(57)【要約】【課題】微小の半導体装置であっても、実装後のヒートサイクル性が大幅に向上するほど基板に強固に固定できる半導体装置及びその製造方法を得ること。【解決手段】本発明の一実施形態の半導体装置３０は、半導体チップＤがほぼ中央部に封止層３１により封止され、その封止層３１の各角に、それぞれの角を挟む二側面と下面が露出する補強部材が埋設されている構造で構成されている。【選択図】        図１
2004228367.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップがほぼ中央部に封止樹脂により封止され、該封止樹脂により形成された封止層の外周辺の特定箇所に、補強部材を、その少なくとも下面と側面とが露出するように埋設されている構造で構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記特定箇所が前記封止層の各側辺の中間部であり、前記補強部材がその下面と側面とが前記中間部の下面と側面とに露出するように埋設されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記特定箇所が前記封止層の各角であり、前記補強部材がその下面と前記角を挟む二側面とが露出するように前記角に埋設されている構造で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体チップがほぼ中央部に封止樹脂により封止され、該封止樹脂により形成された封止層の各角及び又は各辺に、補強部材が前記封止層の前記角を挟む二側面及び又は前記封止層の前記各辺の側面と下面が露出するように埋設されている半導体装置を実装基板に実装するに当たり、該半導体装置を実装する実装基板上の前記各補強部材の下面に補強ランドがそれぞれ形成されていて、それら補強ランドのほぼ中心部に前記各補強部材が位置するように前記半導体装置が配置されて前記補強部材の下面が直接或いは金属層を介して半田付けされていると共に前記側面も半田付けされていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項５】
前記補強ランドの面積が前記補強部材の下面の面積の数倍の面積でそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の実装構造。
【請求項６】
表面が平面な基板を用意する工程と、
該基板の表面に所定の間隔で複数の半導体チップを載置、配列する工程と、
前記基板上に載置された複数の半導体チップの角の中間部分に半田付け可能な補強部材を載置、配列する工程と、
前記複数の半導体チップと補強部材とを封止樹脂で封止する工程と、
前記封止された複数の半導体チップと補強部材とに配線を施す工程と、
前記複数の補強部材の中心部を通るライン上で前記複数の半導体チップを少なくとも１個含む状態で切断し、個片化する工程と
を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置、その実装構造及びその製造方法に関し、特に配線回路基板（以下、単に「基板」と記す）に実装後の信頼性を向上させることができる、半導体チップが封止された半導体装置、その実装構造及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
先ず、従来の技術の一例の半導体装置の構造を説明する。
【０００３】
図６は従来技術の一例の半導体装置を示す断面側面図、図７は図６に示した半導体装置をマザーボードに実装した場合の一部断面側面図、図８は図６に示した半導体装置の問題点を解決した一例の半導体装置の一部断面斜視図、そして図９は図８に示した半導体装置をマザーボードに実装した場合の一部断面側面図である。
【０００４】
近年、携帯電話機、モバイル機器、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｉｓｔａｎｔ）といったような電子機器が開発され、これらの電子機器は、ユーザが持ち運びに便利なように、より一層小型化、薄型化、軽量化が進められている。
【０００５】
そこで、これらの電子機器を構成するＬＳｌチップにおいても、小型化、高密度化、薄型化及び軽量化が求められるようになり、ＬＳＩが形成された半導体チップとほぼ同一の大きさのマザーボードなどに実装するＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）が使用されている。
