(57)【要約】【課題】ＰＣＴや冷熱衝撃試験などの環境試験後における接着信頼性が著しく改善されたポリイミドフィルムを用いて作成され、高密度化のための微細加工に対応可能な半導体パッケージのインターポーザーにも用いることができるフレキシブルな多層回路基板を提供する。【解決手段】導体層を有するフィルムを接着剤により積層する多層回路配線板の製造方法において、少なくとも、フィルム表面を好ましくは残留酸素濃度０．５％以下の非酸化性気相雰囲気中で熱処理する工程、プラズマ処理を行う工程、接着剤により積層する工程、を具備する。なお、熱処理する工程を希ガス雰囲気中で行うこと、窒素ガス雰囲気中で行うこと、及び、減圧下で行うことも含まれる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層を有するフィルムを接着剤により積層する多層回路配線板の製造方法において、少なくとも、フィルム表面を非酸化性気相雰囲気中で熱処理する工程、プラズマ処理を行う工程、接着剤により積層する工程、を具備することを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記熱処理する工程を残留酸素濃度０．５％以下の気相雰囲気中で行うことを特徴とする請求項１に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記熱処理する工程を希ガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記熱処理する工程を窒素ガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記熱処理する工程を減圧下で行うことを特徴とする請求項１から４の何れかの１に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記熱処理する工程における圧力が１Ｔｏｒｒ以下であることを特徴とする請求項５に記載の多層回路配線板の製造方法。
【請求項７】
多層回路配線板が、半導体パッケージのインターポーザー用であることを特徴とする請求項１から６の何れかの１に記載の多層回路配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導体層を有するポリイミド等のフィルムを接着剤により積層する高密度化のための微細加工に対応できるフレキシブルな多層回路配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体素子内の処理速度が高まるにつれ、インターポーザ内を伝送する信号も高速化の要求が高まってきている。これとともに、半導体素子の入力端子数も増加する傾向にあり、インターポーザとの接続方法は、ワイヤーボンディングでは対応しきれなくなり、格子配列のフリップチップ接続が必要となってきていた。この結果、インターポーザ内の接続端子からの配線の引き回しが単層では困難になり、少なくとも２層に分けて配線を行う必要が出てきている。また、信号の高速化に対応するため、配線のマイクロストリップ構造やストリップ構造、あるいは、コプレナー構造が必要になる場合があり、インターポーザの構造としてはますます多層化の方向にある。
【０００３】
しかしながら、インターポーザを製造する側からみると、層数の増加は製造収率を著しく落とすことになる。このため、いかにして配線を効率的に配置させ、層数を減らす設計を行うかが重要になってくる。効率的な配線を形成するため、より微細なライン、アンド、スペースを有する配線パターンの要求が高まっている。
【０００４】
微細なライン、アンド、スペースを有する配線パターンを形成することが可能であり、更に、長尺基材を用いて連続的に多層配線基板を作成するリール・ツー・リール工程もしくはロール・ツー・ロール工程を採用できる、簡易的な工程として、片面または両面に配線パターンを有するフィルム上に、片面に導体層を有するポリイミドフィルムを接着剤により積層して積層フィルムを形成する工程が考えられる。
【０００５】
ここで用いられるフィルムに要求される特性としては、耐熱性や機械的特性はもちろんであるが、寸法安定性や可とう性、平滑性、低吸水性などが挙げられる。また、信号の高速化に欠かすことができない誘電率が低いことなどの電気的特性も必要である。ポリイミドフィルムはこのような諸特性を有しているために、多層回路配線板のベースフィルムとして使用されている。
