(57)【要約】【課題】支持部のある箇所とない箇所との間でのインピーダンス整合をよりよくすることによって反射などの発生が抑制されるようにして、高周波信号を有効に伝送できる高周波伝送用部材を提供する。【解決手段】筒状の外部導体２と、この外部導体２内に同心配置された内部導体３と、前記内部導体３を前記外部導体２に電気絶縁状態で支持する支持部４と、を含み、前記支持部４は、前記内部導体３に対する軸方向での支持範囲内に、該内部導体３の外周面に直面する空隙部分Ｓを有する高周波伝送用部材。【選択図】　図２
2004022389.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒状の外部導体と、この外部導体内に同心配置された内部導体と、前記内部導体を前記外部導体に電気絶縁状態で支持する支持部と、
を含み、
前記支持部は、前記内部導体に対する軸方向での支持範囲内に、該内部導体の外周面に直面する空隙部分を有することを特徴とする高周波伝送用部材。
【請求項２】
請求項１に記載の高周波伝送用部材において、
前記空隙部分は、前記内部導体の外周面と前記外部導体の内周面とにわたる空間を成していることを特徴とする高周波伝送用部材。
【請求項３】
請求項１または２に記載の高周波伝送用部材において、
前記空隙部分は、周方向で複数箇所にそれぞれ振り分けて設けられていることを特徴とする高周波伝送用部材。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の高周波伝送用部材において、
前記内部導体における前記支持部の支持箇所の外径寸法は、非支持箇所よりも小径に設定しているとともに、この小径箇所には、前記支持部が嵌合されていることを特徴とする高周波伝送用部材。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の高周波伝送用部材において、
前記外部導体における前記内部導体の支持位置には、内外に連通する貫通孔が１個以上形成されるとともに、前記支持部は樹脂材で構成され、かつ、この支持部の径方向内側の端部が前記内部導体に当接し、かつ前記支持部の径方向外側の端部が前記貫通孔に充填された状態となっていることを特徴とする高周波伝送用部材。
【請求項６】
請求項１または２に記載の高周波伝送用部材において、
前記空隙部分は、周方向で全周にわたって前記内部導体の外周表面を露出させるように形成されていることを特徴とする高周波伝送用部材。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば内部導体と外部導体とを有する同軸ケーブルの結合などに用いられる高周波コネクタなどの高周波伝送用部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば光モジュールや、ミリ波モジュールなどに使用される高周波コネクタの従来例が、図１５および図１６に示される。この高周波コネクタ９１は、円筒状の外部導体９２と、その内部に同軸心に配置される内部導体９３とが備えられた構成である。内部導体９３は、外部導体９２に対して絶縁体からなる支持部９４を介して支持されている。従来、この支持部９４は、ほぼ円柱状を成す樹脂材で構成され、軸状の内部導体９３が挿通され、その外周面が外部導体９２の内周面に当接することで、内部導体９３が外部導体９２に支持される構造となっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
この従来構造の場合、内部導体９３の支持部９４で支持されている部分とその支持がなされていない部分とにおいては、内部導体９３と外部導体９２との間に発生する静電容量の大きさが異なるものとなっていた。したがって、その静電容量の大きさが変わる箇所でインピーダンスの不連続が生じ、それによって信号の反射が発生するなどの不具合がある。高周波信号を有効に伝送する上では、信号の反射などが内部導体９３の支持部９４箇所で極力発生しないようにすることが望ましい。
