(57)【要約】【課題】各配線基板領域に穿孔される貫通孔の形成位置に大きなずれが発生する。【解決手段】耐熱性繊維基材に樹脂を含浸させて成る絶縁樹脂板１１の上下面に配線導体２となる銅箔１２が被着されており、かつ分割後に各々が配線基板となる多数の配線基板領域２１が縦横の並びに配列された母基板１０に対し、配線基板領域２１の各々に、それぞれ互いに縦横に隣接しない順序で配線基板領域毎２１に、レーザ光を照射して貫通孔３を形成することを特徴とする多数個取り配線基板用母基板へのレーザによる穿孔方法。【選択図】  図４
2004228534.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐熱性繊維基材に樹脂を含浸させて成る絶縁樹脂板の上下面に配線導体となる銅箔が被着されており、かつ分割後に各々が配線基板となる多数の配線基板領域が縦横の並びに配列された母基板に対し、前記配線基板領域の各々に、それぞれ互いに縦横に隣接しない順序で前記配線基板領域毎に、レーザ光を照射して貫通孔を形成することを特徴とする多数個取り配線基板用母基板へのレーザによる穿孔方法。
【請求項２】
前記レーザ光の照射による前記貫通孔の形成を、前記母基板の外周側に位置する前記配線基板領域から中央側に位置する前記配線基板領域へと渦巻状の順序で行なうことを特徴とする請求項１記載の多数個取り配線基板用母基板へのレーザによる穿孔方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多数の配線基板領域が縦横の並びに配列形成された母基板に対し、レーザ光を照射して貫通孔を形成する多数個取り配線基板用母基板へのレーザによる穿孔方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる小型の配線基板として、ガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させた有機材料から成り、上下面に銅箔および銅めっき層から成る配線導体を有する絶縁基板の上面から下面にかけてレーザ光の照射により穿孔された多数の貫通孔が形成されており、それらの貫通孔内に絶縁基板の上下面の配線導体同士を電気的に接続する銅めっき層から成る貫通導体を被着させて成る配線基板が使用されている。
【０００３】
このような小型の配線基板は、例えば先ず、ガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させて成る絶縁樹脂板の上下面に配線導体となる銅箔が被着されており、かつ分割後に各々が配線基板となる多数の配線基板領域が縦横の並びに配列された母基板に対し、各配線基板領域にその上面から下面にかけて多数の貫通孔をレーザ光の照射により穿孔し、次にそれらの貫通孔の内面に無電解めっき法および電解めっき法を採用して銅めっき層を被着させて貫通導体を形成するとともに銅箔の表面に銅めっき層を被着させ、次に各配線基板領域の上下面の銅箔およびその表面の銅めっき層をフォトリソグラフィー技術により所定のパターンにエッチングすることによって各配線基板領域の上下面に配線導体を形成し、しかる後、母基板を各配線基板領域の境界で切断して分割することによって多数個が同時集約的に製作されている。
【０００４】
なお、各配線基板領域にレーザ光を照射して多数の貫通孔を穿孔する場合、貫通孔は各配線基板領域毎に母基板の一端側から互いに縦横に隣接する配線基板領域の順で穿孔されており、各配線基板領域においては、各貫通孔の穿孔位置に対してあらかじめ設定した数のパルスを連続的に照射して穿孔する方法と、各配線基板領域内におけるすべての貫通孔の穿孔位置に１パルスずつ順次レーザ光を照射し、これを設定した回数繰り返して穿孔する方法とがある。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−９７８２１号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、電子部品を搭載する配線基板の小型・高密度化に伴い、各配線基板領域における貫通孔の数が多くなり、かつ貫通孔同士の配置間隔も狭くなってきている。そのため、レーザ光の照射時に貫通孔の周辺に発生する熱が母基板から放散されにくくなり、各配線基板領域にレーザ光を照射して貫通孔を穿孔する際に貫通孔が穿孔される配線基板領域の順に従って母基板がその一端側から熱膨張して大きく変形し、その結果、各配線基板領域における貫通孔の形成位置に大きなずれが生じ、それらの貫通孔内に被着される貫通導体とそれに接続される配線導体とが正常に接続されずに両者間に断線が発生したり、隣接する配線導体間が貫通導体により電気的に短絡したりしやすいという問題点を誘発していた。
