(57)【要約】【課題】二重チャンバー構造を用いることなく，ノズルの表面において処理液が混合することを防止する基板処理装置，処理システム，及び基板処理方法を提供する。【解決手段】複数枚の基板Ｗを配列して収納するチャンバー１００と，互いに異なる処理液を吐出する２本以上のノズル１２３を備え，前記各ノズル１２３から処理液をそれぞれ供給して基板Ｗを処理する基板処理装置であって，前記各ノズル１２３を，基板Ｗの配列方向に沿ってそれぞれ移動させることにより，前記チャンバー１００の内部と外部にそれぞれ移動させる構成とした。【選択図】　図４
2004111735.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の基板を配列して収納するチャンバーと，互いに異なる処理液を吐出する２以上のノズルを備え，前記各ノズルから処理液をそれぞれ供給して基板を処理する基板処理装置であって，
前記各ノズルを，基板の配列方向に沿ってそれぞれ移動させて，前記チャンバーの内部と外部にそれぞれ移動させる構成としたことを特徴とする，基板処理装置。
【請求項２】
前記チャンバーに，前記各ノズルを移動させるための開口をそれぞれ設け，
前記ノズルが前記チャンバーの外部に移動したときに前記開口を閉じる閉塞部材をそれぞれ設け，
前記ノズルが前記チャンバーの内部に移動したときに前記開口を閉じる閉塞部材をそれぞれ設けたことを特徴とする，請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記チャンバーの外部に移動したノズルを収納する収納機構を，前記各開口の外側にそれぞれ設けたことを特徴とする，請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記収納機構は，前記チャンバーの外部において前記ノズルを包むベローズと，前記ベローズの端部を閉じる蓋部材によって構成されることを特徴とする，請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記収納機構の内部を排気する排出ラインを設けたことを特徴とする，請求項３又は４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
基板のポリマー除去処理を行う処理システムであって，
基板にオゾンガスと蒸気の混合流体を供給する第１の基板処理装置と，基板に処理液を供給する第２の基板処理装置を備えることを特徴とする，処理システム。
【請求項７】
前記第１の基板処理装置は，基板の裏面に近接する熱板を備えることを特徴とする，請求項６に記載の処理システム。
【請求項８】
前記第１の基板処理装置は，複数枚の基板を配列して保持する保持部材を備え，
複数枚の前記熱板を配列して備え，
前記複数枚の基板に，前記複数枚の熱板をそれぞれ近接させることを特徴とする，請求項７に記載の処理システム。
【請求項９】
前記第１の基板処理装置は，基板と基板の裏面に近接した熱板とを囲むカバーを備えることを特徴とする，請求項６，７又は８に記載の処理システム。
【請求項１０】
基板のポリマーを除去する処理方法であって，
配列した複数枚の基板にオゾンガスと蒸気の混合流体を供給して処理し，
前記複数枚の基板に薬液を供給して処理し，
前記複数枚の基板をリンス処理し，
前記複数枚の基板を乾燥処理することを特徴とする，基板処理方法。
【請求項１１】
前記複数枚の配列した基板にオゾンガスと蒸気の混合流体を供給して処理するに際し，
各基板の裏面に熱板をそれぞれ近接させ，
前記複数枚の基板と熱板の周囲をカバーによって囲み，
カバーの内部にオゾンガスを供給し，
カバーの内部に蒸気を供給し，
カバーの内部にパージ用ガスを供給し，
前記複数枚の基板と熱板の周囲からカバーを離隔させ，
前記各基板の裏面から熱板をそれぞれ離隔させることを特徴とする，請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
第１の基板処理装置において，前記複数枚の基板にオゾンガスと蒸気の混合流体を供給して処理し，
第２の基板処理装置において，前記複数枚の基板に薬液を供給して処理し，前記複数枚の基板をリンス処理し，前記複数枚の基板を乾燥処理することを特徴とする，請求項１０又は１１に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記第１の基板処理装置における処理と，前記第２の基板処理装置における処理を，並行して行うことを特徴とする，請求項１２に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，例えば半導体ウェハやＬＣＤ基板用ガラス等の基板を洗浄処理などする基板処理装置，ポリマーを除去処理する処理システム及び処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造工程においては，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）の表面に付着したポリマーを除去する処理が行われる。かかるポリマー除去処理においては，最初に，過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）を含有した第１の薬液をウェハに供給してポリマーを改質させ，次に，アミン系の第２の薬液を供給して，改質したポリマーを溶解させる。その後，純水を用いてリンス処理し，最後に乾燥処理を行う。
【０００３】
かかるポリマー除去処理を行う基板処理装置として，外側チャンバーと内側チャンバーによって構成される二重チャンバー構造を有するものが知られている。この二重チャンバーは，内側チャンバーを外側チャンバーの内部と外部に移動させることができ，第１の薬液は，内側チャンバーに備えたノズルによって供給し，第２の薬液は，外側チャンバーに備えたノズルによって供給する構成となっている。そして，最初の第１の薬液による処理は，内側チャンバーの内部で行い，次の第２の薬液による薬液処理は，内側チャンバーを外側チャンバーから引き出して，外側チャンバーの内部で行う。これにより，第１の薬液を供給するノズルに，第２の薬液が付着したり，第２の薬液を供給するノズルに，第１の薬液が付着することを防止できる。即ち，第１の薬液と第２の薬液が混合してノズルの表面にクロスコンタミネーションが発生することを防止する。
【０００４】
ところで，第１の薬液を酸素雰囲気中で使用すると，酸化力が高まってしまい，ウェハ表面に形成されたＣｕ配線などが酸化する問題がある。そのため，内側チャンバーを密閉構造とし，窒素によってパージして，酸素が入り込まないようにする。また，内側チャンバーを外側チャンバーから引き出した後も，第１の薬液がウェハに付着しているので，外側チャンバー内も窒素によってパージして，酸素が入り込まないようにする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，従来の基板処理装置にあっては，外側チャンバー及びロータに対して内側チャンバーを精度良く移動させる必要があるため，組み立てや，移動方向の調整等の作業に手間がかかる問題があった。
【０００６】
従って，本発明の目的は，二重チャンバー構造を用いることなく，ノズルの表面において処理液が混合することを防止する基板処理装置，処理システム，及び基板処理方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために，本発明によれば，複数枚の基板を配列して収納するチャンバーと，互いに異なる処理液を吐出する２以上のノズルを備え，前記各ノズルから処理液をそれぞれ供給して基板を処理する基板処理装置であって，前記各ノズルを，基板の配列方向に沿ってそれぞれ移動させて，前記チャンバーの内部と外部にそれぞれ移動させる構成としたことを特徴とする，基板処理装置が提供される。かかる基板処理装置にあっては，例えば，第１の薬液を供給するノズルと，第２の薬液を供給するノズルと，リンス液を供給するノズルと，乾燥用流体を供給するノズルを設け，チャンバーの外部に待機させておき，各ノズルを使用する処理時にのみ，チャンバーの内部に移動させるようにする。これにより，各ノズルの表面に，他のノズルから供給される処理液が付着することを防止できる。
【０００８】
前記チャンバーに，前記各ノズルを移動させるための開口をそれぞれ設け，前記ノズルが前記チャンバーの外部に移動したときに前記開口を閉じる閉塞部材をそれぞれ設け，前記ノズルが前記チャンバーの内部に移動したときに前記開口を閉じる閉塞部材をそれぞれ設けることが好ましい。
【０００９】
前記チャンバーの外部に移動したノズルを収納する収納機構を，前記各開口の外側にそれぞれ設けることが好ましい。この場合，待機中のノズルから処理液が落下しても，収納機構によって受け止めることができる。
【００１０】
前記収納機構は，前記チャンバーの外部において前記ノズルを包むベローズと，前記ベローズの端部を閉じる蓋部材によって構成されることとしても良い。さらに，前記収納部材の内部を排気する排出ラインを設けても良い。
【００１１】
また，本発明によれば，基板のポリマー除去処理を行う処理システムであって，基板にオゾンガスと蒸気の混合流体を供給する第１の基板処理装置と，基板に処理液を供給する第２の基板処理装置を備えることを特徴とする，処理システムが提供される。かかる処理システムにあっては，最初に，第１の基板処理装置において，オゾンガスと蒸気の混合流体によって，ポリマーを改質させ，次に，第２の基板処理装置において，アミン系の第２の薬液を供給して，改質したポリマーを溶解させる。続いて，第２の基板処理装置において，純水を用いてリンス処理し，最後に乾燥処理を行う。
【００１２】
前記第１の基板処理装置は，基板の裏面に近接する熱板を備えることが好ましい。さらに，前記第１の基板処理装置は，複数枚の基板を配列して保持する保持部材を備え，複数枚の前記熱板を配列して備え，前記複数枚の基板に，前記複数枚の熱板をそれぞれ近接させることが好ましい。また，基板と，基板の裏面に近接した熱板を囲むカバーを備えることが好ましい。
【００１３】
