(57)【要約】【課題】搭載部品に上面に形成された電極と、搭載対象物の位置合わせを精密に行う電子デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】搭載部品に上下両方向から認識可能な認識部を形成し、該認識部を上面から認識した情報と下面から認識した情報とによって、吸着ノズルと電極との位置関係を算出し、電極と搭載対象物との位置関係が所望の関係となるように吸着ノズルの位置を操作して、搭載部品を搭載対象物に搭載する。【選択図】        図５
2004221978.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搭載部品を搭載対象物に搭載してなる電子デバイスの製造方法であって、
搭載部品に、上下両方向から認識可能な認識部を形成するステップと、
前記搭載部品を上方から撮像して前記認識部と前記搭載部品の上面に形成されている電極との位置関係を認識するステップと、
前記搭載部品を吸引ノズルによって吸着するステップと、
前記搭載部品を下方から撮像することによって、前記認識部と前記吸着ノズルとの位置関係を認識するステップと、
前記電極と前記吸着ノズルとの位置関係を演算によって算出するステップと、
その算出結果に基づき、前記電極と前記搭載対象物との位置関係が所望の位置関係となるように前記搭載部品を前記搭載対象物上に搭載するステップと、
を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電子デバイスの製造方法において用いられる搭載部品であって、
前記認識部は少なくとも貫通孔からなることを特徴とする搭載部品。
【請求項３】
請求項２に記載の搭載部品であって、
上下両主面には、前記貫通孔の開口部を取り囲む認識パターンが形成されており、
前記認識部は前記貫通孔と該認識パターンとからなることを特徴とする搭載部品。
【請求項４】
搭載部品を搭載対象物に搭載してなる電子デバイスの製造方法であって、
前記搭載部品の基体の両主面に金属層を設けるステップと、
前記基体に貫通孔を形成するステップと、
前記基体の両主面に、少なくとも前記貫通孔の開口部を覆う保護膜を形成するステップと、
前記基体をエッチング液に浸漬して、前記金属層のうち前記保護膜に覆われていない部分をエッチングするステップと、
前記保護膜を前記基体から剥離するステップと、
前記搭載部品を上方から撮像して前記認識部と前記搭載部品の上面に形成されている電極との位置関係を認識するステップと、
前記搭載部品を吸引ノズルによって吸着するステップと、
前記搭載部品を下方から撮像することによって、前記認識部と前記吸着ノズルとの位置関係を認識するステップと、
前記電極と前記吸着ノズルとの位置関係を演算によって算出するステップと、
その算出結果に基づき、前記電極と前記搭載対象物との位置関係が所望の位置関係となるように前記搭載部品を前記搭載対象物上に搭載するステップと、
を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
導体板に誘電体基板を搭載してなる高周波デバイスの製造方法であって、
前記誘電体基板の両主面に金属層を設けるステップと、
前記誘電体基板に貫通孔を形成するステップと、
前記誘電体基板の両主面に、少なくとも前記貫通孔の開口部を覆う保護膜を形成するステップと、
前記誘電体基板をエッチング液に浸漬して、前記金属層のうち前記保護膜で覆われていない部分をエッチングするステップと、
前記保護膜を前記誘電体基板から剥離するステップと、
前記誘電体基板を上方から撮像することによって、前記貫通孔と前記金属膜とからなる認識部と、前記誘電体基板の上面に形成されている電極との位置関係を認識するステップと、
前記誘電体基板を吸着ノズルによって吸着するステップと、
前記誘電体基板を下方から撮像することによって、前記認識部と吸着ノズルとの位置関係を認識するステップと、
前記電極と前記吸着ノズルとの位置関係を演算によって算出するステップと、
その算出結果に基づき、前記電極と前記導体板との位置関係が所望の位置関係となるように前記誘電体基板を前記導体板に搭載するステップと、
を含むことを特徴と得る高周波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波デバイスなどの電子デバイスの製造方法に関し、より詳しくは搭載部品の位置を認識し搭載位置を補正する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の情報通信技術の発達により、電子デバイスの高周波化が進んでいる。高周波デバイスにおいては、各構成部分の組み立てに高い精度が要求され、組み立て時の僅かなズレがデバイスの特性の変化を招いてしまう。
