(57)【要約】      （修正有）【課題】記録特性を損なうことなく記録層を厚膜化することができる光記録媒体の製造方法と、これにより大容量記録が可能な光記録媒体とを提供する。【解決手段】記録層に下記一般式（１）で表されるポリエステルを含むこと。2004310999.tif 000016Ｒ1、Ｒ2は水素又は置換基、ｂ１は0〜5の整数、ｂ２は0〜4の整数、ｂ１、ｂ２が２以上の時、複数のＲ1、Ｒ2は同じでも異なっても良く、互いに連結して環を形成しても良い。Ｒ21は水素又は置換基、Ｌ12〜Ｌ14は夫々独立に２価の連結基を、Ａ5は３価の連結基、ａ３は0.0001〜1、ａ４は0〜0.9999、ａ'３は0〜1、ａ'４は0〜1、ここでａ３＋ａ４＝１で、ａ'３＋ａ'４＝１である。又、ｎ１は4〜2000の整数を表す。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるポリエステルを含み且つ０．１ｍｍ〜５ｍｍの厚さで所定形状に成形された記録層を備えた光記録媒体。
【化１】
2004310999.tif 000014
一般式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、は水素原子または置換基を表す。ｂ１は０〜５の整数を、ｂ２は０〜４の整数を表す。複数のＲ1は同じでも異なっても良く、互いに連結して環を形成しても良い。ｂ１、ｂ２が２以上の時、複数のＲ1、Ｒ2は同じでも異なっても良く、互いに連結して環を形成しても良い。Ｒ21は水素原子または置換基を表し、Ｌ12〜Ｌ14はそれぞれ独立に２価の連結基を、Ａ5は３価の連結基を表す。ａ３は０．０００１〜１を表し、ａ４は０〜０．９９９９を表す。ａ'３は０〜１を表し、ａ'４は０〜１を表す。ここで、ａ３＋ａ４＝１であり、ａ'３＋ａ'４＝１である。また、ｎ１は４〜２０００の整数を表す。
【請求項２】
前記記録層を板状に形成し且つ１対の保護基板で挟持した請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
光応答性高分子材料からなる記録層が１対の保護基板で挟持された光記録媒体を製造する光記録媒体の製造方法であって、
射出成形により光応答性高分子材料を０．１ｍｍ〜５ｍｍの厚さの板状に成形し、
該成形物を１対の保護基板で挟持してホットプレスし、前記成形物と前記１対の保護基板とを融着して、
光記録媒体を製造する光記録媒体の製造方法。
【請求項４】
光応答性高分子材料からなる記録層を備えた光記録媒体を製造する光記録媒体の製造方法であって、
ホットプレスにより光応答性高分子材料を０．１ｍｍ〜５ｍｍの厚さの板状に成形し、
該成形物を用いて光記録媒体を製造する光記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記光応答性高分子材料が、下記一般式（１）で表されるポリエステルを含む請求項３又は４に記載の光記録媒体の製造方法。
【化２】
2004310999.tif 000015
一般式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、は水素原子または置換基を表す。ｂ１は０〜５の整数を、ｂ２は０〜４の整数を表す。複数のＲ1は同じでも異なっても良く、互いに連結して環を形成しても良い。ｂ１、ｂ２が２以上の時、複数のＲ1、Ｒ2は同じでも異なっても良く、互いに連結して環を形成しても良い。Ｒ21は水素原子または置換基を表し、Ｌ12〜Ｌ14はそれぞれ独立に２価の連結基を、Ａ5は３価の連結基を表す。ａ３は０．０００１〜１を表し、ａ４は０〜０．９９９９を表す。ａ'３は０〜１を表し、ａ'４は０〜１を表す。ここで、ａ３＋ａ４＝１であり、ａ'３＋ａ'４＝１である。また、ｎ１は４〜２０００の整数を表す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体と光記録媒体の製造方法とに係り、特に、厚い記録層を有する書き換え可能な光記録媒体と、その光記録媒体を製造するのに好適な光記録媒体の製造方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、相変化方式により直径１２ｃｍのディスクに両面で５．２ＧＢｙｔｅ（ギガバイト）の高密度記録が可能なＤＶＤ−ＲＡＭ等、書換え可能な光ディスク記録媒体はすでに広く普及している。しかしながら、これらの光ディスク記録媒体は面内にデータを記録するため、光の回折限界に制限され高密度記録の物理的限界が近づいている。更なる大容量化のためには、奥行き方向も含めた３次元（体積型）記録が必要となる。
【０００３】
上述したような体積型光記録媒体としては、ホログラム格子の体積記録が可能な光屈折率変化材料媒体（フォトリフラクティブ材料媒体）などが有望視されている。フォトリフラクティブ材料（以下、「ＰＲ材料」という。）の中には、感度が高く固体レーザレベルの比較的弱い光を吸収して屈折率変化が生じるものが知られており、超高密度、超大容量化が可能な体積多重ホログラム記録への応用が期待されている。
【０００４】
ＰＲ材料としては、従来、チタン酸バリウム、ニオブ酸リチウム、ＢＳＯなどの無機強誘電体結晶が多く用いられてきた。これらの材料は、高感度、高効率の光誘起屈折率変化効果（フォトリフラクティブ効果）を示す反面、結晶育成が困難なものが多い、硬くもろい材料が多いため任意の形状に加工することができない、感応波長の調節が困難である等の欠点が有った。
【０００５】
近年、これらの欠点を克服するものとして、有機物よりなるＰＲ材料が提案さ
れている。しかしながら、この有機ＰＲ材料においては、本質的に外部電場の印加が不可欠であるという問題がある。この電場は数百Ｖ・ｍｍ-1と極めて大きなものであり、実際にこの系を記録装置として利用する際の大きな装置的制約となる。さらに、この材料系においては電荷発生材料、電荷移動材料、高分子基質等、異なる数種の材料が混合して用いられており、記録時または保管時の相分離による安定性の低下が大きな問題となる。
【０００６】
