(57)【要約】【課題】リード仕様の異なる多品種の半導体チップに即応する半導体パッケージ製造用基板とその製造方法を提供する。【解決手段】基板１は、基板上のステージ形成部３と、ステージ形成部近傍に配列した多数個の内部接続用端子５と、内部接続用端子と基板表裏側で対向させた多数個の外部接続用端子６からなる。内外部の接続用端子間の導通路は長孔状のビアホール７である。この基板の製造方法は、半導体チップ２をステージ形成部に搭載し、半導体チップと内部接続用端子とを導電材２１で接続して基板全体を樹脂封止した後、各半導体チップ毎に所望の外部接続用端子に合わせて裁断する。裁断位置のビアホールは半裁時に隣接の半導体パッケージ間で共有させる。【選択図】　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１）上に形成したステージ形成部（３）と、
該ステージ形成部（３）の近傍に等間隔で配列し、かつ導電性薄膜で形成した多数個の内部接続用端子（５）と、
該各内部接続用端子（５）と前記基板（１）の表裏側で対向させた位置に導電性薄膜で形成した多数個の外部接続用端子（６）と、
からなることを特徴とした半導体パッケージ製造用基板。
【請求項２】
帯状に連続した基板（１）上の長手方向に、所定間隔で形成した多数個のステージ形成部（３）と、
１つのステージ形成部（３）に対して、その近傍に等間隔で配列し、かつ導電性薄膜で形成した多数個の内部接続用端子（５）と、
該各内部接続用端子（５）と前記基板（１）の表裏側で対向させた位置に導電性薄膜で形成した多数個の外部接続用端子（６）と、
からなることを特徴とした半導体パッケージ製造用基板。
【請求項３】
内部接続用端子（５）と外部接続用端子（６）との導通路を得るビアホール（７）を形成したことを特徴とした請求項１、又は２記載の半導体パッケージ製造用基板。
【請求項４】
ステージ形成部（３）に放熱用の開孔を形成したことを特徴とした請求項１、又は２記載の半導体パッケージ製造用基板。
【請求項５】
ステージ形成部（３）に熱伝導材を配設すると共に、該ステージ形成部（３）の裏面側から該熱伝導材へ通じるビアホール（７）を形成したことを特徴とした請求項１、又は２記載の半導体パッケージ製造用基板。
【請求項６】
ビアホール（７）の開孔形を長孔状に形成したことを特徴とした請求項３，又は５記載の半導体パッケージ製造用基板。
【請求項７】
内部接続用端子（５）と外部接続用端子（６）との導通路を確保した請求項１乃至６記載のいずれかの半導体パッケージ製造用基板を用い、
所定規格の半導体チップ（２）をステージ形成部（３）に搭載すると共に、
該半導体チップ（２）とその配線に必要な内部接続用端子（５）を選択して導電材（２１）で接続した後、
該半導体チップ（２）、及び内部配線を含む基板（１）全体を樹脂封止し、
該樹脂封止体（８）を、搭載した各半導体チップ（２）毎にその配線に必要な外部接続用端子（６）に合わせて裁断したことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項８】
ビアホール（７）により内部接続用端子（５）と外部接続用端子（６）との導通路を確保した請求項６記載の半導体パッケージ製造用基板を用いた請求項７記載の半導体パッケージの製造方法において、
裁断位置にあるビアホール（７）を半裁して隣接する半導体パッケージで、内部接続用端子（５）と外部接続用端子（６）との導通路を共有させたことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、基板上に導電性薄膜からなる配線パターンを配列形成し、このパターン上の所定位置に半導体チップを取付けてリード配線して樹脂封止した後、該半導体チップ毎に切り分けて個別の半導体パッケージを製造する技術分野に属するものであり、特に、１つの基板でリード仕様の異なる異種半導体チップに即応できるように、汎用性を持たせた配線パターンを形成してなる半導体パッケージの製造用基板、及びこの基板を用いた半導体パッケージの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、半導体パッケージの製造に使用されるプリント基板等の半導体製造用基板（以下、「基板」と略称する。）には、上面側に半導体チップとリード配線接続する内部接続用端子と、表面実装のために該内部接続用端子と導通させて基板下面側に配設した外部接続用端子と、から成る配線パターンが形成されていた。これらの配線パターンは、搭載する半導体チップのリード仕様等を考慮して予めレイアウト等の設計を行ってから形成しているものであった。
