(57)【要約】【課題】接続損失の低い導波路と光ファイバとの接続方法及びその接続構造を提供する。【解決手段】ポリマ導波路１５と固定用ブロック１７とを、凹部２２と凸部２７とが嵌合するように接続することにより、調心の必要がなくなる。ポリマ導波路１５と光ファイバ６を有する固定用ブロック１７とを接着しても面同士の接着にはならないため、高い接着強度が得られる。この結果、接続損失の低いポリマ導波路１５と光ファイバ６との接続方法及びその接続構造を提供することができる。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された導波路に光ファイバを接続する接続方法において、上記導波路の端部に上記導波路を伝搬する光を上記基板と反対側に反射する導波路側反射鏡を形成し、上記光ファイバの端部を固定用ブロックに固定し、上記固定用ブロック及び上記光ファイバの共通端部に上記導波路側反射鏡からの光を上記光ファイバに入射させる光ファイバ側反射鏡を形成し、上記固定用ブロックの底面及び上記導波路の上面に位置決め用の凹部若しくは凸部のいずれかをそれぞれ形成し、上記凸部を上記凹部に嵌合するように上記導波路と上記固定用ブロックとを接続することを特徴とする導波路と光ファイバとの接続方法。
【請求項２】
上記導波路側反射鏡の上記導波路の光軸に対する傾斜角度及び上記光ファイバ側反射鏡の上記光ファイバの光軸に対する傾斜角度を４５度とする請求項１に記載の導波路と光ファイバとの接続方法。
【請求項３】
基板上に形成された導波路と光ファイバとの接続構造において、上記導波路の端部に形成され、上記導波路を伝搬する光を上記基板と反対側に反射する導波路側反射鏡と、上記光ファイバの端部に固定された固定用ブロックと、該固定用ブロック及び上記光ファイバの共通端部に形成され上記導波路側反射鏡からの光を上記光ファイバに入射させる光ファイバ側反射鏡と、上記固定用ブロックの底面及び上記導波路の上面にいずれかがそれぞれ形成され、嵌合することにより上記導波路と上記光ファイバとが接続される位置決め用の凹部若しくは凸部とを備えたことを特徴とする導波路と光ファイバとの接続構造。
【請求項４】
上記導波路側反射鏡の上記導波路の光軸に対する傾斜角度及び上記光ファイバ側反射鏡の光ファイバの光軸に対する傾斜角度が４５度である請求項３に記載の導波路と光ファイバとの接続構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導波路と光ファイバとの接続方法及びその接続構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
マルチチップモジュール基板（或いは電気配線基板とポリマ導波路との積層基板）に機能性を有するポリマ導波路を搭載するためには、そのポリマ導波路とマルチチップモジュール基板との間を光ファイバで接続することが求められている。
【０００３】
このようなポリマ導波路と光ファイバとの接続に際しては、ポリマ導波路端部に固定用ブロックを有する光ファイバをポリマ導波路に接着することで対応していた。
【０００４】
図６は従来の導波路と光ファイバとの接続方法を適用したポリマ導波路と光ファイバとの接続部の外観斜視図である。
【０００５】
マルチチップモジュール基板（或いは電気配線基板とポリマ導波路との積層基板）１の上にポリマ導波路２が形成され、そのポリマ導波路２の一方の端面（図では左側）２ａに、Ｖ溝３が形成されたＳｉ基板（或いは石英ガラス基板）４を有する固定用ブロック５が配置され、ポリマ導波路２と光結合するようにＶ溝３に光ファイバ６が固定されている。
【０００６】
図７は図６に示した接続部のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面図である。
【０００７】
マルチチップモジュール基板１上に形成されたポリマ導波路２のコア７の材料にはフッ素化ポリイミド、エポキシ、ポリメチルメタクリレート等のポリマが用いられ、下部クラッド層８及び上部クラッド層９の材料にはコア７よりも屈折率の低いフッ素化ポリイミド、エポキシ、ポリメチルメタクリレート等のポリマが用いられている。
