(57)【要約】【課題】高精度のアライメントやエッチング制御を用いることなく、ヘテロ接合バイポーラトランジスタＨＢＴにおいて、ベース抵抗を低減しつつ、エミッタおよびベースの金属コンタクトを製作する。【解決手段】ヘテロ接合バイポーラトランジスタを形成する方法は、エミッタキャップ層(118)上にエッチングマスク(96)を形成して、該キャップ層の一部を露出し、該キャップ層の露出した部分を選択的にエッチングしてリエントリ形状(100)を形成すると共にエミッタ層(116)の一部を露出させる。エミッタ層の該露出した部分を選択的にエッチングして、ベース層(114)の一部を露出させる。ベース層の該露出した部分およびキャップ層の該露出した部分の上に、金属層(22,24)を形成する。【選択図】図６Ｆ
2004336050.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘテロ接合バイポーラトランジスタを形成する方法であって、
副コレクタ層を形成するステップと、
前記副コレクタ層上にコレクタ層を形成するステップと、
前記コレクタ層上にベース層を形成するステップと、
前記ベース層上にエミッタ層を形成するステップと、
前記エミッタ層上にキャップ層を形成するステップと、
前記キャップ層の一部が露出するように、前記キャップ層上にエッチングマスクを形成するステップと、
前記キャップ層の前記露出した部分を選択的にエッチングすることにより、リエントリ形状を持つ側壁を形成して、前記エミッタ層の一部を露出するステップと、
前記エミッタ層の前記露出した部分を選択的にエッチングすることにより、前記ベース層の一部を露出するステップと、
前記ベース層の前記露出した部分および前記キャップ層の前記露出した部分の上に金属コンタクトを形成するステップと、を含み、
前記ベース層は、前記エミッタ層および前記コレクタ層のうちの少なくとも一方とは異なる材料を含む、
方法。
【請求項２】
前記キャップ層の前記露出した部分を選択的にエッチングするステップと、前記エミッタ層の前記露出した部分を選択的にエッチングするステップは、ウエット・エッチングを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記エッチングマスクは、窒化物およびＩｎＰから成るグループから選択され、
前記キャップ層は、ＩｎＧａＡｓを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記エミッタ層は、ＩｎＰおよびＡｌＩｎＡｓから成るグループから選択され、
前記ベース層は、ＩｎＧａＡｓおよびＧａＡｓＳｂから成るグループから選択され、
前記コレクタ層は、ＩｎＧａＡｓおよびＩｎＰから成るグループから選択され、
前記副コレクタ層は、ＩｎＰを含む、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記エミッタ層の前記露出した部分を選択的にエッチングするステップの後であって、かつ、前記金属コンタクト形成するステップの前に、さらに、
前記ベース層の前記露出した部分の上に、窒化物およびＩｎＰから成るグループから選択された第２のエッチングマスク（１８０）を形成して、前記ベース層の第２の部分を露出するステップと、
前記ベース層の前記第２の露出した部分を選択的にエッチングして第２の側壁を形成し、前記コレクタ層の一部を露出するステップと、を含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
さらに、
前記コレクタ層の前記露出した部分を選択的にエッチングして、第３の側壁を形成し、前記副コレクタ層の一部を露出するステップを含み、
前記第２の側壁および第３の側壁のうちの少なくとも一方が、第２のリエントリ形状（１８４）を形成する、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
さらに、
前記副コレクタ層の前記露出した部分の上に金属コンタクトを形成するステップを含み、
前記ベース層の前記露出した部分上および前記キャップ層の前記露出した部分上に金属コンタクトを形成するステップと、前記副コレクタ層の前記露出した部分上に前記金属コンタクトを形成するステップとが、単一の金属形成処理により実施される、
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ベース層の前記露出した部分を選択的にエッチングするステップと、前記コレクタ層の前記露出した部分を選択的にエッチングするステップとが、ウエット・エッチングを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
