(57)【要約】【課題】ターゲットマーク不良があっても高精度な位置決めを行い得、かつ、ターゲットマーク不良による廃棄処分を回避し得るセラミックシート積層体の位置決め方法を提供する。【解決手段】４つのターゲットマークＡ〜Ｄを結んで得られる四角形の辺長データａ〜ｄ及び内角データα〜δを含むマスターデータ５１を用意する。与えられたセラミックシート積層体１について、ターゲットマークＡが座標データ取得不能となったとき、他のターゲットマークＢ、Ｄの座標データ（Ｘ２、Ｙ２）、（Ｘ４、Ｙ４）にマスターデータ５１を適用して、座標データ取得不能なターゲットマークＡの仮想座標データ（ｉＸ１、ｉＹ１）を算出する。更にターゲットマークＢ〜Ｄの座標データ（Ｘ２、Ｙ２）〜（Ｘ４、Ｙ４）と、ターゲットマークＡの仮想座標データ（ｉＸ１、ｉＹ１）とに基づき、セラミックシート積層体１の位置を補正する。【選択図】    図９
2004296510.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックシート積層体の位置決め方法であって、
セラミックシート積層体は、ほぼ四角形状であり、一方の主面の４隅にそれぞれターゲットマークが形成されており、
セラミックシート積層体の位置決めにあたり、
４つのターゲットマークを結んで得られる四角形の辺長データ及び内角データを含むマスターデータを用意し、
与えられたセラミックシート積層体について、４つのターゲットマークを撮像して座標データ取得処理を行い、
４つのターゲットマークの何れかが座標データ取得不能となったとき、
他のターゲットマークの座標データに前記マスターデータを適用して、座標データ取得不能なターゲットマークの仮想座標データを算出し、
取得されたターゲットマークの座標データと、前記座標データ取得不能なターゲットマークの仮想座標データとに基づき、セラミックシート積層体の位置を補正する
ステップを含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載された方法であって、位置決めされたセラミックシート積層体を切断するステップを含む方法。
【請求項３】
撮像装置と、位置決めテーブル装置とを含む位置決め装置であって、
前記撮像装置は、
セラミックシート積層体について４つのターゲットマークを結んで得られる四角形の辺長データ及び内角データを含むマスターデータを備え、４つのターゲットマークを撮像して座標データ取得処理を行う機能を有し、
前記座標データ取得処理において、４つのターゲットマークの何れかの座標データ取得が不能となったとき、前記マスターデータを適用して、座標データ取得不能なターゲットマークの仮想座標データを算出し、
取得されたターゲットマークの座標データと、前記座標データ取得不能なターゲットマークの仮想座標データとに基づいて位置決め補正信号を生成し、
前記位置決めテーブル装置は、前記セラミックシート積層体を載せるテーブルを有し、前記撮像装置から供給された前記位置決め補正信号に基づき、前記テーブルの位置を補正する
位置決め装置。
【請求項４】
請求項３に記載された位置決め装置であって、切断装置を含んでおり、
前記切断装置は、位置決めされたセラミックシート積層体を切断する
位置決め装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、積層セラミック電子部品の製造に用いられるセラミックシート積層体の位置決め方法及び位置決め装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
積層セラミック電子部品の製造工程では、内部電極を印刷したセラミックグリーンシート（未焼成セラミックシート）を所定枚数積層し、その後、加圧プレス等の必要な工程を経てセラミックシート積層体を形成する。そして、このセラミックシート積層体を、内部電極の位置に合わせて縦横に切断し、個々の積層セラミック電子部品を得る。
