(57)【要約】【課題】  高吸収性レーザー感熱基板を提供すること。【解決手段】  １又は２種以上のOLED材料をOLED素子に付与するための高吸収性ドナー基板の製造方法であって、透明支持要素の上に、屈折率の実部が３．０を超え、かつ、意図する波長において第１最低反射率付近となるように選択された厚さを有する、ように選択された吸収体反射防止層を設け、該反射防止層の上に、該透明支持要素と該反射防止層を通過するレーザー光を吸収するための金属製熱吸収性層を設け、該透明支持要素、該反射防止層及び該金属製熱吸収性層を、平均反射率が１０％未満となり、かつ、該透明支持要素の厚さの変動による微小反射率変動が意図する波長において１０％未満となるように、選択し、そして該金属製熱吸収性層の上に、バインダー材料を含有しない１又は２以上の有機材料層を設ける、ことを特徴とする方法。【選択図】      図５
2004288636.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１又は２以上の有機材料層でコーティングされることができ、かつ、実質的に所定の波長範囲内にあるレーザー光に応答して１又は２種以上のＯＬＥＤ材料をＯＬＥＤ素子に付与するのに使用される、高吸収性ドナー基板の製造方法であって、
（ａ）透明支持要素を準備する工程と、
（ｂ）該透明支持要素の上に、屈折率の実部が３．０を超え、かつ、意図する波長において第１最低反射率付近となるように選択された厚さを有する、ように選択された吸収体反射防止層を設ける工程と、
（ｃ）該反射防止層の上に、該透明支持要素と該反射防止層を通過するレーザー光を吸収するための金属製熱吸収性層を設ける工程と、
（ｄ）該透明支持要素、該反射防止層及び該金属製熱吸収性層を、平均反射率が１０％未満となり、かつ、該透明支持要素の厚さの変動による微小反射率変動が意図する波長において１０％未満となるように、選択する工程と、
（ｅ）該金属製熱吸収性層の上に、ＯＬＥＤ素子へ転写され得る有機材料（単一又は複数）を含む、バインダー材料を含有しない１又は２以上の有機材料層を設ける工程と
を含んでなる方法。
【請求項２】
該金属製熱吸収性層の屈折率の実部が３．０を超える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該意図する波長が５５０ｎｍ超１１００ｎｍ未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該金属製熱吸収性層がＣｒを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
２種類の有機材料を含む一つの有機材料層を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
該吸収体反射防止層がシリコンを含み、かつ、該金属製熱吸収性層がクロムを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
該反射防止層がＳｉとＧｅとの混合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
該金属製熱吸収性層がＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｂｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｖ若しくはＷ又はそれらの混合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
該金属製熱吸収性層がＢｅ、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｐｔ若しくはＷ又はそれらの混合物を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
該金属製熱吸収性層がＮｉを含み、かつ、該反射防止層がＧｅを含む、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドナー要素から、ＯＬＥＤ素子等の受容素子への有機材料の熱転写に関する。
【背景技術】
【０００２】
赤色ピクセル、緑色ピクセル及び青色ピクセル（一般的に「ＲＧＢピクセル」と称される）等の着色ピクセルアレイを有するカラー又はフルカラー有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ディスプレイ（有機発光ダイオード素子又はＯＬＥＤ素子としても知られている）において、ＲＧＢピクセルを生成するには、色生成有機ＥＬ媒体の正確なパターンニングが必要である。基本的なＯＬＥＤ素子では、共通して、アノードと、カソードと、アノードとカソードとの間に挟持された有機ＥＬ媒体とを備えている。有機ＥＬ媒体は、１層以上の有機薄膜から構成することができる。ここで、上記層の一つは、主に光発生又はエレクトロルミネッセンスに関与する。この特定の層は、一般的に有機ＥＬ媒体の発光層と称される。有機ＥＬ媒体に存在する他の有機層は、主に電子輸送機能を果たすことができ、正孔輸送層（正孔輸送について）又は電子輸送層（電子輸送について）と称される。フルカラーＯＬＥＤディスプレイパネルにおいてＲＧＢピクセルを形成する際、有機ＥＬ媒体の発光層又は有機ＥＬ媒体全体を正確にパターンニングする方法を考案する必要がある。
【０００３】
高解像度ＯＬＥＤディスプレイをパターンニングするのに好適な方法が、本発明の譲受人に譲渡されたＧｒａｎｄｅ等による米国特許第５，８５１，７０９号に開示されている。この方法は、1)
対向する第一面と第二面を有する基板を準備する工程と、２）光透過性断熱層を前記基板の第一面上に形成する工程と、３）光吸収性層を前記断熱層上に形成する工程と、４）前記基板に、前記第二面から前記断熱層に延びる開口のアレイを設ける工程と、５）前記光吸収層上に転写可能な色形成有機ドナー層を形成する工程と、６）前記ドナー基板を、前記基板における開口と、前記素子上の対応のカラーピクセルとの間の配向関係で、前記表示基板と正確に整列させる工程と、７）輻射線源を用いて、開口上の光吸収層で十分な熱を生成させて、前記ドナー基板上の前記有機層を前記ディスプレイ基板に転写させる工程と、をこの順序で含む。Ｇｒａｎｄｅ等の方法の問題は、ドナー基板上の開口のアレイのパターンニングが必要なことである。別の問題は、ドナー基板とディスプレイ基板との間の機械的な整列を正確にすることが必要なことである。さらなる問題は、ドナーパターンが固定され、容易に変更できないことである。
【０００４】
Ｌｉｔｔｍａｎ及びＴａｎｇ（本発明の譲受人に譲渡された米国特許第５，６８８，５５１号）は、未パターンニングドナーシートからＥＬ基板に有機ＥＬ材料をパターン転写することを教示している。Ｗｏｌｋ等による一連の特許(米国特許第６，１１４，０８８号、第６，１４０，００９号、第６，２１４，５２０号及び第６，２２１，５５３号)は、レーザービームを用いてドナーの選択された部分を加熱することにより、ＥＬ素子の発光層をドナー要素から基板へ転写することができる方法を教示している。各層は、素子の機能に利用される動作可能層又は非動作層である。
【０００５】
