(57)【要約】【課題】半導体素子への光入射を防止ないし抑制する遮光層を有効利用した電気光学装置を提供する。【解決手段】本発明の液晶表示装置は、画素電極９を備える素子基板１０と、素子基板１０と対向する対向基板２０との間に電気光学材料５０が挟持されてなり、素子基板１０上には、画素電極９を駆動する半導体素子３０と、該半導体素子３０を覆う絶縁膜１７，１８と、該絶縁膜１７，１８上に形成された反射板１４とが形成され、反射板１４が開口部１４ａを備えて構成される一方、半導体素子３０の素子基板１０側には、当該半導体素子３０への光入射を遮蔽する遮光層１３が形成され、該遮光層１３が、反射板１４の開口部１４ａとほぼ同じ領域に開口部１３ａを備えてなることを特徴とする。【選択図】　　　　図５
2004118039.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極を備える素子基板と、該素子基板と対向する対向基板との間に電気光学材料が挟持されてなる電気光学装置であって、
前記素子基板上には、前記画素電極を駆動する半導体素子と、該半導体素子を覆う絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された反射板とが形成され、前記反射板が開口部を備えて構成される一方、
前記半導体素子の前記素子基板側には、当該半導体素子への光入射を遮蔽する遮光層が形成され、該遮光層が、前記反射板の開口部とほぼ同じ領域に開口部を備えてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
画素電極を備える素子基板と、該素子基板と対向する対向基板との間に電気光学材料が挟持されてなる電気光学装置であって、
前記素子基板上には、開口部を備える遮光層と、該遮光層上に絶縁膜を介して形成された半導体素子と、該半導体素子を覆う絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された反射板とが形成され、前記反射板が前記遮光層の開口部とほぼ同じ領域に開口部を備えて構成されるとともに、
前記各開口部が形成された領域が前記素子基板の前記対向基板とは反対側に形成される光源からの光を透過させる透過領域として構成され、その他の領域が反射領域として構成される一方、
前記遮光層が、前記光源光の前記半導体素子への入射を防止ないし抑制することを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
前記半導体素子にはソース線及びゲート線が接続され、前記ソース線が前記画素電極に覆われた形にて形成され、且つ前記遮光層の開口部を避ける形にて形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電気光学装置、及びこの電気光学装置を備える電子機器に係り、特に、基板内面に反射板を備えた半透過反射型の電気光学装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、液晶装置等の電気光学装置として、一対の基板間に液晶等の電気光学材料を挟持させるとともに、基板上にマトリクス状の画素電極を形成し、ＴＦＴ素子を用いて該画素電極への通電制御を行うことでスイッチング表示を可能にしたアクティブマトリクスタイプの表示装置が知られている。このようなＴＦＴ素子を用いた表示装置においては、ＴＦＴ素子のチャネル領域に対して光が入射すると光リーク電流が発生し、コントラスト低下やフリッカ等の表示不良を引き起こす場合があった。そこで、例えばＴＦＴ素子の光入射側に遮光膜を形成し、ＴＦＴ素子のチャネル部への光入射を防止ないし抑制する技術が、例えば特開２０００−２９８２９０等に記載されている。
【０００３】
一方、アクティブマトリクスタイプの表示装置において、ＴＦＴ素子が形成された素子基板上に開口部を備えた反射板を形成し、対向基板側から入射した光を該反射板にて反射することにより反射表示を可能とする一方、素子基板の外面側に設けた光源からの光を開口部を介して透過表示を可能とした半透過反射型表示装置が知られている。このような半透過反射型表示装置においても、ＴＦＴ素子のチャネル部に光が入射した場合には、光リーク電流が生じ表示不良の一因となるため、該ＴＦＴ素子の光入射側に遮光膜を形成している。
【０００４】
上記のようにＴＦＴ素子の光リーク電流防止のために素子基板上に遮光膜を形成した技術では、該遮光膜はＴＦＴ素子への光遮蔽機能を備えたものであるが、この遮光膜を最大限に有効利用するため、その他の機能を持たせることが望まれる。特許文献１に記載されているように、ＴＦＴ素子の形成領域のみに対応して遮光膜を形成すると、該形成領域と非形成領域とで素子基板上に段差が生じ、基板間隔が各領域において不均一となり、リタデーション値が不均一となる問題が生じる場合がある。また、特許文献２に記載されているように、ＴＦＴ素子基板の液晶側の略前面に遮光層を設ける構成は、反射半透過型パネルに応用することはできない。また、特許文献３に記載されているように、ソース線上に遮光層を設ける構成は、反射半透過型パネルに応用することはできない。
