(57)【要約】【課題】発光素子の駆動回路内の電流出力回路の数が増加しても、各電流出力回路から出力される電流値間のばらつきが少ない発光素子用の電流出力回路の制御回路を提供する。【解決手段】所定方向に連続して設けられた複数の発光素子Ｄ３１〜Ｄ５６用の電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ５６を備える駆動回路に対して定電圧を供給する制御電圧発生部７０と、所定方向に向かって各電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ５６を２個の回路群３０、５０に分割して、各回路群３０、５０毎に設けられ、該回路群３０、５０内の各電流出力回路に印加される電流制御電圧Ｖｃ１、Ｖｃ２の電流を供給する第１電流電圧変換回路８５、第２電流電圧変換回路９５と、回路群３０、５０毎に設けられ、各第１電流電圧変換回路８５、９５を流れる電流値が同様になるように電流を供給する電流調整回路８０、９０とを備える。【選択図】　　　　図１
2004022854.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板上の所定方向に連続して設けられた複数の発光素子用の電流出力回路を備える駆動回路に対して、出力電流の制御電圧を供給する制御電圧発生回路の出力電圧を制御する制御回路であって、
前記駆動回路は、前記制御電圧発生回路から前記発光素子用電流出力回路部が連続して設けられた所定方向に向かって、駆動回路内の各発光素子用電流出力回路部が、同数の発光素子用電流出力回路を有する２個の回路群に分割され、
第１の基準電流に基づき、該基準電流に対応する第１の電圧を前記分割された回路群の一方の電流制御電圧として出力する第１電流電圧変換回路と、
第２の基準電流に基づき、該基準電流に対応する第２の電圧を前記分割された回路群の他方の電流制御電圧として出力する第２電流電圧変換回路と、
前記第１の基準電流と前記第２の基準電流を同じ値にして出力する基準電流生成回路部と
を備えることを特徴とする発光素子用の電流出力回路の制御回路。
【請求項２】
前記基準電流生成回路部は、前記第１の基準電流と前記第２の基準電流を同じ値にするために同一の特性のトランジスタ素子が各基準電流用に２個使用され、該２個のトランジスタ素子が回路基板上で隣接して配置される
ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子用の電流出力回路の制御回路。
【請求項３】
前記基準電流生成回路部は、前記各基準電流用にＮ型ＭＯＳトランジスタを用いる
ことを特徴とする請求項２に記載の発光素子用の電流出力回路の制御回路。
【請求項４】
前記第１電流電圧変換回路および第２電流電圧変換回路は、前記各発光素子用電流出力回路部内のトランジスタ素子と相似した特性を有するトランジスタ素子を用いて構成する
ことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の発光素子用の電流出力回路の制御回路。
【請求項５】
前記第１電流電圧変換回路および第２電流電圧変換回路内で用いられるトランジスタ素子は、前記回路群内の各発光素子用電流出力回路内で用いられるトランジスタ素子とカレントミラー回路を構成する
ことを特徴とする請求項４に記載の発光素子用の電流出力回路の制御回路。
【請求項６】
前記第１電流電圧変換回路および第２電流電圧変換回路は、前記駆動回路内の各発光素子用電流出力回路部と同様なＰ型ＭＯＳトランジスタを用いて構成される
ことを特徴とする請求項４または５に記載の発光素子用の電流出力回路の制御回路。
【請求項７】
前記回路基板上において、
前記第１電流電圧変換回路は、前記駆動回路の一方の回路群内の何れかの発光素子用電力出力回路に隣接させて配置され、
前記第２電流電圧変換回路は、前記駆動回路の他方の回路群内の何れかの発光素子用電力出力回路に隣接させて配置される
ことを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の発光素子用の電流出力回路の制御回路。
【請求項８】
前記第１電流電圧変換回路および第２電流電圧変換回路は、前記回路基板上の前記各回路群内の何れかの前記発光素子用電流出力回路に、前記発光素子用電流出力回路が連続して設けられる所定の方向に隣接させて配置される
ことを特徴とする請求項７に記載の発光素子用の電流出力回路の制御回路。
【請求項９】
前記第１電流電圧変換回路および第２電流電圧変換回路は、自電流電圧変換回路が電流を供給する自回路群と隣接する他の回路群内における、自回路群に最も近い側の発光素子用電流出力回路に対して、各電流制御電圧を供給する
ことを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の発光素子用の電流出力回路の制御回路。
【請求項１０】
前記第１電流電圧変換回路および第２電流電圧変換回路は、各回路群内における、前記所定の方向の中央、または、その近傍に設けられた発光素子用電流出力回路に隣接して設置される
ことを特徴とする請求項８に記載の発光素子用の電流出力回路の制御回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子あるいは発光ダイオード（ＬＥＤ）素子のように電流が供給されることにより発光する表示素子を多数使用した装置の駆動回路を制御する制御回路に関し、特に、多数の発光素子の輝度が均等になるように駆動回路を制御する回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１０は、多数の発光素子の従来の駆動回路および制御回路を示す図である。図１０において、Ｄ１〜Ｄ６がＥＬ素子あるいはＬＥＤ素子等の発光表示素子であり、１０が発光表示素子Ｄ１〜Ｄ６を個別に発光させるための各電流を出力する駆動回路であり、２０が駆動回路１０の各駆動回路から出力される電流の大きさを制御するための制御電圧Ｖｃ１を出力する制御電圧発生回路である。
【０００３】
制御電圧発生回路２０は、電源電圧Ｖｄｄおよび接地電圧Ｖｓｓと接続されている。駆動回路１０は、電源電圧Ｖｄｄおよび発光表示素子Ｄ１〜Ｄ６のアノードと接続されており、発光表示素子Ｄ１〜Ｄ６のカソードが接地電圧Ｖｓｓと接続されている。
【０００４】
駆動回路１０の中には、各発光表示素子Ｄ１〜Ｄ６を個別に発光させるための各電流を出力する発光素子用電流出力回路（以下、電流出力回路と記す）Ｄｒ１〜Ｄｒ６が備えられている。電流出力回路Ｄｒ１〜Ｄｒ６は、電源電圧Ｖｄｄおよび制御電圧Ｖｃを入力し、各発光表示素子Ｄ１〜Ｄ６用の電流Ｉｄ１〜Ｉｄ６を出力する。