上述の問題点を回避するために、例えば、S.Hvilstedらは、シアノアゾベンゼンを側鎖に持つポリマーを用いて、光誘起異方性を利用した屈折率格子を書き込むことによりホログラム記録を達成することを提案している（非特許文献１参照）。この材料においては例えば１ｍｍの間に２５００本の屈折率の高低の格子が書き込めることが明らかにされており、高い記録密度が達成されると期待される。また、例えば、本発明者等も、光記録材料として有用なアゾベンゼンを側鎖に有するポリエステルを種々提案している（特許文献１、特許文献２、特許文献３参照）。
【０００７】
アゾベンゼンを側鎖に持つポリマー膜のホログラフィックメモリは、ポリマー膜の光誘起異方性を利用する。アモルファス状アゾポリマー膜中のアゾベンゼンは、ランダムな配向状態をとる。アゾ基のπ−π*遷移に帰属される吸収帯に相当する直線偏光の励起光をアゾポリマー膜に照射すると、トランス体のアゾベンゼンは遷移双極子モーメントが偏光方向に一致するほど高い確率で、すなわち選択的に励起されてシス体へ光異性化する。励起されたシス体は、光あるいは熱によって再びトランス体へ異性化する。
【０００８】
このような偏光照射による角度選択的なトランス−シス−トランス異性化サイクルを経て、励起光に対して安定な方向、すなわち偏光方向に垂直な方向にアゾベンゼンの配向変化が生ずる。アゾベンゼンは光学異方性を有するので、配向変化の結果として複屈折や二色性を示す。この光誘起異方性を利用することによって、強度分布及び偏光分布によるホログラムを記録することも可能である。記録はポリマーの配向変化によるので長期間安定であり、円偏光照射や等方相への加熱によって消去し、繰り返し記録することが可能である。このように、書き換え型ホログラフィックメモリ用の材料としては、アゾベンゼンを側鎖に持つポリマー膜が最も有望な材料系である。
【０００９】
一方、体積型ホログラフィックメモリにおいて、大容量化を実現するためには「記録層の厚膜化」が最も重要である。一般に、厚いホログラムほど、回折させるための入射角度条件は厳しくなり、ブラッグ条件から少しずらすだけで回折光は消失する。体積型ホログラフィックメモリにおける角度多重方式は、この角度選択性を利用する。即ち、同一体積内に複数のホログラムを形成し、読み出し光の入射角度を制御することによって、任意のホログラムをクロストークなしに読み出すことを可能としている。このように、記録層の膜厚を増加させることによって角度選択性を向上させれば、多重度を上げることができ、記録容量を増加させることが可能となる。
【非特許文献１】Opt.Lett.,17[17],12(1992)
【特許文献１】特開２０００−１０９７１９号公報
【特許文献２】特開２０００−２６４９６２号公報
【特許文献３】特開２００１−２９４６５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
一般に、結晶性，液晶性ポリマーの光誘起複屈折は大きく、熱に対しても安定で記録保持性に優れている。しかしながら、結晶性，液晶性ポリマー膜を厚くすると、結晶に起因する散乱によるノイズが増加し、データ読み出し時にエラーが発生するという問題がある。このような問題から、従来のホログラフィックメモリにおける記録層の厚さは、２０μｍ〜４０μｍ程度であった。従って、高い記録保持性を維持しつつノイズの発生を防止して更なる厚膜化を図るためには、ポリマーの結晶性制御が重要となる。
【００１１】
また、体積型ホログラフィックメモリにおいて、大容量化のためには１００μｍ以上の厚膜化が必要となる。ＤＶＤ等の記録層の製造にはスピンコート法が使われている。しかし、通常、スピンコート法で１００μｍ以上の層を形成することは困難である。また、キャスト法では膜厚を均一にすることが困難である。さらに基板をプラスチックにした場合、スピンコート法やキャスト法は、基板を溶かしてしまう可能性がある。このように、厚さ１００μｍ以上の記録層を作製することは、従来の成膜方法では困難である。
【００１２】
本発明は上記従来技術の問題点に鑑みなされたものであり、本発明の目的は、記録特性を損なうことなく、記録層を厚膜化することにより大容量記録が可能な光記録媒体を提供することにある。また、本発明の他の目的は、記録特性を損なうことなく、記録層を厚膜化することができる光記録媒体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために本発明の光記録媒体は、下記一般式（１）で表されるポリエステルを含み且つ０．１ｍｍ〜５ｍｍの厚さで所定形状に成形された記録層を備えたことを特徴としている。この光記録媒体は、例えば、記録層を板状に形成し且つ１対の保護基板で挟持した構成とすることができる。
【００１４】
【化３】
2004310999.tif 000002
【００１５】
一般式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、は水素原子または置換基を表す。ｂ１は０〜５の整数を、ｂ２は０〜４の整数を表す。複数のＲ1は同じでも異なっても良く、互いに連結して環を形成しても良い。ｂ１、ｂ２が２以上の時、複数のＲ1、Ｒ2は同じでも異なっても良く、互いに連結して環を形成しても良い。Ｒ21は水素原子または置換基を表し、Ｌ12〜Ｌ14はそれぞれ独立に２価の連結基を、Ａ5は３価の連結基を表す。ａ３は０．０００１〜１を表し、ａ４は０〜０．９９９９を表す。ａ'３は０〜１を表し、ａ'４は０〜１を表す。ここで、ａ３＋ａ４＝１であり、ａ'３＋ａ'４＝１である。また、ｎ１は４〜２０００の整数を表す。
【００１６】
本発明の光記録媒体は、記録層に上記の一般式（１）で表されるポリエステルを含んでいるが、これにビフェニル誘導体等の液晶性の線状メソゲン基を導入することによって、アゾベンゼン等の光照射により幾何異性化する光応答性基の光による配向変化を増強、固定化することが可能である。すなわち、幾何異性化しない「液晶性の線状メソゲン基」を導入することにより、色素吸収量を制御して吸収ロスを低減すると共に、その配向特性により高い記録感度と高い回折効率を維持することができる。これにより、厚膜化が可能になる。このように、この材料は０．１ｍｍ以上の膜厚でも光吸収や散乱の影響で記録特性が損なわれない。また、ガラス転位温度（Tg）も約５０℃と低い。従って、射出成形等の成形方法を用いて、記録層を０．１ｍｍ〜５ｍｍの厚さで所定形状に成形することができる。即ち、記録特性を損なうことなく記録層を厚膜化することが可能で、大容量記録が可能な光記録媒体が提供される。
