(57)【要約】【課題】薄型・小型でかつ熱放散性が良好な半導体装置の提供。【解決手段】主面と裏面に電極を有する半導体チップと、厚さの差寸法が半導体チップの厚さよりも厚くなる第２部分と第１部分からなる導電性の複数のリードと、第２部分と半導体チップの電極を接続するバンプ電極と、半導体チップ及びリードの第２部分並びにバンプ電極部分を被う絶縁性樹脂からなる封止部とを有し、リードの第１部分の上面及び下面と第２部分の１面は封止部からそれぞれ露出し、半導体チップの裏面は封止部から露出している。半導体装置は四角形であり、その厚さは一定になっている。一対の対向する２辺に沿って第１部分が位置し、これら第１部分から内側に延在する第２部分にバンプ電極を介して半導体チップのソース電極又はゲート電極が接続されている。ゲート電極は四角形の隣り合う２辺の角部に亘って延在し、ソース電極は残りの４辺部分に亘って配置されている。【選択図】        図１
2004273977.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面及び前記主面の反対面になる裏面に電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップの厚さよりも厚い第１部分と、前記第１部分に連なる前記第１部分よりも薄い第２部分とによって形成される導電性の複数のリードと、
前記第２部分と前記半導体チップの主面の電極を電気的に接続する接続手段と、前記半導体チップ及び前記リードの第２部分並びに前記接続手段を被う絶縁性樹脂からなる封止部とを有し、
前記リードの前記第１部分の上面及び下面と前記第２部分の１面は前記封止部から露出し、かつ前記半導体チップの裏面は前記封止部から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記リード部の第１部分は外側に位置し、前記第２部分は内側に位置し、かつ前記第１部分と前記第２部分の厚さの差寸法は前記半導体チップの厚さよりも大きくなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載される半導体装置であって、前記半導体装置は平面パターンが四角形であり、前記四角形の対向する２辺に沿って前記第１部分が配置され、この間の領域に前記半導体チップが位置しかつ前記第２部分が位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載される半導体装置であって、前記半導体チップには電界効果トランジスタが形成され、前記半導体チップの裏面にはドレイン電極が形成され、主面にはバンプ電極からなるソース電極及びゲート電極が形成され、前記ソース電極及びゲート電極は前記バンプ電極によって前記リードの前記第２部分に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載される半導体装置であって、前記半導体装置は平面パターンが四角形であり、前記ソース電極に電気的に接続されるリードは、前記四角形の３辺または４辺に亘って配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載される半導体装置であって、前記半導体チップの主面の前記電極はバンプ接続によって前記リードの前記第２部分に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載される半導体装置であって、前記半導体チップの主面の前記電極は導電性のワイヤによって前記リードの前記第２部分に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１に記載される半導体装置であって、前記半導体装置の上面側に前記リードの第２部分の１面が露出し、下面側に前記半導体チップの前記裏面が露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１に記載される半導体装置であって、前記半導体装置の下面側に前記リードの第２部分の１面が露出し、上面側に前記半導体チップの前記裏面が露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１に記載される半導体装置であって、前記半導体装置の下面側に前記半導体チップの裏面と前記リードの第２部分の１面が露出し、前記半導体チップの主面の電極と前記第２部分は導電性のワイヤで電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１に記載される半導体装置であって、前記半導体装置の周縁に沿って前記各リードの第１部分が断続的に配置され、一部の前記リードの第２部分は前記半導体チップの主面上に非接触状態で延在してバンプ接続によって前記半導体チップの電極に電気的に接続され、残りのリードの第２部分は前記半導体チップの周縁近傍にまで延在して導電性のワイヤを介して前記半導体チップの電極に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１に記載される半導体装置であって、前記半導体チップの主面側の前記封止部内には前記半導体チップに対応して熱伝導性の良好な材質で形成される放熱板が配置され、かつ前記放熱板の一面は前記封止部の表面に露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載される半導体装置であって、前記放熱板は前記半導体チップの主面に接着材を介して接着されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１に記載される半導体装置であって、前記リードの第１部分の外側の面には絶縁性樹脂からなるサイド樹脂部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載される半導体装置であって、前記半導体装置の下面には前記リードの第１部分の下面と前記半導体チップの裏面が露出するとともに、前記第１部分や前記第２部分の上面側は絶縁性樹脂からなる被覆層で被われ、前記被覆層は前記サイド樹脂部及び前記封止部と一体に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１に記載される半導体装置であって、前記第２部分の一面は前記第１部分の上面又は下面のうちのいずれかの面と同一の面になっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１に記載される半導体装置であって、前記半導体チップは集積回路装置が形成され、前記集積回路装置の各電極は前記半導体チップの主面に配置され、前記リードの前記第１部分は周辺に沿って配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
主面及び前記主面の反対面になる裏面に電極を有する半導体チップを用意する工程と、
外側が前記半導体チップの厚さよりも厚い第１部分になり、内側が前記第１部分よりも薄い第２部分になるリード部を複数有する導電性のリードフレームを用意する工程と、
