(57)【要約】【課題】入出力端子の平板部における線路導体の幅が小さくなっても、リード端子を強固に接合することを可能とすること。【解決手段】半導体素子収納用パッケージＡは、上側主面に半導体素子Ｂが載置される載置部１ａを有する基体１と、この基体１の上側主面に載置部１ａを囲繞するようにして取着され、貫通孔または切欠き部からなる入出力端子３の取付部２ａを有する枠体２と、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された線路導体７を有する誘電体から成る四角形状の平板部４およびこの平板部４の上面に線路導体７の一部を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部５から成り、取付部２ａに嵌着された入出力端子３とを具備しており、平板部４は、その上面の一辺側または他辺側の部位で枠体２の外側に露出している部位が立壁部５から側面にかけて下方に傾斜している。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上側主面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、該基体の前記上側主面に前記載置部を囲繞するようにして取着され、貫通孔または切欠き部からなる入出力端子の取付部を有する枠体と、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された線路導体を有する誘電体から成る四角形状の平板部および該平板部の上面に前記線路導体の一部を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部から成り、前記取付部に嵌着された入出力端子とを具備しており、前記平板部は、その上面の前記一辺側または前記他辺側の部位で前記枠体の外側に露出している部位が前記立壁部から側面にかけて下方に傾斜していることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
請求項１記載の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置されるとともに前記線路導体に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に取着された蓋体とを具備していることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  ＩＣ）等の半導体素子を気密封止して収容する半導体素子収納用パッケージ（以下、単にパッケージともいう）の斜視図を図４に、またパッケージに組み込まれる入出力端子を図５（ａ）の斜視図および図５（ｂ）の断面図に、さらにこのパッケージを用いた半導体装置を図６に示す。図４〜６において、Ａ１はパッケージ、Ｂ１は半導体素子、Ｃ１は半導体装置、１１は四角形状の基体、１１ａは半導体素子Ｂ１の載置部、１２は枠体、１２ａは取付部、１３は入出力端子、１４は入出力端子１３の平板部、１５は入出力端子１３の立壁部、１７は線路導体、１９は蓋体である。また、１６はロウ材、１６ａはメニスカス、１８はリード端子をそれぞれ示す。
【０００３】
図４〜６に示すように、パッケージＡ１は、一般に鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）合金等の金属材料から成り、上面の中央部にＧａＡｓＦＥＴ等の半導体素子Ｂ１が載置される載置部１１ａを設けた基体１１を有する。この基体１１は、四角形状の板状体であり、その対向する辺部に外部の実装基板（図示せず）にネジ止めするためのネジ止め用の孔（図示せず）が設けられている。
【０００４】
また、載置部１１ａを囲繞するようにして基体１１の上側主面に銀（Ａｇ）ロウ等の接合材を介して接合されるとともに、側部に半導体素子Ｂ１と外部電気回路（図示せず）とを電気的に接続する入出力端子１３を嵌着接合するための貫通孔または切欠き部から成る取付部１２ａが設けられた枠体１２を有する。図４の場合、取付部１２ａは枠体１２の下側を切り欠いた切欠き部から成る。また、枠体１２の上面にはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等から成る蓋体１９がシーム溶接等の接合法により接合され、パッケージＡ１の内部を気密に封止する。
【０００５】
入出力端子１３は、枠体１２の取付部１２ａに嵌着されており、図５（ｂ）の断面図に示すように、上面に線路導体１７が形成された平板部１４の上面に、この線路導体１７を挟持して上面に立壁部１５が接合されている。また、平板部１４の下面、立壁部１５の上面、平板部１４および立壁部１５の側面には、線路導体１７を擬似同軸状に囲む接地導体として機能するとともに、枠体１２の取付部１２ａの内周面にＡｇロウ等の接合材を介して接合される接合媒体として機能するメタライズ層が形成されている。
