(57)【要約】【課題】発泡現象によるレジストの飛散異物がチップ領域へ付着する不具合を防止する周辺露光装置及び半導体装置を提供する。【解決手段】周辺露光装置１０において、上面にレジスト膜ＲＳＴが形成された被処理基板Ｗａｆは、その中心を軸として回転可能なチャック１２により吸着保持されている。周辺露光光学系１１は、被処理基板Ｗａｆの周縁領域に集光される露光スポットＥＳを現出させる。また、カバー１３が被処理基板Ｗａｆと数ミリの間隔を保って対向している。なお、カバー１３は露光スポットＥＳの部分とその周辺が除かれた開口部１４を有している。これにより、被処理基板Ｗａｆは回転しながら、露光光が基板周縁領域に直接与えられるようになっている。露光スポットＥＳの部分のレジスト膜から発泡によって飛び散る飛散異物（レジスト膜片）の多くは、カバー１３上に付着する。【選択図】　　図１
2004111531.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板の主表面上に塗布されたレジストの基板周縁領域を所定の露光量でもって露光する装置であって、
前記基板周縁領域に露光スポットを現出させる周辺露光光学系と、
少なくとも前記露光スポットを除き前記被処理基板に対向して設けられるカバーと、
を具備したことを特徴とする周辺露光装置。
【請求項２】
被処理基板の主表面上に塗布されたレジストの基板周縁領域を所定の露光量でもって露光する装置であって、
前記被処理基板の回転が可能な基板保持部と、
前記基板周縁領域に露光スポットを現出させる周辺露光光学系と、
少なくとも前記露光スポットを除き前記被処理基板に対向して設けられるカバーと、
を具備したことを特徴とする周辺露光装置。
【請求項３】
前記カバーは前記露光スポットまたはその周辺を含んで開口された開口部を有することを特徴とする請求項１または２記載の周辺露光装置。
【請求項４】
前記カバーは前記露光スポットまたはその周辺を含んで切り欠いた切り欠き部を有することを特徴とする請求項１または２記載の周辺露光装置。
【請求項５】
前記カバーは少なくとも前記露光スポット付近に防壁が設けられていることを特徴とする請求項１〜４いずれか一つに記載の周辺露光装置。
【請求項６】
被処理基板の主表面上に塗布されたレジストの基板周縁領域を所定の露光量でもって露光する装置であって、
前記基板周縁領域に露光スポットを現出させる周辺露光光学系と、
少なくとも前記露光スポット付近で前記被処理基板の内側から外側に向う気流を発生させる吸引機構と、
を具備したことを特徴とする周辺露光装置。
【請求項７】
被処理基板の主表面上に塗布されたレジストの基板周縁領域を所定の露光量でもって露光する装置であって、
前記被処理基板の回転が可能な基板保持部と、
前記基板周縁領域に露光スポットを現出させる周辺露光光学系と、
少なくとも前記露光スポット付近で前記被処理基板の内側から外側に向う気流を発生させる吸引機構と、
を具備したことを特徴とする周辺露光装置。
【請求項８】
前記被処理基板上の所定領域に設けられる防壁をさらに具備したことを特徴とする請求項６または７記載の周辺露光装置。
【請求項９】
被処理基板の主表面上に塗布されたレジストの基板周縁領域を所定の露光量でもって露光する装置であって、
前記被処理基板の主表面を重力方向に向ける機構を有すると共に被処理基板の回転が可能な基板保持部と、
前記基板周縁領域に露光スポットを現出させる周辺露光光学系と、
を具備したことを特徴とする周辺露光装置。
【請求項１０】
少なくとも前記露光スポット付近で前記被処理基板の内側から外側に向う気流を発生させる吸引機構をさらに具備したことを特徴とする請求項９記載の周辺露光装置。
【請求項１１】
上記請求項１〜１０いずれかに記載の周辺露光装置が利用され製造されることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置製造に係り、特に感光性レジストを塗布した被処理基板における基板周縁領域の不要レジストを除去する過程で用いられる周辺露光処理を実現する周辺露光装置及びこれを利用した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩ製造に必要な回路パターンの形成は、一般に、半導体基板の主面において露光装置によるレジストのパターニングと、このレジストパターンをマスクとしたエッチング処理が含まれる。このような被処理基板は、プロセスラインでの移動中、複数枚単位でキャリアに収納されることが多い。収納時、被処理基板の周縁領域はキャリアと接触する。また、各種製造装置の基板保持用治具は、被処理基板の周縁領域を把持することが多い。よって、被処理基板の周縁領域にレジスト膜が着いていればレジスト膜は割れ易く、パーティクル増大を招く。そこで、パーティクル低減のため、被処理基板の周縁領域のレジスト膜は、不要なものとして除去されることが一般的となっている。
