(57)【要約】      （修正有）【課題】マスクイオンビームリソグラフィのための装置において、ステンシルマスクの寿命を延長する。【解決手段】マスクイオンビームリソグラフィのための装置１は、ステンシルマスク３１の寿命を延長するためのマスク維持モジュール６を備える。モジュール６は、少なくとも１つの堆積源をマスク３１の前に配置して、リソグラフィビーム１ｂによって照射されるマスクの側に材料ｄｓを堆積するための堆積手段を備え、かつ、マスクホルダ手段３２の前にリソグラフィビーム１ｂの経路の外に配置された少なくとも１つのスパッタ源が、走査手順中に前記マスク３１から材料を叩き出すためにマスクに向けられるスパッタイオンビームｓｂを生成し、堆積の不均質性を補償するスパッタ手段をさらに備える。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高エネルギイオンから成るリソグラフィ（ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）ビーム（ｌｂ、ｐｂ）が実質的に平坦なステンシルマスク（３１）を通して放射されるマスクイオンビームリソグラフィのための装置（１、１０１）において、前記ステンシルマスクが複数の透明な構造（３１０）から作られたステンシルパターンを含み、前記リソグラフィビーム（ｌｂ、ｐｂ）がステンシルパターンを基板（５１）に転写し、前記装置が前記ステンシルマスクをリソグラフィビーム（ｌｂ）の経路に配置するマスク保持手段（３２）を備え、
前記マスク（３１）に材料を堆積するための第１手段（６１）であって、前記リソグラフィビームの方向で見て前記マスクの前に前記リソグラフィビームの前記経路の外に配置された少なくとも１つの堆積源を備えており、前記堆積源が前記リソグラフィビームによって照射されるマスクの側に材料（ｄｓ）を堆積するのに適している第１手段（６１）と、
前記マスク（３１）から材料を叩き出すための第２手段（６２）であって、前記マスクに向けられたスパッタ（ｓｐｕｔｔｅｒ）イオンビーム（ｓｂ）を生成する少なくとも１つのスパッタ源を備えており、前記スパッタ源が前記リソグラフィビームの方向で見て前記マスク保持手段（３２）の前に前記リソグラフィビームの前記経路の外に配置されて成る第２手段（６２）とを備えた装置。
【請求項２】
前記第２手段（６２）がスパッタイオンビームの方法を調整する偏向手段（６２４）を備えている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記偏向手段（６２４）が静電イオン光学的構成を備えている、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
マスクの面で測定した前記スパッタイオンビーム（ｓｂ）の横方向サイズが、ステンシルマスクの構造パターン領域（３１０）の寸法より少なくとも１桁小さい、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
スパッタイオンビームの方向がリソグラフィビームに対し少なくとも３０°の角度（β）を形成する、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記角度が少なくとも６０°である、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記第２手段が、前記リソグラフィビームの周りにリング（６０）状に配設された複数のスパッタ源を備えている、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記第２手段が、前記リソグラフィビームによって画定される軸を中心に前記スパッタ源を回転するように位置決め手段に取り付けられたスパッタ源を備えている、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記ステンシルパターンの領域のステンシルマスクの厚さおよび／または表面プロファイルを測定する測定手段（６３）であって、前記スパッタ源によるスパッタリングを制御する制御手段（６４）に接続された測定手段をさらに備えている、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記マスク保持手段（３２）が、前記リソグラフィビームによって照射されるマスクの側のすぐ前に配置されたアパーチャ（ａｐｅｒｔｕｒｅ）手段（３３）を備え、前記アパーチャ手段が前記マスクの前記側の選択された部分に対応するアパーチャを有する、請求項１に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、ステンシルマスクを使用して基板上にパターンを画定するマスクイオンビームリソグラフィのための装置に関する。