(57)【要約】【課題】繰り返し単位としてカルバゾールジイル基を有する３重項発光材料であって、該発光材料を用いて発光素子の発光層を成膜した場合に、該素子が所期の性能を安定的に発揮することができる発光材料を提供する。【解決手段】下式（１）2004292546.tif 000078［式中、Ａｒ１およびＡｒ２は、３価の芳香族炭化水素基または３価の複素環基を表し、Ａｒ３は芳香族炭化水素基または複素環基を表し、該Ａｒ３は、環上にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基等の基を有する。Ｘは単結合または連結基を表す。］で示される繰り返し単位を含む高分子化合物と３重項励起状態からの発光を示す金属錯体とを含有する錯体組成物。【選択図】          なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下式（１）
2004292546.tif 000071
［式中、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に３価の芳香族炭化水素基または３価の複素環基を表し、Ａｒ３は、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、該Ａｒ３は、環上にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、およびシアノ基からなる群から選ばれる基を有する。Ｘは単結合または連結基を表す。］
で示される繰り返し単位を含む高分子化合物と３重項励起状態からの発光を示す金属錯体とを含有することを特徴とする錯体組成物。
【請求項２】
連結基が、
2004292546.tif 000072
（式中Ｒ１は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基またはシアノ基を表す。）
である請求項１記載の錯体組成物。
【請求項３】
Ｘが、単結合である請求項１または２記載の錯体組成物。
【請求項４】
３価の芳香族炭化水素基が、
2004292546.tif 000073
〔式中、Ｒ１１、Ｒ１２およびＲ１３はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、イミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基またはシアノ基を表し、＊はＸと結合していることを表し、●はＮと結合していることを表す。〕
である請求項１〜３のいずれかに記載の錯体組成物
【請求項５】
芳香族炭化水素基が
2004292546.tif 000074
〔式中、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７およびＲ１８はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基またはシアノ基を表すが、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６およびＲ１７の少なくとも一つは水素原子ではない。〕
である請求項１〜４のいずれかに記載の錯体組成物。
【請求項６】
さらに電子輸送性化合物を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の錯体組成物。
【請求項７】
上式（１）で示される繰り返し単位と３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造とを含み、固体状態で可視の発光を有することを特徴とする高分子錯体化合物。
【請求項８】
連結基が、
2004292546.tif 000075
（式中Ｒ１は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基またはシアノ基を表す。）
である請求項７記載の高分子錯体化合物。
【請求項９】
Ｘが、単結合である請求項７または８記載の高分子錯体化合物。
【請求項１０】
３価の芳香族炭化水素基が、
2004292546.tif 000076
〔式中、Ｒ１１、Ｒ１２およびＲ１３はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、イミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基またはシアノ基を表し、＊はＸと結合していることを表し、●はＮと結合していることを表す。〕
である請求項７〜９のいずれかに記載の高分子錯体化合物。
【請求項１１】
芳香族炭化水素基が
2004292546.tif 000077
〔式中、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７およびＲ１８はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基またはシアノ基を表すが、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６およびＲ１７の少なくとも一つは水素原子ではない。〕
である請求項７〜１０のいずれかに記載の高分子錯体化合物。
【請求項１２】
陽極および陰極からなる電極間に、請求項１〜６のいずれかに記載の錯体組成物または請求項７〜１１のいずれかに記載の高分子錯体化合物を含む層を有することを特徴とする高分子発光素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は錯体組成物、高分子錯体化合物、および高分子発光素子（以下、高分子ＬＥＤということがある。）に関する。
【０００２】
【従来の技術】
発光素子の発光層に用いる発光材料として、３重項励起状態からの発光を示す金属錯体（以下、３重項発光錯体ということがある）を発光層に用いた素子が発光効率が高いことが知られている。
【０００３】
３重項発光錯体としては、例えば、トリ（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体Ｉｒ（ｐｐｙ）３、（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７５，４  （１９９９））、２，３、７、８、１２、１３、１７、１８−オクタエチル２１Ｈ、２３Ｈ−白金（ＩＩ）ポルフィン、ＰｔＯＥＰ（Ｎａｔｕｒｅ，３９５，１５１  （１９９８））等が知られている。
【０００４】
そして、素子の特性を向上させるため、
【０００５】
繰り返し単位として、窒素原子上にフェニル基を持つカルバゾールジイル基を有する
2004292546.tif 000002
で示される、ポリ（Ｎ−フェニルカルバゾール）
を、上記３重項発光錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）３  またはＰｔＯＥＰ）に加えた
錯体組成物である３重項発光材料を発光層に用いることが開示されている。（特許文献１）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−７４６７号
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記３重項発光材料を用いて発光層を成膜すると、発光素子における発光輝度、発光効率、駆動電圧などにつき、所期の性能を安定的に発揮できないという問題があった。
本発明の目的は、繰り返し単位としてカルバゾールジイル基を有する３重項発光材料であって、該発光材料を用いて発光素子の発光層を成膜した場合に、該素子が所期の性能を安定的に発揮することができる発光材料を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記問題を解決すべく鋭意検討した結果、
〔１〕繰り返し単位として、窒素原子上に芳香族炭化水素基または複素環基を持ち、これらの環上に、置換基を有するという置換カルバゾールジイル基を含む高分子化合物と、３重項発光錯体とを含有する錯体組成物
または〔２〕繰り返し単位として上記置換カルバゾールジイル基を含み、かつ３重項発光錯体構造を含む高分子錯体化合物
である発光材料を用いて発光素子の発光層を成膜すると、該素子が所期の性能を安定的に発揮することができることを見出し、本発明を完成した。
【０００９】
即ち、本発明は、  下式（１）
2004292546.tif 000003
［式中、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に３価の芳香族炭化水素基または３価の複素環基を表し、Ａｒ３は、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、該Ａｒ３は、環上にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、およびシアノ基からなる群から選ばれる基を有する。Ｘは単結合または連結基を表す。］
で示される繰り返し単位を含む高分子化合物と３重項励起状態からの発光を示す金属錯体とを含有することを特徴とする錯体組成物に関するものである。
【００１０】
また、本発明は、  上式（１）で示される繰り返し単位と３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造とを含み、固体状態で可視の発光を有することを特徴とする高分子錯体化合物に関するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の錯体組成物は、上式（１）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物と、３重項励起状態からの発光を示す金属錯体とを含有する。
【００１２】
上式（１）中、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に３価の芳香族炭化水素基または３価の複素環基を表す。
【００１３】
ここに３価の芳香族炭化水素基とは、ベンゼン環または縮合環から水素原子３個を除いた残りの原子団をいい、３価の芳香族炭化水素基としては、例えば以下の基が例示される。
【００１４】
2004292546.tif 000004
【００１５】
2004292546.tif 000005
【００１６】
なお、上記の３価の芳香族炭化水素基は芳香族環上に１個または２個以上の置換基を有していてもよく、置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、イミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基またはシアノ基が例示される。