【０００３】
そして、上記の基板を用いた半導体パッケージの製造方法は、基板の所定位置に半導体チップを搭載して電極と内部接続用端子とをリード接続し、モールド金型によって一括樹脂封止を行った後、個別に切り分けて１つの半導体パッケージを製造する方法であった。
【０００４】
また、上記の内部接続用端子と外部接続用端子との導通路の確保においては、例えば、基板非貫通型のビアホール、又は基板貫通型のスルーホール（以下、「ビアホール等」とする。）を、各半導体パッケージ境界の切り分け位置に配置し、切り分け時にこれを半裁して隣接する半導体パッケージ間でそれぞれの導通路を形成することが行われており、これにより半導体パッケージに対する基板の占有比率を減少させ小型化を図っていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の半導体パッケージの製造に使用される基板は、搭載する区々規格の半導体チップのリード仕様に合わせて配線パターンやビアホール等の位置を専用に設計し、これに従って導電性薄膜の生膜、露光、開孔等の製造機械の調整や金型の製作等を行っていた。
【０００６】
このため、１つの基板ではリード仕様の異なる異種半導体チップを混在させることが困難であることはもちろん、リード仕様毎に多種類の基板を用意しておく必要があることに加え、製造工程においてはそれ毎に段取り設定する煩雑さがあった。このことは、基板製造コストの増加と、生産効率の低下から、製造コスト削減の障害要因となっていた。
【０００７】
このことから、従来の半導体パッケージ製造用基板、及びこれを用いた半導体パッケージの製造方法は、近年の多品種少量生産には不向きであると共に、短納期の試作依頼には柔軟かつ迅速に対応するものが難しいものであった。
【０００８】
また、たとえ上記の多品種少量生産や短納期の試作依頼の要求を満たしたとしても、そのイニシャルコストは高いものとなっていた。
【０００９】
【目的】
そこで、本願発明は、上記課題に着目して為されたものであり、各半導体チップ毎の専用基板を用意することなく、１つの基板でリード仕様の異なる多品種の半導体チップに即応できることを目的とする汎用性を備えた半導体パッケージ製造用基板、及びこれを用いた半導体パッケージの製造方法を提供する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本願発明にかかる半導体パッケージは以下のように構成している。
すなわち、基板（１）上に形成したステージ形成部（３）と、該ステージ形成部（３）の近傍に等間隔で配列し、かつ導電性薄膜で形成した多数個の内部接続用端子（５）と、該各内部接続用端子（５）と前記基板（１）の表裏側で対向させた位置に導電性薄膜で形成した多数個の外部接続用端子（６）と、からなることを特徴としている。
【００１１】
また、帯状に連続した基板（１）上の長手方向に、所定間隔で形成した多数個のステージ形成部（３）と、１つのステージ形成部（３）に対して、その近傍に等間隔で配列し、かつ導電性薄膜で形成した多数個の内部接続用端子（５）と、該各内部接続用端子（５）と前記基板（１）の表裏側で対向させた位置に導電性薄膜で形成した多数個の外部接続用端子（６）と、からなることを特徴としている。
【００１２】
さらに、内部接続用端子（５）と外部接続用端子（６）との導通路を得る開孔形を長孔状としたビアホール（７）を形成したことを特徴としている。
【００１３】
さらにまた、ステージ形成部（３）に放熱用の開孔を形成したことや、ステージ形成部（３）に熱伝導材を配設すると共に、該ステージ形成部（３）の裏面側から該熱伝導材へ通じるビアホール（７）を形成したことを特徴としている。
【００１４】