【０００３】
高周波デバイスの例として、例えばガンダイオード発振器がある。特開２００１−７７６２９号公報の第６図および第７図に開示されているガンダイオード発振器を例にとって具体的に説明する。
【０００４】
図８は、このガンダイオード発振器の構成を示す斜視図であり、上記公報の第６図に相当する。下部導体板５１および上部導体板５２には、互いの対向面に所定形状の凹部が形成されており、凹部によって形成されている空間に誘電体ストリップ７１、７２と誘電体基板１０が配置されている。下部導体板５１にはガンダイオードが螺着されており、誘電体基板１０に設けられた孔３２からガンダイオードの突起部が突出している。突起部の上面は導体部６２となっている。マイクロストリップライン２４ａ、ｂは孔３２を取り囲んで形成されている導体ランド２６に接続しており、ハンダ６３などの導電性材料によって導体ランドとガンダイオードの導体部６２とを接続することにより、ガンダイオードとマイクロストリップライン２４ａ、ｂとが電気的に接続されている。
【０００５】
このようなガンダイオード発振器は以下のようにして組み立てられる。まず、下部導体板５１にガンダイオードを螺着し、誘電体ストリップ７２を下部導体板５１の凹部にはめ込む。次に、誘電体基板１０を下部導体板５１上に設置し、ハンダなどの導電性材料によってガンダイオードの導体部６２と導体ランド２６を電気的に接続する。次に、誘電体ストリップ７２と上部導体板５２を取りつけて、ガンダイオード発振器が完成する。
【０００６】
この製造工程中で、下部導体板５１に誘電体基板１０を設置する工程に於いては、高い精度が要求される。誘電体基板１０上に形成されているマイクロストリップライン２４ａ、ｂの端部（ここでは、端部は導体ランド２６になっている）とガンダイオードの突起部の先端にある導体部６２との位置関係によって、この発振器の発振周波数や出力が変化するからである。
【０００７】
上記のようなガンダイオード発振器の組立工程は、量産の際にはマウンタを用いて、以下のように自動的に行われている。
【０００８】
図６は部品の搭載に用いられるマウンタ８０を示す図である。ヘッド部には誘電体基板１０を吸引する吸引ノズル８２と上部カメラ８３が設けられている。ヘッド部８１はＸＹロボット８４に取りつけられており、ＸＹ方向に自由に移動することができる。また、吸引ノズル８２はＺ軸方向に移動可能になっている。
【０００９】
まず、吸引ノズル８２がトレイ８５の上方に移動し、トレイ８５上にある誘電体基板１０を吸引によってピックアップする。次に、吸引ノズル８２は下部カメラ８６上に移動し、下部カメラ８６によって下方から誘電体基板１０を撮像し、誘電体基板１０の外形を認識することによって吸引ノズル８２と誘電体基板１０との位置関係を算出する。誘電体基板１０は常に一定の位置、角度で吸着されるわけではないので、下部カメラ８６で撮像することにより、誘電体基板１０がどのような状態で吸着されているかを認識する必要があるのである。
【００１０】
次に、下部導体板５１が載置されている搬送部８７上にヘッド部８１が移動し、上部カメラ８３によって下部導体板５１の位置を確認した後、吸引ノズル８２と下部導体板５１の位置関係を踏まえて、下部導体板５１の所定の位置に誘電体基板１０が搭載されるように吸引ノズル８２を位置合わせして誘電体基板１０を下部導体板５１に搭載する。
【００１１】
図６に示したようなマウンタを用いて電子デバイスを製造する方法であって、画像認識によって位置ズレを補正する方法の先行技術としては例えば特許文献１に記載された技術がある。
【００１２】
特許文献１に記載された技術では、校正用治具を部品認識カメラと基板認識カメラによってそれぞれ撮像することによって、部品認識カメラと基板認識カメラの位置ズレを認識するとともに、基準位置に対する基板認識カメラのオフセット量を算出する。
【００１３】
【特許文献１】
特開平１１−４０９９６号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の方法においては、下部カメラ８６によって誘電体基板１０の外形を下方から認識し、誘電体基板１０が吸引ノズル８２にどのような状態で吸着されているかを算出する。そのため、下部導体板５１と誘電体基板１０の外形とは精度よく位置合わせされることになる。
【００１５】
