(57)【要約】【課題】液晶表示装置の製造工程において、突発的に混入する異物により起こる表示不良を低減する。【解決手段】電極が形成された第１基板１と、前記第１基板に形成された電極と対向する面にカラーフィルタ３３が設けられた第２基板２と、前記第１基板１と液晶層６を介してスペーサ７で保持して重ね合わされた前記第２基板２との間に、前記液晶層６を封止するために前記第１基板１および第２基板２の表示領域外に形成されたシール８と、前記シール内に配置したシール内スペーサ９とを備えた液晶表示装置において、前記第２基板上に設けられたカラーフィルタ３３は表示領域に着色層３を有し、前記着色層３の厚みが２．５μｍ〜４．０μｍであることを特徴とする液晶表示装置。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極が形成された第１基板と、
前記第１基板に形成された電極と対向する面にカラーフィルタが設けられた第２基板と、
前記第１基板と液晶層を介してスペーサで保持して重ね合わされた前記第２基板との間に、前記液晶層を封止するために前記第１基板および第２基板の表示領域外に形成されたシールと、
前記シール内に配置したシール内スペーサとを備えた液晶表示装置において、
前記第２基板上に設けられたカラーフィルタは表示領域に着色層を有し、
前記着色層の厚みが２．５μｍ〜４．０μｍであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記カラーフィルタは、前記着色層上に遮光層をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記カラーフィルタは、前記着色層と前記遮光層との間に透明電極をさらに備えたことを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記カラーフィルタは、前記遮光層よりもさらに上層に透明電極を備えたことを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項５】
電極が形成された第１基板と、
前記第１基板に形成された電極と対向する面にカラーフィルタが設けられた第２基板と、
前記第１基板と液晶層を介してスペーサで保持して重ね合わされた前記第２基板との間に、前記液晶層を封止するために前記第１基板および第２基板の表示領域外に形成されたシールと、
前記シール内に配置したシール内スペーサとを備えた液晶表示装置において、
前記第２基板に設けられたカラーフィルタは表示領域に着色層を有し、
前記着色層上に遮光層を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
前記カラーフィルタは、前記着色層と前記遮光層との間に透明電極をさらに備えたことを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記カラーフィルタは、前記遮光層よりもさらに上層に透明電極を備えたことを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記遮光層が導電材料で形成されていることを特徴とする請求項２乃至７のいずれかに記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置に関するもので、特にカラー表示を行うための液晶表示パネルの構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の液晶表示パネルの断面図を図４に示す。従来の液晶表示装置の構造は配線部１０を含む薄膜トランジスタ、画素電極部１１、絶縁膜、配向膜１２などを積層した下部透明絶縁性基板（アレイ基板）である第１基板１と、遮光層５、着色層３、透明電極４等で構成されるカラーフィルタ３３および配向膜１２などを積層した上部透明絶縁性基板（カラーフィルタ基板）である第２基板２とを表示領域内に配置するスペーサ７を用いて所定の間隔を隔てて重ね合わせ、表示領域外に形成したシール８によって接着する。シール８には両基板の間隔を保持するようにシール内スペーサ９が配置されている。また、このシール８の一部に形成された液晶注入口（図示せず）から液晶６を注入、封止し、両基板の外側に偏光板を貼り付けて液晶表示パネルを形成する。この液晶表示パネルと片方の基板側に配置するバックライトなどから液晶表示装置は構成されている。
