(57)【要約】【課題】ＣＯＦ（チップオンフィルム）工法を用いた半導体装置において、半導体チップの電極パッド間が狭ピッチ化のため、樹脂封止時に電極パッド近辺にボイドが発生するという問題があった。【解決手段】フィルム基材５の所定の導体配線６に半導体チップ１のＡｕバンプ４を接続する際、半導体チップ１とフィルム基材５の間の隙間が大きくなるようにフィルム基材５を撓ませた状態２０で半導体チップ１を接続する。この状態で樹脂７をノズル８で半導体チップ１側面から注入し、その後にフィルム基材６をツール２２で押圧して半導体チップ１側面より樹脂７をはみ出させる。これにより樹脂注入時にバンプ４近傍に発生したボイドを外に押し出し消失することができる。この後、樹脂７を硬化させる。【選択図】        図１
2004221319.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状の表面に配列された複数の電極上にバンプが形成されかつ前記複数の電極のうち前記矩形状の表面の少なくとも一辺に沿った電極が千鳥配列された半導体チップの前記表面と、配線電極が形成されたフィルム基板の表面とを対向させて前記バンプと前記配線電極とを接続する工程と、前記半導体チップと前記フィルム基板との間に封止樹脂を注入する工程と、前記封止樹脂を硬化させる工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記バンプと前記配線電極とを接続する際、前記半導体チップと前記フィルム基板との間隔が前記半導体チップの前記電極が存在する周辺部よりも前記電極が存在しない中央部の方が大きくなるように前記中央部に対向する前記フィルム基板の部分を外側へ撓ませた状態で接続し、前記封止樹脂を注入後で硬化させる前に、前記フィルム基板を前記半導体チップ側と反対側から押圧することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
矩形状の表面に配列された複数の電極上にバンプが形成されかつ前記複数の電極のうち前記矩形状の表面の少なくとも一辺に沿った電極が千鳥配列された半導体チップの前記表面と、配線電極が形成されたフィルム基板の表面とを対向させて前記バンプと前記配線電極とを接続する工程と、前記半導体チップと前記フィルム基板との間に封止樹脂を注入する工程と、前記封止樹脂を硬化させる工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記封止樹脂を注入する工程は、前記半導体チップおよびフィルム基板を水平面に対し傾斜させた状態にし前記半導体チップの位置が高い方の辺と前記フィルム基板との隙間から前記封止樹脂を注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
矩形状の表面に配列された複数の電極上にバンプが形成されかつ前記複数の電極のうち前記矩形状の表面の少なくとも一辺に沿った電極が千鳥配列された半導体チップの前記表面と、配線電極が形成されたフィルム基板の表面とを対向させて前記バンプと前記配線電極とを接続する工程と、前記フィルム基板を第１の温度に加熱しながら前記半導体チップと前記フィルム基板との間に封止樹脂を注入する工程と、前記封止樹脂を硬化させる工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記バンプと前記配線電極とを接続した後、前記封止樹脂を注入する直前に、前記フィルム基板を前記第１の温度よりも低い第２の温度で加熱する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
第２の温度は、３０〜６０［℃］であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
矩形状の表面に配列された複数の電極上にバンプが形成されかつ前記複数の電極のうち前記矩形状の表面の少なくとも一辺に沿った電極が千鳥配列された半導体チップの前記表面と、配線電極が形成されたフィルム基板の表面とを対向させて前記バンプと前記配線電極とを接続する工程と、前記半導体チップと前記フィルム基板との間に封止樹脂を注入する工程と、前記封止樹脂を硬化させる工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記バンプと前記配線電極とを接続する工程の前に、前記半導体チップの表面に電極の間を通って前記封止樹脂の注入方向に向けて枝分かれした突起を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
