(57)【要約】【課題】液晶表示装置の画素上のスリットの屈曲部が補助容量配線と交差する部分の近傍で起きる液晶分子の配向不良による表示ムラを見えなくする。【解決手段】液晶分子の配列方向を規制する突条３とスリット７をそれぞれ共通電極２と画素電極５に形成する。平面的に見て画素電極５の中央を横切る補助容量配線９を形成し、スリット７は補助容量配線９上で屈曲する。そして補助容量配線９の線幅を、補助容量配線９上のスリット７の屈曲部を境にして、データバスライン１１側を細く、突条３側を太くすることにより、開口率を落とさずに表示むらを隠すことができる。【選択図】　　　図１
2004125847.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられ液晶層を挟んで対向する第１、第２電極と、画素の１辺に設けられたゲートバスラインと、前記ゲートバスラインと直交する他の１辺に設けられたデータバスラインと、前記ゲートバスラインと前記データバスラインとに接続されると共に前記第１電極に信号を供給するＴＦＴ素子と、前記他の１辺から直角に前記画素上に延在する補助容量配線と、前記第１電極に形成されたスリットと、前記スリットに対向して前記第２電極に設けられた突条とから成り、前記スリットと前記突条を用いて両電極間に充填した液晶分子を配向分割する液晶表示装置において、
前記補助容量配線が各画素内で２つ以上の異なる線幅を有していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
基板上に設けられ液晶層を挟んで対向する第１、第２電極と、画素の１辺に設けられたゲートバスラインと、前記ゲートバスラインと直交する他の１辺に設けられたデータバスラインと、前記ゲートバスラインと前記データバスラインとに接続されると共に前記第１電極に信号を供給するＴＦＴ素子と、前記他の１辺から直角に前記画素上に延在する補助容量配線と、前記第１電極に形成されたスリットと、前記スリットに対向して前記第２電極に設けられた突条とから成り、前記スリットと前記突条を用いて両電極間に充填した液晶分子を配向分割する液晶表示装置において、
補助容量配線付近のスリットが平面的に見て補助容量配線に対して斜め方向に配置され、補助容量配線の線幅を、スリットと補助容量配線の成す角が小さい側に存する部分を細くし、スリットと補助容量配線との成す角が大きい側に存する部分を太くしたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
基板上に設けられ液晶層を挟んで対向する第１、第２電極と、画素の１辺に設けられたゲートバスラインと、前記ゲートバスラインと直交する他の１辺に設けられたデータバスラインと、前記ゲートバスラインと前記データバスラインとに接続されるＴＦＴ素子と、前記他の１辺から直角に前記画素上に延在する補助容量配線と、屈曲部が前記補助容量配線に位置し、その両端部が前記他の１辺に向けて広がる形で前記第１電極を打ち抜くように形成されたＶ字状スリットと、屈曲部が前記補助容量配線に位置し、その両端部が前記他の１辺に向けて広がる形で前記第２電極に設けられたＶ字状の誘電体突条とから成り、前記スリットと前記突条を用いて、両電極間に発生される電界方向を規定し両電極間に充填した液晶分子を配向分割する液晶表示装置において、
前記補助容量配線の線幅を、前記スリットの屈曲部を境にして前記他の１辺側に存する部分を細くし、前記突条側に存する部分を太くしたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
