(57)【要約】【課題】径が小さな孔を用いて形成されたスルーホール電極またはビアホール電極と、内部電極との電気的接続の信頼性が高められているセラミック電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】内部電極を有する未焼成のセラミック積層体１を用意し、該セラミック積層体にレーザーにより孔１ａを形成し、孔１ａ内壁をサンドブラストにより加工し、内壁に内部電極を露出させ、しかる後、孔１ａに、内部電極と電気的に接続されるスルーホール電極またはビアホール電極を形成し、次にセラミック積層体を焼成する各工程を備える、セラミック電子部品の製造方法。【選択図】        図１
2004228508.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部電極を有する未焼成のセラミック積層体を用意する工程と、
前記セラミック積層体にレーザーにより孔を形成する工程と、
前記孔内壁をサンドブラストにより加工し、前記内壁に前記内部電極を露出させる工程と、
前記孔に前記内部電極と電気的に接続されるスルーホール電極またはビアホール電極を形成する工程と、
前記セラミック積層体を焼成する工程とを備える、セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
内部電極を有する未焼成のセラミック積層体を用意する工程と、
前記セラミック積層体の側面をサンドブラストにより加工し、前記側面に内部電極を露出させる工程と、
前記側面に前記内部電極と電気的に接続される外部電極を形成する工程と、
前記セラミック積層体を焼成する工程とを備える、セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記サンドブラストが、前記孔内に付着・残留しないショット材を用いて行われる、請求項１または２に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記ショット材が常温で昇華する物質からなる、請求項３に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記サンドブラストが、サンドブラスト後に除去され得るショット材を用いて行われる、請求項１または２に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記ショット材が、水溶性物質からなる、請求項５に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記スルーホール電極またはビアホール電極及び外部電極が、平均粒径が０．１〜２．０μｍの第１の金属粉末と、平均粒径が３．０〜１５．０μｍの第２の金属粉末とを含む導電ペーストを用いて形成される、請求項１〜６のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記導電ペーストに、前記第１，第２の金属粉末が重量比で３０：７０〜５：９５の範囲で含まれている、請求項７に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記孔のレーザー光入射側の径が２００μｍ以下である、請求項１〜８のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミック多層基板や積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品の製造方法に関し、より詳細には、内部電極を有する未焼成のセラミック積層体、内部電極に電気的に接続されるスルーホール電極またはビアホール電極が形成される工程を備えたセラミック電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、内部電極を有する未焼成のセラミック積層体に貫通孔を形成した後に、貫通孔に導電ペーストを充填することによりスルーホール電極またはビアホール電極を形成する工程を備えたセラミック電子部品の製造方法が種々提案されている。
【０００３】
また、下記の特許文献１，２には、セラミック焼結体の外表面に半円筒状凹部が厚み方向に延びるように形成されており、該半円筒状凹部に露出した内部電極と電気的に接続されるように外部電極が形成されているセラミック電子部品が開示されている。
【０００４】
