(57)【要約】【課題】電極パッドから保護膜上に延在するバンプの上面は、周縁が凸に中央が窪みになる。このため凸部が潰れにくく保護膜又は電極パッド直下の絶縁膜が破壊され、また、窪みに樹脂等が残り接触不良を生ずる。【解決手段】保護膜２をパターニングして、電極パッド３を表出する開口２ａと、その開口２ａ内部に保護膜２の一部からなる凸パターン２ｂを形成する。次いで、開口２ａ内部に画定されたバッド４をレジストマスク１１を用いてメッキにより形成する。凸部４ａがバンプ４上面の中央部分に形成され、凸部４ａで囲まれた窪みが形成されない。また、小面積の凸部４ａに分割して潰れやすくすることができる。【選択図】　　　図２
2004095885.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた電極パッドを被覆し、該基板上に延在する保護膜と、
該電極パッドの内側に画定されて該保護膜に開設された開口と、
該開口内に形成された該保護膜のパターンからなる凸パターンと、
該凸パターン上に跨がり該開口内に表出する該電極上に形成されたバンプであって、該開口の内側に形成され、かつ上面に該凸パターンに対応する凸部を有する該バンプとを備えた半導体装置。
【請求項２】
基板上に設けられた電極パッドを被覆し、該基板上に延在する保護膜と、
該電極パッドの内側に画定されて該保護膜に開設された開口と、
該電極パッド上に形成されたパンブであって、該バンプの対向する一組の周縁部分が該保護膜上に延在し、残りの周縁部分が該開口内に位置し、かつ該バンプが該保護膜上に延在する領域に対応する凸部を上面に有する該バンプとを備えた半導体装置。
【請求項３】
基板上に設けられた電極パッドを被覆し、該基板上に延在する保護膜と、
該電極パッドの内側に画定されて該保護膜に開設された開口と、
該開口内に形成された該保護膜のパターンからなる凸パターンと、
該凸パターン上に跨がり該電極上に形成されたパンブであって、該バンプの周縁の一部が該保護膜上に延在し、残りの周縁部分が該開口内に位置し、かつ該バンプが該保護膜上に延在する領域及び該凸パターンに対応する凸部を上面に有するバンプとを備えた半導体装置。
【請求項４】
基板上に設けられた電極パッドを被覆し、該基板上に延在する保護膜を形成する工程と、
該保護膜をパターニングして、該保護膜に該電極パッドの内側に画定された開口を形成すると同時に、該開口内に該保護膜のパターンからなる凸パターンを形成する工程と、
次いで、該基板上に、該開口の内側に画定されかつ底面に該凸パターンを表出する窓を有するレジストマスクを形成する工程と、
該レジストマスクをマスクとして、該窓を埋め込む金属からなるバンプを形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
【請求項５】
基板上に設けられた電極パッドを被覆し、該基板上に延在する保護膜を形成する工程と、
該保護膜をパターニングして、該保護膜に該電極パッドの内側に画定された開口を形成すると同時に、該開口内に該保護膜のパターンからなる凸パターンを形成する工程と、
次いで、底面に該凸パターンを表出する窓であって、該窓の周縁の一部が該保護膜上に延在し、残りの周縁部分が該開口内に位置する窓を有するレジストマスクを該基板上に形成する工程と、
該レジストマスクをマスクとして、該窓を埋め込む金属からなるバンプを形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は保護膜の開口に表出する電極パッド上に設けられたバンプを有する半導体装置、及びその製造方法に関する。
フリップチップ又はＴＡＢ（テープ・オートメイテッド・ボンデング）を用いて接合される半導体装置は、外部回路との接合のために電極上に設けられたバンプを備える。しかし、バンプの圧着接合の際に、保護膜若しくは電極パッド直下の絶縁膜の破壊又は接触不良を発生することがある。そこで、かかる不良発生を抑制し、確実に接触することができるパンプが求められている。
【０００２】
【従来の技術】
従来のバンプは、保護膜の開口周縁を完全に覆って形成されていた。以下、従来のバンプを、その製造工程とともに説明する。