【０００４】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたものであって、支持部のある箇所とない箇所との間でのインピーダンス整合をよりよくすることによって反射などの発生が抑制されるようにして、高周波信号を有効に伝送できる高周波伝送用部材を提供することを解決課題としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る高周波伝送用部材は、筒状の外部導体と、この外部導体内に同心配置された内部導体と、前記内部導体を前記外部導体に電気絶縁状態で支持する支持部とを含み、前記支持部は、前記内部導体に対する軸方向での支持範囲内に、該内部導体の外周面に直面する空隙部分を有することを特徴とする。
【０００６】
ここで、高周波伝送用部材としては、高周波を伝送する伝送路の少なくとも一部を構成するものであって、その伝送路そのものが含まれるとともに、伝送路同士を結合するコネクタなども含まれる。
【０００７】
支持部の内部導体に対する軸方向での支持範囲とは、支持部が支持のため内部導体に当接している軸方向での両端間範囲を意味する。
【０００８】
内部導体の外周面に直面する空隙部分とは、内部導体の外周面が露出された状態（内部導体の外周面に薄膜がコーティングされた場合も含む）で径方向外方に臨むようになっている空間部を意味する。
【０００９】
本発明によれば、支持部は空隙部分を有することによって、誘電率の低い空気がその空隙部分に入り込んでいることから支持部の実質部分と空隙部分とがあいまって、その全体的な平均的な誘電率は、空気の誘電率に近いものにできる。これにより、内部導体と外部導体との間の静電容量が支持部のある箇所とない箇所との間で変化が小さくなるため、その支持部の有る箇所とない箇所との間でインピーダンスが不連続な状態となることが抑制される。したがって、支持部箇所で信号の反射が生じることは抑制される。また、伝送される信号の周波数にかかわらず、内部導体と外部導体との間の静電容量の発生は、低く抑制される。
【００１０】
本発明は、好ましくは、前記空隙部分は、前記内部導体の外周面と前記外部導体の内周面とにわたる空間を成している。この場合は、支持部における空隙部分の存在割合が大きくなるため、支持部全体の平均的な誘電率が一層空気の誘電率に近いものにできることで、支持部の有る箇所とない箇所との間でインピーダンスが不連続な状態となることが一層抑制される。
【００１１】
本発明は、好ましくは、前記空隙部分は、周方向で複数箇所にそれぞれ振り分けて設けられている。ここで、周方向とは、外部導体及び内部導体の中心軸周りの円周に沿った方向を意味する。この場合、周方向で複数箇所に振り分けて設けられる空隙部分のそれぞれにより、支持部全体の平均的な誘電率が一層空気の誘電率に近いものにできることで、支持部の有る箇所とない箇所との間でインピーダンスが不連続な状態となることが一層抑制される。
【００１２】
本発明は、好ましくは、前記内部導体における前記支持部の支持箇所の外径寸法は、非支持箇所よりも小径に設定しているとともに、この小径箇所には、前記支持部が嵌合されている。この場合、内部導体において支持部を当接設置する箇所を小径箇所に構成することによって、支持部を嵌合するなどして設置しやすくなっているとともに、支持部を設けることによって生じるインピーダンス不整合が抑制される。支持部の位置決めは、小径箇所にその支持部を嵌合することにより容易である。
【００１３】
本発明は、好ましくは、前記外部導体における前記内部導体の支持位置には、内外に連通する貫通孔が１個以上形成されるとともに、前記支持部は樹脂材で構成され、かつ、この支持部の径方向内側の端部が前記内部導体に当接し、かつ前記支持部の径方向外側の端部が前記貫通孔に充填された状態となっている。この場合、支持部材は外部導体に対して貫通孔に充填されていることによって、軸方向のみならず周方向での位置規制が確実に行われ、内部導体が外部導体に対して一定状態に支持できる。
【００１４】