しかし、誘電体基板１０上のマイクロストリップライン２４ａ，ｂや導体ランド２６などの電極と誘電体基板１０の外形との位置関係は基板ごとに異なっている。このため、誘電体基板１０の外形を基準に対して精度よく搭載しても、電極との位置関係の精度はよくならず、電極とガンダイオードとの位置関係がばらついてしまい、両者の位置関係を所望の範囲で搭載することができない。よって、上記のようにマウンタ８０によって下部導体板５１上に誘電体基板１０を搭載してガンダイオード発振器を量産すると、同一設計であるにもかかわらず個々に周波数が異なる発振器が製造されてしまい、組み立て後に周波数の調整を行わなければならず、生産コストの上昇を招いていた。
【００１６】
また、このような問題は上述したようなガンダイオード発振器の製造工程のみならず様々な場合に発生していた。例えば、上面に電極が形成された基板をパッケージに搭載する場合に、基板上の電極とパッケージの引き出し電極とをボンディングワイヤで接続することがあるが、基板上の電極と引き出し電極との位置関係をほぼ一定としなければ、ボンディングワイヤ長のばらつきが発生し、特性のばらつきにつながっていた。また、基板をリードフレームに搭載する場合や、上面に電極を有する電子部品を基板上に搭載する場合などにもこのような問題が生じている。
【００１７】
近年、電子デバイスの高周波化が著しいが、周波数が上がるほど僅かな位置ずれが特性に大きく影響するため、上述した問題点を解決することはこの先ますます重要となる。
【００１８】
上記の特許文献１に記載されている先行技術では、部品認識カメラと基板認識カメラの位置ずれを補正することにより部品の搭載精度を向上させる技術が開示されているが、搭載部品上の電極の位置を搭載対象物に対して精度よく合わせるという技術思想はなく、この先行技術によっては上記の問題点は解決できない。
【００１９】
本発明の目的は、搭載部品上の電極と搭載対象物との位置関係を精度よく合わせることができる電子デバイスの製造方法を提供することであり、特に搭載部品上の電極と搭載対象物との位置関係を精度よく合わせることができる高周波デバイスの製造方法を提供することである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために本発明は以下の構成を有する。
【００２１】
すなわち本発明の電子デバイスの製造方法は、搭載部品を搭載対象物に搭載してなる電子デバイスの製造方法であって、搭載部品に、上下両方向から認識可能な認識部を形成するステップと、前記搭載部品を上方から撮像して前記認識部と前記搭載部品の上面に形成されている電極との位置関係を認識するステップと、前記搭載部品を吸引ノズルによって吸着するステップと、前記搭載部品を下方から撮像することによって、前記認識部と前記吸着ノズルとの位置関係を認識するステップと、前記電極と前記吸着ノズルとの位置関係を演算によって算出するステップと、その算出結果に基づき、前記電極と前記搭載対象物との位置関係が所望の位置関係となるように前記搭載部品を前記搭載対象物上に搭載するステップと、を含むことを特徴とする。
【００２２】
搭載部品を上方から撮像して、認識部と電極との位置関係を認識し、さらに搭載部品を下方から認識して、吸着ノズルと認識部との位置関係を認識することにより、撮像によって得た情報をもとに演算を行い吸着ノズルと電極との位置関係を精密に把握できることから、搭載対象物と電極との位置関係を精密に所望の位置関係に設定することができる。
【００２３】
また、本発明の搭載部品の認識部は、少なくとも貫通孔からなることが好ましく、貫通孔と該貫通孔の開口部を取り囲む認識パターンとからなることがより好ましい。
【００２４】
すなわち本発明にあっては、認識部は上下両方向から認識可能でなければならないところ、貫通孔を認識部とすれば上下両方向から認識可能である。また、貫通孔とその開口部を取り囲む認識パターンとで認識部を構成することにより、認識部をより確実に画像認識できるようになる。
【００２５】
また、本発明の電子デバイスの製造方法においては、前記搭載部品の基体の両主面に金属層を設けるステップと、前記基体に貫通孔を形成するステップと、
前記基体の両主面に、少なくとも前記貫通孔の開口部を覆う保護膜を形成するステップと、前記基体をエッチング液に浸漬して、前記金属層の一部をエッチングするステップと、前記保護膜を前記基体から剥離するステップとによって前記認識部を形成することが好ましい。
【００２６】
このような方法によって認識部を形成することにより、貫通孔の開口部の周囲を金属層からなる認識パターンで取り囲んだ認識部を形成することができる。また、金属層からなる認識パターンは金属層からなる電極と輝度が等しいため、上方から搭載部品を撮像するステップにおいて、電極と認識部とを同時にかつ確実に画像認識できる。
【００２７】
