(57)【要約】【課題】梁および複数の露光領域を有するマスクにおいても、パターンの相補分割処理を高速で行えるマスクデータ作成方法およびプログラムを提供する。【解決手段】相補分割パターンが形成される複数の露光領域を複数の小領域に分割する工程と、パターンを小領域の境界線で分割して複数の図形を作成する工程と、少なくとも一部の図形を予め小領域内に設定された区分線で分割して複数の小図形を作成する工程と、小図形を小領域内の区分領域に予め設定された振り分け先に振り分ける工程と、小領域内での振り分け結果を小領域間で統合し、複数の露光領域に形成される相補分割パターンを作成する工程とを有するマスクデータ作成方法とそれを実行させるプログラム。【選択図】  図２０
2004228379.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光対象物に転写されるパターンの相補分割を小領域単位で行うマスクデータ作成方法であって、
相補分割パターンが形成される複数の露光領域をそれぞれ複数の小領域に分割する露光領域分割工程と、
前記小領域をそれぞれ区分線により複数の区分領域に分割し、隣接する区分領域に異なる前記露光領域が設定されるように、前記区分領域に前記露光領域のいずれか１つを振り分け先として予め設定しておく振り分け先設定工程と、
前記パターンを前記小領域のすべての境界線で分割して複数の図形を作成する図形作成工程と、
複数の前記図形のうちの少なくとも一部の前記図形を前記区分線で分割して複数の小図形を作成する小図形作成工程と、
前記小図形を前記振り分け先設定工程で前記区分領域に設定された振り分け先に振り分ける振り分け工程と、
前記小領域内における前記振り分け工程の振り分け結果を、前記小領域間で統合し、複数の前記露光領域にそれぞれ形成される前記相補分割パターンを作成する小領域統合工程とを有する
マスクデータ作成方法。
【請求項２】
前記振り分け先設定工程において、第１および第２の区分条件を満たすように前記区分領域および前記振り分け先を設定し、
前記第１の区分条件は、前記小領域の境界線の交点で、振り分け先がすべて互いに異なる４つの前記区分領域が接する条件であり、
前記第２の区分条件は、前記小領域の境界線の交点を除く、前記小領域の境界線で、振り分け先がすべて互いに異なる２つ以上の前記区分領域が接する条件である
請求項１記載のマスクデータ作成方法。
【請求項３】
前記マスクは少なくとも４つの前記露光領域を有し、
前記露光領域は前記相補分割パターンを配置できないマスク補強部をそれぞれ一部に有し、
前記露光領域分割工程は、第１の方向に延びる少なくとも３本の直線と、前記第１の方向と異なる第２の方向に延びる少なくとも３本の直線により、４つの前記露光領域をそれぞれ少なくとも４×４個の小領域に分割する工程を含み、
前記マスク補強部を前記露光領域内の互いに隣接する複数の小領域内に配置する
請求項１記載のマスクデータ作成方法。
【請求項４】
前記露光領域分割工程は、前記第１の方向に延びる少なくとも３本の直線と、前記第２の方向に延びる少なくとも３本の直線により分割される少なくとも４×４個の前記小領域を基本単位として、４つの前記露光領域をそれぞれ複数の前記基本単位が含まれるように分割する工程を含み、
前記振り分け先設定工程において、すべての前記基本単位内に共通の前記区分領域および前記振り分け先を設定する
請求項３記載のマスクデータ作成方法。
【請求項５】
前記図形作成工程後、前記小領域の境界線に接し、かつ前記小図形作成工程で小図形に分割されない前記図形のうちの少なくとも一部の図形を、予め前記小領域の境界線に付加された第１および第２の情報に従って分割して振り分ける工程をさらに有し、
前記第１の情報は、前記小領域の１辺全体で振り分け先として１つの露光領域を設定し、前記１辺を共有する隣接小領域では前記１辺全体に振り分け先として他の１つの露光領域を設定する情報であり、
前記第２の情報は、前記小領域の１辺を少なくとも１つの分割基準位置で複数の区間に分割し、前記１辺上で隣接する区間には、振り分け先として互いに異なる露光領域を設定し、前記１辺を共有する隣接小領域では前記区間に振り分け先として同じ露光領域を設定する情報であり、
前記図形でマスクに開口部を形成するのが不可能または困難である図形を解消するように前記図形を分割する線である相補分割線と前記小領域の辺が交わらない場合には、前記第１の情報に従い、前記相補分割線と前記小領域の辺が交わる場合には、前記第２の情報に従う
請求項１記載のマスクデータ作成方法。
【請求項６】
前記図形作成工程後、前記小図形作成工程で小図形に分割されず、かつ前記小領域の境界線に接しない前記図形のうちの少なくとも一部の図形を、前記相補分割線で分割する工程をさらに有する
請求項５記載のマスクデータ作成方法。
【請求項７】
露光対象物に転写されるパターンの相補分割を小領域単位で行うプログラムであって、
相補分割パターンが形成される複数の露光領域をそれぞれ複数の小領域に分割する露光領域分割手順と、
前記パターンを前記小領域のすべての境界線で分割して複数の図形を作成する図形作成手順と、
複数の前記図形のうち、所定の大きさ以上であって前記小領域の境界線に所定の条件で接する前記図形を、前記小領域内に予め設定された、前記小領域を複数の区分領域に分割する区分線でさらに分割して複数の小図形を作成する小図形作成手順と、
隣接する前記区分領域に異なる前記露光領域が設定されるように、前記区分領域に予め振り分け先として設定された、いずれか１つの前記露光領域に前記小図形を振り分ける振り分け手順と、
前記小領域内における前記振り分け手順の振り分け結果を、前記小領域間で統合し、複数の前記露光領域にそれぞれ形成される前記相補分割パターンを作成する小領域統合手順とを情報処理装置に実行させる
プログラム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置製造等のリソグラフィ工程で用いられるマスクのマスクデータ作成方法およびプログラムに関し、特に、パターンの相補分割処理を含むマスクデータ作成方法およびプログラムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路の微細化に伴い、フォトリソグラフィにおいて露光波長の短波長化が進められてきたが、さらに微細なパターンを形成するため、電子線、Ｘ線、イオンビームを用いたリソグラフィが開発されている。例えば、電子線によるパターンの転写には、ステンシルマスクまたはメンブレンマスクが用いられる。
【０００３】
ステンシルマスクはシリコンやダイヤモンド等の材質からなる基板に、所定のパターンで開口部が設けられたマスクであり、開口部を電子線あるいはイオンビームといった荷電粒子線が透過する。一方、メンブレンマスクは荷電粒子線やＸ線を透過させる基板上に、所定のパターンで荷電粒子線散乱体（またはＸ線散乱体）が設けられたものである。
