(57)【要約】【課題】エノラート化合物の製造方法を提供すること。【解決手段】一般式（１）2004099524.tif 000021（Ｒ１、Ｒ２は、ハロゲン、脂肪族炭化水素基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、炭化水素置換シリルオキシ基および炭化水素置換シリル基から選択される１つまたは複数の同一または異なる置換基で置換されていてもよい炭素数１から１０のアルキル基を表し、Ｒ１とＲ２は、互いに結合して環状構造を形成してもよい。）で表されるα，β−不飽和ケトンと、一般式（２）2004099524.tif 000022（Ｒ３は、ハロゲン、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基および炭化水素置換シリル基から選択される１つまたは複数の同一または異なる置換基で置換されていてもよいアリール基を表し、Ｙは炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で表される有機チタン化合物とを、ロジウム触媒の存在下に反応させることを特徴とする一般式（３）2004099524.tif 000023で表されるエノラート化合物の製造方法。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
2004099524.tif 000012
（式中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、炭素数１から１０の飽和もしくは不飽和脂肪族炭化水素基、炭素数６から１４のアリール基、炭素数１から１０のアルキルオキシ基、炭素数６から１４のアリールオキシ基、炭化水素置換シリルオキシ基および炭化水素置換シリル基から選択される１つまたは複数の同一または異なる置換基で置換されていてもよい炭素数１から１０のアルキル基を表し、Ｒ１とＲ２は、互いに結合して環状構造を形成してもよい。）
で表されるα，β−不飽和ケトンと、一般式（２）
2004099524.tif 000013
（式中、Ｒ３は、ハロゲン原子、炭素数１から１０の飽和もしくは不飽和脂肪族炭化水素基、炭素数６から１４のアリール基、炭素数１から１０のアルキルオキシ基、炭素数６から１４のアリールオキシ基および炭化水素置換シリル基から選択される１つまたは複数の同一または異なる置換基で置換されていてもよい炭素数６から１４のアリール基を表し、Ｙは炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）
で表される有機チタン化合物とを、ロジウム触媒の存在下に反応させることを特徴とする一般式（３）
2004099524.tif 000014
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＹは前記と同じ意味を表す。）
で表されるエノラート化合物の製造方法。
【請求項２】
一般式（１）で表されるα，β−不飽和ケトンと、一般式（２）で表される有機チタン化合物とを、ロジウム触媒の存在下に反応させ一般式（３）で表されるエノラート化合物を得、該エノラート化合物とシリル化合物および金属アルコキシドとを反応させることを特徴とする一般式（４）
2004099524.tif 000015
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は前記と同じ意味を表し、Ｘは、同一または相異なり、炭素数１から１０のアルキル基またはフェニル基を表す。）
で表されるエノラート化合物の製造方法。
【請求項３】
一般式（１）で表されるα，β−不飽和ケトンと、一般式（２）で表される有機チタン化合物とを、ロジウム触媒の存在下に反応させ一般式（３）で表されるエノラート化合物を得、該エノラート化合物を、プロトン性極性溶媒で処理することを特徴とする一般式（５）
2004099524.tif 000016
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は前記と同じ意味を表す。）
で表されるケトン化合物の製造方法。
【請求項４】
ロジウム触媒が、ロジウム化合物とホスフィン配位子からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の製造方法。
【請求項５】
ロジウム触媒が、光学活性ロジウム触媒であり、一般式（３）で表される化合物が、一般式（６）
2004099524.tif 000017
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は前記と同じ意味を表す。）
で表される光学活性化合物である請求項１記載の製造方法。
【請求項６】
ロジウム触媒が、光学活性ロジウム触媒であり、一般式（４）で表される化合物が、一般式（７）
2004099524.tif 000018
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＸは前記と同じ意味を表す。）
で表される光学活性化合物である請求項２記載の製造方法。
【請求項７】
ロジウム触媒が、光学活性ロジウム触媒であり、一般式（５）で表されるケトン化合物が、一般式（８）
2004099524.tif 000019
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は前記と同じ意味を表す。）
で表される光学活性化合物である請求項３記載の製造方法。
【請求項８】
ロジウム触媒が、ロジウム化合物とホスフィン配位子からなることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか記載の製造方法。
【請求項９】
ホスフィン配位子が、一般式（９）
2004099524.tif 000020
