(57)【要約】【課題】  配線の腐食やリーク電流の増大を防止しつつ、層間絶縁膜全体として吸湿による誘電率の変動を抑制し、かつ誘電率を低くすることができる半導体装置を提供すること。【解決手段】  トリメトキシシラン（ＴＭＳ：SiH(OCH3)3）とN2Oとからなる成膜ガスをプラズマ化して反応させることにより形成され、赤外線の吸収強度のピークが波数２２７０乃至２３５０ｃｍ-1の範囲にあり、膜密度が２．２５乃至２．４０ｇ／ｃｍ3の範囲に有り、かつ比誘電率が３．３乃至４．３の範囲にあるシリコン含有絶縁膜２４がシリコン基板２１上に形成されていることを特徴とする半導体装置による。【選択図】  図１３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
トリメトキシシラン（ＴＭＳ：SiH(OCH3)3）とN2Oとからなる成膜ガスをプラズマ化して反応させることにより形成され、赤外線の吸収強度のピークが波数２２７０乃至２３５０ｃｍ-1の範囲にあり、膜密度が２．２５乃至２．４０ｇ／ｃｍ3の範囲に有り、かつ比誘電率が３．３乃至４．３の範囲にあるシリコン含有絶縁膜が基板上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記基板の表面に配線を有し、
前記シリコン含有絶縁膜は前記配線と接するように該配線を被覆していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記基板の表面に配線と、前記配線と接するように該配線を被覆する絶縁膜とを有し、
前記絶縁膜上に前記シリコン含有絶縁膜からなる上部保護層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記基板の表面に配線と、該配線と接するように前記配線を被覆する下部保護層と、該下部保護層と接するように該下部保護層上に積層された主たる絶縁膜と、該主たる絶縁膜と接するように該主たる絶縁膜上に積層された上部保護層とを有し、
前記下部保護層と上部保護層とは、ともに前記シリコン含有絶縁膜からなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記主たる絶縁膜は、ＳｉＯＦ膜、又は多孔質絶縁膜のうち何れか一であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記基板上に上部配線及び下部配線と、該上下部配線の間に介在する層間絶縁膜とを有し、
前記層間絶縁膜は前記シリコン含有絶縁膜からなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記上下部配線は前記層間絶縁膜の開口部を介して接続され、前記開口部の側壁に前記シリコン含有絶縁膜からなる側壁保護層を有することを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記基板上に上部配線及び下部配線と、該上下部配線の間に介在する層間絶縁膜とを有し、
前記層間絶縁膜は、前記下部配線と接するように該下部配線を被覆する下部保護層と、前記下部保護層と接するように該下部保護層上に積層された主たる絶縁膜と、前記主たる絶縁膜と接するように該主たる絶縁膜上に積層された上部保護層とから構成されてなり、
前記下部保護層と上部保護層とは、ともに前記シリコン含有絶縁膜からなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項９】
前記主たる絶縁膜は、ＳｉＯＦ膜又は多孔質絶縁膜の何れか一であることを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記上下部配線は前記層間絶縁膜の開口部を介して接続され、前記開口部の側壁に前記シリコン含有絶縁膜からなる側壁保護層を有することを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、より詳しくは、配線を被覆して低誘電率を有する層間絶縁膜を形成する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路装置の高集積度化、高密度化に伴い、パターンの微細化、薄膜化が要望されている。さらに、データ転送速度の高速化が要求されている。
【０００３】
そのため、ＲＣディレイの小さい低誘電率を有する絶縁膜（以下、低誘電率絶縁膜と称する。）が用いられている。そのような絶縁膜として、例えば、比誘電率３．５〜３．８のＳｉＯＦ膜や比誘電率３．０〜３．１の多孔質ＳｉＯ2膜や、スピン塗布法により低誘電率の絶縁材料を塗布して得られる塗布絶縁膜などがある。
【０００４】
しかしながら、低誘電率絶縁膜は、元来水分を含み易く、かつ外来の水分を通し易い。このため、単独で層間絶縁膜として用いた場合、配線の腐食やリーク電流の増大が発生し易い。これを防止するため、配線と低誘電率絶縁膜との間にSiN系又はSiC系のバリア絶縁膜を介在させることが多い。
【０００５】
即ち、多層配線を有する半導体装置では、上部配線と下部配線の間にＳｉ及びＮを含む、又はＳｉ及びＣを含むバリア絶縁膜（下部保護層）と、低誘電率絶縁膜と、Ｓｉ及びＮを含む、又はＳｉ及びＣを含むバリア絶縁膜（上部保護層）とが順に積層されてなる層間絶縁膜を形成している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、Ｓｉ及びＮを含む絶縁膜は比誘電率が高いため、Ｓｉ及びＮを含む絶縁膜の膜厚を薄くしてバリア絶縁膜として用いた場合でも、層間絶縁膜全体の誘電率が高くなってしまう。
【０００７】
また、Ｓｉ及びＣを含むバリア絶縁膜は、Ｓｉ及びＮを含むバリア絶縁膜と比較して比誘電率が５程度と比較的低いが、リーク電流の増大を十分に抑制することができない。
【０００８】
本発明は、係る従来例の問題点に鑑みて創作されたものであり、配線の腐食やリーク電流の増大を防止しつつ、層間絶縁膜全体として吸湿による誘電率の変動を抑制し、かつ誘電率を低くすることができる半導体装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記した課題は、第１の発明である、トリメトキシシラン（ＴＭＳ：SiH(OCH3)3）とN2Oとからなる成膜ガスをプラズマ化して反応させることにより形成され、赤外線の吸収強度のピークが波数２２７０乃至２３５０ｃｍ-1の範囲にあり、膜密度が２．２５乃至２．４０ｇ／ｃｍ3の範囲に有り、かつ比誘電率が３．３乃至４．３の範囲にあるシリコン含有絶縁膜が基板上に形成されていることを特徴とする半導体装置によって解決する。
【００１０】
又は、第２の発明である、前記基板の表面に配線を有し、前記シリコン含有絶縁膜は前記配線と接するように該配線を被覆していることを特徴とする第１の発明に記載の半導体装置によって解決する。
【００１１】
又は、第３の発明である、前記基板の表面に配線と、前記配線と接するように該配線を被覆する絶縁膜とを有し、前記絶縁膜上に前記シリコン含有絶縁膜からなる上部保護層が形成されていることを特徴とする第１の発明に記載の半導体装置によって解決する。
【００１２】
又は、第４の発明である、前記基板の表面に配線と、該配線と接するように前記配線を被覆する下部保護層と、該下部保護層と接するように該下部保護層上に積層された主たる絶縁膜と、該主たる絶縁膜と接するように該主たる絶縁膜上に積層された上部保護層とを有し、前記下部保護層と上部保護層とは、ともに前記シリコン含有絶縁膜からなることを特徴とする第１の発明に記載の半導体装置によって解決する。
【００１３】
又は、第５の発明である、前記主たる絶縁膜は、ＳｉＯＦ膜、又は多孔質絶縁膜のうち何れか一であることを特徴とする第４の発明に記載の半導体装置によって解決する。
【００１４】
又は、第６の発明である、前記基板上に上部配線及び下部配線と、該上下部配線の間に介在する層間絶縁膜とを有し、前記層間絶縁膜は前記シリコン含有絶縁膜からなることを特徴とする第１の発明に記載の半導体装置によって解決する。
【００１５】
又は、第７の発明である、前記上下部配線は前記層間絶縁膜の開口部を介して接続され、前記開口部の側壁に前記シリコン含有絶縁膜からなる側壁保護層を有することを特徴とする第６の発明に記載の半導体装置によって解決する。
【００１６】
又は、第８の発明である、前記基板上に上部配線及び下部配線と、該上下部配線の間に介在する層間絶縁膜とを有し、
前記層間絶縁膜は、前記下部配線と接するように該下部配線を被覆する下部保護層と、前記下部保護層と接するように該下部保護層上に積層された主たる絶縁膜と、前記主たる絶縁膜と接するように該主たる絶縁膜上に積層された上部保護層とから構成されてなり、前記下部保護層と上部保護層とは、ともに前記シリコン含有絶縁膜からなることを特徴とする第１の発明に記載の半導体装置によって解決する。
【００１７】
