(57)【要約】【課題】  光源内のOLEDの短絡故障及び開放故障の双方を寛容する電気接続構造を提供すること。【解決手段】  複数の有機発光ダイオード（OLED）群を含んでなるOLED光源であって、各群における複数のOLEDが並列に電気接続され、かつ、該複数の群が直列に電気接続されていることを特徴とするOLED光源。【選択図】      図１
2004288632.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の有機発光ダイオード（OLED）群を含んでなるOLED光源であって、各群における複数のOLEDが並列に電気接続され、かつ、該複数の群が直列に電気接続されていることを特徴とするOLED光源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ダイオード（OLED）光源に関する。より詳細には、本発明は、OLED光源に含まれる複数の発光要素を電気接続するための構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
米国特許出願公開第２００２／０１９０６６１号（発明者Duggalら；公開日２００２年１２月１９日）に、複数の群をなして配置された複数のOLEDを含むOLED光源が記載されている。１つの群に含まれる複数のOLEDは直列に電気接続されており、その複数の群が並列に電気接続されている。このような配置を本明細書中「並／直列配置」と称する。この並／直列配置は、個々のOLEDによる電圧降下量よりはるかに高い電圧のAC電源の使用が可能となり、そして１又は２以上の群における１又は２以上のOLEDの短絡故障を寛容する。しかしながら、並／直列配置には、１つの群に含まれるOLEDのいずれか１つでも開放故障（open failure）を起すと、その群全体に含まれるすべてのOLEDが動作しなくなるという問題がある。記載されているような並／直列配置は、各マスキング工程において要求される許容差が密であるため、加工が困難である。
【０００３】
【特許文献１】米国特許第６３３７４９２号明細書
【特許文献２】米国特許第５２４７１９０号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２００３／００１０９８５号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第２００２／０１９０６６１号明細書
【特許文献５】米国特許出願公開第２００２／００６３５３３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、上記の問題を解消するように光源内のOLED配置を改良する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によると、複数の有機発光ダイオード（OLED）群を含んでなるOLED光源であって、各群における複数のOLEDが並列に電気接続され、かつ、該複数の群が直列に電気接続されていること（本明細書中「直／並列配置」と称する。）を特徴とするOLED光源を提供することによって、上記の問題が解消される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明による直／並列式OLED光源は、光源内のOLEDの短絡故障及び開放故障の双方を寛容する点で有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
図１を参照する。本発明の一態様による直／並列式OLED光源１０は、第１群１２のOLED１４及び第２群１６のOLED１４を含む。第１群１２及び第２群１６に含まれるそれぞれのOLED１４は並列に電気接続されており、また第１群１２と第２群１６とは直列に電気接続されている。電源１８、例えばDC電源又は電池を光源１０に接続することにより該光源に電力を与える。例示目的として、それぞれ２個のダイオードを有する２つの群が図示されているが、本発明による直／並列配置においては、それぞれ３個以上のダイオードを有する３つ以上の群を配置できることを理解されたい。このような直／並列配置は、後述するようにヒューズが含まれる場合に開放故障及び短絡故障の双方について許容を示すので、従来の並／直列配置より優れている。
【０００８】
