(57)【要約】【課題】　特性の揃った半導体レーザを容易に作製できる製造方法を得る。【解決手段】　ｎ型基板１上に、ｎ型クラッド層２，活性層３，ｐ型クラッド層４，及びｎ型電流ブロック層５を含む半導体積層構造を成長した後、上記半導体積層構造上に、ストライプ状の開口部を有する絶縁膜パターン７を形成し、この後、上記絶縁膜パターン７をエッチングマスクとして、上記半導体積層構造を塩素系ガスエッチングの手法を用いてエッチングし、その側面が（１１１）Ｂ面である断面Ｖ字型のストライプ溝を形成し、該ストライプ溝内に上記活性層に電流を注入するための電流通路を形成した後、上記ストライプ溝内にｐ型半導体８を埋め込み成長し、さらに、ウエハ上にｐ型コンタクト層１１を結晶成長する。【選択図】　　　　図２(ｃ)
2004088124.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　半導体レーザを製造する方法において、
　第１導電型基板上に、第１導電型クラッド層，活性層，第２導電型クラッド層，及び第１導電型電流ブロック層を含む半導体積層構造を成長する工程と、
　上記半導体積層構造上に、ストライプ状の開口部を有する絶縁膜パターンを形成する工程と、
　上記絶縁膜パターンをエッチングマスクとして、上記半導体積層構造を所定の結晶面に対して垂直方向のエッチング速度が他の方向におけるエッチング速度に比して極めて遅くなるエッチング方法によりエッチングし、その側面が上記所定の結晶面である断面Ｖ字型のストライプ溝を形成し、該ストライプ溝内に上記活性層に電流を注入するための電流通路を形成する工程と、
　上記ストライプ溝内に第２導電型半導体を埋め込み成長する工程と、
　ウエハ上に第２導電型コンタクト層を結晶成長する工程とを含み、
　上記絶縁膜パターンを形成する工程は、共振器長方向に延びるストライプ状の開口部であって、そのレーザ出射端面近傍の一定領域のストライプ幅がレーザ出射端面に向かって徐々に狭くなっており、それ以外の領域のストライプ幅が均一の幅であるストライプ状開口部を有する絶縁膜パターンを形成するものであり、
　上記断面Ｖ字型のストライプ溝を形成する工程は、その先端が上記第２導電型クラッド層中にとどまり、かつ上記レーザ出射端面近傍の一定領域においてＶ字先端部から活性層までの距離が端面に向かって徐々に大きくなる断面Ｖ字型のストライプ溝を形成するものであることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
【請求項２】
　第１導電型半導体基板上に結晶成長された、第１導電型クラッド層，活性層，第２導電型クラッド層，及び第１導電型電流ブロック層を含む半導体積層構造と、
　該半導体積層構造に形成された、その先端が上記第２導電型クラッド層に達する、断面Ｖ字型のストライプ溝と、
　該ストライプ状溝を埋め込むように結晶成長された第２導電型半導体層とを備え、
　上記断面Ｖ字型のストライプ溝は、レーザ共振器長方向に延びるものであり、かつレーザ出射端面近傍の一定領域において、Ｖ字先端部から活性層までの距離が端面に向かって徐々に大きくなるものであることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項３】
　請求項１に記載の半導体レーザの製造方法において、
　上記絶縁膜パターンを形成する工程は、上記ストライプ状の開口パターン及び、レーザ端面とすべきへき開線上の位置に形成したへき開誘導パターンを有する絶縁膜パターンを形成するものであることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　この発明は半導体レーザの製造方法，及び半導体レーザに関し、特に、活性領域のストライプ幅の狭い半導体レーザを、容易に、再現性よく作製できる半導体レーザの製造方法、及び、このような製造方法によって作製される半導体レーザに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　近年、光ディスク装置の高速化への対応、あるいは計算機接続用などを目的として、半導体レーザダイオードアレイの開発が活発化している。半導体レーザダイオードアレイには、各要素レーザの特性が均一であること、信頼性に優れていることとともに、製造が容易であり、高歩留まりで製造できることなどが要求される。しかし、これまでに開発されてきたレーザアレイは単にディスクリートのレーザダイオードと同一構造を用い、並列に並べて構成したものが主流であったため、上記課題の解決には至っていない。
【０００３】
　図２４は従来の代表的な光ディスク用半導体レーザを示す斜視図であり、図において２０１はｎ型ＧａＡｓ基板、２０２はｎ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層、２０３は活性層、２０４はｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層、２０５はｎ型ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層、２０６はｐ型ＧａＡｓ第１キャップ層、２０９はｐ型ＧａＡｓ第２キャップ層、２１１はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、２１５ａはｎ側オーミック電極、２１５ｂはｐ側オーミック電極である。
【０００４】
　図２５は図２４に示す半導体レーザの製造方法を示す断面工程図であり、図において図２４と同一符号は同一又は相当部分であり、２０７はＳｉＮマスクである。以下、図２４に示す半導体レーザの製造工程を図２５に沿って説明する。
【０００５】
　まず、一回目の結晶成長によって、ｎ型ＧａＡｓ基板２０１上にｎ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層２０２、活性層２０３、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層２０４、ｐ型ＧａＡｓ第１キャップ層２０６をＭＯＣＶＤの手法を用いて順次積層する。その後プラズマＣＶＤの手法を用いてｐ型ＧａＡｓ第１キャップ層２０６上にＳｉＮ膜を形成し、このＳｉＮ膜を、通常の写真製版及びエッチングの技術を用いて、図２５(a) に示すように、ストライプ状（２０７）にパターニングする。
【０００６】
　次に、ウエットエッチングの手法を用いて、上記ＳｉＮ膜２０７をエッチングマスクとしてリッジエッチングを行ない、図２５(b) に示すように、逆メサ状のリッジを形成する。
【０００７】
　再びＭＯＣＶＤ装置にウエハをセットし、２回目の結晶成長によって、図２５(c) に示すように、リッジの両サイドにｎ型ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層２０５，及びｐ型ＧａＡｓ第２キャップ層２０９を選択成長し、リッジを埋め込む。
【０００８】
　次に、図２５(d) に示すようにＳｉＮマスク２０７を除去した後、３回目の結晶成長によって、ウエハ全面に、図２５(e) に示すように、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２１１を結晶成長する。
【０００９】
　この後、基板２０１裏面にｎ側オーミック電極２１５ａを、コンタクト層２１１上にｐ側オーミック電極２１５ｂを形成する工程，へき開による端面形成を含むチップ分離工程等を経て、図２４に示す半導体レーザが完成する。
【００１０】
　このような製造方法により作製される従来の半導体レーザの他の具体例としては、例えば、SPIE Vol.1634 Laser Diode Technology and Applications IV (1992), p.p.323〜328 に開示された、高出力ＴＱＷ(Triple Quantum Well) ＡｌＧａＡｓレーザ等がある。
【００１１】
　また、図２６は例えばジャパニーズジャーナルオブアプライドフィジックス，１９９１年，３０巻，Ｌ９０４〜Ｌ９０６ページ（Japanese Journal of Applied Physics, Vol.30, (1991) ，pp.L904-L906) に開示された、従来の端面窓構造レーザの一例を示す斜視図である。図において、２３１はｐ−ＧａＡｓ基板、２３２はｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層、２３３はｐ−Ａｌ0.33Ｇａ0.67Ａｓクラッド層、２４４はｐ−Ａｌ0.08Ｇａ0.92Ａｓ活性層、２３５はｎ−Ａｌ0.33Ｇａ0.67Ａｓクラッド層、２３６はｎ−ＧａＡｓコンタクト層である。また２３７は劈開により形成された（１１０）端面、２３８は劈開端面２３７に形成されたアンドープＡｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ窓層である。
【００１２】
　次に上記従来のレーザに採用されている窓構造について説明する。ＡｌＧａＡｓ系の高出力レーザにおいては、レーザの発振端面において多くの表面準位が形成されている。この表面準位の影響により端面近傍はレーザ中央部と比較して、等価的にバンドギャップの減少が生じている。従ってレーザ光の波長に対しては端面近傍領域は光の吸収領域となり、光出力増加に伴って上記吸収領域での局所的発熱が大きくなる。バンドギャップは温度の上昇に伴って縮小するため、レーザ光の吸収はさらに増大し、温度上昇を引き起こすという正帰還がかかり、ついには溶融破壊にいたる。この現象を光学損傷（ＣＯＤ）といいＡｌＧａＡｓ系の高出力レーザにおいて深刻な問題となっている。窓構造は、レーザ発振端面近傍領域にレーザの発振波長よりもバンドギャップの大きい領域を設けることで、端面近傍での光吸収を減少させ、上記光学損傷を防止するという目的で設けられている。
【００１３】
　図２６のレーザにおいては、窓構造を形成するにあって以下に示す工程を施している。
