(57)【要約】【課題】金属電極を形成する方法として、同種類の金属を２回以上に分けて真空蒸着法により成膜し、一度生成したピンホールや欠陥が金属電極の深さ方向に繋がらないようにすることで、有機ＥＬ層と水分や酸素との接触を抑制し、有機ＥＬ装置の長寿命化を達成することができると共に、ダークスポット欠陥の発生を抑制することができる有機ＥＬ装置の製造方法、及び有機ＥＬ装置、並びに電子機器を提供すること。【解決手段】有機ＥＬ素子６０を狭持している一対の電極２３、５０のうち少なくとも一方の電極５０を構成する少なくとも一つ金属層のうち一の金属材料からなる層を蒸着により形成する蒸着工程を有し、蒸着工程を蒸着条件を変化させて行うことを特徴とする。【選択図】  図５
2004171861.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ素子を狭持している一対の電極のうち少なくとも一方の電極を構成する少なくとも一つ金属層のうち一の金属材料からなる層を蒸着により形成する蒸着工程を有し、
前記蒸着工程を、蒸着条件を変化させて行うことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
前記変化させる蒸着条件は、前記基板の温度、前記基板の姿勢、前記基板の回転速度、及び蒸着物質が通過する蒸気流通部の開口面積のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
前記蒸着工程は、一の金属材料からなる層の蒸着を、途中で中断することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
前記蒸着工程は、同一の蒸着装置において行われることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれかに記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のうちいずれかに記載の方法を用いて製造されたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項６】
請求項５に記載の有機ＥＬ装置を表示手段として備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機ＥＬ装置の製造方法、及び有機ＥＬ装置、並びに電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと略記する）装置においては、基板上に複数の回路素子、透明電極、有機ＥＬ層及び金属電極等が積層され、それらを封止基板によって基板との間に挟んで封止した構成を具備しているものがある。
このような有機ＥＬ装置においては、正孔と電子とが、蛍光能を有する有機ＥＬ層内で再結合し、励起状態から失活する際に発光する現象を利用している。
【０００３】
また、この有機ＥＬ装置の金属電極の形成方法においては、種種の成膜方法が好適に用いられており、その中でも真空蒸着法が採用されることが多い。この真空蒸着法による金属電極形成過程においては、金属電極の下地膜の凹凸形状やパーティクルの付着によって金属電極にピンホールが生じる場合があり、また、これ以外にも、真空蒸着装置の輻射熱や基板の加熱によって有機ＥＬ層に含有していた水分が気化し、これが金属電極を貫通することによりピンホールが生じてしまう場合がある。
このピンホールによって、有機ＥＬ装置の外部から有機ＥＬ層に水分や酸素が浸入してしまい、有機ＥＬ素子の寿命低下を招いてしまうという問題があった。更に水分や酸素の浸入によって有機ＥＬ素子内にダークスポットと呼ばれる欠陥が発生しやすくなり、また、金属電極の酸化によって安定した発光が得られないという問題があった。
【０００４】
このような有機ＥＬ層への水分や酸素の侵入に起因する問題に対して、幾つかの提案がなされている。その一つとして、水分や酸素を含む外気と有機ＥＬ層とが触れないように、金属或いはガラス製の封止部材を有機ＥＬ素子に接着する構造が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。また、それ以外にも、金属電極上に低融点の金属を蒸着し、更に加熱溶解させてピンホールを埋める方法が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−１２１１７０号公報
【特許文献２】
特開２００１−５２８６３号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１においては、完全に外気を遮断することが難しく、僅かに侵入した水分や酸素が金属電極のピンホールを通じて有機ＥＬ層内部に侵入し、有機ＥＬ層の劣化を引き起こすという問題があった。
また、特許文献２においては、異なる２種類の金属を別々に蒸着する必要があり、また加熱工程が新たに必要になるため、量産性の低下と生産コストアップを招いてしまうだけでなく、加熱工程によって耐熱性に乏しい有機ＥＬ層材料の劣化を招くという問題があった。
【０００７】
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、その目的は、金属電極を形成する方法として、同種類の金属を２回以上に分けて真空蒸着法により成膜し、一度生成したピンホールや欠陥が金属電極の深さ方向に繋がらないようにすることで、有機ＥＬ層と水分や酸素との接触を抑制し、有機ＥＬ装置の長寿命化を達成することができると共に、ダークスポット欠陥の発生を抑制することができる有機ＥＬ装置の製造方法、及び有機ＥＬ装置、並びに電子機器を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の手段を採用した。
即ち、有機ＥＬ素子を狭持している一対の電極のうち少なくとも一方の電極を構成する少なくとも一つ金属層のうち一の金属材料からなる層を蒸着により形成する蒸着工程を有し、蒸着工程を蒸着条件を変化させて行うことを特徴とするものである。
従って、本発明によれば、一種類の金属材料からなる複数層の電極が形成される。また、蒸着条件を変化させながら電極を形成することによって結晶方位が変わり、電極の各層の結晶状態が異なって形成される。従って、各層がそれぞれピンホールを有した場合であっても、それらが繋がることがない。
