(57)【要約】【課題】封止用の接着剤を紫外光の照射で硬化する際に、表示領域にある発光積層体を構成する有機材料やアクティブ素子を構成する半導体層の劣化を防止する。【解決手段】第１基板１００の接着剤２２０で封止する部分に額縁状に紫外光遮蔽樹脂膜３００を設けることで、第２基板２００側から照射される紫外光が第１基板１００内を伝播して表示領域ＡＲに到達するのを抑制する。【選択図】　　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブ素子を有する多数の画素をマトリクス状に配置した表示領域を有する光透過性の第１基板と、前記第１基板に対向して前記表示領域の外周に位置する額縁状の封止部分に封止用の接着剤を介在させて封止した光透過性の第２基板とを有する画像表示装置であって、
前記封止部分における前記第１基板と前記接着剤の間に紫外光を遮蔽する紫外光遮蔽膜を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記第２基板の前記接着剤を避けた部分に紫外光遮蔽膜を有することを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
アクティブ素子で駆動されるアノード電極と、少なくとも発光層を有する有機層を前記アノード電極上に設けた樹脂からなる画素分離バンク内部に形成した発光積層体と、前記発光積層体を前記アノード電極との間に挟み込むカソード電極とからなる複数の画素をマトリクス状に配設した光透過性の第１基板と、
前記第１基板に対向して前記表示領域の周囲に位置する額縁状の封止領域に封止用の接着剤を介在させて封止した光透過性の第２基板とを有する画像表示装置であって、
前記封止領域における前記第１基板と前記接着剤の間に紫外光を遮蔽する紫外光遮蔽樹脂膜を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
前記第２基板の前記額縁状の封止領域に対応する前記接着剤の介在部分を避けた部分に紫外光遮蔽樹脂膜または紫外光を遮光する金属遮光膜を有することを特徴とする請求項３に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記第２基板の前記額縁状の封止領域の内側に、ガスおよび水分を吸収する吸着材を設置したことを特徴とする請求項３または４に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記第１基板に有する前記紫外光遮蔽樹脂膜の形成材料が前記画素分離バンクと同質の材料であることを特徴とする請求項第３乃至５の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記紫外光遮蔽樹脂膜の形成材料が前記画素分離用バンクと同質の材料からなり、前記紫外光遮蔽樹脂膜の前記額縁状の封止領域と交差する方向で前記第１基板と直角な方向の断面が、前記表示領域側に突出する内周凸部と前記表示領域側の反対側に突出する外周凸部からなる凹状部を有し、かつ前記内周凸部と前記外周凸部の膜厚が前記画素分離バンクの膜厚より大であり、
前記第２基板の周縁に沿って前記紫外線遮蔽樹脂膜の前記凹状部に係合するリブを有し、前記凹状部と前記リブの間に接着剤を有することを特徴とする請求項第３項乃至第６項の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記紫外光遮蔽樹脂膜と前記第１基板の間に、紫外光を遮光する金属遮光膜を有することを特徴とする請求項３乃至７の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記発光層が有機エレクトロルミネッセンス発光層であることを特徴とする請求項３乃至８の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記アクティブ素子が、低温成膜ポリシリコン半導体層を用いた薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項１１】
光透過性の第１基板上の表示領域にマトリクス状に配置される多数のアクティブ素子と、前記アクティブ素子の夫々で駆動されるアノード電極、および外部端子を含む電極／配線を形成する表示領域形成工程と、
前記各アノード電極間を分離する画素分離バンクと、前記第１基板の前記表示領域の外周に沿って額縁状かつ当該額縁の周回方向中央部分に内周凸部と外周凸部で形成された凹部を有する紫外光遮光樹脂膜を同時に形成する分離バンク／紫外光遮光樹脂膜形成工程と、
前記画素分離バンクで分離されたアノード電極の夫々の上に有機発光層を形成する有機発光層形成工程と、
前記有機発光層を覆ってカソード電極を形成するカソード形成工程と、
前記第１基板に形成された前記紫外光遮光樹脂膜を有する封止領域に対向する周縁を額縁状に周回して突出したリブを有する光透過性の第２基板の前記リブで囲まれた領域にガスおよび水分の吸着材層を形成する吸着材層形成工程と、
前記第１基板の前記紫外光遮光樹脂膜の前記凹部に接着剤を塗布する接着剤塗布工程と、
前記第２基板の前記リブ部を前記第１基板の前記凹部に係合して前記接着剤で封止する基板封止工程とを少なくとも含むことを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記分離バンク／紫外光遮光樹脂膜形成工程の前に、前記紫外光遮光樹脂膜を形成する位置にある前記外部端子上に絶縁膜を介して紫外光を遮光する金属遮光膜を形成する金属遮光膜形成工程を有することを特徴とする請求項１１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記分離バンク／紫外光遮光樹脂膜形成工程が、前記分離バンクと前記紫外光遮光樹脂膜のそれぞれに対応する開口を有するスクリーンマスクを用いた印刷法を用いることを特徴とする請求項１１または１２に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記分離バンクおよび前記紫外光遮光樹脂膜が紫外光吸収粒子を混入した樹脂レジストで形成されることを特徴とする請求項１１乃至１３の何れかに記載の画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、画像表示装置に係り、特に一対の基板間に表示領域を形成した表示パネルを用いた画像表示装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
パーソナルコンピュータ、携帯電話機などの携帯情報機器、あるいはテレビ受像機のモニターなどに、薄型、軽量、あるいは低消費電力という特性を有する所謂パネル型の画像表示装置が広く採用されている。この種の画像表示装置には、液晶表示パネル、有機エレクトロルミネッセンスパネル（以下、有機ＥＬパネルとも称する）、プラズマパネルあるいは電界放出型パネル等を用いたものが知られている。
【０００３】
パネル型の画像表示装置は、通常、少なくとも一方がガラス等の光透過性をもつ一対の基板の間にアクティブ素子を構成する半導体層や蛍光体層、あるいは発光層からなる多数の画素をマトリクス状に配置した表示領域を有し、この表示領域の周囲を接着剤で気密に封止して構成される。基板の封止は、一対の基板の上記表示領域の外周間にエポキシ系樹脂などの接着剤を介在させ、紫外光照射や加熱処理で硬化することで行われる。この紫外光照射による硬化工程において、紫外光が画素領域に形成された半導体層や有機発光層などの構成材料に照射されると、当該半導体層や発光層等の構成材料の物性（あるいは特性とも言う）が劣化することがある。以下では、有機ＥＬパネルを用いた画像表示装置を例として上記した紫外光の照射による影響を説明する。
【０００４】
有機ＥＬパネルを用いた画像表示装置は、少なくともガラス板を好適とする光透過性の第１基板上に形成したアノード電極を画素ごとにパターニングする工程、アノード電極上に形成する後述の積層体を素子ごとに分離するためのバンクを形成する工程、バンクで仕切られたスペースにアノード電極より正孔を導入するホール導入層を形成する工程、正孔を発光層に輸送するホール輸送層を形成する工程、赤、緑および青に発光する有機膜からなる発光層を素子等の積層体を選択的に形成する工程、カソード電極より電子を輸送する電子輸送層を形成する工程、電子を供給するカソード電極を形成する工程、これらの積層体を外部から遮断するため、封止用の接着剤により第１基板上に封止缶である第２基板を気密に接合する工程を順次行って製造する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
封止用の接着剤は、通常、当該接着剤を塗布した封止領域に対して基板側から紫外光を照射することで硬化させる。なお、その後加熱処理でさらに硬化を促進させる工程を通す場合もある。このような有機ＥＬパネルを用いた画像表示装置は、封止領域で囲まれる表示領域に紫外光が照射されることによる前記した半導体層や発光層等の特性劣化に加えて、特開平１１−１７６５７１号公報に開示されているように、封止缶で気密封止しても、封止部分を通って侵入する外気や水分の影響により、発光層と電極層との間で剥離が生じたり、画素領域の上記した各構成材料の特性が変化する。特に、発光層の特性が劣化すると、表示画面にダークスポットと称する非発光領域が生じたりして、駆動時間の経過に伴って所定の品質の発光が維持できなくなる。
【０００６】
前述のように外気や水分に影響を受けやすいため、基板間を封止する際の雰囲気と封止後、如何に封止直後の状態を維持できるかが課題になる。また、有機ＥＬパネルでは、発光層が有機材料であるため、封止後にガスが発生する可能性がある。このため発生したガスおよび封止用の接着剤を通過して侵入してきた外気や水分を吸収可能な吸着材を入れた状態で封止する。この吸着材が発光層や電極等からなる発光積層体に干渉しないように、封止缶となる第２基板の形状は、その内部を周辺部より凹ませ、あるいは周辺にリブを形成して、吸着材を設置するのが一般的である。
【０００７】