　まず通常のウェットエッチングとＬＰＥ成長を組み合わせてレーザ構造を作製する。即ち、ｐ−ＧａＡｓ基板２３１上にｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層２３２を結晶成長した後、素子中央部に電流ブロック層２３２を貫通し基板２３１に達するストライプ状のＶ溝を形成する。この後、ウエハ上にｐ−Ａｌ0.33Ｇａ0.67Ａｓクラッド層２３３、ｐ−Ａｌ0.08Ｇａ0.92Ａｓ活性層２４４、ｎ−Ａｌ0.33Ｇａ0.67Ａｓクラッド層２３５、及びｎ−ＧａＡｓコンタクト層２３６を順次結晶成長する。次にウェハを所望の厚みまで研磨した後、共振器長に相当する幅のバー状に劈開する。典型的な高出力レーザでは共振器長は３００〜６００μｍである。次に劈開したウェハの共振器端面に相当する部分に発振レーザ光のエネルギーバンドギャップの大きい材料をＭＯＣＶＤ法により成長する。
【００１４】
　本従来例の場合、レーザ発振波長は８３０ｎｍであり、エネルギーに換算して約１．４９ｅＶであるので、窓層として約１．９３ｅＶのバンドギャップを有するアンドープＡｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ層２３８を用いている。次に電極形成を行い最後に窓層端面のコーティングを行った後、チップ分離を行いレーザチップとして完成する。上記ジャパニーズジャーナルオブアプライドフィジックス，１９９１年，３０巻，Ｌ９０４〜Ｌ９０６ページには窓構造を採用することにより光学損傷が抑制され高出力化と長寿命化を図ることができたと報告されている。
【００１５】
　図２７はSPIE Vol.1418 Laser Diode Technology and Applications III(1991), p.p.363〜371 に開示された、従来の端面非注入型レーザアレイの一例を示す図であり、図において、３１１はｐ型ＧａＡｓ基板、３１２はｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層、３１３はｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ下クラッド層、３１４はＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ（ｘ＞ｙ）活性層、３１５はｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ上クラッド層、３１６はｎ型ＧａＡｓキャップ層である。
【００１６】
　レーザは２回の液相エピタキシャル成長（ＬＰＥ）によって形成される。図２８(a) に示すように、まず１回目の結晶成長によりｐ型ＧａＡｓ基板３１１上にｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層３１２を成長する。次にウエットエッチングの技術を用いて、図２８(b) に示すように、電流ブロック層３１２に１００μｍの間隔をおいて複数のストライプ状の溝を形成する。ここで、各溝は共振器の内部領域３３０では電流ブロック層３１２を貫通しており、端面近傍領域３３１では電流ブロック層３１２を貫通していない。このようなストライプ状溝をウエットエッチングにより形成する場合、２種類のマスクを用いた２回のエッチングが必要となる。溝が電流ブロック層３１２を貫通している領域が電流注入領域となり、貫通していない領域が電流阻止領域となる。電流阻止領域の長さは２０μｍであり、電流注入領域のチャネルの幅は５．５μｍである。また、共振器の長さは６００μｍである。次に、２回目の結晶成長により、図２８(c) に示すように、ｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ下クラッド層３１３，Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ活性層３１４，ｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ上クラッド層３１５，及びｎ型ＧａＡｓキャップ層３１６を順次成長する。次に、図２８(d) に示すように、メタライゼーション工程によりｎ側オーミック電極３１７ａ，及びｐ側オーミック電極３１７ｂを形成した後、基板３１１まで達する深さ２０μｍの溝３２０をエッチングにより形成して各レーザ素子を電気的に分離する。この後、へき開により端面を形成し、さらに前，後端面にそれぞれ反射率が８％，及び８０％のコーティングを施す等の工程を経て図２７に示すレーザアレイが完成する。
【００１７】
　端面非注入レーザは、端面近傍領域に電流非注入領域を設けることにより端面での光密度を相対的に小さくし、ＣＯＤレベルの向上を図ることを目的としたものである。図２８(b) において、端面非注入領域は、溝の先端部が電流ブロック層を突き抜けないようにすることで形成されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
　図２４に示す従来の光ディスク用半導体レーザは以上のように構成されており、そのリッジ形成に制御性の悪いウエットエッチングの手法を用いているため、活性領域のストライプの幅を決定するリッジ幅ｗの制御，及びレーザの動作特性を大きく左右する第２クラッド層の残し厚みｔの制御が困難であり、均一の特性のものを量産することが困難であるという問題点があった。ここで、エッチングストッパ層を用いた選択エッチングの手法を用いれば、第２クラッド層の残し厚みｔの制御性を向上できるが、エッチングストッパ層の導入にともなうレーザ特性の劣化を招く等の問題がある。また、リッジ形成に、例えばガリウムアーセナイド　アンド　リレイテッド　コンパウンズ　１９９２（Inst. Phys. Conf. Ser. No 129: Chapter7 Paper presented at Int. Symp. GaAs and Related Compounds, Karuizawa, 1992, p.p.603〜608 ）に開示されたようなＨＣｌガスエッチングの技術を用いれば、リッジ幅の制御性は向上するが、第２クラッド層の残し厚みｔの制御は困難である。
【００１９】
　また、リッジ幅ｗの制御が困難であることから、低しきい値を狙った狭リッジ化への対応も困難であり、このため、ビームの、出射方向に対して垂直方向の断面形状が円形に近いレーザを作製できず、完成したレーザは、レンズなどの光学系により適当なビーム径が得られるように集光してやる必要があり、システムが複雑になるという問題点もあった。
【００２０】
　また、第２クラッド層は酸化しやすいＡｌＧａＡｓ層であるため、リッジエッチング時に酸化してしまい、選択再成長したブロック層の結晶品質が著しく劣化するという問題点があった。
【００２１】
　さらに、１回目エピタキシャル成長工程，ウエットエッチング工程，２回目エピタキシャル成長工程，マスク除去工程，及び３回目エピタキシャル成長工程という煩雑な工程をへて製造されるため、低コスト化が困難であるばかりでなく、歩留まりも低いという問題点もあった。
【００２２】
　次に図２６に示す従来の端面窓構造レーザにおける問題点について説明する。
図２６に示す従来の端面窓構造レーザは上述のように構成されており、レーザの基本構造を構成する結晶成長工程を終了した後、ウェハを所望の厚みまで研磨し、次に共振器長に相当する幅のバー状に劈開し、次に劈開したウェハの共振器端面に相当する部分に窓層をＭＯＣＶＤ法により成長し、次に電極形成を行ない、最後に窓層端面のコーティングを行なったのちチップ分離を行うという複雑な工程により作製されている。通常半導体レーザの製造工程は、量産性，再現性を確保するために電極形成まではウェハ状態のまま行なわれる。即ち、共振器長に相当する幅のバー状に劈開したウェハの共振器端面に相当する部分に窓層を形成するという図２６の従来例に示された方法は極めて量産性に乏しく、工業的に有用な製造方法とは考えにくい。さらに劈開により共振器端面を形成した後に窓層をＭＯＣＶＤ法によって形成する場合、劈開を空気中で行うかぎり共振器端面はすぐに酸化し表面準位を形成する。すでに表面準位を形成した共振器端面上に窓層を形成しても所望の効果を得ることは困難であり、所望の効果を得るためには劈開から窓層成長までの工程を不活性ガス中か真空中で行なう必要があるなどの問題点があった。
【００２３】
　また、従来の端面非注入型レーザは以上のように構成されており、端面非注入領域は、図２８(b) において、溝の先端部が電流ブロック層を突き抜けないようにすることで形成されているが、このような溝形成を１回のウエットエッチングにより実現することは困難であるため、再現性良く製造するためにはそれぞれ２回のパターニングとウエットエッチングを施す必要があり、量産性が極めて悪かった。
【００２４】
　本発明は以上のような問題点を解消するためになされたものであり、活性領域のストライプ幅の狭い半導体レーザを、容易に、再現性よく作製できる半導体レーザの製造方法を得ることを目的とする。
【００２５】
　また、本発明は、容易に再現性よく製造することのできる、ストライプ幅が狭く、出射ビームの断面形状の円形性に優れ、かつアレイ化に適した構造を有する半導体レーザを得ること、及びこのような半導体レーザを製造する方法を得ることを目的とする。
【００２６】
　また、本発明は、容易に再現性よく製造することのできる、ストライプ幅が狭く、出射ビームの円形性に優れ、かつアレイ化に適した構造を有し、かつ、端面近傍に窓領域，電流非注入領域，あるいはリッジ幅遷移領域を有する半導体レーザを得ること、及びこのような半導体レーザを製造する方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
　この発明にかかる半導体レーザの製造方法は、第１導電型基板上に、第１導電型クラッド層，活性層，第２導電型クラッド層，及び第１導電型電流ブロック層を含む半導体積層構造を成長する工程と、上記半導体積層構造上に、共振器長方向に延びるストライプ状の開口部であって、そのレーザ出射端面近傍の一定領域のストライプ幅がレーザ出射端面に向かって徐々に狭くなっており、それ以外の領域のストライプ幅が均一の幅であるストライプ状開口部を有する絶縁膜パターンを形成する工程と、上記絶縁膜パターンをエッチングマスクとして、上記半導体積層構造を所定の結晶面に対して垂直方向のエッチング速度が他の方向におけるエッチング速度に比して極めて遅くなるエッチング方法によりエッチングし、その側面が上記所定の結晶面であり、その先端が上記第２導電型クラッド層中にとどまり、かつ上記レーザ出射端面近傍の一定領域においてＶ字先端部から活性層までの距離が端面に向かって徐々に大きくなる断面Ｖ字型のストライプ溝を形成する工程と、上記ストライプ溝内に第２導電型半導体を埋め込み成長する工程と、ウエハ上に第２導電型コンタクト層を結晶成長する工程とを含むものである。