３価の芳香族炭化水素基の環を構成する炭素原子の数は、通常６〜６０、好ましくは６〜２０である。
【００１７】
また、３価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子３個を除いた残りの原子団をいう。
【００１８】
ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。
【００１９】
３価の複素環基としては、例えば以下のものが挙げられる。
【００２０】
2004292546.tif 000006
【００２１】
2004292546.tif 000007
【００２２】
2004292546.tif 000008
【００２３】
2004292546.tif 000009
【００２４】
2004292546.tif 000010
【００２５】
2004292546.tif 000011
【００２６】
2004292546.tif 000012
【００２７】
2004292546.tif 000013
【００２８】
2004292546.tif 000014
【００２９】
2004292546.tif 000015
【００３０】
なお、上記の３価の複素環基は環上に１個または２個以上の置換基を有していてもよく、置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、イミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基またはシアノ基が例示される。
３価の複素環基の環を構成する炭素原子の数は、通常４〜６０、好ましくは４〜２０である。
上記式中、Ｒ’はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子（例えば、塩素、臭素、よう素）、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。
Ｒ’’はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、置換シリル基、アシル基、または１価の複素環基を示す。
【００３１】
ここに、アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基などが挙げられ、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。
【００３２】
アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、  ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、イソアミルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基などが挙げられ、ペンチルオキシ基、イソアミルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。
【００３３】
アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基などが挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。
【００３４】
アルキルシリル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜６０程度であり、具体的には、メチルシリル基、エチルシリル基、プロピルシリル基、ｉ−プロピルシリル基、ブチルシリル基、ｉ−ブチルシリル基、ｔ−ブチルシリル基、ペンチルシリル基、ヘキシルシリル基、シクロヘキシルシリル基、ヘプチルシリル基、オクチルシリル基、２−エチルヘキシルシリル基、ノニルシリル基、デシルシリル基、３，７−ジメチルオクチルシリル基、ラウリルシリル基、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、ｉ−プロピルジメチルシリル基、ブチルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基などが挙げられ、ペンチルシリル基、ヘキシルシリル基、オクチルシリル基、２−エチルヘキシルシリル基、デシルシリル基、３，７−ジメチルオクチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基が好ましい。
【００３５】
アルキルアミノ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、モノアルキルアミノ基でもジアルキルアミノ基でもよく、炭素数は通常１〜４０程度であり、具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基などが挙げられ、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基が好ましい。
【００３６】
アリール基は、炭素数は通常６〜６０程度であり、具体的には、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基（Ｃ１〜Ｃ１２は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基が好ましい。
【００３７】
アリールオキシ基は、炭素数は通常６〜６０程度であり、具体的には、フェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基が好ましい。
【００３８】
アリールアルキル基は、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基が好ましい。
【００３９】
アリールアルコキシ基は、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基が好ましい。
【００４０】
アリールアルケニル基は、炭素数は通常８〜６０程度であり、具体的にはｃｉｓ−フェニルアルケニル基、ｔｒａｎｓ−フェニルアルケニル基、ｃｉｓ−トリルアルケニル基、ｔｒａｎｓ−トリルアルケニル基、ｃｉｓ−１−ナフチルアルケニル基、ｔｒａｎｓ―１−ナフチルアルケニル基、ｃｉｓ−２−ナフチルアルケニル基、ｔｒａｎｓ−２−ナフチルアルケニル基などが例示される。
【００４１】
アリールアルキニル基は、炭素数は通常８〜６０程度であり、具体的にはフェニルアルキニル基、トリルアルキニル基、１−ナフチルアルキニル基、２−ナフチルアルキニル基などが例示される。
【００４２】
アリールアミノ基は、炭素数は通常６〜６０程度であり、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニルアミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル）アミノ基が好ましい。
【００４３】
１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度であり、具体的には、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基などが例示され、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基が好ましい。
【００４４】
有機溶媒への溶解性を高めるためには、Ａｒ１、Ａｒ２が置換基を有することが好ましく１つ以上に環状または長鎖のあるアルキル基、アルコキシ基が含まれることが好ましく、シクロペンチル基、シクロへキシル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ペンチルオキシ基、イソアミルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が例示される。
【００４５】
また、２つの置換基が連結されて環を形成していても良い。さらに、アルキル鎖の一部の炭素原子がヘテロ原子を含む基で置き換えられていてもよく、それらのヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子などが例示される。
【００４６】
さらに、アリール基や複素環基は、それらがさらに１つ以上の置換基を有していてもよい。
【００４７】
Ａｒ１およびＡｒ２の両方が３価の芳香族炭化水素基であることが好ましく、両方が単環性の３価の芳香族炭化水素基であることがより好ましい。
【００４８】
また、単環性の３価の芳香族炭化水基のなかで、
2004292546.tif 000016
〔式中、Ｒ１１、Ｒ１２およびＲ１３はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、イミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基またはシアノ基を表し、■はＮまたはＸと結合していることを表す〕
であることが好ましく、
【００４９】
2004292546.tif 000017
〔式中、Ｒ１１、Ｒ１２およびＲ１３はそれぞれ独立に、前記と同じ意味を表し、＊はＸと結合していることを表し、●はＮと結合していることを表す。〕
であることがより好ましく、
【００５０】
2004292546.tif 000018
〔式中、Ｒ１１、Ｒ１２およびＲ１３はそれぞれ独立に、前記と同じ意味を表す。＊および●は前記と同じ意味を表す。〕
であることがさらに好ましい。
ここに、Ｒ１１、Ｒ１２およびＲ１３におけるハロゲン原子およびそれぞれの基の定義、具体例は前記Ａｒ１上に有していても良い基のそれらと同じである。
【００５１】
式（１）中、Ａｒ３は、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、該Ａｒ３は、環上にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、およびシアノ基からなる群から選ばれる基を有する。これらの基礎のなかで、成膜に使用する有機溶媒への溶解性を高めるためには、アルキル基、アルコキシ基が好ましい。該Ａｒ３が環上に有するそれぞれの基の定義、具体例は前記Ａｒ１上に有していても良い基のそれらと同じである。
【００５２】
ここに芳香族炭化水素基としては、炭素数は通常６〜６０程度であり、好ましくは６〜２０であり、具体的には、環状に上記の基を有するフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
【００５３】
芳香族炭化水素基が、
2004292546.tif 000019
