(57)【要約】【課題】本発明の目的は、電極の高さばらつきの小さい半導体チップを提供すること、該半導体チップを製造することが可能な処理装置、製造方法を提供すること、また、前記半導体チップを備えた半導体装置、電子機器を提供することにある。【解決手段】本発明の半導体チップは、無電解めっきにより電極膜を形成する一連の工程を有する方法により製造されるものである。該方法は、化学処理槽内に入れられた化学処理液を用いて、半導体基板に対して化学処理を行う工程を有し、前記半導体基板に対して前記化学処理を行う際に、前記化学処理槽内に照射される光を、前記化学処理液中において分散および／または吸収させることにより、前記半導体基板に到達する光エネルギーを低減させることを特徴とする。【選択図】  図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学処理液を用いて半導体基板に対して化学処理を行う化学処理槽を備え、無電解めっきにより電極膜を形成する一連の工程の少なくとも一部において用いられる半導体基板の処理装置であって、
前記半導体基板に対して前記化学処理を行う際に、前記化学処理槽内に照射される光を、前記化学処理液中において分散および／または吸収させることにより、前記半導体基板に到達する光エネルギーを低減させるための手段を有することを特徴とする半導体基板の処理装置。
【請求項２】
前記化学処理槽は、ガスを供給するためのガス供給手段を備え、
前記化学処理液中に前記ガスの気泡を発生させ、当該気泡により、前記半導体基板に到達する光エネルギーを低減させる請求項１に記載の半導体基板の処理装置。
【請求項３】
前記ガスは、Ｎ２、ＨｅおよびＡｒよりなる群から選択される１種または２種以上を含むものである請求項２に記載の半導体基板の処理装置。
【請求項４】
前記化学処理槽中に、複数の孔を開けたチューブが配され、当該孔からガスを吹き出す請求項２または３に記載の半導体基板の処理装置。
【請求項５】
前記化学処理槽は、流体を吹き出すための流体吹き出し口を備え、
前記流体吹き出し口から、前記流体を吹き出すことにより、前記化学処理液の表面付近に流体カーテンを作成し、
当該流体カーテンにより光を屈折および／または吸収させ、前記半導体基板に到達する光エネルギーを低減させる請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体基板の処理装置。
【請求項６】
前記流体は、前記化学処理液の液面に対して略平行に噴出されるものである請求項５に記載の半導体基板の処理装置。
【請求項７】
前記流体は、Ｎ２、ＨｅおよびＡｒよりなる群から選択される１種または２種以上を含む不活性ガスである請求項５または６に記載の半導体基板の処理装置。
【請求項８】
前記流体カーテンの厚みが、１〜２ｃｍである請求項５ないし７のいずれかに記載の半導体基板の処理装置。
【請求項９】
前記化学処理槽は、超音波発生手段を備え、
前記化学処理液に超音波を照射することにより光を屈折させ、前記半導体基板に到達する光エネルギーを低減させる請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体基板の処理装置。
【請求項１０】
前記化学処理槽に加えて水洗槽を有し、当該水洗槽において、不活性ガスのバブリングを行う請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体基板の処理装置。
【請求項１１】
前記水洗槽の内部に、複数の孔が形成されたチューブが配され、当該孔からガスを吹き出す請求項１ないし１０のいずれかに記載の半導体基板の処理装置。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の処理装置を用いて半導体チップを製造することを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項１３】
無電解めっきにより電極膜を形成する一連の工程を有する半導体チップの製造方法であって、
化学処理槽内に入れられた化学処理液を用いて、半導体基板に対して化学処理を行う工程を有し、
前記半導体基板に対して前記化学処理を行う際に、前記化学処理槽内に照射される光を、前記化学処理液中において分散および／または吸収させることにより、前記半導体基板に到達する光エネルギーを低減させることを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項１４】
前記半導体基板の、前記電極膜が形成されるべき電極パッド以外の部位の少なくとも一部に、前記光を吸収および／または反射する被膜を被覆した状態で、前記電極膜を形成する請求項１２または１３に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１５】
前記半導体基板の少なくとも一部に、レジストとして機能する絶縁性の被膜を被覆した状態で、前記電極膜を形成する請求項１２ないし１４のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１６】
前記被膜は、主として樹脂で構成されたものである請求項１４または１５に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１７】
前記樹脂は、ポリイミド系樹脂である請求項１６に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１８】
前記被膜の少なくとも一部を、前記半導体チップの保護膜として残存させる請求項１４ないし１７のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１９】
前記化学処理液として、有色の液体を用いる請求項１２ないし１８のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
【請求項２０】
前記化学処理液は、染料を含むものである請求項１２ないし１９のいずれかに記載の半導体チップの製造方法。
【請求項２１】
前記染料は、黒色〜紺色の色相を有するものである請求項２０に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項２２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の処理装置を用いて製造されたことを特徴とする半導体チップ。
【請求項２３】
請求項１２ないし２１のいずれかに記載の方法により製造されたことを特徴とする半導体チップ。
【請求項２４】
請求項２２または２３に記載の半導体チップを実装してなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２５】
請求項２４に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板の処理装置、半導体チップの製造方法、半導体チップ、半導体装置および電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体チップを回路基板に実装して半導体装置を製造する場合には、突起電極（バンプ）が形成された半導体チップの端子と、対応する回路基板の端子とを位置決めして、この状態で、加熱または加熱・加圧を行うことにより、対応する端子同士を接合することが行われている。
【０００３】
半導体チップの端子にバンプを形成し実装する方法において、バンプの製造方法としてはめっき法やスタッドなどの工法があるが、タクト短縮および高さ均一性の観点でめっき法が優れている。
そのめっき法の中でも、電解めっき法と無電解めっき法があるが、低コストおよびタクト短縮の観点で無電解めっきが注目されている。
【０００４】
しかしながら、半導体装置の素子中には、ＰＮ接合部があり、Ｐ型半導体およびＮ型半導体にそれぞれ接続された端子部へ、無電解めっきにより電極を形成する際に、通常の蛍光灯などの光に曝されただけでも、ＰＮ接合部において光による励起作用（光起電力効果）で光起電力が発生し、Ｐ型とＮ型に接続された端子部の間に電位差が生じる。
【０００５】
この光起電力は、核となる金属すなわちＡｌ電極パッドを通して、良好なイオン伝導性を備えた無電解めっき液の中に流出し、再び他のＡｌ電極パッドに戻ることにより、局部電池が形成されることになる。
この局部電池の作用により、無電解めっき液中の金属イオンは、マイナスに帯電したＡｌ電極パッドに選択的に堆積し、一方、プラスに帯電したＡｌ電極パッド上には堆積し難くなり、その結果、各々のＡｌ電極パッド上に析出する析出金属の厚みあるいは高さにバラツキが生ずることになる。
【０００６】
このように、無電解めっき手法を用いて、析出金属により電極を形成しようとすると、端子間でのエッチング速度、めっき速度が異なり、バンプの高さばらつきが大きくなったり、密着性が悪く強度が得られないなどの弊害があった。
このような問題を解決する目的で、光起電力を生じ得るシリコンウエハーに無電解めっきを施して電極を形成する際に、シリコンウエハーおよび複数の処理槽を遮光筐体の内部に配置することにより遮光状態を形成し、この遮光状態のままで無電解めっき処理を施す方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００７】
しかしながら、複数の処理槽の全体を遮光筐体で覆ってしまうと、プロセス途中での基板や治具等の状態を目視で確認することができなくなる。そうすると、プロセス途中で不良が発生した場合であっても、最後まで気づくことができないため、対策を講ずることができずに、不良品が増加して歩留まりが低下してしまう。また、複数の処理槽を１つの遮光筐体で覆っていると、例えば１つの処理槽が故障しただけでも、その点検および修理のためには全体を停止しないといけないため、作業性が悪かった。
【０００８】
【特許文献１】
特開２０００−１５０４２２号公報（第３頁右欄第４２〜４８行目、
図１〜図３）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、電極の高さばらつきの小さい半導体チップを提供すること、該半導体チップを製造することが可能な処理装置、製造方法を提供すること、また、前記半導体チップを備えた半導体装置、電子機器を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の半導体基板の処理装置は、化学処理液を用いて半導体基板に対して化学処理を行う化学処理槽を備え、無電解めっきにより電極膜を形成する一連の工程の少なくとも一部において用いられる半導体基板の処理装置であって、
前記半導体基板に対して前記化学処理を行う際に、前記化学処理槽内に照射される光を、前記化学処理液中において分散および／または吸収させることにより、前記半導体基板に到達する光エネルギーを低減させるための手段を有することを特徴とする。
これにより、電極の高さばらつきの小さい半導体チップを提供することができる。
【００１１】
本発明の半導体基板の処理装置では、前記化学処理槽は、ガスを供給するためのガス供給手段をさらに備え、
