(57)【要約】【課題】高周波増幅器を構成する半導体ベアチップ上の接地用電極と接地部との間に、インダクタンスを容易正確に調整できるインダクタンス調整部を設ける。【解決手段】高周波信号が入力される信号入力側電極１２と、増幅した高周波信号を出力する信号出力側電極１３と、接地に接続する接地用電極１４とを有する半導体ベアチップを使用した高周波増幅器において、前記接地用電極１４と接地パターン１５との間に、導電性ペーストをインクジェット印刷装置で所望幅に塗布した後焼成した導電体１６Ｌａ〜１６Ｌｃ，１６Ｒａ〜１６Ｒｃで構成されるインダクタンス調整部１７を形成した。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ベアチップ上に、電界効果トランジスタのゲート部に接続された高周波信号が入力される信号入力側電極と、前記電界効果トランジスタのドレイン部に接続された増幅した高周波信号を出力する信号出力側電極と、前記電界効果トランジスタのソース部に接続された接地用電極とを形成した高周波増幅器において、
前記接地用電極と接地部に接続された接地パターンとの間に、導電性ペーストをインクジェット印刷装置で所望幅に塗布した後焼成した導電体で構成されるインダクタンス調整部を形成したことを特徴とする半導体素子を使用した高周波増幅器。
【請求項２】
前記接地用電極は、方形に形成され、前記接地パターンは、前記接地用電極の左右両外側に夫々平行に左右対称に形成された左右パターン部を有し、前記接地用電極及び左右パターン部間を導通させるように所要数の前記導電体を所定幅で左右対称的に配設したことを特徴とする請求項１に記載の高周波増幅器。
【請求項３】
前記インダクタンス調整部は、少なくとも前記接地用電極及び接地パターンの何れか一方に他方側に突出して形成された複数のインダクタンス形成突出部を有し、該インダクタンス形成突出部のうちの所要数とこれに対向する他方との間に、導電性ペーストをインクジェット印刷装置で所望幅に塗布した後焼成した導電体を形成するように構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の高周波増幅器。
【請求項４】
前記インダクタンス調整部は、少なくとも前記接地用電極及び接地パターンの何れか一方に他方側に突出して形成されたインダクタンスが異なる複数のインダクタンス形成突出部を有し、該インダクタンス形成突出部のうちの一つとこれに対向する他方との間に、導電性ペーストをインクジェット印刷装置で所望幅に塗布した後焼成した導電体を形成するように構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の高周波増幅器。
【請求項５】
前記導電性ペーストは、半導体プロセスにおける最低プロセス温度未満の温度で焼成されることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の高周波増幅器。
【請求項６】
前記導電性ペーストは、銀ナノ粒子を有機溶媒によりインクジェット印刷可能な粘度に調整して形成されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の高周波増幅器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波信号を増幅する高周波増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、高周波回路においては素子及び各回路間を接続する整合回路の構成が信号を損失なく伝送するために必要となる。例えば高周波増幅器等では能動素子の入出力部に能動素子の能力を十分に引き出す整合状態の回路が信号を効率的に伝送するために構成される。
【０００３】
