(57)【要約】【課題】高保磁力化と低ノイズ化とを同時に実現し、かつ、製造コストの低い磁気記録媒体の製造方法を提供すること。【解決手段】グラニュラー磁性層３の成膜を、少なくとも２つの異なる成膜速度で実行するようにし、成長初期層に相当する前段層を低速成膜する一方、この前段層上に後段層を高速成膜することとした。また、前段層および後段層の膜厚がグラニュラー磁性層３の膜厚に占める割合を、各々１５〜３５％および６５〜８５％となるように設定した。前段層を低速成膜すると、磁性膜形成の初期段階において結晶性の高い強磁性結晶粒が得られ、グラニュラー磁性層３全体の結晶性が高まり高い保磁力を示すようになる。また、磁性膜の結晶性の向上により膜中の非磁性金属の結晶粒界への偏析が促進されて磁性粒子相互間の磁気的相互作用が低下し、記録ビットの遷移領域に生じるジグザグ磁壁の形成が抑制されることにより低いノイズ特性が得られる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基体上にグラニュラー磁性層を備えている磁気記録媒体の製造方法であって、
前記磁性層の成膜は、少なくとも２つの異なる成膜速度で実行されることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記磁性層の成膜プロセスは、低速成膜の第１のステップと、当該第１のステップにつづく高速成膜の第２のステップとを備えていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記第１のステップで成膜される第１の層および前記第２のステップで成膜される第２の層の膜厚は、前記磁性層の膜厚に占める割合が各々１５〜３５％および６５〜８５％となるように実行されることを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記磁性層の成膜はスパッタリング法により実行され、
前記成膜速度の制御がスパッタ装置の成膜手段に印加されるパワーの制御により実行されることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記成膜手段に印加されるパワーは、前記第１のステップは０．３５ｋＷ以下、前記第２のステップは０．４ｋＷ以上、に設定されることを特徴とする請求項４に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気記録媒体の製造方法に関し、より詳細には、高保磁力化と低ノイズ化とを同時に実現し、かつ、製造コストの低い磁気記録媒体の提供を可能とする磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高い記録密度と低ノイズとが要求される磁気記録媒体に対しては、従来からさまざまな磁性層の組成や構造及び非磁性下地層の材料等が検討され提案されてきている。特に近年では、磁性結晶粒の周囲を酸化物や窒化物のような非磁性非金属物質で囲んだ構造をもつ磁性層である「グラニュラー磁性層」が多く提案されている（例えば、特許文献１および２参照）。
【０００３】
このようなグラニュラー磁性層では、非磁性非金属の粒界相が磁性粒子を相互に物理的（空間的）に分離するため磁性粒子間の磁気的な相互作用が低下し、記録ビットの遷移領域に生じるジグザグ磁壁の形成を抑制するため、低ノイズ特性が得られるものと考えられている。
【０００４】
従来用いられてきたＣｏＣｒ系の金属磁性膜では、高温で成膜することによりＣｒがＣｏ系磁性粒から析出して粒界に偏析して磁性粒子間の磁気的相互作用を低減させるが、グラニュラー磁性層の場合には、粒界相として非磁性非金属の物質を利用しているために従来のＣｏＣｒ系の金属磁性膜中のＣｒに比べて粒界偏析し易く、比較的容易に磁性粒の孤立化が促進できる。また、従来のＣｏＣｒ系金属磁性層において充分なＣｒ偏析を担保するためには成膜時の基板温度を２００℃以上に設定することが必要不可欠なのに対し、グラニュラー磁性層の場合には基板加熱なしで磁性層を成膜した場合においても非磁性非金属を含む物質を粒界に偏析させることが可能であるという利点もある。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−１５４１７号公報
