(57)【要約】      （修正有）【課題】高耐熱性かつ高弾性率な縮合系高分子の原料として有用な芳香族カルボン酸及びその酸塩化物誘導体を提供する。【解決手段】一般式（１）で表される化合物と、一般式（２）で表される化合物とを反応させて一般式（３）で表される化合物を合成し、次いで、前記一般式（３）で表される化合物をアルカリ金属水酸化物存在下で脱アルキル化反応をさせることにより、一般式（４）で表される化合物を生成させ、更に、酸性化処理することにより得られることを特徴とする一般式（５）で表される芳香族カルボン酸の合成法。2004292393.tif 0000222004292393.tif 0000232004292393.tif 0000242004292393.tif 0000252004292393.tif 000026［一般式（１）〜（５）中、Ｘは水素、アルキル基又は芳香族基を示し、Ｙは脱離基を示し、Ｒはアルキル基を示し、Ｘ１はアルキル基、芳香族基、又は、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基もしくはヒドロキシプロピル基からなる保護基を示し、Ｍはアルカリ金属を示す。］【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で表される化合物と、一般式（２）で表される化合物とを反応させて一般式（３）で表される化合物を合成し、次いで、前記一般式（３）で表される化合物を、アルカリ金属水酸化物存在下で、脱アルキル化反応をさせることにより、一般式（４）で表される化合物を生成させ、更に、酸性化処理することを特徴とする一般式（５）で表される芳香族カルボン酸の合成法。
【化１】
2004292393.tif 000014
【化２】
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【化３】
2004292393.tif 000016
【化４】
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【化５】
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［一般式（１）〜（５）中、Ｘは水素、アルキル基又は芳香族基を示し、Ｙは脱離基を示し、Ｒはアルキル基を示し、Ｘ１はアルキル基、芳香族基、又は、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基もしくはヒドロキシプロピル基からなる保護基を示し、Ｍはアルカリ金属を示す。］
【請求項２】
一般式（１）で表される化合物と、一般式（２）で表される化合物との反応において、遷移金属触媒を用いる請求項１記載の芳香族カルボン酸の合成法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の合成法において得られる、一般式（４）で表される化合物又は一般式（５）で表される化合物を、塩素化剤で処理することを特徴とする一般式（６）で表される芳香族カルボン酸の酸塩化物誘導体の合成法。
【化６】
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【化７】
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【化８】
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［一般式（４）〜（６）中、Ｘは水素、アルキル基、又は芳香族基を示し、Ｍはアルカリ金属を示す。］
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、芳香族カルボン酸及びその酸塩化物誘導体の合成法に関するものであり、更に詳しくは、高分子、特に、高耐熱性かつ高弾性率の縮合系高分子原料として有用な芳香族カルボン酸およびその酸塩化物誘導体の合成法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一分子に２つのカルボキシル基を有する芳香族カルボン酸およびその酸塩化物は、芳香族ポリアミド樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾチアゾール樹脂などの原料として用いられ、その用途に応じて、様々な構造を有する樹脂が合成され、使用されている。
一方、これらの樹脂は、一般に熱可塑性の高分子であるが、高い耐熱性を有しており、高温下に曝される用途に多く用いられている。そして、より耐熱性を高める、あるいは機能性（例えば、高弾性率化）を付加する手段として、熱硬化可能な置換基を導入する試みがなされており、それに用いる原料が要望されている。そのような原料の一つとして、ジアセチレン芳香族ジカルボン酸およびその酸塩化物があるが、従来の合成法（例えば、非特許文献１参照。）では、低収率であり、且つ多工程数を必要としていた。その為、より生産性の良い合成法が求められていた。
