(57)【要約】【課題】酸化レートをある程度高く維持しつつ、酸化膜の面内均一性と膜質の特性を共に向上させることができる被処理体の酸化方法を提供する。【解決手段】処理容器８内にて所定の温度になされた被処理体Ｗの表面を酸化する酸化方法において、真空雰囲気下にて酸素及び／又はオゾンよりなる酸化性ガスと水素及び／又は重水素よりなる還元性ガスとを供給し（酸素と水素のみの組み合わせを除く）、発生した水酸基活性種と酸素活性種とにより前記酸化を行なう。これにより、酸化レートをある程度高く維持しつつ、酸化膜の面内均一性と膜質の特性を共に向上させる。【選択図】  図１
2004228330.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内にて所定の温度になされた被処理体の表面を酸化する酸化方法において、真空雰囲気下にて酸素及び／又はオゾンよりなる酸化性ガスと水素及び／又は重水素よりなる還元性ガスとを供給し（酸素と水素のみの組み合わせを除く）、発生した水酸基活性種と酸素活性種とにより前記酸化を行なうようにしたことを特徴とする被処理体の酸化方法。
【請求項２】
被処理体に酸化処理を施すために真空引き可能になされた処理容器と、前記被処理体を支持するための支持手段と、前記被処理体を加熱するための加熱手段と、前記処理容器内の雰囲気を真空引きする真空排気系と、前記処理容器内に酸素及び／又はオゾンよりなる酸化性ガスを供給するための酸化性ガス供給系と、この酸化性ガス供給系とは別個に設けられて、前記処理容器内に水素及び／又は重水素よりなる還元性ガスを供給するための還元性ガス供給系とを備えることを特徴とする被処理体の酸化装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体の表面に対して酸化処理を施す被処理体の酸化方法及び酸化装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体集積回路を製造するためにはシリコン基板等よりなる半導体ウエハに対して、成膜処理、エッチング処理、酸化処理、拡散処理、改質処理等の各種の処理が行なわれる。上記各種の処理の中で、例えば酸化処理を例にとれば、この酸化処理は、単結晶或いはポリシリコン膜の表面等を酸化する場合、金属膜を酸化処理する場合等が知られており、特に、ゲート酸化膜やキャパシタ等の絶縁膜を形成する時に主に用いられる。
【０００３】
この酸化処理を行なう方法には、圧力の観点からは、略大気圧と同等の雰囲気下の処理容器内で行なう常圧酸化処理方法と真空雰囲気下の処理容器内で行なう減圧酸化処理方法とがあり、また、酸化に使用するガス種の観点からは、例えば水素と酸素とを外部燃焼装置にて燃焼させることによって水蒸気を発生させてこの水蒸気を用いて酸化を行なうウェット酸化処理方法（例えば特許文献１等）と、オゾンのみ、或いは酸素のみを処理容器内へ流すなどして水蒸気を用いないで酸化を行なうドライ酸化処理方法（例えば特許文献２等）とが存在する。
【０００４】
【特許文献１】
特開平３−１４０４５３号公報
【特許文献２】
特開昭５７−１２３２号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、絶縁膜としては耐圧性、耐腐食性、信頼性等の膜質特性を考慮すると、一般的には、ドライ酸化処理により形成された物よりも、ウェット酸化処理により形成された物の方が比較的優れている。また、形成される酸化膜（絶縁膜）の成膜レートやウエハ面内の均一性の観点からは、一般的には、常圧のウェット酸化処理により形成された物は、酸化レートは大きいが、膜厚の面内均一性に劣り、減圧のウェット酸化処理により形成された物は、逆に酸化レートは小さいが膜厚の面内均一性に優れている、という特性を有している。
【０００６】
従来にあっては、半導体集積回路のデザインルールがそれ程厳しくなかったことから、酸化膜が適用される用途やプロセス条件、装置コスト等を適宜勘案して、上述したような種々の酸化方法が用いられていた。しかしながら、最近のように線幅や膜厚がより小さくなってデザインルールが厳しくなると、それに従って、膜質の特性や膜厚の面内均一性等がより高いものが要求されるようになってきており、酸化処理方法では、この要求に十分に対応することができない、といった問題が発生してきた。
