(57)【要約】【課題】横電界の影響を軽減して、高コントラストの画像を得る。【解決手段】第１基板１１上にはマトリクス状に画素電極１１１を形成すると共に、画素電極１１１間に、ストライプ状に信号電極１１２を形成する。一方、第２基板１２上には、カラーフィルタ１２２を形成し、カラーフィルタ上１２２上に遮光膜１２３を形成する。この遮光膜１２３上に格子状に金属膜１２１を形成する。金属膜１２１及びカラーフィルタ上に、走査電極１２５を形成する。金属膜１２１は、走査電極１２５相互間の隙間に形成される。これにより、信号電極１１２には走査電極１２５又は金属膜１２１が必ず対向する。これにより、信号電極１１２からのリーク電流は対向する走査電極１２５又は金属膜１２１に進行し、横電界の発生を抑制することができ、高コントラストの画像を得ることができる。【選択図】　　　図１
2004061630.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に形成されマトリクス状に配置される複数の画素電極と、
前記第１基板上の列方向に延設され各列の前記画素電極に信号を供給するためのストライプ状の信号電極と、
前記第１基板に対向配置される第２基板上の行方向に延設され各行の前記画素電極に対向配置されるストライプ状の走査電極と、
前記第２基板上であって、少なくとも、前記走査電極が形成されていない部分で且つ前記信号電極に対向する部分に形成される金属膜とを具備したことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記金属膜は、前記走査電極が形成されていない部分及び前記信号電極に沿って、マトリクス状に形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記金属膜は、前記走査電極が形成されていない部分に沿ってストライプ状に形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記金属膜は、前記信号電極に沿ってストライプ状に形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記金属膜は、所定の固定電位が供給されることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記金属膜は、前記第２基板に形成された遮光膜に沿って形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項７】
請求項１乃至７のいずれか１つに記載の液晶装置を画像形成手段として備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、２端子型のスイッチング素子を備えたアクティブ方式の液晶装置及び電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶装置は、ガラス基板、石英基板等の２枚の基板間に液晶を封入して構成される。液晶装置の構造としては、基板の表面に画素をマトリクス状に配列させたパッシブ方式のものや、各画素毎にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｄｉｏｄｅ：薄膜ダイオード）等の非線形素子を設け、この非線形素子を介して信号電極と画素電極とを接続したアクティブ方式のもの等がある。
【０００３】
アクティブ方式の液晶装置は、一方の基板に、能動素子をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向する電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能にする。例えば、ＴＦＤ素子をスイッチング素子として、マトリクス状に配列された画素電極（ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ））に選択的に画像信号を供給し、画素電極と対向する電極相互間の液晶層に画像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配列を変化させる。これにより、各画素の透過率を変化させ、画素電極及び液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させて画像表示を行う。
【０００４】
なお、電圧無印加時の液晶分子の配列を規定するために、一方の基板（アクティブマトリクス基板（以下、第１基板ともいう））及び他方の基板（以下、第２基板ともいう）の液晶層に接する面上に配向膜を形成し、配向膜にラビング処理を施している。
