(57)【要約】【課題】基板の高密度化に有利で、接続の信頼性が高く、基板側面からの接続も可能な端面接続端子を、切断時の負荷を小さくしながら形成することができる端面接続端子の形成方法、その形成方法により得られる端面接続端子、及びその端面接続端子を備える配線基板を提供する。【解決手段】切断前端子Ｔ０を形成した配線基板Ｂ１の集合体Ｂ０を切断線ＣＬで切断して、配線基板Ｂ１の端面に接続端子Ｔ１を形成する端面接続端子の形成方法において、切断前端子Ｔ０をマスク層を用いたエッチングで柱状に形成すると共に、そのマスク層を前記切断線ＣＬに沿って分割した形状又は切り込みを入れた形状とする。【選択図】　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
切断前端子を形成した配線基板の集合体を切断線で切断して、配線基板の端面に接続端子を形成する端面接続端子の形成方法において、
前記切断前端子をマスク層を用いたエッチングで柱状に形成すると共に、そのマスク層を前記切断線に沿って分割した形状又は切り込みを入れた形状としたことを特徴とする端面接続端子の形成方法。
【請求項２】
前記切断前端子をエッチングで形成する際、前記切断前端子を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属を、下層の配線層又は金属層の非パターン部を含めた略全面に被覆して保護金属層を形成し、その保護金属層の略全面に切断前端子を構成する金属の上部メッキ層を形成した後、その上部メッキ層の切断前端子の形成部分に前記マスク層を形成し、前記上部メッキ層のエッチングを行った後、保護金属層の浸食が可能なエッチングを行って露出する保護金属層を除去するものである請求項１記載の端面接続端子の形成方法。
【請求項３】
前記マスク層を前記切断線に沿って分割すると共に、分割された各々のマスク層が分割側の端面の幅よりもその端面からの最大奥行きが大きい形状である請求項１又は２に記載の端面接続端子の形成方法。
【請求項４】
配線基板の端面に形成される端面接続端子であって、エッチングで形成された柱状金属部を有し、その柱状金属部の切断側の端面は切断で成形された切断面とエッチングで形成されたエッチング面とからなる端面接続端子。
【請求項５】
前記柱状金属部は、それを構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層の上面にメッキで接合されている請求項４記載の端面接続端子。
【請求項６】
前記柱状金属部の上面は、切断側の端辺の幅よりもその端辺からの最大奥行きが大きい形状である請求項４又は５記載の端面接続端子。
【請求項７】
端面に複数形成された請求項４〜６いずれかに記載の端面接続端子と、その端面接続端子に接続された配線パターンとを備える配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板の端面に柱状に形成される端面接続端子の形成方法、、その形成方法により得られる端面接続端子、及びその端面接続端子を備える配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、配線基板に端面に接続端子を設ける場合、図７に示すような端面スルホール５３が形成されていた。この端面スルホール５３は、配線基板５０の端面５０ａに設けられた半円筒状のメッキスルホールであり、配線基板５０の配線パターン５４に接続された銅メッキスルホールをその中心を通る線又はそれに平行な線で切断して形成される。
【０００３】
このような端面スルホールは、半導体パッケージ、マルチチップモジュール、ハイブリッドＩＣなどのモジュール基板の端面の接続端子などに用いることができる。モジュール基板は、表面実装技術ＳＭＴ（ｓｕｒｆａｃｅ　ｍｏｕｎｔ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）にて、直接に他の基板（マザーボード）の表面へ半田で実装することができ、端面スルーホールと他の基板表面の接続端子とを、半田ペーストのリフローにより接続することができる。
