(57)【要約】【課題】  OLEDデバイスのエージングを補償するための改良された方法を提供すること。【解決手段】  OLED表示装置のピクセルに印加される電圧を調整することによりエージングを補償する方法であって、  ａ）トラップされた正電荷の蓄積量を測定して当該蓄積量を代表する信号を発生させ、そして  ｂ）該信号に応じて該OLEDのピクセルに印加される電圧を調整することによりエージングを補償することを特徴とする方法。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
OLED表示装置のピクセルに印加される電圧を調整することによりエージングを補償する方法であって、
ａ）トラップされた正電荷の蓄積量を測定して当該蓄積量を代表する信号を発生させ、そして
ｂ）該信号に応じて該OLEDのピクセルに印加される電圧を調整することによりエージングを補償することを特徴とする方法。
【請求項２】
OLED表示装置のピクセルに印加される電圧を調整することによりエージングを補償する方法であって、
ａ）OLED表示装置のピクセルに印加されるテスト電圧を制御して出力信号を発生させ、
ｂ）該出力信号に応じてエージングによるOLEDピクセルの劣化を代表する信号を発生させ、そして
ｃ）該劣化信号に応じて通常動作中にOLEDピクセルに印加される入力電圧を調整することによりOLEDデバイスのエージングを補償することを特徴とする方法。
【請求項３】
工程ａ）、ｂ）及びｃ）の順序をパワーアップ手順の際に実施する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
工程ａ）、ｂ）及びｃ）の順序をOLEDデバイスの動作中に周期的に実施する、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
工程ａ）がｄＶ／ｄｔ一定の電圧ランプの適用を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
工程ａ）がＡＣインピーダンス測定に適したＡＣ電圧の発生を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
工程ｂ）が、信号を発生させるための電流測定回路を提供し、そして該信号を微分することによりOLEDピクセルの劣化を代表する信号を提供することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項８】
工程ｂ）が、積分回路を含み、そして該回路の出力を測定することによりOLEDピクセルの劣化を代表する信号を発生させることを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項９】
工程ｃ）が下記の方程式を使用する電流計算を含む、請求項２に記載の方法。
Ｉ＝ａＶ＋ｂ
上式中、Ｉは所要電流であり、Ｖはデバイス劣化の測定値（Ｉ−ＶもしくはＣ−Ｖ掃引線からの変曲点もしくは中間点遷移電圧、又はＩ−Ｖ掃引線からの積分電流）であり、そして係数ａ及びｂの値は、同一デバイスで短期の初期時間（プレバーン）中に、又は同等なデバイスで適当なエージング時間中に、実施される別のエージング計算によって決定される。
【請求項１０】
工程ｃ）が下記の方程式を使用する電流計算を含む、請求項２に記載の方法。
Ｉt＝ａ（Ｖt−Ｖ0）Ｉ0
上式中、Ｉtは当該時点での所要電流であり、Ｉ0は前の所要電流であり、Ｖt−Ｖ0はデバイス劣化の程度における変化量（Ｉ−ＶもしくはＣ−Ｖ掃引線からの変曲点もしくは中間点遷移電圧、又はＩ−Ｖ掃引線からの積分電流、における差）であり、そして係数ａの値は、同一デバイスで短期の初期時間（プレバーン）中に、又は同等なデバイスで適当なエージング時間中に、実施される別のエージング計算によって決定される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ダイオード（OLED）デバイスを動作させた際の輝度低下の原因となるOLEDデバイスのエージング（aging）を補償する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電場発光(EL)デバイスが知られるようになってから２０年以上が過ぎているが、その性能上の制限が、多くの望ましい用途に対し障害となっている。