(57)【要約】【課題】予めスルーホールに樹脂を充填して平坦化する工程を省略できるため、簡易な製造工程でコスト的に有利に製造でき、好ましくは層間の導電接続の信頼性と耐久性が高い多層配線基板、及びその製造方法を提供する。【解決手段】貫通孔１２を有する第１絶縁層１１と、その貫通孔１２の内面と開口の周辺部とに少なくとも形成された第１メッキ層１３と、前記周辺部から立設する柱状金属体１６と、その柱状金属体１６と導電接続され少なくとも前記貫通孔１２の開口の上方に形成された第２メッキ層１９と、その第２メッキ層１９と前記第１メッキ層１３との間に介在しつつ前記貫通孔１２の内部まで充填された第２絶縁層１８とを備える多層配線基板。【選択図】　　　　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔を有する第１絶縁層と、その貫通孔の内面と開口の周辺部とに少なくとも形成された第１メッキ層と、前記周辺部から立設する柱状金属体と、その柱状金属体と導電接続され少なくとも前記貫通孔の開口の上方に形成された第２メッキ層と、その第２メッキ層と前記第１メッキ層との間に介在しつつ前記貫通孔の内部まで充填された第２絶縁層とを備える多層配線基板。
【請求項２】
前記柱状金属体は、前記開口の周辺部の全周にわたって又は全周の一部に形成されている請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記柱状金属体は、エッチングにより形成された上部金属層と、その上部金属層のエッチング時に耐性を示す下部金属層とを有する請求項１又は２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
貫通孔を有する第１絶縁層を形成する工程と、少なくともその貫通孔の内面と開口の周辺部とに第１メッキ層を形成する工程と、前記周辺部から立設する柱状金属体を形成する工程と、前記第１メッキ層を被覆しつつ前記貫通孔の内部まで充填された第２絶縁層を形成する工程と、前記柱状金属体と導電接続された第２メッキ層を少なくとも前記貫通孔の開口の上方に形成する工程とを含む多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記柱状金属体を形成する工程は、柱状金属体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属を、前記第１メッキ層の非パターン部を含めた略全面に被覆して保護金属層を形成し、その保護金属層の略全面に柱状金属体を構成する金属の上部メッキ層を形成した後、その上部メッキ層の柱状金属体の形成部分にマスク層を形成し、前記上部メッキ層のエッチングを行った後、保護金属層の浸食が可能なエッチングを行って、少なくとも非パターン部を被覆する保護金属層を除去するものである請求項４記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スルーホールの上方に層間接続構造を形成するためのランド部を備える多層配線基板、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、多層配線基板の内層において配線層間を導電接続するための構造として、メッキスルーホール、又は金属柱などで形成された各種のビア構造が知られている。また、多層配線基板のコア基板や一括積層用の基板としては、メッキスルーホールにより層間接続したものが多い。
【０００３】
一方、多層配線基板の実装密度を高めるため、及び電子部品の発熱を直下の放熱板に伝熱するためには、上記のような層間接続構造を基板に垂直に直列に配置し、複数の内層、　表層間を同一場所で縦に接続する構造（いわゆるスタックビア構造）を採用するのが好ましい。従って、メッキスルーホールに対して、その直上に各種ビアを形成するための技術が重要となる。
【０００４】
そして、従来は、下層側のスルホールに対し、その内部の空間を樹脂や金属ペーストで埋め、　表面を平坦に研磨した後、　その上に銅メッキを施してランド部を形成し、その上層側にビアを形成していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この方法によると、スルーホールの樹脂埋め、　樹脂の硬化、　表面研磨、　銅メッキ、　エッチングの各工程が必要となり、　多層配線基板の製造のコストアップとなっていた。
【０００６】