【０００５】
ところで、ＴＦＤ素子としてＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　Ｍｅｔａｌ）構造の素子を用いることがある。ＭＩＭ素子は、金属膜−絶縁膜−金属膜の積層構造を有し、その非線形特性を利用して、画素への画像信号の供給を制御するスイッチング素子として用いられている。
【０００６】
図７はこのようなＴＦＤを用いた液晶装置の電極の構成を示す説明図である。
【０００７】
一方の基板（第１基板）５０側にはＭＩＭ素子をスイッチング素子として用いた画素電極５１がマトリクス状に形成されている。一方、他方の基板（第２基板）５５には、行方向に延設された走査電極５６がストライプ状に形成されている。
【０００８】
各画素のＭＩＭ素子は走査電極５６に印加する駆動電圧に従ってオンとなり、信号電極５７を介して供給された画像信号を各画素電極５１に書込む。即ち、所定の駆動電圧が供給された走査電極５６に対向する位置のＭＩＭ素子がオンとなって、１ラインの全ての画素電極５１に各信号電極５７からの画像信号が供給される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ＭＩＭ素子は、信号電極が延設されて形成された下層の金属層、この下層の金属層上に形成された絶縁膜層及びこの絶縁膜層上に形成された上層の金属層によって形成され、上層の金属層を画素電極に接続した構成となっている。
【００１０】
ところが、下層の金属層上に絶縁膜層を形成する工程において、下層の金属層と一体形成される信号電極上にも絶縁膜層が形成される。更に、信号電極上の絶縁膜層上には、ＭＩＭ素子を構成する上層の金属層と同一材料の金属層が形成される。
【００１１】
信号電極上に形成される絶縁層及び金属層によって、信号電極もＭＩＭ構造を有する。
【００１２】
しかしながら、信号電極のＭＩＭ構造によって、信号電極に対向する位置の走査電極にＭＩＭスイッチング素子をオンにする駆動電圧を印加されると、信号電極とその対向する位置の走査電極との間で、液晶分子の配列が影響を受けてしまう。
【００１３】
図８はこの問題点を説明するための説明図であり、図７のＢ方向から見た断面構造を示している。
【００１４】
第１基板５０上には画素電極（斜線部）５１が形成されている。そして、画素電極５１の直上の位置には第２基板５５上に走査電極５６が形成されている。画素電極５１と走査電極５６との間で画像信号に応じて液晶分子５９の配列が制御される。
【００１５】
一方、画素電極５１相互間には信号電極（網線部）５７も形成されている。ところが、この信号電極５７の直上には走査電極５６が形成されていない部分が存在する。このため、信号電極５７は直上の位置に隣接する走査電極５６との間で電界（以下、横電界という）を生じさせる。信号電極５７からのリーク電流による横電界によって、画素電極５１縁辺部においては、液晶分子５９の配列が悪影響を受けてしまう。即ち、画素電極５１縁辺部においては、液晶分子５９の配向不良が発生してしまい、配向不良個所の光抜けによってコントラスト比が低下し、ぼけた画像が表示されてしまう。
【００１６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、信号電極からリーク電流が発生した場合でも、横電界を減少させることを可能にすることにより、充分なコントラスト比を得て画質を向上させることができる液晶装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る液晶装置は、第１基板上に形成されマトリクス状に配置される複数の画素電極と、前記第１基板上の列方向に延設され各列の前記画素電極に信号を供給するためのストライプ状の信号電極と、前記第１基板に対向配置される第２基板上の行方向に延設され各行の前記画素電極に対向配置されるストライプ状の走査電極と、前記第２基板上であって、少なくとも、前記走査電極が形成されていない部分で且つ前記信号電極に対向する部分に形成される金属膜とを具備したことを特徴とする。
【００１８】
このような構成によれば、第１基板上には、マトリクス状に配置される複数の画素電極と、列方向に延設されて各列の画素電極に信号を供給するためのストライプ状の信号電極が形成される。一方、第２の基板上には、行方向に延設されて各行の画素電極に対向配置されるストライプ状の走査電極が形成される。更に、第２基板上には、少なくとも、走査電極が形成されていない部分で且つ信号電極に対向する部分には、金属膜が形成される。これにより、信号電極には、必ず、走査電極又は金属膜が対向配置されることになり、信号電極からのリーク電流は、対向配置された走査電極又は金属膜方向に進行する。従って、リーク電流によって横電界が生じることはなく、高いコントラスト比が得られ、鮮明な高画質の画像を得ることができる。