前記化学処理液中に前記ガスの気泡を発生させ、当該気泡により、前記半導体基板に到達する光エネルギーを低減させることが好ましい。
これにより、化学処理槽内に照射された光を、容易かつ確実に、分散および／または吸収させることができる。
【００１２】
本発明の半導体基板の処理装置では、前記ガスは、Ｎ２、ＨｅおよびＡｒよりなる群から選択される１種または２種以上を含むものであることが好ましい。
これにより、化学処理への悪影響の発生をより効果的に防止することができる。
本発明の半導体基板の処理装置は、前記化学処理槽中に、複数の孔を開けたチューブが配され、当該孔からガスを吹き出すことが好ましい。
これにより、化学処理槽内に照射された光を、容易かつ確実に、分散および／または吸収させることができる。
【００１３】
本発明の半導体基板の処理装置では、前記化学処理槽は、流体を吹き出すための流体吹き出し口をさらに備え、
前記流体吹き出し口から、前記流体を吹き出すことにより、前記化学処理液の表面付近に流体カーテンを作成し、
当該流体カーテンにより光を屈折および／または吸収させ、前記半導体基板に到達する光エネルギーを低減させることが好ましい。
これにより、化学処理槽内に照射された光を、容易かつ確実に、分散および／または吸収させることができる。
【００１４】
本発明の半導体基板の処理装では、前記流体は、前記化学処理液の液面に対して略平行に噴出されるものであることが好ましい。
これにより、化学処理槽内に照射された光を、さらに効率良く分散および／または吸収させることができる。
本発明の半導体基板の処理装置では、前記流体は、Ｎ２、ＨｅおよびＡｒよりなる群から選択される１種または２種以上を含む不活性ガスであることが好ましい。
これにより、化学処理への悪影響の発生をより効果的に防止することができる。
【００１５】
本発明の半導体基板の処理装置は、前記流体カーテンの厚みが、１〜２ｃｍであることが好ましい。
これにより、化学処理槽内に照射された光を、さらに効率良く分散および／または吸収させることができる。
本発明の半導体基板の処理装置では、前記化学処理槽は、超音波発生手段をさらに備え、
前記化学処理液に超音波を照射することにより光を屈折させ、前記半導体基板に到達する光エネルギーを低減させることが好ましい。
これにより、化学処理槽内に照射された光を、容易かつ確実に、分散および／または吸収させることができる。
【００１６】
本発明の半導体基板の処理装置は、前記化学処理槽に加えて水洗槽を有し、当該水洗槽において、不活性ガスのバブリングを行うことが好ましい。
これにより、水洗を効率よく行うことができる。
本発明の半導体基板の処理装置は、前記水洗槽の内部に、複数の孔が形成されたチューブが配され、当該孔からガスを吹き出すことが好ましい。
これにより、容易かつ確実にバブリングを行うことができる。
【００１７】
本発明の半導体チップの製造方法は、本発明の処理装置を用いて半導体チップを製造することを特徴とする。
これにより、電極の高さばらつきの小さい半導体チップを提供することができる。
本発明の半導体チップの製造方法は、無電解めっきにより電極膜を形成する一連の工程を有する半導体チップの製造方法であって、
化学処理槽内に入れられた化学処理液を用いて、半導体基板に対して化学処理を行う工程を有し、
前記半導体基板に対して前記化学処理を行う際に、前記化学処理槽内に照射される光を、前記化学処理液中において分散および／または吸収させることにより、前記半導体基板に到達する光エネルギーを低減させることを特徴とする。
これにより、電極の高さばらつきの小さい半導体チップを提供することができる。
【００１８】
本発明の半導体チップの製造方法は、前記半導体基板の、前記電極膜が形成されるべき電極パッド以外の部位の少なくとも一部に、前記光を吸収および／または反射する被膜を被覆した状態で、前記電極膜を形成することが好ましい。
これにより、化学処理槽内に照射された光を、容易かつ確実に、分散および／または吸収させることができる。
【００１９】
本発明の半導体チップの製造方法は、前記半導体基板の少なくとも一部に、レジストとして機能する絶縁性の被膜を被覆した状態で、前記電極膜を形成することが好ましい。
これにより、無電解めっき時に半導体基板（基板）の裏面や端面にめっき層が形成されることを防止することができる。さらに、半導体材料と直接導通している端子を同電位にすることができる。
【００２０】
本発明の半導体チップの製造方法では、前記被膜は、主として樹脂で構成されたものであることが好ましい。
これにより、所望の形状の被膜を、容易かつ確実に形成することができる。
本発明の半導体チップの製造方法では、前記樹脂は、ポリイミド系樹脂であることが好ましい。
これにより、化学処理槽内に照射された光を、より効果的に分散および／または吸収させることができる。
【００２１】
本発明の半導体チップの製造方法は、前記被膜の少なくとも一部を、前記半導体チップの保護膜として残存させることが好ましい。
これにより、半導体チップの信頼性、耐久性を特に優れたものとすることができる。
本発明の半導体チップの製造方法は、前記化学処理液として、有色の液体を用いることが好ましい。
これにより、化学処理槽内に照射された光を、容易かつ確実に、分散および／または吸収させることができる。
【００２２】
本発明の半導体チップの製造方法では、前記化学処理液は、染料を含むものであることが好ましい。
これにより、化学処理液を簡単に着色することができ、化学処理槽内に照射された光を、容易かつ確実に、分散および／または吸収させることができる。
本発明の半導体チップの製造方法では、前記染料は、黒色〜紺色の色相を有するものであることが好ましい。
これにより、化学処理槽内に照射された光を、さらに効率良く分散および／または吸収させることができる。
【００２３】
本発明の半導体チップは、本発明の処理装置を用いて製造されたことを特徴とする。
これにより、電極の高さばらつきの小さい半導体チップを提供することができる。
本発明のは半導体チップ、本発明の方法により製造されたことを特徴とする。
これにより、電極の高さばらつきの小さい半導体チップを提供することができる。
【００２４】
本発明の半導体装置は、本発明の半導体チップを実装してなることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い半導体装置が得られる。
本発明の電子機器は、本発明の半導体装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【００２５】
また、本発明の半導体基板の処理装置は、前記孔の面積が１〜３ｍｍであることが好ましい。
これにより、気泡を好適な大きさのものとし、化学処理槽内に照射された光を、さらに効率良く分散および／または吸収させることができる。
また、本発明の半導体基板の処理装置は、前記ガスの吹き出し圧力が、１〜５ｋｇ／ｃｍ２であることが好ましい。
これにより、化学処理槽内に照射された光を、さらに効率良く分散および／または吸収することができる。
【００２６】
また、本発明の半導体基板の処理装置は、前記ガスの吹き出し量が、１〜３Ｌ／秒であることが好ましい。
これにより、化学処理槽内に照射された光を、さらに効率良く分散および／または吸収させることができる。
また、本発明の半導体基板の処理装置は、前記流体の吹き出し圧力が、２〜５ｋｇ／ｃｍ２であることが好ましい。
これにより、化学処理槽内に照射された光を、さらに効率良く分散および／または吸収させることができる。
【００２７】
また、本発明の半導体基板の処理装置は、前記流体の吹き出し量が、２〜４Ｌ／秒であることが好ましい。
これにより、化学処理槽内に照射された光を、さらに効率良く分散および／または吸収させることができる。
また、本発明の半導体基板の処理装置は、前記超音波の振動数が、１〜２ＭＨｚであることが好ましい。
これにより、化学処理槽内に照射された光を、さらに効率良く分散および／または吸収させることができる。
【００２８】
また、本発明の半導体チップの製造方法は、前記被膜の厚みが５〜１０μｍであることが好ましい。
これにより、化学処理槽内に照射された光を、さらに効率良く分散および／または吸収させることができる。
また、本発明の半導体チップの製造方法は、前記化学処理液中の前記染料の濃度が、１〜３ｗｔ％であることが好ましい。
これにより、化学処理槽内に照射された光を、さらに効率良く分散および／または吸収させることができる。
また、本発明によれば、前記半導体装置を実装した電子デバイスを得ることができる。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体基板の処理装置、半導体チップの製造方法、半導体チップ、半導体装置、電子デバイスおよび電子機器の好適な実施形態について説明する。また、本発明における半導体チップには、ベアチップ（個別のチップおよびウェハの双方）および半導体パッケージのいずれのものをも含む。
【００３０】
まず、本発明の半導体チップの実施形態について、図１、図２に基づいて説明する。図１は、本発明の半導体チップの一例を示す断面図、図２は、本発明の半導体チップの他の一例を示す断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１に示す半導体チップ１Ａは、基板（半導体基板）２と、基板２上に形成された電極パッド３と、パッシベーション膜４と、電極膜５と、ろう材層６とを備える。なお、半導体チップ１Ａにおいて、電極パッド３が形成される側の面を能動面という。
【００３１】
基板２は、例えば、Ｓｉ等の半導体材料で構成されている。また、基板２は、単層で構成されたもののみならず、複数の層の積層体で構成されたものでもよい。
この基板２の一方の面２１には、集積回路（図示せず）が形成され、この集積回路の配線パターンの一部に接触するように電極パッド３が配設されている。電極パッド３は、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ等の導電性材料で構成されている。
【００３２】
パッシベーション膜４は、例えば、半導体チップ１Ａを腐食等から保護する保護膜として機能するものである。パッシベーション膜４の構成材料としては、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等が挙げられる。パッシベーション膜４は、基板２の面２１のうち電極パッド３で覆われていない部分を覆うとともに、電極パッド３の外周部付近を覆っている。
【００３３】
電極膜５は、Ｎｉ層５１と、Ｎｉ層５１上に積層形成されたＡｕ層５２とから構成される。電極膜５は、その少なくとも一部（Ｎｉ層５１またはＡｕ層５２）が無電解めっきにより形成されたものであるが、その全体が無電解めっきにより形成されたものであるのが好ましい。電極膜５を無電解めっきで形成することにより、微細な形状の電極膜を高精度で形成することができるという利点がある。電極膜５は、半導体チップ１Ａを後述するような回路基板（配線基板）７に接合する際の、接合端子（バンプ）を構成するものであり、パッシベーション膜４から露出している電極パッド３（電極パッド３のうちパッシベーション膜４で被覆されていない領域）を覆うように形成されている。