前記補助容量配線の線幅を、前記スリットに重なる部分は細くしたことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記補助容量配線の線幅を、前記スリットに重なる部分は太くしたことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記スリットの屈曲部の外側の縁線と前記突条の屈曲部の内側の縁線に囲まれる部分に、前記補助容量配線の線幅の最も太い部分が設けられ、そこから両側へ徐々に線幅が細くされることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記補助容量配線の線幅が細い部分から太い部分に変わる部分は、傾斜状になっていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＴＦＴ型の液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）方式は、低消費電力で、コントラストが高く、ＴＦＴ液晶ディスプレイに広く用いられているが、視野角が狭いという欠点があり、使用上問題とされてきた。
【０００３】
上記理由を簡単に説明する。図６乃至図８は、ＴＮ方式の液晶表示装置の概略断面図を示したものであり、ＣＦ（カラーフィルタ）側ガラス基板１０１、共通電圧を与えられる共通電極１０２、ＴＦＴアレイ側ガラス基板１０６、表示信号電圧が印加される画素電極１０５、電極１０２、１０５間に充填されるネマチック液晶分子１０４（以下、液晶分子と記載）等で構成される。図示していないが、電極１０２、１０５の内側には、液晶の配向を決める配向膜が方向を９０°違えて配置されており、ガラス基板１０１、１０６の外側には特定の位相の光のみ透過させる偏向板が、透過軸を９０°違えて配置されている。
【０００４】
図６は、電極１０２、１０５間に電圧を印加していない状態であり、液晶分子１０４は、ガラス基板１０１、１０６に対して水平に位置しているが、両配向膜によって配向方向を９０°ねじられている。ＴＦＴアレイ側ガラス基板１０６の外側の偏向板（以下、ＴＦＴアレイ側偏向板と記載）を透過した光は、液晶分子１０４のねじれに沿って旋光し、ＣＦ側ガラス基板１０１の外側の偏向板（以下、ＣＦ側偏向板と記載）を透過し、白表示される。なお、ここで、１画素について説明している為、カラーフィルタの赤色、緑色、青色の区別はせず、説明の便宜上、１画素の光を透過するものを白表示、透過しないものを黒表示、中間調表示をグレー表示とする。
【０００５】
図７は、電極１０２、１０５間に中間電圧Ｖ１を印加した場合であり、液晶分子１０４は、配向膜の近くでは、ガラス基板１０１、１０６に対して水平に配向しているが、液晶層の中ほどでは、ねじれを解き、立ち上がりかける。この為、図に示す様に、ＴＦＴアレイ側ガラス基板１０６に左斜め上方向に入射した光ａ、ガラス基板に垂直に入射した光ｂ、右斜め上方向に入射した光ｃは、それぞれ液晶分子１０４に入射する角度が違ってくる。棒状の液晶分子の長く電子密度が高い方を長軸といい、液晶の様に１軸性結晶の物質の長軸と垂直方向に光が入射した場合、位相がそのままの光と９０°違った２つの光に分割されるという複屈折効果がある。長軸方向に入射する光ａは、そのまま位相を変えないで液晶分子１０４を通過しＣＦ側偏向板で遮断され黒表示されるが、長軸に垂直な方向に入射する光ｃは、複屈折効果により位相がそのままの光と９０°位相が違う光に分かれ、９０°位相が違う光がＣＦ側偏向板を透過し白表示される。光ｂは、中間の角度となり、グレー表示される。以上の様に、入射される光の角度によって白黒反転する特性がある。
【０００６】
図８は、電極１０２、１０５間に高電圧Ｖ２を印加した場合であり、液晶分子１０４がねじれを解き、ガラス基板１０１、１０６に対して垂直に立ち上がり、光は液晶分子１０４の長軸方向に入射し、そのまま通過するので、ＣＦ側偏向板で遮断され黒表示される。
【０００７】
以上の様に、液晶分子が配向される向きが１方向しかないというのが、ＴＮ液晶の視野角が狭い原因である。その欠点を改良して視野角を広くする為、垂直配向技術および４分割配向技術を採用したＭＶＡ（ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ　ｖｅｒｔｉｃａｌ　ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式が提案された。
