(57)【要約】【課題】熱処理時に発生する基板の反りの問題を解決し、高品質な半導体装置や基板を製造することができる熱処理装置を提供する。【解決手段】基板を支持する支持部５８は、シリコン製の支持部本体６４に第１のコーティング膜６６と第２のコーティング膜６８とが形成され、この第１のコーティング膜６６と第２のコーティング膜６８とは熱膨張量に差がある。第１のコーティング膜６６と第２のコーティング膜６８は、膜厚に差があり、材料が異なり、又は層構造が異なる。【選択図】          図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を基板支持体に支持した状態で熱処理する熱処理装置において、前記基板支持体は、本体部と、この本体部に設けられ前記基板と接触する支持部とを有し、この支持部は、前記基板と接触する面に形成された第１のコーティング膜と、前記本体部側の面に形成された第２のコーティング膜とを有し、前記第１のコーティング膜と前記第２のコーティング膜とは熱膨張量に差があることを特徴とする熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハやガラス基板等を熱処理するための熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板を熱処理する場合、基板を基板支持体（ボート）に支持した状態で行う。
この種の基板支持体の一つとして、垂直に配置された複数の支柱を有し、この支柱には垂直方向で等間隔に支持部が形成され、この支持部に基板を水平方向で支持するようにしたものが知られている（例えば特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２５０７８７号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】基板支持体の支柱は、炭化珪素、珪素又は石英から構成されている。この基板支持体の支持部にシリコン製の基板を支持した状態で、例えば１１００°Ｃ以上の温度で熱処理すると、基板の支持部と接触する領域で、該基板にはスリップラインが発生し、基板が反ってしまう問題があった。反りの発生により、基板裏面の平坦度が劣化する。これらのため、例えばＬＳＩ製造工程の重要な一工程であるリソグラフィ工程で、マスク合わせずれ（焦点ずれ又は変形による合わせずれ）が生じ、所望パターンを有するＬＳＩデバイスの製造が困難であるといった問題が発生していた。
【０００６】原因は次のように考えられる。
基板は支持部に、微視的には限られた点（通常は３点）で支持される。６００°Ｃ〜１０００°Ｃ以上で加熱した反応炉内では、基板と支持部とで溶着が起こる。その後の温度上昇時に基板及び支持部は熱膨張するが、それぞれの熱膨張量が異なるため、該溶着点で大きな応力が発生し、この値が単結晶基板の降伏応力を超えると、該溶着点から転位が発生し、更にはこの転位からスリップラインが成長すると考えられる。また、降温時には、基板及び支持部は収縮するが、それぞれの収縮量が異なるため、前述した溶着部分から転位が発生し、更にはこの転位からスリップラインが成長し、最終的には基板が反ってしまう。
【０００７】そこで、本発明は、熱処理時に発生する基板の反りの問題を解決し、高品質な半導体装置や基板を製造することができる熱処理装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】
