(57)【要約】【課題】基板内部に収納された電子部品と基板との隙間を良好に埋める。【解決手段】本発明の埋込樹脂組成物２２は、電子部品１７を配線基板１内部に埋め込むためのものであり、無機フィラー、熱カチオン重合触媒及び２種類以上の樹脂を含有している。そして、この２種類以上の樹脂のうちの少なくとも１種類は熱硬化性樹脂としての脂肪族環状エポキシ樹脂又はオキセタン樹脂であり、１０００ｍＰａ・ｓ（２５℃）を超えない低粘度のものが用いられる。ここで、埋込樹脂組成物２２には、耐湿性、耐熱性、絶縁性といった物性が要求され、更に、埋め込み性を高めるために低粘度化が要求されるが、低粘度化剤として脂肪族環状エポキシ樹脂又はオキセタン樹脂を用いることで、耐湿性や耐熱性等の物性を大きく低下させることなく、大幅な低粘度化を図ることができる。この結果、電子部品１７と基板１との隙間を確実に埋めることができる。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を配線基板内部に埋め込むための埋込樹脂組成物であって、
無機フィラー、熱カチオン重合触媒及び２種類以上の樹脂を含有し、該２種類以上の樹脂のうちの少なくとも１種類は熱硬化性樹脂としての脂肪族環状エポキシ樹脂又はオキセタン樹脂であり、該脂肪族環状エポキシ樹脂又はオキセタン樹脂は、その粘度が１０００ｍＰａ・ｓ（２５℃）を超えないものであること、
を特徴とする埋込樹脂組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の埋込樹脂組成物において、
前記熱カチオン重合触媒は、ヘキサフルオロアンチモン酸又はヘキサフルオロ燐酸の、アンモニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩又はピリジニウム塩のうちの少なくとも１種類を含有していること、
を特徴とする埋込樹脂組成物。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の埋込樹脂組成物において、
当該埋込樹脂組成物の樹脂成分中、前記脂肪族環状エポキシ樹脂又はオキセタン樹脂の配合量が１〜４９重量％であること、
を特徴とする埋込樹脂組成物。
【請求項４】
電子部品が内部に埋め込まれた配線基板であって、
前記電子部品を埋め込むための埋込樹脂組成物として、請求項１ないし請求項３の何れか１項に記載の埋込樹脂組成物が用いられていること、
を特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品を基板内部に埋め込むための埋込樹脂組成物及びその埋込樹脂組成物を用いて電子部品が埋め込まれた配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ビルドアップ配線基板に多数の半導体素子を搭載したマルチチップモジュール（ＭＣＭ）が検討されている。こうした配線基板に、チップコンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗、ＩＣ等の電子部品を実装する場合には、配線基板の表面に形成された実装用配線層上に半田を用いて表面実装するのが一般的である。
【０００３】
しかし、このように基板表面に電子部品を実装する構成では、個々の電子部品に対応する実装面積を確保する必要性から、配線基板の小型化には自ずと限界がある。しかも、表面実装する際の配線の取り回しによって、特性上好ましくない寄生インダクタンスが大きくなることから、電子機器の高周波化への対応も難しい。
【０００４】
そこで、基板内部に電子部品を収納するといった手法が提案されており、例えば、特許文献１や特許文献２に開示されている。この手法を用いれば、基板表面のみならず、基板内部にまで電子部品を実装することができるため、配線基板の小型化を好適に図ることができる。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−１２６９７８号公報
【特許文献２】
