(57)【要約】【課題】５００ｎｍ以下の青色レーザ波長領域、特に４０５ｎｍ近傍の波長領域であっても記録可能な、有機材料を用いた追記型光記録媒体、また、高密度化が図れ、変調度が大きく、更には、記録再生波長の変動に対し、記録感度、変調度、ジッタ、エラー率といったような記録特性や、反射率等の変化が少ない追記型光記録媒体とその製造方法の提供。【解決手段】（１）基板上に少なくとも、有機材料を主成分とする第一の光吸収層と、金属材料及び／又は無機材料を主成分とする第二の光吸収層を設けた追記型光記録媒体において、第一及び第二の光吸収層は、５００ｎｍ以下の青色レーザ波長領域の記録再生光に対する吸光度が０．５以下である追記型光記録媒体。（２）第一の光吸収層が、波長λ＝３３０ｎｍから４００ｎｍの範囲に吸収極大を有する事を特徴とする（１）記載の追記型光記録媒体。【選択図】　　　　図１
2004111011.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも、有機材料を主成分とする第一の光吸収層と、金属材料及び／又は無機材料を主成分とする第二の光吸収層を設けた光記録媒体において、第一及び第二の光吸収層は、５００ｎｍ以下の青色レーザ波長領域の記録再生光に対する吸光度が０．５以下であることを特徴とする追記型光記録媒体。
【請求項２】
第一の光吸収層が、波長λ＝３３０ｎｍから４００ｎｍの範囲に吸収極大を有する事を特徴とする請求項１記載の追記型光記録媒体。
【請求項３】
記録再生消去に用いる波長をλ１として、λ１±１０ｎｍの範囲の測定光を基板側より入射して得られる第一の光吸収層の反射率が７％以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の追記型光記録媒体。
【請求項４】
記録再生消去に用いる波長をλ１として、λ１±１０ｎｍの範囲の測定光を光吸収層側より入射して得られる第一の光吸収層の反射率が８％以上であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の追記型光記録媒体。
【請求項５】
記録再生消去に用いる波長λ１が３９０〜４２０ｎｍであることを特徴とする請求項３又は４記載の追記型光記録媒体。
【請求項６】
波長λ１が４０５ｎｍであることを特徴とする請求項５記載の追記型光記録媒体。
【請求項７】
第一の光吸収層の膜厚が、記録再生に用いる波長において、反射極大を示す膜厚より厚いことを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の追記型光記録媒体。
【請求項８】
有機材料がポルフィリン環を基本骨格とする材料であること特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の追記型光記録媒体。
【請求項９】
ポルフィリン環を基本骨格とする材料がテトラアザポルフィリン環を含有していること特徴とする請求項８記載の追記型光記録媒体。
【請求項１０】
テトラアザポルフィリン環を含有している材料がフタロシアニン系化合物であることを特徴とする請求項９記載の追記型光記録媒体。
【請求項１１】
第一の光吸収層が、分解温度１６０℃以上、５００℃以下の有機物質を含有することを特徴する請求項１〜１０の何れかに記載の追記型光記録媒体。
【請求項１２】
有機物質として、シアニン系、メロシアニン系、アゾ系、スクアリリウム系、ポリエン系、ベーススチリル系及びホルマザンキレート系の色素からなる群より選択される少なくとも１つの色素を含むことを特徴とする請求項１１記載の追記型光記録媒体。
【請求項１３】
第一の光吸収層が、熱伝導率が１．１Ｗ／ｍｋより小さい材料により構成されていることを特徴とする請求項１〜１２の何れかに記載の追記型光記録媒体。
【請求項１４】
第一の光吸収層がフタロシアニン系色素からなり、膜厚が１０〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項１〜１３の何れかに記載の追記型光記録媒体。
【請求項１５】
フタロシアニン系色素が、溶液状態において、波長λ＝３００〜４００ｎｍの間にポルフィリン環に起因するＢ帯の吸収を示し、その強度をｌｏｇ１０ε（εは分子吸光係数）で表した場合、３．５以上であることを特徴とする請求項１４記載の追記型光記録媒体。
【請求項１６】
フタロシアニン系色素が、下記化学式（１）で示される色素を主成分として含有することを特徴とする請求項１５記載の追記型光記録媒体。
【化１】
2004111011.tif 000050
〔式中、ＭはＶＯ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｃｏの何れかであり、４個のＲはＣ６Ｈ６−（ＣＦ３）２Ｃ−Ｏ−である。〕
【請求項１７】
第二の光吸収層がＡｇを主成分とすることを特徴とする請求項１〜１６の何れかに記載の追記型光記録媒体。
【請求項１８】
第二の光吸収層が無機酸化物または無機炭化物を主成分とすることを特徴とする請求項１〜１７の何れかに記載の追記型光記録媒体。
【請求項１９】
無機酸化物または無機炭化物が、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｓの何れかの酸化物又は炭化物であることを特徴とする請求項１８記載の追記型光記録媒体。
【請求項２０】
第二の光吸収層の熱伝導率が５９．９（Ｗ／ｍ・ｋ　ａｔ３００ｋ）以下であることを特徴とする請求項１〜１９の何れかに記載の追記型光記録媒体。
【請求項２１】
第二の光吸収層が、ブリネル硬さ７８Ｈｂ以下又はビッカース硬さ３６０Ｈｖ以下である金属材料により構成されていることを特徴とする請求項１〜２０の何れかに記載の追記型光記録媒体。
【請求項２２】
金属材料としてＴｅを含有していることを特徴とする請求項２１記載の追記型光記録媒体。
【請求項２３】
第一及び第二の光吸収層の、５００ｎｍ以下の青色レーザ波長領域の記録再生光に対する吸光度が、両層合計で０．０５以上であることを特徴とする請求項１〜２２の何れかに記載の追記型光記録媒体。
【請求項２４】
Ｔｅ、又はＴｅと他の金属を含むと共に酸素及び／又は窒素を含む第二の光吸収層を成膜するに際し、雰囲気中に酸素及び／又は窒素を導入しながら、Ｔｅ、又はＴｅと他の金属をスパッタリングするか、或いは、酸素及び／又は窒素を導入せずにＴｅ、又はＴｅと他の金属をスパッタリングして大気中の窒素及び酸素を取り込む方法により成膜することを特徴とする請求項２２記載の追記型光記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザーにより情報の記録再生及び必要な場合には消去が可能な追記型光記録媒体、更には再書き込みが可能な書き換え型光情報記録媒体、及びそれらの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
記録可能な光記録媒体では、記録前後の記録層の物理的な変形、相変化、磁気的性質変化などに起因した反射率の変化により記録された情報が再生される。このような光記録媒体がＣＤと互換可能な記録媒体として用いられるためには、上記の高反射率、ＣＮＲ特性の以外にも記録の長期保存性及び高い記録感度が要求される。このように、光記録媒体の特性向上と製造上の容易性のために様々な材料を用いた多様な光記録媒体が提案され、その一部が実用化されている。
例えば、特許文献１〜６には、プリグルーブの形成されている基板と、前記基板上に順次に積層されている金属記録膜、バッファ層及び反射層を含む光記録媒体において、前記バッファ層が、６００〜８００ｎｍ波長のレーザービームに対する吸光性の低い物質として、６５０ｎｍでは吸光率（ｋ）が１．０以下であり、７８０ｎｍでは吸光率（ｋ）が０．１以下である有機物質からなることを特徴とする光記録媒体が提案されている。
【０００３】
また、超高密度の記録が可能となる青色レーザの開発は急速に進んでおり、それに対応した追記型の光記録媒体の開発が行なわれている。
従来の追記型光記録媒体では、有機材料からなる記録層にレーザ光を照射し、有機材料の分解・変質による屈折率変化を主に生じさせることで記録ピットを形成させており、記録層に用いられる有機材料の光学定数、分解挙動が良好な記録ピットを形成させるための重要な要素となっている。
従って、記録層に用いる有機材料には、青色レーザ波長に対する光学的性質や分解挙動の適切な材料を選択する必要がある。
青色レーザ対応の有機材料は、例えば、特許文献７〜１１に記載されている。特許文献１２〜１４には、記録波長４８８ｎｍで記録ピットが形成できた旨の記載が、特許文献１５には、記録波長４３０ｎｍで記録ピットが形成できた旨の記載が、特許文献１６〜２５には、実施例に記録波長４３０ｎｍ、ＮＡ０．６５での記録例がある。また、特許文献２６には、記録再生波長４０５〜４０８ｎｍの記載がある。
【０００４】
また、従来のＣＤ、ＤＶＤ系光記録媒体と異なる層構成や記録方法に関して、以下のような技術が公開されている。
特許文献２７には、基板／金属蒸着層／光吸収層／保護シートという構成で、光吸収層によって発生した熱によって、金属蒸着層を変色又は変形させることで記録を行なう技術が開示されている。
特許文献２８には、基板／誘電体層／光吸収体を含む記録層／反射層という構成で、記録層の膜厚を変え溝部の深さを変えることにより記録を行なう技術が開示されている。
特許文献２９には、基板／絶縁層／シアニン記録膜／反射膜／保護膜という構成で、絶縁膜に熱を逃がし記録部を修正する技術が開示されている。
【０００５】
特許文献３０には、基板／光吸収層／記録補助層／光反射層という構成で、記録補助層を凹状に変形させると共に、記録補助層の変形に沿って光反射層を凹状に変形させることで記録を行なう技術が開示されている。
特許文献３１には、基板／光吸収層／多孔質な記録補助層／光反射層、或いは基板／多孔質な記録補助層／光吸収層／光反射層という構成で、記録補助層を凹状に変形させると共に、記録補助層の変形に沿って光反射層を凹状に変形させることで記録を行なう技術が開示されている。
特許文献３２には、基板／多孔質な光吸収層／光反射層という構成で、光吸収層を凹状に変形させると共に、光吸収層の変形に沿って光反射層を凹状に変形させて記録を行なう技術が開示されている。
特許文献３３には、基板／薄層／色素／反射層／保護層という構成の光ディスクが開示されている。
【０００６】
【特許文献１】
特許第２９６６３７７号公報
【特許文献２】
特開平１０−１３４４１５号公報
【特許文献３】
特開平１０−１２４９２６号公報
【特許文献４】
特開平１０−１２４９２７号公報
【特許文献５】
特開平９−２６５６６０号公報
【特許文献６】
特表２０００−５１６００７号公報
【特許文献７】
特開２００１−１８１５２４号公報
【特許文献８】
特開２００１−１５８８６５号公報
【特許文献９】
特開２０００−３４３８２４号公報
【特許文献１０】
特開２０００−３４３８２５号公報
【特許文献１１】
特開２０００−３３５１１０号公報
【特許文献１２】
特開平１１−２２１９６４号公報
【特許文献１３】
特開平１１−３３４２０６号公報
【特許文献１４】
特開２０００−４３４２３号公報
【特許文献１５】
特開平１１−５８９５５号公報
【特許文献１６】
特開２００１−３９０３４号公報
【特許文献１７】
特開２０００−１４９３２０号公報
【特許文献１８】
特開２０００−１１３５０４号公報
【特許文献１９】
特開２０００−１０８５１３号公報
【特許文献２０】
特開２０００−２２２７７２号公報
【特許文献２１】
特開２０００−２１８９４０号公報
【特許文献２２】
特開２０００−２２２７７１号公報
【特許文献２３】
特開２０００−１５８８１８号公報
【特許文献２４】
特開２０００−２８０６２１号公報
【特許文献２５】
特開２０００−２８０６２０号公報
【特許文献２６】
特開２００１−１４６０７４号公報
【特許文献２７】
特開平８−８３４３９号公報
【特許文献２８】
特開平８−１３８２４５号公報
【特許文献２９】
特許第２５０６８６７号公報
【特許文献３０】
特許第２５９１９３９号公報
【特許文献３１】
特許第２５９１９４０号公報
【特許文献３２】
特許第２５９１９４１号公報
【特許文献３３】
特開平１０−１７２１８１号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記従来技術に鑑みて、５００ｎｍ以下の青色レーザ波長領域、特に４０５ｎｍ近傍の波長領域であっても記録可能な、有機材料を用いた追記型光記録媒体、また、高密度化が図れ、変調度が大きく、更には、記録再生波長の変動に対し、記録感度、変調度、ジッタ、エラー率といったような記録特性や、反射率等の変化が少ない追記型光記録媒体とその製造方法の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、次の１）〜２４）の発明によって解決される。
１）　基板上に少なくとも、有機材料を主成分とする第一の光吸収層と、金属材料及び／又は無機材料を主成分とする第二の光吸収層を設けた光記録媒体において、第一及び第二の光吸収層は、５００ｎｍ以下の青色レーザ波長領域の記録再生光に対する吸光度が０．５以下であることを特徴とする追記型光記録媒体。
２）　第一の光吸収層が、波長λ＝３３０ｎｍから４００ｎｍの範囲に吸収極大を有する事を特徴とする１）記載の追記型光記録媒体。
３）　記録再生消去に用いる波長をλ１として、λ１±１０ｎｍの範囲の測定光を基板側より入射して得られる第一の光吸収層の反射率が７％以上であることを特徴とする１）又は２）記載の追記型光記録媒体。
４）　記録再生消去に用いる波長をλ１として、λ１±１０ｎｍの範囲の測定光を光吸収層側より入射して得られる第一の光吸収層の反射率が８％以上であることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
５）　記録再生消去に用いる波長λ１が３９０〜４２０ｎｍであることを特徴とする３）又は４）記載の追記型光記録媒体。
６）　波長λ１が４０５ｎｍであることを特徴とする５）記載の追記型光記録媒体。
７）　第一の光吸収層の膜厚が、記録再生に用いる波長において、反射極大を示す膜厚より厚いことを特徴とする１）〜６）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
８）　有機材料がポルフィリン環を基本骨格とする材料であること特徴とする１）〜７）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
９）　ポルフィリン環を基本骨格とする材料がテトラアザポルフィリン環を含有していること特徴とする８）記載の追記型光記録媒体。
１０）　テトラアザポルフィリン環を含有している材料がフタロシアニン系化合物であることを特徴とする９）記載の追記型光記録媒体。
１１）　第一の光吸収層が、分解温度１６０℃以上、５００℃以下の有機物質を含有することを特徴する１）〜１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
１２）　有機物質として、シアニン系、メロシアニン系、アゾ系、スクアリリウム系、ポリエン系、ベーススチリル系及びホルマザンキレート系の色素からなる群より選択される少なくとも１つの色素を含むことを特徴とする１１）記載の追記型光記録媒体。
１３）　第一の光吸収層が、熱伝導率が１．１Ｗ／ｍｋより小さい材料により構成されていることを特徴とする１）〜１２）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
１４）　第一の光吸収層がフタロシアニン系色素からなり、膜厚が１０〜１００ｎｍであることを特徴とする１）〜１３）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
１５）　フタロシアニン系色素が、溶液状態において、波長λ＝３００〜４００ｎｍの間にポルフィリン環に起因するＢ帯の吸収を示し、その強度をｌｏｇ１０ε（εは分子吸光係数）で表した場合、３．５以上であることを特徴とする１４）記載の追記型光記録媒体。
１６）　フタロシアニン系色素が、下記化学式（１）で示される色素を主成分として含有することを特徴とする１５）記載の追記型光記録媒体。
【化２】
2004111011.tif 000003
〔式中、ＭはＶＯ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｃｏの何れかであり、４個のＲはＣ６Ｈ６−（ＣＦ３）２Ｃ−Ｏ−である。〕
１７）　第二の光吸収層がＡｇを主成分とすることを特徴とする１）〜１６）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
１８）　第二の光吸収層が無機酸化物または無機炭化物を主成分とすることを特徴とする１）〜１７）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
１９）　無機酸化物または無機炭化物が、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｓの何れかの酸化物又は炭化物であることを特徴とする１８）記載の追記型光記録媒体。
２０）　第二の光吸収層の熱伝導率が５９．９（Ｗ／ｍ・ｋ　ａｔ３００ｋ）以下であることを特徴とする１）〜１９）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
２１）　第二の光吸収層が、ブリネル硬さ７８Ｈｂ以下又はビッカース硬さ３６０Ｈｖ以下である金属材料により構成されていることを特徴とする１）〜２０）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
２２）　金属材料としてＴｅを含有していることを特徴とする２１）記載の追記型光記録媒体。
２３）　第一及び第二の光吸収層の、５００ｎｍ以下の青色レーザ波長領域の記録再生光に対する吸光度が、両層合計で０．０５以上であることを特徴とする１）〜２２）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
２４）　Ｔｅ、又はＴｅと他の金属を含むと共に酸素及び／又は窒素を含む第二の光吸収層を成膜するに際し、雰囲気中に酸素及び／又は窒素を導入しながら、Ｔｅ、又はＴｅと他の金属をスパッタリングするか、或いは、酸素及び／又は窒素を導入せずにＴｅ、又はＴｅと他の金属をスパッタリングして大気中の窒素及び酸素を取り込む方法により成膜することを特徴とする２２）記載の追記型光記録媒体の製造方法。
【０００９】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明者は、従来の追記型光記録媒体の記録層に要求されるジッターの低減について検討した。
従来は、用いる波長である４０５ｎｍにある程度の吸収を有することで記録そのものは達成できた。しかし、ジッターの低減は困難であった。
これに対して、本発明は、用いる波長である４０５ｎｍに反射特性を有することで干渉効果を利用し大きな変形を伴わず、記録ストラテジに合った記録ができるようにしたものである。また、吸収極大を波長λ＝３３０〜４００ｎｍの範囲に設ける事により高感度化を達成できる。
本発明の追記型光記録媒体（光ディスク）の層構成の一例を、図１及び図２に示す。図１は要部拡大断面図、図２は斜視図である。
これらの図から明らかなように、この追記型光記録媒体は、片面に微細な凹凸状のプリフォーマットパターン２を有する透明基板１、第一の光吸収層３、第二の光吸収層４、熱受容層５、反射層１０、保護層１５がこの順に積層された構成を有する。
【００１０】
透明基板１としては、例えばポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルペンテン、エポキシ樹脂、ポリエステル、非晶質ポリオレフィンなどの透明樹脂材料（好ましくはガラス転移温度Ｔｇが１００〜２００℃）を所望の形状に成形し、その片面に所望のプリフォーマットパターンを転写したものや、所望の形状に形成されたガラス等の透明セラミックス板の片面に所望のプリフォーマットパターンが転写された透明樹脂層を密着したものなど、公知に属する任意の透明基板を用いることができる。ディスク状追記型光記録媒体（以下、光ディスクという）を構成する透明基板１は、図２に示すように、中心部にセンタ孔１ａを有する円盤状に形成される。なお、透明基板１の作製は、公知の方法で行うことができる。
【００１１】
プリフォーマットパターン２は、少なくとも記録・再生用レーザビームを記録トラックに追従させるためのビーム案内部を含んで構成される。
図１、図２の例では、ビーム案内部が、センタ孔１ａと同心の渦巻状又は同心円状に形成された案内溝２ａをもって構成されており、当該案内溝２ａに沿って、アドレスピットやクロックピット等のプリピット２ｂが形成されている。
プリピット２ｂが案内溝２ａ上に重ねて形成される場合には、両者を光学的に識別できるようにするため、図１に示すように、案内溝２ａとプリピット２ｂとをそれぞれ異なる深さに形成する。プリピット２ｂが相隣接する案内溝２ａの間に形成される場合には、両者を同じ深さに形成することもできる。
なお、ビーム案内部としては、案内溝２ａに代えて、ウォブルピットを記録トラックに沿って形成することもできる。また、プリピット２ｂを省略し、案内溝のみで形成しても良い。
【００１２】
また、本発明の光記録媒体に波長４５０ｎｍ以下のレーザー光と開口度（ＮＡ）が０．５以上、０．７未満の対物レンズを用いて記録再生を行う場合には、トラックピッチは１００〜３００ｎｍ、２００〜４００ｎｍ、３００〜５００ｎｍ、４００〜６００ｎｍの範囲が安定したトラッキングを達成するために好適であり、中でも３００〜５００ｎｍが適している。更に安定したトラッキングのためには４００〜５００ｎｍが良い。
一方、溝の深さはトラックピッチとの相関性がないので独自に設定することができ、１０〜１５０ｎｍ、２０〜１４０ｎｍ、２０〜１００ｎｍ、２０〜５０ｎｍの範囲が良好に使用可能な範囲である。中でも４９±５ｎｍ、５０±１０ｎｍ、６０±２０ｎｍの条件でスタンパを作製すると、グルーブ内に色素が十分に充填され良好な変調度が得られるので好適である。特に４９±５ｎｍでは、成形が容易で良好な変調度が得られるので好適である。
溝の形状は、底辺が現れないＶ溝、底辺が現れるＵ溝の何れでもよいが、より安定したトラッキングを達成するためにはＵ溝が好適である。
【００１３】
溝幅は溝の形状により変わるが、まずＶ溝の開口部の幅（溝幅Ｄ１）に関して述べる。
溝幅Ｄ１はトラックピッチと相関があり、トラックピッチをＴｐとした場合、０．１×Ｔｐ〜０．９×Ｔｐの範囲で設ける事ができる。更には０．２×Ｔｐ〜０．８×Ｔｐ、０．３×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐのような０．５Ｔｐを中心とした関係が良好であり、特に、０．５Ｔｐよりやや幅の広い０．４×Ｔｐ〜０．６５×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐの関係が良好にトラッキングでき、クロストークが少ないので好適である。
【００１４】
次に、Ｕ溝の開口部の幅（溝幅Ｄ２）に関して述べる。
溝幅Ｄ２はトラックピッチと相関があり、トラックピッチをＴｐとした場合、０．１×Ｔｐ〜０．９×Ｔｐの範囲で設ける事ができる。更には０．２×Ｔｐ〜０．８×Ｔｐ、０．３×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐのような０．５Ｔｐを中心とした関係が良好であり、特に、０．５Ｔｐよりやや幅の広い０．４×Ｔｐ〜０．６５×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐの関係が良好にトラッキングでき、クロストークが少ないので好適である。
次に、Ｕ溝の底部の幅（溝幅Ｄ３）に関して述べる。
溝幅Ｄ３は、溝幅Ｄ２とは相関性がないので、成形が可能である限り適宜設定できる。
しかし、トラックピッチとは相関があり、トラックピッチをＴｐとした場合、０．１×Ｔｐ〜０．９×Ｔｐの範囲で設ける事ができる。更には０．２×Ｔｐ〜０．８×Ｔｐ、０．３×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐのような０．５Ｔｐを中心とした関係が良好であり、特に、０．５Ｔｐよりやや幅の狭い０．２×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐ、０．３×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐの関係が良好にトラッキングでき、クロストークが少ないので好適である。
【００１５】
更に溝幅を現す値として、半分の溝深さで現す半値幅という表現がある。これを溝幅Ｄ４とする。
