(57)【要約】【課題】ガラス基板にイオン交換法による光導波路を形成してなるイオン交換型光導波路デバイスにおいて、ＰＤＬ等の特性を悪化させることなく、光導波路部の位相トリミングを適正に行う。【解決手段】ガラス基板１０中にイオン交換法による光導波路２０〜２４を形成し、この光導波路２０〜２４により所定機能の光デバイスを形成したイオン交換型光導波路デバイスにおいて、上記光導波路２０〜２４の所定領域５０を選択的に加熱して上記光デバイスの特性をトリミングするとともに、そのトリミング加熱を上記ガラス基板１０表面の応力を解放する非拘束状態で行う。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板中にイオン交換法による光導波路を形成し、この光導波路により所定機能の光デバイスを形成したイオン交換型光導波路デバイスの製造方法において、上記光導波路の所定領域を選択的に加熱して上記光デバイスの特性をトリミングするとともに、そのトリミング加熱を上記ガラス基板表面の応力を解放する非拘束状態で行うことを特徴とするイオン交換型光導波路デバイスの製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記トリミング加熱は、波長が前記ガラス基板の吸収波長域にあるレーザ光をトリミング領域に照射して行うことを特徴とするイオン交換型光導波路デバイスの製造方法。
【請求項３】
請求項２において、前記ガラス基板としてＮａ、ＫまたはＬｉのイオンを含む多成分ガラスを使用するとともに、前記レーザ光としてＣＯ２レーザ光を使用することを特徴とするイオン交換型光導波路デバイスの製造方法。
【請求項４】
請求項２または３において、前記レーザ光の光源と前記ガラス基板の間にスリット板を介在させてトリミング領域を選択的に照射する投射パターンを形成することを特徴とするイオン交換型光導波路デバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項１において、前記トリミング加熱は、トリミング領域のパターン形状に対応する形状の加熱端を有するヒータを前記ガラス基板に接近または接触させて行うことを特徴とするイオン交換型光導波路デバイスの製造方法。
【請求項６】
ガラス基板中にイオン交換法による光導波路を形成し、この光導波路により所定機能の光デバイスを形成したイオン交換型光導波路デバイスにおいて、上記光導波路の位相特性が請求項１〜５のいずれかの方法でトリミングされていることを特徴とするイオン交換型光導波路デバイス。
【請求項７】
請求項６において、前記光導波路がＮａとＡｇ、ＫとＴｌまたはＬｉとＫのイオン交換により形成されていることを特徴とするイオン交換型光導波路デバイス。
【請求項８】
請求項６または７において、前記光デバイスとしてマッハツェンダ干渉計と位相シフタによる光アッテネータまたは光スイッチを形成するとともに、そのマッハツェンダ干渉計の光導波路部に前記方法によるトリミング領域を置いたことを特徴とするイオン交換型光導波路デバイス。
【請求項９】
請求項８において、前記マッハツェンダ干渉計の平行アーム部をなす一対の光導波路部の一方に前記位相シフタを配設し、その一対の光導波路部の他方に前記方法によるトリミング領域を置いたことを特徴とするイオン交換型光導波路デバイス。
【請求項１０】
請求項８において、前記マッハツェンダ干渉計の平行アーム部をなす一対の光導波路部の一方に前記位相シフタを配設し、その位相シフタと同側の光導波路部に前記方法によるトリミング領域を置いたことを特徴とするイオン交換型光導波路デバイス。
【請求項１１】
請求項８において、前記マッハツェンダ干渉計の平行アーム部をなす一対の光導波路部の両方にそれぞれ前記位相シフタを配設し、その一対の光導波路部の両方に前記方法によるトリミング領域を置いたことを特徴とするイオン交換型光導波路デバイス。
【請求項１２】
請求項８において、前記マッハツェンダ干渉計の平行アーム部をなす一対の光導波路部の一方に前記位相シフタを配設し、そのマッハツェンダ干渉計の分岐アーム部をなす一対の光導波路部の一方に前記方法によるトリミング領域を置いたことを特徴とするイオン交換型光導波路デバイス。
