(57)【要約】【課題】成形性（流動性、充填性、硬化性）及び信頼性、特に高温リフロー信頼性を同時に満足するような半導体封止用エポキシ樹脂組成物と半導体装置を提供すること。【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）及び充填材（Ｃ）からなるエポキシ系樹脂組成物であって、硬化剤（Ｂ）が下記一般式（Ｉ）で表されるフェノール化合物（ｂ１）を必須成分として含有することを特徴とするエポキシ系樹脂組成物。【化１】2004149588.tif 000022（式中、ｍは０または正の整数、Ｒ１〜Ｒ３は水素原子または炭素数１〜４の低級アルキル基またはハロゲン原子から選ばれた基を示し、同一であっても異なっていてもよい。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）及び充填材（Ｃ）からなるエポキシ系樹脂組成物であって、硬化剤（Ｂ）が下記一般式（Ｉ）で表されるフェノール化合物（ｂ１）を必須成分として含有することを特徴とするエポキシ系樹脂組成物。
【化１】
2004149588.tif 000015
（式中、ｍは０または正の整数、Ｒ１〜Ｒ３は水素原子または炭素数１〜４の低級アルキル基またはハロゲン原子から選ばれた基を示し、同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項２】
充填材（Ｃ）の量が８０〜９６重量％であることを特徴とする請求項１に記載のエポキシ系樹脂組成物。
【請求項３】
エポキシ樹脂（Ａ）が下記一般式（ＩＩ）で表されるエポキシ化合物（ａ１）および下記一般式（ＩＩＩ）で表されるエポキシ化合物（ａ２）から選ばれる少なくとも１種を必須成分として含むことを特徴とする請求項１に記載のエポキシ系樹脂組成物。
【化２】
2004149588.tif 000016
（式中、Ｒ１４、Ｒ１５は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル基、フェニル基のいずれかを示し、同一であっても異なっていてもよい。ｎは０〜１０の整数である。）
【化３】
2004149588.tif 000017
（式中、Ｒ１６〜Ｒ１８は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル基、フェニル基のいずれかを示し、同一であっても異なっていてもよい。ｎは０〜１０の整数である。）。
【請求項４】
硬化剤（Ｂ）が下記一般式（ＩＶ）で表されるフェノールアラルキル樹脂（ｂ２）、下記一般式（Ｖ）で表されるビフェニルノボラック型フェノール樹脂（ｂ３）および下記一般式（ＶＩ）で表される繰り返し単位構造と下記一般式（ＶＩＩ）で表される繰り返し単位構造を有するフェノール樹脂（ｂ４）から選ばれる少なくとも１種を必須成分として含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のエポキシ系樹脂組成物。
【化４】
2004149588.tif 000018
（式中、Ｒ１４、Ｒ１５は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル基、フェニル基のいずれかを示し、同一であっても異なっていてもよい。ｎは０〜１０の整数である。）
【化５】
2004149588.tif 000019
（式中、Ｒ１６〜Ｒ１８は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル基、フェニル基のいずれかを示し、同一であっても異なっていてもよい。ｎは０〜１０の整数である。）
【化６】
2004149588.tif 000020
（式中、Ｒ１９〜Ｒ２２は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル基、フェニル基のいずれかであり、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
【化７】
2004149588.tif 000021
（式中、Ｒ２３〜Ｒ２６は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル基、フェニル基のいずれかであり、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のエポキシ系樹脂組成物の硬化物によって封止されたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、成形性および信頼性に優れ、特に半導体封止用として好適なエポキシ系樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
エポキシ樹脂は耐熱性、耐湿性、電気特性および接着性などに優れており、さらに配合処方により種々の特性が付加できるため、塗料、接着剤、電気絶縁材料など工業材料として利用されている。