（式中、Ｒ４およびＲ５はそれぞれ独立して、１つまたは複数の同一または異なる置換基で置換されていてもよいフェニル基を表す。）
で表される化合物の光学活性体である請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
光学活性ロジウム触媒が［Ｒｈ（ＯＨ）（ｂｉｎａｐ）］２である請求項５乃至７のいずれかに記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ロジウム触媒の存在下に、α，β−不飽和ケトン化合物と有機チタン化合物とを反応させることを特徴とするβ位に置換基を有するエノラート化合物の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
β位に置換基を有する、ケトン化合物およびエノラート化合物は、医薬品等の複雑な骨格を有する化合物の製造中間体として有用である。特に、β位に置換基を有するエノラート化合物は、更にアルドール反応等に供することができるため、製造中間体として優れている。
上記ケトン化合物は、ロジウム触媒等の遷移金属触媒を用いた、α，β−不飽和ケトンおよび有機ボロン化合物の１，４付加反応により製造できることが知られている（例えば、非特許文献１参照。）。又、該ケトン化合物をブチルリチウム等の有機金属試薬と反応させることにより、β位に置換基を有するエノラート化合物を製造できることも知られている（例えば、非特許文献２参照。）。
【０００３】
【非特許文献１】
Ｊ．　Ａｍ．　Ｃｈｅｍ．　Ｓｏｃ．　１９９８，　１２０，　５５７９
【非特許文献２】
Ｊｅｒｒｙ　Ｍａｒｃｈ著　Ａｄｖａｎｃｅｄ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　４ｔｈ　Ｅｄ　　Ｐ６０９−６１０
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記方法では、エノラート化合物の製造に２工程を要する上、２個のα炭素原子が共に水素原子を有するケトン化合物の場合、反応部位が２箇所となり、目的とするエノラート化合物以外に位置異性体が生成するという問題があった。
従って、位置選択的にβ位に置換基を有するエノラート化合物の製造方法が求められていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、鋭意検討を重ねた結果、ロジウム触媒の存在下にα，β−不飽和ケトンとチタン化合物を反応させることによって、β位に置換基を有するチタンエノラート化合物を製造することができることを見出した。β位に置換基を有するチタンエノラート化合物は、これまで知られていなかった。
更に、ロジウム触媒の配位子に光学活性な配位子を用いることによって、β位の立体配置を制御して光学活性エノラート化合物を製造することができることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち本発明は、一般式（１）
2004099524.tif 000002
（式中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、炭素数１から１０の飽和もしくは不飽和脂肪族炭化水素基、炭素数６から１４のアリール基、炭素数１から１０のアルキルオキシ基、炭素数６から１４のアリールオキシ基、炭化水素置換シリルオキシ基および炭化水素置換シリル基から選択される１つまたは複数の同一または異なる置換基で置換されていてもよい炭素数１から１０のアルキル基を表し、Ｒ１とＲ２は、お互い結合して環状構造を形成してもよい。）
で表されるα，β−不飽和ケトンと、一般式（２）
2004099524.tif 000003
（式中、Ｒ３は、ハロゲン原子、炭素数１から１０の飽和もしくは不飽和脂肪族炭化水素基、炭素数６から１４のアリール基、炭素数１から１０のアルキルオキシ基、炭素数６から１４のアリールオキシ基および炭化水素置換シリル基から選択される１つまたは複数の同一または異なる置換基で置換されていてもよい炭素数６から１４のアリール基を表し、Ｙは炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）
で表される有機チタン化合物とを、ロジウム触媒の存在下に反応させることを特徴とする一般式（３）
2004099524.tif 000004
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＹは前記と同じ意味を表す。）
で表されるエノラート化合物の製造方法；
一般式（１）で表されるα，β−不飽和ケトンと、一般式（２）で表される有機チタン化合物とを、ロジウム触媒の存在下に反応させ一般式（３）で表されるエノラート化合物を得、該エノラート化合物とシリル化合物および金属アルコキシドとを反応させることを特徴とする一般式（４）
2004099524.tif 000005
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は前記と同じ意味を表し、Ｘは、同一または相異なり、炭素数１から１０のアルキル基またはフェニル基を表す。）
で表されるエノラート化合物の製造方法；および
一般式（１）で表されるα，β−不飽和ケトンと、一般式（２）で表される有機チタン化合物とを、ロジウム触媒の存在下に反応させ一般式（３）で表されるエノラート化合物を得、該エノラート化合物を、プロトン性極性溶媒で処理することを特徴とする一般式（５）
2004099524.tif 000006
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は前記と同じ意味を表す。）
