(57)【要約】【課題】本発明は例えば回折格子を製造する際に用いるスタンパ及びその製造方法及びスタンパを用いた成型方法に関し、高い信頼性を有したスタンパ及びこれを用いた被成型物を低コストで製造することを課題とする。【解決手段】基板上に回折格子の型となる凹凸状の回折格子パターンが形成された回折格子用スタンパにおいて、基板として第１のバルク層１１と第２のバルク層１２と中間層１３とを有するＳＯＩ基板を用い、このＳＯＩ基板の第１のバルク層１１にバルクマイクロマシニング技術を用いて回折格子パターン２１を形成する。【選択図】　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に凹凸状の転写用のパターンが形成されたスタンパにおいて、
前記パターンを、前記基板を構成する単結晶バルクよりなる第１の層に形成したことを特徴とするスタンパ。
【請求項２】
請求項１記載のスタンパにおいて、
前記パターンの凹部に、前記基板を構成する第２の層が露出していることを特徴とするスタンパ。
【請求項３】
請求項２記載のスタンパにおいて、
前記パターンの壁部は、前記第２の層の露出した面と垂直な壁面とされていることを特徴とするスタンパ。
【請求項４】
請求項２または３のいずれか１項に記載のスタンパにおいて、
前記第２の層を支持する第３の層を形成したことを特徴とするスタンパ。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか１項に記載のスタンパにおいて、
前記第１の層を単結晶シリコンのバルクにより形成し、前記第２の層をシリコン酸化物により形成し、かつ、前記基板を前記第１の層に前記第２の層を密着した構成としたことを特徴とするスタンパ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のスタンパにおいて、
前記パターンは、回折格子を製造する型を構成することを特徴とするスタンパ。
【請求項７】
単結晶バルクよりなる第１の層と、該第１の層と密着した第２の層とを具備する基板を用い、該基板に凹凸状の転写用のパターンを形成するスタンパの製造方法において、
前記第２の層を露出させるように前記第１の層を加工することにより前記パターンを形成することを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項８】
請求項７記載のスタンパの製造方法において、
前記パターンを形成する際、前記第２の層をエッチストップ材として前記第１の層をバルクマイクロマシニング技術を用いて加工することを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項９】
請求項８記載のスタンパの製造方法において、
前記バルクマイクロマシニング技術として、反応性イオンエッチングを用いたことを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のスタンパを用いた成型方法であって、
前記スタンパを金型に装着すると共に、該スタンパと金型間に形成されるキャビティ内に被成型物となる樹脂を注入する工程と、
前記スタンパと金型との間に注入された樹脂を加圧する工程と、
前記パターンが転写された樹脂を前記スタンパ及び金型から離型させる工程とを有することを特徴とするスタンパを用いた成型方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は回折格子用スタンパ及びその製造方法及び回折格子の製造方法に係り、特に回折格子を製造する際に用いる回折格子用スタンパ及びその製造方法、及びこの回折格子用スタンパを用いて回折格子を製造する回折格子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光通信をはじめとして、光を利用した様々な技術に対する要求が高まっている。この光利用技術を支える光学素子のひとつとして回折格子がある。この回折格子は、主に光分光、特定波長の反射素子、或いは波長可変形の反射素子等として広く用いられている。この回折格子は、光利用技術を支える構成要素に必要不可欠な部品であり、より正確且つ安価な回折格子が求められている。
【０００３】
従来、この回折格子を製造する方法として機械式刻線法が知られている。この機械式刻線法は、回折格子用スタンパとなる基板に、所定の形状のダイヤモンドツールで格子溝を一本一本刻線していく方法である。そして、この格子溝が形成された基板を原型とし、これを転写法を用いて樹脂等に転写して回折格子を製造するものである。
【０００４】
しかしながら、この機械式刻線法では、正確な加工を行う為に超精密位置決め装置及び恒環境設備等を用い、数日から十数日かけて加工を行うため、回折格子用スタンパのコストが非常に高コストとなってしまう。よって、この回折格子用スタンパを用いて製造される回折格子もコスト高となってしまう。