【０００３】
周辺露光装置は、上述のような被処理基板の周縁領域のレジスト膜を除去する工程を担う装置である。一般的に周辺露光装置は、回転可能なチャックに被処理基板を保持し、基板周縁領域に露光光が照射される。基板の回転速度は、露光スポットの照度に応じて一定の露光エネルギーが与えられるよう調整される。従って、ウェハ１枚当りの処理時間を短縮して量産効率を高めるには露光照度を高くする必要がある。
【０００４】
図８は、従来の周辺露光装置の構成例を示す概略図である。レジスト膜ＲＳＴが塗布された被処理基板（ウェハ）Ｗａｆは、回転可能なチャック（図示せず）に吸着保持される。周辺露光光学系８１を経て形成される露光スポットＥＳは基板周縁領域に位置調整される。基板Ｗａｆを回転させて基板周縁の露光域を露光する。基板Ｗａｆの回転速度は、露光スポットＥＳの照度に応じて一定のエネルギーが対象のレジスト膜ＲＳＴに与えられるよう調整される。
【０００５】
基板Ｗａｆのチップ領域には、図示しないマスク上の回路パターンが投影露光されるが、上記周辺露光処理は、チップ領域への露光処理の前か後に実施される。周辺露光処理、チップ領域への露光処理の双方の露光処理後に行われる現像処理によって、基板周縁の露光域のレジスト膜は除去され、チップ領域には回路パターンが形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
通常、露光スポットＥＳの照度は、マスク上の回路パターンを投影露光する場合に比べて、約１０倍高い。露光スポットの照度が低いと、基板Ｗａｆの回転速度を下げざるを得ず、スループットが低下する。従って、露光照度を高くすることにより、基板Ｗａｆの回転速度を速め、周辺露光のスループットを上げる傾向にある。
【０００７】
しかしながら、スループットを優先した高い露光照度で周辺露光処理すると、レジスト中の感光剤が急激に分解し、一度に多量の窒素ガスが放出される。これは発泡現象と呼ばれ、露光されたレジスト膜の所々から泡が弾ける。この結果、レジストが飛散異物となって基板中心方向のチップ領域にまで飛ばされ付着する。この飛散異物は、転写される回路パターンの解像性の低下、ひいては回路パターンの欠陥を引き起こし、歩留りを低下させる原因となる。
【０００８】
本発明は、上記のような事情を考慮してなされたもので、発泡現象によるレジストの飛散異物がチップ領域へ付着する不具合を防止する周辺露光装置及び半導体装置を提供しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の［請求項１］に係る周辺露光装置は、
被処理基板の主表面上に塗布されたレジストの基板周縁領域を所定の露光量でもって露光する装置であって、
前記基板周縁領域に露光スポットを現出させる周辺露光光学系と、
少なくとも前記露光スポットを除き前記被処理基板に対向して設けられるカバーと、
を具備したことを特徴とする。
【００１０】
本発明の［請求項２］に係る周辺露光装置は、
被処理基板の主表面上に塗布されたレジストの基板周縁領域を所定の露光量でもって露光する装置であって、
前記被処理基板の回転が可能な基板保持部と、
前記基板周縁領域に露光スポットを現出させる周辺露光光学系と、
少なくとも前記露光スポットを除き前記被処理基板に対向して設けられるカバーと、
を具備したことを特徴とする。
【００１１】
上記本発明の［請求項１］，［請求項２］に係る周辺露光装置によれば、露光スポットを除き被処理基板に対向して設けられるカバーを有する。これにより、露光スポットはカバーを介さずに被処理基板に現れ、発泡によって生じる飛散異物はカバーによって遮られる。これにより、被処理基板の中心方面（チップ領域）への付着は防止される。
【００１２】
本発明の［請求項３］に係る周辺露光装置は、［請求項１］または［請求項２］に従属され、
前記カバーは前記露光スポットまたはその周辺を含んで開口された開口部を有することを特徴とする。
