(57)【要約】【課題】外径１５０ｍｍ以上、長さ１５０ｍｍ以上の大型ハニカム構造体を焼成するにあたり、昇温過程での、ハニカム構造体の中心部、外周部及び／または上下部の温度差から発生する熱応力による割れを防止しできる、焼成方法を提供する。【解決手段】主結晶相がコージェライトとなるよう、コージェライト化原料を調合し、ハニカム構造体に押出成形後、該ハニカム構造体を焼成するセラミックハニカム構造体の焼成方法において、ハニカム構造体の熱収縮する温度域の昇温速度を３０℃／ｈ未満とし、熱収縮終了後の温度域の昇温速度を８０℃／ｈ未満とする。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
主結晶相がコージェライトとなるよう、コージェライト化原料を調合し、ハニカム構造体に押出成形後、該ハニカム構造体を焼成するセラミックハニカム構造体の焼成方法において、ハニカム構造体の熱収縮する温度域の昇温速度を３０℃／ｈ未満とし、熱収縮終了後の温度域の昇温速度を８０℃／ｈ未満とすることを特徴とするセラミックハニカム構造体の焼成方法。
【請求項２】
主結晶相がコージェライトであり、気孔率が５０％以上８０％以下となるよう、コージェライト化原料を調合し、ハニカム構造体に押出成形後、該ハニカム構造体を焼成するセラミックハニカム構造体の焼成方法において、ハニカム構造体の熱収縮する温度域の昇温速度を２５℃／ｈ以下とし、熱収縮終了後の温度域の昇温速度を７０℃／ｈ以下とすることを特徴とする請求項１に記載のセラミックハニカム構造体の焼成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はコージェライト質セラミックハニカム構造体の焼成方法に関し、特にディーゼルエンジンの排気ガスを浄化するための触媒担体や排気ガス中に含まれる微粒子を除去するためのフィルタに使用される、大型のコージェライト質セラミックハニカム構造体を焼成するに好適な焼成方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
従来、タルク、カオリン、アルミナ、シリカ等のコージェライト化原料に、バインダー、潤滑剤等の成形助剤、造孔剤、及び水を添加した、混合、混練した可塑化した坏土からハニカム成形体を成形し、このハニカム成形体を焼成するセラミックハニカム構造体の焼成方法として、各種方法が知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１に記載の発明では、コージェライトハニカム成形体を１１００℃までは２５０℃／ｈを超えない昇温速度で、更に１１００℃以上では３０〜３００℃／ｈの昇温速度で昇温し、１３００〜１４４０℃の温度域で０．５〜２４時間焼成することにより、低い熱膨張係数の得られることが開示されている。
【０００４】
特許文献２に記載の発明では、セラミックハニカム構造体の変形を防止するため、ハニカム構造体が熱収縮する温度領域にて、昇温を所定時間停止する技術が開示されている。本文献において、昇温速度は温度１１００℃より低い温度領域及び１２５０℃より高い温度領域にて昇温速度を１００℃／ｈとし、温度１１００〜１２５０℃の範囲は、昇温速度を６０℃／ｈ以下とする例が記載されている。
【０００５】
特許文献３に記載の発明では、気孔率、熱膨張係数等の特性を最適化するため、熱収縮する温度域（１１００〜１２００℃）で６０℃／ｈ以下、固相反応温度域（１２００〜１３００℃）で８０℃／ｈ以上、液相反応温度域（１３００℃〜保持温度）で６０℃／ｈ以下の昇温速度で焼成する技術が開示されている。
【０００６】
