(57)【要約】【課題】余った導電性粒子を再利用することが可能であり、また電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することが可能な、電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】電子部品４０の電極パッド４２が形成されているウエハの能動面にその電極パッド４２の上方に開口部を有する所定高さのマスクを形成する工程と、電極パッド４２の上方であってマスクにおける開口部の内側にマスクより高さの低いバンプ４４を形成する工程と、ウエハの能動面の上方に導電性粒子５０を散布する工程と、マスクの表面に残存する導電性粒子５０を除去する工程と、バンプ４４の表面に導電性粒子５０を固着させる工程と、マスクを除去する工程と、ウエハから電子部品４０を分離する工程とを有する構成とした。【選択図】        図１
2004296692.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハから電子部品を製造する方法であって、
前記電子部品の電極パッドが形成されている前記ウエハの能動面に、前記電極パッドの上方に開口部を有する所定高さのマスクを形成する工程と、
前記電極パッドの上方であって前記マスクにおける前記開口部の内側に、前記マスクより高さの低いバンプを形成する工程と、
前記ウエハの前記能動面の上方に、導電性粒子を散布する工程と、
前記マスクの表面に残存する前記導電性粒子を除去する工程と、
前記バンプの表面に、前記導電性粒子を固着させる工程と、
前記マスクを除去する工程と、
前記ウエハから前記電子部品を分離する工程と、
を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記導電性粒子を散布する工程の前に、前記バンプの表面に金属の被膜を形成する工程を有し、
前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記金属を溶融させた後に、前記金属を凝固させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記導電性粒子を散布する工程の前に、前記バンプの表面に可塑性樹脂を塗布する工程を有し、
前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記可塑性樹脂を可塑化させた後に、前記可塑性樹脂を硬化させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記導電性粒子を散布する工程の前に、前記バンプの表面に硬化性樹脂を塗布する工程を有し、
前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記硬化性樹脂を硬化させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程は、前記バンプの表面に向かって前記導電性粒子を加圧しつつ行うことを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記導電性粒子を散布する工程の後に、前記バンプの表面に金属を含む液状体を塗布する工程を有し、
前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記金属を凝結させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記導電性粒子を散布する工程の後に、前記バンプの表面に可塑性樹脂を塗布する工程を有し、
前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記可塑性樹脂を硬化させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記導電性粒子を散布する工程の後に、前記バンプの表面に硬化性樹脂を塗布する工程を有し、
前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記硬化性樹脂を硬化させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記導電性粒子を散布する工程の前に、前記バンプの表面に金属の被膜を形成する工程を有し、
前記導電性粒子を散布する工程の後に、前記バンプの表面に前記金属を含む液状体を塗布する工程を有し、
前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記金属を溶融させた後に、前記金属を凝固させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記導電性粒子を散布する工程の前に、前記バンプの表面に可塑性樹脂を塗布する工程を有し、
前記導電性粒子を散布する工程の後に、前記バンプの表面に前記可塑性樹脂を塗布する工程を有し、
前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記可塑性樹脂を可塑化させた後に、前記可塑性樹脂を硬化させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記導電性粒子を散布する工程の前に、前記バンプの表面に硬化性樹脂を塗布する工程を有し、
前記導電性粒子を散布する工程の後に、前記バンプの表面に前記硬化性樹脂を塗布する工程を有し、
前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記硬化性樹脂を硬化させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程は、前記バンプの表面に向かって前記導電性粒子を加圧しつつ行うことを特徴とする請求項９ないし１１のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記可塑性樹脂または前記硬化性樹脂を塗布する工程では、前記可塑性樹脂または前記硬化性樹脂を溶剤に溶解させた液状体を塗布し、
前記可塑性樹脂または前記硬化性樹脂を塗布する工程の後に、前記溶剤を蒸発させることを特徴とする請求項３、４、５、７、８、１０、１１または１２のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１４】
前記硬化性樹脂は、硬化後の前記硬化性樹脂であることを特徴とする請求項１３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１５】
前記可塑性樹脂または前記硬化性樹脂を塗布する工程では、前記可塑性樹脂または前記硬化性樹脂を含む液状体を、液滴吐出装置により前記バンプの上方に塗布することを特徴とする請求項３、４、５、７、８、１０、１１、１２、１３または１４のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１６】
前記導電性粒子を散布する工程では、金属で被覆された前記導電性粒子を散布し、
前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記金属を溶解させた後に、前記金属を凝固させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１７】
前記導電性粒子を散布する工程では、可塑性樹脂で被覆された前記導電性粒子を散布し、
前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記可塑性樹脂を可塑化させた後に、前記可塑性樹脂を硬化させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１８】
