(57)【要約】【課題】高周波信号の伝送効率に優れた半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体素子収納用パッケージは、上面に半導体素子５を搭載した回路基板６が直方体状の導電性基台１１を介して載置される載置部１ａを有する基体１と、基体１の上面の外周部に載置部１ａを囲繞するように取着され、側部に断面が円形状の貫通孔２ａが形成された枠体２と、貫通孔２ａに嵌着された、円筒状の外周導体３ａおよびこの外周導体３ａの中心軸に設置された中心導体３ｂならびにそれらの間に介在させた絶縁体３ｃから成る同軸コネクタ３とを具備しており、導電性基台１１は、同軸コネクタ３側の側面が下面との間で面取りされているとともに側部の内面に接している。【選択図】  図１
2004296790.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に半導体素子を搭載した回路基板が直方体状の導電性基台を介して載置される載置部を有する基体と、該基体の上面の外周部に前記載置部を囲繞するように取着され、側部に断面が円形状の貫通孔が形成された枠体と、前記貫通孔に嵌着された、円筒状の外周導体および該外周導体の中心軸に設置された中心導体ならびにそれらの間に介在させた絶縁体から成る同軸コネクタとを具備しており、前記導電性基台は、前記同軸コネクタ側の側面が下面との間で面取りされているとともに前記側部の内面に接していることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
請求項１記載の半導体素子収納用パッケージと、前記回路基板に搭載されるとともに前記載置部に前記導電性基台を介して載置されて前記同軸コネクタに電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に取着された蓋体とを具備していることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体素子、特に高周波で作動する半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージ（以下、単にパッケージともいう）には、内部の半導体素子と外部の同軸ケーブルとを電気的に接続するための同軸コネクタが設けられている。この同軸コネクタが設けられたパッケージを図２，図３に示す。これらの図において、２１は基体、２２は枠体、２３は同軸コネクタである。基体２１は、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）合金等の金属から成る四角形状の板体である。
【０００３】
基体２１の上面中央部には、半導体素子２５を載置するための載置部２１ａが形成されている。載置部２１ａには、半導体素子２５が、例えば上面に線路導体２６ａを有するアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）質セラミックスから成る回路基板２６等に実装されその電極が線路導体２６ａにボンディングワイヤ２７を介して電気的に接続された状態で載置固定される。
【０００４】
また、基体２１の上面の外周部には載置部２１ａを囲繞するように枠体２２が取着されており、枠体２２は基体２１とともに半導体素子２５を収容する空所を形成する。
【０００５】
枠体２２は、基体２１と同様にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ合金等の金属から成り、基体２１と一体成形されることによって、または基体２１に銀（Ａｇ）ロウ，Ａｇ−Ｃｕロウ等のロウ材を介してロウ付けされたり、シーム溶接法等の溶接法により溶接されることによって、基体２１の上面の外周部に取着される。この枠体２２は、側部に同軸コネクタ２３が嵌着される貫通孔２２ａが形成されており、貫通孔２２ａに同軸コネクタ２３が嵌入されるとともに、同軸コネクタ２３の外周面と貫通孔２２ａの内周面とが金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）半田，鉛（Ｐｂ）−Ｓｎ半田等の半田から成る封着材２８を介して接合固定されている。
【０００６】
さらに、枠体２２に形成された貫通孔２２ａは、図３に示すように、その直径が外面に向けて全周にわたり段状に広がった段差から成る封着材挿入部２２ｂを有している。これにより、貫通孔２２ａに同軸コネクタ２３を挿入し封着材２８で封着した際に、封着材挿入部２２ｂにおいて封着材２８のメニスカスが形成され、貫通孔２２ａに同軸コネクタ２３が強固かつ気密性よく封着される。
【０００７】