【０００３】
例えば、半導体装置などの電子回路部品の封止方法として、従来より金属やセラミックスによるハーメッチックシールとフェノール化合物、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などによる樹脂封止が提案されており、一般にこのような封止に使用される樹脂を封止材樹脂と呼んでいる。その中でも、経済性、生産性、物性のバランスの点からエポキシ樹脂による樹脂封止が最も盛んに行われている。そして、エポキシ樹脂による封止方法は、エポキシ樹脂に硬化剤、充填材などを添加した組成物を用い、半導体素子を金型にセットしてトランスファー成型法などにより封止する方法が一般的に行われている。
【０００４】
半導体封止用エポキシ系樹脂組成物に要求される特性としては、信頼性および成形性などがあり、信頼性としては半田耐熱性、高温信頼性、耐熱信頼性、耐湿性などが、成形性としては流動性、熱時硬度、バリなどがあげられる。
【０００５】
最近はプリント基板への半導体装置パッケージの実装において高密度化、自動化が進められており、従来のリードピンを基板の穴に挿入する“挿入実装方式”に代わり、基板表面に半導体装置パッケージを半田付けする“表面実装方式”が盛んになってきた。それに伴い、半導体装置パッケージも従来のＤＩＰ（デュアル・インライン・パッケージ）から、高密度実装・表面実装に適した薄型のＦＰＰ（フラット・プラスチック・パッケージ）に移行しつつある。その中でも最近では、微細加工技術の進歩により、厚さ２ｍｍ以下のＴＳＯＰ、ＴＱＦＰ、ＬＱＦＰが主流となりつつある。そのため湿度や温度など外部からの影響をいっそう受けやすくなり、半田耐熱性、高温信頼性、耐熱信頼性などの信頼性が今後ますます重要となってくる。
【０００６】
表面実装においては、通常半田リフローによる実装が行われる。この方法では、基板の上に半導体装置を乗せ、これらを２００℃以上の高温にさらし、基板にあらかじめつけられた半田を溶融させて半導体装置を基板表面に接着させる。このような実装方法では半導体装置全体が高温にさらされるため、封止樹脂組成物の耐湿性が悪いと吸湿した水分が半田リフロー時に爆発的に膨張しクラックが生じたり、半導体装置中の部材と封止樹脂組成物との界面で剥離が生じるという現象が起こる。剥離は特に使用するリードフレームの銀メッキ部分から発生しやすい。これは４２アロイや銅と比較して銀メッキ部分のほうがエポキシ樹脂組成物との接着性が劣るからである。従って半導体封止用エポキシ樹脂組成物において耐湿性や銀メッキ部分等の部材との接着性を向上させることが非常に重要となる。また、リフロー温度が高温になると半導体封止用エポキシ樹脂とリードフレームの部材間に発生する応力もエポキシ樹脂とリードフレームの線膨張の違いにより大きくなる。この時、チップ基盤とインナーリードを結ぶワイヤーのボンディング位置に応力が集中しワイヤーボンディング部分にクラックが発生、最悪断線する場合があり問題となる。また厚さ２ｍｍ以下の薄型のＦＰＰではそりの大きさが問題になり、温度サイクル性の低下も懸念される。
【０００７】
更に、近年では環境保護の点から鉛を含んでいない鉛フリー半田の使用が進んでいる。鉛フリー半田は融点が高く、そのためリフロー温度も上がることになり半導体用封止樹脂にはこれまで以上の半田耐熱性、低そり性が求められている。
【０００８】
このような課題を克服するため、例えば、硬化剤としてフェノールアラルキル樹脂を用いる方法（特許文献１）や、テルペンフェノール樹脂を用いる方法（特許文献２）が提案されている。
【０００９】
【特許文献１】
特開平６−８０７６３号公報（請求項１）
【特許文献２】
特開平１０−１３０３６９号公報（請求項１）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記方法は、リフロー信頼性は改善されているものの、まだまだ満足できるレベルに無い上、温度サイクル性、低そり性に関しては改善できなかった。したがって、本発明の課題は、リフロー時の耐クラック性などの信頼性と共に、温度サイクル性、パッケージの低そり性に優れた樹脂組成物を提供することにより、より高温のリフロー温度に対応した樹脂封止半導体を可能にすることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明は、主として次の構成を有する。すなわち、エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）及び充填材（Ｃ）からなるエポキシ系樹脂組成物であって、硬化剤（Ｂ）が下記一般式（Ｉ）で表されるフェノール化合物（ｂ１）を必須成分として含有することを特徴とするエポキシ系樹脂組成物である。
【００１２】
【化８】
2004149588.tif 000002
【００１３】
