(57)【要約】【課題】高周波超音波を印加することなく、従来の高周波音波洗浄装置に比べて半導体基板のような被処理物の表面処理領域の拡大と表面処理力の向上を図ることが可能な被処理物の表面処理方法を提供する。【解決手段】イオン性物質が溶解された機能水を高周波が印加された共振器を流通させて共振させ、その共振軸長の節またはその節に近似した箇所に被処理基板を配置し、この被処理基板の表面で水分子を振動させるとともに、前記イオン性物質をイオン化し、前記高周波の電界でそのイオンを移動させると共に拆力を発生することを特徴とする【選択図】    図１
2004221252.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン性物質が溶解された機能水を高周波が印加された共振器を流通させて共振させ、その共振軸長の節またはその節に近似した箇所に被処理基板を配置し、この被処理基板の表面で水分子を振動させるとともに、前記イオン性物質をイオン化し、前記高周波の電界でそのイオンを移動させると共に拆力を発生することを特徴とする被処理物の表面処理方法。
【請求項２】
貫通された流通穴を有し、高周波が印加される共振器と、
前記共振器の上方に配置され、イオン性物質が溶解された機能水を前記共振器の流通穴に流通させてその共振器下方の被処理基板に噴射するためのノズルと
を具備したことを特徴とする被処理物の表面処理装置。
【請求項３】
前記共振器は、少なくとも１つの流通穴を有する誘電体材料からなる柱体と、この柱体の外周面に形成された金属筒と、この金属筒に開口された透過窓とを有する共振器本体；および
前記透過窓が位置する前記金属筒に取り付けられた高周波導波管を有する高周波印加手段；
を具備したことを特徴とする請求項２記載の被処理物の表面処理装置。
【請求項４】
前記共振器は、少なくとも１つの貫通穴を有する誘電体材料からなる柱体と、この柱体の外周面に形成された金属筒とを有する共振器本体；および
前記金属筒に取り付けられ、先端に前記金属筒を貫通してその内側の前記柱体または前記柱体の流通穴を経由して前記金属筒に接続されてループを持つ同軸ケーブルまたは同軸管を有する高周波印加手段；
を具備したことを特徴とする請求項２記載の被処理物の表面処理装置。
【請求項５】
メッシュ状高周波シールド部材は、前記柱体の流入口に前記柱体外周面の金属筒に接続されるようにさらに設けられることを特徴とする請求項３または４記載の被処理物の表面処理装置。
【請求項６】
被処理基板を上下動可能に保持する保持部材をさらに備えることを特徴とする請求項２ないし５いずれか記載の被処理物の表面処理装置。
【請求項７】
前記保持部材による被処理物の上下動作は、前記柱体の流出口と前記被処理物表面との距離（Ｌ１）が次式を満たすように制御されることを特徴とする請求項６記載の被処理物の表面処理装置。
１／λ２＝１／（λ２ｃ）＋１／（２［Ｌ１＋Ｌ２］／ｐ）２
ここで、λは柱体に印加される高周波の波長で、柱体の流通穴の内径と、機能水の誘電率および流通する機能水に含有される気体の量による総合誘電率と選択電界モードＴＥｍｎｐ、ＴＭｍｎｐとｐ（次数で定数）で定まる値、λ２ｃは柱体の流通穴の内径と選択電解モードＴＥｍｎｐ、ＴＭｍｎｐとで定まる値、Ｌ２は柱体の軸長を示す。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶ガラス基板、半導体ウエハや磁気ディスク等の被処理物の表面処理するための被処理物の表面処理方法および被処理物の表面処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、液晶ガラス基板、半導体ウエハ、磁気ディスク等の被処理物を表面処理するには、処理槽内に前記被処理物を複数枚垂直に立てて配置し、前記処理槽内に処理液を収納した後、前記処理槽底部に振動子を振動させて音波を前記処理液に放射して前記処理槽内の複数枚の被処理物を一度に表面処理することが行われている。