【００１７】
上記目的を達成するために本発明の第１の光記録媒体の製造方法は、光応答性高分子材料からなる記録層が１対の保護基板で挟持された光記録媒体を製造する光記録媒体の製造方法であって、射出成形により光応答性高分子材料を０．１ｍｍ〜５ｍｍの厚さの板状に成形し、該成形物を１対の保護基板で挟持してホットプレスし、前記成形物と前記１対の保護基板とを融着して、光記録媒体を製造することを特徴とする。
【００１８】
第１の光記録媒体の製造方法では、射出成形により光応答性高分子材料を０．１ｍｍ〜５ｍｍの厚さの板状に成形した後、この成形物を１対の保護基板で挟持してホットプレスするので、射出成形による成形物の残留歪みが均一化される。従って、０．１ｍｍ以上の膜厚の成形物を記録層としても、光吸収や散乱の影響で記録特性が損なわれない。また、記録層の形成に射出成形を用いることで、光記録媒体の大量生産が可能になる。
【００１９】
上記目的を達成するために本発明の第２の光記録媒体の製造方法は、光応答性高分子材料からなる記録層を備えた光記録媒体を製造する光記録媒体の製造方法であって、ホットプレスにより光応答性高分子材料を０．１ｍｍ〜５ｍｍの厚さの板状に成形し、該成形物を用いて光記録媒体を製造することを特徴とする。
【００２０】
第２の光記録媒体の製造方法では、ホットプレスにより光応答性高分子材料を０．１ｍｍ〜５ｍｍの厚さの板状に成形する。ホットプレスによる成形物には残留歪みが発生せず、０．１ｍｍ以上の膜厚としても、光吸収や散乱の影響で記録特性が損なわれない。
【００２１】
上記の第１及び第２の光記録媒体の製造方法は、光応答性高分子材料が、前記一般式（１）で表されるポリエステルを含む場合にも好適に用いられる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、記録特性を損なうことなく記録層を厚膜化することが可能で、大容量記録が可能な光記録媒体が提供される。また、本発明によれば、記録特性を損なうことなく記録層を厚膜化することが可能な光記録媒体の製造方法が提供される。特に、記録層を射出成形で形成する方法によれば、光記録媒体の大量生産が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
（光記録媒体）
第１の実施の形態に係る光記録媒体３５は、図１に示すように、中心部にセンターホール１０が形成されたディスク状の記録媒体である。また、光記録媒体３５は、図２に示すように、記録層１４と、該記録層１４を挟持する１対の透明基板１２、１６とで構成されている。
【００２４】
透明基板１２、１６としては、透明なプラスチック基板を用いることができる。ここで「透明」とは、記録光及び再生光に対して透明であることを意味する。プラスチック基板の材料としては、例えば、ポリカーボネート；ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン、およびポリエステルなどを挙げることができる。耐湿性、寸法安定性および価格などの点から、ポリカーボネートが特に好ましい。また、透明基板１２、１６は、後述するホットプレス工程での接着性能を高めるために、記録層１４の材料より高いＴｇを備えることが好ましい。例えば、ポリカーボネートのＴｇは１５０℃である。
【００２５】
透明基板１２、１６の厚さは、０．１〜１ｍｍとすることが好ましい。また、透明基板１２、１６の一方には、トラッキング用の案内溝またはアドレス信号等の情報を表わす凹凸（プリグルーブ）が形成されていてもよい。
【００２６】
記録層１４は、屈折率または吸収率が変化してホログラムを記録することが可能であり、変化した屈折率または吸収率が常温で保持される材料であれば、どのような材料で構成されていてもよい。好適な材料としては、光誘起複屈折性を示す光感応性の材料が挙げられる。光誘起複屈折性を示す材料は、入射する光の偏光状態に感応し、入射光の偏光方向を記録することができる。なお、偏光分布に対応した光誘起複屈折によるホログラムを記録することができる光記録媒体を、偏光感応型の光記録媒体と称する。
【００２７】
光誘起複屈折性を示す材料としては、側鎖に光異性化する基を有する高分子または高分子液晶、または光異性化する分子を分散させた高分子が特に好適である。また、光異性化する基または分子としては、例えば、アゾベンゼン骨格を含むものが好適である。
【００２８】
ここで、アゾベンゼンを例に光誘起複屈折の原理について説明する。アゾベンゼンは、下記化学式に示すように、光の照射によってトランス−シスの光異性化を示す。光記録層に光照射する前は、光記録層にはトランス体のアゾベンゼンが多く存在する。これらの分子はランダムに配向しており、マクロに見て等方的である。光記録層に矢印で示す所定方向から直線偏光を照射すると、その偏光方位と同じ方位に吸収軸を持つトランス１体は選択的にシス体に光異性化される。偏光方位と直交した吸収軸を持つトランス２体に緩和した分子は、もはや光を吸収せずその状態に固定される。結果として、マクロに見て吸収係数及び屈折率の異方性、つまり二色性と複屈折が誘起される。一般に、これらの性質は、光誘起複屈折性、光誘起２色性、または光誘起異方性と呼ばれている。また、円偏光または無偏光の光を照射することによって、これら励起された異方性を消去することができる。
【００２９】
【化４】
2004310999.tif 000003
【００３０】
このような光異性化基を含む高分子は、光異性化により高分子自身の配向も変化し大きな複屈折を誘起することができる。このように誘起された複屈折は高分子のガラス転移温度以下で安定であり、ホログラムの記録に好適である。
【００３１】
記録層１４を構成する材料の好適な例として、下記一般式（１）で表される側鎖にアゾベンゼンを有するポリエステル（以下、「アゾポリマー」と称する。）を挙げることができる。このポリエステルは、側鎖のアゾベンゼンの光異性化による光誘起異方性に起因して、信号光の強度及び偏光方向をホログラムとして記録できる。この中でも、側鎖にシアノアゾベンゼンを有するポリエステルが特に好適である（"Holographic recording and retrieval of polarized light by use of polyester containing cyanoazobenzene units in the side chain", K.Kawano, T. Ishii, J. Minabe, T. Niitsu, Y. Nishikata and K. Baba, Opt. Lett. Vol. 24 (1999) pp. 1269-1271）。
