(57)【要約】【課題】絶縁膜と配線電極との間に形成される凹部への封止樹脂の充填不良を防止し得る実装基板を提供する。【解決手段】第１の主面を有する基板１と、第１の主面に形成された配線電極２と、基板１の第１の主面および配線電極２を部分的に被覆する絶縁膜３とを備え、絶縁膜３によって、基材および配線電極が絶縁膜により被覆される被覆部と、基材および配線電極が絶縁膜により被覆されない開口部３ａとが形成される。開口部３ａ内の配線電極２に対応して設けられたバンプ電極１１を介して電子部品１０が実装され、第１の主面と電子部品素子との隙間に封止樹脂２０が充填される。開口部３ａは配線電極２の長手方向に対して略直交方向に設けられ、開口部３ａ内で基板１が露出している部分の最少幅Ｌと絶縁膜３の厚みＴとを比を２以上とした。【選択図】　　　　図１
2004095923.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面を有する基材と、上記第１の主面に形成された配線電極と、上記基材の第１の主面および配線電極を部分的に被覆する絶縁膜とを備え、上記絶縁膜によって、基材および配線電極が絶縁膜により被覆される被覆部と、基材および配線電極が絶縁膜により被覆されない開口部とが形成され、
上記開口部内の配線電極に対応して設けられたバンプ電極を介して電子部品が実装され、上記第１の主面と電子部品素子との隙間に封止樹脂が充填される実装基板において、
上記開口部内で基材が露出している部分の最少幅をＬ、上記絶縁膜の厚みをＴとしたとき、Ｌ／Ｔ≧２を満たすことを特徴とする実装基板。
【請求項２】
第１の主面を有する基材と、上記第１の主面に形成された配線電極と、上記基材の第１の主面および配線電極を部分的に被覆する絶縁膜とを備え、上記絶縁膜によって、基材および配線電極が絶縁膜により被覆される被覆部と、基材および配線電極が絶縁膜により被覆されない非被覆部とが形成され、
上記非被覆部の配線電極に対応して設けられたバンプ電極を介して電子部品が実装され、上記第１の主面と電子部品素子との隙間に封止樹脂が充填される実装基板において、
上記絶縁膜は上記配線電極に対して略直交方向にかつ所定間隔をあけて略平行に設けられた第１と第２の被覆部を有し、
上記第１と第２の被覆部の間の非被覆部は上記配線電極の略直交方向に開放していることを特徴とする実装基板。
【請求項３】
第１の主面を有する基材と、上記第１の主面に形成された配線電極と、上記基材の第１の主面および配線電極を部分的に被覆する絶縁膜とを備え、上記絶縁膜によって、基材および配線電極が絶縁膜により被覆される被覆部と、基材および配線電極が絶縁膜により被覆されない開口部とが形成され、
上記開口部の配線電極に対応して設けられたバンプ電極を介して電子部品が実装され、上記第１の主面と電子部品素子との隙間に封止樹脂が充填される実装基板において、
上記配線電極は複数本の平行な電極で構成され、
上記開口部は上記配線電極に対して略直交方向で、かつ複数の配線電極に対して跨がって形成されていることを特徴とする実装基板。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の実装基板と、
上記実装基板の上記開口部または上記非被覆部に露出する配線電極の部位にバンプ電極を介して実装された電子部品素子と、
上記基材の第１の主面と電子部品素子との隙間に充填、硬化された封止樹脂と、を含む電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品素子をバンプ電極を用いてフリップチップ実装するための実装基板、およびこの実装基板を用いた電子デバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子などの電子部品素子を回路基板上にバンプ電極を用いてフリップチップ実装した電子デバイスが知られている。この電子デバイスは、バンプを形成した電子部品素子をフェースダウンで回路基板の接続電極に実装し、基板と電子部品素子との隙間に封止樹脂を充填した後、炉にて封止樹脂を加熱硬化させたものである。上記封止樹脂は、電子部品素子と回路基板との熱膨張係数差によってバンプに加わる熱応力を緩和する目的で、回路基板と電子部品素子との間に充填される。
