(57)【要約】【課題】従来のＸ線露光に用いていたＸ線より、短波長の波長領域で二次電子によるボケを抑制しながらＸ線露光を行うことができるＸ線露光方法を提供する。【解決手段】基板１２上に、下層膜１３を介してレジスト１１を積層する。下層膜１３は、含まれる元素のうち最も多くのＸ線を吸収する元素がＣ元素となるように構成する。下層膜１３の膜厚をｔ（ｎｍ）、下層膜１３の密度をρ（ｇ／ｃｍ３）、基板１２に含まれる元素のうち最も多くのＸ線を吸収する元素の吸収端をＡｓ（Å）、Ｃ元素のＫ殻吸収端をＡｃ（Å）としたとき、レジスト１１に吸収されるＸ線の平均波長λ（Å）が、１２．４／（（ｔ×ρ／４６）（１／１．７５）＋１２．４／Ａｓ）≦λ≦１２．４／（（ｔ×ρ／４６）（１／１．７５）＋１２．４／Ａｃ）の関係を満たすようにＸ線を照射する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、下層膜を介して積層されたレジストに、Ｘ線源から発生したＸ線をＸ線マスクを介して照射するＸ線露光方法であって、
前記下層膜は、Ｃ元素を含み、下層膜に含まれる元素のうち最も多くのＸ線を吸収する元素が前記Ｃ元素となるように構成され、
前記下層膜の膜厚をｔ（ｎｍ）、前記下層膜の密度をρ（ｇ／ｃｍ３）、前記基板に含まれる元素のうち最も多くのＸ線を吸収する元素の吸収端をＡｓ（Å）、Ｃ元素のＫ殻吸収端をＡｃ（Å）としたとき、前記レジストに吸収されるＸ線の平均波長λ（Å）が、１２．４／（（ｔ×ρ／４６）（１／１．７５）＋１２．４／Ａｓ）≦λ≦１２．４／（（ｔ×ρ／４６）（１／１．７５）＋１２．４／Ａｃ）の関係を満たす、Ｘ線露光方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、Ｘ線源から発生したＸ線を、Ｘ線マスクを介してレジストへ照射するＸ線露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
Ｘ線露光における解像性は、原因の異なる二つの要因で決まるとされている。すなわちフレネル回折により決まる光学像の解像限界と、露光光の照射によってレジスト中で発生する二次電子がレジストを感光させることによる、パターンのボケ（以下、単にボケと称する）による解像限界とである。この二次電子には、光電子およびオージェ電子が含まれる。
【０００３】
フレネル回折による解像限界Ｌは、次式で表される。
Ｌ＝ｋ・（λ・Ｄ）１／２
ここで、ｋは定数、λは露光波長、ＤはＸ線マスクとウェハの間隔である。この式から、露光波長が短いほど、また、Ｘ線マスクとウェハとの間隔が狭いほど解像度が高くなることが分かる。
【０００４】
一方、Ｘ線照射によりレジスト中で発生する二次電子によるボケは、たとえば非特許文献１の２２２頁に示されているように、露光波長が長いほど小さくなるとされていた。その結果、露光波長が長いほど解像度が高くなるとされていた。
【０００５】
【非特許文献１】
滝川，「ＵＬＳＩリソグラフィ技術の革新」，第１版、株式会社サイエンスフォーラム，１９９４年１１月１０日，ｐ．２２１−２２２
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述の従来の知見に基づくと、最適な露光波長について考える場合、フレネル回折の影響と、二次電子によるボケとの解像性に与える影響は相反する。すなわち、フレネル回折の影響を減少させるには、露光波長は短いほど好ましく、一方、二次電子によるボケの影響を減少させるには、露光波長は長いほど好ましい。
【０００７】
これらの影響により、非特許文献１の２２２頁の図３に示されるグラフからも読み取れるように、たとえばＸ線マスクとウェハとの間隔が５μｍの場合、８Å付近が最適な露光波長であるとされており、露光波長が、これより短くなるほど解像性が悪化すると考えられてきた。
