(57)【要約】【課題】データ書き込み電圧の低減を図り消費電力の低減に寄与し、データ書き込み時に誤放電を生じ難くして表示品質の向上を図り、隣接するアドレス電極の相互干渉（画素間の干渉）を抑制して画質の向上に寄与するプラズマ表示装置を提供すること。【解決手段】第１基板１１と、第１基板１１の内側に対向して配置され、間に密封された放電空間４を形成する第２基板２１と、第１基板１１の内側に形成され、相互間に放電ギャップを形成する少なくとも一対の放電維持電極１２と、放電維持電極１２に対して放電空間４を介して平面側から見て交差するように、前記第２基板の内側に形成される複数のアドレス電極２２と、アドレス電極２２の放電空間側表面を覆うアドレス電極用誘電体膜２３と、アドレス電極２２の相互間に位置して前記放電空間４を仕切るように、第２基板２１の内側に形成される隔壁２４と、を有するプラズマ表示装置である。隔壁２４の底部でアドレス電極用誘電体膜２３をアドレス電極２２毎に分離して接触するように隔壁２４が第２基板２１の内側に形成され、アドレス電極用誘電体膜２３の比誘電率が隔壁２４の比誘電率よりも高い。【選択図】　　　　図３
2004022472.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板の内側に対向して配置され、間に密封された放電空間を形成する第２基板と、
前記第１基板の内側に形成され、相互間に放電ギャップを形成する少なくとも一対の放電維持電極と、
前記放電維持電極に対して前記放電空間を介して平面側から見て交差するように、前記第２基板の内側に形成される複数のアドレス電極と、
前記アドレス電極の前記放電空間側表面を覆うアドレス電極用誘電体膜と、
前記アドレス電極の相互間に位置して前記放電空間を仕切るように、前記第２基板の内側に形成される隔壁と、を有するプラズマ表示装置であって、
前記隔壁の底部で前記アドレス電極用誘電体膜を前記アドレス電極毎に分離して接触するように前記隔壁が前記第２基板の内側に形成され、
前記アドレス電極用誘電体膜の比誘電率が前記隔壁の比誘電率よりも高いことを特徴とするプラズマ表示装置。
【請求項２】
前記隔壁の比誘電率（ε１）に対する前記アドレス電極用誘電体膜の比誘電率（ε２）の比（ε２／ε１）が、１．１〜３００である請求項１に記載のプラズマ表示装置。
【請求項３】
前記隔壁の比誘電率（ε１）に対する前記アドレス電極用誘電体膜の比誘電率（ε２）の比（ε２／ε１）が、１．４〜３．０である請求項２に記載のプラズマ表示装置。
【請求項４】
前記アドレス電極用誘電体膜が、二層以上の多層膜で構成され、前記多層膜を構成する隣接する各誘電体膜の比誘電率が、前記放電空間に近づくほど高く設定してある請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ表示装置。
【請求項５】
前記多層膜の一部を構成する第１誘電体膜の放電空間側に第２誘電体膜が積層してある場合に、前記第１誘電体膜の比誘電率（ε３）に対する前記第２誘電体膜の比誘電率（ε４）の比（ε４／ε３）が、１．４〜３．０である請求項４に記載のプラズマ表示装置。
【請求項６】
対を成す放電維持電極の内の一方のスキャン側放電維持電極に対して交差する前記アドレス電極の放電空間側表面を覆う前記アドレス電極用誘電体膜の比誘電率が、前記放電維持電極の内の他方のコモン側放電維持電極に対して交差する前記アドレス電極の放電空間側表面を覆う前記アドレス電極用誘電体膜の比誘電率に対して高いことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマ表示装置。
【請求項７】
第１基板と、
前記第１基板の内側に対向して配置され、間に密封された放電空間を形成する第２基板と、
前記第１基板の内側に形成され、相互間に放電ギャップを形成する少なくとも一対のスキャン側放電維持電極およびコモン側放電維持電極と、
前記放電維持電極に対して前記放電空間を介して平面側から見て交差するように、前記第２基板の内側に形成される複数のアドレス電極と、
前記アドレス電極の前記放電空間側表面を覆うアドレス電極用誘電体膜と、を有するプラズマ表示装置であって、
前記スキャン側放電維持電極に対して交差する前記アドレス電極の放電空間側表面を覆う前記アドレス電極用誘電体膜の比誘電率が、前記コモン側放電維持電極に対して交差する前記アドレス電極の放電空間側表面を覆う前記アドレス電極用誘電体膜の比誘電率に対して高いことを特徴とするプラズマ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ表示装置に係り、さらに詳しくは、データ書き込み電圧の低減を図り消費電力の低減に寄与し、データ書き込み時に誤放電を生じ難くして表示品質の向上を図り、隣接するアドレス電極の相互干渉（画素間の干渉）を抑制して画質の向上に寄与するプラズマ表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在主流の陰極線管（ＣＲＴ）に代わる画像表示装置として、平面型（フラットパネル形式）の表示装置が種々検討されている。このような平面型の表示装置として、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ：プラズマ・ディスプレイ）を例示することができる。中でも、プラズマ表示装置は、大画面化や広視野角化が比較的容易であること、温度、磁気、振動等の環境要因に対する耐性に優れること、長寿命であること等の長所を有し、家庭用の壁掛けテレビの他、公共用の大型情報端末機器への適用が期待されている。