封止缶となる第２基板の内部を凹ませる方式として、ガラス板や石英板の内部を機械加工やサンドブラストや化学エッチングで彫り込む方式、金属板やガラス板をプレス等により一体成形する方式がある。金属板を封止缶に採用した場合には、発光層を形成した第１基板側から紫外光を照射して封止用接着剤を硬化する必要がある。ガラス板を封止缶に採用した場合には発光層を形成した基板側のみではなく、封止缶となる第２基板側からも紫外光を照射して封止用接着剤を硬化することができる。
【０００８】
しかし、発光層を形成した第１基板側から紫外光を照射する場合には、電極端子の取り出し部（外部端子）が金属材料の場合、この外部端子で紫外光が遮光されるため、封止用の接着剤が十分な硬化を行うことが出来ない。そのため、封止缶をガラス板等の透光性材料の第２基板として、この第２基板側からの紫外光照射による封止用接着剤を硬化させるのが確実である。しかしながら、どちらの場合においても、接着剤の硬化工程での紫外光照射により発光層を形成した第１基板内で紫外光が散乱し、あるいは第１基板内を表示領域まで伝播して発光層を形成した表示素子（発光積層体）を照射し、その有機材料が劣化して発光寿命が低下する。このように、封止用の接着剤の紫外光による硬化の際、有機材料からなる発光積層体を紫外光から保護することが課題の一つとなっている。
【０００９】
有機ＥＬパネルを用いた画像表示装置は、発光層が形成されたガラスを好適とする第１基板上に封止缶を重ね合わせて封止用接着剤で封止して得られ、有機材料からなる発光積層体は、封止用の接着剤で外部雰囲気と遮断されている。封止する工程では、活性ガスや水分を極力排除した雰囲気で作業するために、外部から密閉された空間で行う。しかし、上記したように、封止した後、有機材料からなる発光積層体は外部から封止用接着剤を介して侵入してくる水分や酸素等のガスにより発光特性（発光物性とも言う）が劣化し、発光寿命が短くなる。そのため、発光層を形成した第１基板と封止缶となる第２基板とを正確に位置合わせし、封止用接着剤による気密封止を確実に行うことも課題の一つとなっている。このような紫外光照射に伴う課題は、有機ＥＬパネルを用いた画像表示装置に限るものではなく、液晶表示装置やプラズマ放電表示装置、電界放出表示装置等の各種パネル型の画像表示装置についても同様である。
【００１０】
本発明の目的は、上記した各課題を解決して、基板間の封止の際に照射される紫外光から画素領域の各構成材を保護して接着剤の硬化を確実に行い、また気密性を高めた封止を実現することにより信頼性の高い画像表示装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、第１基板と第２基板を位置合わせして両基板間の周縁の封止領域に塗布した接着剤に紫外光を照射して硬化させる際に、当該封止領域で囲まれる表示領域に紫外光が照射および／または到達するのを抑制するための下記に記載の新規な構造とその製造方法を提供する。
【００１２】
図１は本発明による画像表示装置の基本パネル構成を模式的に説明する要部断面図である。図中、参照符号１００は第１基板、２００は第２基板であり、第１基板の内面にはアクティブ素子を含む画素領域１０１が形成されている。参照符号ＡＲは画素領域１０１で構成される表示領域を示す。第１基板１００と第２基板２００の対向する周縁を周回して封止用の接着剤２２０が塗布され、両基板を封止している。そして、第１基板１００には上記接着剤２２０との間には紫外光を遮蔽する紫外光遮蔽樹脂膜３００を有している。なお、画素を駆動するための駆動回路を第１基板１００上の接着剤２２０より表示領域ＡＲ側に配置したものや、この駆動回路を第１基板１００上の接着剤２２０の外側に実装したものなどがあるが、ここでは図示を省略してある。
【００１３】
接着剤２２０は第２基板２００側から紫外光ＵＶを照射して硬化される。紫外光遮蔽樹脂膜３００を形成したことで、接着剤２２０を硬化させるための紫外光ＵＶは第１基板１００への入射が遮断され、当該第１基板１００で散乱し、あるいは第１基板１００の内部を伝播して表示領域ＡＲには達しない。したがって、紫外光の照射で画素領域１０１の構成材あるいは表示領域に設けたアクティブ素子の半導体層が紫外光で劣化することが抑制される。この紫外光遮蔽樹脂膜３００は吸光物質の粒子を混入した樹脂レジストの塗布、あるいは第１基板１００に外部端子等の配線等が形成されている場合に、絶縁層で絶縁した黒色の金属遮光膜を用いることもできる。
【００１４】
図２は本発明による画像表示装置の他の基本パネル構成を模式的に説明する要部断面図である。図２では、図１における構成に加えて、第２基板２００の接着剤塗布部分を避けて紫外光遮蔽樹脂膜３０１を形成したものである。第１基板１００に設ける紫外光遮蔽樹脂膜３００は図１と同様のもので、第２基板２００の紫外光遮蔽樹脂膜３０１は黒色の金属遮光膜とすることもできる。このとき、第２基板２００の外部端子等の配線等が形成されている場合に金属遮光膜を設ける場合は、適宜の絶縁層を介在させればよい。
【００１５】
この構成により、紫外光ＵＶは第１基板１００への入射が遮断され、当該第１基板１００で散乱し、あるいは第１基板１００の内部を伝播して表示領域ＡＲには達しない。したがって、紫外光の照射で画素領域１０１の構成材あるいは表示領域に設けたアクティブ素子の半導体層が紫外光で劣化することが抑制される。他の構成および効果は図１と同様である。
【００１６】
このように、本発明は、アクティブ素子を有する多数の画素をマトリクス状に配置した表示領域を有する光透過性の第１基板１００と、前記第１基板１００に対向して前記表示領域の外周に位置する額縁状の封止部分に封止用の接着剤２２０を介在させて封止した光透過性の第２基板２００とを有する画像表示装置の前記封止部分における前記第１基板１００と前記接着剤２２０の間に紫外光を遮蔽する紫外光遮蔽樹脂膜３００を設けた。さらに、前記第２基板２００の前記接着剤２２０を避けた部分に紫外光遮蔽樹脂膜３０１を設けることもできる。この紫外光遮蔽樹脂膜３０１は、第２基板２００の内面に画素の構成材を有せず、第１基板１００側を観察側とする場合などでは、当該第２基板２００の接着剤２２０よりも内側全体に形成できる。また、紫外光遮蔽樹脂膜３０１に代えて金属遮光膜を形成することもできる。
【００１７】
特に、有機ＥＬパネルを用いた画像表示装置に本発明を適用する場合は、アクティブ素子で駆動されるアノード電極と、少なくとも発光層を有する有機層を前記アノード電極上に設けた画素分離バンク内部に形成した発光積層体と、前記発光積層体を前記アノード電極との間に挟み込むカソード電極とからなる複数の画素をマトリクス状に配設したガラス板を好適とする透光性の第１基板と、前記第１基板に対向して前記表示領域の外周に位置する額縁状の封止領域に封止用の接着剤を介在させて封止したガラス板を好適とする光透過性の第２基板とを有する有機ＥＬパネルを用いた画像表示装置では、前記封止領域における前記第１基板と前記接着剤の間に紫外光を遮蔽する紫外光遮蔽膜を設けた。また、前記第２基板の前記額縁状の封止領域に対応する前記接着剤の介在部分を避けた部分に紫外光遮蔽膜を設けてもよい。
【００１８】
また、上記有機ＥＬパネルを用いた画像表示装置における第１基板に有する前記紫外光遮蔽樹脂膜の形成材料を前記画素分離バンクと同質の材料で形成するのが望ましく、前記紫外光遮蔽樹脂膜の前記額縁状の延在方向（辺）と交差する方向で前記第１基板と直角な方向の断面を、前記表示領域側に突出する内周凸部と前記表示領域側の反対側に突出する外周凸部からなる凹状部を有し、かつ前記内周凸部と前記外周凸部の膜厚が前記画素分離バンクの膜厚より大とする。この紫外光遮蔽樹脂膜と前記第１基板の間に、紫外光を遮光する金属遮光膜を設けることもできる。
【００１９】
上記の有機ＥＬパネルを用いた画像表示装置を製造する方法としては、次の工程を有するプロセスを採用するのが望ましい。すなわち、光透過性の第１基板上の画素領域にマトリクス状に配置される多数のアクティブ素子と、前記アクティブ素子の夫々で駆動されるアノード電極、および外部端子を含む電極／配線を形成する画素領域形成工程と、
前記各アノード電極間を分離する画素分離バンクと、前記第１基板の前記表示領域の外周に沿って額縁状かつ当該額縁の周回方向中央部分に内周凸部と外周凸部で形成された凹部を有する紫外光遮光樹脂膜を同時に形成する分離バンク／紫外光遮光樹脂膜形成工程と、
前記画素分離バンクで分離されたアノード電極の夫々の上に有機発光層を形成する有機発光層形成工程と、
前記有機発光層を覆ってカソード電極を形成するカソード形成工程と、
前記第１基板の前記紫外光遮光樹脂膜に対応する周縁を額縁状に周回して突出したリブを有する光透過性の第２基板の前記リブ部で囲まれた領域にガスおよび水分の吸着材層を形成する吸着材層形成工程と、
前記第１基板の前記紫外光遮光樹脂膜の前記凹部に接着剤を塗布する接着剤塗布工程と、
前記第２基板の前記リブ部を前記第１基板の前記凹部に係合して前記接着剤で封止する基板貼り合わせ工程とを少なくとも含む。
【００２０】
また、前記分離バンク／紫外光遮光樹脂膜形成工程の前に、前記紫外光遮光樹脂膜を形成する位置にある前記外部端子上に絶縁膜を介して紫外光を遮光する金属遮光膜を形成する金属遮光膜形成工程を設けることもできる。そして、前記分離バンク／紫外光遮光樹脂膜形成工程として、前記分離バンクと前記紫外光遮光樹脂膜のそれぞれに対応する開口を有するスクリーンマスクを用いた印刷法を採用できる。
【００２１】
このように、本発明では、発光積層体を形成した光透過性の第１基板、および第１基板と同等の光透過性を有し、少なくとも封止用接着剤で封止する領域が透明である第２基板（または、封止缶となる第２基板）を用いて、光透過性基板の封止用接着剤で封止する部分に相当する外周に額縁状に紫外光を遮蔽する紫外光遮蔽樹脂膜（または、紫外光遮蔽樹脂膜と金属遮光膜）を設けることで、封止用の接着剤を紫外光の照射で硬化する際、表示領域にある半導体層や有機材料からなる発光積層体などの構成材を紫外光から保護することができる。
【００２２】