上記電子デバイスにおいて、バンプ電極として例えばはんだバンプを使用した場合、必要以上のはんだの濡れ拡がりを抑えるため、配線電極上に絶縁膜を形成している。また、絶縁膜は、必要な部分にＡｕなどの金属メッキを行う場合や、配線電極が基板から剥がれ難くするためにも用いられる。
【０００３】
図８，図９は従来の電子デバイスの構造を示したものである。
回路基板３０の表面のほぼ全体に絶縁膜３１が被覆形成され、１個の配線電極３２に対して１箇所ずつ絶縁膜３１が被覆されない開口部３１ａが形成されている。上記開口部３１ａの寸法は、位置精度を考慮して、配線電極３２の幅よりやや大きめに設定されている。そのため、配線電極３２の両側部に、絶縁膜３１の厚み分の小さな凹部３１ｂが形成される。絶縁膜３１は、通常ソルダレジストを印刷することによって形成されるが、３０μｍ〜５０μｍ程度の厚みを有する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記開口部３１ａに対応する配線電極３２の露出部にバンプ電極３４を介して電子部品素子３３がフリップチップ実装される。その後、封止樹脂３５を回路基板３０と電子部品素子３３との隙間に供給すると、封止樹脂３５は毛細管現象によって浸透するが、上記凹部３１ｂの容積が非常に小さいので、上記凹部３１ｂに空気３６が残ってしまう。その結果、封止樹脂３５を硬化させると、空気溜まり３６の部分がボイドとなり、信頼性の低下を招く原因となる。
【０００５】
このような問題を解決するため、封止樹脂を供給した後、封止樹脂を真空脱泡したり、超音波振動を加えて脱泡する方法が提案されている（特開平８−１５３７５２号公報）。
しかし、上記のような脱泡処理を実施しても、小さな凹部から必ずしも効果的に空気を除去できず、ボイドの発生を防止できないことがあった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、絶縁膜と配線電極との間に形成される凹部への封止樹脂の充填不良を防止し得る実装基板を提供することにある。
また、他の目的は、上記実装基板を用いてボイドの発生の少ない電子デバイスを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に係る発明は、第１の主面を有する基材と、上記第１の主面に形成された配線電極と、上記基材の第１の主面および配線電極を部分的に被覆する絶縁膜とを備え、上記絶縁膜によって、基材および配線電極が絶縁膜により被覆される被覆部と、基材および配線電極が絶縁膜により被覆されない開口部とが形成され、上記開口部の配線電極に対応して設けられたバンプ電極を介して電子部品が実装され、上記第１の主面と電子部品素子との隙間に封止樹脂が充填される実装基板において、上記開口部内で基材が露出している部分の最少幅をＬ、上記絶縁膜の厚みをＴとしたとき、Ｌ／Ｔ≧２を満たすことを特徴とする実装基板を提供する。
【０００８】
請求項２に係る発明は、第１の主面を有する基材と、上記第１の主面に形成された配線電極と、上記基材の第１の主面および配線電極を部分的に被覆する絶縁膜とを備え、上記絶縁膜によって、基材および配線電極が絶縁膜により被覆される被覆部と、基材および配線電極が絶縁膜により被覆されない非被覆部とが形成され、上記非被覆部の配線電極に対応して設けられたバンプ電極を介して電子部品が実装され、上記第１の主面と電子部品素子との隙間に封止樹脂が充填される実装基板において、上記絶縁膜は上記配線電極に対して略直交方向にかつ所定間隔をあけて略平行に設けられた第１と第２の被覆部を有し、上記第１と第２の被覆部の間の非被覆部は上記配線電極の略直交方向に開放していることを特徴とする実装基板を提供する。