【０００８】
ここでＭＶＡ方式について説明する。図９乃至図１１は、ＭＶＡ方式の液晶表示装置の概略断面図を示したものであり、ＣＦ側ガラス基板２０１、共通電圧を与えられる共通電極２０２、ＴＦＴアレイ側ガラス基板２０６、表示信号電圧が印加される画素電極２０５、電極２０２、２０５間に充填されるネマチック液晶分子２０４（以下、液晶分子と記載）、液晶分子２０４の配向を分割する為に形成された誘電体突条２０３、同じく液晶分子２０４の配向を分割する為に画素電極２０５を打ち抜くように形成されたスリット２０７等で構成される。ＴＮ方式の液晶表示装置の断面図と同様、図示していないが、ガラス基板２０１、２０６の外側には特定の方向の光のみ透過させる偏向板が、透過軸を９０°違えて配置されている。
【０００９】
図９は、電極２０２、２０５間に電圧を印加していない場合であり、垂直配向技術により、液晶分子２０４はガラス基板２０１、２０６に対して垂直に配向している。垂直配向技術とは、誘電異方性が負である液晶分子を使い、電圧をかけていない状態では電極面に対して垂直に、電圧をかけた状態では分子内の正イオンはマイナス極の方向へ、負イオンはプラス極の方向へ引っ張られる性質を利用して電極面に水平方向に配向させる技術である。突条２０３上の液晶分子２０４は、突条２０３の斜面に垂直に配向しようとする力が働き、幾分斜めに傾いている。
【００１０】
この状態では、ＴＦＴアレイ側偏向板を透過した光は、液晶分子の長軸方向に入射し、位相を変えずそのまま液晶分子２０４を通過し、ＣＦ側偏向板によって遮断され、黒表示される。
【００１１】
図１０は、電極２０２、２０５間に中間電圧Ｖ１を印加した場合であり、スリット２０７と突条２０３の影響で点線２３０が示す様に、スリット２０７の左側では、電界が右斜め方向に、スリット２０７の右側では、点線２３１が示す様に左斜め方向に傾斜を持って形成される。
【００１２】
液晶分子２０４は、電界に交差する様に配向され、スリット２０７の左側では、左斜め上方向を向き、スリット２０７の右側では、右斜め上方向を向いて、スリット２０７に対して対称となっている。同じ方向に液晶分子が配向された領域をドメインと言い、この場合、スリット２０７の左側の領域をドメインＬ、右側の領域をドメインＲとする。
【００１３】
ＴＦＴアレイ側ガラス基板２０６へ、左斜め上方向に入射した光を光ａ、垂直に入射した光を光ｂ、右斜め上方向に入射した光を光ｃとする。ドメインＬでは、光ａは、液晶分子２０４の長軸方向へ入射し、位相の変化なく通過し、ＣＦ側偏向板で遮断され、黒表示される。ドメインＲでは、光ａは、液晶分子２０４の長軸の垂直方向に入射し、複屈折効果により、入射した位相の光と、９０°位相が違う光に分割され、９０°位相が違う光がＣＦ側偏向板を透過し、白表示される。光ｃは、光ａと同じ現象を逆のドメインで起こし、双方の光による白黒表示が面積的に平均化され、グレー表示となる。光ｂも角度が中間となり、グレー表示される。
【００１４】
図１１は、電極２０２、２０５間に高電圧Ｖ２を印加した状態であり、液晶分子２０４はガラス基板に対して水平に配向され、光は液晶分子の長軸の垂直方向に入射し、入射した光の位相と９０°位相が違う光がＣＦ側偏向板を透過し、白表示される。
【００１５】
以上のように、配向分割することで、表示色が面積的に平均化され、光の入射方向による白黒反転がなくなり、視野角依存性を向上させている。ＭＶＡ方式の原理を２分割配向で説明したが、実際には、４分割配向して、４方からの光に対して面積的に平均化し、視野角依存性を向上させている。
【００１６】