１つの群の１個のOLEDが開放故障を起しても、当該群に含まれる他のOLEDには電流が流れるので、当該群の残りのOLEDは発光し、また直列配置されているその他の群へ電流は供給される。OLEDが短絡故障を起しても、当該短絡部を流れる電流は一部であり、電流の一部は、当該群に含まれる他のOLEDになおも利用することができる。
【０００９】
１つの群のOLEDの１個が短絡故障を起すと、当該群に含まれる他のOLEDへの電流が減少し、当該群の他のOLEDが薄暗くなってしまうおそれはある。このような状況を打開するためには、各OLEDのカソードと、当該OLED群のカソード同士を並列に接続する電気導体との間に、ヒューズ２０を設ければよい。OLEDの１個に短絡が起こると、当該短絡したOLEDに流れる電流が増大することにより当該ヒューズが開放し、よって短絡故障が開放故障へと転換されることになる。
【００１０】
図２を参照する。図１に示したタイプの直／並列式OLED光源であって、それぞれ４個のOLEDからなる３つの群を有するもののレイアウト図を示す。このレイアウトには、各OLED群について共通のアノード３２を画定するため基板３０上に形成されたパターン化第１導電層が含まれる。アノード３２の上には、パターン化されていないOLED材料層３４が付着されている。OLED材料層３４の上には、各OLED群についてカソード３６を画定するためにパターン化された第２導電層が付着されている。各OLED群の複数のカソード３６は帯状導体３８によって並列に電気接続されている。また、個々のカソード３６は当該導電層の細いネック部４０によって帯状導体３８に接続されている。この細いネック部４０が、図１に示したヒューズ２０として機能する。図２中、×印で示したように、連続する各群に含まれるカソード用帯状導体３８は、一連の群の重複領域において、その前の群のアノード３２に電気接続されている。
【００１１】
通常の照明用途のほとんどがAC電源を利用するものである。図１及び図２に示した配置では、AC電源を全波整流しない限り、ACサイクルの半分しか利用されない。
【００１２】
図３を参照する。本発明による別態様の配置では、各群１２及び１６が、一方向に連結されたいくつかのダイオード１４と、反対方向に連結されたいくつかのダイオード１４’とを含む。このように配置することにより、一方向に連結されたダイオードがAC電源２２の１／２サイクル中に発光し、反対方向に連結されたダイオードが残りの１／２サイクル中に発光することになる。光源に含まれるダイオードの数を各配置方向において等しくした場合、各１／２サイクル中に光源が放出する光量も等しくなる。このような配置の一例として、各群に含まれるダイオードの配置方向を交互にしたものを図７に示す。
【００１３】
図４を参照する。図３に示したタイプの直／並列式OLED光源であって、それぞれ８個のOLEDからなる３つの群を有するもののレイアウト図を示す。このレイアウトには、各OLED群について共通のアノード３２を画定するため基板３０上に形成されたパターン化第１導電層が含まれる。アノード３２の上には、パターン化されていないOLED材料層３４が付着されている。OLED材料層３４の上には、各OLED群についてカソード３６を画定するためにパターン化された第２導電層が付着されている。各OLED群の複数のカソード３６は帯状導体３８によって並列に電気接続されている。また、個々のカソード３６は当該導電層の細いネック部４０によって帯状導体３８に接続されている。この細いネック部４０が、図３に示したヒューズ２０として機能する。各群には、一方向に連結された４個のOLEDと、その逆方向に連結された４個のOLEDとが含まれる。１つの群の最初の４個のOLEDのカソード用帯状導体は１つの群の第２の４個のOLEDのアノードに、また前者のアノードは後者のカソード用帯状導体に、それぞれ当該デバイスの中心部の×印で示した重複領域において電気接続されている。図４中、当該デバイスの両端部に×印で示したように、連続する各群に含まれるカソード用帯状導体３８は、一連の群の重複領域において、その前の群のアノード３２に電気接続されている。
【００１４】
別態様として、図５に示したように、一方向に連結されたダイオード列を、反対方向に連結されたダイオード列の間に差し込む(interleave)ことにより、AC電源の交番位相でダイオード列が交互に発光するように光源をレイアウトしてもよい。
【００１５】