【００３２】
【化５】
2004310999.tif 000004
【００３３】
一般式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、は水素原子または置換基を表す。ｂ１は０〜５の整数を、ｂ２は０〜４の整数を表す。複数のＲ1は同じでも異なっても良く、互いに連結して環を形成しても良い。ｂ１、ｂ２が２以上の時、複数のＲ1、Ｒ2は同じでも異なっても良く、互いに連結して環を形成しても良い。Ｒ21は水素原子または置換基を表し、Ｌ12〜Ｌ14はそれぞれ独立に２価の連結基を、Ａ5は３価の連結基を表す。ａ３は０．０００１〜１を表し、ａ４は０〜０．９９９９を表す。ａ'３は０〜１を表し、ａ'４は０〜１を表す。ここで、ａ３＋ａ４＝１であり、ａ'３＋ａ'４＝１である。また、ｎ１は４〜２０００の整数を表す。
【００３４】
上記一般式（１）中、Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
【００３５】
置換基として好ましい例は、例えば、アルキル基（好ましくは炭素原子数（以下Ｃ数と言う）１〜２０、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ベンジル、３−スルホプロピル、カルボキシメチル、トリフルオロメチル、クロロメチル）、アルケニル基（好ましくはＣ数２〜２０、例えば、ビニル、アリル、２−ブテニル、１，３−ブタジエニル）、シクロアルキル基（好ましくはＣ数３〜２０、例えばシクロペンチル、シクロヘキシル）、アリール基（好ましくはＣ数６〜２０、例えば、フェニル、２−クロロフェニル、４−メトキシフェニル、３−メチルフェニル、１−ナフチル）、ヘテロ環基（好ましくはＣ数１〜２０、例えば、ピリジル、ピリミジル、チエニル、フリル、チアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリル、ピロリジノ、ピペリジノ、モルホリノ）、アルキニル基（好ましくはＣ数２〜２０、例えば、エチニル、２−プロピニル、１，３−ブタジイニル、２−フェニルエチニル）、
ハロゲン原子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、アミノ基（好ましくはＣ数０〜２０、例えば、アミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジブチルアミノ、アニリノ）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、カルボキシル基、スルホ基、ホスホン酸基、アシル基（好ましくはＣ数１〜２０、例えば、アセチル、ベンゾイル、サリチロイル、ピバロイル）、アルコキシ基（好ましくはＣ数１〜２０、例えば、メトキシ、ブトキシ、シクロヘキシルオキシ）、アリールオキシ基（好ましくはＣ数６〜２６、例えば、フェノキシ、１−ナフトキシ）、アルキルチオ基（好ましくはＣ数１〜２０、例えば、メチルチオ、エチルチオ）、アリールチオ基（好ましくはＣ数６〜２０、例えば、フェニルチオ、４−クロロフェニルチオ）、
アルキルスルホニル基（好ましくはＣ数１〜２０、例えば、メタンスルホニル、ブタンスルホニル）、アリールスルホニル基（好ましくはＣ数６〜２０、例えば、ベンゼンスルホニル、パラトルエンンスルホニル）、スルファモイル基（好ましくはＣ数０〜２０、例えばスルファモイル、Ｎ−メチルスルファモイル、Ｎ−フェニルスルファモイル）、カルバモイル基（好ましくはＣ数１〜２０、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ、Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ−フェニルカルバモイル）、アシルアミノ基（好ましくはＣ数１〜２０、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ）、イミノ基（好ましくはＣ数２〜２０、例えばフタルイミノ）、アシルオキシ基（好ましくはＣ数１〜２０、例えばアセチルオキシ、ベンゾイルオキシ）、アルコキシカルボニル基（好ましくはＣ数２〜２０、例えば、メトキシカルボニル、フェノキシカルボニル）、
カルバモイルアミノ基（好ましくはＣ数１〜２０、例えばカルバモイルアミノ、Ｎ−メチルカルバモイルアミノ、Ｎ−フェニルカルバモイルアミノ）であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、スルホ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルファモイル基、カルバモイル基、アシルアミノ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基を表し、さらに好ましくはアルキル基、ハロゲン原子、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルスルホニル基、スルファモイル基、カルバモイル基、アシルアミノ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基を表す。
【００３６】
一般式（１）中、ｂ１は０〜５の整数を、ｂ２は０〜４の整数を表し、好ましくは０〜２の整数を表し、より好ましくは０または１を表す。なお、ｂ１、ｂ２が２以上の時、複数のＲ1、Ｒ2は同じでも異なっても良く、互いに連結して環を形成しても良く、形成する環として好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、シクロヘキセン環、シクロペンテン環、チオフェン環、フラン環、イミダゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、オキサゾール環等である。
【００３７】