（式中、ｍは０または正の整数、Ｒ１〜Ｒ３は水素原子または炭素数１〜４の低級アルキル基またはハロゲン原子から選ばれた基を示し、同一であっても異なっていてもよい。）
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の構成を詳述する。
本発明のエポキシ系樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）および充填材（Ｃ）を含有する。
【００１５】
本発明におけるエポキシ樹脂（Ａ）は１分子中にエポキシ基を２個以上有するものであれば特に限定されず、これらの具体例としては、たとえばクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスヒドロキシビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、線状脂肪族型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂およびスピロ環含有エポキシ樹脂などがあげられる。
【００１６】
その中でも、リードフレーム部材に対する密着性の良い、下記一般式（ＩＩ）で表されるエポキシ化合物（ａ１）および下記一般式（ＩＩＩ）で表されるエポキシ化合物（ａ２）が好ましい。
【００１７】
【化９】
2004149588.tif 000003
【００１８】
（式中、Ｒ１４、Ｒ１５は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル基、フェニル基のいずれかを示し、同一であっても異なっていてもよい。ｎは０〜１０の整数である。）
【００１９】
【化１０】
2004149588.tif 000004
【００２０】
（式中、Ｒ１６〜Ｒ１８は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル基、フェニル基のいずれかを示し、同一であっても異なっていてもよい。ｎは０〜１０の整数である。）。
【００２１】
用途によっては２種以上のエポキシ樹脂を併用しても良いが、半導体装置封止用としては密着性の点からビフェニル型エポキシやビスフェノール型エポキシを単体あるいは併せて、全エポキシ樹脂（Ａ）中に５０重量％以上含むことが好ましい。
【００２２】
エポキシ樹脂（Ａ）の添加量は通常組成物全体に対して５．０〜１０．０重量％である。
【００２３】
本発明における硬化剤（Ｂ）は、上記式（Ｉ）で表されるフェノール化合物（ｂ１）を必須成分として含有する。
【００２４】
硬化剤（Ｂ）としてフェノール化合物（ｂ１）を使用することにより封止樹脂の耐湿性、そり性が向上し、耐クラック性能、温度サイクル性が大幅に向上する。また硬化剤（Ｂ）としてはフェノール化合物（ｂ１）以外の硬化剤を併用してもよい。その具体例としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルノボラック型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン、テルペン骨格含有フェノール化合物、ジシクロペンタジエン骨格含有フェノール樹脂などの各種フェノール樹脂、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＰなどのビスフェノール化合物、４，４’−ビフェノール、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ビフェノールなどのビフェノール化合物、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水ピロメリット酸などの酸無水物、およびメタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンなどの芳香族アミンなどがあげられる。なかでも、半導体封止用としては、耐熱性、耐湿性および保存性に優れる点から、フェノール樹脂硬化剤が好ましい。さらにリードフレームや銀メッキに対する密着性の点から、下記一般式（ＩＶ）で表されるフェノールアラルキル樹脂（ｂ２）、下記一般式（Ｖ）で表されるビフェニルノボラック型フェノール樹脂（ｂ３）、下記一般式（ＶＩ）で表される繰り返し単位構造と下記一般式（ＶＩＩ）で表される繰り返し単位構造を有するフェノール樹脂（ｂ４）が好ましい。
【００２５】
【化１１】
2004149588.tif 000005
【００２６】
（式中、Ｒ１４、Ｒ１５は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル基、フェニル基のいずれかを示し、同一であっても異なっていてもよい。ｎは０〜１０の整数である。）
【００２７】
【化１２】
2004149588.tif 000006
【００２８】
