(57)【要約】【課題】熱処理の後に半導体基板上に設けられた層間絶縁膜および反射防止膜を有する構造を形成し、その構造を研磨した後に行う洗浄方法において、パーティクル粒子および金属汚染物質のような異物が洗浄面に付着することを抑制することが可能な洗浄方法を提供すること。【解決手段】本発明による方法は、半導体基板に形成されるトランジスタの不純物拡散領域を電気的に活性化させるために熱処理を行う工程と、半導体基板上に設けられた層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に設けられた反射防止膜とを少なくとも有する構造を研磨することにより、前記反射防止膜の表面の少なくとも一部を露出させる工程と、露出した表面をアンモニア水を用いて洗浄する工程と、表面を、フッ酸の重量濃度が０．６％以下の薬液を用いて機械的洗浄を行う工程より成る。【選択図】　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成されるトランジスタの不純物拡散領域を電気的に活性化させるために熱処理を行う工程と、
前記半導体基板上に設けられた層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に設けられた反射防止膜とを少なくとも有する構造を研磨することにより、前記反射防止膜の表面の少なくとも一部を露出させる工程と、
露出した表面をアンモニア水を用いて洗浄する工程と、
前記表面を、フッ酸の重量濃度が０．６％以下の薬液を用いて機械的洗浄を行う工程
より成ることを特徴とする洗浄方法。
【請求項２】
請求項１記載の洗浄方法において、前記フッ酸の重量濃度が、０．３％以上であることを特徴とする洗浄方法。
【請求項３】
請求項１記載の洗浄方法において、更に、
前記表面をアンモニア水を用いて洗浄する工程
より成ることを特徴とする洗浄方法。
【請求項４】
請求項１記載の洗浄方法において、更に、
前記表面を、フッ酸の重量濃度が０．３％未満の薬液を用いて洗浄する工程
より成ることを特徴とする洗浄方法。
【請求項５】
請求項１記載の洗浄方法において、更に、
前記層間絶縁膜を形成する前に、前記トランジスタの少なくとも一部をシリサイド化する工程
より成ることを特徴とする洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造工程における処理基板の洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体デバイスの微細化に伴って、複数の配線層の積層された構造が広く採用されつつある。概して、このような構造では、半導体基板上に形成されたトランジスタは、複数の配線層を経て外部に接続され、配線層同士は導電性プラグで電気的に接続される。
【０００３】
図１は、そのような半導体装置の製造工程の一部を示す部分概略図である。図１（Ａ）に示されるように、半導体基板１０には、４つのトランジスタ１２が形成されている。このような構造は、様々な半導体装置に適用可能であるが、一例として挙げれば、トランジスタ１２をフラッシュ・メモリのメモリ・セルに関連付けることが可能である。半導体基板１０およびトランジスタ１２の上には、例えばＢＰＳＧより成る層間絶縁膜１４が設けられる。層間絶縁膜１４は、以後積層して形成される配線層同士を電気的に絶縁するために設けられる。この層間絶縁膜１４上には、反射防止膜１６が設けられ、これはレジスト（図示せず）の膜厚変動に起因するレジスト線幅のばらつきやハレーション等を防止するための膜である。この反射防止膜１６は、例えば、プラズマ（エンハンスト）ＣＶＤにより堆積されるＳｉＯＮより成る。更に、この構造には、反射防止膜１６および層間絶縁膜１４を貫通し、半導体基板１０に至るコンタクト・ホール１８が形成されている。なお、説明を簡単にするため、基板側の拡散領域等は図示されていない。
【０００４】
