(57)【要約】【課題】結像性能の劣化となる光学部材の変形及び位置ずれによる収差を低減することで所望の光学性能をもたらすミラー保持装置、露光装置及びデバイス製造方法を提供する。【解決手段】光学素子を３つの第１の球面部材を介して略６点支持する支持部材を備える保持装置であって、前記支持部材は、所定の点を中心として略半径方向に伸びる３つの溝を有しており、前記３つの溝と前記３つの第１の球面部材とが接触することによって前記光学素子を位置決めしており、前記３つの溝が前記略半径方向に移動可能であることを特徴としている。【選択図】      図２
2004247484.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学素子を３つの球面を介して略６点支持する支持部材を備える保持装置であって、前記支持部材は、所定の点を中心として略半径方向に伸びる３つの溝を有しており、前記３つの溝と前記３つの球面とが接触することによって前記光学素子を位置決めしており、前記３つの溝が前記略半径方向に移動可能であることを特徴とする保持装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般には、光学部材を搭載する精密機器、特に、露光装置等の投影光学系に関し、更に詳細には、半導体素子、撮像素子（ＣＣＤ等）又は薄膜磁気ヘッド等を製造するためのリソグラフィー工程に使用される露光装置において、原版（例えば、マスク又はレチクル（なお、本出願では、これらの用語を交換可能に使用する。））の像を被処理体に投影露光する際、より正確な結像関係を得るための光学部材の保持装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
フォトリソグラフィー（焼き付け）技術を用いてデバイスを製造する際に、マスクに描画された回路パターンを投影光学系によってウェハ等に投影して回路パターンを転写する縮小投影露光装置が従来から使用されている。投影光学系は、回路パターンからの回折光をウェハの上に干渉させて結像させる。
【０００３】
近年の電子機器の小型化及び薄型化への要請を実現するためには、電子機器に搭載されるデバイスを高集積化する必要があり、転写される回路パターンの微細化、即ち、高解像度化がますます要求されている。高解像力を得るためには、露光光の波長を短くすること、及び、投影光学系の開口数（ＮＡ）を上げることが有効であり、同時に投影光学系の収差を極めて小さく抑えなければならない。
【０００４】
投影光学系を構成するレンズ、ミラーなどの光学素子に変形が生じると、変形前後で光路が屈折し、一点に結像するべき光線が一点に収束せずに収差を生じる。収差は位置ずれを招いてウェハ上の回路パターンの短絡を招く。一方、短絡を防止するためにパターン寸法を広くすれば微細化の要求に反する。
【０００５】
従って、収差が小さい投影光学系を実現するためには、投影光学系を構成する光学素子の形状及び光軸に対する位置を変化させることなく投影光学系内に保持して、光学素子が有する本来の光学性能を最大限に引き出す必要がある。特に、近年の投影光学系の高ＮＡ化により、投影レンズは大口径化しているのでレンズ容積も大きくなり、自重による変形が発生しやすくなっている。また、最近盛んに研究が進められている極端紫外線（ＥＵＶ：ｅｘｔｒｅｍｅ  ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を用いた露光装置（以下、ＥＵＶ露光装置と称する。）は、その特徴の一つである短波長のＥＵＶ光（波長約１０ｎｍ乃至１５ｎｍ程度）のために少数の反射素子（即ち、ミラー）で投影光学系を構成しなければならず、ミラーの形状及び光軸に対する位置精度は極めて厳しい。
【０００６】
例えば、光学素子に変形を加えず保持する方式として、マスクの保持方法が挙げられる。（特登録３３５９３３０）これは円錐、Ｖ溝、平面を使用し、マスクをキネマチックに固定することにより、マスク面を変形することなく保持することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ＥＵＶ露光装置は、０．１μｍ以下の回路パターンの露光に使用されるため、線幅精度が非常に厳しく、ミラーの形状においては、１ｎｍ程度以下の変形しか許されない。従って、ミラーの加工時の形状をＥＵＶ露光装置に組み込む際に、正確に再現する必要がある。