特許文献１，２に記載のセラミック電子部品の製造に際しては、内部電極を有する未焼成のマザーのセラミック積層体が用意され、次にマザーのセラミック積層体にレーザー光の照射あるいはサンドブラストにより貫通孔が形成される。しかる後、該貫通孔に導電ペーストが充填されてビアホール電極が形成される。次に、マザーのセラミック積層体が焼成される。しかる後、ビアホール電極が分割されるようにして、マザーのセラミック積層体が個々の積層セラミック電子部品単位に切断される。このようにして、半円筒状凹部に導電ペーストの焼付けにより形成された外部電極、すなわち上記ビアホール電極が分割されて形成された外部電極が配置されているセラミック電子部品が得られる。
【０００５】
上記マザーのセラミック積層体に貫通孔を形成する工程は、特許文献１，２に記載の方法では、レーザー光の照射、あるいはサンドブラストなどにより行われている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平６−２１５９８２号公報
【特許文献２】
特開平１１−２５１１７９号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来、スルーホール電極やビアホール電極の形成のための上記貫通孔を形成するにあたっては、サンドブラスト、レーザー光の照射、ウォータージェット加工などが用いられていた。しかしながら、近年、電子部品の小型化に伴って、上記貫通孔の径も小さくなってきている。サンドブラストやウォータージェットでは、径が２００μｍ以下の貫通孔を高精度に形成することは非常に困難であった。
【０００８】
従って、貫通孔の径が２００μｍ以下の場合には、レーザー光の照射により貫通孔を形成する方法が一般的に用いられている。
【０００９】
上記のように、径が２００μｍ以下の貫通孔を形成する場合、主としてレーザー光の照射により貫通孔が形成されていた。しかしながら、このような小さな径の貫通孔を形成し、スルーホール電極やビアホール電極を形成した場合、微小部分でスルーホール電極またはビアホール電極と内部電極とが接合されるため、スルーホール電極またはビアホール電極と内部電極との電気的接続の信頼性が十分でないという問題があった。
【００１０】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、レーザー光により貫通孔を形成した場合であっても、貫通孔に形成されるビアホール電極またはスルーホール電極と内部電極との電気的接続の信頼性を効果的に高め得るセラミック電子部品の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本願発明者等は、従来のセラミック電子部品において、スルーホール電極またはビアホール電極を形成する貫通孔の径が２００μｍ以下と小さくなった場合に電気的接続不良が生じる原因について検討した結果、レーザー光により貫通孔を形成した場合には、内部電極が貫通孔の内壁から後退し、それによって、断線等の接続不良が生じていることを見出した。これは、レーザー光のエネルギーが、セラミックスに比べて内部電極の方に多く吸収されるためと考えられる。
【００１２】
そこで、第１の発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、内部電極を有する未焼成のセラミック積層体を用意する工程と、前記セラミック積層体にレーザーにより孔を形成する工程と、前記孔内壁をサンドブラストにより加工し、前記内壁に前記内部電極を露出させる工程と、前記孔に前記内部電極と電気的に接続されるスルーホール電極またはビアホール電極を形成する工程と、前記セラミック積層体を焼成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１３】
本発明では、レーザー光により孔が形成された後、孔の内壁がサンドブラストにより加工され、それによって内壁に内部電極が確実に露出される。従って、孔に形成されたスルーホール電極またはビアホール電極が内部電極と確実に電気的に接続される。
【００１４】
第２の発明は、内部電極を有する未焼成のセラミック積層体を用意する工程と、前記セラミック積層体の側面をサンドブラストにより加工し、前記側面に内部電極を露出させる工程と、前記側面に前記内部電極と電気的に接続される外部電極を形成する工程と、前記セラミック積層体を焼成する工程とを備える、セラミック電子部品の製造方法である。
【００１５】
