(57)【要約】【課題】カード表面に対するタブ基板の接着強度および電気的接合信頼性を高め、さらに、カード表面の熱による反りや変形等を抑制できるデュアルインターフェースカードおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】ＩＣチップ４１はアンテナ配線が形成されたアンテナ基板３１へ実装してカード本体３４に内蔵し、タブ基板３５をその裏面全面を利用してカード本体３４へ接着する。タブ基板３５と配線パターン３７ａとの電気的接続はバンプ３６で行い、接合時は超音波振動を与えて接合の信頼性を高める。また、接着材料層４５としては二液性接着剤を用いて接着強度を高める。【選択図】　　　　図８
2004013855.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非接触式通信用のアンテナ配線を内蔵するカード本体と、前記カード本体の表面に埋設され接触式通信用の外部電極を表面に有する回路基板と、前記アンテナ配線および前記外部電極にそれぞれ電気的に接続される半導体チップとを備え、前記半導体チップが前記アンテナ配線とともに前記カード本体に内蔵されたデュアルインターフェースカードであって、
前記カード本体の表面に形成され前記回路基板を収容する凹所と、
前記回路基板の裏面に形成され前記アンテナ配線に接合される突起電極と、
前記凹所の底部と前記回路基板との間に設けられる接着材料層とを有する
ことを特徴とするデュアルインターフェースカード。
【請求項２】
前記接着材料層が、二液性接着剤でなる
ことを特徴とする請求項１に記載のデュアルインターフェースカード。
【請求項３】
前記半導体チップの少なくとも上部に金属板が貼着されている
ことを特徴とする請求項１に記載のデュアルインターフェースカード。
【請求項４】
前記アンテナ配線が、前記カード本体の構成材料よりも機械的強度が高く、かつ、耐熱性のある材料でなるフィルム上に形成された金属製の回路パターンである
ことを特徴とする請求項１に記載のデュアルインターフェースカード。
【請求項５】
非接触式通信用のアンテナ配線を内蔵するカード本体と、前記カード本体の表面に埋設され接触式通信用の外部電極を表面に有する回路基板と、前記アンテナ配線および前記外部電極にそれぞれ電気的に接続される半導体チップとを備え、前記半導体チップが前記回路基板の裏面の略中央部に実装されたデュアルインターフェースカードであって、
前記カード本体の表面に形成され前記回路基板および前記半導体チップを収容する凹所と、
前記回路基板の裏面に形成され前記アンテナ配線に接合される突起電極と、
前記凹所の底部と前記回路基板との間に設けられる二液性接着材料層とを有する
ことを特徴とするデュアルインターフェースカード。
【請求項６】
非接触式通信用のアンテナ配線と、接触式通信用の外部端子を表面に有する回路基板とに、それぞれ電気的に接続される半導体チップを内蔵したデュアルインターフェースカードの製造方法であって、
前記アンテナ配線および前記半導体チップを少なくとも一対のカード基材で挟み込んでカード本体を製作する工程と、
前記カード本体の表面に、前記回路基板を収容するための凹所を前記アンテナ配線に到達する深さに形成する工程と、
前記回路基板の裏面と前記凹所内のアンテナ配線とを互いに電気的に接続するための導電体を形成する工程と、
前記凹所内に前記回路基板を収容し、前記導電体と前記凹所内のアンテナ配線とを接着材料を介して互いに接続する工程とを有する
ことを特徴とするデュアルインターフェースカードの製造方法。
【請求項７】
前記接着材料が二液性接着剤であって、一方の液剤を前記回路基板の裏面または前記凹所の底部に塗布し、他方の液剤を前記塗布した一方の液剤の上に塗布しておき、前記凹所内に前記回路基板を収容したときに、両液剤を互いに混合し硬化させる
ことを特徴とする請求項６に記載のデュアルインターフェースカードの製造方法。
【請求項８】
前記一方の液剤の塗布幅を、前記他方の液剤の塗布幅よりも広くする
ことを特徴とする請求項７に記載のデュアルインターフェースカードの製造方法。
【請求項９】
前記接着材料が二液性接着剤であって、一方の液剤を前記回路基板の裏面側に塗布し、他方の液剤を前記凹所の底部に塗布しておき、前記凹所内に前記回路基板を収容したときに、両液剤を互いに混合し硬化させる
ことを特徴とする請求項６に記載のデュアルインターフェースカードの製造方法。
【請求項１０】
前記導電体を、金属製の突起電極で形成する
ことを特徴とする請求項６に記載のデュアルインターフェースカードの製造方法。
【請求項１１】
前記導電体が金属製の突起電極で形成され、前記突起電極と前記アンテナ配線とを接続する工程が、前記突起電極に振動を付与して行われる
ことを特徴とする請求項６に記載のデュアルインターフェースカードの製造方法。
【請求項１２】
非接触式通信用のアンテナ配線と、接触式通信用の外部端子を表面に有する回路基板とに、それぞれ電気的に接続される半導体チップを内蔵したデュアルインターフェースカードの製造方法であって、
前記アンテナ配線を少なくとも一対のカード基材で挟み込んでカード本体を製作する工程と、
前記回路基板の裏面中央部に前記半導体チップを実装する工程と、
前記カード本体の表面に、前記回路基板および前記半導体チップを収容するための凹所を前記アンテナ配線に到達する深さに形成する工程と、
前記回路基板の裏面周縁部に、前記凹所内のアンテナ配線と接続するための金属製の突起電極を形成する工程と、
前記凹所内に前記回路基板を収容し、前記突起電極と前記凹所内のアンテナ配線とを二液性接着剤を介して互いに接続する工程とを有する
ことを特徴とするデュアルインターフェースカードの製造方法。
【請求項１３】
前記二液性接着剤のうち、一方の液剤を前記回路基板の裏面または前記凹所の底部に塗布し、他方の液剤を前記塗布した一方の液剤の上に塗布しておき、前記凹所内に前記回路基板を収容したときに、両液剤を互いに混合し硬化させる
