(57)【要約】【課題】複数の反応容器を用いて多数の真空処理を同時に実施する真空処理方法及び装置において設備の大幅なコストダウンを図り、且つ１つの反応容器で異常が発生した際に正常動作中の他の反応容器に悪影響を及ぼさず、歩留まり、及び稼働率の低下を最小限にくい止める。【解決手段】内部に基体を設置した各反応容器部１００を移動可能手段１０４で移動させて、接続機構１０７とゲートバルブ１０２とを接続する。各反応容器部１００のゲートバルブ１０２、スロー排気バルブ１１０等を開け、複数の反応容器部１００内の減圧を同時に開始する。スロー排気バルブ１１０が開いたら、減圧速度の計測を開始し、排気速度が所定の範囲内か判別する。更にスロー排気を実施し、反応容器部１００の内圧が所定の値に達したら、メイン排気バルブ１０６を開け、反応容器部１００内を更に減圧状態とする。次に、反応容器部１００の内圧が所定の値に達したら、反応容器部１００のリークチェックを開始する。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な複数の反応容器部内に被処理物を設置し、それぞれの反応容器部を、同一の排気手段に繋がった配管に接続して排気し、前記被処理物を同時に処理する真空処理方法において、
前記複数の反応容器部を減圧状態にする際に、前記排気手段により、前記複数の反応容器部を同時に排気し、排気開始後減圧速度（Δ圧力／Δ時間）が、所定の範囲内であるかを判別する工程１と、
前記工程１の後に、さらに前記複数の反応容器部を減圧状態にし前記各反応容器部内の圧力が所定の値に達したら前記複数の反応容器部を同時にリークチェックする工程２とを少なくとも経た後に、所定の真空処理を実施することを特徴とする真空処理方法。
【請求項２】
前記工程１において、減圧速度が所定の範囲外にあるときは、前記複数の反応容器部の減圧処理を停止し、前記複数の反応容器部に対し、個別に異常個所を検知する工程を実施し、異常が発生した反応容器部のみを前記排気手段から断絶した後、残りの反応容器部について継続して次の工程に移行する、請求項１に記載の真空処理方法。
【請求項３】
前記工程２において、異常が検知された場合には、前記複数の反応容器部の減圧処理を停止し、前記複数の反応容器部に対し、個別に異常個所を検知する工程を実施し、異常が発生した反応容器部のみを前記排気手段から断絶した後、残りの反応容器部について継続して次の工程に移行する、請求項１または２に記載の真空処理方法。
【請求項４】
前記工程１において、減圧速度の検出を前記複数の反応容器部に対して、個別に且つ同時に行い、減圧速度が所定の範囲外の反応容器部を前記排気手段から断絶した後、残りの反応容器部について継続して次の工程に移行する、請求項１に記載の真空処理方法。
【請求項５】
前記工程２において、異常の検出を前記複数の反応容器部に対して、個別に且つ同時に行い、異常が発生した反応容器部を前記排気手段から断絶した後、残りの反応容器部について継続して次の工程に移行する、請求項１または４に記載の真空処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス等の形成に用いる、堆積膜形成、エッチング等の真空処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素子等を作成する際に用いられる真空処理方法として、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等、多数知られており、そのための装置も実用に付されている。中でも高周波電力を用いたプラズマプロセスは、様々な材料を用いた堆積膜作成やエッチングに用いることができ、酸化膜や窒化膜の絶縁性の材料形成にも使用できる等様々な利点より使用されている。プラズマプロセスの好適な使用例としては、例えば電子写真用水素化アモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈと表記する）堆積膜の形成等、現在実用化が非常に進んでおり、そのための形成方法も各種提案されている。
【０００３】
加えて、更に低コストで高品質な堆積膜を製造するために様々な工夫が為されている。
【０００４】
例えば、特開平１０−１６８５７４号公報には、堆積膜形成装置のクリーニング方法を工夫することで、製造に費やされる合計時間を短縮する技術が開示され、その中で、複数の反応容器を単一の排気手段によって排気する堆積膜形成装置の一例が開示されている。また、特公平７−１３９４７号公報には、原料ガス供給手段と排気手段が共通化された複数の反応容器を用いて複数枚の薄膜トランジスタアレイを作成する技術が開示されている。このように複数の反応容器を単一の排気手段や単一のガス供給手段に接続することで、ガス供給手段や排気手段への設備投資を低減できる。
【０００５】
また、特開平１０−１６８５７６号公報には、真空容器が排気手段、原料ガス供給手段と着脱可能な接続機構を介して接続する堆積膜形成装置、及び着脱機構に関する詳細が開示されている。このように着脱可能とすることで、例えば種類の異なる堆積膜を製造する際に、反応容器のみ変えればよく、設備投資額、装置のダウンタイムなどの点で有利である。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１０−１６８５７４号公報
【特許文献２】
特公平７−１３９４７号公報
【特許文献３】
特開平１０−１６８５７６号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の方法及び装置により、同時に実施できる真空処理の数量は多く、またガス流量制御手段やガス排気手段といった付帯設備を共通化できるというメリットがあり、コストダウンに有利である。
【０００８】
しかし、上記のように、ガス流量制御手段やガス排気手段といった付帯設備を共有し、複数の反応容器で同時に多数の真空処理を実施する構成の場合、複数個の反応容器のうち、ある１つの反応容器内で異常が発生したときには、付帯設備を共有化している関係から、正常に処理を行っている他の反応容器にも悪影響が及ぼされてしまうことがある。