本発明のある特定の局面では、上記サンドブラストは、孔内に付着・残留しないショット材を用いて行われる。このようなショット材としては、好ましくは、常温にて昇華する物質が用いられる。常温で昇華する物質としては、例えばドライアイスなどが挙げられる。
【００１６】
また、本発明の別の特定の局面では、サンドブラスト後に除去され得るショット材を用いてサンドブラストが施される。このような除去され得るショット材としては、例えば水溶性物質が挙げられ、水溶性物質からなるショット材を用いることにより、水を用いてショット材をサンドブラスト後に容易に除去することができる。このような水溶性物質としては、炭酸水素ナトリウムなどが挙げられる。
【００１７】
本発明のさらに他の特定の局面では、上記スルーホール電極またはビアホール電極及び外部電極が、平均粒径が０．１〜２．０μｍの第１の金属粉末と、平均粒径が３．０〜１５．０μｍの第２の金属粉末とを含む導電ペーストを用いて形成される。好ましくは、第１，第２の金属粉末は、重量比で３０：７０〜５：９５の範囲で含まれる導電ペーストが用いられる。
【００１８】
なお、本明細書において、スルーホール電極とは、孔の内壁に電極膜が形成されている電極をいい、ビアホール電極とは、孔内に電極材料が充填されている形態をいうものとする。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２０】
［第１の実施例］
マザーのセラミックグリーンシートの一面にＮｉ粉末を含有するＮｉペーストを乾燥後の厚みが約１μｍとなるように印刷した。上記Ｎｉペーストからなる内部電極が印刷された複数枚のマザーのセラミックグリーンシートを積層し、さらに上下に内部電極が印刷されていないマザーのセラミックグリーンシートを適宜の枚数積層し、熱圧着することにより、図２（ａ）及び（ｂ）に示す未焼成のマザーのセラミック積層体１を得た。未焼成のマザーのセラミック積層体１において、内部電極２〜５間のセラミック層の厚みは約７μｍとした。
【００２１】
上記未焼成のマザーのセラミック積層体１の上面または下面に樹脂フィルムを貼り付けた。樹脂フィルムは、後述する貫通孔への導電ペーストの充填に際してのマスクとしての役割を果たすために、未焼成のセラミック積層体に貼り付けられている。
【００２２】
なお、上記マザーのセラミックグリーンシートの積層を樹脂フィルム上で行う場合には、樹脂フィルムを未焼成のマザーのセラミック積層体を得た後に貼り付ける必要は必ずしもない。
【００２３】
次に、図２（ｂ）の破線Ａで示す位置において、上記未焼成のマザーのセラミック積層体１に、炭酸ガスレーザーを用いて貫通孔を形成した。本実施例では、未焼成のマザーのセラミック積層体の厚みは０．６ｍｍとし、炭酸ガスレーザーによりレーザー光を照射することにより、図１（ａ）に示す貫通孔１ａを形成した。図１（ａ）において、未焼成のマザーのセラミック積層体１内には、複数の内部電極２，３が埋設されている。なお、図１では内部電極４，５が積層されている下方部分の図示は省略されている。
【００２４】
図１（ａ）では、貫通孔１ａの径は、上方部分及び下方部分においてほぼ同一とされているが、実際には、炭酸ガスレーザーの照射により、入射側の径が約１４０μｍ、出射側の径が１００μｍとなった。すなわち、レーザー光の入射側から出射側に行くに連れて、径が徐々に小さくなる逆円錐台状（逆テーパー状）の縦断面を有する貫通孔が形成された。
【００２５】
上記炭酸ガスレーザーのレーザーパルス幅は５０μ秒、パルスエネルギーは約６〜８ｍＪ、照射パルス数は約２０ショットとした。なお、上記レーザーによる加工条件は、マザーのセラミック積層体１の厚みや目的とする貫通孔の径によって適宜調整すればよい。積層体の厚みは、薄型化を図るため、また強度を確保するために５０μｍ〜３．０ｍｍ程度の範囲とされることが好ましい。
【００２６】
また、本実施例では、炭酸ガスレーザーを用いたが、パルス幅が２００ｎ秒以下であり、波長が４００ｎｍ以下のレーザー（例えば、ＹＡＧレーザーやエキシマレーザー）を用いた場合でも、上記のような小さな径の貫通孔を形成することができる。
【００２７】
なお、貫通孔の径は、レーザー光の照射条件によって変更し得るが、本発明では、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以上、２００μｍ以下とされる。３０μｍ未満では、導電ペーストの付与が困難となることがある。
【００２８】