【０００３】
しかしながら、前記方法では液晶ガラス基板の大面積化、半導体ウエハの大口径化に伴ってそれら被処理物全体を均一に表面処理することが困難になり、表面処理むらを生じる問題があった。
【０００４】
ところで、特許文献１には図５および図６に示す高周波振動ノズルを有する高周波洗浄装置が開示されている。この高周波洗浄装置は、例えば円筒型高周波振動ノズル１０１を備えている。振動ノズル１０１は、円筒型本体１０２と、この円筒型本体１０２の下面に一体的に連結され、下端に吐出口１０３を有するテーパ状ノズル部１０４と、前記円筒型本体１０２を上下に区画する振動板１０５とを有する。振動子１０６は、前記振動板１０５上に配置されている。高周波供給ケーブル１０７は、前記本体１０２上部にケーブルフィッティグ部材１０８により固定され、その先端は前記振動子１０６に接続されている。前記振動子１０６には、前記高周波供給ケーブル１０７から例えば０．２４〜２４ＭＨｚの高周波電力が供給される。純水供給管１０９は、前記振動板１０５で区画された下部側の前記円筒型本体１０２の側壁に連結されている。この純水供給管１０９の他端は洗浄液供給源（例えば純水供給源）に連結されている。例えば銅またはアルミニウムからなる矩形状のマイクロ波導波管１１０は、前記高周波振動ノズル１０１の下方に配置されている。マイクロ波電源１１１は、前記導波管１１０に接続されている。マイクロ波透過性材料からなる筒体（例えば円筒体）１１２は、前記高周波振動ノズル１０１から高周波音波に乗って噴射された洗浄液流が流通される前記導波管１１０部分に上下に貫通して埋設されている。メッシュ状マイクロ波シールド部材１１３は、前記円筒体１１２の上部開口部に取付けられている。
【０００５】
このような高周波洗浄装置の動作を以下に説明する。
【０００６】
まず、マイクロ波導波管１１０の下方に被洗浄物、例えば半導体ウェハ１１４を配置する。このウェハ１１４は、後述する高周波振動ノズル１０１から高周波音波に乗った洗浄液流（純水流）の直下に配置される。図示しない洗浄液供給源から例えば純水を高周波振動ノズル１０１の洗浄液供給管１０９を通して振動板１０５で区画された下部側の円筒型本体１０２およびテーパ状ノズル部１０４内に供給すると共に、図示しない高周波発振器から高周波電力を高周波ケーブル１０７を通して振動子１０６に印加すると、前記振動子１０６が振動し、この振動子１０６が取付けられた振動板１０５も振動する。このため、前記円筒型本体１０２および前記テーパ状ノズル部１０４の内部に供給された純水に振動が付与される。これにより、前記ノズル部１０４の吐出口１０３から高周波音波に乗った純水流１１５が下方に向けて噴射される。
【０００７】
高周波音波に乗った純水流１１５は、マイクロ波導波管１１０に設けられ、上部開口部にメッシュ状マイクロ波シールド部材１１３が取付けられた円筒体１１２内を通過し、前記導波管１１０の空洞部に流入することなく、前記半導体ウェハ１１４に噴射される。この時、マイクロ波電源１１１から高周波電力を前記導波管１１０に印加すると、前記導波管１１０にマイクロ波が発生する。発生したマイクロ波は、前記円筒体１１２を透過し、前記メッシュ状マイクロ波シールド部材１１３により遮蔽されて前記高周波振動ノズル１１１側に漏れることなく、その内部に流通する前記純水流１１５に重畳される。マイクロ波が重畳された純水流１１６がその下方の半導体ウェハ１１４に照射されると、半導体ウェハ１１４は前記高周波振動ノズル１０１の吐出口１０３から噴射された純水流１１５の径に比べて広い領域にわたって洗浄される。
【０００８】
【特許文献１】
特開２０００−１２６７００