で表されるケトン化合物の製造方法を提供するものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明において、ハロゲン原子とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、好ましくはフッ素原子または塩素原子を表す。
本発明において、アルキル基とは、炭素数１から１０の直鎖もしくは分枝の、環状もしくは鎖状のアルキル基を表す。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デカニル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等を例示することができる。
本発明において、飽和もしくは不飽和脂肪族炭化水素基とは、炭素数１から１０の直鎖もしくは分枝の、環状もしくは鎖状の、飽和炭化水素基もしくは炭素数２から１０の直鎖もしくは分枝の、環状もしくは鎖状の、不飽和炭化水素基を表す。具体的には、上記アルキル基の例示に加え、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、１−メチルビニル基、１，３−ブタジエニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、エチニル基、２−プロピニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、等を例示することができる。
【０００７】
本発明において、アルキルオキシ基とは、炭素数１から１０の直鎖もしくは分枝の、環状もしくは鎖状のアルキル基を表す。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基等を例示することができる。
【０００８】
本発明において、アリール基とは、炭素数６から１４のアリール基を表し、具体的には、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナンスリル基、インデニル基、フルオレニル基等を例示することができ、好ましくは、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
【０００９】
本発明において、アリールオキシ基とは、炭素数６から１４のアリールオキシ基を表し、具体的には、フェノキシ基、ナフトキシ基、アントラセニルオキシ基、フェナンスリルオキシ基、インデニルオキシ基、フルオレニルオキシ基等を例示することができ、好ましくは、フェノキシ基、ナフトキシ基等が挙げられる。
【００１０】
本発明において、炭化水素置換シリルオキシ基とは、同一もしくは異なる３個のアルキル基またはフェニル基で置換されたシリルオキシ基を表し、具体的には、トリメチルシロキシ基、トリイソプロピルシリルオキシ基、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基、ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基等を例示することができる。
【００１１】
本発明において、炭化水素置換シリル基とは、同一もしくは異なる３個のアルキル基またはフェニル基で置換されたシリル基を表し、具体的には、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基等を例示することができる。
【００１２】
一般式（１）および（３）〜（８）で表される化合物中のＲ１およびＲ２が互いに結合して形成する環状構造としては、Ｒ１とＲ２が互いに結合して、エチレン、トリメチレン、テトラメチレンを表して形成する５〜７員の炭素環が挙げられる。
【００１３】
一般式（１）〜（８）で表される化合物中のＲ１、Ｒ２およびＲ３における置換基である炭素数１から１０の飽和もしくは不飽和脂肪族炭化水素基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、炭化水素置換シリルオキシ基および炭化水素置換シリル基は、更に、ハロゲン原子、炭素数１から１０の飽和もしくは不飽和脂肪族炭化水素基、炭素数６から１４のアリール基、炭素数１から１０のアルキルオキシ基、炭素数６から１４のアリールオキシ基、炭化水素置換シリルオキシ基および炭化水素置換シリル基から選択される１または複数の置換基で置換されていてもよい。
【００１４】
一般式（４）および（７）で表される化合物中のＸは、炭素数１〜１０のアルキル基、またはフェニル基を表し、好ましくは炭素数１〜４のアルキル基、またはフェニル基を表し、具体的なアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基が挙げられる。
一般式（２）、（３）および（６）で表される化合物中のＹは、炭素数１〜６のアルコキシ基を表し、好ましくは炭素数１〜４のアルコキシ基を表し、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブチロキシ基などが挙げられる。
【００１５】
本発明において、ロジウム触媒とは、ロジウム化合物とホスフィン配位子からなる触媒を表す。ロジウム化合物は、特に限定されないが、具体例としては、例えば、ドデカカルボニル四ロジウム、ジ−μ−クロロテトラカルボニル二ロジウム、ジ−μ−クロロ−テトラ（η−エチレン）二ロジウム、ジ−μ−クロロテトラキス（シクロオクテン）二ロジウム、ジ−μ−クロロビス（シクロオクタジエン）二ロジウム、ジ−μ−クロロビス（η−テトラフェニルシクロブタジエン）二ロジウム、２，４−ペンタンジオナートビス（エチレン）ロジウム、アセチルアセトナートジカルボニルロジウム、アセチルアセトナートジエチレンロジウム、などが挙げられる。