【請求項１３】
請求項８において、前記マッハツェンダ干渉計の平行アーム部をなす一対の光導波路部の両方に前記位相シフタを配設し、そのマッハツェンダ干渉計の分岐アーム部をなす一対の光導波路部の両方に前記方法によるトリミング領域を置いたことを特徴とするイオン交換型光導波路デバイス。
【請求項１４】
請求項８〜１３のいずれかにおいて、前記位相シフタを前記ガラス基板上に被着形成された薄膜ヒータで形成したことを特徴とするイオン交換型光導波路デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ガラス基板にイオン交換法による光導波路を形成してなるイオン交換型光導波路デバイスとその製造方法に関し、たとえば光アッテネータや光スイッチなどの光回路デバイスに適用して有効なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
イオン交換型光導波路デバイスは、たとえば特開昭２００１−９１７７６公報に記載のように、ガラス基板にＡｇなどのイオンをイオン交換法で選択的にドープさせることにより製造される。イオン交換は、所定の光導波路パターンをなすイオン交換制御膜が形成されたガラス基板を溶融塩中に浸漬して行う。ガラス基板は、溶融塩中にて行われる熱イオン交換または電界イオン交換などによってＡｇ等のイオンが選択的にドープされるが、このイオンのドープによって光屈折率が選択的に増加させられ、この光屈折率の選択増加部分が光導波路を形成する。この光導波路を用いて、たとえばマッハツェンダ（Ｍ−Ｚ）干渉計などの光デバイスを形成することができる。さらに、そのＭ−Ｚ干渉計に位相シフタを組合わせて光アッテネータや光スイッチなどの光回路デバイス（光デバイス）を形成することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
光導波路を用いて、たとえばＭ−Ｚ（マッハ・ツェンダー）干渉計による光アッテネータや光スイッチなどの光デバイスを形成する場合、所定の光デバイス特性を得るために、その光デバイスを形成する光導波路部の位相シフト量を恒久的に修正するトリミングが不可欠である。この位相トリミングは光導波路部の屈折率（光屈折率）を不可逆的に変化させて行う。
【０００４】
上記位相トリミングについて、特開平１０−２４６８２８または特開平１０−２４６８９９には、次のように開示されている。すなわち、上下２層のクラッド層間に光導波路コアを埋設して形成される光導波路型光デバイスにおいて、上側クラッド層の表面に位相シフタ用とは別のトリミング用の薄膜ヒータを真空蒸着や化学エッチング等により被着形成し、これに大容量通電を行って上記光導波路コアを加熱することにより、その光導波路コアでの位相シフト量を恒久的に変化させる。上記文献によれば、上下クラッド層には低屈折率の石英ガラスを使用し、光導波路コアには高屈折率の石英ガラスを使用するとしているが、上記のトリミングはイオン拡散型光導波路にも適用可能であるとしている。
【０００５】
そこで、本発明者は、イオン交換型光導波路デバイスにおいても上記のトリミングが効果的に適用できるかどうかを実際に検討した。図１０は、本発明者が本発明に先立って検討したイオン交換型光導波路デバイスの構成を模式的に示す。同図において、（ａ）は平面パターン図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ部分の断面図をそれぞれ示す。
【０００６】
同図に示すデバイスは、ガラス基板１０にイオン交換法により所定パターンの光導波路部２０，２２，２４を形成したものであって、その光導波路部２０，２２，２４はＭ−Ｚ干渉計を形成する。このＭ−Ｚ干渉計の平行アーム部をなす一対の光導波路部２２，２４の一方（２２）に位相シフタ用の薄膜ヒータ３２を配設し、その他方（２４）にトリミング用の薄膜ヒータ４４を配設する。両ヒータ３２，４４はそれぞれ、真空蒸着や化学エッチング等によりガラス基板１０の表面に被着形成する。一方の薄膜ヒータ３２には、位相シフト量を可逆的に変化させるために比較的小容量の可変制御電力Ｅｃを通電する。他方の薄膜ヒータ４４には、位相シフト量を不可逆的に変化させるために比較的大容量のトリミング電力Ｅｐを通電する。その大電力通電でトリミング用ヒータ４４を高熱量で発熱させることにより、そのヒータ４４の下方に位置する光導波路部２４の位相特性を恒久的に変化させるのであるが、その際に、次のような問題を生じることが判明した。