【０００３】
液晶表示パネルを構成する第１基板と第２基板との間に存在する表示領域内の液晶層６の厚みは輝度、視野角、色特性、応答速度などの光学特性を最適化するように設計され、表示領域内に配置するスペーサ７の径を決定する。また、基板の間隔を保持するシール内スペーサ９の径は表示領域内の両基板上に形成される電極やカラーフィルタ３３などの厚みを考慮し、液晶層６の厚みが表示領域内で不均一にならないように適宜設定を行っていた（着色層３を形成しない表示領域外のシール近傍部では、表示領域内の液晶層６の厚みよりも表示領域外のシール近傍部の厚みは厚くなっている）。
【０００４】
また、図６に基板上の画素の平面図、図５に図６のＡＡ断面図を示す。図６に示すように２１は第１基板上に形成される電極部を構成するソース配線、２２はゲート配線で、両配線の交差部に薄膜トランジスタ２３を設ける。２４はゲート配線２２と同層に形成された共通容量配線であり、図５のようにゲート配線２２と共通容量配線２４に積層して形成する絶縁膜２６上に画素電極２５が形成される。画素電極２５が形成されたあと、配向膜１２を全面に塗布する。また、５は第２基板上に形成された遮光層である。このとき、図５に示すように斜め視野方向Ｄ１から液晶表示装置を見た場合、バックライト光の光抜けが見える場合がある。光抜けは第２基板上の着色層３、透明電極４、配向膜１２および第１基板上に形成した絶縁膜２６、また、両基板間に存在する液晶層６の厚みを遮光層５で遮光できないことが要因であり、従来の液晶表示装置では遮光層５の幅５Ｗを大きく形成することで光抜けを防止していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような液晶表示装置の製造工程において、表示領域外のシール近傍部に突発的に異物が混入する場合がある。たとえば、液晶表示パネルの第２基板上に積層した着色層３の膜厚を１．０μｍにした場合、表示領域内のスペーサは径が３．５μｍ程度のものを使用し、シール内スペーサ９の径を４．５μｍと設定したとき、表示領域外であるシール近傍部に、シール内スペーサの径より大きな、たとえば５．０μｍ程度異物が混入すると液晶表示パネルの厚みが不均一となり、表示不良が発生していた。混入する異物の大きさは５．０μｍ〜７．０μｍ、大きいもので８．０μｍのものがあり、表示領域外のシール近傍部に突発的に発生していた液晶パネルの厚みの不均一から生じるギャップムラによる表示不良の一要因となっていた。
【０００６】
また、従来の液晶表示装置では上述したような基板上に存在する電極や着色層等の厚みが要因となっているバックライト光の光抜けを防止するため、遮光層５の幅５Ｗを大きく形成してしまうと液晶表示パネルの開口率が低下し、昨今求められている高輝度な液晶表示パネルが実現できない。
【０００７】
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、表示領域外のシール近傍部で突発的に発生していた液晶表示パネル間の厚みの不均一性から生じるギャップムラによる表示不良を低減するような液晶表示装置を提供することにある。さらに表示装置の高輝度化の要求に伴って、液晶表示パネルの開口率の高い液晶表示装置を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の液晶表示装置は、電極が形成された第１基板（例えば、本実施の形態における第１基板１）と、前記第１基板に形成された電極と対向する面にカラーフィルタ（例えば、本実施の形態におけるカラーフィルタ３３）が設けられた第２基板（例えば、本実施の形態における第２基板２）と、前記第１基板と液晶層（例えば本発明の実施の形態における液晶層６）を介してスペーサ（例えば本発明の実施の形態におけるスペーサ７）で保持して重ね合わされた前記第２基板との間に、前記液晶層を封止するために前記第１基板および第２基板の表示領域外に形成されたシール（例えば、本実施の形態におけるシール８）と、前記シール内に配置したスペーサ（例えば、本発明の実施の形態におけるシール内スペーサ９）とを備えた液晶表示装置において、前記第２基板上に設けられたカラーフィルタは表示領域に着色層を有し、前記着色層の厚みが２．５μｍ〜４．０μｍであることを特徴とするものである。