【００１９】
また、前記金属膜は、前記走査電極が形成されていない部分及び前記信号電極に沿って、マトリクス状に形成されることを特徴とする。
【００２０】
また、前記金属膜は、前記走査電極が形成されていない部分に沿ってストライプ状に形成されることを特徴とする。
【００２１】
また、前記金属膜は、前記信号電極に沿ってストライプ状に形成されることを特徴とする。
【００２２】
これらの構成によれば、信号電極には、必ず、走査電極又は金属膜が対向配置されることになり、リーク電流による横電界の発生を低減させて、高コントラスト比の鮮明な高画質の画像を得ることができる。
【００２３】
また、前記金属膜は、所定の固定電位が供給されることを特徴とする。
【００２４】
このような構成によれば、信号電極からのリーク電流を金属膜に進行させることができ、横電界の発生を低減させることができる。
【００２５】
また、前記金属膜は、前記第２基板に形成された遮光膜に沿って形成されることを特徴とする。
【００２６】
このような構成によれば、遮光膜形成パターンと同一パターンによって金属膜を形成することができる。
【００２７】
本発明に係る電子機器は、前記液晶装置を画像形成手段として備えたことを特徴とする。
【００２８】
このような構成によれば、液晶装置にリーク電流による横電界が生じていないので、高コントラスト比の鮮明な高画質の画像を得ることができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態に係る液晶装置の構成を示す断面図であり、図２はこの液晶装置の要部を拡大して示す斜視図である。図２におけるＡ−Ａ′線の断面図が図１に相当する。
【００３０】
第１の実施の形態は本発明をアクティブマトリクス方式の透過型の液晶装置に適用したものである。なお、以下では、スイッチング素子として二端子型スイッチング素子であるＴＦＤ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｄｉｏｄｅ）を用いた場合を例示する。また、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００３１】
本実施の形態は、第１基板に形成する信号電極に対向する位置であって、第２基板上の走査電極が形成されていない位置に金属膜を形成することにより、信号電極に対向する位置に走査電極又は金属膜を配置して、信号電極からのリーク電流を横電界が生じない方向に流すようにしたものである。
【００３２】
図１及び図２において、液晶装置１は、相互に対向する第１基板１１と第２基板１２とがシール材１３を介して貼り合わされ、両基板の間に液晶１４が封入された構成となっている。第１基板１１及び第２基板１２は、ガラスや石英、プラスティック等の光透過性を有する板状部材である。なお、実際には、第１基板１１及び第２基板１２の外側（液晶１４とは反対側）の表面に、入射光を変更させるための偏光板や位相差板等が貼着されるが、本発明の内容とは直接の関係がないため、その図示及び説明を省略する。
【００３３】
第１基板１１の内側（液晶１４側）の表面には、マトリクス状に配列する複数の画素電極１１１と、各画素電極１１１の間隙部分において画面のＹ方向（図１における紙面垂直方向）に延在する複数の信号電極１１２とが形成されている。各画素電極１１１は、例えばＩＴＯ等の透明導電材料により形成される。
【００３４】
各画素電極１１１と、当該画素電極１１１に隣接する信号電極１１２とは、ＴＦＤ１１３（図１においては図示省略）を介して接続されている。各ＴＦＤ１１３は、非線形な電流−電圧特性を有する二端子型スイッチング素子であり、ＭＩＭ構造を有する。画素電極１１１、信号電極１１２及びＴＦＤ１１３が形成された第１基板１１の表面は、配向膜１１４によって覆われている。配向膜１１４は、ポリイミド等の有機薄膜であり、電圧が印加されていないときの液晶１４の配向方向を規定するためのラビング処理が施されている。
【００３５】
一方、第２基板１２の内側（液晶１４側）の表面には、カラーフィルタ１２２（１２２Ｒ、１２２Ｇ及び１２２Ｂ）、遮光層１２３、金属膜１２１、オーバーコート層１２４、複数の走査電極１２５及び上記配向膜１１４と同様の配向膜１２６が形成されている。各走査電極１２５は、ＩＴＯ等の透明導電材料によってオーバーコート層１２４の表面に形成された帯状の電極である。各走査電極１２５は、上述した信号電極１１２と交差する方向（図１における左右方向）に延在し、第１基板１１上に行をなす複数の画素電極１１１と対向するようになっている。
