(57)【要約】      （修正有）【課題】金属用の改良された洗浄用組成物、より具体的には、マイクロ電子パッケージの製造におけるマイクロエッチングの間の、金属飽和および結晶化を改良する金属用の改良された洗浄用組成物を提供する。【解決手段】過硫酸塩、ホウ酸、フッ素含有酸、および無機酸から構成される組成物を提供する。この組成物はまた、金属の洗浄を補助するアジュバントを含んでもよい。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
過硫酸塩、フッ素含有酸、およびホウ酸もしくはホウ酸の塩、またはこれらの混合物を含む組成物。
【請求項２】
前記過硫酸塩は、モノ過硫酸ナトリウム、モノ過硫酸カリウム、またはこれらの混合物を包含する、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記フッ素含有酸は、フッ化水素酸、フルオロホウ酸、フルオロケイ酸、またはこれらの混合物を包含する、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記ホウ酸の塩は、ホウ酸のリチウム、ナトリウム、カリウム塩、またはこれらの混合物を包含する、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
さらに追加の無機酸も含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
ａ）過硫酸塩の水溶液を供給する工程；
ｂ）ホウ酸またはホウ酸の塩とフッ化物含有酸とを含む濃縮物と、過硫酸塩の水溶液とを混合して、第一混合物を形成する工程；および
ｃ）追加の無機酸と第一混合物とを混合して、安定な第二混合物を形成する工程、
を含む組成物の調製方法。
【請求項７】
前記追加の無機酸が硫酸である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
金属の表面と、過硫酸塩、ホウ酸またはホウ酸の塩、フッ化物含有酸、および追加の無機酸を含むマイクロエッチ溶液とを接触させて、金属の表面の一部分を除去する工程を含む、金属のマイクロエッチング方法。
【請求項９】
前記金属が銅を包含する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記マイクロエッチ溶液中の銅の飽和および結晶化濃度が、４０グラム／リットルよりも大きい、請求項９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属用の改良された洗浄用組成物を目的とする。より具体的には本発明は、マイクロエッチングの間の、金属飽和および結晶化を改良する金属用の改良された洗浄用組成物を目的とする。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ電子基板上の金属、例えば銅についての多くの化学エッチングプロセスは、銅あるいは塩化鉄（ＩＩＩ）、クロム塩、アルカリ−アンモニア、過酸化水素−硫酸、または硝酸組成物を用いて実施される。このような組成物は、下記のようなあるいくつかの制限および欠点を有する。
【０００３】
金属のエッチング剤、特にクロム塩は、環境への有害な衝撃を生み出す。クロム塩はまた、ヒトへの発ガン物質としても知られ、これらの使用および処分は問題が多い。
【０００４】
単独あるいは硫酸と組合わせた硝酸、または硝酸銅は、回路基板における銅をエッチングするのに有用であることがＢａｔｔｅｙによって報告されている（特許文献１）。しかしながら窒素酸化物ガスが、このプロセスの副生物である。同様にこのプロセスは、あるいくつかの銅の配向にのみ異方性エッチングを与える（すなわち、銅結晶構造の上面は、（１１１）および（２００）配向のミラー指数を有していなければならない）。これには、まず銅をスパッターした後、より多くの銅を電着させる必要がある。スパッター銅の代わりに、蒸着または無電解堆積も可能である。