副コレクタと、
前記副コレクタ上のコレクタと、
前記コレクタ上のベースと、
前記ベース上のベース・コンタクト（２４）と、
前記ベース上のエミッタと、
前記エミッタ上にあり、リエントリ形状を備えた側壁を有するエミッタキャップと、
前記エミッタキャップ上のエミッタ金属と、
を備える、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項１０】
前記ベースおよび前記コレクタの少なくとも一方は、第２のリエントリ形状（１８４）を備えた第２の側壁を有する、
請求項９に記載のトランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般にヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）に関し、より具体的には、ベース抵抗を低減するＨＢＴのエミッタ−ベース金属を製作するためのセルフアライメント・プロセスに関する。
【背景技術】
【０００２】
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）とは、異なる材料から成る２つの隣接する層を含むバイポーラトランジスタのことである。図１は従来のＨＢＴ１０を示す。ＨＢＴ１０は、コレクタ１２、ベース１４、エミッタ１６およびエミッタキャップ１８を含んでいる。
【０００３】
エミッタ金属２２およびベース金属２４は、一般にセルフアライメント・プロセスにより製作される。このようなプロセスにおいては、エミッタ１６に、リエントリ形状(reentry feature)２０が形成される。リエントリ形状２０は、アンダーカット形状を持つ棚状の突起(ledge)、オーバーハング（overhang；張り出し）、およびその他の形状を示す。リエントリ形状２０は、エミッタ１６を選択的にウエット・エッチング(wet etching)することにより形成される。その後、金属がキャップ１８およびベース１４上に堆積され、エミッタ金属２２およびベース金属２４をそれぞれ形成する。リエントリ形状２０は、エミッタ金属２２およびベースメタル２４が電気的に短絡しないように、それらの間を遮断する。
【０００４】
ＨＢＴの設計における目標の１つは、ベース抵抗を最小化することであり、該ベース抵抗は、ベース１４を介したエミッタ１６〜ベース金属２４間の抵抗のことである。ベース抵抗を最小化するための一手法として、エミッタ１６およびベース金属２４間の距離Ｄを小さくすることがあげられる。距離Ｄは、リエントリ形状２０の形を制御することにより小さくすることが出来る。
【０００５】
上述したように、リエントリ形状２０は、フォトレジストの下にあるエミッタ１６を選択的にウエット・エッチングすることにより形成されることができる。図２Ａおよび図２Ｂは、フォトレジスト２１の下にあるＩｎＰ（燐化インジウム）エミッタ１６をウエハ平面１００に対して垂直方向にウエット・エッチングした場合を示す。このウエット・エッチングにより、ＩｎＰエミッタ１６には、リエントリ形状２０として使用することのできる棚状突起が形成される。図２Ｂはまた、フォトレジスト２１の下にあるＩｎＧａＡｓ（インジウムガリウム砒素）のキャップ１８のウエット・エッチングを示す。このウエット・エッチングにより、ＩｎＧａＡｓキャップ１８には、リエントリ形状として使用することができない傾斜(ramp)２３が形成される。
【０００６】
図２Ａおよび図２Ｃは、フォトレジスト２１の下にあるＩｎＰエミッタ１６を、ウエハ平面１００に対して水平方向にウエット・エッチングした場合を示す。このウエット・エッチングによると、ＩｎＰエミッタ１６に、リエントリ形状として使用することができない傾斜２６が形成される。しかしながら、該傾斜２６は、上部層へと金属線を這わせるための手段として使用されることができる。
【０００７】
残念なことに、ウエハ平面１００に対して垂直方向のウエット・エッチングでは、棚状突起部分の張り出し（overhang）が不十分なものとなってしまう。これは、図２Ｂに示されており、ベース金属（図示せず）からエミッタ１６（第１のリエントリ形状により作られる）までの距離Ｄ１が、ベース１４およびエミッタキャップ１８上に設けられる金属を分離するのに必要な張り出しを形成するには不十分である。
【０００８】
