(57)【要約】【課題】特性のばらつきが抑制されたＭＲ素子を作製可能なＭＲ素子バー、これを作製可能なＭＲ素子バー用露光方法及び形成方法を提供する。【解決手段】本発明に係るＭＲ素子バー用露光方法は、ウェハＷ上に形成された複数のアライメントマークＰ１〜Ｐ４の位置を検出する工程と、検出されたアライメントマークＰ１’〜Ｐ４’の位置に基づいて露光用位置補正領域Ｒを補正する工程と、ウェハＷ上に形成されたレジストの露光を行う工程とを備えたＭＲ素子バー用露光方法であって、ＭＲ素子バーとなる領域Ｂは、その長手方向に沿って配列した複数のＭＲ素子（パターンＭＲＥ）を含み、１つのＭＲ素子バーとなる領域Ｂに対しては、１つの露光用位置補正領域Ｒが設定される。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された複数のアライメントマークの位置を検出する工程と、検出されたアライメントマークの位置に基づいて露光用位置補正領域を補正する工程と、前記基板上に塗布されたレジストの露光を行う工程とを備えた磁気抵抗効果素子バー用露光方法であって、
前記磁気抵抗効果素子バーとなる領域は、その長手方向に沿って配列した複数の磁気抵抗効果素子を含み、
１つの磁気抵抗効果素子バーとなる領域に対しては、１つの前記露光用位置補正領域が設定されることを特徴とする磁気抵抗効果素子バー用露光方法。
【請求項２】
１つの磁気抵抗効果素子バーとなる領域は、前記露光用位置補正領域の境界を跨がないことを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子バー用露光方法。
【請求項３】
前記露光は、電子ビーム露光であることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子バー用露光方法。
【請求項４】
請求項１に記載の磁気抵抗効果素子バー用露光方法によって露光されたレジストを現像する工程と、現像されたレジストによって構成されるマスクを用いて磁気抵抗効果素子用のパターンを形成する工程と、しかる後、前記基板から前記磁気抵抗効果素子バーを切り出す工程と、前記磁気抵抗効果素子バーの長手方向に平行な切断面を研磨する工程とを備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子バーの形成方法。
【請求項５】
長手方向に沿って配列した複数の磁気抵抗効果素子を含む磁気抵抗効果素子バーにおいて、前記磁気抵抗効果素子の隣接するもの同士の、前記磁気抵抗効果素子バーの厚み方向及び長手方向に垂直な方向の離隔距離が０．０５μｍ以下であることを特徴とする磁気抵抗効果素子バー。
【請求項６】
ビーム照射に感応するレジストが塗布され磁気抵抗効果素子バーが切り出される基板を基板面内方向に移動させる駆動系と、前記基板上にビームを照射するビーム照射源と、前記基板上の所望位置に前記ビームを移動させるビーム移動手段と、前記駆動系及び前記ビーム移動手段を制御する制御系とを備えた露光装置の制御方法において、
前記制御系は、前記磁気抵抗効果素子バーを露光する際には、前記磁気抵抗効果素子バー長手方向に沿ってのみ基板を移動させるように前記駆動系を制御することを特徴とする露光装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気抵抗効果素子バー用露光方法、磁気抵抗効果素子バーの形成方法及び磁気抵抗効果素子バーに関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気ディスク装置の大容量小型化・高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドの作成においては、まず基板から、長手方向に一列に整列している数十〜数百個の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子）を有するＭＲ素子バーを切断する。