【０００３】
プラズマ表示装置は、希ガスから成る放電ガスを放電空間内に封入した放電セルに電圧を印加して、放電ガス中でのグロー放電に基づき発生した紫外線で放電セル内の蛍光体層を励起することによって発光を得る表示装置である。つまり、個々の放電セルは蛍光灯に類似した原理で駆動され、放電セルが、通常、数十万個のオーダーで集合して１つの表示画面が構成されている。プラズマ表示装置は、放電セルへの電圧の印加方式によって直流駆動型（ＤＣ型）と交流駆動型（ＡＣ型）とに大別され、それぞれ一長一短を有する。
【０００４】
ＡＣ型プラズマ表示装置は、表示画面内で個々の放電セルを仕切る役割を果たす隔壁を、たとえばストライプ状に形成すればよいので、高精細化に適している。しかも、放電のための電極の表面が誘電体層で覆われているので、かかる電極が磨耗し難く、長寿命であるといった長所を有する。ＡＣ型プラズマ表示装置の一例として、たとえば特開平５−３０７９３５号公報、あるいは特開平９−１６０５２５号公報に示す３電極型プラズマ表示装置が例示される。
【０００５】
このような従来の３電極型プラズマ表示装置においては、一方の基板の内側に対となるスキャン側放電維持電極およびコモン側放電維持電極が形成され、他方の基板の内側に、これらの放電維持電極と略直交するようにアドレス電極が形成される。しかも、アドレス電極とコモン側放電維持電極との間の容量結合と、アドレス電極とスキャン側放電維持電極との間の容量結合とは同等であった。
【０００６】
３電極型プラズマ表示装置では、データの書き込み操作は、アドレス電極とスキャン側放電維持電極との間で行われる。前述のように、容量結合が同等である場合には、データの書き込み操作時に、アドレス電極とスキャン側放電維持電極とではなく、アドレス電極とコモン側放電維持電極との間で、誤放電が生じるおそれがある。誤放電が生じると、画像表示品質の低下を招くおそれがある。特に、放電ガスとして、キセノン（Ｘｅ）濃度が高いガスを用いる場合に、このような現象が生じやすい。最近では、高輝度且つ高コントラストの画質を得るために、キセノン（Ｘｅ）濃度が高いガスを用いることが検討されている。
【０００７】
なお、特許第３１５６６７７号公報に示すように、コモン側放電維持電極に対向するアドレス電極上の誘電体膜厚を厚く設定して容量結合を小さくし、スキャン側放電維持電極とアドレス電極とのデータ書き込み放電をし易くし、誤放電を防止する工夫が提案されている。
【０００８】
また、特開平１１−１９１３７６号公報に示すように、アドレス電極の上に直接に高比誘電率の誘電体膜を形成し、誤放電を防止する構造も提案されている。
【０００９】
しかしながら、この公報に示す構造では、アドレス電極上の高比誘電率の誘電体膜が、隔壁により分離されている構造ではなく、アドレス電極からの電気力線が横方向にも伸び、画素間の干渉を低減することが困難である。また、誘電率が１００以上２０００未満の誘電体は、低融点ガラスペーストとして一般的ではなく、コストの増大や長期信頼性の観点からも問題がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、データ書き込み電圧の低減を図り消費電力の低減に寄与し、データ書き込み時に誤放電を生じ難くして表示品質の向上を図り、隣接するアドレス電極の相互干渉（画素間の干渉）を抑制して画質の向上に寄与するプラズマ表示装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段および作用】
上記目的を達成するために、本発明に係るプラズマ表示装置は、
第１基板と、
前記第１基板の内側に対向して配置され、間に密封された放電空間を形成する第２基板と、
前記第１基板の内側に形成され、相互間に放電ギャップを形成する少なくとも一対の放電維持電極と、
前記放電維持電極に対して前記放電空間を介して平面側から見て交差するように、前記第２基板の内側に形成される複数のアドレス電極と、
前記アドレス電極の前記放電空間側表面を覆うアドレス電極用誘電体膜と、
前記アドレス電極の相互間に位置して前記放電空間を仕切るように、前記第２基板の内側に形成される隔壁と、を有するプラズマ表示装置であって、
前記隔壁の底部で前記アドレス電極用誘電体膜を前記アドレス電極毎に分離して接触するように前記隔壁が前記第２基板の内側に形成され、
前記アドレス電極用誘電体膜の比誘電率が前記隔壁の比誘電率よりも高いことを特徴とする。
【００１２】
プラズマ表示装置において、その駆動方法として、アドレス電極で必要なデータを書き込んで画像を表示させるために、データを書き込んだところを発光させる選択書き込み法と、データを書き込んだところを発光させない選択消去法とがある。プラズマ表示装置で重要な点として、データ書き込み操作を確実に行うことが画質の向上につながる。また、より低い電圧でのデータ書き込み操作が行えれば、駆動回路にとっても負担が小さく、安価な素子が使えることになりプラズマ表示装置のコスト低減に大きな効果がある。
【００１３】