特許文献４に記載の発明では、ハニカム構造体の端面切れや寸法不均一を防ぐため、焼成雰囲気を１．０〜５．０ｍ／ｓの速度で、ハニカム構造体の貫通孔と平行に強制的に通過させることにより、ハニカム構造体全体を均一に加熱する技術が開示されている。
【０００７】
一方、環境規制の強化から、ディーゼルエンジンの排気ガス中に含まれるＮＯｘや微粒子を除去するために、ＮＯｘを浄化するための触媒物質を担持させたセラミックハニカム構造体や、セラミックハニカム構造体の隔壁を多孔質構造とし、このハニカム構造体の流路開口部の両端を交互に目封止することにより、微粒子を含んだ排気ガスを前記隔壁に通過せしめる構造の微粒子捕集用のセラミックハニカムフィルタを採用する検討が進められている。これらのディーゼルエンジン用のハニカム構造体については、その寸法は外径が１５０ｍｍ以上、長さ１５０ｍｍという大型のものが必要になりつつある。更に、セラミックハニカムフィルタについては、その浄化性能を高めるため、ハニカム構造体の多孔質隔壁の気孔率を５０％以上とする要求が強くなっている。
【０００８】
【特許文献１】
特開昭５３−８２８２２号公報
【特許文献２】
特許２５５３１９２号公報
【特許文献３】
特許２９８１０３４号公報
【特許文献４】
特公平７−９３５８号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
外径１５０ｍｍ以上、長さ１５０ｍｍ以上の大型ハニカム構造体を、上述した従来の焼成方法により得ようとすると、寸法が大きいために昇温過程において、ハニカム構造体の中心部、外周部及び／または上下部の温度差が発生し易く、この温度差から生ずる収縮率差により発生する熱応力により、昇温過程で割れが発生しやすいという問題があった。
【００１０】
この焼成過程で発生する割れについて、以下に詳しく説明する。
コージェライト質セラミックハニカム構造体の焼成は、単独炉或いは連続炉内に図１に示すようにハニカム構造の成形体１の流路方向が概略重力方向に沿うように配置され、ガスバーナや電気ヒータの熱エネルギーが供給されることにより、１０００℃以上の温度でコージェライト合成反応が促進されて行われる。ここで、ハニカム構造の成形体は、焼成炉の棚板３の上に、焼成台２を介して配置され、外周壁５が棚板３に対して概略直角、上端面４が棚板３に対して、概略平行となるよう配置される。焼成台２は棚板３とハニカム構造体１との焼成過程における膨張、収縮差を吸収するため配置されており、トチと呼ばれるハニカム構造体の薄板などが使用される。ハニカム構造体は、直交する隔壁で仕切られ、軸方向に伸びた多数の流路を有することから、この流路が断熱層として機能し、焼成時に供給された熱エネルギーがハニカム構造体の中心部まで伝わりにくいため、特に外径１５０ｍｍ以上、長さ１５０ｍｍ以上の大型セラミックハニカム構造体の場合は、焼成時の昇温過程において、ハニカム構造体中心部の温度に比べて、上端面４や外周壁５の温度が高くなるため、ハニカム構造体内での温度差の発生は避けられない。
一方、コージェライト化原料を調合し、ハニカム構造体に押出成形後、該ハニカム構造体を所定の温度、雰囲気で焼成する際には、特許文献３の図５で示されるように、コージェライト合成反応に伴う、ハニカム構造体の寸法変化が発生する。具体的には約１１００〜１２００℃の間で大きな熱収縮が認められ、約１２００〜１３００℃間の固相反応が進む温度域では膨張が認められ、更に約１３００℃以上の液相反応が進む温度域においても膨張が認められる。
【００１１】