【０００６】
図６は、従来の半導体装置の一例を示す断面図である。この半導体装置１は、基板２に半導体チップＤが実装され、その半導体チップＤの各電極バンプＢを基板２に形成されているそれぞれのランド３にボンディングワイヤ４で接続し、半導体チップＤ、ボンディングワイヤ４を含んで封止樹脂で封止して封止層５を形成した構造のＣＳＰである。基板２にはランド３に接続されて複数のスルーホール６Ａ、６Ｂが形成されており、各スルーホール６Ａ、６Ｂの両端周縁部及び内周部には金属メッキが施されている。
【０００７】
このような構成の半連体装置１をマザーボード７に実装する場合は、図７に示したように、スルーホール６Ａ、６Ｂの下端周縁部に形成されている金属メッキ膜で形成されているランド６ａが、マザーボード７上に形成されているランド７ａと半田８を介して接合される。
【０００８】
この場合、複数のスルーホール６Ａ、６Ｂの内、例えば、四隅のスルーホール６Ａは、半導体装置１をマザーボード７に実装したときの補強部として機能し、その他のスルーホール６Ｂは、基板２と半導体チップＤ及び基板２とマザーボード７とを電気的に接続するための電極部として機能している。
【０００９】
この従来技術の半導体装置１のスルーホール６Ａ、６Ｂのランド６ａは、円盤状に形成されている。また、マザーボード７上のランド７ａも、円盤状に形成されている。従って、マザーボード７に実装した時の補強部として機能するスルーホール６Ａの半田８は、図７に示したように、両端面がランド６ａ、７ａの面に当接した俵状に形成される。
【００１０】
このように、半導体装置１とマザーボード７は面のみで接合されているため、半導体装置１とマザーボード７との間に掛かる引張力に対しては強いが、せん断力に対しては弱いという欠点がある。例えば、携帯電話の釦を押してマザーボードに曲げストレスを掛け、この曲げストレスをマザーボード上の半導体装置の補強部に伝達し、半田が疲労破壊するまでの釦の押し回数をテストするセットキー耐力テストにおいては、８０００回が限界である。
【００１１】
本発明者らはこのような課題を解消し、実装強度を高めた半導体装置及びその製造方法を発明した。その半導体装置及びその製造方法は特許公開公報、特開２００１−７２４２「半導体装置及びその製造方法」に開示されている。その半導体装置１１は、図８に示したように、基板１２、半導体チップ１３、ボンディングワイヤ１４、封止層１５などを有する構造のＣＳＰである。基板１２は、矩形状のガラスエポキシなどの樹脂板で成り、基板１２の表面には、銅メッキとニッケル・金メッキが施されたボンディングパッド１２ａが形成されている。
【００１２】
半導体チップ１３は、基板１２上に、エポキシ系の接着剤１９を介して接着されている。基板１２と半導体チップ１３は、その電極１３ａが金製のボンディングワイヤ１４を用いて基板１２のそれぞれのボンディングパッド１２ａに接続されている。そして、基板１２上の半導体チップ１３やボンディングワイヤ１４などは、エポキシ系の樹脂の封止層１５に覆われて封止されている。
【００１３】
更に、基板１２には、複数の円筒状のスルーホール１６Ａ、１６Ｂが形成されている。各スルーホール１６Ａ、１６Ｂの両端周縁部及び内周部には、銅メッキとニッケル・金メッキが施され、両端周縁部がランド１６ａとして形成されている。複数のスルーホール１６Ａ、１６Ｂの内、四隅のスルーホール１６Ａは、半導体装置１１をマザーボードに実装したときの補強部として機能し、その他のスルーホール１６Ｂは、基板１２と半導体チップ１３及び基板１２とマザーボードとを電気的に接続するための電極部として機能する。
【００１４】
この半導体装置１１の特徴的な部分は、半導体装置１１をマザーボードに実装したときの補強部として機能する四隅のスルーホール１６Ａの形状にある。各スルーホール１６Ａの形状は、その他のスルーホール１６Ｂの形状と異なり、軸方向に１／４にされた円筒状、即ち、内周面が基板１２の側面側に露出したサイドスルー構造に形成されている。
【００１５】
更に、各スルーホけル１６Ａの上部の基板１２上には、ガラスエポキシなどの樹脂板で成る直方体状の枠基板２０が、エポキシ系の接着剤２１を介して接着されている。この枠基板２０は、スルーホール１６Ａがサイドスルー構造にならないことを防止する機能、即ち、封止層１５を形成する際に、封止樹脂がスルーホール１６Ａ内に流れ込み、スルーホール１６Ａを埋めてしまうことを防止するためのものである。
【００１６】
