(57)【要約】【課題】鉱物系原料もしくは窯業系原料のいずれか一方又は両方、さらにはセラミック製品に対し、これらより発生するマイナスイオンの量を増加させるマイナスイオン発生セラミック物質の製法を提供する。【解決手段】ウラン元素又はウラン系列核種あるいはトリウム元素又はトリウム系列核種の少なくともいずれかが含有される原料鉱石を１種類以上とする鉱物系原料と、窯業系原料に対し、前記鉱物系原料もしくは窯業系原料のいずれか一方又は両方を水中に浸漬した後、通電する電磁気処理を行い、これら粉砕、焼成等の加工処理を行う。または、前記鉱物系原料及び窯業系原料を粉砕、焼成等の加工することにより得たセラミック物質に対し、当該セラミック物質を水中に浸漬した後、通電する電磁気処理を行う。【選択図】        図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウラン元素又はウラン系列核種あるいはトリウム元素又はトリウム系列核種の少なくともいずれかが含有される原料鉱石を１種類以上とする鉱物系原料と、窯業系原料とを加えたマイナスイオン発生セラミック物質であって、
前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方を水中に浸漬した後、直流電圧を通電する電磁気処理を行うことを特徴とするマイナスイオン発生セラミック物質の製法。
【請求項２】
ウラン元素又はウラン系列核種あるいはトリウム元素又はトリウム系列核種の少なくともいずれかが含有される原料鉱石を１種類以上とする鉱物系原料と、窯業系原料とを加えたマイナスイオン発生セラミック物質であって、
前記鉱物系原料もしくは前記窯業系原料のいずれか一方を水中に浸漬した後、直流電圧を通電する電磁気処理を行うことを特徴とするマイナスイオン発生セラミック物質の製法。
【請求項３】
前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記両原料をともに混合し、粉砕する工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法。
【請求項４】
前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記両原料を混合し粉砕する工程と、前記粉砕後に焼成する工程と、前記焼成後に粉砕する工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法。
【請求項５】
前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記両原料を混合し粉砕する工程と、前記粉砕物を所定形状に造粒又は成型する工程と、前記造粒物又は成型物を焼成する工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法。
【請求項６】
前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記鉱物系原料を粉砕し、焼成する工程と、該焼成された鉱物系原料と前記窯業系原料とを混合し粉砕する工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法。
【請求項７】
前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記鉱物系原料を粉砕し、焼成する工程と、該焼成された鉱物系原料と前記窯業系原料とを混合し粉砕する工程と、前記粉砕後に焼成する工程と、前記焼成後に粉砕する工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法。
【請求項８】
前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記鉱物系原料を粉砕し、焼成する工程と、該焼成された鉱物系原料と前記窯業系原料とを混合し粉砕する工程と、前記粉砕物を所定形状に造粒又は成型する工程と、前記造粒物又は成型物を焼成する工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法。
【請求項９】
前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記両原料を混合し粉砕する工程と、前記粉砕後に当該混合粉砕物に対し、再度前記電磁気処理を行う工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法。
【請求項１０】
前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記両原料を混合し粉砕する工程と、前記粉砕後に焼成する工程と、前記焼成後に粉砕する工程を含み、少なくともいずれかの粉砕工程の後、再度当該粉砕物に対して前記電磁気処理を行う工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法。
【請求項１１】
前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記両原料を混合し粉砕する工程と、前記粉砕物を所定形状に造粒又は成型する工程と、前記造粒物又は成型物を焼成する工程とを含み、少なくともいずれかの前記粉砕後もしくは造粒又は成形後において、再度当該粉砕物もしくは造粒物又は成型物に対して前記電磁気処理を行う工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法。
【請求項１２】
前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記鉱物系原料を粉砕し、焼成する工程と、該焼成された鉱物系原料と、前記窯業系原料とを混合し粉砕する工程とを含み、少なくともいずれかの粉砕の後、再度当該粉砕物に対して前記電磁気処理を行う工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法。
【請求項１３】
前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記鉱物系原料を粉砕し、焼成する工程と、該焼成された鉱物系原料と、前記窯業系原料とを混合し粉砕する工程と、前記粉砕後に焼成する工程と、前記焼成後に粉砕する工程を含み、少なくともいずれかの粉砕の後、再度当該粉砕物に対して前記電磁気処理を行う工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法。
【請求項１４】
前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記鉱物系原料を粉砕し、焼成する工程と、前記焼成した鉱物系原料と、前記窯業系原料とを混合し粉砕する工程と、前記粉砕物を所定形状に造粒又は成型する工程と、前記造粒物又は成型物を焼成する工程を含み、少なくともいずれかの前記粉砕後もしくは造粒又は成形後において、再度当該粉砕物もしくは造粒物又は成型物に対して前記電磁気処理を行う工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法。
【請求項１５】
前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記両原料を混合し粉砕する工程と、前記粉砕物を所定形状に造粒又は成型する工程と、前記造粒物又は成型物を焼成する工程と、前記焼成した造粒物又は成型物に対して再度前記電磁気処理を行う工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法。
【請求項１６】
前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記鉱物系原料を粉砕し、焼成する工程と、前記焼成した鉱物系原料と、前記窯業系原料とを混合し粉砕する工程と、前記粉砕物を所定形状に造粒又は成型する工程と、前記造粒物又は成型物を焼成する工程と、前記焼成した造粒物又は成型物に対して再度前記電磁気処理を行う工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法。
【請求項１７】
前記窯業系原料には、酸化チタンが含まれることを特徴とする請求項１ないし１６のいずれか１項に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、マイナスイオン発生セラミック物質の製法に関し、特に原料物質、加工段階さらには完成したマイナスイオン発生セラミック物質に直流電圧を通電するマイナスイオン発生セラミック物質の製法である。
【０００２】
【従来の技術】
近年、マイナスイオンの働きについて、消臭、抗菌、防濁等の環境改善効果の他、疲労回復、免疫機能の向上等をはじめとする生理的機能の改善効果も報告され、とりわけ、関心が高まりつつある。
【０００３】
前記のマイナスイオンについて、その生成方法には、レナード効果を利用して水に衝撃を与える方法、空気放電等が知られている。これらの方法によると、水の処理に要する設備の増設やオゾンの発生等の不具合もみられる。このため近年では、安価かつ容易にマイナスイオンを生成させる方法として微量放射線の有するエネルギーの応用が主流となり、種々の天然鉱石が利用される傾向にある。前記種々の天然鉱石中には、極微量の放射性同位元素が含まれ、放射性壊変を行うことにより、α線，β線，γ線の天然放射線が常時放射される。前記の各放射線は、水又は空気中の水分子からＨ３Ｏ＋，ＯＨ−，・ＯＨ等の種々のラジカル様物質を生成することが知られ、直接マイナスイオンとして作用するものの他、他の分子に作用しマイナスイオンを発生させるものであると考えられる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
上記のとおり、放射性同位元素を含有する鉱石からは容易にマイナスイオンが得られるため、利用頻度が高まり多彩な製品が開発されている。とりわけ鉱石種にトルマリンを用いるものが多用されている。しかしながら、トルマリンそのものから放射される放射線量は極端に低く、単独でマイナスイオン生成に寄与する励起エネルギーは、ほとんどないことが報告されている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００５】
したがって、所望のマイナスイオン発生体を得ようとする場合、トルマリン以外の鉱石を使用しなければならず、より多くのマイナスイオンを得ようとすると、いきおい放射線量を高めることにつながり、安全管理上の相反が懸念される。そのため、モナザイト等の鉱石を用いつつ長石等のバインダーを適宜添加し、単位重量中の放射線量を抑制しながらマイナスイオンの発生量を高めた材料が報告されている（例えば、特許文献３参照。）。
【０００６】
しかるに、放射性同位元素を含有する各種鉱石中の天然放射線を利用し、マイナスイオンを発生させようとするものは、使用する鉱石種及びその産地により、放射線量のばらつきが大きく、各種鉱石を適宜加工し製品化する場合、製造工程中に放射性同位元素を含む成分が気散、分離するなどの欠損が生じるため、一定の放射線量を得ることが難しく、マイナスイオンの発生量の安定化が容易でなかった。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−１０２８６６号公報（第４，５頁）
【特許文献２】
特許３３０６７９０号公報（第２，３頁）
【特許文献３】
特許３０８５１８２号公報（第４−６頁）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
発明者らは、以前に開示した製法において、原料鉱石に対し、直流電圧を通電する電磁気処理を行うことにより、原料鉱石より得られるマイナスイオン発生量が増大することを発見した。
【０００９】
その後、各種原料鉱石に対して前記電磁気処理を行った結果、原料鉱石の種類によっては、マイナスイオン発生量の増加率に差が生じることを明らかにした。この結果を踏まえ、発明者らは鋭意検討を行い、原料鉱石中に含有されるシリカ成分（ＳｉＯ２）が多い原料鉱石と少ない原料鉱石との間にマイナスイオン発生量の増加率に差が生じることを見いだした。さらに、原料鉱石に添加される長石等のバインダーとして用いられる窯業系原料に対しても前記電磁気処理を行った結果、非処理の窯業系原料との間において、マイナスイオン発生量の増加率に有意差を確認することができた。
【００１０】
本発明は前記の点に鑑みなされたものであり、原料物質段階、加工段階さらには完成したマイナスイオン発生セラミック物質に直流電圧を通電する電磁気処理を行い、原料物質由来の放射線量を抑制しながらもマイナスイオンの発生量を安定化かつ増加させるマイナスイオン発生セラミック物質の製法をここに提案するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
すなわち、請求項１の発明は、ウラン元素又はウラン系列核種あるいはトリウム元素又はトリウム系列核種の少なくともいずれかが含有される原料鉱石を１種類以上とする鉱物系原料と、窯業系原料とを加えたマイナスイオン発生セラミック物質であって、前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方を水中に浸漬した後、直流電圧を通電する電磁気処理を行うことを特徴とするマイナスイオン発生セラミック物質の製法に係る。
【００１２】
請求項２の発明は、ウラン元素又はウラン系列核種あるいはトリウム元素又はトリウム系列核種の少なくともいずれかが含有される原料鉱石を１種類以上とする鉱物系原料と、窯業系原料とを加えたマイナスイオン発生セラミック物質であって、前記鉱物系原料もしくは前記窯業系原料のいずれか一方を水中に浸漬した後、直流電圧を通電する電磁気処理を行うことを特徴とするマイナスイオン発生セラミック物質の製法に係る。
【００１３】
請求項３の発明は、前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記両原料をともに混合し、粉砕する工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法に係る。
【００１４】
請求項４の発明は、前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記両原料を混合し粉砕する工程と、前記粉砕後に焼成する工程と、前記焼成後に粉砕する工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法に係る。
【００１５】
請求項５の発明は、前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記両原料を混合し粉砕する工程と、前記粉砕物を所定形状に造粒又は成型する工程と、前記造粒物又は成型物を焼成する工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法に係る。
【００１６】
請求項６の発明は、前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記鉱物系原料を粉砕し、焼成する工程と、該焼成された鉱物系原料と前記窯業系原料とを混合し粉砕する工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法に係る。
【００１７】
