(57)【要約】【課題】小型で、安価な、高生産性を有する、更に部品の汚染等がなく、清掃を頻繁に行う必要がない（メンテナンスが容易な）電子部品の実装装置及び実装方法を提供することを目的とする。【解決手段】接合物と被接合物を接合する電子部品の実装装置において、大気圧又はその近傍でプラズマガスを発生させるプラズマ発生装置と、発生した前記プラズマガスを接合物と被接合物の接合部に供給して噴射するプラズマ供給装置と、噴射されたプラズマガスにより大気圧又はその近傍で接合物と被接合物の接合部表面を洗浄し略同時に接合物と被接合物の接合部同士を接合する洗浄・接合装置と、を備えるものであることを特徴とする電子部品の実装装置。【選択図】        図１
2004228346.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合物と被接合物を接合する電子部品の実装装置において、大気圧又はその近傍でプラズマガスを発生させるプラズマ発生装置と、発生した前記プラズマガスを接合物と被接合物の接合部に供給して噴射するプラズマ供給装置と、噴射されたプラズマガスにより大気圧又はその近傍で接合物と被接合物の接合部表面を洗浄し略同時に接合物と被接合物の接合部同士を接合する洗浄・接合装置と、を備えるものであることを特徴とする電子部品の実装装置。
【請求項２】
前記接合物と被接合物の接合部同士の接合は、常温接合法で行うものであることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の実装装置。
【請求項３】
接合物と被接合物の供給手段から接合物と被接合物を前記洗浄・接合装置に搬送し、洗浄・接合が完了した前記接合物と被接合物を回収する搬送手段を備えるものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品の実装装置。
【請求項４】
前記接合物はベアチップ半導体または表面実装タイプの電子部品で、前記被接合物は電子回路基板であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品の実装装置。
【請求項５】
接合物と被接合物を接合する電子部品の実装方法において、接合物と被接合物の接合部表面にプラズマガスを噴射し、接合部表面の洗浄と接合部同士の接合とを略同時に行う洗浄・接合工程を有することを特徴とする電子部品の実装方法。
【請求項６】
接合物と被接合物を洗浄・接合装置に搬送する搬送工程と、接合された接合物と被接合物を回収する回収工程を有することを特徴とする請求項５記載の電子部品の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品等の接合物と、基板等の被接合物を洗浄しながら接合物と被接合物同士を接合する電子部品の実装装置および実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子部品と基板との接合は当初金属溶融接合や超音波接合、導電性接着剤による接合方式が一般的であったが、設備が大型化する、接着剤の塗布量管理が困難等の理由で、▲１▼特開２００１−３５１８９２号公報のような、減圧室でエネルギー波を電子部品等に照射し表面を洗浄後、内部を不活性ガスで置換した接合室に電子部品等を搬送し常温接合を行う実装装置：（特許文献１）、或いは▲２▼特開平７−２６０７６号公報特許公報のような、所定の真空度に減圧されたチャンバー内でグロー放電により資料（接合物）の接合面を洗浄し、洗浄後に、加圧等により資料同士を接合する常温接合装置（実装装置）：（特許文献２）が提案された。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−３５１８９２号公報  （段落００１６、００１７、０
０１９、００２０、図１）
【０００４】
【特許文献２】