図１１は従来のバンプ形成工程断面図であり、半導体装置のバンプ形成部分の構造を表している。図１２は従来のバンプ形成工程平面図であり、バンプ形成工程途中の保護膜及びレジストのパターン形状を表している。図１３は従来のバンプ平面図であり、図１１（ｆ）に示すバンプの平面形状を表している。
【０００３】
従来のバンプの製造は、まず図１１（ａ）を参照して、半導体装置の基板１上に、電極パッド３を形成し、その電極パッド３を被覆する保護膜２を基板上全面に形成する。次いで、保護膜２に、底面に電極パッド３を表出する開口２ａを開設する。図１２（ａ）を参照して、この開口２ａは電極パッド３の中央部分に設けられ、電極パッド３の全周縁は保護膜２に覆われている。
【０００４】
次いで、図１１（ｂ）を参照して、基板１上全面に、下層からＴｉ、Ｗ、Ａｕの順に積層した下地膜５を形成する。
次いで、図１１（ｃ）を参照して、基板１上にレジストを塗布し、露光及び現像して、バンプのパターンを画定する窓１１ａが開設されたレジストマスク１１を形成する。この窓１１ａは、図１２（ｂ）を参照して、窓１１ａの底面に保護膜２の開口２ａが完全に（開口２ａの全体が）表出し、かつ電極パッド３の内側に入るように開設される。従って、窓１１ａの底面には、開口２ａの外側を枠状に縁取るように保護膜２（下地膜５は無視する。）が表出する。
【０００５】
次いで、レジストマスク１１を用いてメッキし、窓１１ａをメッキ金属で埋め込みバンプ４を形成する。このメッキにより形成されたバンプ４の上面に、保護膜２の開口２ａの段差がそのまま反映された凸部４ａが形成される。
次いで、図１１（ｅ）を参照して、レジストマスク１１を除去する。その後、図１１（ｆ）を参照して、バンプ４の外側に表出する下地膜５をエッチング除去して、バンプ４が形成される。
【０００６】
この工程により形成されたバンプは、図１１（ｆ）及び図１３を参照して、上面に枠状の凸部４ａとその凸部４ａに囲まれた部分に窪み４ｂが形成される。この凸部４ａ及び窪み４ｂは、レジストマスク１１の窓１１ａの底面の凹凸に対応してメッキ金属（バンプ４）の表面に生ずる。即ち、凸部４ａは、レジストマスク１１の窓１１ａの内側に表出した保護膜２（図１１（ｄ）及び図１２（ａ）参照）に対応して形成され、窪み４ｂは、レジストマスク１１の窓１１ａの内側に表出した開口２ａに対応して形成されたものである。
【０００７】
この凸部４ａは、バンプ４上面の周縁に沿って窪み４ｂを枠状に囲むように形成される。その結果、バンプ４の接合の際に、次のような問題が生ずる。
まず、超音波ボンデング及び熱圧着等の圧力を加えてバンプ４を変形させる接合方法では、凸部４ａが枠状であるため容易に潰れず、接合圧力を大きくする必要がある。その結果、凸部４ａの直下の保護膜２又はバンプ４直下の絶縁膜（図示せず）が破壊することがある。また、窪み４ｂの表面に形成された酸化膜や汚染物質の膜が、接合時に破壊されずに残り接触不良を招きやすい。
【０００８】
さらに、回路基板表面に非導電性のアンダーフィル樹脂を塗布した後に接合する方法或いは導電性粒子を分散させた異方性導電性樹脂フィルムを介して接合する方法では、窪み４ｂの周囲が凸部４ａで囲まれているため、窪み４ｂに入った樹脂がバンプ４の外に排出されずに残やすく、接触不良の原因となる。また、凸部４ａが潰れ難いので、窪み４ｂの部分の導電性粒子がバンプ４上面から浮遊した状態のままになり、接触不良の原因となる。
【０００９】
かかる不都合を解決するために、バンプ上面の凸部で囲まれた窪みをなくす試みが、例えば特開昭５４−１３４９７５号公報、特開昭６３−２３７４４５号公報及び特許第２６８６８１８号公報に開示されている。しかし、いずれも製造工程の増加又は特別な設備を必要とする。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来のバンプは、上面周縁を枠状に囲む凸部が形成されるため、凸部が容易に潰れず大きな接合圧力を要する。その結果、バンプの下の保護膜又はバンプの下の電極パッド直下の絶縁膜が破壊されやすい。また、枠状の凸部で囲まれた窪みに酸化膜や樹脂が残りやすく接触不良の原因となる。さらに、窪みの部分の異方性導電性樹脂フィルムが接触不良を招きやすい。
