(57)【要約】【課題】表示装置の表示品質を改善し、表示装置の開口率を拡大することである。【解決手段】電源供給線１０は、ＯＬＥＤ２０を発光させるための電流を供給する。制御信号線１４は、ＯＬＥＤ２０のそれぞれの発光タイミングを制御するための選択信号を流す。スイッチングトランジスタ１６は２つのゲート電極を有し、そのうちのひとつのゲート電極が電源供給線１０と積層方向において重複して配置されている。【選択図】　　　　図２
2004118013.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学素子を駆動する駆動回路と、選択信号がアクティブになったとき前記駆動回路に輝度データに対応する制御値を設定するデータ書込回路と、前記光学素子の駆動に用いられる所定電圧の供給領域とを含み、
前記駆動回路、前記データ書込回路および前記供給領域は積層プロセスによって形成されるものであり、その積層方向において、前記データ書込回路の少なくとも一部が前記供給領域と重複するよう形成されたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
光学素子を駆動する駆動回路と、選択信号がアクティブになったとき前記駆動回路に輝度データに対応する制御値を設定するデータ書込回路と、前記光学素子の駆動に用いられる所定電圧の供給領域とを含み、
前記駆動回路、前記データ書込回路および前記供給領域は複数層に亘って形成され、その積層方向において、前記データ書込回路の少なくとも一部が前記供給領域と重複するよう形成されたことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
前記データ書込回路は、前記輝度データを受けてこれを前記駆動回路に伝搬するトランジスタを含み、そのトランジスタのゲート領域が前記供給領域と重複することを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
光学素子を駆動する駆動回路と、選択信号がアクティブになったとき前記駆動回路に輝度データに対応する制御値を設定するデータ書込回路と、前記データ書込回路の制御信号線と前記供給領域を結合する容量とを含み、
前記データ書込回路の一部と前記供給領域を近接配置することによって前記容量を形成したことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
電源と光学素子の間に置かれ、そのオンの程度によって前記光学素子の表示状態を調整する駆動用トランジスタと、
選択信号がアクティブになったときオンし、前記駆動用トランジスタのゲートに対して輝度データに対応する電圧を印加するスイッチングトランジスタと、
前記所定電圧の供給領域とを含み、
前記駆動用トランジスタ、前記スイッチングトランジスタ、前記供給領域、および前記輝度データのデータ線は積層プロセスによって形成され、
前記データ線、前記供給領域、および前記スイッチングトランジスタが近接配置され、
前記積層プロセスで形成される複数層の積層方向において、前記スイッチングトランジスタのゲートが前記供給領域と重複するよう形成されたことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は表示装置に関し、特に光学素子に対してデータの書込みを行う回路を有する表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ノート型パーソナルコンピュータや携帯端末は、もはや日常生活に不可欠なものとなった。現在、これらの表示装置に主に使用されているのが液晶ディスプレイであり、次世代平面表示パネルとして期待されているのが有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイである。これらディスプレイの表示方法として中心に位置するのがアクティブマトリックス駆動方式である。この方式を用いたディスプレイは、アクティブマトリックス型ディスプレイと呼ばれ、画素は縦横に多数配置されてマトリックスを形成し、各画素にはスイッチ素子が配置される。映像データは各画素の輝度に対応する輝度データとして、スイッチ素子によって走査ラインごとに順次書き込まれる。
【０００３】
