(57)【要約】      （修正有）【課題】Ｘ線露光後にプレートをデジタル的に処理したときに得られる画像における最適化されたシグナル対ノイズ関係を与える貯蔵燐光体スクリーン又はパネルを提供する。【解決手段】ＥｕドープされたＣｓＢｒ型貯蔵燐光体スクリーン又はパネルであって、１０ｍＪ／ｍｍ２のエネルギーを有する１５０ｎｍから３００ｎｍまでの範囲の短紫外線を用いた貯蔵燐光体スクリーン又はパネルの前処理を行わずに１５０ｎｍから４００ｎｍまでの範囲の波長を有する放射線で露光された後に１０／９の紫外線ルミネセンス強度の比を与える。また製造工程の間又は後に、１０ｍＪ／ｍｍ２のエネルギーを有する１５０ｎｍから３００ｎｍまでの範囲の短紫外線を発する放射線源で放射線露光処理をする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥｕドープされたＣｓＢｒ型貯蔵燐光体スクリーン又はパネルであって、１０ｍＪ／ｍｍ２のエネルギーを有する１５０ｎｍから３００ｎｍまでの範囲の短紫外線を用いた前記貯蔵燐光体スクリーン又はパネルの前処理を行わずに一回そして行って一回スクリーン又はパネルの同一部位で測定すると、１５０ｎｍから４００ｎｍまでの範囲の波長を有する放射線で露光された後に少なくとも１０／９の紫外線ルミネセンス強度の比を与えることを特徴とする貯蔵燐光体スクリーン又はパネル。
【請求項２】
前記燐光体がＣｓＢｒ：Ｅｕ刺激性燐光体である請求項１記載の貯蔵燐光体スクリーン又はパネルにおいて、前記スクリーン又はパネルの製造工程のうちの少なくとも一つの間又は後に、少なくとも１０ｍＪ／ｍｍ２のエネルギーを有する１５０ｎｍから３００ｎｍまでの範囲の短紫外線を放出する放射線源からのエネルギーで放射線露光処理が与えられることを特徴とする貯蔵燐光体スクリーン又はパネル。
【請求項３】
前記製造工程が以下のものからなる群から選択されることを特徴とする請求項２に記載の貯蔵燐光体スクリーン又はパネル：前記ＣｓＢｒをＥｕＸ′２，ＥｕＸ′３及びＥｕＯＸ′（ただしＸ′はＦ，Ｃｌ，Ｂｒ及びＩからなる群から選択される一員である）からなる群から選択されるユーロピウム化合物の１０−３〜５ｍｏｌ％と混合する；前記混合物を４５０℃以上の温度で燃焼する；前記混合物を冷却してＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体を回収する；前記混合物を蒸着のための状態にもたらす；物理蒸着、熱蒸着、化学蒸着、電子線蒸着、無線周波数蒸着及びパルス化レーザー蒸着からなる群から選択される方法によって支持体上に前記混合物を蒸着させる；前記燐光体スクリーンを室温にまで冷却し、前記燐光体スクリーンを８０℃〜２２０℃の温度にもたらし、その温度で１０分〜１５時間維持する。
【請求項４】
２５４ｎｍでの水銀ランプ、ジュウテリウムランプ、キセノンランプ、クリプトンランプ、四倍−周波数増幅−Ｎｄ：ＹＡｇ，Ｎｄ：ＹＦＬ，Ｎｄ：ＹＶＯ又はアレクサンドライトレーザー、色素レーザー、エキシマーレーザー及び周波数二倍又は四倍ダイオードレーザーからなる群から選択される放射線源を用いて、１０ｍＪ／ｍｍ２のエネルギーを有する１５０ｎｍから３００ｎｍまでの範囲の短紫外線を用いて、請求項１〜３のいずれか一項記載の前記貯蔵燐光体スクリーン又はパネルを前処理する方法。
【請求項５】
レーザー、水銀ランプ又はマスクにより識別マーク又は記録を、請求項１〜３のいずれか一項記載の貯蔵燐光体パネルに与える方法であって、マーキングが１５０ｎｍから３００ｎｍの範囲の波長を有するレーザーを用いて行われることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