一般式（１）中、Ｒ21、は水素原子または置換基を表し、置換基として好ましい例は例えば、アルキル基（好ましくは炭素原子数（以下Ｃ数と言う）１〜２０、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ぺンチル、ベンジル、３−スルホプロピル、カルボキシメチル、トリフルオロメチル、クロロメチル）、アルケニル基（好ましくはＣ数２〜２０、例えば、ビニル、アリル、２−ブテニル、１，３−ブタジエニル）、シクロアルキル基（好ましくはＣ数３〜２０、例えばシクロペンテル、シクロへキシル）、アリール基（好ましくはＣ数６〜２０、例えば、フェニル、２−クロロフェニル、４−メトキシフェニル、３−メチルフェニル、１−ナフチル、ビフェニル誘導体、ターフェニル誘導体）、
ヘテロ環基（好ましくはＣ数１〜２０、例えば、ピリジル、ピリミジル、チエニル、フリル、チアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリル、ピロリジノ、ピペリジノ、モルホリノ）、アルキニル基（好ましくはＣ数２〜２０、例えば、エチニル、２−プロピニル、１，３−ブタジイニル、２−フェニルエチニル）、ハロゲン原子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、アミノ基（好ましくはＣ数０〜２０、例えば、アミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジブチルアミノ、アニリノ）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、カルボキシル基、スルホ基、ホスホン酸基、アシル基（好ましくはＣ数１〜２０、例えば、アセチル、ベンゾイル、サリチロイル、ビバロイル）、アルコキシ基（好ましくはＣ数１〜２０、例えば、メトキシ、ブトキシ、シクロヘキシルオキシ）、アリールオキシ基（好ましくはＣ数６〜２６、例えば、フェノキシ、１−ナフトキシ）、アルキルチオ基（好ましくはＣ数１〜２０、例えば、メチルチオ、エチルチオ）、アリールチオ基（好ましくはＣ数６〜２０、例えば、フェニルチオ、４−クロロフェニルチオ）、アルキルスルホニル基（好ましくはＣ数１〜２０、例えば、メタンスルホニル、ブタンスルホニル）、
アリールスルホニル基（好ましくはＣ数６〜２０、例えば、ベンゼンスルホニル、パラトルエンンスルホニル）、スルファモイル基（好ましくはＣ数０〜２０、例えばスルファモイル、Ｎ−メチルスルファモイル、Ｎ−フェニルスルファモイル）、カルバモイル基（好ましくはＣ数１〜２０、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ−フェニルカルバモイル）、アシルアミノ基（好ましくはＣ数１〜２０、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ）、イミノ基（好ましくはＣ数２〜２０、例えばフタルイミノ）、アシルオキシ基（好ましくはＣ数ｌ〜２０、例えばアセチルオキシ、ベンゾイルオキシ）、アルコキシカルボニル基（好ましくはＣ数２〜２０、例えば、メトキシカルボニル、フェノキシカルボニル）、カルバモイルアミノ基（好ましくはＣ数１〜２０、例えばカルバモイルアミノ、Ｎ−メチルカルバモイルアミノ、Ｎ−フェニルカルバモイルアミノ）、アゾ基（好ましくはＣ数１〜２０、例えばフェエルアゾ、ナフチルアゾ）であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルファモイル基、カルバモイル基、アシルアミノ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アゾ基を表す。
【００３８】
Ｒ21はＬ12〜Ｌ14で述べる２価の連絡基を単独または複数含んでいてもよい。また、Ｒ21は、屈曲性を有するスペーサー基に連結されたメソゲン基を有することが好ましい。Ｒ21に含まれるメソゲン基としては、ｐ（パラ）置換の芳香環を含むビフェニル系、ターフェニル系、安息香酸エステル系、シクロヘキシルカルボン酸エステル系、フェニルシクロへキサン系、ピリミジン系、ジオキサン系や、シクロヘキシルシクロヘキサン系など、通常の低分子液晶のメソゲン基に用いられる線状メソゲン基であることが好ましい。
Ｌ12〜Ｌ14はそれぞれ独立に２価の連結基を表し、好ましくは、−Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）−、−ＣＯＮＲ19−（左側がポリマー主鎖、右側がＬ1またはＲ3と連結する）、置換しても良いアリーレン基（好ましくはＣ数６〜２６、例えば置換しても良い１，２−フェニレン、１，３−フェニレン、１，４−フェニレン、１，４−ナフチレン、２，６−ナフチレン）を表し、Ｒ19は水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロ環基（以上好ましい置換基の例はＲ21に挙げた例と同じ）のいずれかを表し、好ましくは水素原子またはアルキル基を表す。
Ａ5は３価の連結基を表し、＊で示した位置でＲ21と連結する。なお、Ｒ21が水素原子の場合はＡ5は２価の連結基を表す。Ａ5の好ましい例については、以下が挙げられる。
【００３９】
【化６】
2004310999.tif 000005
【００４０】
【化７】
2004310999.tif 000006
【００４１】
これらにおいて、ｎ３１は０〜２、ｎ３２は２〜１２、ｎ３３は２〜１２、ｎ３４は２〜８の整数を表す。
ａ３、ａ４はそれぞれ繰り返し単位の存在比率を表し、０＜ａ３≦１、０≦ａ４＜１であり、ａ３＋ａ４＝１の関係を満たす。ここで、前記２種のジカルボン酸モノマーの比率を媒体設計に応じて調整することにより、本光応答性ポリエステルの吸収係数を制御することができる。比率ａ３は、ビフェニル誘導体の配向変化を誘起しうるアゾベンゼン誘導体の影響力や、一分子中に含まれるアゾベンゼンユニット数の観点から設計することが望ましい。０．０００５〜０．５が好ましく、０．０５〜０．５がより好ましい。
ａ'３、ａ'４はそれぞれ繰り返し単位の存在比率を表し、０≦ａ'３≦１、０≦ａ'４≦１であり、ａ'３＋ａ'４＝１の関係を満たす。ここで、ここで、前記２種類の主鎖の構成単位の比率を媒体設計に応じて調整することにより、本光応答性ポリエステルの結晶性を制御することができる。比率ａ'３は、記録特性と散乱の観点から、０．２〜０．９５が好ましく、０．５〜０．９がより好ましい。
