(57)【要約】      （修正有）【課題】アクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイ及びその形成方法を提供する。【解決手段】ＡＭ−ＯＬＥＤは、駆動回路となる複数のトランジスタ２０を備える基板１０と、前記基板と前記トランジスタに形成される誘電層３４と、前記誘電層の一部に形成され、前記誘電層の露出表面を所定の透明電極領域４５として定義する第一絶縁層３６と、前記所定の透明電極領域と前記第一絶縁層の周辺表面に形成される透明電極５０と、前記透明電極の両側に形成され、前記透明電極表面の大部分を露出する第二絶縁層３８と、前記透明電極と前記第二絶縁層に形成される有機ＥＬ層４０と、前記有機ＥＬ層に形成される金属電極５０とから構成される。絶縁層は、透明電極表面を滑らかにし、ＡＭ−ＯＬＥＤの発光特性を向上させる。【選択図】  図５ｆ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイであって、
基板と、
前記基板上に形成され、前記有機ＥＬディスプレイの制御回路となる複数のトランジスタと、
誘電材からなり、前記基板と前記トランジスタに形成される第一被覆層と、
有機材からなり、前記第一被覆層上に形成され、前記第一被覆層上に所定の透明電極領域を定義する第二被覆層と、
前記第一被覆層上の所定の透明電極領域に形成される透明電極と、
少なくとも、前記透明電極の両側の側壁に形成される絶縁層と、
少なくとも、前記透明電極の前記絶縁層に遮蔽されない表面上に形成される有機発光ダイオード材料層と、
前記有機発光ダイオード材料層上に形成される金属層と、から構成されることを特徴とするアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイ。
【請求項２】
前記透明電極は前記トランジスタに結合される請求項１に記載のアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイ。
【請求項３】
前記基板は  透過性のある、ガラス基板或いはプラスチック基板である請求項１に記載のアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイ。
【請求項４】
前記第一被覆層の前記誘電材は、絶縁の酸化物、炭化物、窒化物及びそれらの化合物で構成される群から選択され、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮｘ）、或いは弗化マグネシウム（ＭｇＮｘ）の何れか１つである請求項１に記載のアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイ。
【請求項５】
前記透明電極は透明な導電材であり、インジウムスズ酸化物ＩＴＯ、酸化インジウム亜鉛ＩＺＯ、アルミ・亜鉛酸化物ＡＺＯ、或いは酸化亜鉛ＺｎＯの何れか１つである請求項１に記載のアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイ。
【請求項６】
前記第二被覆層の前記有機材は、アクリル樹脂、ポリイミド、或いは、透明なフォトレジスト材の何れか１つである請求項１に記載のアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイ。
【請求項７】
前記有機発光ダイオード材料層は、低分子或いは高分子の有機発光ダイオード材である請求項１に記載のアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイ。
【請求項８】
アクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイの形成方法であって、
基板を提供する工程と、
前記基板上に複数のトランジスタを形成し、前記有機ＥＬディスプレイの制御回路とする工程と、
誘電材からなる第一被覆層を前記基板上に形成する工程と、
前記第一被覆層上に第二被覆層を形成し、マスクにより前記第二被覆層の一部をエッチングで除去し、前記第一被覆層上に所定の透明電極領域を定義する工程と、
前記第一被覆層上の前記所定の透明電極領域に透明電極を形成し、前記トランジスタに結合する工程と、
前記透明電極上に、少なくとも絶縁層を形成し、前記透明電極の一部を残して、有機発光材ダイオード材料層の所定領域を形成する工程と、
前記有機発光ダイオード材料層の所定領域に、少なくとも有機発光ダイオードダイオード材料層を形成する工程と、
前記有機発光ダイオード材料層に金属層を形成する工程と、を有することを特徴とするアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイの形成方法。
【請求項９】
前記第一被覆層を形成する工程は、更に、化学機械研磨により前記第一被覆層に対し、平坦化処理を施す請求項８に記載のアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイの形成方法。