【０００５】
各電流出力回路Ｄｒ１〜Ｄｒ６の中には、Ｐ型のＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタが２個ずつ備えられている。例えば、電流出力回路Ｄｒ１の中では、第１のＰ型ＭＯＳトランジスタＱ１のドレインと、第２のＰ型ＭＯＳトランジスタＱ２のソースが直列に接続されている。第１のＰ型ＭＯＳトランジスタＱ１のソースは電源電圧Ｖｄｄに接続され、また、第１のＰ型ＭＯＳトランジスタＱ１のゲートは制御電圧発生回路２０に接続されて制御電圧Ｖｃ１が入力される。他の電流出力回路Ｄｒ２〜Ｄｒ６中の第１のＰ型ＭＯＳトランジスタＱ３、Ｑ５、Ｑ７、Ｑ９、および、Ｑ１１も、同様に各々電源電圧Ｖｄｄと制御電圧発生回路２０に接続される。
【０００６】
電流出力回路Ｄｒ１中の第２のＰ型ＭＯＳトランジスタＱ２のゲートには、このＭＯＳトランジスタをオン／オフするためのスイッチ信号Ｓ１が入力される。そして、このＭＯＳトランジスタがオンになると、ドレインからは発光表示素子Ｄ１用の電流Ｉｄ１が出力される。他の電流出力回路Ｄｒ２〜Ｄｒ６中の第２のＰ型ＭＯＳトランジスタＱ４、Ｑ６、Ｑ８、Ｑ１０、および、Ｑ１２の各ゲートにも、同様に各スイッチ信号Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、および、Ｓ６が入力され、各ドレインからは発光表示素子Ｄ２〜Ｄ６用の電流Ｉｄ２〜Ｉｄ６が各々出力される。
【０００７】
制御電圧発生回路２０の中には、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ２１とＰ型ＭＯＳトランジスタＱ２２と、演算増幅回路ＯＰ１が設けられている。
【０００８】
Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ２１は、各電流出力回路Ｄｒ１〜Ｄｒ６中の第１のＰ型ＭＯＳトランジスタＱ１、Ｑ３、Ｑ５、Ｑ７、Ｑ９、および、Ｑ１１のディメンジョンと同一のディメンジョンを有するか、相似の特性を有する素子である。また、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ２２は、各電流出力回路Ｄｒ１〜Ｄｒ６中の第２のＰ型ＭＯＳトランジスタＱ２、Ｑ４、Ｑ６、Ｑ８、Ｑ１０、および、Ｑ１２のディメンジョンと同一のディメンジョンを有するか、相似の特性を有する素子である。
【０００９】
Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ２１と、各電流出力回路Ｄｒ１〜Ｄｒ６中の第１のＰ型ＭＯＳトランジスタＱ１、Ｑ３、Ｑ５、Ｑ７、Ｑ９、および、Ｑ１１とは、上記したように同様あるいは相似の特性を有しており、ゲートも共通して制御電圧Ｖｃ１が供給されているため、カレントミラー回路を形成している。また、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ２１のドレインには、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ２２のソースが直列に接続され、さらに、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ２２のドレインには、抵抗Ｒ１が接続されている。
【００１０】
演算増幅回路ＯＰ１は、参照電圧ＶｒｅｆおよびＰ型ＭＯＳトランジスタＱ２２のドレイン出力電圧を入力し、制御電圧Ｖｃ１を出力する。このＶｃ１がＰ型ＭＯＳトランジスタＱ２１に供給されると共に、各電流出力回路Ｄｒ１〜Ｄｒ６に制御信号として供給される。演算増幅回路ＯＰ１は、参照電圧Ｖｒｅｆ（演算増幅回路ＯＰ１の反転入力端子の電位）と抵抗Ｒ１の電位（演算増幅回路ＯＰ１の非反転入力端子の電位）が等しくなるように制御電圧Ｖｃ１を制御するため、Ｑ２１の出力電流Ｉｒｅｆは参照電圧Ｖｒｅｆおよび抵抗Ｒ１の値によって決まる一定の電流が維持される。
【００１１】
また、上記したようにＰ型ＭＯＳトランジスタＱ２１と、各電流出力回路Ｄｒ１〜Ｄｒ６中の第１のＰ型ＭＯＳトランジスタＱ１、Ｑ３、Ｑ５、Ｑ７、Ｑ９、および、Ｑ１１とは、カレントミラー回路を形成するため、電流出力回路Ｄｒ１〜Ｄｒ６の出力電流Ｉｄ１〜Ｉｄ６は、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ２１のドレインからの出力電流Ｉｒｅｆと同等か、比例関係となり、かつ、一定に維持される。
【００１２】
図１１は、図１０の発光素子、駆動回路および制御電圧発生回路が設けられた集積回路の基板上の従来の配置例を示す図である。
基板１００上では、制御電圧発生回路２０の近傍に駆動回路１０が設けられている。電源電圧Ｖｄｄが制御電圧発生回路２０と駆動回路１０に供給され、制御電圧発生回路２０から駆動回路１０に制御電圧Ｖｃ１が供給されている。基板１００の外部には駆動回路１０の各出力電流Ｉｄ１〜Ｉｄ６が出力される導電路に対応して発光表示素子Ｄ１〜Ｄ６が設けられている。また、駆動回路１０内には、方向Ａの順に並べて各電流出力回路Ｄｒ１〜Ｄｒ６が設けられている。一般的に、基板１００の上では、トランジスタ特性のマッチングを良くするために、制御電圧発生回路２０のブロックと、駆動回路１０のブロックとの距離が近くなるように設けられる。
【００１３】
駆動回路１０の各出力電流Ｉｄ１〜Ｉｄ６は、ほぼ同じ値になるように設計され、製造されるが、集積回路で多くの電流出力回路を形成する場合には、各電流出力回路毎に素子特性もばらつくため、各電流出力回路毎に電流値がばらつくことは避けられない。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
近年の表示装置に対する高解像度要求により、駆動回路１０内の電流出力回路Ｄｒ１〜Ｄｒ６の数は増加傾向にあり、数百個以上を並べる必要が生じてきた。その結果、図１１の方向Ａの寸法も増大している。
【００１５】
しかしながら、駆動回路１０の各出力電流Ｉｄ１〜Ｉｄ６は、制御電圧発生回路２０から遠ざかる程基準電流Ｉｒｅｆとの差が大きくなる傾向があることがわかった。
【００１６】
図１２は、上記した制御電圧発生回路２０からの距離によって、各電流出力回路Ｄｒ１〜Ｄｒ６から出力される電流の値Ｉｄが異なる傾向を示した図である。図１２は、図１０の制御電圧発生回路２０からの距離によって異なる各電流出力回路Ｄｒ１〜Ｄｒ６の出力電流の値Ｉｄ１〜Ｉｄ６を示した図である。
【００１７】