【０００８】
しかし、ミラーを構成する母材料は非常に柔らかく、ミラーを保持する保持部材が加える力（保持力）だけでもミラーは数ｎｍ程度の変形を生じてしまう。また、保持部材の熱膨張や振動、変形によってミラーの位置ずれが発生してしまう。更には、ミラーは、全ての露光光を反射するわけではなく、３０％以上の露光光を吸収してしまうため、吸収した露光光が分熱となりミラーを熱膨張させ、ミラーの形状及び光軸に対する位置を変化させてしまう。従って、ミラーの形状及び光軸に対する位置を変化させることなく投影光学系内に保持し、所望の光学性能を発揮させることができなかった。
【０００９】
そこで、本発明は、結像性能の劣化となる光学部材の変形及び位置ずれによる収差を低減することで所望の光学性能をもたらす保持装置、露光装置及びデバイス製造方法を提供することを例示的目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての保持装置は、光学素子を３つの球面を介して略６点支持する支持部材を備える保持装置であって、前記支持部材は、所定の点を中心として略半径方向に伸びる３つの溝を有しており、前記３つの溝と前記３つの球面とが接触することによって前記光学素子を位置決めしており、前記３つの溝が前記略半径方向に移動可能であることを特徴としている。
【００１１】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の例示的一態様であるミラー保持方法及び露光装置について説明する。但し、本発明はこれらの実施例に限定するものではなく、本発明の目的が達成される範囲において、各構成要素が代替的に置換されてもよい。例えば、本実施形態では、ミラー保持方法１００を例示的に露光装置５００の投影光学系５３０に適用しているが、露光装置５００の照明光学系５１４、その他周知のいかなる光学系に適用してもよい。なお、各図において同一の参照番号は同一部材を示し、重複説明は省略する。ここで、図１は、本発明の一側面としてのミラー保持方法１００を示す概略側面図である。
【００１３】
１１０はミラーであり、反射を利用して光を結像させる。ミラー１１０の反射面には光を反射させる多層膜が施されており、かかる多層膜により光を強めあう作用を奏する。ミラー１１０に適用可能な多層膜は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）層とシリコン（Ｓｉ）層を交互に積層したＭｏ／Ｓｉ多層膜、又は、Ｍｏ層とベリリウム（Ｂｅ）層を交互に積層したＭｏ／Ｂｅ多層膜などが考えられる。但し、本発明の多層膜は、上記した材料に限定されず、これと同様の作用及び効果を有する多層膜の使用を妨げるものではない。
【００１４】
１１２は凹部であり、同一円周上に１２０度ピッチで配置されている。ここで、凹部は必ずしも１２０度ピッチで設けなくても良く、９０度以上１６０度以下であれば構わない。好ましくは１１０度から１３０度の間にすると良い。この部分について、図２を用いて詳しく説明する。
【００１５】
図２は図１における断面Ａ−Ａを示した図である。前記した凹部１１２はミラーのフランジ面の両面に対向して配置されており、その形状は円錐形をしている。この凹部はミラーに直接設けても良いし、ミラーと一体的に構成された部材に設けても良いし、また、ミラーを反重力方向に支持する部材に設けても良い。
【００１６】
１１４は球面部材である。球面部材１１４の形状は真球をしており、前記凹部１１２の斜面に線接触し保持されている。ここで、球面部材と円錐形状の凹部であれば実質的な線接触が可能であるが、凹部を三角錐として、３点で接触するようにしても構わない。その他は下に例示する。
【００１７】
１１６は支持台である。支持台１１６にはミラー１１０と接触する後述の球面部材１１８と、球面部材１１８を載置する溝１２０とを有し、ミラー１１０を支持する。支持台１１６は、光軸を中心とする円環状板部材であり、例えば、ミラー１１０の線膨張率とほぼ同等の線膨張率を有する材料から構成されるのが望ましい。
【００１８】
