(57)【要約】【課題】安定した研磨レートで研磨できるとともに、半導体基板の研磨のために供給された液体を適切に処理することができる半導体基板の研磨装置およびこれを用いた半導体基板の研磨方法を提供する。【解決手段】半導体基板の研磨装置は、表面１ａを有するのプラテン１と、研磨面２ａを有し、表面１ａに設けられて回転される研磨パッド２と、研磨パッド２上に設けられ、研磨面２ａに供給された液体を研磨面２ａから除去する廃液回収部８と、研磨面２ａの周縁に設けられ、頂面４ａを有する外周段差４とを備える。表面１ａから頂面４ａまでの高さＨ１は、表面１ａから研磨面２ａまでの高さＨ３よりも大きい。【選択図】        図３
2004296970.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を有するベース部と、
半導体基板の被研磨面を研磨するための研磨面を有し、前記表面に設けられて回転される研磨パッド部と、
前記研磨パッド部上に設けられ、半導体基板の研磨に必要な所定の作業を行なうための研磨部と、
前記研磨パッド部上に設けられ、前記研磨面に液体を供給する液体供給部と、
前記研磨パッド部上に設けられ、前記液体供給部によって供給された液体を前記研磨面から除去する液体除去部と、
前記研磨面の周縁に設けられ、第１の頂面を有する段差部とを備え、
前記表面から前記第１の頂面までの高さは、前記表面から前記研磨面までの高さよりも大きい、半導体基板の研磨装置。
【請求項２】
前記研磨面上に位置する前記研磨パッド部の回転中心に設けられ、前記表面からの高さが、前記表面から前記研磨面までの高さよりも大きい第２の頂面を有する仕切部をさらに備える、請求項１に記載の半導体基板の研磨装置。
【請求項３】
前記研磨部は、半導体基板の被研磨面と前記研磨面とが向い合うように半導体基板を保持する基板保持部と、前記研磨面を洗浄する基板洗浄部とを含み、前記液体供給部は、前記研磨面に研磨液を供給する研磨液供給部と、前記研磨面に洗浄液を供給する洗浄液供給部とを含む、請求項１または２に記載の半導体基板の研磨装置。
【請求項４】
前記液体除去部は、前記研磨液供給部によって供給された研磨液を除去するための研磨液除去部と、前記洗浄液供給部によって供給された洗浄液を除去するための洗浄液除去部とを含み、前記研磨液除去部は、前記研磨液除去部に対して前記研磨パッド部の回転方向の上流に前記研磨液供給部が位置し、下流に前記洗浄液供給部が位置するように設けられ、前記洗浄液除去部は、前記洗浄液除去部に対して前記研磨パッド部の回転方向の上流に前記洗浄液供給部が位置し、下流に前記研磨液供給部が位置するように設けられている、請求項３に記載の半導体基板の研磨装置。
【請求項５】
研磨液および洗浄液は、前記研磨液除去部および前記洗浄液除去部の各々から別々に回収される、請求項４に記載の半導体基板の研磨装置。
【請求項６】
前記液体除去部は、前記研磨面の直上に開口された液体回収口部を有する、請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体基板の研磨装置。
【請求項７】
前記液体除去部には、液体に含まれる粒子よりも大きく、かつ半導体基板の被研磨面から生じた固形物より小さいメッシュサイズのフィルターが設けられている、請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体基板の研磨装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の半導体基板の研磨装置を用いた半導体基板の研磨方法であって、
前記液体供給部によって前記研磨面に液体を供給するとともに、半導体基板の被研磨面と前記研磨面とを相対的に移動させる工程と、
半導体基板の被研磨面と前記研磨面とを接触させる工程と、
前記研磨面に供給された液体を前記液体除去部によって前記研磨面から除去することによって、その液体を回収する工程とを備える、半導体基板の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、一般的には、半導体基板の研磨装置およびこれを用いた半導体基板の研磨方法に関し、より特定的には、化学的機械研磨法（ＣＭＰ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）に使用される半導体基板の研磨装置およびこれを用いた半導体基板の研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の研磨装置が、たとえば、特開２０００−２１６１２０号公報に開示されている（特許文献１）。