一方、近年メッキスルホールやインナービアを金属柱に置き換えた多層配線基板の製造方法が各種提案され、層間の電気導通や接続信頼性が著しく改善されている。例えばＷＯ００／５２９７７号公報には、柱状金属体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属を、下層の配線層の非パターン部を含めた全面に被覆して保護金属層を形成し、その保護金属層の全面に柱状金属体を構成する金属のメッキ層を形成した後、そのメッキ層の柱状金属体形成部分にマスク層を形成し、メッキ層のエッチングを行った後、保護金属層の浸食が可能なエッチングを行って、非パターン部を被覆する保護金属層を除去する多層配線基板の製造方法が開示されている。
【０００７】
しかし、この方法でも、メッキスルホールの直上に柱状金属体を形成する場合、上記と同様にして予めスルーホールに樹脂を充填して平坦化する製造方法が一般的に採用されていた。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、予めスルーホールに樹脂を充填して平坦化する工程を省略できるため、簡易な製造工程でコスト的に有利に製造でき、好ましくは層間の導電接続の信頼性と耐久性が高い多層配線基板、及びその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、下記の如き本発明により達成できる。
即ち、本発明の多層配線基板は、貫通孔を有する第１絶縁層と、その貫通孔の内面と開口の周辺部とに少なくとも形成された第１メッキ層と、前記周辺部から立設する柱状金属体と、その柱状金属体と導電接続され少なくとも前記貫通孔の開口の上方に形成された第２メッキ層と、その第２メッキ層と前記第１メッキ層との間に介在しつつ前記貫通孔の内部まで充填された第２絶縁層とを備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明の多層配線基板によると、第２絶縁層を形成する際に貫通孔が塞がれていないため、第２メッキ層と第１メッキ層との間に介在する第２絶縁層を形成する際に貫通孔の内部まで連続させることができる。そして、第２メッキ層が、少なくとも貫通孔の開口の上方に形成されており、第１メッキ層によるスルーホールと柱状金属体を介して導電接続されるため、当該スルーホールの上方に層間接続構造を形成するためのランド部を形成することができる。その結果、予めスルーホールに樹脂を充填して平坦化する工程を省略でき、簡易な製造工程でコスト的に有利に製造できる多層配線基板とすることができる。
【００１１】
上記において、前記柱状金属体は、前記開口の周辺部の全周にわたって又は全周の一部に形成されていることが好ましい。柱状金属体は周辺部の全周にわたって形成されることが導電性や熱伝導性の点でより好ましいが、全周の一部に形成されているものでも、その面積に応じた導電性や熱伝導性が得られるようになる。
【００１２】
また、前記柱状金属体は、エッチングにより形成された上部金属層と、その上部金属層のエッチング時に耐性を示す下部金属層とを有することが好ましい。このような構造の柱状金属体では、下部金属層によって第１メッキ層を保護した状態で、選択エッチングによって上部金属層を形成した後に、下部金属層を選択エッチングして柱状金属体を形成できる。このため、選択エッチングのマスク形状を変えることによって、上記のような形状の柱状金属体を容易に形成することができる。また、第１メッキ層による配線層と第２メッキ層による配線層とを層間接続する部分にもマスクを形成することにより、前記柱状金属体と層間接続構造とを同時に形成することができ、第１メッキ層を配線層として利用することができる。
【００１３】
一方、本発明の製造方法は、貫通孔を有する第１絶縁層を形成する工程と、少なくともその貫通孔の内面と開口の周辺部とに第１メッキ層を形成する工程と、前記周辺部から立設する柱状金属体を形成する工程と、前記第１メッキ層を被覆しつつ前記貫通孔の内部まで充填された第２絶縁層を形成する工程と、前記柱状金属体と導電接続された第２メッキ層を少なくとも前記貫通孔の開口の上方に形成する工程とを含むことを特徴とする。このような工程によって、予めスルーホールに樹脂を充填して平坦化する工程を省略しながら、スルーホールの上方に層間接続構造を形成するためのランド部を形成できるため、簡易な製造工程でコスト的に有利に当該層間接続構造を有する多層配線基板を製造することができる。
【００１４】
