(57)【要約】【課題】切削箇所の表面に外部配線を形成した場合に、外部配線の腐食や剥がれが生じ難い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】複数の集積回路が形成された半導体基板上に、絶縁樹脂を介して、複数の集積回路の形成領域を被う支持基体を固着し、積層体を形成する積層体形成工程Ｓ１２と、少なくとも前記支持基体の一部を残して半導体基板を絶縁樹脂と共に切削するノッチ切削工程Ｓ１４−２と、支持基体を切削して積層体を分割するダイシング工程Ｓ２２とを有し、ノッチ切削工程Ｓ１４−２は、前記第２の工程は、ダイシングソーにて前記積層体を含む前記半導体基板を切削する際に、目立てをしたダイシングソーによりドレスボード５０を切削し、その切削形状を確認した後に、前記ダイシングソーを目立てし直し前記積層体を含む前記半導体基板を切削することによって上記課題を解決することができる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の集積回路が形成された半導体基板上に、絶縁樹脂を介して、前記複数の集積回路の形成領域を被う支持基体を固着し、積層体を形成する第１の工程と、
少なくとも前記支持基体の一部を残して前記積層体を含む前記半導体基板を前記絶縁樹脂と共に切削する第２の工程と、
前記支持基体を切削して前記積層体を分割する第３の工程とを含み、
前記第２の工程は、ダイシングソーにて前記積層体を含む前記半導体基板を切削する際に、ダイシングソーを目立てした後に、前記積層体を含む前記半導体基板を切削することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の工程は、目立てした前記ダイシングソーにより試料基板を切削し、その切削形状を確認した後に、前記ダイシングソーを目立てし直し前記積層体を含む前記半導体基板を切削することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の工程は、砥石で研いだ前記ダイシングソーを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の工程は、前記ダイシングソーに冷却媒体を吹き付けて冷却を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の工程で形成された前記積層体の切削面上に金属配線を形成する工程を、さらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の層を積層してなる積層体を含む半導体装置の製造方法に関し、特にダイシングソーにて前記積層体を切削する工程を有する半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置のチップサイズを小型化するために、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）が広く用いられるようになっている。
【０００３】
近年、このようなチップサイズパッケージは、ＣＣＤイメージセンサの分野に取り入れられ、小型カメラに用いられるセンサチップのパッケージングに採用されている。
【０００４】
図６は、チップサイズパッケージを採用した半導体装置の一例であり、図６（ａ），（ｂ）は、それぞれ半導体装置の表面側、裏面側から見た斜視図である。
【０００５】
第１及び第２の支持基体２，３の間に半導体チップ４が絶縁樹脂５を介して封止されている。下部支持基体３の主面、すなわち、装置の裏面側には、ボール状端子８が複数配置され、これらの複数のボール状端子８が外部配線７を介して半導体チップ４に接続される。複数の外部配線７には、半導体チップ４から配線が引き出されて接続されており、各ボール状端子８と半導体チップ４とのコンタクトがとられている。
【０００６】
図７に、図６の製造方法のフローを示す。複数の半導体素子が形成された半導体基板１０の表面に隣接する各半導体素子の境界をまたがるように、酸化膜を介して内部配線２４を形成する。この内部配線２４は、酸化膜に形成されるコンタクトホールを介して半導体素子と電気的に接続される（Ｓ１０）。半導体基体１０を樹脂層５を介して上部支持基体２及び下部支持基体３によって挟み込んで積層体１００を形成する（Ｓ１２）。このとき、半導体基板１０を下部支持基体３側からスクライブラインに沿ってエッチングして内部配線２４を一旦露出させた後に、半導体基板１０へ下部支持基体３を貼り合わせる。下部支持基体３には、さらに緩衝部材３０を形成する。この緩衝部材３０は、ボール状端子８に掛かる応力を和らげるクッションの役割を果たす。
【０００７】