ｎ１は４〜２０００の整数を表す。即ち、本発明の高分子化合物は分子量１０００以上１０００万以下が好ましく、５０００以上１００万以下がより好ましい。
【００４２】
以下に一般式（１）で表される本発明の高分子化合物（光応答性ポリマー）の合成例を示すが、本発明はこれに限定されるわけではない。
シアノビフェニルを担持したジカルボン酸モノマー：５−｛６−［４−（４−シアノフェニル）フェノキシ］ヘキシルオキシ｝イソフタル酸ジエチルの合成
（１）４−（６−ブロモヘキシルオキシ）−４'−シアノビフェニルの合成
４−ヒドロキシ−４'−シアノビフェニル０．２ｍｏｌ（３９ｇ），１，６−ジブロモヘキサン２ｍｏｌ（４８７．５ｇ），無水炭酸カリウム１．４５ｍｏｌ（２００ｇ），アセトン８００ｍｌをメカニカルスターラーを備えた２ｌの三つ口フラスコに入れ、ウォーターバスを用いて２０時間還流し反応させた。室温まで冷やした後、不溶の塩類をろ過して取り除いた。ロータリーエバポレータを用いて約１／２程度まで濃縮した後にヘキサン５００ｍｌを入れて加熱攪拌、その後、室温まで徐冷し、さらに冷凍庫に放置し結晶化させた。吸引ろ過後、ｎ−ヘキサンで洗浄して減圧乾燥させて粗製目的物を得た。収率８５％（６１．３ｇ）さらに、エタノールより再結晶して、精製目的物４−（６−ブロモヘキシルオキシ）−４'−シアノビフェニルを得た。収率５８％（４１．８ｇ）。
（２）５−ヒドロキシイソフタル酸ジエチルの合成
５−ヒドロキシイソフタル酸１ｍｏｌ（１８２．４ｇ），エタノール１５００ｍｌ，濃硫酸１０ｍｌを２ｌの三つ口フラスコに入れ、ウォーターバスを用いて２４時間還流し反応させた。反応終了後、系をロータリーエバポレータで約１／２になるまで濃縮した。得られた溶液を約２０％の冷炭酸水素ナトリウム水溶液に投入し、白色塊状の粗製目的物を析出させた。これをろ別して減圧乾燥した。収率９６％（２２９ｇ）。さらに、エタノールより再結晶して５−ヒドロキシイソフタル酸ジエチルを得た。収率８０％（１９０ｇ）。
（３）（シアノビフェニルを担持したイソフタル酸ジエチル：５−｛６−［４−（４−シアノフェニル）フェノキシ］ヘキシルオキシ｝イソフタル酸ジエチル）の合成
４−（６−ブロモヘキシルオキシ）−４'−シアノビフェニル０．０８ｍｏｌ（２８．８ｇ），５−ヒドロキシイソフタル酸ジエチル０．０８ｍｏｌ（１６．６ｇ），無水炭酸カリウム０．１２ｍｏｌ（１９．２ｇ），アセトン４００ｍｌを１ｌの三つ口フラスコに入れ、ウォーターバスを用いて２４時間還流し反応させた。放冷後、約４ｌの純水に注ぎ粗製目的物となる沈殿物をろ過して取り出し減圧乾燥させた。収率９０％（３７ｇ）。その後アセトンにより再結晶させ、目的化合物であるヘキシル基を介してシアノビフェニルを担持したイソフタル酸ジエチルを得た。収率７３％（３０ｇ）。得られた化合物について、核磁気共鳴（ＮＭＲ）の測定を行った。以下に測定結果を示す。また、質量分析（Mass Spectrometry）の結果、分子量５１５．６に対応するピークを確認した。
【００４３】
【化８】
2004310999.tif 000007
【００４４】
主鎖部モノマー：６，６'−（４，４'−スルホニルジフェニレンジオキシ）ジヘキサノールの合成
４，４'−スルホニルジフェノール０．３ｍｏｌ（８２．３ｇ），６−クロロ−１−ヘキサノール０．６６ｍｏｌ（９０．２ｇ），無水炭酸カリウム０．７ｍｏｌ（９７ｇ）を取り、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２５０ｍｌを加えて攪拌させて懸濁させる。系をオイルバスを用いて１６０℃に加熱し、２４時間反応させる。その後、少量の塩酸を含む水に投入し生成した白色粉状物質をろ別、乾燥して粗製目的物を得る。これを水−Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド系より再結晶し、精製された６，６'−（４，４'−スルホニルジフェニレンジオキシ）ジヘキサノールを得る。収率８９％（１２０ｇ）。得られた化合物について、赤外吸収スペクトル（ＩＲ）、および核磁気共鳴（ＮＭＲ）の測定を行った。以下に測定結果を示す。
ＩＲ：2937cm-1 (CH伸縮),1594cm-1 (C=C),1252cm-1 (C-O-C),1149cm-1 (S=O)
【００４５】
【化９】
2004310999.tif 000008
【００４６】
（光応答性ポリマーの合成例）
メチルアゾベンゼンを担持した光応答性ジカルボン酸モノマー：５−｛６−［４−（４−メチルフェニルアゾ）フェノキシ］ヘキシルオキシ｝イソフタル酸ジエチルの合成
（１）（４−ヒドロキシ−４’−メチルアゾベンゼンの合成）
３リットルのビーカーに６規定塩酸７５０ｍｌを入れ、ここに細かく砕いたｐ−アニシジン（４−メチルアニリン）１０７ｇ（１ｍｏｌ）を入れ、攪拌して十分懸濁させておき、ここに氷約３００ｇを加えて系を冷却する。一方、亜硝酸ナトリウム８０ｇ（１．１６ｍｏｌ）を水５００ｍｌに溶解させておく。懸濁液中に亜硝酸ナトリウム溶液４００ｍｌを２０分程度かけて投入し、滴下終了後この溶液を５℃前後で１時間攪拌する。この溶液にフェノール９４ｇ（１ｍｏｌ）を２規定水酸化カリウム溶液１リットルに溶解させておいたものを徐々に加え、混合後１晩反応させる。反応終了後生成した沈殿をろ別し、減圧下で乾燥させて粗製の４−ヒドロキシ−４’−メチルアゾベンゼン２１０ｇ（ほぼ定量的）を得る。このものは特に精製すること無く次の反応に使用した。なお、この化合物の最大吸収波長（λmax）は、３４５ｎｍであった。
（２）（４−（６−ブロモヘキシルオキシ）−４’−メチルアゾベンゼンの合成）