発明の分野
本発明は増大されたスピード又は感度を有するＥｕドープされたＣｓＢｒ型刺激性又は貯蔵燐光体スクリーン又はパネルに関する。
【０００２】
発明の背景
デジタル画像形成のための刺激性（貯蔵）燐光体プレートを製造する場合、すべてのパラメータは可能な限りの最高の注意をもって制御される。何故なら、画像は可能な限り最良の情報で、例えば最適化されたシグナル対ノイズ比で得られるべきだからである。シグナル対ノイズ比に関連する最も重要な要因は貯蔵燐光体プレート又はパネルにおける貯蔵燐光体のスピード（感度）である。
【０００３】
スピードが高いということは光電増倍管による光子の高い量の検出を意味する。ノイズは検出された量子の数に直接関連しており、それと比例する。
【０００４】
コンピューター放射線写真（ＣＲとも称される）のためのプレート又はパネルのスピードはＸ線への露光後に刺激性光子に貯蔵されるエネルギーの光刺激により解放される、線量単位当たりの放出された光子の数によって決定される。
【０００５】
熱処理による画像形成プレートのＸ線についてのスピードの改良は文献に以前に既に記述されている：「アニーリング」として知られるかかる処理は例えばＥＰ−Ａ  １２１７６３３に例示されるように８０〜２２０℃の温度で１０分〜１５時間の時間の間加熱することによるものであるが、極めて多くの時間を必要とする。また、かかる付与は少なくとも上述の高温に抵抗すべきであるので耐熱性支持体の存在を要求する。
【０００６】
発明の目的及び概要
製造は時間がかかるので、コンピューター放射線写真における貯蔵燐光体パネルについてのスピードを増大させるために例えば熱処理手順より消費時間が少なくかつより破壊的でない効率的な手段を与えることは常に続く要求である。
【０００７】
それ故、本発明の目的はＸ線露光後にプレートをデジタル的に処理したときに得られる画像における最適化されたシグナル対ノイズ関係を与える貯蔵燐光体プレート又はパネルの製造を保証することである。
【０００８】
上述の有利な効果は請求項１に規定される特定の特徴により実現された。
【０００９】
本発明の好ましい実施態様のための特定の特徴は従属請求項に規定されている。
【００１０】
本発明の更なる利点及び実施態様は以下の記述（及び図面）から明らかになるであろう。
【００１１】
図面の簡単な説明
図１ＡはＵＶルミネセンスシグナルを得るために露光前に前処理された燐光体で被覆されたスクリーン又はパネルの四つの領域を示す：左から右へ領域は２５４ｎｍ及び３６５ｎｍの波長を有する放射線エネルギーで前処理され；２５４ｎｍの波長を有する放射線エネルギーで前処理され；３６５ｎｍの波長を有する放射線エネルギーで前処理され；及び前露光されなかった。
【００１２】
図１Ｂは貯蔵燐光体パネルの異なる領域の対応する感度分布を示す（以下の実施例で更に説明される）。
【００１３】
図２Ａは２５４ｎｍの波長を有する放射線に前露光されていない場合の貯蔵燐光体パネルのＵＶレーザー（２６６ｎｍ）を用いた記録又はマーキング能力を示す。燐光体プレートは前露光なしですら例えば２６６ｎｍで紫外線レーザーを用いてマークされることができるが、ここに記述される効果は２５４ｎｍでの放射線に露光された部位ではもはや検出不可能である。何故ならそれらの部位は飽和されているからである。
【００１４】
図２Ｂは２５４ｎｍの波長を有する放射線に前露光されている場合の貯蔵燐光体パネルのＵＶレーザー（例えば２６６ｎｍ）を用いた記録又はマーキング能力を示す：「飽和効果」のため、２５４ｎｍでの可視性は減少している。
【００１５】
発明の詳細な記述