特開２０００−１２４３５２号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、こうした配線基板では、基板内部に収納された電子部品と基板との隙間を、耐湿性、耐熱性、絶縁性（絶縁抵抗）等に優れた埋込樹脂組成物で埋めることが、信頼性を高める上で好ましい。
【０００７】
しかしながら、電子部品と基板との隙間を埋めるために埋込樹脂組成物を流し込んだ場合に、その埋込樹脂組成物が微小な隙間まで十分に広がらないことがあった。こうして埋込樹脂組成物の充填不良が発生すると、熱膨張係数の極端に異なる部分が局所的にできてしまい、信頼性を低下させる原因となる。
【０００８】
本発明は、こうした問題に鑑みなされたものであり、基板内部に収納された電子部品と基板との隙間を良好に埋めることができる埋込樹脂組成物及びそれを用いた配線基板を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
上記目的を達成するためになされた本発明の埋込樹脂組成物は、電子部品を配線基板内部に埋め込むためのものであり、無機フィラー、熱カチオン重合触媒及び２種類以上の樹脂を含有している。そして、その２種類以上の樹脂のうちの少なくとも１種類が熱硬化性樹脂としての脂肪族環状エポキシ樹脂又はオキセタン樹脂（オキセタン環を有する熱硬化性樹脂）であり、更に、この脂肪族環状エポキシ樹脂又はオキセタン樹脂として、粘度が１０００ｍＰａ・ｓ（２５℃）を超えないものが用いられている。
【００１０】
このような本発明の埋込樹脂組成物では、低粘度化剤として、脂肪族環状エポキシ樹脂又はオキセタン樹脂を用いることで、耐湿性、耐熱性、絶縁性といった埋込樹脂組成物に本来求められる物性を大きく低下させることなく低粘度化を実現している。その結果、基板に収納された電子部品と基板との隙間を良好に埋めることができる。尚、低粘度化剤としては、一般に、酸無水物系硬化剤や可撓性付与剤等が用いられるが、酸無水物系硬化剤を用いると、樹脂構造内にエステル結合が多くなって耐湿性が大幅に低下してしまい、また、可撓性付与剤を用いると、耐熱性が大幅に低下してしまうため、何れも埋込樹脂組成物に必要な物性を損なうこととなり好ましくない。
【００１１】
そして特に、本発明の埋込樹脂組成物に用いられる脂肪族環状エポキシ樹脂又はオキセタン樹脂は、１０００ｍＰａ・ｓ（２５℃）を超えない低粘度のものであるため、大幅な低粘度化による高い埋め込み性を実現することができる。即ち、埋込樹脂組成物に用いられる脂肪族環状エポキシ樹脂又はオキセタン樹脂の粘度が１０００ｍＰａ・ｓ（２５℃）を超えると、埋め込み性が大幅に低下してボイド等の不良が発生しやすくなるが、本発明の埋込樹脂組成物では、このような不良の発生が防止される。なお、本明細書の説明において、Ｐａ・ｓ（２５℃）とは、２５℃における粘度の意味である。
【００１２】
【発明の実施の形態】
前述したように、本発明の埋込樹脂組成物には、低粘度化剤として、脂肪族環状エポキシ樹脂又はオキセタン樹脂が用いられている。
ここで、脂肪族環状エポキシ樹脂としては、例えば、ジャパンエポキシレジン株式会社製のＹＬ−６６６３，ＹＬ−６７５３、チバスペシャリティーケミカルズ株式会社製のアラルダイトＣＹ−１９２−１，アラルダイトＣＹ−１７９，アラルダイトＣＹ−１７７、ダイセル化学工業株式会社製のセロキサイド２０２１，セロキサイド２０８１，セロキサイド２０８３，セロキサイド３０００，エポリードＧＴ３０１，エポリードＧＴ３０２，エポリードＧＴ４０１，エポリードＧＴ４０３等（何れも商品名）を用いることができる。
【００１３】
また、オキセタン樹脂としては、例えば、東亞合成株式会社製のＯＸＴ１０１，ＯＸＴ１２１等（何れも商品名）を用いることができる。