本発明のプラズマ表示装置では、アドレス電極の上に、比較的に比誘電率が高いアドレス電極用誘電体膜が形成され、しかも、このアドレス電極用誘電体膜が、比較的に比誘電率が低い隔壁により分離されている。したがって、アドレス電極とスキャン側放電維持電極との間にデータ書き込み電圧が印加されると、アドレス電極からの電気力線は、横方向に位置する低比誘電率の隔壁の方に向かうよりも、高比誘電率のアドレス電極用誘電体膜を通して放電空間へと向かう。そのため、アドレス電極上の誘電体の比誘電率が隔壁の比誘電率とほぼ同じであった従来に比べて、データ書き込み電圧を下げることが可能になる。また、各アドレス電極間を仕切っている低比誘電率の隔壁により、各アドレス電極へのデータ書き込み信号が隣のアドレス電極へ飛び込むことが無くなり、相互干渉は減少する。
【００１４】
本発明において、前記隔壁の比誘電率（ε１）に対する前記アドレス電極用誘電体膜の比誘電率（ε２）の比（ε２／ε１）が、好ましくは、１．１〜３００、さらに好ましくは１．４〜３．０である。これらの比が小さすぎると、本発明の作用効果が少なく、比が大きすぎると、製造が困難になる傾向にある。
【００１５】
好ましくは、前記アドレス電極用誘電体膜が、二層以上の多層膜で構成され、前記多層膜を構成する隣接する各誘電体膜の比誘電率が、前記放電空間に近づくほど高く設定してある。
前記多層膜の一部を構成する第１誘電体膜の放電空間側に第２誘電体膜が積層してある場合に、前記第１誘電体膜の比誘電率（ε３）に対する前記第２誘電体膜の比誘電率（ε４）の比（ε４／ε３）が、１．４〜３．０であることが好ましい。
【００１６】
高比誘電率（ε３）の第１誘電体膜の上にさらに高い比誘電率ε４を持つ第２誘電体膜を形成することで、光学レンズからの類推により、一対の略平行に放電維持電極が形成された第１基板方向に向かう電気力線が増加し、データ書き込み電圧低減の効果は、さらに高くなる。また、第２誘電体膜（第１誘電体膜に対応する）の放電空間側に、第３誘電体膜（第２誘電体膜に対応する）をさらに積層させ、これらの比誘電率の比率を上述の比率に設定することで、データ書き込み電圧低減の効果は、さらに高くなる。その結果、駆動回路として、安価な駆動素子が使えて、ノイズの低減にも寄与する。また、プラズマ表示装置としての全体の消費電力の低減にも寄与する。
【００１７】
本発明において、対を成す放電維持電極の内の一方のスキャン側放電維持電極に対して交差する前記アドレス電極の放電空間側表面を覆う前記アドレス電極用誘電体膜の比誘電率が、前記放電維持電極の内の他方のコモン側放電維持電極に対して交差する前記アドレス電極の放電空間側表面を覆う前記アドレス電極用誘電体膜の比誘電率に対して高いことが好ましい。
【００１８】
また、本発明の別の観点に係るプラズマ表示装置は、
第１基板と、
前記第１基板の内側に対向して配置され、間に密封された放電空間を形成する第２基板と、
前記第１基板の内側に形成され、相互間に放電ギャップを形成する少なくとも一対のスキャン側放電維持電極およびコモン側放電維持電極と、
前記放電維持電極に対して前記放電空間を介して平面側から見て交差するように、前記第２基板の内側に形成される複数のアドレス電極と、
前記アドレス電極の前記放電空間側表面を覆うアドレス電極用誘電体膜と、を有するプラズマ表示装置であって、
前記スキャン側放電維持電極に対して交差する前記アドレス電極の放電空間側表面を覆う前記アドレス電極用誘電体膜の比誘電率が、前記コモン側放電維持電極に対して交差する前記アドレス電極の放電空間側表面を覆う前記アドレス電極用誘電体膜の比誘電率に対して高いことを特徴とする。
【００１９】
スキャン側放電維持電極に対して交差するアドレス電極の放電空間側表面を覆うアドレス電極用誘電体膜の比誘電率を、コモン側放電維持電極に対して交差するアドレス電極の放電空間側表面を覆うアドレス電極用誘電体膜の比誘電率に対して高くすることで、次に示す作用効果を奏する。すなわち、この発明では、スキャン側放電維持電極とアドレス電極との結合容量を、コモン側放電維持電極とアドレス電極との結合容量に比べて大きくすることができるので、データ書き込み時のコモン側放電維持電極との誤放電が低減し、表示品位の低下を防げることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図１は本発明の一実施形態に係るプラズマ表示装置の要部分解斜視図、
図２は図１に示す第２パネルの要部断面図、
図３は図２に示すアドレス電極からの電気力線を示す概略図、
図４は本発明の他の実施形態に係るプラズマ表示装置における第２パネルの要部断面図、
図５は本発明のさらに他の実施形態に係るプラズマ表示装置における第２パネルの要部断面図、
図６は本発明のさらに他の実施形態に係るプラズマ表示装置における放電維持電極とアドレス電極との交差部に配置された誘電体の平面図である。
【００２１】
第１実施形態
プラズマ表示装置の全体構成
まず、図１に基づき、交流駆動型（ＡＣ）型プラズマ表示装置（以下、単に、プラズマ表示装置と呼ぶ場合がある）の全体構成について説明する。
図１に示すＡＣ型プラズマ表示装置２は、フロントパネルに相当する第１パネル１０と、リアパネルに相当する第２パネル２０とが貼り合わされて成る。第２パネル２０上の蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂの発光は、第１パネル１０を通して観察される。すなわち、第１パネル１０が、表示面側となる。
【００２２】
