(57)【要約】【課題】裏面に電子回路基板へ実装するための電極端子を有する基板の表面に半導体チップをフリップチップ実装した半導体パッケージの製造コストの低減を図る。【解決手段】半導体チップ１を接続するキャリア基板表面の電極パッド部８と、電子回路基板へ実装するためのキャリア基板裏面の電極ランド部９との接続を、シリコン基板等のキャリア部材２に貫通孔１４を設け、その貫通孔１４に配線３を形成するという簡単な構成および方法で実現でき、従来のビルドアップ基板に代表される多層配線基板よりも製作に要する工程数が少なく安価なキャリア基板を実現できるため、半導体パッケージの製造コストを低減できる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数の電極を有した半導体チップと、キャリア部材の表面にそれぞれ対応する前記半導体チップの電極とバンプを介して電気的に接続された複数の電極パッド部を有するとともに前記キャリア部材の裏面に回路基板へ実装するための複数の実装電極端子部を有しそれぞれ対応する前記電極パッド部と実装電極端子部とが前記キャリア部材の内部を通る配線で接続されたキャリア基板とを備えた半導体装置であって、
前記キャリア基板は、表面の前記電極パッド部と裏面の前記実装電極端子部とを直接結ぶ貫通孔を前記キャリア部材に設け、前記貫通孔に前記電極パッド部と実装電極端子部とを接続するための前記配線を形成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記貫通孔は、前記電極パッド部と実装電極端子部とを直線状に結ぶように設けられたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数の実装電極端子部は、前記キャリア部材の裏面に２次元状に配列されたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記配線は、前記キャリア部材に設けた貫通孔の内側壁面に、めっき法によって形成された導体箔であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記配線は、前記キャリア部材に設けた貫通孔の表面より球面状に盛り上がって形成された突出部を有したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記キャリア部材は、シリコン基板であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記キャリア部材に設けた貫通孔は、口径の異なる複数の穴が連結されてなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】
前記キャリア部材に設けた貫通孔は、前記キャリア部材の表面と裏面とで口径が異なるテーパー状に形成されたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項９】
表面に複数の電極を有した半導体チップを形成する工程と、キャリア部材の表面にそれぞれ前記半導体チップの電極と対応する複数の電極パッド部を有するとともに前記キャリア部材の裏面に回路基板へ実装するための複数の実装電極端子部を有しそれぞれ対応する前記電極パッド部と実装電極端子部とが前記キャリア部材の内部を通る配線で接続されたキャリア基板を形成する工程と、前記半導体チップの電極と前記キャリア基板の電極パッド部とをバンプを介して電気的に接続する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記キャリア基板を形成する工程は、表面に形成される前記電極パッド部と裏面に形成される前記実装電極端子部とを直接結ぶための貫通孔を前記キャリア部材に形成する第１工程と、前記貫通孔に前記配線を形成する第２工程とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記第２工程は、液体状の溶融金属を前記キャリア部材の貫通孔の一方の開口を塞ぐように接触させ、前記溶融金属に、１．