【０００３】
セラミックシート積層体の切断にあたっては、切断位置を高精度に設定するため、位置決めを行う。例えば、特許文献１に開示された位置決め方法では、ｘ−ｙ−θテーブル上にセラミックシート積層体を載置し、予めセラミックシート積層体の主面に印刷されている４点のターゲットマークを、撮像カメラ等により画像処理する。画像処理結果に基づき、セラミックシート積層体の搬送時に生じる直交方向及び回転方向のずれを補正する等の位置決め補正を行い、その後、切断を行う。
【０００４】
しかし、４点のターゲットマークの何れかについて、塵の付着等のターゲットマーク不良により正常な画像処理を行えない場合がある。この場合、当該ターゲットマークについては座標データを取得できないこととなり、位置決め補正のための補正量を算出することができない。この結果、セラミックシート積層体の積層状態が正常であるのにもかかわらず、セラミックシート積層体を廃棄処分せざるを得なくなり、切断工程におけるセラミックシート積層体の歩留まりが低下していた。
【０００５】
特に、積層セラミックコンデンサ製造用のセラミックシート積層体では、積層セラミックコンデンサの高容量化に伴い、内部電極を印刷したセラミックグリーンシートの枚数が著しく増大している。これは、セラミックシート積層体一枚あたりの原材料費が増大するだけでなく、セラミックシート積層体一枚を製造するのに要する時間や労力も増大することを意味する。
【０００６】
このように、セラミックシート積層体一枚あたりの付加価値は大幅に上昇しており、積層体切断工程における歩留まりを向上させることは重要な課題となっている。
【０００７】
また、特許文献２には、積層体切断工程における歩留まりを向上させる技術は開示されていない。
【０００８】
【特許文献１】
特開２０００−２１６８０号公報
【特許文献２】
特開平７−１４２８号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、ターゲットマーク不良があっても、高精度な位置決めを行い得るセラミックシート積層体の位置決め方法及び位置決め装置を提供することである。
【００１０】
本発明のもう一つの課題は、ターゲットマーク不良による廃棄処分を回避し得るセラミックシート積層体の位置決め方法及び位置決め装置を提供することである。
【００１１】
本発明の更にもう一つの課題は、積層体切断工程における歩留まりを向上させ得るセラミックシート積層体の位置決め方法及び位置決め装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明では、セラミックシート積層体の位置決め方法が提供される。セラミックシート積層体は、ほぼ四角形状であり、一方の主面の４隅にそれぞれターゲットマークが形成されている。
【００１３】
セラミックシート積層体の位置決めにあたり、４つのターゲットマークを結んで得られる四角形の辺長データ及び内角データを含むマスターデータを用意する。
【００１４】
更に、与えられたセラミックシート積層体について、４つのターゲットマークを撮像して座標データ取得処理を行う。ここで、４つのターゲットマークの何れかが座標データ取得不能となったとき、他のターゲットマークの座標データに前記マスターデータを適用して、座標データ取得不能なターゲットマークの仮想座標データを算出する。そして、取得されたターゲットマークの座標データと、前記座標データ取得不能なターゲットマークの仮想座標データとに基づいて、セラミックシート積層体の位置を補正する。
【００１５】
上述した本発明に係るセラミックシート積層体の位置決め方法では、４つのターゲットマークを結んで得られる四角形の辺長データ及び内角データを含むマスターデータを用意する。かかるマスターデータにより、セラミックシート積層体の面上における４つのターゲットマークの位置関係が定められるようになる。