【０００７】
すなわち、イオン交換法で形成された光導波路は、光導波路コアを埋め込んだ光導波路とは違って、ガラス基板の状態に大きく影響される。上記トリミングはガラス基板１０をその表面に被着形成した薄膜ヒータで加熱して行うが、その加熱がイオン交換法で形成した光導波路の特性とくにＰＤＬを大幅に悪化（増大）させてしまうことが判明した。その理由としては、ガラス基板１０とこのガラス基板１０の表面に被着形成された薄膜ヒータ４４との間に熱膨張差による応力歪みが生じ、これが残留して光導波路に影響するためと考えられる。いずにせよ、真空蒸着等によってガラス基板１０に被着形成された薄膜ヒータ４４による加熱トリミングは、イオン交換型光導波路デバイスに対しては副作用が大きく、必ずしも適当でないことが判明した。
【０００８】
この発明は以上のような問題を鑑みてなされたもので、その目的は、ガラス基板にイオン交換法による光導波路を形成してなるイオン交換型光導波路デバイスにおいて、ＰＤＬ等の特性を悪化させることなく、光導波路部の位相トリミングを適正に行うことができる技術を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明では次のような解決手段を提供する。
まず、本発明の主要な第１の手段は、ガラス基板中にイオン交換法による光導波路を形成し、この光導波路により所定機能の光デバイスを形成したイオン交換型光導波路デバイスの製造方法において、上記光導波路の所定領域を選択的に加熱して上記光デバイスの特性をトリミングするとともに、そのトリミング加熱を上記ガラス基板表面の応力を解放する非拘束状態で行うことを特徴とする。
【００１０】
上記手段において、トリミング加熱は、波長が上記ガラス基板の吸収波長域にあるレーザ光をトリミング領域に照射して行うとよい。また、ガラス基板としてＮａ、ＫまたはＬｉのイオンを含む多成分ガラスを使用する場合は、ＣＯ２レーザ光がそのガラス基板の吸収波長域となって好都合である。レーザ光の照射に際しては、レーザ光の光源とガラス基板の間にスリット板を介在させることにより、トリミング領域を選択的に照射する投射パターンを形成するとよい。トリミング加熱は、トリミング領域のパターン形状に対応する形状の加熱端を有するヒータを上記ガラス基板に接近または接触させて行うようにしてもよい。
【００１１】
本発明の主要な第２の手段は、ガラス基板中にイオン交換法による光導波路を形成し、この光導波路により所定機能の光デバイスを形成したイオン交換型光導波路デバイスにおいて、上記光導波路の位相特性が請求項１〜６のいずれかの方法でトリミングされていることを特徴とする。
【００１２】
上記手段において、光導波路はＮａとＡｇ、ＫとＴｌまたはＬｉとＫのイオン交換により形成したものが好適である。光デバイスとしては、Ｍ−Ｚ干渉計と位相シフタによる光アッテネータまたは光スイッチを形成することができる。そのＭ−Ｚ干渉計の光導波路部には前記方法によるトリミング領域を置くことができる。
【００１３】
位相シフタとトリミング領域は、次のいずれかの配置が好ましい。
Ｍ−Ｚ干渉計の平行アーム部をなす一対の光導波路部の一方に位相シフタを配設し、その一対の光導波路部の他方に前記方法によるトリミング領域を置く。
Ｍ−Ｚ干渉計の平行アーム部をなす一対の光導波路部の一方に前記位相シフタを配設し、その位相シフタと同側の光導波路部に前記方法によるトリミング領域を置く。
Ｍ−Ｚ干渉計の平行アーム部をなす一対の光導波路部の両方にそれぞれ前記位相シフタを配設し、その一対の光導波路部の両方に前記方法によるトリミング領域を置く。
Ｍ−Ｚ干渉計の平行アーム部をなす一対の光導波路部の一方に前記位相シフタを配設し、そのＭ−Ｚ干渉計の分岐アーム部をなす一対の光導波路部の一方に前記方法によるトリミング領域を置く。