ここで、脂肪族環状エポキシ樹脂又はオキセタン樹脂の配合量は、埋込樹脂組成物の樹脂成分中、１〜４９重量％であることが好ましい。このような配合量であれば、配線基板における金属層との密着性を極めて良好に保つことができるからである。また、埋込樹脂組成物は、室温で液状又はシート化された形態であることが望ましい。一般的な封止材のモールディングコンパウンド状では、金型などの特別な治工具が必要となってしまうからである。そして特に、電子部品の設置後の位置精度を考慮すると、温度を上げずに作業が行える室温で液状の埋込樹脂組成物が好ましい。
【００１４】
一方、本発明の埋込樹脂組成物には、無機フィラーが含まれている。この無機フィラーにより、埋込樹脂組成物の熱膨張係数を調整する効果が得られるだけでなく、硬化後の３次元構造の骨格や、無機フィラーが奏する骨材としての効果によって、粗化処理後の埋込樹脂組成物の形状が必要以上に崩れることが防止される。
【００１５】
そして、無機フィラーとしては、例えば、結晶性シリカ、溶融シリカ、アルミナ、窒化ケイ素、タルク等を用いることが好ましい。埋込樹脂組成物の熱膨張係数を効果的に下げることができるからである。ここで、埋込樹脂組成物の熱膨張係数は、特に限定はされないが、熱に対する信頼性を高めることができるという点で、３０ｐｐｍ／℃以下、好ましくは２０ｐｐｍ／℃以下がよい。
【００１６】
また、無機フィラーのフィラー径（粒径）は、５０μｍ以下のものが好ましい。粒径５０μｍ以下であれば、電子部品の電極間のような狭い隙間にも埋込樹脂組成物が流れ込みやすくなり、充填不良が防止されるからである。そして特に、無機フィラーの形状が略球状であれば、埋込樹脂組成物の流動性及び充填率を一層高くすることができ、シリカ系の無機フィラーは、容易に球状のものが得られるため好ましい。また、無機フィラーの充填率は３０体積％以上であることが好ましい。
【００１７】
また更に、無機フィラーの表面は、必要に応じてカップリング剤にて表面処理するとよい。無機フィラーの樹脂成分に対する濡れ性が良好となり、埋込樹脂組成物の流動性を向上させることができるからである。ここで、カップリング剤の種類としては、例えば、シラン系、チタネート系、アルミネート系等のものを用いることができる。
【００１８】
一方また、本発明の埋込樹脂組成物には、硬化触媒として、熱カチオン重合触媒が用いられている。尚、硬化触媒としては、例えばアミン等も知られているが、アミンは脂環式エポキシ基と反応する際、シクロヘキサン環による立体障害を受けることから、脂肪族環状エポキシ樹脂やオキセタン樹脂との反応が遅いという点で好ましくない。
【００１９】
そして、熱カチオン重合触媒としては、例えば、トリフル酸（Ｔｒｉｆｌｉｃａｃｉｄ）塩、三弗化硼素エーテル錯化合物、金属フルオロ硼素錯塩、ビス（ペルフルオロアルキルスルホニル）メタン金属塩、アリールジアゾニウム化合物、芳香族オニウム塩、３ａ〜５ａ族元素のジカルボニルキレート、チオピリリウム塩、ＭＦ６−陰イオン（ここでＭは、燐、アンチモン及び砒素から選択される）の形の６ｂ元素、アリールスルホニウム錯塩、芳香族ヨードニウム錯塩、芳香族スルホニウム錯塩、ビス［４−（ジフェニルスルホニオ）フェニル］スルフィド−ビス−ヘキサフルオロ金属塩（例えば、燐酸塩、砒酸塩、アンチモン酸塩等）、アリールスルホニウム錯塩、ハロゲン含有錯イオンの芳香族スルホニウム又はヨードニウム塩、ヘキサフルオロアンチモン酸又はヘキサフルオロ燐酸の、アンモニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩又はピリジニウム塩等を用いることができる。
【００２０】
そして、これらの熱カチオン重合触媒の中でも、取り扱い性及び潜在性と硬化性とのバランスが優れているという点で、芳香族オニウム塩が好ましく、更に好ましいのは、ヘキサフルオロアンチモン酸又はヘキサフルオロ燐酸の、アンモニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩又はピリジニウム塩である。これらの熱カチオン重合触媒を用いれば、埋込樹脂組成物のポットライフを長くすることができる。
【００２１】