また、蒸着条件を変化させることによって蒸着速度が変化し、結晶状態の疎密が生じ、従って複数層の各層の結晶状態に差異が生じるので、複数層の各層がそれぞれピンホールを有した場合であっても、それらが繋がることがない。
このように電極のピンホールが繋がることがないので、電極外部の水分や酸素が電極を通過することがなく、有機ＥＬ層に対する水分や酸素の侵入を抑制することができる。更に、有機ＥＬ層と水分や酸素との接触が抑制されることによって、有機ＥＬ装置の長寿命化を達成することができると共に、ダークスポット欠陥の発生を抑制することができる。
【０００９】
また、本発明は、先に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であり、変化させる蒸着条件は、基板の温度、基板の姿勢、基板の回転速度、及び蒸着物質が通過する蒸気流通部の開口面積のうち少なくとも一つを含むことを特徴とするものである。
ここで、基板の温度とは、基板を加熱及び冷却することによって所定の温度に設定された温度を意味しており、蒸着装置が備えた温調機構部が蒸着条件に応じて任意に設定するものである。
また、基板の姿勢とは、蒸着源に対する基板の傾斜角度を意味しており、蒸着装置が備えた姿勢制御機構が蒸着条件に応じて任意に設定するものである。
また、基板の回転速度とは、蒸着装置が備えた回転機構が蒸着条件に応じて任意に設定するものである。
また、蒸着物質が通過する蒸気流通部の開口面積とは、蒸着源と、蒸気流通部と、開口面積調整機構と、基板とを備えた蒸着装置において、開口面積調整機構によって調整された蒸気流通部の開口面積を意味している。従って、蒸着源で蒸気となった蒸着物質が蒸気流通部を通過して基板に蒸着される際に、蒸気流通部の開口面積の大小が調整されることで、所定量の蒸着物質が基板に蒸着される。
また、上記の蒸着条件は、蒸着中に任意に変化させてもよい。
従って、本発明によれば、先に記載した蒸着条件を好適に変化させて複数層の電極を形成することができる。
【００１０】
また、本発明は、先に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であり、蒸着工程は、一の金属材料からなる層の蒸着を、途中で中断することを特徴とするものである。ここで、蒸着を途中で中断する工程とは、蒸着物質の結晶成長が一旦停止状態にすることを意味しており、蒸着装置が備えた開閉機構部が蒸気流通部を任意に閉じることによって行われる。
従って、本発明によれば、蒸着を中断することによって、蒸着物質の結晶成長が一旦停止状態にすることができ、好適に複数層の電極を形成することができる。
【００１１】
また、本発明は、先に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であり、蒸着工程は、同一の蒸着装置において行われることを特徴とするものである。
従って、本発明によれば、同一の蒸着装置において複数層の電極が形成されるので、複数の蒸着装置が不要になり、蒸着工程の簡略化を達成することができる。
【００１２】
次に、本発明の有機ＥＬ装置は、先に記載の方法を用いて製造されたことを特徴とする。
従って、本発明によれば、有機ＥＬ層に対する水分や酸素の侵入が抑制され、長寿命化の達成とダークスポット欠陥の発生が抑制された有機ＥＬ装置となる。
【００１３】
次に、本発明の電子機器は、先に記載の有機ＥＬ装置を表示手段として備える電子機器を特徴とするものである。
従って、本発明の電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ、パソコンなどの情報処理装置などを例示することができる。このように電子機器の表示部に、本発明の有機ＥＬ装置を採用することによって、有機ＥＬ装置の長寿命化の達成及びダークスポット欠陥の発生が抑制された電子機器となる。
これらの電子機器を製造するには、前記の実施形態の有機ＥＬ装置１を、携帯電話、携帯型情報処理装置、腕時計型電子機器などの各種電子機器の表示部に組み込むことにより製造される。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、有機ＥＬ装置の製造方法及び有機ＥＬ装置、並びに電子機器の実施形態について、図面を参照して説明する。
本実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００１５】
〔有機ＥＬ装置の第１実施形態〕
本発明の有機ＥＬ装置の第１実施形態として、電気光学物質の一例である電界発光型物質の有機ＥＬ材料を用いた有機ＥＬ装置について説明する。
【００１６】
図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図である。
有機ＥＬ装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下では、ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ装置である。
【００１７】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１は、複数の走査線１０１…と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２…と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３…とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１…と信号線１０２…の各交点付近に、画素領域Ｘ…が設けられている。
【００１８】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００１９】
更に、画素領域Ｘの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む陽極（電極）２３と、この陽極２３と陰極５０との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。陽極２３と陰極５０と機能層１１０により、発光素子が構成されている。
【００２０】