特開平７−２６０７６号公報  （段落０００７、図１）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記特許文献１に記載された装置・方法では洗浄室と接合室が別室となっているため電子部品等の室間移載装置が必要となり、装置が大型且つ複雑となる欠点、更に減圧（減圧装置）を必要としているため所定の圧力に減圧するための時間が長く生産性が低く、装置が大型且つ高価で複雑となってしまう、またプラズマが密封された洗浄室等の内壁に及ぶため内壁を構成する材料から不純物が生成し、或いは電子部品の汚れが分解・灰化された不純物質が内部に堆積し、これらの不純物が電子部品に付着して汚染される、また、連続生産を行う場合には密閉された減圧室内に不純物が堆積してしまうため清掃を頻繁に行わなくてはならない等の欠点があった。上記特許文献２に記載された装置でも室間移載装置等は不要となるが、減圧（真空排気装置）を必要としているため上述した減圧に係る欠点が解決されなかった。
【０００６】
以上の問題点に鑑み、洗浄室と接合室間の電子部品室間移載装置を不要とし、更に洗浄・接合の為の減圧（真空排気装置）を不要とすることにより、小型で、安価な、高生産性を有する、更に部品の汚染等がなく、清掃を頻繁に行う必要がない（メンテナンスが容易な）電子部品の実装装置及び実装方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、所定の高周波電圧を印加した電極間に、所定のガスを供給すると大気圧又はその近傍でプラズマ化したガスが発生できること、又、プラズマ化したガス（プラズマガス）等で接合面の酸化物や有機物等が除去されること、又、活性化された表面同士を当接するのみで両者が原子間の高い結合力によって接合できること（常温接合方法）に着目し、大気圧又はその近傍で発生させたプラズマガスを接合物（電子部品）と被接合物（基板）の接合部に噴射して接合部の表面をプラズマにより洗浄しながら、電子部品と基板の清浄な接合部同士を当接することにより電子部品と基板を接合するようにしたものであります。
【０００８】
ここで、接合物と被接合物の接合部とは、接合物（例えばベアチップ形態の電子部品）の電極等、と接合物の電極等が接合される被接合物（例えば基板）の電電極等を指すもので、電子部品とはベアチップ形態の半導体や抵抗やコンデンサ等の電子部品を指し、基板とはベアチップ形状の電子部品の電極等を接合する電極を有した基板を指すものであります。
【０００９】
そして、洗浄とは接合物と被接合物の各接合部表面にプラズマガスを噴射して両表面を清浄にし且つ活性化させることを指すもので時間的にはプラズマガスの噴射開始から終了までを指すものであります。
【００１０】
また接合とは接合物と被接合物の各接合部表面同士を当接させて一体的に結合（接合）させることを指し、時間的には当接直前から結合（接合）を完了して離間直後までを指すものであります。
【００１１】
接合部表面の洗浄と接合部同士の接合とを略同時に行うとは、▲１▼洗浄の開始と同時に接合を行い接合完了後も洗浄を継続すること、▲２▼洗浄開始後に接合を行い接合完了後も洗浄を継続すること、▲３▼洗浄開始後に接合を行い接合完了と同時に洗浄を完了継続すること、▲４▼洗浄開始後に接合を行い洗浄完了後も接合を継続すること、▲５▼洗浄終了直後に接合を開始することを指し、少なくとも接合中の一時期は洗浄が継続して行われているものであります。
【００１２】
具体的には、例えば▲３▼の場合、接合物の移動中に洗浄を開始し当接中（接合中）も洗浄を継続し、洗浄を行いながら接合を行ない、接合完了と同時に洗浄を完了させるものであります。
【００１３】
ここで、被接合物を移動しても、或いは両者を移動しても良いことは言うまでもありません。
【００１４】
また、大気圧又は大気圧近傍とは２０〜１１０ＫＰａの気圧で更に好ましくは９０〜１０５ＫＰａの気圧を指すものであります。
【００１５】
そして、上記目的は下記の手段により達成されます。
（１）接合物と被接合物を接合する電子部品の実装装置において、
大気圧又はその近傍でプラズマガスを発生させるプラズマ発生装置と、発生した前記プラズマガスを接合物と被接合物の接合部に供給して噴射するプラズマ供給装置と、噴射されたプラズマガスにより大気圧又はその近傍で接合物と被接合物の接合部表面を洗浄し略同時に接合物と被接合物の接合部同士を接合する洗浄・接合装置と、を備えるものであることを特徴とする電子部品の実装装置。