矩形状の表面に配列された複数の電極上にバンプが形成されかつ前記複数の電極のうち前記矩形状の表面の少なくとも一辺に沿った電極が千鳥配列された半導体チップの前記表面と、配線電極が形成されたフィルム基板の表面とを対向させて前記バンプと前記配線電極とを接続する工程と、前記半導体チップと前記フィルム基板との間に封止樹脂を注入する工程と、前記封止樹脂を硬化させる工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記バンプと前記配線電極とを接続する工程の前に、前記半導体チップの表面または前記フィルム基板の表面にプラズマを照射する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
バンプと配線電極とを接続する工程の前に、半導体チップの表面に電極の間を通って封止樹脂の注入方向に向けて枝分かれした突起を形成する工程を有することを特徴とする請求項１〜４のうちいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
バンプと配線電極とを接続する工程の前に、半導体チップの表面またはフィルム基板の表面にプラズマを照射する工程を有することを特徴とする請求項１〜５および７のうちいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
封止樹脂を注入する工程は、前記半導体チップの千鳥配列された電極に沿った辺とフィルム基板との隙間から前記封止樹脂を注入することを特徴とする請求項１〜８のうちいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フィルム基材を用いたチップオンフィルム（ＣＯＦ）工法に関する半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ノートＰＣ、液晶ＴＶ、携帯電話、カーナビゲーションなどに代表されるように、液晶ディスプレイの需要は爆発的に急増している。液晶で画像を表現する方式はＳＴＮ、ＴＦＴと言った方式が主流であるが、画像の色彩の鮮やかさ、高輝度、動画への対応などで液晶を駆動する半導体装置、液晶ドライバーも日々高性能化が要求される。
【０００３】
従来、液晶ドライバーと呼ばれる半導体装置は、
（１）液晶のガラス基板周縁上に実装するＣＯＧ（チップ・オン・グラス）工法（２）ＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）と呼ばれるパッケージを液晶のガラス基板周縁上に実装する工法
が採用されてきた。上記（２）のＴＣＰの中には、ＴＡＢ（テープ・オートメイテッド・ボンディング）工法とＣＯＦ（チップオンフィルム）工法が存在する。
【０００４】
ＴＡＢ工法について図面を参照しながら説明する。図９（ａ）はＴＡＢ工法を説明するための製造工程の斜視図であり、図９（ｂ）は同工程の断面図である。図９に示すとおり、半導体チップ１を接続する部分にフィルム基材５にデバイスホール２５が開口されている。ここでデバイスホール２５にフィルム基材５より配線６をわずかに突出させ、半導体チップ１の電極パッド上のＡｕバンプ４と接合する（これをインナーリードボンディング（ＩＬＢ）と言う）。その後、デバイスホール２５にノズル８より樹脂７を滴下し半導体チップ１の表面を覆う。
【０００５】
しかしながら、このＴＡＢ工法に変わってＣＯＦ工法が近年、増加してきている。このＣＯＦ工法はデバイスホールが無く、導体配線を形成したフィルム基板上で半導体チップを接続する。この構成は狭ピッチ化した半導体チップのＡｕバンプをより安定してフィルム基板上の導体配線に接続できる利点がある。
【０００６】
ＣＯＦ工法を用いた従来の半導体装置について図面を参照しながら説明する。
【０００７】
まず図６は従来の半導体装置に使用する半導体チップの電極パッドのレイアウトを示す平面図およびその一部を拡大した図である。
【０００８】