また、電子デバイスの製造方法を応用し、つまり具体的には「搭載部品」を誘電体基板とし、「搭載対象物」を導体板とすることにより、特性のばらつきのない高周波デバイスを製造することができる。すなわち、導体板に誘電体基板を搭載してなる高周波デバイスにおいては、誘電体基板上の電極と導体板との位置関係を精密に設定することが重要であり、僅かな位置ずれによっても高周波デバイスの特性の変化を招くことから、上記の製造方法を高周波デバイスに適用することによる効果は大きい。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下において、図１ないし図７を参照しつつ、本発明の一実施形態であるガンダイオード発振器の製造方法について説明する。
【００２９】
図１は、誘電体基板に認識部を形成する工程を示す工程図であり、図７はガンダイオード発振器の構成を示す斜視図である。図７においては、図８と共通する部分には同一の符号を付しているため、詳細な説明は省略する。
【００３０】
はじめに、図１に基づいて誘電体基板１０に認識部を設ける工程について説明する。なお。図１は図４の平面図によって示される誘電体基板１０の断面を簡略に表すものであり、図１では、図４に示すバイアス線路２７、マイクロストリップライン２４ａ，ｂ、導体ランド２６、共振電極２５を総称して電極２２として示している。
【００３１】
まず誘電体基板１０を用意し、図１（ａ）に示すように両主面に銅板２０を貼り付ける。次に、図１（ｂ）に示すように認識部の一部となる貫通孔３１をドリルによって形成する。このとき同時に、ガンダイオードの突起部を挿入するための孔３２も形成しておく。
【００３２】
次に、図１（ｃ）に示すように誘電体基板１０の両主面にシート状の感光膜４０を貼り付け、マスクを用いて露光し、図１（ｄ）に示すように、後のエッチング工程において銅板２０を残したい部分のみに感光膜４０を残す。感光膜４０は、印刷やスピンコートなどの方法によって形成してもよい。
【００３３】
誘電体基板１０の上面には、図４に示すマイクロストリップライン２４ａ、ｂや共振電極２５、導体ランド２６、バイアス線路２７（図１においてはこれらを総称して電極２２としている）と貫通孔３１の開口面を取り囲む認識パターン２１を形成したいので、その部分に感光膜４０を残す。誘電体基板１０の下面には、グランド電極２３と認識パターン２１を形成したいのでその部分の感光膜４０を残す。グランド電極２３は、誘電体基板１０上面のマイクロストリップライン２４ａ，ｂと対向する部分に形成されている。
【００３４】
なお、マスクの位置は認識パターン２１が貫通孔３１の開口部を取り囲むような位置に来るように位置合わせをする。
【００３５】
次に、ウェットエッチングによって銅板２０をエッチングし、感光膜４０が設けられていない部分の銅板２０を除去することによって、認識パターン２１と電極２２、グランド電極２３を形成する。認識パターン２１と貫通孔３１によって認識部が構成されている。図２（ａ）には、認識部を拡大した平面図および断面図を示す。
【００３６】
このとき重要なことは、感光膜４０が貫通孔３１の両開口部をふさいで貫通孔３１にエッチング液が浸入しないようになっていることである。例えば、図３に示すように、貫通孔３１の一方の開口部がふさがれていないとすると、この部分からエッチング液が貫通孔３１に浸入し、認識パターン２１の内周２１ａがエッチング液によって溶解される。その結果、認識パターン２１は、図２（ｂ）に示した認識パターン２１付近の拡大図のように、貫通孔３１の開口部の形状と認識パターンの内周２１ａの形状がずれて形成されてしまう。後に詳述するが、開口部の形状と認識パターンの内周２１ａの形状が異なると、精密な位置あわせができなくなるので、貫通孔３１にエッチング液が浸入しないように、貫通孔３１の両開口部を感光膜４０でふさいでおく必要がある。
【００３７】
次に、感光膜４０を除去することによって、図１（ｅ）に示すように、電極２２とグランド電極２３、および貫通孔３１と認識パターン２１とからなる認識部の形成が完了する。また、図４（ａ）には誘電体基板１０の上面の平面図を、図４（ｂ）には下面の平面図を示す。
【００３８】
本実施例では、貫通孔３１と認識パターン２１とで認識部を構成するが、認識部は誘電体基板１０の上下両方向から認識可能であればよいので、認識パターン２１を設けずに貫通孔３１のみをもって認識部としてもよい。ただし、後述するように貫通孔３１の周囲に認識パターン２１を形成するほうが好ましい。
【００３９】
また、ハンダ濡れ性の向上や腐食防止のため、電極２２やグランド電極２３の一部または全部にＡｕなどのめっきを施すこともある。
【００４０】