【０００６】
線路導体１７の枠体１２外側の部位の表面には、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属材料から成り、Ａｇロウ等のロウ材１６で接合されて入出力端子１３と外部電気回路との電気的接続を行なうためのリード端子１８が接合される。一方、線路導体１７の枠体１２内側の部位には、Ａｕ，アルミニウム（Ａｌ）等の線材から成り、超音波接合法や熱圧着法等により半導体素子Ｂ１の電極と入出力端子１３との電気的接続を行なうためのボンディングワイヤ（図示せず）が接続される。
【０００７】
このような入出力端子１３を構成する誘電体としては、一般にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）質焼結体等のセラミックスが用いられ、線路導体１７としては、電気抵抗が小さく、入出力端子１３のセラミックスと同時焼成により微細な配線パターンの形成が可能なＷ，モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属が用いられている。
【０００８】
入出力端子１３は一般にセラミックグリーンシート積層法によって作製され、セラミックスの原料粉末と有機バインダとから主に構成されるセラミックグリーンシートに、打ち抜き加工、線路導体１７および接地用導体となる導体ペーストの印刷、積層、切断、焼成およびめっきの各工程を施して作製される。
【０００９】
そして、パッケージＡ１は、基体１１の載置部１１ａに半導体素子Ｂ１を錫（Ｓｎ）−鉛（Ｐｂ）半田等の低融点ロウ材で載置固定させるとともに、半導体素子Ｂ１の電極をボンディングワイヤを介して入出力端子１３の線路導体１７に電気的に接続し、その後、枠体１２の上面に、蓋体１９を周知のシーム溶接法等の接合法により接合して、基体１１と枠体１２と蓋体１９とを備えた容器内部に半導体素子Ｂ１を気密に収容することにより、図６に示すように製品としての半導体装置Ｃ１となる。
【００１０】
このような半導体装置Ｃ１は、例えば実装基板上にネジ止めされた後、外部電気回路から供給される高周波信号を入出力するための装置として機能し、無線通信の基地局等に多用されている（下記の特許文献１参照）。
【００１１】
〔特許文献１〕
特開平３−２０６６５３号公報（７頁の第１２図、第１４図）。
【００１２】
〔特許文献２〕
特開平７−２８４６５１号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、電極数が極めて多いＭＭＩＣ等の半導体素子Ｂ１を収容するパッケージＡ１の要求が高まりつつあり、それに伴ない数多くの線路導体１７を入出力端子１３上に形成しなければならず、従って、限られたスペースに線幅を小さくした線路導体１７を形成する必要性が生じてきた。このような線路導体１７では、その幅が例えば０．２５ｍｍ程度のものがあり、この線路導体１７上にロウ材１６を介してリード端子１８を接合すると、ロウ材１６によるメニスカス１６ａの面積が小さくなってリード端子１８の接合強度が小さくなり、その結果リード端子１８が剥がれ易くなるという問題があった。
【００１４】
この問題の解決策として、図７に示すように平板部１４のリード端子１８との接合部側の端部をポンチで押さえることによって凹みを設けて、リード端子１８と線路導体１７とが成す大きな空隙を設け、この空隙にロウ材１６によるメニスカス１６ａが形成されるように工夫した入出力端子１３が提案されている（上記の特許文献２参照）。
【００１５】
ところが、この入出力端子１３においては、凹みを形成する位置がずれ易く、凹みの位置が少しでもずれると、ロウ材１６の量が不足してメニスカス１６ａの大きさが小さくなり、その結果、リード端子１８が小さい引張り応力によって容易に剥れるという不具合を招来していた。また、凹みを形成する位置がずれることによってリード端子１８と線路導体１７との間のロウ材１６の体積が変化し易くなるため、インダクタンス値がばらつき易くなって反射損失が大きくなり、よって高周波信号の伝送損失が大きくなるという問題点をも有していた。