この、約１１００〜１２００℃の間の熱収縮が発生する温度域で、上記のようにハニカム構造体内での温度差が発生すると、特に外径１５０ｍｍ以上、長さ１５０ｍｍ以上の大型セラミックハニカム構造体の場合は、上端面や外周壁が収縮しようとするのに対し、中心部が収縮できずに、上端面や外周壁の収縮が拘束されるため、上端面４や、外周壁５に、引張応力が発生する。セラミックスは、圧縮には強いが、引張には弱いため、引張応力が作用すると割れにつながり易く、特に、上端面を構成する隔壁の厚さは、外周壁厚さに比べて薄いことから、図２の上端面の拡大模式図で示すように、上端面を構成する隔壁の交点に割れが発生すると、隣接した隔壁交点に進展し、上端面割れが発生する。
【００１２】
一方、約１２００℃以上の温度域の熱膨張が認められる温度域で、上記のようにハニカム構造体内での温度差が発生すると、特に外径１５０ｍｍ以上、長さ１５０ｍｍ以上の大型セラミックハニカム構造体の場合は、上端面や外周壁が膨張しようとするのに対し、中心部が膨張出来ずに、中心部が上端面や外周壁に引張られる形となり、ハニカム構造体の中心部に引張応力が発生するようになる。このためハニカム構造体中心部を構成する隔壁の交点に引張応力による割れが発生し、隣接した隔壁交点に進展し、中心部割れが発生する。
【００１３】
以上のように、コージェライト質セラミックハニカム構造体焼成過程の約１１００℃以上の温度域では、温度上昇に伴い大きな寸法変化が発生することから、特に外径１５０ｍｍ以上、長さ１５０ｍｍ以上の大型セラミックハニカム構造体の場合は、焼成時の昇温過程においてハニカム構造体内の温度差が発生し易く、ハニカム構造体各部位の収縮率の違いによる熱応力が発生し、割れ発生に至るのである。
【００１４】
特許文献１に記載の発明では、１０００℃以上の温度域を３０〜３００℃／ｈで昇温することから、特に熱収縮する温度域では、昇温速度が３０℃／ｈ以上と早いため、特に外径１５０ｍｍ以上、長さ１５０ｍｍ以上の大型ハニカム構造体ではハニカム構造体内に生じた温度差により割れが発生し易いという問題があった。
【００１５】
また特許文献２に記載の発明では、熱収縮する温度域で昇温を所定時間停止し、ハニカム構造体各部位の温度差が小さくなるようにしているものの、特に外径１５０ｍｍ以上、長さ１５０ｍｍ以上の大型ハニカム構造体では昇温過程においては温度差が発生し、特に実施例に記載があるような１００℃／ｈで昇温すると割れが発生する問題があった。
【００１６】
また、特許文献３に記載の発明では、固相反応が進む温度域（約１２００−１３００℃）の昇温速度を８０℃／ｈ以上としていることから、本文献の図３に示されるように、この温度域においても寸法変化（膨張）が発生するため、特に外径１５０ｍｍ以上、長さ１５０ｍｍ以上の大型ハニカム構造体ではハニカム構造体内に生じた温度差により割れが発生するという問題があった。
【００１７】
また、特許文献４に記載の発明では、焼成雰囲気を１．０〜５．０ｍ／ｓの速度で、ハニカム構造体の貫通孔と平行に強制的に通過させることにより、ハニカム構造体内外に生じる温度差を、小さくできるものの、割れ発生を完全になくすことは困難であるとともに、焼成雰囲気を貫通孔に強制的に通過させるために、特殊な装置や、焼成棚板等の焼成治具が必要となり、設備コストや、ランニングコストが膨大になるという問題点も抱えていた。
【００１８】
また、この昇温過程での割れは、セラミックハニカムフィルタに好適な、気孔率が５０％以上の多孔質隔壁を有するハニカム構造体の場合は、気孔率が大きいことから隔壁自体の強度が小さくなるため、ハニカム構造体内各所の温度差から発生する熱応力が小さい場合でも、割れにつながり易いという問題があった。
【００１９】