これらの方法において、エレクトロルミネッセンス材料を含有するドナーを、輻射線により加熱し、活性素子の一部分を既に含んでいてもよいレシーバーに転写する。次に、さらなる層を適用することにより、素子を完成させることができる。このプロセスにより、電子又は正孔伝導体ホストとドーパントとを含有する好適なドナーを使用して色をパターンニングできる。最終の発光素子は、ドーパントが一緒に混合されていて良好な発光するようなものでなければならない。２種以上の材料を同時に共蒸発させ且つ一定の制御比を維持することは困難である。また、これらの輻射線転写素子から、改善された効率で発光が得られる必要がある。
【０００６】
Ｄｅｂｏｅｒ及びＳｐａｈｎ（本発明の譲受人に譲渡された米国特許第５，２４４，７７０号）は、カラ−印刷の分野での色転写のためのドナー要素を教示している。この特許では、透明支持体と熱吸収性金属層との間に反射防止層を位置させている。この要素は、バインダーと昇華性色素とを含有する色素層を転写するのに使用される。バインダーの使用は、カラ−印刷の分野では一般的であるが、ＯＬＥＤ素子の作製には不適当である。バインダーから汚染を生じることなく有機材料を転写することは困難である。カラ−プリントでは、低レベルの汚染は許容されることができるが、ＯＬＥＤ等のエレクトロルミネッセンス素子では、このような汚染は許容できず、寿命、効率及び外観に影響を及ぼすであろう。さらに、本発明の譲受人に譲渡された米国特許第５，２４４，７７０号に含まれる種々の系は、ＯＬＥＤ等の素子をパターンニングするのには、一様に適切ではない。製造プロセスとして、生産性は極めて重要であり、最も吸収性のあるドナーだけが、製造プロセスにおいて生産性を最大にするので、好ましい。最後に、ＯＬＥＤ等の素子のための材料の好ましい昇華プロセスは、パワーが過剰であると素子の汚染が生じたり、転写された材料の劣化を生じることがあるために、材料の転写に必要とされるしきい値パワー付近とすることがしばしばある。転写のしきい値付近で操作するためには、ドナー効率、したがって、ドナー吸収がドナーの領域全体にわたって均一である必要がある。この要件は、ドナーの吸収性層で反射されたレーザー光と、空気−支持体界面で反射されたレーザー光との干渉により、満たされないことがしばしばある。
【０００７】
【特許文献１】米国特許第５２４４７７０号明細書
【特許文献２】米国特許第５６８８５５１号明細書
【特許文献３】米国特許第５８５１７０９号明細書
【特許文献４】米国特許第６１１４０８８号明細書
【特許文献５】米国特許第６１４０００９号明細書
【特許文献６】米国特許第６２１４５２０号明細書
【特許文献７】米国特許第６２２１５５３号明細書
【非特許文献１】Introduction to Modern Optics, Reinhart and Winston, Inc. (1968), pp. 95-100, 165-168
【非特許文献２】Handbook of Optical Constants of Solids, Edward D. Palik, Academic Press Inc. (1985)
【非特許文献３】Handbook of Optical Constants of Solids II, Edward D. Palik, Academic Press Inc. (1991)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
したがって、本発明の目的は、上に色素その他の有機材料をコーティングできる、微小吸収変動が小さい超高吸収性レーザー感熱基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の目的は、１又は２以上の有機材料層でコーティングされることができ、かつ、実質的に所定の波長範囲内にあるレーザー光に応答して１又は２種以上のＯＬＥＤ材料をＯＬＥＤ素子に付与するのに使用される、高吸収性ドナー基板の製造方法であって、
（ａ）透明支持要素を準備する工程と、
（ｂ）該透明支持要素の上に、屈折率の実部が３．０を超え、かつ、意図する波長において第１最低反射率付近となるように選択された厚さを有する、ように選択された吸収体反射防止層を設ける工程と、
（ｃ）該反射防止層の上に、該透明支持要素と該反射防止層を通過するレーザー光を吸収するための金属製熱吸収性層を設ける工程と、
（ｄ）該透明支持要素、該反射防止層及び該金属製熱吸収性層を、平均反射率が１０％未満となり、かつ、該透明支持要素の厚さの変動による微小反射率変動が意図する波長において１０％未満となるように、選択する工程と、
（ｅ）該金属製熱吸収性層の上に、ＯＬＥＤ素子へ転写され得る有機材料（単一又は複数）を含む、バインダー材料を含有しない１又は２以上の有機材料層を設ける工程と、
を含んでなる方法により達成される。
【発明の効果】
【００１０】
レーザー熱転写に合わせた高吸収性ドナー基板は、衝突する光の９５％〜１００％を吸収できる高効率吸収体を有することができる。これにより、ドナー要素の光学効率が、吸収体として単純な金属製熱吸収性層を備えたレーザー熱転写用の単純なドナー基板に対して、２倍改善され、したがって、一定の光強度でより大きな転写効率が得られる。極めて低反射率である吸収体により、ドナー基板の吸収効率のばらつき（変動）が大幅に減少し、転写しきい値付近で操作しても、該ドナー基板から作製したドナー要素から、有機材料を均一に転写できる。ＯＬＥＤ材料は、過剰な加熱に敏感であるので、最良の転写条件は多種多様な系について、転写しきい値付近にあると思われる。平均反射率が１０％を超えただけのドナーでも、転写しきい値の変動は１８％にも上る場合がある。さらに、ＯＬＥＤ等のエレクトロルミネッセンス素子では汚染が重大であるので、部分転写されるか、又は全く転写されない、不活性バインダーを含む有機層ではなく、全体として転写される有機層を用いてＯＬＥＤ素子について転写を行うことが有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
ドナー基板の所望の特性は、効率的で且つ均一なことである。図１は、単純ドナー基板１２を示す。この単純ドナー基板１２は、金属製熱吸収性層２２を、透明支持要素２０（プラスチック製であることができる）と接触して構成されている。この単純ドナー基板１２は有機材料層２４を受容して、単純ドナー基板１２と有機材料層２４との組み合わせにより単純ドナー要素１０を構成することができる。有機材料層の選択された領域は、単純ドナー要素１０の非転写面３６に入射したレーザー光３０に暴露され続いて加熱されることに応答して受容素子に転写できる。
【００１２】
図１に示す単純ドナー基板１２は、効率が悪く且つ均一性が悪いという欠点がある。効率が悪いのは、ほとんどの金属で生じる固有反射率のためである。典型的な金属反射率は、５０％〜９８％のオーダーである。反射光は、金属製熱吸収性層２２の加熱には寄与することができないので、十分なレーザー出力を供給することにより、補う必要がある。図１に示す単純ドナー基板が均一性が悪いことを理解するために、多重薄層からなる要素に入射したときの光の挙動をより慎重に調査しなければならない。
【００１３】
