(57)【要約】【課題】ＣＯＦ（チップオンフィルム）工法を用いた半導体装置において、半導体チップの電極パッドおよびバンプが狭ピッチで千鳥配列されていると、樹脂封止時にバンプ近辺にボイドが発生するという問題があった。【解決手段】突起パターン４を、千鳥配列された電極パッド２およびバンプ５の少なくとも半導体チップ１の中央側の列の間の半導体チップ１表面またはフィルム基材の表面に形成する。これにより、半導体チップ１とフィルム基材とを接続しその間に樹脂を注入する際に、突起パターン４に伝わって樹脂が進行し、半導体チップ１の中央側の列のバンプ５間の樹脂の流れが助長されるので、バンプ５近辺のボイドの発生を防止することができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状の表面に配列された複数の電極上にそれぞれ突起電極が形成されかつ前記複数の電極および突起電極のうち前記矩形状の表面の少なくとも一辺に沿った電極および突起電極が千鳥状に配列された半導体チップの前記表面と、配線電極が形成されたフィルム基板の表面とが対向配置されて前記突起電極と前記配線電極とが接続され、前記半導体チップと前記フィルム基板との間に樹脂が形成された半導体装置であって、
前記千鳥状に配列された突起電極のうち、少なくとも前記半導体チップの中央側に近い列の突起電極どうしの間の前記半導体チップの表面または前記フィルム基板の前記配線電極が形成された表面に、突起パターンが形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
突起電極が半導体チップ表面の４辺に沿って配置され、前記４辺に配置された突起電極で囲まれる全領域に対し、突起パターンが前記半導体チップ表面上またはフィルム基板上に形成されている構造を有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
突起パターンは、半導体チップの表面に形成され、かつ前記半導体チップの中央側に近くなるにしたがって枝分かれしている毛細血管状に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体チップの一辺に沿って千鳥状に配列された突起電極は、前記半導体チップの一辺に近い角部が断面円弧状の曲面であることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体チップの一辺に沿って千鳥状に配列された突起電極は、前記半導体チップの一辺に近い角部が面取りされていることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体チップの千鳥状に配列された電極のピッチが１０〜５０μｍであることを特徴とする請求項１〜５のうちいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体チップの一辺に沿って千鳥状に配列された突起電極は、前記半導体チップの一辺に沿った複数の列に配列され、これらの突起電極の隣り合う列の間隔が１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６のうちいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
矩形状の表面に配列された複数の電極上にそれぞれ突起電極が形成されかつ前記複数の電極および突起電極のうち前記矩形状の表面の少なくとも一辺に沿った電極および突起電極が千鳥状に配列された半導体チップの前記表面と、配線電極が形成されたフィルム基板の表面とを対向させて前記突起電極と前記配線電極とを電気的に接続する工程と、前記半導体チップと前記フィルム基板との間に樹脂を注入する工程と、前記樹脂を硬化させる工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記突起電極と前記配線電極とを電気的に接続する工程の前に、前記千鳥状に配列された突起電極のうち、少なくとも前記半導体チップの中央側に近い列の突起電極どうしの間の前記半導体チップの表面または前記フィルム基板の前記配線電極が形成された表面に、前記樹脂の注入時に前記樹脂の流れを助長するための突起パターンを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フィルム基材を用いたチップオンフィルム（ＣＯＦ）工法による半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ノートＰＣ、液晶ＴＶ、携帯電話、カーナビゲーションなどに代表されるように、液晶ディスプレイの需要は爆発的に急増している。液晶で画像を表現する方式はＳＴＮ、ＴＦＴと言った方式が主流であるが、画像の色彩の鮮やかさ、高輝度、動画への対応などで液晶を駆動する半導体装置、液晶ドライバーも日々高性能化が要求される。