請求項７の発明は、前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記鉱物系原料を粉砕し、焼成する工程と、該焼成された鉱物系原料と前記窯業系原料とを混合し粉砕する工程と、前記粉砕後に焼成する工程と、前記焼成後に粉砕する工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法に係る。
【００１８】
請求項８の発明は、前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記鉱物系原料を粉砕し、焼成する工程と、該焼成された鉱物系原料と前記窯業系原料とを混合し粉砕する工程と、前記粉砕物を所定形状に造粒又は成型する工程と、前記造粒物又は成型物を焼成する工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法に係る。
【００１９】
請求項９の発明は、前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記両原料を混合し粉砕する工程と、前記粉砕後に当該混合粉砕物に対し、再度前記電磁気処理を行う工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法に係る。
【００２０】
請求項１０の発明は、前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記両原料を混合し粉砕する工程と、前記粉砕後に焼成する工程と、前記焼成後に粉砕する工程を含み、少なくともいずれかの粉砕工程の後、再度当該粉砕物に対して前記電磁気処理を行う工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法に係る。
【００２１】
請求項１１の発明は、前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記両原料を混合し粉砕する工程と、前記粉砕物を所定形状に造粒又は成型する工程と、前記造粒物又は成型物を焼成する工程とを含み、少なくともいずれかの前記粉砕後もしくは造粒又は成形後において、再度当該粉砕物もしくは造粒物又は成型物に対して前記電磁気処理を行う工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法に係る。
【００２２】
請求項１２の発明は、前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記鉱物系原料を粉砕し、焼成する工程と、該焼成された鉱物系原料と、前記窯業系原料とを混合し粉砕する工程とを含み、少なくともいずれかの粉砕の後、再度当該粉砕物に対して前記電磁気処理を行う工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法に係る。
【００２３】
請求項１３の発明は、前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記鉱物系原料を粉砕し、焼成する工程と、該焼成された鉱物系原料と、前記窯業系原料とを混合し粉砕する工程と、前記粉砕後に焼成する工程と、前記焼成後に粉砕する工程を含み、少なくともいずれかの粉砕の後、再度当該粉砕物に対して前記電磁気処理を行う工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法に係る。
【００２４】
請求項１４の発明は、前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記鉱物系原料を粉砕し、焼成する工程と、前記焼成した鉱物系原料と、前記窯業系原料とを混合し粉砕する工程と、前記粉砕物を所定形状に造粒又は成型する工程と、前記造粒物又は成型物を焼成する工程を含み、少なくともいずれかの前記粉砕後もしくは造粒又は成形後において、再度当該粉砕物もしくは造粒物又は成型物に対して前記電磁気処理を行う工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法に係る。
【００２５】
請求項１５の発明は、前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記両原料を混合し粉砕する工程と、前記粉砕物を所定形状に造粒又は成型する工程と、前記造粒物又は成型物を焼成する工程と、前記焼成した造粒物又は成型物に対して再度前記電磁気処理を行う工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法に係る。
【００２６】
請求項１６の発明は、前記電磁気処理を前記鉱物系原料及び前記窯業系原料の両方あるいはいずれか一方に対して行った後、前記鉱物系原料を粉砕し、焼成する工程と、前記焼成した鉱物系原料と、前記窯業系原料とを混合し粉砕する工程と、前記粉砕物を所定形状に造粒又は成型する工程と、前記造粒物又は成型物を焼成する工程と、前記焼成した造粒物又は成型物に対して再度前記電磁気処理を行う工程を含む請求項１又は２に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法に係る。
【００２７】
請求項１７の発明は、前記窯業系原料には、酸化チタンが含まれることを特徴とする請求項１ないし１６のいずれか１項に記載のマイナスイオン発生セラミック物質の製法に係る。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下添付の図面に従って本発明を詳細に説明する。
図１は本発明の原料鉱石の選鉱プロセスを示す第一概略図、図２は本発明の原料鉱石の選鉱プロセスを示す第二概略図、図３は本発明の電磁気処理に用いる電磁気処理装置の斜視図、図４は図３の２−２線の位置で切断した状態の断面図である。
【００２９】
本発明において、ウラン元素又はウラン系列核種あるいはトリウム元素又はトリウム系列核種の少なくともいずれかが含有される原料鉱石とは、ウラン元素又はトリウム元素の各種化合物を含有する鉱石の他、ウラン元素又はトリウム元素から放射性壊変を伴い生じた元素（化合物を含む）を含有する鉱石であり、含有される種類はいずれか１種又は複数種を問わない。ウラン系列核種は、２３８Ｕを親核種とし、２２６Ｒａ、２１４Ｐｂ、２１４Ｂｉ等を経た後、２０６Ｐｂに至る放射性崩壊を行う一連の核種であり、トリウム系列核種は、２３２Ｔｈを親核種とし、２２８Ａｃ、２１２Ｐｂ、２０８Ｔｌ、２１２Ｂｉ等を経た後、２０８Ｐｂに至る放射性崩壊を行う一連の核種である。このようにウラン元素又ウラン系列核種あるいはトリウム元素又はトリウム系列核種に含まれる各元素が１種類もしくは２種類以上が含有される原料鉱石であり、当該原料鉱石を１種類又は２種類以上を組み合わせたものが鉱物系原料である。なお、ウラン元素には、２３８Ｕに加え、他の同位体を含むものである。
【００３０】
前記ウラン元素又ウラン系列核種あるいはトリウム元素又はトリウム系列核種の少なくともいずれかが含有される原料鉱石は、「原子力委員会月報  昭和３１年  第１巻第６号」等によると、少なくとも１００種類以上が知られている。下記の表１には、ウラン元素又はトリウム元素の各種化合物を含有する鉱石のうち主要なものを原料番号１〜３９として明記する。表１において、各原料鉱石中のウラン元素又はトリウム元素は、ウラン元素、トリウム元素の酸化物（Ｕ２Ｏ８，ＴｈＯ２）として概ね表記の範囲内で当該鉱石に含有される。
【００３１】
【表１】
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【００３２】
表１に記載の原料鉱石において、ウラン，トリウム成分の含有量、入手容易性及び保管設備等を考慮し、デーヴィッド石（５）、ユーゼン石（６）、フェルグソン石（７）、石川石（８）、ポリクレース（９）、パイロクロア（１０）、サマルスキー石（１１）、トロゴム石（１９）、ラウヴ石（３１）、イットロクラサイト（３４）、ジッケル鉱（３５）、褐れん石（３６）、苗木石（３７）が好適であり、後述の実施例の鉱物系原料に挙げられる。
【００３３】
前出の鉱物系原料に加え、図１に示す選鉱プロセスにより分離されるもの及び図２の選鉱プロセスに用いられる原料番号５１〜６３のヘビーミネラルコンセントレイト（重砂）、ダーティジルコン、スタンダードジルコン、ピュアジルコン、プライムジルコン、モナザイト原砂、イットリュウム原砂（ゼノタイム）、イルメナイト中間品、バテライト、ジルコニア、バストネサイト、セリウム鉱石、ランタン鉱石が後述の実施例に挙げられる。
【００３４】
図１において、出発原料であるヘビーミネラルコンセントレイト（重砂）（５１）は、オーストラリア、南アフリカ、ブラジル、インド、ロシア、ウクライナ、ベトナム、アメリカ合衆国、マレーシア、インドネシア、中国等の産地より、主に酸性火成岩が風化して堆積した漂砂鉱床からジルコンサンドとして産出する。特に東南アジアでは、錫やセリサイト、金を採取した後の重砂（アマン）に含まれるものである。前記ヘビーミネラルコンセントレイト（５１）からは、磁力選鉱及び静電選鉱を経ることによりルチルが分離されダーティジルコン（５２）が得られる。このとき磁性を持つ鉱石はイルメナイト中間品（５８）として分離され、スタンダードジルコン（５３）が得られる。さらに静電選鉱を経ることによりピュアジルコン（５４）とモナザイト原砂（５６）が得られる。モナザイト原砂（５６）から適宜選鉱を経た後、イットリュウム原砂（ゼノタイム）（５７）が得られる。前記ピュアジルコン（５４）からは、酸洗い及び磁力選鉱を経ることによりプライムジルコン（５５）が得られ、さらにジルコニウムの組成比率を高めたものがバテライト（５９）及びジルコニア（６０）である。
【００３５】
図２に示す、バストネサイト（６１）は、主にアメリカ合衆国、中国等のカーボナイト鉱床から、鉄、チタン、錫、ウラン、トリウム等を採掘した際の副産物として得られるものである。バストネサイト（６１）をさらに選鉱することにより、セリウムに富むセリウム鉱石（６２）とランタンに富むランタン鉱石（６３）が得られる。
【００３６】
原料鉱石５１〜６３は、以下の表２及び表３に記載の成分より組成される。表中において、数値は単位重量あたりの重量パーセントを表す。なお、上記原料鉱石５１〜６３の組成成分は、理学電気工業株式会社製の蛍光Ｘ線分析装置（ＲＩＸ３０００）により分析されたものである。
【００３７】
【表２】
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【００３８】
【表３】
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【００３９】
図１に示す選鉱プロセスにおいて、鉱山から産出される原料鉱石の純度・含有量の他、選鉱精度（例えば、選鉱時の磁力の強さ、選鉱の回数等）が大きく異なるため、原料鉱石５１〜６３の組成成分は、必ずしも表２及び表３に示す組成分布に拘泥されるものではない。なお、表１中のジルコン（１３）はダーティジルコン（５３）、ゼノタイム（１２）はイットリュウム原砂（ゼノタイム）（５７）、モナザイト（３９）はモナザイト原砂（５６）に相当するものである。
【００４０】
本発明に用いられる窯業系原料とは、主に後述の粉砕、焼成、造粒・成型の工程において、粉砕中の鉱物成分の分離を防ぐ目的の他、焼成時の鉱物系原料の焼結及び固着性を高めるものである。そこで、融着性、耐火温度を考慮し、シリカ成分（ＳｉＯ２）を含む以下の原料の中から必要に応じて適宜選択され、前記鉱物系原料とともに加工されることにより、マイナスイオン発生セラミック物質が製造される。
【００４１】
前記窯業系原料は、珪酸質原料（珪石、珪砂、珪藻土）、長石質原料（カリ長石（ＫＡｌＳｉ３Ｏ８）、ソーダ長石（ＮａＡｌＳｉ３Ｏ８）、灰長石（ＣａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８））、粘土質原料（カオリン、耐火粘土、木節粘土、蛙目粘土、陶石、セリサイト、モンモリロナイト、ベントナイト、ろう石）、石灰質及びマグネシア原料（石灰、ドロマイト、タルク、かんらん石、蛇紋岩）、ガラス原料（ガラス、フリット）、その他（パーライト、しらす、沸石、珪灰石、アルミナ質原料、酸化チタン）等であり、適宜の種類、配合比のもと、前記鉱物系原料に添加される。前出の中から主要な窯業系原料の組成成分を原料番号１０１〜１０９として表４及び表５に示す。なお、前記原料番号１０１〜１０９の窯業系原料の組成成分は、鉱物系原料と同様に理学電気工業株式会社製の蛍光Ｘ線分析装置（ＲＩＸ３０００）により分析されたものである。
【００４２】
【表４】
2004331483.tif 000006
【００４３】
【表５】
2004331483.tif 000007
【００４４】
上記珪酸質原料において、シリカ成分（ＳｉＯ２）は、概ね９０重量％以上含有され、長石質原料及び粘土質原料において、同成分は、概ね５０〜８０重量％含有される。なお、上記の窯業系原料の大半は天然物であるため、鉄、マグネシウム等をはじめとする各種金属（化合物）が極微量含有される。
【００４５】
また、前出の窯業系原料には、請求項１７に規定するように、酸化チタン（ＴｉＯ２）が含まれる場合がある。前記酸化チタン（ＴｉＯ２）は、太陽光に含まれる紫外線等の照射により光触媒としての機能を発揮し、消臭、抗菌、防濁等の種々の分野において強力な効果を発現することが知られている。このため、窯業系原料中に添加することにより、前述の衛生効果を高める上で好ましい。なお、酸化チタン（ＴｉＯ２）には、ルチル、アナターゼ、ブルッカイトの３つの多形が存在すると言われる。
【００４６】
本発明において、電磁気処理は、前記鉱物系原料、窯業系原料のいずれか一方もしくは両方、または加工段階の加工途中品、さらには完成したマイナスイオン発生セラミック物質を絶縁製の容器あるいはタンクに投入後、前記の原料、加工途中品、製品等が完全に埋没するように注水して浸漬する。続いて水中に浸漬する原料（加工途中品、セラミック物質製品を含む）に対し、直流電圧を通電する処理である。このように電圧の通電（電磁気処理）を行うことにより、被処理物（鉱物系原料，窯業系原料，加工途中品，セラミック物質製品）から発せられるマイナスイオン量を増加させようとする処理である。なお、電磁気処理は、必ずしも使用する鉱物系原料の全量、窯業系原料の全量に行うものではない。後述する図９のように窯業系原料をその種類に応じ複数回に分けて混合する場合などは、ある混合時の窯業系原料にのみ電磁気処理を行うだけでもよい。また、窯業系原料が酸化チタンを含む場合は、酸化チタン以外の原料に電磁気処理を行うものである。
【００４７】
前記電磁気処理について、図３を用い詳述する。電磁気処理装置１０は、ポリプロピレン等の絶縁性樹脂容器１５に、絶縁性の支持材１７により固定された陽極側電極板１３と陰極側電極板１４を挿入し、トランス１６と両極の電極板１３，１４を配線１８により接続したものである。トランス１６は、交流１００Ｖ等の交流電圧を適宜の直流電圧（後述の実施例においては１６Ｖの直流電圧）に変圧するものである。陽極側電極板１３にはトランス１６の正極が接続され、陰極側電極板１４には負極が接続される。
【００４８】
絶縁性樹脂容器１５に鉱物系原料又は窯業系原料のいずれか一方もしくは両方、加工途中品、さらにはセラミック物質製品を投入後、被処理物を完全に埋没させるように注水し浸漬する。続いて絶縁性樹脂容器１５内の被処理物及び水に対し、トランス１６により変圧された直流電圧を通電して電磁気処理を行う。所定時間通電後に排水し、被処理物を適宜乾燥して後述の加工、乾燥、出荷等に供する。