【０００９】
真空処理における異常の一つとして、処理容器内への外部リークが挙げられる。真空処理中に外部リークが有ると、処理容器内が汚染され処理特性に悪影響を及ぼす。
【００１０】
この場合、前述のように複数個の反応容器のうち、１つの反応容器で外部リークが発生しても、例えば共通の排気配管を介して酸素等の汚染源が拡散し、他の反応容器の処理特性に悪影響を及ぼす。さらに、前述の電子写真用感光体の処理に際しては、後述するように処理中はもとより、処理開始以前、さらには減圧処理を開始し、暫くして１つの反応容器に異常が発生しても、他の反応容器に悪影響を及ぼす場合がある。
【００１１】
以上のように、１度に大量の堆積膜を処理できる量産型の装置形態においては、コスト的に大変有利である反面、一旦トラブルが発生すると、最悪の場合、付帯設備を共有する全ての反応容器で実施した全ての真空処理品が不良品となる可能性があるという問題があった。
【００１２】
本発明は上記課題の解決を目的とするものである。即ち、複数の反応容器を用いて多数の真空処理を同時に実施可能な真空処理方法及び真空処理装置において、ガス供給手段や排気手段などの付帯設備を共有することで設備の大幅なコストダウンを図り、且つ１つの反応容器で異常が発生した際に、正常に動作している他の反応容器に悪影響を及ぼさず、歩留まり、及び稼働率の低下を最小限にくい止めることができる真空処理方法を提供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、減圧可能な複数の反応容器部内に被処理物を設置し、それぞれの反応容器部を、同一の排気手段に繋がった配管に接続して排気し、前記被処理物を同時に処理する真空処理方法において、前記複数の反応容器部を減圧状態にする際に、前記排気手段により、前記複数の反応容器部を同時に排気し、排気開始後減圧速度（Δ圧力／Δ時間）が、所定の範囲内であるかを判別する工程１と、前記工程１の後に、さらに前記複数の反応容器部を減圧状態にし前記各反応容器部内の圧力が所定の値に達したら前記複数の反応容器部を同時にリークチェックする工程２とを少なくとも経た後に、所定の真空処理を実施することを特徴とする。
【００１４】
更に、前記工程１において、減圧速度が所定の範囲外にあるときは、前記複数の反応容器部の減圧処理を停止し、前記複数の反応容器部に対し、個別に異常個所を検知する工程を実施し、異常が発生した反応容器部のみを前記排気手段から断絶した後、残りの反応容器部について継続して次の工程に移行することが好ましい。
【００１５】
更に、前記工程２において、異常が検知された場合には、前記複数の反応容器部の減圧処理を停止し、前記複数の反応容器部に対し、個別に異常個所を検知する工程を実施し、異常が発生した反応容器部のみを前記排気手段から断絶した後、残りの反応容器部について継続して次の工程に移行することが好ましい。
【００１６】
更に、前記工程１において、減圧速度の検出を前記複数の反応容器部に対して、個別に且つ同時に行い、減圧速度が所定の範囲外の反応容器部を前記排気手段から断絶した後、残りの反応容器部について継続して次の工程に移行することが好ましい。
【００１７】
更に、前記工程２において、異常の検出を前記複数の反応容器部に対して、個別に且つ同時に行い、異常が発生した反応容器部を前記排気手段から断絶した後、残りの反応容器部について継続して次の工程に移行することが好ましい。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１９】
本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、複数の反応容器を同一の排気手段、同一のガス供給手段に接続した、大量の真空処理を同時に行うことが出来る真空処理方法において、ある反応容器で異常が発生した際に、上記のような真空処理方法を用いることで、他の反応容器に不具合が拡大するのを防止し、製品の歩留まり率の低下を極力さけることを可能にした。
【００２０】
このような本発明の実施の形態について、以下に詳述する。
【００２１】
図１（ａ）、（ｂ）は本発明の真空処理方法を実施する装置の一例の模式図であり、電子写真感光体の形成装置の一例を示した模式図である。図１（ａ）は、横断面図、図１（ｂ）は、上面図である。
【００２２】
本実施形態の真空処理方法に好適な、電子写真感光体の製造装置は、図１に示すように移動可能な反応容器部１００を備えており、反応容器部１００は、被処理基体（図示せず）が配置される反応容器１０１と、ゲートバルブ１０２と、架台１０３と、移動可能手段１０４としてのキャスターとからなる。
【００２３】
移動可能手段１０４は、反応容器部１００を移動可能にするものであれば良く、キャスター移動、ベルト移動、磁気浮動移動、空気浮動移動等の移動方式を利用できるが、取り扱い易さ、コストの点からキャスター移動が望ましい。
【００２４】
反応容器１０１内を排気するための排気手段１５０には、反応容器１０１に繋がる集合排気管１０５と、メイン排気バルブ１０６と、集合排気管１０５を反応容器部１００に接続させる接続機構１０７と、内圧測定器１０８と、反応容器部１００の内部の圧力を調整するために、排気コンダクタンス制御手段１０９、スロー排気バルブ１１０、スロー排気ライン１１１が接続されている。
【００２５】
反応容器部１００は、接続機構１０７、ゲートバルブ１０２および集合排気管１０５を介して排気手段１５０に接続されている。排気手段１５０は、ロータリーポンプ、メカニカルブースターポンプ、油拡散ポンプ、ターボ分子ポンプなど、所望の排気速度を得られる排気手段であればいかなるポンプ、あるいはそれらのいかなる組み合わせでも構わない。
【００２６】
