(57)【要約】【課題】基板材料にフッ素系樹脂を用いてもリフトオフ法による回路パターン形成が可能で、容易に高精細でかつ多層構造の回路パターン部を持たせることもでき、量産性に優れた高周波用回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】フッ素系樹脂基板１上にチタンタングステンなどのレジスト塗布用膜２を設け、その上にレジスト３を塗布する（Ｓ１）。そして、リフトオフ法により回路パターンを形成した後（Ｓ２）、過酸化水素水を用いてレジスト塗布用膜２を除去する（Ｓ３）。次に、導電性金属を成膜し、上記の回路パターンに応じた導電性金属部４を形成する（Ｓ４）。その後、レジスト３及びレジスト塗布用膜２を除去する（Ｓ５）。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素系樹脂基板上にレジスト塗布用膜とレジストを設けてリフトオフ法により回路パターンに応じた導電性金属部を形成したことを特徴とする高周波用回路基板。
【請求項２】
導電性金属部は多層構造にしたことを特徴とする請求項１に記載の高周波用回路基板。
【請求項３】
フッ素系樹脂基板上へレジスト塗布用膜を設ける工程と、その上にレジストを塗布する工程と、リフトオフ法により回路パターンを形成する工程と、導電性金属を成膜して回路パターンに応じた導電性金属部を形成する工程と、不要なレジスト塗布用膜及びレジストを除去する工程とを有することを特徴とする高周波用回路基板の製造方法。
【請求項４】
レジスト塗布用膜はチタンタングステンを用いることを特徴とする請求項３に記載の高周波用回路基板の製造方法。
【請求項５】
導電性金属部は多層構造にすることを特徴とする請求項３または４に記載の高周波用回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フッ素系樹脂を基板材料に用いた高周波用回路基板及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
フッ素樹脂は、フッ素を含むオレフィンの重合で得られる合成樹脂の総称であり、特徴としては耐薬品性に優れ、電気的特性において絶縁体中最小の誘電率及び誘電正接を持ち、広い周波数域で安定しており、高周波用基板として用いる場合には、低損失で最適な基材となる。そして、このようなフッ素系樹脂基板に直接導電性金属を成膜して高周波用基板として用いる報告はなされている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
図２はそのように構成された高周波用回路基板の断面図である。同図中、１１はフッ素系樹脂基板、１２はその上に形成された導電性金属薄膜、１３はその上に塗布されたレジストで、回路パターンに応じて除去されるものである。
【０００４】
しかし、フッ素系樹脂の機械的特性は樹脂の中で最小の摩擦係数を持ち、滑りやすい特徴を持つため、これまでフッ素系樹脂へ直接光感光性のレジスト膜等を形成することは困難で、リフトオフ法を用いて回路パターンを形成することはできない。
【０００５】
そのため、回路基板を形成するには上述のように導電性金属薄膜（銅箔等）を形成後、エッチングにより回路パターンを形成している。この場合、導電性金属薄膜を多層構造、例えばハンダ拡散ストップ層などを形成した場合、各膜（層）ごとにエッチング条件が異なるため、精密なパターン形成が困難である。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−２５１０４０号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、従来ではフッ素系樹脂上へ直接レジスト膜を形成することが困難のため、回路パターン作製にリフトオフ法を用いることができなかった。
【０００８】
また、多層構造のパターンを構成した基板の場合、各層のエッチング条件が異なるため、高精細度のパターンを形成することが困難であった。
【０００９】
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたもので、基板材料にフッ素系樹脂を用いてもリフトオフ法による回路パターン形成が可能で、容易に高精細でかつ多層構造の回路パターン部を持たせることもでき、量産性に優れた高周波用回路基板及びその製造方法を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る高周波用回路基板は、フッ素系樹脂基板上にレジスト塗布用膜とレジストを設けてリフトオフ法により回路パターンに応じた導電性金属部を形成したものであり、また、導電性金属部は多層構造にしたものである。
