(57)【要約】【課題】溝の幅ｖｓ深さのアスペクト比を抑制することを可能にするとともに、溝に軟磁性膜を埋め込むことを容易にし、マスタディスクによる磁気転写性の安定化を図ること。【解決手段】溝の幅がサーボパターンのセクター方向の幅と同一で、深さが異なる溝を少なくとも２種類以上設ける。サーボパターン幅ａと溝の幅ｃとがセクター方向において同一（ａ＝ｃ）であり、溝の深さｃ１は、サーボパターン幅ａに比例している。マスタディスクの基板に、磁性体を埋め込む溝の深さを、少なくとも２種類以上設けたので、軟磁性膜を埋め込む溝の深さを、サーボパターンの幅が狭い領域では浅く、広い領域では深くするようにでき、溝の幅ｖｓ深さのアスペクト比を抑制することが可能となり、マスタディスクによる磁気転写性の安定化を図れる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体に、磁気転写により磁気パターンを形成するためのマスタディスクにおいて、該マスタディスクの基板に、磁性体を埋め込む溝の深さを、少なくとも２種類以上設けたことを特徴とする磁気転写用マスタディスク。
【請求項２】
前記磁性体を埋め込む溝の深さが、サーボパターンのセクター方向のパターン幅に比例していることを特徴とする請求項１に記載の磁気転写用マスタディスク。
【請求項３】
前記磁性体を埋め込む溝の深さを、サーボパターンのパターン幅が狭い領域では浅く、広い領域では深くしたことを特徴とする請求項２に記載の磁気転写用マスタディスク。
【請求項４】
前記磁性体を埋め込む溝の深さが段階的であることを特徴とする請求項２又は３に記載の磁気転写用マスタディスク。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれかに記載の磁性体を埋め込む溝が、フォトリソグラフィの繰返しで形成することを特徴とする磁気転写用マスタディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気転写用マスタディスク及びその製造方法に関し、より詳細には、現在コンピュータの外部記録装置として主流となっている磁性膜を記録材料として用いるハードディスクドライブ（以下、ＨＤＤという）において、磁気記録ディスク表面に書き込まれているデータの書き込み／読み出しを行うヘッドの位置決め用サーボ信号または特定のデータを磁気的な転写技術を用いて書き込むようにした磁気転写用マスタディスク及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
上述したＨＤＤでは、回転している磁気記録媒体の表面上を、磁気ヘッドがスライダーと呼ばれる浮上機構によってディスク表面上で数十ｎｍの距離を保って浮上しながらデータの記録・再生が行われている。磁気記録媒体上のビット情報は、磁気記録媒体に同心円上に配置されたデータトラックに格納されており、データ記録／再生用ヘッドは、磁気記録媒体面上の目的のデータトラックに高速で移動・位置決めされることによってデータの記録・再生を行っている。
【０００３】
磁気記録媒体面上には、ヘッドとデータトラックとの相対位置を検出するための位置決め信号（サーボ信号）が同心円上に書き込まれており、データの記録再生を行っているヘッドが一定時間間隔で自分の位置を検出している。このサーボ信号の書き込み信号の中心が、磁気記録媒体の中心（あるいはヘッドの軌道の中心）から偏心しないよう、ＨＤＤ装置に磁気記録媒体を組み込んだ後、サーボライターと呼ばれる専用の装置を用いて書き込まれる。
【０００４】
現在、開発段落で記録密度が１００Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ２に達するとともに、年率６０％で記録容量が増加している。これに伴って、ヘッドが自分の位置を検出するためのサーボ信号の密度も上昇しており、サーボ信号の書込み時間も年々増加する傾向にある。このサーボ信号の書込み時間の増加は、ＨＤＤの生産性低下やコスト増加をもたらす一つの大きな要因になっている。
