(57)【要約】【課題】磁性層形成面へのオリゴマー析出物の転写を防止する。【解決手段】非磁性支持体１の一主面上に、磁性層２と保護層３とが形成されてなり、他の一主面上に、転写防止層４およびバック層６が形成された金属薄膜型の磁気記録媒体を製造する際、磁性層２と転写防止層４とを、同一の真空チャンバー内において、順次連続的に成膜する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性支持体の一主面上に、磁性層、および保護層が形成されてなり、他の一主面上に、転写防止層、およびバック層が形成された金属薄膜型の磁気記録媒体の製造方法であって、
上記磁性層と、上記転写防止層とを、同一の真空チャンバー内において、順次連続的に成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
上記転写防止層は、Ｃｕ、Ａｌからなる金属、またはこれらの複合金属を用いて、スパッタリング法により、膜厚５ｎｍ以上１００ｎｍ以下に形成することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、長尺状の非磁性支持体上に金属薄膜型の磁性層が形成されてなる磁気記録テープ媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、高密度磁気記録化に対応可能な磁気記録媒体としては、Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空薄膜形成技術によって、ポリエステルフィルムやポリアミド、ポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に、直接被着した、いわゆる金属薄膜型の磁気記録媒体が提案されている。
【０００３】
金属薄膜型の磁気記録媒体は、抗磁力や角形比等の磁気特性に優れ、また、磁性層を極めて薄層に形成できることから、短波長領域での電磁変換特性に優れ、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さく、更には塗布型の磁気記録媒体と異なり、磁性層中に非磁性材料であるバインダーが混入されないので、強磁性金属粒子の充填密度を高めることができる等、種々の利点を有している。このようなことから、金属薄膜型の磁気記録媒体は高密度磁気記録の主流となっている。
【０００４】
また、更に電磁変換特性を向上させ、より大きな出力を得ることができるようにするために、金属磁性材料を斜め方向から蒸着することによって磁性層を形成する、いわゆる斜方蒸着型の磁気記録媒体が実用化されている。
【０００５】
ところで、金属薄膜型の磁気記録媒体においては、高密度記録化に対応してスペーシングロスの低減化を図るために、磁性層表面が一層平滑化される傾向にある。
しかし磁性層の表面の平滑化が進むと、それに伴い磁気ヘッドに対する接触面積が大きくなるため、摩擦力が増大し、磁性層に生じるせん断応力が大きくなる。このような厳しい摺動条件から磁性層を保護するために、磁性層上には、保護層を形成することが重要である。
【０００６】
保護層としては、例えばカーボン膜や石英（ＳｉＯ２）膜、ジルコニア（ＺｒＯ２）膜等を適用することができ、これらはハードディスク等に実用化されている。特にカーボン膜のうちでも特にダイヤモンド構造を有する硬質カーボン膜（いわゆるダイヤモンドライクカーボン膜）が好適なものとして、現在広く実用化されている。
【０００７】
上記硬質カーボン膜を成膜する方法としては、例えばスパッタリング法や、プラズマＣＶＤ法が挙げられる。スパッタリング法においては、Ａｒ等のスパッタガスを電場や磁場を利用して電離（プラズマ化）し、加速することでターゲット表面に衝突させる。そしてプラズマ粒子が衝突したターゲットからはターゲット原子がはじき出され、このはじき出された原子が被処理体上に堆積することでスパッタ膜が形成される。
【０００８】
しかし、上記スパッタリング法によって硬質カーボン膜を形成した場合、膜形成速度が一般に遅く、工業的見地からは生産性に劣るという問題を有している。
一方、プラズマＣＶＤ法においては、膜の原料となる原料ガスを、電場の発生したプラズマのエネルギーによって分解あるいは合成等の化学反応を起こさせ、この化学反応の結果生成された反応物を被処理体に堆積させることによって、ＣＶＤ膜を形成する。このプラズマＣＶＤ法は、上記スパッタリング法に比べて膜形成速度が速いという利点を有している。このため、上記硬質カーボン膜の成膜方法として期待されている。