本発明の特徴とするところは、基板を基板支持体に支持した状態で熱処理する熱処理装置において、前記基板支持体は、本体部と、この本体部に設けられ前記基板と接触する支持部とを有し、この支持部は、前記基板と接触する面に形成された第１のコーティング膜と、前記本体部側の面に形成された第２のコーティング膜とを有し、前記第１のコーティング膜と前記第２のコーティング膜とは熱膨張量に差がある熱処理装置にある。したがって、支持部の基板と接触する面と本体部側の面とでは熱膨張量に差があるようにしたので、熱処理時における温度変化に対応して支持部が湾曲変形する（いわゆるバイメタル効果）。このため、基板と支持部との接触部分が温度変化に対応して刻々と変化し、基板と支持部との溶着を防止することができる。熱処理時には基板と支持部との間の何ヶ所かで溶着が起こるが、降温が始まると、支持部が自動的に変形し、早い段階で基板と支持部との溶着点が切り離される。即ち、基板と支持部との収縮差に起因する基板支持点での応力が増大するのを防止することができ、例えば単結晶基板の降伏点応力より小さい応力値に抑えることができ、転位やこの転位に続くスリップラインの発生を防止し、もって基板の反り発生を少なくすることができる。
【０００９】第１のコーティング膜と第２のコーティング膜とに熱膨張量差を付けるには、それぞれの膜種が同じ場合には膜厚に差を設ければよく、又はそれぞれの膜種や膜構成を異ならせてもよい。それぞれの膜種を同じとした場合は、膜厚差として１μｍ以上とすることが好ましい。また、支持部の厚さを３ｍｍ程度とした場合、第１のコーティング膜と第２のコーティング膜とは１００μｍ以下とすることが好ましい。
【００１０】また、第１のコーティング膜と第２のコーティング膜は、炭化珪素、窒化珪素、酸化珪素、又はその他の耐熱材料からなり、それぞれ一層であってもよいし、多層であってもよい。
【００１１】また、支持部を主に構成する支持部本体（第１のコーティング膜と第２のコーティング膜を除いた部分）は、基板と同一材料（シリコン製の基板であればシリコン）であることが好ましい。このように支持部本体を基板と同一材料とすれば支持部の熱膨張率を基板と略同一とすることができ、基板と支持部との熱膨張率の差によって基板に与える応力を小さくし、転位やスリップラインが発生するのをより防止することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１には、本発明の実施形態に係る熱処理装置１０が示されている。この熱処理装置１０は、例えば縦型であり、主要部が配置された筺体１２を有する。この筺体１２には、ポッドステージ１４が接続されており、このポッドステージ１４にポッド１６が搬送される。ポッド１６は、例えば２５枚の基板が収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ１４にセットされる。
【００１３】筺体１２内において、ポッドステージ１４に対向する位置には、ポッド搬送装置１８が配置されている。また、このポッド搬送装置１８の近傍には、ポッド棚２０、ポッドオープナ２２及び基板枚数検知器２４が配置されている。ポッド搬送装置１８は、ポッドステージ１４とポッド棚２０とポッドオープナ２２との間でポッド１６を搬送する。ポッドオープナ２２は、ポッド１６の蓋を開けるものであり、この蓋が開けられたポッド１６内の基板枚数が基板枚数検知器２４により検知される。
【００１４】さらに、筺体１２内には、基板移載機２６、ノッチアライナ２８及び基板支持体３０（ボート）が配置されている。基板移載機２６は、例えば５枚の基板を取り出すことができるアーム３２を有し、このアーム３２を動かすことにより、ポッドオープナ２２の位置に置かれたポッド、ノッチアライナ２８及び基板支持体３０間で基板を搬送する。ノッチアライナ２８は、基板に形成されたノッチまたはオリフラを検出して基板のノッチまたはオリフラを一定の位置に揃えるものである。基板支持体３０は、本体部５６を有しており、この本体部５６は、上部板３４、下部板３６、及び上部板３４と下部板３６との間を接続する例えば３本の支柱３８から構成されている。なお、支柱３８は、３本に限らず、基板を支持できれば何本であってもよい。
【００１５】図２において、反応炉４０が示されている。この反応炉４０は、反応管４２を有し、この反応管４２内に基板支持体３０が挿入される。反応管４２の下方は、基板支持体３０を挿入するために開放され、この開放部分はシールキャップ４４により密閉されるようにしてある。また、反応管４２の周囲は、均熱管４６により覆われ、さらに均熱管４６の周囲にヒータ４８が配置されている。熱電対５０は、反応管４２と均熱管４６との間に配置され、反応炉４０内の温度をモニタできるようにしてある。そして、反応管４２には、処理ガスを導入する導入管５２と、処理ガスを排気する排気管５４とが接続されている。