【０００５】
最近になって上述したサーボライターの信号書込みヘッドを用いてサーボ信号を書き込む方式に対して、磁気的な転写によってサーボ信号を一括して書き込み、飛躍的にサーボ情報の書き込み時間を短縮しようとする技術開発が行われている。
【０００６】
また、図３（ａ）〜（ｃ）及び図４（ａ），（ｂ）は、磁気転写技術を説明するための図で、図３（ａ）〜（ｃ）は、磁気記録媒体における磁気転写の工程を説明するための図で、図４（ａ），（ｂ）は、磁気記録媒体における磁気転写の原理を説明するための図である。
【０００７】
図４（ａ）は、磁気記録媒体の表面上に永久磁石が一定間隔（１ｍｍ以下）を保ちながら移動する様子を基板の断面方向から表した図である。磁気記録媒体４０を構成する基板４１上に成膜された磁性膜４２は、当初一定方向に磁化された状態にはないが、永久磁石４３のギャップから漏れた磁界によって一定方向に磁化される（図中の磁性膜に記された矢印は磁化の方向を表す）。この工程は初期消磁工程と呼ばれる。
【０００８】
この図４（ａ）に示す初期消磁工程は、図３（ａ）に示す初期消磁工程に対応しており、この図３（ａ）における矢印は、図４（ａ）における永久磁石４３の移動路を表したもので、磁性層４２は円周方向に一様に磁化される。図３（ｂ）は、磁気転写用マスタディスク（以下、マスタディスクという）を磁気記録媒体の上に配置し、位置合わせを行っている状態を表している図である。図３（ｃ）は、マスタディスクを磁気記録媒体の表面に密着させ、磁気転写用の永久磁石を図中の移動路（矢印で図示）に沿って移動させることによって磁気転写を行う様子を表している図である。
【０００９】
また、図４（ｂ）は、転写パターン書き込み工程を示す図で、図３（ｃ）に対応している。マスタディスクは、シリコン基板４５の磁気記録媒体４０の表面に接する面側に、図示したように軟磁性膜（Ｃｏ系軟磁性膜）４４が埋め込まれた構造をしている。
【００１０】
図４（ｂ）に示すように、永久磁石４３と磁気記録媒体４０の間に軟磁性膜のパターンを埋め込んだ基板を介すると、永久磁石４３から漏れてシリコン基板４５に浸透した磁界（転写信号書込みの磁界の向きは消磁磁界と反対方向）は、軟磁性膜４４の無い位置では、再びシリコン基板４５を透過して磁性層４２を磁化することが出来るが、軟磁性パターンがある部分では、磁気抵抗の小さい磁気経路となるように軟磁性膜４４を通過する。このため、軟磁性層４４のある位置では、シリコン基板４５から漏れ出す磁界が小さくなり、新たに磁化の書き込みは行われない。以上のような機構でサーボ信号の磁気転写が行われる。
【００１１】
図５（ａ）〜（ｅ）は、マスタディスクの製造工程を説明するための図で、図５（ａ）はレジストの塗布工程、図５（ｂ）は磁気パターンのパターニング工程、図５（ｃ）はシリコン基板のエッチング工程、図５（ｄ）は軟磁性体のスパッタリング工程、図５（ｅ）はリフトオフ工程を各々示す図である。以下に各工程について具体的に説明する。
【００１２】
第１工程：シリコン基板（板厚〜５００μｍ）５１の表面にレジスト（厚さ１．２μｍ）５２を、スピンコータを用いて塗布した後（図５（ａ））、レジスト５２に対して、通常のシリコン半導体の製造方法と同様の光リソグラフィ法を用いてパターニングを行う（図５（ｂ））。なお、レジスト５２は第２工程のエッチングのマスクとして使用し、ノボラック系の材料であるので、エッチングに対してはさほど強固ではないので、エッチングによっても消滅しないように厚みを持たせることが重要である。
【００１３】
第２工程：反応性プラズマエッチング法（反応ガス：三塩化メタン）を用いてシリコン基板５１を５００ｎｍドライエッチングする（図５（ｃ））。
第３工程：スパッタリング法を用いて、レジスト５２を残した状態で、Ｃｏの軟磁性膜５３を５００ｎｍ厚で成膜を行う（図５（ｄ））。
【００１４】
第４工程：Ｃｏ軟磁性膜５３の成膜後にレジスト５２を溶かす溶剤中にシリコン基板５１を（超音波等も必要に応じて使用しながら）浸漬し、Ｃｏ軟磁性膜５３とシリコン基板５１との間のレジスト５２を溶解し取り除く（図５（ｅ））。