【０００７】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、母基板に縦横の並びに配列形成された各配線基板領域にレーザ光を照射して貫通孔を形成する際に、各配線基板領域に穿孔される貫通孔の形成位置に大きなずれが発生することがなく、それにより各配線基板領域における貫通導体とそれに接続される配線導体とが正常に接続され、貫通導体と配線導体との間に断線が発生したり、隣接する配線導体同士が貫通導体により短絡したりすることがない多数個取り配線基板用母基板へのレーザによる穿孔方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の多数個取り配線基板用母基板へのレーザによる穿孔方法は、耐熱性繊維基材に樹脂を含浸させて成る絶縁樹脂板の上下面に配線導体となる銅箔が被着されており、かつ分割後に各々が配線基板となる多数の配線基板領域が縦横の並びに配列された母基板に対し、前記配線基板領域の各々に、それぞれ互いに縦横に隣接しない順序で前記配線基板領域毎に、レーザ光を照射して貫通孔を形成することを特徴とするものである。
【０００９】
本発明の多数個取り配線基板用母基板へのレーザによる穿孔方法によれば、配線基板領域の各々に、それぞれ互いに縦横に隣接しない順序で配線基板領域毎に、レーザ光を照射して貫通孔を形成することから、貫通孔を形成するために照射したレーザ光により発生する熱を母基板から良好に放散でき、その結果、レーザ光を照射して貫通孔を形成する際に、母基板がその一端側から熱膨張して大きく変形することが低減され、それにより各配線基板領域に形成される貫通孔の形成位置に大きなずれが発生することはない。
【００１０】
また、本発明の多数個取り配線基板用母基板へのレーザによる穿孔方法は、上記構成において、前記レーザ光の照射による前記貫通孔の形成を、前記母基板の外周側に位置する前記配線基板領域から中央側に位置する前記配線基板領域へと渦巻状の順序で行なうことを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の多数個取り配線基板母基板へのレーザによる穿孔方法によれば、上記構成において、レーザ光の照射による貫通孔の形成を、母基板の外周側に位置する配線基板領域から中央側に位置する配線基板領域へと渦巻状の順序で行なった場合には、熱膨張の影響を一番受けやすい母基板の外周側に位置する配線基板領域における貫通孔の形成位置のずれを極めて小さいものとすることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の多数個取り配線基板用母基板へのレーザによる穿孔方法を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の多数個取り配線基板用母基板へのレーザによる穿孔方法を採用して製作される配線基板の一実施を示す部分断面図であり、１は絶縁基板、２は配線導体、３は貫通孔、４は貫通導体、５はソルダーレジストである。なお、本例では絶縁基板１の上下面および貫通孔３の内部にソルダーレジスト５を設けているが、ソルダーレジスト５は必ずしも必要ではない。
【００１３】
絶縁基板１は、配線基板のコア部材として機能し、例えばガラスクロスやアラミドクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂・ポリフェニレンエーテル樹脂等の樹脂を含浸させた有機材料系の厚みが０．２〜０．８ｍｍの平板であり、その上下両面に厚みが３〜１２μｍの銅箔１２およびその上に施されためっき金属層１３から成る配線導体２が被着された、いわゆる両面銅張り板を構成している。
【００１４】