このような構造に対して、トランジスタ１２のソース及びドレイン領域（図示せず）を電気的に活性化するための熱処理が行われる。この熱処理は、例えば急速熱アニール（ＲＴＡ：Ｒａｐｉｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ａｎｎｅａｌ）により１０００℃以上の温度で行われる。この熱処理に起因して、反射防止膜１６の表面も酸化される。
【０００５】
図１（Ｂ）に示されるように、コンタクト・ホール１８には、例えばタングステン（Ｗ）より成る導電性材料１９が充填される。コンタクト・ホールの大きさ、アスペクト比、導電性材料の材質等にも依存するが、コンタクト・ホール１８を良好に充填するには、例えば、導電性材料１９が、反射防止膜１６上にコンタクト・ホールの半径と同程度の膜厚に形成される程度に、堆積される必要がある。
【０００６】
図１（Ｃ）に示されるように、化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎ）を行って平坦化を行う。この平坦化によって、上下の配線層同士を電気的に接続する導電性プラグが形成される一方、反射防止膜１６が露出する。ＣＭＰでは、研磨装置のチャックに処理基板を装着し、砥粒と呼ばれる研磨粒子より成る研磨剤（スラリー）を利用して研磨が行われる。砥粒としては、例えばシリカ粒子やアルミナがある。
【０００７】
ＣＭＰによる研磨が終了すると、更なる配線層を形成するのに先立って、処理基板を洗浄する工程が行われる。先ず、アンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）を用いたブラシスクラブ洗浄が行われる。これにより、研磨剤が処理基板から除去される。次に、フッ酸（ＨＦ）を用いたブラシスクラブ洗浄が行われる。これにより、鉄（Ｆｅ）やアルミニウム（Ａｌ）のような研磨剤に含まれる金属物質が除去される。このようにして洗浄された後に、必要に応じて更なる配線層を形成する工程が実行される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、トランジスタの微細化が進むにつれて、コンタクト抵抗その他の導電性領域の低抵抗化を図る必要が生じてくる。このような観点から、シリコンおよび金属間にＣｏＳｉ２のようなシリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）を形成することがしばしば行われる。シリサイドを形成すると、シリコンおよび金属の界面における障壁高さ（バリアハイト）が低くなり、低抵抗化を図ることが可能になるためである。シリサイドは、例えば、熱処理により生じる金属とシリコンの間のシリサイド反応を利用して形成される。更に、自己整合を利用して形成されるシリサイドは、サリサイド（ｓａｌｉｃｉｄｅ：ｓｅｌｆ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｓｉｌｉｃｉｄｅ）とも呼ばれ、ゲート電極およびソース・ドレイン拡散領域上に、自己整合で金属シリサイドを形成するものである。これにより、トランジスタの導電性領域の低抵抗化が効果的に行われる。
【０００９】
図２は、シリサイドを利用して多層配線構造を有する半導体装置を製造する工程の一部を示す部分断面図を示す。図２（Ａ）に示されるように、半導体基板２０上に４つのトランジスタ２２が形成されている。簡単のため、図１の場合と同様に、基板側の拡散領域等は図示されていない。このような構造における導電性領域の抵抗を低減させるために、上述したようなシリサイド（サリサイド）が形成される。例えばコバルト（Ｃｏ）のような所定の金属元素がイオン注入され、例えばＲＴＡにより熱処理が行われる。この熱処理に要する温度は、８４０℃程度であり、図１で説明したもの（不純物拡散領域であるソース・ドレインを電気的に活性化させるための１０００度を超える熱処理）に比べて低い点に留意を要する。このことは、シリサイド化を行った後に、上記の８４０℃を超える熱処理を行うことはできないことを意味する。したがって、図２に関して説明する構造では、トランジスタ２２のソース・ドレインを活性化させるための熱処理は、図２（Ａ）よりも前の段階で既に行われている。
