(57)【要約】【課題】イオン発生源及びビームラインの構成を大電流に適した装置を得ること。【解決手段】イオン発生源２と質量分離部４とイオン処理ステーション６とビームライン９を備え、前記イオン発生源２は、アークチャンバー本体１１、一部に細長い開放部１２ａを持ち、前記アークチャンバー本体１１の開口部を閉止するソースアパーチャー１２とからなるアークチャンバー１１Ａと、前記アークチャンバー本体１１の長手方向の一方の面にフィラメン１１ｈを、また、対向面にリペラプレート１１ｋを配置し、アークチャンバー本体１１にイオン発生物質を含むガスを供給して、このガスを電離させてイオンを生成してビームラインに引き出すように構成した装置において、前記アークチャンバー１１Ａの少なくとも内面の一部をタングステンで形成した。【選択図】            図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンを発生させてビームラインに送出するイオン発生源と、このイオン発生源から送出されてくるイオンを質量分離マグネットで選択して所定の質量のイオンをイオン処理ステーションに導くビームラインを備え、前記イオン発生源は、一面に開口部を持つアークチャンバー本体と、一部に細長い開口孔を持ち、前記開口部を閉止するソースアパーチャーとからなるアークチャンバーと、前記アークチャンバー本体の長手方向の一方の面にフィラメントを、また、対向面にリペラプレートをそれぞれ配置しており、更に、前記アークチャンバー本体にイオン発生物質を含むガスを供給して、このガスを電離させてイオンを生成し、このイオンをビームラインに引き出すように構成されており、前記アークチャンバーの少なくとも内面の一部をタングステンで形成したことを特徴とするイオン注入装置。
【請求項２】
前記アークチャンバーは、一枚のベースプレートと二枚のサイドプレートと二枚のエンドキャップで形成された一面に開口部を有する持つアークチャンバー本体と、一部に細長い開放部を有し、前記開口部を閉止するソースアパーチャーとからなり、前記ベースプレート、サイドプレート、更にエンドキャップを単位部材とし、この単位部材のうちの少なくとも一つの単位部材の内面をタングステンで構成したことを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。
【請求項３】
前記ソースアパーチャーの前方のビームラインに交差するようにガス遮蔽板を配置し、このガス遮蔽板に、イオンは効率良く通過させ、イオン化せずに滞留しているイオン発生物質を含むガスの通過に抵抗を与えるようにスロットを開口したことを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。
【請求項４】
前記ソースアパーチャーは、ビームラインに引き出されるイオンの進行方向に向かって円形状に膨らんで形成したことを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、半導体や液晶デバイスなどの製造工程において、半導体や液晶デバイスなどの被処理物に目的とする物質のイオンを効率的に注入する注入装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイは、携帯電話や携帯情報端末、更にノートＰＣ、ＰＣ向けモニター、大型テレビなどに多く使用されてきている。今後大幅な需要の伸びが予想される液晶ディスプレイ市場においては高精度、低消費電力、低価格化などが強く求められている。
【０００３】
このような用途に使用される小型の高電流幅広ビームのイオン注入装置としては、大量にイオンを発生するイオン発生源と、このイオン発生源から引き出されるイオンビームを拡大し、偏向し、そして収束するための質量分離マグネットと、収束されたビームのうち不都合なビームを遮断する分解スリットと、この分解スリットを通過したビームをさらに偏向させ、かつ平行にする第二磁石とから構成されており、１ｍＡ以上の電流及び数ｋｅＶ以上のエネルギーで高均一性の幅広リボン形ビームを形成するための装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、アークチャンバー内で目的とする物質を含むガスをプラズマにより電離させてイオンを生成し、このイオンをアークチャンバー内で移動させるイオン源において、イオンを付着させ、目的とする物質を析出させる析出部材をアークチャンバー内に配置し、これにイオンを衝突させて物質を析出させることによって目的物質を多く含むイオンビームを発生させる装置が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
