(57)【要約】【課題】同じ間隔内に設置できるパッドの数が従来品に比べて多い集積回路パッケージキャリアを提供する。【解決手段】集積回路パッケージキャリア１の構造は、基板１０と、複数の銅導線からなり基板１０の片面または両面に設置される導体パターンと、導体パターンの所定部分および複数の導接体４０を被覆するためのソルダマスク３０とを有している。導体パターンには導接部２２が備わり、各導接部２２の上には導接層が設けられている。光化学法を用いてソルダマスク３０を導体パターンの導接部２２上方に対応する部分で等角に開いて微孔を形成させる。導接体４０は導接部２２に対応する上方にあって、微孔３１中に電気メッキ法を用いて設けられ、導接部２２の上面と電気接続された状態にある。導接体４０は第１層４１および第２層４２を備える。こうして、導接体４０を通して導体パターンが電子素子（例えばダイ）と電気接続できる。【選択図】    図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの電子素子を装着するのに用いる集積回路パッケージキャリアであって、
基板と、
複数の導線からなり該基板上に設置され、複数の導接部を有し、該導接部は２つの側面と１つの上面を有する導体パターンであり、該導体パターンに設けられ且つそれぞれ該導接部の上方に位置付けられ、底面および上面を有し、該底面の少なくとも一部が対応する導電部上面の少なくとも一部に貼付されて、電気導通している複数の導接体と、
該基板上に設けられて該導体パターンの所定部位を被覆するのであって該導接部の２つの側面を被覆し並びに該導接体の該上面を被覆するソルダマスクとを備え、
該導体パターンが該導接体で該電子素子と電気接続されることを特徴とする集積回路パッケージキャリア。
【請求項２】
該ソルダマスクは、該導体パターンの導接部に対応する位置にそれぞれ微孔が設置され、該導接部の上面は少なくとも一部が対応する微孔の下方で露出され、該導接体はそれぞれ該微孔中に位置して、それぞれ対応する導接部に接続していることを特徴とする請求項１記載の集積回路パッケージキャリア。
【請求項３】
該導接体には該微孔が充満していることを特徴とする請求項２記載の集積回路パッケージキャリア。
【請求項４】
該導接体の上面の面積は該底面の面積より大きいことを特徴とする請求項１記載の集積回路パッケージキャリア。
【請求項５】
該導接体はそれぞれ少なくとも２行に並べられ、各行の導接体と該電子素子との距離はほぼ同じであるが、異なる行の導接体と該電子素子との間の距離は明らかに異なり、隣接する２つの導接体は異なる行に位置することを特徴とする請求項１記載の集積回路パッケージキャリア。
【請求項６】
各行の導接体が行沿いに走向する投影において、重なる部分を持たないことを特徴とする請求項５記載の集積回路パッケージキャリア。
【請求項７】
該導接体の上面は一部の投影面積が該導接部を上回っていることを特徴とする請求項１記載の集積回路パッケージキャリア。
【請求項８】
該導接体の上面の幅は該導接部の上面の幅より大きいことを特徴とする請求項１記載の集積回路パッケージキャリア。
【請求項９】
該導接体の底面の幅は該導接部の上面の幅より大きいことを特徴とする請求項１記載の集積回路パッケージキャリア。
【請求項１０】
該導接体を該電子素子上の接点と接続するための複数の接続線をさらに有し、連続線の一端を先に該パッケージキャリアの一導接体に接続し、次いで他端をダイ上の接点に接続し、これと隣接する他の接続線は先にダイ上の接点に接続し、次いで該パッケージキャリアの導接体に接続することを特徴とする請求項１記載の集積回路パッケージキャリア。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子製品と関係し、特に集積回路パッケージキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の集積回路パッケージキャリア（ＩＣ  ｐａｃｋａｇｅ  ｃａｒｒｉｅｒ）９０には、図１および図２で示したように、複数の銅導線（ｃｏｐｐｅｒ  ｔｒａｃｅｓ）９３からなる導体パターン（ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｐａｔｔｅｒｎ）９２を片面または両面に有する基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）９１が備わり、該導体パターン９２上にソルダマスク（ｓｏｌｄｅｒ  ｍａｓｋ）９４が被覆されている。