(57)【要約】      （修正有）【課題】電界発光層の一部にホスト材料とゲスト材料を含む電界発光素子において、従来よりも素子特性に優れた電界発光素子を提供する。【解決手段】一対の電極間に電界発光層を有する電界発光素子において、電界発光層に共通する骨格（一般式（１））を有するホスト材料及びゲスト材料を用いることにより、素子特性を向上させることを特徴とする。2004288439.tif 000045（式中、Ｒ１は水素原子、低級アルキル基、置換基を有しても良いアリール基、または、複素環残基、Ｒ２〜Ｒ５はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、アリール基、または複素環残基、のいずれかを表し、Ａｒ１は、置換基を有してもよいアリール基、または複素環残基を示す。）【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に下記一般式（１）で示される骨格をそれぞれ分子内に有するホスト材料およびゲスト材料を含むことを特徴とする電界発光素子。
【化１】
2004288439.tif 000031
（式中、Ｒ１は水素原子、低級アルキル基、置換基を有しても良いアリール基、または、置換基を有しても良い複素環残基、Ｒ２〜Ｒ５はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを表し、Ａｒ１は、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基を示す。）
【請求項２】
一対の電極間に下記一般式（２）で示される骨格を分子内に有するホスト材料、および下記一般式（３）で示される骨格を分子内に有するゲスト材料を含む電界発光素子であって、
前記一般式（２）中の置換基Ｘ１〜Ｘ６のうちの１以上、および前記一般式（３）中の置換基Ｘ１が下記一般式（４）で示されるイミダゾール骨格を有することを特徴とする電界発光素子。
【化２】
2004288439.tif 000032
【化３】
2004288439.tif 000033
（式中、Ｒ１は水素原子、低級アルキル基、置換基を有しても良いアリール基、または、置換基を有しても良い複素環残基、Ｒ２〜Ｒ５はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを示す。）
【化４】
2004288439.tif 000034
（式中、Ｒ１は水素原子、低級アルキル基、置換基を有しても良いアリール基、または、置換基を有しても良い複素環残基、Ｒ２〜Ｒ５はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを示す。）
【請求項３】
一対の電極間にホスト材料として下記一般式（５）で示される化合物、およびゲスト材料として下記一般式（６）で示される化合物を含むことを特徴とする電界発光素子。
【化５】
2004288439.tif 000035
（式中、Ｒ１は水素原子、低級アルキル基、置換基を有しても良いアリール基、または、置換基を有しても良い複素環残基、Ｒ２〜Ｒ５はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを示す。）
【化６】
2004288439.tif 000036
（式中、Ｒ１は水素原子、低級アルキル基、置換基を有しても良いアリール基、または、置換基を有しても良い複素環残基、Ｒ２〜Ｒ９はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、Ｒ１０とＲ１１は水素原子、低級アルキル基、置換基を有しても良いアリール基、または置換基を有しても良い複素環残基のいずれかを示す。また、Ｒ８とＲ１０、Ｒ９とＲ１１は、互いに結合し、置換または無置換の飽和六員環を形成しても良い。）
【請求項４】
一対の電極間にホスト材料として下記一般式（７）で示される化合物、およびゲスト材料として下記一般式（８）で示される化合物を含むことを特徴とする電界発光素子。
【化７】
2004288439.tif 000037
（式中、Ｒ１〜Ｒ３はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、低級アルキル基、アリール基、または複素環残基のいずれかを示す。）
【化８】
2004288439.tif 000038
（式中、Ｒ１は、水素原子、低級アルキル基、アリール基、または複素環残基であり、Ｒ２、Ｒ３はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、低級アルキル基であり、Ｒ４、Ｒ５はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、低級アルキル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを示す。また、Ｒ２とＲ４、Ｒ３とＲ５は互いに結合し、置換または無置換の飽和六員環を形成しても良い。）
【請求項５】
一対の電極間に下記一般式（９）で示される骨格をそれぞれ分子内に有するホスト材料およびゲスト材料を含むことを特徴とする電界発光素子。
【化９】
2004288439.tif 000039
（式中、Ｘ１〜Ｘ４はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを示す。）
【請求項６】
一対の電極間にホスト材料として下記一般式（１０）で示される化合物、およびゲスト材料として下記一般式（１１）で示される化合物を含むことを特徴とする電界発光素子。
【化１０】
2004288439.tif 000040
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２は、それぞれ同一でも異なっていても良く、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基であり、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを示す。）
【化１１】
2004288439.tif 000041
（式中、Ｒ１〜Ｒ８はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを示す。）
【請求項７】
一対の電極間にホスト材料として下記一般式（１２）で示される化合物、およびゲスト材料として下記一般式（１３）で示される化合物を含むことを特徴とする電界発光素子。
【化１２】