図６に示すように、主に液晶駆動ドライバーとなる半導体チップ１は、その表面形状が長方形であり、映像を映し出すために液晶画面上を交錯する数百から数千本の走査線を電気信号によって駆動させる必要がある。それら１本１本の走査線をそれぞれ駆動させるため１つの半導体チップ１には、数百本以上のＩ／Ｏ端子となる電極パッド２を有する必要がある。しかしながら半導体チップ１の配線ルールは日毎に微小化し、それに対応して隣り合う電極パッド２のピッチも狭ピッチ化が進んでいる。現在の電極パッドピッチは約４０〜５０μｍ程度であるが、今後、狭ピッチ化は進展し４０μｍ未満となるのも目前になってきている。このために半導体チップを直接、液晶のガラス基板周縁上に実装するチップオングラス（ＣＯＧ）工法やＣＯＦ工法のようにフィルム基材の配線に接続する場合、図６のように半導体チップ１の電極パッド２の配列を２列以上で千鳥配列にすることは公知である（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
図７（ａ）はＣＯＦ工法による従来の半導体装置の製造方法を示す斜視図、図７（ｂ）はその断面図であり、図７（ｃ）はその一部分を拡大した断面図である。
【００１０】
ＣＯＦの構成は、複数のＡｕバンプ４を半導体チップ１の電極パッド２上に有し、Ａｕバンプ４は複数の導体配線６を有するフィルム基材５の導体配線６に接続され、半導体チップ１とフィルム基材５の間は、Ａｕバンプ４を含む半導体チップ１の表面となる電気回路側の全面を樹脂７で覆うように封止されている。フィルム基材５は複数の半導体装置を連続して製造出来るように、一つの半導体装置となる同一の配線６パターンが連続に連なっている。
【００１１】
この半導体装置の製造方法は、平面上に載置されたフィルム基材５の導体配線６を有する表面に、半導体チップ１のＡｕバンプ４を有する表面を下にして対向させ熱圧着することにより導体配線６とＡｕバンプ４を接続する工程と、Ａｕバンプ４を含む半導体チップ１表面側とフィルム基材５の間に液状の樹脂７を注入して覆い硬化する樹脂封止工程とを有している。
【００１２】
また、従来、半導体チップの電極パッド間が狭ピッチ化のため、樹脂封止時に電極パッド間近辺に発生するボイドを解決する方法としてフィルム基材のパターンを改善する工夫がなされてきた（例えば、特許文献２参照）。
【００１３】
【特許文献１】
特開昭６２−１５２１５４号公報（第１−２頁、第２図）
【特許文献２】
特開２００２−１２４５２６号公報（第５−６頁、図１、図２）
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来の半導体装置では、半導体チップの電極パッドが狭ピッチ化されかつ千鳥配列されているため、樹脂封止時に電極パッド近辺にボイドが発生するという問題があった。
【００１５】
この問題について図８を参照して説明する。図８は、樹脂封止時に半導体チップの電極パッド間にボイドが発生する様子を示したものであり、図８（ａ）はその平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）のＹ−Ｙ’断面図である。図８（ａ）に示す、矢印の樹脂注入方向から、接続された半導体チップ１の側面に沿ってノズル８（図７）によって液状の樹脂７を塗布、半導体チップ１とフィルム基材５の間へ注入する。そのときフィルム基材５の配線６と接続されたＡｕバンプ４の間より樹脂７が進入する。このときバンプ４近傍で空気の巻き込みを起こし、ボイド１９（空隙）が発生する。ここで半導体チップ１とフィルム基材５の間はわずか１０〜３０μｍしかなく、導体配線６間の隙間も１０〜２５μｍである。
【００１６】
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、ＣＯＦ工法を用いた半導体装置において、半導体チップの電極（電極パッド）の狭ピッチ化による樹脂封止時の電極周辺のボイドの発生を防止することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、矩形状の表面に配列された複数の電極上にバンプが形成されかつ複数の電極のうち矩形状の表面の少なくとも一辺に沿った電極が千鳥配列された半導体チップの表面と、配線電極が形成されたフィルム基板の表面とを対向させてバンプと配線電極とを接続する工程と、半導体チップとフィルム基板との間に封止樹脂を注入する工程と、封止樹脂を硬化させる工程とを含む半導体装置の製造方法であって、以下の点を特徴とする。
【００１８】
本発明の請求項１に記載の半導体装置の製造方法は、バンプと配線電極とを接続する際、半導体チップとフィルム基板との間隔が半導体チップの電極が存在する周辺部よりも電極が存在しない中央部の方が大きくなるように中央部に対向するフィルム基板の部分を外側へ撓ませた状態で接続し、封止樹脂を注入後で硬化させる前に、フィルム基板を半導体チップ側と反対側から押圧することを特徴とする。
