(57)【要約】【課題】周波数一定で電力制御を行い、かつ加熱コイルに含まれる低周波磁界を減少させる誘導加熱装置を提供する。【解決手段】第１の半導体スイッチと、第１の半導体スイッチの導通期間に入力電圧を限流する限流手段と、第１の半導体スイッチと直列に接続された第２の半導体スイッチと、加熱コイルと、各半導体スイッチの導通期間に前記加熱コイルと直列共振回路を形成する第１と第２のコンデンサと、半導体スイッチの導通期間を一定周波数で互いに排他的に制御する制御回路をもち、第１及び第２のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を制御回路の駆動周波数よりも低く設定する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体スイッチと、前記第１の半導体スイッチに並列に接続された逆導通素子と、第１の半導体スイッチの導通期間に入力電圧を限流する限流手段と、前記第１の半導体スイッチと直列に接続された第２の半導体スイッチと、前記第２の半導体スイッチに並列に接続された第２の逆導通素子と、被加熱物を誘導加熱する加熱コイルと、前記第１の半導体スイッチまたは前記第２の半導体スイッチの導通期間に前記加熱コイルと直列共振回路を形成する第１のコンデンサ及び第２のコンデンサと、前記第１の半導体スイッチ及び前記第２の半導体スイッチの非導通時に前記加熱コイルと共振回路を形成する第３のコンデンサと、前記第１の半導体スイッチ及び第２の半導体スイッチの導通期間を一定駆動周波数で互いに排他的に制御する制御回路とを備え、前記第１のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路及び前記第２のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を前記制御回路の駆動周波数よりも低く設定するとともに、前記第３のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を前記制御回路の駆動周波数よりも高く設定することを特徴とする誘導加熱装置。
【請求項２】
第１の半導体スイッチは、順方向に導通する際に第１のコンデンサと加熱コイルが共振回路を形成してなる請求項１に記載の誘導加熱装置。
【請求項３】
第２の半導体スイッチは、順方向に導通する際に第２のコンデンサと加熱コイルが共振回路を形成してなる請求項１または２に記載の誘導加熱装置。
【請求項４】
第１のコンデンサの容量は第２のコンデンサの容量と同等もしくは大きくした請求項１〜３のいずれか１項に記載の誘導加熱装置。
【請求項５】
加熱コイルと並列に第３のコンデンサを接続してなる請求項１〜４のいずれか１項に記載の誘導加熱装置。
【請求項６】
直流電源に並列に接続される限流手段と第１の半導体スイッチの直列体と、前記第１の半導体スイッチと並列に接続される第１の逆導通素子と、負荷を誘導加熱するべく前記第１の半導体スイッチに接続される加熱コイルと第１のコンデンサの直列体と、前記加熱コイルに並列に接続される第２の半導体スイッチと第２のコンデンサの直列接続体と、前記第２の半導体スイッチに並列接続される第２の逆導通素子と、前記加熱コイルに並列接続される第３のコンデンサとを備え、前記第１のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路及び前記第２のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を前記制御回路の駆動周波数よりも低く設定するとともに、前記第３のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を前記制御回路の駆動周波数よりも高く設定する誘導加熱装置。
【請求項７】
第１の半導体スイッチ及び第２の半導体スイッチの一方または両方に第３のコンデンサを接続してなる請求項１〜４、および６のいずれか１項に記載の誘導加熱装置。
【請求項８】
限流手段と直列に第３の逆導通素子を接続する請求項１〜７のいずれか１項に記載の誘導加熱装置。
【請求項９】
商用電源と前記商用電源を整流する整流手段を備え、前記限流手段に電力を供給する第４のコンデンサを前記商用電源と前記整流手段の間に配する請求項１〜７のいずれか１項に記載の誘導加熱装置。
【請求項１０】
第３のコンデンサは、直列にスイッチ手段を備え、入力電力の状態によりスイッチ手段を制御する請求項１〜９のいずれか１項に記載の誘導加熱装置。
【請求項１１】
第１の半導体スイッチと前記第２の半導体スイッチを駆動する際に一定の非導通時間を設ける請求項１〜１０のいずれか１項に記載の誘導加熱装置。
【請求項１２】
非導通時間は、第１の半導体スイッチから前記第２の半導体スイッチに動作が切り替わる際の非導通時間より、前記第２の半導体スイッチから第１の半導体スイッチに動作が切り替わる際の非導通時間を短く設定する請求項１１に記載の誘導加熱装置。
【請求項１３】
電源の電流を検出する入力電流検出手段を設け、前記入力電流検出手段が所定値になるように第１の半導体スイッチの導通時間を制御する請求項１〜１２のいずれか１項に記載の誘導加熱装置。
【請求項１４】
加熱コイルの電流を検出するコイル電流検出手段を設け、前記コイル電流検出手段が所定値になるように第１の半導体スイッチの導通時間を制御する請求項１〜１２のいずれか１項に記載の誘導加熱装置。
【請求項１５】
コイル電流検出手段が所定値以上にならないように第１のスイッチング素子の導通時間を制限する請求項１４に記載の誘導加熱装置。
【請求項１６】
第１の半導体スイッチの電圧を検出する第１の電圧検出手段を設け、前記第１の電圧検出手段が所定値になるように第１の半導体スイッチの導通時間を制御する請求項１〜１２のいずれか１項に記載の誘導加熱装置。
【請求項１７】
第１の電圧検出手段の電圧が所定値以上にならないように第１のスイッチング素子の導通時間を制限する請求項１６に記載の誘導加熱装置。
【請求項１８】
第２の半導体スイッチの電圧を検出する第２の電圧検出手段を設け、前記第１の電圧検出手段が所定値になるように第１の半導体スイッチの導通時間を制御する請求項１〜１２のいずれか１項に記載の誘導加熱装置。
【請求項１９】