【０００８】
固定用ブロック５は、Ｖ溝３が形成されたＳｉ基板４と、光ファイバ６をＶ溝３に固定するためのＳｉ基板（或いは石英ガラス基板）からなる蓋１０とで構成されている。
【０００９】
図８は図６、図７に示したポリマ導波路と光ファイバとの接続部における光の伝搬の様子を示す図である。
【００１０】
図８に示すようにポリマ導波路２のコア７を矢印Ｌ１方向に伝搬する光が光ファイバ６のコア１１に入射して矢印Ｌ２方向に伝搬する際に一部の光が光ファイバ６のクラッド１２に（矢印Ｌ３方向に）漏れてしまう。
【００１１】
図９（ａ）〜（ｋ）は導波路と光ファイバとの接続方法の従来例を示す工程図である。図１０（ａ）〜（ｋ）は図９（ａ）〜（ｋ）の右側面図である。以下、図６〜図８に示した部材と同様の部材には共通の符号を用いた。
【００１２】
まず、Ｓｉ基板４上に光ファイバ６（図６参照）を固定するためのＶ溝３をエッチング等により形成する（図９（ａ）、図１０（ａ））。
【００１３】
Ｖ溝３に接着剤で光ファイバ６の端部を、Ｓｉ基板４の端面と光ファイバ６の端面同士が揃うように固定する（図９（ｂ）、図１０（ｂ））。
【００１４】
蓋１０にてＳｉ基板４のＶ溝３及び光ファイバ６の上部を固定することで固定用ブロック５が形成される（図９（ｃ）、図１０（ｃ））。
【００１５】
次に光ファイバ６と接続されるポリマ導波路２を作製する。
【００１６】
まず、スピンコータ、カーテンコータ、スプレーコータ等（いずれも図示せず。）を用いてマルチチップモジュール基板１上に、フッ素化ポリイミド、エポキシ、ポリメチルメタクリレート等のポリマ等からなる下部クラッド層８を形成する（図９（ｄ）、図１０（ｄ））。
【００１７】
スピンコータ、カーテンコータ、スプレーコータ等を用いて下部クラッド層８上に、下部クラッド層８より屈折率の高いフッ素化ポリイミド、エポキシ、ポリメチルメタクリレート等からなるポリマでコア膜７ａを形成する（図９（ｅ）、図１０（ｅ））。
【００１８】
図示しないエッチング装置を用いてスパッタを施すことにより、コア膜７ａ上にＷＳｉ膜１３ａを形成する（図９（ｆ）、図１０（ｆ））。
【００１９】
フォトリソグラフィ、ドライエッチングを施すことにより、ＷＳｉ膜１３ａをマスクパターン１３に形成する（図９（ｇ）、図１０（ｇ））。
【００２０】
ドライエッチングを施すことにより、コア膜７ａをコア７に形成する（図９（ｈ）、図１０（ｈ））。
【００２１】
ドライエッチングを施すことにより、コア７上からマスクパターン１３を除去する（図９（ｉ）、図１０（ｉ））。
【００２２】
スピンコータ、カーテンコータ、スプレーコータ等により、下部クラッド層８及びコア７を、コア７より屈折率の低いフッ素化ポリイミド、エポキシ、ポリメチルメタクリレート等のポリマからなる上部クラッド層９で覆うことにより、ポリマ導波路２が形成される（図９（ｊ）、図１０（ｊ））。
【００２３】
これら図９（ａ）〜（ｃ）の工程で作製した、光ファイバ６を有する固定用ブロック５を、図９（ｄ）〜（ｊ）の工程で作製したポリマ導波路２に調心しながら接着することにより、ポリマ導波路２と光ファイバ６とが接続されて光ファイバ付きポリマ導波路１４が得られる（図９（ｋ）、図１０（ｋ））。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の導波路と光ファイバとの接続方法では、光ファイバ６を有する固定用ブロック５をポリマ導波路２に接着する際に、ポリマ導波路２のコア７と光ファイバ６のコア１１とを調心する必要がある。この調心が不十分であると図８に示したようにポリマ導波路２と光ファイバ６との接続部で一部の光（矢印Ｌ３方向）の漏れが生じてしまい、接続損失の増大の原因となる。また、ポリマ導波路２と光ファイバ６との接続は、コア７及びコア１１の面同士の接着となるため、ポリマ導波路２を形成する材料の種類によっては接着強度が低下するか、あるいは経年変化により接着強度が低下して接続損失がさらに増大する原因となってしまうという問題があった。