【００１９】
この請求項１によれば、フィルム基板に撓みを持たせた状態で半導体チップを接続し、封止樹脂を注入後で硬化させる前に、フィルム基板を半導体チップ側と反対側から押圧することにより、フィルム基板の外側への撓みをとって封止樹脂を半導体チップとフィルム基板の間からはみ出させるとともに、樹脂注入時に発生したボイドを外に押し出すことができるため、半導体チップの電極の狭ピッチ化による樹脂封止時の電極周辺のボイドの発生を防止できる。
【００２０】
本発明の請求項２に記載の半導体装置の製造方法は、封止樹脂を注入する工程は、半導体チップおよびフィルム基板を水平面に対し傾斜させた状態にし半導体チップの位置が高い方の辺とフィルム基板との隙間から封止樹脂を注入することを特徴とする。
【００２１】
この請求項２によれば、半導体チップおよびフィルム基板を水平面に対し傾斜させた状態にして高い方の隙間から封止樹脂を注入することにより、封止樹脂の流れを改善できるため、半導体チップの電極の狭ピッチ化による樹脂封止時の電極周辺のボイドの発生を防止できる。
【００２２】
本発明の請求項３に記載の半導体装置の製造方法は、バンプと配線電極とを接続した後、封止樹脂を注入する直前に、フィルム基板を封止樹脂を注入するときに加熱する第１の温度よりも低い第２の温度で加熱する工程を有することを特徴とする。
【００２３】
この請求項３によれば、封止樹脂を注入する直前に、フィルム基板を封止樹脂を注入するときに加熱する温度よりも低い温度で加熱することにより、フィルム基板の封止樹脂との濡れ性を向上させることができ、封止樹脂の流れを改善できるため、半導体チップの電極の狭ピッチ化による樹脂封止時の電極周辺のボイドの発生を防止できる。
【００２４】
本発明の請求項４に記載の半導体装置の製造方法は、請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、第２の温度は、３０〜６０［℃］であることを特徴とする。このように温度設定することが好ましい。
【００２５】
本発明の請求項５に記載の半導体装置の製造方法は、バンプと配線電極とを接続する工程の前に、半導体チップの表面に電極の間を通って封止樹脂の注入方向に向けて枝分かれした突起を形成する工程を有することを特徴とする。
【００２６】
この請求項５によれば、半導体チップの表面に上述の突起を形成することにより、封止樹脂を注入する際、封止樹脂の流動を促進することができ、半導体チップの電極の狭ピッチ化による樹脂封止時の電極周辺のボイドの発生を防止できる。
【００２７】
本発明の請求項６に記載の半導体装置の製造方法は、バンプと配線電極とを接続する工程の前に、半導体チップの表面またはフィルム基板の表面にプラズマを照射する工程を有することを特徴とする。
【００２８】
この請求項６によれば、半導体チップの表面またはフィルム基板の表面にプラズマを照射することにより、半導体チップまたはフィルム基板の表面の封止樹脂との濡れ性を向上させることができ、封止樹脂の流れを改善できるため、半導体チップの電極の狭ピッチ化による樹脂封止時の電極周辺のボイドの発生を防止できる。
【００２９】
本発明の請求項７に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１〜４のうちいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、バンプと配線電極とを接続する工程の前に、半導体チップの表面に電極の間を通って封止樹脂の注入方向に向けて枝分かれした突起を形成する工程を有することを特徴とする。
【００３０】
この請求項７によれば、請求項１〜４のうちいずれかの効果に加え、半導体チップの表面に上述の突起を形成することにより、封止樹脂を注入する際、封止樹脂の流動を促進することができ、半導体チップの電極の狭ピッチ化による樹脂封止時の電極周辺のボイドの発生をより防止できる。
【００３１】
本発明の請求項８に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１〜５および７のうちいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、バンプと配線電極とを接続する工程の前に、半導体チップの表面またはフィルム基板の表面にプラズマを照射する工程を有することを特徴とする。
【００３２】
