(57)【要約】【課題】ＴＦＴ基板および対向基板の熱的、機械的、光学的特性を一致させ、視野角の広い高品位の表示を実現でき、熱による変形を受け難く、高信頼性を備えた液晶表示装置を提供する。【解決手段】第１支持基板１０１上に液晶駆動用の透明電極（第１電極）１０７が形成されてなるＴＦＴ基板（第１電極基板）と、第１支持基板１０１上に液晶駆動用の共通電極（第２電極）１１５が形成されてなる対向基板（第２電極基板）と、ＴＦＴ基板と対向基板との間に挟持された液晶層１１０とを有する液晶表示装置１００において、第１支持基板１０１および第２支持基板１１１はプラスチック基板からなり、第１支持基板１０１中および第２支持基板１１１中に該支持基板と屈折率が異なる粒子１０２が分散されているものである。【選択図】　　　　図１
2004053867.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１支持基板上に液晶駆動用の第１電極が形成されてなる第１電極基板と、
前記第１支持基板上に液晶駆動用の第２電極が形成されてなる第２電極基板と、
前記第１電極基板と前記第２電極基板との間に挟持された液晶層と
を有する液晶表示装置において、
前記第１支持基板および前記第２支持基板はプラスチック基板からなり、
前記第１支持基板中および前記第２支持基板中に該支持基板と屈折率が異なる粒子が分散されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
第１支持基板上に液晶駆動用の第１電極が形成されてなる第１電極基板と、
前記第１支持基板上に液晶駆動用の第２電極が形成されてなる第２電極基板と、
前記第１電極基板と前記第２電極基板との間に挟持された液晶と
を有する液晶表示装置において、
前記第１支持基板および前記第２支持基板はプラスチック基板からなり、
前記第１支持基板および前記第２支持基板のどちらか一方の支持基板中に該支持基板と屈折率が異なる粒子が分散され、
前記第１支持基板および前記第２支持基板のうちの前記粒子が分散されていない他方の支持基板は、前記分散されている粒子を含む支持基板の線膨張係数と同等なる線膨張係数を有するプラスチック材料からなる
ことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ：ｌｉｑｕｉｄ　ｃｒｙｓｔａｌ　ｄｉｓｐｌａｙ）に関し、詳しくは視野角が広く画面が明るい液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
室内光や自然光等の外光を入光させ、これの反射光により画面表示することができる液晶表示装置において、入射光を反射させる反射板が平坦な場合、入射光を正反射するためその外光の光源の位置によってコントラストが低下し視野角が制限されるという欠点を持っていた。そこで従来においては液晶を駆動するためのＴＦＴ素子上に設けられた表面凹凸を持った樹脂製散乱層とこの樹脂製散乱層上に沿って設けられた金属薄膜を反射板として適用することにより、光を散乱させて表示画面の視野角を拡大させていた。
【０００３】
従来の反射型液晶表示装置の断面構造を図５の概略構成断面図によって説明する。
【０００４】
図５に示すように、厚さが０．７ｍｍのガラス基板５０１上に、低温ポリシリコンＴＦＴ（薄膜トランジスタ）５０２、樹脂からなりその表面が凹凸である樹脂製散乱層５０３、厚さが１００ｎｍ〜３００ｎｍの銀薄膜から成る金属反射膜５０４、厚さが５０ｎｍ〜１５０ｎｍのポリイミド配向膜５０５が順次積層されている。このように構成されているＴＦＴ基板に対向する位置には、間に液晶層５０６を挟んで厚さが０．７ｍｍのガラス基板５０７が配置される。このガラス基板５０７に、スパッタ法により形成したクロム薄膜をフォトリソグラフィーとエッチングでパターニングして形成した画素間遮光用のブラックマトリックス５０８を設け、さらに赤、緑、青の各カラーフィルター５０９、厚さが２μｍのオーバーコート層５１０、厚さが１００ｎｍ〜２００ｎｍの酸化インジウム層（Ｉｎ２　Ｏ３　＋ＳｎＯ２　、以下ＩＴＯ）で形成される共通電極５１１、および厚さが５０ｎｍ〜１５０ｎｍのポリイミド配向膜５１２が順次積層されている。こうして作製したＴＦＴ基板と対向基板とは直径２μｍ〜５μｍのスペーサー５１３を介して重ね合わせ、外周をシールして、ねじれネマティック（ＴＮ）型液晶５０６を封入した構造で、従来の反射型液晶表示装置５００が構成されている。
