(57)【要約】      （修正有）【課題】バックグラインド工程でＩＣウェハーの非能動面を、ＩＣウェハーの肉厚が一定以下になるまで研削できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ＩＣウェハーの能動面１Ａ上の所定位置に複数個のパッド電極を形成する半導体素子形成工程と、前記パッド上にバンプ７を形成するバンプ形成工程と、ＩＣウェハーの非能動面を研削して、ＩＣウェハー１を所定の厚みにするバックグラインド工程とを有する半導体装置の製造方法において、バンプ形成工程では、ＩＣウェハー１の周縁部分を残してバンプ７を形成し、バンプ形成工程とバックグラインド工程との間に、前記周縁部分に支持部材２０を形成又は貼付する支持部材形成工程を設け、バックグラインド工程では、支持部材２０でＩＣウェハー１の周縁部分を支持させた状態で非能動面の研削を行うようにした。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣウェハーの能動面上の所定位置に複数個のパッド電極を形成する半導体素子形成工程と、前記パッド上にバンプを形成するバンプ形成工程と、前記ＩＣウェハーの非能動面を、前記ＩＣウェハーを所定の厚みまで研削するバックグラインド工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記バンプ形成工程では、前記ＩＣウェハーの周縁部分を残してバンプを形成し、
前記バンプ形成工程と前記バックグラインド工程との間に、前記周縁部分に支持部材を形成又は貼付する支持部材形成工程を設け、
前記バックグラインド工程では、前記支持部材で前記ＩＣウェハーの周縁部分を支持させた状態で前記非能動面の研削を行うこと、
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記バンプ形成工程の前に、前記能動面にフラックスを塗布するフラックス塗布工程を設け、前記バンプ形成工程と前記支持部材形成工程との間に、前記フラックスを洗浄するフラックス洗浄工程を設けたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記支持部材を前記ＩＣウェハーから除去する支持部材除去工程を、前記バックグラインド工程で前記ＩＣウェハーを固定するために前記能動面に貼り付けるバックグラインド用テープの剥離工程に設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記支持部材が、前記バンプの高さと実質的に同一の高さ又は前記バンプの高さよりも僅かに小さい高さを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記支持部材が、前記周縁部分に沿って貼り付けられる環状のシール部材であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置の製造方法に用いられるシール部材であって、
前記シール部材が、前記ＩＣウェハーの外形形状と実質的に同一形状の環状の部材から形成され、かつ、前記ＩＣウェハーの能動面を、前記能動面に貼着したバックグラインド用テープとの間で密封することができる材質から形成されていること、
を特徴とするシール部材。
【請求項７】
少なくとも一方の面に、前記ＩＣウェハーの周縁部分に前記シール部材を貼着するための粘着層を設けたことを特徴とする請求項６に記載のシール部材。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の半導体装置の製造方法に用いられ、前記シール部材を保持して前記ＩＣウェハーに供給するシール部材の供給装置であって、
前記シール部材を吸着する吸着手段を備え、この吸着手段で前記シール部材を吸着・保持して前記ＩＣウェハー上に搬送し、前記シール部材を前記ＩＣウェハーに受け渡すこと、
を特徴とするシール部材の供給装置。
【請求項９】
前記ＩＣウェハーの能動面に接触する前記シール部材の一面に粘着材が塗布されている場合において、
少なくとも前記シール部材を前記ＩＣウェハーに受け渡す際に、前記吸着手段による前記シール部材の吸着力を、前記粘着材による前記ＩＣウェハーへの貼着力よりも弱くして、前記シール部材の前記一面が前記ＩＣウェハーの能動面に貼り着けられることで、前記供給装置から前記ＩＣウェハーに前記シール部材が受け渡されること、