絶縁基板１は、その厚みが０．２ｍｍ未満では、後述するように、絶縁基板１および配線導体２用の銅箔を貫通して多数の貫通孔３を形成する際等に熱や外力等の影響で配線基板に反りや変形が発生して配線基板に要求される平坦度を確保できなくなってしまう危険性が大きなものとなり、他方、０．８ｍｍを超えると、後述するように、貫通孔３内面に貫通導体４を形成するとき、貫通孔３内にめっき液が浸入しにくくなるため、貫通導体４を良好に形成することが困難となる傾向がある。したがって、絶縁基板１の厚みは０．２〜０．８ｍｍの範囲が好ましい。
【００１５】
なお、絶縁基板１は、ガラスクロスやアラミドクロスに含浸させるエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等の樹脂中にシリカやアルミナあるいはジルコニアのフィラーをガラスクロスやアラミドクロス等の繊維部分と樹脂部分とでレーザ光の透過度が略同等となる程度に含有させておけば、後述するように、絶縁基板１にレーザ光を照射して貫通孔３を穿孔する際に、貫通孔３を絶縁基板１に略均一な大きさで良好に形成することが可能となる。したがって、絶縁基板１のガラスクロスやアラミドクロスに含浸させるエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂・ポリフェニレンエーテル樹脂等の樹脂中にはシリカやアルミナあるいはジルコニア等のフィラーをガラスクロスやアラミドクロス等の繊維部分と樹脂部分とでレーザ光の透過度が略同等となるように含有させておくことが好ましい。
【００１６】
また、配線導体２は、厚みが３〜１２μｍの銅箔１２上に銅めっき等のめっき金属層１３を被着させて成り、配線基板に搭載される電子部品（図示せず）の電極を外部電気回路基板の配線導体（図示せず）に電気的に接続するための導電路の一部として機能し、上面側の配線導体２には、電子部品の電極が半田等の導電性接合部材を介して接続される電子部品接続パッドおよびこの電子部品接続パッドから引き回される配線パターン等が形成されており、下面側の配線導体２には、外部電気回路基板の配線導体に半田等の導電性接合部材を介して接続される外部接続パッド等が形成されている。
【００１７】
なお、配線導体２を構成する銅箔１２は、その厚みが３μｍ未満の場合、後述するように、配線導体２用の銅箔１２に貫通孔３を形成した後に行なわれるマイクロエッチング時に銅箔１２がエッチングされて銅箔１２のピンホールまたは欠損を生じやすく、銅箔１２上へのめっき金属層１３の付き周り性や密着力が弱くなる傾向があり、他方、１２μｍを超える場合、後述するように、絶縁基板１と配線導体２用の銅箔１２とを貫通する貫通孔３をレーザ光の照射により穿孔する場合に、直径が７０〜１３０μｍの貫通孔３を安定して形成することが困難となる。したがって、配線導体２を構成する銅箔１２の厚みは、３〜１２μｍの範囲が好ましい。
【００１８】
また、配線導体２は、これらを構成する銅箔１２とその上のめっき金属層１３との合計の厚みが８μｍ未満であると、配線導体２の電気抵抗が高いものとなり、他方、３０μｍを超えると、配線導体２を高密度のパターンに形成することが困難となる。したがって、配線導体２を構成する銅箔１２とその上のめっき金属層１３との合計の厚みは、８〜３０μｍの範囲が好ましい。
【００１９】
さらに、本発明によって製作される配線基板においては、絶縁基板１および配線導体２を貫通して直径が７０〜１３０μｍの多数の貫通孔３が形成されており、この貫通孔３の内面に貫通導体４が被着形成されている。貫通孔３は、貫通導体４を絶縁基板１の上面から下面にかけて導出させるための導出路を提供するためのものであり、レーザ光の照射により穿孔されている。この貫通孔３は、その直径が絶縁基板１の厚み方向の略中央部においては７０〜１１０μｍであり、絶縁基板１の上下面で９０〜１３０μｍとなるように外側に向かって拡径させておく、すなわち絶縁基板１の上下面近傍で外側になるほど直径が大きくなるようにしておくことが好ましい。
【００２０】
このように、貫通孔３の孔径が７０〜１３０μｍと小さいことから、貫通導体４を高密度で配置することができ、それにより極めて高密度な配線を有する配線基板を得ることができる。また、貫通孔３は、その直径が絶縁基板１の外側に向かって拡径させておくと、後述するように、貫通孔３の内面に貫通導体４を被着する際に、貫通導体４を形成するためのめっき液が貫通孔３の内部に良好に入り込み、その結果、貫通孔３内に貫通導体４を良好に形成することができる。