【０００９】
請求項３に係る発明は、第１の主面を有する基材と、上記第１の主面に形成された配線電極と、上記基材の第１の主面および配線電極を部分的に被覆する絶縁膜とを備え、上記絶縁膜によって、基材および配線電極が絶縁膜により被覆される被覆部と、基材および配線電極が絶縁膜により被覆されない開口部とが形成され、上記開口部の配線電極に対応して設けられたバンプ電極を介して電子部品が実装され、上記第１の主面と電子部品素子との隙間に封止樹脂が充填される実装基板において、上記配線電極は複数本の平行な電極で構成され、上記開口部は上記配線電極に対して略直交方向で、かつ複数の配線電極に対して跨がって形成されていることを特徴とする実装基板を提供する。
【００１０】
請求項４に係る発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載の実装基板と、上記実装基板の上記開口部または上記非被覆部に露出する配線電極の部位にバンプ電極を介して実装された電子部品素子と、上記基材の第１の主面と電子部品素子との隙間に充填、硬化された封止樹脂と、を含む電子デバイスを提供する。
【００１１】
請求項１では、絶縁膜の開口部内で基材が露出している部分の最少幅Ｌと、絶縁膜の厚みＴとの比を一定以上に設定することで、開口部と配線電極との間に形成される凹部に樹脂を確実に充填でき、ボイドの発生を防止できるようにしたものである。
すなわち、Ｌ／Ｔ≧２を満たすように設定することで、開口部内に形成される凹部の幅寸法Ｌを相対的に大きくし、樹脂の流れ込みを促進し、ボイドの発生を防止している。
なお、樹脂の充填性は樹脂の粘性にも影響される。樹脂の粘性は、温度によっても変化するが、０．０２Ｐａ・ｓ〜１０Ｐａ・ｓの範囲とすれば、樹脂の充填性が良好である。
【００１２】
請求項２では、絶縁膜によって配線電極に対して略直交方向にかつ所定間隔をあけて略平行に設けられた第１と第２の被覆部を形成し、第１と第２の被覆部の間の非被覆部を配線電極の略直交方向に開放して形成したものである。
この場合には、絶縁膜が配線電極の部位にのみ部分的に設けられ、配線電極の側面と被覆部の内側面との間に、閉じられた凹部が存在しないので、樹脂の流れ込みが容易になり、ボイドの発生を防止できる。
【００１３】
請求項３では、開口部が平行な複数の配線電極に対して略直交方向で、かつ複数の配線電極に対して跨がって形成されている。つまり、隣合う配線電極の間に連続的に開口部が形成されているので、開口部が連続した通路状となり、樹脂が流れ込み易くなる。そのため、ボイドの発生を防止できる。
【００１４】
請求項４のように、請求項１〜３に記載の実装基板を用いて電子デバイスを製造すれば、ボイドのない封止構造が得られ、信頼性の高い電子デバイスが得られる。しかも、格別な脱泡処理を必要としない。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１，図２は本発明にかかる電子デバイスの第１実施例を示す。
この電子デバイスは、実装基板１に電子部品素子１０をフェースダウン実装したものである。
実装基板１は、アルミナなどのセラミック基板、セラミックからなる誘電体基板、多層セラミック基板、ガラス基板、結晶性の基板、ガラスエポキシ樹脂などの気密性を有する基板よりなる。この基板１の表面には、複数（ここでは６本）の配線電極２が互いに平行に形成されている。この実施例では、３本１組の配線電極２が一定間隔をあけて対向配置されている。実装基板１の表面には、ソルダーレジストなどの絶縁膜３がスクリーン印刷などの手法を用いてほぼ一定厚みに形成され、基板１の表面および配線電極２のほぼ全面が被覆されている。絶縁膜３には適数個（ここでは６個）の開口部３ａが設けられ、これら開口部３ａから各配線電極２の一部２ａが露出している。
【００１６】