【０００３】
従来、液晶ドライバーと呼ばれる半導体装置は、
（１）液晶のガラス基板周縁上に実装するＣＯＧ（チップ・オン・グラス）工法（２）ＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）と呼ばれるパッケージを液晶のガラス基板周縁上に実装する工法
が採用されてきた。上記（２）のＴＣＰの中には、ＴＡＢ（テープ・オートメイテッド・ボンディング）工法とＣＯＦ（チップオンフィルム）工法が存在する。
【０００４】
ＴＡＢ工法について図面を参照しながら説明する。図１１（ａ）はＴＡＢ工法を説明するための製造工程の斜視図であり、図１１（ｂ）は同工程の断面図である。図１１に示すとおり、半導体チップ１を接続する部分にフィルム基材６にデバイスホール１６が開口されている。ここでデバイスホール１６にフィルム基材６より配線７をわずかに突出させ、半導体チップ１の電極パッド上のＡｕバンプ５と接合する（これをインナーリードボンディング（ＩＬＢ）と言う）。その後、デバイスホール１６にノズル９より樹脂８を滴下し半導体チップ１の表面を覆う。
【０００５】
しかしながら、このＴＡＢ工法に変わってＣＯＦ工法が近年、増加してきている。このＣＯＦ工法はデバイスホールが無く、導体配線を形成したフィルム基板上で半導体チップを接続する。この構成は狭ピッチ化した半導体チップのバンプとフィルム基板上の導体配線をより安定して接続できる利点がある。
【０００６】
ＣＯＦ工法を用いた従来の半導体装置について図面を参照しながら説明する。
【０００７】
まず図８は従来の半導体装置に使用する半導体チップのバンプとフィルム基材上の導体配線が接続されている様子を示す平面図およびその一部を拡大した図である。
【０００８】
図８に示すように、液晶の駆動ドライバーとなる半導体チップ１は、その表面形状が長方形であることが一般的である。液晶の駆動ドライバーは映像を映し出すために液晶画面上を交錯する数百から数千本の走査線を電気信号によって駆動させる必要がある。それら１本１本の走査線をそれぞれ駆動させるため１つの半導体チップ１には、数百本以上のＩ／Ｏ端子となる電極パッド２を有する必要がある。しかしながら半導体チップ１の配線ルールは日毎に微小化し、それに対応して電極パッド２およびＡｕバンプ５のピッチも狭ピッチ化が進んでいる。このために半導体チップ１を直接、液晶のガラス基板周縁上に実装するチップオングラス（ＣＯＧ）工法やＣＯＦ工法のようにフィルム基材に接続する場合、図８のように半導体チップ１の電極パッド２の配列を２列以上で千鳥配列にすることは公知である（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
図９（ａ）はＣＯＦ工法による従来の半導体装置の製造方法を示す斜視図、図９（ｂ）はその断面図であり、図９（ｃ）はその一部分を拡大した断面図である。
【００１０】
ＣＯＦの構成は、複数のＡｕバンプ５を半導体チップ１の電極パッド２上に有し、Ａｕバンプ５は複数の導体配線７を有するフィルム基材６の導体配線７に接続され、半導体チップ１とフィルム基材６の間は、Ａｕバンプ５を含む半導体チップ１の表面となる電気回路側の全面を樹脂８で覆うように封止されている。フィルム基材６は複数の半導体装置を連続して製造出来るように、一つの半導体装置となる同一の配線７パターンが連続に連なっている。
【００１１】
この半導体装置の製造方法は、平面上に載置されたフィルム基材６の導体配線７を有する表面に、半導体チップ１のＡｕバンプ５を有する表面を下にして対向させ熱圧着することにより導体配線７とＡｕバンプ５を接続する工程と、Ａｕバンプ５を含む半導体チップ１表面側とフィルム基材６の間に、ノズル９より液状の樹脂８を注入して覆い硬化する樹脂封止工程とを有している。
【００１２】
また、従来、半導体チップの電極パッド間が狭ピッチ化のため、樹脂封止時に電極パッド間近辺に発生するボイドを解決する方法としてフィルム基材のパターンを改善する工夫がなされてきた（例えば、特許文献２参照）。
【００１３】
【特許文献１】
特開昭６２−１５２１５４号公報（第１−２頁、第２図）
