(57)【要約】【課題】半導体集積回路装置の製造工程に用いる超純水を製造する工程において、超純水中にアミン系物質が流出することを防ぐ。【解決手段】第１二次純水製造システムで製造された二次純水が超純水供給装置ＵＰＷ１から供給されるユースポイントＵＰ１、ＵＰ２と、第２二次純水製造システムで製造された二次純水が超純水供給装置ＵＰＷ２から供給されるユースポイントＵＰ３〜ＵＰ５とが存在する状況下において、超純水供給装置ＵＰＷ１からユースポイントＵＰ３〜ＵＰ５へも超純水を供給できるような配管ＰＩＰ１を設け、超純水供給装置ＵＰＷ２からユースポイントＵＰ１、ＵＰ２へも超純水を供給できるような配管ＰＩＰ２を設け、ユースポイントＵＰ１〜ＵＰ５へ超純水供給装置ＵＰＷ１、ＵＰＷ２のどちらからでも二次純水を供給できるようにする。【選択図】    図１２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）通常水を、一次浄化システムを有する一次純水製造システム内に、第１原料水として導入する工程、
（ｂ）前記一次浄化システムにより浄化された一次純水を、前記一次純水製造システムから二次浄化システムを有する二次純水製造システム群内に、第２原料水として導入する工程、
（ｃ）前記二次浄化システムにより浄化された二次純水を、前記二次純水製造システム群から第１ウェット処理装置に供給することによって、半導体集積回路ウェハに対して第１ウェット処理を実行する工程、
を含み、
前記二次純水製造システム群は第１の二次純水製造システムと第２の二次純水製造システムとを有し、
前記第１ウェット処理は、対アミン系物質感受性を有する工程であり、
前記第１の二次純水製造システムに含まれるアミン系物質放出部材の交換後の一定の期間は、前記アミン系物質放出部材に対応する部材を前記第１の二次純水製造システム以前に交換した前記第２の二次純水製造システムから前記第１ウェット処理装置へ前記二次純水を供給することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の二次純水製造システムに含まれる前記アミン系物質放出部材の交換後の前記一定の期間、前記第１の二次純水製造システムは、対アミン系物質感受性を有していない第２ウェット処理に用いる第２ウェット処理装置へ前記二次純水を供給することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の二次純水製造システムに含まれる前記アミン系物質放出部材の交換後、前記第１ウェット処理装置へ供給される前記二次純水は、前記第２の二次純水製造システムと前記第１ウェット処理装置との間に設けられた少なくともカチオンを除去する能力のあるイオン除去フィルタを通過した後に前記第１ウェット処理装置へ供給されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１ウェット処理装置は、前記二次純水製造システム群から前記第１ウェット処理装置へ前記二次純水を導入する配管を有し、前記配管は前記第１の二次純水製造システムへの接続と前記第２の二次純水製造システムへの接続との切り替えが可能な切り換え手段を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体集積回路装置はフラッシュメモリ部を含み、前記第１ウェット処理後にゲート絶縁膜またはトンネル酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
（ａ）通常水を、一次浄化システムを有する一次純水製造システム内に、第１原料水として導入する工程、
（ｂ）前記一次浄化システムにより浄化された一次純水を、前記一次純水製造システムから二次浄化システムを有する二次純水製造システム群内に、第２原料水として導入する工程、
（ｃ）前記二次浄化システムにより浄化された二次純水を、前記二次純水製造システム群から第１ウェット処理装置に供給することによって、半導体集積回路ウェハに対して第１ウェット処理を実行する工程、
を含み、
前記二次純水製造システム群は二つの二次純水製造システムを有し、
前記第１ウェット処理は、対アミン系物質感受性を有する工程であり、
一方の前記二次純水製造システムに含まれるアミン系物質放出部材の交換後の一定の期間は、前記アミン系物質放出部材に対応する部材を一方の前記二次純水製造システム以前に交換した他方の前記二次純水製造システムから前記第１ウェット処理装置へ前記二次純水を供給することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、一方の前記二次純水製造システムに含まれる前記アミン系物質放出部材の交換後、前記アミン系物質放出部材が交換された前記二次純水製造システムは、対アミン系物質感受性を有していない第２ウェット処理に用いる第２ウェット処理装置へ前記二次純水を供給することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、一方の前記二次純水製造システムに含まれる前記アミン系物質放出部材の交換後、前記第１ウェット処理装置へ供給される前記二次純水は、他方の前記二次純水製造システムと前記第１ウェット処理装置との間に設けられた少なくともカチオンを除去する能力のあるイオン除去フィルタを通過した後に前記第１ウェット処理装置へ供給されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１ウェット処理装置は、前記二次純水製造システム群から前記第１ウェット処理装置へ前記二次純水を導入する配管を有し、前記配管は一方の前記二次純水製造システムへの接続と他方の前記二次純水製造システムへの接続との切り替えが可能な切り換え手段を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体集積回路装置はフラッシュメモリ部を含み、前記第１ウェット処理後にゲート絶縁膜またはトンネル酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１１】
（ａ）通常水を、一次純水製造システム内に、導入する工程、
（ｂ）前記一次純水製造システムにより浄化された一次純水を、前記一次純水製造システムから二次純水製造システム群内に、導入する工程、
（ｃ）前記二次純水製造システム群により浄化された二次純水を、前記二次純水製造システム群から第１ウェット処理装置に供給することによって、半導体集積回路ウェハに対して第１ウェット処理を実行する工程、
を含む半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記二次純水製造システム群は第１の二次純水製造システムと第２の二次純水製造システムとを有し、
前記第１ウェット処理は、対アミン系物質感受性を有する工程であり、
前記第１の二次純水製造システムに含まれるアミン系物質放出部材の交換後の一定の期間は、前記アミン系物質放出部材に対応する部材を前記第１の二次純水製造システム以前に交換した前記第２の二次純水製造システムから、前記第１ウェット処理装置へ前記二次純水を供給する半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の二次純水製造システムに含まれる前記アミン系物質放出部材の交換後の前記一定の期間、前記第１の二次純水製造システムは、対アミン系物質感受性を有していない第２ウェット処理に用いる第２ウェット処理装置へ前記二次純水を供給する半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の二次純水製造システムに含まれる前記アミン系物質放出部材の交換後の前記一定の期間、前記第１ウェット処理装置へ供給される前記二次純水は、前記第２の二次純水製造システムと前記第１ウェット処理装置との間に設けられた少なくともカチオンを除去する能力のあるイオン除去フィルタを通過した後に前記第１ウェット処理装置へ供給される半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１ウェット処理装置は、前記二次純水製造システム群から前記第１ウェット処理装置へ前記二次純水を導入する配管を有し、前記配管は前記第１の二次純水製造システムへの接続と前記第２の二次純水製造システムへの接続との切り替えが可能な構造を有する半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体集積回路装置はフラッシュメモリ部を含み、前記第１ウェット処理後にゲート絶縁膜またはトンネル酸化膜を形成する工程を含む半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１６】
（ａ）通常水を第１の一次純水製造システム内に、導入する工程、
（ｂ）前記第１の一次純水製造システムにより浄化された一次純水を、前記第１の一次純水製造システムから二次純水製造システム群内に、導入する工程、
（ｃ）前記二次純水製造システム群により浄化された二次純水を、前記二次純水製造システム群から第１ウェット処理装置に供給することによって、半導体集積回路ウェハに対して第１ウェット処理を実行する工程、
を含む半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記二次純水製造システム群は第１および第２の二次純水製造システムを有し、
前記第１ウェット処理は、対アミン系物質感受性を有する工程であり、