【００２８】
　また、この発明にかかる半導体レーザは、第１導電型半導体基板上に結晶成長された、第１導電型クラッド層，活性層，第２導電型クラッド層，及び第１導電型電流ブロック層を含む半導体積層構造と、該半導体積層構造に形成された、レーザ共振器長方向に延び、かつレーザ出射端面近傍の一定領域において、Ｖ字先端部から活性層までの距離が端面に向かって徐々に大きくなる断面Ｖ字型のストライプ溝と、該ストライプ溝を埋め込むように結晶成長された第２導電型半導体層とを備えたものである。
【００２９】
　また、この発明にかかる半導体レーザの製造方法は、上記半導体レーザの製造方法における、上記ストライプ溝形成に用いる絶縁膜パターンを形成する工程において、上記ストライプ状の開口パターン及び、レーザ端面とすべきへき開線上の位置に形成したへき開誘導パターンを有する絶縁膜パターンを形成するようにしたものである。
【発明の効果】
【００３０】
　この発明にかかる半導体レーザの製造方法によれば、第１導電型基板上に、第１導電型クラッド層，活性層，第２導電型クラッド層，及び第１導電型電流ブロック層を含む半導体積層構造を成長した後、上記半導体積層構造上に、共振器長方向に延びるストライプ状の開口部であって、そのレーザ出射端面近傍の一定領域のストライプ幅がレーザ出射端面に向かって徐々に狭くなっており、それ以外の領域のストライプ幅が均一の幅であるストライプ状開口部を有する絶縁膜パターンを形成し、この後、上記絶縁膜パターンをエッチングマスクとして、上記半導体積層構造を所定の結晶面に対して垂直方向のエッチング速度が他の方向におけるエッチング速度に比して極めて遅くなるエッチング方法によりエッチングし、その側面が上記所定の結晶面であり、その先端が上記第２導電型クラッド層中にとどまり、かつ上記レーザ出射端面近傍の一定領域においてＶ字先端部から活性層までの距離が端面に向かって徐々に大きくなる断面Ｖ字型のストライプ溝を形成し、その後、上記ストライプ溝内に第２導電型半導体を埋め込み成長し、さらに、ウエハ上に第２導電型コンタクト層を結晶成長するようにしたので、活性領域のストライプ幅が狭く、かつ、レーザ出射端面近傍の活性領域のストライプ幅が端面に向かって徐々に狭くなる構造を有する半導体レーザを、容易に、再現性よく作製できる効果がある。
【００３１】
　また、この発明にかかる半導体レーザによれば、第１導電型半導体基板上に結晶成長された、第１導電型クラッド層，活性層，第２導電型クラッド層，及び第１導電型電流ブロック層を含む半導体積層構造と、該半導体積層構造に形成された、レーザ共振器長方向に延び、かつレーザ出射端面近傍の一定領域において、Ｖ字先端部から活性層までの距離が端面に向かって徐々に大きくなる断面Ｖ字型のストライプ溝と、該ストライプ溝を埋め込むように結晶成長された第２導電型半導体層とを備えた構成としたので、活性領域のストライプ幅が狭く、低しきい値で、出射ビームの断面形状が円形に近い、レーザ出射端面近傍の活性領域のストライプ幅が端面に向かって徐々に狭くなる構造を有する半導体レーザを実現できる効果がある。
【００３２】
　また、この発明にかかる半導体レーザの製造方法によれば、上記半導体レーザの製造方法における、上記ストライプ溝形成に用いる絶縁膜パターンを形成する工程において、上記ストライプ状の開口パターン及び、レーザ端面とすべきへき開線上の位置に形成したへき開誘導パターンを有する絶縁膜パターンを形成するようにしたので、上記へき開誘導パターンを用いてウエハに形成されたへき開誘導溝を用いることにより、へき開によるレーザ端面形成を制御性よく行なうことができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
実施例１．
　図１はこの発明の第１の実施例による半導体レーザを示す斜視図である。図において、１はｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層、３はＡｌＧａＡｓよりなるＴＱＷ(Triple Quantum Well) −ＳＣＨ(Separate Confinement Heterostructure)構造の活性層、４はｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層、５はｎ型ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層、６はｐ型ＧａＡｓキャップ層、８はｐ型ＡｌＧａＡｓ層、９はｐ型ＧａＡｓキャップ層、１１はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、１３ａはｎ側オーミック電極、１３ｂはｐ側オーミック電極である。
【００３４】
　また、図２は図１の半導体レーザの製造方法を説明するための、（０１１）面で切った断面工程図である。図において、図１と同一符号は同一又は相当部分であり、７はＳｉＮマスク、７ａはマスク７の開口、１２はＶ溝、１２ａ，１２ｂはＶ溝１２の側壁である。
【００３５】
　次に、製造工程について説明する。まず、図２(a) に示すように、（１００）面を主表面とするｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層２（層厚約１．５μｍ），ＡｌＧａＡｓよりなるＴＱＷ−ＳＣＨ構造の活性層３，ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層４（層厚約０．４μｍ），ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層５（層厚約１．２μｍ），及びｐ型ＧａＡｓキャップ層６（層厚約０．６μｍ）をＭＯＣＶＤの手法を用いて形成する。次に、プラズマＣＶＤの手法によりｐ型ＧａＡｓキャップ層６上に膜厚１００ｎｍのＳｉＮ膜を形成する。この後、写真製版及びエッチングの技術を用いてＳｉＮ膜をパターニングし、後にＶ溝となる部分に［０１１］方向に延びるストライプ状の開口７ａを有するＳｉＮマスク７を形成する。この後、ウエハを硫化アンモニウム溶液に浸漬する。これにより、ＧａＡｓキャップ層６表面に形成されたわずかな酸化膜のうち、ＳｉＮマスク７に覆われていない部分はエッチング除去され、代わりにＧａＡｓキャップ層６表面には硫黄膜が形成される。
【００３６】
　次に、アルシン（ＡｓＨ3 ）とＨＣｌとＨ2 の混合ガスを用いたＨＣｌガスエッチングの手法を用いて、図２(b) に示すように、ＳｉＮマスク７をエッチングマスクとして、キャップ層６，電流ブロック層５等をエッチングし、Ｖ溝１２を形成する。
【００３７】
　図３は上述の混合ガスを用いてエッチングを行なった場合のマスクパターンの形成方向とエッチング形状との関係を説明するための図である。図において、１４はＧａＡｓ基板、１５はＡｌＧａＡｓ層、１６はＧａＡｓキャップ層、１７はストライプ状のＳｉＮ膜パターンである。図３(a) はＧａＡｓ基板１４の（１００）面上にＡｌＧａＡｓ層１５及びＧａＡｓキャップ層１６を連続して結晶成長し、このキャップ層１６上にストライプ状のＳｉＮ膜パターン１７を形成した状態を示す。ここでＳｉＮ膜パターン１７をそのストライプ方向が［０／１１］方向となるようにパターニングした場合と［０１１］方向となるようにパターニングした場合とでは気相エッチングによるエッチング形状が異なる。図３(b) は上記ＳｉＮ膜１７のパターニングを［０／１１］方向に行なった後エッチングを行なった場合のエッチング形状を、図３(c) はＳｉＮ膜１７のパターニングを［０１１］方向に行なった後エッチングを行なった場合のエッチング形状をそれぞれ示している。図３(b) に示すように［０／１１］方向にストライプ形成を行なった場合、エッチング形状は（０１１）面１８と（３１１）面１９とで構成された断面形状となる。一方［０１１］方向にストライプ形成を行なった場合、エッチング形状は（１１１）Ｂ面２０で構成された断面形状となる。
【００３８】
　このとき、ＡｓＨ3 ガス分圧（ＡｓＨ3 ガス流量をトータルガス流量で割り、反応炉内圧力を掛けた値）を０．００８Ｔｏｒｒ以上，０．０８Ｔｏｒｒ以下、ＨＣｌガス流量に対するＡｓＨ3 ガス流量比を２．５以下の条件とすれば、エッチングによって露呈する側面の平坦度は極めて良好で、劈開面と比較しても遜色がなく、側面において、ＡｌＧａＡｓ層１５とＧａＡｓキャップ層１６の界面に段差を生じることもない。ここで、混合ガスとしては、ＨＣｌガスの代わりにＣｌ2 ガスを、アルシン（ＡｓＨ3 ）ガスの代わりにターシャリブチルアルシン（Ｃ4 Ｈ9 ＡｓＨ2 ）ガス，又はトリメチルアルシン（（ＣＨ3 ）3 Ａｓ）ガスを用いることも可能である。
【００３９】
　このような塩素系ガスエッチングの手法によれば、［０１１］方向のストライプ状開口を有するパターンをマスクとして用いた場合、エッチング側面は（１１１）Ｂ面が露呈するようにエッチングされ、さらに［１１１］Ｂ方向についてはほとんどエッチングされないため、一度Ｖ溝が形成されるとエッチングは自動的に停止する。従って、エッチング深さはＳｉＮマスク７の開口７ａの幅で一義的に決定される。図２(a) においてＳｉＮマスク７の開口７ａの幅をＶ溝の先端部がｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層４に達するように設計しておけば、図２(b) に示す構造を再現性良く、容易に形成することができる。
【００４０】