【００３４】
ろう材層６は、例えば、電極膜５上にろう材を供給し、リフローすることにより形成される。そして、電極膜５およびろう材層６が、半導体チップ１Ａのバンプを構成する。
ろう材としては、例えば、Ｐｂ−Ｓｎ系はんだ等のＰｂ含有はんだや、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ等のような、実質的にＰｂを含まないＰｂ不含はんだ（Ｐｂフリーはんだ）、銀ろう、銅ろう、リン銅ろう、黄銅ろう、アルミろう、ニッケルろう等を用いることができる。これらのものは、導電性に優れ、また、配線パターンの構成材料との密着性も高い。
【００３５】
バンプ（ろう材層６）は、その形成方法については特に限定されず、例えば、ボールバンプやめっきバンプ等として形成することができる。
バンプをボールバンプで構成する場合には、バンプを容易に形成することができるという利点がある。ボールバンプの形成方法としては、例えば、ワイヤボンディング法を用いる方法、予め製造した金属ボールを接合する方法等を挙げることができる。
【００３６】
バンプをめっきバンプで構成する場合には、微細な形状の端子をより高い精度で形成することができるという利点がある。めっきバンプの形成方法としては、例えば、電解めっき、浸漬めっき、無電解めっき等の湿式めっき法、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式めっき法等が挙げられる。
【００３７】
なお、本実施形態では、半導体チップ１Ａとして、電極膜５を比較的薄く形成し、その上に、ろう材層６を形成してバンプとした場合を例に挙げているが、本発明はこれに限定されない。例えば、図２に示す半導体チップ１Ｂのように、電極膜５を比較的厚く形成することにより、当該電極膜５をそのまま（ろう材層を形成することなく）バンプとすることもできる。
【００３８】
以下、この電極膜５の形成方法について説明する。
図３は、電極膜の形成造工程を示す図（フローチャート）、図４は、基板上に被膜（有色膜）を形成した様子を示す断面図、図５は、基板上に被膜（有色膜）を形成した様子を示す平面図、図６は、電極膜の形成方法を示す工程図（断面図）、図７は、電極膜の形成方法を示す工程図（断面図）、図８は、電極膜の形成に用いる水洗槽の一例を模式的に示す図、図９は、電極膜の形成に用いる化学処理装置の一例を模式的に示す図、図１０は、電極膜の形成に用いる化学処理装置の一例を模式的に示す図、図１１は、電極膜の形成に用いる化学処理装置の一例を模式的に示す図である。
【００３９】
本実施形態における電極膜５の形成方法は、図３に示すように、無機残渣除去工程（Ｓ１）と、水洗工程（Ｓ２）と、Ａｌ酸化膜除去工程（Ｓ３）と、水洗工程（Ｓ４）と、ジンケート処理工程（Ｓ５）と、水洗工程（Ｓ６）と、無電解Ｎｉめっき工程（Ｓ７）と、水洗工程（Ｓ８）と、置換Ａｕめっき工程（Ｓ９）と、水洗工程（Ｓ１０）とを有している。
【００４０】
そして、本発明では、化学処理工程（すなわち、上記各工程のうち水洗工程以外の工程（無機残渣除去工程、Ａｌ酸化膜除去工程、ジンケート処理工程、無電解Ｎｉめっき工程、置換Ａｕめっき工程））の少なくとも一部を、基板（電極パッド３、パッシベーション膜４等が形成された基板２（チップ本体））に到達する光エネルギーを低減させた状態で行うことを特徴とする。特に、本発明では、化学処理に用いられる化学処理液中において、光を分散および／または吸収させることにより、基板（チップ本体）に到達する光エネルギーを低減させる点に特徴を有する。
【００４１】
これにより、化学処理時に、光起電力効果による部分電池の発生を抑えて、電極パッド３の各部位でのめっき速度や、異なる電極パッド３間でのめっき速度を均一にすることができ、形成される電極膜５の高さばらつきを抑えることができる。また、電極パッド３と電極膜５との密着性が向上し、優れた強度を有するものとなる。
【００４２】
以下、各化学処理工程において、基板（チップ本体）に到達する光エネルギーを低減させる方法について詳細に説明する。なお、以下の説明では、無機残渣除去槽、酸化膜除去槽、ジンケート処理槽、Ｎｉめっき槽、Ａｕめっき槽をまとめて化学処理槽と称している。
まず、本実施形態では、図４および図５に示すように、電極膜５を形成する際に、先立って、電極パッド３以外の部分に、前記光を吸収および／または反射（分散）する被膜３９を形成しておく。これにより、化学処理時（化学処理液中に基板を浸漬した状態）において、被膜３９が光エネルギーを吸収および／または反射して、基板に到達する光エネルギーを低減させることができる。その結果、無電解めっき時に、光起電力効果による部分電池の発生を抑えて、電極パッド３の各部位でのめっき速度や、異なる電極パッド３間でのめっき速度を均一にすることができ、形成される電極膜５の高さばらつきを抑えることができる。また、電極パッド３と電極膜５との密着性が向上し、優れた強度を有するものとなる。
【００４３】
被膜３９の構成材料としては、例えば、各種樹脂材料等が挙げられる。樹脂材料の中でも、被膜３９の構成材料としては、ポリイミド系樹脂が特に好ましい。これにより、所望の形状の被膜を、容易かつ確実に形成することができる。また、被膜３９の構成材料として、ポリイミド系樹脂を用いた場合、化学処理槽内に照射された光を、より効果的に分散および／または吸収させることができ、前述したような問題の発生をより効果的に防止することができる。また、ポリイミド系樹脂は、通常、有色（例えば、赤褐色）の材料であるため、ポリイミド系樹脂を含む材料で構成された被膜（有色膜）３９は、化学処理槽内に照射された光をより効果的に吸収することができる。
【００４４】
被膜３９の厚みは、特に限定されないが、５〜１０μｍであるのが好ましい。被膜３９の厚みを前記範囲内の値とすることで、光を効率よく吸収することが可能になる。これに対し、被膜３９の厚みが前記下限値未満であると、光を十分に吸収することが困難になる可能性がある。また、被膜３９の厚みが前記上限値を超えると、その後の被膜除去に時間がかかってしまったり、除去残りが発生する可能性がある。
【００４５】
被膜３９の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、スプレーにより被膜３９形成用の材料（以下、「被膜用組成物」とも言う。）を吹き付け、その後乾燥して形成する方法や、スピンコータにより被膜用組成物を塗布し、その後乾燥して形成する方法等が挙げられる。なお、このような方法を適用する場合、被膜用組成物としては、最終的に形成される被膜３９中に含まれない成分を含むものであってもよい。例えば、被膜用組成物中には、例えば、樹脂材料等の被膜３９の構成成分を溶解・分散させるための液体成分（溶媒、分散媒）を含むものであってもよい。
【００４６】
以下、主としてポリイミド系樹脂で構成される被膜３９の形成方法について説明する。
まず、スプレーによる被膜３９の形成方法について説明する。
《１Ａ》まず、基板上にマスクを置く。このとき、マスクと半導体チップとがずれないようにアライメントにより位置を合わせる。このマスクは、電極パッド３の部分を覆う形態とされている。
《２Ａ》次に、スプレーにより、ポリイミド系樹脂を含む被膜用組成物を吹き付ける。
《３Ａ》次に、プリベークを行い、吹き付けられた被膜用組成物を固化させ、被膜とする。プリベークの条件は、例えば、１００〜１５０℃で１０〜２０分間とする。
《４Ａ》最後に、マスクを基板より取り外す。
【００４７】
次に、フォトリソグラフィによる被膜３９の形成方法について説明する。この方法では、基板上に形成された膜をフォトリソグラフィにより部分的に除去することにより、所望のパターンの被膜３９を形成する。
《１Ｂ》まず、スピンコータにより、基板上にポリイミド系樹脂を含む被膜用組成物を塗布する。
《２Ｂ》次に、プリベークを行い、塗布された被膜用組成物を固化させる。プリベークの条件は、例えば、１００〜１５０℃で１０〜２０分間とする。
《３Ｂ》次に、露光を行う。露光は、例えば、基板上にマスクを置き、紫外線光を上部より当て、必要な部分を硬化させることにより行う。
《４Ｂ》最後に、現像を行う。現像は、例えば、剥離液としてシクロヘキサンを用い、常温で５〜１０分間浸漬することにより行うことができる。
【００４８】
このように、電極膜５を形成するのに先立ち、電極パッド３以外の部分に被膜３９を形成しておくことで、被膜３９に光エネルギーを吸収させることができ、その結果、基板に到達する光エネルギーを低減させることができる。これにより、めっき時に、光起電力効果による部分電池の発生を抑えて、電極パッド３の各部位でのめっき速度や、異なる電極パッド３間でのめっき速度を均一にすることができ、形成される電極膜５の高さばらつきを抑えることができる。また、電極パッド３と電極膜５との密着性が向上し、優れた強度を有するものとなる。
被膜３９は、無電解めっき終了後に除去してもよいが、そのまま残しておき、半導体チップの保護膜として用いてもよい。被膜３９を除去する場合には、電極膜５形成後にドライエッチング等で剥離を行う。
【００４９】
さらに、本実施形態の方法では、化学処理槽を遮光筐体で覆う等の処置を施さなくてもよいので、プロセス途中における基板や治具の状態を目視によりいつでも確認することができる。これにより、例えば、プロセス途中で不良が発生した場合にも即座に対応することができる。その結果、最終的な不良品の発生を抑えることができ、歩留まりが向上し、生産性を向上させることができる。また、化学処理槽を覆う等の処置を施さなくてもよいので、基板の取り付けや取り出し等が容易になり、作業性も向上する。
【００５０】
次に、電極膜５の形成方法について説明する。
＜１＞まず、図６（ａ）に示すように、電極パッド３およびパッシベ−ション膜４が形成された基板２の裏面２２および端面（図示せず）にレジスト（被膜）２２１を形成して、基板２の裏面２２および端面を絶縁する。これにより、無電解めっき時に基板２の裏面２２や端面にめっき層が形成されることを防止することができる。さらに、Ｓｉ等の半導体材料と直接導通している端子（グランド電極）を同電位にすることができる。レジスト２２１の構成材料は、特に限定されないが、例えば、前述した被膜３９の構成材料と同様の材料等を用いることができる。
【００５１】
＜２＞次に、無機残渣除去槽内に入れられた無機残渣除去液中に基板を浸漬し、電極パッド３表面やパッシベーション膜４表面の無機残渣を除去する（無機残渣除去工程）。
無機残渣除去液は、特に限定されないが、例えば、フッ化水素（ＨＦ）や硫酸（Ｈ２ＳＯ４）を含有する溶液等を好適に用いることができる。フッ化水素を含む溶液（フッ酸）を用いる場合、当該溶液中におけるフッ化水素の含有量は、０．０１〜０．１ｗｔ％程度であるのが好ましい。また、硫酸を含む溶液を用いる場合、当該溶液中における硫酸の含有量は、０．０１〜０．２ｗｔ％程度であるのが好ましい。フッ化水素や硫酸の含有量を上記範囲とすることで、基板への悪影響の発生を十分に防止しつつ、無機残渣を効率よく除去することができる。
【００５２】
無機残渣除去液のｐＨは、特に限定されないが、１〜３程度であるのが好ましい。無機残渣除去液のｐＨが前記範囲内の値であると、無機残渣の除去を効率よく行うことができる。これに対し、ｐＨが前記上限値を超えると、十分に無機残渣物を除去するのが困難になる場合がある。