最も簡易な形態の有機ELデバイスは、正孔注入のためのアノードと、電子注入のためのカソードと、これらの電極に挟まれ、発光のための電荷再結合を支援する有機媒体とを含んで成る。これらのデバイスは、通常、有機発光ダイオード又はOLEDとも称される。初期の有機ELデバイスの代表例として、1965年３月９日発行の米国特許第3,172,862号(Gurneeら)、1965年３月９日発行の米国特許第3,173,050号(Gurneeら)、Dresner,「Double Injection Electroluminescence in Anthracene」、RCA Review、第30巻, 第322-334頁、1969年、及び1973年１月９日発行の米国特許第3,710,167号(Dresner)が挙げられる。これらのデバイスにおける有機層は、通常は多環式芳香族炭化水素を含み、非常に厚い（１μmをはるかに上回る）ものであった。その結果、動作電圧が非常に高くなり、100Ｖを超える場合が多かった。
【０００３】
最近の有機ELデバイスは、アノードとカソードの間に、極めて薄い層（例、＜１.０μm）からなる有機EL要素を含む。本明細書中の用語「有機EL要素」には、アノードとカソードの電極間の層が包含される。有機層を薄くすることによりその抵抗が小さくなり、はるかに低い電圧でデバイスを動作させることができる。米国特許第4,356,429号明細書に記載された基本的な２層形ELデバイス構造では、EL要素のアノードに隣接した一つの有機層が特に正孔を輸送するように選ばれており、そのためこれを正孔輸送層と称している。他方の有機層は特に電子を輸送するように選ばれており、そのためこれを電子輸送層と称している。これら２つの層の界面が、注入された正孔／電子対の再結合と、その結果生じる電場発光のための効率的部位を提供する。
【０００４】
Tangら[J. Applied Physics, Vol. 65, pp. 3610-3616, 1989]に記載されているもののように、正孔輸送層と電子輸送層との間に有機発光層（LEL）を含有する３層形有機EL要素が提案されている。発光層は、通常、ホスト材料にゲスト材料ドーパントをドープしたものからなり、このため効率が向上し、色の調整も可能となる。
【０００５】
これらの初期の発明以来、デバイス材料のさらなる改良により、動作寿命、色、輝度効率及び製造適性のような属性における性能が向上している。この点については、例えば、米国特許第5,061,569号、同第5,409,783号、同第5,554,450号、同第5,593,788号、同第5,683,823号、同第5,908,581号、同第5,928,802号、同第6,020,078号及び同第6,208,077号明細書に記載されている。
【０００６】
こうした開発にもかかわらず、より一層良好な性能、とりわけ長い動作寿命を提供する有機ELデバイス成分に対するニーズがいまなお存在する。OLEDデバイスを動作させた際、電流を一定にした場合の光出力を低下させてしまう劣化が起こることは、よく知られている。この劣化は、主として、当該デバイスを流れる電流に、温度、湿度、酸化剤の存在、等のような環境因子からの寄与が複合化することにより引き起こされる。しかしながら、表示装置のような実用途では、OLEDデバイスの光出力は当該表示装置の有効寿命の間ほぼ一定であることが期待される。原理的には、光出力が一定となるように当該デバイスを流れる電流を増加させることにより、エージングを補償することが可能である。デバイスのエージングを補償するために電流を調整するための方法がいくつか記載されている。具体的には、1999年8月19日発行の国際公開第９９／４１７３２号（D.L. Matthies他）に、一定輝度に対応する駆動電流を調整する方法として、累積駆動電流を測定することが記載されている。この技法は、Steven A. VanSlykeらの知見[J. Appl. Phys. 69 (1996) 2160]に基くものである。彼等は、デバイスの劣化度合いが、累積電流に相当する当該デバイス内を移動する電荷に依存することを報告している。しかしながら、温度のような環境因子の影響により、累積電流は、OLEDデバイスの劣化を予測する指標として十分に良好なものにはなり得ない。上記の国際公開第９９／４１７３２号並びに米国特許第６０８１０７３号及び同第６３２０３２５号明細書においては、OLEDデバイスに光学的に結合された光センサーを利用することにより、OLEDデバイスの劣化を補償している。このような方法は複雑である上、光学結合センサーの他、電子回路を追加しなければならないので、実施コストが高くなるおそれがある。