図１２は、ガラス基板に対して上方からみたスリット２０７と突条２０３のパターンの一例であり、これを用いて４分割配向技術について説明する。スリット２０７の左側に突条２０３Ｌ、右側に突条２０３Ｒと交互に並んでおり、すべて約９０°の角度で屈曲している。スリット２０７と突条２０３Ｌと２０３Ｒの屈曲部を結んだ線をＡ−Ａ線とすると、突条２０３Ｌとスリット２０７に囲まれた領域のＡ−Ａ線より上半分のドメインａにある液晶分子を２０４ａ、下半分のドメインｃにある液晶分子を２０４ｃ、突条２０３Ｒとスリット２０７に囲まれた領域のＡ−Ａ線より上半分のドメインｂにある液晶分子を２０４ｂ、下半分のドメインｄにある液晶分子を２０４ｄとする。図示していないが、ＴＦＴアレイ側偏向板は、透過軸をＡ−Ａ線と平行になる様に配置され、ＣＦ側偏向板は、透過軸をＡ−Ａ線と９０°違えて配置されている。
【００１７】
電極２０２、２０５間に電圧印加時、スリット２０７と突条２０３Ｌによりドメインａ内の電界は紙面に対して垂直方向より左斜め上方向に傾斜を持って形成され、スリット２０７と突条２０３Ｒによりドメインｂ内の電界は紙面に対して垂直方向より右斜め下方向に傾斜を持って形成され、スリット２０７と突条２０３Ｌによりドメインｃ内の電界は紙面に対して垂直より左斜め下方向に傾斜を持って形成され、スリット２０７と突条２０３Ｒによりドメインｄ内の電界は紙面に対して垂直方向より右斜め上方向に傾斜を持って形成される。
【００１８】
電界方向により、液晶分子２０４ａは左斜め上方向に、液晶分子２０４ｂは右斜め下方向に、液晶分子２０４ｃは左斜め下方向に、液晶分子２０４ｄは右斜め上方向に配向される。もちろん、図９乃至図１１に示した様に、紙面に対して横方向から見ると、電圧を印加しない時は紙面に対して垂直に、高電圧を印加した時は紙面に対して平行に、中間電圧を印加した時は紙面に対してある角度をもって立ち上がる様に配向される。
【００１９】
ここで光の透過について説明する。ＴＦＴアレイ側偏向板に入射した光は、Ａ−Ａ線に対して平行成分の光のみ透過し、液晶分子２０４に入射する。複屈折効果により、液晶分子２０４ａに入射した光は、位相が液晶分子２０４ａの長軸方向の光即ちＡ−Ａ線に対して４５°の光と長軸方向と９０°違う光即ちＡ−Ａ線に対して対称方向に４５°の光に分割される。液晶分子２０４ｂ、液晶分子２０４ｃ、液晶分子２０４ｄも同様に、液晶分子の長軸方向の光と、９０°違う光に分割される。
【００２０】
その為、電極２０２、２０５間に電圧を印加していない状態ではＴＦＴアレイ側偏向板に入射した光は、そのまま液晶分子を透過しＣＦ側偏向板で遮断され黒表示されるが、高電圧を印加した状態では、上記光の分割の結果、Ａ−Ａ線と９０°位相が違うＣＦ側偏向板の透過軸の光成分が発生し、ＣＦ側偏向板を透過し白表示される。中間電圧を印加した状態では、中間の角度となり、グレー表示されるが、４分割された液晶分子配向により４方からの光に対して、表示が面積的に平均化され、視野角依存性を向上させている。
【００２１】
ここで従来のＭＶＡ方式を用いたＴＦＴ液晶ディスプレイを説明する。図１３は、ＴＦＴ液晶ディスプレイの１画素の平面図であり、ゲート部２１２ａとソース部２１２ｂとドレイン部２１２ｃ等から構成されるＴＦＴ２１２、画素の短い辺に配置されＴＦＴ２１２のゲート部２１２ａと接続しＴＦＴ２１２をスイッチングさせる信号が与えられるゲートバスライン２１３、画素の長い辺に配置されＴＦＴ２１２のソース部２１２ｂと接続し表示信号が与えられるデータバスライン２１１、データバスライン２１１が配置された画素の長い辺の中央部から直角に画素上に延在し補助容量を形成する補助容量配線２０９、補助容量配線２０９の上方に設けられ補助容量を増加させる為の容量増加パターン２１０、ＴＦＴ２１２が配置された部分以外の画素領域に設けられた画素電極２０５、容量増加パターン２１０のほぼ中心部に、画素電極２０５との接続用に形成されたコンタクト穴２１４、ＴＦＴ２１２のドレイン部２１２ｃと画素電極２０５との接続用に形成されたコンタクト穴２１５、屈曲部が平面的に見て補助容量配線２０９上に位置し両端部がデータバスライン２１１に向けて広がる形で画素電極２０５を打ち抜くように形成されたＶ字状スリット２０７と、屈曲部が平面的に見て補助容量配線２０９上に位置し両端部がデータバスライン２１１に向けて広がる形で共通電極（不図示）に設けられたＶ字状の誘電体突条２０３等で構成される。