従来の低雑音増幅器としては、入力側に設けられた第１の可変周波数帯域整合手段と、入力マイクロ波信号を増幅する電界効果トランジスタと、出力側に設けられた第２の可変周波数帯域整合手段とを備えた低雑音増幅器において、上記電界効果トランジスタのソース電極と接地との間に直列に接続したマイクロストリップ線路及び可変容量と、それらと並列に接続したＲＦチョークコイルとを有する第３の可変周波数帯域整合手段を備えた構成を有するものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、低雑音増幅器の特性を向上する手段として、能動素子の接地状態を適切に設定する手段が挙げられ、例えば高出力回路では能動素子の接地状態を限りなく理想的にする方法が効率面からみて有効であり、その一方で低雑音増幅器では、トランジスタの接地部に適切なインダクタンスを挿入することで最重要特性である雑音指数（ＮＦ：Ｎｏｉｓｅ  Ｆｉｇｕｒｅ）  の改善が可能となることが提案されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平５−７５３５７号公報（第２頁，第３頁、第１図）
【非特許文献１】
電子情報通信学会誌Ｖｏｌ．８４  Ｎｏ．１１  ２００１  年１１月号（ｐ７９６  〜８０２）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、一般的に高周波増幅器特に低雑音増幅器に使用する高周波増幅器では、ソースインダクタンス部分は特性が最良となる様な最適設計をシミュレーション等で予め行った後に、半導体素子のパターン設計を行うようにしている。すなわち、設計初期段階での最適なソースインダクタンス値はシミュレートによる検証しかできないためシミュレートに使用するパラメータの要素が不十分であったり、不正確であったりした場合には、試作後の製品で所望の特性が得られず、再度回路の試作を行うことにより、莫大な時間、費用及び労力を費やす必要があるという未解決の課題があった。
特に、従来では、半導体素子形成後に半導体の動作に関わる電極を精度良く、容易に構成することが困難であった。すなわち、従来の半導体形成後における電極形成手段としては蒸着などが手法として考えられるが、この手法では多大かつ高価な専用機器が必要となり、また、半導体を実回路が搭載される製品に実装した後の電極形成が困難であるという未解決の課題がある。
【０００７】
そこで、本発明は、上記従来例の未解決の課題に着目してなされたものであり、接地インダクタンスを高精度で容易に調整することができる半導体素子を有する高周波増幅器を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
第１の技術手段は、半導体ベアチップ上に、電界効果トランジスタのゲート部に接続された高周波信号が入力される信号入力側電極と、前記電界効果トランジスタのドレイン部に接続された増幅した高周波信号を出力する信号出力側電極と、前記電界効果トランジスタのソース部に接続された接地用電極とを形成した高周波増幅器において、前記接地用電極と接地パターンとの間に、導電性ペーストをインクジェット印刷装置で所望幅に塗布した後焼成した導電体で構成されるインダクタンス調整部を形成したことを特徴としている。
【０００９】
この第１の技術手段は、高周波増幅器の接地用電極と接地パターンとの間を、導電性ペーストをインクジェット印刷装置で所望幅に塗布した後焼成してインダクタンス成分を調整する導電体を構成するので、導電体の幅を高精度に形成することができ、インダクタンス成分を正確に調整して雑音指数（ＮＦ：Ｎｏｉｓｅ  Ｆｉｇｕｒｅ）を改善することができると共に、印刷制御装置で所望の印刷パターンを形成し、この印刷パターンをインクジェット印刷装置に出力制御するだけで、導電性ペーストを所望幅に塗布することが可能となり、導電ペーストをスクリーン印刷する場合のように印刷版を用意する必要がなく、導電体を容易にかつ精度良く形成することができる。
【００１０】
また、第２の技術手段は、第１の技術手段において、前記接地用電極は、方形に形成され、前記接地パターンは、前記接地用電極の左右両外側に夫々平行に左右対称に形成された左右パターン部を有し、前記接地用電極及び左右パターン部間を導通させるように所要数の前記導電体を所定幅で左右対称的に配設したことを特徴としている。
【００１１】
この第２の技術手段では、接地用電極とこれに対向する接地パターンの左右パターン部との間に必要なインダクタンス成分に応じた所要数の導電体を所定幅で対称的に配設するので、インダクタンス成分の左右バランスが崩れることなく、正確なインダクタンス成分の調整を行うことができる。