【００１５】
なお、本発明に係る従来技術を記載した公報としては、以下のものがある。
特許文献１に記載のものは、磁気記録媒体全面に亘って均一に安定して高密度の情報信号を記録できるマスター情報担体及びその製造方法に関するもので、基体と磁化パターンに対応する配列パターンを形成するように基体上に配置された強磁性薄膜とを備え、強磁性薄膜の表面が略平坦になっているものである。また、特許文献２に記載のものは、磁気記録媒体に記録するための情報信号配列に対応する形状パターンが非磁性基体の表面に堆積された強磁性薄膜の配列により備えられたマスター情報担体及びこれを用いた磁気記録方法に関するものである。
【００１６】
【特許文献１】
特開２００１−３４９３８号公報
【００１７】
【特許文献２】
国際公開第００／２６９０４号パンフレット
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
図６（ａ），（ｂ）は、サーボパターンの形状を示す図で、図６（ａ）はサーボパターンの一部を示し、図中、閉曲線（図では拡大されているため直線に見えるが実際は曲線である）で囲まれた領域は軟磁性膜が形成された部位を示している。図６（ｂ）はコンテンツのパターンを示し、図中、閉曲線（図では拡大されているため直線に見えるが実際は曲線である）で囲まれた領域は軟磁性膜が形成された部位を示している。
【００１９】
パターンの線幅は、１ライン〜数ラインと拡がりを有しており、このサーボパターンを磁気転写するには、マスタディスクにも同じパターンを軟磁性膜のパターンとして形成しなければならない。この軟磁性膜の厚みは非常に重要であり、膜厚が薄いと転写磁界の印加時に磁気飽和を生じ、軟磁性膜に面した磁気記録媒体へ磁束が漏洩してしまい、最悪の場合には、磁化反転させてしまい、データが“０”であるべき領域が、“１”になってしまうという問題が生じる。
【００２０】
図７（ａ），（ｂ）及び図８（ａ），（ｂ）は、磁気層周辺の転写時の磁界分布を示す図で、図７（ａ）は記録媒体表面の磁界強度（Ｐ＝１．４、Ｗ＝０．７μｍ）の場合、図７（ｂ）は記録媒体表面の磁界強度（Ｐ＝０．４、Ｗ＝０．２μｍ）の場合、図８（ａ）は記録媒体表面の磁界強度（Ｐ＝０．７、Ｗ＝０．３５μｍ）の場合、図８（ｂ）は記録媒体表面の磁界強度（Ｐ＝０．２、Ｗ＝０．１μｍ）の場合を各々示している。
【００２１】
つまり、図７（ａ），（ｂ）及び図８（ａ），（ｂ）は、転写磁界を一定とし、軟磁性膜の幅（パターン幅）、膜厚を変化させて、磁気記録媒体での磁性層での磁界分布を示した図であり、転写時には、磁化反転させる領域では４ｋＯｅ以上、磁化反転させない領域では２ｋＯｅ以下の磁界強度で無ければならない。この条件を満足させるための軟磁性層の厚みは、下記のようになる。
パターン幅：０．７μｍ    →  軟磁性膜の厚み：０．２０μｍ以上
パターン幅：０．３５μｍ  →  軟磁性膜の厚み：０．２０μｍ以上
パターン幅：０．２μｍ    →  軟磁性膜の厚み：０．０７５μｍ以上
パターン幅：０．１μｍ    →  軟磁性膜の厚み：０．０５０μｍ以上
【００２２】
サーボパターンのパターン幅が０．１〜０．７μｍの時には、全ての領域で磁気飽和をさせないようにするには、軟磁性膜の厚みは、０．２０μｍ以上必要となるが、実際にはフォトプロセスおよび軟磁性膜の成膜における面内分布を考慮しなければならないので、軟磁性膜の厚みは、０．３０μｍ以上必要となる。フォトプロセスの工程でエッチングされた溝にＣｏ軟磁性膜を埋め込んだ断面形状を図９（ａ）〜（ｇ）に示し、溝幅と溝部での膜厚との関係を図１０に示す。
【００２３】
図９において、図９（ａ）は０．５μｍ幅部、図９（ｂ）は１．０μｍ幅部、図９（ｃ）は１．５μｍ幅部、図９（ｄ）は２．０μｍ幅部、図９（ｅ）は２．５μｍ幅部、図９（ｆ）は３．０μｍ幅部、図９（ｇ）は３．５μｍ幅部を各々示した図である。なお、図中符号９１はＳｉ基板、９２はレジスト、９３は軟磁性膜を示している。
【００２４】
