(57)【要約】【課題】  複数のＴＦＴ素子がゲートバスライン及びソースバスラインを介して連結配列されたＴＦＴシートの簡易で効率的な製造方法を提供し、それにより寸法精度、位置精度が向上し、且つ個々のＴＦＴ間の性能のバラツキが抑えられたＴＦＴシートを提供する。【解決手段】  支持体シート上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層からなるチャネルで連結されたソース電極及びドレイン電極をエレメントとして有する複数のＴＦＴが、ゲートバスライン及びソースバスラインを介して連結されたＴＦＴシートを製造するに当たり、シート上に形成されたゲートバスライン又はソースバスラインの位置を検出し、その位置情報に基づいて前記エレメントの配列位置と形状の情報を出力し、該配列位置に各エレメントを形成するＴＦＴシートの製造方法。【選択図】        図８
2004295121.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体シート上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層からなるチャネルで連結されたソース電極及びドレイン電極をエレメントとして有する複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子が、ゲートバスライン及びソースバスラインを介して連結されたＴＦＴシートを製造するに当たり、シート上に形成されたゲートバスライン又はソースバスラインの位置を検出し、その位置情報に基づいて前記エレメントの配列位置と形状の情報を出力し、該配列位置に各エレメントを形成することを特徴とするＴＦＴシートの製造方法。
【請求項２】
支持体シート上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層からなるチャネルで連結されたソース電極及びドレイン電極、更に画素電極をエレメントとしてこの順に有する複数の薄膜トランジスタ素子が、ゲートバスライン及びソースバスラインを介して連結されたＴＦＴシートを製造するに当たり、シート上に形成されたゲートバスラインの位置を検出し、その位置情報を基に半導体層、ソースバスライン、ソース電極、ドレイン電極、画素電極から選ばれる少なくとも一つのエレメントの位置と形状の情報を出力し、当該位置と形状の情報に基づいて各エレメントを形成することを特徴とするＴＦＴシートの製造方法。
【請求項３】
ソースバスライン、ソース電極、ドレイン電極、画素電極の少なくとも一つの形成がインクジェット法又はレーザー照射にて行われることを特徴とする請求項２に記載のＴＦＴシートの製造方法。
【請求項４】
半導体層が有機半導体材料からなることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のＴＦＴシートの製造方法。
【請求項５】
半導体層がインクジェット法にて形成されることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のＴＦＴシートの製造方法。
【請求項６】
搬送されるシート上のゲートバスライン又はソースバスラインの位置が検出されることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載のＴＦＴシートの製造方法。
【請求項７】
支持体シート上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層からなるチャネルで連結されたソース電極及びドレイン電極をエレメントとして有する複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子が、ゲートバスライン及びソースバスラインを介して連結されたＴＦＴシートを製造するに当たり、前記エレメントから選ばれる少なくとも１種が予め形成された支持体シートを回転支持部材上に固定した後、該形成されたエレメントの位置を検出し、その位置情報に基づいて、追加形成する他のエレメントの少なくとも１種の配列位置と形状の情報を出力し、回転支持部材を回転させながら前記配列位置に当該他のエレメントを追加形成することを特徴とするＴＦＴシートの製造方法。
【請求項８】
前記予め形成されるエレメントがゲート電極及び／又はゲートバスラインであることを特徴とする請求項７に記載のＴＦＴシートの製造方法。
【請求項９】
前記予め形成されるエレメントがソース電極、ソースバスライン及びドレイン電極から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項７に記載のＴＦＴシートの製造方法。
【請求項１０】
追加形成する他のエレメントの形成がインクジェット法又はレーザー照射にて行われることを特徴とする請求項７乃至９の何れか１項に記載のＴＦＴシートの製造方法。
【請求項１１】
ゲートバスライン又はソースバスラインの位置が検出されることを特徴とする請求項７乃至１０の何れか１項に記載のＴＦＴシートの製造方法。
【請求項１２】
ゲートバスライン又はソースバスラインが回転支持部材の回転方向に沿う様に支持体シートが前記支持部材に固定されることを特徴とする請求項１１に記載のＴＦＴシートの製造方法。
【請求項１３】
半導体層が有機半導体材料からなることを特徴とする請求項７乃至１２の何れか１項に記載のＴＦＴシートの製造方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３の何れか１項に記載の製造方法で製造されることを特徴とするＴＦＴシート。
【請求項１５】
樹脂からなる支持体シートを用いることを特徴とする請求項１４に記載のＴＦＴシート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＴＦＴシートの製造方法及びそれにより製造されたＴＦＴシートに関する。
【背景技術】
【０００２】
情報端末の普及に伴い、コンピュータ用のディスプレイとしてフラットパネルディスプレイに対するニーズが高まっている。また、更に情報化の進展に伴い、従来紙媒体で提供されていた情報が電子化されて提供される機会が増え、薄くて軽い、手軽に持ち運びが可能なモバイル用表示媒体として、電子ペーパーあるいはデジタルペーパーへのニーズも高まりつつある。
【０００３】
一般に平板型のディスプレイ装置においては液晶、有機ＥＬ、電気泳動などを利用した素子を用いて表示媒体を形成している。また、こうした表示媒体では画面輝度の均一性や画面書き換え速度などを確保するために、画像駆動素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により構成されたアクティブ駆動素子を用いる技術が主流になっている。
【０００４】