通常、該ソルダマスク９４の所定部分が除去されて、該導体パターン９２の導線９３の所定部位が露出し、次いで露出した導線９３の表面をニッケル−金でメッキ（ｎｉｃｋｅｌ  ａｎｄ  ｇｏｌｄ  ｐｌａｔｉｎｇ）９５し、こうして該導体パターンのパッド（ｐａｄｓ）９６が形成される。
【０００３】
該集積回路パッケージキャリア９０をワイヤボンディング（ｗｉｒｅ  ｂｏｎｄｉｎｇ）法でダイ（ｄｉｅ）９７と電気接続させるときには、図３および図４に示したように、金線９８を用いて該パッド９６と該ダイ９７の接点を接続して、該導体パターン９２と該ダイ９７を電気接続する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
図２に示したように、該パッド９６のメッキ層９５は、銅導線９３の上表面９３１のほか、側表面９３２にも存在する。製造上、該側表面９３２上のメッキ層９５の厚みは制御しにくいため、２つの隣接するパッド９６間の距離を最大限度にすることで、メッキ層９５が過度に厚いためにその間隔が小さくなって電磁波障害（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）が生じたり、或いは２つのメッキ層９５側面のラップが原因でショートしたりするのを回避しており、そのため、従来のパッケージキャリア９０では単位距離内に備えられるパッド９６の数が比較的少なかった。
【０００５】
このため、図３に示すように該パッド９６は該ダイ９７から離れた位置に置かれなければ、必要な数のパッド９６を設置することができず、ワイヤボンディングに必要な金線９８の長さが長くなり、ワイヤボンディングの適正率がそれによって低下してしまっていた。またさらに問題なのは、該パッケージキャリア９０の寸法を有効に小さくできないことであった。
【０００６】
したがって本発明は、同じ間隔内に設置できるパッドの数が従来品に比べて多い集積回路パッケージキャリアを提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために本発明の請求項に記載の集積回路パッケージキャリアは、複数の導線からなる導体パターンを有する基板が備わっている。該導体パターンには少なくとも１つの導接部が備わり、各導接部の上には導接層が設けられている。該導接体は導体パターンの導接部に対応する上方にあって、該導接部の上面と電気接続された状態にあり、またソルダマスクが該基板上に設けられ該導体パターンを被覆しているが、該導接体に対応する位置が開かれ、該導接体を露出させている。こうして、該導接体を通して該導体パターンが電子素子（例えばダイ）と電気接続できるようになっている。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
図５は、本発明第１実施例の側面図であり、基板、導体パターンおよびソルダマスクを示している。
図６は、本発明第１実施例の側面図で、図４に続くものであり、該ソルダマスクが導体パターンの導接部に対応する位置で等角的に開かれていることを示している。
図７は、本発明第１実施例の側面図で、図５に続くものであり、該ソルダマスクが開かれた微孔中に導接体が設けられていることを示している。
図８は、本発明第１実施例の上面図である。
図９は、本発明第１実施例の側面図であり、導接体が側面方向に一定距離移動した状態を示している。
図１０は、本発明第１実施例の上面図であり、ダイを装着した状態を示している。
図１１は、本発明第１実施例の略図であり、ワイヤボンディング法を用いてダイと電気接続した状態を示している。
図１２は、本発明第２実施例の側面図である。
図１３は、本発明第３実施例の上面図である。