【００１６】
（２）接合物と被接合物を接合する電子部品の実装方法において、
接合物と被接合物の接合部表面にプラズマガスを噴射し、接合部表面の洗浄と接合部同士の接合とを略同時に行う洗浄・接合工程を有することを特徴とする電子部品の実装方法。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の望ましい実施の形態を、図面を参照して説明する。なお、本欄の記載は請求項の技術的範囲や用語の意義を限定するものではない。
【００１８】
図１は本発明の電子部品の実装装置の側面概念図である。
又、図２は本発明の電子部品の実装装置の平面概念図である。
【００１９】
図３はプラズマ発生装置の概念図である。
図１及び２において、
電子部品の実装装置１は、大気圧又はその近傍でプラズマガスを発生させるプラズマ発生装置４と、
接合物であるベアチップ半導体または表面実装タイプの電子部品（以下電子部品とも記す）と被接合物であるシリコン、又はガラス、又はガラスエポキシ、又はセラミック、又はポリイミド等よりなる電子回路基板（以下基板とも記す）の接合部に、前記プラズマガスを供給して噴射するプラズマガス供給装置６と、
噴射するプラズマガスにより大気圧又はその近傍で電子部品と基板の接合部表面を洗浄し、洗浄と略同時に同一場所で電子部品と基板の接合部同士を接合する洗浄・接合装置５と、を備えている。
【００２０】
又、５１１は洗浄・接合領域で、少なくとも接合物と被接合物との接合部に接する領域で、洗浄・接合が行われる領域である。
【００２１】
以下プラズマ発生装置４と、プラズマ供給装置６と、洗浄・接合装置５とを詳細に説明する。
【００２２】
以下の実施の形態の説明は説明をわかりやすくするため主に有機物と酸化物をアルゴンガスと水素ガスをプラズマ化させて洗浄し接合をする場合を例に取り説明するが、洗浄する物質によりガスの種類や後述する洗浄条件等を適時変更することにより洗浄・接合が可能となる。
【００２３】
図３において、プラズマ発生装置４は洗浄に必要な不活性ガス（例えばアルゴンガス）を充填したガスボンベ４１、と還元性ガス（例えば水素ガス）を充填したガスボンベ４２等と、複数の各ボンベからのガス流量を調整する流量調整手段４３と、プラズマ発生手段４０を備え、プラズマ発生手段４０は高周波電源４４と、高周波電源４４に接続された１対の電極４５とを有している。
【００２４】
１対の電極４５はステンレス等の金属よりなり、それぞれ無機物からなる（例えば焼結性セラミックスの）比誘電率が６〜４５の誘電体４５１が被覆され、電極間距離ｄが０．５〜２０ｍｍ（好ましくは１±０．５ｍｍ）離間して配設されている。
【００２５】
そして流量調整手段４３により流量が調整されたガスが電極間を通過する時に大気圧又はその近傍でプラズマ化される構成となっている。
【００２６】
ここで、使用するガスは電子部品及び基板の接合部と反応しないもので、還元性ガスは水素、一酸化炭素（好ましくは水素）でも良く、また、不活性ガスはアルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、ラドンや窒素（好ましくはヘリウム、アルゴン、窒素）でも良い。
【００２７】
そして、洗浄する物質に応じ、上述したガスの中から適当なガスを流量調整手段４３により単一ガスとして、或いは混合ガスとして、順次ガスを切り替えて供給する。
【００２８】
高周波電源４４は高いプラズマ密度を得るため、高周波のある程度大きな電力を供給することが好ましく、具体的には、電極４５間に１００ｋＨｚ〜８００ＭＨｚの高周波数の電圧を印加することが好ましく、２００ｋＨｚ以上であればより一層好ましい。また、電極間に供給する電力の下限値は、放電が起こる範囲の面積（ｃｍ２当たり）１Ｗ／ｃｍ２以上５０Ｗ／ｃｍ２以下であることであることが好ましく、２Ｗ／ｃｍ２以上であればより一層好ましい。
【００２９】