ここでＴＦＴ素子は、通常、ガラス基板上に主にａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）、ｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）などの半導体薄膜や、ソース、ドレイン、ゲート電極などの金属薄膜を基板上に順次形成していくことで製造される。このＴＦＴを用いるフラットパネルディスプレイの製造には通常、ＣＶＤ、スパッタリングなどの真空系設備や高温処理工程を要する薄膜形成工程に加え、精度の高いフォトリソグラフ工程が必要とされ、設備コスト、ランニングコストの負荷が非常に大きい。更に近年のディスプレイの大画面化のニーズに伴い、それらのコストは非常に膨大なものとなっている。
【０００５】
近年、従来のＴＦＴ素子のデメリットを補う技術として、有機半導体材料を用いた有機ＴＦＴ素子の研究開発が盛んに進められている（特許文献１、非特許文献１等参照）。この有機ＴＦＴ素子は低温プロセスで製造可能であるため、軽く、割れにくい樹脂基板を用いることができ、更に樹脂フィルムを支持体として用いたフレキシブルなディスプレイが実現できると言われている（非特許文献２参照）。また、大気圧下で印刷や塗布などのウェットプロセスで製造できる有機半導体材料を用いることで、生産性に優れ、非常に低コストのディスプレイの実現が期待できる。
【０００６】
また特許文献２及び特許文献３には、インクジェットを用いた有機ＴＦＴ素子の製造方法が提案されている。
【特許文献１】特開平１０−１９０００１号公報
【特許文献２】米国特許第６０８７１９６号明細書
【特許文献３】国際公開第０１／４６９８７号パンフレット
【非特許文献１】Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌ誌  ２００２年  第２号  ９９頁（レビュー）
【非特許文献２】ＳＩＤ‘０２  Ｄｉｇｅｓｔ  ｐ５７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、有機ＴＦＴ素子の製造においても、素子を構成する各エレメントの配列の精度を得るには、やはり精度の高いフォトリソグラフ工程が必要とされ、また支持体に樹脂フィルムを用いると、その伸縮により、ガラスを支持体に用いたＴＦＴ素子に比べて寸法精度や位置精度が大幅に低下するといった問題がある。
【０００８】
即ち上記特許文献２及び３の技術ではＴＦＴの各エレメントの位置精度に問題があり、多数の画素単位や対応するバスラインをＴＦＴシート上に精度よく形成することができない。したがって、ＴＦＴ素子間の性能ばらつきも大きくなってしまう問題がある。また位置精度を向上させるためには、パターニング速度を低下しなくてはならず、効率的な製造ができないので、大幅にコストが高くなってしまう。特に樹脂フィルムを支持体に用いた場合は、これらの問題が顕著である。
【０００９】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、複数のＴＦＴ素子がゲートバスライン及びソースバスラインを介して連結配列されたＴＦＴシートの簡易で効率的な製造方法を提供し、それにより寸法精度、位置精度が向上し、且つ個々のＴＦＴ間の性能のバラツキが抑えられたＴＦＴシートを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の目的は、
１）  支持体シート上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層からなるチャネルで連結されたソース電極及びドレイン電極をエレメントとして有する複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子が、ゲートバスライン及びソースバスラインを介して連結されたＴＦＴシートを製造するに当たり、シート上に形成されたゲートバスライン又はソースバスラインの位置を検出し、その位置情報に基づいて前記エレメントの配列位置と形状の情報を出力し、該配列位置に各エレメントを形成するＴＦＴシートの製造方法、
２）  支持体シート上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層からなるチャネルで連結されたソース電極及びドレイン電極、更に画素電極をエレメントとしてこの順に有する複数の薄膜トランジスタ素子が、ゲートバスライン及びソースバスラインを介して連結されたＴＦＴシートを製造するに当たり、シート上に形成されたゲートバスラインの位置を検出し、その位置情報を基に半導体層、ソースバスライン、ソース電極、ドレイン電極、画素電極から選ばれる少なくとも一つのエレメントの位置と形状の情報を出力し、当該位置と形状の情報に基づいて各エレメントを形成するＴＦＴシートの製造方法（第１の実施形態）、
３）  ソースバスライン、ソース電極、ドレイン電極、画素電極の少なくとも一つの形成がインクジェット法又はレーザー照射にて行われる２）のＴＦＴシートの製造方法、
４）  半導体層が有機半導体材料からなる１）〜３）の何れかのＴＦＴシートの製造方法、
５）  半導体層がインクジェット法にて形成される１）〜４）の何れかのＴＦＴシートの製造方法、
６）  搬送されるシート上のゲートバスライン又はソースバスラインの位置が検出される１）〜５）の何れかのＴＦＴシートの製造方法、
７）  支持体シート上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層からなるチャネルで連結されたソース電極及びドレイン電極をエレメントとして有する複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子が、ゲートバスライン及びソースバスラインを介して連結されたＴＦＴシートを製造するに当たり、前記エレメントから選ばれる少なくとも１種が予め形成された支持体シートを回転支持部材上に固定した後、該形成されたエレメントの位置を検出し、その位置情報に基づいて、追加形成する他のエレメントの少なくとも１種の配列位置と形状の情報を出力し、回転支持部材を回転させながら前記配列位置に当該他のエレメントを追加形成するＴＦＴシートの製造方法（第３の実施形態）、
８）  前記予め形成されるエレメントがゲート電極及び／又はゲートバスラインである７）のＴＦＴシートの製造方法、
９）  前記予め形成されるエレメントがソース電極、ソースバスライン及びドレイン電極から選ばれる少なくとも１種である７）のＴＦＴシートの製造方法、
１０）  追加形成する他のエレメントの形成がインクジェット法又はレーザー照射にて行われる７）〜９）の何れかのＴＦＴシートの製造方法、
１１）  ゲートバスライン又はソースバスラインの位置が検出される７）〜１０）の何れかのＴＦＴシートの製造方法、
１２）  ゲートバスライン又はソースバスラインが回転支持部材の回転方向に沿う様に支持体シートが前記支持部材に固定される１１）のＴＦＴシートの製造方法、
１３）  半導体層が有機半導体材料からなる７）〜１２）の何れかのＴＦＴシートの製造方法、
１４）  １）〜１３）の何れかの製造方法で製造されるＴＦＴシート、
１５）  樹脂からなる支持体シートを用いる１４）のＴＦＴシート、