図１に示すように、絶縁膜３の開口部３ａは配線電極２の長手方向に対してほぼ直交方向に設けられており、開口部３ａ内の配線電極２の両側部に凹部３ｂが形成されている。上記凹部３ｂの配線電極２の長手方向の寸法（配線電極２の側面と開口部３ａの内側面との対向距離）をＬ１、開口部３ａの内側面同士の対向距離をＬ２、絶縁膜３の厚みをＴとしたとき、次の関係を満たすように設定されている。
Ｌ１／Ｔ≧２
Ｌ２／Ｔ≧２
つまり、開口部３ａ内で基板１が露出している部分の最少幅Ｌと絶縁膜３の厚みＴとの比が２以上に設定されている。
【００１７】
電子部品素子１０はＩＣ等の半導体素子やセラミック素子などよりなり、その一方の主面に複数（ここでは６個）のバンプ電極１１が固定されている。バンプ電極１１としては、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕを主成分とする金属バンプや、はんだバンプなどがあるが、ここでははんだバンプを用いた。上記バンプ電極１１は、上記開口部３ａから露出する配線電極２の露出部２ａに超音波と圧力、熱と圧力、あるいは超音波と熱と圧力とを加えて接合される。このように電子部品素子１０が基板１にフェースダウン実装された後、基板１と電子部品素子１０との隙間にエポキシ系樹脂などの封止樹脂２０がディスペンサなどによって充填され、その後、硬化される。封止樹脂２０としては、熱硬化性樹脂やＵＶ硬化樹脂などがある。凹部３ｂへの樹脂２０の充填性を確保するため、充填時における樹脂２０の粘度が０．０２〜１０Ｐａ・ｓのものがよい。
【００１８】
図３の（ａ）および（ｂ）は、凹部３ｂの寸法Ｌ１と絶縁膜３の厚みＴとを変化させたときのボイドの発生の有無を実験によって確認したものである。
（ａ）は封止樹脂２０の粘度を０．４Ｐａ・ｓとした場合、（ｂ）は封止樹脂２０の粘度を７．３Ｐａ・ｓとした場合である。
図３から明らかなように、凹部３ｂの寸法Ｌ１と絶縁膜の厚みＴとの比（Ｌ１／Ｔ）が２未満ではボイドが発生していたのに対し、２以上では発生がなくなった。つまり、Ｌ１／Ｔが２以上であれば、樹脂粘度に関係なく、封止樹脂２０内に空気が残らずに、凹部３ｂにも隙間なく充填された。その結果、ボイドのない、信頼性の高い電子デバイスが得られた。
なお、この実験では開口部３ａの幅Ｌ２を１００μｍとした。Ｌ２／Ｔが２以上であれば、図３と同様の結果が得られた。
【００１９】
図４は絶縁膜３の開口部３ａと配線電極２との他の配置例を示す。
上記実施例では、絶縁膜３の開口部３ａを配線電極２の長手方向に対してほぼ直交方向に設けたが、この例では、配線電極２の端部を取り囲むように開口部３ａを設けたものである。この場合も、開口部３ａ内で基板１が露出している部分の最少幅、つまり配線電極２の側面と開口部３ａの内側面との距離をＬ、絶縁膜３の厚みをＴとすると、Ｌ／Ｔ≧２とすることで、封止樹脂２０をボイドなく充填することができる。
【００２０】
図５は本発明にかかる電子デバイスの第２実施例を示す。なお、第１実施例と同一部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
この実施例では、絶縁膜を、配線電極２に対して略直交方向にかつ所定間隔をあけて略平行に設けられた第１と第２の被覆部４，５で構成し、第１と第２の被覆部４，５の間の非被覆部６を配線電極２の略直交方向に開放させたものである。この場合には、配線電極２の両側に凹部が存在しないので、封止樹脂２０を実装基板１と電子部品素子１０との隙間に充填したとき、被覆部４，５の間の非被覆部６によって、封止樹脂２０が空気を閉じ込めることなく充填できる。そのため、ボイドのない封止構造を得ることができる。
【００２１】
図６，図７は本発明にかかる電子デバイスの第３実施例を示す。なお、第１実施例と同一部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
この実施例では、絶縁膜を、配線電極２の内側端部を含む基板１の内側部を被覆する第１被覆部７と、配線電極２の外側部を含む基板１の外周部を被覆する第２被覆部８とに分割し、両被覆部７，８の間に枠状の非被覆部（開口部）９を形成したものである。したがって、非被覆部９は配線電極２に対して略直交方向に延び、かつ複数の配線電極２に対して跨がって形成されている。