イオンビームリソグラフィでは、高エネルギイオンから成るリソグラフィビームが、複数の透明な構造から作られたステンシルパターンを含む実質的に平坦なステンシルマスクを通して放射され、次いでリソグラフィビームはステンシルパターンを基板に転写する。このため、イオンビームリソグラフィは、マスク保持手段を備えており、ステンシルマスクをリソグラフィビームの経路における適切な位置に配置する。
【０００２】
【従来技術】
イオンビームリソグラフィ（ＩＢＬ）で使用されるステンシルマスクは一般的に、シリコンウェハまたは適切な材料の他の円板から作られ、その中心領域は薄肉化されて薄い膜を形成し、例えばレジスト被覆半導体ウェハである基板上に画像化されるステンシルパターンを構成する複数の開口が、膜に形成される。パターン形成された膜は、内部応力、温度、材料老化など、その物理的パラメータの変動に非常に敏感である繊細なパターンを表しており、その結果、ステンシルパターンの歪みを生じることがあることは明らかである。
【０００３】
ステンシルマスクにリソグラフィビームを照射すると、イオン注入が結晶欠陥および膨張または収縮などの機械的作用を引き起こすため、かつ膜の表面からのスパッタリングが膜膨張の連続減少を引き起こすため、ステンシルマスク膜に実質的な負荷をもたらす。これらの作用の影響を低減するために、ステンシルマスクは通常、マスク、または少なくともリソグラフィビームが照射されるマスクの側部を被覆する保護層が設けられる。例えば、Ｈｅ＋イオンによるＩＢＬで使用されるマスクの場合、Ｗｏｌｆｅらによって米国特許第６，０６３，２４６号に記載され、かつＨｒｋｕｔらによって米国特許第６，１３６，１６０号に記載されているように、繊細なステンシルマスクの寿命を延ばすために、特殊カーボンコーティングが開発された。しかし、より重いイオンの場合、今日まで適切なマスク保護技術は知られていない。他方、重イオンを使用するＩＢＬの適用は、記憶媒体のイオンパターニングなど新技術の用途を提供する。
【０００４】
たとえスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）の作用を低く維持するように保護層を選択することができても、今度は保護層（基礎膜材というより）の厚さが連続的に減少するので、保護層が使用されているときでさえ生じるイオン照射による主な問題はスパッタリングの叩き出し作用である。ＤＤ２１１８８５では、マスク膜の初期厚さが回復するまで膜に層を堆積することにより、スパッタリングが引き起こす膜の薄肉化を補償することが提案されている。この方法は興味を引くが、マスクへの制御された堆積および均一な膜厚の維持の実現は、膜の面積全体における堆積速度の変動または組織的変化の可能性のため、非常に難しい。さらに、マスクへの材料の堆積は、以下の議論から明らかになるように、スパッタリングに比較して、パターン構造に存在する表面をより均一に被覆する。
【０００５】
図８から分かるように、スパッタリングの作用は、照射面に対する入射の角度に強く依存する。図８は、１０ｋｅＶの運動エネルギの入射アルゴンイオンを想定して、ＳＲＩＭ２０００ソフトウェアパッケージを用いて、均等な表面に対して計算された、照射面の幾つかの材料に対する入射角α（表面法線から測定；図８の挿入図参照）の関数としてのスパッタ率Ｙ（衝突原子１個当たりに対し叩き出される原子の平均個数を表す）の挙動を示す。特に、スパッタ率Ｙは約７５°の角度、すなわち下にある材料とはほとんど関係なくほぼ視斜角で、顕著な最大値を示す。したがって、スパッタ作用は膜の厚さに影響するだけでなく、パターン構造のエッジおよび内側が複雑に影響を受けるので、マスクのステンシル開口の形態にも影響する。長期的には、マスクのステンシル開口の形態は、ＤＤ２１１８８５で提案された堆積によるスパッタリングの補償にもかかわらず、かなり変化する。特に、開口の内側の腐食／成長（開口の幅を決定する）および平均膜厚との間にミスバランスがある。したがって、膜の堆積だけでは、ステンシルマスクの形態に対して照射が引き起こす膜表面の材料のスパッタリングを補償する満足な結果を得ることはできない。