により達成される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ＴＦＴシートを簡易且つ効率的に製造でき、それにより寸法精度、位置精度が向上し、且つ個々のＴＦＴ間の性能のバラツキが抑えられたＴＦＴシートを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下本発明の実施形態について述べるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１３】
本発明のＴＦＴシートの製造方法は、シート上に形成されたゲートバスライン又はソースバスラインの位置を検出し、その位置情報に基づいてＴＦＴを構成するエレメントの配列位置と形状の情報を出力し、該配列位置に各エレメントを形成することを特徴とする（第１及び第２の実施形態）。
【００１４】
また本発明のＴＦＴシートの製造方法は、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層からなるチャネルで連結されたソース電極及びドレイン電極から選ばれる少なくとも１種が予め形成された支持体シートを回転ドラムやエンドレスベルトといった回転支持部材上に固定した後、該形成されたエレメントの位置を検出し、その位置情報に基づいて、追加形成する他のエレメントの少なくとも１種の配列位置と形状の情報を出力し、回転支持部材を回転させながら前記配列位置に当該他のエレメントを追加形成することを特徴とする（第３の実施形態）。
【００１５】
本発明に係るＴＦＴシートは、支持体シート上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層からなるチャネルで連結されたソース電極及びドレイン電極をエレメントとして有する複数の薄膜トランジスタ素子が、ゲートバスライン及びソースバスラインを介して連結されて形成されたものである。
【００１６】
そして薄膜トランジスタ素子は、支持体上に半導体層に接したソース電極とドレイン電極を有し、その上にゲート絶縁層を介してゲート電極を有するトップゲート型と、支持体上にまずゲート電極を有し、ゲート絶縁層を介して半導体層で連結されたソース電極とドレイン電極を有するボトムゲート型に大別される。
【００１７】
本発明の第１及び第２の実施形態の製造方法においては、ＴＦＴ素子がトップゲート型の時はソースバスラインの、ボトムゲート型の時はゲートバスラインの位置情報をそれぞれ検出することとなり、特にボトムゲート型のＴＦＴ素子を有するシートにおいて、更に画素電極をエレメントとし、ゲートバスラインの位置を検出し、その位置情報を基に半導体層、ソースバスライン、ソース電極、ドレイン電極、画素電極から選ばれる少なくとも一つのエレメントの位置と形状の情報を出力し、当該位置と形状の情報に基づいて各エレメントを形成することが好ましい。
【００１８】
本発明の第３の実施形態の製造方法においては、ＴＦＴ素子がトップゲート型の時は予め形成されるエレメントがソース電極、ソースバスライン、ドレイン電極の少なくとも１つ、ボトムゲート型の時は予め形成されるエレメントがゲート電極及びゲートバスラインの少なくとも１つであり、これらの何れかの位置情報をそれぞれ検出する。ボトムゲート型のＴＦＴ素子を有するシートにおいては、更に画素電極をエレメントとし、検出した前記エレメントの位置情報を基に半導体層、ソースバスライン、ソース電極、ドレイン電極、画素電極から選ばれる少なくとも一つの位置と形状の情報を出力し、当該位置と形状の情報に基づいて各エレメントを追加形成するのが好ましい。トップゲート型のＴＦＴ素子を有するシートにおいては、検出した前記エレメントの位置情報を基に半導体層、ゲート電極、ゲートバスラインから選ばれる少なくとも一つの位置と形状の情報を出力し、当該位置と形状の情報に基づいて各エレメントを追加形成するのが好ましい。
【００１９】
図１はボトムゲート型のＴＦＴ素子を有するシートの配置の１例であり、ＴＦＴ素子としてはアディショナルキャパシタタイプで、支持体上にまずゲート電極２を有し、ゲート絶縁層を介して半導体層４からなるチャネルで連結されたソース電極６及びドレイン電極５を有し、支持体シート上にそれらがゲートバスライン１２及びソースバスライン１３を介して連結されている。２２は画素電極、２３はアディショナルキャパシタである。なお図２はストレージキャパシタタイプの有機ＴＦＴを配置したシートの例で、２４がストレージキャパシタである。
【００２０】
図３は、ＴＦＴ素子が複数配置されるシートの１例の概略等価回路図である。
【００２１】
ＴＦＴシート１１はマトリクス配置された多数のＴＦＴ素子１４を有する。１２は各ＴＦＴ素子１４のゲート電極のゲートバスラインであり、１３は各ＴＦＴ素子１４のソース電極のソースバスラインである。各ＴＦＴ素子１４のソース電極には、出力素子１６が接続され、この出力素子１６は例えば液晶、電気泳動素子等であり、表示装置における画素を構成する。図示の例では、出力素子１６として液晶が、抵抗とコンデンサからなる等価回路で示されている。１５は蓄積コンデンサ、１７は垂直駆動回路、１８は水平駆動回路である。
【００２２】
チャネルを構成する半導体材料としては、ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉ、有機半導体材料等公知のものが用いられ、好ましくは有機半導体材料で、π共役系材料が用いられ、例えばポリピロール、ポリ（Ｎ−置換ピロール）、ポリ（３−置換ピロール）、ポリ（３，４−二置換ピロール）などのポリピロール類、ポリチオフェン、ポリ（３−置換チオフェン）、ポリ（３，４−二置換チオフェン）、ポリベンゾチオフェンなどのポリチオフェン類、ポリイソチアナフテンなどのポリイソチアナフテン類、ポリチェニレンビニレンなどのポリチェニレンビニレン類、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）などのポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類、ポリアニリン、ポリ（Ｎ−置換アニリン）、ポリ（３−置換アニリン）、ポリ（２，３−置換アニリン）などのポリアニリン類、ポリアセチレンなどのポリアセチレン類、ポリジアセチレンなどのポリジアセチレン類、ポリアズレンなどのポリアズレン類、ポリピレンなどのポリピレン類、ポリカルバゾール、ポリ（Ｎ−置換カルバゾール）などのポリカルバゾール類、ポリセレノフェンなどのポリセレノフェン類、ポリフラン、ポリベンゾフランなどのポリフラン類、ポリ（ｐ−フェニレン）などのポリ（ｐ−フェニレン）類、ポリインドールなどのポリインドール類、ポリピリダジンなどのポリピリダジン類、ナフタセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ピレン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセンなどのポリアセン類およびポリアセン類の炭素の一部をＮ、Ｓ、Ｏなどの原子、カルボニル基などの官能基に置換した誘導体（トリフェノジオキサジン、トリフェノジチアジン、ヘキサセン−６，１５−キノンなど）、ポリビニルカルバゾール、ポリフエニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィドなどのポリマーや特開平１１−１９５７９０に記載された多環縮合体などを用いることができる。