上記において、前記柱状金属体を形成する工程は、柱状金属体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属を、前記第１メッキ層の非パターン部を含めた略全面に被覆して保護金属層を形成し、その保護金属層の略全面に柱状金属体を構成する金属の上部メッキ層を形成した後、その上部メッキ層の柱状金属体の形成部分にマスク層を形成し、前記上部メッキ層のエッチングを行った後、保護金属層の浸食が可能なエッチングを行って、少なくとも非パターン部を被覆する保護金属層を除去するものであることが好ましい。このような工程によると、上部メッキ層と保護金属層とを順次選択エッチングして、柱状金属体を形成できるため、選択エッチングのマスク形状によって、上記のような形状の柱状金属体を容易に形成することができる。また、第１メッキ層による配線層と第２メッキ層による配線層とを層間接続する部分にもマスクを形成することにより、前記柱状金属体と層間接続構造とを同時に形成することができる。しかも配線層間の導電接続の信頼性と耐久性が高い多層配線基板を得ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図１〜図３は、本発明の多層配線基板の製造方法の一例を示す工程図である。
【００１６】
本発明の製造方法は、図１（１）に示すように、貫通孔１２を有する第１絶縁層１１を形成する工程を含む。第１絶縁層１１としては、樹脂、セラミックなど何れの材料でもよいが、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、反応硬化性樹脂、耐熱性樹脂を樹脂成分として使用するのが好ましい。また、当該樹脂成分をマトリックスとして補強相を有するのが好ましい。かかる補強相としてはガラス繊維、セラミック繊維、アラミド等の耐熱性繊維などが挙げられる。第１絶縁層１１の厚みは、通常１０〜１０００μｍ程度であり、３０〜８００μｍが好ましい。
【００１７】
貫通孔１２の形成方法は、ドリリング、パンチ、レーザーなどが挙げられる。貫通孔１２の横断面形状は、円形以外でもよいが、加工性の点等から円形が好ましい。貫通孔１２の内径は、通常、５０〜１０００μｍであり、後のメッキやエッチングを好適に行う上では５０〜５００μｍが好ましい。
【００１８】
本発明の製造方法は、図１（２）に示すように、少なくともその貫通孔１２の内面１２ａと開口の周辺部１１ａとに第１メッキ層１３を形成する工程を含む。第１メッキ層１３は、内面部１３ａ、周辺部１３ｂ、及びパターン部１３ｃを含む。その他、第１メッキ層１３は、スルーホールと接続されていないパターン部を有していてもよい。第１メッキ層１３の周辺部１３ｂの形状は、ドーナツ状が一般的であるが（いわゆるランド）、必ずしも全周にわたって形成する必要はない。
【００１９】
第１メッキ層１３を構成する金属としては、通常、銅、ニッケル、錫等が使用できるが、銅が好ましい。第１メッキ層１３の厚みは、５〜４０μｍが好ましい。
【００２０】
第１メッキ層１３を形成する方法としては、全面にメッキ層を形成した後にエッチングする方法、又はメッキレジストを用いてパターン状にメッキする方法などが挙げられる。一般的には、前者の方法では、パターン形状に応じたエッチングレジストが使用され、又後者の方法では、パターン形状に応じたメッキレジストが使用される。
【００２１】
何れの方法でも、メッキ方法としては、電解メッキ、無電解メッキ、両者の組合せが挙げられる。電解メッキを施す場合、無電解メッキ、蒸着、スパッタリングなどにより下地導電層を形成するのが一般的である。
【００２２】
無電解メッキを行う場合、メッキ液は、各種金属に対応して周知であり、各種のものが市販されている。一般的には、液組成として、金属イオン源、アルカリ源、還元剤、キレート剤、安定剤などを含有する。なお、無電解メッキに先立って、パラジウム等のメッキ触媒を沈着させてもよい。
【００２３】
電解メッキは、周知の方法で行うことができるが、一般的には、下地導電層を形成したものをメッキ浴内に浸漬しながら、下地導電層を陰極とし、メッキする金属の金属イオン補給源を陽極として、電気分解反応により陰極側に金属を析出させることにより行われる。
【００２４】
本発明の製造方法は、周辺部１３ｂから立設する柱状金属体１６を形成する工程を含む。この工程は、図１（３）〜図２（７）に示すように、柱状金属体１６を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属を、前記第１メッキ層１３の非パターン部を含めた略全面に被覆して保護金属層１４を形成し、その保護金属層１４の略全面に柱状金属体１６を構成する金属の上部メッキ層１５を形成した後、その上部メッキ層１５の柱状金属体１６の形成部分にマスク層１７を形成し、前記上部メッキ層１５のエッチングを行った後、保護金属層１４の浸食が可能なエッチングを行って、少なくとも非パターン部を被覆する保護金属層１４を除去するものであることが好ましい。以下、その場合について説明する。
【００２５】