【０００８】
この発明は、従来のＸ線露光に用いていたＸ線より、短波長の波長領域で二次電子によるボケを抑制しながらＸ線露光を行うことができるＸ線露光方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明に基づいたＸ線露光方法に従えば、基板上に、下層膜を介して積層されたレジストに、Ｘ線源から発生しＸ線をＸ線マスクを介して照射するＸ線露光方法であって、下層膜は、Ｃ元素を含み、下層膜に含まれる元素のうち最も多くのＸ線を吸収する元素がＣ元素となるように構成され、下層膜の膜厚をｔ（ｎｍ）、下層膜の密度をρ（ｇ／ｃｍ３）、基板に含まれる元素のうち最も多くのＸ線を吸収する元素の吸収端をＡｓ（Å）、Ｃ元素のＫ殻吸収端をＡｃ（Å）としたとき、レジストに吸収されるＸ線の平均波長λ（Å）が、１２．４／（（ｔ×ρ／４６）（１／１．７５）＋１２．４／Ａｓ）≦λ≦１２．４／（（ｔ×ρ／４６）（１／１．７５）＋１２．４／Ａｃ）の関係を満たしている。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明にかかるＸ線露光方法は、図１に示すような基板１２上に、含まれる元素のうち最も多くのＸ線を吸収する元素がＣ元素となるように構成した下層膜１３を介して積層したレジスト１１に対し、Ｘ線を露光するＸ線露光方法である。本発明はこの露光方法において、下層膜１３に含まれるＣ元素から発生する二次電子のエネルギーと、基板１２を構成するＳｉやＳｉＯ２などから発生する二次電子のエネルギーとの間に、差が存在していることに着目してなされたものである。本発明のＸ線露光方法は、この新規な知見に基づき、下層膜の膜厚をパラメータとする特定の波長領域で二次電子によるボケを低減するものである。
【００１１】
本実施の形態で用いるＸ線を露光する露光システムの模式図を図１に示す。図１に示すように、この露光システムにおいては、Ｘ線源としてのターゲット３１に電子線３４を照射することで蛍光Ｘ線３２を放射させる。この蛍光Ｘ線３６をキャピラリー３３で平行にした後、Ｘ線マスク３６を透過させ、転写する基板１２上に下層膜１３を介して積層されたレジスト１１上に照射する。なお、Ｘ線源は制動放射によるＸ線を発生する放射光発生装置を用いても良い。
【００１２】
図２は、Ｘ線マスク３６の構成を示している。図２に示すように、サポートリング２１上にバックエッチされたＳｉ基板２２が接着されている。Ｓｉ基板２２の上には、メンブレン２３、エッチングストッパ２４が成膜されている。その上面には、Ｘ線吸収体２５が所定のパターンに形成されている。
【００１３】
（理論的検討）
上記の新規な知見を図３を用いて説明する。図３は、図１に示すような、基板１２上に下層膜１３を介して設けたレジスト１１にＸ線を照射した場合における、レジスト１１と下層膜１３との境界部での、各露光波長における二次電子の広がりを示している。
【００１４】
図３に示すように、露光波長は３つの領域に分けられる。領域１は、基板１２から発生した二次電子の影響でボケが発生する領域である。領域３は、基板１２から発生した二次電子の影響は無いが、下層膜１３から発生した二次電子の影響でボケが発生する領域である。この領域では、波長が短くなるにしたがって二次電子によるボケが増大する。領域２は、今回新たに見出された領域であり、基板１２から発生した二次電子の影響がなく、かつ、波長が短くなるにしたがって下層膜１３から発生した二次電子の影響も低減する領域である。
【００１５】
領域３と領域２とは、二次電子によるボケのみを考慮すると同等の範囲もあるが、波長が短いほどフレネル回折の影響が低減できるので、領域３より領域２の方が好ましい範囲といえる。また、領域１でもフレネル回折による影響は低減できるが、領域１では急激に基板１２からの二次電子が増加して、結果として性能が悪化する。したがって、３つの領域のうちで、領域２が最も好ましい範囲であるといえる。