前記導電性粒子を散布する工程では、硬化前の硬化性樹脂で被覆された前記導電性粒子を散布し、
前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記硬化性樹脂を硬化させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１９】
前記導電性粒子を散布する工程では、硬化後の硬化性樹脂で被覆された前記導電性粒子を散布し、
前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記硬化性樹脂を溶解可能な溶剤を塗布することにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項２０】
前記可塑性樹脂は、熱可塑性樹脂であることを特徴とする請求項３、５、７、１０、１２、１３、１５または１７のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項２１】
前記硬化性樹脂は、熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項４、５、８、１１、１２、１３、１４、１５、１８または１９のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項２２】
前記硬化性樹脂は、光硬化性樹脂であることを特徴とする請求項４、５、８、１１、１２、１３、１４、１５、１８または１９のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項２３】
前記導電性粒子を散布する工程の後に、
前記ウエハを振動させることにより、前記マスクの表面に散布された前記導電性粒子を、前記バンプの表面に移動させる工程を有することを特徴とする請求項１ないし２２のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項２４】
前記ウエハを振動させる工程では、
５０Ｈｚ以上１０００Ｈｚ以下の周波数で前記ウエハを振動させることを特徴とする請求項２３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項２５】
前記ウエハを振動させる工程では、
前記マスクにおける前記開口部の開口幅以下の振幅で、前記ウエハの前記能動面に対して平行に、前記ウエハを振動させることを特徴とする請求項２３または２４に記載の電子部品の製造方法。
【請求項２６】
前記ウエハを振動させる工程では、
前記マスクと前記バンプとの高低差以下の振幅で、前記ウエハの前記能動面に対して垂直に、前記ウエハを振動させることを特徴とする請求項２３または２４に記載の電子部品の製造方法。
【請求項２７】
前記マスクの表面に残存する前記導電性粒子を除去する工程では、前記ウエハの前記能動面に気体を吹き付けることにより、前記マスクの表面に残存する前記導電性粒子を除去することを特徴とする請求項１ないし２６のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項２８】
前記マスクの表面に残存する前記導電性粒子を除去する工程では、前記ウエハを振動させることにより、前記マスクの表面に残存する前記導電性粒子を除去することを特徴とする請求項１ないし２６のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項２９】
前記マスクの表面に残存する前記導電性粒子を除去する工程では、前記ウエハを傾斜させつつ前記ウエハを振動させることにより、前記マスクの表面に残存する前記導電性粒子を除去することを特徴とする請求項１ないし２６のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項３０】
前記マスクの表面に残存する前記導電性粒子を除去する工程では、前記マスクの表面に残存する前記導電性粒子を掻き取ることによって前記導電性粒子を除去することを特徴とする請求項１ないし２６のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項３１】
前記マスクの所定高さは、前記マスクと前記バンプとの高低差が、前記導電性粒子の直径より大きくなる高さであることを特徴とする請求項１ないし３０のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項３２】
前記ウエハから前記電子部品を分離する工程の前に、前記ウエハの前記能動面に硬化性樹脂層を形成する工程を有することを特徴とする請求項１ないし３１のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項３３】
請求項１ないし３２のいずれかに記載の電子部品の製造方法を使用して製造したことを特徴とする電子部品。
【請求項３４】
請求項３３に記載の電子部品を、相手側基板に位置合わせしながら加圧するとともに、前記硬化性樹脂層を硬化させることにより、前記電子部品を前記相手側基板に実装することを特徴とする電子部品の実装方法。
【請求項３５】
請求項３３に記載の電子部品を、硬化性樹脂層が形成された相手側基板に位置合わせしながら加圧するとともに、前記硬化性樹脂層を硬化させることにより、前記電子部品を前記相手側基板に実装することを特徴とする電子部品の実装方法。
【請求項３６】
請求項３３に記載の電子部品を、相手側基板に位置合わせしながら加圧するとともに、前記電子部品と前記相手側基板との隙間に硬化性樹脂層を形成して前記硬化性樹脂層を硬化させることにより、前記電子部品を前記相手側基板に実装することを特徴とする電子部品の実装方法。
【請求項３７】
前記硬化性樹脂層は熱硬化性樹脂層であり、
前記硬化性樹脂層を硬化させる際に、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させている前記金属を溶解させることが可能な温度で加熱することを特徴とする請求項３４ないし３６のいずれかに記載の電子部品の実装方法。
【請求項３８】
前記硬化性樹脂層は熱硬化性樹脂層であり、
前記硬化性樹脂を硬化させる際に、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させている前記熱可塑性樹脂を可塑化させることが可能な温度で加熱することを特徴とする請求項３４ないし３６のいずれかに記載の電子部品の実装方法。
【請求項３９】
請求項３４ないし３８のいずれかに記載の電子部品の実装方法を使用して製造したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品の製造方法、電子部品、電子部品の実装方法および電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣ等の電子部品は、回路基板等に実装されて使用されている。この電子部品を回路基板に実装する方法について、さまざまな方法が提案されている。図９に、従来技術に係る電子部品の実装方法の説明図を示す。図９（ａ）では、異方導電性フィルム（ＡＣＦ）１９０を挟んで、ＩＣ等の電子部品１７０が相手側基板１２０に実装されている。異方導電性フィルム１９０は、熱硬化性樹脂１９２に導電性粒子１９５を分散させたものである。この導電性粒子１９５が、電子部品１７０の能動面に形成された電極パッド１７２と、相手側基板１２０の表面に形成された電極パッド１２２との間に入り込んで、両者が電気的に接続されている。また、加熱により硬化した熱硬化性樹脂１９２により、電子部品１７０と相手側基板１２０とが機械的に接続されている。
【０００３】