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、高周波超音波を印加することなく、特許文献１の高周波音波洗浄装置に比べて半導体基板のような被処理物の表面処理領域の拡大と表面処理力の向上を図ることが可能な被処理物の表面処理方法および被処理物の表面処理装置を提供しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る被処理物の表面処理方法は、イオン性物質が溶解された機能水を高周波が印加された共振器を流通させて共振させ、その共振軸長の節またはその節に近似した箇所に被処理基板を配置し、この被処理基板の表面で水分子を振動させるとともに、前記イオン性物質をイオン化し、前記高周波の電界でそのイオンを移動させると共に拆力を発生することを特徴とするものである。
【００１１】
本発明に係る被処理物の表面処理装置は、貫通された流通穴を有し、高周波が印加される共振器と、
前記共振器の上方に配置され、イオン性物質が溶解された機能水を前記共振器の流通穴に流通させてその共振器下方の被処理基板に噴射するためのノズルと
を具備したことを特徴とするものである。
【００１２】
本発明に係る被処理物の表面処理装置において、前記共振器は少なくとも１つの流通穴を有する誘電体材料からなる柱体と、この柱体の外周面に形成された金属筒と、この金属筒に開口された透過窓とを有する共振器本体；および
前記透過窓が位置する前記金属筒に取り付けられた高周波導波管を有する高周波印加手段；
を具備することが好ましい。
【００１３】
このような共振器において、前記柱体の外径が前記導波管の幅より小さい、つまり前記柱体の外周全体が前記導波管で囲まれる、場合には導波管上下の金属筒を残し、前記導波管内に位置する前記金属筒部分を除去し、誘電体材料からなる前記柱体の外周面を前記導波管内に露出させることが好ましい。
【００１４】
本発明に係る被処理物の表面処理装置において、前記共振器は少なくとも１つの貫通穴を有する誘電体材料からなる柱体と、この柱体の外周面に形成された金属筒とを有する共振器本体；および
前記金属筒に取り付けられ、先端に前記金属筒を貫通してその内側の前記柱体または前記柱体の流通穴を経由して前記金属筒に接続されてループを持つ同軸ケーブルまたは同軸管を有する高周波印加手段；
を具備することが好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下本発明を詳細に説明する。
【００１６】
（第１実施形態）
図１は、この第１実施形態に係る被処理物の表面処理装置を示す斜視図、図２は図１の断面図である。
【００１７】
共振器１は、共振器本体１０および高周波印加機構２０を備えている。
【００１８】
前記共振器本体１０は、少なくとも１つ、例えば１つの貫通穴１１を有する誘電体材料からなる柱体、例えば円柱体１２と、この円柱体１２の外周面に形成された金属筒１３と、この金属筒１３に開口された透過窓１４とを有する。メッシュ状高周波シールド部材１５は、前記円柱体１２上面にそのメッシュ状高周波部材１５の周縁が前記金属筒１３と接触するように取り付けられている。
【００１９】
前記円柱体１２に開口される貫通穴は１つに限らず、２つ以上開口してもよい。
【００２０】
前記円柱体１２は、例えば石英ガラス、セラミック、フッ素樹脂、ポリプロピレン、またはポリエチレン等の誘電体材料から作られる。なお、柱体は円柱体に限らず四角柱体、六角柱体のような角柱体、または楕円柱体等を用いることができる。
【００２１】
前記メッシュ状高周波シールド部材１５は、石英ガラス、アルミナのようなセラミック、ポリテトラフルオロエチレンのような弗素系樹脂、ポリプロレンまたはポリエチレン等の機能水に対して耐性を有する物質で表面が被覆された銅線もしくは銅合金線、または金線もしくは白金線から作られることが望ましい。この線材は径が０．３ｍｍ以下のものを用いるのが好ましい。前記線材の径が０．３ｍｍを超えると、前記円柱体の貫通穴への機能水の流通を妨げる虞がある。