【００１６】
従って、４つのターゲットマークの何れかがターゲットマーク不良である場合でも、マスターデータを利用して、セラミックシート積層体を高精度に位置決めすることができる。これは、ターゲットマーク不良によるセラミックシート積層体の廃棄処分が回避されることを意味する。
【００１７】
しかも、ターゲットマーク不良があっても、セラミックシート積層体が高精度に位置決めされるから、位置決めされたセラミックシート積層体を切断する積層体切断工程での歩留まりが向上する。
【００１８】
本発明の位置決め方法で用いられるマスターデータは、基準となるセラミックシート積層体について、例えば、４つのターゲットマークを撮像して座標データ取得処理を行い、４つのターゲットマークの座標データから、４つのターゲットマークを結んで得られる四角形の辺長データ及び内角データを算出することにより得ることができる。
【００１９】
本発明の位置決め方法を行うにあたり、マスターデータは、ハードディスク等の内部記録装置に記録された状態で用意してもよいし、フロッピー（Ｒ）ディスク等の外部記録媒体に記録された状態で用意してもよい。
【００２０】
更に、本発明では、位置決め装置が提供される。本発明に係る位置決め装置は、撮像装置と、位置決めテーブル装置とを含む。
【００２１】
前記撮像装置は、セラミックシート積層体について４つのターゲットマークを結んで得られる四角形の辺長データ及び内角データを含むマスターデータを備え、４つのターゲットマークを撮像して座標データ取得処理を行う機能を有する。
【００２２】
更に、前記撮像装置は、前記座標データ取得処理において、４つのターゲットマークの何れかが座標データ取得不能となったとき、他のターゲットマークの座標データに前記マスターデータを適用して、座標データ取得不能なターゲットマークの仮想座標データを算出する。そして、取得されたターゲットマークの座標データと、前記座標データ取得不能なターゲットマークの仮想座標データとに基づいて位置決め補正信号を生成する。
【００２３】
前記位置決めテーブル装置は、前記セラミックシート積層体を載せるテーブルを有し、前記撮像装置から供給された前記位置決め補正信号に基づき、前記テーブルの位置を補正する。
【００２４】
かかる構成の位置決め装置によれば、セラミックシート積層体について上述した本発明の位置決め方法を実行することができる。
【００２５】
本発明の他の特徴及びそれによる作用効果は、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。添付図面は単なる一例を示すに過ぎない。
【００２６】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の位置決め方法が適用されるセラミックシート積層体を示す平面図、図２は図１に示したセラミックシート積層体の断面図である。図示されたセラミックシート積層体は、ほぼ四角形状である。四角形の例としては、正方形、長方形、台形や、菱形などが挙げられる。図示では、セラミックシート積層体の形状が、ほぼ正方形状となっている。
【００２７】
更に、セラミックシート積層体は、２つの主面１０、１１のうち、一方の主面１１の４隅１１１〜１１４にそれぞれターゲットマークＡ〜Ｄが形成されている。具体的には、隅１１１にターゲットマークＡが形成され、隅１１２にターゲットマークＢが形成され、隅１１３にターゲットマークＤが形成され、隅１１４にターゲットマークＤが形成されている。これらのターゲットマークＡ〜Ｄは、スクリーン印刷もしくはインクジェット印刷等によって形成されたマークであって、画像処理できるマークである。図示のターゲットマークＡ〜Ｄは、円形状のマークとなっているが、この形状には限定されない。