反応容器部１００のガス供給及び流量制御手段１６０は、真空処理に必要となる複数のガスボンベ、レギュレータ、バルブ類、マスフローコントローラーなどを含んでいることが望ましく、所望のガスを所望の流量、混合比で供給することが出来れば、いかなる構成でも構わない。また、更に好ましくはパージ用のガスボンベ、パージラインを含んでいることが望ましく、このことによりガスを安全に運用することが可能となる。真空処理に必要な原料ガスは、ガス供給及び流量制御手段１６０より、流量可変バルブ１６１、接続機構１０７を介し、反応容器１０１内に供給される。
【００２７】
また、反応容器部１００と流量可変バルブ１６１との間にガス接続機構を設けることが望ましく、接続機構１０７にガス接続機構を組み込んである。
【００２８】
また、図１では反応容器部１００は３つであるが、この数については排気手段１５０の排気能力あるいは、反応容器部１００を排気手段１５０に取り付け、取り外しの際の、作業効率等を勘案して任意に定めてよい。
【００２９】
接続機構１０７は、真空保持のためフランジ構造をとることが望ましく、真空シールとしてはＯリングシール、メタルシールなどいずれでもよい。接続機構１０７とゲートバルブ１０２の固定方法としてはボルト、カプラ、クランプなどを用いたいずれの方法でも良いが、着脱を容易に行える方がより好ましい。
【００３０】
図１の電子写真感光体の製造装置を用いた、本発明の真空処理方法は、概略以下のようにして行うことができる。
【００３１】
まず、基体を基体投入エリア（図示せず）にて、反応容器部１００の反応容器１０１内に設置する。
【００３２】
基体は、前もって精密に洗浄されており、基体の設置は、クリーンルーム等のダスト管理された環境下で実施される。次に、各反応容器部１００を基体投入エリアから、移動可能手段１０４であるキャスターを駆動させて、接続機構１０７まで移動し、接続機構１０７とゲートバルブ１０２とを接続する。各反応容器部１００のゲートバルブ１０２を開け、スロー排気バルブ１１０を開け、スロー排気ライン１１１を使用し、複数の反応容器部１００内の減圧を同時に開始する。
【００３３】
スロー排気を実施するのは、メイン排気バルブ１０６を開き、一気に反応容器部１００内を減圧にすると、反応容器部１００内の気体が排気管の接続端開口部に一気に引き寄せられて、反応容器部１００内に大きな乱気流が発生し、反応容器部１００内の壁面や、底面に堆積していたパーティクルが舞い上がり、パーティクルが基体表面に付着するのを防止するためである。
【００３４】
排気手段１５０により、反応容器部１００の排気が開始されたら、本発明の特徴の一つである、工程１が実施される。スロー排気バルブ１１０が開いたら、減圧速度（Δ圧力／Δ時間）の計測を開始する。減圧速度の計測は、内圧測定器１０８により、反応容器部１００が接続されている集合排気管１０５の圧力をモニターする。そして、排気速度が所定の範囲内にあるかを判別する。判別の仕方は、予め外部リークの無い状態で排気時間と、圧力の変化をモニターしておき、それをリファレンス（基準値）とし、該レファレンスに対し、どの程度ずれが生じているかで判別される。例えば、排気時間をＴと固定しておき、そのＴの時間が経過した時の圧力がリファレンス付近か否かで判別する。あるいは、排気時間と圧力の変化を数回観察し、その平均をリファレンスとしてもよい。
【００３５】
前記工程１は、排気開始から時間的にはあまり経過していない状態、つまり低真空状態で実施される。外部リークが発生している状況で、時間が経過すると、以下の様な問題が発生する。リーク個所からエアーが反応容器部１００内に排出され、その結果、リーク個所近傍に乱気流が発生し、反応容器部１００内でパーティクルが舞う場合がある。排気を開始して暫くは、低真空状態のため、パーティクルは浮遊し、やがて、共通の排気配管を介して隣の反応容器部１００内まで浮遊し、反応容器部１００内を汚染する場合がある。特に電子写真感光体の生産においては、基体上にダストなどが付着することによって生じる欠陥の発生率が生産性に極めて大きく関与する。電子写真感光体に上記の欠陥が発生した場合、欠陥をリペアすることができないため、電子写真感光体の歩留まりに大きく影響するためである。一方、高真空状態になると、パーティクルは浮遊できなくなるため、前述の様にパーティクルが隣接する反応容器部１００に影響を及ぼすことはほとんどない。
【００３６】
つまり、高真空状態でリークチェックし、異常が発見されても、特に電子写真感光体のように、基板に付着したパーティクル起因の欠陥に関しては、異常発生が発見された反応容器部以外にも既に、悪影響を及ぼしている場合があるため、低真空状態でリークチェックすることが非常に有効と成る。
【００３７】
前記工程１を実施する低真空状態というのは、装置の形状、容積あるいは排気配管の接続の仕方、長さ、さらには外部リーク量により一概に規定できるものではないが、本発明者らの実験からは、大気圧力から、１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）までに実施するほうが好ましく、１３３３０Ｐａ（１００Ｔｏｒｒ）までに実施するほうが、歩留まりの面からより好ましい。
【００３８】
また、前記工程１での、リーク検出法としては、本発明の排気速度を検出する方法が最良となる。前記工程１は、前述のように低真空状態で実施されるため、ガイスラー管法や、ヘリウムリークデテクタを用いたリーク検出手法は使用できない。また、真空放置法は、減圧状態で排気バルブを閉じて行うため、反応容器部内で気体の流れが無くなり、パーティクルが拡散し易くなる。本発明の排気速度の検出は、常に、反応容器部から排気手段へと、気体の流れが生じているため、隣接する反応容器部へパーティクルが拡散し難い状況で検出することができる。
【００３９】
次に、排気速度が所定の範囲内にあることを確認した後、前記工程２に移行する。更にスロー排気を実施し、反応容器部１００の内圧が所定の値に達したら、メイン排気バルブ１０６を開け、反応容器部１００内を更に減圧状態とする。次に、反応容器部１００の内圧が所定の値に達したら、反応容器部１００のリークチェックを開始する。リークチェックの方法は特に制限は無く、ガイスラー管法や、ヘリウムリークデテクタを用いたリーク検出手法、また、真空放置法等が用いられる。
