(57)【要約】【課　　題】本発明は、半田接合を強固にし、Ａｕ−Ｓｎ合金層とＳｎ含有半田層との界面での剥離の発生を抑制する半田アンカー構造およびその半田アンカー構造を含む導電パターンを提供することを目的とする。さらに、その半田アンカー構造を含む導電パターンを具備するチップ部品、回路部品、基板部品、電子部品および電気部品を提供することをも目的とする。【解決手段】Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面が多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンを形成していることを特徴とする半田アンカー構造およびその半田アンカー構造を含む導電パターン、さらに、その半田アンカー構造を含む導電パターンを具備するチップ部品、回路部品、基板部品、電子部品および電気部品。【選択図】　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面が多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンを形成していることを特徴とする半田アンカー構造。
【請求項２】
Ａｕ−Ｓｎ合金がＳｎ含有半田層側に楔状又は絨毛状に入り込み山谷構造を構成して、Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層とが接合していることを特徴とする請求項１記載の半田アンカー構造。
【請求項３】
Ｓｎ含有半田が、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｂ合金、Ｓｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ−Ｃｕ系合金又はＳｎ単体金属であることを特徴とする請求項１記載の半田アンカー構造。
【請求項４】
Ａｕ層とＳｎ含有半田層を隣接させ、急速加熱することを特徴とするＡｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面が多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンを形成している半田アンカー構造の形成方法。
【請求項５】
Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面が多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンを形成している半田アンカー構造を含む導体パターン。
【請求項６】
Ａｕ−Ｓｎ合金がＳｎ含有半田層側に楔状又は絨毛状に入り込み山谷構造を構成して、Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層とが接合している半田アンカー構造を含む請求項５記載の導体パターン。
【請求項７】
導体パターンが請求項１記載の半田アンカー構造で接合された複数の電子部品であることを特徴とする請求項５記載の導体パターン。
【請求項８】
導体パターンが請求項１記載の半田アンカー構造で接合された２枚の基板、２個のチップ又は基板とチップであることを特徴とする請求項５記載の導体パターン。
【請求項９】
基板がプリント基板であることを特徴とする請求項８記載の導体パターン。
【請求項１０】
Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面が多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンを形成している半田アンカー構造を含む導体パターンを具備するチップ部品。
【請求項１１】
Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面が多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンを形成している半田アンカー構造を含む導体パターンを具備する回路部品。
【請求項１２】
Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面が多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンを形成している半田アンカー構造を含む導体パターンを具備する基板部品。
【請求項１３】
Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面が多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンを形成している半田アンカー構造を含む導体パターンを具備する電子部品。
【請求項１４】
Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面が多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンを形成している半田アンカー構造を含む導体パターンを具備する電気部品。
【請求項１５】