溝幅Ｄ４はトラックピッチと相関があり、トラックピッチをＴｐとした場合、０．１×Ｔｐ〜０．９×Ｔｐの範囲で設ける事ができる。更には０．２×Ｔｐ〜０．８×Ｔｐ、０．３×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐのような０．５Ｔｐを中心とした関係が良好であり、中でも、０．３×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐが好ましく、特に、０．４×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐが好適である。
以上に挙げた数字の測定はＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）、タリステップ、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）、ＳＴＭ（スキャニングトンネルマイクロスコープ）等の既存の何れかの装置を使用して行う。
また、ここで挙げたトラックピッチ、溝深さ、溝幅の数値は、スタンパ及びスタンパを用いて成形した基板の何れにも適応するものである。つまり、スタンパを上記の範囲内で作製した場合（従って、成形基板は上記の範囲外になることもある）、スタンパを上記の範囲外で作製し、基板が上記の範囲に入っている場合を含む。
【００１６】
また、本発明の光記録媒体に波長４５０ｎｍ以下のレーザー光と開口度（ＮＡ）が０．７以上の対物レンズを用いて記録再生を行う場合には、トラックピッチは１００〜３００ｎｍ、２００〜４００ｎｍ、３００〜５００ｎｍ、４００〜６００ｎｍの範囲が安定したトラッキングを達成するために好適であり、中でも３００〜５００ｎｍが適している。更に安定したトラッキングのためには３００〜４００ｎｍが良い。
一方、溝の深さはトラックピッチとは相関性がないので、独自に設定することができ、１０〜１５０ｎｍ、２０〜１４０ｎｍ、２０〜１００ｎｍ、２０〜５０ｎｍで表される範囲が良好に使用可能な範囲である。中でも４９±５ｎｍ、５０±１０ｎｍ、６０±２０ｎｍの条件でスタンパを作製する事がグルーブ内に色素が十分に充填され良好な変調度が得られる点で好適である。特に４９±５ｎｍでは、成形が容易で良好な変調度が得られるので好適である。
溝の形状は、底辺が現れないＶ溝、底辺が現れるＵ溝の何れでもよいが、より安定したトラッキングを達成するためにはＵ溝が好適である。
【００１７】
溝幅は溝の形状により変わるが、まずＶ溝の開口部の幅（溝幅Ｄ５）に関して述べる。
溝幅Ｄ５はトラックピッチと相関があり、トラックピッチをＴｐとした場合、０．１×Ｔｐ〜０．９×Ｔｐの範囲で設ける事ができる。更には０．２×Ｔｐ〜０．８×Ｔｐ、０．３×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐのような０．５Ｔｐを中心とした関係が良好であり、特に、０．５Ｔｐよりやや幅の広い０．４×Ｔｐ〜０．６５×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐの関係が良好にトラッキングでき、クロストークが少ないという点で好適である。
次に、Ｕ溝の開口部の幅（溝幅Ｄ６）に関して述べる。
溝幅Ｄ６はトラックピッチと相関があり、トラックピッチをＴｐとした場合、０．１×Ｔｐ〜０．９×Ｔｐの範囲で設ける事ができる。更には０．２×Ｔｐ〜０．８×Ｔｐ、０．３×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐのような０．５Ｔｐを中心とした関係が良好であり、特に、０．５Ｔｐよりやや幅の広い０．４×Ｔｐ〜０．６５×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐの関係が良好にトラッキングでき、クロストークが少ないという点で好適である。
【００１８】
次に、Ｕ溝の底部の幅（溝幅Ｄ７）に関して述べる。
溝幅Ｄ７は、溝幅Ｄ６とは相関性がないので、成形が可能である限り適宜設定できる。
しかし、トラックピッチとは相関があり、トラックピッチをＴｐとした場合、０．１×Ｔｐ〜０．９×Ｔｐの範囲で設ける事ができる。更には０．２×Ｔｐ〜０．８×Ｔｐ、０．３×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐのような０．５Ｔｐを中心とした関係が良好であり、特に、０．５Ｔｐよりやや幅の狭い０．２×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐ、０．３×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐの関係が良好にトラッキングでき、クロストークが少ないので好適である。
【００１９】
更に溝幅を現す値として、半分の溝深さで現す半値幅という表現がある。これを溝幅Ｄ８とする。
溝幅Ｄ８はトラックピッチと相関があり、トラックピッチをＴｐとした場合、０．１×Ｔｐ〜０．９×Ｔｐの範囲で設ける事ができる。更には０．２×Ｔｐ〜０．８×Ｔｐ、０．３×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐのような０．５Ｔｐを中心とした関係が良好であり、中でも、０．３×Ｔｐ〜０．７×Ｔｐ、０．４×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐが好ましく、特に、０．４×Ｔｐ〜０．６×Ｔｐが好適である。
以上に挙げた数字の測定はＳＥＭ、タリステップ、ＡＦＭ、ＳＴＭ等の既存のいずれかの装置を使用して行う。
また、ここで挙げたトラックピッチ、溝深さ、溝幅の数値は、スタンパ及びスタンパを用いて成形した基板の何れにも適応するものである。つまり、スタンパを上記の範囲内で作製した場合（従って、成形基板は上記の範囲外になることもある）、スタンパを上記の範囲外で作製し、基板が上記の範囲に入っている場合を含む。
また、トラックピッチＴｐ＝０．１〜０．６μｍの範囲において、ウォブリング量Ｗは、Ｗ＝Ｔｐ／２０〜Ｔｐ／４０の範囲が良好にアドレスを読み出す事ができるので好適である。
【００２０】
第一の光吸収層は、有機材料を主成分とするが、ここで主成分とは有機材料を５０重量％以上含有することを意味する。また、５００ｎｍ以下の青色レーザ波長領域の記録再生光に対する吸光度が０．５以下となるように材料や膜厚を選択する。吸光度が０．５より高い場合は、光が吸収されてしまって反射率が低くなり、良好な記録ができない。記録に用いる波長としては３５０〜４５０ｎｍ程度の青色発光波長が重要であるが、この波長範囲に限定されるものではない。
第一の光吸収層の有機材料の例としては、ポリメチン系色素、アントラキノン系色素、ダイオキシディン系色素、トリフェノジチアジン系色素、フェナントレン系色素、シアニン系色素、ジカルボシアニン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、メロシアニン系色素、ピリリウム系色素、ポルフィリン系色素、キサンテン系色素、トリフェニルメタン系色素、アズレン系色素、含金属アゾ染料、アゾ染料、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、ポリエン系色素、ベーススチリル系色素、ホルマザンキレート系色素、クロコニウム系色素、インジゴイド系色素、メチン系色素、スルファイド系色素、メタンジチオールレート系色素等を挙げることができ、中でも、シアニン誘導体、ジカルボシアニン誘導体、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、アゾ染料誘導体が好適に用いられる。また、アミニウム系色素などの各種クエンチャを添加した色素材料を用いることもできる。
【００２１】
上記の中でも下記一般式（２）で表される化合物を少なくとも１種含有していると優れた効果を発揮する。そして、波長３００〜５００ｎｍ及び／又は５００〜７００ｎｍから選択される記録レーザー波長及び再生レーザー波長に対して記録再生が可能である。中でも、波長３００〜４５０ｎｍ及び／又は６００〜７００ｎｍ、更には波長３３９〜４３５ｎｍ及び／又は６３５〜６７０ｎｍの範囲から選択される記録レーザー波長及び再生レーザー波長に対して良好なＣ／Ｎ比を得ることができ、また、再生光安定性も良く、高品位な信号特性が得られる追記型光記録媒体である。
【化３】
2004111011.tif 000004
〔式中、環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有していてもよいピロール環骨格を表し、Ｘ、Ｙ、Ｚはそれぞれ独立に置換基を有していてもよいメチン基又は窒素原子を表し、Ｘ、Ｙ、Ｚのうち少なくとも１つが置換基を有していてもよいメチン基であり、Ｍは２個の水素原子、置換基又は配位子を有していてもよい２〜４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子の何れかを表す。〕
【００２２】
上記一般式（２）で表される化合物は、置換基の選択により吸光係数を保持した状態で吸収波長を任意に選択できるため、前記レーザー光の波長において、記録層に必要な光学定数を満足することのできる極めて有用な有機色素である。
また、一般式（２）の、置換基を有していてもよいピロール環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの置換基の具体例としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基又はヘテロアリール基等が挙げられる。
【００２３】
また、一般式（２）のアザポルフィリン骨格のメソ位に位置する置換基を有していてもよいメチン基Ｘ、Ｙ、Ｚの置換基の具体例としては、それぞれ下記式（３）、式（４）、式（５）で示される置換していてもよいメチン基等が挙げられる。
【化４】
2004111011.tif 000005
〔式中、Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」の何れかを示す。〕
また、上記ピロール環の置換基、及びＸ、Ｙ、Ｚで表されるメチン基上の置換基は、連結基を介してピロール環上の各置換基同士で、或いはピロール環上の置換基と隣接するメチン基上の置換基とで連結していてもよく、具体的には脂肪族縮合又は芳香族縮合による環の形成、或いは連結基としてヘテロ原子又は金属錯体残基等のヘテロ原子を含む複素環の形成等が挙げられる。
更に、一般式（２）のＭの具体例としては、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子等が挙げられる。
【００２４】
上記一般式（２）で表される化合物の好ましい例としては、次の一般式（６）〜（１２）で表される化合物が挙げられる。
【化５】
2004111011.tif 000006
〔式中、Ｒ１〜Ｒ８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基」、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、置換又は無置換の「アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基」、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、置換又は無置換の「アシルオキシ基、ヘテロアリール基」の何れかを表し、Ｌ１は窒素原子又はＣ−Ｒ９（Ｒ９は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」の何れかを表す）で示される置換されていてもよいメチン基を表し、Ｌ２は窒素原子又はＣ−Ｒ１０（Ｒ１０は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」の何れかを表す）で示される置換されていてもよいメチン基を表し、Ｌ３は、窒素原子又はＣ−Ｒ１１（Ｒ１１は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」の何れかを表す）で示される置換されていてもよいメチン基を表し、Ｌ１〜Ｌ３のうち、少なくとも１つはメチン基を表し、Ｒ１〜Ｒ１１の各置換基は連結基を介して、隣接する置換基と共に環を形成してもよく、Ｍ１は２個の水素原子、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子の何れかを表す。〕
【００２５】
【化６】
2004111011.tif 000007
〔式中、Ｒ１２〜Ｒ１９はそれぞれ独立に、前記一般式（６）のＲ１〜Ｒ８と同一の基を表し、Ｒ２０、Ｒ２１はそれぞれ独立に、前記一般式（６）のＲ９〜Ｒ１１と同一の基を表し、Ｒ１２〜Ｒ２１の各置換基は連結基を介して、隣接する置換基と共に環を形成してもよく、Ｍ２は前記一般式（６）のＭ１と同一の物質を表す。（中でも、Ｒ２０、Ｒ２１が置換又は無置換のフェニル基のものが好ましい。）〕
【００２６】
【化７】
2004111011.tif 000008
〔式中、Ｒ２２〜Ｒ２９はそれぞれ独立に、前記一般式（６）のＲ１〜Ｒ８と同一の基を表し、Ｒ３０〜Ｒ３２はそれぞれ独立に、前記一般式（６）のＲ９〜Ｒ１１と同一の基を表し、Ｒ２２〜Ｒ３２の各置換基は連結基を介して、隣接する置換基と共に環を形成してもよく、Ｍ３は前記一般式（６）のＭ１と同一の物質を表す。（Ｒ３０〜Ｒ３２が置換又は無置換のフェニル基も好ましく用いられる。）〕
【００２７】
【化８】
2004111011.tif 000009
〔式中、Ｒ３３〜Ｒ４４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換又は無置換の「アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、又はヘテロアリール基」の何れかを表し、Ｒ３３とＲ３４、Ｒ３５とＲ３６は、連結基を介して、それぞれ置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、Ｘ１、Ｙ１、Ｚ１はそれぞれ独立にメチン基又は窒素原子を表し、Ｘ１、Ｙ１、Ｚ１のうち少なくとも２つが窒素原子であり、Ｍ４は前記一般式（６）のＭ１と同一の物質を表す。〕
【００２８】
【化９】
2004111011.tif 000010
〔式中、Ｒ４５〜Ｒ５６はそれぞれ独立に、前記一般式（９）のＲ３３〜Ｒ４４と同一の基を表し、Ｒ４５とＲ４６、Ｒ４７とＲ４８は、連結基を介して、それぞれ置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、Ｍ５は前記一般式（６）のＭ１と同一の物質を表す。〕
【００２９】
【化１０】
2004111011.tif 000011
〔式中、Ｒ５７〜Ｒ６８はそれぞれ独立に、前記一般式（９）のＲ３３〜Ｒ４４と同一の基を表し、Ｒ５７とＲ５８、Ｒ５９とＲ６０は連結基を介して、それぞれ置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、Ｍ６は前記一般式（６）のＭ１と同一の物質を表す。〕
【００３０】
【化１１】
2004111011.tif 000012
〔式中、Ｒ６９〜Ｒ８０はそれぞれ独立に、前記一般式（９）のＲ３３〜Ｒ４４と同一の基を表し、Ｒ６９とＲ７０、Ｒ７１とＲ７２は連結基を介して、それぞれ置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、Ｍ７は前記一般式（６）のＭ１と同一の物質を表す。〕
【００３１】
下記一般式（１３）で表されるマレオニトリルと下記一般式（１４）で表されるアセトフェノンとハロゲン化金属及び／又は金属誘導体と反応させることにより製造される下記一般式（１５）で表されるアザポルフィリン化合物の混合物（ここでいう混合物とは、原料のマレオニトリル及びアセトフェノンの結合の仕方により生成する構造異性体の混合物のことである）。
【化１２】
2004111011.tif 000013
〔式中、Ｒ８１〜Ｒ８６はそれぞれ独立に、前記一般式（９）のＲ３３〜Ｒ４４と同一の基を表し、Ｒ８１とＲ８２は連結基を介して、置換基を有していてもよい脂肪族環を形成してもよく、Ｑはハロゲン原子又はシアノ基を表す。〕
【００３２】
【化１３】
2004111011.tif 000014
〔式中、Ａ１、Ａ２は何れか一方が前記一般式（１３）のＲ８１、他方がＲ８２を表し、Ａ３、Ａ４は何れか一方が前記一般式（１３）のＲ８１、他方がＲ８２を表し、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４は順に前記一般式（１４）のＲ８３、Ｒ８４、Ｒ８５、Ｒ８６又はＲ８６、Ｒ８５、Ｒ８４、Ｒ８３を表し、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８は順に前記一般式（１４）のＲ８３、Ｒ８４、Ｒ８５、Ｒ８６又はＲ８６、Ｒ８５、Ｒ８４、Ｒ８３を表し、Ｍ８は前記一般式（６）のＭ１と同一の物質を表す。〕
【００３３】
前記一般式（６）で表されるアザポルフィリン化合物において、Ｒ１〜Ｒ８がハロゲン原子である場合の具体例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルキル基である場合の具体例としては、次の（イ）〜（オ）の基が挙げられる。
（イ）　メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，１−ジメチルブチル基、３−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、１，２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリメチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，５−メチルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、１，３，５，７−テトラエチルオクチル基、４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−トリデシル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４−ジメチルヘプチル基、２，２，５，５−テトラメチルヘキシル基、１−シクロペンチル−２，２−ジメチルプロピル基、１−シクロヘキシル−２，２−ジメチルプロピル基などの炭素数１〜１５の無置換の直鎖、分岐又は環状のアルキル基；
【００３４】
（ロ）　クロロメチル基、クロロエチル基、ブロモエチル基、ヨードエチル基、ジクロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル基、ノナフルオロブチル基、パーフルオロデシル基等のハロゲン原子で置換した炭素数１〜１０のアルキル基；
【００３５】
（ハ）　ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロキシブチル基、２−ヒドロキシ−３−メトキシプロピル基、２−ヒドロキシ−３−クロロプロピル基、２−ヒドロキシ−３−エトキシプロピル基、３−ブトキシ−２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルオキシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシブチル基、４−ヒドロキシデカリル基などのヒドロキシル基で置換した炭素数１〜１０のアルキル基；
【００３６】
（ニ）　ヒドロキシメトキシメチル基、ヒドロキシエトキシエチル基、２−（２′−ヒドロキシ−１′−メチルエトキシ）−１−メチルエチル基、２−（３′−フルオロ−２′−ヒドロキシプロポキシ）エチル基、２−（３′−クロロ−２′−ヒドロキシプロポキシ）エチル基、ヒドロキシブトキシシクロヘキシル基などのヒドロキシアルコキシ基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基；
【００３７】
（ホ）　ヒドロキシメトキシメトキシメチル基、ヒドロキシエトキシエトキシエチル基、［２′−（２′−ヒドロキシ−１′−メチルエトキシ）−１′−メチルエトキシ］エトキシエチル基、［２′−（２′−フルオロ−１′−ヒドロキシエトキシ）−１′−メチルエトキシ］エトキシエチル基、［２′−（２′−クロロ−１′−ヒドロキシエトキシ）−１′−メチルエトキシ］エトキシエチル基などのヒドロキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数３〜１０のアルキル基；
【００３８】
（ヘ）　シアノメチル基、２−シアノエチル基、３−シアノプロピル基、４−シアノブチル基、２−シアノ−３−メトキシプロピル基、２−シアノ−３−クロロプロピル基、２−シアノ−３−エトキシプロピル基、３−ブトキシ−２−シアノプロピル基、２−シアノ−３−シクロヘキシルプロピル基、２−シアノプロピル基、２−シアノブチル基などのシアノ基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基；
【００３９】
（ト）　メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ｎ−ヘキシルオキシエチル基、（４−メチルペントキシ）エチル基、（１，３−ジメチルブトキシ）エチル基、（２−エチルヘキシルオキシ）エチル基、ｎ−オクチルオキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ）エチル基、（２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロポキシ）エチル基、（３−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチルオキシ）エチル基、２−エトキシ−１−メチルエチル基、３−メトキシブチル基、（３，３，３−トリフルオロプロポキシ）エチル基、（３，３，３−トリクロロプロポキシ）エチル基などのアルコキシ基で置換した炭素数２〜１５のアルキル基；
【００４０】
（チ）　メトキシメトキシメチル基、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロポキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエチル基、シクロヘキシルオキシエトキシエチル基、デカリルオキシプロポキシエトキシエチル基、（１，２−ジメチルプロポキシ）エトキシエチル基、（３−メチル−１−ｉｓｏ−ブチルブトキシ）エトキシエチル基、（２−メトキシ−１−メチルエトキシ）エチル基、（２−ブトキシ−１−メチルエトキシ）エチル基、２−（２′−エトキシ−１′−メチルエトキシ）−１−メチルエチル基、（３，３，３−トリフルオロプロポキシ）エトキシエチル基、（３，３，３−トリクロロプロポキシ）エトキシエチル基などのアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数３〜１５のアルキル基；
【００４１】
（リ）　メトキシメトキシメトキシメチル基、メトキシエトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエトキシエチル基、シクロヘキシルオキシエトキシエトキシエチル基、プロポキシプロポキシプロポキシエチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エトキシエトキシエチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシ）エトキシエトキシエチル基などのアルコキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数４〜１５のアルキル基；
【００４２】
（ヌ）　ホルミルメチル基、２−オキソブチル基、３−オキソブチル基、４−オキソブチル基、２，６−ジオキソシクロヘキサン−１−イル基、２−オキソ−５−ｔ−ブチルシクロヘキサン−１−イル基等のアシル基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基；
【００４３】
（ル）　ホルミルオキシメチル基、アセトキシエチル基、プロピオニルオキシエチル基、ブタノイルオキシエチル基、バレリルオキシエチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）エチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）ヘキシル基、（３−フルオロブチリルオキシ）エチル基、（３−クロロブチリルオキシ）エチル基などのアシルオキシ基で置換した炭素数２〜１５のアルキル基；
【００４４】
（ヲ）　ホルミルオキシメトキシメチル基、アセトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）エトキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）オキシブトキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エトキシエチル基、（２−フルオロプロピオニルオキシ）エトキシエチル基、（２−クロロプロピオニルオキシ）エトキシエチル基などのアシルオキシアルコキシ基で置換した炭素数３〜１５のアルキル基；