【００１１】
本発明は、製造工程を増加させずかつ特殊な設備を用いることなく製造することができ、小さな圧力で容易に潰れかつ接触不良を生じにくいバンプを提供することで、保護膜及びバンプ直下の絶縁膜の破壊が少なくかつ接続の信頼性が高い半導体装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明の第一の構成は、基板上に設けられた電極パッドを被覆し、該基板上に延在する保護膜と、該電極パッドの内側に画定されて該保護膜に開設された開口と、該開口内に形成された該保護膜のパターンからなる凸パターンと、該凸パターン上に跨がり該開口内に表出する該電極上に形成されたバンプであって、該開口の内側に形成され、かつ上面に該凸パターンに対応する凸部を有する該バンプとを備える。
【００１３】
この第一の構成に係る半導体装置は、基板上に設けられた電極パッドを被覆し、該基板上に延在する保護膜を形成する工程と、該保護膜をパターニングして、該保護膜に該電極パッドの内側に画定された開口を形成すると同時に、該開口内に該保護膜のパターンからなる凸パターンを形成する工程と、次いで、該基板上に、該開口の内側に画定されかつ底面に該凸パターンを表出する窓を有するレジストマスクを形成する工程と、該レジストマスクをマスクとして、該窓を埋め込む金属からなるバンプを形成する工程とを含む半導体装置の製造方法により製造することができる。
【００１４】
第二の構成は、基板上に設けられた電極パッドを被覆し、該基板上に延在する保護膜と、該電極パッドの内側に画定されて該保護膜に開設された開口と、該電極パッド上に形成されたパンブであって、該バンプの対向する一組の周縁部分が該保護膜上に延在し、残りの周縁部分が該開口内に位置し、かつ該バンプが該保護膜上に延在する領域に対応する凸部を上面に有する該バンプとを備えて構成する。
【００１５】
第三の構成は、基板上に設けられた電極パッドを被覆し、該基板上に延在する保護膜と、該電極パッドの内側に画定されて該保護膜に開設された開口と、該開口内に形成された該保護膜のパターンからなる凸パターンと、該凸パターン上に跨がり該電極上に形成されたパンブであって、該バンプの周縁の一部が該保護膜上に延在し、残りの周縁部分が該開口内に位置し、かつ該バンプが該保護膜上に延在する領域及び該凸パターンに対応する凸部を上面に有するバンプとを備えて構成する。
【００１６】
この第三の構成に係る半導体装置は、基板上に設けられた電極パッドを被覆し、該基板上に延在する保護膜を形成する工程と、該保護膜をパターニングして、該保護膜に該電極パッドの内側に画定された開口を形成すると同時に、該開口内に該保護膜のパターンからなる凸パターンを形成する工程と、次いで、底面に該凸パターンを表出する窓であって、該窓の周縁の一部が該保護膜上に延在し、残りの周縁部分が該開口内に位置する窓を有するレジストマスクを該基板上に形成する工程と、該レジストマスクをマスクとして、該窓を埋め込む金属からなるバンプを形成する工程とを含む半導体装置の製造方法により形成することができる。
【００１７】
上記第一の構成では、保護膜に開設された開口内にその保護膜の一部からなる凸パターンが形成される。バンプは、その凸パターンを跨いで形成される。従って、バンプの上面に、その凸パターンに対応して、凸パターンと略同パターンの凸部が形成される。さらに、バンプは、保護膜の開口の内側に形成され、保護膜の上には延在しない。このため、バンプの上面には、周縁を枠状に囲む凸部は形成されない。
【００１８】
このように、本構成のバンプは枠状の凸部がなく、凸パターンに対応する凸部が上面に形成されている。従って、この凸パターンに対応する凸部のみを潰せば接合できるので、小さな接合圧力でも確実に接合がなされる。さらに、バンプは保護膜上に延在しないので、接合圧力により保護膜が破壊されることはない。また、窪みを囲む凸部が形成されないように凸パターンを選択することで、窪みの中の酸化膜や樹脂を確実にバンプ外に排除することができるので、接触不良が少ない。
【００１９】