【００１６】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、線路導体の幅が小さくなっても、ロウ材を介してリード端子を接合した場合にリード端子が容易に剥れることが無い入出力端子およびこの入出力端子を具備した半導体素子収納用パッケージならびに半導体装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上側主面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、該基体の前記上側主面に前記載置部を囲繞するようにして取着され、貫通孔または切欠き部からなる入出力端子の取付部を有する枠体と、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された線路導体を有する誘電体から成る四角形状の平板部および該平板部の上面に前記線路導体の一部を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部から成り、前記取付部に嵌着された入出力端子とを具備しており、前記平板部は、その上面の前記一辺側または前記他辺側の部位で前記枠体の外側に露出している部位が前記立壁部から側面にかけて下方に傾斜していることを特徴とする。
【００１８】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、入出力端子の平板部の上面の一辺側または他辺側の部位で枠体の外側に露出している部位が立壁部から側面にかけて下方に傾斜していることにより、リード端子が水平に線路導体に接合されることによってリード端子と線路導体との間のロウ材の体積がリード端子の先端から離れるにしたがって大きくなり、ロウ材の大きな面積のメニスカスを形成することができる。その結果、リード端子を上方に引張る応力が作用してもリード端子が容易に剥れることのないリード端子と線路導体との接合強度に優れるものとすることができる。
【００１９】
また、従来のように線路導体の所望の位置に精度良く凹みを設ける必要がなく、平板部の立壁部の外側の上面全面を立壁部から側面にかけて傾斜するだけでよく、リード端子と線路導体との間のロウ材のメニスカスの大きさをばらつきの小さいものとすることができる。その結果、リード端子と線路導体との接合強度のばらつきを小さくするとともにインダクタンス値のばらつきも小さくすることができる。
【００２０】
さらに、リード端子の接合位置が線路導体の線路方向に多少ずれたとしても、リード端子と線路導体との角度は一定に維持されるためリード端子と線路導体との接合強度およびインダクタンス値のばらつきを非常に小さくできる。
【００２１】
また、本発明の半導体装置は、本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置されるとともに前記線路導体に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に取着された蓋体とを具備していることを特徴とする。
【００２２】
本発明は、上記の構成により、上記本発明の作用効果を有するとともに半導体素子が長期に亘り正常かつ安定して作動し得る接合信頼性の高い半導体装置となる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明のパッケージについて以下に詳細に説明する。図１は、本発明のパッケージについて実施の形態の一例を示す斜視図であり、図２（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明のパッケージを構成する入出力端子の一例を示す斜視図および断面図である。また図３は本発明の半導体装置の断面図を示す。
【００２４】
これらの図において、Ａはパッケージ、Ｂは半導体素子、Ｃは半導体装置、１は基体、１ａは半導体素子Ｂの載置部、２は枠体、２ａは取付部、３は入出力端子、４は入出力端子３の平板部、４ａは平板部４のリード端子の接合部側の傾斜面、５は立壁部、６はロウ材、６ａはメニスカス、７は線路導体、８はリード端子である。
【００２５】
図１〜３に示すように、パッケージＡは、一般にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ合金等の金属材料から成り、上面に半導体素子Ｂが載置される載置部１ａを設けた基体１を有する。この基体１は、四角形状の板状体であり、その対向する辺部に外部の実装基板（図示せず）にネジ止めするためのネジ止め用の孔（図示せず）が設けられている。
【００２６】
また、載置部１ａを囲繞するようにして基体１の上側主面にＡｇロウ等の接合材を介して接合されるとともに、側部に半導体素子Ｂと外部電気回路（図示せず）とを電気的に接続する入出力端子３を嵌着接合するための貫通孔または切欠き部から成る取付部２ａが設けられた枠体２を有する。図１の場合、取付部２ａは枠体２の下側を切り欠いた切欠き部から成る。また、枠体２の上面にはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等から成る蓋体９がシーム溶接等の接合法により接合され、パッケージＡの内部を気密に封止する。
