(57)【要約】      （修正有）【課題】ウェーハを高い平坦度で鏡面研磨が可能であるとともに、ウェーハ保持板のウェーハ保持面も高い平坦性に補正可能な半導体ウェーハの鏡面研磨装置および鏡面研磨方法を提供する。【解決手段】鏡面研磨に先駆けて、研磨布定盤１２とワーク定盤１４との間に、遊離砥粒の添加量が第１の研磨剤より多い第２の研磨剤を供給しながら各ウェーハ保持板２３の吸着作用面の平坦性を修正し、次に第２の研磨剤に代えて遊離砥粒の添加量が少ない第１の研磨剤を供給しながら、シリコンウェーハＷの表面を鏡面研磨する。これにより、シリコンウェーハＷの表面と、ウェーハ保持板２３の吸着作用面とを、高い平坦度でそれぞれ平坦化処理することができる。その結果、シリコンウェーハＷの平坦度がさらに高まる。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に研磨布が貼着された研磨布定盤と、
前記研磨布と対向する面に、半導体ウェーハを保持する複数のウェーハ保持板が配設されたワーク定盤と、
前記研磨布定盤とワーク定盤との間に、研磨剤タンクに貯液された遊離砥粒を含む研磨剤を供給する研磨剤供給手段とを備えた半導体ウェーハの鏡面研磨装置において、
前記研磨剤タンクが、
前記半導体ウェーハのデバイス形成面の研磨用である第１の研磨剤を貯液する第１の研磨剤タンクと、
前記ウェーハ保持板のウェーハ保持面の研磨用で、前記第１の研磨剤より遊離砥粒の添加量が多い第２の研磨剤を貯液する第２の研磨剤タンクとを有した半導体ウェーハの鏡面研磨装置。
【請求項２】
前記第１の研磨剤への遊離砥粒の添加量が０．５〜６重量％で、前記第２の研磨剤への遊離砥粒の添加量が５〜１０重量％である請求項１に記載の半導体ウェーハの鏡面研磨装置。
【請求項３】
表面に研磨布が貼着された研磨布定盤と、前記研磨布と対向する面に半導体ウェーハを保持する複数のウェーハ保持板が配設されたワーク定盤との間に、遊離砥粒を含む第１の研磨剤を供給しながら、前記研磨布を半導体ウェーハのデバイス形成面に摺接させて、該デバイス形成面を鏡面研磨する鏡面研磨工程と、
該鏡面研磨工程の前処理として、前記研磨布定盤とワーク定盤との間に、前記第１の研磨剤より遊離砥粒の添加量が多い第２の研磨剤を供給しながら、前記研磨布をウェーハ保持板のウェーハ保持面に摺接させて、該ウェーハ保持面の平坦性を修正する平坦性修正工程とを備えた半導体ウェーハの鏡面研磨方法。
【請求項４】
前記第１の研磨剤への遊離砥粒の添加量が０．５〜６重量％で、前記第２の研磨剤への遊離砥粒の添加量が５〜１０重量％である請求項３に記載の半導体ウェーハの鏡面研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウェーハの鏡面研磨装置および鏡面研磨方法に係り、鏡面研磨に先駆けて、半導体ウェーハを研磨する研磨布を利用し、ウェーハ保持板のウェーハ保持面の平坦性の修正を行う半導体ウェーハの鏡面研磨装置および鏡面研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、高平坦度なシリコンウェーハを得る鏡面研磨装置として、例えば特許文献１に記載されたものが知られている。
従来装置は、表面に研磨布が貼着された研磨布定盤と、研磨布と対向する面に、シリコンウェーハを保持する複数の真空チャックが配設されたワーク定盤と、研磨布定盤とワーク定盤との間に、１本の研磨剤タンクに貯液された遊離砥粒を含む研磨剤を供給する研磨剤供給手段とを備えている。真空チャックのウェーハ保持板はアクリル製である。
従来装置によるウェーハ鏡面研磨方法は、鏡面研磨に先駆け、研磨剤供給手段から研磨剤を供給しながら、研磨布を真空チャックの吸着作用面（ウェーハ保持面）に摺接させることにより、吸着作用面の平坦性を修正する。その後、同じように研磨剤供給手段から研磨剤を供給しながら、研磨布をシリコンウェーハの表面（デバイス形成面）に摺接させ、このウェーハ表面を鏡面研磨する。
