(57)【要約】【課題】各ＩＣチップ領域において印刷ペーストをバリアメタル層上に比較的正確に印刷することを容易にするＩＣウエハ及びそれを用いたフリップチップ型ＩＣの製造方法を提供する。【解決手段】上面に多数のＩＣチップ領域が形成され、各ＩＣチップ領域内に複数のバリアメタル層３が設けられたＩＣウエハにおいて、前記バリアメタル層３に対応する開口を有する印刷マスクをＩＣウエハに配設した際、バリアメタル層と開口との位置ずれ量を認識するための調整マーク５を全てのＩＣチップ領域に設ける。またかかるＩＣウエハに対してバリアメタル層に対応した複数の開口を有する印刷マスクを位置合わせする際、各調整マークによって認識される各ＩＣチップ領域でのバリアメタル層と開口との位置ずれ量に基づいてＩＣウエハと印刷マスクとの位置関係を調整する工程を経てフリップチップ型ＩＣを製造する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に多数のＩＣチップ領域が形成され、各ＩＣチップ領域内に複数のバリアメタル層が設けられたＩＣウエハにおいて、
前記バリアメタル層に対応する開口を有する印刷マスクをＩＣウエハに配設した際にバリアメタル層と開口との位置ずれ量を認識するための調整マークを複数のＩＣチップ領域に設けたことを特徴とするＩＣウエハ。
【請求項２】
前記調整マークが目盛を有することを特徴とする請求項１に記載のＩＣウエハ。
【請求項３】
前記バリアメタル層を前記調整マークとして兼用したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＩＣウエハ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のＩＣウエハに対して、バリアメタル層に対応した複数の開口を有する印刷マスクを位置合わせする際、調整マークによって認識される各ＩＣチップ領域でのバリアメタル層と開口との位置ずれ量に基づいてＩＣウエハと印刷マスクとの位置関係を調整する工程を有するフリップチップ型ＩＣの製造方法。
【請求項５】
各ＩＣチップ領域におけるバリアメタル層と開口との位置ずれ量が所定の基準値以下となるようにＩＣウエハと印刷マスクとの位置関係を調整することを特徴とする請求項４に記載のフリップチップ型ＩＣの製造方法。
【請求項６】
前記基準値は、上面が円形状を成すバリアメタル層の直径の５％〜５０％に設定されることを特徴とする請求項５に記載のフリップチップ型ＩＣの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、印刷ペーストが塗布される複数のバリアメタル層を備えたＩＣウエハ及び、そのＩＣウエハを用いたフリップチップ型ＩＣの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、回路配線を有した回路基板の上面に、ＩＣをフェースダウンボンディングすること、すなわち、ＩＣの回路形成面を回路基板と対向させた形でＩＣを回路基板上に実装することが行われている。
【０００３】
かかるフェースダウンボンディングに用いられるＩＣはフリップチップ型ＩＣと呼ばれ、その端子を回路基板上の回路配線に対して半田を介して接続させるようにしたものが一般的である。
【０００４】
このような従来のフリップチップ型ＩＣとしては、例えば図示しない絶縁膜が被着されたシリコン基板の上面に、Ａｌからなる回路パターンや図示しない半導体素子を被着させるとともに、該回路パターン上にＮｉ層及びＡｕ層からなる複数のバリアメタル層を、またバリアメタル層の非形成領域に窒化珪素等からなるパッシベーション層をそれぞれ被着させ、前記バリアメタル層上に略球状の半田バンプを形成した構造のものが知られており、かかるフリップチップ型ＩＣを回路基板上に実装する場合は、フリップチップ型ＩＣの半田バンプが回路基板上の対応する回路配線と対向するようにしてフリップチップ型ＩＣを回路基板上に載置させ、しかる後、半田バンプを高温で加熱・溶融させることによってフリップチップのバリアメタル層が回路基板上の回路配線に対して半田接合される。