【特許文献２】
特開２００２−１２４５２６号公報（第５−６頁、図１、図２）
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来の半導体装置では、半導体チップの電極パッドおよびバンプが狭ピッチ化されかつ千鳥配列されているため、樹脂封止時にバンプ５近辺にボイドが発生するという問題があった。
【００１５】
この問題について図１０を参照して説明する。図１０は、樹脂封止時に半導体チップの電極パッド間にボイドが発生する様子を示したものであり、図１０（ａ）はその平面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＹ−Ｙ’断面図である。図１０に示す矢印の樹脂８の注入方向から、接続された半導体チップ１の側面に沿ってノズル９によって液状の樹脂８を塗布し、半導体チップ１とフィルム基材６の間へ注入する。このとき樹脂８は毛細管現象によりフィルム基板６とチップ１表面の隙間を進入していくが、樹脂８に対する各材料の濡れ速度を一般的に比較すると、導体配線７に比べフィルム基材６の方が遅い。また導体配線７の短い箇所では、樹脂８の進行方向に対し、図１０のＸ−Ｘ’線以降はフィルム基板６と半導体チップ１表面の間隔が大きくなるので、Ｘ−Ｘ’線以降の樹脂８の速度は隣接する導体配線７の長い箇所よりも遅くなる。従って、Ｘ−Ｚ間隔が長い場合には、導体配線７の短い箇所を伝わって進行する樹脂８が、その隣り合った２つの長い配線７を伝わった樹脂８が互いに接近し接触するよりも遅くなると、図１０に示すようなボイド１２（空隙）が発生する。ここで半導体チップ１とフィルム基材６の間はわずか１０〜３０μｍしかなく、導体配線７間の隙間も１０〜２５μｍである。
【００１６】
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、ＣＯＦ工法を用いた半導体装置において、半導体チップの電極（電極パッド）の狭ピッチ化による樹脂封止時の突起電極（バンプ）近辺のボイドの発生を防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に記載の半導体装置は、矩形状の表面に配列された複数の電極上にそれぞれ突起電極が形成されかつ複数の電極および突起電極のうち矩形状の表面の少なくとも一辺に沿った電極および突起電極が千鳥状に配列された半導体チップの表面と、配線電極が形成されたフィルム基板の表面とが対向配置されて突起電極と配線電極とが接続され、半導体チップとフィルム基板との間に樹脂が形成された半導体装置であって、千鳥状に配列された突起電極のうち、少なくとも半導体チップの中央側に近い列の突起電極どうしの間の半導体チップの表面またはフィルム基板の配線電極が形成された表面に、突起パターンが形成されたことを特徴とする。
【００１８】
本発明の請求項２に記載の半導体装置は、請求項１に記載の半導体装置において、突起電極が半導体チップ表面の４辺に沿って配置され、前記４辺に配置された突起電極で囲まれる全領域に対し、突起パターンが前記半導体チップ表面上またはフィルム基板上に形成されている構造を有していることを特徴とする。
【００１９】
本発明の請求項３に記載の半導体装置は、請求項１に記載の半導体装置において、突起パターンは、半導体チップの表面に形成され、かつ半導体チップの中央側に近くなるにしたがって枝分かれしている毛細血管状に形成されたことを特徴とする。
【００２０】
本発明の請求項４に記載の半導体装置は、請求項１〜３のうちいずれかに記載の半導体装置において、半導体チップの一辺に沿って千鳥状に配列された突起電極は、半導体チップの一辺に近い角部が断面円弧状の曲面であることを特徴とする。
【００２１】
本発明の請求項５に記載の半導体装置は、請求項１〜３のうちいずれかに記載の半導体装置において、半導体チップの一辺に沿って千鳥状に配列された突起電極は、半導体チップの一辺に近い角部が面取りされていることを特徴とする。
【００２２】
本発明の請求項６に記載の半導体装置は、請求項１〜５のうちいずれかに記載の半導体装置において、半導体チップの千鳥状に配列された電極のピッチが１０〜５０μｍであることを特徴とする。
【００２３】
本発明の請求項７に記載の半導体装置は、請求項１〜６のうちいずれかに記載の半導体装置において、半導体チップの一辺に沿って千鳥状に配列された突起電極は、半導体チップの一辺に沿った複数の列に配列され、これらの突起電極の隣り合う列の間隔が１００μｍ以下であることを特徴とする。
【００２４】