本第一の構成に係る凸パターンは、小さな接合圧力でも潰れるように、小面積のパターンの集合、例えば線状若しくは点状パターンの集合とすることが好ましい。
第一の構成に係るバンプを有する半導体装置の製造方法では、電極パッドを覆う保護膜を形成後、保護膜をパターニングして、保護膜の開口とその開口内の凸パターンとを同時に形成する。従って、凸パターン形成のために特別の工程を必要としないので、本発明を適用する上で何ら工程を増加させない。また、バンプ形状の変更も、レジストマスクの窓を保護膜の開口内に制限するのみで足り、他に何ら特別の処置を必要としない。従って、従来例の製造工程への適用が極めて容易である。
【００２０】
本発明の第二の構成では、保護膜の開口を挟み対向する保護膜上に延在してバンプが形成される。即ち、バンプは、保護膜−開口−保護膜の上に跨がる。他方、例えばこの対向面と直交する線上では、バンプは開口内にのみ形成され、保護膜上に延在しない。バンプ上面には、バンプが保護膜上に延在する部分に対応して凸部が形成されるから、凸部は、開口を挟む一対の凸部分として、バンプ上面の両側に形成される。
【００２１】
この第二の構成では、凸部は分離した一対の凸部分から構成されるので、凸部分により囲まれる窪みが形成されない。従って、接合時には、窪みから樹脂等が排出されやすく接触不良が起こりにくい。また、凸部が形成される領域は開口周縁の一部分に限定される。従って、開口の全周縁に枠状の凸部が形成される従来のバンプに比べ、接合圧力が小さくて足りるから保護膜及び電極パッド直下の絶縁膜の破壊が抑制される。
【００２２】
第三の構成では、バンプは、その一部が保護膜上に延在し、残りの部分は保護膜の開口内に形成される。開口内には保護膜の一部からなる凸パターンが形成されている。従って、バンプ上面には、バンプが保護膜上に延在する領域に対応する凸部と、凸パターンに対応する凸部とが形成される。
これらの凸部は、第一及び第二の構成にあるバンプの凸部と同様に、枠状の凸部に比べて潰れやすい。また、凸部が窪みを取り囲まないように凸パターンを選択することができる。従って、接合圧力が小さく、保護膜の破壊が回避される。また窪み部分での接触不良が抑制される。
【００２３】
本構成では、バンプが保護膜上に延在する領域は、１箇所でもよく、複数箇所でもよい。１箇所の場合は、接合時の圧力がバンプ全面に均等に印加されるように凸パターンを配置する必要がある。この領域が、開口を挟み対向する位置又は開口周縁の複数箇所に均等に設けられた場合は、凸パターンの配置を配慮する必要は少なく設計の自由度が大きい。
【００２４】
本第三の構成は、第一の構成の製造方法と同様の工程で、保護膜の開口とその開口内の凸パターンを形成することができる。また、バンプ形状の変更も、レジストマスクの窓のパターン変更のみで足りる。従って、本発明を適用しても、何ら工程の増加はない。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明の第一実施形態例は、保護膜の開口内にバンプを形成した半導体装置に関する。図１は本発明の第一実施形態例バンプ構造を表す図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ１−Ａ２断面図である。
図１を参照して、第一実施形態例では、半導体装置の基板１上に形成された電極パッド３上に、開口２ａを有するシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜からなる保護膜２が設けられる。
【００２６】
この開口２ａは、電極パット３の内側に開口するように配設される。従って、開口２ａの外側に位置する保護膜２は、電極パッド３の周縁を完全に被覆し、電極パッド３の外側に表出する基板１表面上に延在する。
開口２ａの内側に表出する電極パッド３上に、ほぼ矩形又は円形をなす島状の凸パターン２ｂが形成されている。この凸パターン２ｂは、保護膜２をパターニングして形成される。
【００２７】