【０００５】
そして上述のフリップチップ型ＩＣに設けられる半田バンプは、通常、次のような手法により形成される。すなわち、
（１）上面に多数のＩＣチップ領域が形成され、該各ＩＣチップ領域に図示しない半導体素子や複数のバリアメタル層を設けたＩＣウエハと、前記バリアメタル層に対応する開口を有した印刷マスクとを準備し、
（２）次に、前記印刷マスクを、その開口がＩＣウエハ上のバリアメタル層の真上に位置するようにＩＣウエハ上に配設し、
（３）次に、印刷マスク上に半田ペーストを供給した後、該供給された半田ペーストを開口を介してバリアメタル層上に印刷・塗布し、
（４）最後に、バリアメタル層上に塗布した半田ペーストをリフローすることによってバリアメタル層上に略球状の半田バンプが形成される。
【０００６】
このような手法により半田バンプをバリアメタル層上に正確に形成するためには、印刷マスクをＩＣウエハに対して高精度に位置合わせする必要があり、かかる位置合わせを容易ならしめるべく、ＩＣウエハ上に印刷マスクを位置合わせするためのアライメントマークを、印刷マスクに前記アライメントマークに対応するアライメント孔をそれぞれ設け、該アライメントマーク及びアライメント孔を基準にしてＩＣウエハと印刷マスクとの位置合わせを行うようにしている。
【０００７】
尚、前記アライメントマークは、図５に示す如く、１枚のＩＣウエハに対してＩＣチップ領域の数よりも大幅に少ない数、例えば１個乃至３個設けるのが一般的であった（特許文献１参照）。
【０００８】
【特許文献１】
特開平１１−２７４２０６号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した印刷マスクには製造バラツキ等に起因した歪み等が存在していることから、かかる印刷マスクのアライメント孔をＩＣウエハ上に設けられたアライメントマーク１５に位置合わせしたとしても、印刷マスクの開口がバリアメタル層１３上に位置するとは限らず、両者の位置関係に大きなずれが生じる領域が存在することがある。このような場合、印刷マスクの開口とバリアメタル層１３との位置ずれが大きい領域では半田ペーストの印刷箇所が所望する位置より外れる不具合を生じ、半田ペーストの印刷をやり直さなければ成らず、フリップチップ型ＩＣの生産性を大幅に低下させる課題があった。
【００１０】
本発明は上記課題に鑑み案出されたものであり、その目的は各ＩＣチップ領域において印刷ペーストをバリアメタル層上に比較的正確に印刷することを容易にするＩＣウエハ及びそれを用いたフリップチップ型ＩＣの製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明のＩＣウエハは、上面に多数のＩＣチップ領域が形成され、各ＩＣチップ領域内に複数のバリアメタル層が設けられたＩＣウエハにおいて、前記バリアメタル層に対応する開口を有する印刷マスクをＩＣウエハに配設した際にバリアメタル層と開口との位置ずれ量を認識するための調整マークを複数のＩＣチップ領域に設けたことを特徴とするものである。
【００１２】
また本発明のＩＣウエハは、前記調整マークが目盛を有することを特徴とするものである。
【００１３】
更に本発明のＩＣウエハは、前記バリアメタル層を前記調整マークとして兼用したことを特徴とするものである。
【００１４】
また更に本発明のフリップチップ型ＩＣの製造方法は、上述のＩＣウエハに対して、バリアメタル層に対応した複数の開口を有する印刷マスクを位置合わせする際、調整マークによって認識される各ＩＣチップ領域でのバリアメタル層と開口の位置ずれ量に基づいてＩＣウエハと印刷マスクとの位置関係を調整する工程を有するものである。
【００１５】
更にまた本発明のフリップチップ型ＩＣの製造方法は、各ＩＣチップ領域におけるバリアメタル層と開口との位置ずれ量が所定の基準値以下となるようにＩＣウエハと印刷マスクとの位置関係を調整することを特徴とする請求項４に記載のフリップチップ型ＩＣの製造方法。
