(57)【要約】【課題】剛性の高い支持基板に支持された半導体ウェーハまたは半導体チップを研削して薄い半導体チップを製造する場合において、半導体ウェーハまたは半導体チップを損傷させずに、支持基板から取り外すことを可能とする。【解決手段】光を透過させる支持基板１１に、光を受けると粘着力が低下する粘着層１０を介在させて半導体ウェーハＷ１の表面を貼着して半導体ウェーハＷ１の裏面を露出させ、支持基板１１と一体になった半導体ウェーハＷ１の裏面を研削し、研削後の支持基板１１と一体となっている半導体ウェーハＷ１の裏面にテープ４０を貼着すると共にテープ４０の外周をフレームで支持し、テープ４０の貼着前または後に支持基板１１側から粘着層１０に対して光を照射して粘着層１０の粘着力を低下させ、その後に半導体ウェーハＷ１の表面から支持基板１１と粘着層１０とを取り外して半導体ウェーハＷ１をテープ４０及びフレームに支持させ、テープ４０及びフレームに支持された半導体ウェーハＷ１のストリートを切断して個々の半導体チップに分割する。【選択図】  図８
2004296839.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストリートによって区画されて複数の回路が表面に形成された半導体ウェーハを個々の回路ごとの半導体チップに分割する半導体チップの製造方法であって、
光を透過させる支持基板に、光を受けると粘着力が低下する粘着層を介在させて半導体ウェーハの表面を貼着し、該半導体ウェーハの裏面を露出させる支持基板一体化工程と、
該支持基板と一体になった半導体ウェーハを研削装置のチャックテーブルに載置して該半導体ウェーハの裏面を研削する研削工程と、
該研削工程後の支持基板と一体となっている半導体ウェーハの裏面にテープを貼着すると共に該テープの外周をフレームで支持するテープ貼着工程と、
該テープ貼着工程の前または後に該支持基板側から前記粘着層に対して光を照射して該粘着層の粘着力を低下させ、該テープ貼着工程の後に該半導体ウェーハの表面から該支持基板と粘着層とを取り外して該半導体ウェーハをテープ及びフレームに支持させる貼り替え工程と、
該テープ及びフレームに支持された半導体ウェーハをダイシング装置のチャックテーブルに載置し、複数の回路を区画するストリートを切断して個々の半導体チップに分割するダイシング工程と
を含む半導体チップの製造方法。
【請求項２】
ストリートによって区画されて複数の回路が表面に形成された半導体ウェーハを個々の回路ごとの半導体チップに分割する半導体チップの製造方法であって、
半導体ウェーハをダイシング装置のチャックテーブルに載置し、複数の回路を区画するストリートの表面に溝を形成する溝形成工程と、
光を透過させる支持基板に、光を受けると粘着力が低下する粘着層を介在させて該半導体ウェーハの表面を貼着し、該半導体ウェーハの裏面を露出させる支持基板一体化工程と、
該支持基板と一体になった半導体ウェーハを研削装置のチャックテーブルに載置し、前記溝が表出するまで該半導体ウェーハの裏面を研削して個々の半導体チップに分割する研削工程と、
該研削工程後の支持基板と一体になり半導体ウェーハの外形を維持した状態の半導体チップの裏面にテープを貼着すると共に該テープの外周をフレームで支持するテープ貼着工程と、
該テープ貼着工程の前または後に該支持基板側から前記粘着層に対して光を照射して該粘着層の粘着力を低下させ、該テープ貼着工程の後に該半導体ウェーハの表面から該支持基板と粘着層とを取り外して該半導体ウェーハをテープ及びフレームに支持させる貼り替え工程と
を含む半導体チップの製造方法。
【請求項３】
ストリートによって区画されて複数の回路が表面に形成された半導体ウェーハを個々の回路ごとの半導体チップに分割する半導体チップの製造方法であって、
半導体ウェーハをダイシング装置のチャックテーブルに載置し、複数の回路を区画するストリートの表面に溝を形成する溝形成工程と、
光を透過させる支持基板に、光を受けると粘着力が低下する粘着層を介在させて該半導体ウェーハの表面を貼着し、該半導体ウェーハの裏面を露出させる支持基板一体化工程と、