【００４９】
前記電磁気処理に際し、直流電圧の通電は後述の実施例から明らかなように８ないし７２時間行われ、対象物（鉱物系原料，窯業系原料，加工途中品，セラミック物質製品）のマイナスイオン発生量を増加させるものである。発明者らの実験によると、電磁気処理を行う対象の質量、電圧によっても電磁気処理時間は異なるため、マイナスイオン発生量の顕著な増加には、電磁気処理を行う対象の質量、電圧等を考慮して適切に設定される必要がある。
【００５０】
本発明のマイナスイオン発生セラミック物質を製造するにあたり、後述するピュアジルコンとバテライトの電磁気処理の実施例に示すとおり、発明者らは、鉱物系原料の種類によっては前記電磁気処理の効果、すなわちマイナスイオン発生量の増加率にばらつきが生じることを明らかにした。この結果より、前記電磁気処理の効果は、鉱物系原料の合計全重量に占めるシリカ成分（ＳｉＯ２）の存在比率の影響を受ける可能性があると推察される。またさらに、発明者らは、実施例に示すとおり窯業系原料についても鉱物系原料と同様の電磁気処理を行った結果、マイナスイオン発生量の増加率を確認した（後記表９）。すなわち、電磁気処理の効果が、発現し難い種類又は組成からなる鉱物系原料に対し、電磁気処理を行った窯業系原料を加えることにより、前記鉱物系原料のマイナスイオン発生量を補完し、増加させる作用が示唆される。
【００５１】
鉱物系原料として用いられる原料鉱石は、必ずしもどの種類の鉱石もシリカ成分（ＳｉＯ２）を十分量含有するものとは限らない。そのため、電磁気処理によりマイナスイオン発生量の高い増加率を期待すると、使用可能な原料鉱石の種類が限定されるため、原料調達に支障を来した場合の代替品不足に陥る。また、原料鉱石のうち、加工の容易性や放射線強度等は有望とされるものの、シリカ成分（ＳｉＯ２）を十分量含有しないために黙殺することにもなりかねない。そこで、シリカ成分（ＳｉＯ２）の含有量の低い原料鉱石からなる鉱物系原料に対しても配合される窯業系原料に電磁気処理を行うことによってマイナスイオン発生量の増加率を高め、マイナスイオン発生セラミック物質の製造に利用可能な鉱物種を拡張するものである。
【００５２】
前出の鉱物系原料に対する窯業系原料の配合比は、後述の粉砕、焼成、成型等の製法により製造されるマイナスイオン発生セラミック物質の利用目的、耐久性等を考慮し最適な珪石、長石等の窯業系原料が選択、配合される。さらに、鉱物系原料として用いられる原料鉱石の種類に応じて該原料鉱石に含有される放射性同位元素から放射される線量を勘案し、原子力基本法、核原料物質，核燃料物質及び原子炉の規制に関する法律をはじめとする各種の法律、政令、規則等における保管、取り扱い上の放射線強度を規制値以下（３７０Ｂｑ／ｇ以下、特にタイル等の生活用品に使用する塗料、建材中に配合する場合は７４Ｂｑ／ｇ以下）に希釈するように設定される。
【００５３】
図５の概略工程図を用い、鉱物系原料，窯業系原料に対し、原料段階において電磁気処理を行うマイナスイオン発生セラミック物質の製法について説明する。
【００５４】
図５（ａ）は、鉱物系原料及び窯業系原料の両方に対し、それぞれ電磁気処理を行うものである。すなわち、前記鉱物系原料を電磁気処理用の容器内で水中に浸漬し直流電圧の通電による電磁気処理を行う。また別途、前記窯業系原料も電磁気処理用の容器内で水中に浸漬し直流電圧の通電による電磁気処理を行う。前記電磁気処理を終えた鉱物系原料及び窯業系原料の両原料を用い、粉砕、焼成等の適宜の加工を行い製品Ｘを得るものである。原料となる鉱物系原料及び窯業系原料の両方ともに電磁気処理の効果が期待される場合に用いられる製法である。なお、前記鉱物系原料及び窯業系原料の両方を予め所定重量ずつ秤量した後、両原料を電磁気処理用の容器に投入し、一括して電磁気処理を行うことも可能である。前記製品Ｘの製法は、請求項１に規定するマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当するものである。
【００５５】
図５（ｂ）は、鉱物系原料のみ電磁気処理を行い、非電磁気処理の窯業系原料を添加し加工するものである。前述したとおり、鉱物系原料の合計全重量中に占めるＳｉＯ２の重量いかんによっては電磁気処理の効果に差が生じるため、鉱物系原料に対する効果がより期待される場合、前記鉱物系原料のみを電磁気処理用の容器内で水中に浸漬し直流電圧の通電による電磁気処理を行い、前記電磁気処理を終えた鉱物系原料に窯業系原料を添加し、粉砕、焼成等の適宜の加工を行い製品Ｙを得るものである。前記製品Ｙの製法は、請求項２に規定するマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当するものである。
【００５６】
図５（ｃ）は、窯業系原料のみ電磁気処理を行い、これを非電磁気処理の鉱物系原料に添加し加工するものである。前述より明らかなように、鉱物系原料の電磁気処理による効果が大きく求められない場合、前記窯業系原料を電磁気処理用の容器内で水中に浸漬し電圧の通電による電磁気処理を行う。前記電磁気処理を終えた窯業系原料を鉱物系原料に添加、粉砕、焼成等の適宜の加工を行い製品Ｚを得るものである。前記製品Ｚの製法も、請求項２に規定するマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当するものである。
【００５７】
上記図５（ａ）〜（ｃ）の製法に従う場合、鉱物系原料又は窯業系原料のいずれか一方又は両方を予め電磁気処理するため、該各原料の作り置きが可能となり、原料同士の配合比率を加工時に調整することができる。また、鉱物系原料及び窯業系原料の両方に電磁気処理を行う場合（図５（ａ）の場合）のみ、一括して１つの処理装置で電磁気処理が可能なため、単一配合比率の製品の量産に好適である。
【００５８】
図５（ａ）〜（ｃ）において示す製品Ｘ，製品Ｙ，製品Ｚに関し、これらを製造するための「加工」について、図６ないし図９に示す加工工程図を用い詳述する。
【００５９】
図６に示す加工工程図において、前記図５（ａ）の製品Ｘは、「製品ＡＸ」に相当するものである。鉱物系原料Ｍｍに対し、前出の図３等あるいは適宜電磁気処理設備（絶縁処理を施したタンク、水槽等）において、水中で直流電圧の通電による電磁気処理（Ｓ１０）が行われる。鉱物系原料は脱水後、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、４００℃の雰囲気下において乾燥（Ｓ１１）される。別途、窯業系原料Ｍｃに対しても同様に電磁気処理（Ｓ１２）が行われ、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、４００℃の雰囲気下において乾燥（Ｓ１３）される。電磁気処理の行われた両原料Ｍｍ及びＭｃは所定量ずつ計量され、ボールミル、振動ミル等の公知の粉砕手段を用い平均粒径を１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは２．５μｍ以下に粉砕（Ｓ１４）される。続いて公知の乾燥手段であるスプレードライヤー、フィルタープレス（脱水乾燥機）、デカンター（遠心分離脱水乾燥機）により乾燥（Ｓ１５）される。Ｓ１５の乾燥物は分級（Ｓ１６）において、エアセパレーター、サイクロン等の公知の分級機（クラシファイヤー）により均一の粒径に揃えられ、製品ＡＸが得られる。前記製品ＡＸの製法においては、所定量ずつ計量された鉱物系原料と窯業系原料とを一括して同時に電磁気処理することもできる。
【００６０】
図６に示す加工工程図において、前記図５（ｂ），（ｃ）の製品Ｙ，Ｚは、「製品ＡＹ，ＡＺ」に相当するものである。前記製品ＡＹ，ＡＺは、鉱物系原料又は窯業系原料のいずれか一方に電磁気処理を行うものである。製品ＡＹの加工にあっては、鉱物系原料Ｍｍに電磁気処理（Ｓ１０）が行われ、窯業系原料Ｍｃへの電磁気処理（Ｓ１２）は省略される。一方、製品ＡＺの加工にあっては、窯業系原料Ｍｃに電磁気処理（Ｓ１２）が行われ、鉱物系原料Ｍｍへの電磁気処理（Ｓ１０）は省略される。両製品ＡＹ，ＡＺとも、Ｓ１４の粉砕以降の処理は製品ＡＸと同様である。前記製品ＡＸ，ＡＹ，ＡＺの製法は、請求項３に規定するマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当するものである。
【００６１】
前記乾燥（Ｓ１１，Ｓ１６）は、鉱物系原料，窯業系原料に含まれる水分を蒸発させ、鉱物系原料同士又は鉱物系原料と窯業系原料との配合比率（重量％）を明確にするためである。以降の図に示す乾燥（Ｓ２１，Ｓ２３，Ｓ４１，Ｓ４９，Ｓ５１，Ｓ５３，Ｓ１０１，Ｓ１０３，Ｓ１１１，Ｓ１１３，Ｓ１３１，Ｓ１４１，Ｓ１５１，Ｓ１５３，Ｓ２０１，Ｓ２０３，Ｓ２１１，Ｓ２１３）も同目的によるものである。ただし、例えば図６中のＳ１０，Ｓ１２の電磁気処理後、ボールミル等により湿式で粉砕を行う場合は、鉱物系原料，窯業系原料の含水率を予め検査し、量を補正した電磁気処理済み鉱物系原料，窯業系原料をそのままボールミルに投入して粉砕できるため、Ｓ１１，Ｓ１３をはじめとする乾燥は省略可能である。一方、振動ミルを用いて乾式粉砕を行う場合には、いずれの原料とも乾燥が必要となる。また、加工により得られた製品の純度等により粉砕後の乾燥や分級まで求められないこともある。そのため、図６を含め、以降の図において、かっこ囲みの表記は必要に応じて行われ、適宜省略可能である。なお、鉱物系原料、窯業系原料の計量に際し、付着水を取り除くため予め乾燥しておくことが望ましい。
【００６２】
図７に示す加工工程図において、前記図５（ａ）の製品Ｘは、「製品ＢＸ」に相当するものである。鉱物系原料Ｍｍに対し、前出の図３等あるいは適宜電磁気処理設備において、水中で直流電圧の通電による電磁気処理（Ｓ２０）が行われ、脱水後、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、４００℃の雰囲気下において乾燥（Ｓ２１）される。別途、窯業系原料Ｍｃに対しても同様に電磁気処理（Ｓ２２）が行われ、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、４００℃の雰囲気下において乾燥（Ｓ２３）される。電磁気処理の行われた両原料Ｍｍ及びＭｃは所定量ずつ計量され、ボールミル、振動ミル等の公知の粉砕手段を用い平均粒径を１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは２．５μｍ以下に粉砕（Ｓ２４）される。続いて公知の乾燥手段であるスプレードライヤー等により乾燥（Ｓ２５）される。
【００６３】
前記Ｓ２４の粉砕ににより得られた粉砕物（Ｓ２５の乾燥を含む場合あり）は、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により１１００〜１５００℃、好ましくは、１１００〜１３５０℃の範囲において焼成（Ｓ２６）され、平均粒径を１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは２．５μｍ以下に粉砕（Ｓ２７）される。続いてスプレードライヤー等による乾燥（Ｓ２８）、前出の分級機（クラシファイヤー）による分級（Ｓ２９）が行われ、製品ＢＸが得られる。
【００６４】
図７に示す加工工程図において、前記図５（ｂ），（ｃ）の製品Ｙ，Ｚは、「製品ＢＹ，ＢＺ」に相当するものである。前記製品ＢＹ，ＢＺは、鉱物系原料又は窯業系原料のいずれか一方に電磁気処理を行うものである。製品ＢＹの加工にあっては、窯業系原料Ｍｃへの電磁気処理（Ｓ２２）は省略され、製品ＢＺの加工にあっては、鉱物系原料Ｍｍへの電磁気処理（Ｓ２０）は省略される。両製品ＢＹ，ＢＺとも、Ｓ２４の粉砕以降の処理は製品ＢＸと同様である。前記製品ＢＸ，ＢＹ，ＢＺの製法は、請求項４に規定するマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当するものである。
【００６５】
加えて、図７に示す加工工程図では、前記Ｓ２４の粉砕により得られた粉砕物（Ｓ２５の乾燥を含む場合あり）は、造粒・成型（Ｓ３０）において、適宜粒径の造粒物に造粒、あるいは平板状，ハニカム状等の各種形状の成型物に成形される。前記造粒には公知の造粒機あるいはプレス成型機が用いられ、前記成型には公知の成型機が用いられる。得られた造粒物，成型物は、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により１１００〜１５００℃、好ましくは、１１００〜１５００℃の範囲において焼成（Ｓ３１）され、製品ＣＸが得られる。これに対し、製品ＣＹ，ＣＺは、製品ＢＹ，ＢＺに述べたとおり鉱物系原料又は窯業系原料のいずれか一方に電磁気処理を行う以外は、製品ＣＸと同様の加工工程を経ることにより得られるものである。前記製品ＣＸ，ＣＹ，ＣＺの製法は、請求項５に規定するマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当するものである。
【００６６】
前記製品ＢＸ，ＣＸの製法においては、所定量ずつ計量された鉱物系原料と窯業系原料とを一括して同時に電磁気処理することもできる。なお特に、図７において窯業系原料Ｍｃに酸化チタン（アナターゼ）が含まれる場合、前記Ｓ２６及びＳ３１の焼成温度帯では酸化チタンがアナターゼからルチル化する。このようなルチル化を防ぐため、８００〜１１００℃、好ましくは８００〜１０００℃の範囲で焼成される。
【００６７】
図８に示す加工工程図において、前記図５（ａ）の製品Ｘは、「製品ＤＸ」に相当するものである。鉱物系原料Ｍｍに対し、前出の図３等あるいは適宜電磁気処理設備において、水中で直流電圧の通電による電磁気処理（Ｓ４０）が行われ、脱水後、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、４００℃の雰囲気下において乾燥（Ｓ４１）される。乾燥を経た鉱物系原料は、ボールミル、振動ミル等の公知の粉砕手段を用い平均粒径を１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは２．５μｍ以下に粉砕（Ｓ４２）され均一に混合され、スプレードライヤー等により乾燥（Ｓ４３）され、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により１１００〜１５００℃、好ましくは、１１００〜１３５０℃の範囲において焼成（Ｓ４４）される。窯業系原料Ｍｃに対しても同様に電磁気処理（Ｓ４８）が行われ、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、４００℃の雰囲気下において乾燥（Ｓ４９）される。
【００６８】
Ｓ４４の焼成を終えた鉱物系原料Ｍｍと電磁気処理を経た窯業系原料Ｍｃは所定量ずつ計量の後、平均粒径を１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは２．５μｍ以下に粉砕（Ｓ４５）され、均一に混合される。続いて公知の乾燥手段であるスプレードライヤー等により乾燥（Ｓ４６）され、前出の分級機（クラシファイヤー）による分級（Ｓ４７）が行われ、製品ＤＸが得られる。
【００６９】