近年では、電子部品の小型化にともなって、電極パッド相互の狭ピッチ化が進んでいる。ところが、異方導電性フィルムを使用した上記の実装方法では、水平方向に隣接する電極パッドの間にも導電性粒子１９５が配置されるため、電極パッド相互の短絡が発生するおそれがある。また、電極パッドの狭ピッチ化にともなって電極パッド自体も小さくなるため、各電極パッドが捕捉する導電性粒子の個数が減少し、電気的接続の信頼性が低下する。さらに、高価な導電性粒子のすべてを電気的接続に利用することができない。
【０００４】
そこで、特許文献１ないし３には、あらかじめ電極パッドの表面に導電性粒子を固着させて相手側基板に実装することにより、隣接する電極パッドの間に導電性粒子を配置しない構造が開示されている。図９（ｂ）に、特許文献３に開示された実装方法の説明図を示す。この実装方法では、導電粒子２９５を接着剤２９６で被覆して接着性導電粒子２９８を形成し、この接着性導電粒子２９８を電子部品２７０における電極パッド２７２の表面に接着する。その接着方法は、まず電子部品２７０の能動面における電極パッド２７２の形成部分以外の部分に、レジスト膜２８０を形成する。次に、接着性導電粒子２９８を平面上に分散し、分散された接着性導電粒子２９８に対して電子部品２７０を加熱加圧する。これにより、電子部品２７０の能動面全体に接着性導電粒子２９８が接着される。次に、電極パッド２７２以外のレジスト膜２８０の表面に接着された接着性導電粒子２９８を、レジスト膜２８０とともに除去する。以上により、電極パッド２７２の表面のみに接着性導電粒子２９８が接着された状態となる。そして、残された接着性導電粒子２９８を相手側基板２２０の電極パッド２２２に位置決めして、電子部品２７０を相手側基板２２０に加熱圧着する。これにより、接着性導電粒子２９８の接着剤２９６が溶解して電子部品２７０と相手側基板２２０とが機械的に接続され、また露出した導電粒子２９５により両者が電気的に接続される。
【０００５】
【特許文献１】
特開平７−６７９９号公報
【特許文献２】
特開平１０−８４１７８号公報
【特許文献３】
特開２００２−１７０８３７号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献３に開示された実装方法では、上述したようにレジスト膜２８０の表面に接着された接着性導電粒子２９８をレジスト膜２８０とともに除去するので、余った接着性導電粒子２９８を再利用することができないという問題がある。なお、導電粒子２９５は高価であり、これを接着剤２９６で被覆した接着性導電粒子２９８はさらに高価であることから、余った接着性導電粒子２９８を廃棄することにより多くの製造コストを浪費することになる。
【０００７】
また、特許文献３に記載された実装方法では、上述したように接着性導電粒子２９８を平面上に分散し、その表面に電子部品２７０を加熱加圧して接着性導電粒子２９８を接着させるが、接着性導電粒子２９８を平面上に均等に分散させるのは困難である。接着性導電粒子２９８が不均等に分散された場合には、電子部品２７０の電極パッド２７２の表面に接着性導電粒子２９８を配置できなくなるおそれがあり、電子部品２７０と相手側基板２２０とを電気的に接続することが不可能になるという問題がある。
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、余った導電性粒子を再利用することが可能であり、また電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することが可能な、電子部品の製造方法、電子部品の提供を目的とする。
また、電極パッド相互の短絡を防止することが可能な、電子部品の実装方法の提供を目的とする。さらに、上記効果をともなった電子機器の提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の電子部品の製造方法は、ウエハから複数の電子部品を製造する方法であって、前記電子部品の電極パッドが形成されている前記ウエハの能動面に、前記電極パッドの上方に開口部を有する所定高さのマスクを形成する工程と、前記電極パッドの上方であって前記マスクにおける前記開口部の内側に、前記マスクより高さの低いバンプを形成する工程と、前記ウエハの前記能動面の上方に、導電性粒子を散布する工程と、前記マスクの表面に残存する前記導電性粒子を除去する工程と、前記バンプの表面に、前記導電性粒子を固着させる工程と、前記マスクを除去する工程と、前記ウエハから前記電子部品を分離する工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、導電性粒子がマスクの表面に散布された場合でも、その導電性粒子を除去してからマスクを除去するので、余った導電性粒子を再利用することができる。また、バンプの高さをマスクより低く形成するので、バンプ形成用のマスクを利用してバンプの上方に凹部が形成される。この場合、散布された導電性粒子の多くが凹部に捕捉されるので、バンプの表面に確実に導電性粒子を配置することができる。したがって、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００１１】
また、前記導電性粒子を散布する工程の前に、前記バンプの表面に金属の被膜を形成する工程を有し、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記金属を溶融させた後に、前記金属を凝固させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる構成としてもよい。なお、金属の被膜の形成は、スパッタ法や蒸着法、メッキ法等によって行うことが望ましい。
また、前記導電性粒子を散布する工程の前に、前記バンプの表面に可塑性樹脂を塗布する工程を有し、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記可塑性樹脂を可塑化させた後に、前記可塑性樹脂を硬化させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる構成としてもよい。
また、前記導電性粒子を散布する工程の前に、前記バンプの表面に硬化性樹脂を塗布する工程を有し、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記硬化性樹脂を硬化させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる構成としてもよい。
これらの構成によれば、導電性粒子がバンプの表面に確実に固着されるので、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００１２】
なお、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程は、前記バンプの表面に向かって前記導電性粒子を加圧しつつ行うことが望ましい。これにより、導電性粒子がバンプの表面に接触した状態で固着され、両者が確実に電気的接続されるので、電子部品と相手側基板とをより確実に電気的接続することができる。
【００１３】
また、前記導電性粒子を散布する工程の後に、前記バンプの表面に金属を含む液状体を塗布する工程を有し、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記金属を凝結させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる構成としてもよい。なお、金属を含む液状体として、金属をペースト状にしたものを使用することが望ましい。