第２の電圧検出手段の電圧が所定値以上にならないように第１のスイッチング素子の導通時間を制限する請求項１８に記載の誘導加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波磁界による誘導加熱を利用して被加熱物の加熱を行う電磁調理器などの誘導加熱装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の誘導加熱装置（例えば、特許文献１参照）について図面を用いて説明する。図１６は、従来の誘導加熱装置である。電源１と直列に配置された加熱コイル５と第１の半導体スイッチ６の直列回路と、加熱コイル５と並列に接続される第３のコンデンサ１０と第３のコンデンサ１０と並列に接続される第２のコンデンサ４と第２の半導体スイッチ７の直列回路と、第１の半導体スイッチ６に並列に接続される第１の逆導通素子２６と、第２の半導体スイッチ７に並列に接続される第２の半導体スイッチ２７で構成されている。
【０００３】
図１７は図１６の動作波形を示す図である。Ｉ６は第１の半導体スイッチ６及び第１の逆導通素子２６を流れる電流を、Ｖ６はそのコレクタ−エミッタ間電圧を、Ｉ６は第２の半導体スイッチ７及び第２の逆導通素子２７を流れる電流を、Ｖ７はそのコレクタ−エミッタ間電圧を、Ｉ５は加熱コイル５を流れる電流を示している。
【０００４】
続いて、図１６及び図１７を用いて従来の誘導加熱装置の動作を説明する。まず、制御手段９は第１の半導体スイッチ６を導通状態にすることで直流電源１から加熱コイル５に電力を供給する。この際図１７のＩ６に示すようにほぼ直線上に電流が流れることになる。
【０００５】
次に制御手段９は所定の時間で第１の半導体スイッチ６を非導通状態にする。すると加熱コイル５に貯えられたエネルギーはまず第３のコンデンサ１０を充電し、図１７のＶ６に示すように第１の半導体スイッチ６のコレクタ電位は緩やかに上昇させていく。そして第１の半導体スイッチ６のコレクタの電位が第２のコンデンサ４の電位と等しなった時に第２の逆導通素子２７が導通状態になり、加熱コイル５のエネルギーは第２のコンデンサ４に蓄えられる。第２の逆導通素子２７が導通状態の時に第２の半導体スイッチ７を導通状態にしておくことで、今度は図１７のＩ７に示すように第２のコンデンサ４を電源として加熱コイル５に電力を供給することになる。制御手段９は所定の時間が経過したところで、第２の半導体スイッチ７を非導通状態にする。すると加熱コイル５に蓄えられたエネルギー及び第３のコンデンサ１０に蓄えられたエネルギーは第１の逆導通素子２６を通して直流電源１に回生される。この回生期間に第１の半導体スイッチ６を導通状態にすることで、再び電源１から加熱コイル５に電力が供給されることになる。この動作を２０〜５０ｋＨｚ程度で行うことで、Ｉ５に示すような電流を加熱コイル５に流すことで高周波磁界が負荷８に供給され、負荷８の表面に渦電流が生じ負荷８が加熱されることになる。
【０００６】
このように簡単な部品構成で誘導加熱が行え、かつ第２のコンデンサ４の容量を第３のコンデンサ１０よりも大きくしておくことで、第１の半導体スイッチ６及び第２の半導体スイッチ７の耐圧を抑えられ安価な半導体スイッチが使えるなどの特徴がある。更に、第２のコンデンサ４の容量が第１及び第２のスイッチング素子６、７の駆動周波数よりも加熱コイル５と第２のコンデンサ４で形成される共振回路の共振周波数よりも充分低く設定されるため、制御手段９は入力電力や負荷の種類によらず周波数一定の条件で第１の半導体スイッチ６及び第２の半導体スイッチ７の導通時間を無理なく制御することができる。このことにより、隣接して２種類の負荷を加熱した場合においても、負荷同士の駆動周波数の差による干渉音が発生しない特徴がある。
【０００７】
また、従来の誘導加熱装置の別な回路構成（例えば、特許文献２参照）の実施例について図面を用いて説明する。図１８は従来の誘導加熱装置である。電源１と並列に第１の半導体スイッチ６と第２の半導体スイッチ７の直列体が接続され、第１の半導体スイッチ６には加熱コイル５と第１のコンデンサ３の直列接続、第３のコンデンサ１０及び第１の逆導通素子２６が接続され、第２の半導体スイッチ７には第２の逆導通素子２７が接続され、更に負荷８は加熱コイル５と磁気的に結合する様に配置される。
【０００８】
続いて本従来例の動作を説明する。第２の半導体スイッチ７が導通すると加熱コイル５に電源１と第１のコンデンサ３の電圧の差で決まる電流が供給される。次に第２の半導体スイッチ７をオフ状態にすると、第３のコンデンサ１０に蓄えられた電荷が加熱コイル５を通して第１のコンデンサ３に移動し、第３のコンデンサ１０の電荷がなくなった後は第１の逆導通素子２６が導通することで、加熱コイル５から第１のコンデンサ３に電流が流れることになる。この第１の逆導通素子２６が導通しているタイミングで、第１の半導体スイッチ６を導通状態としておくことで、加熱コイル５の電力が第１のコンデンサ３に遷移した後第１のコンデンサ３を電源として加熱コイル５に電力を供給することになる。
【０００９】
さらに、所定時間が経過した後第１の半導体スイッチ６を非導通状態にすると、第３のコンデンサに電荷を蓄えた後、第２の逆導通素子２７を通して加熱コイル５に蓄えられた電力を電源１に回生することになる。この回生期間に、再び第２の半導体スイッチ７を導通状態にすることで最初の動作に戻ることになる。
【００１０】
ここで、第３のコンデンサは第１の半導体スイッチ６及び第２の半導体スイッチ７が非導通状態になる際に電圧を緩やかに増加させることで半導体スイッチのターンオフ時の損失を減少させる役割を担っている。また、本実施例の誘導加熱素は第１のコンデンサの容量を加熱コイル５と形成される共振回路の共振周波数の近傍に設定しなければ必要な電力が確保されず、一方負荷８の種類によって共振周波数は大きく異なるため、制御手段９が駆動周波数を共振周波数の近くに併せる制御つまり駆動周波数を変化させて制御を行っている。
【００１１】
【特許文献１】
特開平８−２６２６６６号公報
【特許文献２】
