(57)【要約】【課題】光導波路素子の位相差調整の精度が高く、該調整が容易であると共に、その調整効果を長期に渡り持続可能な光導波路素子の位相差調整方法を提供すること。【解決手段】電気光学効果を有する基板と、この基板上に形成されたマッハツェンダー型光導波路とを備えた光導波路素子の位相差調整方法において、前記光導波路素子をモジュール化した後（１０）、該マッハツェンダー型光導波路の一部にレーザ光源１２からレーザ光を照射し、該光導波路素子からの出射光の光信号の変化を監視しながら（１７）、該レーザ光の照射時間及び照射領域を制御することにより、該光導波路素子の位相差を所定の値に調整する際、該基板を加熱することを特徴とする。【選択図】図３
2004125855.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学効果を有する基板と、この基板上に形成されたマッハツェンダー型光導波路とを備えた光導波路素子の位相差調整方法において、
前記光導波路素子をモジュール化した後、該マッハツェンダー型光導波路の一部にレーザ光を照射し、該光導波路素子からの出射光の光信号の変化を監視しながら、該レーザ光の照射時間及び照射領域を制御することにより、該光導波路素子の位相差を所定の値に調整する際、該基板を加熱することを特徴とする光導波路素子の位相差調整方法。
【請求項２】
請求項１に記載の光導波路素子の位相差調整方法において、該基板の加熱温度は１００から３００℃であることを特徴とする光導波路素子の位相差調整方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光導波路素子の位相差調整方法において、該レーザ光の照射は、マッハツェンダー型光導波路の分岐した２つの光導波路に同時に照射することを特徴とする光導波路素子の位相差調整方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の光導波路素子の位相差調整方法において、該レーザ光の照射スポット径は、１００〜５００μｍであることを特徴とする光導波路素子の位相差調整方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の光導波路素子の位相差調整方法において、該基板における該レーザ光の照射領域には、光損傷に対する感度を上昇させる物質が添加されていることを特徴とする光導波路素子の位相差調整方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の光導波路素子の位相差調整方法において、該光導波路素子は、入力導波路をＹ分岐導波路にて二つの導波路に分岐し、各々直線導波路を経た後再びＹ分岐導波路にて合波されて出力導波路を形成した、Ｙ−Ｙ型のマッハツェンダー型光導波路を有する光強度変調器であり、該光強度変調器に印加する信号電圧の動作バイアス点を制御するために、前記位相差を所定の値に調整することを特徴とする光導波路素子の位相差調整方法。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれかに記載の光導波路素子の位相差調整方法において、該光導波路素子は、入力導波路をＹ分岐導波路にて二つの導波路に分岐し、各々直線導波路を経た後、各々の直線導波路が近接して方向性結合器を形成した、Ｙ−ＢＢＩ型のマッハツェンダー型光導波路を有しており、該光導波路素子に印加する信号電圧の動作バイアス点を制御するために、前記位相差を所定の値に調整することを特徴とする光導波路素子の位相差調整方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光導波路素子の位相差調整方法に関し、特に、光強度変調器や、方向性結合器を含む光導波路素子の動作バイアス点制御などのように、マッハツェンダー型光導波路を有する光導波路素子において、分岐した光導波路内を通過する光波の位相差を調整するするための位相差調整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の高速、大容量の情報通信に係る需要の高まり対応して光通信が注目されている。中でも、電気光学効果を有する基板上に、マッハツェンダー型光導波路を形成する光導波路素子は、高速動作が可能であること、光波長依存性がないこと、さらには、チャープ量の制御が容易であることから、広帯域周波数における光通信に適した光制御素子として広く知られ、特に、高密度波長多重（ＤＷＤＭ）化や高速通信化に適応する光変調器として用いられている。