まず、図１（３）に示すように、柱状金属体１６を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属を、前記第１メッキ層１３の非パターン部を含めた略全面に被覆して保護金属層１４を形成する。これによって、貫通孔１２の内周にも保護金属層１４の内周部１４ａが形成される。
【００２６】
保護金属層１４の形成方法は、無電解メッキや、無電解メッキと電解メッキの組合せ、その他、スパッタ、蒸着と電解メッキの組合せなど何れでもよいが、無電解メッキと電解メッキの組合せが好ましい。保護金属層１４の厚みは、０．５〜１０μｍが好ましく、１〜５μｍがより好ましい。
【００２７】
その場合、まず、第１メッキ層１３の非パターン部を含めた略全面に無電解メッキを行って下地導電層を形成する。無電解メッキには、通常、銅、ニッケル、錫等のメッキ液が使用されるが、これらの金属は、第１メッキ層１３を構成する金属と同一でも異なっていてもよい。無電解メッキのメッキ液は、各種金属に対応して周知であり、各種のものが市販されている。一般的には、液組成として、金属イオン源、アルカリ源、還元剤、キレート剤、安定剤などを含有する。なお、無電解メッキに先立って、パラジウム等のメッキ触媒を沈着させてもよい。
【００２８】
次に、第１メッキ層１３の非パターン部を含めた略全面を保護金属層１４で被覆すべく、下地導電層の全面に電解メッキを行って保護金属層１４を形成する。この保護金属層１４は、パターン部１４ｂと非パターン部１４ｃとを含む。
【００２９】
その際、保護金属層１４を構成する金属としては、柱状金属体１６を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属が使用される。具体的には、柱状金属体１６を構成する金属が銅である場合、保護金属層１４を構成する別の金属としては、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−金合金等が使用できる。
【００３０】
上記の電解メッキは、周知の方法で行うことができるが、一般的には、対象となる基板をメッキ浴内に浸漬しながら、下地導電層を陰極とし、メッキする金属の金属イオン補給源を陽極として、電気分解反応により陰極側に金属を析出させることにより行われる。
【００３１】
次に、図１（４）に示すように、その保護金属層１４の略全面に柱状金属体１６を構成する金属からなる上部メッキ層１５を形成する。これによって、貫通孔１２の内周にも上部メッキ層１５が形成されるが、貫通孔１２の内径が十分大きくない場合には、他の部分よりメッキ厚みが小さくなる。また、貫通孔１２の内径が第１絶縁層１１の厚みに対して小さい場合、上部メッキ層１５の開口１５ａが小径化又は閉塞する場合がある。
【００３２】
上部メッキ層１５の形成は、電解メッキにより行うのが好ましい。また、上部メッキ層１５の材質は、通常、銅、ニッケル、錫等が使用できるが、銅が好ましい。上部メッキ層１５の厚みは、１０〜２００μｍが好ましく、３０〜８０μｍがより好ましい。この厚みが得られる柱状金属体１６の高さに相当する。
【００３３】
次に、図２（５）に示すように、上部メッキ層１５の柱状金属体１６の形成部分にマスク層１７を形成する。マスク層１７の形状は、形成される柱状金属体１６の横断面形状に合わせて選択される。本実施形態では、ドーナツ形のマスク層１７により、柱状金属体１６が開口の周辺部１３ｂの全周にわたって形成されている例を示す。かかる構造によると、柱状金属体１６の横断面積が増加するため、その部分の伝熱性が高まるので、多層配線基板の裏側への放熱効果を向上させることができる。
【００３４】
ドーナツ形のマスク層１７を形成する場合、例えば第１メッキ層１３の周辺部１３ｂの幅より若干狭い幅で形成すればよい。マスク層１７の形成方法としては、各種の印刷法により成形する方法、フォトレジスト用のドライフィルムや感光性樹脂を露光・現像して成形する方法、転写により形成する方法、金属系レジストを用いた方法など何れでもよい。
【００３５】
次に、図２（６）に示すように、前記上部メッキ層１５のエッチングを行う。但し、上部メッキ層１５の開口１５ａが小径化又は閉塞する場合には、貫通孔１２の内部に上部メッキ層１５が残存する場合が生じる。しかし、これは短絡等の問題を引き起こさないため、特に問題とならない。
【００３６】
このような選択的なエッチングの方法としては、上部メッキ層１５及び保護金属層１４を構成する各金属の種類に応じた、各種エッチング液を用いたエッチング方法が挙げられる。例えば、上部メッキ層１５（即ち柱状金属体１６）が銅であり、保護金属層１４が前述の金属（金属系レジストを含む）の場合、市販のアルカリエッチング液、過硫酸アンモニウム、過酸化水素／硫酸等が使用できる。