【０００６】
【発明の概要】
本発明の目的は、マスクに対するスパッタリング作用の効果的補償、およびマスクに存在するステンシルパターンが充分に安定しているマスクの寿命期間の確実な延長を達成するために、先行技術の限界を克服することである。
【０００７】
この目的は、マスクに材料を堆積するための第１手段だけでなく、マスクから材料をスパッタリングで叩き出すための第２手段をもさらに備えている、最初に記載した種類の装置によって満たされる。第１手段（堆積手段）は、リソグラフィビームの方向から見てマスクの前に、リソグラフィビームの経路の外に配置された堆積源であって、リソグラフィビームによって照射されるマスクの側に材料を堆積するのに適している堆積源を少なくとも１つ備えており、第２手段（スパッタ手段）は、マスクに向けられるスパッタイオンビームを生成するスパッタ源であって、リソグラフィビームの方向から見てマスクホルダ手段の前に、リソグラフィビームの経路の外に配置されたスパッタ源を少なくとも１つ備えている。
【０００８】
本発明は、特にリソグラフィビームに使用するイオン種が重元素、すなわちＨｅより重い元素である場合、材料のスパッタ誘発損失の改善された補償を可能にする。本発明の１つの主要な利点は、均一性からの逸脱は今では第２スパッタ源を使用するその後のスパッタリングによって簡単に補償することができるので、マスクへの堆積の均一性に対する要求の軽減にある。
【０００９】
好ましくは、堆積（第１）およびスパッタ（第２）手段は、以下で述べる好適な実施形態のマスク維持モジュールのように１つの装置に実現することができ、あるいはリソグラフィ装置内に別々の装置として実現することができる。
【００１０】
スパッタ手段（第２手段）は、スパッタイオンビームの方向を調整する偏向手段を含むことができる。静電イオン光学的構成を備えた偏向手段を実現することができる。スパッタリングが構造パターンの領域全体で走査手順で行われると、さらに有利である。このため、マスクの面で測定されるスパッタイオンビームの側方サイズは、ステンシルマスクの構造パターン領域の寸法より少なくとも１桁小さくするのが適している。アパーチャ間の領域の効果的なスパッタクリーニングに備えるために、スパッタイオンビームの方向は、リソグラフィビーム（マスクに垂直な面）に対して角度を形成し、それは少なくとも３０°、好ましくは少なくとも６０°とするのが適している。
【００１１】
本発明の好適な実施形態では、第２手段はリソグラフィビームの周囲に環状に配設された複数のスパッタ源を備える。代替的に、第２手段は、リソグラフィビームによって画定される軸線を中心にスパッタ源を回転させるために位置決め手段に取り付けられたスパッタ源を含む。
【００１２】
スパッタリングの量を制御するために、ステンシルパターンの領域におけるステンシルマスクの厚さおよび／または表面のプロファイルを測定する測定手段が必要であり、該測定手段は、スパッタ源によりスパッタリングを制御するために制御手段に接続される。さらに、マスク保持手段が、リソグラフィビームによって照射されるマスクの側の直前に配置されるアパーチャ手段を備え、アパーチャ手段が前記マスクの前記側の選択された部分に対応するアパーチャを有し、したがってマスクのこの部分に対するスパッタリングおよび／または堆積の作用を制限すると有利である。
【００１３】
以下で、図面を参照しながら、本発明をさらに詳しく説明する。
【００１４】
【好適な実施形態の詳細な説明】
本発明の好適な実施形態に係るリソグラフィ装置の概観を図１に示す。図には、本発明を開示するために必要な細部だけが示されている。さらなる詳細は出願人の欧州特許公開第０３４４６４６Ａ２号（米国特許第４，９８５，６３４号）に見出すことができ、それを参照によってここに含める。同様の構成は出願人のドイツ特許公開第１９６２７１７０Ａ１号（米国特許第５，７４２，０６２号）にも記載されている。
【００１５】