その後に長手方向に平行な切断面を研磨して、所望のＭＲ素子高さ、すなわち、ＭＲ素子の研磨面側の端部から反対側の端部までの長さ（以下、ＭＲハイト）を持つＭＲ素子を有するＭＲ素子バーを得て、このＭＲ素子を個別に薄膜磁気ヘッドに加工する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ＭＲ素子バーの中にＭＲ素子が直線上に等間隔で並んでいるのが理想だが、現実には本来あるべき場所から多少ずれた位置にＭＲ素子はそれぞれ並んでおり、この１つのＭＲ素子バー中にある数十〜数百個のＭＲ素子に対して、最適と思われる条件で研磨を行うことになるが、ＭＲ素子毎の位置が大きく異なっていると、ましてや不連続であると、所望のＭＲハイトの分布が悪くなってしまい、ＭＲ素子の素子抵抗やＭＲ変化率の分布も悪くなり、薄膜磁気ヘッド特性にばらつきが生じて、歩留まりが悪くなってしまう。
【０００５】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、特性のばらつきが抑制されたＭＲ素子を作製可能なＭＲ素子バー、これを作製可能なＭＲ素子バー用露光方法及び形成方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するため、本発明に係るＭＲ素子バー用露光方法は、基板上に形成された複数のアライメントマークの位置を検出する工程と、検出されたアライメントマークの位置に基づいて露光用位置補正領域を補正する工程と、前記基板上に塗布されたレジストの露光を行う工程とを備えたＭＲ素子バー用露光方法であって、前記ＭＲ素子バーとなる領域は、その長手方向に沿って配列した複数のＭＲ素子を含み、１つのＭＲ素子バーとなる領域に対しては、１つの前記露光用位置補正領域が設定されることを特徴とする。
【０００７】
各ＭＲ素子の位置はレジストの露光箇所によって決定されるが、この露光箇所の位置を規定する基準を与える露光用位置補正領域が、１つのバーとなる領域に対して２つ以上設定されていると、ＭＲ素子バー内の各々の露光用位置補正領域では露光箇所の位置を規定する基準が異なるため、異なった直線や曲線上にＭＲ素子が位置するように補正を行うことになる。その結果、各々の補正領域でのＭＲ素子の、切断面に垂直な方向の位置座標の平均値や分布がばらついてしまうので、ＭＲ素子バー内のＭＲハイトの分布が悪くなってしまう。
【０００８】
本発明では、１つのＭＲ素子バーとなる領域に対しては、１つの前記露光用位置補正領域が設定されるので、露光箇所の位置を規定する基準が単一となり、ＭＲ素子バー内のＭＲハイトの分布が良くなる。
【０００９】
好適には、ＭＲ素子バー用露光方法において、１つのＭＲ素子バーとなる領域は、露光用位置補正領域の境界を跨がないことが好ましく、この場合、ＭＲ素子バーの全域を単一の基準で位置補正することができる。
【００１０】
また、上記露光が電子ビーム露光である場合には、高解像度で露光を行うことができるので、高記録密度に対応した寸法の小さいＭＲ素子を作成することができる。
【００１１】
本発明に係るＭＲ素子バーの形成方法は、上記ＭＲ素子バー用露光方法によって露光されたレジストを現像する工程と、現像されたレジストによって構成されるマスクを用いてＭＲ素子用のパターンを形成する工程と、しかる後、前記基板から前記ＭＲ素子バーを切り出す工程と、前記ＭＲ素子バーの長手方向に平行な切断面を研磨する工程とを備えることを特徴とする。
【００１２】
この場合、ＭＲ素子バーの全域を単一の基準で位置補正しているので、長手方向に平行な切断面研磨後のＭＲハイトも略等しくなり、各ＭＲ素子間の特性のばらつきを抑制することができる。
【００１３】
また、このような方法によって製造されたＭＲ素子バーは、長手方向に沿って配列した複数のＭＲ素子を含むＭＲ素子バーにおいて、前記ＭＲ素子の隣接するもの同士の、前記ＭＲ素子バーの厚み方向及び長手方向に垂直な方向の離隔距離が０．０５μｍ以下であることを特徴とする。