さらに，本発明によれば，基板のポリマーを除去する処理方法であって，配列した複数枚の基板にオゾン（Ｏ３）ガスと蒸気の混合流体を供給して処理し，前記複数枚の基板に薬液を供給し，前記複数枚の基板をリンス処理し，前記複数枚の基板を乾燥処理することを特徴とする，基板処理方法が提供される。かかる基板処理方法にあっては，オゾンガスと蒸気の混合流体を供給することにより，ウェハに付着したポリマーを改質させるので，第１の薬液を省略することができる。
【００１４】
前記複数枚の基板にオゾンガスと蒸気の混合流体を供給して処理するに際し，各基板の裏面に熱板をそれぞれ近接させ，前記複数枚の基板と熱板の周囲をカバーによって囲み，カバーの内部にオゾンガスを供給し，カバーの内部に蒸気を供給し，カバーの内部にパージ用ガスを供給し，前記複数枚の基板と熱板の周囲からカバーを離隔させ，前記各基板の裏面から熱板をそれぞれ離隔させることとしても良い。
【００１５】
また，第１の基板処理装置において，前記複数枚の基板にオゾンガスと蒸気の混合流体を供給して処理し，第２の基板処理装置において，前記複数枚の基板に薬液を供給して処理し，前記複数枚の基板をリンス処理し，前記複数枚の基板を乾燥処理することが好ましい。
【００１６】
さらに，前記第１の基板処理装置における処理と，前記第２の基板処理装置における処理を，並行して行うことが好ましい。この場合，スループットを向上させることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態を，基板の一例としてのウェハに付着したポリマーを除去する洗浄処理を行うように構成された処理システムに基づいて説明する。図１は，本実施の形態にかかる基板処理装置を組み込んだ処理システム１の概略平面図である。処理システム１は，複数枚のウェハＷを収納するキャリアＣを載置するキャリア載置部５と，キャリアＣからウェハＷを取り出して搬送するウェハ搬送部６と，ウェハＷをポリマー除去処理する処理部８を備えている。さらに，処理部８において使用する処理流体を貯蔵又は生成する処理流体発生・貯蔵部１０を備えている。
【００１８】
キャリアＣは，複数枚，例えば２５枚の略円盤形状のウェハＷを収容可能な容器である。キャリアＣの内壁には，ウェハＷを所定間隔で保持するための複数個，例えば２５個のスロットが，所定間隔を空けて形成されている。ウェハＷは，半導体デバイスを形成する面（表面）が上面（ウェハＷを水平に保持した場合に上側となっている面）となっている状態で各スロットに１枚ずつ収容される。これにより，複数枚，例えば２５枚のウェハＷが，互いに略平行な姿勢で，所定間隔を空けて配列された状態で，キャリアＣ内に収容される。ウェハＷは，キャリアＣの一側面に設けられた開口を通して収納され，取り出される。キャリアＣの開口は，図示しない蓋体によって閉じられる。
【００１９】
キャリア載置部５には，複数個，例えば２個のキャリア載置台２０が水平面のＹ方向に並べて設けられている。各キャリア載置台２０上に載置されたキャリアＣは，それぞれ開口をウェハ搬送部６側に対向させた状態で，Ｙ方向に並べて載置される。また，各キャリア載置台２０には，図示しないウェハカウンタが設けられており，キャリアＣ内に収納されているウェハＷの枚数を検査することができる。
【００２０】
ウェハ搬送部６には，Ｙ方向とＺ方向に移動可能であり，かつ，Ｘ―Ｙ平面内（θ方向）で回転自在に構成されているウェハ搬送装置２４が配設されている。ウェハ搬送装置２４は，ウェハＷを１枚ずつ保持する搬送アーム２５を例えば２５本備えている。２５本の搬送アーム２５は，互いに略平行な姿勢で，所定間隔を空けて配設されており，２５本の搬送アーム２５によって，２５枚のウェハＷをキャリアＣにおいて配列されていた状態のまま保持することができる。この場合，キャリアＣ内で略水平な姿勢で収容されたウェハＷは，２５本の搬送アーム２５によって，略水平な姿勢のまま，表面が上面となっている状態で保持される。また，この２５本の搬送アーム２５は，Ｘ方向及びＹ方向に一体的にスライド自在となっている。キャリアＣに対してウェハＷの搬入出を行う際には，ウェハ搬送装置２４を各キャリアＣの開口に対向する位置に移動させ，２５本の搬送アーム２５をＸ方向に一体的にスライドさせてウェハＷの挿入及び退出を行う。ウェハ搬送部６の天井部には，ウェハ搬送部６内に清浄な空気をダウンフローするためのファンフィルターユニット（ＦＦＵ）２６が配設されている。
【００２１】
処理部８には，後に詳細に説明する，ウェハＷの搬送と姿勢変換を行うウェハ搬送・姿勢変換エリア３５と，後に詳細に説明する，本実施の形態にかかる基板処理装置としての基板処理ユニット４０が設置されている。ウェハ搬送・姿勢変換エリア３５は，ウェハ搬送部６を挟んで，各キャリア載置台２０に載置されたキャリアＣと対向する側に配置され，また，ウェハ搬送部６に対してＹ方向に隣接するように配置されている。基板処理ユニット４０は，ウェハ搬送・姿勢変換エリア３５に対して，ウェハ搬送部６と反対側に，Ｙ方向に隣接するように配置されている。ウェハ搬送・姿勢変換エリア３５に対してウェハＷの搬入出を行う際には，ウェハ搬送装置２４をＹ方向に移動させ，２５本の搬送アーム２５をＸ方向に一体的にスライドさせてウェハＷの挿入及び退出を行う。ウェハ搬送・姿勢変換エリア３５の天井部には，ウェハ搬送・姿勢変換エリア３５内に清浄な空気をダウンフローするためのファンフィルターユニット（ＦＦＵ）４１が配設されている。
【００２２】
処理流体発生・貯蔵部１０には，処理部８において使用する，第１の薬液を貯留する第１薬液貯蔵ユニット４６と，第２の薬液を貯留する第２薬液貯蔵ユニット４７が設けられている。
【００２３】
次に，ウェハ搬送・姿勢変換エリア３５について説明する。ウェハ搬送・姿勢変換エリア３５の内部には，図２に示すロータ回転機構５０と，ロータ回転機構５０を支持するとともに，ロータ回転機構５０の姿勢を制御する図示しない姿勢変換機構と，ロータ回転機構５０及び姿勢変換機構をＸ方向及びＺ方向に移動させる図示しないロータ回転機構移動機構が備えられている。
【００２４】
また，ウェハ搬送・姿勢変換エリア３５とウェハ搬送部６との間の境界壁５１には，搬送アーム２５によってウェハ搬送・姿勢変換エリア３５に対してウェハＷを搬入出させるための搬入出口６２が設けられている。さらに，搬入出口６２を閉じるシャッター６３が設けられている。
【００２５】
ロータ回転機構５０は，モータ６６と，モータ６６の回転軸６７と，回転軸６７の先端に取り付けられ，２５枚のウェハＷを互いに平行に等間隔で並べて保持するロータ７０を備えている。モータ６６は，回転軸６７を囲繞するケーシング７２に支持されており，ケーシング７２は，図示しない姿勢変換機構によって支持されている。また，ケーシング７２とロータ７０との間には，円盤状の蓋体７３が配置されている。
【００２６】
図３に示すように，ロータ７０は，２５枚のウェハＷを挿入可能に所定の間隔をおいて配置された一対の円盤８１，８２と，両端を円盤８１，８２に支持された６本の保持棒８５を備えている。円盤８１は，回転軸６７の先端に取り付けられており，円盤８２は円盤８１と略平行に配置されている。
【００２７】
６本の保持棒８５は，回転軸６７を中心とした円周上に，回転軸６７に対して平行な姿勢に配置されている。６本の保持棒８５に囲まれる空間は，ウェハＷを保持する空間となっている。また，各保持棒８５には，ウェハＷの周縁を挿入する保持溝８６が，それぞれ２５個ずつ形成されている。２５個の保持溝８６は，所定間隔を空けて配列されている。これら６本の保持棒８５の溝にウェハＷの周縁を支持することにより，２５枚のウェハＷを互いに略平行な姿勢で保持する。
【００２８】
６本の保持棒８５のうち，隣り合う２本の保持棒８５ａ，８５ｂは，一端が円盤８１に対して揺動可能なアーム８７ａ，８７ｂの先端にそれぞれ固定されており，他端が円盤８２に対して揺動可能なアーム８８ａ，８８ｂの先端にそれぞれ固定されている。アーム８７ａ，８７ｂの基端は，基端を中心として回動可能に円盤８１に設けられ，アーム８８ａ，８８ｂの基端は，基端を中心として回動可能に円盤８２に設けられている。円盤８２の外側の面，即ちウェハＷに対向しない側の面には，アーム８８ａ，８８ｂの回動をロックするロックピン９１が設けられている。ロックピン９１のロックを解除すると，アーム８７ａ，８８ａ，又はアーム８７ｂ，８８ｂを回動させることにより，保持棒８５ａ，８５ｂを，ウェハＷの周縁に当接する当接位置と，当接位置よりウェハＷの周縁から離れる離隔位置とにそれぞれ移動させることができる。
【００２９】
ウェハＷをロータ７０に装入させるとき，又，ウェハＷをロータ７０から退出させるときは，保持棒８５ａ，８５ｂを離隔位置に移動させることにより，保持棒８５ａと保持棒８５ｂとの間を開く。これにより，保持棒８５ａと保持棒８５ｂとの間にウェハＷを進入させ，６本の保持棒８５に保持される位置に，ウェハＷを進入及び退出させることが可能である。保持される位置に挿入したウェハＷを６本の保持棒８５によって保持する際には，保持棒８５ａ，８５ｂをそれぞれウェハＷの周縁に当接させる。また，ロックピン９１をロックさせて，保持棒８５ａ，８５ｂを閉じた状態を維持してロータ７０を回転させることができる。
【００３０】
姿勢変換機構（図示せず）は，図２に示すように，ロータ回転機構５０全体を，ウェハＷが水平状態で保持される姿勢（縦姿勢）と，ウェハＷが垂直状態で保持される姿勢（横姿勢）に変換して保持することができる。ロータ回転機構５０は，縦姿勢においては，ロータ７０を上に，モータ６６を下に向けた状態で保持され，横姿勢においては，ロータ７０を基板処理ユニット４０側に，モータ６６をウェハ搬送部６側に向けた状態で保持される。
【００３１】
ロータ回転機構移動機構（図示せず）は，縦姿勢に保持されたロータ回転機構５０を垂直方向（Ｚ方向）に移動させるとともに，横姿勢に変換されたロータ回転機構５０を水平方向（Ｘ方向）に移動させることができる。ロータ回転機構移動機構によって，ロータ回転機構５０は，縦姿勢でロータ７０が搬入出口６２を挟んで搬送アーム２５に対向する位置に配置されるウェハ装入・退出位置Ｐ１と，ロータ７０が基板処理ユニット４０側に向かうように縦姿勢から横姿勢に姿勢変換される姿勢変換位置Ｐ２と，横姿勢においてロータ７０が基板処理ユニット４０に対向する位置に配置される待機位置Ｐ３と，横姿勢においてロータ７０が基板処理ユニット４０の内部に配置される処理位置Ｐ４に移動させられる。