本発明の目的は、上述した課題を解消して、ディーゼルエンジンの排気ガス浄化装置に適したセラミックハニカム構造体を通常の単独炉や連続炉を使用して焼成するに当たり、外径１５０ｍｍ以上、長さ１５０ｍｍ以上の大型セラミックハニカム構造体、或いは、セラミックハニカムフィルタに好適な、気孔率が５０％以上の多孔質隔壁を有するセラミックハニカム構造体の場合であっても、焼成時に割れの発生しにくいセラミックハニカム構造体の焼成方法を提供するものである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明のセラミックハニカム構造体の焼成方法は、主結晶相がコージェライトとなるよう、コージェライト化原料を調合し、ハニカム構造体に押出成形後、該ハニカム構造体を焼成するセラミックハニカム構造体の焼成方法において、ハニカム構造体の熱収縮する温度域の昇温速度を３０℃／ｈ未満とし、熱収縮終了後の温度域の昇温速度を８０℃／ｈ未満とすることを特徴とするものである。
【００２０】
本発明では、セラミックハニカム構造体の熱収縮する温度域の昇温速度を３０℃／ｈ未満とし、熱収縮終了後の温度域の昇温速度を８０℃／ｈ未満としていることから、外径１５０ｍｍ以上、長さ１５０ｍｍ以上の大型のコージェライト質セラミックハニカム構造体であっても焼成過程で割れの発生が少なくすることができる。
ここで、ハニカム構造体の熱収縮する温度域の昇温速度を３０℃／ｈ未満とするのは、昇温速度を３０℃／ｈ以上とすると、特に外径１５０ｍｍ以上、長さ１５０ｍｍ以上の大型ハニカム構造体の場合は、ハニカム構造体の中心部に比べて上端面や外周壁の温度が高くなり、上端面や外周部が収縮しようとするのを、中心部が拘束し、上端面や、外周部に引張応力が発生するため、上端面や、外周壁に割れが発生し易くなるからである。特に、外周壁に比べ、隔壁厚さの方が薄いことから上端面の隔壁に割れが発生しやすい。ここで熱収縮温度域とは約１０００℃〜約１２００℃の間の温度域のことを言うが、特に約１１００℃〜約１２００℃の間の温度域は、収縮率の急激な変化があることから、この温度域の昇温速度を３０℃／ｈ未満とする必要がある。尚、本熱収縮温度域では、昇温速度は３０℃／ｈ未満にする必要があるが、ハニカム構造体を焼成する上で、極端に低い昇温速度は、焼成時間が長時間となり、経済的でなくなるため、昇温速度は２℃／ｈ以上、３０℃／ｈ未満が好ましい。更に、より好ましい昇温速度の範囲は５℃／ｈ以上、３０℃／ｈ未満である。
【００２１】
また、熱収縮終了後の約１２００℃以上の温度域の昇温速度を８０℃／ｈ未満とするのは、昇温速度を８０℃／ｈ以上とすると、この温度域では、熱収縮温度域とは逆に熱膨張が発生するため、特に外径１５０ｍｍ以上、長さ１５０ｍｍ以上の大型ハニカム構造体の場合は、ハニカム構造体の中心部に比べて上端面や外周壁の温度が高くなり、中心部が上端面や外周壁の膨張に引張られ、ハニカム構造体の中心部に引張応力が発生するようになり、中心部の隔壁交点に割れが発生し易いためである。
本熱収縮の終了後の温度域では、昇温速度は８０℃／ｈ未満にする必要があるが、ハニカム構造体を焼成する上で、極端に低い昇温速度の場合は、焼成時間が長時間となり、経済的でなくなるため、昇温速度は２℃／ｈ以上、８０℃／ｈ未満が好ましい。更に、より好ましい昇温速度は５℃／ｈ以上、６０℃／ｈ以下である。
【００２２】
また、主結晶相がコージェライトであり、気孔率５０％以上８０％以下であるハニカム構造体となるよう、コージェライト化原料を調合し、ハニカム構造体に押出成形後、該ハニカム構造体を焼成するセラミックハニカム構造体の焼成方法においては、ハニカム構造体の熱収縮する温度域の昇温速度は２５℃／ｈ以下、熱収縮終了後の温度域の昇温速度は７０℃／ｈ以下が好ましい。
