(57)【要約】【課題】耐食性や耐酸化性に優れた希土類系ボンド磁石を製造するために有用なポリイミド被膜で表面被覆された希土類系磁石粉末の均一かつ効率的な製造方法を提供すること。【解決手段】磁石粉末の表面に、真空度１０Ｐａ〜１００Ｐａ，温度１８０℃〜２５０℃の条件にて、昇華した芳香族カルボン酸二無水物と芳香族ジアミンを重合させることでポリアミック酸被膜を形成した後、真空度１０−５Ｐａ〜１０−１Ｐａ，温度２５０℃〜３５０℃の条件にて、イミド化を行うことでポリイミド被膜を形成することを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着重合法によるポリイミド被膜で表面被覆された希土類系磁石粉末の製造方法であって、磁石粉末の表面に、真空度１０Ｐａ〜１００Ｐａ，温度１８０℃〜２５０℃の条件にて、昇華した芳香族カルボン酸二無水物と芳香族ジアミンを重合させることでポリアミック酸被膜を形成した後、真空度１０−５Ｐａ〜１０−１Ｐａ，温度２５０℃〜３５０℃の条件にて、イミド化を行うことでポリイミド被膜を形成することを特徴とする製造方法。
【請求項２】
磁石粉末を振動および／または攪拌させながら処理を行うことを特徴とする請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
水平方向の回転軸を中心に回転自在とした筒型容器の内部に磁石粉末を収容し、この筒型容器を回転させることで磁石粉末を振動および／または攪拌させることを特徴とする請求項２記載の製造方法。
【請求項４】
ポリイミド被膜の膜厚が０．１μｍ〜５．０μｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の製造方法によって製造されてなることを特徴とするポリイミド被膜で表面被覆された希土類系磁石粉末。
【請求項６】
請求項５記載のポリイミド被膜で表面被覆された希土類系磁石粉末と樹脂バインダとからなることを特徴とする希土類系ボンド磁石用コンパウンド。
【請求項７】
請求項６記載の希土類系ボンド磁石用コンパウンドを用いて所定形状に成形されてなることを特徴とする希土類系ボンド磁石。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐食性や耐酸化性に優れた希土類系ボンド磁石を製造するために有用なポリイミド被膜で表面被覆された希土類系磁石粉末の均一かつ効率的な製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末に代表されるＲ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末などの希土類系磁石粉末を、バインダとして熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂などを用いて所定形状に成形することで製造されるボンド磁石は、樹脂バインダを含有しているために焼結磁石に比較すれば磁気特性が低くなるものの、フェライト磁石などに比べればなお十分に高い磁気特性を有しており、また、複雑形状や薄肉形状の磁石やラジアル異方性磁石を容易に得ることができるといった焼結磁石にはない特徴を持っている。従って、ボンド磁石は、特にスピンドルモータやステッピングモータなどの小型モータに多く用いられ、近年、その需要が増加している。
希土類系磁石粉末は高い磁気特性を有するが、ＲやＦｅが組成の大半を占めることから腐食や酸化を起しやすいという問題がある。そのため、ボンド磁石の製造においては、まず、希土類系磁石粉末を、溶解もしくは溶融（軟化）させた樹脂バインダと混合して磁石粉末の表面が樹脂バインダで被覆されたコンパウンドと呼ばれる粉末顆粒状原料を調製した後、このコンパウンドを射出成形や圧縮成形や押出成形し、用いる樹脂バインダが熱硬化性樹脂である場合にはさらに加熱して樹脂バインダを硬化させることで所定形状に成形して製品化される。