(57)【要約】【課題】可変直径の対電極を有する一体化されたメッキおよび平坦化装置を提供すること。【解決手段】基板上の金属をメッキおよび平坦化するための装置が、複数の分配用セグメントを備えており、各セグメントは、基板上へ電気メッキ溶液を分配するための少なくとも１つの孔を有している。分配用セグメントは、円形の対電極を形成し、また対電極が可変の直径を有するように電気メッキ・プロセス中に互いに対して移動可能である。こうして電気メッキ溶液が、対電極の直径に対応する直径を有する基板の環状部分上に分配される。したがって可変直径の対電極によって、基板へのメッキ溶液の局所的な送出が可能になる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上への金属層の電気メッキを行うための装置であって、
複数の分配用セグメントであって、各セグメントは前記基板上へ電気メッキ溶液を分配するための少なくとも１つの孔を有し、前記分配用セグメントは、円形の対電極を形成し、また前記対電極が可変の直径を有するように電気メッキ・プロセス中に互いに対して移動可能であり、こうして前記電気メッキ溶液が、前記対電極の前記直径に対応する直径を有する前記基板の環状部分上に分配される、分配用セグメントと、
前記対電極と実質的に平行に前記基板を保持し、前記対電極に対して回転し、メッキ電極を含むキャリアとを備える装置。
【請求項２】
基板に平行なプレートをさらに備え、各分配用セグメントは、前記プレートに取り付けられ、前記円形の対電極の半径に沿って前記プレートに対してスライド可能である請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記分配用セグメントを電気的に接続するためのフレキシブルな導電体をさらに備える請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記分配用セグメントのそれぞれに前記電気メッキ溶液を供給するための複数のフレキシブル・チューブをさらに備える請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記対電極が陽極で、前記メッキ電極が陰極である請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記電気メッキ溶液と接触している陽極電極をさらに備える請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記装置内で電気エッチング・プロセスが行われ、前記電気エッチング・プロセスの間に前記分配用セグメントを通して電気エッチング溶液が分配される請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記メッキ電極が陰極で、前記陰極と前記陽極電極とに接続される電圧源をさらに備え、電流を前記陰極と前記陽極との間に、電気メッキ・プロセス中は順方向に、電気エッチング・プロセス中は逆方向に流す請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記対電極の前記分配用セグメントのそれぞれは、各セグメントが狭い端と広い端とを有するように、前記円形の対電極の円周に沿う方向にテーパが付けられたプロファイルを有し、
前記セグメントは、各セグメントの前記狭い端が、隣接するセグメントの前記広い端の内部に挿入されて、隣接するセグメント間で重なりを形成するように配列され、
前記円形の対電極の直径は、隣接するセグメントの重なり量を変化させることによって変化する請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記基板上の平坦化プロセスを行うために、研磨テーブルとその上に配置された研磨パッドとをさらに備える請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記電気メッキ・プロセスが行われた後に、前記研磨テーブルが前記基板と前記円形の対電極との間に配置される請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記研磨パッド上に非研磨剤スラリを分配するための分配器をさらに備え、前記平坦化プロセスは化学的機械研磨（ＣＭＰ）である請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
