(57)【要約】【課題】簡単な工程で、有機ＥＬ等の発光型表示素子における光の外部取り出し効率を向上すると同時に、異なる色の発光層間の混色を防止する。【解決手段】ガラス等の表示基板の表示素子形成側の表面をサンドブラストにより加工して、隣接する発光層間を分離するための隔壁を形成すると同時に画素部には光の波長より大きい凹凸を形成することで、全反射を繰り返して基板内部で減衰して行く無効な発光を、凹凸で乱反射させて外部に取り出す。【選択図】図１
2004111354.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示基板の表示画面と対向する側の面上に、画素単位でその発光が電気的に制御される固体または液体からなる発光層と、前記発光層の各画素部分の少なくとも一部を区画する隔壁とを有する発光型表示素子において、
前記表示基板の表面の各画素に対応する部分の少なくとも一部は最高部と最低部の高低差が０．４μｍ以上の凹凸面を有しており、
前記隔壁と前記凹凸面とが、前記表示基板を切削加工することにより形成されてなることを特徴とする発光型表示素子。
【請求項２】
表示基板の表示画面と対向する側の面上に、画素単位でその発光が電気的に制御される固体または液体からなる発光層と、前記発光層の画素単位の発光を制御する、個々の画素に対応して設けられたスイッチング素子と、前記発光層の各画素部分の少なくとも一部を区画する隔壁とを有する発光型表示素子において、
前記各スイッチング素子が前記隔壁の頂部に設けられ、
前記表示基板の表面の各画素に対応する部分の少なくとも一部は最高部と最低部の高低差が０．４μｍ以上の凹凸面を有しており、
前記隔壁と前記凹凸面とが、前記表示基板を切削加工することにより形成されてなることを特徴とする発光型表示素子。
【請求項３】
前記隔壁は井桁状に形成され、前記スイッチング素子は、前記隔壁の井桁状の交差部付近に配置され、かつ、前記スイッチング素子の各々のオン／オフを制御する信号を印加する走査バスラインと、前記発光層に駆動用の信号を供給するためのデータバスラインの少なくともいずれかは、前記隔壁頂部に、前記隔壁と並行な方向に配置されることを特徴とする請求項２記載の発光型表示素子。
【請求項４】
前記隔壁および前記凹凸面は、前記表示基板の表面をサンドブラスト法により切削して形成した事を特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の発光型表示素子。
【請求項５】
前記隔壁の側面は、前記隔壁の頂部から前記画素に対応する部分に向かうテーパを形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の発光型表示素子。
【請求項６】
前記表示基板の前記画素部分の凹凸面の表面と前記発光層との間に、前記表示基板とは異なる屈折率を有する平坦化層を形成した事を特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の発光型表示素子。
【請求項７】
前記平坦化層の屈折率は、該平坦化層上に形成した電極層のうちの、少なくとも一つの層の屈折率よりも大きいことを特徴とする請求項６記載の発光型表示素子。
【請求項８】
その表面に前記隔壁および前記凹凸面を有する、前記表示基板の形成には、
前記表示基板材料の前記隔壁および前記凹凸面を形成する側の表面に隔壁形成部分に対応してマスク材料を形成する工程と、
前記表示基板の前記マスク材料を形成した側の表面に第一のサンドブラスト粒子を吹き付ける工程と、
前記表示基板の第一のサンドブラスト粒子を吹き付けた面に、前記第一のサンドブラスト粒子よりも平均粒径の小さな第二のサンドブラスト粒子を吹き付ける工程とを含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の発光型表示素子の形成方法。
【請求項９】
請求項２に記載の発光型表示素子を形成する際、
前記表示基板をサンドブラスト法により切削することにより前記隔壁および前記凹凸面を形成し、切削後の当該表示基板の切削面を前記スイッチング素子の構造内に含まれる材料に対するエッチング手段によるパターニング工程においてエッチングして、前記隔壁のエッジ部および前記凹凸面に残存する鋭利な部分の角を丸めることを特徴とする発光型表示素子の形成方法。