を特徴とする請求項８に記載のシール部材の供給装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、小型、薄型を要求される半導体装置の製造方法にかかり、特に、バックグラインド工程で非能動面を研削して、ＩＣウェハーを薄型に加工する半導体装置の製造方法、この方法に使用されるシール部材及びシール部材の供給装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体パッケージの小型化、高密度化に伴い、ベア・チップを直接フェイスダウンで基板上に実装するフリップチップボンディングが開発されている。また、カメラ一体型ＶＴＲや携帯電話機等の登場により、ベア・チップと略同じ寸法の小型パッケージ、いわゆるＣＳＰ（チップサイズ／スケール・パッケージ）を載せた携帯機器が相次いで登場してきている。近年では、ＣＳＰの開発が急速に進んでいて、半導体装置の小型、薄型化の要求がますます高まってきている。
【０００３】
上記したＣＳＰの製造においては、ＩＣウェハーのパッド電極面に半田バンプを形成することが行われているが、ＩＣウェハーのパッド電極面に半田バンプを形成する方法としては、スタッドバンプ方式、ボールバンプ方式及びメッキバンプ方式等が知られている。この中で、パッド電極を設けた位置にレジストで窓を形成し、半田浴槽中に浸漬してメッキによって半田バンプを形成するメッキバンプ方式は、パッド電極間の狭い配列でバンプを形成することが可能で、ＩＣチップの小型化に有利であり、このメッキバンプ方式をベースとした半導体装置の製造方法が種々提案されている（例えば、本願出願人による特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−３１１８５号公報（明細書の発明の実施の形態の欄及び図面の図１、図２参照）
【０００５】
図５は、上記の特許文献１に記載されたメッキバンプ法による半導体装置の製造方法を概略的に説明するフロー図及びその主要工程におけるＩＣウェハーの状態を示す図である。
（ａ）は半導体素子形成工程で、所定の厚み、例えば、６２５μｍの厚みを有するＩＣウェハーの能動面１Ａの所定位置に、複数個のパッド電極を形成する。
（ｂ）は、ＩＣウェハー１の能動面１Ａのバッド電極上に、半田層２を形成する工程で、ＩＣウェハー１のパッド電極の位置に、メッキバンプ方式により半田層２を形成する。
（ｃ）は、フラックス塗布工程で、半田層２を被覆するようにスピンナー法によってフラックスを能動面１Ａに一様に塗布する。
【０００６】
（ｄ）は、半田バンプ形成工程で、フラックス６で被覆された半田層２を所定の温度でリフローすることにより、半田がボール状に丸められてパッド電極上に半田バンプ７が形成される。
（ｅ）は、バックグラインド用テープ貼着工程で、ＩＣウェハー１の能動面１Ａに、両面粘着テープ（以下、バックグラインド用テープと記載する）３の一方の面を貼着する。このバックグラインド用テープ３は、ＩＣウェハー１の非能動面１Ｂと平行に紫外線を照射することにより硬化させて剥離が可能になるものである。
【０００７】
（ｆ）は、バックグラインド工程で、バックグラインド用テープ３の他方の面を図示しないグラインダ装置の研削テーブルに貼着し、研削砥石４でＩＣウェハー１の非能動面１Ｂを、ＩＣウェハー１の厚みが所定の厚みになるまで、例えば、４００μｍ程度の厚みになるまで、研削する。
（ｇ）は、バックグラインド用テープ剥離工程で、バックグラインド用テープ３に紫外線を照射してバックグラインド用テープ３をＩＣウェハー１から剥離する。
（ｈ）は、フラックス洗浄工程で、ＩＣウェハー１の能動面１Ｂのフラックスを除去する。上記した（ａ）〜（ｈ）の工程を経て、次の検査工程（ｉ）に送られる。以上により、半導体装置の製造工程は終了する。
【０００８】
上記の方法によれば、バックグラインド工程（ｆ）において、半田バンプ形成工程（ｄ）で塗布したフラックス６がＩＣウェハー１の能動面１Ａを保護しているので、研削中に発生したシリコン（Ｓｉ）のカスがＩＣウェハー１の能動面１Ａに付着することがなく、かつ、フラックス洗浄の際に前記カスを容易に除去することができるという利点がある。また、半田層２を丸める半田バンプ形成工程（ｄ）がバックグラインド工程（ｆ）の前に設けられているので、ＩＣウェハー１を研削した際に微細なマイクロクラックが発生したとしても、クラックが進行することがなく、ＩＣウェハー１の割れ不良の発生を抑制できるという利点もある。