【００２７】
本発明のパッケージＡを構成する入出力端子３は、図１および図２（ａ），（ｂ）に示すように、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された線路導体７を有する誘電体から成る四角形状の平板部４および平板部４の上面に線路導体７の一部を間に挟んで接合された誘電体から成る直方体状の立壁部５とから構成され、平板部４は、その上面のリード端子８の接合部側の部位が立壁部５から側面にかけて下方に傾斜している。
【００２８】
これにより、リード端子８が水平に線路導体７に接合されることによってリード端子８と線路導体７との間のロウ材６の体積がリード端子８の先端から離れるにしたがって大きくなり、ロウ材６の大きな面積のメニスカス６ａを形成することができる。その結果、リード端子８を上方に引張る応力が作用してもリード端子８が容易に剥れることのないリード端子８と線路導体７との接合強度に優れるものとすることができる。
【００２９】
また、従来のように線路導体７の所望の位置に精度良く凹みを設ける必要がなく、平板部４の立壁部５の外側の上面全面を立壁部５から側面にかけて傾斜するだけでよく、リード端子８と線路導体７との間のロウ材６のメニスカス６ａの大きさをばらつきの小さいものとすることができる。その結果、リード端子８と線路導体７との接合強度のばらつきを小さくするとともにインダクタンス値のばらつきも小さくすることができる。
【００３０】
さらに、リード端子８の接合位置が線路導体７の線路方向に多少ずれたとしても、リード端子８と線路導体７との角度は一定に維持されるためリード端子８と線路導体７との接合強度およびインダクタンス値のばらつきを非常に小さくできる。
【００３１】
平板部４は、上面にメタライズ層から成る線路導体７が形成されており、また、下面および側面には、線路導体７に対する接地導体として機能するとともに、枠体２の取付部２ａの内周面にＡｇロウ等の接合材を介して接合される接合媒体として機能するメタライズ層が形成されている。この線路導体７や接地導体としてのメタライズ層は、例えば、Ｗ，Ｍｏ等の金属粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを、セラミックグリーンシートに周知のスクリーン印刷法等により所定のパターンに印刷塗布し、焼成することにより形成される。
【００３２】
平板部４の傾斜面４ａの傾斜角は１０〜３０度が良く、この傾斜角が１０度未満では、線路導体７の幅が小さければ、これに応じてロウ材６のメニスカス６ａの大きさも小さくなり、その結果、リード端子８が小さな応力によって剥れ易くなる。また、傾斜角が３０度を超える場合には、ロウ材６が流れ易くなりリード端子８の先端のロウ材６の体積が減少してリード端子８と線路導体７との接合強度が低下し易くなる。また、傾斜面４ａを形成するに際して、平板部４のリード端子８接合部側を先端が傾斜した金型を用いてプレスする際、セラミックグリーンシートを押しつぶしてこの角度以上にすることが極めて困難である。
【００３３】
なお、傾斜面４ａは上に凸の曲面状あるいは下に凹んだ曲面状であってもよい。これらの曲面状とすることにより、リード端子８の先端から離れるに従ってリード端子８と傾斜面４ａとの距離がより大きくなり、リード端子８と傾斜面４ａとの間のロウ材６のメニスカス６ａをより大きくすることができる。
【００３４】
また平板部４は、図８に入出力端子３の断面図で示すように、上面のリード端子８が接合される側の部位で枠体２の外側に露出している部位が立壁部５から側面にかけて下方に傾斜しており、この傾斜した面、即ち傾斜面４ａに断面形状が三角形状の突出部４ｂを少なくとも１個有するのがよい。これにより、ロウ材６が傾斜した面を流れ落ちるのを有効に抑制してリード端子８と線路導体７との間にロウ材６の大きなメニスカス６ａをより形成し易くしてリード端子８と線路導体７との接合強度をより向上させることができる。
【００３５】
また、リード端子８が突出部４ｂに引っ掛かることにより、リード端子８をより位置精度よく接合することができる。
【００３６】
さらに、リード端子８の先端よりも枠体２の外側にずらした部位でリード端子８が線路導体７に支持されるように接合されることから、リード端子８の先端と線路導体７との間の距離を大きくすることができ、リード端子８の先端面と線路導体７との間に大きなメニスカスを形成することができ、リード端子８と線路導体７との接合強度をより向上させることができる。
【００３７】
このような突出部４ｂは、平板部４の傾斜面４ａの線路導体７に平行な一辺から対向する他辺にかけて形成されていてもよく、あるいは線路導体７の部位にのみ形成されていてもよい。