【０００９】
上述したような金属磁性膜型の磁気記録テープ媒体においては、今後磁気特性の向上とともに、製造コストを低減化させることが重要な課題となってくるものと予想されている。
製造コストの低減化のためには、特に非磁性支持体であるベースフィルムのコストを下げることが有効な手段として考えられるが、従来においては、以下のような課題があった。
【００１０】
従来、磁気テープを作製する場合において、例えばＰＥＴフィルムよりなる非磁性支持体上に薄膜形成技術により磁性層を成膜する際、非磁性支持体の表面付近が熱により変質し、析出したオリゴマー成分が、巻き取りによって磁性層側に転写し、品質の劣化を来たすという問題があった。かかる問題を解決するべく、従来においては、非磁性支持体の表面側および／または裏面側に、所定の耐熱性有機材料の薄膜を形成することにより、オリゴマー析出成分の磁性層側への転写を防止していた（例えば、特許文献１、２参照。）。
しかしながら、これらに開示されている方法においては、非磁性支持体上に耐熱性の有機材料膜を形成する工程が必須であることから、製造コスト面において改善が必要とされていた。
【００１１】
コストの低減化を図るために、非磁性支持体上に成膜していた上記有機材料膜を省略するという手段が考えられるが、かかる場合には、オリゴマー析出成分が磁性層に転写するため、ドロップアウト等の品質の劣化の原因となり、特に高密度記録型の磁気記録媒体を作製する場合においては、品質上問題がある。
【００１２】
【特許文献１】
特開２００２−２３４９５６号公報
【特許文献２】
特開２００２−２３４９５７号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明においては、上述した問題に鑑み、上記有機材料膜が形成された非磁性支持体を適用せず、製造コストの低減化を図り、かつ磁性層に変性したオリゴマー成分が転写することをも効果的に回避した磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、非磁性支持体の一主面上に磁性層および保護層を有し、他の一主面上に、転写防止層およびバック層が形成された金属薄膜型の磁気記録媒体を製造する方法に係るものであり、磁性層と、転写防止層とを、同一の真空チャンバー内において、順次連続的に成膜するものである。
【００１５】
本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、従来磁性層成膜時に問題となっていた非磁性支持体からのオリゴマー析出成分の磁性層への転写を回避でき、品質の高い磁気テープを極めて低コストで作製することが可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の磁気記録媒体の製造方法について、具体的な例を挙げて説明するが、本発明は、以下に示す例に限定されるものではない。
【００１７】
先ず、本発明方法により作製される磁気記録媒体の一例について、図１に概略断面図を示して説明する。
磁気記録媒体１０は、非磁性支持体１の一主面上に、磁性層２、保護層３、および潤滑剤層５が形成されてなり、他の主面上に、転写防止層４およびバック層６が順次形成された構成を有している。
【００１８】
以下、本発明の磁気記録媒体１０を構成する各層について、詳細に説明する。非磁性支持体１には、通常、磁気テープの基体として用いられている公知の材料をいずれも適用できる。
例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレン２，６−ナフタリンジカルボキシレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート等のセルロース誘導体、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド等のプラスチック類等を挙げることができる。
【００１９】
非磁性支持体１の磁性層形成面側には、バインダー樹脂、フィラーおよび界面活性剤等を含有する塗料によりコーティング層を形成し、これにより表面に微細な凹凸を付加したり、機械的な強度を高めたりしてもよい。
バインダー樹脂には、例えば水性ポリエステル樹脂、水性アクリル樹脂、水性ポリウレタン樹脂等が挙げられる。