貫通孔２２ａに嵌着される同軸コネクタ２３は、パッケージ内部に収容する半導体素子２５を外部電気回路に接続させるための同軸ケーブルに電気的に接続されるものである。そして、同軸コネクタ２３は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る円筒状の外周導体２３ａの中心軸に、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る中心導体２３ｂを絶縁体２３ｃを介して固定したものであり、外周導体２３ａが貫通孔２２ａに封着材２８を介して封着されるとともに、中心導体２３ｂが回路基板２６の線路導体２６ａにＡｕ−Ｓｎ半田，Ｐｂ−Ｓｎ半田等の接合材を介して電気的に接続されている。
【０００８】
そして、基体２１の載置部２１ａに、半導体素子２５がその電極を線路導体２６に電気的に接続した状態で実装された回路基板２６を載置し、しかる後、線路導体２６ａと同軸コネクタ２３の中心導体２３ｂとを半田を介して接続し、最後に枠体２２の上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る蓋体２４を半田付けやシームウエルド法により接合することにより、製品としての半導体装置となる。さらに、同軸コネクタ２３に同軸ケーブルを電気的に接続することにより、パッケージ内部に収容された半導体素子２５が外部電気回路に電気的に接続されることとなる（例えば、下記の特許文献１参照）。
【０００９】
【特許文献１】
特開平９−６４２１９号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のパッケージにおいては、線路導体２６ａを伝送する高周波信号が高周波帯域のものになるにつれ、高周波信号の伝送特性を良好にするために回路基板２６を薄くする必要性が生じてきた。回路基板２６を薄型化すると、基体２１と回路基板２６とのロウ付け時に、基体２１と回路基板２６との熱膨張差による応力が発生し、回路基板２６にクラック等の破損が生じるという問題点があった。またパッケージを外部電気回路基板にネジ止め等によって固定する際に基体２１に外力が加わると、基体２１に応力が発生し、その応力が回路基板２６にも加わって回路基板２６にクラック等の破損を生じるという問題点があった。このように、回路基板２６にクラック等の破損が生じると、線路導体２６ａが断線して高周波信号が伝送できなくなるという問題点があった。
【００１１】
また、上記従来のパッケージにおいては、基体２１と枠体２２とを接合するためのロウ材が基体２１と枠体２２との接合部周囲に溜まってしまう等の理由で回路基板２６を枠体２２の内面に完全に当接させるのが困難であった。そして、図２に示すように線路導体２６ａと同軸コネクタ２３の中心導体２３ｂとの接続部において枠体２２の内面と回路基板２６の側面との間に隙間が生じていた。この隙間の上側では中心導体２３ｂはインピーダンス整合されていない線路であり、中心導体２３ｂを伝送する高周波信号に反射等の伝送損失が発生し、高周波信号が高周波帯域のものになるにつれ伝送損失が顕著になるという問題点があった。
【００１２】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、高周波信号の伝送効率に優れた半導体素子収納用パッケージを提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上面に半導体素子を搭載した回路基板が直方体状の導電性基台を介して載置される載置部を有する基体と、該基体の上面の外周部に前記載置部を囲繞するように取着され、側部に断面が円形状の貫通孔が形成された枠体と、前記貫通孔に嵌着された、円筒状の外周導体および該外周導体の中心軸に設置された中心導体ならびにそれらの間に介在させた絶縁体から成る同軸コネクタとを具備しており、前記導電性基台は、前記同軸コネクタ側の側面が下面との間で面取りされているとともに前記側部の内面に接していることを特徴とする。
【００１４】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上面に半導体素子を搭載した回路基板が直方体状の導電性基台を介して載置される載置部を有する基体と、この基体の上面の外周部に載置部を囲繞するように取着され、側部に断面が円形状の貫通孔が形成された枠体と、貫通孔に嵌着された、円筒状の外周導体およびこの外周導体の中心軸に設置された中心導体ならびにそれらの間に介在させた絶縁体から成る同軸コネクタとを具備しており、導電性基台は、同軸コネクタ側の側面が下面との間で面取りされているとともに枠体の側部の内面に接していることから、線路導体を伝送する高周波信号が高周波帯域のものになって、高周波信号の伝送特性を良好にするために回路基板を薄くしても、基体と回路基板とを導電性基台を介してロウ付けするため、回路基板が導電性基台によって補強され、回路基板にクラック等の破損が生じるのを有効に抑制することができる。