リソグラフィ装置１の主構成要素は、図１で左から右へのリソグラフィイオンビームｌｂ、ｐｂの方向に対応して、照明システム２、マスクアセンブリ３、イメージングシステム４、および基板５１のあるターゲットステーション５である。装置１全体が、装置の光学軸ｃｘに沿ったイオンビームｌｂ、ｐｂ（開いた矢印として示される）の阻害されない伝搬を確保するために高真空に保持された真空ハウジング（図示せず）に収容される。
【００１６】
照明システムは、ガス補給源よって給気される抽気システム（図示せず）付きイオン源２１を備える。好適な実施形態ではアルゴンイオン（Ａｒ＋）を使用する。しかし、一般的に、水素またはヘリウムイオン、または重イオンなど、他のイオンも適用することができることに注目されたい。この開示の文脈では、重イオンとは、Ｃより重い、例えばＯ、Ｎなどの元素、または貴ガスＮｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅのイオンを指す。
【００１７】
イオン源２１は、集光レンズ系２２によってリソグラフィビームｌｂとして役立つ幅広の実質的に共心のまたはテレセントリックなイオンビームに形成される、画定されたエネルギのイオンを放出する。次いでリソグラフィビームｌｂは、マスクアセンブリ３のステンシルマスク３１、またはより正確には、ステンシルマスク３１のマスク膜３１１（図２）によって形成されるマスクフィールド３１３を照射する。マスク３１は、マスクアセンブリのマスクホルダ手段３２によって、リソグラフィビームｌｂの経路内の特定の位置に保持され、こうしてリソグラフィビームは、基板に結像されるステンシルパターンを一緒に形成する複数のアパーチャ３１０を有するマスクフィールド３１３を照射する。マスクアパーチャ３１０は、ビームｌｂが透過するマスクの唯一の部分であり、こうしてそれはマスクから出現するパターン化ビームｐｂへと形成される。
【００１８】
パターン化ビームｐｂによって表されるパターンは、次いで、光学カラム４２によって基板５１に投影され、そこでそれはマスクアパーチャ３１０の像を形成する。光学カラム４２は、クロスオーバｃｖにより例えば４×の縮小を実現する。基板５１は例えば、フォトレジスト層を被覆したシリコンウェハである。このウェハ５１は、イメージングシステム４のパターンロックシステム４３と共に、ウェハステージ５２を備えたターゲットステーション５によって維持され、定置される。
【００１９】
図２はマスク３１、および本発明による平衡スパッタ補償に使用される照射をはじめ、マスクフィールド３１３内のマスク面に影響する様々な種類の放射を示す。リソグラフィビームｌｂは光学軸ｃｘ（これは図１とは対照的に、図２および４〜６では垂直に走っている）に沿って伝搬し、マスク（表）面に直角な方向にマスクに衝突する。リソグラフィビームの高エネルギイオンによる照射は、ビームに曝露されるマスク面のスパッタリングを引き起こし、適切な対策無しでは、結果的にマスク膜３１１の厚さまたはより正確にはマスク膜を被覆する保護層の厚さの全体的な低下のみならず、ステンシルマスクアパーチャ３１０の形態の局所的変化をも生じる。スパッタリング作用の補償に備えるために、例えば多数の堆積源（図４）によって生成され、ウェハフィールド３１３の方向に向けられるガスストリームｄｓを用いて、材料がマスク表面に堆積される。堆積源はリソグラフィビームｌｂの経路の外に配設しなければならないので、堆積は必ずしも光学軸に対して角度δで発生しない。角度δは堆積流の主な方向を表すだけであり、堆積流の収束に対応する範囲全体にわたり変化することができることに注意する必要がある。
【００２０】
すでに指摘した通り、リソグラフィビームｌｂによって生じるスパッタリングの作用および堆積ｄｓによってもたらされる材料の成長は、ステンシルマスクのアパーチャ構造における異なる局所的挙動および角度依存性のため、相互に充分には相殺されない。本発明では、少なくとも１つのスパッタリング手段（図５）によってリソグラフィビーム（すなわち光学軸ｃｘ）の方向に対して角度βでマスクフィールドに向けられるスパッタビームｓｂを生成するために、補助スパッタリングを提供する。幾何学的理由から、角度βは少なくとも３０°とすべきである。６０°から７０°の範囲は角度依存スパッタフィールドの最大限の範囲であるので、源は優先的に角度βが６０°から７０°の範囲内となるように配置される。
【００２１】