【０００３】
特許文献１に開示されている研磨装置は、プラテンの表面に貼り付けられたパッドと、ウェハをパッド上で保持するトップリングと、パッド上に研磨薬液を供給するための研磨用薬液供給ラインとを備える。トップリングおよびプラテンを所定の方向に回転させる。同時に研磨用薬液供給ラインからパッド上に研磨薬液を供給する。そして、回転するウェハの被研磨面を回転するパッドに押圧することによってウェハの研磨を行なう。
【０００４】
研磨装置は、パッド上に設けられたドレッサーと、パッド上にドレス用薬液を供給するためのドレス用薬液供給ラインとをさらに備える。ドレッサーを所定の方向に回転させる。同時にドレス用薬液供給ラインからパッド上にドレス用薬液を供給する。そして、回転するドレッサーのダイヤモンド電着面を回転するパッドに押圧することによって、ウェハの研磨と同時にパッドの表面を洗浄することもできる。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−２１６１２０号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
研磨用薬液供給ラインからパッド上に供給される研磨薬液には、ウェハの研磨を行なうための砥粒が微粒子の状態で含まれている。この砥粒がウェハの被研磨面とパッドとの間に介在することによって、ウェハの研磨が行なわれる。このため、パッド上に供給される研磨薬液のうちウェハの被研磨面とパッドとの間に介在した研磨薬液に含まれる砥粒のみがウェハの研磨に貢献し、残りの研磨薬液に含まれる砥粒はウェハの研磨に関わっていない。
【０００７】
しかし、特許文献１に開示された研磨装置では、砥粒のほとんどがウェハの研磨に関わっていないにもかかわらず、研磨薬液がパッド上から次々と流出する。パッド上から流出した研磨薬液は廃棄されてしまうため、従来の研磨装置では、研磨薬液に無駄が生じるという問題があった。砥粒を含む研磨薬液は非常に高価であり、半導体装置の研磨工程にこの研磨装置を使用した場合、半導体装置の製造コストが増大することにもなる。
【０００８】
また、研磨薬液には微粒子の状態の砥粒が多量に含まれているため、パッド上から流出した研磨薬液が研磨装置の他の部分に付着する。これにより、研磨装置が汚染されるという問題があった。
【０００９】
上述のような問題は、パッド上から流出するドレス用薬液によっても引き起こされ、パッド上に供給された研磨薬液およびドレス用薬液を適切に処理することができる研磨装置が切望されている。
【００１０】
そこでこの発明の目的は、上記の課題を解決することであり、安定した研磨レートで研磨できるとともに、半導体基板の研磨のために供給された液体を適切に処理することができる半導体基板の研磨装置およびこれを用いた半導体基板の研磨方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明の実施の形態に従った半導体基板の研磨装置は、表面を有するベース部と、半導体基板の被研磨面を研磨するための研磨面を有し、表面に設けられて回転される研磨パッド部と、研磨パッド部上に設けられ、半導体基板の研磨に必要な所定の作業を行なうための研磨部と、研磨パッド部上に設けられ、研磨面に液体を供給する液体供給部と、研磨パッド部上に設けられ、液体供給部によって供給された液体を研磨面から除去する液体除去部と、研磨面の周縁に設けられ、第１の頂面を有する段差部とを備える。表面から第１の頂面までの高さは、表面から研磨面までの高さよりも大きい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
この発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１３】
（実施の形態１）