【０００３】
【非特許文献１】
Ｒｏｂｅｒｔ  Ｃ．  Ｅｖｅｒｓ，  Ｇｅｏｒｇｅ  Ｊ．  Ｍｏｏｒｅ，  Ｔｏｎｓｏｎ  Ａｂｒａｈａｍ，  Ｊ．  Ｐｏｌｙｍ．  Ｓｃｉ．，  Ｐａｒｔ  Ａ：  Ｐｏｌｙｍ．  Ｃｈｅｍ．  （１９８８），  ２６（１２），  ３２１３−２８
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記用途に適した芳香族カルボン酸及びその酸塩化物誘導体の、生産性の良い合成法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は、一般式（１）で表される化合物と、一般式（２）で表される化合物とを反応させて一般式（３）で表される化合物を合成し、次いで、前記一般式（３）で表される化合物を、アルカリ金属水酸化物存在下で、脱アルキル化反応をさせることにより、一般式（４）で表される化合物を生成させ、更に、酸性化処理することを特徴とする一般式（５）で表される芳香族カルボン酸の合成法であり、好ましくは、前記一般式（１）で表される化合物と、一般式（２）で表される化合物との反応において、遷移金属触媒を用いることを特徴とする芳香族カルボン酸の合成法である。
更に、本発明は、前記合成法において得られる、一般式（４）で表される化合物又は一般式（５）で表される化合物を、塩素化剤で処理することを特徴とする一般式（６）で表される芳香族カルボン酸の酸塩化物誘導体の合成法である。
【化９】
2004292393.tif 000002
【化１０】
2004292393.tif 000003
【化１１】
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【化１２】
2004292393.tif 000005
【化１３】
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【化１４】
2004292393.tif 000007
［一般式（１）〜（６）中、Ｘは水素、アルキル基又は芳香族基を示し、Ｙは脱離基を示し、Ｒはアルキル基を示し、Ｘ１はアルキル基、芳香族基、又は、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基もしくはヒドロキシプロピル基からなる保護基を示し、Ｍはアルカリ金属を示す。］
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明の一般式（５）で表される芳香族カルボン酸および一般式（６）で表されるその酸塩化物誘導体は、以下のルートによって合成することが出来る。
【０００７】
【化１５】
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【０００８】
前記一般式（１）〜（８）中、Ｘは水素、アルキル基又は芳香族基を示し、Ｙは脱離基を示し、Ｒはアルキル基を示し、Ｘ１はアルキル基、芳香族基、又は、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基もしくはヒドロキシプロピル基からなる保護基を示し、Ｍはアルカリ金属を示す。］
【０００９】
一般式（１）で表される化合物の脱離基Ｙとしては、ハロゲン基が好ましく、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子やトリフルオロメタンスルホニロキシ基等が、好適に挙げられる。
【００１０】
まず、出発原料として、一般式（８）で表されるジアミノジカルボン酸アルキルを、酸性溶液中で、亜硝酸ナトリウムを加えることにより、ジアゾ化し、ヨウ化カリウム、ヨウ化ナトリウム、臭化銅または塩化銅を加えることにより、一般式（１）で表される化合物において、脱離基Ｙがハロゲン基であるジヨードジカルボン酸アルキル、ジブロモジカルボン酸アルキルまたはジクロロジカルボン酸アルキルが得られる（Ｓａｎｄｍｅｙｅｒ反応）。また、置換基Ｒとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基が挙げられる。
また、別の方法として、一般式（８）で表されるジアミノジカルボン酸アルキルを、亜硝酸ナトリウムでジアゾ化し、酸性条件下で加熱することによって、一般式（７）で表されるジヒドロキシジカルボン酸アルキルが得られる。この化合物を、トリフルオロメタンスルホン酸無水物で、エステル化することにより、一般式（１）で表される化合物において、脱離基Ｙがトリフルオロメタンスルホニロキシ基であるビス（トリフルオロメタンスルホニロキシ）ジカルボン酸アルキルが得られる。