ヒューズ２０を構成する導電性材料の細いネック部４０の寸法を、ダイオード内に短絡が発生した時に当該ヒューズが確実に切断されるように定めることは、物理定数的に困難な場合がある。ダイオードの短絡に応じてヒューズを確実に破断させるため、同一方向を向いて並列に接続されているダイオードセットに、逆方向バイアス電流を周期的に印加することができる。この技法を、図１に示したようなダイオード群がすべて同一方向に連結されている光源について、図６に略示する。１つの群に含まれるダイオードが別の群に含まれるダイオードに対する逆方向バイアス電流を遮断することになるであろうから、光源に印加される電力の極性を単に反転させても逆方向バイアスを印加することはできない。代わりに、図６にロータリー式スイッチ２６として略示したように、ダイオード群毎に、順次、逆極性電源２４に接続する。逆方向バイアス電圧を順次印加するためのエレクトロニクスを、光源自体に設けること、又は該光源を受容する照明器具に設けること、も可能である。
【００１６】
図５に示したような、１つの群に含まれる複数のダイオードが反対方向に連結されたサブグループを含むような配置では、逆方向バイアス電流を、各群に含まれるダイオードのサブグループ毎に独立して印加することになろう。
【００１７】
カソードに電気接続する帯状導体３８の導電率は光源の均一性に影響を及ぼし得るため、帯状導体３８の抵抗を下げるため、帯状導体３８と電気接触する高導電率バス、例えば銀又は銅、を設けることができる。この技法は、上述した配置のいずれについても採用することができ、よってカソードに対する電気接続部の導電率を高めることができる。
【００１８】
本発明は、多種多様な従来用途に、例えば、机上ランプ、フロアランプ又はシャンデリアとして使用することができる。別法として、本発明は、従来の吊天井用のフラットパネル照明装置として使用することができる。本発明はまた、DC電源を使用する携帯式照明装置に用いることもできる。
【００１９】
好ましい態様において、本発明は、例えば譲受人共通の１９８８年９月６日発行のTangらの米国特許第４７６９２９２号明細書及び１９９１年１０月２９日発行のVanSlykeらの米国特許第５０６１５６９号明細書に開示されているような、低分子型又は高分子型OLED材料を含む有機発光ダイオード（OLED）を含むデバイスにおいて使用される。このようなデバイスを加工するため、有機発光材料の多くの組合せ及びバリエーションを採用することができる。
【００２０】
本発明のOLED装置は、カソード又はアノードのいずれが接触していてもよい支持基板の上に設けられることが典型的である。基板に接している電極を、便宜上、底部電極と称する。底部電極をアノードにすることが慣例的であるが、本発明はそのような構成に限定されるものではない。基板は、意図される発光方向に依存して、透光性又は反射性のいずれかであることができる。基板を通してEL発光を観察する場合には、透光性が望まれる。このような場合、透明なガラス又はプラスチックが通常用いられる。EL発光を上部電極を通して観察する用途の場合には、底部支持体の透過性は問題とならないため、透光性、吸光性又は光反射性のいずれであってもよい。この場合の用途向け基板には、ガラス、プラスチック、半導体材料、シリコン、セラミックス及び回路基板材料が含まれるが、これらに限定はされない。基板、アノード及びカソードのうちのいずれか１つ又は２以上を透明にすることができる。
【００２１】
EL発光をアノードを通して観察する場合には、当該アノードは当該発光に対して透明又は実質的に透明であることが必要である。本発明に用いられる一般的な透明アノード材料はインジウム錫酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)及び酸化錫であるが、例示としてアルミニウム又はインジウムをドープした酸化亜鉛、マグネシウムインジウム酸化物及びニッケルタングステン酸化物をはじめとする他の金属酸化物でも使用することができる。これらの酸化物の他、窒化ガリウムのような金属窒化物、セレン化亜鉛のような金属セレン化物、及び硫化亜鉛のような金属硫化物をアノードとして使用することもできる。EL発光をカソード電極のみを通して観察する用途の場合には、アノードの透過性は問題とならず、透明、不透明又は反射性を問わずいずれの導電性材料でも使用することができる。このような用途向けの導体の例として、金、イリジウム、モリブデン、パラジウム及び白金が挙げられるが、これらに限定はされない。典型的なアノード材料は、透過性であってもそうでなくても、４．１ｅＶ以上の仕事関数を有する。望ましいアノード材料は、一般に、蒸発法、スパッタ法、化学的気相成長(CVD)法又は電気化学法のような適当な手段のいずれかによって付着される。周知のフォトリソグラフィ法により、又は調製に際してシャドーマスクを使用することにより、アノードをパターン化することができる。