【０００４】
上記の端面スルホールを用いる接続方法は、配線基板側に特別に接続端子を設ける必要がないので、コストダウンが図れるとともに、配線基板の半田接続が強固に行えるというメリットがある。その反面、端面スルホールには、ランド部と内周側凹部空間が存在するため、スペース的に高密度化に不向きであり、また、半円筒状の形状であるため、半田付け性が十分でなく、接続後の検査も行いにくいという欠点があった。
【０００５】
一方、近年メッキスルホールを金属柱に置き換えた多層配線基板の製造方法が各種提案され、層間の電気導通や接続信頼性が改善されている。例えば特開平６−３１４８７８号公報には、レジストパターンで形成した開孔に電解メッキを行って柱状銅を形成した後、レジストパターンを剥離除去し、さらに導通のための導電性薄膜層を除去してから、絶縁層を形成する層間接続構造の形成方法が開示されている。
【０００６】
従って、端面スルホールに対しても、これを金属柱に置き換えた半円柱状のものが形成できれば、スペース的に高密度化に有利となり、上記欠点も解消できる。また、配線基板の側面からの接続なども可能になる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、端面スルホールを金属柱に置き換える場合、シャーリング、切断用金型、ルータ等により、金属柱の中心付近を通る線に沿って、半円柱状に切断する必要があるが、スルーホールに比べて金属の厚みが大きくなるため、切断が行いにくいという問題があった。具体的には、切断する際に、金属柱の剥離、変形などが生じ易い。なお、上記のような半円柱状の端面接続端子は、現在まで全く知られていなかった。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、基板の高密度化に有利で、接続の信頼性が高く、基板側面からの接続も可能な端面接続端子を、切断時の負荷を小さくしながら形成することができる端面接続端子の形成方法、その形成方法により得られる端面接続端子、及びその端面接続端子を備える配線基板を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、下記の如き本発明により達成できる。
即ち、本発明の端面接続端子の形成方法は、切断前端子を形成した配線基板の集合体を切断線で切断して、配線基板の端面に接続端子を形成する端面接続端子の形成方法において、前記切断前端子をマスク層を用いたエッチングで柱状に形成すると共に、そのマスク層を前記切断線に沿って分割した形状又は切り込みを入れた形状としたことを特徴とする。
【００１０】
本発明の形成方法によると、マスク層が分割され又は切り込みを有するため、その部分が切断前端子をエッチングで形成する際にエッチングされて切断線に沿った溝が形成されるため、切断時の負荷を小さくしながら好適に柱状の端面接続端子を形成することができる。その結果、切断時の金属柱の剥離や変形などが生じにくく、基板の高密度化に有利で、接続の信頼性が高く、基板側面からの接続も可能な端面接続端子を形成することができる。
【００１１】
上記において、前記切断前端子をエッチングで形成する際、前記切断前端子を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属を、下層の配線層又は金属層の非パターン部を含めた略全面に被覆して保護金属層を形成し、その保護金属層の略全面に切断前端子を構成する金属の上部メッキ層を形成した後、その上部メッキ層の切断前端子の形成部分に前記マスク層を形成し、前記上部メッキ層のエッチングを行った後、保護金属層の浸食が可能なエッチングを行って露出する保護金属層を除去することが好ましい。この場合、上部メッキ層と保護金属層とを順次選択エッチングして、切断前端子を形成できるため、選択エッチングのマスク層を上記形状にすることによって、切断線に沿った溝を容易に形成することができる。また、切断前端子の形状も任意に変化させることができる。
【００１２】