本発明は、好ましくは、前記空隙部分は、周方向で全周にわたって前記内部導体の外周表面を露出させるように形成されている。この場合、支持部における空隙部分の存在する割合が大きなものとなることで、支持部全体としての誘電率は空気の誘電率に近いものにでき、それによって、支持部全体の平均的な誘電率が一層空気の誘電率に近いものにできることで、支持部の有る箇所とない箇所との間でインピーダンスが不連続な状態となることが一層抑制される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を図面に示す実施形態に基づいて説明する。
【００１６】
図１から図４に、本発明に係る高周波伝送用部材の実施の形態として高周波コネクタを示す。図１は、高周波コネクタおよび同軸ケーブルを示す軸方向に沿った断面図であって、（ａ）は結合状態を示し、（ｂ）は結合されていない状態を示す。図２は、図１の高周波コネクタの支持部における径方向での断面図、図３は、図１の高周波コネクタの外部導体を透視してみた内部導体及び支持部の斜視図、図４は、図１の高周波コネクタの分解斜視図である。
【００１７】
図１ないし図４を参照して、本発明に係る高周波伝送用部材の一例としての高周波コネクタ１は、筒状の外部導体２と、それと同心に配置された内部導体３と、この内部導体３を外部導体２に対して電気的に絶縁状態で支持する支持部４とが含まれる構成である。
【００１８】
この高周波コネクタ１は、同軸ケーブル同士を連結したり、あるいはミリ波通信などにおける信号処理用のミリ波モジュールと同軸ケーブルとを接続したりする際に利用されるものである。
【００１９】
図１（ａ）には、同軸ケーブルＫ１と同軸ケーブルＫ２とが高周波コネクタ１を介して接続される状態を示している。各同軸ケーブルＫ１，Ｋ２は、それぞれ、外部導体１３，１４と、外部導体１３，１４に対して同心に配置された中心導体５，６とで構成されている。外部導体１３，１４と、中心導体５，６との間には例えば４フッ化樹脂などの低誘電率樹脂材が充填され、中心導体５，６がそれによって支持されている。
【００２０】
高周波コネクタ１の内部導体３は、両端部にそれぞれ同軸ケーブルＫ１，Ｋ２の中心導体５，６を圧入可能な穴部７，８を有する軸状の導電体部材である。外部導体２も導電体で構成される。この外部導体２は、両端部にそれぞれ同軸ケーブルＫ１，Ｋ２の端部の締結用ナット９，１０を螺着締結可能な雄螺子部１１，１２を形成している。締結用ナット９，１０は、同軸ケーブルＫ１，Ｋ２の外部導体１３，１４に位置規制用リング部材１５，１６を介して軸周りで遊転自在に設けられている。中心導体５，６の先端は、先細り状に形成されており、内部導体３の穴部７，８に挿入され易くなっている。なお、穴部７，８にはそれぞれ一対のスリット１７，１７が設けられているため、このスリット１７，１７によっても中心導体５，６が穴部７，８に挿入され易くなっている。また、同軸ケーブルＫ１，Ｋ２の外部導体１３，１４の端部は、高周波コネクタ１の外部導体２の端部開口箇所に内嵌される。そして、その外部導体１３，１４の段部側面ａが外部導体２の端面部ｂに当接することによって、外部導体１３，１４が高周波コネクタ１にそれ以上嵌め込めないようになっている。その状態では、中心導体５，６も内部導体３へそれ以上嵌め込めないようになっている。したがって、その状態においては、外部導体２と外部導体１３，１４が互いの接触箇所を通して信号を伝送できるとともに、内部導体３と中心導体５，６が互いの接触箇所を通して信号を伝送できるようになっている。なお、外部導体２と外部導体１３，１４との当接箇所、内部導体３と中心導体５，６との当接箇所でそれぞれの径寸法が同時に適宜変わるものとなっており、同軸ケーブルＫ１，Ｋ２と高周波コネクタ１とのインピーダンスマッチングが図られている。
【００２１】
次に、内部導体３を外部導体２に支持する支持部４について詳述する。
【００２２】
