(57)【要約】【課題】半導体基板表面に残存する残渣物の除去を良好に行える半導体基板の洗浄処理を提供すること。【解決手段】本発明では、半導体基板製造工程中に半導体基板の表面に付着した残渣物を有機剥離液で剥離する剥離処理を行い、その後、半導体基板を回転させながら半導体基板の表面に濯ぎ液を噴霧して有機剥離液を希釈する予備濯ぎ処理を行った後に、半導体基板を回転させながら半導体基板の表面に濯ぎ液を噴霧して有機剥離液や残渣物を除去する本濯ぎ処理を行う半導体基板洗浄処理において、予備濯ぎ処理は、本濯ぎ処理での回転速度よりも低速で半導体基板を回転させて行うことにした。【選択図】　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板製造工程中に半導体基板の表面に付着した残渣物を有機剥離液で剥離する剥離処理を行い、その後、前記半導体基板を回転させながらこの半導体基板の表面に第１の濯ぎ液を噴霧して前記有機剥離液を希釈する予備濯ぎ処理を行った後に、前記半導体基板を回転させながらこの半導体基板の表面に第２の濯ぎ液を噴霧して前記有機剥離液や前記残渣物を除去する本濯ぎ処理を行うべく構成した半導体基板洗浄装置において、
前記予備濯ぎ処理は、前記本濯ぎ処理での回転速度よりも低速で前記半導体基板を回転させて行うべく構成したことを特徴とする半導体基板洗浄装置。
【請求項２】
前記予備濯ぎ処理は、前記本濯ぎ処理での回転速度よりも低速で前記半導体基板を回転させて行った後に、前記本濯ぎ処理での回転速度よりも高速で前記半導体基板を回転させて行うべく構成したことを特徴とする請求項１記載の半導体基板洗浄装置。
【請求項３】
前記予備濯ぎ処理での前記第１の濯ぎ液は、前記半導体基板の表面にて前記有機剥離液を５倍以上に希釈する純水を用いることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体基板洗浄装置。
【請求項４】
半導体基板製造工程中に半導体基板の表面に付着した残渣物を有機剥離液で剥離する剥離処理を行い、その後、前記半導体基板を回転させながらこの半導体基板の表面に第１の濯ぎ液を噴霧して前記有機剥離液を希釈する予備濯ぎ処理を行った後に、前記半導体基板を回転させながら前記半導体基板の表面に第２の濯ぎ液を噴霧して前記有機剥離液や前記残渣物を除去する本濯ぎ処理を行う半導体基板洗浄方法において、
前記予備濯ぎ処理は、前記本濯ぎ処理での回転速度よりも低速で前記半導体基板を回転させて行うことを特徴とする半導体基板洗浄方法。
【請求項５】
前記予備濯ぎ処理は、前記本濯ぎ処理での回転速度よりも低速で前記半導体基板を回転させて行った後に、前記本濯ぎ処理での回転速度よりも高速で前記半導体基板を回転させて行うことを特徴とする請求項４記載の半導体基板洗浄方法。
【請求項６】
前記予備濯ぎ処理での前記第１の濯ぎ液は、前記半導体基板の表面にて前記有機剥離液を５倍以上に希釈する純水を用いることを特徴とする請求項４又は請求項５記載の半導体基板洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板洗浄装置及び半導体基板洗浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体基板は、表面にアルミニウムや銅などの金属膜を形成した後に、レジストでマスクしてエッチングすることによって、所定の配線パターンを形成していた。
【０００３】
かかる半導体基板製造工程においては、エッチングガスとレジストとの反応物やエッチング生成物などの残渣物が半導体基板の表面に付着しており、それが配線パターンの断線や短絡などの原因となるおそれがあった。
【０００４】
そこで、従来より、配線パターン形成後に半導体基板の表面に付着した残渣物を除去する洗浄処理を行っていた（たとえば、特許文献１参照。）。
【０００５】
かかる半導体基板の洗浄処理１００は、図５に示すように、まず、半導体基板製造工程中に半導体基板の表面に付着した残渣物を有機剥離液で剥離する剥離処理１０１を行い、次に、半導体基板の表面から有機剥離液や残渣物を除去する濯ぎ処理１０２を行い、最後に、半導体基板の表面を乾燥させる乾燥処理１０３を行っていた。