【００１１】
これらのエステル化合物（一般式（１））と、アセチレンの片側がＸ１基で置換された化合物（一般式（２））とで、カップリング反応させることによって、一般式（３）で表されるジエステル化合物が得られる。前記カップリング反応において、触媒を用いると良いが、例えば、パラジウムなどの遷移金属触媒が好ましい。ただし、この時、前記脱離基Ｙとしては、触媒存在下のカップリング反応で、容易にアルキル基や芳香環から脱離する基が好ましく、上記で述べた塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン、トリフロオロメタンスルホニロキシ基等が好ましく挙げられる。また、置換基Ｘ１は、芳香族基、アルキル基または保護基であり、芳香族基としてはフェニル基、ナフチル基、アントリル基、キノキル基、キノキサリル基等が好ましい。保護基Ｘ１としては、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基またはヒドロキシプロピル基があり、保護基は、本発明において、アルカリ金属水酸化物存在下で、脱保護されて、エチニル基を生成するものである。
【００１２】
次に、一般式（３）で表されるジエステル化合物を、アルカリ金属水酸化物を用いて、脱アルキル反応を行い、また、一般式（３）で表される化合物において、Ｘ１基が前記保護基である場合は脱保護を同時に行い、一般式（４）で表されるジカルボン酸誘導体のアルカリ金属塩が得られる。
【００１３】
更に、一般式（４）で表されるジカルボン酸誘導体のアルカリ金属塩を、酸性化処理することによって、一般式（５）で表される芳香族ジカルボン酸を得ることができる。また、前記一般式（４）で表される化合物又は一般式（５）で表される化合物を、塩素化剤で処理することによって、一般式（６）で表される酸塩化物誘導体を得ることができる。
【００１４】
以下、製造法の例について説明する。
まず、一般式（１）で表される化合物の製造方法の例を示す。
一般式（１）で表される化合物の内、脱離基Ｙがヨウ素のジヨードジカルボン酸アルキルの場合、まず、ジヨードジカルボン酸アルキルは、前記ジアミノジカルボン酸アルキル（一般式（８））と鉱酸水溶液および亜硝酸ナトリウムとを反応させることにより、ジアゾニウム鉱酸塩（一般式（９））を得る。これを、ヨウ化カリウムまたはヨウ化ナトリウムと反応させることにより、窒素ガスが発生し、前記ジヨードジカルボン酸アルキル（一般式（１０））が得られる。
前記鉱酸としては、硫酸、塩酸、硝酸、臭化水素酸などが挙げられ、その使用量は制限されない。前記亜硝酸ナトリウム及び前記ヨウ化カリウムまたはヨウ化ナトリウムの使用量は、ジアミノジカルボン酸アルキルに対し２〜４当量倍が好ましい。
【００１５】
【化１６】
2004292393.tif 000009
【００１６】
また、一般式（１）で表される化合物の内、脱離基Ｙが臭素及び塩素であるジブロモジカルボン酸アルキル及びジクロロジカルボン酸アルキルの場合、前記反応例において、ヨウ化カリウムまたはヨウ化ナトリウムのかわりに、臭化第一銅及び塩化銅を用いる以外は、前記同様の操作をすることにより、それぞれ得ることができる。
【００１７】
一方、一般式（１）で表される化合物の内、脱離基Ｙが、トリフルオロメタンスルホニロキシ基であるビス（トリフルオロメタンスルホニロキシ）ジカルボン酸アルキルの場合、まず、前記ジアミノジカルボン酸アルキル（一般式（８））と鉱酸および亜硝酸ナトリウムとを反応させることにより、ジアゾニウム鉱酸塩を得る。これを、酸性条件下で加熱することにより、ジヒドロキシジカルボン酸アルキル（一般式（７））を得る。
前記鉱酸としては、硫酸、塩酸、硝酸、臭化水素酸などが挙げられ、その使用量は制限されない。前記亜硝酸ナトリウムの使用量は、ジアミノジジカルボン酸アルキルに対し、２〜４当量倍が好ましい。
【００１８】
続けて、ジヒドロキシジカルボン酸アルキル（一般式（７））と塩基とを溶媒に溶解し、−１０℃〜１０℃に冷却した溶液に、トリフルオロメタンスルホン酸無水物を加え、０℃から溶媒の沸点以下の温度範囲で反応させる。この時、反応時間は特に制限されない。また、前記反応において、トリフルオロメタンスルホン酸無水物の添加前に反応系を冷却しているのは、反応が発熱反応であるためであり、これ以上の温度範囲では、反応が急激に進行するためである。このようにして得られた反応生成物に、通常の分離手段、例えば抽出、分液、濃縮等の操作を施すことにより、ビス（トリフルオロメタンスルホニロキシ）ジカルボン酸アルキル（一般式（１１））を得ることができる。
【００１９】
【化１７】
2004292393.tif 000010
【００２０】
また、これを必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の方法により、精製することができる。