であることが好ましい。〔式中、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７およびＲ１８はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基またはシアノ基を表すが、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６およびＲ１７の少なくとも一つは水素原子ではない。〕
ここに、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７およびＲ１８のそれぞれの基の定義、具体例は前記Ａｒ１上に有していても良い基のそれらと同じである。
より具体的には、
2004292546.tif 000020
が挙げられる。
【００５４】
また、複素環基としては、炭素数は通常４〜６０程度であり、好ましくは４〜２０であり、具体的には、環状に上記の基を有するチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基が挙げられる。
【００５５】
より具体的には、
2004292546.tif 000021
が挙げられる。
【００５６】
上式（１）中、Ｘは単結合または連結基を表す。
ここに、連結基としては、例えば。
2004292546.tif 000022
（式中Ｒ１は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基またはシアノ基を表す。）が挙げられる。ここに、Ｒ１におけるハロゲン原子、それぞれの基の定義、具体例は前記Ａｒ１上に有していても良い基のそれらと同じである。
【００５７】
Ｘの中では、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−が好ましく、単結合がより好ましい。
【００５８】
式（１）の繰り返し単位を有する高分子化合物を用いて発光素子の発光層を成膜すると、該素子は、発光輝度、発光効率、駆動電圧など所期の性能を安定的に発揮することができる。
特に、成膜の方法として、塗布法を用いた場合には、所期の性能を安定的に発揮することができるとともに、優れた成膜性、例えば、均一で、層表面の粗さの小さい発光層を簡便に成膜でき、好ましい。
【００５９】
本発明の錯体組成物に用いる高分子化合物は、一般式（１）で示される繰り返し単位以外に、一般式（５）で示される繰り返し単位を含んでいることが望ましい。
2004292546.tif 000023
【００６０】
上記一般式（５）におけるＡｒ４は、アリーレン基または２価の複素環基である。該Ａｒ４はアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、シアノ基等の置換基を有していてもよい。該Ａｒ４は３重項発光を阻害しないものが好ましい。
上記の置換基の定義、具体例は前記Ａｒ１上に有していても良い基のそれらと同じである。
【００６１】
Ａｒ４  としては、従来からＥＬ発光性材料として利用されてきたすべての材料に含まれるアリーレン基または２価の複素環基であってもよく、３重項発光を阻害しないモノマーであれば好ましい。これらの材料は例えば、ＷＯ９９／１２９８９  ＷＯ００／５５９２７  ＷＯ０１／４９７６９Ａ１  ＷＯ０１／４９７６８Ａ２  、ＷＯ９８／０６７７３  ＵＳ５，７７７，０７０  ＷＯ９９／５４３８５  ＷＯ００／４６３２１  ＵＳ６，１６９，１６３Ｂ１に開示されている。
【００６２】
アリーレン基は、ベンゼン環、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環または縮合環が２個直接またはビニレン等の基を介して結合したものも含まれ、フェニレン基（例えば、下図の式１〜３）、ナフタレンジイル基（下図の式４〜１３）、アントラセニレン基（下図の式１４〜１９）、ビフェニレン基（下図の式２０〜２５）、トリフェニレン基（下図の式２６〜２８）、縮合環化合物基（下図の式２９〜３８）などが例示される。
環を構成する炭素原子の数は通常６〜６０程度、好ましくは６〜２０である。
【００６３】
2004292546.tif 000024
【００６４】
2004292546.tif 000025
【００６５】
2004292546.tif 000026
【００６６】
2004292546.tif 000027
【００６７】
2004292546.tif 000028
【００６８】
２価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は、通常４〜６０、好ましくは４〜２０である。なお２価の複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。
【００６９】
ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。
【００７０】
２価の複素環基としては、例えば以下のものが挙げられる。
【００７１】
ヘテロ原子として、窒素を含む２価の複素環基；ピリジンージイル基（下図の式３９〜４４）、ジアザフェニレン基（下図の式４５〜４８）、キノリンジイル基（下図の式４９〜６３）、キノキサリンジイル基（下図の式６４〜６８）、アクリジンジイル基（下図の式６９〜７２）、ビピリジルジイル基（下図の式７３〜７５）、フェナントロリンジイル基（下図の式７６〜７８）、など。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（下図の式７９〜９３）。また、窒素原子を含む式８２〜８４のカルバゾールやトリフェニルアミンジイル基などの芳香族アミンモノマーを有していることが発光効率の点で望ましい。
【００７２】
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基：（下図の式９４〜９８）が挙げられる。
【００７３】
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環縮合複素環基：（下図の式９９〜１０９）、ベンゾチアジアゾール−４，７−ジイル基やベンゾオキサジアゾール−４，７−ジイル基などがが挙げられる。
【００７４】
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基：（下図の式１１０〜１１８）が挙げられる。
【００７５】
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基：（下図の式１１２〜１１８）が挙げられる。
【００７６】
2004292546.tif 000029
【００７７】
2004292546.tif 000030
【００７８】
2004292546.tif 000031
【００７９】
2004292546.tif 000032
【００８０】
2004292546.tif 000033
【００８１】
2004292546.tif 000034
【００８２】
2004292546.tif 000035
【００８３】
2004292546.tif 000036
【００８４】
2004292546.tif 000037
【００８５】
ここで、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、およびシアノ基からなる群から選ばれる基を示す。溶媒への溶解性を高めるためには、アルキル基、アルコキシ基が好ましく、また置換基を含めた繰り返し単位の形状の対称性が少ないことが好ましい。
ここで、上記Ｒにおけるそれぞれの基の定義、具体例は前記Ａｒ１上に有していても良い基のそれらと同じである。
【００８６】
上記式（５）におけるｐは０または１である。
【００８７】
上記式（５）におけるＲ１９およびＲ２０は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。
【００８８】
Ｒ１９、Ｒ２０が、水素原子、シアノ基以外である場合について述べると、アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基などが挙げられ、メチル基、エチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基が好ましい。
【００８９】
アリール基は、炭素数は通常６〜６０程度であり、具体的には、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基（Ｃ１〜Ｃ１２は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基などが例示され、  Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基が好ましい。
【００９０】
１価の複素環基は、炭素数は通常４〜６０程度であり、具体的には、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基などが例示され、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基が好ましい。
【００９１】
また、本発明に用いる高分子化合物のなかで、共役系高分子化合物であるものが好ましい。ここに、共役系高分子化合物とは高分子の主鎖骨格に沿って非局在π電子対が存在している高分子化合物即ち、主鎖が共役系高分子である高分子化合物を意味する。この非局在電子としては、２重結合のかわりに不対電子または孤立電子対が共鳴に加わる場合もある。
【００９２】
また、本発明に用いる高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていても良い。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基または複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載の置換基等が例示される。
【００９３】
また、本発明にもちいる高分子化合物は、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。量子収率の高い高分子化合物を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロックまたはグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーも含まれる。
【００９４】
本発明に用いる高分子化合物は、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０３〜１０８であることが好ましい。
【００９５】
