(57)【要約】【課題】磁性粒子の形状を円柱状とし、均一性と微細化を同時に達成した記録層を有する磁気記録媒体を提供する。【解決手段】基体上に配置されている記録層と電極層において、該記録層と電極層は同一面内に配置されている磁気記録媒体。前記電極層は基体上にある記録層が配置されている面の端部に隣接して配置されている。前記記録層の磁性体部分を取り囲む母材はアルミニウムの陽極酸化で形成されるアルミナを成分として含有するか、または前記記録層の磁性体部分を取り囲む母材は、Ｓｉ，Ｇｅの少なくとも一方またはそれらの酸化物を成分として含有する。【選択図】                なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に配置されている記録層と電極層において、該記録層と電極層は同一面内に配置されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記電極層は、該基体上にある記録層が配置されている面の端部に隣接して配置されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記基体が絶縁体であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記基体と記録層間に抵抗率（Ωｃｍ）／膜厚（ｃｍ）≦１００（Ω）を満たす１層以上の下地電極層が配置されていることを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記記録層は最も近い電極層との距離が３ｃｍ以内であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかの項に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記記録層の磁性体部分を取り囲む母材は、アルミニウムの陽極酸化で形成されるアルミナを成分として含有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかの項に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記記録層の磁性体部分を取り囲む母材は、Ｓｉ，Ｇｅの少なくとも一方またはそれらの酸化物を成分として含有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかの項に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
前記電極層はアルミニウムを成分として含有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかの項に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
前記電極層は、ＡｌＳｉまたはＡｌＳｉＧｅを成分として含有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかの項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれかに記載の磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を使用した情報処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体、磁気記録再生装置及び情報処理装置に関する。
【０００２】
【背景技術】
近年の情報処理の飛躍的な増大に伴って、磁気ディスク装置などの情報記録技術も大幅な大容量化が求められている。特にハードディスクにおいては現在単位面積当たりの記録情報量が年率６０％を超える勢いで増加している。今後も情報記録量の増大が望まれており、また携帯用などの記録装置としても小型化、高密度化が望まれている。
【０００３】