バンプ４は、例えば金、銅又はハンダ等の金属からなり、開口２ａの内部に形成される。また、バンプ４は、その下面に凸パターン２ｂが位置するように形成される。なお、凸パターン２ｂの一部がバンプ４の外側にはみ出ても差し支えない。このバンプ４の上面には、凸パターン２ｂに対応する形状の凸部４ａが形成される。この凸部４ａは、バンプ４を形成するために、凸パターン４ｂ上に金属を堆積する工程において自然に形成されたものである。なお、バンプ４下面には、密着強度を強めるために、メッキ電極とするために、又は電極パッド３とバンプ４との拡散反応を抑制するために、下からＴｉ／Ｗ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｄ若しくはＴｉ／Ｎｉ／Ｐｄの順で積層された下地膜５が設けられる。
【００２８】
このバンプ４は、上面の中央部分に小面積の凸部４ａがあるので、接合時に小さな接合圧力でこの凸部４ａを潰して良好な接合をなすことができる。また、窪みは凸部４ａの外側にのみ形成されるので、窪みに酸化膜や絶縁膜が残ることはなく、確実に接触される。さらに、バンプ４は、保護膜２の開口２ａより小さいので、ピッチを微細にすることができる。
【００２９】
本第一実施形態例に係るバンプは、以下の方法により製造された。図２は本発明の第一実施形態例工程断面図であり、第一実施形態例の製造工程を表している。図３は本発明の第一実施形態例工程平面図であり、図３（ａ）は図２（ａ）の平面図、図３（ｂ）は図２（ｃ）の平面図を表している。
まず、図２（ａ）を参照して、電極パッド３が形成された基板１上全面に、保護膜２を堆積する。次いで、保護膜２をエッチングして、基板１を表出する開口２ａを開設する。同時に、開口２ａの内部に保護膜２の一部を残し、これを凸パターン２ｂとして形成する。即ち、これらの開口２ａ及び凸パターン２ｂは、一つのマスクを用いた一回のリソグラフィにより形成される。
【００３０】
その結果、図３（ａ）を参照して、電極パッド３の中央部を表出する開口２ａを有し、電極パッド３の周縁を覆う保護膜２が形成される。さらに、開口２ａの内部に凸パターン２ｂが形成される。
次いで、図２（ｂ）を参照して、導電性の多層金属膜からなる下地膜５を、基板１全面に堆積する。
【００３１】
次いで、図２（ｃ）を参照して、基板１上全面にレジストを塗布し、露光・現像してバンプ４を画定する窓１１ａを有するレジストマスク１１を形成する。この窓１１ａは、開口２ａの内側に設けられ、かつ窓１１ａの底に凸パターン２ｂを表出する。即ち、図３（ｂ）を参照して、レジストマスク１１は、保護膜２の開口２ａ周縁を完全に被覆し、その窓１１ａの底には凸パターン２ｂと電極パッド３表面（下地膜５を無視している。）が表出する。
【００３２】
次いで、図２（ｄ）を参照して、下地膜５を一方の電極とするメッキにより、レジストマスク１１の窓１１ａをメッキ金属で埋め込みバンプ４を形成する。このメッキの際に、バンプ４の上面に、凸パターン２ｂに対応した凸部４ａが形成される。
次いで、図２（ｅ）を参照して、レジストマスク１１を除去する。さらに、図２（ｆ）を参照して、バンプ４の外側に表出する下地膜５をエッチングして除去し、第一実施形態例に係る半導体装置のバンプ４が形成される。
【００３３】
この工程は、リソグラフィ工程を含めて従来の製造工程と同じ工程数である。また、従来の製造工程に用いられる製造装置のみで実施することができる。
図４は本発明の第一実施形態例第一変形例説明図であり、図４（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ図２（ａ）の製造工程における平面図及び断面図、図４（ｃ）及び（ｄ）はそれぞれ完成したバンプの平面図及び断面図である。
【００３４】
本発明の第一実施形態例第一変形例では、図２（ｂ）の工程において、図４（ａ）及び（ｂ）を参照して、小さな島状の凸パターン２ｂを複数形成する。保護膜２及び開口２ａは第一実施形態例と同様である。この上に、図２（ｃ）に示す第一実施形態例と同様の窓１１ａを有するレジストマスク１１を用いて、メッキにより窓１１ａを埋め込みバンプ４を形成する。その結果、図４（ｃ）及び（ｄ）を参照して、バンプ４の上面に複数の島状の凸部４ａが形成される。このバンプ４は、個々の凸部４ａを小さくし、かつ凸部４ａの総面積を大きくすることができるから、接合時の圧力を有効に分散することができる。また、ＴＡＢの接合時に、バンプ４上面の凹凸がリードの滑りを防止する。