【００１５】
また、半導体素子収納用パッケージを外部電気回路基板にネジ止め等によって固定する際に基体に外力が加わって応力が発生しても、基体から伝わる応力を導電性基台が有効に吸収することにより回路基板にその応力が直接加わることがなくなって回路基板にクラック等の破損を生じるのを有効に抑制することができる。その結果、回路基板の上面の線路導体に高周波信号を長期にわたって常に正常かつ安定に伝送させることができる。
【００１６】
さらに、導電性基台の同軸コネクタ側の側面が下面との間で面取りされているとともに枠体の側部の内面に接しているため、枠体の内面と基体の上面との間にロウ材のメニスカスのようなロウ材溜りが形成されていても、回路基板を枠体の内面に完全に当接させることができる。即ち、線路導体と同軸コネクタの中心導体との接続部において枠体の内面と回路基板の側面との間に隙間を生じさせることなく回路基板を枠体の内面に完全に当接させて固定できる。その結果、中心導体の枠体内面に突出した部分においてもインピーダンス整合された線路とすることができ、中心導体を伝送する高周波信号が高周波帯域のものになっても伝送効率を非常に良好なものとすることができる。
【００１７】
また、導電性基台の下面と同軸コネクタ側の側面との間の面取り面、枠体の内面および基体の上面から囲まれる隙間の体積を大きくすることができ、熱膨張差による応力が集中し易いこれら３つの部品が接する部位における応力をこの大きな体積のロウ材によって有効に吸収することが可能となり、応力が回路基板に伝達して回路基板にクラックが生じるのを著しく有効に緩和することができる。
【００１８】
本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記回路基板に搭載されるとともに前記載置部に前記導電性基台を介して載置されて前記同軸コネクタに電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に取着された蓋体とを具備していることを特徴とする。
【００１９】
本発明の半導体装置は、上記構成により、上記本発明の半導体素子収納用パッケージを用いた高周波信号伝送効率に優れたものとなる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体素子収納用パッケージについて以下に詳細に説明する。図１は本発明のパッケージの実施の形態の一例を示す断面図である。この図において、１は基体、２は枠体、３は同軸コネクタ、６は回路基板、１１は導電性基台である。
【００２１】
本発明のパッケージは、上面に半導体素子５を搭載した回路基板６が直方体状の導電性基台１１を介して載置される載置部１ａを有する基体１と、基体１の上面の外周部に載置部１ａを囲繞するように取着され、側部に断面が円形状の貫通孔２ａが形成された枠体２と、貫通孔２ａに嵌着された、円筒状の外周導体３ａおよび外周導体３ａの中心軸に設置された中心導体３ｂならびにそれらの間に介在させた絶縁体３ｃから成る同軸コネクタ３とを具備しており、導電性基台１１は、下面と同軸コネクタ３側の側面との間が面取りされているとともに枠体２の側部の内面にこの同軸コネクタ３側の側面が接している。
【００２２】
本発明における基体１は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金，Ｃｕ−Ｗ合金等の金属から成る四角形状の板体であり、その上面の中央部には、半導体素子５を搭載した回路基板６を導電性基台１１を介して載置するための載置部１ａが形成されている。基体１は、金属のインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定形状に製作される。
【００２３】
基体１の載置部１ａには、上面に線路導体６ａを有するアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）質焼結体，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体等のセラミックスから成り、上面に半導体素子５を実装してその電極と線路導体６とをボンディングワイヤ７を介して電気的に接続させて成る回路基板６が導電性基台１１を介して載置される。
【００２４】
回路基板６は例えばＡｌ２Ｏ３質焼結体から成る場合以下のようにして作製される。まず、Ａｌ２Ｏ３，酸化珪素（ＳｉＯ２），酸化カルシウム（ＣａＯ），酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等の原料粉末に適当な有機バインダや可塑剤、分散剤、溶剤等を添加混合して泥漿状となす。これを従来周知のドクターブレード法でシート状となすことによって複数枚のセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）を得る。このグリーンシートに、タングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを、スクリーン印刷法等の厚膜形成技術により印刷塗布して、線路導体６ａとなる金属ペースト層を所定パターンに形成する。しかる後、グリーンシートを還元雰囲気中、約１６００℃の温度で焼成することにより製作される。