【０００５】
アルカリ−アンモニア組成物が工業用に用いられているが、その理由は、これらが比較的迅速で、かなり大きい銅運搬能力を有し、いくらかの金属レジストおよびいくらかのドライフィルムレジストを適度に許容するからである。しかしながらこれらの同じ組成物は、その他の金属および合金に対して銅への選択性が低い。許容しうる選択性を達成するには、有意なプロセス制御が必要とされる。このような組成物は、細かい線の銅幾何学の場合にはうまく作用しないことがある。さらには溶解された銅は、回収が難しい。さらにはアンモニアからのヒュームは、作業者の暴露の問題を提起する。
【０００６】
銅エッチングプロセスに用いられている過酸化水素−硫酸組成物は、操作を行なうのに非常にクリーンであり、再循環することができる。しかしながらこのような組成物は、比較的遅いエッチング速度を有し、過酸化水素の自己分解反応によって、安定性制御のために実質的に冷却が必要である。さらにはこのプロセスの性能と過酸化水素の分解のどちらも、ホモ−またはヘテロ−触媒作用を介して、痕跡不純物に対して感受性が高い。安定剤は、ピーク性能には必要であるが、これらは金属特異的である。Ｂｒａｓｃｈ（特許文献２）は、銅含有溶液に対するフェノール−スルホン酸を教示している。同様にＡｌｄｅｒｕｃｃｉｏら（特許文献３）から、これらの組成物は、２ｍｇ／リットルのレベルの塩化物または臭化物イオンによって悪影響を受け、エッチング速度の減少を引き起こすことも知られている。Ｅｌｉａｓ（特許文献４）は、チオ硫酸ナトリウムまたはカリウムの添加が、この作用を打ち消しうることを教示している。
【０００７】
上記添加剤の使用は、上で考察された過酸化物の接触分解の基本的な問題に取組んでいない。この分解は、次の２つの重要な意味合いを有する：第一に、エッチング剤溶液中の過酸化物の消耗が、エッチング速度を減少させること；第二に、大きい容積の高温溶液の制御されない分解の可能性があり、高濃度の酸素を発生させ、これから生じる安全性のリスクが増加することである。過酸化物の分解は、高温で促進されるので、プロセス温度は低く保たなければならない。このことは、エッチングプロセスの速度に悪影響を与え、過酸化物−硫酸組成物のすでに低い銅運搬能力を悪化させる。最後にこのプロセスは、多量の硫酸銅を発生させる。これらは、再生利用または処分が難しい。銅は、この硫酸銅から電気めっきされうる。しかしながら一般的には、この銅は、接着性均質インゴット堆積物として堆積せず、むしろ粉末として現われ、これは脱落し、回収を難しくする。Ｂｒａｓｃｈは、カソード表面上に滑らかな接着性銅堆積物を生じるのを補助するためのリン酸の使用について記載しているが、このことはより遅いエッチング速度という犠牲を払う。
過酸化水素を伴なわずに過硫酸塩を含むエッチング組成物は、過酸化水素エッチング溶液に伴なう問題を排除する。モノ過硫酸カリウムのエッチング溶液は、１〜３容量％の硫酸溶液中に所望量の塩を溶解することによって調製される。ついでこの溶液は、化学プロセス、例えばめっき、酸化物コーティング、またははんだコーティングに先立って、表面プロセスの一部として銅を軽くエッチングするために生産に導入される。銅回路を含むパネルがエッチング浴中で洗浄されるにつれて、銅は軽くエッチングされ、銅の表面層が除去され、硫酸銅塩としてこの浴中に溶解される。洗浄プロセスは、銅の表面層の除去によってマイクロエッチと呼ばれる。表面調製工程においてエッチング除去される銅の量は、次に続く特定の化学プロセスに応じて、１０〜６０マイクロインチである。加工物がこの浴を通して処理されるにつれて、銅濃度は増加を続け、過硫酸塩溶液の濃度は減少する。プロセス制御は、減量方法による銅エッチング速度の測定によって行なわれる。過硫酸塩溶液濃度は、有効酸素濃度（ＡＯＣ）と呼ばれるレドックス滴定によって測定されるが、その理由は、活性化合物のモノ過硫酸カリウムが、酸素を含む酸化剤だからである。モノ過硫酸カリウム溶液の補給は、エッチング速度および銅濃度を考慮に入れて、ＡＯＣの分析の結果にしたがって実施されてもよい。銅濃度が浴中１２〜１５グラム／リットルを超えると、これは銅を除去するために廃棄物処理タンクに送られ、新しい浴が調製される。この過硫酸塩エッチングは、上記過酸化水素−硫酸組成物に関連した問題のいくつかを克服するが、過硫酸塩を用いるマイクロエッチプロセスにおける改良のニーズが依然として存在する。