【００１６】次に上述したように構成された熱処理装置１０の作用について説明する。
まず、ポッドステージ１４に複数枚の基板を収容したポッド１６がセットされると、ポッド搬送装置１８によりポッド１６をポッドステージ１４からポッド棚２０へ搬送し、このポッド棚２０にストックする。次に、ポッド搬送装置１８により、このポッド棚２０にストックされたポッド１６をポッドオープナ２２に搬送してセットし、このポッドオープナ２２によりポッド１６の蓋を開き、基板枚数検知器２４によりポッド１６に収容されている基板の枚数を検知する。
【００１７】次に、基板移載機２６により、ポッドオープナ２２の位置にあるポッド１６から基板を取り出し、ノッチアライナ２８に移載する。このノッチアライナ２８においては、基板を回転させながら、ノッチ又はオリフラを検出し、検出した情報に基づいて複数枚の基板のノッチ又はオリフラを同じ位置に整列させる。次に、基板移載機２６により、ノッチアライナ２８から基板を取り出し、基板支持体３０に移載する。
【００１８】このようにして、１バッチ分の基板を基板支持体３０に移載すると、例えば６００°Ｃ程度の温度に設定された反応炉４０内に複数枚の基板を装填した基板支持体３０を装入し、シールキャップ４４により反応管４２内を密閉する。次に、炉内温度を熱処理温度まで昇温させて、導入管５２から処理ガスを導入する。処理ガスには、窒素、アルゴン、水素、酸素等が含まれる。基板を熱処理する際、基板は例えば１０００°Ｃ以上、さらには１３５０°Ｃ以上の温度に加熱される。なお、この間、熱電対５０により反応管４２内の温度をモニタしながら、予め設定された昇温、熱処理プログラムに従って基板の熱処理を実施する。
【００１９】基板の熱処理が終了すると、例えば炉内温度を６００°Ｃ程度の温度に降温した後、基板支持体３０を反応炉４０からアンロードし、基板支持体３０に支持された全ての基板が冷えるまで、基板支持体３０を所定位置で待機させる。なお、炉内温度降温の際も、熱電対５０により反応管４２内の温度をモニタしながら、予め設定された降温プログラムに従って降温を実施する。次に、待機させた基板支持体３０の基板が所定温度まで冷却されると、基板移載機２６により、基板支持体３０から基板を取り出し、ポッドオープナ２２にセットされている空のポッド１６に搬送して収容する。次に、ポッド搬送装置１８により、基板が収容されたポッド１６をポッド棚２０に搬送し、さらにポッドステージ１４に搬送して完了する。
【００２０】次に上記基板支持体３０について詳述する。
図３において、基板支持体３０は、本体部５６と、この本体部５６に設けられた支持部５８とから構成されている。本体部５６は、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）、シリコン（Ｓｉ）（単結晶又は多結晶）又は石英（ＳｉＯ２）からなる。例えば３本又は４本の支柱３８には、支柱３８の垂直方向で等間隔に爪部６０がそれぞれ多数形成されている。この爪部６０は、基板支持体３０の内側へ向けて水平に延びており、この爪部６０に支持部５８が載置支持されている。
【００２１】支持部５８は、板状部材、例えば円板状に形成された部材から構成され、この支持部５８上に基板６２が接触載置されるようになっている。なお、この実施形態においては、支持部５８は円板状に形成されているが、他の形状を持つ板状、リング状又は円盤状等であってもよく、１つ又は複数の溝又は孔が形成されていてもよい。
【００２２】次に支持部５８について詳述する。
図４（ａ）において、第１例に係る支持部５８が示されている。支持部５８は、支持部本体６４と、基板と接触する面に形成された第１のコーティング膜６６と、本体部側の面に形成された第２のコーティング膜６８とから構成されている。支持部本体６４は、基板６２と同じ材料、例えば基板６２がシリコン製の場合はシリコンであることが好ましい。これにより、基板６２と支持部５８との熱膨張率の差に基づいて生じる基板６２の応力を少なくし、基板６２に転位やスリップラインが発生するのを少なくすることができる。