また更に、熱カチオン重合触媒は、埋込樹脂組成物に含まれる熱硬化性樹脂の重量１００に対し、当該熱カチオン重合触媒の重量が０．０１〜１５の割合で含まれていることが好ましく、０．１〜１０の割合で含まれていることがより好ましい。このような割合で含有されていれば、耐熱性と耐湿性とのバランスを極めて良好に保つことができるからである。
【００２２】
そして、以上述べたような埋込樹脂組成物が電子部品を埋め込むために用いられた配線基板は、基板内部に収納された電子部品と基板との隙間が確実に埋められたものとなり、高い信頼性を有する。
具体的には、例えば図１に示すような配線基板１として実現することができる。
【００２３】
即ち、図１に示す配線基板１においては、導体層３ａ，３ｂが内部に形成された厚さ０．８ｍｍ程のガラス−エポキシ樹脂複合材料製の絶縁性基板である配線基板本体５の表裏の両面（第１主面５ａ及び第２主面５ｂ）に、厚さ約２５μｍ程度の導体層７ａ，７ｂが形成されている。
【００２４】
配線基板本体５には、両主面５ａ，５ｂの一方から他方に貫通するスルーホール貫通孔９の内壁にメッキが施された直径約２５０μｍ程度のスルーホール１１が形成されている。このスルーホール１１により、第１主面５ａ上の導体層７ａと第２主面５ｂ上の導体層７ｂとは相互に接続されている。尚、スルーホール１１の内部には穴埋樹脂１３が充填されている。
【００２５】
また、配線基板本体５には電子部品を配置するための電子部品配置用貫通孔１５（縦横約１２ｍｍ×１２ｍｍ）が両主面５ａ，５ｂの一方から他方に貫通するよう形成されており、その内部には複数のコンデンサ素子１７（約３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．７ｍｍ）が設けられている。コンデンサ素子１７は、ＢａＴｉＯ３を主成分とする高誘電体セラミックからなる本体１９と、Ｐｄを主成分とする電極端子２１とから構成されている。
【００２６】
電子部品配置用貫通孔１５の内部において、コンデンサ素子１７は、硬化した本発明の埋込樹脂組成物２２により固定されている。コンデンサ素子１７は、配線基板１に設けられることとなるＩＣチップ２３にて発生されるスイッチングノイズの抑制や、またＩＣチップ２３に供給すべき動作電源電圧の安定化などを図るためのものである。
【００２７】
そして導体層７ａ，７ｂの上には、層間絶縁層２５ａ，２５ｂ（厚さ約３０μｍ程度）が積層されている。このうち、第１主面５ａ側の層間絶縁層２５ａの上には、破線で示すＩＣチップ２３と配線基板１の配線とを接続するためフリップチップパッド３１が多数形成され、各フリップチップパッド３１上には、高温はんだからなる略半球状のフリップチップバンプ３３が形成されている。
【００２８】
尚、第１主面５ａ側の層間絶縁層２５ａ上において、フリップチップパッド３１の周囲には、フリップチップバンプ３３の形成時に、フリップチップパッド３１の周囲に半田が流れ出すのを防ぐためのソルダーレジスト層３５ａ（厚さ約２０μｍ程度）が形成されている。
【００２９】
一方、第２主面５ｂ側の層間絶縁層２５ｂの上には、マザーボードなどの他の配線基板の配線と、当該配線基板１の配線と接続するためのＬＧＡパッド３７が多数形成されている。そして、第２主面５ｂ側の層間絶縁層２５ｂ上において、ＬＧＡパッド３７の周囲にもソルダーレジスト層３５ｂが形成されている。
【００３０】
尚、第１主面５ａ側において導体層７ａとフリップチップパッド３１とは、層間絶縁層２５ａに形成されたフィルドビア３９ａにより互いに接続されている。そして、第２主面５ｂ側において、導体層７ｂとＬＧＡパッド３７とは、層間絶縁層２５ｂに形成されたフィルドビア３９ｂを介して互いに接続されている。このように層間接続にフィルドビアを用いることで、コンデンサ素子の電極端子２１とフリップチップパッド３１を一直線で結ぶことができる（即ち、スタックトビアを形成できる）。そのため、ＩＣチップ２３とコンデンサ素子１７とを短い距離で結ぶことが可能となり、電気的特性の向上を図ることが可能となる。
【００３１】
そして、この配線基板１は、例えば次のように製造することができる。