【０００６】
ところが、ポリイミドフィルムは接着性が乏しいという問題がある。そこで、コロナ処理や火炎処理によりポリイミド表面に親水性を付与し接着性を向上させる方法、親水基を有した薬剤の薄膜を形成して接着性を向上させる方法等が行われている。その結果、初期接着性は向上した。
【０００７】
しかしながら、近年、インターポーザへの要求特性は高くなっており、高温高湿試験（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｏｋｅｒ  Ｔｅｓｔ、以下ＰＣＴ）や冷熱衝撃試験などの条件が過酷になってきているが、上記したような従来のポリイミドの表面処理技術では、接着安定性が確保できなくなってきている。
【０００８】
そこで本発明者らは、ポリイミド表面にある特殊な条件下でプラズマ処理を施すことによりポリイミド表面の接着脆弱層を除去でき、ＰＣＴ後の接着性劣化を防止できることを見いだした（特許文献１参照）。しかし、現在のＰＣＴ条件下での試験後の接着強度はおよそ１ｋｇ／ｃｍを確保しており十二分に実用的ではあるものの、今後さらにＰＣＴ条件が過酷になった場合ではその接着信頼性を確保できなくなるおそれも考えられ、従ってできる限りその接着性について高めておくことが重要であり且つ必要であると考えられる。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００２−１１１７９０号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、ＰＣＴや冷熱衝撃試験などの環境試験後における接着信頼性が著しく改善されたポリイミドフィルムを用いて作成される、高密度化のための微細加工に対応できるフレキシブル多層回路基板を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するために、請求項１の発明では、導体層を有するフィルムを接着剤により積層する多層回路配線板の製造方法において、少なくとも、フィルム表面を非酸化性気相雰囲気中で熱処理する工程、プラズマ処理を行う工程、接着剤により積層する工程、を具備することを特徴とする多層回路基板の製造方法である。
【００１２】
また請求項２の発明では、前記熱処理の工程を残留酸素濃度０．５％以下の気相雰囲気中で行うことを特徴とする請求項１に記載の多層回路基板の製造方法である。
【００１３】
また請求項３の発明では、前記熱処理の工程を希ガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の多層回路基板の製造方法である。
【００１４】
また請求項４の発明では、前記熱処理の工程を窒素ガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の多層回路基板の製造方法である。
【００１５】
また請求項５の発明では、前記熱処理の工程を減圧下で行うことを特徴とする請求項１から４の何れかの１に記載の多層回路基板の製造方法である。
【００１６】
また請求項６の発明では、前記熱処理の工程における圧力が１Ｔｏｒｒ以下であることを特徴とする請求項５に記載の多層回路配線板の製造方法である。
【００１７】
また請求項７の発明では、た多層回路配線板が、半導体パッケージのインターポーザー用であることを特徴とする請求項１から６の何れかの１に記載の多層回路配線板の製造方法である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明で示すところの、プラズマ処理する前に、フィルム表面を熱処理することによってその接着強度が著しく改善されることの理論的解明は十分でないが、フィルムがポリイミドの場合は以下のようなことが推定される。ポリイミドはオレフィン系のポリマーなどに比べると吸水率の比較的高いポリマーである。ポリイミド表面にこの吸湿された水分が存在した状態で他の基材と接着・積層した場合にはＰＣＴ条件によってはその接着性の劣化を引き起こす、もしくは劣化を早める可能性があると考えられる。さらに、吸湿した水分によって、ポリイミドの接着性だけでなくポリイミドの高誘電特性も悪影響を受ける可能性がある。従って、ポリイミドをプラズマ処理する前に熱処理を行うことによって、吸湿した水分を除去することにより、上記したような問題が起きる可能性を低減させることができると考えられる。特に、環境試験の温度と湿度の条件が過酷になっていくほど、プラズマ処理前にポリイミドを熱処理する効果は発揮されると考えられる。