又は、第９の発明である、前記主たる絶縁膜は、ＳｉＯＦ膜又は多孔質絶縁膜の何れか一であることを特徴とする第８の発明に記載の半導体装置によって解決する。
【００１８】
又は、第１０の発明である、前記上下部配線は前記層間絶縁膜の開口部を介して接続され、前記開口部の側壁に前記シリコン含有絶縁膜からなる側壁保護層を有することを特徴とする第８の発明に記載の半導体装置によって解決する。
次に、本発明の作用について説明する。
【００１９】
この発明の半導体装置によれば、赤外線の吸収強度のピークが波数２２７０乃至２３５０ｃｍ-1の範囲にあり、膜密度が２．２５乃至２．４０ｇ／ｃｍ3の範囲に有り、かつ比誘電率が３．３乃至４．３の範囲にあるシリコン含有絶縁膜が基板上に形成されている。
【００２０】
本願発明者の実験によれば、このような特性を有するシリコン含有絶縁膜は、シリコン窒化膜と同じように、機械的強度が高く、緻密で、耐水性に優れ、膜中の水分含有量が少なく、かつシリコン窒化膜と比べて比誘電率が小さいことが分かった。
【００２１】
この発明のシリコン含有絶縁膜を半導体装置に適用した構成では、上記シリコン含有絶縁膜は配線と接するように配線を被覆して形成され、或いは上記シリコン含有絶縁膜は配線を被覆する絶縁膜の上に保護層として形成されている。
【００２２】
この発明のシリコン含有絶縁膜は、低い誘電率を有し、膜自体の水分含有量が少なく、緻密で、耐水性に優れているため、配線等を被覆する保護層として用いることにより、配線間の寄生容量を低減しつつ、外来の水分の浸入を防いで配線の腐食を防止することができる。
【００２３】
また、基板上に上下部配線と、上下部配線の間に介在する層間絶縁膜とを有し、層間絶縁膜はこの発明に係るシリコン含有絶縁膜からなる。
【００２４】
また、その層間絶縁膜は、下層から順に、この発明に係るシリコン含有絶縁膜からなる下部保護層と、主たる絶縁膜と、この発明に係るシリコン含有絶縁膜からなる上部保護層とから構成されている。
【００２５】
主たる絶縁膜がＳｉＯＦ膜である場合、この発明が適用されるシリコン含有絶縁膜の外側周辺部へのフッ素（Ｆ）元素の拡散を防止することができる。また、主たる絶縁膜が吸湿性の高い多孔質絶縁膜である場合、多孔質絶縁膜中への水分の到来を防止し、吸湿による誘電率の増加を防止することができる。
【００２６】
また、主たる絶縁膜の上下部保護層としてシリコン窒化膜を用いずに、比誘電率が低いシリコン含有絶縁膜を用いているので、層間絶縁膜全体として誘電率を低減することができる。
【発明の効果】
【００２７】
以上のように、本発明によれば、赤外線の吸収強度のピークが波数２２７０乃至２３５０ｃｍ-1の範囲にあり、膜密度が２．２５乃至２．４０ｇ／ｃｍ3の範囲に有り、かつ比誘電率が３．３乃至４．３の範囲にあるシリコン含有絶縁膜が基板上に形成されている。
【００２８】
実験によれば、赤外線の吸収強度のピーク及び膜密度が上記範囲にあるシリコン含有絶縁膜は、緻密で、比誘電率が小さく、かつ膜中の水分量が少ない。
【００２９】
従って、上記シリコン含有絶縁膜を、特に、配線を被覆する絶縁膜として、或いは上部配線と下部配線の間に介在させる層間絶縁膜を構成する、低誘電率絶縁膜を挟むバリア絶縁膜として用いることにより、配線の腐食やリーク電流の増大を防止しつつ、層間絶縁膜全体として誘電率を低くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法に用いられる平行平板型のプラズマ成膜装置１０１の構成を示す側面図である。
【００３１】
このプラズマ成膜装置１０１は、プラズマガスにより被成膜基板２０上にシリコン含有絶縁膜を形成する場所である成膜部１０１Ａと、成膜ガスを構成する複数のガスの供給源を有する成膜ガス供給部１０１Ｂとから構成されている。
【００３２】
成膜部１０１Ａは、図１に示すように、減圧可能なチャンバ１を備え、チャンバ１は排気配管４を通して排気装置６と接続されている。排気配管４の途中にはチャンバ１と排気装置６の間の導通及び非導通を制御する開閉バルブ５が設けられている。チャンバ１にはチャンバ１内の圧力を監視する不図示の真空計などの圧力計測手段が設けられている。
【００３３】
チャンバ１内には対向する一対の上部電極（第１の電極）２と下部電極（第２の電極）３とが備えられ、上部電極２に周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波電力供給電源（ＲＦ電源）７が接続され、下部電極３に周波数３８０ｋＨｚの低周波電力を供給する低周波電力供給電源８が接続されている。これらの電源７、８から上部電極２及び下部電極３に電力を供給して、成膜ガスをプラズマ化する。上部電極２、下部電極３及び電源７、８が成膜ガスをプラズマ化するプラズマ生成手段を構成する。図中、１３は、不図示の抵抗素子や容量素子を備えた第１のマッチングボックスで、高周波電力のインピーダンス整合を図るように機能する。同様に、１４は、第２のマッチングボックスであり、不図示の抵抗素子や容量素子を備えて、低周波電力のインピーダンス整合を図るように機能する。
【００３４】
なお、プラズマ生成手段として、例えば平行平板型の上部電極２と、下部電極３によりプラズマを生成する手段、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）法によりプラズマを生成する手段、アンテナからの高周波電力の放射によりヘリコンプラズマを生成する手段等がある。
【００３５】
上部電極２は成膜ガスの分散具を兼ねている。上部電極２には複数の貫通孔が形成され、下部電極３との対向面における貫通孔の開口部が成膜ガスの放出口（導入口）となる。この成膜ガス等の放出口は成膜ガス供給部１０１Ｂと配管９ａで接続されている。また、場合により、上部電極２には図示しないヒータが備えられることもある。成膜中に上部電極２を温度凡そ１００℃程度に加熱しておくことにより、成膜ガス等の反応生成物からなるパーティクルが上部電極２に付着するのを防止するためである。
【００３６】
下部電極３は被成膜基板２０の保持台を兼ね、また、保持台上の被成膜基板２０を加熱するヒータ１２を備えている。
【００３７】
成膜ガス供給部１０１Ｂには、Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物の供給源と、Ｓｉ−Ｈ結合を有するシロキサンの供給源と、酸素（Ｏ2）、一酸化窒素（Ｎ2Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ2）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ2）、又は水（Ｈ2Ｏ）のうちの何れか一の酸素含有ガスの供給源と、水素（Ｈ2）の供給源と、及び窒素（Ｎ2）の供給源とが設けられている。
【００３８】
本発明が適用される成膜ガスであるＳｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物、又はＳｉ−Ｈ結合を有するシロキサンについては、代表例として以下に示すものを用いることができる。
【００３９】
（ｉ）Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物
トリメトキシシラン（ＴＭＳ：SiH(OCH3)3）
（ii）Ｓｉ−Ｈ結合を有するシロキサン
テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ：(CH3)2HSi-O-SiH(CH3)2）
これらのガスは適宜分岐配管９ｂ乃至９ｆ及びこれらすべての分岐配管９ｂ乃至９ｆが接続された配管９ａを通して成膜部１０１Ａのチャンバ１内に供給される。分岐配管９ｂ乃至９ｆの途中に流量調整手段１１ａ乃至１１ｅや、分岐配管９ｂ乃至９ｆの導通及び非導通を制御する開閉手段１０ｂ乃至１０ｋが設置され、配管９ａの途中に配管９ａの導通及び非導通を行う開閉手段１０ａが設置されている。また、Ｎ2ガスを流通させて分岐配管９ｂ乃至９ｅ内の残留ガスをパージするため、Ｎ2ガスの供給源と接続された分岐配管９ｆとその他の分岐配管９ｂ乃至９ｅの間の導通及び非導通を制御する開閉手段１０ｌ乃至１０ｎ，１０ｐが設置されている。なお、Ｎ2ガスは分岐配管９ｂ乃至９ｅ内のほかに、配管９ａ内及びチャンバ１内の残留ガスをパージする。
【００４０】
以上のような成膜装置１０１によれば、Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物又はＳｉ−Ｈ結合を有するシロキサンのうち少なくとも何れか一の供給源と、酸素含有ガスの供給源とを備え、さらに成膜ガスをプラズマ化するプラズマ生成手段２、３、７、８を備えている。
【００４１】