第１パネル１０は、透明な第１基板１１と、第１基板１１上に相互に略平行に第１方向Ｘに沿ってストライプ状に設けられ、透明導電材料から成る複数対の放電維持電極１２と、放電維持電極１２のインピーダンスを低下させるために設けられ、放電維持電極１２よりも電気抵抗率の低い材料から成るバス電極１３と、バス電極１３および放電維持電極１２上を含む第１基板１１上に形成された誘電体層１４と、その上に形成された保護層１５とから構成されている。なお、保護層１５は、必ずしも形成されている必要はないが、形成されていることが好ましい。
【００２３】
一方、第２パネル２０は、第２基板２１と、第２基板２１上に第２方向Ｙ（第１方向Ｘと略直角）に沿ってストライプ状に且つ相互に略平行に設けられた複数のアドレス電極（データ電極とも呼ばれる）２２と、アドレス電極２２を覆うように第２基板２１上に形成されたアドレス電極用誘電体膜２３と、アドレス電極用誘電体膜２３を分離するように形成された絶縁性の隔壁２４と、アドレス電極用誘電体膜２３上から隔壁２４の側壁面上に亘って設けられた蛍光体層とから構成されている。蛍光体層は、赤色蛍光体層２５Ｒ、緑色蛍光体層２５Ｇ、および青色蛍光体層２５Ｂから構成されている。
【００２４】
図１は、表示装置の一部分解斜視図であり、実際には、第２パネル２０側の隔壁２４の頂部が、第３方向Ｚ（第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに直交する方向）で第１パネル１０側の保護層１５に当接している。蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂが形成された隔壁２４と保護層１５とによって囲まれた放電空間４内には、放電ガスが封入されている。第１パネル１０と第２パネル２０とは、それらの周辺部において、フリットガラスを用いて接合されている。
【００２５】
放電空間４内に封入される放電ガスとしては、特に限定されないが、キセノン（Ｘｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガス、あるいはこれらの不活性ガスの混合ガスなどが用いられる。封入されている放電ガスの全圧は、特に限定されないが、６×１０３Ｐａ〜８×１０４Ｐａ程度である。
【００２６】
一対の放電維持電極１２（バス電極１３）の射影像が延びる方向とアドレス電極２２の射影像が延びる方向とは略直交（必ずしも直交する必要はないが）し、これらの交差部が、１画素（１ピクセル）を構成している。本実施形態では、１画素内に、放電ギャップＧ１が、第２方向Ｙに沿って形成されるように、透明電極から成る放電維持電極１２が、第１方向Ｘに沿って形成してある。
【００２７】
各画素内における放電ギャップＧ１は、特に限定されないが、好ましくは１〜１５０μｍ、さらに好ましくは、５〜５０μｍ、さらに好ましくは５〜４０μｍである。本実施形態では、放電維持電極１２は、単純なストライプ形状であり、その第２方向Ｙの幅は、特に限定されないが、好ましくは８０〜２８０μｍである。また、バス電極１３の第２方向Ｙの幅は、放電維持電極１２の幅よりも狭く、特に限定されないが、好ましくは３０〜２５０μｍである。
【００２８】
なお、各画素毎に、放電ギャップＧ１を形成するために、透明電極から成る放電維持電極１２は、第１方向Ｘに沿って連続して形成されるが、第１方向Ｘに、各画素毎に完全に分離してアイランド状に形成しても良い。透明電極から成る放電維持電極１２を、第１方向Ｘに各画素毎に分離して形成することで、輝度を低下させずに、無効電流を減らし、消費電流の低減に寄与する。ただし、放電維持電極の一部を構成するバス電極１３は、第１方向Ｘに沿って分割することはできない。透明電極から成る放電維持電極１２に対して電圧信号を供給するためである。各放電維持電極１２は透明電極で構成され、比較的に高抵抗であることから、各放電維持電極１２には、それぞれ第１方向Ｘに沿って形成されるバス電極１３が接続される。
【００２９】
バス電極１３は、典型的には、金属材料、たとえば、Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｃｒなどの単層金属膜、あるいはＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒなどの積層膜などから構成することができる。
【００３０】
なお、グロー放電が、放電ギャップＧ１を形成する一対の放電維持電極１２間で生じることから、このタイプのプラズマ表示装置は「面放電型」と称される。このプラズマ表示装置の駆動方法については、後述する。
【００３１】
本実施形態のプラズマ表示装置２は、いわゆる反射型プラズマ表示装置であり、蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂの発光は、第１パネル１０を通して観察される。このため、アドレス電極２２を構成する導電性材料に関して透明／不透明の別は問わないが、放電維持電極１２を構成する導電性材料は透明である必要がある。なお、ここで述べる透明／不透明とは、蛍光体層材料に固有の発光波長（可視光域）における導電性材料の光透過性に基づく。即ち、蛍光体層から射出される光に対して透明であれば、放電維持電極やアドレス電極を構成する導電性材料は透明であると言える。
【００３２】