【００１９】
このようにポリイミドフィルムを加熱して熱処理するにあたって、熱処理を大気中の雰囲気で行うと、大気中に存在する酸素の作用でポリイミドフィルム表面が酸化され、ポリイミドフィルムの接着性が阻害されるおそれが生じる。
【００２０】
そこで請求項１の発明では、フィルムの熱処理の工程を、非酸化性の気相雰囲気で行うことによって、雰囲気中の酸素でポリイミドフィルムの表面が酸化されることを防ぐようにしている。
【００２１】
ここで、非酸化性の気相雰囲気としては、ヘリウムやアルゴンなどの希ガス雰囲気を用いることができ、また窒素ガス雰囲気を用いることもできる。非酸化性の気相雰囲気として窒素ガス雰囲気を用いる場合、熱処理の際にポリイミドフィルム表面に窒素を付着させることができる。従って、後述するようにポリイミドフィルムを窒素を活性ガスとしてプラズマ処理して窒素極性基をポリイミドフィルム表面に導入することによって、ポリイミドフィルム表面を活性化するにあたって、熱処理の際にポリイミドフィルム表面に付着しているこの窒素で、窒素極性基の導入を促進することができるものである。
【００２２】
そして上記のように非酸化性気相雰囲気でポリイミドフィルムを熱処理するにあたって、非酸化性気相雰囲気は残留酸素濃度が０．５％以下になるように設定するのが好ましい。非酸化性気相雰囲気は残留酸素濃度が０．５％を超えると、ポリイミドフィルム表面の酸化を十分に抑制することができなくなるおそれがあり、ポリイミドフィルムの接着性を十分に確保できなくなる場合がある。残留酸素濃度は低いほど望ましく、残留酸素濃度０％が理想的である。
【００２３】
ここで、熱処理を行う雰囲気をこのような残留酸素濃度が０．５％以下の非酸化性気相雰囲気にするには、雰囲気の空気を上記の希ガスや窒素ガスのような非酸化性ガスと置換することによって実現することができるが、このように雰囲気の空気を非酸化性ガスと置換する際には、雰囲気を減圧脱気しながら非酸化性ガスを雰囲気中に投入するようにして、空気と非酸化性ガスの置換を行うのが好ましい。単に、非酸化性ガスを雰囲気中に投入することによって空気を追い出すことで空気と非酸化性ガスの置換を行う場合に比べて、残留酸素濃度が０．５％以下の非酸化性雰囲気に到達するまでの時間を短縮することができるものである。
【００２４】
また、熱処理の温度は、ポリイミドフィルムのガラス転移温度以上、または熱変形温度以上に設定するのが好ましい。熱処理の温度の上限は特に設定されるものではないが、樹脂が溶融する温度や樹脂が分解する温度で熱処理することはできないので、樹脂の溶融温度と分解温度の低いほうが熱処理温度の事実上の上限である。
【００２５】
以上のようにしてポリイミドフィルムを熱処理した後、ポリイミドフィルム表面にプラズマ処理を行う工程を実施する。本発明においてプラズマ処理とは、グロー放電中に曝す工程である。プラズマを発生させることは、プラズマ発生用電極に、直流または交流の電圧を印加することにより可能であり、交流の周波数としては、２０〜１００ＭＨｚを用いることが可能である。特に、商用電力の周波数である５０Ｈｚや６０Ｈｚ、電波法上使用が認められているラジオ波の１３．５６ＭＨｚが、利用上好ましい周波数である。しかしながら、この直流やマイクロ波の２．４５ＧＨｚを含めたプラズマ発生用周波数の値は、本発明を実施する上で、何等支障を与えるものではない。
【００２６】
プラズマを発生させるための出力は、５０Ｗ〜５００Ｗの範囲である。プラズマ発生用電極としては平行平板型やロール型等の電極を用いることができるが、当業者が容易に理解できるところの、ＤＣスパッタ装置、ＲＦスパッタ装置、ＤＣマグネトロンスパッタ装置、ＲＦマグネトロンスパッタ装置においても基板を設置するスパッタターゲットの対抗電極側、すなわち基板ホルダー側をカソードあるいはアノードとすることによっても、容易にプラズマ処理は可能である。しかし、基板を設置する電極側がカソードである場合のほうが、イオンがフィルム表面に衝突しやすいためにフィルム表面でエッチングが起こりやすくなるので好ましい。また、装置によってはアノードの場合ではほとんどエッチングができない場合もある。
【００２７】
プラズマ処理のための雰囲気ガスとしては、出力やガス流量、真空度によっても異なるが、窒素もしくは窒素の混合ガスが好ましい。しかし、それに限定されるものではない。