【請求項１０】
前記第一被覆層の前記誘電材は、絶縁の酸化物、炭化物、窒化物及びそれらの化合物で構成される群から選択され、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮｘ）、或いは弗化マグネシウム（ＭｇＮｘ）の何れか１つである請求項８に記載のアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイの形成方法。
【請求項１１】
前記透明電極は透明な導電材であり、インジウムスズ酸化物ＩＴＯ、酸化インジウム亜鉛ＩＺＯ、アルミ・亜鉛酸化物ＡＺＯ、或いは酸化亜鉛ＺｎＯの何れか１つである請求項８に記載のアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイの形成方法。
【請求項１２】
前記誘電材により形成される第一被覆層の形成方法は、スパッタリング、或いはプラズマ化学気相成長法ＰＥＣＶＤにより形成される請求項８に記載のアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイの形成方法。
【請求項１３】
前記第二被覆層の前記有機材は、アクリル樹脂、ポリイミド、或いは、透明なフォトレジスト材の何れか１つである請求項８に記載のアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイの形成方法。
【請求項１４】
前記有機発光ダイオード材料層は、低分子或いは高分子の有機発光ダイオード材である請求項８に記載のアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイ（ａｃｔｉｖｅ    ｍａｔｒｉｘ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  ｄｉｓｐｌａｙ、ＡＭ−ＯＬＥＤ）に関するもので、特に、透明電極下に誘電層を備え、前記透明電極の表面粗さを改善するようにしたアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイ（ＡＭ−ＯＬＥＤ）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）は、駆動方法に基づいて、アクティブマトリクス型（ＡＭ−ＯＬＥＤ）とパシブマトリクス型（ＰＭ−ＯＬＥＤ）とに分けることができる。アクティブマトリクス有機発光ディスプレイ（ＡＭ−ＯＬＥＤ）は電流により駆動され、ＡＭ−ＯＬＥＤの各マトリクスアレイ画素領域が、少なくとも一つの、スイッチとしての機能を果たすトランジスタを備え、トランジスタは、前記画素領域の輝度とグレーレベルを制御するために、コンデンサ記憶電位の変化に基づいた駆動電流を調節する。
【０００３】
ＡＭ−ＯＬＥＤの発光原理に関して、電気を光に変換するために、電流が特定の有機積層物に加えられる。ＡＭ−ＯＬＥＤは、薄型軽量で、高い発光効率と低駆動電圧を特徴とする自発光を有するパネル発光を有し、高視野角、高コントラスト、高速な表示応答速度、フルカラー、可撓性といった利点を有する。
【０００４】
インジウムスズ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）は、その透明度、良い導電率及び高仕事関数を有するために、ＡＭ−ＯＬＥＤのアノード電極（ａｎｏｄｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）材として幅広く用いられている。更に、ＡＭ−ＯＬＥＤの発光特性は、アノード電極の表面粗さに強く左右されることが知られている。ＩＴＯ膜の表面粗さは、大きな漏れ電流或いは画素欠陥の原因になる先端放電（ｐｏｉｎｔ  ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）を避けるために、充分に滑らかでなければならない。
【０００５】
スパッタ蒸着により形成されるＩＴＯ膜の平均粗さは１ｎｍ以下である。ＰＭ−ＯＬＥＤ工程において滑らかなガラス基板上に形成されるのに代わって、ＩＴＯ膜はＡＭ−ＯＬＥＤ工程において基層（ｕｎｄｅｒ  ｌａｙｅｒ）上に形成されるため、よって、ＩＴＯ膜の表面粗さが異なる基層に強く依存する。
【０００６】
一般に、透明な絶縁有機材は、従来のＡＭ−ＯＬＥＤ工程において、基層として用いられる。しかし、有機材上のＩＴＯ膜の表面粗さは、滑らかなガラス基板上より３〜４倍大きい。有機材上のＩＴＯ膜の平均粗さ（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ  ａｖｅｒａｇｅ、Ｒａ）は約３〜４ｎｍであり、このような粗い表面は大きな漏れ電流という結果また、先端放電の原因になる可能性があるので、装置の発光効率及び寿命に悪影響を与える。