図１４は、図１３の１４−１４線における断面図である。
【０００９】
図５から図８に示すように、本発明の第１実施例で提供した集積回路パッケージキャリア１の構造は、基板１０と、複数の銅導線２１からなり該基板１０の片面または両面に設置される導体パターン２０と、該基板１０上に設けられ、該導体パターン２０の所定部分および複数の導接体４０を被覆するためのソルダマスク３０とを有している。
【００１０】
本実施例の集積回路パッケージキャリア１を製造するには、図５に示すように、まず該基板１０を予め作製しておき、該導体パターン２０および該ソルダマスク３０をその上に設置する。該導体パターン２０の定義は、複数の導接部２２を有していることである。
【００１１】
図６に示すように、公知の光化学法（ｐｈｏｔｏ−ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｔｈｏｄ）を用いて該ソルダマスク３０を該導体パターン２０の導接部２２上方に対応する部分で等角に開いて（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ  ｏｐｅｎｉｎｇ）微孔（ｖｉａｓ）３１を形成させる。該各導接部２２の上面２２１は少なくとも一部が微孔３１の下方にあり、その２つの側面２２３は該ソルダマスク３０で被覆されている。
最後に図７に示すように該微孔３１中に、電気メッキ法を用いて導接体４０をそれぞれ設ける。該各導接体４０は第１層４１および第２層４２を備えており、該第１層４１は該導体パターン２０の材質と同じ銅層で、第２層４２は金層、ニッケル層またはニッケル−金層である。無論、該導接体４０を金層、ニッケル層またはニッケル−金層のみにて構成することもできる。
【００１２】
該各導接体４０の両側面４０３は、該ソルダマスク３０で被覆されており、その底面４０１は対応する導接部２２の上面２２１と接触して、電気接続された状態になる。該各導接体４０の上面４０２は、該ソルダマスク３０の上面３０１とほぼ平行になっている。但し、該導接体４０の上面４０２の高さを該ソルダマスク３０の上面３０１より高くすることも可能であり、或いは該ソルダマスク３０の上面３０１より低くすることも可能である。従って製造者は態様を選択することが可能である。
【００１３】
図９に示すように光化学法またはレーザで開いた微孔３１は、照準誤差の発生を避けることができないため、該微孔３１が移動してしまう。しかしこうした現象が本発明の集積回路パッケージキャリアの作用に影響することはない。その理由はまず、該微孔３１が移動するときには、導接体４０の全てが同時に一定方向に同じ距離だけ移動するので、ワイヤボンディングの作業に影響しないためである。さらなる理由は、該導接体４０が同時に移動するときには、その距離が依然として同じであるため電磁波障害が起きることがなく、移動する導接体４０と隣接する導接部２２の距離は小さくなるが、該導接体４０と該導接部２２の間は高さに違いを設けるために、両者が尚適当な距離を保つことができ、電磁波障害が発生しないからである。
【００１４】
本実施例は、該導体パターン２０の導接部２２上方に位置する空間を利用して該導接体４０を設けて該集積回路パッケージキャリア１のパッドとすることを特徴とし、その長所は、該導接部２２の幅を該導体パターン２０と同じに保つことが可能で、大きくする必要がないため、該導接体４４の底面４０１の幅を該導接部２２の上面２２１の幅よりも大きくできることである。但し、該導接体４０は該ソルダマスク３０の微孔３１中に設けられているため、該導接体４０が相互にラップしてショートすることがない。該微孔３１の間を制御することで、該導接体４０を設けたのちも、電磁波障害が生じる可能性がない。
【００１５】
図１０に示すように、本実施例のパッケージキャリア１にダイ６０を装着したときには、該導接体４０の間隔は従来品に比べて小さくなるため、単位距離において本発明のパッケージキャリア１では比較的多くの導接体４０を設けることが可能で、本発明の該導接体４０と該ダイ６０との間の距離は従来品に比べて小さくなる。こうして、ワイヤボンディングで該ダイ６０上の接点と該導接体４０を接続するときには、必要な金線の長さは比較的短くなり、しかもワイヤボンディングの適正率を高めることが可能である。