不透明な導電性材料として、Ｎｉ，Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ／Ａｇ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｃｕ，Ｂａ，ＬａＢ６，Ｃａ０．２Ｌａ０．８ＣｒＯ３等の材料を、単独または適宜組み合わせて用いることができる。透明な導電性材料としては、ＩＴＯ（インジウム・錫酸化物）やＳｎＯ２を挙げることができる。放電維持電極１２またはアドレス電極２２は、スパッタ法、蒸着法、スクリーン印刷法、メッキ法等によって形成することができ、フォトリソグラフィ法、サンドブラスト法、リフトオフ法などによってパターン加工される。
【００３３】
放電維持電極１２の表面に形成される誘電体層１４は、たとえば単層のシリコン酸化物層で構成してあるが、多層膜であっても良い。このシリコン酸化物層から成る誘電体層１４は、たとえば、電子ビーム蒸着法やスパッタ法、蒸着法、スクリーン印刷法等に基づき、形成されている。誘電体層１４の厚みは、特に限定されないが、本実施形態では、１〜１０μｍである。
【００３４】
誘電体層１４を設けることによって、放電空間４内で発生するイオンや電子が、放電維持電極１２と直接に接触することを防止することができる。その結果、放電維持電極１２の磨耗を防ぐことができる。誘電体層１４は、アドレス期間に発生する壁電荷を蓄積して放電状態を維持するメモリ機能、過剰な放電電流を制限する機能を有する。
【００３５】
誘電体層１４の放電空間側表面に形成してある保護層１５は、誘電体層１４を保護し、イオンや電子と放電維持電極との直接接触を防止する作用を奏する。その結果、放電維持電極１２および誘電体層１４の磨耗を効果的に防ぐことができる。また、保護層１５は、放電に必要な２次電子を放出する機能も有する。保護層１５を構成する材料として、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）を例示することができる。中でも酸化マグネシウムは、化学的に安定であり、スパッタリング率が低く、蛍光体層の発光波長における光透過率が高く、放電開始電圧が低い等の特色を有する好適な材料である。なお、保護層１５を、これらの材料から成る群から選択された少なくとも２種類の材料から構成された積層膜構造としてもよい。
【００３６】
第１基板１１および第２基板２１の構成材料として、高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ２Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ２）、硼珪酸ガラス（Ｎａ２Ｏ・Ｂ２Ｏ３・ＳｉＯ２）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ２）、鉛ガラス（Ｎａ２Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ２）を例示することができる。第１基板１１と第２基板２１の構成材料は、同じであっても異なっていてもよいが、熱膨張係数が同じであることが望ましい。
【００３７】
蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂは、たとえば、赤色を発光する蛍光体層材料、緑色を発光する蛍光体層材料および青色を発光する蛍光体層材料から成る群から選択された蛍光体層材料から構成され、アドレス電極２２の上方に設けられている。プラズマ表示装置がカラー表示の場合、具体的には、たとえば、赤色を発光する蛍光体層材料から構成された蛍光体層（赤色蛍光体層２５Ｒ）がアドレス電極２２の上方に設けられ、緑色を発光する蛍光体層材料から構成された蛍光体層（緑色蛍光体層２５Ｇ）が別のアドレス電極２２の上方に設けられ、青色を発光する蛍光体層材料から構成された蛍光体層（青色蛍光体層２５Ｂ）が更に別のアドレス電極２２の上方に設けられており、これらの３原色を発光する蛍光体層が１組となり、所定の順序に従って設けられている。
【００３８】
蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂを構成する蛍光体層材料としては、従来公知の蛍光体層材料の中から、量子効率が高く、真空紫外線に対する飽和が少ない蛍光体層材料を適宜選択して用いることができる。カラー表示を想定した場合、色純度がＮＴＳＣで規定される３原色に近く、３原色を混合した際の白バランスがとれ、残光時間が短く、３原色の残光時間がほぼ等しくなる蛍光体層材料を組み合わせることが好ましい。
【００３９】
蛍光体層材料の具体的な例示を次に示す。たとえば赤色に発光する蛍光体層材料として、（Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ），（ＹＢＯ３Ｅｕ），（ＹＶＯ４：Ｅｕ），（Ｙ０．９６Ｐ０．６０Ｖ０．４０Ｏ４：Ｅｕ０．０４），［（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕ］，（ＧｄＢＯ３：Ｅｕ），（ＳｃＢＯ３：Ｅｕ），（３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ）、緑色に発光する蛍光体層材料として、（ＺｎＳｉＯ２：Ｍｎ），（ＢａＡ１１２Ｏ１９：Ｍｎ），（ＢａＭｇ２Ａ１１６Ｏ２７：Ｍｎ），（ＭｇＧａ２Ｏ４：Ｍｎ），（ＹＢＯ３：Ｔｂ），（ＬｕＢＯ３：Ｔｂ），（Ｓｒ４Ｓｉ３Ｏ８Ｃｌ４：Ｅｕ）、青色に発光する蛍光体層材料として、（Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ），（ＣａＷＯ４：Ｐｂ），ＣａＷＯ４，ＹＰ０．８５Ｖ０．１５Ｏ４，（ＢａＭｇＡ１１４Ｏ２３：Ｅｕ），（Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｅｕ），（Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｓｎ）などが例示される。