前記第１部分によって囲まれる領域内に半導体チップを配置するとともに前記半導体チップの主面の電極と前記リード部の前記第２部分を接続手段によって電気的に接続する工程と、
前記半導体チップの裏面及び前記第１部分の上下面を露出させる状態で前記半導体チップ及び前記接続手段並びに前記第２部分を絶縁性樹脂で被って封止部を形成する工程と、
前記リード部を切断して独立したリードを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載される半導体装置の製造方法であって、前記リードフレームは外周縁から延在する溝の１乃至複数本で複数の前記リード部が形成され、前記溝を交差する方向の切断によって前記リードを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１８に記載される半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの主面の電極をバンプ接続によって前記リード部の第２部分に接続して前記半導体チップを前記リード部に固定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１８に記載される半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの主面の電極の一部をバンプ接続によって一部の前記リード部の第２部分に接続して前記半導体チップを前記リード部に固定し、その後他の一部の前記電極と他の一部の前記リード部の前記第２部分を導電性のワイヤで接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項１８に記載される半導体装置の製造方法であって、前記リードフレームの一面に剥離自在の接着テープを接着した後、前記接着テープの接着面に前記半導体チップを接着し、つぎに前記半導体チップの主面の電極と前記各リード部の前記第２部分を導電性のワイヤで接続し、前記封止部の形成後前記接着テープを剥離することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
請求項１８に記載される半導体装置の製造方法であって、前記封止部の形成前に前記半導体チップの主面側に対応して熱伝導性の良好な材質で形成される放熱板を配置し、その後前記封止部を形成して前記封止部の表面に前記放熱板の一面を露出させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載される半導体装置の製造方法であって、前記封止部の形成前に前記半導体チップの主面に接着材を介して前記放熱板を接着し、その後前記封止部を形成して前記封止部の表面に前記放熱板の一面を露出させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
請求項１８に記載される半導体装置の製造方法であって、前記封止部の形成時同時に前記リード部の第１部分の外側の半導体装置の外周部分となる面には絶縁性樹脂からなるサイド樹脂部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
請求項１８に記載される半導体装置の製造方法であって、前記リードフレームにおいて、各リード部の第２部分の一面は各第１部分の上面又は下面のうちのいずれかの面と同一の面になっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
請求項１８に記載される半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップには、裏面にドレイン電極を有し、主面にバンプ電極からなるソース電極及びゲート電極を形成した電界効果トランジスタが形成され、前記ソース電極及びゲート電極を前記バンプ電極によって前記リードの前記第２部分に電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
請求項１８に記載される半導体装置の製造方法であって、前記リードフレームは前記各リード部の前記第１部分が半導体装置の周辺に沿って配置されるパターンに形成しておくとともに、前記半導体チップには主面に電極を配置する集積回路装置が形成され、各電極は前記接続手段によって前記リード部の前記第２部分に電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置及びその製造方法に係わり、特に薄型化が可能でかつ熱放散性の良好な半導体装置の製造に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
集積回路装置（ＩＣ）等を含む半導体装置は、各種の機器に組み込むため更なる小型化及び特性向上が要求されている。例えば、ハードディスク装置（ＨＤＤ：ｈａｒｄ  ｄｉｓｋ  ｄｒｉｖｅ）のドライブ用半導体装置（パワートランジスタ）は、ハードディスクの性能向上のため、低オン抵抗化（低ＯＮ抵抗化）や低熱抵抗化（高放熱性）が重要である。また、近年はハードディスクを搭載した家電製品が多くなり、低コスト化が要請されている。
【０００３】
薄型化及び信頼性を高める半導体装置として、ダイパッドの上面に固定した電極パッドを有する半導体チップと、信号接続用リードと、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材と、上記電極パッド，半導体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの上面及び下面を上記封止樹脂から露出させる構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、両面が冷却できるパワーパッケージ構造の半導体装置が提案されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−３０７６７５号公報（第４頁、図１）
【非特許文献１】
セミコンダクター  ＦＰＤ  ワールド（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ＦＰＤ  ｗｏｒｌｄ）２００２．５（第９８頁，第９９頁）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献１のように、ダイパッド上に半導体チップを搭載し、かつ半導体チップの上面の電極パッドにワイヤを接続する構造では、ダイパッドが存在することによってその分の薄型化はできなくなる。また、熱抵抗的にはダイパッド部分が熱抵抗となる。
【０００７】
