(57)【要約】【課題】ダイナミックレンジが広く、高感度な電子捕獲検出器を提供することにある。【解決手段】放電室ＤＩは、針状の陰極２とリング状の陽極３とを有する。検知管ＤＥは、互いに離間して配置された第１及び第２のリング電極４，５を有する。注入管９からは、検知管ＤＥの内部にドーパントガスを導入される。注入管１０からは、ガスクロマトカラムから分離導入されたカラムガスが導入される。検出制御回路２０は、リング電極５を流れる電流を検出して、この電流の値が一定となるように、リング電極４に印加するバイアス電圧を制御するとともに、このバイアス電圧をクロマトグラフとして出力する。ここで、放電室の陽極３と検知管のリング電極４との間の距離Ｌ１と、検知管ＤＥの内径Ｄ１との比率Ｌ１／Ｄ１を３以上としている。【選択図】図１
2004333187.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
針状の陰極とリング状の陽極とを有する放電室と、
前記陰極と陽極の間に直流高圧を印加し、前記放電室に導入されたヘリウムの流れ中に連続放電を形成する直流電源と、
前記放電室の下流に配置されるとともに、互いに離間して配置された第１及び第２のリング電極を有する検知管と、
この検知管の内部にドーパントガスを導入するとともに、上流に向かって前記第１と第２のリング電極の間の位置で開口する第１の注入管と、
ガスクロマトカラムから分離導入されたカラムガスを導入するとともに、上流に向かって前記第１の注入管よりも下流側に開口する第２の注入管と、
前記検知管を構成する第１及び第２のリング電極の内、下流側に位置する第２のリング電極を流れる電流を検出して、この電流の値が一定となるように、前記第１のリング電極に印加するバイアス電圧を制御するとともに、このバイアス電圧をクロマトグラフとして出力する検出制御手段とを備え、
前記放電室の陽極と前記検知管の第１のリング電極との間の距離Ｌ１と、前記検知管の内径Ｄ１との比率Ｌ１／Ｄ１を３以上としたことを特徴とする電子捕獲検出器。
【請求項２】
請求項１記載の電子捕獲検出器において、
前記比率Ｌ１／Ｄ１を１０以下としたとを特徴とする電子捕獲検出器。
【請求項３】
請求項１記載の電子捕獲検出器において、
前記検知管及び前記放電室を、これらの収納するハウジングに対して加圧し、しかも、移動可能に保持する弾性体とを備えたことを特徴とする電子捕獲検出器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｈｅ中での直流連続放電による遠紫外光源をプラズマ生成のエネルギー源とした電子捕獲検出器に係り、特に、ガスクロマトグラフ用検知器として用いるに好適な電子捕獲検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の電子捕獲検出器としては、放射線源を用いるものや大電流パルス放電を用いるものなどが知られている。しかし、放射線源を用いるものは、放射性物質の管理が煩雑であり、また、大電流パルス放電を用いるものは、パルス放電を行うための電源制御回路が複雑化するものであった。それに対して、例えば、特開平９−２７４０１号公報に記載されているように、直流高電圧源を用いて放電するものが知られている。この方式では、Ｈｅ中の放電により遠紫外線を発生させ、その遠紫外光によりドーパントガスを電離し、相対的に電子密度の高い部分で主としてハロゲン化合物ガスの負イオンを生成させ、電離した正イオンとの再結合反応を利用し検知対象のガス濃度に対応する信号が得られる。
【０００３】
【特許文献１】
特開平９−２７４０１号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平９−２７４０１号公報に記載された構成について研究を進めた結果、この方式では、ダイナミックレンジを広くしようとすると、低感度領域の測定が不可能になるという問題があることが判明した。
【０００５】