【００４５】
（ワ）　アセトキシメトキシメトキシメチル基、アセトキシエトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエトキシエチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）エトキシエトキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エトキシエトキシエチル基、（２−フルオロプロピオニルオキシ）エトキシエトキシエチル基、（２−クロロプロピオニルオキシ）エトキシエトキシエチル基などのアシルオキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数５〜１５のアルキル基；
【００４６】
（カ）　メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル基、ブトキシカルボニルエチル基、（ｐ−エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）シクロヘキシル基、（２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシカルボニル）メチル基、（２，２，３，３−テトラクロロプロポキシカルボニル）メチル基などのアルコキシカルボニル基で置換した炭素数３〜１５のアルキル基；
【００４７】
（ヨ）　フェノキシカルボニルメチル基、フェノキシカルボニルエチル基、（４−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）エチル基、ナフチルオキシカルボニルメチル基、ビフェニルオキシカルボニルエチル基などのアリールオキシカルボニル基で置換した炭素数８〜１５のアルキル基；
【００４８】
（タ）　ベンジルオキシカルボニルメチル基、ベンジルオキシカルボニルエチル基、フェネチルオキシカルボニルメチル基、（４−シクロヘキシルオキシベンジルオキシカルボニル）メチル基などのアラルキルオキシカルボニル基で置換した炭素数９〜１５のアルキル基；
【００４９】
（レ）　ビニルオキシカルボニルメチル基、ビニルオキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルメチル基、シクロペンタジエニルオキシカルボニルメチル基、オクテノキシカルボニルメチル基などのアルケニルオキシカルボニル基で置換した炭素数４〜１０のアルキル基；
【００５０】
（ソ）　メトキシカルボニルオキシメチル基、メトキシカルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニルオキシエチル基、ブトキシカルボニルオキシエチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシカルボニルオキシ）エチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシカルボニルオキシ）エチル基などのアルコキシカルボニルオキシ基で置換した炭素数３〜１５のアルキル基；
【００５１】
（ツ）　メトキシメトキシカルボニルオキシメチル基、メトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、エトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、ブトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エトキシカルボニルオキシエチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシ）エトキシカルボニルオキシエチル基などのアルコキシアルコキシカルボニルオキシ基で置換した炭素数４〜１５のアルキル基；
【００５２】
（ネ）　ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノメチル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノメチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノメチル基、ジ−ｎ−デシルアミノメチル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノメチル基、ピペリジノメチル基、ジ（メトキシメチル）アミノメチル基、ジ（メトキシエチル）アミノメチル基、ジ（エトキシメチル）アミノメチル基、ジ（エトキシエチル）アミノメチル基、ジ（プロポキシエチル）アミノメチル基、ジ（ブトキシエチル）アミノメチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノメチル基、ジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノエチル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノエチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノエチル基、ジ−ｎ−デシルアミノエチル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノエチル基、ピペリジノエチル基、ジ（メトキシメチル）アミノエチル基、ジ（メトキシエチル）アミノエチル基、ジ（エトキシメチル）アミノエチル基、ジ（エトキシエチル）アミノエチル基、ジ（プロポキシエチル）アミノエチル基、ジ（ブトキシエチル）アミノエチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノエチル基、ジメチルアミノプロピル基、ジエチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−ブチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノプロピル基、ジ−ｎ−オクチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−デシルアミノプロピル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノプロピル基、ピペリジノプロピル基、ジ（メトキシメチル）アミノプロピル基、ジ（メトキシエチル）アミノプロピル基、ジ（エトキシメチル）アミノプロピル基、ジ（エトキシエチル）アミノプロピル基、ジ（プロポキシエチル）アミノプロピル基、ジ（ブトキシエチル）アミノプロピル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノプロピル基、ジメチルアミノブチル基、ジエチルアミノブチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノブチル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノブチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノブチル基、ジ−ｎ−デシルアミノブチル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノブチル基、ピペリジノブチル基、ジ（メトキシメチル）アミノブチル基、ジ（メトキシエチル）アミノブチル基、ジ（エトキシメチル）アミノブチル基、ジ（エトキシエチル）アミノブチル基、ジ（プロポキシエチル）アミノブチル基、ジ（ブトキシエチル）アミノブチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノブチル基等のジアルキルアミノ基が置換した炭素数３〜２０のアルキル基；
【００５３】
（ナ）　アセチルアミノメチル基、アセチルアミノエチル基、プロピオニルアミノエチル基、ブタノイルアミノエチル基、シクロヘキサンカルボニルアミノエチル基、ｐ−メチルシクロヘキサンカルボニルアミノエチル基、スクシンイミノエチル基などのアシルアミノ基で置換した炭素数３〜１０のアルキル基；
【００５４】
（ラ）　メチルスルホンアミノメチル基、メチルスルホンアミノエチル基、エチルスルホンアミノエチル基、プロピルスルホンアミノエチル基、オクチルスルホンアミノエチル基などのアルキルスルホンアミノ基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基；
【００５５】
（ム）　メチルスルホニルメチル基、エチルスルホニルメチル基、ブチルスルホニルメチル基、メチルスルホニルエチル基、エチルスルホニルエチル基、ブチルスルホニルエチル基、２−エチルヘキシルスルホニルエチル基、２，２，３，３−テトラフルオロプロピルスルホニルメチル基、２，２，３，３−テトラクロロプロピルスルホニルメチル基などのアルキルスルホニル基で置換した炭素数２〜１０のアルキル基；
【００５６】
（ウ）　ベンゼンスルホニルメチル基、ベンゼンスルホニルエチル基、ベンゼンスルホニルプロピル基、ベンゼンスルホニルブチル基、トルエンスルホニルメチル基、トルエンスルホニルエチル基、トルエンスルホニルプロピル基、トルエンスルホニルブチル基、キシレンスルホニルメチル基、キシレンスルホニルエチル基、キシレンスルホニルプロピル基、キシレンスルホニルブチル基などのアリールスルホニル基で置換した炭素数７〜１２のアルキル基；
【００５７】
（ヰ）　チアジアゾリノメチル基、ピロリノメチル基、ピロリジノメチル基、ピラゾリジノメチル基、イミダゾリジノメチル基、オキサゾリル基、トリアゾリノメチル基、モルホリノメチル基、インドーリノメチル基、ベンズイミダゾリノメチル基、カルバゾリノメチル基などの複素環基で置換した炭素数２〜１３のアルキル基；
【００５８】
（ノ−１）　フェロセニルメチル基、フェロセニルエチル基、フェロセニル−ｎ−プロピル基、フェロセニル−ｉｓｏ−プロピル基、フェロセニル−ｎ−ブチル基、フェロセニル−ｉｓｏ−ブチル基、フェロセニル−ｓｅｃ−ブチル基、フェロセニル−ｔ−ブチル基、フェロセニル−ｎ−ペンチル基、フェロセニル−ｉｓｏ−ペンチル基、フェロセニル−２−メチルブチル基、フェロセニル−１−メチルブチル基、フェロセニルネオペンチル基、フェロセニル−１，２−ジメチルプロピル基、フェロセニル−１，１−ジメチルプロピル基、フェロセニルシクロペンチル基、フェロセニル−ｎ−ヘキシル基、フェロセニル−４−メチルペンチル基、フェロセニル−３−メチルペンチル基、フェロセニル−２−メチルペンチル基、フェロセニル−１−メチルペンチル基、フェロセニル−３，３−ジメチルブチル基、フェロセニル−２，３−ジメチルブチル基、フェロセニル−１，３−ジメチルブチル基、フェロセニル−２，２−ジメチルブチル基、フェロセニル−１，２−ジメチルブチル基、フェロセニル−１，１−ジメチルブチル基、フェロセニル−３−エチルブチル基、フェロセニル−２−エチルブチル基、フェロセニル−１−エチルブチル基、フェロセニル−１，２，２−トリメチルブチル基、フェロセニル−１，１，２−トリメチルブチル基、フェロセニル−１−エチル−２−メチルプロピル基、フェロセニルシクロヘキシル基、フェロセニル−ｎ−ヘプチル基、フェロセニル−２−メチルヘキシル基、フェロセニル−３−メチルヘキシル基、フェロセニル−４−メチルヘキシル基、フェロセニル−５−メチルヘキシル基、フェロセニル−２，４−ジメチルペンチル基、フェロセニル−ｎ−オクチル基、フェロセニル−２−エチルヘキシル基、フェロセニル−２，５−ジメチルヘキシル基、フェロセニル−２，５，５−トリメチルペンチル基、フェロセニル−２，４−ジメチルヘキシル基、フェロセニル−２，２，４−トリメチルペンチル基、フェロセニル−３，５，５−トリメチルヘキシル基、フェロセニル−ｎ−ノニル基、フェロセニル−ｎ−デシル基、
【００５９】
（ノ−２）　コバルトセニルメチル基、コバルトセニルエチル基、コバルトセニル−ｎ−プロピル基、コバルトセニル−ｉｓｏ−プロピル基、コバルトセニル−ｎ−ブチル基、コバルトセニル−ｉｓｏ−ブチル基、コバルトセニル−ｓｅｃ−ブチル基、コバルトセニル−ｔ−ブチル基、コバルトセニル−ｎ−ペンチル基、コバルトセニル−ｉｓｏ−ペンチル基、コバルトセニル−２−メチルブチル基、コバルトセニル−１−メチルブチル基、コバルトセニルネオペンチル基、コバルトセニル−１，２−ジメチルプロピル基、コバルトセニル−１，１−ジメチルプロピル基、コバルトセニルシクロペンチル基、コバルトセニル−ｎ−ヘキシル基、コバルトセニル−４−メチルペンチル基、コバルトセニル−３−メチルペンチル基、コバルトセニル−２−メチルペンチル基、コバルトセニル−１−メチルペンチル基、コバルトセニル−３，３−ジメチルブチル基、コバルトセニル−２，３−ジメチルブチル基、コバルトセニル−１，３−ジメチルブチル基、コバルトセニル−２，２−ジメチルブチル基、コバルトセニル−１，２−ジメチルブチル基、コバルトセニル−１，１−ジメチルブチル基、コバルトセニル−３−エチルブチル基、コバルトセニル−２−エチルブチル基、コバルトセニル−１−エチルブチル基、コバルトセニル−１，２，２−トリメチルブチル基、コバルトセニル−１，１，２−トリメチルブチル基、コバルトセニル−１−エチル−２−メチルプロピル基、コバルトセニルシクロヘキシル基、コバルトセニル−ｎ−ヘプチル基、コバルトセニル−２−メチルヘキシル基、コバルトセニル−３−メチルヘキシル基、コバルトセニル−４−メチルヘキシル基、コバルトセニル−５−メチルヘキシル基、コバルトセニル−２，４−ジメチルペンチル基、コバルトセニル−ｎ−オクチル基、コバルトセニル−２−エチルヘキシル基、コバルトセニル−２，５−ジメチルヘキシル基、コバルトセニル−２，５，５−トリメチルペンチル基、コバルトセニル−２，４−ジメチルヘキシル基、コバルトセニル−２，２，４−トリメチルペンチル基、コバルトセニル−３，５，５−トリメチルヘキシル基、コバルトセニル−ｎ−ノニル基、コバルトセニル−ｎ−デシル基、
【００６０】
（ノ−３）　ニッケロセニルメチル基、ニッケロセニルエチル基、ニッケロセニル−ｎ−プロピル基、ニッケロセニル−ｉｓｏ−プロピル基、ニッケロセニル−ｎ−ブチル基、ニッケロセニル−ｉｓｏ−ブチル基、ニッケロセニル−ｓｅｃ−ブチル基、ニッケロセニル−ｔ−ブチル基、ニッケロセニル−ｎ−ペンチル基、ニッケロセニル−ｉｓｏ−ペンチル基、ニッケロセニル−２−メチルブチル基、ニッケロセニル−１−メチルブチル基、ニッケロセニルネオペンチル基、ニッケロセニル−１，２−ジメチルプロピル基、ニッケロセニル−１，１−ジメチルプロピル基、ニッケロセニルシクロペンチル基、ニッケロセニル−ｎ−ヘキシル基、ニッケロセニル−４−メチルペンチル基、ニッケロセニル−３−メチルペンチル基、ニッケロセニル−２−メチルペンチル基、ニッケロセニル−１−メチルペンチル基、ニッケロセニル−３，３−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−２，３−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−１，３−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−２，２−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−１，２−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−１，１−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−３−エチルブチル基、ニッケロセニル−２−エチルブチル基、ニッケロセニル−１−エチルブチル基、ニッケロセニル−１，２，２−トリメチルブチル基、ニッケロセニル−１，１，２−トリメチルブチル基、ニッケロセニル−１−エチル−２−メチルプロピル基、ニッケロセニルシクロヘキシル基、ニッケロセニル−ｎ−ヘプチル基、ニッケロセニル−２−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−３−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−４−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−５−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，４−ジメチルペンチル基、ニッケロセニル−ｎ−オクチル基、ニッケロセニル−２−エチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，５−ジメチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，５，５−トリメチルペンチル基、ニッケロセニル−２，４−ジメチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，２，４−トリメチルペンチル基、ニッケロセニル−３，５，５−トリメチルヘキシル基、ニッケロセニル−ｎ−ノニル基、ニッケロセニル−ｎ−デシル基、
【００６１】
（ノ−４）　ジクロロチタノセニルメチル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメチル基、ビス（トリフルオルメタンスルホナト）チタノセンメチル基、ジクロロジルコノセニルメチル基、ジメチルジルコノセニルメチル基、ジエトキシジルコノセニルメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロモリブデンメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムメチル基などのメタロセニル基で置換した炭素数１１〜２０のアルキル基；
【００６２】
（オ−１）　フェロセニルメトキシメチル基、フェロセニルメトキシエチル基、フェロセニルメトキシプロピル基、フェロセニルメトキシブチル基、フェロセニルメトキシペンチル基、フェロセニルメトキシヘキシル基、フェロセニルメトキシヘプチル基、フェロセニルメトキシオクチル基、フェロセニルメトキシノニル基、フェロセニルメトキシデシル基、フェロセニルエトキシメチル基、フェロセニルエトキシエチル基、フェロセニルエトキシプロピル基、フェロセニルエトキシブチル基、フェロセニルエトキシペンチル基、フェロセニルエトキシヘキシル基、フェロセニルエトキシヘプチル基、フェロセニルエトキシオクチル基、フェロセニルエトキシノニル基、フェロセニルエトキシデシル基、フェロセニルプロポキシメチル基、フェロセニルプロポキシエチル基、フェロセニルプロポキシプロピル基、フェロセニルプロポキシブチル基、フェロセニルプロポキシペンチル基、フェロセニルプロポキシヘキシル基、フェロセニルプロポキシヘプチル基、フェロセニルプロポキシオクチル基、フェロセニルプロポキシノニル基、フェロセニルプロポキシデシル基、フェロセニルブトキシメチル基、フェロセニルブトキシエチル基、フェロセニルブトキシプロピル基、フェロセニルブトキシブチル基、フェロセニルブトキシペンチル基、フェロセニルブトキシヘキシル基、フェロセニルブトキシヘプチル基、フェロセニルブトキシオクチル基、フェロセニルブトキシノニル基、フェロセニルブトキシデシル基、フェロセニルデシルオキシメチル基、フェロセニルデシルオキシエチル基、フェロセニルデシルオキシプロピル基、フェロセニルデシルオキシブチル基、フェロセニルデシルオキシペンチル基、フェロセニルデシルオキシヘキシル基、フェロセニルデシルオキシヘプチル基、フェロセニルデシルオキシオクチル基、フェロセニルデシルオキシノニル基、フェロセニルデシルオキシデシル基、
【００６３】
（オ−２）　コバルトセニルメトキシメチル基、コバルトセニルメトキシエチル基、コバルトセニルメトキシプロピル基、コバルトセニルメトキシブチル基、コバルトセニルメトキシペンチル基、コバルトセニルメトキシヘキシル基、コバルトセニルメトキシヘプチル基、コバルトセニルメトキシオクチル基、コバルトセニルメトキシノニル基、コバルトセニルメトキシデシル基、コバルトセニルエトキシメチル基、コバルトセニルエトキシエチル基、コバルトセニルエトキシプロピル基、コバルトセニルエトキシブチル基、コバルトセニルエトキシペンチル基、コバルトセニルエトキシヘキシル基、コバルトセニルエトキシヘプチル基、コバルトセニルエトキシオクチル基、コバルトセニルエトキシノニル基、コバルトセニルエトキシデシル基、コバルトセニルプロポキシメチル基、コバルトセニルプロポキシエチル基、コバルトセニルプロポキシプロピル基、コバルトセニルプロポキシブチル基、コバルトセニルプロポキシペンチル基、コバルトセニルプロポキシヘキシル基、コバルトセニルプロポキシヘプチル基、コバルトセニルプロポキシオクチル基、コバルトセニルプロポキシノニル基、コバルトセニルプロポキシデシル基、コバルトセニルブトキシメチル基、コバルトセニルブトキシエチル基、コバルトセニルブトキシプロピル基、コバルトセニルブトキシブチル基、コバルトセニルブトキシペンチル基、コバルトセニルブトキシヘキシル基、コバルトセニルブトキシヘプチル基、コバルトセニルブトキシオクチル基、コバルトセニルブトキシノニル基、コバルトセニルブトキシデシル基、コバルトセニルデシルオキシメチル基、コバルトセニルデシルオキシエチル基、コバルトセニルデシルオキシプロピル基、コバルトセニルデシルオキシブチル基、コバルトセニルデシルオキシペンチル基、コバルトセニルデシルオキシヘキシル基、コバルトセニルデシルオキシヘプチル基、コバルトセニルデシルオキシオクチル基、コバルトセニルデシルオキシノニル基、コバルトセニルデシルオキシデシル基、
【００６４】
（オ−３）　ニッケロセニルメトキシメチル基、ニッケロセニルメトキシエチル基、ニッケロセニルメトキシプロピル基、ニッケロセニルメトキシブチル基、ニッケロセニルメトキシペンチル基、ニッケロセニルメトキシヘキシル基、ニッケロセニルメトキシヘプチル基、ニッケロセニルメトキシオクチル基、ニッケロセニルメトキシノニル基、ニッケロセニルメトキシデシル基、ニッケロセニルエトキシメチル基、ニッケロセニルエトキシエチル基、ニッケロセニルエトキシプロピル基、ニッケロセニルエトキシブチル基、ニッケロセニルエトキシペンチル基、ニッケロセニルエトキシヘキシル基、ニッケロセニルエトキシヘプチル基、ニッケロセニルエトキシオクチル基、ニッケロセニルエトキシノニル基、ニッケロセニルエトキシデシル基、ニッケロセニルプロポキシメチル基、ニッケロセニルプロポキシエチル基、ニッケロセニルプロポキシプロピル基、ニッケロセニルプロポキシブチル基、ニッケロセニルプロポキシペンチル基、ニッケロセニルプロポキシヘキシル基、ニッケロセニルプロポキシヘプチル基、ニッケロセニルプロポキシオクチル基、ニッケロセニルプロポキシノニル基、ニッケロセニルプロポキシデシル基、ニッケロセニルブトキシメチル基、ニッケロセニルブトキシエチル基、ニッケロセニルブトキシプロピル基、ニッケロセニルブトキシブチル基、ニッケロセニルブトキシペンチル基、ニッケロセニルブトキシヘキシル基、ニッケロセニルブトキシヘプチル基、ニッケロセニルブトキシオクチル基、ニッケロセニルブトキシノニル基、ニッケロセニルブトキシデシル基、ニッケロセニルデシルオキシメチル基、ニッケロセニルデシルオキシエチル基、ニッケロセニルデシルオキシプロピル基、ニッケロセニルデシルオキシブチル基、ニッケロセニルデシルオキシペンチル基、ニッケロセニルデシルオキシヘキシル基、ニッケロセニルデシルオキシヘプチル基、ニッケロセニルデシルオキシオクチル基、ニッケロセニルデシルオキシノニル基、ニッケロセニルデシルオキシデシル基、
【００６５】
（オ−４）　ジクロロチタノセニルメトキシメチル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメトキシエチル基、ビス（トリフルオロメタンスルホナト）チタノセンメトキシプロピル基、ジクロロジルコノセニルメトキシブチル基、ジメチルジルコノセニルメトキシペンチル基、ジエトキシジルコノセニルメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムメトキシヘキシル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブメトキシオクチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムメトキシエチル基、オスモセニルメトキシエチル基などのメタロセニルアルキルオキシ基で置換した炭素数１２〜３０のアルキル基；
【００６６】