本発明の請求項８に記載の半導体装置の製造方法は、矩形状の表面に配列された複数の電極上にそれぞれ突起電極が形成されかつ複数の電極および突起電極のうち矩形状の表面の少なくとも一辺に沿った電極および突起電極が千鳥状に配列された半導体チップの表面と、配線電極が形成されたフィルム基板の表面とを対向させて突起電極と配線電極とを電気的に接続する工程と、半導体チップとフィルム基板との間に樹脂を注入する工程と、樹脂を硬化させる工程とを含む半導体装置の製造方法であって、突起電極と配線電極とを電気的に接続する工程の前に、千鳥状に配列された突起電極のうち、少なくとも半導体チップの中央側に近い列の突起電極どうしの間の半導体チップの表面またはフィルム基板の配線電極が形成された表面に、樹脂の注入時に樹脂の流れを助長するための突起パターンを形成する工程を有することを特徴とする。
【００２５】
以上の本発明の半導体装置およびその製造方法によれば、千鳥状に配列された突起電極のうち、少なくとも半導体チップの中央側に近い列の突起電極どうしの間の半導体チップの表面またはフィルム基板の配線電極が形成された表面に、突起パターンを形成することにより、半導体チップとフィルム基板との間に樹脂を注入する際に、突起パターンに伝わって樹脂が進行し、突起電極どうしの間の樹脂の流れが助長されるので、半導体チップの電極の狭ピッチ化による樹脂封止時の突起電極近辺のボイドの発生を防止することができる。
【００２６】
そして、突起パターンは、突起電極に沿う半導体チップの辺側から中央側の方向に長い細長形状や、半導体チップの表面に半導体チップの中央側に近くなるにしたがって枝分かれしている毛細血管状に形成することが好ましい。
【００２７】
また、突起電極の半導体チップの一辺に近い角部を断面円弧状の曲面や面取りされた形状とすることで、樹脂注入時における樹脂の流れを改善することができ、よりボイドの発生を防止することができる。
【００２８】
また、千鳥状で複数の列に配列された突起電極の隣り合う列の間隔を１００μｍ以下とすることで、樹脂注入時における配線電極の長短による樹脂の進入量差を軽減し、よりボイドの発生を防止することができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本発明の実施の形態は、ＣＯＦ工法による半導体装置である。
【００３０】
図１は本発明の実施の形態の半導体装置に使用する半導体チップ上バンプとフィルム基材上導体配線が接続されている様子を示す平面図と拡大図である。
【００３１】
本発明の実施の形態の半導体装置は、図８および図９に示される従来例と同様に、半導体チップ１の表面形状の４辺のうちの少なくとも１辺に沿った電極パッド２が千鳥配列されて狭ピッチ化された半導体装置であり、その製造方法は、平面上に載置されたフィルム基材６の導体配線７を有する表面に、半導体チップ１のＡｕバンプ５を有する表面を対向させ熱圧着することにより導体配線７とＡｕバンプ５を接続する工程と、Ａｕバンプ５を含む半導体チップ１表面側とフィルム基材６の間に、ノズル９より液状の樹脂８を注入し、注入した樹脂８を硬化する樹脂封止工程とを有している。この樹脂封止工程では、従来例も同様であるが、本実施の形態の図１の例のように、半導体チップ１の千鳥配列された電極パッド２に沿った辺とフィルム基材６との隙間から封止樹脂８を注入するようにしている。ここで、封止樹脂８を注入する辺は一辺からのみでなく複数辺から注入する場合もある。
【００３２】
従来例との相違は、図１に示すように、フィルム基材６（図９参照、以下同様）上の導体配線７の短い箇所を補うように半導体チップ１表面上もしくはフィルム基材６上に突起パターン４を形成していることであり、他の構成は従来例と同様である。この突起パターン４で樹脂８の流れを助長し、また部分的には樹脂８の流れを抑制させることで、バンプ５間周辺のボイドを解消する。封止樹脂８を注入時に、突起パターン４に伝わって樹脂８が浸透するため、樹脂８の流れを助長できる。また部分的に樹脂８の流れを抑制するためには、樹脂８の流れが緩やかになるように部分的に突起パターン４を切断したり、突起パターン４の線幅を変化させたりする。ここで、図１では、平面的に見て短い導体配線７の延長線上のみに突起パターン４を形成しているが、図２（ａ）、（ｂ）のように平面的に見て導体配線７の間にも形成してもよい。
【００３３】