多重の薄（均一な）層からなる要素に入射した光の挙動は、光学分野において十分に理解されている。要素における各層は、厚さ（ｔ）及び屈折率（ｎ）により特徴付けることができる。非吸収性材料の場合において、屈折率は、実数である。金属等の吸収性材料の場合、屈折率は、実部及び虚部からなる複素数である。この複素数は、通常Ｎ（大文字）で示される。これについては、実部がｎ（小文字）であり、虚部がｋ（小文字）、すなわち、Ｎ＝ｎ＋ｉ＊ｋである。Ｎ及びｔは、全ての層について既知である場合には、例えば、Ｆｏｗｌｅｓ（Ｆｏｗｌｅｓ，Ｇｒａｎｔ  Ｒ．，「Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ  ｔｏ  Ｍｏｄｅｒｎ  Ｏｐｔｉｃｓ（現代光学入門）」、Ｒｅｉｎｈａｒｔ  ａｎｄ  Ｗｉｎｓｔｏｎ社（１９６８）、第９５〜１００頁、第１６５〜１６８頁）に記載されている式及び方法を用いて、多層要素により反射、吸収及び透過された光の量を正確に計算することができる。
【００１４】
図１にもどって、入射レーザー光３０は、まず透明支持体２０の非転写面３６にあたる。入射レーザー光３０の一部分は、非転写面から反射３２される。入射レーザー光３０の別の部分が透明支持要素に入り、金属製熱吸収性層２２にあたる。金属製熱吸収性層２２が十分な厚さを有する場合（典型的には２００ｎｍ超）、光のわずかな部分が、透過する（図示せず）。金属製熱吸収性層２２にあたった入射レーザー光３０の一部分は、この層により吸収され、熱に変換される。レーザー光の別の部分は反射され、単純ドナー基板１２の非転写面の方向に戻る。単純ドナー基板１２を出た反射レーザー光３４は、反射レーザー光３２と同じ空間を占め、それと混ざる。２つの反射レーザー光がコヒーレントである場合には、レーザー光について通常みられるように、電界の振幅が加わり、２つの反射レーザー光の総合した大きさがそれらの相対位相に依存する。
【００１５】
反射レーザー光３４の位相は、透明支持要素２０を通過した距離に基づいて反射レーザー光３２の位相とは異なる。反射レーザー光３４が金属製熱吸収層２２で反射されたときに生じたさらなる位相シフトがある。この挙動の結果、２つの反射レーザー光の総合の大きさが、透明支持要素２０の正確な厚さに依存する。レーザー光のわずかな部分が透過する場合には、反射されるエネルギーの変化は、金属製熱吸収性層２２に吸収されるエネルギーの変化により補う必要がある。透明支持要素２０の厚さは一般的には必要とされる程度までは制御されることができないので、この変動は、単純ドナー基板１２による吸収の均一性が悪くなる主な原因となる。
【００１６】
この効果を定量的に計算することが、おこなわれた。一般的に、正確な数式は、最も単純な光学系を除き複雑となるので、ここでは再現しない。実際に、ほとんどの当業者は、コンピュータモデルにより、多層光学系の挙動を計算している。
【実施例】
【００１７】
例１（従来技術；計算による）：単純ドナー基板１２の具体例として、屈折率１．５の透明支持要素２０上にコーティングした光学的厚さのクロム層からなる金属製吸収性層２２を検討する。
【００１８】
ｎs＝１．５（下付文字ｓは、透明支持要素を示す）
【００１９】
ほとんどの有用な支持体材料の屈折率は、１．４〜１．７５である。また、レーザー波長を、８００ｎｍとする。
【００２０】
λ＝８００ｎｍ
【００２１】
これは、高出力ダイオードレーザーの典型的な波長である。この波長でのクロムについての屈折率の文献値は、Ｎm＝４．１８＋４．３４ｉである  （Ｅｄｗａｒｄ  Ｄ．Ｐａｌｉｋ、「Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｎｓｔａｎｔｓ  ｏｆ  Ｓｏｌｉｄｓ（固体の光学定数ハンドブック）」、Ａｃａｄｅｍｉｃ  Ｐｒｅｓｓ社、（１９８５）及びＥｄｗａｒｄ  Ｄ．Ｐａｌｉｋ、「Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｎｓｔａｎｔｓ  ｏｆ  Ｓｏｌｉｄｓ  ＩＩ（固体の光学定数ハンドブックＩＩ）」、Ａｃａｄｅｍｉｃ  Ｐｒｅｓｓ社、（１９９１）及びそれらに引用されている文献（以下「Ｐａｌｉｋ」と称する））。
【００２２】
ｎm＝４．１８（下付文字ｍは金属製光吸収性層２２を示す）
ｋm＝４．３４（下付文字ｍは金属製光吸収性層２２を示す）
【００２３】
図２は、Ｆｏｗｌｅｓの方法を、例１の光学系に適用した場合の結果を示す吸収曲線である。透明支持要素２０の厚さが、２つの反射光の相対位相がパイ（π）の奇数倍（位相外）となるような厚さであるときにはいつも、吸収ピーク４０が生じる。透明支持要素２０の厚さが、２つの反射光の相対位相がπの偶数倍（位相内）となるような厚さであるときにはいつも、吸収谷４２が生じる。吸収ピークでの単純ドナー基板１２の吸収レベルを、Ａpeakで表し、吸収谷４２での単純ドナー基板１２の吸収レベルを、Ａvalleyで表す。図２に示す吸収曲線から、基板厚さの変動が０．１マイクロメートルしかなくても、吸収の変動が最大となってしまい、これらの許容範囲でしか、手頃な価格が保持できない。このことは、この効果により単純ドナー基板１２の吸収の変動が制御されないことを意味している。
【００２４】
この干渉効果による単純ドナー基板１２の吸収における変動の量は、
ＭＡＶ＝（Ａpeak−Ａvalley）／（Ａpeak＋Ａvalley）
として、微小吸収変動（ＭＡＶ）として称される量を定義することにより定量化できる。
【００２５】
ここで、Ａpeak及びＡvalleyは、図２に示す単純ドナー基板の位相吸収内及び位相吸収外である。Ａpeak及びＡvalleyは０〜１でなければならないので、ＭＡＶも０〜１でならればならない。ここで、完全に均一なドナーは、ＭＡＶ＝０であろう。また、ＭＡＶは、単純ドナー基板１２の感度の変動に正比例すると思われる。本例については、Ａpeakは６４．１％であり、Ａvalleyは３６．１％であり、ＭＡＶが２７．９％となる。有機材料の全てをドナー要素から転写するためには、最悪のスポット（この場合、Ａvalley）での低吸収を克服しなければならない。これにより、このドナーの総ドナー基板効率がＡvalley、すなわち、たったの３６．１％となる。
【００２６】
この効果を示すために、図３に、図１に示した単純ドナー基板の写真を示す。この単純ドナー基板１２は、厚さ７５マイクロメートルのＫａｐｔｏｎ（登録商標）支持体上にクロムをコーティングしたものであった。照明は、２つの未コーティング蛍光灯、白色プラスチックディフューザプレート及び緑色プラスチックフィルターを備え、測定波長５４８ｎｍ及び測定帯域幅８ｎｍである拡散緑色照明が得られる、光ボックスによるものであった。図３における明暗縞は、Ｋａｐｔｏｎ（登録商標）の厚さがその表面全体にわたって異なるときの、図２のグラフにおけるピークと谷に相当する。縞は、分離した状態で約１〜５ｍｍ異なっていた。この光学的配置は、光学的書き込みで生じるものとはわずかに異なるが、縞効果は類似している。光の反射が最小限（暗縞）であるとき、光の吸収が最大であり、単純ドナー基板１２の感度が高まる。同様に、光の反射が最大（明縞）であるとき、光の吸収が最小であり、単純ドナー基板１２の感度が減少する。この変動は、単純ドナー基板１２を用いたレーザー熱転写の目的には、望ましくない。