また、前記マスク層を前記切断線に沿って分割すると共に、分割された各々のマスク層が分割側の端面の幅よりもその端面からの最大奥行きが大きい形状であることが好ましい。この場合、端面からの最大奥行きが大きい端面接続端子を形成できるため、周りの絶縁層との接触面積も大きくなるので、切断時に生じる負荷による剥離等の問題がより生じにくくすることができる。
【００１３】
一方、本発明の端面接続端子は、配線基板の端面に形成される端面接続端子であって、エッチングで形成された柱状金属部を有し、その柱状金属部の切断側の端面は切断で成形された切断面とエッチングで形成されたエッチング面とからなることを特徴とする。
【００１４】
本発明の端面接続端子によると、柱状金属部の切断面が平面状であり、かつランド部のスペースが必要ないため、基板の高密度化に有利であり、また、平面状のため半田付け性が良好で、接続後の検査も行い易いので接続の信頼性が高くなる。更に、柱状金属部の切断面が基板端面に平面的に露出するため、基板側面からの接続も可能となる。しかも、柱状金属部の切断側の端面がエッチング面を有するためその分切断量が少なくなり、柱状金属の全体を切断したものに比べて、切断時に生じる問題が生じにくく、生産性が向上する。
【００１５】
上記において、前記柱状金属部は、それを構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層の上面にメッキで接合されていることが好ましい。この場合、上部メッキ層と保護金属層とを順次選択エッチングして、任意の形状の切断前端子を形成でき、その際に切断線に沿った溝を容易に形成できる。このため、本発明の上記形成方法に特に適した構造となる。
【００１６】
また、前記柱状金属部の上面は、切断側の端辺の幅よりもその端辺からの最大奥行きが大きい形状であることが好ましい。このような形状だと、周りの絶縁層との接触面積も大きくなるため、切断時に生じる負荷による剥離等の問題がより少なくなる。
【００１７】
他方、本発明の配線基板は、端面に複数形成された上記いずれかに記載の端面接続端子と、その端面接続端子に接続された配線パターンとを備えることを特徴とする。このように上記の如き作用効果を奏する端面接続端子を備えるため、基板の高密度化に有利で、接続の信頼性が高く、基板側面からの接続も可能であり、しかも切断時の問題も生じにくい配線基板となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図１〜図２は、本発明の端面接続端子の形成方法の一例を示す工程図である。
【００１９】
本発明の端面接続端子の形成方法は、図２（８）に示すように、切断前端子Ｔ０を形成した配線基板Ｂ１の集合体Ｂ０を切断線ＣＬで切断して、配線基板Ｂ１の端面に接続端子Ｔ１を形成するものである。
【００２０】
本発明は、上記の際、図１（２）に示すように、切断前端子Ｔ０をマスク層４を用いたエッチングで柱状に形成すると共に、そのマスク層４を前記切断線ＣＬに沿って分割した形状又は切り込みを入れた形状としたことを特徴とする。本実施形態では、２層の配線層を有する両面配線基板の端面に、分割されたマスク層を用いて、両配線層を層間で接続する接続端子を形成する例を示す。
【００２１】
本発明において、マスク層４を用いたエッチングで柱状の切断前端子Ｔ０を形成する方法は何れでもよく、保護金属層を用いて下層を保護しつつ選択的にエッチングする方法、下層を切断前端子と異なる金属で形成しておき選択的にエッチングする方法、ハーフエッチングにより形成する方法などが挙げられる。
【００２２】
本発明では、図１〜図２に示すように、保護金属層２を用いて下層を保護しつつ選択的にエッチングする方法が好ましい。具体的には、切断前端子Ｔ０をエッチングで形成する際、前記切断前端子Ｔ０を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属を、下層の配線層又は金属層１の非パターン部を含めた略全面に被覆して保護金属層２を形成し、その保護金属層２の略全面に切断前端子Ｔ０を構成する金属の上部メッキ層３を形成した後、その上部メッキ層３の切断前端子Ｔ０の形成部分に前記マスク層４を形成し、前記上部メッキ層３のエッチングを行った後、保護金属層２の浸食が可能なエッチングを行って露出する保護金属層２を除去することが好ましい。以下、各工程についてより具体的に説明する。