球面部材１１８は、ミラー１１０のフランジ（中間支持部材）下部に形成された凹部１１２にあわせて１２０°ピッチで配置される。このように、球面部材１１８は、ミラー１１０の円周方向に沿ってほぼ等間隔で分布しているためにミラー１１０は支持部材１１６上で安定する。勿論ミラー形状を所望の形状に保つことが目的であるので、１２０°ピッチ以外であったとしてもミラー形状が所望の形状であれば構わない。ここで、球面部材１１８は、少なくとも一部がほぼ真球体形状を有する部材であり、ミラー１１０のフランジ下部に形成された凹部１１２と外周において接触する。ここでは、この凹部１１２は円錐形状としているが、３角錐、４角錐等のｎ角錐（ｎは３以上の整数）形状の凹部であっても構わないし、円錐もしくは角錐の側面と同様の側面を有する凹部（例えば、円錐台や角錐台等）であっても構わない。ここで角錐形状の凹部を用いる場合に必要なことは、少なくとも球面部材と接触する部分が角錐の側面と同様の形状をしていることと、球面部材と凹部とが少なくとも３点以上で接するように構成することである。
【００１９】
ここで、前述の円錐や角錐は、ミラー（光学素子）の有効領域外の一部に設けても構わないし、ミラーと一体的に設けられた（ミラーと相対的な位置が実質的に固定の）支持部材（支持枠）に設けても構わないし、またミラーを複数点（３点等）で支持する支持部材（支持枠）に設けても構わない。ここでは、このような円錐や角錐を設ける部分、部材のことを中間支持部材と称する。
【００２０】
球面部材１１８は、支持台１１６の半径方向に移動可能な（即ち、半径方向に自由度をもった）溝１２０に載置される。ここで、球面部材１１８が凹部１１２に確実に接するように、球面部材１１８を用いて凹部１１２と共擦りしても良い。ここで、共擦りとは、球面部材と凹部（円錐形状）とがほぼ線接触するようにすることである。
【００２１】
溝１２０は支持台１１６に１２０°ピッチで半径方向に沿って設けられており、溝の配置は前述の凹部１１２に対応したものになっている。溝１２０は、球面部材１１８の半径方向の動きを許容すると共に円周方向の動きを規定する。また、断面形状はＶ形状をしており、前述の球面部材１１８がその溝の平面において、２点で接触するようになっている。即ち３つの溝１１８によって、球面部材１１８を介して６点で支持する（キネマチック支持）こととなり、ミラー１１０を過剰拘束せずに姿勢を維持することが出来る。
【００２２】
ここで、支持台１１６の構造について、図３を用いて再度説明する。本図は図２においてＬ−Ｌ面で切断し上面側から見た図である。既に説明した通り、支持台１１６は所定の点を中心として１２０°ピッチで略半径方向に沿って設けられた溝１２０を有している。ここで、前述の溝１２０は前述の凹部と同様に必ずしも１２０度ピッチで設けなくても良く、溝同士のなす角度が９０度以上１６０度以下であれば構わない。好ましくは溝同士のなす角度を１１０度から１３０度の間にすると良い。
【００２３】
また、溝の周囲には、球面部材１１８が支持される２点の接触点を挟むようにして、溝１２０に垂直及び平行に切れ込みを設け、弾性ヒンジＫを形成してある。これによって、温度環境変動時にミラー１１０に熱膨張が生じても弾性ヒンジＫが平行にリンクすることになるので、半径方向に膨張を許容することが可能となり、ミラーの中心が光軸に対して位置ずれを起こすことを防止することができる。
【００２４】
球面部材１１８と溝１２０は、２点の接触点での変形に伴うミラー１１０の姿勢の変化を防止し、理想的に６点で接触するために、高強度、且つ、摩擦力を極力小さくする（低摩擦係数）ことが必要である。高硬度、且つ、低摩擦係数を満足する球面部材１１８及び溝１２０の材料としては、セラミックス、表面を硬化熱処理された金属、ＤＬＣ等のイオンプレーティングによる成膜コートなどが使用できる。
【００２５】
再び図２に戻り、説明を続ける。１２２は連結棒であり、球面部材１１４、１１８をミラー１１０に固定し、かつ球面部材１１８を支持台１１６に結合する役割をしている。本図において、球面部材１１８は連結棒１２２と一体構造となっている。
【００２６】
１２４は押しばね、１２６は押しばね用ナットであり、この２つの部材を用いて、球面部材１１８を支持台１１６に与圧をかけ、剛性を高める役割を示している。この構造はこれだけに限らず、ばね力の代わりに連結棒１２２を引き込むような構造をとっても同様な効果を得られる。また、連結棒１２２の代わりに、糸やワイヤなどを使用しても同様な役割を果たすことができる。