【００１６】
また更に本発明のフリップチップ型ＩＣの製造方法は、前記基準値は、上面が円形状を成すバリアメタル層の直径の５％〜５０％に設定されることを特徴とする
本発明によれば、上面に多数のＩＣチップ領域が形成され、各ＩＣチップ領域内に複数のバリアメタル層が設けられたＩＣウエハにおいて、該ＩＣウエハに対して前記バリアメタル層に対応する開口を有する印刷マスクを配設した時、バリアメタル層と開口との位置ずれ量を認識するための調整マークを複数のＩＣチップ領域に設けたことから、印刷マスクの歪み等に起因して、バリアメタル層と開口との位置ずれ量がＩＣチップ領域毎に大きく異なる場合であっても、これらの位置ずれ量を複数のＩＣチップ領域で把握できる。従って、複数のＩＣチップ領域でバリアメタル層と印刷マスクの開口との位置ずれ量を所定の基準値以下となるように調整することが可能となり、半田ペーストを所望の箇所に比較的正確に印刷・塗布することができ、印刷のやり直しを有効に防止してフリップチップ型ＩＣの生産性を向上させることが可能となる。この場合、基準値としては、バリアメタル層の上面が円形状である時、その直径の５％〜５０％に設定することが好ましい。
【００１７】
また本発明によれば、調整マークに目盛が付されていることから、印刷マスクとＩＣウエハとの位置ずれ量の把握が極めて容易になり、これによってもフリップチップ型ＩＣの生産性向上に供することができる。
【００１８】
更に本発明によれば、ＩＣウエハのバリアメタル層を調整マークとして兼用することにより、調整マーク上に塗布される半田ペーストが無駄ではなくなり、半田ペーストの使用量を小さくすることができるという利点もある。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００２０】
図１は本発明の一実施形態にかかるＩＣウエハの平面図、図２は図１に示すＩＣウエハの要部拡大平面図であり、同図に示すＩＣウエハは、大略的に、半導体基板１の上面に、回路パターン２、バリアメタル層３、パッシベーション層４、調整マーク５、アライメントマークＸ等を設けた構造を有している。
【００２１】
前記半導体基板１は、表面にＳｉＯ２等の絶縁材料からなる絶縁膜を有する単結晶シリコン等の単結晶半導体により略円形状に形成されており、その上面にＩＣチップ領域が多数、形成されている。
【００２２】
前記半導体基板１は、その上面の各ＩＣチップ領域に図示しない半導体素子や回路パターン２、バリアメタル層３、パッシベーション層４が設けられ、これらを支持する支持母材として機能する。尚、このような半導体基板１は、上述の単結晶シリコンからなる場合、例えば、従来周知のチョコラルスキー法（引き上げ法）を採用することにより単結晶シリコンからなるインゴット（塊）を形成するとともに、これをダイヤモンドカッター等を用いて板状にスライスし、これを表面研磨することにより所定厚みの板体を得、しかる後、かかる板体に対して従来周知の熱酸化法などを採用して、板体表面を、該表面より所定の深さ領域（１．５μｍ〜４．５μｍ）まで酸化することにより製作される。
【００２３】
前記半導体基板１の各ＩＣチップ領域に取着される回路パターン２は、ＡｌやＣｕ等の金属材料により所定パターンに形成されており、かかる回路パターン２は図示しない半導体素子に対して外部電源からの電力や電気信号などを供給するための給電配線として機能する。
【００２４】
このような回路パターン２は、従来周知の薄膜形成技術、具体的には、スパッタリング、フォトリソグラフィー技術、エッチング技術等を採用することにより、所定の厚み（０．５μｍ〜１．５μｍ）に形成される。
【００２５】
更に前記回路パターン２上に設けられるバリアメタル層３は、例えば、半導体基板１側より亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ），金（Ａｕ）を順次積層させた３層構造を有している。