【０００７】
また、ウェット酸化処理方法の例として例えば特開平４−１８７２７号公報に示すように、縦型の石英反応管内の下端にＨ２  ガスとＯ２  ガスとを別個に導入し、これを石英キャップ内に設けた燃焼部にて燃焼させて水蒸気を発生し、この水蒸気をウエハの配列方向に沿って上昇させつつ酸化処理を行なうようにした酸化装置も提案されている。
【０００８】
しかしながら、この場合には、上記した燃焼部にてＨ２  ガスを燃焼させるようにしているので、例えば処理容器の下端では水蒸気リッチになり、そして、水蒸気が上昇するに従ってこれが消費されて処理容器の上端では逆に水蒸気不足の傾向となるので、ウエハ面上に形成される酸化膜の厚さがウエハの支持位置により大きく異なる場合が生じ、この酸化膜の厚さの面間均一性が劣化する場合もあった。
【０００９】
また、他の装置例として例えば特開昭５７−１２３２号公報に開示されているように、横型のバッチ式の反応管内に複数の半導体ウエハを並べて設置し、この反応管の一端側より、Ｏ２  ガスを導入したり、或いはＯ２  ガスとＨ２  ガスとを同時に導入したりして、減圧雰囲気化にて酸化膜を生成するようにした酸化装置も提示されている。
しかしながら、この従来装置例の場合には、水素燃焼酸化法を用いて比較的高い圧力雰囲気下にて成膜を行っていることから、水蒸気成分が反応の主体となり、上述したように処理容器内のガス流の上流側と下流側との間での水蒸気の濃度差が大きくなり過ぎ、酸化膜の厚さの面間均一性が劣化する恐れがあった。
【００１０】
また更に、他の装置例として例えば米国特許第６０３７２７３号に開示されているように、ランプ加熱による枚葉式のプロセスチャンバ内に酸素ガスと水素ガスとを供給し、これらの両ガスをプロセスチャンバ内に設置した半導体ウエハ表面の近傍にて反応させて水蒸気を生成し、この水蒸気でウエハ表面のシリコンを酸化させて酸化膜を形成するようにした装置が示されている。
【００１１】
しかしながら、この装置例の場合には、ウエハから２０〜３０ｍｍ程度だけ離れたガス入口から酸素ガスと水素ガスとをプロセスチャンバ内に導入し、半導体ウエハ表面の近傍にてこれらの酸素ガスと水素ガスとを反応させて水蒸気を発生させて、しかもプロセス圧力も比較的高い領域で行うことから、膜厚の面内均一性に劣る恐れが生ずる、といった問題があった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、酸化レートをある程度高く維持しつつ、酸化膜の膜厚の面内均一性と面間均一性の向上及び膜質の特性を向上させることが可能な被処理体の酸化方法及び酸化装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１に規定する発明は、処理容器内にて所定の温度になされた被処理体の表面を酸化する酸化方法において、真空雰囲気下にて酸素及び／又はオゾンよりなる酸化性ガスと水素及び／又は重水素よりなる還元性ガスとを供給し（酸素と水素のみの組み合わせを除く）、発生した水酸基活性種と酸素活性種とにより前記酸化を行なうようにしたものである。
【００１３】
請求項２には規定する発明は、上記方法発明を実施するための装置発明であり、被処理体に酸化処理を施すために真空引き可能になされた処理容器と、前記被処理体を支持するための支持手段と、前記被処理体を加熱するための加熱手段と、前記処理容器内の雰囲気を真空引きする真空排気系と、前記処理容器内に酸素及び／又はオゾンよりなる酸化性ガスを供給するための酸化性ガス供給系と、この酸化性ガス供給系とは別個に設けられて、前記処理容器内に水素及び／又は重水素よりなる還元性ガスを供給するための還元性ガス供給系とを備えることを特徴とする被処理体の酸化装置である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る被処理体の酸化方法及び酸化装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明に係る成膜方法を実施するための被処理体の酸化装置の一例を示す構成図である。ここでは酸化性ガスとしてオゾン（Ｏ３  ）を用い、還元性ガスとして水素（Ｈ２  ）を用いる場合を例にとって説明する。