【００１６】
これら３つの領域の境界の波長は、たとえば非特許文献１に記載されている、電子線の飛程であるグルンレンジから導出できる。ここで、下層膜１３の密度をρ（ｇ／ｃｍ３）、発生した二次電子のエネルギーをＥ（ｋｅＶ）とすると、グルンレンジＲは次式で表される。
【００１７】
Ｒ＝（４６／ρ）×Ｅ１．７５
このグルンレンジＲは、レジスト１１と下層膜１３との境界部での二次電子の広がりを検討する場合には、下層膜１３の膜厚ｔ（ｎｍ）に対応する。
【００１８】
二次電子が光電子の場合、（発生した二次電子のエネルギーＥ）＝（吸収Ｘ線エネルギー）−（吸収端のエネルギー）で表すことができるので、（吸収Ｘ線エネルギー）＝（ｔ×ρ／４６）（１／１．７５）＋（吸収端のエネルギー）となる。また、一般に、波長（Å）＝１２．４／エネルギー（ｋｅＶ）の関係がある。
【００１９】
基板１２を構成する元素のうち最も多くのＸ線を吸収する元素がＳｉ元素の場合、Ｓｉ元素の吸収端をＡｓ（Å）、下層膜１３を構成する元素のうち最も多くのＸ線を吸収する元素がＣ元素の場合、Ｃ元素のＫ殻吸収端をＡｃ（Å）とすると、領域２の波長は、１２．４／（（ｔ×ρ／４６）（１／１．７５）＋１２．４／Ａｓ）から、１２．４／（（ｔ×ρ／４６）（１／１．７５）＋１２．４／Ａｃ）までの範囲となる。
【００２０】
領域２は、Ｃ元素を主成分とした下層膜１３から発生した二次電子（Ｃ元素の光電子）の飛程が下層膜１３の膜厚より大きくなる場合に生じる。図４に示すように、Ｓｉ元素の吸収端である６．７Åより短い波長において、Ｓｉ元素から発生する二次電子のエネルギーは、常にＣ元素より小さいことが分かる。したがって、Ｓｉ元素から放出された二次電子の飛程は、Ｃ元素から放出された光電子の飛程より、６．７Åより短い波長において常に小さい。そのため、Ｃ元素を主成分とした下層膜１３から発生した二次電子（Ｃ元素の光電子）の飛程が、下層膜１３の膜厚より大きく、かつ、Ｓｉ元素から発生した二次電子の飛程が、下層膜１３の膜厚より小さいためパターンの解像性に影響を与えない領域２が存在する。
【００２１】
（基板から発生する二次電子と露光波長との関係）
光電子のエネルギーは、（光電子のエネルギー）＝（入射Ｘ線エネルギー）−（内殻の束縛エネルギー）で表される。吸収したＸ線の波長が２．５Åの場合、Ｓｉ元素からなる基板１２から発生する光電子のエネルギーは、Ｓｉ元素の吸収端が６．７Åであるので、１２．４／２．５−１２．４／６．７＝３．１２ｋｅＶである。また、オージェ電子のエネルギーは、（オージェ電子のエネルギー）＝（内殻の束縛エネルギー）−２×（外殻の束縛エネルギー）で表されるから、１２．４／６．７−２×（０．１４８＋０．１００＋０．０９９）／３＝１．６１ｋｅＶである。したがって、光電子のエネルギーの方が大きいため、飛程も長い。
【００２２】
光電子の下層膜１３におけるグルンレンジＲは、下層膜の密度を１．２ｇ／ｃｍ３とすると、Ｒ＝４６／１．２×３．１２１．７５＝２８１ｎｍとなる。この場合Ｓｉからなる基板１２から発生した光電子のレジスト１１への影響は、２８１ｎｍ以上の膜厚の下層膜１３を用いることで除去できる。このような関係を一般化すると、Ｓｉからなる基板１２から発生した二次電子の影響がレジスト１１に現れない最短の波長λ１（Å）は、λ１＝１２．４／（（ｔ×ρ／４６）（１／１．７５）＋１２．４／Ａｓ）となる。λ１より長い波長では、膜厚ｔ（ｎｍ）の下層膜１３を挿入することで、基板１２のＳｉ元素から発生した二次電子のレジスト１１への影響がなくなる。
【００２３】
したがって、レジスト１１に吸収されるＸ線の平均波長がλ１以上となるようにすることが好ましい。たとえば下層膜１３の膜厚が３００ｎｍの場合には、２．４Å以上の波長であれば、基板１２に含まれるＳｉ元素から発生した二次電子のレジスト１１への影響がなく好ましい。