　図４は、本実施例における、ＳｉＮマスク７の開口７ａの幅等の各部の寸法の一例について説明するための図であり、図において、図１と同一符号は同一又は相当部分である。また、ｄ6 はｐ型ＧａＡｓキャップ層６の厚み、ｄ5 はｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層５の厚み、ｄ4 はｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層４の厚み、ｄ4 ′はｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層４のエッチング深さ、ｈは全体のエッチング深さ、ｓはＳｉＮマスク７下のサイドエッチング量、ｗo はＳｉＮマスク７の開口幅である。また、ｗp はＶ溝１２によって分離されたｎ型ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層５の間の幅、即ち電流通路の幅である。
【００４１】
　ここで、ｄ4 ，ｄ5 ，及びｄ6 の典型的な値はそれぞれ、０．４μｍ，１．２μｍ，及び０．６μｍである。また、Ｖ溝１２の先端はｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層４に達し、かつ活性層３には達しないことが必要であるので、ｄ4 ′は０＜ｄ4 ′＜ｄ4 の値になればよい。一方、Ｖ溝１２の側壁１２ａ，１２ｂは上述のように（１１１）Ｂ面であるので、側壁と半導体層表面のなす角度は約５４．７°である。従って、ｄ4 ′の典型的な値を０．３μｍとした場合、
　ｗp ＝２ｄ4 ′／tan54.7 °＝ 0.6／1.412 ＝0.42（μｍ）
となる。また、ＳｉＮマスク７の開口幅ｗo については、
　｛（ｗo ／２）＋ｓ｝tan54.7 °＝ｈ
の関係があり、サイドエッチング量ｓが０．５μｍであるとすれば、
　ｗo ＝（２ｈ／tan54.7 °）−２ｓ＝（ 4.2／1.412 ）−1.0 ＝1.97（μｍ）となる。
【００４２】
　即ち、図２(a) において、ＳｉＮマスク７の開口７ａの幅を１．９７μｍとすることにより、Ｖ溝１２によって分離されたｎ型ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層５の間の幅が０．４２μｍである図２(b) に示す構造を、極めて再現性よく、かつ容易に形成することができる。
【００４３】
　上述のようにＶ溝１２を形成した後、図２(c) に示すように、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層８（中央部分の層厚約１．５μｍ）とｐ型ＧａＡｓキャップ層９（層厚約０．４μｍ）をＶ溝１２を埋め込むように選択成長する。ここで図２(b) と図２(c) の工程は同一チャンバー内か、二つのチャンバー間をＨ2 雰囲気中もしくは不活性ガス雰囲気中で自動搬送されるシステムを用いて、大気にさらすことなく連続して行なうことが望ましい。
【００４４】
　次に、図２(d) に示すようにＳｉＮマスク７を除去した後、図２(e) に示すようにｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１（層厚約３μｍ）を結晶成長する。この後、基板１裏面にｎ側オーミック電極１３ａを、コンタクト層１１上にｐ側オーミック電極１３ｂを形成し、劈開による共振器端面形成を含むチップ分離工程等を経て、図１に示す半導体レーザが完成する。
【００４５】
　このように、本第１の実施例によれば、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型クラッド層２，活性層３，ｐ型クラッド層４，及びｎ型電流ブロック層５を含む半導体積層構造を成長した後、上記半導体積層構造上に、ストライプ状の開口部を有する絶縁膜パターン７を形成し、この後、上記絶縁膜パターン７をエッチングマスクとして、上記半導体積層構造を所定の結晶面、即ち（１１１）Ｂ面に対して垂直方向のエッチング速度が他の方向におけるエッチング速度に比して極めて遅くなる塩素系ガスエッチングの手法によりエッチングし、その側面が（１１１）Ｂ面である断面Ｖ字型のストライプ溝１２を形成し、該ストライプ溝１２内に上記活性層３に電流を注入するための電流通路を形成した後、上記ストライプ溝１２内にｐ型半導体８を埋め込み成長し、さらに、ウエハ上にｐ型コンタクト層１１を結晶成長するようにしたので、活性領域のストライプ幅を決定する断面Ｖ字型のストライプ溝を、極めて制御性，再現性よく形成することができ、これにより、活性領域のストライプ幅の狭い半導体レーザを、容易に、再現性よく作製できる。従って、各素子の特性の揃ったアレイレーザの作製も容易に行なうことができる。
【００４６】
　また、本第１の実施例による半導体レーザは、ｎ型半導体基板１上に結晶成長された、ｎ型クラッド層２，活性層３，ｐ型クラッド層４，及びｎ型電流ブロック層５を含む半導体積層構造と、該半導体積層構造に形成された、その先端が上記ｐ型クラッド層４に達する断面Ｖ字型のストライプ溝１２と、該ストライプ溝１２を埋め込むように結晶成長されたｐ型半導体層８とを備えた構成としたので、活性領域のストライプ幅は断面Ｖ字型のストライプ溝１２の深さとｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層４の厚みの制御により任意に設計できるため、活性領域のストライプ幅が狭く、低しきい値で、出射ビームの断面形状が円形に近い半導体レーザを実現できる。
【００４７】
　また、本実施例１では、ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層５の結晶成長に連続してＧａＡｓキャップ層６を成長しており、さらにＳｉＮマスク７を形成した後にウエハを硫化アンモニウムに浸漬し、その後、ＨＣｌガスを含む混合ガスを用いたエッチングによりＶ溝を形成するようにしている。このようなエッチング手法は、本発明の発明者の一人がすでに特願平５−４４８６９号に開示しているものであり、以下、このエッチング手法について説明する。
【００４８】
　ＡｌＧａＡｓ層に、絶縁膜パターンをマスクとして用いた塩素系ガスエッチングにより微細構造を形成し、この微細構造を化合物半導体で埋め込む場合には、ＡｌＧａＡｓ層表面に形成された酸化膜と塩素とが化合し、エッチング生成物としてウエハ表面に付着，残留するという理由等から、再成長界面への酸素，塩素の偏析が生じ、高品質な再成長層を得ることができないという問題がある。つまり、本実施例１においては、ＡｌＧａＡｓからなる電流ブロック層５等をＳｉＮマスク７をマスクとして用いたＨＣｌガスエッチングによりＶ溝１２を形成した後、このＶ溝をＡｌＧａＡｓ層８で埋め込むのであるが、この際に、Ｖ溝１２の表面に酸素，塩素が偏析することによりＡｌＧａＡｓ層８の結晶品質が悪くなる。このとき、ドライエッチング加工されるＡｌＧａＡｓ層の結晶成長に連続して、該ＡｌＧａＡｓ層上にＧａＡｓからなるキャップ層を結晶成長しておけば、ドライエッチング加工されるＡｌＧａＡｓ層の酸化が抑制され、上述のような再成長界面への酸素，塩素の偏析を低いレベルに抑えることができる。しかし、再成長界面への酸素，塩素の偏析は、ＧａＡｓキャップ層表面のわずかな酸化膜によっても生ずるため、ＧａＡｓキャップ構造を採用しただけでは、ＡｌＧａＡｓの清浄なエッチング面を得ることは困難である。そこで、ＡｌＧａＡｓ層のエッチング加工に先だって、ウエハを硫化アンモニウムに浸漬し、ＧａＡｓキャップ層表面のわずかな酸化膜をエッチング除去するとともにＧａＡｓキャップ層表面を硫黄膜によって被覆し、しかる後に塩素系ガスエッチングにより、上記硫黄膜を除去し、さらにＧａＡｓキャップ層，及びＡｌＧａＡｓ層の所望のエッチングを行なう。このようなエッチング手法を用いれば、再成長界面への酸素，塩素等の偏析はほぼ完全に抑制することができ、エッチング面上に結晶成長される再成長層を高品質のものとできる。
【００４９】
実施例２．
　図５はこの発明の第２の実施例による半導体レーザを示す斜視図である。図において、２１はｎ型ＧａＡｓ基板、２２はｎ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層、２３は活性層、２４はｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層、２５はｎ型ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層、２６はｐ型ＧａＡｓキャップ層、３０はｐ型ＡｌＧａＡｓ層、３１はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、３５ａはｎ側オーミック電極、３５ｂはｐ側オーミック電極である。
【００５０】
　また、図６は図５の半導体レーザの製造方法を説明するための、（０１１）面で切った断面工程図である。図において、図５と同一符号は同一又は相当部分であり、２７はＳｉＮマスク、２９はｐ型ＧａＡｓキャップ層である。
【００５１】
　次に、製造工程について説明する。まず、図６(a) に示すように、（１００）面を主表面とするｎ型ＧａＡｓ基板２１上にｎ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層２２（層厚約１．５μｍ），上記と同様のＴＱＷ−ＳＣＨ構造の活性層２３，ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層２４（層厚約０．３μｍ），ｐ型ＧａＡｓキャップ層２６（層厚約０．１μｍ）をＭＯＣＶＤの手法を用いて形成する。次に、ＧａＡｓキャップ層２６上に、プラズマＣＶＤの手法により膜厚約１００ｎｍのＳｉＮ膜を形成し、このＳｉＮ膜をパターニングして［０１１］方向に延びるストライプ状のＳｉＮマスク２７を形成する。ここで、ＳｉＮマスク２７の幅は、レーザの低しきい値化のためには、０．５μｍ程度が適当である。
【００５２】