この酸化装置２は、内筒４と外筒６とよりなる石英製の２重管構造の縦型の所定の長さの処理容器８を有している。上記内筒４内の処理空間Ｓには、被処理体を保持するための支持手段としての石英製のウエハボート１０が収容されており、このウエハボート１０には被処理体としての半導体ウエハＷが所定のピッチで多段に保持される。尚、このピッチは、一定の場合もあるし、ウエハ位置によって異なっている場合もある。
【００１５】
この処理容器８の下方を開閉するためにキャップ１２が設けられ、これには磁性流体シール１４を介して貫通する回転軸１６が設けられる。そして、この回転軸１６の上端に回転テーブル１８が設けられ、このテーブル１８上に保温筒２０を設け、この保温筒２０上に上記ウエハボート１０を載置している。そして、上記回転軸１６は昇降可能なボートエレベータ２２のアーム２４に取り付けられており、上記キャップ１２やウエハボート１０等と一体的に昇降可能にしており、ウエハボート１０は処理容器８内へその下方から挿脱可能になされている。尚、ウエハボート１０を回転せずに、これを固定状態としてもよい。
上記処理容器８の下端開口部は、例えばステンレス製のマニホールド２６が接合されており、このマニホールド２６には、流量制御された酸化性ガスと還元ガスとを処理容器８内へ導入するための酸化性ガス供給系２８と還元性ガス供給系３０がそれぞれ個別に設けられている。
【００１６】
具体的には、まず、上記酸化性ガス供給系２８は、上記マニホールド２６を貫通して設けられる酸化性ガスノズル３２を有しており、このノズル３２には途中に例えばマスフローコントローラのような流量制御器３４を介設したガス供給路３６が接続される。そして、このガス供給路３６には、酸化性ガスとしてここでは例えばオゾンを貯留、或いは発生する酸化性ガス源３８が接続されている。
また、上記還元ガス供給系３０は、同様に上記マニホールド２６を貫通して設けられる還元性ガスノズル４０を有しており、このノズル４０には途中に例えばマスフローコントローラのような流量制御器４２を介設したガス供給路４４が接続される。そして、このガス供給路４４には、還元性ガスとしてここでは例えば水素を貯留、或いは発生する還元性ガス源４６が接続されている。
【００１７】
従って、上記各ノズル３２、４０より供給された各ガスは、内筒４内の処理空間Ｓであるウエハの収容領域を上昇して天井部で下方へ折り返し、そして内筒４と外筒６との間隙内を流下して排出されることになる。また、外筒６の底部側壁には、排気口５０が設けられており、この排気口５０には、排気路５２に真空ポンプ５４を介設してなる真空排気系５６が接続されており、処理容器８内を真空引きするようになっている。ここで処理空間Ｓとしてのウエハの収容領域と各ガスの導入位置との間の距離Ｈ１、具体的にはウエハの収容領域の下端部、すなわちウエハボート１０の下端部と各ノズル３２、４０の先端のガス出口との間の距離Ｈ１は所定の距離だけ離間されている。このように距離Ｈ１を設けた第１の理由は、この距離Ｈ１の長さを各ガスが上昇する間に、加熱ヒータ６２により加熱されてホットウォール状態になさされた処理容器８からの放熱により、上記各ガスを予備的に加熱させるためである。すなわち、一般的にはウエハボート１０の長さ方向に沿った処理空間Ｓの温度は精度良く略一定に維持されているが、もし、例えば室温程度の各ガスをウエハボート１０の下部近傍に導入すると、この部分における温度が低下して処理空間Ｓ内の全体における温度分布に悪影響を与えるからである。また、第２の理由は、距離Ｈ１の長さに亘って両ガスが上昇する際に、これらの両ガスを良好に混合させるためである。
【００１８】
従って、上記距離Ｈ１は、ウエハの収容領域（処理空間Ｓ）における温度分布に悪影響を与えないで、且つ導入された酸化性ガスと還元性ガスとの混合を十分に行う得る長さ、例えば１００ｍｍ以上、好ましくは３００ｍｍ以上に設定する。尚、本実施例の場合は、距離Ｈ１は３５０ｍｍ程度に設定されている。また、処理容器８の外周には、断熱層６０が設けられており、この内側には、加熱手段として加熱ヒータ６２が設けられて内側に位置するウエハＷを所定の温度に加熱するようになっている。