メッキ溶液とエッチング溶液との少なくとも一方を基板上に分配するための装置であって、
複数の分配用セグメントであって、各セグメントは前記基板上へ前記溶液を分配するための少なくとも１つの孔を有し、前記分配用セグメントは、円形のアレイを形成し、また前記アレイが可変の直径を有するようにメッキ・プロセスおよびエッチング・プロセスの一方の間に互いに対して移動可能であり、こうして前記溶液が、前記アレイの前記直径に対応する直径を有する前記基板の環状部分上に分配される、分配用セグメントを備える装置。
【請求項１４】
前記分配用セグメントのそれぞれは、各セグメントが狭い端と広い端とを有するように、前記円形アレイの円周に沿う方向にテーパが付けられたプロファイルを有し、
前記セグメントは、各セグメントの前記狭い端が、隣接するセグメントの前記広い端の内部に挿入されて、隣接するセグメント間で重なりを形成するように配列され、
前記円形アレイの直径は、隣接するセグメントの重なり量を変化させることによって変化する請求項１３に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体プロセシングに関し、より詳細には半導体ウェハ上の材料のメッキおよび平坦化装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造においては、金属層の堆積および選択的除去が重要なプロセスである。通常の半導体ウェハは、その表面に堆積またはメッキされた複数の金属層を有し、連続する各層は、さらなる層が追加される前に研磨またはエッチングされる。特に、ウェハ上への銅の電気メッキは広く行われているプロセスである。銅のメッキ（一般にウェハ上に銅のブランケット層を形成する）の後には通常、電気エッチングまたは化学的機械研磨（ＣＭＰ）を行って、メッキ層の不要な部分を除去する。
【０００３】
半導体ウェハ上への通常のＣｕメッキ・プロセスでは、最初にウェハ表面にバリア／ライナ層をコーティングして、ウェハへのメッキ金属層の付着を促すとともに、半導体材料中へのＣｕの拡散を防ぐ。次にシード層をライナ上へ堆積する。電気メッキされたＣｕによって、ウェハ表面がコーティングされ、表面内に形成されたフィーチャ（features）（たとえばトレンチ）が充填される。メッキ層は、トレンチの充填を確実にするように十分厚くなければならない。次に余分な厚み（「過負担（overburden）」と呼ぶ）を、電気エッチングまたはＣＭＰによって除去する。多くの場合、銅金属がトレンチ内部にのみ残るようにウェハ表面上方のメッキ層を全部除去する。これは、ウェハの本来の前面が露出するまでＣＭＰ装置内でウェハを研磨することによって、行うことができる。
【０００４】
従来、金属層のメッキおよび平坦化は、別個のツール内で行われている。前述したように、通常のウェハのプロセシングは、複数の異なるメッキ・ステップを必要とし、それぞれの後に平坦化ステップを行う。したがって通常のウェハは、メッキおよび平坦化ツールの両方において複数回処理される。この状況は、製造プロセスのスループットを制限し、したがって全体的な製造コストを増加させる傾向にある。
【０００５】
米国特許第６,００４,８８０号公報、発明の名称「Method of singlestep damascene process for deposition and global planarization」では、ＣＭＰ装置を、メッキと研磨とを同時に行うように適応させることが提案されている。しかしメッキと研磨とは多くの場合、必要とされるプロセス条件が異なっており（たとえばウェハ表面上への機械的な力が異なる）、これらを同時プロセスで得ることはできない。また研磨剤を含有する研磨スラリ溶液を電解質メッキ溶液と混ぜると、研磨剤粒子がメッキ金属層内に捕らえられる可能性がある。
【０００６】
ウェハ上にメッキを均一にかつ過負担を最小にして行うためには、メッキ溶液をウェハに、ウェハ上の位置に従って正確な量で送ることが望ましい。メッキ溶液をこのように局所的に送出することは、ウェハ全体を溶液に同時に浸すかまたはウェハ全体に溶液を同時に噴霧するメッキ・ツール内では利用できない。