【０００４】
図３６は、ステンシルマスクを用いた露光を示す概略図である。図３６に示すように、電子線１０１をステンシルマスク１０２に照射する。ステンシルマスク１０２は基板１０３に所定のパターンで開口部１０４が形成された構造を有し、開口部１０４を透過した電子線１０５によって、ウェハ上にパターンが転写される。
【０００５】
図３７はステンシルマスクの一部を示す平面図の例であり、基板１０３に所定のパターンで開口部１０４が形成されている。図３８は、図３７のステンシルマスクを作製するためのパターンデータを示す。基板上に塗布されたレジストに、図３８のパターンを描画した後、レジストをマスクとして基板にエッチングを行い、開口部を形成することにより、図３７に示すステンシルマスクが作製される。図３８のパターンが形成されたステンシルマスクを用いて露光を行うと、図３９に示すパターンが転写される。
【０００６】
ステンシルマスクでは、どこからも保持されない部分を含むパターン（ドーナッツ状パターン）や、２つの開口部が１点で接触（点接触）するパターンが存在すると、意図したパターンを露光できない。また、基板として厚さ数μｍ以下の薄膜が用いられる場合、重力の影響により基板が撓み易い。このような撓みや、基板に開口部を設けることによる応力解放により、細長いパターンやパターンで挟まれた細長い基板部分等では、パターンが歪み易くなる。
【０００７】
これらの例を図４０〜図４３に示す。図４０はドーナッツ状パターンの例である。図４０（ａ）に示すデータ上パターンで開口部を形成しようとすると、図４０（ｂ）に示すように、どこからも保持されない基板部分１０６が生じる。したがって、作製されたステンシルマスクを用いて露光を行うと、図４０（ｃ）に示すように、保持されない部分１０６が消失したパターンが転写される。
【０００８】
図４１は点接触を含むパターンの例である。図４１（ａ）に示すデータ上パターンで開口部を形成しようとすると、図４１（ｂ）に示すように、基板１０３に点接触部分１０７が発生する。点接触部分１０７は機械的強度が不足するため、変形し易い。作製されたステンシルマスクを用いて露光を行うと、図４１（ｃ）に示すように、変形したパターンが転写される。
【０００９】
図４２は細長い開口部の例である。図４２（ａ）に示すデータ上パターンで、図４２（ｂ）に示すように開口部１０４を形成すると、基板の内部応力の影響で、実際には開口部１０４の形状に異方性の歪みが生じる。したがって、作製されたステンシルマスクを用いて露光を行うと、図４２（ｃ）に示すように、変形したパターンが転写される。
【００１０】
図４３は基板に細長い部分が生じる例である。図４３（ａ）に示すデータ上パターンで、図４３（ｂ）に示すように開口部１０４を形成すると、開口部１０４の間に細長い基板部分１０８が生じる。細長い基板部分１０８も、基板の内部応力の影響で、幅が均一とならない。したがって、作製されたステンシルマスクを用いて露光を行うと、図４３（ｃ）に示すように、変形したパターンが転写される。
【００１１】
このような問題を回避し、意図したパターンが露光されるように、パターンを相補的に分割して、相補マスクと呼ばれる２枚のステンシルマスクにパターンを形成し、２回の露光を行う方法が採られる。図４４〜図４７を参照して、この方法を説明する。
【００１２】
図４４はドーナッツ状パターンの例である。図４４（ａ）のデータ上パターンを、例えば図４４（ａ−１）および（ａ−２）に示す２種類のパターンに分割し、これらを相補マスクのデータ上パターンとする。図４４（ｂ−１）および（ｂ−２）に示すように、相補マスクのそれぞれに開口部１０４を形成する。一方のマスクを用いて露光を行った後、他方のマスクを用いて露光を行うことにより、図４４（ｃ）に示すように、意図したパターンが転写される。
【００１３】
図４５は点接触を含むパターンの例である。図４５（ａ）のデータ上パターンを、点接触しないように図４５（ａ−１）および（ａ−２）に示す２種類のパターンに分割し、これらを相補マスクのデータ上パターンとする。図４５（ｂ−１）および（ｂ−２）に示すように、相補マスクのそれぞれに開口部１０４を形成する。一方のマスクを用いて露光を行った後、他方のマスクを用いて露光を行うことにより、図４５（ｃ）に示すように、意図したパターンが転写される。
【００１４】
図４６は細長いパターンの例である。図４６（ａ）のデータ上パターンを、細長いパターンが生じないように図４６（ａ−１）および（ａ−２）に示す２種類のパターンに分割し、これらを相補マスクのデータ上パターンとする。図４６（ｂ−１）および（ｂ−２）に示すように、相補マスクのそれぞれに開口部１０４を形成する。一方のマスクを用いて露光を行った後、他方のマスクを用いて露光を行うことにより、図４６（ｃ）に示すように、意図したパターンが転写される。
【００１５】
図４７はパターン間に細長い部分が生じる例である。図４７（ａ）のデータ上パターンを、パターン間が細長くならないように図４７（ａ−１）および（ａ−２）に示す２種類のパターンに分割し、これらを相補マスクのデータ上パターンとする。図４７（ｂ−１）および（ｂ−２）に示すように、相補マスクのそれぞれに開口部１０４を形成する。一方のマスクを用いて露光を行った後、他方のマスクを用いて露光を行うことにより、図４７（ｃ）に示すように、意図したパターンが転写される。
【００１６】
相補分割は処理速度やデータ量の観点から、ＬＳＩチップ全体での処理が困難である。そこでチップ全体の領域が例えばメッシュ状に複数の小領域に分割され、それぞれの小領域で相補分割が行われる。小領域で相補分割を行った後、再度、小領域を繋ぎ合わせる作業を行うことにより、チップ全体での相補分割パターンが得られる。
【００１７】
図５（ａ）はチップ全体を模式的に示す平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）の一部を拡大した図である。図５に示すように、チップ全体の領域１０は境界線１１により小領域１２に分割される。ここで、チップ全体の領域１０は、１以上の整数個のチップに対応する領域である。小領域１２ごとに独立して相補分割を行うと、小領域単位の並列処理が可能となる。この並列処理により、相補分割の高速化を図ることができる。
【００１８】
パターンの形状に応じてパターンを分割し、露光を行う方法は、特許文献１に開示されている。また、パターンを小領域に分割して相補分割パターンを作成する方法については、特許文献２に開示されている。
【００１９】
また、１枚のマスクの露光される領域（露光対象領域）を４つの露光領域に分割し、これらの露光領域に互いに異なる相補分割パターンを形成したステンシルマスクも提案されている（非特許文献１）。このステンシルマスクは、露光対象領域の薄膜（メンブレン）の一部に梁状の補強部分を有する。
【００２０】