【００３２】
また，ウェハ搬送・姿勢変換エリア３５には，ロックピン９１のロック及びロックの解除を行う開閉機構９５が備えられている。ウェハ装入・退出位置Ｐ１において，ロータ７０の円盤８２は，ロックピン９１を上方に向けて配置される。開閉機構９５は，ウェハ装入・退出位置Ｐ１に位置するロータ７０のロックピン９１に対して上方から近接して，ロックピン９１のロック及びロックの解除を行う。
【００３３】
ロータ７０にウェハＷを装入するときは，先ず，ロータ回転機構５０をウェハ装入・退出位置Ｐ１に移動させ，開閉機構９５によってロックピン９１のロックを解除し，保持棒８５ａ，８５ｂを離隔位置にそれぞれ移動させる。また，ウェハＷを保持した搬送アーム２５をＸ方向に前進させ，搬入出口６２内を通過させてウェハ搬送・姿勢変換エリア３５内に進入させ，さらに前進させて，保持棒８５ａと保持棒８５ｂとの間を通過させる。そして，開閉機構９５によって保持棒８５ａと保持棒８５ｂを閉じ，６本の保持棒８５によってウェハＷを保持する。その後，搬送アーム２５をＸ方向に後退させる。
【００３４】
ロータ７０からウェハＷを退出させるときは，先ず，ロータ回転機構５０をウェハ装入・退出位置Ｐ１に移動させる。そして，ウェハＷを保持した搬送アーム２５をＸ方向に前進させ，搬入出口６２内を通過させてウェハ搬送・姿勢変換エリア３５内に進入させ，さらに前進させて，保持棒８５ａと保持棒８５ｂとの間を通過させ，ウェハＷの間に進入させる。そして，開閉機構９５によってロックピン９１のロックを解除し，保持棒８５ａ，８５ｂを離隔位置にそれぞれ移動させる。こうして，ウェハＷを下面から保持した搬送アーム２５を，Ｘ方向に後退させる。
【００３５】
ロータ回転機構５０を縦姿勢から横姿勢に姿勢変換するときは，先ず，ロータ回転機構５０を縦姿勢のままウェハ装入・退出位置Ｐ１から垂直方向に上昇移動させ，姿勢変換位置Ｐ２に移動させる。そして，姿勢変換位置Ｐ２において，ロータ回転機構５０を縦姿勢から横姿勢に姿勢変換する。また，ロータ回転機構５０を横姿勢から縦姿勢に姿勢変換するときは，先ず，ロータ回転機構５０を横姿勢のまま待機位置Ｐ３から垂直方向に下降移動させ，姿勢変換位置Ｐ２に移動させる。そして，姿勢変換位置Ｐ２において，ロータ回転機構５０を横姿勢から縦姿勢に姿勢変換する。
【００３６】
ロータ７０を基板処理ユニット４０に進入させるときは，横姿勢のロータ回転機構５０を待機位置Ｐ３に移動させ，待機位置Ｐ３から横姿勢のままＸ方向に前進させ，処理位置Ｐ４に移動させる。ロータ回転機構５０が処理位置Ｐ４に配置されているとき，ウェハＷは，ロータ７０によって垂直な姿勢で互いに平行にＸ方向に配列された状態となる。
【００３７】
次に，基板処理ユニット４０について説明する。図４は，ポリマーを除去する処理を行う基板処理ユニット４０の概略縦断面図である。図５は，基板処理ユニット４０の概略横断面図である。基板処理ユニット４０は，チャンバー１００を備えている。チャンバー１００は，所定位置に支持されており，図４に示すように，筒状体１００ａと，筒状体１００ａの一端面に固定されたリング部材１００ｂと，筒状体１００ａの他端面に固定された円盤部材１００ｃによって形成されている。チャンバー１００は，ＳＵＳ鋼，フルオロカーボン，ＰＥＥＫ等の強度性に富む材料によって形成されている。さらに，チャンバー１００の内側の面は，フッ素樹脂によってコーティングされている。
【００３８】
筒状体１００ａの下方には，チャンバー１００内からの処理液の排液及び排気を行う排出管１０１が配設されている。
【００３９】
リング部材１００ｂには，チャンバー１００内にロータ７０が進入又は退出するためのロータ入出口１０７が形成されている。このロータ入出口１０７は，チャンバー１００内からロータ７０が退出しているときは，図示しない蓋体によって開閉自在となっている。チャンバー１００内にロータ７０が進入した状態のとき，即ち，ロータ回転機構５０が処理位置Ｐ４に位置しているときは，ロータ回転機構５０に設けられた蓋体７３によって閉じられる。
【００４０】
ロータ入出口１０７の内周面には，環状のシール機構１０８が配設されている。蓋体７３によってロータ入出口１０７を閉じたときは，ロータ入出口１０７と蓋体７３との間はシール機構１０８によってシールされる。
【００４１】
また，図４及び図５に示すように，チャンバー１００内の上部には，ウェハＷに対して純水を供給する純水供給ノズル１２１，第１の薬液を供給する第１薬液供給ノズル１２２，第２の薬液を供給する第２薬液供給ノズル１２３，ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）ミストを供給するＩＰＡ供給ノズル１２４，窒素（Ｎ２）ガスを供給する窒素ガス供給ノズル１２５が備えられている。図５に示すように，ロータ入出口１０７からみて時計方向に，純水供給ノズル１２１，第１薬液供給ノズル１２２，第２薬液供給ノズル１２３，ＩＰＡ供給ノズル１２４，窒素ガス供給ノズル１２５，純水供給ノズル１２１が順番に配置されている。
【００４２】
第１薬液供給ノズル１２２は，第１の薬液として，例えば過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）を含有した薬液を供給する。第２薬液供給ノズル１２３は，第２の薬液として，例えばアミン系の薬液を供給する。ウェハＷに形成されたポリマーを，第１の薬液によって改質させ，改質したポリマーを第２の薬液に溶解させることにより，ウェハＷからポリマーを除去することができる。また，純水はリンス処理用の処理液として，ＩＰＡミストは，乾燥用の処理流体として使用する。窒素ガスは，チャンバー１００内をパージするパージ用ガスとして使用する。
【００４３】
なお，純水供給ノズル１２１，第１薬液供給ノズル１２２，第２薬液供給ノズル１２３，ＩＰＡ供給ノズル１２４，窒素ガス供給ノズル１２５には，それぞれ図示しない純水供給ライン，第１の薬液供給ライン，第２の薬液供給ライン，ＩＰＡ供給ライン，窒素ガス供給ラインが接続されている。このように，純水，第１の薬液，第２の薬液，ＩＰＡミスト，窒素ガスを，それぞれ専用の供給ノズルから供給する構成とすると，純水，第１の薬液，第２の薬液，ＩＰＡミスト，窒素ガスが互いに混合せず，清浄な処理流体を供給できる。
【００４４】
円盤部材１００ｃの上部側には，純水供給ノズル１２１，第１薬液供給ノズル１２２，第２薬液供給ノズル１２３，ＩＰＡ供給ノズル１２４，窒素ガス供給ノズル１２５をそれぞれ通過させてチャンバー１００の内部と外部に水平方向に移動させるための開口として，純水供給ノズル入出口１３１，第１薬液供給ノズル入出口１３２，第２薬液供給ノズル入出口１３３，ＩＰＡ供給ノズル入出口１３４，窒素ガス供給ノズル入出口１３５が形成されている。図５に示すように，ロータ入出口１０７からみて時計方向に，純水供給ノズル入出口１３１，第１薬液供給ノズル入出口１３２，第２薬液供給ノズル入出口１３３，ＩＰＡ供給ノズル入出口１３４，窒素ガス供給ノズル入出口１３５，純水供給ノズル入出口１３１が形成されており，それぞれ純水供給ノズル１２１，第１薬液供給ノズル１２２，第２薬液供給ノズル１２３，ＩＰＡ供給ノズル１２４，窒素ガス供給ノズル１２５，純水供給ノズル１２１が内方に配置されている。
【００４５】
純水供給ノズル１２１，第１薬液供給ノズル１２２，第２薬液供給ノズル１２３，ＩＰＡ供給ノズル１２４，窒素ガス供給ノズル１２５は，ほぼ同様の構成を有する。そこで，次に，第２薬液供給ノズル１２３について代表して説明する。
【００４６】
第２薬液供給ノズル１２３は，Ｘ方向に長い棒形状をしており，第２薬液供給ノズル入出口１３３の内方に配置されている。また，チャンバー１００の内部に移動して薬液を供給する供給位置と，チャンバー１００の外部に移動して待機する待機位置とに移動させることができる。この第２薬液供給ノズル１２３は，第２薬液供給ノズル１２３の長手方向，即ち，Ｘ方向に移動する。つまり，ロータ７０によって垂直な姿勢で互いに平行にＸ方向に配列されたウェハＷの上方において，ウェハＷの配列方向に沿って移動する。また，第２薬液供給ノズル１２３は，チャンバー１００の内部に水平に移動したとき，チャンバー１００の内部に配置されたロータ７０の上方に位置するように設けられている。第２薬液供給ノズル１２３には，薬液を吐出する多数の吐出口１４０が，第２薬液供給ノズル１２３の長手方向に配列されて設けられており，ロータ７０によって保持された全てのウェハＷに第１の薬液を供給することができる。
【００４７】
チャンバー１００の内部側に配置された，第２薬液供給ノズル１２３の一端部には，第２薬液供給ノズル入出口１３３を閉塞する閉塞部材として，内部側端部部材１５５が固着されている。内部側端部部材１５５は，チャンバー１００の内部に配置されており，第２薬液供給ノズル１２３がチャンバー１００の外部の待機位置に移動したときに，第２薬液供給ノズル入出口１３３をチャンバー１００の内部側から塞ぐようになっている。また，内部側端部部材１５５には，第２薬液供給ノズル１２３がチャンバー１００の外部の待機位置に移動したときに，内部側端部部材１５５と円盤部材１００ｃの内面との間の隙間を，第２薬液供給ノズル入出口１３３の周囲を囲むようにしてシールするＯリング１５６が設けられている。第２薬液供給ノズル１２３を待機位置に移動させると，内部側端部部材１５５によって，第２薬液供給ノズル１２３をチャンバー１００の内部から雰囲気隔離することができる。即ち，チャンバー１００の内部にパーティクルが侵入してウェハＷが汚染されたり，チャンバー１００の外部に薬液などの腐食性雰囲気が漏れて悪影響を与える心配が無い。
【００４８】