ホスフィン配位子は、特に限定されないが、具体例としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホスフィン、トリ−ｔ−ブチルホスフィン、トリ−ｉ−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ−２−フリルホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、ジｔ−ブチルフェニルホスフィン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、シス−１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エチレン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）ペンタン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（ｄｐｐｆ）、ｂｉｎａｐ、Ｔｏｌ−ｂｉｎａｐ等が挙げられる。
【００１６】
更に、下記一般式（６）
2004099524.tif 000007
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は前記と同じ意味を表す。）
で表される光学活性化合物；
一般式（７）
2004099524.tif 000008
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＸは前記と同じ意味を表す。）
で表される光学活性化合物および
一般式（８）
2004099524.tif 000009
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は前記と同じ意味を表す。）
で表される光学活性化合物を製造する場合には、光学活性配位子が配位したロジウム触媒を用いる。該光学活性配位子としては一般式（９）
2004099524.tif 000010
（式中、Ｒ４およびＲ５はそれぞれ独立して、１つまたは複数の同一または異なる置換基で置換されていてもよいフェニル基を表す。）
で表される化合物の光学活性体等が挙げられる。
ここで、置換されていてもよいフェニル基における置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、クロル基、メトキシ基、トリフルオロメチル基などが挙げられる。Ｒ４ならびにＲ５は１つまたは複数の同一または異なる該置換基で置換されてもよい。
【００１７】
一般式（９）で表される光学活性体が配位したロジウム触媒については、特に限定されないが、得られてくる製品の純度ならびに触媒の調製法の簡便さから、［Ｒｈ（ＯＨ）（（ｂｉｎａｐ））２　（ｂｉｎａｐ：一般式（９）においてＲ４およびＲ５がフェニル基の化合物）を用いることが好ましい。
【００１８】
以下、本発明の製造方法について詳細に説明する。
まず、一般式（１）で表されるα，β−不飽和ケトンと一般式（２）で表される有機チタン化合物とを、ロジウム触媒の存在下に反応させ一般式（３）で表されるエノラート化合物を得る製造方法について説明する。
有機チタン化合物（２）としては、具体的には、ＰｈＴｉ（ＯＥｔ）３、ＰｈＴｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、ＰｈＴｉ（ＯＢｕ）３、２−ＭｅＣ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、２−（ｉ−Ｐｒ）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、２−（Ｃ７Ｈ１５）　Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、２−（Ｃ１０Ｈ２１）　Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、２−ＭｅＣ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＢｕ）３、２−　（ＣＦ３）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、２−　ＦＣ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、２−ＣｌＣ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、２−　（ＭｅＯ）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、２−（ＥｔＯ）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、２−（ｔ−ＢｕＯ）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、２−（ＰｈＯ）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、２−（ｔ−Ｂｕ（Ｍｅ）２ＳｉＯ）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、２−（Ｅｔ３ＳｉＯ）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、３−ＭｅＣ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、３−（ｉ−Ｂｕ）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、３−（Ｃ６Ｈ１３）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、３−（Ｃ９Ｈ１９）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、３−ＭｅＣ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＢｕ）３、３−　