堆積ｄｓおよび補助スパッタリングｓｂによって影響される領域をマスクフィールド３１３の領域に限定するために、マスクフィールドアパーチャプレート３３がマスク３１の前に定置される。マスク膜３１１とは対照的に、プレート３３は充分な厚さを持つことができるので、プレート３３に対するスパッタリングの老化作用は無視することができる。
【００２２】
スパッタリングイオンのイオンエネルギは一般的に０．５ないし５ｋｅＶの範囲である。補助スパッタリング用のスパッタ源６で使用されるイオン種はＡｒである。変形例として、Ｏ、Ｎなどの元素、または貴ガスＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ，Ｋｒ、Ｘｅから他の重イオンを使用することもできる。補助スパッタリングのイオン種は好ましくは、マスクに堆積される材料に関連して、すなわち原子質量Ｍ（スパッタイオン）／Ｍ（堆積）の商が少なくとも０．１より大きく、好ましくは１より大きくなるように、選択すべきである。
【００２３】
スパッタビームｓｂは、一度にマスク膜のごく小さい面積だけに影響するように横方向に閉じ込められ、マスクフィールド３１３の面積全体にわたって走査される。スパッタビームの到達範囲の面積は少なくとも１桁小さく、該面積は優先的にチップフィールド面積に対応する。走査動作および／または走査ビームの強度およびエネルギは、局所的な必要に応じて、局所スパッタリングの程度の変動に備えるように調節される。図２に示す角度βはスパッタビームの主な方向を表すだけであることに注意されたい。この角度は実際には、ウェハフィールドの幅に対応する範囲全体にわたる走査動作の過程で変化する。
【００２４】
本発明では、照射誘発スパッタリングの改善された補償を可能にする構成が、マスクホルダ手段３２およびマスク３１の前に（リソグラフィビームの方向から見て）設置される。図１に示した実施形態では、この構成はマスク維持モジュール（ＭＭＭ）６として実現され、これは図３ないし５にさらに詳しく示されている。ＭＭＭは、図５に模式的に描いた照明システム２とマスク３１との間のフィールド自由空間に挿入される。
【００２５】
図３は、ＭＭＭ６の平面図（マスク面から見た、すなわちリソグラフィビームｌｂの方向に対抗して見た状態）を示す。リソグラフィビームｌｂを包囲するリング形フレーム６０上に、複数の堆積源６１およびスパッタ源６２が取り付けられる。図示した実施形態のＭＭＭでは、各型の源の数は６であり、堆積およびスパッタ源はリングフレーム６０上に交互に配設される。原則的に、例えばリソグラフィビームに対して両側の位置に１つの堆積源および１つのスパッタ源を設ければ、充分であることに注意する必要がある。各型の源の数は３、４、５、またはそれ以上とすることもできる。いうまでも無く、他の変形例では、堆積源６１の数がスパッタ源６２の数と異なり、例えば２つの堆積源と４つのスパッタ源とすることができる。
【００２６】
堆積および特にスパッタリングの等方性は、リソグラフィビームの光学軸を中心に源を回転することができるように、源が取り付けられるフレームを回転装置として実現することによって、さらに改善される。
【００２７】
マスク全体に均等な堆積プロファイルを達成するために、図３に示すように光学軸に対して回転するように分配された幾つかの堆積源６１を使用すると便利である。電子ビームで加熱るつぼのマスクへの熱荷重を考慮して、蒸着装置は好ましくはナノ秒レーザパルス誘発脱着に基づくべきである。パルス式堆積は最適線量安定性およびさらにオーバヘッド期間中の時間プログラム蒸着をもたらす。本方法で、蒸気原子からの入射イオンの非弾性散乱は結像解像度に影響を及ぼさない。
【００２８】
同様に、（局所的）表面がそれに向かって傾斜している横方向とは関係なく必要なスパッタ作用を達成するために、多数のスパッタ源６２を使用することが有利である。また、スパッタ源の数が多いほどマスクフィールド全体を走査するために必要な時間が低減する。
【００２９】
図４および５は、図３にそれぞれ示した異なる長手方向面Ｐ４およびＰ５に沿った断面で、堆積源６１およびスパッタ源６２をより詳細に示す。
【００３０】