特開平５−１１４４７４号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような従来の誘導加熱装置においては（図１６）、加熱コイル５に流れる電流は直流成分を中心として高周波成分が重畳した形となるため、例えば直流電源１が商用電源を整流した場合などでは、負荷８加熱する際に必要な高周波成分以外に商用電源の２倍成分が加熱コイル５に供給されることになる。この商用電源成分は負荷８に吸収されないため加熱コイル５から外部に放射されることになる。このような不要な電磁界の放射は周囲に雑音などを発生させる原因となる課題を有することになる。
【００１３】
また、加熱コイル５に直流成分が流れ込まない従来例においては（図１８）、負荷８の種類が変わった場合に駆動周波数を変化させることで、入力電力を確保する必要が生じる。これは、第１のコンデンサ３と加熱コイル５によって形成される共振回路の共振周波数に入力電力が大きく依存するため、入力電力を安定に確保するためには負荷８に応じて第１のスイッチング素子６と第２のスイッチング素子７の駆動周波数を変える必要があるためである。このため、誘導加熱装置が複数のバーナを持つ場合には互いの駆動周波数の差の周波数の干渉音が発生する課題を有することになる。
【００１４】
本発明は上記の課題を解決するもので、商用周波数成分の電磁界を加熱コイルから放射を減少させることがで不要な雑音を減少させることができ、かつ入力電力あるいは負荷が異なる場合でも加熱コイルに流れる電流の周波数を一定に保つことで負荷の干渉音が発生しない誘導加熱装置を提供することを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明は、第１の半導体スイッチと前記第１の半導体スイッチに並列に接続された逆導通素子と、第１の半導体スイッチの導通期間に入力電圧を限流する限流手段と、前記第１の半導体スイッチと直列に接続された第２の半導体スイッチと、前記第２の半導体スイッチに並列に接続された第２の逆導通素子と、負荷（被加熱物）を誘導加熱する加熱コイルと、前記第１の半導体スイッチまたは前記第２の半導体スイッチの導通期間に前記加熱コイルと直列共振回路を形成する第１のコンデンサ及び第２のコンデンサと、前記第１の半導体スイッチ及び前記第２の半導体スイッチの非導通時に前記加熱コイルと共振回路を形成する第３のコンデンサと、前記第１の半導体スイッチ及び第２の半導体スイッチの導通期間を一定周波数で互いに排他的に制御する制御回路を備え、前記第１のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路及び前記第２のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を前記制御回路の駆動周波数よりも低く設定するとともに、前記第３のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を前記制御回路の駆動周波数よりも高く設定することを特徴とする誘導加熱装置としている。
【００１６】
これにより、電源からの電力供給が限流手段を通じて第１及び第２のコンデンサに行われた後、第１及び第２のコンデンサから加熱コイルへ電力供給が行われるため、電源と加熱コイルが半導体スイッチを介して短絡されることがなく、そのため電源の周波数成分を持った電流が加熱コイルをほとんど通過せず、加熱コイルから電源の周波数成分を持った磁界が外部に放射されることを大幅に減少することが可能であり、かつ第１及び第２のコンデンサと加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を制御回路の駆動周波数よりも大きくとることで、負荷が変化することにより共振周波数が変化しても、駆動周波数変えることなく一定周波数で制御することができ、かつ第３のコンデンサと加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を駆動周波数より低く設定することで、入力電力が小さい場合においても第３のコンデンサの充放電が素早く行われるため、入力電力が変化させる場合においても駆動周波数を変えることなく一定周波数で制御することができるため隣接するバーナ間の駆動周波数の差により生じる負荷の干渉音を防止することが可能な誘導加熱装置を実現するものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】
請求項１〜７に係わる本発明は、第１の半導体スイッチと前記第１の半導体スイッチに並列に接続された逆導通素子と、第１の半導体スイッチの導通期間に入力電圧を限流する限流手段と、前記第１の半導体スイッチと直列に接続された第２の半導体スイッチと、前記第２の半導体スイッチに並列に接続された第２の逆導通素子と、加熱コイルと、前記第１の半導体スイッチまたは前記第２の半導体スイッチの導通期間に前記加熱コイルと直列共振回路を形成する第１のコンデンサ及び第２のコンデンサと、前記第１の半導体スイッチ及び前記第２の半導体スイッチの非導通時に前記加熱コイルと共振回路を形成する第３のコンデンサと、前記第１の半導体スイッチ及び第２の半導体スイッチの導通期間を一定周波数で互いに排他的に制御する制御回路を備え、前記第１のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路及び前記第２のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を前記制御回路の駆動周波数よりも低く設定するとともに、前記第３のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を前記制御回路の駆動周波数よりも高く設定することを特徴とする誘導加熱装置としている。
【００１８】
これにより、電源からの電力供給が限流手段を通じて第１及び第２のコンデンサに行われた後、第１及び第２のコンデンサから加熱コイルへ電流供給が行われる。そして、限流手段が、電源と加熱コイルが半導体スイッチを介して短絡されることを防止し、電源の周波数成分を持った電流が加熱コイルをほとんど通過せず、加熱コイルから電源の周波数成分を持った磁界が外部に放射されることを大幅に減少することが可能となる。また、第１及び第２のコンデンサと加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を制御回路の駆動周波数よりも低く設定することで、被加熱物の電気的特性が変り、加熱コイルの電気的特性、たとえばＬ成分などが変わって、回路の共振周波数が変化しても、駆動周波数への影響は吸収でき、駆動周波数を変えることなく一定周波数で制御することができ、同様に第３のコンデンサと加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を駆動周波数より高く設定することで、入力電力が小さい場合においても第３のコンデンサの充放電が素早く行わるため、回路の共振周波数が変化しても、駆動周波数への影響は吸収でき、入力電力を変化させる場合においても駆動周波数を変えることなく一定周波数で制御することができる。その結果、隣接するバーナ相互が同一の周波数で駆動でき、バーナー間の駆動周波数の差により生じる負荷の干渉音を防止することが可能な誘導加熱装置を実現するものである。