該支持基板と一体になった半導体ウェーハを研削装置のチャックテーブルに載置し、前記溝が表出するまで該半導体ウェーハの裏面を研削して個々の半導体チップに分割する研削工程と、
該支持基板側から光を照射して該粘着層の粘着力を低下させ、半導体チップを該支持基板と該粘着層とから取り外す半導体チップ離脱工程と
を含む半導体チップの製造方法。
【請求項４】
半導体ウェーハの外形より大きい外形を有する支持基板を使用して支持基板一体化工程を遂行し、半導体ウェーハの研削面と支持基板の表面とに厚さ測定器の触針をそれぞれ接触させて半導体ウェーハの厚さを計測しながら研削工程を遂行する請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
【請求項５】
粘着層は液状樹脂であり、該液状樹脂は紫外線を受けることにより発泡して粘着力が低下するキノンジアジド系化合物と樹脂との組成物により形成され、
支持基板一体化工程を遂行する際、支持基板または半導体ウェーハの表面に、該液状樹脂がコーティングされる請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
【請求項６】
キノンジアジド系化合物は、トリまたはテトラヒドロキシベンゾフェノン等のポリヒドロキシベンゾフェノンと、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸、またはそれらのスルホン酸クロライド等、あるいは１，２−キノンジアジドスルホン酸またはそのスルホン酸クロライド等から選ばれる少なくとも１種のスルホン酸素化合物とを反応させて得られるキノンジアジドスルホン酸エステルであることを特徴とする請求項５に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項７】
該樹脂は、アクリル、ウレタン、ポリエステル、ノボラックフェノールとその誘導体、ポリビニルフェノールとその誘導体、シリコーンとその誘導体から選ばれる少なくとも１種の樹脂に重合性不飽和基を導入したものである請求項５または６に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項８】
液状樹脂の粘度は１０〜１０００００ｍＰａ・ｓである請求項７に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項９】
支持基板一体化工程において、液状樹脂は支持基板または半導体ウェーハの表面に滴下され、１００〜８０００ｒｐｍで５秒以上の回転の下でスピンコーティングされ、その後、半導体ウェーハと支持基板とは該液状樹脂を介して一体にされ、５０〜１５０°Ｃで３０秒〜２０分間ベーキングされる請求項５乃至８のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１０】
支持基板は透明なガラスまたはプラスチック板で形成され、厚みは０．５〜２．５ｍｍである請求項１乃至９のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、支持基板を用いて半導体ウェーハを支持しながら半導体チップを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウェーハにはＩＣ、ＬＳＩ等の回路が複数形成されており、その表面のストリートを切断してダイシングすることによって個々の半導体チップに分割され各種の電子機器に利用される。
【０００３】
半導体ウェーハは、その裏面を研削することにより所望の厚さに形成されるが、近年は、電子機器の小型化、軽量化を可能とするために、半導体ウェーハも、その厚さが１００μｍ以下、５０μｍ以下となるよう薄く加工することが求められている。
【０００４】