次に、本発明の錯体組成物に用いる３重項励起状態からの発光を示す金属錯体（３重項発光錯体）について説明する。ここに３重項励起状態からの発光を示す金属錯体としては、例えば、燐光発光や、この燐光発光に加えて蛍光発光が観測される錯体も含まれる。
【００９６】
３重項発光錯体としては、例えば、従来から低分子系のＥＬ発光性材料として利用されてきたものがあげられる。これらは、例えば、Ｎａｔｕｒｅ，  （１９９８），  ３９５，  １５１、Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．  （１９９９），  ７５（１），  ４、Ｐｒｏｃ．  ＳＰＩＥ−Ｉｎｔ．  Ｓｏｃ．  Ｏｐｔ．  Ｅｎｇ．  （２００１），  ４１０５（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ａｎｄ  ＤｅｖｉｃｅｓＩＶ），  １１９、Ｊ．  Ａｍ．  Ｃｈｅｍ．  Ｓｏｃ．，  （２００１），  １２３，  ４３０４、Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，  （１９９７），  ７１（１８），  ２５９６、Ｓｙｎ．  Ｍｅｔ．，  （１９９８），  ９４（１），  １０３、Ｓｙｎ．  Ｍｅｔ．，  （１９９９），  ９９（２），  １３６１、Ａｄｖ．  Ｍａｔｅｒ．，  （１９９９），  １１（１０），  ８５２等に開示されている。
【００９７】
３重項発光錯体の中心金属としては、通常、原子番号５０以上の原子で、該錯体にスピン−軌道相互作用があり、１重項状態と３重項状態間の項間交差を起こしうる金属である。
【００９８】
３重項発光錯体の中心金属としては、例えば、レニウム、イリジウム、オスミウム、スカンジウム、イットリウム、白金、金、およびランタノイド類のユーロピウム、テルビウム、ツリウム、ディスプロシウム、サマリウム、プラセオジウム、ガドリニウムなどが挙げられ、イリジウム、白金、金、ユーロピウムが好ましく、イリジウム、白金、金が特に好ましく、イリジウムが最も好ましい。
【００９９】
３重項発光錯体の配位子は、通常有機配位子であり、その炭素数は、通常４〜６０程度である。
【０１００】
３重項発光錯体の配位子としては、例えば、８−キノリノールおよびその誘導体、ベンゾキノリノールおよびその誘導体、２−フェニル−ピリジンおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾチアゾールおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾオキサゾールおよびその誘導体、ポルフィリンおよびその誘導体などが挙げられる。
【０１０１】
３重項発光錯体としては、例えば、以下のものがあげられる。
2004292546.tif 000038
【０１０２】
2004292546.tif 000039
【０１０３】
2004292546.tif 000040
2004292546.tif 000041
【０１０４】
2004292546.tif 000042
【０１０５】
2004292546.tif 000043
【０１０６】
2004292546.tif 000044
【０１０７】
2004292546.tif 000045
【０１０８】
2004292546.tif 000046
【０１０９】
2004292546.tif 000047
【０１１０】
2004292546.tif 000048
【０１１１】
2004292546.tif 000049
【０１１２】
2004292546.tif 000050
【０１１３】
2004292546.tif 000051
【０１１４】
2004292546.tif 000052
【０１１５】
2004292546.tif 000053
【０１１６】
2004292546.tif 000054
【０１１７】
2004292546.tif 000055
【０１１８】
2004292546.tif 000056
【０１１９】
2004292546.tif 000057
【０１２０】
2004292546.tif 000058
【０１２１】
ここで、Ｒは、前記と同じ意味を表し。それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、およびシアノ基からなる群から選ばれる基を示す。溶媒への溶解性を高めるためには、アルキル基、アルコキシ基が好ましく、また置換基を含めた繰り返し単位の形状の対称性が少ないことが好ましい。
【０１２２】
本発明の錯体組成物中の３重項発光錯体の量は、高分子化合物の量を１００重量部としたとき、通常０．０１〜２０重量部、好ましくは０．１〜２０重量部である。
【０１２３】
本発明の錯体組成物は、電荷のバランスを調整する観点から、高分子化合物の量を１００重量部としたとき、電子輸送性化合物を通常１〜２００重量部、好ましくは２０〜１００重量部含むことが好ましい。
【０１２４】
電子輸送性化合物としては、公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。以下の構造のオキサジアゾール系化合物およびトリアゾール系化合物などが例示されるが、これらに限定されるものではない。
【０１２５】
具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
【０１２６】
これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
【０１２７】
次に本発明の高分子錯体化合物について説明する。
本発明の高分子錯体化合物は、３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造と、上式（１）の繰り返し単位とを含む。
【０１２８】
３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造は、高分子主鎖に含まれていてもよいし側鎖に存在していてもよいし、末端に存在していてもよい。
【０１２９】
３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造としては、例えば、下記式（３）で示される構造が挙げられる。
2004292546.tif 000059
【０１３０】
式中、Ｍは、原子番号５０以上の原子で、スピン−軌道相互作用により本錯体において１重項状態と３重項状態間の項間交差が起きうる金属を示す。
Ｍは例えば、レニウム、イリジウム、オスミウム、スカンジウム、イットリウム、白金、金、およびランタノイド類のユーロピウム、テルビウム、ツリウム、ディスプロシウム、サマリウム、プラセオジウム、ガドリニウムなどが挙げられ、イリジウム、白金、金、ユーロピウムが好ましく、イリジウムが特に好ましい。
【０１３１】
Ａｒは、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子の１つ以上でＭと結合する配位子であり、ＡｒのＭと結合しない任意の位置に、本発明の高分子錯体化合物の高分子鎖と結合する１または２以上の結合手を有する。
結合手の数は、金属錯体構造が高分子主鎖に含まれる場合は、通常２であり、側鎖または末端に存在する場合は通常１である。
【０１３２】
Ａｒとしてはたとえば、ピリジン環、チオフェン環、ベンゾオキサゾール環などの複素環類やベンゼン環が結合して構成された配位子で、具体的には、フェニルピリジン、２−（パラフェニルフェニル）ピリジン、７−ブロモベンゾ［ｈ］キノリン、２−（４−チオフェン−２−イル）ピリジン、２−（４−フェニルチオフェン−２−イル）ピリジン、２−フェニルベンゾオキサゾール、２−（パラフェニルフェニル）ベンゾオキサゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、２−（パラフェニルフェニル）ベンゾチアゾール、２−（ベンゾチオフェン−２−イル）ピリジン７，８，１２，１３，１７，１８−ヘキサキスエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリンなどが例示され、これらに置換基を有していてもよい。
【０１３３】
Ａｒの置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリールチオ基、アリールアルケニル基、環状アルケニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリール基、１価の複素環基が挙げられ、その定義、具体例は上記におけるそれと同様である。
【０１３４】
Ｍは、Ａｒの少なくとも１つの炭素原子と結合することが望ましい。
【０１３５】
式（３）のなかで、Ａｒが、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれるいずれか４つの原子でＭと結合する４座配位子であることが好ましい。たとえば、４つのピロール環が環状につながった配位子として、具体的には、７，８，１２，１３，１７，１８−ヘキサキスエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリンが挙げられる。
【０１３６】
また、上記（３）式中、Ａｒが、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれる２つの原子で、Ｍと結合して５員環を形成する２座配位子であることが望ましく、  Ｍが少なくとも１つの炭素原子と結合するとさらに好ましく、Ａｒが下記式（４）で示される２座配位子である時、より好ましい。
【０１３７】
2004292546.tif 000060
【０１３８】
式中、Ｒ２〜Ｒ９は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリールチオ基、アリールアルケニル基、環状アルケニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、またはアリール基を示す。Ｒ２〜Ｒ９のうち少なくとも１つは高分子鎖との結合手である。
【０１３９】
式中、Ｌは水素原子、アルキル基、アリール基、複素環配位子、カルボキシル基、ハロゲン原子、アミド基、イミド基、アルコキシ基、アルキルメルカプト基、カルボニル配位子、アルケン配位子、アルキン配位子、アミン配位子、イミン配位子、ニトリル配位子、イソニトリル配位子、ホスフィン配位子、ホスフィンオキシド配位子、ホスファイト配位子、エーテル配位子、スルホン配位子、スルホキシド配位子またはスルフィド配位子である。ｍは、１〜５の整数を示す。ｏは、０〜５の整数を示す。
【０１４０】