【００１９】
請求項２に係わる発明は上記に加え、第１の半導体スイッチは、順方向に導通する際に第１のコンデンサと加熱コイルが共振回路を形成してなるものとしている。
【００２０】
請求項３に係わる発明は上記に加え、第２の半導体スイッチは、順方向に導通する際に第２のコンデンサと加熱コイルが共振回路を形成してなるものとしている。
【００２１】
請求項４に係わる発明は上記に加え、第１のコンデンサの容量は第２のコンデンサの容量と同等もしくは大きくしたものとしている。
【００２２】
請求項５に係わる発明は上記に加え、加熱コイルと並列に第３のコンデンサを接続してなるものとしている。
【００２３】
これらも、同様に加熱コイルを流れる電流は常にコンデンサを通過することになり、電源の周波数成分を持った電流が加熱コイルに印可されることが減少するため、加熱コイルから電源の周波数成分を持った磁界が外部に放射されることを減少させることが可能であり、かつ加熱コイルに流れる電流の周波数を入力電力や負荷の種類によらず一定に保つことが可能な誘導加熱装置を実現するものである。
【００２４】
請求項６に係わる発明は、直流電源に並列に接続される限流手段と第１の半導体スイッチの直列体と、前記第１の半導体スイッチと並列に接続される第１の逆導通素子と、負荷を誘導加熱するべく前記第１の半導体スイッチに接続される加熱コイルと第１のコンデンサの直列体と、前記加熱コイルに並列に接続される第２の半導体スイッチと第２のコンデンサの直列接続体と、前記第２の半導体スイッチに並列接続される第２の逆導通素子と、前記加熱コイルに並列接続される第３のコンデンサとを備え、前記第１のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路及び前記第２のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を前記制御回路の駆動周波数よりも低く設定するとともに、前記第３のコンデンサと前記加熱コイルで形成される共振回路の共振周波数を前記制御回路の駆動周波数よりも高く設定する誘導加熱装置としている。
【００２５】
これにより、加熱コイルを流れる電流は常にコンデンサを通過することになり、電源の周波数成分を持った電流が加熱コイルに印可されることが減少するため、加熱コイルから電源の周波数成分を持った磁界が外部に放射されることを減少させることが可能であり、かつ加熱コイルに流れる電流の周波数を入力電力や負荷の種類によらず一定に保つことが可能な誘導加熱装置を実現するものである。
【００２６】
請求項８に係わる本発明は、上記に加え、限流手段と直列に第３の逆導通素子を接続する誘導加熱装置としている。
【００２７】
これにより、上記に加え、第２のコンデンサから第２の半導体スイッチ及び限流手段を通して電源に電力が回生することを防止することができ、不要な電流の往来を防止することができ効率の低下を防止することが可能な誘導加熱装置を実現できるものである。
【００２８】
請求項９に関わる本発明は、商用電源と商用電源を整流する整流手段を備え、前記限流手段に電力を供給する第４のコンデンサを前記商用電源と前記整流手段の間に配する誘導加熱装置としている。
【００２９】
これにより、上記に加え、特に逆導通素子を接続することなく不要な電源への電力の回生を防止することが可能になり、安価な誘導加熱装置を実現できるものである。
【００３０】
請求項１０に関わる本発明は、前記第３のコンデンサに直列にスイッチ手段を設け、入力電力の状態によりスイッチ手段を制御する誘導加熱装置としている。
【００３１】
これにより、上記に加え、入力電力が少ない場合に生じる第３のコンデンサに電荷が残留した状態での第１または第２の半導体スイッチの導通により生じる損失増加を防止することが可能になり、損失が増加することなく入力電力を小さくすることが可能な誘導加熱装置を実現できるものである。
【００３２】
請求項１１〜１２に関わる本発明は、前記第１の半導体スイッチと前記第２の半導体スイッチを駆動する際に一定の非導通時間を設ける誘導加熱装置としている。
【００３３】
これにより、上記に加え、確実に第１の半導体スイッチと第２の半導体スイッチが同時に導通することによる故障を防止することが可能になり、信頼性の高い誘導加熱装置を実現できるものである。
【００３４】
請求項１３に関わる本発明は、制御手段９が商用電源１の電流を検出する入力電流検出手段２１の出力と入力電力指令値を比較し、その比較値により第１の半導体スイッチ６の導通時間を制御する誘導加熱装置としている。
【００３５】
これにより、上記に加え、入力電力指令値に対して応答が早く制御性の良い誘導加熱装置を実現できるものである。
【００３６】
請求項１４〜１５に関わる本発明は、前記加熱コイルの電流を検出するコイル電流検出手段を設け、前記コイル電流検出手段が所定値になるように第１の半導体スイッチの導通時間を制御する誘導加熱装置としている。
【００３７】
これにより、上記に加え、加熱コイルを流れる電流を制御することが可能になり、負荷の種類により加熱コイル電流が必要以上に流れることを防止することが可能になり、信頼性に優れた誘導加熱装置を実現できるものである。
【００３８】
請求項１６〜１７に関わる本発明は、前記第１の半導体スイッチの電圧を検出する第１の電圧検出手段を設け、前記第１の電圧検出手段が所定値になるように第１の半導体スイッチの導通時間を制御する誘導加熱装置としている。
【００３９】
これにより、上記に加え、負荷の種類により第１の半導体スイッチの電圧が必要以上に上昇することを防止することが可能になり、信頼性の高い誘導加熱装置を実現できるものである。