【００４０】
蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂの形成方法として、厚膜印刷法、蛍光体層粒子をスプレーする方法、蛍光体層の形成予定部位に予め粘着性物質を付けておき、蛍光体層粒子を付着させる方法、感光性の蛍光体層ペーストを使用し、露光および現像によって蛍光体層をパターニングする方法、全面に蛍光体層を形成した後に不要部をサンドブラスト法により除去する方法を挙げることができる。
【００４１】
なお、蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂは、アドレス電極２２上に設けられたアドレス電極用誘電体膜２３上に形成されていてもよいし、アドレス電極２２上に設けられたアドレス電極用誘電体膜２３上から隔壁２４の側壁面上に亘って形成されていてもよい。更には、蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂは、隔壁２４の側壁面上にのみ形成されていてもよい。
【００４２】
図１および図２に示すように、隔壁２４は、アドレス電極２２を挟んで第２方向Ｙに沿ってストライプ状に形成される。その隔壁２４の構成材料としては、従来公知の絶縁材料を使用することができ、たとえば広く用いられている低融点ガラスにアルミナ等の金属酸化物を混合した材料を用いることができる。
【００４３】
隔壁２４によって囲まれた放電空間の内部に、混合ガスから成る放電ガスが封入されており、蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂは、放電空間４内の放電ガス中で生じたグロー放電に基づき発生した紫外線に照射されて発光する。
【００４４】
本実施形態では、隔壁２４は、アドレス電極２２を覆うアドレス電極用誘電体膜２３を分離して接触するように第２基板２１の内側に形成される。アドレス電極用誘電体膜２３は、隔壁２４を構成する誘電体の比誘電率よりも高い比誘電率の材質で構成してある。たとえば隔壁２４の比誘電率をε１とし、アドレス電極用誘電体膜２３の比誘電率をε２とすると、それらの比（ε２／ε１）が、１．１〜３００、好ましくは１．４〜３．０となるように、アドレス電極用誘電体膜２３の材質が選択される。
【００４５】
具体的には、隔壁２４を、比誘電率ε１＝６．４〜６．９の無鉛ペーストで作製する場合には、アドレス電極用誘電体膜２３は、比誘電率ε２＝１２．０
〜１４．７の有鉛ペーストで作製することが好ましい。
【００４６】
なお、図３に示すように、各アドレス電極２２の第１方向Ｘの幅Ｗ１は、隔壁２４の間隔Ｗ４よりも小さく、特に限定されないが、好ましくは、３０〜３４０μｍである。また、アドレス電極誘電体膜２３の第１方向Ｘの幅Ｗ２は、Ｗ１＋２×ΔＷであり、ΔＷは、好ましくは３０〜１６０μｍである。このΔＷは、アドレス電極２２の両側をそれぞれ覆う誘電体膜部分であり、小さすぎると、その製造が困難であり、大きすぎると、画素の高微細化の要請に反する。
【００４７】
アドレス電極２２の厚みＴ１は、特に限定されないが、好ましくは２〜２０　μｍであり、アドレス電極用誘電体膜２３の厚みＴ２は、好ましくは６〜３０　μｍである。この誘電体膜２３の厚みＴ２が薄すぎると、本発明の効果が小さく、厚すぎると、放電空間の体積を狭めるので好ましくない。
これに対して、隔壁２４の高さＨ１は、５０〜２００μｍ程度である。また、隔壁２４間の間隔Ｗ４は、たとえば５０〜４００μｍ程度である。なお、図２〜図５では、蛍光体層の図示を省略している。
【００４８】
プラズマ表示装置の製造方法
次に、本発明の実施形態に係るプラズマ表示装置の製造方法について説明する。　第１パネル１０は、以下の方法で作製することができる。先ず、高歪点ガラスやソーダガラスから成る第１基板１１の全面にたとえばスパッタリング法によりＩＴＯ層を形成し、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりＩＴＯ層をストライプ状にパターニングすることによって、放電維持電極１２を、複数、形成する。
【００４９】
次に、第１基板１１の内面全面に、たとえば蒸着法によりクロム膜を形成し、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりクロム膜をパターニングすることによって、各放電維持電極１２の内側に、バス電極１３を形成する。その後、バス電極１３が形成された第１基板１１の取り出し電極の内面全面にシリコン酸化物（ＳｉＯ２　）層から成る誘電体層１４を形成する。
【００５０】
本実施形態では、誘電体層１４の形成の形成方法は特に限定されず、電子ビーム蒸着法やスパッタ法、蒸着法、スクリーン印刷法等が例示される。
【００５１】
次に、誘電体層１４の上に、電子ビーム蒸着法またはスパッタリング法により厚さ０．６μｍの酸化マグネシウム（ＭｇＯ）から成る保護層１５を形成する。以上の工程により第１パネル１０を完成することができる。