前記第１の二次純水製造システムに含まれるアミン系物質放出部材の交換後の一定の期間は、前記アミン系物質放出部材に対応する部材を前記第１の二次純水製造システム以前に交換した前記第２の二次純水製造システムから前記第１ウェット処理装置へ前記二次純水を供給する半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の二次純水製造システムに含まれる前記アミン系物質放出部材の交換後の前記一定の期間、前記第１の二次純水製造システムは、対アミン系物質感受性を有していない第２ウェット処理に用いる第２ウェット処理装置へ前記二次純水を供給する半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の二次純水製造システムに含まれる前記アミン系物質放出部材の交換後の前記一定の期間、前記第１ウェット処理装置へ供給される前記二次純水は、前記第２の二次純水製造システムと前記第１ウェット処理装置との間に設けられた少なくともカチオンを除去する能力のあるイオン除去フィルタを通過した後に前記第１ウェット処理装置へ供給される半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１ウェット処理装置は、前記二次純水製造システム群から前記第１ウェット処理装置へ前記二次純水を導入する配管を有し、前記配管は前記第１の二次純水製造システムへの接続と前記第２の二次純水製造システムへの接続との切り替えが可能な構造を有する半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体集積回路装置はフラッシュメモリ部を含み、前記第１ウェット処理後にゲート絶縁膜またはトンネル酸化膜を形成する工程を含む半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１７記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第２の二次純水製造システムへの前記一次純水の供給は第２の一次純水製造システムから行われる半導体集積回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路装置の製造方法に関し、特に、半導体集積回路装置の製造工程に用いる純水の水質を向上する方法に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
たとえば、平田等の特開平４−７８４８３号公報（特許文献１参照）には、ユースポイントに付加的なイオン除去装置が配置された純水供給システム等が開示されている。
【０００３】
また、たとえば水庭の特開平１０−２１６７２１号公報（特許文献２参照）には、ＵＦ装置の後段にアニオン吸着膜装置を配置して、ＵＦ装置を透過してしまう程度に小さなアニオンを水中から除去する技術等が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平４−７８４８３号公報
【０００５】
【特許文献２】
特開平１０−２１６７２１号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
半導体デバイスの製造は集積回路の微細加工であることから、半導体ウェハ（以下、単にウェハと略す）の表面および界面に存在する不純物（コンタミネーション）を洗浄などにより除去し、清浄に保つことが求められる。ウェハ表面の異物は配線の断線や短絡といった不具合を引き起こす可能性があり、特に、重金属成分はデバイスの電気特性に大きな影響を与えてしまうことから確実に除去することが求められる。
【０００７】
ところで、純水は、薬液を用いた洗浄工程後やウェットエッチング工程後に薬液を洗い流し、清浄なウェハ表面を得るために用いられたり、洗浄工程やウェットエッチング工程などに用いる薬液の調合工程に用いられる。これらのような工程で用いられる純水は、河川水または地下水（井戸水を含む）などを利用した原水中の微粒子、有機物および高分子イオンなどを、たとえばＲＯ（Ｒｅｖｅｒｓｅ  Ｏｓｍｏｓｉｓ；逆浸透）膜を用いたＲＯ装置によって除去し、さらにイオン交換樹脂を用いて原水中の他のイオンを除去した後、ＲＯ装置およびイオン交換樹脂によって除去できなかった原水中の他の微粒子および生菌などをＵＦ装置（限外濾過装置；Ｕｌｔｒａｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ  Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）によって除去することで製造されている。
【０００８】
本発明者らは、半導体集積回路装置の製造工程に用いる純度の高い純水（以下、超純水と称する）を得るためのシステムの構築を検討している。その中で、本発明者らは、以下のような課題が生ずることを見出した。
【０００９】
すなわち、ＵＦ装置は、超純水の製造工程の最終工程で用いられる。また、ＵＦ装置は、エポキシ樹脂などを原料とする接着剤により毛管状の中空糸膜を複数本束ねてモジュール化したフィルタを有しており、このフィルタは、その材質の寿命から定期的に新しいものと交換することが必要となる。中空糸膜を束ねている接着剤にはアミンが含まれており、このアミンの一部はイオン化して存在している。このイオン化したアミンは、フィルタを交換後、ＵＦ装置に通水することで親水化して超純水中に溶け出す。イオン化したアミンを含む超純水を、たとえばＭＩＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のゲート酸化膜を形成する直前のウェハの洗浄工程に用いると、イオン化したアミンがウェハを形成するシリコンをエッチングしてしまうことから、ゲート絶縁膜形成後においてはゲート絶縁膜とウェハとの界面に凹凸が形成されてしまうことになる。このような状況下で形成されたＭＩＳＦＥＴが、たとえば電気的一括消去型ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ；以下、フラッシュメモリという）のメモリセルを形成している場合には、ゲート絶縁膜の耐圧が低下してしまうことから、メモリセルへの書き込み特性および消去特性が劣化してしまう問題がある。また、上記ＭＩＳＦＥＴがフラッシュメモリのメモリセル以外の半導体デバイスに適用されている場合でも、ソース・ドレイン間電流が流れ難くなってしまうことから特性不良を発生させてしまう問題がある。
【００１０】
本発明者らが行った実験によれば、上記したイオン化したアミンはＲＯ装置およびイオン交換樹脂などからも流出していることがわかった。このようなＵＦ装置以外から発生したイオン化したアミンも超純水に溶け出してしまう可能性を含んでいる。また、これらＵＦ装置、ＲＯ装置およびイオン交換樹脂などからは、イオン化していないアミンも流出してしまう可能性があり、イオン化していないアミンもウェハを形成するシリコンをエッチングしてしまうおそれを潜在的に有してる。そのため、これらＵＦ装置、ＲＯ装置およびイオン交換樹脂などから、イオン化しているか否かに関わらず、アミン系物質を除去しなければならない課題が存在する。
【００１１】
本発明の目的は、半導体集積回路装置の製造工程に用いる超純水を製造する工程において、超純水中にアミン系物質が流出することを防ぐ技術を提供することにある。
【００１２】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１４】
すなわち、本発明は、通常水を一次浄化システムを有する一次純水製造システム内に第１原料水として導入する工程と、前記一次浄化システムにより浄化された一次純水を前記一次純水製造システムから二次浄化システムを有する二次純水製造システム群内に第２原料水として導入する工程と、前記二次浄化システムにより浄化された二次純水を、前記二次純水製造システム群から第１ウェット処理装置に供給することによって、半導体集積回路ウェハに対して第１ウェット処理を実行する工程とを含み、
前記二次純水製造システム群は第１の二次純水製造システムと第２の二次純水製造システムとを有し、
前記第１ウェット処理は、対アミン系物質感受性を有する工程であり、
前記第１の二次純水製造システムに含まれるアミン系物質放出部材の交換後の一定の期間は、前記アミン系物質放出部材に対応する部材を前記第１の二次純水製造システム以前に交換した前記第２の二次純水製造システムから前記第１ウェット処理装置へ前記二次純水を供給するものである。
【００１５】
また、本発明は、通常水を一次純水製造システム内に導入する工程と、前記一次純水製造システムにより浄化された一次純水を前記一次純水製造システムから二次純水製造システム群内に導入する工程と、前記二次純水製造システム群により浄化された二次純水を、前記二次純水製造システム群から第１ウェット処理装置に供給することによって、半導体集積回路ウェハに対して第１ウェット処理を実行する工程とを含み、
前記二次純水製造システム群は第１の二次純水製造システムと第２の二次純水製造システムとを有し、
前記第１ウェット処理は、対アミン系物質感受性を有する工程であり、
前記第１の二次純水製造システムに含まれるアミン系物質放出部材の交換後の一定の期間は、前記アミン系物質放出部材に対応する部材を前記第１の二次純水製造システム以前に交換した前記第２の二次純水製造システムから、前記第１ウェット処理装置へ前記二次純水を供給するものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本願発明を詳細に説明する前に、本願における用語の意味を説明すると次の通りである。
【００１７】
ウェハとは、集積回路の製造に用いる単結晶Ｓｉ基板（一般にほぼ平面円形状）、サファイア基板、ガラス基板、その他の絶縁、反絶縁または半導体基板等並びにそれらの複合的基板を言う。また、本願において半導体集積回路装置というときは、シリコンウェハやサファイア基板等の半導体または絶縁体基板上に作られるものだけでなく、特に、そうでない旨明示された場合を除き、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ−Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）およびＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ−Ｔｗｉｓｔｅｄ−Ｎｅｍａｔｉｃ）液晶等のようなガラス等の他の絶縁基板上に作られるもの等も含むものとする。
【００１８】
デバイス面とは、半導体基板の主面であって、その面にリソグラフィにより、複数のチップ領域に対応するデバイスパターンが形成される面を言う。
【００１９】
レジストパターンとは、感光性樹脂膜（レジスト膜）をフォトリソグラフィの手法により、パターニングした膜パターンを言う。なお、このパターンには当該部分に関して全く開口のない単なるレジスト膜を含む。
【００２０】
通常水とは、半導体集積回路装置の製造工程に用いる純度の高い純水を得るための原料となる水をいい、河川水または地下水（井戸水を含む）などが用いられる。
【００２１】
一次純水とは、処理水（通常水）中に存在するイオン、微粒子、微生物および有機物などの不純物のほとんどを除去した比抵抗値５〜１８ＭΩｃｍ程度の高純度の水のことをいい、超純水の製造に用いられる原料のことをいう。
【００２２】
超純水（Ｕｌｔｒａｐｕｒｅ  Ｗａｔｅｒ）とは、一次純水中に微量残存している微粒子、生菌、ＴＯＣ（Ｔｏｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃａｒｂｏｎ；有機体炭素）、イオンおよび溶存酸素などを除去したきわめて純度の高いウェハの洗浄などに用いられる水のことをいう。
【００２３】