【００２８】
セラミックシート積層体は、第１の層１４と、第２の層１５と、第３の層１６とを含んでいる。第１の層１４は、内部電極を備えていないセラミック層１４０により構成されている。第２の層１５は、内部電極１５１を備えたセラミック層１５０を積層して構成されている。第３の層１６は、内部電極を備えていないセラミック層１６０により構成されている。積層セラミックコンデンサの高容量品を製造するためのセラミックシート積層体の場合、内部電極１５１を備えたセラミック層１５０は、例えば５００層以上備えられる。
【００２９】
このような構成のセラミックシート積層体は、内部電極を印刷していないセラミックグリーンシートを積層した上に、内部電極１５１を印刷したセラミックグリーンシートを積層数ｋだけ積層し、更にその上に、内部電極を印刷していないセラミックグリーンシートを再び積層し、その後、加圧プレス等の必要な工程を施すことにより得ることができる。
【００３０】
図３は本発明の位置決め方法を実施するために用いられる位置決め装置の使用状態を示す図、図４は図３に示した位置決め装置の使用状態について詳しく示す図である。図示された位置決め装置３は、位置決めテーブル装置６と、撮像装置４とを含む。
【００３１】
位置決めテーブル装置６は、セラミックシート積層体１を載せるテーブル２を備え、このテーブル２を駆動する機能を有する。位置決めテーブル装置６は、テーブル２の受け面に沿った直交２軸であるＸ軸及びＹ軸を仮想したとき、Ｘ軸に沿ったＸ方向と、Ｙ軸に沿ったＹ方向と、Ｘ軸及びＹ軸に垂直な軸の周りに回転するθ方向とにテーブル２を駆動する。テーブル２に載置されたセラミックシート積層体１は、位置決めテーブル装置６によりＸ方向、Ｙ方向及びθ方向に動かされて位置決めされる。
【００３２】
撮像装置４は、セラミックシート積層体１について４つのターゲットマークＡ〜Ｄを撮像して座標データ取得処理を行う機能を有する。具体的には、撮像装置４は、位置決めテーブル装置６のテーブル２に載置されたセラミックシート積層体１について撮像を行い、座標データ取得処理で取得されるターゲットマークＡ〜Ｄの座標データ（Ｘ１、Ｙ１）〜（Ｘ４、Ｙ４）は、位置決めテーブル装置６で仮想されたＸ軸、Ｙ軸及びそれらの原点Ｏｏを基準としたものである。
【００３３】
図示の撮像装置４は、具体的構成として、撮像器４１〜４４と、信号処理部５とを含む。撮像器４１〜４４は、位置決めテーブル装置６のテーブル２に載置されたセラミックシート積層体１について、ターゲットマークＡ〜Ｄを撮像し得る位置に配置されており（図４参照）、ターゲットマークＡ〜Ｄを撮像して得られた画像信号Ｓ１１〜Ｓ１４を出力する。撮像器４１〜４４は、例えばＣＣＤカメラ等により構成される。実施例の場合、撮像器４１〜４４は、ターゲットマークＡ〜Ｄの個数と同数（４つ）備えられており、撮像器４１〜４４のそれぞれが、ターゲットマークＡ〜Ｄのそれぞれを個別に撮像する。このような実施例と異なり、撮像器が１つだけ備えられ、その撮像器が全てのターゲットマークＡ〜Ｄを撮像する構成でもよい。
【００３４】
信号処理部５は、撮像器４１〜４４により撮像されたターゲットマークＡ〜Ｄについて座標データ取得処理を行う。具体的には、信号処理部５は、撮像器４１〜４４から供給された画像信号Ｓ１１〜Ｓ１４を画像処理して座標データ取得処理を行う。信号処理部５は、例えばコンピューター等により構成される。図示の信号処理部５には、ディスプレイ５３が接続されている。
【００３５】
図５は、本発明の位置決め方法で用いられるマスターデータを説明する図である。図３、図５に示すように、撮像装置４は、セラミックシート積層体１について４つのターゲットマークＡ〜Ｄを結んで得られる四角形の辺長データａ〜ｄ及び内角データα〜δを含むマスターデータ５１を備える。図示の撮像装置４では、信号処理部５がマスターデータ５１を備えている。マスターデータ５１は、ハードディスク等の内部記録装置に記録された状態で備えられてもよいし、フロッピー（Ｒ）ディスク等の外部記録媒体に記録された状態で備えられてもよい。