本発明の目的は、ダイナミックレンジが広く、高感度な電子捕獲検出器を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
（１）上記目的を達成するために、本発明は、針状の陰極とリング状の陽極とを有する放電室と、前記陰極と陽極の間に直流高圧を印加し、前記放電室に導入されたヘリウムの流れ中に連続放電を形成する直流電源と、前記放電室の下流に配置されるとともに、互いに離間して配置された第１及び第２のリング電極を有する検知管と、この検知管の内部にドーパントガスを導入するとともに、上流に向かって前記第１と第２のリング電極の間の位置で開口する第１の注入管と、ガスクロマトカラムから分離導入されたカラムガスを導入するとともに、上流に向かって前記第１の注入管よりも下流側に開口する第２の注入管と、前記検知管を構成する第１及び第２のリング電極の内、下流側に位置する第２のリング電極を流れる電流を検出して、この電流の値が一定となるように、前記第１のリング電極に印加するバイアス電圧を制御するとともに、このバイアス電圧をクロマトグラフとして出力する検出制御手段とを備え、前記放電室の陽極と前記検知管の第１のリング電極との間の距離Ｌ１と、前記検知管の内径Ｄ１との比率Ｌ１／Ｄ１を３以上としたものである。
かかる構成により、ダイナミックレンジを広くして、高感度なものとすることができる。
【０００７】
（２）上記（１）において、好ましくは、前記比率Ｌ１／Ｄ１を１０以下としたものである。
【０００８】
（３）上記（１）において、好ましくは、前記検知管及び前記放電室を、これらの収納するハウジングに対して加圧し、しかも、移動可能に保持する弾性体とを備えるようにしたものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、図１及び図２を用いて、本発明の一実施形態による電子捕獲検出器の構成及び動作について説明する。
図１は、本発明の一実施形態による電子捕獲検出器の構成を示す断面図である。図２は、本発明の一実施形態による電子捕獲検出器の動作説明図である。
【００１０】
図１に示した本実施形態による電子捕獲検出器は、金属製のハウジング１Ａと、その内部に配置された放電室ＤＩと、検知管ＤＥとを備えている。
【００１１】
放電室ＤＩは、針状電極２と、リング状電極３と、金属製の箱体１Ｂと、絶縁性ブッシング１Ｃから構成される。針状電極２は、絶縁性ブッシング１Ｃを介して、箱体１Ｂに固定されている。リング状電極３は、箱体１Ｂに固定されている。針状電極２の先端部は、リング状電極３の中央の開口部中心に対向配置されている。針状電極２及びリング状電極３の電極材料としては、プラチナ（Ｐｔ）を用いている。
【００１２】
リング状電極３は、金属製箱体１Ｂと、金属製皿バネ１３と、金属製ハウジング１Ａを介して接地されている。針状電極２は、放電抵抗Ｒｄを介して、高圧直流電源１４に接続されている。針状電極２は陰極となり、リング状電極３は陽極なる。リング状電極３を接地する理由は、高電圧部と微弱電流を扱う検知管の間をシールドするガードリングとしての機能をもたせるためである。特に高温でも使用するガスクロマトグラフィの検出器では、２５０℃〜３００℃の温度で、高電圧とｐＡオーダーの微弱電流を扱うので、どの絶縁材料も充分な性能ではないためである。
【００１３】
また、放電室ＤＩには、外部のヘリウム（Ｈｅ）源１５からヘリウムが供給される。
【００１４】
検知管ＤＥは、１対のリング状電極４，５と、円筒状の絶縁管７とを有する。リング状電極４と絶縁管７との間には、軟質金属製のワッシャ状の平パッキン１１Ａが配置されている。リング状電極５と絶縁管７との間には、軟質金属製のワッシャ状の平パッキン１１Ｂが配置されている。リング状電極４と円筒状の絶縁管６との間には、軟質金属製のワッシャ状の平パッキン１１Ｃが配置されている。リング状電極５と円筒状の絶縁管８との間には、軟質金属製のワッシャ状の平パッキン１１Ｅが配置されている。絶縁管６と箱体１Ｂとの間には、軟質金属製のワッシャ状の平パッキン１１Ｄが配置されている。絶縁管８とハウジング１Ａとの間には、軟質金属製のワッシャ状の平パッキン１１Ｆが配置されている。電極４，５は、絶縁管７及び平パッキン１１Ｂ，１１Ｃによって所定距離Ｌ２だけ離間して互いに平行に配置されている。