【００３７】
次に、図２（７）に示すように、保護金属層１４の浸食が可能なエッチングを行って、少なくとも非パターン部を被覆する保護金属層１４を除去する。かかるエッチングの方法としては、上記のエッチング工程とは異なるエッチング液を用いたエッチング方法が挙げられる。具体的には、柱状金属体１６と第１メッキ層１３が銅であり、保護金属層１４が前記の金属である場合、はんだ剥離用として市販されている、硝酸系、硫酸系、シアン系などの酸系のエッチング液等を用いるのが好ましい。これにより、図２（７）に示すように、柱状金属体１６と第１メッキ層１３とに介在する保護金属層１４のみを残存させることができる。また、非パターン部には、下地導電層のみが残存する。この非パターン部に残存する下地導電層はソフトエッチングで除去することができる。ソフトエッチングの方法としては、下地導電層を構成する金属に対するエッチング液を、低濃度で使用したり、また緩やかなエッチングの処理条件で使用したりする方法等が挙げられる。
【００３８】
本発明では、必要に応じて、この段階でマスク層１７が除去される。マスク層１７の除去は、薬剤除去、剥離除去など、マスク層１７の種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクである場合、アルカリ等の薬品にて除去される。また、ドライフィルムレジストの場合、メチレンクロライドや水酸化ナトリウム等が用いられる。
【００３９】
本発明の製造方法は、図３（８）〜（９）に示すように、第１メッキ層１３を被覆しつつ貫通孔１２の内部まで充填された第２絶縁層１８を形成する工程を含む。
【００４０】
第２絶縁層１８の形成は、まず、図３（８）に示すように、絶縁材１８ａの塗布又は積層を行えばよい。積層は加熱真空ラミネータ等で両面から行うことが可能であるが、塗布する場合は、片面づつ行うのが好ましい。片面づつ行う場合、貫通孔１２の内部に、絶縁材１８ａが完全に充填されるようにするのが好ましい。
【００４１】
用いる絶縁材１８ａとしては、例えば絶縁性が良好で安価な液状ポリイミド樹脂等の反応硬化性樹脂や、それを半硬化したシートなどを用いることができる。これを各種方法で、柱状金属体１６の高さよりやや厚くなるように塗布又は積層した後、加熱又は光照射等により硬化させればよい。塗布又は積層の方法としては、ホットプレス及び各種コーターが用いられる。
【００４２】
次に、図３（９）に示すように、硬化した絶縁材１８ａを研削・研磨等することにより、柱状金属体１６の高さと略同じ厚さを有する第２絶縁層１８を形成する。研削の方法としては、ダイヤモンド製等の硬質刃を回転板の半径方向に複数配置した硬質回転刃を有する研削装置を使用する方法が挙げられ、当該硬質回転刃を回転させながら、固定支持された配線基板の上面に沿って移動させることによって、上面を平坦化することができる。また、研磨の方法としては、ベルトサンダ、バフ研磨等により軽く研磨する方法が挙げられる。
【００４３】
本発明の製造方法は、図３（１０）に示すように、前記柱状金属体１６と導電接続された第２メッキ層１９を少なくとも貫通孔１２の開口の上方に形成する工程を含む。第２メッキ層１９の形成方法などは、第１メッキ層１３と同様である。
【００４４】
一方、本発明の多層配線基板は、以上のような本発明の製造方法により好適に製造することができる。従って、本発明の多層配線基板は、図３（１０）に示すように、貫通孔１２を有する第１絶縁層１１と、その貫通孔１２の内面と開口の周辺部とに少なくとも形成された第１メッキ層１３と、前記周辺部から立設する柱状金属体１６と、その柱状金属体１６と導電接続され少なくとも前記貫通孔１２の開口の上方に形成された第２メッキ層１９と、その第２メッキ層１９と前記第１メッキ層１３との間に介在しつつ前記貫通孔１２の内部まで充填された第２絶縁層１８とを備える。この構造によると、第２メッキ層１９の貫通孔１２の開口の上方に形成されたランド部１９ａを利用して、いわゆるスタックビア構造となるビアポスト２０を形成することができる。
【００４５】
このビアポスト２０は、前記の柱状金属体１６と同様にして形成することができる。このビアポスト２０の好ましい構造は、柱状金属体１６と同様に、エッチングにより形成された上部金属層と、その上部金属層のエッチング時に耐性を示す下部金属層とを有する構造である。このビアポスト２０は、更に上層に配線層や絶縁層を形成することで、より多層に形成された多層配線基板とすることができる。
【００４６】
［他の実施形態］
以下、本発明の他の実施形態について説明する。
【００４７】