また、本発明の［請求項４］に係る周辺露光装置は、［請求項１］または［請求項２］に従属され、
前記カバーは前記露光スポットまたはその周辺を含んで切り欠いた切り欠き部を有することを特徴とする。
上記［請求項３］、［請求項４］それぞれは、カバーを介さずに被処理基板への露光スポットが得られるためのカバー形態を示している。
【００１３】
本発明の［請求項５］に係る周辺周辺露光装置は、［請求項１］〜［請求項４］いずれか一つに従属され、
前記カバーは少なくとも前記露光スポット付近に防壁が設けられていることを特徴とする。発泡によって生じる飛散異物の特に低い飛散に対し被処理基板表面への付着防止に寄与する。
【００１４】
本発明の［請求項６］に係る周辺露光装置は、
被処理基板の主表面上に塗布されたレジストの基板周縁領域を所定の露光量でもって露光する装置であって、
前記基板周縁領域に露光スポットを現出させる周辺露光光学系と、
少なくとも前記露光スポット付近で前記被処理基板の内側から外側に向う気流を発生させる吸引機構と、
を具備したことを特徴とする。
【００１５】
本発明の［請求項７］に係る周辺露光装置は、
被処理基板の主表面上に塗布されたレジストの基板周縁領域を所定の露光量でもって露光する装置であって、
前記被処理基板の回転が可能な基板保持部と、
前記基板周縁領域に露光スポットを現出させる周辺露光光学系と、
少なくとも前記露光スポット付近で前記被処理基板の内側から外側に向う気流を発生させる吸引機構と、
を具備したことを特徴とする。
【００１６】
上記本発明の［請求項６］，［請求項７］に係る周辺露光装置によれば、露光スポット付近の吸引機構により、基板内側から外側に向う気流を発生させる。これにより、発泡によって生じる飛散異物は吸引され、被処理基板の中心方面（チップ領域）への付着は防止される。
【００１７】
本発明の［請求項８］に係る周辺露光装置は、［請求項６］または［請求項７］に従属され、
前記被処理基板上の所定領域に設けられる防壁をさらに具備したことを特徴とする。適当な防壁を設けることにより、発泡によって生じる飛散異物の特に吸引を逃れた飛散に対し被処理基板表面への付着防止に寄与する。
【００１８】
本発明の［請求項９］に係る周辺露光装置は、
被処理基板の主表面上に塗布されたレジストの基板周縁領域を所定の露光量でもって露光する装置であって、
前記被処理基板の主表面を重力方向に向ける機構を有すると共に被処理基板の回転が可能な基板保持部と、
前記基板周縁領域に露光スポットを現出させる周辺露光光学系と、
を具備したことを特徴とする。
【００１９】
本発明の［請求項９］に係る周辺露光装置によれば、基板保持部により被処理基板の主表面は重力方向に向けられる。この状態で露光スポットが被処理基板に現出され、発泡によって生じる飛散異物は重力によって落ちる。これにより、被処理基板の中心方面（チップ領域）への付着は防止される。
【００２０】
本発明の［請求項１０］に係る周辺露光装置は、［請求項９］に従属され、
少なくとも前記露光スポット付近で前記被処理基板の内側から外側に向う気流を発生させる吸引機構をさらに具備したことを特徴とする。適当な吸引機構を設けることにより、発泡によって生じる飛散異物の落下を吸引し、汚染防止に寄与する。
【００２１】
本発明の［請求項１１］に係る半導体装置は、上記の［請求項１］〜［請求項１０］いずれかに記載の周辺露光装置が利用され製造されることを特徴とする。露光環境の精度は向上し、転写される回路パターンの誤転写が防止される。これにより、歩留りのよい高信頼性の半導体装置の製造に寄与する。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図１（ａ），（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る周辺露光装置の要部構成を示す概観図である。それぞれ（ａ）は斜め上からの投影図、（ｂ）は側面からの断面図を示す。
【００２３】
周辺露光装置１０において、被処理基板Ｗａｆは露光対象となる上面にレジスト膜ＲＳＴが形成されている。周辺露光光学系１１は、図示しない光源から光学系、導光ファイバ、収束レンズ等を経て、被処理基板Ｗａｆの周縁領域に集光される露光スポットＥＳを現出させる。ここでは、被処理基板Ｗａｆはその中心を軸として回転可能なチャック１２により吸着保持されている。また、カバー１３が被処理基板Ｗａｆと数ミリの間隔を保って対向している。なお、カバー１３は露光スポットＥＳの部分とその周辺が除かれた開口部１４を有している。これにより、露光光が基板周縁領域に直接与えられるようになっている。