また、特に、有機ＥＬパネルを用いた画像表示装置では、対向して重ね合わせる第１基板と、第２基板の間を額縁状の封止用の接着剤で封止する部分の内側に、ガスおよび水分を吸収する吸着材を配設することで、内部で発生した発ガスおよび水分および外部から侵入した酸素等のガスおよび水分を吸着することができるため、有機材料からなる発光積層体の発光特性の劣化を抑制して、高信頼性と長寿命化を実現できる。
【００２３】
なお、本発明は、上記の構成および後述する実施例の構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の実施例では、本発明を有機ＥＬパネルを用いた画像表示装置に適用した場合を例として説明する。ここでは、第１基板と封止缶となる第２基板は、共にガラス基板を用いている。有機ＥＬパネルには、発光に寄与する部分に使用する有機材料として低分子材料系と高分子材料系があるが、本発明は、これらを限定するものではなく、上記低分子材料系と高分子材料系の双方を混成した有機ＥＬパネルであってもよい。
【００２５】
低分子材料系の有機ＥＬパネルの第１基板の層構成は、一般的に、ガラス基板／アノード電極／ホール注入層／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／カソード電極である。一方、高分子材料系の有機ＥＬパネルの第１基板の層構成は、一般的に、ガラス基板／アノード電極／ホール輸送層／発光層／カソード電極である。高分子材料系のＥＬパネルの場合には、低分子材料系の有機ＥＬパネルのホール注入層／ホール輸送層をホール輸送層が両方の特性を兼ねる場合があり、さらに高分子材料系の有機ＥＬパネルでは、低分子材料系の有機ＥＬパネルの電子輸送層／カソード電極をカソード電極のみで代用する場合がある。また、本発明は、以下の実施例で用いた材料、組成等に限定するものではない。
【００２６】
次に、図面を参照して本発明の実施例を説明する。図３は有機ＥＬパネルを用いた画像表示装置の当該有機ＥＬパネルの一例を説明する第１基板の内面を示す平面図である。また、図４は図３に示した第１基板に封止缶となる第２基板を貼り合わせた状態を第２基板側から見た平面図である。図３および図４は後述する有機ＥＬパネルに共通である。この有機ＥＬパネルでは、第１基板１の内面に薄膜トランジスタ等のアクティブ素子、画素電極（アノード電極）、発光層、対向電極（カソード電極）などからなる構成材で形成された画素領域ＡＲを有し、この画素領域を構成する各画素を駆動するための駆動回路２０１を額縁状に設けた封止領域に有する接着剤３の内側に形成している。これらの駆動回路２０１は、第１基板１に直接形成されている。封止領域（接着剤３）の外側には、図示しない外部の信号処理ユニットから上記駆動回路２０１に表示のための走査信号やデータ信号を供給する外部端子２１が引き出されている。
【００２７】
第１基板１に第２基板２を貼り合わせ、接着剤３で封止した状態が図４である。第２基板２は第１基板１より小サイズであり、第１基板１の外周縁に外部端子２１が露出している。なお、この例では、長辺側に設けた駆動回路がデータ駆動用、短辺側に設けた駆動回路が走査駆動用である。本例では、駆動回路を封止領域の内側に設けているが、これらの駆動回路を封止領域の外側に直接形成し、あるいは集積回路チップを搭載した形式もある。
【００２８】
（実施例１）
図５は本発明による画像表示装置の第１の実施例の構成を説明する有機ＥＬパネルの模式図であり、図５（ａ）は図４のＡ−Ａ’線に沿った断面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ部の拡大図である。なお、図５では図３に示した駆動回路は図示を省略してある。図５において、参照符号１は第１基板、２は封止缶となる第２基板、３は第２基板の外周に有するリブで、第１基板１に有する紫外光遮蔽樹脂膜２０と位置合わせされ、両者間に介在される接着剤（図示せず）により接着固定される。また、参照符号４は第２基板２とリブ３を一体化した封止缶、５は吸着材、６はアノード電極、７は画素分離バンク、８は発光層、９はカソード電極、１０はアノード電極６と発光層８およびカソード電極９で構成された発光積層体を示す。また、２０は封止領域に形成された紫外光遮蔽樹脂膜、２１は外部端子である。
【００２９】
発光層積層体１０を形成する第１基板１はガラス基板等の光透過性基板であり、封止缶となる第２基板２は第１基板１と同質の光透過性基板である。封止缶４は第２基板２とリブ３により構成され、リブ３は第２基板２の外周に第１基板１側に突出して形成される。この例では、リブ３は第２基板２とは別部材であり、両者は適宜の接着手段で一体に固定されている。発光積層体１０は、アノード電極６と画素分離バンク７と発光層８およびカソード電極９で構成される。第２基板２に有するリブ３は、発光積層体１０が形成された領域より大きな領域（第２基板２の面内における幅面積）に形成し、その厚みは吸着材５と第１基板１に有する発光積層体１０との厚さの合計より大きい。
【００３０】
なお、前述したように発光層８の材料系（高分子系、低分子系）によりアノード電極６とカソード電極９で挟まれた発光に寄与する部分の層構成は変動する。リブ３の材料には有機材料および無機材料を用いることができる。その形成方式としてはスクリーン印刷、ディスペンサ等で直描する方式、スピンナ等によりリブ３の材料を第２基板２の片側全面に塗布した後に不要な周辺以外を露光・現像工程により除去して形成する方式などを採用できる。吸着材５は、第１基板１と第２基板２を紫外光遮蔽樹脂膜２０とリブ３とを図示しない接着剤で封止した後に、発光積層体１０等から発生する内部発生ガスおよび外部から侵入してくる外気（外部ガス：主として酸素）や水分を吸着するものである。
【００３１】
図６は本発明の第１の実施例における画素分離バンクと紫外線遮蔽樹脂膜を同時に形成する工程の説明図である。参照符号１１はスキージ、１２はスクレッパー、１３はスキージ１１とスクレッパー１２を保持し、かつ上下させる機構を有するヘッド、１４はスクリーン版、１５はスクリーンマスク、１６は画素分離バンク転写用開口パターン、１７は紫外光遮蔽樹脂膜２０の転写用開口パターン、１８はレジストのペースト（以下では、便宜上、インクとも言う）、１９は基板固定テーブル、この工程で画素分離バンク７と紫外光遮蔽樹脂膜２０は同一のレジストから成る。なお、リブは二枚の基板の位置合わせ機能を有する。
【００３２】
スキージ１１は、スクリーンマスク１５のスキージ側の面に乗せられているレジストのインク１８を画素分離バンク転写用開口パターン１６と紫外光遮蔽樹脂膜転写用開口パターン１７を通して、その反対側に塗布するものである。スクレッパー１２はスクリーンマスク１５に備えられている画素分離バンク転写用開口パターン１６と紫外光遮蔽樹脂膜転写用開口パターン１７内にインク１８を充填するものである。スキージ１１とスクレッパー１２はヘッド１３により上下動される。インク充填時はスキージ１１を持ち上げ、スクレッパー１２を下げてスクリーンマスク１５に密着させ、インク塗布時はスクレッパー１２を持ち上げ、スキージ１１を下げてスクリーン１５に密着させる。スクリーンマスク１５は枠状のスクリーン版１４に装着されている。図６ではスクリーン版１４を一対の枠辺のみで示す。
【００３３】
スクリーンマスク１５に有する紫外光遮蔽樹脂膜転写用開口パターン１７の開口領域は、画素分離バンク用開口パターン１６の開口領域より必ず大きく形成する。これは、スクリーン印刷ではスクリーンマスク１５の開口部の幅（ここでは説明を分かり易くするため、ライン状に印刷することを仮定して幅とする）によりインク塗布厚に変動が生じることを本発明者が見いだしたことに基づくもので、紫外光遮蔽樹脂膜用のインクの塗布厚を画素分離バンク用のインクの塗布厚より厚くし、また、両者を同時に塗布するために、紫外光遮蔽樹脂膜転写用開口パターン１７の幅を画素分離バンク用開口パターン１６の幅より大きくしたものである。即ち、スクリーンマスク１５の開口部の幅が、ある幅を境に、それより大きくなると塗布厚は一定し、その幅よりも小さくなるほど塗布厚が減少する傾向がある。この現象を利用することにより、同一面内において、同時に膜厚の異なるものが形成できる。
【００３４】
なお、このライン幅に対する塗布厚の傾向はインクの材質とスクリーン版の仕様により異なる。本実施例では画素分離バンク用のインク材料および紫外光遮蔽樹脂膜用のインク材料として、セントラル硝子（株）製「スクリーン印刷用ポリイミドＰＰ−２０００」に、シーアイ化成（株）の「黒色超微粒子ＮａｎｏＴｅｋ　　Ｂｌａｃｋ−１」を体積比３％の濃度で混入し、光波長３００ｎｍから８００ｎｍの範囲において光透過率０．０５％以下で、光をほとんど透過させない状態のものを使用した。また、スクリーンマスク１５には、線径が１８μｍ、開口部の寸法が３３μｍ、開口面積が４２％の５００番ステンレスメッシュ品に、（株）東京プロセスサービス製の溶剤耐性に優れている乳剤（製品名：ＮＳＬ）を膜厚３０μｍに形成したものを用いた。前記のインク材料と前記スクリーンマスク１５の組み合わせでは、塗布ライン幅が１５０μｍを越えると膜厚はスクリーンマスク１５の乳剤厚とほぼ等しい厚さに形成され、ライン幅が１５０μｍより小さくなるほど、塗布形成した膜厚は減少し、ライン幅が２０μｍでは、その膜厚は約５μｍであった。
【００３５】
即ち、紫外光遮蔽樹脂膜用開口パターン１７の幅を１５０μｍより大きくし、画素分離バンク転写用開口パターン１６の幅を２０μｍとした場合では、膜厚３０μｍからなる紫外光遮蔽樹脂膜が、膜厚５μｍ　からなる画素分離バンクと同時に形成できる。膜厚が３０μｍ程度あれば、位置決めするための案内としての効果を十分に得ることが可能である。なお、スクリーン印刷により、同時に塗布厚の異なるものを転写する条件は、上記インク材料と上記仕様のスクリーンマスクに限定するものではない。
【００３６】
図６（ａ）に示すように、スクリーン版１４に装着されたスクリーンマスク１５の画素分離バンク転写用開口パターン１６に対して、第１基板１上に形成されたカソード電極６の位置を合わせて、第１基板１を基板固定テーブル１９の上に載置し固定する。本実施例では、基板固定テーブル１９に微細な真空引き用穴が設けてあり、この真空引き用穴からの真空圧を利用してスクリーンマスク１５を減圧吸着し、固定する。次に、スクリーンマスク１５上にインク１８を置き、ヘッド１３によりスキージ１１を上昇し、スクレッパー１２を下降させてスクリーンマスク１５に密着させた後、スクレッパー１２を移動させてインク１８を掻き取りながら画素分離バンク転写用開口パターン１６と紫外光遮蔽樹脂膜転写用開口パターン１７にインク１８を充填する。図６（ａ）においては、右方から左方にスクレッパー１２を動かすことにより達成される。