この有機ＥＬ装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から陽極２３に電流が流れ、更に機能層１１０を介して陰極５０に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。そこで、発光はそれぞれ陽極２３…ごとにオン・オフを制御されるから、陽極２３は画素電極となっている。
【００２１】
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１の具体的な態様を、図２〜４を参照して説明する。図２は有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示す平面図である。図３は図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図、図４は図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図である。
【００２２】
図２に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、電気絶縁性を備える基板２０と、図示略のスイッチング用ＴＦＴに接続された画素電極が基板２０上にマトリックス状に配置されてなる図示略の画素電極域と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線１０３…（図１参照）と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図中一点鎖線枠内）とを具備して構成されている。また、画素部３は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線及び二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００２３】
実表示領域４には、それぞれ画素電極を有する表示領域Ｒ、Ｇ、ＢがＡ−Ｂ方向及びＣ−Ｄ方向に離間して配置されている。
また、実表示領域４の図中両側には、走査線駆動回路８０が配置されている。
この走査線駆動回路８０はダミー領域５の下側に位置して設けられている。
【００２４】
更に、実表示領域４の図中上側には、検査回路９０が配置されている。この検査回路９０はダミー領域５の下側に位置して設けられている。この検査回路９０は、有機ＥＬ装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する不図示の検査情報出力手段を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。
【００２５】
走査線駆動回路８０及び検査回路９０の駆動電圧は、所定の電源部から駆動電圧導通部３１０（図３参照）及び駆動電圧導通部３４０（図４参照）を介して印加されている。また、これら走査線駆動回路８０及び検査回路９０への駆動制御信号及び駆動電圧は、この有機ＥＬ装置１の作動制御を司る所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部３２０（図３参照）及び駆動電圧導通部３５０（図４参照）を介して送信及び印加されるようになっている。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０及び検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。
【００２６】
有機ＥＬ装置１は、図３及び図４に示すように、基板２０と封止基板３０とが封止樹脂４０を介して貼り合わされている。基板２０、封止基板３０及び封止樹脂４０とで囲まれた領域には、乾燥剤４５が挿入されるとともに、例えば窒素ガスなどの不活性ガスが充填された不活性ガス充填層４６が形成されている。
【００２７】
基板２０は、封止側発光型の有機ＥＬ装置の場合には、この基板２０の対向側である封止基板３０側から発光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミック、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。
【００２８】
また、基板側発光型の有機ＥＬ装置の場合には、基板２０側から発光を取り出す構成であるので、基板２０は、透明あるいは半透明のものが採用される。例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特に、安価なソーダガラス基板が好適に用いられる。
【００２９】
封止基板３０は、例えば、電気絶縁性を有する板状部材を採用することができる。また、封止樹脂４０は、例えば、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂からなるものであり、特に熱硬化樹脂の一種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。
【００３０】
また、基板２０上には、陽極２３…を駆動するための駆動用ＴＦＴ１２３…などを含む回路部１１が形成され、回路部１１の上部には、駆動用ＴＦＴ１２３…に接続されたそれぞれの陽極２３…が図２の表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂの位置に対応して形成されている。実表示領域４内の陽極２３…の上層には、機能層１１０が形成され、その上層には、陰極５０が形成されている。なお、回路部１１には、走査線駆動回路８０、検査回路９０、及びそれらを接続して駆動するための駆動電圧動通部３１０、３４０、３５０、駆動制御信号導通部３２０などが含まれている。
【００３１】
次に、機能層１１０の概略構成について、図５を参照して説明する。
図５は本実施形態の機能層１１０の概略構成を説明するための概念図である。機能層１１０は、陽極２３と陰極５０に挟まれる多層構造を備えており、陽極２３側から順に、ＰＥＤＯＴ７１と、有機ＥＬ層（有機ＥＬ素子）６０と、電子輸送層５２とが形成されたものである。
【００３２】