【００２４】
上記周辺露光装置１０を利用した被処理基板Ｗａｆの基板周縁領域の露光は次のように達成される。チャック１２に保持された被処理基板Ｗａｆが所定の一定回転数で回転される。周辺露光光学系１１は位置調整を伴い基板Ｗａｆの周縁領域に露光スポットＥＳを集光させる。基板Ｗａｆにオリエンテーションフラットがあっても周辺露光光学系１１は位置調整可能である。露光スポットＥＳはカバー１３の開口部１４を介して基板Ｗａｆの全周縁領域のレジスト膜ＲＳＴを露光する。露光スポットＥＳの部分のレジスト膜から発泡によって飛び散る飛散異物（レジスト膜片）の多くは、カバー１３上に付着する。
【００２５】
すなわち、露光スポットＥＳはカバー１３に遮られることなく被処理基板Ｗａｆに現出され、発泡によって生じる飛散異物はカバー１３によって遮られる。これにより、被処理基板Ｗａｆにおける中心方面（チップ領域）への飛散異物の付着は防止される。
【００２６】
上記第１実施形態の構成によれば、レジストの発泡による飛散異物に起因する、回路パターンの欠陥を防止することができ、歩留りの向上が期待できる。また、レジストの発泡に起因する飛散異物が被処理基板表面に付着する心配がほとんどない。よって、露光スポットの照度をより高く設定することができ、スループットが向上する。この結果、歩留り、量産性が向上する高信頼性の半導体装置の製造に寄与する。
【００２７】
なお、カバー１３の材質は別段限定されない。図は便宜上、透明部材のように示されているが、透明部材でも透明部材でなくてもよい。カバー１３は少なくともレジストの発泡による飛散異物が防御できることが重要である。
【００２８】
図２は、上記第１実施形態の第１応用例であり、図１（ｂ）と同様な側面からの断面図を示す。カバー１３における開口部１４の少なくとも被処理基板Ｗａｆの中心方向に防壁２５を設ける。これにより、基板表面への飛散異物付着防止効果が向上する。
【００２９】
また、露光スポットＥＳを通すカバー１３の開口部１４の他に単に切り欠きを設けたものでもよい。
図３は、上記第１実施形態の第２応用例であり、図１（ａ）と同様な斜め上からの投影図を示す。カバー１３において、露光スポットＥＳを通す切り欠き部３４を設けている。また、この切り欠き部３４に少なくとも被処理基板Ｗａｆの中心方向に防壁３５を設けてもよい。これにより、基板表面への飛散異物付着防止効果が向上する。
【００３０】
これら応用例も含めた第１実施形態の構成は、周辺露光装置として、単独の装置、または他の半導体製造装置、例えばレジスト塗布装置内、あるいは露光装置内に組み込まれることが考えられる。
【００３１】
図４（ａ），（ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る周辺露光装置の要部構成を示す概観図である。それぞれ（ａ）は斜め上からの投影図、（ｂ）は側面からの断面図を示す。
【００３２】
周辺露光装置４０において、被処理基板Ｗａｆは露光対象となる上面にレジスト膜ＲＳＴが形成されている。周辺露光光学系４１は、図示しない光源から光学系、導光ファイバ、収束レンズ等を経て、被処理基板Ｗａｆの周縁領域に集光される露光スポットＥＳを現出させる。ここでは、被処理基板Ｗａｆはその中心を軸として回転可能なチャック４２により吸着保持されている。また、露光スポットＥＳ付近で吸引機構４３が設けられている。吸引機構４３は少なくとも被処理基板の内側から外側に向う気流を発生させる。これにより、基板周縁領域に与えられる露光スポットＥＳによって発泡するレジスト膜の飛散異物を吸引するようになっている。
【００３３】
上記周辺露光装置４０を利用した被処理基板Ｗａｆの基板周縁領域の露光は次のように達成される。チャック４２に保持された被処理基板Ｗａｆが所定の一定回転数で回転される。周辺露光光学系４１は位置調整を伴い基板Ｗａｆの周縁領域に露光スポットＥＳを集光させる。露光スポットＥＳはレジスト膜ＲＳＴを露光する。露光スポットＥＳの部分においてレジスト膜から発泡によって飛び散る飛散異物（レジスト膜片）の多くは、吸引機構４３に吸い込まれる。
【００３４】