【０００６】
【特許文献２】
特開２０００−２７６７２９号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、グラニュラー磁性層を備えた磁気記録媒体は、所望の磁気特性（特に高保磁力Ｈｃ）を実現するためには高価なＰｔを比較的多量にＣｏ合金に添加する必要が生じるという問題がある。具体的には、３２００Ｏｅ程度のＨｃを実現するためには１６ａｔ％もの多量のＰｔを必要としているのに対し、従来のＣｏＣｒ系金属磁性膜で同程度のＨｃを実現するためには、高々１２ａｔ％程度のＰｔ添加で足りる。
【０００８】
近年の磁気記録の高密度化に伴い、磁気記録媒体には３２００Ｏｅ以上の非常に高いＨｃが要求されてきている状況にあって、高Ｈｃ化のために高価なＰｔを多量に必要とするグラニュラー磁性層は、製造コストを上昇させてしまうという問題がある。
【０００９】
また、このような高記録密度化に伴って媒体ノイズのさらなる低減が求められており、グラニュラー磁性層の磁性結晶粒径や偏析構造等の微細構造を細密に制御する必要性も高まっている。
【００１０】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、高保磁力化と低ノイズ化とを同時に実現し、かつ、製造コストの低い磁気記録媒体を提供することが可能な磁気記録媒体の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、非磁性基体上にグラニュラー磁性層を備えている磁気記録媒体の製造方法であって、前記磁性層の成膜は、少なくとも２つの異なる成膜速度で実行されることを特徴とする。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記磁性層の成膜プロセスは、低速成膜の第１のステップと、当該第１のステップにつづく高速成膜の第２のステップとを備えていることを特徴とする。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１のステップで成膜される第１の層および前記第２のステップで成膜される第２の層の膜厚は、前記磁性層の膜厚に占める割合が各々１５〜３５％および６５〜８５％となるように実行されることを特徴とする。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３の何れかに記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記磁性層の成膜はスパッタリング法により実行され、前記成膜速度の制御がスパッタ装置の成膜手段に印加されるパワーの制御により実行されることを特徴とする。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記成膜手段に印加されるパワーは、前記第１のステップは０．３５ｋＷ以下、前記第２のステップは０．４ｋＷ以上、に設定されることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明は、（１）グラニュラー磁性膜を低い成膜速度で成膜すると、磁性膜形成の初期段階において結晶性の高い強磁性結晶粒が得られ、その結果、磁性膜全体の結晶性が高まり高い保磁力を示すようになる点、および、（２）このような磁性膜の結晶性の向上により膜中の非磁性金属の結晶粒界への偏析が促進されて磁性粒子相互間の磁気的相互作用が低下し、記録ビットの遷移領域に生じるジグザグ磁壁の形成が抑制されることにより低いノイズ特性が得られるようになる点、に着目し、グラニュラー磁性膜の成膜初期時の印加パワーを低くした条件で成膜条件を最適化することで、磁気記録媒体の高保磁力化、低ノイズ化および低コスト化を実現するものである。
【００１７】
以下に、図面を参照して本発明の磁気記録媒体の製造方法について説明する。
【００１８】