図８に示す加工工程図において、前記図５（ｂ），（ｃ）の製品Ｙ，Ｚは、「製品ＤＹ，ＤＺ」に相当するものである。前記製品ＤＹ，ＤＺは、鉱物系原料又は窯業系原料のいずれか一方に電磁気処理を行うものである。製品ＤＹの加工にあっては、窯業系原料Ｍｃへの電磁気処理（Ｓ４８）は省略され、製品ＤＺの加工にあっては、鉱物系原料Ｍｍへの電磁気処理（Ｓ４０）は省略される。両製品ＤＹ，ＤＺとも、他の処理は製品ＤＸと同様の加工工程を経ることにより得られるものである。前記製品ＤＸ，ＤＹ，ＤＺの製法は、請求項６に規定するマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当するものである。
【００７０】
図９に示す加工工程図において、前記図５（ａ）の製品Ｘは、「製品ＥＸ」に相当するものである。鉱物系原料Ｍｍに対し、前出の図３等あるいは適宜電磁気処理設備において、水中で直流電圧の通電による電磁気処理（Ｓ５０）が行われ、脱水後、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、４００℃の雰囲気下において乾燥（Ｓ５１）される。窯業系原料Ｍｃに対しても同様に電磁気処理（Ｓ５２）が行われ、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、４００℃の雰囲気下において乾燥（Ｓ５３）される。
【００７１】
前記Ｓ５０の電磁気処理の行われた鉱物系原料（Ｓ５１の乾燥を含む場合あり）には、前記Ｓ５２の電磁気処理の行われた窯業系原料（Ｓ５３の乾燥を含む場合あり）の一部が添加され、ボールミル、振動ミル等の公知の粉砕手段を用い平均粒径を１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは２．５μｍ以下に粉砕（Ｓ５４）される。続いて前出の乾燥手段であるスプレードライヤー等による乾燥（Ｓ５５）が行われ、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により１１００〜１５００℃、好ましくは、１１００〜１３５０℃の範囲において焼成（Ｓ５６）される。
【００７２】
Ｓ５６の焼成を終えた焼成物に前記電磁気処理の行われた窯業系原料がさらに添加され、前出の粉砕手段により再度平均粒径を１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは２．５μｍ以下に粉砕（Ｓ５７）される。続いてスプレードライヤー等により乾燥（Ｓ５８）が行われ、再度前出の焼成手段により１１００〜１５００℃、好ましくは、１１００〜１３５０℃の範囲において焼成（Ｓ５９）される。そして、前出の粉砕手段により平均粒径を１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは２．５μｍ以下に粉砕（Ｓ６０）後、再びスプレードライヤー等により乾燥（Ｓ６１）され、前出の分級機（クラシファイヤー）による分級（Ｓ６２）が行われ、製品ＥＸが得られる。
【００７３】
図９に示す加工工程図において、前記図５（ｂ），（ｃ）の製品Ｙ，Ｚは、「製品ＥＹ，ＥＺ」に相当するものである。前記製品ＥＹ，ＥＺは、鉱物系原料又は窯業系原料のいずれか一方に電磁気処理を行うものである。製品ＥＹの加工にあっては、窯業系原料Ｍｃへの電磁気処理（Ｓ５２）は省略され、製品ＥＺの加工にあっては、鉱物系原料Ｍｍへの電磁気処理（Ｓ５０）は省略される。他の処理は製品ＥＸと同様の加工工程を経ることにより得られるものである。前記製品ＥＸ，ＥＹ，ＥＺの製法は、請求項７に規定するマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当するものである。
【００７４】
加えて、図９に示す加工工程図では、前記Ｓ５７の粉砕により得られた粉砕物（Ｓ５８の乾燥を含む場合あり）は、造粒・成型（Ｓ６３）において、適宜粒径の造粒物に造粒、あるいは平板状，ハニカム状等の各種形状の成型物に成形される。前記造粒には公知の造粒機あるいはプレス成型機が用いられ、前記成型には公知の成型機が用いられる。得られた造粒物，成型物は、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により１１００〜１５００℃、好ましくは、１１００〜１５００℃の範囲において焼成（Ｓ６４）され、製品ＦＸが得られる。これに対し、製品ＦＹ，ＦＺは、製品ＥＹ，ＥＺに述べたとおり鉱物系原料又は窯業系原料のいずれか一方に電磁気処理を行った以外は、製品ＦＸと同様の加工工程を経ることにより得られるものである。前記製品ＦＸ，ＦＹ，ＦＺの製法は、請求項８に規定するマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当するものである。
【００７５】
前記窯業系原料Ｍｃは、長石類（好ましくは新島長石あるいは、しらす長石）、ガラス、フリット類及び必要に応じて任意量配合された粘土類により構成される。特に図９の焼成（Ｓ５６）前にはこれらの中から長石類、ガラス、フリット類の一部が適宜添加される。前出の窯業系原料Ｍｃの一部は、鉱物系原料ＭｍとともにＳ５４において粉砕される。窯業系原料Ｍｃ中の長石類、ガラス、フリット類の一部を焼成前に予め添加することにより、焼成時の耐火温度を調節し、微量元素成分の揮発を抑制することが可能となる。
【００７６】
前出のＳ５６の焼成を終えた原料に対し、窯業系原料Ｍｃの残り（長石類、ガラス、フリット類、粘土類）が添加される。前出の窯業系原料Ｍｃは、耐火温度調節に加え、焼成（Ｓ５９）時の焼結バインダーとして利用される。前記製品ＥＸ，ＥＹ，ＥＺ，ＦＸ，ＦＹ，ＦＺは、１回の焼成のみから製造される製品と比して、焼結を強固なものとすることができる。
【００７７】
図９において、窯業系原料Ｍｃに酸化チタン（アナターゼ）が含まれる場合、酸化チタンはＳ５７の焼成後に添加され、２回目の焼成（Ｓ５９，Ｓ６４）では、酸化チタンのルチル化を防ぐため、８００〜１１００℃、好ましくは８００〜１０００℃の焼成温度で焼成される。
【００７８】
図１０の概略工程図を用い、鉱物系原料，窯業系原料に対し、原料段階において電磁気処理を行い、さらに加工段階において再度電磁気処理を行うマイナスイオン発生セラミック物質の製法について説明する。
【００７９】
図１０（ａ）は、予め鉱物系原料及び窯業系原料の両方に対し、電磁気処理を行い、両原料を用いて粉砕、造粒、焼成等の適宜の加工を行い、当該加工中に再度電磁気処理を行い製品Ｒを得るものである。原料となる鉱物系原料及び窯業系原料の両方ともに電磁気処理の効果が期待される場合に用いることが好ましい製法である。なお、前記鉱物系原料及び窯業系原料の両方を予め所定重量ずつ秤量した後、両原料を一括して電磁気処理を行うことも可能である。
【００８０】
図１０（ｂ）は、予め電磁気処理を行った鉱物系原料と非電磁気処理の窯業系原料を用いて粉砕、造粒、焼成等の適宜の加工を行い、当該加工中に再度電磁気処理を行い製品Ｓを得るものである。
【００８１】
図１０（ｃ）は、非電磁気処理の鉱物系原料と予め電磁気処理を行った窯業系原料を用いて粉砕、造粒、焼成等の適宜の加工を行い、当該加工中に再度電磁気処理を行い製品Ｔを得るものである。
【００８２】
上記図１０（ａ）〜（ｃ）の方法に従う場合、電磁気処理を複数回に亘り行うため、強熱減量（ｉｇｎｉｔｉｏｎ  ｌｏｓｓ）等による加工中の放射性同位元素成分の損失に伴うマイナスイオン発生量の低減に対して有効である。また、予め鉱物系原料，窯業系原料のいずれかに電磁気処理を行う理由は、前出の製品Ｙ，Ｚの製法において詳述するものと同様である。
【００８３】
図１０（ａ）〜（ｃ）において示す製品Ｒ，製品Ｓ，製品Ｔに関し、これらを製造するための「加工」について、図１１ないし図１４に示す加工工程図を用い詳述する。
【００８４】
図１１に示す加工工程図において、前記図１０（ａ）の製品Ｒは、「製品ＡＲ」に相当するものである。鉱物系原料Ｍｍに対し、前出の図３等の適宜電磁気処理設備において、水中で直流電圧の通電による電磁気処理（Ｓ１００）が行われる。鉱物系原料は脱水後、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、４００℃の雰囲気下において乾燥（Ｓ１０１）される。別途、窯業系原料Ｍｃに対しても同様に電磁気処理（Ｓ１０２）が行われ、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、４００℃の雰囲気下において乾燥（Ｓ１０３）される。電磁気処理の行われた両原料Ｍｍ及びＭｃは所定量ずつ計量され、ボールミル、振動ミル等の公知の粉砕手段を用い平均粒径を１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは２．５μｍ以下に粉砕（Ｓ１０４）される。前記両原料Ｍｍ，Ｍｃの粉砕物は前出の図３等あるいは適宜電磁気処理設備において、水（適宜追加）との混合によりスラリー状態となり攪拌されながら直流電圧の通電による電磁気処理（Ｓ１０５）が行われる。続いて公知の乾燥手段であるスプレードライヤー、フィルタープレス（脱水乾燥機）、デカンター（遠心分離脱水乾燥機）等により乾燥（Ｓ１０６）される。Ｓ１０６の乾燥物は分級（Ｓ１０７）において、エアセパレーター、サイクロン等の公知の分級機（クラシファイヤー）により均一の粒径に揃えられ、製品ＡＲが得られる。前記製品ＡＲの製法においても、所定量ずつ計量された鉱物系原料と窯業系原料とを一括して同時に電磁気処理することもできる。
【００８５】
図１１に示す加工工程図において、前記図１０（ｂ），（ｃ）の製品Ｓ，Ｔは、「製品ＡＳ，ＡＴ」に相当するものである。前記製品ＡＳ，ＡＴは、鉱物系原料又は窯業系原料のいずれか一方に電磁気処理を行ったものである。製品ＡＳの加工にあっては、窯業系原料Ｍｃへの電磁気処理（Ｓ１０２）は省略され、製品ＡＴの加工にあっては、鉱物系原料Ｍｍへの電磁気処理（Ｓ１００）は省略される。両製品ＡＳ，ＡＴとも、Ｓ１０４の粉砕以降の処理は製品ＡＲと同様である。前記製品ＡＲ，ＡＳ，ＡＴの製法は、請求項９に規定するマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当するものである。
【００８６】
図１２に示す加工工程図において、前記図１０（ａ）の製品Ｒは、「製品ＢＲ」に相当するものである。鉱物系原料Ｍｍに対し、前出の図３等あるいは適宜電磁気処理設備において、水中で直流電圧の通電による電磁気処理（Ｓ１１０）が行われ、脱水後、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、４００℃の雰囲気下において乾燥（Ｓ１１１）される。別途、窯業系原料Ｍｃに対しても同様に電磁気処理（Ｓ１１２）が行われ、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、４００℃の雰囲気下において乾燥（Ｓ１１３）される。電磁気処理の行われた両原料Ｍｍ及びＭｃは所定量ずつ計量され、ボールミル、振動ミル等の公知の粉砕手段を用い平均粒径を１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは２．５μｍ以下に粉砕（Ｓ１１４）される。前記Ｓ１１４において粉砕された粉砕物は前出の図３等あるいは適宜電磁気処理設備において、水（適宜追加）との混合によりスラリー状態となり攪拌されながら直流電圧の通電による電磁気処理（Ｓ１１５）が行われ、公知の乾燥手段であるスプレードライヤー等により乾燥（Ｓ１１６）される。
【００８７】
前記Ｓ１１５の電磁気処理物（Ｓ１１６の乾燥を含む場合あり）は、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により１１００〜１５００℃、好ましくは、１１００〜１３５０℃の範囲において焼成（Ｓ１１７）され、平均粒径を１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは２．５μｍ以下に粉砕（Ｓ１１８）される。さらに前記Ｓ１１８の粉砕物に対して前記Ｓ１１５と同様の電磁気処理（Ｓ１１９）が行われ、続いてスプレードライヤー等による乾燥（Ｓ１２０）、前出の分級機（クラシファイヤー）による分級（Ｓ１２１）が行われ、製品ＢＲが得られる。
【００８８】
図１２に示す加工工程図において、前記図１０（ｂ），（ｃ）の製品Ｓ，Ｔは、「製品ＢＳ，ＢＴ」に相当するものである。前記製品ＢＳ，ＢＴは、鉱物系原料又は窯業系原料のいずれか一方に電磁気処理を行うものである。製品ＢＳの加工にあっては、窯業系原料Ｍｃへの電磁気処理（Ｓ１１２）は省略され、製品ＢＴの加工にあっては、鉱物系原料Ｍｍへの電磁気処理（Ｓ１１０）は省略される。両製品ＢＳ，ＢＴとも、他の処理は製品ＢＲと同様である。前記製品ＢＲ，ＢＳ，ＢＴの製法においては、電磁気処理をＳ１１５及びＳ１１９の２回に亘り行うものであるが、いずれか１回あるいは両方において行うかは適宜である。前記製品ＢＲ，ＢＳ，ＢＴの製法は、請求項１０に規定するマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当するものである。
【００８９】
加えて、図１２に示す加工工程図では、前記Ｓ１１５により得られた電磁気処理物（Ｓ１１６の乾燥を含む場合あり）は、造粒・成型（Ｓ１２２）において、適宜粒径の造粒物に造粒、あるいは平板状，ハニカム状等の各種形状の成型物に成形される。前記造粒には公知の造粒機あるいはプレス成型機が用いられ、前記成型には公知の成型機が用いられる。得られた造粒物・成型物は、前出の図３等あるいは適宜電磁気処理設備において、水中で直流電圧の通電による電磁気処理（Ｓ１２３）が行われ、脱水後、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により１１００〜１５００℃、好ましくは、１１００〜１５００℃の範囲において焼成（Ｓ１２４）され、製品ＣＲが得られる。これに対し、製品ＣＳ，ＣＴは、製品ＢＳ，ＢＴに述べたとおり鉱物系原料又は窯業系原料のいずれか一方に電磁気処理を行う以外は、製品ＣＲと同様の加工工程を経ることにより、得られるものである。前記製品ＣＲ，ＣＳ，ＣＴの製法においては、電磁気処理をＳ１１５及びＳ１２３の２回に亘り行うものであるが、いずれか１回あるいは両方において行うかは適宜である。前記製品ＣＲ，ＣＳ，ＣＴの製法は、請求項１１に規定するマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当するものである。
【００９０】
前記製品ＢＸ，ＣＸの製法においては、所定量ずつ計量された鉱物系原料と窯業系原料とを一括して同時に電磁気処理することもできる。なお特に、図７において窯業系原料Ｍｃに酸化チタン（アナターゼ）が含まれる場合、前記Ｓ１１７及びＳ１２４の焼成温度帯では酸化チタンがアナターゼからルチル化する。このようなルチル化を防ぐため、８００〜１１００℃、好ましくは８００〜１０００℃の範囲で焼成される。
【００９１】
図１３に示す加工工程図において、前記図１０（ａ）の製品Ｒは、「製品ＤＲ」に相当するものである。鉱物系原料Ｍｍに対し、前出の図３等あるいは適宜電磁気処理設備において、水中で直流電圧の通電による電磁気処理（Ｓ１３０）が行われ、脱水後、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、４００℃の雰囲気下において乾燥（Ｓ１３１）される。乾燥を経た鉱物系原料は、ボールミル、振動ミル等の公知の粉砕手段を用い平均粒径を１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは２．５μｍ以下に粉砕（Ｓ１３２）され均一に混合される。前記Ｓ１３２において粉砕された粉砕物は前出の図３等あるいは適宜電磁気処理設備において、水（適宜追加）との混合によりスラリー状態となり攪拌されながら直流電圧の通電による電磁気処理（Ｓ１３３）が行われ、公知の乾燥手段であるスプレードライヤー等により乾燥（Ｓ１３４）される。