一方、図３９に示すように、非特許文献１の半導体装置９０は、一面が開口した鍋状のＣｕからなる筐体９１の内底にＳｉからなるダイ９２を半田９３によって固定した構造になっている。ダイ９２にはトランジスタとしてＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ−Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成され、ダイ９２の主面にソース電極９４とゲート電極９５を有し、固定面になる裏面は半導体基板面によってドレイン電極になっている。また、筐体９１の一対の対向する縁部分９６がドレイン電極として使用される。
【０００８】
従って、図４０に示すように、ダイ９２が下になるように筐体９１を裏返すことによって、ソース・ドレイン・ゲートの各電極を実装基板９７の図示しないランドに半田９８を介して電気的に接続でき、面実装状態が可能になる。この半導体装置９０はその厚さが約０．６０ｍｍと薄型化できる。しかし、将来に亘って半導体装置の更なる薄型化が要請されている。
【０００９】
また、半導体装置の放熱についても更なる高放熱化が要請されている。ここで、高放熱化構造となる非特許文献１における放熱について説明する。図４０に示すように、放熱経路は、
▲１▼．ダイ９２の面積に比較して遙に小さい面積になるソース電極９４及びゲート電極９５を介して実装基板９７に放熱する経路、
▲２▼．ダイ９２の半導体基板側から筐体９１を通し筐体９１の外れの縁部分９６から半田９８を介して実装基板９７に放熱する経路、
▲３▼．筐体９１の表面から空気中に放熱する経路とがある。
【００１０】
このような構造では、半導体装置の放熱性能は必ずしも充分であるとは言えない。即ち、前記▲１▼のダイ９２から実装基板９７への放熱が、その接続面積が小さいことから放熱性能は低い。
【００１１】
本発明の目的は、薄型化が達成できる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
発明の他の目的は、高放熱化が達成できる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００１３】
（１）本発明の半導体装置（パワートランジスタ）は、主面及び前記主面の反対面になる裏面に電極を有する半導体チップと、厚さの差寸法が前記半導体チップの厚さよりも厚くなる第２部分と第１部分からなる導電性の複数のリードと、前記第２部分と前記半導体チップの主面の電極（バンプ電極）を電気的に接続する接続手段（バンプ接続）と、前記半導体チップ及び前記リードの第２部分並びに前記接続手段を被う絶縁性樹脂からなる封止部とを有し、前記リードの第１部分の上面及び下面と第２部分の１面は封止部からそれぞれ露出し、かつ半導体チップの裏面（半導体基板面）は封止部から露出している。また、半導体装置は平面的に見て四角形になるとともにその厚さは一定になっている。そして、一対の対向する２辺に沿って第１部分が位置し、これら第１部分から内側に延在する第２部分にバンプ電極を介して半導体チップのソース電極又はゲート電極が接続されている。ゲート電極は四角形の隣り合う２辺の角部に亘って延在し、ソース電極は残りの４辺部分に亘って配置されている。
【００１４】
このような電子装置は以下の方法で製造される。即ち、主面及び前記主面の反対面になる裏面に電極を有する半導体チップを用意する工程と、
外側が前記半導体チップの厚さよりも厚い第１部分になり、内側が前記第１部分よりも薄い第２部分になるリード部を複数有する導電性のリードフレームを用意する工程と、
前記第１部分によって囲まれる領域内に半導体チップを配置するとともに前記半導体チップの主面の電極と前記リード部の前記第２部分を接続手段によって電気的に接続する工程と、
前記半導体チップの裏面及び前記第１部分の上下面を露出させる状態で前記半導体チップ及び前記接続手段並びに前記第２部分を絶縁性樹脂で被って封止部を形成する工程と、
前記リード部を切断して独立したリードを形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１５】
前記リードフレームは外周縁から延在する溝の１乃至複数本で複数の前記リード部が形成され、前記溝を交差する方向の切断によって前記リードを形成する構造になっている。また、前記半導体チップの主面の電極をバンプ接続によって前記リード部の第２部分に接続して前記半導体チップを前記リード部に固定するものである。また、前記リードフレームにおいて、各リード部の第２部分の一面は各第１部分の上面又は下面のうちのいずれかの面と同一の面になっている。また、前記半導体チップには、裏面にドレイン電極を有し、主面にバンプ電極からなるソース電極及びゲート電極を形成した電界効果トランジスタが形成され、前記ソース電極及びゲート電極を前記バンプ電極によって前記リードの前記第２部分に電気的に接続するものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００１７】
（実施形態１）
図１乃至図１０は本発明の一実施形態（実施形態１）である半導体装置に係わる図である。図１乃至図４は半導体装置の構造に係わり、図１は半導体装置の模式的斜視図、図２は内部構造を透視した模式的斜視図、図３は側面図、図４は図２のＡ−Ａ線に沿う模式的断面図である。
【００１８】
本実施形態１では、半導体装置としてシリコンパワートランジスタに本発明を適用した例について説明する。即ち、この半導体装置に組み込まれる半導体チップには、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）が組み込まれ、半導体チップの主面にソース電極とゲート電極が設けられ、裏面がドレイン電極になる構造になっている。
【００１９】
本実施形態１の半導体装置１は、外観的には、図１に示すように、薄い直方体からなっている。例えば、厚さ０．５ｍｍになっている。また、特に限定はされないが、その上面２は正方形になっている。半導体装置１の上面２には、ソース（Ｓ）リード４，ゲート（Ｇ）リード６及びソースリード４とゲートリード６を接続（連結）する封止部９が露出している。図１、図３及び図４では、封止部９は点々を施して示してある。
【００２０】
半導体装置１の下面３は、半導体装置１を実装基板に固定（実装）する際の実装面ともなり、下面（実装面）３には、図３に示すように、ソースリード４，ドレイン電極５及びゲートリード６と、これらを接続（連結）する封止部９が露出している。
【００２１】
ドレイン電極５は封止部９内に埋め込まれた半導体チップ１０の半導体基板面に設けられたドレイン電極によって形成されている。図４及び図２に示すように、半導体チップ１０の主面には、電極、即ち、ソース電極１１及びゲート電極１２が設けられている。特に限定はされないが、本実施形態１ではソース電極１１は８個設けられ、ゲート電極１２は２個設けられている。
【００２２】
ソースリード４及びゲートリード６は、導電性材質、例えば、Ｃｕ等からなる熱伝達性が良好な金属で形成されている。ソースリード４及びゲートリード６は、第１部分７と第２部分８からなり、一方の面は同一平面に位置し、その反対面となる裏面は段違いの平面になっている。同一平面は、本実施形態１の場合では上面２と一致し、第１部分７の裏面は下面（実装面）３と一致している。従って、第２部分８の裏面は封止部９の内部に埋没する面になっている。