【０００９】
本発明の第２の液晶表示装置は、上記第１の液晶表示装置において、前記カラーフィルタは、前記着色層上に遮光層をさらに備えたことを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の第３の液晶表示装置は、上記第２の液晶表示装置において、前記カラーフィルタは、前記着色層と前記遮光層との間に透明電極をさらに備えたことを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の第４の液晶表示装置は、上記第２の液晶表示装置において、前カラーフィルタは前記遮光層よりもさらに上層に透明電極を備えたことを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の第５の液晶表示装置は、電極が形成された第１基板と、前記第１基板に形成された電極と対向する面にカラーフィルタが設けられた第２基板と、前記第１基板と液晶層を介してスペーサで保持して重ね合わされた前記第２基板とのあいだに、前記液晶層を封止するために前記第１基板および第２基板の表示領域外に形成されたシールと、前記シール内に配置したスペーサとを備えた液晶表示装置において、前記第２基板に設けられたカラーフィルタは表示領域に着色層を有し、前記着色層上に遮光層を備えたことを特徴とするものである。
【００１３】
本発明の第６の液晶表示装置は、上記第５の液晶表示装置において、前記カラーフィルタは、前記着色層と前記遮光層との間に透明電極をさらに備えたことを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の第７の液晶表示装置は、上記第５の液晶表示装置において、前記カラーフィルタは前記遮光層よりもさらに上層に透明電極を備えたことを特徴とするものである。
【００１５】
本発明の第８の液晶表示装置は、上記第２乃至７のいずれかの液晶表示装置において、前記遮光層が導電材料で形成されていることを特徴とするものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
以下、図１〜図３を用いて本発明の実施の形態における液晶表示装置の構造について詳細に説明する。この発明の一実施の形態である液晶表示装置の液晶表示パネルの断面図を図１に示す。図２は本発明にかかる液晶表示装置において図６で示したＡＡ断面に対応する断面図である。図３は図１のスペーサ部分の拡大図である。図において、１は下部透明絶縁性基板（アレイ基板）である第１基板、２は上部透明絶縁性基板（カラーフィルタ基板）である第２基板、また第２基板２上には着色層３、透明電極４、遮光層５などのカラーフィルタ３３を形成する。６は液晶層、７は表示領域内に配置したスペーサ、８はシール、９はシール内に配置したシール内スペーサ、１０は配線部、１１は画素電極部、１２は配向膜である。２１はソース配線、２２はゲート配線、２３は薄膜トランジスタ、２１はソース配線、２２はゲート配線、２３は薄膜トランジスタ、２４は共通容量配線、２５は画素電極、２６は絶縁膜、３１は絶縁性基板、３２は絶縁性基板である。
【００１７】
以下、本発明の実施の形態における液晶表示装置の製造方法について説明する。図１に示すように第１基板１上には、ガラス等の透明絶縁性基板３１上に配線部１０、画素電極部１１などの電極や絶縁膜が形成される。第１基板１のパターンは、成膜、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト剥離といった工程を繰り返しながら積層し、ついで配向膜１２を全面に塗布後、ラビング処理を行いトランスファ電極（図示せず）を形成させ、表示領域内にスペーサ７を散布する。
【００１８】
第２基板２はガラス等の透明絶縁性基板３２の第１基板１と対向する面上の表示領域にカラーフィルタ３３を形成する。図２において、透明絶縁性基板３２上にＲＥＤ、ＧＲＥＥＮ、ＢＬＵＥの３色の着色層３を顔料分散法、染色法、電着法などで形成する。着色層３の厚みはＲ、Ｇ、Ｂの顔料濃度を薄くすることによって透過率を変更することなく厚くすることが可能である。
【００１９】