（式中、Ｒ１６〜Ｒ１８は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル基、フェニル基のいずれかを示し、同一であっても異なっていてもよい。ｎは０〜１０の整数である。）
【００２９】
【化１３】
2004149588.tif 000007
【００３０】
（式中、Ｒ１９〜Ｒ２２は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル基、フェニル基のいずれかであり、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
【００３１】
【化１４】
2004149588.tif 000008
【００３２】
（式中、Ｒ２３〜Ｒ２６は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル基、フェニル基のいずれかであり、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
硬化剤（ｂ１）の硬化剤（Ｂ）中に占める割合は、信頼性、成形性の点から５重量％以上が好ましく、より好ましくは１５重量％以上、特に好ましくは３０重量％以上である。勿論全量であっても構わない。
【００３３】
本発明において、フェノール樹脂（ｂ４）は、上記式（ＶＩ）で表されるビフェニル誘導体の繰り返し単位と上記式（ＶＩＩ）で表されるキシレン誘導体の繰り返し単位が結合した共重合体である。共重合体の結合方式としては特に制限はなく、ブロックでもランダムでも構わない。また、この共重合体の製造方法については特に制限されず、公知のフェノール樹脂と同様にして製造されるが、重合体中の上記式（ＶＩ）で表されるビフェニル誘導体の繰り返し単位のモル数と上記式（ＶＩＩ）で表されるキシレン誘導体の繰り返し単位のモル数の比が３０：７０〜７０：３０の範囲とするのが好ましく、特に４５：５５〜５５：４５のように概ね等しくするのが好ましい。また、また、この重合体の末端は、どのような化合物で封鎖されていてもよいが、フェノールで封鎖されていることが好ましい。
【００３４】
本発明において、硬化剤（Ｂ）の配合量は、全樹脂組成物に対して１．０〜１０．０重量％であるのが好ましい。さらには、エポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の配合比は、機械的性質および耐湿性の点から、エポキシ樹脂（Ａ）に対する硬化剤（Ｂ）の化学当量比が０．５〜２．０、特に０．６〜１．５の範囲にあることが好ましい。
【００３５】
また、本発明においてエポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の硬化反応を促進するため硬化触媒を用いても良い。硬化触媒は硬化反応を促進するものであれば特に限定されず、たとえば２−メチルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾールなどのイミダゾール化合物、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７などの３級アミン化合物およびそれらの塩、ジルコニウムテトラメトキシド、ジルコニウムテトラプロポキシド、テトラキス（アセチルアセトナト）ジルコニウム、トリ（アセチルアセトナト）アルミニウムなどの有機金属化合物およびトリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィンなどの有機ホスフィン化合物およびそれらの塩などがあげられる。
【００３６】
これらの硬化触媒は、用途によっては二種以上を併用してもよく、その添加量はエポキシ樹脂（Ａ）１００重量部に対して０．１〜１０重量部の範囲が望ましい。
【００３７】
本発明における充填材（Ｃ）の種類は、球状のシリカ（ｃ）が好ましく、その割合が充填材（Ｃ）全体に対して８０重量％以上であることが好ましい。一般に充填材（Ｃ）の割合が大きくなるにつれて流動性などの成形性は悪化するが、球状のシリカ（ｃ）を使用することにより流動性の悪化をより抑えることができる。球状シリカ（ｃ）の粒径については平均粒径（メジアン径）が３０μｍ以下であることが好ましい。
【００３８】
充填材（Ｃ）の割合は全樹脂組成物中で８０〜９６重量％であることが好ましい。更に、半田リフローの温度が２６０℃になるような“鉛フリー半田”にも対応が可能になることから、充填材（Ｃ）の割合が８５重量％以上９６重量％以下にすることがより好ましい。このように樹脂組成物全体における無機物の割合が高くすれば、難燃性が高くなり、従来使用されていた難燃剤を使用しなくても難燃性を維持することができる。このことにより、従来から難燃剤として使用してきたハロゲン成分を樹脂組成物に添加する必要がなくなり、環境保護の点で好ましい。
【００３９】