陽極２３は、ＩＴＯによって構成され、印加された電圧によって、正孔を有機ＥＬ層６０に向けて注入するものであり、仕事関数が高く導電性を有している。陽極２３を形成するための材料としては、ＩＴＯに限るものではなく、封止側発光型の有機ＥＬ装置の場合には、特に光透過性を備えた材料を採用する必要はなく、好適な材料であればよい。また、基板側発光型の有機ＥＬ装置の場合には、光透過性を備えた公知の材料を採用することができる。例えば、金属酸化物が挙げられるが、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、もしくは、金属酸化物に亜鉛（Ｚｎ）を含有した材料、例えば、酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー）（登録商標））（出光興産社製）を採用することができる。
【００３３】
ＰＥＤＯＴ７１は、導電性高分子材料の一つであり、陽極２３の正孔を有機ＥＬ層６０に注入するための正孔注入層を構成するものであり、その膜厚は、３０ｎｍに形成されている。
このような正孔注入層を形成する材料の例として種種の導電性高分子材料が好適に用いられ、例えば、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール等を採用することができる。
【００３４】
有機ＥＬ層６０は、陽極２３からＰＥＤＯＴ７１を経て注入された正孔と、陰極５０からの注入された電子とが結合して蛍光を発生させるようになっている。有機ＥＬ層６０を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料、例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の材料をドープして用いることもできる。
【００３５】
電子輸送層５２は、有機ＥＬ層６０に電子を注入する役割を果たすものであり、この形成材料としては、特に限定されることなく、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体等が例示される。具体的には、先の正孔輸送層の形成材料と同様に、特開昭６３−７０２５７号、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号、同２−１３５３６１号、同２−２０９９８８号、同３−３７９９２号、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示され、特に２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウムが好適とされる。
【００３６】
次に、図３、図４及び図６を用いて陰極について説明する。ここで、図６は図５に示した陰極５０の詳細を示した拡大図である。
陰極５０は、図３及び図４に示すように、実表示領域４及びダミー領域５の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されている。陰極５０は、陽極２３の対向電極として、電子を有機ＥＬ層６０に注入する機能を備える。
封止側発光型の有機ＥＬ装置の場合には、有機ＥＬ層６０から発光する光を陰極５０側から取り出す構成であるので、陰極５０は光透過性を備える必要がある。また、基板側発光型の有機ＥＬ装置の場合には、有機ＥＬ層６０から発光する光を陽極２３側から取り出す構成であるので、陰極５０は特に光透過性を備える必要がなく、好適な材料が採用される。また、更に上記いずれの場合であっても、陰極５０は、仕事関数が低い材料から構成される。
【００３７】
また、陰極５０は、図６に示すように第１陰極層５３と、第２陰極層５１ａと、第３陰極層５１ｂとが機能層１１０上に形成された構成となっている。陰極５０を構成する各層の材料としては、第１陰極層５３には例えばカルシウム金属又はカルシウムを主成分とする合金が採用され、第２陰極層５１ａ及び第３陰極層５１ｂには、アルミニウムが採用される。
ここで、第２陰極層５１ａ及び第３陰極層５１ｂは、後に説明する蒸着工程の際に生じたピンホール５４ａ、５４ｂを複数有しているが、第２陰極層５１ａ及び第３陰極層５１ｂの蒸着条件を変えて形成することによって、ピンホール５４ａ、５４ｂが繋がらず積層された構成となっている。
なお、第２陰極層５１ａ及び第３陰極層５１ｂの材料は、アルミニウム以外にアルミニウムを主成分とする合金、銀又は銀−マグネシウム合金等を採用してもよい。
また、第２陰極層５１ａ及び第３陰極層５１ｂの合計膜厚は１００〜１２０ｎｍ程度が好ましい。
【００３８】
上述したように有機ＥＬ装置１においては、陰極５０に生じたピンホール５４ａ、５４ｂが繋がることがなく、従って、陰極５０の外部から侵入する水分や酸素が第２陰極層５１ａ及び第３陰極層５１ｂを通過することがなく、機能層１１０に対して水分や酸素の侵入を抑制することができる。更に、機能層１１０と水分や酸素との接触が抑制されることによって、有機ＥＬ装置１の長寿命化を達成することができると共に、ダークスポット欠陥の発生を抑制することができる。
【００３９】
次に、実表示領域４に設けられた駆動用ＴＦＴ１２３の近傍の構成について、図７〜９を参照して簡単に説明する。図７は、図１の画素領域Ｘの平面視模式図である。図８は、図７のＥ部におけるＦ−Ｇ方向に沿った断面図である。図９は、図７のＨ部におけるＩ−Ｊ方向に沿った断面図である。図１０は、図７のＧ部におけるＬ−Ｍ方向に沿った断面図である。
【００４０】
図７に示すように、画素領域Ｘでは、Ｅ部に駆動用ＴＦＴ１２３が、Ｈ部に保持容量１１３が、Ｋ部にスイッチング用ＴＦＴ１１２が形成され、それぞれ、図１に示すように、互いに接続され、走査線１０１、信号線１０２、ソース電極２４３（電源線１０３）とも接続されている。
【００４１】
まず、機能層１１０を含む駆動用ＴＦＴ１２３の近傍の構成を、図８を参照して簡単に説明する。
図８に示すように、基板２０の表面には、図示略のＳｉＯ２を主体とする下地保護層を下地として、その上層にシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面は、ＳｉＯ２及びＳｉＮのうちいずれかを主体とするゲート絶縁層２８２によって覆われている。なお、本明細書において、「主体」とする成分とは、構成成分のうち最も含有率の高い成分を指すこととする。
【００４２】
シリコン層２４１において、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は図示略の走査線１０１の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２が形成されたゲート絶縁層２８２の表面は、ＳｉＯ２を主体とする第１層間絶縁層２８３によって覆われている。