【００２２】
アノードと発光層の間に正孔注入層を設けることがしばしば有用となる。正孔注入性材料は、後続の有機層のフィルム形成性を改良し、かつ、正孔輸送層への正孔注入を促進するのに役立つことができる。正孔注入層に用いるのに好適な材料として、米国特許第４７２０４３２号明細書に記載されているポルフィリン系化合物、及び米国特許第６２０８０７５号明細書に記載されているプラズマ蒸着フルオロカーボンポリマーが挙げられる。有機ELデバイスに有用であることが報告されている別の正孔注入性材料が、欧州特許出願公開第０８９１１２１号及び同第１０２９９０９号明細書に記載されている。
【００２３】
正孔輸送層は、芳香族第三アミンのような正孔輸送性化合物を少なくとも一種含有する。芳香族第三アミン類は、少なくとも一つが芳香環の員である炭素原子にのみ結合されている３価窒素原子を少なくとも１個含有する化合物であると理解されている。一態様として、芳香族第三アミンはアリールアミン、例えば、モノアリールアミン、ジアリールアミン、トリアリールアミン又は高分子アリールアミンであることができる。単量体トリアリールアミンの例がKlupfelらの米国特許第３１８０７３０号明細書に記載されている。譲受人共通のBrantleyらの米国特許第３５６７４５０号及び同第３６５８５２０号明細書には、１個以上の活性水素含有基を含み、かつ／又は、１個以上のビニル基で置換されている、他の適当なトリアリールアミンが開示されている。
【００２４】
より好ましい種類の芳香族第三アミンは、米国特許第４７２０４３２号及び同第５０６１５６９号に記載されているような芳香族第三アミン部分を２個以上含有するものである。正孔輸送層は、芳香族第三アミン化合物の単体又は混合物で形成することができる。以下、有用な芳香族第三アミンを例示する。
1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)シクロヘキサン
1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)-4-フェニルシクロヘキサン
4,4’-ビス(ジフェニルアミノ)クアドリフェニル
ビス(4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニル)-フェニルメタン
N,N,N-トリ(p-トリル)アミン
4-(ジ-p-トリルアミノ)-4’-[4(ジ-p-トリルアミノ)-スチリル]スチルベン
N,N,N’,N’-テトラ-p-トリル-4,4’-ジアミノビフェニル
N,N,N’,N’-テトラフェニル-4,4’-ジアミノビフェニル
N,N,N’,N’-テトラ-1-ナフチル-4,4’-ジアミノビフェニル
N,N,N’,N’-テトラ-2-ナフチル-4,4’-ジアミノビフェニル
N-フェニルカルバゾール
4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-(2-ナフチル)アミノ]ビフェニル
4,4”-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]-p-ターフェニル
4,4’-ビス[N-(2-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(3-アセナフテニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
1,5-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ナフタレン
4,4’-ビス[N-(9-アントリル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4”-ビス[N-(1-アントリル)-N-フェニルアミノ]-p-ターフェニル
4,4’-ビス[N-(2-フェナントリル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(8-フルオルアンテニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(2-ピレニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(2-ナフタセニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(2-ペリレニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(1-コロネニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