しかしながら、このようにして製品化されたボンド磁石であっても、その表面に希土類系磁石粉末が露出していると、わずかな酸やアルカリや水分などの存在によって磁石粉末が腐食して錆が発生したり、１００℃程度の大気中でも酸化が進行したりするので、例えば部品組み込み後に磁石特性の劣化やばらつきを招くことがある。また、樹脂バインダとして汎用されているエポキシ樹脂やナイロン樹脂などは水分や酸素の透過性を有する。従って、これらの樹脂を樹脂バインダに用いたボンド磁石においては、樹脂を透過した水分や酸素で希土類系磁石粉末が腐食したり酸化したりする可能性があることを否定できない。さらに、希土類系磁石粉末が腐食や酸化を起しやすいことに鑑みれば、射出成形を行う場合には混練成形時の温度条件に配慮する必要があるし、圧縮成形を行う場合には成形後の硬化処理を不活性ガス雰囲気中で行う必要がある。
よって、以上のような点に鑑み、ボンド磁石中における希土類系磁石粉末の腐食や酸化を防止することを目的として、下記特許文献１において、蒸着重合法によって希土類系磁石粉末の表面にポリイミド被膜を形成し、ポリイミド被膜で表面被覆された磁石粉末を用いてコンパウンドを調製した後、ボンド磁石を製造する方法が提案されている。蒸着重合法はドライプロセスによる優れた有機薄膜形成技術であり、所定の真空中において芳香族カルボン酸二無水物と芳香族ジアミンを昇華（加熱蒸発）させると、これらのモノマー分子は希土類系磁石粉末の表面にて個々に衝突し、表面移動を繰り返しながら重合してポリアミック酸（Ｐｏｌｙａｍｉｃ  ａｃｉｄ）被膜を形成し、その後、イミド化を行うことでポリアミック酸被膜が脱水縮合してポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）被膜となる。
【０００３】
【特許文献１】
特開平８−１６７５１４号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者は、上記特許文献１に記載された方法の有効性を確認すべく、その実施例に記載された方法を追試してみたところ、ここに記載された方法では、希土類系磁石粉末の表面にポリイミド被膜を均一かつ効率的に形成することができないことが判明した。
そこで本発明は、耐食性や耐酸化性に優れた希土類系ボンド磁石を製造するために有用なポリイミド被膜で表面被覆された希土類系磁石粉末の均一かつ効率的な製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、種々の検討を重ねた結果、希土類系磁石粉末の表面にポリイミド被膜を均一かつ効率的に形成するためには、磁石粉末は磁石体に比較して比表面積が大きいことや多様な形状をしていることを考慮した上で、いかなる条件にて、昇華した芳香族カルボン酸二無水物と芳香族ジアミンを重合させることでポリアミック酸被膜を磁石粉末の表面に形成するかが重要であることを突き止めた。そして、この点に鑑みて上記特許文献１の実施例に記載された方法を検証してみたところ、１Ｐａにも満たない高真空中では、一定速度で昇華した芳香族カルボン酸二無水物と芳香族ジアミンが蒸着重合装置の真空排気系に速やかに排気されてしまい、比表面積が大きく多様な形状をしている希土類系磁石粉末の表面にポリイミド被膜を形成するためとしては、真空処理室の内部におけるこれらの濃度が十分ではないこと、また、温度が１００℃程度では、昇華した芳香族カルボン酸二無水物と芳香族ジアミンの重合が磁石粉末の表面で円滑に進行しないこと、結果として、磁石粉末の表面にポリイミド被膜を均一かつ効率的に形成することができないことが判明した。
【０００６】
本発明は上記の知見に基づいてなされたものであり、本発明の蒸着重合法によるポリイミド被膜で表面被覆された希土類系磁石粉末の製造方法は、請求項１記載の通り、磁石粉末の表面に、真空度１０Ｐａ〜１００Ｐａ，温度１８０℃〜２５０℃の条件にて、昇華した芳香族カルボン酸二無水物と芳香族ジアミンを重合させることでポリアミック酸被膜を形成した後、真空度１０−５Ｐａ〜１０−１Ｐａ，温度２５０℃〜３５０℃の条件にて、イミド化を行うことでポリイミド被膜を形成することを特徴とする。