図１は、本発明の方法により製造される磁気記録媒体の断面略図である。この磁気記録媒体は、非磁性基体１上に、非磁性の下地層２とグラニュラー磁性層３と保護層４とが順次積層された構造を有しており、保護層４の上には液体潤滑剤層５が形成されている。なお、磁気記録媒体として求められる磁気特性に応じて、非磁性の下地層２あるいはグラニュラー磁性層３の結晶配向状態などの結晶構造制御を目的として、非磁性基体１と下地層２の間に非磁性のシード層を設けたり、下地層２とグラニュラー磁性層３の間に非磁性の中間層を設けるようにしてもよい。
【００１９】
グラニュラー磁性層３は、強磁性を有する結晶粒とそれを取り巻く非磁性粒界とからなり、かつ、その非磁性粒界は金属の酸化物または窒化物が存在して結晶粒相互間を空間的に分離している。このようなグラニュラー構造は、例えば、非磁性粒界を構成する酸化物を含有する強磁性金属をターゲットとしてスパッタリング成膜したり、酸素を含有するＡｒガス中で強磁性金属をターゲットとして反応性スパッタリング成膜することにより得ることが可能である。
【００２０】
強磁性を有する結晶粒の構成材料についての制限は特にないが、好ましくはＣｏＰｔ系合金が選択される。特に、媒体ノイズの低減の観点からは、ＣｏＰｔ合金にＣｒ，Ｎｉ，Ｔａなどの金属元素を添加することが好ましい。
【００２１】
一方、安定なグラニュラー構造を形成するための非磁性粒界の構成材料としては、Ｃｒ，Ｃｏ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｚｒなどの元素の酸化物が望ましい。なお、磁性層の膜厚は特に制限はなく、記録再生時に充分なヘッド再生出力を得るための膜厚であればよい。
【００２２】
本発明では、グラニュラー磁性層３を成膜するに際しては、成膜装置の成膜部に印加するパワー（すなわち、結晶成長速度（成膜速度）をコントロールする因子）を少なくとも２段で切り替えるようにし、成長初期には成膜速度を低く抑えて成長初期領域（前段層）で結晶性の高い強磁性結晶粒を得、この前段層の上に相対的に速い成膜速度で後段層を成膜する。
【００２３】
このようなグラニュラー磁性層３をスパッタリング成膜する際の成膜条件（成膜パワー）としては、成膜パワーを、前段パワーの０．３５ｋＷ以下から後段パワーの０．４ｋＷ以上へと変化させ、かつ、前段層膜厚をグラニュラー磁性層膜厚全体の１５％以上３５％以下、後段層膜厚を６５％以上８５％以下となるように設定することが好適である。
【００２４】
このような成膜速度の切り替えは所望の段数で設定可能であり、前段層および後段層の双方または何れかを更に複数の段数切替により成膜するようにしてもよい。また、その切替の程度も自由に設定可能であり、成膜パワーを連続的に変化させる（いわば成膜速度の無段変速）ようにしてもよい。なお、ここで用いられる「成膜パワー」なる用語は、上述のように文字どおり成膜装置に印加されるパワーを意味することの他、磁性層の成膜速度を制御可能な因子を広く意味するものであって、成膜に用いる手段や方法に応じて変更可能なものである。
【００２５】
非磁性基体１としては、通常の磁気記録媒体用基板として用いられる、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や強化ガラス、あるいは、結晶化ガラス等を用いることができるほか、後述する理由により必ずしも基板加熱を必要としないことから、ポリカーボネートやポリオレフィンなどのプラスチック樹脂を射出成形で作製した安価な基板をも用いることができる。
【００２６】
非磁性の下地層２は、グラニュラー磁性層３の結晶配向性や粒径あるいは粒界偏析構造等の微細構造を制御できるものであればどのような材料をも用いることが可能である。例えば、従来の磁気記録媒体で使用されているようなＣｒまたはＣｒを主体とする合金は下地層２の材料として好適であるほか、例えばＲｕ、Ｏｓ、Ｒｅなどの金属またはそれらの金属を主体とする合金を用いることとすると、グラニュラー磁性層３の磁気特性向上に大きな効果が得られる。下地層２の膜厚には特に制限はなく、グラニュラー磁性層３の構造制御効果と生産性やコストを考慮して決定される。
【００２７】