【０００３】
マッハツェンダー型光導波路を用いた光導波路素子においては、Ｙ分岐導波路で分岐した２つの光導波路に対して、該２つの光導波路の近傍に形成された信号電極により信号電圧を印加し、該印加電圧が発生する電界の強さにより該光導波路内を通過する光波の位相を変化させるものであり、その変化はリニアで安定であるという観点から、印加電圧の動作点を、印加電圧に対する光導波路素子からの出力光強度の変化を示す変調曲線（以下、略して変調曲線という場合がある）の中点（変曲点）に設定して使用することが行なわれている。
例えば、入力導波路をＹ分岐導波路にて二つの導波路に分岐し、各々直線導波路を経た後再びＹ分岐導波路にて合波されて出力導波路が形成された、Ｙ−Ｙ型のマッハツエンダー型光導波路を用いた場合は、図１（ａ）に示すように、動作点を変調曲線の中点Ａ又はＢに置くために、変調曲線の半波長電圧の１／２の電圧を、＋極性、又は−極性で前記マッハツエンダー型光導波路に印加する必要がある。
【０００４】
一方、入力導波路をＹ分岐導波路にて二つの導波路に分岐し、各々直線導波路を経た後、各々の直線導波路が近接して方向性結合器が形成されたＹ−ＢＢＩ型マッハツエンダー型導波路を用いた場合においては、図１（ｂ）に示すように、変調曲線の中点Ｃ及びＤは印加電圧０Ｖの位置に相当する。したがって、この場合においては、上記Ｙ−Ｙ型のマッハツェンダー型光導波路のように半波長電圧を印加する必要はない。
【０００５】
しかしながら、Ｙ−Ｙ型及びＹ−ＢＢＩ型などのマッハツエンダー型光導波路は、光導波路素子の作製パラメータのバラツキ、素子チップの固定方法その他種々の原因により、それらの変調曲線は上述のような理想的な状態からずれてしまい、上記のような変曲点を動作点とするためには、信号電圧にＤＣ電圧を別途印加する必要があった。
【０００６】
さらに、Ｙ−Ｙ型においては、上述のように変調曲線の半波長電圧の１／２の電圧を印加する必要があるが、このＤＣ電圧の印加は、導波路基板内に空間電荷を誘起し、ＤＣドリフトと呼ばれる動作点が経時的に変化してしまう問題があった。
そこで、このようにＤＣ電圧を印加する必要のない動作点の制御方法として、印加電圧０Ｖの状態での変調曲線の中点が動作点となるような、動作点の調節方法の出現が望まれていた。
【０００７】
従来公知の動作点の調整方法としては、基本的に基板に加わる応力を変化させることにより、光導波路の屈折率を変化させるものである。例えば、特開平４−３３７７０７号公報には、マッハツエンダー型光導波路の、分岐した少なくとも一方の光導波路上に金属膜の動作点調整膜を設けるとともに、その付着量をトリミングすることにより、動作点を調節する方法が開示されている。また、特開平７−２８００６号公報においては、導波路上の少なくとも一部に光透過膜を形成し、この光透過膜の応力による屈折率変化を利用して動作点を調節する方法が、さらに、特開平８−１５３５４号公報には、マッハツエンダー型光導波路の分岐した２つの導波路の光学長を変化させ、かつ分岐した一方の導波路に高分子物質を設けて、応力を付与する方法が開示されている。
このような光導波路上に応力調整用の膜を形成する方法は、光導波路素子の製造工程中に膜形成のプロセスを付加する必要があるため、製造工程が煩雑化する上、膜厚及び膜形成領域を精確に制御する必要があり、応力調整が困難化する。しかも、一度形成した膜をトリミング等で除去する際に、膜材料が基板上に飛散し、再付着するなど光導波路素子の特性を劣化させる原因ともなる。
【０００８】
基板に応力を付与する他の方法としては、特開平７−２１８８８１号公報には、基板側面に応力付与部材を設け、この部材からの応力によって動作点を調節する方法や、特開平１１−２７１５５２号公報のように、光導波路付近に溝を形成して応力を付与する方法が提案されている。
このような、機械的構成で応力を付与する方法においては、特に特開平７−２１８８８１号公報の場合は、動作点の微小調整が難しく、応力が過度となる場合には基板が破損するという危惧が生じる。また、特開平１１−２７１５５２号公報の場合には、溝を精確に形成する加工技術が必要な上、光導波路上又は近傍に配置された信号電極や接地電極により、適切な溝を容易に形成し難いという問題が生じていた。