有機ＥＬディスプレイの実用化設計に関しては、様々な画素回路が提案されている。図１は従来技術に係る表示装置１００を示す。有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ。以下、単に「ＯＬＥＤ」という）８０がデータ線８２と制御信号線８４の交差部に配置され、制御信号線８４の電圧に応じてオンとなるスイッチングトランジスタ８６と、このスイッチングトランジスタ８６のオンによって輝度データ信号電圧に応じた電流をＯＬＥＤ８０に印加する駆動用トランジスタ８８とを備える。さらに、駆動用トランジスタ８８のゲート電極に印加される電圧が保持容量９０で保持されるようになっている。これより、制御信号線８４が次にオンにされるまで保持容量９０によってＯＬＥＤ８０の発光を持続させる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平０９−８１０５３号公報　（第４−５頁、第１図）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
有機ＥＬディスプレイを構成するＯＬＥＤを含む有機ＥＬ素子は、電流が流れることにより発光する電流駆動型光学素子である。その輝度は輝度データに対応する電圧に依存し、それはスイッチングトランジスタがオンの間、駆動用トランジスタのゲート電極に印加される。一方、スイッチングトランジスタがオフに変化する場合、一般にゲート電極とドレイン／ソース電極間の寄生容量（以下、単に「寄生容量」という）により、駆動用トランジスタのゲート電極と制御信号線がカップリングを生じる。制御信号線の電圧は一般に低いため、保持容量を有するにも拘らず、駆動用トランジスタのゲート電極に印加される電圧が低下する。その結果、有機ＥＬ素子の電流量すなわち輝度が変化する。
【０００６】
有機ＥＬディスプレイは複数の表示回路によって構成される。表示回路は有機ＥＬ素子のほかに電源供給線やスイッチングトランジスタなどを有する。これらは、有機ＥＬディスプレイの動作に必要であるが、それら自体は発光しないため、これらに所定のレイアウト面積を占有される。これより表示回路すなわち有機ＥＬディスプレイの開口率が減少する。
【０００７】
本発明者はこうした状況を認識して、本発明をなしたものであり、その目的はスイッチングトランジスタのオンとオフにともなう表示輝度の変化を抑制する表示装置を提供することである。特に、スイッチングトランジスタがオフになる場合、駆動用トランジスタのゲート電極に印加される電圧が、スイッチングトランジスタがオンである場合の値から低下することを抑制する表示装置を提供することである。また、これらの課題に配慮しつつ開口率が向上した表示装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明のある実施の形態は表示装置である。この装置は、光学素子を駆動する駆動回路と、選択信号がアクティブになったとき駆動回路に輝度データに対応する制御値を設定するデータ書込回路と、光学素子の駆動に用いられる所定電圧の供給領域とを含む。この装置において、駆動回路、データ書込回路および供給領域は積層プロセスによって形成されるものであり、その積層方向において、データ書込回路の少なくとも一部が供給領域と重複するよう形成される。
【０００９】
「光学素子」としては、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を主に想定する。また、それ以外も含む。
「選択信号」は、データ書込回路のオンオフを制御するための信号であり、その信号線は例えば画素の行ごとに個別に設けられる。
「輝度データ」は、駆動回路に設定される輝度情報に関するデータであって、その光学素子が放つ光強度とは区別する。
【００１０】
「駆動回路」や「データ書込回路」としては、金属酸化膜（ＭＯＳ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　）トランジスタや薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を主に想定する。これらには、構成要素の素子自体も含むものとする。例えば、駆動素子やスイッチ素子である。
「所定電圧」は、光学素子のアノード側、カソード側、いずれの電圧でもよい。つまり、電源電圧に限らず、接地電圧や負電圧でもよい。
「積層方向」とは、ひとつ以上の層により形成されたプロセスにおいて、層を貫く方向を意味する。
以上の装置により、データ書込回路の少なくとも一部が所定電圧の供給領域と重複するように形成されるため、これらが占有するレイアウト面積を減少させ、表示装置の開口率の向上が可能である。
【００１１】
本発明の別の実施の形態は表示装置である。この装置は、光学素子を駆動する駆動回路と、選択信号がアクティブになったとき駆動回路に輝度データに対応する制御値を設定するデータ書込回路と、光学素子の駆動に用いられる所定電圧の供給領域とを含む。この構成において、駆動回路、データ書込回路および供給領域は複数層に亘って形成され、その積層方向において、データ書込回路の少なくとも一部が供給領域と重複するよう形成される。
【００１２】