【００２７】
図１に示す光学系の総合的な挙動は、図３に示すように、反射レーザー光３２と反射レーザー光３４の干渉により測定できるが、干渉がまったくないかのように、これらの反射光の各々の大きさを独立して計算できる。図４−Ａにおいて、金属製吸収性層２２がなく、且つ透明支持要素２０が大きさが半無限であると仮定することにより反射レーザー光３４を排除した場合、反射レーザー光３２の大きさを入射レーザー光３０により割って得た値に等しい量を計算することができる（「ドナー裏面反射率」と称される）。同様に、図４−Ｂにおいて、透明支持要素２０の大きさが裏の方向に半無限であると仮定することによりドナー裏面反射率を排除した場合、反射レーザー光３４の強度を入射レーザー光３０の強度により割った値を、「ドナー吸収体反射率」と称する。さらに、便宜上、ドナー吸収体により吸収される入射レーザー光３０の割合を、「ドナー吸収体効率」と称する。ここでも、例１における構造において、光学計算により、ドナー裏面反射率が４．０％であって、ドナー吸収体反射率が５０．９％であるので、ドナー吸収体効率が４９．１％に等しいことが明らかである。また、計算から、Ａpeakが６３．９％であって、Ａvalleyが３５．８％であるので、ＭＡＶは２８．２％となる。
【００２８】
ドナーのＭＡＶを減少させるには、２つの方法がある。一つの方法は、ドナー裏面反射率を減少又は排除させることであり、他の方法は、ドナー吸収体の反射率を減少又は排除することである。ドナー裏面反射率を減少させることは、ドナー基板の非転写面に反射防止コーティングを適用することにより可能である。このコーティングを、裏面反射防止層と称する。この周知の解決策は、低屈折率材料からなる単一の４分の１波長層を、ドナー基板の非転写面上にコーティングすることによりおこなうことができる。単層の裏面反射防止コーティングは、十分に有効であるわけではない。誘電体に適用された理想的な単層反射防止コーティングは、誘電体の屈折率の平方根に等しい屈折率値を有していなければならないことは、周知である。透明支持要素の屈折率の典型的な値（ｎs）は、１．４〜１．７５の範囲であり、ドナー裏面反射防止層についての屈折率が１．１８〜１．３２の適切な値であることが必要である。このための最良の低屈折率材料は、当該技術分野において、屈折率１．３７のＭｇＦ2であり、典型的な支持体には完全には適合せず、したがって、非理想的反射防止層が得られることことは、公知である。
【００２９】
例２（従来技術；計算による）：例１に記載のものと同一の構造が、図１に示した非転写面３６に適用したＭｇＦ２（１４８ｎｍ）からなる４分の１波長層を有する。計算によると、ドナー裏面反射率は、４．０％から１．２５％に減少する。その結果、Ａpeakは５８．７％であって、Ａvalleyは４２．５％であり、ＭＡＶは２８．２％から１５．５％に減少する。ｎsが理想値１．８８の方向に増加するので、この方法の有効性が改善される。単純ドナー基板１２の非転写面上に２層反射防止コーティングを用いることにより、ＭＡＶをゼロまで減少できた。ＭＡＶを減少させるこの方法は、複数層が使用されない限り十分に効果的ではなく、且つ完全ドナー基板がここでは透明支持要素２０の両面にコーティング材料を有していることから、望ましくない。また、セラミック材料のコーティングを必要とし、これにより電子線蒸発及びｄｃスパッタリングが魅力のない蒸着法となり、これにより製造コストが増加する。
【００３０】
ＭＡＶを減少させるよりよい解決策は、ドナー吸収体反射率を減少又は排除することである。このことは、図５に示す構成を用いることにより実現できる。この構成によれば、高吸収性ドナー要素１４、より詳細には高吸収性ドナー基板１６を、透明支持要素２０と金属製熱吸収性層２２との間に、反射防止層を介在させることにより作製する。この位置における反射防止層を、吸収体反射防止層２８と称する。金属製熱吸収性層２２と吸収体反射防止層２８との組み合わせを、高効率吸収体１８と称する。吸収体反射防止層２８の材料が適切に選択されると、ドナー吸収体反射率が排除されるか、大きく減少する。吸収体反射防止層２８として作用するように選択された材料の屈折率（Ｎa＝ｎa＋ｉｋa（式中、下付文字ａは、吸収体反射防止層２８を意味する））は、金属製熱吸収性層２２の複素屈折率（Ｎm＝ｎm＋ｉｋm）と、透明支持要素２０の屈折率（ｎs）の複雑な関数である。金属製熱吸収性層２２が完全に不透明であるほどには十分に厚くない場合には、吸収体反射防止層２８用材料の理想的な選択にも影響を及ぼすことがある。
【００３１】
例３（本発明；計算による）：図５に示す高吸収性ドナー基板１６を、作製した。透明支持要素２０の材料として、ポリカーボネートを選択した。吸収体反射防止層２８の材料として、スパッタリング又は電子ビーム蒸発により形成できるように非晶質シリコンを選択した。金属製熱吸収性層２２は、これもスパッタリング又は電子ビーム蒸発により形成できるように、光学的に厚い（厚さ２００ｎｍ）クロムとした。この計算例において、使用された光学定数は、バルク材料に典型的な公表されている値（Ｐａｌｉｋ及びそこに記載の文献）であった。
すなわち、
ｎs＝１．５８（ポリカーボネート、典型的な値）
ｎa＝３．８９（非晶質シリコン、Ｐａｌｉｋ）
ｋa＝０．１５（非晶質シリコン、Ｐａｌｉｋ）
ｎm＝４．１８（クロム、Ｐａｌｉｋ）
ｋm＝４．３４（クロム、Ｐａｌｉｋ）
λ＝８００ｎｍ
【００３２】
計算から、非晶質シリコンからなる厚さ３６．２ｎｍの層が、最適な調整厚さであることが分かった。ドナー裏面反射率は５．１％であり、ドナー吸収体反射率は実質的にゼロ（０．００３％）であった。Ａpeakは９４．９９％であって、Ａvalleyは９４．９０％であるので、ＭＡＶは０．０５％であった。
【００３３】
例１、例２及び例３の性能を、表１にまとめて示す。ここで特に注目すべきは、高効率構成の場合低ＭＡＶ（ドナー吸収レベルが空間的に均一であることを示す）であり、高ドナー基板効率（有機材料の１００％転写をおこなうためのレーザーエネルギーの量の減少を示す）であることである。高効率構成が、明らかに優れている。
【００３４】
【表１】
2004288636.tif 000003
【００３５】
例３に関して注目すべき最後の点。シリコンは、完全には透明ではない。理想的な裏面反射防止層は、非吸収性でなければならないが、明らかなように、吸収体反射防止層は、顕著な吸収を示すことがあるが、それでも十分に機能する。
【００３６】
薄膜についての光学定数の公表されている値は、バルク材料から測定することがしばしばある。薄膜のための実際の光学定数は、調製条件に依存することがあり、公表されている値とは多少異なることがしばしばある。このため、実験的に反射防止層の厚さを調整するのがよい。この方法では、実際の膜の厚さの独立した目安が得られないだけでなく、コーティングした層の実際の光学定数の目安も得られない。これらは、それぞれプロフィロメトリー及びエリプソメトリーにより得ることができるが、実用的な素子を作製するために、公表された光学値及びコンピュータモデリングを使用して、調整した系の性能を予測した後、モデルにより予測された性能に近い最適な系性能が得られるように実験的に吸収体反射防止層の厚さを調整することによりそのような系を作製することができる。小さな不一致が生じるのは、実際の光学定数とバルクの光学定数との間の差によるものである。