【００３６】
このようなマスターデータ５１は、位置決め装置３を用いて得ることができる。マスターデータ５１を得るための位置決め装置３の動作について、図３、図６〜図８を参照し、説明する。
【００３７】
まず図３に示すように、撮像装置４は、セラミックシート積層体１に形成された４つのターゲットマークＡ〜Ｄを撮像して座標データ取得処理を行う。撮像されたターゲットマークの画像の例を、図６、図７に示す。図６に示されたターゲットマークの画像では、塵の付着等による画像乱れがあり、ターゲットマーク不良となっている。ターゲットマーク不良の場合、正常な画像処理を実行できず、座標データ取得不能となる。
【００３８】
これに対し、図７に示されたターゲットマークの画像では、塵の付着等による画像乱れがなく、ターゲットマーク良好となっている。ターゲットマーク良好の場合、正常な画像処理を実行でき、座標データ取得可能となる。マスターデータ５１を得るための基準のセラミックシート積層体１としては、４つのターゲットマークＡ〜Ｄの全てがターゲットマーク良好となっているものが採用される。
【００３９】
次に図８に示すように、撮像装置４は、座標データ取得処理で取得されたターゲットマークＡ〜Ｄの座標データ（Ｘ１０、Ｙ１０）〜（Ｘ４０、Ｙ４０）から、４つのターゲットマークＡ〜Ｄを結んで得られる四角形の辺長データａ〜ｄ及び内角データα〜δを算出する。これにより、マスターデータ５１が得られる。辺長データ及び内角データの算出処理は、例えば次の通りである。
【００４０】
座標データ（Ｘ１０、Ｙ１０）〜（Ｘ４０、Ｙ４０）から下記の式により辺長データａ〜ｄを算出する。
【００４１】
ａ＝√｛（Ｘ２０−Ｘ１０）２＋（Ｙ２０−Ｙ１０）２｝
ｂ＝√｛（Ｘ４０−Ｘ２０）２＋（Ｙ４０−Ｙ２０）２｝
ｃ＝√｛（Ｘ４０−Ｘ３０）２＋（Ｙ４０−Ｙ３０）２｝
ｄ＝√｛（Ｘ３０−Ｘ１０）２＋（Ｙ３０−Ｙ１０）２｝
次に、得られた辺長データａ〜ｄから、下記の式により内角データα〜δを算出する。
【００４２】
α＝ｃｏｓ−１｛（ａ２＋ｄ２−ｅ２）／（２ａｄ）｝
β＝ｃｏｓ−１｛（ａ２＋ｂ２−ｆ２）／（２ａｂ）｝
γ＝ｃｏｓ−１｛（ｃ２＋ｄ２−ｆ２）／（２ｃｄ）｝
δ＝ｃｏｓ−１｛（ｂ２＋ｃ２−ｅ２）／（２ｂｃ）｝
但し、
ｅ＝√｛（Ｘ２０−Ｘ３０）２＋（Ｙ３０−Ｙ２０）２｝
ｆ＝√｛（Ｘ４０−Ｘ１０）２＋（Ｙ４０−Ｙ１０）２｝
である。
【００４３】
マスターデータ５１を得るための方法は、上述した方法には限らない。例えば、セラミックシート積層体１について辺長データａ〜ｄ及び内角データα〜δを、直接測定してもよい。
【００４４】
再び図３を参照すると、位置決め装置３は切断装置５を含んでいる。切断装置５は、位置決めテーブル装置６により位置決めされたセラミックシート積層体１を切断する機能を有する。切断装置５の切断動作は、撮像装置４の信号処理部５から供給される切断制御信号Ｓ３によって制御される。
【００４５】
次に、与えられたセラミックシート積層体１を位置決めするときの位置決め装置３の動作について説明する。
【００４６】
まず、位置決め装置３の撮像装置４は、与えられたセラミックシート積層体１について、４つのターゲットマークＡ〜Ｄを撮像して座標データ取得処理を行う（図３参照）。
【００４７】
与えられたセラミックシート積層体１では、４つのターゲットマークＡ〜Ｄの何れかが、図６に示されたようなターゲットマーク不良により、座標データ取得不能となる場合がある。以下、４つのターゲットマークＡ〜Ｄのうち、ターゲットマークＡが座標データ取得不能となった場合を例に挙げて説明する。
【００４８】