前記トリフルオロメタンスルホン酸無水物の使用量としては、ジヒドロキジシカルボン酸アルキルに対して、２〜３当量倍が好ましい。
前記塩基としては、３級アミンで活性水素を有さないアミンが好ましく、具体的には、ピリジン、メチルピリジン等のピリジン類、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン類が挙げられ、これらの使用量は、ジヒドロキシジカルボン酸アルキルとトリフルオロメタンスルホン酸無水物の合計量に対して、１〜２当量倍を用いることが好ましい。
前記溶媒は、特に限定されるものではないが、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、石油エーテル等の炭化水素、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン等の塩素化溶媒、これら反応に不活性な溶媒の単独、又はそれらの混合物が挙げられ、その使用量については、特に制限はない。
また、溶媒中に水分が存在すると、反応試薬であるトリフルオロメタンスルホン酸無水物と副反応を起こし、実際の反応当量比が変わるため、無水の溶媒を用いるか、予め、含まれる水分量を把握して、使用量を調整して、理論的な当量より多く仕込んでおくことが望ましい。
【００２１】
次に、一般式（３）で表される化合物を得る方法としては、上記で得た一般式（１）で表されるジカルボン酸アルキルと、一般式（２）で表されるアセチレンの片側がアルキル基Ｘ１、芳香族基Ｘ１で置換された化合物、又は、アルカリ金属の水酸化物で脱保護されてエチニル基を生成する、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基またはヒドロキシプロピル基等の保護基Ｘ１で置換された化合物とを、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気中で、２０〜１５０℃の温度範囲で、カップリング反応することによって、反応生成物が得られる。この時、反応時間は特に制限されない。このようにして得られた反応生成物に対して、濃縮、再沈殿等の分離操作を施すことにより、一般式（３）で表される化合物を得ることができる。これは必要に応じて、カラムクロマトグラフィー、再結晶等により、精製することができる。
前記一般式（２）で表されるアセチレンの片側が保護基Ｘ１で置換された化合物としては、保護基Ｘ１が、アルカリ金属の水酸化物で脱保護されて、エチニル基を生成する化合物であれば制限はないが、保護基Ｘ１が、トリメチルシリル基であるトリメチルシリルアセチレンや、トリイソプロピルシリル基であるトリイソプロピルシリルアセチレンや、ヒドロキシプロピル基である３−メチル−１−ブチン−３−オールなどが好適である。
一般式（２）で表される化合物の添加量としては、一般式（１）で表される化合物に対して、計算上は１当量倍で十分であるが、反応を完全に進行させるために、１から３当量倍の範囲で添加量を調節すると良い。
前記触媒としては、通常、炭素−炭素結合を形成し得る触媒系であれば、特に制限なく用いることができるが、遷移金属触媒が好ましい。具体的には、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムとヨウ化銅およびトリフェニルホスフィンからなる触媒系を用いることが望ましい（薗頭−萩原アセチレンカップリング反応）。ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムの添加量は、特に規定されないが、一般式（１）で表される化合物に対して、０．１から１ｍｏｌ％、トリフェニルホスフィンは、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムに対して１から２０当量倍、ヨウ化銅は１から５当量倍の間である。
この反応に用いられる溶媒としては、発生する酸を捕捉して、触媒反応を促進するために、アミン系の溶媒が用いられる。例えば、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ブチルアミン、トリブチルアミン等のアミン類、ピリジン、ピペリジン等の環状アミン類が挙げられる。これらの溶媒は、単独、又は２種以上を組み合わせて用いられる。その使用量は、特に特定されないが、原料に対して、２から５０重量倍を用いる。また、これらの溶媒は、副反応や触媒の失活等を防ぐために、あらかじめ蒸留しておくことが望ましい。
【００２２】