【００２６】
前記バリアメタル層３は、本発明に係るＩＣウエハを加工して得られるフリップチップ型ＩＣを回路基板上に実装する際に、バリアメタル層３上に設けられる半田バンプが溶融した場合、該溶融した半田によって回路パターン２を形成するアルミニウム等に“食われ”が生じることを有効に防止する作用を為す。
【００２７】
このようなバリアメタル層３は、後述するパッシベーション層４の形成後に、パッシベーション層４の開口部、すなわち、パッシベーション層４の存在しない領域内に露出される回路パターン２上に、従来周知の無電解めっき等を採用し、Ｚｎ，Ｎｉ，Ａｕを順次被着させることによって全体が略円柱状をなすように形成される。
【００２８】
尚、前記バリアメタル層３を構成する３つの層のうち、最下層となるＺｎ層は、Ｎｉ層を従来周知の無電解めっき等により形成する際、その一部を置換反応させることによってＮｉ層を効率的に成長させるためのものであり、その厚みは０．０１μｍ〜０．０５μｍに設定され、中間層となるＮｉ層はバリアメタル層３に対する半田の濡れ性を良好になすためのものであり、その厚みは０．５μｍ〜７．０μｍに設定され、更に最上層となるＡｕ層はＮｉ層の酸化腐食を有効に防止するためのものであり、その厚みは０．０２μｍ〜０．１μｍに設定される
そして、前記半導体基板１のＩＣチップ領域の外側領域（ダミーＩＣもしくはＴＥＧ（ｔｅｓｔ  ｅｌｅｍｅｎｔ  ｇｒｏｕｐ）ＩＣの形成領域）にはアライメントマークＸが設けられ、また全てのＩＣチップ領域には調整マーク５が少なくとも１個ずつ設けられている。
【００２９】
前記アライメントマークＸは、ＡｌやＣｕ等、回路パターン２と同様の金属材料から成り、バリアメタル層３上に半田ペーストを印刷・塗布すべく、印刷マスクをＩＣウエハ上に配設する際、両者を高精度に位置合わせするための目印として機能する。
【００３０】
また前記調整マーク５は、ＡｌやＣｕ等、回路パターン２と同様の金属材料から成り、略四角形状を成すマーク本体と、該マーク本体より外側に向かって四方に一定間隔（１μｍ〜１０μｍ）で付された目盛部分とで構成されている。
【００３１】
このような調整マーク５は、アライメントマークＸに基づいて印刷マスクを位置合わせした場合の、各ＩＣチップ領域におけるバリアメタル層３と後述する印刷マスクの開口との位置ずれを認識するためのものであり、マーク本体の中心位置と印刷マスクの開口の中心位置との距離を各ＩＣチップ領域における印刷マスクとＩＣウエハとの位置ずれ量として上記目盛部分によって容易に認識される。
【００３２】
尚、前記調整マーク５やアライメントマークＸは、上述の回路パターン２と同様の方法、すなわち、スパッタリング、フォトリソグラフィー技術、エッチング技術等の薄膜形成技術を採用することにより、回路パターン２と同時に０．５μｍ〜１．５μｍの厚みに形成される。
【００３３】
そして、上述した半導体基板１の上面のうち、バリアメタル層３の非形成領域にパッシベーション層４が被着されており、該パッシベーション層４で回路パターン２や調整マーク５、アライメントマークＸが共通に被覆されている。
【００３４】
前記パッシベーション層４は、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）や酸化珪素（ＳｉＯ２）等の封止性に優れた電気絶縁材料により形成されており、先に述べた半導体素子や回路パターン２、調整マーク５を大気と良好に遮断することで、これらが大気中に含まれている水分等の接触により腐食されるのを有効に防止する作用を為す。
【００３５】
このようなパッシベーション層４は、従来周知の薄膜形成技術、例えば、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を採用して、上述の電気絶縁材料を回路パターン２等が設けられている半導体基板１上に０．５μｍ〜１．５μｍの厚みに形成し、しかる後、これを従来周知のフォトリソグラフィー及びエッチング技術等によって所定パターンに加工し、バリアメタル層３の形成箇所に開口部を設けることにより形成される。