【請求項１０】
前記隔壁および前記凹凸面を形成するサンドブラスト工程は、前記スイッチング素子の最上層の絶縁膜を形成した後に行われ、当該最上層の絶縁膜に対するパターニング工程において、前記隔壁のエッジ部および前記凹凸面に残存する鋭利な部分の角を丸めることを特徴とする請求項９記載の発光型表示素子の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＥＬ等の発光型表示素子に関し、特に、表示領域を区画する隔壁を有する発光型表示素子およびその形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）等に代表される平面型表示装置は、携帯端末等の普及に伴い、その用途が拡大している。
【０００３】
中でも、有機型に代表されるＥＬは、自発光型であり、また、駆動電圧も比較的低く、さらに多色の表示も可能である事から注目を集めており、研究開発の結果、すでに携帯電話の表示装置等として実用化されている。さらに、今後大型化してパソコンやテレビ等の各種表示用途に応用されるものと期待されている。
【０００４】
図９に代表的なＥＬ素子である有機ＥＬ素子の断面構造の一例を示す。図において、１はガラス等からなる基板、２はＩＴＯ（酸化インジウム）等の透明電極材料からなる陽極、３はホール輸送層、４はＥＬ層、５は例えばフッ化リチウム／カルシウム／アルミの三層構造等からなる陰極である。有機ＥＬ素子は、ＤＣ駆動であり、陽極と陰極の間に直流電圧を印加すると、ホール輸送層３よりホールがＥＬ層４に注入されて陰極から注入される電子と結合する際に、ＥＬ層４に含まれるホスト材料あるいは発光中心を励起して発光を生じる。
【０００５】
ここで、ＥＬ層４の材料は、一般的に水分を吸収すると特性が劣化するものが多い。そのため、ＥＬ層４および、それ以降の各層の形成工程には、エッチング等のウェットプロセスを用いるパターニングは適さない。そこで、通常、ＥＬ層４や陰極５等は、印刷あるいはマスク蒸着等の方法により形成される。さらに、表示を多色にする場合には、複数種の発光層の塗り分けが必要であるが、上記の印刷やマスク蒸着によるＥＬ層の形成方法では、形成時に隣接する他の色の領域への発光層材料の回り込みが生じやすく、混色が発生すると言う問題がある。そのため、例えばＲ、Ｇ、Ｂの３色の画素を組み合わせて１絵素としてフルカラー表示を行うようにした素子を例にすると、図１０のように、各色の画素（４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ）の境界部に隔壁６を形成して形成時の他の色の発光層材料の回り込みを防止している。なお、ＥＬ層の発光を制御できる最小単位領域を「画素」、異なる色の組合せによる最小単位（ここではＲ、Ｇ、Ｂ各１画素ずつからなる３画素で１単位であるが、単色の素子の場合には画素と同一となる）を「絵素」と表記して区別する。この隔壁６を含めた、有機ＥＬ素子の形成工程は図１１のようになる。まず、図１１（ａ）のようにガラス等の基板１上にＩＴＯを形成し、所定の形状にパターニングして陽極２とする。次に、図１１（ｂ）のように隔壁材料として、例えばレジスト等の樹脂材料７を、陽極２を形成した基板１の表面全面に塗布し、仮焼成した後、図１１（ｃ）のようにマスク露光と現像により隔壁６の形状に残し、焼成する。その上に、図１１（ｄ）のようにホール輸送層３、ＥＬ層４、陰極５を印刷やマスク蒸着等により順次形成する。なお、図１１（ｄ）では、上記のホール輸送層３、ＥＬ層４、陰極５を一つにまとめて「ＥＬ構造８」として示している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、表示の輝度や効率を高めるために、ＥＬ素子を形成する各層の屈折率と、基板や大気の屈折率との関係が問題となる。すなわち、図１２に示すように、各層の屈折率の違いにより、例えば、図１２のｂの矢印に示す光路のように、ＥＬ構造８からガラス基板に屈折しながら入射した光が、基板の観察面側（視角側）の表面と大気の間の屈折率の比によって入射角が臨界角以上となり、基板内部から出られないままに減衰したり、図１２のｃの矢印に示す光路のように、ＥＬ構造８の内部で反射を繰り返し、外部に出られないまま減衰したりするため、基板外部への光の取り出し効率は１５〜２０％程度にしかならない。