2004288439.tif 000042
（式中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを示す。）
【化１３】
2004288439.tif 000043
（式中、Ｒ１〜Ｒ８はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを示す。）
【請求項８】
一対の電極間に下記一般式（１４）で示される骨格をそれぞれ分子内に有するホスト材料およびゲスト材料を含むことを特徴とする電界発光素子。
【化１４】
2004288439.tif 000044
（式中、Ｘ１〜Ｘ３はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを示す。）
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電界発光素子に関し、詳しくは、電界発光層の一部にホスト材料とゲスト材料とを含む電界発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電界発光素子は、一対の電極（陽極と陰極）間に電界発光層を挟んでなり、その発光機構は、両電極間に電圧を印加した際に陽極から注入される正孔（ホール）と、陰極から注入される電子が、電界発光層において再結合することにより電界発光層中の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光するといわれている。なお、励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。
【０００３】
電界発光層は、発光性材料からなる発光層のみの単層構造の場合もあるが、発光層だけでなく、複数の機能性材料からなる正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層などが積層形成される場合もある。なお、発光層においては、ホスト材料にゲスト材料をドーピングすることにより、発光の色調を適宜変えることが可能である。また、ホスト材料とゲスト材料との組み合わせによっては、発光の輝度と寿命を向上させる可能性を有している。
【０００４】
ホスト材料とゲスト材料を用いた電界発光素子では、例えば、ホスト材料としてトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３ともいう）を用い、ゲスト材料としてクマリン誘導体を用いた電界発光素子における量子効率の改善や、耐久性の向上が報告されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
また、ホスト材料とゲスト材料を有する電界発光素子において、特定の範囲内に発光スペクトルのピークを有するホスト材料を選択することにより、従来の電界発光素子に比べ、発光効率、耐久性、色純度特性等に優れた素子を提供することができるという報告がされている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−７６８７６号公報
【０００７】
【特許文献２】
特開２００１−１１８６８３号公報
【０００８】
しかし、このような電界発光素子も実用上、発光効率や輝度特性の点で、なお不十分であり、さらに、優れた素子特性を有する電界発光素子の開発が望まれている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明では、電界発光層の一部にホスト材料とゲスト材料を含む電界発光素子において、従来よりも発光効率や輝度特性等の素子特性に優れた電界発光素子を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、ホスト材料及びゲスト材料を含む電界発光素子において、ホスト材料及びゲスト材料に共通する骨格を有する材料を用いることにより、ホスト材料とゲスト材料間でのキャリアの輸送性が向上することを見出した。
【００１１】
そこで、本発明では、一対の電極間に電界発光層を有する電界発光素子において、電界発光層に共通する骨格を有するホスト材料及びゲスト材料を用いることにより、電界発光素子の素子特性（発光効率や輝度特性等）を向上させることを特徴とする。
【００１２】
すなわち、本発明における電界発光素子は、一対の電極間に下記一般式（１）、（９）、（１４）で示される骨格をそれぞれ分子内に有するホスト材料およびゲスト材料を含むことを特徴とする電界発光素子である。
【００１３】
【化１５】
2004288439.tif 000002
（式中、Ｒ１は水素原子、低級アルキル基、置換基を有しても良いアリール基、または、置換基を有しても良い複素環残基、Ｒ２〜Ｒ５はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを表し、Ａｒ１は、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基を示す。）
【００１４】
【化１６】
2004288439.tif 000003
（式中、Ｘ１〜Ｘ４はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを示す。）
【００１５】
【化１７】
2004288439.tif 000004
（式中、Ｘ１〜Ｘ３はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを示す。）
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明における電界発光素子は、基本的には、一対の電極（陽極及び陰極）間に電界発光層として正孔輸送層、および発光層を挟持した素子構成であって、発光層には共通する骨格を有するホスト材料及びゲスト材料（一般式（１）、（９）、（１４）に示す）を含む。
【００１７】
【化１８】
2004288439.tif 000005
（式中、Ｒ１は水素原子、低級アルキル基、置換基を有しても良いアリール基、または、置換基を有しても良い複素環残基、Ｒ２〜Ｒ５はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを表し、Ａｒ１は、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基を示す。）
【００１８】