チャンバー１００の外部側に配置された，第２薬液供給ノズル１２３の他端部には，第２薬液供給ノズル入出口１３３を閉塞する閉塞部材として，外部側端部部材１６５が固着されている。外部側端部部材１６５は，チャンバー１００の外部に配置されており，第２薬液供給ノズル１２３がチャンバー１００の内部の供給位置に移動したときに，第２薬液供給ノズル入出口１３３をチャンバー１００の外部側から塞ぐようになっている。また，外部側端部部材１６５には，第２薬液供給ノズル１２３がチャンバー１００の内部の供給位置に移動したときに，外部側端部部材１６５と円盤部材１００ｃの外面との間の隙間を，第２薬液供給ノズル入出口１３３の周囲を囲むようにしてシールするＯリング１６６が設けられている。第２薬液供給ノズル１２３を供給位置に移動させると，外部側端部部材１６５によって，チャンバー１００の内部をチャンバー１００の外部から雰囲気隔離することができる。即ち，第２薬液供給ノズル１２３から発生する薬液雰囲気がチャンバー１００の内側に流入してウェハＷに悪影響を与える心配が無い。また，チャンバー１００の内部にパーティクルが侵入してウェハＷが汚染されたり，チャンバー１００の外部に薬液などの腐食性雰囲気が漏れて悪影響を与える心配が無い。
【００４９】
外部側端部部材１６５には，駆動機構１７１によって水平方向に移動するロット１７２が接続されている。駆動機構１７１の駆動により，第２薬液供給ノズル１２３が長手方向に移動するようになっている。
【００５０】
前述のように，第１薬液供給ノズル１２２，純水供給ノズル１２１，ＩＰＡ供給ノズル１２４，窒素ガス供給ノズル１２５は，第２薬液供給ノズル１２３と同様の構成を有する。即ち，第２薬液供給ノズル１２３，純水供給ノズル１２１，ＩＰＡ供給ノズル１２４，窒素ガス供給ノズル１２５には，それぞれ吐出口１４０，内部側端部部材１５５，外部側端部部材１６５，駆動機構１７１，ロット１７２が備えられている。第１薬液供給ノズル１２２，純水供給ノズル１２１，第２薬液供給ノズル１２３，ＩＰＡ供給ノズル１２４，窒素ガス供給ノズル１２５は，供給を行うときのみチャンバー１００の内部に移動させ，待機位置に待機中は，各純水供給ノズル入出口１３１，第１薬液供給ノズル入出口１３２，第２薬液供給ノズル入出口１３３，ＩＰＡ供給ノズル入出口１３４，窒素ガス供給ノズル入出口１３５を内部側端部部材１５５によって塞ぎ，処理中のウェハＷから雰囲気隔離する。また，各純水供給ノズル入出口１３１，第１薬液供給ノズル入出口１３２，第２薬液供給ノズル入出口１３３，ＩＰＡ供給ノズル入出口１３４，窒素ガス供給ノズル入出口１３５を通過してチャンバー１００の内部に外部から酸素が侵入することを防止し，チャンバー１００の内部の低酸素雰囲気を維持することができる。この場合，第１の薬液の酸化力が高まることを防止して，ウェハＷが損傷することを防止できる。
【００５１】
なお，第１の薬液，第２の薬液は，ＳＵＳ鋼等の金属に対して腐食性を有するものであるが，チャンバー１００の内面は，耐薬液性を有するフッ素樹脂によるコーティングが施されているため，チャンバー１００の内面から金属が溶出してウェハＷを汚染する虞が無い。また，純水供給ノズル１２１，第１薬液供給ノズル１２２，第２薬液供給ノズル１２３，ＩＰＡ供給ノズル１２４，窒素ガス供給ノズル１２５，各吐出口１４０，各内部側端部部材１５５は，それぞれ耐薬液性を有するＰＥＥＫ等の材料によって形成される。従って，純水供給ノズル１２１，第１薬液供給ノズル１２２，第２薬液供給ノズル１２３，ＩＰＡ供給ノズル１２４，窒素ガス供給ノズル１２５，各吐出口１４０，各内部側端部部材１５５の表面から金属が溶出してウェハＷを汚染する虞が無い。
【００５２】
次に，以上のように構成された処理システム１を用いた処理について説明する。先ず，図示しないキャリア搬送装置によって，ウェハＷを収納したキャリアＣを，キャリア載置台２０に載置する。そして，キャリアＣの開口に対向する位置にウェハ搬送装置２４を移動させ，各ウェハＷの下面に対向する位置に搬送アーム２５をそれぞれ進入させる。そして，各搬送アーム２５によって各ウェハＷを下面からそれぞれ支持し，キャリアＣから退出させる。このようにして，搬送アーム２５によってキャリアＣからウェハＷを取り出す。次に，ウェハ搬送装置２４をウェハ搬送部６内においてＹ方向に移動させるとともに，Ｘ―Ｙ平面内で回転移動させ，ウェハ搬送・姿勢変換エリア３５の搬入出口６２に対向する位置に，ウェハＷを搬送する。
【００５３】
ウェハ搬送・姿勢変換エリア３５においては，ロータ回転機構５０を，ウェハ装入・退出位置Ｐ１に待機させておく。さらに，ロータ回転機構５０の上方からロックピン９１に近接させた開閉機構９５によって，ロータ７０の保持棒８５ａ，８５ｂを，離隔位置にそれぞれ移動させて保持棒８５ａと保持棒８５ｂとの間を開いた状態にしておく。
【００５４】
先ず，シャッター６３を上昇移動させ，搬入出口６２を開口させる。次に，ウェハＷを保持した搬送アーム２５を搬入出口６２に通過させ，ウェハ搬送・姿勢変換エリア３５内に進入させ，さらに，保持棒８５ａと保持棒８５ｂとの間に通過させ，６本の保持棒８５に囲まれる位置まで移動させる。ウェハＷの周縁が４本の保持棒８５の溝の中に進入したら，保持棒８５ａ，８５ｂを当接位置にそれぞれ移動させ，６本の保持棒８５によってウェハＷを保持し，搬送アーム２５をウェハＷとウェハＷとの間の各隙間から退出させる。このようにして，ロータ７０にウェハＷを装入する。そして，搬送アーム２５を，ウェハ搬送・姿勢変換エリア３５内から退出させ，シャッター６３を下降移動させ，搬入出口６２を閉口する。
【００５５】
さらに，開閉機構９５によってロックピン９１のロックを行い，開閉機構９５をロータ回転機構５０から離隔させる。そして，ロータ７０にウェハＷを保持したロータ回転機構５０を上昇移動させ，姿勢変換位置Ｐ２に移動させる。姿勢変換位置Ｐ２において，ロータ７０が基板処理ユニット４０側に向かうように，ロータ回転機構５０を縦姿勢から横姿勢に姿勢変換し，横姿勢のロータ回転機構５０を待機位置Ｐ３に上昇移動させる。このようにして，基板処理ユニット４０のロータ入出口１０７に対向する位置にウェハＷを移動させる。待機位置Ｐ３において，ロータ回転機構５０は，回転中心軸を水平方向にし，かつ，円盤８２をロータ入出口１０７に対向させた状態となる。
【００５６】
一方，基板処理ユニット４０においては，各純水供給ノズル１２１，第１薬液供給ノズル１２２，第２薬液供給ノズル１２３，ＩＰＡ供給ノズル１２４，窒素ガス供給ノズル１２５を，それぞれチャンバー１００の外部に移動させた状態とし，純水供給ノズル入出口１３１，第１薬液供給ノズル入出口１３２，第２薬液供給ノズル入出口１３３，ＩＰＡ供給ノズル入出口１３４，窒素ガス供給ノズル入出口１３５を，純水供給ノズル１２１，第１薬液供給ノズル１２２，第２薬液供給ノズル１２３，ＩＰＡ供給ノズル１２４，窒素ガス供給ノズル１２５にそれぞれ備えた各内部側端部部材１５５によって，それぞれ閉じた状態にしておく。
【００５７】
先ず，図示しない蓋体を移動させ，ロータ入出口１０７を開口させる。次に，ロータ回転機構５０を水平方向（Ｘ方向）に前進させ，ロータ７０をロータ入出口１０７からチャンバー１００内へ進入させる。ロータ７０をチャンバー１００内部の所定の処理位置Ｐ４まで移動させると，蓋体７３によってロータ入出口１０７を塞ぐ状態となる。そして，シール機構１０８によってロータ入出口１０７と蓋体７３との間の隙間をシールする。こうして，チャンバー１００，蓋体７３によって，密閉状態の処理空間が形成される。
【００５８】
さらに，窒素ガス供給ノズル１２５をチャンバー１００の内部の供給位置に移動させる。このとき，内部側端部部材１５５は，窒素ガス供給ノズル入出口１３５から離隔し，外部側端部部材１６５が，窒素ガス供給ノズル入出口１３５に外部側から近接して，窒素ガス供給ノズル入出口１３５が閉じられる。このとき，純水供給ノズル１２１，第１薬液供給ノズル１２２，第２薬液供給ノズル１２３，ＩＰＡ供給ノズル１２４は，待機位置に配置したままにして，純水供給ノズル入出口１３１，第１薬液供給ノズル入出口１３２，第２薬液供給ノズル入出口１３３，ＩＰＡ供給ノズル入出口１３４を，それぞれ各内部側端部部材１５５によって閉じておく。こうして，チャンバー１００内に密閉状態の処理空間が形成される。
【００５９】
次に，窒素ガス供給ノズル１２５から窒素ガスを供給しながら，排出管１０１によって排気を行うことにより，チャンバー１００内を窒素ガスによってパージして，低酸素雰囲気にする。なお，窒素ガス供給ノズル１２５は，純水供給ノズル１２１，第１薬液供給ノズル１２２，第２薬液供給ノズル１２３，ＩＰＡ供給ノズル１２４が供給を行う間，適宜，窒素ガスを供給してチャンバー１００内にダウンフローを形成する。
【００６０】
最初に，第１の薬液によってポリマーを改質させる第１薬液処理工程を行う。先ず，第１薬液供給ノズル１２２を供給位置に移動させる。このとき，チャンバー１００内に窒素ガスを継続して供給し，チャンバー１００の内部を外部に対して陽圧に維持しながら，第１薬液供給ノズル１２２を移動させる。これにより，第１薬液供給ノズル１２２の内部側端部部材１５５を，第１薬液供給ノズル入出口１３２から離隔させても，第１薬液供給ノズル１２２と第１薬液供給ノズル入出口１３２との間の隙間から，チャンバー１００の外部の雰囲気が侵入することを防止できる。従って，チャンバー１００内に酸素が侵入せず，チャンバー１００内を低酸素雰囲気に効果的に維持することができる。
【００６１】
こうして，チャンバー１００の内部を陽圧にしながら第１薬液供給ノズル１２２を供給位置まで移動させる。内部側端部部材１５５は，第１薬液供給ノズル入出口１３２から離隔し，外部側端部部材１６５が，第１薬液供給ノズル入出口１３２に外部側から近接して，第１薬液供給ノズル入出口１３２が閉じられる。そして，チャンバー１００内に密閉状態の処理空間が形成される。
【００６２】
次に，ロータ７０の回転を開始して，静止状態から所定の回転速度に加速し，ウェハＷとロータ７０を一体的に回転させる。一方，第１薬液供給ノズル１２２から薬液を供給して，回転する各ウェハＷに第１の薬液を吹き付ける。これにより，ウェハＷの表面に形成されたポリマーを改質する。このように，低酸素雰囲気中で第１の薬液処理を行うことにより，ウェハＷの表面の酸化を防止することができる。
【００６３】
第１薬液処理終了後，第１薬液供給ノズル１２２を待機位置に移動させ，内部側端部部材１５５によって第１薬液供給ノズル入出口１３２を閉じる。この場合も，チャンバー１００内に窒素ガスを継続して供給し，チャンバー１００の内部を外部に対して陽圧に維持しながら，第１薬液供給ノズル１２２を移動させ，チャンバー１００内に酸素が侵入することを防止する。このように，第１薬液処理工程終了後も，低酸素雰囲気を維持することにより，ウェハＷに残留している第１の薬液の酸化力が高まることを効果的に防止できる。