【００３８】
また、本発明の線路導体７は、平板部４のリード端子８接合部側の上面を傾斜させるために立壁部５と平板部４との境界部近傍で折れ曲がることになるが、上記の傾きの角度では線路導体７を通過する高周波信号はほとんど損失を発生させることなく伝送され、よって高周波特性を劣化させることがない。
【００３９】
線路導体７の表面には、酸化による腐食防止、ワイヤボンディングとの密着性向上、半田の濡れ性向上および線路導体７の表面の低電気抵抗化のために、Ａｕ，Ｃｕ，Ｔｉ，ＮｉおよびＰｄのうちの少なくとも１種からなる金属層が、無電解めっき法、電解めっき法等によって被着されていることが好ましい。特に、耐食性の向上と低電気抵抗化の点で、最表面はＡｕ層から成ることがより好ましい。
【００４０】
さらに、線路導体７中には、平板部４の誘電体との密着性を改善するために、誘電体を構成するセラミックスを主成分としたセラミック成分、あるいは誘電体組成と同一組成のセラミック成分を０．０５〜２体積％の割合で含有させることが好ましい。
【００４１】
また、線路導体７のリード端子８の接合部側には、外部電気回路から入出力端子３への高周波信号を入力させるためのＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属材料から成るリード端子８が、Ａｇロウ等のロウ材６で接合される。
【００４２】
入出力端子３の平板部４は、Ａｌ２Ｏ３を主成分とするＡｌ２Ｏ３質セラミックスから成るのがよく、Ａｌ２Ｏ３質セラミックスは、相対密度が９５％以上、特に９７％以上、さらには９９％以上の高緻密体から形成されていることが好適であり、高熱伝導性と高強度を具備するものとなる。また、このセラミックス中には、第２成分として酸化珪素（ＳｉＯ２）、および酸化マグネシウム（ＭｇＯ），酸化カルシウム（ＣａＯ），酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等のアルカリ土類元素の酸化物の１種以上を含有させるのがよく、メタライズ層との同時焼結性を向上させ得る。その含有量は、ＳｉＯ２が２〜１５重量％であり、上記同時焼結性の点からは３〜１０重量％がより好適である。また、アルカリ土類元素の酸化物は、合計が０．１〜４重量％が良く、さらに同時焼結性の点からは０．２〜２．５重量％が良い。さらに、第３成分としてＷ，Ｍｏ，クロム（Ｃｒ）等の金属を着色成分として２重量％以下の割合で含有させても良い。
【００４３】
また立壁部５は、平板部４と同様の誘電体から成り、その上面全面に線路導体７と同様のメタライズ層が形成されるとともに、枠体２の取付部２ａの内周面に接合される側面にもメタライズ層が形成されている。このメタライズ層は、線路導体７等と同様の方法により金属ペーストを所定パターンに印刷塗布し焼成することにより形成される。
【００４４】
かくして得られた入出力端子３は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ合金等の金属材料から成る基体１の上側主面に接合された枠体２の側部の取付部２ａにＡｇロウ等のロウ材により嵌着接合される。これにより、枠体２の一部となって内外を気密に仕切るとともに枠体２の内外を導通するための導電路ともなる。
【００４５】
次に、本発明の入出力端子３の製造方法について、以下の工程［１］〜［６］を具体的に説明する。また、この説明は多数個取りによる製造方法に基づくものである。
【００４６】
［１］先ず、入出力端子３の平板部４と立壁部５とを形成するために、主成分となるＡｌ２Ｏ３原料粉末に第２成分としてＳｉＯ２およびＭｇＯ，ＣａＯを添加し、またＳｒＯ等のアルカリ土類元素の酸化物の１種以上を０．１〜４重量％、より好ましくは０．２〜２．５重量％の割合で添加する。更に、第３成分としてＷ，Ｍｏ，Ｃｒ等の遷移金属の金属粉末や酸化物粉末等を着色成分として金属換算で２重量％以下の割合で添加、混合する。
【００４７】
［２］この混合粉末から周知の成形方法によりシート状の成形体を作製する。具体的には、この混合粉末に有機バインダーや溶媒を添加してスラリーを調製し、得られたスラリーをドクターブレード法によりシート状に成形する。または、この混合粉末に有機バインダー添加し、ついでプレス成形法や圧延成形法により所定の厚さのグリーンシートを作成することもできる。
【００４８】
［３］複数枚のグリーンシートの所定の箇所に導体ペーストを印刷、積層して平板部４、および立壁部５となるグリーンシート積層体を作製する。
【００４９】
［４］次に、平板部４のグリーンシート積層体の上面に立壁部５のグリーンシート積層体を積層圧着する。
【００５０】