【００９２】
前記Ｓ１３３により得られた電磁気処理物（Ｓ１３４の乾燥を含む場合あり）は、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により１１００〜１５００℃、好ましくは、１１００〜１３５０℃の範囲において焼成（Ｓ１３５）される。窯業系原料Ｍｃに対しても同様に電磁気処理（Ｓ１４０）が行われ、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、４００℃の雰囲気下において乾燥（Ｓ１４１）される。Ｓ１３５の焼成を終えた鉱物系原料Ｍｍと電磁気処理を経た窯業系原料Ｍｃは所定量ずつ計量の後、平均粒径を１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは２．５μｍ以下に粉砕（Ｓ１３６）され、均一に混合される。続いて前記Ｓ１３６の粉砕物に対してＳ１３３と同様の電磁気処理（Ｓ１３７）が行われ、スプレードライヤー等による乾燥（Ｓ１３８）、前出の分級機（クラシファイヤー）による分級（Ｓ１３９）が行われ、製品ＤＲが得られる。
【００９３】
図１３に示す加工工程図において、前記図１０（ｂ），（ｃ）の製品Ｓ，Ｔは、「製品ＤＳ，ＤＴ」に相当するものである。前記製品ＤＳ，ＤＴは、鉱物系原料又は窯業系原料のいずれか一方に電磁気処理を行うものである。製品ＤＳの加工にあっては、窯業系原料Ｍｃへの電磁気処理（Ｓ１４０）は省略され、製品ＤＴの加工にあっては、鉱物系原料Ｍｍへの電磁気処理（Ｓ１３０）は省略される。両製品ＤＳ，ＤＴとも、他の処理は製品ＤＲと同様の加工工程を経ることにより得られるものである。前記製品ＤＲ，ＤＳ，ＤＴの製法においては、電磁気処理をＳ１３３及びＳ１３７の２回に亘り行うものであるが、いずれか１回あるいは両方において行うかは適宜である。前記製品ＤＲ，ＤＳ，ＤＴの製法は、請求項１２に規定するマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当するものである。
【００９４】
図１４に示す加工工程図において、前記図１０（ａ）の製品Ｒは、「製品ＥＲ」に相当するものである。鉱物系原料Ｍｍに対し、前出の図３等あるいは適宜電磁気処理設備において、水中で直流電圧の通電による電磁気処理（Ｓ１５０）が行われ、脱水後、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、４００℃の雰囲気下において乾燥（Ｓ１５１）される。窯業系原料Ｍｃに対しても同様に電磁気処理（Ｓ１５２）が行われ、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、４００℃の雰囲気下において乾燥（Ｓ１５３）される。
【００９５】
前記Ｓ１５０の電磁気処理の行われた鉱物系原料（Ｓ１５１の乾燥を含む場合あり）には、前記Ｓ１５２の電磁気処理の行われた窯業系原料（Ｓ１５３の乾燥を含む場合あり）の一部が添加され、ボールミル、振動ミル等の公知の粉砕手段を用い平均粒径を１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは２．５μｍ以下に粉砕（Ｓ１５４）される。前記Ｓ１５４において粉砕された粉砕物は前出の図３等あるいは適宜電磁気処理設備において、水（適宜追加）との混合によりスラリー状態となり攪拌されながら直流電圧の通電による電磁気処理（Ｓ１５５）が行われる。続いて、公知の乾燥手段であるスプレードライヤー等により乾燥（Ｓ１５６）され、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により１１００〜１５００℃、好ましくは、１１００〜１３５０℃の範囲において焼成（Ｓ１５７）される。
【００９６】
前記Ｓ１５７の焼成を終えた焼成物に前記電磁気処理の行われた窯業系原料がさらに添加され、前出の粉砕手段により再度平均粒径を１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは２．５μｍ以下に粉砕（Ｓ１５８）される。前記Ｓ１５８の粉砕物に対してＳ１５５と同様の電磁気処理（Ｓ１５９）、スプレードライヤー等による乾燥（Ｓ１６０）が行われ、再度前出の焼成手段により１１００〜１５００℃、好ましくは、１１００〜１３５０℃の範囲において焼成（Ｓ１６１）される。そして、前出の粉砕手段により平均粒径を１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは２．５μｍ以下に粉砕（Ｓ１６２）後、前記Ｓ１６２の粉砕物に対してＳ１５５と同様の電磁気処理（Ｓ１６３）、スプレードライヤー等による乾燥（Ｓ１６０）が行われ、前出の分級機（クラシファイヤー）による分級（Ｓ１６５）が行われ、製品ＥＲが得られる。
【００９７】
図１６に示す加工工程図において、前記図１０（ｂ），（ｃ）の製品Ｓ，Ｔは、「製品ＥＳ，ＥＴ」に相当するものである。前記製品ＥＳ，ＥＴは、鉱物系原料又は窯業系原料のいずれか一方に電磁気処理を行うものである。製品ＥＳの加工にあっては、窯業系原料Ｍｃへの電磁気処理（Ｓ１５２）は省略され、製品ＥＴの加工にあっては、鉱物系原料Ｍｍへの電磁気処理（Ｓ１５０）は省略される。両製品ＥＳ，ＥＴとも、他の処理は製品ＥＲと同様の加工工程を経ることにより得られるものである。前記製品ＥＲ，ＥＳ，ＥＴの製法においては、電磁気処理をＳ１５５，Ｓ１５９及びＳ１６３の３回に亘り行うものであるが、いずれか１回あるいは１〜３回の適宜回数行うものである。前記製品ＥＲ，ＥＳ，ＥＴの製法は、請求項１３に規定するマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当するものである。
【００９８】
加えて、図１４に示す加工工程図では、前記Ｓ１５９により得られた電磁気処理物（Ｓ１６０の乾燥を含む場合あり）は、造粒・成型（Ｓ１６６）において、適宜粒径の造粒物に造粒、あるいは平板状，ハニカム状等の各種形状の成型物に成形される。前記造粒には公知の造粒機あるいはプレス成型機が用いられ、前記成型には公知の成型機が用いられる。得られた造粒物・成型物は、前出の図３等あるいは適宜電磁気処理設備において、水中で直流電圧の通電による電磁気処理（Ｓ１６７）が行われ、脱水後、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により１１００〜１５００℃、好ましくは、１１００〜１５００℃の範囲において焼成（Ｓ１６８）され、製品ＦＲが得られる。これに対し、製品ＦＳ，ＦＴは、製品ＥＳ，ＥＴに述べたとおり鉱物系原料又は窯業系原料のいずれか一方に電磁気処理を行う以外は、製品ＥＲと同様の加工工程を経ることにより得られるものである。前記製品ＦＲ，ＦＳ，ＦＴの製法においては、電磁気処理をＳ１５５，Ｓ１５９及びＳ１６７の３回に亘り行うものであるが、いずれか１回あるいは１〜３回の適宜回数行うものである。前記製品ＦＲ，ＦＳ，ＦＴの製法は、請求項１４に規定するマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当するものである。
【００９９】
図１４において、窯業系原料Ｍｃに酸化チタン（アナターゼ）が含まれる場合、酸化チタンはＳ１５７の焼成後に添加され、２回目の焼成（Ｓ１６１，Ｓ１６８）では、酸化チタンのルチル化を防ぐため、８００〜１１００℃、好ましくは８００〜１０００℃の焼成温度で焼成される。
【０１００】
図１５の概略工程図を用い、鉱物系原料，窯業系原料に対し、原料段階において電磁気処理を行い、さらに加工を終えた段階において再度電磁気処理を行うマイナスイオン発生セラミック物質の製法について説明する。
【０１０１】
図１５（ａ）は、予め鉱物系原料及び窯業系原料の両方に対し、電磁気処理を行い、両原料を用いて粉砕、造粒、焼成等の適宜の加工を行い、当該加工を終えた後に再度電磁気処理を行い製品Ｕを得るものである。原料となる鉱物系原料及び窯業系原料の両方ともに電磁気処理の効果が期待される場合に用いることが好ましい製法である。なお、前記鉱物系原料及び窯業系原料の両方を予め所定重量ずつ秤量した後、両原料を一括して電磁気処理を行うことも可能である。
【０１０２】
図１５（ｂ）は、予め電磁気処理を行った鉱物系原料と非電磁気処理の窯業系原料を用いて粉砕、造粒、焼成等の適宜の加工を行い、当該加工を終えた後に再度電磁気処理を行い製品Ｖを得るものである。
【０１０３】
図１０（ｃ）は、非電磁気処理の鉱物系原料と予め電磁気処理を行った窯業系原料を用いて粉砕、造粒、焼成等の適宜の加工を行い、当該加工を終えた後に再度電磁気処理を行い製品Ｗを得るものである。
【０１０４】
上記図１５（ａ）〜（ｃ）の方法に従う場合、所定の製品を製造した上で電磁気処理を行うため、所定の製品の作り置きが可能となり、必要に応じての電磁気処理によって、所望のマイナスイオン発生量への調整が容易となる。また、予め鉱物系原料，窯業系原料のいずれかに電磁気処理を行う理由は、前出の製品Ｙ，Ｚの製法において詳述するものと同様である。
【０１０５】
図１５（ａ）〜（ｃ）において示す製品Ｕ，製品Ｖ，製品Ｗに関し、これらを製造するための「加工」について、図１６及び図１７に示す加工工程図を用い詳述する。
【０１０６】
図１６に示す加工工程図において、前記図１５（ａ）の製品Ｕは、「製品ＣＵ」に相当するものである。鉱物系原料Ｍｍに対し、前出の図３等あるいは適宜電磁気処理設備において、水中で直流電圧の通電による電磁気処理（Ｓ２００）が行われ、脱水後、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、４００℃の雰囲気下において乾燥（Ｓ２０１）される。別途、窯業系原料Ｍｃに対しても同様に電磁気処理（Ｓ２０２）が行われ、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、４００℃の雰囲気下において乾燥（Ｓ２０３）される。電磁気処理の行われた両原料Ｍｍ及びＭｃは所定量ずつ計量され、ボールミル、振動ミル等の公知の粉砕手段を用い平均粒径を１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは２．５μｍ以下に粉砕（Ｓ２０４）され、公知の乾燥手段であるスプレードライヤー等により乾燥（Ｓ２０５）される。
【０１０７】
前記Ｓ２０４の粉砕物（Ｓ２０５の乾燥を含む場合あり）は、造粒・成型（Ｓ２０６）において、適宜粒径の造粒物に造粒、あるいは平板状，ハニカム状等の各種形状の成型物に成形される。前記造粒には公知の造粒機あるいはプレス成型機が用いられ、前記成型には公知の成型機が用いられる。得られた造粒物・成型物は、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により１１００〜１５００℃、好ましくは、１１００〜１５００℃の範囲において焼成（Ｓ２０７）され、前出の図３等あるいは適宜電磁気処理設備において、水中で直流電圧の通電による電磁気処理（Ｓ２０８）が行われる。脱水後、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、４００℃の雰囲気下において乾燥（Ｓ２０９）され、製品ＣＵが得られる。
【０１０８】
図１６に示す加工工程図において、前記図１５（ｂ），（ｃ）の製品Ｖ，Ｗは、「製品ＣＶ，ＣＷ」に相当するものである。前記製品ＣＶ，ＣＷは、鉱物系原料又は窯業系原料のいずれか一方に電磁気処理を行うものである。製品ＣＶの加工にあっては、窯業系原料Ｍｃへの電磁気処理（Ｓ２０２）は省略され、製品ＣＷの加工にあっては、鉱物系原料Ｍｍへの電磁気処理（Ｓ２００）は省略される。両製品ＣＶ，ＣＷとも、他の処理は製品ＣＵと同様である。前記製品ＣＵ，ＣＶ，ＣＷの製法は、請求項１５に規定するマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当するものである。
【０１０９】
前記製品ＣＵの製法においては、所定量ずつ計量された鉱物系原料と窯業系原料とを一括して同時に電磁気処理することもできる。なお特に、図１６において窯業系原料Ｍｃに酸化チタン（アナターゼ）が含まれる場合、前記Ｓ２０７の焼成温度帯では酸化チタンがアナターゼからルチル化する。このようなルチル化を防ぐため、８００〜１１００℃、好ましくは８００〜１０００℃の範囲で焼成される。
【０１１０】
図１７に示す加工工程図において、前記図１５（ａ）の製品Ｕは、「製品ＦＵ」に相当するものである。鉱物系原料Ｍｍに対し、前出の図３等あるいは適宜電磁気処理設備において、水中で直流電圧の通電による電磁気処理（Ｓ２１０）が行われ、脱水後、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、４００℃の雰囲気下において乾燥（Ｓ２１１）される。窯業系原料Ｍｃに対しても同様に電磁気処理（Ｓ２１２）が行われ、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、４００℃の雰囲気下において乾燥（Ｓ２１３）される。
【０１１１】
前記Ｓ２１０の電磁気処理の行われた鉱物系原料（Ｓ２１３の乾燥を含む場合あり）には、前記Ｓ２１２の電磁気処理の行われた窯業系原料（Ｓ２１３の乾燥を含む場合あり）の一部が添加され、ボールミル、振動ミル等の公知の粉砕手段を用い平均粒径を１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは２．５μｍ以下に粉砕（Ｓ２１４）される。続いて前出の乾燥手段であるスプレードライヤー等による乾燥（Ｓ２１５）が行われ、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により１１００〜１５００℃、好ましくは、１１００〜１３５０℃の範囲において焼成（Ｓ２１６）される。
【０１１２】
Ｓ２１６の焼成を終えた焼成物に前記電磁気処理の行われた窯業系原料がさらに添加され、前出の粉砕手段により再度平均粒径を１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは２．５μｍ以下に粉砕（Ｓ２１７）され、スプレードライヤー等により乾燥（Ｓ２１８）が行われる。前記Ｓ２１７の粉砕により得られた粉砕物（Ｓ２１８の乾燥を含む場合あり）は、造粒・成型（Ｓ２１９）において、適宜粒径の造粒物に造粒、あるいは平板状，ハニカム状等の各種形状の成型物に成形される。得られた造粒物，成型物は、トンネルキルン、ロータリーキルン等の公知の焼成手段により１１００〜１５００℃、好ましくは、１１００〜１５００℃の範囲において焼成（Ｓ２２０）され、前出の図３等あるいは適宜電磁気処理設備において、水中で直流電圧の通電による電磁気処理（Ｓ２２１）が行われる。脱水後、ロータリーキルン等の公知の乾燥手段により、４００℃の雰囲気下において乾燥（Ｓ２２２）され、製品ＦＵが得られる。
【０１１３】