【００２３】
また、これらのポリマーと同じ繰返し単位を有するたとえばチオフェン６量体であるα−セクシチオフェンα，ω−ジヘキシル−α−セクシチオフェン、α，ω−ジヘキシル−α−キンケチオフェン、α，ω−ビス（３−ブトキシプロピル）−α−セクシチオフェン、スチリルベンゼン誘導体などのオリゴマーも好適に用いることができる。
【００２４】
さらに銅フタロシアニンや特開平１１−２５１６０１に記載のフッ素置換銅フタロシアニンなどの金属フタロシアニン類、ナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−トリフルオロメチルベンジル）ナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミドとともに、Ｎ，Ｎ’−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチル）、Ｎ，Ｎ’−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル）及びＮ，Ｎ’−ジオクチルナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド誘導体、ナフタレン２，３，６，７テトラカルボン酸ジイミドなどのナフタレンテトラカルボン酸ジイミド類、及びアントラセン２，３，６，７−テトラカルボン酸ジイミドなどのアントラセンテトラカルボン酸ジイミド類などの縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、Ｃ60、Ｃ70、Ｃ76、Ｃ78、Ｃ84等フラーレン類、ＳＷＮＴなどのカーボンナノチューブ、メロシアニン色素類、ヘミシアニン色素類などの色素などがあげられる。
【００２５】
これらのπ共役系材料のうちでも、チオフェン、ビニレン、チェニレンビニレン、フェニレンビニレン、ｐ−フェニレン、これらの置換体またはこれらの２種以上を繰返し単位とし、かつ該繰返し単位の数ｎが４〜１０であるオリゴマーもしくは該繰返し単位の数ｎが２０以上であるポリマー、ペンタセンなどの縮合多環芳香族化合物、フラーレン類、縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、金属フタロシアニンよりなる群から選ばれた少なくとも１種が好ましい。
【００２６】
また、その他の有機半導体材料としては、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレン（ＢＥＤＴＴＴＦ）−過塩素酸錯体、ＢＥＤＴＴＴＦ−ヨウ素錯体、ＴＣＮＱ−ヨウ素錯体、などの有機分子錯体も用いることができる。さらにポリシラン、ポリゲルマンなどのσ共役系ポリマーや特開２０００−２６０９９９に記載の有機・無機混成材料も用いることができる。
【００２７】
本発明においては、有機半導体層に、たとえば、アクリル酸、アセトアミド、ジメチルアミノ基、シアノ基、カルボキシル基、ニトロ基などの官能基を有する材料や、ベンゾキノン誘導体、テトラシアノエチレンおよびテトラシアノキノジメタンやそれらの誘導体などのように電子を受容するアクセプターとなる材料や、たとえばアミノ基、トリフェニル基、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、フェニル基などの官能基を有する材料、フェニレンジアミンなどの置換アミン類、アントラセン、ベンゾアントラセン、置換ベンゾアントラセン類、ピレン、置換ピレン、カルバゾールおよびその誘導体、テトラチアフルバレンとその誘導体などのように電子の供与体であるドナーとなるような材料を含有させ、いわゆるドーピング処理を施してもよい。
【００２８】
前記ドーピングとは電子授与性分子（アクセプター）または電子供与性分子（ドナー）をドーパントとして該薄膜に導入することを意味する。従って，ドーピングが施された薄膜は、前記の縮合多環芳香族化合物とドーパントを含有する薄膜である。本発明に用いるドーパントとしては公知のものを採用することができる。
【００２９】
これら有機薄膜の作製法としては、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、プラズマ重合法、電解重合法、化学重合法、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、デイップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法およびＬＢ法等が挙げられ、材料に応じて使用できる。ただし、この中で生産性の点で、有機半導体の溶液を用いて簡単かつ精密に薄膜が形成できるスピンコート法、ブレードコート法、デイップコート法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法等が好まれる。
【００３０】
なおＡｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌ誌  １９９９年  第６号、ｐ４８０〜４８３に記載の様に、ペンタセン等前駆体が溶媒に可溶であるものは、塗布により形成した前駆体の膜を熱処理して目的とする有機材料の薄膜を形成しても良い。
【００３１】
本発明の製造方法においては、検出したソースバスライン又はゲートバスライン、或いは予め形成されたエレメントの位置情報に基づいて、位置と形状の情報を出力し、その情報に基づいて半導体層を形成する場合、ＴＦＴシート製造プロセスを制御するコンピュータを介して又は直接に、インクジェットプリンタのドライバに当該位置と形状の情報を画像データとして出力し、インクジェット法によって半導体層を形成することが、位置及び形状の制御のし易さから有利である。
【００３２】
半導体層の膜厚としては、特に制限はないが、一般に１μｍ以下、特に１０〜３００ｎｍが好ましい。
【００３３】
本発明において、ドレイン電極５、ソースバスライン１３、ソース電極６、ゲート電極２、ゲートバスライン１２及び画素電極２２を形成する材料は導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペーストおよびカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等が用いられるが、特に、白金、金、銀、銅、アルミニウム、インジウム、ＩＴＯおよび炭素が好ましい。あるいはドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体なども好適に用いられる。中でも半導体層との接触面において電気抵抗が少ないものが好ましい。
【００３４】