ステンシルマスクの開口部を形成するためのエッチングを高精度に行うには、メンブレンを薄くすることが望ましい。しかしながら、メンブレンを薄くすると、メンブレンが自重によって撓み易くなり、パターン位置精度が悪化したり、メンブレンが破損する要因となったりする。
【００２１】
そこで、例えば図３および図４に示すように、露光対象領域が４つの露光領域Ａ〜Ｄに分割され、これらの露光領域Ａ〜Ｄに互いに異なる位相で梁Ｓが配置される。図４において、露光領域Ａ〜Ｄは直交する直線ａ、ｂによって露光対象領域が分割された領域である。また、図４では梁が斜線部分に配置されるが、梁の配置は図４の例に限定されない。
【００２２】
梁が配置される部分には開口部を形成できないため、図４４〜図４７に示したような２回の露光で、ドーナッツ状パターン等を含む所望のパターンを転写することができない。そこで、ウェハ上の同一の箇所に４回の露光が行われ、各露光領域Ａ〜Ｄの相補分割パターンが重ねて転写される。これにより、所望のパターンがウェハ上に復元される。
【００２３】
図４に示すようにマスクを４つの露光領域に分割して梁を配置した場合、ある露光領域で梁が配置される部分は、他の少なくとも２つの露光領域で梁以外の部分となる。４つの露光領域から梁とパターンが重ならない２つの露光領域を選択し、選択された２つの露光領域に相補分割パターンを振り分けて形成すれば、露光領域内のパターンを相補的に露光できる。
【００２４】
このように１枚のマスク上に互いに異なる相補分割パターンを形成した場合、相補分割を行うことによるマスク枚数の増加が抑えられ、マスク製造コストを削減できる。また、複数枚の相補マスクに相補分割パターンを振り分けて形成すると、マスク間でのマスク製造プロセスのばらつきが問題となる場合があるが、１枚のマスク上に相補分割パターンを形成すれば、このような問題を防止できる。
【００２５】
このようなステンシルマスクにおけるパターンの相補分割では、相補分割パターンの振り分け先が４つとなるため、データ処理量はさらに増大する。したがって、この場合もチップ全体の領域を複数の小領域に分割し、小領域単位の並列処理で相補分割を行うことにより、相補分割の高速化が図られる。
【００２６】
【特許文献１】
特開２０００−９１１９１号公報
【特許文献２】
特開平１１−３２９９５７号公報
【特許文献３】
特開２００１−２４４１９２号公報
【非特許文献１】
「次世代低コスト電子線描画微細化技術」［平成１４年１２月５日検索］、インターネット＜ＵＲＬ：  ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｓｏｎｙ．ｃｏ．ｊｐ／Ｐｒｏｄｕｃｔｓ／ＳＣ−ＨＰ／ＣＸＰＡＬ／ＣＸＰＡＬ−５３／ＰＤＦ／ＬＥＥＰＬｆ．ｐｄｆ＞
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、チップ全体の領域を小領域に分割し、隣接する小領域での分割結果等を考慮せずに小領域単位で相補分割を行ってから、その相補分割結果をチップ全体の領域で統合すると、小領域の境界部分にドーナッツ状パターン等の問題となるパターン（以下、問題パターンとする。）が発生する可能性がある。すなわち、各小領域内に問題パターンが存在しなくても、小領域の境界に接する相補分割パターンの振り分け先によっては、小領域の境界部分に問題パターンが発生する。
【００２８】
このような問題を回避するには、各小領域で相補分割を行う際、すでに相補分割が行われた隣接する小領域での分割結果、例えばパターンの位置や振り分け先を参照すればよい。しかしながら、この場合には各小領域での相補分割処理を独立に行えず、順に行う必要が生じる。したがって、小領域単位での並列処理が不可能となり、チップ全体で相補分割の処理速度を上げることができない。
【００２９】
特許文献３には、相補分割パターンの作成において、相補分割後にドーナッツ状パターンのような問題となるパターンが生じていた場合、パターンの分割や振り分け先の設定をやり直すという方法が開示されている。この場合もデータ処理量が多く、処理時間は長い。パターンの微細化・高集積化に伴い、データ処理量は増大するため、マスクデータ作成のスループットの低下がさらに顕著となる。
【００３０】
非特許文献１に示されているような梁と４つの露光領域を有するステンシルマスクにおいても、小領域単位で相補分割を行った後、相補分割結果を統合すると、小領域の境界で問題パターンが発生する。また、問題パターンは隣接する２つの小領域間で発生するだけでなく、３つ以上の小領域での相補分割結果を統合することにより発生する場合もある。
【００３１】
例えば、小領域よりも大きい大開口パターン等では、パターンを小領域の境界線で分割する際に、小領域の２つ以上の辺でパターンが分割される場合がある。このような場合、３つ以上の小領域での相補分割結果を統合することにより、ドーナッツ状パターンや点接触が発生する可能性がある。
【００３２】
非特許文献１に示されるステンシルマスクの露光対象領域を複数の小領域に分割して相補分割処理を行う場合、パターンの振り分け先を４つの露光領域から選択する必要があり、データ処理がさらに複雑となる。したがって、小領域単位での並列処理が不可能であり、チップ全体での相補分割の処理速度を上げることができなかった。
【００３３】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、したがって本発明は、梁および複数の露光領域を有するマスクにおいても、パターンの相補分割処理を高速で行うことができるマスクデータ作成方法およびプログラムを提供することを目的とする。
【００３４】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明のマスクデータ作成方法は、露光対象物に転写されるパターンの相補分割を小領域単位で行うマスクデータ作成方法であって、相補分割パターンが形成される複数の露光領域をそれぞれ複数の小領域に分割する露光領域分割工程と、前記小領域をそれぞれ区分線により複数の区分領域に分割し、隣接する区分領域に異なる前記露光領域が設定されるように、前記区分領域に前記露光領域のいずれか１つを振り分け先として予め設定しておく振り分け先設定工程と、前記パターンを前記小領域のすべての境界線で分割して複数の図形を作成する図形作成工程と、複数の前記図形のうちの少なくとも一部の前記図形を前記区分線で分割して複数の小図形を作成する小図形作成工程と、前記小図形を前記振り分け先設定工程で前記区分領域に設定された振り分け先に振り分ける振り分け工程と、前記小領域内における前記振り分け工程の振り分け結果を、前記小領域間で統合し、複数の前記露光領域にそれぞれ形成される前記相補分割パターンを作成する小領域統合工程とを有することを特徴とする。
【００３５】