【０００７】
電子デバイスを小型化しようとする傾向が常にあるために、電気メッキの最近の用途（オン・チップ相互接続のダマシン・メッキなど）では、より薄い導電性シード層を用いるか、または導電層を省いて高抵抗ライナ上へ直接メッキする傾向にある。ダマシン・メッキにおける高活性領域濃度、ウェハを大きくしようとする傾向、メッキ速度を高くする必要性、および厚み均一性に対する厳しい要求は全て、当該技術分野において「端子効果（terminal effect）」として知られる問題の一因となる。この効果は、シード層およびメッキ堆積物内での高いオーミック電位降下が原因であり、ウェハとの電気コンタクト付近における電流分布を不均一にする。電解質内では、メッキ陽極とメッキされるウェハ表面との間のスペースにおいて電位降下は線形であるが、電解質とシード層との界面では電位が急激に降下し、シード層を通る電位降下は非線形である。薄いシード層（またはライナ）は抵抗が非常に高いことが多く、コンタクト端子を通してメッキ電流を流す抵抗も同様に非常に高い。したがってシード層の抵抗によって、メッキ電流の全体の抵抗が支配され、コンタクト端子付近における高い局所電流密度によって、メッキ金属厚みの激しい不均一性が引き起こされる。端子効果の結果、ウェハ中央部にメッキされる金属が非常に少量となる可能性がある。
【特許文献１】米国特許第６,００４,８８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
電気メッキと平坦化ツールの特徴を一体化し、したがって電気メッキと電気エッチングとを交互に、ＣＭＰとともに（特に銅層の場合）、各プロセスに対する条件を最適化して行うことができるウェハ・プロセシング・ツールが、依然として必要とされている。またメッキ溶液をウェハに局所的に送出することが可能なメッキ・ツールも必要とされている。特に、非常に薄いシード層を用いたときに端子効果を被らないメッキ・ツールが必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、基板上への金属層の電気メッキを行うための装置であって、可変直径のリング状対電極を用いて電気メッキを行う装置を提供することによって、前述の必要性に取り組むものである。
【００１０】
本発明の装置は、複数の分配用セグメントであって、各セグメントは基板上へ電気メッキ溶液を分配するための少なくとも１つの孔を有する分配用セグメントを備える。分配用セグメントは、円形の対電極を形成し、また陽極が可変の直径を有するように電気メッキ・プロセス中に互いに対して移動可能である。こうして電気メッキ溶液が、対電極の直径に対応する直径を有する基板の環状部分上に分配される。したがって可変直径の対電極によって、基板へのメッキ溶液の局所的な送出が可能になる。キャリアが、対電極と実質的に平行に基板を保持する。キャリアは、対電極に対して回転し、メッキ電極を含む。
【００１１】
本発明の第１の態様によれば、装置は基板に平行なプレートを有し、各分配用セグメントは、プレートに取り付けられ、円形陽極の半径に沿ってプレートに対してスライド可能である。分配用セグメントは、フレキシブルな導体を用いて電気的に接続されていてもよい。各分配用セグメントは、フレキシブル・チューブに、電気メッキ溶液をチューブに供給するために接続されている。本発明の他の態様によれば、分配用セグメントは非導電性であり、陽極電極は、電気メッキ溶液に接触した状態で配置されている。
【００１２】
装置は、電気メッキ・プロセスとともに電気エッチング・プロセスを行ってもよい。電気エッチングを行うときには、分配用セグメントを通して電気エッチング溶液を分配する。電流が陰極と陽極との間に、電気メッキ・プロセス中は順方向に、電気エッチング・プロセス中は逆方向に流される。
【００１３】
より一般的には、本発明の分配用セグメントによって、メッキ溶液またはエッチング溶液あるいはその両方が基板上へ分配される。分配用セグメントは、円形アレイを形成し、またアレイが可変の直径を有するようにメッキまたはエッチング中に互いに対して移動可能である。
【００１４】