また、請求項２記載の製造方法は、請求項１記載の製造方法において、磁石粉末を振動および／または攪拌させながら処理を行うことを特徴とする。
また、請求項３記載の製造方法は、請求項２記載の製造方法において、水平方向の回転軸を中心に回転自在とした筒型容器の内部に磁石粉末を収容し、この筒型容器を回転させることで磁石粉末を振動および／または攪拌させることを特徴とする。
また、請求項４記載の製造方法は、請求項１乃至３のいずれかに記載の製造方法において、ポリイミド被膜の膜厚が０．１μｍ〜５．０μｍであることを特徴とする。
また、本発明のポリイミド被膜で表面被覆された希土類系磁石粉末は、請求項５記載の通り、請求項１記載の製造方法によって製造されてなることを特徴とする。
また、本発明の希土類系ボンド磁石用コンパウンドは、請求項６記載の通り、請求項５記載のポリイミド被膜で表面被覆された希土類系磁石粉末と樹脂バインダとからなることを特徴とする。
また、本発明の希土類系ボンド磁石は、請求項７記載の通り、請求項６記載の希土類系ボンド磁石用コンパウンドを用いて所定形状に成形されてなることを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の蒸着重合法によるポリイミド被膜で表面被覆された希土類系磁石粉末の製造方法は、磁石粉末の表面に、真空度１０Ｐａ〜１００Ｐａ，温度１８０℃〜２５０℃の条件にて、昇華した芳香族カルボン酸二無水物と芳香族ジアミンを重合させることでポリアミック酸被膜を形成した後、真空度１０−５Ｐａ〜１０−１Ｐａ，温度２５０℃〜３５０℃の条件にて、イミド化を行うことでポリイミド被膜を形成することを特徴とするものである。本発明によれば、希土類系磁石粉末の表面にポリイミド被膜を均一かつ効率的に形成することができる。特開平１０−１８０９２２号公報には、磁石体の表面にポリイミド被膜を形成する方法として、蒸着重合法におけるポリアミック酸被膜の形成とそれに続くポリイミド被膜の形成を異なる条件にて行う方法が記載されている。しかしながら、昇華した芳香族カルボン酸二無水物と芳香族ジアミンを重合させることでポリアミック酸被膜を磁石体の表面に形成する条件は、真空度１０−３Ｐａ〜１Ｐａ，温度２００℃〜２５０℃とされており、真空度が本発明のポリアミック酸被膜を希土類系磁石粉末の表面に形成する場合の真空度と大きく異なる。
【０００８】
本発明の蒸着重合法によるポリイミド被膜で表面被覆された希土類系磁石粉末の製造方法においては、昇華した芳香族カルボン酸二無水物と芳香族ジアミンのモノマー分子は、蒸着重合装置の真空処理室の内部において高速度で移動している状態にあるので磁石粉末全体に満遍なく行き渡る。従って、真空処理室への磁石粉末の収容方法については特段に考慮しなくても磁石粉末の表面にポリイミド被膜を均一かつ効率的に形成することができるが、磁石粉末の表面にポリイミド被膜をより均一かつ効率的に形成するためには、磁石粉末を振動および／または攪拌させながら処理を行うことが望ましい。磁石粉末を振動および／または攪拌させる方法の好適な態様としては、水平方向の回転軸を中心に回転自在とした筒型容器の内部に磁石粉末を収容し、この筒型容器を回転させることで磁石粉末を振動および／または攪拌させる態様が挙げられる。
【０００９】
図１は、上記の好適な態様を実現するための蒸着重合装置の一例の概略正面断面図である。図１において、蒸着重合装置１の真空処理室２は、排気バルブ３を介して図略の排気装置が接続されているとともに、導入管４ａを介して蒸発源容器４と導入管５ａを介して蒸発源容器５が接続されている。また、真空処理室２の内部には、モータ６の駆動により回転軸７を中心に回転自在とした筒型容器８が配設されている。また、真空処理室２、蒸発源容器４、蒸発源容器５の壁部には図略の加熱ヒータが取り付けられており、各々の内部を所定の温度に加熱することができるようになっている。