次に、一般式（４）で表されるジカルボン酸誘導体のアルカリ金属塩を得る方法としては、一般式（３）で表される化合物を、溶媒中、アルカリ金属水酸化物存在下で処理することによって、脱アルキル化反応を行い、また、一般式（３）で表される化合物において、Ｘ１基がトリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ヒドロキシプロピル基等の保護基の場合、脱保護反応が同時に行われエチニル基に変換された反応生成物を得る。この時、反応温度および反応時間は、特に制限されないが、反応温度については、室温ないし溶媒の還流温度の範囲で行うと良い。得られた反応生成物を含む反応液を冷却して、析出した結晶を分離し、メタノール、エタノール、ブタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒で洗浄し、その後、乾燥することで、一般式（４）で表されるジカルボン酸誘導体のアルカリ金属塩を得ることができる。
前記アルカリ金属水酸化物としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムが好ましく、添加量は、一般式（３）で表される化合物に対して２当量倍以上であり、これより多くても差し支えない。
前記反応溶媒としては、アルカリ金属水酸化物と反応しうるエステル類以外であれば、特に制限はないが、アルカリ金属水酸化物の溶解性が高い、メタノール、エタノール、ブタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒が好ましい。溶媒量は、特に制限されないが、操作性の問題から、ジカルボン酸ジエステルに対して５から５０重量倍を用いるのが良い。
【００２３】
本発明の一般式（５）で表される芳香族カルボン酸は、上記で得られたジカルボン酸誘導体のアルカリ金属塩（一般式（４））を、水に溶解し、塩酸、硫酸、硝酸等の酸で、好ましくはｐＨ＝１まで酸性化処理することによって、析出物を得て、これを濾取・洗浄し、乾燥することにより得ることができる。この場合、強酸性下に、長時間曝しておくと、エチニル部位が付加反応や重合等の副反応を受ける場合があるので、短時間で処理することが望ましい。
【００２４】
本発明の一般式（６）で表される前記芳香族カルボン酸の酸塩化物誘導体は、上記で得られたジカルボン酸誘導体のアルカリ金属塩（一般式（４））を、溶媒中または、過剰量の塩素化剤を溶媒として用い、０〜７０℃の温度範囲で反応させた後、溶媒を留去し、得られた固形物を溶媒で洗浄し、更に再結晶させて得ることができる。また、一般式（４）で表されるジカルボン酸誘導体のアルカリ金属塩の代わりに、一般式（５）で表される芳香族カルボン酸を用いても良い。
前記塩素化剤としては、塩化チオニル、オキサリルクロリド等が好ましいが、塩素化剤の使用量は、一般式（４）で表されるジカルボン酸誘導体のアルカリ金属塩に対して、２当量倍以上であり、特に上限はない。また、溶媒を用いない場合には、１０当量倍以上の大過剰で用いても差し支えない。
前記溶媒は、特に限定される物ではないが、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、石油エーテル等の炭化水素、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン等の塩素化溶媒が挙げられる。これらは、一般式（４）で表されるジカルボン酸誘導体のアルカリ金属塩に対して、任意の量を使用できる。
反応を促進するために、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ピリジン等の塩基を添加しても良い。
また、エチニル部位での重合を抑制するために、ヒドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエーテル等の重合禁止剤を添加しても良い。
【００２５】
【実施例】
以下に本発明を説明するために実施例を示すが、これによって本発明を限定するものではない。
【００２６】
得られた化合物は特性評価のため、融点測定、１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ（１Ｈ）−ＮＭＲ、ＭＳの各種スペクトルの測定および元素分析を行った。各特性の測定条件は次の通りである。
試験方法
（１）融点：セイコー電子製ＤＳＣ−２００型示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用い、５℃／ｍｉｎ．の昇温速度により測定した。