【００６４】
その後，ウェハＷを第１薬液処理時よりも高速回転させて，ウェハＷに付着した第１薬液を遠心力によって振り切って除去する。
【００６５】
次に，第２薬液供給ノズル１２３を待機位置に移動させ，外部側端部部材１６５によって第２薬液供給ノズル入出口１３３を閉じる。この場合も，チャンバー１００内に窒素ガスを継続して供給し，チャンバー１００の内部を外部に対して陽圧に維持しながら，第２薬液供給ノズル１２３を移動させ，チャンバー１００内に酸素が侵入することを防止する。このように，第１薬液の振り切り処理後も，低酸素雰囲気を維持することにより，ウェハＷに残留している第１の薬液の酸化力が高まることを効果的に防止できる。
【００６６】
続いて，第２薬液処理工程を行う。ロータ７０の回転を所定の回転速度にし，ウェハＷとロータ７０を一体的に回転させる。一方，第２薬液供給ノズル１２３から第２の薬液を供給して，回転する各ウェハＷに第２の薬液を吹き付ける。これにより，ウェハＷの表面に付着している改質したポリマーを，第２の薬液に溶解させ，ウェハＷの表面から除去する。
【００６７】
第２薬液処理終了後，第２薬液供給ノズル１２３を待機位置に移動させ，内部側端部部材１５５によって第２薬液供給ノズル入出口１３３を閉じる。この場合も，チャンバー１００内に窒素ガスを継続して供給し，チャンバー１００の内部を外部に対して陽圧に維持しながら，第２薬液供給ノズル１２３を移動させ，チャンバー１００内に外部の雰囲気が侵入することを防止できる。
【００６８】
その後，ウェハＷを第２薬液処理時よりも高速回転させて，ウェハＷに付着した第２薬液を遠心力によって振り切って除去する。
【００６９】
このように，第１の薬液処理の後，第２薬液処理を行うことにより，ウェハＷの表面からポリマーを除去する基板処理ユニット４０にあっては，第１薬液供給ノズル１２２によって供給を行う間，第２薬液供給ノズル１２３をチャンバー１００の外部に待機させ，雰囲気を隔離する。第２薬液供給ノズル１２３によって供給を行う間は，第１薬液供給ノズル１２２をチャンバー１００の外部に待機させ，雰囲気を隔離する。従って，第１薬液供給ノズル１２２に，第２の薬液が付着しない。また，第２薬液供給ノズル１２３に，第１の薬液が付着しない。即ち，第１薬液供給ノズル１２２及び第２薬液供給ノズル１２３の表面において，第１の薬液と第２の薬液が混合してクロスコンタミネーションが発生することを効果的に防止する。
【００７０】
次に，純水によるリンス処理工程を行う。２本の純水供給ノズル１２１を供給位置に移動させ，外部側端部部材１６５によって純水供給ノズル入出口１３１をそれぞれ閉じる。この場合も，チャンバー１００内に窒素ガスを継続して供給し，チャンバー１００の内部を外部に対して陽圧に維持しながら，各純水供給ノズル１２１を移動させ，各純水供給ノズル入出口１３１からチャンバー１００内に外部の雰囲気が侵入することを防止できる。続いて，ロータ７０の回転を所定の回転速度にし，ウェハＷとロータ７０を一体的に回転させる。一方，各純水供給ノズル１２１から純水を供給して，回転する各ウェハＷに純水を吹き付ける。これにより，ウェハＷをリンス処理する。
【００７１】
リンス処理終了後，各純水供給ノズル１２１を待機位置に移動させ，各内部側端部部材１５５によって純水供給ノズル入出口１３１をそれぞれ閉じる。この場合も，チャンバー１００内に窒素ガスを継続して供給し，チャンバー１００の内部を外部に対して陽圧に維持しながら，各第２薬液供給ノズル１２３を移動させ，各純水供給ノズル入出口１３１からチャンバー１００内に外部の雰囲気が侵入することを防止できる。
【００７２】
次に，乾燥処理工程を行う。ＩＰＡ供給ノズル１２４を待機位置に移動させ，外部側端部部材１６５によってＩＰＡ供給ノズル入出口１３４を閉じる。この場合も，チャンバー１００内に窒素ガスを継続して供給し，チャンバー１００の内部を外部に対して陽圧に維持しながら，ＩＰＡ供給ノズル１２４を移動させ，ＩＰＡ供給ノズル入出口１３４からチャンバー１００内に外部の雰囲気が侵入することを防止できる。続いて，ウェハＷを純水処理時よりも高速で回転させる。そして，乾燥用流体としてＩＰＡミストを吐出して，ウェハＷをスピン乾燥処理する。
【００７３】
スピン乾燥処理終了後，ロータ７０の回転を停止させ，ＩＰＡ供給ノズル１２４，窒素ガス供給ノズル１２５をそれぞれ待機位置に移動させ，各内部側端部部材１５５によって，ＩＰＡ供給ノズル入出口１３４，窒素ガス供給ノズル入出口１３５をそれぞれ閉じる。
【００７４】
その後，シール機構１０８のシールを解除し，ロータ入出口１０７と蓋体７３との間に隙間を形成する。そして，ロータ回転機構５０を処理位置Ｐ４から水平方向（Ｘ方向）に後退させ，ロータ入出口１０７から蓋体７３を後退させ，続いて，ロータ７０を退出させる。このように，ロータ７０をチャンバー１００内から退出させることにより，ウェハＷを搬出する。ロータ７０を退出させた後は，図示しない蓋体によってロータ入出口１０７を閉じる。
【００７５】
さらに，処理位置Ｐ４から後退させたロータ回転機構５０を待機位置Ｐ３に移動させる。そして，姿勢変換位置Ｐ２に下降移動させ，ロータ回転機構５０を横姿勢から縦姿勢に姿勢変換する。こうして姿勢変換位置Ｐ２において縦姿勢になったロータ回転機構５０を，さらにウェハ装入・退出位置Ｐ１に下降移動させる。
【００７６】
ウェハ装入・退出位置Ｐ１にロータ回転機構５０が移動したら，開閉機構９５を近接させる。そして，シャッター６３を上昇移動させ，搬入出口６２を開口させる。搬送アーム２５をウェハ搬送・姿勢変換エリア３５内に進入させ，さらに，ロータ７０に保持された各ウェハＷの下面に対向する位置に搬送アーム２５をそれぞれ進入させ，各ウェハＷの下面に各搬送アーム２５をそれぞれ当接させる。次に，保持棒８５ａ，８５ｂを離隔位置に移動させ，６本の保持棒８５によるウェハＷの保持を解除する。そして，ウェハＷを支持した搬送アーム２５を，保持棒８５ａと保持棒８５ｂとの間から退出させ，搬入出口６２から退出させる。
【００７７】
こうして，ウェハ搬送・姿勢変換エリア３５から搬出したウェハＷを，ウェハ搬送部６内においてＸ―Ｙ平面内で回転移動させるとともに，Ｙ方向に移動させ，キャリア載置台２０上に載置された，空のキャリアＣの開口に対向する位置に，ウェハＷを搬送する。次に，ウェハＷを支持した搬送アーム２５を，キャリアＣ内に進入させ，ウェハＷを各スロットに収容する。そして，ポリマー除去処理を施したウェハＷが収納されたキャリアＣを，図示しないキャリア搬送装置によって，キャリア載置部５から搬出する。このようにして，処理システム１を用いたウェハＷの処理工程が終了する。
【００７８】
かかる基板処理ユニット４０によれば，純水供給ノズル１２１，第１薬液供給ノズル１２２，第２薬液供給ノズル１２３，ＩＰＡ供給ノズル１２４を，チャンバー１００の内部と外部に移動可能な構成とし，それぞれ供給を行うときのみ，チャンバー１００の内部に移動させ，供給を行わない間は，それぞれ外部に待機させることができるので，純水供給ノズル１２１，第１薬液供給ノズル１２２，第２薬液供給ノズル１２３，ＩＰＡ供給ノズル１２４の各表面に，互いに処理流体が付着する虞が無い。従って，純水供給ノズル１２１，第１薬液供給ノズル１２２，第２薬液供給ノズル１２３，ＩＰＡ供給ノズル１２４の各表面を清浄に保つことができる。従って，ウェハＷの処理の信頼性を高めることができる。特に，純水供給ノズル１２１，第１薬液供給ノズル１２２，第２薬液供給ノズル１２３の各表面において，第１の薬液と第２の薬液が混合してクロスコンタミネーションが発生することを防止できる。
【００７９】
また，各純水供給ノズル入出口１３１，第１薬液供給ノズル入出口１３２，第２薬液供給ノズル入出口１３３，ＩＰＡ供給ノズル入出口１３４，窒素ガス供給ノズル入出口１３５を内部側端部部材１５５によって塞ぐことにより，チャンバー１００の内部に外部から酸素が侵入することを防止し，チャンバー１００の内部の低酸素雰囲気を維持することができる。さらに，チャンバー１００内を窒素ガスによってパージして陽圧にすることにより，純水供給ノズル１２１，第１薬液供給ノズル１２２，第２薬液供給ノズル１２３，ＩＰＡ供給ノズル１２４がそれぞれ移動する間も，純水供給ノズル入出口１３１，第１薬液供給ノズル入出口１３２，第２薬液供給ノズル入出口１３３，ＩＰＡ供給ノズル入出口１３４，窒素ガス供給ノズル入出口１３５から酸素が侵入することを防止する。これにより，チャンバー１００内を低酸素雰囲気を維持し，チャンバー１００内の第１の薬液の酸化力が高まることを防止できる。
【００８０】
従来の，外側チャンバーの内側に対して内側チャンバーを入出させる二重チャンバー構造においても，二重チャンバー内を陽圧にすることにより，内側チャンバーの移動中，内側チャンバーの入出口から酸素が侵入することを防止していたが，本発明の基板処理ユニット４０によれば，純水供給ノズル入出口１３１，第１薬液供給ノズル入出口１３２，第２薬液供給ノズル入出口１３３，ＩＰＡ供給ノズル入出口１３４，窒素ガス供給ノズル入出口１３５を，内側チャンバーを入出させるための入出口の大きさと比較して小さく形成できるので，さらに効果的に酸素の侵入を防止できる。従って，二重チャンバーを用いた場合より，さらに酸素濃度が低減できる。また，純水供給ノズル入出口１３１，第１薬液供給ノズル入出口１３２，第２薬液供給ノズル入出口１３３，ＩＰＡ供給ノズル入出口１３４，窒素ガス供給ノズル入出口１３５をシールする構造も，比較的簡易なものにすることが可能である。
【００８１】
以上，本発明の好適な実施の形態の一例を示したが，本発明はここで説明した形態に限定されない。例えば，基板は半導体ウェハに限らず，その他のＬＣＤ基板用ガラスやＣＤ基板，プリント基板，セラミック基板などであっても良い。また，基板処理装置はポリマー除去処理を行うものに限定されず，その他の種々の処理液などを用いて，ポリマー除去処理以外の他の処理を基板に対して施す基板処理装置であっても良い。
【００８２】