図１２では、例えば、制御電圧発生回路２０に最も近い電流出力回路Ｄｒ１の出力電流Ｉｄ１よりも、制御電圧発生回路２０から最も遠い電流出力回路Ｄｒ６の出力電流Ｉｄ６の方が小さな値であり、制御電圧発生回路２０から遠ざかるほど減少傾向である場合を示している。なお、実際の駆動回路から出力される電流値は、図１２のように直線とはならない。しかし、一般的な傾向として、例えば、図１１に方向Ａで示した電流出力回路Ｄｒ１から電流出力回路Ｄｒ６に向かう方向で、制御電圧発生回路２０から距離が遠ざかるほど、その距離に対応して電流値Ｉｄ１とＩｄ６との差は増加する。
【００１８】
従って、高解像度要求等により発光表示素子の駆動回路１０内の電流出力回路Ｄｒ１〜Ｄｒ６の数が増加すればするほど、具体的に言い換えれば、駆動回路１０内の電流出力回路が制御電圧発生回路２０から距離が離れれば離れるほど、その電流出力回路から出力される電流値と、最も近い電流出力回路Ｄｒ１の出力電流との差は増加する。
【００１９】
本発明は、上述した如き従来の問題を解決するためになされたものであって、発光表示素子の駆動回路内の電流出力回路の数が増加しても、各電流出力回路から出力される電流値間のばらつきが少ない電流出力回路の制御回路を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するため、請求項１に記載した本発明の発光素子用の電流出力回路の制御回路は、回路基板上の所定方向に連続して設けられた複数の発光素子用の電流出力回路を備える駆動回路に対して、出力電流の制御電圧を供給する制御電圧発生回路の出力電圧を制御する制御回路であって、駆動回路は、制御電圧発生回路から電流出力回路が連続して設けられた所定方向に向かって、駆動回路内の各電流出力回路が同数の電流出力回路を有する２個の回路群に分割され、第１の基準電流に基づき、該基準電流に対応する第１の電圧を分割された回路群の一方の電流制御電圧として出力する第１電流電圧変換回路と、第２の基準電流に基づき、該基準電流に対応する第２の電圧を分割された回路群の他方の電流制御電圧として出力する第２電流電圧変換回路と、第１の基準電流と第２の基準電流を同じ値にして出力する基準電流生成回路部とを備えることを特徴とする。
【００２１】
また、請求項２の本発明は、請求項１に記載の発光素子用の電流出力回路の制御回路において、基準電流生成回路部は、第１の基準電流と第２の基準電流を同じ値にするために同一の特性のトランジスタ素子が各基準電流用に２個使用され、該２個のトランジスタ素子が回路基板上で隣接して配置されることを特徴とする。
【００２２】
また、請求項３の本発明は、請求項２に記載の発光素子用の電流出力回路の制御回路において、基準電流生成回路部は、各基準電流用にＮ型ＭＯＳトランジスタを用いることを特徴とする。
【００２３】
また、請求項４の本発明は、請求項１〜３の何れかに記載の発光素子用の電流出力回路の制御回路において、第１電流電圧変換回路および第２電流電圧変換回路は、各電流出力回路内のトランジスタ素子と相似した特性を有するトランジスタ素子を用いて構成することを特徴とする。
【００２４】
また、請求項５の本発明は、請求項４に記載の発光素子用の電流出力回路の制御回路において、第１電流電圧変換回路および第２電流電圧変換回路内で用いられるトランジスタ素子は、回路群内の各電流出力回路内で用いられるトランジスタ素子とカレントミラー回路を構成することを特徴とする。
【００２５】
また、請求項６の本発明は、請求項４または５に記載の発光素子用の電流出力回路の制御回路において、第１電流電圧変換回路および第２電流電圧変換回路は、駆動回路内の各電流出力回路と同様なＰ型ＭＯＳトランジスタを用いて構成されることを特徴とする。
【００２６】
また、請求項７の本発明は、請求項１〜６の何れかに記載の発光素子用の電流出力回路の制御回路において、回路基板上において、第１電流電圧変換回路は、駆動回路の一方の回路群内の何れかの発光素子用電力出力回路に隣接させて配置され、第２電流電圧変換回路は、駆動回路の他方の回路群内の何れかの発光素子用電力出力回路に隣接させて配置されることを特徴とする。
【００２７】
また、請求項８の本発明は、請求項７に記載の発光素子用の電流出力回路の制御回路において、第１電流電圧変換回路および第２電流電圧変換回路は、回路基板上の各回路群内の何れかの電流出力回路に、電流出力回路が連続して設けられる所定の方向に隣接させて配置されることを特徴とする。
【００２８】
また、請求項９の本発明は、請求項１〜８の何れかに記載の発光素子用の電流出力回路の制御回路において、第１電流電圧変換回路および第２電流電圧変換回路は、自電流電圧変換回路が電流を供給する自回路群と隣接する他の回路群内における、自回路群に最も近い側の電流出力回路に対して、各電流制御電圧を供給することを特徴とする。
【００２９】
また、請求項１０の本発明は、請求項８に記載の発光素子用の電流出力回路の制御回路において、第１電流電圧変換回路および第２電流電圧変換回路は、各回路群内における、所定の方向の中央、または、その近傍に設けられた電流出力回路に隣接して設置されることを特徴とする。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示した実施形態に基づいて説明する。
【００３１】
第１の実施形態．
図１は、本発明の第１の実施形態の発光素子用の電流出力回路の制御回路を示す図である。
なお、図１において、図１０に示した従来の制御回路と同じ機能の部分については同じ符号を付し、重複する説明を省略する。
【００３２】
なお、以下の説明は、駆動回路１０内に、多数（数百単位）の電流出力回路Ｄｒ１〜Ｄｒ６が連続して設けられ、その連続する方向が、例えば、図１１の回路基板上の所定方向である方向Ａとした場合である。
【００３３】
制御電圧発生回路（７０〜９５）の中には、基準電流生成回路部（７０＋８０＋９０）と、第１電流電圧変換回路８５と、第２電流電圧変換回路９５を有している。また、基準電流生成回路部（７０＋８０＋９０）の中には、電流値制御用の定電圧を発生させる制御電圧発生部７０と、第１電流電圧変換回路８５の電流値を調整する第１電流調整回路８０と、第２電流電圧変換回路９５の電流値を調整する第２電流調整回路９０を有している。
【００３４】
図１に示した実施形態が図１０に示した従来の制御回路と主に異なる点としては、以下の各点となる。