また、特許文献１に記載された特許の基本原理を採用したイオンビーム注入装置は本出願人が「ＭＤＩ−１００」として販売している。
【０００６】
【特許文献１】
特開平６−３４２６３９号公報
【特許文献２】
特開平８−１７３７５号公報
【０００７】
【発明が解決すべき課題】
高精密、高輝度、低消費電力、低価格化の要求を達成する目的で、アモルファスシリコンに比較して高い電子移動度が得られ、周辺回路の一体化が可能な低温ポリシリコン薄膜トランジスタ液晶ディスプレイが注目されるようになった。
【０００８】
従来の低温ｐ−Ｓｉ薄膜上にＴＦＴを製作する工程（ソース／ドレイン）では、主にイオンシャワーという方法が用いられている。しかしながら、より高性能のＴＦＴを低温ｐ−Ｓｉ薄膜上に製作するためには、半導体プロセスと同様に、前記特許文献１に記載されているように、質量分離で所望のイオンのみを取り出し、ドーズ量を正確にコントロールできる高精度のイオン注入技術が必要である。また、前記「ＭＤＩ−１００」シリーズはそのような要求に応えるために開発されたイオン注入装置である。
【０００９】
低温ｐ−ＳｉＴＦＴ製造プロセスにおいて、低コスト、歩留りの向上、スループット向上などの生産効率を上げる要求が強まってきた。特に、イオン注入工程においては、ソース／ドレイン注入に関して高品質性を落とすことなく、タクトタイムを著しく短縮することが強く望まれてきた。そのためには、インプラント電流を従来の装置の約１．５倍に増加させなければならない。
【００１０】
イオン量を増大するためには、インプラント電流を増大してプラズマ量を増加すれば良いわけであるが、そのためにはビームラインを高真空に保つと共にアークチャンバー内に供給される目的物質を含むガス（ＢＦ３  ，ＰＨ３  ）の量を増加する必要がある。しかもアークチャンバー内で発生したイオンをビームラインに効率良く、大量に導入するためには、このアークチャンバーのイオンの放出口であるスリットの幅を広げる必要がある。
【００１１】
しかしながら、前記スリットを大きく開口すると供給されたガスの内、分解しないガスがビームラインに大量に放出されることになり、これの対応が問題となる。例えば、供給されるガスがＢＦ３  である場合に、アークチャンバー内でプラズマの作用を受けてＦ＋  とＢ＋  と、ＢＦ＋  、ＢＦ２  ＋  等に分解するが、このように分解されたＢＦ３  ガスは約７０％程度であり、残りの分解されないＢＦ３  ガスは３０％程度にもなる。
【００１２】
従って、イオン注入に不必要な、分解されないガスが大量にビームライン内に放出されるので、効率的にこれを排出するために高性能の真空ポンプを使用する必要がある。しかしながら、この真空ポンプの能力を増加しても、長いビームライン中には質量分離マグネットやマルチポール（イオンの平行度調整機構）などの装置が介在しているので、高真空度を達成することが困難である。
【００１３】
本発明は、半導体や液晶デバイスなどの低温ｐ−ＳｉＴＦＴ製造プロセスにおいて、高精度、低消費電力、低価格化を達成できるイオン注入装置を提供することを目的とするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための本発明に係るイオン注入装置は次のように構成されている。  １）イオンを発生させてビームラインに送出するイオン発生源と、このイオン発生源から送出されてくるイオンを質量分離マグネットで選択して所定の質量のイオンをイオン処理ステーションに導くビームラインを備え、前記イオン発生源は、一面に開口部を持つアークチャンバー本体と、一部に細長い開口孔を持ち、前記開口部を閉止するソースアパーチャーとからなるアークチャンバーと、前記アークチャンバー本体の長手方向の一方の面にフィラメントを、また、対向面にリペラプレートをそれぞれ配置しており、更に、前記アークチャンバー本体にイオン発生物質を含むガスを供給して、このガスを電離させてイオンを生成し、このイオンをビームラインに引き出すように構成されており、前記アークチャンバーの少なくとも内面の一部をタングステンで形成したことを特徴としている。
【００１５】
２）また、前記アークチャンバーは、一枚のベースプレートと二枚のサイドプレートと二枚のエンドキャップにより形成された、一面に開口部を持つアークチャンバー本体と、一部に細長い開放部を持ち、前記開口部を閉止するソースアパーチャーとからなり、前記ベースプレート、サイドプレート、更にエンドキャップを単位部材とし、この単位部材のうちの少なくとも一つの単位部材の内面をタングステンで構成したことを特徴としている。