なお、本発明において一般式（１）に示すイミダゾール骨格を分子構造の一部に有する化合物を発光層に用いる場合には、発光層に含まれるホスト材料およびゲスト材料のいずれもが、このイミダゾール骨格を有する化合物である。具体的には、ホスト材料が、一般式（２）で示すベンゼン環を主骨格として有し、ゲスト材料が、一般式（３）で示すクマリン骨格を主骨格として有し、一般式（２）に示すホスト材料中の置換基Ｘ１〜Ｘ６のうち１以上、および一般式（３）に示すゲスト材料中の置換基Ｘ１が、一般式（４）で示されるイミダゾール骨格を有する。
【００１９】
【化１９】
2004288439.tif 000006
【化２０】
2004288439.tif 000007
（式中、Ｒ１は水素原子、低級アルキル基、置換基を有しても良いアリール基、または、置換基を有しても良い複素環残基、Ｒ２〜Ｒ５はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを示す。）
【００２０】
【化２１】
2004288439.tif 000008
（式中、Ｒ１は水素原子、低級アルキル基、置換基を有しても良いアリール基、または、置換基を有しても良い複素環残基、Ｒ２〜Ｒ５はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを示す。）
【００２１】
【化２２】
2004288439.tif 000009
（式中、Ｘ１〜Ｘ４はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを示す。）
【００２２】
なお、本発明において一般式（９）に示す構造を分子構造の一部に有する化合物を発光層に用いる場合には、発光層に含まれるホスト材料およびゲスト材料のいずれもが、この一般式（９）に示す構造を有する化合物（フェナントロリン誘導体）である。具体的には、ホスト材料は一般式（１０）で示す化合物であり、ゲスト材料は一般式（１１）で示す化合物である。
【００２３】
【化２３】
2004288439.tif 000010
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２は、それぞれ同一でも異なっていても良く、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基であり、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを示す。）
【００２４】
【化２４】
2004288439.tif 000011
（式中、Ｒ１〜Ｒ８はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを示す。）
【００２５】
【化２５】
2004288439.tif 000012
（式中、Ｘ１〜Ｘ３はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを示す。）
【００２６】
なお、本発明において一般式（１４）に示す構造を分子構造の一部に有する化合物を発光層に用いる場合には、発光層に含まれるホスト材料およびゲスト材料のいずれもが、一般式（１４）に示す構造を有する化合物（カルバゾール誘導体）である。
【００２７】
なお、上記一般式（１）〜（４）、（９）〜（１１）、（１４）における低級アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基などがあり、炭素数が１〜６のものが好ましい。また、トリフルオロメチル基のようなハロゲン化アルキル基や、シクロヘキシル基のようなシクロアルキル基であってもよい。
【００２８】
また、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ヘキソキシ基などがあり、炭素数が１〜６のものが好ましい。アシル基としては、アセチル基などが可能である。
【００２９】
ジアルキルアミノ基としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基などがあり、アルキル鎖の炭素数が１〜４のものが好ましい。ジアリールアミノ基としては、ジフェニルアミノ基、ビス（α−ナフチル）アミノ基などがあり、ビス（ｍ−トリル）アミノ基のような置換アリールアミノ基であってもよい。
【００３０】
また、ビニル基としては、ジフェニルビニル基のような置換基を有するビニル基であってもよい。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基などの無置換アリール基の他、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、キシリル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、フルオロフェニル基などの置換アリール基であってもよい。さらに、複素環残基としては、ピリジル基、フリル基、チエニル基などがある。
【００３１】
また、本発明の電界発光層において、共通する骨格を有するホスト材料およびゲスト材料からなる発光層以外の層に公知の材料を用いることができ、低分子系材料および高分子系材料のいずれを用いることもできる。さらに、有機化合物材料のみから成るものだけでなく、無機化合物を一部に含めることもできる。
【００３２】
なお、本発明においては、陽極／発光層／陰極、陽極／正孔輸送層／発光層／陰極、陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ホールブロッキング層／電子輸送層／陰極、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ホールブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／陰極等の構成を有する電界発光素子の発光層に共通する骨格を有するホスト材料及びゲスト材料を用いることを特徴とする。
【００３３】
以下に、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
【００３４】
（実施の形態１）
本実施の形態１では、発光層に共通する骨格を有するホスト材料及びゲスト材料を用いる場合における電界発光素子の素子構成について図１を用いて説明する。
【００３５】
図１では、基板１００上に第１の電極１０１が形成され、第１の電極１０１上に電界発光層１０２が形成され、その上に第２の電極１０３が形成された構造を有する。
【００３６】
なお、ここで基板１００に用いる材料としては、従来の電界発光素子に用いられているものであれば良く、例えば、ガラス、石英、透明プラスチックなどからなるものを用いることができる。
