(57)【要約】【課題】同軸コネクタの中心導体と回路基板の線路導体との接続強度が高いとともに高周波信号の伝送性に優れる半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体素子収納用パッケージは、半導体素子５を載置するための載置部１ａを有する回路基板６と、回路基板６が接合された基体１と、回路基板６を囲繞する枠体２と、外周導体３ａ，中心導体３ｂ，絶縁体３ｃから成る同軸コネクタ３とを具備する半導体素子収納用パッケージにおいて、回路基板６は、その上面に一端側が中心導体３ｂに他端側が半導体素子５にそれぞれ電気的に接続される線路導体６ａが形成されており、中心導体３ｂは、線路導体６ａとの接続部３ｄがその残部よりも薄肉で幅広の薄肉部３ｄとされているとともに、薄肉部３ｄの上下面が平坦面で側面の中央部が外側に膨らんだ曲面状とされている。【選択図】  図１
2004228965.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面の中央部に半導体素子を載置するための載置部を有する回路基板と、上面の中央部に前記回路基板が接合された基体と、該基体の上面の外周部に前記回路基板を囲繞するように接合され、側部に貫通孔が形成された枠体と、筒状の外周導体およびその中心軸に設置された中心導体ならびにそれらの間に介在させた絶縁体から成るとともに前記貫通孔に嵌着された同軸コネクタとを具備する半導体素子収納用パッケージにおいて、前記回路基板は、その上面に一端側が前記中心導体に、他端側が前記半導体素子にそれぞれ電気的に接続される線路導体が形成されており、前記中心導体は、前記線路導体との接続部がその残部よりも薄肉で幅広の薄肉部とされているとともに、該薄肉部は上下面が平坦面で側面の中央部が外側に膨らんだ曲面状とされていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
請求項１記載の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定されるとともに前記線路導体に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、信号入出力部に同軸コネクタを用いた半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光通信分野で用いられる半導体素子や、マイクロ波帯，ミリ波帯等の高周波信号を用いる各種半導体素子を収納する半導体素子収納用パッケージ（以下、パッケージともいう）には、半導体素子と外部電気回路基板とを電気的に接続するための入出力端子として同軸コネクタが用いられている。この同軸コネクタを具備するパッケージを用いた半導体装置を図４に断面図で示す。同図において、２１は基体、２２は枠体、２３は同軸コネクタ、２４は蓋体、２６は回路基板である。
【０００３】
基体２１は鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）合金等の金属から成る四角形状の板状体であり、その上側主面の中央部には、上面にＩＣ，ＬＳＩ，半導体レーザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の半導体素子２５を載置するための載置部２１ａを有する例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）質セラミックス等から成る回路基板２６が接合されている。
【０００４】
基体２１の上側主面の外周部には回路基板２６を囲繞するようにして枠体２２が立設されており、枠体２２は基体２１とともにその内側に半導体素子２５を収容する空所を形成する。この枠体２２は基体２１と同様にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗの焼結材等から成り、基体２１と一体成形される、基体２１に銀ろう等のろう材を介してろう付けされる、または基体２１にシーム溶接法等の溶接法により接合されることによって基体２１の上側主面外周部に立設される。
【０００５】
枠体２２の側部には同軸コネクタ２３が嵌着される貫通孔２２ａが形成されており、貫通孔２２ａ内に同軸コネクタ２３を嵌め込むとともに半田等の封着材２８を貫通孔２２ａ内の隙間に挿入し、しかる後、加熱して封着材２８を溶融させ、溶融した封着材２８を毛細管現象により同軸コネクタ２３と貫通孔２２ａの内面との隙間に充填させることによって、同軸コネクタ２３が貫通孔２２ａ内に封着材２８を介して嵌着接合される。
【０００６】
同軸コネクタ２３は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る円筒状の外周導体２３ａの中心軸部分に、信号線路としてＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る円柱状の中心導体２３ｂが絶縁体２３ｃを介して固定されて成る。そして、接地導体としての外周導体２３ａが封着材２８を介して枠体２２に電気的に接続されており、特性インピーダンスに整合された同軸線路モードの信号線路を形成している。また、中心導体２３ｂが半田等から成る導電性接着材２６ｂを介して回路基板２６の線路導体２６ａに電気的に接続される。線路導体２６ａは、所定の特性インピーダンスに整合されたマイクロストリップ線路となっている（例えば、下記の特許文献１参照）。