Ｍ−Ｚ干渉計の平行アーム部をなす一対の光導波路部の両方に前記位相シフタを配設し、そのＭ−Ｚ干渉計の分岐アーム部をなす一対の光導波路部の両方に前記方法によるトリミング領域を置く。
上記位相シフタは、上記ガラス基板上に被着形成された薄膜ヒータにより形成するのが望ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明によるイオン交換型光導波路デバイスとその製造方法の実施例を模式的に示す。同図において、（ａ）は平面パターン図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ部分の断面図をそれぞれ示す。
同図に示すイオン交換型光導波路デバイスはガラス基板１０に形成されている。ガラス基板１０にはイオン交換法により所定パターンの光導波路部２０〜２４が形成され、この光導波路部２０〜２４によってＭ−Ｚ干渉計が形成されている。Ｍ−Ｚ干渉計は、入力光の導入部および出力光の導出部にそれぞれ位置する単一光導波路部２０，２０と、Ｙ字状分岐アーム部をなす一対の光導波路部２１，２３と、平行アーム部をなす一対の光導波路部２２，２４とにより形成される。平行アーム部をなす一対の光導波路部２２，２４の一方（２２）には位相シフタが配設されている。この位相シフタは、ガラス基板１０上の薄膜ヒータ３２により形成される。薄膜ヒータ３２はガラス基板１０の表面にフォトリゾグラフィ技術を用いた選択的な真空蒸着や化学エッチング等により被着形成される。この薄膜ヒータ３２は上記光導波路部２２に沿って形成され、その光導波路部２２での位相シフト量を可逆的に変化させるために比較的小容量の可変制御電力Ｅｃが通電される。
【００１５】
平行アーム部をなす一対の光導波路部２２，２４の他方（２４）には、ＣＯ２レーザ光照射による位相トリミングが行われる。５０のそのトリミング領域を示す。ＣＯ２レーザ光の波長域はガラス基板１０の吸収波長域にあり、そのＣＯ２レーザをガラス基板１０の上方から上記トリミング領域５０に向けて選択的にスポット照射することにより、そのトリミング領域５０に位置する光導波路部２４を局所的に加熱処理することができる。この加熱処理を加減しながら行うことにより、上記光導波路部２４における位相シフト量を目的の状態にまで恒久的に変化させるトリミングを行うことができる。
【００１６】
ＣＯ２レーザ光は、その波長域がガラス基板１０の吸収波長域にあるとともに、大出力を比較的簡単に得ることができるので、上記トリミングにとくに適している。しかし、波長がガラス基板１０の吸収波長域にあるレーザ光であって、トリミングに必要な加熱を行えるだけの出力が得られるならば、ＣＯ２以外のレーザも使用可能である。トリミング領域５０は非常に細幅な領域なので、たとえば半導体レーザなどの使用も可能である。
【００１７】
上記レーザ光による加熱により、光導波路のＰＤＬをそれほど悪化（増大）させることなく、その光導波路の位相シフト量をトリミングさせることができた。その理由としては次のようなことが考えられる。すなわち、レーザ光による加熱は、ガラス基板１０の表面に被着形成された薄膜ヒータによる加熱と違って、そのガラス基板１０の表面部を自由に熱膨張させる非拘束状態で行われるため、光導波路のＰＤＬを悪化させる応力歪みが残留しにくいためと考えられる。
【００１８】
図２は、イオン交換法による光導波路を用いた光アッテネータの電圧制御特性（制御電圧に対する光出力とＰＤＬ特性）を示す。光アッテネータはＭ−Ｚ干渉計に薄膜ヒータによる位相シフタを組み合わせたものであって、同図はそのトリミング前の特性を示す。同図に示すような特性を有する光アッテネータについて、光導波路の一部にＣＯ２レーザを照射しながら、その照射の段階ごとに光出力（ｄＢ）とＰＤＬ（ｄＢ）の変化を測定したところ、次のような結果を得た。
【００１９】
（１）ＣＯ２を照射する前の初期状態（トリミング前）は、光出力が２．０８３ｄＢで、ＰＤＬが０．１０２ｄＢであった。
（２）ＣＯ２レーザ光を出力１１２ｍＷで３分間照射した後は、光出力が１．８９３ｄＢで、ＰＤＬが０．１０１ｄＢであった。