【０００３】
【特許文献１】特許第２５３９７５３号公報（第１頁、図１）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の鏡面研磨装置にあっては、研磨剤を貯液する研磨剤タンクが１本しかなかった。そのため、研磨タンク内で配合調整される研磨剤は、その遊離砥粒の添加量（濃度）が、例えば０．５〜１．５重量％と少なかった。これにより、鏡面研磨時の使用だけでなく、ウェーハ保持面の平坦性の補正時にも、鏡面研磨時と同じく研磨剤の添加量が少ない研磨剤が使用されることとなる。よって、平坦性補正後の吸着作用面の平坦性が不安定となっていた。
【０００５】
【発明の目的】
この発明は、半導体ウェーハを高い平坦度で鏡面研磨できるだけでなく、ウェーハ保持板のウェーハ保持面も高い平坦性で補正することができる半導体ウェーハの鏡面研磨装置および鏡面研磨方法を提供することを、その目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、表面に研磨布が貼着された研磨布定盤と、前記研磨布と対向する面に、半導体ウェーハを保持する複数のウェーハ保持板が配設されたワーク定盤と、前記研磨布定盤とワーク定盤との間に、研磨剤タンクに貯液された遊離砥粒を含む研磨剤を供給する研磨剤供給手段とを備えた半導体ウェーハの鏡面研磨装置において、前記研磨剤タンクが、前記半導体ウェーハのデバイス形成面の研磨用である第１の研磨剤を貯液する第１の研磨剤タンクと、前記ウェーハ保持板のウェーハ保持面の研磨用で、前記第１の研磨剤より遊離砥粒の添加量が多い第２の研磨剤を貯液する第２の研磨剤タンクとを有した半導体ウェーハの鏡面研磨装置である。
【０００７】
ワーク定盤および研磨布定盤は、いずれが上方配置または下方配置されてもよい。ウェーハ保持板のウェーハ保持形式としては、例えば真空吸着タイプ、バックパッドを介して、半導体ウェーハをウェーハ保持面に水張りするワックスレス方式でもよい。ワーク定盤へのウェーハ保持板の設置数は任意である。ただし、３つ以上が好ましい。
各ウェーハ保持板は、ワーク定盤に回転自在に取り付けた方が高い平坦度の半導体ウェーハを得やすい。各ウェーハ保持板を回転自在にする構成としては、例えば下定盤となるワーク定盤の上面に、複数のウェーハ保持板をそれぞれ駆動軸を介して軸支し、これらの駆動軸をワーク定盤を貫通してその下方まで延長する。各延長部には遊星ギヤをそれぞれ固定する。一方、ワーク定盤には、その下面の中央部に垂設された回転軸に太陽ギヤを固着し、この太陽ギヤと各遊星ギヤとがそれぞれ噛合される。このような回転駆動機構を採用してもよい。その他、真空チャックの回転をワーク定盤とは別個に駆動制御する回転駆動機構を採用してもよい。
【０００８】
各ウェーハ保持板の素材としては、例えばアクリルを採用することができる。その他、ポリプロピレン、ポリカーボネイト、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリエチレン、フェノール、ポリエステル、エポキシ、メラミンなどを採用することができる。その他、パラグラス（クラレ社製）、カイダック（筒中プラスチック社製）、サンバレックス（三協化成社製）、コモグラス（クラレ社製）などでもよい。これらは耐熱性、耐アルカリ性を有し、遊離砥粒の添加量が少ない従来の研磨剤を使用しても、ウェーハ保持面の平坦性を修正可能な合成樹脂である。
吸引式のウェーハ保持板としては、そのウェーハ保持面に、例えば溝加工を施したり、孔加工を施すことができる。
研磨布定盤を昇降させる方式の場合、研磨布定盤を昇降させる機構は限定されない。要は、下面に所定の研磨布を接着してウェーハ保持板のウェーハ保持面に保持された半導体ウェーハに当接したり、半導体ウェーハを離脱後、この研磨布をウェーハ保持面に当接させることができればよい。例えば、てこ式を利用した昇降方式を採用することができる。