【００３７】
また、本実施の形態１における第１の電極１０１は陽極として機能し、第２の電極１０３は陰極として機能する。
【００３８】
すなわち第１の電極１０１は陽極材料で形成され、ここで用いることのできる陽極材料としては、仕事関数の大きい（仕事関数４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。なお、陽極材料の具体例としては、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウムに２〜２０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）の他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（ＴｉＮ）等を用いることができる。
【００３９】
一方、第２の電極１０３の形成に用いられる陰極材料としては、仕事関数の小さい（仕事関数３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。なお、陰極材料の具体例としては、元素周期律の１族または２族に属する元素、すなわちＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）や化合物（ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＣａＦ２）の他、希土類金属を含む遷移金属を用いて形成することができるが、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ等の金属（合金を含む）との積層により形成することもできる。
【００４０】
なお、上述した陽極材料及び陰極材料は、蒸着法、スパッタリング法等により薄膜を形成することにより、それぞれ第１の電極１０１及び第２の電極１０３
を形成する。膜厚は、１０〜５００ｎｍとするのが好ましい。
【００４１】
また、本発明の電界発光素子において、電界発光層におけるキャリアの再結合により生じる光は、第１の電極１０１または第２の電極１０３の一方、または両方から外部に出射される構成となる。すなわち、第１の電極１０１から光を出射させる場合には、第１の電極１０１を透光性の材料で形成することとし、第２の電極１０３側から光を出射させる場合には、第２の電極１０３を透光性の材料で形成することとする。
【００４２】
また、電界発光層１０２は複数の層を積層することにより形成されるが、本実施の形態１では、正孔輸送層１１１、および発光層１１２を積層することにより形成される。
【００４３】
なお、この場合において正孔輸送層１１１を形成する場合に用いる正孔輸送性材料としては、芳香族アミン系（すなわち、ベンゼン環−窒素の結合を有するもの）の化合物が好適である。広く用いられている材料として、例えば、先に述べたＴＰＤの他、その誘導体である４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（以下、α−ＮＰＤと示す）や、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（以下、ＴＤＡＴＡと示す）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（以下、ＭＴＤＡＴＡと示す）等のスターバースト型芳香族アミン化合物が挙げられる。
【００４４】
さらに、発光層１１２を形成する材料としては、先に一般式（１）、（９）、（１４）で示したいずれかの共通骨格を有するホスト材料とゲスト材料であって、例えば、一般式（５）に示すホスト材料と一般式（６）に示すゲスト材料との組み合わせ、好ましくは、一般式（７）に示すホスト材料と一般式（８）に示すゲスト材料との組み合わせ、一般式（１２）に示すホスト材料と一般式（１３）に示すゲスト材料との組み合わせ等を用いることができる。
【００４５】
【化２６】
2004288439.tif 000013
（式中、Ｒ１は水素原子、低級アルキル基、置換基を有しても良いアリール基、または、置換基を有しても良い複素環残基、Ｒ２〜Ｒ５はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを示す。）
【００４６】
【化２７】
2004288439.tif 000014
（式中、Ｒ１は水素原子、低級アルキル基、置換基を有しても良いアリール基、または、置換基を有しても良い複素環残基、Ｒ２〜Ｒ９はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、Ｒ１０とＲ１１は水素原子、低級アルキル基、置換基を有しても良いアリール基、または置換基を有しても良い複素環残基のいずれかを示す。また、Ｒ８とＲ１０、Ｒ９とＲ１１は、互いに結合し、置換または無置換の飽和六員環を形成しても良い。）
【００４７】
【化２８】
2004288439.tif 000015
（式中、Ｒ１〜Ｒ３はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、アルキル基、またはアリール基のいずれかを示す。）
【００４８】
【化２９】
2004288439.tif 000016
（式中、Ｒ１は、水素原子、低級アルキル基、アリール基、または複素環残基であり、Ｒ２、Ｒ３はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、低級アルキル基であり、Ｒ４、Ｒ５はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、低級アルキル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを示す。また、Ｒ２とＲ４、Ｒ３とＲ５は互いに結合し、置換または無置換の飽和六員環を形成しても良い。）
【００４９】
【化３０】
2004288439.tif 000017
（式中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを示す。）
【００５０】
【化３１】
2004288439.tif 000018
（式中、Ｒ１〜Ｒ８はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換基を有してもよいビニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよい複素環残基、のいずれかを示す。）