【００３７】
次に図６（ｂ）に示すように、ヘッド１３でスクレッパー１２を上昇させ、スキージ１１下降させてスクリーンマスク１５に密着させた後、スキージ１１を左方から右方へ動かすことにより、画素分離バンク転写用開口パターン１６および紫外光遮蔽樹脂膜転写用開口パターン１７に充填されたインク１８を第１基板１上に転写する。これにより、画素分離バンク７はカソード電極６を仕切る位置に形成される。これと同時に画素分離バンク７より厚く、基板間の位置合わせするための案内としての効果を十分に得ることが可能な膜厚の紫外光遮蔽樹脂膜２０を第１基板１の表示領域の外周に形成される。
【００３８】
図７と図８は本発明を適用した有機ＥＬ画像表示装置の製造方法の第１の実施例を説明する工程図である。図７の（ａ）（ｂ）は図８の（ｃ）〜（ｇ）に続く。図７と図８において、参照符号２１は外部端子、２２は封止用の接着剤、図５および図６と同一の参照符号は同一機能部分に対応する。本実施例では、まず、図７（ａ）に示すように、発光層を形成する第１基板１の片側にアノード電極６と外部端子２１を形成する。本実施例では、封止缶となる第２基板には、第１基板１と同質のガラス基板（コーニング製「＃１７３７」）を用いた。また、本実施例では縦横比３：４の公称１５インチサイズに発光層を形成するため、ガラス基板のサイズは、発光層サイズより各辺で２０ｍｍ大きくして３４８ｍｍ×２６７ｍｍとした。
【００３９】
第１基板１となるガラス基板の厚さは０．７ｍｍである。アノード電極６は透明な導電性材料等を用いる。この材料としてはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　　Ｔｉｎ　　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　　Ｚｉｎｃ　　Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ２　等がある。また、外部端子２１は導電率の高い材料が好ましく、Ｃｒ、Ｍｏ−Ｔａ、Ｔａ、Ａｌ、Ｃｕ等を使用できる。本実施例ではアノード電極６および外部端子２１は、第１基板１の表面にスパッタ処理で導電材を全面コートした後、露光・現像を行って形成した。なお、アノード電極６の表面は、より平滑なものが好ましい。
【００４０】
また、本実施例では、アノード電極６の材料として面積抵抗率約１０Ω／ｃｍ２　以下のＩＴＯを用いた。外部端子２１は、アノード電極６の形成時に同時にＩＴＯでパターン形成し、さらに、導電率の高い材料を用いて冗長配線を形成することで、外部端子の低抵抗化と断線防止を行なうことができる。
【００４１】
次に、図７（ｂ）に示すように、アノード電極６と外部電極２１が上向きになるように第１基板１を基板固定テーブル１９に保持し、図６で説明した方法で画素分離用バンク７と、それより厚い膜厚の紫外光遮蔽樹脂膜２０を同時に塗布し、形成した。なお、画素分離用バンク７および紫外光遮蔽樹脂膜２０の材質は同一のもので、その材料としてはポリイミドペースト、マレイミドワニス、ポリアミドペースト等があるが、形状保持性からチクソ性が高いものが好ましい。また、ポリイミドに限るものではなく、吸湿性が少なく、ガスの発生が少ないものであればよい。
【００４２】
本実施例における画素分離用バンク７および紫外光遮蔽樹脂膜２０の上記インクは前述したように、セントラル硝子（株）製の「スクリーン印刷用ポリイミドＰＰ−２０００」に、シーアイ化成（株）製の「黒色超微粒子ＮａｎｏＴｅｋ　　Ｂｌａｃｋ−１」を体積比３％の濃度で混入し、光波長３００から８００ｎｍの範囲において光透過率０．０５％以下で、光をほとんど透過させない状態のものを用いた。このインクの塗布後、窒素雰囲気中で常温から２２０゜Ｃまで５゜Ｃ／分の速さで昇温させ、２２０゜Ｃに至った後、６０分保持して硬化させた。また、スクリーンマスク１５には、線径が１８μｍ、開口部の寸法が３３μｍ　、開口面積が４２％の５００番ステンレスメッシュ品に、（株）東京プロセスサービス製の溶剤耐性に優れているスクリーンマスク形成用感光性樹脂からなる乳剤（製品名：ＮＳＬ）を用いてパターンを形成したものを用いた。
【００４３】
本実施例では、１画素の表示エリアサイズは、縦１８０μｍ、横８０μｍであり、そのピッチは縦３００μｍ、横１００μｍである。画素分離用バンク７は表示領域以外も覆う必要があるため、その寸法は横ライン幅１２０μｍ、縦ライン幅２０μｍとなり、横ラインのピッチは３００μｍ、縦ラインのピッチは１００μｍである。画素分離バンク７の形成領域の寸法は、３０８ｍｍ×２３１ｍｍの公称１５インチの対角サイズであり、画素はこの中に横方向に１０２４×３個（赤、緑、青の３色分）の合計３０７２個、縦方向には７６８個をマトリクス状に配設した。また、画素分離バンク７の厚みは発光層およびホール輸送層等の各層の形成後の所望の厚さと、各層の積層方式により決まる。本実施例で用いた発光材は高分子系のものである。
【００４４】
また、発光積層体の構成はアノード電極／ホール輸送層／発光層／カソード電極である。アノード電極およびカソード電極はスパッタおよび蒸着で形成し、ホール輸送層と発光層はインクジェット法で塗布した。スパッタおよび蒸着で形成するアノード電極およびカソード電極は、形成直後から膜厚は大きく変動せず、その膜厚は１００ｎｍ程度である。一方、ホール輸送層と発光層はインクジェット法で塗布するために、溶剤で希釈した材料溶液のインクを用いる。そのため、塗布直後と溶剤が揮発した乾燥後では膜厚が大きく変動する。
【００４５】
本実施例では、ホール輸送層および赤、緑、青の発光層とも固形分濃度が３％に希釈されたものを用い、乾燥後の膜厚をそれぞれ０．１μｍに設計しているため、塗布直後の未乾燥状態における膜厚は３μｍである。溶剤で希釈したインクを用いてインクジェット等により層形成を行う場合、画素分離バンク７の厚みは、希釈したインクの塗布直後の膜厚により決定される。本実施例ではホール輸送層および赤、緑、青の発光層の塗布直後の膜厚が３μｍであるため、画素分離バンクはそれより大きく膜厚５μｍとした。ライン幅２０μｍで膜厚５μｍに塗布する際の上記スクリーンマスク１５のパターンを形成する乳剤の厚みは３０μｍである。
【００４６】
なお、前記したように、ライン幅はある幅を境にスクリーン印刷では塗布厚が一定の領域と、ライン幅が減少し、また塗布厚も一様に減少する傾向がある。上記画素分離バンク材料と上記スクリーンマスクの組み合わせでは、スクリーンマスクの開口部幅が１５０μｍを境にスクリーンマスクの開口部幅に対する塗布厚の傾向が変わる。すなわち幅２０μｍの縦ラインと幅１２０μｍの横ラインをその幅の開口部を有するパターンからなるスクリーンマスクで形成すると、幅２０μｍの縦ラインは膜厚５μｍ程度に塗布されるが、幅１２０μｍの横ラインはスクリーン版の乳剤厚に近い２５μｍ程度の膜厚で塗布され、同じ画素分離バンクであっても縦ラインと横ラインで膜厚に大きな差を生じる。そこで画素分離バンクの縦ラインと横ラインの膜厚を揃えるために幅１２０μｍの横ラインは幅２５μｍライン３本をスペース２２．５μｍで配置したパターンに分割することで、幅２０μｍの縦ラインよりも厚く印刷した後、インクをスペースエリアに流動させ、レベリングさせることで、スペースを埋め、かつ縦ラインと同じ高さになるようにした。
【００４７】
紫外光遮蔽樹脂膜２０の膜厚は第２基板のリブとの位置合わせの際の案内機能を持たせるために厚い方が好ましい。上記スクリーンマスクを用いた場合、ライン幅の大きさに膜厚が影響されないライン幅は１５０μｍ以上であるため、紫外光遮蔽樹脂膜２０の幅をその幅より大きく２００μｍとし、３２０ｍｍ×２４３ｍｍと３２４ｍｍ×２４７ｍｍの同心上に２重に、発光層形成領域を囲む様に形成した。なお、本実施例では位置合わせリブは同心で内周凸部と外周凸部からなる同心２重に形成している。また、紫外光遮蔽樹脂膜２０を同心状に２重に形成する場合、同心状の間の領域にも紫外光遮蔽用樹脂膜用インクを形成する必要がある。
【００４８】
図９は本発明の画像表示装置の製造に使用するスクリーンマスクの一構成例の概要を説明する部分平面図である。図９はスクリーンマスクのコーナー部分である。図９に示すように、ステンレスメッシュ２３に乳剤２４でパターンを形成し、乳剤２４が形成されていない部分からインクが第１基板に印刷される。図９に示したようなスクリーンマスクを用いて、第１基板の外周に位置する紫外光遮蔽樹脂膜用の第１パターン（外周の凸部）２５と内周に位置する第２パターン（内周の凸部）２６の間（スペースエリア）にこれらのパターンに対して垂直方向に、前記画素分離用バンク７と同様の幅２５μｍの第３パターン（短冊パターン）２７Ａを４５μｍピッチで全周印刷する。このようなスクリーンマスクを使用することで、インクを厚く印刷後、スペースエリアに流動させ、レベリングさせることで当該スペースエリアに両側よりも薄厚にインクを埋め、断面が凹状の紫外光遮蔽膜２０を形成することができる。
【００４９】
図１０は本発明の画像表示装置の製造に使用するスクリーンマスクの他の構成例の概要を説明する部分平面図である。図１０に示すように、第１基板の外周に形成する紫外光遮蔽樹脂膜用の第１パターン２５と内周の第２パターン２６の間にこれらのパターンに平行な方向に幅２５μｍの第３パターン２７Ｂ（ラインパターン）を４５μｍピッチで全周形成することもできる。図９と同様に、このスクリーンマスクを使用することで、インクを厚く印刷後、インクをスペースエリアに流動させ、レベリングさせることで当該スペースエリアに両側よりも薄厚にインクを埋め、断面が凹状の紫外光遮蔽樹脂膜２０を形成することができる。
【００５０】