【００２７】
上記してきたように図２の構成の場合、理想的に構成されればミラー１１０は支持台１１６に対して安定して保持される。しかし、製造誤差や組立等の要因があった場合、連結棒１２２に倒れが生じ、球面部材１１８を介してミラー１１０に対しモーメント荷重が加わることになる。それを回避するために以下の方法を用いても良い。図４は連結棒１２２に弾性ヒンジを入れた例を示した図である。図において、連結棒１２２はその中央部分を絞り、弾性ヒンジＭを設けてある。これにより、ミラー１１０に対してモーメント荷重が加わっても、弾性ヒンジＭにおいてその負荷を吸収することができるので、理想的な支持が可能となる。
【００２８】
ミラー１１０は、自重のみで、球面部材１１８及び溝１２０を介した支持部材１１６上で安定するが、例えば、保持装置１００を搭載した光学系を輸送する際に振動が加わることを考え、本図では、押しばね１２８、押しばね用ナット１３０を用い、球面部材１１４をミラー１１０に与圧をかけ、剛性を高めている。
【００２９】
剛性を高める手法としては、本方式に限るものではない。図５は、耐振動剛性を高めるための一手法を示した図である。１３２は弾性支持部材である。弾性支持部材１３２は２箇所の弾性ヒンジを有している。まず上面図において、弾性ヒンジＪは既に述べたように弾性ヒンジＫと同様の役割を示すもので、弾性ヒンジＪを平行にリンクするよう形成しているので温度環境変動時にミラー１１０に熱膨張が生じても、半径方向に膨張を許容することが可能となり、ミラーの中心が光軸に対して位置ずれを起こすことを防止することができる。次に側面図において、弾性ヒンジＮは温度環境変動時に光軸方向に変動可能とするとともに、外部からの振動を吸収することが可能となる。弾性支持部材１３２と球面部材１１４との接触部は点で接触することになるが、理想的に接触させるためには高硬度、かつ、摩擦力を極力小さくすることが必要となる。高硬度、且つ、低摩擦係数を満足する材料としては、セラミックス、表面を硬化熱処理された金属、ＤＬＣ等のイオンプレーティングによる成膜コートなどが使用できる。
【００３０】
また、弾性支持部材１３２は、常時ミラー１１０をクランプしていてもよく、要求されるミラー面精度や耐振特性などから常時使用するか、輸送時のみに使用するか適宜決定することが好ましい。
【００３１】
以上のような構成で、ミラー１１０は熱膨張によっても支持台１１６に面変形を起こさず支持されることが可能となる。なお、上記説明においては、支持台１１６に溝及び弾性ヒンジ構造を設けていたが、この部分を別構造として支持しても同様の効果を得ることが可能である。これを図６に示す。図６は上記したように溝及び弾性ヒンジを別構造にしたことを示す図である。１３４はこの構造を具現化した溝部材であり、支持台１１６と同様に構成することにより、同様の効果を得る。ここで、溝部材１３４においても、材質や表面処理の考えは同様であるので、ここでは省略する。
【００３２】
本願実施例においては、光学素子としてミラーを例示したが、レンズ、平行平板、回折光学素子、偏光板等の光学素子でも構わない。
【００３３】
また、本願実施例においては、支持台１１６に設けられた溝１２０を半径方向に移動可能としたが、勿論凹部を半径方向に移動可能としても同様の効果が得られる。また、凹部を支持台に設け、溝をミラー（光学素子）に設けるように構成しても構わない。
【００３４】
また、本願実施例においては、溝と支持台とがミラー（光学素子）の光軸と垂直な方向に相対的に移動可能に構成すると良い。その移動する方向はミラー（光学素子）の光軸を中心とする略半径方向と同じであるのが好ましい。具体的な構成としては、溝（或いは凹部）と支持台（或いはミラー）とが、ミラー（光学素子）の光軸と垂直な所定の方向（好ましくはミラーの光軸を中心とする略半径方向）に関しては変形しやすく、ミラーの光軸と平行な方向に関しては変形しづらい部材（板バネ等の部材）を介して接続されるのが好ましい。勿論、凹部（或いは溝）とミラー（光学素子）とをこのような部材を介して接続するような構成にしても構わない。ここで、前述の移動する方向は、前記ミラー（光学素子）の光軸を中心とする略半径方向で無く、ミラーに入射する光の有効領域内の所定の点を中心とする略半径方向であれば構わない。好ましくは、ミラーに入射する光の有効領域の重心位置近傍の所定の点を中心とする略半径方向にするのが良い。