図４に示す堆積源６１は、イオンビーム照射マスク面積と一致するビーム径で、保護層材の均等な堆積を可能にする。源６１は、マスク３１の保護層に関連して適切に選択された材料、好ましくは保護層と同じ材料（例えばＡｌ）の蒸着を選択する。堆積源６１は微粒子ビーム源６１１、アパーチャ６１２を制限して単一ビームを整形する構成、およびイオン光学的曝露中に堆積ビームを無効にする機械的シャッタ６１６を備えている。微粒子ビーム源は、例えば標準ｅビーム蒸着、グロー放電Ａｒスパッタリング、またはパルスレーザ堆積技術など、標準エピタキシ技術に基づくことができる。
【００３１】
保護層の制御された安定化を可能にするために、堆積源６１は次の属性に対して選択される。
−スループット要件およびスパッタ効率に応じて１０１１〜１０１４個の原子／ｓ／ｃｍ２の範囲の可能な堆積速度
−蒸着装置ビーム径とイオンビーム径（仮想源サイズ）の充分な重ね合わせ
−絶対堆積速度に対する制御（時間安定性）
−ステンシル開口３１０の内側の側壁堆積を回避するために、充分に大きい入射角δまたは小さいビーム発散と共に充分に小さい入射角δのいずれか。
【００３２】
技術的に重要なさらなるポイントは次の通りである。
−マスクレベルにおけるイオンビーム断面に関する蒸発フィールドの調節可能な大きさ（例えばアパーチャ６１２を制限することによる）
−マスクの追加熱負荷に対する充分な冷却能力
−マスク面全体の堆積の変動を複数のスパッタクリーニングビームによって平衡させることができるように、全蒸着フィールド（例えば直径４インチ）における蒸着効率の小さい変動（＜５％）。
【００３３】
蒸着に使用する材料は、炭素または炭化水素材料を堆積するために、金属元素、好ましくはＡｌ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｓｉ、または有機材料など高い表面エネルギ（高い蒸着熱）を有する金属とすることができる。さらに、保護層材料はイオンビーム誘発応力を生じる傾向の低いものとすべきである。言い換えると、層の内在的な応力は、イオン光学的曝露中に保護層に貫入するイオン線量にほとんど無関係であるべきである。これらの性質を持つ材料は一般的に、ＡｌまたはＰｂなど低い融点を持つ材料である。動作中のマスク表面の帯電を回避するために、マスクの表面が酸化物層または他の絶縁層で被覆されないことを保証しなければならないので、弾性以外に化学的性質も問題である。変形例では、酸化アルミニウムなどの複合材料も堆積することができる。この場合、複合材の成分要素はそれぞれの堆積源によって提供することができる。
【００３４】
図５を参照すると、スパッタクリーニング源６２はイオン源、幾つかの電極からなる集束レンズ構成６２３、およびマスク膜のそれぞれの領域またはマスク膜全体にイオンをラスタするための静電イオン光学ＸＹ偏向構成６２４を備えており、全ビームが一緒に２次元表面スパッタリングプロファイルを達成する。ラスタ周波数は、各走査座標に対して１０から１０４Ｈｚの範囲内にあり、Ｘ：Ｙ周波数比は、ラスタ集束イオンビームによって均質な表面スパッタリングが可能となるように、素数になるように選択される。スパッタクリーニングに使用されるビームのスポットサイズは、蒸着効率の不均質性に関連して適切に選択され、一般的に１〜１０００ｍｍの範囲内である。
【００３５】
堆積およびスパッタ源６１、６２は、リソグラフィシステム１の圧力を例えば約１．０・１０−７ミリバールの動作値に維持するために、別々にポンプで排気される（それぞれのポンピングシステムは図示せず）。
【００３６】
図１に示す実施形態では、補償システム６はマスクアセンブリ３の構成要素であり、他の変形例では、補償システム６の構成要素をマスク３１の前の様々な適切な位置に配置することもできる。
【００３７】
図１に示したリソグラフィ装置１では、堆積または補助スパッタリングが行われている間、光学系、特にイメージングシステム４を保護するために、マスク３１およびマスクホルダ３２の後に機械的シャッタ３４が配置される。さらに、リソグラフィビームを通過させるのに充分に幅広であるが、マスク３１のアパーチャ３１０に浸透するかもしれない堆積ストリームｄｓまたはスパッタビームｓｂの残分を遮蔽する、クロスオーバアパーチャプレート４１をクロスオーバｃｖの位置に設けることができる。
【００３８】
マスクの寿命期間中のマスクの被覆層の厚さを制御するために、装置１は、マスク前面の表面プロファイルの横方向分解測定用のツール６３をさらに備える。ツール６３はレーザ干渉測定法によって厚さを測定し、これらの測定の結果は、コンピュータ制御装置６４によってスパッタリングを制御するために使用される。代替的に、マスク膜の厚さは、マスクの背後に配置された光源（図示せず）によって後方から供給される光を使用して、マスクの可視光の透過率を測定することによって制御される。