【０００９】
ところで、近年では、さらに薄肉の半導体装置が求められている。しかしながら、上記従来の方法によっても、裏面研削後のＩＣウェハー１の厚みが一定以下（例えば、６インチウェハーで２００μｍ〜２５０μｍ以下）になると、ＩＣウェハー１の剛性が、バックグラインド工程における研削による負荷に抗することができなくなり、研削を行う際にＩＣウェハー１に割れが生じるという問題がある。また、上記の特許文献１に記載の技術では、フラックス６によってＩＣウェハー１の能動面が保護されているが、ＩＣウェハー１が一定以下の薄肉になると、研削した際に生じたマイクロクラックが、フラックス洗浄の際に進行して、割れを生じさせるという問題がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題点にかんがみてなされたもので、バックグラインド工程でＩＣウェハーの非能動面を研削する場合に、ＩＣウェハーの肉厚を一定以下になるまで研削しても、ＩＣウェハーに割れを生じさせることない半導体装置の製造方法，この方法に用いるシール部材及びシール部材の供給装置の提供を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の発明者は、バックグラインド工程でＩＣウェハーの非能動面の研削を行った場合、自由端であるＩＣウェハーの周縁部分に割れやクラック（マイクロクラック）が発生しやすいことに着目した。そして、ＩＣウェハーの周縁部分を支持部材で支持させた状態で研削を行うことで、割れやクラックが発生しにくくなり、ＩＣウェハーの肉厚が前記一定以下になるまで研削を行ことが可能になることを見出した。
【００１２】
具体的に、本発明は、ＩＣウェハーの能動面上の所定位置に複数個のパッド電極を形成する半導体素子形成工程と、前記パッド上にバンプを形成するバンプ形成工程と、前記ＩＣウェハーの非能動面を、前記ＩＣウェハーを所定の厚みまで研削するバックグラインド工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記ＩＣウェハーの周縁部分を残して、前記バンプ形成工程でバンプを形成し、前記バンプ形成工程の後、前記バックグラインド工程の前に、前記周縁部分に支持部材を形成又は貼付する工程を設け、前記支持部材で前記ＩＣウェハーの周縁部分を支持させた状態で、前記非能動面の研削を行う方法としてある。
【００１３】
本発明においては、支持部材が能動面を外部から隔離しているので、バックグラインド工程で研削カスなどが能動面に付着するということがない。そのため、本発明においては、前記バンプ形成工程の前に、前記能動面にフラックスを塗布するフラックス塗布工程を設け、前記バンプ形成工程と前記支持部材形成工程との間に、前記フラックスを洗浄するフラックス洗浄工程を設けることができる。したがって、フラックス洗浄時の負荷によって、薄肉に研削されたＩＣウェハーに割れが生じるという不都合を防止することができる。
なお、前記支持部材を前記ＩＣウェハーから除去する支持部材除去工程は、前記バックグラインド工程で前記ＩＣウェハーを固定するために前記能動面に貼り付けるバックグラインド用テープの剥離工程に設けてもよい。
【００１４】
前記支持部材の肉厚は、前記バンプの高さと実質的に同一としてもよいが、前記バンプの高さよりも僅かに小さいものとするのが好ましい。
このようにすることで、バンプを十分にバックグラインド用テープ等に貼着させて、ＩＣウェハーをしっかりと固定した状態で、非能動面の研削を行うことができる。
前記した支持部材としては、前記周縁部分に沿って貼り付けられる環状のシール部材とすることができる。このような環状のシール部材は、例えば、所定の肉厚及び所定の材質の樹脂フィルムから切り出すことで、形成することができる。
【００１５】