これら図９及び図１０から、溝幅が狭くなれば、溝に堆積する膜厚分布が顕著になることが分かり、図１０では１μｍ以下の溝幅では無視出来なくなり、パターン幅が狭いほど、深い溝に軟磁性膜を埋め込むことが困難となる問題がある。このため、溝幅が１μｍ以下でも、容易に磁気転写が可能なマスタディスクの製造方法が待ち望まれている。
【００２５】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、溝の幅ｖｓ深さのアスペクト比を抑制することを可能にするとともに、溝に軟磁性膜を埋め込むことを容易にし、マスタディスクによる磁気転写性の安定化を図るようにした磁気転写用マスタディスク及びその製造方法を提供することにある。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、磁気記録媒体に、磁気転写により磁気パターンを形成するためのマスタディスクにおいて、該マスタディスクの基板に、磁性体を埋め込む溝の深さを、少なくとも２種類以上設けたことを特徴とする。
【００２７】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記磁性体を埋め込む溝の深さが、サーボパターンのセクター方向のパターン幅に比例していることを特徴とする。
【００２８】
また、請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記磁性体を埋め込む溝の深さを、サーボパターンのパターン幅が狭い領域では浅く、広い領域では深くしたことを特徴とする。
【００２９】
また、請求項４に記載の発明は、請求項２又は３に記載の発明において、前記磁性体を埋め込む溝の深さが段階的であることを特徴とする。
【００３０】
また、請求項５に記載の発明は、マスタディスクの製造方法であって、請求項１乃至４いずれかに記載の磁性体を埋め込む溝が、フォトリソグラフィの繰返しで形成することを特徴とする。
【００３１】
上述の課題に対して、マスタディスクのＳｉ基板に軟磁性層を埋め込む溝深さを、軟磁性膜のセクター方向のパターン幅に応じて変化させる手段を講ずることにより、成膜時の問題を解消することが可能となる。この溝の深さはパターン幅に応じてアナログ的に変化する必要はなく、段階的でも良い。図７（ａ），（ｂ）及び図８（ａ），（ｂ）を例にして溝の深さの分類を決めると、パターン幅：０．１〜０．２μｍの溝深さを０．０７５μｍ以上、パターン幅：０．３５〜０．７μｍの溝深さを０．２μｍ以上と、２種類にすればよい。深さの異なる溝を作成するには、図５に示した第１工程と、第２工程を繰返し行えばよいが、第２工程から第１工程に戻る際にはレジストのリフトオフが必要である。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する。
図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明におけるサーボパターン形状と、軟磁性膜を埋め込む溝の形状とを示す図で、図１（ａ），（ｂ）はサーボパターン形状を示し、図１（ｃ），（ｄ）は埋め込み溝形状を示す図である。図１（ａ）と図１（ｃ）が対応しており、図１（ｂ）と図１（ｄ）が対応している。なお、図中符号１１はＳｉ基板、１２は軟磁性膜を示している。
【００３３】
本発明の特徴は、溝の幅がサーボパターンのセクター方向の幅と同一で、深さが変化していることである。つまり、図１（ａ）におけるサーボパターン幅ａと図１（ｃ）における溝の幅ｃとがセクター方向において同一（ａ＝ｃ）であり、図１（ｃ）における溝の深さｃ１は、図１（ａ）におけるサーボパターン幅ａに比例している。一方、図１（ｂ）におけるサーボパターン幅ｂと図１（ｄ）における溝の幅ｄとがセクター方向において同一（ｂ＝ｄ）であり、図１（ｄ）における溝の深さｄ１は、図１（ａ）におけるサーボパターン幅ｂに比例している。
【００３４】
この深さは、転写磁界によって軟磁性膜が磁気飽和をしないような厚みにする必要がある。図７及び図８に示した磁場解析を用いた磁気記録媒体表面での磁界強度の解析結果によると、下記のような厚みが必要となる。