2,6-ビス(ジ-p-トリルアミノ)ナフタレン
2,6-ビス[ジ-(1-ナフチル)アミノ]ナフタレン
2,6-ビス[N-(1-ナフチル)-N-(2-ナフチル)アミノ]ナフタレン
N,N,N’,N’-テトラ(2-ナフチル)-4,4”-ジアミノ-p-ターフェニル
4,4’-ビス{N-フェニル-N-[4-(1-ナフチル)-フェニル]アミノ}ビフェニル
4,4’-ビス[N-フェニル-N-(2-ピレニル)アミノ]ビフェニル
2,6-ビス[N,N-ジ(2-ナフチル)アミン]フルオレン
1,5-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ナフタレン
【００２５】
別の種類の有用な正孔輸送性材料として、欧州特許第１００９０４１号に記載されているような多環式芳香族化合物が挙げられる。さらに、ポリ(N-ビニルカルバゾール)(PVK)、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン及びPEDOT/PSSとも呼ばれているポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)／ポリ(4-スチレンスルホネート)のようなコポリマー、といった高分子正孔輸送性材料を使用することもできる。
【００２６】
譲受人共通の米国特許第４７６９２９２号及び同第５９３５７２１号に詳述されているように、有機EL要素の発光層(LEL)は発光材料又は蛍光材料を含み、その領域において電子-正孔対が再結合する結果として電場発光が生じる。発光層は、単一材料で構成することもできるが、より一般的には、ホスト材料に単一又は複数種のゲスト化合物をドーピングしてなり、そこで主として当該ドーパントから発光が生じ、その発光色にも制限はない。発光層に含まれるホスト材料は、後述する電子輸送性材料、上述した正孔輸送性材料、又は正孔-電子再結合を支援する別の材料もしくはその組合せ、であることができる。ドーパントは、通常は高蛍光性色素の中から選ばれるが、リン光性化合物、例えば、国際公開第９８／５５５６１号、同第００／１８８５１号、同第００／５７６７６号及び同第００／７０６５５号に記載されているような遷移金属錯体も有用である。ドーパントは、ホスト材料中、０．０１〜１０質量％の範囲内でコーティングされることが典型的である。ホスト材料としては、ポリフルオレンやポリビニルアリーレン（例、ポリ(p-フェニレンビニレン)、PPV）のような高分子材料を使用することもできる。この場合、当該高分子ホスト中に低分子量ドーパントを分子レベルで分散させること、又は当該ホストポリマー中に二次成分を共重合させることによりドーパントを付加すること、が可能である。
【００２７】
ドーパントとしての色素を選定するための重要な関係は、当該分子の最高被占軌道と最低空軌道との間のエネルギー差として定義されるバンドギャップポテンシャルの対比である。ホストからドーパント分子へのエネルギー伝達の効率化を図るためには、当該ドーパントのバンドギャップがホスト材料のそれよりも小さいことが必須条件となる。
【００２８】
有用性が知られているホスト及び発光性分子として、米国特許第４７６９２９２号、同第５１４１６７１号、同第５１５０００６号、同第５１５１６２９号、同第５４０５７０９号、同第５４８４９２２号、同第５５９３７８８号、同第５６４５９４８号、同第５６８３８２３号、同第５７５５９９９号、同第５９２８８０２号、同第５９３５７２０号、同第５９３５７２１号及び同第６０２００７８号に記載されているものが挙げられるが、これらに限定はされない。
【００２９】
8-ヒドロキシキノリン（オキシン）及び類似の誘導体の金属錯体は、電場発光を支援することができる有用なホスト化合物の一種である。以下、有用なキレート化オキシノイド系化合物の例を示す。
CO-1：アルミニウムトリスオキシン〔別名、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(III)〕
CO-2：マグネシウムビスオキシン〔別名、ビス(8-キノリノラト)マグネシウム(II)〕
CO-3：ビス[ベンゾ{f}-8-キノリノラト]亜鉛(II)