（ＣＦ３）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、３−ＦＣ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、３−ＣｌＣ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、３−　（ＭｅＯ）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、３−（ＥｔＯ）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、３−（ｔ−ＢｕＯ）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、３−（ＰｈＯ）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、３−（ｔ−Ｂｕ（Ｍｅ）２ＳｉＯ）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、３−（Ｅｔ３ＳｉＯ）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、４−ＭｅＣ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＥｔ）３、４−ＥｔＣ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＥｔ）３、４−ＥｔＣ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、４−（Ｃ７Ｈ１５）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、４−（Ｃ９Ｈ１９）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、４−（Ｃ１０Ｈ２１）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、４−（ＣＦ３）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、４−ＦＣ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、４−ＣｌＣ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、４−（ＭｅＯ）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、４−（ＥｔＯ）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、４−（ｔ−ＢｕＯ）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、４−（ＰｈＯ）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、４−（ｔ−Ｂｕ（Ｍｅ）２ＳｉＯ）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、４−（Ｅｔ３ＳｉＯ）Ｃ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、３，５−（Ｍｅ）２Ｃ６Ｈ３Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、３，５−（Ｍｅ）２Ｃ６Ｈ３Ｔｉ（ＯＢｕ）３、３，５−（Ｅｔ）２Ｃ６Ｈ３Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、３，５−（Ｅｔ）２Ｃ６Ｈ３Ｔｉ（ＯＢｕ）３、１−ＮｐＴｉ（ＯＰｒ−ｉ）３（Ｎｐ：ナフチル基のことを表す。以下同様。）、１−ＮｐＴｉ（ＯＥｔ）３、１−ＮｐＴｉ（ＯＭｅ）３、２−ＮｐＴｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、３，５−（ＣＦ３）２Ｃ６Ｈ３Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、３，５−（Ｃｌ）２Ｃ６Ｈ３Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、３，５−　（Ｆ）２Ｃ６Ｈ３Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、３，５−（ＣＦ３）２Ｃ６Ｈ３Ｔｉ（ＯＢｕ）３、３，５−（ＣＦ３）２Ｃ６Ｈ３Ｔｉ（ＯＥｔ）３、
等が例示できる。
【００１９】
α，β−不飽和ケトン（１）としては、具体的には、３−ペンテン−２−オン、３−ヘキセン−２−オン、３−ヘプテン−２−オン、３−オクテン−２−オン、３−ノネン−２−オン、３−デセン−２−オン、４−ヘキセン−３−オン、４−ヘプテン−３−オン、４−オクテン−３−オン、４−ノネン−３−オン、４−デセン−３−オン、４−ドデカデセン−３−オン、４−テトラデセン−３−オン、５−ヘプテン−４−オン、５−オクテン−４−オン、５−ノネン−４−オン、５−デセン−４−オン、５−ドデカデセン−４−オン、５−テトラデセン−４−オン、６−オクテン−５−オン、６−ノネン−５−オン、６−デセン−５−オン、６−ドデカデセン−５−オン、６−テトラデセン−５−オン、７−ノネン−６−オン、７−デセン−６−オン、８−デセン−７−オン、５−メチル−３−ヘキセン−２−オン、５−メチル−３−オクテン−２−オン、６−メチル−３−オクテン−２−オン、６−メトシキ−３−ヘプテン−２−オン、６−エトシキ−３−ヘプテン−２−オン