（オ−５）　フェロセンカルボニルオキシメチル基、フェロセンカルボニルオキシエチル基、フェロセンカルボニルオキシプロピル基、フェロセンカルボニルオキシブチル基、フェロセンカルボニルオキシペンチル基、フェロセンカルボニルオキシヘキシル基、フェロセンカルボニルオキシヘプチル基、フェロセンカルボニルオキシオクチル基、フェロセンカルボニルオキシノニル基、フェロセンカルボニルオキシデシル基、
【００６７】
（オ−６）　コバルトセンカルボニルオキシメチル基、コバルトセンカルボニルオキシエチル基、コバルトセンカルボニルオキシプロピル基、コバルトセンカルボニルオキシブチル基、コバルトセンカルボニルオキシペンチル基、コバルトセンカルボニルオキシヘキシル基、コバルトセンカルボニルオキシヘプチル基、コバルトセンカルボニルオキシオクチル基、コバルトセンカルボニルオキシノニル基、コバルトセンカルボニルオキシデシル基、
【００６８】
（オ−７）　ニッケロセンカルボニルオキシメチル基、ニッケロセンカルボニルオキシエチル基、ニッケロセンカルボニルオキシプロピル基、ニッケロセンカルボニルオキシブチル基、ニッケロセンカルボニルオキシペンチル基、ニッケロセンカルボニルオキシヘキシル基、ニッケロセンカルボニルオキシヘプチル基、ニッケロセンカルボニルオキシオクチル基、ニッケロセンカルボニルオキシノニル基、ニッケロセンカルボニルオキシデシル基、
【００６９】
（オ−８）　ジクロロチタノセニルカルボニルオキシメチル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルカルボニルオキシエチル基、ビス（トリフルオロメタンスルホナト）チタノセンカルボニルオキシメトキシプロピル基、ジクロロジルコノセンカルボニルオキシブチル基、ジメチルジルコノセンカルボニルオキシペンチル基、ジエトキシジルコノセンカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムカルボニルオキシヘキシル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブカルボニルオキシオクチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムカルボニルオキシエチル基、ビス（シクロペンタジエニル）オスミウムカルボニルオキシエチル基などのメタロセニルカルボニルオキシ基で置換した炭素数１２〜３０のアルキル基。
【００７０】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアラルキルオキシ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアラルキルオキシ基が挙げられ、好ましいのは、ベンジルオキシ基、ニトロベンジルオキシ基、シアノベンジルオキシ基、ヒドロキシベンジルオキシ基、メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメチルベンジルオキシ基、ナフチルメトキシ基、ニトロナフチルメトキシ基、シアノナフチルメトキシ基、ヒドロキシナフチルメトキシ基、メチルナフチルメトキシ基、トリフルオロメチルナフチルメトキシ基、フルオレン−９−イルエトキシ基などの炭素数７〜１５のアラルキルオキシ基等である。
【００７１】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアリールオキシ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアリールオキシ基が挙げられ、好ましいのは、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基、２−メトキシフェノキシ基、４−ｉｓｏ−プロピルフェノキシ基、ナフトキシ基、フェロセニルオキシ基、コバルトセニルオキシ基、ニッケロセニルオキシ基、オクタメチルフェロセニルオキシ基、オクタメチルコバルトセニルオキシ基、オクタメチルニッケロセニルオキシ基などの炭素数６〜１８のアリールオキシ基である。
【００７２】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルケニルオキシ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルケニルオキシ基が挙げられ、好ましいのは、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、１−ブテニルオキシ基、ｉｓｏ−ブテニルオキシ基、１−ペンテニルオキシ基、２−ペンテニルオキシ基、２−メチル−１−ブテニルオキシ基、３−メチル−１−ブテニルオキシ基、２−メチル−２−ブテニルオキシ基、シクロペンタジエニルオキシ基、２，２−ジシアノビニルオキシ基、２−シアノ−２−メチルカルボキシルビニルオキシ基、２−シアノ−２−メチルスルホンビニルオキシ基、スチリルオキシ基、４−フェニル−２−ブテニルオキシ基、シンナミルアルコキシ基などの炭素数２〜１０のアルケニルオキシ基である。
【００７３】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルキルチオ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルキルチオ基が挙げられ、好ましいのは、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉｓｏ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｉｓｏ−ペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、２−メチルブチルチオ基、メチルカルボキシルエチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、３，５，５−トリメチルヘキシルチオ基、デカリルチオ基などの炭素数１〜１０のアルキルチオ基である。
【００７４】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアラルキルチオ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアラルキルチオ基が挙げられ、好ましいのは、ベンジルチオ基、ニトロベンジルチオ基、シアノベンジルチオ基、ヒドロキシベンジルチオ基、メチルベンジルチオ基、トリフルオロメチルベンジルチオ基、ナフチルメチルチオ基、ニトロナフチルメチルチオ基、シアノナフチルメチルチオ基、ヒドロキシナフチルメチルチオ基、メチルナフチルメチルチオ基、トリフルオロメチルナフチルメチルチオ基、フルオレン−９−イルエチルチオ基などの炭素数７〜１２のアラルキルチオ基等である。
【００７５】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアリールチオ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアリールチオ基が挙げられ、好ましいのは、フェニルチオ基、４−メチルフェニルチオ基、２−メトキシフェニルチオ基、４−ｔ−ブチルフェニルチオ基、ナフチルチオ基、フェロセニルチオ基、コバルトセニルチオ基、ニッケロセニルチオ基、オクタメチルフェロセニルチオ基、オクタメチルコバルトセニルチオ基、オクタメチルニッケロセニルチオ基等の炭素数６〜１０のアリールチオ基などである。
【００７６】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルケニルチオ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルケニルチオ基が挙げられ、好ましいのは、ビニルチオ基、アリルチオ基、ブテニルチオ基、ヘキサンジエニルチオ基、シクロペンタジエニルチオ基、スチリルチオ基、シクロヘキセニルチオ基、デセニルチオ基等の炭素数２〜１０のアルケニルチオ基などである。
【００７７】
また、Ｒ１〜Ｒ８がモノ置換アミノ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するモノ置換アミノ基が挙げられ、好ましいのは、次の（イ）〜（ホ）の基である。
（イ）　メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、（２−エチルヘキシル）アミノ基、シクロヘキシルアミノ基、（３，５，５−トリメチルヘキシル）アミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基などの炭素数１〜１０のモノアルキルアミノ基；
【００７８】
（ロ）　ベンジルアミノ基、フェネチルアミノ基、（３−フェニルプロピル）アミノ基、（４−エチルベンジル）アミノ基、（４−イソプロピルベンジル）アミノ基、（４−メチルベンジル）アミノ基、（４−エチルベンジル）アミノ基、（４−アリルベンジル）アミノ基、〔４−（２−シアノエチル）ベンジル〕アミノ基、〔４−（２−アセトキシエチル）ベンジル〕アミノ基などの炭素数７〜１０のモノアラルキルアミノ基；
【００７９】
（ハ）　アニリノ基、ナフチルアミノ基、トルイジノ基、キシリジノ基、エチルアニリノ基、イソプロピルアニリノ基、メトキシアニリノ基、エトキシアニリノ基、クロロアニリノ基、アセチルアニリノ基、メトキシカルボニルアニリノ基、エトキシカルボニルアニリノ基、プロポキシカルボニルアニリノ基、４−メチルアニリノ基、４−エチルアニリノ基、フェロセニルアミノ基、コバルトセニルアミノ基、ニッケロセニルアミノ基、ジルコノセニルアミノ基、オクタメチルフェロセニルアミノ基、オクタメチルコバルトセニルアミノ基、オクタメチルニッケロセニルアミノ基、オクタメチルジルコノセニルアミノ基など、炭素数６〜１０のモノアリールアミノ基；
【００８０】
（ニ）　ビニルアミノ基、アリルアミノ基、ブテニルアミノ基、ペンテニルアミノ基、ヘキセニルアミノ基、シクロヘキセニルアミノ基、シクロペンタジエニルアミノ基、オクタジエニルアミノ基、アダマンテニルアミノ基などの炭素数２〜１０のモノアルケニルアミノ基；
【００８１】
（ホ）　ホルミルアミノ基、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ｎ−プロピルカルボニルアミノ基、ｉｓｏ−プロピルカルボニルアミノ基、ｎ−ブチルカルボニルアミノ基、ｉｓｏ−ブチルカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルアミノ基、ｔ−ブチルカルボニルアミノ基、ｎ−ペンチルカルボニルアミノ基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニルアミノ基、ネオペンチルカルボニルアミノ基、２−メチルブチルカルボニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、メチルベンゾイルアミノ基、エチルベンゾイルアミノ基、トリルカルボニルアミノ基、プロピルベンゾイルアミノ基、４−ｔ−ブチルベンゾイルアミノ基、ニトロベンジルカルボニルアミノ基、３−ブトキシ−２−ナフトイルアミノ基、シンナモイルアミノ基、フェロセンカルボニルアミノ基、１−メチルフェロセン−１′−カルボニルアミノ基、コバルトセンカルボニルアミノ基、ニッケロセンカルボニルアミノ基などの炭素数１〜１６のアシルアミノ基等のアミノ基。
【００８２】
また、Ｒ１〜Ｒ８がジ置換アミノ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するジ置換アミノ基が挙げられ、好ましいのは、次の（イ）〜（ヘ）の基である。
（イ）　ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジオクチルアミノ基、ビス（メトキシエチル）アミノ基、ビス（エトキシエチル）アミノ基、ビス（プロポキシエチル）アミノ基、ビス（ブトキシエチル）アミノ基、ジ（アセチルオキシエチル）アミノ基、ジ（ヒドロキシエチル）アミノ基、Ｎ−エチル−Ｎ−（２−シアノエチル）アミノ基、ジ（プロピオニルオキシエチル）アミノ基などの炭素数２〜１６のジアルキルアミノ基；
【００８３】
（ロ）　ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基、ビス（４−エチルベンジル）アミノ基、ビス（４−イソプロピルベンジル）アミノ基などの炭素数１４〜２０のジアラルキルアミノ基；
（ハ）　ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−トリルアミノ基などの炭素数１２〜１４のジアリールアミノ基；
（ニ）　ジビニルアミノ基、ジアリルアミノ基、ジブテニルアミノ基、ジペンテニルアミノ基、ジヘキセニルアミノ基、ビス（シクロペンタジエニル）アミノ基、Ｎ−ビニル−Ｎ−アリルアミノ基などの炭素数４〜１２のジアルケニルアミノ基；
【００８４】
（ホ）　ジホルミルアミノ基、ジ（メチルカルボニル）アミノ基、ジ（エチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｎ−プロピルカルボニル）アミノ基、ジ（ｉｓｏ−プロピルカルボニル）アミノ基、ジ（ｎ−ブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｉｓｏ−ブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｓｅｃ−ブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｔ−ブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｎ−ペンチルカルボニル）アミノ基、ジ（ｉｓｏ−ペンチルカルボニル）アミノ基、ジ（ネオペンチルカルボニル）アミノ基、ジ（２−メチルブチルカルボニル）アミノ基、ジ（ベンゾイル）アミノ基、ジ（メチルベンゾイル）アミノ基、ジ（エチルベンゾイル）アミノ基、ジ（トリルカルボニル）アミノ基、ジ（プロピルベンゾイル）アミノ基、ジ（４−ｔ−ブチルベンゾイル）アミノ基、ジ（ニトロベンジルカルボニル）アミノ基、ジ（３−ブトキシ−２−ナフトイル）アミノ基、ジ（シンナモイル）アミノ基、コハク酸イミノ基などの炭素数２〜３０のジアシルアミノ基；
【００８５】
（ヘ）　Ｎ−フェニル−Ｎ−アリルアミノ基、Ｎ−（２−アセチルオキシエチル）−Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ−トリル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−ビニル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−ベンジル−Ｎ−アリルアミノ基、Ｎ−メチル−フェロセニルアミノ基、Ｎ−エチル−コバルトセニルアミノ基、Ｎ−ブチル−ニッケロセニルアミノ基、Ｎ−ヘキシル−オクタメチルフェロセニルアミノ基、Ｎ−メチル−オクタメチルコバルトセニルアミノ基、Ｎ−メチル−オクタメチルニッケロセニルアミノ基など等の置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基より選択した置換基を有する炭素数３〜２４のジ置換アミノ基。
【００８６】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアシル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアシル基が挙げられ、好ましいのは、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、ｎ−プロピルカルボニル基、ｉｓｏ−プロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基、ｉｓｏ−ブチルカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルカルボニル基、ｔ−ブチルカルボニル基、ｎ−ペンチルカルボニル基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニル基、ネオペンチルカルボニル基、２−メチルブチルカルボニル基、ベンゾイル基、メチルベンゾイル基、エチルベンゾイル基、トリルカルボニル基、プロピルベンゾイル基、４−ｔ−ブチルベンゾイル基、ニトロベンジルカルボニル基、３−ブトキシ−２−ナフトイル基、シンナモイル基、フェロセンカルボニル基、１−メチルフェロセン−１′−カルボニル基、コバルトセンカルボニル基、ニッケロセンカルボニル基などの炭素数１〜１６のアシル基である。
【００８７】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルコキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルコキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、次の（イ）〜（ト）の基である。
（イ）　メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉｓｏ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｉｓｏ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペントキシカルボニル基、ｉｓｏ−ペントキシカルボニル基、ネオペントキシカルボニル基、２−ペントキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカルボニル基、デカリルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、クロロエトキシカルボニル基、ヒドロキシメトキシカルボニル基、ヒドロキシエトキシカルボニル基などの炭素数２〜１１のアルコキシカルボニル基；
【００８８】
（ロ）　メトキシメトキシカルボニル基、メトキシエトキシカルボニル基、エトキシエトキシカルボニル基、プロポキシエトキシカルボニル基、ブトキシエトキシカルボニル基、ペントキシエトキシカルボニル基、ヘキシルオキシエトキシカルボニル基、ブトキシブトキシカルボニル基、ヘキシルオキシブトキシカルボニル基、ヒドロキシメトキシメトキシカルボニル基、ヒドロキシエトキシエトキシカルボニル基などのアルコキシ基が置換した炭素数３〜１１のアルコキシカルボニル基；
【００８９】
（ハ）　メトキシメトキシメトキシカルボニル基、メトキシエトキシエトキシカルボニル基、エトキシエトキシエトキシカルボニル基、プロポキシエトキシエトキシカルボニル基、ブトキシエトキシエトキシカルボニル基、ペントキシエトキシエトキシカルボニル基、ヘキシルオキシエトキシエトキシカルボニル基などのアルコキシアルコキシ基が置換した炭素数４〜１１のアルコキシカルボニル基；
【００９０】
（ニ）　フェロセニルメトキシカルボニル基、フェロセニルエトキシカルボニル基、フェロセニルプロポキシカルボニル基、フェロセニルブトキシカルボニル基、フェロセニルペンチルオキシカルボニル基、フェロセニルヘキシルオキシカルボニル基、フェロセニルヘプチルオキシカルボニル基、フェロセニルオクチルオキシカルボニル基、フェロセニルノニルオキシカルボニル基、フェロセニルデシルオキシカルボニル基、
【００９１】
（ホ）　コバルトセニルメトキシカルボニル基、コバルトセニルエトキシカルボニル基、コバルトセニルプロポキシカルボニル基、コバルトセニルブトキシカルボニル基、コバルトセニルペンチルオキシカルボニル基、コバルトセニルヘキシルオキシカルボニル基、コバルトセニルヘプチルオキシカルボニル基、コバルトセニルオクチルオキシカルボニル基、コバルトセニルノニルオキシカルボニル基、コバルトセニルデシルオキシカルボニル基、
（ヘ）　ニッケロセニルメトキシカルボニル基、ニッケロセニルエトキシカルボニル基、ニッケロセニルプロポキシカルボニル基、ニッケロセニルブトキシカルボニル基、ニッケロセニルペンチルオキシカルボニル基、ニッケロセニルヘキシルオキシカルボニル基、ニッケロセニルヘプチルオキシカルボニル基、ニッケロセニルオクチルオキシカルボニル基、ニッケロセニルノニルオキシカルボニル基、ニッケロセニルデシルオキシカルボニル基、
【００９２】
（ト）　ジクロロチタノセニルメトキシカルボニル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメトキシカルボニル基、ビス（トリフルオロメタンスルホナト）チタノセンメトキシカルボニル基、ジクロロジルコノセニルメトキシカルボニル基、ジメチルジルコノセニルメトキシカルボニル基、ジエトキシジルコノセニルメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムメトキシカルボニル基、ビス（シクロペンタジエニル）オスミウムメトキシカルボニル基などのメタロセニル基で置換した炭素数１１〜２０のアルコキシカルボニル基。
【００９３】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアラルキルオキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアラルキルオキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、ベンジルオキシカルボニル基、ニトロベンジルオキシカルボニル基、シアノベンジルオキシカルボニル基、ヒドロキシベンジルオキシカルボニル基、メチルベンジルオキシカルボニル基、トリフルオロメチルベンジルオキシカルボニル基、ナフチルメトキシカルボニル基、ニトロナフチルメトキシカルボニル基、シアノナフチルメトキシカルボニル基、ヒドロキシナフチルメトキシカルボニル基、メチルナフチルメトキシカルボニル基、トリフルオロメチルナフチルメトキシカルボニル基、フルオレン−９−イルエトキシカルボニル基などの炭素数８〜１６のアラルキルオキシカルボニル基等である。
【００９４】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアリールオキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアリールオキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、フェノキシカルボニル基、２−メチルフェノキシカルボニル基、４−メチルフェノキシカルボニル基、４−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル基、２−メトキシフェノキシカルボニル基、４−ｉｓｏ−プロピルフェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、フェロセニルオキシカルボニル基、コバルトセニルオキシカルボニル基、ニッケロセニルオキシカルボニル基、ジルコノセニルオキシカルボニル基、オクタメチルフェロセニルオキシカルボニル基、オクタメチルコバルトセニルオキシカルボニル基、オクタメチルニッケロセニルオキシカルボニル基、オクタメチルジルコノセニルオキシカルボニル基などの炭素数７〜１１のアリールオキシカルボニル基である。
【００９５】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアルケニルオキシカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアルケニルオキシカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、ビニルオキシカルボニル基、プロペニルオキシカルボニル基、１−ブテニルオキシカルボニル基、ｉｓｏ−ブテニルオキシカルボニル基、１−ペンテニルオキシカルボニル基、２−ペンテニルオキシカルボニル基、シクロペンタジエニルオキシカルボニル基、２−メチル−１−ブテニルオキシカルボニル基、３−メチル−１−ブテニルオキシカルボニル基、２−メチル−２−ブテニルオキシカルボニル基、２，２−ジシアノビニルオキシカルボニル基、２−シアノ−２−メチルカルボキシルビニルオキシカルボニル基、２−シアノ−２−メチルスルホンビニルオキシカルボニル基、スチリルオキシカルボニル基、４−フェニル−２−ブテニルオキシカルボニル基などの炭素数３〜１１のアルケニルオキシカルボニル基である。
【００９６】
また、Ｒ１〜Ｒ８がモノ置換アミノカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するモノ置換アミノカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、次の（イ）〜（ニ）の基である。