【００２３】
まず、図１（１）に示すように、配線基板Ｂ１の集合体Ｂ０のサイズと形状に合わせた金属積層板を用意する。この金属積層板は、下層の配線パターン７となる金属層１と、保護金属層２と、切断前端子Ｔ０となる上部メッキ層３とから構成される。従って、金属層１の材質としては、銅、銀、ニッケル、錫、銅合金等が使用できるが、銅、又は銅合金が好ましい。金属層１の厚みは、配線パターン７より厚いことが好ましく、例えば１０〜３００μｍのものが使用できる。
【００２４】
保護金属層２は、上部メッキ層３エッチング時に耐性を示す別の金属からなる。保護金属層２は、下層が配線層の場合には非パターン部を含めた略全面に被覆され、金属層１の場合にも略全面に被覆される。保護金属層２の形成方法は、無電解メッキや、無電解メッキと電解メッキの組合せ、その他、スパッタ、蒸着と電解メッキの組合せなど何れでもよいが、電解メッキが好ましい。保護金属層２の厚みは、０．５〜１０μｍが好ましい。保護金属層２を構成する金属としては、銅のエッチング時に耐性を示す金属として、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−金合金等が使用される。
【００２５】
上記の電解メッキは、周知の方法で行うことができるが、一般的には、対象となる金属層１をメッキ浴内に浸漬しながら、それを陰極とし、メッキする金属の金属イオン補給源を陽極として、電気分解反応により陰極側に金属を析出させることにより行われる。
【００２６】
上部メッキ層３は、切断前端子Ｔ０を構成する金属からなり、保護金属層２の略全面に形成される。上部メッキ層３の形成は、保護金属層２と同様にして行うことが可能であるが、電解メッキにより行うのが好ましい。上部メッキ層３を構成する金属としては、銅、銀、ニッケル、錫、銅合金等が使用できるが、銅、又は銅合金が好ましい。上部メッキ層３の厚みは、例えば２０〜２００μｍであり、この厚みが得られる切断前端子Ｔ０の高さに相当する。
【００２７】
次に、図１（２）に示すように、上部メッキ層３の切断前端子Ｔ０の形成部分に前記マスク層４を形成するが、マスク層４として、切断線ＣＬに沿って分割した形状又は切り込みを入れた形状のものを使用する。マスク層４の形成方法としては、各種の印刷法により成形する方法、フォトレジスト用のドライフィルムや感光性樹脂を露光・現像して成形する方法、転写により形成する方法、半田等の金属系レジストを用いた方法など何れでもよい。
【００２８】
次に、図１（３）に示すように、上部メッキ層３のエッチングを行う。これにより、溝３ｂを有する柱状金属部３ａ（切断前端子Ｔ０）が形成される。このエッチングには、例えば、上部メッキ層３が銅であり、保護金属層２が前述の金属（金属系レジストを含む）の場合、市販のアルカリエッチング液、過硫酸アンモニウム、過酸化水素／硫酸等が使用できる。
【００２９】
次に、図１（４）に示すように、保護金属層２の浸食が可能なエッチングを行って露出する保護金属層２を除去する。これにより、柱状金属部３ａの下側にエッチングされた保護金属層２ａが残存する。このエッチングには、例えば、例えば、上部メッキ層３が銅であり、保護金属層２が前述の金属の場合、はんだ剥離用として市販されている、硝酸系、硫酸系、シアン系などの酸系のエッチング液等を用いるのが好ましい。
【００３０】
また、何れかの時点でマスク層４の除去を行うが、当該除去は、薬剤除去、剥離除去など、マスク層４の種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクである場合、アルカリ等の薬品にて除去される。また、ドライフィルムレジストの場合、メチレンクロライドや水酸化ナトリウム等が用いられる。