【００１４】
この場合、ＭＲ素子バー長手方向に平行な面からＭＲ素子の隣接するもの同士までの離隔距離が０．０５μｍ以下であるので、ＭＲハイトの分布が良くなり、各ＭＲ素子間の特性のばらつきを抑制することができる。
【００１５】
本発明に係る露光装置の制御方法は、ビーム照射に感応するレジストが塗布されＭＲ素子バーが切り出される基板を基板面内方向に移動させる駆動系と、前記基板上にビームを照射するビーム照射源と、前記基板上の所望位置に前記ビームを移動させるビーム移動手段と、前記駆動系及び前記ビーム移動手段を制御する制御系とを備えた露光装置の制御方法において、前記制御系は、前記ＭＲ素子バー領域を露光する際には、前記ＭＲ素子バー長手方向に沿ってのみ基板を移動させるように前記駆動系を制御することを特徴とする。
【００１６】
電子ビーム露光においては、駆動系で基板を移動させると同時にビーム移動手段によってビームを移動させて、基板上にビームを走査させるが、このビーム移動手段としては基板上のある限られた大きさの領域に電子ビームを偏向させる偏向コイルが考えられる。偏向によるビームの位置精度は、駆動系による基板の位置制御精度よりも高く、同一精度による可動範囲が小さい。本装置の露光時においては、駆動系によって基板を垂直方向、すなわち、ＭＲ素子バー長手方向と垂直な方向に移動させないため、駆動系による垂直方向の移動誤差が抑制される。そして、通常は露光端において、駆動系によって基板を垂直方向に移動させることにより、垂直方向の位置精度を保ったまま、基板全面に順次、露光を行う。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、実施の形態に係るＭＲ素子バー、その露光方法及び形成方法について説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
【００１８】
図１はＭＲ素子バーの露光装置のブロック図である。
【００１９】
この露光装置は、ＡｌＴｉＣのウェハ（基板）Ｗに電子線（電子ビーム）を照射する電子銃（ビーム照射源）Ｅと、電子銃Ｅから出射された電子線を偏向する偏向コイル（ビーム移動手段）Ｍと、ウェハＷが載置されると共に、ウェハＷを水平方向（基板面内）に移動させる駆動系Ｓと、ウェハＷ上に形成されたアライメントマークＰ１〜Ｐ４の水平面内の位置（座標）を検出する検出器Ｄとを備えている。この露光装置を用いて行われる露光は、電子ビーム露光であるため、高解像度で露光を行うことができる。
【００２０】
制御系Ｃには、露光条件として設定されたアライメントマークＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の各座標Ｐｉ（ｉ＝１，２，３，４）が入力される。すなわち、アライメントマークＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の各座標は、Ｐ１（ｘ１，ｙ１）、Ｐ２（ｘ２，ｙ２）、Ｐ３（ｘ３，ｙ３）、Ｐ４（ｘ４，ｙ４）で与えられる。
【００２１】
制御系Ｃは、入力されたアライメントマークＰ１〜Ｐ４の座標に基づいて、駆動系Ｓを駆動してウェハＷ内の各アライメントマークへ移動させる。この時に電子銃Ｅからビームを照射させ、偏向コイルＭへ電流を供給し、ビームを所望の範囲で走査させる。そして、検出器Ｄによって、二次電子或いは散乱電子を検出し、ウェハＷでの各アライメントマークの現実座標Ｐ１’（ｘ１’，ｙ１’）〜Ｐ４’（ｘ４’，ｙ４’）を検出する。
【００２２】