メカニカルスターラーを備えた２リットルの三つ口フラスコに、実施例のように合成した４−ヒドロキシ−４’−メチルアゾベンゼン４２．４ｇ（０．２ｍｏｌ）、１，６−ジブロモヘキサン４４８ｇ（２ｍｏｌ）、無水炭酸カリウム２１２ｇ（１．５ｍｏｌ）を取り、アセトン８００ｍｌを加えて攪拌して懸濁させる。この反応系をアセトンが還流するまで加熱して、ヒドロキシアゾベンゼンとブロモアルカンを反応させる。２０時間反応させた後、不溶の塩類をろ別して取り除き、系をロータリーエバポレーターで約１／３になるまで濃縮する。この系を冷蔵庫で冷却すると生成した４−（６−ブロモヘキシルオキシ）−４’−メチルアゾベンゼンが晶出する。生成物をろ過した後、少量の冷アセトン、冷エーテル、ｎ−ヘキサンで順次洗浄した後減圧乾燥して粗製の４−（６−ブロモヘキシルオキシ）−４’−メチルアゾベンゼン３８．１ｇを得る。（収率５０．８％）。これをエタノールから再結晶して４−（６−ブロモヘキシルオキシ）−４’−メチルアゾベンゼン３２ｇ（収率４２％）を得た。高速液体クロマトグラフィーによる分析から、このものの純度は９８．６％以上であった。
（３）（５−｛６−［４−（４−メチルフェニルアゾ）フェノキシ］ヘキシルオキシ｝イソフタル酸ジエチルの合成）
１リットルの三つ口フラスコに、５−ヒドロキシイソフタル酸ジエチル１６．６ｇ（０．０７ｍｏｌ）、４−（６−ブロモヘキシルオキシ）−４’−メチルアゾベンゼン２６．１ｇ（０．０７ｍｏｌ）、無水炭酸カリウム１５．１ｇ（０．１１ｍｏｌ）を取り、ここにアセトン３００ｍｌを加える。この系を２４時間加熱還流して反応させる。反応終了後系を冷水１５００ｍｌに投入し、生成した５−｛６−［４−（４−メチルフェニルアゾ）フェノキシ］ヘキシルオキシ｝イソフタル酸ジエチルをろ別、減圧乾燥する。収率８３％（３５．１ｇ）。これをアセトンから２回再結晶して目的物である５−｛６−［４−（４−メチルフェニルアゾ）フェノキシ］ヘキシルオキシ｝イソフタル酸ジエチル３０．１ｇ（８０．１％）を得る。高速液体クロマトグラフィーによる分析から、このものの純度は９８．５％以上であった。得られた化合物について、赤外吸収スペクトル（ＩＲ）、及び核磁気共鳴（ＮＭＲ）の測定を行った。以下に測定結果を示す。
ＩＲ：2938cm-1 (CH伸縮), 1716cm-1 (エステルC=O), 1601cm-1 (C=C), 1580cm-1 (N=N), 1246cm-1 (C-O-C)
【００４７】
【化１０】
2004310999.tif 000009
【００４８】
光応答性ポリマー：シアノビフェニルおよびメチルアゾベンゼンを側鎖に持つポリエステルの合成
シアノビフェニルを担持したジカルボン酸モノマーとして、５−｛６−［４−（４−シアノフェニル）フェノキシ］ヘキシルオキシ｝イソフタル酸ジエチル、メチルアゾベンゼンを担持した光応答性ジカルボン酸モノマーとして、５−｛６−［４−（４−メチルフェニルアゾ）フェノキシ］ヘキシルオキシ｝イソフタル酸ジエチルを、そして主鎖部モノマーとして、６，６'−（４，４'−スルホニルジフェニレンジオキシ）ジヘキサノールを用い、先に述べたポリエステル合成の実施例と同様の方法を用いて、色素（メチルアゾベンゼン）側鎖の共重合比率が異なる４種のポリマーを合成した。表２にそれぞれの合成における材料の混合比率を求める。また、合成されたポリエステルの構造式を以下に示す。得られた各ポリマーの収率、数平均分子量、ガラス転移温度を表１に示す。これらのポリマーは、散乱のない透明なアモルファスポリマーであった。
【００４９】
【表１】
2004310999.tif 000010
【００５０】
【化１１】
2004310999.tif 000011
【００５１】
【表２】
2004310999.tif 000012
【００５２】
光応答性ポリマー：２種の主鎖構成部位を含み、シアノビフェニルおよびメチルアゾベンゼンを側鎖に持つポリエステルの合成
シアノビフェニルを担持したジカルボン酸モノマーとして、５−｛６−［４−（４−シアノフェニル）フェノキシ］ヘキシルオキシ｝イソフタル酸ジエチル、メチルアゾベンゼンを担持した光応答性ジカルボン酸モノマーとして、５−｛６−［４−（４−メチルフェニルアゾ）フェノキシ］ヘキシルオキシ｝イソフタル酸ジエチルを、そして主鎖部モノマーとして、６，６'−（４，４'−スルホニルジフェニレンジオキシ）ジヘキサノール、および、これと同様の方法で合成した６，６'−（４，４'−オキシジフェニレンジオキシ）ジヘキサノールを用い、先に述べたポリエステル合成の実施例と同様の方法を用いて、主鎖部モノマーの共重合比率が異なる６種のポリマーを合成した。合成されたポリマーの構造式を以下に示す。光応答性側鎖の比率ｘは、０．１であり、エーテル結合を有する主鎖部モノマーの比率ｒは、０、０．１、０．５、０．８、０．９、１．０である。
【００５３】
【化１２】
2004310999.tif 000013
【００５４】
記録層１４の厚さは、０．１ｍｍ〜５ｍｍとする。更なる大容量化のためには、記録層の厚さを少なくとも０．２ｍｍとする必要がある。一方、吸収ロスを小さくするための色素濃度低下による複屈折の低下、および散乱の増大から記録層の厚さを５ｍｍより大きくすることは好ましくない。記録層１４の厚さは、０．２ｍｍ〜５ｍｍの範囲がより好ましく、０．５ｍｍ〜５ｍｍの範囲が更に好ましい。なお、記録層の製造方法については後述する。
（光記録媒体の製造方法）
次に、以上説明した光記録媒体を製造する製造方法の１例について説明する。本実施の形態では、射出成形により記録層となるディスク状の成形物を作製した後、このディスク状の成形物を１対のディスク状の透明基板で挟持してホットプレスにより貼り合わせる。ホットメルト接着する。
―射出成形工程―
射出成形工程では、原料である樹脂を加熱溶融し、溶融樹脂を成形金型内に射出して、ディスク状に成形する。射出成形機としては、原料の可塑化機能と射出機能とが一体化されたインライン方式の射出成形機、可塑化機能と射出機能を分離させたプリプランジャー方式の射出成形機の何れも用いることができる。射出成形の条件等は、出射圧力１０００〜３０００ｋｇ／ｃｍ2、出射速度５〜３０ｍｍ／ｓｅｃとする。
―ホットプレス工程―
ホットプレス工程では、射出成形工程で得られた厚さ０．１ｍｍ〜５ｍｍの成形物を、１対のディスク状の透明基板で挟持して、真空下でホットプレスする。
【００５５】
真空ホットプレス装置は、図３に示すように、真空装置１００内には、１対のホルダー１０２と、このホルダー１０２を各々加熱する１対のヒータ１０４と、が配置されている。下側のホルダー１０２とヒータ１０４とは保持台１０６上に載置され、上側のホルダー１０２とヒータ１０４とは保持部材１０８により所定高さに保持されている。また、真空装置１００には、さらに真空排気装置１１０と、保持部材１０８を介して上側のホルダー１０２を押圧する加圧装置１１２と、が設置されている。