電極の形成方法としては、上記を原料として蒸着やスパッタリング等の方法を用いて形成した導電性薄膜を、公知のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いて電極形成する方法、アルミニウムや銅などの金属箔上に熱転写、インクジェット等によるレジストを用いてエッチングする方法がある。また導電性ポリマーの溶液あるいは分散液、導電性微粒子分散液を直接インクジェットによりパターニングしてもよいし、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーションなどにより形成してもよい。さらに導電性ポリマーや導電性微粒子を含むインク、導電性ペーストなどを凸版、凹版、平版、スクリーン印刷などの印刷法でパターニングする方法も用いることができる。
【００３５】
このような金属微粒子分散液の製造方法として、ガス中蒸発法、スパッタリング法、金属蒸気合成法などの物理的生成法や、コロイド法、共沈法などの、液相で金属イオンを還元して金属微粒子を生成する化学的生成法が挙げられるが、好ましくは、特開平１１−７６８００号、同１１−８０６４７号、同１１−３１９５３８号、特開２０００−２３９８５３等に示されたコロイド法、特開２００１−２５４１８５、同２００１−５３０２８、同２００１−３５２５５、同２０００−１２４１５７、同２０００−１２３６３４などに記載されたガス中蒸発法により製造された金属微粒子分散液である。これらの金属微粒子分散液を、下記に示す方法により層を成形した後、溶媒を乾燥させ、さらに１００〜３００℃、好ましくは１５０〜２００℃の範囲で熱処理することにより、金属微粒子を熱融着させることで電極形成する。
【００３６】
本発明の製造方法においては、ＴＦＴ素子がボトムゲート型で、ゲートバスラインの位置を検出し（第１の実施形態）、又はゲート電極やゲートバスラインの位置を検出し（第２の実施形態）、その位置情報を基にソースバスライン、ソース電極、ドレイン電極、画素電極等の各エレメントを形成する場合、ソースバスライン、ソース電極、ドレイン電極、画素電極の形成はインクジェット法又はレーザー照射によることが、位置や形状の制御のし易さから好ましい。トップゲート型でソースバスラインの位置（第１の実施形態）或いはソース電極、ソースバスライン、ドレイン電極の位置（第２の実施形態）を検出する場合も、電極の形成については同様である。第３の実施形態においても同様であることは言うまでもない。
【００３７】
レーザー照射による場合も同様に、例えばＴＦＴ素子がボトムゲート型の場合、ソースバスライン、ソース電極、ドレイン電極、画素電極から選ばれる少なくとも１つの出力した位置と形状（電極パターンとも言う。）の情報を、ＴＦＴシート製造プロセスを制御するコンピュータを介して又は直接に、レーザー露光装置のドライバに画像データとして出力し、レーザー露光装置を駆動する。
【００３８】
レーザー照射による電極形成にはアブレーション層を用い、アブレーション層は、エネルギー光吸収剤、バインダー樹脂および必要に応じて添加される各種添加剤から構成することができる。
【００３９】
エネルギー光吸収剤は、照射するエネルギー光を吸収する各種の有機および無機材料が使用可能であり、たとえばレーザー光源を赤外線レーザーとした場合、赤外線を吸収する顔料、色素、金属、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属ホウ化物、グラファイト、カーボンブラック、チタンブラック、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ等を主成分とするメタル磁性粉末等の強磁性金属粉末などを用いることができ、中でも、カーボンブラック、シアニン系などの色素、Ｆｅ系強磁性金属粉末が好ましい。エネルギー光吸収剤の含有量は、アブレーション層形成成分の３０〜９５質量％程度、好ましくは４０〜８０質量％である。
【００４０】
アブレーション層のバインダー樹脂は、前記色材微粒子を十分に保持できるものであれば、特に制限無く用いることができ、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、ポリビニルアセタール系樹脂、セルロース系樹脂、アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリアミド系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂などを挙げることができる。バインダー樹脂の含有量は、アブレーション層形成成分５〜７０質量％程度、好ましくは２０〜６０質量％である。
【００４１】
なおアブレーション層とは、高密度エネルギー光の照射によりアブレートする層を指し、ここで言うアブレートとは、物理的或いは化学的変化によりアブレーション層が完全に飛散する、一部が破壊される或いは飛散する、隣接する層との界面近傍のみに物理的或いは化学的変化が起こるという現象を含む。このアブレートを利用してレジスト像を形成し、電極を形成させる。
【００４２】
高密度エネルギー光は、アブレートを発生させる活性光であれば特に制限はなく用いることができる。露光方法としては、キセノンランプ、ハロゲンランプ、水銀ランプなどによるフラッシュ露光を、フォトマスクを介して行ってもよいし、レーザー光等を収束させ走査露光を行っても良い。レーザー１ビーム当たりの出力は２０〜２００ｍＷである赤外線レーザー、特に半導体レーザーが最も好ましく用いられる。エネルギー密度としては、好ましくは５０〜５００ｍＪ／ｃｍ2、更に好ましくは１００〜３００ｍＪ／ｃｍ2である。
【００４３】
ゲート絶縁層としては種々の絶縁膜を用いることができるが、特に、比誘電率の高い無機酸化物皮膜が好ましい。無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどが挙げられる。それらのうち好ましいのは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンである。窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の無機窒化物も好適に用いることができる。
【００４４】
上記皮膜の形成方法としては、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法などのドライプロセスや、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、デイップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法などの塗布による方法、印刷やインクジェットなどのパターニングによる方法などのウェットプロセスが挙げられ、材料に応じて使用できる。
【００４５】
ウェットプロセスは、無機酸化物の微粒子を、任意の有機溶剤あるいは水に必要に応じて界面活性剤などの分散補助剤を用いて分散した液を塗布、乾燥する方法や、酸化物前駆体、例えばアルコキシド体の溶液を塗布、乾燥する、いわゆるゾルゲル法が用いられる。
【００４６】
これらのうち好ましいのは、大気圧プラズマ法である。
【００４７】