【０００７】
【特許文献１】米国特許第３１７２８６２号明細書
【特許文献２】米国特許第３１７３０５０号明細書
【特許文献３】米国特許第３７１０１６７号明細書
【特許文献４】米国特許第４３５６４２９号明細書
【特許文献５】米国特許第５０６１５６９号明細書
【特許文献６】米国特許第５２９２８０２号明細書
【特許文献７】米国特許第５４０９７８３号明細書
【特許文献８】米国特許第５５５４４５０号明細書
【特許文献９】米国特許第５５９３７８８号明細書
【特許文献１０】米国特許第５６８３８２３号明細書
【特許文献１１】米国特許第５９０８５８１号明細書
【特許文献１２】米国特許第６０２００７８号明細書
【特許文献１３】米国特許第６０８１０７３号明細書
【特許文献１４】米国特許第６２０８０７７号明細書
【特許文献１５】米国特許第６３２０３２５号明細書
【特許文献１６】国際公開第９９／４１７３２号パンフレット
【非特許文献１】J. Dresner、「Double Injection Electroluminescence in Anthracene」、RCA Review、第30巻, 第322-334頁、1969年
【非特許文献２】C.W. Tangら、「Electroluminescence of doped organic thin films」、J. Applied Physics、第65巻、第9号、1989年5月1日、第3610-3616頁
【非特許文献３】S.A. VanSlykeら、「Organic electroluminescent devices with improved stability」、Appl. Phys. Letter、第69巻、第15号、1996年10月7日、第2160-2162頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
したがって、OLEDデバイスのエージングの程度を検出し、これを補償する方法を改良する必要がある。
【０００９】
本発明の目的は、OLEDデバイスのエージングを補償するための改良された方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的は、OLED表示装置のピクセルに印加される電圧を調整することによりエージングを補償する方法であって、
ａ）トラップされた正電荷の蓄積量を測定して当該蓄積量を代表する信号を発生させ、そして
ｂ）該信号に応じてOLEDのピクセルに印加される電圧を調整することによりエージングを補償することを特徴とする方法によって達成される。
【００１１】
上記の目的はさらに、OLED表示装置のピクセルに印加される電圧を調整することによりエージングを補償する方法であって、
ａ）OLED表示装置のピクセルに印加されるテスト電圧を制御して出力信号を発生させ、
ｂ）該出力信号に応じてエージングによるOLEDピクセルの劣化を代表する信号を発生させ、そして
ｃ）該劣化信号に応じて通常動作中にOLEDピクセルに印加される入力電圧を調整することによりOLEDデバイスのエージングを補償することを特徴とする方法によって達成される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、複雑で高価な光センサーを導入することなしに、環境条件とは無関係にOLEDピクセルの劣化を代表する電気信号を利用することによりOLEDの光出力をほぼ一定化できる点で、有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１に、典型的なITO/NPB(750Å)/Alq3(750Å)/Mg:Ag系OLEDデバイスの線形掃引ボルタモグラム(voltammogram)、すなわちリニアランプ電流-電圧（Ｉ−Ｖ）測定を示す。この実験では、印加電圧（Ｖ）を一定速度でランプさせ（ｄＶ／ｄｔ）、得られる電流（Ｉ）を記録する。一般に、測定される電流は２つの成分を有する。