ところが、薄くなった半導体ウェーハは紙のように柔軟になって研削後の取り扱いが困難になるという問題がある。そこで、剛性の高い支持基板に半導体ウェーハを貼着した状態で研削を行い、その後の搬送等の取り扱いを容易にするという工夫も施されている（例えば特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平２００２−７６１０１号公報（第５頁、第３図）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、研削後の半導体ウェーハをダイシングするには、支持基板に貼り付いた半導体ウェーハを剥離して、ダイシングテープに貼り替えてダイシングフレームと一体としなければならないが、研削後の半導体ウェーハは薄くなっているため、特に厚さが１００μｍ以下、５０μｍ以下となるように薄く研削された半導体ウェーハについては、支持基板から離脱させてダイシングテープに貼り替える際に損傷しやすく、損傷させずに貼り替えることが困難であるという問題がある。
【０００７】
また、半導体ウェーハの表面のストリートに予め所定深さの溝を形成しておき、その溝が表出するまで裏面を研削することにより個々の半導体チップに分割するいわゆる先ダイシングと称される手法においても、研削に先立ち、溝が形成された半導体ウェーハを比較的粘着力が低い粘着層を介在させて剛性の高い支持基板に貼着し、研削終了後は分割された半導体チップを支持基板からピックアップする必要があるが、この場合も薄い半導体チップを損傷させずに支持基板から剥離するのは困難である。
【０００８】
このように、薄い半導体チップを製造する場合においては、半導体ウェーハまたは半導体チップを損傷させずに、支持基板から剥離させるようにすることに課題を有している。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための具体的手段として本発明は、ストリートによって区画されて複数の回路が表面に形成された半導体ウェーハを個々の回路ごとの半導体チップに分割する半導体チップの製造方法であって、光を透過させる支持基板に、光を受けると粘着力が低下する粘着層を介在させて半導体ウェーハの表面を貼着し、半導体ウェーハの裏面を露出させる支持基板一体化工程と、支持基板と一体になった半導体ウェーハを研削装置のチャックテーブルに載置して半導体ウェーハの裏面を研削する研削工程と、研削工程後の支持基板と一体となっている半導体ウェーハの裏面にテープを貼着すると共にテープの外周をフレームで支持するテープ貼着工程と、テープ貼着工程の前または後に支持基板側から粘着層に対して光を照射して粘着層の粘着力を低下させ、テープ貼着工程の後に半導体ウェーハの表面から支持基板と粘着層とを取り外して半導体ウェーハをテープ及びフレームに支持させる貼り替え工程と、テープ及びフレームに支持された半導体ウェーハをダイシング装置のチャックテーブルに載置し、複数の回路を区画するストリートを切断して個々の半導体チップに分割するダイシング工程とを含む半導体チップの製造方法を提供する。
【００１０】
また本発明は、ストリートによって区画されて複数の回路が表面に形成された半導体ウェーハを個々の回路ごとの半導体チップに分割する半導体チップの製造方法であって、半導体ウェーハをダイシング装置のチャックテーブルに載置し、複数の回路を区画するストリートの表面に溝を形成する溝形成工程と、光を透過させる支持基板に、光を受けると粘着力が低下する粘着層を介在させて半導体ウェーハの表面を貼着し、半導体ウェーハの裏面を露出させる支持基板一体化工程と、支持基板と一体になった半導体ウェーハを研削装置のチャックテーブルに載置し、溝が表出するまで半導体ウェーハの裏面を研削して個々の半導体チップに分割する研削工程と、研削工程後の支持基板と一体になり半導体ウェーハの外形を維持した状態の半導体チップの裏面にテープを貼着すると共にテープの外周をフレームで支持するテープ貼着工程と、テープ貼着工程の前または後に支持基板側から粘着層に対して光を照射して粘着層の粘着力を低下させ、テープ貼着工程の後に半導体ウェーハの表面から支持基板と粘着層とを取り外して半導体ウェーハをテープ及びフレームに支持させる貼り替え工程とを含む半導体チップの製造方法を提供する。
【００１１】