【００３６】
カラーフィルタ１２２（１２２Ｒ、１２２Ｇ及び１２２Ｂ）は、第２基板１２上に樹脂材料によって形成された層であり、染料や顔料によってＲ（赤色）、Ｇ（緑色）及びＢ（青色）のうちのいずれかに着色されている。図１及び図２においては、同一列の画素に同一色のカラーフィルタ１２２を配置する、いわゆるストライプ配列を採用した場合が例示されている。
【００３７】
遮光層１２３は、マトリクス状に配列された各画素の間隙部分、つまり、画素電極１１１と走査電極１２５とが対向する領域以外の領域を覆うように格子状に形成され、各画素間の隙間を遮光して表示画像のコントラストを向上させる役割を担っている。なお、例えば、遮光層１２３は、カーボンブラックや顔料といった黒色着色剤を含む樹脂材料によって形成されている。
【００３８】
ここで、遮光層１２３は、第２基板１２の面上にカラーフィルタ１２２が形成された後に、当該カラーフィルタ１２２の面上に形成されるようになっている。したがって、遮光層１２３は、図１及び図２に示すように、カラーフィルタ１２２よりも第１基板１１側に位置する。
【００３９】
本実施の形態においては、遮光層１２３上には、金属膜１２１（図２の斜線部）が形成されている。即ち、金属膜１２１は画素電極１１１と走査電極１２５とが対向する領域以外の領域を覆うように格子状に形成される。即ち、平面的に見れば、図２に示すように、第２基板１２側においては、走査電極１２５及び金属膜１２１による金属材料が全面に形成されている。
【００４０】
第１基板１１上の信号電極１１２は、画素電極１１１相互間にストライプ状に形成されており、金属膜１２１を形成したことで、信号電極１１２に対向する位置には、走査電極１２５又は金属膜１２１のいずれかが必ず存在する。金属膜１２１は、図示しない所定の固定電位点に接続されるようになっている。
【００４１】
オーバーコート層１２４は、アクリル樹脂やエポキシ樹脂等により形成された層である。このオーバーコート層１２４は、カラーフィルタ１２２及び遮光層１２３によって第２基板１２上に形成された凹凸を平坦化するとともに、カラーフィルタ１２２及び遮光層１２３から有機材料が染み出して液晶１４を劣化させるのを防ぐ役割を担っている。
【００４２】
行方向に配列された信号電極１１２は、各行の各画素電極１１１に与える画像信号を伝送する。各ラインの走査電極１２５には、ＴＦＤ１１３をオンにする駆動電圧が順次供給されて、この駆動電圧によって、各ラインの全ＴＦＤ１１３がオンとなる。信号電極１１２を介して伝送された画像信号がＴＦＤ１１３を介して画素電極１１１に書込まれる。こうして、第１基板１１上の画素電極１１１と、これに対向する走査電極１２５との間に電圧が印加されることになり、両電極によって挟まれた液晶１４の配向状態が画像信号に応じて変化して、光の透過率が変化して画像表示が行われる。
【００４３】
次に、図３の工程図を参照して図１及び図２に示す液晶装置の製造方法について説明する。図３（ａ）乃至（ｈ）は製造方法を工程順に示している。
【００４４】
先ず、図３（ａ）にガラス基板等の第２基板１２の一方の表面に、染料または顔料によって赤色、緑色または青色のうちのいずれかに着色された（図３（ｂ）においては赤色）樹脂材料を、塗布・平坦化して着色樹脂層３２を形成する（図３（ｂ））。なお、樹脂材料としては光硬化性を有するアクリル樹脂を用いる。
【００４５】
次に、図３（ｂ）に示すように、この着色樹脂層３２を、当該着色樹脂層３２の色に対応したカラーフィルタ１２２が形成されるべき領域に開口部３１ａを有するマスク３１によって覆うとともに、このマスク３１を介して着色樹脂層３２に紫外線を照射する。この結果、着色樹脂層３２のうちマスク３１によって覆われていない部分に選択的に紫外線が照射されて硬化する。この後、この着色樹脂層３２に対して現像を施すことにより、図３（ｃ）に示すように、赤色のカラーフィルタ１２２Ｒが形成される。次に、図３（ｂ）及び（ｃ）に示した処理を、他の色（緑色及び青色）についても同様に行う。これにより、図３（ｄ）に示すように、第２基板１２の面上にＲ、Ｇ、Ｂの各色に対応するカラーフィルタ１２２Ｒ、１２２Ｇ及び１２２Ｂが形成される。
【００４６】
次に、カーボンブラックによって黒色に着色された樹脂材料を、カラーフィルタ１２２が形成された第２基板１２の表面に塗布・平坦化して黒色樹脂層３３を形成する（図３（ｅ））。例えば、樹脂材料として光硬化性を有するアクリル樹脂を用いる。次に、この黒色樹脂層３３をマスク３４によって覆う。このマスク３４には、黒色樹脂層３３のうち遮光層１２３となるべき領域に対応して開口部３４ａが形成されている。