また、前記導電性粒子を散布する工程の後に、前記バンプの表面に可塑性樹脂を塗布する工程を有し、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記可塑性樹脂を硬化させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる構成としてもよい。
また、前記導電性粒子を散布する工程の後に、前記バンプの表面に硬化性樹脂を塗布する工程を有し、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記硬化性樹脂を硬化させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる構成としてもよい。
これらの構成によっても、導電性粒子がバンプの表面に確実に固着されるので、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００１４】
また、前記導電性粒子を散布する工程の前に、前記バンプの表面に金属の被膜を形成する工程を有し、前記導電性粒子を散布する工程の後に、前記バンプの表面に前記金属を含む液状体を塗布する工程を有し、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記金属を溶融させた後に、前記金属を凝固させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる構成としてもよい。
また、前記導電性粒子を散布する工程の前に、前記バンプの表面に可塑性樹脂を塗布する工程を有し、前記導電性粒子を散布する工程の後に、前記バンプの表面に前記可塑性樹脂を塗布する工程を有し、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記可塑性樹脂を可塑化させた後に、前記可塑性樹脂を硬化させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる構成としてもよい。
また、前記導電性粒子を散布する工程の前に、前記バンプの表面に硬化性樹脂を塗布する工程を有し、前記導電性粒子を散布する工程の後に、前記バンプの表面に前記硬化性樹脂を塗布する工程を有し、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記硬化性樹脂を硬化させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる構成としてもよい。
これらの構成によれば、導電性粒子がバンプの表面により確実に固着される。これにより、マスクを除去する際に、バンプ上に配置された導電性粒子が、熱可塑性樹脂とともにバンプから引き剥がされることがなくなる。したがって、電子部品と相手側基板とをより確実に電気的接続することができる。
【００１５】
なお、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程は、前記バンプの表面に向かって前記導電性粒子を加圧しつつ行うのが望ましい。これにより、導電性粒子がバンプの表面に接触した状態で固着され、両者が確実に電気的接続されるので、電子部品と相手側基板とをさらに確実に電気的接続することができる。
【００１６】
また、前記可塑性樹脂または前記硬化性樹脂を塗布する工程では、前記可塑性樹脂または前記硬化性樹脂を溶剤に溶解させた液状体を塗布し、前記可塑性樹脂または前記硬化性樹脂を塗布する工程の後に、前記溶剤を蒸発させる構成としてもよい。
なお、前記硬化性樹脂は、硬化後の前記硬化性樹脂であってもよい。特に、硬化後のポリイミドは、マスクの剥離液に対する耐性に優れているため、前記硬化性樹脂として好適である。この場合、溶剤としてピロリドン等を使用することができる。
これらの構成によれば、可塑性樹脂または硬化性樹脂を容易に塗布することができる。
【００１７】
また、前記可塑性樹脂または前記硬化性樹脂を塗布する工程では、前記可塑性樹脂または前記硬化性樹脂を含む液状体を、液滴吐出装置により前記バンプの上方に塗布する構成としてもよい。なお、液滴吐出装置として、インクジェット装置等を使用することができる。この構成によれば、可塑性樹脂または硬化性樹脂を、所定の位置に所定量だけ塗布することができる。これにより、導電性粒子の固着状態が均一化するので、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００１８】
また、前記導電性粒子を散布する工程では、金属で被覆された前記導電性粒子を散布し、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記金属を溶解させた後に、前記金属を凝固させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる構成としてもよい。なお、前記金属がハンダの場合には、導電性粒子を散布する工程の前にバンプの表面にフラックスを塗布し、導電性粒子を固着させる工程ではリフローを行うのが望ましい。
また、前記導電性粒子を散布する工程では、可塑性樹脂で被覆された前記導電性粒子を散布し、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記可塑性樹脂を可塑化させた後に、前記可塑性樹脂を硬化させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる構成としてもよい。
また、前記導電性粒子を散布する工程では、硬化前の硬化性樹脂で被覆された前記導電性粒子を散布し、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記硬化性樹脂を硬化させることにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる構成としてもよい。
また、前記導電性粒子を散布する工程では、硬化後の硬化性樹脂で被覆された前記導電性粒子を散布し、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる工程では、前記硬化性樹脂を溶解可能な溶剤を塗布することにより、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させる構成としてもよい。
これらの構成によっても、導電性粒子がバンプの表面に確実に固着されるので、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００１９】
なお、前記金属は、インジウム（Ｉｎ）や錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）等の低融点金属、またはハンダを含むこれらの合金であるのが望ましい。この場合、低温で金属を溶融させることができるので、電子部品に対するダメージを抑制することができる。特に、錫（Ｓｎ）は、濡れ性がよく、また２３０℃程度の低温で溶融することから、前記金属として好適である。
なお、前記可塑性樹脂は、ポリアミド等の熱可塑性樹脂であるのが望ましい。この場合、加熱することによって簡単に可塑性樹脂を可塑化することができる。特に、ポリアミドは、マスクの剥離液に対する耐性に優れ、また１５０〜２００℃程度の低温で軟化することから、前記可塑性樹脂として好適である。この場合、溶剤としてトルエン／アルコール等を使用することができる。
なお、前記硬化性樹脂は、エポキシ等の熱硬化性樹脂であるのが望ましい。この場合、加熱することによって簡単に硬化性樹脂を硬化させることができる。特に、エポキシは、マスクの剥離液に対する耐性に優れ、また１５０〜２００℃程度の低温で硬化することから、前記硬化性樹脂として好適である。この場合、溶剤としてトルエン／アルコール等を使用することができる。