【０００７】
この問題を解決する方法として、米国特許第４７７４４３５号に開示される、図１３に示す構造のように、基板１のＥＬ構造形成側の表面に光の波長よりも大きい凹凸９を設け、この凹凸９による乱反射により光の取り出し効率を向上すると言うものがある。
【０００８】
この凹凸９は、基板表面をエッチング等により加工することにより得られ、凹凸９形成後に、陽極２、ホール輸送層３、ＥＬ層４、陰極５を順次形成する。
【０００９】
ここで、先の米国特許第４７７４４３５号には述べられていないが、図１０で説明した隔壁６とこの凹凸９とを組み合わせる場合、凹凸９の形成と隔壁６の形成の２回の加工工程が必要となり、工程数の増加によるコストが問題となる。
【００１０】
さらに、このＥＬ素子の画素毎の輝度をより向上し、かつ精密に制御するために、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイッチング素子を画素毎に設けるアクティブマトリクス方式のものが有効であるが、スイッチング素子のパネル内での特性の均一化を図るためには、スイッチング素子を形成する場所の下地表面は平坦である事が必要であり、基板表面の凹凸を設ける際に、平坦な部分を残すようにレジスト等によるマスク形成が必要になることから、これもコスト増加の要因になる。
【００１１】
本発明の目的は、隔壁と凹凸を少ない工程で形成し、さらに、スイッチング素子形成に適した平坦領域も同時に確保した発光型表示素子とその形成方法を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の発光型表示素子は、表示基板の表示画面と対向する側の表面上に、画素単位でその発光が電気的に制御される固体または液体からなる発光層と、前記発光層の各画素部分の少なくとも一部を区画する隔壁とを有し、前記基板の表面の各画素に対応する部分の少なくとも一部は最高部と最低部の高低差が０．４μｍ以上の凹凸面を有しており、前記隔壁と前記凹凸面とは、前記表示基板を切削加工することにより形成したことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の他の発光型表示素子は、前記隔壁の頂部に、前記画素単位の発光を制御するスイッチング素子を、前記画素の個々に対応して形成したことを特徴とする。
【００１４】
発明者らは、ガラス等の基板をサンドブラスト法等により直接切削加工して隔壁を形成する技術に着目し、加工条件を最適化する事で、隔壁の形成および発光領域部分表面への光の波長より大きい０．４μｍ以上の凹凸の形成とを同時に行える事を見いだした。
【００１５】
さらに、アクティブマトリクス方式を適用する場合には、隔壁頂部の平坦部にスイッチング素子を形成すれば、パネル内でスイッチング素子の特性を均一にできることを見いだした。
【００１６】
【発明の実施の形態】
〔実施例１〕
図１に、本発明のＥＬ表示素子の一実施例の断面図を示す。なお、以後、従来例の説明で用いた構成要素と共通する部分については、参照番号を共通として、詳細説明を省略する。本実施例の特徴は、表示基板表面の画素部分に形成した凹凸部９、隔壁１０を、表示基板１の表面を直接削り出して形成したことである。なお、図中、隔壁１０の部分には識別のためにハッチングを設けているが、実際には隔壁１０は表示基板１の一部であり、表示基板１と隔壁１０との間には境界は無い。（以下の図面でも同様）
以下に、図２に示す、この素子の主要形成工程毎の基板要部断面図を用いて形成工程の説明を行う。
【００１７】