CO-4：ビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)-μ-オキソ-ビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)
CO-5：インジウムトリスオキシン〔別名、トリス(8-キノリノラト)インジウム〕
CO-6：アルミニウムトリス(5-メチルオキシン)〔別名、トリス(5-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)〕
CO-7：リチウムオキシン〔別名、(8-キノリノラト)リチウム(I)〕
CO-8：ガリウムオキシン〔別名、トリス(8-キノリノラト)ガリウム(III)〕
CO-9：ジルコニウムオキシン〔別名、テトラ(8-キノリノラト)ジルコニウム(IV)〕
【００３０】
有用なホスト材料の別の種類として、9,10-ジ-(2-ナフチル)アントラセン及びその誘導体のようなアントラセン誘導体、米国特許第５１２１０２９号に記載されているジスチリルアリーレン誘導体、並びに2,2’,2”-(1,3,5-フェニレン)トリス[1-フェニル-1H-ベンズイミダゾール]のようなベンズアゾール誘導体が挙げられるが、これらに限定はされない。
【００３１】
有用な蛍光性ドーパントとして、例えば、アントラセン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、ルブレン、クマリン、ローダミン及びキナクリドンの誘導体、ジシアノメチレンピラン化合物、チオピラン化合物、ポリメチン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、フルオレン誘導体、ペリフランテン誘導体並びにカルボスチリル化合物が挙げられるが、これらに限定はされない。
【００３２】
本発明の有機EL要素の電子輸送層を形成するのに用いられる好適な薄膜形成性材料は、オキシン（通称8-キノリノール又は8-ヒドロキシキノリン）自体のキレートをはじめとする、金属キレート化オキシノイド系化合物である。当該化合物は、電子の注入・輸送を助長し、高い性能レベルを発揮すると共に、薄膜加工が容易である。オキシノイド系化合物の例は既述した通り。
【００３３】
他の電子輸送性材料として、譲受人共通の米国特許第４３５６４２９号明細書に記載されている各種ブタジエン誘導体、及び譲受人共通の米国特許第４５３９５０７号明細書に記載されている各種複素環式蛍光増白剤が挙げられる。ベンズアゾール及びトリアジンもまた有用な電子輸送性材料である。
【００３４】
場合によっては、必要に応じて、発光層と電子輸送層を、発光と電子輸送の両方を支援する機能を発揮する単一層にすることが可能である。これらの層は、低分子型OLED系及び高分子型OLED系のどちらにおいても一体化することが可能である。例えば、高分子系の場合、PEDOT-PSSのような正孔輸送層をPPVのような高分子発光層との組合せで採用することが通例である。この系では、PPVが発光と電子輸送の両方を支援する機能を発揮する。
【００３５】
発光をアノードのみを通して観察する場合には、本発明に用いられるカソードは、ほとんどすべての導電性材料を含んでなることができる。望ましい材料は、下部の有機層との良好な接触が確保されるよう良好なフィルム形成性を示し、低電圧での電子注入を促進し、かつ、良好な安定性を有する。有用なカソード材料は、低仕事関数金属（＜４.０ｅＶ）又は合金を含むことが多い。好適なカソード材料の１種に、譲受人共通の米国特許第４８８５２２１号明細書に記載されているMg:Ag合金（銀含有率１〜２０％）を含むものがある。別の好適な種類のカソード材料として、有機層（例、ETL）に接している薄い電子注入層（EIL）に、これより厚い導電性金属層をキャップしてなる二層形が挙げられる。この場合、EILは低仕事関数の金属又は金属塩を含むことが好ましく、その場合には、当該より厚いキャップ層は低仕事関数を有する必要はない。このようなカソードの一つに、譲受人共通の米国特許第５６７７５７２号明細書に記載されている、薄いLiF層にこれより厚いAl層を載せてなるものがある。その他の有用なカソード材料のセットとして、譲受人共通の米国特許第５０５９８６１号、同第５０５９８６２号及び同第６１４０７６３号明細書に記載されているものが挙げられるが、これらに限定はされない。
【００３６】