【０００６】
そして、濯ぎ処理１０２においては、図５に示すように、まず、半導体基板を所定速度（６００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍ）で回転させながら半導体基板の表面にイソプロピルアルコール、イソプロパノールなどの有機溶剤を噴霧した後に半導体基板の表面に窒素ガスを噴霧して有機剥離液を希釈する予備濯ぎ処理１０４を行い、その後、半導体基板を所定速度（６００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍ）で回転させながら半導体基板の表面に純水と窒素ガスとを所定時間交互に噴霧して有機剥離液や残渣物を除去する本濯ぎ処理１０５を行い、その後、半導体基板を高速（１５００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍ）で回転させながら半導体基板の表面に純水を噴霧する仕上げ濯ぎ処理１０６を行っていた。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００１−１００４３６号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記従来の半導体基板の洗浄処理にあっては、本濯ぎ処理と同じ速度で半導体基板を回転させながら予備濯ぎ処理を行っていたため、予備濯ぎ処理においては半導体基板の回転速度が速すぎ、遠心力の作用で有機溶剤が半導体基板の周縁に偏って付着してしまい、有機溶剤によって半導体基板の表面を均一に希釈させることができず、これにより、本濯ぎ処理で半導体基板の表面を均一に濯ぐことができないおそれがあった。
【０００９】
また、従来の半導体基板の洗浄処理にあっては、有機溶剤を使用して予備濯ぎ処理を行っていたため、有機溶剤の廃液処理が必要となり、洗浄コストが増加するおそれがあった。
【００１０】
しかも、有機溶剤として引火点の低い揮発性物質が使用されることから、火災発生のおそれがあり、有機溶剤の管理や取扱いが複雑なものとなり、これによっても洗浄コストが増大するおそれがあった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
そこで、請求項１に係る本発明では、半導体基板製造工程中に半導体基板の表面に付着した残渣物を有機剥離液で剥離する剥離処理を行い、その後、前記半導体基板を回転させながらこの半導体基板の表面に第１の濯ぎ液を噴霧して前記有機剥離液を希釈する予備濯ぎ処理を行った後に、前記半導体基板を回転させながらこの半導体基板の表面に第２の濯ぎ液を噴霧して前記有機剥離液や前記残渣物を除去する本濯ぎ処理を行うべく構成した半導体基板洗浄装置において、前記予備濯ぎ処理は、前記本濯ぎ処理での回転速度よりも低速で前記半導体基板を回転させて行うべく構成した。
【００１２】
また、請求項２に係る本発明では、前記請求項１に係る発明において、前記予備濯ぎ処理は、前記本濯ぎ処理での回転速度よりも低速で前記半導体基板を回転させて行った後に、前記本濯ぎ処理での回転速度よりも高速で前記半導体基板を回転させて行うべく構成した。
【００１３】
また、請求項３に係る本発明では、前記請求項１又は請求項２に係る本発明において、前記予備濯ぎ処理での前記第１の濯ぎ液は、前記半導体基板の表面にて前記有機剥離液を５倍以上に希釈する純水を用いることにした。
【００１４】
また、請求項４に係る本発明では、半導体基板製造工程中に半導体基板の表面に付着した残渣物を有機剥離液で剥離する剥離処理を行い、その後、前記半導体基板を回転させながらこの半導体基板の表面に第１の濯ぎ液を噴霧して前記有機剥離液を希釈する予備濯ぎ処理を行った後に、前記半導体基板を回転させながら前記半導体基板の表面に第２の濯ぎ液を噴霧して前記有機剥離液や前記残渣物を除去する本濯ぎ処理を行う半導体基板洗浄方法において、前記予備濯ぎ処理は、前記本濯ぎ処理での回転速度よりも低速で前記半導体基板を回転させて行うことにした。