【００２５】
また線路導体６ａは薄膜形成法によって形成されていてもよく、その場合、線路導体６ａは窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ），ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ合金），チタン（Ｔｉ），パラジウム（Ｐｄ），白金（Ｐｔ）等から形成され、グリーンシートを焼成した後に形成される。
【００２６】
なお、線路導体６ａは、その露出表面にＮｉやＡｕから成るメッキ金属層を１〜２０μｍ程度の厚みに被着させておくのがよく、線路導体６ａの酸化腐食を有効に防止できるとともに線路導体６ａとボンディングワイヤ７や同軸コネクタ３の中心導体３ｂとの接続性を良好なものとすることができる。
【００２７】
この回路基板６は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ合金等の金属等の導電性基台１１を介して基体１の載置部１ａに載置固定される。また、導電性基台１１の下面と同軸コネクタ３側の側面との間には面取り面１１ａが形成されており、回路基板６と導電性部材１１は同軸コネクタ３側の側面が同軸コネクタ３側の枠体２の内面に接するようにして、回路基板６が導電性基台１１にロウ付け固定されるとともに、導電性基台１１が基体１にロウ付け固定されている。このロウ付けの際に用いるロウ材はＡｕ−Ｓｎ半田やＰｂ−Ｓｎ半田等の低融点のものであるのがよく、基体１と枠体２をＡｇロウ等の高融点のロウ材でロウ付けした後、回路基板６と導電性基台１１は同軸コネクタ３側の側面が同軸コネクタ３側の枠体２の内面に接するように位置決めして、回路基板６の側面と枠体２の内面との間に隙間のないようにして、回路基板６と導電性基台１１をロウ付け固定する。
【００２８】
このような構成によって、線路導体６ａを伝送する高周波信号が高周波帯域のものになって、高周波信号の伝送特性を良好にするために回路基板６を薄くしても、基体１と回路基板６とを導電性基台１１を介してロウ付けするため、回路基板６が導電性基台１１によって補強され、回路基板６にクラック等の破損が生じるのを有効に抑制することができる。
【００２９】
また、パッケージを外部電気回路基板にネジ止め等によって固定する際に基体１に外力が加わって応力が発生しても、基体１から伝わる応力を導電性基台１１が有効に吸収することにより回路基板６にその応力が直接加わることがなくなって回路基板６にクラック等の破損を生じるのを有効に抑制することができる。その結果、回路基板６の上面の線路導体６ａに高周波信号を長期にわたって常に正常かつ安定に伝送させることができる。
【００３０】
さらに、導電性基台１１の同軸コネクタ３側の側面が下面との間で面取りされているとともに枠体２の側部の内面に接しているため、枠体２の内面と基体１の上面との間にロウ材のメニスカスのようなロウ材溜りが形成されていても、回路基板６を枠体２の内面に完全に当接させることができる。即ち、線路導体６ａと同軸コネクタ３の中心導体３ｂとの接続部において枠体２の内面と回路基板６の側面との間に隙間を生じさせることなく回路基板６を枠体２の内面に完全に当接させて固定できる。その結果、中心導体３ｂの枠体２内面に突出した部分においてもインピーダンス整合された線路とすることができ、中心導体３ｂを伝送する高周波信号が高周波帯域のものになっても伝送効率を非常に良好なものとすることができる。
【００３１】
また、導電性基台１１の下面と同軸コネクタ３側の側面との間の面取り面１１ａ、枠体２の内面および基体１の上面から囲まれる隙間の体積を大きくすることができ、熱膨張差による応力が集中し易いこれら３つの部品が接する部位における応力をこの大きな体積のロウ材によって有効に吸収することが可能となり、応力が回路基板６に伝達して回路基板６にクラックが生じるのを著しく有効に緩和することができる。
【００３２】