【００４０】
また、前記工程２は高真空状態で実施されることになるが、実施される条件としては、真空処理される条件（例えばＣＶＤ時）時の内圧より低圧で実施されるほうが、好ましい。
【００４１】
そして、異常が無いことを確認した後、次の工程に移行する。
【００４２】
前記工程１において、排気速度が所定に範囲外の場合、および前記工程２において、異常が発見された場合には、処理を中断し、反応容器部１００を排気手段１５０から切り離し、次に準備されている別の反応容器部１００を新たに排気手段１５０に接続し、再び基体の設置から開始する。また、切り離された反応容器部１００は、別のエリアに移動され、異常の原因の特定、及び異常の修理がなされる。
【００４３】
このように本発明の真空処理方法を実施することで、常に正常な状態で複数の真空処理が同時に可能となり、歩留まりの低下を抑制することが可能となる。
【００４４】
さらに、本発明の好ましい真空処理方法として、前記工程１において、減圧速度が所定の範囲外にあるときは、前記複数の反応容器部の減圧処理を停止し、前記複数の反応容器部に対し、個別に異常個所を検知する工程を実施し、異常が発生した反応容器部のみを前記排気手段から断絶した後、残りの反応容器部について継続して次の工程に移行することで、さらに稼働率の低下を抑制することが可能となる。
【００４５】
前述のような、異常が発生時の対応（処理を中断し、反応容器部１００を排気手段１５０から切り離し、次に準備されている別の反応容器部１００を新たに排気手段１５０に接続し、再び基体の設置から開始する。また、切り離された反応容器部１００は、別のエリアに移動され、異常の原因の特定、及び異常の修理がなされる。）の場合、正常な反応容器部１００も排気手段１５０から切り離されてしまい、異常の対応にある程度の時間が必要となるため、装置の稼働率が低下してしまう。
【００４６】
本発明の真空処理方法によれば、異常を検知した場合、複数の反応容器部に対し、個別に異常個所を検知する工程を実施し、異常が発生した反応容器部のみを前記排気手段から切り離すため、正常な反応容器部は継続して使用することが可能となり、装置の稼働率が向上する。この場合、異常が発生した反応容器部のみを、別の反応容器部と交換すれば良く、また、異常が発生した反応容器部が接続されていた排気手段との接続部を封止することで、残りの正常な反応容器部のみで継続して真空処理を実施することも可能であるため、さらに稼働率を向上させることが可能となる。
【００４７】
さらに、本発明の好ましい真空処理方法として、前記工程２において、異常が検知された場合には、前記複数の反応容器部の減圧処理を停止し、前記複数の反応容器部に対し、個別に異常個所を検知する工程を実施し、異常が発生した反応容器部のみを前記排気手段から断絶した後、残りの反応容器部について継続して次の工程に移行することで、前述と同様に稼働率の低下を抑制することが可能となる。
【００４８】
さらに、本発明の好ましい真空処理方法として、前記工程１において、減圧速度の検出を前記複数の反応容器部に対して、個別に且つ同時に行い、減圧速度が所定の範囲外の反応容器部を前記排気手段から断絶した後、残りの反応容器部について継続して次の工程に移行することで、更に稼働率の低下を抑制することが可能となる。このような真空処理方法を実施することで、異常の検知と、異常個所（異常のある反応容器部）の特定を同時に実施可能となり、更に稼働率の向上が可能となる。
【００４９】
さらに、本発明の好ましい真空処理方法として、前記工程２において、異常の検出を前記複数の反応容器部に対して、個別に且つ同時に行い、異常が発生した反応容器部を前記排気手段から断絶した後、残りの反応容器部について継続して次の工程に移行することで、更に稼働率の低下を抑制することが可能となる。このような真空処理方法を実施することで、異常の検知と、異常個所（異常のある反応容器部）の特定を同時に実施可能となり、更に稼働率の向上が可能となる。
【００５０】
以上、電子写真感光体形成装置、形成方法を例にとって本発明の説明を行ってきたが、本発明はこれに限ったものではなく、例えばスパッタリング法、熱ＣＶＤ法等の他の真空処理方法にも用いることができる。
【００５１】
【実施例】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
【００５２】
［実施例１］
図１、図４に示した真空処理装置において、移動可能な反応容器部１００内に設置した長さ３５８ｍｍ、外径φ１０８ｍｍの鏡面加工を施したＡｌ製シリンダー（円筒状基体１２０）上にａ−Ｓｉ膜を、高周波電源１２１の発振周波数を１０５ＭＨｚとして表１に示す条件で成膜し、電子写真感光体を作製した。
【００５３】
図１（ａ）、（ｂ）は前述の電子写真感光体形成装置を示した模式図であり、図１（ａ）は、横断面図、図１（ｂ）は、上面図である。
【００５４】
図４はＶＨＦプラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の形成装置の一例を示す模式的な構成図である。移動可能な反応容器部１００は、ＳＵＳ製の円筒状高周波シールド１２２、アルミナセラミックスからなる円筒状の反応容器１０１、反応容器支持台１２３、上蓋１２４、ゲートバルブ１０２、キャスター等の移動可能手段１０４からなる。
反応容器１０１内には、基体加熱用ヒーター１２５、および原料ガス導入管１２６が同心円上に３本設置されている。またＳＵＳ製の棒状の高周波電極１２７は、高周波シールド１２２と反応容器１０１の間に同心円上に等間隔で３本設置されており、高周波整合器（マッチィングボックス）１２８を介して、高周波電源１２１が接続されている。
前述の棒状の高周波電極１２７は絶縁部材１２９により、高周波シールド１２２、反応容器支持台１２３から絶縁されている。
【００５５】
本実施例において、電子写真感光体の作製は以下のように行った。
【００５６】