（イ）　メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシルアミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、（２−エチルヘキシル）アミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、（３，５，５−トリメチルヘキシル）アミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル基、デシルアミノカルボニル基などの炭素数２〜１１のモノアルキルアミノカルボニル基；
【００９７】
（ロ）　ベンジルアミノカルボニル基、フェネチルアミノカルボニル基、（３−フェニルプロピルアミノカルボニル基、（４−エチルベンジル）アミノカルボニル基、（４−イソプロピルベンジル）アミノカルボニル基、（４−メチルベンジル）アミノカルボニル基、（４−エチルベンジル）アミノカルボニル基、（４−アリルベンジル）アミノカルボニル基、〔４−（２−シアノエチル）ベンジル〕アミノカルボニル基、〔４−（２−アセトキシエチル）ベンジル〕アミノカルボニル基などの炭素数８〜１１のモノアラルキルアミノカルボニル基；
【００９８】
（ハ）　アニリノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、トルイジノカルボニル基、キシリジノカルボニル基、エチルアニリノカルボニル基、イソプロピルアニリノカルボニル基、メトキシアニリノカルボニル基、エトキシアニリノカルボニル基、クロロアニリノカルボニル基、アセチルアニリノカルボニル基、メトキシカルボニルアニリノカルボニル基、エトキシカルボニルアニリノカルボニル基、プロポキシカルボニルアニリノカルボニル基、４−メチルアニリノカルボニル基、４−エチルアニリノカルボニル基など、炭素数７〜１１のモノアリールアミノカルボニル基；
【００９９】
（ニ）　ビニルアミノカルボニル基、アリルアミノカルボニル基、ブテニルアミノカルボニル基、ペンテニルアミノカルボニル基、ヘキセニルアミノカルボニル基、シクロヘキセニルアミノカルボニル基、オクタジエニルアミノカルボニル基、アダマンテニルアミノカルボニル基、などの炭素数３〜１１のモノアルケニルアミノカルボニル基。
【０１００】
また、Ｒ１〜Ｒ８がジ置換アミノカルボニル基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するジ置換アミノカルボニル基が挙げられ、好ましいのは、次の（イ）〜（ホ）の基である。
（イ）　ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、メチルエチルアミノカルボニル基、ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボニル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノカルボニル基、ジシクロヘキシルアミノカルボニル基、ジオクチルアミノカルボニル基、ピロリジノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基、モルホリノカルボニル基、ビス（メトキシエチル）アミノカルボニル基、ビス（エトキシエチル）アミノカルボニル基、ビス（プロポキシエチル）アミノカルボニル基、ビス（ブトキシエチル）アミノカルボニル基、ジ（アセチルオキシエチル）アミノカルボニル基、ジ（ヒドロキシエチル）アミノカルボニル基、Ｎ−エチル−Ｎ−（２−シアノエチル）アミノカルボニル基、ジ（プロピオニルオキシエチル）アミノカルボニル基などの炭素数３〜１７のジアルキルアミノカルボニル基；
【０１０１】
（ロ）　ジベンジルアミノカルボニル基、ジフェネチルアミノカルボニル基、ビス（４−エチルベンジル）アミノカルボニル基、ビス（４−イソプロピルベンジル）アミノカルボニル基などの炭素数１５〜２１のジアラルキルアミノカルボニル基；
（ハ）　ジフェニルアミノカルボニル基、ジトリルアミノカルボニル基、Ｎ−フェニル−Ｎ−トリルアミノカルボニル基などの炭素数１３〜１５のジアリールアミノカルボニル基；
【０１０２】
（ニ）　ジビニルアミノカルボニル基、ジアリルアミノカルボニル基、ジブテニルアミノカルボニル基、ジペンテニルアミノカルボニル基、ジヘキセニルアミノカルボニル基、Ｎ−ビニル−Ｎ−アリルアミノカルボニル基などの炭素数５〜１３のジアルケニルアミノカルボニル基；
（ホ）　Ｎ−フェニル−Ｎ−アリルアミノカルボニル基、Ｎ−（２−アセチルオキシエチル）−Ｎ−エチルアミノカルボニル基、Ｎ−トリル−Ｎ−メチルアミノカルボニル基、Ｎ−ビニル−Ｎ−メチルアミノカルボニル基、Ｎ−ベンジル−Ｎ−アリルアミノカルボニル基等の置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基より選択した置換基を有する炭素数４〜１１のジ置換アミノカルボニル基。
【０１０３】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のアシルオキシ基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するアシルオキシ基が挙げられ、好ましいのは、ホルミルオキシ基、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、ｉｓｏ−プロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｉｓｏ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニルオキシ基、ネオペンチルカルボニルオキシ基、２−メチルブチルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、メチルベンゾイルオキシ基、エチルベンゾイルオキシ基、トリルカルボニルオキシ基、プロピルベンゾイルオキシ基、４−ｔ−ブチルベンゾイルオキシ基、ニトロベンジルカルボニルオキシ基、３−ブトキシ−２−ナフトイルオキシ基、シンナモイルオキシ基、フェロセンカルボニルオキシ基、１−メチルフェロセン−１′−カルボニルオキシ基、コバルトセンカルボニルオキシ基、ニッケロセンカルボニルオキシ基などの炭素数２〜１６のアシルオキシ基である。
【０１０４】
また、Ｒ１〜Ｒ８が置換又は無置換のヘテロアリール基である場合の具体例としては、前述したアルキル基の場合と同様な置換基を有するヘテロアリール基が挙げられ、好ましいのは、次の（ａ）に示す無置換ヘテロアリール基、或いは（ｂ）に示す置換基により置換したヘテロアリール基である。
（ａ）　フラニル基、ピロリル基、３−ピロリノ基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、１，２，３−オキサジアゾリル基、１，２，３−トリアゾリル基、１，２，４−トリアゾリル基、１，３，４−チアジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル基、チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾトリアゾール−２−イル基、ベンゾトリアゾール−１−イル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナントロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基、フタルイミド基、ナフチルイミド基などの無置換ヘテロアリール基；
【０１０５】
（ｂ）ヘテロアリール基の置換基
・フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；
・シアノ基；
・メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、メトキシメチル基、エトキシエチル基、エトキシエチル基、トリフルオロメチル基等のアルキル基；
・ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基；
・フェニル基、トリル基、ナフチル基、キシリル基、メシル基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基等のアリール基；
・メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ基、フェロセンメトキシ基、コバルトセンメトキシ基、ニッケロセンメトキシ基等のアルコキシ基；
【０１０６】
・ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基などのアラルキルオキシ基；
・フェノキシ基、トリルオキシ基、ナフトキシ基、キシリルオキシ基、メシチルオキシ基、クロロフェノキシ基、メトキシフェノキシ基等のアリールオキシ基；
・ビニル基、アリル基、ブテニル基、ブタジエニル基、ペンテニル基、シクロペンタジエニル基、オクテニル基等のアルケニル基；
・ビニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基、ブタジエニルオキシ基、ペンテニルオキシ基、シクロペンタジエニルオキシ基、オクテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基；
・メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、メトキシメチルチオ基、エトキシエチルチオ基、エトキシエチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等のアルキルチオ基；
・ベンジルチオ基、フェネチルチオ基などのアラルキルチオ基；
・フェニルチオ基、トリルチオ基、ナフチルチオ基、キシリルチオ基、メシルチオ基、クロロフェニルチオ基、メトキシフェニルチオ基等のアリールチオ基；
【０１０７】
・ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；
・アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、フェロセンカルボニル基、コバルトセンカルボニル基、ニッケロセンカルボニル基等のアシル基；
・メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、フェロセンメトキシカルボニル基、１−メチルフェロセン−１′−イルメトキシカルボニル基、コバルトセニルメトキシカルボニル基、ニッケロセニルメトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；
・ベンジルオキシカルボニル基、フェネチルオキシカルボニル基等のアラルキルオキシカルボニル基；
・フェノキシカルボニル基、トリルオキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、キシリルオキシカルボニル基、メシルオキシカルボニル基、クロロフェノキシカルボニル基、メトキシフェノキシカルボニル基等のアリールオキシカルボニル基；
【０１０８】
・ビニルオキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ブテニルオキシカルボニル基、ブタジエニルオキシカルボニル基、シクロペンタジエニルオキシ基、ペンテニルオキシカルボニル基、オクテニルオキシカルボニル基等のアルケニルオキシカルボニル基；
・メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシルアミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル基、３，５，５−トリメチルヘキシルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基等の炭素数２〜１０のモノアルキルアミノカルボニル基
・ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、ジプロピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボニル基、ジペンチルアミノカルボニル基、ジヘキシルアミノカルボニル基、ジヘプチルアミノカルボニル基、ジオクチルアミノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基、モルホリノカルボニル基、４−メチルピペラジノカルボニル基、４−エチルピペラジノカルボニル基等の炭素数３〜２０のジアルキルアミノカルボニル基等のアルキルアミノカルボニル基；
【０１０９】
・フラニル基、ピロリル基、３−ピロリノ基、ピロリジノ基、１，３−オキソラニル基、ピラゾリル基、２−ピラゾリニル基、ピラゾリジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、１，２，３−オキサジアゾリル基、１，２，３−トリアゾリル基、１，２，４−トリアゾリル基、１，３，４−チアジアゾリル基、４Ｈ−ピラニル基、ピリジニル基、ピペリジニル基、ジオキサニル基、モルホリニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル基、チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナントロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基等の複素環基；
・フェロセニル基、コバルトセニル基、ニッケロセニル基、ルテノセニル基、オスモセニル基、チタノセニル基などのメタロセニル基。
【０１１０】
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３で表される置換されていてもよいメチン基の置換基Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１の例としては、シアノ基；前述のＲ１〜Ｒ８において示したのと同様のハロゲン原子、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」が挙げられる。
【０１１１】
Ｒ１〜Ｒ１１が連結基を介して、それぞれ環を形成する際の連結基としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、金属原子、半金属原子などのヘテロ原子及び炭素原子の中から適宜選択して組み合わせてなる基であり、好ましい連結基の例としては、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、又は置換されていてもよいメチレン基、イミノ基、金属原子などが挙げられ、適宜組み合わせて所望する環を得ることができる。連結基により形成する環としては、連結基により連結した鎖状、面状又は立体状の環が挙げられる。
連結した骨格の好適な例としては、次の（イ）〜（ニ）のものが挙げられる。
（イ）　−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２（ＮＯ２）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ（Ｃｌ）−ＣＨ２−ＣＨ２−等（脂肪族縮合環を形成する）；
【０１１２】
（ロ）　−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ（ＮＯ２）＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ３）−、−Ｃ（ＯＣＨ３）＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＯＣＨ３）−、−Ｃ〔ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−（ＯＣＨ３）〕＝Ｃ（Ｃｌ）−Ｃ（Ｃｌ）＝Ｃ〔ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−（ＯＣＨ３）〕−、−Ｃ〔ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２〕＝Ｃ（Ｃｌ）−Ｃ（Ｃｌ）＝Ｃ〔ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２〕−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ３）−Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ−、−Ｃ（Ｃｌ）＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ｛ＯＣＨ〔ＣＨ（ＣＨ３）２〕２｝＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ｛ＯＣＨ〔ＣＨ（ＣＨ３）２〕２｝＝Ｃ（Ｂｒ）−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ｛ＯＣＨ〔ＣＨ（ＣＨ３）２〕２｝＝ＣＨ−Ｃ（Ｂｒ）＝ＣＨ−、−Ｃ｛ＯＣＨ〔ＣＨ（ＣＨ３）２〕２｝＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｂｒ）−等（芳香族縮合環を形成する）；
【０１１３】
（ハ）　−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ（ＣＨ３）−Ｏ−、−ＣＯＯ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＯＯ−ＣＨ２−、−ＣＯＮＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＯＮＨ−ＣＨ２−、−ＣＯＮ（ＣＨ３）−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＯＮ（ＣＨ３）−ＣＨ２−等（複素環を形成する）；
【０１１４】
（ニ）
【化１４】
2004111011.tif 000015
〔式中、Ｍ′は、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｏｓ又はＭ″Ｒ′２（Ｍ″はＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｖの何れかを表し、Ｒ′は、ＣＯ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、前述のＲ１〜Ｒ８と同様の置換基を有する炭素数１〜１０のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基の何れかを表す。）の何れかを表す。〕等（金属錯体残基を含む複素環を形成する）。
【０１１５】
Ｒ１〜Ｒ１１が各々隣接する置換基と連結基を介して連結する際に好適な連結の組合せは、Ｒ１とＲ２、Ｒ３とＲ４、Ｒ５とＲ６、Ｒ７とＲ８、Ｒ２とＲ９、Ｒ３とＲ９、Ｒ４とＲ１０、Ｒ５とＲ１０、Ｒ６とＲ１１、Ｒ７とＲ１１等が挙げられる。
【０１１６】
Ｍ１が２価の無置換金属原子である場合の具体例としては、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｈｇ、Ｃｄ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｃａ等が挙げられる。
Ｍ１が配位子を有する２価の金属原子である場合の具体例としては、Ｃｕ（ＮＨ３）２、Ｆｅ（ＮＨ３）２、Ｆｅ（ピリジン）２、Ｆｅ（γ−ピコリン）２、Ｆｅ（トシルメチルイソシアニド）２、Ｆｅ（ベンジルイソシアニド）２等の含窒素化合物が配位した２価の金属原子が挙げられる。
【０１１７】
Ｍ１が置換基を有する３価の金属原子である場合の具体例としては、Ａｌ−Ｆ、Ａｌ−Ｃｌ、Ａｌ−Ｂｒ、Ａｌ−Ｉ、Ｇａ−Ｆ、Ｇａ−Ｃｌ、Ｇａ−Ｂｒ、Ｇａ−Ｉ、Ｉｎ−Ｆ、Ｉｎ−Ｃｌ、Ｉｎ−Ｂｒ、Ｉｎ−Ｉ、Ｔｉ−Ｆ、Ｔｉ−Ｃｌ、Ｔｉ−Ｂｒ、Ｔｉ−Ｉ、Ａｌ−Ｃ６Ｈ５、Ａｌ−Ｃ６Ｈ４（ＣＨ３）、Ｉｎ−Ｃ６Ｈ５、Ｉｎ−Ｃ６Ｈ４（ＣＨ３）、Ｍｎ（ＯＨ）、Ｍｎ（ＯＣＨ３）、Ｍｎ（ＯＣ６Ｈ５）、Ｍｎ〔ＯＳｉ（ＣＨ３）３〕、Ｆｅ−Ｆ、Ｆｅ−Ｃｌ、Ｆｅ−Ｂｒ、Ｆｅ−Ｉ、Ｒｕ−Ｆ、Ｒｕ−Ｃｌ、Ｒｕ−Ｂｒ、Ｒｕ−Ｉ等の１置換の３価の金属原子が挙げられる。
【０１１８】
Ｍ１が置換基を有する４価の金属原子である場合の具体例としては、ＣｒＣｌ２、ＳｎＦ２、ＳｎＣｌ２、ＳｎＢｒ２、ＳｎＩ２、ＺｎＦ２、ＺｎＣｌ２、ＺｎＢｒ２、ＺｎＩ２、ＧｅＦ２、ＧｅＣｌ２、ＧｅＢｒ２、ＧｅＩ２、ＴｉＦ２、ＴｉＣｌ２、ＴｉＢｒ２、ＴｉＩ２、Ｓｎ（ＯＨ）２、Ｇｅ（ＯＨ）２、Ｚｒ（ＯＨ）２、Ｍｎ（ＯＨ）２、ＴｉＡ２、ＣｒＡ２、ＳｉＡ２、ＳｎＡ２、ＧｅＡ２、Ｔｉ（ＯＡ）２、Ｃｒ（ＯＡ）２、Ｓｎ（ＯＡ）２、Ｇｅ（ＯＡ）２、Ｔｉ（ＳＡ）２、Ｃｒ（ＳＡ）２、Ｓｎ（ＳＡ）２、Ｇｅ（ＳＡ）２〔Ａは、前述のＲ１〜Ｒ８において示したのと同様の置換又は無置換の「アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基」を表す。〕等の２置換の４価の金属原子が挙げられる。
【０１１９】
Ｍ１が置換基を有する３価又は４価の半金属原子である場合の具体例としては、Ｂ−Ｆ、Ｂ−Ｃｌ、Ｂ−Ｂｒ、Ｂ−Ｉ、Ｂ−Ａ、Ｂ（ＯＨ）、Ｂ（ＯＡ）、Ｂ〔ＯＳｉ（ＣＨ３）３〕〔Ａは、前述のＡと同じ〕等の１置換の３価の半金属原子や、ＳｉＦ２、ＳｉＣｌ２、ＳｉＢｒ２、ＳｉＩ２、Ｓｉ（ＯＨ）２、ＳｉＡ２、Ｓｉ（ＯＡ）２、Ｓｉ（ＳＡ）２〔Ａは、前述のＡと同じ〕等の２置換の４価の半金属原子が挙げられる。
Ｍ１がオキシ金属原子である場合の具体例としては、ＶＯ、ＭｎＯ、ＴｉＯ等が挙げられる。
【０１２０】
上記の中でもＭ１として好ましいのは、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｆｅ（ピリジン）２、Ｆｅ（γ−ピコリン）２、Ｆｅ（トシルメチルイソシアニド）２、Ｆｅ（ベンジルイソシアニド）２、Ｆｅ−Ｆ、Ｆｅ−Ｃｌ、Ｆｅ−Ｂｒ、Ｆｅ−Ｉ、ＶＯ、ＴｉＯ、ＴｉＡ２、ＳｉＡ２、ＳｎＡ２、ＲｕＡ２、ＲｈＡ２、ＧｅＡ２、ＳｉＡ２、Ｓｉ（ＯＡ）２、Ｓｎ（ＯＡ）２、Ｇｅ（ＯＡ）２、Ｓｉ（ＳＡ）２、Ｓｎ（ＳＡ）２、Ｇｅ（ＳＡ）２〔Ａは、前述のＡと同じ〕である。
【０１２１】
前記一般式（７）で表されるジアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ１２〜Ｒ１９の例としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、又は前述のＲ１〜Ｒ８で示されるハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
【０１２２】
また、Ｒ２０、Ｒ２１で表される置換されていてもよいメチン基の置換基の例としては、シアノ基；又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したのと同様のハロゲン原子、置換又は無置換の「アルキル基、アラルキル基、アリール基」が挙げられる。特に、溶解性向上並びに光学特性向上のため、置換基Ｒ２０、Ｒ２１は置換又は無置換の炭素数１以上の基が好ましく、置換又は無置換のフェニル基がより好ましい。
また、Ｒ１２〜Ｒ１９が連結基を介して、それぞれ形成する環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
また、Ｍ２で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０１２３】
前記一般式（８）で表されるモノアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ２２〜Ｒ２９の例としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
【０１２４】
また、Ｒ３０〜Ｒ３２で表される置換されていてもよいメチン基の置換基の例としては、シアノ基；又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したのと同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基が挙げられる。Ｒ２２〜Ｒ３２が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
Ｍ３で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０１２５】
前記一般式（９）で表されるアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ３３〜Ｒ４４の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
Ｒ３３〜Ｒ４４が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