カソードを通して発光を観察する場合には、当該カソードは透明又はほぼ透明でなければならない。このような用途の場合、金属が薄くなければならないか、又は透明導電性酸化物もしくはこれら材料の組合せを使用しなければならない。透光性カソードについては、米国特許第４８８５２１１号、米国特許第５２４７１９０号、米国特許第５７０３４３６号、米国特許第５６０８２８７号、米国特許第５８３７３９１号、米国特許第５６７７５７２号、米国特許第５７７６６２２号、米国特許第５７７６６２３号、米国特許第５７１４８３８号、米国特許第５９６９４７４号、米国特許第５７３９５４５号、米国特許第５９８１３０６号、米国特許第６１３７２２３号、米国特許第６１４０７６３号、米国特許第６１７２４５９号、米国特許第６２７８２３６号、欧州特許第１０７６３６８号及びJP3,234,963に詳しく記載されている。カソード材料は、蒸発法、スパッタ法又は化学的気相成長法により付着させることが典型的である。必要な場合には、例えば、マスク介在蒸着法、譲受人共通の米国特許第５２７６３８０号及び欧州特許出願公開第０７３２８６８号明細書に記載の一体型シャドーマスク法、レーザーアブレーション法及び選択的化学的気相成長法をはじめとする多くの周知の方法により、パターンを形成させてもよい。
【００３７】
上述した有機材料は昇華法のような気相法により適宜付着されるが、流体から、例えばフィルム形成性を高める任意のバインダーを含む溶剤から、付着させてもよい。当該材料がポリマーである場合には、溶剤付着法が有用であるが、スパッタ法やドナーシートからの熱転写法のような別の方法を利用することもできる。昇華法により付着すべき材料は、例えば、譲受人共通の米国特許第６２３７５２９号明細書に記載されているように、タンタル材料を含むことが多い昇華体「ボート」から気化させてもよいし、当該材料をまずドナーシート上にコーティングし、その後これを基板に接近させて昇華させてもよい。複数材料の混合物を含む層は、独立した複数の昇華体ボートを利用してもよいし、当該材料を予め混合した後単一のボート又はドナーシートからコーティングしてもよい。パターン化付着は、シャドーマスク、一体型シャドーマスク（譲受人共通の米国特許第５２９４８７０号明細書）、ドナーシートからの空間画定型感熱色素転写法（譲受人共通の米国特許第５８５１７０９号及び同第６０６６３５７号明細書）及びインクジェット法（譲受人共通の米国特許第６０６６３５７号明細書）を利用して達成することができる。
【００３８】
ほとんどのOLEDデバイスは湿分もしくは酸素又はこれら双方に対して感受性を示すため、窒素又はアルゴンのような不活性雰囲気において、アルミナ、ボーキサイト、硫酸カルシウム、クレー、シリカゲル、ゼオライト、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、スルフェート、金属ハロゲン化物及び金属過塩素酸塩のような乾燥剤と一緒に、封止されることが一般的である。封入法及び乾燥法として、米国特許第６２２６８９０号明細書に記載されている方法が挙げられるが、これらに限定はされない。さらに、当該技術分野では、封入用として、SiOx、テフロン（登録商標）及び無機／高分子交互層のようなバリア層も知られている。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の一態様による直／並列式OLED光源を示す電気略図である。
【図２】図１に示した直／並列式OLED光源のレイアウト図である。
【図３】本発明の別態様による直／並列式OLED光源を示す電気略図である。
【図４】図３に示した直／並列式OLED光源のレイアウト図である。
【図５】本発明の別態様による直／並列式OLED光源を示す電気略図である。
【図６】図１に示したタイプの直／並列式OLED光源であって当該ダイオード群に逆方向バイアスを順次印加するための手段を含むものを示す電気略図である。
【図７】本発明の別態様による直／並列式OLED光源を示す電気略図である。
【符号の説明】
【００４０】
１０…直／並列式OLED光源
１２、１６…並列連結されたOLEDの群
１４、１４’…OLED
１８…電源
２０…ヒューズ
２２…AC電源
２４…逆極性電源
２６…ロータリー式スイッチ
３０…基板
３２…アノード
３４…OLED材料層
３６…カソード
３８…帯状導体
４０…導体の細いネック部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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