このような構成の半導体装置１１のサイドスルー構造のスルーホール１６Ａを、マザーボード上に形成されているランドと半田を介して接合すると、図９に示したように、スルーホール１６Ａの下端周縁部に形成されているランド１６ａの面（水平面）とスルーホール１６Ａの内周面（垂直面）に半田１８が濡れ広がる状態になる。
【００１７】
このため、半田１８は、マザーボード１７のランド１７ａの面からスルーホール１６Ａのランド１６ａの面及び内周面にかけて包み込む形となり、サイドスルー部はフィレット状に形成される。
【００１８】
従って、この半導体装置１１はマザーボード１７に立体的に接合されることになるため、半導体装置１１とマザーボード１７との間に掛かる引張力のみならず、せん断力に対しても強くなる。
【００１９】
【特許文献１】
特開２００１−７２４２公報
【発明が解決しようとする課題】
前記のように、この半導体装置１１の構造によれば、半田１８がスルーホール１６Ａの内周面にまで回り込み、半田１８の濡れ面積が広がって、マザーボード１７などの基板上への半田付け強度を前記従来技術の半導体装置１におけるそれよりも向上させることができる。
【００２０】
しかし、ＷＬＣＳＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｃｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）は、通常のＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ）構造などの半導体装置に比較して遙かに小さく、その体積の殆どの部分がシリコン（Ｓｉ）などのような、熱膨張率の小さい（３〜４ＰＰＭなど）材料であるため、電子機器などで広く使われている有機基板（膨張率：１５ＰＰＭなど）へ実装すると、その熱膨張率の差によりヒートサイクル試験などで、接合部の半田が熱疲労のため破壊され、不良になるなど、長期の実装の信頼性が悪いという問題点がある。この問題点は、一層小型化される今後の電子機器におけるの信頼性を一段と高めるには重大な障害となっている。
【００２１】
また、前記半導体装置１１を製造するに当たって、スルーホール１６Ａを閉鎖する枠基板２０を必要とし、この枠基板２０は接着剤で接着されることから、それだけ余分な材料と工数、工程が必要になり、それだけ半導体装置のコストアップに跳ね返るという課題がある。
【００２２】
それ故、本発明はこのような課題を解決しようとするものであって、本発明においては、微小の半導体装置であっても、実装後のヒートサイクル性が大幅に向上するほど基板に強固に固定できる半導体装置及びその製造方法を得ることを目的とするものである。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
それ故、本発明においては、一つの発明である半導体装置は、半導体チップをほぼ中央部に封止樹脂により封止し、その封止樹脂により形成された封止層の外周辺の特定箇所に、補強部材を、その少なくとも下面と側面とが露出するように埋設した構造で構成して、前記課題を解決している。
【００２４】
前記特定箇所は前記封止層の各側辺の中間部であってもよく、前記補強部材の下面と側面とが前記中間部の下面と側面とに露出するように埋設する構造を採ってもよい。
【００２５】
また、前記特定箇所は前記封止層の各角であることが好ましく、その場合は前記補強部材の下面と前記角を挟む二側面とが露出するように前記角に埋設する構造を採ることが好ましい。
【００２６】
他の発明である半導体装置の実装構造では、半導体チップがほぼ中央部に封止樹脂により封止され、その封止樹脂により形成された封止層の各角及び又は各辺に、補強部材が前記封止層の前記角を挟む二側面及び又は前記封止層の前記各辺の側面と下面が露出するように埋設されている半導体装置を実装基板に実装するに当たり、その半導体装置を実装する実装基板上の前記各補強部材の下面に補強ランドがそれぞれ形成されていて、それら補強ランドのほぼ中心部に前記各補強部材が位置するように前記半導体装置が配置されて前記補強部材の下面が直接或いは金属層を介して半田付けされていると共に前記側面も半田付けされている構造を採って、前記課題を解決している。
【００２７】
この場合、前記補強ランドの面積が前記補強部材の下面の面積の数倍の面積でそれぞれ形成することが好ましい。
【００２８】
また、更に他の発明である半導体装置の製造方法は、表面が平面な基板を用意する工程と、