【００４３】
更に、シリコン層２４１において、チャネル領域２４１ａのソース側にはソース領域２４１Ｓが、チャネル領域２４１ａのドレイン側にはドレイン領域２４１Ｄが設けられている。ソース領域２４１Ｓ及びドレイン領域２４１Ｄには濃度傾斜が設けられ、いわゆるＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造となっている。ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、上述した電源線１０３（図１、６参照、図８においてはソース電極２４３の位置に紙面垂直方向に延在する）の一部として構成される。一方、ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ｂを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００４４】
ソース電極２４３及びドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層は、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とする第２層間絶縁層２８４によって覆われている。この第２層間絶縁層２８４は、アクリル系の絶縁膜以外の材料、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ２などを用いることもできる。そして、陽極２３が第２層間絶縁層２８４の面上に形成されるとともに、該第２層間絶縁層２８４に設けられたコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。即ち、陽極２３は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１のドレイン領域２４１Ｄに接続されている。
【００４５】
陽極２３が形成された第２層間絶縁層２８４の表面は、陽極２３と、図示略の例えばＳｉＯ２などの親液性材料を主体とする親液性制御層と、アクリルやポリイミドなどからなる有機バンク層２２１とによって覆われている。図３、４に示すように、有機バンク層２２１…は、陽極２３…の間にその回りを取り囲むように２次元的に配置されており、機能層１１０…から上側に発光された光が、有機バンク層２２１によって仕切られる構成とされている。なお、本実施形態における親液性制御層の「親液性」とは、少なくとも有機バンク層２２１を構成するアクリル、ポリイミドなどの材料と比べて親液性が高いことを意味するものとする。以上に説明した基板２０から第２層間絶縁層２８４までの層は回路部１１を構成している。
【００４６】
なお、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、カラー表示を行うべく構成されている。即ち、図２における光の三原色Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂごとに機能層１１０…に含まれる各有機ＥＬ層６０が、それぞれ三原色に対応して形成されている。即ち、有機ＥＬ層６０…が表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂごとに異なるだけなので、詳細の説明は省略する。
【００４７】
保持容量１１３は、図９に示すように、ゲート電極２４２とソース電極２４３とが第１層間絶縁層２８３を介して対向することにより形成されている。
また、スイッチング用ＴＦＴ１１２は、図１０に示すように、シリコン層２４１と同様の構成のシリコン層２５０によって、信号線１０２に接続するドレイン領域２５０Ｓ、ゲート絶縁層２８２を挟んで走査線１０１と対向するキャリア領域２５０ａ、コネクタ２６０を介してゲート電極２４２に接続するドレイン領域２５０Ｄから構成された、駆動用ＴＦＴ１２３と同様の構造を備えるスイッチング素子である。
【００４８】
このように構成された有機ＥＬ装置１においては、電源線１０３（図１参照）から駆動電流が機能層１１０の陽極２３に流れ込むと、陽極２３と陰極５０の間に電位差が生じ、陽極２３の正孔がＰＥＤＯＴ７１を介して、有機ＥＬ層６０に注入され、陰極５０の電子が電子輸送層５２を介して有機ＥＬ層６０に注入されるので、有機ＥＬ層６０に注入された正孔と電子とが結合することにより、有機ＥＬ層６０は発光する。
【００４９】
〔有機ＥＬ装置の第２実施形態〕
次に、有機ＥＬ装置の第２実施形態について、図１３を用いて説明する。図１３は図５に示した陰極５０の詳細を示した拡大図である。
本実施形態と第１実施形態との相違点は、陰極５０の構成のみが異なっており、その他の構成要素は第１実施形態と同様である。本実施形態においては、異なる部分のみを説明し、その他の同一構成要素には同一符号を付している。
【００５０】
陰極５０は、図１３に示すように第１陰極層５３ａと、第２陰極層５３ｂと、第３陰極層５１とが機能層１１０上に形成された構成となっている。陰極５０を構成する各層の材料としては、第１陰極層５３ａ及び第２陰極層５３ｂには、カルシウム金属又はカルシウムを主成分とする合金が採用され、第３陰極層５１には、アルミニウム、アルミニウムを主成分とする合金、銀又は銀−マグネシウム合金等が採用される。
ここで、第１陰極層５３ａ及び第２陰極層５３ｂは、蒸着工程の際に生じたピンホール５４ａ、５４ｂを複数有しているが、第１陰極層５３ａ及び第２陰極層５３ｂの蒸着条件を変えて形成することによって、ピンホール５４ａ、５４ｂが繋がらず積層された構成となっている。
【００５１】
上述したように、本実施形態の陰極５０においても、先に記載した実施形態と同様の効果を得ることができる。即ち、機能層１１０に対して水分や酸素の侵入を抑制することができ、機能層１１０と水分や酸素との接触が抑制されることによって、有機ＥＬ装置１の長寿命化を達成することができると共に、ダークスポット欠陥の発生を抑制することができる。
【００５２】
〔有機ＥＬ装置の製造方法の第１実施形態〕
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１の製造方法の一例について、図１１を参照して説明する。図１１（ａ）〜（ｄ）に示す各断面図は、図７中のＦ−Ｇ線の断面図に対応しており、各製造工程順に示している。なお、以下の説明では、本発明に特に関係する工程、即ち、回路部１１が形成されたあとの工程を中心にして説明する。