【００５２】
また、第２パネル２０を以下の方法で作製する。まず、高歪点ガラスやソーダガラスから成る第２の基板２１上に、たとえば蒸着法によりアルミニウム膜を形成し、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりパターニングすることで、アドレス電極２２を形成する。アドレス電極２２は、第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙに延びている。
【００５３】
次に、スクリーン印刷などのパターン印刷法により、所定パターンのアドレス電極用誘電体膜２３を形成する。誘電体膜２３は、アドレス電極２２を覆うように、しかも、相互に分離されるようにストライプパターンで形成される。あるいは、ペースト塗布法により、アドレス電極２２が形成された第２基板２１の内面全面にガラスペースト層を形成し、乾燥後にレジストを塗布してパターニング後にサンドブラスト法などで所定パターンに加工しても良い。あるいは、ＣＶＤなどの薄膜形成方法とフォトリソグラフィ法により所定パターンのアドレス電極用誘電体膜２３を形成しても良い。
【００５４】
その後に、所定パターンのアドレス電極用誘電体膜２３の相互間に形成された第２基板２１の露出面上に、ストライプパターンとなるように、隔壁２４を形成する。この時の形成方法は、特に限定されず、たとえばスクリーン印刷法、サンドブラスト法、ドライフィルム法、感光法などを例示することができる。ドライフィルム法とは、基板上に感光性フィルムをラミネートし、露光および現像によって隔壁形成予定部位の感光性フィルムを除去し、除去によって生じた開口部に隔壁形成用の材料を埋め込み、焼成する方法である。感光性フィルムは焼成によって燃焼、除去され、開口部に埋め込まれた隔壁形成用の材料が残り、隔壁２４となる。感光法とは、基板上に感光性を有する隔壁形成用の材料層を形成し、露光および現像によってこの材料層をパターニングした後、焼成を行う方法である。焼成（隔壁焼成工程）は、空気中で行い、焼成温度は、５６０°Ｃ程度である。焼成時間は、２時間程度である。
【００５５】
次に、第２基板２１に形成された隔壁２４の間に３原色の蛍光体層スラリーを順次印刷する。その後、この第２基板２１を、焼成炉内で焼成し、隔壁２４の間のアドレス電極用誘電体膜上から隔壁２４の側壁面上に亘って、蛍光体層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂを形成する。その時の焼成（蛍光体焼成工程）温度は、５１０°Ｃ程度である。焼成時間は、１０分程度である。
【００５６】
次に、プラズマ表示装置の組み立てを行う。即ち、先ず、たとえばスクリーン印刷により、第２パネル２０の周縁部にシール層を形成する。次に、第１パネル１０と第２パネル２０とを貼り合わせ、焼成してシール層を硬化させる。その後、第１パネル１０と第２パネル２０との間に形成された空間を排気した後、放電ガスを封入し、かかる空間を封止し、プラズマ表示装置２を完成させる。
【００５７】
かかる構成を有するプラズマ表示装置の動作の一例を説明する。先ず、たとえば、対となる全ての一方の放電維持電極１２ｂに、放電開始電圧Ｖｂｄよりも高いパネル電圧を短時間印加する。これによってグロー放電が生じ、双方の放電維持電極１２の近傍の誘電体層１４の表面に、壁電荷が蓄積し、放電開始電圧が低下する。その後、アドレス電極２２に電圧を印加しながら、表示をさせない放電セルに含まれる一対の放電維持電極のうちの一方のスキャン側放電維持電極１２に電圧を印加することによって、アドレス電極２２と当該一方のスキャン側放電維持電極１２との間にグロー放電を生じさせ、蓄積された壁電荷を消去する。この消去放電を各アドレス電極２２において順次実行する。一方、表示をさせる放電セルに含まれる一対のうちの一方のスキャン側放電維持電極１２には電圧を印加しない。これによって、壁電荷の蓄積を維持する。その後、全ての一対の放電維持電極１２間に所定のパルス電圧を印加することによって、壁電荷が蓄積されていたセルにおいては一対の放電維持電極１２の間でグロー放電が開始し、放電セルにおいては、放電空間内における放電ガス中でのグロー放電に基づき発生した真空紫外線の照射によって励起された蛍光体層が、蛍光体層材料の種類に応じた特有の発光色を呈する。なお、一対のうちの一方のスキャン側放電維持電極１２と他方のコモン側放電維持電極１２に印加される放電維持電圧の位相は半周期ずれており、電極の極性は交流の周波数に応じて反転する。
【００５８】
本実施形態のプラズマ表示装置２では、アドレス電極２２の上に、比較的に比誘電率が高いアドレス電極用誘電体膜２３が形成され、しかも、このアドレス電極用誘電体膜２３が、比較的に比誘電率が低い隔壁２４により分離されている。したがって、アドレス電極２２とスキャン側放電維持電極１２との間にデータ書き込み電圧が印加されると、図３で示すように、アドレス電極２２からの電気力線は、横方向に位置する低比誘電率の隔壁２４の方に向かう（矢印Ｂ）よりも、高比誘電率のアドレス電極用誘電体膜２３を通して放電空間へと向かう（矢印Ａ）。そのため、アドレス電極上の誘電体の比誘電率が隔壁の比誘電率とほぼ同じであった従来に比べて、データ書き込み電圧を下げることが可能になる。また、各アドレス電極２２間を仕切っている低比誘電率の隔壁２４により、各アドレス電極２２へのデータ書き込み信号が隣のアドレス電極へ飛び込む（矢印Ｂ）ことが無くなり、相互干渉は減少する。