ＥｕドープされたＣｓＢｒ型刺激性貯蔵燐光体のＸ線に対する感度は刺激性燐光体プレート又はパネルに光学的前処理が付与される場合、著しく改良されることが驚くべきことに確立された：短紫外線波長で、好ましくは１５０ｎｍから３００ｎｍまでの波長範囲で、例えば２５４ｎｍで発光する水銀ランプにより、ほんの数秒間、高強度で付与される前処理は、上述した本発明の目的を達成するための製造者にとって価値あるツールを提供する。
【００１６】
従って、本発明によればＥｕドープされたＣｓＢｒ型貯蔵燐光体スクリーン又はパネルは少なくとも１０ｍＪ／ｍｍ２のエネルギーを有する１５０ｎｍから３００ｎｍまでの範囲の短紫外線を用いた前記貯蔵燐光体スクリーン又はパネルの前処理を行わずに一回そして行って一回スクリーン又はパネルの同一部位で測定すると、１５０ｎｍから４００ｎｍまでの範囲の波長を有する放射線で露光された後に少なくとも１０／９の紫外線ルミネセンス強度の比を与える。本発明によるより好ましい実施態様においては前記比が少なくとも１０／７である前記貯蔵燐光体スクリーン又はパネルが与えられ、さらにより好ましくは前記比が少なくとも１０／５である前記貯蔵燐光体スクリーン又はパネルが与えられる。
【００１７】
紫外線源は別として、使用は紫外線レーザーからなされるのが有利である。前記紫外線レーザーの例は四倍化された（ｑｕａｄｒｕｐｌｉｃａｔｅｄ）２６６ｎｍでのＮｄ：ＹＡＧレーザー−それにより前記レーザーの第四調和振動を使用し、通常１０６４ｎｍで発光する−四倍化されたＮｄ：ＹＬＦ及びＮｄ：ＹＶＯレーザーである。ＱＵＡＮＴＲＯＮＩＸ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ  ４１  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｗａｙ  Ｅａｓｔ  Ｓｅｔａｕｋｅｔ  ＮＹ  １１７３３，ＵＳＡにより入手可能なＮｄ：ＹＬＦレーザーは異なる波長、即ち２０９，２１１，２６２及び２６３ｎｍで用いるのに一層好適である。代わりに、ＬＩＧＨＴ  ＡＧＥ，Ｉｎｃ．，Ｔｗｏ  Ｒｉｖｅｒｖｉｅｗ  Ｄｒｉｖｅ  Ｓｏｍｅｒｓｅｔ，ＮＪ  ０８８７３，ＵＳＡにより製造されている１９３ｎｍで発光するアレキサンドライトレーザーは有利に用いられる。
【００１８】
より一層驚くべきことはかかる光学又は放射線前処理を付与した後の低い紫外線ルミネセンスシグナルの存在である。もし低い紫外線ルミネセンスシグナルが短ＵＶ範囲（１５０〜２００ｎｍから３００ｎｍ）での紫外線を用いたかかる前処理の後に検出されるなら、貯蔵燐光体プレートのスピード又は感度の効果的な増大が効率的に達成されている。
【００１９】
ＵＶルミネセンス（２５４ｎｍを用いた照射後、２５４及び３６５ｎｍで）は対照的に効率の減少を示し、その度合いは５０％にすら達する！それぞれ短ＵＶ前処理の前及び後の紫外線ルミネセンスシグナルについての２：１（１０／５）までの比が従って測定され、そこでは貯蔵燐光体プレートの照射前処理が例えば２５４ｎｍ（水銀ランプの場合のように）又は２６６ｎｍ（ＵＶレーザーの場合のように）の波長を有する放射線を用いて行われる。
【００２０】