【００３７】
例４（本発明；実験による）:図５において、ほぼ理想的な屈折率整合吸収体反射防止層２８を透明支持要素２０上に適用することにより、高吸収性ドナー基板１６を作製した。透明支持要素２０は、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネートであった。吸収体反射防止層２８は、抵抗率０．０２０オーム・ｃｍとなるまでホウ素ドーピングした９９．９９９％シリコンであり、６ｍＴｏｒｒアルゴンガス中でｄｃスパッタリングして形成した。ホウ素は、ｄｃスパッタリングプロセス中の帯電を減少させるために含有させたものであり、シリコンの光学特性に影響を及ぼすとは思われない。シリコン層の厚さが０ｎｍ〜４５ｎｍの範囲で異なる一連の試料を、作製した。正確な厚さは、スパッタリング時間からのみ推定した。次に、純粋Ｃｒ金属（９９．９８％）からなる金属製熱吸収性層２２を、６ｍＴｏｒｒのアルゴンガス中、吸収体反射防止層２８上に約６０ｎｍの厚さにスパッタリングした。一連の厚さの高吸収性ドナー基板１６の全ての反射率を、波長８００ｎｍの光を用いたＣａｒｙ２５００分光光度計で測定した。得られた結果を、図６のグラフに示す。厚さ４５ｎｍのシリコンで、最良の結果が得られた。この結果は、例３で予測された３６．２ｎｍの結果よりもわずかに高かった。不一致は、実験での厚さ測定が不正確であった可能性があり、又はより可能性が高いのは、文献に報告されている光学定数についてのバルク値と、スパッタリングにより得られる実際の値との間の差によるものである。いずれにせよ、最良に調整された高吸収性ドナー基板１６の８００ｎｍでの反射率の測定値は、５．３％であった。ここで、Ｃａｒｙ２５００分光光度計における照射試料領域は、直径約１５ｍｍの円形である。図３の画像に関して、これは、数多くの縞について反射率の平均値を測定しようとしているところであり、したがって、測定値は平均反射率である。
【００３８】
例５（実験による）：例４において適用した最良のコーティング（Ｓｉ  ４５ｎｍ及びＣｒ  ６０ｎｍ）を、厚さ７５マイクロメートルのＵＤＥＬ（登録商標）支持体の表面に適用した。ＵＤＥＬ支持体は、供給業者によれば屈折率が１．６３３であり、ドナー裏面反射率５．８％が得られる。８００ｎｍでのＣａｒｙ２５００による高吸収性ドナー基板の反射率の測定値は、５．７％であった。明らかに、高効率吸収体から、ごくわずかな量の反射があった。また、ＭｇＦ2からなるドナー裏面反射防止コーティングを、高効率ドナー基板のいずれかに適用して、総反射率が約１．２５％であり、低ＭＡＶであるドナー基板を製造することができた。既に高効率であるドナー基板にこのようなコーティングを設けることによる利点は、コストに対してわずかである。
【００３９】
例６（本発明；実験による）：クロム層をわずか４０ｎｍの厚さにコーティングしたことを除いて、高吸収性ドナー基板１６を、例５と同様の方法で作製した。２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）からなる厚さ２０ｎｍの層をクロム層上に真空蒸着した後、テトラ−ｔｅｒｔ−ブチル−ペリレン（ＴＢＰ）からなる厚さ０．２５ｎｍの第二層を形成してＯＬＥＤプロセス用の青色高吸収性ドナー要素１４を作製した。これらの材料を、青色高吸収性ドナー要素１４から、プロセス内ＯＬＥＤ素子に、波長８１０ｎｍの走査赤外線レーザーを用いて青色高吸収性ドナー要素１４を加熱することにより、転写した。レーザースポットは０．０１０ｍｍ×２．５６ｍｍであり、総出力は１．５Ｗであった。これを、寸法０．０１ｍｍの方向に１４０ｍｍ／秒の速度で走査することにより、ドナー要素を４．２ｍＪ／ｍｍ2のエネルギーに、約７０マイクロ秒の時間あてた。この照射は、有機物をドナーシートからプロセス内ＯＬＥＤ素子に転写するのに十分なものであった。素子の完成により、この化学組み合わせについて予測される青色要素が得られた。
【００４０】
例７（本発明；実験による）：吸収体反射防止層２８としての役割を果たすシリコン層を省略した以外は、例６と同じ方法で、単純ドナー要素１０をコーティングして、ＯＬＥＤプロセス用の青色単純ドナー要素１０を作製した。これらの材料を、青色単純ドナー要素１０から、プロセス内ＯＬＥＤ素子に、波長８１０ｎｍの走査赤外線レーザーを用いて青色単純ドナー要素１０を加熱することにより、転写した。レーザースポットは０．０１０ｍｍ×２．５６ｍｍであり、総出力は３．０Ｗであった。これを、２２０ｍｍ／秒の速度で走査した。この照射（５．３ｍＪ／ｍｍ2、４５マイクロ秒間）は、有機物をドナーシートからプロセス内ＯＬＥＤ素子に転写するのに十分なものではなかった。素子の完成により、未ドーピングＯＬＥＤ素子について予測される緑色要素が得られた。同じ単純青色ドナー要素１０を用いて、寸法１０マイクロメートルの方向に、１４０ｍｍ／秒のより低い走査速度で走査することにより、ドナー要素を８．４ｍＪ／ｍｍ2のエネルギーに、７０マイクロ秒の時間あてた。この照射は、有機物をドナーシートからプロセス内ＯＬＥＤ素子に転写するのに十分なものであった。素子の完成により、この化学組み合わせについて予測される青色要素が得られた。この例の単純ドナー要素１０は、例６における高吸収性ドナー要素１４と同じ転写を実現するのにほぼ２倍のエネルギー密度が必要であった。
【００４１】
上記計算例から明らかなように、微小吸収変動（ＭＡＶ）を顕著に減少させるためには、極めて効率的な吸収体を得る必要がある。ドナー裏面反射率値と、ドナー吸収体反射率値と、微小吸収反射率値との間には、関係がある。図７に、上記した薄膜積層体について計算法を用いて得た一連のプロットを用いたグラフを示す。屈折率１．５の高吸収性ドナー基板について、ドナー裏面反射率を計算したところ、４％であった。図７において、ＭＡＶが１０％未満であることが必要とされる場合、ドナー吸収体反射率が６％未満であるように、系を設計する必要がある。高吸収性ドナー基板の屈折率が１．７９（極めて高い値）である場合には、ドナー裏面反射率が８％であり、ドナー吸収体反射率は約３％未満でなければならない。ドナー支持体の屈折率が高いほど、低ＭＡＶを達成するためには、ドナー吸収体の効率を高くしなければならない。
【００４２】
低変動高吸収性ドナー基板１６についての主要な関心が、現在近赤外線に向けられている。これは、最も強力な低コストレーザーが得られる領域であることによる。計算から、効率的なドナー吸収体を実現するためには、吸収体反射防止層２８は、極めて高い屈折率ｎaを有する必要があることが明らかである。単純で安価な製造要素で低ＭＡＶを実現するのに十分に効率的である吸収体反射防止層２８を製造するのに使用することができる材料の数は、限られている。
【００４３】