【００３５】
以下、図７を参照して、本発明の例示的な露光装置５００について説明する。ここで、図７は、本発明の例示的な露光装置５００の概略構成図である。本発明の露光装置５００は、露光用の照明光としてＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）を用いてステップ・アンド・スキャン方式やステップ・アンド・リピート方式でマスク５２０に形成された回路パターンを被処理体５４０に露光する投影露光装置である。かかる露光装置は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー工程に好適であり、以下、本実施形態ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼ばれる。）を例に説明する。ここで、ステップ・アンド・スキャン方式は、マスクに対してウェハを連続的にスキャン（走査）してマスクパターンをウェハに露光すると共に、１ショットの露光終了後ウェハをステップ移動して、次の露光領域に移動する露光方法である。ステップ・アンド・リピート方式は、ウェハの一括露光ごとにウェハをステップ移動して次のショットの露光領域に移動する露光方法である。
【００３６】
図７を参照するに、露光装置５００は、照明装置５１０と、マスク５２０と、マスク５２０を載置するマスクステージ５２５と、投影光学系５３０と、被処理体５４０と、被処理体５４０を載置するウェハステージ５４５と、アライメント検出機構５５０と、フォーカス位置検出機構５６０とを有する。
【００３７】
また、図７に示すように、ＥＵＶ光は、大気に対する透過率が低いため、少なくともＥＵＶ光が通る光路は真空雰囲気ＶＣであることが好ましい。
【００３８】
照明装置５１０は、投影光学系５３０の円弧状の視野に対する円弧状のＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）によりマスク５２０を照明する照明装置であって、ＥＵＶ光源５１２と、照明光学系５１４より構成される。
【００３９】
ＥＵＶ光源５１２は、例えば、レーザープラズマ光源が用いられる。これは真空容器中のターゲット材に高強度のパルスレーザー光を照射し、高温のプラズマを発生させ、これから放射される、例えば、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用するものである。ターゲット材としては、金属膜、ガスジェット、液滴などが用いられる。放射されるＥＵＶ光の平均強度を高くするためにはパルスレーザーの繰り返し周波数は高い方がよく、通常数ｋＨｚの繰り返し周波数で運転される。
【００４０】
照明光学系５１４は、集光ミラー５１４ａ、オプティカルインテグレーター５１４ｂから構成される。集光ミラー５１４ａは、レーザープラズマからほぼ等方的に放射されるＥＵＶ光を集める役割を果たす。オプティカルインテグレーター５１４ｂは、マスク５２０を均一に所定の開口数で照明する役割を持っている。また、照明光学系５１４は、マスク５２０と共役な位置に、マスク５２０の照明領域を円弧状に限定するためのアパーチャ５１４ｃが設けられている。かかる照明光学系５１４の集光ミラー５１４ａ及びオプティカルインテグレーター５１４ｂなどの光学部材の保持に本発明の保持装置１００を使用することができる。
【００４１】
マスク５２０は、反射型マスクで、その上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成され、マスクステージ５２５に支持及び駆動されている。マスク５２０から発せられた回折光は、投影光学系５３０で反射されて被処理体５４０上に投影される。マスク５２０と被処理体５４０とは、光学的に共役の関係に配置される。露光装置５００は、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置であるため、マスク５２０と被処理体５４０を走査することによりマスク５２０のパターンを被処理体５４０上に縮小投影する。
【００４２】