次に、図８のように、積層体１００をスクライブラインに沿って下部支持基体３側からダイシングソー３４を用いて逆Ｖ字型のノッチ（切り欠き溝）２２を形成し、素子の内部配線２４の端部２６をノッチ２２の側面に露出させる（Ｓ１４）。
【０００８】
その後、下部支持基体３の表面及びノッチ２２の内面に金属膜２８を形成し（Ｓ１６）、金属膜２８を内部配線２４とコンタクトさせる。金属膜２８を所定の配線パターンに沿って内部配線２４から緩衝部材３０まで至るようにパターンニングして外部配線７を形成する（Ｓ１８）。さらに、保護膜３０及びボール状端子２０を形成し（Ｓ２０）、スクライブラインに沿って分断することによってチップサイズパッケージの各半導体装置が完成する（Ｓ２２）。
【０００９】
例えば、チップサイズパッケージのＣＣＤイメージセンサでは受光面を有するため、少なくとも上部支持基体２に光学的に透明なガラス板が用いられると共に、半導体基板１０との接着のため樹脂層１２にも透明性を有するエポキシ樹脂が用いられる。
【００１０】
【非特許文献１】
“ＰＲＯＤＵＣＴＳ”、［ｏｎｌｉｎｅ］、ＳＨＥＬＬＣＡＳＥ社、［平成１４年１０月１日検索］、インターネット＜ＵＲＬ  ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｓｈｅｌｌｃａｓｅ．ｃｏｍ／ｐａｇｅｓ／ｐｒｏｄｕｃｔｓ−ｓｈｅｌｌＯＰ−ｐｒｏｃｅｓｓ．ａｓｐ＞
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような構成を有する半導体装置の場合、半導体基板１０の表面に対して所定の傾きを持った面に金属膜を堆積させるため、下部支持基体３の表面上に蒸着させる場合に比して、金属膜を高密度に堆積させるのが困難である。さらに、ダイシングソーを用いて積層体１００を切削してノッチ２２を形成するため、樹脂層１２の樹脂が摩擦熱によって溶けて、溶けた樹脂がノッチ２２の内面あるいはダイシングソーに付着する。このため、ノッチ２２の内面に大きな凹凸が生じ、そこに金属膜２８をうまく蒸着させることができず、成膜後の金属膜２８の密度を更に低下させるという問題があった。また、ノッチ工程において、ダイシングソーの表面がきれいな状態でないと所望の切削形状が得られないという問題もあった。
【００１２】
このように、金属膜２８の密度が低くなると、金属膜２８をパターンニングする際に用いたレジストを剥離するための薬液などが金属膜２８中に染み込み、金属膜２８中に薬液がそのまま残存し、外部配線１８の腐食や剥がれを生じさせる深刻な問題を引き起こしていた。
【００１３】
本発明は、上記従来技術の問題を鑑み、半導体基板に絶縁樹脂を介して支持基体が固着される積層体構造の半導体装置に適した製造方法を提供することを可能としたものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の集積回路が形成された半導体基板上に、絶縁樹脂を介して、前記複数の集積回路の形成領域を被う支持基体を固着し、積層体を形成する第１の工程と、少なくとも前記支持基体の一部を残して前記積層体を含む前記半導体基板を前記絶縁樹脂と共に切削する第２の工程と、前記支持基体を切削して前記積層体を分割する第３の工程とを含み、前記第２の工程は、ダイシングソーにて前記積層体を含む前記半導体基板を切削する際に、ダイシングソーを目立てした後に、前記積層体を含む前記半導体基板を切削することを特徴とする。
【００１５】
また、前記第２の工程は、目立てした前記ダイシングソーにより試料基板を切削し、その切削形状を確認した後に、前記ダイシングソーを目立てし直し前記積層体を含む前記半導体基板を切削することを特徴とする。
【００１６】
ここで、上記半導体装置の製造方法において、前記第２の工程は、砥石で研いだダイシングソーを用いることが好適である。
【００１７】
さらには、前記第２の工程は、前記ダイシングソーに冷却媒体を吹き付けて冷却を行うことが好適である。
【００１８】
また、上記半導体装置の製造方法において、前記第２の工程で形成された前記積層体の切削面上に金属配線を形成する工程を、さらに含むことを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法は、図１に示すフローチャートのように、内部配線形成工程（Ｓ１０）、積層体形成工程（Ｓ１２）、ノッチ切削工程（Ｓ１４−２）、金属膜成膜工程（Ｓ１６）、パターンニング工程（Ｓ１８）、端子形成工程（Ｓ２０）及びダイシング工程（Ｓ２２）から基本的に構成される。
【００２０】
本実施の形態における半導体装置の製造方法において、ノッチ切削工程Ｓ１４−２以外の各工程は、従来の半導体装置の製造工程と同様であるので説明を省略する。
【００２１】
ここで、積層体１００の構成について説明する。以下の説明において、半導体基板１０は、シリコン基板、砒化ガリウム等の一般的な半導体材料であれば良い。半導体基板１０には、トランジスタ素子、光電変換素子、電荷結合素子（ＣＣＤ）等の半導体素素子、抵抗素子、容量素子を含む半導体装置を形成しておくことができる。