保護層４には、例えばスパッタリング法やＣＶＤ法により成膜されたカーボンを主体とする薄膜が用いられる。また、液体潤滑剤層５には、例えばパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を用いることができる。
【００２８】
このような図１に示した磁気記録媒体の製造にあたっては、従来の磁気記録媒体の製造工程で必須である基板加熱工程を省略しても、高Ｈｃ化と低媒体ノイズ化を図ることが可能となり、製造工程の簡略化に伴って製造コストの低減が可能となる。
【００２９】
以下に、実施例により本発明をより詳細に説明する。
（実施例１）
非磁性基体として、表面が平滑な化学強化ガラス基板を用い、これを精密洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ａｒガス圧３０ｍＴｏｒｒ下で、Ｒｕの下地層を膜厚３０ｎｍで形成する。この下地層の上に、ＳｉＯ２を１０ｍｏｌ％添加したＣｏ７６Ｃｒ１２Ｐｔ１２ターゲットを用いてＲＦスパッタ法によりＡｒガス圧１０ｍＴｏｒｒ下でグラニュラー磁性層を膜厚１０ｎｍ成膜後カーボンの保護層を１０ｎｍ積層してスパッタ装置から取り出し、さらに、液体潤滑剤を１．５ｎｍ塗布して図１に示す構成の磁気記録媒体を作製した。
【００３０】
上記のグラニュラー磁性層の成膜に際しては、成膜パワー０．１〜１．０ｋＷの範囲で０．１ｋＷ毎に変化させた各条件で１０種類の磁気記録媒体を作製した。なお、これらの成膜に先立つ基板加熱は行なっていない。
【００３１】
図２は、得られた磁気記録媒体の保磁力（Ｈｃ）および１０ｎｍの磁性層の成膜に要する時間の成膜パワー依存性を説明するための図である。ここで、Ｈｃは振動試料型磁気力計（以下、ＶＳＭという）を用いて測定したものであり、各試料からは残留磁束密度と膜厚との積（Ｂｒδ）が５０Ｇμｍ（Ｂｒδ＝５０Ｇμｍ）となるように設定した。
【００３２】
図２に示したように、成膜パワー０．３５ｋＷを境として、このパワー以下の領域で成膜した磁性層は良好な保磁力を示しており、Ｐｔ組成が１２ａｔ％の磁性層においても３２００Ｏｅ以上のＨｃが得られている。一方、成膜パワーの低下は成膜速度の低下を意味するものであり、成膜に要する時間がその分だけ長くなるために生産性は悪化することになる。生産性の観点からは、磁性層の成膜に要する時間は５．０ｓｅｃ以下とするのが好ましく、０．４ｋＷ以上の成膜パワーが必要となる。
【００３３】
図３は、得られた磁気記録媒体の信号雑音比（ＳＮＲ）および１０ｎｍの磁性層の成膜に要する時間の成膜パワー依存性を説明するための図である。ＳＮＲは、ＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  ＭａｇｎｅｔｏＲｅｓｉｓｔａｎｃｅ）ヘッドを用いてスピンスタンドテスターにより測定したものであり、試料として同等の再生出力が得られるものとした。
【００３４】
図３に示したように、成膜パワー０．３５ｋＷを境として、このパワー以下の領域で成膜した磁性層は良好なＳＮＲを示し０．２ｋＷで最大値を示す。保磁力の測定結果と同様に、低成膜パワー化は媒体特性を向上させるものの、成膜時間の増加を招き生産性を悪化させる。よって、媒体特性の向上と生産性の向上は相反する結果を示す。
【００３５】
上記と同様の検討をグラニュラー磁性層の膜厚を５ｎｍ、１５ｎｍおよび３０ｎｍと設定して実行した結果、磁性層の膜厚に拠らず上述したのと同様の成膜パワー依存性を示すことが分った。
【００３６】
（実施例２）
媒体特性の向上と生産性の向上の両立において重要な課題は、グラニュラー磁性層の形成初期段階の結晶性の向上（すなわち低速成膜）と、磁性層全体の成膜時間の短縮化（すなわち高速成膜）である。そこで、本発明においては、磁性層を上述の前段層と後段層とに分けて捉え、磁性層の成膜機能分離を狙うこととしている。このため、１回の成膜放電において成膜パワー及び成膜時間を任意に可変となるように、成膜装置の改造を実施した。
【００３７】