従来利用されてきたハードディスク用磁気記録媒体は水平磁気記録方式であり、磁化はディスク表面に平行に記録されている。この水平磁気記録方式では高密度化に伴い磁区内の反磁界を抑え、且つ磁化状態を検出させるため媒体上方に磁界を出すために磁気記録層を薄くしていく必要がある。そのため磁性微粒子１つ当たりの体積が極度に小さくなり、超常磁性効果が発生しやすい傾向にある。すなわち磁化方向を安定させているエネルギーが熱エネルギーより小さくなり、記録された磁化が時間とともに変化し、記録を消してしまうことが起こる。このため近年では水平磁気記録に代わって記録層の膜厚を大きくとれる垂直磁気記録方式へ移行する研究が盛んに行われている。
【０００４】
垂直磁気記録用の媒体としては、図４に示す様に、記録層４４としては一般にＣｏ−Ｃｒ合金が用いられており、スパッタリング法で作製すると図４（ｂ）に示す様にＣｏ組成が多いコア部４６とその周りのＣｒ組成が比較的多いシェル部４７に分離された状態で成長する。コア部４６は円柱に近い形状であり六方稠密格子構造（以下、ｈｃｐ構造という）を有する硬磁性となり、記録部分となる。シェル部４７はＣｒ組成が多く軟磁性、もしくは非磁性的な特性になり隣接するコア部同士の相互作用を弱める役割も果たす。コア部４６ではｃ軸が基板面に垂直方向を向いており、結晶磁気異方性の作用により磁化は基板面に垂直方向を向くようになる。上記記録層４４にはＣｏ−Ｃｒ以外にＴａ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｈｆなど添加することが行われている。
【０００５】
しかし、今後さらなる高記録密度化に対しては、Ｃｏ−Ｃｒ系ではコア部分４６の微細化が困難であることが予想される。また、微細化に伴い超常磁性効果が顕著になることから、近年注目されているＣｏＰｔ，ＦｅＰｔ，ＦｅＰｄのＬ１０  規則合金が今後有力な材料であると考えられている。特に、前記規則合金を微粒子化して、それらを非磁性母体中に分散させた膜（グラニュラー膜）にし、Ｃｏ−Ｃｒ系の磁性粒子の微細化に伴う超常磁性効果に耐えうる媒体も提案されている（例えば、特許文献１参照）。しかし、その他に微細化された磁性体の体積分布の制御が重要となっている。
【０００６】
また、垂直磁気記録の次に目される媒体としてパターンドメディアがある。これは、記録方式としては垂直記録ということができるが、前記の場合とことなり磁性体部分一つ一つの磁化の向きにより情報を記録しようとするものである。磁性粒の配置がある周期をもって規則的に配列していることが要求され、製造の困難さにより大面積化が大きな課題となっている。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００１−２７３６２２号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記垂直磁気記録媒体やパターンドメディアにおいては、磁性体のサイズに違いはあってもその磁性粒のサイズ揺らぎが課題であった。
【０００９】
本発明の目的は、自己組織的に形成される構造体、つまりアルミニウムの陽極酸化で得られる構造体と柱状Ａｌ部分とその側面を囲うように配置されているＳｉまたはＳｉＧｅを成分として含有するＳｉまたはＳｉＧｅ部分からなる構造体を母体として用いることで、上記の磁性粒子の形状を円柱状とし、その均一性と微細化を同時に達成した記録層を有する磁気記録媒体を提供することである。
【００１０】
また、本発明の別の目的は、上記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を提供することである。
さらに、磁気記録再生装置を用いた情報処理装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の第一の発明は、基体上に配置されている記録層と電極層において、該記録層と電極層は同一面内に配置されていることを特徴とする磁気記録媒体である。
【００１２】
また、前記電極層は、該基体上にある記録層が配置されている面の端部に隣接して配置されていることを特徴とする。
また、前記基体が絶縁体であることを特徴とする。
また、前記基体と記録層間に抵抗率（Ωｃｍ）／膜厚（ｃｍ）≦１００（Ω）を満たす１層以上の下地電極層が配置されていることを特徴とする。
また、記録層は最も近い電極層との距離が３ｃｍ以内であることを特徴とする。
【００１３】
また、前記記録層の磁性体部分を取り囲む母材は、アルミニウムの陽極酸化で形成されるアルミナを成分として含有することを特徴とする。