【００１６】
３）また、前記ソースアパーチャーの前方のビームラインに交差するようにガス遮蔽板を配置し、このガス遮蔽板に、イオンは効率良く通過させるがイオン化せずに滞留しているイオン発生物質を含むガスの通過に抵抗を与えるようにスロットを開口したことを特徴としている。
【００１７】
４）更に前記ソースアパーチャーは、ビームラインに引き出されるイオンの進行方向に向かって円形状に膨らんで形成されていることを特徴としている。
本発明は、イオン注入の目的とする物質を含むガスを多量にアークチャンバーに供給して強いプラズマによって多量のイオンを発生させるために、このプラズマと接触するアークチャンバー材として、特に、タングステンを少なくとも一部に使用することによって強力なイオンを発生させるように構成している。
【００１８】
しかも、このアークチャンバーより発生したイオンをそのまま質量分離マグネット側に引き出すのではなく、このアークチャンバーの開口部前方のビームラインに配置されたガス遮蔽板によって、イオンは効率良く通過させるが、イオン化せずに滞留しているイオン発生物質を含むガスが、ビームラインへ拡散してビームラインの真空度の低下を防止するようにしている。そのために遮蔽板に開口されたスロットは、必要とするイオンビームの通過を許容しながらイオン源とビームラインとの間に滞留するガスの通過に抵抗を与える厚さにしている。
【００１９】
このスロットによるガスの流出抵抗は、イオン注入に不要なガスを排除するためのものであるが、これはスロットの大きさと厚さによって決定されるものである。従って、スロットを有する薄板を準備して、ガス遮蔽板に重ねながらスロットの厚み方向の長さを調整することもできる。
【００２０】
本発明はソースアパーチャーの内部をタングステンで形成することに特徴があるが、このタングステンで構成する部分はベースプレート、二枚サイドプレートあるいはソースアパーチャーのみでも、フィラメントに大電流を流して強力なプラズマを発生させて大量にイオン流を発生させることが可能である。しかし、大電流を流して十分に多量のイオン流を発生させるためにはアークチャンバーの内壁面全体をタングステンに形成することが好ましい。
【００２１】
また、アークチャンバーを１枚の金属板板材をプレス成形して製造する場合には、ベースプレート、サイドプレート、エンドキャップが一体として一面が開放された容器状に構成されることがある。この場合は、前記のように複数の板片を使用して組み立てた状態を想定して対応する各部の意味と解釈する。例えば、断面において底部がＵ形の場合は、底部の範囲が円弧状の部分まで含まれることになる。
【００２２】
また、タングステン板を所定の大きさに切断した板片として使用できるが、内層をタングステン、外層を従来から使用されている耐熱性のあるモリブデンとしたクラッド材を使用することができる。要するに、アークチャンバー内をイオンが飛散して接触する部分の一部あるいは全部にタングステンを使用することに、一種の触媒作用をさせることに意味があるのである。
【００２３】
また、大量のイオンビームをビームラインに放出させるためには、ビームラインを従来の装置に比較して高真空に保持することが必要であるが、そのために大容量の真空ポンプを使用する。真空チャンバー内を高真空にすると、イオン発生源であるアークチャンバー内の状態に影響を与え、注入に不要なガスが流出することになるが、前記のようにガス遮蔽板のスロットの流出抵抗によって可能な限り、不要なガスの流出を抑制でき、その結果、必要とするイオンを大量にビームライン側に導きだすことができるのである。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明に係るイオン注入装置について説明する。
【００２５】
図１に示すように、本発明のイオン注入装置１は、不純物（例えば、ＢＦ３  ，ＰＨ３  など）を含むガスを多量に供給してイオンを発生させるイオン発生源２（アークチャンバー）を有しており、ここで発生したイオンｘ  は、引き出し電極１３によって、前記イオン発生源２から引き出され、かつ、加速される。この引き出し電極１３の前方のビームラインにはイオン発生源２より放出された不要なガスを遮断するためのガス遮蔽板１４が配置され、イオンビームＸ中に含まれる不要はガスは、これで大部分が遮断されて真空チャンバー９内に流出する量が制限される。
【００２６】
イオン発生源２から引き出されたイオンビームＸ  は、質量分離部４の質量分離マグネットによってほぼ７０〜９０°の範囲で屈曲され、所定の質量のイオンａのみが取り出される。その際、質量の軽いイオンや質量の重いイオンなどの選外イオンｃ，ｄは排除される。