図２（ａ）では、ガラスからなる表示基板１の表面全体に、サンドブラスト加工時のマスクとなる厚さ４０μｍのドライフィルム１１を貼り付けた。次に、ピッチ３００μｍ、幅１００μｍのストライプパターンのフォトマスクを用いてドライフィルム１１を露光、現像して、図２（ｂ）のように、隔壁１０として残す部分の上にだけドライフィルム１２を残した。次に、図２（ｃ）のように、例えばアルミナ粒子等を吹き付けるサンドブラスト法により、表示基板１の表面の隔壁部１０以外の部分を削り、加工後にドライフィルムを剥離した。これによって、隔壁と隔壁の間の画素形成領域に対応する基板表面に凹凸９が形成される。ここで、凹凸９により光を乱反射させて、基板内部での散乱による減衰をできるだけ少なくするには、凹凸９の大きさは少なくとも光の波長よりも大きい必要があり、最小でも０．４μｍ、望ましくは１μｍ程度以上にする必要がある。この寸法の凹凸９を実現するために、最初に、平均粒径約２０μｍφのアルミナ粒子の研磨剤を吹き付けて、底部の平均深さが１０μｍ程度になるように削った後、粒径約１０μｍφの研磨剤を吹き付けることにより切削部表面の凹凸９の寸法を調節した。この結果、切削部表面の平均粗さは１．０〜１．５μｍとなった。隔壁１０の側面は、頂部から画素領域に向かってなだらかなテーパ形状をなしており、これにより、陰極５が隔壁１０を横切る際の隔壁１０の側面やエッジにおける断線を防止している。このテーパは、サンドブラストの粒子径を調節することで形成することができる。
【００１８】
この基板に、陽極２の材料として、厚さ５０ｎｍのＩＴＯをスパッタにより形成し、通常のフォトリソグラフィにより隔壁に沿う方向にストライプ状にパターニングした。次に、ホール輸送層３として厚さ５０ｎｍのＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを、スピンコートにより表示面全面に塗布し、加熱処理した後、赤、緑、青の各ＥＬ層としてそれぞれ、ＰＰＶにローダミンを添加したもの、ＰＰＶ、ポリ−ジオクチルフルオレンを厚さ５０ｎｍとなるように順次、隔壁１０に沿う方向にストライプ状に、印刷により形成した。最後に、陰極５として、フッ化リチウム、カルシウム、アルミを隔壁１０に直交する方向のストライプ状マスクを用いて、蒸着により連続的に積層形成した。（図２（ｄ））
このようにして作成したＥＬ表示素子を駆動した結果、凹凸のない基板上に各層の膜厚等、凹凸以外の条件を同一にして形成したＥＬ表示素子を同一条件で駆動した場合と比較して、約５０％の輝度向上が見られた。
【００１９】
〔実施例２〕
図３には、本発明の第二の実施例のＥＬ表示素子の断面図を示す。先の実施例１においては、凹凸部９に鋭利なエッジが形成される事があり、この部分で、この上に積層する各層に亀裂や断線等が生じると言う問題がある。本実施例は、その問題を解決するもので、凹凸の上に平坦化層を設けたものである。図３において、１３は、凹凸９上に設けた例えば酸化ジルコニウム等からなる平坦化層であり、これにより、凹凸９上に積層する陽極２、ホール輸送層３、ＥＬ層４、陰極５等の各層に亀裂や断線等が生じにくくなる。なお、この平坦化層１３の材料としては、少なくともその屈折率が基板材料の屈折率と異なる必要があり、かつ、この平坦化層１３上に接して積層される電極（ここでは陽極２）よりも大きな屈折率を持つ事が望ましい。ここで、平坦化層は、凹凸の間を完全に埋めて、それ以降に電極やＥＬ構造を積層する側の表面を平面にする必要はなく、上に積層される層に断線や亀裂が生じない程度になだらかになっていればよい。
【００２０】
この平坦化層１３は、実施例１の隔壁１０および凹凸９の形成工程を行ったあと、ジルコニウムの脂肪酸塩溶液を基板表面にスピンコートにより塗布し、焼成する事により形成した。なお、その他の平坦化層材料としては、酸化ハフニウムや酸化チタン、酸化亜鉛等が使用でき、いずれも、それらの金属の脂肪酸塩溶液を塗布して焼成することで形成できる。
【００２１】
また、第一および第二の実施例の変形例としては、図４に示すように、陽極２が隔壁１０と直交方向のストライプとして形成されるものや、図５に示す隔壁として、縦方向と横方向とで異なる高さの隔壁を井桁状に組み合わせたものを使用したもの等が考えられる。
【００２２】
〔実施例３〕