（３）ＣＯ２レーザ光を出力１５７ｍＷで１分間照射した後は、光出力が１．８４６ｄＢで、ＰＤＬが０．１００ｄＢであった。
（４）ＣＯ２レーザ光を出力３３６ｍＷで１分間照射した後は、光出力が１．０９８ｄＢで、ＰＤＬが０．０７０Ｂであった。
なお、レーザ照射は０．１ｍｍ×３ｍｍの範囲（トリミング領域）で行った。
【００２０】
上記結果において、光出力は光導波路の位相シフト量がトリミング修正されたことで変化している。これに対し、ＰＤＬは悪化（増大）せず、むしろ改善（減少）されている。これにより、少なくともレーザ光によるトリミングでは、光導波路に悪影響する応力歪みが生じていないと見ることができる。
【００２１】
ここで、上述したイオン交換型光導波路デバイスについて、その作製工程をさらに詳細に説明する。
まず、ガラス基板に所定の光導波路パターンをなすイオン交換制御膜を形成する。ガラス基板は１価のＮａイオンを含む多成分ガラスを用いる。このガラス基板の表面にフォトリゾグラフィ技術を用いて所定パターンのイオン交換制御膜を形成する。つまり、フォトレジスト・パターニングによる成膜を行う。イオン交換制御膜はたとえばＴｉ膜からなるイオン透過防止膜であって、ガラス基板を溶融塩中に浸漬したときに、その溶融塩中のイオンがガラス中に浸透するのを選択的に阻止する。
【００２２】
次に、所定パターンのイオン交換制御膜が形成されたガラス基板をＡｇイオンを含む溶融塩中に浸漬して１段階目のイオン交換処理を行う。このイオン交換処理により、ガラス基板表面部のＮａイオンが局部的にＡｇイオンに交換される。この局部的なイオン交換は上記イオン交換制御膜のパターンにしたがって行われる。
【００２３】
この後、イオン交換制御膜（Ｔｉ膜）を除去して２段階目のイオン交換処理を行う。この２段階目のイオン交換処理では、ガラス基板の厚み方向に電界を印加することにより、そのガラス基板の表面部に形成されたＡｇイオン交換部分をガラス基板中に移動させる。つまり、Ａｇイオン交換部分をガラス基板中に埋め込む。このようにしてガラス基板中に埋め込まれたＡｇイオン交換部分は、その周囲の非イオン交換部分すなわちＮａイオン部分よりも光屈折率が選択的に上昇させられることにより、光導波路を形成する。
【００２４】
なお、ガラス基板は１価のＫイオンを含む多成分ガラスでもよい。光導波路はＮａとＡｇのイオン交換以外に、ＫとＴｌまたはＬｉとＫのイオン交換によっても形成することができる。
【００２５】
以上のような工程により、所定の光回路パターンをなす光導波路がガラス基板１中に埋込形成される。このあと、位相シフタをなす薄膜ヒータを所定位置に形成した後、上述したように、上記光導波路の所定範囲を選択的に加熱してトリミングを行う。その加熱は、ＣＯ２レーザ光等により、上記ガラス基板の表面応力を解放した非拘束状態で行う。
【００２６】
図３〜図６はそれぞれ、Ｍ−Ｚ干渉計と位相シフタによる光アッテネータまたは光スイッチにおいて、位相シフタをなす薄膜ヒータ３２とレーザ加熱によるトリミング領域５０の位置の関する実施例を示す。
図３に示す実施例では、Ｍ−Ｚ干渉計の平行アーム部をなす一対の光導波路部２２，２４の一方（２２）に上記薄膜ヒータ３２が配設されるとともに、その薄膜ヒータ３２と同側の光導波路部２２に上記トリミング領域５０が置かれている。
【００２７】
図４に示す実施例では、Ｍ−Ｚ干渉計の平行アーム部をなす一対の光導波路部２２，２４の両方にそれぞれ上記薄膜ヒータ３２が配設されるとともに、その一対の光導波路部２２，２４の両方に上記トリミング領域５０が置かれている。
【００２８】
図５に示す実施例では、Ｍ−Ｚ干渉計の平行アーム部をなす一対の光導波路部２２，２４の一方（２４）に上記薄膜ヒータ３２が配設されるとともに、そのＭ−Ｚ干渉計の分岐アーム部をなす一対の光導波路部２１，２３の一方に上記トリミング領域５０が置かれている。
【００２９】
図６に示す実施例では、Ｍ−Ｚ干渉計の平行アーム部をなす一対の光導波路２２，２４の両方（２２，２４）に上記薄膜ヒータ３２が配設されるとともに、そのＭ−Ｚ干渉計の分岐アーム部をなす一対の光導波路部２１，２３の両方（２１，２３）に上記トリミング領域５０が置かれている。
【００３０】