上記のように炭酸ガスレーザーにより貫通孔１ａが形成された場合には、図１（ａ）に示すように、内部電極２，３が貫通孔１ａの内壁から後退していることが確かめられた。これは、レーザー光のエネルギーをより吸収し、内部電極２，３の加工が速まり、内部電極２，３の一部が除去された。
【００２９】
本実施例では、内部電極２，３を露出させるために、次にサンドブラスト加工が行われる。
すなわち、ショット材として、平均粒径３０μｍのドライアイス粒子を用い、上記レーザー光を照射した方向と同一方向から、炭酸質量流量５０ｇ／ｍｉｎ、照射時間３０秒、ワーキングディスタンス１０ｍｍとして加工を行った。
【００３０】
上記のようにしてサンドブラスト処理を施すことにより、図１（ｂ）に示すように、貫通孔１ａの内壁が削り取られた。電子顕微鏡で観察したところ、内壁が約１μｍの厚み分だけ削り取られ、それによって内部電極２が貫通孔１ａに露出された。
【００３１】
なお、ドライアイスは常温で昇華する物質であるため、サンドブラスト処理後には、貫通孔の内壁から昇華し、すなわち貫通孔内に付着・残留していなかった。
【００３２】
次に、未焼成のマザーのセラミック積層体１の前述した樹脂フィルムが貼り付けられている面側から、平均粒径が約１０μｍのＮｉ粉末を含むＮｉペーストを充填・乾燥し、ビアホール電極を形成した。なお、内部電極がＮｉを用いて構成されているので、ビアホール電極も内部電極と同一金属、すなわち、Ｎｉを用いて構成されているが、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔまたはこれらの合金を用いてもよい。
【００３３】
このようにして得られたマザーのセラミック焼結体を個々の積層セラミック電子部品単位の積層体に切断した。
しかる後、上記積層体を焼成し、セラミックスの焼成と内部電極２〜５を構成しているＮｉペースト及び上記貫通孔に充填されたＮｉペーストからなるビアホール電極の焼付けを行い、図３（ａ），（ｂ）に示す積層セラミック電子部品６を得た。
【００３４】
なお、積層セラミック電子部品６は、具体的な用途を有するものではなく、内部電極２〜５と後述の外部電極８、すなわちビアホール電極との電気的接続の評価を行うために作製されたチップである。
【００３５】
積層セラミック電子部品６では、セラミック焼結体７内において、複数の内部電極２Ａ〜５Ａが配置されている。また、内部電極２Ａ〜５Ａに電気的に接続されるように外部電極８が形成されている。外部電極８は、上記のようにして貫通孔に充填された導電ペーストからなるビアホール電極が二分割されて形成されている。本実施例では、上記のように貫通孔１ａ内に内部電極２Ａ〜５Ａが確実に露出されていたため、最終的に得られた積層セラミック電子部品６において、ビアホール電極の分割により形成された外部電極８と内部電極２Ａ〜５Ａとの電気的接続の信頼性が高められる。
【００３６】
なお、本実施例では、セラミック焼結体の切断面に配置された半円筒状凹部に外部電極が形成されているセラミック電子部品の製造方法を説明した。これに対して、本発明における貫通孔は、最終的に得られたセラミック電子部品内に残存するビアホール電極やスルーホール電極を構成するものであってもよい。すなわち、本発明は、例えば図４に示す積層セラミックコンデンサ１１などの様々な積層セラミック電子部品に用いることができる。図４に示す積層セラミックコンデンサ１１では、セラミック焼結体１２内に、ビアホール電極１３，１４が形成されている。
【００３７】
すなわち、内部電極２Ａ〜５Ａが、セラミック焼結体１２の厚み方向においてセラミック層を介して重なり合うように積層されている。ビアホール電極１３は、内部電極２Ａ，４Ａに接続されており、他方、ビアホール電極１４が、内部電極３Ａ，５Ａと接続されている。従って、ビアホール電極１３，１４が、通常の積層セラミックコンデンサの外部電極と同様に、複数の内部電極を共通接続し、外部と接続される電極を構成している。
【００３８】
なお、ビアホール電極１３，１４は、図４では、内部電極２Ａ，４Ａまたは内部電極３Ａ，５Ａの端部近傍に形成されており、ビアホール電極１３，１４の外側に、内部電極２Ａ，４Ａまたは内部電極３Ａ，５Ａの端部が存在している。また、上記ビアホール電極１３，１４を形成するための貫通孔は、複数枚のセラミックグリーンシートを積層した後に形成されている。
【００３９】
図４に示した積層セラミックコンデンサ１１では、例えば５０〜２５０μｍの厚みの薄型の積層セラミックコンデンサを構成することができる。また、セラミック焼結体の上面及び下面に、上記ビアホール電極１３，１４にそれぞれ接続される表面電極が外部電極として形成される。