【０００９】
また、動作点の別の調整方法としては、特開平７−１５９４６４号公報には、マッハツエンダー型光導波路の分岐した光導波路の少なくとも一部に光を照射することによる、ホトリフラクティブ（光損傷）効果を用いて、動作点を調節する方法が開示されている。
しかし、光損傷効果は、時間が経過するに従い低下する傾向にあり、調整された動作点の状態を長時間に渡り持続することが難しいと言う欠点を有している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上述した問題を解決し、光導波路素子の位相差調整の精度が高く、該調整が容易であると共に、その調整効果を長期に渡り持続可能な光導波路素子の位相差調整方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１に係る発明では、電気光学効果を有する基板と、この基板上に形成されたマッハツェンダー型光導波路とを備えた光導波路素子の位相差調整方法において、前記光導波路素子をモジュール化した後、該マッハツェンダー型光導波路の一部にレーザ光を照射し、該光導波路素子からの出射光の光信号の変化を監視しながら、該レーザ光の照射時間及び照射領域を制御することにより、該光導波路素子の位相差を所定の値に調整する際、該基板を加熱することを特徴とする。
【００１２】
請求項１に係る発明により、光導波路素子をモジュール化した後にレーザ光を照射することで光損傷効果を発生させ、容易に位相差調整を可能とすると共に、レーザ光照射時に基板の温度を加熱しているため、光損傷効果の持続力が従来のものに比較し格段に長くなるという、優れた効果を達成することが可能となる。本発明における「モジュール化」とは、光導波路素子を、光変調器などに組み立てることを意味し、例えば、光導波路素子を光変調器のケースに固定する工程、光導波路素子へ光波を入射・出射するための各種部材（光ファイバ、レンズなど）を設置する工程、光導波路素子上の信号電極などと接続端子とを結線する工程などから構成される。
【００１３】
また、請求項２に係る発明では、請求項１に記載の光導波路素子の位相差調整方法において、該基板の加熱温度は１００から３００℃であることを特徴とする。
【００１４】
請求項２に係る発明により、基板の加熱温度を１００から３００℃の範囲とすることにより、常温における光損傷効果と比較し、数倍以上の該効果の持続を可能とすると共に、光導波路素子のモジュールを構成する各部材・部分への過熱による状態変化や特性の劣化を最小限に抑えることが可能となる。特に、１８０から２００℃のにおいては、光損傷効果の持続時間は、１年経過後も減少が見られない。
【００１５】
また、請求項３に係る発明では、請求項１又は２に記載の光導波路素子の位相差調整方法において、該レーザ光の照射は、マッハツェンダー型光導波路の分岐した２つの光導波路に同時に照射することを特徴とする。
【００１６】
請求項３に係る発明により、マッハツェンダー型光導波路の分岐した２つの光導波路が共に光損傷を受けているため、光損傷効果の低下が生じる場合にも、該低下は双方の光導波路に対して発生するため、２つの光導波路における相対的な位相差は、各光導波路の光損傷効果の変動より、緩やかな変化となり、長期間に渡り調整された位相差を維持することが可能となる。
【００１７】
また、請求項４に係る発明では、請求項１乃至３のいずれかに記載の光導波路素子の位相差調整方法において、該レーザ光の照射スポット径は、１００〜５００μｍであることを特徴とする。
【００１８】
請求項４に係る発明により、レーザ光の照射スポット径を１００〜５００μｍに調整するため、２つに分岐した光導波路の両方に、同時に同一光源によりレーザ光を照射できると共に、照射領域が広くなり過ぎ光導波路素子の位相差調整の精度が劣化するという危惧が無い。
【００１９】
また、請求項５に係る発明では、請求項１乃至４のいずれかに記載の光導波路素子の位相差調整方法において、該基板における該レーザ光の照射領域には、光損傷に対する感度を上昇させる物質が添加されていることを特徴とする。
【００２０】