Ａｕ層とＳｎ含有半田層とを重ね合わせ、アロイ処理し、Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面が多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンを有する半田アンカー構造を形成することを特徴とするＡｕ−Ｓｎ合金の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面の構造、その構造を含む導体パターン及びその導体パターンを具備するチップ部品、回路部品、基板部品、電子部品又は電気部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半田は、通常Ｓｎ含有半田であって、鉛含有半田、例えばＳｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｂ合金、あるいは無鉛半田、例えばＳｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ単体金属などが知られている。これらの半田は、プリント回路基板の厚膜導体膜（Ａｌ，　Ｎｉ等）やＣｕ箔などを含む導体パターンを形成し、この導体パターンに電子部品や他の回路基板を接合する際や、半導体電子回路を持つＳｉ基板と他の半導体電子回路を持つチップを接合する際に広く利用されている。
【０００３】
導体パターンの最表面には、パッドのワイヤボンディング用のＡｕ膜が被着されている場合が多い。その他の場合においても、半田濡れ性を良くする目的や、導体パターンの腐食変化がなく、安定した電気的な特性を維持するために、故意にＡｕ膜をメッキしたり、スパッタでＡｕ膜を被着したりしている。また、Ａｕメッキ層を表面に有する導体パターンの構造として、例えば、Ｃｕ箔基板の表面に、Ｎｉメッキ層およびＡｕメッキ層の多層構造などを構築する例が挙げられる。
【０００４】
従来は、このような導体パターンに電子部品などを半田接合するにあたり、導体パターンの表面メッキ層の材料であるＡｕ成分と、半田の成分であるＳｎとでＡｕＳｎ合金が形成されないように留意していた。このＡｕＳｎ合金が半田中に形成されると、これを起点に物理的破壊、電気的な故障を招いてしまうからである。特にＡｕＳｎ４金属間化合物は固く脆いので、この現象が顕著である。このために、従来、Ａｕ層上に半田を直接使用することができなかった。
【０００５】
そこで、従来、Ａｕメッキが施された導体パターン上に半田接合する場合には、半田中のＡｕ含有量が５％を超えない様に、Ａｕメッキ層の厚みを、例えば０．１μｍ以下と非常に薄くしたり、Ａｕメッキ層上にさらにＮｉメッキ層を形成したり（特開平６−２８３８４４号公報）、あるいは、Ｃｕを１．０重量％以下含有している半田を用いて接合したりすることで、ＡｕＳｎ合金よりも優先的にＣｕ３ＳｎとＣｕ６Ｓｎ５の２種合金層を形成させ（特開平１１−２４５０８３号公報）、半田中に、ＳｎとＡｕとの共晶合金が形成されないように制御していた。
【０００６】
しかしながら、これらは共にＡｕＳｎ４金属間化合物を形成しない様に接合するための技術である。また、ＡｕＳｎ４金属間化合物が形成されない場合でも、他の層でＡｕＳｎ合金、ＮｉＳｎ合金またはＣｕＳｎ合金等の合金が形成され、その生成形状が平坦な層状である場合は、それら合金層とＳｎ層あるいは半田の界面で剥離が発生する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、半田接合を強固にし、Ａｎ−Ｓｎ合金層とＳｎ含有半田層との界面での剥離の発生を抑制する半田アンカー構造およびその半田アンカー構造を含む導電パターンを提供することを目的とする。さらに、その半田アンカー構造を含む導電パターンを具備するチップ部品、回路部品、基板部品、電子部品および電気部品を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面が多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンを形成している半田アンカー構造が、半田接合を驚くほど強固にできることを見出した。また、さらに詳しくは、Ａｕ−Ｓｎ合金がＳｎ含有半田層側に楔状又は絨毛状に入り込む山谷構造を構成していることが好ましいことを知見した。Ｓｎ含有半田は、好ましくはＳｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｂ合金、Ｓｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ−Ｃｕ系合金又はＳｎ単体金属であることもわかった。
【０００９】
また、ＡｕとＳｎの融点の違いに着目し、Ａｕ層とＳｎ含有半田層を隣接させ、急速加熱後急冷することで、Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面が多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンを形成している半田アンカー構造が形成されることを見出した。さらに、Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面が多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンを形成している半田アンカー構造を含む導体パターンは、例えばＡｕ−Ｓｎ合金層とＳｎ含有半田層との界面での剥離の発生を抑制できることを見出した。
【００１０】