大気圧下でのプラズマ製膜処理による絶縁膜の形成方法は、大気圧または大気圧近傍の圧力下で放電し、反応性ガスをプラズマ励起し、基材上に薄膜を形成する処理で、その方法については特開平１１−６１４０６、同１１−１３３２０５、特開２０００−１２１８０４、同２０００−１４７２０９、同２０００−１８５３６２等に記載されている（以下、大気圧プラズマ法とも称する）。これによって高機能性の薄膜を、生産性高く形成することができる。
【００４８】
ゲート絶縁層が陽極酸化膜又は該陽極酸化膜と絶縁膜とで構成されることも好ましい。陽極酸化膜は封孔処理されることが望ましい。陽極酸化膜は、陽極酸化が可能な金属を公知の方法により陽極酸化することにより形成される。
【００４９】
陽極酸化処理可能な金属としては、アルミニウム又はタンタルを挙げることができ、陽極酸化処理の方法には特に制限はなく、公知の方法を用いることができる。陽極酸化処理を行なうことにより、酸化被膜が形成される。陽極酸化処理に用いられる電解液としては、多孔質酸化皮膜を形成することができるものならばいかなるものでも使用でき、一般には、硫酸、燐酸、蓚酸、クロム酸、ホウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸等あるいはこれらを２種類以上組み合わせた混酸あるいそれらの塩が用いられる。陽極酸化の処理条件は使用する電解液により種々変化するので一概に特定し得ないが、一般的には、電解液の濃度が１〜８０質量％、電解液の温度５〜７０℃、電流密度０．５〜６０Ａ／ｄｍ2、電圧１〜１００ボルト、電解時間１０秒〜５分の範囲が適当である。好ましい陽極酸化処理は、電解液として硫酸、リン酸又はホウ酸の水溶液を用い、直流電流で処理する方法であるが、交流電流を用いることもできる。これらの酸の濃度は５〜４５質量％であることが好ましく、電解液の温度２０〜５０℃、電流密度０．５〜２０Ａ／ｄｍ2で２０〜２５０秒間電解処理するのが好ましい。
【００５０】
また有機化合物皮膜としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、およびシアノエチルプルラン等を用いることもできる。
【００５１】
有機化合物皮膜の形成法としては、前記ウェットプロセスが好ましい。
【００５２】
無機酸化物皮膜と有機酸化物皮膜は積層して併用することができる。またこれら絶縁膜の膜厚としては、一般に５０ｎｍ〜３μｍ、好ましくは、１００ｎｍ〜１μｍである。
【００５３】
ゲート絶縁層３と半導体チャネル４の間に、任意の配向処理を施してもよい。シランカップリング剤、たとえばオクタデシルトリクロロシラン、トリクロロメチルシラザンや、アルカン燐酸、アルカンスルホン酸、アルカンカルボン酸などの自己組織化配向膜が好適に用いられる。
【００５４】
本発明において支持体は樹脂からなることが好ましく、例えばプラスチックフィルムシートを用いることができる。前記プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。このように、プラスチックフィルムを用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができ、可搬性を高めることができるとともに、衝撃に対する耐性を向上できる。
【００５５】
図４にボトムゲート型のＴＦＴ素子での１画素のゲートバスライン１２、ソースバスライン１３、画素電極２２と半導体層４の配置の例を示す。
【００５６】
図４（ａ）は画素電極２２に突出部（ソース電極６）を設け、ゲートバスライン１２上でソースバスライン１３とソース電極６が連結される様に半導体層４を設けたものである。図４（ｂ）はソースバスライン１３に突出部（ドレイン電極５）を設け、ゲートバスライン１２上で画素電極２２とドレイン電極５が連結されるように半導体層４を設けたものである。（ｃ）はゲートバスライン１２に突出部（ゲート電極２）を設け、ゲート電極２上でソースバスライン１３と画素電極２２が連結されるように半導体層４を設けたものである。（ｄ）はソースバスライン１３の突出部（ドレイン電極５）に更に複数の突出部を設け、また画素電極２２にやはり複数の突出部を設け、ゲートバスライン１３上で連結される様に半導体層４を設けたものである。
【００５７】
例えば、ゲートバスラインの位置を検出してその位置情報に基づいてソースバスライン及び画素電極、半導体層をそれぞれインクジェット法にて形成する場合、ゲートバスラインと対応付けられた図４に示す様な配列位置と形状を画像情報としてインクジェットプリンタのドライバのメモリに記憶させても良いし、ＴＦＴシート作製プロセス全体を制御するコンピュータのメモリに記憶させても良い。ソースバスライン及び画素電極をレーザー照射によって形成する場合は、同様にレーザー走査露光装置のドライバのメモリに画像情報として記憶させても良いし、ＴＦＴシート作製プロセス全体を制御するコンピュータのメモリに記憶させても良い。
【００５８】
この実施形態においては、ゲートバスラインの位置の検出は、図５に示す様な発光素子２０と受光素子２１を組み合わせた光センサを用いる。検出は反射光で行っても（図５（ａ））、透過光で行っても（図５（ｂ））よい。
【００５９】
なお図５は、ソースバスライン、画素電極をレーザー照射で形成する場合の検出をモデル的に示し、下引き層８を有する支持体１上に形成されたゲートバスライン１２は陽極酸化被膜９を有し、ゲート絶縁層３で被覆され、その上にアブレーション層及び電極材料の金属微粒子が分散された層が形成された状態で、ゲートバスラインの位置が検知される。
【００６０】
第１の及び第２の実施形態におけるゲートバスライン又はソースバスラインの検出は、位置検出センサを走査してもよいが、センサを固定して支持体シートを搬送して行うのが好ましい。また位置検出センサに対する支持体シートの搬送方向は任意でよいが、バスラインの移動方向に対して直交する方向が好ましい。
【００６１】
図６を基に、第１の実施形態における、樹脂シート上にゲートバスライン（ゲート電極）を平行に形成し、ゲートバスラインの位置を検出する方法を説明する。
【００６２】
ゲートバスラインに対する搬送方向としては、図６（ａ）に示す方向でも、図６（ｂ）に示す方向でも良いが、検出のしやすさから図６（ａ）に示すゲートバスラインに直交する方向が好ましい。この場合、例えば図６（ｃ）に示すようなライン状の光センサＳでゲートバスラインを検出する。光センサの数及び配置が任意であることは言うまでもない。
【００６３】
なお、搬送方向のゆらぎを検出するセンサーＳ’を設置して、ゲート電極以外のソース電極、ドレイン電極等の位置精度をより高めることも可能である。
【００６４】
更に図６（ｄ）に示す様に、搬送方向（ゲートバスラインと直交する方向）ｘに目印となるラインＬ、Ｌ’・・・を入れて、ゲートバスライン方向ｙ側のゲートバスライン形成領域のズレを検知し、ＴＦＴ素子を構成するエレメント形成の出力位置を補正しても良い。なおラインヘッドを有するインクジェットプリンタで、シート搬送方向を副走査方向としてエレメント形成を行えば、ｙ方向のズレはあまり問題にする必要がないことから、好ましい。
【００６５】
なお、ゲートバスラインの位置情報を検出した後、画素の出力の位置は任意である。例えば、検知したゲートバスラインに対応する画素を出力してもよいし、検知したゲートバスラインの次あるいは複数個先のゲートバスラインに対応する画素を出力してもよい。