【００１５】
ガスクロマト装置では、沸点の高い化合物も検出対象であるので、室温だけでなく２００〜３００℃の高い温度に検知管ＤＥの温度を保つ場合がある。また、ｐｇレベルの極めて微量のハロゲン化合物を主な検出対象とするため、絶縁管６，７，８は、吸着が少なく、かつ高温で電極３，４，５間の絶縁を維持する必要がある。そこで、絶縁管６，７，８の材料としては、石英や透明アルミナなどの不活性で電気的特性の良い材料を平滑にして用いている。
【００１６】
リング状電極４，５の電極材料としては、プラチナ（Ｐｔ）を用いている。平パッキン１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ，１１Ｅ，１１Ｆの材料としては、金（Ａｕ），銀（Ａｇ），アルミニュウム（Ａｌ）などの不活性な軟質金属を用いており、電極４，５等との気密性を確保している。これは絶縁管１１と電極４，５の材料の間には大きな膨張係数差があり、しかも活性Ｈｅからの強い紫外線に晒されるので、有機材料による封止が困難なためである。
【００１７】
また、ハウジング１Ａと放電室ＤＩの間に皿バネ１３を設けることにより、放電室および検知管全体を軸方向に変位可能なスライド機構として、軸方向の膨張係数差を吸収して、気密を保ちつつ熱応力による破損を防ぐ構造としている。
【００１８】
ハウジング１Ａの開口端部は、絶縁性のブッシング１Ｄ及びシール材１２により封止されている。検知管ＤＥの内部及び放電室ＤＩの内部は、ポンプ１８により排気される。
【００１９】
リング電極４の下流側または近傍には、注入管９が上流方向に開口している。検知管ＤＥの内部には、注入管９を介して、ドーパントガス源１７からドーパントガスが導入される。ドーパントガスの種類としては、Ｈｅより活性化エネルギーの低い気体、例えば，数％のＸｅやＣＯ２を含むＨｅ主体のガスが用いられる。
【００２０】
注入管１０は、ガスクロマトグラフィーの分離カラム１６によって分離したガスを導入する部分である。注入管１０は、リング電極５とリング電極４の間に上流に向かって開口し、その先端は注入管９の開口部より下流側に位置する。
【００２１】
電極５，６は、制御検出回路２０に接続されている。制御検出回路２０は、演算増幅器Ａ１，Ａ２と、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒｓと、コンデンサＣと、電源Ｖｓを備えている。演算増幅器Ａと帰還抵抗Ｒ１により電流電圧変換器を構成している。電流電圧変換器は、電極５から検出される電流を電圧信号に変換する。演算増幅器Ａ２と入力抵抗Ｅ２と帰還抵抗Ｃとによりバイアス電圧制御回路を構成している。バイアス電圧制御回路は、電源Ｖｓと抵抗Ｒｓから供給される基準電圧と、電流電圧変換器から出力される電圧信号を比較して、電流電圧変換器から出力される電圧信号が基準電圧に等しくなるように、電極４に供給するバイアス電圧を制御する。バイアス電圧制御回路の出力は、レコーダ１９にクロマト出力として出力され、記録される。
【００２２】
ここで、本実施形態による電子捕獲検出器の構成上の特徴は、次の点にある。すなわち、検知管ＤＥを構成する絶縁管６，７，８の内径をＲ１とし、放電室ＤＩのリング状電極３と、検知管ＤＥの２つのリング状電極４，５の内放電室ＤＩ側のリング状電極４との間の距離をＬ１とするとき、Ｌ１／Ｄ１≧３としたものである。ここで、検知管ＤＥを構成する絶縁管６，７，８の内径は全て等しいものとしてるが、仮に内径が異なるときは、放電室ＤＩに隣接した絶縁管６の内径をＤ１とする。
【００２３】
次に、図２を用いて、Ｌ１／Ｄ１≧３とする理由について説明する。図２において、縦軸は定常電流Ｉｓ［ｎＡ］を示し、横軸はバイアス電圧Ｖｂ［−Ｖ］を示している。