フィラーの種類としては、耐熱性ポリマーからなる粒子、二酸化ケイ素、炭酸カルシウム等が挙げられる。
【００２０】
磁性層２は、強磁性金属材料の部分酸化型の金属磁性膜からなるものとし、単層膜であっても多層膜であってもよい。
この磁性層２を形成する強磁性金属材料としては、従来公知の金属の単体、あるいは複合体をいずれも適用することができ、例えば、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属、ＣｏＮｉ、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ等の材料、またはこれらの材料に一種類あるいは二種類以上のその他の元素を含有させたものが挙げられる。
【００２１】
磁性層２は、真空下で強磁性材料を加熱蒸発させ、非磁性支持体１上に付着させる真空蒸着法や、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行うイオンプレーティング法や、アルゴンを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こして生じたアルゴンイオンでターゲット表面の原子をたたき出すスパッタリング法等、いわゆるＰＶＤ技術によって形成することができる。
【００２２】
保護層３は、金属酸化層が除去された磁性層２上に形成される。
保護層３は例えば硬質カーボン膜よりなるものとし、ダイヤモンド構造を有するカーボン膜、いわゆるダイヤモンドライクカーボン膜であるものとする。
すなわち、カーボンには、グラファイト構造を有するもの、ダイヤモンド構造を有するもの等が知られており、ラマン分光スペクトルを測定すると、それぞれに由来するピークが観測される。ここで言うダイヤモンドライクカーボン膜とは、少なくともその一部がダイヤモンド構造を有するもので、ラマン分光スペクトルにおいて前記ダイヤモンド構造に由来するピークが観測されるものである。通常は、グラファイト構造に由来するピークとともに、前記ダイヤモンド構造に由来するピークが現れる。
【００２３】
転写防止層４は、磁性層２形成側とは反対側に設けられる。
この転写防止層４は、非磁性支持体１と密着性があり、かつ連続性があればよいので、金属薄膜、非金属薄膜等の材料を問わず適用可能であるが、例えば、除電効果のある金属材料で、かつ安価であるＡｌ、Ｃｕ、あるいはこれらの複合金属等の材料が好適である。
【００２４】
さらに必要に応じて非磁性支持体の磁性層１を形成した側とは反対側の面に、バック層６を形成したり、保護層３上に潤滑剤層５を形成する等、付加的に各種層を形成したりしてもよい。この場合、例えばバック層６に含まれる非磁性顔料、樹脂結合剤あるいは潤滑剤層に含まれる材料等としては、従来公知のパーフルオロポリエーテル等がいずれも使用可能である。
【００２５】
次に、本発明の磁気記録媒体の製造方法について、図を参照して説明する。
図２に磁気記録媒体の製造装置１００の一例の概略図を示す。この図２の装置においては、同一の真空チャンバー１２内に、真空蒸着手段よりなる磁性層成膜部３０と、スパッタ手段よりなる転写防止層成膜部４０とを備え、磁性層２と転写防止層４とが同一の真空チャンバー１２内において、順次連続的に形成するようになされているものである。
【００２６】
この装置１００においては、排気口１１から排気されて略真空状態（例えば１×１０−３Ｐａ）となされた真空チャンバー１２内に、送りロール１３と巻き取りロール１４とが設けられており、これらの間に非磁性支持体１が順次走行するようになされている。
【００２７】
これら送りロール１３と巻き取りロール１４との間において、非磁性支持体１が走行する途中には、冷却キャン１５が設けられている。
この冷却キャン１５には、冷却装置（図示せず）が設けられ、周面を走行する非磁性支持体１の温度上昇による熱変形等を抑制している。
【００２８】
非磁性支持体１は、送りロール１３から順次送り出され、さらに冷却キャン１５周面を通過して巻き取りロール１４に巻き取られるようになされている。
なおガイドロール１６および１７により非磁性支持体１には所定のテンションがかけられ、円滑に走行するようになされている。
【００２９】
冷却キャン１５の下方にはルツボ１８が設けられており、ルツボ内には、金属磁性材料よりなる成膜材料１９が充填されている。