【００４０】
請求項１８〜１９に関わる本発明は、前記第２の半導体スイッチの電圧を検出する第２の電圧検出手段を設け、前記第１の電圧検出手段が所定値になるように第１の半導体スイッチの導通時間を制御する誘導加熱装置としている。
【００４１】
これにより、上記に加え、負荷の種類により第２の半導体スイッチの電圧が必要以上に上昇することを防止することが可能になり、信頼性の高い誘導加熱装置を実現できるものである。
【００４２】
【実施例】
（実施例１）
本発明の第１の実施例について図面を参照しながら説明する。
【００４３】
図１は本実施例の誘導加熱装置の回路構成を示す図である。直流電源１は限流手段２を通して第１の半導体スイッチ６と接続され、第１の半導体スイッチ６には並列に第１の逆導通素子２６が接続さている。また、第１の半導体スイッチ６は、加熱コイル５と第１のコンデンサ３の直列回路が接続されており、加熱コイル５には鍋などの負荷８が磁気的に結合するべく構成し加熱コイル５に流れる高周波電流で負荷８が電磁誘導加熱される。
【００４４】
更に、加熱コイル５には第２の半導体スイッチ７と第２のコンデンサ４の直列回路が接続され、第２の半導体スイッチ７には第２の逆導通素子２７が接続さている。そして制御手段９は第１の半導体スイッチ６と第２の半導体スイッチ７を交互に導通状態とすることで加熱コイル５を通して直流電源１の電力を負荷８に供給する構成としている。この際、制御手段９は第１の半導体スイッチ６と第２の半導体スイッチ７の駆動周波数を一定にすることで、隣接するバーナで加熱動作を行っても鍋間の干渉音が生じないようにしている。また、本実施例では第１及び第２の半導体スイッチ６、７は順方向に導通するＩＧＢＴとこれに逆並列に接続したダイオードで記載しているが、ＭＯＳＦＥＴのように素子内部にダイオードを構成した素子を用いても問題ない。
【００４５】
次に本実施例に動作に関して説明する。図２はインバータ回路の各区間における電流経路を示した図であり、図３は図２に対応した波形図である。図３のＩ６は第１の半導体スイッチ６を流れる電流を、Ｉ２６は第１の逆導通素子２６を流れる電流を、Ｖ６はそのコレクタ−エミッタ間電圧を、Ｉ６は第２の半導体スイッチ７を流れる電流を、Ｉ２７は第２の逆導導通素子２７を流れる電流を、Ｖ７はそのコレクタ−エミッタ間電圧を、Ｉ５は加熱コイル５を流れる電流を、Ｉ２は限流手段２を流れる電流を示している。
【００４６】
図２（ａ）の状態から説明する。制御手段９は電力指令値に応じて第１の半導体スイッチ６を導通状態とする。すると、直流電源１からは第１のスイッチング素子６の導通時間に応じ、限流手段にエネルギーが蓄えられる。一方、第１のコンデンサ３は第１のコンデンサ３を電源として加熱コイル５を通して負荷８に電力を供給する。これは図３のＩ６に示さるような波形となる。
【００４７】
次に、制御手段９が第１の半導体スイッチ７を非導通状態とすると図２（ｂ）の状態になり、加熱コイル５及び限流手段２の電流が第３のコンデンサ１０を充電する動作となり、その結果第１の半導体スイッチ６の電圧は緩やかに上昇する。やがて、第２コンデンサ４と第３のコンデンサ１０の電位が等しくなった時点で第２の逆導導通素子２７が導通し、図２（ｃ）の状態に遷移する。（ｃ）では限流手段２に蓄えられた電力が第２の逆導通素子２７を通して第１及び第２のコンデンサにエネルギーを蓄えられるとともに、加熱コイル５に蓄えられたエネルギーも第２のコンデンサ４に蓄えられる。このため図３のＩ７に見られるは大きな逆導通電流が第２の逆導導通素子２７に流れることになる。制御手段９はこの第２の逆導通電流２７に電流が流れている区間で第２の半導体スイッチ７を導通状態としておくことで、加熱コイル５から第２のコンデンサ４へのエネルギーの蓄積が終了した時点で図２（ｄ）の状態になる。この（ｄ）の状態では、第２のコンデンサ４を電源として加熱コイル５を通して負荷８に電力を供給することになる。
【００４８】
また、限流手段２に蓄えられたエネルギーは加熱コイル５を通して第１のコンデンサ３に電力を蓄えることになる。そして、制御手段９が所定の時間で第２の半導体スイッチ７をオフ状態にすると、図２（ｅ）の状態に遷移して第３のコンデンサ１０から電荷を引き抜きながら、緩やかに第２の半導体スイッチ７の電圧が上昇していく。その後、第３のコンデンサの電位がゼロになった時点で、第１の逆導導通素子２６が導通状態となり、加熱コイル５に蓄えられた電力は第１の逆導通素子２６を通して第１のコンデンサ３にエネルギーを蓄えることになる。この第１の逆導通素子２６が導通している区間で第１の半導体スイッチ６を導通状態にすることで図２（ａ）の状態に戻り、以下この動作を繰り返すことになる。この動作を２０〜５０ｋＨｚ程度の周波数で連続的に繰り返すことで、図３のＩ５に示すように加熱コイルに高周波電流が流れ、この高周波電流により生じる高周波磁界が負荷８に吸収され、負荷８自身がもつ高周波抵抗と高周波磁界により生じる渦電流により負荷８自身が発熱することになる。
【００４９】
このような構成をとることで、電源１からの電力供給が限流手段２を通じて第１のコンデンサ３及び第２のコンデンサ４に行われた後、第１のコンデンサ３及び第２のコンデンサ４から加熱コイル５へ電力供給が行われるため、電源１と加熱コイル５が第１の半導体スイッチ６または第２の半導体スイッチ７を介して短絡されることがなく、そのため電源１が変動する（脈流など）際にその周波数成分を持った電流が加熱コイル５をほとんど通過せず、加熱コイル５から電源１の周波数成分を持った磁界が外部に放射されることを大幅に減少することが可能となる。また、第１のコンデンサ３及び第２のコンデンサ４と加熱コイル５で形成される共振回路の共振周波数を制御回路９の駆動周波数よりも大きくとることで、負荷８が変化することにより共振周波数が変化しても、制御手段９は駆動周波数変えることなく一定周波数で制御することができる。つまり、第１のコンデンサ３及び第２のコンデンサ４と加熱コイル５の共振周波数を駆動周波数よりも充分低く設定することで、負荷８の変化により第１のコンデンサ３及び第２のコンデンサ４と加熱コイル５の共振周波数が変化しても、駆動周波数を共振周波数に追従しなくとも入力電力を確保することが可能である。
【００５０】