、６−フェノキシ−３−ヘプテン−２−オン、６−ベンジルオキシ−３−ヘプテン−２−オン、６−トリエチルシリルオキシ−３−ヘプテン−２−オン、６−トリイソプロピルシリルオキシ−３−ヘプテン−２−オン、６−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−３−ヘプテン−２−オン、６−トリフェニルシリルオキシ−３−ヘプテン−２−オン、４−メチル−２−シクロペンテン−１−オン、４−エチル−２−シクロペンテン−１−オン、４−ブチル−２−シクロペンテン−１−オン、４−ヘキシル−２−シクロペンテン−１−オン、４−デカニル−２−シクロペンテン−１−オン、５−メチル−２−シクロペンテン−１−オン、５−エチル−２−シクロペンテン−１−オン、５−ブチル−２−シクロペンテン−１−オン、５−ノニル−２−シクロペンテン−１−オン、５−デカニル−２−シクロペンテン−１−オン、４，４−ジメチル−２−シクロペンテン−１−オン、４，５−ジメチル−２−シクロペンテン−１−オン、４−メチル−２−シクロヘキセン−１−オン、４−エチル−２−シクロヘキセン−１−オン、４−ブチル−２−シクロヘキセン−１−オン、４−ヘキシル−２−シクロヘキセン−１−オン、４−デカニル−２−シクロヘキセン−１−オン、５−メチル−２−シクロヘキセン−１−オン、５−エチル−２−シクロヘキセン−１−オン、５−ブチル−２−シクロヘキセン−１−オン、５−ノニル−２−シクロヘキセン−１−オン、５−デカニル−２−シクロヘキセン−１−オン、６−メチル−２−シクロヘキセン−１−オン、６−エチル−２−シクロヘキセン−１−オン、６−ブチル−２−シクロヘキセン−１−オン、６−ヘキシル−２−シクロヘキセン−１−オン、６−デカニル−２−シクロヘキセン−１−オン、４，４−ジメチル−２−シクロヘキセン−１−オン、４，５−ジメチル−２−シクロヘキセン−１−オン、５，５−ジメチル−２−シクロヘキセン−１−オン、５，６−ジメチル−２−シクロヘキセン−１−オン、６，６−ジメチル−２−シクロヘキセン−１−オン、４，６−ジメチル−２−シクロヘキセン−１−オン、４−メチル−２−シクロヘプテン−１−オン、４−エチル−２−シクロヘプテン−１−オン、４−ブ��ル−２−シクロヘプテン−１−オン、４−ヘキシル−２−シクロヘプテン−１−オン、４−デカニル−２−シクロヘプテン−１−オン、５−メチル−２−シクロヘプテン−１−オン、５−エチル−２−シクロヘプテン−１−オン、５−ブチル−２−シクロヘプテン−１−オン、５−ノニル−２−シクロヘプテン−１−オン、５−デカニル−２−シクロヘプテン−１−オン、６−メチル−２−シクロヘプテン−１−オン、６−エチル−２−シクロヘプテン−１−オン、６−ブチル−２−シクロヘプテン−１−オン、６−ヘキシル−２−シクロヘプテン−１−オン、６−デカニル−２−シクロヘプテン−１−オン、７−メチル−２−シクロヘプテン−１−オン、７−エチル−２−シクロヘプテン−１−オン、７−ブチル−２−シクロヘプテン−１−オン、７−ヘキシル−２−シクロヘプテン−１−オン、７−デカニル−２−シクロヘプテン−１−オン、４，４−ジメチル−２−シクロヘプテン−１−オン、４−メトキシ−２−シクロペンテン−１−オン、４−エトキシ−２−シクロペンテン−１−オン、４−フェノキシ−２−シクロペンテン−１−オン、４−ベンジルオキシ−２−シクロペンテン−１−オン、４−トリエチルシリルオキシ−２−シクロペンテン−１−オン、４−トリイソプロピルシリルオキシ−２−シクロペンテン−１−オン、４−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−２−シクロペンテン−１−オン、５−メトキシ−２−シクロペンテン−１−オン、５−エトキシ−２−シクロペンテン−１−オン、５−フェノキシ−２−シクロペンテン−１−オン、５−ベンジルオキシ−２−シクロペンテン−１−オン、５−トリエチルシリルオキシ−２−シクロペンテン−１−オン、５−トリイソプロピルシリルオキシ−２−シクロペンテン−１−オン、５−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−２−シクロペンテン−１−オン、４−メトキシ−２−シクロヘキセン−１−オン、４−エトキシ−２−シクロヘキセン−１−オン、４−フェノキシ−２−シクロヘキセン−１−オン、４−ベンジルオキシ−２−シクロヘキセン−１−オン、４−トリエチルシリルオキシ−２−シクロヘキセン−１−オン、４−トリイソプロピルシリルオキシ−２−シクロヘキセン−１−オン、４−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−２−シクロヘキセン−１−オン、５−メトキシ−２−シクロヘキセン−１−オン、５−エトキシ−２−シクロヘキセン−１−オン、５−フェノキシ−２−シクロヘキセン−１−オン、５−ベンジルオキシ−２−シクロヘキセン−１−オン、５−トリエチルシリルオキシ−２−シクロヘキセン−１−オン、５−トリイソプロピルシリルオキシ−２−シクロヘキセン−１−オン、５−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−２−シクロヘキセン−１−オン、６−メトキシ−２−シクロヘキセン−１−オン、６−エトキシ−２−シクロヘキセン−１−オン、６−フェノキシ−２−シクロヘキセン−１−オン、６−ベンジルオキシ−２−シクロヘキセン−１−オン、６−トリエチルシリルオキシ−２−シクロヘキセン−１−オン、６−トリイソプロピルシリルオキシ−２−シクロヘキセン−１−オン、６−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−２−シクロヘキセン−１−オン、４−メトキシ−２−シクロヘプテン−１−オン、４−エトキシ−��−シクロヘプテン−１−オン、４−フェノキシ−２−シクロヘプテン−１−オン、４−ベンジルオキシ−２−シクロヘプテン−１−オン、４−トリエチルシリルオキシ−２−シクロヘプテン−１−オン、４−トリイソプロピルシリルオキシ−２−シクロヘプテン−１−オン、４−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−２−シクロヘプテン−１−オン、７−メトキシ−２−シクロヘプテン−１−オン、７−エトキシ−２−シクロヘプテン−１−オン、７−フェノキシ−２−シクロヘプテン−１−オン、７−ベンジルオキシ−２−シクロヘプテン−１−オン、７−トリエチルシリルオキシ−２−シクロヘプテン−１−オン、７−トリイソプロピルシリルオキシ−２−シクロヘプテン−１−オン、７−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−２−シクロヘプテン−１−オン、