【０００５】
【特許文献１】
特開平０９−１２７４９７号公報
【特許文献２】
特開２０００−２９８２９０号公報
【特許文献３】
特開平０７−１２８６５８号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、ＴＦＴ素子等の半導体素子への光入射を防止ないし抑制する遮光層を、半透過反射型の電気光学装置において有効に利用することを目的とするもので、該遮光層の形成に基づき種々の不具合発生を防止ないし抑制することが可能な電気光学装置と、その電気光学装置を備えた電子機器とを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、画素電極を備える素子基板と、該素子基板と対向する対向基板との間に電気光学材料が挟持されてなる電気光学装置であって、前記素子基板上には、前記画素電極を駆動する半導体素子と、該半導体素子を覆う絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された反射板とが形成され、前記反射板が開口部を備えて構成される一方、前記半導体素子の前記素子基板側には、当該半導体素子への光入射を遮蔽する遮光層が形成され、該遮光層が、前記反射板の開口部とほぼ同じ領域に開口部を備えてなることを特徴とする。
【０００８】
このような電気光学装置によると、半導体素子への光入射を遮蔽する遮光層が開口部を備えてなり、その開口部が、反射板の開口部とほぼ同じ領域に形成されてなるため、その開口部が形成された領域を透過領域、開口部の形成されていない領域を反射領域とすることができ、この場合、半導体素子の形成領域のみに遮光層を形成した場合に比して、遮光層形成に基づく基板間隔の不均一化が生じ難くなる。すなわち、光学的機能が異なる各領域内に部分的に遮光層が形成されることがなく、該遮光層の形成に起因する基板間隔の不均一化が生じ難くなり、各領域内において例えばリタデーション値の面内均一化を図ることが可能となる。また、半導体素子の製造時において、基板上に開口部を備えた遮光層を形成した後、その遮光層上に絶縁層を介して半導体層を形成し、該半導体層に対してレーザー光等の光照射によりアニールを行う場合には、該半導体層に対し遮光層が形成された側と異なる側から光照射を行うことで、半導体層に吸収されずに遮光層に達した光が遮光層にて反射されることとなり、光照射効率が向上し、例えば結晶化効率等が促進される効果をもたらすこととなる。また、照射エネルギーに対するマージンが広くなるという効果も奏する。
さらに、半導体素子の形成領域のみに遮光層を形成する場合に比して、開口部の位置合わせが比較的ラフで済むため、遮光層形成時のパターニングが簡便で、例えば該遮光層の形成工程において一括露光機を用いることも可能となり、製造工程の簡略化を図れるようになる。なお、遮光層側の開口部と、反射板側の開口部との位置合わせは、誤差±１μｍ以内程度に設計することができ、具体的には、遮光層側の開口部を１μｍ以内の範囲で大きく構成することが望ましい。
【０００９】
また、上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、その異なる態様として、画素電極を備える素子基板と、該素子基板と対向する対向基板との間に電気光学材料が挟持されてなる電気光学装置であって、前記素子基板上には、開口部を備える遮光層と、該遮光層上に絶縁膜を介して形成された半導体素子と、該半導体素子を覆う絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された反射板とが形成され、前記反射板が前記遮光層の開口部とほぼ同じ領域に開口部を備えて構成されるとともに、前記各開口部が形成された領域が前記素子基板の前記対向基板とは反対側に形成される光源からの光を透過させる透過領域として構成され、その他の領域が反射領域として構成される一方、前記遮光層が、前記光源光の前記半導体素子への入射を防止ないし抑制することを特徴とする。
【００１０】
この場合も、反射領域に遮光層が形成され、透過領域には遮光層が形成されていないため、各領域内に部分的に遮光層が形成されることがなく、該遮光層の形成に起因する基板間隔の不均一化が生じ難くなる。また、半導体素子の製造時において、基板上に開口部を備えた遮光層を形成した後、その遮光層上に絶縁層を介して半導体層を形成し、該半導体層に対してレーザー光等の光照射によりアニールを行う場合には、該半導体層に対し遮光層が形成された側と異なる側から光照射を行うことで、遮光層にて光が反射されることとなり、光照射効率が向上し、例えば結晶化効率等が促進される。さらに、半導体素子の形成領域のみに遮光層を形成する場合に比して、開口部の位置合わせが比較的ラフで済むため簡便で、例えば該遮光層の形成工程において一括露光機を用いることも可能となり、製造工程の簡略化を図れるようになる。