ことを特徴とする請求項１２に記載のデュアルインターフェースカードの製造方法。
【請求項１４】
前記一方の液剤の塗布幅を、前記他方の液剤の塗布幅よりも広くする
ことを特徴とする請求項１３に記載のデュアルインターフェースカードの製造方法。
【請求項１５】
前記二液性接着剤のうち、一方の液剤を前記回路基板の裏面側に塗布し、他方の液剤を前記凹所の底部に塗布しておき、前記凹所内に前記回路基板を収容したときに、両液剤を互いに混合し硬化させる
ことを特徴とする請求項１２に記載のデュアルインターフェースカードの製造方法。
【請求項１６】
前記突起電極と前記アンテナ配線とを接続する工程が、前記突起電極に振動を付与して行われる
ことを特徴とする請求項１２に記載のデュアルインターフェースカードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、非接触式通信／接触式通信兼用のＩＣチップを備えたデュアルインターフェースカードおよびその製造方法に関し、更に詳しくは、カード表面に埋設される接触式通信用の回路基板とカード本体との間の接着強度を高めることができるデュアルインターフェースカードおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、家電製品、コンピュータ・モバイル製品の分野等においては、軽薄短小の流れのなかで更なる高機能、高密度化が進められているが、カード製造業界においても同様に高機能、高密度化の要求が高まっている。これまでのクレジットカード、キャッシュカード等では、記載されるデータとしてはエンボスと磁気ストライプによる記録が主流であった。しかし近年は、ＩＣカードによるクレジット、電子マネー等の多機能決済などの高機能、多機能が注目されている。
【０００３】
ＩＣカードの高機能化・多機能化に対応するために、ＩＣチップの高容量化、高密度化が求められているが、カードに多くの情報を読み書きするだけでなく、それを活かすアプリケーションを書き込む動きなどもあり、ＩＣチップには更に加速的な高容量化、高密度化が求められているのが現状である。
【０００４】
高機能という面では、インターフェースにおいても複数化が求められている。これまでにはエンボスと磁気ストライプと接触式ＩＣの機能を持つカードの実績はあるが、最近では、エンボスと磁気ストライプと非接触式ＩＣという流れもある。
【０００５】
一方、ＩＣカードの通信方式に接触型と非接触型とを併せ持ったハイブリッドカードおよびデュアルインターフェースカードの２種類のカードが知られている。ハイブリッドカードは、接触／非接触それぞれにＩＣチップを持ったカードである。デュアルインターフェースカードは、コンビネーションカードとも称され、１個のＩＣチップで接触／非接触の両方の機能を満足できるカードであり、コスト面でハイブリッドカードよりも有利とされる。
【０００６】
図１１は、第１の従来例によるデュアルインターフェースカードＤ１の一製造工程を示している。
【０００７】
まず、図１１Ａに示すように、表面に外部電極が形成されたタブ基板１の裏面中央部にＩＣチップ（半導体チップ）２を実装し、その接合部３とＩＣチップ２とを封止樹脂５で封止したＩＣモジュール７を準備する。
【０００８】
一方、図１１Ｂに示すように、非接触通信用のアンテナ基板８の両側に接着性シート４ａ，４ｂを介して一対の外装シート９ａ，９ａを積層後、加熱プレスして製作されるカード本体１０を準備する。アンテナ基板８としては、例えば、ポリイミド等の耐熱性フィルムの両面にアンテナ配線等の配線パターン１２を形成することによって構成される。このカード本体１０の表面所定部位に、図１１Ｃに示すようにＩＣモジュール７を収容するための段付き凹所１１を設ける。
【０００９】
そして、図１１Ｄに示すように、段付き凹所１１の段部に露出した配線パターン１２に対してタブ基板１を導電ペースト６を介して電気的に接続すると同時に、タブ基板１の周縁をホットメルト等の接着剤１３を用いて段付き凹所１１の段部に接着し、カード本体１０と一体化させる。これにより、従来のデュアルインターフェースカードＤ１が製作される。
【００１０】
なお、本例においてはタブ基板１とＩＣチップ２との間の接続をフリップチップ接続で行う場合について説明したが、これらの接続をボンディングワイヤで行う構造が例えば特開２００１−１０９８６５号公報に開示されている。
【００１１】
他方、特開２０００−３１５２４９号公報には、図１２に示すようなデュアルインターフェースカードＤ２の製造方法が開示されている。
【００１２】
まず、準備したカード基材１５に対して所定寸法形状の貫通孔１６を形成し、この貫通孔１６の内部に導電ペースト１７を充填するとともにカード基材１５の下面に導電ペーストでアンテナ配線パターン１８を形成する（図１２Ａ，Ｂ，Ｃ）。
【００１３】
次いで、形成したアンテナ配線パターン１８に対して、ＩＣチップ２０その他必要な部品１９を実装するとともに、カード基材１５の表面側には貫通孔１６を介してアンテナ配線パターン１８に連絡する金属箔２１を貼り付ける（図１２Ｄ，Ｅ）。金属箔２１は外部電極を構成し、接触式機能材としての役割を担う。
【００１４】
そして、アンテナ配線パターン１８およびＩＣチップ２０等を挟むように他のカード基材２２を積層し、基材全面に対する加熱プレスによってカード基材１５，２２を一体化すると同時に、金属箔２１をカード基材１５の表面に埋め込むことによって、従来のデュアルインターフェースカードＤ２が製作される（図１２Ｆ，Ｇ）。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
さて、上述した従来のデュアルインターフェースカードＤ１においては、タブ基板１とカード本体１０との間の電気的・機械的接合領域が、タブ基板１裏面の周縁領域のみで構成されているので、接着面積が小さいという問題がある。このため、カードに対して曲げ荷重や衝撃荷重が作用したときに、タブ基板１がカード表面から容易に剥がれたり、アンテナ配線パターン１２との電気的接合が劣化するという問題がある。