その基板の表面に所定の間隔で複数の半導体チップを載置、配列する工程と、前記基板上に載置された複数の半導体チップの角の中間部分に半田付け可能な補強部材を載置、配列する工程と、前記複数の半導体チップと補強部材とを封止樹脂で封止する工程と、前記封止された複数の半導体チップと補強部材とに配線を施す工程と、前記複数の補強部材の中心部を通るライン上で前記複数の半導体チップを少なくとも１個含む状態で切断し、個片化する工程とを含む方法を採って、前記課題を解決している。
【００２９】
従って、本発明の半導体装置によれば、その半導体装置の全ての電極を所定のランドに半田付けすると同時に、全ての補強端子を補強ランドに半田付けすることにより実装基板へ強固に実装することができる。特に補強端子が封止層の各辺に埋設されている半導体装置は、その半導体装置の下面はもとより側面をも実装基板に半田付けでき、その半導体装置を実装基板に一層強固に実装することができる。更に、補強端子が封止層の各角に埋設されている半導体装置は、その半導体装置の下面はもとより二側面をも実装基板に半田付けでき、その半導体装置を実装基板に更に一層強固に実装することができる。更にまた、補強端子が封止層の各角及び各辺に埋設されている半導体装置は、その半導体装置の各角及び各辺の下面はもとより各角を挟む二側面及び各辺の側面をも実装基板に半田付けでき、その半導体装置を実装基板により一層強固に実装することができる。
【００３０】
そして、本発明の半導体装置の実装構造によれば、それぞれの補強端子が封止層の最外方の各角及び又は辺に配設されているので、実装基板に半田付けされた場合に、その半導体装置を強固に固定でき、しかも半田付けは各補強端子の下面と一側面との二面及び又は各補強端子の下面と二側面との三面で半田付けされるので、より一層強固に半田付けにより固定できる。
【００３１】
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、共通の基板に補強部材の配設を半導体チップの配設と同一の手段で行うことができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、図を用いて、本発明の一実施形態の半導体装置及びその製造方法を説明する。
【００３３】
図１は本発明の一実施形態の半導体装置の構造を示していて、同図Ａはその平面図、同図Ｂはその側面図、同図Ｃはそのアクティブ面の平面図、同図Ｄは同図ＣのＡ−Ａ線上における断面側面図、図２は図１に示した半導体装置を実装するための実装基板の平面図、図３は図１に示した半導体装置を図２に示した実装基板に半田付けして実装した図面であって、同図Ａはその上面図、同図Ｂは同図ＡのＡ−Ａ線上における断面側面図、図４は図１に示した本発明の半導体装置の製造方法を説明するための主な工程図、そして図５は図４に示した工程に続く本発明の半導体装置の製造方法を説明するための主な工程図である。
【００３４】
先ず、図１を用いて本発明の一実施形態の半導体装置の構造を説明する。図１において、符号３０は全体として本発明の一実施形態の半導体装置を指す。この半導体装置３０は、アクティブ面に複数の電極パッドＰが所定の間隔で形成されている半導体チップＤの前記アクティブ面を除いて封止樹脂で扁平な四辺形の封止層３１を形成して封止されている。これらの電極パッドＰはアクティブ面及びその外周部の封止層３１にわたって形成され、前記電極パッドＰ部分を除いて形成された絶縁層３２と、その絶縁層３２の表面に形成された配線層３３と、その配線層３３の大部分の表面に絶縁層３４が形成されており、その絶縁層３４からは配線層３３の一部分を露出させて、半導体装置３０を外部へ接続するための電極パッド３５が所定の配列で形成されている。
【００３５】
そしてこの実施形態の本発明の半導体装置３０における特徴は、封止層３１の下方のそれぞれの角に補強端子３６が埋設されている点であり、そしてまた、これらの補強端子３６は、それぞれの角において、それぞれの角を挟む２側面と下面との３面に露出している点にある。また、下面に露出している補強端子３６の表面には配線層３３が形成されている。補強端子３６の材料は、半田付けできるニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）などの金属である。
【００３６】
前記補強端子３６は前記の実施形態の半導体装置３０の構造のように封止層３１の各角に埋設する他、封止層３１の各辺の中間部に埋設してもよく、また、封止層３１の各角及び各辺の双方に埋設する構造を採っても良い。
【００３７】
前記のような半導体装置３０は図２及び図３に示したように、マザーボードなどの実装基板４０へ実装される。