【００３１】
次に、図２（５）に示すように、絶縁層５ａを形成するための絶縁材５の塗布又は積層を行う。絶縁材としては、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等を液状又はシート状で用いることができ、これを各種方法で、柱状金属部３ａの高さよりやや厚くなるように塗布又は積層した後、加熱又は光照射等により硬化させればよい。塗布又は積層の方法としては、ホットプレス及び各種コーターが用いられる。
【００３２】
次に、図２（６）に示すように、硬化した絶縁材を研削・研磨等することにより、柱状金属部３ａの上面を露出させる。このとき溝３ｂには絶縁材が充填された状態となる。研削の方法としては、ダイヤモンド製等の硬質刃を回転板の半径方向に複数配置した硬質回転刃を有する研削装置を使用する方法が挙げられ、当該硬質回転刃を回転させながら、固定支持された配線基板の上面に沿って移動させることによって、上面を平坦化することができる。また、研磨の方法としては、ベルトサンダ、バフ研磨等により軽く研磨する方法が挙げられる。
【００３３】
次に、図２（７）に示すように、後の工程で上層の配線パターン８となる金属層６を形成する。金属層６を構成する金属としては、銅、銀、ニッケル、錫、銅合金等が使用できるが、銅、又は銅合金が好ましい。金属層６の形成方法としては、無電解メッキや、無電解メッキと電解メッキの組合せ、その他、スパッタ、蒸着と電解メッキの組合せなど何れでもよいが、電解メッキを含むことが好ましい。電解メッキの際には、金属層１の厚みがメッキで増加しないように、適当なマスクを行うのが好ましい。
【００３４】
無電解メッキには、通常、銅、ニッケル、錫等のメッキ液が使用されるが、これらの金属は、切断前端子Ｔ０を構成する金属と同一でも異なっていてもよい。無電解メッキのメッキ液は、各種金属に対応して周知であり、各種のものが市販されている。一般的には、液組成として、金属イオン源、アルカリ源、還元剤、キレート剤、安定剤などを含有する。なお、無電解メッキに先立って、パラジウム等のメッキ触媒を沈着させてもよい。
【００３５】
次に、図２（８）に示すように、金属層１，６をエッチングして、上層及び下層の配線パターン７，８を形成する。配線パターン７，８は、切断線ＣＬに沿って分断したパターンとするのが好ましい。切断前端子Ｔ０と接続した配線パターン７又は配線パターン８は、必要に応じて配線基板Ｂ１の回路パターンと接続される。
【００３６】
その際、金属層１，６の厚みが大きいため、予めハーフエッチングして厚みを調整した上で、パターン形成を行うのが好ましい。パターン形成のためのエッチングは、通常の配線パターン形成と同様に、パターン形状に応じたマスクが使用される。
【００３７】
本発明では、以上のようにして切断前端子Ｔ０を形成した配線基板Ｂ１の集合体Ｂ０を切断線ＣＬで切断して、配線基板Ｂ１の端面に接続端子Ｔ１を形成する。切断の方法は、ダイシング（回転薄刃刃物２０の使用）、シャーリング、切断用金型、ルータ等により行うことができ、特にダイシングを行うのが好ましい。本発明における切断は、配線基板Ｂ１の集合体Ｂ０に電子部品等を実装した後に、行ってもよい。なお、エッチングで形成した切断用の溝３ｂ内の樹脂は、ダイシング代が約０．１〜０．２ｍｍであるため、ダイシング時に切削除去される場合がある。
【００３８】
一方、本発明の端面接続端子は、本発明の形成方法により好適に得られるものであり、図３に示すように、配線基板Ｂ１の端面に形成される端面接続端子Ｔ１であって、エッチングで形成された柱状金属部３ａを有し、その柱状金属部３ａの切断側の端面は切断で成形された切断面１０とエッチングで形成されたエッチング面１１とからなる。柱状金属部３ａのエッチング面１１には、絶縁層５ａの絶縁材が被覆した状態、又はそれが切断時等に剥離した状態となる。
【００３９】