このために高周波電源４４にはＯＮ／ＯＦＦデューティー比を変化可能なパルス電源を用い、制御手段により使用するガスに応じＯＮ／ＯＦＦデューティー比を０．１〜１０の範囲で変化させて印加エネルギーを変化させも良い。
【００３０】
また、電極間に印加する高周波電圧は、パルス波であっても、サイン波であってもよい。
【００３１】
ところで、大気圧又は大気圧近傍でアルゴン等の不活性ガスを導入してプラズマを発生させる場合は、還元ガス等を混合するとその分不活性ガス成分の割合が減少しプラズマが発生しにくくなる。
【００３２】
このため、エネルギー線発生装置（図示せず）により、反応を促進させるエネルギー（例えば電子線、放射線、紫外線、レーザー光）をプラズマ発生部４５２を通過するガスに照射してプラズマ反応を抑制する効果を解消するようにしても良い。
【００３３】
この場合は、電子線としては１０Ｖ〜９０ｋＶの電圧で加速された電子線を好適に用いることができ、放射線としては、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）を放射線源として発せられた放射線を用いることができ、紫外線としては１〜３６０ｎｍ（特に１５０ｎｍ以下）の範囲を用いることができ、また、レーザー光としては例えばエキシマレーザやＮｄ：ＹＡＧレーザを光源とする１０〜９００ｍＪの照射エネルギーを発揮するものを用いることができ、プラズマを発生させるグロー放電が高い密度で安定して継続可能となる。
【００３４】
図１、２に戻り、プラズマ供給装置６は、プラズマ発生装置４で発生したプラズマガスを洗浄・接合装置５の洗浄・接合領域５１１に導くガス供給路６１とプラズマガスを電子部品２と基板３との接合部の表面に噴射するノズル６２とを有している。
【００３５】
洗浄・接合領域５１１の水平方向に、ノズル６２を３〜１０（好ましくは３〜５）分割し略均等に配設し、ノズル６２からプラズマガスを接合物に均等に噴射するようにするとなお良い。
【００３６】
また、プラズマ発生装置とプラズマ供給装置の全て又はその一部を搬送位置決め手段７に配設し、プラズマガスが電子部品と基板の接合部表面に噴射される向きにノズル６２を後述する吸着手段７３或いはアーム７２に取り付けても良い。
【００３７】
パーツフィーダ７４１、７４２は電子部品２及び基板３を後述する吸着手段７３への受け渡し位置２０、３０まで搬送するコンベアである。
【００３８】
洗浄・接合装置５は搬送・位置決め手段７と、基板保持手段５２とを備え、
基板保持手段５２は、搬送・位置決め手段７により搬送された基板３を基板固定部５２１の基板位置決め手段５２２により所定の位置に固定する。
【００３９】
搬送・位置決め手段７は、部品搬送部５１２とゴム等の弾性体よりなる吸着パッドを有する吸着手段７３を有し、吸着手段７３は図示しない減圧手段により電子部品や基板を吸着して保持することができるようになっている。
【００４０】
部品搬送部５１２は、後述するアーム７２の先端に配設した吸着手段７３を電子部品２や基板３の授受位置まで下降させ、アーム７２の旋回位置まで上昇（図示Ｚ方向）させ、且つ吸着手段７３をパーツフィーダ７４１、７４２の電子部品２や基板３の受け渡し位置２０及び３０と、洗浄・接合領域５１１位置との間を旋回（図示θ方向）させる回転軸７１と、回転軸７１から延びるアーム７２とを有している。
【００４１】
そして、アーム７２の先端に部品位置決め部５１３である吸着手段７３が配設されており、吸着手段７３は電子部品２や基板３の受け渡し位置２０及び３０で電子部品や基板を吸着し、洗浄・接合領域５１１位置で後述する電子部品と基板の接合部の位置情報に基づき電子部品と基板の接合部の精密位置合わせを行なう。
【００４２】
そして、洗浄・接合領域５１１で基板と電子部品の接合部表面の洗浄を行なうとともに精密位置合わせが行われた状態で吸着手段７３が下降する際に電子部品と基板の接合部同士を当接させて常温接合を行なう。
【００４３】
ここで、洗浄・接合領域５１１近傍には、電子部品２及び基板３の接合部の位置を測定する位置決めカメラ（図示せず）が配設されており、位置決めカメラで測定した電子部品と基板の接合部の位置情報が制御手段に出力され、制御手段は電子部品と基板の接合部の位置情報に基づき基板の接合部に対し電子部品の接合部を一致させるように、電子部品２を吸着した状態で吸着手段７３をＸ、Ｙ、θ１方向の位置調整を行い両者の精密位置出しを行う。