また、上記の目的を達成するため、本発明のプログラムは、露光対象物に転写されるパターンの相補分割を小領域単位で行うプログラムであって、相補分割パターンが形成される複数の露光領域をそれぞれ複数の小領域に分割する露光領域分割手順と、前記パターンを前記小領域のすべての境界線で分割して複数の図形を作成する図形作成手順と、複数の前記図形のうち、所定の大きさ以上であって前記小領域の境界線に所定の条件で接する前記図形を、前記小領域内に予め設定された、前記小領域を複数の区分領域に分割する区分線でさらに分割して複数の小図形を作成する小図形作成手順と、隣接する前記区分領域に異なる前記露光領域が設定されるように、前記区分領域に予め振り分け先として設定された、いずれか１つの前記露光領域に前記小図形を振り分ける振り分け手順と、前記小領域内における前記振り分け手順の振り分け結果を、前記小領域間で統合し、複数の前記露光領域にそれぞれ形成される前記相補分割パターンを作成する小領域統合手順とを情報処理装置に実行させることを特徴とする。
【００３６】
これにより、小領域単位で相補分割処理を行い、小領域単位での相補分割結果を統合して高速に相補分割処理を行うことが可能となる。本発明のマスクデータ作成方法およびプログラムによれば、小領域単位での相補分割結果を統合したとき、小領域の境界に形成不可能または形成困難なパターンが発生しない。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明のマスクデータ作成方法およびプログラムの実施の形態について、図面を参照して説明する。図１は、本実施形態のマスクデータ作成方法によって、パターンの相補分割が行われるステンシルマスクの平面図である。図１のステンシルマスクは電子線リソグラフィに用いられる。図１に示すように、ステンシルマスク１は例えばシリコンウェハ２の中央部に露光対象領域である薄膜（メンブレン）３を有する。
【００３８】
メンブレン３の周囲のシリコンウェハ２は、メンブレンの支持枠（フレーム）として用いられる。メンブレン３は格子状に形成された梁４によって補強されている。梁４はシリコンウェハ２に複数の開口部５を形成した残りの部分である。シリコンウェハ２の開口部５の一部に電子線の透過部が形成される。全ての梁４は相互にまたはフレームと接続し、梁４が途切れている箇所はない。メンブレン３は４つの露光領域に分割されており、これらの露光領域では互いに梁の位相が異なっている。
【００３９】
図２は図１のステンシルマスク１の断面図である。図２に示すように、メンブレン３の一部に、パターンに対応した開口部６が形成されている。メンブレン３の開口部６は、シリコンウェハ２の開口部５内に形成される。メンブレン３は例えばシリコン層３ａの一部である。ステンシルマスク１は、例えばシリコンウェハ２上にシリコン酸化膜７を介してシリコン層３ａを有するＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎｉｎｓｕｌａｔｏｒまたはｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェハを用いて製造できる。
【００４０】
本実施形態のマスクデータ作成方法では、４回の露光により所望のパターンが転写されるように、所望のパターンを４つの相補分割パターンに分割する。４つの相補分割パターンは、１枚のマスク上に設けられた４つの露光領域のそれぞれに形成される。相補分割パターンは各露光領域の梁以外の部分に形成される。
【００４１】
図３（ａ）は、このようなステンシルマスクの露光対象領域を示し、図３（ｂ）は図３（ａ）の露光対象領域を４つの露光領域Ａ〜Ｄに分割した状態を示す。図４は、露光対象領域全体での梁の配置を示す。露光領域Ａ〜Ｄには互いに異なる相補分割パターンで開口部が形成される。ウェハ上の同一の箇所に各露光領域Ａ〜Ｄの相補分割パターンを転写するため、４回の露光を行う。これにより、所望のパターンがウェハ上に復元されて転写される。
【００４２】
本実施形態のマスクデータ作成方法によれば、チップ全体の領域を複数の小領域に分割する。図５（ａ）はチップ全体を模式的に示す平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）の一部を拡大した図である。図５に示すように、チップ全体の領域１０は境界線１１により小領域１２に分割される。ここで、チップ全体の領域１０は、１以上の整数個のチップに対応する領域である。図５では正方形の小領域１２が格子状に並ぶようにチップ全体の領域１０が分割されるが、小領域１２は矩形であってもよい。
【００４３】
また、本実施形態のマスクデータ作成方法によれば、小領域の境界線や小領域内に、相補分割の位置や分割されたパターンの振り分けに関する情報を予め設定しておく。パターンに応じてそれらの情報を参照し、設定された情報に従ってパターンの分割と振り分けを行う。これにより、小領域１２ごとに独立して相補分割を行っても、小領域の統合後に問題パターンが発生しなくなる。したがって、小領域単位の並列処理が可能となり、相補分割処理を高速化できる。
【００４４】
各小領域での相補分割結果を統合したときに問題パターンが発生するのは、小領域の境界線に接するパターンである。そこで、本実施形態のマスクデータ作成方法では、小領域内のパターンを小領域の境界線に接するパターンと接しないパターンに分類する。
【００４５】
小領域の境界に接しないパターンを大パターン（詳細は後述する。）とそれ以外のパターンに分類する。さらに、小領域の境界に接しないパターンのうち、大パターン以外のパターンを相補分割線（詳細は後述する。）と小領域の境界線とが交わるパターンと交わらないパターンに分類する。このように分類されたパターンにそれぞれ異なる相補分割処理を行う。
【００４６】
上記のパターンの分類と、パターンの分類に応じた相補分割処理の概略について、図６〜図９を参照して説明する。図６は小領域１２の境界線１１に接しないパターンの例を示す。このようなパターンからドーナッツ状パターンや細長いパターンのような問題パターンを抽出し、例えば図４０〜図４３に示したような相補分割を行う。小領域１２の境界線に接しないパターンの相補分割では、小領域の境界線や小領域内に設定された情報を参照する必要はない。
【００４７】
図７（ａ）および（ｂ）は小領域１２の境界線１１に接するパターンのうち、大パターンの例を示す。小領域の２辺以上に接し、かつ１個以上の小領域の大部分の面積を占めるようなパターンを大パターンと認識する。図７（ａ）に示す大パターンは小領域の頂点Ｐを含む。
【００４８】
大パターンを境界線１１で分割した後、頂点Ｐに接する４つの部分を２つまたは３つの露光領域に振り分けると、小領域を統合したときに点接触が発生する。したがって、頂点Ｐに接する４つの部分は４つの異なる露光領域Ａ〜Ｄ（図３参照）に振り分ける必要がある。
【００４９】