【０００５】
これを解決するために、シリコン複合物よりなる基板にエッチング法を用いて格子溝成形する方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００６】
【特許文献１】
特開平８−３３４６１０号公報。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記公報に開示された回折格子用スタンパの製造方法では、ガラス基板上にエッチストップ層を形成した上で、その上部にＣＶＤ（化学気相成長）等によりアモルファスシリコン層を形成し、このアモルファスシリコン層をエッチストップ層までエッチング所定のパターンで形成することにより回折格子用スタンパが製造される。
【０００８】
しかしながら、上記公報に開示された方法では、ＣＶＤ等により形成されたアモルファスシリコン層はバルク状のシリコンに比べて機械的強度が弱い。また、エッチストップ層上にＣＶＤ等によりアモルファスシリコン層を形成した場合、エッチストップ層とアモルファスシリコン層との界面接合強度が弱くなる。
【０００９】
このため、この回折格子用スタンパ上に回折格子となる樹脂を導入して樹脂成形した後、この樹脂を回折格子用スタンパから離型しようとした際に、格子溝が形成されているアモルファスシリコン層が破壊されたり、またアモルファスシリコン層がエッチストップ層から剥離してしまうという問題点があった。
【００１０】
更に、上記公報に開示された回折格子用スタンパの製造方法において、深い格子溝を形成しようとした場合、アモルファスシリコン層を厚く形成する必要があるが、原理上、アモルファスシリコンを形成（堆積）できる厚みには限界があり、高アスペクト比を有する格子溝を形成することが困難であるという問題がある。
【００１１】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、高い信頼性を有した回折格子用スタンパ及び回折格子を低コストで製造可能とした回折格子用スタンパ及びその製造方法及び回折格子の製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１３】
請求項１記載の発明は、
基板に凹凸状の転写用のパターンが形成されたスタンパにおいて、
前記パターンを、前記基板を構成する単結晶バルクよりなる第１の層に形成したことを特徴とするものである。
【００１４】
上記発明によれば、単結晶バルク層にパターンを形成しているため、このパターンの強度はアモルファス層に形成されたパターンの強度に対して強い強度を持つ。よって、このスタンパを用いた被成型物の製造時（格子溝の転写時）において、パターンに変形や歪が発生することを防止でき、スタンパの信頼性を向上することができる。
【００１５】
また、請求項２記載の発明は、
請求項１記載のスタンパにおいて、
前記パターンの凹部に、前記基板を構成する第２の層が露出していることを特徴とするものである。
【００１６】
上記発明によれば、パターンの凹部に、強度が強く経時劣化が少ない第２の層が露出するため、スタンパによる被成型物の成型回数が増大してもパターンの形状（具体的には溝深さ）が変化するようなことはなく、よって高精度の被成型物を経時劣化なく製造することが可能となる。
【００１７】
また、請求項３記載の発明は、
請求項２記載のスタンパにおいて、
前記パターンの壁部は、前記第２の層の露出した面と垂直な壁面とされていることを特徴とするものである。
【００１８】
上記発明によれば、パターンの壁部が第２の層の露出した面と垂直な壁面となるため、高精度の被成型物を製造することが可能となる。
【００１９】
また、請求項４記載の発明は、
請求項２または３のいずれか１項に記載のスタンパにおいて、
前記第２の層を支持する第３の層を形成したことを特徴とするものである。
【００２０】
上記発明によれば、第３の層により第２の層が支持されるため、スタンパの機械的強度を高めることができる。
【００２１】
また、請求項５記載の発明は、
請求項２乃至４のいずれか１項に記載のスタンパにおいて、
前記第１の層を単結晶シリコンのバルクにより形成し、前記第２の層をシリコン酸化物により形成し、かつ、前記基板を前記第１の層に前記第２の層を密着した構成としたことを特徴とするものである。
【００２２】
上記発明によれば、第１の層を単結晶シリコンのバルクにより形成したことにより、スタンパの信頼性を向上することができる。即ち、単結晶シリコンのバルクは、薄膜技術を用いて形成されるポリシリコン（アモルファスシリコン）に比べて機械的強度が強い。このため、パターンを単結晶シリコンのバルクに形成することにより、パターンに変形や歪が発生することを防止でき、よってスタンパの信頼性を向上することができる。
【００２３】