即ち、まず図２（ａ）に示すように、内部に導体層３ａ，３ｂが形成された配線基板本体５にスルーホール貫通孔９を形成した後、パネルめっきを施すことによりメッキ層４０を形成し、更に、スルーホール貫通孔９の内部に穴埋樹脂１３を充填して硬化させたものを用意する。なお、穴埋樹脂１３は、配線基板本体５の両主面５ａ，５ｂ上に形成されたメッキ層４０と略同一面を形成するように研磨されている。
【００３２】
そして、図２（ｂ）に示すように、電子部品を内蔵するための電子部品配置用貫通孔１５を形成する。
続いて、図２（ｃ）に示すように、シート材４１で電子部品配置用貫通孔１５を塞いだ後、コンデンサ素子１７を、粘着剤４３を介してシート材４１に粘着するよう、電子部品配置用貫通孔１５の内部に配置する。その際、コンデンサ素子１７は、その電極端子２１の部分にてシート材４１に粘着すると共に、その本体１９とシート材４１との間には埋込樹脂組成物２２が流入可能な隙間が形成されるよう配置される。また、電極端子２１は互いに反対方向に向いている端部２１ａ，２１ｂを備えており、各端部２１ａ，２１ｂがそれぞれ第１主面５ａ側、第２主面５ｂ側に向けられる。ここでは、第１主面５ａ方向に向けられる端部を上側端部２１ａと称し、第２主面５ｂ側に向けられる端部を下側端部２１ｂと称することとする。
【００３３】
続いて、図２（ｄ）に示すように、電子部品配置用貫通孔１５の開口部のうち、シート材４１で閉塞されていない開口部（第１主面５ａ側）から、電子部品配置用貫通孔１５の内部に本発明の埋込樹脂組成物２２を注入する。そして、この埋込樹脂組成物２２から気泡を抜いた後、埋込樹脂組成物２２を硬化させる。これにより、複数のコンデンサ素子１７が電子部品配置用貫通孔１５内において固定される。
【００３４】
次に、図２（ｅ）に示すように、配線基板本体５の表裏（即ち、第１主面５ａ及び第２主面５ｂ）を反転させ、更に、図３（ａ）に示すように、シート材４１を取り除く。尚、シート材４１の剥離の後に配線基板本体５の反転を行ってもよい。
【００３５】
そして、図３（ｂ）に示すように、第２主面５ｂ側から電子部品配置用貫通孔１５内に埋込樹脂組成物２２を注入し、その埋込樹脂組成物２２からの脱泡後、埋込樹脂組成物２２を硬化させる。尚、第１主面５ａ側からの樹脂注入のみで電子部品配置用貫通孔１５が完全に樹脂で満たされる場合は、第２主面５ｂ側からの２回目の樹脂充填は省略してもよい。
【００３６】
こうして電子部品配置用貫通孔１５内に確実に埋込樹脂組成物２２を充填した後、埋込樹脂組成物２２及び配線基板本体５の各主面５ａ，５ｂを、ベルトサンダーにより研磨する。図３（ｃ）に示すように、第１主面５ａ側における埋込樹脂組成物２２の研磨によって、電極端子２１の上側端部２１ａが、第１主面５ａ側から埋込樹脂組成物２２の外部に露出される。また、第２主面５ｂ側における埋込樹脂組成物２２の研磨によって、電極端子２１の下側端部２１ｂが、第２主面５ｂ側から埋込樹脂組成物２２の外部に露出される。一方、コンデンサ素子１７の本体１９は、埋込樹脂組成物２２の中に埋没した状態となっている。
【００３７】
また、各主面５ａ，５ｂの研磨の際には、コンデンサ素子１７の周囲に形成した埋込樹脂組成物２２が平坦化されると共に、メッキ層４０と埋込樹脂組成物２２の表面との高さが揃えられる。即ち、メッキ層４０と埋込樹脂組成物２２の表面とが同一平面を形成することとなる。その結果、両主面５ａ，５ｂ上には、周知のビルドアップ法により、平坦な導体層及び層間絶縁層を形成することが可能となる。
【００３８】
こうして、各主面５ａ，５ｂを研磨した後に、各主面５ａ，５ｂ上への導体層７ａ，７ｂの形成を行う。即ち、電子部品配置用貫通孔１５内にコンデンサ素子１７を内蔵した配線基板本体５全体に、Ｃｕにて無電解メッキを施した後、更にＣｕにて電解メッキを施すことにより、パネルめっきを行う。このパネルめっきにより、上記のメッキ層４０、埋込樹脂組成物２２、電極端子２１、穴埋樹脂１３などの露出した表面などに、図３（ｄ）に示すように、メッキ層４５を積層する。
【００３９】