大パターンが小領域の２辺に接する場合、それらの２辺は１つの頂点を挟んで隣接する２辺であっても、対向する２辺であってもいずれでもよい。したがって、大パターンは例えば図７（ｂ）に示すように、小領域の頂点を含まないパターンであってもよい。図７（ｂ）では、１つの小領域の対向する２辺にパターンが接し、パターンがこの小領域の大部分の面積を占めている。
【００５０】
大パターンの相補分割は、予め小領域内に設定された区分線および区分領域に従って行う。各小領域は区分線によって複数の区分領域に分割される。各区分領域にはパターンの振り分け先として、露光領域Ａ〜Ｄのいずれかが設定される。大パターンは小領域の境界線で分割された後、各小領域で相補分割される。小領域内で区分線を越える大パターンは区分線によって分割され、区分領域に設定された振り分け先に振り分けられる。
【００５１】
図８は小領域１２の境界線に接するパターンのうち、大パターン以外であって、相補分割線と小領域の境界線とが交わらないパターンの例を示す。パターンを相補分割する線のうち、小領域の境界線と一致しない線を相補分割線とする。図８の点線は相補分割線を示す。図８に示すパターンは細長いパターンであり、所定の長さ以下となるようにパターンが分割されるが、この場合、相補分割線と小領域の境界線は交わらない。
【００５２】
この分類のパターンの相補分割は、予め小領域の境界線に設定されたパターンの振り分け先に関する情報に従って行う。隣接する２つの小領域の境界線に対し、一方の小領域ではパターンの振り分け先として露光領域Ａ〜Ｄのいずれかが設定され、他方の小領域では他の１つの露光領域が設定される。
【００５３】
図９は小領域１２の境界線に接するパターンのうち、大パターン以外であって、相補分割線と小領域の境界線とが交わるパターンの例を示す。図９の点線は相補分割線を示す。図９に示すパターンは細長いパターンであり、所定の長さ以下となるようにパターンが分割されるが、この場合、相補分割線と小領域の境界線が交わる。
【００５４】
この分類のパターンの相補分割は、予め小領域の境界線に設定された相補分割線の位置に関する情報と、パターンの振り分け先に関する情報に従って行う。小領域の境界線と交わる相補分割線に対して、小領域の境界線と交わる位置を予め設定しておく。この位置を分割基準位置とする。設定された分割基準位置以外では、相補分割線が小領域の境界線と交わらないようにする。
【００５５】
この分類のパターンの相補分割処理では、まず、各小領域内でドーナッツ状パターンや細長いパターンといった問題パターンを抽出し、問題パターンが解消されるようにパターンを分割する。このとき、小領域の境界線と交わった相補分割線を、分割基準位置で小領域の境界線と交わるように引き直す。小領域の境界線に複数の分割基準位置が設定されている場合、最初に引いた相補分割線と小領域の境界線との交点から最も近い分割基準位置で、相補分割線を引き直せばよい。
【００５６】
本実施形態のマスクデータ作成方法における相補分割処理を、図１０のフローチャートに示す。
ステップ１（ＳＴ１）
パターンを小領域に分割する。小領域の境界を越えるパターンは、境界線で分割し、小領域に振り分ける。小領域内のパターンは、小領域の境界線で分割されずに、そのままの形状で小領域に振り分けられる。
ステップ２（ＳＴ２）
分割されたパターンが小領域の境界に接しない場合はステップ３の処理を選択し、接する場合はステップ４の処理を選択する。
【００５７】
ステップ３（ＳＴ３）
小領域内または小領域の境界に予め設定された情報を参照せずに、相補分割を行う。ステップ３の処理は図６に示すパターンと同類のパターンに施される。
ステップ４（ＳＴ４）
大パターンであれば、ステップ５の処理を選択する。大パターン以外であれば、ステップ６の処理を選択する。
【００５８】
ステップ５（ＳＴ５）
大パターンに対し、予め小領域内に設定された区分線と区分領域に従って、相補分割を行う。ステップ５の処理は図７に示すパターンと同類のパターンに施される。
ステップ６（ＳＴ６）
小領域内または小領域の境界に予め設定された情報を参照せずに、パターンの相補分割を行い、相補分割線と小領域の境界線が交わらない場合は、ステップ７の処理を選択する。相補分割線と小領域の境界線が交わる場合は、ステップ８の処理を選択する。
ステップ７（ＳＴ７）
小領域の境界に予め設定された、パターンの振り分け先に関する情報に従って、パターンの相補分割を行う。ステップ７の処理は図８に示すパターンと同類のパターンに施される。
【００５９】
ステップ８（ＳＴ８）
小領域の境界線に予め設定された、相補分割線の位置に関する情報（分割基準位置）とパターンの振り分け先に関する情報に従って、パターンの相補分割を行う。ステップ８の処理は図９に示すパターンと同類のパターンに施される。
ステップ９（ＳＴ９）
ステップ３、５、７および８の相補分割結果を全ての小領域で統合する。以上のステップにより、各露光領域Ａ〜Ｄ（図３参照）に形成される相補分割パターンが得られる。得られた相補分割パターンでは、小領域の境界に問題パターンが発生しない。また、ステップ３、５、７および８の処理は並列で行うことができる。
【００６０】
次に、パターンの分類ごとに行われる相補分割処理や、小領域内または小領域の境界線に予め設定する情報について、パターンの具体例を参照して説明する。まず、大パターンの相補分割処理（図１０のステップ５参照）と、大パターンを分割するための区分線および区分領域について説明する。
【００６１】
図１１は、図４の梁の配置の基本単位を示した図である。図１１の例では、４×４個の小領域で基本単位が構成される。×を付けた小領域には梁が配置されるため、パターンを配置できない。図１１に示す基本単位を各露光領域Ａ〜Ｄでマトリクス状に配置することにより、露光対象領域全体で図４に示すような梁の配置となる。このような梁を設けることにより、マスクの撓みや破損が防止される。所望のパターンは４つの露光領域Ａ〜Ｄのうち、梁のない露光領域に振り分けられる。露光領域Ａ〜Ｄに形成されたパターンは４回の露光によって相補的に露光される。
【００６２】
図１２（ａ）〜（ｄ）は、図１１の露光領域Ａ〜Ｄの梁の基本単位をそれぞれ拡大した図である。基本単位の４×４個の小領域について、４つの露光領域Ａ〜Ｄのうち、どの露光領域の小領域にパターンを配置できるかをまとめると、図１３のようになる。例えば、基本単位内で最も左上にある小領域は露光領域Ａ、Ｄで梁と重なるため、露光領域Ｂ、Ｃが相補分割パターンの振り分け先となる。各小領域には、露光領域Ａ〜Ｄのうちの少なくとも２つが示される。
【００６３】
図１４は、隣接する２つの基本単位（基本単位ＩおよびＩＩとする。）に２つのパターンＰ１、Ｐ２が配置してある例を示す。図１４の太枠は基本単位を示す。図１４の各小領域内のＡ〜Ｄは、図１３と同様にパターンの振り分けが可能な露光領域を示す。図１４のパターンＰ１、Ｐ２はいずれも小領域の２辺以上に接し、かつ１個以上の小領域の大部分の面積を占めるため、大パターンと認識される。これらのパターンＰ１、Ｐ２に対して相補分割を行う場合を考える。