この請求項８によれば、請求項１〜５および７のうちいずれかの効果に加え、半導体チップの表面またはフィルム基板の表面にプラズマを照射することにより、半導体チップまたはフィルム基板の表面の封止樹脂との濡れ性を向上させることができ、封止樹脂の流れを改善できるため、半導体チップの電極の狭ピッチ化による樹脂封止時の電極周辺のボイドの発生をより防止できる。
【００３３】
本発明の請求項９に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１〜８のうちいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、封止樹脂を注入する工程は、半導体チップの千鳥配列された電極に沿った辺とフィルム基板との隙間から封止樹脂を注入することを特徴とする。
【００３４】
この請求項９のように、半導体チップの千鳥配列された電極に沿った辺とフィルム基板との隙間から封止樹脂を注入することが好ましい。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下で述べる各実施の形態はいずれも、ＣＯＦ工法による半導体装置について説明したものであり、その半導体装置の製造工程のうち主に本発明の特徴点について説明する。
【００３６】
（第１の実施の形態）
図１は本発明の第１の実施の形態である、半導体装置の製造工程の一部を示す断面図である。
【００３７】
図１では、半導体装置の製造工程の内、半導体チップ１の接続工程と樹脂封止工程を示している。フィルム基材５の所定の導体配線６に半導体チップ１のＡｕバンプ４を接続する工程において、半導体チップ１とフィルム基材５の間の隙間が大きくなるようにフィルム基材５を撓ませた状態２０で、ボンディングツール１７で半導体チップ１を押圧して接続し、樹脂封止工程で樹脂７をその隙間に入るようにノズル８で半導体チップ１側面から注入し、その後にフィルム基材６をツール２２で押圧して半導体チップ１側面より樹脂７をはみ出させる。これによりバンプ４近傍に発生したボイドを外に押し出し消失することができる。この後、樹脂７を硬化させる。ここで例えば、本実施の形態ではフィルム基材５をボンディングステージ１６の吸着孔２１で吸着しながら半導体チップ１を接続することによりフィルム基材５の撓ませた状態２０を作り出している。
【００３８】
以上のように本実施の形態によれば、フィルム基材６に撓みを持たせた状態で半導体チップ１を接続し、樹脂７を塗布し硬化する前に撓みを元に戻し、樹脂７を半導体チップ１からはみ出させることにより、樹脂７注入時に発生したボイドを外に押し出すことができるため、半導体チップ１の電極パッド２の狭ピッチ化による樹脂封止時の電極パッド２周辺のボイドの発生を防止できる。
【００３９】
（第２の実施の形態）
図２は本発明の第２の実施の形態である、半導体装置の製造工程の一部を示す図であり、図２（ａ）は斜視図、図２（ｂ）は断面図である。
【００４０】
図２に示すように、半導体装置の製造工程の内、樹脂封止工程を示しており、封止樹脂の流動性を良好にするため、樹脂封止工程の樹脂塗布ステージ１１は５゜から４５゜の傾斜角１４を持つ。例えば本実施の形態では傾斜角１４を３０゜とし、この斜角でノズル８から半導体チップ１の所定の側面に沿って樹脂７を注入する。この後、樹脂７を硬化させる。
【００４１】
以上のように本実施の形態によれば、樹脂封止時の樹脂塗布ステージ１１に角度１４をもたせ樹脂７の流れを改善することにより、半導体チップ１の電極パッド２の狭ピッチ化による樹脂封止時の電極パッド２周辺のボイドの発生を防止できる。また、さらに樹脂塗布ステージ１１にひねり角度をつけて、樹脂注入始めの半導体チップ１の角部箇所が一番高い位置にすることでより高い効果を得られる。これは液体が狭い部分に浸透する毛細管現象と重力の２つを利用したものである。ここで更に樹脂塗布ステージ１１に角度１４を付けて樹脂封止する効果として、樹脂７を滴下した直後は樹脂７が重力に従って半導体チップ１が置かれた下方に向かおうとするため、樹脂７が上方に広がりにくくなり、その結果、封止樹脂の領域を小さく成形できる利点もある。
【００４２】
（第３の実施の形態）
図３は本発明の第３の実施の形態である、半導体装置の製造工程の一部を示す断面図であり、図３（ａ）は図３（ｂ）の樹脂塗布ステージ１１上の拡大図である。
【００４３】