図１は、この発明の実施の形態１における半導体基板の研磨装置を示す斜視図である。図２は、図１中の半導体基板の研磨装置を示す平面図である。
【００１４】
図１および図２を参照して、半導体基板の研磨装置１０は、プラテン１と、プラテン１の表面に設けられ、研磨面２ａを有する研磨パッド２と、研磨面２ａの周縁に延在する外周段差４と、研磨面２ａの中心に設けられた仕切段差３と、研磨面２ａ上に設けられ、研磨面２ａにスラリーおよびドレス用薬液を供給するためのスラリー供給部６およびドレス用薬液供給部９と、研磨面２ａ上に設けられ、図示しない半導体基板を保持するためのトップリング５と、研磨面２ａ上に設けられ、研磨面２ａの洗浄を行なうためのドレッサー７と、研磨面２ａ上に設けられ、スラリー供給部６およびドレス用薬液供給部９によって供給されたスラリーおよびドレス用薬液を研磨面２ａから回収するための廃液回収部８とを備える。
【００１５】
図３は、図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線上に沿った断面図である。図１から図３を参照して、プラテン１は、所定の直径を有する円盤形状に形成されている。プラテン１の一方の端面である表面１ａの周縁には、外周段差４がリング状に形成されている。プラテン１と外周段差４とは一体に成型されている。外周段差４は、表面１ａとほぼ平行に延在する頂面４ａを有する。プラテン１の他方の端面は、回転軸を介して図示しないモーターに接続されている。そのモーターを駆動させることによって、回転軸１１を軸としてプラテン１を矢印５１に示す方向に回転させることができる。
【００１６】
プラテン１の中心付近には、仕切段差３が円盤形状に形成されている。プラテン１と仕切段差３とは一体に成型されている。仕切段差３は、表面１ａとほぼ平行に延在する頂面３ａを有する。
【００１７】
プラテン１の表面１ａには、仕切段差３の外周側壁と外周段差４の内周側壁との間で延在するように研磨パッド２が貼り合わされている。研磨パッド２は、たとえば、発泡ポリウレタンから形成されている。研磨パッド２は、表面１ａとほぼ平行に延在する研磨面２ａを有する。研磨面２ａは、研磨装置１０によって半導体基板の研磨を行なう場合に、半導体基板の被研磨面に接触する表面である。プラテン１の表面１ａ、仕切段差３の外周側壁、および外周段差４の内周側壁によって、表面１ａを底面とする凹部が形成されている。研磨パッド２は、その凹部に設けられている。
【００１８】
図３を参照して、プラテン１の表面１ａから外周段差４の頂面４ａまでの高さＨ１は、表面１ａから研磨パッド２の研磨面２ａまでの高さＨ３よりも大きい。同様に、表面１ａから仕切段差３の頂面３ａまでの高さＨ２は、表面１ａから研磨パッド２の研磨面２ａまでの高さＨ３よりも大きい。言い換えると、外周段差４および仕切段差３は、研磨パッド２の研磨面２ａ上において、研磨面２ａから離隔する方向に延びている。
【００１９】
図１から図３を参照して、研磨パッド２の研磨面２ａ上には、スラリー供給部６、トップリング５、ドレス用薬液供給部９、ドレッサー７および廃液回収部８が、プラテン１の回転方向（矢印５１に示す方向）に沿って上に列挙した順に設けられている。
【００２０】
スラリー供給部６は、研磨面２ａの上方の離れた位置に吐出口を有する。その吐出口から、シリカなどの砥粒を含み、半導体基板の研磨を行なうためのスラリーが研磨面２ａに向けて吐出される。
【００２１】
ドレス用薬液供給部９は、研磨面２ａの上方の離れた位置に吐出口を有する。その吐出口から、たとえば、純水などの研磨面２ａの洗浄を行なうためのドレス用薬液が研磨面２ａに向けて吐出される。ドレス用薬液は、純水のみならず、化学的な作用によって研磨面２ａの洗浄を促進する薬液であっても良い。
【００２２】
トップリング５には、半導体基板を真空引きするための図示しない基板保持機構が設けられている。この基板保持機構によって、半導体基板の被研磨面５０が研磨面２ａに向い合うように半導体基板が保持される。トップリング５の頂面は、回転軸を介して図示しないモーターに接続されている。そのモーターを駆動させることによって、半導体基板を矢印５２に示す方向に回転させることができる。
【００２３】