【００１５】
また、請求項５に係る本発明では、前記請求項４に係る本発明において、前記予備濯ぎ処理は、前記本濯ぎ処理での回転速度よりも低速で前記半導体基板を回転させて行った後に、前記本濯ぎ処理での回転速度よりも高速で前記半導体基板を回転させて行うことにした。
【００１６】
また、請求項６に係る本発明では、前記請求項４又は請求項５に係る本発明にいおいて、前記予備濯ぎ処理での前記第１の濯ぎ液は、前記半導体基板の表面にて前記有機剥離液を５倍以上に希釈する純水を用いることにした。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら具体的に説明する。なお、以下の説明では、まず半導体基板の洗浄装置の構成について説明し、その後、半導体基板の洗浄方法について説明する。
【００１８】
本発明に係る半導体基板洗浄装置１は、図１に示すように、複数枚の半導体基板２を収容したカセット３を回転させるための回転装置４をプロセスチャンバ５の内部に配設し、同プロセスチャンバ５に有機剥離液供給装置６と濯ぎ液供給装置７と窒素ガス供給装置８と廃液装置９とをそれぞれ連通連結し、プロセスチャンバ５と窒素ガス供給装置８との間にヒータ１０を介設している。
【００１９】
そして、回転装置４、有機剥離液供給装置６、濯ぎ液供給装置７、窒素ガス供給装置８、廃液装置９、及びヒータ１０には、制御装置１１が接続され、同制御装置１１によって駆動制御するようにしている。
【００２０】
すなわち、制御装置１１によって回転装置４を駆動すると、カセット３とともに同カセット３に収容された半導体基板２が所定の速度で回転する。
【００２１】
また、制御装置１１によって有機剥離液供給装置６を駆動すると、有機剥離液供給装置６からプロセスチャンバ５に有機剥離液が供給され、半導体基板２の表面に有機剥離液を噴霧する。
【００２２】
また、制御装置１１によって濯ぎ液供給装置７を駆動すると、濯ぎ液供給装置７からプロセスチャンバ５に濯ぎ液が供給され、半導体基板２の表面に濯ぎ液を噴霧する。
【００２３】
また、制御装置１１によって窒素ガス供給装置８及びヒータ１０を駆動すると、窒素ガス供給装置８からプロセスチャンバ５にヒータ１０で所定温度に加熱した窒素ガスが供給され、半導体基板２の表面に窒素ガスを噴霧する。
【００２４】
また、制御装置１１によって廃液装置９を駆動すると、プロセスチャンバ５の内部に残留する有機剥離液や濯ぎ液などの処理液をプロセスチャンバ５の外部に排出する。
【００２５】
上記構成の半導体基板洗浄装置１は、以下に説明する半導体基板洗浄方法１２にしたがって制御装置１１が回転装置４、有機剥離液供給装置６、濯ぎ液供給装置７、窒素ガス供給装置８、廃液装置９、及びヒータ１０をそれぞれ駆動するようにしている。
【００２６】
すなわち、本発明に係る半導体基板洗浄方法１２は、図２に示すように、まず、半導体基板製造工程中に半導体基板２の表面に付着した残渣物を有機剥離液で剥離する剥離処理１３を行い、次に、半導体基板２の表面から有機剥離液や残渣物を除去する濯ぎ処理１４を行い、最後に、半導体基板２の表面を乾燥させる乾燥処理１５を行う。
【００２７】
剥離処理１３においては、回転装置４によって半導体基板２を低速（２０ｒｐｍ程度）で回転させ、有機剥離液供給装置６によって半導体基板２の表面に有機剥離液を所定時間（１〜２０分程度）噴霧する。これにより、半導体基板２の表面に付着した残渣物を有機剥離液の作用で剥離する。
【００２８】
また、濯ぎ処理１４においては、図２に示すように、まず、回転装置４によって半導体基板を低速（２０ｒｐｍ程度）で回転させ、濯ぎ液供給装置７によって半導体基板２の表面に純水を所定時間（１０秒〜１分程度）噴霧する低速予備濯ぎ処理１６を行い、その後、回転装置４によって半導体基板を高速（１５００〜２０００ｒｐｍ程度）で回転させ、濯ぎ液供給装置７によって半導体基板２の表面に純水を所定時間（１０秒〜１分程度）噴霧する高速予備濯ぎ処理１７を行い、その後、窒素ガス供給装置８によって半導体基板２の表面に窒素ガスを噴霧する窒素ガス予備濯ぎ処理１８を行って、半導体基板２の表面の有機剥離液を希釈する予備濯ぎ処理１９を行う。