【００２４】
（下層膜で発生する二次電子と露光波長との関係）
一方、Ｃ元素を含む下層膜１３について検討する。ここでは、下層膜１３を、ポリヒドロキシスチレン（Ｃ８Ｈ８Ｏ）で構成している。このポリヒドロキシスチレンを構成する元素のうち、Ｃ元素のＸ線吸収係数が最も大きい。Ｃ元素のＫ殻吸収端は４３．７Åであるので、波長が３．５ÅのＸ線を吸収して発生する光電子のエネルギーは、１２．４／３．５−１２．４／４３．７＝３．２６ｋｅＶである。オージェ電子のエネルギーは、０．２８４−０．０６×２＝０．２７２ｋｅＶである。光電子のエネルギーの方が、オージェ電子のエネルギーより大きいため飛程も長い。
【００２５】
下層膜１３から発生した光電子のグルンレンジＲは、Ｒ＝（４６／１．２）×３．２６１．７５＝３０３ｎｍとなる。下層膜１３の膜厚を３００ｎｍとすると、３．５Åより短い波長では、下層膜１３の一方の表面で発生した光電子の一部は下層膜１３を突き抜け、反対側の表面に飛び出す。このような現象が起こる波長λ２（Å）を一般化すると次式で表すことができる。λ２＝１２．４／（（ｔ×ρ／４６）（１／１．７５）＋１２．４／Ａｃ）となる。
【００２６】
下層膜１３で発生した光電子の飛程が、下層膜１３の膜厚より大きい場合、下層膜１３で発生した光電子によるレジスト１１への影響は減少する。図５は、薄膜の全面にＸ線を照射した場合の、膜の深さ方向に対する蓄積されたエネルギーの分布を模式的に表している。図５においてグラフの原点が薄膜表面である。図５において、Ａで示すように、膜厚が飛程より十分に厚い場合には、膜中央部の蓄積エネルギーは一定であり、膜表面の蓄積エネルギーは、中央部の半分となっている。膜表面では、膜表面から膜外に飛び出した二次電子のエネルギーに相当するエネルギーを失う一方、膜外から二次電子が飛んでこないためである。この膜上にレジストがある場合には、膜外に飛び出した二次電子のエネルギーの一部がレジストに蓄積される。
【００２７】
図５において、ＢおよびＣで示すように、膜が薄くなっても、膜厚が飛程より大きい場合には、膜表面で減少するエネルギー量は変わらない。Ｄで示すように、膜厚が飛程より小さくなると、膜表面でのエネルギーが減少する。これは、膜外に飛び出すエネルギーが減少していることを意味している。このように、レジストおよび下層膜の２層構造において、下層膜で発生した光電子の飛程が、下層膜の膜厚より大きい場合、下層膜で発生した光電子がレジスト中で失うエネルギーの量は減少する。下層膜で発生した光電子によるボケの、解像性に与える影響は大きいので、エネルギーが減少することで解像性が向上する。
【００２８】
したがって、下層膜１３の膜厚が、下層膜で発生した二次電子の飛程よりも小さいことが好ましい。言い換えると、下層膜１３の一方の表面で発生した二次電子が他方の表面から飛び出すことができるような波長のＸ線を露光すれば良い。すなわち、吸収される波長がλ２以下の波長を多く含むように、吸収されるＸ線の平均波長がλ２以下となるようにすれば良い。
【００２９】
本実施の形態にかかるＸ線露光方法をまとめると、以下のようになる。基板１２上に、下層膜１３を介して積層したレジスト１１に、Ｘ線源３１から発生させたＸ線３２をＸ線マスク３６を介して照射する。下層膜１３は、Ｃ元素を含み、下層膜１３に含まれる元素のうち最も多くのＸ線を吸収する元素がＣ元素となるように構成する。下層膜１３の膜厚をｔ（ｎｍ）、下層膜１３の密度をρ（ｇ／ｃｍ３）、基板１２に含まれる元素のうち最も多くのＸ線を吸収する元素の吸収端をＡｓ（Å）、Ｃ元素のＫ殻吸収端をＡｃ（Å）としたとき、レジスト１１に吸収されるＸ線の平均波長λ（Å）が、１２．４／（（ｔ×ρ／４６）（１／１．７５）＋１２．４／Ａｓ）≦λ≦１２．４／（（ｔ×ρ／４６）（１／１．７５）＋１２．４／Ａｃ）の関係を満たすようにＸ線を露光する。