マスクステージ５２５は、マスク５２０を支持して図示しない移動機構に接続されている。マスクステージ５２５は、当業界周知のいかなる構成をも適用することができる。図示しない移動機構は、リニアモーターなどで構成され、少なくともＸ方向にマスクステージ５２５を駆動することでマスク５２０を移動することができる。露光装置５００は、マスク５２０と被処理体５４０を同期した状態で走査する。ここで、マスク５２０又は被処理体５４０面内で走査方向をＸ、それに垂直な方向をＹ、マスク５２０又は被処理体５４０面内に垂直な方向をＺとする。
【００４３】
投影光学系５３０は、複数の反射ミラー（即ち、多層膜ミラー）５３０ａを用いて、マスク５２０面上のパターンを像面である被処理体５４０上に縮小投影する。複数のミラー５３０ａの枚数は、４枚乃至６枚程度である。少ない枚数のミラーで広い露光領域を実現するためには、光軸から一定の距離だけ離れた細い円弧状の領域（リングフィールド）だけを用いて、マスク５２０と被処理体５４０を同時に走査して広い面積を転写する。投影光学系５３０の開口数（ＮＡ）は、０．１乃至０．３程度である。
【００４４】
かかる投影光学系５３０を構成するミラー５３０ａなどの光学部材の保持に本発明の保持装置１００を使用することができる。保持装置１００は、図示しない部材によって投影光学系５３０の鏡筒に連結されている。従って、投影光学系５３０は、結像性能の劣化となる光学部材の変形及び位置ずれによる収差を低減することができ、所望の光学性能を達成することができる。
【００４５】
被処理体５４０は、本実施形態ではウェハであるが、液晶基板その他の被処理体を広く含む。被処理体５４０には、フォトレジストが塗布されている。フォトレジスト塗布工程は、前処理と、密着性向上剤塗布処理と、フォトレジスト塗布処理と、プリベーク処理とを含む。前処理は、洗浄、乾燥などを含む。密着性向上剤塗布処理は、フォトレジストと下地との密着性を高めるための表面改質（即ち、界面活性剤塗布による疎水性化）処理であり、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ−ｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）などの有機膜をコート又は蒸気処理する。プリベークは、ベーキング（焼成）工程であるが現像後のそれよりもソフトであり、溶剤を除去する。
【００４６】
ウェハステージ５４５は、ウェハチャック５４５ａによって被処理体５４０を支持する。ウェハステージ５４５は、例えば、リニアモーターを利用してＸＹＺ方向に被処理体５４０を移動する。マスク５２０と被処理体５４０は、同期して走査される。また、マスクステージ５２５の位置とウェハステージ５４５の位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。
【００４７】
アライメント検出機構５５０は、マスク５２０の位置と投影光学系５３０の光軸との位置関係、及び、被処理体５４０の位置と投影光学系５３０の光軸との位置関係を計測し、マスク５２０の投影像が被処理体５４０の所定の位置に一致するようにマスクステージ５２５及びウェハステージ５４５の位置と角度を設定する。
【００４８】
フォーカス位置検出機構５６０は、被処理体５４０面でＺ方向のフォーカス位置を計測し、ウェハステージ５４５の位置及び角度を制御することによって、露光中、常時被処理体５４５面を投影光学系５３０による結像位置に保つ。
【００４９】
露光において、照明装置５１０から射出されたＥＵＶ光はマスク５２０を照明し、マスク５２０面上のパターンを被処理体５４０面上に結像する。本実施形態において、像面は円弧状（リング状）の像面となり、マスク５２０と被処理体５４０を縮小倍率比の速度比で走査することにより、マスク５２０の全面を露光する。
【００５０】
次に、図８及び図９を参照して、上述の露光装置５００を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図８は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。っステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップ７）される。
【００５１】