【００３６】
次に上述したＩＣウエハを用いてフリップチップ型ＩＣを製造する方法について図３を用いて詳細に説明する。図３は図１のＩＣウエハを用いてフリップチップ型ＩＣを製造する方法を説明するための各工程の断面図であり、６はメタルシート、７は開口、８は調整孔、９’はペーストとしての半田ペースト、９ａ，９ｂはバンプとしての半田バンプである。
【００３７】
（１）まず、上述したＩＣウエハＷと印刷マスクＭとを準備する（図３（ａ）参照）。
【００３８】
前記印刷マスクＭは、アルミニウム合金、あるいはＮｉ合金等の金属材料により板状に形成されたメタルシート６に、前記バリアメタル層３に対応した開口７と、前記調整マーク５に対応した調整孔８と、前記アライメントマークＸに対応したアライメント孔とを穿設した構造を有しており、かかる印刷マスクＭは、Ｎｉ合金からなる場合、例えば従来周知のアディティブ法を採用することにより製作される。
【００３９】
（２）次に、ＩＣウエハＷ上に印刷マスクＭを配設し、両者を位置合わせする（図３（ｂ）参照）。
【００４０】
前記ＩＣウエハＷ上に印刷マスクＭを配設するには、例えば、印刷マスクＭを配設したスクリーン印刷機のステージにＩＣウエハＷを載置・固定させるとともに、ＩＣウエハＷのアライメントマークＸ上に印刷マスクＭのアライメント孔が位置するようにステージを移動させることによって行われる。
【００４１】
（３）次に、ＩＣウエハＷの調整マーク５と印刷マスクＭの調整孔８との位置ずれ量を各ＩＣチップ領域毎に測定するとともに、該位置ずれ量が所定の基準値以下となるように印刷マスクＭとＩＣウエハＷとの位置関係を調整する。
【００４２】
このとき、各ＩＣチップ領域における位置ずれ量の少なくとも１つが所定の基準値（例えばバリアメタル層上面の直径の５％〜５０％の値）よりも大きければ、ステージを移動させてＩＣウエハＷの位置を可変させ、全てのＩＣチップ領域で位置ずれ量が基準値以下となるように位置合わせする。
【００４３】
それ故、印刷マスクＭに生じる歪みに起因して印刷マスクＭの開口７とＩＣウエハＷのバリアメタル層３との位置ずれ量がＩＣチップ領域毎に大きく異なる場合であっても、全てのＩＣチップ領域でバリアメタル層３と印刷マスクＭの開口７との位置ずれ量を小さくすることができ、後工程で印刷される半田ペースト９’を所望の箇所に比較的正確に塗布することが可能となる。その結果、印刷のやり直しを有効に防止でき、フリップチップ型ＩＣの生産性を向上させることが可能となる。
【００４４】
しかも、調整マーク５には目盛が付されていることから、印刷マスクＭとＩＣウエハＷとの位置ずれ量の把握が極めて容易になり、これによってもフリップチップ型ＩＣの生産性向上に供することができる。
【００４５】
また調整マーク５は、バリアメタル層３と異なる平面視形状を有していることから、位置合わせの際に調整マーク５が更に認識し易くなり、これによっても調整マーク５をバリアメタル層３と錯誤するといったトラブルを有効に防止することができる。
【００４６】
（３）次に、半田ペースト９’を準備し、該半田ペースト９’を印刷マスクＭ上に供給する。
【００４７】
前記半田ペースト９’としては、多数の半田粒子にロジン系フラックスを添加・混合して所定の粘度に調整したものが好適に用いられる。
【００４８】
（４）次に、印刷マスクＭ上の半田ペースト９’を、スキージをＩＣマスクＭ側に押圧しつつ所定の方向に移動させることにより、半田ペースト９’を印刷マスクＭの開口７及び調整孔８を介してバリアメタル層３上及び調整マーク５上に印刷・塗布する（図３（ｃ）参照）。
【００４９】
（５）次に、塗布された半田ペースト９’をリフローすることによって半田ペースト９’中に含まれている半田粒子を溶融させて半田粒子同士を相互に結合させ、これをそのまま冷却することによってバリアメタル層３上及び調整マーク５上に半田バンプ９ａ，９ｂを形成する（図３（ｄ）参照）。