一方、真空チャンバー１２の側壁部には、ルツボ１８内に充填された成膜材料１９を加熱蒸発させるための電子銃２０が設けられている。この電子銃２０は、これより放出される電子線Ｂが、ルツボ内１８内の成膜材料１９に照射されるような位置に配置されている。この電子線Ｂの照射によって蒸発した成膜材料１９が非磁性支持体１の表面に被着して磁性層２が形成される。
【００３０】
また、磁性層２の蒸着に際し真空チャンバー１２の側壁部を貫通して設けられている酸素ガス導入管２１により、非磁性支持体１の表面に酸素ガスが供給されるようになされ、磁性層２の磁気特性、耐久性、および耐候性の向上が図られている。
【００３１】
磁性層２は、単層膜であっても良いし、多層膜であっても良い。更に、非磁性支持体１と磁性層２との間、あるいは多層膜の場合には各層間に、付着力の向上、並びに抗磁力の制御、磁性膜の防食性向上等の目的で下地層または中間層を設けても良い。
【００３２】
冷却キャン１５と巻き取りロール１４との間には、転写防止層成膜部４０が設けられている。この転写防止層成膜部４０は、上述した磁性層成膜部３０と空間的に隣接して配設されてなり、隔壁４１によって仕切られ、例えば個別に設けられた排気手段（図示せず）により排気されるようになされており、独立したガス雰囲気（例えば１〜０．１Ｐａ）が形成されているものとする。
【００３３】
転写防止層成膜部４０においては、磁性層形成後の非磁性支持体１がガイドロール１７によって支持され走行するようになされている。この非磁性支持体１の磁性層形成面とは反対側の主面に対向して、ターゲット４２が固着されたカソード電極４３が配設されており、このカソード電極４３には、ＤＣ電源４４から所定の電極が投入されるようになされている。
側壁部を貫通して設けられているガス導入管４５から、例えばＡｒガスを供給し、非磁性支持体１の磁性層形成面とは反対側の主面上にスパッタリング法により、転写防止層４が成膜される。なお、非磁性支持体１を所定の冷却手段を具備するキャンロールの周面に走行させながらスパッタ成膜するようにしてもよい。
上述のようにして転写防止層４を成膜した後、巻き取りロール１４に巻き取られる。
【００３４】
上述のように、本発明方法においては、巻き取りロール１４に巻き取られる前工程として転写防止層４が形成する点に特徴を有している。これにより、磁性層成膜後に非磁性支持体１の表層部分にオリゴマーが析出しても、転写防止層４によって封じられるようになされるので、磁性層２側に転写することが回避される。
【００３５】
また、磁性層形成前工程として転写防止層４を形成することも考えられるが、この場合、非磁性支持体１の走行面側が導電体となり、非磁性支持体１と冷却キャン１５との静電吸着力が低下し、熱負け、シワ、フィルム切断等の原因となるため望ましくない。
一方、転写防止層４を絶縁性材料によって形成すれば、上述したような不都合は起きないが、一般に絶縁性の材料はスパッタ速度が遅く生産性に不向きであるという欠点を有している。
【００３６】
上述したように、磁性層２および転写防止層４を形成した後、保護層３を図３に示すプラズマＣＶＤ装置１１０を用いて形成する。
炭素化合物をプラズマ中で分解して成膜するＣＶＤ法は、耐磨耗性、耐蝕性、表面被覆率に優れ、平滑な表面形状と高い電気抵抗率をもつダイヤモンドライクカーボン膜を、極めて薄層に安定して成膜することができる。
使用する原料ガスとしては、エチレン、プロパン等の気体、トルエン、キシレン等の液体を気化させた炭化水素ガスが適用される。これらの炭化水素ガスは単体、または複合状態で用いられ、また、プラズマ生成時には、炭素化合物の分解を促進するためのガスとして、Ａｒ、Ｎ２  等の非炭化水素ガスが導入されていてもよい。
【００３７】
図３に示すプラズマＣＶＤ装置１１０は、排気系５３から排気されて略真空状態となされた真空室５２内に、巻き出しロール５４と、巻き取りロール５５とが設けられ、これら巻き出しロール５４と巻き取りロール５５との間に、非磁性支持体１上に磁性層２および転写防止層４が形成された被処理体５１が順次走行するようになされている。これら巻き出しロール５４から巻き取りロール５５に向かって被処理体５１が走行する途中には、円筒状の回転可能な対向電極用キャン５７が設けられている。
【００３８】
被処理体５１は、巻き出しロール５４から順次送り出され、対向電極用キャン５７の周面を通過し、巻き取りロール５５に巻き取られていくようになされている。なお、巻き出しロール５４と対向電極用キャン５７との間、および対向電極用キャン５７と巻き取りロール５５との間には、それぞれガイドロール５６が配置され、被処理体５１に所定のテンションをかけ、被処理体５１が円滑に走行するようになされている。