請求項５に係る発明により、光損傷に対する感度を上昇させる物質の添加により、より少ない照射時間又は照射強度により必要とする光損傷効果を発生させることが可能となり、作業効率の高い光導波路素子の位相差調整方法が提供可能となる。
【００２１】
また、請求項６に係る発明では、請求項１乃至５のいずれかに記載の光導波路素子の位相差調整方法において、該光導波路素子は、入力導波路をＹ分岐導波路にて二つの導波路に分岐し、各々直線導波路を経た後再びＹ分岐導波路にて合波されて出力導波路を形成した、Ｙ−Ｙ型のマッハツェンダー型光導波路を有する光強度変調器であり、該光強度変調器に印加する信号電圧の動作バイアス点を制御するために、前記位相差を所定の値に調整することを特徴とする。
【００２２】
請求項６に係る発明により、Ｙ−Ｙ型のマッハツェンダー型光導波路を有する光強度変調器であっても、実質的にＤＣバイアスを０とする光強度変調器を提供することが可能となる。
【００２３】
また、請求項７に係る発明では、請求項１乃至５のいずれかに記載の光導波路素子の位相差調整方法において、該光導波路素子は、入力導波路をＹ分岐導波路にて二つの導波路に分岐し、各々直線導波路を経た後、各々の直線導波路が近接して方向性結合器を形成した、Ｙ−ＢＢＩ型のマッハツェンダー型光導波路を有しており、該光導波路素子に印加する信号電圧の動作バイアス点を制御するために、前記位相差を所定の値に調整することを特徴とする。
【００２４】
請求項７に係る発明により、Ｙ−ＢＢＩ型のマッハツェンダー型光導波路を有する光導波路素子であっても、光導波路素子の作製パラメータのバラツキ、素子チップの固定方法などの原因により、動作点が理想的な状態から変位した場合でも、容易にそれらの動作点を０Ｖとすることが可能となる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を好適例を用いて詳細に説明する。
図２は、本発明に係る光導波路素子を説明する図であり、（ａ）はＹ−Ｙ型のマッハツェンダー型光導波路を有する光強度変調器を示し、（ｂ）はＹ−ＢＢＩ型のマッハツェンダー型光導波路を有する光導波路素子を示す。
これらの光変調器を含む光導波路素子を構成する基板１としては、電気光学効果を有する材料、例えば、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３；以下、ＬＮという）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ＰＬＺＴ（ジルコン酸チタン酸鉛ランタン）、及び石英系の材料から構成され、特に、光導波路デバイスとして構成しやすく、かつ異方性が大きいという理由から、ＬｉＮｂＯ３結晶、ＬｉＴａＯ３結晶、又はＬｉＮｂＯ３及びＬｉＴａＯ３からなる固溶体結晶を用いることが好ましい。本実施例では、ニオブ酸リチウム（ＬＮ）を用いた例を中心に説明する。
【００２６】
光導波路素子を製造する方法としては、ＬＮ基板上にＴｉを熱拡散させて光導波路を形成し、次いで基板の一部又は全体に渡りバッファ層を設けずに、ＬＮ基板上に電極を直接形成する方法や、光導波路中の光の伝搬損失を低減させるために、ＬＮ基板上に誘電体ＳｉＯ２等のバッファ層を設け、さらにその上にＴｉ・Ａｕの電極パターンの形成及び金メッキ方法などにより数十μｍの高さの変調電極及び接地電極を構成して、間接的に当該電極を形成する方法がある。
一般に、一枚のＬＮウェハに複数の光導波路素子を作り込み、最後に個々の光導波路素子のチップに切り離すことにより、光導波路素子（図２の（ａ），（ｂ））が製造される。
光導波路素子は、通常、モジュール化されて利用され、具体的には、光導波路素子を金属ケース内に収容すると共に、光導波路素子本体から金属ケースの外部へは、光波の入出力のための光ファイバー及び信号電極等への通電用の導線が、各々導出されている。
【００２７】
光強度変調器の表面に形成した光導波路の形状は、多様な形状が選択できるが、本実施例（図２（ａ））では、Ｙ−Ｙ型のマッハツェンダー（ＭＺ）型の光導波路を採用している。
Ｙ−Ｙ型のＭＺ型光導波路の形状は、入力用の光導波路２をＹ字型の分岐光導波路３により２つの光導波路４に分け、その後、他のＹ字型分岐光導波路５により２つの光導波路４を合流させ、出力用の光導波路６に接続するように構成されている。