【００２３】
本発明において、気孔率５０％以上８０％以下となるような、セラミックハニカム構造体の場合には、気孔率が大きいために、セラミックハニカム構造体自体の強度が低くなる。しかし、ハニカム構造体の熱収縮する温度域の昇温速度を２５℃／ｈ以下とし、熱収縮終了後の温度域の昇温速度を７０℃／ｈ以下とすることによって、外径１５０ｍｍ以上、長さ１５０ｍｍ以上の大型、且つ気孔率が５０％以上８０％以下の多孔性を有するコージェライト質セラミックハニカム構造体の焼成過程で発生する割れを効果的に低減できる。
【００２４】
ここでハニカム構造体の熱収縮する温度域の昇温速度を２５℃／ｈ以下とするのが好ましいのは、昇温速度が２５℃／ｈを超えると、特に外径１５０ｍｍ以上、長さ１５０ｍｍ以上、気孔率５０％以上８０％以下の大型、高気孔率セラミックハニカム構造体の場合は、昇温過程のハニカム構造体の中心部と上端面の温度差により発生する熱応力により、上端面の隔壁交点を連鎖的に進展する割れが発生し易くなるからである。この、外径１５０ｍｍ以上、長さ１５０ｍｍ以上、気孔率５０％以上８０％以下の大型、高気孔率セラミックハニカム構造体の場合は、熱収縮温度域では、昇温速度は２５℃／ｈ以下が好ましいが、ハニカム構造体を焼成する上で、極端に低い昇温速度の場合は、焼成時間が長時間となり、経済的でなくなるため、昇温速度は２℃／ｈ以上、２５℃／ｈ以下がより好ましい。更に、より好ましい昇温速度は５℃／ｈ以上、２５℃／ｈ以下である。
【００２５】
また、熱収縮終了後の温度域の昇温速度を７０℃／ｈ以下とするのが好ましいのは、特に外径１５０ｍｍ以上、長さ１５０ｍｍ以上、気孔率５０％以上８０％以下の大型、高気孔率セラミックハニカム構造体の場合は、昇温過程のハニカム構造体の中心部と上端面の温度差により発生する熱応力により、中心部の隔壁交点を連鎖的に進展する割れが発生し易くなるからである。この、外径１５０ｍｍ以上、長さ１５０ｍｍ以上、気孔率５０％以上８０％以下の大型、高気孔率セラミックハニカム構造体の場合は、本熱収縮の終了後の温度域では、昇温速度は７０℃／ｈ以下にすることが好ましいが、ハニカム構造体を焼成する上で、極端に低い昇温速度の場合は、焼成時間が長時間となり、経済的でなくなるため、昇温速度は２℃／ｈ以上、７０℃／ｈ以下が、より好ましい。更に、より好ましい昇温速度は５℃／ｈ以上、５０℃／ｈ以下である
【００２６】
気孔率が５０％以上８０％以下であるコージェライト質セラミックハニカム構造体中の気孔は、主にコージェライト化原料に含まれるタルクや石英、溶融シリカのようなシリカ源成分やグラファイト、小麦粉等の造孔材によって形成される形骸により形成されるものである。中でもシリカ源成分は、他の原料に比べて高温まで安定に存在し、１３００℃以上で溶融拡散し、細孔を形成することが知られていることから、気孔率が５０％以上であるような高気孔率のコージェライト質セラミックハニカム構造体を得るためには、有効な材料である。特に平均粒径５μｍ以上のシリカ源粉末成分を少なくとも１０質量％以上コージェライト化原料に含有させることは、気孔率５０％以上、平均細孔径５μｍ以上の特性を有するコージェライト質セラミックハニカム構造体を得る上で有効である。ところが、平均粒径５μｍ以上の石英及び／又は溶融シリカからなるシリカ源成分の添加量を１０質量％以上含有させると、コージェライト化原料の他の成分、即ち、水酸化アルミニウム、カオリン、タルク等からの比較的低温で起こる結晶水の放出や結晶構造の変化、或いはそのものの分解によって生じる収縮を抑制することができる。