【００５０】
このとき、バリアメタル層３上の半田バンプ９ａは、バリアメタル層３を構成するＮｉ層の作用によりバリアメタル層３に対して強固に被着されるものの、調整マーク５上の不要な半田バンプ９ｂは、半田の濡れ性が悪いパッシベーション層４を介して調整マーク５上に形成されていることから、半田バンプ９ｂのパッシベーション層４に対する付着力を大幅に低下させることができる。従って、調整マーク５上の半田バンプ９ｂは、半田バンプ自体に付着した図示しないフラックスの作用によってＩＣウエハＷに極弱い強度で被着された状態にある。
【００５１】
尚、半田ペースト９’のリフローは、例えば２３０℃〜２６０℃の温度で行われる。
【００５２】
（６）次に、半田バンプ９ａ，９ｂに付着したフラックスを洗浄することにより、調整マーク５上の半田バンプ９ｂを除去する（図３（ｅ）参照）。
【００５３】
かかるフラックスの洗浄は、準水系の溶剤にＩＣウエハを浸漬させた状態でこれを上下に揺動させることによって行われ、これによってバンプに付着したフラックス残渣が洗い落とされる。それ故、フラックスの作用で調整マーク５上に被着されていた不要な半田バンプ９ｂは、フラックス洗浄によって、パッシベーション層４に対する付着力が大幅に低下し、調整マーク５上から除去されることとなる。それ故、不要な半田バンプ９ｂを半導体吸い取り装置等で個別に除去する手間を省き、フリップチップ型ＩＣの製造工程を簡素化することができ、フリップチップ型ＩＣの生産性を向上させることが可能となる。
【００５４】
（７）最後に、ＩＣウエハＷを、ダイヤモンドソー等を用いてＩＣチップ領域毎に切断・加工することにより、多数のフリップチップ型ＩＣが得られる。
【００５５】
そして得られたフリップチップ型ＩＣを回路基板上に実装する場合は、フリップチップ型ＩＣの半田バンプが回路基板上の対応する回路配線と対向するようにしてフリップチップ型ＩＣを回路基板上に載置させ、しかる後、半田バンプを高温で加熱・溶融させることによってフリップチップのバリアメタル層が回路基板上の回路配線に対して半田接合される。
【００５６】
尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良が可能である。
【００５７】
例えば、上述の実施形態において、図４に示す如く、前記バリアメタル層３を調整マーク５として兼用するようにしておけば、ＩＣウエハの開口を調整孔として兼用することができ、調整マーク５上に塗布される半田ペースト９’が無駄ではなくなり、半田ペースト９’の使用量を小さくすることができるという利点もある。
【００５８】
なお、この場合、調整マーク５として機能するバリアメタル層３は、それ自体は上述の実施形態にいうマーク本体として機能するため、該バリアメタル層３の周辺には上述の目盛部分が設けられることとなり、他のバリアメタル層と区別される。
【００５９】
また上述の実施形態においては、印刷マスクとしてメタルシート６に複数の開口を設けた“メタルマスク”を用いるようにしたが、これに代えて、ポリイミド樹脂やポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂といった種々の樹脂材料からなるマスクであっても、本発明は適用可能である。
【００６０】
更に上述の実施形態においては、半田ペースト９’を用いて半田バンプ９ａを形成するようにしたが、これに代えて、銀ペースト等の他の導電ペーストを用いて銀バンプや他の導電バンプを形成するようにしても構わない。
【００６１】
また更に上述の実施形態においては、バリアメタル層３をＺｎ、Ｎｉ，Ａｕの３層構造と成すようにしたが、これに代えて、バリアメタル層を２層構造にしても良く、この場合、例えばＮｉ，Ａｕを順次積層した構造が一例として考えられる。
【００６２】