光強度変調器に入力された光は、このＹ−Ｙ型のＭＺ型光導波路に沿って進行し、特に、２つの光導波路４においては、該光導波路４の近傍に信号電極及び接地電極が配置され、信号電極に印加した信号に応じて光導波路を伝播する光は位相変調を受ける。位相変調後、各導波光は、他の分岐光導波路５において合波され、相互に干渉して強度変調された信号光を生成する。
信号光は、出力用の光導波路を伝播し、不図示の出力ファイバから光強度変調器モジュールの外部に取り出される。
【００２８】
方向性結合器の例としては、図２（ｂ）に示すように、Ｙ−ＢＢＩ型のＭＺ型光導波路が利用される。
Ｙ−ＢＢＩ型のＭＺ型光導波路の形状は、入力用の光導波路２をＹ字型の分岐光導波路３により２つの光導波路４に分け、その後、方向性結合器７を経て、出力用の光導波路８，９に接続するように構成されている。
光導波路素子に入力された光は、このＹ−ＢＢＩ型のＭＺ型光導波路に沿って進行し、該光導波路素子上に信号電極及び接地電極が別途配置され、信号電極に印加した信号に応じて光の進行すべき光導波路８，９がスイッチングされる。
なお、従来の方向性結合器を有する光導波路素子においては、特に、２つの光導波路４の近傍に電極を設け位相を調整可能に構成しているが、本発明では、後述するように、Ｙ字型の分岐光導波路３から方向性結合器７までの間において、２つに分岐した光波の位相を一致させるように、光導波路素子の位相差調整を行なうため、基本的には必要としないが、必要に応じて従来の構成を付加することも可能である。
【００２９】
次に、図３を参考に、本発明の光導波路素子の位相差調整方法について説明する。
図３における１０は、光導波路素子が内蔵された光変調器モジュール１０である。光変調器モジュール１０は、不図示のヒータに載置又は接触されると共に、さらに図示の微動台１１上に位置決めされている。また、ヒータを熱放射線発生器で構成し、光変調器モジュールの上側から非接触状態で光導波路素子を加熱することも可能である。
レーザ光源１４からは試験用のレーザ光が出射され、光変調器モジュール１０に入射される。該光変調器モジュールの他端からは出射される光波は、光検出器１５で受光する。一方、光変調器モジュールには、信号電圧がＲＦ発生器１６により印加されており、該信号電圧に応じて、光変調器モジュールがら出射される光波は変調作用を受けている。
【００３０】
ＲＦ発生器の信号と光検出器１５の信号とは、共にオシロスコープ１７のＸ，Ｙ端子に各々入力され、信号電圧の変化に依存した光変調器からの出力光量変化（変調曲線）がモニタされる。
他方、光変調器モジュール１０内の光導波路素子表面には、光損傷用レーザ光源１２からのレーザ光が、ミラー１３を介して、所定位置に照射されており、照射領域内の光導波路に、光損傷効果を付与する。
光損傷用レーザ光源からレーザ光は、所定のスポット径に絞り込むため、必要に応じて、不図示のレンズ等の光学部品により収束作用を受ける。
また、光損傷用レーザ光源からのレーザ光波長は、可視光から近赤外光までの波長が利用できるが、本発明に係る実験においては、Ａｒレーザを用いた。
【００３１】
光導波路素子上には、図２（ａ）の領域２０、図２（ｂ）の領域２１のように、動作点調整領域を設ける。
動作点調整領域の範囲は、オシロスコープ１７で観察される変調曲線が最適な状態（例えば、光強度変調器の場合には、図１（ａ）の点Ａ又はＢが印加電圧０Ｖであり、方向結合器の場合には、図１（ｂ）の状態を言う）となるように、可変させられる。動作点調整領域の可変方法は、光変調器モジュールを支持する微動台１１を図３の矢印ａ又はｂ方向に移動させる方法や、ミラー１３を矢印ｃ方向に回転させる方法などがあり、必要に応じて選択できる。
また、微動台１１又はミラー１３の移動については、オシロスコープ１７を作業員が観察しながら、手動で行っても良いし、オシロスコープの波形を電気的に判断し、自動的に可変調整するよう構成しても良い。
さらに、Ｘカット基板を用いた光導波路素子の場合、モジュール化した後の完成品においても導波路が制御電極間に露出しているため、光損傷用のレーザ照射は充分可能であるが、Ｚカット基板を用いた光導波路素子の場合は、動作点調整領域として、意図的に導波路上に電極が存在しない部分を設ける必要がある。
【００３２】