（１）　回路基板２００（図２参照）上の所定方向（例えば、図２のＡ方向）に連続して設けられた複数の発光素子用の電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ５６を備える駆動回路３０、５０に対して、出力電流Ｉｄ３１〜ＩＤ５６の制御電圧Ｖｃ１、Ｖｃ２を供給する制御電圧発生回路（７０〜９５）の出力電圧を制御する制御回路であって、駆動回路３０、５０は、制御電圧発生回路（７０〜９５）から電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ５６が連続して設けられた所定方向Ａに向かって、駆動回路３０、５０内の各電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ５６が、同数の電流出力回路を有する２個の回路群３０および５０に分割されている点。
【００３５】
そして、第１の基準電流Ｉｒ８０に基づき、該基準電流Ｉｒ８０に対応する第１の電圧（Ｖｃ１）を分割された回路群の一方（駆動回路３０）の電流制御電圧Ｖｃ１として出力する第１電流電圧変換回路８５と、第２の基準電流Ｉｒ９０に基づき、該基準電流ＩＲ９０に対応する第２の電圧（Ｖｃ２）を分割された回路群３０、５０の他方（駆動回路５０）の電流制御電圧Ｖｃ２として出力する第２電流電圧変換回路９５と、第１の基準電流Ｉｒ８０と第２の基準電流Ｉｒ９０を同じ値にして出力する基準電流生成回路部（７０＋８０＋９０）とを備える点。
【００３６】
（２）　基準電流生成回路部（７０＋８０＋９０）は、第１の基準電流Ｉｒ８０と第２の基準電流Ｉｒ９０を同じ値にするために同一の特性のトランジスタ素子Ｑ８３（電流調整回路８０）およびＱ９３（電流調整回路９０）が各基準電流用に２個使用され、該２個のトランジスタ素子Ｑ８３およびＱ９３が回路基板２００上で隣接して配置される点。
【００３７】
（３）　基準電流生成回路部（７０＋８０＋９０）は、各基準電流Ｉｒ８０、Ｉｒ９０用にＮ型ＭＯＳトランジスタを用いる点。
【００３８】
（４）　第１電流電圧変換回路８５は、駆動回路３０内の電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ３６内のトランジスタ素子Ｑ３１、３３、３５、３７、３９、Ｑ４１と相似した特性を有するトランジスタ素子を用いて構成し、第２電流電圧変換回路９５は、駆動回路５０内の各電流出力回路Ｄｒ５１〜Ｄｒ５６内のトランジスタ素子Ｑ５１、５３、５５、５７、５９、Ｑ６１と相似した特性を有するトランジスタ素子を用いて構成する点。
【００３９】
（５）　第１電流電圧変換回路８５内で用いられるトランジスタ素子Ｑ８１は、回路群３０内の各電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ３６内で用いられるトランジスタ素子Ｑ３１、３３、３５、３７、３９、Ｑ４１とカレントミラー回路を構成し、第２電流電圧変換回路９５内で用いられるトランジスタ素子Ｑ９１は、回路群５０内の各電流出力回路Ｄｒ５１〜Ｄｒ５６内で用いられるトランジスタ素子Ｑ５１、５３、５５、５７、５９、Ｑ６１とカレントミラー回路を構成する点。
【００４０】
（６）　第１電流電圧変換回路８５は、駆動回路３０内の各電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ３６と同様なＰ型ＭＯＳトランジスタを用いて構成され、第２電流電圧変換回路９５は、駆動回路５０内の各電流出力回路Ｄｒ５１〜Ｄｒ５６と同様なＰ型ＭＯＳトランジスタを用いて構成される点。
【００４１】
（７）　回路基板２００上において、第１電流電圧変換回路８５は、駆動回路３０、５０の一方の回路群３０内の何れかの発光素子用電力出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ３６に隣接させて配置され、第２電流電圧変換回路９５は、駆動回路３０、５０の他方の回路群５０内の何れかの発光素子用電力出力回路Ｄｒ５１〜Ｄｒ５６に隣接させて配置される点。
【００４２】
（８）　第１電流電圧変換回路８５は、回路基板２００上の回路群３０内の何れかの電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ３６に、電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ３６が連続して設けられる所定の方向Ａに隣接させて配置され、第２電流電圧変換回路９５は、回路基板２００上の回路群５０内の何れかの電流出力回路Ｄｒ５１〜Ｄｒ５６に、電流出力回路Ｄｒ５１〜Ｄｒ５６が連続して設けられる所定の方向Ａに隣接させて配置される点。
【００４３】
Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ８１のドレインには、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ８２のソースが直列に接続され、また、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ８２のドレインには、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ８３のソースが直列に接続され、さらに、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ８３のドレインには、抵抗Ｒ７１が接続されている（但し、後述するように、Ｑ９３のドレインにも抵抗Ｒ７１が接続されている）ため、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ８１のドレインからの出力電流Ｉｒ８０は、電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ３６の出力電流Ｉｄ３１〜Ｉｄ３６と比例関係となるか、抵抗Ｒ７１の設定によっては同様となる。
【００４４】
上記したＰ型ＭＯＳトランジスタＱ８１と同様にして、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ９１のドレインには、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ９２のソースが直列に接続され、また、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ９２のドレインには、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ９３のソースが直列に接続され、さらに、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ９３のドレインには、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ８３のドレインと同様に抵抗Ｒ７１が接続されているため、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ９１のドレインからの出力電流Ｉｒ９０は、電流出力回路Ｄｒ５１〜Ｄｒ５６の出力電流Ｉｄ５１〜Ｉｄ５６と比例関係となるか、抵抗Ｒ７１の設定によっては同様となる。