図３Ａは、フォトレジスト２１の下にあるＩｎＰエミッタ１６をウエハ平面１００から４５°の方向にウエット・エッチングした場合を示す。このウエット・エッチングによれば、リエントリ形状２０として使用することのできる棚状突起が４つできる。残念なことに、実験によれば、これにはウエハの高精度（たとえば、１°未満）のアライメントが必要であり、このようなアライメントを実現することができない場合には、不定の棚状突起が形成されてしまう。場合によっては、棚状突起の代わりに、傾斜および他の形状が形成されることがある。ウエハのアライメントに誤差があると、図３Ｂに示すように、ウエット・エッチングによって、棚状突起の代わりに、傾斜２８が形成されてしまう。
【０００９】
図４は、エミッタ１６に対し、ドライ・エッチングおよびウエット・エッチングを組み合わせて実施することにより、ＨＢＴ３０にリエントリ形状３２を形成する場合を示す。最初にドライ・エッチングを用いて、キャップ１８およびエミッタ１６の両方をエッチングし、ベース１４に向かって垂直の側壁を形成する。次に、キャップ１８の下にあるエミッタ１６にウエット・エッチングを実施し、リエントリ形状３２を形成する張り出しを形成する。残念ながら、ドライ・エッチングは選択的なものではなく、よって、ベース１４に対するエッチングを回避してＨＢＴ３０に対する修復不可能な損傷を防ぐ為には、高精度の制御が必要とされる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従って、高精度のアライメントや高精度のエッチング制御を用いることなく、ＨＢＴにおいて、ベース抵抗を低減しつつ、エミッタおよびベースの金属コンタクトを製作するためのセルフ・アライメント・プロセス(self-aligned process)が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一実施例によれば、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）を形成する方法は、ＨＢＴのエミッタキャップ層上に、該エミッタキャップ層の一部を露出するようにエッチングマスクを形成するステップと、該エミッタキャップ層の露出した部分を選択的にエッチングしてリエントリ形状を形成すると共に、エミッタ層の一部を露出するステップと、を含む。該方法はさらに、エミッタ層の該露出部分を選択的にエッチングして、ベース層の一部を露出するステップと、該ベース層の露出部分および該エミッタキャップ層の露出部分の上に、金属層を形成するステップと、を含む。
【００１２】
図は、正確な寸法に描かれたものではなく、特に明記されていない限りにおいては、実際の形状や造作を示すものではない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の一つの側面によれば、ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、エッチングマスクが、エミッタのエッチングにではなく、エミッタキャップの選択的エッチングに用いられ、金属堆積用のリエントリ形状を形成する。このリエントリ形状により、金属コンタクト(metal contact)が、その堆積中に、エミッタキャップおよびベース上にセルフ・アライメントされる。
【００１４】
図５は、本発明の一実施例における、リエントリ形状を形成するための方法５０を示すフローチャートである。ステップ５２において、基本ＨＢＴ層が、図６Ａに示されるように形成される。基本ＨＢＴ層は、基板９２、副コレクタ層９４Ａ、コレクタ層１１２Ａ、ベース層１１４Ａ、エミッタ層１１６Ａ、およびエミッタキャップ層１１８Ａを含む。
【００１５】
基板９２および副コレクタ層９４Ａは、典型的にはＩｎＰ（燐化インジウム）である。コレクタ層１１２Ａは、典型的にはＩｎＧａＡｓ（インジウムガリウム砒素）またはＩｎＰである。ベース層１１４Ａは、典型的にはＩｎＧａＡｓまたはＧａＡｓＳｂ（ガリウム砒素アンチモン）である。エミッタ層１１６Ａは、典型的にはＩｎＰまたはＡｌＩｎＡｓ（アルミニウムインジウム砒素）である。キャップ層１１８Ａは、典型的にはＩｎＧａＡｓである。これらの層は、ｎ―ｐ−ｎまたはｐ−ｎ−ｐ型ＨＢＴを形成するように適正にドーピングされている。素子のパフォーマンス改善のために、エミッタおよびベースの間に、さらにＡｌＩｎＡｓ層（図示せず）を挿入してもよい。一実施例においては、これらの層は、ＯＭＶＰＥ（有機金属気相エピタキシー）により形成される。
【００１６】