クリーンルームからなる基体投入エリア（図示せず）で反応容器１０１内に基体ホルダー１３０に装着された円筒状基体１２０を設置する。次に上蓋１２４を取り付け、反応容器部１００を作業員による手動搬送で図１の成膜ステージの接続機構１０７まで移動し、ゲートバルブ１０２と接続機構１０７とを接続させる。ここで接続方法は、ゲートバルブ１０２と接続機構１０７の間にＯリングを介して接続した。本実施例においては、図１に示すように反応容器部１００は３台用いた。
【００５７】
３台の反応容器部１００の接続を終了した後、各反応容器部１００のゲートバルブ１０２を開け、スロー排気バルブ１１０を開け、スロー排気ライン１１１を使用し、複数の反応容器部１００内の減圧を同時に開始する。次に本発明の特徴である工程１を実施した。前記工程１の判別基準として、スロー排気バルブ１１０を開いた後、３０分後に内圧測定器１０８の値が２００００Ｐａ以下なら異常無し、２００００Ｐａより圧力が高い場合は異常有りとした。本実施例では、スロー排気バルブ１１０を開けた後、３０分後に内圧測定器１０８の値が１８０００Ｐａに達していたので、引き続きスロー排気を実施した。次に内圧測定器１０８の値が４００Ｐａに達した時、スロー排気バルブ１１０を閉じ、メイン排気バルブ１０６を開けて、更に反応容器内に真空度を高くした。内圧測定器１０８の値が０．６５Ｐａに達した時、本発明の特徴である工程２を実施した。内圧測定器１０８の値が０．６５Ｐａに達した時、メイン排気バルブ１０６を閉め、５分間放置した。５分後の内圧測定器１０８の値が１．３Ｐａ以下のときは、異常無しとし、１．３Ｐａより高い場合は異常有りとした。本実施例では、５分後の内圧測定器１０８の値が１．０Ｐａだったので、次の工程に移行した。メイン排気バルブ１０６を開け、基体加熱用ヒーター１２５を駆動させ、円筒状基体１２０を２３０℃になるように加熱し制御した。
【００５８】
この加熱中に、前述の高周波電極１２７、高周波シールド１２２、高周波整合器１２８を反応容器１０１の周囲に設置し、さらに高周波整合器１２８と高周波電源１２１とを同軸ケーブルで接続した。
【００５９】
円筒状基体１２０が所定の温度となったところで、原料ガス導入管１２６を介して、原料ガスを反応容器１０１内に導入する。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０１内の圧力が安定したのを確認した後、１０５ＭＨｚの高周波電源１２１より高周波整合器１２８を介して高周波電極１２７へ所定の高周波電力を供給する。これら堆積膜形成の条件は表１に示す。堆積膜形成中は、モーター１３１を駆動させ円筒状基体１２０を回転させた。
【００６０】
堆積膜形成終了後、反応容器部１００を接続機構１０７から切り離し、円筒状基体取り出しステージ（図示せず）まで移動させ、堆積膜が形成された円筒状基体１２０を取り出した。その後、反応容器１０１内の構成部品を交換し、再度堆積膜形成可能な状態としたところで一連の工程を終了した。
【００６１】
以上の様な電子写真感光体の形成を連続して、２０回実施した。
【００６２】
このとき、８回目に、前記工程１おいて、スロー排気バルブ１１０を開いて、３０分後に圧力測定器１０８の値が２００００Ｐａより圧力が高いかったため、先ず、スロー排気バルブ１１０、ゲートバルブ１０２を３個全て同時に閉じ、一旦真空処理を停止した。
そして、集合排気管１０５の内圧を内圧測定器１０８で２００００Ｐａに調整し、１個のゲートバルブ１０２を開した。そして、その時の内圧測定器１０８の圧力の変化を観察した。この検査を各反応容器部１００に対して行ったところ、ある一つの反応容器部で実施した際に、内圧測定器１０８の圧力が大幅に上昇しその反応容器部に異常があることが確認された。そこで、その異常が発生した反応容器部１００を、接続機構１０７から切り離し、反応容器部１００の代わりに、接続機構１０７に封止フランジを取付けた。その後、残りの２つの反応容器部１００で、引き続きスロー排気を実施した。その後は、前記工程２を実施し、前述のように電子写真感光体を作製した。
【００６３】
また、１８回目に前記工程２おいて、５分間真空放置後の内圧測定器１０８の値が１．３Ｐａより高かったので、先ず、メイン排気バルブ１０６、ゲートバルブ１０２を３個全て同時に閉じ、一旦真空処理を停止した。そして、集合排気管１０５の内圧を内圧測定器１０８で１．３Ｐａに調整し、１個のゲートバルブ１０２を開いた。そして、その時の内圧測定器１０８の圧力の変化を観察した。この検査を反応容器部１００に対して行ったところ、ある一つの反応容器部で実施した際に、内圧測定器の圧力が大幅に上昇し、その反応容器部に異常があることが確認された。そこで、その異常が発生した反応容器部１００を、接続機構１０７から切り離し、反応容器部１００の代わりに、接続機構１０７に封止フランジを取付けた。その後、残り２つの反応容器部１００で引き続き排気を実施した。その後は、前述のように電子写真感光体を作製した。
【００６４】
作製した電子写真感光体に対し、「感度」「感度のバラツキ」「球状突起数」「球状突起数のバラツキ」の評価を以下のように実施した。
【００６５】
「感度」「感度のバラツキ」
作製した電子写真感光体を本テスト用に改造したキヤノン製複写機ＧＰ−６０５に設置した。そして、プロセススピード３００ｍｍ／ｓｅｃ、前露光（波長６８０ｎｍのＬＥＤ）、光量４ｌｘ・ｓ、像露光（波長６６０ｎｍのレーザー）をＯＦＦにした条件で、電子写真装置の帯電器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ社Ｍｏｄｅｌ３４４）の電位センサーにより電子写真感光体の表面電位が４００Ｖになるように帯電器の電流を調整する。その後、像露光を照射し、像露光光源の光量を調整して、表面電位が５０Ｖとなるようにし、そのときの露光量を測定する。作製した全ての電子写真感光体に関し、測定を行い、その平均をもって感度とし、最大値と最小値の差をもって感度のバラツキとした。
【００６６】
「球状突起数」　「球状突起数のバラツキ」
作製した電子写真感光体の表面を光学顕微鏡で観察し、１０ｃｍ２当たりでの１５μｍ以上の球状突起の個数を調べた。値が小さいほど画像欠陥が少なく画質に優れていることを示す。