【００１６】
また、ＩＣチップは今後更に高容量化・高密度化が進み、チップサイズも大きくなることが予想されているため、タブ基板１に対するＩＣチップ２の占有面積の増大に伴って、タブ基板１の接着面積は更に減少し、したがってタブ基板１の機械的・電気的接合は更に難易度を増すことが考えられる。
【００１７】
これに対して、上述した他のデュアルインターフェースカードＤ２においては、カード基材１５，２２の積層プレス工程で金属箔２１を全体的にカード表面へ熱圧着するようにしているので、カード表面に対する金属箔２１の接着強度を高いものとすることができる。
【００１８】
しかしながら、この従来のデュアルインターフェースカードＤ２の構成においては、アンテナ配線パターン１８と金属箔２１との間の電気的接続を貫通孔１６内に充填した導電ペースト１７で行っているので、金属箔２１とＩＣチップ２０との間の電気抵抗の低減を図ることができず、高周波信号を用いた通信が困難であるという問題がある。
【００１９】
また、この従来のデュアルインターフェースカードＤ２の構成においては、アンテナ配線パターン１８と金属箔２１との間の電気的接続を貫通孔１６内に充填した導電ペースト１７によって行っているので、当該導電ペースト１７の貫通孔１６内への充填量のバラツキや、カード基材１５，２２の積層プレス時における当該導電ペースト１７の収縮量のバラツキ等によって電気的特性に変動が生じる可能性が高く、所望とする特性のカードを安定して製造することが困難であるという問題がある。
【００２０】
更に、この従来のデュアルインターフェースカードＤ２の製造方法においては、カード基材１５，２２の積層プレス工程で金属箔２１を全体的にカード表面へ熱圧着するようにしているので、カード表面への金属箔２１の埋め込み時にカード表面が変形し、これがカードの反りや印刷歪みを発生させてカード外観不良を引き起こすおそれがある。
【００２１】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、カード表面に対するタブ基板の接着強度を高めながら、タブ基板とアンテナ配線パターンとの間の接触抵抗を低くすることができるデュアルインターフェースカードを提供することを課題とする。
【００２２】
また、本発明は、カード表面に対するタブ基板の十分な接合強度を確保しながら、タブ基板の接合時にカード表面の印刷歪みやカードの反りの発生を防止することができるデュアルインターフェースカードの製造方法を提供することを課題とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するに当たり、本発明のデュアルインターフェースカードは、非接触式通信用のアンテナ配線を内蔵するカード本体と、カード本体の表面に埋設され接触式通信用の外部電極を表面に有する回路基板と、アンテナ配線および上記外部電極にそれぞれ電気的に接続される半導体チップとを備え、半導体チップがアンテナ配線とともにカード本体に内蔵されたデュアルインターフェースカードであって、カード本体の表面に形成され回路基板を収容する凹所と、回路基板の裏面に形成されアンテナ配線に接合される突起電極と、凹所の底部と回路基板との間に設けられる接着材料層とを有することを特徴とする。
【００２４】
本発明は、半導体チップをアンテナ配線とともにカード本体に内蔵させるとともに、回路基板とアンテナ配線との間の電気的接合を回路基板の裏面に形成した突起電極で担うようにすることにより、カード本体に対する回路基板の接着面積を従来よりも広くして接着強度を高め、また、回路基板とアンテナ配線との接触抵抗を従来よりも低く抑えるようにしている。
【００２５】
また、本発明の他のデュアルインターフェースカードは、非接触式通信用のアンテナ配線を内蔵するカード本体と、カード本体の表面に埋設され接触式通信用の外部電極を表面に有する回路基板と、アンテナ配線および上記外部電極にそれぞれ電気的に接続される半導体チップとを備え、半導体チップが回路基板の裏面の略中央部に実装されたデュアルインターフェースカードであって、カード本体の表面に形成され回路基板および半導体チップを収容する凹所と、回路基板の裏面に形成されアンテナ配線に接合される突起電極と、凹所の底部と回路基板との間に設けられる二液性接着材料層とを有することを特徴とする。
【００２６】
本発明では、半導体チップが回路基板の裏面に実装される構成のために、カード本体に対する接着面積は大きくとれないが、接着材料層として二液性接着剤を用いることによって従来よりも高い接着強度を得るようにしている。また、回路基板とアンテナ配線との間の電気的接合を突起電極で行うようにして、回路基板とアンテナ配線との接触抵抗を従来よりも低く抑えるようにしている。
【００２７】
一方、本発明のデュアルインターフェースカードの製造方法は、アンテナ配線および半導体チップを少なくとも一対のカード基材で挟み込んでカード本体を製作する工程と、カード本体の表面に、回路基板を収容するための凹所をアンテナ配線に到達する深さに形成する工程と、回路基板の裏面と上記凹所内のアンテナ配線とを互いに電気的に接続するための導電体を形成する工程と、上記凹所内に回路基板を収容し、上記導電体と凹所内のアンテナ配線とを接着材料を介して互いに接続する工程とを有することを特徴とする。
【００２８】
本発明では、回路基板の裏面全域をカード本体に対する接着面積として利用するようにして、回路基板とカード本体との間の接着強度を従来よりも高めるようにしている。また、回路基板とアンテナ配線との電気的接続を金属製の突起電極を用いることによって、電気的特性のバラツキを抑え、デュアルインターフェースカードの生産性向上を図るようにしている。さらに、カード表面に対する回路基板の埋め込みの際、カード全面に対する加熱プレス作用を伴うことはないので、カードの反りや変形を防止でき、また、カード表面に印刷歪みが発生することもない。これにより、カード外観品質を維持することができる。
【００２９】