また、第２の層をシリコン酸化物により形成し、かつ、基板を第１の層に第２の層を密着した構成としたことにより、第１の層を加工する際に第２の層により第１の層の加工の停止を行なう層として用いることが可能となる。
【００２４】
また、請求項６記載の発明は、
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のスタンパにおいて、
前記パターンは、回折格子を製造する型を構成することを特徴とするものである。
【００２５】
上記発明によれば、高精度の回折格子を生産性よく製造することができる。
【００２６】
また、請求項７記載の発明は、
単結晶バルクよりなる第１の層と、該第１の層と密着した第２の層とを具備する基板を用い、該基板に凹凸状の転写用のパターンを形成するスタンパの製造方法において、
前記第２の層を露出させるように前記第１の層を加工することにより前記パターンを形成することを特徴とするものである。
【００２７】
上記発明によれば、パターンの凹凸の高さが第１の層の高さにより決まるため、パターンの高さを高精度に決めることができる。
【００２８】
また、請求項８記載の発明は、
請求項７記載のスタンパの製造方法において、
前記パターンを形成する際、前記第２の層をエッチストップ材として前記第１の層をバルクマイクロマシニング技術を用いて加工することを特徴とするものである。
【００２９】
上記発明によれば、第２の層をエッチストップ材として、第１の層をバルクマイクロマシニング加工するため、第２の層以上に第１の層が加工されることを防止することができ、これによりパターンを精度良く形成することができる。
【００３０】
また、請求項９記載の発明は、
請求項８記載のスタンパの製造方法において、
前記バルクマイクロマシニング技術として、反応性イオンエッチングを用いたことを特徴とするものである。
【００３１】
上記発明によれば、バルクマイクロマシニングとして反応性イオンエッチングを用いたことにより、第１の層に対し、その加工表面に対して略垂直な側壁を有すると共に高アスペクト比を有した溝加工ができるため、パターンを精度良く形成することができる。
【００３２】
また、請求項１０記載の発明は、
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のスタンパを用いた成型方法であって、
前記スタンパを金型に装着すると共に、該スタンパと金型間に形成されるキャビティ内に被成型物となる樹脂を注入する工程と、
前記スタンパと金型との間に注入された樹脂を加圧する工程と、
前記パターンが転写された樹脂を前記スタンパ及び金型から離型させる工程とを有することを特徴とするものである。
【００３３】
上記発明によれば、強度が強く信頼性の高いスタンパを用い被成型物が製造されるため、製造される被成型物の信頼性も高めることができる。また、スタンパと金型間に形成されるキャビティ内に樹脂を注入し、この注入された樹脂を加圧成形（プレス・モールディング）して回折格子を形成することにより生産性を向上させることができ、被成型物を大量生産することも可能となる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。
【００３５】
図１及び図２は、本発明の一実施例であるスタンパの製造方法を説明するための図であり、図３は製造されたスタンパを用いて被成型物をを製造する方法を示している。尚、本実施例では、スタンパとして回折格子用スタンパを例に挙げて説明するものとする。
【００３６】
まず、図１及び図２を参照し、回折格子用スタンパの製造方法について説明する。図１（Ａ）は、回折格子用スタンパ１０を製造する基材となるＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板１０を示している。このＳＯＩ基板１０は、第１のバルク層１１（請求項に記載の第１の層に相当。），絶縁性中間層１３（請求項に記載の第２の層に相当。以下、単に中間層という。），第２のバルク層１２（請求項に記載の第３の層に相当。）が積層された構成とされている。第１のバルク層１１及び第２のバルク層１２は単結晶シリコン（Ｓｉ）のバルクにより形成され、中間層１３は絶縁材である二酸化シリコン（ＳｉＯ２）により形成されている。
【００３７】
第１のバルク層１１の厚さは、後述する回折格子パターン２１の溝深さと対応した厚さとされている。また、第２のバルク層１２は、第１のバルク層１１を支持する機能を層するものであり、その厚さは例えば３６０μｍとされている。
【００３８】
このＳＯＩ基板１０は、周知のＳＯＩ技術を用いて形成される。具体的には、ＳＯＩ基板１０はＳＩＭＯＸ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　ＩＭｐｌａｎｔｅｄ　ＯＸｉｄｅ）法、或いは貼り合わせ法を用いて形成することができる。ＳＩＭＯＸ法とは、シリコン基板（Ｓｉ）に酸素（Ｏ２）をイオン注入し、その後に熱処理を行なうことによりシリコンと結合させ、基板表面より内部位置にシリコンの酸化膜（ＳｉＯ２）を形成することによりＳＯＩ基板１０を製造する方法である。