【００３８】
先ず、図２に示したように、実装基板４０を用意する。この実装基板４０の実装面には、実装しようとする半導体装置３０の複数の電極パッド３５に一致する位置に、そして電極パッド３５の面積と同一の面積の接続用ランド４１がそれぞれ形成されている。半導体装置３０のそれぞれの角に形成した補強端子３６に対応する位置に補強ランド４２がそれぞれ形成されている。これら補強ランド４２の面積は補強端子３６の４倍以上が好ましい。そして補強ランド４２の形成位置は半導体装置３０の角が補強ランド４２の中心となるように配設することが好ましい。
【００３９】
次に、この実装基板４０の表面の接続用ランド４１及び補強ランド４２に半田ペーストをスクリーン印刷によって印刷する。この場合のスクリーンの開口部は実装基板４０上の接続用ランド４１及び補強ランド４２と同一の位置で開けられており、その開口面積はマザーボードか半導体装置３０のランドかどちらか大きい方の面積のそれより数十％大きい寸法とするのが好ましい。また、スクリーンの厚みは一般的な８０〜２００μｍでよい。
【００４０】
そして次に、半導体装置３０のそれぞれの電極パッド３５をそれぞれの接続用ランド４１に、そしてそれぞれの補強端子３６を実装基板４０のそれぞれの補強ランド４２の中心に位置を合わせて（図３Ａ）、その半導体装置３０を載置し、通常の温度条件でリフローし、その後冷却する。
【００４１】
このようにして半導体装置３０を実装基板４０に半田付けすると、図３に示したような構造で実装することができる。即ち、各電極パッド３５とそれぞれに対応した接続用ランド４１とを接続すると同時に各補強端子３６をそれぞれに対応した補強ランド４２に半田Ｓで半田付けすることができる。そして図３Ｂに示したように、半導体装置３０が実装基板４０に半田付けされる時に、各補強端子３６の２側面から半田Ｓが濡れ上がり、半田フィレツトＳｆが形成される。従って、本発明の半導体装置３０は、それぞれの補強端子３６の２側面と下面とが半田付けされたことになり、実装基板４０に従来技術の半導体装置における機械的な半田付け強度に比して更に一層強い機械的な半田付け強度で補強されて実装されることになる。
【００４２】
次に、図４及び図５を参照しながら、本発明の一実施形態の半導体装置３０の製造方法を説明する。
【００４３】
先ず、図４Ａの工程において、例えば、厚さ２００μｍ程度の耐熱性ポリイミドやＰＥＴシートに耐熱性の接着剤を塗布した耐熱性接着シート５０、例えば、日東電工製の耐熱性接着シート（商品名「リバアルファー」）などを用意する。
【００４４】
次に、この耐熱性接着シート５０の表面に所定の配列で、例えば、厚さ０．４ｍｍの半導体チップＤを載置し、固定する。同図Ａ（ａ）はその平面図、同図Ａ（ｂ）は矢示から見た側面図である。
【００４５】
次に、同図Ｃに示した工程で、同図（ｂ）のような、例えば、表面に金メッキが施されたＮｉ製の円柱部材３６Ａを半導体装置３０の載置部分の四角、即ち、封止層３１の４角に当たる位置に載置し、固定する。同図Ｃ（ａ）はその平面図、同図Ｃ（ｂ）は円柱部材３６Ａの斜視図、そして同図Ｃ（ｃ）は矢示から見た側面図である。
【００４６】
これらの円柱部材３６Ａは後工程で補強端子３６となるものであって、金メッキの表面処理が施されたＮｉ円柱の他に、金メッキの表面処理が施されたＣｕ、Ｆｅなどでもよく、半田付けが可能な材料であればよい。また、本実施例は、本発明を実現するための１例であって、形状、材料や厚みなどが制約されるものではないことを断っておく。
【００４７】
次に、図４Ｄに示した工程で、封止樹脂３１Ａをトランスファーモールド法、、ポッティング法などによって、半導体チップＤ及び円柱部材３６Ａを覆うように供給する。封止樹脂３１Ａの厚さは、例えば、０．６ｍｍ程度である。その後、封止樹脂３１Ａを硬化させる。
【００４８】
続いて、図５Ａに示した工程で、硬化した封止樹脂３１Ａ、半導体チップＤ、及び円柱部材３６Ａの下面から耐熱性接着シート５０を剥離する。
【００４９】
次に、同図Ｂに示した工程で、耐熱性接着シート５０が剥離されて露出した封止樹脂３１Ａ、半導体チップＤ、及び円柱部材３６Ａの平面に、例えば、ベンゾシクロブテンなどの絶縁層３２Ａをスピンコート法などによって、仕上がりが約５μｍの厚さになるように塗布する。その後、図示しない工程によって配線パターンを形成する。その際、電気的に接続させる半導体チップＤの電極パッド３５及び後に半田付けされる円柱部材３６Ａの表面から絶縁層３２を除去しておく。