なお、前記硬化性樹脂は、アクリル等の光硬化性樹脂であってもよい。この場合、紫外線等の光を照射することによって簡単に硬化性樹脂を硬化させることができる。
【００２０】
また、前記導電性粒子を散布する工程の後に、前記ウエハを振動させることにより、前記マスクの表面に散布された前記導電性粒子を、前記バンプの表面に移動させる工程を有する構成としてもよい。
なお、前記ウエハを振動させる工程では、５０Ｈｚ以上１０００Ｈｚ以下の周波数で前記ウエハを振動させるのが望ましい。
これらの構成によれば、より多くの導電性粒子がバンプの表面に配置されるので、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００２１】
また、前記ウエハを振動させる工程では、前記マスクにおける前記開口部の開口幅以下の振幅で、前記ウエハの前記能動面に対して平行に、前記ウエハを振動させる構成としてもよい。
また、前記ウエハを振動させる工程では、前記マスクと前記バンプとの高低差以下の振幅で、前記ウエハの前記能動面に対して垂直に、前記ウエハを振動させる構成としてもよい。
これらの構成によれば、バンプの表面に配置された導電性粒子が、ウエハの振動によってマスクの表面に飛び出すおそれがない。したがって、多くの導電性粒子をバンプの表面に配置することが可能となり、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００２２】
また、前記マスクの表面に残存する前記導電性粒子を除去する工程では、前記ウエハの前記能動面に気体を吹き付けることにより、前記マスクの表面に残存する前記導電性粒子を除去する構成としてもよい。
また、前記マスクの表面に残存する前記導電性粒子を除去する工程では、前記ウエハを振動させることにより、前記マスクの表面に残存する前記導電性粒子を除去する構成としてもよい。
また、前記ウエハを傾斜させつつ前記ウエハを振動させることにより、前記マスクの表面に残存する前記導電性粒子を除去する構成としてもよい。
なお、上述したようにマスクの表面に散布された導電性粒子をバンプの表面に移動させるためにウエハを振動させる場合には、その振幅を徐々に大きくすることにより、マスクの表面に残存する導電性粒子を除去してもよい。
また、前記マスクの表面に残存する前記導電性粒子を除去する工程では、前記マスクの表面に残存する前記導電性粒子を掻き取ることによって前記導電性粒子を除去する構成としてもよい。なお、前記導電性粒子の掻き取りにはスキージを使用することが好ましい。
これらの構成によれば、マスクの表面に残存する導電性粒子の殆どを除去することができる。したがって、余った導電性粒子を再利用することができる。また、マスクの表面に残存する導電性粒子を除去しつつ、一部の導電性粒子をバンプの表面に移動させることができる。したがって、多くの導電性粒子をバンプの表面に配置することが可能になり、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００２３】
なお、前記マスクの所定高さは、前記マスクと前記バンプとの高低差が、前記導電性粒子の直径より大きくなる高さであるのが望ましい。この構成によれば、マスクの表面に残存する導電性粒子を上述した方法で除去する際に、バンプの表面に配置された導電性粒子が同時に除去されるおそれは少ない。したがって、多くの導電性粒子をバンプの表面に配置することが可能となり、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００２４】
また、前記ウエハから前記電子部品を分離する工程の前に、前記ウエハの前記能動面に硬化性樹脂層を形成する工程を有する構成としてもよい。この電子部品を相手側基板に位置合わせしながら加熱加圧を行って前記硬化性樹脂層を硬化させることにより、電子部品と相手側基板との電気的接続部を保護することができるからである。また、導電性粒子を含まない硬化性樹脂層を形成することにより、隣接する電極パッド相互の短絡を防止することができる。
【００２５】
一方、本発明の電子部品は、上述した電子部品の製造方法を使用して製造したことを特徴とする。これにより、上述した効果をともなった電子部品を提供することができる。
【００２６】
一方、本発明の電子部品の実装方法は、上述した電子部品を、相手側基板に位置合わせしながら加圧するとともに、前記硬化性樹脂層を硬化させることにより、前記電子部品を前記相手側基板に実装することを特徴とする。
また、上述した電子部品を、硬化性樹脂層が形成された相手側基板に位置合わせしながら加圧するとともに、前記硬化性樹脂層を硬化させることにより、前記電子部品を前記相手側基板に実装する構成としてもよい。
また、上述した電子部品を、相手側基板に位置合わせしながら加圧するとともに、前記電子部品と前記相手側基板との隙間に硬化性樹脂層を形成して前記硬化性樹脂層を硬化させることにより、前記電子部品を前記相手側基板に実装する構成としてもよい。
これらの構成によれば、電子部品を相手側基板に位置合わせしながら加熱加圧を行って硬化性樹脂層を硬化させるので、電子部品と相手側基板との電気的接続部を保護することができる。また、導電性粒子を含まない硬化性樹脂層を形成することにより、隣接する電極パッド相互の短絡を防止することができる。
【００２７】
なお、前記硬化性樹脂層は熱硬化性樹脂層であり、前記硬化性樹脂層を硬化させる際に、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させている金属を溶解させることが可能な温度で加熱するのが望ましい。
なお、前記硬化性樹脂層は熱硬化性樹脂層であり、前記硬化性樹脂層を硬化させる際に、前記バンプの表面に前記導電性粒子を固着させている熱可塑性樹脂を可塑化させることが可能な温度で加熱するのが望ましい。
これらの構成によれば、導電性粒子がバンプの上方に積層されていた場合でも、導電性粒子を固着させている金属を溶融させることにより、または導電性粒子を固着させている熱可塑性樹脂を可塑化させることにより、導電性粒子を平坦化してバンプの表面のみに配置することができる。したがって、電子部品と相手側基板とを確実に電気的接続することができる。
【００２８】
一方、本発明の電子機器は、上述した電子部品の実装方法を使用して製造したことを特徴とする。これにより、上述した効果をともなった電子機器を提供することができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００３０】
［液晶表示装置］
最初に、本発明に係る電子部品の実施形態であるＩＣを使用した液晶表示装置について、図２および図３を用いて説明する。なお、図２は液晶表示装置の分解斜視図であり、図３は図２のＡ−Ａ線における側面断面図である。なお本実施形態ではパッシブマトリクス型の液晶表示装置を例にして説明するが、本発明をアクティブマトリクス型の液晶表示装置に適用することも可能である。
【００３１】
図２に示すように、本実施形態の液晶表示装置１では、ガラス等の透明材料からなる一対の下部基板１０および上部基板２０が対向配置されている。両基板１０，２０の間隔は、これらの間に配置されたビーズ状スペーサ（図示せず）の直径によって規定され、たとえば５μｍ程度に保持されている。また、両基板１０，２０は、熱硬化型や紫外線硬化型などの接着剤からなるシール材３０によって、周縁部が接合されている。そのシール材３０の一部には、両基板１０，２０から外側に突出した液晶注入口３２が設けられている。そして、両基板１０，２０とシール材３０とによって囲まれた空間に液晶注入口３２から液晶が注入された後に、液晶注入口３２が封止材３１によって封止されている。
【００３２】