【００３０】
レジスト１１に吸収されるＸ線の平均波長λ（Å）が、１２．４／（（ｔ×ρ／４６）（１／１．７５）＋１２．４／Ａｓ）≦λとなるようにＸ線を露光することで、基板１２から発生した二次電子の影響を回避できる。また、λ≦１２．４／（（ｔ×ρ／４６）（１／１．７５）＋１２．４／Ａｃ）となるようにＸ線を露光することで、比較的短波長のＸ線を使用することができ、フレネル回折の影響が軽減できる。これらの結果、レジスト１１に良好なパターンの形成が可能となる。
【００３１】
（イメージコントラストを用いた計算例）
次に、図６に示すような、矩形のＸ線光学像を仮定し、その像が二次電子によるボケで劣化してレジスト中に蓄積されるエネルギー分布をＩＣ＝（Ｉｍａｘ−Ｉｍｉｎ）／（Ｉｍａｘ＋Ｉｍｉｎ）で定義されるイメージコントラストＩＣで評価した。イメージコントラストＩＣは、レジスト中に蓄積されたエネルギー像を評価するための一つの指標であり、実際の転写されたパターン形状、解像性と密接に関係している。ここでＩｍａｘおよびＩｍｉｎはそれぞれ、図２に示すような、Ｘ線吸収体２５の無い隙間部分の真下と、Ｘ線吸収体２５の真下とにおいてレジストに蓄積されたエネルギーの大きさを示している。イメージコントラストＩＣは、０から１までの値をとり、値が大きいほど、パターン形状、解像性がよい。
【００３２】
以下の計算は、Ｓｉからなる基板１２からの影響の無い波長領域（２．５Å以上）に対して実施している。計算において、基板１２とレジスト１１との間に挿入する下層膜１３として、膜厚３００ｎｍのポリヒドロキシスチレン（Ｃ８Ｈ８Ｏ）を用いた。
【００３３】
レジスト１１には、Ｃ，Ｈ，Ｏ元素により構成される密度１．２ｇ／ｃｍ３のレジストを用い、膜厚が４０から２００ｎｍの場合について計算を実施した。図７に、イメージコントラストＩＣ＝０．３５で解像すると仮定した場合の限界解像寸法の波長依存性を示す。図７では、限界解像寸法が小さいほど二次電子によるボケが小さいことを示している。これによると、約３．５Åがピークであり、これよりＸ線波長が短くなると、グルンレンジを用いた考察の通り、二次電子によるボケが減少している。
【００３４】
また、レジスト１１の膜厚が薄いほど、二次電子によるボケが減少している。これは、レジスト１１中で発生した二次電子が、レジスト１１の膜内で広がる前に膜外に放出されることによる。図７から明らかなように、たとえば、レジスト１１の膜厚が、１００ｎｍ以下であれば、レジスト１１の膜厚が２００ｎｍの場合に比べて、二次電子によるボケが大きく改善する。また、レジスト１１の膜厚が４０ｎｍ以下であれば、二次電子によるボケがさらに改善する。
【００３５】
なお、レジスト１１の膜厚は、下層膜１３をエッチングする工程を考慮して１０ｎｍより厚くする必要がある。
【００３６】
二次電子によるボケの改善効果の一例として、波長が２．５Åおよび３．５ÅのＸ線において、４０ｎｍの矩形Ｘ線光学像が二次電子により劣化した場合のエネルギー像を図８に示す。このときのレジスト１１の膜厚は、４０ｎｍである。図８より、波長が短波長になるにつれて、像の品質が向上していることが分かる。
【００３７】
実際の露光においては、フレネル回折による解像限界寸法も、波長の平方根に比例して小さくなるので、さらに解像性が向上する。フレネル回折の影響による解像限界寸法を計算すると、Ｘ線マスク３６と基板１２との間隔が５μｍ、定数ｋが０．６の場合、
Ｌλ２．５＝０．６×（０．２５ｎｍ×５０００ｎｍ）１／２＝２１ｎｍ
Ｌλ３．５＝０．６×（０．３５ｎｍ×５０００ｎｍ）１／２＝２５ｎｍ
となり、短波長になるにしたがって、フレネル回折による解像性も向上する。
【００３８】