【００５９】
第２実施形態
本実施形態では、図４に示すように、図２に示すアドレス電極用誘電体膜２３を、第１誘電体膜２３ａと第２誘電体膜２３ｂの多層膜で構成してあり、その他の構成および作用効果は、前記第１実施形態と同様であり、重複する説明は省略する。
【００６０】
第１誘電体膜２３ａの比誘電率（ε３）に対する第２誘電体膜２３ｂの比誘電率（ε４）の比（ε４／ε３）は、１．４〜３．０であり、多層膜を構成する隣接する各誘電体膜の比誘電率が、放電空間に近づくほど高く設定してある。
【００６１】
高比誘電率（ε３）の第１誘電体膜２３ａの上にさらに高い比誘電率ε４を持つ第２誘電体膜２３ｂを形成することで、光学レンズからの類推により、一対の略平行に放電維持電極１２が形成された第１基板方向１１に向かう電気力線が増加し、データ書き込み電圧低減の効果は、さらに高くなる。
【００６２】
また、図５に示すように、第１誘電体膜２３ｃ上の第２誘電体膜２３ｄ（第１誘電体膜２３ａに対応する）の放電空間側に、第３誘電体膜２３ｅ（第２誘電体膜２３ｂに対応する）をさらに積層させ、これらの比誘電率の比率を上述の比率に設定することで、データ書き込み電圧低減の効果は、さらに高くなる。その結果、駆動回路として、安価な駆動素子が使えて、ノイズの低減にも寄与する。また、プラズマ表示装置としての全体の消費電力の低減にも寄与する。
なお、本実施形態では、第３誘電体膜２３ｅの上に、さらに第４以降の誘電体膜を積層させ、多層膜を構成する隣接する各誘電体膜の比誘電率を、上述の比誘電率の比の関係とし、放電空間に近づくほど比誘電率を高く設定しても良い。
【００６３】
第３実施形態
本実施形態では、図６に示すように、対を成す放電維持電極の内の一方のスキャン側放電維持電極１２ａに対して交差するアドレス電極２２の放電空間側表面を覆うアドレス電極用誘電体膜２３ｆの比誘電率を、放電維持電極の内の他方のコモン側放電維持電極１２ｂに対して交差するアドレス電極２２の放電空間側表面を覆うアドレス電極用誘電体膜２３ｇの比誘電率に対して高く設定してある。たとえばスキャン側放電維持電極１２ａに交差する部分の誘電体膜２３ｆを高比誘電率の材料の単層膜、あるいは放電空間側に行くほど比誘電率が高くなる多層膜で構成し、コモン側放電維持電極１２ｂに対して交差する部分の誘電体膜２３ｇを、隔壁２４と同様な低比誘電率の誘電体膜で構成する。
【００６４】
本実施形態では、スキャン側放電維持電極１２ａとアドレス電極２２との結合容量を、コモン側放電維持電極１２ｂとアドレス電極２２との結合容量に比べて大きくすることができるので、データ書き込み時のコモン側放電維持電極１２ｂとの誤放電が低減し、表示品位の低下を防げることができる。
【００６５】
本実施形態におけるその他の構成および作用効果は、前記第１実施形態の場合と同様であるため、重複する部分の説明は省略する。なお、本実施形態では、コモン側放電維持電極１２ｂとアドレス電極２２とが交差する部分では、アドレス電極用誘電体膜２３ｇと隔壁２４との比誘電率は、必ずしも隔壁２４よりもアドレス電極用誘電体膜２３ｇの比誘電率を高くする必要はなく、ほぼ同じか、場合によっては低くしても良い。
【００６６】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
【００６７】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、データ書き込み電圧の低減を図り消費電力の低減に寄与し、データ書き込み時に誤放電を生じ難くして表示品質の向上を図り、隣接するアドレス電極の相互干渉（画素間の干渉）を抑制して画質の向上に寄与するプラズマ表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係るプラズマ表示装置の要部分解斜視図である。
【図２】図２は図１に示す第２パネルの要部断面図である。
【図３】図３は図２に示すアドレス電極からの電気力線を示す概略図である。
【図４】図４は本発明の他の実施形態に係るプラズマ表示装置における第２パネルの要部断面図である。
【図５】図５は本発明のさらに他の実施形態に係るプラズマ表示装置における第２パネルの要部断面図である。
【図６】図６は本発明のさらに他の実施形態に係るプラズマ表示装置における放電維持電極とアドレス電極との交差部に配置された誘電体の平面図である。
【符号の説明】
２…　プラズマ表示装置
４…　放電空間
１０…　第１パネル
１１…　第１基板
１２…　放電維持電極
１２ａ…　スキャン側放電維持電極
１２ｂ…　コモン側放電維持電極
１３…　バス電極
１４…　誘電体層
１５…　保護層
２０…　第２パネル
２１…　第２基板
２２…　アドレス電極
２３，２３ｆ，２３ｇ…　アドレス電極用誘電体膜
２３ａ，２３ｃ…　第１誘電体膜
２３ｂ，２３ｄ…　第２誘電体膜
２３ｅ…　第３誘電体膜
２４…　隔壁
２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂ…　蛍光体層
Ｇ１…　放電ギャップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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