図３は、半導体装置の製造工程の内、樹脂封止工程を示している。半導体チップ１とフィルム基材５の間に樹脂７を注入し、Ａｕバンプ４を含む半導体チップ１の表面となる電気回路側の全面を樹脂７で覆う樹脂封止工程において、封止樹脂７の流動性を良好にするため、樹脂封止７塗布前に、フィルム基材５直下に事前加熱ヒーター１０を設置する。そして封止樹脂７塗布時の温度よりも１０℃から４０℃低い温度（ただし、３０〜６０℃の範囲内）でプリヒートする。例えば本実施の形態の場合、ヒーター１０の温度は５０℃に設定されている。そして次に樹脂封止塗布時は封止樹脂７の粘度が低粘度で濡れ性が向上するような温度に設定する。例えば本実施の形態の場合、樹脂塗布ステージ１１の温度は８０℃に設定されている。また他の方法として、温度雰囲気にさらす方法や、赤外線で部分的に温度を上げる方法を用いてもよい。樹脂封止塗布直後は封止樹脂７がある程度固化し、他の部分へ流れ出さないようにするために必要な温度、例えば本実施の形態の場合、仮硬化炉または本硬化炉１２内の温度は１２０℃の熱を負荷する。更に、封止樹脂７のシリンジ２４を電熱コイル１３で熱し、塗布直前の封止樹脂７を３０℃から６０℃の温度で保持する。例えば本実施の形態の場合では４０℃で熱している。
【００４４】
以上のように本実施の形態によれば、樹脂７を塗布する直前にヒーター１０で加熱することにより、フィルム基材５の樹脂７との濡れ性を向上させ樹脂７の流れを改善でき、半導体チップ１とフィルム基材５の間を速やかに樹脂７が浸透し、半導体チップ１の電極パッド２の狭ピッチ化による樹脂封止時の電極パッド２周辺のボイドの発生を防止できる。
【００４５】
更に、樹脂７のシリンジ２４にもヒーター（電熱コイル１３）を取付け、樹脂粘度を低下させることにより、樹脂７の流れがより改善されて、半導体チップ１とフィルム基材５の間をより速やかに樹脂７が浸透し、ボイドの発生をより防止できる。
【００４６】
図４は本実施の形態に使用した、液状エポキシ樹脂である封止樹脂７の温度と粘度特性の相関を示すグラフの一例であり、横軸に温度、縦軸に粘度を示している。
【００４７】
図４に示すように、液状エポキシ樹脂の温度と粘度の相関は常温である２０℃では粘度は約１Ｐａ・Ｓであるが、４０℃で０．２０Ｐａ・Ｓ、６０℃で０．０３Ｐａ・Ｓとなる。しかしながら、温度が８０℃を越えると樹脂の硬化反応が始まることから、実際には樹脂７塗布前の温度負荷は６０℃以下に抑える必要がある。
【００４８】
（第４の実施の形態）
図５は本発明の第５の実施の形態で使用する半導体チップの一例を示す平面図とその拡大図である。
【００４９】
図５に示すように、半導体チップ１の電極パッド２の少なくとも一部が千鳥配列になっており、半導体チップ１の電極パッド２を除く部分にポリイミドで毛細血管状の突起パターン３を形成している。この毛細血管状のパターン３で樹脂封止工程での樹脂７の流れを助長し、電極パッド２間周辺のボイドを解消する。毛細血管状のパターン３の線幅は０．０１μｍ〜０．５μｍ程度の線幅で設定し、木の枝のように先端に行くにほど枝分かれしたデザインとなる。
【００５０】
毛細血管状のパターン３は半導体チップ１上に樹脂によって相互進入高分子網目（Ｉｎｔｅｒｐｅｎｅｔｒａｔｉｎｇ  ｐｏｌｙｍｅｒ  ｎｅｔｗｏｒｋｓ）を形成することであり、線状ポリマーの分子間同士が緻密な架橋して人体の毛細管のように網目が絡み合った構造にできる。例えばエポキシ樹脂を主成分として形成する場合、例えばグリシジルメタクリレート系エキポキシ樹脂とアクリルモノマーの組成に橋かけ剤としてエチレングリコールジメタアクリレートを１〜３％加えることで形成できる。
【００５１】
以上のように、半導体チップ１表面に千鳥配列された電極パッド２の間を通る毛細血管状のパターン３を形成することで、半導体チップ１の接続工程の後の樹脂封止工程において樹脂７の流動を促進することができ、半導体チップ１の電極パッド２の狭ピッチ化による樹脂封止時の電極パッド２周辺のボイドの発生を防止できる。
【００５２】
また、半導体チップ１とフィルム基材５とを接続する工程より前に、半導体チップ１またはフィルム基材５の表面にさらにプラズマ照射１５を施すことにより、半導体チップ１またはフィルム基材５の表面の封止樹脂７との濡れ性を向上し、封止樹脂７の流れ性を改善してもよい。つまりこのプラズマ照射１５により、例えば照射対象物質がポリイミド材であればカルボキシル基やアミノ基等の反応性官能基を生成し濡れ性を向上すると共に、表面をエッチング（粗化）し、アンカー効果で密着性を向上させることができる。
【００５３】
なお、半導体チップ１の表面に毛細血管状のパターン３を形成するだけでもその効果は得られ、また、半導体チップ１またはフィルム基材５の表面にプラズマ照射１５を施すだけでもその効果は得られる。