Ｌにおいて、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基などが例示され、アリール基としてはフェニル基、トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基などが例示され、複素環配位子としては、０価でも１価でもよく、０価のものとしては例えば、２，２‘−ビピリジル、１，１０−フェナントロリン、２−（４−チオフェン−２−イル）ピリジン、２−（ベンゾチオフェン−２−イル）ピリジンなどが例示され、
１価のものとしては例えば、フェニルピリジン、２−（パラフェニルフェニル）ピリジン、７−ブロモベンゾ［ｈ］キノリン、２−（４−フェニルチオフェン−２−イル）ピリジン、２−フェニルベンゾオキサゾール、２−（パラフェニルフェニル）ベンゾオキサゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、２−（パラフェニルフェニル）ベンゾチアゾールなどが例示される。
【０１４１】
カルボキシル基としては特に限定されるものではないが、例えば、アセトキシ基、ナフテネート基または２−エチルヘキサノエート基等が挙げられる。ハロゲン原子としては特に限定されるものではないが、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子等が挙げられる。アミド基としては特に限定されるものではないが、例えば、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジイソプロピルアミド基、ジオクチルアミド基、ジデシルアミド基、ジドデシルアミド基、ビス（トリメチルシリル）アミド基、ジフェニルアミド基、Ｎ−メチルアニリドまたはアニリド基等が挙げられる。イミド基としては特に限定されるものではないが、例えば、ベンゾフェノンイミド等が挙げられる。アルコキシ基としては特に限定されるものではないが、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基またはフェノキシ基等が挙げられる。アルキルメルカプト基としては特に限定されるものではないが、例えば、メチルメルカプト基、エチルメルカプト基、プロピルメルカプト基、ブチルメルカプト基またはフェニルメルカプト基等が挙げられる。カルボニル配位子としては、一酸化炭素やアセトン、べンゾフェノンなどのケトン類、アセチルアセトン、アセナフトキノンなどのジケトン類、アセチルアセトナート、ジベンゾメチラート、テノイルトリフルオロアセトナートなどのアセトナート配位子などが例示される。アルケン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、エチレン、プロピレン、ブテン、ヘキセンまたはデセン等が挙げられる。アルキン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、アセチレン、フェニルアセチレンまたはジフェニルアセチレン等が挙げられる。アミン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、トリエチルアミンまたはトリブチルアミン等が挙げられる。イミン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ベンゾフェノンイミンまたはメチルエチルケトンイミン等が挙げられる。ニトリル配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、アセトニトリルまたはベンゾニトリル等が挙げられる。イソニトリル配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ｔ−ブチルイソニトリルまたはフェニルイソニトリル等が挙げられる。ホスフィン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィンまたはトリブチルホスフィン等が挙げられる。ホスフィンオキシド配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、トリブチルホスフィンオキシドまたはトリフェニルホスフィンオキシド等が挙げられる。ホスファイト配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、トリフェニルホスファイト、トリトリルホスファイト、トリブチルホスファイトまたはトリエチルホスファイト等が挙げられる。エーテル配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテルまたはテトラヒドロフラン等が挙げられる。スルホン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ジメチルスルホンまたはジブチルスルホン等が挙げられる。スルホキシド配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ジメチルスルホキシドまたはジブチルスルホキシド等が挙げられる。スルフィド配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、エチルスルフィドまたはブチルスルフィド等が挙げられる。
【０１４２】
３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造としては、３重項発光錯体の配位子から高分子鎖への結合の数に応じた数の水素原子を除いた残基があげられ、
具体的には、前記構造式で示した３重項発光錯体の具体例のそれぞれから、高分子鎖への結合の数に応じた数のＲを除いた残基があげられる。
【０１４３】
３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造は、前記のとおり、高分子主鎖に含まれていてもよいし側鎖に存在していてもよいし、末端に存在していてもよい。
【０１４４】
３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造が主鎖に含まれている場合としては、例えば、３重項発光錯体の配位子から二つの水素が脱離した残りの、結合手を２個有する構造単位（具体的には前記構造式で示した３重項発光錯体の具体例のそれぞれから、２個のＲを除いた残基である構造単位）を、好ましくは繰り返し単位として含む高分子化合物が挙げられる。
このような構造単位として、以下のものが例示される。
【０１４５】
2004292546.tif 000061
【０１４６】
また、本発明の高分子化合物の金属錯体構造に含まれる配位子のうち少なくとも１つが、高分子主鎖に含まれる繰返し単位と同一の構造を含む場合、高分子化合物中の金属含量を制御できる点で好ましい。例えば、高分子化合物を製造した後に錯体化を行いその際、用いる金属の量を変える事により高分子化合物中の金属含量を制御できる点で好ましい。具体的には、以下の構造が例示される。
【０１４７】
2004292546.tif 000062
【０１４８】
３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造が側鎖に存在する例としては、
３重項発光錯体の配位子から１つの水素が脱離した残りの、結合手を１個有する基、（具体的には、前記構造式で示した３重項発光錯体の具体例のそれぞれから、１個のＲを除いた残基、）が単結合、２重結合などの直接結合；酸素原子、硫黄原子、セレン原子などの原子を介した結合；またはメチレン基、アルキレン基、アリーレン基などの２価の連結基を介した結合で、高分子鎖に結合する場合が挙げられる。
中でも、単結合、２重結合、アリーレン基など、側鎖の３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造と共役のつながった構造を有することが好ましい。
【０１４９】
このような側鎖を有する構造単位（繰り返し単位）としては、例えば、前記式（５）の繰り返し単位のＡｒ４の置換基またはＲ１９、Ｒ２０が３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を有する１価の基であるもの等も挙げられる。
具体的には、以下の構造単位が例示される。
【０１５０】
2004292546.tif 000063
【０１５１】
2004292546.tif 000064
式中、Ｒは前記と同じ定義である。
【０１５２】
３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造が高分子主鎖の末端に存在する場合としては、３重項発光錯体の配位子から一つの水素が脱離した残りの、結合手を持つ基（具体的には、前記構造式で示した３重項発光錯体の具体例のそれぞれから、１個のＲを除いた残基、）が挙げられ、具体的には、以下の基が例示される。
【０１５３】
2004292546.tif 000065
【０１５４】
本発明の高分子錯体化合物は、式（１）で示される繰り返し単位、金属錯体構造のほかに例えば、上記（５）で示される繰り返し単位を含んでいてもよい。
【０１５５】
本発明の高分子錯体化合物が上記（５）で示される繰り返し単位を含む場合、一般式（１）、（５）で示される繰り返し単位と，３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を有する構造単位（繰り返し単位）との合計に対して、３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を有する繰り返し単位が０．０１モル％以上１０モル％以下であることが好ましい。
【０１５６】
また、本発明の高分子錯体化合物のなかで、共役系高分子化合物であるものが好ましい。
【０１５７】
本発明の高分子錯体化合物は、３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を２種類以上有していてもよい。即ち、本発明の高分子錯体化合物はその主鎖、側鎖または末端のいずれか２つ以上に３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を有していてもよい。それぞれの金属錯体構造は、互いに同じ金属を有していてもよいし、異なる金属を有していてもよい。また、それぞれの金属錯体構造は、互いに異なる発光色を有していても良い。例えば、緑色に発光する金属錯体構造と、赤色に発光する金属錯体構造の両方が１つの高分子錯体化合物に含まれている場合などが例示される。このとき、適度な量の金属錯体構造が含まれるように設計することにより、発光色を制御することができるので、好ましい。
【０１５８】
