した。このフラスコの内容物を紫外線を遮断したイエロールーム中で１１１℃に昇温し、高速攪拌することによりナトリウムをトルエン中に微細に分散した。ここにフェニルメチルジクロロシラン４２．１ｇ、テトラクロロシラン４．１ｇを添加し、３時間攪拌することにより重合を行った。その後、得られた反応混合物にエタノールを添加することにより、過剰のナトリウムを失活させた。水洗後、分離した有機層をエタノール中に投入することにより、ポリシランを沈澱させた。得られた粗製のポリシランをエタノールから３回再沈殿させることにより、重量平均分子量１１６００の、分岐型ポリメチルフェニルシランを得た。
【００４９】
（実施例１）
以下のようにして、図１に示す構造を有するポリマー光導波路を作製した。
上記合成例で得られた分岐型ポリメチルフェニルシラン２５．０重量部及びメトキシ基含有フェニルメチルシリコーンレジン（商品名「ＤＣ−３０３７」、ダウコーニング社製）７５重量部をトルエンに溶解してポリシラン組成物（固形分６７重量％）とした。これを基板であるシリコンウエハの上にスピンコートした後、３７０℃でベークして厚さ２０μｍの下方クラッド層を形成した。
【００５０】
次に、上記合成例で得られた分岐型ポリメチルフェニルシラン４７．５重量部、メトキシ基含有フェニルメチルシリコーンレジン４７．５重量部及びＢＴＴＢ５．０重量部をトルエンに溶解したポリシラン組成物（固形分６０重量％）を調製し、これを下方クラッド層の上にスピンコートし、１２０℃でプリベークして厚さ２０μｍのポリシラン層を形成した。このポリシラン層のコア層に対応する領域の上にフォトマスクを配置した状態で、紫外線を照射した。紫外線の照射条件は、波長３００ｎｍの紫外線を、１３ｍＪ／ｃｍ２の光量で行った。この後３７０℃でポストベークを行った。
【００５１】
これにより、側面クラッド層に対応する領域をフォトブリーチングし、屈折率を低下させることにより、側面クラッド層を形成した。
次に、コア層及び側面クラッド層の上に、下方クラッド層と同様の方法で、厚さ２０μｍの上方クラッド層を形成した。
【００５２】
（実施例２）
下方クラッド層の厚みを５０μｍとし、コア層及び側面クラッド層の厚みを５０μｍとし、上方クラッド層の厚みを５０μｍとする以外は、上記実施例１と同様にしてポリマー光導波路を作製した。
【００５３】
（比較例１）
コア層及び側面クラッド層を形成するためのポリシラン組成物として、分岐型ポリメチルフェニルシラン５０．０重量部、及びメトキシ基含有フェニルメチルシリコーンレジン５０．０重量部をトルエンに溶解したポリシラン組成物（固形分６０重量％）を用いる以外は、上記実施例１と同様にしてポリマー光導波路を作製した。
【００５４】
（比較例２）
コア層及び側面クラッド層を形成するためのポリシラン組成物として、比較例１と同様のポリシラン組成物を用いる以外は、実施例２と同様にしてポリマー光導波路を作製した。
【００５５】
（露光時間）
上記の実施例１〜２及び比較例１〜２において、ポリシラン層をフォトブリーチングして側面クラッド層を形成する際、断面観察を行ない、紫外線が側面クラッド層の底部に到達する時間を計測した。具体的には、一定時間紫外線を照射した後３７０℃でポストベークを行い、図１に示すコア層３ａと側面クラッド層３ｂの間の境界が、下方クラッド層２の上部に到達するように形成されているか否かで判断した。
【００５６】
以上の方法で測定した露光時間は、以下の通りである。
実施例１：１５分
実施例２：３０分
比較例１：３時間
比較例２：５時間以上
なお、比較例２における５時間以上は、５時間紫外線を照射しても、コア層と側面クラッド層の境界が下方クラッド層の上部に到達しなかったことを意味している。
【００５７】
（ＮＦＰの評価）
実施例１〜２及び比較例１の各ポリマー光導波路について、ダイシングソーでカッティングした長さ５ｃｍの直線導波路について、波長６５０ｎｍの光透過モードで、ニアフィールドパターン（ＮＦＰ）を観察した。
【００５８】
なお、実施例１〜２及び比較例１の各ポリマー光導波路は、上記の露光時間、すなわち実施例１については１５分、実施例２については３０分、比較例１については３時間紫外線を照射して形成した光導波路である。
【００５９】
実施例１及び実施例２の光導波路については、コア層のみが明るく光る明確なパターンが確認された。これに対し、比較例１の光導波路においては、コア層からの光漏れがあり、ぼやけたパターンであった。
【００６０】
（光伝搬損失の評価）
上記のＮＦＰの評価に用いた直線導波路を用いて、実施例１〜２及び比較例１の各導波路について、波長８５０ｎｍの光伝搬損失を測定した。結果は以下の通りである。
【００６１】
実施例１：０．１ｄＢ／ｃｍ
実施例２：０．４ｄＢ／ｃｍ
比較例１：測定不可
【００６２】
【発明の効果】
本発明によれば、マルチモードのポリマー光導波路のようにコア層及び側面クラッド層の厚みが２０μｍ以上であるようなポリマー光導波路であっても、側面クラッド層のフォトブリーチングを短時間でかつ均一に行うことができる。このため、ポリマー光導波路を効率良く生産することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に従う一実施例のポリマー光導波路を示す断面図。
【符号の説明】
１…基板
２…下方クラッド層
３…ポリシラン層
３ａ…コア層
３ｂ…側面クラッド層
４…上方クラッド層
【図１】
2004333883.tif 000004