　次に、図６(b) に示すように、半導体層構造上の上記ＳｉＮマスク２７をはさんで対向する領域に、ＭＯＣＶＤによる選択成長の手法を用いてｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（０≦ｘ≦１）電流ブロック層２５とＧａＡｓキャップ層２９を形成する。［０１１］方向に延びるストライプ状のＳｉＮマスク２７を挟んだ領域への選択成長においては、電流ブロック層２５，及びＧａＡｓキャップ層２９が、その［０１１］方向に延びるストライプ状のＳｉＮマスク２７に向かった側壁が（１１１）Ｂ面となるように成長する。ここでＡｌＧａＡｓ電流ブロック層２５，及びＧａＡｓキャップ層２９の選択成長には、特願平５−４４８６９号に開示された塩素系ガス添加ＭＯＣＶＤ成長技術を用いる。この塩素系ガス添加ＭＯＣＶＤ成長技術は、絶縁膜パターンが形成された基板上に有機金属気相成長法により選択的に III−Ｖ族化合物半導体層をエピタキシャル成長させる際に、このエピタキシャル成長を、原料ガスとともに例えばＨＣｌガスを III族ガス流量に対し、０．３以下のモル流量比で同時に供給して行なうものである。このような成長方法を用いることによって、絶縁膜パターン上にポリ結晶が析出することがなく、良好な選択成長を行なうことができる。このとき、原料ガスとともにＨＣｌガスを供給するかわりに、原料ガスとともにＣｌ2 ガスを、 III族ガス流量に対し０．３以下のモル流量比で同時に供給するようにしてもよく、同様の効果を得ることができる。
【００５３】
　次に図６(c) に示すようにＳｉＮマスク２７を除去した後、図６(d) に示すように塩素系ガスエッチングの手法を用いて第１及び第２ＧａＡｓキャップ層２６，２９の一部あるいは全部を除去する。この塩素系ガスエッチングには、上記第１の実施例で示したものと同じＨＣｌガス等の混合ガスを用いればよい。このような塩素系ガスエッチングによる第１及び第２ＧａＡｓキャップ層２６，２９のエッチングにより、特に、ＳｉＮマスク２７が形成されていた領域のウエハ表面の清浄化を図ることができ、後の工程で該領域上に成長される結晶の品質を向上でき、動作特性の優れたレーザを実現できる。ここで、塩素系ガスエッチングに先だって、ウエハを硫化アンモニウムに浸漬するようにしてもよい。
【００５４】
　次に図６(e) に示すようにｐ型ＡｌＧａＡｓ層３０，ｐ型ＧａＡｓコンタクト層３１の各層を形成する。ここで、再成長層の高結晶品質化のためには、図６(d) と図６(e) の工程は同一チャンバー内か、二つのチャンバー間をＨ2 雰囲気中もしくは不活性ガス雰囲気中で自動搬送されるシステムを用いて、大気にさらすことなく連続して行なうことが望ましい。
【００５５】
　このように、本第２の実施例では、ｎ型基板２１上に、ｎ型クラッド層２２，活性層２３，ｐ型クラッド層２４を含む半導体積層構造を成長した後、上記半導体積層構造上にストライプ状の絶縁膜パターン２７を形成し、この後、上記半導体積層構造上に上記絶縁膜パターン２７を選択マスクとして上記絶縁膜をはさんで対向する領域に選択成長の手法を用いてｎ型電流ブロック層２５を形成し、さらに、上記絶縁膜パターン２７を除去した後、ｐ型半導体層３０，及びｐ型コンタクト層３１を結晶成長するようにしたので、活性領域のストライプ幅（リッジ幅）の制御はＳｉＮマスク２７の幅で決定され、第２クラッド層４の厚みはその成長膜厚のみで決定されることになり、活性領域のストライプ幅の狭い半導体レーザを、容易に、再現性よく作製できる。従って、各素子の特性の揃ったアレイレーザの作製も容易である。
【００５６】
　また、本第２の実施例による半導体レーザは、ｎ型半導体基板２１上に結晶成長された、ｎ型クラッド層２２，活性層２３，及びｐ型クラッド層２４を含む半導体積層構造と、該半導体積層構造上にストライプ状の領域を挟んで対向して選択的に形成されたｎ型の電流ブロック層２５と、該ｎ型の電流ブロック層に挟まれた領域に埋め込み成長されたｐ型半導体層３０とを備えた構成としたので、活性領域のストライプ幅（リッジ幅）の制御はＳｉＮマスク２７の幅で決定され、第２クラッド層４の厚みはその成長膜厚のみで決定されることになり、各部の寸法を極めて精密に制御できる。従って活性領域のストライプ幅を充分に狭くすることができ、低しきい値で、出射ビームの断面形状が円形に近い半導体レーザを実現できる。
【００５７】
実施例３．
　図７はこの発明の第３の実施例を示す斜視図であり、本第３の実施例は、上記第１の実施例による半導体レーザを４個並列に並べてモノリシックに形成して半導体レーザアレイを構成したものである。図において、４１はｎ型ＧａＡｓ基板、４２はｎ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層、４３は活性層、４４はｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層、４５はｎ型ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層、４６はｐ型ＧａＡｓキャップ層、４８はｐ型ＡｌＧａＡｓ層、４９はｐ型ＧａＡｓキャップ層、５１はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、５２は分離溝、５５ａはｎ側オーミック電極、５５ｂはｐ側オーミック電極である。
【００５８】
　従来の半導体レーザはリッジ形成に制御性の悪いウエットエッチングを用いている等の理由から、本実施例のようなアレイレーザを構成しようとしても、個々のレーザの特性を均一に、しかも歩留まりよく製造することが困難であった。本実施例３によれば、上述のように上記第１の実施例によると、半導体レーザを制御性，再現性よく作製できることから、均一な特性を有するレーザを複数個並べたアレイレーザを容易に製造することができる。
【００５９】
　なお、本実施例３においては、レーザの基本結晶構造として上記第１の実施例で示した構造を用いてアレイレーザを構成したが、上記第２の実施例で示した構造、あるいは後述する第４ないし第６の実施例で述べる構造を用いてアレイレーザを構成してもよく、同様の効果を奏する。
【００６０】
実施例４．
　図８はこの発明の第４の実施例による、レーザ端面近傍に窓領域を有する半導体レーザの構造の概略を示す斜視図であり、図９(a) は図８に示す半導体レーザをそのレーザ発振領域７３において（０１１）面で切った断面構造を示す図、図９(b) は図８に示す半導体レーザをその窓領域７４において（０１１）面で切った断面構造を示す図である。
【００６１】
　これら図において、６１はｎ型ＧａＡｓ基板、６２はｎ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層、６３はＡｌＧａＡｓよりなるＴＱＷ−ＳＣＨ構造の活性層、６４はｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層、６５はｎ型ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層、６６はｐ型ＧａＡｓキャップ層、６８はｐ型ＡｌＧａＡｓ層、６９はｐ型ＧａＡｓキャップ層、７１はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、７５ａはｎ側オーミック電極、７５ｂはｐ側オーミック電極である。
【００６２】
　本第４の実施例による半導体レーザは、図９(a) ，(b) に示すように、レーザ発振領域７３ではＶ溝が、上記第１の実施例による半導体レーザのＶ溝と同様、その先端が第２クラッド層６４中に止まるように形成されており、窓領域７４ではＶ溝が、その先端部が活性層６３を突き抜け、第１クラッド層６２に達するように形成され、このＶ溝が活性層６３よりも禁制帯幅の広いｐ型ＡｌＧａＡｓ層６８で埋め込まれているものである。
【００６３】
　次に、本第４の実施例による窓構造レーザを製造する方法について説明する。
本第４の実施例による窓構造レーザの製造工程は、図２に示す、第１の実施例による半導体レーザの製造工程と全く同じであるが、図２(a) の工程では、図１０に示すような、窓領域７４となる部分の開口幅ｗ2 の方がレーザ発振領域７３となる部分の開口幅ｗ1 よりも広いＳｉＮマスク６７を形成する。
【００６４】
　図１１は、図１０に示すパターンのＳｉＮマスク６７をエッチングマスクとして塩素系ガスエッチングを施した場合のＡｌＧａＡｓ層のエッチング形状を示した図である。既に述べたように塩素系ガスエッチングの手法を用いるとＶ溝のエッチング深さをマスクパターンの幅で制御することができる。これは［１１１］Ｂ方向のエッチングレートが極めて遅いため、Ｖ溝の形成とともにエッチングが停止するためである。この性質を用いることにより図１１に示すようにエッチング深さを部分的に変化させることが可能である。従って、上記第１の実施例で述べた半導体レーザの製造方法において、エッチングマスク，及び選択成長マスクとして機能するＳｉＮマスクとして、開口幅ｗ1 ，ｗ2 を適切な寸法に設定した図１０に示すパターンのＳｉＮマスク６７を用いれば、図９に示す断面形状を有する窓構造レーザを得ることができる。
【００６５】
　図１２はＳｉＮマスク６７の、レーザ発振領域７３部分での開口幅ｗ1 と窓領域７４部分での開口幅ｗ2 の具体例を説明するための図であり、図において、図８ないし図１１と同一符号は同一又は相当部分である。ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層６４，ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層６５，ｐ型ＧａＡｓキャップ層６６の典型的な層厚は、それぞれ０．４μｍ，１．２μｍ，及び０．６μｍである。
ｈ1 はレーザ発振領域７３部分でのエッチング深さ、ｈ2 は窓領域７４部分でのエッチング深さである。
【００６６】
　ｗ1 については、第１の実施例におけるｗo と同様、１．９７μｍとすれば、レーザ発振領域７３部分でのＶ溝の深さｈ1 は２．１μｍとなり、その先端はｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層６４内に止まる。一方、窓領域７４ではＶ溝の先端が活性層３を突き抜ける必要があるため、
　ｈ2 ＞０．４＋１．２＋０．６＋活性層厚（０．２μｍ）＝２．４（μｍ）
とならなければならず、さらに、窓層が発光領域を充分に覆うため、ｈ2 ＝３μｍとする。即ち、窓領域７４では深さ３μｍのＶ溝を形成すればよいので、このためには、窓領域７４部分での開口幅ｗ2 は、