図７は上記トリミングを行う装置の実施例を示す。同図に示す装置は、レーザ光源６１、収束光学系６２、およびスリット板６３により構成されている。レーザ光源６１はガラス基板１０の吸収波長域のレーザ光を発振する。光学系６２はそのレーザ光をトリミング領域５０にスポット照射させる。スリット板６３は光学系６２に介在し、そのスリット部によりトリミング領域５０の平面パターン形状に対応する照射パターンを形成する。
【００３１】
図８は上記トリミングを行う装置の別の実施例を示す。同図に示す実施例では、ガラス基板１０の上にスリット板６３を載置し、このスリット板６３の上方からレーザ光を照射する。スリット板６３は光反射性の金属製で、トリミング領域５０の平面パターン形状に対応する形状のスリット部を有し、このスリット部を通過したレーザ光がトリミング領域５０に照射される。この場合、スリット板６３とガラス基板１０間は直接接触しないよう、若干のギャップを置くことが望ましい。これは、レーザ光を受けて加熱されたスリット板６３の熱がガラス基板１０に伝導するのを防ぐためである。
【００３２】
図９は上記トリミングを行う装置のさらに別の実施例を示す。同図に示す装置は、上記トリミング領域５０のパターン形状に対応する形状の加熱端７１を有する外部ヒータ７０をガラス基板１０に接近または接触させることでトリミング加熱を行う。なお、この加熱に際しては、ガラス基板表面の応力を解放する非拘束状態を確実に得るために、外部ヒータ７０をガラス基板１０間に非接触で接近させる方が好ましい。
【００３３】
以上、本発明をその代表的な実施例に基づいて説明したが、本発明は上述した以外にも種々の態様が可能である。たとえば、トリミング加熱の手段は、ガラス基板表面の応力を解放する非拘束状態でトリミング領域５０だけを選択的に加熱できるものであれば、上述した以外の加熱手段であってもよい。
【００３４】
【発明の効果】
本発明によれば、ガラス基板にイオン交換法による光導波路を形成してなるイオン交換型光導波路デバイスにおいて、ＰＤＬ等の特性を悪化させることなく、光導波路部の位相トリミングを適正に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるイオン交換型光導波路デバイスとその製造方法の実施例を模式的に示す平面図および断面図である。
【図２】イオン交換法による光導波路を用いた光アッテネータの特性図である。
【図３】位相シフタとトリミング領域の位置の関する第１の実施例を模式的に示す平面図である。
【図４】位相シフタとトリミング領域の位置の関する第２の実施例を模式的に示す平面図である。
【図５】位相シフタとトリミング領域の位置の関する第３の実施例を模式的に示す平面図である。
【図６】位相シフタとトリミング領域の位置の関する第４の実施例を模式的に示す平面図である。
【図７】トリミング加熱を行う装置の実施例を示す断面図である。
【図８】トリミング加熱を行う装置の別の実施例を示す断面図である。
【図９】トリミング加熱を行う装置のさらに別の実施例を示す断面図である。
【図１０】本発明者が本発明に先立って検討したイオン交換型光導波路デバイスの構成を模式的に示す平面図および断面図である。
【符号の説明】
１０　ガラス基板
２０〜２４　光導波路部
３２　位相シフタを形成する薄膜ヒータ
４４　トリミング用の薄膜ヒータ
５０　トリミング領域
６１　レーザ光源
６２　収束光学系
６３　スリット板
７０　外部ヒータ
７１　加熱端
Ｅｃ　可変制御電力
Ｅｐ　トリミング電力
【図１】
2004061656.tif 000003
【図２】
2004061656.tif 000004
【図３】
2004061656.tif 000005
【図４】
2004061656.tif 000006
【図５】
2004061656.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
2004061656.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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