【００１０】
図２（Ｂ）に示されるように、半導体基板２０およびトランジスタ２２上に、例えばＢＰＳＧより成る層間絶縁膜２４が設けられる。この層間絶縁膜２４上に、例えばプラズマ・エンハンストＣＶＤにより堆積されたＳｉＯＮより成る反射防止膜２６が設けられる。
【００１１】
図２（Ｃ）に示されるように、反射防止膜２６および層間絶縁膜２４を貫通するコンタクト・ホールには、例えばタングステン（Ｗ）より成る導電性材料２９が充填される。
【００１２】
図２（Ｄ）に示されるように、化学機械研磨（ＣＭＰ）を行って平坦化を行う。この平坦化によって、上下の配線層同士を接続する導電性プラグが形成される一方、反射防止膜２６が露出する。
【００１３】
ＣＭＰによる研磨が終了すると、更なる配線層を形成するのに先立って、処理基板を洗浄する工程が行われる。先ず、研磨剤を除去するために、アンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）を用いたブラシスクラブ洗浄が行われる。次に、鉄（Ｆｅ）やアルミニウム（Ａｌ）のような研磨剤に含まれる金属物質を除去するために、フッ酸（ＨＦ）を用いたブラシスクラブ洗浄が行われる。このようにして洗浄された後に、必要に応じて更なる配線層を形成するプロセスが実行される。
【００１４】
しかしながら、本願発明者による本発明の基礎研究において見出されたことは、図１に示す従来の場合とは異なり、図２（Ｄ）に示す洗浄後の処理基板の表面２６にパーティクル粒子２８が付着する傾向があるということである。パーティクル粒子には、研磨布のカス、ブラシスクラバーのブラシのゴミその他の塵が含まれる。一般に、パーティクル粒子は負に帯電するところ、図１の洗浄面（反射防止膜１６）はＲＴＡにより酸化されていることに起因して、フッ酸の薬液洗浄における洗浄面のゼータ電位は負になり、洗浄面はパーティクル粒子を反発して付着させないと考えられる。これに対して、図２の場合の洗浄面（反射防止膜２６）は、酸化されていない（ＲＴＡは図２（Ａ）より前の段階で行われている）ことに起因して、フッ酸の薬液洗浄における洗浄面のゼータ電位が正になり、負に帯電したパーティクル粒子を誘引して付着させると考えられる。なお、この場合におけるゼータ電位（界面動電位）とは、液体に接する固体表面の電位であって基板を基準にした電位をいう。
【００１５】
処理基板にこのようなパーティクル粒子が付着したままでいると、以後の各種の工程を経て製造されるデバイスの特性に悪影響を及ぼし、信頼性や歩留まりに影響を及ぼすことが懸念される。パーティクル粒子による汚染の影響は、従来の構造よりも微細化の進んだトランジスタでは、なおさら深刻なものとなり得る。
【００１６】
本願課題は、熱処理の後に半導体基板上に設けられた層間絶縁膜および反射防止膜を有する構造を形成し、その構造を研磨した後に行う洗浄方法において、パーティクル粒子および金属汚染物質のような異物が洗浄面に付着することを抑制することが可能な洗浄方法を提供することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明による解決手段によれば
半導体基板に形成されるトランジスタの不純物拡散領域を電気的に活性化させるために熱処理を行う工程と、
前記半導体基板上に設けられた層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に設けられた反射防止膜とを少なくとも有する構造を研磨することにより、前記反射防止膜の表面の少なくとも一部を露出させる工程と、
露出した表面をアンモニア水を用いて洗浄する工程と、
前記表面を、フッ酸の重量濃度が０．６％以下の薬液を用いて機械的洗浄を行う工程