図１７に示す加工工程図において、前記図１５（ｂ），（ｃ）の製品Ｖ，Ｗは、「製品ＦＶ，ＦＷ」に相当するものである。前記製品ＦＶ，ＦＷは、鉱物系原料又は窯業系原料のいずれか一方に電磁気処理を行うものである。製品ＦＶの加工にあっては、窯業系原料Ｍｃへの電磁気処理（Ｓ２１２）は省略され、製品ＦＷの加工にあっては、鉱物系原料Ｍｍへの電磁気処理（Ｓ２１０）は省略される。他の処理は製品ＦＵと同様の加工工程を経ることにより得られるものである。前記製品ＦＵ，ＦＶ，ＦＷの製法は、請求項１６に規定するマイナスイオン発生セラミック物質の製法に相当するものである。
【０１１４】
図１７において、窯業系原料Ｍｃに酸化チタン（アナターゼ）が含まれる場合、酸化チタンはＳ２１６の焼成後に添加され、２回目の焼成（Ｓ２２０）では、酸化チタンのルチル化を防ぐため、８００〜１１００℃、好ましくは８００〜１０００℃の焼成温度で焼成される。
【０１１５】
これまでに図示し詳述した粉砕とは、主に湿式による粉砕である。粉砕には湿式粉砕と乾式粉砕の２種類が存在する。粉砕にあたり乾式粉砕を用いる場合、鉱物系原料又は鉱物系原料と窯業系原料の混合物を平均粒径５μｍ以下の微粒子に粉砕するときは、特に鉱物系原料中の各成分の硬度が異なるため粉砕むらが生じやすくなる。その結果、一部の粉砕粒子が集塵機に引き寄せられるため、含有成分（元素）のバランスが崩れるおそれがあるため、マイナスイオンの発生量（照射線量）への影響を考慮し、湿式粉砕とすることが望ましい。湿式による粉砕に際し、沈殿防止のため窯業系原料Ｍｃに粘土を含める他、別途粘土類を２〜５重量％程度添加することもある。また、粘土類に代えて塩化カルシウム、塩化マグネシウム等、有機バインダー（カルボキシメチルセルロース、ポリビニルアルコール等）を沈殿防止剤として添加することもできる。なお、粉砕をハンマーミル、ジェットミル等を用い乾式で行った場合は、粉砕に続いて行われる乾燥は省略できる。
【０１１６】
前述の図中における焼成は、原料中の揮発成分、結晶水、有機物等の除去を促すものである。特に直前の粉砕により表面積を拡大するため、揮発、除去の効果が高まる。同時に、例えばジルコン（ＺｒＳｉＯ４）等の原料鉱石中の微量成分として含まれる放射性同位元素を焼結させ、微量成分中の放射性同位元素が以降の加工において分離を防ぐことができる。すなわち、以降に続く粉砕、乾燥、分級工程中の分離をはじめ、本発明のセラミック物質を利用した最終製品（マイナスイオン発生製品）を製造する場合等、他の原料に本発明のマイナスイオン発生セラミック物質を混合し加工する工程時に、微量成分中の放射性同位元素が分離することを防ぐ目的である。そのため、本発明のセラミック物質のように、予め焼成（焼結）を行うことにより、微量成分（放射性同位元素）の製造工程中の分離は抑制され、最終製品中の微量成分（放射性同位元素）の濃度は、本発明のセラミック物質の添加量に比して増加し、ひいては、マイナスイオンの発生量が安定する効果が示される（後述の実施例及び図１８参照）。
【０１１７】
特に本発明にあっては、後述する実施例のサンプルの試作より明らかなとおり、粉砕を行うことによって１０μｍ以下の微粒子化すると、粉砕しないものに比べ表面積が増加し、微量成分に含まれる放射性同位元素から放射される放射線量が単位面積当たりで増加し、マイナスイオンの発生量が多くなる。とりわけ焼成を行うものについては、焼成熱による固着もしくは固溶体となり、粒径が大きくなるため、粉砕する必要がある。従って、本発明の製法により得られたマイナスイオン発生セラミック物質（製品ＡＸ，ＡＹ，ＡＺ，ＢＸ，ＢＹ，ＢＺ，ＤＸ，ＤＹ，ＤＺ，ＥＸ，ＥＹ，ＥＺ，ＡＲ，ＡＳ，ＡＴ，ＢＲ，ＢＳ，ＢＴ，ＤＲ，ＤＳ，ＤＴ，ＥＲ，ＥＳ，ＥＴ）は、良好なマイナスイオン発生源である微粒子として塗料、樹脂、繊維、紙等に添加する際に分散されやすく、加工原料として利用度が高まる。さらに窯業系原料に酸化チタンを添加した場合も粉砕により表面積が増加するため触媒効果がより一層向上する。
【０１１８】
また、本発明の製法により得られたマイナスイオン発生セラミック物質（製品ＣＸ，ＣＹ，ＣＺ，ＦＸ，ＦＺ，ＦＷ，ＣＲ，ＣＳ，ＣＴ，ＦＲ，ＦＳ，ＦＴ，ＣＵ，ＣＶ，ＣＷ，ＦＵ，ＦＶ，ＦＷ）のうち、造粒物又は平板状の成型物は、マイナスイオン発生源として、床に敷き詰めたりや壁に貼り付ける他、浴槽に入れる等の利用が想定される。この場合、造粒物の粒径は利便性を考慮して３〜３０ｍｍの適宜の粒径が例示される。また、平板状の成型物も強度維持上十分な適宜の大きさとされ、表面に凹凸を付することも可能である。さらに、ハニカム状の成型物にあっては、内部の貫通孔内に空気や水を通すことにより、空気や水のマイナスイオン量を効率よく上昇させることができる。なお、貫通孔の孔径は１〜１０ｍｍが好適なものとして例示される。
【０１１９】
なお、前出の各加工工程図における粉砕において、平均粒径の２倍を超える粒子及び平均粒径の半分長を下回る粒子の含有量は、総量の５重量％以下とすることが望ましい。平均粒径はレーザ回折／散乱方式による粒度測定装置により測定した。
【０１２０】
【実施例】
［原料鉱石の電磁気処理］
図１及び図２に記載の選鉱プロセスにより選鉱されたピュアジルコン（５４）に対して電磁気処理を行い、マイナスイオンの個数の経時変化を観察した。図３に示す電磁気処理装置１０（絶縁性容器１５）に前記ピュアジルコンを２ｋｇ（粒径約０．８ｍｍの砂状物）投入し、水で完全に満たし浸漬した。
【０１２１】
絶縁性の支持材１７により固定された銅製の陽極側電極板１３とアルミニウム製の陰極側電極板１４をピュアジルコンと水の入った絶縁性樹脂容器１５に挿入し、トランス１６の正極と陽極側電極板１３、負極と陰極側電極板１４を配線１８により接続した。トランス１６により、交流１００Ｖの交流電圧を１６Ｖの直流電圧に変圧し、２〜４８時間連続して電磁気処理（通電）を行った。また、前記処理開始から４８時間経過後、該処理を終了し、マイナスイオンの個数の変化を引き続き測定した。なお、表中の４８時間経過後までは電磁気処理を行い、７２時間経過時からは非電磁気処理状態である。
【０１２２】
次にマイナスイオンの個数の測定について、図４を用いて説明する。図４は、前記図３に示した電磁気処理装置１０（絶縁性容器１５）を２−２線の位置の断面を表すものである。マイナスイオン測定器２０の本体部分を絶縁性樹脂容器１５の縁１５ｈに押し当て、前記測定器２０の測定部２１をピュアジルコンが含まれる水面ｗ側に向け、飛散するマイナスイオンの個数を測定した。測定にあたり、測定部２１と水面ｗまでの距離ｋを常に５ｃｍとなるようにした。また、中央部の測定においては、両電極の電極板１３，１４の中間点に測定部２１を位置するようにして測定した。
【０１２３】
マイナスイオンの個数の測定には、（株）エコホリスティック社製のイオンテスターＥＢ−１２Ａを使用した。前記測定器により、発生するマイナスイオンの個数を１０回ずつ測定し、１ｃｍ３当たりの存在個数の平均を表６に示した。また、表６に示す中央部の変化は、通電（電磁気処理）を行う前に測定したマイナスイオンの個数との比較を表したものである。
【０１２４】
通電（電磁気処理）を行う前に測定したマイナスイオンの個数は、１２３３個／ｃｍ３であり、通電開始時の室温は２５℃、湿度は４８％であった。また、通電と併せて、磁気の変化をアナログ磁気検知器（ＴｒｉＦｉｅｌｄ  ＭｅｔｅｒＡｌｐｈａＬａｂ  Ｉｎｃ，製）により測定した結果、約２Ｔ（０．２ｍＧ）（通電開始前）から２５０Ｔ（２５ｍＧ）（４８時間通電後）に増加した。
【０１２５】
【表６】
2004331483.tif 000008
【０１２６】
［加工処理ごとのマイナスイオン発生量の評価］
前出のピュアジルコン（５４）（粒径約０．８ｍｍの砂状物）に対し、図１８に示す各工程に従い粉砕、電磁気処理、焼成及びこれらの組み合わせによる加工を施し、実用段階のサンプルにおけるマイナスイオン発生量を計測した。図１８中に示すとおり、サンプルＩないしＩＩＩはピュアジルコン（５４）に対し、それぞれ粉砕、電磁気処理、焼成を行ったものである。サンプルＩＶないしＶＩはそれぞれピュアジルコン（５４）に対し粉砕、電磁気処理、焼成の順序を変えながら３種類の処理を行ったものである。サンプルＩＶは電磁気処理，粉砕，焼成の順により処理し、サンプルＶは粉砕，電磁気処理，焼成の順により処理し、サンプルＶＩは粉砕，焼成，電磁気処理の順により処理したものである。
【０１２７】
各サンプルに対して行われた粉砕は、ボールミルを使用し、ピュアジルコン（砂状物）の平均粒径を２．５μｍになるまで湿式粉砕したものである。電磁気処理は前記と同様の方法に基づき、電磁気処理装置１０を用い１６Ｖの直流電圧を４２時間通電した。焼成は、トンネルキルンを使用し、１２００〜１３００℃の加熱温度とした。また、焼成熱により溶解し粒径が大きくなるため、サンプルＩＶないしＶＩの焼成後には適宜粉砕が行われる。なお、湿式粉砕後、スプレードライヤーにより乾燥した。
【０１２８】
サンプルから発生したマイナスイオンの個数を測定するにあたり、前記マイナスイオン測定器２０（ＥＢ１２−Ａ（エコホリスティック社製））の精度や測定場所の環境などを調べるために、予めスタンダードを測定し、その測定値が基準値の範囲内に入ることを確認することにした。スタンダードの作成については、ピュアジルコンを粉砕して得た一定量の粉砕物をシリコーン樹脂に練り込んで加工し、マイナスイオン測定器２０の測定部２１（円形状の検知部で内径４．５ｃｍ）と同様の型にカットすることにより作成した。このスタンダードから発生するマイナスイオンの個数をマイナスイオン測定器２０により１００回測定し、平均値とその標準偏差を算出した。
【０１２９】
未処理のピュアジルコン（５４）及びサンプルＩないしＶＩのそれぞれについて５０ｇずつ秤量し、前記マイナスイオン測定器２０の測定部２１の外径とほぼ同径である直径７ｃｍ、高さ３ｃｍの円筒形の透明樹脂製からなる専用容器内に封入した。前記容器の上部に測定部２１をあてながら未処理のピュアジルコン（５３）及びサンプルＩないしＶＩより発生するマイナスイオンの１ｃｍ３当たりの個数をそれぞれ１２回測定し、最大値と最小値を除いた１０回の平均値をそれぞれ求め、この結果を表７に示した。なお、表中の増加率とは、未処理のピュアジルコン（５４）から発生するマイナスイオンの個数（１３３２個／ｃｍ３）を基準とし、各サンプルから発生するマイナスイオン個数の増加量を表したものである。
【０１３０】
【表７】
2004331483.tif 000009
【０１３１】
表７の結果から理解されるとおり、粉砕、電気加工、焼成のいずれの工程も、これらの工程を行わない場合に比べて、ピュアジルコンからのマイナスイオンの発生量を増加させることができる。さらに、粉砕、電気加工、焼成の３種類の工程が全て含まれている場合は、その工程の順序にかかわらず、これら３種類の工程のうち、１種類のみが行われた場合に比べて、ピュアジルコンからのマイナスイオンの発生量がさらに増加していることが分かる。
【０１３２】
［窯業系原料の電磁気処理］
鉱物系原料に続き前記表４及び表５に示した窯業系原料（珪石（１０１）〜石灰石（１０９））に対しても前出のピュアジルコン（５４）と同様の条件下、２４時間の電磁気処理を行った。なお、前記各窯業系原料のうち、粘土以外は粒径１ｍｍの砂状体を用いた。また粘土については、前記電磁気処理装置１０内で適宜攪拌を行いながら電磁気処理を行った。電磁気処理を終えた後、前記各窯業系原料（珪石（１０１）〜石灰石（１０９））を適宜乾燥し、５０ｇずつ秤量して前出の透明樹脂製の専用容器内に封入後、マイナスイオン発生量を測定した。また、電磁気処理を行っていない窯業系原料も別途取り分け、５０ｇずつ秤量して前出の透明樹脂製の専用容器内に封入後、同様にマイナスイオン発生量を測定し、電磁気処理の有無の評価を試みた。
【０１３３】
【表８】
2004331483.tif 000010
【０１３４】
上記表８に示すとおり、窯業系原料を構成する各原料においては、概ねシリカ成分（ＳｉＯ２）の含有量が多いものほど高いマイナスイオン発生量が現れる。なお、マイナスイオン発生量の高低の要因としては、シリカ成分以外の微量元素成分、すなわち放射性同位元素の種類と量が影響するものと考えられる。
【０１３５】
［鉱物系原料及び窯業系原料の同時電磁気処理］
以上示したとおり、鉱物系原料及び窯業系原料に対する電磁気処理の有効性を確証した発明者らは、前記両原料に対する同時の電磁気処理を試みた。鉱物系原料としてスタンダードジルコン（５３）、窯業系原料として長石（１０２）を用い（ともに粒径約１ｍｍの砂状物）、重量比７：３となるように両砂状物を混ぜ合わせた。スタンダードジルコン・長石砂状混合物２ｋｇを計量し、前出の図３の電磁気処理装置１０を用いて２４時間、１６Ｖの直流電圧により電磁気処理を行った。
【０１３６】
さらに鉱物系原料としてバテライト（５９）、窯業系原料として長石（１０２）を用い（ともに粒径約１ｍｍの砂状物）、重量比５：５となるように両砂状物を混ぜ合わせ、バテライト・長石砂状混合物を２ｋｇ、スタンダードジルコン（５３）のみ２ｋｇ、バテライト（５９）のみ２ｋｇについても、スタンダードジルコン・長石混合砂状物の場合と同様の条件で電磁気処理を行った。
【０１３７】
電磁気処理を終えた後、４種類の処理物を適宜乾燥し、５０ｇずつ秤量して前出の透明樹脂製の専用容器内に封入後、マイナスイオン発生量を測定した。また、前記スタンダードジルコン・長石砂状混合物、バテライト・長石砂状混合物、スタンダードジルコンのみ、バテライトのみについては、電磁気処理を行っていない試料を別途取り分け、５０ｇずつ秤量して前出の透明樹脂製の専用容器内に封入後、同様にマイナスイオン発生量を測定し、電磁気処理の有無の評価を試みた。
【０１３８】
【表９】
2004331483.tif 000011
【０１３９】
上記表９から理解されるとおり、スタンダードジルコン・長石砂状混合物は、スタンダードジルコン単体との比較より、マイナスイオン発生量が低下する。しかし、単純に長石との混合重量比に基づく３０％減（３０７７個×０．７＝２１５４個）にはならない。これには混合された長石のマイナスイオン発生量が加味されたものと推察される。一方、バテライト・長石砂状混合物においても、長石との混合重量比に基づく減少分とはならず、混合された長石のマイナスイオン発生量が加味されたものと同様に推察される。
【０１４０】
また、表９に示すスタンダードジルコンとバテライトとの間では電磁気処理を行った場合のマイナスイオン発生量の増加率に差が生じている。このことは、前記窯業系原料の電磁気処理における発明者らの類推と同様に、原料鉱石に含有されるシリカ成分（ＳｉＯ２）の量の差に起因するものと示唆される（表２及び表３参照）。
【０１４１】
［鉱物系原料及び窯業系原料のスラリー状態における電磁気処理］
発明者らは、スラリー状態における電磁気処理の有効性を確認するため、各種適宜の粉砕手段により得られた平均粒径２．５〜１０μｍの原料粉砕物を水中に分散させてスラリー状態としたものに前述の電磁気処理を行い、マイナスイオン発生量の変化を測定した。
【０１４２】
鉱物系原料としてダーティドジルコン（５２）の２．５μｍ粉砕物を１５０ｇと水１５０ｇとを混合してそのまま静置したもの（サンプルｉ）、同ダーティドジルコン１５０ｇと水１５０ｇとを適宜攪拌し続けたもの（サンプルｉｉ）、窯業系原料として長石（１０２）の２．５μｍ粉砕物を１５０ｇと水１５０ｇとを混合してそのまま静置したもの（サンプルｉｉｉ）、同長石１５０ｇと水１５０ｇとを適宜攪拌し続けたもの（サンプルｉｖ）、これら４種類を準備し、各サンプル間におけるマイナスイオン発生量の変化を測定した。
【０１４３】