【０００８】
【特許文献１】米国特許第４，６９５，３４８号明細書
【特許文献２】米国特許第４，３７８，２７０号明細書
【特許文献３】米国特許第３，２６９，８８１号明細書
【特許文献４】米国特許第４，１３０，４５５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
マイクロエッチプロセスにおけるより大きい金属溶解性、例えば改良された銅溶解性を生じる過硫酸塩マイクロエッチ溶液は、マイクロ電子パッケージの製造の間にマイクロエッチングされるかまたは洗浄される金属部分を増加させうる。銅に特に適した過硫酸塩エッチング溶液は、フッ素含有酸を有するものである。しかしながらフッ素含有酸を有するいくつかの過硫酸塩溶液は、不溶性化合物の形成および沈殿の問題がある。この不溶性化合物は、元素のカリウム、フッ素、およびケイ素、例えばフルオロホウ酸カリウムとフッケイ酸カリウムとの混合物から構成されていてもよい。しかしながらこの沈殿物の正確な組成はまだ知られていない。それにもかかわらず、この不溶性化合物は結果として、マイクロエッチングされる基板の汚染を生じることがあり、同様にマイクロ電子製品の汚染につながることがある。したがって改良された過硫酸塩マイクロエッチ組成物へのニーズがある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、過硫酸塩、フッ素含有酸、ホウ酸またはホウ酸の塩を含む組成物を目的とする。この組成物はまた、１つまたはそれ以上の追加の無機酸またはこれらの塩、および金属の洗浄を補助するアジュバントを含んでいてもよい。本発明はまた、組成物の製造方法も目的とする。この組成物は、例えばプリント基板または配線盤の製造における金属の洗浄用マイクロエッチ溶液として用いられてもよい。したがって本発明はまた、金属の洗浄またはマイクロエッチング方法も目的とする。本発明の過硫酸塩組成物は、プリント基板および配線の製造において金属をマイクロエッチングするのに非常に適している。したがって本発明はまた、プリント基板および配線盤の製造方法も目的とする。
【００１１】
有利には本発明の過硫酸塩組成物は、マイクロエッチ溶液中の銅飽和および結晶化濃度を高め、これは結果として、マイクロエッチ溶液１リットルあたりの金属部分のより高い収率を生じる。したがってこの過硫酸塩組成物は、マイクロエッチング効率を改良する。この過硫酸塩組成物はまた、増加した有効寿命も有し、化学沈殿および処分のために廃棄物処理に送られる、消費されたマイクロエッチ溶液または浴の容積を減少させる。したがってこれらの過硫酸塩組成物は環境に優しい。さらにはこれらの過硫酸塩組成物は、マイクロエッチング浴中の増加した金属濃度のために、電解採取の金属リサイクル／回収プロセスをより効率的にする。本発明の過硫酸塩組成物のもう１つの利点は、不溶性沈殿物が、マイクロエッチ溶液または浴中に形成されないということである。このような不溶性沈殿物は、プリント基板および配線盤の製造の間、マイクロ成分を汚染することがある。さらにはこれらの不溶性沈殿物は、環境の汚染を防ぐために、廃棄物処理に送られなければならない。このような不溶性沈殿物は、望ましくないことに、マイクロ電子パッケージの製造コストに加算される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明は、過硫酸塩、フッ素含有酸、ホウ酸またはホウ酸の塩を含む組成物を目的とする。