また、無機残渣除去液への浸漬時間は、特に限定されないが、１〜５分間とするのが好ましい。無機残渣除去液への浸漬時間を前記範囲内の値とすることで、無機残渣の除去を好適に行うことができる。これに対し、浸漬時間が前記下限値未満であると、無機残渣を短時間で、十分に除去するのが困難になる場合がある。また、浸漬時間が前記上限値を超えると、電極パッドをアタックする可能性がある。
以上のようにして、電極パッド３やパッシベ−ション膜４表面の無機残渣が除去される。
【００５３】
＜３＞その後、図８に示すような水洗槽１２を用いて、基板を水洗する（水洗処理工程）。
水洗槽１２は、オーバーフロー槽１２１を備えたオーバーフロー構造を有しているのが好ましい。これにより、液が効率よく循環し処理液の除去が容易にできるという効果が得られる。
基板２は、治具１４に収納された状態で水洗槽１２中の洗浄液（水）に浸漬されることにより水洗される。
【００５４】
また、水洗処理のとき、不活性ガスによるバブリングを行うのが好ましい。これにより、短時間で効率よく十分に水洗を行うことができる。バブリングの方法は、特に限定されないが、例えば、水洗槽１２の内側、例えば底面部や側面部に、多数の孔１３１が形成されたチューブ１３を配しておき、当該孔１３１から不活性ガスを噴出させる方法等が挙げられる。チューブ１３を構成する材料としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂材料等が挙げられる。
【００５５】
また、このチューブ１３には、ガスポンプ等の図示しない不活性ガス供給手段が接続されている。この不活性ガス供給手段によりチューブ１３に不活性ガスを供給することで、当該チューブ１３に形成された孔１３１から不活性ガスをバブル（気泡）１３２として噴出させる。不活性ガスとしては、例えば、Ｎ２、Ｈｅ、Ａｒ等が好適なものとして挙げられる。
【００５６】
形成されるバブル（気泡）１３２の大きさは、チューブ１３に形成された孔１３１の大きさ（面積）等に依存する。孔１３１の１個当たりの面積（開口面積）は、特に限定されないが、１〜２ｍｍ２であるのが好ましい。孔１３１の面積を前記範囲内の値とすることで、好適にバブリングを行うことができ、水洗をさらに効率よく行うことができる。これに対し、孔１３１の面積が前記下限値未満であると、形成されるバブル１３２が小さくなり、基板への洗浄力が低下してしまう可能性がある。また、孔１３１の面積が前記上限値を超えると、形成されるバブル１３２が大きくなり、基板の洗浄状況が見えなくなる可能性がある。
【００５７】
不活性ガスの吹き出し圧力は、特に限定されないが、１〜５ｋｇ／ｃｍ２程度であるのが好ましい。不活性ガスの吹き出し圧力を前記範囲内の値とすることで、好適にバブリングを行うことができ、水洗をさらに効率よく行うことができる。これに対し、不活性ガスの吹き出し圧力が前記下限値未満であると、気泡の発生量が少なくなり、前記効果が十分に得られない可能性がある。また、吹き出し圧力が前記上限値を超えると、基板の洗浄状況が見えなくなる可能性がある。
【００５８】
不活性ガスの吹き出し量は、特に限定されないが、１〜３Ｌ／秒であるのが好ましい。不活性ガスの吹き出し量を前記範囲内の値とすることで、より効率よく短時間で水洗を行うことができる。これに対し、不活性ガスの吹き出し量が前記下限値未満であると、前記効果が十分に得られない可能性がある。また、吹き出し量が前記上限値を超えると、基板の洗浄状況が見えなくなる可能性がある。
【００５９】
なお、上記の説明では、複数の孔１３１を開けたチューブ１３を水洗槽１２の底面部に配し、当該孔１３１から不活性ガスを吹き出させることによりバブリングを行う場合を例に挙げて説明したが、バブリングの方法はこれに限定されない。例えば、チューブ１３は、水洗槽１２の側面部に配してもよいし、チューブ１３ではなく水洗槽１２の壁面にガス吹き出し用の孔を設け、そこから不活性ガスを吹き出すような構成にしてもよい。また、焼結体などの多孔質体を水洗槽１２の内部に配置し、当該多孔質体を介して不活性ガスを吹き出すことによりバブリングを行うこともできる。
【００６０】
＜４＞次に、酸化膜除去処理槽内に入れられた、アルカリ性水溶液からなる酸化膜除去処理液中に基板を浸漬し、電極パッド３の表面に自然に形成された自然酸化膜（Ａｌ酸化膜）を除去する（Ａｌ酸化膜除去工程）。
アルカリ性水溶液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等を含む溶液（水溶液）を用いることができる。
【００６１】
酸化膜除去処理液のｐＨは、特に限定されないが、９〜１３であるのが好ましい。酸化膜除去処理液のｐＨが前記範囲内の値であると、自然酸化膜を効率よく除去することができる。これに対し、ｐＨが前記下限値未満であると、短時間に十分酸化膜の除去ができない可能性がある。
また、酸化膜除去処理液の温度は、特に限定されないが、２５〜６０℃であるのが好ましい。酸化膜除去処理液の温度が前記範囲内の値であると、自然酸化膜を効率よく除去することができる。これに対し、温度が前記下限値未満であると、化学反応が十分速やかに進行せず、自然酸化膜の除去に時間がかかってしまう場合がある。また、温度が前記上限値を超えると、電極パッドをアタックしてしまう可能性がある。
【００６２】
また、酸化膜除去処理液への基板の浸漬時間は、特に限定されないが、０．５〜５分間とするのが好ましい。酸化膜除去処理液への浸漬時間を前記範囲内の値とすることにより、自然酸化膜の除去を好適に行うことができる。これに対し、浸漬時間が前記下限値未満であると、酸化膜除去処理液の組成、温度等によっては、自然酸化膜が十分に除去されずに残存してしまう可能性がある。また、浸漬時間が前記上限値を超えると、電極パッドをアタックしてしまう可能性がある。
以上のようにして電極パッド３表面の自然酸化膜が除去される。
＜５＞その後、上記＜３＞と同様にして水洗処理を行う。
【００６３】
＜６＞次に、ジンケート処理槽内に入れられたジンケート処理液中に基板を浸漬し、電極パッド３表面にＺｎ膜を形成する（ジンケート処理工程）。これにより、後述する＜８＞無電解Ｎｉめっき工程において、Ｎｉを好適に析出させることができる。
まず、ジンケート液中に基板を浸漬し、電極パッド３表面の酸化膜を除去する。その後、さらにジンケート液中に浸漬することにより、電極パッド３表面にＺｎ膜を形成する。
【００６４】
ジンケート液は、Ｚｎを含有するものであれば、特に限定されないが、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含有するものであるのが好ましい。
ジンケート液のｐＨは、特に限定されないが、１１〜１３であるのが好ましい。ジンケート液のｐＨが前記範囲内の値であると、ジンケート処理を効率よく行うことができる。これに対し、ｐＨが前記下限値未満であると、均一なＺｎ膜を形成できない可能性がある。また、ｐＨが前記上限値を超えると、電極パッドをアタックしてしまう可能性がある。
【００６５】
ジンケート液の温度は、特に限定されないが、２１〜２３℃であるのが好ましい。ジンケート液の温度が前記範囲内の値であると、ジンケート処理を効率よく行うことができる。これに対し、温度が前記下限値未満であると、ジンケート液の組成等によっては、ジンケート処理に要する時間が長くなる可能性がある。また、温度が前記上限値を超えると、均一なＺｎ膜を形成できない可能性がある。
【００６６】
また、ジンケート液への基板の浸漬時間は、特に限定されないが、１０秒〜２分間であるのが好ましい。ジンケート液への浸漬時間を前記範囲内の値とすることで、ジンケート処理を好適に行うことができる。これに対し、浸漬時間が前記下限値未満であると、ジンケート液の組成、温度等によっては、ジンケート処理（化学反応）が十分に進行しない可能性がある。一方、浸漬時間が前記上限値を超えると、均一なＺｎ膜厚を形成できない可能性がある。
【００６７】
なお、Ｚｎ膜を形成した後、当該Ｚｎ膜を剥離して、その後再びジンケート処理を行い、新しくＺｎ膜を形成してもよい。これにより、緻密なＺｎ粒子をＡｌ表面に析出させることができる。
Ｚｎ膜の剥離は、例えば、５〜３０ｗｔ％の硝酸水溶液に、基板を１０〜６０秒間浸漬することにより行うことができる。そして再度、上記のような条件でジンケート浴中に基板を浸漬し、Ｚｎ粒子をＡｌ表面に析出させる。このとき析出されるＺｎ粒子は、緻密なものとなる。これにより無電解Ｎｉめっき工程において、Ｎｉをより好適に析出させることができる。
以上のようにして電極パッド３の表面にＺｎ膜が形成される。
＜７＞その後、上記＜３＞と同様にして水洗処理を行う。
【００６８】
＜８＞次に、Ｎｉめっき槽内に入れられた無電解Ｎｉめっき液中に基板を浸漬し、図６（ｂ）に示すように、無電解めっきによりＮｉ層５１を形成する（無電解Ｎｉめっき工程）。
Ｎｉめっき液としては、例えば、次亜リン酸を還元剤として含有する溶液等を用いることができる。このような溶液を用いた場合、通常、めっき時にＰが共析することとなる。
【００６９】
Ｎｉめっき液のｐＨは、特に限定されないが、４〜５であるのが好ましい。Ｎｉめっき液のｐＨが前記範囲内の値であると、Ｎｉめっきを効率よく行うことができる。これに対し、ｐＨが前記下限値未満であると、電極パッドをアタックしてしまう可能性がある。また、ｐＨが前記上限値を超えると、うまくＮｉとＰが析出されず、均一な膜が形成されない可能性がある。
【００７０】
また、Ｎｉめっき液の温度は、特に限定されないが、８５〜９５℃であるのが好ましい。Ｎｉめっき液の温度が前記範囲内の値であると、Ｎｉめっきを効率よく行うことができる。これに対し、温度が前記下限値未満であると、Ｎｉの析出が十分速やかに進行せず、めっきに時間がかかってしまう可能性がある。また、温度が前記上限値を超えると、均一なＮｉ膜を形成できない可能性がある。
【００７１】
なお、形成される電極膜５上にろう材層６を形成する場合、Ｎｉ層５１の高さ（厚み）は、１〜７μｍ程度とするのが好ましい。一方、電極膜５をバンプとして用いる場合（ろう材層を形成しない場合）には、Ｎｉ層５１の高さ（厚み）は、５〜２５μｍ程度とするのが好ましい。
以上のようにしてＮｉ層５１が形成される。
＜９＞その後、上記＜３＞と同様にして水洗処理を行う。
【００７２】
＜１０＞次に、Ａｕめっき槽に入れられたＡｕめっき液中に基板を浸漬し、図６（ｃ）に示すように、Ｎｉ層５１表面にＡｕ層５２を形成する（無電解Ａｕめっき工程）。このＡｕ層５２は、Ｎｉ層５１の酸化を防止する酸化防止膜として機能する。
Ａｕめっき液は、特に限定されないが、シアンフリータイプのもの（シアン化物イオンを実質的に含まないもの）であるのが好ましい。これにより、環境や人体に対する悪影響の発生を好適に防止し、作業をより安全に行うことができる。
【００７３】
Ａｕめっき液のｐＨは、特に限定されないが、６〜８であるのが好ましい。Ａｕめっき液のｐＨが前記範囲内の値であると、Ａｕ層５２を効率よく形成することができる。これに対し、ｐＨが前記下限値未満であると、または前記上限値を超えると、均一なＡｕ膜を形成できない可能性がある。