【００４０】
従って、本発明においては、スルーホール電極またはビアホール電極とは、最終的に得られたセラミック電子部品において、スルーホール電極またはビアホール電極として残存しているもの、並びに、マザーのセラミック焼結体段階でスルーホール電極またはビアホール電極として形成されているものの双方を含むものとする。
【００４１】
上記のようにして得られたセラミック電子部品６における内部電極２Ａ〜５Ａとビアホール電極の二分割により形成された外部電極８との電気的接続率を下記の要領で評価した。比較のために、上記サンドブラスト処理が施されていない場合のセラミック電子部品の上記接続率も同様にして評価した。
【００４２】
電気的接続率の評価…セラミック焼結体の端面に形成されている上記外部電極８にＩＲメータの一方のプローブを接触させ、前記焼結体の他方端面に露出している１枚の内部電極にプローブの他方を当接させて短絡しているか否かを確認した。内部電極が露出している端面においては、全ての内部電極について、上記短絡の有無を評価し、外部電極８と電気的に接続されるべき内部電極のうち、電気的接続が図られている内部電極、すなわち上記短絡が確認された内部電極の比率を電気的接続率とした。
【００４３】
その結果、上記サンドブラスト処理を施さなかった場合には、電気的接続率が約７０％であったのに対し、本実施例によれば約９０％と著しく高められた。
【００４４】
［第２の実施例］
第１の実施例と同様にして、未焼成のマザーのセラミック積層体を得、レーザー光により貫通孔を形成した。
【００４５】
しかる後、第２の実施例では、ショット材として、平均粒径約４０μｍの炭酸水素ナトリウム（重曹）を用い、投射圧力０．４０ＭＰａ、ワーキングディスタンス５０ｍｍ、ノズル速度５０ｍｍ及びピッチ３ｍｍの条件でサンドブラストを行った。
【００４６】
なお、未焼成のマザーのセラミック積層体に多数の貫通孔を形成するために、ノズルをＸ軸方向、マザーのセラミック積層体をＹ軸方向に移動させて、上記サンドブラスト処理を行った。前述したノズル速度は、この場合のノズルの移動速度であり、ピッチとは、未焼成のマザーのセラミック積層体のＹ軸方向の移動ピッチである。
【００４７】
その結果、貫通孔の内壁部分が約５μｍ程度の厚みだけ削り取られ、内部電極が露出された。
上記のようにして、サンドブラスト処理を行った後、炭酸水素ナトリウム粉末が貫通孔内に付着・残留しているため、マザーのセラミック積層体を純水中に入れ、約３０秒間超音波洗浄した。
【００４８】
なお、炭酸水素ナトリウム粉末を洗浄せず、付着・残留した状態で焼成を行ってもよい。従来のアルミナ粉末のようなショット材が付着・残留した状態で焼成が行われるとセラミックの特性に影響を与えるが、炭酸水素ナトリウム粉末が付着・残留した状態で焼成が行われても、セラミックの特性はほとんど影響されない。
【００４９】
しかる後、マザーのセラミック積層体を自然乾燥させた後、樹脂フィルムが張り付けられている面側から貫通孔内にＮｉペーストを充填した。本実施例では、Ｎｉペーストとして、Ｎｉ粉末の平均粒径が約０．５μｍのＮｉ粉末と、平均粒径が約１０μｍのＮｉ粉末とを重量比で１０：９０の割合で含むＮｉペーストを用いた。
【００５０】
Ｎｉペーストの充填に際しては、未焼成のマザーのセラミック積層体の上記レーザー光入射面側からＮｉペーストを塗布した。これは、貫通孔がレーザー光入射側において相対的に大きな径を有しているため、入射面側からＮｉペーストを塗布することにより、Ｎｉペーストを確実に貫通孔内に充填し得ることによる。
【００５１】
もっとも、サンドブラスト処理を施した場合、樹脂フィルムがショット材投射面側で剥離することがある。この場合には、セラミック積層体の上面及び下面の両面に樹脂フィルムが貼り付けられていることが望ましい。両面に樹脂フィルムが貼り付けられている場合、サンドブラストに際してのショット材投射面で樹脂フィルムが剥離したとしても、反対側の面から導電ペーストを貫通孔内に充填することができる。
【００５２】
第２の実施例においても、上記のようにして導電ペーストとしてのＮｉペーストを貫通孔内に充填した後、第１の実施例と同様にして、個々の積層セラミック電子部品単位に切断し、焼成し、セラミック焼結体を得た。
【００５３】