図９は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３ではウェハに電極を形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置５００によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置５００を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
【００５２】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されずその要旨の範囲内で様々な変形や変更が可能である。例えば、本発明の保持装置をマスクやウェハを支持するために用いてもよい。
【００５３】
本願の実施態様は次のように書くことができる。
【００５４】
（実施態様１）  光学素子を３つの第１の球面部材を介して略６点支持する支持部材を備える保持装置であって、
前記支持部材は、所定の点を中心として略半径方向に伸びる３つの溝を有しており、前記３つの溝と前記３つの第１の球面部材とが接触することによって前記光学素子を位置決めしており、前記３つの溝が前記略半径方向に移動可能であることを特徴とする保持装置。
【００５５】
（実施態様２）  前記３つの溝が、弾性部材を介して固定部材に連結されており、該弾性部材が前記略半径方向に弾性変形することによって、前記３つの溝が移動することを特徴とする実施態様１記載の保持装置。
【００５６】
（実施態様３）  前記弾性部材は弾性ヒンジであることを特徴とする実施態様２記載の保持装置。
【００５７】
（実施態様４）  前記弾性部材が板バネであり、該板バネの面に対して鉛直な方向と前記略半径方向とが実質的に平行であることを特徴とする実施態様２記載の保持装置。
【００５８】
（実施態様５）  前記弾性部材は、実質的に前記円の略半径方向にのみ弾性変形することを特徴とする実施態様２乃至４いずれか記載の保持装置。
【００５９】
（実施態様６）  前記光学素子を前記第１の球面部材に押し付ける方向に、前記光学素子に弾性力を与える弾性支持部材を有し、該弾性支持部材が前記固定部材に固定されていることを特徴とする実施態様２乃至５いずれかに記載の保持装置。
【００６０】
（実施態様７）  前記光学素子を前記第１の球面部材に押し付ける方向に、前記光学素子に弾性力を与える弾性支持部材を有することを特徴とする実施態様１乃至５いずれかに記載の保持装置。
【００６１】
（実施態様８）  前記弾性支持部材の、前記光学素子を前記第１の球面部材に押し付ける方向に力を与える部位は、前記略半径方向に移動可能であることを特徴とする実施態様６又は７記載の保持装置。
【００６２】
（実施態様９）  前記弾性支持部材は、第２の球面部材を介して前記光学素子に力を与えることを特徴とする実施態様６乃至８いずれかに記載の保持装置。
【００６３】
（実施態様１０）  前記弾性支持部材と前記第２の球面部材とは実質的に１点で接していることを特徴とする実施態様９記載の保持装置。
【００６４】
（実施態様１１）  前記光学素子と一体的に設けられている（前記光学素子自体に設けても構わない）、もしくは前記光学素子を支持する中間支持部材を有しており、該中間支持部材が３つの第１の凹部を有しており、該３つの第１の凹部と前記３つの第１の球面部材とがそれぞれ３点以上で接触、もしくは実質的に線接触しており、前記３つの第１の凹部と前記３つの第１の球面部材との接触点において、前記第１の凹部は角錐もしくは円錐の側面形状を有していることを特徴とする実施態様１乃至１０いずれか記載の保持装置。
【００６５】
（実施態様１２）  前記第１の凹部が、円錐形状、角錐形状、円錐台形状、角錐台形状のいずれかであることを特徴とする実施態様１１記載の保持装置。
【００６６】
（実施態様１３）  前記光学素子と一体的に設けられている（前記光学素子自体に設けても構わない）、もしくは前記光学素子を支持する中間支持部材を有しており、該中間支持部材が３つの第２の凹部と、該３つの第２の凹部それぞれと対応する３つの第２の球面部材を有しており、前記第２の凹部の各々が前記第２の球面部材各々と３点以上で接触、もしくは実質的に線接触しており、前記第２の球面部材が前記第２の凹部に対して加える力と、前記第１の球面部材が前記第２の凹部に対して加える力とが実質的に反対方向であることを特徴とする実施態様１１又は１２記載の保持装置。
【００６７】