【００２２】
画素周辺部に至る突条２０３は、一部画素周辺上にも形成されており、スリット２０７が画素周辺に至る個所まで延ばされている。また、スリット２０７と突条２０３は、補助容量配線２０９と交差する箇所において約９０°にＶ字状に屈曲されている。なお図示していないが、ＴＦＴアレイ側偏向板は、透過軸を補助容量配線２０９と平行になる様に配置され、ＣＦ側偏向板は、透過軸を補助容量配線と９０°違えて配置されている。
【００２３】
次に、図１３上に引いたＢ−Ｂ線での縦断面図を図１４に図示する。ＣＦ側ガラス基板２０１側には、共通電極２０２、左右の突条２０３Ｌ及び２０３Ｒ等で構成され、ＴＦＴアレイ側ガラス基板２０６側には、補助容量配線２０９、補助容量配線２０９を覆うゲート絶縁膜２１７、補助容量配線２０９の上方に配置された容量増加パターン２１０、容量増加パターン２１０を覆うパッシベーション膜２１８、パッシベーション膜２１８の上方に配置された画素電極２０５、画素電極２０５の一部を打ち抜く様に形成された左右のスリット２０７Ｌ及び２０７Ｒ、容量増加パターン２１０の上方に画素電極２０５との接続用に形成されたコンタクト穴２１４、共通電極２０２と画素電極２０５の間に充填された液晶分子２０４等で構成されている。なお点線２３０は、電極２０２、２０５間に電圧を印加した状態の電界の傾きを示している。
【００２４】
ここで、液晶分子２０４の配向分割状態を説明する。スリット２０７Ｌと突条２０３Ｌ間をドメインＬＬ、スリット２０７Ｌとコンタクト穴２１４間をドメインＬ、スリット２０７Ｒとコンタクト穴２１４間をドメインＲ、スリット２０７Ｒと突条２０３Ｒ間をドメインＲＲとすると、液晶分子２０４は、ドメインＬＬでは左斜め上方向、ドメインＬでは右斜め上方向、ドメインＲでは左斜め上方向、ドメインＲＲでは右斜め上方向に配向されている。
【００２５】
従来のＭＶＡ方式では、基板表面に垂直配向処理を施した第１及び第２の電極に、スリット及び傾斜を持たせた誘電体構造物を設け、電圧印可時にスリットと誘電体構造物によって液晶の配向を分割し、視野角依存性を向上させている（特許文献１参照）。
【００２６】
【特許文献１】
特開平１１−２４２２２５号公報（要約、第２図）
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】
図１５は、図１３の一点鎖線２５０で囲まれた補助容量配線２０９上近傍の拡大図であり、図１２で説明した様に、液晶分子２０４は補助容量配線２０９に対して４５°の角度を持って配向されている。しかし、補助容量配線２０９上近傍では、配向の向きが９０°違う液晶分子２０４同士が接触し配向の乱れを起こしている（以下、配向不良と記載）、特に破線２１９が示す領域近傍では、中心に近づくにつれ、液晶分子２０４が補助容量配線２０９と平行方向を向いてしまう。スリット２０７と補助容量配線２０９が交差する個所より左側の補助容量配線２０９上近傍では、液晶分子２０４は左側を向き、スリット２０７と補助容量配線２０９が交差する個所より右側の補助容量配線２０９上近傍では右側を向いてしまう。
【００２８】
ＴＦＴアレイ側偏向板から入射した光が補助容量配線２０９上近傍の配向不良を起こしている液晶分子２０４に入射した場合、入射した光の位相と液晶分子の長軸方向が同じ為、ＣＦ側偏向板の透過軸の光成分が発生せず、ＣＦ側偏向板で遮断され黒表示され、破線２１９近傍の領域で表示むらを起こしている。上記した様に補助容量配線２０９中心に近づくにつれ、液晶分子２０４が補助容量配線２０９と平行方向を向いてしまう為、白表示から黒表示に変わっていく。但し、スリット２０７より左側の補助容量配線２０９上近傍では、スリット２０７より右側の補助容量配線２０９上近傍よりも、配向不良の具合が軽く、表示むらを起こしている範囲も狭く、実際、補助容量配線２０９に隠れてしまい、突条２０３で囲まれた部分のみが表示むらを起こしている様に見える。