より成ることを特徴とする洗浄方法が提供される。
【００１８】
本発明によれば、洗浄される表面は、熱処理に委ねられていないので酸化されておらず、ゼータ電位は高くなり得るところ、低濃度のフッ酸で洗浄するので、洗浄表面のゼータ電位を負にすることが可能になる。これにより、フッ酸による薬液洗浄後にパーティクル粒子が洗浄表面に付着することを有効に抑制することが可能になる。
【００１９】
本発明によれば、フッ酸の臨界濃度以上の濃度で洗浄される。フッ酸の濃度が低くなると洗浄面のゼータ電位の低下と共に、金属汚染物質を除去するフッ酸本来の洗浄能力も低下する。臨界濃度以上の濃度を有するフッ酸を利用することによって、金属汚染物質を除去しつつパーティクル粒子の付着も抑制することが可能になる。
【００２０】
本発明によれば、フッ酸の洗浄工程に続いて、追加の洗浄工程が行われる。ｐＨ値の高いアルカリ系の薬液を利用する際の洗浄面のゼータ電位は負になる傾向がある。そのようなアルカリ系の薬液（アンモニア水や有機アミン溶液等）を利用して洗浄することにより、パーティクル粒子の付着を更に抑制することが可能になる。
【００２１】
本発明によれば、フッ酸の洗浄工程に続いて、アンモニア水を用いた洗浄が行われる。この洗浄工程は、フッ酸による洗浄の前にも行われているので、以前に行った洗浄工程を繰り返すことによって洗浄することが可能になる。このため、一連の工程として容易に実現できる点で有利である。
【００２２】
本発明によれば、フッ酸の洗浄工程に続いて、低濃度のフッ酸を用いた洗浄が行われる。フッ酸の濃度が臨界濃度より低い薬液も、洗浄面のゼータ電位を負にする観点からは有効である。高濃度のフッ酸による洗浄に続いて低濃度のフッ酸による洗浄を行うことは、同一の処理槽で洗浄することが可能な点で有利である。
【００２３】
本発明によれば、層間絶縁膜を形成する前に、トランジスタの導電性領域がシリサイド化される。シリサイドは、トランジスタの微細化を進めるための低抵抗化に利用されるが、シリサイドを形成することに起因して、酸化されていない面（反射防止膜２６）がＣＭＰの後に露出することとなる。したがって、そのような微細化なトランジスタを製造する方法に、本発明による洗浄方法を使用することが特に有利である
【作用】
図３は、洗浄表面（ＳｉＯＮ）のゼータ電位のｐＨ依存性を示す。これは、ＣＭＰ研磨が行われた後に、アンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）を利用してブラシスクラブ洗浄を行うことによってスラリー粒子を除去したところの洗浄表面について、ゼータ電位のｐＨ依存性（グラフ３２）を調べたものである。より具体的には、フッ酸（ＨＦ）の濃度を変化させることによって、ｐＨ値の低い酸性領域におけるゼータ電位を調べている。ＳｉＯＮはプラズマ・エンハンストＣＶＤで形成されており、図２で説明したものと同様にその表面は酸化されていない。フッ酸の濃度が１．０％（本明細書において、特に断らない限り、濃度は重量パーセント濃度を意味するものとする。）である場合のｐＨ値は、約３．０であり、波線３４で示されており、０．５％である場合のｐＨ値は約３．３であり、波線３６で示されている。概して、フッ酸の濃度が高くなるにつれて、対応するｐＨ値は低くなる（酸性が強くなる）一方、濃度が低くなるにつれて、対応するｐＨ値は高くなる（酸性が弱くなる）。また、１．８％の濃度のアンモニア水のｐＨ値は約１１であり、波線３８で示されている。アンモニア水の濃度を高くすると、対応するｐＨ値は高くなる（アルカリ性が強くなる）一方、濃度を低くするとｐＨ値が低くなる（アルカリ性が弱くなる）。
【００２４】