【０００９】
この鏡面研磨装置では、ワーク定盤の回転軸と、研磨布定盤の回転軸とを偏心させてワーク定盤と研磨布定盤を対向させた方が好ましい。偏心量を一定にして両回転軸を配置するほか、例えば上方配置された研磨布定盤を水平方向に移動可能に保持することにより、研磨布定盤をワーク定盤に対して偏心配置してもよい。さらには、研磨布定盤をワーク定盤の半径分だけ移動させることで、例えば真空チャックの引き抜き点検などが容易になる構成を採用してもよい。
研磨布としては、例えばポリエステルフェルトにポリウレタンを含浸させた多孔性の不織布タイプの研磨布、または発泡したウレタンブロックをスライスした発泡性ウレタンタイプなどを採用することができる。
【００１０】
研磨剤供給手段には、研磨剤を圧送する各種のスラリーポンプが配備されている。スラリーポンプの送液力は、スラリーノズルの形状および位置、研磨剤の粘度および供給量などに応じて適宜選定する。研磨布定盤とワーク定盤との間からの研磨剤の落下を防止するため、例えば下側に配置されたワーク定盤の各ウェーハ保持板間に研磨剤受け板を配置してもよい。
研磨剤タンクの大きさ、形状は限定されない。また、研磨剤タンクの使用本数は、第１の研磨剤タンクと第２の研磨剤タンクとが、それぞれ少なくとも１本ずつ有していればよい。
【００１１】
研磨剤としては、例えばコロイダルシリカ（シリカゾル）、ヒュームドシリカなどの遊離砥粒を含むスラリーを採用することができる。また、酸化セシウムを使用したセリア系スラリーも採用することができる。
第１の研磨剤中の遊離砥粒の添加量と、第２の研磨剤中の遊離砥粒の添加量とは限定されない。要は、両研磨剤間において、第２の研磨剤の方が第１の研磨剤より遊離砥粒の添加割合が多くて高濃度であればよい。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、前記第１の研磨剤への遊離砥粒の添加量が０．５〜６重量％で、前記第２の研磨剤への遊離砥粒の添加量が５〜１０重量％である請求項１に記載の半導体ウェーハの鏡面研磨装置である。
第１の研磨剤中への遊離砥粒の添加量が０．５重量％未満では、ウェーハの研磨量が不足するという不都合が生じる。また、６重量％を超えると、マイクロスクラッチ等の不良が増加するという不都合が生じる。第１の研磨剤中への遊離砥粒の好ましい添加量は、４〜５重量％である。
第２の研磨剤中への遊離砥粒の添加量が５重量％未満では、ウェーハ保持板の平坦度がでないという不都合が生じる。また、１０重量％を超えると、研磨剤のコストが高くなるという不都合が生じる。第２の研磨剤中への遊離砥粒の好ましい添加量は、６〜７重量％である。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、表面に研磨布が貼着された研磨布定盤と、前記研磨布と対向する面に半導体ウェーハを保持する複数のウェーハ保持板が配設されたワーク定盤との間に、遊離砥粒を含む第１の研磨剤を供給しながら、前記研磨布を半導体ウェーハのデバイス形成面に摺接させて、該デバイス形成面を鏡面研磨する鏡面研磨工程と、該鏡面研磨工程の前処理として、前記研磨布定盤とワーク定盤との間に、前記第１の研磨剤より遊離砥粒の添加量が多い第２の研磨剤を供給しながら、前記研磨布をウェーハ保持板のウェーハ保持面に摺接させて、該ウェーハ保持面の平坦性を修正する平坦性修正工程とを備えた半導体ウェーハの鏡面研磨方法である。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、前記第１の研磨剤への遊離砥粒の添加量が０．５〜６重量％で、前記第２の研磨剤への遊離砥粒の添加量が５〜１０重量％である請求項３に記載の半導体ウェーハの鏡面研磨方法である。
【００１５】
【作用】