更に本発明は、ストリートによって区画されて複数の回路が表面に形成された半導体ウェーハを個々の回路ごとの半導体チップに分割する半導体チップの製造方法であって、半導体ウェーハをダイシング装置のチャックテーブルに載置し、複数の回路を区画するストリートの表面に溝を形成する溝形成工程と、光を透過させる支持基板に、光を受けると粘着力が低下する粘着層を介在させて半導体ウェーハの表面を貼着し、半導体ウェーハの裏面を露出させる支持基板一体化工程と、支持基板と一体になった半導体ウェーハを研削装置のチャックテーブルに載置し、溝が表出するまで半導体ウェーハの裏面を研削して個々の半導体チップに分割する研削工程と、支持基板側から光を照射して粘着層の粘着力を低下させ、半導体チップを支持基板と粘着層とから取り外す半導体チップ離脱工程とを含む半導体チップの製造方法を提供する。
【００１２】
そして上記半導体チップの製造方法は、半導体ウェーハの外形より大きい外形を有する支持基板を使用して支持基板一体化工程を遂行し、半導体ウェーハの研削面と支持基板の表面とに厚さ測定器の触針をそれぞれ接触させて半導体ウェーハの厚さを計測しながら研削工程を遂行すること、粘着層は液状樹脂であり、液状樹脂は紫外線を受けることにより発泡して粘着力が低下するキノンジアジド系化合物と樹脂との組成物により形成され、支持基板一体化工程を遂行する際、支持基板または半導体ウェーハの表面に、液状樹脂がコーティングされること、キノンジアジド系化合物は、トリまたはテトラヒドロキシベンゾフェノン等のポリヒドロキシベンゾフェノンと、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸、またはそれらのスルホン酸クロライド等、あるいは１，２−キノンジアジドスルホン酸またはそのスルホン酸クロライド等から選ばれる少なくとも１種のスルホン酸素化合物とを反応させて得られるキノンジアジドスルホン酸エステルであること、樹脂は、アクリル、ウレタン、ポリエステル、ノボラックフェノールとその誘導体、ポリビニルフェノールとその誘導体、シリコーンとその誘導体から選ばれる少なくとも１種の樹脂に重合性不飽和基を導入したものであること、液状樹脂の粘度は１０〜１０００００ｍＰａ・ｓであること、支持基板一体化工程において、液状樹脂は支持基板または半導体ウェーハの表面に滴下され、１００〜８０００ｒｐｍで５秒以上の回転の下でスピンコーティングされ、その後、半導体ウェーハと支持基板とは該液状樹脂を介して一体にされ、５０〜１５０°Ｃで３０秒〜２０分間ベーキングされること、支持基板は透明なガラスまたはプラスチック板で形成され、厚みは０．５〜２．５ｍｍであることを付加的な要件とする。
【００１３】
上記のように構成される半導体チップの製造方法においては、剛性の高い支持基板に、光を受けると粘着力が低下する粘着層を介在させて半導体ウェーハを貼着し、その状態で研削を行って半導体ウェーハを所望の厚さとし、その後に支持基板に光を照射して粘着層の粘着力を低下させて半導体ウェーハまたは半導体チップを支持基板から離脱させるようにしたので、薄くなった半導体ウェーハや半導体チップでも損傷させることなく容易に離脱させることができる。
【００１４】
特に、粘着層が液状樹脂であり、その液状樹脂が紫外線を受けることにより発泡して粘着力が低下するキノンジアジド系化合物と樹脂との組成物により形成される場合は、支持基板に紫外線を照射することにより、半導体ウェーハまたは半導体チップと粘着層との間に発泡体が集中して隙間が形成されるため、より容易かつ安全に支持基板から離脱させることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態として、図１に示すように、ストリートＳによって区画されて複数の回路Ｃが表面に形成された半導体ウェーハＷ１を個々の半導体チップに分割する方法について説明する。
【００１６】
まず、例えば図２に示すスピンナーコーティング装置１を用いて、半導体ウェーハＷ１または支持基板１１の表面に、光を受けると粘着力が低下する粘着層、例えば液状樹脂１０をコーティングする。ここでは液状樹脂１０を半導体ウェーハＷ１の表面にコーティングする場合について説明する。
【００１７】