【００４４】
常温接合の接合能力を補強するため、加圧手段（図示せず）を設けて吸着手段で吸着した電子部品２を基板３に当接時に加圧しても、或いは例えば基板固定部５２１にヒートステージ（図示せず）を配設し加熱しても、また電子部品上面から加熱手段（図示せず）を突き当てて基板と電子部品を加熱しても、或いは超音波振動子（図示せず）を設け電子部品２を基板３に当接時に電子部品２を超音波振動させて接合の補助としても良い。
【００４５】
接合能力の補強は接合面の平滑度が不足している場合等接合条件が不十分な場合特に有効となる。
【００４６】
以上、第１の実施の形態について説明したが以下に第２の実施の形態について説明する。
【００４７】
これは上述した実装装置に一部の追加を行うのみで接合部に非導電性の皮膜を形成させ、接合強度を上げようとするものであります。
【００４８】
具体的には、上述した実装装置のプラズマ発生装置４に図１に示す原料ガスのボンベ４６を追加して、接合が完了した後、流量調整手段４３で洗浄するための水素やアルゴンガスから非導電性膜を形成するための原料ガス（例えばテトラエトキシシランを含有するガス）と不活性ガスの混合ガスに切り替えて、大気圧又はその近傍でプラズマ化して接合部に噴射することにより、接合を完了した電子部品と基板の接合部の周囲を覆うように非導電性膜を形成し接合強度の増強を図ることも可能とするものであります。
【００４９】
原料ガスは形成したい膜の種類により異なるが、珪素化合物としてはジメチルシラン、テトラメチルシラン等のアルキルシラン、またテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン等の珪素アルコキシド等の有機珪素化合物、またモノシラン、ジシラン等の珪素化合物、またジクロルシラン、トリクロロシラン、テトラクロロシラン等のハロゲン化珪素化合物、またその他オルガノシラン等を挙げることができる。
【００５０】
図４は実装方法のフロー図、図５は実装装置の制御ブロック図である。
以下図１、４（ａ）、５を参照して本発明の第１の実施の形態の、上述した実装装置を使用して電子部品と基板の接合部を洗浄と接合を略同時に行う方法について説明する。
【００５１】
以下の説明は実現可能な一例を示したもので請求項に記載した内容は下記の工程の構成、工程の順番等説明に限定されるものではない。
【００５２】
図５において、４３１は流量制御装置で、制御手段９からの指令により流量調整手段４３に接続された各ガスボンベのガス流量を調整制御する。
【００５３】
４４１は電源制御装置で、制御手段９からの指令により高周波電源４４の出力電圧値やパルスのＯＮ／ＯＦＦ比等を制御する。
【００５４】
７０１は搬送位置決め制御装置で、制御手段９からの指令により搬送・位置決め手段７の回転軸７１や吸着手段７３を制御する。
【００５５】
５２１は基板保持手段制御装置で、制御手段９からの指令により基板位置決め手段５２２の基板位置決め／解除動作等を制御する。
【００５６】
８０１はカメラ制御装置で、位置決めカメラに電子部品及び基板の接合部を撮影させ、電子部品と基板の接合部の位置情報を制御装置に出力する。
【００５７】
９１は記憶手段で、内部のメモリに洗浄物（例えば有機物と酸化物）に対する各ガスの流量データや、各洗浄物に対する洗浄時間（プラズマガスの噴射時間）等のデータを予め記憶し、制御手段９にデータを出力する。
【００５８】
９は制御手段で、上記制御を行う。
次に、説明をわかりやすくするため例えば還元性ガスとして水素ガスを、不活性ガスとしてアルゴンガスを使用して洗浄・接合を行う方法を例に取り、図４により説明を行う。
【００５９】
ステップ１において、オペレータは操作パネルから洗浄・接合の起動操作を行う。
【００６０】
次に搬送工程であるところのステップ２〜６を説明する。
ステップ２において、起動操作により制御手段は部品搬送部５１２の回転軸７１を回転させて基板のパーツフィーダ７４２上を搬送される基板３の受け渡し位置３０までアーム７２を旋回させる。