【００１１】
本発明に係る高周波用回路基板の製造方法は、フッ素系樹脂基板上へレジスト塗布用膜を設ける工程と、その上にレジストを塗布する工程と、リフトオフ法により回路パターンを形成する工程と、導電性金属を成膜して回路パターンに応じた導電性金属部を形成する工程と、不要なレジスト塗布用膜及びレジストを除去する工程とを有するようにしたものである。
【００１２】
また、上記の製造方法において、レジスト塗布用膜はチタンタングステンを用い、導電性金属部は多層構造にするようにしたものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面について説明する。
【００１４】
図１は本発明の実施例による高周波用回路基板の構成及びその製造工程を示す図である。
【００１５】
まず、フッ素系樹脂基板１上にチタンタングステンなどのレジスト塗布用膜２を設け、その上にレジスト３を塗布する（Ｓ１）。そして、リフトオフ法により回路パターンを形成した後（Ｓ２）、過酸化水素水を用いてレジスト塗布用膜２を除去する（Ｓ３）。
【００１６】
次に、導電性金属を成膜し、上記の回路パターンに応じた導電性金属部４を形成する（Ｓ４）。その後、レジスト３及びレジスト塗布用膜２を除去する（Ｓ５）。これにより、回路パターンが形成された高周波用回路基板が作製される。
【００１７】
本実施例では、上記のように、フッ素系樹脂基板１上へレジスト塗布用膜２を形成後、レジスト３を塗布し、リフトオフ法を用いて導電性金属を成膜して回路パターンを形成している。その際、リフトオフ法を用いることができるため、回路パターンをエッチングを用いることなく形成でき、多層構造にすることも容易である。
【００１８】
レジスト塗布用膜２には、上述のチタンタングステンあるいはＩｎ２Ｏ３−ＺｎＯ系アモルファス酸化物等を用いることができる。
【００１９】
チタンタングステンの場合は、上述の過酸化水素水で容易に溶け、かつ過酸化水素水は他の膜を侵すことがないため、このチタンタングステン上にレジスト３を塗布し、リフトオフパターン形成後に過酸化水素水につけることで、フッ素系樹脂基板１上の導電性金属をつけたい部分のチタンタングステンだけがとれる。
【００２０】
その後、この基板に導電性金属を全面に形成した後、レジスト３を除去することで、所望の回路パターンが形成される。この方法だと、導電性金属部４の多層膜構造化（ハンダ拡散防止層の挿入等）を高精細度でかつ容易に形成することができる。
【００２１】
また、レジスト塗布用膜２にＩｎ２Ｏ３−ＺｎＯ系アモルファス酸化物を用いた場合は、該膜２がアモルファス構造のために平坦性に優れており、レジスト３の塗布に優れている。この膜２は、弱酸の蓚酸で容易に溶けるため、他の金属を侵す前に該膜２の除去が可能である。
【００２２】
このように、本実施例の製造法では、基板材料にフッ素系樹脂を用いてもリフトオフ法による回路パターン形成が可能で、容易に高精細でかつ多層構造の回路パターン部を持たせることもでき、量産性に優れた高周波用回路基板及びその製造方法を提供することができる。
【００２３】
従来では、パターン部を多層構造にすると各層のエッチング液、エッチング条件が異なるために作製に大変手間がかかり、高精細化にも難があったが、本作製法では容易に可能となる。
【００２４】
なお、パターン部は多層構造ではなく単層構造であっても良い。また、フッ素系樹脂としては、誘電率等に優れたＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＥＰＥ、ＦＥＰなどを用いることができる。
【００２５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板材料にフッ素系樹脂を用いてもリフトオフ法による回路パターン形成が可能で、容易に高精細でかつ多層構造の回路パターン部を持たせることもでき、量産性に優れるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示す説明図
【図２】従来例を示す断面図
【符号の説明】
１  フッ素系樹脂基板
２  レジスト塗布用膜
３  レジスト
４  導電性金属部
【図１】
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【図２】
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