【０００５】
この液晶表示装置に外光Ｌが入射すると、金属反射膜５０４で反射される。この際、金属反射膜５０４は樹脂製散乱層５０３に設けられた凹凸（図示せず）を反映して表面が凹凸（図示せず）なので、入射した外光Ｌは散乱される。これにより、表示画面の視野角を拡大させることが可能である。
【０００６】
この液晶表示装置においては、その製造に際して上記樹脂製散乱層を形成する工程とその表面に凹凸を付与する工程で、かつ、ＴＦＴの電極と金属反射膜とを導通させるため樹脂製散乱層をフォトリソグラフィー工程の後にエッチングしコンタクトホールを形成する工程等が必要であった。これらの工程は、例えば熱可塑性樹脂のリフロープロセスを用いるが、基板面内の温度分布に依存するリフロープロセスでは基板内で散乱特性を一定範囲に収めるのが難しいため、歩留まり低下要因となり、また工程数が多くコスト増の原因となっていた。
【０００７】
そこでこの問題を解決する液晶表示装置として、特開２００１−２７１６７４号公報に開示されたものがある。この公報に開示された液晶表示装置では、ＴＦＴ基板に対向する基板側の支持基板は、プラスチック基板を有し、このプラスチック基板は、マトリクス材料と、このマトリクス材料の屈折率と異なる屈折率を有する粒子とを含み、この粒子によって光が散乱されることからプラスチック基板が光拡散層として機能し、視野角の改善を図るとしている。具体的には、特開２００１−２７１６７４号公報の記載によれば、その段落００７６に「対向基板に用いられる透明絶縁性基板に光拡散機能を有するものを用いることもできる」と記載されている。さらに段落００７６には「プラスチック基板８０は、充填剤を分散させた高分子材料から形成されており、光拡散機能を有する。プラスチック基板８０は、例えば、ＰＥＴ樹脂やＰＥＳ樹脂（マトリクス材料）に、シリカ系の粒子状充填剤（平均粒径１μｍ）を１５〜２０ｗｔ％分散させた材料を用いて形成される」と記載されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開２００１−２７１６７４号公報に開示されている液晶表示装置は、ＴＦＴ基板に対向する対向基板側のみが基材と屈折率が異なる粒子が分散されているプラスチック基板となっており、ＴＦＴ基板は対向基板とは異なる材料の構成である。この場合、ＴＦＴ基板と対向基板の線膨張係数が異なり、その結果、液晶パネルにそりを生じる場合やシール部にはがれが発生する可能性がある。この問題を回避するために、粒子が分散されているプラスチック基板上に直接ＴＦＴを形成してＴＦＴ基板、対向基板双方とも同一のプラスチック基板とした場合、基板表面の平坦度の制約から粒径の大きい粒子を分散させることができず、十分な光散乱性が得られないという問題が生じる。
【０００９】
またＴＦＴ基板側から入射して対向基板側へ出射する光は対向基板で１回しか散乱されないのに対し、対向基板側から入射して金属反射膜で反射し再び対向基板側へ出射する光は対向基板を２回透過するため２回散乱をされ、透過モードと反射モードとで視野角が異なるという問題点があった。
【００１０】
本発明は上記の課題を解決するために成されたものであり、その主な目的はＴＦＴ基板と対向基板を同一のもとして、熱的、機械的、光学的特性を一致させ、高品位の表示を実現でき、高耐熱性、高信頼性を備えた液晶表示装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するためになされた液晶表示装置である。
【００１２】