さらにまた、第３の技術手段は、第１又は第２の技術手段において、前記インダクタンス調整部は、少なくとも前記接地用電極及び接地パターンの何れか一方に他方側に突出して形成された複数のインダクタンス形成突出部を有し、該インダクタンス形成突出部のうちの所要数とこれに対向する他方との間に、導電性ペーストをインクジェット印刷装置で所望幅に塗布した後焼成した導電体を形成するように構成されていることを特徴としている。
【００１２】
この第３の技術手段では、予め接地用電極及び接地パターンの何れか一方に、複数のインダクタンス形成突出部を形成しておき、必要なインダクタンス成分に応じて選択した所要数のインダクタンス形成突出部と他方との間に導電性ペーストをインクジェット印刷装置で所望幅に塗布した後焼成して導電体を形成するので、導電体の長さを短くすることができ、導電性ペーストの使用量を少なくすると共に、インクジェット印刷装置による導電性ペーストの塗布時間を短縮することができる。
【００１３】
なおさらに、第４の技術手段は、第１又は第２の技術手段において、前記インダクタンス調整部は、少なくとも前記接地用電極及び接地パターンの何れか一方に他方側に突出して形成されたインダクタンスが異なる複数のインダクタンス形成突出部を有し、該インダクタンス形成突出部のうちの一つとこれに対向する他方との間に、導電性ペーストをインクジェット印刷装置で所望幅に塗布した後焼成した導電体を形成するように構成されていることを特徴としている。
【００１４】
また、第５の技術手段は、第１乃至第４の技術手段の何れかにおいて、前記導電性ペーストは、半導体プロセスにおける最低プロセス温度未満の温度で焼成されることを特徴としている。
この第５の技術手段では、導電性ペーストが半導体プロセスにおける最低プロセス温度未満の温度で焼成されるので、基板に半導体素子を実装した後に、インクジェット印刷装置で導電性ペーストを塗布してから焼成することが可能となり、実装プロセスを変更することなく、導電体を形成することができる。
【００１５】
さらに、第６の技術手段は、第１乃至第５の技術手段の何れかにおいて、前記導電性ペーストは、銀ナノ粒子を有機溶媒によりインクジェット印刷可能な粘度に調整して形成されていることを特徴としている。
この第６の技術手段では、銀ナノ粒子を有機溶媒で粘度を調整して導電性ペーストを形成するので、インクジェット印刷装置で導電性ペーストを容易確実に塗布することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は本発明第一の実施形態を示す高周波増幅器に使用する半導体ベアチップの平面図，図２は図１のＡ−Ａ線上の断面図である。
図中、ＨＡは高周波増幅器に使用される半導体ベアチップを示し、本発明の内容が含まれている。半導体ベアチップＨＡ内には電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴと称す）が構成されており、ベアチップ表面にはＦＥＴのゲート部２，ドレイン部３及びソース部４の引き出し電極が設けられている。
【００１７】
ここで、ゲート電極部２は、一般的にはポリシリコン等で、多層構成となる半導体ベアチップＨＡの最下層部１に所定間隔を保って前後方向に平行に延長する幅狭（例えば０．１８μｍ程度）で櫛歯状に形成されている。このゲート電極部２の上層には同様に櫛歯状のドレイン部３及びソース部４が形成され、トランジスタの機能を実現する。各電極部２，３及び４は半導体ベアチップ最上層まで引き出し部３１により引き出され、外部との接続を確保する電極１２，１３及び１４がゲート部，ドレイン部及びソース部の引き出し電極として形成される。ここで、ソース部引出し電極１４は半導体ベアチップＨＡの表面中央部に方形状に形成され、ゲート部引出し電極１２及びドレイン部引出し電極１３はソース部引出し電極１４を前後に挟む位置に比較的小さな方形状に形成されている。
【００１８】
半導体ベアチップＨＡの表面には前記引出し電極１２，１３，１４の他に接地パターンに接続された接地電極１５Ｒ及び１５Ｌが前記電極１４と左右方向から対向する形で左右対称に構成される。