　ｗ2 ＝（２ｈ2 ／tan54.7 °）−２ｓ＝（ 6／1.412 ）−1.0 ＝3.25（μｍ）
とすればよい。
【００６７】
　このように本第４の実施例によれば、ｎ型基板６１上に、ｎ型クラッド層６２，活性層６３，ｐ型クラッド層６４，及びｎ型電流ブロック層６５を含む半導体積層構造を成長した後、上記半導体積層構造上に、共振器長方向に延びるストライプ状の開口部であって、そのレーザ出射端面近傍の一定領域７４のストライプ幅がそれ以外の領域７３のストライプ幅よりも広いストライプ状開口部を有する絶縁膜パターン６７を形成し、この後、上記絶縁膜パターン６７をエッチングマスクとして、上記半導体積層構造を上記実施例１と同様の塩素系ガスエッチングの手法を用いてエッチングし、その側面が（１１１）Ｂ面であり、上記レーザ出射端面近傍の一定領域７４ではその先端がｎ型クラッド層６２に達し、上記それ以外の領域ではその先端がｐ型クラッド層６４中にとどまる断面Ｖ字型のストライプ溝を形成し、その後、上記ストライプ溝内に活性層よりも禁制帯幅の広いｐ型半導体６８を埋め込み成長し、さらに、ウエハ上にｐ型コンタクト層７１を結晶成長するようにしたので、活性領域のストライプ幅が狭く、かつ、レーザ出射端面近傍に窓領域を有する半導体レーザを、容易に、再現性よく作製できる。従って、各素子の特性の揃ったレーザアレイを作製することも容易に可能である。
【００６８】
　しかも、本実施例ではＨＣｌガスエッチングとＭＯＣＶＤ選択成長は同一チャンバー内で連続して行なうことが可能であるため、発振領域と窓領域の界面は一度も大気にさらすことなく一貫して形成できる。このため界面準位の形成を排除することができ、高品質な窓層を形成することができる。
【００６９】
　また、本第４の実施例による半導体レーザは、ｎ型半導体基板６１上に結晶成長された、ｎ型クラッド層６２，活性層６３，ｐ型クラッド層６４，及びｎ型電流ブロック層６５を含む半導体積層構造と、該半導体積層構造に形成された、レーザ共振器長方向に延び、かつレーザ出射端面近傍の一定領域７４ではその先端がｎ型クラッド層６２に達し、上記一定領域以外の領域７３ではその先端がｐ型クラッド層６４中にとどまる断面Ｖ字型のストライプ溝と、該ストライプ溝を埋め込むように結晶成長されたｐ型半導体層６８とを備えた構成としたから、活性領域のストライプ幅が狭く、低しきい値で、出射ビームの断面形状が円形に近い、レーザ出射端面近傍に窓領域を有する半導体レーザを実現できる。
【００７０】
　なお、上記第４の実施例においては、選択マスクとして用いるＳｉＮ膜７のパターン形状を図１０に示す形状とした場合について説明したが、この形状に限るものではなく、例えば図１３，図１４に示す形状にしても同様のレーザ構造を得ることができる。すなわち、窓領域７４となる部分の開口幅ｗ2 をレーザ発振領域７３となる部分の開口幅ｗ1 より広くしておき、エッチング時において、窓領域７４においてはＶ溝の先端部が活性層を突き抜けるように、設計しておけばよい。
【００７１】
　また、上記第４の実施例では、一方の共振器端面近傍にのみ窓領域を設けたものについて示したが、両方の共振器端面近傍に設けるようにしてもよい。
【００７２】
実施例５．
　図１５はこの発明の第５の実施例による、端面非注入型の半導体レーザの構造の概略を示す斜視図であり、図１６(a) は図１５に示す半導体レーザをそのレーザ発振領域９３において（０１１）面で切った断面構造を示す図、図１６(b) は図１５に示す半導体レーザをその電流非注入領域９４において（０１１）面で切った断面構造を示す図である。
【００７３】
　これら図において、８１はｎ型ＧａＡｓ基板、８２はｎ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層、８３はＡｌＧａＡｓよりなるＴＱＷ−ＳＣＨ構造の活性層、８４はｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層、８５はｎ型ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層、８６はｐ型ＧａＡｓキャップ層、８８はｐ型ＡｌＧａＡｓ層、８９はｐ型ＧａＡｓキャップ層、９１はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、９５ａはｎ側オーミック電極、９５ｂはｐ側オーミック電極である。
【００７４】
　本第５の実施例による半導体レーザは、図１６(a) ，(b) に示すように、レーザ発振領域９３ではＶ溝が、上記第１の実施例による半導体レーザのＶ溝と同様、その先端が第２クラッド層８４中に達するように形成されており、電流非注入領域９４ではＶ溝が、その先端部がｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層８４まで到達しないように形成されたものである。
【００７５】
　本第５の実施例による端面非注入型レーザの製造する方法においては、そのエッチングマスクとして、図１７に示すような、非注入領域９４となる部分の開口幅ｗ4 の方がレーザ発振領域９３となる部分の開口幅ｗ3 よりも狭くなっているパターンのＳｉＮマスク８７を用いる。
【００７６】
　本第５の実施例による端面非注入型レーザは、第４の実施例で示した製造方法と同一の原理を用いて製造することができる。本実施例では、非注入領域９４となる部分においてマスク開口幅を狭くしているため、この領域ではエッチング深さは浅くなるため、この開口幅を、Ｖ溝の先端部がｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層８４に到達しないような幅に設計しておくことによって、図１５に示す端面非注入型レーザを作製することが可能である。
【００７７】
　このように本第５の実施例によれば、ｎ型基板８１上に、ｎ型クラッド層８２，活性層８３，ｐ型クラッド層８４，及びｎ型電流ブロック層８５を含む半導体積層構造を成長した後、上記半導体積層構造上に、共振器長方向に延びるストライプ状の開口部であって、そのレーザ出射端面近傍の一定領域９４のストライプ幅がそれ以外の領域９３のストライプ幅よりも狭いストライプ状開口部を有する絶縁膜パターン８７を形成し、この後、上記絶縁膜パターン８７をエッチングマスクとして、上記半導体積層構造を上記実施例１と同様の塩素系ガスエッチングの手法を用いてエッチングし、その側面が（１１１）Ｂ面であり、上記レーザ出射端面近傍の一定領域９４ではその先端がｎ型電流ブロック層中にとどまり、上記それ以外の領域９３ではその先端がｐ型クラッド層６４中に達する断面Ｖ字型のストライプ溝を形成し、その後、上記ストライプ溝内にｐ型半導体８８を埋め込み成長し、さらに、ウエハ上にｐ型コンタクト層９１を結晶成長するようにしたので、活性領域のストライプ幅が狭く、かつ、レーザ出射端面近傍に電流非注入領域を有する端面非注入構造のレーザを一回のエッチングにより容易に形成できる。しかも、断面Ｖ字型のストライプ溝は、塩素系ガスエッチングの手法を用いることにより、極めて制御性，再現性よく形成することができ、各素子の特性の揃ったレーザアレイを作製することも容易に可能である。また、上記実施例１でも説明したように、塩素系ガスエッチングとＭＯＣＶＤ選択成長は同一チャンバー内において連続して行なうことができるため、さらに量産性は向上し、また品質の優れた端面非注入構造の半導体レーザが製造できる。
【００７８】
　また、本第５の実施例による半導体レーザは、ｎ型半導体基板８１上に結晶成長された、ｎ型クラッド層８２，活性層８３，ｐ型クラッド層８４，及びｎ型電流ブロック層８５を含む半導体積層構造と、該半導体積層構造に形成された、レーザ共振器長方向に延び、かつレーザ出射端面近傍の一定領域９４ではその先端がｎ型電流ブロック層中にとどまり、上記一定領域以外の領域９３ではその先端がｐ型クラッド層６４に達する断面Ｖ字型のストライプ溝と、該ストライプ溝を埋め込むように結晶成長されたｐ型半導体層８８とを備えた構成としたから、活性領域のストライプ幅が狭く、低しきい値で、出射ビームの断面形状が円形に近い、端面非注入構造の半導体レーザを実現できる。
【００７９】
　なお、エッチングマスク８７を図１８に示すように、非注入領域９４となる部分には開口を有しない形状として、非注入領域９４にはＶ溝が形成されないようにしてもよい。
【００８０】
実施例６．
　図１９はこの発明の第６の実施例による、リッジ幅が端面近傍領域で徐々に狭くなる構造を有する半導体レーザの構造の概略を示す斜視図であり、図２０(a) は図１９に示す半導体レーザをそのレーザ発振領域１１３において（０１１）面で切った断面構造を示す図、図２０(b) は図１９に示す半導体レーザをそのリッジ幅遷移領域１１４において（０１１）面で切った断面構造を示す図である。
【００８１】
　これら図において、１０１はｎ型ＧａＡｓ基板、１０２はｎ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層、１０３はＡｌＧａＡｓよりなるＴＱＷ−ＳＣＨ構造の活性層、１０４はｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層、１０５はｎ型ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層、１０６はｐ型ＧａＡｓキャップ層、１０８はｐ型ＡｌＧａＡｓ層、１０９はｐ型ＧａＡｓキャップ層、１１１はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、１１５ａはｎ側オーミック電極、１１５ｂはｐ側オーミック電極である。また、図２０において、１００はリッジ幅である。
【００８２】
　本第６の実施例による半導体レーザは、リッジ幅遷移領域１１４において、Ｖ溝の深さが徐々に浅くなっていき、これにより活性領域のストライプ幅（リッジ幅）が端面に向かって徐々に狭くなっていく構造となっているものである。
【００８３】
　本第６の実施例による半導体レーザを製造する方法においては、図２１に示すような、レーザ発振領域１１３では均一の開口幅を有し、リッジ幅遷移領域１１４ではその開口幅が端面に向かって徐々に狭くなる形状の開口部を有するＳｉＮマスク１０７をエッチングマスクとして用いる。