【００１６】
図１１に示すように、ワイヤボンディング法を用いて、接続線（ｂｏｎｄｉｎｇ  ｗｉｒｅｓ）５０（通常は金線）の両端をそれぞれダイ６０と本発明のパッケージキャリア１の導接体４０に接続するときには、１本の接続線５０ａが、本発明のパッケージキャリア１の一導接体４０ａを第１接点（ｆｉｒｓｔ  ｂｏｎｄｉｎｇ）とし、該ダイ６０上の対応する接点を第２接点６１ａとして、該連続線５０ａの一端を先に該パッケージキャリア１の導接体４０ａと接続し、次いで他端をダイ６０上の接点６１ａと接続する。隣接する他の接続線５０ｂは、該ダイ６０上の対応する接点６１ｂを第１接点とし、該パッケージキャリア１の導接体４０ｂを第２接点とする。換言すれば、該パッケージキャリア１上の導接体４０は、該接続線５０の第１接点と第２接点を交換可能で、該ダイ６０上の接点もそれに応じて第２接点と第１接点を交換する。一般に、該接続線５０を第１接点に接続するときには、接続線５０の走向方向と接点表面との間の挟角αの角度が大きくなり、第２接点と接続するときには、挟角βが小さくなる。そのため構造的にどれが第１接点で、どれが第２接点かを容易に判別することができる。こうした接続法は、オートメーション作業の際に、機械のアームが移動する行程距離を節減できるので、製造コストが削減される。
【００１７】
一般にプラズマエッチング（ｐｌａｓｍａ  ｅｔｃｈｉｎｇ）またはドライフィルム（ｄｒｙ  ｆｉｌｍ）で開いた微孔３１は、大多数が図７に示すように上側の口径が大きく、底側の口径が小さくなっているため、該導接体４０の形状も上面の面積が大きく、底面の面積が小さくなっている。従って、該導接体４０の該接続線５０と接続するための面積が比較的大きくなる。
【００１８】
図１２に示すように、本発明の第２実施例で提供する集積回路パッケージキャリア２の構造は、第１実施例と類似していて、主に基板７１と導体パターン７２を有しており、若干の導接部７３と、ソルダマスク７４および複数の導接体７５を設けている。その違いは、該ソルダマスク７４はスクラビング（ｓｃｒｕｂｂｉｎｇ）またはエッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）によって該導体パターン７２の導接部７３上方に対応する部分を除去し、該導接部７３の上面を露出させていることである。次いで、同じように電気メッキ法を用いて、該導接部７３上に該導接体７５を設けている。
無論、本発明の第２実施例で提供する集積回路パッケージキャリア２の構造でも、同様に該ソルダマスク７４上に開いた微孔３１（図には未表示）を用いることが可能で、次いで微孔中に該導接体７５を設け、最後に該導接部７３上面上方にあるソルダマスク７４を除去する。
【００１９】
図１３および図１４に示すように、本発明の第３実施例で提供する集積回路パッケージキャリア３の構造は、前記構造と類似しており、基板８１と導体パターン８２を有しており、若干の導接部８３とソルダマスク８４を設けて、該導接部８３に対応する位置にそれぞれ微孔８５を設置し、該各微孔８５中にそれぞれ導接体８６を設けている。その違いは、図１１に示すように、該導接体８６の位置が交錯する状態で異なる水平面上にあることである。換言すれば、該導接体８６はそれぞれ２行（ｒｏｗｓ）Ｒ１、Ｒ２に並べられており、且つ隣接する２つの導接体８６は異なる行に位置している。該行の定義は該導接体８６と該ダイ６０との間の距離で区分してもよく、図に示すように、番号８６ａと８６ｃの導接体は、該ダイ６０との間の距離がほぼ同じであるので、両者は同じ行（第１行）Ｒ１に位置すると定義できる。番号８６ｂと８６ｄの導接体は、該ダイ６０との間の距離はほぼ同じであるが、該第１行Ｒ１の導接体８６ａと８６ｃおよび該ダイ６０との間の距離とは明らかに違いがあるため、別の行（第２行）にあると定義できる。さらに隣接する２つの導接体８６は、行の走向方向の投影において重なる部分をもたない。