上記のシール部材は、請求項５に記載の半導体装置の製造方法に用いられるシール部材であって、前記シール部材が、前記ＩＣウェハーの外形形状と実質的に同一形状の環状の部材から形成され、かつ、前記ＩＣウェハーの能動面を、前記能動面に貼着したバックグラインド用テープとの間で密封することができる材質から形成することができる。また、少なくとも一方の面に、前記ＩＣウェハーの周縁部分に前記シール部材を貼着するための粘着層を設けてもよい。
【００１６】
上記のシール部材は、前記シール部材を保持することのできる供給装置を用いてＩＣウェハーに供給することができる。
この供給装置としては、例えば前記シール部材を吸着する吸着手段を備え、この吸着手段で前記シール部材を保持させるものを用いることができる。
また、前記ＩＣウェハーの能動面に接触する前記シール部材の一面に粘着材が塗布されている場合には、前記粘着材による前記ＩＣウェハーへの貼着力よりも前記吸着手段による前記シール部材の吸着力を弱くして、前記シール部材の前記一面が前記ＩＣウェハーの能動面に貼り着けられることで、前記供給装置から前記ＩＣウェハーに前記シール部材が受け渡されるようにすることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
まず、図１及び図２を参照しながら、本発明の半導体装置の製造方法における一実施形態及び支持部材としてのシール部材の一実施形態について説明する。
［半導体装置の製造方法及びシール部材の説明］
図１は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態にかかり、その工程を説明するフロー図及びその主要工程におけるＩＣウェハーの状態を示す図である。
【００１８】
（ａ）は半導体素子形成工程で、従来と同様に、所定の厚み、例えば、６２５μｍの厚みを有するＩＣウェハー上の所定位置に複数個のパッド電極を形成する。なお、このとき、ＩＣウェハーの周縁部分には、全周にわたってパッド電極を形成せず、後述するシール部材を貼り付けるためのスペースを予め確保しておく。
【００１９】
（ｂ）は、バッド上に半田層２を形成する工程である。この工程では、従来と同様に、ＩＣウェハー１の能動面１Ａのパッド電極を形成した位置に、メッキバンプ方式により半田層２を形成する。（ａ）で説明したように、パッド電極はＩＣウェハー１の周縁部分を全周にわたって残して形成されているので、半田層２を形成しても、ＩＣウェハー１の能動面１Ａの周縁部分には所定幅のスペースＳが確保されることになる。
（ｃ）は、フラックス塗布工程で、半田層を被覆するようにスピンナー法にてフラックスを一様に塗布する。
（ｄ）は、半田バンプ形成工程で、フラックス６で被覆された半田層２を所定の温度でリフローすることにより、半田がボール状に丸められてパッド電極上に半田バンプ７が形成される。
【００２０】
（ｅ）は、フラックス洗浄工程で、ＩＣ能動面のフラックス６を除去する。
このように、フラックスの洗浄を非能動面の研削の前に行うようにすることで、フラックス洗浄時の負荷によるＩＣウェハー１の割れの発生を未然に防止することができる。
【００２１】
（ｆ）は、支持部材であるシール部材の貼り付け工程で、樹脂フィルムから形成されたシール部材２０を、ＩＣウェハー１の能動面１Ａの周縁部分（スペースＳの部分）に貼り付ける。
図２は、この実施形態のシール部材の詳細を説明する図で、図２（ａ）は、シール部材の全体形状を説明する斜視図、図２（ｂ）は、シール部材の肉厚を説明する部分断面拡大図である。
【００２２】
図２（ａ）に示すように、シール部材２０は、ＩＣウェハー１の外形と実質的に同一形状に形成され、周縁部分Ｓを全周にわたってシールすることができるように、環状に形成されている。
このシール部材２０は、樹脂フィルム、例えば、ＢＧＡダイシングテープとして使用されている市販のポリエステルフィルム（例えば、株式会社東レ製
商品名  ＥＬＥＰ  ＨＯＬＤＥ  ＮＢＤ−２１７０Ｋ）から形成することができる。シート状の前記樹脂フィルムから、所定形状のシール部材２０を切り出して形成してもよいし、金型を用いて、プレス成形又は射出成形により、所定形状のシール部材２０を形成するようにしてもよい。
また、ＩＣウェハー１の能動面１Ａに接触するシール部材２０の一面には、粘着材を塗布した粘着層を設け、ＩＣウェハー１の能動面１Ａの周縁部分Ｓにシール部材が貼着されるようにするのが好ましい。
【００２３】