【００６１】
次いで制御手段は回転軸７１をアーム７２先端の吸着手段７３がパーツフィーダ７４２上の基板３を吸着できるまで下げさせて、吸着手段７３により基板３を吸着させる。
【００６２】
ステップ３において、制御手段は回転軸７１をアームの旋回位置まで上昇させた後アーム７２を洗浄接合領域５１１に旋回させる。
【００６３】
次いで、制御手段は回転軸７１を下降させ吸着手段７３に吸着された基板を基板固定部５２１に移載させ、移載された基板３は基板位置決め手段５２２により所定位置に位置決めさせて固定させる。
【００６４】
ステップ５において、部品搬送部５１２と吸着手段７３は制御手段により基板の吸着と搬送ステップと同様にして電子部品２のパーツフィーダ７４１上を搬送される電子部品２を洗浄接合領域５１１に搬送させる。
【００６５】
ステップ６において、制御手段は電子部品及び基板の接合部の位置を測定する位置決めカメラ（図示せず）で測定した電子部品と基板の接合部の位置情報を取り込み、取り込んだ電子部品と基板の接合部の位置情報に基づき基板の接合部に対する電子部品の接合部の位置ずれ量を演算し、基板の接合部位置に電子部品の接合部位置を一致させるように（ずれ量を０とするように）、吸着手段７３をＸ−Ｙ−θ１方向に作動させて両者の精密位置出しを行なわせる。
【００６６】
次に洗浄・接合工程であるところのステップ７〜９を説明する。
ステップ７において、制御手段は予め記憶手段９１に記憶された、洗浄物（例えば有機物と酸化物）に対する各ガスの流量データを読み出す。
【００６７】
ここで、洗浄物に対する各ガスの流量データは実装装置のモデルにより各洗浄物に対する各ガスの洗浄に必要な流量実験を行い、良好な洗浄が行われる各ガスの流量を測定し、予め記憶手段に各洗浄物に対する各ガスの流量データとして記憶させておくことによって可能となる。
【００６８】
また、良好な洗浄を行うためには洗浄・接合領域の電子部品と基板の接合部表面における不活性ガスに対する還元ガスの体積％が１〜１０で、酸素濃度が１００ｐｐｍ以下となるようにすることが望ましい。
【００６９】
そして、制御手段はガスボンベ４１と４２から供給される水素とアルゴンガスを各ガスの流量データに基づき流量調整手段４３のバルブ（図示せず）を調整させて所定の混合ガスとしてプラズマ発生部へ供給させる。
【００７０】
ここで、ガスの供給は洗浄物に応じ、例えば先ずアルゴンガスを供給し次いで水素ガスを供給する等単一ガスを順次切り替えても、或いは例えばアルゴンガスと水素ガスを混合して供給しても、それらを組み合わせて供給しても良い。
【００７１】
次いで制御手段は高周波電源４４をＯＮにさせて電極４５間に高周波電圧を印加させる。
【００７２】
ここで、高周波電源は周波数と出力電圧が可変のものを使用し、制御手段により洗浄物により良好な洗浄を得る周波数と電圧に設定しても良い。
【００７３】
高周波電圧の印加により、電極間にグロー放電が発生してプラズマ発生部を通過するガスがプラズマ化される。
【００７４】
ステップ８において、ガス供給路６１を経てノズル６２から電子部品と基板の接合部表面に向けてプラズマ化された混合ガスが噴射する。
【００７５】
そして、制御手段はプラズマ化されたガスの噴射開始と同時に回転軸７１を下降開始させ、吸着手段７３に吸着された接合部表面に向けてプラズマ化した混合ガスを噴射させる。
【００７６】
これにより、電子部品と基板の接合部表面の有機物はプラズマ化されたアルゴンガスにより灰化され、酸化膜はプラズマ化された水素ガスにより還元され、電子部品と基板の接合部表面が活性化された面に浄化される。
【００７７】
ガスの噴射時間は各種の洗浄物に対して所定の洗浄条件で洗浄実験を行い、各種の洗浄物に対する洗浄必要時間を予め記憶手段９１に記憶させておく。
【００７８】
制御手段は洗浄物に応じ必要洗浄時間を読み出して、この時間に応じ洗浄時間を変えても良い。
【００７９】
そして、洗浄を行いながら電子部品の下降が継続し、下降端直前で電子部品と基板の接合部同士が当接し原子レベルの強固な常温接合が行なわれる。