本実施の形態においては，純水供給ノズル１２１，第１薬液供給ノズル１２２，第２薬液供給ノズル１２３，ＩＰＡ供給ノズル１２４，窒素ガス供給ノズル１２５に，それぞれ外部側端部部材１６５を設け，純水供給ノズル入出口１３１，第１薬液供給ノズル入出口１３２，第２薬液供給ノズル入出口１３３，ＩＰＡ供給ノズル入出口１３４，窒素ガス供給ノズル入出口１３５を，各外部側端部部材１６５によってそれぞれ閉じる構成としたが，純水供給ノズル入出口１３１，第１薬液供給ノズル入出口１３２，第２薬液供給ノズル入出口１３３，ＩＰＡ供給ノズル入出口１３４，窒素ガス供給ノズル入出口１３５のそれぞれの外側に，収納機構１８４を備えても良い。次に，代表して，チャンバー１００の外部に移動した状態の第２薬液供給ノズル１２３を収納する収納機構１８４の構成について説明する。
【００８３】
図６に示すように，第２薬液供給ノズル入出口１３３の外側には，チャンバー１００の外部に移動した第２薬液供給ノズル１２３の全周囲を包むように，ベローズ１８６が形成されている。ベローズ１８６の一端は，円盤部材１００ｃの外面に，第２薬液供給ノズル入出口１３３の周囲を囲むように接続されている。ベローズ１８６の他端部は，蓋部材１８７によって閉じられており，ベローズ１８６の内部はチャンバー１００の外部と雰囲気隔離されている。また，蓋部材１８７は，第２薬液供給ノズル１２３の端部に固着されている。本実施の形態において，収納機構１８４は，ベローズ１８６と蓋部材１８７によって構成されている。
【００８４】
蓋部材１８７には，駆動機構１９５によって水平方向に移動するロット１９６が接続されている。従って，駆動機構１９５の駆動により，第２薬液供給ノズル１２３が長手方向に移動して，第２薬液供給ノズル１２３の移動に応じて，ベローズ１８６が蓋部材１８７と円盤部材１００ｃの外面との間で伸縮するようになっている。
【００８５】
また，ベローズ１８６には，ベローズ１８６の内側の薬液雰囲気や，落下する薬液を排液するための排出ライン１９７が設けられており，これにより，ベローズ１８６の内側を清浄にすることができる。排出ライン１９７には，開閉弁１９８が介設されている。また，排出ライン１９７は，図示しないミストトラップに接続されている。
【００８６】
第２薬液供給ノズル１２３を供給位置に移動させた状態では，第２薬液供給ノズル１２３がチャンバー１００の内部の上部に配置され，蓋部材１８７が第２薬液供給ノズル入出口１３３の外部側に近接して配置され，ベローズ１８６が収縮した状態となる。このとき，第２薬液供給ノズル入出口１３３は，収縮したベローズ１８６と蓋部材１８７によって外部側から閉塞されるので，チャンバー１００の内部は，チャンバー１００の外部から雰囲気隔離されている。従って，チャンバー１００の内部にパーティクルが侵入してウェハＷが汚染されたり，チャンバー１００の外部に薬液などの腐食性雰囲気が漏れて悪影響を与える心配が無い。また，第２薬液供給ノズル入出口１３３を通過してチャンバー１００の内部に外部から酸素が侵入することがない。
【００８７】
第２薬液供給ノズル１２３を待機位置に移動させた状態では，チャンバー１００の内部において，内部側端部部材１５５が第２薬液供給ノズル入出口１３３に近接して，Ｏリング１５６が内部側端部部材１５５と円盤部材１００ｃとの間をシールする。これにより，チャンバー１００の内部側から第２薬液供給ノズル入出口１３３を閉塞することができる。チャンバー１００の外部においては，蓋部材１８７が第２薬液供給ノズル入出口１３３から離隔し，ベローズ１８６が伸張した状態となる。これにより，第２薬液供給ノズル１２３は，ベローズ１８６に包まれ，蓋部材１８７とベローズ１８６によって形成された収納機構１８４内に収納される。
【００８８】
このように，第２薬液供給ノズル１２３がチャンバー１００の外部に移動した際，収納機構１８４によって，第２薬液供給ノズル１２３をチャンバー１００の外部から雰囲気隔離することができる。即ち，第２薬液供給ノズル１２３から発生する薬液雰囲気がチャンバー１００の外側に漏れないので，チャンバー１００の外部に悪影響を与える心配が無い。また，ベローズ１８６によって，第２薬液供給ノズル１２３から落下する液滴を受け止めようになっている。受け止められた液滴や薬液雰囲気は，排出ライン１９７によって排出できる。さらに，第２薬液供給ノズル入出口１３３を内部側端部部材１５５によって塞ぐことにより，チャンバー１００及び収納機構１８４を密閉し，第２薬液供給ノズル１２３をチャンバー１００の内部から雰囲気隔離することができる。即ち，第２薬液供給ノズル１２３から発生する薬液雰囲気がチャンバー１００の内側に流入してウェハＷに悪影響を与える心配が無い。
【００８９】
また，チャンバー１００の内部と外部との間で移動する間も，第２薬液供給ノズル１２３の移動に応じてベローズ１８６が伸縮するので，ベローズ１８６の内側及びチャンバー１００の内部を，チャンバー１００の外部から雰囲気隔離することができる。また，第２薬液供給ノズル入出口１３３を通過してチャンバー１００の内部に外部から酸素が侵入することがない。
【００９０】
なお，各純水供給ノズル１２１，第１薬液供給ノズル１２２，ＩＰＡ供給ノズル１２４，窒素ガス供給ノズル１２５を収納する収納機構１８４は，上記の第２薬液供給ノズル１２３を収納するものと同様の構成を有する。この場合，待機位置に待機中の第１薬液供給ノズル１２２，純水供給ノズル１２１，第２薬液供給ノズル１２３，ＩＰＡ供給ノズル１２４，窒素ガス供給ノズル１２５を，それぞれ収納機構１８４に収納して密閉することにより，互いに異なる種類の処理流体雰囲気から隔離することができ，互いに悪影響を及ぼすことを防止できる。
【００９１】
本実施の形態においては，第１の薬液及び第２の薬液を使用してポリマー除去処理を行う基板処理ユニット４０を備えた処理システム１について説明したが，ポリマー改質処理を第１の処理部においてオゾンガスと水蒸気の混合流体を用いて行い，改質したポリマーを除去する処理を第２の処理部において薬液を用いて行う処理システム２００を用いても良い。この場合も，二重チャンバー構造を用いることなく，２種類の薬液が混合することを防止できる。以下，本発明の別の実施の形態を，ウェハに付着したポリマーを除去する処理を行うように構成された，処理システム２００に基づいて説明する。
【００９２】
図７は，本実施の形態にかかる処理システム２００の概略平面図である。処理システム２００は，キャリア載置部５と，ウェハ搬送部６と，ウェハＷをオゾンガスと水蒸気の混合流体によって処理する，第１の処理部２０７と，ウェハＷを薬液処理，リンス処理，乾燥処理する，第２の処理部８と，処理流体発生・貯蔵部１０を備えている。
【００９３】
キャリア載置部５と，ウェハ搬送部６は，処理システム１に備えたものと，ほぼ同様の構成を有する。
【００９４】
第１の処理部２０７には，後に詳細に説明する，第１の基板処理装置としてのＶＯＳユニット２１０が設置されている。ＶＯＳユニット２１０は，ウェハ搬送部６に対してＹ方向に隣接するように配置されている。ＶＯＳユニット２１０に対してウェハＷの搬入出を行う際には，ウェハ搬送装置２４をＹ方向に移動させ，２５本の搬送アーム２５をＹ方向に一体的にスライドさせてウェハＷの挿入及び退出を行う。第１の処理部２０７の天井部には，ＶＯＳユニット２１０内に清浄な空気をダウンフローするためのファンフィルターユニット（ＦＦＵ）２１１が配設されている。
【００９５】
第２の処理部８には，処理システム１に備えたものと同様の構成を有する，ウェハＷの搬送と姿勢変換を行うウェハ搬送・姿勢変換エリア３５と，処理システム１に備えたものと同様の構成を有する，第２の基板処理装置としての基板処理ユニット４０が設置されている。ウェハ搬送・姿勢変換エリア３５は，ウェハ搬送部６を挟んで，各キャリア載置台２０に載置されたキャリアＣと対向する側に配置され，また，ウェハ搬送部６に対してＹ方向に隣接するように配置されている。基板処理ユニット４０は，ウェハ搬送・姿勢変換エリア３５に対して，ウェハ搬送部６と反対側にＹ方向に隣接するように配置されている。ウェハ搬送・姿勢変換エリア３５に対してウェハＷの搬入出を行う際には，ウェハ搬送装置２４をＹ方向に移動させ，２５本の搬送アーム２５をＸ方向に一体的にスライドさせてウェハＷの挿入及び退出を行う。ウェハ搬送・姿勢変換エリア３５の天井部には，ＦＦＵ４１が配設されている。
【００９６】
処理流体発生・貯蔵部１０には，第１の処理部２０７において使用するオゾンガスを発生させるオゾンガス発生ユニット２１３と，第１の処理部２０７において使用する水蒸気を発生させる図示しない水蒸気発生ユニットと，第２の処理部８において使用する薬液を貯留する薬液貯蔵ユニット２１４が設けられている。
【００９７】
次に，ＶＯＳユニット２１０について説明する。図８は，ウェハＷにオゾンガスと水蒸気の混合流体を供給して，ポリマーを改質させる処理を行うＶＯＳユニット２１０の概略縦断面図である。図９は，ＶＯＳユニット２１０の概略横断面図である。ＶＯＳユニット２１０は，内部でウェハＷの処理を行うユニットチャンバー２１５を備えている。ユニットチャンバー２１５の下部には，ユニットチャンバー２１５の内部から排出した処理流体の処理を行う処理流体回収部２１６が配設されている。ユニットチャンバー２１５の天井部には，前述のＦＦＵ２１１が配設されている。
【００９８】
ユニットチャンバー２１５の内部には，底面に円盤状の処理台２１８が形成されている。処理台２１８の上方には，３本の棒状の保持棒２２０が垂直に設けられている。また，図９に示すように，各保持棒２２０は，処理台２１８の中央を中心とした円周上に配置されており，３本の保持棒２２０に囲まれる空間は，ウェハＷを保持する空間となっている。また，各保持棒２２０には，図１０に示すように，ウェハＷの周縁を挿入する保持溝２２１が，それぞれ２５個ずつ形成されている。２５個の保持溝は，所定間隔を空けて垂直方向に並べて配列されている。これら３本の保持棒２２０の溝にウェハＷの周縁を支持することにより，図８，図１０に示すように，２５枚のウェハＷを互いに略平行な姿勢で，また，略水平な姿勢で保持する。
【００９９】