（２）核磁気共鳴スペクトル分析（１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ（１Ｈ）−ＮＭＲ）：日本電子製ＪＮＭ−ＧＳＸ４００型を用いて測定した。１Ｈ−ＮＭＲは共鳴周波数４００ＭＨｚ、１３Ｃ（１Ｈ  ）−ＮＭＲは共鳴周波数１００ＭＨｚで、それぞれ測定した。測定溶媒は、２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸は重水素化溶媒である重水素化アセトン（ＡＣＥＴＯＮ−ｄ６）、２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸ジクロリドは重水素化溶媒である重水素化クロロホルム（ＣＤＣｌ３）を、それぞれ用いた。
（３）赤外分光分析（ＩＲ）：ＰＥＲＫＩＮ  ＥＬＭＥＲ社製１６４０型を用いて、ＫＢｒ錠剤法により測定した。
（４）質量分析（ＭＳ）：日本電子（株）製ＪＭＳ−７００型を用いてフィールド脱着（ＦＤ）法で測定した。
（５）元素分析：炭素及び水素はＰＥＲＫＩＮ  ＥＬＭＥＲ社製２４００型を用いて、塩素はフラスコ燃焼滴定法で測定した。
【００２７】
（実施例１）
［２，５−ジヨードテレフタル酸ジメチルの合成］
温度計、攪拌機、滴下ロートを備えた４つ口の２００ｍＬフラスコに、イオン交換水１５ｍＬ、４８重量％臭化水素酸４５ｍＬ、２，５−ジアミノテレフタル酸ジメチル１１．２ｇ（０．０５００ｍｏｌ）を入れ、攪拌した。フラスコを、５℃以下まで冷却し、ここへ、亜硝酸ナトリウム８．２８ｇ（０．１２０ｍｏｌ）をイオン交換水５０ｍＬに溶解したものを、約１時間かけて滴下し、５℃以下で４０分間攪拌して、ジアゾニウム塩水溶液を得た。
次に、温度計、攪拌機、滴下ロートを備えた４つ口の３００ｍＬフラスコを用意し、ここに、ヨウ化カリウム１９．９２ｇ（０．１２０ｍｏｌ）と４８重量％臭化水素酸１０ｍＬを入れ、撹拌した。フラスコを、５℃以下に冷却し、上記のジアゾニウム塩水溶液を約２０分間かけて滴下した。滴下終了後、５℃以下で１時間、室温で１時間攪拌し、続けて、３０分間加熱還流させた。放冷後、析出物を濾別し、酢酸エチルで溶解抽出後、１０％亜硫酸水素ナトリウム水溶液５０ｍＬで２回、イオン交換水５０ｍＬで２回洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、粗生成物を得た。粗生成物を、メタノールより再結晶することにより、淡黄色結晶を得た。濾別した固体を、室温下で、減圧乾燥し、生成物１６．９５ｇを得た（収率７６％）。
【００２８】
［２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸ジメチルの合成］
温度計、ジムロート冷却管、窒素導入管を備えた４つ口の５００ｍＬフラスコに、上記で得た２，５−ジヨードテレフタル酸ジメチル１２．９ｇ（０．０２８９ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン０．１７２ｇ（０．０００６５４ｍｏｌ）、ヨウ化銅０．０４５５ｇ（０．０００２９ｍｏｌ）、エチニルベンゼン７．０９ｇ（０．０６９５ｍｏｌ）、脱水トリエチルアミン７５ｍＬおよび脱水ピリジン２５ｍＬ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．０４７５ｇ（０．００００６８０ｍｏｌ）を仕込み、窒素を流しながら、１０５℃で１時間加熱還流した。その後、トリエチルアミンおよびピリジンを減圧留去し、粘稠な褐色溶液を得た。これに、水５００ｍＬ、塩酸１０ｍＬを注ぎ、析出した固形物を濾取し、さらに、水５００ｍＬで洗浄した。この固形物を、５０℃で１日間、減圧乾燥することにより、生成物１０．４９ｇを得た（収率９２％）。
【００２９】
［２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸二カリウム塩の合成］
１Ｌのナスフラスコに、２−プロパノール５００ｍＬ、水酸化カリウム（８５％）２２．４ｇ（０．４００ｍｏｌ）を仕込み、加熱還流して溶解した。これに、上記で得た２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸ジメチル３９．４ｇ（０．１００ｍｏｌ）を加えて、３０分間加熱還流した。これを、氷浴にて冷却し、析出した固体を濾取した。この固体を、２−プロパノール２００ｍＬで２回洗浄し、濾取後、５０℃で減圧乾燥することにより、生成物４３．３７ｇを得た（収率９８％）。
【００３０】
［２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸二カリウム塩から２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸の合成］
上記で得た２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸二カリウム塩４３．３７ｇ（０．０９８０ｍｏｌ）を、５００ｍＬのイオン交換水に溶解し、５Ｃ濾紙にて濾過することによって、不溶物を除去した。この濾液に、塩酸を、ｐＨが１になるまで、撹拌しながら加えた。析出した固形物を濾取し、更に、イオン交換水での洗浄、濾過を２回繰り返した。得られた固形物を、５０℃で、減圧乾燥することにより、生成物３５．２ｇを得た（収率９８％）。