【０００７】
そして、回路基板２６の載置部２１ａに半導体素子２５を載置し、ボンディングワイヤ２７等で半導体素子２５の電極と回路基板２６に被着形成されている線路導体２６ａとを電気的に接続した後、枠体２２の上面に蓋体２４をろう付け法やシームウエルド法等の溶接法によって接合し、基体２１、枠体２２および蓋体２４から成る容器内部に半導体素子２５を収容し気密に封止することによって製品としての半導体装置となる。
【０００８】
なお、図４において、２２ｂは同軸コネクタプラグ２９を嵌め込むための貫通孔、２９は同軸コネクタプラグ、３０は外部電気回路に接続された同軸ケーブルである。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００２−１６４４６６号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のパッケージでは、同軸コネクタ２３の中心導体２３ｂと回路基板２６の線路導体２６ａとの接続部において、中心導体２３ｂと線路導体２６ａとを導電性接着材２６ｂを介して接続することによって、線路導体２６ａの表面に中心導体２３ｂが載置されているが、この接続部において中心導体２３ｂは円柱状を呈しており、線路導体２６ａの表面との接続面積が小さいものとなっているため、導電性接着材２６ｂで接続する際、上下や左右への位置ずれが発生し易くなり、その結果、中心導体２３ｂと線路導体２６ａとの接続強度が低下したり、これらの接続部を伝送する高周波信号の伝送性が低下するという問題点を有していた。
【００１１】
また、中心導体２３ｂの断面形状と線路導体２６ａの断面形状とが異なるため、中心導体２３ｂを伝送する高周波信号の周囲に発生する電界と線路導体２６ａを伝送する高周波信号の周囲に発生する電界とが異なり、中心導体２３ｂと線路導体２６ａとの接続部において高周波信号の伝送経路の周囲に発生する電界が急激に変化してインピーダンスの整合がとれなくなり、その結果、この接続部において高周波信号の反射損失が大きくなって高周波信号を効率よく伝送するのが困難になるという問題点を有していた。
【００１２】
さらに、中心導体２３ｂから出た電気力線が回路基板２６の下面に接合した接地導体として機能する基体に結合することによって、中心導体２３ｂと線路導体２６ａとの接続部において容量成分が生じて高周波信号のインピーダンスが低下し、その結果、この接続部においてインピーダンスの整合がとれなくなって高周波信号を効率よく伝送するのが困難になるという問題点を有していた。
【００１３】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、同軸コネクタの中心導体と回路基板の線路導体との接続強度が高いとともに高周波信号の伝送性に優れる半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上面の中央部に半導体素子を載置するための載置部を有する回路基板と、上面の中央部に前記回路基板が接合された基体と、該基体の上面の外周部に前記回路基板を囲繞するように接合され、側部に貫通孔が形成された枠体と、筒状の外周導体およびその中心軸に設置された中心導体ならびにそれらの間に介在させた絶縁体から成るとともに前記貫通孔に嵌着された同軸コネクタとを具備する半導体素子収納用パッケージにおいて、前記回路基板は、その上面に一端側が前記中心導体に、他端側が前記半導体素子にそれぞれ電気的に接続される線路導体が形成されており、前記中心導体は、前記線路導体との接続部がその残部よりも薄肉で幅広の薄肉部とされているとともに、該薄肉部は上下面が平坦面で側面の中央部が外側に膨らんだ曲面状とされていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、中心導体は、線路導体との接続部がその残部よりも薄肉で幅広の薄肉部とされているとともに、薄肉部は上下面が平坦面で側面の中央部が外側に膨らんだ曲面状とされていることから、中心導体の薄肉部の断面形状が線路導体の断面形状に近いものとなって、高周波信号の伝送経路の周囲に発生する電界が中心導体と線路導体との接続部において急激に変化するのを有効に抑制することができ、その結果、この接続部におけるインピーダンスの整合性を良好にして高周波信号を効率よく伝送することができる。
【００１６】
また、薄肉部の上面を平坦面としたことから、薄肉部の上面から生じる電気力線が、回路基板の下面に対しほぼ垂直方向となって回路基板下面に接合した接地導体として機能する基体と結合し難くすることができる。即ち、薄肉部の上面が基体に対する対向電極となって容量成分が生じるのを有効に抑制することができ、その結果、中心導体と線路導体との接続部におけるインピーダンスの低下を有効に抑制して高周波信号を効率よく伝送することができる。