【００２３】この実施形態においては、第１のコーティング膜６６と第２のコーティング膜６８はそれぞれ一層であり、同じ材料、即ち、炭化珪素（ＳｉＣ）、酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化珪素（ＳｉＮ）、又はその他の耐熱性材料からなる。これらのコーティング膜６６，６８は、例えばプラズマＣＶＤ又は熱ＣＶＤにより形成されている。
【００２４】第１のコーティング膜６６と第２のコーティング膜６８とは、熱膨張量に差があるようにしてある。この第１例においては、第１のコーティング膜６６の膜厚ｄ１と第２のコーティング膜６８の膜厚ｄ２とに差を設けてある。膜厚ｄ１とｄ２との差は１μｍ以上であることが好ましい（ｄ１−１μｍ≧ｄ２）。また、支持部５８の厚さが約３ｍｍの場合は、膜厚ｄ１とｄ２は１００μｍ以下（支持部５８の厚さの１／３０以下）とすることが好ましい。
【００２５】したがって、同じ材料であれば膜厚が厚い方が熱膨張量が大きいので、支持部５８は、第１のコーティング膜６６と第２のコーティング膜６８とで熱膨張量に差を生じ、熱処理時の温度変化に対応して湾曲変形する。このため、基板６２と支持部５８との接触部分が温度変化に対応して刻々と変化し、基板６２と支持部５８との溶着を防止することができる。熱処理時には基板６２と支持部５８の第１のコーティング膜６６との間の何ヶ所かで溶着が起こるが、降温が始まると、支持部５８が自動的に溶着部分を離す方向に変形し、早い段階で基板６２と支持部５８との溶着点が切り離される。これにより基板６２における転位やこの転位に続くスリップラインの発生を防止し、もって基板６２の反り発生を少なくすることができる。
【００２６】図４（ｂ）において、第２例に係る支持部５８が示されている。この第２例においては、第１のコーティング膜６６及び第２のコーティング膜６８が二層構造となっており、それぞれ支持部本体６４にコーティングされた第１層７０と、この第１層７０にコーティングされた第２層７２とから構成されている。第１層７０の基板と接触する面側と本体部と接触する面側のそれぞれと第２層７２の基板と接触する面側と本体部と接触する面側のそれぞれとは、炭化珪素、酸化珪素、窒化珪素、又はその他の耐熱性材料から選ばれた同じ材料からなり、例えば炭化珪素と窒化珪素、炭化珪素と酸化珪素、又は窒化珪素と酸化珪素からなる。第１層７０と第２層７２とのコート順は支持部５８の両面で任意である。また、第１のコーティング膜６６と第２のコーティング膜６８とを構成する少なくとも一つの膜種の層に対する厚さ（図４（ｂ）では第１層７０の厚さ）は、上述した第１例と同様に差を設けており、これにより熱膨張量に差が生じるようにしている。
【００２７】図４（ｃ）において、第３例に係る支持部５８が示されている。この第３例においては、第１のコーティング膜６６及び第２のコーティング膜６８が三層構造となっており、それぞれ支持部本体６４にコーティングされた第１層７０と、この第１層７０にコーティングされた第２層７２と、この第２層７２にコーティングされた第３層７４から構成されている。第１層７０、第２層７２及び第３層７４のそれぞれの基板と接触する面側と本体部と接触する面側のそれぞれは、同じ材料からなり、例えば炭化珪素、窒化珪素及び酸化珪素からなる。第１層７０乃至第３層７４のコート順は支持部５８の両面で任意である。また、第１のコーティング膜６６と第２のコーティング膜６８とを構成する少なくとも一つの膜種の層に対する厚さ（図４（ｃ）では第１層７０の厚さ）は、上述した第１例又は第２例と同様に差が設けられており、これにより熱膨張に差があるようにしている。