【００２４】
ここで、図２に示した定常電流Ｉｓ［ｎＡ］と、バイアス電圧Ｖｂ［−Ｖ］との関係は次のようにして測定している。すなわち、電子捕獲検出器の構成は図１に示したとおりであるが、回路構成は、制御検出回路２０において、演算増幅器Ａ２およびこれに付随する抵抗Ｒ２，Ｒｓと、コンデンサＣと、電源Ｖｓが用いていないものである。すなわち、検知対象ガスが存在しない時に、電極５から検出される電流が定常電流Ｉｓ［ｎＡ］であり、演算増幅器Ａ２によって電圧信号に変換されたものを電極４にバイアス電圧Ｖｂ［−Ｖ］として印加する。
【００２５】
図２において、実線Ｘは、検知管ＤＥを構成する絶縁管６，７，８の内径Ｒ１を３ｍｍとし、放電室ＤＩのリング状電極３と、検知管ＤＥの２つのリング状電極４，５の内放電室ＤＩ側のリング状電極４との間の距離Ｌ１を３ｍｍとしたときの定常電流Ｉｓ［ｎＡ］とバイアス電圧Ｖｂ［−Ｖ］の関係を示している。このとき、Ｌ１／Ｄ１＝１である。実線Ｘで示すように、定常電流Ｉｓ［ｎＡ］とバイアス電圧Ｖｂ［−Ｖ］の関係は、非直線性を示しており、濃度が高くなる従って、当初単調に増加するが、その後、電圧は増加するが、電流が減少する特性を示す。その後、再び、電圧増加に伴って、電流も単調増加する。実線Ｘで示すように、同一の電圧値に対して異なる電流値をとることとなる。
【００２６】
それに対して、実線Ｙは、検知管ＤＥを構成する絶縁管６，７，８の内径Ｒ１を３ｍｍとし、放電室ＤＩのリング状電極３と、検知管ＤＥの２つのリング状電極４，５の内放電室ＤＩ側のリング状電極４との間の距離Ｌ１を１０ｍｍとしたときの定常電流Ｉｓ［ｎＡ］とバイアス電圧Ｖｂ［−Ｖ］の関係を示している。このとき、Ｌ１／Ｄ１＝３．３である。実線Ｙで示すように、定常電流Ｉｓ［ｎＡ］とバイアス電圧Ｖｂ［−Ｖ］の関係は、濃度が高くなる従って、単調増加する特性を示す。
【００２７】
なお、放電室と検知管バイアス電圧の絶対値と定常電流の関係は、バイアスリング電極５とリング電極３の距離Ｌ１が狭いときには、注入管９の開口部位置を変えても、図２の実線Ｘのように一度上昇して低下し再び増加する傾向を示す。
【００２８】
次に、図１を用いて、本実施形態による電子捕獲検出器の動作について説明する。
【００２９】
放電室ＤＩにおいて、針状の電極２とリング状の電極３は、軸対称に配置されている。両電極２，３は、１〜２ｍｍ離隔して設置する。電極２，３間の放電電流が０．１〜２ｍＡになるよう適切な放電抵抗Ｒｄの抵抗値と高圧直流電源１４の電圧を選ぶ。放電抵抗Ｒｄの抵抗値は、放電電圧対放電電流の微分負性抵抗に比べ充分大きければ安定であるため、例えば、３．３ＭΩとする。放電電流を０，１５ｍＡとすると、放電抵抗Ｒｄの両端電圧が約５００Ｖとなる。高圧直流電源１４の電圧は、１０００Ｖ以下もあれば充分な安定性と放電電流が得られるので、１０００Ｖとする。このとき、電極２，３間に印加される放電電圧は５００Ｖとなる。すなわち、放電電圧は、高圧直流電源の電圧の大略１／２程度が好ましいものである。なお、直流放電では、放電電流を数１０ｍＡ以上に増加させると針電極の形状変化を生じ、長期的には安定な放電電流が得られないものである。
【００３０】
Ｈｅ源１５から放電室ＤＩにヘリウム（Ｈｅ）が供給される。電極２，３間の放電部に新鮮なＨｅが放電部に供給されるように、Ｈｅは、放電電極２の針先より上流に配置する。ここで、放電室ＤＩ及び検知管ＤＥの内部は、ポンプ１８により排気されているため、矢印Ａ１で示す向きにガスの流れが生じる。このガス流れの向きＡ１に対して、上流／下流の向きを定めている。また、Ｈｅの流量は、放電に十分な流量とし、例えば２０ｃｍ３〜６０ｃｍ３／分としている。
【００３１】
針電極２とリング電極３の間の放電により活性化されたＨｅは、放電室と同軸配置された絶縁管６，リング電極４，絶縁管７，リング電極５，絶縁管８からなる検知管ＤＥに導かれる。活性化されたＨｅはＨｅ２の状態にあるとされるが、その寿命は比較的長いので、流れによる移動と拡散が生じる。この結果、遠紫外線の発光中心は、放電電極３よりやや下流側の破線で示す領域ＥＬとなる。