ステップ５４〜ステップ５８においては、図６Ｂに示すように、エッチングマスク層９６が形成され、パターニングされる。より具体的には、ステップ５４では、エッチングマスク層９６がキャップ層１１８Ａ上に形成される。エッチングマスク層９６の材料は、キャップ層１１８Ａがエッチングマスク層９６の下で選択的にエッチングされる時にＩｎＧａＡｓキャップ層１１８Ａに棚状突起すなわち張り出し（オーバーハング）を形成するように選択される。したがって、図２Ｂに示すような、突起部すなわち張り出しの代わりに傾斜となる側壁を生成してしまうことになるフォトレジストを、ＩｎＧａＡｓキャップ層１１８Ａのエッチングマスクとして使用することはできない。一実施例においては、エッチングマスク層９６は、窒化物から形成される。窒化物は、ＰＥＣＶＤ（プラズマＣＶＤ）により形成されることができる。代替的に、それぞれのエッチングマスク層９６を、ＩｎＰで形成してもよい。ＩｎＰは、ＯＭＶＰＥで成長させることができる。
【００１７】
ステップ５６においては、フォトレジスト層９８が、素子領域上に堆積され、エッチングマスク層９６の一部分を露出するようにパターニングされる。エッチングマスク層９６の露出されない部分は、エミッタ１１６（後に図６Ｃにおいて示される）を画定する。
【００１８】
ステップ５８においては、エッチングマスク層９６の露出部分が、窒化物のエッチングにより除去される。一実施例においては、エッチングマスク層９６は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いてドライ・エッチングされる。その後、フォトレジスト９８をエッチングマスク層９６から除去することができる。
【００１９】
ステップ６０においては、図６Ｃに示すようにエミッタキャップ１１８が形成される。キャップ１１８は、キャップ層１１８Ａを選択的にエッチングすることにより形成され、これにより、リエントリ形状１００を備えた側壁が形成され、エミッタ層１１６Ａが露出される。上述したように、リエントリ形状１００は、棚状突起および張り出しのようなアンダーカット形状を持つ。一実施例においては、キャップ層１１８Ａは、ＤＩ（脱イオン）水、Ｈ２ＳＯ４（硫酸）、および過酸化水素（例えば、３００：３０：３０の比率）の溶液を用いたウエット・エッチングにより選択的にエッチングされることができる。実験によれば、窒化物またはＩｎＰのエッチングマスク層９６の下にあるＩｎＧａＡｓキャップ層１１８Ａをウエット・エッチングすることにより、リエントリ形状１００を、一貫した形状で作ることができる。
【００２０】
ステップ６２において、図６Ｃに示すように、エミッタ１１６が形成される。エミッタ１１６は、エミッタ層１１６Ａを選択的にエッチングすることにより形成され、これにより、ベース層１１４Ａを露出する。エミッタ層１１６Ａは、リエントリ形状を作るのには用いられないので、エミッタ層１１６Ａは、キャップ層１１８Ａよりもより垂直な側壁を形成するように選択的にエッチングされる。一実施例においては、エミッタ層１１６Ａは、ＨＣｌ（塩化水素酸）およびＨ３ＰＯ４（燐酸）の溶液（例えば１：３または３：２の比率）を用いてウエット・エッチングされることにより選択的にエッチングされる。
【００２１】
ステップ６４において、エッチングマスク層９６が除去される。
【００２２】
ステップ６６において、図６Ｄに示されるように、（ベース１１４および１１２を含む）ベース・コレクタ・メサ(base-collector mesa)、および（副コレクタ９４を含む）副コレクタ・メサ(sub-collector mesa)を形成する。最初に、窒化物マスクまたはフォトレジストを堆積してパターニングし、ベース層１１４Ａおよびコレクタ層１１２Ａの一部を露出させてエッチング除去することにより、ベース・コレクタ・メサを形成する。次に、フォトレジストを堆積してパターニングし、副コレクタ層９４Ａの一部を露出させてエッチング除去することにより、副コレクタメサを形成する。他の実施例においては、これとは逆に、副コレクタメサを、ベース−コレクタメサよりも先に形成してもよい。
【００２３】
ステップ６８において、図６Ｅに示すように、副コレクタ金属コンタクト１１０を形成する。一実施例においては、フォトレジスト１０８を堆積してパターニングし、副コレクタ９４に向けて窓１１５を開け、フォトレジスト１０８上および窓１１５を通じて金属を堆積することにより、副コレクタ金属１１０を形成することができる。副コレクタ金属１１０は、典型的には、Ｔｉ／ＡｕまたはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕである。その後、フォトレジスト層１０８を除去し、その上に堆積された金属も除去（リフトオフ）する。