このように形成された高周波増幅器に使用される半導体ベアチップＨＡにおいて、例えば試作品製造毎又は量産時の製造ロット毎に、電界効果トランジスタの特性のバラツキを測定して、電界効果トランジスタの雑音指数（ＮＦ：Ｎｏｉｓｅ  Ｆｉｇｕｒｅ）を向上させる最適なソースインダクタンスを求め、求めたソースインダクタンスに応じたソース電極１４と接地パターン部１５Ｌ及び１５Ｒとを結ぶ左右対称の導電体の導電体幅及び本数を算出する。
【００１９】
そして、算出した導電体の導電体幅及び本数をもとに、パーソナルコンピュータ等で構成される印刷制御装置で図１に示す導電体の印刷パターンデータを形成し、形成した印刷パターンデータを、導電性ペーストをインクカートリッジに収納し、印字ヘッドを高周波基板１の上面に近接させてＸＹ方向に２次元走査させ、印字ヘッドから吐出された導電性ペーストを高周波増幅器に使用される半導体ベアチップＨＡに対して塗布するインクジェット印刷装置に供給する。
【００２０】
したがって、このインクジェット印刷装置で、図１に示すように、ソース電極１４と接地パターン部１５Ｌ及び１５Ｒとを結ぶ左右対称の導電性ペーストを塗布し、その後所定温度で焼成して導電性ペーストを硬化させて導電体１６Ｌａ〜１６Ｌｃ及び１６Ｒａ〜１６Ｒｃを形成してインダクタンス調整部１７を構成する。ここで、インクジェット印刷装置で形成する導電体１６Ｌａ〜１６Ｌｃ及び１６Ｒａ〜１６Ｒｃの基準位置は、導電体１６Ｌａ及び１６Ｒａの位置であり、ソース部に接続された接地用電極と接地部との間のインダクタンス成分を増加させたい場合は、導電体１６Ｌａ及び１６Ｒａのみを形成し、インダクタンス成分を減少させたい場合は、所定間隔離れて前方側に平行に増加させることにより並列にインダクタンス成分を設ける事でソース部に接続された接地用電極と接地部との間に並列に複数のインダクタンス成分を設ける事でこの間の全体のインダクタンス成分を減少させる。更にインダクタンス成分を減少させたい場合は、１６Ｌｃ及び１６Ｒｃ以降にもさらに等間隔で導電体Ｌｄ〜及びＲｄ〜を追加するか、或いは接続部に導体幅の太いラインを印刷し、上記接地用電極と接地部との間を接続する。
【００２１】
また、導電性ペーストは、分散剤で保護膜を形成して金属ナノ粒子の室温での融着（焼結）を抑制した例えば５ｎｍ程度の銀ナノ粒子を銀粉と有機溶媒としてのバインダー樹脂と一緒に混合してインクジェット印刷装置で印刷可能な粘度にペースト化したもので、半導体プロセスにおける最低プロセス温度（例えば２４０℃）より低い温度（例えば２００℃）で１時間加熱することにより、バインダー樹脂と保護膜間で化学反応が進行し、銀ナノ粒子が裸の状態で表面活性が高くなり、銀ナノ粒子間、銀ナノ粒子−銀粉間で融着、焼結が進行して硬化し、導電体が形成される。
【００２２】
上記構成の等価回路は、図３に示すようになり、電界効果トランジスタ８のゲート電極Ｇに高周波入力信号ＨＩＳが入力され、電界効果トランジスタ８のドレイン電極Ｄから高周波出力信号ＨＯＳが出力され、ソース電極Ｓが導電体１６Ｌａ〜１６Ｌｃ，１６Ｒａ〜１６Ｒｃで構成される接地部インダクタＬを介して接地される。なお、動作時にはゲート電極及びドレイン電極それぞれに適正な直流電圧が印加される。
【００２３】
このように、上記第１の実施形態によれば、高周波増幅器に使用される半導体ベアチップＨＡを形成する場合に、この電界効果トランジスタのゲート電極２、ドレイン電極３、ソース電極４及び接地パターン５を形成した半導体ベアチップＨＡに、試作品や製造するロットで最適な電界効果トランジスタの性能を最大限に引き出す最適なソースインダクタンスが決定され、このソースインダクタンスに対応して、ソース部引出し電極１４と接地パターン部１５Ｌ及び１５Ｒ間を結ぶ導電体の幅及び本数が設定されたときに、インクジェット印刷装置に接続したパーソナルコンピュータ等の印刷制御装置で導電体の印刷パターンデータを形成し、この印刷パターンデータをインクジェット印刷装置に出力する。
【００２４】
これにより、インクジェット印刷装置の印刷ヘッドで導電性ペーストを半導体ベアチップＨＡのソース部引出し電極１４と接地パターン部１５Ｌ及び１５Ｒ間に、印刷パターンデータに高精度で対応させて塗布する。