【００３２】
リング電極４の下流側または近傍には、注入管９が上流方向に開口しており、検知管ＤＥの内部には、注入管９を介して、ドーパントガス源１７からドーパントガスが導入される。
【００３３】
ドーパントガスは検知管ＤＥの内部の流れに逆らって、上流方向にも拡散するが、１〜３ｍｍ上流に行くに従い濃度は１桁低下する。検知管の径Ｄ１に対し注入管は充分細くかつＨｅ流量に比べ流量も少ないので、注入管９から吹き出すドーパントガスは、検知管径に比べ大きくは吹き上がらず、電極４より下流側の破線で示す領域ＤＧの付近に、ほぼ径方向に均一なドーパントガス濃度の高い部分が形成される。このドーパントガス層でＨｅの遠紫外線が吸収され、ドーパントガスの低濃度のプラズマが形成される。このドーパントガス層の上流側近くのリング電極４には負のバイアス電圧が印加されているので、移動度の小さい＋イオンも電極４の近傍に引き寄せられる。
【００３４】
リング電極４付近に＋イオンが引き寄せられる結果、相対的に、電極５の上流近傍では電子密度が高くなる。すなわち、リング電極５は、回路的に仮想接地されており、０電位であるので、負電圧の印加された電極４より正電位である。したがって、リング電極５で電子が捕集され、検知対象ガスの存在しないときの電流、すなわち定常電流として観測できる。
【００３５】
ここで、放電室ＤＩのリング状電極３と、検知管ＤＥのリング状電極４との間の距離Ｌ１を短くすると、ドーパントガス層の近傍若しくは下流側で発光が生じるため、電子捕獲反応が行われる空間まで活性Ｈｅの遠紫外線が届くこととなり、検知対象ガスが直接電離されリング電極５の電流の増加が生じる。この結果が、図２に実線Ｘで示すような特性をもたらすものと考えられる。それに対して、本実施形態では、放電室ＤＩのリング状電極３と、検知管ＤＥのリング状電極４との間の距離Ｌ１を長くすることにより、ドーパントガス層の上流側で発光が生じるため、放電による活性化されたＨｅからの遠紫外線はドーパントガス層に遮蔽されるのでハロゲン化合物ガスを直接電離することはないものである。
【００３６】
なお、リング電極４より上流に生成したプラズマは電極２と電極４の間を流れる無効電流となるが、注入管９の開口部は電極４の少し上流までは設置可能である。
【００３７】
ガス状のハロゲン化合物含むガスが注入管１０より供給されると、ドーパントガス層の下流側でその開口部付近の領域ＥＮ付近には、層状にハロゲン化合物を含むガスの層が形成される。この領域ＥＮは電子密度の高い部分でもあるので、ハロゲン化合物はすみやかに電子を捕獲し、負のイオンとなる。一方、Ｈｅ２の遠紫外線はドーパントガス層に遮られ、ハロゲン化合物を含むガスを直接電離することはなく、電子捕獲と再結合過程のみがこの領域ＥＮで行われる。
【００３８】
正のイオンと負のイオンの衝突断面積は、＋イオンと電子の衝突断面積に比べ数桁大きく、負イオンの大部分は＋イオンと再結合して、リング電極５の電子電流を減少させる。
【００３９】
しかし、信号電流は、演算増幅器Ａ１で電流・電圧変換された後、増幅器Ａ２で基準の信号（ＶｓとＲｓで発生させた電流）と比較される。電極５の電流が減少しようとすると、制御増幅器Ａ２の働きによりバイアス電圧Ｖｓの絶対値が増加させられ、リング電極５の電流Ｉｓは一定に保つ動作を行う。
【００４０】
ここで、バイアス電圧対定常電流の特性が図２の実線Ｙのようになっていると、バイアス電圧の絶対値が大きくなると、電界が高まるとともに、リング電極４および電極５の実効面積が増加するので、定常電流そのものが増加するとともに、ハロゲン化合物が結合すべき電子密度も高くなる。この結果、高濃度ハロゲン化合物を含むガスに対しても、電子捕獲反応を維持できる。
【００４１】
このバイアス電圧出力に対応した信号をクロマト出力とすると、広いダイナミックレンジを持つ検出器となる。図２の実線Ｙで示す特性の場合、定常電流Ｉｓが１７ｎＡで一定になるように、バイアス電圧Ｖｓを制御する。