図８に示すように，３本の保持棒２２０のうち，２本の保持棒２２０ａ，２２０ｂの各下端は，処理台２１８の上面に対して水平面内で揺動可能なアーム２２２ａ，２２２ｂの先端にそれぞれ固定されている。また，３本の保持棒２２０のうち，１本の保持棒２２０ｃの下端は，処理台２１８の上面に固定されている。
【０１００】
アーム２２２ａ，２２２ｂの各基端は，処理台２１８，ユニットチャンバー２１５の底面を貫通する状態で設けられた回動軸２２３ａ，２２３ｂの上端にそれぞれ固定されている。回動軸２２３ａ，２２３ｂの各下端は，処理流体回収部２１６の内部に突出している。処理流体回収部２１６の内部には，回動軸２２３ａ，２２３ｂをそれぞれ回動させる駆動装置２２５ａ，２２５ｂが設けられている。駆動装置２２５ａの駆動によって，保持棒２２０ａ，アーム２２２ａ，回動軸２２３ａを，回動軸２２３ａを中心として一体的に回動させることができる。これにより，保持棒２２０ａを，ウェハＷの周縁に当接する当接位置と，当接位置よりウェハＷの周縁から離れた離隔位置とに移動させることができる。同様に，駆動装置２２５ｂの駆動によってアーム２２２ｂを回動させ，保持棒２２０ｂを，ウェハＷの周縁に当接する当接位置と，ウェハＷの周縁から離れた離隔位置とに移動させることができる。
【０１０１】
ユニットチャンバー２１５の壁には，ウェハＷの搬入出を行うためのウェハ搬入出口２３５が開口している。ウェハ搬入出口２３５は，３本の保持棒２２０に設けられた下端の溝より下の高さから，上端の溝より上の高さまで開口している。即ち，搬送アーム２５をウェハ搬入出口２３５から水平方向に移動させることにより，２５枚のウェハＷを保持棒２２０の溝に装入することができるようになっている。また，ウェハ搬入出口２３５を閉じるシャッター２３８が備えられている。なお，２本の保持棒２２０ａ，２２０ｂは，ウェハ搬入出口２３５が位置する側に設けられている。固定された保持棒２２０ｃは，ウェハＷが保持される空間を挟んでウェハ搬入出口２３５と対向する側に配置されている。
【０１０２】
３本の保持棒２２０にウェハＷを受け渡す際には，先ず，２本の保持棒２２０ａ，２２０ｂを離隔位置にそれぞれ移動させ，ウェハＷを保持した２５本の搬送アーム２５をウェハ搬入出口２３５の外側から水平に前進させて，保持棒２２０ｃの溝にウェハＷ周縁を挿入させる。そして，２本の保持棒２２０ａ，２２０ｂを当接位置にそれぞれ移動させ，３本の保持棒２２０ａ，２２０ｂ，２２０ｃによってウェハＷを保持して，搬送アーム２５を水平に後退させる。３本の保持棒２２０からウェハＷを取り出す際には，２５本の搬送アーム２５を水平に前進させてウェハＷの間に挿入し，ウェハＷの下面に搬送アーム２５を当接させて保持し，その後，２本の保持棒２２０ａ，２２０ｂを離隔位置にそれぞれ移動させる。そして，ウェハＷを保持した搬送アーム２５をウェハ搬入出口２３５の外側に退出させる。
【０１０３】
図９に示すように，処理台２１８の上方には，オゾンガスを供給する棒状のオゾンガス供給ノズル２４１と，水蒸気を供給する棒状の水蒸気供給ノズル２４２と，パージ用ガスとして窒素ガスを供給する棒状の窒素ガス供給ノズル２４３が，それぞれの下端を処理台２１８の上面に支持されて，それぞれ垂直に設けられている。また，オゾンガス供給ノズル２４１，水蒸気供給ノズル２４２，窒素ガス供給ノズル２４３は，３本の保持棒２２０に保持されるウェハＷの周縁から離れた位置に配置される。各オゾンガス供給ノズル２４１，水蒸気供給ノズル２４２，窒素ガス供給ノズル２４３には，ウェハＷを保持する空間に向かう表面に，垂直方向に配列された多数の吐出口が，それぞれ形成されている。なお，パージ用ガスとしては，窒素ガスの他，空気を使用しても良い。
【０１０４】
さらに，処理台２１８の上方には，２５枚の熱板２５０を支持する熱板支持棒２５１が，下端を処理台２１８の上面に支持されて垂直に設けられている。各熱板２５０は，ウェハＷよりも径が小さい略円盤形状をしており，３本の保持棒２２０に保持された２５枚のウェハＷの各隙間に挿入できる厚さにそれぞれ形成されている。熱板支持棒２５１は，２５枚の熱板２５０を，互いに略平行な姿勢で所定間隔を空けて，また，各熱板を略水平な姿勢で支持する。なお，熱板支持棒２５１は，３本の保持棒２２０に保持されるウェハＷよりも外側に配置されている。
【０１０５】
また，図９に示すように，熱板支持棒２５１を中心として，熱板２５０を水平面内で円弧状に回転移動させることにより，図１０に示すように，ウェハＷとウェハＷとの間の各隙間に，熱板２５０を挿入することができる。即ち，３本の保持棒２２０に保持された２５枚の各ウェハＷの下方から退出させて，ウェハＷの下面から離隔した待機位置と，各ウェハＷの下方に進入させて，ウェハＷの下面に近接した処理位置とに，熱板２５０を移動させることができる。なお，熱板２５０は，ウェハＷに接触しない状態で処理位置に配置される。
【０１０６】
図８に示すように，ユニットチャンバー２１５の内部には，３本の保持棒２２０に保持された２５枚のウェハＷに，それぞれ熱板２５０を近接させた際に，２５枚のウェハＷと２５枚の熱板２５０を囲むカバー２５５が備えられている。カバー２５５は，円筒壁２５５ａと，円筒壁２５５ａの上部を塞ぐ円盤状の天井板２５５ｂによって構成されている。円筒壁２５５ａの下部は開口となっている。また，カバー２５５は，ユニットチャンバー２１５の内部で垂直方向に上下移動させることができる。即ち，上昇させて３本の保持棒２２０に２５枚のウェハＷが保持される空間の上方に位置する待機位置と，下降させて３本の保持棒２２０に２５枚のウェハＷが保持される空間を囲む処理位置とに，カバー２５５を移動させることができる。
【０１０７】
なお，３本の保持棒２２０，オゾンガス供給ノズル２４１，水蒸気供給ノズル２４２，窒素ガス供給ノズル２４３，熱板支持棒２５１は，円筒壁２５５ａの内方に配置されている。カバー２５５を下降移動させると，円筒壁２５５ａの下部の開口が，３本の保持棒２２０，オゾンガス供給ノズル２４１，水蒸気供給ノズル２４２，窒素ガス供給ノズル２４３，熱板支持棒２５１の周囲に沿って下降移動し，カバー２５５を処理位置に配置すると，図９に示すように，２５枚のウェハＷ，処理位置に配置された熱板２５０，３本の保持棒２２０，オゾンガス供給ノズル２４１，水蒸気供給ノズル２４２，窒素ガス供給ノズル２４３，熱板支持棒２５１が，円筒壁２５５ａの内部に配置される。
【０１０８】
また，カバー２５５を処理位置に配置すると，図８の二点鎖線によって示すように，円筒壁２５５ａの下縁が処理台２１８の上面に当接する。即ち，円筒壁２５５ａの下部の開口が，処理台２１８の上面によって閉塞される。そして，処理位置に移動したカバー２５５と処理台２１８上面によって，カバー２５５の内部に密閉状態の処理空間が形成される。
【０１０９】
さらに，カバー２５５の内部から処理流体の排液及び排気を行う排出管２５８が，ウェハＷを挟んで対向する２箇所において，処理台２１８上面に開口するように設けられている。排出管２５８の下流側は処理流体回収部２１６内に配置されている。また，図９に示すように，カバー２５５の内部の処理空間の温度を検出する温度センサー２６１が備えられている。
【０１１０】
円筒壁２５５ａの外方には，カバー２５５を上下移動させる駆動装置２６３が配設されている。また，ユニットチャンバー２１５の内部を排気する排気管２６４が設けられている。
【０１１１】
処理流体回収部２１６の内部には，ミストトラップ２６７と，オゾンキラー２６８が設けられている。排出管２５８は，ミストトラップ２６７に接続されている。ミストトラップ２６７は，排出管２５８によって排出された処理流体を，液体と気体に分離する。例えば，オゾンガスと水蒸気の混合流体を冷却することにより，水蒸気を水に凝固させ，混合流体をオゾンガス成分と水に分離する。分離されたオゾンガスは，オゾンキラー２６８によって酸素に熱分解され，図示しない冷却装置によって冷却された後，ＶＯＳユニット２１０の外部に排出される。水は，図示しない排液管によってミストトラップ２６７から排液される。
【０１１２】
処理システム２００に設置される基板処理ユニット４０は，処理システム１に設置したものとほぼ同様の構成を有する。即ち，第１薬液供給ノズル１２２及び第２薬液供給ノズル１２３の代わりに配置されオゾンガスと水蒸気の混合流体により改質したポリマーを除去する薬液を供給する図示しない薬液供給ノズル，純水供給ノズル１２１，ＩＰＡ供給ノズル１２４，窒素ガス供給ノズル１２５が設けられており，それぞれ供給を行うときのみチャンバー１００の内部に移動させ，供給を行わない間は，それぞれ外部に待機させるようにする。この場合，前述の第１薬液供給ノズル１２２及び第２薬液供給ノズル１２３の代わりに配置された薬液供給ノズル（図示せず），純水供給ノズル１２１，ＩＰＡ供給ノズル１２４，窒素ガス供給ノズル１２５の各表面に，互いに処理流体が付着する虞が無い。従って，薬液供給ノズル（図示せず），純水供給ノズル１２１，ＩＰＡ供給ノズル１２４の各表面を清浄に保つことができ，ウェハＷの処理の信頼性を高めることができる。
【０１１３】
次に，以上のように構成された処理システム２００を用いた処理について説明する。先ず，処理システム１における処理と同様に，搬送アーム２５によってキャリアＣから例えば２５枚のウェハＷを取り出す。ウェハＷは，略水平な姿勢で，表面が上面となっている状態で搬送アーム２５に保持される。次に，ウェハ搬送装置２４をウェハ搬送部６内においてＹ方向に移動させ，ＶＯＳユニット２１０のウェハ搬入出口２３５に対向する位置にウェハＷを搬送する。
【０１１４】
一方，ＶＯＳユニット２１０のユニットチャンバー２１５の内部においては，２本の保持棒２２０ａ，２２０ｂを離隔位置に，熱板２５０を待機位置に配置させた状態にしてそれぞれ待機させておく。
【０１１５】
先ず，ウェハ搬入出口２３５を開口させる開口位置にシャッター２３８を上昇移動させる。次に，カバー２５５を下方の処理位置から待機位置に上昇移動させる。
【０１１６】
その後，搬送アーム２５に保持したウェハＷをウェハ搬入出口２３５に進入させ，３本の保持棒２２０に囲まれる位置まで移動させる。各ウェハＷの周縁が保持棒２２０ｃの溝の中に進入したら，２本の保持棒２２０ａ，２２０ｂを当接位置にそれぞれ移動させ，３本の保持棒２２０ａ，２２０ｂ，２２０ｃによってウェハＷを保持し，搬送アーム２５をユニットチャンバー２１５から退出させる。そして，ウェハ搬入出口２３５を閉口させる閉口位置にシャッター２３８を移動させ，ユニットチャンバー２１５を密閉状態にする。こうして，２５枚のウェハＷは，略水平な姿勢で，表面が上面，裏面が下面となっている状態で３本の保持棒２２０ａ，２２０ｂ，２２０ｃに保持される。