また、本発明の他のデュアルインターフェースカードの製造方法は、アンテナ配線を少なくとも一対のカード基材で挟み込んでカード本体を製作する工程と、回路基板の裏面中央部に半導体チップを実装する工程と、カード本体の表面に、回路基板および半導体チップを収容するための凹所をアンテナ配線に到達する深さに形成する工程と、回路基板の裏面周縁部に、上記凹所内のアンテナ配線と接続するための金属製の突起電極を形成する工程と、上記凹所内に回路基板を収容し、突起電極と凹所内のアンテナ配線とを二液性接着剤を介して互いに接続する工程とを有することを特徴とする。
【００３０】
本発明では、回路基板とカード本体とを二液性接着剤を用いて接着するようにして互いに接着強度を高めるようにしている。また、回路基板とアンテナ配線との電気的接続を金属製の突起電極を用いることによって、電気的特性のバラツキを抑えてデュアルインターフェースカードの生産性向上を図るようにしている。さらに、カード表面に対する回路基板の埋め込みの際、カード全面に対する加熱プレス作用を伴うことはないので、カードの反りや変形を防止でき、また、カード表面に印刷歪みが発生することもない。これにより、カード外観品質を維持することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の各実施の形態について図面を参照して説明する。
【００３２】
（第１の実施の形態）
図１〜図３は、本発明の第１の実施の形態を示している。
【００３３】
図１Ｄに示すように、本実施の形態のデュアルインターフェースカードＣ１は、アンテナ配線が形成されたアンテナ基板３１およびＩＣチップ（半導体チップ）４１をともに内蔵するカード本体３４と、カード本体３４の一表面に埋設されアンテナ基板３１を介してＩＣチップ４１に電気的に接続されるタブ基板３５とを備えている。
【００３４】
カード本体３４は、アンテナ基板３１の表裏面に対し、接着性シート３２ａ，３２ｂを介して、絵柄や文字等が印刷された外装シート材３３ａ，３３ｂを積層後、加熱プレスで一体化することによって構成される。
【００３５】
なお、接着性シート３２ａ，３２ｂとしては、例えば、ホットメルトやポリエチレンテレフタレートグリコール（ＰＥＴ−Ｇ：商品名）等のシート材が用いられる。また、外装シート材３３ａ，３３ｂの構成材料としては、例えば、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）とポリカーボネート（ＰＣ）の混合シートが用いられる。これら接着性シート３２ａ，３２ｂおよび外装シート材３３ａ，３３ｂは、本発明に係る「カード基材」に対応する。
【００３６】
アンテナ基板３１は、上述したカード本体３４を構成する材料よりも機械的強度が高く、かつ、耐熱性のある材料でなる例えばポリイミド（ＰＩ）製のフィルム３８の両面に、公知のアディティブ法あるいはサブストラクティブ法によって形成された銅配線パターン３７ａ，３７ｂを形成して構成される。これら配線パターン３７ａ，３７ｂ間はビアあるいはスルーホールを介して互いに接続されている。アンテナ配線は、フィルム３８の面内に渦巻き状に形成されるが、その形成面は何れであってもよい。また、アンテナ基板３１には、ＩＣチップ４１のほか、コンデンサや抵抗器など必要な受動部品が実装されている。
【００３７】
ＩＣチップ４１は、フリップチップ実装によって、アンテナ基板３１上の配線パターン３７ｂに電気的に接続されている。アンテナ基板３１上のＩＣチップ４１は、封止用樹脂４３ｂによって、金属板４２ｂとともに封止されている。金属板４２ｂは、ＩＣチップ４１実装部の機械的強度を高めるためのもので、例えば円形のステンレス片で構成されている。なお必要に応じて、図示するようにアンテナ基板３１の反対側から更に封止用樹脂４３ａを介して金属板４２ａを貼り付けて、ＩＣチップ４１の保護強化を図るようにしてもよい。
【００３８】
タブ基板３５は、カード基材３４の外装シート材３３ａ側の表面に、タブ基板３５の表面が整列するように埋設されている。タブ基板３５を収容するための凹所３９は、タブ基板３５と略同一の平面形状を有しており、当該凹所３９の底部はアンテナ基板３１の上面に対応している。つまり、凹所３９の底部からは、図２に示すように、アンテナ基板３１上の配線パターン３７ａが露出されている。
【００３９】
凹所３９に埋設されるタブ基板３５の裏面には、図３にも示すように、凹所３９の底部に位置する配線パターン３７ａに対応するように、タブ基板３５と配線パターン３７ａとを互いに電気的に接続するための「導電体」として、金属製のバンプ（突起電極）３６が複数形成されている。本実施の形態では、バンプ３６が金（Ａｕ）でなるスタッド型のバンプで構成されているが、勿論これに限らず、ボールバンプや無電解／電解めっきバンプ等、他の公知の形態のバンプ構成を採用してもよい。タブ基板３５は、凹所３９の底部に塗布された接着剤（接着材料層）４０を介して、カード本体３４に接着されている。
【００４０】
タブ基板３５は、その裏面に上述した構成のバンプ３６を有し、また、その表面側には図示せずとも接触式通信用の外部電極が形成された、リジッド性のある両面回路基板で構成されている。なお詳述せずとも、上記外部電極とスタッドバンプ３６とはビアあるいはスルーホールを介して互いに電気的に接続されているものとする。
【００４１】
次に、以上のように構成される本実施の形態のデュアルインターフェースカードＣ１の製造方法について説明する。
【００４２】
まず、図１Ａに示すように、ＩＣチップ４１が実装されたアンテナ基板３１の表裏面を接着性シート３２ａ，３２ｂおよび外装シート材３３ａ，３３ｂのカード基材で挟み込んでカード本体３４を製作した後、タブ基板３５を埋設する部位に対して、タブ基板３５を収容するための凹所３９を形成する工程が行われる。
【００４３】
カード本体３４の製作工程は、アンテナ基板３１、接着性シート３２ａ，３２ｂおよび外装シート材３３ａ，３３ｂをそれぞれ丁合い積層した後、加熱プレスすることによって行われる。また、凹所３９の形成工程では、ルータやフライス等によってアンテナ基板３１の配線パターン３７ａに到達する深さにまで加工される。なお、凹所３９の形成を化学エッチングにより行う方法も適用可能である。