用途によっては２種類以上の充填材を併用することができ、併用する充填材としては、無機質充填材が好ましく、具体的には溶融シリカ、結晶性シリカ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、アルミナ、マグネシア、クレー、タルク、ケイ酸カルシウム、酸化チタン、アスベスト、ガラス繊維などがあげられる。これら併用する充填材の形状や平均粒径はとくに限定されないが、流動性、成形性の点から球状が好ましく、また平均粒径は２０μｍ以下であることが好ましい。
【００４０】
本発明において、信頼性を向上させる目的でシランカップリング剤を添加することが好ましい。シランカップリング剤としては、公知のシランカップリング剤を用いることができる。その具体例としてはγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシランなどがあげられ、用途によっては２種類以上を添加してもよい。
【００４１】
シランカップリング剤の添加量は、成形性と信頼性の点から通常、充填材１００重量部に対して０．１〜５重量部、好ましくは０．２〜３重量部、特に好ましくは０．３〜１．５重量部である。シランカップリング剤は他の成分と一緒に混合することにより添加することができるが、本発明においては充填材（Ｃ）をシランカップリング剤であらかじめ表面処理することが、信頼性、接着性、流動性の向上の点で好ましい。
【００４２】
本発明のエポキシ系樹脂組成物には、カーボンブラック、酸化鉄などの着色剤、シリコーンゴム、スチレン系ブロック共重合体、オレフィン系重合体、変性ニトリルゴム、変性ポリブタジエンゴムなどのエラストマー、ポリスチレンなどの熱可塑性樹脂、チタネートカップリング剤などのカップリング剤、長鎖脂肪酸、長鎖脂肪酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエステル、長鎖脂肪酸のアミド、パラフィンワックスなどの離型剤および有機過酸化物など架橋剤を任意に添加することができる。
【００４３】
本発明のエポキシ系樹脂組成物は溶融混練によって製造することが好ましい。具体的には、原料をミキサー等である程度混合し、この混合した原料についてたとえばバンバリーミキサー、ニーダー、ロール、単軸もしくは二軸の押出機およびコニーダーなどの公知の混練方法を用いて６０〜１４０℃の温度範囲で溶融混練することにより、製造される。このエポキシ系樹脂組成物は通常粉末またはタブレット状態から、成形によって半導体封止に供される。半導体素子を封止する方法としては、低圧トランスファー成形法が一般的であるがインジェクション成形法や圧縮成形法も可能である。成形条件としては、たとえばエポキシ樹脂組成物を成形温度１５０℃〜２００℃、成形圧力５〜１５ＭＰａ、成形時間３０〜３００秒で成形し、エポキシ樹脂組成物の硬化物とすることによって半導体装置が製造される。また、必要に応じて上記成形物を１００〜２００℃で２〜１５時間、追加加熱処理も行われる。
【００４４】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。実施例中の％は重量％を示す。なお、評価は以下の条件で実施した。
【００４５】
〈高温リフロー信頼性〉
１７６ｐｉｎＬＱＦＰ（詳細は後述）を２０個成形し、１７５℃、４時間の条件でポストキュアーを行い、８５℃／６０％ＲＨで１６８時間加温加湿後、最高温度２６０℃のＩＲリフロー炉で２分間加熱処理し、外部クラックの発生数と超音波探傷機（日立建機（株）製「ｍｉ−ｓｃｏｐｅ１０」）によりチップ表面と銀メッキ部の剥離発生数（２０個中の剥離発生個数）を調べた。
【００４６】
〈充填性〉
１７６ｐｉｎＬＱＦＰを２０個成形後に、目視および光学顕微鏡（倍率：４０倍）を用いて成形品を観察し、２０個中の未充填品の個数を調べた。
【００４７】
〈ワイヤー断線〉
１６０ｐｉｎＱＦＰ（詳細は後述）を成形し、１７５℃、４時間の条件でポストキュアーを行い、加湿を行わずに最高温度２６０℃のＩＲリフロー炉で２分間の加熱処理を３回行った。加熱処理後の１６０ｐｉｎＱＦＰを開封しインナーリード側のボンディング部の断線状態を電子顕微鏡で観察した。ボンディング部のワイヤー幅（ｘ）、ワイヤーのクラック長（ｙ）を測定し、クラック発生率（ｙ／ｘ）を求めた。
【００４８】
〈パッケージそり量〉
半田耐熱性評価に用いた１７６ｐｉｎＬＱＦＰについて成形したパッケージ表面を非接触式（レーザー式）うねり計を用いて、対角線上２方向を測定し、各１０個のパッケージについて測定し、平均した。
【００４９】
〈サーマルサイクル性〉
半田耐熱性評価に用いた１７６ｐｉｎＬＱＦＰと同じパッケージを成形し、−６５℃×１０ｍｉｎ、常温×１０ｍｉｎ、１５０℃×３０ｍｉｎ、常温×１０ｍｉｎを１サイクルとしてパッケージ２０個を用いて試験を行った。１００サイクル経過毎、内部の剥離を超音波探傷機（日立建機（株）製「ｍｉ−ｓｃｏｐｅ１０」）により評価し、５０％を超える不良が発生した時のサイクルを測定した。