【００４２】
このような定常電流が一定となるように場威圧電圧を制御する方式では、図２の実線Ｘで示すような特性の場合には、バイアス電圧の絶対値の増加に対し、定常電流が減少する領域ではバイアス電圧が不連続に制御され、正常なクロマトグラフを示さないため、実用に供することはできないものである。
【００４３】
以上のように、放電室ＤＩのリング状電極３と、検知管ＤＥのリング状電極４との間の距離Ｌ１が狭いと図２に実線Ｘで示すように、非直線特性を示し、距離Ｌ１を広くすると、図２に実線Ｙで示すように、単調増加特性を示すことが判明した。そこで、検知管ＤＥを構成する絶縁管６，７，８の内径Ｒ１を３ｍｍとして、放電室ＤＩのリング状電極３と、検知管ＤＥのリング状電極４との間の距離Ｌ１を種々変えて、定常電流−バイアス電圧特性を調べたところ、距離Ｌ１を９ｍｍ以上とした場合には、図２に実線Ｙで示すように、単調増加特性を示すことが明らかとなった。さらに、検知管ＤＥを構成する絶縁管６，７，８の内径Ｒ１を変えて、同じように、放電室ＤＩのリング状電極３と、検知管ＤＥのリング状電極４との間の距離Ｌ１を種々変えて、定常電流−バイアス電圧特性を調べたところ、内径Ｄ１と距離Ｌ１との間に、Ｌ１／Ｄ１≧３の関係のとき、図２に実線Ｙで示すように、単調増加特性を示すことが明らかとなった。このとき、電極４，５の間の距離Ｌ２は、２０ｍｍとしている。また、電極４の厚さＬ３は、２ｍｍである。注入管９の先端と、電極４の下流端まで距離は、０〜５ｍｍが適当であり、ここでは、２ｍｍとしている。注入管１０が電極５の上流端から上流側に突出している距離は、３ｍｍとしている。
【００４４】
一方、距離Ｌ１を大きくするに従って、発光部ＥＬからドーパントガス層ＤＧまでの距離が遠いなるので、ドーパントガス層に到達した遠紫外線の強度が弱まり、プラズマ密度が低くなり、定常電流が低下する。遠紫外線の強度は、離隔距離Ｌ１の２乗に逆比例する。また、直流連続放電システムでは、放電電流を大幅には増加させられないので、離隔距離Ｌ１は検知管径Ｒ１の１０倍以下が現実的な選択となる。
【００４５】
なお、注入管９および注入管１０は、検出器に対し必ずしも同軸である必要はなく、多少偏心させたほうが、注入管の保持構造が簡単になる。このように完全に軸対称でなくとも、ガスは検知管の径方向にも拡散するので、軸方向にはほぼ均一なガス層が形成される。
【００４６】
以上のようにして、本実施形態では、放射線電子捕獲検出器で行われていたパルスサンプリング法と同様の直線化が全て直流回路で行われる。バイアス制御増幅器Ａ２は積分器として働いているので、このときリング電極５の電流は、事実上変動せず一定に保たれる。このような制御を行わないと、例えばＣＣｌ４を１０ｐｇを注入管２から導入すると数％から数１０％も検出電流が減少するので、捕獲すべき電子密度が低下し著しい非直線性を示す。
【００４７】
以上説明したように、本実施形態によれば、放射性物質や複雑な回路を必要とするパルス放電システムを使用することなく、高感度で、しかも、ダイナミックレンジを広くすることができる。
【００４８】
【発明の効果】
本発明によれば、電子捕獲検出器のダイナミックレンジを広くして、高感度なものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態による電子捕獲検出器の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による電子捕獲検出器の動作説明図である。
【符号の説明】
１Ａ…ハウジング
１Ｂ…箱体
１Ｃ，１Ｄ…絶縁性ブッシング
２，３，４，５…電極
６，７，８…絶縁管
９，１…注入管
１１…平パッキン
１２…シール材
１３…皿バネ
１４…直流電源
１５…Ｈｅ源
１６…分離カラム
１７…ドーパントガス源
１８…排気ポンプ
１９…レコーダ
２０…制御検出回路
【図１】
2004333187.tif 000003
【図２】
2004333187.tif 000004