Ｍ４で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０１２６】
前記一般式（１０）で表されるアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ４５〜Ｒ５６の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
Ｒ４５〜Ｒ５６が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
Ｍ５で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０１２７】
前記一般式（１１）で表されるアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ５７〜Ｒ６８の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
Ｒ５７〜Ｒ６８が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
Ｍ６で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０１２８】
前記一般式（１２）で表されるアザポルフィリン化合物において、ピロール環上の置換基Ｒ６９〜Ｒ８０の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、又は前述のＲ１〜Ｒ８において示したハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基と同様のハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリール基が挙げられる。
Ｒ６９〜Ｒ８０が連結基を介して、それぞれ形成した環の例としては、前述のＲ１〜Ｒ１１において示したのと同様の脂肪族縮合環、芳香族縮合環、複素環が挙げられる。
Ｍ７で表される中心原子の例としては、２個の水素原子；又は前述のＭ１において示したのと同様の、２価の無置換又は配位子を有する金属原子、置換基を有する３価又は４価の金属原子又は半金属原子、オキシ金属原子が挙げられる。
【０１２９】
前述したようなアザポルフィリン系化合物の製造方法は特に限定されないが、例えば前記化合物（７）の場合、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．（Ｃ），２２−２９（１９９６）、Ｊ．Ｂｉｏｃｈｅｍ．，１２１，６５４−６６０（１９９７）、Ｚ．Ｐｈｙｓｉｏｌ．Ｃｈｅｍ，２１４，１４５（１９３３）、Ｄｉｅ　Ｃｈｅｍｉｅ　ｄｅｓ　Ｐｙｒｒｏｌｓ，Ｂａｎｄ　ＩＩ，Ｈａｌｆｔｅ　２，ｐｐ．４１１−４１４，Ａｋａｄｅｍｉｓｃｈｅ　Ｖｅｒｌａｇｅｓｅｌｌｓｃｈｕｆｔ，Ｌｅｉｐｚｉｇ（１９４０）等に記載の方法に準じて製造される。
代表的には、以下のような三段階の反応にて製造することができる。
まず、第一段階では、一般式（１６）及び一般式（１７）で表されるジピロメタン化合物をそれぞれ酢酸等のカルボン酸系溶媒あるいは塩化メチレン等のハロゲン化炭化水素系溶媒中で、臭素、ヨウ素、Ｎ−ブロモコハク酸イミド、Ｎ−ヨードコハク酸イミド等のハロゲン化剤によりハロゲン化し、各々一般式（１８）及び一般式（１９）で示されるジピロメテン化合物を得る。
【０１３０】
【化１５】
2004111011.tif 000016
【化１６】
2004111011.tif 000017
〔式（１６）、（１７）中、Ｒ１２〜Ｒ２１は、一般式（７）のＲ１２〜Ｒ２１とそれぞれ同一の基を表し、ｒは水素原子又はカルボキシル基を表す。〕
【化１７】
2004111011.tif 000018
【化１８】
2004111011.tif 000019
〔式（１８）、（１９）中、Ｒ１２〜Ｒ２１は、一般式（７）のＲ１２〜Ｒ２１とそれぞれ同一の基を表し、ａはハロゲン原子を表す。〕
【０１３１】
次いで第二段階では、一般式（１８）及び一般式（１９）で表されるジピロメテン化合物を、それぞれエタノール等のアルコール系溶媒及び／又はジメチルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機溶媒中で、金属又は半金属の硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化塩などの無機塩、或いは酢酸塩、アセチルアセトナート塩等の有機金属塩等の金属又は半金属化合物を用い、空気などの酸化剤の存在下或いは非存在下で反応させることにより、一般式（２０）で表されるジピロメテン金属錯体を得る。
【化１９】
2004111011.tif 000020
〔式中、Ｒ１２〜Ｒ２１は一般式（７）のＲ１２〜Ｒ２１とそれぞれ同一の基を表し、ａはハロゲン原子を表し、Ｍ２は一般式（７）のＭ２と同一の意を表す。〕
【０１３２】
次いで、第三段階では、上記ジピロメテン金属錯体（２７１６）をエタノール等のアルコール系溶媒及び／又はジメチルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機溶媒中でアジ化ナトリウム等のアジ化塩と反応させることにより、一般式（７）で示される本発明のジアザポルフィリン化合物を得ることができる。
ここで、第一段階で得られた一般式（１８）及び一般式（１９）で示されるジピロメテン化合物を、それぞれエタノール等のアルコール系溶媒及び／又はジメチルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機溶媒中で、金属又は半金属の硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化塩などの無機塩、或いは酢酸塩、アセチルアセトナート塩等の有機金属塩等を用い、空気などの酸化剤の存在下又は非存在下で、アジ化ナトリウム等のアジ化塩と反応させることにより、一般式（７）の化合物を得ることもできる。
更に、無金属の一般式（７）で表されるジアザポルフィリン化合物〔Ｍが２個の水素原子〕は、一般式（１８）及び（１９）で表されるジピロメテン化合物をメタノール等のアルコール系溶媒及び／又はジメチルホルムアミド等のアミド溶媒などの有機溶媒中でアジ化ナトリウム等と反応させるか、或いは、金属錯体化した一般式（２０）の化合物をクロロホルム等の溶媒中で、トリフルオロ酢酸等の有機酸と反応させることにより得ることができる。
【０１３３】
一般式（７）で表されるジアザポルフィリン化合物の具体例としては、例えば表１〜表５に記載する置換基を有する化合物（１−１）〜（１−６５）等が挙げられる。
【表１】
2004111011.tif 000021
【表２】
2004111011.tif 000022
【表３】
2004111011.tif 000023
【表４】
2004111011.tif 000024
【表５】
2004111011.tif 000025
【０１３４】
また、好ましいポルフィリンとしては、下記一般式（２１）で示される化合物が挙げられる。
【化２０】
2004111011.tif 000026
〔式中、Ａ１〜Ａ４、Ｂ１〜Ｂ８は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、フェニル基の何れかを表す。ＢｎとＢｎ＋１（ｎ＝１、３、５、７）は、Ｃ４Ｈ４残基を介して環状に結合していてもよい。Ｍは２個又は４個のプロトン若しくは１個の金属原子を表す。〕
【０１３５】
中でも、下記一般式（２２）で示される化合物が好ましく、特に好ましいのは下記一般式（２３）で示される化合物である。
【化２１】
2004111011.tif 000027
〔式中、Ｒ１は水素原子、メチル基、アリル基、又はフェニル基を表し、Ｒ２は水素原子、メチル基、アリル基、フェニル基、メトキシフェニル基、トリル基、ニトロ基、アミノ基、又はシアノ基を表し、Ｒ３は水素原子、メチル基、ハロゲン原子、アリル基、フェニル基、メトキシフェニル基、トリル基、ニトロ基、アミノ基、又はシアノ基を表す。Ｍは２個又は４個のプロトン若しくはＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎから選ばれた２価の金属を表す。〕
【化２２】
2004111011.tif 000028
〔式中、Ａ１〜Ａ４は、水素原子又はフェニル基を表す。Ｍは２個又は４個のプロトン若しくはＺｎを表す。〕
【０１３６】
ポルフィリン誘導体はその構造の対称性から結晶化し易いため、結晶化することなく良好な溶解性で溶解させるためには、配位能を持つ分子構造を側鎖に有する沸点の低い高分子と共に溶剤に溶解させることが好ましい。
この溶液をスピンコートすると、ポルフィリン同士のスタックのない分散性に優れた記録層が形成される。
本発明で用いるテトラベンゾポルフィリンとしては、３００〜５００ｎｍの記録波長で記録が行われるものがよく、３３９〜４３５ｎｍで記録が行われるものが更に好ましく、亜鉛錯体であるものが最も好ましい。そのようなものとして、テトラフェニルテトラベンゾポルフィリン亜鉛錯体が挙げられる。
【０１３７】
また、高分子物質としては、ポルフィリン誘導体の中心金属に配位できる側鎖を有するもの、例えばイミダゾール誘導体、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、フェノール誘導体を側鎖に有する高分子物質のうち、ポルフィリン誘導体との相溶性を考慮して選択することが望ましい。中でも、ポリ−４−ビニルピリジンが好適である。
ポルフィリン誘導体と高分子物質の組成比は、高分子物質を構成するモノマーが、ポルフィリン誘導体に対して５０倍以上のモル比で存在するように設定することが好ましい。この組成比で、ポルフィリン誘導体と高分子物質を混合することにより、ポルフィリンをスタックさせることなく記録層中に良好に分散できる。なお、更に最適な組成比は、用いる高分子物質とポルフィリン誘導体の種類によって多少変化する。高分子物質としてポリビニルピリジンを用いる場合には、ビニルピリジンモノマーがポルフィリン誘導体に対して６７倍以上のモル比で存在するように組成比を設定することが好ましい。
【０１３８】
また、上記配位能を持つモノマーの高分子物質全体に対する比率は、モル比で５０％以上であることが望ましい。配位能を持つモノマーをこの範囲で含有する高分子物質は、配位子としてポルフィリンと良好に相互作用し、ソーレー帯を長波長シフトさせ分子吸光係数を増大させる。
なお、このような記録層には、ポルフィリン誘導体、高分子物質の他に、耐光性向上の目的で、ヒンダードアミン類、ニッケル錯体等を３０重量部以内の量、好ましくは０．１〜１０重量部添加しても良い。
第一の光吸収層４の厚さは、５〜２００ｎｍが好ましい。膜厚が５ｎｍより薄い場合は熱の吸収が十分ではなく、変形や変化が不十分となる。また、膜厚が２００ｎｍより厚い場合は体積が大きいため変形が抑えられたり、熱的な影響を受けて光学的に変化できない部分が存在するため問題である。
【０１３９】
特に好ましい色素の具体例としては、次のようなメタルフタロシアニン系色素（以下、ＭＰｃという）が挙げられる。なお、多数の式中に使用される同一の符号は同一の置換基を表すので、一度だけ記載することにした。
ＭＰｃ−Ｒｎ（Ｒ＝アルキル基、シクロアルキル基、オキサアルキル基）、ＭＰｃ−（ＸＲ）ｎ（Ｘ＝Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）、ＭＰｃ−（Ａｒ）ｎ（Ａｒ＝アリール基）、ＭＰｃ−（ＹＡｒ）ｎ（Ｙ＝Ｏ、Ｓ、Ｓｅ）、ＭＰｃ−（ＳＯ３Ｍ）ｎ（Ｍ＝Ｈ、金属イオン）、ＭＰｃ−（ＳＯ２ＮＲ１Ｒ２）ｎ（Ｒ１、Ｒ２＝Ｈ、アルキル基、アリール基）、ＭＰｃ−（ＣＯＯＭ）ｎ（Ｍ＝金属イオン）、ＭＰｃ−（ＣＯＺ）ｎ（Ｚ＝Ｒ、ＯＲ、ＮＲ１Ｒ２）、ＭＰｃ−（ＮＲ１Ｒ２）ｎ、ＭＰｃ−（ＮＲ１−ＣＯＲ２）ｎ、ＭＰｃ−（ＳｉＮＲ１Ｒ２Ｒ３）ｎ（Ｒ３＝アルキル基、アリール基）、ＭＰｃ−（ＮＯ２）ｎ、ＭＰｃ−Ｆｎなど。
上記色素の中心金属Ｍとしては、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｔｈ、Ｐａ、Ｕ、Ｎｐ、Ａｍ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇなどが挙げられる。
【０１４０】
更に、下記化学式（２４）で示されるポルフィリン系色素を用いた場合も、変調度が大きく、良好な記録が達成できる。この場合、膜厚は１０〜１００ｎｍが好適であり、１０ｎｍより薄いと吸収率が少なくなり問題である。また、膜厚が１００ｎｍより厚い場合は体積が記録を阻害し、良好な記録を達成できない。
【化２３】
2004111011.tif 000029
（式中、Ｘ１〜Ｘ３はそれぞれ独立に窒素原子又はＣＨ基を示し、Ｒ１〜Ｒ８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１２の置換又は無置換のアルキル基、炭素数６〜２０の置換又は無置換のアリール基、水酸基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、アミノ基又はアルキルアミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、置換又は無置換のカルボン酸エステル基、置換又は無置換のカルボン酸アミド基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホン酸基、置換又は無置換のスルホン酸エステル基、置換又は無置換のスルホンアミド基、置換又は無置換のシリル基、及びシロキシ基から選択される。また、中心金属Ｍは遷移金属を示し、電荷を有してカチオン塩構造をとっても良い。）
【０１４１】
第一の光吸収層の材料としてにフタロシアニン色素を選択する場合、この色素は、溶液状態において波長λ＝３００〜４００ｎｍの間にポルフィリン環に起因するＢ帯の吸収を示すが、その強度は、ｌｏｇ１０ε（εは分子吸光係数）で表したとき、３．５以上でなければならない。３．５より小さいと、吸収が少なく良好な記録を達成することができない。
また、上記色素材料群より選択される１種又は２種以上の色素材料を樹脂中に分散して用いることもできる。
色素材料を分散可能な樹脂としては、アクリル樹脂、特にアクリレート系樹脂、ビニル樹脂、特にビニールアルコール系樹脂、ビニールアセテート系樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリウレタン樹脂、セルロース樹脂、脂肪酸系樹脂などを挙げることができる。樹脂の配合量は全体の５０重量％以下とすることが好ましい。
【０１４２】
上記の樹脂として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリエチレンオキシド、ポリアクリル酸、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム、ポリビニルピロリドン、ポリメタクリル酸、ポリプロピレングリコール、メチルセルロース、ポリビニルナイトレート、ニトロセルロースなどの親水性樹脂を用いてもよく、その場合には、上記親水性樹脂の水溶液を、透明基板１のプリフォーマットパターン形成面２にスピンコートして形成する。
なお、親水性樹脂を用いると、耐水性（耐湿性、透湿性）や耐熱性が悪いので、架橋処理や結晶化処理を施して耐水性や耐熱性を改善することが好ましい。具体的には、親水性樹脂の水溶液に架橋剤を添加し、第一光吸収層３を成膜した後に、光照射による架橋反応や加熱による架橋反応を起させたり、或いは架橋剤を添加することなく第一光吸収層３を熱処理して結晶化（例えば、親水性樹脂としてＰＶＡを用いる場合には、変性ＰＶＡ化する）させたりする。
【０１４３】
架橋処理と結晶化処理とを比較すると、加熱による悪影響を透明基板１に与えることがなく、かつ作業性にも優れていることから、架橋処理の方が好ましい。以下に、架橋反応の具体例を示すが、実施に際しては、これらの架橋反応の中から、必要に応じて任意の手段を選択することができる。
（１）架橋剤として重クロム酸アンモニウムを添加し、色素表面を処理すると同時に、成膜後に反応光を照射して、第一の光吸収層に架橋反応を起させる方法。
（２）無機系架橋剤として、例えば銅、ホウ素、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、スズ、バナジウム、クロム等を添加する方法。
（３）アルデヒドを用いてアセタール化する方法。
（４）水酸基をアルデヒド化する方法。
（５）活性化ビニル化合物を添加する方法。
（６）エポキシ化合物を添加してエーテル化する方法。
（７）酸触媒の存在下でジカルボン酸反応を起させる方法。
（８）コハク酸及び硫酸を添加する方法。
（９）トリエチレングリコール及びアクリル酸メチルを添加する方法。
（１０）ポリアクリル酸及びメチルビニルエーテルマレイン酸共重合体をブレンドする方法。
【０１４４】
また、第一の光吸収層の材料としては、芳香族化合物、脂肪族化合物、アミド、エステル、アミン、ウレア、硫黄化合物及びヒドロキシ化合物からなる群から選択される少なくとも１つを用いることもできる。
更に、第一の光吸収層は、分解温度が１６０℃以上、５００℃以下の有機物質を含有することが望ましい。このような有機物質は、上記例示化合物の中から適宜選択すればよい。分解温度が１６０℃より低いと環境に影響され、保存性に問題が発生する。また、分解温度が５００℃より高いと記録時に材料の分解を誘発することができず記録感度が低下するという問題がある。
また、第一の光吸収層は熱伝導率が１．１Ｗ／ｍｋより小さい材料により構成されていることが望ましい。熱伝導率がこれよりも大きいと、伝導により熱が逃げてしまって記録が阻害され十分なコントラストを得ることができない。
【０１４５】
第一の光吸収層は、透明基板１のプリフォーマットパターン形成面に、例えば上記色素材料群より選択された色素材料の溶剤溶液をスピンコートして形成する。即ち、溝状のプリフォーマットパターン２内に色素材料を充填した後、プリフォーマットパターン２の間のランド部２ｃに付着した色素材料を選択的に除去し、透明基板１の表面を露出すると共に、プリフォーマットパターン２内にのみ色素材料を充填することによって形成できる。なお、色素材料の溶剤としては、２５℃における誘電率が８０未満であり、色素材料を０．１重量％以上溶解させることができるものを用いる必要がある。溶解能力が０．１重量％より小さいと膜厚を確保することができない。具体的にはアルコール系溶剤やセルソルブ系溶剤などを用いることができる。
【０１４６】
また、第一の吸収層を形成するための誘電率の小さい溶剤の例としては、酢酸ブチル、セロソルブアセテートなどのエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルムなどの塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミドなどのアミド；シクロヘキサンなどの炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル；エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノールジアセトンアルコールなどのアルコール；２，２，３，３−テトラフロロプロパノールなどのフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類などを挙げることができる。
上記溶剤は使用する色素の溶解性を考慮して単独又は二種以上併用して適宜用いることができる。塗布液中には更に酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤など各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。
【０１４７】
更に、二座配位を取り得るキレート剤を含有させて、色素の褪色防止を図ることもできる。このようなキレート剤としては、無機酸類、ジカルボン酸類、オキシカルボン酸類、ジオキシ化合物類、オキシオキシム類、オキシアルデヒド及び誘導体類、ジケトン及び類似化合物類、オキシキノン類、トロボロン類、Ｎ−オキシド化合物類、アミノカルボン酸及び類似化合物類、ヒドロキシルアミン類、オキシン類、アルジミン類、オキシアゾ化合物類、ニトロソナフトール類、トリアゼン類、ピウレット類、ホルマザン類及びジチゾン類、ビクアリド類、グリオキシム類、ジアミン及び類似化合物類、ヒドラジン誘導体類、チオエーテル類などが挙げられる。
更に、イミノ基を有する誘導体も使用可能である。
【０１４８】
第一の光吸収層の成膜に際し結合剤を使用する場合の結合剤の例としては、ゼラチン、セルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天然有機高分子物質；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂；ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂；ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物などの合成有機高分子を挙げることができる。
結合剤の使用量は、一般に色素に対して０．０１〜５０倍量（質量比）の範囲にあり、好ましくは０．１〜５倍量（質量比）の範囲にある。
このようにして調製される塗布液の濃度は、一般に０．０１〜１０質量％の範囲にあり、好ましくは０．１〜５質量％の範囲にある。
塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法などを挙げることができる。
第一の光吸収層の厚さは、１〜２００ｎｍが好適である。膜厚が１ｎｍより薄いと吸収率が低下し光から熱への変換が不十分となる。また膜厚が２００ｎｍより厚い場合、体積が大き過ぎるため、形状変化や熱の伝達が不十分となる。
第一の光吸収層は単層でも重層でもよい。
【０１４９】
第二の光吸収層４は、金属材料及び／又は無機材料を主成分とするが、ここで主成分とするとは金属材料及び／又は無機材料を５０重量％以上含有することを意味する。また、第二の光吸収層も、第一の光吸収層と同様に、５００ｎｍ以下の青色レーザ波長領域の記録再生光に対する吸光度が０．５以下となるように材料や膜厚を選択する。吸光度が０．５より高い場合は、光が吸収されてしまって反射率が低くなり良好な記録ができない。
更に、第一及び第二の光吸収層の、５００ｎｍ以下の青色レーザ波長領域の記録再生光に対する吸光度の合計は０．０５以上であることが好ましい。０．０５より少ないと光吸収量が少なく、良好な記録をすることが難しくなるので好ましくない。
なお、ここで言う吸光度とは材料の光吸収能を意味する。反射性を有する材料の吸光度を分光器で測定した場合、ディテクターに検出される光が反射のために少なくなり、見掛け上の吸光度が増加する場合もあるが、ここでの吸光度には、反射により増加する量は加味せず、材料が吸収する光量のみを吸光度とする。
従って、反射が無視できる程度に少ない材料に関しては、ディテクターで検出される光量から計算された吸光度をそのまま吸光度として用いる。つまり、分析機器の値をそのまま吸光度とすることができる。
【０１５０】
第二の光吸収層に用いることができる金属材料としては、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｔｌ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも一種の物質が挙げられる。中でもブリネル硬さ７８Ｈｂ以下又はビッカース硬さ３６０Ｈｖ以下の金属材料が好ましく用いられる。特にビッカース硬さ１３０Ｈｖ以下では温度、湿度の変化が起きた場合でも割れがなく好ましい。硬さが３６０Ｈｖよりも大きくなると、成膜後、チルトの変化に伴い割れが発生するため好ましくない。また、硬さの下限は、スクラッチ（キズ）の発生頻度からみて０．９Ｈｂ程度であり、この値より小さいとキズが頻繁に発生してしまい、ハンドリングが困難になる。このような条件を満足するものの中では特にＴｅが好ましい。
また、銀を主体とする金属又は合金を用いる場合には、銀の含有率が８０原子％以上、好ましくは９０原子％以上であることが好ましい。
【０１５１】
特に、少なくとも２種類の元素を主成分とし、これらの元素の融点が６００℃以下である材料が好ましく、例えばＢｉ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｔｌ、Ｚｎ、Ｎａ、Ｇａ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｍｇ、Ｐｒ、Ｐｄ、Ｐｔなどからなる材料のうちから少なくとも２種類を選ぶことができる。具体的には、Ｉｎ−Ｂｉ系、Ｂｉ−Ｎａ系、Ｐｂ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｂｉ系、Ｉｎ−Ｐｂ系、Ｉｎ−Ｓｎ系、Ｉｎ−Ｔｌ系、Ｉｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｔｌ−Ｓｎ系、Ｚｎ−Ｓｎ系などの組み合わせが可能である。