等が例示できる．
【００２０】
上記製造方法において、ロジウム触媒はそのまま用いてもよいし、反応に使用する溶媒に溶解しない物質，例えば炭素、シリカ、アルミナなどに担持してもよい。
かかる反応においてロジウム触媒の使用量はα，β−不飽和ケトン（１）に対し通常０．００００１モル倍以上、通常１モル倍以下、好ましくは０．２モル倍以下である。
ホスフィン配位子は、１０族金属化合物の中心金属に対して、通常０．０１〜４当量倍用い、好ましくは０．１〜３当量倍用いられる。配位子は予めロジウム触媒に配位させ錯体として単離したものを用いてもよいし、また反応系中で錯体を調製してもよい。
【００２１】
本反応は、通常、有機溶媒中で行なわれる。有機溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリルなどの非プロトン性極性溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素類などが挙げられる。
溶媒はそれぞれ単独でまたは２種以上を組合わせて用いられ、その使用量はα，β−不飽和ケトン（１）に対して通常は１重量倍以上２００重量倍以下、好ましくは５重量倍以上１００重量倍以下程度である。かかる溶媒の中でもエーテル系溶媒が望ましい。
反応温度は−７８℃から２００℃、好ましくは０℃から１５０℃、さらに好ましくは２０℃から１００℃で実施する。
反応終了後、生成したエノラート化合物（３）は、例えば反応液に適量の水を加えた後、必要に応じて有機溶媒で抽出、溶媒を留去することにより、反応マスから取り出すことができる。又、得られたエノラート化合物（３）は、必要に応じて蒸留等の手段を施すことにより、更に精製することもできる。
本反応において、原料となるα，β−不飽和ケトン（１）、有機チタン化合物（２）およびロジウム触媒は、任意の順序で加えることができる。
【００２２】
次に、上記で得られるエノラート化合物（３）とシリル化合物および金属アルコキシドとを反応させ一般式（４）で表されるエノラート化合物を得る製造方法について説明する。
ここで、上記で得られるエノラート化合物（３）は、通常、単離することなく用いられる。
シリル化合物としては、化学式：Ｃｌ−ＳｉＸ３（Ｘは前記と同義である。）で表される化合物が挙げられる。具体的には、例えば、トリメチルシリルクロリド、トリエチルシリルクロリド、トリイソプロピルシリルクロリド、ｔ−ブチルジメチルシリルクロリド、ｔ−ブチルジフェニルシリルクロリド等を例示することができる。
金属アルコキシドとしては、特に限定はないが、リチウム、ナトリウム、もしくはカリウム等のアルカリ金属の炭素数１から１０の直鎖もしくは分枝のアルコキシドが挙げられる。具体的には、例えば、ナトリウムメトキシド、リチウムエトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムエトキシド、リチウムイソプロポキシド、リチウムｔ−ブトキシド、ナトリウムｔ−ブトキシド、カリウムｔ−ブトキシド、リチウムｎ−ブトキシド等を例示することができる。
【００２３】
本反応は、通常、有機溶媒中で行なわれる。有機溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリルなどの非プロトン性極性溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素類などが挙げられる。
溶媒はそれぞれ単独でまたは２種以上を組合わせて用いられ、その使用量はα，β−不飽和ケトン（１）に対して通常は１重量倍以上２００重量倍以下、好ましくは５重量倍以上１００重量倍以下程度である。かかる溶媒の中でもエーテル系溶媒が望ましい。
反応温度は−７８℃から２００℃、好ましくは０℃から１５０℃、さらに好ましくは２０℃から１００℃程度で実施される。
本反応において、エノラート化合物（３）、シリル化合物および金属アルコキシドは、任意の順序で加えることができる。またエノラート化合物（３）を得る工程の反応終了後、後処理をすることなく、反応系にシリル化合物および金属アルコキシドを加え、本反応を実施することもできる。
【００２４】
次に、前記で得られるエノラート化合物（３）をプロトン性極性溶媒で処理し一般式（５）で表されるケトン化合物を得る製造方法について説明する。
エノラート化合物（３）は、通常、単離することなく用いられる。
プロトン性極性溶媒としては、水酸基もしくはカルボキシル基を有する溶媒であれば特に限定はないが、通常、水、アルコール、脂肪酸等が用いられそれぞれ単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。アルコールとしては、メタノール、エタノール、プロパノ−ル、イソプロパノ−ル、ブタノール等が挙げられ、脂肪酸としては、酢酸、ギ酸等が挙げられる。