また、本発明の高分子錯体化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていても良い。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基または複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載の置換基等が例示される。
【０１５９】
また、本発明の高分子錯体化合物は、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。量子収率の高い高分子化合物を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロックまたはグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーも含まれる。
【０１６０】
本発明に用いる高分子化合物は、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０３〜１０８であることが好ましい。
【０１６１】
次に本発明の高分子組成物に用いる高分子化合物、本発明の高分子錯体化合物の製造方法について説明する。
本発明の高分子化合物の合成法としては、例えば該当するモノマーからＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法（ケミカル  レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年））、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、山本重合法により重合する方法（プログレッシブ  ポリマーサイエンス（Ｐｒｏｇ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．），第１７巻，１１５３−１２０５頁，１９９２年）、ＦｅＣｌ３等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、あるいは適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。ランダム重合法（ランダム共重合体を得ることができる重合法）としては、山本重合法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、ＦｅＣｌ３等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法などがあり、中でも山本重合法で重合することが特に好ましい。
山本重合法においては、通常ゼロ価ニッケル錯体を用い、テトラヒドロフラン、１、４−ジオキサンなどのエーテル系溶媒、または、トルエンなどの芳香族炭化水素系溶媒中でハロゲン化物を反応させる。ゼロ価ニッケル錯体としては、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）、（エチレン）ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（０）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケルなどが例示され、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）が好ましい。
【０１６２】
この場合、中性配位子を添加することが、収率向上、高分子量化の観点から好ましい。
ここに、中性配位子とは、アニオンやカチオンを有していない配位子であり、２，２’−ビピリジル、１，１０−フェナントロリン、メチレンビスオキサゾリン、Ｎ，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン等の含窒素配位子；トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェノキシホスフィン等の第三ホスフィン配位子などが例示され、汎用性、安価の点で含窒素配位子が好ましく、２，２’−ビピリジルが高反応性、高収率の点で特に好ましい。
【０１６３】
また、中性配位子を使用する場合には、その使用量としては、反応収率とコストの点からゼロ価のニッケル錯体１モルに対して、０．５〜１０モル程度が好ましく、０．８〜１．５モルがより好ましく、０．９〜１．１モルがさらに好ましい。
【０１６４】
特に、重合体の高分子量化の点から、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を含む系に中性配位子として２，２’−ビピリジルを加えた系が好ましい。
【０１６５】
ゼロ価のニッケル錯体の使用量は、重合反応を阻害しない程度ならば、特には限定されないが、使用量が過少だと分子量が低い傾向にあり、使用量が過大であると後処理が繁雑になる傾向がある。そのため、モノマー１モルに対して、０．１〜１０モルが好ましく、１〜５モルがより好ましく、２〜３．５モルがさらに好ましい。
【０１６６】
本発明の高分子錯体化合物、高分子化合物を高分子ＬＥＤの発光材料として用いる場合、その純度が発光特性に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製したのちに重合することが好ましく、また合成後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。なお、本発明の高分子化合物は、発光材料として用いることができるだけでなく、有機半導体材料、光学材料、あるいはドーピングにより導電性材料として用いることもできる。
【０１６７】
本発明の高分子錯体化合物は例えば、Ｘ１−Ａ−Ｘ２で示される単量体（ここにＸ１、Ｘ２はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシまたはアリールスルホニルオキシ基を示す。−Ａ−は、３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を有する繰り返し単位を示す。）とＸ３−Ｄ−Ｘ４（ここにＸ３、Ｘ４はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基を示す。Ｄは３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を含まない繰返し単位を示す。）とをＮｉ触媒の存在下反応させて得ることができる。
【０１６８】
上記において、高分子錯体化合物が金属錯体構造以外に、実質的に、（１）で示される繰り返し構造単位のみを含む場合には−Ｄ−が上記式（１）で示される単位である単量体を用いる。
さらに高分子錯体化合物に例えば（５）で示される繰り返し単位を含ませる場合には、−Ｄ−が上記式（１）で示される単位である単量体と、−Ｄ−が上記式（５）で示される単位である単量体とを用いる。
【０１６９】
上記において、−Ａ−を具体的には構造式で例示すると、前記で例示の３重項発光錯体のＲのうち、何れか２個が隣接する繰り返し単位との結合手となった２価の基等が挙げられる。
【０１７０】
また、本発明の高分子錯体化合物は、Ｙ１−Ａ−Ｙ２（ここにＹ１、Ｙ２はそれぞれ独立にホウ酸基またはホウ酸エステル基を示す。）で示される単量体と、Ｚ１−Ｄ−Ｚ２で示される単量体（Ｚ１、Ｚ２はハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基を示す。Ｄは前記と同じ。）とをＰｄ触媒の存在下反応させて得ることができる。
【０１７１】
さらに、本発明の高分子錯体化合物は、Ｙ３−Ｄ−Ｙ４（ここにＹ３、Ｙ４はそれぞれ独立にホウ酸基またはホウ酸エステル基である。Ｄは前記と同じ。）で示される単量体と、Ｚ３−Ａ−Ｚ４で示される単量体（Ｚ１、Ｚ２はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基を示す）とをＰｄ触媒の存在下反応させて得ることができる。
【０１７２】
中でも、Ｘ１−Ａ−Ｘ２で示される単量体、Ｙ１−Ａ−Ｙ２で示される単量体またはＺ３−Ａ−Ｚ４で示される単量体が単量体全体に対して、０．０１モル％以上１０モル％以下であることが好ましい。
【０１７３】
また、本発明の錯体組成物に用いる、３重項状態からの発光を示す金属錯体構造を有さない高分子化合物の製造法としては、例えば、Ｘ３−Ｄ−Ｘ４で示される単量体をＮｉ触媒の存在下反応させて得ることができ、また、Ｘ３−Ｄ−Ｘ４で示される単量体とＹ３−Ｄ−Ｙ４で示される単量体とをＰｄ触媒の存在下反応させて得ることができる。
【０１７４】
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４で示されるハロゲン原子としては、よう素、臭素、塩素、などが例示される。また、アリールスルホニルオキシ基としては、ペンタフルオロフェニルスルホニルオキシ基、パラトルエンスルホニルオキシ基などが、アルキルスルホニルオキシ基としては、メタンスルホニルオキシ基トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、などが例示される。
【０１７５】
Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４で示されるホウ酸基、ホウ酸エステル基としては、ホウ酸基、ジメチルホウ酸エステル、エチレンホウ酸エステル、トリメチレンホウ酸エステルなどが例示される。
【０１７６】
Ｐｄ触媒の存在下反応させる例としては、例えば、上記Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応が挙げられる。
パラジウム触媒としては、酢酸パラジウム、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］錯体、ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）パラジウム錯体などが例示される。
【０１７７】
次に、本発明の高分子ＬＥＤについて説明する。本発明の高分子ＬＥＤは、陽極および陰極からなる電極間に発光層を有する高分子ＬＥＤであり、該発光層が本発明の錯体組成物または高分子錯体化合物を含むことを特徴とする。
【０１７８】
また、本発明の高分子ＬＥＤとしては、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ等が挙げられる。
また、上記少なくとも一方の電極と発光層との間に該電極に隣接して導電性高分子を含む層を設けた高分子ＬＥＤ；少なくとも一方の電極と発光層との間に該電極に隣接して平均膜厚２ｎｍ以下のバッファー層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