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、従来技術で生じた問題を解決するために、透明電極の基層となる誘電層を有するアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイ及びその形成方法を提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明に係るアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイ（ＡＭ−ＯＬＥＤ）は、駆動回路となる複数のトランジスタを備える基板と、前記基板と前記トランジスタに形成される誘電層と、前記誘電層の一部に形成され、前記誘電層の露出表面を所定の透明電極領域として定義する第一絶縁層と、前記所定の透明電極領域と前記第一絶縁層の周辺表面に形成される透明電極と、前記透明電極の両側に形成され、前記透明電極表面の大部分を露出する第二絶縁層と、前記透明電極と前記第二絶縁層に形成される有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層に形成される金属電極とから構成される。
【０００９】
本発明において、透明電極の基層となる誘電層を有するアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイを形成する方法は、以下のようである。
【００１０】
つまり、本発明に係るＡＭ−ＯＬＥＤの形成方法は、複数のトランジスタを備える基板を提供する工程と、前記基板と前記トランジスタ上に誘電層を形成する工程と、前記誘電層上に第一絶縁層を形成する工程と、前記第一絶縁層上に開口を備える第一レジストパターンを定義して形成する工程と、前記第一レジストパターンをマスクとして、前記第一絶縁層をエッチングし、前記誘電層の一部を露出する工程と、前記誘電層の露出した表面を所定の透明電極領域とする工程と、前記所定の透明電極領域に透明電極を形成する工程と、前記透明電極表面の大部分を露出する前記透明電極の両側に第二絶縁層を形成する工程と、前記透明電極と前記第二絶縁層上に有機ＥＬ層を形成する工程と、前記有機ＥＬ層上に金属電極を形成する工程とを有する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
上述した本発明を更に明瞭にするため、本発明の好ましい実施の形態を以下のように挙げ、図を参照にしながら詳しく説明する。
【００１２】
本発明は、絶縁有機材層の代用としての誘電層を透明電極の基層とし、透明電極の平均粗さＲａを低減させるようにしたアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイを提供する。従って、より滑らかな透明電極表面を備える、本発明に係るアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイは、大きな漏れ電流或いは先端放電を防ぐことができる。
【００１３】
異なる基層に形成されたＩＴＯ膜の透過率は、基層を備えないＩＴＯ膜（つまり、滑らかなガラス基板上に蒸着されたＩＴＯ膜）と比較しても、ほぼ同じである。しかしながら、ＩＴＯ膜の平均粗さＲａは基層の材料に大きく左右される。
【００１４】
ＩＴＯ膜は、スパッタ蒸着により、ガラス板、酸化ケイ素、窒化ケイ素、絶縁有機材Ａ（ＪＳＲ日本合成ゴム社のＰＣ４０３）及び絶縁有機材Ｂ（ＪＳＲのＰＣ４１５）を含める異なる基層上に形成される。厚さ７５０ÅのＩＴＯ膜の平均粗さＲａと異なる基層との関係は、下記表１で示される。
【００１５】
【表１】
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厚さ１５００ÅのＩＴＯ膜の平均粗さＲａと異なる基層との関係は、下記表２で示される。
【００１６】
【表２】
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上記表１及び表２から、基層となる酸化ケイ素或いは窒化ケイ素上の、厚さ７５０ÅのＩＴＯ膜の平均粗さＲａは、それぞれ０．８６ｎｍと０．６１ｎｍで、３ｎｍを超えたＲａ値を有する基層として用いられる絶縁有機材より、はるかに低いことが分かる。
【００１７】
異なる基層を有する、厚さ１５００ÅのＩＴＯ膜の平均粗さＲａも、ＩＴＯ膜の平均粗さＲａが膜自身の厚さに左右されるのにもかかわらず、同じ結果を生じる。よって、誘電層上に形成されるＩＴＯ膜は、絶縁有機材層に形成されるのよりも滑らかであることが分かる。
【００１８】
図１ａ〜図１ｅ（ＩＴＯ膜の厚さは７５０Åである）及び図２ａ〜図２ｅ（ＩＴＯ膜の厚さは１５００Åである）は、異なる基層上に形成されたＩＴＯ膜の原子間力顕微鏡（ａｔｏｍｉｃ  ｆｏｒｃｅ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＡＦＭ）の画像である。誘電層上に形成されたＩＴＯ膜の表面画像が、基層を有しないＩＴＯ膜の表面画像と同様であることが示された。一方、絶縁有機材層上に形成されたＩＴＯ膜の画像は、より粗い形態を表す。
【００１９】