また上記突起パターン４は半導体チップ１表面上に形成する場合には、ポリイミド塗布により形成したり、アクティブセルの絶縁膜となるＳＧ膜や電極パッド上バンプ形成時の金または、半導体チップ１上にアルミを再配線してもよい。またフィルム基板６上に形成する場合には、導体配線７やポリイミド材のエッチング形成によって形成してもよい。例えば半導体チップ１上のバンプ５の形成やフィルム基板６上の導体配線７の形成を利用して突起パターン４を形成する場合は、従来から工程数を増加することなく形成することが可能である。但し、突起パターン４を導電物質で形成する場合には注意が必要である。つまり、半導体チップ１の実装時における導体配線７の位置ずれや接続部の共晶物等により導体配線７と突起パターン４が導通状態となっても、それぞれのバンプが導通状態となり電気的特性を劣化させないように設計配慮する必要がある。
【００３４】
図３は本発明の実施の形態において図１、図２の例とは突起パターン４の形成領域が異なる例の半導体チップ上バンプとフィルム基材上導体配線が接続されている様子を示す平面図と拡大図である。
【００３５】
図３では図１、図２と異なる部分のみ説明する。図１、図２（ａ），（ｂ）で示すように突起パターン４を千鳥配列された電極パッド２およびバンプ５の少なくとも内側（チップ中央側）の列の間に形成し、さらに、樹脂８の浸透を助長するために、半導体チップ１の４辺に配置されたバンプ５で囲まれる全領域を覆うように突起パターン４を形成している。この突起パターン４の厚さは、当然、半導体チップ１表面とフィルム基板（フィルム基材６もしくは導体配線７）との間隔よりも小さい。この突起パターン４は、当然ながら半導体チップ１表面上に形成しても、フィルム基材６上に形成してもよい。またこのことで樹脂８の浸透スピードを速めるという効果もある。
【００３６】
また、図４は本発明の実施の形態において図１、図２の突起パターン４とは異なる形状の突起パターンを形成した例の半導体チップ上バンプとフィルム基材上導体配線が接続されている様子を示す平面図と拡大図である。
【００３７】
図４における突起パターン３は、半導体チップ１の表面に形成されるものであり、図１、図２における突起パターン４が半導体チップ１の電極パッド２およびバンプ５を除く部分に毛細血管状に形成されたものである。この毛細血管状の突起パターン３で樹脂８の流れを助長し、バンプ５周辺のボイドを解消する。毛細血管状の突起パターン３の線幅は０．０１μｍ〜０．５μｍ程度の線幅で設定し、木の枝のように先端に行くほど枝分かれしたデザインとなる。また、図示しないが毛細血管状の突起パターン３を半導体チップ１全面に形成してもよい。
【００３８】
以上の図１〜図４のように突起パターン３、４を、千鳥配列された電極パッド２およびバンプ５の少なくとも半導体チップ１の中央側の列の間の半導体チップ１表面またはフィルム基材６の表面に形成することにより、半導体チップ１とフィルム基材６との間に樹脂８を注入する際に、突起パターン３、４に伝わって樹脂８が進行し、半導体チップ１の中央側の列のバンプ５間の樹脂８の流れが助長されるので、電極パッド２およびバンプ５が狭ピッチで且つ千鳥配置であることによって従来発生していたバンプ５近辺のボイドの発生を防止することができる。この効果は、電極パッド２のピッチが１０〜５０μｍの狭ピッチで千鳥配置されている場合により顕著である。
【００３９】
また、図１〜図４の突起パターン３、４が形成された半導体チップ１またはフィルム基材６の表面にさらにプラズマ照射１０（図４参照）を施すことにより、半導体チップ１またはフィルム基材６の表面の封止樹脂８との濡れ性を向上し、封止樹脂８の流れを改善してもよい。つまりこのプラズマ照射により、例えばポリイミド材であればカルボキシル基やアミノ基等の反応性官能基を生成し濡れ性を向上すると共に、表面をエッチング（粗化）し、アンカー効果で密着性を向上させることができる。
【００４０】
また、上記の突起パターン３、４を形成した構成において、さらにボイドの発生を防止するために、付加されて好ましい構成を図５、図６、図７に示す。なお、図５、図６、図７では、簡単化のため突起パターン３、４を図示していない。
【００４１】
図５は本発明の実施の形態の半導体装置に使用する半導体チップを示す平面図と拡大図である。この場合、バンプ５のコーナー部をＲ形状１３とした構成であり、この形状によって封止樹脂注入時における樹脂８の流れを改善することができる。なお、図５では４つ全てのコーナー部がＲ形状１３で、バンプ５が略楕円形状であるが、すくなくとも半導体チップ１の封止樹脂注入側の辺に沿って千鳥配列されたバンプ５について、封止樹脂注入側の辺に近いコーナー部をＲ形状１３または面取りした形状（図示せず）とすることで樹脂の流れを改善することができる。