ウェハＷ上には、アライメントマークＰ１〜Ｐ４によって囲まれた露光用位置補正領域Ｒが設定される。露光用位置補正領域Ｒは、露光時の位置補正の対象となる領域である。露光用位置補正とは設定されたアライメントマーク座標Ｐ（ｘｉ，ｙｉ）を、検出された現実の座標（Ｐｉ’（ｘｉ’，ｙｉ’））に、ある変換式で変換することである。この変換式としては様々なものが考えられるが、本例では、図１に示した数式（１）〜（４）を用いる。なお、数式中の係数ａＸ，ｂＸ，ｃＸ，ｄＸ，ａＹ，ｂＹ，ｃＹ，ｄＹは、変換時の誤差が最小となるように設定される。各ＭＲ素子を露光すべき位置座標も、この変換式で変換、すなわち補正される。
【００２３】
図２は、変換前後の露光用位置補正領域Ｒ，Ｒ’を示す図である。アライメントマークＰ１〜Ｐ４の位置に基づいた露光用位置補正領域をＲとし、各アライメントマークの検出された現実の座標と設定座標から変換された露光用位置補正領域をＲ’とする。
【００２４】
露光用位置補正領域Ｒは、駆動系ＳによってウェハＷを水平面内で回転及び平行移動させることにより、本来の露光用位置補正領域Ｒ’の位置に移動させることができる。ここでは、駆動系ＳによってウェハＷは移動させず、逆に、露光用位置補正領域Ｒがこれと等価的に露光用位置補正領域Ｒ’に位置するように、電子ビーム走査時の座標系を補正する。駆動系Ｓにおけるステージの二次元座標系は、図１の数式（２）（ｘ’−ｙ’座標軸）に一致するものとする。
【００２５】
図２に示した双方の露光用位置補正領域Ｒ，Ｒ’の座標は、図１の数式（１）〜（４）の関係を満たすため、設定位置Ｐ１にビームを照射する場合には、位置Ｐ１’にビームが照射されるように偏向コイルＭを制御する。この照射位置の座標変換には、歪補正や台形補正を加えてもよい。
【００２６】
この座標変換を設定された露光用位置補正領域Ｒ内の各点に適用すれば、基準ラインＳＬは基準ラインＳＬ’に座標変換され、基準ラインＳＬ上に設定されていたビーム照射位置ＸはＸ’に移動する。
【００２７】
すなわち、設定された基準ラインＳＬ上に電子線を照射する場合には、偏向コイルＭ及び駆動系Ｓを制御して、基準ラインＳＬ’上に電子線を照射すればよいこととなる。本例では、基準ラインＳＬ’上を走査しながら断続的に電子線を照射し、ウェハＷ上に形成された電子線レジストの露光を行う。
【００２８】
ここで、露光用位置補正領域Ｒについて若干の説明をしておく。
【００２９】
図３（ａ）は本発明に係る露光用位置補正領域Ｒの平面図であり、図３（ｂ）は従来例に係る露光用位置補正領域Ｒ１０，Ｒ２０の平面図である。
【００３０】
本発明においては、複数のＭＲ素子バーとなる領域（以下、バー領域とする）Ｂが示されているが、１つのバー領域Ｂに着目すると、１つのバー領域Ｂに対して、１つの露光用位置補正領域Ｒが設定されている。バー領域Ｂは、露光用位置補正領域Ｒを規定する境界を跨がないように、露光用位置補正領域Ｒの内側に設定されている。この場合、バー領域Ｂの全域を補正することができる。露光用位置補正領域ＲはアライメントマークＰ１〜Ｐ４に関わらず指定できるが、一般的には位置精度を確保する必要から、アライメントマークＰ１〜Ｐ４は露光用位置補正領域Ｒの内部に配置する。なお、図３（ｃ）に示すように、バー領域Ｂの内部にアライメントマークＰ１〜Ｐ４があってもよい。
【００３１】
一方、従来例においては、１つのバー領域Ｂに対して、２つの露光用位置補正領域Ｒ１０，Ｒ２０が設定されている。図３（ｂ）は、各々のアライメントマークＰ１１〜Ｐ１４、Ｐ２１〜Ｐ２４が露光用位置補正領域Ｒ１０，Ｒ２０各々の内側にあることを示している。
【００３２】
図４は、本発明に係るバー領域Ｂの部分拡大図である。基準ラインＳＬ上に電子線を照射する場合には、露光用位置補正領域Ｒに対して補正を行い、基準ラインＳＬ’上に電子線を照射する。この場合、露光用位置補正領域Ｒは１つなので、本来、基準ライン上に一列に整列した複数のＭＲ素子用のパターンＭＲＥは、一列に整列して露光される。
【００３３】