この発明によれば、半導体ウェーハの鏡面研磨に先駆けて、研磨布定盤とワーク定盤との間に、第２の研磨剤を供給しながら、研磨布をウェーハ保持板のウェーハ保持面に摺接させてウェーハ保持面の平坦性を修正する。ウェーハ保持板は半導体ウェーハに比べて硬い。そのため、遊離砥粒の添加量が多い第２の研磨剤を使用することにより、遊離砥粒の添加量が少ない従来の研磨剤を使用した場合よりも平坦性補正後のウェーハ保持面の平坦性が安定化し、このウェーハ保持面が良好に研磨される。
次に、研磨布定盤とワーク定盤との間に、第１の研磨剤を供給しながら、研磨布を半導体ウェーハのデバイス形成面に摺接させて、デバイス形成面を鏡面研磨する。ウェーハ保持板よりも軟らかい半導体ウェーハは、遊離砥粒の添加量が少ない第１の研磨剤により良好に研磨される。
これにより、半導体ウェーハを高い平坦度で鏡面研磨できるだけでなく、ウェーハ保持板のウェーハ保持面も高い平坦性で補正することができる。その結果、半導体ウェーハの平坦度がさらに高まる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。
図１において、１０はこの発明の一実施例に係る半導体ウェーハの鏡面研磨装置（以下、鏡面研磨装置）で、この鏡面研磨装置１０は、下面に研磨布１１が貼着された研磨布定盤１２と、研磨布１１と対向する面に、シリコンウェーハＷを保持する複数の真空チャック１３が配設されたワーク定盤１４と、研磨布定盤１２とワーク定盤１４との間に、２本の研磨剤タンク１５，１６に貯液された遊離砥粒を含む研磨剤を供給する研磨剤供給手段１７とを備えている。
【００１７】
以下、各構成部品を詳細に説明する。
図１〜図３に示すように、ワーク定盤１４は、床に据えつけられた基台１８内から延びた回転軸１９を介して、基台１８上に回転自在に設けられている。ワーク定盤１４の外周には、研磨剤の飛散防止カバー２０が設けられている。また、ワーク定盤１４の外周部と飛散防止カバー２０との間には、図示しない研磨剤回収皿が配置されている。
真空チャック１３の総数は５つで、ワーク定盤１４の上面に、その周方向に向かって等間隔で配置されている。各真空チャック１３の回転軸１３ａは、ワーク定盤１４を貫通してワーク定盤１４の下方まで延長されている。各延長部には、遊星ギヤ２１がそれぞれ固定される。一方、ワーク定盤１４の回転軸１９には太陽ギヤ２２が固着されている。この太陽ギヤ２２に各遊星ギヤ２１がそれぞれ噛合されている。これにより、基台１８に収納された図示しない回転モータにより、回転軸１９を介してワーク定盤１４を回転すると、その回転力の一部が、太陽ギヤ２２、各遊星ギヤ２１を経て回転軸１３ａに伝達され、各真空チャック１３が同じ方向に同期回転する。
【００１８】
ワーク定盤１４内には真空チャック１３に接続する図示しない吸引配管が設けられ、回転軸１９内のロータリージョイントを介して外部の減圧ポンプに接続されている。真空チャック１３の上部に配置されたウェーハ保持板２３には、円周溝を多数設けたアクリル板を採用している。アクリルは、樹脂硬度で９０、耐アルカリ薬品性および耐熱性を有している。
【００１９】
ワーク定盤１４の上方に配置される研磨布定盤１２は、管状の回転軸２４を介して、定盤支持台２５の下方に回転自在に軸支されている。このとき、研磨布定盤１２は、後述するバランサー機構（図示せず）により垂下されている。回転軸２４内には、スラリー管２６が内挿されている。スラリー管２６の下端には、ワーク定盤１４の上面の中心部と、研磨布定盤１２の下面の中央部との隙間に配置されるスラリーノズル２７が連通されている。
定盤支持台２５は、スライダ２８を介して、基台１８両側に配置した水平台２９上のスライドレール３０に、水平移動自在に載置されている。ワーク定盤１４の回転中心に対する研磨布定盤１２の回転中心の偏心量は、このような定盤支持台２５の水平保持機構により任意に設定することができる。ただし、ここではあらかじめ設定した偏心量となるように、図示しないロック機構によって位置決めされている。また、例えば水平保持機構により、研磨布定盤１２をワーク定盤１４の半径分程度だけ移動可能に構成すれば、真空チャック１３の引き抜き点検などが可能になって好ましい。