【００２１】
なお、貫通孔３の直径が７０μｍ未満の場合、貫通孔３の内面に貫通導体４を被着する際に、貫通導体４を形成するためのめっき液が貫通孔３の内部に良好に入り込まずに貫通孔３の内面に貫通導体４を良好に形成することが困難となり、他方、１３０μｍを超えると、貫通導体４および配線導体２を高密度で配置することが困難となる。したがって、貫通孔３の直径は、７０〜１３０μｍの範囲が好ましい。
【００２２】
また、絶縁基板１の上下面における貫通孔３の直径が絶縁基板１の厚み方向の略中央部における直径よりも１０μｍ未満大きい場合には、貫通孔３の内面に貫通導体４を被着する際に、貫通導体４を形成するためのめっき液が貫通孔３の内部に良好に入り込まずに、貫通孔３の内面に貫通導体４を良好に被着形成することが困難となり、他方、５０μｍを超えて大きな場合には、そのような形状を有する貫通孔３を安定して形成することが困難となる。したがって、絶縁基板１の上下面における貫通孔３の直径は、絶縁基板１の厚み方向の略中央部における直径よりも１０〜５０μｍ大きいことが好ましい。
【００２３】
なお、貫通孔３を外側に向けて拡径する形状とするには、後述するように、レーザ光を照射して貫通孔３を穿孔する際に、レーザ光の１パルス当たりのエネルギーや照射するショット数を調整することにより可能となる。
【００２４】
また、貫通孔３の内面に被着された貫通導体４は、無電解銅めっき層および電解銅めっき層を積層した厚みが８〜２５μｍ程度のめっき金属層１３から成り、絶縁基板１を挟んで上下に位置する配線導体２同士を電気的に接続する接続導体として機能する。
【００２５】
なお、貫通導体４は、その厚みが８μｍ未満では、貫通導体４の電気抵抗が高いものとなりすぎる傾向にあり、他方、２５μｍを超えると、この貫通導体４が被着された貫通孔３の内部に後述するソルダーレジスト５を充填する場合に良好に充填することが困難となる。したがって、貫通導体４の厚みは、８〜２５μｍの範囲であることが好ましい。
【００２６】
さらに、配線導体２が被着された絶縁基板１の表面および貫通孔３の内部には、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂・ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂から成るソルダーレジスト５が被着および充填されている。ソルダーレジスト５は、貫通導体４および配線導体２を保護するとともに配線導体２における各パターン同士を電気的に良好に絶縁するための保護層として機能し、配線導体２の一部を露出させる所定のパターンに被着形成されている。
【００２７】
なお、ソルダーレジスト５は、配線導体２上における厚みが１０μｍ未満であると、配線導体２を良好に保護することができなくなるとともに配線導体２におけるパターン同士を電気的に良好に絶縁することができなくなる傾向にあり、他方、４０μｍを超えると、ソルダーレジスト５を所定のパターンに形成することが困難となる傾向にある。したがって、ソルダーレジスト５の厚みは配線導体２上において１０〜４０μｍの範囲であることが好ましい。
【００２８】
次に、図１に示した配線基板を本発明の穿孔方法を用いて製造する方法について図２（ａ）〜（ｅ）、図３、図４、図５（ａ）〜（ｃ）を参照して詳細に説明する。
なお、図２（ａ）〜（ｅ）は、本発明の多数個取り配線基板用母基板へのレーザによる穿孔方法を説明するための工程毎の部分断面図、図３は、多数の配線基板領域を縦横の並びに配列して成る母基板の一例の平面図、図４は本発明におけるレーザ光の照射順序を説明するための母基板の平面図、および図５（ａ）〜（ｃ）は、レーザ光の照射により貫通孔を形成する方法を説明するための断面図である。
【００２９】