図４は、本実施例で用いられた成膜装置の成膜パワーと成膜時間の関係を説明するための図である。磁性層の膜厚を１０ｎｍとした場合を例にとると、成膜に要する時間は、従来の単一放電方式において成膜パワーが０．２ｋＷである場合は１０ｓｅｃであり、０．８ｋＷの場合は２．５ｓｅｃとなる。一方、本発明の可変成膜プロセスを用い、膜形成の前段を成膜パワー０．２ｋＷで膜厚５ｎｍの前段層を形成し、次いで膜形成の後段を成膜パワー０．８ｋＷで膜厚５ｎｍの後段層を形成して１０ｎｍの膜厚の磁性層を成膜する場合の成膜時間は６．２５ｓｅｃである。なお、後段の高速成膜の占める割合（すなわち、磁性層全体に占める後段層の割合）を増すことにより、成膜時間の短縮化が可能であることはいうまでもない。
【００３８】
以下に前段層と後段層の膜厚比を変化させて諸特性の検討を行った結果について説明する。
【００３９】
非磁性基体として、表面が平滑な化学強化ガラス基板を用い、これを精密洗浄後、本改造を施したスパッタ装置内に導入し、Ａｒガス圧３０ｍＴｏｒｒ下で、Ｒｕの下地層を膜厚３０ｎｍで形成する。この下地層の上に、ＳｉＯ２を１０ｍｏｌ％添加したＣｏ７６Ｃｒ１２Ｐｔ１２ターゲットを用いてＲＦスパッタ法によりＡｒガス圧１０ｍＴｏｒｒ下でグラニュラー磁性層を膜厚１０ｎｍ成膜後、カーボンの保護層を１０ｎｍ積層してスパッタ装置から取り出し、さらに、液体潤滑剤を１．５ｎｍ塗布して図１に示す構成の磁気記録媒体を作製した。
【００４０】
上記のグラニュラー磁性層の成膜に際しては、前段層の成膜パワーを０．２ｋＷ、後段層の成膜パワーを０．８ｋＷとし、前段層と後段層の膜厚の比が１０：１〜１：１０の範囲で変化させた各条件で１１種類の磁気記録媒体を作製した。なお、これらの成膜に先立つ基板加熱は行なっていない。
【００４１】
図５は、このようにして得られた磁気記録媒体の保磁力（Ｈｃ）および１０ｎｍの磁性層の成膜に要する時間の上記膜厚比依存性を説明するための図である。ここで、Ｈｃは振動試料型磁気力計（以下、ＶＳＭという）を用いて測定したものであり、各試料からは残留磁束密度と膜厚との積（Ｂｒδ）が５０Ｇμｍ（Ｂｒδ＝５０Ｇμｍ）となるように設定した。
【００４２】
図５に示すように、前段層の膜厚が１．５ｎｍ（膜厚比率１５％）で後段層の膜厚が８．５ｎｍ（膜厚比率８５％）の試料までは良好な保磁力を示しており、磁性層の成膜初期段階に低速成膜プロセスを実行することが良好な保磁力特性に繋がることが分る。
【００４３】
一方、生産性の観点からは磁性層全体の成膜時間を５ｓｅｃ以下とすることが好ましく、このことは、前段層の膜厚比率を３５％以下（すなわち後段層の膜厚比率６５％以上）とすることが好ましいことを意味している。
【００４４】
図６は、上記各試料の信号雑音比（ＳＮＲ）および１０ｎｍの磁性層の成膜に要する時間の膜厚比依存性を説明するための図である。ＳＮＲは、ＧＭＲヘッドを用いてスピンスタンドテスターにより測定したものであり、各試料で同等の再生出力が得られるものとした。
【００４５】
この図に示したように、前段層の膜厚が１．５ｎｍ（膜厚比率１５％）で後段層の膜厚が８．５ｎｍ（膜厚比率８５％）の試料までは良好なＳＮＲ特性を示しており、磁性層の成膜初期段階に低速成膜プロセスを実行することにより良好なＳＮＲ特性が得られることが分る。一方、生産性の観点からは磁性層全体の成膜時間を５ｓｅｃ以下とすることが好ましく、このことは、前段層の膜厚比率を３５％以下（すなわち後段層の膜厚比率６５％以上）とすることが好ましい。
【００４６】
また、上記と同様の検討をグラニュラー磁性層の膜厚を５ｎｍ、１５ｎｍおよび３０ｎｍと設定して実行した結果、磁性層の膜厚に拠らず上述したのと同様の膜厚比依存性を示すことが分った。
【００４７】
このように、前段層の膜厚比率を１５〜３５％、後段層の膜厚比率を６５〜８５％と設定することにより、高いＳＮＲ特性と生産性とが担保されることがわかる。
【００４８】
（実施例３）
非磁性基体として、表面が平滑な化学強化ガラス基板を用い、これを精密洗浄後、本改造を施したスパッタ装置内に導入し、Ａｒガス圧３０ｍＴｏｒｒ下で、Ｒｕの下地層を膜厚３０ｎｍで形成した。この下地層の上に、ＳｉＯ２を１０ｍｏｌ％添加したＣｏ７６Ｃｒ１２Ｐｔ１２ターゲットを用いてＲＦスパッタ法によりＡｒガス圧１０ｍＴｏｒｒ下でグラニュラー磁性層を膜厚１０ｎｍ成膜後、カーボンの保護層を１０ｎｍ積層してスパッタ装置から取り出し、さらに、液体潤滑剤を１．５ｎｍ塗布して図１に示す構成の磁気記録媒体を作製した。