撮像装置４は、４つのターゲットマークＡ〜Ｄのうち、ターゲットマークＡが座標データ取得不能となったとき、図９に示すように、他のターゲットマークＢ、Ｄの座標データ（Ｘ２、Ｙ２）、（Ｘ４、Ｙ４）にマスターデータ５１を適用して、座標データ取得不能なターゲットマークＡの仮想座標データ（ｉＸ１、ｉＹ１）を算出する。仮想座標データ（ｉＸ１、ｉＹ１）の算出処理は、例えば次の通りである。
【００４９】
まず、ターゲットマークＢ、Ｄの座標データ（Ｘ２、Ｙ２）、（Ｘ４、Ｙ４）から、ターゲットマークＢ、Ｄを結ぶ辺がＹ軸に対してなす角度θ１を算出する。算出式は下記の通りである。
【００５０】
θ１＝ｔａｎ−１（（Ｘ２−Ｘ４）／（Ｙ４−Ｙ２））
次に、得られた角度θ１と、マスターデータ５１に含まれる内角データβとから、ターゲットマークＡ、Ｂを結ぶ辺がＹ軸に対してなす角度θ２を算出する。算出式は下記の通りである。
【００５１】
θ２＝１８０−β−θ１
次に、得られた角度θ２と、ターゲットマークＢの座標データ（Ｘ２、Ｙ２）と、マスターデータ５１に含まれる辺長データａとから、座標データ取得不能なターゲットマークＡの仮想座標データ（ｉＸ１、ｉＹ１）を算出する。算出式は下記の通りである。
【００５２】
ｉＸ１＝Ｘ２−ａ・ｓｉｎθ２
ｉＹ１＝Ｙ２−ａ・ｃｏｓθ２
更に、撮像装置４は、取得されたターゲットマークＢ〜Ｄの座標データ（Ｘ２、Ｙ２）〜（Ｘ４、Ｙ４）と、座標データ取得不能なターゲットマークＡの仮想座標データ（ｉＸ１、ｉＹ１）とに基づいて位置決め補正信号Ｓ３を生成する。位置決めテーブル装置６は、撮像装置４から供給された位置決め補正信号Ｓ３に基づき、テーブル２の位置を補正する。従って、４つのターゲットマークＡ〜Ｄの何れかがターゲットマーク不良である場合でも、テーブル２に載置されたセラミックシート積層体１を、高精度に位置決めすることができる。これは、ターゲットマーク不良によるセラミックシート積層体の廃棄処分が回避されることを意味する。この位置決め補正の詳細は次の通りである。
【００５３】
まず、ターゲットマークＢ〜Ｄの座標データ（Ｘ２、Ｙ２）〜（Ｘ４、Ｙ４）及びターゲットマークＡの仮想座標データ（ｉＸ１、ｉＹ１）から、補正角度Δθ、Ｘ軸に沿った補正量ΔＸ、Ｙ軸に沿った補正量ΔＹ等の補正データを算出する。
【００５４】
具体的には、図１０に示すように、座標データ（Ｘ２、Ｙ２）〜（Ｘ４、Ｙ４）及び仮想座標データ（ｉＸ１、ｉＹ１）から、４つのターゲットマークＡ〜Ｄを結んで得られる四辺形の最中点Ｏ１を求める。最中点Ｏ１は、対向２辺の中点Ｍ１、Ｍ２を結ぶ線分Ｌ１の中点として求められる。そして、線分Ｌ１に対し最中点Ｏ１を通る垂線Ｌ２を求める。
【００５５】
次に図１１に示すように、セラミックシート積層体１を、最中点Ｏ１の周りに補正角度Δθだけ回転させ、線分Ｌ１が、位置決めテーブル装置６で仮想されたＸ軸に平行となるように、角度についての位置決め補正を行う。
【００５６】
次に図１２に示すように、セラミックシート積層体１を、Ｙ軸に沿って補正量ΔＹだけ平行移動させ、線分Ｌ１がＸ軸と一致するように、Ｙ軸に沿った位置決め補正を行う。
【００５７】
次に図１３に示すように、セラミックシート積層体１を、Ｘ軸に沿って補正量ΔＸだけ平行移動させ、線分Ｌ２がＹ軸と一致するように、Ｘ軸に沿った位置決め補正を行う。これにより、位置決め補正が完了する。
【００５８】
その後、図１４に示すように、位置決めされたセラミックシート積層体１を切断し、図１５に示す積層セラミック電子部品素子１００を得る。具体的には、切断装置５を用い、Ｘ軸及びＹ軸に沿ってセラミックシート積層体１を切断する。上述したようにターゲットマーク不良があってもセラミックシート積層体１を高精度に位置決めできるので、積層体切断工程での歩留まりが向上する。
【００５９】
ターゲットマークＡが座標データ取得不能となった場合について、仮想座標データの算出処理を説明したが、ターゲットマークＢ〜Ｄが座標データ取得不能となった場合も同様である。