また、第３のコンデンサ１０と加熱コイル５で形成される共振回路の共振周波数を駆動周波数より高く設定することで、入力電力が小さい場合においても第３のコンデンサ１０の充放電が素早く行われるため、入力電力が変化させる場合においても制御手段９は駆動周波数を変えることなく一定周波数で制御することができる。その結果、例えば隣接するバーナ間のように近くで誘導加熱装置を動作させる際に誘導加熱装置の駆動周波数の差により生じる負荷の干渉音を防止することができる。
【００５１】
また、限流手段２は図３Ｉ２に示すように限流手段２の電流が常にゼロ以下にならないような容量を選択した方が望ましく、また第１のコンデンサ３及び第２のコンデンサ４の容量は加熱コイル５へ高周波電力を供給できる容量があれば十分であるため、数μＦ〜数十μＦで十分であり、両者の容量も同じかやや第１のコンデンサ３の容量が大きい方が望ましい。ここで、限流手段２としてはセンダストや薄型珪素鋼板などの磁性体をコアとしたチョークコイルが使用される。
【００５２】
なお、第３のコンデンサは、図４に示すように第１の半導体スイッチ６と並列に配置する場合、図５に示すように第２の半導体スイッチ７と並列に配置する場合、図６に示すように双方に配置する場合においても加熱コイル５に並列に入れる場合と同様の効果が得られ、第１の半導体スイッチ６及び第２の半導体スイッチ７のターンオフ時の損失を大幅に減少させる役割を持つことになる。
【００５３】
以上のように本実施例によれば、電源１からの電力供給が限流手段２を通じて第１のコンデンサ３及び第２のコンデンサ４に行われた後、第１のコンデンサ３及び第２のコンデンサ４から加熱コイル５へ電力供給が行われるため、電源１と加熱コイル５が第１の半導体スイッチ６または第２の半導体スイッチ７を介して短絡されることがなく、そのため電源１が変動する（脈流など）際にその周波数成分を持った電流が加熱コイル５をほとんど通過せず、加熱コイル５から電源１の周波数成分を持った磁界が外部に放射されることを大幅に減少することが可能であり、かつ第１のコンデンサ３及び第２のコンデンサ４と加熱コイル５で形成される共振回路の共振周波数を制御回路９の駆動周波数よりも低く設定することで、負荷８が変化することにより共振周波数が変化しても、制御手段９は駆動周波数変えることなく一定周波数で制御することができ、かつ第３のコンデンサ１０と加熱コイル５で形成される共振回路の共振周波数を駆動周波数より高く設定することで、入力電力が小さい場合においても第３のコンデンサ１０の充放電が素早く行われるため、入力電力が変化させる場合においても制御手段９は駆動周波数を変えることなく一定周波数で制御することができるため隣接するバーナ間の駆動周波数の差により生じる負荷の干渉音を防止することが可能な誘導加熱装置を実現できるものである。
【００５４】
（実施例２）
本発明の第２の実施例について図面を参照しながら説明する。
【００５５】
本実施例の構成を図７に示す。本実施例が実施例１と異なるのは、限流手段２と直列に第３の逆導通素子１３が接続されている点である。
【００５６】
上記構成における動作について説明する。図８に本実施例での動作についての動作図を示す。第３の逆導通素子１３がない場合には、限流手段２の容量が小さいと、第２の半導体スイッチ７が導通状態の時に第１のコンデンサ３及び第２のコンデンサ４を電源として、第１のコンデンサ３→第２のコンデンサ４→第２の半導体スイッチ７→限流手段２→直流電源１の経路でコンデンサに蓄えられた電力が直流電源１に回生されることになる。この際、必要な電力を負荷８に供給しようとすると、大きなリップル電流が限流手段２に必要となり、限流手段２の損失が大きくなることになる。ここで第３の逆導通素子１３を限流手段２に接続することで図８のＩ２に示すように直流電源１に電力が回生することを防止することが可能になる。
【００５７】
以上の様に本実施例によれば、限流手段２に第３の逆導通素子１３を直列に接続することで、第２のコンデンサ４から第２の半導体スイッチ７及び逆導通素子２を通して直流電源１に電力が回生することを防止することができ、不要な電流の往来を防止することができ効率の低下を防止することが可能な誘導加熱装置を実現できるものである。
【００５８】
（実施例３）
本発明の第３の実施例について図面を参照しながら説明する。
【００５９】
本実施例の構成を図９に示す。本実施例が実施例１と異なるのは、直流電源１を商用電源１６、第４のコンデンサ１７、整流ブリッジ１８で構成しており、限流手段２に電力を供給する第４のコンデンサ１７を商用電源１６と整流ブリッジ１８の間に配置している点である。
【００６０】
本実施例の動作について説明する。限流手段２に電力を供給する第４のコンデンサ１７が整流ブリッジ１８の出力側に配された場合には、限流手段２の容量が小さいと、第２の半導体スイッチ７が導通状態の時に第１のコンデンサ３及び第２のコンデンサ４を電源として、第１のコンデンサ３→第２のコンデンサ４→第２の半導体スイッチ７→限流手段２→第４のコンデンサ１７の経路でコンデンサに蓄えられた電力が第４のコンデンサ１７に回生されることになる。この際、必要な電力を負荷８に供給しようとすると、大きなリップル電流が限流手段２に必要となり、限流手段２の損失が大きくなることになる。ここで限流手段１７を整流ブリッジ１８の入力側に配することで第４のコンデンサ１７に電力が回生することを防止することが可能になる。
【００６１】
以上の様に本実施例によれば、第４のコンデンサ１７を整流ブリッジ１８の入力側に配することで、第２のコンデンサ４から第２の半導体スイッチ７及び限流手段２を通して第４のコンデンサ１７に電力が回生することを防止することができ、不要な電流の往来を防止することができ効率の低下を防止することが可能な誘導加熱装置を実現できるものである。
【００６２】
（実施例４）
本発明の第４の実施例について図面を参照しながら説明する。
【００６３】
本実施例の構成を図１０に示す。本実施例が実施例２と異なるのは、第３のコンデンサ１０と直列にスイッチ手段２０が接続されており、入力電力の状態に応じて制御手段９がスイッチ手段２０の入り切りを行う点である。
【００６４】
本実施例の動作について説明する。入力電力が大きい場合には第３のコンデンサ１０の電荷がゼロになるすなわち第１の逆導通素子２６及び第２の逆導通素子２７が導通している状態で各々のスイッチを導通状態にすることで導通する瞬間の損失（ターンオン損失）をほぼ零にして動作させることができる。