まず、図２（ａ）に配線基板の部分断面図で示すように、例えばガラスクロスやアラミドクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂・ポリフェニレンエーテル樹脂等の樹脂を含浸させた絶縁材料から成る厚みが０．２〜０．８ｍｍの絶縁樹脂板１１の上下面に厚みが３〜１２μｍの銅箔１２が被着された有機材料系の母基板１０を準備する。なお、母基板１０には、図３に平面図で示すように配線基板となる多数の配線基板領域２１が縦横の並びに配列されている。このような母基板１０は、ガラスクロスやアラミドクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂・ポリフェニレンエーテル樹脂等の未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させるとともにその上下面に銅箔１２を貼着し、しかる後、未硬化の熱硬化性樹脂を熱硬化させることによって製作される。
【００３０】
次に、図２（ｂ）に部分断面図で示すように、レーザ光の照射により銅箔１２および絶縁樹脂板１１を貫通する多数の貫通孔３を各配線基板領域２１毎に穿孔する。このとき、本発明においては、レーザ光の照射により貫通孔３を形成する配線基板領域２１の順序が重要である。本発明においては、レーザ光の照射による貫通孔３の形成は、図４に平面図で示すように、配線基板領域２１の各々に、それぞれ互いに縦横に隣接しない順序で配線基板領域２１毎に行なわれる。
【００３１】
このように、レーザ光の照射による貫通孔３の形成が、配線基板領域２１の各々に、それぞれ互いに縦横に隣接しない順序で配線基板領域２１毎に行なわれることから、貫通孔３を穿孔するために照射したレーザ光により発生する熱を、そのレーザ光が照射された配線基板領域２１に対して縦横に隣接する配線基板領域２１から良好に放散でき、その結果、レーザ光の照射により貫通孔３を形成する際に、母基板１０がその一端側から熱膨張して大きく変形することが低減され、それにより各配線基板領域２１に形成される貫通孔３の形成位置に大きなずれが発生することはない。したがって、後述するように、これらの貫通孔３の内面にめっき金属層１３を被着させて貫通導体４を形成した後、各配線基板領域２１の上下面に配線導体２を形成すると、貫通導体４と配線導体２とが正常に接続され、その結果、貫通導体４と配線導体２との間に断線が発生したり、隣接する配線導体２同士が貫通導体４により短絡したりすることのない配線基板を提供することができる。
【００３２】
さらに、レーザ光の照射による貫通孔３の形成を、母基板１０の外周側に位置する配線基板領域２１から中央側に位置する配線基板領域２１へと渦巻状の順序で行なった場合には、熱膨張の影響を一番受けやすい母基板１０の外周側に位置する配線基板領域２１における貫通孔３の形成位置のずれを極めて小さいものとすることができる。したがって、レーザ光の照射による貫通孔３の形成は、母基板１０の外周側に位置する配線基板領域２１から中央側に位置する配線基板領域２１へと渦巻状の順序で行なうことが好ましい。この場合、例えば母基板１０に配列された配線基板領域２１のうち、外周側に位置する一つ２１Ａから中央側に位置する一つ２１Ｂに向けて互いに隣接しない渦巻き状の順序でレーザ光の照射による貫通孔３の形成を行なった後、同様にして外周側に位置する一つ２１Ｃから中央側に位置する一つ２１Ｄに向けて互いに隣接しない渦巻き状の順序でレーザ光を照射して貫通孔３の形成を行なえばよい。
【００３３】
なお、図４には、レーザ光の照射による貫通孔３の形成を母基板１０の外周側に位置する配線基板領域２１から中央側に位置する配線基板領域２１へ、配線基板領域２１一つおきに形成した例を示しているが、二つおき、さらには三つおきに形成してもよい。
【００３４】
また、母基板１０の各配線基板領域２１に貫通孔３を形成するには、母基板１０上面の銅箔１２上に例えばレーザ光のエネルギーを良好に吸収する黒色もしくは黒色に近い色を有する樹脂から成るレーザ加工用シートを貼着し、このレーザ加工用シートの上から０．２〜１Ｊ／ｃｍ２の出力の炭酸ガスレーザ光を５０〜５００μ秒のパルス幅で所定の位置に５〜１０ショット照射して貫通孔３を穿孔する方法が採用される。このとき、炭酸ガスレーザ光の出力が０．２Ｊ／ｃｍ２未満では貫通孔３を十分な大きさに穿孔することが困難となる傾向にあり、他方、１Ｊ／ｃｍ２を超えると貫通孔３の孔径が大きくなりすぎてしまう傾向にある。したがって、照射する炭酸ガスレーザ光は、その出力が０．２〜１Ｊ／ｃｍ２でパルス幅が５０〜５００μ秒の範囲であり、一つの貫通孔３あたり５〜１０ショット照射することが好ましい。なお、レーザ加工用シートは、貫通孔３を穿孔した後に剥離される。