本発明の他の態様によれば、陽極の分配用セグメントのそれぞれは、各セグメントが狭い端と広い端とを有するように、円形陽極の円周に沿う方向にテーパが付けられたプロファイル（profile）を有する。セグメントは、各セグメントの狭い端が、隣接するセグメントの広い端の内部に挿入されて、隣接するセグメント間で重なりを形成するように配列される。円形陽極の直径は、隣接するセグメントの重なり量を変化させることによって変化する。
【００１５】
本発明のさらなる態様によれば、装置は、基板上の平坦化プロセスたとえばＣＭＰを行うために、研磨テーブルとその上に配置された研磨パッドとを備える。電気メッキ・プロセスが行われた後に、研磨テーブルが基板と円形陽極との間に配置されてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明によれば、金属堆積（電気メッキ）と金属除去（電気エッチング）とＣＭＰによる平坦化とを、単一のチャンバ内で、ウェハを装置から取り出すことを必要とせずに可能にする装置が提供される。特に電気メッキと電気エッチングとを、直径が可変の対極を用いて行う。本発明を例示するために、銅のメッキおよび除去を説明する。本発明は、ウェハ上に堆積されるかまたはウェハから除去されるタイプの材料に限定されないことが理解される。
【００１７】
図１に、本発明の一実施形態を示す一般的な概略図を示す。ウェハ１がウェハ・キャリア１０上に上下逆に保持されており（従来のＣＭＰ装置の場合と同様）、ウェハ・キャリア１０は、リング状の陽極電極１００に対して回転する。メッキ・プロセスにおいては、ウェハ・キャリア１０は、陰極電極として機能する。陽極は、メッキまたはエッチング溶液をウェハ上に分配する多くのセグメント１０１を有する（図１の断面図では２つの分配用セグメントが示されている）。各分配用セグメントには、チューブ１０２が接続されている。後で詳述するように、チューブ１０２は、分配器１０１がウェハに対して移動できるようにフレキシブルでなければならない。分配用チューブ１０２は、メッキまたはエッチング溶液を陽極に導く中央の供給チューブ１１０に接続されている。供給チューブ１１０は、メッキ・プロセス中にリザーバ１３５からメッキ溶液を移送するポンプ１３０に接続されている。電気エッチング・プロセス中にリザーバ１４５からエッチング溶液を移送するために、別個のポンプ１４０を用いてもよい。
【００１８】
図１に示す実施形態においては、分配用セグメント１０１と供給チューブ１０２、１１０とは非導電性材料からなり、一方でメッキ溶液は通常、導電性流体である。陽極電極１２０が、流体と接触した状態で配置されて（流体中に浸漬されているかまたは流体を囲んでいる）、電圧源１２５と接続されているため、流体は陽極電位で分配される。その代わりに、チューブおよび分配器が導電性材料からなり、陽極電圧源が接続されていてもよい。
【００１９】
図２および３に示すように、陽極の分配用セグメント１０１は、機械的に拡大および縮小して可変直径のリング陽極となるリングで配列されている。図２において、リングは縮小されて小さな直径になっている。各分配器は流体２０を、分配器の半径方向の大きさとほぼ同じ半径方向の距離Ｘに渡って置いていく。リングは別個の分配器を有しているが、キャリアが陽極に対して回転するため、各分配器は流体を、一点にではなく円弧に沿って送出する。したがって流体２０は、ウェハの小さな環状の領域上に分配される。この領域は、半径方向の寸法Ｘと、リング陽極の直径に対応する直径とを有する。図３において、リングは拡大されて大きな直径になっている。流体は、ウェハの大直径の環状の領域上に分配される。こうして流体２０の局所化された送出が、リング直径の変化とともに行われる。ウェハ・キャリア１０を陽極に対して上昇および下降させて、分配器とウェハ表面との間の距離Ｌを調整する。実際には、この距離は数ｍｍである。
【００２０】
多数の流体分配器１０１を有するリング陽極１００を、図４に示すように構成してもよい。分配器が、半径Ｒの円で配列されている。各分配器は、スライディング部品３０１を通る孔内に配置されており、スライディング部品３０１自体は、プレート４０１上に配置されている。フレキシブルな導体３１０を用いて、分配器を電気的に接続してもよい。図５および６は、円形配列の分配器がどのように拡大および縮小できるかを示す詳細図である。プレート４０１が半径方向のスロット４０２を各分配器に対して有するため、スライダ３０１の直線運動によって、分配器がスロット内を半径方向に移動する。配列の直径Ｒは、半径方向への分配器の一斉の移動とともに変化する。各スライダ３０１を個別に駆動してもよい。その代わりに、多数のスライダを機械的に連結して、ただ一つのスライダ上への外力が必要となるようにしてもよい。