次に、図５および図６を参照しつつ、上記の誘電体基板１０を下部導体板５１に搭載する方法について説明する。図５は、誘電体基板１０を下部導体板５１に搭載する工程を示す図であり、図６はこの工程に用いるマウンタ８０を示している。
【００４１】
図６は、誘電体基板１０を下部導体板５１に搭載する工程において用いられるマウンタ８０を示しているが、その構成は従来から使用されているものと同様であり、従来の技術において既に構成を説明しているので詳しい説明は省略する。
【００４２】
また、図７は本実施例によって製造されるガンダイオード発振器を示す斜視図である。図８と共通する部分には同一の符号を付してあるので、詳細な説明は省略する。
【００４３】
図５は、誘電体基板１０を下部導体板５１に搭載する各ステップにおいて、マウンタ８０の主要部を拡大して工程を示している図である。図５においては誘電体基板１０は簡略に図示しており、図４に示すバイアス線路２７、マイクロストリップライン２４ａ，ｂ、導体ランド２６、共振電極２５を総称して電極２２として図示している。
【００４４】
まず、電極２２、グランド電極２３、および貫通孔３１と認識パターン２１とからなる認識部が形成されている誘電体基板１０が載置されているトレイ８５上にヘッド部８１が移動し、上部カメラ８３で誘電体基板１０を撮像して、誘電体基板１０上の電極２２と、認識パターン２１の中心との位置関係を認識する。ここでは、図５（ａ）に模式的に示すように、例えば後にガンダイオードの突起部と接続する電極２２（より詳しくは、図４に示した導体ランド２６がガンダイオードの導体部と接続される）と認識パターン２１の内周２１ａの中心との位置関係を認識するものとする。
【００４５】
貫通孔３１のみを持って認識部とし認識パターン２１が形成されていない場合には、電極２２と貫通孔３１の中心との位置関係を認識する。ただし、貫通孔３１の位置を上部カメラ８３で認識するためには、誘電体基板１０と貫通孔３１とのコントラストを強くするために強い光を誘電体基板１０の上方からあてる必要があり、強い光をあてると金属からなる電極２２部分で光が強く反射して周囲の像がぼやけ、電極２２を正しく画像認識できなくなることがある。よって、同一の素材から形成されている電極２２と認識パターン２１とを上部カメラ８３で認識するようにすることが好ましい。
【００４６】
次に、図５（ｂ）に示すように吸引ノズル８２で誘電体基板１０を吸着して、吸引ノズル８２を下部カメラ８６上に移動させる。下部カメラ８６によって誘電体基板１０を下方から撮像し、貫通孔３１の中心と吸引ノズル８２との位置関係を演算によって求める。ここでは、吸引ノズル８２の中心と貫通孔３１の中心との位置関係を求めるものとするが、例えば吸引ノズル８２の外周と貫通孔３１の中心との位置関係を求めるものであってもよい。
【００４７】
吸引ノズル８２の位置は下部カメラ８６からは捉えられないが、吸引ノズル８２の位置はあらかじめマウンタ８０に設定されており、ＸＹロボット８４によって吸引ノズル８２を所定の位置に精度よく決めることができるので、ＸＹロボット８４からの情報と下部カメラ８６からの画像情報とを合わせて演算することによって、吸引ノズル８２の中心の位置と貫通孔３１の中心の位置関係を求めることができる。
【００４８】
下部の認識パターン２１がなくとも貫通孔３１の中心を画像認識することは可能であるが、金属からなる認識パターン２１を貫通孔３１の開口部の周囲に設けることにより、光の反射がない貫通孔３１部分と、金属により大きな反射が起こる認識パターン２１部分との輝度のコントラストが大きくなって、より確実に貫通孔３１の位置を認識することができる。
【００４９】
なお、上部カメラ８３では認識パターンの内周２１ａの中心を認識し、下部カメラでは貫通孔３１の中心を認識して後の位置合わせを行うため、貫通孔３１の開口部と認識パターンの内周２１ａが一致していなければならない。よって、上述したように開口部にエッチング液が浸入しないようにしなければならないのである。
【００５０】
次に、下部導体板５１が載置されている搬送部８７の上方へとヘッド部８１を移動し、上部カメラ８３によって下部導体板５１を撮像し、搬送部８７上の下部導体板５１の位置を認識する。
【００５１】
そして、上部カメラ８３によって認識した、認識パターンの内周２１ａの中心と導体ランド２６との位置関係と、下部カメラ８３によって認識した、貫通孔３１の中心と吸引ノズル８２の中心との位置関係とから、吸引ノズル８２の中心と導体ランド２６との位置関係を演算によって算出する。認識パターンの内周２１ａと貫通孔３１の開口部とは一致するように形成されているから、認識パターンの内周２１ａの中心と貫通孔３１の中心とは一致しているので、認識パターンの内周２１ａの中心と導体ランド２６との位置関係と、貫通孔３１の中心と吸引ノズル８２の中心との位置関係がわかれば、吸引ノズル８２の中心と導体ランド２６との位置関係を算出することは容易である。