異なる基層上に形成されたＩＴＯ膜の表面形態は、更に、図３ａ〜図３ｅ及び図４ａ〜図４ｅに示されるように、走査型電子顕微鏡（ｓｃａｎｎｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）分析により確認された。これらの図から、絶縁有機材層に比較すると、誘電層を透明電極の基層とすることによって、ＩＴＯ膜の形態が改善されることが分かる。
【００２０】
開示された結果に基づいて、ＡＭ−ＯＬＥＤの発光特徴を改善するために、透明電極の基層となる誘電層を有する新しい画素構造が、本発明により提供された。
【００２１】
以下の実施例は本発明を更に詳細に説明するための具体例であり、本発明の技術範囲を限定するものではなく、当業者にとってそれに基づいて多数の修正及び変形例が可能である。
【００２２】
図５ａ〜図５ｆは、本発明の好ましい実施例によるアクティブマトリクス有機ＥＬ装置の形成方法を示す断面図である。
【００２３】
先ず、図５ａを参照すると、複数のトランジスタ２０を備える基板１０と、ゲート酸化層３２と、バッファ層３０とが提供される。トランジスタ２０はＡＭ−ＯＬＥＤの駆動回路として機能する。次に、誘電層３４は、スパッタリング、物理蒸着法（ｐｈｙｓｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＶＤ）、或いは、プラズマ化学気相成長法（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）により、バッファ層３０とトランジスタ２０上に形成される。好ましくは、基板２０は、例えばガラス基板、プラスチック基板、或いはセラミック基板のような透明絶縁材である。プラスチック基板は、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリエステル（ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ）、ポリカーボネ−ト（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅｓ）、ポリアクリレート（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ）、或いは、ポリスチレン（ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）である。ＡＭ−ＯＬＥＤの要求に符合させるため、例えばアモルファスシリコンＴＦＴ（α−Ｓｉ：Ｈ  ＴＦＴ）、低温ポリシリコンＴＦＴ（ＬＩＰＳ−ＴＦＴ）、或いは、有機ＴＦＴ（ＯＴＦＴ）のような薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の使用が好ましい。誘電層３４の適切な材料として、絶縁酸化物、窒化物、炭化物、或いは、それらの混合物があり、例えば窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、或いは弗化マグネシウムなどがある。
【００２４】
次に、図５ｂを参照すると、第一絶縁層３６が誘電層３４とトランジスタ２０の電極上に形成される。好ましくは、第一絶縁層３６の材料が、例えばアクリル樹脂（ａｃｒｙｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、或いは、エネルギー硬化性レジスト等のような絶縁有機材である。
【００２５】
続いて、図５ｃを参照すると、開口を備える第一レジストパターンが第一絶縁層３６上に定義され、そして形成される。第一絶縁層３６が、第一レジストパターンをマスクとして、そして誘電層３４をエッチングストッパーとして、エッチングされる。第一絶縁層３６をエッチングすることにより、誘電層３４の一部を露出するための第一絶縁層開口５５が形成される。所定の透明電極領域は、第一絶縁層開口５５と、誘電層３４の露出した表面とから構成される。第一絶縁層３６をエッチングする工程においては、ウェットエッチング、またはドライエッチングが使用される。
【００２６】
続いて、図５ｄを参照すると、ＯＬＥＤのアノード電極となる透明電極５０は、所定の透明電極領域と、第一絶縁層３６の周辺表面上に形成される。透明電極５０の適切な材料は、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、アルミ・亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、或いは酸化亜鉛（ＺｎＯ）等のような透明な金属或いは金属酸化物である。好ましくは、透明電極５０は、例えばスパッタリング、電子ビーム蒸着（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、熱蒸着、或いは化学気相蒸着のような方法により、形成される。
【００２７】