【００２８】
窒素に三フッ化窒素、四フッ化炭素等のエッチング用ガスを混合することで、エッチングレートが増加させることができ処理時間を短くできる利点がある。これらのガスの窒素との混合の割合は特に限定されるものではなく、混合ガス中の窒素の割合が１〜９９％の割合で可能であるが、好ましくは、５０〜９９％の割合である。しかし、窒素単独で行ってもプラズマ処理の条件によっては、十分に短い処理時間で効果的な処理が可能である。
【００２９】
窒素を含有する雰囲気ガスとしては、亜酸化窒素、一酸化窒素、二酸化窒素などが挙げられる。
【００３０】
プラズマ処理を行う前の、真空排気したときの圧力は特に限定されるものではないが、具体的には、大気圧〜１０−６Ｔｏｒｒの範囲である。ただし、真空度が高いほうが望まく、好ましくは１０−５Ｔｏｒｒレベルであることが望ましい。プラズマ処理時間については、プラズマ雰囲気ガスの種類や混合比、プラズマ処理時の出力、電極間距離、圧力、プラズマ処理を行う装置の形状、機能により異なる。例えば、工業的な生産設備に用いられるリール・ツー・リール式もしくはロールツーロール式のスパッタ装置においては、フィルムの送り速度、プラズマ処理の後の工程で行う金属薄膜の成膜膜厚、成膜速度等を考慮して適宜選択する。
【００３１】
本発明に用いられる片面に導体層を有するポリイミドフィルムとしては、耐熱性、可とう性、平滑性、低吸水率を有するフィルムならば特に限定されるものではない。通常５μｍ〜１２５μｍ程度の膜厚のポリイミドフィルムが用途に応じて適宜選択されて用いられるが、高密度配線パターンを形成するためには膜厚が薄いほうが有利であり、５μｍ〜２５μｍがよく、さらに望ましくは、５μｍ〜１５μｍである。
【００３２】
ポリイミドフィルムとして具体的な例を示すと、カプトン、ユーピレックス、アピカル等の商品名として市場で入手できるポリイミドフィルムを有効に用いることができる。さらに、ピロメリット酸無水物、ビフタル酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、オキシジフタル酸無水物、ハイドロフランジフタル酸無水物等の酸無水物と、メトキシジアミノベンゼン、４，４’−オキシジアニリン、３，４’−オキシジアニリン、３，３’−オキシジアニリン、ビスジアニリノメタン、３，３’−ジアミノゼンゾフェノン、ｐ，ｐ−アミノフェノキシベンゼン、ｐ，ｍ−アミノフェノキシベンゼン、ｍ，ｐ−アミノフェノキシベンゼン、ｍ，ｍ−アミオフェノキシベンゼン、クロル−ｍ−アミノフェノキシベンゼン、ｐ−ピリジンアミノフェノキシベンゼン、ｍ−ピリジンアミノフェノキシベンゼン、ｐ−アミノフェノキシビフェニル、ｍ−アミノフェノキシビフェニル、ｐ−ビスアミノフェノキシベンジスルホン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジスルフォンｐ−ビスアミノフェノキシベンジルケトン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジルケトン、ｐ−ビスアミノフェノキシベンジルヘキサフルオロプロパン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジルヘキサフルオロプロパン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジルヘキサフルオロプロパン、ｐ−ビスアミノフェノキシベンジルプロパン、ｏ−ビスアミノフェノキシベンジルプロパン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジルプロパン、ｐ−ジアミノフェノキシベンジルチオエーテル、ｍ−ジアミノフェノキシベンジルチオエーテル、インダンジアミン、スピロビジアミン、ジケトンジアミン等のアミンとを反応、イミド化して形成されるポリイミドも本発明に効果的に用いることができる。また、ポリイミドフィルムが反り防止層や接着層などの層を含む複数のポリイミド層から形成されていてもよい。
【００３３】
導体層としては、通常の配線基板に使用されるものをそのまま使用することができ特に限定されるものではないが、代表的なものとしては銅箔を用いることができる。配線導体層に銅箔を用いる場合、平滑であれば、銅箔の種類に特に限定はないが、電界銅箔、圧延銅箔などが好ましい。