一方、１２００℃以上のコージェライト化反応の過程で、特に１３００℃以上の高温では、急激にコージェライト化が進行し、その体積膨張が大きくなるため、焼成時の割れが発生しやすくなる。しかしながら、コージェライト化原料に、平均粒径５μｍ以上の石英及び／又は溶融シリカからなるシリカ源成分の添加量を１０質量％以上含有させた場合であっても、熱収縮温度終了後の約１２００℃以上の温度域で、昇温速度を７０℃／ｈ以下、より好ましくは４０℃／ｈ以下としているため、この温度域で発生する割れを有効に防止することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
（実施例１）
コージェライト質セラミック焼成体の気孔率３５％を目標として、表１に示す平均粒径、化学組成のカオリン、仮焼カオリン、タルク、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウムＡ、シリカＡ（石英）を、表２に示す配合ＮＯ．１の割合で、秤量した。次いで、バインダーとしてメチルセルロース、及びヒドロキシプロピルメチルセルロースを添加し、混合調整した後、水を投入し、混合、混練を加え、可塑化可能な坏土を作製し、この坏土を押出成形機に投入して、成形、乾燥を行い、ハニカム構造を有する試験ＮＯ．１の成形体を準備した。セラミックハニカム構造成形体の形状は全て同じ形状で、直径３００ｍｍ、長さ３５０ｍｍの略円柱形状であり、隔壁の厚さ０．１５ｍｍ、隔壁のピッチ１．３ｍｍであった。次に準備したセラミックハニカム成形体を、焼成用単独炉で表３に示すＡ〜Ｖの２１種類の昇温パターンで昇温し、１４００℃で１０時間保持して焼成を行った後、割れの発生したセラミックハニカム構造体の割合を求めて、焼成割れの評価を行った。セラミックハニカム構造体の割れ発生の確認は、上端面については目視で、中心部の割れについてはＸ線で行い、焼成したハニカム構造体のうちの割れ発生したハニカム構造体の割合が、０％であったものを◎、２％未満であったものを○、５％未満であったものを△、５％以上であったものを×として、各焼成パターンに対するの割れ評価を行った。また、それぞれの昇温パターンで作成したセラミックハニカム構造体の気孔率を水銀圧入法により求めた。表３に２１種類の昇温パターンＡ〜Ｖで焼成したセラミックハニカム構造体の気孔率及び焼成割れの評価結果を示す。
【００２８】
表３の結果から、ハニカム構造体の熱収縮が発生する領域である１０００℃〜１２００℃の間の昇温速度を３０℃／ｈ未満、熱収縮が終了した後の１２００℃〜１４００℃の間の昇温速度を８０℃／ｈ未満とすることにより、焼成割れ評価は、◎、或いは○となり、割れ発生率を２％以下とし、気孔率３４〜３７％のコージェライト質セラミックハニカム構造体の得られることが判る。特に、熱収縮が終了した後の１２００℃〜１４００℃の間の昇温速度を６０℃／ｈ以下とすると、焼成割れ評価は◎となり、割れ発生率はいずれも０％であることもわかった。
【００２９】
（実施例２）
表１に示す平均粒径、化学組成のカオリン、仮焼カオリン、タルク、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウムＢ、シリカＢ（溶融シリカ）を、表２に示す配合ＮＯ．２（目標気孔率：６０％）、ＮＯ．３（目標気孔率：６１％）、ＮＯ．４（目標気孔率：６３％）の割合で秤量した。次いで、このコージェライト化原料１００質量部に対して、造孔剤としてグラファイト、及び有機発泡材を表２に示す割合で添加し、さらにバインダーとしてメチルセルロース、及びヒドロキシプロピルメチルセルロースを添加し、混合調整した。その後、水を投入し、混合、混練を加え、可塑化可能な坏土を作製し、この坏土を押出成形機に投入して、成形、乾燥を行い、ハニカム構造を有する試験ＮＯ．