【００２７】
その後、イオンビームＸ  は、均一制御機構５（マルチポール）によって均一に制御された後、プロセスチャンバー（あるいはエンドステーション）６  内に配置されているプラテン（支持部材）に取り付けたガラス基板（被処理体）７  に注入されるようになっている。  イオン発生源２と質量分離部４と均一制御機構５からプロセスチャンバ６に至る経路を連通する真空チャンバー９には（通常は均一制御機構５が配置されている後段に）、図示しない高排気量を持つ真空ポンプが接続されており、この真空チャンバー９の系全体として高真空排気システム１０を構成している。
【００２８】
図２（Ａ）、（Ｂ）はイオン発生源２を構成するアークチャンバー本体１１と、これの開放面に配置するソースアパーチャー１２の正面図であって、これらの部材でアークチャンバー１１Ａを構成している。このアークチャンバー本体１１は、二枚のエンドキャップ１１ａ，１１ｂと二枚のサイドプレート１１ｃ，１１ｄと一枚のベースプレート１１ｅの金属板片で構成されている。
【００２９】
そして図２（Ａ）に示すように、エンドキャップ１１ａ側に絶縁碍子１１ｆに支持されたカソードプレート１１ｇとフィラメント１１ｈを設け、また、このエンドキャップ１１ａに対向面のエンドキャップ１１ｂには絶縁碍子１１ｉに支持されたリペラプレート１１ｋ（反射板）を各々設けている。更に、ベースプレート１１ｅには複数個のガス注入口１１ｍが開口されている。なお、前記ベースプレート１１ｅの対向する部分の開口部にはソースアパーチャー１２（フエイスプレート）が固定される。
【００３０】
ソースアパーチャー１２は、図２（Ｂ）及び図３（Ａ），（Ｂ）に示すように、前記アークチャンバー１１の開口部に配置される蓋部材であると共にイオンの放射口を構成しており、その中央部に細長楕円形のスロット１２ａが開口され、そしてこのスロット１２ａの周囲はイオンビームＸ  の放出方向に円弧状に膨らんだ凸面部１２ｂが設けられている。  前記ソースアパーチャー１２の表面に形成された凸面部１２ｂは、イオンビームの放射角を制御するために形成されたものであって、その局面の断面形状は、  円弧，  だ円などを横に延長して出来る面が好ましい。
【００３１】
本発明においては、前記アークチャンバー１１の一部／または全部をタングステンで構成することに特徴があるが、このタングステンの板材（板片）を使用する部分はアークチャンバー１１の全体であっても良い。しかし、コストを引き下げるために、内面に薄いタングステン板材を、外面にモリブデン板をクラッドあるいはラミネートして、飛散するイオンが接触する面の一部／または、全部をタングステン表面とすることができる。なお、クラッド材としては、従来から使用されていいるモリブデンと、本発明において採用したタングステンを使用するのが良い。
【００３２】
図４はイオン発生源２の斜視図であって、アークチャンバー１１の内部のフィラメント１１ｈにフィラメント電源１６とアーク電源１７の一方が接続されている。また、前記アークチャンバー１１のエンドキャップ１１ａ，１１ｂの近傍には、イオン生成効率をあげるソースマグネット１８が配置されている。
【００３３】
イオン注入装置１の作動状態においては、高真空下にある前記アークチャンバー１１とフィラメント１１ｈとの間にアーク電源１７より高電圧Ｖをかけ、前記フィラメント１１ｈとリペラプレート１１ｋに接続されている端子ｔとの間を同電位にした状態で、前記フィラメント１１ｈに通電して発熱させて高温に加熱する。
【００３４】
すると、このフィラメント１１ｈより放出された熱電子は、リペラプレート１１ｋで反射されながらアークチャンバー１１内を多数回、周回運動して、ガス注入口１１ｍより供給されるた所定の質量の物質を含むガスと衝突してこれをイオン化し、スロット１２ａの前方に配置されている引き出し電極１３の作用によりソースアパーチャー１２のスロット１２ａより引き出され、そしてガス遮蔽板１４のスロット１４ａより質量分離部４の方に放射される。
【００３５】
このイオンｘの挙動を考えてみると、アークチャンバー本体１１内のイオン化前のガスは、高速でその内面に衝突を繰り返すことになる。従って、このアークチャンバー本体１１内面全体をタングステンで形成する必要はなく、サイドプレート１１ｃ，１１ｄの一つの組み合わせ、あるいは１枚のベースプレート１１ｅをタングステンで構成してもイオンの発生量を増加させることが可能である。このことは実験的にも確認されている。なお、エンドキャップ１１ａ，１１ｂは本発明の効果に寄与することが少ない可能性がある。
【００３６】