【００２３】
本実施形態１の半導体装置１は、部分的に厚さが異なる異形材からなる一枚のリードフレームを基に製造され、製造の最終段階でリードフレームが切断されてソースリード４及びゲートリード６が形成される。前記異形材の形成においては、例えば、１枚の金属板をパターニングするとともに、その一面側をエッチングして薄肉化を図ったり、あるいはプレスで部分的に押し潰して薄くすることによって製造することができる。
【００２４】
半導体装置１は、図２及び図４に示すように、ソースリード４やゲートリード６の第２部分８の裏面に半導体チップ１０のソース電極１１やゲート電極１２がバンプ接続される構造になっている。従って、第１部分７と第２部分８との厚さの差寸法は半導体チップ１０の厚さよりも大きくなっている。また、バンプ接続された半導体チップ１０の裏面、第１部分７の裏面及び封止部９の裏面が同一平面上に位置し、半導体装置１の下面（実装面）３を構成するようになっている。
【００２５】
本実施形態１では、第１部分７の裏面、半導体チップ１０の裏面及び封止部９の裏面が同一平面に位置するようになっているが、半導体装置１は半田等の接着材で実装基板に接着可能な範囲内でされるため、寸法精度の余裕があることから、半導体チップ１０の裏面を封止部９や第１部分７の裏面よりも僅かに突出させる構造でも特に支障がない。また、放熱効果は若干低下するが、第１部分７と第２部分８の厚さの差寸法を半導体チップの厚さに比較して更に大きくして、封止部９で半導体チップ１０の裏面を薄く被う構造にしてもよい。
【００２６】
半導体装置１は平面的に四角形となっている。ここで、説明の便宜上、四角形の各頂点部分（角部）に時計の針が回転する方向（右回転方向）に沿ってａ〜ｄの記号を付す。また、角部ａ〜ｂを辺ｆとし、角部ｂ〜ｃを辺ｇとし、角部ｃ〜ｄを辺ｈとし、角部ｄ〜ａを辺ｉとする。図１は、角部ａが手前に位置し、角部ｂが左側に位置し、角部ｃが背面側に位置する状態の斜視図である。また、図２は図１の状態において内部構造を透視した模式的斜視図である。
【００２７】
図２に示すように、第１部分７は辺ｆ及び辺ｈに沿ってそれぞれ一定幅で設けられている。第１部分７は辺ｈでは連続しているが、辺ｆでは途切れている。これはソースリードとゲートリードとがＬ字状の溝を介して分離される結果である。即ち、ゲートリード６は、図２に示すように、角部ａを含み、辺ｆと辺ｉの途中部分に至る四角形パターンになり、その外側にソースリード４が広がることによる。ソースリード４は角部ｂ，ｃ，ｄを含み辺ｇ，ｈの全長に亘り、かつ角部ｂ及び角部ｄから辺ｆ及び辺ｉの途中部分まで延在するＬ字状パターンになっている。そして、図２及び図４に示すように、ゲートリード６の第１部分７から片持梁状に延在する第２部分８の裏面に半導体チップ１０の二つのゲート電極１２が電気的に接続され、ゲートリード６の両側が第１部分７で支持される構造の第２部分８の裏面に半導体チップ１０の８個のソース電極１１が電気的に接続されている。
【００２８】
半導体装置１は、その製造において、リードフレームに形成した絶縁性樹脂とリードフレームを一緒に切断して辺ｆ，ｈを形成し、ソースリード４及びゲートリード６並びに封止部９を形成するため，切断面は平坦面となる。辺ｇを形成する平坦な側面にはソースリード４と封止部９が露出し、辺ｉを形成する平坦な側面にはソースリード４及びゲートリード６並びに封止部９が露出する（図１参照）。
【００２９】
なお、図示はしないが、下面（実装面）３に露出する第１部分７及び半導体チップ１０の表面には、半導体装置１を実装基板に実装する際、接着材との濡れ性が良好となるメッキ膜、あるいはメッキ膜と接着材が設けられる。これらメッキ膜またはメッキ膜と接着材は、半導体チップ１０やリードフレームの製造時に製造、または半導体装置１の製造におけるリードフレーム切断前の段階で形成する。半導体チップ１０の裏面のメッキ膜はアンダーバリアメタルともなる。
【００３０】
半導体装置１は、一例を挙げるならば、厚さ０．１６ｍｍで一辺が４ｍｍの正方形となる半導体チップ１０を使用する場合、厚さ０．４５ｍｍ（第２部分８の厚さ０．２００）で一辺が４．９ｍｍの正方形からなる半導体装置１を得ることができる。
【００３１】
つぎに、図５乃至図９を参照しながら、本実施形態１の半導体装置１の製造方法について説明する。半導体装置１の製造においては、図５及び図６に示すような短冊状のリードフレーム２０が用意される。このリードフレーム２０は図５のような短冊形状が並列に複数形成されても構わない。このリードフレーム２０は、特に限定はされないが、厚さ０．４５ｍｍで幅が４．９ｍｍの細長板からなっている。また、リードフレーム２０の下面はその中央に沿って掘り下げられて第２部分８を形成している。従って、この第２部分８の両側には一定幅の突状の第１部分７が位置するようになる。第１部分７の厚さは０．４５ｍｍであり、第２部分８の厚さは０．２ｍｍになる。突状の第１部分７はその幅が０．１５ｍｍとなり、この第１部分７が、半導体装置１の状態になった際、表面実装用の端子部分になる。即ち、第１部分７が前述の半導体装置１のソースリード４及びゲートリード６になる。リードフレーム２０の下面を選択的にエッチングまたはプレスで選択的に押し潰すことによって第２部分８と第１部分７が形成される。
【００３２】
リードフレーム２０は、その長手方向に沿って、図６に示すように、製品形成部Ａが繰り返し配置されている。リードフレーム２０の各製品形成部Ａには、リードフレーム２０の一側縁から延在する溝２１が設けられている。この溝２１は、各製品形成部ＡにおいてＬ字状の溝２１となり、リードフレーム２０の一側縁から製品形成部Ａの中央まで直線的に延在した後直角に曲がり、隣接する製品形成部Ａの端にまで延在するパターンになっている。図５及び図６はリードフレーム２０を裏返してリードフレーム下面が上面としたものであり、リードフレーム２０の右側縁からＬ字状の溝２１が設けられている状態を示す図である。
【００３３】
図６において、隣接する製品形成部Ａの境界線ｊを含み境界線ｊに沿って延在する一定幅の領域は、半導体装置製造の最終段階で切断される切断領域ｋである。Ｌ字状の溝２１の内端２１ａはこの切断領域ｋ内に位置するように形成されている。Ｌ字状の溝２１は一端がリードフレーム２０の一側縁に開口して臨み、内端２１ａが切断領域ｋ内に位置するパターンになる。従って、リードフレーム２０をダイシングブレードを使用して境界線ｊに沿って切断した場合、製品形成部ＡはＬ字状の溝２１によって二つに分離されることになり、長方形領域とＬ字状領域が形成され、それぞれ半導体装置１のソースリード４及びゲートリード６として使用できることになる。
【００３４】