まず、系を定義する変数を検討する。透明支持要素２０の材料は、プラスチックでもガラスでもよく、レーザーの波長範囲で実質的に非吸収性でならればならない。ほとんどのこのような材料の屈折率（ｎs）は、１．４〜１．７の範囲である。また、これらは非吸収性であるので、ｋs値は０に近い。金属製熱吸収性層２２として使用することができる金属は、ｎmの値が約２（例えば、Ｐｄ）〜約４．５（例えば、Ｃｒ）の範囲である複素屈折率（これらが吸収性であるので）を有する。金属のｋm値は、約３（例えば、Ｍｏ及びＡｌ）〜約６（Ｐｔ及びＩｒ）の範囲である。貴金属（Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕ）は、これらの範囲から逸脱しているが（ｎ＜０．３；ｋ＞３．０）、ここでは検討しない。アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ）は、光学特性は貴金属と類似しているが、反応性の面から不適当である。
【００４４】
例８（本発明、計算による）：上記した光学的モデリング法を用いて、低微小吸収変動を有する効率的な高吸収性ドナー基板が得られる吸収体反射防止層の光学特性を測定できる。
【００４５】
まず、透明支持要素２０と金属製熱吸収性層２２についての平均値又は典型的な値を検討する。また、非吸収性反射防止層のみを検討する。すなわち、
ｎs＝１．５５（透明支持要素についてのｎ）
ｋm＝４．０（金属製熱吸収性層についてのｋ）
ｎm＝３．０（金属製熱吸収性層についてのｎ）
ｋa＝０．０（吸収体反射防止層についてのｋ）
【００４６】
薄膜の計算から、吸収体反射防止層２８の屈折率は、ドナー吸収体効率９５％を実現するには３．３超でなければならず、ドナー吸収体効率９８％を実現するには３．７超でなければならないことが分かる。このため、例えば、ＭｇＦ2（ｎ＝１．３７）、ＳｉＯ2（ｎ＝１．４５）、ＭｇＯ（ｎ＝１．７３）、Ａｌ2Ｏ3（ｎ＝１．７６）、ＳｉＯ（ｎ＝１．９〜２）、Ｓｉ3Ｎ4（ｎ＝２．０）及びＴｉＯ2（ｎ＝２．５〜２．８）等の薄膜用途に通常使用される通常の誘電絶縁体の全てが、考慮から外れてしまう。これらの材料の問題を解決できるのは、２種類の材料、すなわち、半導体とカルコゲナイドである。
【００４７】
近赤外における光学特性についての制限を満足する多種多様な材料がある。８００ｎｍ付近の波長範囲については、Ｐａｌｉｋによる資料から得ることができる。これを、表２の材料リストに示す。
【００４８】
【表２】
2004288636.tif 000004
【００４９】
この時点で、非吸収性材料のみを考えているので、ｋ値を任意に０．２以下に限定でき、ｎ値を３．３以上に限定できる。その結果、好ましい材料は、ＡｌＳｂ、Ａｓ2Ｓ3、ＧａＡｓ、ＰｂＳ、ＰｂＴｅ及びＳｉを含む材料リストにしぼられる。これらの材料は、全て光学的に作用することができるが、それらにＳｂ、Ａｓ又はＰｂを有しない毒性がもっと低い材料を用いることが望ましい。これにより、最も好ましいリストがＳｉにまで減少する。さらに、高吸収性ドナー基板１６は転写プロセス中にレーザーで加熱されるので、金属製光吸収性層２２及びドナー吸収体反射防止層２８を耐熱性であるように選択することも望ましい。
【００５０】
ｎmの範囲、利用できる材料についての金属製光吸収性層２２の屈折率の実部は、約２〜４．５の範囲である。この選択が吸収体反射防止層２８の材料を選ぶのにどのように影響するかを確認するために、ｎm値を変化させた以外は、上記例８について薄膜の計算をおこなった。表３に、これらの計算結果を示す。表３及び続いての全ての表において、吸収体反射防止層２８の屈折率の上限が１０超である場合には、その上限を示していない。
【００５１】
【表３】
2004288636.tif 000005
【００５２】
表３から明らかなように、低ｎの金属は、効率的なドナー吸収体を得るためには、より高い屈折率の反射防止材料を必要とする。ｎaが、例えば、３．９である非晶質シリコンは、ｎmが２．０６であるＰｄ等の金属とともに用いることは、ドナー吸収体効率が９８％である高吸収性ドナー基板１６を製造するには適切ではない。高屈折率金属は、吸収体反射防止材料を選択するための作業空間を増加する。高過ぎる屈折率を有する吸収体反射防止材料を備えることは可能ではあるが、これは、吸収性材料を検討するまでは、あてはまらないことがしばしばある。
【００５３】
ここで、この操作空間に及ぼすｋmの影響を検討する。上記例８における「典型的」な系については、４の値を選択した。実際の金属についての値は、３〜６の範囲である。表４に、ｋmにおけるこれらの極値についての薄膜の計算の結果を示す。ｎm値が増加すると、吸収体反射防止層２８について屈折率がより小さい材料を使用できる点で、表３と同様の傾向がある。
【００５４】
【表４】
2004288636.tif 000006
【００５５】
ここで、また、Ｋm値が小さいほど、吸収体反射防止層２８の材料として屈折率がより低いものを使用できる。結論として、高ｎ及び低ｋの金属製熱吸収性層２２は、まだ吸収体効率９８％を実現するためには、屈折率がほぼ３の吸収体反射防止層を必要とする。
【００５６】
最後に、透明支持要素材料の屈折率であるｎsの影響を検討する。例８における「典型的」な系において使用した値は、１．５５であった。ここで、最も入手可能な材料の極値１．４及び１．７を検討する。これらの計算値を、表５に示す。
【００５７】
【表５】
2004288636.tif 000007
【００５８】
これらの結果から、透明支持要素２０の屈折率が低いほど、より低い屈折率の吸収体反射防止層材料を使用できることが分かる。
【００５９】
上記計算値から分かることをまとめると、高ｎ及び低ｋを有するように金属製光吸収性層２２の材料を選択し、且つ透明支持要素２０が低ｎを有するように屈折率を選択することにより、吸収体反射防止層２８として使用するのに入手できる最も広い範囲の材料が、実現できる。表２から、この基準を満足する金属はそれほど多くはないこと、及び恐らく最良の選択（オスミウム；ｎ＝２．９９、ｋ＝１．７）は極めて高価であり且つ加工するのが困難であることが分かる。同様に、高温透明支持体材料のｎ値が高いことが、しばしばある（例えば、ポリイミド及びポリスルホン）。実用的に最適な系では、これらの教示から離れ、吸収体反射防止層２８のために極めて高い屈折率の材料を選択してドナー吸収体効率を数％補充又は犠牲にすることが必要なことがしばしばある。
【００６０】
ここで、有用な高吸収性ドナー基板１６を構成するために考慮すべき一つの最後の変数について説明する。ここまで、吸収体反射防止層２８は、実質的に吸収がないと仮定してきた。例３、例４、例５及び例６において、非晶質シリコンをスパッタリングした膜を使用したところ、吸収体反射防止層２８として十分うまくいった。非晶質シリコンは、意図する波長８１０ｎｍでの吸収係数ｋmが０．０８であると報告されている。ここで、種々の半導体及び他の材料の波長８１０ｎｍ付近でのｎ値及びＫ値を載せている表２によれば、ｋ値は、０〜２．６の範囲である。反射防止層の目的が有害な反射を除去すること、又は透過される光の量を増加すること、又はこれらの両方であるので、ｋ値が０である反射防止層は有利であると思われる。高吸収性ドナー基板１６の場合、主要な目標は、有害な反射を排除することである（ＭＡＶを減少するため）。レーザー光の一部分が吸収体反射防止層２８において熱に変換される場合、そのエネルギーは、吸収体反射防止層２８が金属製光吸収性層２２と密着しており、且つ後者の温度上昇に顕著に寄与する点で、まだ有用である。したがって、この用途では、光学的基準が満たされることができ、且つドナー吸収体から反射された光が小さい限りは、吸収体反射防止層２８が顕著な吸収を有することは許容できる。