本発明によればＥｕドープされたＣｓＢｒ型貯蔵燐光体パネルの感度又はスピードを増大させるための光学的露光前処理は水銀ランプ（２５４ｎｍで）、ジュウテリウムランプ、キセノンランプ及びクリプトンランプ（両方とも２００ｎｍ〜３００ｎｍの所望の短紫外線範囲での選択された発光線を与える）、四倍化された２６６ｎｍでのＮｄ：ＹＡｇレーザー−第四調和振動を使用する−、紫外線発光色素（例えばＢＭＴ−ベンゼン−メタネチオール−及びＰＴＰ−ｐ−テルフェニル  Ｃ１８Ｈ１４）を有する色素レーザー、エキシマーレーザー（例えばＦ２，ＡｒＦ（１９３ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＸｅＢｒ（２８２ｎｍ）又はＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）の如きガスを用いたもの）、及び周波数増幅された（ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ−ｅｎｈａｎｃｅｄ）（二倍化又は四倍化された）ダイオードーザーからなる群から選択される放射線源を用いた照射により実現される。
【００２１】
本発明によればこの紫外線照射前処理を本発明の背景の欄で規定したような既に知られた熱処理と組合わせることは除外されない：両者の前処理技術の組合せは両者により提供される利点を更に組合わせる。
【００２２】
本発明によれば紫外線前処理は製造プロセスにおいて一つ以上の工程の間又は後、例えば原材料の蒸着の間又は後（そこでは紫外線源は蒸着装置中に設けられている）、蒸着と熱処理の間の工程の間、熱処理の間（加熱が行われるオーブン中に紫外線源の存在を与える）、付与される。
【００２３】
スピードの増大に加えて以下の有利な効果が上述の短紫外線処理により得られ、それにより特に好適な用途を与える。
【００２４】
本発明によれば露光前処理方法はプレート又はパネルの表面にわたってスピード（感度）の均質性の欠如を示すＥｕドープされたＣｓＢｒ型貯蔵燐光体プレートに適用可能である。（例えば前に測定されたような差を均一化する補償フィルターにより）前記表面にわたるスピード差の関数として短ＵＶ前処理の強度を変化させると、スピードは増大するのみならず、均質性が改良され、修正すらされ、優れたスピードレベル及びパネルの全表面にわたって均質なスピード分布を与える。従って、劣ったスピードを示す部位は高いスピードを示す部位よりも高い短ＵＶ前処理線量によって「スピードにおいて修正」される。
【００２５】
かくして本発明によればパネル表面にわたって不均質なスピード分布を元来有する貯蔵燐光体プレート又はパネルに１５０ｎｍから３００ｎｍまでの範囲の短紫外線を発する放射線源からのエネルギーを用いた放射線露光処理により表面にわたって均質なスピード分布を有するＥｕドープされたＣｓＢｒ型刺激性燐光体スクリーン又はパネルを製造する方法が与えられる。前記露光処理は前記偏差を補償するために可変性エネルギー量を発する工程により前記放射線源を用いてパネルを走査することにより一点ずつスピード均質性からの偏差を補償する工程による。
【００２６】
更に本発明によればＥｕドープされたＣｓＢｒ型刺激性燐光体スクリーン又はパネルの製造方法が提供される。前記スクリーン又はパネルは、パネル表面にわたって不均質なスピード分布を元来有する貯蔵燐光体プレート又はパネルに１５０ｎｍから３００ｎｍまでの範囲の短紫外線を放出する放射線源からのエネルギーを用いた放射線露光処理により表面にわたって均質なスピード分布を有する。前記露光処理は異なる濃度を有する一つ以上のフィルターで部分的にスクリーン又はパネルを被覆した後、スクリーン又はパネルを一体的に照射し、かくして異なる部分で１５０ｎｍから３００ｎｍまでの範囲の短紫外線を放出する放射線源を部分的に吸収することによりスピード均質性からの偏差を補償する工程による。
【００２７】