このようなリードフレーム２０を用意した後、リードフレーム２０を裏返して上面に突状の第１部分７が現れる状態とし、図７に示すように、半導体チップ１０をフェイスダウンボンディング法によって、各製品形成部Ａの第２部分８に電気的に接続する。半導体チップ１０は、図７に示すように、その主面（図７では下面）にソース電極１１及びゲート電極１２を有している。ソース電極１１及びゲート電極１２は、本実施形態１ではいずれもバンプ電極になっている。主面の反対面はドレイン電極になっている。ゲート電極１２は２個並んで配置され、Ｌ字状の溝２１によって分離されかつ切断によって長方形となる領域ｔに接続される。また、ソース電極１１はＬ字状領域に８個分散配置され、Ｌ字状の溝２１によって分離されかつ切断によってＬ字状となる領域ｕに接続される。
【００３５】
つぎに、図８に示すように、ディスペンサのノズル３１からペースト状の樹脂３２を一対の第１部分７間の第２部分８上に流し込み、半導体チップ１０のドレイン電極５が露出する状態で第１部分７間の第２部分８の全面を被う。樹脂３２は絶縁性樹脂からなり、例えば、エポキシ樹脂が使用される。樹脂の塗布後、樹脂をキュアーして硬化させて封止部９を形成する（図９参照）。この状態では、封止部９の露出する一面は第１部分７の表面及び半導体チップ１０の表面（ドレイン電極５面）と略同一面になり、裏側の路種魔する面、即ち、溝２１から露出する面は第２部分８及び第１部分７の表面と略同一面になっている。
【００３６】
なお、実施形態では、ディスペンサによって封止部９を形成する例を示したが、成形金型を使用したトランスファモールディング装置によって封止部９を形成してもよい。この場合には、封止部９の上下面はそれぞれ平坦に形成される。
【００３７】
つぎに、図９に示す境界線ｊに沿って順次切断を行い、図１に示す半導体装置１を製造する。これにより、厚さ０．４５ｍｍで一辺の長さが４．９ｍｍとなる正方形の半導体装置１を製造することができる。
【００３８】
図１０は本実施形態１の半導体装置１の実装状態を示す模式的断面図である。
即ち、実装基板３５の主面の図示しないランドに導電性の接着材３６を介して半導体装置１のソースリード４，ゲートリード６及びドレイン電極５を接続したものである。同図では、ランドは元より、ソースリード４，ゲートリード６及びドレイン電極５は接着材３６に被われて表示されていないが、図を理解するために符号のみを付すことにする。接着材３６は、例えば、鉛−錫半田である。なお、接着材との濡れ性を良好とするために、実装部分となるソースリード４及びゲートリード６の下面、半導体チップ１０のドレイン電極５の表面に予めメッキ膜等を形成しておくことが望ましい。この場合、例えば、ソースリード４やゲートリード６に対してはリードフレーム２０の製造段階でメッキ膜を形成し、ドレイン電極５に対しては、半導体チップ１０を形成するウエハの段階でメッキ膜を形成することもできる。
【００３９】
図１０において示す矢印群は、放熱方向と、放熱量の違いを示すものである。
矢印が太くなるに連れて程放熱量が大きくなることを示す。半導体チップ１０の裏面は実装基板３５に接着材３６を介して接続されるため、半導体チップ１０の内部で発生した熱を効率的に実装基板３５に放熱することができる。また、半導体チップ１０の上面からは、▲１▼ソース電極１１，ソースリード４，接着材３６を経由して実装基板３５に放熱する放熱経路、▲２▼ゲート電極１２，ゲートリード６，接着材３６を経由して実装基板３５に放熱する放熱経路、▲３▼ソースリード４の露出する表面から大気中に放熱する放熱経路、▲４▼ゲートリード６の露出する表面から大気中に放熱する放熱経路があり、例えば、図４０に示す半導体装置９０の実装構造に比較して熱放散性が良好になる。この結果、半導体装置１の高温状態での安定動作が可能になる。
【００４０】
図１１及び図１２は本実施形態１の第１の変形例である半導体装置に係わる図であり、図１１は半導体装置の模式的断面図、図１２は半導体装置の製造における半導体チップの固定状態を示す模式的斜視図である。この第１の変形例である半導体装置１は、実施形態１の半導体装置１において、図１１に示すように、半導体チップ１０のソース電極１１及びゲート電極１２をそれぞれ一つとしたものである。この例では、半導体チップ１０の主面に導電性ペーストを印刷によって広く形成し、かつベーキングして硬化させたものである。半導体チップ１０の電極部分の接続時には、硬化した電極を再溶融（リフロー）して、ソースリード４やゲートリード６の第２部分８に接続するものである。図１２に半導体チップ１０のリードフレーム２０への取り付け状態を示す図である。ゲート電極１２はリードフレーム２０の領域ｔに接続され、ソース電極１１はリードフレーム２０の領域ｕに接続される。この半導体チップ１０の接続（固定）以外は実施形態１と同様の手法で製造される。
【００４１】
この構造では、ソース電極１１及びゲート電極１２が実施形態１の半導体装置１に比較して広い面積になっていることから、ソースリード４やゲートリード６を介しての放熱効果が高くなる効果がある。
【００４２】
図１３及び図１４は本実施形態１の第２の変形例である半導体装置に係わる図であり、図１３は半導体装置の模式的斜視図、図１４は半導体装置の製造において用いるリードフレームの模式的平面図である。この半導体装置は半導体チップはＩＣとなり、例えば、独立した５個の端子（電極端子）を有する構造になっている。本例では、実施形態１において、リードフレームにおけるＬ字状の溝の数、パターンが異なるだけであり、その製造方法をも含めて他は同じである。
【００４３】
この第２の変形例である半導体装置１は、実施形態１の半導体装置１において、上面から見て中央に十文字状に延在する独立リード４０を有するとともに、半導体装置１の四隅にそれぞれ電気的に独立した独立リード４１〜４４を有する構造になっている。従って、この例では、独立した５個の外部端子を形成することができる。各リードとも図１３及び図１４に示すように、第１部分７とこれに連なる第２部分８を有する。
【００４４】
図１４は裏返して第１部分７が見えるようにしたリードフレーム２０の模式的平面図である。溝のパターンが異なるが、リードフレーム２０の構造は実施形態１と同様である。即ち、両側に第１部分７があり、中央は第２部分８となっている。Ａが製品形成部であり、一点鎖線が製品形成部Ａの境界線ｊであり、境界線ｊを含み境界線ｊに沿うように幅を有する領域が切断領域ｋである。リードフレーム２０の両側からそれぞれ延在するＬ字状の溝２１の内端２１ａは、それぞれ境界線ｊまで到達し、境界線ｊに沿って切断した場合、十文字状の独立リード４０と、十文字の各隅に位置する独立リード４１〜４４が形成されることになる。
これら各リードは封止部９によって一体化される。従って、半導体チップ１０の主面に設ける各電極４０ａ，４１ａ，４２ａ，４３ａ，４４ａは、図１４に示すように、各独立リード４０〜４４に対応し、重なるように配置されている。チップボンディング，封止部９の形成，切断の各作業は実施形態１と同様の方法で行われる。本例はＩＣやモジュール製品に適用できる。
本実施形態１によれば以下の効果を有する。
【００４５】
（１）半導体装置１は一定厚さのリードフレーム２０をその一面側から部分的に掘り下げて第２部分８と第１部分７を形成し、第２部分８に半導体チップ１０を重ね、かつ主面の電極と第２部分８をフェイスダウンボンディングさせる構造になっている。またこの状態で半導体チップ１０の主面の裏面となる面は第１部分７の表面と同じ高さ、即ち、同一面上に位置するようになっている。そして、第２部分８の上下面の厚さ部分に絶縁性樹脂を充填させて封止部９を形成し、その後リードフレーム２０を所定間隔で切断することによって半導体装置１を製造するため、薄くて小型の半導体装置１を製造することができる。