【００８４】
　本第６の実施例による半導体レーザを製造する方法も、上記第４，第５の実施例による半導体レーザを製造する方法と同様、ＳｉＮマスクの開口幅によりＶ溝の深さを変えることができる性質を利用したものであり、ＳｉＮマスクの開口幅の狭い領域ではＶ溝のエッチング深さは浅くなるため、図２１に示すＳｉＮマスク１０７を用いることにより、図２０に示すように、リッジ幅遷移領域１１４において、リッジ幅１００が徐々に狭くなる半導体レーザを作製することができる。
【００８５】
　このような、リッジ幅が端面近傍領域で徐々に狭くなるような構造のレーザでは、以下に示す効果が得られることが知られている。
【００８６】
　従来のロスガイド型のレーザの場合、導波路とロスガイド層となる電流ブロック層との光の吸収係数の差により、レーザ光の波面は導波路の中央部において進み、側面部において遅れる。このため基本水平横モードの波面は湾曲し、平面波にはならない。一方、垂直横モードは、第１、第２クラッド層による屈折率ガイド構造となっているためにこのような波面の湾曲は生じず、平面波となる。水平、垂直両横モードの波面の違いにより非点収差が生じ同一平面上に結像することはできず、像がボケルことになる。従来の光ディスク装置では、非点収差を補正して微小スポットに像を絞るために複雑な光学系を用いなければならず、システムの小型化、低コスト化の大きな障壁となっていた。一方、リッジ幅が端面近傍領域で徐々に狭くなるような構造のレーザによると、波面が補正され、平面波が得られる。しかし、例えば、図２４に示すような、ウエットエッチングによってリッジを形成する従来のレーザ構造では、エッチングの幅方向の制御性が悪いため、リッジ幅の制御が困難であり、上述のような、リッジ幅が端面近傍領域で徐々に狭くなるような構造のレーザを量産することは困難であった。これに対し、本第６の実施例によれば、リッジ幅は層構造の厚みとＳｉＮパターンの開口幅によって一義的に決定されるため、極めて制御性良くリッジ幅遷移領域を形成することができ、リッジ幅が端面近傍領域で徐々に狭くなるような構造のレーザを容易に、再現性よく量産できる。
【００８７】
　このように本第６の実施例によれば、ｎ型基板１０１上に、ｎ型クラッド層１０２，活性層１０３，ｐ型クラッド層１０４，及びｎ型電流ブロック層１０５を含む半導体積層構造を成長した後、上記半導体積層構造上に、共振器長方向に延びるストライプ状の開口部であって、そのレーザ出射端面近傍の一定領域１１４のストライプ幅がレーザ出射端面に向かって徐々に狭くなっており、それ以外の領域１１３のストライプ幅が均一の幅であるストライプ状開口部を有する絶縁膜パターン１０７を形成し、この後、上記絶縁膜パターン１０７をエッチングマスクとして、上記半導体積層構造を（１１１）Ｂ面に対して垂直方向のエッチング速度が他の方向におけるエッチング速度に比して極めて遅くなる塩素系ガスエッチングの手法を用いてエッチングし、その側面が（１１１）Ｂ面であり、その先端がｐ型クラッド層１０４中にとどまり、かつ上記レーザ出射端面近傍の一定領域１１４においてＶ字先端部から活性層までの距離が端面に向かって徐々に大きくなる断面Ｖ字型のストライプ溝を形成し、その後、上記ストライプ溝内にｐ型半導体１０８を埋め込み成長し、さらに、ウエハ上にｐ型コンタクト層１１１を結晶成長するようにしたので、活性領域のストライプ幅が狭く、かつ、レーザ出射端面近傍の活性領域のストライプ幅が端面に向かって徐々に狭くなる構造を有する半導体レーザを、容易に、再現性よく作製できる。
【００８８】
　また、本第６の実施例による半導体レーザは、ｎ型半導体基板１０１上に結晶成長された、ｎ型クラッド層１０２，活性層１０３，ｐ型クラッド層１０４，及びｎ型電流ブロック層１０５を含む半導体積層構造と、該半導体積層構造に形成された、レーザ共振器長方向に延び、かつレーザ出射端面近傍の一定領域１１４において、Ｖ字先端部から活性層までの距離が端面に向かって徐々に大きくなる断面Ｖ字型のストライプ溝と、該ストライプ溝を埋め込むように結晶成長されたｐ型半導体層１０８とを備えた構成としたので、活性領域のストライプ幅が狭く、低しきい値で、出射ビームの断面形状が円形に近い、レーザ出射端面近傍の活性領域のストライプ幅が端面に向かって徐々に狭くなる構造を有する半導体レーザを実現できる。
【００８９】
　なお、上記第１ないし第６の実施例では、いずれもｎ型基板を用いたものについて説明したが、ｐ型基板を用い、各層を各実施例で示されるものと反対の導電型のものとしてもよい。
【００９０】
　また、上記各実施例では（１００）面を主面とする基板を用い、その側壁が（１１１）Ｂ面であるＶ溝、あるいはその側壁が（１１１）Ｂ面である選択成長層を形成するようにしたものについて示したが、（１００）面と結晶工学的に等価な｛１００｝面を主面とする基板を用い、その側壁が（１１１）Ｂ面と結晶工学的に等価な｛１１１｝Ｂ面であるＶ溝、あるいは選択成長層を形成するようにしてもよい。
【００９１】
　また、上記各実施例では、活性層がＴＱＷ−ＳＣＨ構造であるものについて示したが、活性層の構造はこれに限られるものではなく、例えば、単一量子井戸構造等、他の量子井戸構造であってもよく、また、バルク結晶の活性層であってもよい。さらに、活性層に歪みを導入した構造としてもよい。
【００９２】
実施例７．
　図２２はこの発明の第７の実施例による半導体レーザの製造方法を説明するための図で、該方法において、ＳｉＮ膜のパターニングに用いるフォトマスクのパターンの一例を示すものである。図において、１２０はフォトマスク、１２１はフォトマスク１２０に設けられたリッジパターン（Ｖ溝形成用パターン）、１２２は同じくフォトマスク１２０に設けられたへき開誘導溝形成用パターンである。
【００９３】
　上述した第４の実施例ないし第６の実施例に示したレーザを制御性良く製造するためには各レーザのへき開位置を揃える必要がある。すなわち、窓層の厚み、端面非注入領域の厚み、リッジ幅遷移領域の厚みなどを個々のレーザにおいて一定に、かつ容易に形成する技術が必要不可決となる。
【００９４】
　そこで、図２２に示すようなフォトマスクを用いれば、上述のレーザを作製する際に、Ｖ溝の形成と同時にへき開誘導溝を形成することができ、へき開位置を高精度に制御することができる。図２３にへき開誘導溝にそってへき開したときの様子を示す。ここで、へき開誘導溝は、Ｖ溝形成後の再成長工程において埋まるが、ウエハはその結晶内にへき開誘導溝を含んでいるので、へき開の制御性は向上する。また、Ｖ溝形成後の再成長工程の前に、へき開誘導溝部分のみを絶縁膜等によって覆っておき、再成長工程後にこの絶縁膜等を除去して、へき開誘導溝を露出させて、へき開を行なうようにしてもよい。
【００９５】
　このように、本第７の実施例によれば、特に、第４の実施例ないし第６の実施例による半導体レーザのように、へき開位置を揃えることが必要な半導体レーザを製造する工程において、Ｖ溝の形成と同時にへき開誘導溝を形成するようにしたので、上述の第４の実施例ないし第６の実施例で示した構造のレーザを制御性よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】この発明の第１の実施例による半導体レーザを示す斜視図である。
【図２（ａ）】図１に示す半導体レーザの製造方法を説明するための（０１１）面で切った断面工程図である。
【図２（ｂ）】図１に示す半導体レーザの製造方法を説明するための（０１１）面で切った断面工程図である。
【図２（ｃ）】図１に示す半導体レーザの製造方法を説明するための（０１１）面で切った断面工程図である。
【図２（ｄ）】図１に示す半導体レーザの製造方法を説明するための（０１１）面で切った断面工程図である。
【図２（ｅ）】図１に示す半導体レーザの製造方法を説明するための（０１１）面で切った断面工程図である。
【図３（ａ）】塩素系ガスエッチングにおけるマスクのストライプ方向とエッチング形状の関係を説明するための図である。
【図３（ｂ）】塩素系ガスエッチングにおけるマスクのストライプ方向とエッチング形状の関係を説明するための図である。
【図３（ｃ）】塩素系ガスエッチングにおけるマスクのストライプ方向とエッチング形状の関係を説明するための図である。
【図４】この発明の第１の実施例における具体的な寸法の一例を説明するための図である。
【図５】この発明の第２の実施例による半導体レーザを示す斜視図である。
【図６（ａ）】図５に示す半導体レーザの製造方法を説明するための（０１１）面で切った断面工程図である。
【図６（ｂ）】図５に示す半導体レーザの製造方法を説明するための（０１１）面で切った断面工程図である。
【図６（ｃ）】図５に示す半導体レーザの製造方法を説明するための（０１１）面で切った断面工程図である。
【図６（ｄ）】図５に示す半導体レーザの製造方法を説明するための（０１１）面で切った断面工程図である。
【図６（ｅ）】図５に示す半導体レーザの製造方法を説明するための（０１１）面で切った断面工程図である。
【図７】この発明の第３の実施例による半導体レーザ（レーザアレイ）を示す斜視図である。
【図８】この発明の第４の実施例による半導体レーザを示す斜視図である。
【図９（ａ）】図８に示す半導体レーザのレーザ発振領域，及び窓領域における（０１１）面で切った断面構造を示す図である。
【図９（ｂ）】図８に示す半導体レーザのレーザ発振領域，及び窓領域における（０１１）面で切った断面構造を示す図である。
【図１０】この発明の第４の実施例による半導体レーザの製造工程に用いるＳｉＮマスクの形状の一例を示す上面図である。
【図１１】図１０に示す形状のＳｉＮマスクをエッチングマスクとして用いた塩素系ガスエッチングによりエッチングを行なったときのエッチング形状を示す斜視図である。
【図１２】この発明の第４の実施例における具体的な寸法の一例を説明するための図である。
【図１３】この発明の第４の実施例による半導体レーザの製造工程に用いるＳｉＮマスクの形状の他の例を示す上面図である。
【図１４】この発明の第４の実施例による半導体レーザの製造工程に用いるＳｉＮマスクの形状の他の例を示す上面図である。
【図１５】この発明の第５の実施例による半導体レーザを示す斜視図である。