また、前記記録層の磁性体部分を取り囲む母材は、Ｓｉ，Ｇｅの少なくとも一方またはそれらの酸化物を成分として含有することを特徴とする。また、前記電極層は、アルミニウムを成分として含有することを特徴とする。
また、前記電極層は、ＡｌＳｉＧｅを成分として含有することを特徴とする。
【００１４】
本発明の第二の発明は、上記のいずれかに記載の磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置である。
本発明の第三の発明は、上記のいずれかに記載の磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を使用した情報処理装置である。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の磁気記録媒体は、基体上に配置されている記録層と電極層において、該記録層と電極層は同一面内に配置されていることを特徴とする。
【００１６】
＜磁気記録媒体の構成＞
本発明の磁気記録媒体を図面に基づいて説明する。図１は本発明の磁気記録媒体の構成を示す模式図である。
【００１７】
図１において、１０は基体、１１は下地電極層、１２は電極層、１３は記録層、１４は記録面、１５は保護層、１６は潤滑層である。本発明の特徴は、電極層１２と記録層１３がともに記録面１４に配置されていることである。これは、電着法による記録層１３の形成における電極としての役割を果たすものである。この電極層１２は、下地電極層１１と接触しており、電着の際には電極層１２を介して抵抗率（Ωｃｍ）／膜厚（ｃｍ）≦１００（Ω）を満たす下地電極層１１が主な電極として働くものである。さらに、記録層１３は最も近い電極層１２との距離が３ｃｍ以内であることが好ましい。
【００１８】
また、本発明に用いる基体１０は導電性基板だけでなく、絶縁性の基板でも使用可能である。特に、ガラス基板、石英基板、シリコン基板など、平滑なものであれば用いることが可能である。さらに、基体１０の形状としては、図２（ａ）に示す円形、（ｂ）に示すドーナツ型などが好ましい。特に、基体の外径Ｒ２０と基体の内径ｒ２１と基体の高さＨ２２の範囲は、５ｍｍ＜Ｒ＜１００ｍｍ、０．５ｍｍ＜ｒ＜５０ｍｍ、０．１ｍｍ＜Ｈ＜１００ｍｍであればよい。
【００１９】
さらに、これら基体１０における記録面１４の配置は、それらの上下面でも側面でも配置可能であり一部に限定するものではない。また、記録面１４にある電極層１２と記録層１３の配置関係は、電極層１２が記録面１４の端部に隣接して配置されていることが好ましい。さらに、端部全部が電極層１２で囲われる必要はなく、一部でもその役割をはたすことが可能である。しかし、均一性の観点からは記録層１３に対して対称に配置されていることが好ましい。記録面１４におけるこれら電極層１２の配置の一例を図３（ａ）〜（ｄ）に示す。このとき電極層１２の端部からの幅Ｌ３０は、０．０１ｍｍ＜Ｌであることが好ましい。特に０．０１ｍｍ＜Ｌ＜５ｍｍであることが好ましい。また、電極層１２は記録面１４の少なくとも一部に配置していればよく、またその他の面にわたって形成されていてもよい。
【００２０】
また、電極層１２は電極としての役割でなくとも端部の保護等の目的で使用することも可能である。従って、記録面１４において記録層１３に加工しない部分を電極層１２とすることも可能である。さらに、絶縁性基板の場合には電極層１２は電極として有効であるが、導電性基板に対しては前記端部の保護、または電着物の端部への集中を防ぐための役割を果たすことが特徴である。
【００２１】
本発明において、電極層１２と記録層１３は同一の材料からそれぞれ形成可能であり、それにはアルミニウム膜と、基板垂直方向に立ったアルミニウムを成分として含有する柱状アルミニウム部分と該柱状アルミニウム部分の側面を囲むように配置されているＳｉまたはＳｉＧｅを成分として含有するＳｉまたはＳｉＧｅ部分を有するＡｌＳｉ，ＡｌＳｉＧｅ構造体膜を用いることが有効である。大きな違いは、図５に示す微細なホール５０の直径や周期であり、また構造体の母材５１がアルミナであるかＳｉ，ＳｉＧｅであるかによっている。
【００２２】
図５は微細なホールを有する構造体の模式図である。まず、アルミニウムを用いた場合は、電極層１２はアルミニウム膜そのものであり、記録層１３はアルミニウムを陽極酸化することにより形成される微細なホール５０とそれを取り囲むアルミナからなる構造体に磁性材料を充填することで形成される。