【００１７】
さらに、平坦で接続面積が大きい中心導体の薄肉部によって中心導体を線路導体上に安定に載置することができるため、中心導体と線路導体との位置ずれを有効に抑制できるとともにこれらの接続強度を大きくすることができる。
【００１８】
また、中心導体の薄肉部と線路導体とを接続する導電性接着材が曲面状の薄肉部の側面に濡れ広がってメニスカスを形成することができるため、薄肉部の側面からろう材を経て線路導体にわたる段差の無いなだらかな曲面が形成され、その結果、中心導体と線路導体との接続強度がより強固となる。
【００１９】
本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定されるとともに前記線路導体に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備することを特徴とする。
【００２０】
本発明は、上記構成により、上記本発明の半導体素子収納用パッケージを用いた同軸コネクタの中心導体と回路基板の線路導体との接続強度が高いとともに高周波信号の伝送性に優れる半導体装置を提供できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体素子収納用パッケージについて以下に詳細に説明する。図１は本発明の半導体装置について実施の形態の一例を示す断面図、図２は図１の半導体装置の線路導体と中心導体との接続部について線路方向に垂直な面における部分断面図、図３は図１の半導体装置の線路導体と中心導体との接続部について線路方向に平行な面における部分断面図であり、１は基体、２は枠体、３は同軸コネクタ、４は蓋体、６は回路基板である。
【００２２】
本発明の基体１はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属やＣｕ−Ｗの焼結材等から成り、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法、または射出成形と切削加工等を施すことによって、所定の形状に製作される。
【００２３】
基体１の上側主面の中央部には例えばＡｌ２Ｏ３質セラミックス等から成る回路基板６がろう材を介して接合されており、この回路基板６の載置部１ａにはＩＣ，ＬＳＩ，半導体レーザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の半導体素子５が載置固定される。半導体素子５は、その電極が、回路基板６の上面に被着形成されている線路導体６ａにボンディングワイヤ７等を介して電気的に接続される。つまり、線路導体６ａは、その一端側が中心導体３ｂに、他端側が半導体素子５にそれぞれ電気的に接続される。
【００２４】
また、基体１の上側主面の外周部には回路基板６を囲繞するようにして枠体２が立設接合されており、枠体２は基体１とともにその内側に半導体素子５を収容する空所を形成する。この枠体２は、基体１と同様にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗの焼結材等から成り、基体１と一体成形される、または基体１に銀（Ａｇ）ろう等のろう材を介してろう付けされる、またはシーム溶接法等の溶接法により接合されることによって基体１の上側主面の外周部に立設される。
【００２５】
枠体２の側部には同軸コネクタ３が嵌着される貫通孔２ａが形成されている。貫通孔２ａ内に同軸コネクタ３を嵌め込むとともに半田等の封着材８を貫通孔２ａとの隙間に挿入する。しかる後、加熱して封着材８を溶融させ、溶融した封着材８は毛細管現象により同軸コネクタ３と貫通孔２ａの内面との隙間に充填されることによって、同軸コネクタ３が貫通孔２ａ内に封着材８を介して嵌着接合される。
【００２６】
同軸コネクタ３は、内部に収容する半導体素子５を外部の同軸ケーブル１０に電気的に接続するためのものであり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る円筒状の外周導体３ａの中心軸に同じくＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る中心導体３ｂが絶縁体３ｃを介して固定された構造をしている。
【００２７】
中心導体３ｂを伝送する高周波信号は、貫通孔２ａ，２ｂ部において貫通孔２ａ，２ｂの中心軸を同軸線路のモードで伝送し、特性インピーダンス値に整合されている。そして、中心導体３ｂが枠体２の内面から突出して線路導体６ａと半田等の導電性接着材６ｂにより接続された部位以降では、高周波信号は回路基板６の上面に被着形成された線路導体６ａ上を伝送する。
【００２８】
本発明では、中心導体３ｂと線路導体６ａとの接続部（以下、単に「接続部」といえば線路導体６ａと中心導体３ｂとの接続部をいうこととする）において、図２の接続部における線路方向に対し垂直な面での部分断面図に示すように、中心導体３ｂは、線路導体６ａとの接続部がその残部よりも薄肉で幅広の薄肉部３ｄとされているとともに、薄肉部３ｄは上下面が平坦面で側面の中央部が外側に膨らんだ曲面状とされている。