本発明では、柱状金属部３ａは、それを構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層２ａの上面にメッキで接合されていることが好ましい。保護金属層２ａは下層の配線パターン７のランド部７ａにメッキで接合されていることが好ましく、上層の配線パターン８のランド部８ａは、柱状金属部３ａの上面にメッキで接合されていることが好ましい。
【００４０】
本発明の端面接続端子は、半導体パッケージ、マルチチップモジュール、ハイブリッドＩＣなどのモジュール基板の端面の接続端子などに用いることができる。また、配線基板の端面同士を突き合わせて接続するための接続端子などに用いることができる。接続端子による接続は、半田付けなどのソルダリングで行うことができる。
【００４１】
本発明の端面接続端子の構造は、微細電子部品、例えばＶＣＯ、チップトランジスタ、ネットワーク抵抗器、チップＬＥＤ等の製造に適している。また、高密度のＳＭＴ実装時に部品の実装面積の低減と確実な実装接続性に有利となる。
【００４２】
そして、本発明の配線基板は、端面に複数形成された本発明の端面接続端子と、その端面接続端子に接続された配線パターンとを備えるものである。
【００４３】
［他の実施形態］
（１）前述の実施形態では、２層の配線層を有する両面配線基板の端面に柱状の接続端子を形成する例を示したが、図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、本発明では、更に層数を増やしたり、メッキスルーホールと組み合わせて形成してもよい。
【００４４】
図４（ａ）に示すものは、切断前端子Ｔ０の直上に配線パターン８を介して別の切断前端子Ｔ０を形成し、３層の配線層を形成したものである。このように切断前端子Ｔ０を上下に形成することで、接続面を上下に拡張して接続面積を大きくすることができる。その場合、前述のようにして下側の切断前端子Ｔ０とその上層の配線パターン８を形成した後、同様にして上側の切断前端子Ｔ０を形成すればよい。下側の切断前端子Ｔ０の上面に形成される配線パターン８は、周囲の回路と接続されている必要はなく、独立したランド形状でもよい。なお、溝３ｂは、各層の切断前端子Ｔ０に形成するのが好ましい。
【００４５】
図４（ｂ）に示すものは、メッキスルーホール１６ａの直上に配線パターン７を介して切断前端子Ｔ０を形成し、３層の配線層を形成したものである。その場合、開口を有する絶縁材１５の全面にメッキしてメッキ層を形成した後、配線パターン７となる金属層をメッキ等で形成し、その金属層とメッキ層とをエッチングでパターン形成して配線パターン１６，７を形成する。その後の工程は、前述と同様にして切断前端子Ｔ０を形成すればよい。メッキスルーホール１６ａの内部には樹脂が充填されていてもよいが、端面スルーホール端子として使用する場合には、充填した樹脂を除去するのが好ましい。
【００４６】
図４（ｃ）に示すものは、４層の配線層からなり、メッキスルーホール１６ａの周辺部に、切断前端子Ｔ０を形成するのと同様の方法で形成した柱状金属体１８を立設させて、切断前端子Ｔ０を形成するためのランド部を形成した後、切断前端子Ｔ０を形成したものである。その場合、柱状金属体１８の底部には、保護金属層１７が形成される。柱状金属体１８は、メッキスルーホール１６ａの周囲の全周に形成されていてもよいが、切断線ＣＬに沿って分割されているのが好ましい。
【００４７】
（２）前述の実施形態では、マスク層が切断線に沿って２分割された形状の場合の例を示したが、本発明では、図５に示すように４分割された形状又は切り込み４ａを入れた形状でもよい。
【００４８】
図５（ａ）に示すものは、配線基板のコーナーに端面接続端子を形成する場合に採用され、エッチングの際に４分割されたマスク層４が用いられる。その結果、溝３ｂも十字状に形成される。配線基板どうしは切断の切り代を挟んで連続に形成されているため、半裁端子は１柱状金属体で２台の端面端子となり、　１／４裁端子は単品４台の頂点の接する部分に配置され、１柱状金属体で４台の端面端子となる。
【００４９】
図５（ｂ）に示すものは、マスク層４を分割せずに切り込み４ａを入れたものである。その結果、直線状の溝３ｂが柱状体３ａに形成されるが、溝３ｂは途中で終端した溝となる。その場合でも切断時の負荷を小さくすることができる。