したがって、バー領域ＢをウェハＷから切断分離して、その長手方向に垂直な方向に向かって、均一に研磨する条件で研磨を行った場合、ほぼ一列に並んだそれぞれのＭＲ素子に対しては、ほぼ均一なＭＲハイトを持ったＭＲ素子が得られる。そのＭＲ素子を加工して、特性ばらつきの少ない薄膜磁気ヘッドを得ることができる。なお、切断面ＤＬ’は研磨によって内側に位置する研磨面ＤＬとなる。
【００３４】
本ＭＲ素子バーの形成方法においては、ＭＲ素子バー用露光方法によって露光されたレジストを現像し、現像されたレジストによって構成されるマスクを用いてＭＲ素子用のパターンＭＲＥを形成する。このレジストは電子線レジストであり、高解像度の露光パターンを形成することができる。
【００３５】
パターンＭＲＥは、ウェハＷ上に磁気抵抗効果膜を形成した後、この上にレジストを塗布し、当該レジストを露光及び現像することで、複数の遮蔽部を残留させて形成することができる。しかる後、残留レジストの直下部以外の磁気抵抗効果膜が除去されるようにエッチングを行った後、レジストを剥離或いはリフトオフすることで、基準ライン上に一列に整列したＭＲ素子が形成される。これらのＭＲ素子は、パターンＭＲＥとほぼ同一形状である。
【００３６】
また、ＭＲ素子の形成方法として、上述の方法で露光及び現像され複数の開口を有するレジストパターンをウェハＷ上に形成し、しかる後、レジスト上にＭＲ膜を成膜し、複数のＭＲ素子の部分だけが残留するようにレジストをリフトオフすることで、一列に整列したＭＲ素子を形成する方法も考えられる。
【００３７】
このようにして、一列に整列したＭＲ素子（パターンＭＲＥ）を形成した後、ウェハＷからＭＲ素子バー（Ｂ）を切り出す。次に、このＭＲ素子バーの長手方向に平行な切断面を研磨する。研磨後に各ＭＲ素子は薄膜磁気ヘッドへ分離・加工される。この場合、研磨後にほぼ均一なＭＲハイトを持ったＭＲ素子が得られるので、ヘッド特性ばらつきを抑制することができる。
【００３８】
このような方法によって製造されたＭＲ素子バーは、長手方向に沿って配列した複数のＭＲ素子を含むＭＲ素子バーにおいて、前記ＭＲ素子の隣接するもの同士の、前記ＭＲ素子バーの厚み方向及び長手方向に垂直な方向の離隔距離が０．０５μｍ以下になる。
【００３９】
この場合、ＭＲ素子バー長手方向に平行な面からＭＲ素子の隣接するもの同士までの離隔距離が０．０５μｍ以下であるので、ほぼ一列に並んだそれぞれのＭＲ素子に対して、均一に研磨する条件で研磨を行えば、ほぼ均一なＭＲハイトを持ったＭＲ素子が得られる。そのＭＲ素子を加工して、特性ばらつきの少ない薄膜磁気ヘッドを得ることができる。すなわち、研磨面ＤＬから各ＭＲ素子の中心までの距離が略等しくなるので、ＭＲハイトも略等しくなり、各ＭＲ素子間の特性のばらつきを抑制することができる。
【００４０】
図５は、従来例に係るバー領域Ｂの部分拡大図である。基準ラインＳＬ上に電子線を照射する場合には、露光用位置補正領域Ｒ１０，Ｒ２０に対してそれぞれ補正を行い、基準ラインＳＬ’上に電子線を照射する。この場合、露光用位置補正領域Ｒ１０、Ｒ２０は２つなので、露光用位置補正領域Ｒ１０、Ｒ２０の境界において、ＭＲ素子用のパターンＭＲＥが研磨方向に離隔する。
【００４１】
したがって、バー領域ＢをウェハＷから切断分離して、切断面ＤＬ’を研磨すると、研磨面ＤＬからＭＲ素子用のパターンＭＲＥまでの距離は異なることとなる。この場合、ＭＲ素子用のパターンＭＲＥの隣接するもの同士の、研磨方向に沿った離隔距離は０．０５μｍを超えることとなり、素子特性がばらつく。
【００４２】
以上、説明したように、上述の実施形態に係るＭＲ素子バー用露光方法は、ウェハＷ上に形成された複数のアライメントマークＰ１〜Ｐ４の位置を検出する工程と、検出されたアライメントマークＰ１’〜Ｐ４’の位置に基づいて露光用位置補正領域Ｒを補正する工程と、ウェハＷ上に塗布されたレジストの露光を行う工程とを備えたＭＲ素子バー用露光方法であって、ＭＲ素子バーとなる領域Ｂは、その長手方向に沿って配列した複数のＭＲ素子（パターンＭＲＥ）を含み、１つのＭＲ素子バーとなる領域Ｂに対しては、１つの露光用位置補正領域Ｒが設定される。