【００２９】
これにより、中心導体３ｂの薄肉部３ｄの断面形状が線路導体６ａの断面形状に近いものとなって、高周波信号の伝送経路の周囲に発生する電界が接続部において急激に変化するのを有効に抑制することができ、その結果、この接続部におけるインピーダンスの整合性を良好にして高周波信号を効率よく伝送することができる。
【００３０】
また、薄肉部３ｄの上面を平坦面としたことから、薄肉部３ｄの上面から生じる電気力線が、回路基板６の下面に対しほぼ垂直方向となって回路基板６下面に接合した接地導体として機能する基体１と結合し難くすることができる。即ち、薄肉部３ｄの上面が基体１に対する対向電極となって容量成分が生じるのを有効に抑制することができ、その結果、接続部におけるインピーダンスの低下を有効に抑制して高周波信号を効率よく伝送することができる。
【００３１】
さらに、平坦で接続面積が大きい中心導体３ｂの薄肉部３ｄによって中心導体３ｂを線路導体６ａ上に安定に載置することができるため、中心導体３ｂと線路導体６ａとの位置ずれを有効に抑制できるとともにこれらの接続強度を大きくすることができる。
【００３２】
また、図２に示すように、中心導体３ｂの薄肉部３ｄと線路導体６ａとを接続する導電性接着材６ｂが曲面状の薄肉部３ｄの側面に濡れ広がってメニスカスを形成することができるため、薄肉部３ｄの側面からろう材を経て線路導体６ａにわたる段差の無いなだらかな曲面が形成され、その結果、中心導体３ｂと線路導体６ａとの接続強度がより強固となる。
【００３３】
薄肉部３ｄの側面は中央部が外側に膨らんだ円弧状や楕円形状等の曲面状であり、特に導電性接着材６ｂが良好なメニスカスを形成して薄肉部３ｄから導電性接着材６ｂを経て線路導体６ａにわたるなだらかな曲面を形成し易くするという観点から、円弧状であることが好ましい。
【００３４】
薄肉部３ｄは、図３に示すように、薄肉部３ｄの長さをＬ１、薄肉部３ｄの厚さをＬ２としたときに、好ましくは、Ｌ１が０．１ｍｍ≦Ｌ１≦１ｍｍとされるのがよい。Ｌ１＜０．１ｍｍの場合、薄肉部３ｄの長さが短かすぎて接続部でのインピーダンスを特性インピーダンスに近い値とすることができず、接続部での高周波信号の反射損失が増大する。Ｌ１＞１ｍｍの場合、薄肉部３ｄの長さが長すぎて薄肉部３ｄで折れ等の破損が生じやすくなる。また薄肉部３ｄと線路導体６ａとを金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）半田等の導電性接着材６ｂで加熱により接続した後の冷却時に導電性接着材６ｂとの熱膨張差により薄肉部３ｄが破損しやすくなる。
【００３５】
また、Ｌ２は０．１ｍｍ≦Ｌ２≦０．５ｍｍとされるのがよい。Ｌ２＜０．１ｍｍの場合、薄肉部３ｄの厚さが薄すぎるため、薄肉部３ｄと線路導体６ａとを金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）半田等の導電性接着材６ｂで加熱により接続した後の冷却時に導電性接着材６ｂと薄肉部３ｄとの熱膨張差により薄肉部３ｄが破損し易くなる。Ｌ２＞０．５ｍｍの場合、薄肉部３ｄの厚さが厚すぎるため、高周波信号の大きな反射損失が発生しやすくなり、接続部における反射損失が大きくなってしまい、高周波信号を効率よく伝送できなくなりやすい。
【００３６】
中心導体３ｂは、薄肉部３ｄとその残部との間に厚み差による段差を有しているが、この段差をなだらかな傾斜面や曲面とするのがよい。これにより、表皮効果によって中心導体３ｂの表面近くを伝送する高周波信号の反射損失を有効に抑制することができる。
【００３７】
また、薄肉部３ｄの幅は、線路導体６の幅の１．０５〜１．５倍とするのがよい。１．０５倍未満であると、線路導体６との接続面積が小さくなって中心導体３ｂを線路導体６上に安定に載置し難くなるため、中心導体３ｂと線路導体６ａとの位置ずれが生じ易くなったり、接続部の接続強度が小さくなりやすい。一方、１．５倍を超えると、導電性接着材６ｂが薄肉部３ｄの側面に濡れ広がって良好なメニスカスを形成し難くなり、薄肉部３ｄの側面からろう材を経て線路導体６ａにわたる段差の無いなだらかな曲面を形成することが困難となって中心導体３ｂと線路導体６ａとの接続強度が低下し易くなる。また、線路導体６ａの幅と薄肉部３ｄの幅との差が大きくなり、接続部においてインピーダンスの急激な変化が生じ易くなって高周波信号の伝送性が低下しやすくなる。
【００３８】
さらに、薄肉部３ｄの上面は回路基板６の下面に対して平行であることが好ましい。これにより、薄肉部３ｄの上面から生じる電気力線が、回路基板６の下面に対し垂直方向となって回路基板６下面に接合した接地導体として機能する基体１との結合をより小さくすることができ、その結果、接続部における容量成分の増加によるインピーダンスの低下をより有効に抑制して高周波信号の伝送性をより向上することができる。
【００３９】