すなわち、露光スポットＥＳは被処理基板Ｗａｆに現出され、発泡によって生じる飛散異物は吸引機構４３の作用によって除去される。吸引機構４３は露光スポットＥＳ付近に設けるコンパクトな構成で吸引力が得易い。これにより、被処理基板Ｗａｆにおける中心方面（チップ領域）への飛散異物の付着は防止される。
【００３５】
上記第２実施形態の構成によれば、前記第１実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、レジストの発泡による飛散異物に起因する、回路パターンの欠陥を防止することができ、歩留りの向上が期待できる。また、レジストの発泡に起因する飛散異物が被処理基板表面に付着する心配がほとんどない。よって、露光スポットの照度をより高く設定することができ、スループットが向上する。この結果、歩留り、量産性が向上する高信頼性の半導体装置の製造に寄与する。
【００３６】
なお、吸引機構４３周辺に飛散異物の防壁を設けてもよく、その形や材質は別段限定されない。防壁は吸引機構４３で吸引しきれなかった飛散異物が基板表面へ付着されないよう防御できることが重要である。
【００３７】
図５は、上記第２実施形態の応用例であり、図４（ａ）と同様な斜め上からの投影図を示す。吸引機構４３と防壁５５が一体化した形態が示されている。これにより、基板表面への飛散異物付着防止効果が向上する。
【００３８】
これら応用例も含めた第２実施形態の構成は、周辺露光装置として、単独の装置、または他の半導体製造装置、例えばレジスト塗布装置内、あるいは露光装置内に組み込まれることが考えられる。
【００３９】
図６は、本発明の第３実施形態に係る周辺露光装置の要部構成を示す概観図である。
周辺露光装置６０において、被処理基板Ｗａｆは露光対象となる上面にレジスト膜ＲＳＴが形成されている。周辺露光光学系６１は、図示しない光源から光学系、導光ファイバ、収束レンズ等を経て、被処理基板Ｗａｆの周縁領域に集光される露光スポットＥＳを現出させる。ここでは、被処理基板Ｗａｆはその主表面を重力方向に向ける機構を有すると共に基板の中心を軸として回転可能なチャック６２により吸着保持されている。これにより、被処理基板Ｗａｆは逆さまたは逆さ方向に傾けられて露光スポットＥＳが基板周縁領域に与えられるようになっている。
【００４０】
上記周辺露光装置６０を利用した被処理基板Ｗａｆの基板周縁領域の露光は次のように達成される。チャック６２に保持された被処理基板Ｗａｆは主表面が重力に向う方向に反転され所定の一定回転数で回転される。周辺露光光学系６１は位置調整を伴い基板Ｗａｆの周縁領域に露光スポットＥＳを集光させる。露光スポットＥＳはレジスト膜ＲＳＴを露光する。露光スポットＥＳの部分のレジスト膜から発泡によって飛び散る飛散異物（レジスト膜片）の多くは重力で落下する。
【００４１】
すなわち、露光スポットＥＳは重力方向に向けられた被処理基板Ｗａｆに現出され、発泡によって生じる飛散異物は重力により落下する。これにより、被処理基板Ｗａｆにおける中心方面（チップ領域）への飛散異物の付着は防止される。
【００４２】
上記第３実施形態の構成によれば、レジストの発泡による飛散異物に起因する、回路パターンの欠陥を防止することができ、歩留りの向上が期待できる。また、レジストの発泡に起因する飛散異物が被処理基板表面に付着する心配がほとんどない。よって、露光スポットの照度を高く設定でき、スループットが向上する。この結果、歩留り、量産性が向上する高信頼性の半導体装置の製造に寄与する。
【００４３】
なお、レジストの発泡による飛散異物を重力に従って落下させる作用に加えて吸引機構も設けるようにすれば、基板表面以外の場所に関する飛散異物の汚染の影響を低減することができる。
【００４４】
図７は、上記第３実施形態の応用例であり、図６と同様な概観図である。重力に向う方向に反転される被処理基板Ｗａｆは、０°＜θ＜９０°、ここではθが４５°以上傾けられ、所定の一定回転数で回転される。露光スポットＥＳ付近で吸引機構７３が設けられている。吸引機構７３は少なくとも被処理基板の内側から外側に向う気流を発生させる。これにより、基板周縁領域に与えられる露光スポットＥＳによって発泡するレジスト膜の飛散異物を吸引するようになっている。これにより、基板表面への飛散異物付着防止と共にそれ以外の周辺の汚染防止効果が向上する。
【００４５】