【００２３】
ここで、アルミニウムの陽極酸化についての特徴を記載する。
微細なホールを形成したい部分をリン酸、蓚酸、硫酸等の水溶液中に浸漬し、それを陽極として電圧を印加することで自己組織的にホールが形成される。このとき形成されるホール間の間隔５３は、印加した電圧で決まり、２．５ｎｍｘ電圧（Ｖ）の関係が知られている。しかし、ホール間の間隔５３は１５ｎｍ程度が最小の周期である。同時に、ホールの直径５２も最小で１２〜１３ｎｍ程度となっている。
【００２４】
また、アルミニウム膜の表面に規則的な窪みをつけることでそこを基点に規則的なホールがハニカム状や正方状に形成されることも特徴であり、特にパターンドメディアに対して大きな可能性を有していることが特徴である。
【００２５】
以上に関して、図６（ａ）に示すように電極層（Ａｌ）６０と記録層１３の境界部分６２は明瞭である必要は無く、電極層（Ａｌ）６０の部分に記録層１３の形成プロセスによる侵食が一部存在しても良い。図は模式図であり一例を示すもので、この図６（ａ）の形態に限定するものではない。
【００２６】
上記のアルミニウムの陽極酸化で得られる微細なホールを有する構造体の具体例は、例えば特開平１１−２０００９０号公報等に記載されている。
【００２７】
次に、基板垂直方向に立ったアルミニウムを成分として含有する柱状アルミニウム部分と柱状アルミニウム部分の側面を囲むように配置されているＳｉまたはＳｉＧｅを成分として含有するＳｉまたはＳｉＧｅ部分を有するＡｌＳｉ，ＡｌＳｉＧｅ構造体を用いた場合は、電極層（ＡｌＳｉ，ＡｌＳｉＧｅ）６１は図６（ｂ）に示すようにＡｌＳｉ．ＡｌＳｉＧｅ構造体そのものである。ただし、後のプロセスにおいて加熱処理等で電極層（ＡｌＳｉ，ＡｌＳｉＧｅ）６１の構造が変化することがあっても電極としての役割には問題ないことを記しておく。記録層１３は、まずＡｌＳｉ，ＡｌＳｉＧｅ構造体のアルミニウム部分をエッチングし、Ｓｉ，ＳｉＧｅ部分をエッチングしない酸またはアルカリ溶液に浸漬することで微細なホール５０とそれを取り囲むＳｉ，ＳｉＧｅからなる構造体に加工する。それから、磁性材料を充填することで記録層１３とすることが可能である。
【００２８】
ここで、ＡｌＳｉ，ＡｌＳｉＧｅ構造体について特徴を記載する。
まず、図５に示す様に、柱状Ａｌ部分が基板垂直方向に真直ぐ立っており、その円柱の側面を囲むようにＳｉまたはＳｉＧｅ部分が構造体の母材５１として配置された構造を有することが特徴である。なお、Ａｌ部分にはＳｉまたはＳｉＧｅが、ＳｉまたはＳｉＧｅ部分にはＡｌが僅かに混入している。また、この構造体を形成するには、ＡｌとＳｉまたはＳｉＧｅの非平衡状態における同時成膜を行うことが好ましい。また、柱状Ａｌ部分は基板垂直方向に真直ぐ立っており、リン酸等のＳｉまたはＳｉＧｅが溶解せず、柱状Ａｌ部分が溶解するような酸やアルカリに浸漬することで柱状Ａｌ部分のみ溶解、除去できることが特徴である。それには、リン酸、硫酸、アンモニア水など複数の酸またはアルカリが該当する。
【００２９】
また、このＡｌＳｉまたはＡｌＳｉＧｅの構造体を硫酸等の水溶液中で陽極酸化することでも柱状Ａｌ部分を除去することが可能である。このとき、ＳｉまたはＳｉＧｅ部分は陽極酸化中に酸化され、（Ａｌｘ  （Ｓｉｙ  Ｇｅ１−ｙ  ）１−ｘ  ）ｚ  Ｏ１−ｚ  となる。そこで、ｘの範囲は０＜ｘ≦０．２で好ましくは、０＜ｘ≦０．１である。また、ｙの範囲は０≦ｙ≦１の範囲であればよく、Ｓｉのみ、Ｇｅのみの場合も含む。また、酸化状態は０．３３４≦ｚ≦１の範囲であり、酸化していない状態も含まれる。また、酸化する場合には、陽極酸化等を行えばよく、その陽極酸化の終了は、下地層へ細孔が到達した時点から３０ｓｅｃ〜６０ｓｅｃの間に終了することが好ましい。または、陽極酸化の電流値が極小値に達した時点まで陽極酸化を行っても良い。さらに、酸化は酸素雰囲気中でのアニールでも良い。このＡｌを除去したＡｌＳｉ，ＡｌＳｉＧｅの構造体は、組成にも依存するがホールの直径５２の範囲が１ｎｍ〜１５ｎｍで、ホール間の間隔５３の範囲が３ｎｍ〜２０ｎｍであることを特徴とする。以上からＡｌ部分の除去の手段によっては、微細なホール５０を取り囲む壁はＳｉやＳｉＧｅかまたはその酸化物で構成されることが特徴である。