そして、このようにして得られたセラミック焼結体について、第１の実施例と同様に電気的接続率を評価した。第２の実施例においても、比較例として、上記サンドブラスト処理が施されていないことを除いては上記と同様にして構成されたセラミック焼結体を用意し、電気的接続率を評価した。その結果、サンドブラスト処理が施されていない比較例では、電気的接続率は約７０％であったのに対し、本実施例では１００％とすることができた。
【００５４】
従って、上記第１，第２の実施例からも明らかなように、粒径が２００μｍ以下の小さい貫通孔をレーザー光の照射により形成した場合であっても、上記サンドブラスト処理を施すことにより内部電極が貫通孔内に確実に露出される。よって、内部電極と貫通孔に形成されるビアホール電極またはスルーホール電極との電気的接続の信頼性を効果的に高め得ることがわかる。
【００５５】
また、第２の実施例において、電気的接続率がより一層高められるのは、貫通孔に充填されるＮｉペーストが平均粒径が約０．５μｍの第１の金属粉末と、平均粒径が約１０μｍの第２の金属粉末とを含むことによる。すなわち、図５に模式的に示すように、内部電極２が貫通孔の内壁よりも若干後退している部分があったとしても、内部電極２の側方の隙間Ａに相対的に径の小さい第１の金属粉末２１が確実に入り込み、それによってビアホール電極と内部電極２との電気的接続の信頼性が高められることによる。
【００５６】
このように、相対的に径の小さな第１の金属粉末２１と、相対的に径の大きな第２の金属粉末２２とを含む導電ペーストを用いることが望ましい。この場合、第１の金属粉末２１の粒径は、上記内部電極の厚みによっても異なるが、内部電極の厚みが０．２〜３．０μｍ程度の場合、平均粒径０．１〜２．０μｍ程度のものを用いることが好ましく、焼成収縮を防止するための第２の金属粉末２２としては、平均粒径が３．０〜１５．０μｍのものを用いればよい。
【００５７】
なお、第１の金属粉末は、平均粒径が異なる２種以上の金属粉末から構成されていてもよく、同様に第２の金属粉末についても平均粒径が異なる２種以上の金属粉末から構成されていてもよい。さらに、第１，第２の金属粉末は、異なる金属材料により構成されていてもよい。
【００５８】
また、第１の金属粉末と第２の金属粉末との配合割合は、好ましくは、重量比で３０：７０〜５：９５の範囲とすればよい。第１の金属粉末の配合割合が３０重量％を越えると、焼成収縮を防止する効果が十分でないことがあり、５重量％未満の場合には、内部電極端部との電気的接続の信頼性を高める効果が十分に得られないことがある。
【００５９】
上記実施例では、積層体を貫通する貫通孔を形成した例を示したが、必ずしも貫通させる必要はなく、例えば積層体の途中まで貫通させたようないわゆる半貫通の孔を形成する場合にも本発明を適用することができる。
【００６０】
［第３の実施例］
図６（ａ）及び（ｂ）は、第３の実施例としての第２の発明の実施例の積層セラミックコンデンサの正面断面図及びその要部を拡大して示す部分切欠断面図である。
【００６１】
図６に示す積層セラミックコンデンサ３１では、セラミック焼結体３２内に、内部電極３３〜３６がセラミック層を介して重なり合うように配置されている。内部電極３３，３５が、セラミック焼結体３２の第１の側面３２ａに引き出されている。また、内部電極３４，３６が側面３２ａと対向している第２の側面３２ｂに引き出されている。そして、側面３２ａ，３２ｂを覆うように外部電極３７，３８が形成されている。本実施例の積層セラミックコンデンサ３１を製造するにあたっては、未焼成のマザーのセラミック積層体が、切断刃で切断され、個々の積層セラミックコンデンサ３１内のセラミック積層体が得られる。
【００６２】
この場合、図６（ｂ）に示すように、積層体３２Ａの切断面では、凹凸が発生する。すなわち、内部電極と未焼成のセラミック層とが積層されているため、切断刃で切断した場合、切断面に凹凸が発生する。内部電極３４Ａ，３６Ａが、図６（ｂ）に示すように切断面である側面から後退することがある。従って、焼成後に、外部電極形成用導電ペーストを塗布したとしても、外部電極と内部電極との接続不良だけでなく、外部電極とセラミック層の切断面との密着性も損なわれることになる。
【００６３】
そこで、本発明に従って、上記切断刃により切断し、個々の積層セラミックコンデンサ単位の積層体３２Ａを得た後に、上述した第１，第２の実施例と同様にサンドブラスト処理を施す。その結果、側面３２ａ，３２ｂがサンドブラスト処理により平坦化され、露出されるべき内部電極が側面３２ａ，３２ｂに確実に露出される。従って、焼成後、あるいは焼成前に外部電極を形成した場合、外部電極と内部電極との電気的接続の信頼性及び外部電極の焼結体への密着強度を確実に高めることができる。