【００３４】
本発明に用いられる接着剤としては、耐熱性、可とう性、平滑性、低吸水率を有するものであれば特に限定されるものではないが、エポキシ系接着剤、ゴム系接着剤、ポリイミド系接着剤、ポリオレフィン系接着剤、アクリル系接着剤等を用いることができる。これらの中でも、特に、少なくともエポキシ硬化成分を系内に有している熱硬化性接着剤が望ましい。これは、熱可塑性接着剤が融点以上の加工温度で再び可塑性を示してしまうのに対して、エポキシ硬化成分を系内に有する熱硬化性接着剤は、積層後に熱硬化させることにより耐熱性を向上させることができ、信頼性に優れる硬化物を与えることができるからである。少なくともエポキシ硬化性成分を含有してなることを特徴とする接着剤としては、エポキシ系接着剤はもちろんのこと、アクリル系材料にエポキシ硬化成分を含有した接着剤、ポリイミド系材料にエポキシ硬化成分を含有した接着剤、ゴム系材料にエポキシ硬化成分を含有した接着剤等を例示することができるが、これらに限定されるものではなく、接着剤にエポキシ硬化成分が少しでも含有されている接着剤であれば何れの接着剤でも構わない。
【００３５】
本発明におけるエポキシ硬化成分とは、エポキシ化合物と反応する全ての硬化系を意味し、例えば、エポキシ化合物とアミン類との硬化反応、エポキシ化合物とカルボン酸類との硬化反応、エポキシ化合物とポリアミド樹脂との硬化反応、潜在性硬化剤によるエポキシ化合物の硬化反応、更にはこれらの組み合わせ等による硬化反応を例示することができるが、これらに限定するものではない。
【００３６】
本発明に用いられる接着剤の厚みとしては、３０μｍ以下であることが望ましい。接着剤厚が３０μｍ以上であると、層間を接続させるためのビアホールのアスペクト比が大きくなり、ビアホールを信頼性よく導通させることが困難になる。
【００３７】
本発明における積層する工程について説明する。例えば、少なくとも片面に配線パターンを有するフィルム上に、熱処理及びプラズマ処理を施した片面に導体層を有するポリイミドフィルムをポリイミド面を内側にして接着剤を介して積層するには、特に限定するものではないが、通常のプレスやラミネーターなどの積層装置を利用でき、より好ましくは、気泡やボイドの発生を防ぐためには真空プレスや真空ラミネートの利用が望ましい。また生産性に優れるという理由によりリール・ツー・リール工程もしくはロール・ツー・ロール工程で生産することが望ましい。
【００３８】
接着剤を介して積層する以外の方法としては、フィルム自体が接着性を有する熱可塑性ポリイミドや液晶ポリマーなどの熱可塑性フィルムを用いることにより接着剤を新たに設けることなくフィルム単体で積層する方法がある。しかし、耐熱性に優れた熱可塑性フィルムを用いる場合は、一般に加工温度が非常に高くなってしまうことので、接着剤を介して積層することが望ましいと考える。
【００３９】
本発明に用いられる接着剤の形態としては、ワニスタイプ、フィルムタイプ等が考えられ、特に限定されるものではないが、生産性に優れるフィルムタイプであることが望ましい。
【００４０】
ワニス接着剤を用いた場合の積層方法としては、これに限定されるものではないが、例えば、少なくとも片面に配線パターンを有するフィルム上に接着剤を塗布することにより接着層を形成した後に片面に導体層を有するフィルムを積層する方法、予め片面に導体層を有するフィルムのフィルム側に接着剤を塗布した接着剤付きフィルムの接着層側を少なくとも片面に配線パターンを有するフィルム上に積層する方法等が例示できる。
【００４１】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例になんら制限されるものではない。
【００４２】
［実施例１］
片面銅箔付きポリイミドフィルムユピセルＮ（宇部興産社製）（銅／ポリイミド→２５／９μｍ構成）を、アニール炉のチャンバー内にセットしてチャンバーを密閉した後、チャンバー内に窒素ガスを２５Ｌ／ｍｉｎの流量で流し、チャンバー内の空気を窒素ガスと置換した。チャンバー内に窒素ガスを流入開始してから約１時間経過後にチャンバー内の加熱を開始し、約２時間を要して３５０℃に昇温させ、後はこの３５０℃で２時間保持して熱処理を行い、この後、チャンバー内の温度を徐々に低下させた。熱処理時のチャンバー内の残留酸素濃度は０．５％以下であった。
【００４３】