【００８０】
換言すると、ガスの噴射は洗浄開始から接合完了まで継続させる。
ステップ９において、制御手段は接合完了後に流量調整手段４３のバルブ（図示せず）を閉じさせてガスの供給を停止させ、高周波電源をＯＦＦさせる。
【００８１】
次に回収工程であるところのステップ１０を説明する。
ステップ１０において、制御手段は回転軸７１を上昇させ吸着手段７３で接合完了した電子部品と基板を吸着して回収する。
【００８２】
以下に図１、４（ｂ）、５を参照して本発明の第２の実施の形態の、上述した実装装置を使用して電子部品と基板の接合部周囲に非導電性の膜を形成して接合強度を増強する方法について説明する。
【００８３】
図１において、４６は非導電性膜を形成する原料ガスを充填したボンベである。
【００８４】
洗浄・接合に係るステップは第１の実施の形態と同様なので説明を割愛する。
図６において、
ステップ１において、基板制御手段は非導電性膜を形成する原料ガスと不活性ガスを充填したガスボンベ４６と４１が接続されている流量調整手段４３のをバルブを開かせ原料ガスと不活性ガスをプラズマ発生手段に供給する。
【００８５】
この場合不活ガスの割合は反応性ガス中９０（好ましくは９５）％体積以上とすると良い。
【００８６】
ステップ２において、制御手段は第１の実施の形態と同様にして原料ガスと不活性ガスの混合ガスをプラズマ化する。
【００８７】
ステップ３において、制御手段は第１の実施の形態と同様にして既に接合を完了した電子部品と基板の接合部に向けてプラズマ化した原料ガスと不活性ガスの混合ガスを噴射させて電子部品と基板の接合部周囲を覆うように非導電性の皮膜を形成させる。
【００８８】
ステップ４において、被膜形成完了後プラズマガスの噴射を停止し、被膜形成完了済みの電子部品と基板を回収する。
【００８９】
以上の実装装置、方法により、
洗浄と接合が同一箇所で同時に可能となるため生産性が向上できる。
【００９０】
大気圧又はその近傍で洗浄・接合が可能となるため、真空ポンプ等の減圧設備や耐圧室が不要となり減圧時間が削減できると同時に生産設備の構成が簡単となり生産性の増加やコストダウンが可能となる。
【００９１】
特に高温の加熱を必要とせずに洗浄・接合が可能となるため、加熱による部品間の熱膨張の不一致による残留応力の少ない（ストレスの少ない）接合が可能となり、歪みによる劣化・故障の発生が少ない電子部品の製造が可能となる。
【００９２】
また、電子部品と基板の接合部周囲を非導電性皮膜で被覆するため接合強度が高い電子部品の製造が可能となる。
【００９３】
本発明の洗浄・接合方法を、大量生産が要求される現実の実装工程に効率よく適合させることができ、実装工程全体のタクトタイムを大幅に短縮することができる。
【００９４】
【発明の効果】
本発明によれば、実装装置の構成が簡単且つ小型となり、装置のコストダウンが可能となり、生産性が向上できるとともに、装置のメンテナンスが容易となる。
【００９５】
また、電子部品の汚染もなく、熱歪みによる劣化・故障の発生が少なく、電子部品と基板間の接合強度の強い電子部品の製造が可能となる。という効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子部品の実装装置の側面概念図である。
【図２】本発明の電子部品の実装装置の平面概念図である。
【図３】プラズマ発生装置の概念図である。
【図４】実装方法のフロー図である。
【図５】実装装置の制御ブロック図である。
【符号の説明】
１  実装装置
２  電子部品
３  基板
４  プラズマ発生装置
５  洗浄・接合装置
６  プラズマ供給装置
７  搬送位置決め手段
９  制御手段
４０  プラズマ発生手段
４３  流量調整手段
７３  吸着手段
【図１】
2004228346.tif 000003
【図２】
2004228346.tif 000004
【図３】
2004228346.tif 000005
【図４】
2004228346.tif 000006
【図５】
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