また、貼り合わせ法は、表面に酸化膜を形成した第１のシリコン基板と、これとは別個の第２のシリコン基板を高熱・高圧力で接着し、その後に第２のシリコン基板を所定の厚さまで研削することにより、ＳＯＩ基板１０を製造する方法である。尚、ＳＯＩ基板１０の下面（第２のバルク層１２の下面）には、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）よりなる保護層１４が形成されている。
【００３９】
上記構成とされたＳＯＩ基板１０には、図１（Ｂ）に示すように、先ずフォトレジスト１５が塗布される。このフォトレジスト１５は、第１のバルク層１１上に、例えばスピナーを用いて塗布される。このフォトレジスト１５は、ポジ型，ネガ型のいずれであってもよい。
【００４０】
続いて、このフォトレジスト１５には露光・現像処理が行なわれ、回折格子パターン２１に対応したパターンが形成される。具体的には、回折格子パターン２１となる部分にフォトレジスト１５を残し、深堀加工部１７が形成される部位のフォトレジスト１５は除去される（深堀加工部１７及び回折格子パターン２１については、図２（Ｆ）参照）。
【００４１】
図１（Ｃ）は、フォトレジスト１５の不要部分が除去された状態を示している。同図に示すように、フォトレジスト１５が除去された部分は、第１のバルク層１１が露出した状態となっている。
【００４２】
上記のようにフォトレジスト１５のパターニングが終了すると、続いてＳＯＩ基板１０に対してバルクマイクロマシニングが行なわれ、回折格子パターン２１の形成処理が行なわれる。本実施例では、バルクマイクロマシニングとして、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）を用いている。ＳＯＩ基板１０は反応性イオンエッチングを行なうエッチング装置に装着され、フォトレジスト１５をマスクとして第１のバルク層１１に対し反応性イオンエッチングが実施される。ここで、上記のバルクマイクロマシニング技術とは、単結晶基板そのものに微細構造体を形成する加工技術をいう（「半導体用語大辞典」：株式会社日刊工業新聞社、１９９９年３月２０日発行、８７１頁右欄参照）。
【００４３】
本実施例では、ＳＦ６ガスを用いた反応性イオンエッチングを用いている。この反応性イオンエッチングは、シリコン（Ｓｉ）と二酸化シリコン（ＳｉＯ２）との間に高いエッチレートの選択比を持つことを大きな特徴の一つとしている。
【００４４】
このエッチレートの選択比は、条件によって異なるが、Ｓｉ：ＳｉＯ２＝（１００〜３００）：１である。また、ガス交換を行なう反応性イオンエッチングでは、側壁保護とエッチングのプロセスを交互に繰り返すことで、加工表面に対して略垂直な側壁を持つ深堀加工部１７（溝）を加工することができる。よって、高アスペクト比を有した深堀加工部１７を形成することができる。
【００４５】
図２（Ｄ）は、反応性イオンエッチングにより第１のバルク層１１に深堀加工部１７を形成している過程を示している。前記ように反応性イオンエッチングでは、加工表面に対して略垂直な側壁を持つ溝を形成することができるが、ある程度の面積をある程度の深さ以上掘りこむ際、底面の平坦性を数μｍ内に保つことは難しい。このため、図２（Ｄ）に示すように加工途中においては、深堀加工部１７の底面には厚みむら１６が形成される。
【００４６】
いま、仮に中間層１３が存在しない構成（第１のバルク層１１と第２のバルク層１２が一体化した構成）を想定した場合、深堀加工部１７の深さを制御するには時間制御を行なうしかなく、その精度は低下してしまう。また、深堀加工部１７の底部には、上記した厚みむら１６が発生したままの状態となる。
【００４７】
この深堀加工部１７の深さ制御は、回折格子パターン２１の高さ制御と等価である。よって、中間層１３が存在しない構成では、回折格子パターン２１の高さにバラツキが発生してしまう。このように、回折格子パターン２１の高さにバラツキが発生すると、この回折格子パターン２１を有した回折格子用スタンパ２０を原型として製造される回折格子４０（図３参照）の精度も低下してしまう。
【００４８】
これに対して本実施例では、反応性イオンエッチングのエッチング速度が、シリコン（Ｓｉ）に対して極めて遅い二酸化シリコン（ＳｉＯ２）よりなる中間層１３を第１のバルク層１１と第２のバルク層１２との間に設けている。このため、第１のバルク層１１に対する反応性イオンエッチングは、この中間層１３が露出するまで行なわれ、また中間層１３が露出した後は第２のバルク層１２までエッチングが及ぶのを防止する。
【００４９】