このスピンナーコーティング装置１は、回転可能な保持テーブル２と、液状樹脂１０を滴下させる滴下部３とを少なくとも備えており、半導体ウェーハＷ１の表面を上に向けて保持テーブル２において保持し、例えば１００〜８０００ＲＰＭの回転数で保持テーブル２を５秒以上回転させながら、滴下部３から液状樹脂５を滴下させてスピンコーティングすることにより、半導体ウェーハＷ１の表面に液状樹脂５が均一にコーティングされ、後述する図３に示す粘着層１０が形成される。そしてその後、粘着層１０を介して支持基板１１を半導体ウェーハＷ１と一体とし、５０〜１５０°Ｃで３０秒〜２０分間ベーキングすることにより、半導体ウェーハＷ１と支持基板とが固定される。
【００１８】
この液状樹脂５としては、例えば紫外線を受けることにより発泡して粘着力が低下するキノンジアジド系化合物と樹脂との組成物を使用することができる。キノンジアジド系化合物としては、トリまたはテトラヒドロキシベンゾフェノン等のポリヒドロキシベンゾフェノンと、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸、またはそれらのスルホン酸クロライド等、あるいは１，２−キノンジアジドスルホン酸またはそのスルホン酸クロライド等とを反応させて得られるキノンジアジドスルホン酸エステルを使用することができる。また、上記樹脂としては、例えばアクリル、ウレタン、ポリエステル、ノボラックフェノールとその誘導体、ポリビニルフェノールとその誘導体、シリコーンとその誘導体、及び、これらの樹脂に重合性不飽和基を導入したものを使用することができる。液状樹脂の粘度は、１０〜１０００００ｍＰａ・ｓとすることが望ましい。
【００１９】
上記のようにして半導体ウェーハＷ１の表面に粘着層１０が形成されると、次に、図３に示すように、半導体ウェーハＷ１を裏返し、粘着層１０を介して支持基板１１に半導体ウェーハＷ１の表面を貼着して一体とし、所定時間ベーキングして図４に示す状態とする（支持基板一体化工程）。ここで、支持基板１１は、後に行う研削によって１００μｍ以下、５０μｍ以下と薄くなった半導体ウェーハでも安定的に支持できる程度の剛性を有すると共に、光を透過させる透明なガラス、プラスチック板等で形成されており、例えば、厚さは０．５ｍｍ〜２．５ｍｍ程度である。
【００２０】
次に、例えば図５に示す研削装置２０を用いて半導体ウェーハＷ１の裏面を研削する。研削装置２０においては、基台２１の端部から壁部２２が起立して設けられており、この壁部２２の内側の面には一対のレール２３が垂直方向に配設され、レール２３に沿って支持部２４が上下動するのに伴い、支持部２４に取り付けられた研削手段２５が上下動するよう構成されている。また、基台２１上には、ターンテーブル２６が回転可能に配設され、更にターンテーブル２６は、半導体ウェーハを保持するチャックテーブル２７を回転可能に支持している。
【００２１】
研削手段２５においては、垂直方向の軸心を有するスピンドル２８の先端にマウンタ２９が装着され、更にその下部に研削ホイール３０が固定されており、研削ホイール３０の下面には研削砥石３１が固着されており、研削砥石３１は、スピンドル２８の回転に伴って回転する構成となっている。
【００２２】
研削装置２０を用いて半導体ウェーハＷ１の裏面を研削する際は、支持基板１１に支持された半導体ウェーハＷ１の裏面を露出させた状態でチャックテーブル２７に載置する。そして、半導体ウェーハＷ１を研削手段２５の直下に位置付け、スピンドル２８を回転させると共に、研削手段２５を下降させていき、スピンドル２８の高速回転に伴って研削ホイール３０が高速回転すると共に、回転する研削砥石３１が半導体ウェーハに接触して押圧力が加えられることにより、その裏面が研削砥石３１によって研削され、所定の厚さに形成される（研削工程）。
【００２３】
このようにして研削工程が行われた後は、図６に示すように、支持基板１１と一体となった半導体ウェーハＷ１の表裏を反転させ、テープ４０の粘着面に貼着する。
【００２４】
このテープ４０の外周にはフレーム４１が貼着されテープ４０の外周を支持しており、支持基板１１に支持された半導体ウェーハＷ１の裏面をテープ４０に貼着することにより、これらを一体化する（テープ貼着工程）。
【００２５】
次に、図７に示すように、支持基板１１の上方から紫外線を照射する。支持基板１１は、光を透過させるガラス、プラスチック板等で形成されているため、照射された光は支持基板１１を透過して粘着層１０に到達する。
【００２６】