【００４４】
次に、図１Ｂに示すように、形成した凹所３９の底部に対して接着剤４０を塗布する工程が行われる。
【００４５】
適用される接着剤４０としては、本実施の形態では、エポキシ等の熱硬化性接着樹脂や、ホットメルト等の熱可塑性接着樹脂が適用される。また、接着剤４０の塗布工程は、図示するようにディスペンサを用いて液状の接着剤４０を塗布形成する場合は勿論、例えばシート状の接着性樹脂の小片を凹所３９の底部に配置形成する場合も含むものとする。
【００４６】
一方、図１Ｃに示すように、タブ基板３５の裏面の所定部位に対してバンプ３６を形成する工程が行われる。バンプ３６の形成方法としては、例えば、半導体製造用のボンディングツールを用いて行うことができる。
【００４７】
次に、図１Ｄに示したように、凹所３９へタブ基板３５を埋め込み、凹所３９内の配線パターン３７ａに対してタブ基板３５のバンプ３６を接続する工程が行われる。
【００４８】
凹所３９に対するタブ基板３５の接着工程は、凹所３９底部に対してタブ基板３５を熱圧着することによって行うようにしている。これにより、バンプ３６は接着剤４０を押しのけて下方の配線パターン３７ａと電気的に接続される。なお必要に応じて、バンプ３６あるいは配線パターン３７ａの表面にすず（Ｓｎ）めっきを施すことによってバンプ３６の接合温度および接合圧力の低減を図ることができる。
【００４９】
以上のようにして本実施の形態のデュアルインターフェースカードＣ１が製作される。本実施の形態によれば、ＩＣチップ４１が、タブ基板３５にではなく、アンテナ基板３１に実装されているので、タブ基板３５のカード本体３１に対する接着面積を大きくとることができ、これにより、カード表面に対するタブ基板３５の接着強度を従来よりも大幅に高めることができる。
【００５０】
また、本実施の形態によれば、タブ基板３５とアンテナ基板３１（配線パターン３７ａ）との間を電気的に接続する導電体として、金属製のバンプ３６を採用しているので、例えば導電ペーストを用いていた従来のデュアルインターフェースカードＤ１，Ｄ２に比べて、タブ基板３５とアンテナ基板３１との間の接触抵抗を大幅に低減することができるとともに、電気的特性のバラツキを低く抑えることができる。また、高周波信号を用いた通信にも対応することができる。
【００５１】
さらに、本実施の形態によれば、カード表面に対するタブ基板３５の埋め込み時に、カード全面に対する加熱プレス作用を伴うことはないので、カード表面の印刷歪みやカードの反り、変形等を確実に防止することができる。しかも、アンテナ用配線が耐熱性樹脂フィルム３８上に形成されているので、熱や外部ストレスによるカード変形を効果的に抑えることができる。
【００５２】
（第２の実施の形態）
図４〜図７は、本発明の第２の実施の形態を示している。なお、図において上述の第１の実施の形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。
【００５３】
本実施の形態のデュアルインターフェースカードＣ２は、図４Ｄに示すように、第１の実施の形態のデュアルインターフェースカードＣ１とほぼ同様の構成を有しているが、タブ基板３５とカード本体３４とを一体化する接着材料層４５の構成が、第１の実施の形態と異なっている。
【００５４】
すなわち、本実施の形態では、接着材料層４５として二液性接着剤が用いられている。二液性接着剤は、公知のように、主剤と硬化剤の二種の液剤でなり、使用時に互いに混合することによって硬化する接着剤である。主剤／硬化剤（促進剤）の組み合わせとしては、例えば、エポキシ／アミン，アシドチオール系、ウレタン系のポリイソシアネート／ポリオール等が適用可能である。
【００５５】
一般に、二液性接着剤は、二液を混合して一液にしておくと増粘するので、塗布条件の管理の難しさ、塗布装置に残った接着剤を洗浄除去するメンテナンス性の悪さなどが問題となる。
【００５６】
そこで、本実施の形態では、以下に説明するような方法を用いて、デュアルインターフェースカードＣ２を製作するようにしている。
【００５７】
まず、図４Ａに示すように、第１の実施の形態と同様、アンテナ基板３１およびＩＣチップ４１をともに内蔵したカード本体３４を製作した後、タブ基板３５の埋設位置に、タブ基板３５を収容するための凹所３９を形成する工程が行われる。
【００５８】
続いて、本実施の形態では、形成した凹所３９の底部（アンテナ基板３１の上面）に対し、図４Ｂ、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、二液性接着剤のうち、一方の液剤（例えば主剤）４５Ａを所定パターンで塗布した後（図５Ａ）、他方の液剤（例えば硬化剤）４５Ｂを、先に塗布した一方の液剤４５Ａの上に塗布する工程が行われる（図４Ｂ，図５Ｂ）。
【００５９】
図５Ａ，Ｂに示したような接着剤４５Ａ，４５Ｂの塗布パターンは、タブ基板３５の接着時（図４Ｄ）、タブ基板３５と凹所３９の底部との間に形成される接着材料層４５が、タブ基板３５の裏面全体に行き渡り、接着面以外に接着剤がはみ出ず、かつ、接着材料層４５内に大きなボイドを発生させないような塗布パターンの一例を示している。
なお、凹所３９の底部に代えて、タブ基板３５の裏面に接着剤４５Ａ，４５Ｂを上記の手法で塗布するようにしてもよい。
【００６０】
また、一液目４５Ａと二液目４５Ｂとを重ね塗りする上で考慮しなければならないのは、一液目４５Ａに対して二液目４５Ｂが左右方向に偏らないようにすることである。一液目４５Ａに対して二液目４５Ｂが偏って塗布されると、塗り広げたときに両液剤４５Ａ，４５Ｂが均等に混合されなくなるからである。
【００６１】
そこで本実施の形態では、図６Ｂに示すように、一液目４５Ａの塗布幅を、二液目４５Ｂの塗布幅よりも広くすることによって、塗り広げたときに均一に両液剤４５Ａ，４５Ｂが混合されるようにしている（図６Ｃ）。