光導波路へ照射されるレーザのスポット径については、ＭＺ型光導波路の２つの分岐導波路の間隔が、約３０〜５０μｍであり、光損傷効果は両方の分岐導波路に付与する方が、光損傷効果が減少しても分岐導波路間の相対的な位相差が変化しにくいため、２本同時に照射するようにスポット径を調整する。具体的には、レーザのスポット径は１００から５００μｍであればよいが、実験では３００μｍで行った。
また、５００μｍ以上のスポット径を用いると、光損傷効果が発生する領域が大きくなりすぎるため、微小な位相差調整が不可能となるなどの欠点を生じることとなる。
さらに、同時に光損傷を与える場合には、各分岐導波路上におけるレーザ光の光量分布が同じとならないように配慮することが望ましい。これは、２つの分岐導波路に同時に光損傷を与えるため、位相差を増加又は減少させるためには光損傷の程度に差を持たせる必要があるためである。
なお、本発明の実施例においては、各導波路への照射は、特に左右のバランスを考慮せず照射しながらモニタリングし、最適値に到達した時点で完了として、特性評価を行なった。
【００３３】
通常なら、レーザ照射による光導波路への光損傷効果は、経時変化により元の状態に戻ってしまう。本発明では、その対策として、レーザ照射時に基板温度を上げることにより経時変化を最小限に抑えている。具体的には、表１のような結果が得られた。
なお、表１における「経時変化の時間」とは、光損傷効果が約半減するまでの時間を示す。
【００３４】
【表１】
2004125855.tif 000003
【００３５】
基板温度を５００℃以上に設定した場合には、光導波路素子内の光導波路を形成しているＴｉ拡散の一部が変化したり、光導波路素子と光ファイバーとの接続部が変形するなどの弊害が生じた。
上述の結果より、基板の温度を１８０〜２００℃に安定させ、光導波路にレーザを照射するのが、最も効果的と言える。
また、基板の加熱時間やレーザ光照射時間は、調整すべき位相差の大きさにより変化するが、平均約５分程度であった。
さらに、光損傷効果を加速的に劣化（消去）するためには、レーザ照射終了直後、約１００℃の高温で、一定の時間（約２４時間）、光導波路素子の基板を保持することにより、可能となる。
【００３６】
本発明の別の実施例としては、　光損傷による屈折率変化を効率よく行うために、基板内のレーザ光を照射する領域にのみ、光損傷に対する感度を上昇させる物質（Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｏなど）を添加することも可能である。
なお、本発明の応用として、上述した本発明の構成に加え、先に示した先行技術文献などの位相差を調整する手段を、適宜組合せて用いることも可能である。
また、本発明の光導波路素子は、上述した光変調器に限らず、光電界センサシステム用の電界センサ素子の動作点制御に利用できることは、言うまでもない。
【００３７】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明のように加熱しながらレーザ光を光導波路、特にマッハツェンダー型光導波路の分岐導波路に照射することにより、光損傷効果を与え、該光損傷効果を長時間維持することが可能となる。
これにより、光導波路素子の位相差調整の精度が高く、該調整が容易であると共に、その調整効果を長期に渡り持続可能な光導波路素子の位相差調整方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）光強度変調器と（ｂ）方向性結合器の変調曲線を示す図
【図２】（ａ）光強度変調器と（ｂ）方向性結合器を有する光導波路素子における各光導波路の配置を示す図
【図３】本発明の光導波路素子の位相差調整方法を説明する図
【符号の説明】
１　ＬＮ基板
２　入力用導波路
３，５　Ｙ分岐導波路
４　分岐導波路
６，８，９　出力用導波路
７　方向性結合器
１０　光変調器モジュール
１１　微動台
１２　光損傷用レーザ光源
１３　ミラー
１４　試験用レーザ光源
１５　光検出器
１６　ＲＦ発生器
１７　オシロスコープ
２０，２１　レーザ光照射領域
【図１】
2004125855.tif 000004
【図２】
2004125855.tif 000005
【図３】
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