【００２１】
この実施形態では、リング陽極１００は、プレート４０１によって機械的に支持された別個の分配器１０１を備えている。陽極が、機械的に連続するリングではなく、その代わりに可変サイズのリングで配列された分配用セグメントから流体を分配することは、注目すべきことである。メッキ・プロセスにおいては、メッキ溶液が連続的に分配される（通常、１００〜４００ｍｌ／分の流量で）一方で、ウェハはリング陽極に対して回転する。こうして、ウェハへのメッキ溶液の供給は絶えず新しくなっている。常にウェハの小さい環状領域のみがメッキされるため、プロセス条件をウェハの特定の部分に対して選択することができる。たとえば陽極電流（したがって金属堆積速度）を、陽極リングの半径の変化とともに変えてもよい。
【００２２】
また過負担の成長を制限するために、交互のメッキおよびエッチング・プロセスを行うことが望ましいことが多い。これは、メッキされた金属を、メッキ・プロセスの場合と同じ溶液を用いるが非常に高い陽極の逆電圧パルスを用いて、電気エッチングすることによって行ってもよい。またウェハと陽極との間の距離Ｌを、エッチング・ステップ中に変えてもよい。メッキ／エッチングを繰り返して連続させることによって、過負担がほとんどない状態でウェハの凹部領域を充填することができる。
【００２３】
当該技術分野において知られるように、メッキまたはエッチング・プロセスのどちらが行われているのかに依存して、定電圧または定電流の何れかをもたらすように電圧／電流源１２５を調整してもよい。
【００２４】
また一般的に、メッキ、エッチング、およびＣＭＰに対する能力を単一の装置内で兼ね備えることが望ましい。図７は、一連のメッキおよびエッチングの後で、同じチャンバ内でウェハを研磨することができる本発明の一実施形態を示す概略図である。この実施形態では、ウェハ・キャリアを上方に引っ込めて、研磨アセンブリ５００（テーブル５０１と、テーブル上に載置された研磨パッド５０２とを含む）を、ウェハ・キャリアと陽極との間に配置する。次にウェハを研磨パッドに接触させ、その上に研磨スラリを、分配器５０３を通して分配する。ウェハ・キャリアを、研磨パッドに対して回転および公転運動させてもよい。ＣｕのＣＭＰプロセスで用いられるスラリは、研磨剤が含まれていない溶液であるため、残りのＣｕ表面の粗面化および化学的変質が回避される。
【００２５】
その代わりにＣＭＰ装置を、一体化されたツール内の別個のチャンバ内に設けてもよい。この場合、連続するメッキ／エッチングが完了したときに、ウェハ・キャリアを、メッキ／エッチング・チャンバからロード・ロックを通してＣＭＰチャンバ内へ移動させる。
【００２６】
また装置は、ウェハ用のペンシル（pencil）またはブラシ・クリーナを含み得ることが有利である。その結果、ウェハを、研磨した後にツールから取り出す前に、クリーニングおよび乾燥させることができる。
【００２７】
図８の平面図に示すように、本発明の他の実施形態においては、陽極リング１００は、相互接続する流体運搬セグメント６０１のアレイを備えている。平面図における各セグメント６０１は、リング陽極の円弧状部分である。各セグメント６０１は、狭い端と広い端とを有するように、円周方向にテーパが付けられている。図９では、Ｘ１＞Ｘ２である。各セグメントの狭い端は、隣接するセグメントの広い端に挿入されている。陽極リングのサイズは、セグメントの重なり量が大きいのか（図１０、小さいリング）または小さいのか（図１１、大きなリング）によって決まる。図１２に、１つのセグメントを断面で示す。プロファイルも、Ｙ１＞Ｙ２となるようにテーパが付けられている。少なくとも１つのセグメントは、その下面に取り付けられた流体分配用チューブ１０２を有し、機械的アクチュエータに接続するためのピン６１０を備えていてもよい。図１３および１４に、それぞれ小さい直径および大きい直径のリングで１つにはめ込まれる２つのセグメントを示す。