図１１は本発明の実施例に使用するスクリーンマスクのさらに他の構成例の概要を説明する部分平面図である。図１１に示すように、第１基板の外周に形成する紫外光遮蔽樹脂膜用の第１パターン２５と内周の第２パターン２６の間に直径が２５μｍあるいはそれ以上の第３パターン（ドットパターン）２７Ｃの群を全周にわたって形成することもできる。図９や図１０と同様に、このスクリーンマスクを使用することで、インクを厚く印刷後、インクをスペースエリアに流動させ、レベリングさせることで当該スペースエリアに両側よりも薄厚にインクを埋め、断面が凹状の紫外光遮蔽樹脂膜２０を形成することができる。
【００５１】
なお、スクリーンマスクは、上記のパターンに限定されるものではなく、紫外光遮蔽樹脂膜となる印刷インクの第１パターン２５と内周の第２パターン２６の間にメッシュ状のパターン、その他の不連続、あるいは連即パターンを形成し、印刷されたインクをレベリングさせることでスペースエリアを埋め、断面が凹状の紫外光遮蔽樹脂膜２０を形成することができる。
【００５２】
次に、図８に戻り、同図（ｃ）に示すように、画素分離バンク７内に発光層８を形成する。なお本実施例では、前記した様に、高分子系の発光層を用い、アノード電極とカソード電極に挟まれた発光層の構成はホール輸送層／発光層とし、それぞれ隣接する画素分離バンク内に塗布した。塗布方式としては、スクリーン印刷法とインクジェット法等があり、本実施例ではインクジェット法を用いた。なお、ホール輸送層は全色共通とし、ホール輸送材料のインクとしては、導電性高分子であるポリ（３、４−エチレンジオキシチオフェン）とドーパントであるポリスチレンスルホン酸を含む水コロイド溶液（Ｂａｙｅｒ社製の「ＢＹＴＯＲＯＮ　　Ｐ−ＣＨ−８０００」）を用いた。また、各色を発光する発光材料のインクとして、緑はＤｏｗ製Ｇｒｅｅｎ−Ｋを１、２、３、４−テトラメチルベンゼンで調合したもの、赤はＤｏｗ社製の「Ｒｅｄ−Ｆ」を１、２、３、４−テトラメチルベンゼンで調合したもの、青はＤｏｗ社製の「Ｂｌｕｅ−Ｃ」を１、３、５−トリメチルベンゼンで調合したものを用いた。なお、本実施例では、ホール輸送層は全色共通としたが、生産性は落ちるが各色毎に材質、膜厚を変えてもよい。
【００５３】
次に、図８（ｄ）に示すように、第１基板１基板の所定の画素分離バンク７に形成された赤、緑、青の各発光層の上にカソード電極９を真空蒸着法により形成する。本実施例では、カソード電極９の材料としてＡｌ／Ｃａを用いた。なお、カソード電極としては、仕事関数が小さいものであればよく、Ａｌ／Ｃａに限定されるものではない。
【００５４】
次に、図８（ｅ）に示すように、封止缶となる第２基板２の外周に額縁状に突出する如くリブ３を形成して封止缶４とし、リブ３に囲まれた領域を第１基板１の表示領域に対向させて重ね合わせる。この重ね合わせの際に、第２基板２の外周に額縁状に形成したリブ３に干渉しない領域全面に吸着材５を設置した。本実施例では第２基板２に第１基板１と同質のガラス基板（コーニング社製「＃１７３７」）を用いた。このガラス基板１の板厚は０．７ｍｍで、寸法は３２８ｍｍ×２４６ｍｍである。また、図３で説明したように、この吸着材５は有機材からなる発光層から発生するガスや後の工程で封止缶４と第１基板１を重ね合わせて封止材である接着剤を用いて封止した後に、当該封止材（接着剤）を貫通して侵入する外気や水分を吸着するためのものである。
【００５５】
本実施例では、紫外光遮蔽樹脂膜２０を厚さ３０μｍで形成したため、第２基板２に有するリブ３の厚みを５００μｍとした。紫外光遮蔽樹脂膜２０の形成方式には、スクリーン印刷およびディスペンサにより直描する方式およびスピンナ等により全面に形成した後、露光・現像より周辺以外の不要な箇所を除去する方式がある。本実施例ではスクリーン印刷を用い、枠状の大きさが３２２ｍｍ×２４５ｍｍで印刷するライン幅を１８００μｍとし、前記した紫外光遮蔽樹脂膜の内側寸法を３２０ｍｍ×２４３ｍｍ、外側寸法を３２４ｍｍ×２４７ｍｍとした。これに対して第２基板に有するリブ３の側面が、上記紫外光遮蔽樹脂膜の印刷ラインの内側と外側の両方に接触するようにした。
【００５６】
また、第２基板２に有するリブ３の材料としては、第２基板２の表面との密着性がよく、吸湿性が少なく、ガス等の発生が少なく、それ自身が高いシール効果を持ち、封止缶用基板との界面およびそれ自身が外気および水分をなるべく通さないものが好ましい。また、第２基板２に有するリブ３の材料には、紫外光の吸収の少ないものを用いることで、封止材であり接着剤に紫外光硬化材料からなるものを用いた場合、第２基板２側から紫外光を照射して接着剤を硬化させることができる。これは、外部端子２１により遮光される箇所を生じる第１基板側からの照射よりも均一に封止用接着剤に紫外光を照射することができ、封止用の接着剤を基板面内でより安定に硬化できる。本実施例では、第２基板２に有するリブ３に、スクリーン印刷用透明誘電体ガラス材料を用いた。透明誘電体ガラス材料としては、低温焼成型のホウ珪酸ガラス系や鉛ガラス系を使用できる。本実施例では、日本電気硝子（株）製の低温焼成型ホウ珪酸ガラスを用いた。
【００５７】
次に、図８（ｆ）に示すように、紫外光遮蔽樹脂膜２０の内側と外側に囲まれた枠状溝（凹部）内に接着剤２２を塗布する。この塗布方式としてはディスペンサ、スクリーン印刷がある。本実施例ではディスペンサを用いて接着剤２２を塗布した。また、本実施例のように第２基板２に有するリブ３で位置合わせを行う機能も有する紫外光遮蔽樹脂膜２０の断面形状を凹状に形成し、その間に接着剤２２を塗布する方式をとることにより、粘度の低い接着剤でも紫外光遮蔽樹脂膜２０の外に当該接着剤が流出することがない。
【００５８】
この接着剤２２の材料としては、紫外光硬化型材料、熱硬化型材料、紫外光熱硬化型材料がある。紫外光硬化型材料および紫外光熱硬化型材料を用いた場合、紫外光照射時に接着剤に近い部分の有機ＥＬ層に紫外光が拡散照射されて、輝度劣化（寿命低下）を生じる可能性がある。また、熱硬化型材料および紫外光熱硬化型材料を用いた場合、これを１００゜Ｃを越える温度で硬化させると、紫外光の場合と同様に有機ＥＬ層に影響を及ぼし、輝度劣化や寿命低下を生じる可能性がある。本実施例では、接着剤２２として、紫外光照射により第一次の硬化が行われ、次いで８０゜Ｃの加熱で第二次硬化（本硬化）する紫外光熱硬化型材料を用いた。紫外光熱硬化型の接着剤の材料としては、スリーボンド（株）社製「３０Ｙ−２９６Ｇ」を用いた。
【００５９】
次に、図８（ｇ）に示すように、第１基板１と封止缶４を構成する第２基板２を所定の位置関係で重ね合わせる。この重ね合わせは、第１基板１の紫外光遮蔽樹脂膜２０の凹部と第２基板２のリブ３とのセルフアライメント効果で実現される。その後、第１基板１に有する表示領域に紫外光が漏れないように当該表示領域を遮蔽する遮蔽マスクを第２基板２の上面に載置して所要部分を十分に遮蔽した後、第２基板２側から紫外光ＵＶを照射し、接着剤２２を硬化させる。
【００６０】
本実施例では、第２基板２側からの発光積層体形成領域への紫外光の遮蔽は、この遮蔽マスクのみではなく、吸着材５によっても行なうことができる。また、凹状の紫外光遮蔽樹脂膜２０により、第１基板１のガラス板内への紫外光の侵入を防止できたるめ、第１基板１内を紫外光が散乱し伝播することによる有機材料からなる発光積層体の劣化を防止することができる。また、この時、重ね合わせた封止缶４と第１基板１は第２基板２のリブ３と紫外光遮蔽樹脂膜２０とにより、面方向の拘束をしなくても互いにずれることはない。
【００６１】
次いで、８０゜Ｃのオーブン内で加熱し、接着剤２２を第二次硬化（本硬化）させる。なお、これらの作業は全て不活性ガスである窒素中で行った。接着剤２２により接合された箇所は紫外光遮蔽樹脂膜２０の凹部と封止缶４を構成する第２基板２に設けたリブ３が噛合しているため、同じ接着剤の幅で両基板を平面同士で接合する場合より、接着剤の接着距離（幅）が長くなり、外気や水分の侵入をより良く防ぐことができる。こうして製造した有機ＥＬパネルの外部端子２１に表示のための電圧や信号を印加し、あるいは駆動回路を接続することで画像表示装置を組み立てる。
【００６２】
（実施例２）
図１２は本発明による画像表示装置の第２実施例を説明する有機ＥＬパネルの要部断面模式図である。図中、前記実施例の図面と同一の参照符号は同一機能部分を示す。本実施例では、第１基板１に形成する紫外光遮蔽膜を二層としており、第１基板１に下部紫外光遮蔽樹脂膜３０を設け、その上に同心状に二つの紫外光遮蔽樹脂膜２０Ａ（外周凸部に相当）と２０Ｂ（内周凸部に相当）を設けた。本実施例では、第２基板２に設けるリブ３は当該第２基板２を構成するガラス板をブラスト加工法或いは化学エッチング法を用いて成形した。
【００６３】
下部紫外光遮蔽樹脂膜３０は画素分離用バンク７と同時に前記図６と同様の印刷法で形成する。この下部紫外光遮蔽樹脂膜３０の上に上記画素分離用バンク７と下部紫外光遮蔽樹脂膜３０を形成するスクリーンマスクとは別のスクリーンマスクを用いて紫外光遮蔽樹脂膜２０Ａ、２０Ｂを形成する。なお、下部紫外光遮蔽樹脂膜３０の材料（インク）は画素分離用バンク７および紫外光遮蔽樹脂膜２０Ａ、２０Ｂと同一のものを用いる。下部紫外光遮蔽樹脂膜３０は、少なくとも紫外光遮蔽樹脂膜２２Ａ、２２Ｂの間にあるスペースエリアを第１基板１側から塞ぐ位置に形成する。
【００６４】
本実施例の紫外光遮蔽構造は、第１基板２に有するリブ３を紫外光遮蔽樹脂膜２０Ａ、２０Ｂの間に形成された大きなスペースエリアに係合する幅に形成できる。すなわち、第２基板に設けるリブ３の封止幅を大きくすることが可能となる。下部紫外光遮蔽樹脂膜３０は、スペースエリアを通して第１基板１に通過する紫外光を阻止する。これにより、第１実施例の効果に加えて、第１基板１と第２基板２の封止距離がさらに大きくなり、当該封止部からのガスや水分の浸入をより確実に抑制することができる。
【００６５】
（実施例３）
図１３は本発明による画像表示装置の第３実施例の構成を説明する有機ＥＬパネルの要部断面模式図である。図中、図１２と同一の参照符号は同一機能部分を示す。本実施例では、図１２と同様の構造を有する第２基板２を用い、第１基板１に形成する下部紫外光遮蔽樹脂膜３０を画素分離バンク７に近いところまで形成した。これにより、接着剤２２の硬化時に第２基板２側から漏れ出る紫外光は下部紫外光遮蔽樹脂膜３０で吸収され、発光積層体を紫外光から保護することができる。他の効果は第２実施例と同様である。