【００６２】
また、二液目４５Ｂの塗布面は、一液目４５Ａの存在によって不安定な状態であり、しかも、塗布ノズル先端の糸引き量も不安定であることから、二液目の定量塗布が困難な場合がある。このような場合は、図６Ａに示すように、塗布面に対して非接触で液剤を塗布できるジェットディスペンサ４６を用いて、一液目４５Ａの上に、二液目４５Ｂをスポット状に塗布（点塗り）するようにすれば、当該二液目４５Ｂの定量塗布が容易となる。
【００６３】
以上のような方法で凹所３９の底部に液剤４５Ａ，４５Ｂを重ね塗りした後（図４Ｂ）、スタッドバンプ３６を形成したタブ基板３５（図４Ｃ）を凹所３９に埋め込んで、バンプ３６を凹所３９底部の配線パターン３７ａに電気的に接続する（図４Ｄ）。このとき、液剤４５Ａと液剤４５Ｂとは互いに混合されて硬化する。
【００６４】
一方、図７は、本実施の形態の変形例を示している。本例では、二液性接着剤４５を構成する液剤４５Ａおよび液剤４５Ｂをタブ基板３５の裏面および凹所３９の底部へそれぞれ同一パターンで塗布した後（図７Ａ，Ｂ）、両液剤４５Ａ，４５Ｂが互いに重なり合うようにタブ基板３５を位置合わせする（図７Ｃ）。そして、タブ基板３５のバンプ３６と凹所３９底部の配線パターン３７ａとを接続したときに、両液剤４５Ａ，４５Ｂを混合し硬化させるようにしている。
【００６５】
図７に示した方法によれば、二液４５Ａ，４５Ｂを重ねて塗布しないため、塗布状態の安定性が高い。そのため、塗布部の断面形状などは二液ともに同じ条件で行うことができ、一般的なディスペンサを使用できる。なお、本例においても上述したジェットディスペンサを用いることも勿論可能である。
【００６６】
以上述べたように、接着剤４５として二液性接着剤を用いた本実施の形態によれば、カード基材３４に対して熱硬化のための高温を加えることなく接着剤４５を硬化させることができ、しかも、ホットメルト等の接着剤よりも高い接着力でタブ基板３５を固定することができるので、カード表面の熱による変形や印刷歪みを確実に防止することができるとともに、タブ基板３５とカード本体３４との間の接合信頼性を確保することができる。
【００６７】
また、接着剤４５として二液性接着剤を用いた本実施の形態によれば、二液をあらかじめ混合して使用していた従来の方法に比べて、塗布条件、設備の管理、メンテナンス性等が改善されるので、生産性向上を図ることができる。
【００６８】
（第３の実施の形態）
図８は、本発明の第３の実施の形態を示している。なお、図において上述の第１，第２の実施の形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。
【００６９】
本実施の形態のデュアルインターフェースカードＣ３は、図８Ｄに示すように、第１の実施の形態のデュアルインターフェースカードＣ１および第２の実施の形態のデュアルインターフェースカードＣ２とほぼ同様の構成を有しているが、凹所３９底部の配線パターン３７ａに対するタブ基板３５のバンプ３６の接合方法が、上述の各実施の形態と異なっている。
【００７０】
すなわち、本実施の形態では、タブ基板３５をカード基材３４へ接着する接着層として第２の実施の形態と同様に二液性接着剤４５が用いられているが、凹所３９底部の配線パターン３７ａに対してはタブ基板３５に振動を付与した状態でバンプ３６を接続するようにしている。以下、詳細に説明する。
【００７１】
まず、図８Ａに示すように、第１の実施の形態と同様、アンテナ基板３１およびＩＣチップ４１をともに内蔵したカード本体３４を製作した後、タブ基板３５の埋設位置に、タブ基板３５を収容するための凹所３９を形成する工程が行われる。
【００７２】
続いて、図８Ｂに示すように、形成した凹所３９の底部に対し、上述の第２の実施の形態で説明した手法を用いて、二液性接着剤４５の一液目４５Ａを所定パターンに塗布した後、二液目４５Ｂを一液目４５Ａに重ねて塗布する工程が行われる。なお、上述のように、一液目４５Ａおよび二液目４５Ｂを、タブ基板３５の裏面および凹所３９の底部へそれぞれ同一パターンで塗布するようにしてもよい。
【００７３】
そして、図８Ｃに示すように裏面にバンプ３６を形成したタブ基板３５に対して、振動を付与しながら凹所３９内にバンプ３６を埋め込む工程が行われる（図８Ｄ）。
【００７４】
本実施の形態では、タブ基板３５を超音波ホーン等の超音波印加手段で加圧振動させ、凹所３９底部の配線パターン３７ａに対してタブ基板３５のバンプ３６を加圧振動摩擦による接合を図るようにしている。同時に、二液性接着剤４５の各液剤４５Ａ，４５Ｂを混合、硬化させる。
【００７５】
本実施の形態によれば、振動摩擦作用によってバンプ３６の先端を活性化できるので、配線パターン３７ａとの間の接点の安定化を図ることができる。これにより、接合部の機械的強度／ヒートサイクル試験などの前後で接触抵抗に変化を生じさせず、カード信頼性を向上させることができ、安定した通信特性を得ることができる。
【００７６】
また、振動摩擦作用によって、配線パターン３７ａを覆う接着剤４５や凹所３９形成時の樹脂残さ、更には配線パターン３７ａ上の酸化膜等を機械的に排除しながらバンプ３６を配線パターン３７ａへ接合することができる。これにより、バンプ３６と配線パターン３７ａとの間の電気的接合信頼性を確保して品質の維持を図ることができる。また、バンプ３６の高さバラツキや凹所３９底部の平坦度の影響が少なくなるので、生産性の向上を図ることができる。
【００７７】
なお、二液性接着剤４５の硬化反応は二液の混合が開始されてから経時的に進行するので、加熱処理は不要であり、また、反応初期では粘性はまだ低いのでバンプ３６の振動を妨げることはない。また、硬化後は、バンプ３６と配線パターン３７ａとの電気的接合を確保した上で、タブ基板３５とカード本体３４とを強固に接着することができる。
【００７８】
（第４の実施の形態）
図９は、本発明の第４の実施の形態を示している。なお、図において上述の第１の実施の形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。