本発明の別の実施の形態は表示装置である。この装置は、光学素子を駆動する駆動回路と、選択信号がアクティブになったとき駆動回路に輝度データに対応する制御値を設定するデータ書込回路と、データ書込回路の制御信号線と供給領域を結合する容量（以下、「安定化容量」という）とを含む。この構成において、データ書込回路の一部と供給領域を近接配置することによって容量を形成する。
「制御信号線」とは、選択信号を伝送する信号線である。
以上の装置により、データ書込回路がオフになる場合、寄生容量により生じる駆動回路のゲート電極の電圧低下を安定化容量により抑制可能である。
【００１３】
本発明のさらに別の実施の形態は表示装置である。この装置は、電源と光学素子の間に置かれ、そのオンの程度によって光学素子の表示状態を調整する駆動用トランジスタと、選択信号がアクティブになったときオンし、駆動用トランジスタのゲートに対して輝度データに対応する電圧を印加するスイッチングトランジスタと、電圧の供給領域とを含む。この構成において、駆動用トランジスタ、スイッチングトランジスタ、供給領域、および輝度データのデータ線は積層プロセスによって形成され、データ線、供給領域、およびスイッチングトランジスタが近接配置され、積層プロセスで形成される複数層の積層方向において、スイッチングトランジスタのゲートが供給領域と重複するよう形成される。
なお、以上の構成要素の任意の組合せや組み替えもまた、本発明の態様として有効である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
実施の形態においては、表示装置としてアクティブマトリックス型有機ＥＬディスプレイを想定する。
本実施の形態は、スイッチングトランジスタの一部を電源供給線と重複させて配置し、それらが有機ＥＬディスプレイにおいて占有するレイアウト面積を減少させ、有機ＥＬディスプレイの開口率を向上させる。また、制御信号線と電源供給線の重複部分で生じる静電容量、すなわち安定化容量が、スイッチングトランジスタがオンからオフに変化する場合の駆動用トランジスタのゲート電極における好ましくない前述の寄生容量による電圧低下を抑制する。
【００１５】
図２は、本実施の形態１に係る表示装置１１０の上面を模式的に示す。これは１画素分の回路である。また、これは開口率や配線等を考慮したシミュレーション等により求められたひとつの最適解である。図２は、主として電源供給線１０、データ線１２、制御信号線１４、スイッチングトランジスタ１６、駆動用トランジスタ１８、ＯＬＥＤ２０、保持容量２４を有する。
【００１６】
電源供給線１０は、ＯＬＥＤ２０を発光させるための電流を供給する領域である。データ線１２は、ＯＬＥＤ２０のそれぞれの輝度を制御するための輝度データの信号を流す。制御信号線１４は、ＯＬＥＤ２０のそれぞれの発光タイミングを制御するための選択信号を流す。
【００１７】
スイッチングトランジスタ１６は、データ書込回路として機能し、選択信号がアクティブになったとき、オンとなり、駆動回路である駆動用トランジスタ１８のゲート電極に輝度データに対応する制御値を伝搬させて設定する。制御値の一例は電圧値である。スイッチングトランジスタ１６は、ゲート電極が制御信号線１４に接続され、ドレイン電極（またはソース電極）がデータ線１２に接続され、ソース電極（またはドレイン電極）が駆動用トランジスタ１８のゲート電極に接続される。スイッチングトランジスタ１６は２つのゲート電極を有する「ダブルゲート構造」であり、そのうちのひとつのゲート電極が電源供給線１０と積層方向において重複して配置されている。これにより、スイッチングトランジスタ１６と電源供給線１０がまったく重複せずに配置される場合と比較して、電源供給線１０とスイッチングトランジスタ１６による占有面積が小さくなる。結果、表示装置１１０の開口率が高くなる。
【００１８】
さらに、スイッチングトランジスタ１６のゲート電極の一部と電源供給線１０が重複した領域は結合して安定化容量を形成する。これらが近接配置されるためである。この形成された安定化容量は、スイッチングトランジスタ１６がオフになる場合に、駆動用トランジスタ１８のゲート電極に印加される電圧の寄生容量による低下を抑制する。詳細は後述する。本実施の形態では、スイッチングトランジスタ１６は、ダブルゲート構造をとっているが、別の形態では、ひとつのゲート構造または３以上のゲート電極を有する構造であってもよい。また、スイッチングトランジスタ１６は、ｎチャネルトランジスタであってもｐチャネルトランジスタであってもよい。
【００１９】
駆動用トランジスタ１８は、駆動回路としてＯＬＥＤ２０を駆動する。すなわち、ゲート電極に入力された輝度データに対応する電圧値に応じてＯＬＥＤ２０の状態を調整する。駆動用トランジスタ１８は、ソース電極（またはドレイン電極）がＯＬＥＤ２０の陽極に接続され、ドレイン電極（またはソース電極）が電源供給線１０に接続される。駆動用トランジスタ１８も、スイッチングトランジスタ１６と同様に、ひとつのゲート構造または３以上のゲート電極を有する構造であってもよく、ｎチャネルトランジスタであってもｐチャネルトランジスタであってもよい。