【００５１】
（実施の形態２）
本実施の形態２では、電界発光層における積層構造が実施の形態１と異なる構造を有する場合における電界発光素子の素子構造について図２を用いて説明する。
【００５２】
なお、基板、第１の電極、第２の電極については、実施の形態１と同様の材料を用いて、同様にして形成することができるため、同じ符号を用いることとし、説明を省略する。
【００５３】
本実施の形態２における電界発光層２０２は、正孔輸送層２１１、発光層２１２、および電子輸送層２１３からなる積層構造を有している。
【００５４】
なお、正孔輸送層２１１に用いる材料は、実施の形態１において示した正孔輸送層１１１に用いる材料と同じ材料を用いることができるので、説明は省略する。
【００５５】
また、発光層２１２に用いる材料も実施の形態１において示した発光層１１２に用いる材料と同じ材料を用いることができるので説明は省略する。
【００５６】
さらに、電子輸送層２１３を形成する場合の電子輸送性材料としては、Ａｌｑ３、Ａｌｍｑ３、ＢｅＢｑ２等のキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体や、混合配位子錯体であるＢＡｌｑ２等が好適である。また、Ｚｎ（ＢＯＸ）２、Ｚｎ（ＢＴＺ）２等のオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体もある。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（以下、ＰＢＤと示す）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（以下、ＯＸＤ−７と示す）等のオキサジアゾール誘導体、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（以下、ＴＡＺと示す）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（以下、ｐ−ＥｔＴＡＺと示す）等のトリアゾール誘導体、バソフェナントロリン（以下、ＢＰｈｅｎと示す）、バソキュプロイン（以下、ＢＣＰと示す）等のフェナントロリン誘導体を用いることができる。
【００５７】
（実施の形態３）
本実施の形態３では、電界発光層における積層構造が実施の形態１や実施の形態２と異なる構造を有する場合における電界発光素子の素子構造について図３を用いて説明する。
【００５８】
なお、基板、第１の電極、第２の電極については、実施の形態１と同様の材料を用いて、同様にして形成することができるため、同じ符号を用いることとし、説明を省略する。
【００５９】
本実施の形態３における電界発光層２０２は、発光層３１１のみからなる単層構造を有している。
【００６０】
なお、本実施の形態３の場合における発光層３１１は、先に一般式（１４）で示す共通の骨格を有するホスト材料およびゲスト材料を用いて形成することができ、好ましくは、下記構造式（１５）で示されるホスト材料と、下記構造式（１６）で示されるゲスト材料を用いて形成することができる。
【００６１】
【化３２】
2004288439.tif 000019
【００６２】
【化３３】
2004288439.tif 000020
【００６３】
本実施の形態３においては、電界発光層３０２が発光層３１１のみから形成されるため、発光層３１１に用いる材料としては、上述したような正孔輸送性および電子輸送性の両方を有するホスト材料およびゲスト材料を用いるのが好ましい。
【００６４】
なお、本実施の形態１〜３において示した電界発光層の構造は、上述した構造に限られることは無く、適宜、正孔注入層、正孔阻止層（ホールブロッキング層）等を組み合わせることもできる。
【００６５】
この場合において、正孔注入層を形成する場合に用いる正孔注入性材料としては、有機化合物であればポルフィリン系の化合物が有効であり、フタロシアニン（以下、Ｈ２−Ｐｃと示す）、銅フタロシアニン（以下、Ｃｕ−Ｐｃと示す）等を用いることができる。また、導電性高分子化合物に化学ドーピングを施した材料もあり、ポリスチレンスルホン酸（以下、ＰＳＳと示す）をドーピングしたポリエチレンジオキシチオフェン（以下、ＰＥＤＯＴと示す）や、ポリアニリン、ポリビニルカルバゾール（以下、ＰＶＫと示す）等を用いることもできる。
【００６６】
また、正孔阻止層を形成する場合に用いる正孔阻止性の材料としては、１，３，４−オキサジアゾール誘導体である（２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（以下、「ＰＢＤ」と示す）、バソキュプロイン（以下、ＢＣＰと示す）、バソフェナントロリンまたは１，２，４−トリアゾール誘導体である５−（４−ビフェニリル）−３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−１，２，４−トリアゾール（以下、「ＴＡＺ」と示す）等を用いることができる。
【００６７】
【実施例】
以下に、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
本実施例では、共通する骨格を有するホスト材料及びゲスト材料を発光層に用いて電界発光素子を作製する場合であって、電界発光層が、少なくとも正孔輸送層、および発光層を有する実施の形態１に示す構造を有する場合について図４を用いて説明する。
【００６８】
まず、基板４００上に電界発光素子の第１の電極４０１が形成される。なお、本実施例では、第１の電極４０１は陽極として機能する。材料として透明導電膜であるＩＴＯを用い、スパッタリング法により１１０ｎｍの膜厚で形成する。
【００６９】
次に、第１の電極（陽極）４０１上に電界発光層４０２が形成される。なお、本実施例では、電界発光層４０２が正孔注入層４１１、正孔輸送層４１２、発光層４１３からなる積層構造を有し、発光層４１３には、上述した一般式（１）に示す共通骨格を有するホスト材料、およびゲスト材料として、下記構造式（１７）に示すホスト材料と、下記構造式（１８）に示すゲスト材料とを用いる。
【００７０】
【化３４】
2004288439.tif 000021
【００７１】
【化３５】
2004288439.tif 000022
なお、構造式（１７）に示すホスト材料の他に、下記構造式（１９）に示す化合物を用いることができる。
【００７２】
【化３６】
2004288439.tif 000023