グラフ３２によれば、フッ酸の濃度が０．５％の場合（波線３６）のゼータ電位は、充分に負であるが（約−１０ｍＶ）、フッ酸の濃度が１．０％の場合（波線３４）のゼータ電位は、充分に負になっておらず、むしろ正の電位に近い。このことは、従来と同様に１．０％の濃度のフッ酸を用いて洗浄すれば、ゼータ電位が充分に負でないことに起因して、一般に負に帯電しているパーティクル粒子を誘引し、洗浄表面に付着させてしまうことが考えられる。しかし、フッ酸の濃度を０．５％に下げて洗浄するならば、洗浄表面のゼータ電位は充分に負になるので、パーティクル粒子を反発すると考えられる。
【００２５】
図４は、フッ酸の濃度を１．０％、０．５％、０．１％とした場合における、洗浄表面に付着したパーティクル数等の比較例を示す図表である。図表中最左列はフッ酸（ＨＦ）の濃度を示し、左から第２及び第３列は洗浄によりエッチングされる洗浄表面の洗浄前後の膜厚を示し、第４列はエッチングされた膜厚を示し、第５列は洗浄後に欠陥検査装置によりカウントされた洗浄表面上のパーティクル数を示し、最右列はパーティクル粒子の除去効果の有無を○×で示す。第５，６列に示されるように、洗浄表面にパーティクル粒子を付着させない観点からは、フッ酸の濃度を１．０％より低くすべきことが分かる。パーティクル粒子のカウント数自体は、洗浄時間や洗浄装置その他の洗浄の条件によって変動する点で有意義でないが、各濃度に関連するパーティクル粒子数の大小関係は有意義である。
【００２６】
図５は、図４よりも詳細にフッ酸（ＨＦ）の濃度とパーティクル粒子との関係を調べた図表であり、図６はその結果をグラフに示したものである。図５は、左列から順に、フッ酸の濃度（重量％濃度）、パーティクル数およびパーティクル粒子除去効果の有無を示す。図５，６によれば、洗浄表面にパーティクル粒子を付着させない観点からは、フッ酸の濃度を０．６％以下に下げるべきことが分かる。
【００２７】
ところで、ＣＭＰによる研磨を行った後に、アンモニア水による洗浄を行い、その後にフッ酸による洗浄を行うのは、上述したように、研磨剤に含まれる金属物質を除去するためであった。この金属物質には、研磨剤の砥粒のアルミナに含まれるアルミニウム（Ａｌ）、酸化剤の硝酸鉄に含まれる鉄（Ｆｅ）、ナトリウム（Ｎａ），カリウム（Ｋ）等が含まれ得る。このような金属物質は、アンモニア水のようなアルカリ性の溶液では除去することが困難であるので、酸性の溶液で除去する必要がある。すなわち、金属物質を除去する観点からは、フッ酸の濃度を高くする（酸性を強くする）ことが望ましい。
【００２８】
図７は、フッ酸（ＨＦ）の濃度と洗浄面に残存する金属物質の量（面密度）との関係を調べた図表であり、図８はその結果をグラフに示したものである。図７は、左列から順に、フッ酸の濃度（重量％濃度）、鉄（Ｆｅ）の面密度（原子数／ｃｍ２）、アルミニウム（Ａｌ）の面密度（原子数／ｃｍ２）および金属物質の除去効果の有無を示す。また、図８における２つのグラフの内、８２で参照されるグラフは鉄に関するものであり、８４で参照されるグラフはアルミニウムに関するものである。図７，８によれば、洗浄表面から金属物質を適切に除去する観点からは、フッ酸の濃度を０．３％以上にすべきことが分かる。なお、研磨剤に関連する金属物質としては、鉄やアルミニウム以外に多くの物質があり得るが、このフッ酸による洗浄で特に問題となる金属物質としては、鉄とアルミニウムが挙げられる
以上により得られた結果を要約すると、ＣＭＰ研磨後の洗浄工程において、アンモニア水による洗浄後に行うフッ酸を用いた薬液洗浄工程におけるフッ酸の濃度は、０．３％以上０．６％以下とすべきである。この範疇にあれば、金属物質を除去する能力を維持しつつパーティクル粒子の付着も抑制することが可能になるからである。さらに、フッ酸の濃度が高ければ金属物質を除去する能力が強くなり、低くすればパーティクル粒子を除去する能力が強くなっていた。このことは、例えば、高濃度のフッ酸による洗浄を行った後に、低濃度のフッ酸（例えば０．３％未満）による洗浄を行うことが有利であることを意味する。洗浄する工程数は１つ増加するものの、金属物質およびパーティクル粒子の各々に対して強い洗浄力で除去することができるからである。
【００２９】