【００４３】
各ＭＲ素子（パターンＭＲＥ）の位置はレジストの露光箇所によって決定されるが、この露光箇所の位置を規定する基準を与える露光用位置補正領域が、１つのバーに対して２つ以上設定されていると、これら２つの露光用位置補正領域では露光箇所の位置を規定する基準が異なるため、研磨後のＭＲハイトが異なる、すなわち、ＭＲ素子や薄膜磁気ヘッドの特性のばらつきが大きくなってしまう。
【００４４】
上述の実施形態では、１つのＭＲ素子バーとなる領域Ｂに対しては、１つの露光用位置補正領域Ｒが設定されるので、露光箇所の位置を規定する基準が単一となり、研磨面ＤＬによって規定されるＭＲハイトが略一致する。
【００４５】
磁気記録媒体における記録密度を向上させるためには、記録ヘッドにおける書き込みトラック幅及び再生ヘッドにおける読出しトラック幅の微細化が必要不可欠である。そのため、従来、ＭＲ素子の微細加工におけるリソグラフィ工程では、露光装置の光源として、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）に代表される短波長光源を採用し、解像度を向上させてきた。したがって、上述の露光においては、電子線の代わりにｉ線やｇ線などの光源を用いることもできる。但し、解像度の観点からは電子線を用いることが好ましい。また、レーザ光に感応するレジストがある場合には、電子線の代わりにレーザ光を用いることもできる。
【００４６】
なお、上述の露光装置による制御方法について説明しておく。
【００４７】
上述の露光装置は、ビーム照射に感応するレジストが塗布されＭＲ素子バー（Ｂ）が切り出されるウェハＷを基板面内方向に移動させる駆動系Ｓと、ウェハＷ上にビームを照射する電子銃Ｅと、ウェハＷ上の所望位置に前記ビームを移動させるビーム移動手段である偏向コイルＭと、駆動系Ｓ及び偏向コイルＭを制御する制御系Ｃとを備えている。電子ビーム露光の場合においてのビーム移動手段とは、ウェハＷ上のある限られた大きさの領域に前記ビームを偏向させることのできる偏向コイルＭのことを言う。
【００４８】
図６（ａ）は露光用位置補正領域の平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）における領域Ｑの拡大図である。
【００４９】
制御系Ｃは、ウェハＷを露光する際には、ＭＲ素子バー長手方向に沿ってのみウェハＷを移動させ、露光端ＥＮＤでのみバーの長手方向と垂直な方向（研磨方向：±Ｙ）に移動させるように駆動系Ｓを制御する。
【００５０】
図６（ａ）を参照すると、駆動系ＳによってウェハＷはＸ方向に移動され、その間に偏向コイルＭによって偏向されたビームの照射スポットＢＭがウェハＷ上を走査する。このとき制御系Ｃは、電子銃Ｅから出射される電子線の照射タイミングや強度も制御する。露光端ＥＮＤにおいては、駆動系ＳによってウェハＷはＹ方向に移動され、また、同様にウェハＷがＸ方向に移動される間にＢＭがウェハＷ上を走査する。このビームの照射は断続的であり、照射時においてＭＲ素子用パターンが次々と形成されていく。図６（ａ）では１つのＭＲ素子バーに対して、Ｘ方向の走査が１回行われているが、複数回の走査でもよい。あるいは、複数のＭＲ素子バーに対して１回の走査でもよい。ここで、マクロ的な見地から観察されるビームの照射スポットＢＭは、ミクロ的なスポットＢＭ’の走査によって構成されている。
【００５１】
図６（ｂ）を参照すると、微小スポットＢＭ’は偏向コイルＭによって微小領域α１内を走査した後、これに隣接する微小領域α２内を走査し、続いて、微小領域α３内を走査している。ここで、微小スポットＢＭ’は、更にミクロ的なスポットの走査によって構成されている。
【００５２】
ＭＲ素子用の露光においては、駆動系ＳによってウェハＷをＸ方向に移動させて、その間に偏向コイルＭによって偏向されたビームの照射スポットＢＭがウェハＷ上を走査するが、偏向コイルＭによるビームの位置制御精度は、駆動系ＳによるウェハＷの位置制御精度よりも高く、同一精度による可動範囲が小さい。