この組成物はまた、１つまたはそれ以上の追加の無機酸または無機酸の塩、および金属の洗浄を補助するためのアジュバントを含んでいてもよい。この組成物は、例えばマイクロ電子パッケージの製造およびプリント基板または配線盤の製造における金属の洗浄のための洗浄用溶液として用いられてもよい。本発明の組成物は、様々な金属および金属合金を洗浄するために用いられてもよいが、この過硫酸塩組成物は、銅および銅合金の洗浄に非常に適している。本発明の範囲内の洗浄は、マイクロエッチングをいう。この洗浄プロセスは、マイクロエッチまたはマイクロエッチングと呼ばれるが、その理由は、過硫酸塩組成物の適用が、金属、例えば銅または金属合金の表面層を除去するからである。除去される金属の量は、マイクロエッチされる金属およびこのマイクロエッチの後に続く特定の化学プロセスに応じて様々であってもよい。一般的に過硫酸塩組成物を用いてマイクロエッチ除去される銅の量は、５〜８０マイクロインチ（２．５４センチメートル／インチ）、より一般的には１０〜６０マイクロインチである。これらの過硫酸塩組成物は、下記のあらゆる適切な方法によって、マイクロエッチングのために金属に適用されてもよい。一般的にはこれらの過硫酸塩組成物は、水溶液である。
【００１３】
これらの過硫酸塩組成物は、過硫酸塩酸化剤１．０重量％〜３５重量％、好ましくはこの組成物１０重量％〜２５重量％を含む。本発明を実施するために、あらゆる適切な過硫酸塩源が用いられてもよい。過硫酸塩源の例には、モノ過硫酸アルカリ金属の塩、例えばモノ過硫酸ナトリウムおよびカリウムが含まれるが、これらに限定されるわけではない。好ましいモノ過硫酸塩は、モノ過硫酸カリウムである。
【００１４】
過硫酸塩組成物はまた、ホウ酸またはホウ酸の塩、またはホウ酸とホウ酸の塩との混合物も含む。ホウ酸またはホウ酸の塩は、この過硫酸塩組成物の０．１重量％〜１０重量％であり、好ましくはこの組成物の１重量％〜５重量％である。本発明を実施するために、あらゆる適切な形態のホウ酸またはホウ酸の塩を用いることができる。適切な形態のホウ酸の例には、工業グレードのホウ酸が含まれるがこれらに限定されるわけではない。適切なホウ酸の塩には、アルカリ金属塩、例えばリチウム、ナトリウム、およびカリウム塩が含まれるが、これらに限定されるわけではない。
【００１５】
フッ素含有酸は、この過硫酸塩組成物において、この組成物の０．１重量％〜１０重量％、好ましくは１．０重量％〜５重量％の量で用いられる。あらゆる適切なフッ素含有酸が、本発明において用いられてもよい。このようなフッ素含有酸の例には、フッ化水素酸、フルオロホウ酸、フルオロケイ酸、またはこれらの混合物が含まれるが、これらに限定されるわけではない。好ましいフッ素含有酸は、フルオロホウ酸である。
【００１６】
本発明の組成物に用いることができる追加の無機酸には、硫酸、リン酸、および亜リン酸、またはこれらの混合物が含まれるが、これらに限定されるわけではない。塩酸および硝酸は好ましくは、毒性副生物、例えば窒素酸化物および塩素ガスによって、本発明の実施には用いられない。追加の無機酸は、この組成物の０．５重量％〜１５重量％、好ましくはこの組成物の５重量％〜１０重量％の範囲で用いられてもよい。
【００１７】
この過硫酸塩組成物はまた、任意アジュバントを含んでいてもよい。アジュバント、例えば界面活性剤およびバンキング剤（ｂａｎｋｉｎｇ  ａｇｅｎｔ）は、マイクロエッチング剤配合物に対して有利な作用を有しうる。界面活性剤は、主として気泡またはガスバブルの、金属のマイクロエッチングされた表面への接着を減少させるために組成物中に組込まれる。もしこれが供給されないならば、新鮮なマイクロエッチング剤が金属表面と接触するのを妨げる気泡のために、不規則にマイクロエッチングされた表面を生じる可能性がある。一般的には界面活性剤は、アニオン性、カチオン性、非イオン性、または内部塩型であってもよい。アニオン性界面活性剤は、長鎖アルキルまたはアリール部分に結合されたリン酸塩、硫酸塩、スルホン酸塩、または硫酸塩基を含んでいてもよい。