【００６４】
図１５〜図１９は、本実施形態のマスクデータ作成方法による相補分割の比較例を示す。図１５は、図１４の各小領域に示された２つ以上の露光領域、すなわちパターンの振り分けが可能な露光領域から、実際にパターンが振り分けられる露光領域を無作為に抽出し、○を付けたものである。梁のある部分にパターンを配置しないことのみを考慮すると、パターンの振り分け先は例えば図１５に示すように、可能な振り分け先（図１３参照）から任意に選択できる。
【００６５】
図１５で○を付けた振り分け先に従ってパターンを振り分けると、図１６〜図１９に示す相補分割パターンとなる。図１６は露光領域Ａに振り分けられた相補分割パターンを示す。図１６に示すように、露光領域Ａでは２つの点接触と、１つの小領域を囲んだドーナッツ状パターンが発生する。
【００６６】
図１７は露光領域Ｂに振り分けられた相補分割パターンを示し、図１８は露光領域Ｃに振り分けられた相補分割パターンを示す。これらの露光領域では問題パターンが発生しない。図１９は露光領域Ｄに振り分けられた相補分割パターンを示す。図１９に示すように、露光領域Ｄでは１つの点接触が発生する。
【００６７】
以上のように、大パターンを各小領域で相補分割し、梁が配置されない複数の小領域から無作為に選択される小領域にパターンを振り分けた場合、隣接する小領域での相補分割結果が相互に反映されない。したがって、点接触やドーナッツ状パターン、あるいは細長いパターンといった問題パターンの発生を回避できない。
【００６８】
そこで、本実施形態のマスクデータ作成方法による相補分割では、各小領域内を予め区分線によって複数の区分領域に区分し、各区分領域にパターンの振り分け先として露光領域Ａ〜Ｄのいずれかを設定しておく。大パターンは小領域の境界で分割されてから、小領域内の区分線で分割される。
【００６９】
分割されたパターンは区分領域に設定された振り分け先に振り分けられる。各区分領域に設定される振り分け先は、その区分領域が含まれる小領域で可能な振り分け先（例えば、図１４で各小領域内に示される露光領域）から選択され、かつ以下の２つの区分条件を満たす。
【００７０】
第１の区分条件は、小領域が頂点で接する部分では、４つの異なる振り分け先の区分領域が接することである。第２の区分条件は、小領域が辺で接する部分では、２つ以上の異なる振り分け先の区分領域が接することである。第１の区分条件により、小領域の統合後に小領域の頂点で点接触が発生するのを防止することが可能となる。第２の区分条件により、小領域の統合後にドーナッツ状パターンや細長いパターン等の問題パターンが発生するのを防止することが可能となる。３つ以上の振り分け先を有する小領域が存在する場合、上記の２つの区分条件を満たすように、区分領域およびその振り分け先を設定できる。
【００７１】
図２０は、図１４に示す２つの基本単位に対し、上記の第１および第２の区分条件を満たすように区分領域を設定した例を示す。基本単位内での区分領域への分割では、隣接する小領域を参照して各区分線の位置を決定する。図２０に示すように、図１４の２つの基本単位Ｉ、ＩＩで区分線および区分領域は共通する。１つの基本単位で決定された区分領域は、マスク上の他の基本単位にも繰り返し適用できる。すなわち、区分領域を１つの基本単位内で決定すれば、マスクの露光対象領域全体に区分領域を設定できる。
【００７２】
図２０の区分領域の設定に従ってパターンＰ１、Ｐ２を分割し、各露光領域に振り分けると、図２１〜図２４のようになる。図２１の斜線部分は露光領域Ａに振り分けられた相補分割パターンを示す。図２２の斜線部分は露光領域Ｂに振り分けられた相補分割パターンを示す。図２３の斜線部分は露光領域Ｃに振り分けられた相補分割パターンを示す。図２４の斜線部分は露光領域Ｄに振り分けられた相補分割パターンを示す。図２１〜図２４に示すように、振り分け先が同じ区分領域同士が隣接したり、点接触したりする箇所はない。したがって、問題パターンは発生しない。
【００７３】
次に、小領域の境界線に接するパターンのうち、大パターン以外のパターンの相補分割処理（図１０のステップ７および８参照）と、これらのパターンを分割するために小領域の境界線に設定される情報について説明する。小領域の境界線に接するパターンのうち、大パターン以外のパターンは、相補分割線と小領域の境界線が交わらないパターン（図８参照）と、交わるパターン（図９参照）のいずれかに分類される。以下、簡略化のため、これらを単に相補分割線と小領域の境界線が交わらないパターン、あるいは相補分割線と小領域の境界線が交わるパターンと表記する。
【００７４】
相補分割線と小領域の境界線が交わらないパターンの相補分割においては、小領域の境界線に設定された第１の情報を参照する。第１の情報によれば、各小領域の１つの辺全体に同じ振り分け先が設定される。また、隣接する小領域同士では、それらの間の境界線に対して互いに異なる振り分け先が設定される。以上が第１の情報である。
【００７５】
一方、相補分割線と小領域の境界線が交わるパターンの相補分割においては、小領域の境界線に設定された第２の情報を参照する。第２の情報によれば、小領域の辺に少なくとも１つの分割基準位置が設定され、分割基準位置によって１辺が複数の区間に分割される。分割基準位置を介して隣接する区間には互いに異なる振り分け先が設定される。
【００７６】
また、隣接する小領域の辺には、同一の箇所に分割基準位置が設定され、同様に分割基準位置によって辺が複数の区間に分割される。隣接する小領域同士では、それらの間の区間に対して同じ振り分け先が設定される。以上が第２の情報である。
【００７７】
図２５は第１の情報の例を示す。図２５は図５（ｂ）の点線で囲まれた部分に対応する。図２５に示すように、隣接する２つの小領域を小領域１２ａ、１２ｂとする。これらの小領域１２ａ、１２ｂの境界線は小領域１２ａの辺１３ａであると同時に小領域１２ｂの辺１３ｂである。
【００７８】
このとき、小領域１２ｂの辺１３ｂの全体に、振り分け先として例えば露光領域Ａを設定する。また、小領域１２ａの辺１３ａの全体に、振り分け先として例えば露光領域Ｂを設定する。図２５の例では振り分け先を露光領域Ａ、Ｂに設定しているが、これらは露光領域Ａ〜Ｄのうちの異なる２つの露光領域であればよく、振り分け先の組み合わせは限定されない。
【００７９】
１つの小領域内の４辺の振り分け先は一致させる必要がなく、任意に設定できる。例えば図２６は１つの小領域１２ｃの対向する辺に同じ振り分け先を設定した例であり、図２７は小領域１２ｃの４つの辺に同じ振り分け先を設定した例である。１つの小領域の４辺の振り分け先は、図２６あるいは図２７に示す例に限定されない。
【００８０】
図２６および図２７の（Ａ）または（Ｂ）は小領域１２ｃと隣接する小領域で辺に設定される振り分け先を示すが、１辺の全体に同じ振り分け先が設定され、かつ小領域１２ｃでその辺に対して設定された振り分け先と異なる限り、図２６あるいは図２７以外の振り分け先を設定してもよい。