支持部４は、それぞれ同一種類の樹脂からなる４つの支持部材片１８…を周方向に均等に配置した状態で、内部導体３の周方向全周にわたって形成された小径箇所としての溝１９に圧入されて設けられている。それら各支持部材片１８は、軸方向視扇形状の樹脂ブロックでなるものであって、内部導体３の溝１９の底面に当接する湾曲面と、外部導体２の内周面に当接する湾曲面とをそれぞれ有する。なお、これら当接する面同士は、点接触や線接触でなく安定した面接触状態となっている。また、各支持部材片１８は、その軸方向幅が、溝１９の軸方向幅とほぼ一致しているものであって、溝１９に対して周方向で位置ずれしないよう圧入により保持される。このように支持部材片７が内部導体３に保持されれたものが、外部導体２に対して軸方向幅でのその中間位置に圧入されることで、各支持部材片１８が内部導体３と外部導体２とにわたって梁状に設けられる。これにより、各支持部材片１８が外部導体２に対して内部導体３を支持することになる。隣り合う支持部材片１８の間の空気のみが存在する空間部は、溝１９における内部導体３の外周表面から外部導体２の内周面までにわたるものであって、空隙部分Ｓとなっている。したがって、この場合、周方向で４箇所に空隙部分Ｓが設けられることになる。
【００２３】
ここで、外部導体２は、銅などの金属製円筒状部材で構成されている。内部導体３は、銅などの金属製の軸状部材である。
【００２４】
支持部４の各支持部材片１８は、例えば、ＰＰ（ポリプロピレン）、ＰＰＯ（ポリフェニレンオキサイド樹脂）、ＴＰＸ（ポリメチルペンテン樹脂）などの合成樹脂材製である。これにより誘電率がほぼ３の樹脂材が用いられることになるが、支持部４が空隙部分Ｓを含むことにより全体としての平均的な誘電率が低下しており、支持部４の全体としてその平均的な誘電率は１．５程度となっている。したがって、この誘電率は空気の誘電率に近いものとなっていることによって、内部導体３と外部導体２との間における静電容量の発生がその支持部４の箇所においても極力小さくなっていて、支持部４が設けられていない箇所の誘電率に近い、すなわち空気の誘電率に近いものとなっていることから、その支持部４を設けた箇所における高周波信号の反射の発生が抑制されたものとなっている。また、支持部４を構成する樹脂材としては、４弗化樹脂（ＰＴＦＴ）などを採用してもよい。
【００２５】
以下に、本願発明のこの実施形態の構造と、比較例の構造とを対比して説明する。
【００２６】
比較例としての高周波コネクタ８１が図５に示されている。この図５に示される高周波コネクタ８１は、前述した図１５および図１６の従来構造のもののように内部導体の外径がその全長にわたって同じ径をなす軸状でなく、内部導体８３における支持部８４を組み付ける箇所に周方向に沿った溝８９を形成したものである。そして、その溝８９において全周にわたってほぼ円柱状の樹脂製の支持部８４を嵌合したものである。この場合、支持部８４は、内部導体８３と外部導体８２の間においてほぼ隙間無く充実したものである。
【００２７】
このように支持部８４がほぼ隙間無く充実した構造であっても、軸方向でのインピーダンスマッチングを図るため、絶縁体を成す樹脂製の支持部８４が内部導体と当接している箇所の軸方向両端間にわたって、内部導体８３の径が支持部の設置箇所でないところの内部導体の径よりも小径となるように設定する。つまり、内部導体８３における支持部８４の設置箇所は、溝８９に設定している。
【００２８】
このように支持部を設ける箇所の外径が内部導体を支持部を設けない位置の外径よりも小径にされる理由は、以下の通りである。
【００２９】
外部導体と同心に内部導体を設けた構造におけるインピーダンスＺは、Ｚ＝（６０／√ε）・ｌｎ（Ｄ／ｄ）によって求めることができる。ここで、Ｄは、外部導体の内径、ｄは、内部導体の外周径、εは内部導体と外部導体との間の比誘電率である。
【００３０】
この式によると、εが大きい場合は、Ｚを一定に保つためにはＤ／ｄを大きくする必要がある。したがって、外部導体側の径Ｄを大きくしたり、内部導体側の外径ｄを小さくすることになる。
【００３１】