続いて、図５ｅを参照すると、第二絶縁層３８が透明電極上に形成される。次に、フォトリソグラフィとエッチングにより、第二レジストパターンを用いて、透明電極表面４５の大部分を露出するために、第二絶縁層３８が模様付けられた。その後、有機ＥＬ層４０が第二絶縁層３８と透明電極５０の露出表面４５に形成される。好ましくは、有機ＥＬ層４０は、例えば低分子材料、ポリマー、或いは、有機金属複合体のような有機半導体材である。有機ＥＬ層４０は、熱真空蒸着、スピンコート、浸漬コート、ロール塗り、噴射充填、エンボス加工、スタンプ、物理蒸着法、或いは化学気相蒸着により形成される。
【００２８】
最後に、図５ｆを参照すると、ＯＬＥＤのカソード電極となる金属電極５２が、スパッタリング或いは蒸着により、有機ＥＬ層４０の表面全体に形成される。ＯＬＥＤのカソードの要求に符合させるため、電子を有機ＥＬに注入することができる材料は好ましい。その材料として、例えば、Ｃａ、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ或いはそれらの合金のような低仕事関数材料がある。
【００２９】
従来のＡＭ−ＯＬＥＤ工程において、透明電極は絶縁有機材上に直接に形成される。図６は従来のＡＭ−ＯＬＥＤ構造の断面を示す。両者間の相違を決定するために、透明電極の基層となる、異なる絶縁有機材（つまり、絶縁有機材Ａ（ＪＳＲ日本合成ゴム社のＰＣ４０３）と絶縁有機材Ｂ（ＪＳＲ日本合成ゴム社のＰＣ４１５））を備えた、二つのＡＭ−ＯＬＥＤ装置も製造され、各自の発光効率が測定される。
【００３０】
透明電極の基層となる誘電層（酸化ケイ素）を備えたＡＭ−ＯＬＥＤ装置の発光効率は約１７．２Ｃｄ／ｍ２である。この透明電極の基層となる誘電層（酸化ケイ素）を備えたＡＭ−ＯＬＥＤ装置の発光効率は、透明電極の基層となる滑らかなガラス基板を備えたＰＭ−ＯＬＥＤの発光効率（１７．６Ｃｄ／ｍ２）とほぼ同じである。基層となる絶縁有機材を備えたＡＭ−ＯＬＥＤの発光効率と比較すると、基層となる誘電層を備えたＡＭ−ＯＬＥＤ装置の発光効率は、明らかに高い。
【００３１】
図８ａ〜図８ｃは、図７に示された構造の異なる位置のＳＥＭ画像である。従って、誘電基層を有する金属電極表面８ａの形態は、その中で一番均一であることがよく分かる。
【００３２】
結論として、本発明は、透明電極と誘電層とを直接に接触させるために、エッチングにより絶縁有機層の一部を除去する。よって、透明電極の表面粗さは著しく低減され、従って、ＯＬＥＤ装置の効率と信頼性が改善される。更に、本発明により提供される画素構造は、漏電或いは先端放電を防止することができるので、よって、ＡＭ−ＯＬＥＤ装置へのダメージが避けられる。
【００３３】
本発明の好適な実施例を前述の通りに開示したが、これらの実施例は決して本発明を限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えることができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【図面の簡単な説明】
【図１ａ】ガラス板１ａといった基層上に形成される、厚さ７５０ÅのＩＴＯ膜の表面形態を示す原子間力顕微鏡ＡＦＭの画像である。
【図１ｂ】酸化ケイ素１ｂといった基層上に形成される、厚さ７５０ÅのＩＴＯ膜の表面形態を示す原子間力顕微鏡ＡＦＭの画像である。
【図１ｃ】窒化ケイ素１ｃといった基層上に形成される、厚さ７５０ÅのＩＴＯ膜の表面形態を示す原子間力顕微鏡ＡＦＭの画像である。
【図１ｄ】絶縁有機材Ａ（ＪＳＲのＰＣ４０３）１ｄといった基層上に形成される、厚さ７５０ÅのＩＴＯ膜の表面形態を示す原子間力顕微鏡ＡＦＭの画像である。
【図１ｅ】絶縁有機材Ｂ（ＪＳＲのＰＣ４１５）１ｅといった基層上に形成される、厚さ７５０ÅのＩＴＯ膜の表面形態を示す原子間力顕微鏡ＡＦＭの画像である。
【図２ａ】ガラス板２ａといった基層上に形成される、厚さ１５００ÅのＩＴＯ膜の表面形態を示す原子間力顕微鏡ＡＦＭの画像である。
【図２ｂ】酸化ケイ素２ｂといった基層上に形成される、厚さ１５００ÅのＩＴＯ膜の表面形態を示す原子間力顕微鏡ＡＦＭの画像である。
【図２ｃ】窒化ケイ素２ｃといった基層上に形成される、厚さ１５００ÅのＩＴＯ膜の表面形態を示す原子間力顕微鏡ＡＦＭの画像である。
【図２ｄ】絶縁有機材Ａ（ＪＳＲのＰＣ４０３）２ｄといった基層上に形成される、厚さ１５００ÅのＩＴＯ膜の表面形態を示す原子間力顕微鏡ＡＦＭの画像である。
【図２ｅ】絶縁有機材Ｂ（ＪＳＲのＰＣ４１５）２ｅといった基層上に形成される、厚さ１５００ÅのＩＴＯ膜の表面形態を示す原子間力顕微鏡ＡＦＭの画像である。
【図３ａ】ガラス板３ａといった異なる基層上に形成される、厚さ７５０ÅのＩＴＯ膜の表面形態を示す走査型電子顕微鏡ＳＥＭの写真である。
【図３ｂ】酸化ケイ素３ｂといった基層上に形成される、厚さ７５０ÅのＩＴＯ膜の表面形態を示す走査型電子顕微鏡ＳＥＭの写真である。
【図３ｃ】窒化ケイ素３ｃといった基層上に形成される、厚さ７５０ÅのＩＴＯ膜の表面形態を示す走査型電子顕微鏡ＳＥＭの写真である。
【図３ｄ】絶縁有機材Ａ（ＪＳＲのＰＣ４０３）３ｄといった基層上に形成される、厚さ７５０ÅのＩＴＯ膜の表面形態を示す走査型電子顕微鏡ＳＥＭの写真である。