また、構造式（１８）に示すゲスト材料の他に、下記構造式（２０）〜（２２）に示す化合物を用いることができる。
【００７３】
【化３７】
2004288439.tif 000024
【００７４】
【化３８】
2004288439.tif 000025
【００７５】
【化３９】
2004288439.tif 000026
【００７６】
その他にも発光層４１３には、上述した一般式（９）に示す共通骨格を有するホスト材料、およびゲスト材料として、下記構造式（２３）に示すホスト材料と、下記構造式（２４）に示すゲスト材料とを用いることができる。
【００７７】
【化４０】
2004288439.tif 000027
【００７８】
【化４１】
2004288439.tif 000028
なお、構造式（２３）に示すホスト材料の他に、下記構造式（２５）に示す化合物を用いることができる。
【００７９】
【化４２】
2004288439.tif 000029
また、構造式（２４）に示すゲスト材料の他に、下記構造式（２６）に示す化合物を用いることができる。
【００８０】
【化４３】
2004288439.tif 000030
【００８１】
さらに、発光層４１３には、上述した一般式（１４）に示す共通骨格を有するホスト材料、およびゲスト材料として、上述した構造式（１５）に示すホスト材料と、上述した構造式（１６）に示すゲスト材料とを用いることができる。
【００８２】
はじめに、第１の電極４０１が形成された基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに第１の電極４０１が形成された面を下方にして固定し、真空蒸着装置の内部に備えられた蒸発源に銅フタロシアニン（以下、Ｃｕ−Ｐｃと示す）を入れ、抵抗加熱法を用いた蒸着法により２０ｎｍの膜厚で正孔注入層４１１を形成する。
【００８３】
次に正孔輸送性に優れた材料により正孔輸送層４１２を形成する。ここでは４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（以下、α−ＮＰＤと示す）を同様の方法により、３０ｎｍの膜厚で形成する。
【００８４】
次に発光層４１３が形成される。なお、本実施例では、上述した構造式（１７）に示すホスト材料と、上述した構造式（１８）に示すゲスト材料とを用いて共蒸着法により２０ｎｍの膜厚で形成する。
【００８５】
次に、陰極として機能する第２の電極４０３を形成する。なお、本実施例では、電界発光層４０２上にフッ化カルシウム（ＣａＦ）（２ｎｍ）を蒸着法により形成した後、アルミニウム（Ａｌ）（１００ｎｍ）をスパッタリング法により形成し、積層構造を有する第２の電極４０３を形成する。
【００８６】
以上により、共通する骨格を有するホスト材料及びゲスト材料を発光層４１３に用いた電界発光素子が形成される。なお、本実施例１に示す構造は、電界発光層４１２が、正孔輸送層４１２と発光層４１３とを有するシングルヘテロ構造である。また、ホスト材料とゲスト材料がいずれも共通する骨格を有する化合物であることからキャリア輸送性に優れ、輝度特性や電流電圧特性等の素子特性に優れた素子を形成することができる。
【００８７】
なお、本実施例では、基板上に形成される第１の電極４０１が陽極材料で形成され、陽極として機能する場合について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、第１の電極４０１を陰極材料で形成し、陰極として機能させることもできる。ただし、この場合（陽極と陰極とを入れ替えた場合）には、電界発光層の積層順が本実施例で示した場合と逆になる。さらに、本実施例では、第１の電極（陽極）４０１は透明電極であり、第１の電極（陽極）４０１側から電界発光層４１３で生じた光を出射させる構成としているが、本発明はこれに限定されることはなく、透過率を確保するために適した材料を選択することにより第２の電極（陰極）４０３側から光を出射させる構成とすることもできる。
【００８８】
（実施例２）
本実施例では、共通する骨格を有するホスト材料及びゲスト材料を発光層に用いて電界発光素子を作製する場合であって、電界発光層が、少なくとも正孔輸送層、発光層、および電子輸送層を有する実施の形態２に示す構造を有する場合について図５を用いて説明する。
【００８９】
なお、本実施例２で示す構造は、実施例１に示す構造と類似しており、電子輸送層５１４が、電界発光層を構成する必須要件となっている点で異なっている。
【００９０】
すなわち、基板５００上に形成される第１の電極５０１、正孔注入層５１１、正孔輸送層５１２、発光層５１３、および第２の電極５０３は、実施例１と同様の材料を用いることができるため、図５に示すように実施例１と同様の材料を用い、同じ膜厚で形成することができる。
【００９１】
また、電子輸送層５１４は、発光層５１３にホスト材料として用いた構造式（１９）に示す化合物を用いて、蒸着法により２０ｎｍの膜厚で形成する。なお、発光層５１３、および電子輸送層５１４に同じ化合物を用いることにより、さらにキャリアの輸送性を高めることができる。
【００９２】
なお、本実施例２に示す構造は、実施例１に示したシングルへテロ構造とは異なり、ダブルヘテロ構造を有している。
【００９３】
（実施例３）
本実施例では、共通する骨格を有するホスト材料及びゲスト材料を発光層に用いて電界発光素子を作製する場合であって、電界発光層が、少なくとも発光層のみで形成される実施の形態３に示す構造を有する場合について図６を用いて説明する。
【００９４】
すなわち、本実施例３で示す構造は、電界発光層が発光層６１１のみを必須要件とする点で実施例１や実施例２とは異なっている。
【００９５】
すなわち、基板６００上に形成される第１の電極６０１、および第２の電極６０３は、図５に示すように実施例１と同様の材料で同じ膜厚で形成される。
【００９６】
ただし、本実施例の場合において、電界発光層が発光層６１１のみで形成されるため発光層６１１を形成する材料としては、正孔輸送性および電子輸送性を有する材料で形成する必要がある。具体的には、先に一般式（１４）で示す共通の骨格を有するホスト材料およびゲスト材料を用いて形成することができる。例えば、上述した構造式（１５）で示すホスト材料（ポリ（ｎ−ビニルカルバゾール）：ＰＶＫ）と、上述した構造式（１６）で示すゲスト材料（ＢＣｚＶＢｉ）とをそれぞれ１：０．３のモル比で溶媒（ジクロロエタン等）に分散させて用い、これを塗布して形成することができる。
【００９７】
以上により、本実施例における電界発光層６０２が形成される。
【００９８】
（実施例４）