更にまた上述の実施形態においては、調整マーク５のマーク本体を四角形状に形成したが、これに代えて、三角形状や円形状、十字形状等、種々の形状に形成してもよい。一方、調整マーク５の目盛部分についても、四方向に付すようにしたが、２方向以上であれば、何方向でも構わない。
【００６３】
また更に上述の実施形態においては、調整マーク５やアライメントマークＸを金属材料により形成するようにしたが、これに代えて、金属材料を積層した金属層をエッチングにより穴明けした穴明け部を調整マークやアライメントマークとして使用することもできる。
【００６４】
更にまた上述の実施形態においては、調整マーク５を全てのＩＣチップ領域に設けるようにしたが、調整マークがＩＣウエハのＩＣチップ領域全体に分散するように調整マークを複数のＩＣチップ領域に設けようにていればよく、具体的には、ＩＣチップ領域の総数に対して３０％以上のＩＣチップ領域に対して調整マークを設け、これら調整マークをＩＣチップ領域全体に分散させるようにすれば良い。
【００６５】
【発明の効果】
本発明によれば、上面に多数のＩＣチップ領域が形成され、各ＩＣチップ領域内に複数のバリアメタル層が設けられたＩＣウエハにおいて、該ＩＣウエハに対して前記バリアメタル層に対応する開口を有する印刷マスクを配設した時、バリアメタル層と開口との位置ずれ量を認識するための調整マークを複数のＩＣチップ領域に設けたことから、印刷マスクの歪み等に起因して、バリアメタル層と開口との位置ずれ量がＩＣチップ領域毎に大きく異なる場合であっても、これらの位置ずれ量を複数のＩＣチップ領域で把握できる。従って、複数のＩＣチップ領域でバリアメタル層と印刷マスクの開口との位置ずれ量を所定の基準値以下となるように調整することが可能となり、半田ペーストを所望の箇所に比較的正確に印刷・塗布することができ、印刷のやり直しを有効に防止してフリップチップ型ＩＣの生産性を向上させることが可能となる。この場合、基準値としては、バリアメタル層の上面が円形状である時、その直径の５％〜５０％に設定することが好ましい。
【００６６】
また本発明によれば、調整マークに目盛が付されていることから、印刷マスクとＩＣウエハとの位置ずれ量の把握が極めて容易になり、これによってもフリップチップ型ＩＣの生産性向上に供することができる。
【００６７】
更に本発明によれば、ＩＣウエハのバリアメタル層を調整マークとして兼用することにより、調整マーク上に塗布される半田ペーストが無駄ではなくなり、半田ペーストの使用量を小さくすることができるという利点もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るＩＣウエハの平面図である。
【図２】図１に示すＩＣウエハの要部拡大平面図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、図１に示すＩＣウエハを用いてフリップチップ型ＩＣを製造する方法を説明するための各工程の断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係るＩＣウエハの要部拡大平面図である。
【図５】従来のＩＣウエハの平面図である。
【符号の説明】
１・・・半導体基板
２・・・回路パターン
３・・・バリアメタル層
４・・・パッシベーション層
５・・・調整マーク
６・・・メタルシート
７・・・開口
８・・・調整孔
９’・・・半田ペースト
９ａ，９ｂ・・・半田バンプ
Ｍ・・・印刷マスク
Ｗ・・・ＩＣウエハ
Ｘ・・・アライメントマーク
【図１】
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【図２】
2004296943.tif 000004
【図３】
2004296943.tif 000005
【図４】
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【図５】
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