【００６１】
典型的な金属（貴金属、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕを除外）の場合、ｋの限界値は、約０．５である。この値より上では、反射防止条件を満たすには金属製光吸収性層２２の光反射が不十分である。Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ及びＡｌ等の極めて良好な反射体の場合、ｋ値が１〜１．５の範囲であると、まだ効率的な反射防止層を提供できるが、ｋ値が０であると効果がない。Ｃｒ等の効率的な反射体ではない金属製熱吸収性材料の場合、ｋ値０は、効果的（上記例の全て）であるが、高ｋ値０．５も効果的である。この知見により、ゲルマニウムを使用できる可能性があり、非晶質シリコンを使用できることが十分に明らかものとなる。
【００６２】
ゲルマニウムのｋ値は、８１０ｎｍ付近で０．３１６である（表２参照）。表６は、ここではｋaをゲルマニウムをエミュレートするために０．３に設定した以外は、表３を再現したものである。
【００６３】
【表６】
2004288636.tif 000008
【００６４】
吸収体反射防止層２８自体が吸収性となると、非吸収性の場合で達成することが困難であった高屈折率値がさらに緩和され、吸収体反射防止材料が非常に高い屈折率を有する可能性がでてくる。実際に、及び表２の材料を検討すると、吸収性材料（より高いｋ）のｎ値がより高い傾向があることが、明らかである。
【００６５】
例９（本発明、計算による）：図５に示す高吸収性ドナー基板１６を、モデリングした。パラメータは、ゲルマニウムについての値を、シリコンについての値の代わりに使用した以外は、例３と同一であった。この場合、吸収体反射防止層２８は、顕著な吸収を示した。この計算例において、使用された光学定数は、バルク材料に典型的な公表されている値（Ｐａｌｉｋ及びそこに記載の文献）であった。
すなわち、
ｎs＝１．５８（ポリカーボネート、典型的な値）
ｎa＝４．６８４（ゲルマニウム、Ｐａｌｉｋ）
ｋa＝０．３１６（ゲルマニウム、Ｐａｌｉｋ）
ｎm＝４．２３（クロム、Ｐａｌｉｋ）
ｋm＝４．３４（クロム、Ｐａｌｉｋ）
λ＝８１０ｎｍ
【００６６】
計算から、ゲルマニウムからなる厚さ２７．０ｎｍの層が、最適な調整厚さであることが分かった。ドナー裏面反射率は５．１％であり、ドナー吸収体反射率は３．１％であった。Ａpeakは９９．７４％であって、Ａvalleyは８５．１３％であるので、ＭＡＶは７．９０％であった。これは、例１における単純ドナー基板１２よりも３倍均一であるが、例８におけるＳｉ−Ｃｒドナーよりもはるかに悪い。問題は、Ｇｅが実際に屈折率が高過ぎてクロムと適合しないことである。表６から、２％未満のドナー吸収体反射率を実現するためには、屈折率ｎaは、２．４〜４．１でなければならないことが分かる。ここでも、表６において、よりよい材料は、ｎm＝２．４８及びｋm＝４．３８のニッケルである。
【００６７】
例１０（本発明、計算による）：図５に示す高吸収性ドナー基板１６を、モデリングした。パラメータは、ニッケルについての値をクロムについての値の代わりに使用した以外は、例９と同一であった。この計算例において、使用された光学定数は、バルク材料に典型的な公表されている値（Ｐａｌｉｋ及びそこに記載の文献）であった。
すなわち、
ｎs＝１．５８（ポリカーボネート、典型的な値）
ｎa＝４．６８４（ゲルマニウム、Ｐａｌｉｋ）
ｋa＝０．３１６（ゲルマニウム、Ｐａｌｉｋ）
ｎm＝２．４８（ニッケル、Ｐａｌｉｋ）
ｋm＝４．３８（ニッケル、Ｐａｌｉｋ）
λ＝８１０ｎｍ
【００６８】
計算から、ゲルマニウムからなる厚さ２３．４ｎｍの層が、最適な調整厚さであることが分かった。ドナー裏面反射率は５．１％であり、ドナー吸収体反射率は０．０５％であった。Ａpeakは９５．８３％であって、Ａvalleyは９３．９９％であるので、ＭＡＶは０．７１％であった。これは、例３におけるシリコン−クロムと良好に一致する。
【００６９】
例１１（本発明；実験による）:図５において、ほぼ理想的な屈折率整合吸収体反射防止層２８を透明支持要素２０上に適用することにより、高吸収性ドナー基板１２を作製した。透明支持要素２０は、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネートであった。吸収体反射防止層２８は、抵抗率０．０２０オーム・ｃｍとなるまでアンチモンドーピングした９９．９９９％ゲルマニウムであり、８ｍＴｏｒｒアルゴンガス中でｄｃスパッタリングして形成した。アンチモンは、ｄｃスパッタリングプロセス中の帯電を減少させるために含有させたものであり、ゲルマニウムの光学特性に影響を及ぼすとは思われない。ゲルマニウム層の厚さが０ｎｍ〜４４ｎｍの範囲で異なる一連の試料を、作製した。正確な厚さは、スパッタリング時間からのみ推定した。次に、純粋ニッケル金属（純度不明）からなる金属製熱吸収性層２２を、６ｍＴｏｒｒのアルゴンガス中、吸収体反射防止層２８上に約１００ｎｍの厚さにスパッタリングした。一連の厚さの高吸収性ドナー基板１６の全ての反射率を、波長８００ｎｍの光を用いた未校正分光光度計で測定した。得られた結果を、図８のグラフに示す。厚さ３０ｎｍのゲルマニウムで、最良の結果が得られた。この結果は、例１０で予測された２３．４ｎｍの結果よりもわずかに高かった。この不一致は、実験での厚さ測定が不正確であった可能性があり、又は文献に報告されている光学定数についてのバルク値と、スパッタリングにより得られる実際の値との間の差による可能性がある。最良に調整された高吸収性ドナー基板１６の８００ｎｍでの反射率の測定を、Ｃａｒｙ２３００分光光度計により測定したところ、７．２％であった。ドナー裏面反射率（ポリカーボネートの屈折率を基準とした）は、５．１％であるので、ドナー吸収体反射率は約２％でしかない。ここで、照射試料領域は、直径約１５ｍｍの円形である。図３の画像に関して、これは、数多くの縞について反射率の平均値を測定しようとしているところであり、したがって、測定値は平均反射率である。
【００７０】
例１２（本発明、実験による）：例１１からの結果に基づいて、３０ｎｍのＧｅ及び６０ｎｍのＮｉを、厚さ７５マイクロメートルのＵＤＥＬ（登録商標）支持体の表面にコーティングした。得られたコーティングの外観は、例１１における対応のコーティングと同じであった。２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）からなる厚さ２０ｎｍの層をクロム層上に真空蒸着した後、テトラ−ｔｅｒｔ−ブチル−ペリレン（ＴＢＰ）からなる厚さ０．２５ｎｍの第二層を形成してＯＬＥＤプロセス用の高効率ドナー要素１４を作製した。これらの材料を、青色高効率ドナー要素１４から、プロセス内ＯＬＥＤ素子に、波長８１０ｎｍの走査赤外線レーザーを用いて青色高効率ドナー要素１４を加熱することにより、転写した。レーザースポットは０．０１０ｍｍ×５．１２ｍｍであり、総出力は３．０Ｗであった。これを、寸法０．０１ｍｍの方向に１８７ｍｍ／秒の速度で走査することにより、青色高効率ドナー要素を１４〜３．４ｍＪ／ｍｍ2のエネルギーに、約７０マイクロ秒の時間あてた。この照射は、有機物をドナーシートからプロセス内ＯＬＥＤ素子に転写するのに十分なものであった。素子の完成により、この化学組み合わせについて予測される青色要素が得られた。