また、製造工程で必要なマーク類は、遮光層５工程が、着色層３工程よりも後の工程で行われるため、着色層３工程で形成する。着色層３工程で例えば、ＢＬＵＥ工程でアライメントマークを形成しても基板認識することが可能である。この着色層３工程で形成したアライメントマークを用いてアライメントする。
ただし、パネル組み立て用のアライメントマークは遮光層５で設けてもよい。
【００２０】
着色層３の３色の間隔　（ＲＥＤ−ＧＲＥＥＮ間の隙間、ＧＲＥＥＮ−ＢＬＵＥ間の隙間、ＢＬＵＥ−ＲＥＤ間の隙間）はギャップ均一性を確保するためできる限り狭く形成する。例えば、本発明の実施の形態では着色層３の間隔を３μｍとした。着色層３の厚みを薄く形成する従来技術では着色層３の間隔を狭く形成すると、着色層パターン端に形成されるテーパ角部分に乗り上げ、さらに隣接する着色層３と重なり合う。このために突起部が形成され、表示ムラが発生する可能性がある。しかし、着色層３を厚く形成する本実施の形態では、着色層３の間隔を狭く形成してもテーパ角部分が広いため、テーパ角に隣接する着色層３が乗り上げる部分はあるが、重なり合う部分が発生する可能性が低くなるため、表示ムラが発生しにくい。
【００２１】
次に着色層３を形成後、透明電極４を形成する。透明電極４はたとえば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）などの透明電極材料をマスクスパッタ法などを用いて積層する。次に遮光層５を透明電極に重なるように形成される。遮光層５は、透明電極４上にクロムなどを成膜し、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト剥離などを施す事によりパターンを形成する。遮光層５は表示に寄与しない部分を遮光すればよく、材料はクロム系、タンタル系の導電材料、または樹脂材料などで形成してもよい。その後配向膜１２を全面に成膜し、ラビング処理を行い、トランスファ電極（図示せず）を形成する。
【００２２】
液晶表示パネルは、第１基板１の電極等を形成した面と第２基板２のカラーフィルタ３３を設けた面とを対向させ、両基板の表示領域外に、スクリーン印刷、あるいは、ディスペンサを用いて例えば黒色の有機顔料を加えた熱硬化型エポキシ樹脂からなるシール材を塗布してシール８を形成し、表示領域内に散布したスペーサ７などにより両基板を所定の間隔に保持させて重ね合わせ、硬化処理を実施する。また、シール８にはシール内スペーサ９を混入させ、表示領域外のシール近傍部の基板の間隔を保てるように形成する。シール内スペーサ９の径は上述したように表示領域内のスペーサ７、着色層３等の厚さを考慮して設定される。このシール材の一部に形成された液晶注入口から液晶を注入し、封止した後、両基板の外側に偏光板を貼りつけて液晶表示パネルを形成する。そしてこの液晶表示パネルと片方の基板側に配置するバックライトなどから液晶表示装置が形成される。
【００２３】
上記の液晶表示装置の製造工程において、液晶層６の厚みは輝度、視野角、色特性、応答速度などの光学特性を最適化するように設計し、表示領域内に配置するスペーサの径を３．５μｍ〜４．５μｍ程度のものを使用する。また、表示領域外のシール近傍部に混入する異物による突発的に発生するギャップムラを低減するために、混入する異物の大きさを考慮してシール内スペーサ９の大きさを決定する。８．０μｍ以下の異物が混入してもギャップムラにならないように、シール内スペーサ９の径を６．０μｍ〜８．５μｍに形成する。着色層３の厚みは、シール内スペーサ９の径、液晶層６の厚みを考慮して２．５μｍ〜４．０μｍの範囲内で形成する。
【００２４】
以上のように形成すると、製造工程における表示領域外のシール近傍部にシール内スペーサ９の径以下の異物で５．０μｍ〜７．０μｍ程度のものが混入した場合でも、異物に対する許容範囲を広げることができるため、表示領域外のシール近傍部で突発的に発生していた液晶表示パネル間の厚みの不均一性から生じるギャップムラによる表示不良を低減でき、さらに製造効率を向上することができる。
【００２５】
また、図２に示すように、本実施の形態の構成は基板上にまず着色層３を形成し、その後に遮光層５を形成している。そのため液晶表示装置を斜め視野方向Ｄ１から見たときに光抜けに起因する厚みは、両基板間の液晶層６厚、両基板上の配向膜１２厚、第１基板上の絶縁膜２６厚である。従来の構造では第２基板上に形成した着色層３と透明電極４の厚みをも考慮しなければならず、光抜けを防止する場合、遮光層５を形成する幅を大きくしなければならなかった。しかし、本実施の形態による液晶表示パネルでは、従来と同じ幅である５Ｗの遮光層５を第２基板上に形成した場合であっても光抜けを防止することができるため、開口率を高くすることができる。