上記の該導接体８６の特殊な排列法によって、該導接体８６の幅を広げることができるが、電磁波障害が生じることはない。その理由は、一導接体８６との距離が最も近いのは隣接する他の導接体８６ではなく、隣接する導線８２１であり、然るに、該導接体８６と導線８２１がまた異なる高さ位置にあるからで、図１４に示すように、該導接体８６と該導線８２１の平均距離は斜線Ｄとなっている。そのため、該導接体８６はその幅を広げることができ、また該導体パターン８２の導線８２１の間隔を広げる必要はない。
【００２０】
上記からわかるように、本発明の実施例の特徴と長所は、該導接体が該導体パターン導接部の上方にあって導接部の側面にはなく、位置高さが違うために該導接部の設置において導体パターンの導線の間隔を広げる必要がなくなることである。さらに本発明の導接体は比較的高い位置にあるために、ダイとの間の距離もそれに伴って小さくなり、換言すれば、ワイヤボンディングに必要な金線の長さも短くなる。また、本発明第３実施例の形態では、該導接体が該導体パターンの導線の間隔を広げる必要がないということが前提となって、導接体の幅を広げることできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の集積回路パッケージキャリアの部分上面図である。
【図２】図１の２−２線における断面図である。
【図３】従来の集積回路パッケージキャリアと装着したダイの上面図である。
【図４】従来の集積回路パッケージキャリアとダイをワイヤボンディング接続した後の略図である。
【図５】本発明第１実施例による集積回路パッケージキャリアを示す側面図であり、基板、導体パターンおよびソルダマスクを示している。
【図６】本発明第１実施例による集積回路パッケージキャリアを示す側面図で、図４に続くものであり、該ソルダマスクが導体パターンの導接部に対応する位置で等角に開かれていることを示している。
【図７】本発明第１実施例による集積回路パッケージキャリアを示す側面図で、図５に続くものであり、該ソルダマスクの開かれた微孔中に導接体が設けられていることを示している。
【図８】本発明第１実施例による集積回路パッケージキャリアを示す上面図である。
【図９】本発明第１実施例による集積回路パッケージキャリアを示す側面図であり、導接体が側方向に一定距離移動した状態を示している。
【図１０】本発明第１実施例による集積回路パッケージキャリアを示す上面図であり、ダイを装着した状態を示している。
【図１１】本発明第１実施例による集積回路パッケージキャリアを示す略図であり、ワイヤボンディング法を用いてダイと電気接続された状態になることを示している。
【図１２】本発明第２実施例による集積回路パッケージキャリアを示す側面図である。
【図１３】本発明第３実施例による集積回路パッケージキャリアを示す上面図である。
【図１４】図１３の１４−１４線における断面図である。
【符号の説明】
１    集積回路パッケージキャリア
２    集積回路パッケージキャリア
３    集積回路パッケージキャリア
１０    基板
２０    導体パターン
２１    導線
２２    導接部
３０    ソルダマスク
３１    微孔
４０    導接体
４１    第１層
４２    第２層
５０    接続線
６０    ダイ
６１    接点
７１    基板
７２    導体パターン
７３    導接部
７４    ソルダマスク
７５    導接体
８１    基板
８２    導体パターン
８３    導接部
８４    ソルダマスク
８５    微孔
８６    導接体
９０    従来の集積回路パッケージキャリア
９１    基板
９２    導体パターン
９３    導線
９４    ソルダマスク
９５    メッキ層
９６    パッド
９７    ダイ
９８    金線
２２１    上面
２２３    側面
３０１    上面
４０１    底側面
４０３    側面
８２１    導線
９３１    上表面
９３２    側表面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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