【００２０】
ＯＬＥＤ２０は、光学素子として陽極が駆動用トランジスタ１８のソース電極（またはドレイン電極）に接続され、陰極は接地される。保持容量２４の一端は、スイッチングトランジスタ１６のドレイン電極（またはソース電極）と駆動用トランジスタ１８のゲート電極に接続され、他端は、図示しない配線に接続され接地される。保持容量２４の他端は、電源供給線１０に接続されてもよい。
【００２１】
図３は、本実施の形態に係る表示装置１１０の１画素分の回路構成を示す。この回路の構成要素は図２と同様であるが、図２では図示されていない安定化容量４２が図示されている。
安定化容量４２は、スイッチングトランジスタ１６のゲート電極の一部と電源供給線１０が積層方向に重複して配置されることにより形成される。
【００２２】
以上の構成によってなされる動作は、以下の通りである。ＯＬＥＤ２０に対する輝度データの書込のために制御信号線１４の選択信号がアクティブになると、スイッチングトランジスタ１６がオンとなり、データ線１２に入力された輝度データが駆動用トランジスタ１８に設定される。すると、その輝度データに応じた電流が駆動用トランジスタ１８のソース電極とドレイン電極間に流れ、この電流がＯＬＥＤ２０に流れることによりＯＬＥＤ２０が発光する。この間、輝度データは電荷量として保持容量２４に書き込まれる。制御信号線１４の選択信号が非アクティブになると、スイッチングトランジスタ１６がオフとなるが、駆動用トランジスタ１８のゲート電圧は保持容量２４と安定化容量４２によって保持されるので、ＯＬＥＤ２０は引き続き設定された輝度データに応じて発光する。
【００２３】
再び制御信号線１４の選択信号がアクティブになると、スイッチングトランジスタ１６がオンとなって、データ線１２に入力された新たな輝度データが駆動用トランジスタ１８に設定される。これにより、ＯＬＥＤ２０は、新たな輝度データに応じて発光する。
【００２４】
制御信号線１４の選択信号が非アクティブになる場合、保持容量２４によって保持された電圧が駆動用トランジスタ１８のゲート電極に印加される。このときスイッチングトランジスタ１６のゲート電極とドレイン電極とソース電極間の寄生容量により、駆動用トランジスタ１８のゲート電極と制御信号線１４がカップリングを生じる。選択信号が非アクティブになる場合における、制御信号線１４の電圧は一般に低いためまたはゼロであるため、安定化容量４２が存在しなければ、保持容量２４によって保持された電圧が低下する。結果、ＯＬＥＤ２０に流れる電流が低下し、ＯＬＥＤ２０の輝度が低下する。一方、安定化容量４２が存在すれば、制御信号線１４の電圧は安定化容量４２によって保持された電圧であるため、保持容量２４によって保持された電圧の低下は抑制される。結果、ＯＬＥＤ２０に流れる電流と輝度がアクティブの場合とほぼ一定になる。
【００２５】
図４は、本実施の形態に係る表示装置１１０の断面構造を概略的に示す。これは、図１における表示装置１１０のＡ−Ａ’断面の構造であり、保持容量２４とスイッチングトランジスタ１６の断面の構造である。また、表示装置１１０以外の任意の回路構成であってもよい。この表示装置１１０を製造する手順は、以下の通りである。
【００２６】
基板５０は、石英、ガラス、無アルカリガラス、ガラスセラミック、シリコン、金属、プラスチックなどの絶縁性材料により形成された基板であってよい。基板５０の上に、酸化ケイ素ＳｉＯ２、窒化ケイ素ＳｉＮ、窒化酸化ケイ素ＳｉＯｘＮｙなどの材料を、プラズマＣＶＤ法などにより積層し、バリア絶縁膜５２を形成する。このバリア絶縁膜５２は、ガラスなどの材料により形成された基板５０を用いた場合に、ナトリウムイオンなどの不純物が基板５０からポリシリコン層５４に侵入するのを防ぐために設けられている。このような不純物侵入の恐れがない基板５０を用いる場合には、バリア絶縁膜５２を設けなくてもよい。
【００２７】
バリア絶縁膜５２の上に、プラズマＣＶＤ法などにより非晶質シリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ｓｉｌｉｃｏｎ：以下、「ａ−Ｓｉ」ともいう）膜を形成する。つづいて、そのａ−Ｓｉ膜の表面にＸｅＣｌエキシマレーザビームを照射してアニール処理を行うことにより、ａ−Ｓｉ膜を溶融再結晶化して多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−ｓｉｌｉｃｏｎ：以下、「ｐ−Ｓｉ」ともいう）膜に改質する。さらに、ｐ−Ｓｉ膜を島化エッチングすることにより、ポリシリコン層５４を形成する。