この塗布状態では、導電性ペーストはペースト状態を維持するが、インクジェット印刷装置によるパターン印刷が終了してから、半導体ベアチップＨＡを一定の温度（例えば２００℃）で１時間加熱して焼成することにより、導電性ペーストが硬化して導電体１６Ｌａ〜１６Ｌｃ及び１６Ｒａ〜１６Ｒｃが形成される。
【００２５】
このように、ソース部引出し電極１４及び接地パターン１５間を非導通状態で半導体ベアチップＨＡを使用した高周波増幅器を形成し、ロット毎にソースインダクタンスを決定してからインクジェット印刷装置で決定されたソースインダクタンスを満足する導電性ペーストの印刷パターンデータを設定し、設定した印刷パターンデータをインクジェット印刷装置に供給して、半導体ベアチップ１のソース電極部引出し１４と接地パターン部１５Ｌ及び１５Ｒ間に、導電性ペーストを塗布するので、正確なパターン印刷を行うことができると共に、所望のインダクタンス成分となる導電体を正確且つ容易に形成することができる。しかも、インクジェット印刷装置によって塗布した導電性ペーストを焼成する場合に、その焼成温度が半導体プロセスの最低プロセス温度（例えば２４０℃）より低い温度（例えば２００℃）に設定されているので、導電性ペーストの焼成時に半導体ベアチップＨＡに形成された電界効果トランジスタや各種パターンに影響を与えることなく、容易に焼成することができる。
【００２６】
因みに、従来のように半導体形成後に、電極形成の一手段として蒸着等の手法をとる場合には、多大かつ高価な専用機器が必要となり、また、半導体を実回路が搭載される製品に実装した後の電極形成が困難であるが、本実施形態によれば、インクジェット印刷装置を利用して導電性パターンを塗布することにより、極めて容易にソースインダクタンスの調整を行うことができ、試作品を製造する場合にこれを容易に製造することができる。特に、高周波増幅器を使用して低雑音増幅器を構成する場合には、従来ではソースインダクタンス部分は特性が最小となるような最適設計を行った後に、パターン設計を行うようにしている。このため、最適なインダクタンス値はシミュレートのみでしか設定できず、シミュレート時のパラメータが不正確であったり、パラメータの設定が不十分であったりしたこと等に起因して実回路において所望の特性を得ることができなかった場合には再度試作を行う必要があり、この場合の時間的及び金銭的に多大な浪費を発生することになるが、本発明では、ソースインダクタンスの調整を極めて容易に行うことができるので、試行錯誤で最適なソースインダクタンスを設定することも容易に行うことができる。
【００２７】
すなわち、上記第１の実施形態によれば、半導体ベアチップ上でのパターン修正を容易に行えるため、極めて短い期間で製品の特性最適化が可能となり、製品の開発期間及び量産対応期間を圧縮できる。また、試作回数を抑制できるため、試作及び量産時の製造コストの大幅な圧縮が可能となる。
さらに、上述したように製造ロット毎に電界効果トランジスタの特性を最適にするソースインダクタンスを決定するので、製造ロット毎のバラツキによる不良品の発生を確実に防止することができ、製品歩留りを大幅に向上することができる。
【００２８】
次に、本発明の第２の実施形態を図４について説明する。
この第２の実施形態は、予め複数のソース部引出し電極１４と接地パター１５Ｌ及び１５Ｒとの間に、何れか一方に導通する複数のインダクタンス形成突出部を形成しておき、これらのうちの必要な本数をインクジェット印刷装置で塗布した導電性ペーストを焼成して形成した導電体で他方に連結するようにしたものである。
【００２９】
すなわち、第２の実施形態においては、前述した第１の実施形態における図１において、ソース部引出し電極１４と接地パターン１５を構成する接地パターン部１５Ｌ及び１５Ｒとの間隔が倍程度に広げられ、接地パターン部１５Ｌ及び１５Ｒのソース電極１４側の端縁からソース部引出し電極１４側に向かって両者の間隔の半分程度延長する複数例えば３本の所定幅のインダクタンス形成突出部２０Ｌａ〜２０Ｌｃ及び２０Ｒａ〜２０Ｒｃが形成され、これらインダクタンス形成突出部２０Ｌａ〜２０Ｌｃ及び２０Ｒａ〜２０Ｒｃのうち、試作品作成時又は量産時のロット毎に、決定されるソースインダクタンスに基づいて選択された本数とソース部引出し電極１４との間が、インクジェット印刷装置で塗布された導電性ペーストを一定の温度（例えば２００℃）で１時間焼成して形成される導電体２１Ｌ及び２１Ｒで連結されてインダクタンス調整部１７が形成されていることを除いては前述した図１と同様の構成を有し、図１との対応部分には同一符号を付し、その詳細説明はこれを省略する。