低濃度のフッ酸による薬液洗浄が、パーティクル粒子の除去を目的とするのであれば、必ずしもフッ酸の薬液である必要はなく、アンモニア水のようなアルカリ系の薬液による洗浄を行うことも可能である。アンモニア水以外のアルカリ系の薬液としては、モノエタノール・アミンやヒドロキシル・アミン等を含む有機アミン溶液が挙げられる。
【００３０】
パーティクル粒子を除去するために、低濃度のフッ酸の薬液を利用すると、単に濃度の異なるフッ酸の薬液洗浄を行うことになるので、同一の処理槽を利用できる点で有利である。フッ酸による薬液洗浄後にアンモニア水を利用する場合は、アンモニア水による洗浄は以前に行われているので、それを再度繰り返すことによって、一連の工程として実現しやすい点で、有機アミン溶液を利用する場合に比べて有利である。有機アミン溶液は、例えばコンタクト・エッチで使用される薬液であるので、製造工程に新たな薬液処理を導入することなしに、共通する薬液を利用できる点で、他のアルカリ系の薬液に比べて有利である。
【００３１】
【発明の実施の形態】
図２を参酌しながら、本願実施例を説明する。図２（Ａ）に示されるように、半導体基板２０上に４つのトランジスタ２２が形成されている。このような構造における導電性領域の抵抗を低減させるために、例えばコバルト（Ｃｏ）のような所定の金属元素がイオン注入され、例えばＲＴＡにより熱処理が行われる。これにより、シリサイド（ＣｏＳｉ２）が形成される。なお、トランジスタ２２のソース・ドレインを活性化させるための熱処理は、図２（Ａ）よりも前の段階で既に行われている。ＣｏＳｉ２以外のシリサイドとしては、ＮｉＳｉ２，ＮｉＳｉ，Ｈｆ３Ｓｉ２その他のＨｆ（ハフニウム）とのシリサイド，ＳｉＧｅ系のシリサイドに加えて、Ｅｒ（ユーロピウム），Ｙ（イットリウム），Ｐｔ（白金），Ｐｄ（パラジウム）のシリサイド等があり得る。
【００３２】
図２（Ｂ）に示されるようなＢＰＳＧより成る層間絶縁膜２４を形成し、平坦化することによって９０００オングストロームの膜厚に形成する。次に、オキシナイトライド膜（Ｐ−ＳｉＯＮ）より成る反射防止膜２６をプラズマ・エンハンストＣＶＤにより４００オングストロームの膜厚に成膜する。反射防止膜２６としては、後述するようなＳｉＮ，ＣＶＤによるＳｉＲＮ（Ｓｉ　ｒｉｃｈ　Ｎｉｔｒｉｄｅ），ＳｉＣ，ＳｉＯＣ，ａ−Ｃ（アモルファス・カーボン），ＰＶＤによるＳｉ（スパッタリングによるＳｉ堆積）等のような無機系のものに加えて、多岐にわたる有機系の反射防止膜を採用することが可能である。
【００３３】
図２（Ｃ）に示されるように、反射防止膜２６および層間絶縁膜２４を貫通するコンタクト・ホールに、タングステン（Ｗ）より成る導電性材料２９を４０００オングストロームの膜厚になる程度に設ける。この構造に対して、ＣＭＰによる研磨を実行することによって、タングステン・プラグが形成され、反射防止膜２６も露出する。
【００３４】
その後に、１．８％の濃度の希釈アンモニア水によるブラシスクラブ洗浄を行う。これにより研磨剤のようなパーティクル粒子が除去される。次に、０．３％の濃度の希フッ酸によるブラシスクラブ洗浄を行う。これにより、洗浄表面におけるパーティクル粒子の付着を抑制しつつ、研磨剤に含まれる金属物質を除去することが可能になる。
【００３５】
以上の説明では、洗浄される表面がＳｉＯＮより成る場合を想定していたが、本発明はそれに限定されない。例えば、洗浄される表面がＳｉＮであっても、ゼータ電位に関する上記の考察を応用することが可能である。酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）を比較するに、酸素は窒素よりも電気陰性度が高いので、ＳｉＯＮはＳｉＮよりも負に帯電する傾向が強い。逆に、ＳｉＮはＳｉＯＮよりも高いゼータ電位を示し得ると言えるので、ＳｉＯＮの場合と同様に、フッ酸の薬液洗浄後にパーティクル粒子が付着するという問題が生じ得る。
【００３６】