【００２８】
ポリシリコン層５４の上に、ＣＶＤ法により酸化ケイ素ＳｉＯ２、窒化ケイ素ＳｉＮなどを全面に蒸着し、ゲート絶縁膜５６を形成する。ゲート絶縁膜５６の上に、クロム、モリブデンなどの高融点金属からなる導電材料をスパッタ法などにより成膜し、ホトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術を用いて、スイッチングトランジスタのゲート電極７０を形成する。このとき、このスイッチングトランジスタのゲート電極７０に接続する配線（図示せず）も形成する。
【００２９】
つづいて、スイッチングトランジスタのゲート電極７０をマスクとして、ｐ−Ｓｉのポリシリコン層５４に対し、ゲート絶縁膜５６を通してＮ型またはＰ型のイオンを注入する。これにより、ポリシリコン層５４のうちスイッチングトランジスタのゲート電極７０に覆われていない部分にＮ型またはＰ型の不純物イオンが注入される。不純物イオンの種類は、形成すべきトランジスタの種別に応じて選択されればよい。スイッチングトランジスタのゲート電極７０の直下のポリシリコン層５４は、真性または実質的に真性なｐ−Ｓｉ膜のままである。
【００３０】
さらに、ポリシリコン層５４の幅よりも狭い幅に、スイッチングトランジスタのゲート電極７０およびゲート絶縁膜５６を覆うレジストを形成する。つづいて、このレジストをマスクとして再びイオン注入を行う。レジストで覆われていなかった部分のポリシリコン層５４は、不純物イオンが高濃度に注入されており、ソース領域およびドレイン領域となる。レジストで覆われていた部分のポリシリコン層５４は、不純物イオンが低濃度に注入された、いわゆるＬＤＤ領域となる。
【００３１】
レジストを除去した後、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ２、ＳｉＮなどを全面に堆積して、第１の層間絶縁膜５８を形成する。つづいて、ソース領域およびドレイン領域に対応する位置に、第１の層間絶縁膜５８を貫通してポリシリコン層５４に到達するようにコンタクトホールを形成し、そのコンタクトホールにアルミニウムなどの金属を充填してデータ線１２を形成する。
【００３２】
さらに、その上に、有機樹脂などの材料を堆積させて第２の層間絶縁膜６０を形成する。これにより、トランジスタなどの回路を形成した部分を覆い、基板表面を平坦化する。電源供給線１０、スイッチングトランジスタ１６と図示されていない駆動用トランジスタ１８等は積層プロセスによって形成され、電源供給線１０をこれらの層を貫く積層方向の異なる層において、スイッチングトランジスタのゲート電極７０の少なくとも一部に重複して形成される。これらは複数層に亘って形成されている。また、電源供給線１０はスイッチングトランジスタのゲート電極７０の全部と重複して形成されてもよい。第２の層間絶縁膜６０の上に、有機樹脂などの材料を堆積させて第３の層間絶縁膜６２と第４の層間絶縁膜６４を形成する。
【００３３】
第４の層間絶縁膜６４の上に、有機ＥＬ層６６が形成される。有機ＥＬ層６６は、有機発光材料を含む発光層のほか、その上下に正孔輸送層および電子輸送層を設けてもよい。一般に、これらの有機層は、複数の形成室を備えるマルチチャンバー型製造装置にて真空蒸着法を用いて形成される。発光層の材料としては、アルミキノリン錯体（Ａｌｑ３）、またはキナクリドン誘導体を含むビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体（ｂｉｓ　（１０−ｈｙｄｒｏｘｙｂｅｎｚｏ［ｈ］ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）　ｂｅｒｙｌｌｉｕｍ：Ｂｅｂｑ２）等が例示される。正孔輸送層の材料としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｄｉ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（４，４’，４’’−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（Ｎ，Ｎ’−Ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−１−ｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：ＮＰＢ）、等が例示される。電子輸送層の材料としては、Ａｌｑ３またはＢｅｂｑ２等が例示される。
【００３４】
有機ＥＬ層６６の上に、陰極６８が形成される。陰極の材料としては、リチウムを微量に含むアルミニウム合金、マグネシウムインジウム合金、またはマグネシウム銀合金等が例示される。陰極６８は、電子輸送層側から順に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）層およびアルミニウム（Ａｌ）層を備えた２層構造であってもよい。以上の工程により、本実施の形態の表示装置１１０が製造される。