また、Ａｕめっき液の温度は、特に限定されないが、５０〜８０℃であるのが好ましい。Ａｕめっき液の温度が前記範囲内の値であると、Ａｕ層５２を効率よく形成することができる。これに対し、温度が前記下限値未満であると、Ａｕの析出の効率が低下し、めっきに要する時間が長くなる傾向を示す。また、温度が前記上限値を超えると、均一なＡｕ層の膜厚を確保できなくなる可能性がある。
【００７４】
また、Ａｕめっき液への浸漬時間は、特に限定されないが、１〜３０分間であるのが好ましい。Ａｕめっき液への浸漬時間が前記範囲内の値であると、Ａｕ層５２の形成を好適に行うことができる。これに対し、浸漬時間が前記下限値未満であると、Ａｕめっき液の組成、温度等によっては、十分な厚みのＡｕ層５２を形成することが困難になる可能性がある。一方、浸漬時間が前記上限値を超えると、均一なＡｕ層の膜厚を確保できなくなる可能性がある。
【００７５】
このようにして形成されるＡｕ層５２の厚みは、特に限定されないが、０．０５μｍ〜０．３μｍ程度であるのが好ましい。Ａｕ層５２の厚みが前記下限値未満であると、Ｎｉ層５１の酸化を十分に防止することが困難になる可能性がある。また、電極膜５上にバンプを形成する際の濡れ性が低下してしまう。一方、厚みが前記上限値を超えると、均一なＡｕ層の膜厚を確保できなくなる可能性がある。
以上のようにしてＡｕ層５２が形成される。
＜１１＞その後、上記＜３＞と同様にして水洗処理を行う。
【００７６】
＜１２＞次に、図７に示すように、基板２の裏面２２および端面に塗布されたレジスト２２１を除去する。レジスト２２１の除去方法としては、例えば、硫酸過水溶液中に基板を浸漬する方法等が挙げられる。
＜１３＞最後に、Ｎｉ層５１およびＡｕ層５２からなる電極膜５が形成された基板を前記＜３＞と同様にして水洗し、その後乾燥させる。
【００７７】
以上のような方法により、電極パッド３上に電極膜５が形成される。このように無電解めっきにより電極膜５を形成することで、微細な形状の電極膜５を高精度で形成することができるという利点がある。また、無電解めっきにより電極膜５を形成することで、電極膜形成用のレジストを用いる必要がなくなる。これによりレジスト除去用の酸による半導体チップ（半導体基板）への影響を無くすことができ、高品質の半導体チップ１Ａを得ることができる。
【００７８】
なお、この電極膜５は、例えば図１に示すように、比較的薄く形成し、その上にはんだを供給し、リフローすることによりろう材層６を形成してバンプとすることもできるし、一方、例えば図２に示すように、比較的厚く形成してそのまま（ろう材層を形成することなく）バンプとすることもできる。
電極膜５上にろう材層６を形成する場合には、電極膜５の厚み（高さ）は、０．１〜１μｍ程度であるのが好ましい。一方、電極膜５をそのままバンプとして用いる場合（ろう材層を形成しない場合）には、電極膜５の厚み（高さ）は、１〜５μｍ程度であるのが好ましい。
【００７９】
以上のような電極膜５は、基板上に被膜３９を形成することにより、基板に到達する光エネルギーを低減させた状態で各化学処理工程を行うことにより形成されたものである。したがって、化学処理時に、光起電力効果による部分電池の発生が抑えられる。これにより、電極パッド３の各部位でのめっき速度や、異なる電極パッド３間でのめっき速度が均一となり、高さばらつきが抑えられたものとなる。また、電極パッド３と電極膜５との密着性が向上し、優れた強度を有するものとなる。
【００８０】
また、本発明では、化学処理槽を遮光筐体で覆う等の処置を施さなくてもよいので、プロセス途中における基板や治具の状態を目視により簡単に確認することができる。これにより、プロセス途中で不良が発生した場合にも即座に対応することができる。これにより最終的な不良品の発生を抑えることができ、歩留まりが向上し、生産性を向上させることができる。また、化学処理槽を遮光筐体で覆う等の処置を施さなくてもよいので、基板の取り付けや取り出し等が容易になり、作業性も向上する。
さらに、例えば１つの化学処理槽が故障した場合、その点検および修理のために全部の化学処理槽を停止する必要は無く、故障した化学処理槽のみを停止するだけですむため、作業性が良好になり、全体としての生産性の低下も抑制できる。
【００８１】
以上の説明では、基板に被膜３９を被覆することにより、基板に到達する光エネルギーを低減させるものとして説明したが、化学処理時において基板に到達する光エネルギーを低減させる手段（方法）は、このようなものに限定されない。例えば、以下で説明する、［１］〜［４］のような手段（方法）を、単独または組み合わせて用いることができる。
【００８２】
［１］前記化学処理液として有色の液体を用いる。これにより、光エネルギーを化学処理液に吸収させて、基板に到達する光エネルギーを低減させることができる。その結果、化学処理時に、光起電力効果による部分電池の発生を抑えて、電極パッド３の各部位でのめっき速度や、異なる電極パッド３間でのめっき速度を均一にすることができ、形成される電極膜５の高さばらつきを抑えることができる。また、電極パッド３と電極膜５との密着性が向上し、優れた強度を有するものとなる。
【００８３】
有色の化学処理液は、いかなる方法で調製されたものであってもよいが、例えば、前述したような化学処理液に、染料、顔料等の有色材料（着色剤）を添加することにより、有色の化学処理液を調製することができる。中でも、化学処理液の調製に用いる有色材料としては、以下のような理由から染料が好ましい。
化学処理液としては、通常、水溶液（主として水を主とする液体）が用いられるが、染料は、一般に優れた水溶性を有している。したがって、有色材料として染料を用いた場合には、化学処理液中に不溶物が存在するときに発生する可能性のある悪影響をより効果的に防止することができる。
なお、上記のようにして化学処理液を調製する場合、有色材料の添加量に応じて、それ以外の成分の含有量を調整してもよい。
有色材料（着色剤）の色（色相）は、特に限定されず、様々な色とすることができるが、光エネルギーを吸収しやすい色、例えば、黒色〜紺色とするのが好ましい。
【００８４】
染料としては、公知のブラック、シアン、マゼンタ、イエローの直接染料、酸性染料、食用染料、塩基性染料、反応性染料、分散性染料等を単独で若しくは２種以上組み合わせて使用することができる。
具体的な染料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ダイレクトレッド２，４，９，２３，２６，３１，３９，６２，６３，７２，７５，７６，７９，８０，８１，８３，８４，８９，９２，９５，１１１，１７３，１８４，２０７，２１１，２１２，２１４，２１８，２２１，２２３，２２４，２２５，２２６，２２７，２３２，２３３，２４０，２４１，２４２，２４３，２４７、Ｃ．Ｉ．ダイレクトバイオレット７，９，４７，４８，５１，６６，９０，９３，９４，９５，９８，１００，１０１、Ｃ．Ｉ．ダイレクトイエロー８，９，１１，１２，２７，２８，２９，３３，３５，３９，４１，４４，５０，５３，５８，５９，６８，８６，８７，９３，９５，９６，９８，１００，１０６，１０８，１０９，１１０，１３０，１３２，１４２，１４４，１６１，１６３、Ｃ．Ｉ．ダイレクトブルー１，１０，１５，２２，２５，５５，６７，６８，７１，７６，７７，７８，８０，８４，８６，８７，９０，９８，１０６，１０８，１０９，１５１，１５６，１５８，１５９，１６０，１６８，１８９，１９２，１９３，１９４，１９９，２００，２０１，２０２，２０３，２０７，２１１，２１３，２１４，２１８，２２５，２２９，２３６，２３７，２４４，２４８，２４９，２５１，２５２，２６４，２７０，２８０，２８８，２８９，２９１、Ｃ．Ｉ．ダイレクトブラック９，１７，１９，２２，３２，５１，５６，６２，６９，７７，８０，９１，９４，９７，１０８，１１２，１１３，１１４，１１７，１１８，１２１，１２２，１２５，１３２，１４６，１５４，１６６，１６８，１７３，１９９、Ｃ．Ｉ．アシッドレッド３５，４２，５２，５７，６２，８０，８２，１１１，１１４，１１８，１１９，１２７，１２８，１３１，１４３，１５１，１５４，１５８，２４９，２５４，２５７，２６１，２６３，２６６，２８９，２９９，３０１，３０５，３３６，３３７，３６１，３９６，３９７、Ｃ．Ｉ．アシッドバイオレット５，３４，４３，４７，４８，９０，１０３，１２６、Ｃ．Ｉ．アシッドイエロー１７，１９，２３，２５，３９，４０，４２，４４，４９，５０，６１，６４，７６，７９，１１０，１２７，１３５，１４３，１５１，１５９，１６９，１７４，１９０，１９５，１９６，１９７，１９９，２１８，２１９，２２２，２２７、Ｃ．Ｉ．アシッドブルー９，２５，４０，４１，６２，７２，７６，７８，８０，８２，９２，１０６，１１２，１１３，１２０，１２７：１，１２９，１３８，１４３，１７５，１８１，２０５，２０７，２２０，２２１，２３０，２３２，２４７，２５８，２６０，２６４，２７１，２７７，２７８，２７９，２８０，２８８，２９０，３２６、Ｃ．Ｉ．アシッドブラック７，２４，２９，４８，５２：１，１７２、Ｃ．Ｉ．リアクティブレッド３，１３，１７，１９，２１，２２，２３，２４，２９，３５，３７，４０，４１，４３，４５，４９，５５、Ｃ．Ｉ．リアクティブバイオレット１，３，４，５，６，７，８，９，１６，１７，２２，２３，２４，２６，２７，３３，３４、Ｃ．Ｉ．リアクティブイエロー２，３，１３，１４，１５，１７，１８，２３，２４，２５，２６，２７，２９，３５，３７，４１，４２、Ｃ．Ｉ．リアクティブブルー２，３，５，８，１０，１３，１４，１５，１７，１８，１９，２１，２５，２６，２７，２８，２９，３８、Ｃ．Ｉ．リアクティブブラック４，５，８，１４，２１，２３，２６，３１，３２，３４、Ｃ．Ｉ．ベーシックレッド１２，１３，１４，１５，１８，２２，２３，２４，２５，２７，２９，３５，３６，３８，３９，４５，４６、Ｃ．Ｉ．ベーシックバイオレット１，２，３，７，１０，１５，１６，２０，２１，２５，２７，２８，３５，３７，３９，４０，４８、Ｃ．Ｉ．ベーシックイエロー１，２，４，１１，１３，１４，１５，１９，２１，２３，２４，２５，２８，２９，３２，３６，３９，４０、Ｃ．Ｉ．ベーシックブルー１，３，５，７，９，２２，２６，４１，４５，４６，４７，５４，５７，６０，６２，６５，６６，６９，７１、Ｃ．Ｉ．ベーシックブラック８等が挙げられる。
【００８５】