（実施態様１４）  前記中間支持部材は、前記光学素子の一部であることを特徴とする実施態様１１乃至１３いずれかに記載の保持装置。
【００６８】
（実施態様１５）  前記中間支持部材は、前記光学素子に対して相対的な位置が実質的に変化しない（相対的な位置が固定の）支持枠であることを特徴とする実施態様１１乃至１３いずれかに記載の保持装置。
【００６９】
（実施態様１６）  前記光学素子と前記支持部材とを前記球面部材を介して連結する連結部材を有することを特徴とする実施態様１乃至１５いずれかに記載の保持装置。
【００７０】
（実施態様１７）  前記連結部材が弾性ヒンジを有することを特徴とする実施態様１６記載の保持装置。
【００７１】
（実施態様１８）  前記３つの溝は、互いに９０度以上１６０度以下の角度をなすように配置されていることを特徴とする実施態様１乃至１７いずれか記載の保持装置。
【００７２】
（実施態様１９）  前記３つの溝は、互いに１１０度以上１３０度以下の角度をなすように配置されていることを特徴とする実施態様１乃至１８いずれか記載の保持装置。
【００７３】
（実施態様２０）  前記３つの溝は、前記３つの第１の球面部材それぞれと略２点接触する断面Ｖ字形状の溝であることを特徴とする実施態様１乃至１９いずれか記載の保持装置。
【００７４】
（実施態様２１）  前記光学素子が反射部材であることを特徴とする実施態様１乃至２０いずれか記載の保持装置。
【００７５】
（実施態様２２）  光学素子を複数の支持部で支持する支持部材を備え、前記複数の支持部が所定の点を中心とする円の略半径方向に移動可能であることを特徴とする保持装置。
【００７６】
（実施態様２３）  光源からの光でマスク（レチクル）に形成されたパターンを照明する照明光学系と、前記パターンからの光を被露光体に投影する投影光学系とを有し、前記照明光学系と前記投影光学系の少なくともいずれか一方が実施態様１乃至２２のうちいずれか一項記載の保持装置を有していることを特徴とする露光装置。
【００７７】
（実施態様２４）  実施態様１乃至２２のうちいずれか一項記載の保持装置を有し、該保持装置で保持する光学素子を介してマスク（レチクル）に形成されたパターンを被露光体に露光する光学系を有することを特徴とする露光装置。
【００７８】
（実施態様２５）  前記露光装置で用いる光がＥＵＶ光であることを特徴とする実施態様２３又は２４記載の露光装置。
【００７９】
（実施態様２６）  前記露光装置内において露光光が通る光路の雰囲気が、高真空もしくは実質的にヘリウムガスで満たされていることを特徴とする実施態様２３乃至２５いずれか記載の露光装置。
【００８０】
（実施態様２７）  実施態様２３乃至２６いずれか記載の露光装置を用いて被露光体を露光するステップと、前記露光された前記被処理体に所定のプロセス（現像等）を行うステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一側面としてのミラー保持方法１００を示す概略側面図である。
【図２】図１における断面Ａ−Ａを示した図である。
【図３】図２においてＬ−Ｌ面で切断し上面側から見た図である。
【図４】連結棒１２２に弾性ヒンジを入れた図である。
【図５】耐振動剛性を高めるための一手法を示した図である。
【図６】溝及び弾性ヒンジを別構造にしたことを示す図である。
【図７】本発明の例示的な露光装置の概略構成図である。
【図８】デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【図９】図８に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
１００  保持装置
１１０  ミラー
１１２  凹部
１１６  支持台
１１８  球面部材
１２０  溝
１２２  連結棒
５００  露光装置
５１０  照明装置
５１４  照明光学系
５２０  マスク
５３０  投影光学系
５４０  被処理体
５５０  アライメント検出機構
５６０  フォーカス位置検出機構
Ｋ  弾性ヒンジ
Ｍ  弾性ヒンジ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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