一次純水装置とは、超純水製造システムを構成する装置の一つであり、逆浸透装置、イオン交換装置および脱気装置などから形成され、前処理装置を通った水から微粒子、イオン、微生物および有機物などの不純物のほとんどを除去することにより一次純水を製造する装置のことをいう。
【００２４】
前処理システムとは、一次純水装置に原水を供給する前に、予め物理的処理および化学的処理によって原水中のコロイド状物質、粒子状物質およびバクテリアなどを除去する各装置を含むシステムのことをいう。
【００２５】
サブシステム（ｓｕｂｓｙｓｔｅｍ）とは、ユースポイントの近傍に設置され一次純水を原水として超純水を製造するシステムであり、紫外線殺菌装置、カートリッジポリッシャおよび圧力濾過膜などから構成されるシステムをいう。
【００２６】
超純水製造システムとは、上水道、工業用水、井戸水または河川水などを原水とし、その中の不純物をイオン交換樹脂膜および濾過膜などを用いて精製分離し、高純度の純水を製造するシステムのことをいい、前処理装置、一次純水装置およびサブシステムより構成される。
【００２７】
ユースポイント（Ｐｏｉｎｔ  Ｏｆ  Ｕｓｅ）とは、サブシステムから送水された超純水を、ウェハの洗浄などの目的で使用するために取り出し、使用する箇所のことをいう。
【００２８】
イオン交換樹脂（Ｉｏｎ  Ｅｘｃｈａｎｇｅ  Ｒｅｓｉｎ）とは、水中に存在するイオンを吸着除去する能力を有する合成樹脂のことをいい、カチオン（ｃａｔｉｏｎ（陽イオン）；Ｎａ＋、Ｃａ２＋およびＭｇ２＋など）を吸着除去するカチオン交換樹脂およびアニオン（ａｎｉｏｎ（陰イオン）；Ｃｌ−、ＳＯ４２−およびＳｉＯ２など）を吸着除去するアニオン交換樹脂の２種類を有し、カチオン交換樹脂およびアニオン交換樹脂のそれぞれにはポーラス型およびゲル型の２種類がある。また、イオン交換樹脂型のイオン除去フィルタは、カチオンを除去するカチオン除去フィルタとアニオンを除去するアニオン除去フィルタとカチオンおよびアニオンの両方を除去する複合イオン除去フィルタとを含むものとする。また、サブシステムにおけるイオン交換樹脂型のイオン除去フィルタは最終段のポリッシャといい、その設置目的は、採取的に電解質を除去し、２５℃の時の抵抗率が１８ＭΩｃｍ程度のほぼ理論的に純粋な水に近い状態にすることにある。
【００２９】
ＲＯ装置（Ｒｅｖｅｒｓｅ  Ｏｓｍｏｓｉｓ  Ｕｎｉｔ）とは、逆浸透現象を応用した濾過膜であるＲＯ膜を用いて水中のイオン、有機物、微粒子および生菌などを除去する装置のことをいい、イオン交換フィルタの前段または後段に設置される。イオン交換フィルタの前段に設置する場合には、脱塩性能および有機物の除去性能を重視した使用方法となるのに対して、後段に設置する場合には、ＴＯＣ成分および微粒子の除去性能を重視した使用方法となる。また、ＲＯ膜は、２ＭＰａ〜４ＭＰａ程度の操作圧力で運転して所定の水量および水質を得ることができる中圧逆浸透膜、０．５ＭＰａ〜２ＭＰａ程度の操作圧力で運転できる低圧逆浸透膜および０．３ＭＰａ〜１ＭＰａ程度の操作圧力で運転できる超低圧逆浸透膜などを含む。
【００３０】
ＵＦ装置（Ｕｌｔｒａｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ  Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）とは、限外濾過膜（Ｕｌｔｒａ  ｆｉｌｔｅｒ；ＵＦ）を用い分子の大きさによって分離を行う圧力濾過装置であり、分画分子量で数千〜数十万程度の領域で分離する装置のことをいう。限外濾過膜としては、中空糸型限外濾過膜またはスパイラル型限外濾過膜などを含むものとする。
【００３１】
アミン系物質とは、アミン、イオン化したアミン、アミン系化合物、およびイオン化したアミン系化合物のことをいい、アミン系化合物とは、複数種のアミンの化合物およびアミンと他の物質との化合物とのことをいう。
【００３２】
ＴＯＣ（Ｔｏｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃａｒｂｏｎ）とは、超純水中に含まれる有機体炭素のことをいい、原水（天然水や回収処理水）に起因するもの、イオン交換樹脂および配管など使用部材からの溶出によるものなどを含むものとする。
【００３３】
メンブレン膜（Ｕｌｔｒａｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ  Ｍｅｍｂｒａｎｅ）とは、無数の均一な細孔を有するプラスチック製多孔性薄膜のフィルタであり、硝酸セルロース、酢酸セルロース、アセチルセルロース、ニトロセルロース、ナイロン、塩化ビニルおよび四フッ化エチレン樹脂などから形成されたものをいう。
【００３４】
新品とは、未使用状態の装置または部材のことをいうが、使用期間が所定の期間までのものも含むものとする。また、以下の実施の形態で説明する超純水製造システムを形成する部材がアミンを含む材料を用いて形成されている場合においては、その部材の外部へイオン化したアミンが流出しなくなるまでの期間をいう。その期間は、部材の仕様および部材への通水量によって異なるが、以下の実施の形態においては、使用開始から１ヶ月程度、好ましくは使用開始から２ヶ月程度、さらに好ましくは使用開始から６ヶ月程度とする。
【００３５】
アミン感受性工程とは、アミン系物質を含む超純水を用いてウェハに処理（たとえば洗浄処理）を施した際に、ウェハの形状および材質などに半導体集積回路の特性の低下の原因となる望ましくない変化が起こる、もしくは起こりやすい工程をいい、非アミン感受性工程とは、アミン系物質を含む超純水を用いてウェハに処理（たとえば洗浄処理）を施した際に、ウェハの形状および材質などに半導体集積回路の特性の低下の原因となる望ましくない変化が起こらない、もしくは起こり難い工程をいう。
【００３６】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。
【００３７】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００３８】
同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００３９】
本願において、「〜からなる」、「〜よりなる」、または「〜から構成された」（ｃｏｎｓｉｓｔ  ｏｆ，  ｍａｄｅ  ｏｆ，  ｃｏｍｐｏｓｅｄ  ｏｆ）等の表現は、慣用表現上または文脈上明らかに閉鎖表現であることが明白である場合および「〜のみからなる」（「のみ」と言っても、本質的でない付加要素や微量添加物不純物等を排除するものではない）等明確に限定した場合を除き、他の要素を許容する。すなわち、一般に「主に〜からなる」、「〜を主要な要素として含む」等を表すものとする。
【００４０】
また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００４１】
なお、純水システムにおける類似の問題のその他の解決策については、本願発明者らによる先行する出願（以下「高橋等」と言う；日本特許出願第２００１−３３５３７１号；２００１年１０月３１日出願）に開示されているので、それらの内容は原則として繰り返さない。
【００４２】
また、本実施の形態においては、電界効果トランジスタを代表するＭＩＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）をＭＩＳと略し、ｐチャネル型のＭＩＳＦＥＴをｐＭＩＳと略し、ｎチャネル型のＭＩＳＦＥＴをｎＭＩＳと略す。
【００４３】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００４４】
（実施の形態１）
本実施の形態１は、たとえばフラッシュメモリ（半導体集積回路装置）の製造方法に本発明を適用したものである。このフラッシュメモリの製造方法を図１〜図２９に従って工程順に説明する。
【００４５】
図１に示すように、本実施の形態１のフラッシュメモリが形成される半導体基板（半導体集積回路ウェハ）１は、たとえば５Ｖ系のｎＭＩＳが形成される領域１Ａ、５Ｖ系のｐＭＩＳが形成される領域１Ｂ、フラッシュメモリのメモリセルとなるＭＩＳが形成される領域１Ｃ、高耐圧系片側オフセットｎＭＩＳが形成される領域１Ｄ、高耐圧系負荷用ｎＭＩＳが形成される領域１Ｅ２および高耐圧系片側オフセットｐＭＩＳが形成される領域１Ｆからなる。
【００４６】
まず、ｐ型の単結晶シリコンからなる半導体基板１を希フッ酸（ＨＦ）および超純水を用いて洗浄する。この洗浄工程は、非アミン感受性工程である。次に、半導体基板１の表面に酸化処理を施すことにより、酸化シリコン膜２Ａを形成する。続いて、その酸化シリコン膜２Ａの上部に窒化シリコン膜（図示は省略）を堆積した後、その窒化シリコン膜をエッチングして、酸化シリコン膜２Ａの上部に選択的に窒化シリコン膜を残す。
【００４７】
次いで、上記窒化シリコン膜をマスクとして、半導体基板１にｎ型の導電型を有する不純物（たとえばＰ（リン））をイオン注入法等により導入する。続いて、酸化処理により、その上部に窒化シリコン膜が存在しない領域の酸化シリコン膜２Ａの膜厚を選択的に増加させた後、たとえば熱リン酸を用いて上記窒化シリコン膜を除去する。さらに続いて、半導体基板１をＮＨ４ＯＨ（水酸化アンモニウム）／Ｈ２Ｏ２（過酸化水素）／Ｈ２Ｏ、希フッ酸および超純水を用いて洗浄する。この洗浄工程は、非アミン感受性工程である。次いで、半導体基板１に熱処理を施し、上記不純物を拡散させることにより、ｎ型アイソレーション領域ＮｉＳＯを形成する。
【００４８】
次に、図２に示すように、半導体基板１を希フッ酸および超純水を用いて洗浄する。この洗浄工程は、非アミン感受性工程である。続いて、半導体基板１の表面に酸化処理を施すことにより酸化シリコン膜２を形成する。続いて、フォトリソグラフィ技術によってパターニングされたフォトレジスト膜（図示は省略）をマスクとして、半導体基板１にｎ型の導電型を有する不純物（たとえばＰ）をイオン注入法等により導入する。次いで、そのフォトレジスト膜を除去した後、新たにフォトリソグラフィ技術によってパターニングされたフォトレジスト膜（図示は省略）をマスクとして、半導体基板１にｐ型の導電型を有する不純物（たとえばＢＦ２（二フッ化ホウ素））をイオン注入法等により導入する。続いて、半導体基板１をＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ、希フッ酸および超純水を用いて洗浄する。この洗浄工程は、非アミン感受性工程である。次いで、熱処理により上記不純物を拡散させ、ｎ型ウェル３およびｐ型ウェル４を形成する。
【００４９】