【００３１】
［２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸二カリウム塩から２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸ジクロリドの合成］
温度計、ジムロート冷却管を備えた５００ｍＬの４つ口フラスコに、上記同様にして得た２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸二カリウム塩１５．５ｇ（０．０３５０ｍｏｌ）、クロロホルム１００ｍＬを仕込み、０℃に冷却した。これに、塩化チオニル６２．５ｇ（０．５２５ｍｏｌ）を、５℃以下で、１５分かけて滴下した。その後、ジメチルホルムアミド１ｍＬ、ヒドロキノン１ｇを加え、４５〜５０℃で３時間撹拌した。冷却後、濾過して結晶を除き、結晶を、クロロホルム５０ｍＬで洗浄した。濾液と洗浄液とをあわせて、４０℃以下で減圧濃縮し、得られた残渣を、熱ｎ−ヘキサンで抽出、再結晶した。得られた固体を、減圧乾燥することにより、生成物４．９４ｇを得た（収率３５％）。
【００３２】
［２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸から２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸ジクロリドの合成］
温度計、ジムロート冷却管を備えた５００ｍＬの４つ口フラスコに、上記同様にして得た２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸６．００ｇ（０．０１６４ｍｏｌ）、１，２−ジクロロエタン５０ｍＬ、塩化チオニル７．７９ｇ（０．０６５５ｍｏｌ）、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム０．０１１２ｇ（０．００００４９１ｍｏｌ）を仕込み、３時間加熱還流した。溶液を熱時濾過し、溶媒を減圧濃縮後、ｎ−ヘキサンを加えて再結晶した。得られた結晶を、減圧乾燥することにより、生成物４．５７ｇを得た（収率６９％）。
出発原料２，５−ジアミノテレフタル酸ジメチルから２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸および２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸ジクロリドへの最終的な収量は、１００ｇの２，５−ジアミノテレフタル酸ジメチルを用いた場合、前者が６７％（１０９．７３ｇ）、後者が４６％（８３．３４ｇ）となり、高収量で目的化合物が得られていることがわかる。
【００３３】
上記で得られた２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸および２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸ジクロリドのスペクトルデータを以下に示す。これらのデータは、得られた化合物が目的物であることを支持している。
【００３４】
［２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸（Ｃ２４Ｈ１４Ｏ４）］
2004292393.tif 000011
【００３５】
［２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸ジクロリド（Ｃ２４Ｈ１２Ｃｌ２Ｏ２）］
2004292393.tif 000012
【００３６】
（実施例２）
［２，５−ジヒドロキシテレフタル酸ジメチルの合成］
温度計、攪拌機、滴下ロートを備えた４つ口の１Ｌフラスコに、イオン交換水５００ｍＬ、濃硫酸８０ｍＬ、２，５−ジアミノテレフタル酸ジメチル３３．６ｇ（０．１５０ｍｏｌ）を加えて、攪拌した。フラスコを５℃以下まで冷却し、ここへ、亜硝酸ナトリウム２４．８ｇ（０．３６０ｍｏｌ）を蒸留水３０ｍＬに溶解したものを、２０分かけて滴下し、５℃以下で４０分、１００℃で２時間攪拌した。析出物を濾別し、メタノール中、活性炭で処理して再結晶した。濾別した固体を５０℃で１日間減圧乾燥し、生成物２５．４ｇを得た（収率７５％）。
【００３７】
［２，５−ビス（トリフルオロメタンスルホニロキシ）テレフタル酸ジメチルの合成］