【００２８】図４（ｄ）において、第４例に係る支持部５８が示されている。この第４例においては、第１のコーティング膜６６が二層、第２のコーティング膜６８が一層として構成されている。第１のコーティング膜６６の第１層７０又は第２層７２と、第２のコーティング膜６８とは、同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。例えば第１のコーティング膜６６の第１層７０を炭化珪素、第１のコーティング膜６６の第２層７２と第２のコーティング膜６８とを酸化珪素又は窒化珪素とし、第１のコーティング膜６６の第１層７０を窒化珪素、第１のコーティング膜６６の第２層７２と第２のコーティング膜６８とを炭化珪素又は酸化珪素とし、第１のコーティング膜６６の第１層７０を酸化珪素、第１のコーティング膜６６の第２層７２と第２のコーティング膜６８とを炭化珪素又は窒化珪素とすることができる。第１層７０と第２層７２とのコート順は支持部５８の両面で任意である。また、第１のコーティング膜６６と第２のコーティング膜６８とに熱膨張差を付けられるならば、それぞれの膜厚は限定されない。
【００２９】図４（ｅ）において、第５例に係る支持部５８が示されている。この第５例においては、第１のコーティング膜６６を一層とし、第２のコーティング膜６８を三層としたものである。この第５例においても、第４例と同様に、第１のコーティング膜６６と第２のコーティング膜６８とに熱膨張差を付けられるならば、それぞれの膜種や膜厚は限定されない。
【００３０】図４（ｆ）において、第６例に係る支持部５８が示されている。この第６例においては、第１のコーティング膜６６を二層とし、第２のコーティング膜６８を三層としたものである。この第６例においても、第４例又は第５例と同様に、第１のコーティング膜６６と第２のコーティング膜６８とに熱膨張差を付けられるならば、それぞれの膜種や膜厚は限定されない。
【００３１】図４（ｇ）において、第７例に係る支持部５８が示されている。この第７例においては、第１のコーティング膜６６と第２のコーティング膜６８とはそれぞれ一層ではあるが、異なる材料からなる。第１のコーティング膜６６と第２のコーティング膜６８は、例えば炭化珪素と窒化珪素、炭化珪素と酸化珪素、又は酸化珪素と炭化珪素である。第１のコーティング膜６６と第２のコーティング膜６８とは熱膨張差を付けられるならば、それぞれの膜厚が等しくてもよいし、異なってもよい。
【００３２】なお、支持部５８の側面については、コーティング膜を形成してもよいし、形成しなくてもよい。
【００３３】次に本発明に係る実施例を比較例と比較しながら説明する。
【００３４】
【実施例１】
図３に示すように、炭化珪素製の本体部５６に支持部５８を載置し、この支持部５８に基板６２を載置した。支持部５８は、図４（ｄ）に示すように、シリコン製の支持部本体６４に第１のコーティング膜６６の第１膜７０として厚さ８μｍ炭化珪素膜をコートし、第１のコーティング膜６６の第２層７２と第２のコーティング膜６８として厚さ１μｍの酸化珪素膜をコートした。基板６２は、Φ３００ｍｍのシリコン基板であり、図１に示す縦型熱処理炉１０により熱処理を行った。熱処理は、６５０°Ｃの温度に保持した反応炉内に基板支持体３０に支持した基板６２をロードし、基板ロード後、反応炉内を処理温度である１３５０°Ｃまで昇温度速度を段階的に変えて昇温し、反応炉内を１３５０°Ｃの処理温度で１１時間保持し、その後反応炉内温度を６００°Ｃまで降温速度を段階的に変えて降温して基板支持体３０に支持された基板６２をアンロードした。その後、取り出した基板６２の裏面を光学顕微鏡及びＸ線トポグラフィで観察した結果、基板６２にはスリップの発生は見られなかった。
【００３５】
【実施例２】
実施例１において、昇温及び保持温度を１２００°Ｃとし、１２００°Ｃにおける保持時間を２時間として同様に基板６２の熱処理を実施した。その後、取り出した基板６２の裏面を光学顕微鏡及びＸ線トポグラフィで観察した結果、基板６２にはスリップの発生は見られなかった。
【００３６】
【比較例】
図３において、支持部５８を除き、基板６２を直接本体部５６の爪部６０に支持し、実施例１及び実施例２と同一の試験条件で熱処理を実施した。その結果、基板６２の裏面に爪部６０と接触する３ヶ所で大きさ５０〜３００μｍの傷が発生した。それらの傷からは、長さが約４〜８０ｍｍのスリップラインが多数本発生した。また、基板６２には約６０〜９０μｍの反りがあった（熱処理前に測定した基板６２の反り量は１０μｍ以下）。