次に、図３に示すように、半導体基板１の表面に酸化処理を施すことにより酸化シリコン膜（図示は省略）を形成する。続いて、その酸化シリコン膜の上部に窒化シリコン膜（図示は省略）を堆積した後、フォトレジスト膜（図示は省略）をマスクとしてその窒化シリコン膜をエッチングすることにより、その酸化シリコン膜の上部に選択的に窒化シリコン膜を残す。続いて、そのフォトレジスト膜を除去した後、半導体基板１をＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏを用いて洗浄した後、さらにＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏを用いて洗浄する。この洗浄工程は、非アミン感受性工程である。次いで、選択酸化法により、半導体基板１の表面に素子分離用のフィールド絶縁膜６を形成する。
【００５０】
次に、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたフォトレジスト膜をマスクとして、ｐ型の導電型を有する不純物（たとえばＢＦ２）をイオン注入法等により導入する。次いで、熱処理により、その不純物を拡散させることにより、ｐ型チャネルストッパ領域７を形成する。その後、半導体基板１上に残っている窒化シリコン膜を、たとえば熱リン酸を用いて除去する。
【００５１】
続いて、半導体基板１を希フッ酸および超純水を用いて洗浄する。ここで、本実施の形態１における超純水は、図４に示すようなシステムによって製造されるものである。また、図４は本実施の形態１の超純水製造システムの概要を示す説明図である。
【００５２】
まず、図４に示すように、たとえば井戸より汲み上げた地下水（通常水（第１原料水）；以降、原水という）を原水貯槽ＯＷＰに貯蔵する。次いで、ポンプＰＭＰ１により原水貯槽ＯＷＰに貯蔵されている原水を導き出し、加熱器ＨＥ１へ送る。加熱器ＨＥ１では、蒸気を用いた加熱により、原水に対して加温処理が施される。加温処理が施された原水は、濾過器（一次浄化システム）ＦＥ１に送られ、原水中の微粒子、有機物、生菌および高分子イオンなどが除去された後に濾過水貯槽ＦＷＰにて貯蔵される。
【００５３】
濾過水貯槽ＦＷＰにて貯蔵されている原水は、ポンプＰＭＰ２によって導き出され、イオン交換樹脂型のカチオン除去フィルタ（一次浄化システム）ＣＥＤ１に送られる。カチオン除去フィルタＣＥＤ１では、原水中のカチオンの除去が行われる。続いて、真空脱気装置ＶＤにより原水中の溶存ガスが除去された後に、原水はポンプＰＭＰ３によってイオン交換樹脂型のアニオン除去フィルタ（一次浄化システム）ＡＥＤ１に送られる。アニオン除去フィルタＡＥＤ１では、原水中のアニオンの除去が行われる。続いて、イオン交換樹脂型の複合イオン除去フィルタ（一次浄化システム）ＭＥＤ１に送られる。この複合イオン除去フィルタＭＥＤ１では、さらに原水中のカチオンおよびアニオンの除去が行われる。
【００５４】
複合イオン除去フィルタＭＥＤ１を通過した原水は、窒素ガスを用いた脱気処理によって溶存酸素が除去された後に純水貯槽ＰＷＰに貯蔵される。このような工程を経ることによって、原水から一次純水を製造することができる。なお、一次純水製造システムＦＰＷＳは、原水から一次純水を製造するまでに用いた各装置から構成されるものとする。このようにして製造された一次純水の一部は、ポンプＰＭＰ４によって純水貯槽ＰＷＰから導き出され、たとえばウェハ（半導体基板１）から個々の半導体チップを切り出し、それら半導体チップをパッケージングする際の洗浄処理（第２ウェット処理）に用いる洗浄装置（第２ウェット処理装置）にて洗浄水として用いることができる。すなわち、半導体チップをパッケージングする際の洗浄工程では、半導体基板１にＭＩＳなどの半導体素子を形成する際の洗浄工程に用いられる洗浄水ほどの純度の高い純水は求められないからである。
【００５５】
純水貯槽ＰＷＰの後段には、ポンプＰＭＰ５、ＰＭＰ６が配置され、ポンプＰＭＰ５は純水貯槽ＰＷＰから導き出した一次純水（第２原料水）を第１二次純水製造システムＳＷＳ１へ送り出し、ポンプＰＭＰ６は純水貯槽ＰＷＰから導き出した一次純水を第２二次純水製造システムＳＷＳ２へ送り出している。本実施の形態１では、この第１二次純水製造システムＳＷＳ１と第２二次純水製造システムＳＷＳ２とで二次純水製造システム群（サブシステム）ＳＰＷＳを形成している。
【００５６】
次に、上記第１二次純水製造システムＳＷＳ１について説明する。第２二次純水製造システムＳＷＳ２については、第１二次純水製造システムＳＷＳ１とほぼ同様の構成であるので、第１二次純水製造システムＳＷＳ１を形成する部材を説明する際に、対応する第２二次純水製造システムＳＷＳ２を形成する部材の符号については括弧を付けて示し、それにより第２二次純水製造システムＳＷＳ２の説明とする。
【００５７】
ポンプＰＭＰ５（ＰＭＰ６）から送り出された一次純水は、加熱器ＨＥ２（ＨＥ３）へ送られる。加熱器ＨＥ２（ＨＥ３）では、蒸気を用いた加熱により、水回収率の向上を図る。加温処理が施された一次純水は、ＵＶ殺菌装置（二次浄化システム）ＵＶＯ１（ＵＶＯ２）へ送られ、紫外線照射による殺菌処理が施される。
【００５８】
ＵＶ殺菌装置ＵＶＯ１（ＵＶＯ２）によって殺菌処理が施された一次純水は、ＵＶ殺菌装置ＵＶＯ１（ＵＶＯ２）の後段に保安フィルタＳＦ１（ＳＦ２）を介して配置されたポンプＰＭＰ７（ＰＭＰ８）によってＲＯ装置（二次浄化システム）ＲＯ１（ＲＯ２）へ送られる。ＲＯ装置ＲＯ１（ＲＯ２）では、一次純水中の微粒子、有機物、生菌および高分子イオンなどが除去される。
【００５９】
ＲＯ装置ＲＯ１（ＲＯ２）を通過した一次純水は、脱気装置（二次浄化システム）ＤＡ１（ＤＡ２）へ送られる。脱気装置ＤＡ１（ＤＡ２）では、窒素ガスを用いた脱気処理によって一次純水中の溶存酸素が除去される。脱気装置ＤＡ１（ＤＡ２）にて脱気処理が施された一次純水は、中間タンクＴＮＫ１（ＴＮＫ２）へ送られる。
【００６０】
中間タンクＴＮＫ１（ＴＮＫ２）に貯蔵された一次純水は、ポンプＰＭＰ９（ＰＭＰ１０）により冷却器ＣＬＲ１（ＣＬＲ２）へ送られる。冷却器ＣＬＲ１（ＣＬＲ２）は水冷式の冷却器であり、冷却水の循環によって一次純水を冷却し、一時純水を一定の温度にして後段の低圧ＵＶ酸化装置（二次浄化システム）ＵＶＯ３（ＵＶＯ４）へ送り出す。低圧ＵＶ酸化装置ＵＶＯ３（ＵＶＯ４）では、一次純水に紫外線照射による酸化処理が施される。
【００６１】
低圧ＵＶ酸化装置ＵＶＯ３（ＵＶＯ４）によって酸化処理が施された一次純水は、イオン交換樹脂型のアニオン除去フィルタ（二次浄化システム）ＡＥＤ２（ＡＥＤ３）によってアニオン除去処理が施され、さらに複合イオン除去フィルタ（二次浄化システム）ＭＥＤ２（ＭＥＤ３）によってカチオンおよびアニオンの除去処理が施された後、ＵＦ装置（二次浄化システム）ＵＦＥ１（ＵＦＥ２）へ送られる。ここで、ＵＦ装置ＵＦＥ１（ＵＦＥ２）によってＲＯ装置およびイオン除去フィルタによって除去できなかった一次純水中の微粒子等を除去することにより、本実施の形態１の半導体集積回路装置の製造工程に用いる超純水（二次純水）を製造し、製造した超純水をユースポイントＵＳＥＰ１、ＵＳＥＰ２（ＵＳＥＰ３、ＵＳＥＰ４）へ送ることができる。
【００６２】
ユースポイントＵＳＥＰ１、ＵＳＥＰ２（ＵＳＥＰ３、ＵＳＥＰ４）へ送られた超純水のうち、ユースポイントＵＳＥＰ１、ＵＳＥＰ２（ＵＳＥＰ３、ＵＳＥＰ４）にて使用しきれなかったもの（たとえば、ユースポイントＵＳＥＰ１、ＵＳＥＰ２（ＵＳＥＰ３、ＵＳＥＰ４）へ送られた超純水のうちの１０〜２０％程度）については中間タンクＴＮＫ１（ＴＮＫ２）へ還元し、再利用することが可能である。この時、その中間タンクＴＮＫ１（ＴＮＫ２）に還元される超純水は、窒素ガスを用いた脱気処理によって溶存酸素が除去された後に中間タンクＴＮＫ１（ＴＮＫ２）貯蔵される。
【００６３】
図５は、図４に示したＵＦ装置ＵＦＥ１（ＵＦＥ２）が有するＵＦモジュールの説明図であり、図６は図５中のＡ−Ａ線における断面図である。本実施の形態１のＵＦモジュールは、たとえば筐体ＫＯＴ内にポリスルホン膜またはポリイミド膜などから形成された複数の毛管状の中空糸膜ＴＹＭを配置し、それら複数の中空糸膜ＴＹＭの両端部をエポキシ樹脂などを原料とする接着剤ＡＤＨによって接着し、さらにその接着剤ＡＤＨによって中空糸膜ＴＹＭを筐体へも接着してなるものである。また、図７に示すように、その中空糸膜ＴＹＭはポリスルホン膜またはポリイミド膜などから形成されていることから、水、イオン分子および低分子については中空糸膜ＴＹＭの内部へ浸透可能であるが、高分子についてはその内部へ浸透することはできない。また、筐体ＫＯＴ内においては複数の中空糸膜ＴＹＭの端部が接着剤ＡＤＨによって接着され、また中空糸膜ＴＹＭは筐体へも接着されているので、ＵＦモジュールから吐き出されるのは中空糸膜ＴＹＭ内に浸透した一次純水、すなわち一次純水から高分子が取り除かれた超純水のみとすることができる。
【００６４】
ここで、エポキシ樹脂などを原料とする接着剤ＡＤＨにはアミンが含まれ、このアミンの一部はイオン化して存在している。このイオン化しているアミンは、ＵＦモジュールに一次純水が通水することで親水化し、超純水に混じって吐き出されてしまう恐れがある。
【００６５】
また、図８は、アニオン除去フィルタＡＥＤ２（ＡＥＤ３）および複合イオン除去フィルタＭＥＤ２（ＭＥＤ３）の説明図である。図８に示すように、アニオン除去フィルタＡＥＤ２（ＡＥＤ３）および複合イオン除去フィルタＭＥＤ２（ＭＥＤ３）は、筐体ＫＯＴ１内に複数のイオン交換樹脂ＩＥＪが配置されてなるものである。アニオン除去フィルタＡＥＤ２（ＡＥＤ３）においては、このイオン交換樹脂ＩＥＪはアニオン交換樹脂であり、複合イオン除去フィルタＭＥＤ２（ＭＥＤ３）においては、このイオン交換樹脂ＩＥＪはアニオン交換樹脂およびカチオン交換樹脂の両方を示す。図９に示すように、各イオン交換樹脂ＩＥＪはイオン交換基ＩＥＲ１を有し、このイオン交換基ＩＥＲ１が筐体ＫＯＴ１内に供給される一次純水中のイオンを吸着することによって、一次純水中のイオンの除去を可能としている。
【００６６】
ところで、新品のアニオン除去フィルタＡＥＤ２（ＡＥＤ３）または複合イオン除去フィルタＭＥＤ２（ＭＥＤ３）は、イオン交換樹脂ＩＥＪの表面にアミン（イオン化したアミンを含む）が付着している場合がある。このような新品のアニオン除去フィルタＡＥＤ２（ＡＥＤ３）または複合イオン除去フィルタＭＥＤ２（ＭＥＤ３）が二次純水製造システム群（サブシステム）ＳＰＷＳに導入されると、アニオン除去フィルタＡＥＤ２（ＡＥＤ３）または複合イオン除去フィルタＭＥＤ２（ＭＥＤ３）への一次純水の通水により、イオン交換樹脂ＩＥＪの表面に付着しているアミンは親水化し、後段のＵＦ装置ＵＦＥ１（ＵＦＥ２）へと流出してしまう恐れがある。前述したように、ＵＦ装置ＵＦＥ１（ＵＦＥ２）では、イオン分子および低分子は除去されずに通過してしまうので、アミンが超純水に混じって吐き出されてしまう恐れがある。また、イオン交換樹脂ＩＥＪが老朽化に伴って破砕した場合には、イオン交換樹脂ＩＥＪの内部に含まれていたアミンが流出してしまう恐れがある。