図６は、本発明を薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型のＥＬ表示素子に適用した場合の例である。図６において、１４は、井桁状に１画素の周囲を囲む隔壁、１５は各画素に対応して、隔壁頂部の平坦な領域に形成されたＴＦＴであり、１６はＴＦＴのソースに接続部１７を介して接続された透明な表示電極である。なお、表示電極１６上にはホール輸送層とＥＬ層を積層した発光層が、また陰極となる共通電極が表示基板１上の表示領域のほぼ全面に渡って形成されるが、この図では省略している。
【００２３】
また、図７には、表示電極１６までを形成した状態の本実施例のＥＬ素子用基板の要部断面図を示す。隔壁１４の側壁部分は、先の実施例と同様に、テーパ形状とする事でＴＦＴのソースと表示電極１６との接続部１７での断線を防止できる。
【００２４】
ＴＦＴは、平坦な下地の部分に形成する必要がある。また、ＴＦＴのゲートのオン／オフ制御を行う走査バス、ＴＦＴのドレイン／ソースを介して表示電極に電流を供給するためのデータバスラインについても、配設部分の下地は平坦である事が望ましいが、本発明では、サンドブラストにより掘った画素領域の表面には凹凸があり、ここにＴＦＴ１５や走査・データの各バスラインを配設するためには、その部分だけを平坦化する必要がある。しかし、図６に示す、本実施例のように、井桁状をなす隔壁１４において、図面上の横方向の隔壁、縦方向の隔壁の頂部にそれぞれデータバス１８、走査バス１９を配設するとともに、隔壁１４の頂部の平坦な領域にＴＦＴ１５を配設すれば、平坦化工程は不要となる。
【００２５】
なお、本実施例においても、隔壁は先の実施例のようなストライプ状のものでも構わない。この場合、ＴＦＴと一方のバスラインは隔壁頂部に配設できるが、他方のバスラインは、隔壁と画素領域を横切るように配設される。
【００２６】
また、それ以外にも、これらの実施例の内容は適宜組合せを行うことができ、例えば、井桁状の隔壁と、先の実施例の単純マトリクス方式のＥＬ表示素子の組合せ、アクティブマトリクス方式のパネルと平坦化層との組合せ等ももちろん可能である。
【００２７】
さらに、発光表示媒体としては、有機ＥＬ材料を用いて説明したが、他に無機の薄膜ＥＬや分散型ＥＬ、液体状の発光材料であるＥＣＬ材料等を用いた場合にも同様の効果がある。
【００２８】
〔実施例４〕
実施例２にも述べたように、サンドブラスト工程により隔壁や凹凸を形成すると、凹凸に鋭利なエッジが形成され、断線等の不良発生につながる危険がある。また、隔壁エッジにも鋭利な部分が生じ、特に、図６、７のようにＴＦＴ等のスイッチング素子１５を隔壁上に形成した場合、表示電極１６との接続部１７で断線が発生する危険がある。そのため、実施例２においては平坦化層を導入したが、この場合、平坦化層の塗布、硬化の工程が必要となる。一方、隔壁１４や凹凸９を形成した後、エッチング工程によりエッジの鋭利な部分をなだらかにする方法も考えられるが、この場合にもそのためのエッチング工程が必要となる。
【００２９】
本実施例は、これらの、エッジ対策専用の工程を追加することなしに、鋭利なエッジ部分をなだらかにするものである。
【００３０】
図８には、本実施例の発光型表示装置の形成工程毎の要部断面図を示す。ここでは、ゲート電極が最下層（基板表面側）側に配置される逆スタガ型ＴＦＴを用いた例で説明する。本実施例の特徴は、基板上にＴＦＴ１５の形成を行う工程の途中に隔壁１４および凹凸９の形成のためのサンドブラスト工程を挿入し、スイッチング素子の構造中に含まれる絶縁膜のパターニングのためのエッチング工程の際に、隔壁１４および凹凸９に発生している鋭利なエッジを同時に上記エッチング工程により除去するものである。
【００３１】
まず、図８（ａ）に示すように、まだ隔壁および凹凸を形成していないガラス基板１’に通常のＴＦＴ形成工程により、ソース／ドレイン電極までを形成する。（形成途中のＴＦＴを１５’として示す。）次に、（ｂ）のように、たとえば二酸化珪素（　ＳｉＯ２）などからなる保護絶縁膜２１を基板全面にプラズマＣＶＤ法などにより形成する。一般には、この保護絶縁膜は２００ｎｍ程度の厚さである。次に（ｃ）のように、この基板上にドライフィルムを貼り付け、隔壁として残す部分以外の前記ドライフィルムを露光・現像により除去する。次に（ｄ）のように、サンドブラストにより隔壁１４および凹凸９を形成し、ドライフィルム１２を除去する。