【００３５】
さらに、レーザ光の１パルス当たりのエネルギーやショット数等を調整することにより貫通孔３の形状を外側に向けて拡径する形状とすることが可能である。
貫通孔３の形状を外側に向けて拡径する形状とするには、例えば、まず図５（ａ）に要部拡大断面図で示すように、出力が０．２〜１Ｊ／ｃｍ２でパルス幅が５０〜５００μ秒の数パルスのレーザ光を照射して銅箔１２および絶縁樹脂板１１を貫通し、絶縁樹脂板１１の上面側で外側に向けて拡径する形状の貫通孔３を穿孔する。このとき絶縁樹脂板１１の上面側ではレーザ光のエネルギーが下面側より多く印加されるので、貫通孔３は絶縁樹脂板１１の上面側で外側に向けて拡径する形状となる。また、銅箔１２は絶縁樹脂板１１よりも穿孔されにくいので、貫通孔３はその直径が銅箔１２の部位において絶縁樹脂板１１の部位よりも小さく、銅箔１２が内側に突き出た形状となる。
【００３６】
次に、図５（ｂ）に要部拡大断面図に示すように、さらに数パルスのレーザ光を照射する。それにより照射されたレーザ光の一部が絶縁樹脂板１１の下面側において内側に突き出た下側の銅箔１２で反射されて絶縁樹脂板１１の下面側をえぐるので、貫通孔３は絶縁樹脂板１１の上下で外側に向けて拡径する形状となる。
【００３７】
次に、図５（ｃ）に要部拡大断面図で示すように、銅箔１２をマイクロエッチングしてその内側に突き出た部位を除去することにより、外側に向けて拡径する形状の貫通孔３を形成することができる。たとえば、厚みが０．４ｍｍのガラス−エポキシ板から成る絶縁樹脂板１１の上下面に厚みが７μｍの銅箔１２が被着された母基板１０に炭酸ガスレーザを用いて貫通孔３を形成する場合には、レーザ光の１パルス当たりのパルス幅を１００μ秒、出力を０．６Ｊ／ｃｍ２、ショット数５〜８にすればよい。このとき、レーザ光照射のショット数が少なすぎると貫通孔３の下面側を外側に向けて良好に拡径することができなくなり、ショット数が多すぎると貫通孔３の下面側の径が大きくなりすぎてしまう。
【００３８】
次に、図２（ｃ）に部分断面図で示すように、貫通孔３の内面および銅箔１２の表面に厚みが１〜３μｍの無電解銅めっきおよび厚みが１０〜３５μｍ程度の電解銅めっきから成るめっき金属層１３を被着させる。このとき、めっき金属層１３により絶縁樹脂板１１の上下面に被着された銅箔１２同士を接続する貫通導体４が形成される。なお、無電解銅めっきを被着させるには、例えば塩化アンモニウム系酢酸パラジウムを含有するパラジウム活性液を使用して貫通孔３の内面および銅箔１２の表面にパラジウム触媒を付着させるとともに、その上に硫酸銅系の無電解銅めっき液を用いて無電解銅めっきを被着させればよい。また電解銅めっきを被着させるための電解銅めっき液としては、例えば、硫酸銅系から成る電解銅めっき液を用いればよい。
【００３９】
このとき、貫通孔３は外側に向けて拡径しているので、貫通孔３内に無電解銅めっき液や電解銅めっき液が良好に浸入し、その結果、貫通孔３内面および銅箔１２の表面に無電解銅めっきおよび電解銅めっきから成るめっき金属層１３を良好に被着させることができる。なお、めっき金属層１３を被着させる前に、貫通孔３の内面を例えば過マンガン酸カリウム溶液や過マンガン酸ナトリウム溶液から成る粗化液を用いてその算術平均粗さＲａが０．２〜２μｍ程度になるように粗化しておくと、めっき金属層１３を貫通孔３の内面に強固に被着させることができる。したがって、めっき金属層１３を被着させる前に貫通孔３の内面を例えば過マンガン酸カリウム溶液や過マンガン酸ナトリウム溶液から成る粗化液を用いてその算術平均粗さＲａが０．２〜２μｍ程度になるように粗化しておくことが好ましい。
【００４０】
次に図２（ｄ）に部分断面図で示すように、銅箔１２およびその上のめっき金属層１３を従来周知のフォトリソグラフィー技術を採用して部分的にエッチングすることにより、各配線基板領域２１の上下面に配線導体２を形成する。このとき、前述したように、各配線基板領域２１における貫通孔３は、その形成位置に大きなずれがないことから、貫通導体４と配線導体２とが正常に接続され、その結果、貫通導体４と配線導体２との間に断線が発生したり、隣接する配線導体２同士が貫通導体４により短絡したりすることのない配線基板を提供することができる。