【００２５】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、接続損失の低い導波路と光ファイバとの接続方法及びその接続構造を提供することにある。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために請求項１の発明は、基板上に形成された導波路に光ファイバを接続する接続方法において、導波路の端部に導波路を伝搬する光を基板と反対側に反射する導波路側反射鏡を形成し、光ファイバの端部を固定用ブロックに固定し、固定用ブロック及び光ファイバの共通端部に導波路側反射鏡からの光を光ファイバに入射させる光ファイバ側反射鏡を形成し、固定用ブロックの底面及び導波路の上面に位置決め用の凹部若しくは凸部のいずれかをそれぞれ形成し、凸部を凹部に嵌合するように導波路と固定用ブロックとを接続するものである。
【００２７】
請求項２の発明は、請求項１に記載の構成に加え、導波路側反射鏡の導波路の光軸に対する傾斜角度及び光ファイバ側反射鏡の光ファイバの光軸に対する傾斜角度を４５度とするのが好ましい。
【００２８】
請求項３の発明は、基板上に形成された導波路と光ファイバとの接続構造において、導波路の端部に形成され、導波路を伝搬する光を基板と反対側に反射する導波路側反射鏡と、光ファイバの端部に固定された固定用ブロックと、固定用ブロック及び光ファイバの共通端部に形成され導波路側反射鏡からの光を光ファイバに入射させる光ファイバ側反射鏡と、固定用ブロックの底面及び導波路の上面にいずれかがそれぞれ形成され、嵌合することにより導波路と光ファイバとが接続される位置決め用の凹部若しくは凸部とを備えたものである。
【００２９】
請求項４の発明は、請求項３に記載の構成に加え、導波路側反射鏡の導波路の光軸に対する傾斜角度及び光ファイバ側反射鏡の光ファイバの光軸に対する傾斜角度が４５度であるのが好ましい。
【００３０】
本発明によれば、導波路と固定用ブロックとを、凹部と凸部とが嵌合するように接続することにより、調心の必要がなくなる。導波路と光ファイバとを接着しても導波路のコアの面と光ファイバのコアの面との面同士の接続（接着）にはならず、導波路の上面と固定用ブロックの底面との接続（接着）となるため、高い接着強度が得られる。この結果、接続損失の低い導波路と光ファイバとの接続方法及びその接続構造を提供することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
【００３２】
図１は本発明の導波路と光ファイバとの接続方法を適用した接続部を示す外観斜視図である。
【００３３】
本実施の形態では、導波路がポリマ導波路の場合で説明する。
【００３４】
同図に示すマルチチップモジュール基板（或いは電気配線基板とポリマ導波路との積層基板）１上にポリマ導波路１５と高さ調節用ブロック１６とが形成され、そのポリマ導波路１５及び高さ調節用ブロック１６の上面に、光ファイバ６を有する固定用ブロック１７が接続されている。
【００３５】
図２は図１に示した接続部のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【００３６】
マルチチップモジュール基板１上に形成されたポリマ導波路１５のコア１８にはフッ素化ポリイミド、エポキシ、ポリメチルメタクリレート等のポリマが用いられ、下部クラッド層１９及び上部クラッド層２０にはコア１８よりも屈折率の低いフッ素化ポリイミド、エポキシ、ポリメチルメタクリレート等のポリマが用いられている。
【００３７】
ポリマ導波路１５の一方の端部（図では左側端部）には、ポリマ導波路１５のコア１８を伝搬してきた光をマルチチップモジュール基板１とは反対側（図では上側）に反射させるためポリマ導波路のコア１８の光軸に対し４５度傾斜した端面１５ａにポリマ導波路側反射鏡（光路垂直曲げ部、以下「反射鏡」という。）２１が形成されている。この反射鏡２１には、スパッタ（若しくは蒸着）により形成されるアルミニウム（クロム若しくは金等）の薄膜が用いられる。このポリマ導波路１５の反射鏡２１の反射光透過面（固定用ブロック１７と接する面）１５ｂの光路の外側には位置決め固定用の破線で示す凹部２２が形成されている。凹部２２の数は少なくとも２箇所であるのが好ましい。