【００２２】
前記メッシュ状高周波シールド部材１５は、その線材がメッシュ間に互いに溶着し、かつメッシュ端が前記円柱体１２の金属筒１３に溶着等により十分に接触することが好ましい。特に、前記共振器を被処理物に対して最適な位置で設置する場合、前記メッシュ状高周波シールド部材１５がその基準点になることから、前記金属筒に十分に接触させることが好ましい。メッシュの目の大きさは、前記高周波印加機構２０からの高周波周波数によって異なる。例えば２．４５ＧＨｚの周波数の高周波を用いる場合には、前記メッシュの寸法を１．５〜３ｍｍの円形または一辺が１．５〜３ｍｍの四角形にすることが好ましい。
【００２３】
前記高周波印加機構２０は、前記金属筒１３に前記透過窓１４を囲むように取り付けられた例えば銅またはアルミニウムからなる矩形状の高周波導波管２１と、この高周波導波管２１に接続された高周波電源２２とを有する。この高周波電源２２からは、例えば０．１〜２５ＧＨｚの周波数の高周波が前記導波管２１に供給される。
【００２４】
ノズル３０は、前記共振器１の本体１０の上方に配置されている。イオン性物質が溶解された機能水は、前記ノズル３０を通して前記円柱体１２の貫通穴１１を流通し、前記円柱体１２の下方に配置された例えば真空チャック機構を有する保持部材４０に保持された被処理物５０に噴射される。この保持部材４０は、前記被処理物１０を上下動可能に保持する。
【００２５】
前記機能水としては、例えばアンモニア水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、硝酸水溶液、塩酸水溶液、塩化アンモニウム水溶液などの無機酸系水溶液、または有機酸水溶液等を挙げることができる。これらの機能水は、被処理物の材質等に応じて選択される。
【００２６】
前記機能水は、イオン性物質が例えば０．５〜２０ｐｐｍの濃度で溶解されていることが好ましい。このイオン性物質の濃度を０．５ｐｐｍ未満にすると、被処理物の表面に広い面積で処理することが困難になる。一方、前記イオン性物質の濃度が２０ｐｐｍを超えると、かえって処理能力が低下する虞がある。より好ましい前記イオン性物質の濃度は、０．５〜１０ｐｐｍである。
【００２７】
前記保持部材４０による被処理物５０の上下動作は、図２に示すように前記円柱体１２の流出口と前記被処理物５０表面との距離（Ｌ１）が次式（１）を満たすように制御することが好ましい。
【００２８】
１／λ２＝１／（λ２ｃ）＋１／（２［Ｌ１＋Ｌ２］／ｐ）２  …（１）
ここで、λは円柱体１２に印加される高周波の波長で、円柱体１２の流通穴１１の内径Ｄと、機能水の誘電率および流通する機能水に含有される気体の量による総合誘電率と選択電界モードＴＥｍｎｐ、ＴＭｍｎｐとｐ（次数で定数）で定まる値、λ２ｃは円柱体１２の流通穴１１の内径Ｄと選択電解モードＴＥｍｎｐ、ＴＭｍｎｐとで定まる値、Ｌ２は円柱体１２の軸長を示す。
【００２９】
前記保持部材４０は、水平方向に移動可能であることを許容する。
【００３０】
なお、前記円柱体１２の外径が前記導波管２１の幅より小さい、つまり前記円柱体１２の外周全体が前記導波管２１で囲まれる、場合には導波管２１上下の金属筒１３を残し、前記導波管２１内に位置する金属筒１３部分を除去して誘電体材料からなる円柱体１２の外周面を前記導波管２１内に露出させることが好ましい。
【００３１】
次に、前述した図１および図２に示す表面処理装置による被処理物の表面処理方法を説明する。
【００３２】
まず、共振器１の共振器本体１０の円柱体１２下方に配置した保持部材４０に被処理物、例えば半導体ウェハ５０を設置、固定する。
【００３３】
図示しない機能水供給源からイオン性物質が溶解された機能水６０をノズル３０に供給する。機能水６１は、ノズル３０を通してメッシュ状高周波シールド部材１５が上部に取り付けられた前記円柱体１２の貫通穴１１を流通し、前記円柱体１２の下方に設置された前記半導体ウェハ５０に噴射される。