【００６７】
作製した全ての電子写真感光体に関し、測定を行い、その平均をもって球状突起数とし、最大値と最小値の差をもって球状突起数のバラツキとした。
【００６８】
「感度」「感度のバラツキ」「球状突起数」「球状突起数のバラツキ」に対して、以下の比較例１の結果に対して相対評価を行った。
【００６９】
［比較例１］
本比較例においては、実施例１での工程１、工程２を実施しなかった以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様の評価を行った。
【００７０】
実施例１、比較例１で得られた結果を表２に示す。表２においては、比較例１の結果を１００とした相対評価を示す。
【００７１】
比較例では、感度及び球状突起数が悪化する電子写真感光体が数回観察され、その感光体と同一Ｌｏｔで作製した感光体も感度及び球状突起数がやや悪化していた。一方、本発明の真空処理方法によれば、いずれのＬｏｔも、感度及び球状突起数の優れた電子写真感光体が作製された。
【００７２】
この結果、本発明の真空処理方法によれば、再現性が向上し、歩留まりが上がることが判った。
【００７３】
【表１】
2004143551.tif 000003
（反応容器１つ当たりの流量）
【００７４】
【表２】
2004143551.tif 000004
【００７５】
［実施例２］
図２、図４に示した真空処理装置において、反応容器部１００内に設置した長さ３５８ｍｍ、外径φ１０８ｍｍの鏡面加工を施したＡｌ製シリンダー（円筒状基体１２０）上にａ−Ｓｉ膜を、高周波電源１２１の発振周波数を１０５ＭＨｚとして表１に示す条件で成膜し、電子写真感光体を作製した。
【００７６】
図２（ａ）、（ｂ）は本実施例の真空処理方法を実施する装置の一例の模式図であり、電子写真感光体の形成装置の一例を示した模式図である。図２（ａ）は、横断面図、図２（ｂ）は、上面図である。
【００７７】
本実施例による電子写真感光体の製造装置は、図２に示すように移動可能な反応容器部１００Ａ〜Ｃを備えており、反応容器部１００Ａ〜Ｃの各々は、被処理基体（図示せず）が配置される反応容器１０１と、ゲートバルブ１０２Ａ〜Ｃと、架台１０３と、移動可能手段１０４としてのキャスターとからなる。
【００７８】
反応容器１０１内を排気するために排気手段１５０，１５１が備えられており、排気手段１５０には、反応容器１０１に繋がる集合排気管１０５と、メイン排気バルブ１０６Ａ〜Ｃと、集合排気管１０５を反応容器部１００Ａ〜Ｃに接続させる接続機構１０７Ａ〜Ｃと、内圧測定器１０８Ａ〜Ｃと、反応容器部１００の内部の圧力を調整するために、排気コンダクタンス制御手段１０９Ａ〜Ｃが接続されている。また、排気手段１５１には、集合排気管１４０、スロー排気ライン１１１、スロー排気バルブ１１０、メイン排気バルブ１４１、バルブ１４２Ａ〜Ｃが接続されている。
【００７９】
反応容器部１００のガス供給及び流量制御手段１６０は、真空処理に必要となる複数のガスボンベ、レギュレータ、バルブ類、マスフローコントローラーなどを含んでいることが望ましく、所望のガスを所望の流量、混合比で供給することが出来れば、いかなる構成でも構わない。また、更に好ましくはパージ用のガスボンベ、パージラインを含んでいることが望ましく、このことによりガスを安全に運用することが可能となる。真空処理に必要な原料ガスは、ガス供給及び流量制御手段１６０より、流量可変バルブ１６１Ａ〜Ｃ、接続機構１０７Ａ〜Ｃを介し、反応容器１０１内に供給される。
【００８０】
本実施例において、電子写真感光体の作製は以下のように行った。なお、本実施例の反応容器部１００も上記の実施例１と同じで、図４に示したとおりである。
【００８１】
クリーンルームからなる基体投入エリア（図示せず）で反応容器１０１内に基体ホルダー１３０に装着された円筒状基体１２０を設置する。次に上蓋１２４を取り付け、反応容器部１００Ａ〜Ｃを作業員による手動搬送で図２の成膜エリアの接続機構１０７Ａ〜Ｃまで移動し、ゲートバルブ１０２Ａ〜Ｃと接続機構１０７Ａ〜Ｃとを接続させる。ここで接続方法は、ゲートバルブ１０２Ａ〜Ｃと接続機構１０７Ａ〜Ｃの間にＯリングを介して接続した。本実施例においては、図２に示すように３台の反応容器部１００Ａ〜Ｃを用いた。
【００８２】
３台の反応容器部１００Ａ〜Ｃの接続を終了した後、各反応容器部１００Ａ〜Ｃのゲートバルブ１０２Ａ〜Ｃ、バルブ１４２Ａ〜Ｃを開け、スロー排気バルブ１１０を開け、スロー排気ライン１１１を使用し、複数の反応容器部１００内の減圧を同時に開始する。次に本発明の特徴である工程１を実施した。前記工程１の判別基準として、スロー排気バルブ１１０を開いた後、３０分後に各内圧測定器１０８Ａ〜Ｃの値が１１０００Ｐａ以下なら異常無し、１１０００Ｐａより圧力が高い場合は異常有りとした。本実施例では、スロー排気バルブ１１０を開いた後、３０分後に各内圧測定器１０８Ａ〜Ｃの値が１００００Ｐａに達していたので、引き続きスロー排気を実施した。次に内圧測定器１０８Ａ〜Ｃの値が４００Ｐａに達した時、スロー排気バルブ１１０を閉じ、メイン排気バルブ１４１を開けて、更に反応容器内の真空度を高くした。内圧測定器１０８Ａ〜Ｃの値が０．６５Ｐａに達した時、本発明の特徴である工程２を実施した。内圧測定器１０８Ａ〜Ｃの値が０．６５Ｐａに達した時、各バルブ１４２Ａ〜Ｃを閉め、５分間放置した。５分後の各内圧測定器１０８Ａ〜Ｃの値が１．０Ｐａ以下のときは、異常無しとし、１．０Ｐａより高い場合は異常有りとした。本実施例では、５分後の各内圧測定器１０８Ａ〜Ｃの値が０．８５Ｐａだったので、次の工程に移行した。バルブ１４２Ａ〜Ｃを開け、基体加熱用ヒーター１２５を駆動させ、円筒状基体１２０を２８０℃に加熱し制御した。
【００８３】
この加熱中に、前述の高周波電極１２７、高周波シールド１２２、高周波整合器１２８を反応容器１０１の周囲に設置し、さらに高周波整合器１２８と高周波電源１２７とを同軸ケーブルで接続した。
【００８４】