【００３９】
また、対向電極用キャン５７に対向して、例えばパイレックス（登録商標）ガラス、プラスチック等よりなる反応管５８が設けられている。この反応管５８においては、ガス導入口５９から成膜用ガスが内部に導入されるようになされている。
また、反応管５８内には、平板状の放電電極６０が組み込まれている。この放電電極６０には、外部に配設された直流電源６１により、例えば５００〜２０００Ｖの電位が印加されるようになされている。
【００４０】
上述した構成のプラズマＣＶＤ装置１１０においては、放電電極６０に電圧が印加されることで、放電電極６０と対向電極用キャン５７との間にプラズマが発生する。そして、反応管５８内に導入された成膜用ガスは、生じたプラズマのエネルギーによって分解および化学的結合がなされ、被処理体５１上に被着する。
【００４１】
放電電極６０は、ガスが透過しやすく、且つ電界を均一にかけることができ、柔軟性を有するものが望ましく、例えばメッシュ状となされているものが好適である。
放電電極６０の材料としては、例えば銅が挙げられるが、その他導電性を有する金属を適宜用いることができ、ステンレスや真鍮、金等も適用可能である。
【００４２】
本発明の磁気記録媒体１０においては、必要に応じて磁性層２の形成面側とは反対側にバック層６を形成したり、保護層３上に潤滑剤層５を形成したりしてもよい。この場合、バック層６や潤滑剤層５形成用材料としては、非磁性顔料、樹脂結合剤等、従来公知の材料を適宜用いることができる。
【００４３】
【実施例】
次に、本発明方法に従い具体的なサンプルを作製し、特性の評価を行った。なお本発明方法は、以下に示す例に限定されるものではない。
【００４４】
〔実施例１〕
先ず、非磁性支持体１として厚さ６μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意し、図２に示したインライン型の製造装置１００の磁性層成膜部３０により、下記の条件に従い、酸素ガスを導入しながらＣｏ単層金属磁性膜（磁性層２）を斜め蒸着法により成膜した。
（磁性層成膜条件）
Ｃｏ入射角：４５〜９０°
導入ガス：酸素ガス
蒸着時真空度：２×１０−２Ｐａ
磁性層の膜厚：２００ｎｍ
【００４５】
次に、図２のインライン型の製造装置１００の転写防止層性膜部４０により、非磁性支持体１の磁性層形成面側とは反対側に、磁性層形成工程と連続的にスパッタリング法により転写防止層４を形成した。
このように、共通する真空チャンバー内で磁性層成膜工程と転写防止層成膜工程とを連続して行う成膜法をインラインとする。
（転写防止層４の成膜条件）
スパッタ材料：Ｃｕ金属
導入ガス：Ａｒ
スパッタ時真空度：０．５Ｐａ
スパッタパワー：１６Ｗ／ｃｍ２
膜厚：５ｎｍ
【００４６】
次に、下記条件により磁性層２上にプラズマＣＶＤ法により保護層３を形成した。
（保護層の成膜条件）
原料ガス：エチレン／アルゴン混合ガス  １５０ｓｃｃｍ
アルゴン混合率：２０ｖｏｌ％
反応圧力：３０Ｐａ
投入電力：＋１．２ｋＶ
膜厚：１０ｎｍ
【００４７】
次に、パーフルオロ系潤滑剤を用いて潤滑剤層５を形成し、さらにカーボン系材料によりバック層６を形成し、サンプル磁気テープを作製した。
【００４８】
〔実施例２〜６〕
転写防止層４の形成材料と膜厚を変化させて、サンプル磁気テープを作製した。その他の作製条件は、上記実施例１と同様とする。
【００４９】
〔参考例１、２〕
転写防止層４の膜厚を変化させて、サンプル磁気テープを作製した。その他の作製条件は、上記実施例１と同様とする。
【００５０】
〔比較例１〕
転写防止層４を形成せず、サンプル磁気テープを作製した。その他の作製条件は、上記実施例１と同様とする。
【００５１】
〔比較例２、３〕
従来公知の磁性層成膜装置を用いて磁性層２のみを形成した後、図２に示した製造装置１００の転写防止層成膜部４０のみを駆動させて、下記条件により転写防止層４を別個に形成した。この手法による成膜法をオフラインとする。
（転写防止層４の成膜条件）
導入ガス：Ａｒ
スパッタ時真空度：０．５Ｐａ
スパッタパワー：１６Ｗ／ｃｍ２
【００５２】
上述のようにして作製した〔実施例１〜６〕、〔参考例１、２〕、および〔比較例１〜３〕の各サンプル磁気テープについて、下記に示す方法により、Ｄ．Ｏ．（ドロップアウト）試験、シャトル走行試験を行い、実用特性の評価を行った。
【００５３】
（Ｄ．Ｏ．試験）