上記プラズマＣＶＤ装置を用いて、プラズマＣＶＤ法（以下、PE-CVD法とも言う）によりＳｉ，Ｏ，Ｃ，Ｈを含む絶縁膜を形成することができる。このため、下記の第２の実施の形態に示すように、低い誘電率を有し、かつ水分含有量が少なく、緻密で、耐水性に優れた絶縁膜を形成することができる。また、この絶縁膜は、有機塗布絶縁膜或いは無機塗布絶縁膜との密着性が良く、銅（Ｃｕ）の拡散を阻止する能力も高い。
【００４２】
特に、平行平板型の上部電極２及び下部電極３にそれぞれ高低２つの周波数の電力を供給する電源７、８が接続されているので、これら高低２つの周波数の電力をそれぞれ各電極２、３に印加してプラズマを生成することができ、このようにして作成した絶縁膜は緻密である。
（第２の実施の形態）
以下に、上記のプラズマＣＶＤ装置を用いて成膜したシリコン含有絶縁膜に関し、本願発明者の行なった調査実験について説明する。
【００４３】
まず、上記のプラズマＣＶＤ装置のうち良く知られた平行平板型のプラズマＣＶＤ装置を用いた。上部電極２、下部電極３のうち下部電極３が基板保持具を兼ね、下部電極３は基板加熱を行なうためのヒータ１２を内蔵している。
【００４４】
（試料の作成）
図２（ａ）〜（ｄ）、及び図３は、この発明のシリコン酸化膜を有する試料について示す断面図である。
【００４５】
試料Ｓ１は、図２（ａ）に示すように、シリコン基板４１上にトリメトキシシラン（ＴＭＳ）を含む成膜ガスを用いたＰＥ−ＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜（シリコン含有絶縁膜のことであり、以下、PE-CVD TMS SiO2膜と称する。）４２ａを有するものである。なお、比較のため、シリコン基板４１上にテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を含む成膜ガスを用いたＰＥ−ＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜（以下、PE-CVD TEOS SiO2膜と称する。）５１ａを有する比較試料ＣＳ１と、シリコン基板４１上にモノシラン（ＳｉＨ4）を含む成膜ガスを用いたＰＥ−ＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜（以下、PE-CVD SiH4 SiO2膜と称する。）５２ａを有する比較試料ＣＳ２とを作成した。
【００４６】
試料Ｓ１Ａは、図３に示すように、シリコン基板４１上にPE-CVD TMS SiO2膜４２ａを形成した試料Ｓ１において、さらにPE-CVD TMS SiO2膜４２ａ上に電極４５を形成することにより、作成した。電極４５として水銀プローブを用い、それとPE-CVD TMS SiO2膜４２ａとの接触面積は０．０２３０ｃｍ2である。
【００４７】
試料Ｓ２、Ｓ３は、図２（ｂ）に示すように、シリコン基板（Ｓｉ基板）４１上にリン含有量７mol％、膜厚約５００ｎｍのＢＰＳＧ膜４３と調査用のPE-CVD TMS SiO2膜４２ｂとを順に形成することにより作成した。試料Ｓ２では、PE-CVD TMS SiO2膜４２ｂの膜厚を１００ｎｍとし、試料Ｓ３では、PE-CVD TMS SiO2膜４２ｂの膜厚を２００ｎｍとした。なお、比較のため、PE-CVD TMS SiO2膜４２ｂの代わりに、膜厚２００ｎｍのPE-CVD TEOS SiO2膜５１ｂを用いた比較試料ＣＳ３と、同じく膜厚２００ｎｍのPE-CVD SiH4 SiO2膜５２ｂを用いた比較試料ＣＳ４と、同じくＳｉＨ4、ＮＨ3及びＮ2を含む成膜ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により作成した膜厚２００ｎｍのシリコン窒化膜（以下、PE-CVD SiN膜と称する。）５３を用いた比較試料ＣＳ５とを作成した。
【００４８】
試料Ｓ４、Ｓ５は、図２（ｃ）に示すように、シリコン基板（Ｓｉ基板）４１上に低誘電率絶縁膜４４ａ，４４ｂとPE-CVD TMS SiO2膜４２ｃとを順に形成することにより作成した。試料Ｓ４では、低誘電率絶縁膜として無機塗布絶縁膜４４ａを用い、試料Ｓ５では、同じく、有機塗布絶縁膜４４ｂを用いた。なお、比較のため、PE-CVD TMS SiO2膜５２ｃの代わりに、PE-CVD TEOS SiO2膜６１ｃを用いた比較試料ＣＳ６，ＣＳ７を作成した。比較試料ＣＳ６では、低誘電率絶縁膜として無機塗布絶縁膜４４ａを用い、比較試料ＣＳ７では、同じく、有機塗布絶縁膜４４ｂを用いた。
【００４９】
なお、無機塗布絶縁膜とは、ＨＳＱ（商品名，ダウコーニング社製），ＭＳＱ（商品名），Ｒ７（商品名，日立化成工業社製）など塗布液を塗布して形成された絶縁膜である。塗布液中の成分化合物として炭素が一つ以下の化合物を含むことを特徴とするものである。有機塗布絶縁膜とは、ＦＬＡＲＥ（商品名，アライドシグナル社製），ＳｉＬＫ（商品名，ダウケミカル社製）などの塗布液を塗布して形成されたものである。塗布液中の成分化合物として炭素が二つ以上の化合物を含むことを特徴とするものである。
【００５０】
試料Ｓ６は、図２（ｄ）に示すように、シリコン基板４１上に、膜厚約１５０ｎｍのPE-CVD TMS SiO2膜（下部保護層）４２ｄと膜厚約４５０ｎｍの無機塗布絶縁膜（中間層）４４ｃと膜厚約２００ｎｍのPE-CVD TMS SiO2膜（上部保護層）４２ｅとを下層から順に形成したものである。無機塗布絶縁膜４４ｃは、ＨＳＱ（Hydrogen silsesquioxane）を溶媒に溶かして生成された塗布液（ＦＯｘ（商品名））をスピンコートして被着し、その後、窒素中、温度１５０，２００，３５０℃で、それぞれ１分間ずつベークし、さらに窒素中、温度４００℃で、５０分間キュアして形成した。なお、比較のため、下部保護層であるPE-CVD TMS SiO2膜４２ｄの代わりにPE-CVD TEOS SiO2膜５１ｄを形成した比較試料ＣＳ８と、上下部保護層であるPE-CVD TMS SiO2膜４２ｄ、４２ｅの代わりにPE-CVD TEOS SiO2膜５１ｄ，５１ｅを形成した比較試料ＣＳ９とを作成した。
【００５１】
上記プラズマＣＶＤ装置を用いて、以下の成膜条件で各試料Ｓ１乃至Ｓ６のPE-CVD TMS SiO2膜４２ａ乃至４２ｅを作成した。
【００５２】
成膜ガス：ＴＭＳ＋Ｎ2Ｏ
ＴＭＳガス流量：１００ｓｃｃｍ
Ｎ2Ｏガス流量：３０００ｓｃｃｍ
ガス圧力：０．７Ｔｏｒｒ
プラズマ化条件
上部電極２への印加電力：０．３Ｗ／ｃｍ2（周波数１３．５６ＭＨｚ）
下部電極３への印加電力：０．３Ｗ／ｃｍ2（周波数３８０ｋＨｚ）
この成膜装置の場合、上記電力密度はいずれも電極への印加電力７５０Ｗに相当する。
【００５３】
基板温度：３００乃至４００℃
成膜膜厚：ｔｎｍ
なお、同じプラズマ成膜装置１０１は、比較試料ＣＳ１のPE-CVD TEOS SiO2膜５１ａ、比較試料ＣＳ２のPE-CVD SiH4 SiO2膜５２ａ、比較試料ＣＳ３、ＣＳ４、ＣＳ６乃至ＣＳ９のPE-CVD TEOS SiO2膜５１ｂ乃至５１ｅ、比較試料ＣＳ５のPE-CVD SiN膜５３の形成にも用いられる。
【００５４】
上記のようにして作成したPE-CVD TMS SiO2膜４２ａ乃至４２ｅについて以下の特性を調査した。
【００５５】
（ｉ）基本特性
上記成膜条件で、成膜レートは約１６０乃至１７０ｎｍ／分であった。
【００５６】
また、成膜後のPE-CVD TMS SiO2膜４２ａの屈折率は１．４７７乃至１．４８であり、膜応力は−３００ＭＰａ乃至−２５０ＭＰａであった（マイナス記号は圧縮応力を表す）。屈折率を測定する場合は、エリプソメータで６３３８オングストロームのＨｅ−Ｎｅレーザを用いた。また、膜応力を測定する場合、オプティレバーレーザースキャン方式を用いた。
【００５７】
また、膜厚（ｔ）５００ｎｍでPE-CVD TMS SiO2膜４２ａの比誘電率は３．９であった。比誘電率の調査用試料として試料Ｓ１Ａを用いた。
【００５８】
調査用試料Ｓ１Ａのシリコン基板４１と電極４５間に直流電圧（Ｖ）を印加し、さらに直流電圧（Ｖ）に周波数１ＭＨｚの微小信号を重畳して、直流電圧（Ｖ）変化に対する容量（Ｃ）変化を測定し、その結果から比誘電率を算出した。
【００５９】
（ii） 膜中の炭素及び窒素の濃度
試料Ｓ１を用いて、ＡＥＳ法（オージェ電子分光法）により、PE-CVD TMS SiO2膜４２ａ中の炭素及び窒素の濃度を測定した。
【００６０】
それによれば、炭素の濃度は１．０atoms％であり、窒素の濃度は２．１atoms％であった。
【００６１】
（iii）膜密度
試料Ｓ１を用いて、良く知られたＸ線干渉法、及び重量測定法により、PE-CVD TMS SiO2膜４２ａの膜密度を調査した。
【００６２】
比較のため、PE-CVD TMS SiO2膜４２ａの代わりに、熱酸化膜（thermal-SiO2膜）と、PE-CVD TEOS SiO2膜５１ａを用いた比較試料ＣＳ１と、PE-CVD SiH4 SiO2膜５２ａを用いた比較試料ＣＳ２とにより同様な調査を行なった。
【００６３】
図４に示すように、PE-CVD TMS SiO2膜４２ａは２．３３と他の絶縁膜と比べて膜密度が高く、緻密であることが分かった。