導電性基台１１の下面と同軸コネクタ３側の側面との面取り面１１ａは、縦断面形状が、図１のようなＣ面状の曲面や、曲面状の凹部、四角形状に切り欠いた段差等の形状である。面取り面１１ａの幅および高さ、即ち導電性基台１１の下面と同軸コネクタ３側の側面とをそれぞれ延長したときの接線から導電性基台１１の上下それぞれの端辺までの距離は０．１〜０．５ｍｍ程度であるのがよい。０．１ｍｍ未満であると、面取り面１１ａが小さくなりすぎて、導電性基台１１の同軸コネクタ３側の側面を同軸コネクタ３側の枠体２の内面に完全に当接させるのが困難となる。また、０．５ｍｍを超えて大きくなると、面取り面１１ａが大きくなりすぎ、導電性基台１１を基体１の上面にロウ付けする際に導電性基台１１が基体１の上面に対して傾いた状態でロウ付けされ易くなる。その場合、回路基板６を所望の位置にロウ付けするのが困難となって、中心導体３ｂと線路導体６ａとの接続部がずれてしまい、接続部を伝送する高周波信号に反射損失等の伝送損失が発生し易くなる。
【００３３】
また、導電性基台１１は、同軸コネクタ３の中心導体３ｂに平行な両側面と下面との間が面取りされているとともに枠体２の内面にこれらの両側面が接しており、同軸コネクタ３と反対側の側面は枠体２との間に隙間が空いているのがよい。これにより、線路導体６ａの周囲を導電性基台１１，枠体２および蓋体４で覆って狭い空間内に閉じ込めることにより線路導体６ａに対する電磁遮蔽効果を向上させることができ、線路導体６ａを伝送する高周波信号の損失を有効に抑制することができる。また、同軸コネクタ３と反対側の側面は枠体２との間に隙間が空いていることにより、導電性基台１１の線路導体６ａの線路方向の熱膨張による応力をこの隙間で緩和することができ、導電性基台１１が熱応力により歪んで線路導体６ａと中心導体３ｂとの接合が破壊されるのを有効に抑制することができる。
【００３４】
さらにより好ましくは、導電性基台１１は、線路導体６ａに沿った部位において線路導体６の線路方向に直交する幅がその残部よりも大きくなっており、この幅が大きい部位の両側面と下面との間が面取りされているとともに枠体２の内面にこれらの両側面が接しており、さらに残部の両側面と同軸コネクタ３と反対側の側面は枠体２との間に隙間が空いているのがよい。これにより、線路導体６ａの線路導体６ａの周囲を導電性基台１１，枠体２および蓋体４で覆って狭い空間内に閉じ込めることにより線路導体６ａに対する電磁遮蔽効果を向上させることができ、線路導体６ａを伝送する高周波信号の損失を有効に抑制することができる。また、残部の両側面と同軸コネクタ３と反対側の側面は枠体２との間に隙間が空いていることにより、導電性基台１１の熱膨張による応力をこの隙間でより有効に緩和することができ、導電性基台１１が熱応力により縦および横方向に歪んで回路基板６にクラックが生じるのを有効に抑制できる。
【００３５】
また、基体１の上面の外周部には載置部１ａを囲繞するようにして枠体２が取着されており、枠体２は基体１とともに半導体素子５を収容する空所を形成する。この枠体２は、基体１と同様にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ合金等の金属から成り、基体１にＡｇロウ等の高融点のロウ材を介してロウ付けされる、または基体１にシーム溶接法等の溶接法により溶接される、または基体１と一体成形されることによって、基体１の上面の外周部に取着されている。
【００３６】
枠体２は、側部に同軸コネクタ３が嵌着される貫通孔２ａが形成されており、貫通孔２ａに同軸コネクタ３が嵌入されるとともに同軸コネクタ３の外周面と貫通孔２ａの内周面とがＡｕ−Ｓｎ半田，Ｐｂ−Ｓｎ半田等の半田から成る封着材８を介して固定されている。
【００３７】
枠体２の貫通孔２ａに嵌入される同軸コネクタ３は、パッケージ内部に収容される半導体素子５を外部の同軸ケーブル１０に電気的に接続するものであり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る円筒状の外周導体３ａの中心軸に、同じくＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る中心導体３ｂが絶縁体３ｃを介して固定された構造である。なお、同軸ケーブル１０は、内周面にネジ切り（ネジ部２ｃ）が形成された貫通孔２ａに連続して形成された大径部２ｃにネジ込まれて固定された円筒状固定部材９を介して、同軸コネクタ３に電気的に接続される。すなわち、同軸ケーブル１０の中心導体は同軸コネクタ３の中心導体３ｂに接することにより電気的に接続され、同軸ケーブル１０の外周導体は円筒状固定部材９を介して同軸コネクタ３の外周導体３ａに接することにより接続される。
【００３８】
なお、円筒状固定部材９はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金等の金属から成る。
【００３９】
中心導体３ｂで伝送される高周波信号は、中心導体３ｂが枠体２の内面から突出していない部分では同軸線路のモードで伝送し、特性インピーダンス値に整合されている。中心導体３ｂが枠体２の内面から突出して線路導体６ａと半田等の導電性接着材により接続された部分以降では、高周波信号は回路基板６の上面に被着形成された線路導体６ａ上を伝送される。