【００３８】
一方、固定用ブロック１７の一方の端部（図では右側端部）にはポリマ導波路１５側からの反射光を光ファイバ６のコア１１内に反射させるため光ファイバ６の光軸（コア１１）に対し４５度傾斜した端面１７ａに光ファイバ側反射鏡（光路垂直曲げ部、以下「反射鏡」という。）２３が形成されている。
【００３９】
この固定用ブロック１７は、石英ガラス（若しくはＳｉ）からなりＶ溝２４が形成された石英ガラス基板２５と、光ファイバ６をＶ溝２４に固定するための石英ガラス（若しくはＳｉ）からなる蓋２６と、石英ガラス基板２５の反射光透過面（図では底面）１７ｂの光路の外側の凹部２２に対応する位置に形成された位置決め用の破線で示す凸部２７とで構成されている。凸部２７の数は凹部２２の数に等しいのが好ましい。反射鏡２３には、スパッタ（若しくは蒸着）により形成されるアルミニウム（クロム若しくは金等）の薄膜が用いられる。
【００４０】
ここで、石英ガラス基板２５の代わりにＳｉ基板を用いる場合には、Ｓｉ基板の反射光透過面側にはポリマ導波路１５からの反射光が光ファイバ６に入射するための反射光通過用の孔を形成する必要があり、光ファイバ６のクラッド層１２のポリマ導波路１５側に対向する面は少なくともコア１１の幅分だけ平面状に鏡面研磨され、隙間には屈折率整合液を充填するのが好ましい。
【００４１】
高さ調節用ブロック１６の材料には、Ｓｉ、石英ガラスのいずれを用いてもよい。
【００４２】
なお、本実施の形態ではポリマ導波路１５側に位置決め用の凹部２２を形成し、固定用ブロック１７側に位置決め用の凸部２７を形成した場合で説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ポリマ導波路１５側に位置決め用の凸部を形成し、固定用ブロック１７側に位置決め用の凹部を形成してもよい。
【００４３】
図３は図１、２に示したポリマ導波路と光ファイバとの接続部における光の伝搬の様子を示す図である。
【００４４】
図３に示すように、ポリマ導波路１５の一端（図では右端）のコア１８に光（矢印Ｌ４方向）が入射すると、光はコア１８内を伝搬して反射鏡２１で固定用ブロック１７側に反射する。反射鏡２１で反射した光は上部クラッド層２０を矢印Ｌ５方向に伝搬し、固定用ブロック１７の石英ガラス基板２５に入射し、反射鏡２３で反射する。反射鏡２３で反射した光は光ファイバ６のコア１１の端面に入射して、コア１１内を矢印Ｌ６方向に伝搬する。ポリマ導波路１５と固定用ブロック１７とは、コア１１、１７同士の面で接続されるのではなく、凹部２２と凸部２７との嵌合で接続されているので、コア１１、１７の接合面のずれがなく、接着剤の経年変化等の影響を受けることがなく、両コア１１、１７を伝搬する光の漏れが生じない。
【００４５】
図４（ａ）〜（ｘ）は、本発明の導波路と光ファイバとの接続方法を示す工程図である。図５（ａ）〜（ｘ）は図４（ａ）〜（ｘ）の右側面図である。
【００４６】
まず、固定用ブロック１７を作製する。
【００４７】
石英ガラス基板２５ａにエッチング等を施して光ファイバ６（図１参照）を固定するためのＶ溝２４を形成する（図４（ａ）、図５（ａ））。
【００４８】
石英ガラス基板２５ａのＶ溝２４内に、光ファイバ６の端部の端面を石英ガラス基板２５ａの端面と揃うように固定する（図４（ｂ）、図５（ｂ））。
【００４９】
Ｖ溝２４内に光ファイバ６を接着剤で固定した後、光ファイバ６ごと石英ガラス基板２５ａを石英ガラス（或いはＳｉ）からなる蓋２６ａで覆うように接着する（図４（ｃ）、図５（ｃ））。
【００５０】
光ファイバ６、石英ガラス基板２５ａ及び蓋２６ａの共通端面に、ダイシングにより光ファイバ６の光軸に対して４５度の傾斜面１７ａを形成する。傾斜面１７ａは鏡面仕上げされるのが好ましい（図４（ｄ）、図５（ｄ））。
【００５１】
石英ガラス基板２５ａの底面にＷＳｉ膜２８ａをスパッタ法により成膜する（図４（ｅ）、図５（ｅ））。
【００５２】