【００６７】
また、図１０および図１１は、上記ＲＯ装置ＲＯ１（ＲＯ２）の一例を説明する要部斜視図であり、スパイラル型のＲＯモジュールを示している。図１０および図１１に示したＲＯモジュールは、２枚の逆浸透膜ＲＯＭ（逆浸透膜ＲＯＭは２枚に限定されないことは言うまでもない）を透過水流路材ＯＷＦを挟んで封筒状に接合し、その開かれた一端を中心パイプＣＴに接続し、その中心パイプＣＴを中心として間にメッシュスペーサＭＳおよび接着剤を介して巻き上げ、固定されたものである。このようなＲＯモジュールに供給された一次純水は、逆浸透膜ＲＯＭを透過した透過水とそれ以外の非透過水とに分離され、透過水は中心パイプＣＴから吐き出されて後段の中間タンクＴＮＫ１（ＴＮＫ２）へと送られる。
【００６８】
上記２枚の逆浸透膜ＲＯＭの巻き上げおよび固定に用いられた接着剤にもアミン（イオン化したアミンを含む）が存在している。このアミンについても、ＲＯ装置ＲＯ１（ＲＯ２）への一次純水の通水によって親水化し、後段へと流出し、超純水中に混入してしまう恐れがある。
【００６９】
上記のようなアミンのうち、特にイオン化したアミンが混入している超純水を、フラッシュメモリのメモリセルとなるＭＩＳＦＥＴのゲート酸化膜を形成する直前の半導体基板１の洗浄工程に用いると、イオン化したアミンが半導体基板１を形成するシリコンをエッチングし、ゲート酸化膜形成後にゲート酸化膜と半導体基板１との界面に凹凸が形成されてしまう恐れがある。イオン化していないアミンについても、潜在的にはイオン化したアミンと同様の危険性を含んでいる。このような凹凸が形成されると、ゲート酸化膜の耐圧が低下し、メモリセルへの書き込み特性および消去特性が劣化してしまうことになる。また、ゲート酸化膜の耐圧が低下することによって、メモリセル以外のＭＩＳＦＥＴにおいても、ソース・ドレイン間電流が流れ難くなってしまう恐れがある。
【００７０】
また、図１２は、前述の第１二次純水製造システムＳＷＳ１および第２二次純水製造システムＳＷＳ２のそれぞれから供給される超純水のクリーンルーム内における経路を示した斜視図である。本実施の形態１においては、たとえば複数階からなるプラントの１階および２階にそれぞれクリーンルームＣＲ１、ＣＲ２が設けられ、クリーンルームＣＲ１内に配置されたユースポイントＵＰ１、ＵＰ２へは第１二次純水製造システムＳＷＳ１から送られてきた超純水が超純水供給装置ＵＰＷ１から供給され、クリーンルームＣＲ２内に配置されたユースポイントＵＰ３〜ＵＰ５へは第２二次純水製造システムＳＷＳ２から送られてきた超純水が超純水供給装置ＵＰＷ２から供給されるように配管が設けられている。
【００７１】
ここで、本実施の形態１では、超純水供給装置ＵＰＷ１から２階のユースポイントＵＰ３〜ＵＰ５へも超純水を供給できるような配管ＰＩＰ１を設け、超純水供給装置ＵＰＷ２から１階のユースポイントＵＰ１、ＵＰ２へも超純水を供給できるような配管ＰＩＰ２を設ける。この配管ＰＩＰ１、ＰＩＰ２は、図１２中では破線で示してある。そして、ユースポイントＵＰ１〜ＵＰ５のうち、ユースポイントＵＰ１を例に取って説明すると、図１３に示すように、ユースポイントＵＰ１から引き出された配管ＴＵＢは、その先端に、超純水供給装置ＵＰＷ１、ＵＰＷ２のそれぞれから超純水が送られてくる配管ＴＵＢ１、ＴＵＢ２と接続するための接続器具（切り替え手段）を有し、この接続器具は、適宜その配管への取り付けおよび取り外しができるようになっている。
【００７２】
ユースポイントＵＰ１が、たとえばフラッシュメモリのメモリセルとなるＭＩＳＦＥＴのゲート酸化膜を形成する直前の半導体基板１の洗浄工程（以降、アミン系物質感受性工程という）に用いる洗浄装置である場合において、最初は配管ＴＵＢが超純水供給装置ＵＰＷ１からの超純水が送られてくる配管ＴＵＢ１へ上記接続器具を介して接続されているとする。ここで、配管ＴＵＢ１へ送られてくる超純水を製造する第１二次純水製造システムＳＷＳ１内において、ＵＦ装置ＵＦＥ１、複合イオン除去フィルタＭＥＤ２、アニオン除去フィルタＡＥＤ２およびＲＯ装置ＲＯ１といったアミン放出性部材は、新品に交換した直後が最もアミンを流出させやすい。そこで、本実施の形態１では、これらアミン放出性部材のうちのいずれかを新しいものと交換する際に、配管ＴＵＢ１と繋がっていた配管ＴＵＢを配管ＴＵＢ２へ繋ぎ換え、ユースポイントＵＰ１へは第２二次純水製造システムＳＷＳ２で製造された超純水を供給する（図１４参照）。それにより、ユースポイントＵＰ１へアミンの混じった超純水が供給されてしまうことを防ぐことができる。また、第１二次純水製造システムＳＷＳ１で製造された超純水は、アミンの影響が出難い工程、たとえば半導体基板１の主面（素子形成面）がアミンに対するエッチング耐性が大きい酸化シリコン膜で覆われている時の半導体基板１の洗浄工程に用いることができるので、その洗浄工程のユースポイントへ供給できるように配管を繋ぎ換える。なお、第２二次純水製造システムＳＷＳ２で製造された超純水においても、フラッシュメモリの特性に影響を与えない程度の量のアミンを含むものとする。
【００７３】
ここで、本発明者らが行った実験によれば、上記アミン放出性部材が新品に換えられた後、それらから流出するアミンの量がフラッシュメモリの特性に影響を与えない程度の量となるのは約１ヶ月後、好ましくは約２ヵ月後、さらに好ましくは約６ヵ月後であることがわかった。これらの部材から流出するアミンの量を減少させるためには、流出するアミンの量がフラッシュメモリの特性に影響を与えない程度の量となるまでは、これらの部材に一次純水を通水し続ける期間（以降、準備通水期間と記す）を設ける必要がある。そのため、配管ＴＵＢが配管ＴＵＢ１および配管ＴＵＢ２と適宜繋ぎ換えられるようになっていない場合には、流出するアミンの量がフラッシュメモリの特性に影響を与えない程度の量となるまで、アミン感受性工程が長期間行えないことになってしまう不具合がある。
【００７４】
一方、上記の本実施の形態１のように、配管ＴＵＢが配管ＴＵＢ１および配管ＴＵＢ２と適宜繋ぎ換えられるようになっている場合には、たとえば第１二次純水製造システムＳＷＳ１にてアミン放出性部材が新品と交換された場合でも、第２二次純水製造システムＳＷＳ２で製造された超純水をユースポイントＵＰ１へ供給することができる。それにより、上記アミン感受性工程が長期間行えない不具合を防ぐことが可能となる。
【００７５】
また、アミン放出性部材の種類によって交換時期が決まっているが、本実施の形態１では、その交換時期およびアミン放出性部材の準備通水期間が第１二次純水製造システムＳＷＳ１と第２二次純水製造システムＳＷＳ２とで重ならないように設定する。それにより、第１二次純水製造システムＳＷＳ１および第２二次純水製造システムＳＷＳ２の両方からアミン感受性工程が行われるユースポイントＵＰ１へ超純水が供給できなくなってしまう不具合を防ぐことができる。
【００７６】
また、前記図４に示した超純水製造システムにおいて、ＵＦ装置ＵＦＥ１（ＵＦＥ２）とユースポイントＵＳＥＰ１、ＵＳＥＰ２（ＵＳＥＰ３、ＵＳＥＰ４）との間にカチオン除去フィルタを追加してもよい。イオン化したアミンはカチオンであるので、ユースポイントＵＳＥＰ１、ＵＳＥＰ２（ＵＳＥＰ３、ＵＳＥＰ４）へ超純水が供給される前の最後段にカチオン除去フィルタを追加することによって、さらに効果的にアミンを除去することが可能となる。
【００７７】
また、図４では、二次純水製造システム群ＳＰＷＳが第１二次純水製造システムＳＷＳ１および第２二次純水製造システムＳＷＳ２の２つの系統から形成されている場合について示したが、３つ以上の系統としてもよい。３つ以上の系統とした場合においても、各系統が有する各アミン放出性部材の交換時期および準備通水期間がすべての系統で同時に実施されない設定することによって、すべての系統からアミン感受性工程が行われるユースポイントへ超純水が供給できなくなってしまう不具合を防ぐことができる。
【００７８】
また、前記図１２では、複数階からなるプラントの１階および２階にそれぞれ超純水のユースポイントが配置された場合について示したが、ユースポイントは３つ以上の階または１つの階のみに配置するようにしてもよい。
【００７９】
上記フィールド絶縁膜６（図３参照）の形成に用いた窒化シリコン膜を除去した後、上記のような超純水製造システムにて製造された超純水を用いて、半導体基板１を洗浄（第１ウェット処理）する。この時、半導体基板１の主面の素子形成領域には、半導体基板１を形成するシリコンが現れているので、この半導体基板１の洗浄工程は、前述のアミン感受性工程となる。この洗浄工程では、図１５に示すような洗浄ドラフト装置（第１ウェット処理装置）を用いることができる。図４〜図１４を用いて説明した本実施の形態１の超純水製造システムにより製造された超純水は、超純水供給ライン（配管）を通じて超純水のユースポイントＵＰ１〜ＵＰ５（図１２参照）である処理槽ＳＣ１および純水槽ＱＤＲ１、ＱＤＲ２、ＯＦ１、ＯＦ２のそれぞれへ供給される。なお、前述したように、処理槽ＳＣ１および純水槽ＱＤＲ１、ＱＤＲ２、ＯＦ１、ＯＦ２に超純水を供給する配管のそれぞれにカチオンを吸着するイオン交換基を有するイオン除去フィルタ（カチオン除去フィルタ）ＩＦＣまたは複合イオン除去フィルタ（カチオン除去フィルタ）ＭＥＤを配置してもよい。また、処理槽ＳＣ１にはＨ２Ｏ２およびＮＨ４ＯＨが供給され、処理槽ＨＦへは本実施の形態１の超純水を用いて調合された希フッ酸が供給される。このような洗浄ドラフト装置による半導体基板１の洗浄工程は、まず処理槽ＳＣ１にてＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏによる洗浄を行った後、純水槽ＱＤＲ１、ＯＦ１にて超純水による洗浄を行う。続いて、処理槽ＨＦにて希フッ酸による洗浄を行った後、純水槽ＱＤＲ２、ＯＦ２にて超純水による洗浄を行う。次いで、半導体基板１をＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気乾燥法により乾燥させ、図１５に示した洗浄ドラフト装置による半導体基板１の洗浄工程を完了する。なお、図１５に示した洗浄ドラフト装置を他の洗浄工程に適用する場合において、処理槽ＳＣ１および純水槽ＱＤＲ１、ＯＦ１での処理が不要な場合には、洗浄工程を処理槽ＨＦでの処理から開始してもよい。