本発明の液晶表示装置は、第１支持基板上に液晶駆動用の第１電極が形成されてなる第１電極基板と、第２支持基板上に液晶駆動用の第２電極が形成されてなる第２電極基板と、前記第１電極基板と前記第２電極基板との間に挟持された液晶層とを有する液晶表示装置において、前記第１支持基板および前記第２支持基板がプラスチック基板からなり、前記第１支持基板中および前記第２支持基板中に該支持基板と屈折率が異なる粒子が分散されているものである。または前記第１支持基板および前記第２支持基板はプラスチック基板からなり、前記第１支持基板および前記第２支持基板のどちらか一方の支持基板中に該支持基板と屈折率が異なる粒子が分散され、前記第１支持基板および前記第２支持基板のうちの前記粒子が分散されていない他方の支持基板は、前記分散されている粒子を含む支持基板の線膨張係数と同等なる線膨張係数を有するプラスチック材料からなるものである。
【００１３】
第１支持基板および第２支持基板がプラスチック基板からなり、第１支持基板中および第２支持基板中に該支持基板と屈折率が異なる粒子が分散されている液晶表示装置では、ＴＦＴ基板、対向基板とも同一種類の基板となることから、線膨張係数が同等になる。このため、ＴＦＴ基板と対向基板の線膨張係数が異なることにより発生する液晶パネルがそるという問題やシール部がはがれるという問題が回避される。さらに、第１支持基板および第２支持基板には、基板表面の平坦度が比較的悪くなる粒径の大きい粒子が分散されているプラスチック基板を使用することができる。これにより粒径の小さい粒子を分散させた場合と同程度の散乱性を持たせようとした場合、粒子の充填量を少なくすることができ、結果としてプラスチック基板の比重を下げることが可能となる。よって、液晶表示装置の軽量化が図れる。
【００１４】
また第１支持基板および第２支持基板はプラスチック基板からなり、第１支持基板および第２支持基板のどちらか一方の支持基板中に該支持基板と屈折率が異なる粒子が分散され、第１支持基板および第２支持基板のうちの粒子が分散されていない他方の支持基板は、分散されている粒子を含む支持基板の線膨張係数と同等なる線膨張係数を有するプラスチック材料からなる液晶表示装置では、ＴＦＴ基板と対向基板の線膨張係数が異なることにより発生する液晶パネルがそるという問題やシール部がはがれるという問題が回避される。さらに、粒子を分散させる必要のない基板を設けることから、液晶表示装置の更なる軽量化が図れる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の液晶表示装置に係る第１実施の形態を、図１の液晶表示装置の概略構成断面図および図２の薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴという、ＴＦＴはＴｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒの略）の概略構成断面図および図３のＴＦＴの製造方法によって説明する。
【００１６】
図１はＴＦＴを用いた透過反射併用型ＬＣＤの断面図である。図１に示すように、第１支持基板１０１上に紫外線硬化系接着剤層１０３を介して厚さが５００ｎｍのＳｉＯ２　層、またはＳｉＯ２　層とＳｉＮｘ　層の積層体からなる電気絶縁層１０４、ＴＦＴ（例えばｎチャネル型ボトムゲートＴＦＴ）１０５、ＴＦＴ１０５を覆い画素部を開口した樹脂からなる平坦化層１０６、厚さが１００ｎｍ〜３００ｎｍのＩＴＯから成る透明電極１０７、この画素部周辺の透明電極（第１電極）１０７上には厚さが１００ｎｍ〜３００ｎｍの銀から成る金属反射膜１０８、さらに上記平坦化層１０６、透明電極１０７、金属反射膜１０８等を覆うように厚さが５０ｎｍ〜１５０ｎｍのポリイミド配向膜１０９が順次形成されている。このようにＴＦＴ基板（第１電極基板）が構成されている。上記ＴＦＴ１０５は液晶を駆動するための駆動素子であり、例えば低温ポリシリコン薄膜トランジスタで構成される。
【００１７】
上記第１支持基板１０１はプラスチック基板を主材料とするものであり、例えば厚さが０．２ｍｍのプラスチック基板に粒子１０２が分散されているものからなる。
【００１８】