【００６４】
（iv）膜中水分含有量
試料Ｓ１を用いて、ＴＤＳ法（Thermal Desorption Mass Spectroscopy：昇温離脱質量分析法）により成膜直後と大気中２週間経過後の膜中の水分含有量を測定した。ＴＤＳ法とは、試料を加熱してそこから出てくる分子を測定する方法である。比較のため、PE-CVD TMS SiO2膜４２ａの代わりに、PE-CVD TEOS SiO2膜５１ａを用いた比較試料ＣＳ１により同様な調査を行なった。
【００６５】
調査方法は、ＴＤＳ分析装置で、室温から８００℃まで加熱し、試料からの水分量を定量化することにより行なった。
【００６６】
図５は、その結果を示すグラフである。図５において、縦軸は線形目盛りで表した水分量（ｗｔ％）を示し、横軸は線形目盛りで表した温度（℃）を示す。
【００６７】
成膜直後の測定では、室温から８００℃まで昇温したときの水分量はPE-CVD TMS SiO2膜４２ａで０．１１ｗｔ％であるのに対して、PE-CVD TEOS SiO2膜５１ａでは０．４９ｗｔ％であった。さらに、PE-CVD TMS SiO2膜４２ａでは２週間後の測定でも、＋０．２乃至０．３の増加にとどまり、あまり変化がなかった。
【００６８】
以上のように、PE-CVD TMS SiO2膜４２ａはPE-CVD TEOS SiO2膜５１ａに比較して構造水（成膜直後に成膜ガス及び膜構造に起因して膜中に含まれる水分）、物理吸着水（物理的に吸着及び吸収した外来の水分）ともに少ないことが分かった。
（ｖ）ＦＴ−ＩＲの吸収強度
次に、上記試料Ｓ１について、ＦＴ−ＩＲ分析法により赤外線の吸収強度を調査した結果を図６に示す。上記比較試料ＣＳ１、ＣＳ２について、同様に調査した結果を図７に示す。
【００６９】
図６の縦軸は線形目盛りで表した吸収強度（任意単位）を示し、横軸は線形目盛りで表した波数（ｃｍ-1）を表す。図７も同様である。
【００７０】
図６に示すように、波数２２７０乃至２３５０ｃｍ-1の範囲に中心波数を有する赤外線吸収強度のピークが確認された。一方、比較試料ＣＳ１、ＣＳ２では、図７に示すようにそのようなそのピークは観察されなかった。
【００７１】
（vi）耐水性
図２（ｂ）に示す試料Ｓ２、Ｓ３を用いて、加圧加湿試験（プレッシャークッカーテスト）により、PE-CVD TMS SiO2膜４２ｂの耐水性を調査した。比較のため、PE-CVD TMS SiO2膜４２ｂの代わりに、PE-CVD TEOS SiO2膜５１ｂを用いた比較試料ＣＳ３と、同じくPE-CVD SiN膜５３を用いた比較試料ＣＳ５とにより同様な調査を行なった。
【００７２】
加圧加湿試験の条件は以下の通りである。放置時間をパラメータにとっている。
【００７３】
温度：１２１℃
圧力：２．０ａｔｍ
湿度：１００％Ｒ．Ｔ．（Room Temperature）
耐水性の評価は、加圧加湿試験後に調査用絶縁膜中に含まれるＰ＝Ｏ結合の量を評価することにより行なった。ＢＰＳＧ膜４３中に含まれるＰ＝Ｏ結合の量を評価するため、ＦＴＩＲ分析法（Fourier Transform Infra Red分析法）によりＰ＝Ｏの吸収係数を測定した。ＢＰＳＧ膜４３中に水分が侵入することで膜中のＰ＝Ｏの結合が反応して壊れるが、ＢＰＳＧ膜４３をカバーするPE-CVD TMS SiO2膜４２ｂの耐水性が高ければ、水分を通さずＢＰＳＧ膜４３中のＰ＝Ｏの結合が壊れることがない。従って、Ｐ＝Ｏ吸収係数の経時変化が小さいほど耐水性が高いといえる。
【００７４】
図８は、加圧加湿試験時間に対する試験後の絶縁膜中のリン含有量の経時変化を示すグラフである。縦軸は線型目盛りで表したＰ＝Ｏ吸収係数（任意単位）を示し、横軸は線型目盛りで表した放置時間（Ｈ（hour））を示す。
【００７５】
図８に示す結果より、PE-CVD TMS SiO2膜４２ｂは膜厚の厚薄にかかわりなく、試料Ｓ２、Ｓ３ともに、比較試料ＣＳ５のPE-CVD SiN膜５３と同じように、１５０時間程度放置しても初期のＰ＝Ｏ吸収係数に比べてほとんど変化がない。即ち、PE-CVD TMS SiO2膜４２ｂはPE-CVD SiN膜５３と同等な耐水性を有することが分かった。
【００７６】
また、調査用試料Ｓ３及び比較試料ＣＳ３、ＣＳ４を用いて、別の加圧加湿試験（プレッシャークッカーテスト）により、耐水性を調査した。
【００７７】
加圧加湿試験の条件は上記と同じである。
【００７８】
結果を図９に示す。図９の縦軸は線形目盛りで表した耐水性（％）を示し、横軸は線形目盛りで表した放置時間（Ｈ（hour））を示す。試料Ｓ３、比較試料ＣＳ３、ＣＳ４をパラメータにとっている。
【００７９】
耐水性の評価は、上記と同じく、加圧加湿試験後に調査用絶縁膜中に含まれるＰ＝Ｏ結合の量を評価することにより行なった。図９における耐水性とは、放置前のＰ＝Ｏ吸収係数を１００とし、これを基準として加圧加湿試験後におけるＰ＝Ｏ吸収係数を算出したものである。
【００８０】
図９に示すように、試料Ｓ３は比較試料ＣＳ３、ＣＳ４を上回る９７．４％（１００ｈｒ）の耐水性を有することが分かった。
【００８１】
（vii）膜のリーク電流
図３のような調査用試料Ｓ１Ａを作成した。即ち、試料Ｓ１において、この発明に係る膜厚（ｔ）２００ｎｍのPE-CVD TMS SiO2膜４２ａの上に電極４５を形成した。
【００８２】
シリコン基板４１と電極４５との間に電圧を印加し、シリコン基板４１と電極４５との間に流れるリーク電流を測定した。シリコン基板４１を接地するとともに、電極４５に負の電圧を印加する。
【００８３】
その結果によれば、PE-CVD TMS SiO2膜４２ａ単体のリーク電流は５ＭＶ／ｃｍの電界強度で、１０-8Ａ／ｃｍ2台であり、ブレークダウン電圧は電界に換算して約１０ＭＶ／ｃｍであった。
【００８４】
（viii）膜の密着性
試料Ｓ４、Ｓ５を用いて、この発明に係るPE-CVD TMS SiO2膜４２ｃと、下地の低誘電率絶縁膜４４ａ，４４ｂとの密着性について調査した。また、成膜前の表面処理を行なった試料と同処理を行なわなかった試料を作成して同様な調査を行なった。成膜前の表面処理とは、Ｎ2，ＮＨ3，Ｈ2などのプラズマを用いて処理膜の表面を改質する処理である。
【００８５】
また、比較のため、PE-CVD TMS SiO2膜４２ｃの代わりにPE-CVD TEOS SiO2膜５１ｃを用い、かつ低誘電率絶縁膜として無機塗布絶縁膜４４ａ（比較試料ＣＳ６）、及び有機塗布絶縁膜４４ｂ（比較試料ＣＳ７）を用いて同様な調査を行なった。
【００８６】
膜の密着性を調査するための試験として、試料面の数ｃｍ×数ｃｍにわたって格子状に傷を入れ、テープによる剥離試験、及びＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）によるウエハ前面での剥離試験を行なった。
【００８７】
この結果を図１０に示す。図１０に示すように、PE-CVD TMS SiO2膜４２ｃでは、成膜前の表面処理の有無にかかわらず、無機塗布絶縁膜４４ａ、及び有機塗布絶縁膜４４ｂとの密着性は良好だった。一方、PE-CVD TEOS SiO2膜５１ｃでは、全体的に密着性の程度はPE-CVD TMS SiO2膜４２ｃよりも劣る。そして、成膜前の表面処理の有無で差が出ており、表面処理を行なった試料が同処理を行なわなかった試料に比べて密着性が高かった。
【００８８】
（ix）ヒートサイクルによる不良発生率
試料Ｓ６及び比較試料ＣＳ８、ＣＳ９について、ヒートサイクルによる不良発生率について調査した。各試料はパッケージに封入した。ヒートサイクルの試験条件は以下の通りである。サイクル数をパラメータにとっている。
【００８９】
高い温度（保持時間）：１５０℃（２０分間）
低い温度（保持時間）：−５５℃（２０分間）
サイクル数：１００、２００、３００、５００Ｃ（Ｃ：Ｃｙｃｌｅ）
膜剥がれや膜のクラックが生じたものを不良とした。結果を図１１に示す。図１１の縦軸は線形目盛りで表した不良発生率（％）を示し、横軸は試料の種類を示す。試料の種類は、左側から上記説明した試料Ｓ６、比較試料ＣＳ８、ＣＳ９の順となっている。棒グラフの区分領域は特定のサイクル数での不良率を示し、横線で表した区分領域は１００Ｃでの不良率を示し、縦線で表した区分領域は２００Ｃでの不良率を示し、斜線で表した区分領域は３００Ｃでの不良率を示し、白抜きの区分領域は５００Ｃでの不良率を示す。
【００９０】
図１１に示すように、下部保護層及び上部保護層ともにこの発明のシリコン酸化膜を用いた試料Ｓ６では、３００Ｃ以上で不良が発生するが、３００Ｃ及び５００Ｃでの不良発生率を合わせても２乃至３％程度である。下部保護層及び上部保護層のうち下部保護層のみがこの発明のシリコン酸化膜４２ｄである比較試料ＣＳ８の場合、１００Ｃから５００Ｃまでほぼ均等に不良が発生しており、不良発生率は合わせて約２５％程度であった。下部保護層及び上部保護層ともにこの発明のシリコン酸化膜４２ｄ、４２ｅを用いない比較試料ＣＳ９の場合、１００Ｃから５００Ｃまで不良が発生し、特に３００Ｃ及び５００Ｃでの不良発生率が高くなっており、不良発生率は合わせて約５３％であった。