【００６６】
（実施例４）
図１４は本発明による画像表示装置の第４実施例の構成を説明する有機ＥＬパネルの要部断面模式図である。図中、図１２および図１３と同一の参照符号は同一機能部分を示す。本実施例は、第２基板２の内面に上部紫外光遮蔽樹脂膜３２を形成し、この上に吸着材５を設けた。第１基板１の構成は図１２と同様である。第２基板２に上部紫外光遮蔽樹脂膜３２を設けたことで、接着剤２２の硬化のために第２基板２側から照射される紫外光が画素領域に侵入するのをさらに効果的に阻止できる。他の効果は図１２と同様である。
【００６７】
（実施例５）
図１５は本発明による画像表示装置の第５実施例の構成を説明する有機ＥＬパネルの要部断面模式図である。図中、図１２および図１３と同一の参照符号は同一機能部分を示す。本実施例は、第２基板２に設けるリブ３を当該第２基板２とは別の枠状部材で構成し、これを第２基板２の外周に適宜の固着手段で固着して封止缶とした。他の構成は図１４と同様である。リブ３の材料は、紫外光を透過するものであれば良く、透明な低熱膨張低融点ガラス材料（非晶質シリカ−ホウ珪酸ガラス系、ユークリプタイト−鉛ガラス系等）やシリカ分散型透明ポリイミド材料等が使用できる。本実施例によっても図１４と同様の効果を得ることができる。なお、図１４と図１５における下部紫外光遮蔽樹脂膜３０を図１３と同様に画素分離バンク７の付近まで延長して設けることもできる。
【００６８】
（実施例６）
図１６は本発明の第６実施例を説明する有機ＥＬパネルの第１基板の要部模式断面図である。本実施例では、第１基板１の周縁に設ける紫外光遮蔽構造として金属遮蔽膜３４とインクの印刷による紫外光遮蔽樹脂膜２０を採用した。インクの印刷で形成する紫外光遮蔽樹脂膜２０の断面形状は凹状である。第１基板１の外周に外部端子２１があることを考慮し、上記金属遮蔽膜３４の下層に絶縁層３３を介在させた。金属遮蔽膜３４は紫外光の遮蔽が可能なものであればよく、本実施例では封止領域以外をマスクで覆い、Ａｌを１５０ｎｍ程度の厚さに蒸着して金属遮蔽膜３４とした。また、絶縁層３３はＳｉＯ２　を所定の位置にＣＶＤ法で１００ｎｍ程度の厚さに形成した。なお、紫外光遮蔽樹脂膜２０の断面形状を上記のような凹状とするものに限らず、前記図１２乃至図１５で説明したような同心状とすることで当該各実施例と同様の効果を得ることができる。
【００６９】
図１７は図１６に示した本発明の第６実施例の第１基板に画素分離バンクと紫外光遮蔽樹脂膜を形成する工程の説明図である。図１７（ａ）は図７（ａ）に示したものと同様の第１基板１の外部端子２１上に絶縁層３３を介して金属遮蔽膜３４を形成した状態を位召す断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の第１基板１に画素分離バンクと紫外光遮蔽樹脂膜を形成する工程の説明図である。
【００７０】
外部端子２１上に絶縁膜３３と金属遮蔽膜３４を形成した図１７（ａ）に示した第１基板１を同図（ｂ）の基板固定テーブル１９に載置し固定する。固定手段は図７で説明したものと同様である。この上にスクリーン版１４で支持されたスクリーンマスク１５により、画素分離バンク７と紫外光遮蔽樹脂膜２０を形成する。スクリーンマスク１５に有する紫外光遮蔽樹脂膜転写用開口パターン１７の開口領域は、画素分離バンク用開口パターン１６の開口領域より必ず大きく形成する。紫外光遮蔽樹脂膜用のインクの塗布厚を画素分離バンク用のインクの塗布厚より厚くし、また、両者を同時に塗布するために、紫外光遮蔽樹脂膜転写用開口パターン１７の幅を画素分離用開口パターン１６の幅より大きくした。
【００７１】
図１８は図１７の工程で画素分離バンクおよび紫外光遮蔽樹脂膜を形成した第１基板を用いて有機ＥＬパネルを製造する工程図である。図１８（ａ）に示したように、画素分離バンク７および紫外光遮蔽樹脂膜２０を形成した第１基板１の隣接する画素分離バンク７の間に発光層８を形成する。次いで、発光層８の上にカソード電極９を形成する（図１８（ｂ））。
【００７２】
一方、リブ３と吸着材５を有する第２基板２で構成した封止缶４を用意する（図１８（ｃ））。第１基板１の紫外光遮蔽樹脂膜２０の凹部に接着剤２２を塗布し（図１８（ｄ））、封止缶４の第２基板２の周縁に有するリブ３を第１基板１の紫外光遮蔽樹脂膜２０の凹部に係合するし、係合間隙に介挿された接着剤２２に紫外光ＵＶを照射して硬化させる（図１８（ｅ））。
【００７３】
本実施例では、金属遮蔽膜３４による紫外光の遮蔽のみではなく、さらに断面形状が凹状の紫外光遮蔽樹脂膜２０を形成しているため、紫外光遮蔽樹脂膜２０のみの場合に比べ、紫外光の遮蔽が完全なものとなる。本実施例の金属遮蔽膜を併用した紫外光遮蔽構造における紫外光遮蔽樹脂膜２０に代えて、図１２乃至図１５で説明した下部紫外光遮蔽樹脂膜と紫外光遮蔽樹脂膜の組合せを採用しても本実施例と同等以上の良好な結果が得られる。
【００７４】
以上の説明では、第１基板に形成された有機ＥＬ層の構成材を紫外光から保護するものとしているが、本発明の構成は、この他に表示領域に設けた薄膜トランジスタ等のアクティブ素子（以下、薄膜トランジスタとして説明する）を構成する半導体層が接着剤硬化のために照射する紫外光から保護する効果も有する。封止領域の内部に有する個々の画素選択のための薄膜トランジスタ、あるいはこの封止領域の内部に薄膜トランジスタを備えた駆動回路を直接実装した有機ＥＬパネルを備えた画像表示装置に対して、前記実施例の何れかの構成とすることで、上記の薄膜トランジスタを紫外光から保護することができる。
【００７５】
したがって、本発明は、有機ＥＬパネルに限らず、液晶パネル、プラズマパネル、その他のアクティブマトリクス型の表示パネルを用いた画像表示装置に適用して、同様の効果を得ることができる。
【００７６】
図１９は有機発光層を設ける第１基板に形成される薄膜トランジスタの構成例を説明する要部模式断面図である。薄膜トランジスタは、ガラス板からなる第１基板１上にオルガノシリコンナノクラスターを塗布する工程と、このオルガノシリコンナノクラスターを酸化させて下地膜である酸化シリコン膜（ＳｉＯ２　）３５を形成する工程と、ソース領域とドレイン領域、およびそれらに挟まれたチャネル領域を有する島状のポリシリコン膜３６を形成する工程と、このポリシリコン膜３６上にゲート絶縁膜３７を形成する工程と、チャネル領域上にゲート絶縁膜３７を介してゲート電極３８を形成する工程とを経て形成される。
【００７７】
ここで、オルガノシリコンナノクラスターとは、有機溶剤に可溶で、バンドギャップが３ｅＶから１．２ｅＶである有機シリコン化合物を意味し、テトラハロゲン化シランと有機ハロゲン化物をアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属存在下で反応させ、更に、フッ酸で処理することによって得られる。テトラハロゲン化シランの一部をトリハロゲン化シランまたはジハロゲン化シランに替えても良い。
【００７８】
このようにして得られたオルガノシリコンナノクラスターは、炭化水素、アルコール、エーテル、芳香族溶剤、極性溶媒など一般の有機溶剤に可溶である。また、合成の最後にフッ酸処理を行うことにより、反応系中の酸素や水、停止材からシリコンナノクラスター中に取り込まれている酸素原子を排除することができる。これらの酸素原子はシリコン薄膜を得ようとする場合には、シリコン酸化膜生成の原因となり好ましくない。フッ酸処理を行うことにより、酸素原子を含まないシリコン薄膜前駆体としてのシリコンナノクラスターを得ることができる。
【００７９】オルガノシリコンナノクラスターの薄膜は、適宜選択された溶剤中にオルガノシリコンナノクラスターを溶解した溶液から、スピンコート法、ディッピング法など湿式法による一般的な薄膜形成法で得ることができる。成膜したオルガノシリコンナノクラスターを実質的に酸素が存在しない雰囲気または還元性雰囲気中で加熱または紫外光照射するとシリコン薄膜を得ることができ、酸化性雰囲気で加熱または紫外光照射することで酸化シリコン薄膜を得ることができる。上記の加熱と紫外光照射を組み合わせても良い。また実質的に酸素が存在しない雰囲気または還元性雰囲気中でレーザ照射することによりシリコン薄膜を得ることも可能である。
【００８０】
このオルガノシリコンナノクラスターを前駆体とする酸化シリコン膜上に薄膜トランジスタを形成する。前述のように、オルガノシリコンナノクラスターはテトラハロゲン化シランが原料であり、オルガノシリコンナノクラスターを前駆体とする酸化シリコン膜はハロゲンを含む。ハロゲンにはナトリウムイオン、カリウムイオン等を偏析させて捕獲、ゲッタさせる効果があり、ガラス板である第１基板１からの薄膜トランジスタへの不純物拡散を効果的に防止する。さらに、不純物拡散防止の為には酸化シリコン膜厚が厚い程その効果は大きい。オルガノシリコンナノクラスターはスピンコートで成膜が可能であり、大面積の厚膜形成が容易であり、不純物によるしきい値変動を抑えることができ、反りや亀裂は発生しない。よって、本発明は大面積のガラス基板を用いた有機ＥＬパネル等を用いた画像表示装置装置の製造に極めて有用である。
【００８１】
また、オルガノシリコンナノクラスターを酸化させる工程と、酸化させずシリコン薄膜とする工程を適宜組み合わせて島状シリコン層とその周囲を取り囲むように酸化シリコン膜を形成することが可能であり、島状半導体層端部の段差を減少した構造を実現でき、ゲート絶縁膜の薄膜化による絶縁耐圧の低下を防止できる。しかも、この技術は半導体層を形成後、露光、現像、エッチングという従来の島状半導体層形成法よりも少ない工程数で島状半導体層とその周囲の絶縁膜が形成できるため、製造コストを削減することが可能である。
【００８２】