ここで、処理容器８の全体の大きさは、例えば成膜すべきウエハＷのサイズを８インチ、ウエハボート１０に保持されるウエハ枚数を１５０枚程度（製品ウエハを１３０枚程度、ダミーウエハ等を２０枚程度）とすると、内筒４の直径は略２６０〜２７０ｍｍ程度、外筒６の直径は略２７５〜２８５ｍｍ程度、処理容器８の高さは略１２８０ｍｍ程度である。
【００１９】
また、ウエハＷのサイズが１２インチの場合には、ウエハボート１０に保持されるウエハ枚数が２５〜５０枚程度の場合もあり、この時、内筒４の直径は略３８０〜４２０ｍｍ程度、外筒６の直径は略４４０〜５００ｍｍ程度、処理容器８の高さは略８００ｍｍ程度である。そして、ウエハボート１０の高さＨ２は、ウエハ枚数に依存し、例えば２００〜１０００ｍｍ程度の範囲内となる。尚、これらの数値は単に一例を示したに過ぎない。
尚、図中、６４はキャップ１２とマニホールド２６との間をシールするＯリング等のシール部材であり、６６はマニホールド２６と外筒６の下端部との間をシールするＯリング等のシール部材である。
【００２０】
次に、以上のように構成された酸化装置を用いて行なわれる本発明方法について説明する。
まず、未処理の多数枚の半導体ウエハＷをウエハボート１０に所定のピッチで多段に保持させ、この状態でボートエレベータ２２を上昇駆動することにより、ウエハボート１０を処理容器８内へその下方より挿入し、処理容器８内を密閉する。この処理容器８内は予め予熱されており、また、例えば半導体ウエハＷの表面は酸化対象となる単結晶膜、多結晶膜、金属膜、金属酸化膜等が前工程にて形成されている。また、単結晶のシリコンウエハ自体の表面を酸化する場合もある。
上述のようにウエハＷが挿入されたならば、加熱ヒータ６２への供給電圧を増加してウエハＷを所定のプロセス温度まで昇温すると共に、真空排気系５６により処理容器８内を真空引きする。
【００２１】
そして、これと同時に酸化性ガス供給系２８の酸化性ガスノズル３２から流量制御されたオゾンを処理容器８内へ導入すると共に、還元性ガス供給系３０の還元性ガスノズル４０から流量制御された水素を処理容器８内へ導入する。
このように、処理容器８内へ別々に導入されたオゾンと水素はこの処理容器８内を上昇しつつウエハＷの直近で水素の燃焼反応を生じて、ウエハ表面を酸化することになる。この時の酸化プロセス条件は、酸化対象膜が単結晶シリコン、或いは多結晶シリコンの時にはウエハ温度が４００〜１１００℃の範囲内、好ましくは下層の素子の耐熱性等を考慮して４００〜９００℃の範囲内、圧力は１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）未満、好ましくは濃度分布を考慮して６．７Ｐａ（０．０５Ｔｏｒｒ）〜６６．５Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）の範囲内である。また、ガス流量はオゾンガスが１ｓｃｃｍ〜１０リットル／ｍｉｎの範囲内、水素ガスが１ｓｃｃｍ〜５リットル／ｍｉｎの範囲内である。
これにより、酸化レートをある程度高く維持しつつ、酸化膜の面内均一性と膜質の特性とを共に大幅に向上させることが可能となる。
【００２２】
このように、減圧雰囲気下にて水素とオゾンとを別々に処理容器８内へ導入することにより、ウエハＷの直近にて以下のような水素の燃焼反応が進行すると考えられる。尚、下記の式中において＊印を付した化学記号はその活性種を表す。
Ｈ２  ＋Ｏ３      →    Ｈ＊＋ＨＯ２  ＋Ｏ＊＋Ｏ３
Ｏ３  ＋Ｈ＊  →  ＯＨ＊＋２Ｏ＊＋Ｏ３
Ｈ２  ＋Ｏ＊  →  Ｈ＊＋ＯＨ＊＋Ｏ３
Ｈ２  ＋ＯＨ＊  →  Ｈ＊＋Ｈ２  Ｏ＋Ｏ３
【００２３】