上記プラスチック基板の材料としては、例えばポリカーボネートを例示できるが、その他に例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリオレフィン、ポリプロピレン、ポリブチレン、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンエーテル、ポリアセタール、ポリメチルペンテン、エポキシ樹脂、ジアリルフタレート樹脂、フェノール樹脂、シロキサン系樹脂、アクリル系樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、液晶プラスチック、ポリベンゾイミダゾール、熱硬化性ポリブタジエンなどからなる基板である。
【００１９】
上記粒子１０２の材料としては例えばＳｉＯ２　を例示できるが、その他に例えばＣｅＯ２、ＴｉＯ２　、ＺｎＳ、Ｔａ２　Ｏ５　、ＨｆＯ２　、ＺｒＯ２　、Ｓｂ２　Ｏ３　、Ｉｎ２　Ｏ３　、ＳｉＯ、ＴｈＯ２　、ＭｇＯ、Ａｌ２　Ｏ３　、ＣｅＦ３　、ＭｇＦ２　、ＣａＦ２　、ＬｉＦ、Ｎａ３　ＡｌＦ６　等またはこれらの複合材料から成る粒子である。粒子１０２は平均粒径が２μｍ〜４０μｍで基材のプラスチックの屈折率との差が０．０２以上のものを用いる。平均粒径が２μｍより小さい場合には必要な光散乱性が得られず、平均粒径が４０μｍより大きい場合は基板表面の平坦性が悪化する。また屈折率差が０．０２より小さい場合は必要な光散乱性を得るために粒子の充填率を上げる必要があり、これにより基板の強度の低下や比重の増大などの問題を生じる。以上の点から粒子１０２は、平均粒径が４μｍ〜２０μｍ、プラスチック基板１０１との屈折率差が０．０５以上であることがより好ましい。本実施例ではプラスチック基板１０１の材料に屈折率１．５８のポリカーボネート、粒子１０２に屈折率１．７３で直径が１０μｍの（ＭｇＯ）２　・（Ａｌ２　Ｏ３　）５　を用いている。
【００２０】
上記紫外線硬化系接着剤層１０３は、その厚さを粒子の直径以上まで厚くすることにより、第１支持基板１０１にＴＦＴを直接形成した場合に問題となる表面粗さの問題を回避できる。
【００２１】
上記ＴＦＴ基板に対向する位置には、間に液晶層１１０を挟んで上記第１支持基板１０１と同種の第２支持基板１１１が配置される。したがって、第２支持基板１１１はプラスチック基板を主材料とするものであり、例えば厚さが０．２ｍｍのプラスチック基板に上記粒子１０２が分散されているものからなる。このプラスチック基板は、上記説明したようなプラスチック材料で形成される。上記第２支持基板１１１には、スパッタ法により形成したクロム薄膜をフォトリソグラフィーとエッチングでパターニングして形成した画素間遮光用のブラックマトリックス１１２、さらに赤、緑、青の各カラーフィルター１１３、厚さが例えば２μｍのオーバーコート層１１４、厚さが１００ｎｍ〜２００ｎｍのＩＴＯの共通電極（第２電極）１１５、および厚さが５０ｎｍ〜１５０ｎｍのポリイミド配向膜１１６が順次形成されている。このようにして対向基板（第２電極基板）が作成される。
【００２２】
上記のようにして作製したＴＦＴ基板と対向基板とは直径が２μｍ〜５μｍのスペーサー１１７を介して重ね合わされ、外周がシールされて、ねじれネマティック（ＴＮ）型の液晶層１１０を封入した液晶表示装置１００なる構造を成す。
【００２３】
第１支持基板１０１および第２支持基板１１１がプラスチック基板からなり、第１支持基板１０１中および第２支持基板１１１中に該支持基板と屈折率が異なる粒子１０２が分散されている液晶表示装置では、ＴＦＴ基板、対向基板とも支持基板が同一種類の基板となることから、線膨張係数が同等になる。このため、ＴＦＴ基板と対向基板の支持基板の線膨張係数が異なることにより発生する液晶パネルが反るという問題やシール部がはがれるという問題が回避される。さらに、第１支持基板１０１および第２支持基板１１１には、基板表面の平坦度が比較的悪くなる粒径の大きい粒子が分散されているプラスチック基板を使用することができる。これにより粒径の小さい粒子を分散させた場合と同程度の散乱性を持たせようとした場合、粒子の充填量を少なくすることができ、結果としてプラスチック基板の比重を下げることが可能となる。よって、液晶表示装置１００の軽量化が図れる。
【００２４】