粘着層１０は、キノンジアジド系化合物と樹脂との組成物により構成されるため、光が支持基板１１側から入射して半導体ウェーハＷ１側に進むと、粘着層１０のうち、支持基板１０に近い方の側から徐々に硬化していき、図８に示すように、発泡体４２が半導体ウェーハＷ１側に集中し、粘着層１０と半導体ウェーハＷ１との間に隙間が形成されて粘着力が低下する。
【００２７】
そして次に、図９に示すように、支持基板１１を持ち上げると、粘着層１０の粘着力が低下しているため、支持基板１１及び粘着層１０を半導体ウェーハＷ１から容易に取り外すことができ、半導体ウェーハＷ１を損傷させるおそれもない。こうして支持基板１１を離脱させると、半導体ウェーハＷ１は、テープ４０に貼着されたままの状態であるため、テープ４０及びフレーム４１に支持される（貼り替え工程）。このように、貼り替え工程においては、光の照射により粘着層１０の粘着力を低下させてから支持基板１１を離脱させることにより、研削により薄くなった半導体ウェーハでも損傷させることなく容易にテープ４０に貼り替え、テープ４０及びフレーム４１に支持させることができる。なお、粘着層１０への光の照射は、テープ貼着工程の前に行うこともできる。
【００２８】
上記のようにしてテープ４０及びフレーム４１に支持された半導体ウェーハＷ１は、例えば図１０に示すダイシング装置５０を用いて個々の半導体チップに分割することができる。
【００２９】
このダイシング装置５０においては、テープ４０を介してフレーム４１と一体となった半導体ウェーハＷ１は、カセット５１に複数収納される。そして、フレーム４１と一体となった半導体ウェーハＷ１は、搬出入手段５２によってカセット５１から搬出されて仮置き領域５３に載置され、第一の搬送手段５４に吸着されて第一の搬送手段５４が旋回動することによりチャックテーブル５５に搬送されて載置され、吸引保持される。
【００３０】
半導体ウェーハＷ１がチャックテーブル５５に吸引保持されると、チャックテーブル５５が＋Ｘ方向に移動してアライメント手段５６の直下に位置付けられ、パターンマッチング等の処理によって切削すべきストリートＳが検出され、そのストリートＳと回転ブレード５７とのＹ軸方向の位置合わせが行われる。こうして位置合わせがなされると、更にチャックテーブル５５がＸ軸方向に移動し、回転ブレード５７の作用を受けて切削が行われる。
【００３１】
このような切削を、回転ブレード５７をＹ軸方向にストリート間隔だけ割り出し送りしながら行い、更にチャックテーブル５５を９０度回転させて同様の切削を行うと、図１１に示すように、すべてのストリートＳが縦横に切削され、個々の半導体チップＣに分割される（ダイシング工程）。
【００３２】
以上のようにして、支持基板一体化工程、研削工程、テープ貼着工程、貼り替え工程、ダイシング工程を遂行することにより、剛性の高い支持基板１１に支持された状態で研削を行って半導体ウェーハＷ１を所望の厚さとし、その後に支持基板１１に光を照射して粘着層１０の粘着力を低下させて半導体ウェーハＷ１を支持基板１１から離脱させてテープ４０に貼り替えるようにしたので、研削により薄くなった半導体ウェーハＷ１でも損傷させることなくダイシング工程までを遂行することができる。そしてその後、個々の半導体チップＣをピックアップすることができる。
【００３３】
次に、いわゆる先ダイシングの手法により半導体チップを製造する場合について説明する。
【００３４】
まず最初に、例えば図１０に示したダイシング装置５０のチャックテーブル５５に半導体ウェーハを載置し、回転ブレード５７を用いて、図１２及び図１３に示すように、半導体ウェーハＷ２の表面のストリートＳに溝６０を形成し、最終的な半導体チップＣの厚さに相当する深さの溝６０が形成された半導体ウェーハＷ２とする（切削溝形成工程）。
【００３５】
次に、図２に示したスピンナーコーティング装置１を用いて支持基板１１の表面に粘着層をコーティングし、図１４に示すように、半導体ウェーハＷ２を裏返し、粘着層１０を介して支持基板１１に半導体ウェーハＷ２の表面を貼着して一体とし、所定時間ベーキングして図１５に示す状態とする（支持基板一体化工程）。
【００３６】