温度計、ジムロート冷却管、塩化カルシウム管、攪拌機を備えた４つ口の１Ｌフラスコに、上記で得た２，５−ジヒドロキシテレフタル酸ジメチル２２．６ｇ（０．１００ｍｏｌ）、脱水トルエン３００ｍＬ、脱水ピリジン１００ｍＬを仕込み、撹拌しながら、−５℃まで冷却した。ここに、無水トリフルオロメタンスルホン酸６７．７ｇ（０．２４０ｍｏｌ）を、温度が０℃以上にならないように注意しながら、ゆっくりと滴下して添加した。添加後、反応温度を０℃のまま１時間、さらに、２０℃に昇温し、５時間反応させた。得られた反応混合物を、１Ｌの氷水に注ぎ、水層と有機層を分離した。更に、水層を、１００ｍＬのトルエンで２回抽出し、これを、先の有機層と合わせた。この有機層を、水３００ｍＬで２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、溶媒を減圧留去し、ｎ−ヘキサンで再結晶した。濾別した固体を、５０℃で１日間減圧乾燥し、生成物４５．１ｇを得た（収率９２％）。
【００３８】
［２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸ジメチルの合成］
実施例１において、２，５−ジヨードテレフタル酸ジメチル１２．９ｇ（０．０２８９ｍｏｌ）を、上記で得た２，５−ビス（トリフルオロメタンスルホニロキシ）テレフタル酸ジメチル１４．１７ｇ（０．０２８９ｍｏｌ）とする以外は実施例１と同様にして、２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸ジメチルを得た（収率９４％）。
以下、実施例１と同様にして、２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸二カリウム塩（収率９８％）、２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸（収率９８％）、２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸ジクロリド（収率６９％）が得られた。２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸及び２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸ジクロリドの外観、融点と１Ｈ−ＮＭＲ，１３Ｃ（１Ｈ）−ＮＭＲ，ＭＳ，元素分析のスペクトルデータは、いずれも実施例１と一致し、同一化合物が得られたことを示していた。
出発原料２，５−ジアミノテレフタル酸ジメチルから２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸および２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸ジクロリドへの最終的な収量は、１００ｇの２，５−ジアミノテレフタル酸ジメチルを用いた場合、前者が６２％（１０１．７９ｇ）、後者が４３％（７７．３１ｇ）となり、高収量で目的化合物が得られていることがわかる。
【００３９】
（比較例１）
２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸および２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸ジクロリドの合成法として、非特許文献１通りの合成法（下記合成ルート参照）にて上記化合物を得た。
【００４０】
【化１８】
2004292393.tif 000013
【００４１】
比較例１における合成工程が煩雑であり、時間がかかること、また、収率が低い（２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸が５３％、２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸ジクロリドが５６％）ことを除いて、２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸及び２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸ジクロリドの外観、融点と１Ｈ−ＮＭＲ，１３Ｃ（１Ｈ）−ＮＭＲ，ＭＳ，元素分析のスペクトルデータは、いずれも実施例１と一致し、同一化合物が得られたことを示していた。
出発原料２，５−ジブロモ−１，４−キシレンから２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸および２，５−ビス（フェニルエチニル）テレフタル酸ジクロリドへの最終的な収量は、１００ｇの２，５−ジブロモ−１，４−キシレンを用いた場合、前者が１２％（１７．２０ｇ）、後者が７％（１０．６０ｇ）となり、実施例に比べて低収率であることがわかる。
【００４２】
【発明の効果】
本発明によれば、特定の芳香族カルボン酸とその酸塩化物誘導体を生産性良く得ることができ、これらは、高分子、特に高耐熱性かつ高弾性率な縮合系高分子の原料として有用である。