この場合も、配線電極２の両側に小さな凹部が存在せず、開口部９が配線電極２に対して略直交方向に連続しているので、封止樹脂２０を実装基板１と電子部品素子１０との隙間に充填したとき、封止樹脂２０が開口部９に容易に流れ込み、隙間なく充填できる。そのため、ボイドのない封止構造を得ることができる。
【００２２】
本発明は上記実施例に限定されるものではない。
第３実施例では、開口部９を枠状に形成したが、これに限るものではなく、平行配置された複数の配線電極２に対して１本の連続した開口部９を直交方向に形成し、残りの複数の配線電極２に対して別の連続した開口部９を直交方向に形成してもよい。
上記実施例では、バンプ電極１１を電子部品素子１０に形成し、このバンプ電極１１を実装基板１の配線電極２に対して接合するようにしたが、これとは逆に配線電極２上にバンプ電極１１を形成しておき、これに対して電子部品素子１０の電極を接合してもよい。
本発明の電子部品素子は半導体素子に限るものではなく、弾性表面波素子のような圧電部品でもよい。
また、絶縁膜の非被覆部（開口部）は、配線電極の中間部に形成する例のほか、接続電極の終端部の周囲に形成してもよい。
【００２３】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、請求項１に係る発明によれば、絶縁膜の開口部内で基材が露出している部分の最少幅Ｌと、絶縁膜の厚みＴとの比を２以上としたので、配線電極と開口部との間に形成される凹部への樹脂の流れ込みを促進し、ボイドの発生を防止することができる。そのため、信頼性の高い封止構造を得ることができる。また、格別な脱泡処理を実施しなくてもボイドの発生を防止できるので、封止処理が容易になり、製造コストを低減できる。
【００２４】
また、請求項２に係る発明によれば、第１と第２の被覆部の間に形成された非被覆部が配線電極の直交方向に開放しているので、空気を閉じ込めることなく樹脂を充填でき、空気溜まりを解消できる。そのため、請求項１と同様にボイドのない信頼性の高い封止構造を得ることができる。
【００２５】
さらに、請求項３に係る発明によれば、絶縁膜の開口部は配線電極に対して略直交方向で、かつ複数の配線電極に対して跨がって形成されているので、非被覆部が連続した通路状となり、樹脂が流れ込み易くなる。そのため、ボイドの発生を防止できる。
【００２６】
さらに、請求項４に係る発明によれば、請求項１〜３に記載の実装基板を用いて電子デバイスを構成したので、ボイドのない封止構造が得られ、信頼性の高い電子デバイスを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる電子デバイスの第１実施例の分解斜視図である。
【図２】図１に示す電子デバイスの断面図である。
【図３】封止樹脂の粘度を０．４Ｐａ・ｓと７．３Ｐａ・ｓにした場合に、距離Ｌ１と絶縁膜の厚みＴを変えたときのボイドの発生状況を示す実験データである。
【図４】本発明にかかる配線電極と開口部との他の配置例の平面図である。
【図５】本発明にかかる電子デバイスの第２実施例の分解斜視図である。
【図６】本発明にかかる電子デバイスの第３実施例の断面図である。
【図７】図６の電子デバイスに用いられる実装基板の斜視図である。
【図８】従来の電子デバイスの分解斜視図である。
【図９】図８に示す電子デバイスの断面図である。
【符号の説明】
１　　　　実装基板
２　　　　配線電極
３　　　　絶縁膜
３ａ　　　開口部
３ｂ　　　凹部
１０　　　電子部品素子
１１　　　バンプ電極
２０　　　封止樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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