【００５２】
なお、下部導体板５１は、ガンダイオード６０が螺着され、誘電体ストリップ７１が取りつけられた状態で搬送部８７に置かれている。
【００５３】
次に、上記の演算結果により、導体ランド２６が下部導体板５１に対して所定の位置にくるように、具体的には導体ランド２６とガンダイオードの導体部６２との位置関係が所望の関係となるように、ＸＹロボット８４によって吸引ノズル８２の位置を合わせて、図５（ｃ）に示すように下部導体板５１に誘電体基板１０を搭載し、図５（ｄ）のように組み立てられる。
【００５４】
図５（ｄ）に示されたガンダイオード発振器を詳細に図示した斜視図が図７である。図５（ａ）〜（ｄ）に示した工程によって下部導体板５１に誘電体基板１０を搭載した後に、ハンダ６３などの導電性材料でガンダイオードの導体部６２と導体ランド２６とを電気的に接続し、誘電体ストリップ７２を取りつけ、さらに上部導体板５２を取りつけて図７に示すガンダイオード発振器が完成する。
【００５５】
本実施例においてはガンダイオード発振器を例にとって説明したが、「発明が解決しようとする課題」において既に説明したように、本願発明はガンダイオード発振器の組み立てに限らず、広く適用することが可能であり、特に高周波デバイスの組み立てに好適に適用することができる。
【００５６】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したように構成されるもので、以下に記載するような効果を奏するものである。
【００５７】
搭載部品に上下両方向から認識可能な認識部を形成し、搭載部品の上方から認識部と電極の位置関係を認識し、また下方からは認識部と吸着ノズルの位置関係を認識することによって、搭載部品上の電極と搭載対象物との位置関係を所望の関係に精度よく設定して搭載することが可能となり、電子デバイスの性能のばらつきを抑えることができる。電極位置のばらつきがデバイスの精度に与える影響は周波数が高いほど顕著になるため、本発明の製造方法を高周波デバイスの製造に適用した場合に効果が大きい。また、本発明では従来の製造方法では搭載対象物の認識に用いていた上部カメラを利用して搭載部品上の電極と認識部との位置関係を認識するので、従来から用いられているマウンタに新たな機構を追加する必要がないため、本発明の実施に当たっては新規の設備投資は必要ない。
【００５８】
搭載部品の認識部を貫通孔とすることにより、上下両方向から認識可能な認識部を簡単に形成することができ、貫通孔の開口部を取り囲む認識パターンを設ければ認識部をより確実に画像認識できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の搭載部品の一例である誘電体基板に認識部を形成する工程を示す工程図である。
【図２】誘電体基板の認識部付近を拡大した平面図および断面図である。
【図３】誘電体基板の認識部付近を拡大した断面図である。
【図４】誘電体基板の上面および下面を示す平面図である。
【図５】本発明の一実施形態であるガンダイオード発振器の組立工程を示す工程図である。
【図６】電子デバイスの組み立てに用いられるマウンタを示す図である。
【図７】本発明のガンダイオード発振器を示す斜視図である。
【図８】従来のガンダイオード発振器を示す斜視図である。
【符号の説明】
１０    誘電体基板
２０    銅板
２１    認識パターン
２１ａ    認識パターンの内周
２２    電極
２３    グランド電極
２４ａ、２４ｂ    マイクロストリップライン
２５    共振電極
２６    導体ランド
２７    バイアス線路
３１    貫通孔
３２    孔
４０    感光膜
５１    下部導体板
５２    上部導体板
６１    突起部
６２    導体部
６３    ハンダ
７１、７２    誘電体ストリップ
８０    マウンタ
８１    ヘッド部
８２    吸引ノズル
８３    上部カメラ
８４    ＸＹロボット
８５    トレイ
８６    下部カメラ
８７    搬送部
【図１】
2004221978.tif 000003
【図２】
2004221978.tif 000004
【図３】
2004221978.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2004221978.tif 000008
【図７】
2004221978.tif 000009
【図８】
2004221978.tif 000010