【００９１】
（ｘ）銅（Ｃｕ）に対するバリア性調査
（ａ）ＴＤＤＢ（Time Dependent Dielectric Break Down）試験
ＴＤＤＢ試験は、試料に電圧を印加して絶縁破壊に至るまでの時間を計測する試験である。
【００９２】
調査用試料は、Ｓｉ基板上に、この発明に係るPE-CVD TMS SiO2膜とＣｕ膜とを順に積層することにより作成した。比較のため、PE-CVD TMS SiO2膜の代わりにPE-CVD TEOS SiO2膜を用いた試料、及びＣｕ膜とPE-CVD TEOS SiO2膜との間にＴｉＮ膜を介在させた試料についても同様な調査を行なった。
【００９３】
調査結果によれば、電界強度８ＭＶ／ｃｍにおいて、１０×１０5秒のブレークダウンライフタイムが得られた。
【００９４】
一方、PE-CVD TEOS SiO2膜を用いた試料では、１０×１０5秒台のブレークダウンライフタイムが得られるのは、電界強度５ＭＶ／ｃｍであった。このことは、PE-CVD TMS SiO2膜を用いた試料の方がPE-CVD TEOS SiO2膜を用いた試料に比べてブレークダウンライフタイムは６桁程度長いことを表している。
【００９５】
Ｃｕ膜とPE-CVD TEOS SiO2膜との間にＴｉＮ膜を介在させた試料では、１０×１０5秒台のブレークダウンライフタイムが得られるのは、電界強度７．５ＭＶ／ｃｍであった。
【００９６】
以上より、PE-CVD TMS SiO2膜を用いた試料はPE-CVD TEOS SiO2膜を用いた試料に比べて６桁程度長いブレークダウンライフタイムを有し、ＴｉＮ膜と同等以上のＣｕに対するバリア性を有するといえる。
【００９７】
（ｂ）耐熱性調査
調査用試料は、図１２に示すように、不図示のＳｉ基板上に、この発明に係る膜厚１２５ｎｍのPE-CVD TMS SiO2膜とＣｕ膜とを隣接して積層することにより作成した。
【００９８】
調査は、成膜直後の状態（図１２中、点線で示す。）を基準にして温度４７０℃で所定時間（１時間（二点鎖線）、７時間（実線）、１５時間（一点鎖線）の３種類）処理した後のPE-CVD TMS SiO2膜中のＣｕの分布状態を測定することにより行なった。
【００９９】
図１２は調査結果を示すグラフである。図１２において、左側の縦軸は対数目盛りで表したＣｕ濃度及びＳｉ濃度（ｃｍ-3）を示す。横軸は線形目盛りで表したPE-CVD TMS SiO2膜の片面からＣｕ膜の側に向かって測った深さ（ｎｍ）を示す。
【０１００】
図１２に示すように、成膜直後の分布とほとんど変化がなかった。即ち、PE-CVD TMS SiO2膜はＣｕに対して十分なバリア性を有することが分かった。
【０１０１】
なお、上記では、成膜ガス中のシリコン含有ガスとして、Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物（ＴＭＳ）を用いているが、Ｓｉ−Ｈ結合を有するシロキサンを用いることができる。
【０１０２】
また、酸素含有ガスとしてＮ2Ｏを用いているが、他に酸素（Ｏ2）、二酸化窒素（ＮＯ2）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ2）、又は水（Ｈ2Ｏ）のうちの何れか一を用いることができる。
【０１０３】
また、上記の成膜ガスに水素（Ｈ2）、又は窒素（Ｎ2）の少なくとも何れか一を添加することにより、緻密性を更に高めることができる。
【０１０４】
（第３の実施の形態）
次に、図１３（ａ），（ｂ）を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する。
【０１０５】
図１３（ｂ）は、第３の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【０１０６】
図１３（ｂ）に示すように、下地基板２１上に下地絶縁膜２２と配線２３が形成された被成膜基板２０ａ上に、配線２３を被覆してこの発明に係るシリコン酸化膜（シリコン含有絶縁膜）２４が形成されている。この発明に係るシリコン酸化膜２４では、赤外線の吸収強度のピークが波数２２７０乃至２３５０ｃｍ-1の範囲にあり、膜密度が２．２５乃至２．４０ｇ／ｃｍ3の範囲に有り、かつ比誘電率が３．３乃至４．３の範囲にある。
【０１０７】
なお、下地基板２１としてシリコン基板やシリコン基板に配線や絶縁膜が形成されたものを用いることができ、配線２３の材料としてアルミニウムや銅などの導電材料を用いることができる。
【０１０８】
このように、この発明に係るシリコン酸化膜２４をアルミニウムや銅などの導電材料からなる配線２３を被覆する絶縁膜として用いることができる。
【０１０９】
以上、第３の実施の形態の半導体装置によれば、この発明に係るシリコン含有絶縁膜２４は配線２３と接するように配線２３を被覆して形成されている。
【０１１０】
上記のシリコン含有絶縁膜２４は緻密で、耐水性に優れ、膜中の水分含有量が少ないというシリコン窒化膜と同等な性質を有し、かつシリコン窒化膜に比較して比誘電率が小さい。従って、配線２３等を被覆する保護層２４としてこの発明が適用されるシリコン含有絶縁膜を用いることにより、配線２３間の寄生容量を低減しつつ、外来の水分の浸入を防いで配線２３の腐食を防止することができる。
【０１１１】
図１３（ａ），（ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。この発明が適用されるPE-CVD TMS SiO2膜の成膜ガスとしてＴＭＳ＋Ｎ2Ｏを用いている。
【０１１２】
まず、図１３（ａ）に示すように、シリコン基板（下地基板）２１上に、成膜ガスとしてＴＭＳ＋Ｎ2Ｏを用いたプラズマＣＶＤ法によりPE-CVD TMS SiO2膜からなる下地絶縁膜２２を形成する。
【０１１３】
PE-CVD TMS SiO2膜を形成するには、まず、シリコン基板２１を成膜装置１０１のチャンバ１内に導入し、下部電極３に保持する。続いて、シリコン基板２１を加熱し、温度３５０℃に保持する。ＴＭＳを流量１００sccmで、Ｎ2Ｏガスを流量３０００sccmで、図１に示すプラズマ成膜装置１０１のチャンバ１内に導入し、圧力を０．７Torrに保持する。次いで、下部電極３に周波数３８０ＫＨｚの電力０．３Ｗ／ｃｍ2を印加し、上部電極２にも周波数1３．５６ＭＨｚの電力０．３Ｗ／ｃｍ2を印加する。
【０１１４】
これにより、ＴＭＳとＮ2Ｏがプラズマ化する。この状態を所定時間保持して、膜厚約２００ｎｍのPE-CVD TMS SiO2膜２２を形成する。調査によれば、成膜されたPE-CVD TMS SiO2膜２２は、周波数１ＭＨｚで測定した比誘電率が凡そ３．９であり、電界強度５ＭＶ／ｃｍのときリーク電流が１０-8Ａ／ｃｍ2であった。
【０１１５】
次いで、下地絶縁膜２２上に配線（下部配線）２３を形成した後、図１３（ｂ）に示すように、上記PE-CVD TMS SiO2膜２２を形成したときと同じプラズマＣＶＤ法により、膜厚約５００ｎｍのPE-CVD TMS SiO2膜２４を形成する。
【０１１６】
以上のように、この発明の第３の実施の形態の製造方法によれば、配線２３を形成する前にシリコン基板２２上にPE-CVD TMS SiO2膜からなる下地絶縁膜２２を形成している。PE-CVD TMS SiO2膜は緻密で、耐水性が良く、膜中の水分含有量が少ない。従って、下地絶縁膜２２中の水分や外来の水分がシリコン基板２１に到達するのを防止することができる。
【０１１７】
また、配線２３とシリコン基板２１の間のリーク電流を抑制することができるので、シリコン基板２１にトランジスタや記憶素子のキャパシタンス等が形成されているような場合、それらがPE-CVD TMS SiO2膜により被覆されることになり、そのため、蓄積電荷の流出を防止することができ、素子の信頼性を向上させることができる。
【０１１８】
また、配線２３を被覆してPE-CVD TMS SiO2膜２４を形成しているので、膜２４中の水分や外来の水分に起因する配線２３の腐食を防止することができる。
【０１１９】
さらに、PE-CVD TMS SiO2膜２４はシリコン窒化膜に比較して比誘電率が低く、リーク電流が小さいので、複数の配線を隣接して配置したり、多層配線を形成するような場合、配線間のリーク電流を抑制し、配線間の寄生容量を小さくすることができる。
（第４の実施の形態）
次に、図１４（ａ）乃至図１４（ｃ）を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する。
【０１２０】
図１４（ｃ）は、第４の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【０１２１】