【００５３】
図１１（ａ）は、基板２０上に、駆動用ＴＦＴ１２３と信号線１０２などが適宜の方法によって形成された様子を示す。例えば、ポリシリコン層を形成し、ポリシリコン層をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、島状のシリコン層２４１などを形成し、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法などにより、シリコン酸化膜によって、ゲート絶縁層２８２を形成し、シリコン層２４１などにイオン注入法により不純物をドープして、駆動用ＴＦＴ１２３などを形成し、金属膜によりゲート電極２４２などを形成し、それらの上層に第１層間絶縁層２８３を形成してからパターニングすることによって、コンタクトホール２４３ａ、２４３ｂなどを形成したものである。
【００５４】
同時に、他の断面では、スイッチング用ＴＦＴ１１２、保持容量１１３が形成されていることは言うまでもないが、本質的な差異はないので、以下では本発明に関わりの深い駆動用ＴＦＴ１２３の近傍を例にとって説明することにする。
【００５５】
次の工程では、図１１（ｂ）に示すように、第１層間絶縁層２８３を覆う第２層間絶縁層２８４を、例えばアクリル系樹脂などの高分子材料もしくはシリコン酸化膜などの無機材料によって形成する。更に、第２層間絶縁層２８４のうち、駆動用ＴＦＴのドレイン電極２４４に対応する部分を、例えばエッチングにより除去してコンタクトホール２３ａを形成する。
【００５６】
次に、図１１（ｃ）に示すように、第２層間絶縁層２８４の上に、陽極２３が形成される領域を空けて、有機バンク層２２１、２２１を形成する。具体的には、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などのレジストを溶媒に溶かしたものを、スピンコート法、ディップコート法などの各種塗布法により塗布して有機質層を形成してから、エッチングなどによってパターニングすることができる。しかし、印刷法又はインクジェット法によって、材料インクを吐出・乾燥して形成すれば、パターンニングの工程が不要となり材料の無駄もなくなることから、より好ましい。
【００５７】
次に、図１１（ｄ）に示すように、有機バンク層２２１、２２１間に、第２層間絶縁層２８４のコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４と導通する陽極２３を形成する。陽極２３は、印刷法又はインクジェット法によって材料インクを吐出・乾燥して所定位置に成膜する。
例えば、インクジェットヘッド（図示略）に材料インクを充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを第２層間絶縁層２８４などの陽極形成面に対向させ、インクジェットヘッドと基材（基板２０）とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴を謡曲形成面に吐出する。次に、吐出後の液滴を乾燥処理して材料インクに含まれる溶媒又は液体を蒸発させることにより、陽極２３が形成される。
【００５８】
なお、上記の説明では製造方法の概略を説明したものであり、成膜対象によっては、インクジェット法によって成膜する際、材料吐出に先立って、例えばプラズマ処理などによって、親インク化工程、撥インク化工程を施すなどの周知の適宜処理を行うことは言うまでもない。
また、インクジェット法によって重ねて成膜を行う際、下層の再溶解を防止するために、上層の材料インクの溶媒などに下層を溶解させないものを用いることは言うまでもない。
【００５９】
また、陽極２３の形成の際に、ダミー領域のダミーパターンも形成する。なお、図３、４では、これら陽極２３、ダミーパターンを総称して陽極２３としている。ダミーパターンは、第２層間絶縁層２８４を介して下層のメタル配線へ接続しない構成とされている。即ち、ダミーパターンは、島状に配置され、実表示領域４に形成されている陽極２３の形状とほぼ同一の形状を有している。
【００６０】
次に、同様にして陽極２３の上層に機能層１１０を形成していく。即ち、ＰＥＤＯＴ７１と、有機ＥＬ層６０と、電子輸送層５２とを順次成膜する。機能層１１０は、上記と同様の印刷法又はインクジェット法等により成膜することができる。なお、この機能層１１０の形成工程以降は、正孔注入層７０、正孔輸送層７１、有機ＥＬ層６０及び電子輸送層５２などの酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うことが望ましい。
続いて、機能層１１０、有機バンク層２２１などを覆う陰極５０を下記に記載した蒸着装置及び蒸着方法によって形成する。
【００６１】
更に続いて、図３、４に示すように、乾燥剤４５を内側に形成した封止基板３０を、封止樹脂４０を介して回路部１１上に取り付けて、回路部１１を封止する。その際、不活性雰囲気中で行うことにより、不活性ガス充填層４６が形成される。
【００６２】
次に、陰極５０を形成する際に用いられる蒸着装置及び蒸着方法について図６及び図１２を用いて説明する。図１２は、基板に対して陰極形成に用いる蒸着装置の一例について外観を模式的に示した概略模式図である。
この蒸着装置３０１は、蒸着物質の蒸気を生じさせる蒸着源３０２と、蒸着物質の蒸気が流通可能な蒸気流通部３０３と、蒸気流通部３０３を開閉する開閉弁３０４ａを備える開閉機構部３０４と、基板２０を固定すると共に基板の温度設定を行う温調機構部３０７とを具備する蒸着室３０８、蒸着室３０８を真空にするための真空ポンプ３１０を備えている。
【００６３】
このように構成された蒸着装置３０１を用いた蒸着方法の概略について説明する。まず、真空ポンプ３１０を作動することで蒸着室３０８が真空状態になり、温調機構部３０７が作動することで基板２０が所定の温度に設定され、開閉機構部３０４が開閉弁３０４ａを駆動することで蒸気流通部３０３が開状態になり、更に加熱装置（図示略）により蒸着源３０２を加熱すると蒸着源３０２から蒸着物質の蒸気が発生する。蒸着源３０２から発生した蒸気流は、蒸気流通部３０３を通過し、基板２０の表面に蒸着される。