次いで、熱処理した片面銅箔付きポリイミドフィルムユピセルＮ（宇部興産社製）（銅／ポリイミド→２５／９μｍ構成）のポリイミド表面にプラズマ処理を行った。当該ポリイミドフィルムのポリイミド表面を上向きにして、スパッタ装置内の基板ホルダーに設置し、５×１０−５Ｔｏｒｒの圧力まで真空排気を行った。マスフローコントローラーを用いて窒素ガス１００ｓｃｃｍをチャンバー内に導入し、圧力を０．０１Ｔｏｒｒ、平板電極間距離５ｃｍ、ＲＦ電圧３００Ｗで基板ホルダーをカソードとしてプラズマ処理を１分間行った。
【００４４】
そして、予め配線パターンを形成した両面銅箔付きポリイミドフィルムユピセルＮ（宇部興産社製）（銅／ポリイミド／銅→９／２５／９μｍ構成）の両面に、接着フィルムＡＳ２７００（日立化成社製）を介して、プラズマ処理したポリイミド表面を内側にして片面銅箔付きポリイミドフィルムを熱ロールラミネーターにより積層した。ラミネート条件は、１８０℃、３ｋｇ／ｃｍ、１．０ｍ／ｍｉｎとした。積層したのち、ベーク条件１８０℃２時間で接着剤を硬化させた。こうして得られた積層体をカッターにより幅１０ｍｍにカットしたのち、初期の剥離強度を測定した。また、初期強度測定後のサンプルをＰＣＴ（１３１℃、不飽和１００％、３００時間）後に、再び剥離強度を測定した。剥離速度は５０ｍｍ／ｃｍとし、９０度Ｔ型剥離とした。その結果、初期強度１．２ｋｇ／ｃｍ、ＰＣＴ後の強度１．１ｋｇ／ｃｍの値を示し、ＰＣＴ後における接着信頼性が向上したことが示された。
【００４５】
［実施例２］
熱処理を行う雰囲気をヘリウムとした他は、実施例１と同様にしてポリイミドフィルムの熱処理を行なった。この場合ではチャンバー内の残留酸素濃度は０．５％以下であった。作成された積層体の初期強度１．２ｋｇ／ｃｍは、ＰＣＴ後の強度１．１ｋｇ／ｃｍの値を示した。
【００４６】
［実施例３］
熱処理を行う雰囲気の圧力を１Ｔｏｒｒとした他は、実施例１と同様にしてポリイミドフィルムの熱処理を行なった。この場合ではチャンバー内の残留酸素濃度は０．５％以下であった。作成された積層体の初期強度は、１．２ｋｇ／ｃｍ、ＰＣＴ後の強度は、１．１ｋｇ／ｃｍの値を示した。
【００４７】
［比較例１］
熱処理を施さない他は、実施例１と同様に接着性を評価した。その結果、初期強度１．１ｋｇ／ｃｍ、ＰＣＴ後の強度０．７ｋｇ／ｃｍの値を示した。
【００４８】
［比較例２］
チャンバー内に流す窒素ガスの流量を１０Ｌ／ｍｉｎに設定してチャンバー内の空気を窒素ガスと置換するようにした他は、実施例１と同様にしてポリイミドフィルムの熱処理を行なった。この場合ではチャンバー内の残留酸素濃度は１．１％であった。作成された積層体の初期強度は、１．２ｋｇ／ｃｍ、ＰＣＴ後の強度は、０．７ｋｇ／ｃｍの値を示した。
【００４９】
［比較例３］
大気圧雰囲気中で、ポリイミドフィルムの熱処理を行った他は、実施例１と同様にしてポリイミドフィルムの熱処理を行なった。作成された積層体の初期強度は、１．１ｋｇ／ｃｍ、ＰＣＴの強度は、０．３ｋｇ／ｃｍの値を示した。
【００５０】
【表１】
2004228189.tif 000002
【００５１】
実験例１と比較例２におけるＰＣＴ後の接着性の違いは、前者はチャンバー内の空気と窒素の置換速度が速く、残留酸素濃度が０．５％以下であるが、後者は空気とＮ２の置換速度が遅く、残留酸素濃度が１．０％以下になっていることに起因すると考えられる。従ってこれらの結果から、残留酸素濃度０．５％以下の気相雰囲気中で熱処理を行なうことが好ましいことが確認される。
【００５２】
また、熱処理を行う雰囲気の圧力は１Ｔｏｒｒ以下に設定するのが好ましい。１Ｔｏｒｒ以下の減圧雰囲気にすることによって、雰囲気中の残留酸素濃度をより低く保つことができるものである。減圧度は可能な限り低いほうがよく、理想的には０Ｔｏｒｒである。
【００５３】
【発明の効果】
以上の実施例および比較例によって明らかにされたように、本発明の製造方法により作成された多層回路基板は、非常に過酷な条件下におけるＰＣＴ後でもポリイミドの接着性は１．０ｋｇ／ｃｍ以上の値を得ることが可能であることが分かった。即ち、本発明は非常に過酷な条件下におけるＰＣＴ後でもポリイミドフィルムの接着信頼性に優れたフレキシブル多層回路基板を提供するとともに、高密度配線パターンの加工性に優れたフレキシブル多層回路基板を提供するものであり、電気、電子および半導体産業における微細加工を可能にする技術を提供する、極めて有用な発明である。