【００４０】
かくして、本発明のパッケージは、基体１の載置部１ａに、半導体素子５をその電極と線路導体６とを電気的に接続させて実装した回路基板６を導電性基台１１を介して載置し、しかる後、線路導体６ａと同軸コネクタ３の中心導体３ｂとを半田を介して電気的に接続し、貫通孔２ａに連続して形成された大径部２ｃに円筒状固定部材９をネジ込んで固定し、最後に枠体２の上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る蓋体４を半田付け法やシームウエルド法により接合することにより、製品としての半導体装置となる。そして、円筒状固定部材９に外部電気回路に接続される同軸ケーブル１０を嵌合させることにより、半導体装置内部に収容された半導体素子５が外部電気回路に電気的に接続される。
【００４１】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何ら差し支えない。
【００４２】
【発明の効果】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上面に半導体素子を搭載した回路基板が直方体状の導電性基台を介して載置される載置部を有する基体と、この基体の上面の外周部に載置部を囲繞するように取着され、側部に断面が円形状の貫通孔が形成された枠体と、貫通孔に嵌着された、円筒状の外周導体およびこの外周導体の中心軸に設置された中心導体ならびにそれらの間に介在させた絶縁体から成る同軸コネクタとを具備しており、導電性基台は、同軸コネクタ側の側面が下面との間で面取りされているとともに側部の内面に接していることから、線路導体を伝送する高周波信号が高周波帯域のものになって、高周波信号の伝送特性を良好にするために回路基板を薄くしても、基体と回路基板とを導電性基台を介してロウ付けするため、回路基板が導電性基台によって補強され、回路基板にクラック等の破損が生じるのを有効に抑制することができる。
【００４３】
また、半導体素子収納用パッケージを外部電気回路基板にネジ止め等によって固定する際に基体に外力が加わって応力が発生しても、基体から伝わる応力を導電性基台が有効に吸収することにより回路基板にその応力が直接加わることがなくなって回路基板にクラック等の破損を生じるのを有効に抑制することができる。その結果、回路基板の上面の線路導体に高周波信号を長期にわたって常に正常かつ安定に伝送させることができる。
【００４４】
さらに、導電性基台の同軸コネクタ側の側面が下面との間で面取りされているとともに側部の内面に接しているため、枠体の内面と基体の上面との間にロウ材のメニスカスのようなロウ材溜りが形成されていても、回路基板を枠体の内面に完全に当接させることができる。即ち、線路導体と同軸コネクタの中心導体との接続部において枠体の内面と回路基板の側面との間に隙間を生じさせることなく回路基板を枠体の内面に完全に当接させて固定できる。その結果、中心導体の枠体内面に突出した部分においてもインピーダンス整合された線路とすることができ、中心導体を伝送する高周波信号が高周波帯域のものになっても伝送効率を非常に良好なものとすることができる。
【００４５】
また、導電性基台の下面と同軸コネクタ側の側面との間の面取り面、枠体の内面および基体の上面から囲まれる隙間の体積を大きくすることができ、熱膨張差による応力が集中し易いこれら３つの部品が接する部位における応力をこの大きな体積のロウ材によって有効に吸収することが可能となり、応力が回路基板に伝達して回路基板にクラックが生じるのを著しく有効に緩和することができる。
【００４６】
本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、回路基板に搭載されるとともに載置部に導電性基台を介して載置されて同軸コネクタに電気的に接続された半導体素子と、枠体の上面に取着された蓋体とを具備していることにより、上記本発明の半導体素子収納用パッケージを用いた高周波信号伝送効率に優れたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージについて実施の形態の例を示す断面図である。
【図２】従来の半導体素子収納用パッケージの断面図である。
【図３】図２の半導体素子収納用パッケージの要部拡大断面図である。
【符号の説明】
１：基体
１ａ：載置部
２：枠体
２ａ：貫通孔
３：同軸コネクタ
３ａ：外周導体
３ｂ：中心導体
３ｃ：絶縁体
５：半導体素子
１１：導電性基台
【図１】
2004296790.tif 000003
【図２】
2004296790.tif 000004
【図３】
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