【００４７】
次いで、図３（ｅ）に示すように、マスク３４を介して黒色樹脂層３３に紫外線を照射する。この結果、黒色樹脂層３３のうちマスク３４の開口部３４ａに対応する部分に選択的に紫外線が照射されて硬化する。この後、黒色樹脂層３３に対して現像を施し、紫外線が照射されていない部分を除去することにより、図３（ｆ）に示すように、各画素の間隙部分に対応する格子状の遮光層１２３が形成される。
【００４８】
次に、本実施の形態においては、カラーフィルタ１２２及び遮光層１２３上に金属膜１２１を形成する。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、平面的には遮光膜１２３上に重なるように、格子状の金属膜１２１を形成する（図３（ｇ））。
【００４９】
次に、上記のようにして形成されたカラーフィルタ１２２、遮光層１２３及び金属膜１２１を覆うようにアクリル樹脂やエポキシ樹脂等を塗布し、オーバーコート層１２４を形成する。次に、図３（ｈ）に示すように、このオーバーコート層１２４の表面にＩＴＯを用いて走査電極１２５を形成するとともに、ポリイミド等の配向膜１２６を形成してラビング処理を施す。
【００５０】
一方、第１基板１１の表面に、画素電極１１１、信号電極１１２及びＴＦＤ１１３を形成する。これらの各部は、公知の各種方法を用いて形成することができるためその説明を省略する。次に、図３の工程により得られた第２基板１２上に、第２基板１２の縁部を囲む枠状のシール材１３を印刷するとともに、第２基板１２と、画素電極１１１等が形成された第１基板１１とをシール材１３を介して接合する。この後、両基板間に液晶１４を封入するとともに、両基板の外側表面に偏光板や位相差板を貼着することにより、図１及び図２に示した液晶装置１を得る。
【００５１】
図４は本実施の形態において生じるリーク電流を説明するための説明図である。図４は図２のＣ方向から見て、画素電極１１１、信号電極１１２、走査電極１２５及び金属膜１２１の位置関係を示している。
【００５２】
第１基板１１においては、信号電極１１２は、画面のＹ方向に延設されており、走査線方向には延びていない。信号電極１１２はＹ方向の全域に形成されており、画素電極１１１は、各行毎に所定の間隔を有して形成されている。一方、第２基板１２においては、走査電極１２５は、画素電極１１１上に形成されており、各行毎に所定の間隔を有する。従って、走査電極１２５同士の隙間部分において、信号電極１１２は走査電極１２５に対向していない。
【００５３】
本実施の形態においては、第２基板１２上において、走査電極１２５同士の隙間部分に、金属膜１２１を形成している。従って、信号電極１１２の全ての領域に対向して、走査電極１２５又は金属膜１２１が配置される。
【００５４】
従って、図４に示すように、走査電極１２５相互間の隙間部分においても、信号電極１１２からのリーク電流は、対向配置された金属膜１２１に向かって進行する（図４の矢印）。従って、信号電極１１２がＭＩＭ構造を有することによって生じるリーク電流によっても、横電界の発生が抑制される。
【００５５】
このように本実施の形態においては、第２基板上に形成された格子状の遮光膜上に金属膜を形成することで、走査電極相互間の隙間部分に金属材料を配置している。これにより、第１基板上の信号電極に対向する第２基板には、平面的に見ると、走査電極及び金属膜による金属材料が全面に形成されたことになり、信号電極からのリーク電流は対向配置された走査電極又は金属膜に進行するので、横電界の発生を抑制することができる。これにより、画素電極縁辺部において、液晶の配向不良が発生することを防止することができ、コントラスト比を向上させて鮮明な高画質の画像を表示することができる。
【００５６】
なお、上記実施の形態においては、格子状の遮光膜１２３上の全域に金属膜１２１を形成するものとして説明したが、上述したように、金属膜は、走査電極相互間の隙間部分で、且つ信号電極１１２に対向する部分、即ち、上下左右に隣接する４つの画素電極同士の隙間部分にのみ形成すればよい。
【００５７】
図５は格子状の遮光膜１２３のうち、走査電極１２５相互間の隙間部分上にのみ金属膜１３１を形成した例を示している。金属膜１３１は、所定の固定電位点に接続される。図５の例においても、信号電極１１２からのリーク電流は対向する走査電極１２５又は金属膜１３１にのみ進行し、横電界が発生することを防止することができる。
【００５８】
また、図５の例では、ストライプ状の金属膜１３１を１行分連続的に形成する例を示したが、金属膜１３１に固定電位を供給することができれば、金属膜１３１を分断して設けてもよい。例えば、行方向の中央で２分して、基板の両端で固定電位に接続するようにしてもよいことは明らかである。