そして、例えば図５に示した研削装置２０のチャックテーブル２７に支持基板１１と一体となった半導体ウェーハＷ２を載置し、研削手段２５を用いて半導体ウェーハＷ２の裏面を研削し、半導体ウェーハＷ２の裏面に溝６０を表出させると、図１６に示すように、全体として半導体ウェーハＷ２の外形を維持したままの状態で個々の半導体チップＣに分割される（研削工程）。
【００３７】
このようにして研削工程が行われた後は、図１７に示すように、支持基板１１と一体となった半導体ウェーハＷ１の表裏を反転させ、外周にフレーム４１が貼着されたテープ４０の粘着面に半導体ウェーハＷ２の裏面を貼着する（テープ貼着工程）。
【００３８】
次に、図１８に示すように、支持基板１１の上方から光を照射する。支持基板１１は、光を透過させるガラス、プラスチック板等で形成されているため、照射された光は支持基板１１を透過して粘着層１０に到達する。
【００３９】
粘着層１０は、キノンジアジド系化合物と樹脂との組成物により構成されるため、光が支持基板１１側から入射して半導体ウェーハＷ２側に進むと、粘着層１０のうち、支持基板１０に近い方の側から徐々に硬化していき、図１９に示すように、発泡体が半導体ウェーハＷ２側に集中し、粘着層１０と半導体ウェーハＷ２との間に隙間が形成されて粘着力が低下する。
【００４０】
このようにして粘着力が低下した後に、図２０に示すように、支持基板１１を持ち上げると、粘着層１０の粘着力が低下しているため、支持基板１１を半導体ウェーハＷ２から容易に剥離させることができ、個々の半導体チップＣを損傷させるおそれもない。こうして支持基板１１を離脱させると、すべての半導体チップＣは半導体ウェーハＷ２の外形を維持したままテープ４０に貼着されるため、テープ４０及びフレーム４１に支持される（貼り替え工程）。
【００４１】
このように、貼り替え工程においては、光の照射により粘着層１０の粘着力を低下させてから支持基板１１を離脱させることにより、研削により薄くなった半導体ウェーハでも損傷させることなく容易にテープ４０に貼り替えることができる。そして、この状態から、テープ４０に貼着された半導体チップＣを個々にピックアップすることができる。なお、粘着層１０への光の照射は、テープ貼着工程の前に行うこともできる。
【００４２】
上記の実施の形態においては、研削工程の後にテープ貼着工程及び貼り替え工程を遂行してから半導体チップＣをピックアップすることとしたが、テープ貼着工程及び貼り替え工程を遂行せずに半導体チップＣをピックアップすることもできる。この場合は、図２１に示すように、支持基板１１に紫外線を照射して粘着層１０の粘着力を低下させることで、半導体チップＣを支持基板１１から円滑にピックアップすることができる。
【００４３】
半導体ウェーハＷ１、Ｗ２を研削する場合は、最終的に形成される半導体チップＣを所望の厚さとするために、半導体ウェーハＷ１、Ｗ２の厚さを計測する必要がある。
【００４４】
そこで、図２２に示すように、支持基板１１ａの外形を半導体ウェーハＷ１（Ｗ２）の外形より大きく形成しておき、支持基板１１ａに支持された半導体ウェーハＷ１（Ｗ２）を図５に示した研削装置２０のチャックテーブル２７において保持し、図２３に示すように、支持基板１１ａの表面に触針７０を接触させると共に半導体ウェーハＷ１（Ｗ２）の裏面に触針７１を接触させる。
【００４５】
触針７０と触針７１とは、その高さの違いに基づき半導体ウェーハＷ１（Ｗ２）の厚さを求めることができる厚さ測定器７２を構成しており、支持基板１１ａを半導体ウェーハＷ１（Ｗ２）より大きく形成しておくことで、このようにして随時半導体ウェーハＷ１（Ｗ２）の厚さを計測することができるため、半導体ウェーハＷ１（Ｗ２）の厚さを計測しながら研削工程を遂行すると、最終的な半導体チップＣの厚さを正確に管理することができる。
【００４６】