【００４２】
図６（ａ）は本発明の実施の形態の半導体装置の製造工程を示す斜視図、図６（ｂ）はその断面図であり、図６（ｃ）はその一部分を拡大した断面図である。図６に示すように、平面上に載置された複数の導体配線７を有するフィルム基材６の導体配線７に、Ａｕバンプ５を有する半導体チップ１を熱圧着し接続する。Ａｕバンプ５を含む半導体チップ１表面側とフィルム基材６の間に液状樹脂８を注入して覆い硬化する。図６の場合、少なくとも樹脂８の注入側である半導体チップ１の表面の角部に面取り１１を施しておく。これは樹脂８の流れを出来るだけ促進するため、チップ角部にベベルカットを行いテーパ形状にするものである。これによって出来るだけバンプ５に近い距離により多くの樹脂８を注入可能にする。
【００４３】
図７は本発明の実施の形態の半導体装置に使用する半導体チップを示す平面図と拡大図である。図７に示すように、バンプ５の配置をバンプ５の導体配線方向の間隔Ａを０μｍ〜１００μｍにすることにより、短い導体配線部と長い導体配線部の樹脂８の進入速度差による進入量差を軽減し、ボイドの発生率を減少できる。
【００４４】
なお、特開２００２−１２４５２６号公報（前述の特許文献２）では、半導体チップのコーナー部にダミーパターンを設置することにより、封止樹脂の注入方向に対するダム的な役割をさせて、チップコーナー部からの封止樹脂の注入速度を低減させ、チップ全体の樹脂の注入速度ばらつきを低減するのが目的であり、この場合、チップ内の大きいボイドに対してはいくらかの効果を見込めるかもしれないが、突起電極が千鳥配置である場合のボイドに対しては発生原因に対し何ら対処しておらず、何の効果もない。これに対し本発明の実施の形態では、突起電極（バンプ５）の千鳥配置部にダミーパターン（突起パターン４、３）を設置することにより、千鳥配置というデザインばらつきを目立たなくし、樹脂の局所的な注入速度ばらつきを低減させることができ、よって突起電極の千鳥配置部におけるボイドを低減できる。
【００４５】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、半導体チップの電極が狭ピッチで且つ千鳥配置であることによって従来発生していた樹脂封止時の突起電極周辺のボイド（空隙）を解消することができる為、品質、信頼性に対して良好な半導体装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の一例の半導体装置に使用する半導体チップ上バンプとフィルム基材上導体配線が接続されている様子を示す平面図と拡大図
【図２】本発明の実施の形態の一例の半導体装置に使用する半導体チップ上バンプとフィルム基材上導体配線が接続されている様子を示す拡大図
【図３】本発明の実施の形態の一例の半導体装置に使用する半導体チップ上バンプとフィルム基材上導体配線が接続されている様子を示す平面図と拡大図
【図４】本発明の実施の形態の一例の半導体装置に使用する半導体チップ上バンプとフィルム基材上導体配線が接続されている様子を示す平面図と拡大図
【図５】本発明の実施の形態の一例の半導体装置に使用する半導体チップを示す平面図と拡大図
【図６】本発明の実施の形態の一例の半導体装置の製造工程の一部を示す斜視図と断面図およびその拡大図
【図７】本発明の実施の形態の一例の半導体装置に使用する半導体チップを示す平面図と拡大図
【図８】従来の半導体装置に使用する半導体チップ上バンプとフィルム基材上導体配線が接続されている様子を示す平面図およびその拡大図
【図９】従来の半導体装置の製造工程の一部を示す斜視図と断面図およびその拡大図
【図１０】従来の課題を示す、半導体装置の一部の平面図および断面図
【図１１】ＴＡＢ工法による従来の半導体装置の製造工程の一部を示す斜視図と断面図
【符号の説明】
１  半導体チップ
２  電極パッド
３  毛細血管状の突起パターン
４  突起パターン
５  Ａｕバンプ
６  フィルム基材
７  導体配線
８  封止樹脂
９  ノズル
１０  プラズマ照射
１１  半導体チップ面取り
１２  ボイド
１３  バンプコーナー部のＲ形状
１４  スプロケットホール
１５  ソルダーレジスト
１６  デバイスホール
【図１】
2004221320.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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