ドレッサー７の研磨面２ａに向い合う側には、表面にダイヤモンドが形成されたダイヤモンド電着面が形成されている。ドレッサー７の頂面は、回転軸を介して図示しないモーターに接続されている。そのモーターを駆動させることによって、ドレッサー７を矢印５３に示す方向に回転させることができる。
【００２４】
廃液回収部８は、研磨面２ａ上において、仕切段差３の外周側壁から外周段差４の内周側壁まで延在している。廃液回収部８の内部には、研磨面２ａから回収されたスラリーおよびドレス用薬液が通過するための空間が形成されている。廃液回収部８は、仕切段差３側から外周段差４側に向けて順に配置された、廃液回収口部８ｍ、流入傾斜部８ｐおよび液溜め部８ｎによって構成されている。
【００２５】
廃液回収口部８ｍでは、研磨面２ａに向い合って開口された廃液回収口が形成されている。その廃液回収口は、研磨面２ａの直上において開口している。このように研磨面２ａ上に廃液回収口が規定されるように廃液回収口部８ｍを設けることによって、研磨面２ａの凹部に存在するスラリーおよびドレス用薬液を確実に回収することができる。
【００２６】
流入傾斜部８ｐでは、廃液回収部８の底面が傾斜して形成されている。このため、流入傾斜部８ｐでは、研磨面２ａから廃液回収部８の底面までの高さが研磨面２ａの中心側から周縁側に向かうに従って大きくなっている。
【００２７】
液溜め部８ｎは、外周段差４に隣接する位置に設けられている。液溜め部８ｎでは、廃液回収部８の底面が研磨面２ａに接触して形成されている。このため、液溜め部８ｎには、流入傾斜部８ｐから流入したスラリーおよびドレス用薬液をひとまず溜めるための凹部が形成されている。
【００２８】
液体除去部は、研磨面２ａの回転中心側に位置し、研磨面の直上に開口された液体回収口部と、研磨面２ａの周縁側に位置し、研磨面２ａに接触するように底面が形成された凹部を有する液体溜め部と、液体回収口部と液体溜め部との間に位置し、液体回収口部側から液体溜め部側に向かうに従って研磨面からの距離が大きくなるように底面が形成された底面傾斜部とを含む。
【００２９】
また、廃液回収部８には、液溜め部８ｎの底面近くまでに達する吸引ノズル１２が設けられている。吸引ノズル１２は、液溜め部８ｎに達する一方端とは反対側の他方端において、図示しない真空ポンプに接続されている。この図示しない真空ポンプを稼働させることによって、廃液回収部８および吸引ノズル１２を介して、研磨面２ａからスラリーおよびドレス用薬液を回収することができる。
【００３０】
本実施の形態では、廃液回収部８に流入傾斜部８ｐおよび液溜め部８ｎを形成している。このため、廃液回収口部８ｍから廃液回収部８の内部へと一度流入したスラリーおよびドレス用薬液が、吸引ノズル１２から吸引されずに研磨面２ａ側に逆流することを防止できる。これにより、スラリーおよびドレス用薬液をより確実に回収することができる。
【００３１】
液溜め部８ｎの液体が溜まる凹部の深さは、主にプラテン１の回転速度によって決定される。たとえば、プラテン１の回転速度が３０（ｒｐｍ）である場合、廃液回収部８における平均速度は０．４５（ｍ／ｓ）となる。この場合、液溜め部８ｎの液体が溜まる凹部の深さを１．０ｃｍ以上に設定することによって、スラリーおよびドレス用薬液の逆流を確実に防止することができる。
【００３２】
この発明の実施の形態１に従った半導体基板の研磨装置１０は、表面１ａを有するベース部としてのプラテン１と、半導体基板の被研磨面５０を研磨するための研磨面２ａを有し、表面１ａに設けられて回転される研磨パッド部としての研磨パッド２と、研磨パッド２上に設けられ、半導体基板の研磨に必要な所定の作業を行なうための研磨部としてのトップリング５およびドレッサー７と、研磨パッド２上に設けられ、研磨面２ａに液体を供給する液体供給部としてのスラリー供給部６およびドレス用薬液供給部９と、研磨パッド２上に設けられ、スラリー供給部６およびドレス用薬液供給部９によって供給された液体を研磨面２ａから除去する液体除去部としての廃液回収部８と、研磨面２ａの周縁に設けられ、第１の頂面としての頂面４ａを有する段差部としての外周段差４とを備える。表面１ａから頂面４ａまでの高さＨ１は、表面１ａから研磨面２ａまでの高さＨ３よりも大きい。
【００３３】
研磨装置１０は、研磨面２ａ上に位置する研磨パッド２の回転中心に設けられ、表面１ａからの高さＨ２が、表面１ａから研磨面２ａまでの高さＨ３よりも大きい第２の頂面としての頂面３ａを有する仕切部としての仕切段差３をさらに備える。