このように、Ｈ２  及びＯ３  を別々に処理容器８内に導入すると、水素の燃焼反応過程中においてＯ＊（酸素活性種）とＯＨ＊（水酸基活性種）とＨ２  Ｏ（水蒸気）が発生し、これらによりウエハ表面の酸化が行なわれる。この場合、酸化膜の膜質の特性や膜厚の面内均一性及び面間均一性が改善された理由は、特に上記Ｏ３  （オゾン）とＯ＊とＯＨ＊の各活性種が大きく作用するものと考えられる。換言すれば、上述のような従来方法よりはプロセス圧力が遥かに低い真空雰囲気下にて酸化処理を行なうようにしたので、Ｈ２  ガスとＯ３  ガスが処理容器８内を上昇しつつ上記した一連の化学反応式で示す反応が徐々に進むので、ウエハＷのどの高さ位置においても過不足のない状態でＨ２  Ｏが存在するような状態となり、このため酸化反応がウエハＷのどの高さ位置においても略均等に行われ、この結果、特に膜厚の面間均一性も向上させることが可能となる。すなわち、上述のようにプロセス圧力を１３３Ｐａ未満に設定して従来方法よりもかなり低く設定することにより、オゾンと水素基の活性種の寿命が共に長くなり、従って、この活性種が高さＨ２の処理空間Ｓに沿って流れる際に途中であまり消滅することなく、酸化反応に寄与しつつ上昇することになり、よって膜厚の面間均一性も向上する。
【００２４】
また、ここではＨ２  ガスとＯ３  ガスとを直接的に処理空間Ｓに供給するのではなく、その下端部より距離Ｈ１だけ離れた所に供給するようにしているので、両ガスが距離Ｈ１の長さを上昇する間に、両ガスが十分に混合され、また、この距離Ｈ１の長さを上昇する間に、加熱ヒータ６２により、或いは加熱ヒータ６２により加熱されてホットウォール状態になった処理容器８からの熱により予備加熱されるので、これらの両ガスの活性化を促進することができる。
【００２５】
また、ここでは処理容器８が２重管構造の酸化装置について説明したが、本発明は単管構造の処理装置にも適用することができる。この場合、図２に示すように処理容器の上端側から下端側に向けてガスを流すようにしてもよい。すなわち、図２は単管構造の酸化装置の一例を示している。尚、この図２において図１に示した装置の構成部分と同一構成部分については同一符号を付して説明を省略する。
【００２６】
すなわち、この酸化装置にあっては、図１に示す内筒４（図１参照）をなくし、外筒６を処理容器８として単管構造としている。そして、排気口５０をマニホールド２６に設けると共に、酸化性ガス供給系２８の酸化性ガスノズル３２と還元性ガス供給系３０の還元性ガスノズル４０とを処理容器８の天井部に設けている。そして、この各ノズル３２、４０からそれぞれ導入したＯ３  ガスとＨ２  ガスとを処理容器８内を下方へ流下させつつ前述したようにＨ２  ガスを燃焼させてウエハＷを酸化させ、このガスを排気口５０から真空引きするようにしている。
また、図３に示すように、単管構造の処理容器８の天井部に上部排気口７０を設け、そして、酸化性ガスと還元性ガスは、処理容器８の下部に設けた各ノズル３２、４０から導入させるようにしてもよい。
【００２７】
更には、図４に示すように、マニホールド２６に挿通させた各ノズル３２、４０を、単管構造の処理容器８の内壁に沿って処理容器８の上端まで延ばしてこの容器天井部に各ガス出口３２ａ、４０ａを位置させる。そして、この容器天井部の各ガス出口３２ａ、４０ａから導入されたＯ３  ガスとＨ２  ガスは活性化されて流下し、容器下部に設けた排気口５０から排気される。
【００２８】
この実施例によれば、容器壁に沿って延びる各ノズル３２、４０内を各ガスが流れる際に、このガスが、加熱ヒータ６２やこの加熱ヒータ６２によって加熱されてホットウォール状態となった処理容器８の壁面から十分に予備加熱されることになるので、両ガスの活性種をより効率よく形成することが可能となる。
また、上記各実施例では、酸化性ガスノズル３２と還元性ガスノズル４０とをそれぞれ１系統のみ設けた場合について説明したが、これに限定されず、これら２種類のガスノズル３２、４０の内、少なくともいずれか一方を２系統設け、この２系統設けたガスノズルのガス出口を、ウエハの収容領域の上端側と下端側とにそれぞれ位置させるようにしてもよい。図はこのような酸化装置のまた更に他の一例を示す図である。この図では図４に示す装置例をベースとして改良した装置を示しているので、図４において示した構成部品については同一参照符号を付している。
【００２９】
図示するように、上記第１系統の酸化性ガスノズル３２及び還元性ガスノズル４０に連結される各ガス供給路３６、４４を途中で分岐させて、それぞれ第２の系統の酸化性ガスノズル７０及び還元性ガスノズル７２を設けている。尚、これらの第２の系統の各ガスノズル７０、７２に対して、それぞれ個別のマスフローコントローラを設けて個別に供給ガス量を制御するようにしてもよい。