さらに、上記説明した透過反射併用型の液晶表示装置では、ＴＦＴ基板側から透過部に入射した光Ｌ１は第１支持基板１０１と第２支持基板１１１とを透過するため、２回散乱される。一方対向基板の第２支持基板１１１側から反射部に入射した光Ｌ２は、外部より入射した時と、反射電極で反射され再び外部へ射出されるときの２回、第２支持基板１１１で散乱される。即ち透過部、反射部ともに各々に入射した光Ｌ１、Ｌ２は２回ずつ散乱されることとなり、透過モード使用した場合と反射モードで使用した場合の双方で視野角を増大させることができ、さらにその両モードでの視野角の差を減少させる効果がある。
【００２５】
上記液晶表示装置１００においては、上記第１支持基板１０１は、分散されている粒子１０２を含む第２支持基板１１１の線膨張係数と同等なる線膨張係数を有するもので粒子を分散させないプラスチック材料を用いることもできる。言い換えれば、粒子を含まない第１支持基板１０１のプラスチック材料の線膨張係数に一致するように、第２支持基板１１１のプラスチック基板の材料およびその中に分散される粒子１０２の種類、分散量等を選択すればよい。これにより、透過光Ｌ１の第１支持基板１０１中での散乱は起こらなくなる。さらに、ＴＦＴ基板と対向基板の線膨張係数が異なることにより発生していた液晶パネルが反るという問題やシール部がはがれるという問題が回避される。さらに、粒子を分散させる必要のない基板を設けることから、液晶表示装置のさらなる軽量化が図れる。
【００２６】
次に上記液晶表示装置１００に搭載されるｎチャネル型ボトムゲートＴＦＴの一例を、図２の概略構成図断面図によって説明する。
【００２７】
ＴＦＴは、先ずガラス基板上に形成され、後に図３によって説明する転写方法を用いることによってプラスチック基板上に紫外線硬化系接着剤層を介して形成されたものである。
【００２８】
図２に示すように、プラスチック基板２０１は、紫外線硬化系接着剤２０２を介して電気絶縁層２０３に接着されている。この電気絶縁層２０３はプラズマＣＶＤで形成した厚さが例えば５００ｎｍのＳｉＯ２　層、またはＳｉＯ２　層とＳｉＮｘ　層の積層体からなる。この電気絶縁層２０３上にはモリブデンゲート２０４が形成されている。さらにその上にＳｉＯ２　層、またはＳｉＯ２　層とＳｉＮｘ　層の積層体からなるゲート絶縁膜２０５、ポリシリコン層２０６、２０７、２０８を形成する。上記ポリシリコン層２０７はチャネル形成領域となるもので、その両側にはｎ−　型ドープ領域であるポリシリコン層２０８を介してｎ＋　型ドープ領域からなるポリシリコン層２０６が形成されている。ポリシリコン層２０７上にはｎ−　型のリンイオン打込み時にポリシリコン層２０７を保護するための例えばＳｉＯ２　からなるストッパ層２０９が形成されている。さらに、ゲート絶縁膜２０５上には上記ポリシリコン層２０６、２０７、２０８、ストッパ層２０９等を覆うパッシベーション膜２１０が形成されている。このパッシベーション膜２１０は、例えばプラズマＣＶＤ法によって、ＳｉＯ２　層、またはＳｉＯ２　層とＳｉＮｘ　層の積層体で形成される。上記パッシベーション膜２１０には各ポリシリコン層２０８に接続される電極２１１が例えばアルミニウム電極で形成されている。そして、パッシベーション膜２１０上には電極２１１を覆うパッシベーション膜２１２が、例えば厚さが１μｍ〜３μｍのアクリル系樹脂で形成されている。
【００２９】
次に、プラスチック基板上にＴＦＴを転写する技術の一例を図３の製造工程図によって説明する。
【００３０】
図３（ａ）に示すように、例えばスパッタリング法によって、第１基板（例えば厚さ０．７ｍｍのガラス基板）３０１上に保護層３０２となるモリブデン（Ｍｏ）薄膜を例えば５００ｎｍの厚さに形成する。この保護層３０２のモリブデン薄膜の厚さは例えば０．１μｍ〜１μｍの厚さの範囲で選択される。さらに、ＴＦＴを形成する既知の技術を用いて、保護層３０２上に、いわゆる低温ポリシリコン技術を使ってＴＦＴ３０３を形成する。このＴＦＴ３０３は、例えば液晶ディスプレー技術（松本正一編著、産業図書発行、１９９６年）ｐ．１１５≡１１８に記載されているような低温ポリシリコントップゲート型ＴＦＴプロセスで形成する。なお、ＴＦＴ３０３を被覆層（図示せず）により被覆してもよい。以下、被覆層を形成しない場合を説明する。
【００３１】