【００４９】
上記のグラニュラー磁性層の成膜に際しては、前段層の成膜パワーと後段層の成膜パワーを、各々０．１〜１．０ｋＷの範囲で変化させた各条件で磁気記録媒体を作製した。また、その際の前段層と後段層の膜厚比は、実施例２の結果を踏まえ、前段層２０％、後段層８０％とした。なお、これらの成膜に先立つ基板加熱は行なっていない。
【００５０】
表１は、前段層および後段層の各成膜パワーと媒体特性および生産性との関係を纏めたものであり、この表において、○印は媒体特性および生産性が良好と判断されたことを意味しており、×印はこれらが不可と判断されたことを意味している。具体的な良否判定は、Ｈｃ≧３２００ＯｅかつＳＮＲ≧２６ｄＢかつ成膜時間≦５ｓｅｃの条件を満足したものを良（図中：○）とし、それ以外のものを否（図中：×）としている。
【００５１】
【表１】
2004288328.tif 000003
【００５２】
なお、ＨｃはＶＳＭを用いて測定したものであり、各試料からは残留磁束密度と膜厚との積（Ｂｒδ）が５０Ｇμｍ（Ｂｒδ＝５０Ｇμｍ）となるように設定した。また、ＳＮＲは、ＧＭＲヘッドを用いてスピンスタンドテスターにより測定したものであり、各試料で同等の再生出力が得られるものとした。
【００５３】
表１から分るように、良好な結果が得られるのは、前段層の成膜パワーが０．３５ｋＷ以下で、後段層の成膜パワーが０．４ｋＷ以上の条件においてである。
【００５４】
また、上記と同様の検討をグラニュラー磁性層の膜厚を５ｎｍ、１５ｎｍおよび３０ｎｍと設定して実行した結果、磁性層の膜厚に拠らず上述したのと同様の結果を示すことが分った。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明においては、グラニュラー磁性層の成膜を、少なくとも２つの異なる成膜速度で実行するようにし、成長初期層に相当する前段層を低速成膜する一方、この前段層上に後段層を高速成膜することとした。そして、前段層および後段層の膜厚がグラニュラー磁性層の膜厚に占める割合を、各々、１５〜３５％および６５〜８５％となるように設定した。このように、前段層を低い成膜速度で成膜すると、磁性膜形成の初期段階において結晶性の高い強磁性結晶粒が得られ、その結果、グラニュラー磁性膜全体の結晶性が高まり高い保磁力を示すようになる。また、このような磁性膜の結晶性の向上により膜中の非磁性金属の結晶粒界への偏析が促進されて磁性粒子相互間の磁気的相互作用が低下し、記録ビットの遷移領域に生じるジグザグ磁壁の形成が抑制されることにより低いノイズ特性が得られるようになる。
【００５６】
したがって、本発明によれば、高保磁力化と低ノイズ化とを同時に実現し、かつ、製造コストの低い磁気記録媒体の製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の方法により製造される磁気記録媒体の断面略図である。
【図２】磁気記録媒体の保磁力（Ｈｃ）および１０ｎｍの磁性層の成膜に要する時間の成膜パワー依存性を説明するための図である。
【図３】磁気記録媒体の信号雑音比（ＳＮＲ）および１０ｎｍの磁性層の成膜に要する時間の成膜パワー依存性を説明するための図である。
【図４】実施例２で用いられた成膜装置の成膜パワーと成膜時間の関係を説明するための図である。
【図５】磁気記録媒体の保磁力（Ｈｃ）および１０ｎｍの磁性層の成膜に要する時間の前段層と後段層の膜厚比依存性を説明するための図である。
【図６】磁気記録媒体の信号雑音比（ＳＮＲ）および１０ｎｍの磁性層の成膜に要する時間の膜厚比依存性を説明するための図である。
【符号の説明】
１  非磁性基体
２  下地層
３  グラニュラー磁性層
４  保護層
５  液体潤滑剤層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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