【００３０】
この第２の実施形態によれば、接地パターン部１５Ｌ，１５Ｒに予め所定本数のインダクタンス形成突出部２０Ｌａ〜２０Ｌｃ及び２０Ｒａ〜２０Ｒｃが形成され、これらのうちの選択された本数とソース電極１４との間にインクジェット印刷装置で導電性ペーストを塗布してから焼成して導電体２１Ｌ及び２１Ｒを形成するので、前述した第１の実施形態に比較して、導電性ペーストの塗布量を減少させることができると共に、塗布時間も短縮することができ、必要とするソースインダクタンスをより容易に形成することができる。
【００３１】
なお、上記第２の実施形態においては、接地パターン部１５Ｌ及び１５Ｒに複数のインダクタンス形成突出部２０Ｌａ〜２０Ｌｃ及び２０Ｒａ〜２０Ｒｃを形成する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、ソース部引出し電極１４側に複数のインダクタンス形成突出部を形成するようにしてもよい。
また、上記第１〜第２の実施形態においては、ソース部引出し電極１４及び接地パターン１５Ｌ，１５Ｒ間に１つの導電体を接続するか又は複数の導電体を並列に接続する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、図５に示すように、インダクタンス形成突出部２０Ｌａ〜２０Ｌｃ及び２０Ｒａ〜２０Ｒｃの幅を異ならして、異なるインダクタンスとなるように形成し、これらから目的とするソースインダクタンスに対応する１つのインダクタンス形成突出部２０Ｌｉ（ｉ＝ａ〜ｄ）及び２０Ｒｉを選択し、選択したインダクタンス形成突出部２０Ｌｉ及び２０Ｒｉとソース部引出し電極１４との間にインクジェット印刷装置によってインダクタンス形成突出部２０Ｌｉ及び２０Ｒｉと同じ幅で導電性ペーストを塗布し、その後に一定の温度（例えば２００℃）で焼成して導電性ペーストを硬化させて導電体を２１Ｌ及び２１Ｒを形成してインダクタンス調整部１７を構成するようにしてもよい。この場合には、導電性ペーストを塗布する位置が左右対称な一カ所のみでよいので、より塗布量減少させることができると共に、塗布時間を短縮することができる。
【００３２】
なお、接地用上記各実施形態においては、導電性ペーストとして保護膜で融着（焼結）を抑制した銀ナノ粒子を銀粉とバインダー樹脂と一緒に混合してペースト化したものを適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、銀系材料の微粒子を有機溶媒によりインクジェット印刷装置での印刷に適した粘度に調整して導電性ペーストを形成するようにしてもよく、要はインクジェット印刷装置で印刷可能な粘度と半導体プロセスの最低プロセス温度未満の温度で硬化可能な導電性ペーストであれば本発明に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態を示す高周波増幅器の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】高周波増幅器の等価回路図である。
【図４】本発明の第２の実施形態を示す高周波増幅器の平面図である。
【図５】第２の実施形態の変形例を示す高周波増幅器の平面図である。
【符号の説明】
ＨＡ…高周波増幅器に使用される半導体ベアチップ、２…ゲート電極、３…ドレイン電極、４…ソース電極、１２…引き出しゲート電極、１３…引き出しドレイン電極、１４…引き出しソース電極、１５…接地パターン、１５Ｌ，１５Ｒ…接地パターン部、１６Ｌａ〜１６Ｌｃ，１６Ｒａ〜１６Ｒｃ…導電体、１７…インダクタンス調整部、２０Ｌａ〜２０Ｌｄ，２０Ｒａ〜２０Ｒｄ…インダクタンス形成突出部、２１Ｌ，２１Ｒ…導電体
【図１】
2004336614.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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