【００３５】
図５は本発明の第一実施形態例第二変形例説明図であり、図５（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ図２（ａ）の製造工程における平面図及び断面図、図５（ｃ）及び（ｄ）はそれぞれ完成したバンプの平面図及び断面図である。
本発明の第一実施形態例第二変形例では、図２（ｂ）の工程において、図５（ａ）及び（ｂ）を参照して、平行な線状の凸パターン２ｂを形成する。他は、上記の第一実施形態例第一変形例と同様である。
【００３６】
この変形例では、図５（ｃ）及び（ｄ）を参照して、バンプ４の上面に互いに平行に延在する複数の線状の凸パターン４ａが形成される。この凸パターン４ａは幅が狭いので小さな接合圧力の下で容易に潰れる。さらに、線状の凸パターン４ａに垂直な方向に超音波振動を加えることにより、超音波ボンデングを確実になすことができる。また、凸パターン４ａがバンプ４上面の広い範囲に分散して配置されているので，接合圧力が有効に分散される。
【００３７】
図６は本発明の第一実施形態例第三変形例説明図であり、図６（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ図２（ａ）の製造工程における平面図及び断面図、図６（ｃ）及び（ｄ）はそれぞれ完成したバンプの平面図及び断面図である。
本発明の第一実施形態例第三変形例では、図２（ｂ）の工程において、図６（ａ）及び（ｂ）を参照して、開口２ａを横切る平行な線状の凸パターン２ｂを形成する。即ち、開口２ａはスリット状の開口を平行に複数開設したものとなる。他は、上記の第一実施形態例第一変形例と同様である。
【００３８】
この変形例では、図６（ｃ）及び（ｄ）を参照して、バンプ４の上面に互いに平行に延在する複数の線状の凸パターン４ａが形成される。従って、第一実施形態例第二変形例と同様の効果を奏する。
図７は本発明の第一実施形態例第四変形例説明図である。第一実施形態例第四変形例では、図２（ｂ）の工程において、図７（ａ）及びそのＢ１−Ｂ２断面である図７（ｂ）を参照して、開口２ａを横切り互いに直交する線状の凸パターン２ｂを形成する。即ち、凸パターン２ｂは十字形のパターンとなる。他は、上記の第一実施形態例第一変形例と同様である。
【００３９】
この変形例では、図７（ｃ）及びそのＣ１−Ｃ２断面である（ｄ）を参照して、バンプ４の上面に互いに直交する２本の線状の凸パターン４ａが形成される。この凸パターン２ｂにより形成される窪みは、バンプ４上面の４隅に画定されるので窪み内の樹脂等の排出が極めて容易なので、確実な接触が実現される。また、凸パターン２ｂは細い線状なので容易に潰れ、接合圧力を小さくすることができる。
【００４０】
図８は本発明の第二実施形態例説明図であり、図８（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれバンプの製造工程途中の平面図、そのＤ１−Ｄ２断面図、及びそのＥ１−Ｅ２断面図である。
本第二実施形態例では、第一実施形態例の製造工程において、図２（ａ）に示す凸パターン２ｂを形成せず、さらに、図２（ｃ）に示すバンプ４を画定するレジストマスク１１の窓１１ａの形状を変更したものである。
【００４１】
本実施形態例では、図８（ａ）〜（ｃ）を参照して、保護膜２に第一実施形態例と同様の開口２ａを開設する。このとき、凸パターンは形成しない。レジストマスク１１の窓１１ａの平面形状は、開口２ａの横幅（図８の紙面の左右方向）を横切り対向する保護膜２上面を表出する。一方、開口２ａの縦幅（図８の紙面の上下方向）より狭く、この方向では窓１１ａは開口２ａの内部に制限される。
【００４２】
このレジストマスク１１の窓１１ａをメッキ金属で埋め込みバンプ４を形成したのち、レジストマスク１１を除去する。この工程で形成されたバンプ４は、図８（ｄ）を参照して、保護膜２の開口２ａを横切り両端が保護膜２上に延在する。一方、この延在方向と直交する方向では、バンプ４は完全に開口２ａ内にあり、保護膜２とバンプの間の開口２ａ底面に電極パッド３が表出する。従って、バンプ４上面に、バンプが保護膜２上に延在する部分に対応して、開口２ａの両側に一対の凸部４ａが形成される。他の工程は第一実施形態例の工程と同様である。