【図３ｅ】絶縁有機材Ｂ（ＪＳＲのＰＣ４１５）３ｅといった基層上に形成される、厚さ７５０ÅのＩＴＯ膜の表面形態を示す走査型電子顕微鏡ＳＥＭの写真である。
【図４ａ】ガラス板４ａといった基層上に形成される、厚さ１５００ÅのＩＴＯ膜の表面形態を示す走査型電子顕微鏡ＳＥＭの写真である。
【図４ｂ】酸化ケイ素４ｂといった基層上に形成される、厚さ１５００ÅのＩＴＯ膜の表面形態を示す走査型電子顕微鏡ＳＥＭの写真である。
【図４ｃ】窒化ケイ素４ｃといった基層上に形成される、厚さ１５００ÅのＩＴＯ膜の表面形態を示す走査型電子顕微鏡ＳＥＭの写真である。
【図４ｄ】絶縁有機材Ａ（ＪＳＲのＰＣ４０３）４ｄといった基層上に形成される、厚さ１５００ÅのＩＴＯ膜の表面形態を示す走査型電子顕微鏡ＳＥＭの写真である。
【図４ｅ】絶縁有機材Ｂ（ＪＳＲのＰＣ４１５）４ｅといった基層上に形成される、厚さ１５００ÅのＩＴＯ膜の表面形態を示す走査型電子顕微鏡ＳＥＭの写真である。
【図５ａ】本発明の好適な実施例による有機ＥＬディスプレイの画素構造の形成の流れを図解する断面図である。
【図５ｂ】本発明の好適な実施例による有機ＥＬディスプレイの画素構造の形成の流れを図解する断面図である。
【図５ｃ】本発明の好適な実施例による有機ＥＬディスプレイの画素構造の形成の流れを図解する断面図である。
【図５ｄ】本発明の好適な実施例による有機ＥＬディスプレイの画素構造の形成の流れを図解する断面図である。
【図５ｅ】本発明の好適な実施例による有機ＥＬディスプレイの画素構造の形成の流れを図解する断面図である。
【図５ｆ】本発明の好適な実施例による有機ＥＬディスプレイの画素構造の形成の流れを図解する断面図である。
【図６】アクティブマトリクスＯＬＥＤディスプレイの従来の画素構造を図解する断面図である。
【図７】本発明の好適な実施例によるアクティブマトリクスＯＬＥＤディスプレイの画素構造を図解する断面図である。
【図８ａ】図７に示された位置８ａの表面形態を示すＳＥＭ写真である。
【図８ｂ】図７に示された位置８ａの表面形態を示すＳＥＭ写真である。
【図８ｃ】図７に示された位置８ａの表面形態を示すＳＥＭ写真である。
【符号の説明】
１０、１００…基板
２０、２００…トランジスタ
２１、２１０…トランジスタのドレイン
３０、６０…バッファ層
３２、６２…ゲート絶縁層
３４、６４…誘電層
３６、６６…第一絶縁層
３８、６８…第二絶縁層
４０、８０…有機ＥＬ層
４５…透明電極表面
５０…透明電極
５２…金属電極
５５…第一絶縁層開口
６０…バッファ層
６２…ゲート絶縁層
７０…透明電極
７２…有機ＥＬのカソード金属層
【図１ａ】
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【図１ｂ】
2004228067.tif 000006
【図１ｃ】
2004228067.tif 000007
【図１ｄ】
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【図１ｅ】
2004228067.tif 000009
【図２ａ】
2004228067.tif 000010
【図２ｂ】
2004228067.tif 000011
【図２ｃ】
2004228067.tif 000012
【図２ｄ】
2004228067.tif 000013
【図２ｅ】
2004228067.tif 000014
【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ】
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【図３ｄ】
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【図３ｅ】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図４ｄ】
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【図４ｅ】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図５ｃ】
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【図５ｄ】
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【図５ｅ】
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【図５ｆ】
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【図６】
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【図７】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図８ｃ】
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