０１３２５×１０５  Ｐａを超える圧力をかけて前記溶融金属を前記貫通孔内に充填させたのち、冷却固化することにより、前記貫通孔に前記配線を形成することを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２工程は、液体状の溶融金属を前記キャリア部材の貫通孔の一方の開口を塞ぐように接触させ、前記溶融金属とは反対側の前記貫通孔の開口より真空吸引して前記溶融金属を前記貫通孔内に充填させたのち、冷却固化することにより、前記貫通孔に前記配線を形成することを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１工程は、レーザーアブレーション加工にて前記貫通孔を前記キャリア部材に形成することを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１工程は、リアクティブイオンエッチング加工にて前記貫通孔を前記キャリア部材に形成することを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ等のチップをパッケージし、回路基板上に表面実装されるＢＧＡ，ＣＳＰ等の半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
最近の電子機器の小型薄型化に伴い、半導体パッケージは、周辺に配列された電極端子を有するものから、エリア状に配列された電極ランドを有するＢＧＡ、ＣＳＰ等が、多く用いられるようになってきている。このＳｉチップ上の微小ピッチで形成された電極パッドからエリア状の電極ランドへは、従来ワイヤーボンディング技術で接続されていたが、近年においては、省スペース性に優れるフリップチップ工法により、バンプ電極を介し、半導体チップを短い配線距離で接合する技術が用いられる場合が増加傾向にある。
【０００３】
図８は従来の半導体装置の断面図である。図８において、１はＬＳＩチップ等の半導体チップ、２０は多層配線基板、３０は銅箔等で形成された配線、４はフリップチップ実装におけるバンプ、５は接続樹脂、６はモールド樹脂、７は多層配線基板２０の下面にエリア状に配置されている電極ランド部（図示せず）に形成されたはんだボールからなる電極端子である。
【０００４】
この従来の半導体装置は、半導体チップ１の表面の電極パッド（図示せず）上にバンプ４を形成しフェイスダウンして多層配線基板２０と接続し、半導体チップ１と多層配線基板２０の間に接続樹脂５を充填し、さらに多層配線基板２０上の半導体チップ１をモールド樹脂６で被覆した半導体パッケージである。多層配線基板２０は、それぞれ表面に銅箔の配線３０が形成された多層のエポキシ樹脂基板やセラミック基板からなり、各層表面の銅箔の配線３０はビアホール内に充填された配線３０を介して接続されている。半導体チップ１の微小な配列である電極パッド（図示せず）は、バンプ４および多層配線基板２０の配線３０を介して、多層配線基板２０の下面にエリア状に配置された大きな実装用の電極ランド部（図示せず）に接続されている。この半導体装置が電子回路基板に実装されるとき、電極ランド部（図示せず）に形成されているはんだボールの電極端子７が電子回路基板へ接続されることになる。
【０００５】
多層配線基板２０のようなキャリア配線基板の構造は例えば特許文献１に示され、キャリア配線基板を使用しパッケージされた半導体装置の構成は例えば特許文献２に示されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平５−３３５７４５号公報
【特許文献２】
特開２０００−１６４６３５号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
今後さらに携帯端末機器の進化に伴い、薄型・軽量化に加え、高速高機能化および電極数の増加を要求され、同時に低価格化も要求されている。しかしながら、上述した従来の構成では、半導体チップ１の電極パッドと電極端子７のランド部との間の配線接続を行う多層配線基板２０は、配線層と基材層、さらに各配線層を電気的に接続するビアホールを有するビルドアップ基板が代表的であるが、このような多層配線基板２０は、製作に要する工程数が多く高価であり、半導体パッケージの組み立てコストが高くなってしまう欠点があった。