【００２９】
本発明は、上記の問題点に鑑み、補助容量配線２０９上近傍での液晶分子２０４の配向不良によって発生する表示むらを効率良く隠し、表示状態の問題のない液晶表示装置を提供することを目的とする。
【００３０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、補助容量配線の線幅を、スリットの屈曲部からデータバスライン側に存する部分を細くし、スリットの屈曲部から突条側に存する部分を太くする。もしくは、スリットと突条に囲まれる部分を最も太くし、そこから徐々に細くしていく。
【００３１】
この構成によると、補助容量配線の面積をかえないで、即ち１画素を光が通過する割合である開口率を落とすことなく、表示むらを効率良く隠すことができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳述する。まず、本発明の第１実施形態を適用した液晶表示装置の１画素の平面パターン図である図１を用いて説明する。
【００３３】
ゲート部１２ａとソース部１２ｂとドレイン部１２ｃ等から構成されるＴＦＴ１２、画素の短い辺に配置されＴＦＴ１２のゲート部１２ａと接続しＴＦＴ１２をスイッチングする信号が与えられるゲートバスライン１３、画素の長い辺に配置されＴＦＴ１２のソース部１２ｂと接続し表示信号が与えられるデータバスライン１１、データバスライン１１が配置された画素の長い辺の中央部から直角に画素上に延在し補助容量を形成する補助容量配線９、補助容量配線９の上方に設けられ補助容量を増加させる為の容量増加パターン１０、ＴＦＴ１２が配置された画素部分以外の領域に設けられると共にＴＦＴ１２を介して表示信号が供給される画素電極５、容量増加パターン１０のほぼ中心部に、画素電極５との接続用に形成されたコンタクト穴１４、ＴＦＴ１２のドレイン部１２ｃと画素電極５との接続用に形成されたコンタクト穴１５、屈曲部が平面的に見て補助容量配線９上に位置し両端部がデータバスライン１１に向けて広がる形で画素電極５を打ち抜くように形成されたＶ字状スリット７と、屈曲部が平面的に見て補助容量配線９上に位置しに両端部がデータバスライン１１に向けて広がる形で共通電極（不図示）に設けられたＶ字状の誘電体突条３等から構成される。このスリット７と突条３は平面的に見てほぼ平行になり、補助容量配線７上では、画素電極５に信号を供給するデータバスライン１１とこの画素電極上に位置する突条３との間にスリット７が存在する。
【００３４】
画素周辺部に至る突条３は、一部画素周辺上にも形成されており、スリット７が画素周辺に至る個所まで延ばされている。図１３の従来例とほぼ同じ構造であるが、本発明では表示ムラを隠す為、補助容量配線９と容量増加パターン１０の線幅を変更している。
【００３５】
次に、図１上に引いたＢ−Ｂ線での縦断面図を図２に図示する。ＣＦ側ガラス基板１側には、共通電極２、突条３等で構成され、ＴＦＴアレイ側ガラス基板６側には、補助容量配線９、補助容量配線９を覆うゲート絶縁膜１７、補助容量配線９の上方に配置された容量増加パターン１０、容量増加パターン１０を覆うパッシベーション膜１８、パッシベーション膜１８の上方に配置された画素電極５、画素電極５の一部を打ち抜く様に形成されたスリット７、容量増加パターン１０の上方に画素電極５との接続用に形成されたコンタクト穴１４、共通電極２と画素電極５の間に充填された液晶分子４等で構成されている。なお点線３０は、電極２、５間に電圧を印加した状態の電界の傾きを示している。
【００３６】
図３は、図１の１点鎖線５０で囲まれた補助容量配線９近傍の拡大図である。スリット７、突条３のパターンは、従来の画素セルの平面図である図１３から変更されておらず、その為、液晶分子４の配向は、図１３と同じであり、破線１９で示す領域近傍を中心に配向不良を起こしている。