芳香族カルボン酸二無水物Ａと芳香族ジアミンＢは蒸発源容器４と蒸発源容器５にそれぞれ供給され、希土類系磁石粉末Ｘは筒型容器８の内部に収容される。昇華した芳香族カルボン酸二無水物Ａと芳香族ジアミンＢが、導入管４ａに設けられた供給口４ｂと導入管５ａに設けられた供給口５ｂからそれぞれ筒型容器８の内部に導入されることを容易にするため、筒型容器８の端面はメッシュ構造８ａとしてある。また、希土類系磁石粉末Ｘが筒型容器８から脱落することを防止するため、筒型容器８の端面には脱落防止枠８ｂが設けられている。筒型容器８の端面の全体面積におけるメッシュ構造面積の割合は例えば２０％〜７０％である。
【００１０】
以下、本発明の蒸着重合法によるポリイミド被膜で表面被覆された希土類系磁石粉末の製造方法を、図１に示す蒸着重合装置を用いて行う場合を例にとって説明する。
【００１１】
まず、芳香族カルボン酸二無水物Ａと芳香族ジアミンＢを蒸発源容器４と蒸発源容器５にそれぞれ供給する。ここで、芳香族カルボン酸二無水物としてはピロメリット酸二無水物などが用いられ、芳香族ジアミンとしては４，４−ジアミノジフェニルエーテルやｐ−フェニルジアミンなどが用いられる。真空処理室２の内部を、図略の排気装置と加熱ヒータを用いて真空度１０Ｐａ〜１００Ｐａ，温度１８０℃〜２５０℃にするとともに、回転軸７を中心に希土類系磁石粉末Ｘを内部に収容した筒型容器８を例えば１０ｒｐｍ〜３０ｒｐｍの速度で回転させる。蒸発源容器４と蒸発源容器５の内部を、予め真空処理室２の内部の加熱温度と同じ温度程度にまで図略の加熱ヒータを用いて加熱しておくと、芳香族カルボン酸二無水物Ａと芳香族ジアミンＢが昇華し、それぞれが導入管４ａに設けられた供給口４ｂと導入管５ａに設けられた供給口５ｂから真空処理室２の内部に導入され（矢印参照）、筒型容器８の内部に収容した希土類系磁石粉末Ｘの表面で重合してポリアミック酸被膜が均一かつ効率的に形成される。真空処理室２の内部の真空度を１０Ｐａ〜１００Ｐａと規定するのは、１０Ｐａ未満であると一定速度で昇華した芳香族カルボン酸二無水物Ａと芳香族ジアミンＢが速やかに真空処理室２から排気されてしまい、真空処理室２の内部におけるこれらの濃度が十分でなくなることで成膜効率が低下する恐れがある一方、１００Ｐａを超えると昇華速度が遅くなることで成膜効率が低下する恐れがあるからである。また、真空処理室２の内部の温度を１８０℃〜２５０℃と規定するのは、１８０℃未満であると昇華した芳香族カルボン酸二無水物Ａと芳香族ジアミンＢの重合が希土類系磁石粉末Ｘの表面で円滑に進行しなくなることで成膜効率が低下する恐れがある一方、２５０℃を超えると希土類系磁石粉末Ｘの表面にモノマー分子が衝突して吸着しても重合する前に脱離しやすくなることで成膜効率が低下する恐れがあるからである。なお、上記の処理を行うに際しては、希土類系磁石粉末Ｘが腐食や酸化を起しやすいことを考慮して、いったん真空処理室２の内部を窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気に置換してから処理を行うことが望ましい。
【００１２】
次に、真空処理室２の内部を、図略の排気装置と加熱ヒータを用いて真空度１０−５Ｐａ〜１０−１Ｐａ，温度２５０℃〜３５０℃にするとともに、回転軸７を中心に表面にポリアミック酸被膜が形成された希土類系磁石粉末Ｘを内部に収容した筒型容器８を例えば１０ｒｐｍ〜３０ｒｐｍの速度で回転させることで、イミド化を行えば、磁石粉末の表面にポリイミド被膜が均一かつ効率的に形成される。真空処理室２の内部の真空度を１０−５Ｐａ〜１０−１Ｐａと規定するのは、主としてイミド化を行った際の脱水縮合反応によって生成する水分で希土類系磁石粉末Ｘが腐食することを防止するためであるが、それに加えて１０−５Ｐａ未満であると処理時間が長くなって製造コストが増大する恐れがある一方、１０−１Ｐａを超えると密着性に優れたポリイミド被膜が形成されない恐れがあるからである。また、真空処理室２の内部の温度を２５０℃〜３５０℃と規定するのは、２５０℃未満であると脱水縮合反応が十分に進行しないことから密着性に優れたポリイミド被膜が形成されない恐れがある一方、３５０℃を超えると形成されたポリイミド被膜が劣化して脆くなり亀裂などが生じて希土類系磁石粉末Ｘの表面からの剥離が起こる恐れがあるからである。
【００１３】