円筒状基体１２０が所定の温度となったところで、バルブ１４２Ａ〜Ｃを閉じ、ゲートバルブ１０２Ａ〜Ｃを全て開けた。次に、原料ガス導入管１２６を介して、原料ガスを反応容器１０１内に導入する。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０１内の圧力が安定したのを確認した後、１０５ＭＨｚの高周波電源１２１より高周波整合器１２８を介して高周波電極１２７へ所定の高周波電力を供給する。これら堆積膜形成の条件は表１に示す。堆積膜形成中は、モーター１３１を駆動させ円筒状基体１２０を回転させた。
【００８５】
堆積膜形成終了後、反応容器部１００Ａ〜Ｃを接続機構１０７Ａ〜Ｃから切り離し、円筒状基体取り出しステージ（図示せず）まで移動させ、堆積膜が形成された円筒状基体１２０を取り出した。その後、反応容器１０１内の構成部品を交換し、再度堆積膜形成可能な状態としたところで一連の工程を終了した。
【００８６】
以上の様な電子写真感光体の形成を連続して、２０回実施した。
【００８７】
このとき、３回目に、前記工程１おいて、スロー排気バルブ１１０を開いて、３０分後に内圧測定器１０８Ａの値が１１０００Ｐａより圧力が高かった。そこで、バルブ１４２Ａを閉じ、反応容器１００Ａを大気圧力に戻し、接続機構１０７Ａから切り離した。そして、切り離した接続機構１０７Ａに封止フランジを取り付けた。一方、残りの２つの反応容器部１００Ｂ，１００Ｃは、内圧測定器１０８Ｂ，１０８Ｃが９０００Ｐａになった時点でバルブ１４２Ｂ，１４２Ｃを閉じ、真空保持状態を維持した。その後、バルブ１４２Ａを開け、内圧測定器１０８Ａの値が９０００Ｐａになったところで、バルブ１４２Ｂ，１４２Ｃを開け、引き続きスロー排気を実施した。その後は、前記工程２を実施し、前述のように電子写真感光体を作製した。
【００８８】
また、１０回目に前記工程２おいて、５分間真空放置後の内圧測定器１０８Ｃの値が１．０Ｐａより高かったので、反応容器１００Ｃを大気圧力に戻し、接続機構１０７Ｃから切り離した。そして、切り離した接続機構１０７Ｃにメクラ・フランジを取付けた。そして、バルブ１４２Ｃを開け、内圧測定器１０８Ｃの値が、内圧測定器１０８Ａ，１０８Ｂと同じになったところで、バルブ１４２Ａ〜Ｃを全て開け、次の工程に移行し、前述のように電子写真感光体を作製した。
【００８９】
作製した電子写真感光体に対し、実施例１と同様に評価を行ったところ、実施例１と同様、再現性良く電子写真感光体を作製できた。また、実施例１に対し、異常の検出と異常個所の特定を同時に実施可能なため、装置の稼働率を向上できることが判った。
【００９０】
［実施例３］
図３、図４に示した真空処理装置において、反応容器部１００内に設置した長さ３５８ｍｍ、外径φ１０８ｍｍの鏡面加工を施したＡｌ製シリンダー（円筒状基体１２０）上にａ−Ｓｉ膜を、高周波電源１２１の発振周波数を１０５ＭＨｚとして表１に示す条件で成膜し、電子写真感光体を作製した。
【００９１】
図３は本実施例の真空処理方法を実施する装置の一例の模式図であり、電子写真感光体の形成装置の一例を示した模式図である。
【００９２】
本実施例による電子写真感光体の製造装置は、図３に示すように移動可能な反応容器部１００Ａ〜Ｃを備えており、反応容器部１００Ａ〜Ｃの各々は、被処理基体（図示せず）が配置される反応容器１０１と、ゲートバルブ１０２Ａ〜Ｃと、架台１０３と、移動可能手段１０４としてのキャスターとからなる。
【００９３】
反応容器１０１内を排気するために排気手段１５０，２５０，２５１が備えられており、排気手段１５０には、反応容器１０１に繋がる集合排気管１０５と、メイン排気バルブ１０６と、集合排気管１０５を反応容器部１００Ａ〜Ｃに接続させる接続機構１０７Ａ〜Ｃと、内圧測定器１０８と、スロー排気ライン１１１と、スロー排気バルブ１１０とが接続されている。
【００９４】
排気手段２５０には、集合排気管２０５、メイン排気バルブ２０６Ａ〜Ｃ、接続機構２０７Ａ〜Ｃ、内圧測定器２０８Ａ〜Ｃ、反応容器部１００Ａ〜Ｃの内部の圧力を調整するために、排気コンダクタンス制御手段２０９Ａ〜Ｃが接続されている。また、排気手段２５１には、集合排気管２４０、メイン排気バルブ２４１、バルブ２４２Ａ〜Ｃが接続されている。
【００９５】
反応容器部１００のガス供給及び流量制御手段２６０は、真空処理に必要となる複数のガスボンベ、レギュレータ、バルブ類、マスフローコントローラーなどを含んでいる。真空処理に必要な原料ガスは、ガス供給及び流量制御手段２６０より、流量可変バルブ２６１Ａ〜Ｃ、接続機構２０７Ａ〜Ｃを介し、反応容器１０１内に供給される。
【００９６】
本実施例において、電子写真感光体の作製は以下のように行った。なお、本実施例の反応容器部１００も上記の実施例１と同じで、図４に示したとおりである。
【００９７】
クリーンルームからなる基体投入エリアにある、接続機構１０７Ａ〜Ｃに反応容器部１００Ａ〜Ｃを作業員による手動搬送移動し、ゲートバルブ１０２Ａ〜Ｃと接続機構１０７Ａ〜Ｃとを接続させる。そして、各反応容器１０１内に基体ホルダー１３０に装着された円筒状基体１２０を設置する。上蓋１２４を取り付けた後、各反応容器部１００Ａ〜Ｃのゲートバルブ１０２Ａ〜Ｃを開け、スロー排気バルブ１１０を開け、スロー排気ライン１１１を使用し、複数の反応容器部１００内の減圧を同時に開始する。次に本発明の特徴である工程１を実施した。
【００９８】
前記工程１の判別基準として、スロー排気バルブ１１０を開いた後、３０分後に内圧測定器１０８の値が２００００Ｐａ以下なら異常無し、２００００Ｐａより圧力が高い場合は異常有りとした。本実施例では、スロー排気バルブ１１０を開いた後、３０分後に内圧測定器１０８の値が１８０００Ｐａに達していたので、引き続きスロー排気を実施した。次に内圧測定器１０８の値が４００Ｐａに達した時、スロー排気バルブ１１０を閉じ、メイン排気バルブ１０６を開けて、更に反応容器内の真空度を高くした。内圧測定器１０８の値が０．６５Ｐａに達した時、本発明の特徴である工程２を実施した。内圧測定器１０８の値が０．６５Ｐａに達した時、メイン排気バルブ１０６を閉め、５分間放置した。５分後の内圧測定器１０８の値が１．３Ｐａ以下のときは、問題無しとし、１．３Ｐａより高い場合は異常とした。本実施例では、５分後の内圧測定器１０８の値が１．０Ｐａだったので、次の工程に移行した。