また、下部基板１０の下側には入射側偏光板１８が配置され、上部基板２０の上側には出射側偏光板２８が配置されている。なお、入射側偏光板１８および出射側偏光板２８は、それぞれの偏光軸（透過軸）が９０°ずれた状態で配置されている。また、入射側偏光板１８の下側には、バックライト装置２が配置されている。そして、バックライト装置２からの光が入射側偏光板１８に入射すると、入射側偏光板１８の偏光軸に沿った直線偏光のみが入射側偏光板１８を透過する。入射側偏光板１８を透過した直線偏光は、両基板１０，２０によって挟持された液晶層を透過する過程で、液晶分子の配向状態にしたがって回転する。さらに、液晶層を透過した直線偏光は、その偏光軸が出射側偏光板２８の偏光軸と一致する場合にのみ、出射側偏光板２８を透過する。この出射側偏光板２８を透過した直線偏光によって画像が構成される。
【００３３】
一方、上部基板２０の内面には、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる走査電極２２がストライプ状に形成されている。一方、下部基板１０の内面には、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる信号電極１２がストライプ状に形成されている。なお、走査電極２２および信号電極１２は直交するように配置され、その交点付近が液晶表示装置の画素領域となっている。そして、一の走査電極２２に走査信号が供給され、一の信号電極１２にデータ信号が供給されると、両電極１２，２２の交点おいて両電極１２，２２に挟まれた液晶層に電圧が印加される。ここで、印加された電圧レベルに応じて液晶分子の配向状態が制御される。これにより、液晶層に入射した直線偏光の回転角度が制御されて、液晶表示装置１による画像表示が行われる。
【００３４】
図３は、図２のＡ−Ａ線における側面断面図である。上部基板の内面における各画素領域には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）のカラーフィルタ層２４ｒ、２４ｇ、２４ｂが形成されている。これにより、液晶表示装置１によるカラー画像の表示が可能になっている。なお、各カラーフィルタ層２４ｒ、２４ｇ、２４ｂの間には遮光膜２５が形成され、隣接する画素領域からの光の洩れが防止されている。また、各カラーフィルタ層２４ｒ、２４ｇ、２４ｂの表面には走査電極２２が形成され、走査電極２２の表面には配向膜２６が形成されている。
【００３５】
一方、下部基板１０の上側には、信号電極１２が形成されている。また、信号電極１２の表面にはオーバーコート膜１５が形成され、オーバーコート膜１５の表面には液晶分子の配向膜１６が形成されている。この配向膜１６により、電圧無印加時における液晶分子の配向状態が規定される。なお、上部基板２０の配向膜２６による液晶分子の配向方向と、下部基板１０の配向膜１６による液晶分子の配向方向とが、９０°ずれるように各配向膜１６，２６が形成されている。
【００３６】
ここで、下部基板１０が上部基板２０の側方に張り出し形成され、その張り出し部１１に各信号電極１２が延長形成されている。また、張り出し部１１の先端には、液晶表示装置１と他の基板とを接続するための配線パターン１３が形成されている。そして、各配線パターン１３と各信号電極１２との間には、他の基板からの信号に基づいて各信号電極１２を駆動するための駆動用ＩＣ４０が実装されている。同様に、図２に示すように、上部基板２０にも張り出し部２１が形成され、その張り出し部２１に各走査電極２２が延長形成されて、各走査電極２２を駆動するための駆動用ＩＣ４０が実装されている。
【００３７】
［駆動用ＩＣの実装構造］
図１は、本発明に係る電子部品の実施形態である駆動用ＩＣ４０の実装状態の説明図であって、図２のＢ−Ｂ線における正面断面図である。駆動用ＩＣ（以下、単にＩＣという）４０の能動面には、Ａｌ等の導電材料からなる複数の電極パッド４２が、所定ピッチで形成されている。また、各電極パッド４２の表面には、ＡｕメッキやＡｕ／Ｎｉメッキ等によるバンプ４４が形成されている。一例をあげれば、各バンプ４４は３０μｍ程度の幅に形成され、隣接するバンプ４４は１０μｍ程度の間隔で配置されて、各バンプのピッチは４０μｍ程度となっている。
【００３８】
さらに、各バンプ４４の表面には、複数の導電性粒子５０が配置されている。導電性粒子５０は、樹脂ボール等の表面に、ハンダコートや金属メッキ等を施したものである。この金属メッキには、電解Ａｕメッキや無電解Ｎｉメッキ等を採用することができる。また、下地に無電解Ｎｉメッキを施し、上地に電解Ａｕメッキを施してもよい。この導電性粒子５０は、たとえば直径４．５μｍ程度に形成されている。そして、この導電性粒子５０は、ポリアミド等の熱可塑性樹脂８０を固着手段として、バンプ４４の表面に固着されている。
【００３９】
一方、下部基板１０の表面には、ＩＣ４０の電極パッド４２と対向するように、電極パッド１２が形成されている。なお、電極パッド１２は、図２に示す下部基板１０の張り出し部１１における信号電極１２の端部に形成されている。そして、この下部基板１０にＩＣ４０が対向配置されている。ここで、ＩＣ４０に固着された導電性粒子５０の先端が、下部基板１０の電極パッド１２の表面に接触して、下部基板１０の信号電極とＩＣ４０とが電気的に接続されている。また、ＩＣ４０と下部基板１０との間には、エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂層９０が配置され、ＩＣ４０と下部基板１０とが機械的に接続されている。なお、熱硬化性樹脂層９０により、ＩＣ４０の能動面ならびにＩＣ４０および下部基板１０の電気的接続部が保護されている。
【００４０】
［製造方法］
次に、実施形態に係るＩＣの製造方法について、図４ないし図６を用いて説明する。図４ないし図６は、ＩＣの製造方法の説明図であって、ＩＣの能動面を上にして記載している。本実施形態では、ウエハに形成された複数のＩＣに対して同時に以下の処理を行い、最後にウエハからＩＣを分離する。これにより、製造コストを低減することができる。
【００４１】
まず、図４（ａ）に示すように、バンプ４４を形成するためのマスクを形成する。なお、バンプ４４はＩＣ４０の電極パッド４２上に形成するので、電極パッド４２が形成されているウエハ４の能動面にマスクを形成する。マスクは、レジスト７０によって構成する。その具体的な手順は、まずＩＣの能動面全体にレジスト７０を塗布する。レジスト７０は、フォトレジストや電子線レジスト、Ｘ線レジスト等のいずれであってもよく、ポジ型またはネガ型のいずれであってもよいが、後述するメッキ液に対する耐性を有するものを使用する。このようなレジスト７０として、たとえばフェノールノボラック樹脂を使用することができる。レジスト７０の塗布は、スピンコート法やディッピング法、スプレーコート法などによって行う。ここで、レジスト７０の厚さは、形成すべきバンプ４４の高さに導電性粒子５０の直径を加算した厚さ以上に設定する。一例をあげれば、レジスト７０とバンプ４４との高低差が１０μｍ程度となるように、レジスト７０を形成する。なお、レジスト７０を塗布した後にプリベークを行う。
【００４２】
次に、形成すべきバンプ４４の平面形状をレジスト７０にパターニングする。具体的には、レジスト７０における電極パッド４２の上方に、バンプ４４の平面形状に対応した開口部７２を形成する。なお、バンプ４４の平面形状は矩形に限られず、円形等であってもよい。レジスト７０のパターニングは、まず所定のパターンが形成されたフォトマスクを用いてレジスト７０を露光し、さらに露光したレジスト７０を現像することによって行う。なお、レジスト７０のパターニング後にポストベークを行う。
【００４３】