また、顔料としては、例えば、ファーネスブラック、ランプブラック、アセチレンブラック、チャンネルブラック等のカーボンブラック（Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック７）類、または銅酸化物、鉄酸化物（Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック１１）、酸化チタン等の金属類、アニリンブラック（Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック１）等の黒色顔料、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１（ファストイエローＧ）、３、１２（ジスアゾイエローＡＡＡ）、１３、１４、１７、２４、３４、３５、３７、４２（黄色酸化鉄）、５３、５５、７４、８１、８３（ジスアゾイエローＨＲ）、９５、９７、９８、１００、１０１、１０４、１０８、１０９、１１０、１１７、１２０、１２８、１３８、１５３等の黄色顔料、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１、２、３、５、１７、２２（ブリリアントファーストスカーレット）、２３、３１、３８、４８：２（パーマネントレッド２Ｂ（Ｂａ））、４８：２（パーマネントレッド２Ｂ（Ｃａ））、４８：３（パーマネントレッド２Ｂ（Ｓｒ））、４８：４（パーマネントレッド２Ｂ（Ｍｎ））、４９：１、５２：２、５３：１、５７：１（ブリリアントカーミン６Ｂ）、６０：１、６３：１、６３：２、６４：１、８１（ローダミン６Ｇレーキ）、８３、８８、１０１（べんがら）、１０４、１０５、１０６、１０８（カドミウムレッド）、１１２、１１４、１２２（キナクリドンマゼンタ）、１２３、１４６、１４９、１６６、１６８、１７０、１７２、１７７、１７８、１７９、１８５、１９０、１９３、２０２、２０９、２１９等の赤色顔料、Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１、２、１５（フタロシアニンブルーＲ）、１５：１、１５：２、１５：３（フタロシアニンブルーＧ）、１５：４、１５：６（フタロシアニンブルーＥ）、１６、１７：１、５６、６０、６３等の青色顔料、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン１、４、７、８、１０、１７、１８、３６等の緑色顔料等が挙げられる。
【００８６】
上述したような顔料は、２種類以上を混合して用いたり、異なる色の顔料を混合して用いたりしてもよい。これにより色（色相、彩度、明度等）を調整したり、色濃度を調整したりすることができる。
上述したような有色材料（染料、顔料）は、１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を混合して用いることもできる。複数種の有色材料を混合することで、様々な色を作り出すことができ、光の吸収の効率を特に優れたものとすることができる。
【００８７】
化学処理液中の染料の濃度は、特に限定されないが、０．５〜５ｗｔ％であるのが好ましい。染料の濃度が前記範囲内の値であると、光エネルギーを効果的に吸収することが可能となる。これに対し、染料の濃度が前記下限値未満であると、光エネルギーの吸収の効率を十分に高めるのが困難になる可能性がある。また、染料の濃度が前記上限値を超えると、化学処理液の色が濃くなり、目視により基板の状態を確認することが困難になる可能性がある。
【００８８】
［２］化学処理時に、化学処理液１０１をバブリングする（図９参照）。これにより、化学処理槽内に入射した光を屈折（分散）および／または吸収させ、基板に到達する光エネルギーを低減させることができる。その結果、化学処理時に、光起電力効果による部分電池の発生を抑えて、電極パッド３の各部位でのめっき速度や、異なる電極パッド３間でのめっき速度を均一にすることができ、形成される電極膜５の高さばらつきを抑えることができる。また、電極パッド３と電極膜５との密着性が向上し、優れた強度を有するものとなる。
【００８９】
バブリングの方法としては、例えば、化学処理槽１０Ａの内側、例えば底面部や側面部に、多数の孔１１１が形成されたチューブ１１を配しておき、当該孔１１１からガスの気泡を発生させる方法等が挙げられる。
このチューブ１１は、化学処理液に耐性を有する材料から構成される。このような材料としては、例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂材料等が好ましいものとして挙げられる。
【００９０】
また、このチューブ１１には、ガスポンプ等の図示しないガス供給手段が接続されている。このガス供給手段によりチューブ１１にガスを供給することで、当該チューブ１１に形成された孔１１１から前記ガスをバブル（気泡）として噴出させる。
前記ガスは、特に限定されないが、基板の構成材料等と実質的に反応を起こさない不活性ガスであるのが好ましく、該不活性ガスとしては、例えば、Ｎ２、Ｈｅ、Ａｒ等が好適なものとして挙げられる。また、前記のような不活性ガスを用いた場合、特に、紫外線領域の光エネルギーが基板に到達するのを効果的に防止することができる。
【００９１】
形成されるバブル（気泡）１１２の大きさは、チューブ１１に形成された孔１１１の大きさ（面積）等に依存する。孔１１１の１個当たりの面積は、特に限定されないが、１〜３ｍｍ２であるのが好ましい。孔１１１の面積を前記範囲内の値とすることで、好適にバブリングを行うことができ、基板に到達する光エネルギーを好適に低減させることができる。これに対し、孔１１１の面積が前記下限値未満であると、形成されるバブル１１２が小さくなり、十分に光エネルギーが基板に到達するのを防止できない可能性がある。また、孔１１１の面積が前記上限値を超えると、形成されるバブル１１２が大きくなり、基板の処理状況が見えない可能性がある。
【００９２】
ガスの吹き出し圧力は、特に限定されないが、１〜５ｋｇ／ｃｍ２程度であるのが好ましい。ガスの吹き出し圧力を前記範囲内の値とすることで、好適にバブリングを行うことができ、基板に到達する光エネルギーを好適に低減させることができる。これに対し、ガスの吹き出し圧力が前記下限値未満であると、気泡の発生量が少なくなり、基板に到達する光エネルギーを効果的に低減させるのが困難になる可能性がある。また、吹き出し圧力が前記上限値を超えると、基板の処理状況が見えない可能性がある。
【００９３】
また、ガスの吹き出し量は、特に限定されないが、１〜３Ｌ／秒であるのが好ましい。ガスの吹き出し量を前記範囲内の値とすることで、好適にバブリングを行うことができ、基板に到達する光エネルギーを好適に低減させることができる。これに対し、ガスの吹き出し量が前記下限値未満であると、基板に到達する光エネルギーを効果的に低減させるのが困難になる可能性がある。また、吹き出し量が前記上限値を超えると、基板の処理状況が見えない可能性がある。
【００９４】
なお、上記の説明では、複数の孔１１１を開けたチューブ１１を化学処理槽１０Ａの底面部に配し、当該孔１１１からガスを吹き出させることによりバブリングを行う場合を例に挙げて説明したが、バブリングの方法はこれに限定されない。例えば、化学処理槽１０Ａの壁面部に複数の孔を形成し、当該孔からガスを吹き出させることによりバブリングを行う構成にしてもよい。また、焼結体などの多孔質体を化学処理槽１０の内部に配置し、当該多孔質体を介してガスを吹き出すことによりバブリングを行うこともできる。
【００９５】
［３］図１０に示すように、化学処理槽１０Ｂの上部に超音波発生装置１６を配しておき、化学処理液１０１の上面に超音波をかける。これにより、化学処理液１０１の表面付近に波（振動）が発生し、この波により光を屈折（分散）させる。その結果、基板に到達する光エネルギーを好適に低減させることができる。これにより、化学処理時に、光起電力効果による部分電池の発生を抑えて、電極パッド３の各部位でのめっき速度や、異なる電極パッド３間でのめっき速度を均一にすることができ、形成される電極膜５の高さばらつきを抑えることができる。また、電極パッド３と電極膜５との密着性が向上し、優れた強度を有するものとなる。
【００９６】
超音波の振動数は、特に限定されないが、１〜２ＭＨｚであるのが好ましい。超音波の振動数が前記範囲内の値であると、光を効率よく屈折させることができる。これに対し、振動数が前記下限値未満であると、基板に到達する光エネルギーを十分に防止できない可能性がある。また、振動数が前記上限値を超えると、基板の処理状況が見えなくなる可能性がある。
【００９７】
［４］図１１に示すように、化学処理液１０１の表面上にガスを吹き出させることで当該ガスのカーテン（ガスカーテン）１７を作り、このガスカーテンにより光を屈折（分散）および／または吸収させる。これにより、基板に到達する光エネルギーを低減させることができる。その結果、化学処理時に、光起電力効果による部分電池の発生を抑えて、電極パッド３の各部位でのめっき速度や、異なる電極パッド３間でのめっき速度を均一にすることができ、形成される電極膜５の高さばらつきを抑えることができる。また、電極パッド３と電極膜５との密着性が向上し、優れた強度を有するものとなる。
【００９８】
前記ガスは、特に限定されないが、基板の構成材料等との反応性の低い不活性ガスであるのが好ましく、該不活性ガスとしては、例えば、Ｎ２、Ｈｅ、Ａｒ等が好適なものとして挙げられる。また、前記のような不活性ガスを用いた場合、特に、紫外線領域の光エネルギーが基板に到達するのを効果的に防止することができる。
【００９９】
ガスカーテン１７の形成方法としては、例えば図１１に示すように、化学処理槽１０Ｃの一側面部にスリット状のガス吹き出し口１８ａを形成し、このガス吹き出し口１８ａから対向する側面部に向けてガスを吹き出す方法が挙げられる。対向する側面部には、ガス吸引口１８ｂを形成しておき、ガスを吸引するのが好ましい。これによりガスの流れを制御して好適にガスカーテン１７を形成することができる。
【０１００】
ガスの吹き出し圧力は、特に限定されないが、２〜５ｋｇ／ｃｍ２であるのが好ましい。ガスの吹き出し圧力を前記範囲内の値とすることで、均一なガスカーテン１７を容易に形成することができ、基板に到達する光エネルギーを好適に低減させることができる。これに対し、ガスの吹き出し圧力が前記下限値未満であると、ガスカーテン１７を均一に形成するのが困難になる場合がある。また、吹き出し圧力が前記上限値を超えると、基板の処理状況が見えなくなる可能性がある。
【０１０１】
また、ガスの吹き出し量としては、特に限定されないが、２〜４Ｌ／秒であるのが好ましい。ガスの吹き出し量を前記範囲内の値とすることで、均一なガスカーテン１７を容易に形成することができ、基板に到達する光エネルギーを好適に低減させることができる。これに対し、ガスの吹き出し量が前記下限値未満であると、ガスカーテン１７を均一に形成するのが困難になる場合がある。また、吹き出し量が前記上限値を超えると、基板の処理状況が見えなくなる可能性がある。
【０１０２】
また、ガスの吹き出される方向（ガスの流れる方向）は、特に限定されないが、図示のように、化学処理液１０１の液面に略平行であるのが好ましい。これにより、基板に到達する光エネルギーを好適に低減させることができる。
また、形成されるガスカーテン１７の厚みは、特に限定されないが、１〜２ｃｍであるのが好ましい。ガスカーテン１７の厚みを前記範囲内の値とすることで、基板に到達する光エネルギーを好適に低減させることができる。これに対し、ガスカーテンの厚みが前記下限値未満であると、基板に到達する光エネルギーを十分に低減させるのが困難になる場合がある。また、厚みが前記上限値を超えると、均一なガスカーテン１７の形成が困難になる。
【０１０３】
さらに、ガス吹き出し口から吹き出されるガスは、常温のものであってもよいが、加温または冷却されたものであってもよい。加温または冷却されたガスを噴出することにより、噴射ガスと雰囲気（周囲）との間で温度差が生じ、光の屈折（分散）をより効果的に起こさせることができ、結果として、基板に到達する光エネルギーをより好適に低減させることができる。