【００１８】
カチオン性界面活性剤は、長鎖アルキルまたはアリール部分を有する第四アンモニウム塩であってもよい。非イオン性界面活性剤は、ポリエチレンオキシ官能性を有する長鎖アルキルまたはアリール部分から構成されていてもよい。内部塩界面活性剤は、等しくバランスされて電荷中性物質を生じるアニオン性とカチオン性との両方の官能性を含む。本発明は、上記のあらゆる型の界面活性剤を用いることができる。
【００１９】
マイクロエッチングプロセスの間により大きい異方性を生じるために、バンキング剤が用いられる。垂直方向のエッチング速度と横方向のエッチング速度との差が大きければ大きいほど、このプロセスの異方性は高くなる。適切なバンキング剤の例には、ベンゾトリアゾール、例えば非置換ベンゾトリアゾールが含まれるが、これらに限定されるわけではない。
【００２０】
本発明の過硫酸塩マイクロエッチ組成物に添加される任意アジュバントの量は、用いられる特定のマイクロエッチプロセスおよびマイクロエッチされる金属の型に応じて様々であってもよい。一般的にはアジュバントは、この業界でよく知られている通常の量で用いられる。本発明の過硫酸塩組成物の残りは、組成物を１００重量％にするための水である。
【００２１】
過硫酸塩組成物は、広いｐＨ範囲にわたって用いることができる。一般的にはこの過硫酸塩組成物は、ｐＨ０〜７．０未満、好ましくはｐＨ２．０〜ｐＨ５．０の範囲で用いることができる。
【００２２】
過硫酸塩組成物の成分は、水性マイクロエッチ組成物または浴溶液を形成するのに適したあらゆる方法によって互いに組合わせることができる。好ましくは追加の無機酸は、ホウ酸またはホウ酸の塩が、過硫酸塩組成物中に添加されるか、または可溶化された後、過硫酸塩組成物に添加される。用いられる酸が硫酸である時、ホウ酸またはホウ酸の塩を添加または可溶化する手順が最も好ましい。ホウ酸またはホウ酸の塩のいくつかのグレードは、いくつかの無機酸の存在下に溶解性の問題を有する。したがって無機酸、例えば硫酸、リン酸、亜リン酸、またはこれらの混合物を、この溶液のその他の成分から別々にマイクロエッチ溶液に添加することが好ましい。
【００２３】
理論に拘束されるわけではないが、過硫酸塩組成物へのホウ酸またはホウ酸の塩の添加は意外にも、マイクロエッチ溶液中の望ましくない不溶性沈殿物の形成を防ぐ。この不溶性沈殿物は、マイクロエッチされつつある金属の汚染を引起こすことがあり、またマイクロ電子パッケージおよびプリント基板を汚染することもある。不溶性沈殿物の種類は、カリウム、フッ素、またはケイ素の塩であってもよい。本発明の組成物はまた、銅飽和および結晶化濃度を、１０〜１５グラム／リットルのより低い銅飽和および結晶化濃度を有する通常の過硫酸塩マイクロエッチとは対照的に、４０グラム／リットル超まで増加させる。したがってこれらの過硫酸塩組成物は、２〜３倍の銅飽和および結晶化濃度の増加を示す。
【００２４】
本発明の組成物のその他の利点には、化学沈殿および処分のために廃棄物処理に送られる、消費された浴の２〜３分の１への容積減少；過硫酸塩浴の有効寿命の２〜３倍の増加；および溶液中の有意に高い銅濃度により電界回収の銅リサイクル／回収プロセスをより効率的にすることが含まれる。本発明のもう１つの利点は、プロセス操作コストの２〜３分の１への減少である。さらには、本発明のマイクロエッチング方法によってより少ない廃棄物が生成されるので、本発明は環境に優しい。
【００２５】
本発明のマイクロエッチングプロセスは、室温で実施されてもよい。好ましくは本発明のマイクロエッチングプロセスは、８０〜１００°Ｆ（２７〜３８℃）の温度で実施される。過硫酸塩組成物は、噴霧または浸漬または当業界で知られているあらゆるその他の適切な方法によって、金属に適用されてもよい。
【００２６】