また、アークチャンバー本体１１内に供給口１１ｍから供給された目的物質を含むガス（ＢＦ３  ，ＰＨ３  ）は、アークチャンバー１１Ａ内のプラズマによって分解されて高真空排気システム１０の経路に高速で放射されるが、このアークチャンバー１１Ａ内のガスは通常は、分解されたガスが略７０％と、分解されないガスが略３０％で構成されている。  もし、この分解されないガスが質量分離部４側に放射されると、これはイオン注入に不要でかつ有害なガスであるので、前記アークチャンバー１１Ａより放射されないようにしなければならない。
【００３７】
このガス遮蔽板１４（図５）はその機能を持たせたもので、スロット１４ａの大きさ、正面形状、断面形状、更にこのガス遮蔽板１４の板厚等を調整することによって、このアークチャンバー１１Ａ内と真空チャンバー９内との真空の差圧を発生させて未分解ガスが真空チャンバー９側に放射されるのを防止することができるのである。
【００３８】
前記実施の形態においては、図２に示すようにアークチャンバー本体１１を複数枚の金属板で構成した例を示したが、これをプレス加工により１枚の金属板で深絞り状に仕上げることも可能である。この場合は、断面が角型ではなく、少なくとも底部が丸みを帯びたもので、イオンの運動に支障がないような形状のものを選定することができる。
【００３９】
図２に示したアークチャンバー本体１１の各部に相当する部分には、前記のようにエンドキャップ、サイドプレートなどと対応させて本発明の構成要件を判断することになる。  次に、本出願にが開発した本発明が実施された具体的なイオン注入装置の例（代表的な仕様）を表１に記載する。
【００４０】
【表１】
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【００４１】
図６は、表１に記載された代表的な仕様で構成されたアークチャンバー１１Ａの全体にタングステンを使用した本発明にかかるイオン注入装置Ｎと、従来のモリブデンを使用した装置Ｃにおけるインプラント電流を比較したグラフであり、横軸に引き出し電圧（０〜６０ｋＶ）を、縦軸にインプラント電流値（０〜２０ｍＡ）を示している。
【００４２】
注入物質の元素として「ホウ素」について従来のイオン打込み装置Ｃと、アークチャンバーの材料にタングステンを使用した本発明に係る装置Ｎとの最大イオン打込み電流値の変化を比較している。
【００４３】
従来の装置Ｃは最大インプラント電流が１０ｍＡであったのに対して、本発明の装置Ｎによると１６ｍＡに大きく増加していることが確認されている。引出し電圧として５０ｋｅＶでイオンを引出したときの最大インプラント電流は約１６ｍＡであり、従来の装置の１０ｍＡと比較すると大幅にインプラント電流が増加したことが確認されている。
【００４４】
５０ｋｅＶで引出したときのホウ素のビームプロファイルについて説明すると、本発明に係る装置のビーム均一性（標準偏差：σ）は１．２２％であり、従来の装置の場合と差がない。即ち、本発明によって優れたビームの均一性を損なうことなく、大電流を流すことが出来ることを示している。
【００４５】
また、イオンの均一性だけでなく、従来の質量分離による高純度イオン、正確なドーズの再現性など、本来、従来の装置が持っている優れた特徴も、本発明の大電流化によりなんら損なわれていないことが分かる。
【００４６】
また、図７は、注入物質として「リン」を使用した場合における横軸に引出し電圧を、また縦軸にインプラント電流としたグラフを示している。
【００４７】
モリブデンイオンソースの従来の装置Ｃにおいては最大インプラント電流は２０ｍＡであったが、本発明のタングステンイオンソースの装置Ｎによると３５ｍＡと大幅に増加していることがわかる。
【００４８】
本発明において新しく適用されたタングステンの特性を調べるため、ＢＦ３  （三フッ化ホウ素）ガス使用時におけるアークチャンバー１１Ａ内のイオン生成量を計測し、その生成割合を算出した。イオン生成量は、ビームを出した状態でアナライザマグネット電流をゼロから徐々に上げていき、Ｂ＋  ，Ｆ＋  ，ＢＦ＋  ，ＢＦ２  ＋  の質量数で計測されたインプラント電流値を積分することによって算出した。また、イオンソースにおけるアーク電圧（フィラメントとアークチャンバーとの間にかかる電圧）は、プラズマ生成に大きな影響を与える。
【００４９】
図８（Ａ）は、アークチャンバーの材料としてモリブデンを使用した従来の装置において、縦軸にアーク電圧を、横軸にＢ、Ｆ、ＢＦ，ＢＦ２  のイオン量の生成割合を示している。また、図８（Ｂ）は、アークチャンバー１１Ａの材料にタングステンを使用した本発明のイオン量の生成割合を示している。
【００５０】