【００３４】
研磨部は、半導体基板の被研磨面５０と研磨面２ａとが向い合うように半導体基板を保持する基板保持部としてのトップリング５と、研磨面２ａを洗浄する基板洗浄部としてのドレッサー７とを含む。液体供給部は、研磨面２ａに研磨液を供給する研磨液供給部としてのスラリー供給部６と、研磨面２ａに洗浄液を供給する洗浄液供給部としてのドレス用薬液供給部９とを含む。
【００３５】
廃液回収部８は、研磨面２ａの直上に開口された廃液回収口部８ｍを有する。
続いて、図１中の研磨装置１０を用いて行なう半導体基板の研磨方法について図１から図３を参照しながら説明する。
【００３６】
まず、研磨を行なおうとしている半導体基板をトップリング５の所定の位置にセッティングする。図示しない各モーターを稼働させることによって、研磨パッド２、トップリング５およびドレッサー７を所定の方向に回転させる。スラリー供給部６およびドレス用薬液供給部９から研磨面２ａに向けてスラリーおよびドレス用薬液を供給する。半導体基板の被研磨面５０およびドレッサー７のダイヤモンド電着面を研磨面２ａに押圧する。
【００３７】
半導体基板がセッティングされたトップリング５は、スラリー供給部６に対して研磨パッド２の回転方向のすぐ下流に位置する。このため、スラリー供給部６から研磨面２ａに供給されたスラリーは、半導体基板の被研磨面５０と研磨面２ａとの間に次々と導入されていく。また、ドレッサー７は、ドレス用薬液供給部９に対して研磨パッド２の回転方向のすぐ下流に位置する。このため、ドレス用薬液供給部９から研磨面２ａに供給されたドレス用薬液は、ドレッサー７のダイヤモンド電着面と研磨面２ａとの間に次々と導入されていく。このようにスラリーおよびドレス用薬液を所定の位置に介在させることによって、半導体基板の研磨と研磨面２ａの洗浄とを同時に行なう。
【００３８】
吸引ノズル１２に接続された真空ポンプを稼働させることによって、研磨面２ａに供給されたスラリーおよびドレス用薬液を廃液回収部８によって回収する。
【００３９】
この発明の実施の形態１に従った半導体基板の研磨方法は、研磨装置１０を用いた半導体基板の研磨方法である。半導体基板の研磨方法は、スラリー供給部６およびドレス用薬液供給部９によって研磨面２ａに液体を供給するとともに、半導体基板の被研磨面５０と研磨面２ａとを相対的に移動させる工程と、半導体基板の被研磨面５０と研磨面２ａとを接触させる工程と、研磨面２ａに供給された液体を廃液回収部８によって研磨面２ａから除去することによって、その液体を回収する工程とを備える。
【００４０】
このように構成された半導体基板の研磨装置１０および半導体基板の研磨方法によれば、研磨面２ａの周縁には、研磨面２ａよりも高い位置に形成された頂面４ａを有する外周段差４が設けられている。このため、研磨面２ａに供給されたスラリーおよびドレス用薬液を研磨面２ａの周縁から流出させることなく、廃液回収部８によって確実に回収することができる。これにより、スラリーおよびドレス用薬液によって研磨装置１０および周辺装置が汚染されることを防止できる。
【００４１】
また、研磨装置１０には、仕切段差３が設けられている。このため、半導体基板の研磨に関わった研磨後のスラリー、ドレス用薬液供給部９から供給されたドレス用薬液、および研磨面２ａの洗浄に関わった洗浄後のドレス用薬液が、研磨面２ａの回転中心近傍の領域を経て、廃液回収部８に対して研磨パッド２の回転方向の下流に位置し、トップリング５に対して研磨パッド２の回転方向の上流に位置する領域に流れ込むことがない。したがって、半導体基板の被研磨面５０から生じた研磨屑などが混入していないスラリーのみによって半導体基板の研磨を行なうことができる。これにより、半導体基板の研磨レートを安定させるとともに、被研磨面５０にマイクロスクラッチなどが発生することを抑制できる。
【００４２】
なお、本実施の形態では、外周段差４および仕切段差３をプラテン１と一体成型としたが、プラテン１の表面１ａに外周段差４および仕切段差３を取り付ける構造としても良い。
【００４３】