シール部材２０の肉厚は、バンプ７の高さと実質的に同じとしてもよいが、ＩＣウェハー１の能動面１Ａを後述するバックグラインド用テープに貼り付けたときに、バンプ７の一部がバックグラインド用テープ３に食い込んで、ＩＣウェハー１がしっかりとバックグラインド用テープ３に固定されるように、バンプ７の高さよりも若干薄いものとするのが好ましい。これを、図２（ｂ）を参照しながら説明すると、能動面１Ａからバンプ７の頂部までの高さをＨ１、バックグラインド用テープ３に貼り付けたときのバンプ７の食い込み量をｈとした場合に、シール部材２０の肉厚が、Ｈ２＝Ｈ１−ｈ程度になるように形成するとよい。
本発明は、高さＨ１＝２５〜３００μｍ程度の大きさのバンプ７を有する半導体装置の製造に適用が可能であるが、前記の高さ寸法に対して、８０％〜９０％程度を目安として、シール部材２０の肉厚Ｈ２を決定するとよい。
【００２４】
シール部材の貼り付け工程（ｆ）の後の（ｇ）は、バックグラインド用テープ貼着工程で、ＩＣウェハー１の能動面１Ａに、両面に粘着材が塗布されたバックグラインド用テープ３の一方の面を貼着する。このバックグラインド用テープ３は、従来と同様に、ＩＣウェハー１の非能動面１Ｂと平行に紫外線を照射することにより硬化して、剥離が可能になるものである。
【００２５】
（ｈ）は、バックグラインド工程で、バックグラインド用テープ３の他方の面を図示しないグラインダ装置の研削テーブルに貼着し、研削砥石４でＩＣウェハー１の非能動面１Ｂを所定の厚みになるまで研削する。
このとき、バックグラインド用テープ３に貼り付けたシール部材２０が、ＩＣウェハー１の周縁部分に作用する研削時の垂直方向の負荷をバックグラインド用テープ３に伝達して逃すので、前記周縁部分にはほとんど垂直方向の負荷が作用しない。そのため、マイクロクラックや割れ等の発生が効果的に抑制される。
【００２６】
さらに、このシール部材２０は、バンプ７が形成された能動面１Ａを外部と隔離して密封状態にしているので、研削時にＩＣウェハー１に供給される研削液が能動面１Ａ側に浸入するのを防ぎ、研削後にＩＣウェハー１の能動面１Ａを洗浄する必要がなくなる。そのため、バックグラインド工程（ｈ）の前にフラックス６の洗浄を行うことができ、フラックス洗浄時にＩＣウェハー１に作用する負荷や、フラックス洗浄時に付与される超音波などによって、薄肉に研削されたＩＣウェハー１が割れる等の不都合を防止することができる。
【００２７】
（ｉ）は、バックグラインド用テープ剥離工程で、バックグラインド用テープ３にＵＶ照射してバックグラインド用テープ３をＩＣウェハー１から剥離する。
また、この工程で、シール部材２０をＩＣウェハー１から剥離するようにしてもよい。
上記した（ａ）〜（ｉ）の工程を経て、次の検査工程（ｊ）に送られる。以上により、半導体装置の製造工程は終了する。
【００２８】
このように、本発明によれば、従来の方法では加工できなかった厚さ（１００μｍ程度）までＩＣウェハー１を研削することができ、きわめて薄肉の半導体装置を製造することができる。
また、従来と同程度の厚さにＩＣウェハーを研削する場合においては、研削時又は研削後の各工程におけるＩＣウェハーの割れ歩留まりを向上させることができる。
【００２９】
［シール部材の供給装置の説明］
次に、図３及び図４を参照しながら、上記の製造方法で使用されるシール部材の供給装置の一実施形態について説明する。
シール部材のＩＣウェハーへの供給は、以下に説明するシール部材の供給装置を用いて、自動で行うことができる。
図３は、上記のシール部材をＩＣウェハーに自動供給するための供給装置の一例にかかり、その斜視図である。
供給装置３０は、図示しないロボットハンド等の搬送装置に取り付けられる本体３１と、この本体３１の一面側のほぼ中央に凹設されたシール部材の収容部３２と、この収容部３２の底部の周縁に沿って形成された複数のエア流通孔３３と、本体３１の側面に取り付けられ、エア流通孔３３と連通する吸気管３４及び送気管３５とを有している。
【００３０】
エア流通孔３３は、シール部材２０の全体を吸着して保持することができるように、前記底部の周縁の全周にわたって均等間隔で複数形成するのがよく、かつ、シール部材２０を吸着・保持したときにエア漏れが無いように、シール部材２０の幅よりも小さい孔径とするのが好ましい。