そして、導体パターンは、半田アンカー構造で接合された複数の電子部品であることが好ましいことを知見した。さらに本発明の導体パターンは、本発明の半田アンカー構造によって例えば２枚の基板、２個のチップ又は基板とチップ等の接合に有利に使用されることがわかった。本発明者らは、本発明の半田アンカー構造は、半田接合が強固になるため、Ａｕ−Ｓｎ合金層とＳｎ含有半田層との界面での剥離の発生を抑制できることを見出し、チップ部品、回路部品、基板部品、電子部品または電気部品を構成するのに有用であることをも見出した。
本発明者らは、かかる種々の新知見を得たのち、さらに検討を重ね、本発明を完成するに至った。
【００１１】
すなわち、本発明は、
（１）　Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面が多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンを形成していることを特徴とする半田アンカー構造、
（２）　Ａｕ−Ｓｎ合金がＳｎ含有半田層側に楔状又は絨毛状に入り込み山谷構造を構成して、Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層とが接合していることを特徴とする（１）記載の半田アンカー構造、
（３）　Ｓｎ含有半田が、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｂ合金、Ｓｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ−Ｃｕ系合金又はＳｎ単体金属であることを特徴とする（１）記載の半田アンカー構造、
（４）　Ａｕ層とＳｎ含有半田層を隣接させ、急速加熱することを特徴とするＡｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面が多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンを形成している半田アンカー構造の形成方法、
（５）　Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面が多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンを形成している半田アンカー構造を含む導体パターン、
に関する。
【００１２】
また、本発明は、
（６）　Ａｕ−Ｓｎ合金がＳｎ含有半田層側に楔状又は絨毛状に入り込み山谷構造を構成して、Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層とが接合している（５）記載の導体パターン、
（７）　導体パターンが（１）記載の半田アンカー構造で接合された複数の電子部品であることを特徴とする（５）記載の導体パターン、
（８）　導体パターンが（１）記載の半田アンカー構造で接合された２枚の基板、２個のチップ又は基板とチップであることを特徴とする（５）記載の導体パターン、
（９）　基板がプリント基板であることを特徴とする（８）記載の導体パターン、
（１０）　Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面が多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンを形成している半田アンカー構造を含む導体パターンを具備するチップ部品、
に関する。
【００１３】
また、本発明は、
（１１）　Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面が多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンを形成している半田アンカー構造を含む導体パターンを具備する回路部品、
（１２）　Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面が多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンを形成している半田アンカー構造を含む導体パターンを具備する基板部品、
（１３）　Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面が多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンを形成している半田アンカー構造を含む導体パターンを具備する電子部品、
（１４）　Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面が多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンを形成している半田アンカー構造を含む導体パターンを具備する電気部品、
（１５）　Ａｕ層とＳｎ含有半田層とを重ね合わせ、アロイ処理し、Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面が多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンを有する半田アンカー構造を形成することを特徴とするＡｕ−Ｓｎ合金の製造方法、