【００３０】
上記のＡｌＳｉまたはＡｌＳｉＧｅを成分として含有する構造体の具体例は、例えば特願２００２−３４０９４４号公報等に記載されている。
【００３１】
上記下地電極層１１は、抵抗率（Ωｃｍ）／膜厚（ｃｍ）≦１００（Ω）を満たす材料が好ましい。さらに、下地電極層１１の配向制御のために（００１）配向したＭｇＯを挿入しても良い。特に、ホールに充填する磁性材料の配向を制御するために下地電極層１１の配向を（１１１）または（００１）に適宜選択することが好ましい。ｈｃｐ−Ｃｏのｃ軸を基板垂直方向に配向させるためには、下地電極層１１をｆｃｃ構造の（１１１）配向を利用することが好ましく、ＭＰｔ（Ｍ＝Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ）のＬ１０  規則合金層のｃ軸を基板垂直方向に配向させるためには下地電極層１１が基板面に対して平行に正方状の結晶配列を有していることが好ましい。特に、ｆｃｃ構造の（００１）配向を利用することが好ましい。
【００３２】
上記の基体１０としては、ガラス、Ａｌ、カーボン、プラスティック、Ｓｉなどを基体１０として使用することが好ましい。また、Ａｌ基板の場合は硬度を確保するためにＮｉＰ膜をメッキ法などにより下地層として形成しておくことが望ましい。
【００３３】
また、基体１０と下地電極層１１の間に軟磁性層を裏打ち層として形成することが有効である。また、その裏打ち層としては、Ｎｉｔ  Ｆｅ１−ｔ  を主成分とする膜が使用可能であり、ｔの範囲は０．６５から０．９１であることが望ましく、さらに一部Ａｇ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｐ，Ｂなどを含んでも良い。その他のＦｅＣｏ、ＦｅＴａＣやアモルファス材料の軟磁性体も採用可能である。
【００３４】
また、磁気記録媒体の上部表面は、ダイヤモンドスラリー等を用いた精密研磨を施しており、そのＲｍｓ（２乗平均の平方根）は１ｎｍ以下である。さらに表面には保護層１５を形成することが好ましく、ヘッドとの摩擦に対して耐磨耗性を持たせるために、カーボンの他カーバイト、窒化物等の高硬度の非磁性材料を用いることが有効である。
【００３５】
また、潤滑層１６は、ＰＦＰＥ（パーフルオロポリエーテル）を塗布することが好ましい。
【００３６】
本発明の磁気記録媒体は垂直磁気記録媒体として有効であり、磁気記録再生装置として用いるには、図７に示すように、上記磁気記録媒体７１以外に読み取り書き込み用磁気ヘッド７３、モーターなどの磁気ヘッド駆動部７４、信号処理部７５、防塵ケース等を組み込むことが必要である。しかし、磁気記録再生装置において、磁気記録媒体７１の駆動は回転のみ、磁気ヘッド７３の駆動は円周上のスライドのみに限定されるものではない。
【００３７】
また、前記磁気記録再生装置を情報処理装置として用いるには、図８に示すように、磁気記録再生装置部８２以外にメモリ部分８４と演算部８３と外部入出力部８６と電源８５とそれらを接続する配線８７を格納容器８１に収めた情報処理装置を形成することが必要である。情報処理装置において、配線は有線、無線のどちらでも可能である。
【００３８】
【実施例】
以下に実施例をあげて、本発明を説明する。
【００３９】
実施例１
本実施例においては、記録層と電極層が同一面内に配置されていることを示す。
【００４０】
まず、基板として導電性であるアルミニウムにＮｉＰをメッキしたものと絶縁性であるガラス基板とを準備した。これらに、下地電極層としてＰｔを２０ｎｍとＴｉ１．５ｎｍを続けて成膜し、続いてアルミニウムを１００ｎｍ成膜した。これらは、スパッタリング法で成膜を行ったが、その他の手段でも平滑な膜が得られれば良い。下地電極層が２層なのは、アルミニウムの陽極酸化が安定に行われるためのものである。
【００４１】
まず、基板の一部を電極部として硫酸０．３ｍｏｌ／ｌ、１０℃の水溶液中で２０Ｖの電圧を印加して陽極酸化を行った。その結果、アルミニウムにＮｉＰをメッキした基板と絶縁性であるガラス基板で違いは無く、図６（ａ）に示すように電極とした部分はアルミニウムの膜のままであり、その他の硫酸水溶液中で陽極酸化された部分は微細なホールの形成が確認できた。また、微細孔は底部で下地電極層に貫通しており、このままメッキすることで磁性材料を充填することが可能である。