【００８０】
図１６は、上記希フッ酸を調合する希フッ酸調合装置の説明図である。この希フッ酸調合装置は、超純水のユースポイントＵＰ１〜ＵＰ５（図１２参照）の１つである。図４〜図１４を用いて説明した本実施の形態１の超純水製造システムにより製造された超純水は、まず純水計量タンクＴＡＮＫ１へ所定量が供給される。なお、前述したように、純水計量タンクＴＡＮＫ１に超純水を供給する配管のそれぞれにカチオンを吸着するイオン交換基を有するイオン除去フィルタＩＦＣまたは複合イオン除去フィルタＭＥＤを配置してもよい。一方、フッ酸キャニスターＣＡＮ１よりフッ酸原液タンクＴＡＮＫ２へ供給されたフッ酸の原液は、フッ酸原液タンクＴＡＮＫ２からフッ酸計量タンクＴＡＮＫ３へ移されることによって計量される。続いて、純水計量タンクＴＡＮＫ１およびフッ酸計量タンクＴＡＮＫ３より、それぞれ超純水およびフッ酸の原液が調合タンクＴＡＮＫ４へ供給され、超純水およびフッ酸の原液が所定の割合で調合されることにより希フッ酸が製造される。ここで、本実施の形態１においては、フッ酸の原液と超純水とを１：９９程度または１：１９程度の割合で調合することを例示できる。この後、希フッ酸は調合タンクＴＡＮＫ４から供給タンクＴＡＮＫ５へ移された後に洗浄ドラフト装置へ供給することが可能となる。
【００８１】
上記フィールド絶縁膜６（図３参照）の形成に用いた窒化シリコン膜を除去し、半導体基板１を洗浄した後、半導体基板１の表面に酸化処理を施すことにより、薄い酸化シリコン膜を形成する。この酸化処理により、半導体基板１の主面の活性領域に異物が付着している場合には、その異物を酸化し、酸化した異物をその薄い酸化シリコン膜中に封じ込めることになる。続いて、図１５を用いて説明した洗浄ドラフト装置にて半導体基板１を洗浄（第１ウェット処理）することによって、その薄い酸化シリコン膜を除去する。それにより、酸化処理前に半導体基板１の主面の活性領域に異物が付着していた場合でも、その異物を効果的に除去することができる。また、その洗浄処理によって、半導体基板１の主面の素子形成領域には、半導体基板１を形成するシリコンが現れるので、この半導体基板１の洗浄工程は、前述のアミン感受性工程となる。
【００８２】
次に、半導体基板１の表面に酸化処理を施すことにより、たとえば膜厚２０ｎｍ程度のゲート絶縁膜８を形成する。続いて、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたフォトレジスト膜（図示は省略）を用いたウェットエッチング（第１ウェット処理）により、領域１Ｃにおけるゲート絶縁膜８を選択的に除去する。本実施の形態１において、そのウェットエッチング工程は、図４〜図１４を用いて説明した本実施の形態１の超純水製造システムにより製造された超純水を用いるウェットエッチング装置（第１ウェット処理装置（図１７参照））を用いて行うことができる。その超純水は、超純水のユースポイントＵＰ１〜ＵＰ５（図１２参照）に相当する純水槽ＱＤＲ３、ＯＦ３、ＯＦ４のそれぞれへ供給される。なお、前述したように、純水槽ＱＤＲ３、ＯＦ３、ＯＦ４に超純水を供給する配管のそれぞれにカチオンを吸着するイオン交換基を有するイオン除去フィルタＩＦＣまたは複合イオン除去フィルタＭＥＤを配置してもよい。また、エッチング槽ＥＴＣＨには酸化シリコン膜をエッチングするエッチング溶液が入れられている。このようなウェットエッチング装置によるゲート絶縁膜８のウェットエッチング工程は、まずエッチング槽ＥＴＣＨに半導体基板１を浸すことによりゲート絶縁膜８をウェットエッチングする。続いて、純水槽ＯＦ３、ＯＦ４にて超純水により半導体基板１を洗浄した後、スピン乾燥法により半導体基板１を乾燥させ、図１７に示したウェットエッチング装置によるゲート絶縁膜８のウェットエッチング工程を完了する。
【００８３】
次に、上記フォトレジスト膜を除去した後、たとえば図１８に示すような洗浄ドラフト装置（第１ウェット処理装置）を用いて半導体基板１を洗浄（第１ウェット処理）する。その洗浄処理によって半導体基板１の主面の領域１Ｃでは半導体基板１を形成するシリコンが現れるので、この半導体基板１の洗浄工程は、前述のアミン感受性工程となる。図４〜図１４を用いて説明した本実施の形態１の超純水製造システムにより製造された超純水は、超純水のユースポイントＵＰ１〜ＵＰ５（図１２参照）である処理槽ＳＣ１、ＳＣ２および純水槽ＱＤＲ１、ＱＤＲ２、ＯＦ１、ＯＦ２のそれぞれへ供給される。なお、前述したように、処理槽ＳＣ１、ＳＣ２および純水槽ＱＤＲ１、ＱＤＲ２、ＯＦ１、ＯＦ２に超純水を供給する配管のそれぞれにカチオンを吸着するイオン交換基を有するイオン除去フィルタＩＦＣまたは複合イオン除去フィルタＭＥＤを配置してもよい。また、処理槽ＳＣ１にはＨ２Ｏ２およびＮＨ４ＯＨが供給され、処理槽ＳＣ２にはＨ２Ｏ２およびＨＣｌ（塩酸）が供給される。このような洗浄ドラフト装置による半導体基板１の洗浄工程は、まず処理槽ＳＣ１にてＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏによる洗浄を行った後、純水槽ＱＤＲ１、ＯＦ１にて超純水による洗浄を行う。続いて、処理槽ＳＣ２にてＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏによる洗浄を行った後、純水槽ＱＤＲ２、ＯＦ２にて超純水による洗浄を行う。次いで、半導体基板１をＩＰＡ蒸気乾燥法により乾燥させ、図１８に示した洗浄ドラフト装置による半導体基板１の洗浄工程を完了する。
【００８４】
次に、図１９に示すように、半導体基板１の表面に酸化処理を施すことにより、領域１Ｃにおけるｐ型ウェル４の表面に、膜厚１０ｎｍ程度のゲート絶縁膜（トンネル酸化膜）９を形成する。なお、このゲート絶縁膜９の膜厚は１０ｎｍ以下としてもよく、たとえば５ｎｍ程度とすることができる。
【００８５】
続いて、たとえばＣＶＤ法により半導体基板１の主面（デバイス面）上に膜厚２００ｎｍ程度の多結晶シリコン膜１０を堆積する。なお、この多結晶シリコン膜１０は、たとえばＣＶＤ法で半導体基板１上に非晶質（アモルファス）シリコンを堆積した後、この非晶質シリコンに熱処理を施すことにより、非晶質シリコンを多結晶シリコンへと変化させることで形成してもよい。
【００８６】
続いて、上記多結晶シリコン膜１０の表面に、たとえば塗布法によりリンガラス膜（図示は省略）を堆積した後、半導体基板１に熱処理を施すことにより、多結晶シリコン膜１０にＰ（リン）を導入する。次いで、そのリンガラス膜を除去した後、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたフォトレジスト膜（図示は省略）を用いて多結晶シリコン膜１０をパターニングする。これにより、領域１Ｃに多結晶シリコン膜１０を残し、領域１Ｄ、１Ｅ２、１Ｆにおいては、それぞれ多結晶シリコン膜１０からなるゲート電極１０Ｄ、１０Ｅ２、１０Ｆを形成することができる。次いで、その多結晶シリコン膜１０のパターニングに用いたフォトレジスト膜を除去した後、約９５０℃の熱処理により、多結晶シリコン膜１０（ゲート電極１０Ｄ、１０Ｅ２、１０Ｆを含む）の表面に酸化シリコン膜１１を形成する。
【００８７】
ここで、超純水を用いた半導体基板１の各洗浄工程において、超純水にイオン化アミンが含まれていると、半導体基板１を形成するシリコンをエッチングしてしまうことから、たとえば領域１Ｃを拡大した図２０に示すように、ゲート絶縁膜９と半導体基板１（ｐ型ウェル４）との界面に凹凸が形成されてしまう。また、この凹凸はゲート絶縁膜９の上層に形成される薄膜の形状にも影響を与えることから、ゲート絶縁膜９と多結晶シリコン膜１０との界面および多結晶シリコン膜１０と酸化シリコン膜１１との界面にも凹凸が形成されてしまう場合がある。
【００８８】
一方、図４〜図１４を用いて説明した本実施の形態１の超純水製造システムを用いることにより、超純水中にイオン化アミンが含まれてしまうことを防ぐことができる。このような本実施の形態１の超純水を用いることにより、ゲート絶縁膜９と半導体基板１（ｐ型ウェル４）との界面に凹凸が形成されることを防ぐことができる（図２１参照）。それにより、ゲート絶縁膜の耐圧が低下してしまうことを防ぐことができるので、領域ＩＣにフラッシュメモリのメモリセルとなるＭＩＳＦＥＴを形成した場合においては、メモリセルへの書き込み特性および消去特性が劣化してしまうことを防ぐことができる。
【００８９】
次に、図２２に示すように、半導体基板１上に窒化シリコン膜１３、酸化シリコン膜１４および窒化シリコン膜１５を順次積層する。この時、窒化シリコン膜１３、１５はＣＶＤ法による堆積を例示できる。酸化シリコン膜１４は、半導体基板１に酸化処理を施すことにより形成することを例示できる。また、酸化シリコン膜１１、１４および窒化シリコン膜１３、１５をまとめて層間容量膜１６とする。続いて、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたフォトレジスト膜（図示は省略）をマスクにして層間容量膜１６をドライエッチングし、領域１Ａ、１Ｂにおける層間容量膜１６を除去する。
【００９０】
その後、酸化処理を施すことにより、領域１Ａにおけるｐ型ウェル４の表面および領域１Ｂにおけるｎ型ウェル３の表面に酸化シリコン膜（図示は省略）を形成する。続いて、領域１Ａにおけるｐ型ウェル４および領域１Ｂにおけるｎ型ウェル３に、たとえばＢＦ２を導入する。
【００９１】
次に、上記層間容量膜１６のドライエッチングに用いたフォトレジスト膜を除去した後、前記図１８に示した洗浄ドラフト装置を用いて半導体基板１を洗浄（第１ウェット処理）する。その洗浄処理によって半導体基板１の主面の領域１Ａ、１Ｂでは半導体基板１を形成するシリコンが現れるので、この半導体基板１の洗浄工程は、前述のアミン感受性工程となる。
【００９２】
次に、図２３に示すように、半導体基板１の表面に酸化処理を施すことにより、領域１Ａにおけるｐ型ウェル４の表面および領域１Ｂにおけるｎ型ウェル３の表面に、たとえば膜厚１３．５ｎｍ程度のゲート絶縁膜１７をそれぞれ形成する。このゲート絶縁膜１７を形成する工程に先立って行った洗浄処理はアミン感受性工程であったが、本実施の形態１の超純水製造装置によって製造された洗浄ドラフト装置（図１８参照）を用いていることから、ゲート絶縁膜１７と半導体基板１（ｐ型ウェル４およびｎ型ウェル３）との界面に凹凸が形成されることを防ぐことができる。それにより、ゲート絶縁膜１７の耐圧が低下してしまうことを防ぐことができるので、後の工程で領域１Ａ、１Ｂに形成されるＭＩＳＦＥＴにおいては、ソース・ドレイン間電流が流れ難くなってしまうことを防ぐことができる。それにより、そのＭＩＳＦＥＴに特性不良を発生させてしまう不具合を防ぐことが可能となる。