【００１１】
上記電気光学装置において、遮光層は金属材料を主体として構成することができ、例えばＴｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒのいずれかを主体としたものを適用することができる。本発明の電気光学装置では、少なくとも半導体素子の形成領域のみに遮光層を構成した場合よりも、該遮光層が基板面内で大きな領域で形成されてなるため、遮光層を金属材料を主体として構成すると、半導体素子の形成領域のみに対応して遮光層を形成した場合に比して、例えば静電気の帯電防止効果が高まることとなる。したがって、例えば静電気発生による電気光学材料の配向不具合等が生じ難くなり、ひいては当該電気光学装置の一層良好な作動を確保することが可能となる。なお、この場合、「主体」とは構成要素（成分）のうち、最も含有量が多いものを言う。
【００１２】
また、前記半導体素子にはソース線及びゲート線が接続され、前記ソース線が前記画素電極に覆われた形にて形成され、且つ前記遮光層の開口部を避ける形にて形成されているものとすることができる。この場合、ソース線はＡｌ等の光反射性金属膜にて構成されることが多いが、これを画素電極にて覆われた形にて、且つ遮光層の開口部を避ける形にて形成することにより、ソース線での不要な光の反射がなくなるため、該ソース線形成領域において例えばブラックマトリクスを形成する必要がなくなる。
【００１３】
次に、本発明の電子機器は上記のような電気光学装置を例えば表示装置として備えることを特徴とする。このように本発明の液晶装置を備えることにより、不良発生が少なく信頼性の高い電子機器を提供することが可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
［電気光学装置］
図１は本発明の電気光学装置の一実施形態であって、電気光学材料として液晶を用いた液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図２は図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
図３は液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図４は液晶表示装置の各画素の構成を示す部分拡大平面図、図５は図４のＡ−Ａ’断面図である。
なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１５】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶表示装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２には、製造時においてＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合わせた後に液晶を注入するための液晶注入口５５が形成されており、該液晶注入口５５は液晶注入後に封止材５４により封止されている。
【００１６】
シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００１７】
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、液晶表示装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ　Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。さらに、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００１８】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図３に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用の半導体素子、ここではＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【００１９】
画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例えば、画素電極９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【００２０】
次に、図４は液晶表示装置１００における画素電極９を含んで構成される画素領域の構成を模式的に示す平面図であって、画素電極９は破線で示すように、データ線６ａ及び走査線３ａに囲まれた画素領域内の全面に形成され、四辺のデータ線６ａ及び走査線３ａに重なるべく構成されている。また、一画素内において画素電極９の下側（ガラス基板１０’側、図５参照）の領域に反射板１４が形成され、該反射板１４は所定の開口部１４ａを備え、該開口部１４ａの形成領域が透過表示領域、非形成領域が反射表示領域とされている。