【００２６】
また、図３のようにこのカラーフィルタは透明電極上４に遮光層５を形成するので透明電極４と遮光層５が接触する接触部５Ｃが従来の構成より大きく形成される。このとき、透明電極４がＩＴＯ、遮光層５がＣｒ、Ｔａ、Ｎｉなどの導電材料で形成される場合、この接触部５Ｃを形成することにより対向透明電極の電気抵抗を低減することができ、透明電極層の膜厚を薄く形成することができる。透明電極層の膜厚を薄くすると透過率が向上する。
【００２７】
さらに、このような構成をとるとトランスファ電極の数を削減することができる。トランスファ電極とは第１基板または第２基板上に形成され、第１基板の共通電極の入力配線と第２基板を接続する電極である。このトランスファ電極は通常液晶表示パネルの表示領域外の周辺部に配置するが、上記の通り透明電極層と遮光層の接触面積が大きくなる構造をとると、対向透明電極の電気抵抗が小さくなるため、トランスファ電極の数を削減することができる。このためトランスファ電極を設置していた面積、すなわち表示領域外であるシール近傍部に配置したトランスファ電極を設置するための領域を小さくすることができるため、液晶表示パネルの小型化が実現できる。遮光層の材料はＣｒ、Ｔａ、Ｎｉなどの導電材料であれば、本実施の形態は実現できる。本実施の形態では透明電極の膜厚を０．１３μｍ、トランスファ電極の数は４点としている。
【００２８】
また、従来の液晶表示パネルは絶縁性基板上に直接遮光層５を形成していたため、外光に対する反射率が高く、反射率防止のために多層クロム膜などを使用して遮光層５を形成する必要があった。多層クロム膜の形成はＣｒＮｘ、ＣｒＯｘ、Ｃｒなどを積層して形成させるため、煩雑な作業工程が発生し、高価な液晶表示パネルとなっていた。本実施の形態では絶縁性基板上に直接着色層３を形成し、透明電極４、遮光層５の順で積層させるため、着色層３の透過率低減分があり、反射光は着色層３を２回通り反射することとなるため、光の反射率が低下する。よって、遮光層５には多層クロム膜ではなく、単層クロム膜等を使用することも可能である。単層クロム膜を用いると多層クロム膜よりも原価低減した液晶表示パネルを作成することができる。また、単層クロム膜は一般的な膜であるため、例えばクロム成膜用スパッタ装置を使用して形成することができる。そのため、着色層形成までをカラーフィルタメーカで行えば透明電極、遮光層の成膜はカラーフィルタメーカ、成膜メーカまたはＬＣＤメーカの何れでも対応でき、価格面と生産数の増減にも対応できるようになる。また、反射率を低下させるために、遮光層５に樹脂を用いて形成してもよい。
【００２９】
また、本実施の形態において、第２基板上のカラーフィルタは着色層３と遮光層５との間に透明電極４を備えた構造について説明を行っているが、カラーフィルタは着色層上に備えた遮光層５よりもさらに上層に透明電極４を備えた構造としても同様の効果が得られる。
【００３０】
また、本実施の形態は第２の基板上の第１基板と対向する面に透明電極が不要の液晶モード、例えば横方向の電界で液晶が基板に平行に配向する方式であるＩＰＳ（Ｉｎ　Ｐｌａｎｅ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）駆動方式においても同様の効果が得られる。
【００３１】
【発明の効果】
本発明の第１の液晶表示装置は、電極が形成された第１基板と、前記第１基板に形成された電極と対向する面にカラーフィルタが設けられた第２基板と、前記第１基板と液晶層を介してスペーサで保持して重ね合わされた前記第２基板との間に、前記液晶層を封止するために前記第１基板および第２基板の表示領域外に形成されたシールと、前記シール内に配置したシール内スペーサとを備えた液晶表示装置において、前記第２基板上に設けられたカラーフィルタは表示領域に着色層を有し、前記着色層の厚みが２．５μｍ〜４．０μｍであることを特徴としたので、製造工程で異物が混入した場合でも、異物に対する許容範囲を広げることができるため、表示領域外のシール近傍部で突発的に発生していた液晶表示パネル間の厚みの不均一性から生じるギャップムラによる表示不良を低減でき、製造効率を向上することができる。