また、外周段差４の頂面４ａと研磨面２ａとの段差が大きすぎる場合、研磨パッド２の交換が行ないにくくなる。このため、外周段差４の高さは、本発明の効果を損なわない程度に低く抑えることが好ましい。一般的に、研磨面２ａに供給されるドレス用薬液の量は、研磨面２ａに供給されるスラリーの量よりも多い。このため、主にドレス用薬液の量を考慮して、外周段差４の高さを決定すれば良い。
【００４４】
具体的な例を挙げると、直径６００ｍｍの研磨面２ａに１０００（ｃｍ３／ｍｉｎ）でドレス用薬液を供給する場合を想定すると、廃液回収部８によって廃液の回収を行なわない場合、研磨面２ａ上に形成されるスラリーおよびドレス用薬液の液膜の厚みは１ｃｍ程度となる。したがって、外周段差４の頂面４ａと研磨面２ａとの段差を１ｃｍとすれば、本発明の効果を損なうことなく、外周段差４の高さを低く抑えることができるものと考えられる。
【００４５】
（実施の形態２）
図４は、この発明の実施の形態２における半導体基板の研磨装置を示す斜視図である。図５は、図４中の半導体基板の研磨装置を示す平面図である。
【００４６】
図４および図５を参照して、半導体基板の研磨装置３０は、実施の形態１における研磨装置１０に、スラリー回収部４１をさらに備える。スラリー回収部４１は、研磨装置１０が備える廃液回収部８と同一構造を有する。スラリー回収部４１には、図示しない真空ポンプに接続された吸引ノズル４２が設けられている。研磨装置３０では、研磨装置１０における廃液回収部８および吸引ノズル１２が、ドレス用薬液回収部４３および吸引ノズル４４として設けられている。
【００４７】
スラリー供給部６、トップリング５、スラリー回収部４１、ドレス用薬液供給部９、ドレッサー７およびドレス用薬液回収部４３が、プラテン１の回転方向（矢印５１に示す方向）に沿って上に列挙した順に設けられている。
【００４８】
半導体基板の研磨装置３０では、スラリー供給部６から研磨面２ａに供給されたスラリーをスラリー回収部４１によって回収し、ドレス用薬液供給部９から研磨面２ａに供給されたドレス用薬液をドレス用薬液回収部４３によって回収する。
【００４９】
この発明の実施の形態２に従った半導体基板の研磨装置３０では、液体除去部は、スラリー供給部６によって供給された研磨液を除去するための研磨液除去部としてのスラリー回収部４１と、ドレス用薬液供給部９によって供給された洗浄液を除去するための洗浄液除去部としてのドレス用薬液回収部４３とを含む。スラリー回収部４１は、スラリー回収部４１に対して研磨パッド２の回転方向の上流にスラリー供給部６が位置し、下流にドレス用薬液供給部９が位置するように設けられている。ドレス用薬液回収部４３は、ドレス用薬液回収部４３に対して研磨パッド２の回転方向の上流にドレス用薬液供給部９が位置し、下流にスラリー供給部６が位置するように設けられている。
【００５０】
このように構成された半導体基板の研磨装置３０によれば、ドレッサー７のダイヤモンド電着面と研磨面２ａとの間に導入されるドレス用薬液にスラリーが混入することを防止できる。このため、研磨面２ａの洗浄を安定して行なうことができる。これにより、研磨パッド２の寿命を向上させるとともに、半導体基板を安定した研磨レートで研磨することができる。
【００５１】
（実施の形態３）
図６は、この発明の実施の形態３における半導体基板の研磨装置を示す模式図である。図６を参照して、図中の研磨装置３０は、図５中のＶＩ−ＶＩ線上に沿った研磨装置の断面形状である。半導体基板の研磨装置は、実施の形態２における研磨装置３０に、スラリー回収タンク３３およびドレス用薬液回収タンク３４をさらに備える。
【００５２】
吸引ノズル４２の他方端側には、スラリー回収タンク３３が設けられている。吸引ノズル４４の他方端側には、ドレス用薬液回収タンク３４が設けられている。吸引ノズル４２からスラリー回収タンク３３に向かうスラリー回収ラインと、吸引ノズル４４からドレス用薬液回収タンク３４に向かうドレス用薬液回収ラインとは、それぞれ独立して設けられている。このため、スラリー回収部４１およびドレス用薬液回収部４３の各々に吸引されたスラリーおよびドレス用薬液は、互いに混じることなく、スラリー回収タンク３３およびドレス用薬液回収タンク３４に回収される。
【００５３】
この発明の実施の形態３に従った半導体基板の研磨装置では、研磨液および洗浄液は、スラリー回収部４１およびドレス用薬液回収部４３の各々から別々に回収される。