【００３５】
図５は、図１における表示装置１１０のＢ−Ｂ’断面の構造を概略的に示す。これは駆動用トランジスタ１８の断面の構造である。ゲート絶縁膜５６の上に、駆動用トランジスタのゲート電極７２が形成される。
図６は、図１における表示装置１１０のＣ−Ｃ’断面の構造を概略的に示す。第３の層間絶縁膜６２の上に画素電極７４が形成される。本実施の形態では、画素電極７４は陽極である。陽極の材料としては、ＩＴＯのほか、酸化スズ（ＳｎＯ２）、または酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）等が例示されるが、一般的には、ホール注入効率や表面抵抗の低さからＩＴＯが用いられる。
図７は、図１における表示装置１１０のＤ−Ｄ’断面の構造を概略的に示す。これはＯＬＥＤ２０、駆動用トランジスタ１８の断面の構造である。
【００３６】
本実施の形態によれば、スイッチングトランジスタの一部と電源供給線が積層方向において重複して配置されることにより、表示装置の開口率の向上が可能である。さらに、スイッチングトランジスタと電源供給線の一部の重複領域が安定化容量を形成し、その安定化容量が、スイッチングトランジスタがオフになる場合、駆動用トランジスタのゲート電極に印加される電圧の寄生容量による低下を抑制可能であるため、表示輝度の変化を抑制できる。
【００３７】
以上、本発明を実施の形態をもとに説明した。この実施の形態は例示であり、その各構成要素や各処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。以下、そうした例を述べる。
【００３８】
本実施の形態では、スイッチングトランジスタは２つのゲート電極を有するダブルゲート構造であり、そのうちのひとつのゲート電極が電源供給線と積層方向において重複して配置されている。しかし、これに限られず、例えば、スイッチングトランジスタは複数のトランジスタを含み、それらのうち１個以上のトランジスタのゲート電極が電源供給線と重複してもよい。また、全てが重複してもよい。さらに、重複するように電源供給線の一部を太くしてもよい。つまり、電源供給線とスイッチングトランジスタが積層方向において、重複して配置されればよい。
【００３９】
本実施の形態では、スイッチングトランジスタは電源電圧である電源供給線と重複して配置されている。しかし、これに限られず、例えば、接地電圧をはじめ、比較的電圧変動が少ないことが期待できる信号領域と重複させてもよい。つまり、電圧変動による干渉の影響が少なければよい。
【００４０】
【発明の効果】
本発明によれば、スイッチングトランジスタのオンとオフにともなう表示輝度の変化を抑制できる。また、スイッチングトランジスタがオフになる場合、駆動用トランジスタのゲート電極に印加される電圧が、スイッチングトランジスタがオンである場合の値から低下することを抑制できる。さらに、開口率が向上した表示装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の技術に係る表示装置を示す図である。
【図２】本実施の形態に係る表示装置の上面を模式的に示す図である。
【図３】図２の表示装置の１画素分の回路構成を示す図である。
【図４】図２の表示装置の断面を模式的に示す図である。
【図５】図２の表示装置の断面を模式的に示す図である。
【図６】図２の表示装置の断面を模式的に示す図である。
【図７】図２の表示装置の断面を模式的に示す図である。
【符号の説明】
１０　電源供給線、　１２、８２　データ線、　１４、８４　制御信号線、　１６、８６　スイッチングトランジスタ、　１８、８８　駆動用トランジスタ、２０、８０　ＯＬＥＤ、　２４、９０　保持容量、　２６　第１コンタクト、２８　第２コンタクト、　３０　第３コンタクト、　３２　第４コンタクト、３４　第５コンタクト、　３６　第６コンタクト、　３８　第７コンタクト、４２　安定化容量、　５０　基板、　５２　バリア絶縁膜、　５４　ポリシリコン層、　５６　ゲート絶縁膜、　５８　第１の層間絶縁膜、　６０　第２の層間絶縁膜、　６２　第３の層間絶縁膜、　６４　第４の層間絶縁膜、　６６　有機ＥＬ層、　６８　陰極、　７０　スイッチングトランジスタのゲート電極、　７２　駆動用トランジスタのゲート電極、　７４　画素電極、　１００、１１０表示装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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