更に、少なくとも１方の元素の融点が６００℃以上であって、その元素がもう一方の元素との間で融点６００℃以下の共晶組成を有し、該２種類の元素の含有量が共晶組成又はその近辺の組成である材料がより好ましい。具体的には、Ａｇ−Ａｌ系、Ａｇ−Ｂｉ系、Ａｇ−Ｃａ系、Ａｇ−Ｉｎ系、Ａｇ−Ｐｂ系、Ａｇ−Ｓｂ系、Ａｇ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｔｅ系、Ａｇ−Ｔｌ系、Ａｌ−Ａｕ系、Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｇｅ系、Ａｌ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｓｎ系、Ａｌ−Ｔｅ系、Ａｌ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｂｉ系、Ａｕ−Ｇｅ系、Ａｕ−Ｐｂ系、Ａｕ−Ｓｂ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｕ−Ｓｉ系、Ａｕ−Ｔｅ系、Ａｕ−Ｔｌ系、Ｎｉ−Ｃｅ系、Ｃｕ−Ｌａ系、Ｃｕ−Ｍｇ系、Ｃｕ−Ｐｒ系、Ｃｕ−Ｓｂ系、Ｇａ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｚｎ−Ｇｅ系、Ｉｎ−Ｓｂ系、Ｐｂ−Ｐｄ系、Ｐｔ−Ｐｂ系、Ｐｂ−Ｓｂ系、Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｔｌ−Ｓｂ系などの組み合わせが可能である。
【０１５２】
第二の光吸収層の材料としては、上記の材料の他に原子配列を変化させることにより情報の記録ができる相変化記録材料を使用することもできる。
具体的にはα−β−γ−Ｇｅ−Ｔｅで代表される金属及び合金が挙げられる。ここでαは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｈｇ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ランタニド元素、アクチニド元素、アルカリ土類金属元素、不活性ガス元素などから選ばれた少なくとも一つの元素を表し、βは、Ｔｌ、Ｉなどのハロゲン元素、Ｎａなどのアルカリ金属元素から選ばれた少なくとも一つの元素を表し、γは、Ｓｂ、Ｓｎ、Ａｓ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎから選ばれた少なくとも一つの元素を表す。
また、光磁気記録材料に使用される金属材料、例えば上記金属元素の中のＴｂ、Ｆｅ、Ｃｏなども第二の光吸収層として使用可能である。
更に、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｓｂ及びＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の物質の酸化物、硫化物、窒化物、炭化物を含有することが望ましい。酸化物などの具体例としては、ＳｉＯ、ＺｎＯ２、ＺｎＯ−ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＺｎＣ、ＴａＣ、ＮｂＣ、ＴｉＣ−ＴｉＯ２、ＴａＣ−ＴａＯ２、ＮｂＣ−ＮｂＯ２等が挙げられる。
【０１５３】
また、各種セラミックス材料も使用可能である。
セラミックスとしては、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｒＯ２、ＺｎＯ２、ＵＯ２、ＴｈＯ２などの単純酸化物系の酸化物；ＳｉＯ２、２ＭｇＯ・ＳｉＯ２、ＭｇＯ・ＳｉＯ２、ＣａＯ・ＳｉＯ２、ＺｒＯ２・ＳｉＯ２、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、２ＭｇＯ・２Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ・Ａｌ２Ｏ３・４ＳｉＯ２などのケイ酸塩系の酸化物；Ａｌ２ＴｉＯ５、ＭｇＡｌ２Ｏ４、Ｃａ１０（ＰＯ４）６（ＯＨ）２、ＢａＴｉＯ３、ＬｉＮｂＯ３、ＰＺＴ〔Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ３〕、ＰＬＺＴ〔（Ｐｂ、Ｌａ）（Ｚｒ、Ｔｉ）〕、フェライトなどの複酸化物系の酸化物；ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｓｉ６−ＺＡｌＺＯＺＮ８−Ｚ、ＡｌＮ、ＢＮ、ＴｉＮなどの窒化物系の非酸化物；ＳｉＣ、Ｂ４Ｃ、ＴｉＣ、ＷＣなどの炭化物系の非酸化物；ＬａＢ６、ＴｉＢ２、ＺｒＢ２などのホウ化物系の非酸化物；ＣｄＳ、ＭｏＳ２などの硫化物系の非酸化物；ＭｏＳｉ２などのケイ化物系の非酸化物；アモルファス炭素、黒鉛、ダイアモンド等の炭素系の非酸化物を用いることができる。
上記の材料は透過率が高く、吸収率が少ないため好適である。
【０１５４】
第二の光吸収層の膜厚は、１〜２００ｎｍが好適である。膜厚が１ｎｍより薄いと、割れを生じ良好な成膜ができない。また、膜厚が２００ｎｍより厚い場合には、熱の伝達が大きくなり、良好な記録をすることができない。
材料別の好適な膜厚の例を示すと、ＳｉＣの場合、８〜１４ｎｍ、Ａｇの場合、１０〜１００ｎｍ、Ｔｅの場合、１〜５ｎｍ、ＴｅＯの場合、１〜１００ｎｍ、ＺｎＯ−ＳｉＯ２の場合、５〜５０ｎｍ、好ましくは１０〜４０ｎｍ、更に好ましくは２０〜３０ｎｍ、ＺｎＳの場合、５〜５０ｎｍ、好ましくは１０〜４０ｎｍ、更に好ましくは２０〜３０ｎｍ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＺｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯの場合、１〜５０ｎｍ、好ましくは１０〜４０ｎｍ、更に好ましくは２０〜３０ｎｍ、Ｓｉ３Ｎ４の場合、５〜５０ｎｍ、好ましくは１０〜４０ｎｍ、更に好ましくは３０〜４０ｎｍである。
第二の光吸収層は、スパッタリングや真空蒸着などの真空成膜法によって形成することができる。その場合、真空槽内の真空度を変えて（例えば、１０〜５ｔｏｒｒ程度）スパッタリングを行い、密度又は結晶化状態の違う膜を形成することにより金属膜の反射率を高くする技術を採用することもできる。
【０１５５】
保護層１５は、例えばＳｉＯ、ＳｉＮ、ＡｌＮ等の無機材料や、光硬化性樹脂などの有機材料を用いて形成することができる。無機保護層は、真空成膜方法によって形成することができ、有機保護層は、反射膜４上に光硬化性樹脂膜（例えば、大日本インキ化学工業社製のＳＤ１７００、ＳＤ３１８、ＳＤ３０１）をスピンコートした後、樹脂硬化光を照射することによって形成できる。
また、高密度化を図るために高ＮＡのレンズを用いる場合、保護層を光透過性とする必要がある。
更に、高ＮＡ化すると、再生光が透過する部分の厚さを薄くする必要がある。これは、高ＮＡ化に伴い、光学ピックアップの光軸に対してディスク面が垂直からズレる角度（いわゆるチルト角、光源の波長の逆数と対物レンズの開口数の積の２乗に比例する）により発生する収差の許容量が小さくなるためであり、このチルト角が基板の厚さによる収差の影響を受け易いためである。
従って、基板の厚さを薄くしてチルト角に対する収差の影響をなるべく小さくするようにする必要がある。
【０１５６】
そこで、例えば基板上に凹凸を形成して記録層とし、その上に反射膜を設け、更にその上に光を透過する薄膜である光透過性の保護層を設けるようにし、保護層側から再生光を照射して記録層の情報を再生するような光記録媒体や、基板上に反射膜を設け、その上に熱受容層、光吸収層を形成して記録層とし、更にその上に光透過性を有する保護層を設けるようにし、保護層側から再生光を照射して記録層の情報を再生するような光記録媒体が提案されている。このようにすれば、カバー層を薄型化していくことで対物レンズの高ＮＡ化に対応可能である。つまり、薄いカバー層を設け、このカバー層側から記録再生することで、更なる高記録密度化を図ることができる。
なお、このような保護層は、ポリカーボネートシートや紫外線硬化型樹脂により形成する方法、又は、厚さ７０μｍのシートを厚さ３０μｍの接着剤で固定する方法が一般的である。合計の厚みは０．１ｍｍ程度が好適である。
【０１５７】
更に、必要に応じて第一の光吸収層と基板の間に下地層を設け３層構造とする事もできる。
下地層の材料としては、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｔｌ、Ｎａ、Ｇａ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも一種の物質を用いることができる。また、各種セラミックス材料も使用可能である。
特に、少なくとも２種類の元素を主成分とし、これらの元素の融点が６００℃以下である材料が好ましく、例えばＢｉ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｔｌ、Ｚｎ、Ｎａ、Ｇａなどからなる材料のうちから少なくとも２種類を選ぶことができる。具体的には、Ｉｎ−Ｂｉ系、Ｂｉ−Ｎａ系、Ｐｂ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｂｉ系、Ｉｎ−Ｐｂ系、Ｉｎ−Ｓｎ系、Ｉｎ−Ｔｌ系、Ｉｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｔｌ−Ｓｎ系、Ｚｎ−Ｓｎ系などの組み合わせが可能である。また、これらの元素が融点６００℃以下の共晶組成を有し、その含有量が共晶組成又はその近辺の組成であるものを用いてもよい。
【０１５８】
更に、２種類の元素を主成分とし、少なくとも１方の元素の融点が６００℃以上であって、その元素がもう一方の元素との間で融点６００℃以下の共晶組成を有し、該２種類の元素の含有量が共晶組成又はその近辺の組成である材料がより好ましい。例えば、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｔｌ、Ｚｎ、Ｎａ、Ｇａ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｍｇ、Ｐｒ、Ｐｄ、Ｐｔなどからなる材料の中から少なくとも２種類を選ぶことができる。具体的には、Ａｇ−Ａｌ系、Ａｇ−Ｂｉ系、Ａｇ−Ｃａ系、Ａｇ−Ｉｎ系、Ａｇ−Ｐｂ系、Ａｇ−Ｓｂ系、Ａｇ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｔｅ系、Ａｇ−Ｔｌ系、Ａｌ−Ａｕ系、Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｇｅ系、Ａｌ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｓｎ系、Ａｌ−Ｔｅ系、Ａｌ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｂｉ系、Ａｕ−Ｇｅ系、Ａｕ−Ｐｂ系、Ａｕ−Ｓｂ系、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｕ−Ｓｉ系、Ａｕ−Ｔｅ系、Ａｕ−Ｔｌ系、Ｎｉ−Ｃｅ系、Ｃｕ−Ｌａ系、Ｃｕ−Ｍｇ系、Ｃｕ−Ｐｒ系、Ｃｕ−Ｓｂ系、Ｇａ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｚｎ−Ｇｅ系、Ｉｎ−Ｓｂ系、Ｐｂ−Ｐｄ系、Ｐｔ−Ｐｂ系、Ｐｂ−Ｓｂ系、Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｔｌ−Ｓｂ系などの組み合わせが可能である。
【０１５９】
セラミックスとしては、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｒＯ２、ＺｎＯ２、ＵＯ２、ＴｈＯ２などの単純酸化物系の酸化物；ＳｉＯ２、２ＭｇＯ・ＳｉＯ２、ＭｇＯ・ＳｉＯ２、ＣａＯ・ＳｉＯ２、ＺｒＯ２・ＳｉＯ２、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、２ＭｇＯ・２Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ・Ａｌ２Ｏ３・４ＳｉＯ２などのケイ酸塩系の酸化物；Ａｌ２ＴｉＯ５、ＭｇＡｌ２Ｏ４、Ｃａ１０（ＰＯ４）６（ＯＨ）２、ＢａＴｉＯ３、ＬｉＮｂＯ３、ＰＺＴ〔Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ３〕、ＰＬＺＴ〔（Ｐｂ、Ｌａ）（Ｚｒ、Ｔｉ）〕、フェライトなどの複酸化物系の酸化物；ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｓｉ６−ＺＡｌＺＯＺＮ８−Ｚ、ＡｌＮ、ＢＮ、ＴｉＮなどの窒化物系の非酸化物；ＳｉＣ、Ｂ４Ｃ、ＴｉＣ、ＷＣなどの炭化物系の非酸化物；ＬａＢ６、ＴｉＢ２、ＺｒＢ２などのホウ化物系の非酸化物；ＣｄＳ、ＭｏＳ２などの硫化物系の非酸化物；ＭｏＳｉ２などのケイ化物系の非酸化物；アモルファス炭素、黒鉛、ダイアモンド等の炭素系の非酸化物を用いることができる。
【０１６０】
また、下地層は、反射層としての機能を有する材料で形成される場合もある。用いる材料に特に限定はないが、銀、銅、アルミニウムなどの金属又はこれらを主成分とする合金を使用することができる。特に銀又は銀を主成分とする合金が好適である。ここで銀を主成分とするとは、銀の含有率が８０〜１００原子％、好ましくは９０〜１００原子％であることを意味する。
また、安価で且つコンパクトディスクにおいて使用されて実績があることから、アルミニウムを使用することもできる。
金属又は合金を用いる場合には、スパッタリングや真空蒸着などの真空成膜方法によって成膜することができる。この場合、真空槽内の真空度を変えて（例えば、１０〜５ｔｏｒｒ程度）スパッタリングを行い、密度又は結晶化の状態の違う膜を形成して下地層の反射率を高くする技術を適用することもできる。
下地層の膜厚は、１〜２００ｎｍが好適である。１ｎｍより薄いと、熱の伝導が不十分であり、２００ｎｍより厚いと、吸収率が高くなり反射率が低下してしまう。材料としてＳｉＣを選択した場合の膜厚は８〜１４ｎｍ、Ａｇを選択した場合の膜厚は１０〜１５０ｎｍ、Ｔｅ合金を選択した場合の膜厚は１〜１０ｎｍが好適である。
【０１６１】
下地層にはマイクロポアが存在してもよく、貫通している連続気泡タイプのものが存在してもよい。
下地層上に第一の光吸収層３を成膜するための溶剤は、下地層にマイクロポアがある場合は、マイクロポアに進入しない一定の接触角を有する溶液を形成しうる材料を選択する必要があるが、それ以外には特に限定はない。
ここで、マイクロポアに進入しない一定の接触角は、マイクロポアのサイズにより必要とされる表面張力が異なるため、その値を数値で示すことはできない。しかし、成膜後のマイクロポア部分に発生する平均膜厚よりも平均膜厚の２％以上薄い部分の面積は２２５μｍ２が上限であり、２２５μｍ２を超えるとトラッキング精度、エラー訂正が不可能になるなどの問題が発生するので、マイクロポアに溶液が浸透した場合でも上記の範囲以上に浸透が広がらなければ、マイクロポアに進入しない一定の接触角を有する溶液に相当すると判断する。
【０１６２】
上記マイクロポアに進入しない一定の接触角を有する溶液を形成することができる溶剤としては、例えば、酢酸ブチル、セロソルブアセテートなどのエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルムなどの塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミドなどのアミド；シクロヘキサンなどの炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル；エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ジアセトンアルコールなどのアルコール；２，２，３，３−テトラフルオルプロパノールなどのフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類などが挙げられる。
また、これらの溶剤としては、使用する色素の溶解度が５ｍｇ／１ｍｌ以上あるものを用いる必要がある。そこで使用する色素の溶解性を考慮して適宜単独で又は二種以上併用して用いる。また、塗布液中には、必要に応じて酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤など各種の添加剤を添加してもよい。
【０１６３】
従来の追記型光記録媒体は、情報の記録再生が行われる領域のディスク１周分のトラック及び／又はランド上の第一の光吸収層に存在する、該ディスク１周分のトラック及び／又はランド上の第一の光吸収層の平均膜厚よりも２％以上薄い連続した部分の面積が３００〜４５０μｍ２もあり、良好な記録を行うことは困難であった。
そこで本発明者は、該平均膜厚よりも２％以上薄い連続した部分の面積をどのようにして減らすかについて検討したところ、マイクロポアに塗布溶媒が進入しない一定の接触角を有する溶媒を用いたり、マイクロポアに塗布溶媒が進入しないように瞬時に溶媒を乾燥させることによって、その面積を２２５μｍ２以下に抑えることができ、この条件を満足すれば、電気信号で確認する場合に記録波形の変形又は変調度の不足が生じたり、光学顕微鏡１００倍以上で観察した場合にコントラストの差が認識できないなどの問題も起らず、良好な記録が行えることを見出した。
また、上記のような条件を満足する追記型光記録媒体を得るには、基板と第一の光吸収層の間に設ける下地層の、情報の記録再生が行われる領域に存在するマイクロポアの直径を全て１０μｍ以下とすることが好ましいことも見出した。
【０１６４】
前記平均膜厚よりも２％以上薄い連続した部分は、その面積が２２５μｍ２以下である限り、また、前記下地層に存在するマイクロポアについても、直径１０μｍ以下ならば、何れもプレーヤーのエラー修正機能により記録再生に悪影響を与えないように処理できるため、それらの個数は問題にならない。なお、前記平均膜厚よりも２％以上薄い連続した部分の薄さの上限値は１００％である。即ち、第一の光吸収層に孔があいて第一の光吸収層が全くない状態でも構わない。
また、通常は上記の範囲であればエラー処理が可能であるが、ディスクを記録再生する環境（例えば、評価装置周辺の温度が上がりディスクが傾いた状態）によってはエラーが発生することもある。その場合は前記平均膜厚よりも２％以上薄い連続した部分の面積は１００μｍ２以下、また、前記下地層に存在するマイクロポアも直径５μｍ以下とすることが好ましい。更に厳しい条件（例えば、長時間使用した結果、レーザの出力が低下し良好な反射光光量が得られない状態）で記録再生する場合は、前記平均膜厚よりも２％以上薄い連続した部分の面積は２５μｍ２以下、また、前記下地層に存在するマイクロポアも直径１μｍ以下とすることが好ましい。
【０１６５】
情報の記録再生が行われる領域の第一の光吸収層に、上記１トラックの平均膜厚よりも２％以上薄い連続した部分が存在すると、電気信号で確認する場合は記録波形の変形又は変調度の不足が生じ、光学顕微鏡１００倍以上で観察した場合はコントラストの差が認識できないなど、良好な記録再生が行われなくなる。
記録の阻害は、通常、平均膜厚よりも２％以上薄い場合に発生するが、チルトなどの制御により平均膜厚よりも５％以上薄い場合に初めて阻害されることもあるし、ドライブの環境によっては、平均膜厚よりも１０％以上薄い場合に初めて阻害されることもあり、更には、エンハンスなどの処置を行うことにより信号を補正できる場合には、平均膜厚よりも２０％以上薄い場合に初めて阻害されることもある。
【０１６６】
記録用レーザー光と再生用レーザー光の波長は、再生用レーザー光による記録部の破壊や記録層材料の光による劣化を防止できるため異なっていても良い。
また、前記平均膜厚よりも２％以上薄い連続した部分の面積が最大で２２５μｍ２である場合には、この面積おいてエラー訂正可能とされるために必要なピットのサイズは、最短ピット長が０．２５μｍ、即ちピット長が０．２５μｍ以上となるような記録条件で用いることが好ましい。
つまり、ピットが上記より小さいサイズの場合は、そのサイズに相関して訂正可能な最大面積２２５μｍ２は小さくなる。
下地層にＡｇ、Ｃｕ、Ａｌなどの金属を選択し、第二の光吸収層にＳｉＣ、ＳｉＯ２などの誘電体又はＴｅなどの金属を選択した場合、熱伝導率の比は３〜３１０倍の範囲となり、変質部分が記録マーク領域とほぼ等しく、ジッターやディビエーションの少ない良好な記録をすることができる。この場合の第一の光吸収層は変質が促進され変形は僅かである。
【０１６７】
また、必要に応じて第二の光吸収層上に熱受容層５を設ける事もできる。
熱受容層５の材料としては、例えばポリメチン系色素、アントラキノン系色素、シアニン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、キサンテン系色素、トリフェニルメタン系色素、ピリリウム系色素、アズレン系色素、含金属アゾ染料、アゾ染料等の色素材料を挙げることができる。中でも、ジカルボシアニン誘導体、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、シアニン誘導体、アゾ染料誘導体が特に好適に用いられる。また、アミニウム系色素などの各種クエンチャが添加された色素材料を用いることもできる。
更には、上記色素材料群より選択される１種又は２種以上の色素材料を樹脂中に分散して用いることもできる。このような樹脂としては、アクリル樹脂、ビニル樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂などを挙げることができる。
【０１６８】
更に、二座配位を取り得るキレート材を含有させて色素の褪色防止を図ることもできる。このようなキレート材としては、無機酸類、ジカルボン酸類、オキシカルボン酸類、ジオキシ化合物類、オキシオキシム類、オキシアルデヒド及び誘導体類、ジケトン及び類似化合物類、オキシキノン類、トロボロン類、Ｎ−オキシド化合物類、アミノカルボン酸及び類似化合物類、ヒドロキシルアミン類、オキシン類、アルジミン類、オキシアゾ化合物類、ニトロソナフトール類、トリアゼン類、ピウレット類、ホルマザン類及びジチゾン類、ビクアリド類、グリオキシム類、ジアミン及び類似化合物類、ヒドラジン誘導体類、チオエーテル類などが挙げられる。
更に、イミノ基を有する誘導体も使用可能である。
【０１６９】
熱受容層５は、光吸収層から熱的な影響を受けて溶融、融解、分解、昇華等の熱的状態変化を起すか、膨張、陥没、空洞化、凹凸変形等の形状変化を起すか、変質するか又は光学的に変化する。
通常、熱受容層５はガウス分布を示す光を照射して記録を行った際に、ガウス分布の中央部に対応する部分の色素層材料の量がガウス分布の外周部に対応する部分の色素層材料の量より少なくなる形状変化を起す。
熱受容層以外の各層の形状変化の例を以下に示す。
基板１は、図３に示すように隆起する場合、図４に示すように形状変化しないか又は一時的に変化して最終的に形状変化なしの形となる場合、図５、図７、図８に示すように陥没する場合などがある。
基板上に積層された第一の光吸収層３は、図１０に示すように基板と反対の方向に隆起する場合、図３に示すように基板側が凹状に形状変化する場合、図４に示すように内部に空洞を有する場合、図５に示すように基板側に陥没する場合、図７に示すように基板と反対側が凹状に形状変化する場合、図８に示すように膨潤する場合がある。また、図９に示すように第一の光吸収層３の膜厚が殆んど無くなる場合もある。更に、図７に示すように基板と第一の光吸収層３の間に空洞が形成される場合もある。
【０１７０】
第一の光吸収層３上に積層された第二の光吸収層４は、図８に示すように基板と反対の方向に隆起する場合、図１０に示すように基板側が凹状に形状変化する場合、図３に示すように内部に空洞を有する場合、図５に示すように基板側に陥没する場合、図４に示すように基板と反対側が凹状に形状変化する場合、図６に示すように膨潤する場合がある。また、図７に示すように第一の光吸収層３と第二の光吸収層４の間に空洞が形成される場合もある。
第二の光吸収層４上に積層された熱受容層５は、図８に示すように基板と反対の方向に隆起する場合、図６に示すように基板側が凹状に形状変化する場合、図５に示すように内部に空洞を有する場合、図４に示すように基板側に陥没する場合、図１０に示すように基板と反対側が凹状に形状変化する場合、図１１に示すように膨潤する場合がある。また、図７に示すように第二の光吸収層４と熱受容層５の間に空洞が形成される場合もある。
【０１７１】
反射層の形状変化は、図１１に示すように層の上下が基板と反対側に隆起する場合、図３に示すように基板と反対側に凸状に形状変化する場合、図４に示すように基板側に凸状に形状変化する場合、図１０に示すように基板側に陥没する場合などがある。
基板、第一、第二の光吸収層、熱受容層、反射層の形状変化は、それぞれ独自に適宜組み合わせることができる。その際、各界面での形状変化が逆方向の場合には、図７に示すように界面に空洞が形成される。