【００６４】
なお、外部電極形成面、すなわち、上記側面３２ａ，３２ｂは、積層体の長さ方向と平行な方向の側面であってもよい。
【００６５】
【発明の効果】
本発明に係るセラミック電子部品の製造方法では、セラミック積層体にレーザーにより貫通孔が形成される。従って、例えば径が２００μｍ以下の非常に小さな貫通孔を確実に形成することができる。しかも、レーザーにより貫通孔が形成された後に、貫通孔内壁がサンドブラストにより加工される。従って、貫通孔内壁に内部電極が確実に露出される。よって、貫通孔に内部電極と電気的に接続されるスルーホール電極またはビアホール電極を形成した場合、スルーホール電極またはビアホール電極と内部電極との電気的接続の信頼性が確実に高められる。
【００６６】
よって、電気的接続の信頼性に優れたセラミック電子部品を提供することが可能となる。
サンドブラストが貫通孔内に付着・残留しないショット材を用いて行われる場合には、サンドブラスト後の洗浄等の処理を必要としない。従って、製造構成をさほど増加させることなく、電気的接続の信頼性に優れたセラミック電子部品を提供することができる。
【００６７】
特に、ショット材としてドライアイスのような常温で昇華する物質を用いた場合には、ショット材が速やかに貫通孔内からセラミック積層体外に排出されるため、速やかにスルーホール電極またはビアホール電極形成工程を実施することができる。
【００６８】
サンドブラストがサンドブラスト後に除去され得るショット材を用いて行われる場合には、サンドブラスト後に除去工程を実施するだけで、ショット材の付着による問題を容易に解消することができる。このようなショット材としては、水溶性物質を用いることができ、その場合には、水を用いて容易にショット材を除去することができる。
【００６９】
スルーホール電極またはビアホール電極が、平均粒径が０．１〜２．０μｍの第１の金属粉末を、平均粒径が３．０〜１５．０μｍの第２の金属粉末とを含む導電ペーストを用いて形成される場合には、サンドブラスト処理においても一部の内部電極がたまたま貫通孔の内壁から幾分後退していたとしても、内部電極の側方の狭い空間に第１の金属粉末が入り込むため、内部電極とスルーホール電極またはビアホール電極の電気的接続の信頼性をより一層高めることができる。
【００７０】
特に、第１，第２の金属粉末が重量比で３０：７０〜５：９５の割合で導電ペーストに含まれている場合には、上記電気的接続の信頼性をより確実に高めることができる。加えて、スルーホール電極またはビアホール電極の焼成時の収縮を適度な範囲とすることができる。従って、より一層電気的接続の信頼性に優れたセラミック電子部品を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施例において、未焼成のマザーのセラミック積層体に貫通孔を形成した状態、及びサンドブラスト処理を施した後の状態を示す各部分切欠拡大断面図。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施例で用意されたマザーのセラミック積層体を示す正面断面図及び平面断面図。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施例で作製されたセラミック電子部品を示す正面断面図及び平面断面図。
【図４】本発明が適用されるセラミック電子部品の一例を示す正面断面図。
【図５】第２の実施例において第１，第２の金属粉末の作用効果を説明するための模式的部分切欠断面図。
【図６】（ａ）は、第２の発明の実施例の製造方法により得られた積層セラミックコンデンサを示す正面断面図、（ｂ）は、サンドブラスト処理が施される前の積層体の切断面を説明するための模式的部分切欠正面断面図。
【符号の説明】
１…セラミック積層体
２〜５…内部電極
２Ａ〜５Ａ…内部電極
６…セラミック電子部品
７…焼結体
８…外部電極
１１…セラミック電子部品
１２…焼結体
１３，１４…ビアホール電極
２１…第１の金属粉末
２２…第２の金属粉末
３１…積層セラミックコンデンサ
３２…セラミック焼結体
３２ａ，３２ｂ…端面
３３〜３６…内部電極
３７，３８…外部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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