【００９３】
続いて、半導体基板１の主面上に、多結晶シリコン膜１８、ＷＳｉｘ膜１９および酸化シリコン膜２０を順次堆積する。多結晶シリコン膜１８を堆積した後に、たとえば塗布法によりリンガラス膜（図示は省略）を堆積した後、半導体基板１に熱処理を施すことにより、多結晶シリコン膜１８にＰを導入してもよい。
【００９４】
次に、図２４に示すように、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたフォトレジスト膜（図示は省略）をマスクにして酸化シリコン膜２０をパターニングする。続いて、そのフォトレジスト膜を除去した後、酸化シリコン膜２０をマスクにしてＷＳｉｘ膜１９および多結晶シリコン膜１８をドライエッチングする。これにより、領域１Ａ、１Ｂにおいては、それぞれＷＳｉｘ膜１９および多結晶シリコン膜１８からなるゲート電極２９Ａ、２９Ｂを形成することができ、領域１Ｃにおいては、ＷＳｉｘ膜１９および多結晶Ｓｉ膜１８からなる制御ゲート電極２２を形成することができる。また、領域１Ｅ２、１Ｄ、１Ｆにおいて、層間容量膜１６は窒化シリコン膜１３を残してエッチングされる。
【００９５】
次に、図２５に示すように、領域１Ｃにおいて、酸化シリコン膜２０をマスクとして多結晶シリコン膜１０をドライエッチングすることにより、浮遊ゲート電極２４を形成することができる。この時、領域１Ｃ以外の領域は、フォトレジスト膜にて覆われているので、エッチング雰囲気に曝されてしまうことを防ぐことができる。ここで、浮遊ゲート電極２４、層間容量膜１６および制御ゲート電極２２をまとめてゲート電極２５とする。続いて、酸化処理によりゲート電極２５、２９Ａ、２９Ｂの側壁および上面に薄い酸化シリコン膜３０を形成する。
【００９６】
次に、図２６に示すように、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたフォトレジスト膜（図示は省略）をマスクとして、ゲート電極２５の片側のｐ型ウェル４にｎ型不純物（たとえばＰ）をイオン注入法等により導入した後、熱処理を施す。
【００９７】
続いて、上記フォトレジスト膜を除去した後、前記図１８に示した洗浄ドラフト装置を用いて半導体基板１を洗浄する。この洗浄工程は、非アミン感受性工程である。次いで、領域１Ａ、１Ｃ、１Ｅ２、１Ｄ上にフォトレジスト膜（図示は省略）を形成する。そして、そのフォトレジスト膜をマスクとして、ｎ型ウェル３にｐ型不純物（たとえばＢＦ２）をイオン注入法等により導入することにより、ｐ−型半導体領域３１を形成する。
【００９８】
続いて、上記領域１Ａ、１Ｃ、１Ｅ２、１Ｄを覆うフォトレジスト膜を除去した後、前記図１８に示した洗浄ドラフト装置を用いて半導体基板１を洗浄する。この洗浄工程は、非アミン感受性工程である。次いで、領域１Ｂ、１Ｆ上にフォトレジスト膜（図示は省略）を形成する。そして、そのフォトレジスト膜をマスクとして、ｐ型ウェル４にｎ型不純物（たとえばＰ）をイオン注入法等により導入することにより、ｎ−型半導体領域３２を形成する。その後、領域１Ｂ、１Ｆを覆うフォトレジスト膜を除去する。
【００９９】
次に、図２７に示すように、たとえばＣＶＤ法にて、半導体基板１上に酸化シリコン膜を堆積する。続いて、その酸化シリコン膜を異方的にエッチングすることにより、その酸化シリコン膜をゲート電極２９Ａ、２９Ｂ、２５、１０Ｅ２、１０Ｄ、１０Ｆの側壁に残し、サイドウォールスペーサ３３を形成する。
【０１００】
続いて、領域１Ｂ、１Ｆ上およびゲート電極２９Ａ、２５、１０Ｅ２、１０Ｄ上にフォトレジスト膜（図示は省略）を形成する。この時、ゲート電極１０Ｄの片側のｎ−型半導体領域３２の所定の範囲がそのフォトレジスト膜で覆われるようにする。そして、そのフォトレジスト膜をマスクとして、ｐ型ウェル４にｎ型不純物（たとえばＰ）をイオン注入法等により導入する。
【０１０１】
次に、上記フォトレジスト膜を除去した後、前記図１８に示した洗浄ドラフト装置を用いて半導体基板１を洗浄する。この洗浄工程は、非アミン感受性工程である。次いで、領域１Ａ、１Ｃ、１Ｅ２、１Ｄ上およびゲート電極２９Ｂ、１０Ｆ上にフォトレジスト膜（図示は省略）を形成する。この時、ゲート電極１０Ｆの片側のｐ−型半導体領域３１の所定の範囲がそのフォトレジスト膜で覆われるようにする。そして、そのフォトレジスト膜をマスクとして、ｎ型ウェル３にｐ型不純物（たとえばＢＦ２）をイオン注入法等により導入する。続いて、そのフォトレジスト膜を除去した後、前記図１８に示した洗浄ドラフト装置を用いて半導体基板１を洗浄する。この洗浄工程は、非アミン感受性工程である。次いで、半導体基板１に９００℃程度の熱処理を施すことにより、ｐ＋型半導体領域３４およびｎ＋型半導体領域３５、３５Ａを形成する。これにより、領域１Ａにおいては５Ｖ系ｎＭＩＳＱＡ、領域１Ｂにおいては５Ｖ系ｐＭＩＳＱＢ、領域１ＣにおいてはフラッシュメモリのメモリセルとなるＭＩＳＱＣ、領域１Ｅ２においては高耐圧系負荷用ｎＭＩＳＱＥ２、領域１Ｄにおいては高耐圧系片側オフセットｎＭＩＳＱＤおよび領域１Ｆにおいては高耐圧系片側オフセットｐＭＩＳＱＦを形成することができる。
【０１０２】
次に、図２８に示すように、たとえばＣＶＤ法により、半導体基板１上に膜厚１５０ｎｍ程度の酸化シリコン膜３６を堆積する。続いて、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたフォトレジスト膜（図示は省略）をマスクとしたドライエッチングにより、その酸化シリコン膜３６にｎ＋型半導体領域３５Ａに達するコンタクトホール３８Ａを開孔する。
【０１０３】
次に、上記フォトレジスト膜を除去した後、前記図１８に示した洗浄ドラフト装置を用いて半導体基板１を洗浄する。この洗浄工程は、非アミン感受性工程である。次いで、たとえばＣＶＤ法で半導体基板１上に非晶質シリコン膜を堆積し、コンタクトホール３８Ａ内をその非晶質シリコン膜で埋め込む。続いて、この非晶質シリコン膜に熱処理を施すことにより多結晶シリコン膜を形成する。その後、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたフォトレジスト膜（図示は省略）をマスクとしたドライエッチングによりその多結晶シリコン膜をパターニングし、配線ＴＧを形成する。続いて、そのフォトレジスト膜を除去した後、前記図１８に示した洗浄ドラフト装置を用いて半導体基板１を洗浄する。この洗浄工程は、非アミン感受性工程である。次いで、半導体基板１に熱処理を施すことにより、その配線ＴＧの表面に酸化シリコン膜３６Ａを形成する。
【０１０４】
次に、図２９に示すように、たとえばＣＶＤ法により半導体基板１上にＢＰＳＧ膜３７を堆積した後、Ｎ２雰囲気中にて半導体基板に対して約９００℃の熱処理を施すことにより、そのＢＰＳＧ膜３７の表面を平坦化する。
【０１０５】
続いて、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたフォトレジスト膜（図示は省略）を用いたドライエッチングにより、ＢＰＳＧ膜３７、酸化シリコン膜３６およびゲート絶縁膜８、１７をエッチングすることにより、コンタクトホール３８を穿孔する。
【０１０６】
次に、上記コンタクトホール３８の穿孔に用いたフォトレジスト膜を除去した後、前記図１８に示した洗浄ドラフト装置を用いて半導体基板１を洗浄する。この洗浄工程は、非アミン感受性工程である。次いで、たとえばスパッタリング法にて、上記コンタクトホール３８内およびＢＰＳＧ膜上に膜厚３０ｎｍ程度のＭｏＳｉ（モリブデンシリサイド）膜を堆積することにより、バリア導体膜を形成する。続いて、そのバリア導体膜上に、たとえばスパッタリング法にてコンタクトホール３８を埋め込む金属膜を堆積する。この金属膜はＡｌ（アルミニウム）を主成分とし、Ｃｕ（銅）を含むものである。さらに続いて、その金属膜上にＭｏＳｉ膜を堆積することにより、反射防止膜を形成する。ここで、上記バリア導体膜は、上記金属膜中のＡｌがＢＰＳＧ膜３７および酸化シリコン膜３６中に拡散することを防ぐ機能を有する。また、上記反射防止膜は、後の工程で反射防止膜上にフォトレジスト膜を形成する際に、光が乱反射することを防ぐ機能を有する。
【０１０７】
続いて、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたフォトレジスト膜（図示は省略）を用いたドライエッチングにより、上記反射防止膜、金属膜およびバリア導体膜をパターニングすることにより配線３９を形成し、本実施の形態１のフラッシュメモリを製造する。
【０１０８】
（実施の形態２）
図３０は本実施の形態２の超純水製造システムの概要を示す説明図である。
【０１０９】
前記実施の形態１においては、１つの一次純水製造システムＦＰＷＳで製造された一次純水が、第１二次純水製造システムＳＷＳ１および第２二次純水製造システムＳＷＳ２の２つの二次純水製造システムへ送られる場合について説明したが（図４参照）、本実施の形態２においては、図３０に示すように、第１一次純水製造システムＦＷＳ１および第２一次純水製造システムＦＷＳ２の２つの一次純水製造システムを設置する。そして、第１一次純水製造システムＦＷＳ１で製造された一次純水は第１二次純水製造システムＳＷＳ１へ送られ、第２一次純水製造システムＦＷＳ２で製造された一次純水は第２二次純水製造システムＳＷＳ２へ送られるようにしたものである。第１一次純水製造システムＦＷＳ１内および第２一次純水製造システムＦＷＳ２内の構成は、前記実施の形態１で説明した一次純水製造システムＦＰＷＳと同様である。また、その他の構成は、前記実施の形態１と同様である。
【０１１０】
上記のような本実施の形態２によっても、前記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【０１１１】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１１２】
たとえば、前記実施の形態では、製造した超純水をフラッシュメモリの製造工程中の半導体基板の洗浄工程に用いる場合について説明したが、フラッシュメモリ以外の半導体集積回路装置（たとえばロジックＬＳＩ）の製造工程中の洗浄工程にも適用可能である。
【０１１３】
以下、本実施の形態において開示される発明のうち、代表的なものについて簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【０１１４】
半導体集積回路装置の製造方法であって、
（ａ）通常水を、一次浄化システムを有する一次純水製造システム内に、第１原料水として導入する工程、