に関する。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明において用いられるＳｎ含有半田としては、Ｓｎが含まれていればそれで良く、Ｓｎ以外の構成物質が含まれていてよく、Ｓｎの構成比率など特に限定されない。また、本発明における半田として、従来公知のものを用いても良く、例えばＳｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｂ合金、Ｓｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ−Ｃｕ系合金又はＳｎ単体金属等を用いることができる。
【００１５】
本発明における半田アンカー構造は、Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層との界面において、多様な高さ及び深さの複数の山及び谷からなる不規則な非直線状パターンが形成されていることを特徴とする構造である。そして、本発明におけるこのような山谷構造は、チップ−チップ間、チップ−基板間または部品−プリント基板間等の接合を強固にすることができる。本発明において、Ａｕ−Ｓｎ合金がＳｎ含有半田層側に楔状又は絨毛状に入り込み山谷構造を構成して、Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ含有半田層とが接合していることが特に好ましい。また、上記Ａｕ−Ｓｎ合金は、Ａｕ層とＳｎ含有半田層とにアロイ処理を施すことによって形成され得る。本発明におけるＡｕ−Ｓｎ合金としては、ＡｕとＳｎが含まれていればそれで良く、Ｓｎ含有半田層のＳｎ以外の構成金属等も含まれていても良い。また、上記Ａｕ−Ｓｎ合金の組成比率等も特に限定されない。
【００１６】
本発明における半田アンカー構造は、Ａｕ層とＳｎ含有半田層とを重ね合わせ、アロイ処理することにより形成される。アロイ処理は通常、Ａｕ層とＳｎ含有半田層とを予備加熱し、急速加熱後急冷することによって形成され得る。半田アンカー構造の形成は、各部品サイズの大きさに応じて、予備加熱時間を調整し、アロイ処理は急速加熱後急冷すること以外には特に限定されず、所望に応じて適宜条件を設定されることが望ましい。また、予備加熱条件として、３段ステップあるいは４段５段６段等の多段ステップや連続加熱も設定可能である。さらに、予備加熱の初期加熱を５０℃以下で始め、予備加熱最終ステップはＰｂを含む場合は８５℃以下で、Ｐｂを含まない場合は１５０℃以下で加熱することが好ましい。初期加熱時間は最終加熱時間の５〜１０倍に設定することも好ましい。アロイ処理はまた、Ｐｂを含む場合は２１０〜２４０℃で、Ｐｂを含まない場合は２６０〜２９０℃で急速加熱後急冷することが好ましい。
【００１７】
本発明における半田アンカー構造は、導体パターンの他、チップ部品、回路部品、基板部品、電子部品または電気部品など様々な用途に用いられる。
本発明における導体パターンは、端子電子部品の電極パッドや端子部または配線などの電子部品等であって、上記半田アンカー構造を特徴としていれば、特に限定されない。また、半田アンカー構造で接合された２枚の基板、２個のチップ又は基板とチップ等の複数の電子部品であっても用いることができ、特に限定されない。なお、本発明においては、通常、導体パターン上に半田を介して電子部品を半田接合するが、導体パターンを端子電極として用いて、他の回路基板の導体パターンと半田接合しても構わない。
【００１８】
本発明におけるチップ部品は、例えばチップに半田付けされている抵抗、半導体、コンデンサまたは端子等が挙げられるが、上記半田アンカー構造を特徴としていれば、特に限定されるものではない。また、本発明においては、上記半田アンカー構造を特徴とするチップのみ単体でも本発明におけるチップ部品に含まれる。上記チップ部品として、例えば、従来公知のチップ部品を用いることができ、具体的には、ＰＤ素子を高精度に搭載することのできる光半導体チップやＬＤチップ等を用いることができる。本発明においては、ＧａＡｓのＬＤチップが特に好ましい。なお、チップ部品に本発明を適用する場合には、バリア層、金属層および配線層等を設けてよい。
【００１９】
本発明におけるバリア層として、例えばＴｉ、Ｗ、Ｔａ、ＴｉＮ、Ｔｉ／ＴｉＮまたはＴａＮ等を用いることができる。また、バリア層は、電極材又はＡｕがチップ部品中に拡散するのを抑制することができる。本発明における電極層として、例えばＣｕ、Ｎｉ又はＡｌ等を用いることができる。本発明における半田層として、例えばＳｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ合金、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｂ合金、Ｓｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ−Ｃｕ系合金又はＳｎ単体金属等を用いることができる。本発明における金属層として、例えばＡｇ、Ｐｂ、Ｔｉ、ＢｉまたはＣｕ等を用いることができる。また、上記金属層によって、半田強度及び接合強度を増すことができる。本発明における配線層として、例えばＣｕ、ＮｉまたはＡｌ等を用いることができる。
【００２０】
上記各層の堆積方法は、真空蒸着法、スパッタ法、メッキ法または印刷法等を用いることができる。
【００２１】
本発明における回路部品は、回路に半田付けされているトランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサまたは端子等であって、上記半田アンカー構造を特徴としていれば、特に限定されるものではない。また、上記半田アンカー構造を特徴とする回路基板等の単体でも本発明における回路部品に含まれる。