【００４５】
制御電圧発生部７０は、定電圧を得るための演算増幅回路ＯＰ７１と、参照用電圧源Ｖｒｅｆと、参照用電圧源Ｖｒｅｆとの差電圧を生成する抵抗Ｒ７１からなる。第１電流調整回路８０は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ８３を有し、第２電流調整回路９０は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ９３を有する。各第１電流電圧変換回路８５、９５内のトランジスタ素子Ｑ８１、Ｑ９１に流れる電流値を同一にするためのＮ型ＭＯＳトランジスタＱ８３とＮ型ＭＯＳトランジスタＱ９３は、回路基板２００上で隣接して設けられている。
【００４６】
第１電流電圧変換回路８５と直列に接続されるＮ型ＭＯＳトランジスタＱ８３は、第２電流電圧変換回路９５と直列に接続されるＮ型ＭＯＳトランジスタＱ９３と同様であるか、相似の特性を有する素子である。また、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ８１は、電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ３６中のＰ型ＭＯＳトランジスタＱ３１、Ｑ３３、Ｑ３５、Ｑ３７、Ｑ４１と同様であるか、相似の特性を有する素子であり、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ９１は、電流出力回路Ｄｒ５１〜Ｄｒ５６中のＰ型ＭＯＳトランジスタＱ５１、Ｑ５３、Ｑ５５、Ｑ５７、Ｑ６１と同様であるか、相似の特性を有する素子である。
【００４７】
Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ８３と、Ｎ形ＭＯＳトランジスタ素子Ｑ９３とが、上記したように同様の特性を有している場合、ゲートも共通して電流制御電圧Ｖｓが供給されており、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ８３およびＱ９３のドレインには、共通する抵抗Ｒ７１が接続されているため、カレントミラー回路を形成する。従って、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ８１のドレインからの出力電流Ｉｒ８０は、第２電流調整回路９０を流れる電流Ｉｒ９０と同様となる。
【００４８】
演算増幅回路ＯＰ７１は、参照電圧ＶｒｅｆおよびＮ型ＭＯＳトランジスタＱ８３およびＱ９３のドレイン出力電圧Ｖｈ１が入力され、電流制御電圧Ｖｓが出力される。この電流制御電圧ＶｓがＮ型ＭＯＳトランジスタＱ８３およびＱ９３のゲートに制御信号として供給される。また、電流制御電圧Ｖｓの出力は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ８３、９３のドレイン出力電圧Ｖｈ１となって演算増幅回路ＯＰ７１にフィードバック入力されて、参照電圧Ｖｒｅｆと比較されてから、演算増幅されて出力されるため、一定の電圧Ｖｓが維持される。
【００４９】
また、上記したようにＮ型ＭＯＳトランジスタＱ８３とＱ９３とは、カレントミラー回路を形成するため、制御電圧発生部７０から出力されるの電流Ｉｒ７０（Ｉｒ８１＋Ｉｒ９１）も一定に維持される。
なお、本実施形態では、各第１電流電圧変換回路８５、９５内のトランジスタ素子Ｑ８１、Ｑ９１としては、駆動回路内の各電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ５６内のトランジスタ素子と同様な特性のＰ型ＭＯＳトランジスタを用いるが、例えば、各電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ５６内のトランジスタ素子と相似した特性のＰ型ＭＯＳトランジスタを用いても良い。同様に、本実施形態では、各第１電流電圧変換回路８５、９５としては、同様な特性のＰ型ＭＯＳトランジスタを用いるが、例えば、相似した特性のＰ型ＭＯＳトランジスタを用いても良い。
【００５０】
第１電流電圧変換回路８５、第１電流電圧変換回路８５と直列に接続されるＮ型ＭＯＳトランジスタＱ８３、抵抗Ｒ７１とは、電流Ｉｒ８０の値を調整するための回路である。従って、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ８３は、例えば、適切な値の抵抗に置き換えても良い。同様にして、第２電流電圧変換回路９５、第２電流電圧変換回路９５と直列に接続されるＮ型ＭＯＳトランジスタＱ９３、抵抗Ｒ７１とは、電流Ｉｒ９０の値を調整するための回路である。この場合も、例えば、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ９３は適切な値の抵抗に置き換えることができる。また、制御電圧発生部７０で、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ８３およびＱ９３と直列に接続される抵抗Ｒ７１は、電流Ｉｒ７０の値を調整するための回路である。
【００５１】
図２は、図１の実施形態の発光素子、駆動回路および定電圧・定電流電圧変換回路が設けられた集積回路の基板上の配置例を示す図である。
なお、図２においても、図１１に示した従来の制御回路と同じ機能の部分については同じ符号を付し、重複する説明を省略する。
【００５２】
本実施形態の基板２００では、各電流調整回路８０、９０は、制御電圧発生部７０と、分離された回路群３０および５０との間に各々設けられ、制御電圧発生部７０から各電流調整回路８０、９０までの距離がほぼ等しくなるように配置され、さらに、第１電流調整回路８０と第２電流調整回路９０は隣接して配置される。
【００５３】
一方、第１電圧検出回路部８５は、例えば、駆動回路内で２個に分割された一方の回路群３０における所定方向Ａの一方の端部に位置する電流出力回路Ｄｒ３１に隣接して設置され、第１電圧検出回路部９５は、例えば、駆動回路内で２個に分割された一方の回路群５０における所定方向Ａの一方の端部に位置する電流出力回路Ｄｒ５１に隣接して設置される。