本願実施例では、ブラシスクラブ洗浄に起因するパーティクル粒子の付着に対処したが、ブラシ洗浄に限らず、本発明は、処理基板と接触が起こる機械的洗浄に広く利用することが可能である。
【００３７】
以下、本発明が教示する手段を列挙する。
（付記１）　半導体基板に形成されるトランジスタの不純物拡散領域を電気的に活性化させるために熱処理を行う工程と、
前記半導体基板上に設けられた層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に設けられた反射防止膜とを少なくとも有する構造を研磨することにより、前記反射防止膜の表面の少なくとも一部を露出させる工程と、
露出した表面をアンモニア水を用いて洗浄する工程と、
前記表面を、フッ酸の重量濃度が０．６％以下の薬液を用いて機械的洗浄を行う工程
より成ることを特徴とする洗浄方法。
（付記２）　付記１記載の洗浄方法において、前記フッ酸の重量濃度が、０．３％以上であることを特徴とする洗浄方法。
（付記３）　付記１記載の洗浄方法において、更に、
前記表面をアンモニア水を用いて洗浄する工程
より成ることを特徴とする洗浄方法。
（付記４）　付記１記載の洗浄方法において、更に、
前記表面を有機アミン溶液を用いて洗浄する工程
より成ることを特徴とする洗浄方法。
（付記５）　付記１記載の洗浄方法において、更に、
前記表面を、フッ酸の重量濃度が０．３％未満の薬液を用いて洗浄する工程
より成ることを特徴とする洗浄方法。
（付記６）　付記１記載の洗浄方法において、更に、
前記層間絶縁膜を形成する前に、前記トランジスタの少なくとも一部をシリサイド化する工程
より成ることを特徴とする洗浄方法。
（付記７）　付記１記載の洗浄方法において、前記反射防止膜が、プラズマ・エンハンストＣＶＤにより設けられたＳｉＯＮ又はＳｉＮより成ることを特徴とする洗浄方法。
【００３８】
【発明の効果】
以上のように、熱処理の後に半導体基板上に設けられた層間絶縁膜および反射防止膜を有する構造を形成し、その構造を研磨した後に、本発明による洗浄方法を行うことによって、パーティクル粒子および金属汚染物質のような異物が洗浄面に付着することを抑制することが可能になる。
【００３９】
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、従来の半導体装置の製造工程の一部を示す概略断面図である。
【図２】図２は、本発明で前提とする半導体装置の製造工程の一部を示す概略断面図である。
【図３】図３は、ＳｉＯＮのゼータ電位のｐＨ依存性を示すグラフである。
【図４】図４は、フッ酸濃度とパーティクル粒子数等との関係を示す図表である。
【図５】図５は、フッ酸濃度とパーティクル粒子数等との関係を示す図表である。
【図６】図６は、フッ酸濃度とパーティクル粒子数との関係を示すグラフである。
【図７】図７は、フッ酸濃度と洗浄表面に残存する金属物質等との関係を示す図表である。
【図８】図８は、フッ酸濃度と洗浄表面に残存する金属物質との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１０　半導体基板
１２　トランジスタ
１４　層間絶縁膜
１６　反射防止膜
１８　コンタクト・ホール
１９　導電性材料
２０　半導体基板
２２　トランジスタ
２４　層間絶縁膜
２６　反射防止膜
２８　パーティクル粒子
２９　導電性材料
【図１】
2004095899.tif 000003
【図２】
2004095899.tif 000004
【図３】
2004095899.tif 000005
【図４】
2004095899.tif 000006
【図５】
2004095899.tif 000007
【図６】
2004095899.tif 000008
【図７】
2004095899.tif 000009
【図８】
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