【００９９】
ゲートバルブ１０２Ａ〜Ｃ、メイン排気バルブ１０６を閉じ、リークバルブ１６１を開き、集合排気管１０５を大気圧力に戻した。その後、反応容器部１００Ａ〜Ｃを接続機構１０７Ａ〜Ｃから切り離し、成膜エリアにある、接続機構２０７Ａ〜Ｃに反応容器部１００Ａ〜Ｃを作業員による手動搬送で移動し、ゲートバルブ１０２Ａ〜Ｃと接続機構２０７Ａ〜Ｃとを接続させる。バルブ２４２Ａ〜Ｃ、メイン排気バルブ２４１を開け、ゲートバルブ１０２Ａ〜Ｃとゲートバルブ２０６Ａ〜Ｃの間を、内圧測定器２０８Ａ〜Ｃの値が０．６Ｐａに達するまで、真空引きした。その後バルブ２４２Ａ〜Ｃを閉じ、２分間真空放置試験を実施し、接続機構２０７Ａ〜Ｃとゲートバルブ１０２Ａ〜Ｃの接続に問題が無いことを確認した。そして、ゲートバルブ１０２Ａ〜Ｃ、バルブ２４２Ａ〜Ｃを開け、基体加熱用ヒーター１２５を駆動させ、円筒状基体１２０を２５０℃に加熱し制御した。
【０１００】
この加熱中に、前述の高周波電極１２７、高周波シールド１２２、高周波整合器１２８を反応容器１０１の周囲に設置し、さらに高周波整合器１２８と高周波電源１２７とを同軸ケーブルで接続した。
【０１０１】
円筒状基体１２０が所定の温度となったところで、バルブ２４２Ａ〜Ｃを閉じ、ゲートバルブ２０６Ａ〜Ｃを全て開けた。次に、原料ガス導入管１２６を介して、原料ガスを反応容器１０１内に導入する。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容器１０１内の圧力が安定したのを確認した後、１０５ＭＨｚの高周波電源１２１より高周波整合器１２８を介して高周波電極１２７へ所定の高周波電力を供給する。これら堆積膜形成の条件は表１に示す。堆積膜形成中は、モーター１３１を駆動させ円筒状基体１２０を回転させた。
【０１０２】
堆積膜形成終了後、反応容器部１００Ａ〜Ｃを接続機構１０７Ａ〜Ｃから切り離し、円筒状基体取り出しステージ（図示せず）まで移動させ、堆積膜が形成された円筒状基体１２０を取り出した。その後、反応容器１０１内の構成部品を交換し、再度堆積膜形成可能な状態としたところで一連の工程を終了した。
【０１０３】
以上の様な電子写真感光体の形成を連続して、３０回実施した。
【０１０４】
また、本実施例において、減圧速度の判定、真空放置試験の判定において、異常と判定された場合は、実施例１、２と同様な対処を行い、工程を進めた。
【０１０５】
作製した電子写真感光体に対し、実施例１、２と同様に評価を行ったところ、実施例１、２と同様、再現性良く電子写真感光体を作製できた。
【０１０６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、排気手段、ガス供給手段を共有した複数の反応容器を用いて同時に多数の被処理物に真空処理を行う場合、ある反応容器で異常が発生した際に、この異常が発生した反応容器のみを排気手段から断絶することで、正常に真空処理を行っている反応容器内の被処理物への影響を抑制することができ、製品の歩留まり低下を最小限にくい止めることが可能となる。
また、ガス供給系を共有することで、非常に複雑で高価な付帯設備であるガス供給及び流量制御手段を反応容器毎に設ける必要がなく、設備コストを低減することが可能となる。
【０１０７】
また、本発明によれば、異常が発生した反応容器を排気手段から直ちに切り離して次の真空処理の準備などを迅速に行うことができ、生産装置のデッドタイムを最小限に抑えることが可能である。以上の点から、高品質な真空処理をより安価に供給することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の真空処理方法を実施する装置の例であり、電子写真感光体の形成装置の一例を示した模式図であって、（ａ）は横断面図、（ｂ）は上面図である。
【図２】本発明の実施例２である、電子写真感光体の形成装置の一例を示した模式図であって、（ａ）は横断面図、（ｂ）は上面図である。
【図３】本発明の実施例３である、電子写真感光体の形成装置の一例を示した模式図であって、（ａ）は横断面図、（ｂ）は上面図である。
【図４】ＶＨＦ帯の高周波電力を好適に使用可能なプラズマＣＶＤ法を用いた電子写真感光体の製造装置の模式図である。
【符号の説明】
１００、１００Ａ〜Ｃ　　　　　　反応容器部
１０１　　　　　　反応容器
１０２、１０２Ａ〜Ｃ　　　　　　ゲートバルブ
１０３　　　　　　架台
１０４　　　　　　移動可能手段
１０５、２０５、１４０、２４０　　　　　　集合排気配管
１０６、１０６Ａ〜Ｃ、２０６Ａ〜Ｃ　　　　　　メイン排気バルブ
１０７、１０７Ａ〜Ｃ、２０７Ａ〜Ｃ　　　　　　接続機構
１０８、２０８Ａ〜Ｃ　　　　　　内圧測定器
１０９、１０９Ａ〜Ｃ、２０９Ａ〜Ｃ　　　　　　排気コンダクタンス制御手段
１１０　　　　　　スロー排気バルブ
１１１　　　　　　スロー排気ライン
１２０　　　　　　基体
１２１　　　　　　高周波電源
１２２　　　　　　高周波シールド
１２３　　　　　　反応容器支持台
１２４　　　　　　上蓋
１２５　　　　　　基体加熱用ヒーター
１２６　　　　　　原料ガス導入管
１２７　　　　　　高周波電極
１２８　　　　　　高周波整合器
１２９　　　　　　絶縁体
１３０　　　　　　基体ホルダー
１３１　　　　　　モーター
１５０、１５１、２５０、２５１　　　　　　排気手段
１６０、２６０　　　　　　ガス供給及び流量制御手段
１６１、１６１Ａ〜Ｃ　　　　　　流量可変バルブ
１４１、２４１、１４２Ａ〜Ｃ、２４２Ａ〜Ｃ、１６１、２６１　　　　　　バルブ及び真空処理装置
【図１】
2004143551.tif 000005
【図２】
2004143551.tif 000006
【図３】
2004143551.tif 000007
【図４】
2004143551.tif 000008