ＶＴＲとして、ＤＶデッキのＤＨＲ−１０００（ソニー製）を用い、Ｄ．Ｏ．カウンターとして、シバソク製ＶＨ０６ＡＺを用いた。
ウィンドウ幅１０μｍ以上、落ち込み深さ６ｄＢ以上のものを１つのＤ．Ｏ．としてカウントした。Ｄ．Ｏ．が１５０個／分以下であれば、内部の補償回路により画質に影響を与えないものであると判断した。
【００５４】
（シャトル走行試験）
４０℃３０％ＲＨ環境下、１０分間１回記録した後９９回再生させ、結果は初期出力に対する１００パス目の出力をｄＢ表示した。
−３ｄＢ以内であれば、内蔵のアンプ回路により画質劣化は回避可能であると判断した。
【００５５】
上述した〔実施例１〜６〕、〔参考例１、２〕、および〔比較例１〜３〕のサンプル磁気テープの、作製条件、および上記試験の評価結果を下記〔表１〕に示す。
【００５６】
【表１】
2004273084.tif 000003
【００５７】
上記表１に示すように、〔実施例１〜６〕においては、Ｄ．Ｏ．（ドロップアウト）試験、およびシャトル走行試験のいずれにおいても優れた評価結果が得られた。この結果から、磁性層成膜工程と転写防止層成膜工程とを、同一の真空チャンバー内において、順次、インライン法により行うことにより、従来問題となっていた非磁性支持体からのオリゴマー析出成分の磁性層側への転写を効果的回避することができ、品質の高い磁気テープを、極めて低コストで作製することが可能となることが分かった。
【００５８】
また、〔実施例１〜６〕と〔参考例１、２〕とを比較すると、転写防止層４の膜厚を５ｎｍ以上とすることにより、Ｄ．Ｏ．が著しく減少することが分かった。  更に、転写防止層４の膜厚を１５０ｎｍとした比較例３においては、１００ｎｍとした実施例４と、Ｄ．Ｏ．減少の効果は同程度であることから、転写防止層４の膜厚は、製造コストの点も考慮すると、５〜１００ｎｍが好適であることが分かった。
【００５９】
一方、〔比較例１〕においては、転写防止層４を形成しなかったため、非磁性支持体からのオリゴマー析出成分が磁性層側へ転写してしまい、Ｄ．Ｏ．（ドロップアウト）試験、およびシャトル走行試験のいずれにおいても、実用上充分な評価が得られなかった。
【００６０】
〔比較例２、３〕においては、磁性層２と転写防止層４とを非連続的に成膜するオフライン法によって形成したため、磁性層２を形成した後、巻き取った時点において非磁性支持体からのオリゴマー析出成分が磁性層側へ転写してしまい、Ｄ．Ｏ．（ドロップアウト）試験、およびシャトル走行試験のいずれにおいても、実用上充分な評価が得られなかった。
【００６１】
【発明の効果】
本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、従来磁性層成膜時に問題となっていた非磁性支持体からのオリゴマー析出成分の磁性層側への転写を回避することができ、品質の高い磁気テープを極めて低コストで作製することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法によって作製される磁気記録媒体の概略構成図を示す。
【図２】本発明方法に適用する磁気記録媒体の製造装置の一例の概略構成図を示す。
【図３】保護層形成用のプラズマＣＶＤ連続膜形成装置の概略構成図を示す。
【符号の説明】
１……非磁性支持体、２……磁性層、３……保護層、４……転写防止層、５……潤滑剤層、６……バック層、１０……磁気記録媒体、１１……排気口、１２……真空チャンバー、１３……送りロール、１４……巻き取りロール、１５……冷却キャン、１６，１７……ガイドロール、１８……ルツボ、１９……成膜材料、２０……電子銃、２１……酸素ガス導入管、３０……磁性層成膜部、４０……転写防止層成膜部、４１……隔壁、４２……ターゲット、４３……カソード電極、４４……ＤＣ電源、４５……ガス導入管、５１……被処理体、５２……真空室、５３……排気系、５４……巻き出しロール、５５……巻き取りロール、５６……ガイドロール、５７……対向電極用キャン、５８……反応管、５９……ガス導入口、６０……放電電極、６１……直流電源、１００……磁気記録媒体の製造装置、１１０……プラズマＣＶＤ装置
【図１】
2004273084.tif 000004
【図２】
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【図３】
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