【００２１】
次に、図５は図４のＡ−Ａ’断面の拡大模式図であって、本実施形態の液晶表示装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０が挟持された構成をなしている。また、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶５０と反対側には図示しない光源が設けられ、該光源からの光を利用して透過表示が行われる一方、対向基板２０の液晶５０と反対側から入射される太陽光又は照明光等の自然光を利用して反射表示が行われる構成となっている。
【００２２】
ガラス基板１０’を主体として構成されるＴＦＴアレイ基板１０上には、Ａｌを主体とする金属反射膜にて構成された反射板１４と、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を主体とする透明電極にて構成され、平面視マトリクス状の画素電極９とが形成されており（図４参照）、これら各画素電極９に対して画素スイッチング用のＴＦＴ３０（図４参照）がそれぞれ電気的に接続されている。また、図４にも示したように、画素電極９が形成された領域の縦横の境界に略沿って、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０がデータ線６ａ及び走査線３ａに対して接続されている。すなわち、データ線６ａは、コンタクトホール８を介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域に電気的に接続され、画素電極９は、コンタクトホール１５及びドレイン電極６ｂを介してＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域に電気的に接続されている。
【００２３】
なお、反射板１４は画素電極９よりも下側（ガラス基板１０’側）に形成され、画素電極９とドレイン電極６ｂとが接続可能なように、該ドレイン電極６ｂの形成領域には該反射板１４が形成されていない。一方、反射板１４を画素電極９上に形成することもできる。この時、反射板１４をＡｌ（若しくはＡｌ合金）で形成する場合には、画素電極９との間にバリアメタル（例えばＭｏ）を形成することで、画素電極９と反射板１４との間のコンタクトを確実にとれるようになる。なお、画素電極９の表層にはポリイミド主体として構成される膜に対してラビング処理を行った配向膜（図示略）が形成されている。
【００２４】
一方、対向基板２０においては、ガラス基板２０’上であって、ＴＦＴアレイ基板１０上の画素電極９の縦横の境界領域と対向する領域に、ブラックマトリクス２３が形成され、その上層側にはＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成されている。また、対向電極２１の上層側には、ポリイミド主体として構成される膜に対してラビング処理を行った配向膜（図示略）が形成されている。そして、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とがシール材５２（図１参照）によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入されている。
【００２５】
次に、ＴＦＴアレイ基板１０の構成について説明する。ＴＦＴアレイ基板１０は、ガラス基板１０’上に、ＳｉＯ２を主体とする絶縁膜１９を介して、Ｔｉ、Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒのいずれかを主体として構成された遮光層１３を具備してなり、該遮光層１３には、上述した反射板１４の開口部１４ａに対応して開口部１３ａが形成されている。すなわち、透過表示領域に対応して開口部１３ａが形成され、当該遮光層１３の形成領域が反射表示領域とされている。なお、図４に示すように、遮光層１３側の開口部１３ａ（２点鎖線にて示す）と、反射板１４側の開口部１４ａ（破線にて示す）との位置合わせは、誤差±１μｍ以内程度に設計しており、具体的には、遮光層１３側の開口部１３ａを１μｍ以内の範囲で、反射板１４側の開口部１４ａより大きく構成している。また、遮光層１３のガラス基板１０’側に形成された絶縁膜１９は、遮光層１３をフォトリソグラフィ工程にてパターニングする際のガラス基板１０’へのダメージ低減、若しくは再デポ物の付着等を抑制する機能を具備している。
【００２６】
このような構成の遮光層１３上には、膜厚約５００ｎｍ程度の絶縁膜１６を介してＴＦＴ３０が形成されている。この場合、遮光層１３上にＴＦＴ３０が形成されているため、上述したガラス基板１０’側に設けられる光源からの光が、ＴＦＴ３０内に入射することが防止ないし抑制され、例えばＴＦＴ３０のチャネル領域における光リーク電流の発生が防止ないし抑制されるものとなる。また、ＴＦＴ３０上には絶縁膜１７と、凹凸部を備えた絶縁膜１８とを介して反射板１４、画素電極９が形成されており、絶縁膜１８の凹凸形状に応じて反射板１４にも凹凸部が形成されている。したがって、反射板１４にて反射された光が散乱されることとなり、反射表示において視野角が広がり、表示特性が向上することとなる。