これらの図から判断できることは、モリブデンではアーク電圧９０Ｖの時がＢ＋  生成量も多く全体での生成割合も多くなっている。これに対して、タングステンを使用した場合はアーク電圧７０ＶのときがＢの生成量も多く、全体の生成割合も多くなっている。
【００５１】
前記実験結果から、タングステンを使用したアークチャンバーの方がイオン生成量が増加していること、及び全体に占めるＢ＋  の生成割合が増加していることが分かる。
【００５２】
これは、モリブデンよりもタングステンをアークチャンバー材として使用する方が、結果的に効率良くＢＦ２  ガスを分解し、イオン化できるためである。結果として、タングステンのアークチャンバー表面でＢＦ３  ガスが分解しやすくなる触媒作用があるものと考えられる。
【００５３】
【発明の効果】
本発明に係るイオン注入装置は、イオンを発生させてビームラインに送出するイオン発生源と、このイオン発生源から送出されてくるイオンを質量分離マグネットで選択して所定の質量のイオンをイオン処理ステーションに導くビームラインを備え、
前記イオン発生源は、一面に開口部を持つアークチャンバー本体と、一部に細長い開口孔を持ち、前記開口部を閉止するソースアパーチャーとからなるアークチャンバーと、前記アークチャンバー本体の長手方向の一方の面にフィラメンを、また、対向面にリペラプレートをそれぞれ配置しており、
更に、前記アークチャンバー本体にイオン発生物質を含むガスを供給して、このガスを電離させてイオンを生成し、このイオンをビームラインに引き出すように構成されており、前記アークチャンバーの少なくとも内面の一部をタングステンで形成したことを特徴としている。
【００５４】
従って、少なくとも内面の一部にタングステンを使用したアークチャンバーを使用することによって、目的物質を含むガスを大量に供給してプラズマの作用で目的物質のガスに分解することができる。
【００５５】
そして、イオン源から放出されるイオン化せずに滞留しているガスに対して、ガス遮蔽板のスロットによって流通抵抗を与えながらイオンのみは通過させることによって、イオンビームをビームライン側に放出することができるので、ビームライン中のビームの流れを阻害する要因を除去することができる。
【００５６】
特に、大容量の真空ポンプを使用してビームラインを高真空に保持しながら、前記のように大量のガスをアークチャンバーに供給・分解して目的とする物質を多量に含むイオンをビームラインに放出することが可能となるので、インプラント電流を従来の装置に比較して約５０％も増加させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】イオン注入装置の概略説明図である。
【図２】（Ａ）はイオン発生源であるアークチャンバーのの正面図、（Ｂ）はソース
アパーチャーの正面図である。
【図３】（Ａ）はソースアパーチャーの断面図である。（Ｂ）は前記（Ａ）図に直交す
る断面図である。
【図４】イオン発生源を構成するアークチャンバーを分解して示す斜視図である。
【図５】イオン発生源を構成するアークチャンバーとガス遮蔽板の斜視図である。
【図６】ボロンのインプラント電流と引出し電圧との関係を示すグラフである。
【図７】リンのインプラント電流と引出し電圧との関係を示すグラフである。
【図８】（Ａ）は従来の装置におけるイオン生成量を、（Ｂ）は本発明に係る装置におけるイオン生成量を示すグラフである。
【符号の簡単な説明】
１  イオン注入装置        ２  イオン発生源          ４  質量分離部
５  均一制御機構          ６  プロセスチャンバー（処理ステーション）
７  基板（被処理体）      ９  真空チャンバー        １０  高真空排気システム
１１Ａ  アークチャンバー      １１  アークチャンバー本体
１１ａ，１１ｂ  エンドキャップ        １１ｃ、１１ｄ  サイドプレート
１１ｅ  ベースプレート        １１ｆ，１１ｉ  絶縁碍子
１１ｇ  カソードプレート      １１ｈ  フィラメント        １１ｋ  リペラプレート１１ｍ  ガス注入口      １２  ガス遮断板            １２ａ  スロット
１２ｂ  凸面部        １３  引出し電極          １４  ガス遮断板
１７  アーク電極          １８  ソースマグネット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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