【００７１】
低ＭＡＶの高吸収性ドナー基板を作製するための特定の系は、一定の波長で作用することができるが、他の波長では効率的には作用できない。例えば、適切に調整されたＳｉ−Ｃｒ系では、８００ｎｍでは実質的にゼロのドナー吸収体反射率が実現できる。図９は、ポリカーボネート上に設けられたＳｉ−Ｃｒの適切に調整された（最適シリコン厚さ）高吸収性ドナー基板についての、ドナー吸収体反射率を、波長との関係で示したチャートである。使用した光学定数は、非晶質シリコン及びクロム金属についてＰａｌｉｋにおいて公表されているものであった。８１０ｎｍから顕著に異なる光の波長では、たとえＳｉ厚さを最適化しても、１０％と高いドナー吸収体反射率のことがある。これは、ＳｉとＣｒの光学的特性が、これらの波長で適切に整合していないからである。図１０は、この系についてのＭＡＶの計算値と、波長との関係を示したものである。高吸収性ドナー基板のＭＡＶは、他の波長での反射率曲線よりもさらに速く劣化する。
【００７２】
詳細に説明すべき最後の事柄は、蒸着された薄膜についての屈折率のバルク値を得るのが困難なことである。蒸着法では、公表されているバルク量に対して、低密度及び低屈折率の膜が得られることがよくある。さらに、シリコン等のある材料では、酸素又は水蒸気等のコーティング装置におけるバックグランドガスと反応して、部分的に酸化された膜を形成することがある。これらも、バルクシリコンよりも屈折率が低い。この影響を明らかにするために、ポリカーボネート（ｎs＝１．５８）上に、一連の非晶質シリコン（ｎa＝３．８９；ｋa＝０．１０）のコーティングを形成した後、低屈折率金属、例えば、ニッケル（ｎm＝２．４８；ｋm＝４．３８）を形成したものを検討する。図１１に、この一連のものからの８００ｎｍでの光の総反射率の計算値と、シリコン厚さとの関係を示す。高屈折率クロム金属製熱吸収性層についての最低総反射率は、５．１％（ほぼ完全にドナー裏面反射率からのものである）である。低屈折率ニッケル金属製熱吸収性層２２についての最低総反射率は、７．３％である。
【００７３】
これらの正確な試料を、コーティング機により、ベース圧力約５×１０-6トールを用いて作製した。シリコンの蒸着速度は、かなり遅く、たったの１オングストローム／秒であった。試料の総反射率（８００ｎｍ）を、測定した。結果を、図１２に示す。シリコン−ニッケル及びシリコン−クロム高吸収性ドナー基板の波長８００ｎｍでの総反射率についての最小値は、それぞれ２２．９％及び１１．７％であった。上記例と同様の光学的モデリングを使用して、低速蒸着シリコンの屈折率が２．６〜２．９のオーダーであることを推定できる。ニッケル及びクロムの実際の屈折率も不確かであるので、これは推定にすぎない。
【００７４】
同じ試料組を、シリコン蒸着速度を５オングストローム／秒に増加した以外は、同じコーティング機で作製した。ここでも、総反射率を測定した。結果を、図１３に示す。シリコン−ニッケル及びシリコン−クロム高吸収性ドナー基板の波長８００ｎｍでの総反射率についての最小値は、それぞれ１１．７％及び５．２％であった。光学的モデリングは、高速で蒸着したシリコンの屈折率が３．４〜３．６のオーダーであることを示唆している。高屈折率シリコンのコーティングには問題があるために、クロム等の高屈折率金属を使用すると、高効率ドナー基板１６だけでなく、低ＭＡＶ（高均一性）のドナー基板を得る際にもかなりの利点が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】入射光の反射を示す、金属製熱吸収性層を備えた従来技術のドナー要素の断面図である。
【図２】従来技術による、金属製熱吸収性層による光吸収の変化と、透明プラスチック支持要素の厚さとの関係を示すグラフである。
【図３】Ｋａｐｔｏｎ上に設けたＣｒからなる従来技術によるドナー基板の基板側に、単色光を照射したときの写真である。
【図４−Ａ】ドナー裏面反射性を示す、ドナー基板要素の一部分の断面図である。
【図４−Ｂ】ドナー吸収体反射性を示す、ドナー基板要素の一部分の断面図である。
【図５】本発明による反射防止層を付加したドナー要素の断面図である。
【図６】ポリカーボネート上に設けたＳｉ−Ｃｒについての反射率の実験データと、Ｓｉの厚さとの関係を示すグラフである。
【図７】ＭＡＶの計算値と、ドナー裏面反射率のある典型的な値についてのドナー吸収体反射率との関係を示すグラフである。
【図８】ポリカーボネート上に設けたＧｅ−Ｎｉについての反射率の実験データと、Ｇｅの厚さとの関係を示すグラフである。
【図９】Ｓｉ−Ｃｒ高吸収性ドナー基板について到達可能な最低ドナー吸収体反射率についての計算値と、波長との関係を示すグラフである。
【図１０】Ｓｉ−Ｃｒ高吸収性ドナー基板について到達可能な最低ＭＡＶについての計算値と、波長との関係を示すグラフである。
【図１１】ポリカーボネート上に設けたＳｉ−Ｎｉ及びＳｉ−Ｃｒの理想的コーティングについての８００ｎｍでの総反射率についての計算値と、Ｓｉ厚さとの関係を示すグラフである。
【図１２】低速Ｓｉ蒸着に関して、ポリカーボネート上に設けたＳｉ−Ｎｉ及びＳｉ−Ｃｒの実際のコーティングについての８００ｎｍでの総反射率についての実験値と、Ｓｉ厚さとの関係を示すグラフである。
【図１３】高速Ｓｉ蒸着に関して、ポリカーボネート上に設けたＳｉ−Ｎｉ及びＳｉ−Ｃｒの実際のコーティングについての８００ｎｍでの総反射率についての実験値と、Ｓｉ厚さとの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００７６】
１０…単純ドナー要素
１２…単純ドナー基板
１４…青色高吸収性ドナー要素
１６…高吸収性ドナー基板
１８…高効率吸収体
２０…透明支持要素
２２…金属製熱吸収性層
２４…有機材料層
２８…吸収体反射防止層
３０…入射レーザー光
３２…反射レーザー光
３４…反射レーザー光
３６…非転写面
４０…吸収ピーク
４２…吸収谷
【図１】
2004288636.tif 000009
【図２】
2004288636.tif 000010
【図４−Ａ】
2004288636.tif 000011
【図４−Ｂ】
2004288636.tif 000012
【図５】
2004288636.tif 000013
【図６】
2004288636.tif 000014
【図７】
2004288636.tif 000015
【図８】
2004288636.tif 000016
【図９】
2004288636.tif 000017
【図１０】
2004288636.tif 000018
【図１１】
2004288636.tif 000019
【図１２】
2004288636.tif 000020
【図１３】
2004288636.tif 000021
【図３】
2004288636.tif 000022