【００６０】
図１６は、ターゲットマークＢが座標データ取得不能となったときの仮想座標データの算出処理を説明する図である。ターゲットマークＢが座標データ取得不能となったとき、他のターゲットマークＣ、Ｄの座標データ（Ｘ３、Ｙ３）、（Ｘ４、Ｙ４）にマスターデータ５１を適用して、座標データ取得不能なターゲットマークＢの仮想座標データ（ｉＸ２、ｉＹ２）を算出する。仮想座標データ（ｉＸ２、ｉＹ２）の算出処理は、例えば次の通りである。
【００６１】
まず、ターゲットマークＣ、Ｄの座標データ（Ｘ３、Ｙ３）、（Ｘ４、Ｙ４）から、ターゲットマークＣ、Ｄを結ぶ辺がＸ軸に対してなす角度θ３を算出する。算出式は下記の通りである。
【００６２】
θ３＝ｔａｎ−１（（Ｙ４−Ｙ３）／（Ｘ４−Ｘ３））
次に、得られた角度θ３と、マスターデータ５１に含まれる内角データδとから、ターゲットマークＢ、Ｄを結ぶ辺がＸ軸に対してなす角度θ４を算出する。算出式は下記の通りである。
【００６３】
θ４＝１８０−δ−θ３
次に、得られた角度θ４と、ターゲットマークＤの座標データ（Ｘ４、Ｙ４）と、マスターデータ５１に含まれる辺長データｂとから、座標データ取得不能なターゲットマークＢの仮想座標データ（ｉＸ２、ｉＹ２）を算出する。算出式は下記の通りである。
【００６４】
ｉＸ２＝Ｘ４＋ｂ・ｃｏｓθ４
ｉＹ２＝Ｙ４−ｂ・ｓｉｎθ４
図１７は、ターゲットマークＣが座標データ取得不能となったときの仮想座標データの算出処理を説明する図である。ターゲットマークＣが座標データ取得不能となったとき、他のターゲットマークＡ、Ｂの座標データ（Ｘ１、Ｙ１）、（Ｘ２、Ｙ２）にマスターデータ５１を適用して、座標データ取得不能なターゲットマークＣの仮想座標データ（ｉＸ３、ｉＹ３）を算出する。仮想座標データ（ｉＸ３、ｉＹ３）の算出処理は、例えば次の通りである。
【００６５】
まず、ターゲットマークＡ、Ｂの座標データ（Ｘ１、Ｙ１）、（Ｘ２、Ｙ２）から、ターゲットマークＡ、Ｂを結ぶ辺がＸ軸に対してなす角度θ５を算出する。算出式は下記の通りである。
【００６６】
θ５＝ｔａｎ−１（（Ｙ２−Ｙ１）／（Ｘ２−Ｘ１））
次に、得られた角度θ５と、マスターデータ５１に含まれる内角データαとから、ターゲットマークＡ、Ｃを結ぶ辺がＸ軸に対してなす角度θ６を算出する。算出式は下記の通りである。
【００６７】
θ６＝１８０−α−θ５
次に、得られた角度θ６と、ターゲットマークＡの座標データ（Ｘ１、Ｙ１）と、マスターデータ５１に含まれる辺長データｄとから、座標データ取得不能なターゲットマークＣの仮想座標データ（ｉＸ３、ｉＹ３）を算出する。算出式は下記の通りである。
【００６８】
ｉＸ３＝Ｘ１−ｄ・ｃｏｓθ６
ｉＹ３＝Ｙ１＋ｄ・ｓｉｎθ６
図１８は、ターゲットマークＤが座標データ取得不能となったときの仮想座標データの算出処理を説明する図である。ターゲットマークＤが座標データ取得不能となったとき、他のターゲットマークＡ、Ｃの座標データ（Ｘ１、Ｙ１）、（Ｘ３、Ｙ３）にマスターデータ５１を適用して、座標データ取得不能なターゲットマークＤの仮想座標データ（ｉＸ４、ｉＹ４）を算出する。仮想座標データ（ｉＸ４、ｉＹ４）の算出処理は、例えば次の通りである。
【００６９】
まず、ターゲットマークＡ、Ｃの座標データ（Ｘ１、Ｙ１）、（Ｘ３、Ｙ３）から、ターゲットマークＡ、Ｃを結ぶ辺がＹ軸に対してなす角度θ７を算出する。算出式は下記の通りである。
【００７０】
θ７＝ｔａｎ−１（（Ｘ１−Ｘ３）／（Ｙ１−Ｙ３））
次に、得られた角度θ７と、マスターデータ５１に含まれる内角データγとから、ターゲットマークＣ、Ｄを結ぶ辺がＹ軸に対してなす角度θ８を算出する。算出式は下記の通りである。
【００７１】
θ８＝１８０−γ−θ７