【００３７】なお、上記実施形態及び実施例の説明にあっては、熱処理装置として、複数の基板を熱処理するバッチ式のものを用いたが、これに限定するものではなく、枚葉式のものであってもよい。
【００３８】本発明の熱処理装置は、基板の製造工程にも適用することができる。
【００３９】ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハの一種であるＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ  Ｏｘｙｇｅｎ）ウエハの製造工程の一工程に本発明の熱処理装置を適用する例について説明する。
【００４０】まずイオン注入装置等により単結晶シリコンウエハ内へ酸素イオンをイオン注入する。その後、酸素イオンが注入されたウエハを上記実施形態の熱処理装置を用いて、例えばＡｒ、Ｏ２雰囲気のもと、１３００°Ｃ〜１４００°Ｃ、例えば１３５０°Ｃ以上の高温でアニールする。これらの処理により、ウエハ内部にＳｉＯ２層が形成された（ＳｉＯ２層が埋め込まれた）ＳＩＭＯＸウエハが作製される。
また、ＳＩＭＯＸの他、水素アニールウエハの製造工程の一工程に本発明の熱処理装置を適用することも可能である。この場合、ウエハを本発明の熱処理装置を用いて、水素雰囲気中で１２００°Ｃ以上の高温でアニールすることとなる。これによりＩＣが作られるウエハ表面層の結晶欠陥を低減することができ、結晶の完全性を高めることができる。また、この他、エピタキシャルウエハの製造工程の一工程に本発明の熱処理装置を適用することも可能である。
以上のような基板の製造工程の一工程として行う高温アニール処理を行う場合であっても、本発明の熱処理装置を用いることにより、基板のスリップの発生を防止することができる。
【００４１】本発明の熱処理装置は、半導体装置の製造工程にも適用することも可能である。
特に、比較的高い温度で行う熱処理工程、例えば、ウェット酸化、ドライ酸化、水素燃焼酸化（パイロジェニック酸化）、ＨＣｌ酸化等の熱酸化工程や、硼素（Ｂ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）等の不純物（ドーパント）を半導体薄膜に拡散する熱拡散工程等に適用するのが好ましい。
このような半導体デバイスの製造工程の一工程としての熱処理工程を行う場合においても、本発明の熱処理装置を用いることにより、スリップの発生を防止することができる。
【００４２】以上のように、本発明は、特許請求の範囲に記載した事項を特徴とするが、さらに次のような実施形態が含まれる。
（１）請求項１記載の熱処理装置において、第１のコーティング膜の膜厚と第２のコーティング膜の膜厚とが異なることを特徴とする熱処理装置。
（２）請求項１又は（１）記載の第１のコーティング膜又は第２のコーティング膜は炭化珪素、窒化珪素又は酸化珪素からなることを特徴とする熱処理装置。
（３）（１）記載の熱処理装置において、第１のコーティング膜と第２のコーティング膜との膜厚差が１μｍ以上であることを特徴とする熱処理装置。
（４）請求項１記載の熱処理装置において、第１のコーティング膜の材料と第２のコーティング膜の材料とが異なることを特徴とする熱処理装置。
（５）請求項１記載の熱処理装置において、第１のコーティング膜の層構造と第２のコーティング膜の層構造とが異なることを特徴とする熱処理装置。
（６）（５）記載の熱処理装置において、第１のコーティング膜と第２のコーティング膜とは、少なくともいずれか一方が複数の層からなることを特徴とする熱処理装置。
（７）（６）記載の熱処理装置において、第１のコーティング膜と第２のコーティング膜とは同じ材料からなる層を有し、該層の膜厚が異なることを特徴とする熱処理装置。
（８）（７）記載の熱処理装置において、前記層の膜厚差が１μｍ以上であることを特徴とする熱処理装置。