【００４６】
（２）半導体装置１は、実装基板３５にソースリード４及びゲートリード６を接続でき、かつ半導体チップ１０の裏面のドレイン電極５を実装基板３５に接続できる構造になっていることから、半導体チップ１０で発生した熱を効率よく実装基板３５に放熱することができる。また、上面及び側面にソースリード４やゲートリード６の表面が露出するため、これらの表面から大気中に放熱できる。従って、本実施形態１のような表裏の両面から放熱できる半導体装置（パワートランジスタ）は放熱性の高い製品になり、安定動作が可能になる。
【００４７】
（３）半導体チップ１０のソース電極１１は多数設けられてソースリード４に接続され、または広い面積となって金属からなるソースリード４に接続されるため、半導体装置（トランジスタ）のオン抵抗の低減も可能になる。
【００４８】
（４）本実施形態１の半導体装置１の構造は、小型・薄型でかつオン抵抗が低いことから、例えば、ＨＤＤ（ｈａｒｄ  ｄｉｓｋ  ｄｒｉｖｅ）装置のドライブ用半導体装置に適したものになる。
【００４９】
（５）半導体装置１が小型になるため、この半導体装置１を組み込む電子機器の小型化も可能になる。
【００５０】
（実施形態２）
図１５乃至図２０は本発明の他の実施形態（実施形態２）である半導体装置に係わる図である。図１５〜図１７は半導体装置の外観を示す模式図であり、図１５は平面図、図１６は底面図、図１７は側面図である。
【００５１】
本実施形態２の半導体装置１は、図１５乃至図１７に示すように、実施形態１の半導体装置１において、ゲートリード６を半導体装置１の一側（一辺）中央に位置させた構造になっている。
【００５２】
このような半導体装置１の製造においては、図１８乃至図２０に示すリードフレーム２０が使用される。図２０は図１８の一部の拡大断面図である。リードフレーム２０は短冊体となり、図１８に示すように、その長手方向に沿って２列に製品形成部Ａが配置されている。リードフレーム２０の両側にはガイド孔４５ａ，４５ｂ，４５ｃが設けられている。ガイド孔４５ａ，４５ｂ，４５ｃはリードフレーム２０の搬送用のガイド孔とし、また位置決め用のガイド孔として使用される。図１８において、ハッチングが施された部分が第１部分７（厚さ０．４５ｍｍ）であり、他の部分は第２部分８（厚さ０．２ｍｍ）や溝あるいはガイド孔４５ａ，４５ｂ，４５ｃである。
【００５３】
図１８にはリードフレーム２０の短冊体の中間部分が記載され、４個の製品形成部Ａが示されている。図１８の左下隅の製品形成部Ａにおいて、第２部分８に重なるように一辺が４ｍｍとなる正方形の半導体チップ１０が固定されている。
この半導体チップ１０よりも一回り大きく、断続的に溝２２ａ，２２ｂ，２２ｃが設けられている。溝２２ａ，２２ｂ，２２ｃはよって断続的な矩形枠が形成される。また、溝２２ａ，２２ｂ，２２ｃによって、半導体チップ１０の左辺及び右辺の外側に細長い第１部分７が形成されることになる。右側の第１部分７においては、ゲートリード６を形成するために右側の第１部分７を２箇所で分断する溝２３が設けられる。この溝２３の一部は半導体チップ１０が重なる領域内に延在するとともに、一端は溝２２ｂに連結され、他端は溝２２ｃに連結されている。溝２３と溝２２ｂ，２２ｃとによって、右側の一部の第１部分７とこの第１部分７から延在する第２部分８とからなる長方形領域が形成される。この長方形部分は後にゲートリードとして使用されることになる。
【００５４】
このようなリードフレーム２０は、半導体装置１の製造の最終段階でリードフレーム部分が切断される。このリードフレーム２０の場合は、切断箇所は切断線２４〜２６と３箇所になる。即ち、切断線２４は、溝２２ｂと溝２２ｃの先端が位置するリードフレーム部分にあり、前記長方形部分を形作る溝２２ｂと溝２２ｃの内周縁の延長線である。切断線２５は、溝２２ａと溝２２ｂの先端が位置するリードフレーム部分にあり、前記矩形枠を形作る溝２２ａの内周縁の延長線である。切断線２６は、溝２２ａと溝２２ｃの先端が位置するリードフレーム部分にあり、前記矩形枠を形作る溝２２ａと溝２２ｃの内周縁の延長線である。
【００５５】
そして、図２０に示すように、半導体チップ１０をフェイスダウンボンディングによって第２部分８に接続し、図示しない封止部９を形成した後、前記切断線２４〜２６の箇所を切断することによって図１５乃至図１７に示す半導体装置１を製造することができる。これにより、一辺の長さが４．９ｍｍの正方形からなり、厚さ０．４５ｍｍの半導体装置１を製造することができる。
【００５６】
なお、前記フェイスダウンボンディングにおいては、図２０に示すように、半導体チップ１０の複数のソース電極１１がソースリードとなる第２部分８に接続され、半導体チップ１０のゲート電極１２がゲートリードとなる第２部分８に接続される。
【００５７】
本実施形態２の半導体装置１は、ゲートリード６が四角形状の半導体装置１の一辺の中央部分に設けられることから、現行量産製品を本発明に適用できることで多品種に展開が容易になる効果がある。
【００５８】
（実施形態３）
図２１乃至図２５は本発明の他の実施形態（実施形態３）である半導体装置に係わる図である。図２１は半導体装置の内部を透視した模式的斜視図、図２２は半導体装置の模式的底面図、図２３は図２２のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【００５９】
本実施形態３の半導体装置１は、実施形態１の半導体装置１において、四角形状の半導体装置１の各辺に複数のリードを配置した構造となり、半導体チップ１０にはＩＣが形成され、複数の電極が半導体チップ１０の主面に設けられている。各リード５１は外端側が第１部分７となり、内端側が第２部分８となっている。そして、リード５１は、半導体装置１の下面側に第２部分８が位置する形状のリード（Ｌ字リード５１ａと呼称）、半導体装置１の上面側に第２部分８が位置する形状のリード（逆Ｌ字リード５１ｂと呼称）のいずれかになっている。
【００６０】
図２１に示すように、半導体装置１は四角形となり、各辺に６本のリード５１を等ピッチに配列した構造になっている。そして、左下側の辺においては、その両端のリード５１はＬ字リード５１ａであり、その中間の４本のリード５１は逆Ｌ字リード５１ｂとなっている。また、残りの３辺のリード５１は全てＬ字リード５１ａとなっている。本実施形態３においては、逆Ｌ字リード５１ｂは半導体チップ１０に重なるように長く延在し、図２３に示すように、半導体チップ１０のバンプ電極５２に接続されている。Ｌ字リード５１ａの第２部分８は短く、その先端は半導体チップ１０の外周面から離れた位置に近接延在している。そして、Ｌ字リード５１ａの第２部分８と半導体チップ１０の電極５３は、図２１に示すように、導電性のワイヤ５４で電気的に接続されている。ワイヤとしては、例えば、Ａｕ線が使用される。
