(57)【要約】【課題】本発明の課題は、たとえＣＰＵの動作が不安定になったとしても、ＥＥＰＲＯＭ内の情報を保護することのできる不揮発性メモリへの情報書き込み方法及び不揮発性メモリ書き込み装置を提供することである。【解決手段】上記課題は、装置固有情報を保持する書き込み読出し可能な不揮発性メモリへの情報書き込み方法において、前記不揮発性メモリと同じ半導体基板上に実装された周辺回路との間の状態を電気的に遮断し、前記不揮発性メモリの各端子または前記半導体基板上に設けたランドにプローブを接続し、前記プローブを用いて所望の情報を書き込み可能電圧にて書き込んだ後、前記遮断した前記不揮発性メモリと、前記周辺回路を接続することを特徴とする不揮発性メモリへの情報書き込み方法にて解決される。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置固有情報を保持する書き込み読出し可能な不揮発性メモリへの情報書き込み方法において、
前記不揮発性メモリと同じ半導体基板上に実装された周辺回路との間の状態を電気的に遮断し、
前記不揮発性メモリの各端子または前記半導体基板上に設けたランドにプローブを接続し、
前記プローブを用いて所望の情報を書き込み可能電圧にて書き込んだ後、前記遮断した前記不揮発性メモリと、前記周辺回路を接続することを特徴とする不揮発性メモリへの情報書き込み方法。
【請求項２】
請求項１記載の不揮発性メモリへの情報書き込み方法において、
前記不揮発性メモリとそれにつながる周辺回路とを接続するパターンを切断して前記不揮発性メモリと前記周辺回路とを電気的に遮断し、
前記不揮発性メモリへ情報を書き込んだ後、前記切断したパターンを半田ブリッジで接続して前記不揮発性メモリと前記周辺回路を接続することを特徴とする不揮発性メモリへの情報書き込み方法。
【請求項３】
装置固有情報を保持する書き込み読出し可能な不揮発性メモリに情報を書き込む不揮発性メモリ書き込み装置において、
前記不揮発性メモリと同じ半導体基板上に実装された周辺回路との間の状態を電気的に遮断する遮断手段と、
前記不揮発性メモリの各端子または前記半導体基板上に設けられたランドにプローブを接続するプローブ接続手段と、
前記プローブ接続手段により接続されたプローブを用いて、前記不揮発性メモリに所望の情報を書き込み可能電圧にて書き込んだ後、前記遮断手段により遮断された前記不揮発性メモリと、前記周辺回路の状態を接続状態にする接続手段とを有することを特徴とする不揮発性メモリ書き込み装置。
【請求項４】
請求項３記載の不揮発性メモリ書き込み装置において、
前記遮断手段は、前記不揮発性メモリとそれにつながる周辺回路とを接続するパターンを切断して前記不揮発性メモリと前記周辺回路とを電気的に遮断することを特徴とする不揮発性メモリ書き込み装置。
【請求項５】
請求項３又は４記載の不揮発性メモリ書き込み装置において、
前記接続手段は、前記不揮発性メモリへ情報を書き込んだ後、前記遮断手段により切断したパターンを半田ブリッジで接続して前記不揮発性メモリと前記周辺回路を接続することを特徴とする不揮発性メモリ書き込み装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、不揮発性メモリへの情報書き込み方法及び不揮発性メモリ書き込み装置に係り、詳しくは、不揮発性メモリ内の情報保護に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電力を供給しなくても記憶内容が消えない不揮発性メモリには、１ｂｙｔｅ単位で消去、書き込みが可能なＥＥＰＲＯＭ（ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙＥｒａｓａｂｌｅ　Ｐｒｏｇｒａｍａｂｌｅ　Ｒｅａｄ　ＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）や、ブロック単位の消去と１ｂｙｔｅ単位での書き込みが可能なフラッシュメモリ等がり、一般に、携帯電話、デジタルカメラ、パソコン等のワイヤレスキーボード等に使用されている。
【０００３】
ここでは、ＥＥＰＲＯＭを内蔵したワイヤレスキーボードを例に挙げ、ＥＥＰＲＯＭの使用用途および動作について説明する。ワイヤレスキーボードは、ケーブルの煩わしさから開放されるという点で、ユーザに注目されてきており、コンピュータとの接続に赤外線や電波を使うことが大きな特徴となっている。つまり、コンピュータ本体に内蔵あるいは接続された受信機（レシーバ）とキーボードが電波や赤外線で通信するようになっている。また、コンピュータに登録された正式なユーザ以外からのアクセスを禁じるため、キーボード固有の情報がコンピュータ側に登録される。このキーボード固有の情報を、識別情報と呼ぶ。
【０００４】