（９）請求項１又は（１）乃至（８）いずれか記載の熱処理装置において、前記支持部は、第１のコーティング膜と第２のコーティング膜とがコートされる支持部本体を有し、この支持部本体がシリコンからなることを特徴とする熱処理装置。
（１０）請求項１又は（１）乃至（９）いずれか記載の熱処理装置において、前記支持部は板状部材からなることを特徴とする熱処理装置。
（１１）請求項１又は（１）乃至（１０）いずれか記載の熱処理装置において、前記本体部は炭化珪素又はシリコンからなることを特徴とする熱処理装置。
（１２）請求項１又は（１）乃至（１１）いずれか記載の熱処理装置において、前記基板支持体は複数枚の基板を略水平状態で隙間をもって複数段に支持するよう構成されていることを特徴とする熱処理装置。
（１３）請求項１又は（１）乃至（１２）いずれか記載の熱処理装置において、熱処理は１０００°Ｃ以上の温度で行うことを特徴とする熱処理装置。
（１４）請求項１又は（１）乃至（１２）いずれか記載の熱処理装置において、熱処理は１３５０°Ｃ以上の温度で行うことを特徴とする熱処理装置。
（１５）反応炉内に基板を搬入する工程と、
本体部と、この本体部に設けられ前記基板と接触する支持部とを有し、この支持部は、前記基板と接触する面に形成された第１のコーティング膜と、前記本体部側の面に形成された第２のコーティング膜とを有し、前記第１のコーティング膜と前記第２のコーティング膜とは熱膨張量に差がある基板支持体により基板を支持する工程と、
基板を前記支持部に支持した状態で熱処理する工程と、
基板を反応炉内から搬出する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（１６）反応炉内に基板を搬入する工程と、
本体部と、この本体部に設けられ前記基板と接触する支持部とを有し、この支持部は、前記基板と接触する面に形成された第１のコーティング膜と、前記本体部側の面に形成された第２のコーティング膜とを有し、前記第１のコーティング膜と前記第２のコーティング膜とは熱膨張量に差がある基板支持体により基板を支持する工程と、
基板を前記支持部に支持した状態で熱処理する工程と、
基板を反応炉内から搬出する工程とを有することを特徴とする基板の製造方法。
（１７）反応炉内に基板を搬入する工程と、
本体部と、この本体部に設けられ前記基板と接触する支持部とを有し、この支持部は、前記基板と接触する面に形成された第１のコーティング膜と、前記本体部側の面に形成された第２のコーティング膜とを有し、前記第１のコーティング膜と前記第２のコーティング膜とは熱膨張量に差がある基板支持体により基板を支持する工程と、
基板を前記支持部に支持した状態で熱処理する工程と、
基板を反応炉内から搬出する工程とを有することを特徴とする基板処理方法。
【００４３】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、支持部の両面に形成されたコーティング膜の熱膨張量が異なるようにしたので、基板の熱処理時に支持部が変形し、基板に傷やスリップラインが発生するのを防止し、基板が反るのを少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る熱処理装置を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る熱処理装置に用いた反応炉を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る熱処理装置に用いた基板支持体の一部を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態における支持部を示す断面図である。
１０    熱処理装置
３０    基板支持体
５６    本体部
５８    支持部
６２    基板
６４    支持部本体
６６    第１のコーティング膜
６８    第２のコーティング膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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