図１３および１４に概略的に示すように、フレキシブルなプラスチック・シール６０４によって、各セグメントの広い端が、隣接するセグメントの狭い端に接続されている。流体は、各セグメントから分配用ポート６０５を通って流れ出る。したがって可変直径の陽極の上面は、絶えず新しくされている流体供給物によって覆われている。この実施形態ではセグメントは全て機械的に連結されているため、リング・サイズの調整は、リングの反対側にある２つのセグメント（たとえば６０１ａおよび６０１ｂ）を、互いの方へまたは互いから離すように、ピン６１０を用いて直線的に強制することによって行うことができる。最初の実施形態の場合と同じように、陽極電流（したがって金属堆積速度）を、陽極リングの半径の変化とともに変えてもよい。その結果、ウェハに渡ってメッキされる金属のプロファイルを正確に調整することができる。
【００２８】
その他の特徴を装置に加えて、その能力を拡大し、さらに大きなプロセス柔軟性を与えてもよい。たとえばメッキされた銅のアニーリングを可能にするために、ツールにウェハ加熱器またはウェハ上への温水（＞８０℃）用分配器を設けてもよい。またツールは、ウェハを取り出す前に追加のアニーリングを行うための、別個のアニーリング・チャンバを有していてもよい。
【００２９】
本発明を特定の実施形態に関して説明してきたが、前述の説明を考慮すれば、多くの代替案、変更、および変形が当業者にとって明らかであることが明白である。したがって本発明は、本発明の範囲および趣旨ならびに添付の特許請求の範囲内にあるこのような代替案、変更、および変形を全て包含することが意図されている。
【００３０】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【００３１】
（１）基板上への金属層の電気メッキを行うための装置であって、
複数の分配用セグメントであって、各セグメントは前記基板上へ電気メッキ溶液を分配するための少なくとも１つの孔を有し、前記分配用セグメントは、円形の対電極を形成し、また前記対電極が可変の直径を有するように電気メッキ・プロセス中に互いに対して移動可能であり、こうして前記電気メッキ溶液が、前記対電極の前記直径に対応する直径を有する前記基板の環状部分上に分配される、分配用セグメントと、
前記対電極と実質的に平行に前記基板を保持し、前記対電極に対して回転し、メッキ電極を含むキャリアとを備える装置。
（２）基板に平行なプレートをさらに備え、各分配用セグメントは、前記プレートに取り付けられ、前記円形の対電極の半径に沿って前記プレートに対してスライド可能である上記（１）に記載の装置。
（３）前記分配用セグメントを電気的に接続するためのフレキシブルな導電体をさらに備える上記（２）に記載の装置。
（４）前記分配用セグメントのそれぞれに前記電気メッキ溶液を供給するための複数のフレキシブル・チューブをさらに備える上記（１）に記載の装置。
（５）前記対電極が陽極で、前記メッキ電極が陰極である上記（１）に記載の装置。
（６）前記電気メッキ溶液と接触している陽極電極をさらに備える上記（１）に記載の装置。
（７）前記装置内で電気エッチング・プロセスが行われ、前記電気エッチング・プロセスの間に前記分配用セグメントを通して電気エッチング溶液が分配される上記（６）に記載の装置。
（８）前記メッキ電極が陰極で、前記陰極と前記陽極電極とに接続される電圧源をさらに備え、電流を前記陰極と前記陽極との間に、電気メッキ・プロセス中は順方向に、電気エッチング・プロセス中は逆方向に流す上記（７）に記載の装置。
（９）前記対電極の前記分配用セグメントのそれぞれは、各セグメントが狭い端と広い端とを有するように、前記円形の対電極の円周に沿う方向にテーパが付けられたプロファイルを有し、
前記セグメントは、各セグメントの前記狭い端が、隣接するセグメントの前記広い端の内部に挿入されて、隣接するセグメント間で重なりを形成するように配列され、
前記円形の対電極の直径は、隣接するセグメントの重なり量を変化させることによって変化する上記（１）に記載の装置。
（１０）前記基板上の平坦化プロセスを行うために、研磨テーブルとその上に配置された研磨パッドとをさらに備える上記（１）に記載の装置。