前記サンプルｉ〜ｉｖを絶縁性樹脂製容器に投入し、前出の図３の電磁気処理装置１０として用いたトランス１６、電極板１３，１４を転用し、１〜４時間、１６Ｖにて通電を行った。サンプルｉｉ，ｉｖにおいては、絶縁樹脂製の棒を用い、原料が沈殿しないように適宜攪拌し続けた。マイナスイオンの個数の測定については、前出の（株）エコホリスティック社製のイオンテスターＥＢ−１２Ａを使用し、各サンプルｉ〜ｉｖの液面からマイナスイオン測定器の測定部までが常に１．５ｃｍとなるように設定して測定した。
【０１４４】
【表１０】
2004331483.tif 000012
【０１４５】
上記表１０から理解されるとおり、電磁気処理（通電）を行っていない０時間の測定値よりもいずれのサンプルとも電磁気処理時間の増加に伴い、マイナスイオン発生個数の増加は認められた。とりわけ、サンプルｉｉ，ｉｖにみられるようにスラリー状物を攪拌させながら電磁気処理を行った場合には、顕著にマイナスイオン発生量が増加することが判明したため、攪拌は鉱物系原料及び窯業系原料のいずれに対しても電磁気処理の効果を高めるものといえる。
【０１４６】
［加工後における電磁気処理］
さらに、発明者らは、製品として加工し終えたマイナスイオン発生セラミック物質に対する電磁気処理の有効性を確認するため、以下の電磁気処理を含めない加工に基づき作成したマイナスイオン発生セラミック物質について、事後的に電磁気処理を行い、そのマイナスイオン発生量の変化を測定した。
【０１４７】
ピュアジルコン（５４）：４８重量部、バテライト（５９）：４８重量部、フリット（１０３）：４重量部の３種類の原料（いずれも電磁気処理を行っていない。）をボールミルにより湿式粉砕後、スプレードライヤーにより乾燥を行った。当該乾燥物をトンネルキルンにおいて１２５０℃で焼成し、再度湿式粉砕後、スプレードライヤーにより乾燥を行い、前記３種類の原料からなる粉末状物を得た。併せて、前記粉末状物と同様の原料を同様の配合比率として、ボールミルにより湿式粉砕後、スプレードライヤーにより乾燥を行った。当該乾燥物を造粒機により粒径約５ｍｍの略球状体に造粒してトンネルキルンにおいて１２５０℃で焼成し、前記粉末状物と同様の３種類の原料からなる造粒物を得た。なお、前記粉末状物及び造粒物の加工に際し、粉砕時にはそれぞれ、２〜５重量％の粘土を別途添加した。
【０１４８】
前記加工により得られた粉末状物及び造粒物をそれぞれ２ｋｇ計量し、前出の電磁気処理装置１０を用いて２４時間、１６Ｖの直流電圧により電磁気処理を行った。当該電磁気処理後、粉末状物及び造粒物を適宜乾燥し、５０ｇずつ秤量して前出の透明樹脂製の専用容器内に封入後、マイナスイオン発生量を測定した。併せて、前記加工により得られた粉末状物及び造粒物の中から５０ｇずつを別途秤量して前出の透明樹脂製の専用容器内に封入後、同様にマイナスイオン発生量を測定し、電磁気処理の有無の評価を試みた。
【０１４９】
【表１１】
2004331483.tif 000013
【０１５０】
上記表１１より理解されるとおり、加工後に電磁気処理を行った場合、粉砕物及び造粒物の双方ともマイナスイオン発生量の増加に十分効果があることが確認できた。したがって、既に製品となったセラミック物質に対しても事後的に電磁気処理を行うことは、マイナスイオン発生量を増加させる上で有効であると考えられる。
【０１５１】
［製品の試作］
表１２ないし表１８に示す配合量（重量％）に基づき、鉱物系原料、窯業系原料等を配合し、図６ないし図９、図１１ないし図１４、図１６、図１７に記載の製法に従い、試作例１ないし試作例６として示すとおり予め電磁気処理の行われた原料を用い、各マイナスイオン発生セラミック物質の試作品を製造した。
【０１５２】
＜試作例１＞
試作例１における試作品ａ１〜ａ１０は、図６に示す製法に基づき製造した粉砕物である。以下の表１２に試作品ａ１〜ａ１０の原料組成及び相当する製品を示す。
【０１５３】
【表１２】
2004331483.tif 000014
【０１５４】
試作品ａ１〜ａ４は、図６の製品ＡＸに相当するものである。すなわち、鉱物系原料と窯業系原料の両方に対してそれぞれ２ｋｇを電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。脱水後、表１２中に示す比率を満たすようにボールミルにより湿式粉砕後、スプレードライヤーにより乾燥を行い、エアセパレーターを用いて平均粒径２．５μｍの粒子に分級することにより、試作品ａ１〜ａ４を試作した。
【０１５５】
試作品ａ５，ａ６は図６の製品ＡＹ、試作品ａ７〜ａ１０は製品ＡＺに相当するものである。すなわち、鉱物系原料又は窯業系原料について、試作品ａ５，ａ６は鉱物系原料のみ、試作品ａ７〜ａ１０は窯業系原料のみ、前出の電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。前記電磁気処理を経た原料を表１２中の配合比率に調整し、ａ１〜ａ４と同様の加工を行い、試作品ａ５〜ａ１０を試作した。試作品ａ３，ａ４，ａ９，ａ１０に用いた酸化チタン（１１１）はアナターゼである。なお、以下の実施例に使用される酸化チタン（１１１）は全て同様である。
【０１５６】
図１１に示す製品ＡＲの製法については、前出ａ２の原料組成を用い、試作品を作成した。この試作品は、図示し、前述のとおり、鉱物系原料と窯業系原料の両方に対し、それぞれを電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。脱水後、ボールミルにより湿式粉砕し、当該粉砕物を電磁気処理装置１０に投入し、水（適宜追加）との混合によりスラリー状態としたものを攪拌しながらさらに１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行い、スプレードライヤーによる乾燥後、エアセパレーターを用いて平均粒径２．５μｍの粒子に分級した。
【０１５７】
図１１に示す製品ＡＳの製法については前出ａ６の原料組成を用い、製品ＡＴの製法については前出ａ８の原料組成を用い試作品を作成した。製品ＡＳの製法においては鉱物系原料のみ、製品ＡＴの製法においては窯業系原料のみ、前出の電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。以降は前出の製品ＡＲの製法と同様の加工を行い、試作した。
【０１５８】
＜試作例２＞
試作例２における試作品ｂ１〜ｂ１７は、図７に示す製法に基づき製造した焼成粉砕物である。以下の表１３及び表１４に試作品ｂ１〜ｂ１７の原料組成及び相当する製品を示す。
【０１５９】
【表１３】
2004331483.tif 000015
【０１６０】
【表１４】
2004331483.tif 000016
【０１６１】
試作品ｂ１〜ｂ５は、図７の製品ＢＸに相当するものである。すなわち、鉱物系原料と窯業系原料の両方に対し、それぞれ２ｋｇを電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。脱水後、表１３中に示す比率を満たすように鉱物系原料と窯業系原料を所定量配合してボールミルにより湿式粉砕し、スプレードライヤーにより乾燥を行った。乾燥物をトンネルキルンにおいて１１５０〜１３５０℃で焼成し、ボールミルによる湿式粉砕後、スプレードライヤーにより再度乾燥を行い、エアセパレーターを用いて平均粒径２．５μｍの粒子に分級することにより、試作品ｂ１〜ｂ５を試作した。
【０１６２】
試作品ｂ６〜ｂ９は図７の製品ＢＹ、試作品ｂ１０〜ｂ１７は製品ＢＺに相当するものである。すなわち、鉱物系原料又は窯業系原料について、試作品ｂ６〜ｂ９は鉱物系原料のみ、試作品ｂ１０〜ｂ１７は窯業系原料のみ、前出の電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。前記電磁気処理を経た原料を表１３及び表１４中の配合比率に調整し、ｂ１〜ｂ５と焼成温度以外は同様の加工を行い、試作品ｂ６〜ｂ１７を試作した。なお、試作品ｂ１４〜ｂ１７は酸化チタンを含むため、トンネルキルンでの焼成温度を８００〜８５０℃とした。
【０１６３】
図１２に示す製品ＢＲの製法については、前出ｂ１，ｂ３の原料組成を用い、試作品を作成した。この試作品は、図示し、前述のとおり、鉱物系原料と窯業系原料の両方に対し、それぞれを電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。脱水後、鉱物系原料と窯業系原料を表中の所定量配合してボールミルにより湿式粉砕し、スプレードライヤーにより乾燥を行った。乾燥物をトンネルキルンにおいて１２５０〜１３５０℃で焼成し、ボールミルによる湿式粉砕後、当該粉砕物を電磁気処理装置１０に投入して、水（適宜追加）との混合によりスラリー状態としたものを攪拌しながらさらに１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行い、スプレードライヤーにより再度乾燥を行い、エアセパレーターを用いて平均粒径２．５μｍの粒子に分級した。実施例では、２回目の粉砕後に電磁気処理を行ったが１回目の粉砕後も電磁気処理を行うこととしてもよい。
【０１６４】
図１２に示す製品ＢＳの製法については前出ｂ７，ｂ９の原料組成を用い、製品ＢＴの製法については前出ｂ１２，ｂ１６の原料組成を用い試作品を作成した。製品ＢＳの製法においては鉱物系原料のみ、製品ＢＴの製法においては窯業系原料のみ、前出の電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。以降は前出の製品ＢＲの製法と同様の加工を行い、焼成温度のみ変更して試作した。
【０１６５】
＜試作例３＞
試作例３における試作品ｃ１〜ｃ１０は、図７に示す製法に基づき製造した焼成造粒物である。以下の表１５に試作品ｃ１〜ｃ１０の原料組成及び相当する製品を示す。
【０１６６】
【表１５】
2004331483.tif 000017
【０１６７】
試作品ｃ１，ｃ２は、図７の製品ＣＸに相当するものである。すなわち、鉱物系原料と窯業系原料の両方に対し、それぞれ２ｋｇを電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。脱水後、表１５中に示す比率を満たすように鉱物系原料と窯業系原料を所定量配合してボールミルにより湿式粉砕後、スプレードライヤーにより乾燥を行った。乾燥物を造粒機により、粒径約５ｍｍの略球状体に造粒後、造粒物（略球状体）をトンネルキルンにおいて１２１０〜１２９０℃で焼成することにより、試作品ｃ１，ｃ２を試作した。
【０１６８】
試作品ｃ３は図７の製品ＣＹ、試作品ｃ４〜ｃ１０は製品ＣＺに相当するものである。すなわち、鉱物系原料又は窯業系原料について、試作品ｃ３は鉱物系原料のみ、試作品ｃ４〜ｃ１０は窯業系原料のみ、前出の電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。前記電磁気処理を経た原料を表１５中の配合比率に調整し、ｃ１，ｃ２と焼成温度以外は同様の加工を行い、試作品ｃ３〜ｃ１０を試作した。なお、試作品ｃ７〜ｂ１０は酸化チタンを含むため、トンネルキルンでの焼成温度を８００〜８５０℃とした。
【０１６９】
図１２に示す製品ＣＲの製法については、前出ｃ２の原料組成を用い、試作品を作成した。この試作品は、図示し、前述のとおり、鉱物系原料と窯業系原料の両方に対し、それぞれを電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。脱水後、鉱物系原料と窯業系原料を表中の所定量配合してボールミルにより湿式粉砕後、スプレードライヤーにより乾燥を行った。乾燥物を造粒機により、粒径約５ｍｍの略球状体に造粒後した。前記造粒物を前出の電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行い、トンネルキルンにおいて１２１０℃で焼成した。当該試作品作成にあたり、造粒の際に、原料同士の凝集性を高めるためにカルボキシメチルセルロースを０．０１重量％程度添加した。
【０１７０】
図１２に示す製品ＣＴの製法については前出ｃ６の原料組成を用い、試作品を作成した。製品ＣＴの製法においては窯業系原料のみ、前出の電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。以降は前出の製品ＣＲの製法と同様の加工を行い、焼成温度のみ変更して試作した。
【０１７１】
さらに、図１６に示す製品ＣＵ，ＣＷの製法については、前出ｃ２，ｃ６の原料組成を用い、試作品を作成した。この試作品は、図示し、前述のとおり、ＣＵは鉱物系原料と窯業系原料の両方（ｃ２の組成）、ＣＷは窯業系原料のみ（ｃ６の組成）を電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。脱水後、鉱物系原料と窯業系原料を表中の所定量配合してボールミルにより湿式粉砕後、スプレードライヤーにより乾燥を行った。乾燥物を造粒機により、粒径約５ｍｍの略球状体に造粒後し、トンネルキルンにおいて１２１０℃，１１８０℃で焼成した。前記焼成造粒物を前出の電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行い、脱水後、トンネルキルンを用い４００℃雰囲気下において乾燥した。
【０１７２】
＜試作例４＞
試作例４における試作品ｄ１〜ｄ６は、図８に示す製法に基づき製造した焼成粉砕物である。以下の表１６に試作品ｄ１〜ｄ６の原料組成及び相当する製品を示す。
【０１７３】
【表１６】
2004331483.tif 000018
【０１７４】
試作品ｄ１は、図８の製品ＤＸに相当するものである。すなわち、鉱物系原料と窯業系原料の両方に対し、それぞれ２ｋｇを電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。脱水後、表１５中に示す比率を満たすように鉱物系原料をボールミルにより湿式粉砕後、スプレードライヤーにより乾燥を行い、トンネルキルンにおいて１３００℃で焼成した。続いて窯業系原料を表中の所定量配合して再度ボールミルにより湿式粉砕を行った。湿式粉砕後、スプレードライヤーにより乾燥を行い、エアセパレーターにより平均粒径２．５μｍの粒子に分級した。
【０１７５】
試作品ｄ２は図８の製品ＤＹ、試作品ｄ３〜ｄ６は製品ＤＺに相当するものである。すなわち、鉱物系原料又は窯業系原料について、試作品ｄ２は鉱物系原料のみ、試作品ｄ３〜ｄ６は窯業系原料のみ、前出の電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。前記電磁気処理を経た原料を表１６中の配合比率に調整し、ｄ１と焼成温度以外は同様の加工を行い、試作品ｄ２〜ｄ６を試作した。
【０１７６】
図１３に示す製品ＤＲの製法については、前出ｄ１の原料組成を用い、試作品を作成した。この試作品は、図示し、前述のとおり、鉱物系原料と窯業系原料の両方に対し、それぞれを電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。脱水後、鉱物系原料をボールミルにより湿式粉砕してスプレードライヤーによる乾燥を行い、トンネルキルンにおいて１３００℃で焼成した。ここに前記電磁気処理済みの窯業系原料を表中の所定量配合してボールミルにより湿式粉砕し、当該粉砕物を電磁気処理装置１０に投入して、水（適宜追加）との混合によりスラリー状態としたものを攪拌しながらさらに１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行い、スプレードライヤーにより再度乾燥を行い、エアセパレーターを用いて平均粒径２．５μｍの粒子に分級した。実施例では、２回目の粉砕後に電磁気処理を行ったが１回目の粉砕後にも電磁気処理を行うこととしてもよい。