【００７９】
本実施の形態のデュアルインターフェースカードＣ４は、タブ基板３５とカード本体３４との間を電気的に接続するための「導電体」を、導電ペースト４８で構成した例を示している。
【００８０】
まず、図９Ａに示すように、アンテナ基板３１およびＩＣチップ４１をともに内蔵したカード本体３４を製作した後、タブ基板３５の埋設位置に、タブ基板３５を収容するための凹所５１を形成する。凹所５１は、タブ基板３５の外形と同形状の第１凹所４９と、第１凹所４９とアンテナ基板３１の上面とを連絡する第２凹所とからなり、全体的に段付き形状を呈している。
【００８１】
次いで、図９Ｂに示すように、第２凹所４９内の配線パターン３７ａの形成部位に対して、ディスペンサ５２を用いて導電ペースト４８を適量塗布する工程が行われる。導電ペースト４８は、接着性樹脂ペースト中に銀や銅等の導電性粒子が所定量混入して構成されている。
【００８２】
一方、タブ基板３５の裏面側には、図９Ｃに示すように、表面の外部電極に電気的に連絡し、凹所５１内の配線パターン３７ａに対応して端子部５３が形成される。また、タブ基板３５の周縁部には、ホットメルト等の接着材料５４が塗布される。
【００８３】
そして、図９Ｄに示すように、凹所５１内の配線パターン３７ａに対して、タブ基板３５の端子部５３を接続する工程が行われる。
【００８４】
凹所５１に対するタブ基板３５の接着工程は、凹所５１底部に対してタブ基板３５を熱圧着することによって行うようにしている。これにより、端子部５３は導電ペーストを介して配線パターン３７ａに対して電気的に接続されるとともに凹所５１底部に接着される。また、タブ基板３５の周縁部は、凹所５１の段差部５５で接着材料５４によって接着される。
【００８５】
以上のようにして本実施の形態のデュアルインターフェースカードＣ４が製作される。本実施の形態によれば、ＩＣチップ４１が、タブ基板３５にではなく、アンテナ基板３１に実装されているので、タブ基板３５のカード本体５４に対する接着面積を大きくとることができ、これにより、カード表面に対するタブ基板３５の接着強度を従来よりも大幅に高めることができる。
【００８６】
また、本実施の形態によれば、カード表面に対するタブ基板３５の埋め込み時に、カード全面に対する加熱プレス作用を伴うことはないので、カード表面の印刷歪みやカードの反り、変形等を確実に防止することができる。しかも、アンテナ用配線が耐熱性樹脂フィルム３８上に形成されているので、熱や外部ストレスによるカード変形を効果的に抑えることができる。
【００８７】
（第５の実施の形態）
図１０は、本発明の第５の実施の形態を示している。本実施の形態では、ＩＣチップ４１がタブ基板３５の裏面に実装される形態のデュアルインターフェースカードに適用される。なお図において、上述の第１の実施の形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。
【００８８】
図１０Ａに示すように、半導体チップ４１はタブ基板３５の裏面略中央部に接合部６７を介して実装されるとともに、封止樹脂６８によって封止されている。タブ基板３５の周縁部には、金属製の突起電極としてバンプ６９が形成されている。
【００８９】
一方、図１０Ｂに示すように、アンテナ基板３１を接着性シート３２ａ，３２ｂおよび外装シート３３ａ，３３ｂで挟み込んだカード本体６４を製作した後、図１０Ｃに示すように、タブ基板３５の埋設位置に、タブ基板３５を収容するための凹所６０を形成する。
【００９０】
凹所６０は、タブ基板３５を収容する第１凹所６１と、タブ基板３５上のＩＣ封止部を収容する第２凹所６２とからなり、全体的に段付き形状を呈している。第２凹所６２は、カード本体６４内部のアンテナ基板３１を一部貫通して形成されるが、アンテナ基板３１上の配線パターンが形成されていない部位に設けられる。
【００９１】
第１凹所６１と第２凹所６０の段部には、アンテナ基板３１上の配線パターン３７ａが外部へ露出しており、図１０Ｃに示したように、当該段部に対して接着剤６５が塗布される。接着剤６５には二液性接着剤が用いられ、第２の実施の形態で説明したように、最初に塗布形成した一液目６５Ａの上に、二液目６５Ｂが塗布される。
【００９２】
ここでも、第２の実施の形態と同様に、一液目６５Ａの塗布幅を二液目６５Ｂの塗布幅よりも広くするのが好ましい。また、接着剤６５の塗布面は、凹所６０，６１の段部に限らず、タブ基板３５の裏面としてもよい。
また、一液目６５Ａを凹所６０，６１の段部に塗布し、二液目６５Ｂをタブ基板３５の裏面に塗布し、両者を貼り合わせることによって混合し硬化させるようにしてもよい。
【００９３】
続いて、図１０Ｄに示すように、凹所６０へタブ基板３５を埋め込み、バンプ６９を配線パターン３７ａへ接合する工程が行われる。この際、タブ基板３５に対しては、超音波ホーン等の超音波印加手段によって超音波振動が付与される。これにより、上述の第３の実施の形態と同様、配線パターン３７ａに対してバンプ６９の加圧振動摩擦による接合が行われる。同時に、二液性接着剤６５の各液剤６５Ａ，６５Ｂを混合し、硬化させる。
【００９４】
本実施の形態によれば、振動摩擦作用によってバンプ６９の先端を活性化できるので、配線パターン６７ａとの間の接点の安定化を図ることができる。これにより、接合部の機械的強度／ヒートサイクル試験などの前後で接触抵抗に変化を生じさせず、カード信頼性を向上させることができ、安定した通信特性を得ることができる。
【００９５】
また、振動摩擦作用によって、配線パターン３７ａを覆う接着剤６５や凹所６０形成時の樹脂残さ、更には配線パターン３７ａ上の酸化膜等を機械的に排除しながらバンプ６９を配線パターン３７ａへ接合することができる。これにより、バンプ６９と配線パターン３７ａとの電気的接合信頼性を確保して品質の維持を図ることができる。また、バンプ６９の高さバラツキや凹所６０底部の平坦度の影響が少なくなるので、生産性の向上を図ることができる。