また、反射層が形状変化しない場合には、記録層を多層化することが可能となる。なお、ここでいう形状変化しない場合とは、全く形状変化しない場合だけでなく、再生用レーザ光を照射して情報を再生する際に、反射光量に実質的な影響を与えない程度の僅かな形状変化を起している場合も含むものとする。
【０１７２】
次に第一の光吸収層や熱受容層に含まれる色素材料の変質について説明する。色素材料は、隣接する層より熱を受け取るか又は色素自身が光を吸収し、その一部又は全部が分解、溶融、昇華等の熱的状態変化を起す。その結果、通常、色素材料は変質し、熱受容層の場合、変質部分は反射層に癒着し、熱受容層を境目として剥離した際、変質部は反射層に非変質部は第二の光吸収層にそれぞれ優先的に密着して剥離される。この系では反射層／熱受容層界面が反射の担い手であるため、反射層界面に変質した色素材料が癒着することは、その部分からの反射光を制御する意味で重要である。
また、逆に変質により密着性が変わり、非変質部分が反射層に癒着し熱受容層を境目として剥離した際、非変質部は反射層に変質部は第二の光吸収層にそれぞれ優先的に密着して剥離される場合もある。この場合は記録後に反射率が増加することがある。
【０１７３】
また、変質の様子や範囲を確認しながら、記録パワー、記録パルスの長さ、種類を決める必要がある。変質部の色素はその構造が破壊されているため、溶解性が変化する。その変化は、溶け難い方向に変化する場合と、色素が分解して低分子化し溶解性が上がる、つまり溶け易い方向に変化する場合がある。溶解性の変化について変質部と非変質部とで差が生じれば変質の範囲を確認することができる。
本発明者の検討によれば、変質部の溶解性が下がり、溶け難い方向に変質することが、色素の溶融、分解、昇華などの熱的状態変化に伴う光学的特性の変化である反射率の低下の方向と一致し好適であった。
【０１７４】
溶解性の確認に際しては、直接、変質部と非変質部に溶媒を浸透させ、溶解性を比較する。用いる溶媒としては、例えば、酢酸ブチル、セロソルブアセテートなどのエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルムなどの塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミドなどのアミド；シクロヘキサンなどの炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル；エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノールジアセトンアルコールなどのアルコール；２，２，３，３−テトラフルオルプロパノールなどのフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類などを挙げることができる。上記溶剤は使用する色素の溶解性を考慮して単独で又は二種以上併用して適宜用いることができる。
【０１７５】
変質は、ガウス分布を示す光を照射して記録を行ったとき、記録のため光強度を高くした範囲、いわゆる記録マーク領域の熱受容層で起きる。
記録マーク領域とは、記録スポット径ｒを有する光を照射し移動することで得られる範囲である。ここで、記録スポット径ｒとは、ｒ＝λ／ＮＡ×０．８２（λは記録に用いる波長、ＮＡはレンズの開口数）で表される範囲であり、この範囲の場合、信号はジッターの少ない良好な記録となる。これは、１／ｅ２（＝０．８２）の強さで定義する範囲である。
また、ｒ＝λ／ＮＡの場合でも、熱受容層の膜厚を制御することでジッターの少ない良好な記録を達成することができる。
また、ｒ＝λ／ＮＡ×１．２２の場合には、未記録部分の反射率を低下させることができ、未記録部分の反射率も制御することが出来る。これはいわゆるエアリー像の範囲であり、本系においてはエアリー像の範囲に影響が及んでいる場合がある。
【０１７６】
本発明では特に記録後の未記録部の見掛け上の光学特性の変化量が、記録前の未記録部の光学特性の値に対して相対値で±５０％以内となるように設定することが好ましく、このことにより、未記録部の反射率が記録により変化しないため、記録領域と非記録領域で反射率の変動によるトラックオフなどが起きなくなる。
熱受容層は、膜厚が５ｎｍより薄いと熱の吸収が十分でなく、形状変化や変質が不十分となる。また、膜厚が２００ｎｍより厚いと体積が大きいため形状変化が抑えられたり、熱的な影響を受けて光学的に変化できない部分が生じるようになるため問題である。
【０１７７】
図１４は中間層７を設けた本発明の追記型光記録媒体の要部拡大断面図である。この図から明らかなように、反射層１０と熱受容層５を、中間層７を介して積層している。
中間層７は、反射層１０と熱受容層５との密着性や記録感度の改善、又は各層の保護等のために設けられるものであって、第一の光吸収層３と同種の材料を使用することができる。
中間層７の材料として親水性樹脂を選択した場合には、第一の光吸収層３の場合と同様に、耐水性及び耐熱性を改善するため、スピンコートされた中間層７に、架橋処理や結晶化処理を施すことが好ましい。架橋処理及び結晶化処理は、前述した第一の光吸収層の場合と同様の方法で行うことができる。
ディスク形態の場合には、熱受容層を内側に挟む形で２枚の基板を貼り合わせた構造を取ることができる。また、２枚の基板を貼り合せない、いわゆる単板の構造を取ることもできる。
【０１７８】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【０１７９】
実施例１
図１及び図２に示すプリフォーマットパターンを有するポリカーボネート基板上に、１，４−ビス（５′−フェニルオキサザール−２′−イル）ベンゼン、１，４−ビス（４′−メチル−５′−フェノキサゾール−２′−イル）ベンゼン、４，４′−ビス（２′−スルホスチリル）ビフェニル、２，５−ビス（５′−メチルベンゾオキサゾール−２′−イル）チオフェンの何れかと下記〔化２４〕の材料の混合物よりなる厚さ６０ｎｍの第一の光吸収層をスピンコート法で成膜した。
【化２４】
2004111011.tif 000030
用いた溶媒の誘電率は以下のようである。
2004111011.tif 000031
この第一の光吸収層の上に、Ｔｅを厚さ４ｎｍとなるようにスパッタし第二の光吸収層とした。
波長４０５ｎｍにおける第一の光吸収層の吸光度は０．２６、同じく第二の光吸収層の吸光度は０．２１である。
吸光度は反射光量、記録感度との関係より適宜決定されるが、ここでは、両層合計で０．０５より吸収が少ない場合は、良好な記録が達成できなかった。
第二の光吸収層の上に、下記〔化２５〕で示される色素の混合物からなる層をスピンコート法によって形成し（平均膜厚１００ｎｍ）、熱受容層を形成した。この熱受容層上にＡｇを厚さ１００ｎｍとなるようにスパッタし反射層とした。
反射層上に大日本インキ化学工業社製のＳＤ１７００（熱伝導率１．０以下）を膜厚５μｍで積層し保護層とした。
【０１８０】
【化２５】
2004111011.tif 000032
【０１８１】
上記光記録媒体に対し、パルステック工業社製の光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００（波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：０．６５）を用いて、下記の条件で記録を行なったところ、短マーク、長マークとも、変調度が充分大きく、非常に明瞭な信号が得られた。
2004111011.tif 000033
上記の記録条件は記録媒体の記録部を観察しながら決定した。具体的には、熱受容層を境目として媒体を剥離し光学顕微鏡で観察したところ、変質部の色素材料が反射膜に優先的に癒着し、非変質部は光吸収層側に優先的に癒着していた。更に、熱受容層を境目として剥離された反射膜及び光吸収層にエタノールを滴下し、変質の範囲を測定し、その結果を記録条件に反映させることにより、上記の記録条件を見出した。
ランドに記録した場合の記録部の断面の様子を図１２に、グルーブに記録した場合の記録部の断面の様子を図１３に示す。
図示したように、本実施例では、記録スポットの中央部に相当する有機熱受容層の色素量が減少すると共に、「１０１」の×印で示した個所が外観上コークスのようになり、溶解特性が変わる変質を起した。
ここで、用いた記録スポット径ｒとは、ｒ＝λ／ＮＡ×１．２２（エアリー像）で表される範囲である。
記録部の形状や記録部の変質の程度を、上記変質の確認方法により確認することにより、未記録部の反射率を１００とした場合の記録部の反射率を１０〜２５０の範囲で任意に調整できる。
【０１８２】
図１５は本ディスク製造のフローチャートであり各工程は公知であるが、簡単に説明すると以下の通りである。なお、Ｓ１２のハードコート層形成工程は、必要に応じて行えばよい。
Ｓ１：ガラス円盤を研磨、洗浄する。
Ｓ２：シランコートを行う。
Ｓ３：ガラス円盤上にフォトレジストをスピンコートし、所定の膜厚を有するレジスト層を形成する。
Ｓ４：溶剤をとばすためプリベークを行う。
Ｓ５：集光レンズを介してレジスト層にレーザーを照射する（カッティング）。
Ｓ６：この露光済みガラス円盤を現像処理する。
Ｓ７：レジストをＴｇ以上に加熱し溝形状を整形する（第一ベーク）。
Ｓ８：パターンの固化のためベークを行う（第二ベーク）。
Ｓ９：蒸着、メッキを行う。
Ｓ１０：ガラス円盤の凹凸面に金属膜を形成し、該金属膜を剥離することによりスタンパを作成する。
Ｓ１１：スタンパを用いて射出成形を行い、所定の膜厚を有するレプリカを形成する。
Ｓ１２：透明基板の片側にスピンコート法によりハードコート層を形成する。
Ｓ１３：透明基板の片面に必要に応じてスピンコート法又はスパッタ法により第一の光吸収層を形成する。
Ｓ１４：第一の光吸収層の上にスピンコート法又はスパッタ法で第二の光吸収層を形成する。
Ｓ１５：第二の光吸収層の上に熱受容層を形成する。
Ｓ１６：熱受容層の上に反射層を形成する。
Ｓ１７：必要に応じて保護層などの他の層を積層し、ディスク単板とする。（単板のままで使用する場合）
Ｓ１８：必要に応じて保護層などの他の層を積層して得られる単板ディスクを２枚貼り合わせて両面ディスクとする。
Ｓ１９：ディスクをカートリッジに収納する。
Ｓ２０：特性の評価を行う。
このフローチャートにおいて、Ｓ７とＳ８の工程は同時に行うこともできる。また、Ｓ７工程の溝形状の整形は、加熱温度９０〜１８０℃、時間５〜９０分の範囲から任意に選択できる。
【０１８３】
実施例２
第一の光吸収層の材料として、ＮＫ１３４２（０．２６）、ＮＫ１９７７（０．３３）、ＮＫ１８８６（０．１２）、ＮＫ１８１９（０．３２）、ＮＫ１３３１（０．２２）、ＮＫ１８３７（０．２５）、ＮＫ８６３（０．２２）、ＮＫ３２１２（０．１９）、ＮＫ８８（０．１５）、ＮＫ３９８９（０．２３）、ＮＫ１２０４（０．２３）、ＮＫ７２３（０．３３）、ＮＫ３９８４（０．２１）〔何れも日本感光色素社製、（　）内の数値は、波長λ＝４０５ｎｍにおける各色素材料の吸光度〕の何れかの色素を用いた点以外は、実施例１と同様にして追記型光記録媒体を作製し記録を行ったところ、実施例１と同様に明瞭な信号が得られた。
【０１８４】
実施例３
第一の光吸収層の材料として、下記〔化２６〕〜〔化２９〕の色素〔（　）内の数値は、波長λ＝４０５ｎｍにおける各色素材料の吸光度〕の何れかを用いた点以外は、実施例１と同様にして追記型光記録媒体を作製し、実施例１と同様の記録を行ったところ、何れも明瞭な信号が得られた。
【化２６】
2004111011.tif 000034
（ε＝０．２３）
【化２７】
2004111011.tif 000035
（ε＝０．２１）
【化２８】
2004111011.tif 000036
（ε＝０．２８）
【化２９】
2004111011.tif 000037
（ε＝０．２３）
【０１８５】
実施例４
図１及び図２に示すプリフォーマットパターンを有するポリカーボネート基板上に、Ｔｅと酸素を含む第二の光吸収層を、雰囲気中に酸素を導入しながらＴｅをスパッタリングすることにより厚さ５ｎｍ成膜し、その上に、下記〔化３０〕に示す構造のフタロシアニンをスピンコート法で厚さ４０ｎｍとなるように積層して第一の光吸収層とした。
更に、高い反射率を得るため、第一の光吸収層上にＡｇ反射膜をスパッタ法により厚さ１００ｎｍ成膜した。Ａｇ反射膜がない場合の反射率は１３％であり、Ａｇ反射膜がある場合は１８％であった。
このようにして得られた追記型光記録媒体に対し、実施例１と同様の記録を行ったところ、明瞭な信号が得られた。
なお、フタロシアニンはポルフィリン環内にある二重結合の共役に起因する、ＨＯＭＯからの遷移ではない、Ｂ帯（ｓｏｒｅｔ帯）の吸収を利用して記録を行った。
また、第二の光吸収層を、酸素を導入せず大気中でＴｅをスパッタリングして大気中の酸素を取り込む方法で成膜した場合、及び、第一の光吸収層を、スピンコート法に代えて蒸着法で積層した場合も同様の結果が得られた。
なお、第一及び第二の光吸収層の波長λ＝４０５ｎｍにおける吸光度は何れも０．２とした。
【化３０】
2004111011.tif 000038
【０１８６】
実施例５
第一の光吸収層の材料として、下記〔化３１〕の化合物と１−フェニルアゾ−２−アンスラミンの混合物を用いた点以外は、実施例１と同様にして追記型光記録媒体を作製し、実施例１と同様の記録を行ったところ、明瞭な信号が得られた。
なお、第一の光吸収層の波長λ＝４０５ｎｍにおける吸光度は０．２とした。
【化３１】
2004111011.tif 000039
（式中、Ｘ，Ｙ＝Ｈ）
【０１８７】
実施例６
熱受容層の材料として、下記〔化３２〕のシアニン色素と〔化３３〕のメロシアニン色素の混合物を用いた点以外は、実施例１と同様にして追記型光記録媒体を作製し、実施例１と同様の記録を行ったところ、明瞭な信号が得られた。
【化３２】
2004111011.tif 000040
【化３３】
2004111011.tif 000041
【０１８８】
実施例７
熱受容層の材料として、下記一般式〔化３４〕で示されるシアニン色素の１種である、テトラβ−（１−ベンズイミダゾリル）フタロシアニンと、下記一般式〔化３５〕で示されるメロシアニン色素の１種である、バナジル５，１４，２３，３２−テトラフェニル−２，３−ナフタロシアニンとの混合物を用いた点以外は、実施例１と同様にして追記型光記録媒体を作製し、実施例１と同様の記録を行ったところ、何れも明瞭な信号が得られた。
【化３４】
2004111011.tif 000042
【化３５】
2004111011.tif 000043
【０１８９】
実施例８
熱受容層の材料として、下記一般式〔化３６〕で示されるアゾ染料の１種であるＲ１〜Ｒ６＝Ｈの化合物を用いた点以外は、実施例１と同様にして追記型光記録媒体を作製し、実施例１と同様の記録を行ったところ、何れも明瞭な信号が得られた。
【化３６】
2004111011.tif 000044
【０１９０】
実施例９〜１８
射出成形により、表面に下記のようなトラックピッチ、グルーブ幅、グルーブの深さのスパイラル状のプレグルーブが形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）の上に、スパッタ法により膜厚６０ｎｍのＡｇからなる反射層を設け、その上に下記〔化３７〕のフタロシアニン色素をＴＨＦ２．６ｇ、エチルシクロヘキサン６．２ｇ、ＩＰＡ２．４ｇ、１−メトキシ−２−プロパノール４．６ｇの混合液に溶解した塗布液をスピンコート法により塗布し、第一の光吸収層（プレグルーブ内の厚さ約３５〜４５ｎｍ）を形成した。
2004111011.tif 000045
【化３７】
2004111011.tif 000046
〔式中、ＭはＶＯであり、４個のＲはＣ６Ｈ６−（ＣＦ３）２Ｃ−Ｏ−である。〕
次いで、その上に第二の光吸収層としてＺｎＳ−ＳｉＯ２をスパッタして厚さ約４０ｎｍの層を形成した。
なお、第一、第二の光吸収層の波長λ＝４０５ｎｍにおける吸光度は、それぞれ、０．２、０．１とした。
更に第二の光吸収層の上に、ＵＶ硬化接着剤（大日本インキ化学工業社製、商品名：ＳＤ−３４７）をスピンコート法により２００ｒｐｍで塗布し、３００ｒｐｍから４０００ｒｐｍまで変化させながら全面に接着剤を広げた後、０．０７ｍｍ厚のポリカーボネート樹脂シート（帝人社製、商品名：ピュアエース）からなるカバー層を重ね、紫外線を照射して接着剤を硬化させカバー層を貼り合わせて追記型光記録媒体を作製した。
【０１９１】
上記光記録媒体に対し、パルステック工業社製の光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００（波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：０．８５）を用いて、下記の条件で記録を行なったところ、短マーク、長マークとも、変調度が充分大きく、非常に明瞭な信号が得られた。
2004111011.tif 000047
【０１９２】
実施例１９〜２８
射出成形により、表面に下記のようなトラックピッチ、グルーブ幅、グルーブの深さのスパイラル状のプレグルーブが形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）の上に、下記〔化３８〕のフタロシアニン色素をＴＨＦ２．６ｇ、エチルシクロヘキサン６．２ｇ、ＩＰＡ２．４ｇ、１−メトキシ−２−プロパノール４．６ｇの混合液に溶解した塗布液をスピンコート法により塗布し、第一の光吸収層（プレグルーブ内の厚さ約３５〜４５ｎｍ）を形成した。この第一の光吸収層の波長λ＝４０５ｎｍにおける吸光度は０．２とした。次いで、その上に、スパッタ法により膜厚１００ｎｍのＡｇからなる第二の光吸収層）を形成した。
更に、その上に、ＵＶ硬化性樹脂（大日本インキ化学工業社製、商品名：ＳＤ３１８）を塗布し、紫外線を照射して硬化させ、層厚７μｍの保護層を形成し追記型光記録媒体を作製した。
2004111011.tif 000048
【化３８】
2004111011.tif 000049
〔式中、ＭはＶＯであり、４個のＲはＣ６Ｈ６−（ＣＦ３）２Ｃ−Ｏ−である。〕
上記〔化３８〕の色素の光吸収スペクトルを図１６に示すが、図から明らかなように、波長λ＝３５０ｎｍ付近に副吸収の極大を有する。
＜記録条件＞
・ＮＡ＝０．６５、レーザ波長４０５ｎｍ
・線速：６ｍ／ｓ
・周期：６５．４ＭＨｚ
・ストラテジ：矩形波
その結果、副吸収の極大が３３０ｎｍより長波長にある実施例２２の場合は、図１８に示すアイパターン（写真）が得られた。これに対して、副吸収の極大が３３０ｎｍより短波長にある場合は、記録感度が悪く短いピットを形成することができなかった。従って波長４０５ｎｍで記録を行う場合、色素の吸収は３３０ｎｍ以上の長波長側に存在する必要がある。なお、実施例２２以外の実施例１９〜２８の光記録媒体は何れも実施例２２と近似したアイパターンとジッタを示した。
また、同様に波長４０５ｎｍで記録を行う場合、副吸収の極大が４００ｎｍより長波長側にある場合は、吸収が大きくなり過ぎるために良好な記録を行う事ができなかった。従って、第一の光吸収層は、波長λ＝３３０〜４００ｎｍの範囲に吸収極大を有する事が好適である。
一方、記録再生消去に用いる波長をλ１として、λ１±１０ｎｍの範囲の測定光を基板側より入射して得られる第一の光吸収層の反射率が７％以上あれば、干渉効果により高いコントラストが得られる。
同様に、記録再生消去に用いる波長をλ１として、λ１±１０ｎｍの範囲の測定光を光吸収層側より入射して得られる第一の光吸収層の反射率が８％以上であることが好ましい。
なお、上記記録再生消去に用いる波長λ１は、現状では３９０〜４２０ｎｍの範囲が一般的であり、更に詳しくは、７８０ｎｍのＳＨＧ（非線形効果）を利用した場合は３９０〜４００ｎｍ、ブルーレーザを使用した場合は４００〜４１０ｎｍ、８３０ｎｍのＳＨＧを使用した場合は４１０〜４２０ｎｍである。
ブルーレーザを使用した場合は、波長λ１＝３９５〜４１５ｎｍの範囲の測定光を基板側より入射して得られる第一の光吸収層の反射率が７％以上であることが必要であり、また、波長λ１＝３９５〜４１５ｎｍの範囲の測定光を光吸収層側より入射して得られる第一の光吸収層の反射率が８％以上であることが好ましい。
更に、第一の光吸収層の膜厚を、記録再生に用いる波長において反射極大を示す膜厚より厚くすることにより、記録前後のコントラスト比を大きく取ることができる。
以下、図１９〜図２０に実施例２２の記録再生消去に用いる波長での反射を有する場合のスペクトルを示す。図中のＲｇは基板側からの測定光を照射した場合、Ｒｌは膜面側から光を照射した場合である。
図の反射率は、石英基板上に材料をスピンコートし、そのサンプルを島津製作所社製ＵＶ−２５００（ＰＣ）ＳＧＬＰを用いて測定した絶対反射率である。
また、吸光度（εは分子吸光係数）は、同様に石英基板上に材料をスピンコートし、そのサンプルを島津製作所社製ＵＶ−２５００（ＰＣ）ＳＧＬＰを用いて測定した値である。
【０１９３】
なお、上記実施例においては、ディスク状記録媒体を例にとって説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばカード状、スティック状、テープ状などの、他の形態の追記型光記録媒体にも応用できることは勿論である。
また、上記実施例においては、高い反射光を得るために反射膜を設けたが、反射率の制限が無い場合は反射膜を省略することもできる。その場合には反射層の代りに保護層を積層する。また、第一の光吸収層と第二の光吸収層の積層順は、本例では光照射側から見て、第一の光吸収層を光照射側としたが、必要に応じてこの順番を変えてもよい。
以上、本発明の実施例から、本発明の光記録媒体の層構成と記録原理が、青色レーザ波長対応の、有機材料からなる追記型光記録媒体、更には高変調度が確保できる追記型光記録媒体の実現に非常に有効であることが確認できた。
【０１９４】
【発明の効果】
本発明によれば、５００ｎｍ以下の青色レーザ波長領域、特に４０５ｎｍ近傍の波長領域であっても記録可能な、有機材料を用いた追記型光記録媒体、また、高密度化が図れ、変調度が大きく、更には、記録再生波長の変動に対し、記録感度、変調度、ジッタ、エラー率といったような記録特性や、反射率等の変化が少ない追記型光記録媒体とその製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の追記型光記録媒体の層構成の一例を示す要部拡大断面図。
【図２】本発明の追記型光記録媒体（光ディスク）の構成の一例を示す斜視図。
【図３】本発明の追記型光記録媒体の記録状態を示す要部拡大断面図。
【図４】本発明の追記型光記録媒体の記録状態を示す要部拡大断面図。
【図５】本発明の追記型光記録媒体の記録状態を示す要部拡大断面図。
【図６】本発明の追記型光記録媒体の記録状態を示す要部拡大断面図。
【図７】本発明の追記型光記録媒体の記録状態を示す要部拡大断面図。
【図８】本発明の追記型光記録媒体の記録状態を示す要部拡大断面図。
【図９】本発明の追記型光記録媒体の記録状態を示す要部拡大断面図。
【図１０】本発明の追記型光記録媒体の記録状態を示す要部拡大断面図。
【図１１】本発明の追記型光記録媒体の記録状態を示す要部拡大断面図。
【図１２】ランドに記録した場合の記録部の第一の光吸収層と熱受容層の変質の様子を示す要部拡大断面図。
【図１３】グルーブに記録した場合の記録部の第一の光吸収層と熱受容層の変質の様子を示す要部拡大断面図。
【図１４】本発明の追記型光記録媒体の層構成の他の例を示す要部拡大断面図。
【図１５】本発明の追記型光記録媒体（光ディスク）製造のフローチャート。
【図１６】〔化５０〕のフタロシアニン色素の光吸収スペクトルを示す図。
【図１７】〔化５１〕のフタロシアニン色素の光吸収スペクトルを示す図。
【図１８】実施例２２のアイパターンを示す図。
【図１９】基板側からの測定光を照射した場合で、記録再生消去に用いる波長での反射を有する場合のスペクトルを示す図。
【図２０】膜面側からの測定光を照射した場合で、記録再生消去に用いる波長での反射を有する場合のスペクトルを示す図。
【符号の説明】
１　透明基板
１ａ　センタ孔
２　プリフォーマットパターン
２ａ　案内溝
２ｂ　プリピット
２ｃ　ランド部
３　第一の光吸収層
４　第二の光吸収層
５　熱受容層
７　中間層
１０　反射層
１５　保護層
１０１　色素の変質した部分
Ｒｇ　基板側からの測定光を照射した場合
Ｒｌ　膜面側から光を照射した場合
ε　分子吸光係数
【図１】
2004111011.tif 000051
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2004111011.tif 000058
【図９】
2004111011.tif 000059
【図１０】
2004111011.tif 000060
【図１１】
2004111011.tif 000061
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
2004111011.tif 000068
【図１９】
2004111011.tif 000069
【図２０】
2004111011.tif 000070