【００３９】
図６は、マスクアパーチャ３１０の局所的形態に対して予想されるスパッタリングおよび堆積の効果を示す。図６Ａの断面図は、それが本当に照射される前の状態のマスク膜の詳細を示す。マスク膜のベース材３６１、例えばシリコンの上に、リソグラフィビームのＡｒイオンがシリコン材３６１に貫入するのを防止するのに充分な厚さを有する、例えばアルミニウムの保護層３６３がある。ベース材３６１に対する保護層３６３の優れた接触または適応に備えるために、薄い中間層３６２が存在することがある。図６Ａに示す非照射状態で、マスクアパーチャ３１０は尖鋭な、よく画定された縁３９ａを有する。また、アパーチャのプロファイルは、光学イメージングに対するアパーチャの実効深さを低減するために、後退形状３８ａを有する。
【００４０】
マスクアパーチャ３１０にリソグラフィビームｌｂの放射を照射すると、堆積補償無しでは、長期的観点から図６Ｂに示すようなプロファイルを導き、後退形状が完全に失われた傾斜プロファイル３８ｂを導く。他方、後退層への材料の堆積による補償でも、アパーチャ構造の維持は保証されない。図６Ｃは、特に、アパーチャの横方向寸法が小さい場合に予想される形状を示す。縁３９ｃが実際のアパーチャの上に成長するので、アパーチャの横幅が劇的に低減される。これはアパーチャの完全な喪失を導くことがある。図６Ｄは、本発明に従って安定化できるアパーチャの局所的形態を示す。アパーチャの縁３９ｄはある程度丸みをおびているが、アパーチャの横幅および後退形状３８ａは確保される。
【００４１】
図６Ｃに示すような局所的形態の変化の効果はメゾスコピック（ｍｅｓｏｓｃｏｐｉｃ）な性質のものであり、一般的に１μｍ程度およびそれ以下の小寸法の特徴に特に現われる。それは半導体分野における最近の小型化の流れの結果である。メゾスコピックなスケールで発生する効果は、例えばＤＤ２１１８８５が堆積によるスパッタリングの保証を提案したときには無視することができたが、これらの効果は、今使用されているステンシルマスク構造のスケールでは無視することができない。
【００４２】
安定な層は、スパッタリングと成長の局所的および全体的均衡によって特徴付けられる。均衡した表面輪郭の形状は様々なパラメータに応じて変化するが、特定の境界条件に従わなければならない。例えば開口３１０の内側、すなわち側壁に沿って、イオン入射角αが必ず９０°である。本境界条件に関して、現実的な放射および蒸着条件下で、所与の材料に対して完全なカバレージが主として実現可能であるかどうか、詳細に検討しなければならない。完全なカバレージとは、現場成長層の膜全体の厚さがイオン貫入深さより大きいことを暗に示す。
【００４３】
スパッタ率Ｙ（図８）は、重イオンの場合、一般的に１より大きいので、リソグラフィビームｌｂによる特定の期間の「予備照射」後に表面が安定に達する適切な堆積速度を見出すことは、原則として、必ず可能なはずである。実際には、スパッタ効率が高ければ高いほど、均衡トポグラフィおよび形態を形成するために必要な予備照射期間は小さくなる。現場成長保護層にとってスパッタリングは、問題ではなく、形態および表面動力学を制御し、かつ、特に保護層への不可避のイオン注入を処理するのに歓迎される作用である。これは、特に、保護層の厚さだけでなく局所的深さも制御できる、本発明に係る追加スパッタ源６２を実現することによって促進される。
【００４４】
保護層における堆積を原因とする膜成長を制御するために利用可能な物理的パラメータは主に、薄膜の性質（化学組成）、角スパッタ依存性（保護層のイオン質量対原子質量の比）、および作業温度である。より少ない程度に、層の厚さ、堆積速度、およびイオン線量率もまた成長に対し影響を有する。
【００４５】