図１４（ｃ）に示すように、配線２３を被覆して多孔質絶縁膜やＳｉＯＦ膜等の低誘電率の絶縁膜２５が形成され、さらに絶縁膜２５上にこの発明のシリコン酸化膜（シリコン含有絶縁膜）からなる保護層２６が形成されている。
【０１２２】
この発明のシリコン酸化膜２６は、赤外線の吸収強度のピークが波数２２７０乃至２３５０ｃｍ-1の範囲にあり、膜密度が２．２５乃至２．４０ｇ／ｃｍ3の範囲に有り、かつ比誘電率が３．３乃至４．３の範囲にある。
【０１２３】
上記の特性を有するシリコン酸化膜２６は比誘電率が小さく、かつ緻密で、耐水性に優れ、膜中の水分含有量が少ないというシリコン窒化膜と同等な性質を有する。従って、配線２３等を被覆する保護層２６としてこの発明が適用されるシリコン含有絶縁膜を用いることにより、配線２３間の寄生容量を低減しつつ、外来の水分の浸入を防いで配線２３の腐食を防止することができる。
【０１２４】
特に、配線２３を被覆する絶縁膜２５として吸湿性の高い多孔質絶縁膜を用いた場合、多孔質絶縁膜中への水分の到来を防止し、吸湿による誘電率の増加を防止することができる。
【０１２５】
図１４（ａ）乃至図１４（ｃ）は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。成膜ガスとしてＴＭＳ＋Ｎ2Ｏを用いている。
【０１２６】
まず、第３の実施の形態と同様にして、図１４（ａ）に示すように、シリコン基板２１上に、成膜ガスとしてＴＭＳ＋Ｎ2Ｏを用いたプラズマＣＶＤ法によりPE-CVD TMS SiO2膜からなる下地絶縁膜２２を形成する。成膜されたPE-CVD TMS SiO2膜２２は、周波数１ＭＨｚで測定した比誘電率が凡そ３．９であり、電界強度５ＭＶ／ｃｍのときリーク電流が１０-8Ａ／ｃｍ2であった。
【０１２７】
次いで、下地絶縁膜２２上に配線（下部配線）２３を形成した後、図１４（ｂ）に示すように、良く知られた方法により、低誘電率を有する膜厚約５００ｎｍの多孔質絶縁膜２５を形成する。以上が被成膜基板２０ｂを構成する。
【０１２８】
次いで、図１４（ｃ）に示すように、上記PE-CVD TMS SiO2膜２２を形成したときと同じプラズマＣＶＤ法により、膜厚約２００ｎｍのPE-CVD TMS SiO2膜からなる保護膜２６を形成する。
【０１２９】
以上のように、この第４の実施の形態によれば、配線２３を被覆する多孔質絶縁膜２５上にPE-CVD TMS SiO2膜からなる保護膜２６を形成している。PE-CVD TMS SiO2膜は緻密で、耐水性が良く、膜中の水分含有量が少ない。
【０１３０】
従って、外来の水分が配線２３に到達するのを防止することができる。また、多孔質絶縁膜２５を含む層間絶縁膜全体のリーク電流を抑制することができる。（第５の実施の形態）
次に、図１５（ａ）乃至（ｄ）、及び図１６（ａ）、（ｂ）を参照して、本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する。
【０１３１】
図１６（ｂ）は、本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。
その半導体装置においては、図１６（ｂ）に示すように、下地基板３１上に下地絶縁膜３２が形成され、その上に下部配線３３が形成されている。更に、下部配線３３と接するように下部配線３３を被覆して層間絶縁膜が形成されている。下地基板３１は図１３（ｂ）の下地基板２１と同じものを用いることができる。
層間絶縁膜は、下層から順にこの発明に係るシリコン含有絶縁膜からなる下部保護層３４と、主たる絶縁膜３５と、この発明に係るシリコン含有絶縁膜からなる上部保護層３６とが積層されてなる。この発明に係るシリコン含有絶縁膜では、赤外線の吸収強度のピークが波数２２７０乃至２３５０ｃｍ-1の範囲にあり、膜密度が２．２５乃至２．４０ｇ／ｃｍ3の範囲に有り、かつ比誘電率が３．３乃至４．３の範囲にある。
なお、主たる絶縁膜３５として低誘電率を有する絶縁膜である多孔質絶縁膜やＳｉＯＦ膜を用いることができる。
また、下部配線３３上方の層間絶縁膜にビアホール３７が形成されている。このビアホール３７を通して、下部配線３３と上部配線３８とが接続されている。
【０１３２】
以上のように、この第５の実施の形態によれば、下部配線３３を被覆してPE-CVD TMS SiO2膜からなる下部保護層３４を形成しているので、下部保護層３４中の水分や外来の水分に起因する下部配線３３の腐食を防止することができる。
【０１３３】
さらに、主たる絶縁膜３５を挟んでPE-CVD TMS SiO2膜からなる上下部保護層３４、３６が形成されている。
【０１３４】
主たる絶縁膜３５がＳｉＯＦ膜である場合、上下部保護層３４、３６の外側周辺部へのフッ素（Ｆ）元素の拡散を防止することができる。
【０１３５】
或いは、主たる絶縁膜３５が多孔質絶縁膜である場合、吸湿性が高く、吸湿により誘電率が変動し易いが、その主たる絶縁膜３５を上下部保護層３４、３６で挟むことにより、外来の水分が主たる絶縁膜３５まで浸透するのを抑制し、層間絶縁膜の誘電率を低く安定化させることができる。また、多孔質絶縁膜３５を含む層間絶縁膜全体のリーク電流を抑制することができる。
【０１３６】
さらに、PE-CVD TMS SiO2膜３４、３６はシリコン窒化膜に比較して比誘電率が低く、リーク電流が小さいので、複数の配線を隣接して配置したり、多層配線を形成するような場合、配線間のリーク電流を抑制し、配線間の寄生容量を小さくすることができる。
【０１３７】
なお、下地基板３１上の下地絶縁膜３２をこの発明に係るPE-CVD TMS SiO2膜で形成することにより、下地絶縁膜３２中の水分や外来の水分が基板３１に到達するのを防止することができる。また、下地基板３１としてシリコン基板を用いた場合、下部配線３３と基板３１の間のリーク電流を抑制することができる。従って、シリコン基板にトランジスタや記憶素子のキャパシタンス等が形成されているような場合、それらがPE-CVD TMS SiO2膜により被覆されることになる。これにより、蓄積電荷の流出を防止することができ、素子の信頼性を向上させることができる。
【０１３８】
図１５（ａ）乃至（ｄ）、及び図１６（ａ）、（ｂ）は、本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。この場合も第３の実施の形態と同様に成膜ガスとしてＴＭＳ＋Ｎ2Ｏを用いる。
【０１３９】
図１５（ａ）は、配線を形成した後の状態を示す断面図である。図中、符号３１はシリコン基板（下地基板）、３２は下地絶縁膜、３３は配線（下部配線）である。なお、配線３３が銅配線の場合には、図示していないが、下地絶縁膜３２と配線（下部配線）３３の間には下層から下地絶縁膜２２に対する銅のバリアとしてのＴａＮ膜と、スパッタにより形成されたＣｕ膜とが形成されている。これらが被成膜基板２０ｃを構成する。
【０１４０】
このような状態で、図１５（ｂ）に示すように、ＴＭＳ＋Ｎ2Ｏを用いたプラズマＣＶＤ法により配線３３上に膜厚約５０ｎｍのPE-CVD TMS SiO2膜からなるバリア絶縁膜（下部保護層）３４を形成する。
【０１４１】
バリア絶縁膜３４は、第３の実施の形態の下地絶縁膜２２と同じ製造方法により成膜する。ここでは、同じ成膜条件であるので、その説明を省略する。調査によれば、成膜されたバリア絶縁膜３４は、周波数１ＭＨｚで測定した比誘電率が凡そ３．９であり、電界強度５ＭＶ／ｃｍのときリーク電流が１０-8Ａ／ｃｍ2であった。
【０１４２】
次に、図１５（ｃ）に示すように、よく知られたプラズマＣＶＤ法により、低誘電率を有する膜厚約５００ｎｍの多孔質絶縁膜３５を形成する。多孔質絶縁膜の形成方法として、例えば、減圧熱ＣＶＤ法による成膜とプラズマＣＶＤ法による成膜を繰り返して多層の絶縁膜を形成する方法、有機膜とＳｉＯ2膜とを交互に積層した後、酸素プラズマによりアッシングして有機物を除去する方法等がある。
【０１４３】
続いて、図１５（ｄ）に示すように、アッシングやエッチングにおける多孔質絶縁膜３５の保護膜（上部保護層）３６である、薄くて緻密性の高いＮＳＧ膜（不純物を含まないシリコン酸化膜）を形成する。保護膜３６がない場合、フォトレジスト膜をアッシングする際、或いは多孔質シリコン含有絶縁膜３５の下のバリア絶縁膜３４をエッチングする際に処理ガスにより多孔質絶縁膜３５が変質し、低誘電率特性が劣化する恐れがある。なお、場合により、保護膜３６を省略してもよい。
【０１４４】