【００２４】
ステップ７０において、フォトレジスト層１０２を素子上に堆積してパターニングし、キャップ１１８およびベース層１１４Ａに向けて窓１０４を開口する。フォトレジスト層１０２上と窓１０４を通じて金属を堆積し、これにより、エミッタ金属２２およびベース金属２４を形成する。一実施例においては、金属は、電子ビームまたは熱蒸着装置(thermal evaporator)を用いて、キャップ１１８およびベース１１４上に蒸着される。エミッタ金属２２およびベース金属２４は、典型的には、Ｔｉ／Ａｕ（チタン／金）またはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ（チタン／プラチナ／金）である。その後、フォトレジスト層１０２が除去され、その上に堆積されていた金属も除去（リフトオフ）される。
【００２５】
本発明の他の側面によれば、リエントリ形状を形成するようヘテロ接合バイポーラトランジスタにおけるベースおよびコレクタ層を選択的にエッチングするのに、他のエッチングマスクが使用される。キャップ、ベースおよびコレクタ層のリエントリ形状により、それぞれの対応する金属コンタクトを、１回の金属堆積プロセスで形成することが可能となる。
【００２６】
図７は、本発明の一実施例における方法１４０のフローチャートである。方法１４０は、図６Ｃに示される構造を形成する方法５０のステップ５２〜ステップ６４を含んでいる。ステップ６４に、ステップ１４１が続く。
【００２７】
ステップ１４１〜ステップ１４４においては、図８Ａに示されるように、第二のエッチングマスク層１８０を形成し、フォトレジスト１８２を用いてパターニングする。より具体的には、ステップ１４１において、エッチングマスク層１８０を素子上に形成する。エッチングマスク層１８０は、窒化物で形成することができる。一実施例においては、エッチングマスク層１８０は、プラズマＣＶＤにより形成される。
【００２８】
ステップ１４２において、フォトレジスト層１８２を該素子上に形成し、エッチングマスク層１８０の一部を露出するようにパターニングされる。エッチングマスク層１８０の露出されない部分は、ベース１１４（図８Ｂ）を画定する。
【００２９】
ステップ１４４において、エッチングマスク層１８０の露出部分を、非選択的エッチングにより除去する。一実施例においては、エッチングマスク層１８０は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりドライ・エッチングされる。ドライ・エッチング後、フォトレジスト１８２を、エッチングマスク層１８０から除去することができる。
【００３０】
ステップ１４６において、図８Ｂに示すように、ベース１１４およびコレクタ１１２を形成する。ベース１１４およびコレクタ１１２は、ベース層１１４Ａおよびコレクタ層１１２Ａを選択的にエッチングすることにより形成され、これにより、リエントリ形状１８４を備えた側壁を形成し、副コレクタ層９４Ａを露出する。一実施例においては、ベース層１１４Ａおよびコレクタ層１１２Ａは、ウエット・エッチングにより選択的にエッチングされる。ベース層１１４Ａおよびコレクタ層１１２Ａをウエット・エッチングすることにより、窒化物マスクを用いたウエット・エッチングの結晶学上の特性により、リエントリ形状も一定に作られることになる。これは、キャップ１１８およびエミッタ１１６をエッチングする場合と同様に生じるものである。
【００３１】
ステップ１４８〜１５２において、図８Ｃに示すように、副コレクタ９４を形成する。具体的には、ステップ１４８において、エッチングマスク層１８０を除去する。
【００３２】
ステップ１５０において、フォトレジスト１８６を素子上に堆積し、副コレクタ層９４Ａの一部を露出するようパターニングする。
【００３３】
ステップ１５２において、副コレクタ層９４Ａの露出部分を選択的にエッチングすることにより、ＨＢＴを他の素子から分離するようトレンチ(trench)１８７を形成する。一実施例においては、副コレクタ層９４Ａは、ウエット・エッチングにより選択的にエッチングされる。
【００３４】
ステップ１５４およびステップ１５６において、図８Ｄに示すように、エミッタ金属２２、ベース金属２４および副コレクタ金属１１０を形成する。具体的には、ステップ１５４において、フォトレジスト１８８を素子上に堆積し、副コレクタ９４、ベース１１４およびキャップ１１８へと通じる窓１９０が開口されるようにパターニングする。
【００３５】