２〜４の成形体を準備した。セラミックハニカム構造成形体の形状は全て同じ形状で、直径３００ｍｍ、長さ３５０ｍｍの略円柱形状であり、隔壁の厚さ０．３１ｍｍ、隔壁のピッチ１．５２ｍｍであった。次に準備したセラミックハニカム成形体を、焼成炉で表３に示すＡ〜Ｕの２１種類の昇温パターンで昇温し、１４００℃で１０時間保持して焼成を行った後、実施例１と同様に気孔率の測定及び割れの評価を行った。表４に、試験ＮＯ．２、３、４の３種類のハニカム構造体に対する２１種類の昇温パターンＡ〜Ｖの気孔率及び割れ評価結果を示す。
【００３０】
表４の結果から、ハニカム構造体の熱収縮が発生する領域である１０００℃〜１２００℃の間の昇温速度を３０℃未満、熱収縮が終了した後の１２００℃〜１４００℃の間の昇温速度を８０℃／ｈ未満とすることで、焼成割れ評価は、◎、○、△となり、気孔率５８〜６２％の高気孔率コージェライト質セラミックハニカム構造体においてもが割れ発生率を５％以下として、得られることが判った。但し、試験ＮＯ．２、３、４のセラミックハニカム構造体は、気孔率が５０％以上であることから、試験ＮＯ．１のセラミックハニカム構造体の割れ評価が◎であった昇温パターンＢでは、割れ評価が○、試験ＮＯ．１のセラミックハニカム構造体の割れ評価が○であった、昇温パターンＮ、及びＵでは、割れ評価が△であった。しかし、ハニカム構造体の熱収縮する温度域である１０００℃〜１２００℃の間の昇温速度を２５℃／ｈ以下とし、熱収縮終了後の温度域である１２００℃〜１４００℃の間の昇温速度を７０℃／ｈ以下とすることにより、割れ発生率を少なくすることができた。
また、試験ＮＯ．２のセラミックハニカム構造体は、１２００℃〜１４００℃の間の昇温速度を５０℃／ｈ以下とすると、焼成割れ評価は◎となり、割れ発生率は０％となった。一方、試験ＮＯ．３及び４のセラミックハニカム構造体は、コージェライト化原料中に、溶融シリカを１１．８〜１８．１質量％含有していることから、例えば昇温パターンＪ及びＲの場合、溶融シリカを９％含有している試験ＮＯ．２のセラミックハニカム構造体の割れ評価◎に対して、割れ評価は○となり、割れ発生率が僅かに高くなるものの、実用上問題ない２％以下であったが、１２００℃〜１４００℃の間の昇温速度を４０℃／ｈ以下とした、昇温パターンＨ、Ｉ、Ｐ、Ｑでは、割れ評価が◎となり、割れ発生率は０％となった。
【００３１】
【表１】
2004292292.tif 000002
【００３２】
【表２】
2004292292.tif 000003
【００３３】
【表３】
2004292292.tif 000004
【００３４】
【表４】
2004292292.tif 000005
【００３５】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、外径１５０ｍｍ以上、長さ１５０ｍｍ以上の大型セラミックハニカム構造体を焼成するに当たり、昇温速度を適切な範囲に調整していることから、焼成割れ発生のない、セラミックハニカム構造体を得ることができる。
【００３６】
【図面の簡単な説明】
【図１】セラミックハニカム構造体を焼成する際のセラミックハニカム構造体の配置の一例を示す図である。
【図２】セラミックハニカム構造体を焼成する際に、隔壁交点に発生する割れの一例を示す図である。
【符号の説明】
１：セラミックハニカム構造体
２：焼成台
３：棚板
４：上端面
５：外周壁
１１：隔壁
１２：流路
１３：隔壁交点の割れ
【図１】
2004292292.tif 000006
【図２】
2004292292.tif 000007