次に、得られた角度θ８と、ターゲットマークＣの座標データ（Ｘ３、Ｙ３）と、マスターデータ５１に含まれる辺長データｃとから、座標データ取得不能なターゲットマークＤの仮想座標データ（ｉＸ４、ｉＹ４）を算出する。算出式は下記の通りである。
【００７２】
ｉＸ４＝Ｘ３＋ｃ・ｓｉｎθ８
ｉＹ４＝Ｙ３＋ｃ・ｃｏｓθ８
与えられたセラミックシート積層体１について、４つのターゲットマークＡ〜Ｄの全てが座標データ取得可能となった場合は、取得されたターゲットマークＡ〜Ｄの座標データに基づいてセラミックシート積層体１の位置を補正すればよい。具体的には、撮像装置４が、ターゲットマークＡ〜Ｄの座標データに基づいて位置決め補正信号Ｓ３を生成し、位置決めテーブル装置６が、この位置決め補正信号Ｓ３に基づいてテーブル２の位置を補正することになる。
【００７３】
本発明は、切断プロセスに限らず、例えば、積層工程の前工程としても適用可能である。
【００７４】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
（ａ）ターゲットマーク不良があっても、高精度な位置決めを行い得るセラミックシート積層体の位置決め方法及び位置決め装置を提供することができる。
（ｂ）ターゲットマーク不良による廃棄処分を回避し得るセラミックシート積層体の位置決め方法及び位置決め装置を提供することができる。
（ｃ）積層体切断工程における歩留まりを向上させ得るセラミックシート積層体の位置決め方法及び位置決め装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の位置決め方法が適用されるセラミックシート積層体を示す平面図である。
【図２】図１に示したセラミックシート積層体の断面図である。
【図３】本発明の位置決め方法を実施するために用いられる位置決め装置の使用状態を示す図である。
【図４】図３に示した位置決め装置の使用状態について詳しく示す図である。
【図５】本発明の位置決め方法で用いられるマスターデータを説明する図である。
【図６】ターゲットマークの画像の一例を示す図である。
【図７】ターゲットマークの画像のもう一つの例を示す図である。
【図８】本発明の位置決め方法を説明する図である。
【図９】図８に示したステップの後のステップを示す図である。
【図１０】図９に示したステップの後のステップを示す図である。
【図１１】図１０に示したステップの後のステップを示す図である。
【図１２】図１１に示したステップの後のステップを示す図である。
【図１３】図１２に示したステップの後のステップを示す図である。
【図１４】図１３に示したステップの後のステップを示す図である。
【図１５】図９〜図１４に示したステップを経て得られる積層セラミック電子部品素子を示す図である。
【図１６】ターゲットマークＢが座標データ取得不能となったときの仮想座標データの算出処理を説明する図である。
【図１７】ターゲットマークＣが座標データ取得不能となったときの仮想座標データの算出処理を説明する図である。
【図１８】ターゲットマークＤが座標データ取得不能となったときの仮想座標データの算出処理を説明する図である。
【符号の説明】
１                  セラミックシート積層体
Ａ〜Ｄ              ターゲットマーク
【図１】
2004296510.tif 000003
【図２】
2004296510.tif 000004
【図３】
2004296510.tif 000005
【図４】
2004296510.tif 000006
【図５】
2004296510.tif 000007
【図６】
2004296510.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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