本発明における基板部品は、基板に半田付けされているトランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサまたは端子等であって、上記半田アンカー構造を特徴としていれば、特に限定されるものではない。また、上記半田アンカー構造を特徴とする基板のみ単体でも本発明における基板部品に含まれる。本発明においては、基材の上に銅箔で配線を施したプリント基板が特に好ましい。また、１層基板、２層基板または多層基板などについても、特に限定されるものではない。
本発明における電子部品や電気部品も、電子・電気製品や機器を構成している部品であって、半田アンカー構造を特徴としていれば、特に限定されない。
【００２２】
【実施例】
以下に実施例を挙げるが、本発明がこれらに限定されることはない。
本発明における実施の形態を図１〜図４に示す。チップ部品１上にバリア層２−１、電極層３、Ａｕ層４を堆積した状態を図１に示す。配線層７を持つ基板８上に、バリア層２−２、金属層６、Ｓｎ含有半田層５としてのＳｎを堆積した状態を図２に示す。図３はそれらを重ね合わせた断面構造図である。
【００２３】
チップ部品１としてＧａＡｓのＬＤチップを用いた。バリア層２−１には、電極材あるいはＡｕがチップ部品中に拡散するのを防ぐ目的で、Ｔｉを用いた。バリア層２−１の膜厚は０．０５〜０．１μｍであった。電極層３として、膜厚０．１〜０．２μｍのＰｔを用い、Ａｕ層４の膜厚は０．２〜０．３μｍであった。
【００２４】
基板８としてＳｉを用いた。バリア層２−２には、配線材７と金属材６の相互拡散を防ぐ目的で、Ｔｉを用いた。バリア層２−２の膜厚は０．１〜０．２μｍであった。金属層６には半田強度および接合強度を増す目的で、Ａｇを用いて堆積し、その膜厚は１．５〜２．５μｍであった。Ｓｎ含有半田層５には、Ｓｎを用い、その膜厚は５．５〜６．５μｍであった。
ＬＤチップ１のサイズは長さが約２００μｍ、幅が約２００μｍ、厚さが約１２０μｍであった。Ｓｉ基板８は長さが約１，０００μｍ、幅が８００μｍ、厚さが約４００μｍであった。チップ上と基板上の両方の各層を合計した厚さは、９．５〜１０．０μｍになるように調整した。
【００２５】
各膜の堆積方法は真空蒸着法を用いた。
図３のように重ね合わせた基板とチップにアロイ処理を施した。アロイ処理後の断面構造図を図４に示す。チップ部品１の下にバリア層２−１が変化せずに残り、その下に、電極層３がＡｕ層に拡散しきらず高濃度で層状に残ってアロイ化後の電極層３’を形成した。Ａｕ層４はアロイ化後のＡｕ−Ｓｎ合金層４’になり、楔型あるいは絨毛型にアロイ処理中のＳｎ液状層中へ突起して、Ｓｎ母層５中に分布する構造を形作った。加熱速度を抑えることによって、アロイ処理中のＳｎ液状層中へのＡｕ−Ｓｎ合金の落ち込みや下方への拡散をなるべく少なくすることができた。Ｓｎ母層は一部連続層として残った。金属層６のＡｇ層はＡｇＳｎ合金層６’となり、下方に連続した多結晶の層を残し、上層は激しい凹凸になる結晶粒子形状になった。
【００２６】
チップ側Ａｕ層とＳｉ基板側Ｓｎ層は、楔型あるいは絨毛型に突起して、複雑に入り組んだ、Ａｕ−Ｓｎ合金とＳｎ母相との界面で接合した。接合面積が非常に広い接合構造を形成した。
本実施例のアロイ処理条件においては、予備加熱として３５〜４５℃で１０〜１５分保持後、１分間の急速加熱を行って１００〜１２０℃とし、その昇温後２分間保持して、その後アロイ処理として１６０〜２２０℃／ｍｉｎの急速加熱を行い２６０〜２９０℃としてから、ただちに大気中放冷した。
【００２７】
また、本接合構造は、チップ・チップ間、チップ・基板間、部品・プリント基板間等の接合の場合も、上記に準じて半田アンカー構造が実現できる。
【００２８】
【発明の効果】
以上の結果により、アロイ処理時にＳｎ層中に拡散したＡｕがＡｕ−Ｓｎ合金を形成し、そして半田アンカー構造が形成され、その構造はＳｎ含有半田層とＡｕ−Ｓｎ合金層とが入り込み、さらに釘付けする効果があり、半田接合を強固なものとすることができる。また、Ｓｎ含有半田層中に拡散したＡｕは、初期からＡｕ−Ｓｎ合金を形成するため、従来の問題点であったＡｕＳｎ４金属間化合物は形成されにくく、物理的破壊、電気的な故障についても本発明は効果を発揮できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】チップ部品上にバリア層、電極層およびＡｕ層の堆積直後の断面構造図。
【図２】配線層を持つ基板上に、バリア層、金属層さらに半田層としてＳｎを堆積し、その直後の断面構造図。
【図３】図１の構造物と図２の構造物とを重ね合わせた直後の断面構造図。
【図４】図３の構造物をアロイ化した後の接合された断面構造図。
【符号の説明】
１　　　電子部品又は半導体電子回路チップ
２−１　バリア層
２−２　バリア層
３　　　電極層
３’　　アロイ化後の電極層
４　　　Ａｕ層
４’　　アロイ化後のＡｕ−Ｓｎ合金層
５　　　Ｓｎ含有半田層
６　　　金属層
６’　　ＡｇＳｎ合金層
７　　　配線層
８　　　基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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