【００３４】
このような円柱体１２の貫通穴１１への機能水の流通において、高周波印加機構２０の高周波波電源２２から例えば０．１〜２５ＧＨｚの周波数の高周波電力を前記高周波導波管２１に供給すると、前記導波管２１に高周波が発生する。この時、前記共振器本体１０は貫通穴１１を有する誘電体材料からなる円柱体１２と、この円柱体１２の外周面に形成された金属筒１３と、この金属筒１３に開口された透過窓１４とを有し、前記高周波導波管２１が前記金属筒１５に前記透過窓１４を囲むように取り付けられているため、前記導波管２１で発生した高周波は前記透過窓１４が位置する前記円柱体１２部分を透過し、前記貫通穴１１内に供給されてこの貫通穴１１に流通する前記機能水６１に印加される。前記円柱体１２部分を透過して前記貫通穴１１内に供給された高周波は、前記円柱体１２上部に配置されたメッシュ状高周波シールド部材１５により遮蔽されてその円柱体１２上方の前記ノズル３０側に漏れるのを防止される。また、前記円柱体１２の外周面に金属筒１３が形成されているため、前記貫通穴１１に供給された高周波が外界に漏れることなくその貫通穴１１内に封じ込められる。
【００３５】
このように高周波導波管２１で発生した高周波を前記円柱体１２の貫通穴１１内に効率よく供給し、この貫通穴１１に流通する前記機能水６１に印加して共振させることができるため、次のような作用が働く。
【００３６】
１）前記高周波が前記貫通穴１１に流通する機能水６１の双極子を持つ水分子を振動させる。このため、水の熱運動が強められ、かつ水の細分化が図られた強い表面処理能力を持つ機能水６２を前記貫通穴１１から、その下方の半導体ウェハのような被処理物５０に噴射することができる。
【００３７】
２）前記高周波が前記貫通穴１１に流通する機能水６１の温度を上昇させてその機能水の表面張力を下げて、被処理物５０に対するぬれ性を向上する。また機能水の温度上昇によりその機能水中のイオン性物質と被処理物表面の汚染物との反応性を高める。その結果、強い表面処理能力を持つ機能水６２で被処理物５０表面を処理できる。
【００３８】
３）機能水に溶解された例えばアンモニアのようなイオン性物質が高周波電界により移動することにより、電流および磁界を発生させることができる。このため、前記機能水６１を前記貫通穴１１からその下方の半導体ウェハのような被処理物５０に噴射する際、ローレンツの力により被処理物５０表面で機能水６２の移動および拆力が生じる、つまり被処理物５０表面での機能水６２の噴射領域および被処理物５０表面の処理されるべき物質の排拆領域の拡大が生じる。その結果、強い表面処理能力を持つ機能水６２を被処理物５０表面の広い範囲に亘って噴射することができる。
【００３９】
特に、前記３）の作用において保持部材４０により被処理物５０を上下動させて前記式（１）を満たすように前記円柱体１２の流出口と前記被処理物５０表面との距離Ｌ１を設定することによって、より安定した共振が起こり、前記電界が一様かつ最大になると共に、共振軸長の節を前記被処理物５０表面に合致させることが可能になる。その結果、より強い表面処理能力を持つ機能水６２を被処理物５０表面のより広い範囲に亘って噴射することができる。
【００４０】
なお、前記高周波電界の閾値は被処理物５０の物質によって決定される。
【００４１】
したがって、前記１）〜３）の作用により従来の特開２０００−１２６７００のように高周波振動ノズルによる高周波音波に乗った純水流を被処理物表面に噴射する場合に比べて被処理物への物理的な衝撃を緩和しつつ、被処理物５０表面の汚染物等を効果的に除去して処理することができる。
【００４２】
事実、次のような実験によりシリコンウェハ表面の広い領域にわたって洗浄することができることを確認した。
【００４３】
（実施例１）