ステップ１５６において、フォトレジスト１８８上および窓１９０を通じて金属を堆積し、エミッタ金属２２、ベース金属２４および副コレクタ金属１１０を一度に形成する。一実施例においては、金属は、電子ビームまたは熱蒸着法により堆積される。これらの金属は、典型的には、Ｔｉ／ＡｕまたはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕである。その後、フォトレジスト層１０８を除去し、その上に堆積されていた金属を除去（リフトオフ）する。
【００３６】
他の様々な改変および開示した実施例の特徴の組み合わせは本発明の範囲に入るものである。一実施例においては、上述したプロセスを変更することにより、ＩｎＧａＡｓの代わりにＩｎＰからコレクタが成るダブルＨＢＴ(double HBT)を形成することもできる。具体的には、ＩｎＧａＡｓベースは選択的にエッチングされるが、ＩｎＰコレクタは、ＩｎＰ副コレクタへと達し、その上に金属を堆積することができるようになるまで、時間的にエッチング（ドライまたはウエット）される。この実施例においては、ベース・メサはベースのみを含む一方で、コレクタ・メサはコレクタおよび副コレクタを含んだものとなる。請求項の範囲には数々の実施例が包含されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】従来のヘテロ接合バイポーラトランジスタを示す図。
【図２Ａ】従来のヘテロ接合バイポーラトランジスタを示す図。
【図２Ｂ】従来のヘテロ接合バイポーラトランジスタを示す図。
【図２Ｃ】従来のヘテロ接合バイポーラトランジスタを示す図。
【図３Ａ】従来のヘテロ接合バイポーラトランジスタを示す図。
【図３Ｂ】従来のヘテロ接合バイポーラトランジスタを示す図。
【図４】従来のヘテロ接合バイポーラトランジスタを示す図。
【図５】本発明の一実施例に従う、ＨＢＴにおいて金属コンタクトを形成するためのセルフアライメント・プロセスの方法を示すフローチャート。
【図６Ａ】本発明の一実施例に従う、図５の方法により形成されるＨＢＴの断面図。
【図６Ｂ】本発明の一実施例に従う、図５の方法により形成されるＨＢＴの断面図。
【図６Ｃ】本発明の一実施例に従う、図５の方法により形成されるＨＢＴの断面図。
【図６Ｄ】本発明の一実施例に従う、図５の方法により形成されるＨＢＴの断面図。
【図６Ｅ】本発明の一実施例に従う、図５の方法により形成されるＨＢＴの断面図。
【図６Ｆ】本発明の一実施例に従う、図５の方法により形成されるＨＢＴの断面図。
【図７】本発明の他の実施例に従う、ＨＢＴにおいて金属コンタクトを形成するためのセルフアライメント・プロセスの方法を示すフローチャート。
【図８Ａ】本発明の一実施例に従う、図７の方法により形成されるＨＢＴの断面図。
【図８Ｂ】本発明の一実施例に従う、図７の方法により形成されるＨＢＴの断面図。
【図８Ｃ】本発明の一実施例に従う、図７の方法により形成されるＨＢＴの断面図。
【図８Ｄ】本発明の一実施例に従う、図７の方法により形成されるＨＢＴの断面図。
【符号の説明】
【００３８】
２２、２４  ベース及びキャップ層上の金属コンタクト
９４Ａ  副コレクタ層
９６  エッチングマスク
１００  リエントリ形状
１１０  副コレクタ層上の金属接触
１１２Ａ  コレクタ層
１１４Ａ  ベース層
１１６Ａ  エミッタ層
１１８Ａ  キャップ層
１８０  第二のエッチングマスク
１８４  第二のリエントリ形状
【図１】
2004336050.tif 000003
【図２Ａ】
2004336050.tif 000004
【図２Ｂ】
2004336050.tif 000005
【図２Ｃ】
2004336050.tif 000006
【図３Ａ】
2004336050.tif 000007
【図３Ｂ】
2004336050.tif 000008
【図４】
2004336050.tif 000009
【図５】
2004336050.tif 000010
【図６Ａ】
2004336050.tif 000011
【図６Ｂ】
2004336050.tif 000012
【図６Ｃ】
2004336050.tif 000013
【図６Ｄ】
2004336050.tif 000014
【図６Ｅ】
2004336050.tif 000015
【図６Ｆ】
2004336050.tif 000016
【図７】
2004336050.tif 000017
【図８Ａ】
2004336050.tif 000018
【図８Ｂ】
2004336050.tif 000019
【図８Ｃ】
2004336050.tif 000020
【図８Ｄ】
2004336050.tif 000021