次いで、図１６（ａ）に示すように、不図示のフォトレジスト膜を形成した後、パターニングし、ビアホールを形成すべき領域にフォトレジスト膜の開口部を形成する。続いて、ＣＦ4＋ＣＨＦ3を含む混合ガスをプラズマ化したものを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりフォトレジスト膜の開口部を通してまず保護膜３６をエッチングし、除去する。続いて、保護膜３６のエッチングに用いたガスと組成比を変えたＣＦ4＋ＣＨＦ3を含む混合ガスにより多孔質絶縁膜３５をエッチングし、除去する。これにより、開口部が形成されてバリア絶縁膜３４が表出する。その後、フォトレジスト膜をアッシングする。このとき、上記多孔質絶縁膜３５のエッチングガス及びフォトレジスト膜のアッシングガスに対してバリア絶縁膜３４はエッチング耐性を有する。従って、配線３３がエッチングガス等による悪影響を受けない。ＣＦ4＋ＣＨＦ3を含む混合ガスは、ＣＦ4＋ＣＨＦ3のほかにＡｒ＋Ｏ2等を加えて濃度調整を行ってもよい。
【０１４５】
次に、上記保護膜３６のエッチングに用いたガスと同じ組成比を有するＣＦ4＋ＣＨＦ3を含む混合ガスをプラズマ化したものを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、保護膜３６の開口部及び多孔質絶縁膜３５の開口部を通してバリア絶縁膜３４をエッチングし、除去する。これにより、ビアホール３７が形成されてその底部に下部配線３３が表出する。このとき、上記バリア絶縁膜３４のエッチングガスに対して下部配線３３はエッチング耐性を有する。従って、下部配線３３がエッチングガスによる悪影響を受けない。なお、下部配線３３の表面は酸化されるが、レジスト膜のアッシング工程を経てバリア膜のエッチング工程の後に還元性ガス、例えばＮＨ3や、アルゴン、窒素等の不活性ガスで希釈した水素のプラズマに曝して除去する。
【０１４６】
次いで、図１６（ｂ）に示すように、ビアホール３７内に導電膜を埋め込む。次いで、導電膜を通して下部配線３３と接続するように銅又はアルミニウムからなる上部配線３８を形成する。上部配線３８が銅配線の場合には、ビアホール３７内に導電膜、例えば窒化タンタル（ＴａＮ）等のバリア金属膜とスパッタ法により形成した銅膜とからなる下地導電膜を敷き、この上に導電膜を埋め込むことになる。
【０１４７】
以上により、保護膜３６、多孔質絶縁膜３５及びバリア絶縁膜３４のビアホール３７を通して下部配線３３と接続する上部配線３８の形成が完了する。
【０１４８】
以上のように、第５の実施の形態によれば、この発明が適用されるPE-CVD TMS SiO2膜からなるバリア絶縁膜３４により下部配線３３が被覆されている。
【０１４９】
ところで、この発明が適用されるPE-CVD TMS SiO2膜は、第２の実施の形態の調査結果に示すように、緻密で、耐水性に優れ、膜中の水分含有量が少ないというシリコン窒化膜と同等な性質を有する。従って、外来の水分の浸入を防止して下部配線３３が腐食するのを防止することができる。
【０１５０】
さらに、下地絶縁膜３２もこの発明が適用されるPE-CVD TMS SiO2膜とすることによって下部配線３３はPE-CVD TMS SiO2膜によって周辺がすべて保護されるので、下部配線３３のすべての周辺部からの水分の浸透を防止して下部配線３３が腐食するのをより一層防止することができる。
【０１５１】
また、低誘電率を有する多孔質絶縁膜３５がPE-CVD TMS SiO2膜からなるバリア絶縁膜３４と同じくPE-CVD TMS SiO2膜からなる保護膜３６とによって上下面を保護されている。従って、多孔質絶縁膜３５中に外来の水分が侵入するのを防止することができ、このため、多孔質絶縁膜３５の、水分の含有に起因する比誘電率の変動を抑制することができる。
【０１５２】
さらに、当初から多孔質絶縁膜３５中に水分が含まれていた場合、その水分が周辺部に流出するのを防止することができ、このため、下部配線３３等が腐食するのを防止することができる。
【０１５３】
さらに、PE-CVD TMS SiO2膜は、緻密性という点でシリコン窒化膜と同等な性質を有するが、シリコン窒化膜と大きく異なり、比誘電率が小さいという性質を有する。従って、層間絶縁膜として用いても、より小さい比誘電率を維持することができる。特に、多孔質絶縁膜３５の上下面を保護するバリア絶縁膜及び保護膜として用いることにより、これらをすべて含む層間絶縁膜全体としてより小さい比誘電率を維持することができる。
【０１５４】
なお、上記第５の実施の形態では、下地絶縁膜３２としてはシリコン基板３１を酸素を含む雰囲気中で加熱して酸化し、形成した熱酸化膜や有機シリコン含有ガスを用いてＣＶＤ法により形成したＮＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜（Boro-Phospho-Silicate Glass膜）等を用いることができるが、この発明が適用されるプラズマＣＶＤ法により成膜したPE-CVD TMS SiO2膜を用いてもよい。
【０１５５】
（第６の実施の形態）
次に、図１７（ａ）乃至（ｃ）を参照して、本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。
【０１５６】
図１７（ｃ）は、本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【０１５７】
この半導体装置において、第５の実施の形態と異なるところは、ビアホール３７内の側壁がこの発明が適用されるPE-CVD TMS SiO2膜３９ａによって覆われており、ビアホール３７内に多孔質絶縁膜３５が露出していない点である。
【０１５８】
このように、図１６（ｂ）の半導体装置にPE-CVD TMS SiO2膜からなる側壁保護層３９ａを付加することにより、多孔質絶縁膜３５がこの発明に係るPE-CVD TMS SiO2膜により外部からほぼ完全に遮断されることになる。このため、水分の流入・流出に関し、第５の実施の形態で説明した効果を一層高めることができる。
【０１５９】
上記構造を実現するために、図１６（ａ）に示す工程の後に、図１７（ａ）に示すように、ビアホール３７を被覆するように、保護膜３６上にこの発明が適用されるPE-CVD TMS SiO2膜３９を形成する。続いて、図１７（ｂ）に示すように、PE-CVD TMS SiO2膜３９を異方性エッチングすることによりビアホール３７内の側壁にPE-CVD TMS SiO2膜３９ａを残すようにする。その後、図１７（ｃ）に示すように、導電膜を通して下部配線３３と接続するように銅又はアルミニウムからなる上部配線３８を形成する。
【０１６０】
以上、実施の形態によりこの発明を詳細に説明したが、この発明の範囲は上記実施の形態に具体的に示した例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の上記実施の形態の変更はこの発明の範囲に含まれる。
【０１６１】
例えば、上記ではPE-CVD TMS SiO2膜のみからなる下地絶縁膜２２又は３２をシリコン基板２１又は３１上に直接形成しているが、図１８（ａ）に示すように、下層から順にＢＰＳＧ膜や熱酸化膜６１とPE-CVD TMS SiO2膜６２とを積層した２層或いはそれ以上の多層構造で下地絶縁膜２２又は３２としてもよい。この場合、最上層にPE-CVD TMS SiO2膜を配置することが重要である。
また、図１８（ｂ）に示すように、下部配線３３と上部配線６５の間に単層の層間絶縁膜６３が形成されてもよい。この場合、層間絶縁膜６３をこの発明に係るシリコン含有絶縁膜で形成する。さらに、下部配線３３と上部配線６５は層間絶縁膜６３を貫通する開口部６４を通して接続されてもよい。
【０１６２】
更にまた、低周波電力供給源８の周波数は、上記の３８０ｋＨｚに限られず、１００ｋＨｚ乃至１ＭＨｚの周波数でも上記と同様の効果が得られる。そして、高周波電力供給源７の周波数も、上記の１３．５６ＭＨｚに限られず、１ＭＨｚの周波数でも上記と同様の効果が得られる。
【０１６３】
以下に、本発明の特徴を付記する。
【０１６４】
（付記１）  Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物、又はＳｉ−Ｈ結合を有するシロキサンと、Ｏ2、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、ＣＯ、ＣＯ2、又はＨ2Ｏのうち何れか一の酸素含有ガスとからなる成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、シリコン含有絶縁膜を形成することを特徴とする成膜方法。
【０１６５】
（付記２）  前記成膜ガスにＮ2又はＨ2のうち何れか一を添加することを特徴とする付記１記載の成膜方法。
【０１６６】
（付記３）  前記Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物は、トリメトキシシラン（ＴＭＳ：SiH(OCH3)3）であることを特徴とする付記１又は２記載の成膜方法。
【０１６７】
（付記４）  前記Ｓｉ−Ｈ結合を有するシロキサンは、テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ：(CH3)2HSi-O-SiH(CH3)2）であることを特徴とする付記１乃至３の何れか一に記載の成膜方法。