そして、図３（ｅ）に示すように、エッチングによって不要部分を除去することにより、導体層７ａ，７ｂを形成する。導体層７ａ，７ｂの形成後、以下のようなビルドアップ工程を行う。まず第１主面５ａ側及び第２主面５ｂ側において、埋込樹脂組成物２２、導体層７ａ，７ｂ並びに上側端部２１ａ及び下側端部２１ｂの上に、エポキシ樹脂を主成分とするフィルム化された感光性樹脂を貼付する。そして、この感光性樹脂を露光・現像することにより、上側端部２１ａ及び下側端部２１ｂを露出すべき位置にビアホールを形成し、感光性樹脂を硬化させて、層間絶縁層２５ａ，２５ｂを形成する。尚、ビアホールは、層間絶縁層２５ａ，２５ｂを感光性のない樹脂で形成した後、レーザなどを用いて穿設してもよい。
【００４０】
更に、Ｃｕにて無電解メッキ及び電解メッキを施し、層間絶縁層２５ａ、２５ｂに形成したビアホールに導電体を充填すると共に、パネルメッキを行ってメッキ層を形成する。このメッキ層の上にドライフィルムを貼り付け、露光現像してエッチングレジストを形成し、メッキ層の内の不要部分をエッチングにより除去する。これにより、導体層７ａ，７ｂからなる配線及びフリップチップパッド３１が形成される。尚、導体層の形成には、周知のサブトラクティブ法の他、フルアディティブ法やセミアディティブ法を用いてもよい。
【００４１】
その後、ソルダーレジスト層３５ａ，３５ｂを形成する。そして、ソルダーレジスト層３５ａから露出したフリップチップパッド３１の上には、Ｎｉ−Ａｕメッキ層を形成し、更にハンダペーストを塗布しリフローすることで、フリップチップバンプ３３を形成する。
【００４２】
以上のようにして、図１に示す構造の配線基板１が完成する。
尚、上記配線基板１では、電子部品としてコンデンサ素子１７を用いたが、これに限らず、チップ状の抵抗体、インダクタ、フィルタ（ＳＡＷフィルタ、ＬＣフィルタ等）、トランジスタ、メモリ、ローノイズアンプ（ＬＮＡ）、半導体素子、ＦＥＴ、アンテナスイッチモジュール、カプラ、ダイプレクサなど、各種の電子部品を内蔵させてもよい。また、これらのうちで異種の電子部品同士を同じ貫通孔内に内蔵してもよい。
［実施例］
以下、本発明者が行った実験内容及びその結果について説明する。
【００４３】
本実験では、まず表１に示す複数種類の埋込樹脂組成物（実施例１〜５、比較例１，２）を、各成分を秤量、混合し、３本ロールミルで混練することにより作製した。ここで、表１中の記載事項の詳細は以下の通りである。
■エポキシ樹脂
「ＨＰ−４０３２Ｄ」（商品名）：ＤＩＣ（大日本インキ化学工業株式会社）製のナフタレン型エポキシ樹脂
「セロキサイド３０００」（商品名）：ダイセル化学工業株式会社製の脂肪族環状エポキシ樹脂（粘度２０ｍＰａ・ｓ（２５℃））
「セロキサイド２０８１」（商品名）：ダイセル化学工業株式会社製の脂肪族環状エポキシ樹脂（粘度３４０ｍＰａ・ｓ（２５℃））
「アラルダイトＣＹ−１８４」（商品名）：チバスペシャリティーケミカルズ株式会社製の脂肪族環状エポキシ樹脂（粘度１１００ｍＰａ・ｓ（２５℃））
「ＯＸＴ１０１」（商品名）：東亞合成株式会社製のオキセタン樹脂（粘度２２ｍＰａ・ｓ（２５℃））
「ＯＸＴ１２１」（商品名）：東亞合成株式会社製のオキセタン樹脂（粘度１７０ｍＰａ・ｓ（２５℃））
■硬化剤
「カヤハードＭＣＤ」（商品名）：日本化薬株式会社製の酸無水物系硬化剤
■硬化触媒
「サンエイドＳＩ−１００Ｌ」（商品名）：三新化学工業株式会社製の熱カチオン重合性触媒（ヘキサフルオロアンチモン酸のスルホニウム塩）
「２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ」（商品名）：四国化成工業株式会社製のイミダゾール系触媒
■無機フィラー
「ＴＳＳ−６」（商品名）：株式会社龍森製の溶融シリカ（シランカップリング処理済，粒度分布による最大粒子径２４μｍ）
【００４４】
【表１】
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そして、本発明者は、表１に示す各埋込樹脂組成物の特性を評価するための試験として、絶縁性評価と、埋め込み性評価と、信頼性評価とを行った。以下、それぞれについて具体的に説明する。