【００８１】
図２８は第２の情報の例を示す。図２８は図５（ｂ）の点線で囲まれた部分に対応する。図２８に示すように、隣接する２つの小領域を小領域１２ａ、１２ｂとする。これらの小領域１２ａ、１２ｂの境界線は小領域１２ａの辺１３ａであると同時に小領域１２ｂの辺１３ｂである。
【００８２】
このとき、小領域１２ａの辺１３ａを分割基準位置１４ａによって複数の区間に分割する。図２８は４つの分割基準位置１４ａを設定して辺１３ａを５つの区間に分割した例を示す。１つの区間の長さである分割距離ｄを超える長さのパターンは、分割距離ｄの長さとなるように分割される。
【００８３】
辺１３ａ上で隣接する区間には互いに異なる振り分け先が設定される。図２８の例では、振り分け先として露光領域Ａと露光領域Ｂを交互に設定しているが、これらは露光領域Ａ〜Ｄのうちの異なる２つの露光領域であればよく、振り分け先の組み合わせは限定されない。
【００８４】
小領域１２ａと隣接する小領域１２ｂの辺１３ｂも、分割基準位置１４ａと一致する分割基準位置１４ｂによって複数の区間に分割される。小領域１２ａにおいて振り分け先として露光領域Ａが設定されている区間では、小領域１２ｂにおいても振り分け先として露光領域Ａが設定される。すなわち、辺１３ａと辺１３ｂには振り分け先としてＡ、Ｂ、Ａ、Ｂ、Ａが同様に設定される。
【００８５】
１つの辺に設定する分割基準位置の個数は限定されず、奇数でも偶数でもよい。図２９は１つの小領域１２ｃの１辺に３つの分割基準位置を設定し、辺を４つの区間に分割した例を示す。図２９の（Ａ）または（Ｂ）は小領域１２ｃと隣接する小領域で各区間に設定される振り分け先を示し、小領域１２ｃでその区間に対して設定された振り分け先と同じである。なお、各区間に設定する振り分け先は４つの露光領域Ａ〜Ｄから選択でき、露光領域ＡおよびＢに限定されない。
【００８６】
上記の第１および第２の情報を小領域の境界線に設定しておき、相補分割線と小領域の境界線が交わらないパターンには第１の情報を適用し、相補分割線と小領域の境界線が交わるパターンには第２の情報を適用する。これにより、小領域ごとの相補分割結果を統合したときに、境界線で問題パターンが発生しなくなる。
【００８７】
第１および第２の情報を用いる相補分割の例について、図３０〜図３４を参照して説明する。図３０は小領域の境界近傍を示し、図５（ｂ）の点線で囲まれた部分に対応する。図３０に示すように、小領域１２ａと小領域１２ｂとの境界線１１上に、ドーナッツ状パターン２１と細長い開口部２２〜２５が設計されている。
【００８８】
図３１は、本実施形態のマスクデータ作成方法による相補分割の比較例であり、図３０のパターンに対して、第１および第２の情報を設定しなかった場合の相補分割結果を示す。図３１に示すように、各小領域内で独立に分割されたパターンに、振り分け先として例えば露光領域Ａ、Ｂを設定する。露光領域Ａが設定されるパターンを斜線で示し、露光領域Ｂが設定されるパターンを塗りつぶしで示す。
【００８９】
図３０の各小領域内でドーナッツ状パターンや、所定の長さｄを超える長さのパターン等が検出され、検出された問題パターンが分割される。比較例では、各小領域内で分割前に接していたパターン同士が同じ露光領域に振り分けられないようにすることのみ考慮して、パターンが振り分けられる。
【００９０】
図３２（ａ）は図３１で露光領域Ａに振り分けられたパターンのデータを示し、図３２（ｂ）は図３１で露光領域Ｂに振り分けられたパターンのデータを示す。図３２（ａ）に示すように、図３０の細長い開口部２２では点接触２６が発生する。また、細長い開口部２３〜２５についても、長さの上限である分割距離ｄを超える長いパターン２７が発生する。また、図３２（ｂ）に示すように、図３０のドーナッツ状パターン２１が再現し、細長い開口部２２で点接触２６が発生する。
【００９１】
図３３は、本実施形態のマスクデータ作成方法による相補分割結果を示す。すなわち、小領域の境界線に設定された第１および第２の情報に従って、図３０のパターンを相補分割した結果である。露光領域Ａが設定されるパターンを斜線で示し、露光領域Ｂが設定されるパターンを塗りつぶしで示す。
【００９２】
図３３に示すように、パターンは小領域の境界線で分割され、さらに、分割距離ｄを超える長さのパターンは分割される。第１の情報によれば、図２５と同様に、小領域１２ａの辺１３ａ全体に振り分け先として露光領域Ｂが設定され、小領域１２ｂの辺１３ｂ全体に振り分け先として露光領域Ａが設定される。第２の情報によれば、辺１３ａ、１３ｂを図２８と同様に例えば５つの区間に分割し、振り分け先として露光領域Ａ、Ｂ、Ａ、Ｂ、Ａを交互に設定する。
【００９３】
図３０および図３３に示すように、ドーナッツ状パターン２１と細長い開口部２２〜２５のうち、相補分割線と小領域の境界線が交わるパターンは開口部２２である。したがって、図３０の開口部２２は第２の情報に従って相補分割され、他のパターン２１、２３〜２５は第１の情報に従って相補分割される。
【００９４】
図３４（ａ）は図３３で露光領域Ａに振り分けられたパターンのデータを示し、図３４（ｂ）は図３３で露光領域Ｂに振り分けられたパターンのデータを示す。図３４に示すように、露光領域Ａ、Ｂのいずれにおいても問題パターンは発生していない。
【００９５】
以上のように、本実施形態のマスクデータ作成方法によれば、ある小領域内のパターンに相補分割を行う際に、隣接する小領域での相補分割結果を参照する必要がない。小領域内に設定された区分領域に関する情報と、小領域の境界線に設定された分割基準位置および振り分け先に関する情報を参照して相補分割を行うことにより、小領域の境界における問題パターンの発生を防止できる。したがって、小領域単位で相補分割の並列処理を行うことが可能となり、処理速度が向上する。本実施形態のマスクデータ作成方法は、３つ以上の振り分け先を有する小領域が含まれる場合と、隣接する２つの小領域に同一の振り分け先が存在する場合に適用できる。
【００９６】
本実施形態のプログラムは上記の本実施形態のマスクデータ作成方法に従った処理を実行させる。予め、例えば図２０に示すような区分線と区分領域を、第１および第２の区分条件が満たされるように設定し、記憶装置に登録しておく。本実施形態のプログラムは、このデータを参照して処理を実行させる。図３５は、マスクに形成されるパターンの設計から、電子線描画までのフローを示す。ＣＡＤにより作成される回路パターン（設計データ３１）に、本実施形態のプログラムによって相補分割３２が行われる。相補分割３２が行われたパターンデータに、フォーマットの変換３３が行われる。変換されたデータは電子線描画装置に入力され、電子線描画３４が行われる。また、図示しないが、相補分割３２の前または後に、バイアス処理等を含む補正が行われる。