（１１）前記電気メッキ・プロセスが行われた後に、前記研磨テーブルが前記基板と前記円形の対電極との間に配置される上記（１０）に記載の装置。
（１２）前記研磨パッド上に非研磨剤スラリを分配するための分配器をさらに備え、前記平坦化プロセスは化学的機械研磨（ＣＭＰ）である上記（１０）に記載の装置。
（１３）メッキ溶液とエッチング溶液との少なくとも一方を基板上に分配するための装置であって、
複数の分配用セグメントであって、各セグメントは前記基板上へ前記溶液を分配するための少なくとも１つの孔を有し、前記分配用セグメントは、円形のアレイを形成し、また前記アレイが可変の直径を有するようにメッキ・プロセスおよびエッチング・プロセスの一方の間に互いに対して移動可能であり、こうして前記溶液が、前記アレイの前記直径に対応する直径を有する前記基板の環状部分上に分配される、分配用セグメントを備える装置。
（１４）前記分配用セグメントのそれぞれは、各セグメントが狭い端と広い端とを有するように、前記円形アレイの円周に沿う方向にテーパが付けられたプロファイルを有し、
前記セグメントは、各セグメントの前記狭い端が、隣接するセグメントの前記広い端の内部に挿入されて、隣接するセグメント間で重なりを形成するように配列され、
前記円形アレイの直径は、隣接するセグメントの重なり量を変化させることによって変化する上記（１３）に記載の装置。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の一実施形態による、可変直径のリング陽極を形成する可動式流体分配器によってメッキおよび電気エッチングを行うための一体化されたツールを示す概略図である。
【図２】リングの直径が小さい場合の、図１のリング陽極からのメッキ溶液の局所的な送出を示す概略図である。
【図３】リングの直径が大きい場合の、図１のリング陽極からのメッキ溶液の局所的な送出を示す概略図である。
【図４】本発明の一実施形態による可変直径のリング陽極を示す平面図である。
【図５】可変直径のリング陽極の１つの流体分配器を示す詳細な平面図である。
【図６】可変直径のリング陽極の１つの流体分配器を示す詳細な断面図である。
【図７】本発明のさらなる実施形態による一体化されたメッキおよび平坦化ツールを示す概略図であり、ツールは、ＣＭＰプロセスを行うための研磨パッドを含む。
【図８】本発明の他の実施形態による、かみ合いセグメントを有する可変直径のリング陽極を示す平面図である。
【図９】図８のリング陽極のセグメントを示す詳細な平面図である。
【図１０】小さい直径のリング陽極の一部を形成するために１つにはめ込まれる２つのリング・セグメントを示す平面図である。
【図１１】大きい直径のリング陽極の一部を形成するために１つにはめ込まれる２つのリング・セグメントを示す平面図である。
【図１２】図８のリング陽極のセグメントを示す詳細な断面図である。
【図１３】小さい直径のリング陽極の一部を形成するために１つにはめ込まれる２つのリング・セグメントを示す断面図である。
【図１４】大きい直径のリング陽極の一部を形成するために１つにはめ込まれる２つのリング・セグメントを示す断面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１  ウェハ
１０  ウェハ・キャリア
２０  流体
１００  リング状陽極電極
１０１  分配用セグメント
１０２  分配用チューブ
１１０  供給チューブ
１２０  陽極電極
１２５  電圧源
１３０  ポンプ
１４０  ポンプ
１３５  リザーバ
１４５  リザーバ
３０１  スライディング部品
３１０  導体
４０１  プレート
４０２  スロット
５００  研磨アセンブリ
５０１  テーブル
５０２  研磨パッド
５０３  分配器
６０１  流体運搬セグメント
６０４  プラスチック・シール
６０５  分配用ポート
６１０  ピン
【図１】
2004162177.tif 000003
【図２】
2004162177.tif 000004
【図３】
2004162177.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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