【００５４】
このように構成された半導体基板の研磨装置によれば、ドレス用薬液が混じっていない状態でスラリーをスラリー回収タンク３３に回収することができる。これにより、スラリーのリサイクルを容易に行なうことができる。また同様に、、ドレス用薬液回収部４３に回収されたドレス用薬液を容易にリサイクルすることができる。これにより、半導体基板の研磨工程のランニングコストを削減することができる。
【００５５】
（実施の形態４）
図７は、この発明の実施の形態４における半導体基板の研磨装置を示す模式図である。図７を参照して、本実施の形態では、実施の形態３における研磨装置の吸引ノズル４２からスラリー回収タンク３３に向かうスラリー回収ライン上に、フィルター２１が設けられている。フィルター２１は、半導体基板の研磨によって被研磨面５０から生じる研磨屑よりも小さく、スラリー供給部６から供給されるスラリー中の砥粒よりも大きいメッシュサイズで形成されている。
【００５６】
この発明の実施の形態４に従った半導体基板の研磨装置では、液体除去部としてのスラリー回収部４１には、液体に含まれる粒子よりも大きく、かつ半導体基板の被研磨面５０から生じた固形物より小さいメッシュサイズのフィルター２１が設けられている。
【００５７】
このように構成された半導体基板の研磨装置によれば、スラリー供給部６から研磨面２ａに供給されたスラリーとほぼ等しい状態のスラリーをスラリー回収タンク３３に回収することができる。回収されたスラリーには、マイクロスクラッチの原因となる研磨屑も含まれていないため、スラリーのリサイクルをさらに容易に行なうことができる。
【００５８】
なお、本実施の形態では、フィルター２１を吸引ノズル４２からスラリー回収タンク３３に向かうスラリー回収ライン上に設けたが、図６中の吸引ノズル４４からドレス用薬液回収タンク３４に向かうドレス用薬液回収ライン上に設けても良い。この場合、回収されたドレス用薬液をさらに容易にリサイクルすることができる。
【００５９】
また、本発明に従った半導体基板の研磨装置は、実施の形態１から４に説明した半導体基板の研磨装置の構造を適宜組合せることによって実現されても良い。
【００６０】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００６１】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明に従えば、安定した研磨レートで研磨できるとともに、半導体基板の研磨のために供給された液体を適切に処理することができる半導体基板の研磨装置およびこれを用いた半導体基板の研磨方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１における半導体基板の研磨装置を示す斜視図である。
【図２】図１中の半導体基板の研磨装置を示す平面図である。
【図３】図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線上に沿った断面図である。
【図４】この発明の実施の形態２における半導体基板の研磨装置を示す斜視図である。
【図５】図４中の半導体基板の研磨装置を示す平面図である。
【図６】この発明の実施の形態３における半導体基板の研磨装置を示す模式図である。
【図７】この発明の実施の形態４における半導体基板の研磨装置を示す模式図である。
【符号の説明】
１  プラテン、１ａ  表面、２  研磨パッド、２ａ  研磨面、３  仕切段差、３ａ，４ａ  頂面、４  外周段差、５  トップリング、６  スラリー供給部、７ドレッサー、８  廃液回収部、８ｍ  廃液回収口部、９  ドレス用薬液供給部、１０，３０  研磨装置、２１  フィルター、４１  スラリー回収部、４３  ドレス用薬液回収部、５０  被研磨面。
【図１】
2004296970.tif 000003
【図２】
2004296970.tif 000004
【図３】
2004296970.tif 000005
【図４】
2004296970.tif 000006
【図５】
2004296970.tif 000007
【図６】
2004296970.tif 000008
【図７】
2004296970.tif 000009