吸気管３４及び送気管３５は、図示しない切替弁に接続されていて、この切替弁の切り替え動作によって、エア流通孔３３に吸引用のエアを供給し、又は吹き出し用のエアを供給することができるようになっている。そして、エア流通孔３３に吸引用のエアを供給することで、シール部材２０が収容部３２の底部に吸着されて保持される。また、前記切替弁を切り替えてエア流通孔３３に吹き出し用のエアを供給することで、シール部材２０の保持が解除され、シール部材２０が供給装置３０からＩＣウェハー１に受け渡される。
【００３１】
図４は、上記の供給装置３０を用いたシール部材２０の供給過程の一例を説明する概略図である。
図４（ａ）に示すように、台紙２１上にシール部材２０を軽く貼り付けた状態で準備し、その真上に、供給装置３０を位置決めする。
図４（ｂ）に示すように、供給装置３０を下降させ、収納部３２内にシール部材２０を収容する。そして、ブロワー等の図示しないエア供給装置を駆動させて、エア流通孔３３からエアを吸引させ、シール部材２０を供給装置３０に吸着させる。
【００３２】
図４（ｃ）に示すように、供給装置３０を上昇させて、シール部材２０を台紙２１から剥離させる。エア流通孔３３からの吸引エアの圧力を、台紙２１に対するシール部材２０の貼着力よりも強くすることで、供給装置３０の上昇動作にともなって、シール部材２０が台紙２１から剥離する。
図４（ｄ）に示すように、供給装置３０を図示しない半導体製造装置のＩＣウェハー１の真上位置まで移動させて位置決めする。
図４（ｅ）に示すように、供給装置３０を下降させて収納部３２内に吸着・保持したシール部材２０をＩＣウェハー１の能動面に貼り付ける。
この後、図示しない切替弁を切り替えて、エア流通孔３３からエアを吹き出させながら、図４（ｆ）に示すように、供給装置３０を上昇させる。これにより、ＩＣウェハー１にシール部材２０が受け渡される。
【００３３】
本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態により何ら限定されるものではない。
例えば、上記の説明では、ＩＣウェハーの周縁部分に樹脂フィルムから形成したシール部材を貼り付けるものとして説明したが、バックグラインド用テープと同一の材質を周縁部分に塗布し、紫外線照射により硬化させて支持部材を形成するようにしてもよい。
また、シール部材２０の供給装置３０は、切替弁を切り替えることによってエア流通孔３３からエアを吹き出させ、これによって、シール部材２０をＩＣウェハー１に受け渡すものとして説明したが、シール部材２０をＩＣウェハー１に貼着させたときの貼着力に対して、シール部材２０を吸引・保持するための吸引エアの圧力を十分に小さくすることで、エアの吹き出しを行うことなく、シール部材２０をＩＣウェハー１に受け渡すことが可能になる。
【００３４】
【発明の効果】
本発明は上記のように構成されているので、バックグラインド工程でＩＣウェハーの非能動面を研削する場合に、ＩＣウェハーの肉厚を一定以下になるまで研削しても、ＩＣウェハーに割れ等を生じさせることがなく、従来に比してきわめて薄肉で高品質の半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態にかかり、その工程を説明するフロー図及びその主要工程におけるＩＣウェハーの状態を示す図である。
【図２】図２（ａ）は、シール部材の形状を説明する斜視図、図２（ｂ）は、シール部材の肉厚を説明する部分拡大断面図である。
【図３】シール部材をＩＣウェハーに自動供給するための供給装置の一例にかかり、その斜視図である。
【図４】図３の供給装置によるシール部材の供給過程の一例を説明する図である。
【図５】本発明の従来例にかかり、メッキバンプ法による半導体装置の製造方法を概略的に説明するフロー図及びその主要工程におけるＩＣウェハーの状態を示す図である。
【符号の説明】
１  ＩＣウェハー
２  半田層
３  バックグラインド用テープ
６  フラックス
７  バンプ
２０  シール部材（支持部材）
３０  シール部材の供給装置
【図１】
2004288725.tif 000003
【図２】
2004288725.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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