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑み、裏面に電子回路基板へ実装するための電極端子を有する基板の表面に半導体チップをフリップチップ実装した半導体パッケージの製造コストの低減を図ることのできる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、表面に複数の電極を有した半導体チップと、キャリア部材の表面にそれぞれ対応する半導体チップの電極とバンプを介して電気的に接続された複数の電極パッド部を有するとともにキャリア部材の裏面に回路基板へ実装するための複数の実装電極端子部を有しそれぞれ対応する電極パッド部と実装電極端子部とがキャリア部材の内部を通る配線で接続されたキャリア基板とを備えた半導体装置であって、キャリア基板は、表面の電極パッド部と裏面の実装電極端子部とを直接結ぶ貫通孔をキャリア部材に設け、貫通孔に電極パッド部と実装電極端子部とを接続するための配線を形成したことを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、キャリア基板において、半導体チップの電極と電気的接続される表面の電極パッド部と、回路基板へ実装するための裏面の実装電極端子部との接続を、キャリア部材に貫通孔を設けその貫通孔に配線を形成するという簡単な構成で実現でき、従来の多層配線基板よりも製作に要する工程数が少なく安価なキャリア基板となるため、半導体パッケージ（半導体装置）の製造コストの低減を図ることができる。
【００１１】
また、本発明の半導体装置において、貫通孔を、電極パッド部と実装電極端子部とを直線状に結ぶように設けることにより、最短の配線を実現し、配線抵抗の低減を図ることができる。
【００１２】
また、複数の実装電極端子部は、キャリア部材の裏面に２次元状に配列されていて構わない。
【００１３】
また、配線は、キャリア部材に設けた貫通孔の内側壁面に、めっき法によって形成された導体箔で構成してもよい。
【００１４】
また、配線は、キャリア部材に設けた貫通孔の表面より球面状に盛り上がって形成された突出部を有したものでも構わない。この場合、突出部を電極パッド部等に兼用することも可能になる。
【００１５】
また、キャリア部材には、シリコン基板を用いることができる。
【００１６】
また、キャリア部材に設けた貫通孔は、口径の異なる複数の穴が連結されてなるものであっても構わないし、キャリア部材の表面と裏面とで口径が異なるテーパー状に形成されたものであっても構わない。
【００１７】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、表面に複数の電極を有した半導体チップを形成する工程と、キャリア部材の表面にそれぞれ半導体チップの電極と対応する複数の電極パッド部を有するとともにキャリア部材の裏面に回路基板へ実装するための複数の実装電極端子部を有しそれぞれ対応する電極パッド部と実装電極端子部とがキャリア部材の内部を通る配線で接続されたキャリア基板を形成する工程と、半導体チップの電極とキャリア基板の電極パッド部とをバンプを介して電気的に接続する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、キャリア基板を形成する工程は、表面に形成される電極パッド部と裏面に形成される実装電極端子部とを直接結ぶための貫通孔をキャリア部材に形成する第１工程と、貫通孔に配線を形成する第２工程とを有することを特徴とする。
【００１８】
この製造方法によれば、キャリア基板を形成する際、半導体チップの電極と電気的接続される表面の電極パッド部と、回路基板へ実装するための裏面の実装電極端子部との接続を、キャリア部材に貫通孔を設けその貫通孔に配線を形成するという簡単な方法で実現でき、従来の多層配線基板よりも製作に要する工程数が少なく安価なキャリア基板を作製でき、半導体パッケージ（半導体装置）の製造コストの低減を図ることができる。
【００１９】
また、本発明の半導体装置の製造方法において、第２工程で、液体状の溶融金属をキャリア部材の貫通孔の一方の開口を塞ぐように接触させ、溶融金属に、１．０１３２５×１０５  Ｐａを超える圧力をかけて溶融金属を貫通孔内に充填させたのち、冷却固化することにより、貫通孔に配線を形成することができる。
【００２０】
あるいは、第２工程で、液体状の溶融金属をキャリア部材の貫通孔の一方の開口を塞ぐように接触させ、溶融金属とは反対側の貫通孔の開口より真空吸引して溶融金属を貫通孔内に充填させたのち、冷却固化することにより、貫通孔に配線を形成することができる。
【００２１】
また、第１工程で、レーザーアブレーション加工にて貫通孔をキャリア部材に形成することができる。