即ち、第１のバルク層１１に対してエッチング処理を行なう際、中間層１３は第１のバルク層１１に対するエッチング量を規制するエッチストップ材として機能する。よって、中間層１３を設けることにより、図２（Ｅ）に示すように、反応性イオンエッチングにより深堀加工部１７の底部に発生する厚みむら１６を完全に除去することができる。また、エッチストップ材として機能する中間層１３以上に反応性イオンエッチングが進まないため、第２のバルク層１２がエッチングされることはない。
【００５０】
これにより、深堀加工部１７の底部（パターンの凹部）には、中間層１３が露出した状態となる。また、前記のように第１のバルク層１１の深堀加工部１７は反応性イオンエッチングで形成されるため、その側壁（パターンの壁部）は露出した中間層１３の表面と垂直な壁面となる。
【００５１】
上記のように深堀加工部１７を加工することにより回折格子パターン２１が形成されると、アッシング処理が実施され、フォトレジスト１５が除去される。上記した一連の処理を実施することにより、図２（Ｆ）に示す回折格子用スタンパ２０が製造される。
【００５２】
この回折格子用スタンパ２０は、第１のバルク層１１に回折格子パターン２１と深堀加工部１７とが交互に形成された構成となっており、よって凹凸形状を有している。この回折格子用スタンパ２０は、回折格子４０を製造する際、回折格子４０に格子溝を形成する原型となる。
【００５３】
上記したように、本実施例による回折格子用スタンパ１０の製造方法は、回折格子パターン２１となる第１のバルク層１１を単結晶シリコンのバルクにより形成した。単結晶シリコンのバルクは、薄膜技術（例えば、ＣＶＤ法等）を用いて形成（堆積）されるポリシリコンやアモルファスシリコンに比べて機械的強度が強い。このため、単結晶シリコンのバルクである第１のバルク層１１に回折格子パターン２１を形成することにより、回折格子パターン２１に変形や歪が発生することを防止でき、よって回折格子用スタンパ２０の信頼性を向上することができる。
【００５４】
また、第１のバルク層１１にバルクマイクロマシニング技術であるＲＩＥを用いて回折格子パターン２１を形成したことにより、薄膜技術を用いて薄膜の積層及びエッチングを繰り返し回折格子パターンを形成する構成に比べ、回折格子パターン２１の強度を向上させることができる。よって、回折格子４０の製造時（格子溝の転写時）に回折格子パターン２１に変形や歪が発生することを防止でき、回折格子用スタンパ２０の信頼性を向上することができる。
【００５５】
また、上記のように製造された回折格子用スタンパ２０は、回折格子パターン２１の凹部、即ち深堀加工部１７の底部に中間層１３が露出した構成となっている。この中間層１３は、前記したようにＳｉＯ２であり、強度が強く経時劣化が少ない安定した材料である。
【００５６】
このように機械的に強固で安定した中間層１３が回折格子パターン２１の凹部に形成されることにより、回折格子用スタンパ２０を用いて多数の回折格子４０の製造を行なっても、中間層１３が経時的に劣化したり厚さ変化が発生するようなことはなく、回折格子パターン２１の高さは一定に保たれる。よって、本実施例の回折格子用スタンパ２０によれば、高精度の回折格子４０を経時劣化なく製造することが可能となる。
【００５７】
尚、上記した回折格子用スタンパ２０の製造方法では、第１のバルク層１１と第２のバルク層１２をいずれも単結晶シリコンのバルクとした。しかしながら、第１のバルク層１１と第２のバルク層１２は必ずしも単結晶シリコンのバルクとする必要はなく、回折格子パターン２１を高精度に加工でき、所定の機械的強度を得ることができるものであれば、樹脂、金属、その他の材料を用いることも可能である。
【００５８】
また、第１のバルク層１１と第２のバルク層１２は必ずしも同一材料とする必要はなく、異なる材料とすることも可能である。この場合、第２のバルク層１２の材質を、第１のバルク層１１をエッチングする際にエッチストップ材として機能する材料とすることにより、中間層１３を除去することも可能となる。
【００５９】
図３は、上記のように製造された回折格子用スタンパ２０を用いて回折格子４０を製造する方法を示している。
【００６０】
回折格子４０を形成するには、先ず回折格子用スタンパ２０を装着可能な構成とした金型３０を用意する。本実施例では、金型３０の下部に回折格子用スタンパ２０を装着し得る構成とされている。また、金型３０は、回折格子用スタンパ２０に対して図中上下方向に移動可能な構成とされている。
【００６１】
回折格子用スタンパ２０が金型３０に装着されると、図３（Ａ）に示すように、回折格子用スタンパ２０と金型３０との間に形成されている空間（キャビティ）に回折格子用樹脂３２を注入する。この回折格子用樹脂３２を注入処理は、例えば射出成形機を用いて行なわれる。
【００６２】