なお以上には、フォトリソグラフィ技術を用いてレジスト７０を形成する方法について説明した。これ以外にも、例えばドライフィルムを用いることにより、またスクリーン印刷等の印刷法を用いることにより、パターニングされた状態でレジスト７０を形成することができる。また、インクジェット装置等の液滴吐出装置を用いて、レジストの液滴をレジスト７０の形成位置のみに吐出することにより、パターニングされた状態でレジスト７０を形成してもよい。これらにより、フォトリソグラフィ技術に使用するフォトマスクが不要となり、製造コストを削減することができる。
【００４４】
次に、図４（ｂ）に示すように、レジスト７０をマスクとして、その開口部７２に導電材料を充填することにより、バンプ４４を形成する。バンプ４４は、ＡｕメッキやＮｉメッキ等によって形成する。また、バンプ４４の下地をＮｉメッキで形成し、上地をＡｕメッキで形成してもよい。なお、メッキ法として、例えば電気化学プレーティング（ＥＣＰ）法等を用いることができる。また、メッキ法における電極として、電極パッド４２を用いることができる。なお、メッキ法以外のＣＶＤ法やスパッタ法等を採用して導電材料を充填してもよい。ここで、バンプ４４の高さは、レジスト７０の厚さから導電性粒子５０の直径を減算した高さ以下に形成するのが好ましい。
【００４５】
次に、図４（ｃ）に示すように、バンプ４４の表面に、ポリアミド等の熱可塑性樹脂の皮膜８２を形成する。熱可塑性樹脂膜８２の厚さは、導電性粒子５０の直径の半分程度とするのが好ましい。熱可塑性樹脂膜８２の形成は、まずポリアミド等の熱可塑性樹脂をトルエン／エタノール等の溶剤に溶解した熱可塑性樹脂溶液を製造し、これをＩＣ４０の能動面上に塗布する。これにより、熱可塑性樹脂を簡単に塗布することができる。
【００４６】
また、熱可塑性樹脂溶液の塗布は、ディスペンス法やスプレーコート法、スピンコート法、ディッピング法などによって行う。この場合、熱可塑性樹脂溶液は、バンプ４４の表面に加えてレジスト７０の表面にも塗布されるので、レジスト７０の表面にも熱可塑性樹脂膜８２が形成されることになる。この点、インクジェット装置等の液滴吐出装置によれば、バンプ４４の表面のみに一定量の熱可塑性樹脂溶液を吐出することができる。これにより、バンプの表面に対する導電性粒子の固着状態が均一化されて、ＩＣと下部基板とを確実に電気的接続することができる。
【００４７】
次に、塗布した熱可塑性樹脂溶液を乾燥させ、溶剤を蒸発させる。すると、溶剤に溶解されていた熱可塑性樹脂が凝結し、熱可塑性樹脂膜８２が形成される。以上により、図４（ｃ）に示す状態となる。
【００４８】
次に、図５（ａ）に示すように、ウエハ４の能動面上に導電性粒子５０を散布する。散布された導電性粒子５０は、バンプ４４の上方およびレジスト７０の上方に分散して配置される。ここで、バンプ４４の厚さをレジスト７０の高さより低く形成したので、バンプ４４の上方には凹部７４が形成されている。そのため、散布された導電性粒子５０の多くは凹部７４に捕捉される。これにより、バンプの表面に確実に導電性粒子を配置することができる。
【００４９】
次に、図５（ｂ）に示すように、ウエハ４を振動させることにより、レジスト７０の上方に配置された導電性粒子５０を凹部７４に落下させて、より多くの導電性粒子をバンプの上方に配置する。具体的には、ウエハ４を５０〜１０００Ｈｚの高周波数で振動させる。特に、２５０〜５００Ｈｚの高周波数で振動させた場合には導電性粒子５０が活発に動くので、より多くの導電性粒子をバンプの上方に配置することができる。また、ウエハ４の振動方向は、ウエハ４の能動面と平行な方向（水平方向）であっても、能動面と垂直な方向（垂直方向）であってもよい。その振幅は、水平方向振動の場合には、隣接するバンプ４４のピッチ以下とするのが好ましく、たとえば４０μｍ程度とする。また、垂直方向振動の場合には、凹部７４の深さ以下とするのが好ましく、たとえば１０μｍ程度とする。これにより、凹部７４内に捕捉されていた導電性粒子５０が、凹部７４から飛び出すのを防止することができる。
【００５０】
次に、図５（ｃ）に示すように、レジスト７０の上方に残存する導電性粒子５０を除去する。導電性粒子５０の除去は、▲１▼ウエハ４の能動面に気体を吹き付けて、導電性粒子５０を飛ばす方法、▲２▼ウエハ４を振動させて、ウエハ４の周縁部から導電性粒子５０を落下させる方法、▲３▼ウエハ４を傾斜させつつ振動させることによりことにより、ウエハ４の周縁部から導電性粒子５０を落下させる方法、▲４▼可撓性を有する平板状のスキージを用いて導電性粒子５０を掻き取ることにより、導電性粒子５０を強制的に排除する方法などがあり、いずれの方法を採用してもレジスト７０の表面に残存する導電性粒子５０の殆どを除去することができる。また、レジスト７０の表面に残存する導電性粒子を除去しつつ、一部の導電性粒子を凹部に落下させることができる。したがって、より多くの導電性粒子をバンプの表面に配置することができる。
なお、前工程では導電性粒子５０を凹部７４に落下させるためにウエハ４を振動させたが、その振幅を徐々に大きくして▲２▼または▲３▼の方法を実施してもよい。これにより、製造工程を簡略化することができる。
【００５１】
ここで、レジスト７０の厚さは、バンプ４４の高さに導電性粒子５０の直径を加算した厚さ以上に設定している。そのため、バンプ４４の上方の導電性粒子５０は、凹部７４内に安定して捕捉されている。したがって、上述したいずれの除去方法を採用した場合でも、レジスト７０の上方に配置された導電性粒子５０のみを除去することが可能であり、バンプ４４の上方に配置された導電性粒子５０が同時に除去されるおそれは少ない。以上により、レジスト７０の上方に残存する導電性粒子５０を除去すれば、図５（ｃ）に示す状態となる。
【００５２】
次に、図６（ａ）に示すように、バンプ４４の上方に熱可塑性樹脂溶液８４を塗布する。熱可塑性樹脂溶液８４は、上述した熱可塑性樹脂溶液と同様であって、ポリアミド等の熱可塑性樹脂をトルエン／エタノール等の溶剤に溶解したものである。また、塗布する方法も上記と同様であり、バンプ４４の上方に加えてレジスト７０の上方にも塗布してよい。なお、塗布する厚さは導電性粒子５０の直径の半分程度とするのが好ましい。この熱可塑性樹脂溶液８４を塗布すると、熱可塑性樹脂溶液８４に含まれている溶剤が、先に形成されていた熱可塑性樹脂膜８２に浸透する。これにより、熱可塑性樹脂膜８２が再び溶解して、熱可塑性樹脂溶液８４と一体になる。すると、熱可塑性樹脂溶液８４が導電性粒子５０の表面に沿って濡れ上がり、導電性粒子５０が熱可塑性樹脂膜８２の内部に沈没してバンプ４４の表面に配置される。
【００５３】
次に、図６（ｂ）に示すように、熱可塑性樹脂溶液８４を乾燥させて、熱可塑性樹脂層８０を形成し、バンプ４４の表面に導電性粒子５０を固着させる。具体的には、まず５０℃程度で加熱して、熱可塑性樹脂溶液８４に含まれるトルエン／エタノール等の溶剤を蒸発させ、熱可塑性樹脂溶液８４に含まれる熱可塑性樹脂を凝結させる。さらに、２００℃で１０分程度アニール（加熱）処理するのが好ましい。これにより、先に形成した熱可塑性樹脂膜８２の熱可塑性樹脂と、後に塗布した熱可塑性樹脂溶液８４の熱可塑性樹脂とが溶着して、導電性粒子５０に対する固着力が向上する。以上により、熱可塑性樹脂層８０が形成され、その熱可塑性樹脂によって導電性粒子５０がバンプ４４の表面に固着される。
【００５４】
このように、２回に分けて熱可塑性樹脂を塗布することにより、導電性粒子５０をバンプ４４の表面に確実に固着させることができる。これにより、レジスト７０を除去する際に、バンプ４４上に配置された導電性粒子５０が、熱可塑性樹脂層８０とともにバンプ４４から引き剥がされることがなくなる。なお、上述した導電性粒子５０を固着させる工程は、バンプ４４の表面に向かって導電性粒子４０を加圧しつつ行うことが望ましい。これにより、導電性粒子５０がバンプ４４の表面に接触した状態で固着され、両者が確実に電気的接続される。