【００５０】
続いて、同図Ｃに示した工程で、先ず、クロムミューム（Ｃｒ）を１μｍの厚さで、続いて銅（Ｃｕ）を４μｍの厚さで順次スパッタリング法や蒸着法によってデポジットして行き、全面に導電層３３Ａを形成する。
【００５１】
その後、同図Ｄに示した工程で、その導電層３３Ａを図示していない手段でパターンを形成する。
【００５２】
続いて、同図Ｅに示した工程において、図示していない工程によって、再度、絶縁層３４Ａとしてベンゾシクロブテンを、仕上がり５μｍの厚さになるように形成し、パターンを形成する。
【００５３】
次に、同図Ｆに示したダイシング工程で、半導体チップＤを個片に分割する。その際、切断ラインが円柱部材３６Ａの中心部を通るように切断する。この円柱部材３６Ａの四分割切断によって本発明の構造的特徴とする、図１に示したような補強端子３６が得られる。切断ラインを変更することによって個片化された半製品の半導体装置３０Ａ内に２以上の半導体チップＤを内蔵させることができる。
【００５４】
個片に分割された半製品の半導体装置３０Ａは、その後、同図Ｇに示した工程で、必要に応じてバーンイン、電気検査などを行えば、所望の半導体装置３０が完成する。
【００５５】
前記の実施形態の半導体装置３０はランドグリッドパッケージ構造で示したが、これはボールグリッドパッケージ構造としてもよいことを付言しておく。
【００５６】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明のＷＬＣＳＰ構造の半導体装置は、その四角及び又は四辺に補強端子が配設されていること、そしてそれらの補強端子の下面と少なくとも一側面との複数面が半導体装置から露出していることから、マザーボードのような実装基板に半田付けにより実装した場合に、四角及び又は四辺の補強端子の下面は実装基板の補強ランドに半田付けされ、少なくとも一側面も各補強ランドから半田の濡れ性で形成されるフィレツトで半田付けされ、従って、半導体装置が実装基板上に極めて強固に固定されることになるので、実装後のヒートサイクル性が約４倍と大幅に向上することになり、高機能な電子機器などで要求される高信頼性が実現することができる。
【００５７】
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、耐熱性接着シート上に半導体チップと同様の方法で円柱部材を載置することができ、そして半導体チップなどと共に配線を施すことができるので、追加の工程を必要とせず、従って、特別なコストが発生することなく、本発明の半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の半導体装置の構造を示していて、同図Ａはその平面図、同図Ｂはその側面図、同図Ｃはそのアクティブ面の平面図、同図Ｄは同図ＡのＡ−Ａ線上における断面側面図である。
【図２】図１に示した半導体装置を実装するための実装基板の平面図である。
【図３】図１に示した半導体装置を図２に示した実装基板に半田付けして実装した図面であって、同図Ａはその上面図、同図Ｂは同図ＡのＡ−Ａ線上における断面側面図である。
【図４】図１に示した本発明の半導体装置の製造方法を説明するための主な工程図である。
【図５】図４に示した工程に続く本発明の半導体装置の製造方法を説明するための主な工程図である。
【図６】図６は従来技術の一例の半導体装置を示す断面側面図である。
【図７】図６に示した半導体装置をマザーボードに実装した場合の一部断面側面図である。
【図８】図６に示した半導体装置の問題点を解決した一例の半導体装置の一部断面斜視図である。
【図９】図８に示した半導体装置をマザーボードに実装した場合の一部断面側面図である。
【符号の説明】
３０…本発明の一実施形態の半導体装置、３１…封止層、３２…絶縁層、３３…配線層、３４…絶縁層、３５…電極パッド、３６…補強端子、Ｄ…半導体チップ、Ｐ…電極パッド
【図１】
2004228367.tif 000003
【図２】
2004228367.tif 000004
【図３】
2004228367.tif 000005
【図４】
2004228367.tif 000006
【図５】
2004228367.tif 000007
【図６】
2004228367.tif 000008
【図７】
2004228367.tif 000009
【図８】
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【図９】
2004228367.tif 000011