【００６６】
図１０は、第３の実施形態における、予め形成されたエレメントの位置を検知する機構をモデル的に示すものである。
【００６７】
図において位置検出センサ３１は、支持体シート１の搬送方向（ドラム回転方向）ｙの下流側に有るインクジェットプリンタやレーザ露光装置といったエレメントの追加形成手段３２に先行して、回転ドラム３０に隣接して図のｘ方向で移動し、ドラム上に固定された支持体シート１上の予め形成されたエレメントの位置を検出する。検出に当たっては支持体シート全面のエレメントを検出しても、部分的にサンプリングして検出してもよい。位置検出センサは複数設けてもよいし、複数の検出センサを並べたライン状ヘッドを用いてもよい。また、図５（ａ）に示すような光センサを用いて、電極またはバスラインの反射を検出するのが好ましい。なお回転ドラム３０中に検出センサを埋め込んでいてもよい。
【００６８】
支持体シートの固定方法としては、シートの端部をクランプ機構により抑えたり、ドラムへ吸引密着させるたりするなど、任意の方法を用いることができる。
【００６９】
なお、エレメントの追加形成手段３２として、インクジェットプリンタのヘッドのノズルや、レーザー露光装置のビームヘッドはマルチ化されていることが好ましい。また、これらのヘッド３２１を連結して、図１１（ａ）に示すようにインライン状に並べることで、パターニング時間を低減し、かつ出力位置精度を向上させることができる。更に、図１１（ｂ）の様にヘッドを傾けることで、出力の解像度を高めることができる。
【００７０】
図７に本発明のＴＦＴシートの製造方法に係る装置構成の１例をモデル的に示す。
【００７１】
第１の実施形態として、ゲートバスラインが形成された支持体シートが搬送され、位置検知手段Ｓがゲートバスラインｇ１、ｇ２・・・・ｇＮの位置を検出し、その位置情報をＴＦＴシート製造プロセス制御コンピュータ１００の中央演算装置（ＣＰＵ）１０１に出力する。コンピュータ１００は予めＲＯＭ１０２に、製造ロットに対応したＴＦＴ素子のエレメントの配置のデータと位置と形状を出力するための演算プログラムをメモリとして有し、位置検知手段Ｓから出力されたバスライン位置情報に基づいて、ＲＯＭ１０２から演算プログラムを読み出し、ＲＯＭ１０２の配置データを参照しつつＴＦＴシートに形成する個々のＴＦＴ素子のエレメントの配列を演算して、その位置と形状のデータ（情報）を、製造ロットと対応付けてＲＡＭ１０３に書き込む。
【００７２】
例えば樹脂シートの伸縮やバスライン製造法に起因してゲートバスラインｇ１、ｇ２・・・・ｇＮの各間隔に多少のバラツキが有ったり、ラインに多少の揺らぎが有ったりしても、バスライン位置を検出してそれを基に他のエレメントの位置と形状データを作成するので、確実に全てのＴＦＴ素子が、ゲートバスライン及びソースバスラインを介して連結される。
【００７３】
位置と形状の情報を出力したエレメントの形成をインクジェット法やレーザー照射法によって形成する場合、ＣＰＵ１０１はＲＡＭ１０３から製造ロットと対応付けた位置と形状の情報を読み出し、図示しないインターフェイス（Ｉ／Ｆ）を介して、インクジェットプリンタ１１１のドライバ１１０又はレーザー露光装置１２１のドライバ１２０に画像データとして出力する。これらのエレメントの形成はオンラインでもオフラインでも良い。
【００７４】
第３の実施形態では、例えばゲートバスラインが予め形成された支持体シートを回転ドラムの様な回転支持部材上に固定した後、ゲートバスラインの位置を検出し、その位置情報に基づいて、追加形成する他のエレメントの少なくとも１種の配列位置と形状の情報を出力し、回転支持部材を回転させながら前記配列位置に当該他のエレメントを追加形成することになるが、装置構成とその動作については上記と同様である。
【００７５】
引き続く工程でのソースバスライン、ソース電極又は画素電極の形成法は任意であり、通常の金属薄膜形成およびフォトリソグラフによるエッチングを用いた方法を用いてもよいし、スクリーン印刷により、電極材料をパターニングしてもよい。その場合ＣＰＵ１０１はＲＡＭ１０３から読み出した製造ロットと対応付けた位置と形状の情報をマスク形成手段１３０に出力する。
【００７６】
図８に本発明の第１の及び第２の実施形態に係る、ゲートバスライン又はソースバスラインの位置を検出し、その位置情報に基づいてＴＦＴ素子を構成するエレメントの配列位置と形状の情報を出力する動作の１例のフローチャートを示す。
【００７７】
ＣＰＵ１０１から位置検知手段Ｓにバスライン位置検知指令が発せられて処理がスタートする。
【００７８】
バスラインが形成されたシートの搬送が開始され（ステップＳ１）、ＣＰＵ１０１が有するクロック手段がカウントを開始する（ステップＳ２）。位置検知手段Ｓ（又は位置検出センサ３１）は複数個の光センサｓ１、ｓ２・・・ｓｎからなり、各光センサがバスラインを検知する毎に信号をＣＰＵ１０１に送信する（ステップＳ３）。ＣＰＵ１０１はクロックのカウントと光センサからの信号を対応付けて各バスラインの位置と揺らぎの状況を例えばｘ−ｙ座標上にプロットする、例えば図６に示す様な画像データとして演算する（ステップＳ４）。
【００７９】
全てのバスラインの位置の検知が終了したら（ステップＳ５でＹＥＳ）、クロック手段のカウントを終了し（ステップＳ６）、ＣＰＵ１０１はＲＯＭ１０２の配置データを参照しつつＴＦＴシートに形成する個々のＴＦＴ素子のエレメントの実配列を演算し（ステップＳ７）、その位置と形状のデータ（情報）を、製造ロットと対応付けてＲＡＭ１０３に書き込み（ステップＳ８）、引き続いてインクジェット法又はレーザー照射により何れかのエレメントを形成する工程を有するオンラインでの製造でなければ（ステップＳ９でＮＯ）、処理を終了する。
【００８０】
オンラインの製造の場合（ステップＳ９でＹＥＳ）、ＣＰＵ１０１はＲＡＭ１０３から製造ロットと対応付けた位置と形状の情報を読み出し（ステップＳ１０）、インターフェイスを介して、インクジェットプリンタ又はレーザー露光装置のドライバに画像データとして出力して（ステップＳ１１）、処理を終了する。
【００８１】
以上は、全てのバスラインの位置の検知が終了してから、ＴＦＴシートの全領域のＴＦＴ素子のエレメントの位置と形状の情報を出力するフローであるが、バスラインの検知と同期して位置と形状の情報を出力し、更にインクジェットプリンタ又はレーザー露光装置のドライバに画像データとしてオンタイムで出力するフローは図９の様になり、本発明の第３の実施形態の場合もこの様なフローとなる。なおこの場合は必ずしもＲＡＭ１０３に位置と形状の情報を記憶する必要は無い。またこの例は検知と同時に位置と形状の情報を出力するものであるが、何本目かのバスラインを検知してからでも良いし、何本か先からのバスライン上のエレメントの位置と情報で出力を開始しても良い。
【００８２】
バスラインが形成されたシートの搬送、又は回転ドラム３０の回転による当該シートの搬送が開始され（ステップＳ１０１）、ＣＰＵ１０１が有するクロック手段がカウントを開始する（ステップＳ１０２）。またＣＰＵ１０１はバスラインのカウントｎ＝ｉを０にリセットする（ステップＳ１０３）。