【００５４】
図２に示したように、第１電流調整回路８０と、第２電流調整回路９０とは隣接して配置されるので、その内部のＮ型ＭＯＳトランジスタＱ８３とＱ９３も隣接する。また、第１電流調整回路８０と第２電流調整回路９０においては、制御電圧発生部７０からの距離もほぼ等しいため、電流Ｉｒ８０と電流Ｉｒ９０の値が等しくなる。
【００５５】
ここで、第１電流電圧変換回路８５内のＰ型ＭＯＳトランジスタＱ８２ソースと、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ８１のドレインとは直列に接続されており、同様に、第２電流電圧変換回路９５内のＰ型ＭＯＳトランジスタＱ９２ソースと、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ９１のドレインとは直列に接続されているので、電流Ｉｒ８０と電流Ｉｒ９０の値が等しい場合には、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ８１を流れる電流値と、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ９１を流れる電流値は等しくなる。
【００５６】
Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ８１と、回路群３０内の各電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ３６内で用いられるトランジスタ素子Ｑ３１、Ｑ３３、Ｑ３５、Ｑ３７、Ｑ３９、および、Ｑ４１はカレントミラー回路を形成しているので、例えば、トランジスタ素子Ｑ３１を流れる電流値とＰ型ＭＯＳトランジスタＱ８１を流れる電流値とは、同様であるか相似の関係になる。
【００５７】
同様にして、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ９１と、回路群５０内の各電流出力回路Ｄｒ５１〜Ｄｒ５６内で用いられるトランジスタ素子Ｑ５１、Ｑ５３、Ｑ５５、Ｑ５７、Ｑ５９、および、Ｑ６１はカレントミラー回路を形成しているので、例えば、トランジスタ素子Ｑ５１を流れる電流値とＰ型ＭＯＳトランジスタＱ９１を流れる電流値とは、同様であるか相似の関係になる。
【００５８】
そして、上記したように電流Ｉｒ８０と電流Ｉｒ９０の値は等しいため、例えば、トランジスタ素子Ｑ３１を流れる電流値と、トランジスタ素子Ｑ５１を流れる電流値とは等しくなる。
【００５９】
ところで、本実施形態の場合には、上記したように構成されるため、回路群３０内の各電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ３６の電流源としては、第１電流電圧変換回路８５が用いられ、回路群５０内の各電流出力回路Ｄｒ５１〜Ｄｒ５６の電流源としては、第２電流調整回路９０が用いられる。
【００６０】
また、上記した従来技術の問題点で説明したように、本実施形態においても、駆動回路内の各電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ５６が第１電流電圧変換回路８５あるいは第２電流電圧変換回路９５から距離が離れれば離れるほど、各電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ５６から出力される電流の値は増加する。
【００６１】
図３は、上記した第１電流電圧変換回路８５あるいは第２電流電圧変換回路９５からの距離によって、各電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ５６を流れる電流の値が徐々に増加する様子を示した図である。
【００６２】
図３では、例えば、図１の回路群３０において、第１電流電圧変換回路８５に最も近い電流出力回路Ｄｒ３１を流れる電流Ｉｄ３１の値よりも、第１電流電圧変換回路８５から最も遠い電流出力回路Ｄｒ３６を流れる電流Ｉｄ３６の値の方が大きい値になっている。
【００６３】
電流出力回路Ｄｒ３６の次の電流出力回路Ｄｒ５１（回路群５０内）では、第２電流電圧変換回路９５に最も近くなるので、一旦、電流出力回路Ｄｒ３１を流れる電流Ｉｄ３１と同じ値であるＩｄ５１まで小さい値になり、その後、再び、第２電流電圧変換回路９５から遠くなるに従って大きい値になり、第２電流電圧変換回路９５から最も遠い電流出力回路Ｄｒ５６では、電流出力回路Ｄｒ３６を流れる電流Ｉｄ３６と同様に大きな値の電流Ｉｄ５６になっている。
【００６４】
しかし、図１０に示した従来の駆動回路中の電流出力回路Ｄｒ１〜Ｄｒ６の数と、図１に示した経路群３０と回路群５０を合わせた電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ５６の数が同じである場合には、従来の電流出力回Ｄｒ１からＤｒ６に至る電流値の上昇分に対して、本実施形態の電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ５６における電流値の上昇分は、およそ半分になっている。
【００６５】
ここで、例えば、上記した本実施形態に示したように、第１電流電圧変換回路８５を流れる電流値Ｉｒ８０と第２電流電圧変換回路９５を流れる電流値Ｉｒ９０を一致させずに、単純に駆動回路を２分割し、電流電圧変換回路等も２分割させた場合について考えると、両電流電圧変換回路を流れる電流値は一致しないので、電流出力回路Ｄｒ５１の電流値が、図３に示したように電流出力回路Ｄｒ３１と同等に小さい値まで低下しないことになる。従って、本実施の形態に従って電流値を調整しない場合には、上記した本実施形態の電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ５６における電流値の上昇分を、従来のおよそ半分にすることができる効果を得ることができない。
【００６６】
このように、本実施形態では、駆動回路内の各電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ５１を、同数の電流出力回路を有する２個の回路群３０、５０に分割し、回路群３０内の各電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ３６に印加される電流制御電圧Ｖｃ１の電流Ｉｒ８０を供給する第１電流電圧変換回路８５と、回路群５０内の各電流出力回路Ｄｒ５１〜Ｄｒ５６に印加される電流制御電圧Ｖｃ２の電流Ｉｒ９０を供給する第２電流電圧変換回路９５とを、各回路群３０、５０毎に設け、各第１電流電圧変換回路８５、９５に印加される定電圧Ｖｃ１、Ｖｃ２の電流値Ｉｒ８０、Ｉｒ９０が同様になるように電流を供給する第１電流調整回路８０と第２電流調整回路９０とを備えたので、各電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ５６における電流値の上昇分を従来のおよそ半分にすることができる。