【００５０】
（３）前述の実施形態では、外周が略円形に沿ったマスク層を形成する例を示したが、本発明では、外周が正方形や長方形などに沿った形状でもよい。但し、図６（ａ）に示すように、マスク層４を切断線ＣＬに沿って分割すると共に、分割された各々のマスク層４が分割側の端面４ｂの幅Ｗ１よりもその端面４ｂからの最大奥行きＤ１が大きい形状であることが好ましい。このようなマスク層４を使用してエッチングすることによって、図６（ｂ）に示すように、柱状金属部３ａの上面は、切断側の端辺の幅Ｗ２よりもその端辺からの最大奥行きＤ２が大きい形状となる。
【００５１】
（４）前述の実施形態は、保護金属層を用いて下層を保護しつつ選択的にエッチングして切断前端子を形成する方法の１つの例であり、本発明は当該実施形態に限定されるものではない。例えば、図１（１）に示す金属積層体として、金属層１に、保護金属層２と上部メッキ層３とを形成したものの例を示したが、保護金属層２の両面にメッキして金属層１と上部メッキ層３とを形成してもよい。
【００５２】
（５）前述の実施形態では、図１（３）等に示すように、エッチングを行って溝３ｂを有する柱状金属部３ａを形成する際に、溝３ｂの深さが柱状金属部３ａの約半分の高さになっているが、本発明では、溝３ｂによって柱状金属部３ａが完全に分割又は略完全に分割されるように、溝３ｂの深さを設定してもよい。その場合、マスク層４の分割の間隔を大きくしたり、エッチング液をシャワー供給するなど、溝３ｂ部分のエッチング液を効率良く置換するようにすればよい。
【００５３】
このような深い溝３ｂを形成した場合、溝内に充填される絶縁材の量が多くなるが、柱状金属部３ａの切断側の端面から金属が露出するように、回転薄刃刃物２０等による切断を行えばよい。
【００５４】
（６）前述の実施形態では、図１（３）等に示すように、溝３ｂの形成と柱状金属部３ａの形成とを、一度のエッチングで行う例を示したが、予め溝３ｂのない柱状金属部を形成した後、切断線に沿って分割した形状又は切り込みを入れた形状のマスク層を設けてエッチングを行うことで、溝３ｂを有する柱状金属部３ａを形成してもよい。
【００５５】
具体的には、例えば切断線に沿って分割していないマスク層を設けてエッチングを行った後、前述のようにして絶縁層を形成し、絶縁層から露出する柱状金属部に、切断線に沿って分割した形状又は切り込みを入れた形状のマスク層を設けて再びエッチングを行えばよい。その結果、柱状金属部の上部に溝が形成され、溝内は絶縁材が充填されていない空間となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の端面接続端子の形成方法の一例を示す工程図
【図２】本発明の端面接続端子の形成方法の一例を示す工程図
【図３】本発明の端面接続端子の一例を示す斜視図
【図４】本発明の端面接続端子の他の例を示す断面図
【図５】本発明の端面接続端子の形成方法に使用するマスク層の他の例を示す斜視図
【図６】本発明の端面接続端子の要部を説明するための説明図
【図７】従来の端面接続端子である端面スルホールを示す斜視図
【符号の説明】
２　　　　　保護金属層
３ａ　　　　柱状金属部
３ｂ　　　　溝
４　　　　　マスク層
１０　　　　柱状金属部の切断面
１１　　　　柱状金属部のエッチング面
Ｂ０　　　　配線基板の集合体
Ｂ１　　　　配線基板
Ｔ０　　　　切断前端子
Ｔ１　　　　接続端子
ＣＬ　　　　切断線
Ｄ１　　　　マスク層の端面の幅
Ｄ２　　　　柱状金属部の上面の端辺の幅
Ｗ１　　　　マスク層の端面からの最大奥行き
Ｗ２　　　　柱状金属部の上面の端辺からの最大奥行き
【図１】
2004095772.tif 000003
【図２】
2004095772.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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