【００２０】
前記バランサー機構は、回転軸２４上端を定盤支持台２５内に配置したてこを構成するバランサーアームを有している。バランサーアームの一端に、スライド可能に設けた軸受を介して、研磨布定盤１２を軸支している。また、バランサーアームの他端側には、昇降用の高圧シリンダ、加圧用の低圧シリンダのピストンロッドを接続するように構成している。さらに、研磨布定盤１２の回転軸２４にはプーリーが固定され、モータの駆動力を減速機により減速後、ベルトに伝達するようになっている。また、基台１８上にドレッサーを載置し、研磨布定盤１２の下面に接着された研磨布１１をドレッシングしてもよい。
【００２１】
前記研磨剤タンク１５，１６は、定盤支持台２５の外方に配置されている。このうち、一方のタンクが第１の研磨剤タンク１５である。第１の研磨剤タンク１５は、遊離砥粒（ＳｉＯ２）の添加量が５重量％と少ない第１の研磨剤を貯液するタンクである。第１の研磨剤は、シリコンウェーハＷのデバイス形成面の研磨用である。他方のタンクが第２の研磨剤タンク１６で、ウェーハ保持板２３の吸着作用面の研磨用である第２の研磨剤を貯液する。第２の研磨剤は、遊離砥粒の添加量が７重量％と多い。第１の研磨剤および第２の研磨剤は、共にコロイダルシリカである。
【００２２】
第１の研磨剤タンク１５と研磨布定盤１２とは、第１の研磨剤を、第１の研磨剤タンク１５と両定盤１２，１４間とのあいだで循環させる第１の循環管３１を介して連通されている。同様に、第２の研磨剤タンク１６と研磨布定盤１２とは、第２の研磨剤タンク１６と両定盤１２，１４間とのあいだで第２の研磨剤を循環させる第２の循環管３２により連通されている。両循環管３１，３２には、両研磨剤タンク１５，１６の流出口とスラリー管２６の流入口とを連通する管部分に、下流に向かって順に開閉弁３３と、スラリーポンプ３４と、各研磨剤に含まれる異物を除去するフィルタ３５とが１組ずつ配設されている。
前記研磨剤供給手段１７は、両研磨剤タンク１５，１６、開閉弁３３，３３、スラリーポンプ３４，３４、フィルタ３５，３５および両循環管３１，３２により構成されている。
【００２３】
次に、この発明の一実施例に係る鏡面研磨装置１０を利用した鏡面研磨方法を説明する。
シリコンウェーハＷの鏡面研磨に先駆けて、研磨布定盤１２とワーク定盤１４との間に、遊離砥粒の添加量が多い第２の研磨剤を供給しながら、研磨布１１を真空チャック１３の吸着作用面に摺接させて吸着作用面の平坦性を修正する。
具体的には、研磨布定盤１２が図示しない高圧シリンダにより下降することで、各ウェーハ保持板２３の吸着作用面に当接し、次に低圧シリンダにより所定の加圧力に設定する。その後、第２の循環管３２において開閉弁３３を開弁し、スラリーポンプ３４を作動する。これにより、第２の研磨剤タンク１６内の第２の研磨剤が、第２の循環管３２を通してスラリー管２６に流れ込み、スラリーノズル２７から両定盤１２，１４間に噴射される。また、研磨布定盤１２、ワーク定盤１４が回転駆動されて真空チャック１３も連動し、全て同一回転方向に、あらかじめ設定された回転数でそれぞれ回転する。このとき、各真空チャック１３のウェーハ保持板２３には、シリコンウェーハＷが吸着されていない。これらの相対的回転運動により、各ウェーハ保持板２３の吸着作用面が第２の研磨剤を利用して研磨され、これらの吸着作用面の平坦性の修正が開始される。
【００２４】
この際、ワーク定盤１４の各真空チャック１３間には、研磨剤受け板３６が配置されている。そのため、第２の研磨剤は研磨布定盤１２の表面の研磨布１１と研磨剤受け板３６との間を定盤中心から外周側へと流れるが、第２の研磨剤は両定盤１２，１４間から落下することはない。また、研磨剤受け板３６の外周部に設けた突起３６ａにより、研磨布１１と研磨剤受け板３６との間に液溜めが形成される。これにより、第２の研磨剤が研磨布１１の全面に供給され、両定盤１２，１４などの相対的回転運動中、吸着作用面にＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）が作用し、研磨による平坦性の修正が進行する。