【００２７】
本実施形態の液晶表示装置１００においては、ＴＦＴ３０は例えば低温プロセスにて形成することができるが、その場合、ガラス基板１０’上に非晶質半導体層を形成し、これにレーザー照射を行うことで結晶化がなされる。このようなレーザー照射による結晶化工程において、ガラス基板１０’とは異なる側から非晶質半導体層にレーザー照射を行うと、該非晶質半導体層にて吸収されなかったレーザー光が、本実施形態では遮光層１３にて反射され、再び非晶質半導体層に照射されることとなるため、結晶化効率が向上することとなる。この場合において、遮光層１３は、ＴＦＴ３０の形成領域のみならず、反射表示領域に対応して大きく形成されているため、レーザー光の反射効率も一層高いものとなる。
【００２８】
また、遮光層１３はＴｉ等を主体として構成され、反射表示領域において略全面に形成されてなるため、ＴＦＴ３０の形成領域のみに形成した場合に比して、例えば静電気の帯電防止効果が高まることとなる。したがって、例えば静電気発生に伴う液晶５０の配向不具合等が生じ難くなり、ひいては当該液晶表示装置１００の一層良好な作動を確保することが可能となる。
【００２９】
次に、液晶表示装置１００の製造方法について図５を参照しつつ説明する。ここでは、特に製造工程におけるＴＦＴ３０の形成工程について説明する。まず、ガラス基板１０’上に絶縁膜１９を成膜し（第１絶縁膜形成工程）、その後、Ｔｉ等を主体とする遮光層１３を全面ベタ状に成膜するとともに、該ベタ状の遮光層１３の所定領域、ここでは透過表示領域に対応して開口部１３ａをフォトリソグラフィ法を用いて形成する（遮光層形成工程）。
【００３０】
次に、遮光層１３上に絶縁膜１６を介して非晶質半導体膜を形成する（非晶質半導体膜形成工程）。さらに、形成した非晶質半導体膜に対して、遮光層１３とは異なる側からレーザー照射を行い非晶質半導体を結晶化する（レーザー照射工程）。この場合、上述したように非晶質半導体膜に吸収されなかったレーザー光が、遮光層１３にて反射され、レーザー照射効率が高まることとなる。
【００３１】
このように結晶化した半導体膜を、フォトリソグラフィ法にて形成する能動層の形状に応じてパターニングし、さらにゲート絶縁膜４１を形成後、ゲート電極３ａを所定パターンにて形成する（ゲート絶縁膜形成工程、及びゲート電極形成工程）。さらに、ゲート電極３ａをマスクとして、低濃度の不純物イオン（リンイオン）を打ち込み、ゲート電極３ａに対して自己整合的に低濃度ソース領域、低濃度ドレイン領域を形成する。ここで、ゲート電極３ａの直下に位置し、不純物イオンが導入されなかった部分はチャネル領域となる。
【００３２】
また、ゲート電極３ａより幅広のレジストマスク（図示略）を形成して高濃度の不純物イオン（リンイオン）を打ち込み、高濃度ソース領域、及び高濃度ドレイン領域を形成する。次に、ゲート電極３ａの表面側にＣＶＤ法等により、シリコン酸化膜等からなる層間絶縁膜４２を成膜し、さらに層間絶縁膜４２において高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域に対応する部分にコンタクトホール８，１５をそれぞれ形成する。
【００３３】
次に、層間絶縁膜４２の全面に、アルミニウム、チタン、窒化チタン、タンタル、モリブデン、又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金等の導電性材料を、スパッタリング法等により成膜した後、フォトリソグラフィ法によりパターニングし、４００〜８００ｎｍの厚さのソース電極６ａ及びドレイン電極６ｂを形成する。以上のようにして、ｎチャネル型の多結晶シリコンＴＦＴ（半導体素子）３０を製造する（ｐチャネル型のＴＦＴは、ホウ素イオンを不純物イオンとして打ち込むことで製造できる。）
【００３４】
続いて、絶縁膜１７、及び凹凸部を備える絶縁膜１８（例えばエンボス加工等による）を形成し、その絶縁膜１８上に、所定パターンの開口部１４ａを備えた反射板１４を形成する。さらに、絶縁膜１７，１８にドレイン電極６ｂに接続するスルーホールを形成し、該スルーホールを介してドレイン電極６ｂと接続した画素電極９を所定の画素パターンに応じて形成する。
【００３５】
一方、ガラス基板２０’上にブラックマトリクス２３、対向電極２１等を備えた対向基板２０を用意し、該対向基板２０と、反射板１４及び画素電極９等が形成されたＴＦＴアレイ基板１０とをシール材５２（図１参照）によって貼り合わせ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０を封入して液晶パネルを得る。そして、この液晶パネルの外面側に所定の偏光板等を形成することで、本実施形態に係る液晶表示装置１００を得ることが可能である。