【０１０４】
なお、上記の説明では、ガスカーテンを１層だけ形成した場合を例に挙げて説明したが、これに限定されず、２層以上の複数のガスカーテンを形成してもよい。この場合、各ガスカーテン間において、ガスの温度、組成（ガスの種類）、噴射方向、吹き出し圧力、吹き出し量のうち少なくとも１つが異なるようにするのが好ましい。これにより、基板に到達する光エネルギーをより好適に低減させることができる。また、上記では液体吹き出し口からガスを噴射する構成について説明したが、液体、超臨界流体等の流体を用いてもよい。
【０１０５】
化学処理時において基板に到達する光エネルギーを低減させる手段（方法）の好適な例について説明したが、これらは、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。例えば、前述した被膜３９を被覆した状態で、上記［１］〜［４］から選択される少なくとも１つの手段を用いて、化学処理を行ってもよい。このように、複数の手段を組み合わせて用いることにより、さらに高い効果を得ることができる。なお、上記の説明では、全ての化学処理を、基板に到達する光エネルギーを低減させた状態で行うものとして説明したが、本発明では、少なくとも１つの化学処理を上記のような手段（方法）を用いて行うものであればよい。
【０１０６】
次に、上述したような半導体チップ１Ａを、回路基板に実装する実装方法について説明する。以下の説明では、図１に示すように、比較的薄く形成された電極膜５上にろう材層６を形成してバンプとし、ＦＣＢ（Ｆｌｉｐ  ｃｈｉｐ  ｂｏｎｄｉｎｇ）実装する場合を例に挙げて説明する。
【０１０７】
電極膜５上にろう材層６を形成する方法としては、例えば、ろう材としてはんだを用いる場合には、特に限定されないが、（１）はんだめっきを行い、加熱する方法、（２）電極膜５上にはんだワイヤーによりスタッドバンプを形成し、加熱する方法、（３）予めはんだボールを作っておき、電極膜５上にフラックス塗布後、ボール搭載し、適温でリフローする方法、（４）電極膜５上にはんだペーストを適量印刷し、適温でリフローする方法等が挙げられる。
バンプは、それぞれ、ほぼ等しい厚さ（高さ）に設定されており、その厚さ（平均）は、特に限定されないが、例えば、１０〜１００μｍ程度であるのが好ましい。また、バンプの横断面での面積（最大）も、特に限定されないが、例えば、５×１０−３〜５×１０−２ｍｍ２程度であるのが好ましい。
【０１０８】
次に、このような半導体チップが実装される回路基板（配線基板）７の一例について、図１２に基づいて説明する。なお、以下の説明では、図１２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１２に示す回路基板７は、基板８と、基板８の一方の面（上面）８１に設けられた複数の端子９とを有している。
基板８は、例えば、各種ガラス、各種セラミックス、Ｓｉ等の半導体材料、各種樹脂材料、またはこれらを任意に組み合わせたもの等で構成されている。基板８の厚さ（平均）は、特に限定されないが、通常、０．１〜３ｍｍ程度とされる。
【０１０９】
また、基板８は、単層で構成されたもののみならず、複数の層の積層体で構成されたものでもよい。
この基板８の一方の面８１には、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕのうちの少なくとも１種の金属、該金属を含む合金等の導電性材料で構成される配線パターン（図示せず）が形成されている。そして、この配線パターンの端部付近に電極が形成されて、端子９を構成している。
なお、配線パターンは、基板が複数の層の積層体で構成される場合には、基板の内部に形成されていてもよい。
【０１１０】
次に、半導体チップ１Ａの回路基板７への実装について説明する。図１３は、本発明の半導体チップの実装方法を示す工程図（断面図）、図１４は、回路基板に半導体チップが実装された状態を示す断面図である。
半導体チップ１Ａを、回路基板７に実装する際には、まず、図１３に示すように、回路基板７に半導体チップ１Ａを積層して（対向させて）、半導体チップ１Ａのバンプ（ろう材層６）と、これに対応する回路基板７の端子９とを、接触するよう位置決めする。
また、このとき、半導体チップ１Ａと回路基板７との間に、例えばフラックスや熱硬化性接着剤のような粘着性または接着性を有する充填物を介在させるようにしてもよい。これにより、次工程において、半導体チップ１Ａと回路基板７とが位置ズレするのを好適に防止することもできる。
【０１１１】
次に、対応する端子同士を（半導体チップのバンプと対応する回路基板の端子とを）接合する。
この接合方法としては、ボンディングツールによる加熱・加圧による方法が好適に用いられる。
半導体チップ１Ａのバンプと、回路基板７の端子９とを、加熱・加圧により一体化して接合する。
【０１１２】
この場合、加熱の温度は、特に限定されないが、１５０〜５００℃程度であるのが好ましく、４００〜４５０℃程度であるのがより好ましい。また、加熱の時間は、特に限定されないが、１秒〜１０分程度であるのが好ましく、１〜５秒程度であるのがより好ましい。
加熱（処理条件）を前記のようなものとすることにより、半導体チップ１Ａの電極膜５と、対応する回路基板７の端子９とをより強固に接合することができる。
また、この接合は、必要に応じて、例えば、高周波、超音波等を照射しつつ行うようにしてもよい。
【０１１３】
以上のようにして、半導体チップ１Ａのバンプと、対応する回路基板７の端子９とを一体化させることにより、図１４に示すような接合部が形成される。すなわち、対応する端子同士が接合される。これにより、半導体チップ１Ａが回路基板７に実装される（半導体装置が得られる）。
以上のようにして、半導体チップ１Ａのバンプと、対応する回路基板７の端子９とを接合することにより、半導体チップ１Ａと回路基板７との優れた接合信頼性が得られる。
【０１１４】
なお、半導体チップ１Ａの回路基板７への実装についても、上述した例に限定されるものではなく、例えば、樹脂をあらかじめ基板に塗布しておき、そこへチップを加熱加圧ボンディングし、接合と樹脂封止を一度に行うＮＣＰ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）実装、ＴＡＢ（ｔａｐｅ  ａｍｏｕｎｔｅｄ  ｂｏｎｄｉｎｇ）実装、ＣＯＦ（ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｆｌｅｘ）実装、ＣＯＧ（ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）実装等、各種ＦＣＢ実装工程を採用することができる。
【０１１５】
また、上述した説明では、電極膜５を比較的薄く形成して、その上（表面）にはんだを塗布、加熱してろう材層６を形成してバンプとした場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、図２に示すように電極膜５を比較的厚く形成し、そのままバンプとして用いることもできる。
【０１１６】
次に、このような半導体チップの実装方法により半導体チップが実装された回路基板を備える電子デバイス、すなわち、本発明の電子デバイスについて説明する。
以下では、本発明の電子デバイスを液晶表示装置に適用した場合を一例に説明する。
【０１１７】
図１５は、本発明の電子デバイスを液晶表示装置に適用した場合の実施形態を示す断面図である。なお、以下の説明では、図１５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１５に示す液晶表示装置（電気光学装置）１００は、液晶パネル２００と、本発明の半導体チップの実装方法により、半導体チップ１Ａが回路基板７である可撓性回路基板に実装されてなる可撓性回路基板３００とを有している。
【０１１８】
液晶パネル２００は、枠状のシール材２３０を介して貼りあわされた第１パネル基板２２０と、第１パネル基板２２０に対向する第２パネル基板２４０と、これらで囲まれる空間に封入された液晶２７０とを有している。
第１パネル基板２２０および第２パネル基板２４０は、それぞれ、例えば、ガラス基板で構成されている。これらのパネル基板２２０、２４０の液晶２７０側の面には、それぞれ、例えばＩＴＯ等で構成される透明電極２１０、２５０が設けられている。これらの透明電極２１０、２５０を介して、液晶２７０に電圧が印加される。
また、第２パネル基板２４０の上面には、偏光板２６０が設けられている。
【０１１９】
なお、第１パネル基板２２０は、第２パネル基板２４０から張り出した部分（張出領域２０１）を有している。この張出領域２０１にまで、各透明電極２１０、２５０が延在して設けられている。
回路基板（可撓性回路基板）７の基板８の一方の面８１には、配線パターン（リード）９３が形成されている。この回路基板８は、その一端側（図中左側）において、配線パターン９３が下方を向くように長手方向の途中で折り曲げられている。そして、この一端側において、配線パターン９３と張出領域２０１に延在する各透明電極２１０、２５０の端部とが、導電性粒子４１０を含む異方性導電性材料（異方性導電性ペースト、異方性導電性膜）４００を介して接続されている。また、配線パターン９３の中央付近の端部が端子９を構成しており、この端子９に半導体チップ１Ａのバンプが接合（接続）されている。
【０１２０】
これにより、各透明電極２１０、２５０と半導体チップ１Ａとの電気的導通が得られている。
半導体チップ１Ａは、液晶パネル２００の駆動用ＩＣとして設けられており、各透明電極２１０、２５０への電圧の印加量、印加パターン等を制御する。この半導体チップ１Ａの制御により、液晶パネル２００では、所望の情報（画像）が表示される。
【０１２１】
なお、本発明の電子デバイスは、図示の液晶表示装置１００への適用に限定されず、例えば、有機ＥＬ表示装置、電気泳動表示装置等の各種表示装置、インクジェット記録ヘッド等の液滴吐出用ヘッド等に適用することもできる。
そして、このような電子デバイスを備える本発明の電子機器は、各種の電子機器に適用することができる。
【０１２２】
以下、本発明の電子機器について、図１６〜図１８に示す実施形態に基づき、詳細に説明する。
図１６は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００は、本発明の電子デバイスとして、表示ユニット１１０６に液晶表示装置１００が組み込まれる。
【０１２３】
図１７は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、本発明の電子デバイスとして液晶表示装置１００を備えている。
また、この携帯電話機１２００では、液晶表示装置１００等が内蔵されている。
【０１２４】