処理時間は、希土類系磁石粉末の処理量や所望するポリイミド被膜の膜厚などに応じて適宜決定される。ポリイミド被膜の膜厚は０．１μｍ〜５．０μｍであることが望ましく、０．２μｍ〜２．０μｍであることがより望ましい。０．１μｍ未満であるとボンド磁石中における希土類系磁石粉末の腐食や酸化を防止することができなくなる恐れがある一方、５．０μｍを超えるとボンド磁石中における希土類系磁石粉末の有効な体積割合が少なくなり、磁気特性が低くなる恐れがあるからである。
【００１４】
本発明が適用される希土類系磁石粉末は、希土類系磁石合金を溶解し、鋳造後に粉砕する溶解粉砕法、一度焼結磁石を作成した後、これを粉砕する焼結体粉砕法、Ｃａ還元にて直接磁性粉を得る直接還元拡散法、溶解ジェットキャスターで希土類系磁石合金のリボン箔を得、これを粉砕・焼純する急冷合金法、希土類系磁石合金を溶解し、これをアトマイズで粉末化して熱処理するアトマイズ法、原料金属を粉末化した後、メカニカルアロイングにて粉末末化して熱処理するメカニカルアロイ法などの方法で得ることができる。
また、Ｒ−Ｆｅ−Ｎ系ボンド磁石を製造するために用いられる磁石粉末は、希土類系磁石合金を粉砕し、これを窒素ガス中またはアンモニアガス中で窒化した後、粉末化するガス窒化法などの方法でも得ることができる。
また、希土類系磁石粉末に対して磁気的異方性を付与する方法として、急冷合金法によって得られた合金粉をホットプレスなどにより低温で焼結し、さらに温間据え込み加工によって磁気的異方性を付与したバルク状磁石体を粉砕する温間加工・粉砕法（特公平４−２０２４２号公報参照）、急冷合金法によって得られた合金粉をそのまま金属製容器に充填封入し、温間圧延などの塑性加工によって磁気的異方性を付与するパック圧延法（特許第２５９６８３５号公報参照）、合金鋳塊を熱間で塑性加工し、その後に粉砕して磁気的異方性を有する磁石粉末を得るインゴット熱間加工・粉砕法（特公平７−６６８９２号公報参照）、希土類系磁石合金を水素中で加熱して水素を吸蔵させた後、脱水素処理し、次いで冷却することによって磁石粉末を得るＨＤＤＲ（Ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｉｏｎ−Ｄｉｓｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｔｉｏｎ−Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ−Ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）法（特公平６−８２５７５号公報参照）などを採用することができる。なお、磁気的異方性の付与は、上記の原料合金と異方化手段の組合せに限られるものではなく、適宜組み合わせることができる。
【００１５】
本発明の製造方法により製造されたポリイミド被膜で表面被覆された希土類系磁石粉末を用いた希土類系ボンド磁石用コンパウンドの調製は自体公知の方法で行うことができる。希土類系ボンド磁石は、このようにして調製された希土類系ボンド磁石用コンパウンドを射出成形や圧縮成形や押出成形により所定形状に成形して製品化される。
【００１６】
【実施例】
以下、本発明を実施例によってさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定して解釈されるものではない。なお、以下の実施例は、高周波溶解によって組成：Ｎｄ１２．４原子％，Ｆｅ６４．９原子％，Ｃｏ１６．１原子％，Ｃｕ０．１原子％，Ｇａ０．２原子％，Ｚｒ０．１原子％，Ｂ６．２原子％の鋳隗を作製し、アルゴンガス雰囲気中で１１００℃×２４時間焼鈍したものを酸素濃度０．５％以下のアルゴンガス雰囲気中で粉砕して平均粒径１００μｍの粗粉砕粉としてからこれを０．１５ＭＰａの水素ガス加圧雰囲気中で８７０℃×３時間の水素化熱処理を行い、その後、減圧（１ｋＰａ）アルゴンガス流気中で８５０℃×１時間の脱水素処理を行ってから冷却して製造したＨＤＤＲ磁石粉末を用いて行った。
【００１７】