【００５０】
（実施例１〜１０、比較例１〜４）
表１および下記に示す各原料を、表２〜３に示した組成比（重量比）で計量し、ミキサーによりドライブレンドした。なお、ここで言う粘度とは１５０℃におけるＩＣＩ粘度のことである。
これをロール表面温度９０℃のミキシングロールを用いて５分間溶融混練後、冷却、粉砕して半導体封止用のエポキシ樹脂組成物を得た。
【００５１】
＜エポキシ樹脂（Ａ）＞
ａ１−１：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂：新日鐵化学（株）”ＹＳＬＶ−８０ＸＹ”、エポキシ当量１９２、粘度０．０８ｄＰａ・ｓ
ａ１−２：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：ジャパンエポキシレジン（株）”ＹＬ６８１０”、エポキシ当量１７２、粘度０．０７ｄＰａ・ｓ
ａ２−１：ビフェニル型エポキシ樹脂：ジャパンエポキシレジン（株）”ＹＸ４０００Ｈ”、エポキシ当量１９３、粘度０．２ｄＰａ・ｓ
ａ２−２：ビフェニル型エポキシ樹脂：ジャパンエポキシレジン（株）”ＹＬ６１２１Ｈ”、エポキシ当量１７１、粘度０．１５ｄＰａ・ｓ
＜硬化剤（Ｂ）＞
ｂ１：上記式（Ｉ）で表されるフェノール樹脂（Ｒ１〜Ｒ３はいずれも水素基である。）：群栄化学（株）”ＮＣ３０”、水酸基当量１２６、粘度１．２ｄＰａ・ｓ
ｂ２：フェノールアラルキル樹脂：明和化成（株）”ＭＥＨ７８００ＳＳ”、水酸基当量１７５、粘度０．７ｄＰａ・ｓ
ｂ３：ビフェニルノボラック型フェノール樹脂：明和化成（株）”ＭＥＨ７８５１ＳＳ”、水酸基当量２０３、粘度０．７ｄＰａ・ｓ
ｂ４：上記式（ＶＩ）で表される繰り返し単位構造と上記式（ＶＩＩ）で表される繰り返し単位構造を有するフェノール樹脂（Ｒ１９〜Ｒ２５は水素基である。）：明和化成（株）”ＭＥＨ７８６０ＳＳ”、水酸基当量１８９、粘度０．８ｄＰａ・ｓ
ｂ５：テルペンフェノール樹脂：ジャパンエポキシレジン（株）”ＭＰ５６６”、水酸基当量１４５、粘度１．５ｄＰａ・ｓ
＜充填剤（Ｃ）＞
平均粒径２５μｍの溶融球状シリカ
＜シランカップリング剤＞
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン：信越化学（株）”ＫＢＭ４０３”
＜硬化促進剤＞
トリフェニルホスフィン：ケイ・アイ化成（株）”ＰＰ−３６０”
＜着色剤＞
カーボンブラック：三菱化学（株）”♯７５０Ｂ”
＜離型剤＞
モンタン酸エステルワックス：クラリアントジャパン（株）”ＬＩＣＯＷＡＸ−Ｅ”
【００５２】
【表１】
2004149588.tif 000009
【００５３】
【化１５】
2004149588.tif 000010
【００５４】
【化１６】
2004149588.tif 000011
【００５５】
【化１７】
2004149588.tif 000012
【００５６】
このエポキシ樹脂組成物を用いて、低圧トランスファー成形法により１７５℃、キュアータイム９０秒の条件で、下記の２種類の半導体装置を成形した。
（１）１７６ｐｉｎＬＱＦＰ（外形：２４ｍｍ×２４ｍｍ×１．４ｍｍｔ。フレーム材料：銅からなる。チップは窒化膜処理を施した。チップサイズは１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．３ｍｍｔである。インナーリード部：銀メッキを施したもの。）
（２）１６０ｐｉｎＱＦＰ（外形：２８ｍｍ×２８ｍｍ×３．４ｍｍｔ。フレーム材料：４２アロイからなる。チップはアルミニウム膜処理を施した。チップサイズは１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．５ｍｍｔである。インナーリード部：銀メッキを施した。チップ表面とインナーリードの間にワイヤーボンディングを施したもの。）。
【００５７】
これらのエポキシ樹脂組成物、１７６ｐｉｎＬＱＦＰおよび１６０ｐｉｎＱＦＰを用いて、前述の測定法によりエポキシ樹脂組成物の物性を評価した。結果を表２〜３に示す。
【００５８】
【表２】
2004149588.tif 000013
【００５９】
【表３】
2004149588.tif 000014
【００６０】
表２〜３の実施例１〜１０に見られるように、本発明のエポキシ樹脂組成物は高温リフロー信頼性、成形性（充填性）、そり性、サーマルサイクル性に優れている。すなわち、表３の比較例１〜４と比較して、実施例は高温リフロー信頼性や成形、そり性、サーマルサイクル性性に優れていることがわかる。
【００６１】
【発明の効果】
特定のエポキシ樹脂と硬化剤を使用することにより、良好な高温リフロー信頼性と成形性を併せ持つ半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置が得られる。