【００２２】
あるいは、第１工程で、リアクティブイオンエッチング加工にて貫通孔をキャリア部材に形成することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２４】
図１は本発明の第１の実施の形態における半導体パッケージ（半導体装置）の構成を示す断面図である。また、図２は本発明の第２の実施の形態における半導体パッケージ（半導体装置）の構成を透視した斜視図である。図１、図２において、１はＬＳＩ等のＳｉチップである半導体チップ、２はシリコン基板等からなるキャリア部材、３は貫通孔１４内に形成された配線、４はフリップチップ実装におけるバンプ、５は接続樹脂、６はモールド樹脂、７ははんだボールからなる電極端子（実装電極端子部）、８はキャリア部材２の上面に配置された電極パッド部であり、９はキャリア部材２の下面に配置された電極ランド部（実装電極端子部）、１４はキャリア部材２に形成した貫通孔である。なお、図２では、図示されていないものもあるが、上記の１〜９、１４の構成要素はすべて存在する。
【００２５】
図１、図２の半導体装置は、半導体チップ１の表面の複数の電極パッド（図示せず）上にそれぞれバンプ４を形成しフェイスダウンしてキャリア部材２上の電極パッド部８と接続し、半導体チップ１とキャリア部材２の間に接続樹脂５を充填し、さらにキャリア部材２上の半導体チップ１をモールド樹脂６で被覆した半導体パッケージである。
【００２６】
図３に、図１、図２の半導体装置に用いられるキャリア基板（キャリア部材２、配線３、電極パッド部８、電極ランド部９、はんだボールの電極端子７）の一部の拡大断面を示す。
【００２７】
キャリア部材２は、シリコン基板、またはシリコンの熱膨張係数に近い低熱膨張係数の特性をもった樹脂で構成されており、表面に配置された電極パッド部８と裏面に配置された電極ランド部９とを結ぶ貫通孔１４が設けられている。貫通孔１４内に配線３が形成され、電極パッド部８と電極ランド部９とが電気的に接続されている。ここで貫通孔１４内の配線３は、図８の配線３０のように水平面にのびた銅配線部と垂直なビアホール内部の配線部の組み合わせによる形成でなく、キャリア部材２上面の５０〜１２０μｍ程度の微細ピッチでならんだ電極パッド部８裏面から、キャリア部材２下面のエリア状に配置された電極ランド部９にむけて、斜めにのびている。加工が可能な範囲にて両者を直線状に結び、最短の配線を実現することが、配線抵抗の低減を図る上で好ましい。図３の例では、配線３は、貫通孔１４の内壁面にめっき形成された導体箔１０とその内部に充填された金属１１とで構成されている。それぞれの電極ランド部９には、はんだボールからなる電極端子７が形成されている。
【００２８】
電極ランド部９および電極端子７は、キャリア部材２の裏面に例えば図２のようなエリア状（２次元状：例えば格子状）に配置され、半導体装置が電子回路基板に実装されるとき、はんだボールの電極端子７が電子回路基板へ接続されることになる（図１、図２の半導体装置に共通事項）。
【００２９】
図１と図２の半導体装置では、半導体チップ１の電極パッド（図示せず）の配列が異なる。図１の半導体装置の場合、電極パッドは半導体チップ１の外形（四角形）の辺に沿って列状に配置されており、したがって、それぞれの電極パッドと対応して配置されるキャリア部材２上の電極パッド部８も同じく列状に配置され、それぞれバンプ４を介して接続されている。なお、図１では、１つの電極パッド部８が複数の電極ランド部９に配線３で接続されているように見えるが、これは、列状に並んだ複数の電極パッド部８の配線３を示したものであり、各電極パッド部８はそれぞれに対応する１つの電極ランド部９に接続されている（図２の場合も同様）。
【００３０】
また、図２の半導体装置の場合、電極パッドは半導体チップ１の表面にエリア状（２次元状）に配置されており、したがって、それぞれの電極パッドと対応して配置されるキャリア部材２上の電極パッド部８も同じくエリア状（２次元状）に配置され、それぞれバンプ４を介して接続されている。
【００３１】
以上のように構成される図１、図２の半導体装置の製造方法について説明する。
【００３２】