【００６１】
逆Ｌ字リード５１ｂは半導体チップ１０の複数のバンプ電極５２に接続され、逆Ｌ字リード５１ｂの共用化が図られている。これにより、リード本数を少なくすることができる。
【００６２】
本実施形態３の半導体装置１においても、外部端子となる第１部分７の下面及び半導体チップ１０の下面には、図示しないが実装用のメッキ膜が設けられている。
【００６３】
本実施形態３の半導体装置１の製造には、図２４及び図２５に示すようなリードフレーム２０が使用される。図２５は図２４Ｃ−Ｃ線に沿う断面図である。リードフレーム２０は短冊体となり、図２４に示すように、その長手方向に沿って２列に製品形成部Ａが配置されている。リードフレーム２０の左側にはガイド孔５５ａ，５５ｂが設けられている。ガイド孔５５ａ，５５ｂはリードフレーム２０の搬送用のガイド孔とし、また位置決め用のガイド孔として使用される。
【００６４】
本実施形態３の半導体装置１の製造方法においては、半導体装置の最終製造段階でリード５１を切断して半導体装置１を製造するため、製品形成部Ａのリードパターンは、図２４に示すように四角形のフレーム枠５６の各辺の内縁から、図２１で説明したリード５１（Ｌ字リード５１ａ，逆Ｌ字リード５１ｂ）が内方に突出するパターンになっている。図２４及び図２５の各製品形成部Ａにおいて、既にバンプ電極５２を介して半導体チップ１０が逆Ｌ字リード５１ｂの第２部分８に固定されている。また、図２４には示してないが、図２５には半導体チップ１０の電極とＬ字リード５１ａの第２部分８を接続するワイヤ５４を示してある。
【００６５】
図２４において二点鎖線で示す四角形部分が封止部９である。そして、この封止部９の外周に沿ってリード５１が切断されて図２１乃至図２３で示す半導体装置１が製造される。
【００６６】
なお、半導体装置の製造時、熱等の影響でリードフレーム２０が反り返ったりしないように、各製品形成部Ａの間には応力を緩和するためのスリット５７が設けられている。
【００６７】
図２６は本実施形態３の変形例である半導体装置に係わる図であり、図２６（ａ）は半導体装置１の平面図、図２６（ｂ）は底面図、図２６（ｃ）は側面図である。実施形態３の半導体装置１はリード本数が２４本であるが、図２６に示す半導体装置１はリード本数が６４本の例である。リード本数が多い以外は他の構成は実施形態３の半導体装置１と同じであることから、その説明は省略する。
【００６８】
本実施形態３によれば、外部端子（ピン：リード）が多く、薄型・小型で放熱性の良好な半導体装置を製造することができる。
【００６９】
（実施形態４）
図２７乃至図３１は本発明の他の実施形態（実施形態４）である半導体装置に係わる図であり、図２７乃至図３０は半導体装置の外観や構造を示す模式図であり、図２７は断面図、図２８は平面図、図２９は底面図、図３０は側面図である。
【００７０】
本実施形態４の半導体装置１は、図２７に示すように、平面的に四角形となり、各辺に複数のリード５１を配置してある。全てのリード５１は逆Ｌ字リード５１ｂである。本実施形態４の場合には逆Ｌ字リード５１ｂの第２部分８は短く、その先端は半導体チップ１０の主面の周辺上に位置し、半導体チップ１０の主面の周辺に沿って設けたバンプ電極５２に接続されている。また、半導体チップ１０の主面には接着材５８を介して放熱板５９が接着された構造になっている。図２７及び図２８に示すように、放熱板５９の上面は封止部９から露出する。また、図２７及び図２９に示すように、半導体チップ１０の下面は封止部９から露出するようになっている。図示はしないが、半導体チップ１０の下面にはメッキ膜（アンダーバリアメタル）が形成され、逆Ｌ字リード５１ｂの第１部分７の下面にはメッキ膜が設けられている。
【００７１】
半導体チップ１０は、図３１に示すような回路レイアウトになっている。即ち、それぞれ機能が異なる２個のロジック部６１，６２と、それぞれ機能が異なる３個のパワーＩＣ部６３〜６５とを有する。パワーＩＣ部６３〜６５が多く、動作時に多量の熱を発生する。なお、図３１では半導体チップ１０の周辺の電極は省略してある。本実施形態４の構造によれば、リード５１の表裏面、周面からの放熱が可能であり、半導体チップ１０の下面からの放熱も可能であることから、薄型・小型でかつ熱放散性が良好な半導体装置１を製造することができる。
【００７２】
図３２は本実施形態４の変形例である半導体装置１の模式的底面図である。図２７に示す半導体装置１は、放熱板５９を半導体チップ１０の主面に接着材５８を用いて接着する構造であるが、図３２の構造では、さらに放熱板５９を吊りリード６９で支持する構造である。この吊りリード６９はリード５１と同様にリードフレームの状態ではフレーム枠に連結されていて、リード５１を切断する際一緒に切断されるものである。吊りリード６９に連なる放熱板５９も、図示はしないが接着材を介して半導体チップの主面に接着され、放熱板５９からの放熱も可能になっている。なお、変形例では、リード５１のパターンが異なる以外は、たの箇所は実施形態４と同様である。
【００７３】
（実施形態５）
図３３は本発明の他の実施形態（実施形態５）である半導体装置の模式的断面図である。本実施形態５の半導体装置１は、実施形態４の半導体装置１において、リード５１は全てＬ字リード５１ａとし、Ｌ字リード５１ａの第２部分８を短くし、かつ第２部分８の内端（先端）を半導体チップ１０の周縁に近接させ、半導体チップ１０の電極と第２部分８を導電性のワイヤ５４で接続した構造になっている。半導体チップ１０の主面には接着材５８を介して放熱板５９が接着されている。封止部９は放熱板５９及び半導体チップ１０の外側を被い、Ｌ字リード５１ａの第２部分８を被っている。そして、半導体装置１の厚さは第１部分７の厚さとなっている。
【００７４】
本実施形態５の半導体装置１では、その製造において、図３３に二点鎖線で示すように、接着テープ６０を使用する。実際には、リードフレームの一面、即ち、Ｌ字リード５１ａの第２部分８及び第１部分７に及ぶ面側に剥離自在の接着テープ６０を接着した後、接着テープ６０の接着面に半導体チップ１０の下面を接着し、つぎに半導体チップ１０の主面の電極とＬ字リード５１ａの第２部分８を導電性（Ａｕ）のワイヤ５４で接続し、封止部９の形成後接着テープ６０を剥離し、ついでリードフレームを切断して、図３３の半導体装置１を製造する。
【００７５】
本実施形態５においても、薄型・小型でかつ熱放散性が良好な半導体装置１を製造することができる。
【００７６】
（実施形態６）
図３４は本発明の他の実施形態（実施形態６）である半導体装置の模式的断面図、図３５は半導体装置を裏返した状態の斜視図である。
【００７７】
本実施形態６の半導体装置１は、実施形態１の半導体装置１において、両側の第１部分７（ソースリード４及びゲートリード６の第１部分７）の外側の面には絶縁性樹脂からなるサイド樹脂部７０が形成されている。このサイド樹脂部７０の存在によって、切断面が同一部材であるため均一な面が形成可能なことや耐湿性が良好になる。