一つは一定バイアスについて持続するであろう導電性成分であり、もう一つは微分キャパシタンス及びｄＶ／ｄｔに比例する容量性成分である。走査速度が十分高く（この場合、５０Ｖ／ｓ）、かつ、印加電圧が低い（この場合、≦２．２Ｖ）場合には、電流は容量性成分に支配される。遷移電圧（Ｖ0）は、操作的にＩ−Ｖ曲線の変曲点として定義され、図１中、矢印で示す。さらに高い印加電圧において、Ｖbiの付近で、第２の遷移が起こり、そこで導電性成分が支配的となる。約２．２Ｖより上での同様の挙動は、走査速度に関係なく、当該電圧付近で有意なＤＣ伝導が開始する遷移の同定を確認するものである。Ｖ0未満では、有機層は絶縁体として作用し、当該OLEDはその誘電体としての有機層が組み合わされたキャパシタとして挙動する。Ｖ0より上であるが、なお相当に小さなバイアスにおいて、当該OLEDは厚さが半分しかない誘電体層を含むキャパシタとして挙動する。HTL及びETLの厚さが異なる一連のデバイスにおいて、このキャパシタンスはETLと同一のものと見なされた。したがって、Ｖ0より上では、HTLは短絡し、ETLが、NPB(750Å)/Alq3界面を１枚のプレートとし、カソードを他方のプレートとするキャパシタの誘電体として作用する。内部電圧Ｖbiの概算値は、開電式光電圧データから約２．１Ｖである。遷移電圧は、小さくなるだけではなく、この場合、実際に負となる。すなわち、デバイスが短絡している時であっても、正孔がHTL／ETL界面に蓄積し、見掛け上、一定量の負電荷を補償している。当該一定量の電荷が本当にHTL／ETL界面（又はその付近）に存在していると仮定すると、その密度（σ0）は、誘電率３．５を使用し、約−１．１×１０-7Ｃ／cm2と概算することができる。
【００１４】
図１中、電圧は負から正へと走査された（順方向走査、ｄＶ／ｄｔ＝＋５０Ｖ／ｓ）。後述するボルタモグラムのほとんどが、この方向で走査されたものである。反対方向で走査したもの（逆方向走査、ｄＶ／ｄｔ＝−５０Ｖ／ｓ）を図２に示す。約２．２Ｖ未満のキャパシタンスが支配する領域では、デバイスが放電状態にあるため、電流は負となる。順方向走査曲線の場合と同一の電圧（０．１Ｖの範囲内）において、今度はキャパシタンスが小さくなる方向の遷移が起こり、図２中、矢印で示す。
【００１５】
OLEDデバイスの動作中、劣化するために電流一定時の光出力が低下することはよく知られている。この劣化は、主として、当該デバイスを流れる電流に、温度、湿度、酸化剤の存在、等のような環境因子からの寄与が複合化することにより引き起こされる。図３に、典型的なNPB/Alq3系OLEDについて、電気的エージング前及びエージング中に測定した一連の順方向走査式ボルタモグラムを示す。このOLEDは図１に使用したデバイスと構造上同一であるが、そのエージング前（掃引線「０ｈ」）の遷移電圧が多少異なり、異なる実験で製作されたデバイス間にこの程度の量のばらつきがあることを例証する。デバイスのエージングを、室温で、平均電流密度４０ｍＡ／cm2の「ＡＣ」モード（８０ｍＡ／cm2の順方向バイアス０．５ミリ秒と−１４Ｖの逆方向バイアス０．５ミリ秒とを交互）において実施した。デバイスが劣化するにつれ、遷移電圧が正値の方向へ徐々に数ボルト移動する。図４に、エージング時間を関数としてＶ0をプロットしたグラフを示す。セルが劣化するにつれ、遷移電圧は連続的に増加するが、その割合は低下し続ける。５７６０ｈにおけるデータ点は、遷移電圧が内部電圧よりも高くなり得ることを示す。このことは、OLEDデバイスが劣化する際に一定量の正電荷が蓄積することを意味している。一定時間経過後の遷移電圧と初期遷移電圧との差は、正電荷蓄積量、したがってデバイス劣化、の有用な測定値として役立つ可能性がある。
【００１６】
図５に、同一セルの輝度効率をエージング時間に対してプロットしたグラフを示す。輝度効率はＤＣ２０ｍＡ／cm2で測定される。輝度効率は連続的に低下するが、ここでもまたその割合は低下し続ける（実際、非指数的である）。図６は、輝度効率を遷移電圧に対してプロットしたグラフである。これら２つの量は無意味ではない様式で展開し、それらの間には強い線形相関がある（Ｒ2＝０．９９６）。このように、輝度の低下と遷移電圧の上昇との間に線形相関があるため、（１）遷移電圧を測定し、そして（２）測定された遷移電圧と、遷移電圧と輝度の間の線形相関の所定変数（勾配と切片）とを使用して駆動電流を調整することにより、OLEDのエージングを補償することができる。