【０１７７】
＜試作例５＞
試作例５における試作品ｅ１〜ｅ９は、図９に示す製法に基づき製造した焼成粉砕物である。以下の表１７に試作品ｅ１〜ｅ９の原料組成及び相当する製品を示す。
【０１７８】
【表１７】
2004331483.tif 000019
【０１７９】
試作品ｅ１，ｅ２は、図９の製品ＥＸに相当するものである。すなわち、鉱物系原料と窯業系原料のそれぞれに対し、各２ｋｇを電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。脱水後、鉱物系原料と表中の窯業系原料の一部（粘土，長石等の一部）をボールミルにより湿式粉砕し、スプレードライヤーにより乾燥を行い、乾燥物をトンネルキルンにおいて１２００〜１２９０℃（焼成温度−１）で焼成した。前記焼成物に窯業系原料の残りを添加し、ボールミルにより湿式粉砕を行った。なお、窯業系原料に酸化チタン（１１１）を含むものは、当該粉砕において酸化チタンを添加した。粉砕物をスプレードライヤーによる乾燥の後、トンネルキルンにおいて８００〜１２５０℃（焼成温度−２）で焼成し、再度ボールミルによる湿式粉砕を行い、スプレードライヤーによる乾燥の後、エアセパレーターにより平均粒径２．５μｍの粒子に分級し、試作品ｅ１，ｅ２を試作した。
【０１８０】
試作品ｅ３は図９の製品ＥＹに相当し、試作品ｅ４〜ｅ９は製品ＥＺに相当するものである。すなわち、鉱物系原料又は窯業系原料について、試作品ｅ３は鉱物系原料のみ、試作品ｅ４〜ｅ９は窯業系原料のみ、前出の電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。前記電磁気処理を経た原料を表１７中の配合比率に調整し、ｅ１，ｅ２と焼成温度以外は同様の加工を行い、試作品ｅ３〜ｅ９を試作した。なお、窯業系原料に酸化チタンを含むものは、トンネルキルンでの焼成温度（焼成温度−２）を８００〜９００℃とした。
【０１８１】
図１４に示す製品ＥＲの製法については、前出ｅ２の原料組成を用い、試作品を作成した。この試作品は、図示し、前述のとおり、鉱物系原料と窯業系原料の両方に対し、それぞれを電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。脱水後、鉱物系原料と表中の窯業系原料の一部（粘土，長石等の一部）をボールミルにより湿式粉砕し、スプレードライヤーにより乾燥を行い、乾燥物をトンネルキルンにおいて１２００℃（焼成温度−１）で焼成した。前記焼成物に窯業系原料の残りを添加し、ボールミルにより湿式粉砕を行った。当該粉砕物を電磁気処理装置１０に投入して、水（適宜追加）との混合によりスラリー状態としたものを攪拌しながらさらに１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行い、スプレードライヤーによる乾燥の後、トンネルキルンにおいて８００℃（焼成温度−２）で焼成し、窯業系原料の酸化チタン（１１１）を添加して再度ボールミルによる湿式粉砕を行い、スプレードライヤーによる乾燥の後、エアセパレーターにより平均粒径２．５μｍの粒子に分級した。
【０１８２】
図１４に示す製品ＥＳの製法については前出ｅ３の原料組成を用い、製品ＥＴの製法については前出ｅ４の原料組成を用い試作品を作成した。製品ＥＳの製法においては鉱物系原料のみ、製品ＥＴの製法においては窯業系原料のみ、前出の電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。以降は前出の製品ＥＲの製法と同様の加工を行い、焼成温度のみ変更して試作した。実施例では電磁気処理を鉱物系原料と窯業系原料のそれぞれに行ったものと、両原料の混合粉砕物に行ったものの合計で２回行ったが、むろん２回以上が可能であることは言うまでもない。
【０１８３】
＜試作例６＞
試作例６における試作品ｆ１〜ｆ９は、図９に示す製法に基づき製造した焼成粉砕物である。以下の表１８に試作品ｆ１〜ｆ９の原料組成及び相当する製品を示す。
【０１８４】
【表１８】
2004331483.tif 000020
【０１８５】
試作品ｆ１〜ｆ３は、図９の製品ＦＸに相当するものである。すなわち、鉱物系原料と窯業系原料のそれぞれに対し、各２ｋｇを電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。脱水後、鉱物系原料と表中の窯業系原料の一部（粘土，長石等の一部）をボールミルにより湿式粉砕し、スプレードライヤーにより乾燥を行い、乾燥物をトンネルキルンにおいて１２２０〜１３２０℃（焼成温度−１）で焼成した。前記焼成物に窯業系原料の残りを添加し、ボールミルにより湿式粉砕後、スプレードライヤーによる乾燥を行った。当該乾燥物を造粒機により、粒径約５ｍｍの略球状体に造粒後、造粒物（略球状体）をトンネルキルンにおいて８５０〜１２５０℃（焼成温度−２）で焼成することにより、試作品ｆ１〜ｆ３を試作した。
【０１８６】
試作品ｆ４は図９の製品ＦＹ、試作品ｆ５〜ｆ９は製品ＦＺに相当するものである。すなわち、鉱物系原料又は窯業系原料について、試作品ｆ４は鉱物系原料のみ、試作品ｆ５〜ｆ９は窯業系原料のみ、前出の電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。前記電磁気処理を経た原料を表１８中の配合比率に調整し、ｆ１〜ｆ３と焼成温度以外は同様の加工を行い、試作品ｆ４〜ｆ９を試作した。なお、試作品に酸化チタンが含まれる場合にはトンネルキルンでの焼成温度（焼成温度−２）を８００〜８５０℃とした。
【０１８７】
図１４に示す製品ＦＲの製法については、前出ｆ３の原料組成を用い、試作品を作成した。この試作品は、図示し、前述のとおり、鉱物系原料と窯業系原料の両方に対し、それぞれを電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。脱水後、鉱物系原料と表中の窯業系原料の一部（フリット等の一部）をボールミルにより湿式粉砕し、スプレードライヤーにより乾燥を行い、乾燥物をトンネルキルンにおいて１２２０〜１３２０℃（焼成温度−１）で焼成した。前記焼成物に窯業系原料の残りを添加し、ボールミルにより湿式粉砕を行った。当該粉砕物を電磁気処理装置１０に投入して、水（適宜追加）との混合によりスラリー状態としたものを攪拌しながらさらに１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行い、スプレードライヤーにより乾燥を行った。当該乾燥物を造粒機により、粒径約５ｍｍの略球状体に造粒後した。前記造粒物をトンネルキルンにおいて８５０℃（焼成温度−２）で焼成した。
【０１８８】
図１４に示す製品ＦＳの製法については前出のｆ４の原料組成を用い試作品を作成した。製品ＦＳの製法においては、鉱物系原料のみ、電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。以降は、前出の製品ＦＲの製法と同様の加工を行い、焼成温度のみ変更して作成した。実施例では電磁気処理を鉱物系原料と窯業系原料のそれぞれに行ったものと、両原料の混合粉砕物に行ったものの合計で２回行ったが、むろん２回以上が可能であることは言うまでもない。また、電磁気処理を造粒（成形）後であり、焼成前に行う場合には、前記したとおり、造粒の際に、原料同士の凝集性を高めるためにカルボキシメチルセルロースを０．０１重量％程度添加することが望ましい。
【０１８９】
さらに、図１７に示す製品ＦＵ，ＦＶの製法については、前出のｆ３，ｆ４の原料組成を用い、試作品を作成した。この試作品は、図示し、前述のとおり、ＦＵは鉱物系原料と窯業系原料の両方（ｆ３の組成）、ＦＶは鉱物系原料のみ（ｆ４の組成）を電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行った。脱水後、鉱物系原料と表中の窯業系原料の一部（フリット等の一部）をボールミルにより湿式粉砕し、スプレードライヤーにより乾燥を行い、乾燥物をトンネルキルンにおいて１２２０〜１３２０℃（焼成温度−１）で焼成した。前記焼成物に窯業系原料の残りを添加し、ボールミルにより湿式粉砕後、スプレードライヤーによる乾燥を行った。当該乾燥物を造粒機により、粒径約５ｍｍの略球状体に造粒後、造粒物（略球状体）をトンネルキルンにおいて８５０〜１２５０℃（焼成温度−２）で焼成した。前記焼成造粒物を電磁気処理装置１０に投入し、水で浸漬した後、１６Ｖ、２４時間の電磁気処理を行い、脱水後、トンネルキルンを用い４００℃雰囲気下において乾燥した。
【０１９０】
本発明のマイナスイオン発生セラミック物質の製法においては、以上の説明及び実施例に明記した原料、加工手段に限定されるものではなく、他の原料、加工手段を適切に選択し、組み合わせることができる。例えば請求項に掲げた電磁気処理を行う電磁気処理装置を量産可能な規模に拡大する場合、コンクリート製水槽の内側を樹脂により絶縁処理を施したものが検討される。このコンクリート製水槽内に鉱物系原料、窯業系原料と、水とを投入後、適宜の直流電圧による、電磁気処理を行うものである。
【０１９１】
さらに、鉱物系原料、窯業系原料の粉砕物と水との混合によるスラリー状物に対しては、プロペラ等（絶縁部材）による攪拌を伴いながら電磁気処理を実施することが望ましい。
【０１９２】
なお、マイナスイオン発生セラミック物質の製造において、鉱物系原料と窯業系原料の両方に対して電磁気処理を行うにあたり、マイナスイオン発生セラミック物質を構成する原料の構成比、電磁気処理の効果の発現性が勘案され、必ずしも当該両原料の全量に対して電磁気処理を行う必要はない場合がある。例えば、電磁気処理の効果が期待できる原料鉱石には電磁気処理を行い、これに電磁気処理の効果が期待できない原料鉱石（電磁気処理せず）を組み合わせて鉱物系原料とする場合等である。
【０１９３】
【発明の効果】
以上図示し説明したように、請求項１に係るマイナスイオン発生セラミック物質の製法の発明によると、鉱物系原料及び窯業系原料の両方に対して直流電圧を通電する電磁気処理を行うため、両原料から発生するマイナスイオン量を増加させることができ、使用する原料鉱石種及びその産地間による放射線量のばらつきが解消され、所望のマイナスイオン発生量を有するセラミック物質への加工及び調整の負担が軽減する。さらには、より少ない放射線量の原料鉱石の使用が可能となり、放射線強度に関する各種法令の規制値の回避が容易になる。
【０１９４】
また、請求項２に係るマイナスイオン発生セラミック物質の製法の発明によると、鉱物系原料もしくは窯業系原料のいずれか一方に対して直流電圧を通電する電磁気処理を行うため、鉱物系原料であって、電磁気処理によるマイナスイオン発生量の増加率が大きく期待できない原料を用いる場合は、配合される窯業系原料自体に電磁気処理を行うことにより、窯業系原料がマイナスイオン発生量を補助的に高め、使用可能な鉱物系原料（原料鉱石）の種類を拡張することが可能となる。
【０１９５】
同様に窯業系原料であって、電磁気処理によるマイナスイオン発生量の増加率が大きく期待できない原料を用いる場合も、配合される鉱物系原料自体に電磁気処理を行うことにより、マイナスイオン発生量を高めることができ、使用可能な窯業系原料の種類を拡張することが可能となる。
【０１９６】
請求項３ないし１６に係るマイナスイオン発生セラミック物質の製法の発明によると、直流電圧を通電する電磁気処理とともに、粉砕を加えることにより、微粒子化することに伴い表面積が増加し、マイナスイオン発生量の効率が向上する。
【０１９７】
さらに、加工時に焼成を加えた場合、微量成分中の放射性同位元素が焼結し、製品加工時において放射性同位元素の分離を防ぐことができるため、製品としての放射線量の一定化（調整）が容易になり、マイナスイオンの発生量の増加及び安定化が可能となる。
【０１９８】
特に、請求項５，８，１１，１４，１５，１６に係るマイナスイオン発生セラミックス物質の製法によると、造粒又は所定形状に成型を行うことにより、微量成分中の放射性同位元素の焼結と同時に造粒物又は成型物自体の強度が増し、粒状体やハニカム体等としての使用にも対応可能となる。
【０１９９】
加えて、請求項３ないし１６に係るマイナスイオン発生セラミック物質の製法の発明によると、電磁気処理は、原料に行う場合（請求項３ないし請求項８）、原料及び加工工程中に行う場合（請求項９ないし請求項１４）、原料及び完成品に行う場合（請求項１５，請求項１６）に大別され、適宜の段階で電磁気処理ができるため、所望のマイナスイオン発生量への調整、製造設備の処理能力等を勘案して最適な段階に設定することが可能である。
【０２００】
請求項１７に係るマイナスイオン発生セラミック物質の製法の発明によると、マイナスイオンに由来する環境改善効果及び生理的機能改善効果に加え、酸化チタンの触媒作用も付加されるため、消臭、抗菌、防汚効果が強化され、窯業、建材、塗料、繊維、生活用品等の利用に有効かつ好適なマイナスイオン発生セラミック物質を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の原料鉱石の選鉱プロセスを示す第一概略図である。
【図２】この発明の原料鉱石の選鉱プロセスを示す第二概略図である。
【図３】この発明の電磁気処理に用いる電磁気処理装置の斜視図である。
【図４】図３の２−２線の位置で切断した状態の断面図である。
【図５】本発明の第一実施例に係る概略工程図である。
【図６】第一実施例の製造に係る第一加工工程図である。
【図７】第一実施例の製造に係る第二加工工程図である。
【図８】第一実施例の製造に係る第三加工工程図である。
【図９】第一実施例の製造に係る第四加工工程図である。
【図１０】本発明の第二実施例に係る概略工程図である。
【図１１】第二実施例の製造に係る第一加工工程図である。
【図１２】第二実施例の製造に係る第二加工工程図である。
【図１３】第二実施例の製造に係る第三加工工程図である。
【図１４】第二実施例の製造に係る第四加工工程図である。
【図１５】本発明の第三実施例に係る概略工程図である。
【図１６】第三実施例の製造に係る第一加工工程図である。
【図１７】第三実施例の製造に係る第二加工工程図である。
【図１８】加工処理評価に係るサンプル試作の概略工程図である。
【符号の説明】
１０  電磁気処理装置
１３  陽極側電極板
１４  陰極側電極板
１６  トランス
２０  マイナスイオン測定器
２１  測定部
Ｍｍ  鉱物系原料
Ｍｃ  窯業系原料
【図１】
2004331483.tif 000021
【図２】
2004331483.tif 000022
【図３】
2004331483.tif 000023
【図４】
2004331483.tif 000024
【図５】
2004331483.tif 000025
【図６】
2004331483.tif 000026
【図７】
2004331483.tif 000027
【図８】
2004331483.tif 000028
【図９】
2004331483.tif 000029
【図１０】
2004331483.tif 000030
【図１１】
2004331483.tif 000031
【図１２】
2004331483.tif 000032
【図１３】
2004331483.tif 000033
【図１４】
2004331483.tif 000034
【図１５】
2004331483.tif 000035
【図１６】
2004331483.tif 000036
【図１７】
2004331483.tif 000037
【図１８】
2004331483.tif 000038