【００２９】
その際に、濯ぎ液供給装置７から供給する第１の濯ぎ液としての純水の量は、半導体基板２の表面において有機剥離液を５倍以上に希釈する量としている。
【００３０】
次に、回転装置４によって半導体基板２を所定速度（６００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍ）で回転させ、濯ぎ液供給装置７と窒素ガス供給装置８とによって半導体基板２の表面に第２の濯ぎ液としての純水と窒素ガスとを所定時間交互に噴霧して有機剥離液や残渣物を除去する本濯ぎ処理２０を行う。
【００３１】
最後に、回転装置４によって半導体基板２を高速（１５００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍ）で回転させ、濯ぎ液供給装置７によって半導体基板２の表面に純水を噴霧する仕上げ濯ぎ処理２１を行う。
【００３２】
以上に説明したように、上記した半導体基板２の洗浄処理においては、半導体基板２の製造工程中に半導体基板２の表面に付着した残渣物を有機剥離液で剥離する剥離処理１３を行った後に、半導体基板２を所定速度で回転させながら半導体基板２の表面に純水を噴霧して有機剥離液や残渣物を除去する本濯ぎ処理２０を行っており、しかも、本濯ぎ処理２０を行う前に、本濯ぎ処理２０での回転速度よりも低速で半導体基板２を回転させながら半導体基板２の表面に濯ぎ液を噴霧して有機剥離液を希釈する予備濯ぎ処理１９を行うようにしている。
【００３３】
このように、低速で半導体基板２を回転させながら半導体基板２の表面に濯ぎ液を噴霧した場合には、濯ぎ液が受ける遠心力の作用が低減し、半導体基板２の表面全体に均一に濯ぎ液が付着することになり、半導体基板２の表面全体で有機剥離液を良好に希釈することができる。そのため、有機剥離液が十分に希釈されることによって、半導体基板２の表面での金属配線の腐食の発生を未然に防止することができるとともに、有機剥離液や残渣物を半導体基板２の表面から良好に除去することができる。
【００３４】
また、本濯ぎ処理２０での回転速度よりも低速で半導体基板２を回転させながら半導体基板２の表面に濯ぎ液を噴霧する低速予備濯ぎ処理１６を行った後に、本濯ぎ処理２０での回転速度よりも高速で半導体基板２を回転させながら半導体基板２の表面に濯ぎ液を噴霧する高速予備濯ぎ処理１７を行うことにしている。
【００３５】
そのため、低速予備濯ぎ処理１６によって、前述したように、半導体基板２の表面全体で有機剥離液を良好に希釈でき、しかも、その後の高速予備濯ぎ処理１７によって、遠心力の作用で有機剥離液を除去することができ、これによりさらに有機剥離液を良好に希釈でき、より一層半導体基板２の表面での金属配線の腐食の発生を未然に防止することができるとともに、有機剥離液や残渣物を半導体基板２の表面から良好に除去することができる。
【００３６】
また、予備濯ぎ処理１９での濯ぎ液として半導体基板２の表面において有機剥離液を５倍以上に希釈することができる量の純水を用いているため、有機剥離液の希釈効果によって金属配線の腐食を防止できるとともに、残存する有機剥離液に含有されるフッ化水素を活性化させて残渣物の除去能力を向上させることができる（有機剥離液の希釈効果については、前述した特許文献１を参照。）。
【００３７】
本発明に係る半導体基板２の洗浄処理は、上記したものに限定されるものではなく、本濯ぎ処理の前に行う予備濯ぎ処理において半導体基板を本濯ぎ処理での回転速度よりも低速で回転させるようにしたものであればよく、図３に示すように、高速予備濯ぎ処理を行った後に低速予備濯ぎ処理を行ってもよく、また、図４に示すように、低速予備濯ぎ処理において有機溶剤を使用してもよい。
【００３８】
すなわち、図３に示す半導体基板洗浄方法２２は、上記した半導体基板洗浄方法１２と同様に、まず、半導体基板製造工程中に半導体基板２の表面に付着した残渣物を有機剥離液で剥離する剥離処理２３を行い、次に、半導体基板２の表面から有機剥離液や残渣物を除去する濯ぎ処理２４を行い、最後に、半導体基板２の表面を乾燥させる乾燥処理２５を行う。