その後、図３（ｂ）に示すようにホットプレート３０４上に、第１基板３０１を載せ、このホットプレート３０４を８０℃〜１４０℃に加熱しながら、ＴＦＴ３０３上に第１接着層（例えばホットメルト系接着剤）３０５を、例えば厚さが１ｍｍ程度となるように塗布する。この第１接着層の厚さは例えば０．１ｍｍ〜３ｍｍの厚さの範囲で選択される。
【００３２】
次に、図３（ｃ）に示すように、上記第１接着層３０５上に、第２基板３０６を載せ、例えば５×ｌ０４　Ｐａの圧力で加圧しながら室温まで冷却し第２の基板３０６を貼り付ける。上記第２基板３０６には、例えば厚さが１ｍｍのモリブデン基板を用いる。または、第２基板上にホットメルト系接着剤を塗布して、その上に第１基板に形成されたＴＦＴ側を載せてもよい。上記接着の際には、気泡が入ることがあるが、真空中で貼り合わせると、気泡は入らない。
【００３３】
なお、第２基板３０６はモリブデン以外でもフッ酸に耐性があるような金属、例えばタングステン（Ｗ）、インコネル６２５、ステンレスもしくはこれらの金属で被覆されたガラス基板、セラミックス基板、またはポリイミド板、２軸延伸ポリエチレンテレフタレート板、ＰＥＮ板のような低線膨張係数のプラスチック板を用いてもよい。
【００３４】
次に、図３（ｄ）に示すように、第２基板３０６を貼り付けた第１基板３０１を例えば重量濃度５０％〜６０％のフッ酸水溶液１０７中に浸漬して、ガラス基板の第１基板３０１をエッチングする。ここで用いるフッ酸は、重量濃度５０％で、エッチング時間は３．５時間とする。第１基板（ガラス基板）３０１を完全にエッチングした後は、図３（ｅ）に示すように、保護層３０２が露出される。なお、エッチング生成物が保護層３０２上に残る場合には水洗により除去することができる。またフッ酸水溶液の濃度はこれより低くても良いが、必要に応じてエッチング時間と液温を調整する。また、エッチングの面内均一性を向上させるためにエッチング中に液を撹拌したり、循環したり、フッ酸水溶液濃度をー定に保つことが有効である。
【００３５】
次に、図３（ｆ）に示すように、上記表出された保護層３０２の表面に第２接着層３０８として、紫外線硬化系接着剤を塗布する。この紫外線硬化系接着剤は、粘度の低いものをスピンコートにより塗布した。ただし、紫外線硬化系接着剤の厚さの均一性が取れるならばどのような方法であってもよい。また、気泡を完全にとるためには、紫外線硬化系接着剤を真空中で脱泡した後、真空中での接着が効果的である。
【００３６】
また、ここでは、アクリル系の紫外線硬化系接着剤を用いたが、紫外線硬化系接着剤である必要はなく、エポキシ系接着剤、ユリア系接着剤、ウレタン系接着剤、フェノール系接着剤、メラミン系接着剤、エマルジョン系接着剤、アクリル系接着剤、シアノアクリル酸エステル系接着剤、クロロプレンゴム系接着剤、ニトリルゴム系接着剤、ウレタンゴム系接着剤、シアノアクリレート系接着剤、スチレンブタジエンゴム系接着剤、天然ゴム系接着剤、アクリル系粘着材でもよい。
【００３７】
次に、図３（ｇ）に示すように、紫外線硬化系接着剤からなる第２接着層３０８を形成した後、第３基板３０９に貼り付け、紫外線を照射して、第２接着層３０８を硬化させる。上記第３基板３０９には、プラスチックを基材とし、そのプラスチックの屈折率とは異なる屈折率を有する粒子、例えば２μｍ以上４０μｍ以下の平均粒径を有する粒子を分散させた基板を用いる。この第３基板３０９については、後に詳細に説明する。
【００３８】
次に、図３（ｈ）に示すように、紫外線硬化系接着剤が充分に固まった後、例えば２−プロパノール３１０などの溶媒中に入れ、第１接着層（ホットメルト系接着剤）３０５を溶解・除去し第２基板３０６を剥離する。このようにして、粒子が分散されたプラスチック基板からなる第３基板３０９上に第２接着層３０８により保護層３０２を介してＴＦＴ３０３が形成された構成が得られる。
【００３９】
このように、ＴＦＴ３０３は転写によって紫外線硬化系接着剤の第２接着層３０８を介してプラスチック基板からなる第３基板３０９上に形成されるため、第３基板３０９が上記説明したような粒子を含むものであれば、紫外線硬化系接着剤の厚さを粒子の直径以上まで厚くすることにより、表面凹凸を平坦化することができる。これにより第３基板３０９にＴＦＴを直接形成した場合に問題となる表面粗さの問題を回避できる。