なお、以上の説明においては、回転ブレードを用いて半導体ウェーハのストリートを切削することにより個々の半導体チップに分割したり溝を形成したりする場合を例に挙げて説明したが、半導体チップへの分割や溝の形成にはレーザー光を用いることもでき、本発明は、回転ブレードを用いたダイシング装置及びレーザー光を用いたダイシング装置のいずれにも適用することができる。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る半導体チップの製造方法においては、剛性の高い支持基板に、光を受けると粘着力が低下する粘着層を介在させて半導体ウェーハを貼着し、その状態で研削を行って半導体ウェーハを所望の厚さとし、その後に支持基板に光を照射して粘着層の粘着力を低下させて半導体ウェーハまたは半導体チップを支持基板から離脱させるようにしたので、薄くなった半導体ウェーハや半導体チップでも損傷させることなく容易に離脱させることができ、より安全かつ確実に半導体チップを製造することができる。
【００４８】
特に、粘着層が液状樹脂であり、その液状樹脂が紫外線を受けることにより発泡して粘着力が低下するキノンジアジド系化合物と樹脂との組成物により形成される場合は、支持基板に紫外線を照射することにより、半導体ウェーハまたは半導体チップと粘着層との間に発泡体が集中して隙間が形成されるため、より容易かつ安全に支持基板から離脱させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体ウェーハを示す斜視図である。
【図２】同半導体ウェーハの表面に液状樹脂をスピンコートする様子を示す斜視図である。
【図３】同半導体ウェーハを粘着層を介して支持基板と一体化する様子を示す斜視図である。
【図４】同半導体ウェーハと支持基板とが粘着層を介して一体化された状態を示す斜視図である。
【図５】本発明の実施に用いる研削装置の一例を示す斜視図である。
【図６】支持基板と一体となった研削後の半導体ウェーハをテープに貼着する様子を示す斜視図である。
【図７】同支持基板に紫外線を照射する様子を示す斜視図である。
【図８】紫外線の照射により粘着層が発泡した状態を示す断面図である。
【図９】支持基板を半導体ウェーハから取り外す様子を示す斜視図である。
【図１０】半導体ウェーハのダイシングに用いるダイシング装置の一例を示す斜視図である。
【図１１】ダイシング後の半導体ウェーハを示す斜視図である。
【図１２】表面に溝が形成された半導体ウェーハを示す斜視図である。
【図１３】同表面に溝が形成された半導体ウェーハを示す正面図である。
【図１４】同表面に溝が形成された半導体ウェーハを粘着層を介して支持基板と一体化する様子を示す斜視図である。
【図１５】同半導体ウェーハと支持基板とが粘着層を介して一体化された状態を示す斜視図である。
【図１６】裏面の研削により溝が表出した半導体ウェーハが支持基板に支持された状態を示す斜視図である。
【図１７】同半導体ウェーハをテープに貼着する様子を示す斜視図である。
【図１８】支持基板に紫外線を照射する様子を示す斜視図である。
【図１９】紫外線の照射により粘着層が発泡した状態を示す断面図である。
【図２０】支持基板を半導体ウェーハから取り外す様子を示す斜視図である。
【図２１】同支持基板に紫外線を照射して半導体チップをピックアップ可能とする様子を示す斜視図である。
【図２２】半導体ウェーハの外形より大きい支持基板を用いて半導体ウェーハを支持する様子を示す斜視図である。
【図２３】厚さ測定器を用いて支持基板に支持された半導体ウェーハの厚さを計測する様子を示す正面図である。
【符号の説明】
１…スピンナーコーティング装置  ２…保持テーブル
３…滴下部  ５…液状樹脂
１０…粘着層  １１、１１ａ…支持基板
２０…研削装置  ２１…基台  ２２…壁部
２３…レール  ２４…支持部  ２５…研削手段
２６…ターンテーブル  ２７…チャックテーブル
２８…スピンドル  ２９…マウンタ
３０…研削ホイール  ３１…研削砥石
４０…テープ  ４１…フレーム  ４２…発泡体
５０…ダイシング装置  ５１…カセット
５２…搬出入手段  ５３…仮置き領域
５４…第一の搬送手段  ５５…チャックテーブル
５６…アライメント手段  ５７…回転ブレード
６０…溝  ７０，７１…触針  ７２…厚さ測定器
Ｗ１、Ｗ２…半導体ウェーハ  Ｓ…ストリート
Ｃ…半導体チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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