過硫酸塩組成物は、多くの金属、例えば銅、ニッケルの存在下における銅、またはニッケル合金をエッチングするために用いられてもよく、あるいは貴金属、例えば多孔質金およびパラジウムで上塗りされてもよい。過硫酸塩組成物はまた、はんだ（Ｓｎ／Ｐｂ）をマイクロエッチングするために用いられてもよい。
【００２７】
本発明の過硫酸塩組成物は、マイクロエッチングが用いられるあらゆる方法において用いられてもよい。例えば本発明の過硫酸塩組成物は、下記のようにプリント基板または配線盤の製造に用いられてもよい。
【００２８】
１／２オンス銅箔および誘電基板または支持体を用い、ついでこれらを直接接触させ、圧力を加えて、銅張り積層板が形成される。誘電支持体用に用いることができる材料の例には、熱可塑性および熱硬化性樹脂、セラミック、ガラス、ガラス布強化または未強化熱硬化樹脂、具体的にはフェノール樹脂複合材料、例えばＡＢＳ、ポリイミド、およびポリマー塩化ビニルの複合材料が含まれる。
【００２９】
フォトレジスト材料は、熱間圧延ラミネーション、真空ラミネーション、またはスピンコーティング技術のいずれかによって適用される。フォトレジスト材料は、ネガ型（すなわち画像化された区域が硬化され、未画像化区域が現像されて、下にある銅箔を暴露する）であるか、またはポジ型（すなわち画像化区域が軟化され、場合によっては現像されて、下にある銅箔を暴露する）であってもよい。このフォトレジスト材料は、水性ベースあるいは溶媒ベース配合物から液体形態で適用されてもよい。ポジ型フォトレジスト用材料は、バインダー樹脂としてフェノール−アルデヒド縮合物、光活性化合物としてｏ−キノンジアジドをベースとしていてもよい。
【００３０】
フォトレジストの画像化は、ガラスマスター（ｇｌａｓｓ  ｍａｓｔｅｒ）またはフィルムを用い、電磁放射線、好ましくは３６５〜４３５ナノメートルのスペクトル領域にある紫外線を用いる露光によって実施される。未露光区域（ネガティブレジスト系）の現像は、未硬化フォトレジストを溶解する有機溶媒または水溶液を用いて実施されてもよい。このような溶媒の例には、炭酸プロピレン、ガンマブチロラクトン、および様々なエステル配合物が含まれる。水溶液には、炭酸ナトリウムが含まれる。炭酸プロピレン現像液は一般的に、２０℃〜３０℃で３〜５分間、噴霧現像液中で３０〜４０ｐｓｉの噴霧圧力で実施される。炭酸ナトリウム現像は一般的に、８０°Ｆ（２７℃）で３〜５分間、噴霧現像液中で１５〜２５ｐｓｉの噴霧圧力で実施される。
【００３１】
ニッケルまたはニッケル合金は、画像化フォトレジストの現像の間に形成される未露光銅表面上に電気めっきまたは無電解めっきされてもよい。
【００３２】
上記のように紫外線露光によって硬化された残留フォトレジストは、銅層からストリッッピングされる。溶媒ストリップ溶媒には、炭酸プロピレンおよびベンジルアルコールを含めてもよい。好ましい水性溶媒は、水酸化ナトリウムである。炭酸プロピレン中の溶媒ストリッピングは、９０℃〜１０５℃で５〜８分間、噴霧ストリッパー中で５０〜６０ｐｓｉの噴霧圧力で実施されてもよい。水性ストリッピングは、１３５°Ｆ〜１４５°Ｆ（５７℃〜６３℃）で５〜８分間、噴霧ストリッパー中で２０〜３０ｐｓｉの噴霧圧力で実施されてもよい。
【００３３】
未めっき銅がマイクロエッチされ、なんらかのニッケルめっき銅回路パターンを残す。未めっき銅は、フルオロホウ酸およびホウ酸を用いた、硫酸中のモノ過硫酸カリウムの水性マイクロエッチ溶液でマイクロエッチングされる。マイクロエッチングは、８５°Ｆ〜９５°Ｆ（２９℃〜３５℃）で２０〜３０ｐｓｉの噴霧圧力で実施されてもよい。マイクロエッチングはまた、浸漬によって実施されてもよい。マイクロエッチ速度は、１分あたり０．００１インチ（２．５４センチメートル／インチ）よりも大きい。
【００３４】
次の実施例は、本発明を例証するためのものであり、本発明の範囲を制限するために意図されたものではない。
【実施例１】
【００３５】