【００５３】
本装置の露光時においては、露光端以外では駆動系ＳによってウェハＷをＭＲ素子バーＢの長手方向に垂直な方向（Ｙ方向）に移動させないため、駆動系ＳによるＹ方向の移動誤差が抑制される。例えば、微小領域α１の走査後に、微小領域α２を走査する場合であれば、駆動系Ｓを制御してＸ方向にウェハＷを移動させればよい。長手方向に一列に並んだＭＲ素子を露光する間には垂直方向にウェハＷを移動させないので、垂直方向の位置精度は良くなる。
【００５４】
一方、露光端ＥＮＤにおいてのみ、駆動系によってウェハＷを垂直方向に移動させることにより、ＭＲ素子バー内にあるパターンＭＲＥの垂直方向位置精度を保ったまま、ウェハＷ全面に順次、露光を行うことができる。
【００５５】
上述のＭＲ素子を用いた薄膜磁気ヘッドとしては、ＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ　Ｍａｇｎｅｔｏ　Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子及びＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ　Ｍａｇｎｅｔｏ　Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子等が列挙される。
【００５６】
また、薄膜磁気ヘッドの構造に関して、本発明は、フリー磁性層の厚み方向に沿って電子が流れるＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ　Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ　ｔｏ　Ｐｌａｎｅ）構造、これに垂直な面内において流れるＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ　Ｉｎ　Ｐｌａｎｅ）構造に適用することができる。磁気抵抗効果を有する材料としてはＮｉＦｅが代表的であるが、スピンバルブを有するもの等、磁気抵抗効果を示す多層膜材料を用いることができる。なお、上述の電子線の照射方法として可変ビーム成形法等を用いることもできる
【００５７】
【発明の効果】
本発明によれば、特性のばらつきが抑制されたＭＲ素子を作製可能なＭＲ素子バー、これを作製可能なＭＲ素子バー用露光方法及び形成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＭＲ素子バーの露光装置のブロック図である。
【図２】変換前後の露光用位置補正領域Ｒ，Ｒ’を示す図である。
【図３】本発明に係る露光用位置補正領域Ｒの平面図（図３（ａ））、従来例に係る露光用位置補正領域Ｒ１０，Ｒ２０の平面図（図３（ｂ））、本発明に係る露光用位置補正領域Ｒの平面図（図３（ｃ））である。
【図４】本発明に係るバー領域Ｂの部分拡大図である。
【図５】従来例に係るバー領域Ｂの部分拡大図である。
【図６】露光用位置補正領域の平面図（図６（ａ））、領域Ｑの拡大図（図６（ｂ））である。
【符号の説明】
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４…アライメントマーク、Ｗ…ウェハ、ＢＭ…スポット、Ｂ…バー領域、ＭＲＥ…パターン、Ｍ…偏向コイル、ＤＬ…切断面（研磨面）、Ｃ…制御系、ＳＬ…基準ライン、Ｄ…検出器、Ｅ…電子銃、Ｒ…露光用位置補正領域、ＥＮＤ…露光端、Ｓ…駆動系。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004095080.tif 000007
【図６】
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