しかしながら、この構成だけでは十分なインピーダンス整合がとれない。すなわち、内部導体が小径から大径に大径から小径に不連続で変化する部分では、電界が歪んだ状態となっているから、それによっても高周波信号が反射され、特性が低下する。また、その不連続部分には、回路素子として容量成分が集中して発生することになる。また、内部導体が小径となっている部分では、インダクタンス成分が発生する。その等価回路は、図６に示される。それら容量成分やインダクタンス成分によって、その不連続部分において信号の反射が生じることになる。その反射の発生する状態を反射係数と伝送される高周波信号の周波数との関係について図７のグラフで示す。この図７のグラフでは、横軸に伝送される周波数を示し、縦軸に反射係数を示している。そして、図７のグラフにおいて、図５の比較例や図１５および図１６の従来例における周波数と反射係数との関係は、一点鎖線で示されている。なお、高周波伝送用部材に対応する共振周波数においては反射係数が極小になる。この場合、特に容量成分が大きく発生することで反射の発生率が大きくなることから容量成分の発生を抑制することが望ましい。
【００３２】
このように支持部を設ける場合、支持部の誘電率は極力小さくなるようその樹脂材として比較的誘電率の小さい部材を採用することになる。しかしながら、支持部が円柱状で内部導体と外部導体との間で隙間無く充実したものの場合は、内部導体の支持部設置箇所を小径にした場合でも支持部の誘電率がきわめて小さいものとなっていない。したがって、この場合、その支持部の存在する範囲において、支持部の無い箇所よりも内部導体と外部導体との間で強く静電容量が発生することが十分抑制できていない。
【００３３】
この場合、図５を参照して、支持部における誘電率の低下を図るため、支持部８４が内部の詰まった充実した構造のものについて、その内外径方向での軸方向の側面に周方向に沿った環状凹溝８５，８６を設けることによって、極力空気層部分が支持部８４に設けられるようにして、支持部８４全体としての誘電率を低くすることが図られる。
【００３４】
しかしながら、この構成の場合、支持部８４の組付などで環状凹溝８５，８６の形状が歪むおそれがあるうえ、微細な加工が必要とされることもあって、その形状が安定なものとなりにくいことから、容量成分の発生の解消が不十分であり、そのため反射の抑制が不安定である。
【００３５】
これに対して、本発明に係る高周波コネクタの場合、支持部の空隙部分が内部導体の外周面に直面するように設けられていることから、支持部全体として平均的な誘電率が低いものとなっている。したがって、その支持部を設けた箇所における内部導体と外部導体との間に発生する静電容量はきわめて小さなものとなっている。よって、内部導体と外部導体との間に発生する静電容量が、支持部を設けた箇所と支持部を設けていない箇所との間で大きく異ならないようにできるから、反射の発生が抑制されることになり、図７に示されるグラフのうち実線で示される反射係数の小さいものが得られる。
【００３６】
また、図８には、同様構造の高周波伝送用部材の支持部の比誘電率εに関し、その比誘電率εが本発明のように１．５の場合と、その比誘電率εが従来のように２．５の場合との測定結果のグラフを示している。このグラフは、横軸に周波数を示し、縦軸に高周波伝送用部材における定在波比を示す。この測定結果でも明らかなように、支持部全体として誘電率が空気の誘電率に近い値になるほど反射の発生が抑制されるため、反射によって生じる定在波の存在割合が小さくなることがわかる。
【００３７】
本発明は、上記実施形態に限定されるものでなく、例えば以下のような変形例や応用例が考えられる。
【００３８】
（１）高周波コネクタのみが本発明に含まれる高周波伝送用部材ではなく、例えば高周波伝送線路を構成するものなど、各種伝送用部材にも本発明は適用される。
【００３９】