【０１１７】
次に，熱板２５０をウェハＷとウェハＷとの間の各隙間に進入させ，処理位置にそれぞれ移動させる。このとき，処理位置に移動した各熱板２５０の上面は，各熱板２５０の上方に位置するウェハＷの下面（裏面）に，接触しない状態でそれぞれ近接する。
【０１１８】
その後，カバー２５５を処理位置に下降移動させ，３本の保持棒２２０に保持されたウェハＷ，処理位置に配置された熱板２５０，３本の保持棒２２０，オゾンガス供給ノズル２４１，水蒸気供給ノズル２４２，窒素ガス供給ノズル２４３，熱板支持棒２５１を，カバー２５５によって囲み，カバー２５５の内部に密閉状態の処理空間を形成する。
【０１１９】
このように２５枚のウェハＷをカバー２５５によって囲んだ状態で，ウェハＷの表面に形成されたポリマーを改質させるポリマー改質工程を開始する。先ず，オゾンガス供給ノズル２４１からのオゾンガスの供給を開始する。カバー２５５の内部にオゾンガスを供給しながら，排出管２５８によってカバー２５５の内部の雰囲気を排気する。また，熱板２５０を昇温させることにより，ウェハＷを昇温させる。このようにして，カバー２５５の内部の圧力を調節しながら，カバー２５５の内部の雰囲気をオゾンガス雰囲気に置換する。
【０１２０】
次に，水蒸気供給ノズル２４２からの水蒸気の供給を開始する。カバー２５５の内部の圧力を調節しながら，カバー２５５の内部のオゾンガス雰囲気内に水蒸気を供給して，カバー２５５の内部にオゾンガスと水蒸気の混合処理流体を充填する。そして，熱板２５０によってウェハＷを加熱しながら，所定時間，ウェハＷ表面のポリマーと混合処理流体とを反応させる。このように，カバー２５５の内部に充填させた混合処理流体によって，ポリマーを改質させる。ポリマーの改質が終了したら，熱板２５０の加熱を停止する。
【０１２１】
その後，窒素ガス供給ノズル２４３からの窒素ガスの供給を開始する。カバー２５５の内部に窒素ガスを供給しながら，排出管２５８によってカバー２５５の内部の雰囲気を排気する。これにより，カバー２５５の内部の混合処理流体雰囲気を窒素ガス雰囲気に置換する。置換が終了したら，窒素ガス供給ノズル２４３からの窒素ガスの供給，及び排出管２５８による排気を停止させる。
【０１２２】
こうして，ポリマー改質工程が終了する。ポリマー改質工程終了後，先ず，カバー２５５を処理位置から待機位置に上昇移動させる。次に，熱板２５０をウェハＷとウェハＷとの間の各隙間から退出させ，待機位置に移動させる。その後，開口位置にシャッター２３８を上昇移動させる。
【０１２３】
その後，搬送アーム２５をウェハ搬入出口２３５に進入させ，各ウェハＷの下面に対向する位置に進入させる。そして，各ウェハＷの下面に各搬送アーム２５をそれぞれ当接させる。次に，２本の保持棒２２０ａ，２２０ｂを離隔位置に移動させ，３本の保持棒２２０ａ，２２０ｂ，２２０ｃによるウェハＷの保持を解除する。そして，ウェハＷを支持した搬送アーム２５を，２本の保持棒２２０ａ，２２０ｂの間から後退させ，ウェハ搬入出口２３５から退出させる。
【０１２４】
このようにしてＶＯＳユニット２１０におけるポリマー改質処理を施したウェハＷを支持したウェハ搬送装置２４を，ウェハ搬送部６内においてＹ方向に移動させ，ウェハ搬送・姿勢変換エリア３５の搬入出口６２に対向する位置に，ウェハＷを搬送する。
【０１２５】
ウェハ搬送・姿勢変換エリア３５においては，処理システム１と同様に，ロータ７０にウェハＷを装入し，ロータ回転機構５０を横姿勢にして待機位置Ｐ３に上昇移動させる。
【０１２６】
次に，ロータ回転機構５０を水平方向（Ｘ方向）に前進させ，ロータ７０を基板処理ユニット４０のロータ入出口１０７からチャンバー１００内へ進入させる。ロータ７０をチャンバー１００内部の所定の処理位置Ｐ４まで移動させると，蓋体７３によってロータ入出口１０７を塞ぐ状態となる。そして，シール機構１０８によってロータ入出口１０７と蓋体７３との間の隙間をシールする。こうして，チャンバー１００，蓋体７３によって，密閉状態の処理空間が形成される。
【０１２７】
基板処理ユニット４０においては，先ず，薬液処理工程を行う。ロータ７０の回転を開始して，静止状態から所定の回転速度に加速し，ウェハＷとロータ７０を一体的に回転させる。一方，図示しない薬液供給ノズルから薬液を供給して，回転する各ウェハＷに薬液を吹き付ける。これにより，ウェハＷの表面に付着している改質したポリマーを，薬液に溶解させ，ウェハＷの表面から除去する。その後，ウェハＷを薬液処理時よりも高速回転させて，ウェハＷに付着した薬液を遠心力によって振り切って除去する。
【０１２８】
次に，純水供給ノズル１２１から純水を供給して，回転する各ウェハＷに純水を吹き付ける。これにより，ウェハＷをリンス処理する。その後，ウェハＷをリンス処理時よりも高速回転させ，ＩＰＡ供給ノズル１２４からＩＰＡミストを供給して，ウェハＷをスピン乾燥処理する。
【０１２９】
乾燥処理後，シール機構１０８のシールを解除し，ロータ入出口１０７と蓋体７３との間に隙間を形成する。そして，ロータ回転機構５０を処理位置Ｐ４から水平方向（Ｘ方向）に後退させる。こうして基板を基板処理ユニット４０から搬出する。その後，処理システム１と同様の工程により，ウェハＷをウェハ搬送・姿勢変換エリア３５から搬出し，キャリアＣに収納し，処理システム２００におけるウェハＷの処理工程が終了する。
【０１３０】
かかる処理システム２００によれば，過酸化水素を含有した薬液（第１の薬液）を使用せずに，オゾンガスと水蒸気の混合流体によって，ポリマーを改質させることができる。従って，オゾンガスと水蒸気の混合流体によって改質したポリマーを溶解させる薬液に，異なる種類の薬液，例えばポリマーを改質させる薬液などが混合することが無い。従って，クロスコンタミネーションが発生しない。
【０１３１】
さらに，オゾンガスと水蒸気の混合流体を用いてポリマーを改質させる工程は，第１の薬液を使用してポリマーを改質させる場合と比較して，短時間で行うことができる。従って，スループットの向上を図ることができる。
【０１３２】
なお，処理システム２００に組み込む基板処理ユニット４０においても，前述した処理システム１に組み込む基板処理ユニット４０を用いた実施の形態と同様に，薬液供給ノズル（図示せず），純水供給ノズル１２１，ＩＰＡ供給ノズル１２４，窒素ガス供給ノズル１２５をそれぞれ供給を行うときのみチャンバー１００の内部に移動させ，供給を行わない間は，それぞれ外部に待機させ，チャンバー１００の内部と雰囲気隔離することにより，薬液供給ノズル，純水供給ノズル１２１，ＩＰＡ供給ノズル１２４，窒素ガス供給ノズル１２５の各表面において，互いの処理流体が付着，混合せず，各表面を清浄に保つことができる。従って，清浄な処理流体を供給でき，ウェハＷの処理の信頼性を高めることができる。
【０１３３】
また，基板処理ユニット４０において，先行するロットのウェハＷを処理する間，ＶＯＳユニット２１０に後続のロットのウェハＷを搬入し，ポリマー改質処理を並行して行うようにすることが好ましい。この場合，先行するロットのウェハＷを基板処理ユニット４０から搬出してキャリアＣに収納した後，ＶＯＳユニット２１０における処理が終了した後続のロットのウェハＷを，すぐに基板処理ユニット４０に搬送できる。さらに，その後，次の後続のロットのウェハＷをキャリアＣから取り出し，ＶＯＳユニット２１０に搬送できる。このように，ＶＯＳユニット２１０，基板処理ユニット４０において，各処理を並行して行うことにより，ウェハＷを連続的に処理する。この場合，スループットを向上させることが可能である。
【０１３４】
【発明の効果】
本発明によれば，互いに異なる種類の処理液を供給する複数のノズルを，チャンバーの内部と外部に移動可能な構成としたことにより，互いに処理流体が付着することを防止できる。また，オゾンガスと水蒸気の混合流体によって，ポリマーを改質させることにより，使用する薬液を１種類にすることができる。従って，二重チャンバー構造を用いることなく，複数のノズルの表面において，互いに処理液が混合することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】処理システムの概略平面図である。
【図２】ロータ回転機構の移動及び姿勢変換の状態を示す説明図である。
【図３】ロータの斜視図である。
【図４】本発明の実施の形態にかかる基板処理ユニットの概略縦断面図である。
【図５】図４に示す基板処理ユニットのＩ―Ｉ線による断面図である。
【図６】別の実施の形態にかかる基板処理ユニットの概略縦断面図である。
【図７】別の実施の形態にかかる処理システムの概略平面図である。
【図８】ＶＯＳユニットの概略縦断面図である。
【図９】ＶＯＳユニットの概略横断面図である。
【図１０】熱板をウェハの下面に近接した処理位置に移動させた状態を示す説明図である。
【符号の説明】
Ｃ　　　キャリア
Ｗ　　　ウェハ
１　　　処理システム
２５　　搬送アーム
４０　　基板処理ユニット
５０　　ロータ回転機構
７０　　ロータ
１００　チャンバー
１２１　純水供給ノズル
１２２　第１薬液供給ノズル
１２３　第２薬液供給ノズル
１２４　ＩＰＡ供給ノズル
１２５　窒素ガス供給ノズル
１３１　純水供給ノズル入出口
１３２　第１薬液供給ノズル入出口
１３３　第２薬液供給ノズル入出口
１３４　ＩＰＡ供給ノズル入出口
１３５　窒素ガス供給ノズル入出口
１５５　内部側端部部材
１６５　外部側端部部材
１８６　ベローズ
１８７　蓋部材
２００　処理システム
２１０　ＶＯＳユニット
２２０　保持棒
２５０　熱板
２５５　カバー
２４１　オゾンガス供給ノズル
２４２　水蒸気供給ノズル
２４３　窒素ガス供給ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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