【０１６８】
（付記５）  プラズマ生成手段として平行平板型の電極を用い、かつ前記プラズマ化の際に、前記基板を保持する電極に周波数１００ｋＨｚ乃至１ＭＨｚの高周波電力を印加し、かつ前記基板を保持する電極に対向する電極に周波数１ＭＨｚ以上の高周波電力を印加することを特徴とする付記１乃至４の何れか一に記載の成膜方法。
【０１６９】
（付記６）  基板上に配線を形成する工程と、
付記１乃至５の何れか一に記載の成膜方法を用いて、前記配線を被覆するシリコン含有絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１７０】
（付記７）  前記配線を被覆するシリコン含有絶縁膜は保護層であることを特徴とする付記６記載の半導体装置の製造方法。
【０１７１】
（付記８）  前記配線を被覆する保護層を形成する工程の後に、
前記保護層上に該保護層よりも膜厚の厚い絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする付記７記載の半導体装置の製造方法。
【０１７２】
（付記９）  赤外線の吸収強度のピークが波数２２７０乃至２３５０ｃｍ-1の範囲にあり、膜密度が２．２５乃至２．４０ｇ／ｃｍ3の範囲に有り、かつ比誘電率が３．３乃至４．３の範囲にあるシリコン含有絶縁膜が基板上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【０１７３】
（付記１０）  前記基板の表面に配線を有し、
前記シリコン含有絶縁膜は前記配線と接するように該配線を被覆していることを特徴とする付記９記載の半導体装置。
【０１７４】
（付記１１）  前記基板の表面に配線と、前記配線と接するように該配線を被覆する絶縁膜とを有し、
前記絶縁膜上に前記シリコン含有絶縁膜からなる上部保護層が形成されていることを特徴とする付記９記載の半導体装置。
【０１７５】
（付記１２）  前記基板の表面に配線と、該配線と接するように前記配線を被覆する下部保護層と、該下部保護層と接するように該下部保護層上に積層された主たる絶縁膜と、該主たる絶縁膜と接するように該主たる絶縁膜上に積層された上部保護層とを有し、
前記下部保護層と上部保護層とは、ともに前記シリコン含有絶縁膜からなることを特徴とする付記９記載の半導体装置。
【０１７６】
（付記１３）  前記主たる絶縁膜は、ＳｉＯＦ膜、又は多孔質絶縁膜のうち何れか一であることを特徴とする付記１２記載の半導体装置。
【０１７７】
（付記１４）  前記基板上に上部配線及び下部配線と、該上下部配線の間に介在する層間絶縁膜とを有し、
前記層間絶縁膜は前記シリコン含有絶縁膜からなることを特徴とする付記９記載の半導体装置。
【０１７８】
（付記１５）  前記上下部配線は前記層間絶縁膜の開口部を介して接続され、前記開口部の側壁に前記シリコン含有絶縁膜からなる側壁保護層を有することを特徴とする付記１４記載の半導体装置。
【０１７９】
（付記１６）  前記基板上に上部配線及び下部配線と、該上下部配線の間に介在する層間絶縁膜とを有し、
前記層間絶縁膜は、前記下部配線と接するように該下部配線を被覆する下部保護層と、前記下部保護層と接するように該下部保護層上に積層された主たる絶縁膜と、前記主たる絶縁膜と接するように該主たる絶縁膜上に積層された上部保護層とから構成されてなり、
前記下部保護層と上部保護層とは、ともに前記シリコン含有絶縁膜からなることを特徴とする付記９記載の半導体装置。
【０１８０】
（付記１７）  前記主たる絶縁膜は、ＳｉＯＦ膜又は多孔質絶縁膜の何れか一であることを特徴とする付記１６記載の半導体装置。
【０１８１】
（付記１８）  前記上下部配線は前記層間絶縁膜の開口部を介して接続され、前記開口部の側壁に前記シリコン含有絶縁膜からなる側壁保護層を有することを特徴とする付記１６記載の半導体装置。
【図面の簡単な説明】
【０１８２】
【図１】本発明の第１の実施の形態である成膜方法に用いられるプラズマＣＶＤ成膜装置の構成を示す側面図である。
【図２】本発明の実施の形態である成膜方法により作成されたシリコン含有絶縁膜の特性調査に用いた試料及び比較試料の構成を示す断面図（その１）である。
【図３】本発明の実施の形態である成膜方法により作成されたシリコン含有絶縁膜の特性調査に用いた試料及び比較試料の構成を示す断面図（その２）である。
【図４】本発明の第２の実施の形態である成膜方法により作成されたシリコン含有絶縁膜の膜密度について、図２（ａ）に示す試料を用いて調査した結果を示す表である。
【図５】本発明の第２の実施の形態である成膜方法により作成されたシリコン含有絶縁膜中の水分含有量及び耐水性について、図２（ａ）に示す試料を用いて調査した結果を示すグラフである。
【図６】本発明の第２の実施の形態である成膜方法により作成されたシリコン含有絶縁膜の赤外線吸収強度を、図２（ａ）に示す試料を用いて調査した結果を示すグラフである。
【図７】図２（ａ）に示す比較試料を用いてシリコン含有絶縁膜の赤外線吸収強度を調査した結果を示すグラフである。
【図８】本発明の第２の実施の形態である成膜方法により作成されたシリコン含有絶縁膜の耐水性について、図２（ａ）に示す試料を用いて調査した結果を示すグラフである。
【図９】本発明の第２の実施の形態である成膜方法により作成されたシリコン含有絶縁膜の耐水性について、図２（ｂ）に示す試料を用いて調査した結果を示すグラフである。
【図１０】本発明の第２の実施の形態である成膜方法により作成されたシリコン含有絶縁膜の塗布絶縁膜に対する密着性について、図２（C）に示す試料を用いて調査した結果を示す表である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態である成膜方法により作成されたヒートサイクルによる不良発生率を、図２（ｄ）の試料を用いて調査した結果を示すグラフである。
【図１２】本発明の第２の実施の形態である成膜方法により作成されたシリコン含有絶縁膜の銅に対するバリア性について調査した結果を示すグラフである。
【図１３】本発明の第３の実施の形態である半導体装置の製造方法について示す断面図である。
【図１４】本発明の第４の実施の形態である半導体装置の製造方法について示す断面図である。
【図１５】本発明の第５の実施の形態である半導体装置の製造方法について示す断面図（その１）である。
【図１６】本発明の第５の実施の形態である半導体装置の製造方法について示す断面図（その２）である。
【図１７】本発明の第６の実施の形態である半導体装置の製造方法について示す断面図である。
【図１８】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造方法について示す断面図である。
【符号の説明】
【０１８３】
１・・・チャンバ、
２・・・上部電極（第１の電極）、
３・・・下部電極（第２の電極）、
４・・・排気配管、
５・・・開閉バルブ、
６・・・排気装置、
７・・・高周波電力供給電源（ＲＦ電源）、
８・・・低周波電力供給電源、
９ａ・・・配管、
９ｂ〜９ｆ・・・分岐配管、
１０ａ〜１０ｋ・・・開閉手段、
１１ａ〜１１ｅ・・・流量調整手段、
１２・・・ヒータ、
１３・・・第１のマッチングボックス、
１４・・・第２のマッチングボックス、
２０、２０ａ、２０b、２０c・・・被成膜基板、
２１、３１・・・下地基板、
２２、３２・・・下地絶縁膜、
２３・・・配線、
２４・・・シリコン酸化膜（シリコン含有絶縁膜）、
２５、３５・・・絶縁膜、
２６、３４・・・保護層、
３３、６５・・・下部配線、
３６・・・上部保護層、
３７・・・ビアホール、
３８・・・上部配線、
３９・・・PE-CVD TMS SiO2膜、
３９ａ・・・側壁保護層、
４１・・・シリコン基板、
４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄ、４２ｅ、５２ｃ、６２・・・PE-CVD TMS SiO2膜、
４３・・・ＢＰＳＧ膜、
４４ａ、４４ｃ・・・無機塗布絶縁膜、
４４ｂ・・・有機塗布絶縁膜、
４５・・・電極、
５１ａ、５１ｂ、５１ｄ、５１ｃ、５１ｄ、５１ｅ、６１ｃ・・・PE-CVD TEOS SiO2膜、
５２ａ、５２ｂ・・・PE-CVD SiH4 SiO2膜、
５３・・・PE-CVD SiN膜、
６１・・・熱酸化膜、
６３・・・層間絶縁膜、
６４・・・開口部、
１０１・・・プラズマ成膜装置、
１０１Ａ・・・成膜部、
１０１Ｂ・・・成膜ガス供給部。
【図１】
2004228599.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2004228599.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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