【００４３】
本実施形態例では、凸部４ａがバンプ４の両側に対として形成されるので、窪みが凸部４ａで囲まれることがなく、また接着圧力がバンプ４上面に均等に印加される。従って、接触不良及び保護膜の破壊及び電極パッド３直下の絶縁膜の破壊が少ない接合を行うことができる。
本発明の第三実施形態例は、両端が保護膜２上に延在し、中央部分に凸パターンに対応する凸部を有するバンプに関する。図９は第三実施形態例説明図であり、図９（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ保護膜の開口及び凸パターンの形状を表す平面図及び断面図である。図９（ｃ）及び（ｄ）は、それぞれ製造されたバンプの形状を表す平面図及び断面図である。
【００４４】
本実施形態例のバンプの製造工程では、図９（ａ）及び（ｂ）を参照して、基板１上に電極パッド３を形成した後、基板１上全面に保護膜２を堆積する。次いで、保護膜２をエッチングして開口２ａ及び凸パターン２ｂを形成する。開口２ａは、電極バッド３の周縁が保護膜２で被覆されるように開設される。凸パターン２ｂは、平行な複数の細い直線状に形成され、その両端は保護膜２に接続している。従って、開口２ａ底面に電極パッド３が表出する領域は、平行な複数のスリット状をなす。
【００４５】
次いで、下地膜５を堆積後、第二実施形態例と同様の窓１１ａを有するレジストマスク１１を形成する。次いで、窓１１ａをメッキ金属で埋め込みバンプ４　を形成する。
この工程で形成されたバンプ４の上面には、図９（ｃ）及び（ｄ）を参照して、平行な凸パターン２ｂに対応して平行な複数の直線状の凸部４ａ−２と、バンプ４の両端に凸部４ａ−２に平行な凸部４ａ−１とが形成される。従って、窪みは、凸部４ａ−１、４ａ−２に沿った溝として形成され、その両端は開放されているので、接合時に必要な窪みからの樹脂等の排出が容易である。また、凸部４ａ−１、４ａ−２は平行な線状パターンなので、潰れやすく接合時の保護膜２の破壊を回避することができる。とくに、超音波ボンデングの際に振動を線状パターンに垂直に印加することで接合がより容易になる。また、線状の凹凸パターンに垂直方向の摩擦は大きいから、ＴＡＢのリードの接合時に生ずるズレが防止される。
【００４６】
図１０は本発明の第三実施形態例変形例説明図であり、図１０（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ保護膜の開口及び凸パターンの平面図及び断面図、図１０（ｃ）及び（ｄ）はそれぞれ完成したバンプの平面図及び断面図である。
本発明の第三実施形態例変形例では、第三実施形態例の凸パターンを、図１０（ａ）及び（ｂ）を参照して、開口２ａの内部に形成された平行な線状の凸パターン２ｂとして形成する。他は第三実施形態例と同様である。その結果、バンプ４の上面には、その面内に含まれる平行に配置された略長方形の凸部４ａ−２と、上面両端に平行に配置された凸部４ａ−１とが形成される。本発明では、凸部が面内にあるので潰れてバンプ外にはみだす危険が少ない。なお、第三実施形態例及びその変形例では、バンプの両端が保護膜上に延在するが、バンプの一端のみが保護膜上に延在してもよい。
【００４７】
上記本明細書の記載には、以下の付記記載の発明が含まれる。
（付記１）基板上に設けられた電極パッドを被覆し、該基板上に延在する保護膜と、
該電極パッドの内側に画定されて該保護膜に開設された開口と、
該開口内に形成された該保護膜のパターンからなる凸パターンと、
該凸パターン上に跨がり該開口内に表出する該電極上に形成されたバンプであって、該開口の内側に形成され、かつ上面に該凸パターンに対応する凸部を有する該バンプとを備えた半導体装置。
【００４８】
（付記２）基板上に設けられた電極パッドを被覆し、該基板上に延在する保護膜と、
該電極パッドの内側に画定されて該保護膜に開設された開口と、