図８から明らかな通り、スパッタリングの効果は、より小さいイオンビームの入射角寄り（α〜７０〜９０°）で顕著になり、アパーチャの縁３９ａ、３９ｄが丸くなる傾向を示している（図６Ａ、６Ｄ参照）。薄膜はその表面積を最小化する傾向があり、かつさらに、スパッタリング中に縁付近に位置する原子に対し増大される逸出確率があるので、尖鋭な縁３９ａは熱力学的に不安定である。したがって、均質な吸着を想定すると、領域から開口の丸い縁３９ｄへの質量正味輸送は、動作中に完全なカバレージを維持するために不可欠である。本質量輸送は、適度に高い吸着体拡散率によって、または間接的に、好ましくはより低い入射角βのためテラスから材料を除去する、スパッタクリーニングビームｓｂによって行われるテラスに対する増強スパッタリングによって、推進しなければならない。薄膜の横方向成長を調整するために、適切な表面拡散速度および角スパッタ依存性を持つ元素を選択することができる。加えて、成長挙動を最適化するために、保護層に第２（または第３）成分を加える（合金）することができる（例えば、アイランド成長から層毎の成長へ、いわゆる表面活性剤として働く不純物を最上原子層に添加）。
【００４６】
角度αに対する強い依存性以外に、図８は、直角入射Ｙ（０）におけるスパッタ速度の実質的な元素依存性を明らかにし、それは角度変動に対しいっそう劇的である。したがって、開口の縁付近と間隙領域との間のスパッタ比率は、元素の種類の選択によりある程度制御可能である。完全なカバレージに対し、角スパッタ依存性および吸着体拡散長は両方とも同等に関連する。両方が共に特定の照射条件に適合する場合にのみ、一種の「自己調整された」保護層が形成され、Ｓｉ膜全体をイオン損傷から保護する。スパッタ率の角増加はニオブから炭素まで４から１２の間で変化することに注目されたい。スパッタ率のこのずば抜けた差は、大きい吸着体拡散率にもかかわらず、ステンシル開口の過剰成長を回避する可能性を説明する。
【００４７】
以上から、均衡状態の現場成長保護層のトポグラフィは完全に平坦にすることはできないが、ステンシル開口付近で丸みを帯びたショルダ３９ｄによって全体的に特徴付けられ（図６Ｄ）、吸着、再吸着、およびスパッタリングの運動力学によって形成されるアイランドおよびクラスタ（図示せず）によって局所的に特徴付けられることが明らかである。現場スパッタリングは表面の局所的粗面化を導き、したがって核形成部位の数の増加を導くので、成長プロセスとスパッタプロセスの結合がある。関係する全てのプロセスの複雑度に関し、最適マスク動作のためのパラメータ、基本的に温度領域および保護層を形成する元素の型は、実験的に、例えば加速寿命実験によって導出される。
【００４８】
さらに、堆積の最適角均質性を達成するために、蒸着装置寄りの面における優先的な堆積を回避するのに役立つことので、入射イオンビームｌｂと堆積流ｄｓとの間の角度δを小さくすることが有利である。これが実現される変形実施形態を図７に示す。
【００４９】
図７のリソグラフィ装置１０１では、マスク維持構成が２つのグループに分割される。堆積源は、イオン源１２１に近接してリソグラフィビーム１ｂを包囲する第１構成１６１に配置される一方、スパッタ源はマスク３１に比較的地殻に配置されたダイ２構成１６２に配置される。マスク前面の表面プロファイルの横方向分解測定のためのツール（図１のツール６３に対応する）は、堆積構成１６１に適切に組み込むことができる。他の点では、装置１０１は図１の装置１と一致する。
【００５０】
図に示さない本発明の変形では、本発明に係るマスク維持構成に属する構成要素を、多重電極照明システム、例えば内部マルチポール偏向電極と一体化することもできる。これは、例えば幾何学的ぶれを低減するために、マスクがグリッド電極として働いて発散レンズを形成するときに行なうことができ、その場合、マスクの前の空間は静電界を免れることができない。
【図面の簡単な説明】
【図１】発明を実現するリソグラフィ装置の縦断面図である。
【図２】図１の装置に使用されるマスクの均衡したスパッタ補償の原理を示す略図である。
【図３】図１の装置の補償システムの平面図である。
【図４】図３のシステムで使用されるスパッタ手段の詳細図である。
【図５】図３のシステムで使用される堆積手段の詳細図である。
【図６】３段階（図６Ａ〜図６Ｃ）のマスク構造の詳細図である。
【図７】堆積手段の変形構成を有するリソグラフィ装置の重断面図である。
【図８】入射角の関数としてのスパッタ率を示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【外国語明細書】
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