【００５６】
まず、射出成形で得られた成形物（便宜上、記録層１４と称する）を１対の透明基板１２、１６で挟み込んだ試料を１対のホルダー１０２間に装填する。次に、真空排気装置１１０により真空装置１００内を排気した後、ヒータ１０４によりホルダー１０２を徐々に昇温する。減圧のゲージ圧は０．１ＭＰａ程度とするのが好ましい。ホルダー１０２の温度が所定の温度に達したことを確認した後、加圧装置１１２により上側のホルダー１０２に所定の静水圧を加えて、試料を熱間加圧する。加熱温度は、記録層１４のＴｇ以上の温度とし、プレス圧力は０．０１〜０．１ｔ／ｃｍ2とするのが好ましい。所定時間、熱間加圧を行った後加熱及び加圧を停止し、試料を室温まで冷却した後に取り出す。
【００５７】
ホットプレスを実施することにより、透明基板１２、１６よりもＴｇの低い記録層１４の表面が溶融して、記録層１４の両面に透明基板１２、１６がホットメルト接着され、光記録媒体が得られる。また、熱間加圧中に、射出成形による成形物の残留歪みが均一化される。
【００５８】
以上説明した通り、本実施の形態では、基板上に記録層を成膜するのではなく、射出成形で別個独立に形成するので、記録層の厚膜化が容易で且つ大量生産にも適している。また、ホットプレスにより記録層を透明基板と貼り合わせるので、射出成形による成形物の残留歪みが均一化され、記録層を０．１ｍｍ以上に厚膜化しても、光吸収や散乱の影響で記録特性が損なわれることがない。
［第２の実施の形態］
（光記録媒体）
第２の実施の形態に係る光記録媒体は、図４に示すように、板状の記録層１８だけから構成されている。記録層１８は、第１の実施の形態に係る光記録媒体３５の記録層１４と同様の材料で構成することができる。
【００５９】
記録層１８の厚さは、記録層１４と同様、０．１ｍｍ〜５ｍｍとする。記録層１８の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍの範囲がより好ましく、１ｍｍ〜５ｍｍの範囲が更に好ましい。なお、記録層の製造方法については後述する。
【００６０】
なお、必要に応じて、光記録媒体の耐傷性、耐湿性を高める保護層や反射防止層を設けてもよい。保護層に使用される材料としては、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＳｎＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の無機物質、及び熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、そして光硬化性樹脂等の有機物質を挙げることができる。
（光記録媒体の製造方法）
次に、以上説明した光記録媒体を製造する製造方法の１例について説明する。本実施の形態では、テフロン（Ｒ）シート等の離型性の高い基板で粉末状の樹脂を挟み込み、この状態で真空下でホットプレスして、記録層１８を直接成形する。
―焼結工程―
図５に示すように、図３に示した真空ホットプレス装置を用い、上下のホルダー１０２の各々にテフロン（Ｒ）シート２０を取り付ける。下側のテフロン（Ｒ）シート２０上に、記録層１８を形成するための粉末状の樹脂材料２２を試料として装填する。第１の実施の形態と同様に、真空排気装置１１０により真空装置１００内を排気した後、ヒータ１０４によりホルダー１０２を徐々に昇温する。気泡の発生を防止するため、減圧のゲージ圧は０．１ＭＰａ程度とするのが好ましい。ホルダー１０２の温度が所定の温度に達したことを確認した後、加圧装置１１２により上側のホルダー１０２に所定の静水圧を加えて、テフロン（Ｒ）シート２０に挟まれた試料を熱間加圧する。加熱温度は、樹脂材料２２のＴｇ以上の温度とし、プレス圧力は０．０１〜０．１ｔ／ｃｍ2とするのが好ましい。所定時間、熱間加圧を行った後、加熱及び加圧を停止し、試料を室温まで冷却した後に取り出す。
【００６１】
ホットプレスを実施することにより、テフロン（Ｒ）シート２０に挟まれた樹脂材料２２が加熱溶融され、これが冷却されて板状の記録層１８が得られる。最後にテフロン（Ｒ）シート２０を取り除くことで、光記録媒体が得られる。例えば、記録層１８をアゾポリマーで構成する場合、アゾポリマーはＴｇが約５０℃と低いので、約７０℃に加熱してホットプレスを行うことで、容易に記録層１８を所望の厚さに成形することができる。また、ホットプレスでは残留歪みは発生しない。
【００６２】
以上説明した通り、本実施の形態では、基板上に記録層を成膜するのではなく、ホットプレスで別個独立に形成するので、記録層の厚膜化が容易である。また、ホットプレスにより記録層を成形するので、成形物の残留歪み等が発生せず、記録層を０．１ｍｍ以上に厚膜化しても、光吸収や散乱の影響で記録特性が損なわれることがない。
【００６３】
なお、上記の実施の形態では、ホットプレスにより記録層を透明基板に接着する例と、ホットプレスにより記録層を成形する例とについて説明したが、記録層にアゾポリマーを用いる場合には、射出成形だけでも、良好な記録特性を備えた記録層を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の光記録媒体の外観を示す斜視図である。
【図２】本発明の光記録媒体の層構成の１例を示す断面図である。
【図３】真空ホットプレス装置の構成を示す概略図である。
【図４】本発明の光記録媒体の層構成の他の例を示す断面図である。
【図５】図３に示す真空ホットプレス装置を用いて焼結を行う方法を説明する説明図である。
【符号の説明】
【００６５】
１０  センターホール
１２、１６透明基板
１４、１８  記録層
２０  テフロン（Ｒ）シート
２２  樹脂材料
３５  光記録媒体
１００  真空装置
１０２  ホルダー
１０４  ヒータ
１０６  保持台
１０８  保持部材
１１０  真空排気装置
１１２  加圧装置
【図１】
2004310999.tif 000017
【図２】
2004310999.tif 000018
【図３】
2004310999.tif 000019
【図４】
2004310999.tif 000020
【図５】
2004310999.tif 000021