【００６７】
第２の実施形態．
上記した第１の実施形態では、駆動回路１０における電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ５６における電流値の上昇分を従来のおよそ半分にすることができたが、回路群３０内の電流出力回路Ｄｒ３６を流れる電流Ｉｄ３６の値と、回路群５０内の電流出力回路Ｄｒ５１を流れる電流Ｉｄ５１の値とが大きな差になるため、回路群の境目において発光量が連続しなくなる場合が発生する。そこで、以下に示す第２の実施形態では、回路群の境目における電流値の差を緩和し、回路群の境目における発光量の連続性を改善する。
【００６８】
図４は、本発明の第２の実施形態の発光素子用の電流出力回路の制御回路を示す図である。
図４に示した実施形態が図１に示した第１の実施形態の制御回路と主に異なる点としては、以下の点である。
【００６９】
（９）　第１電流電圧変換回路８５は、自電流電圧変換回路８５が電流を供給する自回路群３０と隣接する他の回路群５０内における、自回路群３０に最も近い側の電流出力回路Ｄｒ５１に対して、電流制御電圧Ｖｃ１ａを供給し、第２電流電圧変換回路９５は、自電流電圧変換回路９５が電流を供給する自回路群５０と隣接する他の回路群３０内における、自回路群５０に最も近い側の電流出力回路Ｄｒ３６に対して、電流制御電圧Ｖｃ２ａを供給する点。
【００７０】
図５は、図４の実施形態の発光素子、駆動回路および定電圧・定電流電圧変換回路が設けられた集積回路の基板上の配置例を示す図である。
図５に示した実施形態の配置例では、第１電流電圧変換回路８５の電流制御電圧Ｖｃ１ａの出力接続が、回路群３０内の第１電流電圧変換回路８５から最遠部となる電流出力回路Ｄｒ３６に対しては実施されない変わりに、隣接する回路群５０内における、回路群３０に最も近い側の電流出力回路Ｄｒ５１に対して実施されている。逆に、第２電流電圧変換回路９５の電流制御電圧Ｖｃ２ａの出力接続が、回路群５０内の第２電流電圧変換回路９５から最近部となる電流出力回路Ｄｒ５１に対しては実施されない変わりに、隣接する回路群３０内における、回路群５０に最も近い側の電流出力回路Ｄｒ３６に対して実施されている。
【００７１】
図６は、上記した第１電流電圧変換回路８５あるいは第２電流電圧変換回路９５からの距離によって、各電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ５６を流れる電流の値が徐々に増加する様子を示した図である。
図６では、例えば、回路群３０において、第１電流電圧変換回路８５に最も近い電流出力回路Ｄｒ３１を流れる電流Ｉｄ３１の値よりも、第１電流電圧変換回路８５から最も遠い電流出力回路Ｄｒ３６から次に遠い電流出力回路Ｄｒ３５を流れる電流Ｉｄ３５の値の方が大きい値になっている。しかし、第１電流電圧変換回路８５から最も遠い電流出力回路Ｄｒ３６を流れる電流Ｉｄ３６の値は、第２電流電圧変換回路９５から電圧Ｖｃ２ａが供給されるため、電流出力回路Ｄｒ３５を流れる電流Ｉｄ３５の値よりも小さくなっている。
【００７２】
電流出力回路Ｄｒ３６の次の電流出力回路Ｄｒ５１（回路群５０内）には、第１電流電圧変換回路８５から電圧Ｖｃ１ａが供給されるため、電流出力回路Ｄｒ３６を流れる電流Ｉｄ３６の値よりも大きくなるが、次の電流出力回路Ｄｒ５２を流れる電流Ｉｄ５２の値は、第２電流電圧変換回路９５から電圧Ｖｃ２ａが供給されるため、電流出力回路Ｄｒ５１を流れる電流Ｉｄ５１の値よりも小さくなる。
【００７３】
このように、本実施形態では、回路群の境目の各電流出力回路へ供給される電流電圧変換回路からの接続を入れ替えて接続することで、回路群３０内の電流出力回路Ｄｒ３６を流れる電流Ｉｄ３６の値と、回路群５０内の電流出力回路Ｄｒ５１を流れる電流Ｉｄ５１の値との差が減少し、回路群の境目において発光量が連続しなくなる不都合を改善することができる。
【００７４】
第３の実施形態．
上記した第２の実施形態では、回路群の境目の各電流出力回路へ供給される電流電圧変換回路からの接続を入れ替えて、回路群の境目における発光量の連続性を改善したが、例えば、回路群３０内において、第１電流電圧変換回路８５に最も近い一方の端部側の電流出力回路Ｄｒ３１を流れる電流Ｉｄ３１の値を基準とした場合、電流出力回路Ｄｒ３５を流れる電流Ｉｄ３５の値と基準値との差は、従来よりも改善されているが、比較的大きな値のままであった。同様に、第２電流電圧変換回路９５に最も近い一方の端部側の電流出力回路Ｄｒ５１を流れる電流Ｉｄ５１の値を基準とした場合、電流出力回路Ｄｒ５６を流れる電流Ｉｄ５６の値と基準値との差も、従来よりも改善されるが、比較的大きな値である。
【００７５】
そこで、以下に説明する第３の実施形態では、各回路群内の両端部の電流出力回路の電流値と、基準電流値との差を改善する場合について説明する。
【００７６】
図７は、本発明の第３の実施形態の発光素子用の電流出力回路の制御回路を示す図である。
図７に示した実施形態が図４に示した第２の実施形態の制御回路と異なる点は、以下の点である。
【００７７】
（１０）　第１電流電圧変換回路８５は、回路群３０内における、所定の方向Ａの中央に設けられた発光素子用電流出力回路Ｄｒ３ｘに隣接して設置され、第２電流電圧変換回路９５は、回路群５０内における、所定の方向Ａの中央に設けられた発光素子用電流出力回路Ｄｒ５ｘに隣接して設置される点。
なお、各回路群３０、５０内における、所定の方向Ａの中央の位置は、厳密に決定する必要はなく、所定の方向Ａの中央の近傍に設けられた発光素子用電流出力回路に隣接して各電流電圧変換回路を設置しても良い。
【００７８】
図８は、図７の実施形態の発光素子、駆動回路および定電圧・定電流電圧変換回路が設けられた集積回路の基板上の配置例を示す図である。