【００４０】
上記第１実施の形態で説明した液晶表示装置１００では、ＴＦＴ基板のプラスチック基板１０１と対向基板のプラスチック基板１１１の両方が同種のプラスチックで形成され、各プラスチック基板１０１、１１１中に屈折率がプラスチック基板の屈折率と異なる粒子を分散させてプラスチック基板１０１，１１１自体が光散乱性を持つ。またＴＦＴ１０５が転写技術によってＴＦＴ基板上に形成される構成である。
【００４１】
これによりＴＦＴ基板、対向基板とも同一種類のプラスチック基板となり、線膨張係数をそろえることができ、パネルのそりやシールのはがれなどを防止することが可能となる。また転写によってＴＦＴをプラスチック基板上に形成する為、ＴＦＴを直接プラスチック基板上に形成する方法と比較して表面の凹凸から受ける影響が少ないので、基板表面の平坦度が比較的悪い、粒径の大きい粒子が分散されているプラスチック基板を使用することがでる。これにより粒径の小さい粒子を分散させた場合と同程度の散乱性を持たせようとした場合、粒子の充填量を少なくすることができ、結果としてプラスチック基板の比重を下げることが可能となる。
【００４２】
次に、本発明の液晶表示装置に係る第２実施の形態を、図４の概略構成断面図によって説明する。図４はＴＦＴを用いた反射型ＬＣＤの断面図であり、ＴＦＴ基板の第１支持基板、対向基板の第２支持基板共に粒子を分散したプラスチック基板を用いている。なお、ＴＦＴ（ｎチャネル型ボトムゲートＴＦＴ）は、一例として前記図２によって説明した構成のものであり、まずガラス基板上に形成され、その後前記図３によって説明した転写技術を用いてプラスチック基板上に紫外線硬化系接着剤を介して形成されている。
【００４３】
図４に示すように、第１支持基板４０１上に紫外線硬化系接着剤層４０３を介して厚さが５００ｎｍのＳｉＯ２　層、またはＳｉＯ２　層とＳｉＮｘ　層の積層体からなる電気絶縁層４０４、ＴＦＴ（例えばｎチャネル型ボトムゲートＴＦＴ）４０５、ＴＦＴ４０５を覆う樹脂からなる平坦化層１０６、この平坦化層４０６上には厚さが１００ｎｍ〜３００ｎｍの銀から成る反射電極（第１電極）４０７、さらに上記平坦化層４０６、反射電極４０７等を覆うように厚さが５０ｎｍ〜１５０ｎｍのポリイミド配向膜４０８が順次形成されている。このようにＴＦＴ基板（第１電極基板）が構成されている。上記ＴＦＴ４０５は液晶を駆動するための駆動素子であり、例えば低温ポリシリコン薄膜トランジスタで構成される。
【００４４】
上記第１支持基板基板４０１はプラスチック基板を主材料とするものであり、例えば前記第１の実施の形態と同様に厚さが０．２ｍｍのプラスチック基板に粒子４０２が分散されているものからなる。この粒子４０２は、前記説明した粒子１０２と同様のものを用いる。
【００４５】
上記ＵＶ硬化系接着剤層４０３は、その厚さを粒子の直径以上まで厚くすることにより、第１支持基板４０１にＴＦＴを直接形成した場合に問題となる表面粗さの問題を回避できる。
【００４６】
上記ＴＦＴ基板に対向する位置には、間に液晶層４０９を挟んで上記第１支持基板４０１と同種の第２支持基板４１０が配置される。したがって、第２支持基板４１０は、前記第１支持基板４０１と同様に例えば厚さが０．２ｍｍのプラスチック基板に上記粒子４０２が分散されているものからなる。このプラスチック基板は、上記説明したようなプラスチック材料で形成される。上記第２支持基板４１０には、スパッタ法により成膜したクロム薄膜をフォトリソグラフィーとエッチングでパターニングして形成した画素間遮光用のブラックマトリックス４１１、さらに赤、緑、青の各カラーフィルター４１２、厚さが例えば２μｍのオーバーコート層４１３、厚さが１００ｎｍ〜２００ｎｍのＩＴＯの共通電極（第２電極）４１４、および厚さが５０ｎｍ〜１５０ｎｍのポリイミド配向膜４１５が順次形成されている。このようにして対向基板（第２電極基板）が作成される。
【００４７】
上記のようにして作製したＴＦＴ基板（第１電極基板）と対向基板（第２電極基板）とは直径が２μｍ〜５μｍのスペーサー４１６を介して重ね合わされ、外周がシールされて、ねじれネマティック（ＴＮ）型の液晶層４０９を封入した液晶表示装置４００なる構造を成す。