【００３９】
そして、濯ぎ処理２４においては、図３に示すように、まず、回転装置４によって半導体基板を高速（１５００〜２０００ｒｐｍ程度）で回転させ、濯ぎ液供給装置７によって半導体基板２の表面に純水を所定時間（１０秒〜１分程度）噴霧する高速予備濯ぎ処理２６を行い、その後、回転装置４によって半導体基板を低速（２０ｒｐｍ程度）で回転させ、濯ぎ液供給装置７によって半導体基板２の表面に純水を所定時間（１０秒〜１分程度）噴霧する低速予備濯ぎ処理２７を行い、その後、窒素ガス供給装置８によって半導体基板２の表面に窒素ガスを噴霧する窒素ガス予備濯ぎ処理２８を行って、半導体基板２の表面の有機剥離液を希釈する予備濯ぎ処理２９を行う。
【００４０】
その際に、濯ぎ液供給装置７から供給する濯ぎ液としての純水の量は、半導体基板２の表面において有機剥離液を５倍以上に希釈する量としている。
【００４１】
次に、上記した半導体基板洗浄方法１２と同様に、回転装置４によって半導体基板２を所定速度（６００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍ）で回転させ、濯ぎ液供給装置７と窒素ガス供給装置８とによって半導体基板２の表面に純水と窒素ガスとを所定時間交互に噴霧して有機剥離液や残渣物を除去する本濯ぎ処理３０を行う。
【００４２】
最後に、回転装置４によって半導体基板２を高速（１５００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍ）で回転させ、濯ぎ液供給装置７によって半導体基板２の表面に純水を噴霧する仕上げ濯ぎ処理３１を行う。
【００４３】
このように、高速予備濯ぎ処理２６を行った後に低速予備濯ぎ処理２７を行った場合でも、上記した半導体基板洗浄方法１２と同様に残渣物を良好に除去することができるが、上記した半導体基板洗浄方法１２と比較すると、先に行われる高速予備濯ぎ処理２６において有機剥離液が十分に希釈されないことがあり、金属配線の腐食が発生するおそれがある。
【００４４】
また、図４に示す半導体基板洗浄方法３２は、上記した半導体基板洗浄方法１２，２２と同様に、まず、半導体基板製造工程中に半導体基板２の表面に付着した残渣物を有機剥離液で剥離する剥離処理３３を行い、次に、半導体基板２の表面から有機剥離液や残渣物を除去する濯ぎ処理３４を行い、最後に、半導体基板２の表面を乾燥させる乾燥処理３５を行う。
【００４５】
そして、濯ぎ処理３４においては、図３に示すように、まず、回転装置４によって半導体基板を低速（２０ｒｐｍ程度）で回転させ、濯ぎ液供給装置７によって半導体基板２の表面にイソプロピルアルコールなどの有機溶剤を所定時間（１０秒〜１分程度）噴霧する低速予備濯ぎ処理３６を行い、その後、窒素ガス供給装置８によって半導体基板２の表面に窒素ガスを噴霧する窒素ガス予備濯ぎ処理３７を行い、その後、回転装置４によって半導体基板を高速（１５００〜２０００ｒｐｍ程度）で回転させ、濯ぎ液供給装置７によって半導体基板２の表面に純水を所定時間（１０秒〜１分程度）噴霧する高速予備濯ぎ処理３８を行い、その後、窒素ガス供給装置８によって半導体基板２の表面に窒素ガスを噴霧する窒素ガス予備濯ぎ処理３９を行って、半導体基板２の表面の有機剥離液を希釈する予備濯ぎ処理４０を行う。
【００４６】
その際に、濯ぎ液供給装置７から供給する濯ぎ液としての純水の量は、半導体基板２の表面において有機剥離液を５倍以上に希釈する量としている。
【００４７】
次に、上記した半導体基板洗浄方法１２，２２と同様に、回転装置４によって半導体基板２を所定速度（６００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍ）で回転させ、濯ぎ液供給装置７と窒素ガス供給装置８とによって半導体基板２の表面に純水と窒素ガスとを所定時間交互に噴霧して有機剥離液や残渣物を除去する本濯ぎ処理４１を行う。