この際、ドライフィルムに覆われていない部分の保護絶縁膜２１は、サンドブラストの際に除去される。ここで、形成途中のＴＦＴ１５’は、ドライフィルム１２により保護され、サンドブラストによるダメージは受けない。次に基板全面にフォトレジストを塗布し、保護絶縁膜として残す部分以外を露光・現像により除去する（ｅ）。さらに、緩衝弗酸をエッチング液として保護絶縁膜の除去部分をエッチングする。（ｆ）この際、隔壁１４のエッジ部や凹凸部は露出しているため、同時にエッチングされ、鋭利なエッジ部をなだらかにする事ができる。これ以降は、接続部や表示電極の形成等、通常のＴＦＴおよびＥＬ素子の形成を行い、発光型表示装置を形成する。
【００３２】
なお、本実施例では、ＴＦＴ構造内で絶縁層としては最上層となる保護絶縁膜の形成後、該保護絶縁膜のパターニング前にサンドブラスト工程を行っているが、保護絶縁膜の厚さや膜質の条件によっては、この一回のパターニング工程では隔壁１４や凹凸９の鋭利なエッジ部が十分にエッチングしきれない場合もある。その場合、スイッチング素子においてより下層にある膜、例えば、ゲート絶縁膜等のように、そのエッチング手段が基板材料を同時にエッチングできる材料からなる膜のパターニング工程前にサンドブラストを行う事で、前記鋭利なエッジ部に複数回のエッチングを行い、なだらかにすることもできる。
【００３３】
このように、本実施例では、サンドブラストにより生じる、隔壁や凹凸の鋭利なエッジを除去するための専用の工程を追加せずに、エッジ部をなだらかにすることができる。
【００３４】
なお、本実施例ではスイッチング素子として、逆スタガ型のＴＦＴを使用しているが、その他、スタガ型のＴＦＴや薄膜ダイオード等、その構造中の少なくとも一層が、その材料のパターニングに使用するエッチング手段により同時に基板材料をエッチングできるような材料からなるものであれば同じ効果が得られる。
【００３５】
【発明の効果】
本発明によれば、有機ＥＬ等の発光型表示素子において、簡単な工程で、異なる色の発光層の間の分離を行い、色のにじみを防止すると同時に、観察面での表示輝度を向上する事ができる。さらに、このような構造の基板では形成が難しいアクティブマトリクス用のスイッチング素子の形成も容易に行える。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＥＬ素子の第一の実施例の平面図および断面図
【図２】本発明のＥＬ素子の第一の実施例の形成工程を説明する図
【図３】本発明のＥＬ素子の第二の実施例の断面図
【図４】本発明の第一、第二の実施例の変形例（１）を示す図
【図５】本発明の第一、第二の実施例の変形例（２）を示す図
【図６】本発明のＥＬ素子の第三の実施例の斜視断面図
【図７】本発明のＥＬ素子の第三の実施例の要部断面図
【図８】本発明のＥＬ素子の第四の実施例の基板形成工程を説明する図
【図９】有機ＥＬ素子の構造を示す図
【図１０】隔壁により３色の塗り分けをしたＥＬ素子を示す図
【図１１】隔壁を有するＥＬ素子の形成工程を説明する図
【図１２】内部反射による光のロスを説明する図
【図１３】内部反射による光ロスを低減するための従来技術を説明する図
【符号の説明】
１，１’・・表示基板
２・・陽極
３・・ホール輸送層
４、４Ｒ、４Ｇ、４Ｂ・・ＥＬ層
５・・陰極
６、１０、１４・・隔壁
９・・凹凸
１５・・ＴＦＴ
【図１】
2004111354.tif 000003
【図２】
2004111354.tif 000004
【図３】
2004111354.tif 000005
【図４】
2004111354.tif 000006
【図５】
2004111354.tif 000007
【図６】
2004111354.tif 000008
【図７】
2004111354.tif 000009
【図８】
2004111354.tif 000010
【図９】
2004111354.tif 000011
【図１０】
2004111354.tif 000012
【図１１】
2004111354.tif 000013
【図１２】
2004111354.tif 000014
【図１３】
2004111354.tif 000015