識別を可能にするために貯蔵燐光体スクリーン又はパネル、より好ましくはＥｕドープされたＣｓＢｒ型貯蔵燐光体パネルに短ＵＶレーザーを用いてマーキングの記録を与える方法が更に提供される：後で、紫外線（好ましくは長い波長を有する）にパネルを露光させた後で紫外線ルミネセンスにおいて得られる差異。また、同一の波長を用いた読み出し手順も許容可能な結果を与えるが、完全な表面にマーキングを行う場合、テキストがそれほど明確には見えなくなるので、実際のところ長波長が好ましい。かくして紫外線ルミネセンスにおける差異によるかかるマーキングの可視性は実際上の用途のための機会を与える。１５０ｎｍから３００ｎｍまでの範囲の波長を有するレーザーによる現代的で柔軟かつプログラム可能な識別マーク又は記録（これはレーザーの使用が好まれかつ推奨される理由である）に加えて、水銀ランプ又は同様の手段により、またマスクによりマーキングを与えることは除外されない。マーキングはルミネセンスが減少するにつれて低い濃度を有するであろう。そして、マークされた部位はＸ線に露光されたときに高いスピードを有するので、マークされた部位はスクリーン又はパネルをデジタル処理した後に得られる画像において一層可視性であることが明らかである。
【００２８】
かくして本発明によればレーザー、水銀ランプ又はマスクにより識別マーク又は記録を、貯蔵燐光体パネルに与える方法であって、マーキングが１５０ｎｍから３００ｎｍの範囲の波長を有するレーザーを用いて行われる方法が提供される。本発明の方法によれば前記識別マーク又は記録は読取り可能なテキスト（数字及び文字を用いて）又は機械により読取り可能なコードであり、更に本発明の方法によれば前記識別マーク又は記録はバーコードである。
【００２９】
本発明によればＥｕドープされたＣｓＢｒ型貯蔵燐光体スクリーン又はパネルは以下の工程を含む方法によって調製されたＣｓＢｒ：Ｅｕ刺激性燐光体を含む：
−  前記ＣｓＢｒをＥｕＸ′２，ＥｕＸ′３及びＥｕＯＸ′（ただしＸ′はＦ，Ｃｌ，Ｂｒ及びＩであるハロゲン化物の群から選択される一員である）からなる群から選択されるユーロピウム化合物の１０−３〜５ｍｏｌ％と混合する、
−  前記混合物を４５０℃以上の温度で燃焼する
−  前記混合物を冷却する、そして
−  ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体を回収する。
【００３０】
更により好ましい本発明によるＥｕドープされたＣｓＢｒ型燐光体スクリーンはＣｓＢｒ：Ｅｕ刺激性燐光体を含む結合剤非含有貯蔵燐光体スクリーンであり、前記スクリーンは以下の工程を含む方法によって調製される：
−  前記ＣｓＢｒをＥｕＸ′２，ＥｕＸ′３及びＥｕＯＸ′（ただしＸ′はＦ，Ｃｌ，Ｂｒ及びＩからなる群から選択されるハロゲン化物である）からなる群から選択されるユーロピウム化合物の１０−３〜５ｍｏｌ％と混合する；
−  前記混合物を蒸着のための状態にもたらす、そして
−  物理蒸着、熱蒸着、化学蒸着、電子線蒸着、無線周波数蒸着及びパルス化レーザー蒸着からなる群から選択される方法によって支持体上に前記混合物を蒸着させる。
【００３１】
本発明による別の実施態様においては燐光体がＣｓＢｒ：Ｅｕ刺激性燐光体である貯蔵燐光体スクリーンが提供され、前記スクリーンは以下の工程を含む方法によって調製される：前記ＣｓＢｒをＥｕＸ′２，ＥｕＸ′３及びＥｕＯＸ′（ただしＸ′はＦ，Ｃｌ，Ｂｒ及びＩからなる群から選択されるハロゲン化物である）からなる群から選択されるユーロピウム化合物の１０−３〜５ｍｏｌ％と混合する；前記混合物を４５０℃以上の温度で燃焼する；前記混合物を冷却してＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体を回収する；前記燐光体、一以上のポリマー結合剤及び一以上の溶媒に基づいたラッカーを作る；前記ラッカーを支持体上に被覆して被覆された層を乾燥させてこれにより被覆されたＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体層を与える。