【００４８】
最後に、回転装置４によって半導体基板２を高速（１５００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍ）で回転させ、濯ぎ液供給装置７によって半導体基板２の表面に純水を噴霧する仕上げ濯ぎ処理４２を行う。
【００４９】
このように、低速予備濯ぎ処理３６において有機溶剤を使用した場合でも、上記した半導体基板洗浄方法１２と同様に金属配線の腐食を防止することができるが、上記した半導体基板洗浄方法１２と比較すると、有機溶剤を使用しているためにその廃液処理が必要となる。
【００５０】
【発明の効果】
本発明は、以上に説明したような形態で実施され、以下に記載されるような効果を奏する。
【００５１】
すなわち、本発明では、半導体基板製造工程中に半導体基板の表面に付着した残渣物を有機剥離液で剥離する剥離処理を行った後に、半導体基板を所定速度で回転させながら半導体基板の表面に純水を噴霧して有機剥離液や残渣物を除去する濯ぎ処理を行う半導体基板の洗浄処理において、濯ぎ処理を行う前に、濯ぎ処理での回転速度よりも低速で半導体基板を回転させながら半導体基板の表面に濯ぎ液を噴霧して有機剥離液を希釈する予備濯ぎ処理を行うようにしている。
【００５２】
このように、低速で半導体基板を回転させながら半導体基板の表面に濯ぎ液を噴霧しているため、半導体基板の表面全体に均一に濯ぎ液が付着することになり、半導体基板の表面全体で有機剥離液を良好に希釈でき、これにより、半導体基板の表面での金属配線の腐食の発生を未然に防止することができるとともに、有機剥離液や残渣物を半導体基板の表面から良好に除去することができる。
【００５３】
また、本発明では、濯ぎ処理での回転速度よりも低速で半導体基板を回転させながら半導体基板の表面に濯ぎ液を噴霧した後に、濯ぎ処理での回転速度よりも高速で半導体基板を回転させながら半導体基板の表面に濯ぎ液を噴霧することにしている。
【００５４】
このように、低速で半導体基板を回転させながら半導体基板の表面に濯ぎ液を噴霧しているために、半導体基板の表面全体に均一に濯ぎ液が付着することになり、半導体基板の表面全体で有機剥離液を良好に希釈でき、しかも、その後に高速で半導体基板を回転させながら半導体基板の表面に濯ぎ液を噴霧しているために、遠心力の作用で有機剥離液を除去することでさらに有機剥離液を良好に希釈でき、これによっても、半導体基板の表面での金属配線の腐食の発生を未然に防止することができるとともに、有機剥離液や残渣物を半導体基板の表面から良好に除去することができる。
【００５５】
また、本発明では、予備濯ぎ処理での濯ぎ液として半導体基板の表面にて有機剥離液を５倍以上に希釈する純水を用いている。
【００５６】
そのため、有機剥離液の希釈効果によって金属配線の腐食を防止できるとともに、残存する有機剥離液に含有されるフッ化水素を活性化させて残渣物の除去能力を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体基板洗浄装置を示す説明図。
【図２】本発明に係る半導体基板洗浄方法を示す説明図。
【図３】半導体基板洗浄方法を示す説明図。
【図４】半導体基板洗浄方法を示す説明図。
【図５】
従来の半導体基板洗浄方法を示す説明図。
【符号の説明】
１　半導体基板洗浄装置
２　半導体基板
３　カセット
４　回転装置
５　プロセスチャンバ
６　有機剥離液供給装置
７　濯ぎ液供給装置
８　窒素ガス供給装置
９　廃液装置
１０　ヒータ
１１　制御装置
１２　半導体基板洗浄方法
１３　剥離処理
１４　濯ぎ処理
１５　乾燥処理
１６　低速予備濯ぎ処理
１７　高速予備濯ぎ処理
１８　窒素ガス予備濯ぎ処理
１９　予備濯ぎ処理
２０　本濯ぎ処理
２１　仕上げ濯ぎ処理
【図１】
2004111642.tif 000003
【図２】
2004111642.tif 000004
【図３】
2004111642.tif 000005
【図４】
2004111642.tif 000006
【図５】
2004111642.tif 000007