まず、概略を説明すると、ウエハーから切り出された半導体チップ１と、キャリア基板（キャリア部材２、配線３、電極パッド部８、電極ランド部９を有し、ここでははんだボールの電極端子７は未形成）とを準備し、半導体チップ１の電極パッド（図示せず）上に、めっき技術等を用いて、バンプ４を形成する。これをキャリア部材２上の電極パッド部８に導電性ペーストによる接続、もしくは超音波接合、あるいは圧接により電気的導通をとるとともに、半導体チップ１とキャリア基板の間に接続樹脂５を充填し、接続樹脂５の収縮力により安定した接合が図られる。さらにキャリア基板上の半導体チップ１をモールド樹脂６で被覆してパッケージングした後、はんだボールの電極端子７を形成する。このはんだボールの電極端子７は、ボールマウントないし印刷法にてはんだを供給し、加熱溶融させて形成する。
【００３３】
次にキャリア基板の形成方法について詳しく説明する。
【００３４】
まず、キャリア部材２に貫通孔１４を形成したのち、貫通孔１４に配線３を形成する。貫通孔１４の形成方法については後述する。配線３の形成例を図４に示す。
【００３５】
図４（ａ）の例は、めっき法によって、貫通孔１４内にめっき液を通し、貫通孔１４の内壁面に導体箔１０を形成し、この導体箔１０を配線３とするものである。導体箔１０は、銅、銀、金等のめっき法により析出可能な導体物質で形成される。
【００３６】
また、図４（ｂ）の例は、貫通孔１４に液体状に溶融された金属１１を充填したのち、冷却固化することにより、固化された金属１１を配線３とするものである。この金属１１は一般的なはんだ合金である。充填の方法としては、まず第１に、液体状の溶融金属で貫通孔１４の一方の開口を塞ぐように溶融金属の表面にキャリア部材２を接触させ、キャリア部材２の周囲の溶融金属の表面に、１．０１３２５×１０５  Ｐａ（１気圧）を超える圧力をかけて溶融金属を貫通孔１４内に注入する方法がある。第２に、液体状の溶融金属で貫通孔１４の一方の開口を塞ぐように溶融金属の表面にキャリア部材２を浸し、溶融金属とは反対側の貫通孔１４の開口より真空吸引して溶融金属を貫通孔１４内に充填させる方法がある。
【００３７】
また、図４（ｃ）の例は、図３の例と同様、貫通孔１４の内壁面にめっき形成された導体箔１０とその内部に充填された金属１１とで配線３が構成されている。この場合、まず、めっき法によって、貫通孔１４内にめっき液を通し、貫通孔１４の内壁面に銅、銀または金等の導体箔１０を形成した後、導体箔１０に対し溶融状態において濡れ広がる性質をもつはんだ金属のような溶融金属に浸す。すると毛細管現象により、貫通孔１４内に溶融金属が充填される。その後、冷却固化することにより、固化された金属１１を形成する。
【００３８】
また、図４（ｃ）の形成方法によると、溶融金属の表面張力により、貫通孔１４の開口面から球冠状に導体金属が盛り上がって、図５に示すように、球冠状突起部１２を形成することができる。このように球冠状突起部１２を形成し、これを、フリップチップ接続工程における接続部の電極パッド部８やバンプとして利用することもできる。
【００３９】
以上のように配線３（１０、１１）を形成した後、表面の電極パッド部８と裏面の電極ランド部９を形成する。この電極パッド部８および電極ランド部９の形成方法は、代表的には次の２通りが挙げられる。まず第１には、めっき法により形成され、この場合、キャリア基板表面に全面めっきした後、必要部分残し、エッチング除去する方法と、マスクを製作して電極パッド部８および電極ランド部９の形成領域のみ開口し、めっきする方法とがある。この場合の材料は銅などである。第２には、銀ペースト材やタングステン、モリブデンペーストなど金属粒子のペースト材を用い、印刷法、主にメタルマスクを使ったスクリーン印刷法にて、所望の部位に印刷形成した後、焼成する方法がある。
【００４０】
次に、キャリア部材２の貫通孔１４の形成方法について、説明する。
【００４１】
キャリア部材２をシリコンの熱膨張係数に近い低熱膨張係数の特性をもった樹脂で構成した場合には、貫通孔１４は、例えば、図６に示すようにレーザー等のエネルギービーム１３によるアブレーション加工等により形成する。
【００４２】
また、キャリア部材２をシリコン基板で構成した場合には、貫通孔１４は、ＤｅｅｐＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）加工等により形成する。
【００４３】