６インチシリコンウェハにリチウム石鹸基グリースを厚さ２ｍｍ塗布したものを被処理物として用意した。
【００４４】
また、前記円柱体１２上面に取付けられるメッシュ状シールド部材１５を下記に示す材料、寸法のものを用いた。
【００４５】
さらに、共振器１を下記条件に設定した。
【００４６】
前記シリコンウェハを共振波長の節の点に位置するように保持部材４０の高さを調節した。
【００４７】
＜各種条件＞
・機能水６１；２ｐｐｍ濃度のアンモニア水、
・ノズル３０からの機能水流の径；４ｍｍ、
・円柱体１２；外径１５ｍｍ、高さ１６ｍｍのポリエチレンから作った、
・貫通穴１１；直径１１ｍｍ、
・シールド部材１５；目開き２ｍｍで、太さ０．３ｍｍの金線材から作った、
・高周波導波管２１への高周波電力；２４５０ＭＨｚ、約２００Ｗ。
【００４８】
このような条件下で前記強制汚染したシリコンウェハを洗浄した。
【００４９】
（比較例１）
図５および図６に示すマイクロ波導波管１１０に埋設した円筒体１１２、この円筒体１１２の上部開口部に取付けられるメッシュ状マイクロ波シールド部材１１３を下記に示す材料、寸法のものを用いた。
【００５０】
さらに、高周波振動ノズル１０１および導波管１１０に印可する高周波電力、高周波振動ノズル１０１から噴射される純水流の径を下記条件に設定した。
【００５１】
このような条件下で実施例１と同様な強制汚染したシリコンウェハを洗浄した。
【００５２】
＜各種条件＞
・円筒体１１２；肉厚約２ｍｍ、内径約１４ｍｍでＰＴＦＥから作った、
・シールド部材１１３；目開き２ｍｍで、太さ０．１ｍｍの金線材から作った、
・高周波振動ノズル１０１への高周波電力；１．５ＭＨｚ，５０Ｗ、
・導波管１１０への高周波電力；２４５０ＭＨｚ，２５０Ｗ、
・純水流の径；４ｍｍ。
【００５３】
（比較例２）
マイクロ波導波管を用いない以外、比較例１と同様な方法により実施例１と同様な強制汚染したシリコンウェハを洗浄した。
【００５４】
前記実施例１および比較例１、２による表面処理後のシリコンウェハを観察した。
【００５５】
その結果、比較例２では表面処理部分の径７．３８ｍｍ、深さ０．３ｍｍで処理時間が約３分、比較例１では表面処理部分の径１３．０９ｍｍ、深さ０．７ｍｍで処理時間が約３分、実施例１では表面処理部分の径４０ｍｍ、深さ３ｍｍで処理時間が約１分であった。したがって、実施例１では比較例２に対して５４倍、比較例１に対して１３倍となり、しかも時間は１／３に短縮されている。なお、実施例１の単位時間当たりの処理能力では比較例１に比べて約４０倍になる。
【００５６】
また、前述した第１実施形態によれば前記円柱体１２の上部開口部にメッシュ状高周波シールド部材１５を取付けることによって、前記円柱体１２部分を透過して前記貫通穴１１内に供給された高周波がノズル３０側に漏れるのを防止できるため、安全な洗浄操作を遂行することができる。
【００５７】
さらに、メッシュ状高周波シールド部材１５として表面がフッ素樹脂もしくはポリエチレンでコーティングされた金属線材またはセラミック線材から作られたものを用いることによって、機能水を前記シールド部材１５を通して前記円柱体１２の貫通穴１１内に流通させる際、前記メッシュ状高周波シールド部材１５の線材からの被処理物５０であるシリコンウェハへの汚染源となる金属イオン化の発生を防止できる。また、金の線材で前記メッシュ状高周波シールド部材１５を作製した場合には機能水を前記シールド部材１５を通して前記円柱体１２の貫通穴１１内に流通させる際にイオン化されても、金そのものがシリコンウェハ５０への汚染源にならない。その結果、前記円柱体１２にメッシュ状高周波シールド部材１５を配置することによるシリコンウェハへの二次汚染を防止できる。
【００５８】
なお、前述した第１実施形態では高周波導波管として矩形状のものを用いたが、これに限定されない。例えば円形型、円板型、球形型もしくは同軸形の導波管を用いることができる。