上述した半導体パッケージ製造用基板を用いた半導体パッケージの製造方法は、以下のように行っている。
すなわち、内部接続用端子（５）と外部接続用端子（６）との導通路を確保した半導体パッケージ製造用基板を用い、所定規格の半導体チップ（２）をステージ形成部（３）に搭載すると共に、該半導体チップ（２）とその配線に必要な内部接続用端子（５）を選択して導電材（２１）で接続した後、該半導体チップ（２）、及び内部配線を含む基板（１）全体を樹脂封止し、該樹脂封止体（８）を、搭載した各半導体チップ（２）毎にその配線に必要な外部接続用端子（６）に合わせて裁断したことを特徴としている。
【００１５】
また、ビアホール（７）により内部接続用端子（５）と外部接続用端子（６）との導通路を確保した半導体パッケージ製造用基板を用いた半導体パッケージの製造方法において、裁断位置にあるビアホール（７）を半裁して隣接する半導体パッケージで、内部接続用端子（５）と外部接続用端子（６）との導通路を共有させたことを特徴としている。
【００１６】
なお、上記の特許請求の範囲及び課題を解決するための手段の欄で記載した括弧付き符号は、発明の構成の理解を容易にするため参考として図面符号を付記したもので、この図面上の形態に限定するものでないことはもちろんである。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明に係る半導体パッケージ製造用基板、及びこれを用いた半導体パッケージの製造方法の実施形態例について、図面に基づき詳細に説明する。また、以下においては、半導体パッケージは「パッケージ」と、半導体チップは「チップ」と略称する。
【００１８】
まず、図１は本実施形態のパッケージの外観を示す斜視図であり、図２は本実施形態の基板を裏面から観る一部切欠きの概観斜視図であり、図３は本実施形態の樹脂封止工程を示す断面図であり、図４、５は本実施形態の基板へのチップ配置状態とリード仕様を示す平面図である。
【００１９】
基本的なパッケージＡの１単位は、例えば、図１に示すように、矩形状に裁断された基板１において、その表面（上面）側は、熱伝導性を有し中央部を帯状に横断する薄膜よりなるステージ形成部３が形成配置されており、該ステージ形成部にＡｇペースト３０を塗布してチップ２を搭載固定し、該ステージ形成部３の長手方向の両側に対向して所定間隔で形成配置する内部接続用端子５と、搭載チップ２の電極２０とリード配線２１により接続し、これらの上面配置品全体を樹脂封止体８で保護する構成としている。
【００２０】
また、裏面（下面）側は、ステージ形成部３の基板対向位置に熱伝導性を有する薄膜状の放熱板４を、内部接続用端子５の基板対向位置には外部接続用端子６を導電性薄膜より形成し、それぞれ基板１の端部側で半裁されたビアホール７で熱的又は電気的導通を確保している。なお、放熱板４のビアホール７については、基板１端部側の対向位置に配置のものは半裁されているが、内部側に配置のものは長孔状の開孔形を維持している。
【００２１】
なお、かかる構成自体は、従来のパッケージと同様であるため構成のさらなる詳細な説明は省略する。また、チップ２の仕様によってはステージ形成部３における薄膜部を省略してもよく、同様に放熱板４も省略しても良い。この場合においては、ステージ形成部３に放熱効果を向上させるため、基板貫通型のスルーホールを開孔するようにしても良い。
【００２２】
次に、本願発明にかかる基板１の本実施形態例は、図２に示すように、樹脂（例えば、ガラスエポキシ材）の板材からなる基板１の表面側に、熱伝導性を有する薄膜よりなる帯状の連続した面をもったステージ形成部３を所定間隔にて多数個を配設形成し、かつステージ形成部３の近傍において、ステージ形成部３の長手方向に沿って挟むようにして、導電性薄膜からなる多数個の内部接続用端子５を所定間隔で形成している。
【００２３】
また、基板１の裏面側には、該内部接続用端子５と表裏対向させた導電性薄膜からなる多数個の外部接続用端子６を形成し、該外部接続用端子６には、長孔状のビアホール７を形成している。
【００２４】
さらに、基板１の裏面側には、熱伝導性を有する薄膜状の放熱板４を配設し、２又は３個に横列させた長孔状のビアホール７を所定間隔で形成している。