また、貫通孔１４の形成は高アスペクト加工となるため、口径の異なる複数の穴が連結されてなるように貫通孔１４を構成してもよい。例えば図７に示すように、大口径の穴１４ａと小口径の穴１４ｂの２つが連結される場合、２段階にわけて、まず大口径の穴１４ａの加工を行う。このとき加工はレーザーではＹＡＧレーザー等を用い、次に小口径の穴１４ｂの加工を行う。このとき加工はエキシマレーザー等の紫外線レーザーを用い、微細な穴加工を行うことにより、図７に示すような電極ランド部９側で大きく電極パッド部８側で微細な開口をもつ貫通孔１４を形成する。この貫通孔１４はテーパー状となってもよい。このような図７の貫通孔１４のようにアスペクト比の大きい加工を行う場合には、キャリア部材２が低熱伝導率の樹脂であることが、熱がにげず局所的に加工できるので望ましい。
【００４４】
また、図１の構成では、左側の貫通孔１４が折れ曲がって形成されているが、それぞれ表面から設計された角度に加工エネルギー源を照射し、それぞれの加工深さを調整して実現できる。加工深さについては、エネルギー量×時間で管理できる。
【００４５】
また、キャリア部材２を２層以上の部材で構成してもよく、例えば２層の部材（第１部材、第２部材とする）で構成する場合、第１部材と第２部材に各々貫通孔を形成した後、貼り合わせする方法と、第１部材と第２部材を貼り合わせて２層板（配線層で３層）を形成した後、両面からそれぞれ穴加工を内層配線層まで行う方法とがある。
【００４６】
以上のように貫通孔１４を形成後、前述のような配線３や、電極パッド部８、電極ランド部９が形成される。
【００４７】
以上のように本実施の形態によれば、半導体チップ１を接続するキャリア基板表面の電極パッド部８と、電子回路基板へ実装するためのキャリア基板裏面の電極ランド部９との接続を、キャリア部材２に貫通孔１４を設けその貫通孔１４に配線３を形成するという簡単な構成および方法で実現でき、従来のビルドアップ基板に代表される多層配線基板よりも製作に要する工程数が少なく安価なキャリア基板を実現できるため、半導体パッケージ（半導体装置）の製造コストの低減を図ることができる。
【００４８】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、半導体チップの電極と電気的接続されるキャリア基板表面の電極パッド部と、回路基板へ実装するためのキャリア基板裏面の実装電極端子部との接続を、キャリア部材に貫通孔を設けその貫通孔に配線を形成するという簡単な構成および方法で実現でき、従来のビルドアップ基板に代表される多層配線基板よりも製作に要する工程数が少なく安価なキャリア基板を実現できるため、半導体パッケージ（半導体装置）の製造コストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における半導体パッケージ（半導体装置）の構成を示す断面図。
【図２】本発明の第２の実施の形態における半導体パッケージ（半導体装置）の構成を透視した斜視図。
【図３】本発明の各実施の形態におけるキャリア基板の構造の一例を示す断面図。
【図４】（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ本発明の各実施の形態におけるキャリア基板の配線構造の一例を示す断面図。
【図５】本発明の各実施の形態におけるキャリア基板の配線構造の一例を示す断面図。
【図６】本発明の各実施の形態におけるキャリア部材に貫通孔を形成する方法を示す断面図。
【図７】本発明の各実施の形態におけるキャリア部材に貫通孔を形成する際、複数の加工ステップに分けて形成された段差のある貫通孔を示す断面図。
【図８】従来の半導体パッケージ（半導体装置）の構成を示す断面図。
【符号の説明】
１  半導体チップ
２  キャリア部材
３  配線
４  バンプ
５  接続樹脂
６  モールド樹脂
７  はんだボール電極端子
８  電極パッド部
９  電極ランド部
１０  導体箔
１１  充填金属
１２  球冠状突起部
１３  エネルギービーム
１４  貫通孔
【図１】
2004228200.tif 000003
【図２】
2004228200.tif 000004
【図３】
2004228200.tif 000005
【図４】
2004228200.tif 000006
【図５】
2004228200.tif 000007
【図６】
2004228200.tif 000008
【図７】
2004228200.tif 000009
【図８】
2004228200.tif 000010