【００４２】
そこで、Ｃｏを電着し、ホールから溢れた部分を研磨すると円柱状のＣｏが無数にアルミナの母体に分散した膜が形成され、記録層の形成が確認できた。このとき基板による違いは見られ無かったが、アルミニウムにＮｉＰをメッキしたものでは、電極層と記録層が同一面内に無くても記録層の形成が可能であるが、基板の端部へのメッキ物の集中を避けるためには、電極層と記録層が同一面内に配置されていることが有効であった。
特に、微細なホールを有する構造体とメッキという組み合わせにおいては、電極層が記録層と同一面内にあることが記録層の形成を容易にすることを示した。
【００４３】
実施例２
本実施例においては、記録面内での記録層と電極層の位置関係に関するものである。
【００４４】
円形とドーナツ型のガラス基板と円柱型のガラスを準備した。これらに、下地電極層にＰｔ２０ｎｍとＴｉ１．５ｎｍを成膜し、その後アルミニウムを１００ｎｍ成膜した。これらは、スパッタリング法で成膜を行ったが、その他の手段でも平滑な膜が得られれば良い。下地電極層が２層なのは、アルミニウムの陽極酸化が安定に行われるためのものである。
【００４５】
まず、円形のガラス基板の端部を一周囲う部分を電極として実施例１と同様の条件で陽極酸化をすることにより、図３（ａ）のようにアルミニウムからなる電極層部分と微細なホールを有するアルミナ部分が形成されることが確認できた。さらに、Ｃｏの充填によりホールを有する部分が記録層として働くことを可能にした。
【００４６】
次に、ドーナツ型のガラス基板内側の端部を一周囲う形で電極を取り、さらに外側の端部を保護する形で囲いこんでから陽極酸化すると、図３（ｂ）のようになることが確認され、先ほどと同様に問題なく電極層が陽極酸化と電着の電極として役割を果たし、Ｃｏの充填で記録層の形成まで可能であることを確認した。
最後に円柱型のガラスの側面を記録面とする場合を試みると同様に図３（ｃ）のように記録層と電極層が形成されることを確認した。
【００４７】
以上から、電極層の配置が記録面の端部に配置可能であることを確認した。これは、実際の記録の際に記録の邪魔にならない電極層の配置において好ましい実施形態である。ただし、電極層は本実施例と同一の配置に限るものではない。
【００４８】
実施例３
本実施例では、記録層の母材となる構造体に関するものである。
ドーナツ型のガラス基板にＰｔ２０ｎｍ、Ｔｉ１．５ｎｍの下地電極層を形成し、そこからアルミニウムを１００ｎｍとＡｌＳｉ複合膜を５０ｎｍ、ＡｌＳｉＧｅ複合膜を５０ｎｍの３種類の試料を作成した。
【００４９】
まず、アルミニウムを硫酸水溶液０．３ｍｏｌ／ｌ、１０℃中で２０Ｖを印加して陽極酸化するとアルミニウム部分が酸化と溶解によりアルミナの壁と微細なホールからなる膜となった。このときの微細なホールの平均の直径は３０ｎｍ程度であり、平均のホール間隔は５０ｎｍであった。特に、アルミニウムの陽極酸化は、印加する電圧に比例したホール間隔を有するが、ホール間隔は最高でも１５ｎｍ程度までである。しかし、パターンドメディアとしての用途として、アルミニウムの陽極酸化で得られる膜は自己組織的または初期にくぼみを規則正しくつけることでハニカムにホールを配列させることが可能であるという利点を有しており、平均ホール間隔１５ｎｍでは約３Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ２まで到達能力を有することが確認できた。
【００５０】
次に、ＡｌＳｉ複合膜とＡｌＳｉＧｅ複合膜をリン酸５ｗｔ％中に浸漬することでＡｌ部分の除去を行った。そのときＡｌＳｉ複合膜は、一部酸化したＳｉを成分として含有する壁と微細なホールからなる膜となり、ＡｌＳｉＧｅ複合膜は一部酸化したＳｉＧｅを成分として含有する壁と微細なホールからなる膜となっていることを確認した。ここで、それぞれの微細なホールの平均直径は８ｎｍと１２ｎｍであり、平均のホール間隔は１０ｎｍと１５ｎｍであった。これらのホール直径の分散は少ないが前記のように配列はせず、ややランダムにホールが配置されているのが特徴である。従って、ＭＰｔ（Ｍ＝Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ）のような合金のＬ１０  規則層をホール内に形成することで円柱状磁性体が非磁性材料に分散した熱揺らぎに強い高密度磁気記録可能な媒体が提供可能である。