これら応用例も含めた第３実施形態の構成は、周辺露光装置として、単独の装置、または他の半導体製造装置、例えばレジスト塗布装置内、あるいは露光装置内に組み込まれることが考えられる。
【００４６】
上記各実施形態によれば、露光スポットの発泡によって生じる飛散異物を被処理基板に付着させないようにする様々な構成が提供される。これにより、量産性、歩留りが向上する高信頼性の半導体装置の製造に寄与する。
【００４７】
なお、上記各実施形態の構成は、被処理基板Ｗａｆを回転させながら露光する構成を示したが、これに限らない。周辺露光装置として他の半導体製造装置、例えばレジスト塗布装置内、あるいは露光装置内に組み込まれる場合、被処理基板Ｗａｆの保持が回転動作を伴わないこともある。その場合、周辺露光光学系側を回転させる構成が考えられる。
【００４８】
すなわち、第１実施形態に対応した構成を考えると次のようである。被処理基板Ｗａｆが回転せずに保持され、基板Ｗａｆと数ミリの間隔を保ちつつカバー１３と周辺露光光学系１１が共に基板Ｗａｆに対し周回移動する。これにより、露光スポットＥＳが基板周縁領域に与えられるようにすればよい。もちろん第１実施形態の第１、第２応用例にも同様に構成できる。
【００４９】
また、第２実施形態に対応した構成を考えると次のようである。被処理基板Ｗａｆが回転せずに保持され、周辺露光光学系４１と吸引機構４３が共に基板Ｗａｆに対し周回移動する。これにより、露光スポットＥＳが基板周縁領域に与えられるようにすればよい。もちろん第２実施形態の応用例にも同様に構成できる。
【００５０】
また、第３実施形態に対応した構成を考えると次のようである。被処理基板Ｗａｆ表面は重力方向に向けられるが、回転せずに保持され、周辺露光光学系６１が基板Ｗａｆに対し周回移動する。これにより、露光スポットＥＳが基板周縁領域に与えられるようにすればよい。もちろん第３実施形態の応用例にも同様に構成できる。
【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、露光スポットの発泡によって生じる飛散異物を被処理基板に付着させないようにするため、カバー（または防壁）や吸引機構を設けたり、飛散異物を落下させる方向に基板自体を向ける機構を装備する。これにより、露光スポットの照度をより高く設定しても、高い信頼性が維持できる。この結果、発泡現象によるレジストの飛散異物がチップ領域へ付着する不具合を防止し、量産性、歩留りが向上する高信頼性の周辺露光装置及び半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ），（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る周辺露光装置の要部構成を示す概観図である。それぞれ（ａ）は斜め上からの投影図、（ｂ）は側面からの断面図を示す。
【図２】上記第１実施形態の第１応用例であり、図１（ｂ）と同様な側面からの断面図を示す。
【図３】上記第１実施形態の第２応用例であり、図１（ａ）と同様な斜め上からの投影図を示す。
【図４】（ａ），（ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る周辺露光装置の要部構成を示す概観図である。それぞれ（ａ）は斜め上からの投影図、（ｂ）は側面からの断面図を示す。
【図５】上記第２実施形態の応用例であり、図４（ａ）と同様な斜め上からの投影図を示す。
【図６】本発明の第３実施形態に係る周辺露光装置の要部構成を示す概観図である。
【図７】上記第３実施形態の応用例であり、図６と同様な概観図である。
【図８】従来の周辺露光装置の構成例を示す概略図である。
【符号の説明】
１０，４０，６０…周辺露光装置
１１，４１，６１，８１…周辺露光光学系
１２，４２，６２…チャック
１３，４３…カバー
１４，４４…開口部
２５，３５，５５…防壁
３４…切り欠き部
４３，７３…吸引機構
ＥＳ…露光スポット
ＲＳＴ…レジスト膜
Ｗａｆ…被処理基板
【図１】
2004111531.tif 000003
【図２】
2004111531.tif 000004
【図３】
2004111531.tif 000005
【図４】
2004111531.tif 000006
【図５】
2004111531.tif 000007
【図６】
2004111531.tif 000008
【図７】
2004111531.tif 000009
【図８】
2004111531.tif 000010