【００６５】
しかし、入力電力が小さい場合には、第３のコンデンサ１０の電荷がなくなる前に第１及び第２の半導体スイッチ６，７を導通状態にする場合が生じ、第３のコンデンサの効果によるターンオフ損失の低減以上にターンオン損失が大きくなる場合が生じることになる。このような傾向は入力電力が小さくなるほど大きくなるため、制御手段９は入力電力の状態によりスイッチ手段２０を用いて第３のコンデンサを切り離すことで、入力電力をより小さいところまで絞ることが可能になる。なお、スイッチ手段２０はリレースイッチや半導体スイッチなど特に限定するものではない。
【００６６】
以上の様に本実施例では、前記第３のコンデンサと直列にスイッチ手段２０を設けることにより、入力電力が少ない場合に生じる第３のコンデンサに電荷が残留した状態での第１または第２の半導体スイッチ６，７の導通により生じる損失増加を防止することが可能になり、損失が増加することなく入力電力を小さくすることが可能な誘導加熱装置を実現できるものである。
【００６７】
（実施例５）
本発明の第５の実施例について図面を参照しながら説明する。
【００６８】
本実施例の構成は図１と同構成となるため省略する。
【００６９】
本実施例の動作について説明する。図１１は、本実施例での入力電力制御を行う際の各部波形を示している。図１１（ａ）は入力電力が大きい場合の各波形であり、図１１（ｂ）は入力電力が小さい場合の各スイッチング素子の電圧、電流波形である。ここでＶｇ６、Ｖｇ７はそれぞれの第１のスイッチング素子６及び第２のスイッチング素子７に加えられる駆動信号を示している。制御手段９は周波数一定で、第１の半導体スイッチ６の導通時間と第２の半導体スイッチ７の導通時間を同時に変える、つまり導通比を変えることで入力電力制御を行っている。ここで、第１の半導体スイッチ６及び第２の半導体スイッチ７の導通状態の変化中、一定の非導通時間（ｔｄ１及びｔｄ２）を持たせている。
【００７０】
更に、本実施例では第１の半導体スイッチ６の導通状態から第２の半導体スイッチ７の導通状  態に遷移する際の非導通時間（ｔｄ２）方が、第２の半導体スイッチ７の導通状態から第１の  半導体スイッチ６の導通状態への遷移する際の非導通時間（ｔｄ１）を長く設定することがで  きる。これは、第１及び第２の半導体スイッチ６，７を導通状態するタイミングとして各々の  逆導通素子が導通状態にあるときが望ましく、その逆導通素子の導通時間が異なるためである。このように、非導通時間を一定値に設定することで第１の半導体スイッチ６と第２の半導体  スイッチ７が同時に導通状態になることを防止することが可能になる。更に非導通時間（ｔｄ  １、ｔｄ２）を一定とすることで、制御手段９を簡略化することができる信頼性の高い誘導加  熱装置とすることができる。
【００７１】
以上の様に本実施例によれば、第１の半導体スイッチ６と第２の半導体スイッチ７を駆動する際に一定の非導通時間を設けることにより、確実に第１の半導体スイッチ６と第２の半導体スイッチ７が同時に導通することによる故障を防止することが可能になり、信頼性の高い誘導加熱装置を実現できるものである。
【００７２】
（実施例６）
本発明の第６の実施例について図面を参照しながら説明する。
【００７３】
本実施例の構成を図１２に示す。本実施例が実施例１と異なるのは、直流電源１を商用電源１６を整流ブリッジ１８で整流した後、第４のコンデンサ１７で作っている点と、入力電流検出手段２１を整流ブリッジ１８の入力側に設けている点である。
【００７４】
本実施例の動作について説明する。図１２に示すように、制御手段９は入力電流検出手段２１で検出された電流値と制御手段９の内部にある指令値を比較し、指令値通りの電力値になるように第１の半導体スイッチ６の導通時間を制御する。このような制御を行うことで、指令値の対する追従性が良くなり制御性に優れた誘導加熱装置を実現できるものである。また、加熱コイルに流れる電流を周波数一定で動作させるため、第１の半導体スイッチ６の導通時間が決まると一意に第２の半導体スイッチ７の導通時間も決まることになる。
【００７５】
以上の様に本実施例によれば、制御手段９は商用電源１の電流を検出する入力電流検出手段２１の出力と入力電力指令値を比較し、その比較値により第１の半導体スイッチ６の導通時間を制御することにより、入力電力指令値に対して応答が早く制御性の良い誘導加熱装置を実現できるものである。
【００７６】
（実施例７）
本発明の第７の実施例について図面を参照しながら説明する。
【００７７】
本実施例の構成を図１３に示す。本実施例が実施例１と異なるのは、直流電源１を商用電源１６を整流ブリッジ１８で整流した後、第４のコンデンサ１７で作っている点と、コイル電流検出手段２２を加熱コイル５と直列に設けている点である。
【００７８】
本実施例の動作について説明する。図１３に示すように、制御手段９はコイル電流検出手段２２で検出されたコイル電流値と制御手段９の内部にある指令値を比較し、指令値通りのコイル電流になるように第１の半導体スイッチ６の導通時間を制御する。このような制御を行うことで、負荷８を流れる電流を制御することが可能になり、負荷８が変動したことを瞬時に検出し変動に応じた制御をすることが可能になる。
【００７９】
また、コイル電流が所定値以上にならないように制限することで、負荷８に非磁性なべなどの高周波抵抗が低い負荷などを使用する場合には、、コイル電流が流れすぎることで部品の発熱等が増加することを防止することが可能になる。
【００８０】
以上のように本実施例によれば、コイル電流検出手段２２により、加熱コイル５を流れる電流を制御することで、負荷８の種類により加熱コイル５の電流が必要以上に流れることを防止することが可能になり、信頼性に優れた誘導加熱装置を実現できるものである。
【００８１】
（実施例８）
本発明の第８の実施例について図面を参照しながら説明する。
【００８２】
本実施例の構成を図１４に示す。本実施例が実施例１と異なるのは、直流電源１を商用電源１６を整流ブリッジ１８で整流した後、第４のコンデンサ１７で作っている点と、第１の半導体スイッチ６のコレクタ−エミッタ間電圧を検出する第１の電圧検出手段２３を備えている点である。
【００８３】