なお、異種の蒸着物質を基板２０に積層形成する場合は、異なる蒸着装置を用いて蒸着物質を順次積層することが好ましく、蒸着装置間における基板２０の搬送は真空状態で行うことが好ましい。
【００６４】
このような蒸着装置及び蒸着方法を用いて図６に示した陰極５０を形成する場合について説明する。
まず、予め基板２０に形成された機能層１１０上に、蒸着物質のカルシウム金属を蒸着し、第１陰極層５３を形成する。次に、真空状態を維持した状態で、図示しない搬送装置が基板２０を別の蒸着装置に搬送する。続いて、基板２０の温度等が好適に設定された状態で、蒸着物質のアルミニウムを蒸着し、第２陰極層５１ａを形成する。更に、蒸着条件を変えた後に、同一の蒸着装置内で第３陰極層５１ｂを形成する。
【００６５】
具体的な第３陰極層５１ｂの形成過程については、まず、第２陰極層５１ａの形成が終了したところで、開閉機構部３０４が開閉弁３０４ａを駆動させることによって蒸気流通部３０３が閉状態になり、蒸着源３０２から発生した蒸着物質の蒸気流は遮断される。更に温調機構部３０７が基板２０を室温程度まで冷却する。これによって、第２陰極層５１ａの結晶成長が停止状態となる。
次に、第３陰極層５１ｂを形成するための基板温度等の蒸着条件を好適に設定し、開閉機構部３０４が開閉弁３０４ａを駆動させることによって蒸気流通部３０３が開状態になり、蒸着源３０２から発生した蒸着物質の蒸気流は蒸気流通部３０３を通過して基板２０に蒸着し、第３陰極層５１ｂが形成される。
ここで、基板２０の温度は、蒸着中に変更してもよい。
【００６６】
このように蒸着物質の結晶成長を一旦停止状態にした後に、上記の蒸着条件を変更し、再び蒸着を行うことによって、第２陰極層５１ａと第３陰極層５１ｂとの結晶方位が変わるので、第２陰極層５１ａと第３陰極層５１ｂがそれぞれピンホール５４ａ、５４ｂを有した場合であっても、それらが繋がることがない。
また、蒸着条件を変更することによって蒸着速度が変化し、結晶状態の疎密が生じることによって、第２陰極層５１ａと第３陰極層５１ｂとの結晶状態に差異が生じ、上記と同様にピンホール５４ａ、５４ｂが繋がることがない。
【００６７】
上述したように、蒸着物質の結晶方位を変え、また、蒸着速度を変えることによって、ピンホール５４ａ、５４ｂが繋がることがなく、従って、陰極５０の外部から侵入する水分や酸素が第２陰極層５１ａ及び第３陰極層５１ｂを通過することがなく、第１陰極層５３及び機能層１１０に対して水分や酸素の侵入を抑制することができる。更に、機能層１１０と水分や酸素との接触が抑制されることによって、有機ＥＬ装置１の長寿命化を達成することができると共に、ダークスポット欠陥の発生を抑制することができる。
また、同一の蒸着装置において、蒸着条件を変化させることによって第２陰極層５１ａと第３陰極層５１ｂが形成されるので、複数の蒸着装置が不要になり、蒸着工程の簡略化を達成することができる。
【００６８】
〔有機ＥＬ装置の製造方法の第２実施形態〕
次に、有機ＥＬ装置の製造方法の第２実施形態について図６及び図１４を用いて説明する。図１４は基板に対して陰極形成に用いる蒸着装置の一例について外観を模式的に示した概略模式図である。
本実施形態と第１実施形態との相違点は、陰極５０を形成する際に用いられる蒸着装置及び蒸着方法のみが異なっており、その他の構成要素は第１実施形態と同様である。本実施形態においては、異なる部分のみを説明し、その他の同一構成要素には同一符号を付している。
【００６９】
図１４に示す蒸着装置４０１は、先に記載した蒸着装置３０１の構成に基板２０の姿勢を制御する姿勢制御機構４０２を付加した構成となっており、この姿勢制御機構４０２は蒸着源３０２に対して基板２０の傾斜角度を制御して配設するようになっており、更にその傾斜角度は蒸着中に変更することも可能である。
【００７０】
このように構成された蒸着装置４０１を用いた蒸着方法について説明する。
まず、第１実施形態と同様に、機能層１１０上に第１陰極層５３を形成し、基板２０を蒸着装置に搬送する。
次に、基板２０の温度及び蒸着源３０２に対する基板２０の傾斜角度等が好適に設定された状態で、蒸着物質のアルミニウムを蒸着し、第２陰極層５１ａを形成する。更に、蒸着条件を変えた後に、同一の蒸着装置内で第３陰極層５１ｂを形成する。
【００７１】
具体的な第３陰極層５１ｂの形成過程については、まず、第２陰極層５１ａの形成が終了したところで、開閉機構部３０４が開閉弁３０４ａを駆動させることによって蒸気流通部３０３が閉状態になり、蒸着源３０２から発生した蒸着物質の蒸気流は遮断される。更に温調機構部３０７が基板２０を室温程度まで冷却する。これによって、第２陰極層５１ａの結晶成長が停止状態となる。
次に、第３陰極層５１ｂを形成するための基板温度及び蒸着源３０２に対する基板２０の傾斜角度等の蒸着条件を好適に設定し、開閉機構部３０４が開閉弁３０４ａを駆動させることによって蒸気流通部３０３が開状態になり、蒸着源３０２から発生した蒸着物質の蒸気流は蒸気流通部３０３を通過して基板２０に蒸着し、第３陰極層５１ｂが形成される。
ここで、基板２０の温度、蒸着源３０２に対する基板２０の傾斜角度は、蒸着中に変更してもよい。
【００７２】
このように蒸着物質の結晶成長を一旦停止状態にした後に、上記の種種の蒸着条件を変更し、再び蒸着を行うことによって、第２陰極層５１ａと第３陰極層５１ｂとの結晶方位が変わるので、第２陰極層５１ａと第３陰極層５１ｂがそれぞれピンホール５４ａ、５４ｂを有した場合であっても、それらが繋がることがない。
また、蒸着条件を変更することによって蒸着速度が変化し、結晶状態の疎密が生じることによって、第２陰極層５１ａと第３陰極層５１ｂとの結晶状態に差異が生じ、上記と同様にピンホール５４ａ、５４ｂが繋がることがない。
以上説明したように、本実施形態においても第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７３】
〔有機ＥＬ装置の製造方法の第３実施形態〕
次に、有機ＥＬ装置の製造方法の第３実施形態について図６及び図１５を用いて説明する。図１５は基板に対して陰極形成に用いる蒸着装置の一例について外観を模式的に示した概略模式図である。
本実施形態と第１実施形態との相違点は、陰極５０を形成する際に用いられる蒸着装置及び蒸着方法のみが異なっており、その他の構成要素は第１実施形態と同様である。本実施形態においては、異なる部分のみを説明し、その他の同一構成要素には同一符号を付している。
【００７４】