【００３２】
本発明によれば刺激性燐光体スクリーン又はパネルの製造方法が提供され、前記方法は製造工程の少なくとも一つの間又は後に、少なくとも１０ｍＪ／ｍｍ２のエネルギーを有する１５０ｎｍから３００ｎｍまでの範囲の短紫外線を放出する放射線源からのエネルギーで放射線露光処理が与えられることを特徴とする。
【００３３】
更に本発明による結合剤非含有のＥｕドープされたＣｓＢｒ型貯蔵燐光体スクリーンの製造方法が提供され、前記方法は以下の工程を含む：
−  ＥｕドープされたＣｓＢｒ型貯蔵燐光体を与える
−  前記燐光体を支持体上に真空蒸着する。
前記方法は前記真空蒸着工程の間、前記支持体が５０℃≦Ｔ≦３００℃であるような温度Ｔに維持されること、前記真空蒸着が最大３ＰａのＡｒ圧を有するＡｒ雰囲気で行われること、及び前記製造工程の少なくとも一つの間又は後に、１５０ｎｍから３００ｎｍまでの範囲の短紫外線を放出する放射線源からのエネルギーで放射線露光処理が与えられることを特徴とする。
【００３４】
更に好ましい実施態様においては結合剤非含有貯蔵燐光体スクリーンの製造方法が提供され、前記方法は以下の工程を含む：
−  アルカリ金属ハロゲン化物貯蔵燐光体、より好ましくはＥｕドープされたＣｓＢｒ型燐光体のための燐光体前駆体を組合わせる、
−  前記燐光体前駆体を支持体上に真空蒸着する。
前記方法は前記真空蒸着工程の間、前記支持体が５０℃≦Ｔ≦３００℃であるような温度Ｔに維持されること、前記真空蒸着が最大３ＰａのＡｒ圧を有するＡｒ雰囲気で行われること、及び前記製造工程の少なくとも一つの間又は後に、１５０ｎｍから３００ｎｍまでの範囲の短紫外線を放出する放射線源からのエネルギーで放射線露光処理が与えられることを特徴とする。
【００３５】
本発明によれば結合剤非含有ＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体スクリーンの製造方法が更に提供され、前記方法は以下の工程を含む：
−  ＣｓＢｒをユーロピウム化合物の１０−３〜５ｍｏｌ％と混合又は組合わせる、
−  前記混合物を支持体上に蒸着させ、結合剤非含有燐光体スクリーンを形成させる、
−  前記燐光体スクリーンを室温にまで冷却する、
−  前記燐光体スクリーンを８０〜２２０℃の温度にもたらし、そして
−  その温度で１０分〜１５時間維持する。
前記方法は前記製造工程の少なくとも一つの間又は後に、１５０ｎｍから３００ｎｍまでの範囲の短紫外線を放出する放射線源からのエネルギーで放射線露光処理が与えられることを特徴とする。
【００３６】
上述したような本発明による方法においては前記放射線源は２５４ｎｍでの水銀ランプ、ジュウテリウムランプ、キセノンランプ、クリプトンランプ、四倍化された−周波数増幅された−Ｎｄ：ＹＡｇ，Ｎｄ：ＹＦＬ，Ｎｄ：ＹＶＯ又はアレクサンドライトレーザー、色素レーザー、エキシマーレーザー及び周波数二倍化されたダイオードレーザーからなる群から選択される。より好ましくは、本発明の方法によれば前記放射線源はＦ２（１５７ｎｍ），ＡｒＦ（１９３ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＸｅＢｒ（２８２ｎｍ）及びＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）からなるガスエキシマーレーザーの群から選択される。識別は貯蔵燐光体スクリーン又はパネルの製造中に用いられる原材料の関数としての製造の制御に関して別の重要な用途である。