ＷＳｉ膜２８ａにフォトリソグラフィ及びドライエッチングを施すことにより位置決め固定用の凸部２７となる部分にマスクパターン２８を形成する（図４（ｆ）、図５（ｆ））。
【００５３】
石英ガラス基板２８の底面に対し、ウエットドライエッチングやドライエッチングを施すことにより、位置決め固定用の凸部２７を形成する（図４（ｇ）、図５（ｇ））。
【００５４】
凸部２７の形成後、ドライエッチングによりマスクパターン２８を除去する（図４（ｈ）、図５（ｈ））。
【００５５】
蒸着及びスパッタを施して、傾斜面１７ａに反射鏡２３となる金属膜を形成することにより光路垂直曲げ部を有する固定用ブロック１７が得られる（図４（ｉ）、図５（ｉ））。
【００５６】
次にマルチチップモジュール基板１上にポリマ導波路１５を作製する。
【００５７】
マルチチップモジュール基板１上にフッ素化ポリイミド、エポキシ、ポリメチルメタクリレート等のポリマで、下部クラッド膜１９ａをスピンコータ、カーテンコータ、スプレーコータ等により成膜する（図４（ｊ）、図５（ｊ））。
【００５８】
下部クラッド膜１９ａの上に、下部クラッド膜１９ａよりも屈折率の高く、コア１１の屈折率に等しいフッ素化ポリイミド、エポキシ、ポリメチルメタクリレート等のポリマでコア膜１８ａを、スピンコータ、カーテンコータ、スプレーコータ等により成膜する（図４（ｋ）、図５（ｋ））。
【００５９】
コア膜１８ａの上にＷＳｉ膜２９ａをスパッタ法により成膜する（図４（ｌ）、図５（ｌ））。
【００６０】
ＷＳｉ膜２９ａにフォトリソグラフィ及びドライエッチングを施すことにより、コア１８となる部分を覆うマスクパターン２９を形成する（図４（ｍ）、図５（ｍ））。
【００６１】
コア膜１８ａにドライエッチングを施すことによりコア１８を形成する（図４（ｎ）、図５（ｎ））。
【００６２】
ドライエッチングを施すことにより、コア１８上のマスクパターン２９を除去する（図４（ｏ）、図５（ｏ））。
【００６３】
コア１８及び下部クラッド膜１９ａを、コア１８よりも屈折率の低いフッ素化ポリイミド、エポキシ、ポリメチルメタクリレート等のポリマからなる上部クラッド膜２０ａで覆うことにより、ポリマ導波路１５０が形成される（図４（ｐ）、図５（ｐ））。
【００６４】
上部クラッド膜２０ａの上面に、ＷＳｉ膜３０ａをスパッタ法により成膜する（図４（ｑ）、図５（ｑ））。
【００６５】
ＷＳｉ膜３０ａにフォトリソグラフィ及びドライエッチングを施すことにより、位置決め固定用の凹部２２（図１参照）となる部分を形成するためのマスクパターン３０を形成する（図４（ｒ）、図５（ｒ））。
【００６６】
ポリマ導波路１５の上部クラッド膜２０ａにウエットエッチングやドライエッチングを施して位置決め用の凹部２２を形成する（図４（ｓ）、図５（ｓ））。
ドライエッチングを施すことにより、上部クラッド膜２０ａ上のマスクパターン３０を除去する（図４（ｔ）、図５（ｔ））。
【００６７】
ポリマ導波路１５の端面（図では左側）にポリマ導波路１５の光軸（コア１８）に対して４５度傾斜するようにダイシングにより傾斜面１５ａを形成する。傾斜面１５ａは鏡面仕上げされるのが好ましい（図４（ｕ）、図５（ｕ））。
【００６８】
蒸着及びスパッタを施して、鏡面仕上げされた傾斜面１５ａに反射鏡２１となる金属膜を形成することにより、光路垂直曲げ部を有するポリマ導波路１５が得られる（図４（ｖ）、図５（ｖ））。
【００６９】
マルチチップモジュール基板１上に、固定用ブロック１７を固定する際の光ファイバ６のコア１１の高さ調節用ブロック１６を、マルチチップモジュール基板１に接着固定する（図４（ｗ）、図５（ｗ））。
【００７０】
最後に、図４（ａ）、図５（ａ）〜図４（ｉ）、図５（ｉ）で作製した光ファイバ６を有する固定用ブロック１７の位置決め固定用の凸部２７を、図４（ｊ）、図５（ｊ）〜図４（ｗ）、図５（ｗ）で作製したポリマ導波路１５の位置決め固定用の凹部２２に挿入することにより、調心することなく光ファイバ６とポリマ導波路１５とが接続される（図４（ｘ）、図５（ｘ））。
【００７１】
次に図４（ａ）、図５（ａ）〜図４（ｘ）、図５（ｘ）に示したポリマ導波路と光ファイバとの接続方法による接続部の試作結果について図２を参照して説明する。