上記識別情報は、ワイヤレスキーボードに内蔵されたＥＥＰＲＯＭに書き込まれて保持される。一般に、識別情報のＥＥＰＲＯＭへの書き込みは、当該ＥＥＰＲＯＭの基板への搭載時あるいは搭載前に行われるが、部品の取り扱い安さの点から後者の搭載後に行われることが多い。また、ワイヤレスキーボードでは、使用電源に電池が用いられる。このため、電池寿命を伸ばすための回路工夫（回路を低電圧で動作させるため）がなされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、ＥＥＰＲＯＭを内蔵したワイヤレスキーボードの場合、システムの動作電源として、単三電池２本程度の電池が用いられ、電池が切れると操作不能になってしまう。したがって、識別情報を保持するＥＥＰＲＯＭにおいても、より長時間ワイヤレスキーボードの使用を持続させるため、低電圧で動作が可能なＥＥＰＲＯＭが選定される。また、後述するＣＰＵ等においても低電圧で動作するものが選ばれることになる。
【０００６】
ところで、上記のようなワイヤレスキーボードには、キー操作等に伴うデータ処理に必要な演算・制御を行う、即ちデータ処理を行うための各プログラムの実行および制御を行う中央処理装置であるＣＰＵ等が、上記ＥＥＰＲＯＭが搭載される基板上に搭載される。ＣＰＵは、所定のデータ書き込みタイミングでＥＥＰＲＯＭにアクセスし、識別情報の書き込み動作を実行するが、使用電池の電圧が低下した場合、あるいはユーザによる電池の取り出しが行われた場合等では、ＣＰＵへ供給される電源電圧も低下するため、ＣＰＵの動作が不安定になってしまう。したがって、低電圧で動作可能なＥＥＰＲＯＭに対して誤った情報を書き込んでしまうといった問題が従来発生していた。一旦、ＥＥＰＲＯＭに誤った情報が書き込まれてしまうと、正しい情報への復元が難しく、結果として、誤った情報を保持したワイヤレスキーボードが市場に流れ、ユーザに多大な損益を与える恐れがある。
【０００７】
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたもので、その課題とするところは、たとえＣＰＵの動作が不安定になったとしても、ＥＥＰＲＯＭ内の情報を保護することのできる不揮発性メモリへの情報書き込み方法及び不揮発性メモリ書き込み装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、請求項１に記載されるように、装置固有情報を保持する書き込み読出し可能な不揮発性メモリへの情報書き込み方法において、前記不揮発性メモリと同じ半導体基板上に実装された周辺回路との間の状態を電気的に遮断し、前記不揮発性メモリの各端子または前記半導体基板上に設けたランドにプローブを接続し、前記プローブを用いて所望の情報を書き込み可能電圧にて書き込んだ後、前記遮断した前記不揮発性メモリと、前記周辺回路を接続することを特徴としている。
【０００９】
請求項２の発明は、前記不揮発性メモリへの情報書き込み方法において、前記不揮発性メモリとそれにつながる周辺回路とを接続するパターンを切断して前記不揮発性メモリと前記周辺回路とを電気的に遮断し、前記不揮発性メモリへ情報を書き込んだ後、前記切断したパターンを半田ブリッジで接続して前記不揮発性メモリと前記周辺回路を接続することを特徴としている。
【００１０】
請求項３の発明は、装置固有情報を保持する書き込み読出し可能な不揮発性メモリに情報を書き込む不揮発性メモリ書き込み装置において、前記不揮発性メモリと同じ半導体基板上に実装された周辺回路との間の状態を電気的に遮断する遮断手段と、前記不揮発性メモリの各端子または前記半導体基板上に設けられたランドにプローブを接続するプローブ接続手段と、前記プローブ接続手段により接続されたプローブを用いて、前記不揮発性メモリに所望の情報を書き込み可能電圧にて書き込んだ後、前記遮断手段により遮断された前記不揮発性メモリと、前記周辺回路の状態を接続状態にする接続手段とを有することを特徴としている。
【００１１】
請求項４の発明は、前記不揮発性メモリ書き込み装置において、前記遮断手段は、前記不揮発性メモリとそれにつながる周辺回路とを接続するパターンを切断して前記不揮発性メモリと前記周辺回路とを電気的に遮断することを特徴としている。
【００１２】
請求項５の発明は、前記不揮発性メモリ書き込み装置において、前記接続手段は、前記不揮発性メモリへ情報を書き込んだ後、前記遮断手段により切断したパターンを半田ブリッジで接続して前記不揮発性メモリと前記周辺回路を接続することを特徴としている。
【００１３】
本発明は、上述のように、不揮発性メモリと、周辺回路との接続を電気的に遮断した上で、上記不揮発性メモリへのデータ書き込みが行われる。つまり、ＣＰＵからのデータの書き込みを物理的に禁止するため、従来のようなＣＰＵの動作不安定による情報の書換えといった問題を解決することができる。したがって、不揮発性メモリ記憶された情報の保護が万全となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１５】