【００４５】
［絶縁性評価］
この試験では、各埋込樹脂組成物についてサンプルを１０枚ずつ作製し、絶縁性の評価を行った。
具体的には、まず、各埋込樹脂組成物を銅板上にシート状にスクリーン印刷し、１２０℃×１５０分＋１７０℃×３００分で熱硬化させる。そして、機械研磨を行いその厚みを一定にした後、１２１℃，２．１ａｔｍ，相対湿度１００％の雰囲気下に置き（ＰＣＴ（プレッシャークッカー試験））、その経過時間が、０時間，９６時間，１６８時間，２４０時間，３３６時間のそれぞれにおける体積抵抗を測定した。
【００４６】
そして、各埋込樹脂組成物について、各サンプルの体積抵抗値の平均をとり、比較評価を行った。尚、体積抵抗値が１．０×１０１３Ω・ｃｍ以上であれば合格とした。また、同一の埋込樹脂組成物のサンプルのうち、２枚以上に不良が生じた時点で、その埋込樹脂組成物についての試験を終了した。
【００４７】
［埋め込み性評価］
この試験では、各埋込樹脂組成物についてサンプルを２０枚ずつ作製し、埋め込み性の評価を行った。
ここで、本試験用のサンプルは、以下のように作製した。
【００４８】
まず、厚さ０．８ｍｍのＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）基板をコア基板とし、このコア基板に金型を用いて略長方形状の貫通孔を設ける。そして、このコア基板の一面に透明のバックテープを貼り付けて貫通孔の一方を塞ぎ、この塞いだ面を下側にしてコア基板を載置する。
【００４９】
次に、バックテープを貼り付けた面とは反対側の面から、貫通孔により形成された収納空間内におけるバックテープの粘着面上に、チップマウンタを用いてチップコンデンサを配置する。そして、このチップコンデンサとコア基板との隙間に、ディスペンサを用いて埋込樹脂組成物を流し込み、絶縁性評価の場合と同様に、１２０℃×１５０分＋１７０℃×３００分の条件で、脱泡及び熱硬化する。
こうして硬化した埋込樹脂組成物の表面を、ベルトサンダーを用いて粗研磨した後、ラップ研磨にて仕上げ研磨する。そして更に、炭酸ガスレーザを照射してビアホールを形成し、チップコンデンサの電極を露出させる。
【００５０】
こうして作製したサンプルを、拡大鏡により５０倍に拡大して観察し、埋込樹脂組成物の埋込状態を評価した。具体的には、チップコンデンサの電極間や、貫通孔の四隅まで樹脂が流れ込んでいるか否かを観察し、泡噛みや隙間がなければ合格とした。尚、合格率が８５％以上（サンプル２０枚のうち、１７枚以上が合格）の埋込樹脂組成物を良好と判断した。
【００５１】
［信頼性評価］
この試験では、各埋込樹脂組成物についてサンプルを２０枚ずつ作製し、信頼性の評価を行った。
ここで、本試験用のサンプルは、以下のように作製した。
【００５２】
まず、前述した埋め込み性評価と同じ要領で、サンプルを作製し、このサンプルの埋込樹脂組成物の露出面を、膨潤液とＫＭｎＯ４溶液とを用いて粗化する。
そして、この粗化面をＰｄ触媒活性化した後、無電界メッキ、電解メッキの順に銅メッキを施し、このメッキ面にレジストを形成して所定の配線パターンをパターニングし、更に、不要な銅をＮａ２Ｓ２Ｏ８／濃硫酸を用いてエッチング除去した後レジストを剥離して、配線パターンを形成する。
【００５３】
次に、この配線層の上に、絶縁層となるフィルムをラミネートして熱硬化した後、レーザを照射してビアホールを形成し、絶縁層の表面を酸化剤を用いて粗化する。そして、前述した手法で配線パターンを形成する。
更に、配線基板の最表面にソルダーレジスト層となるドライフィルムをラミネートして半導体素子の実装パターンを露光、現像して形成し、ソルダーレジスト層を形成する。そして、半導体素子を実装する端子電極に、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキの順番でメッキを施し、ハンダリフロー炉を通して半導体素子を実装する。更に、実装部にアンダーフィル材をディスペンサで充填した後、熱硬化させる。