【０１７９】
具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）
【０１８０】
ここで、発光層とは、発光する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。
発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。
【０１８１】
また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。
【０１８２】
また、電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
【０１８３】
さらに、電子を輸送し、かつ正孔を閉じ込めるために発光層との界面に正孔阻止層を挿入してもよい。
【０１８４】
積層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。
【０１８５】
本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
【０１８６】
例えば、具体的には、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
ｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｋ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
【０１８７】
電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが例示される。
【０１８８】
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０３Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０２Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０１Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。
【０１８９】
通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０３Ｓ／ｃｍ以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。
【０１９０】
ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。
【０１９１】
電荷注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。
【０１９２】
電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。
【０１９３】
膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
【０１９４】
具体的には、例えば、以下のｑ）〜ａｂ）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｖ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｗ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｙ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｚ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ａｂ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
【０１９５】
正孔阻止層は、電子を輸送しかつ、陽極から輸送された正孔を閉じ込める働きを有するものであり、発光層の陰極側の界面に設けられ、発光層のイオン化ポテンシャルよりも大きなイオン化ポテンシャルを有する材料、例えば、バソクプロイン、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体などから構成される。
【０１９６】
正孔阻止層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。
【０１９７】
具体的には、例えば、以下のａｃ）〜ａｎ）の構造が挙げられる。
ａｃ）陽極／電荷注入層／発光層／正孔阻止層／陰極
ａｄ）陽極／発光層／正孔阻止層／電荷注入層／陰極
ａｅ）陽極／電荷注入層／発光層／正孔阻止層／電荷注入層／陰極
ａｆ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／陰極
ａｇ）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電荷注入層／陰極
ａｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電荷注入層／陰極
ａｉ）陽極／電荷注入層／発光層／正孔阻止層／電荷輸送層／陰極
ａｊ）陽極／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ａｋ）陽極／電荷注入層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ａｌ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電荷輸送層／陰極
ａｍ）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ａｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
【０１９８】
高分子ＬＥＤ作成の際に、本発明の錯体組成物、高分子錯体化合物を用いることにより、溶液から成膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用でき、製造上非常に有利である。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０１９９】
発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２００】
本発明の高分子ＬＥＤにおいては、発光層に本発明の錯体組成物、高分子錯体化合物以外の発光材料を混合して使用してもよい。また、本発明の高分子ＬＥＤにおいては、本発明以外の発光材料を含む発光層が、本発明の錯体組成物、高分子錯体化合物を含む発光層と積層されていてもよい。
【０２０１】
該発光材料としては、公知のものが使用できる。低分子化合物では、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンもしくはその誘導体などを用いることができる。
【０２０２】
具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１号、同５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。
【０２０３】
本発明の高分子ＬＥＤが正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体などが例示される。
【０２０４】
具体的には、該正孔輸送材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
【０２０５】
これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料として、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
【０２０６】
ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合またはラジカル重合によって得られる。
【０２０７】
ポリシランもしくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。
【０２０８】
ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖または主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。
【０２０９】
正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。
【０２１０】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
【０２１１】
溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０２１２】
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。
【０２１３】
正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２１４】
本発明の高分子ＬＥＤが電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。
【０２１５】
具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
【０２１６】
これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
【０２１７】
電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。
【０２１８】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料および／または高分子バインダーを溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
【０２１９】
溶液または溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０２２０】
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、またはポリシロキサンなどが例示される。
【０２２１】
電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２２２】