本実施例では、実施例２で示した素子構成を有する電界発光素子（ＩＴＯ／Ｃｕ−Ｐｃ（２０ｎｍ）／α−ＮＰＤ（３０ｎｍ）／ＴＰＢＩ＋クマリン３０（３０ｎｍ）／ＴＰＢＩ（３０ｎｍ）／ＣａＦ（２ｎｍ）／Ａｌ）を作製し、その素子特性について測定した。なお、ＩＴＯで形成される電極サイズは２ｍｍ×２ｍｍである。また、この電界発光素子からは、発光スペクトルの最大ピークが、４７５ｎｍ、ＣＩＥ（ｘ，ｙ）＝（０．１５２，０．３０２）の青色発光が得られた。
【００９９】
素子特性の結果を図７〜図１０のプロット２に示す。図７における輝度−電流特性においては、プロット２に示すように電流密度が１００ｍＡ／ｃｍ２の場合において、３１００ｃｄ／ｍ２程度の輝度が得られた。
【０１００】
また、図８に示す輝度−電圧特性においては、プロット２に示すように８Ｖの電圧を印加したところ１６００ｃｄ／ｍ２程度の輝度が得られた。
【０１０１】
また、図９に示す電流効率−輝度特性においては、プロット２に示すように１００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られた場合における電流効率は５．１ｃｄ／Ａ程度であった。
【０１０２】
さらに、図１０に示す電流−電圧特性は、プロット２に示すように７Ｖの電圧を印加したところ０．６６ｍＡ程度の電流が流れた。
【０１０３】
（比較例１）
これに対して、実施例２で測定した素子構造とは異なり、電界発光素子に用いるホスト材料としてこれまで用いられているバソキュプロイン（以下、ＢＣＰと示す）を電界発光素子のホスト材料、および電子輸送層に用いた場合の電界発光素子（ＩＴＯ／Ｃｕ−Ｐｃ（２０ｎｍ）／α−ＮＰＤ（３０ｎｍ）／ＢＣＰ＋クマリン３０（３０ｎｍ）／ＢＣＰ（３０ｎｍ）／ＣａＦ（２ｎｍ）／Ａｌの素子特性について測定した。その結果を図７〜１０のプロット１に示す。図７における輝度−電流特性においては、プロット１に示すように電流密度が１００ｍＡ／ｃｍ２の場合において、１８００ｃｄ／ｍ２程度の輝度が得られた。
【０１０４】
また、図８に示す輝度−電圧特性においては、プロット１に示すように８Ｖの電圧を印加したところ５０ｃｄ／ｍ２程度の輝度が得られた。実施例２に示す素子構造に比べて、印加電圧に対する輝度が著しく低下していることがわかる。
【０１０５】
また、図９に示す電流効率−輝度特性においては、プロット１に示すように１００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られた場合における電流効率は３．５ｃｄ／Ａ程度であった。この場合にも、プロット２に示す実施例２の素子構造に比べて電流効率が悪いことがわかる。
【０１０６】
さらに、図１０に示す電流−電圧特性では、プロット１に示すように７Ｖの電圧を印加したところ０．０２ｍＡ程度の電流しか流れなかった。
【０１０７】
以上の比較結果から、本発明における共通する骨格を有するホスト材料、およびゲスト材料を有する電界発光素子を形成することにより、電界発光素子の素子特性を向上させることができることがわかる。
【０１０８】
（実施例５）
本実施例５では、画素部に本発明の電界発光素子を有する発光装置について図１１を用いて説明する。なお、図１１（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。点線で示された９０１は駆動回路部（ソース側駆動回路）、９０２は画素部、９０３は駆動回路部（ゲート側駆動回路）である。また、９０４は封止基板、９０５はシール剤であり、シール剤９０５で囲まれた内側９０７は、空間になっている。
【０１０９】
なお、９０８はソース側駆動回路９０１及びゲート側駆動回路９０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）９０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１１０】
次に、断面構造について図１１（Ｂ）を用いて説明する。基板９１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路９０１と、画素部９０２が示されている。
【０１１１】
なお、ソース側駆動回路９０１はｎチャネル型ＴＦＴ９２３とｐチャネル型ＴＦＴ９２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路を形成するＴＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。
【０１１２】
また、画素部９０２はスイッチング用ＴＦＴ９１１と、電流制御用ＴＦＴ９１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極９１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極９１３の端部を覆って絶縁物９１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
【０１１３】
また、成膜性を良好なものとするため、絶縁物９１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物９１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物９１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物９１４として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。
【０１１４】
第１の電極９１３上には、電界発光層９１６、および第２の電極９１７がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極９１３に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。
【０１１５】
また、電界発光層９１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法によって形成される。電界発光層９１６には、共通する骨格を有するホスト材料及びゲスト材料が含まれる。また、これらのホスト材料及びゲスト材料に組み合わせて用いる材料としては、低分子系材料であっても高分子系材料であっても良い。また、電界発光層に用いる材料としては、通常、有機化合物を単層もしくは積層で用いる場合が多いが、本発明においては、有機化合物からなる膜の一部に無機化合物を用いる構成も含めることとする。