本実施例に係る薄膜トランジスタは、表面が絶縁性である第１基板１上に設けられた酸化シリコン膜３５と、主表面および端面を有する複数の島状ポリシリコン半導体層３６と、このポリシリコン半導体層３６中に、ソース領域、ドレイン領域、およびそれらに挟まれたチャネル領域を有し、島状ポリシリコン半導体層３６の端面のみと接する酸化シリコン膜３５上の第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜）３７と、島状ポリシリコン半導体層３６とゲート絶縁膜３７とを覆う第２の絶縁膜（層間絶縁膜）４２と、チャネル領域上に層間絶縁膜４２を介して形成されたゲート電極３８と、ソース領域およびドレイン領域と、ソース領域およびドレイン領域と接触するソース電極４３およびドレイン電極４４とを備えた構造をしており、前記の酸化シリコン膜はハロゲン元素を含むようにした。
【００８３】
島状ポリシリコン半導体層３６とゲート絶縁膜３７とは、端面のみが接するため段差が少なく、ゲート絶縁膜３７の薄膜化による絶縁耐圧の低下を防止できる。そして、酸化シリコン膜はハロゲン元素を含むため、第１基板１からゲート酸化膜への不純物の拡散侵入を効果的に防止できる。
【００８４】
ここで、オルガノシリコンナノクラスター溶液の作製方法を説明する。丸底フラスコにアルカリ金属として、削り状Ｍｇ金属（６４ｍｍｏｌ）を入れ、真空下１２０°Ｃで加熱して活性化し、これを冷却後、上記の反応系を窒素雰囲気として脱水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を加える。これを０°Ｃにおいて超音波を照射（６０Ｗ）しながら、テトラクロロシラン（１６ｍｍｏｌ）を加え反応させる。２．５時間反応させた後、生成した黒褐色反応液に、ｔｅｒｔ−ブチルブロマイド（１６ｍｍｏｌ）を反応させる。１時間反応させた後、反応液の温度を５０°Ｃとし、さらに０．５時間反応させる。この反応液を蒸留水中に滴下し、濾過法により不溶分を回収する。回収した不溶分を４７％フッ酸中に分散させ、３０分間撹拌反応させ濾過により別の不溶分を得る。トルエンを溶媒としこの不溶分の１６重量％溶液を調製し、オルガノシリコンナノクラスター溶液とする。
【００８５】
次に、薄膜トランジスタを第１基板１に構成する方法を図１９を参照して説明する。第１基板１は歪点６７０°Ｃの無アルカリガラスで、そのサイズを３４８ｍｍ×２６７ｍｍとした。この第１基板１の上に、膜厚が５００ｎｍになるよう回転数を調整したスピンコート法を用いてオルガノシリコンナノクラスター溶液を塗布し、ホットプレート上８０°Ｃで１分間乾燥させる。その後、酸素雰囲気中で５００Ｗ超高水銀ランプを用いて紫外光を３分間照射して、酸化シリコン（ＳｉＯ２　）膜３５を得る。更に、プラズマＣＶＤ法によりアモルファスシリコン層を５０ｎｍ堆積する。次に、ＸｅＣｌエキシマレーザを照射し、アモルファスシリコン層を結晶化してポリシリコン膜を得る。
【００８６】
次に、公知のホトエッチング工程によりポリシリコン膜をパターンニングし、島状ポリシリコン半導体膜３６を得る。その後、プラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜３７となるＳｉＯ２　膜を７０ｎｍ厚に堆積し、さらにスパッタリング法によりＮｂを２５０ｎｍ厚に堆積する。公知のホトエッチング工程によりＮｂをパターンニングし、ゲート電極３８を形成する。
【００８７】
次に、Ｎチャネル薄膜トランジスタ５０の形成のために、島状ポリシリコン半導体膜３６にイオン打ち込みを行い、高抵抗Ｎ型ポリシリコン層３９を形成する。その後、低抵抗Ｎ型ポリシリコン層４０を形成する。一方、Ｐチャネル薄膜トランジスタ５１の形成のために、イオン打ち込みを用いて低抵抗Ｐ型ポリシリコン層４１を形成する。高抵抗ポリシリコン層のシート抵抗値としては２０ｋΩ〜１００ｋΩが、低抵抗ポリシリコン層のシート抵抗値としては５００Ω〜１００００Ωが望ましい範囲である。更に、全体を覆うようにＳｉＯ２　からなる層間絶縁膜４２が形成され、層間絶縁膜４２に設けたコンタクトスルーホールを介して、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの３層金属膜よりなるソース電極４３、ドレイン電極４４および走査線（ゲート線）やデータ線（ドレイン線）等の所要の配線が形成される。ここで、３層金属膜を用いたのは、低抵抗ポリシリコン層とＡｌとのコンタクト抵抗、および画素電極（ＩＴＯ）４６とＡｌとのコンタクト抵抗を低減するためである。
【００８８】
ソース電極４３、ドレイン電極４４および所要の配線のパターンニングの後、全体を覆うようにＳｉ３　Ｎ４　よりなる膜厚５００ｎｍの保護絶縁膜４５を形成する。さらに、保護絶縁膜４５に設けたコンタクトスルーホールを介して画素電極（ＩＴＯ）４６と、画像表示部のＮチャネル薄膜トランジスタ５０のソース電極４３とがコンタクトされている。
【００８９】
下地膜（酸化シリコン膜３５）の形成時のシリコンナノクラスターの酸化は、加熱法を用いても良いし、あるいは紫外光照射法と加熱法との組み合わせであっても良い。この場合、紫外光照射はスループットの向上に、また加熱は膜の緻密化など膜質の改善に効果的である。また、下地膜としては、酸化シリコン膜だけでなく、酸化シリコンと薄い窒化シリコンとの積層膜を用いても良い。窒化シリコンをバッファ層として用いれば、ガラス基板内の不純物がゲート絶縁膜中に拡散侵入するのをより効果的に防止できる。
【００９０】
アモルファスシリコンの結晶化法は熱アニールによる固相成長法でも良いし、熱アニールとレーザアニールの組み合わせであっても良い。ゲート絶縁膜は、オルガノシリコンナノクラスターの酸化膜であっても良い。膜中のハロゲンの働きによりナトリウム、カリウムなどの動きが抑制される。また、層間絶縁膜や保護膜等の各種絶縁膜の堆積方法は、プラズマＣＶＤ法等、公知の堆積法であっても良い。また、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の電極材料は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ等公知の電極材料であっても良い。
【００９１】
また、ＸｅＣｌエキシマレーザを照射する前に、真空条件下（１×１０−５ｔｏｒｒ）５００°Ｃで１時間加熱するが、この工程は実質的に酸素の存在しない雰囲気または還元性雰囲気で紫外光照射をしてもよいし、両者を組み合わせても良い。紫外光照射はスループットの向上に、加熱は膜の緻密化など膜質の改善に効果的である。更に、この工程を省略して実質的に酸素の存在しない雰囲気または還元性雰囲気でレーザ照射をして結晶化しても良い。この場合、プロセスが簡略化されるため製造コストが削減できる。
【００９２】
また、オルガノシリコンナノクラスターの酸化法は、酸化性雰囲気での加熱であっても良い。この場合、酸化の前に島状半導体層を形成しておくことが望ましい。島状半導体層形成後の熱処理により緻密な膜が得られる。別の製造方法として、島状半導体層となる部分をマスクで覆い、酸化雰囲気中で加熱することにより島状半導体層と、その周囲の絶縁膜を同時に形成する方法も製造プロセス簡略化に有効である。さらに、マスクを除去し紫外光またはレーザ照射により半導体層の膜質が改善する。
【００９３】
スピンコート法によりオルガノシリコンナノクラスターを成膜の後、酸化シリコン膜または非単結晶シリコン膜を形成するため、大型基板を用いたプロセスに有効である。また、オルガノシリコンナノクラスターから形成した酸化シリコン膜はハロゲン元素を含むことから、ガラス基板内不純物による薄膜トランジスタ特性の劣化を防止することができる。
【００９４】
さらに、島状半導体層端部の段差を減少させた構造が実現できるため、ゲート絶縁膜の薄膜化による絶縁耐圧の低下を防止できる。この技術は、従来の露光、現像、エッチングという島状半導体層形成法に比べ、露光および加熱、または露光のみ等、従来法よりも少ない工程数で島状半導体層とその周囲の絶縁膜が形成でき、製造コストを削減することが可能である。また、島状半導体層およびその周囲の絶縁膜はハロゲン元素を含むことから、ガラス基板内からゲート絶縁膜中への不純物拡散侵入による薄膜トランジスタ特性の劣化を防止できる。
【００９５】
上記した本発明の薄膜トランジスタの製造では、従来のＣＶＤ法の代わりにスピンコート法を用いるので成膜時の電力が削減できる。よって、信頼性が高く、安価な液晶表示装置を提供できる。勿論、非単結晶シリコン薄膜の製造方法を、従来のＣＶＤ法から本発明のスピンコート法に変更する事のみによっても、大型基板上に均一な成膜が可能、成膜時の電力削減等の利点から製造コストが削減でき、安価な液晶表示装置を提供できる。
【００９６】
上述の成膜法において、スピンコート法によりオルガノシリコンナノクラスターを成膜の後、実質的に酸素の存在しない雰囲気または還元性雰囲気での紫外光照射を行っても、また、加熱を実施してもよい。更には、両者を組み合わせても良い。紫外光照射はスループットの向上に、加熱は膜の緻密化など膜質の改善に効果的である。紫外光照射または加熱の後、さらにレーザ照射を行うとシリコンの結晶性が改善され、薄膜トランジスタの特性が向上する。更に、紫外光照射または加熱という工程を省略して、実質的に酸素の存在しない雰囲気または還元性雰囲気でレーザ照射をして結晶化しても良い。この場合、プロセスが簡略化されるため製造コストが削減できる。本発明の画像表示装置における薄膜トランジスタの製造方法は、上記の実施例に限られたものではなく、従来の液晶パネル等に使用されているものでも構わない。
【００９７】
上記した薄膜トランジスタを第１基板の画素領域に有する有機ＥＬパネルにおいて、封止缶となる第２基板を位置合わせして周辺にある封止領域で接着剤を用いて封止する。このとき、封止領域に相当する外周に額縁状に紫外光を遮蔽する紫外光遮蔽樹脂膜を設けることで、封止用接着剤の紫外光による硬化の際、有機材料からなる発光積層体を紫外光から保護することができる。すなわち、封止用の接着剤を紫外光で硬化する際、紫外光遮蔽樹脂膜により当該紫外光が第１基板内で散乱し、あるいは第１基板内を伝播して発光積層体に到達することがないため、当該発光積層体の特性劣化を防止できる。
【００９８】