【００５５】
次に、図６（ｃ）に示すように、レジスト７０を除去する。レジスト７０の除去は、レジスト剥離液にウエハ４を浸漬することによって行う。レジスト剥離液には、モノエタノールアミンとジメチルスルホキシドとを７：３の割合で混合した液体等を使用する。なお、レジスト７０を除去する際に、レジスト上に形成された熱可塑性樹脂層８０も同時に除去される。このように、レジストの上方に散布された導電性粒子を除去した後にレジストを剥離するので、除去した導電性粒子を再利用することができる。
次に、ダイシング等により、ウエハ４からＩＣ４０を分離する。以上により、図６（ｃ）に示すように、本実施形態のＩＣが形成される。
【００５６】
次に、本実施形態に係るＩＣの実装方法について、図７を用いて説明する。図７は、本実施形態に係るＩＣの実装方法の説明図である。
図７（ａ）に示すように、まず下部基板１０の表面に熱硬化性樹脂層９０を形成する。熱硬化性樹脂層９０の形成は、未硬化のエポキシ樹脂フィルムを貼り付けることによって行う。なお、未硬化のエポキシ樹脂ペーストを下部基板１０の表面に塗布することによって熱硬化性樹脂層９０を形成してもよい。また、熱硬化性樹脂層９０はＩＣ４０の能動面上に形成してもよい。この場合には、ウエハの能動面に熱硬化性樹脂層９０を形成した後に、ウエハからＩＣ４０を分離する。さらに、ＩＣ４０を下部基板１０に実装した後に、ＩＣ４０と下部基板１０との隙間にアンダーフィルを充填して熱硬化性樹脂層９０を形成してもよい。なお、いずれの場合でも、異方導電性樹脂とは異なり、熱硬化性樹脂層９０には導電性粒子が含まれていないことに注意されたい。
【００５７】
そして、上記のように形成したＩＣ４０を、上下反転して下部基板１０の上方に配置する。その際、ＩＣ４０に形成されたバンプ４４と、下部基板１０に形成された電極パッド１２とが対向するように、ＩＣ４０と下部基板１０とを配置する。
【００５８】
次に、図７（ｂ）に示すように、下部基板１０の表面にＩＣ４０を押し付けて加圧する。これにより、ＩＣ４０のバンプ４４上に固着された導電性粒子５０が、下部基板１０の電極パッド１２に接触して、両者が電気的に接続される。そして、この状態で熱硬化性樹脂層９０を加熱する。加熱温度は、たとえば２００℃とする。なお、下部基板１０へのＩＣ４０の加圧と同時に熱硬化性樹脂層９０への加熱を行ってもよい。これにより、熱硬化性樹脂層９０が硬化して、ＩＣ４０と下部基板１０とが機械的に接続される。また、ＩＣ４０および下部基板１０の電気的接続部が保護される。
【００５９】
なお、導電性粒子５０をバンプに固着している熱可塑性樹脂層８０は、１５０℃程度で軟化する。加えて、ＩＣ４０を下部基板１０に加圧しているので、バンプ４４の表面に導電性粒子５０が積層されていた場合でも、導電性粒子５０を平坦化してバンプ４４の表面のみに配置することができる。また、バンプ４４の表面と導電性粒子５０との間に熱可塑性樹脂層８０が介在していた場合でも、その熱可塑性樹脂層８０が軟化するので、バンプ４４の表面と導電性粒子５０とを接触させることができる。さらに、導電性粒子５０と下部基板１０の電極パッド１２との間に熱可塑性樹脂層８０が介在していた場合でも、その熱可塑性樹脂層８０が軟化するので、導電性粒子５０と電極パッド１２とを接触させることができる。したがって、ＩＣ４０と下部基板１０とを確実に電気的接続することができる。以上により、ＩＣ４０が下部基板１０に実装される。
【００６０】
近年では、電子部品の小型化にともなって、電極パッド相互の狭ピッチ化が進んでいる。その場合でも、上述した熱硬化性樹脂層９０には導電性粒子が含まれていないので、隣接する電極パッドが相互に短絡するおそれはない。また、バンプ４４の表面にあらかじめ導電性粒子を固着してから実装するので、電極パッド自体が小さくなっても、確実に電気的接続を行うことができる。
【００６１】
これに加えて、本実施形態では、導電性粒子がレジストの表面に散布された場合でも、その導電性粒子を除去してからレジストを剥離するので、除去された導電性粒子を再利用することができる。これにより、高価な導電性粒子を無駄に廃棄することなく、そのすべてを電気的接続に利用することができる。また、本実施形態では、レジストの厚さをバンプの高さより厚く形成するので、バンプの形成に使用するレジストを利用してバンプの上方に凹部が形成される。この場合、散布された導電性粒子の多くが凹部に捕捉されるので、バンプの表面に確実に導電性粒子を配置することができる。したがって、ＩＣと下部基板とを確実に電気的接続することができる。
【００６２】
なお、ＩＣと下部基板との間に異方導電性フィルム（ＡＣＦ）を配置した場合には、ＩＣのバンプと下部基板の電極パッドとの間に配置される導電性粒子の個数は１０〜２０個程度である。そして、これ以上の導電性粒子を配置するには、ＡＣＦに含まれる導電性粒子の密度を増加させる必要があるが、隣接する電極パッドが相互に短絡する可能性が大きくなる。これに対して、本実施形態に係る電子部品の製造方法を使用してＩＣを製造すれば、バンプの表面に多数の導電性粒子を配置することができる。一例をあげれば、バンプの表面積の８０％以上に導電性粒子を配置することも可能である。これにより、ＩＣのバンプと下部基板の電極パッドとの間の電気抵抗が小さくなり、液晶表示装置の電力消費量を低減することができる。この場合でも、隣接する電極パッドが相互に短絡するおそれがないのは、上述した通りである。
【００６３】
なお、本実施形態では、ＩＣをガラス基板に実装するＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）に本発明を適用する場合について述べたが、ＩＣを樹脂フィルム基板等に実装するＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）に本発明を適用することも可能である。
【００６４】
［電子機器］
次に、本実施形態の液晶表示装置を備えた電子機器の例について、図８を用いて説明する。図８は、携帯電話の斜視図である。上述した液晶表示装置は、携帯電話３００の筐体内部に配置され、液晶表示部を構成している。
【００６５】
なお、上述した液晶表示装置は、携帯電話以外にも種々の電子機器に適用することができる。例えば、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）およびエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置などの電子機器に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態に係るＩＣの実装状態の説明図である。
【図２】実施形態に係る液晶表示装置の分解斜視図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線における側面断面図である。
【図４】ＩＣの製造方法の説明図である。
【図５】ＩＣの製造方法の説明図である。
【図６】ＩＣの製造方法の説明図である。
【図７】ＩＣの実装方法の説明図である。
【図８】携帯電話の斜視図である。
【図９】従来技術に係る電子部品の実装方法の説明図である。
【符号の説明】
１液晶表示装置  １０相手側基板  １２電極パッド  ４０電子部品  ４２電極パッド  ４４バンプ  ５０導電性粒子  ８０熱可塑性樹脂層  ９０熱硬化性樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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