さらに、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタを形成することによって実現できる。この場合、カラーフィルタは対向電極２１とガラス基板２０’の間もしくは、対向電極２１のガラス基板２０’の反対側に設ける。対向電極２１とガラス基板２０’の間とする場合は、必要に応じて保護膜を設けることもできる。
【００３６】
次に、液晶表示装置の変形例について説明する。
図６は、変形例に係る液晶表示装置の構成について示す平面模式図で、図４に対応する図である。この場合、ＴＦＴ３０に接続されたデータ線６ａ及び走査線３ａの内、Ａｌ等の金属導電膜にて構成されたデータ線６ａを画素電極９の下方、すなわち画素電極９に覆われる形にて形成し、且つ遮光層１３の開口部１３ａ（若しくは反射板１４の開口部１４ａ）を避ける形にて形成した。
【００３７】
これによりＡｌ等の金属導電膜にて構成されたデータ線６ａが反射板１４の下方（ガラス基板１０’側）に形成されることとなり、該データ線６ａにて光が反射されることがなくなり、該データ線６ａの形成領域において例えばブラックマトリクス２３を形成する必要がなくなる。なお、図６に示す平面構成を備えた液晶表示装置においても、遮光膜１３の構成は上述の液晶表示装置１００と同様であって、上記同様の効果をもたらすものとされている。
なお本変形例においても、前述の実施形態と同様、対向基板２０にカラーフィルタを設けることによって、液晶表示装置１００をカラー表示用の構成とすることが可能である。
【００３８】
［電子機器］
次に、上記実施形態で示した液晶表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図７は携帯電話の一例を示した斜視図である。図７において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
【００３９】
図８は腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図８において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
【００４０】
図９はワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図９において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理本体、符号１２０６は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
【００４１】
このように、図７〜図９に示すそれぞれの電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置のいずれかを備えたものであるので、表示特性に優れた、信頼性の高い電子機器となる。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の電気光学装置によれば、半導体素子への光入射を遮蔽する遮光層が開口部を備えてなり、その開口部が、反射板の開口部とほぼ同じ領域に形成されてなるため、その開口部が形成された領域を透過領域、開口部の形成されていない領域を反射領域とすることができ、半導体素子の形成領域のみに遮光層を形成した場合に比して、遮光層形成に基づく基板間隔の不均一化が生じ難くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の液晶表示装置を示す平面図。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図。
【図３】図１の液晶表示装置の等価回路図。
【図４】図１の液晶表示装置の画素部分を拡大して示す平面図。
【図５】図４のＡ−Ａ’線に沿う断面図。
【図６】液晶表示装置の一変形例についての構成を示す平面図。
【図７】本発明の電子機器の一例を示す斜視図。
【図８】同、電子機器の他の例を示す斜視図。
【図９】同、電子機器のさらに他の例を示す斜視図。
【符図号の説明】
９　画素電極、１０　ＴＦＴアレイ基板（素子基板）、１３　遮光層、１３ａ開口部（遮光層側開口部）、１４　反射板、１４ａ　反射板側開口部、２０　対向基板、３０　ＴＦＴ（半導体素子）、５０　液晶（電気光学材料）、１００
液晶表示装置（電気光学装置）
【図１】
2004118039.tif 000003
【図２】
2004118039.tif 000004
【図３】
2004118039.tif 000005
【図４】
2004118039.tif 000006
【図５】
2004118039.tif 000007
【図６】
2004118039.tif 000008
【図７】
2004118039.tif 000009
【図８】
2004118039.tif 000010
【図９】
2004118039.tif 000011