本実施形態６においても、薄型・小型でかつ熱放散性が良好な半導体装置１を製造することができる。
【００７８】
（実施形態７）
図３６は本発明の他の実施形態（実施形態７）である半導体装置の一部を透視した模式的斜視図、図３７は半導体装置の模式的断面図である。
【００７９】
本実施形態７の半導体装置１は、実施形態１の半導体装置１において、両側の第１部分７（ソースリード４及びゲートリード６の第１部分７）の外側の面には絶縁性樹脂からなるサイド樹脂部７０を形成するとともに、ソースリード４及びゲートリード６の上面側を絶縁性樹脂からなる被覆層７１で被う構造になっている。実際には、前記サイド樹脂部７０及び被覆層７１は封止部９の形成時、同時に形成され、サイド樹脂部７０及び被覆層７１は封止部９一体に形成されている。
【００８０】
サイド樹脂部７０及び被覆層７１があることから、本実施形態７の半導体装置１も切断面が同一部材であるため均一な面が形成可能なことや耐湿性が良好になる。
本実施形態７においても、薄型・小型でかつ熱放散性が良好な半導体装置１を製造することができる。
【００８１】
（実施形態８）
図３８は本発明の他の実施形態（実施形態８）である半導体装置の模式的断面図である。
本実施形態８の半導体装置１は、実施形態５の半導体装置１において、サイド樹脂部７０を設けた例である。本実施形態８においても、サイド樹脂部７０の存在により、切断面が同一部材であるため均一な面が形成可能なことや耐湿性が良好になる。
【００８２】
本実施形態８においても、薄型・小型でかつ熱放散性が良好な半導体装置１を製造することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００８３】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００８４】
（１）薄型及び小型化が達成できる半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
（２）高放熱化が達成できる半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）である半導体装置の模式的斜視図である。
【図２】本実施形態１の半導体装置の内部構造を透視した模式的斜視図である。
【図３】本実施形態１の半導体装置の側面図である。
【図４】図２のＡ−Ａ線に沿う模式的断面図である。
【図５】本実施形態１の半導体装置の製造方法で使用するリードフレームの斜視図である。
【図６】前記リードフレームの模式的平面図である。
【図７】本実施形態１の半導体装置の製造方法において、リードフレームに半導体チップを固定する状態を示す模式的斜視図である。
【図８】本実施形態１の半導体装置の製造方法において、封止部を形成する状態を示す模式的斜視図である。
【図９】本実施形態１の半導体装置の製造方法において、封止部が形成されたリードフレームを示す模式的斜視図である。
【図１０】本実施形態１の半導体装置の実装状態を示す模式的断面図である。
【図１１】本実施形態１の第１の変形例である半導体装置の模式的断面図である。
【図１２】本実施形態１の第１の変形例である半導体装置の製造において、半導体チップを固定する状態を示す模式的斜視図である。
【図１３】本実施形態１の第２の変形例である半導体装置の模式的斜視図である。
【図１４】本実施形態１の第２の変形例である半導体装置の製造において用いるリードフレームの模式的平面図である。
【図１５】本発明の他の実施形態（実施形態２）である半導体装置の模式的平面図である。
【図１６】本実施形態２の半導体装置の模式的底面図である。
【図１７】本実施形態２の半導体装置の模式的側面図である。
【図１８】本実施形態２の半導体装置の製造方法で使用する一部に半導体チップが搭載された状態のリードフレームの模式的平面図である。
【図１９】本実施形態２で使用する前記リードフレームの模式的断面図である。
【図２０】本実施形態２で使用する前記リードフレームの一部を示す模式的拡大断面図である。
【図２１】本発明の他の実施形態（実施形態３）である半導体装置の内部を透視した模式的斜視図である。
【図２２】本実施形態３の半導体装置の模式的底面図である。
【図２３】図２２のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図２４】本実施形態３の半導体装置の製造方法で使用する半導体チップが搭載され、ワイヤボンディングが終了した状態の一部を透視したリードフレームの模式的平面図である。
【図２５】図２４のＣ−Ｃ線に沿う模式的断面図である。
【図２６】本実施形態３の変形例である半導体装置に係わる図である。
【図２７】本発明の他の実施形態（実施形態４）である半導体装置の模式的断面図である。
【図２８】本実施形態４の半導体装置の模式的平面図である。
【図２９】本実施形態４の半導体装置の模式的底面図である。
【図３０】本実施形態４の半導体装置の模式的側面図である。
【図３１】本実施形態４の半導体装置における半導体チップの回路レイアウトを示す模式図である。
【図３２】本実施形態４の変形例である半導体装置の模式的底面図である。
【図３３】本発明の他の実施形態（実施形態５）である半導体装置の模式的断面図である。
【図３４】本発明の他の実施形態（実施形態６）である半導体装置の断面図である。
【図３５】本実施形態６の半導体装置の裏返し状態を示す模式的斜視図である。
【図３６】本発明の他の実施形態（実施形態７）である半導体装置の一部を透視した模式的斜視図である。
【図３７】本実施形態７の半導体装置の模式的断面図である。
【図３８】本発明の他の実施形態（実施形態８）である半導体装置の模式的断面図である。
【図３９】従来の半導体装置の断面図である。
【図４０】従来の半導体装置の実装状態を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
１…半導体装置、２…上面、３…下面（実装面）、４…ソース（Ｓ）リード、５…ドレイン（Ｄ）電極、６…ゲート（Ｇ）リード、７…第１部分、８…第２部分、９…封止部、１０…半導体チップ、１１…ソース電極、１２…ゲート電極、２０…リードフレーム、２１…溝（Ｌ字状の溝）、２１ａ…内端、３１…ノズル、３２…樹脂、３５…実装基板、３６…接着材、４０〜４４…独立リード、４５ａ，４５ｂ，４５ｃ…ガイド孔、４９…放熱板（ヒートシンク）、５１…リード、５１ａ…Ｌ字リード、５１ｂ…逆Ｌ字リード、５２…バンプ電極、５３…電極、５４…ワイヤ、５５ａ，５５ｂ…ガイド孔、５６…フレーム枠、５７…スリット、５８…接着材、５９…放熱板、６０…接着テープ、６３〜６５…パワーＩＣ部、６９…吊りリード、７０…サイド樹脂部、７１…被覆層、９０…半導体装置、９１…筐体、９２…ダイ、９３…半田、９４…ソース電極、９５…ゲート電極、９６…縁部分、９７…実装基板、９８…半田。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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