パターン幅：０．３５〜０．７μｍ  →  軟磁性膜の厚み：０．２０μｍ
パターン幅：０．１〜０．２μｍ    →  軟磁性膜の厚み：０．０７５μｍ
【００３５】
図７及び図８での磁場解析は、パターン幅を０．１〜０．７μｍの範囲でしか取り扱っていないので、軟磁性膜の厚みは２種類であるが、例えば、サーボパターンに含まれるサーボトラックアドレスは、１８ビットで表現されているので、パターン幅は１．８μｍとなり、軟磁性膜の厚みの種類はさらに多くする必要がある。
【００３６】
図２（ａ）〜（ｋ）は、本発明に係るマスタディスクの製造方法を説明するための工程図で、図２（ａ）はＳｉ基板の準備工程、図２（ｂ）はレジストの塗布工程、図２（ｃ）は線幅の狭い磁気パターンのパターンニング工程、図２（ｄ）はＳｉのエッチング工程、図２（ｅ）はレジストの除去工程、図２（ｆ）はレジストの塗布工程、図２（ｇ）は線幅の広い磁気パターンのパターンニング工程、図２（ｈ）はＳｉのエッチング工程、図２（ｉ）はレジストの除去工程、図２（ｊ）は軟磁性膜の成膜工程、図２（ｋ）はＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）での研磨工程を各々示した図である。
【００３７】
予め、軟磁性の膜厚の種類（溝の深さの種類）に相当する複数のフォトマスクが必要となる。すなわち、本実施例の場合には、軟磁性膜の厚み：０．０７５μｍの領域のみのフォトマスク、軟磁性膜の厚み：０．２０μｍの領域のみのフォトマスクの２種類となり、以下に順を追ってプロセスについて説明する。
【００３８】
第１工程：シリコン（Ｓｉ）基板（板厚〜５００μｍ）２１を用意する（図１（ａ））。
第２工程：レジスト２２を塗布する（図１（ｂ））。
第３工程：軟磁性膜の厚み：０．０７５μｍの領域のみのフォトマスクを用いてパターニングする（図１（ｃ））。
なお、図示しない現像工程で、光が照射された部分のレジストが抜けて、フォトマスクのパターンがレジストに転写される。
第４工程：反応性プラズマエッチング法（反応ガス：三塩化メタン）を用いてシリコン基板２１を７５ｎｍの深さまでドライエッチングを行い、溝加工を施す（図１（ｄ））。
第５工程：レジスト２２をレジスト剥離剤で除去し、Ｓｉ基板２１面を剥き出しにする（図１（ｅ））。
第６工程：再び、レジストを塗布する（図１（ｆ））。
【００３９】
第７工程：軟磁性膜の厚み：０．２μｍの領域のみのフォトマスクを用いてパターニングする（図１（ｇ））。
なお、図示しない現像工程で、光が照射された部分のレジストが抜けて、フォトマスクのパターンがレジストに転写される。
【００４０】
第８工程：反応性プラズマエッチング法（反応ガス：三塩化メタン）を用いてＳｉ基板２１を２００ｎｍの深さまでドライエッチングを行い、溝加工を施す（図１（ｈ））。
第９工程：レジスト２２をレジスト剥離剤で除去し、Ｓｉ基板２１面を剥き出しにする（図１（ｉ））。
【００４１】
第１０工程：軟磁性膜２３をスパッタ装置などで、Ｓｉ基板２１上に成膜する。この際、軟磁性膜の厚みは、Ｓｉ基板２１の表面を十分超過する厚みとする（図１（ｊ））。
第１１工程：Ｓｉ基板２１の表面以上に堆積した軟磁性膜２３をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により研磨して除去する（図１（ｋ））。
【００４２】
上述した第９工程においては、事前にＣＭＰによるＳｉの研磨レートとＣｏ等の磁性膜の研磨レートを把握し、Ｓｉ上に堆積している軟磁性膜の厚みが判れば、ＣＭＰによる研磨時間を見積もることが可能となるが、実際には、見積もった研磨時間に若干の余裕を持たせて研磨を行う。研磨の初期は、Ｓｉ上に堆積している軟磁性膜が削れるが、Ｓｉに到達すると、研磨の速度が遅くなり、僅かしか削れなくなる。
【００４３】