（２）軸方向での複数箇所で内部導体が外部導体に対して支持部で支持された構成となっているものも本発明に含まれる。具体例としては、高周波コネクタ２１として図９及び図１０に示すように、支持部２４は、円板状に構成された支持部材片２８が軸方向に少なくとも２枚以上互いの間に所定間隔を隔てて配置された構造としても良い。この場合、円筒状の外部導体２２の内部の貫通空間箇所に軸状の内部導体２３を同心配置しており、内部導体２３は、支持部２４によって外部導体２２に対して支持されている。内部導体２３には、その中間部に周方向全周にわたって溝２９が形成されている。この溝２９には、２枚の円板状の支持部材片２８，２８が嵌合されている。そして、これらの支持部材片２８，２８は、その外周縁部分が外部導体２２の内周面に当接している。これら支持部材片２８，２８の間の空間部が空隙部分Ｓに相当することになる。この空隙部分Ｓは、内部導体２３の溝２９における外周表面が露出した状態となっている。図９及び図１０においては、空隙部分Ｓは、高周波コネクタ２１の内部導体２３に周方向全周にわたって形成した溝２９の底部周面、すなわち内部導体２３の外周表面から外部導体２２の内周面にまでの空間部を成すものである。その円板状の支持部材片２８，２８の間の空隙部分Ｓは、空気のみが存在する空間部となっているのであって、それにより支持部全体としての誘電率が低下する。
【００４０】
なお、各支持部材片２８，２８には、この支持部材片２８を溝部２９に横側から嵌め込むため、周方向で開閉できるようにするための切り込み３０が形成されている。この切り込み３０は、弾性変形し易いこの樹脂材でなる支持部材片２８を周方向一箇所で開閉できるように、径方向に沿って形成しているものであって、これにより、支持部材片２８は、内部導体２３の溝２９に対して、開いた切り込み３０箇所を通して嵌め込まれる。
【００４１】
（３）本発明に係る高周波伝送用部材は、図１１及び図１２に示すものでも良い。図１１及び図１２には、高周波伝送用部材の一例としての高周波コネクタ３１を示している。この高周波コネクタ３１は、円筒状の外部導体３２の内部の軸方向に貫通した空間箇所に軸状の内部導体３３を同心配置しており、内部導体３３は、支持部３４によって外部導体３２に対して支持されている。内部導体３３には、その中間部に周方向全周にわたって溝３９が形成されている。内部導体３３を外部導体３２に支持するための支持部３４が、溝３９に嵌合する状態で設けられている。外部導体３２の支持部３４が設けられる箇所には、径方向で内外に貫通する４つの貫通孔３５が周方向に４箇所に振り分けられて形成されている。そして、支持部３４は、周方向で４つに互いに独立した支持部材片３８…が周方向で間を空けた状態で設けられている。各支持部材片３８は、径方向内端側には溝３９の底面に当接しているとともに、径方向外端側には外部導体３２の対応する貫通孔３５に嵌合した状態の突起部３６が設けられている。したがって、この突起部３６が貫通孔３５に嵌合していることによって、各支持部材片３８は、軸方向、周方向及び径方向で位置規制されている。また、周方向で隣り合う支持部材片３８の間には溝３９の底面から外部導体３２の内周面にまでに至る空隙部Ｓとしての空間部が存在する。この空隙部分Ｓは、空気のみが存在する空間部となっているのであって、それにより支持部全体としての平均的な誘電率が低下する。
【００４２】
この場合、支持部３５の形成は、例えば、治具に支持された内部導体３３が外部導体３２内に同心に配置された状態で、各孔を通して樹脂を外部から注入するインサート成型により行われる。
【００４３】
なお、ここでは、貫通孔３５に突起部３６が嵌合する支持部材片３８を４個設ける形態について示したが、本発明に係るこの種の高周波伝送用部材においては、このような支持部材片を少なくとも１個以上設けるものを含む。したがって、支持部材の突起部を嵌合する貫通孔は、少なくとも１個以上外部導体に設けられる。
【００４４】