【００３２】
本発明の第２の液晶表示装置は、上記第１の液晶表示装置において前記カラーフィルタは、前記着色層上に遮光層をさらに備えたことを特徴としたため、従来と同じ幅の遮光層を第２基板上に形成した場合であってもバックライト光の光抜けを防止することができるため、開口率を高くすることができる。さらに、外光に対する光の反射率を低下させることができる。
【００３３】本発明の第３の液晶表示装置は、上記第２の液晶表示装置において前記カラーフィルタは、前記着色層と前記遮光層との間に透明電極をさらに備えたことを特徴としたため、従来と同じ幅の遮光層を第２基板上に形成した場合であってもバックライト光の光抜けを防止することができるため、開口率を高くすることができる。さらに、外光に対する光の反射率を低下させることができる。
【００３４】
本発明の第４の液晶表示装置は、上記第２の液晶表示装置において、前記カラーフィルタは前記遮光層よりもさらに上層に透明電極を備えたことを特徴としたため、外光に対する光の反射率を低下させることができる。
【００３５】
本発明の第５の液晶表示装置は、電極が形成された第１基板と、前記第１基板に形成された電極と対向する面にカラーフィルタが設けられた第２基板と、前記第１基板と液晶層を介してスペーサで保持して重ね合わされた前記第２基板との間に、前記液晶層を封止するために前記第１基板および第２基板の表示領域外に形成されたシールと、前記シール内に配置したシール内スペーサとを備えた液晶表示装置において、前記第２基板に設けられたカラーフィルタは表示領域に着色層を有し、前記着色層上に遮光層を備えたことを特徴としたため、従来と同じ幅の遮光層を第２基板上に形成した場合であってもバックライト光の光抜けを防止することができるため、開口率を高くすることができる。さらに、外光に対する光の反射率を低下させることができる。
【００３６】
本発明の第６の液晶表示装置は、上記第５の液晶表示装置において、前記カラーフィルタは前記着色層と前記遮光層との間に透明電極をさらに備えたことを特徴としたため、従来と同じ幅の遮光層を第２基板上に形成した場合であってもバックライト光の光抜けを防止することができるため、開口率を高くすることができる。さらに、外光に対する光の反射率を低下させることができる。
【００３７】
本発明の第７の液晶表示装置は、上記第５の液晶表示装置において、前記カラーフィルタは前記遮光層よりもさらに上層に透明電極を備えたことを特徴としたため、外光に対する光の反射率を低下させることができる。
【００３８】
本発明の第８の液晶表示装置は、上記第２乃至７のいずれかの液晶表示装置において、前記遮光層が導電材料で形成されていることを特徴としたため、対向電極の電気抵抗を低減することができ、透明電極層の膜厚を薄く形成することができる。透明電極層の膜厚を薄くすると透過率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態における液晶表示装置の断面図である。
【図２】本実施の形態における液晶表示装置の図６のＡＡ断面図である。
【図３】本実施の形態における液晶表示装置の断面図である。
【図４】従来の液晶表示装置の断面図である。
【図５】従来の液晶表示装置における図６のＡＡ断面図である。
【図６】液晶表示装置における画素構造の平面図である
【符号の説明】
１：　第１基板　　２１：　ソース配線
２：　第２基板　　２２：　ゲート配線
３：　着色層　　２３：　薄膜トランジスタ
４：　透明電極　　２４：　共通容量配線
５：　遮光層　　２５：　画素電極
６：　液晶層　　２６：　絶縁膜
７：　スペーサ　　３１：　絶縁性基板
８：　シール　　３２：　絶縁性基板
９：　シール内スペーサ　　　３３：　カラーフィルタ
１０：　配線部
１１：　画素電極部
１２：　配向膜
【図１】
2004053753.tif 000003
【図２】
2004053753.tif 000004
【図３】
2004053753.tif 000005
【図４】
2004053753.tif 000006
【図５】
2004053753.tif 000007
【図６】
2004053753.tif 000008