なお、エッチング液としては塩化第２銅水溶液もしく塩化第２鉄水溶液を用いればよい。
【００４１】
そして最後に、図２（ｅ）に部分断面図で示すように、配線導体２が形成された母基板１０の表面および貫通孔３の内部にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂・ポリフェニレンエーテル等の熱硬化性樹脂から成るソルダーレジスト５を被着および充填させた後、母基板１０を各配線基板領域２１の境界に沿って切断して分割することにより図１に部分断面図で示した配線基板が完成する。
【００４２】
なお、ソルダーレジスト５は、ソルダーレジスト５用の感光性の樹脂ペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用して母基板１０の上下両面側から貫通孔３を埋めるように印刷塗布し、これを従来周知のフォトリソグラフィー技術を採用して所定のパターンに露光・現像することによって形成される。
【００４３】
かくして、本発明の多数個取り配線基板用母基板へのレーザによる穿孔方法によれば、貫通導体４と配線導体２との間に断線が発生したり、隣接する配線導体２同士が貫通導体４により短絡したりすることがなく、極めて高密度な配線が可能な配線基板を得ることができる。
【００４４】
なお、本発明は上述の実施の形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であることはいうまでもない。
【００４５】
【発明の効果】
本発明の多数個取り配線基板用母基板へのレーザによる穿孔方法によれば、配線基板領域の各々に、それぞれ互いに縦横に隣接しない順序で配線基板領域毎に、レーザ光を照射して貫通孔を形成することから、貫通孔を形成するために照射したレーザ光により発生する熱を母基板から良好に放散でき、その結果、レーザ光を照射して貫通孔を形成する際に、母基板がその一端側から熱膨張して大きく変形することが低減され、それにより各配線基板領域に形成される貫通孔の形成位置に大きなずれが発生することはない。
【００４６】
本発明の多数個取り配線基板母基板へのレーザによる穿孔方法によれば、上記構成において、レーザ光の照射による貫通孔の形成を、母基板の外周側に位置する配線基板領域から中央側に位置する配線基板領域へと渦巻状の順序で行なった場合には、熱膨張の影響を一番受けやすい母基板の外周側に位置する配線基板領域における貫通孔の形成位置のずれを極めて小さいものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多数個取り配線基板用母基板へのレーザによる穿孔方法を採用して製作される配線基板の一実施例を示す部分断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の多数個取り配線基板用母基板へのレーザによる穿孔方法を説明するための工程毎の部分断面図である。
【図３】多数の配線基板領域を縦横の並びに配列して成る母基板の一例の平面図である。
【図４】本発明の多数個取り配線基板用母基板へのレーザによる穿孔方法におけるレーザ光の照射順序を説明するための母基板の平面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、レーザ光の照射により貫通孔を形成する方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
２・・・・・・・・・配線導体
３・・・・・・・・・貫通孔
４・・・・・・・・・貫通導体
１０・・・・・・・・・母基板
１１・・・・・・・・・絶縁樹脂板
１２・・・・・・・・・銅箔
２１・・・・・・・・・配線基板領域
【図１】
2004228534.tif 000003
【図２】
2004228534.tif 000004
【図３】
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【図４】
2004228534.tif 000006
【図５】
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