図１は、本発明に係るワイヤレスキーボードの基板上に搭載される不揮発性メモリ（以下、ＥＥＰＲＯＭと略記）の端子周辺を示す図である。上記ＥＥＰＲＯＭは、例えば、図２に示すような小型面実装パッケージＳＯＰ８でパッケージングされたＥＥＰＲＯＭ１０で次に示す端子機能（図３参照）を有している。
【００１６】
端子
１　ＣＳ　チップセレクト（１１）
２　ＳＫ　シリアルクロック（１２）
３　ＤＩ　シリアルデータ入力（１３）
４　ＤＯ　シリアルデータ出力（１４）
５　ＧＮＤ（１５）
６　ＮＣ　空き（１６）
７　ＮＣ　空き（１７）
８　ＶＣＣ　電源（１８）
次に、このようなＥＥＰＲＯＭ１０に、ワイヤレスキーボード固有のデータを書き込む方法について説明する。なお、上記（　）内の数字は、図１に示す符号と対応関係にある。
（ＥＥＰＲＯＭ１０へのデータ書き込み方法の説明）
本例では、ワイヤレスキーボードの動作電圧をＶＳＳ、ＥＥＰＲＯＭ１０の読み込み可能電圧をＶＲＥＡＤ、ＥＥＰＲＯＭ１０への書き込み可能電圧をＶＷＲＩＴＥとし、これらの関係がＶＳＳ＜＝ＶＲＥＡＤ、かつＶＷＲＩＴＥ＞ＶＳＳとなるようなＥＥＰＲＯＭを選定する。つまり、ＣＰＵ動作電圧での該ＣＰＵからのＥＥＰＲＯＭへの情報書き込みが行われにくいＥＥＰＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭへの書き込み電圧ＶＷＲＩＴＥが動作電圧ＶＳＳより高いＥＥＰＲＯＭを選ぶ）の選定が行われる。
【００１７】
次に、上記のようにして選定されたＥＥＰＲＯＭ（本例では、ＥＥＰＲＯＭ１０）に対してデータの書き込み方法について順を追って説明する。
【００１８】
（手順１）
まず、ＥＥＰＲＯＭ１０と、周辺回路（部品）の接続状態を電気的に遮断する。具体的には、図４に示すように、ＥＥＰＲＯＭ１０の各端子と対応付けられる半田ブリッジ用ランド２１〜２６を基板上に設け、各ランド２１〜２６面に切込みを入れて電気的な接続を遮断する。本例の場合、信号パターンの他にグランドパターンも切断しているが、特に支障はない。
【００１９】
（手順２）
上記のようにしてＥＥＰＲＯＭ１０と、周辺回路との接続状態を電気的に遮断した後、上記ＥＥＰＲＯＭ１０の各端子あるいは基板上に予め設けられた接点形成用ランド１〜６（図１参照）に、プローブ（微小電極）を接続し、上記書き込み可能電圧ＶＷＲＩＴＥにて、所定の情報を当該ＥＥＰＲＯＭ１０に書き込む。
【００２０】
（手順３）
ＥＥＰＲＯＭ１０に情報を書き込んだ後、手順１で切断したパターンを半田等でブリッジし、ＥＥＰＲＯＭ１０と周辺回路とを接続して本来の接続状態に戻す。
【００２１】
上述したように、本実施形態によれば、ＣＰＵの動作電圧では情報の書き込みが行えないＥＥＰＲＯＭを選定し、かつＥＥＰＲＯＭと、周辺回路との接続を電気的に遮断（ＣＰＵからのデータの書き込みを物理的に禁止）した上で、上記ＥＥＰＲＯＭへのデータ書き込みが行われるので、ＣＰＵの動作不安定により誤った情報が書き込まれてしまうといった従来の問題を解決することができる。これにより、ＥＥＰＲＯＭ内の情報の保護を万全にすることができるようになるので、不良品が市場に流れるのを防ぐことができる。
【００２２】
なお、上述の実施形態は本発明の好適な実施の一例であり、これに限定されるものではない。本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。
【００２３】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように本発明によれば、不揮発性メモリと、周辺回路との接続を電気的に遮断した上で、上記不揮発性メモリへのデータ書き込みが行われる。つまり、ＣＰＵからのデータの書き込みを物理的に禁止するため、従来のようなＣＰＵの動作不安定による情報の書換えといった問題を解決することができる。したがって、不揮発性メモリ記憶された情報の保護が万全となる。
【００２４】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るワイヤレスキーボードの基板上に搭載される不揮発性メモリの端子周辺を示す図である。
【図２】図１に示したＥＥＰＲＯＭの端子配置を示す図である。
【図３】図２に示したＥＥＰＲＯＭの端子の機能を説明するための図である。
【図４】本発明に係る不揮発性メモリと周辺回路との接続状態を遮断する概念を示す図である。
【符号の説明】
１〜６　プローブ用ランド
１０　ＥＥＰＲＯＭ
１１　ＣＳ
１２　ＳＫ
１３　ＤＩ
１４　ＤＯ
１５　ＧＮＤ
１６、１７　ＮＣ
１８　Ｖｃｃ
２１〜２６　半田ブリッジ用ランド
【図１】
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【図２】
2004118913.tif 000004
【図３】
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【図４】
2004118913.tif 000006