Ａ：ポリイミド被膜で表面被覆されたＨＤＤＲ磁石粉末の製造とその特性
図１に示す蒸着重合装置を用いて以下の実験を行った。芳香族カルボン酸二無水物としてピロメリット酸二無水物１０ｇと、芳香族ジアミンとして４，４−ジアミノジフェニルエーテル１０ｇをそれぞれ蒸着源容器に供給し、筒型容器の内部にＨＤＤＲ磁石粉末５ｇを収容した。真空処理室の内部を真空度が１０−１Ｐａになるまで真空排気した後、真空度が１０３Ｐａになるまで窒素ガスを導入した。続いて真空処理室の内部を２００℃で６０分間予備加熱した。その後、真空処理室の内部を２００℃に維持した状態で、再び真空処理室の内部を真空度が１０−１Ｐａになるまで真空排気した後、真空度が１０３Ｐａになるまで窒素ガスを導入した。真空処理室の内部をこの状態に維持したまま、ピロメリット酸二無水物と４，４−ジアミノジフェニルエーテルをそれぞれ供給した蒸着源容器を２００℃で３０分間予備加熱した。次に筒型容器の回転軸を１７ｒｐｍで回転させるとともに、真空処理室の内部を真空度が３０Ｐａになるまで真空排気を行うことでピロメリット酸二無水物と４，４−ジアミノジフェニルエーテルを昇華させ、１２０分間ＨＤＤＲ磁石粉末の表面にポリアミック酸被膜を形成した。その後、筒型容器の回転軸を１７ｒｐｍで回転させたまま、いったん真空処理室の内部に窒素ガスを導入することで真空処理室の内部の真空度を１０３Ｐａとしてから３００℃で３０分間予備加熱した後、１０−２Ｐａになるまで真空排気して６０分間イミド化を行い、ＨＤＤＲ磁石粉末の表面に形成されていたポリアミック酸被膜からポリイミド被膜を形成させて成膜を完了した。
【００１８】
真空処理室の内部を常温常圧に戻した後、ポリイミド被膜で表面被覆されたＨＤＤＲ磁石粉末を取り出し、その表面と断面のＥＰＭＡ（電子線マイクロアナライザー）観察を行ったところ、磁石粉末を構成する粒子同士が凝集したりすることなく、個々の粒子の表面には膜厚が約２μｍのポリイミド被膜が均一に形成されていた。このようにして製造されたポリイミド被膜で表面被覆されたＨＤＤＲ磁石粉末を大気中１５０℃×１００時間放置という過酷試験を行った後、ＶＳＭ（試料振動型磁力計）にて磁気特性を測定したところ、試験前後で磁気特性の変化はほとんど認められず、上記の過酷試験を行っても磁気特性が劣化することがないことがわかった。
【００１９】
Ｂ：ポリイミド被膜で表面被覆されたＨＤＤＲ磁石粉末を用いたボンド磁石の製造
エポキシ樹脂とフェノール系硬化剤を重量比率で１００：３の割合でメチルエチルケトンに溶解して樹脂液を調製した。ポリイミド被膜で表面被覆されたＨＤＤＲ磁石粉末と樹脂液を、ポリイミド被膜で表面被覆されたＨＤＤＲ磁石粉末とエポキシ樹脂が重量比率で９７：３の割合となるように均一混合した後、メチルエチルケトンを常温で蒸発させて粉末顆粒状の希土類系ボンド磁石用コンパウンドを得た。得られた希土類系ボンド磁石用コンパウンドを、１２ｋＯｅの磁場中において、加圧力８ｔｏｎ／ｃｍ２で圧縮成形し、得られた成形体を１５０℃のアルゴンガス雰囲気中で１時間加熱してエポキシ樹脂を硬化させて、縦１２．０ｃｍ×横７．０ｃｍ×高さ７．６ｃｍのボンド磁石を製造した。
【００２０】
【発明の効果】
本発明によれば、耐食性や耐酸化性に優れた希土類系ボンド磁石を製造するために有用なポリイミド被膜で表面被覆された希土類系磁石粉末の均一かつ効率的な製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適な態様を実現するための蒸着重合装置の一例の概略正面断面図である。
【符号の説明】
１    蒸着重合装置
２    真空処理室
３    排気バルブ
４    蒸発源容器
４ａ  導入管
４ｂ  供給口
５    蒸発源容器
５ａ  導入管
５ｂ  供給口
６    モータ
７    回転軸
８    筒型容器
８ａ  メッシュ構造
８ｂ  脱落防止枠
Ａ    芳香族カルボン酸二無水物
Ｂ    芳香族ジアミン
Ｘ    希土類系磁石粉末
【図１】
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