図１５に示す蒸着装置５０１は、先に記載した蒸着装置３０１の構成に基板２０を回転させる回転機構５０２を付加し、また、蒸着装置３０１の開閉機構部３０４に代えて、開口面積調整機構部５０３を備えた構成となっている。
回転機構５０２は、基板２０を所定の回転速度で回転するようになっている。開口面積調整機構部５０３は、調整弁５０３ａを駆動して蒸気流通部３０３の開口面積を調整すると共に、蒸気流通部３０３を開閉するようになっている。
【００７５】
このように構成された蒸着装置５０１を用いた蒸着方法について説明する。
まず、第１実施形態と同様に、機能層１１０上に第１陰極層５３を形成し、基板２０を蒸着装置に搬送する。
次に、基板２０の温度、基板２０の回転速度及び蒸気流通部３０３の開口面積等が好適に設定された状態で、蒸着物質のアルミニウムを蒸着し、第２陰極層５１ａを形成する。ここで、第２陰極層５１ａは、回転機構５０２が基板２０を回転させている状態で形成されるので、均一に形成される。また、開口面積調整機構部５０３によって蒸気流通部３０３の開口面積が調整されるので、所定量の蒸着物質が基板２０に蒸着される。
第２陰極層５１ａが形成された後に、蒸着条件を変えて、同一の蒸着装置内で第３陰極層５１ｂを形成する。
【００７６】
具体的な第３陰極層５１ｂの形成過程においては、まず、第２陰極層５１ａの形成が終了したところで、開口面積調整機構部５０３が調整弁５０３ａを駆動することによって蒸気流通部３０３が閉状態になり、蒸着源３０２から発生した蒸着物質の蒸気流は遮断される。更に温調機構部３０７が基板２０を室温程度まで冷却する。これによって、第２陰極層５１ａの蒸着物質の結晶成長が停止状態となる。
次に、蒸着条件を変更して第３陰極層５１ｂを形成する。従って、基板温度、基板２０の回転速度及び蒸気流通部３０３の開口面積等の蒸着条件を好適に設定し、蒸着物質のアルミニウムを蒸着する。ここで、第３陰極層５１ｂは、基板２０表面に均一に形成され、所定量の蒸着物質が基板２０に蒸着される。
ここで、基板２０の温度、回転速度及び蒸気流通部３０３の開口面積は、蒸着中に変更してもよい。
【００７７】
このように蒸着物質の結晶成長を一旦停止状態にした後に、上記の種種の蒸着条件を変更し、再び蒸着を行うことによって、第２陰極層５１ａと第３陰極層５１ｂとの結晶方位が変わるので、第２陰極層５１ａと第３陰極層５１ｂがそれぞれピンホール５４ａ、５４ｂを有した場合であっても、それらが繋がることがない。
また、蒸着条件を変更することによって蒸着速度が変化し、結晶状態の疎密が生じることによって、第２陰極層５１ａと第３陰極層５１ｂとの結晶状態に差異が生じ、上記と同様にピンホール５４ａ、５４ｂが繋がることがない。
以上説明したように、本実施形態においても第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７８】
〔電子機器〕
以下、先に記載した有機ＥＬ装置を備えた電子機器の具体例について図１６に基づき説明する。
図１６（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１６（ａ）において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は前記の有機ＥＬ装置を用いた表示部を示している。
図１６（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１６（ｂ）において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は前記の有機ＥＬ装置を用いた表示部を示している。
図１６（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１６（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０１はキーボードなどの入力部、符号１２０２は前記の有機ＥＬ装置を用いた表示部、符号１２０３は情報処理装置本体を示している。
【００７９】
図１６（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、前記の実施形態の有機ＥＬ装置を用いた表示部を備えたものであり、先の実施形態の有機ＥＬ装置の特徴を有するので、長寿命化の達成及びダークスポット欠陥の発生が抑制された有機ＥＬ装置を備えた電子機器となる。
これらの電子機器を製造するには、前記の実施形態の有機ＥＬ装置１を、携帯電話、携帯型情報処理装置、腕時計型電子機器などの各種電子機器の表示部に組み込むことにより製造される。
【図面の簡単な説明】
【図１】有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図。
【図２】有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す平面図。
【図３】図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図。
【図４】図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図。
【図５】機能層の概略構成を示す概念図。
【図６】陰極の詳細を示す拡大図。
【図７】図１の画素領域Ｘの平面視模式図。
【図８】図７のＥ部におけるＦ−Ｇ方向に沿った断面図。
【図９】図７のＨ部におけるＩ−Ｊ方向に沿った断面図。
【図１０】図７のＧ部におけるＬ−Ｍ方向に沿った断面図。
【図１１】有機ＥＬ装置の製造方法の工程図。
【図１２】有機ＥＬ装置の陰極を形成する蒸着装置の概略模式図。
【図１３】陰極の詳細を示す拡大図。
【図１４】有機ＥＬ装置の陰極を形成する蒸着装置の概略模式図。
【図１５】有機ＥＬ装置の陰極を形成する蒸着装置の概略模式図。
【図１６】電子装置を示す斜視図。
【符号の説明】
１  有機ＥＬ装置、２３  陽極（電極）、５０  陰極（電極）、６０  有機ＥＬ層（有機ＥＬ素子）、３０１、４０１、５０１  蒸着装置、１０００、１１００、１２００  電子機器
【図１】
2004171861.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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