（実施例）
レジスト１１としては、膜厚が７０ｎｍで、ＰＨＳ（ｐｏｌｙ−ｈｙｄｏｒｏｘｙ−ｓｔｙｒｅｎｅ）樹脂をベースポリマーとするものを用いた。図１に示す露光システムにより、ターゲット３１には、Ｖ元素またはＳｎ元素からなるものを用いた。これらの元素から発生する蛍光Ｘ線３２の波長は、それぞれ２．５Å、３．６Åである。
【００３９】
図２に示すＸ線マスク３６としては、メンブレン２３がダイヤモンド、エッチングストッパ２４がＣｒ、Ｘ線吸収体２５が５００ｎｍの厚みのＷからなるものを用いた。
【００４０】
図１に示す基板１２には、Ｓｉを使用し、基板１２とレジスト１１との間には、Ｃ元素を主成分とするレジストを高温（３００℃）でベークしてレジストとしての性質を不活性にした厚さ３００ｎｍの下層膜１３を挿入した。
【００４１】
レジスト１１とＸ線吸収体２５との間隔は、１０μｍに設定して、１５０ｎｍＬ＆Ｓ（ｌｉｎｅ  ａｎｄ  ｓｐａｃｅ）パターンの転写を行った。その結果、波長が２．５ÅのＶによる蛍光Ｘ線を用いた方が、波長が３．７ÅのＳｎによる蛍光Ｘ線を用いたものより好ましい形状のレジストパターンを得ることができた。
【００４２】
最後に、図９を参照して、図９（ａ）のようなレジスト１１にパターンを形成した後、下層膜１３にパターンを転写する方法について説明する。図９（ｂ）を参照して、レジストの膜厚より薄い膜厚の材料１５をスパッタにより積層する。ここでは材料１５として、Ｓｉを用いている。材料１５としては、Ｓｉの他、ＳｉＯ２，Ｃｒ，Ｗ，Ｔａなどを用いることができる。
【００４３】
図９（ｃ）を参照して、基板１２をレジスト１１が溶解する液に浸す。その結果、レジストパターンに対して、反転した金属膜のパターンが形成される。図９（ｄ）を参照して、Ｏ２を含むガスを用いてエッチングし、下層膜１３の不要な箇所を除去する。このときＯ２を含むガスに対して、材料１５と下層膜１３との選択比が高いので、下層膜１３を容易にエッチングすることができる。このようにして、下層膜１３へのパターンの転写を行うことができる。
【００４４】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。したがって、本発明の技術的範囲は、上記した実施の形態のみによって解釈されるのではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に用いる露光システムならびに、レジストおよび下層膜が設けられた基板の構造の一例を示す正面図である。
【図２】Ｘ線マスクの構造を示す断面図である。
【図３】レジストと下層膜の境界部での二次電子の広がりを示すグラフである。
【図４】下層膜に含まれる元素であるＣ元素と、基板に含まれる元素であるＳｉ元素とにおいて、Ｘ線を吸収した際に発生する主な二次電子のエネルギーを示すグラフである。
【図５】薄膜の全面にＸ線を照射した場合の、膜の深さ方向に対する蓄積されたエネルギーの分布を模式的に示すグラフである。
【図６】イメージコントラストの概念を説明する説明図である。
【図７】イメージコントラストＩＣ＝０．３５で解像すると仮定した場合の限界解像寸法の波長依存性を示すグラフである。
【図８】波長が２．５Åおよび３．５ÅのＸ線において、４０ｎｍの矩形Ｘ線光学像が二次電子により劣化した場合のエネルギー像を示すグラフである。
【図９】レジストに形成されたパターンを下層膜に転写する工程を示す断面工程図である。
【符号の説明】
１１  レジスト、１２  基板、１３  下層膜、２５  Ｘ線吸収体、３１  ターゲット（Ｘ線源）、３６  Ｘ線マスク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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