【００９６】
また、接着材料層６５を二液性接着剤で構成したので、従来のホットメルト系接着剤よりも接着力が高く、超音波振動によるバンプ接合も可能となり、更に、硬化処理に高温を必要としないのでカードの変形が防止される。さらに、タブ基板３５と配線パターン３７ａとの電気的接点をバンプ６９に担わせることによって、接触抵抗の低減と電気的特性の安定化を図ることができる。
【００９７】
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００９８】
例えば以上の各実施の形態では、非接触式通信用のアンテナ配線を、アンテナ基板３１のアンテナ配線パターン３７ａ，３７ｂで構成するようにしたが、これに代えて、アンテナ基板を用いずに、金属巻線をアンテナ配線として用い、これをカード基材で挟み込んでカード本体を構成するようにしてもよい。
【００９９】
また、以上の第３，第５の実施の形態では、配線パターン３７ａに対するバンプ３６，６９の接合に超音波振動を付与するようにしたが、当該振動数は超音波領域に限らず、可聴域の振動数でタブ基板３５を振動させることも勿論可能である。
【０１００】
また、以上の第４の実施の形態では、タブ基板３５の端子部５３とアンテナ基板３１の配線パターン３７ａとの間の電気的接続を導電ペースト４８で行うようにしたが、これに限らず、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）やＡＣＰ（異方性導電ペースト）などの異方性導電材料を用いて行うようにしてもよい。
【０１０１】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明のデュアルインターフェースカードによれば、半導体チップをアンテナ配線とともにカード本体に内蔵させるとともに、回路基板とアンテナ配線との間の電気的接続を回路基板の裏面に形成した突起電極で行うようにしたので、カード本体に対する回路基板の接着面積を従来よりも広くして接着強度を高めることができるとともに、回路基板とアンテナ配線との接触抵抗を従来よりも低く抑えることができる。
【０１０２】
また、本発明の他のデュアルインターフェースカードによれば、接着材料層として二液性接着剤を用いていることによって、従来と同等の接着面積であっても従来よりも高い接着強度を得ることができる。
【０１０３】
また、本発明のデュアルインターフェースカードの製造方法によれば、回路基板の裏面全域をカード本体に対する接着面積として利用するようにしているので、回路基板とカード本体との間の接着強度を従来よりも高めることができる。また、回路基板とアンテナ配線との電気的接続を金属製の突起電極を用いることによって、電気的特性のバラツキを抑え、生産性の向上を図ることができる。さらに、カード表面に対する回路基板の埋め込みの際、カード全面に対する加熱プレス作用を伴うことはないので、カードの反りや変形を防止し、カード表面の印刷歪みの発生を防止できる。
【０１０４】
さらに、本発明の他のデュアルインターフェースカードの製造方法によれば、回路基板とカード本体とを二液性接着剤を用いて接着するようにしているので、互いの接着強度を高めることができる。また、回路基板とアンテナ配線との電気的接続を金属製の突起電極を用いることによって、電気的特性のバラツキを抑え、生産性の向上を図ることができる。さらに、カード表面に対する回路基板の埋め込みの際、カード全面に対する加熱プレス作用を伴うことはないので、カードの反りや変形を防止し、カード表面の印刷歪みの発生を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態によるデュアルインターフェースカードの製造方法を説明する工程断面図である。
【図２】図１Ａにおけるカード表面に形成した凹所の平面図である。
【図３】図１Ｃにおけるタブ基板の裏面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態によるデュアルインターフェースカードの製造方法を説明する工程断面図である。
【図５】図４Ｂにおける接着剤塗布工程を説明するカード表面の凹所の平面図であり、Ａは一液目塗布後、Ｂは二液目塗布後の状態をそれぞれ示す。
【図６】図５に示した接着剤塗布工程の詳細を説明する要部の側断面図であり、Ａは二液目塗布時の状態を示し、Ｂは二液目塗布後の状態を示し、Ｃは両液剤の混合時を示す。
【図７】図４Ｂにおける接着剤塗布工程の変形例を説明する図であり、Ａは一方側の液剤をタブ基板側に塗布した状態を示し、Ｂは他方側の液剤をカード表面の凹所の底部に塗布した状態を示し、Ｃはそれらを貼り合わせる前の状態を示す。
【図８】本発明の第３の実施の形態によるデュアルインターフェースカードの製造方法を説明する工程断面図である。
【図９】本発明の第４の実施の形態によるデュアルインターフェースカードの製造方法を説明する工程断面図である。
【図１０】本発明の第５の実施の形態によるデュアルインターフェースカードの製造方法を説明する工程断面図である。
【図１１】従来のデュアルインターフェースカードの製造方法を説明する工程断面図である。
【図１２】従来の他のデュアルインターフェースカードの製造方法を説明する工程断面図である。
【符号の説明】
３１…アンテナ基板、３２ａ，３２ｂ…接着性シート（カード基材）、３３ａ，３３ｂ…外装シート材（カード基材）、３４，６４…カード本体、３５…タブ基板（回路基板）、３６，６９…バンプ（突起電極）、３７ａ，３７ｂ…配線パターン（アンテナ配線）、３９，５１，６０…凹所、４０，４５，５４，６５…接着剤（接着材料層）、４１…ＩＣチップ（半導体チップ）、４８…導電ペースト、Ｃ１〜Ｃ４…デュアルインターフェースカード。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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