そして、上記第２の系統の両ガスノズル７０、７２は、処理容器８の下端に連結されるマニホールド２６に貫通させて設けられており、上記ガスノズル７０、７２のそれぞれのガス出口７０ａ、７２ａは、処理容器８内のウエハボート１０の下端よりも所定の距離だけ下方に、すなわちウエハの収容領域の下端側にそれぞれ位置されている。
【００３０】
従って、Ｏ３  ガスとＨ２  ガスは、処理容器８内の天井部に設けた各ガス出口３２ａ、４０ａから供給されるのみならず、処理容器８内の下部に設けた各ガス出口７０ａ、７２ａからもそれぞれ供給されることになる。この結果、ウエハの収容領域内に保持されている各ウエハには、十分な量の水蒸気成分が過不足なく供給されることになるので、酸化膜の膜厚の面内均一性と面間均一性を更に向上できるのみならず、膜質特性も、更に向上させることができる。
ここでは、酸化性ガスノズルと還元性ガスノズルの両方を２系統設けた場合を例にとって説明したが、上記両ガスノズルの内の、いずれか一方のみを２系統設けるようにしてもよい。
また、ここでは図４に示す酸化装置に２系統のガスノズルを設けた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、図１、図２、図３に示す各酸化装置に上記したような２系統のガスノズルを設けるようにしてもよい。この場合、ウエハの収容領域の上端側と下端側にそれぞれのガス出口を位置させるのは上述した通りである。
【００３１】
尚、以上の実施例では酸化性ガスとしてＯ３  ガスを用い、還元性ガスとしてＨ２  ガスを用いた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、還元性ガスとして重水素を用いたり、酸化性ガスとして酸素を用いたり、これらを組み合わせるようにしてもよい。例えば酸化性ガスとして酸素及び／又はオゾンを用い、還元性ガスとして水素及び／又は重水素とを用いることができる。但し、水素と酸素との組み合わせは除く。
この場合にも、ウエハ表面の酸化反応には、前述したように還元性ガスの燃焼過程に生ずる酸素活性種と水酸基活性種が主として寄与することになる。また、ガスとしてＯ３  やＨ２  以外の上記ガスを用いた場合にも、ウエハ温度及びプロセス圧力などのプロセス条件は前述のようにＯ３  とＨ２  とを用いた場合と略同様に設定すればよい。
【００３２】
また、本発明方法は上述したような一度に多数枚の半導体ウエハについて酸化処理できるバッチ式の酸化装置に限定されず、処理容器内の載置台（支持手段）に半導体ウエハを載置して加熱手段としてランプ加熱或いはヒータ加熱により一枚ずつ酸化処理する枚葉式の酸化装置にも適用することができる。
また、被処理体としては、半導体ウエハに限定されず、ＬＣＤ基板、ガラス基板等にも適用することができる。
【００３３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の被処理体の酸化方法及び酸化装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
酸化レートをある程度高く維持しつつ、酸化膜の膜厚の面内均一性と面間均一性の向上及び膜質の特性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る成膜方法を実施するための被処理体の酸化装置の一例を示す構成図である。
【図２】単管構造の酸化装置の一例を示す図である。
【図３】単管構造の酸化装置の他の一例を示す図である。
【図４】単管構造の酸化装置の更に他の一例を示す図である。
【図５】酸化装置のまた更に他の一例を示す図である。
【符号の説明】
２  酸化装置
４  内筒
６  外筒
８  処理容器
１２  支持手段（ウエハボート）
２８  酸化性ガス供給系
３０  還元性ガス供給系
３２  酸化性ガスノズル
３８  酸化性ガス源
４０  還元性ガスノズル
４６  還元性ガス源
５６  真空排気系
６２  加熱ヒータ（加熱手段）
Ｗ  半導体ウエハ（被処理体）
【図１】
2004228330.tif 000003
【図２】
2004228330.tif 000004
【図３】
2004228330.tif 000005
【図４】
2004228330.tif 000006
【図５】
2004228330.tif 000007