（１）前述の実施形態では、図２（６）に示すように、貫通孔１２の内部の上部メッキ層１５をエッチングで除去する例を示したが、本発明では、貫通孔１２の内部の上部メッキ層１５が残存するようにしてもよい。かかる構造によると、貫通孔１２の内部の金属の厚みが大きくなるため、その部分の伝熱性が高まるので、多層配線基板の裏側への放熱効果を向上させることができる。
【００４８】
上記の場合、まず、図４（１）に示すように、上部メッキ層１５の柱状金属体１６の形成部分を含む、開口のないマスク層１７を形成する。次に、図４（２）に示すように、上部メッキ層１５のエッチングを行い、更に、図４（３）に示すように、保護金属層１４の浸食が可能なエッチングを行って、少なくとも非パターン部を被覆する保護金属層１４を除去する。これにより、図４（３）に示すように、柱状金属体１６と第１メッキ層１３とに介在する保護金属層１４のみを残存させることができるが、柱状金属体１６は、貫通孔１２の内部の残存部１６ａと一体化した構造となる。この残存部１６ａは、通常、開口が貫通する状態となっている。
【００４９】
必要に応じて、マスク層１７を除去した後、図５（４）〜（５）に示すように、第１メッキ層１３を被覆しつつ貫通孔１２の内部まで充填された第２絶縁層１８を形成する。このとき、残存部１６ａの開口が小径となる場合、絶縁材１８ａの流動性を高めることにより、内部に好適に充填させることが可能である。更に、図５（６）に示すように、柱状金属体１６と導電接続された第２メッキ層１９を少なくとも貫通孔１２の開口の上方に形成すればよい。
【００５０】
（２）前述の実施形態では、ドーナツ形のマスク層により、柱状金属体が開口の周辺部の全周にわたって形成される例を示したが、ドーナツ形の代わりに四角形状の環状のマスク層にしてもよい。また、本発明では、図６（ａ）〜（ｃ）に示すように、貫通孔１２の周辺部の全周の一部にだけ柱状金属体１６が形成されていてもよい。
【００５１】
また、図６（ｂ）〜（ｃ）に示すように、第１メッキ層１３についても、貫通孔１２の周辺部の全周の一部だけ幅広く形成したり、周辺部１３ｂをパターン部１３ｃと同じ幅で形成して、その部分に柱状金属体１６を形成してもよい。
【００５２】
（３）前述の実施形態では、柱状金属体を第１絶縁層の両面に形成する例を示したが、本発明では、柱状金属体を片面のみに形成してもよい。その場合、柱状金属体をエッチングで形成するためのマスク層を片面のみに形成すればよい。
【００５３】
（４）前述の実施形態では、エッチングにより柱状金属体を形成する例を示したが、本発明では、メッキによって柱状金属体を形成してもよい。その場合、第１メッキ層を形成した後、下地導電層を全面に形成してからドライフィルムレジストをラミネートし、露光、現像により柱状金属体を形成する部分を開口し、次いで、その開口部分に電解メッキをして柱状金属体を形成した後、ドライフィルムレジストを除去する方法などが挙げられる。
【００５４】
（５）前述の実施形態では、貫通孔の周辺部から立設する柱状金属体を形成する際に、他の層間接続構造（いわゆるビア）については説明しなかったが、本発明では、柱状金属体を形成する際に、他の層間接続構造を形成してもよい。具体的には、第１メッキ層のパターン部やランド部と、第２メッキ層のパターン部やランド部とが層間接続体によって、導電接続される。層間接続体の構造を貫通孔の周辺部から立設する柱状金属体と同じにすることで、両者を同時に一括形成することができる。このため、第１メッキ層と第２メッキ層とを各々配線層として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層配線基板の製造方法の一例を示す工程図（１）〜（４）
【図２】本発明の多層配線基板の製造方法の一例を示す工程図（５）〜（７）
【図３】本発明の多層配線基板の製造方法の一例を示す工程図（８）〜（１０）
【図４】本発明の多層配線基板の製造方法の他の例を示す工程図（１）〜（３）
【図５】本発明の多層配線基板の製造方法の他の例を示す工程図（４）〜（６）
【図６】本発明の多層配線基板の他の例の要部を示す平面図
【符号の説明】
１１　　　　　第１絶縁層
１２　　　　　貫通孔
１３　　　　　第１メッキ層
１４　　　　　保護金属層
１５　　　　　上部メッキ層
１６　　　　　柱状金属体
１７　　　　　マスク層
１８　　　　　第２絶縁層
１９　　　　　第２メッキ層
【図１】
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【図２】
2004095768.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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