銅用の洗浄浴は、モノ過硫酸カリウムを、硫酸、ホウ酸、フルオロホウ酸の溶液中に溶解して調製される。
水    残部
モノ過硫酸カリウム    １０〜２２０グラム／リットル
９６重量％硫酸    ２〜３容量％
ホウ酸（工業グレード）    ３グラム／リットル
４８重量％フルオロホウ酸    ２．５ｍｌｓ／リットル
【００３６】
１００米国ガロン（０．２６４２米国ガロン／リットル）の構成手順
１．約９０米国ガロンの水を、混合タンクまたはプロセスタンクに加える。
２．硫酸２〜３米国ガロンを水に加え、よく混合する。
３．モノ過硫酸カリウム１００ポンド（４５３．６グラム／ポンド）を加え、よく混合する。
４．ホウ酸塩２．５ポンドを加え、混合して溶解する。
５．フルオロホウ酸９４６ミリリットルを加え、この浴を均一に混合する。
【００３７】
添加剤濃縮物を用いた構成手順
ａ．５０重量％硫酸    ９５０ミリリットル／リットル
ｂ．ホウ酸    ６０グラム／リットル
ｃ．４８重量％フルオロホウ酸    ５０ミリリットル／リットル
【００３８】
添加剤濃縮物を用いた１００米国ガロンの構成手順
１．約９５米国ガロンの水を混合タンクまたはプロセスタンクに加える。
２．５米国ガロンの液体添加剤濃縮物を加え、混合して均一溶液を形成する。
３．１００ポンドのモノ過硫酸カリウムを加え、混合して溶解する。
【００３９】
上記マイクロエッチ溶液の代替配合方法において、３０．０〜５０．０グラム／リットルのホウ酸と３５．０〜５５．０グラム／リットルのフルオロホウ酸とから構成される濃縮物を、硫酸を用いずに調製する。硫酸は、この濃縮物とは別にマイクロエッチ溶液に別々に添加されてもよい。ホウ酸とフルオロホウ酸とを含む濃縮物は、６．５容量％〜８．５容量％でマイクロエッチ溶液中に用いられてもよい。
【実施例２】
【００４０】
１００米国ガロンタンクにおいて、２．５米国ガロンの９６重量％硫酸を、１００米国ガロンの水中に溶解して、銅洗浄浴を調製する。１００ポンド（４５３．６グラム／ポンド）のモノ過硫酸カリウムを添加し、混合しつつ溶解する。この浴を洗浄プロセスにおいて用い、熱風はんだレベリングプロセスにおいてはんだを適用するためにパネル上の銅回路を調製する。パネルを、この浴およびＨＡＳＬ機を通して加工処理する。銅濃度が、この浴中で、回路からの銅除去により１２〜１５グラム／リットルの範囲まで増加するにつれて、銅塩のブルー結晶が、ＨＡＳＬ機の溶液が蒸発し、乾燥塩を残す場所の部品上に見られる。この時、洗浄部品の濯ぎ洗いは、この塩形成のためにより難しくなり、この浴は、銅を除去および回収するためにポンピングされ、処理されなければならない。新しい浴が作られ、サイクルが繰返される。この実施例において、この浴が廃棄される前に、８，０００平方フィートの銅含有パネルを、洗浄浴を通して加工処理する。
【実施例３】
【００４１】
１００米国ガロンタンクにおいて、９５米国ガロンの水と上記実施例１に記載されている５米国ガロンの液体添加剤濃縮物とを加え、ついで１００ポンドのモノ過硫酸カリウムを溶解して、洗浄浴を調製する。実施例２のＨＡＳＬプロセスにおいてはんだを適用する前に、銅回路の洗浄プロセスにおいてこの浴を用いる。銅クリーナーおよびＨＡＳＬプロセスを通してパネルを加工処理し、浴レベルの上の銅塩の形成に対して観察を行なう。銅濃度は、ダークブルー溶液がこの浴のレベルの周りへのブルー塩の形成を開始する前、４０グラム／リットルを超える。これは、２４，０００平方フィートの銅含有パネルに相当し、浴が廃棄され、処分のために処理され、銅が回収される前に、実施例２の収率の３倍を超える。実施例３の操作コストは、実施例２のプロセスの操作コストの約１／３である。したがって実施例１に開示されている本発明の過硫酸塩組成物は、改良された過硫酸塩マイクロエッチ溶液である。
【外国語明細書】
2004149770000001.pdf
2004149770000002.pdf
2004149770000003.pdf