【００４８】
この液晶表示装置４００に外光Ｌが入射すると、反射電極４０７で反射される。この反射電極４０７で反射された外光Ｌは第２支持基板４０１中の粒子４０２によって散乱される。これにより、表示画面の視野角を拡大させることができる。
【００４９】
上記液晶表示装置４００では、第１支持基板４０１および第２支持基板４１０がプラスチック基板からなり、第１支持基板４０１中および第２支持基板４１０中に該支持基板と屈折率が異なる粒子４０２が分散されていて、両基板とも同一種類の基板となることから、線膨張係数が同等になる。このため、ＴＦＴ基板と対向基板の線膨張係数が異なることにより発生する液晶パネルが反るという問題やシール部がはがれるという問題が回避される。さらに、第１支持基板４０１および第２支持基板４１０には、基板表面の平坦度が比較的悪くなる粒径の大きい粒子が分散されているプラスチック基板を使用することができる。これにより粒径の小さい粒子を分散させた場合と同程度の散乱性を持たせようとした場合、粒子の充填量を少なくすることができ、結果としてプラスチック基板の比重を下げることが可能となる。よって、液晶表示装置４００の軽量化が図れる。
【００５０】
上記液晶表示装置４００においては、上記第１支持基板４０１は、分散されている粒子４０２を含む第２支持基板４１０の線膨張係数と同等なる線膨張係数を有するもので粒子を分散させないプラスチック材料を用いることもできる。言い換えれば、粒子を含まない第１支持基板４０１のプラスチック材料の線膨張係数に一致するように、第２支持基板４１０のプラスチック基板の材料およびその中に分散される粒子４０２の種類、分散量等を選択すればよい。これにより、ＴＦＴ基板と対向基板の線膨張係数が異なることにより発生していた液晶パネルが反るという問題やシール部がはがれるという問題が回避されるとともに、粒子を分散させる必要のない基板を設けたことにより、さらに液晶表示装置の軽量化が図れる。
【００５１】
上記各実施の形態では、粒子１０２および粒子４０２として平均粒径が２μｍ以上４０μｍ以下の無機粒子を分散させることにより、基板全体の線膨張係数を２×１０−５／℃以下に下げることができ、転写技術によって形成されたＴＦＴ層との線膨張係数の差を減少させることが可能で、液晶表示装置の耐熱性、信頼性を向上させることができる。
【００５２】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明の液晶表示装置によれば、対向する第１支持基板および第２支持基板に粒子を分散させて、ＴＦＴ側基板の第１支持基板とＴＦＴ側基板の第２支持基板とを同種なものとしたため、第１支持基板および第２支持基板双方の熱的特性（線膨張係数）を同等にすることができるので第１支持基板および第２支持基板が異なる熱的な変形を受け難くなる。このため、シールのはがれや液晶パネルの反りなどの問題を回避させることができる。また、第１支持基板、第２支持基板に分散された粒子によって光が散乱されるので表示画面の視野角を増大させるが可能になる。このため、各画素に対応した複数の電極を設ける反射板に光散乱処理を施す必要がない。したがって液晶表示装置を製造する際の工程を簡略化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶表示装置に係る第１実施の形態を示す概略構成断面図である。
【図２】薄膜トランジスタの概略構成断面図である。
【図３】ＴＦＴの製造方法を示す製造工程図である。
【図４】本発明の液晶表示装置に係る第２実施の形態を示す概略構成断面図である。
【図５】従来例に係る反射型液晶表示装置の概略構成断面図である。
【符号の説明】
１００…液晶表示装置、１０１…第１支持基板、１０２…粒子、１０７…透明電極（第１電極）、１１０…液晶層、１１１…第２支持基板、１１５…共通電極（第２電極）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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