【００５１】
以上から、アルミニウム膜とＡｌＳｉ複合膜、ＡｌＳｉＧｅ複合膜では、同じ材料から出発して同一面内に電極層と記録層を形成することが容易であり、さらに微細なホールへの磁性体充填により有効な磁気記録媒体の提供が可能であることを示した。ただし、本発明は上記の２種の構造体に限定するものではない。
【００５２】
実施例４
本実施例においては、おおまかに図７にあるような構成の磁気記録装置が構成可能である。
本発明の磁気記録媒体では、電極層と記録層が同一面内に配置されていることで記録層を容易に形成することが可能であり、また電極層は記録の邪魔にならない配置を取っている。そこで、本発明の磁気記録媒体を図７のような磁気記録媒体駆動部７２と磁気ヘッド７３と磁気ヘッド駆動部７４と信号処理部７５からなる装置に組み立てることで、磁気記録装置を形成することが可能である。ここでは、本発明の磁気記録媒体の形状がドーナツ型基板の場合の例であるが、その他図２または図３に示されるよな形状も使用することが可能である。従って、本実施例により磁気記録媒体７１の駆動は回転のみ、磁気ヘッド７３の駆動は円周上のスライドのみに限定されるものではない。
【００５３】
実施例５
本実施例は、情報処理装置に関するものである。
前記、実施例４に記載の磁気記録再生装置部８２は、情報の出し入れが可能であるため、図８に示すように、前記装置とメモリ部分８４と演算部８３と外部入出力部８６と電源８５とこれらをつなぐ配線８７を格納容器８１に収めた情報処理装置を形成することが可能である。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明した様に、本発明によれば、電極層と記録層を同一面内に配置することにより、均一性と微細化を同時に達成した記録層を有する磁気記録媒体を容易に提供することができる。特に、微細なホールを有する構造体とメッキ法を用いる場合において有効である。また、電極層の配置を基体の端部に隣接して配置させることで、実際の記録に適した電極層の配置が得られる。
さらに、本発明は、上記の磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置やおよびそれを組み込んだ情報処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の実施態様の一例を示す模式図である。
【図２】本発明に使用可能な基体形状の一例を示す模式図である。
【図３】本発明の記録面内における電極層の配置例を示す模式図である。
【図４】磁気記録媒体における従来技術の一例を示す模式図である。
【図５】微細なホールを有する構造体の模式図である。
【図６】電極層と記録層の境界の模式図である。
【図７】本発明の磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を示す模式図である。
【図８】本発明の磁気記録再生装置を用いた情報処理装置の概念図である。
【符号の説明】
１０  基体
１１  下地電極層
１２  電極層
１３  記録層
１４  記録面
１５  保護層
１６  潤滑層
２０  基体の外径Ｒ
２１  基体の内径ｒ
２２  基体の厚さＨ
３０  端部からの幅Ｌ
４１  基板
４２  Ｎｉ−Ｐ層
４３  裏打ち層
４４  記録層
４５  保護層
４６  コア部
４７  シェル部
５０  微細なホール
５１  構造体の母材
５２  ホールの直径
５３  ホール間の間隔
６０  電極層（Ａｌ）
６１  電極層（ＡｌＳｉ．ＡｌＳｉＧｅ）
６２  境界部分
７１  磁気記録媒体
７２  磁気記録媒体駆動部
７３  磁気ヘッド
７４  磁気ヘッド駆動部
７５  信号処理部
８１  格納容器
８２  磁気記録再生装置部
８３  演算部
８４  メモリ部
８５  電源
８６  外部出力部
８７  配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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