［５］次いで、平板部４となるグリーンシートのリード端子８接合部側の表面を先端に傾斜部が形成された金型で押圧することにより、表面に傾斜面４ａを形成する。このときの圧力は、積層時の圧力の１．２乃至２倍が適している。このように押圧された平板部４は焼成後に傾斜面４ａとなり、また線路導体７となる印刷パターンが押圧された面と押圧されてない面との境界で断線することもない。
【００５１】
［６］そして、非酸化性雰囲気中、焼成温度１６００℃程度で平板部４および立壁部５を焼成一体化して入出力端子３を得る。焼成時の非酸化性雰囲気としては、窒素、または窒素と水素の混合雰囲気であることが好ましい。この非酸化性雰囲気にはアルゴンガス等の不活性ガスを混入しても良い。
【００５２】
［７］その後、入出力端子３のメタライズ層および線路導体７の表面に、無電解めっき法または電解めっき法により、Ｎｉめっきを０．５〜９μｍの厚さで被着させる。
【００５３】
そして、このようにして得られた入出力端子３を基体１上における枠体２の取付部２ａにＡｇロウからなる接合材を介して嵌着させ線路導体７の枠体２外側の部位に、外部電気回路と入出力端子３との高周波信号の入出力を行なうためのＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ等の金属材料から成るリード端子８が、Ａｇロウ等の接合材で接合されてパッケージＡとなる。リード端子８は複数本のリード端子８が枠状のリードフレームの内周から突出するようにして形成されたリードフレームが周知のカーボン治具上にロウ材を介して載置され、次いで、例えば最高温度が８４０℃に設定されたブレージング炉を通すことで入出力端子３の線路導体７上にロウ付けされる。したがって、各リード端子８は線路導体７の平板部４の表面の傾きに関わりなく水平な状態で入出力端子３に接合されることにより、メニスカス６ａも同時に形成されることになる。
【００５４】
次いで、パッケージＡ、およびリードフレームの表面に無電解めっき法や電解めっき法にてＮｉめっきおよびＡｕめっきが被着されるとともに各リード端子８が個々に切り離され、さらに、基体１上の載置部１ａに半導体素子Ｂを載置して収容し、蓋体９を枠体２の上面に接合してパッケージＡの内部を気密に封止することにより図３に示す本発明の半導体装置Ｃが得られる。
【００５５】
【実施例】
本発明の実施例を以下に説明する。図２の入出力端子３を以下のように構成した。すなわち、グリーンシート積層法を用いて縦３ｍｍ、横２ｍｍ、厚さ１ｍｍの平板部４において、幅０．２５ｍｍ、厚さ１５μｍのＷからなる線路導体７が形成され、また下面の全面に接地導体が形成されるとともに、平板部４の上に、高さ１ｍｍ、厚さ１ｍｍの立壁部５を接合した構成とし、立壁部５の上面には接地導体が形成された構成とした。
【００５６】
そして平板部４のリード端子８の接合部側には傾斜面４ａを、その傾きが種々の角度（表１参照）となるように形成したものを、各１０サンプルずつ計９０個用意し、これを枠体２の対向する２つの取付部２ａにおいてＡｇロウで嵌着したパッケージＡとした。このとき同時に幅が０．２ｍｍの２本のリード端子８をリードフレームの状態で水平にＡｇロウ（ＢＡｇ８：ＪＩＳＺ３２６１）から成るロウ材６で接合した。なお、このリード端子８を接合するためのロウ材６の量は、傾きが形成されていない従来の入出力端子にリード端子を接合するときの必要量に対して８０％の量とした。このような少ない量のロウ材６を用いることにより、従来の入出力端子ではロウ材が少なくて必要な大きさのメニスカスが充分に形成されずリード端子と線路導体との接合強度が小さくなる状態とすることができ、従来との差をより明確にするためにこの量で評価した。
【００５７】
次いで線路導体７およびリード端子８ニッケル（Ｎｉ）めっきを施し、さらにリード端子８をリードフレームから切り離して各傾きを有するサンプルに対して各５個ずつの計４５個のテスト用サンプルとした。
【００５８】
また、比較用として図７に示すように、平板部１４の上面を傾斜面ではなく水平な面とし、上面の辺部に底面が平らな凹部を形成した入出力端子１３を１０個作製し、これを２個ずつ用いたパッケージを５個作製し、次いでリード端子１８をロウ材１６で接合した比較用サンプルを５個作製しテストに供した。このとき、Ａｇロウの量をテスト用サンプルと同様に必要量の８０％程度に調整した。これを比較用サンプルとした。
【００５９】
テストはリード端子８をテスト用サンプルおよび比較用サンプル上の線路導体７の端部で直角に上方に折り曲げ、折り曲げたリード端子８の端部を挟んで上方へ垂直方向に引張ること（いわゆるピール法）によって測定した。表１に評価結果を示す。本発明の入出力端子３においてはそれぞれの傾きを有するサンプルにおいて得られた１０個の引張り強度の平均値とともに最大、最小値を示し、また比較例では１０個の測定結果を全て示した。