【００２２】
また、樹脂層５は、半導体基板１０と上部支持基体２及び下部支持基体３とを接着するものであって、エポキシ等の硬化樹脂材料とすることができる。固体撮像素子を構成する場合には、透明の樹脂層５を用いることが好適である。
【００２３】
また、上部支持基体２及び下部支持基体３は素子の構造強度を高めるものであって、ガラス、金属、プラスチック等を用いることができる。固体撮像素子を構成する場合には、少なくとも上部支持基体２に透明なガラスやプラスチックを用いることが好ましい。
【００２４】
以下、本実施の形態の特徴である改良されたノッチ切削工程について詳細に説明する。
【００２５】
ステップＳ１４−２のノッチ切削工程では、テーパのつけられたダイシングソーを用いて積層体１００を下部支持基体３側から切削して逆Ｖ字型のノッチ２２を形成する。ダイシングソーによって下部支持基体３、樹脂層５、半導体基板１０及び上部支持基体２の一部が切削され、ノッチ２２の内面に内部配線２４の端部２６が露出する。
【００２６】
ノッチ切削工程は、円盤状のダイシングソー円周上にダイヤモンド微粒子を貼り付けたダイシングソー３４を用いて行われる。
【００２７】
以下、図２のノッチ切削工程を示すフローチャートに従ってノッチ切削工程を説明する。
【００２８】
まず、前記積層体１００を切削するに先立って、前記ダイシングソーの目立てを行う（ステップＳ１４−２１：ドレッシング工程１）。ここで、目立てとは、ダイシングソーの表面を砥石で研いで所望の形状となるように処理することである。
【００２９】
続いて、図３に示すように試料基板としてのドレスボード５０をプリカットする。本実施形態では試料基板としてガラスとシリコンから成る半導体基板との積層基板を用い、所望の回転数で当該積層基板を所望の深さまで切削する（ステップＳ１４−２２）。
【００３０】
次に、ドレスボード５０に形成されたノッチ形状を顕微鏡等を用いて、その角度、深さを観察する（ステップＳ１４−２３）。
【００３１】
さらに、形成したノッチの形状（角度、深さ等）が所望のものである場合には、再び前記ダイシングソーの目立てを行う。即ち、前記ステップＳ１４−２３における切削工程によりダイシングソーの表面が目つまりを起している場合があるため、再度、ダイシングソーを砥石で研いで所望の形状となる（目つまりを解消する）ように処理する（ステップＳ１４−２４：ドレッシング工程２）。
【００３２】
そして、実際に前記積層体１００を切削して所望のノッチ形状を形成する（ステップＳ１４−２５）。
【００３３】
また、続いて半導体基板上の別の位置をノッチ処理する場合には、ノッチ工程前に、同様にダイシングソーの目立てを行った後に、前記積層体１００にノッチ処理を施す。即ち、ドレスボード５０をプリカットし（ステップＳ１４−２６）、ドレスボード５０に形成されたノッチ形状を顕微鏡等を用いて、その角度、深さを観察する（ステップＳ１４−２７）。そして、形成したノッチの形状（角度、深さ等）が所望のものである場合には、再び前記ダイシングソーの目立てを行い（ステップＳ１４−２８：ドレッシング工程３）、実際に前記積層体１００を切削して所望のノッチ形状を形成する（ステップＳ１４−２９）。以下、同様にノッチ処理を繰り返す。
【００３４】
前記ダイシングソー３４によるノッチ切削工程では、ダイシングソー３４を冷却することにより、積層体１００の切削面の温度が積層体１００に含まれる層のうち最も低い軟化温度を有する層の軟化温度より低い温度となる条件で切削を行うことが好適である。
【００３５】
具体的には、図４のように、第１及び第２の冷却媒体噴射装置３８，３９が設けられた冷却装置を用い、ダイシングソー３４へ冷却媒体３６を噴射して冷却しながら、切削を行う。
【００３６】
ダイシングソー３４の前方には、第１の冷却媒体噴射装置３８が位置し、図４（ａ）に示すように、第１の冷却媒体噴射装置３８からダイシングソー３４及び切削部分４０に冷却媒体３６を直接吹き付けることによって、冷却を行う。このように、冷却媒体３６を直接吹き付けて冷却することで、ダイシングソー３４及び切削部分４０を局部的に冷却することができ、冷却効率が向上して温度上昇を好適に抑えることができる。尚、冷却媒体３６としては、純水、アセトン、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等を適宜選択して用いることができる。
【００３７】
また、冷却媒体３６の噴射方向として、ダイシングソー３４の回転方向に沿うように行うのが好適である。これにより、切削部分４０に当たった冷却媒体３６がダイシングソー３４の回転に沿って切削部分４０からノッチ２２側に向かって流れ込み、切削部分４０をより効率的に冷却すると共に、切削部分４０についたゴミを除去することができる。