該電極パッド上に形成されたパンブであって、該バンプの対向する一組の周縁部分が該保護膜上に延在し、残りの周縁部分が該開口内に位置し、かつ該バンプが該保護膜上に延在する領域に対応する凸部を上面に有する該バンプとを備えた半導体装置。
【００４９】
（付記３）基板上に設けられた電極パッドを被覆し、該基板上に延在する保護膜と、
該電極パッドの内側に画定されて該保護膜に開設された開口と、
該開口内に形成された該保護膜のパターンからなる凸パターンと、
該凸パターン上に跨がり該電極上に形成されたパンブであって、該バンプの周縁の一部が該保護膜上に延在し、残りの周縁部分が該開口内に位置し、かつ該バンプが該保護膜上に延在する領域及び該凸パターンに対応する凸部を上面に有するバンプとを備えた半導体装置。
【００５０】
（付記４）基板上に設けられた電極パッドを被覆し、該基板上に延在する保護膜を形成する工程と、
該保護膜をパターニングして、該保護膜に該電極パッドの内側に画定された開口を形成すると同時に、該開口内に該保護膜のパターンからなる凸パターンを形成する工程と、
次いで、該基板上に、該開口の内側に画定されかつ底面に該凸パターンを表出する窓を有するレジストマスクを形成する工程と、
該レジストマスクをマスクとして、該窓を埋め込む金属からなるバンプを形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
【００５１】
（付記５）基板上に設けられた電極パッドを被覆し、該基板上に延在する保護膜を形成する工程と、
該保護膜をパターニングして、該保護膜に開口を形成すると同時に、該開口内に該保護膜のパターンからなる凸パターンを形成する工程と、
次いで、該電極の内側に画定されかつ底面に該凸パターンを表出する窓であって、該窓の周縁の一部が該保護膜上に延在し、残りの周縁部分が該開口内に位置する窓を有するレジストマスクを該基板上に形成する工程と、
該レジストマスクをマスクとして、該窓を埋め込む金属からなるバンプを形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
【００５２】
（付記６）該凸パターンは、複数の小面積のパターンからなることを特徴とする付記１又は３記載の半導体装置。
（付記７）該凸パターンは、線状パターンからなることを特徴とする付記１、３又は６記載の半導体装置
（付記８）該バンプは、メッキ金属からなることを特徴とする付記１、２、３、６又は７記載の半導体装置
（付記９）該バンプは、該開口を挟み対向する保護膜上に延在することを特徴とする付記３記載の半導体装置。
【００５３】
【発明の効果】
本発明によれば、バンプ上面に形成された凸部が容易に潰れるので或いはバンプが保護膜上に延在しないので、保護膜の破壊が抑制される。さらに、凸部に囲まれた窪みが形成されないので、接触不良が回避される。従って、信頼性の高い半導体装置を提供することができ半導体装置の性能向上に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一実施形態例バンプ構造を表す図
【図２】本発明の第一実施形態例工程断面図
【図３】本発明の第一実施形態例工程平面図
【図４】本発明の第一実施形態例第一変形例説明図
【図５】本発明の第一実施形態例第二変形例説明図
【図６】本発明の第一実施形態例第三変形例説明図
【図７】本発明の第一実施形態例第四変形例説明図
【図８】本発明の第二実施形態例説明図
【図９】本発明の第三実施形態例説明図
【図１０】本発明の第三実施形態例変形例説明図
【図１１】従来のバンプ形成工程断面図
【図１２】従来のバンプ形成工程平面図
【図１３】従来のバンプ平面図
【符号の説明】
１　基板
２　保護膜
２ａ　開口
２ｂ　凸パターン
３　電極パッド
３ａ　表出領域
４　バンプ
４ａ　凸部
４ｂ　窪み
５　下地膜
１１　レジストマスク
１１ａ　窓
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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