【００２５】
かかるステージ形成部３、内部接続用端子５、外部接続用端子６、及び放熱板４からなる配線パターンの形成は、従来手法の、写真法による焼き付け、現像、エッチングの処理工程で行っている。また、ビアホール７はレーザドリルマシンにより開孔しているが、その形状は本実施形態例の長孔状に限定するものではなく、円形、多角形の何れでも良いのはもちろんである。
【００２６】
次に、上記実施形態例の基板１を用いていたパッケージの製造方法について説明する。
先ず、予め上記のように製造してある基板１のステージ形成部３に、Ａｇペースト３０を塗布して所定の半導体チップ２を縦列状に搭載して固定し、各々のチップ２の電極２０と内部接続用端子５をリード配線２１にて接続する。
【００２７】
そして、図３に示すように、各配線が完了した基板１全体をモールド金型９にセットし、樹脂封止用の樹脂の充填を行って樹脂封止体８を形成する。この樹脂封止工程時には、モールド金型９の雌型金型９０と固形後の樹脂の離型性を良くするため、フッ素樹脂フィルム９１を雌型金型９０の底面側に介在させることが好ましい。
【００２８】
最後に、基板１全体をモールド金型９より離型した後に裁断して、１単位毎のパッケージＡに切り分ける。
【００２９】
この時には、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ステージ形成部３に対して平行する方向は、内部接続用端子５（又は外部接続用端子）のビアホール７を半裁する位置で裁断すると共に（裁断線ａ）、ステージ形成部３に直交する方向においては、チップ２に適合させた内部接続用端子５の中間位置にて裁断する（裁断線ｂ）。なお、図４においては、一つの基板１におけるリード仕様が同一のチップ２を選択するようにしているが、図５に示すように、ステージ形成部３の長手方向に対して、リード仕様の異なるチップ２を混在して搭載するようにしても良い。
以上の工程により、同種規格又は異種規格のパッケージＡが多数個同時に形成される。
【００３０】
【他の実施形態の可能性】
上記の実施形態例においては、一種類の基板におけるステージ形成部３にリード仕様が一種類の同種チップ２のみを多数個搭載するものであるが、これに限定するものではなく、図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、パッケージＡの仕様によっては複数個の異なるサイズ及びリード仕様の異種チップ２２を搭載するようにする製造方法も可能である。
【００３１】
【効果】
上述した本願発明の半導体パッケージ製造用基板、及びこれを用いた半導体パッケージの製造方法により、半導体チップ毎の専用基板を予め用意する必要がないため、短納期かつ多品種のチップに即応することが可能となり、イニシャルコストの削減に貢献する。
【００３２】
また、本願発明によりパッケージ製造における試作等の簡略化にも寄与することになるため、新規パッケージの開発効率のスピードアップにも貢献するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態のパッケージの外観を示す斜視図である。
【図２】本実施形態の基板を裏面から観る一部切欠きの概観斜視図である。
【図３】本実施形態の樹脂封止工程を示す断面図である。
【図４】本実施形態の基板へのチップ配置状態とリード仕様を示す平面図である。
【図５】本実施形態の基板へのチップ配置状態とリード仕様を示す平面図である。
【図６】他の本実施形態についての裁断工程を示す平面図である。
【符号の説明】
Ａ　パッケージ
１　基板
２　チップ
２０　電極
２１　リード配線
２２　チップ（他の種類の）
３　ステージ形成部
３０　Ａｇペースト
４　放熱板
５　内部接続用端子
６　外部接続用端子
７　ビアホール
８　樹脂封止体
９　モールド金型
９０　雌型金型
９１　フッ素樹脂フィルム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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