本反応は、通常、有機溶媒中で行なわれる。有機溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリルなどの非プロトン性極性溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素類などが挙げられる。かかる溶媒の中でもエーテル系溶媒が望ましい。
上記有機溶媒はそれぞれ単独でまたは２種以上を組合わせて用いられ、その使用量はα，β−不飽和ケトン（１）に対して通常は１重量倍以上２００重量倍以下、好ましくは５重量倍以上１００重量倍以下程度である。
反応温度は−７８℃から２００℃、好ましくは０℃から１５０℃、さらに好ましくは２０℃から１００℃で実施する。
本反応において、エノラート化合物（３）およびプロトン性溶媒は、任意の順序で加えることができる。またエノラート化合物（３）を得る反応の反応終了後、後処理をすることなく、反応系にプロトン性溶媒を加え、本工程を実施してもよい。
本発明の（３）〜（５）の化合物の製造法において、光学活性ホスフィン配位子が配位したロジウム触媒を用いると、それぞれ対応する前記光学活性体（６）〜（８）を製造することができる。本反応条件については前記反応条件が適用できる。
【００２５】
以下、実施例を挙げて、本発明をより詳細に説明するが本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
窒素雰囲気下、［Ｒｈ（ＯＨ）（（Ｓ）−ｂｉｎａｐ）］２　（４．５ｍｇ、０．００３０ｍｍｏｌ）、ＰｈＴｉ（ＯＰｒ−ｉ）３　（６０．４ｍｇ、０．２００ｍｍｏｌ）、２−シクロヘキセノン　　（１８．７ｍｇ、０．１９５ｍｍｏｌ）、　およびＴＨＦ−ｄ８　（０．５ｍｌ）を２０℃で反応器に仕込み、同温度で１０分間攪拌した。この反応混合物を１Ｈ−ＮＭＲで測定し、３−フェニル−１−トリイソプロポキシチタンオキシシクロヘキシ−１−エンの生成を確認した。１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ８）δ１．２７（ｂｒ　ｄ，　Ｊ　＝　５．５Ｈｚ，　１８Ｈ），　１．３７−１．４９（ｂｒ　ｍ，１Ｈ），　１．６０−１．７２（ｂｒ　ｍ，　１Ｈ），　１．７４−１．８６（ｂｒ　ｍ，　１Ｈ），　１．８６−２．００（ｂｒ　ｍ，　１Ｈ），　２．１４−２．４３（ｂｒ　ｍ，２Ｈ），　３．４７−３．５８（ｂｒ　ｍ，　１Ｈ），　４．３８−４．７５（ｂｒ　ｍ，　３Ｈ），　４．９１−５．１１（ｂｒ　ｍ，　１Ｈ），　７．１１（ｔ，　Ｊ　＝　７．２Ｈｚ，　１Ｈ），　７．２１（ｔ，　Ｊ　＝　７．２Ｈｚ，　２Ｈ），　７．２５（ｄ，　Ｊ　＝　７．２Ｈｚ，　２Ｈ）
【００２６】
（実施例２）
窒素雰囲気下、［Ｒｈ（ＯＨ）（（Ｓ）−ｂｉｎａｐ）］２　（２２．３ｍｇ、０．０１５０ｍｍｏｌ）、ＰｈＴｉ（ＯＰｒ−ｉ）３　（１．６０ｍｍｏｌ）、２−シクロヘキセノン　（１．００ｍｍｏｌ）、　およびＴＨＦ　０．５ｍｌを２０℃で反応器に仕込み、同温度で１時間攪拌した。この反応混合物を０℃に冷却しリチウムイソプロポキシド（１０６ｍｇ、１．６０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（３．０ｍｌ）とクロロトリメチルシラン（２５４μｌ、２．００ｍｍｏｌ）を加えた。これを室温で１時間攪拌した後、減圧下、溶媒を留去した。濃縮残さに水約０．１ｍｌとヘキサン約３ｍｌを加え、セライトで濾過した。濾液を減圧蒸留して（Ｓ）−３−フェニル−１−トリメチルシロキシシクロヘキシ−１−エンを得た。収率ならびに鏡像異性体過剰率は表１に示す。
【００２７】
（実施例３〜５）
実施例２のＰｈＴｉ（ＯＰｒ−ｉ）３の代わりに４−ＦＣ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、４−ＭｅＯＣ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３、２−ＭｅＣ６Ｈ４Ｔｉ（ＯＰｒ−ｉ）３をそれぞれ用いて実施例１に準じて反応を実施し、対応する（Ｓ）−３−ｐ−フルオロフェニル−１−トリメチルシロキシシクロヘキシ−１−エン、（Ｓ）−３−ｐ−メトキシフェニル−１−トリメチルシロキシシクロヘキシ−１−エン、（Ｓ）−２−ｍ−メチルフェニル−１−トリメチルシロキシシクロヘキシ−１−エンを得た。ならびに鏡像異性体過剰率は表１に示す。
【００２８】
（実施例６〜９）
実施例２の２−シクロヘキセノンの代わりに２−シクロペンテノン、２−シクロヘキセノン、５−メチル−３−ヘキセン−２−オン、３−ノネン−２−ノンをそれぞれ用いて実施例１に準じて反応を実施し、対応する（Ｓ）−３−フェニル−１−トリメチルシロキシシクロペント−１−エン、（Ｓ）−３−フェニル−１−トリメチルシロキシシクロヘプト−１−エン、（Ｓ）−５−メチル−３−フェニル−２−トリメチルシロキシ−２−ヘキセン、（Ｒ）−４−フェニル−２−トリメチルシロキシ−２−ノネンを得た。ならびに鏡像異性体過剰率は表１に示す。
【００２９】
（実施例１０）
窒素雰囲気下、［Ｒｈ（ＯＨ）（（Ｓ）−ｂｉｎａｐ）］２　（２２．３ｍｇ、０．０１５０ｍｍｏｌ）、ＰｈＴｉ（ＯＰｒ−ｉ）３　（１．６０ｍｍｏｌ）、２−シクロヘキセノン　（１．００ｍｍｏｌ）、　およびＴＨＦ　０．５ｍｌを２０℃で反応器に仕込み、同温度で１時間攪拌した。この反応混合物にメタノール０．２ｍｌを同温度で加えて３０分攪拌した。溶媒を減圧下留去し、残渣にエーテルを加え、１０％塩酸、飽和重曹水、水で洗浄した。反応混合物を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、これを濾別し、濾液を濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、（Ｓ）−３−フェニルシクロヘキサノン１４８ｍｇを得た。収率８５％、鏡像異性体過剰率は９９．５％であった。
【００３０】
【表１】
2004099524.tif 000011