【００３７】
補助容量配線９の線幅は、スリット７の屈曲部７ａの外側の縁線７ｂを境にしてデータバスライン１１側に存する部分を細くされ、突条３側に存する部分を太くされ、補助容量配線９の面積を図１５に示す従来の面積から変えないで開口率を落とさない様に構成されている。補助容量配線９付近に位置するスリット７は、平面的に見て補助容量配線９に対して斜め方向に形成されている。このときスリット７と補助容量配線９との成す角が小さい側の部分（スリット７とデータバスライン１１との間）では、液晶分子の配列の乱れが少ないために表示ムラが少ないが、スリット７と補助容量配線９との成す角が大きい側の部分（スリット７と突条３の間）では、液晶分子の配向の乱れが大きいため表示ムラが大きくなる。したがって、補助容量配線９とスリット７との成す角が小さい側の補助容量配線９の線幅を小さくし、補助容量配線９とスリット７との成す角が大きな側の補助容量配線９の線幅を大きくすることで、表示ムラを確実に低減させることができる。
【００３８】
なお、補助容量配線９と容量増加パターン１０が、線幅を変えている部分５１は、直角に曲げずに、傾斜をもたせて曲げている。これは、製造工程におけるフォトエッチング精度により、直角にエッチングできずにコーナ部が丸くなった場合、補助容量配線９と容量増加パターン１０の間隔が、所定の間隔より狭くなり、その間に配置されたゲート絶縁膜１７、パッシベーション膜１８等の厚みが薄くなり、ピンホール等の工程不良を作り込んでしまうことを防ぐためである。
【００３９】
また、容量増加パターン１０は、補助容量配線９上に、２パターン配置されているが、データバスライン１１とデバイス上同層で作り込まれる為、製造工程において容量増加パターン１０とデータバスライン１１とのショート不良が起きる可能性があり、もし一方の容量増加パターン１０がショート不良を起こしても、そのパターンに接続されている画素電極５の一部を切り離し、もう片方の容量増加パターン１０で機能を果たす救済措置がとれる様に、接続しないで配置されている。
【００４０】
この実施形態では、平面的に見てデータバスライン１１と重なる、つまり各画素間に存在する補助容量配線９の線幅を、画素内の補助容量配線９の線幅よりも細くしている。この発明では、画素内の補助容量配線９付近の表示ムラを効果的に隠すために補助容量配線９の線幅を変えるものであり、データバスライン１１と重なる補助容量配線９の線幅は任意な線幅に設定することができる。
【００４１】
次に、第２実施形態について説明する。図４は、補助容量配線９近傍の拡大図である。補助容量配線９の線幅は、スリット７の屈曲部７ａの内側の縁線７ｃを境にしてデータバスライン１１側に存する部分を細くされ、突条３側に存する部分を太くされ、また突条３の屈曲部３ａの外側の縁線３ｂより右側では線幅が細くされており、第１実施形態の線幅の太い部分がスリット７側へシフトした形であり、補助容量配線９の画素上の面積を図１５に示した従来の面積から変えないで、開口率を落とさない様に構成されている。
【００４２】
次に、第３実施形態について説明する。図５は、補助容量配線９近傍の拡大図である。スリット７の屈曲部７ａの外側の縁線７ｂと突条３の屈曲部３ａの内側の縁線３ｃに囲まれる部分に、補助容量配線９の線幅の最も太い部分が設けられ、そこからスリット７側と突条３側に向けて徐々に線幅が細くされている。第１実施形態、第２実施形態と同様に、補助容量配線９の画素上の面積を図１５に示す従来の面積から変えないで、開口率を落とさない様に構成されている。
【００４３】
なお、上記の実施形態では補助容量配線９上にスリット７を形成したが、本発明は補助容量配線上にスリットを形成しない形態にも有効である。例えば、補助容量配線付近までスリットが存在し、補助容量配線上にはスリットが存在しない形態でも、スリットが補助容量配線に対して斜め方向に配置されていれば、スリットを境にして表示ムラの状態が異なる。したがって、この場合にも、補助容量配線とスリットの成す角が小さい側の補助容量配線の線幅を細くし、補助容量配線とスリットの成す角が大きい側の補助容量配線の線幅を太くすれば、画素の開口率を維持しながら表示ムラを効果的に低減することができる。