【０１１６】
さらに、電界発光層９１６上に形成される第２の電極（陰極）９１７に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ２、またはＣａＮ）を用いればよい。なお、電界発光層９１６で生じた光が第２の電極９１７を透過させる場合には、第２の電極（陰極）１２１７として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。
【０１１７】
さらにシール剤９０５で封止基板９０４を素子基板９１０と貼り合わせることにより、素子基板９０１、封止基板９０４、およびシール剤９０５で囲まれた空間９０７に電界発光素子９１８が備えられた構造になっている。なお、空間９０７には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール剤９０５で充填される構成も含むものとする。
【０１１８】
なお、シール剤９０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板９０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０１１９】
以上のようにして、本発明の電界発光素子を有する発光装置を得ることができる。
【０１２０】
なお、本実施例に示す発光装置は、実施例１〜実施例３に示した電界発光素子の構成を自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０１２１】
（実施例６）
本実施例６では、本発明の電界発光素子を有する発光装置を用いて完成させた様々な電気器具について説明する。
【０１２２】
本発明の電界発光素子を有する発光装置を用いて作製された電気器具として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられる。これらの電気器具の具体例を図１２に示す。
【０１２３】
図１２（Ａ）は表示装置であり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカー部２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本発明の電界発光素子を有する発光装置をその表示部２００３に用いることにより作製される。なお、表示装置は、パソコン用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用装置が含まれる。
【０１２４】
図１２（Ｂ）はノート型パーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明の電界発光素子を有する発光装置をその表示部２２０３に用いることにより作製される。
【０１２５】
図１２（Ｃ）はモバイルコンピュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本発明の電界発光素子を有する発光装置をその表示部２３０２に用いることにより作製される。
【０１２６】
図１２（Ｄ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示するが、本発明の電界発光素子を有する発光装置をこれら表示部Ａ、Ｂ２４０３、２４０４に用いることにより作製される。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。
【０１２７】
図１２（Ｅ）はゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体２５０１、表示部２５０２、アーム部２５０３を含む。本発明の電界発光素子を有する発光装置をその表示部２５０２に用いることにより作製される。
【０１２８】
図１２（Ｆ）はビデオカメラであり、本体２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キー２６０９、接眼部２６１０等を含む。本発明の電界発光素子を有する発光装置をその表示部２６０２に用いることにより作製される。
【０１２９】
ここで図１２（Ｇ）は携帯電話であり、本体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。本発明の電界発光素子を有する発光装置をその表示部２７０３に用いることにより作製される。
【０１３０】
以上の様に、本発明の電界発光素子を有する発光装置の適用範囲は極めて広く、また本発明の電界発光素子は、発光効率や輝度特性等の素子特性に優れていることから、この電界発光素子を含む発光装置をあらゆる分野の電気器具に適用することにより、低消費電力化、長寿命化を実現することができる。
【０１３１】
【発明の効果】
本発明に示すように電界発光層の一部に共通する骨格を有するホスト材料およびゲスト材料を用いて電界発光素子を作製することにより、従来よりも発光効率や輝度特性等の素子特性に優れた電界発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１における電界発光素子の素子構造を説明する図。
【図２】実施の形態２における電界発光素子の素子構造を説明する図。
【図３】実施の形態３における電界発光素子の素子構造を説明する図。
【図４】実施例１における電界発光素子の素子構造を説明する図。
【図５】実施例２における電界発光素子の素子構造を説明する図。
【図６】実施例３における電界発光素子の素子構造を説明する図。
【図７】電界発光素子の素子特性を示すグラフ。
【図８】電界発光素子の素子特性を示すグラフ。
【図９】電界発光素子の素子特性を示すグラフ。
【図１０】電界発光素子の素子特性を示すグラフ。
【図１１】発光装置について説明する図。
【図１２】電気器具について説明する図。
【符号の説明】
１００、４００、５００、６００  基板
１０１、４０１、５０１、６０１  第１の電極
１０２、２０２、３０２、４０２、５０２、６０２  電界発光層
１０３、２０３、３０３、４０３、５０３、６０３  第２の電極
１１１、２１１、４１２、５１２  正孔輸送層
１１２、２１２、３１１、４１３、５１３、６１３  発光層
２１３、５１４  電子輸送層
４１１、５１１  正孔注入層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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