【００６０】
【表１】
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【００６１】
表１より、本発明の入出力端子３を嵌着させたテスト用サンプルでは、比較用の入出力端子１３を用いた比較用サンプルに比較して接合強度の確実な向上が見られた。特に最小値の値を比較すると４１％程度向上していることから、本発明の入出力端子３はリード端子８の接合強度が比較例に比して大きく向上していることが判明した。
【００６２】
そして、傾きの大きさが大きくなっても引張り強度の大きさに大きな差が見られないのは、メニスカス６ａの大きさが傾きの大きさによって大きく変化していないためであると考えられる。
【００６３】
なお、本発明は以上の実施の形態の例および実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことは何等支障ないことは勿論である。
【００６４】
【発明の効果】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上側主面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、この基体の上側主面に載置部を囲繞するようにして取着され、貫通孔または切欠き部からなる入出力端子の取付部を有する枠体と、上面の一辺側から対向する他辺側にかけて形成された線路導体を有する誘電体から成る四角形状の平板部およびこの平板部の上面に線路導体の一部を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部から成り、取付部に嵌着された入出力端子とを具備しており、平板部は、その上面の一辺側または他辺側の部位で枠体の外側に露出している部位が立壁部から側面にかけて下方に傾斜していることにより、リード端子が水平に線路導体に接合されることによってリード端子と線路導体との間のロウ材の体積がリード端子の先端から離れるにしたがって大きくなり、ロウ材の大きな面積のメニスカスを形成することができる。その結果、リード端子を上方に引張る応力が作用してもリード端子が容易に剥れることのないリード端子と線路導体との接合強度に優れるものとすることができる。
【００６５】
また、従来のように線路導体の所望の位置に精度良く凹みを設ける必要がなく、平板部の立壁部の外側の上面全面を立壁部から側面にかけて傾斜するだけでよく、リード端子と線路導体との間のロウ材のメニスカスの大きさをばらつきの小さいものとすることができる。その結果、リード端子と線路導体との接合強度のばらつきを小さくするとともにインダクタンス値のばらつきも小さくすることができる。
【００６６】
さらに、リード端子の接合位置が線路導体の線路方向に多少ずれたとしても、リード端子と線路導体との角度は一定に維持されるためリード端子と線路導体との接合強度およびインダクタンス値のばらつきを非常に小さくできる。
【００６７】
また、本発明の半導体装置は、本発明の半導体素子収納用パッケージと、載置部に載置されるとともに線路導体に電気的に接続された半導体素子と、枠体の上面に取着された蓋体とを具備していることにより、上記本発明の作用効果を有するとともに半導体素子が長期に亘り正常かつ安定して作動し得る接合信頼性の高い半導体装置となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージについて実施の形態の一例を示す斜視図である。
【図２】（ａ）は図１の半導体素子収納用パッケージにおける入出力端子の斜視図、（ｂ）は（ａ）の入出力端子の断面図である。
【図３】本発明の半導体装置について実施の形態の一例を示す断面図である。
【図４】従来の半導体素子収納用パッケージの斜視図である。
【図５】（ａ）は図４の半導体素子収納用パッケージにおける入出力端子の斜視図、（ｂ）は（ａ）の入出力端子の断面図である。
【図６】従来の半導体装置の断面図である。
【図７】従来の半導体素子収納用パッケージにおける入出力端子の断面図である。
【図８】本発明の半導体素子収納用パッケージについて実施の形態の他の例を示す入出力端子の断面図である。
【符号の説明】
１：基体
１ａ：載置部
２：枠体
２ａ：取付部
３：入出力端子
４：平板部
４ａ：傾斜面
５：立壁部
６：ロウ材
６ａ：メニスカス
７：線路導体
８：リード端子
Ａ：半導体素子収納用パッケージ
Ｂ：半導体素子
Ｃ：半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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