【００４４】
また、この実施形態では、平面的に見て一つのスリットしか補助容量配線と重なっていないが、複数のスリットが重なった形態にも有効である。このときも補助容量配線は、スリット付近を境にして上述のように線幅を変えている。
【００４５】
【発明の効果】
本発明によると、補助容量配線の線幅を、スリットの屈曲部からデータバスライン側に存する部分を細くし、スリットの屈曲部から突条側に存する部分を太くする、もしくはスリットと突条に囲まれる部分を最も太くし、そこから徐々に細くしていくことにより、スリットの屈曲部と補助容量配線が交差する箇所の近傍で発生している液晶分子の配向不良による表示ムラを開口率を落とすことなく、効率よく隠し、正常な表示を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用したＭＶＡ方式液晶表示装置の第１実施形態における１画素平面図。
【図２】本発明を適用したＭＶＡ方式液晶表示装置の１画素の平面図である図１のＢ−Ｂ線での縦断面図。
【図３】本発明を適用したＭＶＡ方式液晶表示装置の第１実施形態における補助容量配線近傍の拡大平面図。
【図４】本発明を適用したＭＶＡ方式液晶表示装置の第２実施形態における補助容量配線近傍の拡大平面図。
【図５】本発明を適用したＭＶＡ方式液晶表示装置の第３実施形態における補助容量配線近傍の拡大平面図。
【図６】従来のＴＮ方式液晶表示装置の電圧無印加状態の縦断面図。
【図７】従来のＴＮ方式液晶表示装置の中間電圧印加状態の縦断面図。
【図８】従来のＴＮ方式液晶表示装置の高電圧印加状態の縦断面図。
【図９】従来のＭＶＡ方式液晶表示装置の電圧無印加状態の縦断面図。
【図１０】従来のＭＶＡ方式液晶表示装置の中間電圧印加状態の縦断面図。
【図１１】従来のＭＶＡ方式液晶表示装置の高電圧印加状態の縦断面図。
【図１２】従来のＭＶＡ方式液晶表示装置の画素電極上のスリット及び共通電極上の突条の概略パターン一例。
【図１３】従来のＭＶＡ方式液晶表示装置の１画素の平面図。
【図１４】従来のＭＶＡ方式液晶表示装置の１画素の平面図である図１３のＢ−Ｂ線での縦断面図。
【図１５】従来のＭＶＡ方式液晶表示装置の補助容量配線近傍の拡大平面図。
【符号の説明】
１　　ＣＦ側ガラス基板
２　　共通電極
３　　突条
４　　液晶分子
５　　画素電極
６　　ＴＦＴアレイ側ガラス基板
７　　スリット
９　　補助容量配線
１０　　容量増加パターン
１１　　データバスライン
１２　　ＴＦＴ部
１２ａ　　ＴＦＴゲート部
１２ｂ　　ＴＦＴソース部
１２ｃ　　ＴＦＴドレイン部
１３　　ゲートバスライン
１４　　画素電極と容量増加パターンとの接続用のコンタクト穴
１５　　画素電極とＴＦＴソース部との接続用のコンタクト穴
【図１】
2004125847.tif 000003
【図２】
2004125847.tif 000004
【図３】
2004125847.tif 000005
【図４】
2004125847.tif 000006
【図５】
2004125847.tif 000007
【図６】
2004125847.tif 000008
【図７】
2004125847.tif 000009
【図８】
2004125847.tif 000010
【図９】
2004125847.tif 000011
【図１０】
2004125847.tif 000012
【図１１】
2004125847.tif 000013
【図１２】
2004125847.tif 000014
【図１３】
2004125847.tif 000015
【図１４】
2004125847.tif 000016
【図１５】
2004125847.tif 000017