本実施例の動作について説明する。図１４に示すように、制御手段９は第１の電圧検出手段２３で検出された第１の半導体スイッチ６のコレクタ−エミッタ間電圧と制御手段９の内部にある指令値を比較し、指令値通りのコレクタ−エミッタ間電圧になるように第１の半導体スイッチ６の導通時間を制御する。このような制御を行うことで、第１の半導体スイッチ６の電圧を制御することが可能になり、負荷８が変動したことを瞬時に検出し変動に応じた制御をすることが可能になる。
【００８４】
また、コレクタ−エミッタ間電圧が所定値以上にならないように制限することで、コレクタ−エミッタ間の電圧を所定値以内に納めることが可能になり、耐圧による部品破壊等を防止することが可能になる。
【００８５】
以上のように本実施例によれば、第１の半導体スイッチ６の電圧を検出する第１の電圧検出手段２３を設け、第１の電圧検出手段２３が所定値になるように第１の半導体スイッチ６の導通時間を制御することで、負荷の種類により第１の半導体スイッチ６の電圧が必要以上に上昇することを防止することが可能になり、信頼性の高い誘導加熱装置を実現できるものである。
【００８６】
（実施例９）
本発明の第１１の実施例について図面を参照しながら説明する。
【００８７】
本実施例の構成を図１５に示す。本実施例が実施例１と異なるのは、直流電源１を商用電源１６を整流ブリッジ１８で整流した後、第４のコンデンサ１７で作っている点と、第２の半導体スイッチ７のコレクタ−エミッタ間電圧を検出する第２の電圧検出手段２４を備えている点である。
【００８８】
本実施例の動作について説明する。図１５に示すように、制御手段９は第２の電圧検出手段２４で検出された第２の半導体スイッチ７のコレクタ−エミッタ間電圧と制御手段９の内部にある指令値を比較し、指令値通りのコレクタ−エミッタ間電圧になるように第１の半導体スイッチ６の導通時間を制御する。このような制御を行うことで、第２の半導体スイッチ７の電圧を制御することが可能になり、負荷８が変動したことを瞬時に検出し変動に応じた制御をすることが可能になる。また、コレクタ−エミッタ間電圧が所定値以上にならないように制限することで、コレクタ−エミッタ間の電圧を所定値以内に納めることが可能になり、耐圧による部品破壊等を防止することが可能になる。
【００８９】
以上のように本実施例によれば、第２の半導体スイッチ７の電圧を検出する第２の電圧検出手段２４を設け、第２の電圧検出手段２４が所定値になるように第２の半導体スイッチ７の導通時間を制御することで、負荷の種類により第２の半導体スイッチ７の電圧が必要以上に上昇することを防止することが可能になり、信頼性の高い誘導加熱装置を実現できるものである。
【００９０】
【発明の効果】
これにより、加熱コイル５を流れる電流は常にコンデンサを通過することになり、電源の周波数成分を持った電流が加熱コイルに印可されることが減少するため、加熱コイル５から電源の周波数成分を持った磁界が外部に放射されることを減少させることが可能であり、かつ加熱コイル５に流れる電流の周波数を入力電力や負荷の種類によらず一定に保つことができ、隣接バーナで加熱を行う際に負荷干渉音が生じない誘導加熱装置を実現するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の誘導加熱装置の回路構成を示す図
【図２】（ａ）本発明の第１の実施例の誘導加熱装置の第１の半導体スイッチ６を導通状態とする動作モードを示す図
（ｂ）本発明の第１の実施例の誘導加熱装置の第１の半導体スイッチ６を非導通状態とする動作モードを示す図
（ｃ）本発明の第１の実施例の誘導加熱装置の第１の半導体スイッチ６を非導通状態とし、第２の逆導通素子２７が導通状態とする動作モードを示す図
（ｄ）本発明の第１の実施例の誘導加熱装置の第２の半導体スイッチ７が導通状態とする動作モードを示す図
（ｅ）本発明の第１の実施例の誘導加熱装置の第２の半導体スイッチ７をオフ状態にする動作モードを示す図
（ｆ）本発明の第１の実施例の誘導加熱装置の第２の半導体スイッチ７を非導通状態とし、第１の逆導通素子２６が導通状態とする動作モードを示す図
【図３】本発明の第１の実施例の誘導加熱装置の動作波形を示す図
【図４】本発明の第１の実施例の誘導加熱装置の異なる回路構成を示す図
【図５】本発明の第１の実施例の誘導加熱装置の異なる回路構成を示す図
【図６】本発明の第１の実施例の誘導加熱装置の異なる回路構成を示す図
【図７】本発明の第２の実施例の誘導加熱装置の回路構成を示す図
【図８】本発明の第２の実施例の誘導加熱装置の動作波形を示す図
【図９】本発明の第３の実施例の誘導加熱装置の回路構成を示す図
【図１０】本発明の第４の実施例の誘導加熱装置の回路構成を示す図
【図１１】（ａ）本発明の第５の実施例の誘導加熱装置の入力電力大時の動作波形を示す図
（ｂ）本発明の第５の実施例の誘導加熱装置の入力電力小時の動作波形を示す図
【図１２】本発明の第６の実施例の誘導加熱装置の回路構成を示す図
【図１３】本発明の第７の実施例の誘導加熱装置の回路構成を示す図
【図１４】本発明の第８の実施例の誘導加熱装置の回路構成を示す図
【図１５】本発明の第９の実施例の誘導加熱装置の回路構成を示す図
【図１６】従来の誘導加熱装置の回路構成を示す図
【図１７】従来の誘導加熱装置の波形を示す図
【図１８】従来の誘導加熱装置の回路構成を示す図
【符号の説明】
１  直流電源
２  限流手段
３  第１のコンデンサ
４  第２のコンデンサ
５  加熱コイル
６  第１の半導体スイッチ
７  第２の半導体スイッチ
８  負荷
９  制御手段
１０  第３のコンデンサ
１３  第３の逆導通素子
１６  商用電源
１７  第４のコンデンサ
１８  整流ブリッジ
２０  スイッチ手段
２１  入力電流検出手段
２２  コイル電流検出手段
２３  第１の電圧検出手段
２４  第２の電圧検出手段
２６  第１の逆導通素子
２７  第２の逆導通素子
【図１】
2004288602.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2004288602.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
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