【００７２】
ポリマ導波路１５のコア１８の寸法を幅８μｍ、高さ８μｍとし、下部クラッド層１９及び上部クラッド層２０の厚さをそれぞれ１５μｍとし、比屈折率差を０．３５％とし、測定波長１．３μｍとして接続損失を測定した。
【００７３】
その結果、本発明の接続法による接続損失は０．０８ｄＢと非常に低い値であったのに対し、同条件における従来の接続法による接続損失は０．１５ｄＢと非常に高い値であった。
【００７４】
このように、本発明の接続方法を用いることにより、光ファイバ６とポリマ導波路１５とを接続する際に調心する必要がなく、容易に接続することができ、しかも接続損失が小さくなる。
【００７５】
なお、本実施の形態では導波路がポリマ導波路の場合で説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、導波路が石英ガラス導波路であってもよい。また、本実施の形態では反射鏡がポリマ導波路及び光ファイバの光軸に対して４５度傾斜した場合で説明したが、ポリマ導波路と光ファイバとが光結合できれば、４５度に限定されるものではない。
【００７６】
以上において、本発明によれば、ポリマ導波路と光ファイバとを接続する際に、ポリマ導波路の端面にポリマ導波路側反射鏡と位置決め固定用の凹部（若しくは凸部）を形成し、光ファイバの固定用ブロックに光ファイバ側反射鏡と位置決め固定用の凸部（若しくは凹部）を形成し、これらの位置決め用の凸部を凹部に挿入する（嵌合させる）ことで、調心する必要がなく、容易にポリマ導波路と光ファイバとを接続することができる。従って、本接続部をポリマ導波路のマルチチップモジュール基板（電気配線基板とポリマ導波路との積層基板）に適用することができる。
【００７７】
【発明の効果】
以上要するに本発明によれば、導波路及び光ファイバにそれぞれ反射鏡を形成し、両者を位置決め固定用の凹部及び凸部を嵌合するように接続することにより、接続損失の低い導波路と光ファイバとの接続方法及びその接続構造の提供を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の導波路と光ファイバとの接続方法を適用した接続部を示す外観斜視図である。
【図２】図１に示した接続部のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】図１、２に示した導波路と光ファイバとの接続部における光の伝搬の様子を示す図である。
【図４】（ａ）〜（ｘ）は、本発明の導波路と光ファイバとの接続方法を示す工程図である。
【図５】（ａ）〜（ｘ）は図４（ａ）〜（ｘ）の右側面図である。
【図６】従来の導波路と光ファイバとの接続方法を適用したポリマ導波路と光ファイバとの接続部の外観斜視図である。
【図７】図６に示した接続部のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面図である。
【図８】図６、図７に示した導波路と光ファイバとの接続部における光の伝搬の様子を示す図である。
【図９】（ａ）〜（ｋ）は導波路と光ファイバとの接続方法の従来例を示す工程図である。
【図１０】（ａ）〜（ｋ）は図９（ａ）〜（ｋ）の右側面図である。
【符号の説明】
１　マルチチップモジュール基板
６　光ファイバ
１１　コア
１２　クラッド
１５　ポリマ導波路
１６　高さ調節用ブロック
１７　固定用ブロック
１８　コア
１９　下部クラッド層
２０　上部クラッド層
２１、２３　反射鏡（光路垂直曲げ部）
２２　凹部
２７　凸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2004125946.tif 000006
【図５】
2004125946.tif 000007
【図６】
2004125946.tif 000008
【図７】
2004125946.tif 000009
【図８】
2004125946.tif 000010
【図９】
2004125946.tif 000011
【図１０】
2004125946.tif 000012