【００５４】
また、前述した第１、第２、第３の実施の形態において、さらに半導体チップ１の表面に毛細血管状のパターン３を形成したり、半導体チップ１またはフィルム基材５の表面にプラズマ照射１５を施すことにより、よりボイドの発生を防止することができる。
【００５５】
なお、上記の第１〜第４の実施の形態における半導体装置は、図５あるいは図６に示されるように、半導体チップ１の４辺に沿って電極パッド２があり、そのうち１辺の電極パッド２が千鳥配置になってあってもよいし、複数辺、また場合によっては４辺とも千鳥配置になってあってもよい。また、ノズル８からの封止樹脂７の塗布（注入）は千鳥配置のある１辺のみとはかぎらず、複数辺になる場合もある。
【００５６】
なお、特開２００２−１２４５２６号公報（前述の特許文献２）では、半導体チップのコーナー部にダミーパターンを設置することにより、封止樹脂の注入方向に対するダム的な役割をさせて、チップコーナー部からの封止樹脂の注入速度を低減させ、場所による樹脂の注入速度ばらつきを低減するのが目的であり、この場合、チップ内の大きいボイドに対してはいくらかの効果を見込めるかもしれないが、突起電極が千鳥配置である場合のボイドに対しては発生原因に対し何ら対処しておらず、何の効果もない。これに対し本発明の実施の形態では、まず図１の場合では電極パッド２およびＡｕバンプ４が千鳥配置された部分にボイドが発生しても外に追い出すように工夫しており、また図２、図３の場合および図５のプラズマ照射１５では千鳥配置というデザインばらつきによる封止樹脂注入速度のばらつきを無視できる程度に樹脂の注入速度を促進させている。また、図５の毛細血管状のパターン３では千鳥配置というデザインばらつきを目立たなくするようにパターンを設置している。よってそれぞれの方法において千鳥配置というデザインのばらつき起因で発生するボイドを低減できる。
【００５７】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、半導体チップの電極を狭ピッチ化することによって従来発生していた樹脂封止時の電極周辺のボイド（空隙）を解消することができ、信頼性の高い半導体装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態である半導体装置の製造工程の一部を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態である半導体装置の製造工程の一部を示す斜視図および断面図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態である半導体装置の製造工程の一部を示す断面図および拡大図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態における封止樹脂の温度と粘度特性の相関を示す図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態の半導体装置に使用する半導体チップの一例を示す平面図およびその拡大図である。
【図６】従来の半導体装置に使用する半導体チップの一例を示す平面図およびその拡大図である。
【図７】従来の半導体装置の製造工程の一部を示す斜視図と断面図およびその拡大図である。
【図８】従来の課題を示す、半導体装置の一部の平面図および断面図である。
【図９】ＴＡＢ工法による従来の半導体装置の製造工程の一部を示す斜視図と断面図である。
【符号の説明】
１  半導体チップ
２  電極パッド
３  半導体チップ上の毛細血管状のパターン
４  Ａｕバンプ
５  フィルム基材
６  導体配線
７  封止樹脂
８  ノズル
９  ヒーター
１０  事前加熱ヒーター
１１  樹脂塗布ステージ
１２  仮硬化炉または本硬化炉
１３  シリンジ加熱コイル
１４  ステージ角度
１５  プラズマ照射
１６  ボンディングステージ
１７  ボンディングツール
１８  スプロケットホール
１９  ボイド
２０  フィルム基材のたわみ
２１  吸着孔
２２  封止樹脂押し出しツール
２３  ソルダーレジスト
２４  シリンジ
２５  デバイスホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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