【００５４】
こうして作製したサンプルを、熱サイクル試験（−５５℃〜＋１２５℃：１０００サイクル）及びＰＣＴ（プレッシャークッカー試験）（１２１℃，２．１ａｔｍ，相対湿度１００％：３３６時間）にかけた後、表面及び切断面を観察し、埋込樹脂組成物の有効性を評価した。具体的には、クラック、メッキ剥がれ及びメッキフクレが無ければ合格とした。尚、埋め込み性評価の場合と同様に、合格率が８５％以上の埋込樹脂組成物を良好と判断した。
【００５５】
次に、各試験の結果について、下記の表２に示す。
【００５６】
【表２】
2004027186.tif 000004
表２から明らかなように、以下のような結果が得られた。
実施例１の埋込樹脂組成物は、絶縁性評価、埋め込み性評価及び信頼性評価の何れの結果も良好であり、埋込樹脂組成物として満足のいく特性が得られた。
【００５７】
実施例２の埋込樹脂組成物は、実施例１の組成物に比べ低粘度化剤の配合割合が高いものであるが、実施例１の場合と同様に、各評価について埋込樹脂組成物として満足のいく特性が得られた。尚、実施例２の埋込樹脂組成物は、実施例１の組成物に比べ、埋め込み性が更に良くなった。
【００５８】
実施例３の埋込樹脂組成物は、実施例２の組成物に比べ低粘度化剤の粘度が高いものであるが、実施例１，２の場合と同様に、各評価について埋込樹脂組成物として満足のいく特性が得られた。尚、実施例３の埋込樹脂組成物は、実施例２の組成物に比べると、埋め込み性がやや悪くなった。
【００５９】
実施例４，５の埋込樹脂組成物は、実施例１〜３の組成物が低粘度化剤として脂肪族環状エポキシ樹脂を用いているのに対し、オキセタン樹脂を用いている点が異なるが、実施例１〜３の場合と同様に、各評価について埋込樹脂組成物として満足のいく特性が得られた。
【００６０】
一方、比較例１の埋込樹脂組成物は、実施例１〜５の組成物と比較すると、低粘度化剤として高粘度の脂肪族環状エポキシ樹脂を用いている点で異なるが、絶縁性評価、埋め込み性評価及び信頼性評価の何れの結果も悪く、埋込樹脂組成物として満足のいく特性が得られなかった。
【００６１】
また、比較例２の埋込樹脂組成物は、実施例１〜５の組成物と比較すると、低粘度化剤として、脂肪族環状エポキシ樹脂やオキセタン樹脂ではなく酸無水物系硬化剤を用いている点と、硬化触媒として、熱カチオン重合触媒ではなくイミダゾール系触媒を用いている点とが異なる。そして、この比較例２の埋込樹脂組成物も、比較例１の場合と同様に、絶縁性評価、埋め込み性評価及び信頼性評価の何れの結果も悪く、埋込樹脂組成物として満足のいく特性が得られなかった。
【００６２】
以上の結果から、低粘度化剤として低粘度の脂肪族環状エポキシ樹脂又はオキセタン樹脂を用い、硬化触媒として熱カチオン重合触媒を用いた埋込樹脂組成物は、絶縁性、埋め込み性及び信頼性の何れの特性も良好となることが分かる。したがって、この埋込樹脂組成物を用いれば、電子部品が基板内部に確実に埋め込まれた信頼性の高い配線基板を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の埋込樹脂組成物が用いられた配線基板の構成を表わす説明図である。
【図２】配線基板の製造方法を説明する説明図（その１）である。
【図３】配線基板の製造方法を説明する説明図（その２）である。
【符号の説明】
１…配線基板、３ａ，３ｂ…導体層、５…配線基板本体、７ａ，７ｂ…導体層、１１…スルーホール、１３…穴埋樹脂、１５…電子部品配置用貫通孔、１７…コンデンサ素子、２２…埋込樹脂組成物、２５ａ，２５ｂ…層間絶縁層、３１…フリップチップパッド、３３…フリップチップバンプ、３５ａ，３５ｂ…ソルダーレジスト層、３９ａ，３９ｂ…フィルドビア
【図１】
2004027186.tif 000005
【図２】
2004027186.tif 000006
【図３】
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