【００１７】
周囲温度、電流密度及び使用ＤＣ駆動電流が異なる場合のエージングに際しても、遷移電圧と輝度の間に同様の相関が得られた。図１について使用したデバイスと構造が同一であるOLEDデバイスを７０℃及び４０ｍＡ／cm2でエージングさせた場合、電流密度同一の室温の場合の約５倍の速度で、遷移電圧が上昇し、そして輝度が低下した。それにもかかわらず、図７に示したように、室温でエージングした場合と同等の勾配（−０．６７ｃｄ／Ａ／Ｖ）を有する線形プロットが得られた。この場合、最初の数時間は、輝度が低下している間に遷移電圧が実際に低下したため、最初のデータ点はトレンド線の上方に位置し、これを相関から外した。デバイスを、電気的に駆動させずに室温又は７０℃で保存しても、ほんのわずかな変化しか示さないことを述べておく。このように、劣化過程が起こる条件（温度、電流密度、ＡＣ又はＤＣ電流）とは無関係に、遷移電圧を利用してOLEDデバイスの劣化の程度を評価することができる。
【００１８】
上述したように、遷移電圧（Ｖ0）は、操作的にＩ−Ｖ曲線上の変曲点として定義される。ほぼ等価な値（０．１Ｖ以内）を、ＡＣインピーダンス測定からのＣ−Ｖ曲線における変曲点として得ることができる。図１にあるようなOLEDデバイスについてのＣ−Ｖ曲線の一例を図８に示す。キャパシタンスは、振幅０．０５Ｖ及び周波数１０９Ｈｚのサイン波に応じて測定される。当該変曲点（矢印）は遷移電圧Ｖ0と同一であると見なされる。
【００１９】
微分を行うための電子回路を要するＩ−Ｖ曲線又はＣ−Ｖ曲線の変曲点を使用する代わりに、遷移の中間点に対応する電圧（例えば、Ｉ−Ｖ曲線の場合、中間点電圧は、当該遷移の前後の電流の平均値に等しい電流に相当する電圧として定義される）を、正電荷蓄積量、したがってOLEDデバイス劣化、の測定値として採用することができる。図９に輝度と遷移中間点電圧との間の相関を示す。図６の相関と比較することにより、当該遷移中間点電圧が、正電荷蓄積量、したがってデバイス劣化、の測定値として好適であることが示される。
【００２０】
図１１に、本発明を実施することができるシステムのブロック図を示す。測定及び計算段階に際しては、マイクロコントローラ１６がプログラム可能な電源１４を制御することによりテスト信号、好ましくはｄＶ／ｄｔ一定の電圧ランプを提供し、これをOLED表示装置１０のピクセルに印加して出力信号を発生させる。別態様として、テスト信号を、ＡＣインピーダンス測定に適したＡＣ電源としてもよい。エージングによるOLEDピクセルの劣化を代表する信号を、測定回路／ＡＤＣ１２により発生させ、そしてこれをマイクロコントローラ１６で処理してOLEDデバイスの劣化の程度を計算する。この信号は、実際には、トラップされた正電荷蓄積量の測定値である。処理は、微分及び導関数Ｉ−Ｖデータ上の最大値に相当する電圧の発見、又は遷移の中間点に相当する電圧の発見、により行うことが好ましい。この場合、測定回路／ＡＤＣ１２が、実際に、電流測定回路を含み、これが信号を発生させ、これを微分することによりエージングによるOLEDピクセルの劣化を代表する値を含む。例えば、Ｉ−Ｖ曲線の場合、中間点電圧は、遷移の前後の電流の平均値に等しい電流に相当する電圧として定義される。
【００２１】
別態様として、積分回路（最も単純な例はレジスタ-キャパシタ回路である）を採用することにより、ボルタモメトリーのＩ−Ｖ曲線を積分し、正電荷蓄積量、したがってデバイス劣化、の測定値を得ることもできる。例えば、図１０に、図３に示したＩ−Ｖ掃引線から−１．３Ｖと２．３Ｖの間における輝度と積算電流の間の相関を示す（積分範囲を超える遷移電圧を有する「５７６０ｈ」掃引線は除く）。図１０に明示されるように、積算電流もまた、正電荷蓄積量、したがってOLEDデバイス劣化、の測定値として好適である。
【００２２】