【００５９】
前述した第１実施形態では被処理物として半導体装置のシリコンウェハを用いたが、化合物半導体ウェハ、液晶ガラス基板や磁気ディスクを用いることができる。
【００６０】
また、前述した第１実施形態では保持部材４０により被処理物５０を上下動させて前記式（１）を満たすように前記円柱体１２の流出口と前記被処理物５０表面との距離Ｌ１を設定することによって、より安定した共振が起こり、前記電界が一様かつ最大になると共に、共振軸長の節を前記被処理物５０表面に合致させることが可能になるが、共振軸長の節を前記被処理物５０表面からずらして被処理物５０をソフトな表面処理を施してもよい。
【００６１】
（第２実施形態）
図３は、この第２実施形態に係る被処理物の表面処理装置を示す斜視図、図４は図３の断面図である。なお、前述した図１および図２と同様な部材は同符号を付して説明を省略する。
【００６２】
この表面処理装置は、共振器１を構成する高周波印加機構７０が内側ケーブル７１および外側ケーブル７２からなる同軸ケーブル７３と、同軸ケーブル７３に接続された高周波電源７４とを備えている。共振器本体１０を構成する円柱体１２の外周面に形成された金属筒１３には、図４に示すようにケーブル取り付け穴１６が開口されている。前記同軸ケーブル７３の外側ケーブル７２は、図４に示すように前記金属筒１３のケーブル取り付け穴１６に係合され、その金属筒１３に接触されている。前記内側ケーブル７１の先端は、前記ケーブル取り付け穴１６において前記円柱体１２内部を経由して前記取り付け穴１６近傍の前記外側ケーブル７２に接続されている。
【００６３】
保持部材４０による被処理物５０の上下動作は、図４に示すように前記円柱体１２の流出口と前記被処理物５０表面との距離（Ｌ１）が前記式（１）を満たすように制御することが好ましい。
【００６４】
このような第２実施形態によれば、高周波印加機構７０の高周波波電源７４から例えば０．１〜２５ＧＨｚの周波数の高周波電力を同軸ケーブル７３に供給することにより、前述した第１実施形態と同様、高周波を前記円柱体１２の貫通穴１１内に効率よく供給し、この貫通穴１１に流通する前記機能水６１に印加して共振させることができる。その結果、前述した第１実施形態と同様、被処理物への物理的な衝撃を緩和しつつ、被処理物表面の汚染物等を効果的に除去して処理することができる。
【００６５】
なお、第２実施形態において同軸ケーブルに代えて同軸管を用いてもよい。
【００６６】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明に係わる被処理物の表面処理方法および表面処理装置によれば、従来の高周波表面処理装置に比べて、表面処理領域の拡大と処理時間の短縮により表面処理の向上とを図ることが可能で、微細かつ高密度の半導体装置、液品ガラス基板や磁気ディスクの製造等に有効に利用、活用できる等顕著な効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１実施形態に係る被処理物の表面処理装置を示す斜視図。
【図２】図１の断面図。
【図３】本発明に係る第２実施形態に係る被処理物の表面処理装置を示す斜視図。
【図４】図３の断面図。
【図５】従来の高周波振動ノズルを有する高周波洗浄装置を示す斜視図。
【図６】図５の要部拡大断面図。
【符号の説明】
１…共振器、１０…共振器本体、１１…貫通穴、１２…円柱体、１３…金属筒、１４…透過窓、１５…メッシュ状高周波シールド部材、２０，７０…高周波印加機構、２１…高周波導波管、２２、７４…高周波電源、４０…保持部材、５０…被処理物、６１，６２…機能水、７３…同軸ケーブル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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