（ｂ）前記一次浄化システムにより浄化された一次純水を、前記一次純水製造システムから二次浄化システムを有する二次純水製造システム群内に、第２原料水として導入する工程、
（ｃ）前記二次浄化システムにより浄化された二次純水を、前記二次純水製造システム群から第１ウェット処理装置に供給することによって、半導体集積回路ウェハに対して第１ウェット処理を実行する工程、
を含み、
前記二次純水製造システム群は第１の二次純水製造システムと第２の二次純水製造システムとを有し、
前記第１ウェット処理は、対アミン系物質感受性を有する工程であり、
前記第１の二次純水製造システムに含まれるアミン系物質放出部材の交換後の一定の期間は、前記アミン系物質放出部材に対応する部材を前記第１の二次純水製造システム以前に交換した前記第２の二次純水製造システムから前記第１ウェット処理装置へ前記二次純水を供給する。
【０１１５】
前記製造方法において、前記（ｃ）工程は、
（ｃ１）イオン除去フィルタによるイオン除去工程、
（ｃ２）限外濾過フィルタによる粒子性異物除去工程、
（ｃ３）前記イオン除去フィルタ及び前記限外濾過フィルタを通過した前記二次純水を前記第１ウェット処理装置に供給する工程、
を含む。
【０１１６】
前記製造方法において、前記第１ウェット処理は洗浄処理である。
【０１１７】
前記製造方法において、前記半導体集積回路装置はフラッシュメモリ部を含む。
【０１１８】
前記製造方法において、前記第１ウェット処理装置に供給された前記二次純水からは前記半導体集積回路装置の特性に影響を与えない程度にアミン系物質が除去され、前記半導体集積回路装置の前記特性は前記フラッシュメモリ部の書き込みまたは消去特性である。
【０１１９】
【発明の効果】
本願によって開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。
【０１２０】
すなわち、半導体集積回路装置の製造工程に用いる超純水中にアミン系物質が流出することを防ぐことができるので、ゲート絶縁膜と半導体基板との界面に凹凸が形成されてしまうことに起因するゲート絶縁膜の耐圧の低下を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法を示す要部断面図である。
【図２】図１に続く半導体集積回路装置の製造工程中の要部断面図である。
【図３】図２に続く半導体集積回路装置の製造工程中の要部断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造に用いる超純水の製造システムの概要を示す説明図である。
【図５】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造に用いる超純水の製造システムに含まれるＵＦ装置が有するＵＦモジュールの説明図である。
【図６】図５に示したＵＦモジュールの要部断面図である。
【図７】図５に示したＵＦモジュールを形成する中空糸膜の説明図である。
【図８】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造に用いる超純水の製造システムに含まれるアニオン除去フィルタおよび複合イオン除去フィルタの説明図である。
【図９】図１６に示したアニオン除去フィルタおよび複合イオン除去フィルタが有するイオン交換樹脂によるイオン吸着を説明する説明図である。
【図１０】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造に用いる超純水の製造システムに含まれるＲＯ装置を説明する要部斜視図である。
【図１１】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造に用いる超純水の製造システムに含まれるＲＯ装置を説明する要部斜視図である。
【図１２】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造に用いる超純水のクリーンルーム内における経路を示した斜視図である。
【図１３】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造に用いる超純水のユースポイントへの供給方法を示す説明図である。
【図１４】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造に用いる超純水のユースポイントへの供給方法を示す説明図である。
【図１５】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造に用いる洗浄ドラフト装置の一例の説明図である。
【図１６】図１５に示した洗浄ドラフト装置に供給する希フッ酸を調合する希フッ酸調合装置の説明図である。
【図１７】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造に用いるウェットエッチング装置の一例の説明図である。
【図１８】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造に用いる洗浄ドラフト装置の一例の説明図である。
【図１９】図３に続く半導体集積回路装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２０】イオン化したアミンの混入した超純水を用いた洗浄工程後に形成されたゲート絶縁膜と半導体基板との界面の形状を説明する要部断面図である。
【図２１】イオン化したアミンが含まれていない超純水を用いた洗浄工程後に形成されたゲート絶縁膜と半導体基板との界面の形状を説明する要部断面図である。
【図２２】図１９に続く半導体集積回路装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２３】図２２に続く半導体集積回路装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２４】図２３に続く半導体集積回路装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２５】図２４に続く半導体集積回路装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２６】図２５に続く半導体集積回路装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２７】図２６に続く半導体集積回路装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２８】図２７に続く半導体集積回路装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２９】図２８に続く半導体集積回路装置の製造工程中の要部断面図である。
【図３０】本発明の他の実施の形態である半導体集積回路装置の製造に用いる超純水の製造システムの概要を示す説明図である。
【符号の説明】
１  半導体基板（半導体集積回路ウェハ）
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ２、１Ｆ  領域
２、２Ａ  酸化シリコン膜
３  ｎ型ウェル
４  ｐ型ウェル
６  フィールド絶縁膜
７  ｐ型チャネルストッパ領域
８  ゲート絶縁膜
９  ゲート絶縁膜（トンネル酸化膜）
１０  多結晶シリコン膜
１０Ｄ、１０Ｅ２、１０Ｆ  ゲート電極
１１  酸化シリコン膜
１３  窒化シリコン膜
１４  酸化シリコン膜
１５  窒化シリコン膜
１６  層間容量膜
１７  ゲート絶縁膜
１８  多結晶シリコン膜
１９  ＷＳｉｘ膜
２０  酸化シリコン膜
２２  制御ゲート電極
２４  浮遊ゲート電極
２５  ゲート電極
２９Ａ、２９Ｂ  ゲート電極
３０  酸化シリコン膜
３１  ｐ−型半導体領域
３２  ｎ−型半導体領域
３３  サイドウォールスペーサ
３４  ｐ＋型半導体領域
３５、３５Ａ  ｎ＋型半導体領域
３６、３６Ａ  酸化シリコン膜
３７  ＢＰＳＧ膜
３８、３８Ａ  コンタクトホール
３９  配線
ＡＤＨ  接着剤
ＡＥＤ１  アニオン除去フィルタ（一次浄化システム）
ＡＥＤ２、ＡＥＤ３  アニオン除去フィルタ（二次浄化システム）
ＣＡＮ１  フッ酸キャニスター
ＣＥＤ１  カチオン除去フィルタ（一次浄化システム）
ＣＴ  中心パイプ
ＤＡ１、ＤＡ２  脱気装置（二次浄化システム）
ＦＥ１  濾過器（一次浄化システム）
ＦＰＷＳ  一次純水製造システム
ＦＷＳ１  第１一次純水製造システム
ＦＷＳ２  第２一次純水製造システム
ＨＥ１  加熱器
ＨＥ２、ＨＥ３  加熱器
ＩＥＪ  イオン交換樹脂
ＩＥＲ１  イオン交換基
ＩＦＣ  イオン除去フィルタ（カチオン除去フィルタ）
ＫＯＴ、ＫＯＴ１  筐体
ＭＥＤ  複合イオン除去フィルタ（カチオン除去フィルタ）
ＭＥＤ１  複合イオン除去フィルタ（一次浄化システム）
ＭＥＤ２、ＭＥＤ３  複合イオン除去フィルタ（二次浄化システム）
ＭＳ  メッシュスペーサ
ＮｉＳＯ  ｎ型アイソレーション領域
ＯＦ１、ＯＦ２、ＯＦ３、ＯＦ４  純水槽
ＯＷＦ  透過水流路材
ＯＷＰ  原水貯層
ＰＩＰ１、ＰＩＰ２  配管
ＰＭＰ１〜    ポンプ
ＰＷＰ  純水貯層
ＱＡ  ５Ｖ系ｎＭＩＳ
ＱＢ  ５Ｖ系ｐＭＩＳ
ＱＣ  ＭＩＳ
ＱＤ  高耐圧系片側オフセットｎＭＩＳ
ＱＥ２  高耐圧系負荷用ｎＭＩＳ
ＱＦ  高耐圧系片側オフセットｐＭＩＳ
ＱＤＲ１、ＱＤＲ２、ＱＤＲ３  純水槽
ＲＯ１、ＲＯ２  ＲＯ装置（二次浄化システム）
ＲＯＭ  逆浸透膜
ＳＣ１、ＳＣ２  処理槽
ＳＦ１、ＳＦ２  保安フィルタ
ＳＰＷＳ  二次純水製造システム群（サブシステム）
ＳＷＳ１  第１二次純水製造システム
ＳＷＳ２  第２二次純水製造システム
ＴＡＮＫ１  純水計量タンク
ＴＡＮＫ２  フッ酸原液タンク
ＴＡＮＫ３  フッ酸計量タンク
ＴＡＮＫ４  調合タンク
ＴＡＮＫ５  供給タンク
ＴＧ  配線
ＴＮＫ１、ＴＮＫ２  中間タンク
ＴＵＢ、ＴＵＢ１、ＴＵＢ２  配管
ＴＹＭ  中空糸膜
ＵＦＥ１、ＵＦＥ２  ＵＦ装置（二次浄化システム）
ＵＰＷ１、ＵＰＷ２  超純水供給装置
ＵＰ１〜ＵＰ５  ユースポイント
ＵＳＥＰ１〜ＵＳＥＰ４  ユースポイント
ＵＶＯ１、ＵＶＯ２  ＵＶ殺菌装置（二次浄化システム）
ＵＶＯ３、ＵＶＯ４  低圧ＵＶ酸化装置（二次浄化システム）
ＶＤ  真空脱気装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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