【００５９】
更に、格子状の遮光膜１２３のうち、信号電極１１２に沿った第２基板上にのみ金属膜を形成するようにしてもよいことは明らかである。この場合にも金属膜を所定の固定電位点に接続すればよい。
【００６０】
遮光膜上に形成する金属膜の形状によっては、固定電位の与え方として種々の方法が考えられる。例えば、図１及び図２に示す金属膜１２１においては、全ての金属膜１２１が共通接続されており、画面上の全ての位置において、信号電極に対向する金属膜１２１は共通の固定電位が印加されている。これに対し、信号電極の位置に応じて金属膜の固定電位を切換えることも考えられる。この場合には、例えば、図５の例のように、金属膜を電気的に分離された形状に構成すればよい。
【００６１】
なお、上記実施の形態においては、カラーフィルタを備えてカラー表示が可能な装置について説明したが、カラーフィルタを有していない液晶装置においても同様に適用可能である。また、透過型の液晶装置に適用した例について説明したが、反射型の液晶装置や半透過型の液晶装置にも適用可能であることは明らかである。
【００６２】
図６は本発明の第２の実施の形態に係る電子機器を示す斜視図であり、上記実施の形態に係る液晶装置を電子機器に適用した例を示している。
【００６３】
（１）モバイル型コンピュータ
まず、本発明に係る液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータの表示部に適用した例について説明する。図６（ａ）は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ４１は、キーボード４１１を備えた本体部４１２と、本発明に係る液晶装置を用いた表示部４１３とを備えている。この場合、外光が十分に存在しない状況下であっても表示の視認性を確保すべく、背面側にバックライトを備えた液晶装置を用いることが望ましい。
【００６４】
（２）携帯電話機
次に、本発明に係る液晶装置を、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図６（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機４２は、複数の操作ボタン４２１のほか、受話口４２２、送話口４２３とともに、本発明に係る液晶装置を用いた表示部４２４を備えている。
【００６５】
なお、本発明に係る液晶装置を適用可能な電子機器としては、図６（ａ）に示したパーソナルコンピュータや同図（ｂ）に示した携帯電話機のほかにも、液晶テレビや、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器などが挙げられる。上述したように、本発明に係る液晶装置によれば、横電界による悪影響を軽減することができ、この液晶装置を用いた電子機器においては、コントラス比が高く、鮮明な画像を表示することができる。
【００６６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、信号電極からリーク電流が発生した場合でも、横電界を減少させることを可能にすることにより、充分なコントラスト比を得て画質を向上させることができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る液晶装置の構成を示す断面図。
【図２】液晶装置の要部を拡大して示す斜視図。
【図３】第１の実施の形態の液晶装置の製造方法を工程順に示す工程図。
【図４】本実施の形態において生じるリーク電流を説明するための説明図。
【図５】変形例を示す斜視図。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る電子機器を示す斜視図。
【図７】ＴＦＤを用いた液晶装置の電極の構成を示す説明図。
【図８】従来例の問題点を説明するための説明図。
【符号の説明】
１……液晶装置
１１……第１基板
１１１……画素電極
１１２……信号電極
１１３……ＴＦＤ
１１４，１２６……配向膜
１２……第２基板
１２１……金属膜
１２２，１２２Ｒ，１２２Ｇ，１２２Ｂ……カラーフィルタ
１２３……遮光層
１２４……オーバーコート層
１２５……走査電極
１３……シール材
１４……液晶
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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