測定及び計算段階は周期的に、好ましくはOLED表示装置を活性化するための各パワーアップ手順に際して、行われる。測定は、OLED表示装置の活性化時間を計測するマイクロコントローラ１６に設けられたタイミングクロックに応じて行うことができる。したがって、OLED表示装置の動作に際して周期的にこれを実施することになる。別態様として、測定及び計算段階を所定のインターバルで行うことができる。その後、エージングを補償するため、OLEDピクセルに印加される電圧を調整する。電圧測定はミリ秒以下という時間枠で行うことができるので、測定及び計算段階は、動作中のOLEDデバイスにおいて、使用者が知覚する画像を妨害することなく実行することができる。蓄積電荷量を代表する信号はマイクロコントローラ１６において発生される。この信号に応じて、エージングを補償するため、マイクロコントローラがプログラム可能な電源１４に入力を提供し、そこでOLEDに印加される電圧を変化させてエージングを補償する。マイクロコントローラ１６は、プログラム可能な電源１４に適用される調整信号を決定するため予め決定されたマップを含むことができることを理解されたい。
【００２３】
マイクロコントローラ１６は、所定の程度のOLEDデバイス劣化を使用して、所要電流を、好ましくは一定輝度レベルを得るのに必要な電流を予測する下記の方程式に基き、計算する。
【００２４】
Ｉ＝ａＶ＋ｂ
上式中、Ｉは所要電流であり、Ｖはデバイス劣化の測定値（Ｉ−ＶもしくはＣ−Ｖ掃引線からの変曲点もしくは中間点遷移電圧、又はＩ−Ｖ掃引線からの積分電流）である。係数ａ及びｂの値は、同一デバイスで短期の初期時間（プレバーン）中に、又は同等なデバイスで適当なエージング時間中に、実施される別のエージング計算によって決定されることが好ましい。
【００２５】
別態様として、一定輝度レベルを得るのに必要な電流の計算は、測定されたデバイス劣化の程度における変化量を使用する下記の方程式に基く。
【００２６】
Ｉt＝ａ（Ｖt−Ｖ0）Ｉ0
上式中、Ｉtは当該時点での所要電流であり、Ｉ0は前の所要電流であり、Ｖt−Ｖ0はデバイス劣化の程度における変化量（Ｉ−ＶもしくはＣ−Ｖ掃引線からの変曲点もしくは中間点遷移電圧、又はＩ−Ｖ掃引線からの積分電流、における差）である。係数ａの値は、同一デバイスで短期の初期時間（プレバーン）中に、又は同等なデバイスで適当なエージング時間中に、実施される別のエージング計算によって決定されることが好ましい。
【００２７】
その後、所要電流の計算値をマイクロコントローラ１６で使用して、通常動作中にOLEDピクセルに印加される入力電圧を当該劣化信号に応じて調整することにより、OLEDデバイスのエージングを補償する。
【００２８】
本発明は、OLEDデバイスにおける単一のテストピクセルを使用することも、アレイ状OLEDピクセルにおける複数の代表的ピクセルを使用することも、又はアレイ状OLEDピクセルにおける各ピクセルを使用することも可能である。色の異なるOLEDピクセルについては、蛍光色素が異なるためエージングが一様ではない場合があるので、別個の信号を発生させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の実施に係る具体的デバイスについて使用された負から正への５０Ｖ／ｓの電圧掃引を示すグラフである。
【図２】正から負へとしたことを除き、図１と同様の線形電圧掃引を示すグラフである。
【図３】図１で参照したものとは異なる具体的OLEDデバイスについて異なるエージング時間の一連の電圧掃引を示すグラフである。
【図４】図３で参照したOLEDデバイスについてエージング時間を関数として遷移電圧をプロットしたグラフである。
【図５】図３で参照したOLEDデバイスについてエージング時間を関数として輝度効率をプロットしたグラフである。
【図６】図３で参照したOLEDデバイスについて輝度効率とエージング時間遷移電圧との間の相関をプロットしたグラフである。
【図７】図３に示したものとは異なるOLEDデバイスについて高温において輝度効率と遷移電圧との間の相関をプロットしたグラフである。
【図８】図１で参照したOLEDデバイスについて電圧に対してキャパシタンスをプロットしたグラフである。
【図９】図３で参照したOLEDデバイスについて輝度効率と中間点遷移電圧との間の相関をプロットしたグラフである。
【図１０】図３で参照したOLEDデバイスについて輝度と積算電流との間の相関を示すグラフである。
【図１１】本発明を実施するためのシステムを示すブロック図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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