図１８は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１２５】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、本発明の電子デバイスとして液晶表示装置（電気光学装置）１００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、液晶表示装置１００は、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
【０１２６】
ケース１３０２の内部には、本発明の電子デバイスとして、例えば、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリ１３０８等が内蔵されている。
また、ケース１３０２の正面側（図１８においては裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が液晶表示装置１００に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリ１３０８に転送・格納される。
【０１２７】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図１８に示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリ１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【０１２８】
なお、本発明の電子機器は、図１６のパーソナルコンピュータ、図１７の携帯電話機、図１８のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、テレビ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ等に適用することができる。
【０１２９】
以上、本発明の半導体基板の処理装置、半導体チップの製造方法、半導体チップ、電子デバイスおよび電子機器について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、本発明の半導体チップの製造方法では、必要に応じて、任意の目的の工程を追加することもできる。
【０１３０】
また、上記の説明では、電極膜がＮｉ層とＡｕ層との積層体で構成されるものとして説明したが、電極膜は、Ｎｉ、Ａｕ以外の材料で構成されたものであってもよい。また、電極膜は、１層のみから構成されるものであってもよいし、３層以上の層が積層された積層体であってもよい。また、電極膜を構成する層は、実質的に均一な組成からなるものであってもよいし、例えば、層の厚さ方向に組成が変化する傾斜材料で構成されたものであってもよい。
また、本発明の半導体チップの実装方法は、複数の半導体チップを積層するのに用いてもよい。
また、本発明において実装される半導体チップは、予め複数の半導体チップを積層した積層体であってもよい。
【０１３１】
【実施例】
（実施例１）
以下のようにして電極膜を形成し、半導体チップを作製した。
まず、電極パッドおよびパッシベ−ション膜が形成された基板の裏面および端面にレジストを塗布した。
【０１３２】
また、基板の電極パッド以外の部分に、ポリイミド系樹脂からなる厚さ５μｍの被膜（有色膜）を形成した。被膜（有色膜）の形成は、以下のようにして行った。まず、基板上にマスクを置き、スプレーにより、ポリイミド系樹脂を吹き付けた。その後１００℃で１分間のプリベークを行い、ポリイミド系樹脂を乾燥させた。最後にマスクを基板より取り外した。
【０１３３】
次に、無機残渣除去槽において、無機残渣除去液に基板を２分間浸漬し、電極パッド表面の無機残渣を除去した。無機残渣除去液としては、ＨＦを０．０２ｗｔ％、Ｈ２ＳＯ４を０．２ｗｔ％で含有する水溶液を用いた。
次に、Ａｌ酸化膜除去槽において、３０℃に加温されたＡｌ酸化膜除去液に基板を１分間浸漬し、電極パッド３表面の無機残渣を除去した。Ａｌ酸化膜除去液としては、水酸化ナトリウムを含み、ｐＨが１０のアルカリ性水溶液を用いた。
次に、ジンケート液中に基板を１分間浸漬し、電極パッド３表面にＺｎ膜を形成した。ジンケート液としては、ＺｎＯを含有したｐＨが１２の水溶液を用いた。
【０１３４】
その後、１６ｗｔ％の硝酸水溶液に２０秒間浸漬し、Ｚｎ膜を剥離した。そして再度ジンケート浴中に３０秒間浸漬し、緻密なＺｎ粒子をＡｌ表面に析出させた。
その後、無電解Ｎｉめっき槽において、９０℃に加温された無電解Ｎｉめっき液に基板を１２．５分間浸漬し、Ｎｉ層を５μｍの厚さに形成した。無電解Ｎｉめっき液としては、次亜リン酸を還元剤として含み、ｐＨが４．５の水溶液を用いた。
【０１３５】
最後に、無電解Ａｕめっき槽において、６０℃に加温された無電解Ａｕめっき液に基板を３０分間浸漬し、厚さ：０．１μｍのＡｕ層を形成した。無電解Ａｕめっき液としては、シアンフリータイプで、ｐＨが７の溶液を用いた。
なお、各化学処理の間には、水洗槽において水洗処理を行った。このとき、水洗槽の内部に配された、複数の孔が形成されたポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）製のチューブから、吹き出し圧力：１ｋｇ／ｃｍ２、吹き出し量：１Ｌ／秒でＮ２を吹き出すことによりバブリングを行った。
最後に、硫酸過水溶液中に基板を浸漬して、基板の裏面および端面に塗布されたレジストを除去した。
以上のようにして無電解めっきによりＮｉ層とＡｕ層からなる電極膜を形成して半導体チップを得た。
【０１３６】
（実施例２）
本実施例では、基板上に被膜（有色膜）を形成する代わりに、着色された化学処理液を用いることにより、基板に到達する光エネルギーを低減させた状態で化学処理を行った。
化学処理液の着色は、黒色のＣ．Ｉ．ダイレクトブラック９を用い、化学処理液に対して１ｗｔ％の濃度で添加することにより行った。
それ以外は、前記の実施例１と同様にして電極膜を形成して半導体チップを作製した。
【０１３７】
（実施例３）
本実施例では、基板上に被膜（有色膜）を形成する代わりに、化学処理時に、化学処理液をバブリングした。
バブリングは、１ｍｍの孔が複数形成されたポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）製のチューブを化学処理槽の内部に配し、当該チューブから、Ｎ２ガスを２ｋｇ／ｃｍ２の吹き出し圧力、１Ｌ／秒の吹き出し量で吹き出すことにより行った。
それ以外は、前記の実施例１と同様にして電極膜を形成して半導体チップを作製した。
【０１３８】
（実施例４）
本実施例では、基板上に被膜（有色膜）を形成する代わりに、化学処理時に、化学処理液の表面付近に１ＭＨｚの超音波をかけて、化学処理液を振動させた。
それ以外は、前記の実施例１と同様にして電極膜を形成して半導体チップを作製した。
【０１３９】
（実施例５）
本実施例では、基板上に被膜（有色膜）を形成する代わりに、化学処理時に、化学処理液の上部に、Ｎ２ガスを２ｋｇ／ｃｍ２の吹き出し圧力、１Ｌ／秒の吹き出し量で吹き出すことにより、厚さ：１ｃｍのガスカーテンを形成した。
それ以外は、前記の実施例１と同様にして電極膜を形成して半導体チップを作製した。
（比較例）
基板上に被膜（有色膜）を形成しなかった以外は、前記の実施例１と同様にして電極膜を形成して半導体チップを得た。
【０１４０】
以上のようにして作製された各半導体チップにおいて、電極膜の高さ（厚み）ばらつきおよびシェア強度を測定すると、基板への光エネルギーの到達を抑制するようにした実施例１〜５の半導体チップでは、いずれも実装上問題がないことが確認された。
これに対し、比較例の半導体チップでは、いずれもＰＮ接合部と接続した電極膜は高さばらつきが大きく、十分なシェア強度が得られず、実装上問題があることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体チップの好適な実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の半導体チップの他の実施形態を示す断面図である。
【図３】電極膜の形成造工程を示す図（フローチャート）である。
【図４】基板上に被膜（有色膜）を形成した様子を示す断面図である。
【図５】基板上に被膜（有色膜）を形成した様子を示す平面図である。
【図６】電極膜の形成方法を示す工程図（断面図）である。
【図７】電極膜の形成方法を示す工程図（断面図）である。
【図８】電極膜の形成に用いる水洗槽の一例を模式的に示す図である。
【図９】電極膜の形成に用いる化学処理装置の一例を模式的に示す図である。
【図１０】電極膜の形成に用いる化学処理装置の一例を模式的に示す図である。
【図１１】電極膜の形成に用いる化学処理装置の一例を模式的に示す図である。
【図１２】本発明の半導体チップが実装される回路基板の一例を示す断面図である。
【図１３】本発明の半導体チップの実装方法を示す工程図（断面図）である。
【図１４】回路基板に半導体チップが実装された状態を示す断面図である。
【図１５】本発明の電子デバイスを液晶表示装置に適用した場合の実施形態を示す断面図である。
【図１６】本発明の電子デバイスを備える電子機器（ノート型パーソナルコンピュータ）である。
【図１７】本発明の電子デバイスを備える電子機器（携帯電話機）である。
【図１８】本発明の電子デバイスを備える電子機器（ディジタルスチルカメラ）である。
【符号の説明】
１Ａ、１Ｂ‥‥半導体チップ  ２‥‥基板（半導体基板）  ２１‥‥面  ２２‥‥裏面  ２２１‥‥レジスト（被膜）  ３‥‥電極パッド  ３９‥‥被膜（有色膜）  ４‥‥パッシベーション膜  ５‥‥電極膜  ５１‥‥Ｎｉ層  ５２‥‥Ａｕ層  ６‥‥ろう材層  ７‥‥回路基板  ８‥‥基板  ８１‥‥面  ９‥‥端子  ９３‥‥配線パターン  １０‥‥化学処理槽  １０１‥‥化学処理液  １１‥‥チューブ  １１１‥‥孔  １１２‥‥バブル  １２‥‥水洗槽  １２１‥‥オーバーフロー槽  １３‥‥チューブ  １３１‥‥孔  １３２‥‥バブル  １４‥‥治具  １５‥‥洗浄液  １６‥‥超音波発生装置  １７‥‥ガスカーテン  １８ａ‥‥ガス吹き出し口  １８ｂ‥‥ガス吸引口  １００‥‥液晶表示装置  ２００‥‥液晶パネル  ２０１‥‥張出領域  ２１０‥‥透明電極  ２２０‥‥第１パネル基板  ２３０‥‥シール材  ２４０‥‥第２パネル基板  ２５０‥‥透明電極  ２６０‥‥偏光板  ２７０‥‥液晶  ３００‥‥可撓性回路基板  ４００‥‥異方性導電性材料  ４１０‥‥導電性粒子  １１００‥‥パーソナルコンピュータ  １１０２‥‥キーボード  １１０４‥‥本体部  １１０６‥‥表示ユニット  １２００‥‥携帯電話機  １２０２‥‥操作ボタン  １２０４‥‥受話口  １２０６‥‥送話口  １３００‥‥ディジタルスチルカメラ  １３０２‥‥ケース（ボディー）  １３０４‥‥受光ユニット  １３０６‥‥シャッタボタン  １３０８‥‥メモリ  １３１２‥‥ビデオ信号出力端子  １３１４‥‥データ通信用の入出力端子  １４３０‥‥テレビモニタ  １４４０‥‥パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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