【００２５】
次に、シリコンウェーハＷの鏡面研磨を実施する。シリコンウェーハＷは、基台１８上に配置された図示しないベルトコンベアにより搬入される。そして、センタリング後、ハンドラーのアームにより吸着され、ワーク定盤１４の各真空チャック１３の吸着作用面に移載される。このとき、研磨布定盤１２は、高圧シリンダにより上昇されている。そのため、ウェーハ搬入作業の障害にはならない。
その後、研磨布定盤１２は高圧シリンダにより下降し、シリコンウェーハＷに当接してから、低圧シリンダにより所定の加圧力に設定される。次に、第１の循環管３１において、開閉弁３３を開き、スラリーポンプ３４を作動する。これにより、第１の研磨剤タンク１５内の第１の研磨剤が、第１の循環管３１を通してスラリー管２６に流れ込み、スラリーノズル２７から両定盤１２，１４間に噴射される。また、研磨布定盤１２、ワーク定盤１４が回転駆動されて真空チャック１３も連動し、例えば図２に示すように全て同一回転方向に、あらかじめ設定された回転数でそれぞれ回転する。これらの相対的回転運動により、遊離砥粒の添加量が少ない第１の研磨剤を用いて、シリコンウェーハＷの表面の鏡面研磨が開始される。この際、研磨布１１と研磨剤受け板３６との間に形成された液溜めにより、第１の研磨剤が研磨布１１全面に供給され、両定盤１２，１４などの相対的回転運動中、シリコンウェーハＷにＣＭＰが作用し、所定の鏡面研磨が進行する。
【００２６】
鏡面研磨が完了すると、研磨剤の供給、両定盤１２，１４の回転が停止する。そして、研磨布定盤１２は高圧シリンダにより上昇し、先程とは逆に、所定位置に回転割り出しされた真空チャック１３上にハンドラーのアームが移動し、シリコンウェーハＷを吸着した後、載置台上に移載する。次いで、ベルトコンベアにより排出され、所要の次工程に移送される。
【００２７】
このように、鏡面研磨に先駆けて、研磨布定盤１２とワーク定盤１４との間に、遊離砥粒の添加量が多い第２の研磨剤を供給しながら各ウェーハ保持板２３の吸着作用面の平坦性を修正し、次に第２の研磨剤に代えて遊離砥粒の添加量が少ない第１の研磨剤を供給しながら、シリコンウェーハＷの表面を鏡面研磨するので、ウェーハ保持板２３の吸着作用面と、シリコンウェーハＷの表面とを、高い平坦度でそれぞれ平坦化処理することができる。その結果、シリコンウェーハＷの平坦度がさらに高まる。
【００２８】
【発明の効果】
この発明によれば、半導体ウェーハの鏡面研磨の前に、遊離砥粒の添加量が多い第２の研磨剤によりウェーハ保持板のウェーハ保持面の平坦性を修正し、その後、遊離砥粒の添加量が少ない第１の研磨剤により半導体ウェーハのデバイス形成面を鏡面研磨するようにしたので、半導体ウェーハのデバイス形成面と、ウェーハ保持板のウェーハ保持面とを、高い平坦度でそれぞれ平坦化処理することができる。その結果、半導体ウェーハの平坦度をさらに高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例に係る半導体ウェーハの鏡面研磨装置の全体斜視図である。
【図２】この発明の一実施例に係る半導体ウェーハの鏡面研磨装置の要部斜視図である。
【図３】この発明の一実施例に係る半導体ウェーハの鏡面研磨装置の要部断面図である。
【符号の説明】
１０  半導体ウェーハの鏡面研磨装置、
１１  研磨布、
１２  研磨布定盤、
１４  ワーク定盤、
１５  第１の研磨剤タンク、
１６  第２の研磨剤タンク、
１７  研磨剤供給手段、
２３  ウェーハ保持板、
Ｗ  シリコンウェーハ（半導体ウェーハ）。
【図１】
2004273947.tif 000003
【図２】
2004273947.tif 000004
【図３】
2004273947.tif 000005