本発明の高分子ＬＥＤを形成する基板は、電極を形成し、該高分子ＬＥＤの各層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明または半透明であることが好ましい。
【０２２３】
通常、陽極および陰極からなる電極のうち少なくとも一方が透明または半透明であり、陽極側が透明または半透明であることが好ましい。
該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
【０２２４】
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０２２５】
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。
【０２２６】
本発明の高分子ＬＥＤで用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、およびそれらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
【０２２７】
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０２２８】
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けても良く、陰極作製後、該高分子ＬＥＤを保護する保護層を装着していてもよい。該高分子ＬＥＤを長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層および／または保護カバーを装着することが好ましい。
【０２２９】
該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。
【０２３０】
本発明の高分子発光素子は、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置または液晶表示装置のバックライトに用いることができる。
【０２３１】
本発明の高分子ＬＥＤを用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる発光材料を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは発光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動しても良い。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。
【０２３２】
さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。
【０２３３】
【実施例】
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０２３４】
ここで、ポリスチレン換算の数平均分子量は、クロロホルムを溶媒として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ：ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ、東ソー製もしくはＳＣＬ−１０Ａ、島津製作所製）により求めた。
【０２３５】
実施例１
＜高分子化合物１の合成＞
化合物Ａ  ０．６２ｇ（１．３ｍｍｏｌ）と２、２’−ビピリジル０．５０ｇ（３．２ｍｍｏｌ）を反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）４０ｍｌを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を１．０ｇ（３．６ｍｍｏｌ）加え、６０℃で３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。反応後、この溶液を冷却した後、２５％アンモニア水１０ｍｌ／メタノール１２０ｍｌ／イオン交換水５０ｍｌ混合溶液中にそそぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿を、ろ過することにより回収した。この沈殿をメタノールで洗浄した後、２時間減圧乾燥した。次に、この沈殿をトルエン３０ｍＬに溶解し、１Ｎ塩酸３０ｍＬを加えて１時間攪拌し、水層を除去して有機層に４％アンモニア水３０ｍＬを加え、１時間攪拌した後に水層を除去した。有機層はメタノール１５０ｍＬに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させた。得られた高分子化合物１の収量は０．１４ｇであった。
【０２３６】
2004292546.tif 000066
【０２３７】
高分子化合物１のポリスチレン換算の平均分子量は、Ｍｎ＝３．３×１０３、Ｍｗ＝７．４×１０３であった。
【０２３８】
調製例１
＜錯体組成物１の調製＞
高分子化合物１、三重項発光錯体（イリジウム錯体Ｉｒ（ｐｐｙ）３）２．７ｍｇ、０．１５ｍｇを混合した物を０．２ｍｌの１，２−ジクロロエタンに溶解し、溶液１を調整した。
【０２３９】
調製例２
＜錯体組成物２の調製＞
高分子化合物１、電子輸送性化合物（ＰＢＤ）、三重項発光錯体（イリジウム錯体Ｉｒ（ｐｐｙ）３）各１．８ｍｇ、０．９ｍｇ、０．１５ｍｇを混合した物を０．２ｍｌの１，２−ジクロロエタンに溶解し、溶液２を調整した。
【０２４０】
ＰＢＤ
2004292546.tif 000067
【０２４１】
調製例３
＜錯体組成物３の調製＞
高分子化合物１、三重項発光錯体（イリジウム錯体Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ））各２．７ｍｇ、０．１５ｍｇを混合した物を０．２ｍｌの１，２−ジクロロエタンに溶解し、溶液３を調整した。
【０２４２】
Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）
2004292546.tif 000068
【０２４３】
調製例４
＜錯体組成物４の調製＞
高分子化合物１、三重項発光錯体（イリジウム錯体ＦＩｒ（ｐｉｃ））各２．７ｍｇ、０．１５ｍｇを混合した物を０．２ｍｌの１，２−ジクロロエタンに溶解し、溶液４を調整した。
【０２４４】
ＦＩｒ（ｐｉｃ）
2004292546.tif 000069
【０２４５】
実施例２
＜薄膜の作成および薄膜のＰＬスペクトル＞
錯体組成物１、３、４をガラスプレートに１０００ｒｐｍで約４０秒間スピンコートし、得られた薄膜を、減圧下一昼夜乾燥することで膜中の残存溶媒を除去した。ＪＡＳＣＯ  ＦＰ−６５００  ｓｐｅｃｔｒｏｆｌｕｏｒｏｍｅｔｅｒで薄膜のＰＬスペクトルを測定したところ、図１〜３に示すスペクトルが得られた。
【０２４６】
実施例２
＜素子の作成および素子特性の評価＞
ＩＴＯ基板（市販品。〜４０Ω／□）は界面活性剤、純水、アセトン、１，２−ジクロロエタン、イソプロパノールで超音波洗浄を施した後、酸素プラズマ処理を行った。
得られたＩＴＯ上に、Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ（ＢＡＹＥＲ社製）を１５００ｒｐｍで４０秒間スピンコートし、ホットプレート上２００℃で加熱することにより、膜厚約４０ｎｍのバッファ層を得た。
続いて溶液１を３０００ｒｐｍで４０秒間スピンコートすることにより、膜厚７０ｎｍの発光層を積層した。
得られた積層膜を、減圧下一昼夜乾燥することで膜中の残存溶媒を除去した。更に、真空蒸着装置により、真空度１０−３Ｐａ以下、蒸着速度０．４ｎｍ／ｓｅｃでＢＣＰを蒸着し膜厚２０ｎｍの正孔阻止層を、蒸着速度０．４  ｎｍ／ｓｅｃでＡｌｑ３を蒸着し膜厚２０  ｎｍの電子輸送層を積層した。最後に、得られた有機多層膜上に金属製のマスクパターンを乗せ、銀とマグネシウムとを１０：１の割合で蒸着速度０．５５  ｎｍ／ｓｅｃで１００  ｎｍの膜厚で共蒸着し、更に、銀を蒸着速度０．２  ｎｍ／ｓｅｃで５０  ｎｍの膜厚で蒸着することで、面積０．０２５  ｃｍ２の陰極を形成して図４に示す素子構造を作成した。
【０２４７】
ＢＣＰ
2004292546.tif 000070
得られた素子に電圧を印加することで電極面全体より５１０  ｎｍにピークを持つ緑色発光が観測された。この素子の最大外部量子収率は２．５％を示し（図５）、１１．８Ｖ、１ｍＡ／ｃｍ２で８５ｃｄ／ｍ２、１３．１Ｖ、１０ｍＡ／ｃｍ２  で５１５ｃｄ／ｍ２、および１５Ｖ、１００ｍＡ／ｃｍ２で１５７０ｃｄ／ｍ２を示した。
【０２４８】
実施例３
＜素子の作成および素子特性の評価＞
溶液２を用い、同様の素子を作成したところ、この素子の最大外部量子収率は５．５％を示し（図５）、１４．５Ｖ、１ｍＡ／ｃｍ２で１７５ｃｄ／ｍ２、１８．３Ｖ、１０ｍＡ／ｃｍ２  で１７３０ｃｄ／ｍ２、および２２．９Ｖ、１００ｍＡ／ｃｍ２で１１５００ｃｄ／ｍ２を示した。
【０２４９】
実施例４
＜素子の作成および素子特性の評価＞
溶液３を用い、同様の素子を作成したところ、この素子の最大外部量子収率は１．４％を示し、９Ｖ、１ｍＡ／ｃｍ２で９．８ｃｄ／ｍ２、１０．５Ｖ、１０ｍＡ／ｃｍ２  で７２ｃｄ／ｍ２、および１２Ｖ、１００ｍＡ／ｃｍ２で５１０ｃｄ／ｍ２を示した。
【０２５０】
実施例５
＜素子の作成および素子特性の評価＞
溶液４を用い、同様の素子を作成したところ、この素子の最大外部量子収率は０．０９％を示し（図６）、１１Ｖ、１ｍＡ／ｃｍ２で２．２ｃｄ／ｍ２、１２Ｖ、１０ｍＡ／ｃｍ２  で１６ｃｄ／ｍ２、および１３．５Ｖ、１００ｍＡ／ｃｍ２で８１ｃｄ／ｍ２を示した。
【０２５１】
【発明の効果】
本発明の錯体組成物、高分子錯体化合物は、繰り返し単位としてカルバゾールジイル基を有する３重項発光材料であって、該発光材料を用いて発光素子の発光層を成膜した場合に、該素子が所期の性能を安定的に発揮することができる。
したがって、本発明の錯体組成物、高分子錯体化合物は高分子ＬＥＤの発光材料などに好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】錯体組成物１の薄膜ＰＬスペクトル
【図２】錯体組成物３の薄膜ＰＬスペクトル
【図３】錯体組成物４の薄膜ＰＬスペクトル
【図４】実施例２の素子構造
【図５】実施例２および３の電流密度−外部量子収率特性
【図６】実施例４の電流密度−外部量子収率特性
【図７】実施例５の電流密度−外部量子収率特性
【図１】
2004292546.tif 000079
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004292546.tif 000083
【図６】
2004292546.tif 000084
【図７】
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