【００３７】
本発明はその実施例におけるような好ましい実施態様に関連して以下説明されるが、本発明をそれらの実施態様に限定することは意図されないということが理解されるであろう。
【００３８】
実施例
燐光体スクリーンの調製
ＣｓＢｒ：ＥｕスクリーンはＣｓＢｒ及びＥｕＯＢｒの熱蒸着を介して作られた。そのためＣｓＢｒはＥｕＯＢｒと混合され、真空蒸着チャンバーの容器中に置かれた。燐光体は厚さ１．５ｍｍ、直径４０ｍｍのガラスディスクに蒸着された。容器と支持体の間の距離は１０ｃｍであった。蒸着中、支持体は１２ｒ．ｐ．ｍ．で回転された。
開始材料を入れた容器は７５０℃の温度にまで加熱された。蒸着の開始前、チャンバーは４×１０−５ｍｂａｒの圧力にまで排気された。蒸着プロセス中、Ａｒが１．０〜２．５Ｐａの圧力でチャンバー中に導入され、一方、支持体は１５０℃の温度にまで加熱された。蒸着されたスクリーンにおけるＥｕ濃度はＸ線蛍光を用いて測定され、それは８００ｐｐｍのオーダーであった。
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）は蒸着された燐光体層の形態についての情報を与えた：燐光体層は針状結晶からなっていた。
【００３９】
ＵＶ放射線（２５４ｎｍ又は３６５ｎｍの波長を有する。何故なら実験は水銀ランプの２５４ｎｍ線及び３６５ｎｍ線を用いて行われたからである。しかし、２００ｎｍから４００ｎｍまでの範囲の全励起スペクトルからの放射線も除外されず、許容可能な結果を与える）下での刺激性燐光体スクリーン又はパネルの制御がかくして得られ、水銀ランプにより得られる２５４ｎｍの放射線波長を有する短ＵＶ線に２秒間、又はＵＶレーザーにより得られる２６６ｎｍの放射線波長を有する短ＵＶ線にミリ秒時間範囲の間予め露光されたスクリーン又はパネルの部位では強度が小さいＵＶルミネセンスシグナルが得られたという結論を導いた。
【００４０】
しかしながら３６５ｎｍの放射線源を用いて実際付与されたような１５０ｎｍから３００ｎｍまでの範囲の外の波長を有する放射線へのパネルの露光はＵＶルミネセンスにいかなる影響も示さない。
【００４１】
スクリーン又はパネルがアルミニウムストリップで部分的に被覆されて四つの異なる領域を有し、次に一つずつ以下に示すように露光され、更に全てのアルミニウムストリップを同時に除去した後に一体的に露光されてＵＶルミネセンスを得るという他の実験においては２５４ｎｍの波長を有する放射線エネルギーで前に処理されたパネルの部分について明らかに低いルミネセンスを示す。
【００４２】
この効果は図１Ａにおいて示されている（左から右へと異なる部分を示す）
−  ２５４ｎｍ＋３６５ｎｍに露光された領域（中間濃度）；
−  ２５４ｎｍに露光された領域（少ないＵＶルミネセンスを示す通り最も暗い領域）；
−  ３６５ｎｍに露光された領域（最も多いＵＶルミネセンスを発し、それ故、最も明るい領域に見える）及び
−  「比較領域」（アルミニウムストリップが除去されず、かくして後処理としてのＵＶに露光されなかった領域）。
【００４３】
「ＳＡＬ」として測定される異なる領域についての対応する感度分布が図１Ｂに示されている。スクリーン上のそれらの異なる領域又は帯域の感度は以下の方法で測定された：スクリーンは８０ｋＶｐで約５０ｍＲの線量を用いて均質に露光された。読取りはフライングスポットスキャナーで行われた。スキャナーにおいて走査光源は６８５ｎｍで発光する３０ｍＷダイオードレーザーであった。両側を誘電層で被覆された３ｍｍのＢＧ−３９（登録商標）（Ｓｃｈｏｔｔの商標）フィルターがスクリーン発光から刺激光を分離するために用いられた。走査平均レベル（ＳＡＬ′ｓ）は光電子増倍管中のスクリーン領域により作り出される平均シグナルとして決定された。