回折格子用樹脂３２を注入処理が終了すると、続いて図３（Ｂ）に示すように、金型３０を回折格子用スタンパ２０に向けて加圧する。前記したように、金型３０は回折格子用スタンパ２０に対して図中上下に移動可能な構成とされている。よって、金型３０を回折格子用スタンパ２０に向けて加圧することにより、回折格子用樹脂３２は加圧される。即ち、本実施例では、回折格子４０を形成するのに、インジェクションプレス法を用いている。
【００６３】
上記の加圧処理が終了すると、続いて図３（Ｃ）に示すように、金型３０を回折格子用スタンパ２０に対して上動させ、これに伴い回折格子４０を回折格子用スタンパ２０及び金型３０から離型させる。これにより、回折格子用スタンパ２０に形成された回折格子パターン２１は転写され、回折格子パターン２１に対応したパターン４２（格子溝）が形成された回折格子４０が製造される。
【００６４】
上記のように本実施例による回折格子４０の製造方法によれば、強度が強く信頼性の高い回折格子用スタンパ２０を用い回折格子４０が製造されるため、製造される回折格子４０の信頼性も高めることができる。また、インジェクションプレス法を用い、回折格子用樹脂３２を加圧成形（プレス・モールディング）して回折格子４０を形成することにより生産性を向上させることができ、よって回折格子４０を大量生産することも可能となる。
【００６５】
尚、上記した実施例では、回折格子４０として反射形振幅回折格子を例に挙げて説明した。しかしながら、本発明の適用は反射形振幅回折格子に限定されるものではなく、透過位相形回折格子、反射型部レーズド回折格子等の他の構成の回折格子に対しても適用することができるものである。
【００６６】
また、回折格子以外にも、例えばＣＤ（コンパクトディスク）やＤＶＤ（デジタルビデオディスク）等の光ディスクを製造する際に用いるスタンパに対しても、更に櫛歯状の静電アクチュエータ等に対しても適用することが可能なものである。
【００６７】
【発明の効果】
上述の如く本発明によれば、次に述べる種々の効果を実現することができる。
【００６８】
請求項１記載の発明によれば、本スタンパを用いた被成型物の製造時（格子溝の転写時）において、パターンに変形や歪が発生することを防止でき、スタンパの信頼性を向上することができる。
【００６９】
また、請求項２記載の発明によれば、スタンパによる被成型物の成型回数が増大してもパターンの形状（具体的には溝深さ）が変化するようなことはなく、よって高精度の被成型物を経時劣化なく製造することが可能となる。
【００７０】
また、請求項３記載の発明によれば、高精度の被成型物を製造することが可能となる。
【００７１】
また、請求項４記載の発明によれば、第３の層により第２の層が支持されるため、スタンパの機械的強度を高めることができる。
【００７２】
また、請求項５記載の発明によれば、パターンを単結晶シリコンのバルクに形成することにより、パターンに変形や歪が発生することを防止でき、よってスタンパの信頼性を向上することができる。
【００７３】
また、請求項６記載の発明によれば、高精度の回折格子を生産性よく製造することができる。
【００７４】
また、請求項７記載の発明によれば、パターンの凹凸の高さが第１の層の高さにより決まるため、パターンの高さを高精度に決めることができる。
【００７５】
また、請求項８記載の発明によれば、第２の層をエッチストップ材として、第１の層をバルクマイクロマシニング加工するため、第２の層以上に第１の層が加工されることを防止することができ、これによりパターンを精度良く形成することができる。
【００７６】
また、請求項９記載の発明によれば、第１の層に対し、その加工表面に対して略垂直な側壁を有すると共に高アスペクト比を有した溝加工ができるため、パターンを精度良く形成することができる。
【００７７】
また、請求項１０記載の発明によれば、製造される被成型物の信頼性も高めることができると共に、被成型物を大量生産することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例である回折格子用スタンパの製造方法を説明するための図である（その１）。
【図２】本発明の一実施例である回折格子用スタンパの製造方法を説明するための図である（その２）。
【図３】本発明の一実施例である回折格子用スタンパを用いて回折格子を製造する方法を説明するための図である。
【符号の説明】
１０　ＳＯＩ基板
１１　第１のバルク層
１２　第２のバルク層
１３　中間層
１４　保護層
１５　フォトレジスト
１６　厚みむら
１７　深堀加工部
２０　回折格子用スタンパ
２１　回折格子パターン
３０　金型
３２　回折格子用樹脂
４０　回折格子
４２　パターン
【図１】
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【図２】
2004125874.tif 000004
【図３】
2004125874.tif 000005