図８に示した実施形態の配置例では、第１電流電圧変換回路８５が、回路群３０内で所定方向Ａに設けられる各電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ３６の中央にあたる電流出力回路Ｄｒ３に隣接して設けられる。言い換えれば、第１電流電圧変換回路８５を電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ３６の所定方向Ａの並びの中央に配置する。同様にして、第２電流電圧変換回路９５が、回路群５０内で所定方向Ａに設けられる各電流出力回路Ｄｒ５１〜Ｄｒ５６の中央にあたる電流出力回路Ｄｒ５ｘに隣接して設けられる。
【００７９】
図９は、上記した第１電流電圧変換回路８５あるいは第２電流電圧変換回路９５からの距離によって、各電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ５６を流れる電流の値が徐々に増加する様子を示した図である。
図９では、例えば、回路群３０において、第１電流電圧変換回路８５を電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ３６の所定方向Ａの並びの中央に配置しているため、第１電流電圧変換回路８５から最も遠い電流出力回路Ｄｒ３１およびＤｒ３６を流れる電流Ｉｄ３１ｂ、Ｉｄ３６ｂの値と基準値（回路群の中央の電流出力回路の電流値）との差が、第１の実施形態よりも半分の値になっている。
【００８０】
同様にして、回路群５０においても、第２電流電圧変換回路９５を電流出力回路Ｄｒ５１〜Ｄｒ５６の所定方向Ａの並びの中央に配置しているため、電流電圧変換回路５５から最も遠い電流出力回路Ｄｒ５１およびＤｒ５６を流れる電流Ｉｄ５１ｂ、Ｉｄ５６ｂの値と基準値（回路群の中央の電流出力回路の電流値）との差が、第１の実施形態の半分の値になっている。
【００８１】
また、各回路群における電流電圧変換回路が配置される位置は、上記したように、完全に中央の位置の場合ばかりでなく、中央の近傍の位置とした場合でも電流値の上昇を減少させる効果を有している。
【００８２】
このように、本実施形態では、電流電圧変換回路を、各回路群内で所定方向Ａに設けられる各電流出力回路の中央またはその近傍にあたる電流出力回路に隣接して設けることで、各回路群内の両端部の電流出力回路の電流値と、基準電流値との差を改善することができる。
【００８３】
また、上記した各実施形態では、駆動回路内の各電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ５６を２分割したが、各実施形態に示した技術を用いて３分割、あるいは、それ以上に分割することもできる。その場合には、各電流出力回路Ｄｒ３１〜Ｄｒ５６における電流値の上昇分を従来のおよそ１／３、あるいは、それ以下の値にすることができる。
【００８４】
【発明の効果】
上記のように本発明では、駆動回路内の各電流出力回路を、同数の電流出力回路を有する２個の回路群に分割し、各回路群毎に、各回路群内の各電流出力回路に印加される電流制御電圧の電流を供給する第１電流電圧変換回路を設け、各第１電流電圧変換回路に印加される定電圧の電流値が同様になるように電流を供給する第２電流電圧変換回路とを備えたので、各電流出力回路における電流値の上昇分を従来のおよそ半分にすることができる。
【００８５】
また、本発明では、駆動回路内の各電流出力回路を３分割以上に分割することもでき、各電流出力回路における電流値の上昇分を従来のおよそ１／３以下の値にすることができる。
【００８６】
また、本発明では、各回路群の境目の各電流出力回路へ供給される電流電圧変換回路からの接続を入れ替えて接続することで、各回路群の境目の電流出力回路を流れる電流値の差が減少し、回路群の境目において発光量が連続しなくなる不都合を改善することができる。
【００８７】
また、本発明では、電流電圧変換回路を、各回路群内で所定方向に設けられる各電流出力回路の中央またはその近傍にあたる電流出力回路に隣接して設けることで、各回路群内の両端部の電流出力回路の電流値と、基準電流値との差を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の発光素子用の電流出力回路の制御回路を示す図である。
【図２】図１の実施形態の発光素子、駆動回路および定電圧・定電流電圧変換回路が設けられた集積回路の基板上の配置例を示す図である。
【図３】第１電流電圧変換回路からの距離によって各電流出力回路を流れる電流の値が徐々に増加する様子を示した図である。
【図４】本発明の第２の実施形態の発光素子用の電流出力回路の制御回路を示す図である。
【図５】図４の実施形態の発光素子、駆動回路および定電圧・定電流電圧変換回路が設けられた集積回路の基板上の配置例を示す図である。
【図６】第１電流電圧変換回路からの距離によって各電流出力回路を流れる電流の値が徐々に増加する様子を示した図である。
【図７】本発明の第３の実施形態の発光素子用の電流出力回路の制御回路を示す図である。
【図８】図７の実施形態の発光素子、駆動回路および定電圧・定電流電圧変換回路が設けられた集積回路の基板上の配置例を示す図である。
【図９】第１電流電圧変換回路あるいはからの距離によって各電流出力回路を流れる電流の値が徐々に増加する様子を示した図である。
【図１０】多数の発光素子の従来の駆動回路および制御回路を示す図である。
【図１１】図１０の発光素子、駆動回路および定電圧・定電流電圧変換回路が設けられた集積回路の基板上の従来の配置例を示す図である。
【図１２】定電圧・定電流電圧変換回路からの距離によって各電流出力回路から出力される電流の値が異なる傾向を示した図である。
【符号の説明】
１０　駆動回路、　３０、５０　（発光素子用電流出力）回路群、　２０　制御電圧発生回路、　７０　制御電圧発生部、　８０、９０　電流調整回路、　８５　第１電流電圧変換回路、　９５　第２電流電圧変換回路、　ＯＰ１、ＯＰ７１　演算増幅回路部、　Ｄｒ１〜Ｄｒ６、Ｄｒ３１〜Ｄｒ３６、Ｄｒ５１〜Ｄｒ５６　電流出力回路、　Ｄ１〜Ｄ６　発光素子、　Ｑ１〜Ｑ６２、Ｑ７２、Ｑ８１、Ｑ８２、Ｑ９１、Ｑ９２　Ｐ型ＭＯＳトランジスタ、　Ｑ８３、Ｑ９３　Ｎ型ＭＯＳトランジスタ、　Ｒ１、Ｒ７１　抵抗、　Ｖｄｄ　電源電圧、　Ｖｓｓ回路アース、　Ｖｃ、Ｖｃ１、Ｖｃ１ａ、Ｖｃ１ｂ、Ｖｃ２、Ｖｃ２ａ、Ｖｃ２ｂ　電流制御電圧、　Ｉｄ１〜Ｉｄ６、Ｉｄ３１〜Ｉｄ３６、Ｉｄ５１〜Ｉｄ５６、Ｉｄ３１ａ〜Ｉｄ３６ａ、Ｉｄ５１ａ〜Ｉｄ５６ａ、Ｉｄ３１ｂ〜Ｉｄ３６ｂ、Ｉｄ５１ｂ〜Ｉｄ５６ｂ、Ｉｒ７０、Ｉｒ８０、Ｉｒ９０　電流、　Ａ　所定方向。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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