また、画素分離用バンクと同時に形成される紫外光遮蔽樹脂膜を同心の凸部を額縁状に形成し、画素領域を周回する上記額縁状の周回方向中央に凹部を設け、この凹部に第２基板に有するリブを係合させることで、両基板の位置合わせが容易になる。すなわち、紫外光遮蔽樹脂膜の凹部が第２基板のリブの位置合わせ案内部材となり、両基板を容易にかつ精度良く重ね合わせることができる。さらに、この封止構造とすることにより、接着剤による接着距離を大きくできるので、より確実な気密封止が可能となる。
【００９９】
図２０は有機ＥＬパネルの１画素の構成例を説明する回路図である。１画素は図１９で説明した薄膜トランジスタを有する。データ線ＤＬ（ｍ＋１）と走査線ＧＬ（ｎ＋１）、ＧＬ（ｎ）および電流供給線ＣＳＬで囲まれた領域に形成される。ここでは、現在走査されている（選択されている）走査線をＧＬ（ｎ＋１）として説明する。走査線ＧＬ（ｎ＋１）で選択されている複数の画素のうち、画素ＰＸに着目する。アクティブ素子である第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１はスイッチングトランジスタ、第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２はドライバトランジスタである。第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１のゲートは走査線ＧＬ（ｎ＋１）に接続され、そのドレインはデータ線ＤＬ（ｍ＋１）に、ソースは第２薄膜トランジスタＴＦＴ２のゲートに接続されている。
【０１００】
第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２のドレイン電極は電流供給線ＣＳＬに接続されている。そして、そのソース電極は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電極ＡＤに接続されている。第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１のソースと第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２のゲート電極の接続点にはデータ信号保持素子としてのコンデンサＣＰＲの一方の端子が接続され、他方の端子は直前の走査線ＧＬ（ｎ）に接続されている。
【０１０１】
第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース電極と第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２のゲート電極の接続点に接続されるコンデンサＣＰＲの一方の端子は＋極であり、走査線ＧＬ（ｎ）に接続される他方の端子は−極である。また、有機発光素子ＯＬＥＤはアノード電極ＡＤとカソード電極ＣＤの間に有機発光層を挟んだ構成であり、アノード電極ＡＤは第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２のソース電極に接続し、カソード電極ＣＤは全画素にわたってべた形成されている。
【０１０２】
第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１のターンオンでコンデサＣＰＲに書き込まれ、電荷量として保持されたデータ信号は第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１のターンオフに伴う第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２のターンオンで電流供給線ＣＳＬからの電流を当該コンデンサＣＰＲに保持された電荷量（データ信号の階調を示す）で制御された電流量として有機発光素子ＯＬＥＤに流す。有機発光素子ＯＬＥＤは供給される電流量にほぼ比例した輝度で、かつ当該有機発光素子ＯＬＥＤの有機材料に依存した色で発光する。カラー表示の場合は、通常は赤、緑、青の画素毎に有機発光層の材料を変えるか、あるいは白色の有機発光層材料と各色のカラーフィルタの組合せを用いる。なお、データ信号の与え方はアナログ量でも、あるいは時分割のデジタル量でもよい。また、階調制御は、赤、緑、青の各画素の面積を分割した面積階調方式を組合せてもよい。
【０１０３】
図２１は本発明の画像表示装置を搭載した電子機器の一例としてのテレビ受像機の外観図である。参照符号ＤＳＰは表示部、ＳＴＤはスタンド部である。表示部ＤＳＰには前記実施例の何れかの構成をもつ画像表示装置が実装されている。なお、パーソナルコンピュータや各種のモニターに本発明の画像表示装置を実装することができる。
【０１０４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、第１基板の外周に額縁状に同心の凸部で形成した紫外線遮蔽樹脂膜の凹部を設け、この凹部に第２基板の周縁に有するリブを係合させ、接着剤を介して両基板を封止するため、接着剤を硬化する紫外光から表示領域に有する有機材料からなる発光積層体、あるいはアクティブ素子を構成する半導体層の劣化が防止できる。また、第１基板に画素分離用バンクと同時に紫外光遮蔽樹脂膜（あるいは、紫外光遮蔽樹脂膜と金属遮光膜）を形成するため、発光積層体を形成する領域に対して第２基板のリブを位置ずれすることなく貼り合わせることができ、高精度の封止と接着剤による高信頼性の気密封止を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による画像表示装置の基本パネル構成を模式的に説明する要部断面図である。
【図２】本発明による画像表示装置の他の基本パネル構成を模式的に説明する要部断面図である。
【図３】有機ＥＬパネルを用いた画像表示装置の当該有機ＥＬパネルの一例を説明する第１基板の内面を示す平面図である。
【図４】図３に示した第１基板に封止缶となる第２基板を貼り合わせた状態を第２基板側から見た平面図である。
【図５】本発明による画像表示装置の第１の実施例の構成を説明する有機ＥＬパネルの模式図である。
【図６】本発明の第１の実施例における画素分離バンクとリブを同時に形成する工程の説明図である。
【図７】本発明を適用した有機ＥＬ画像表示装置の製造方法の第１の実施例を説明する工程図である。
【図８】本発明を適用した有機ＥＬ画像表示装置の製造方法の第１の実施例を説明する図７に続く工程図である。
【図９】本発明の画像表示装置の製造に使用するスクリーンマスクの一構成例の概要を説明する部分平面図である。
【図１０】本発明の画像表示装置の製造に使用するスクリーンマスクの他の構成例の概要を説明する部分平面図である。
【図１１】本発明の第１実施例に使用するスクリーンマスクのさらに他の構成例の概要を説明する部分平面図である。
【図１２】本発明による画像表示装置の第２実施例を説明する有機ＥＬパネルの要部断面模式図である。
【図１３】本発明による画像表示装置の第３実施例の構成を説明する有機ＥＬパネルの要部断面模式図である。
【図１４】本発明による画像表示装置の第４実施例の構成を説明する有機ＥＬパネルの要部断面模式図である。
【図１５】本発明による画像表示装置の第５実施例の構成を説明する有機ＥＬパネルの要部断面模式図である。
【図１６】本発明の第６実施例を説明する有機ＥＬパネルの第１基板の要部模式断面図である。
【図１７】図１６に示した本発明の第６実施例の第１基板に画素分離バンクと紫外光遮蔽膜を形成する工程の説明図である。
【図１８】図１７の工程で画素分離バンクおよび紫外光遮蔽樹脂膜を形成した第１基板を用いて有機ＥＬパネルを製造する工程図である。
【図１９】有機発光層を設ける第１基板に形成される薄膜トランジスタの構成例を説明する要部模式断面図である。
【図２０】有機ＥＬパネルの１画素の構成例を説明する回路図である。
【図２１】本発明の画像表示装置を搭載した電子機器の一例としてのテレビ受像機の外観図である。
【符号の説明】
１・・・・第１基板（発光層形成用基板）、２・・・・第２基板（封止缶用基板）、３・・・・リブ、４・・・・封止缶、５・・・・吸着材、６・・・・アノード電極、７・・・・画素分離バンク、８・・・・発光層、９・・・・カソード電極、１０・・・・発光積層体、１１・・・・スキージ、１２・・・・スクレッパー、１３・・・・ヘッド、１４・・・・スクリーン版、１５・・・・スクリーンマスク、１６・・・・画素分離バンク転写用開口パターン、１７・・・・位置合わせリブ転写用開口パターン、１８・・・・インク（レジスト）、１９・・・・基板固定テーブル、２０・・・・紫外光遮蔽樹脂膜、２１・・・・外部端子、２２・・・・封止用の接着剤、２３・・・・ステンレスメッシュ、２４・・・・乳剤、２５・・・・外周凸部、２６・・・・内周凸部、２７Ａ・・・・短冊パターン、２７Ｂ・・・・ラインパターン、２７Ｃ・・・・ドットパターン、３０・・・・下部紫外光遮蔽樹脂膜、３２・・・・上部紫外光遮蔽樹脂膜、３３・・・・絶縁層、３４・・・・金属遮蔽膜、３５・・・・酸化シリコン膜、３６・・・・島状ポリシリコン半導体膜、３７・・・・ゲート絶縁膜、３８・・・・ゲート電極、３９・・・・高抵抗Ｎ型ポリシリコン層、４０・・・・低抵抗Ｎ型ポリシリコン層、４１・・・・低抵抗Ｐ型ポリシリコン層、４２・・・・層間絶縁膜、４３・・・・ソース電極、４４・・・・ドレイン電極、４５・・・・保護絶縁膜、４６・・・・画素電極、５０・・・・Ｎチャネル薄膜トランジスタ、５１・・・・Ｐチャネル薄膜トランジスタ、１００・・・・第１基板、１０１・・・・画素領域、２００・・・・第２基板、２０１・・・・駆動回路、２２０・・・・接着剤、３００・・・・紫外光遮蔽樹脂膜、３０１・・・・紫外光遮蔽樹脂膜、ＴＦＴ１・・・・第１の薄膜トランジスタ（スイッチングトランジスタ）、ＴＦＴ２・・・・第２の薄膜トランジスタ（ドライバトランジスタ）、ＤＬ（ｍ＋１）・・・・データ線、ＧＬ（ｎ＋１），ＧＬ（ｎ）・・・・走査線、ＣＳＬ・・・・電流供給線、ＰＸ・・・・画素、ＯＬＥＤ・・・・有機ＥＬ素子、ＡＤ・・・・アノード電極、ＣＤ・・・・カソード電極、ＣＰＲ・・・・コンデンサ、ＤＳＰ・・・・表示部、ＳＴＤ・・・・スタンド部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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