【図１６（ａ）】図１５に示す半導体レーザのレーザ発振領域，及び電流非注入領域における（０１１）面で切った断面構造を示す図である。
【図１６（ｂ）】図１５に示す半導体レーザのレーザ発振領域，及び電流非注入領域における（０１１）面で切った断面構造を示す図である。
【図１７】この発明の第５の実施例による半導体レーザの製造工程に用いるＳｉＮマスクの形状の一例を示す上面図である。
【図１８】この発明の第５の実施例の変形例による半導体レーザの製造工程に用いるＳｉＮマスクの形状の一例を示す上面図である。
【図１９】この発明の第６の実施例による半導体レーザを示す斜視図である。
【図２０（ａ）】図１９に示す半導体レーザのレーザ発振領域，及びリッジ幅遷移領域における（０１１）面で切った断面構造を示す図である。
【図２０（ｂ）】図１９に示す半導体レーザのレーザ発振領域，及びリッジ幅遷移領域における（０１１）面で切った断面構造を示す図である。
【図２１】この発明の第６の実施例による半導体レーザの製造工程に用いるＳｉＮマスクの形状の他の例を示す上面図である。
【図２２】この発明の第７の実施例による半導体レーザの製造方法において用いるフォトマスクのマスクパターン形状の一例を示した図である。
【図２３】図２２に示すフォトマスクを用いた場合のへき開位置を示す図である。
【図２４】従来のリッジ導波路型レーザダイオードを示す斜視図である。
【図２５（ａ）】図２４の半導体レーザの製造方法を説明するための断面工程図である。
【図２５（ｂ）】図２４の半導体レーザの製造方法を説明するための断面工程図である。
【図２５（ｃ）】図２４の半導体レーザの製造方法を説明するための断面工程図である。
【図２５（ｄ）】図２４の半導体レーザの製造方法を説明するための断面工程図である。
【図２５（ｅ）】図２４の半導体レーザの製造方法を説明するための断面工程図である。
【図２６】従来の端面窓構造の一例を示す斜視図である。
【図２７】従来の端面非注入レーザを示す斜視図である。
【図２８（ａ）】図２７の端面非注入レーザの製造工程を説明するための工程斜視図である。
【図２８（ｂ）】図２７の端面非注入レーザの製造工程を説明するための工程斜視図である。
【図２８（ｃ）】図２７の端面非注入レーザの製造工程を説明するための工程斜視図である。
【図２８（ｄ）】図２７の端面非注入レーザの製造工程を説明するための工程斜視図である。
【符号の説明】
【００９７】
１　　　　ｎ型ＧａＡｓ基板
２　　　　ｎ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層
３　　　　活性層
４　　　　ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層
５　　　　ｎ型ＡｌＧａＡｓブロック層
６　　　　ｐ型ＧａＡｓキャップ層
７　　　　ＳｉＮマスク
８　　　　ｐ型ＡｌＧａＡｓ層
９　　　　ｐ型ＧａＡｓキャップ層
１１　　　ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
１２　　　Ｖ溝
１３ａ　　ｎ側オーミック電極
１３ｂ　　ｐ側オーミック電極
２１　　　ｎ型ＧａＡｓ基板
２２　　　ｎ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層
２３　　　活性層
２４　　　ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層
２５　　　ｎ型ＡｌＧａＡｓブロック層
２６　　　ｐ型ＧａＡｓキャップ層
２７　　　ＳｉＮマスク
２９　　　ｐ型ＧａＡｓキャップ層
３０　　　ｐ型ＡｌＧａＡｓ層
３１　　　ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
３５ａ　　ｎ側オーミック電極
３５ｂ　　ｐ側オーミック電極
４１　　　ｎ型ＧａＡｓ基板
４２　　　ｎ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層
４３　　　活性層
４４　　　ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層
４５　　　ｎ型ＡｌＧａＡｓブロック層
４６　　　ｐ型ＧａＡｓキャップ層
４８　　　ｐ型ＡｌＧａＡｓ層
４９　　　ｐ型ＧａＡｓキャップ層
５１　　　ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
５５ａ　　ｎ側オーミック電極
５５ｂ　　ｐ側オーミック電極
６１　　　ｎ型ＧａＡｓ基板
６２　　　ｎ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層
６３　　　活性層
６４　　　ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層
６５　　　ｎ型ＡｌＧａＡｓブロック層
６６　　　ｐ型ＧａＡｓキャップ層
６７　　　ＳｉＮマスク
６８　　　ｐ型ＡｌＧａＡｓ層
６９　　　ｐ型ＧａＡｓキャップ層
７１　　　ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
７３　　　レーザ発振領域
７４　　　窓領域
７５ａ　　ｎ側オーミック電極
７５ｂ　　ｐ側オーミック電極
８１　　　ｎ型ＧａＡｓ基板
８２　　　ｎ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層
８３　　　活性層
８４　　　ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層
８５　　　ｎ型ＡｌＧａＡｓブロック層
８６　　　ｐ型ＧａＡｓキャップ層
８７　　　ＳｉＮマスク
８８　　　ｐ型ＡｌＧａＡｓ層
８９　　　ｐ型ＧａＡｓキャップ層
９１　　　ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
９３　　　レーザ発振領域
９４　　　電流非注入領域
９５ａ　　ｎ側オーミック電極
９５ｂ　　ｐ側オーミック電極
１０１　　ｎ型ＧａＡｓ基板
１０２　　ｎ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層
１０３　　活性層
１０４　　ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層
１０５　　ｎ型ＡｌＧａＡｓブロック層
１０６　　ｐ型ＧａＡｓキャップ層
１０７　　ＳｉＮマスク
１０８　　ｐ型ＡｌＧａＡｓ層
１０９　　ｐ型ＧａＡｓキャップ層
１１１　　ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
１１３　　レーザ発振領域
１１４　　リッジ幅遷移領域
１１５ａ　ｎ側オーミック電極
１１５ｂ　ｐ側オーミック電極
１２０　　フォトマスク
１２１　　Ｖ溝形成用パターン
１２２　　へき開誘導溝形成用パターン
１２３　　へき開線
【図１】
2004088124.tif 000003
【図２（ａ）】
2004088124.tif 000004
【図２（ｂ）】
2004088124.tif 000005
【図２（ｃ）】
2004088124.tif 000006
【図２（ｄ）】
2004088124.tif 000007
【図２（ｅ）】
2004088124.tif 000008
【図３（ａ）】
2004088124.tif 000009
【図３（ｂ）】
2004088124.tif 000010
【図３（ｃ）】
2004088124.tif 000011
【図４】
2004088124.tif 000012
【図５】
2004088124.tif 000013
【図６（ａ）】
2004088124.tif 000014
【図６（ｂ）】
2004088124.tif 000015
【図６（ｃ）】
2004088124.tif 000016
【図６（ｄ）】
2004088124.tif 000017
【図６（ｅ）】
2004088124.tif 000018
【図７】
2004088124.tif 000019
【図８】
2004088124.tif 000020
【図９（ａ）】
2004088124.tif 000021
【図９（ｂ）】
2004088124.tif 000022
【図１０】
2004088124.tif 000023
【図１１】
2004088124.tif 000024
【図１２】
2004088124.tif 000025
【図１３】
2004088124.tif 000026
【図１４】
2004088124.tif 000027
【図１５】
2004088124.tif 000028
【図１６（ａ）】
2004088124.tif 000029
【図１６（ｂ）】
2004088124.tif 000030
【図１７】
2004088124.tif 000031
【図１８】
2004088124.tif 000032
【図１９】
2004088124.tif 000033
【図２０（ａ）】
2004088124.tif 000034
【図２０（ｂ）】
2004088124.tif 000035
【図２１】
2004088124.tif 000036
【図２２】
2004088124.tif 000037
【図２３】
2004088124.tif 000038
【図２４】
2004088124.tif 000039
【図２５（ａ）】
2004088124.tif 000040
【図２５（ｂ）】
2004088124.tif 000041
【図２５（ｃ）】
2004088124.tif 000042
【図２５（ｄ）】
2004088124.tif 000043
【図２５（ｅ）】
2004088124.tif 000044
【図２６】
2004088124.tif 000045
【図２７】
2004088124.tif 000046
【図２８（ａ）】
2004088124.tif 000047
【図２８（ｂ）】
2004088124.tif 000048
【図２８（ｃ）】
2004088124.tif 000049
【図２８（ｄ）】
2004088124.tif 000050