【００４４】
結果として、２５４ｎｍの波長を有する放射線への露光処理の後に帯域について感度の明らかな増大が見出された：４００ｎｍ（比較帯域）から５４０ｎｍ（最高の感度を有する帯域）までの増大は約３５％の説得力のある感度増大を表す！
【００４５】
かくしてＵＶ後処理は有利に付与された：２５４ｎｍの波長を有する放射線への露光後に減少した紫外線ルミネセンスを示すシート又はパネルの領域は非露光領域に対して約３５％増大した感度を示す！
【００４６】
２６６ｎｍレーザーの露光波長を有するＵＶレーザーを用いた線の形の記録が図２Ａに示されている。
【００４７】
かくして形成されたパターンはいくらかの時間の間調べられ、比較的安定であることが証明された。１２時間後、パターンはなお明瞭に存在しており、１７０℃で４時間の熱処理後もそうである。
【００４８】
図２Ｂは貯蔵燐光体プレートが２５４ｎｍの波長を有するＵＶ露光を用いて前処理された場合にＵＶレーザーを用いてマークされた線から得られたＸ線画像を示す：貯蔵プレート又はパネルは「飽和」されているように見える。何故ならレーザー露光は真の記録効果を示さないからである。一旦飽和されるとレーザー記録は効果を減少させる。短ＵＶ前処理を用いるとＸ線感度又はスピードが増強されることが明らかに見出された。一旦３５％（これは極めて顕著なレベルである）までの増大が達成されると、飽和効果は更なる記録を不可能にし、かくしてバーをその上に置く。
【００４９】
それとは反対に、３６５ｎｍの露光で前処理された表面は後ほどＵＶレーザーを用いて最良の記録を示す（図２Ａ参照）：シグナルは最大シグナルが出現する最も暗い部分においてもっとも明確に表現され、一方、最も明るい部分はいかなるシグナルをも示さない。
【００５０】
再使用前の貯蔵燐光体プレートの取扱いの分野では周知であるような消去手順によるパターンの消去は不可能である。熱処理と３６５ｎｍの波長を有する放射線を放出する放射線源を用いた放射線への露光の組合せは望ましくない情報の消去を与えるという指摘がある。貯蔵燐光体プレート又はパネルの前記熱処理は長い波長（３００ｎｍより上、例えば上述した３６５ｎｍの波長）を有する放射線を発する放射線源を用いた照射工程の前、照射工程の間、又は照射工程の後、又はそれらの組合せの工程において付与される。
【００５１】
本発明の好ましい実施態様を詳細に説明してきたので、多数の改変が添付の特許請求の範囲において規定される本発明の範囲から離れることなしになされることができることが今や当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】図１ＡはＵＶルミネセンスシグナルを得るために露光前に前処理された燐光体で被覆されたスクリーン又はパネルの四つの領域を示す。図１Ｂは貯蔵燐光体パネルの異なる領域の対応する感度分布を示す。
【図２】図２Ａは２５４ｎｍの波長を有する放射線に前露光されていない場合の貯蔵燐光体パネルのＵＶレーザー（２６６ｎｍ）を用いた記録又はマーキング能力を示す。図２Ｂは２５４ｎｍの波長を有する放射線に前露光されている場合の貯蔵燐光体パネルのＵＶレーザー（例えば２６６ｎｍ）を用いた記録又はマーキング能力を示す。
【図１】
2004233340.tif 000002
【図２】
2004233340.tif 000003
【外国語明細書】
2004233340.tif 000004
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