【００３８】
また、このとき、切削方向に対して５°以上４５°以下の仰角をもって、切削点４０に向けて冷却媒体３６を吹き付けることが好適である。さらに、切削方向に対して３０°以上４０°以下の仰角をもって冷却媒体３６を吹き付けることがより好適である。
【００３９】
また、冷却媒体３６の幅として、ダイシングソー３４のダイシングソーを完全に覆うように、ダイシングソーの幅よりも広く吹き付けることが好適である、これにより、図５（ａ）のように、ダイシングソー３４のダイシングソーの両面に均等に冷却媒体３６が供給され、切削時にダイシングソー３４の冷却を効率良く行うことができる。
【００４０】
一方、上記条件を外れると、図５（ｂ）のように、ダイシングソーに沿った冷却媒体３６の流れが不均一となったり、ノッチ２２の内面への冷却媒体３６の供給が不十分となり、冷却効率が低下する。
【００４１】
ダイシングソー３４の両側には、ダイシングソー３４を挟むように第２の冷却媒体噴射装置３９が位置し、図４（ｂ）に示すように、第２の冷却媒体噴射装置３９からもダイシングソー３４及び切削部分４０に冷却媒体３６を直接吹き付けることによって、さらに冷却効率を向上させることができる。なお、この第２の冷却媒体噴射装置３９からの冷却媒体３６の吹き付けについても、積層体１００に対して５°以上４５°以下の仰角をもって行うのが好適である。
【００４２】
ダイシングソー３４の後方には、洗浄媒体噴射装置４１が位置し、この洗浄媒体噴射装置４１から、切削後の積層体１００へ洗浄媒体４２を吹き付けることによって、ノッチ２２や積層体１００表面に付いたゴミを除去する。洗浄媒体４２としては、冷却媒体３６を流用することができる。
【００４３】
このような構成において、例えば、積層体１００がシリコン半導体層をエポキシ樹脂層を介してガラス基体で挟み込んだ構造に対して冷却を行った結果、直径２０ｃｍ及びダイシングソー幅０．６２ｍｍのダイシングソー３４を４００００回転／分で用いた場合に、２０ｌ／分の純水を仰角３０°以上４０°以下で切削部分４０に向けて吹き付けることによって、切削部分４０の温度を最も軟化温度の低いエポキシ樹脂層の軟化温度１５０℃以下に保って切削を行うことができた。
【００４４】
以上のように、本実施の形態における半導体装置の製造方法を用いることで、切削時のノッチ２２の内面の温度上昇を抑えることが可能となり、ノッチ２２の内面への不要物の付着を防止することができる。その結果、そこに成膜される金属膜の密度が高くなり、外部配線の腐食や剥がれを防止することができる。
【００４５】
さらに、ノッチ処理を行う前にダイシングソーの目立てを行っているため、ノッチ２２を安定的に形成することができ、同じく外部配線の腐食や剥がれを防止することができる。
【００４６】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体基板に絶縁樹脂を介して支持基体が固着される積層体構造を有する半導体装置において、切削工程を原因とする配線の腐食及び剥がれを防ぐことができる。従って、半導体装置の信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を示す図である。
【図２】本実施の形態におけるダイシングソーによる切削処理工程のフローを示すである。
【図３】本実施の形態におけるドレスボードを用いたプリカット処理を示す図である。
【図４】本実施の形態におけるダイシングソーによる切削処理を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態における切削処理の作用を説明する図である。
【図６】チップサイズパッケージの半導体装置の外観を示す図である。
【図７】チップサイズパッケージの半導体装置の製造方法のフローを示す図である。
【図８】従来の半導体装置の製造方法におけるダイシングソーによる切削処理を示す図である。
【符号の説明】
２  上部支持基体、３  下部支持基体、４  半導体チップ、５  樹脂層、７  外部配線、８  ボール状端子（ハンダバンプ）、１０  半導体基板、２２  ノッチ（切り欠き溝）、２４  内部配線、２６  内部配線の端部、２８  金属膜、３０  コンタクト部、３２  絶縁膜、３４  ダイシングソー、３６  冷却媒体、３８  第１の冷却媒体噴射装置、３９  第２の冷却媒体噴射装置、４０  切削部分、４１  洗浄媒体噴射装置、４２  洗浄媒体、５０    ドレスボード、１００  積層体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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