【００９７】
以上のように、上記の本発明の実施形態のマスクパターン作成方法によれば、小領域単位で相補分割処理を行った後、小領域を統合したときに、小領域の境界部分で問題パターンが発生するのを防止できる。したがって、隣接する小領域での相補分割結果を参照する必要がなく、小領域ごとの並列処理が可能となる。これにより、相補分割処理を高速化できる。
【００９８】
本発明のマスクパターン作成方法およびプログラムの実施形態は、上記の説明に限定にされない。例えば、上記の相補分割処理を電子線リソグラフィ用マスク以外のマスク、例えばイオンビームリソグラフィ用のマスクやＸ線リソグラフィ用マスク等のマスクデータ作成に適用することもできる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【００９９】
【発明の効果】
本発明のマスクパターン作成方法によれば、梁および複数の露光領域を有するマスクにおいても、パターンの相補分割処理を高速で行うことが可能となる。
本発明のプログラムによれば、マスクに形成されるパターンの相補分割処理を、情報処理装置に高速で実行させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明のマスクデータ作成方法を適用できるステンシルマスクの一例を示す平面図である。
【図２】図２は図１のステンシルマスクの断面図である。
【図３】図３（ａ）はマスクの露光対象領域を示し、図３（ｂ）は図３（ａ）の露光対象領域を４つの露光領域Ａ〜Ｄに分割した図である。
【図４】図４は図１のステンシルマスクの梁の配置を示す図である。
【図５】図５（ａ）はチップ全体の領域を複数の小領域に分割した図であり、図５（ｂ）は小領域の境界部分を拡大した図である。
【図６】図６は小領域の境界に接しないパターンの一例を示す図である。
【図７】図７（ａ）および（ｂ）は大パターンの例を示す図である。
【図８】図８は相補分割線と小領域の境界線が交わらないパターンの一例を示す図である。
【図９】図９は相補分割線と小領域の境界線が交わるパターンの一例を示す図である。
【図１０】図１０は本発明のマスクデータ作成方法による相補分割処理のフローチャートである。
【図１１】図１１は図４の梁の配置の基本単位を示す図である。
【図１２】図１２（ａ）〜（ｄ）は図１１の基本単位を拡大した図である。
【図１３】図１３は基本単位内の各小領域で、どの露光領域にパターンを形成できるか示した図である。
【図１４】図１４は大パターンの分割例を説明するための図である。
【図１５】図１５は本発明のマスクデータ作成方法の比較例であり、区分領域を設定せずに図１４の大パターンを振り分けた場合の一例を示す。
【図１６】図１６は図１５で露光領域Ａに振り分けられたパターンを示す。
【図１７】図１７は図１５で露光領域Ｂに振り分けられたパターンを示す。
【図１８】図１８は図１５で露光領域Ｃに振り分けられたパターンを示す。
【図１９】図１９は図１５で露光領域Ｄに振り分けられたパターンを示す。
【図２０】図２０は図１４に示す複数の小領域に本発明のマスクデータ作成方法により区分線と区分領域を設定した例を示す図である。
【図２１】図２１は図２０で露光領域Ａに設定された区分領域と、露光領域Ａに振り分けられたパターンを示す図である。
【図２２】図２２は図２０で露光領域Ｂに設定された区分領域と、露光領域Ｂに振り分けられたパターンを示す図である。
【図２３】図２３は図２０で露光領域Ｃに設定された区分領域と、露光領域Ｃに振り分けられたパターンを示す図である。
【図２４】図２４は図２０で露光領域Ｄに設定された区分領域と、露光領域Ｄに振り分けられたパターンを示す図である。
【図２５】図２５は本発明のマスクデータ作成方法により小領域の境界線に設定される第１の情報を説明するための図である。
【図２６】図２６は本発明のマスクデータ作成方法により小領域の境界線に設定される第１の情報を説明するための図である。
【図２７】図２７は本発明のマスクデータ作成方法により小領域の境界線に設定される第１の情報を説明するための図である。
【図２８】図２８は本発明のマスクデータ作成方法により小領域の境界線に設定される第２の情報を説明するための図である。
【図２９】図２９は本発明のマスクデータ作成方法により小領域の境界線に設定される第２の情報を説明するための図である。
【図３０】図３０は本発明のマスクデータ作成方法による第１および第２の情報に従ったパターンの分割を説明するための図である。
【図３１】図３１は本発明のマスクデータ作成方法の比較例であり、第１および第２の情報を参照せずに図３０のパターンを分割した例を示す。
【図３２】図３２（ａ）は図３１で露光領域Ａに振り分けられたパターンを示し、図３２（ｂ）は図３１で露光領域Ｂに振り分けられたパターンを示す。
【図３３】図３３は本発明のマスクデータ作成方法による第１および第２の情報に従って、図３０のパターンを分割した例を示す。
【図３４】図３４（ａ）は図３３で露光領域Ａに振り分けられたパターンを示し、図３４（ｂ）は図３３で露光領域Ｂに振り分けられたパターンを示す。
【図３５】図３５は本発明のマスクデータ作成方法に従った処理を含むフローを示す。
【図３６】図３６は、ステンシルマスクを用いた露光の概略図である。
【図３７】図３７は、図３６のステンシルマスクの一部を示す平面図である。
【図３８】図３８は、図３７のマスクのパターンデータを示す。
【図３９】図３９は、図３７のマスクで転写されるパターンを示す。
【図４０】図４０は、ステンシルマスクで問題となるパターンの例を示す。
【図４１】図４１は、ステンシルマスクで問題となるパターンの例を示す。
【図４２】図４２は、ステンシルマスクで問題となるパターンの例を示す。
【図４３】図４３は、ステンシルマスクで問題となるパターンの例を示す。
【図４４】図４４は、図４０に示すパターンの相補分割例を示す。
【図４５】図４５は、図４１に示すパターンの相補分割例を示す。
【図４６】図４６は、図４２に示すパターンの相補分割例を示す。
【図４７】図４７は、図４３に示すパターンの相補分割例を示す。
【符号の説明】
１…ステンシルマスク、２…シリコンウェハ、３…メンブレン、４…梁、５…シリコンウェハ、６…シリコンウェハの開口部、７…メンブレンの開口部、１０…チップ全体の領域、１１…境界線、１２…小領域、１３…辺、１４…分割基準位置、２１…ドーナッツ状パターン、２２〜２５…細長い開口部、２６…点接触、２７…長いパターン、１０１…電子線、１０２…ステンシルマスク、１０３…基板、１０４…開口部、１０５…電子線、１０６…保持されない基板部分、１０７…点接触部分、１０８…細長い基板部分。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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