なお、本発明では、フォトレジストをエッチングマスクとして使用したが、ＳｉＯ２膜をエッチングマスクとしても良いが、以下に示すような複雑なプロセスが必要となり、第１工程〜第４工程および第５工程〜第８工程が各々、以下に示す工程に置き換わる。このＳｉＯ２膜のマスクを用いる特徴として、第１１工程の際にＣｏとＳｉＯ２膜の研磨選択レートが大きくなり、ＳｉＯ２膜が削れにくいため、軟磁性層を埋め込む溝の深さは正確に維持される利点がある。
【００４４】
第１工程及び第５工程：Ｓｉ基板を熱酸化処理して、Ｓｉ表面にＳｉＯ２膜を生成する。
第２工程及び第６工程：ＳｉＯ２膜面上にレジストを塗布する。
第３工程及び第７工程：レジストをパターニングして現像する。
【００４５】
第４’工程及び第８’工程：レジストのマスクを用いて、ＳｉＯ２膜をエッチングする。
第４’’工程及び第８’’程：レジストの灰化を行う。
第４’’’工程及び第８’’’工程：ＳｉＯ２膜のマスクを用いて、Ｓｉのエッチングを行う。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、磁気記録媒体に、磁気転写により磁気パターンを形成するためのマスタディスクにおいて、マスタディスクの基板に、磁性体を埋め込む溝の深さを、少なくとも２種類以上設けたので、軟磁性膜を埋め込む溝の深さを、サーボパターンの幅が狭い領域では浅く、広い領域では深くするようにでき、溝の幅ｖｓ深さのアスペクト比を抑制することが可能となり、溝に軟磁性膜を埋め込むことが容易となり、マスタディスクによる磁気転写性の安定化を図ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明におけるサーボパターン形状と、軟磁性膜を埋め込む溝の形状とを示す図で、（ａ），（ｂ）はサーボパターン形状を示し、（ｃ），（ｄ）は埋め込み溝形状を示す図である。
【図２】本発明に係るマスタディスクの製造工程を説明するための図で、（ａ）はＳｉ基板の準備工程、（ｂ）はレジストの塗布工程、（ｃ）は線幅の細い磁気パターンのパターンニング工程、（ｄ）はＳｉのエッチング工程、（ｅ）はレジストの除去工程、（ｆ）はレジストの塗布工程、（ｇ）は線幅の広い磁気パターンのパターンニング工程、（ｈ）はＳｉのエッチング工程、（ｉ）はレジストの除去工程、（ｊ）は軟磁性膜の成膜工程、（ｋ）はＣＭＰでの研磨工程を各々示した図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、磁気記録媒体における磁気転写の工程を説明するための図である。
【図４】（ａ），（ｂ）は、磁気記録媒体における磁気転写の原理を説明するための図である。
【図５】マスタディスクの製造工程を説明するための図で、（ａ）はレジストの塗布工程、（ｂ）は磁気パターンのパターニング工程、（ｃ）はシリコン基板のエッチング工程、（ｄ）は軟磁性体のスパッタリング工程、（ｅ）はリフトオフ工程を各々示す図である。
【図６】サーボパターンの形状を示す図で、（ａ）はサーボパターンの一部、（ｂ）はコンテンツのパターンを示す図である。
【図７】（ａ），（ｂ）は、磁性層表面での転写時の磁界分布を示す図（その１）である。
【図８】（ａ），（ｂ）は、磁性層表面での転写時の磁界分布を示す図（その２）である。
【図９】（ａ）〜（ｇ）は凹部への軟磁性膜の埋め込み断面を示す図である。
【図１０】膜厚分布の溝幅依存性を示す図である。
【符号の説明】
１１  Ｓｉ基板
１２  軟磁性膜
２１  Ｓｉ基板
２２  レジスト
２３  軟磁性膜
４０  磁気記録媒体
４１  基板
４２  磁性膜
４３  永久磁石
５１  シリコン基板
５２  レジスト
５３  軟磁性膜
９１  Ｓｉ基板
９２  レジスト
９３  軟磁性膜
【図１】
2004288250.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004288250.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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