枠体２の貫通孔２ｂ内に挿入固定される同軸コネクタプラグ９は、外部電気回路に接続された同軸ケーブル１０と枠体２に嵌着された同軸コネクタ３とを接続するためのプラグであり、例えばその外周面がネジ状となっており、貫通孔２ｂの内周面にネジ切りを形成することにより、同軸コネクタプラグ９を貫通孔２ｂにネジ止めすることができる。
【００４０】
そして、本発明のパッケージは、半導体素子５を回路基板６上の載置部１ａに載置固定した後、半導体素子５の電極と回路基板６の上面に形成された線路導体６ａとをボンディングワイヤ７等で電気的に接続し、しかる後、枠体２の上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る蓋体４を半田付け法やシームウエルド法により接合することにより製品としての半導体装置となる。
【００４１】
この半導体装置は、基体１が外部電気回路基板に実装され、同軸コネクタプラグ９と外部電気回路に接続された同軸ケーブル１０とを接続することにより、内部に収容する半導体素子５が外部電気回路に電気的に接続され、半導体素子５が高周波信号で作動することとなる。
【００４２】
本発明における高周波信号の好ましい周波数は５〜１００ＧＨｚ程度であり、この場合に高周波信号の伝送特性を良好なものとすることができる。
【００４３】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。
【００４４】
【発明の効果】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上面の中央部に半導体素子を載置するための載置部を有する回路基板と、上面の中央部に回路基板が接合された基体と、この基体の上面の外周部に回路基板を囲繞するように接合され、側部に貫通孔が形成された枠体と、筒状の外周導体およびその中心軸に設置された中心導体ならびにそれらの間に介在させた絶縁体から成るとともに貫通孔に嵌着された同軸コネクタとを具備する半導体素子収納用パッケージにおいて、回路基板は、その上面に一端側が中心導体に、他端側が半導体素子にそれぞれ電気的に接続される線路導体が形成されており、中心導体は、線路導体との接続部がその残部よりも薄肉で幅広の薄肉部とされているとともに、薄肉部は上下面が平坦面で側面の中央部が外側に膨らんだ曲面状とされていることから、中心導体の薄肉部の断面形状が線路導体の断面形状に近いものとなって、高周波信号の伝送経路の周囲に発生する電界が中心導体と線路導体との接続部において急激に変化するのを有効に抑制することができ、その結果、この接続部におけるインピーダンスの整合性を良好にして高周波信号を効率よく伝送することができる。
【００４５】
また、薄肉部の上面を平坦面としたことから、薄肉部の上面から生じる電気力線が、回路基板の下面に対しほぼ垂直方向となって回路基板下面に接合した接地導体として機能する基体と結合し難くすることができる。即ち、薄肉部の上面が基体に対する対向電極となって容量成分が生じるのを有効に抑制することができ、その結果、中心導体と線路導体との接続部におけるインピーダンスの低下を有効に抑制して高周波信号を効率よく伝送することができる。
【００４６】
さらに、平坦で接続面積が大きい中心導体の薄肉部によって中心導体を線路導体上に安定に載置することができるため、中心導体と線路導体との位置ずれを有効に抑制できるとともにこれらの接続強度を大きくすることができる。
【００４７】
また、中心導体の薄肉部と線路導体とを接続する導電性接着材が曲面状の薄肉部の側面に濡れ広がってメニスカスを形成することができるため、薄肉部の側面からろう材を経て線路導体にわたる段差の無いなだらかな曲面が形成され、その結果、中心導体と線路導体との接続強度がより強固となる。
【００４８】
本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、載置部に載置固定されるとともに線路導体に電気的に接続された半導体素子と、枠体の上面に接合された蓋体とを具備することにより、上記本発明の半導体素子収納用パッケージを用いた同軸コネクタの中心導体と回路基板の線路導体との接続強度が高いとともに高周波信号の伝送性に優れる半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置について実施の形態の例を示す断面図である。
【図２】図１の半導体装置の線路導体と中心導体との接続部について線路方向に垂直な面における部分断面図である。
【図３】図１の半導体装置の線路導体と中心導体との接続部について線路方向に平行な面における部分断面図である
【図４】従来の半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１：基体
１ａ：載置部
２：枠体
２ａ：貫通孔
３：同軸コネクタ
３ａ：外周導体
３ｂ：中心導体
３ｃ：絶縁体
３ｄ：薄肉部
５：半導体素子
６：回路基板
６ａ：線路導体
【図１】
2004228965.tif 000003
【図２】
2004228965.tif 000004
【図３】
2004228965.tif 000005
【図４】
2004228965.tif 000006