（４）本発明に係る高周波伝送用部材は、図１３に示すものでも良い。図１３には、高周波伝送用部材の一例としての高周波コネクタ４１を示している。この高周波コネクタ４１は、円筒状の外部導体４２の内部の貫通空間箇所に軸状の内部導体４３を同心配置しており、内部導体４３は、支持部４４によって外部導体４２に対して支持されている。内部導体４３には、その中間部に周方向全周にわたって溝４９が形成されている。そして、支持部４４は、溝４９に嵌合する状態で設けられている。この支持部４５は、周方向に４箇所に均等配置された梁状部分４４ａ…と、これら梁状部分４４ａの軸方向両端部でそれぞれを連結する円板状部分４４ｂ，４４ｂとで構成されている。一つの梁状部分４４ａには、この支持部４４を溝部４９に横側から嵌め込むため、周方向で開閉できるようにするための切り込み５０が形成されている。この切り込み５０は、弾性変形し易いこの樹脂材でなる支持部４５を周方向一箇所で開閉できるように、径方向に沿って形成しているものであって、これにより、支持部４５は、内部導体４３の溝４９に対して、開いた切り込み５０箇所を通して嵌め込まれる。
【００４５】
（５）上述図１ないし図４に示す実施の形態と類似の構造において、図１４に示すように、内部導体６３における小径の溝６９に対して、軸方向全幅にわたる小凹部６５が周方向４箇所でそれぞれ形成される。支持部６４の各支持部材片６８には、その小凹部６５に嵌合可能に小突起６６が、支持部材片６８の径方向内端側に形成されている。
【００４６】
この場合、支持部６４が周方向に４つに分割されて互いに分離された支持部材片６８がその内径側端において小突起６６が小凹部６５に嵌合している状態で内部導体６３を外部導体６２に支持するものとなっている。したがって、各支持部材片６８は周方向への位置ずれが規制されるので、安定的に内部導体６３を外部導体６２に支持できる。
【００４７】
【発明の効果】
本発明によれば、支持部は空隙部分を有することによって、誘電率の低い空気がその空隙部分に入り込んでいることから支持部の実質部分と空隙部分とがあいまって、その全体的な平均的な誘電率は、空気の誘電率に近いものにできる。これにより、内部導体と外部導体との間の静電容量が支持部のある箇所とない箇所との間で変化が小さくなるため、その支持部の有る箇所とない箇所との間でインピーダンスが不連続な状態となることが抑制される。したがって、支持部箇所で信号の反射が生じることは抑制される。また、伝送される信号の周波数にかかわらず、内部導体と外部導体との間の静電容量の発生は、低く抑制される。
【図面の簡単な説明】
【図１】高周波コネクタおよび同軸ケーブルを示す軸方向に沿った断面図であって、（ａ）は結合状態を示し、（ｂ）は結合されていない状態を示す
【図２】図１の高周波コネクタの支持部における径方向での断面図
【図３】図１の高周波コネクタの外部導体を透視してみた内部導体及び支持部の斜視図
【図４】図１の高周波コネクタの分解斜視図
【図５】比較例としての高周波コネクタを示す軸方向に沿った断面図
【図６】図５の支持部近傍の等価回路
【図７】図５の比較例の高周波コネクタ、並びに、本発明に係る高周波コネクタの周波数と反射係数との関係をそれぞれ示すグラフ
【図８】高周波コネクタの支持部の誘電率が異なる場合の周波数と定在波比との関係を示すグラフ
【図９】高周波コネクタの実施形態の変形例を示す径方向での断面図
【図１０】図９の高周波コネクタの外部導体を透視してみた内部導体及び支持部の斜視図
【図１１】高周波コネクタの実施形態の別の変形例を示す径方向での断面図
【図１２】図１１の高周波コネクタの一部破断斜視図
【図１３】高周波コネクタの別の実施形態の外部導体を透視してみた内部導体及び支持部の斜視図
【図１４】高周波コネクタの実施形態の別の変形例を示す径方向での断面図
【図１５】従来の高周波コネクタの一例を示す径方向に沿った断面図
【図１６】従来の高周波コネクタの一例を示す軸方向に沿った断面図
【符号の説明】
１　　　高周波コネクタ（高周波伝送用部材）
２　　　外部導体
３　　　内部導体
４　　　支持部
Ｓ　　　空隙部分
【図１】
2004022389.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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