【００８３】
位置検知手段Ｓ（又は位置検知センサ３１）は同様に複数個の光センサｓ１、ｓ２・・・ｓｎからなり、各光センサがバスラインｂｉを検知したら信号をＣＰＵ１０１に送信する（ステップＳ１０４）。ＣＰＵ１０１はクロックのカウントと光センサからの信号を対応付けてバスラインｂｉの位置と揺らぎの状況を例えばｘ−ｙ座標上にプロットするデータとして演算する（ステップＳ１０５）。ＣＰＵ１０１はＲＯＭ１０２の配置データを参照しつつＴＦＴシートに形成するバスラインｂｉ上のＴＦＴ素子のエレメントの配列を演算し（ステップＳ１０６）、インターフェイスを介して、インクジェットプリンタ又はレーザー露光装置のドライバに画像データとして出力する（ステップＳ１０７）。
【００８４】
次いでＣＰＵ１０１はバスラインのカウントｎをｉ＋１とし（ステップＳ１０８）、全てのバスラインの検知が終わったか（ｉ＋１＝Ｎ？）をチェックし（ステップＳ１０９）、全てのバスラインの検知が終了するまでステップＳ１０４からステップＳ１０９を繰り返す。
【００８５】
全てのバスラインの検知が終了したら（ステップＳ１０９でＹＥＳ）、クロック手段のカウントを終了し（ステップＳ１１０）、処理を終了する。
【実施例】
【００８６】
実施例１
厚さ２００μｍのポリイミドフィルム上にスパッタ法で厚さ２００ｎｍのアルミニウムを製膜し、フォトリソ法により、ゲート電極およびゲートバスラインをパターン化した。さらにゲート絶縁層として厚さ２００ｎｍの酸化珪素被膜を、下記条件の大気圧プラズマ法にて形成した。なお、このときフィルムの温度は１８０℃とした。
【００８７】
（使用ガス）
不活性ガス：ヘリウム                        ９８．２５体積％
反応性ガス：酸素ガス                          １．５  体積％
反応性ガス：テトラエトキシシラン蒸気          ０．２５体積％
（ヘリウムガスにてバブリング）
（放電条件）
放電出力：１０Ｗ／ｃｍ2
前述の様な動作フローでゲート電極およびゲートバスラインの位置を検出し、その位置情報に基づいて、出力した各エレメントの配列位置と形状の情報を画像データとしてピエゾ方式のインクジェット法により以下の操作順でＴＦＴシートを形成した。
【００８８】
〈有機半導体層形成工程〉
次に、ゲート絶縁層の上に、下記化合物のクロロホルム溶液を、上記画像データに基づくインクジェット法で、チャネルを形成すべき領域に吐出し、窒素ガス中で、５０℃で３分乾燥し、２００℃で１０分の熱処理を行い、厚さ５０ｎｍのペンタセン薄膜である有機半導体層を形成した。
【００８９】
【化１】
2004295121.tif 000003
【００９０】
〈ソース電極およびドレイン電極の形成〉
有機半導体層の上にポリビニルアルコール（ＰＶＡ）水溶液をインクジェットで吐出し、乾燥させることで、ソース電極とドレイン電極を分断する絶縁性領域を形成した。
【００９１】
次いで、絶縁性領域の両端に、銀微粒子の分散液をインクジェットで吐出し、ソース電極、ドレイン電極を形成し、同時にソースバスライン及び画素電極を形成した。
【００９２】
作製したＴＦＴシートの各有機ＴＦＴ素子は、全てｐチャネルエンハンスメント型ＦＥＴの良好な動作特性を示した。
実施例２
実施例１における、ゲート電極、ゲートバスライン、ゲート絶縁膜が形成されたポリイミドフィルム上に、半導体層を形成した。
〈有機半導体層形成工程〉
良く精製した、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）のｒｅｇｉｏｒｅｇｕｌａｒ体（アルドリッチ社製）のクロロホルム溶液を調製し、Ｎ2ガスでバブリングすることで、溶液中の溶存酸素を除去し、Ｎ2ガス雰囲気中で前記ゲート絶縁膜の表面にアプリケーターを用いて塗布し、室温で乾燥させた後、Ｎ2ガス雰囲気中５０℃、３０分間の熱処理を施した。このときポリ（３−ヘキシルチオフェン）の膜厚は５０ｎｍであった。
〈ソース電極およびドレイン電極の形成〉
上記で得たフィルムを、図１０のドラム上にセットし、前述の様な動作フローでゲート電極およびゲートバスラインの位置を検出し、その位置情報に基づいて、出力した各エレメントの配列位置と形状の情報を画像データとして、ピエゾ方式のインクジェット法により、金微粒子の分散液をインクジェットで吐出しながら、円筒外面走査により、ソース電極、ドレイン電極を形成し、同時にソースバスライン及び画素電極を形成した。
【００９３】
作製したＴＦＴシートの各有機ＴＦＴ素子は、全てｐチャネルエンハンスメント型ＦＥＴの良好な動作特性を示した。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】アディショナルキャパシタタイプの有機ＴＦＴシートの配置の１例を示す図である。
【図２】ストレージキャパシタタイプの有機ＴＦＴを配置したシートの例である。
【図３】本発明のＴＦＴシートの１例の概略の等価回路図である。
【図４】ゲートバスライン、ソースバスライン、画素電極と半導体層の配置の例を示す図である。
【図５】ソースバスライン、画素電極をレーザー照射で形成する場合のゲートバスラインの検出をモデル的に示す図である。
【図６】搬送しながらのゲートバスラインの位置情報を検出する模式図である。
【図７】本発明のＴＦＴシートの製造方法に係る装置構成の１例をモデル的に示す図である。
【図８】本発明に係るＴＦＴ素子を構成するエレメントの配列位置と形状の情報を出力する動作の１例のフローチャートである。
【図９】本発明に係るＴＦＴ素子を構成するエレメントの配列位置と形状の情報を出力する動作の他の例のフローチャートである。
【図１０】第３の実施形態における、エレメントの位置を検知する機構をモデル的に示す図である。
【図１１】第３の実施形態における、エレメントの追加形成手段のヘッド構成の例を示す図である。
【符号の説明】
【００９５】
１  支持体
２  ゲート電極
３  ゲート絶縁層
４  半導体層
５  ドレイン電極
６  ソース電極
１１  ＴＦＴシート
１２  ゲートバスライン
１３  ソースバスライン
１４  ＴＦＴ素子
１５  蓄積コンデンサ
１６  出力素子
１７  垂直駆動回路
１８  水平駆動回路
２０  発光素子
２１  受光素子
２２  画素電極
２３  アディショナルキャパシタ
２４  ストレージキャパシタ
３０  回転ドラム
３１  位置検出センサ
３２  エレメントの追加形成手段
【図１】
2004295121.tif 000004
【図２】
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【図３】
2004295121.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2004295121.tif 000012
【図１０】
2004295121.tif 000013
【図１１】
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