(57)【要約】【課題】位置合わせが容易な半導体光検出装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は複数枚のグリーンシート５８〜６２を積層し焼成することにより複数層からなる、複数の半導体光検出装置１０分のセラミックパッケージ１４を一体としたセラミック焼成体７６を形成し、そのセラミック焼成体を分割して構成されたセラミックパッケージに半導体光検出素子を収納した半導体光検出装置において、セラミックパッケージの少なくとも２箇所に切り欠き部３６，４８を有し、切り欠き部において、セラミックパッケージを構成している複数層のうち、半導体光検出素子が搭載されている層の側端面３８，５０が他の何れの層の側端面４０，４２，５２，５４よりもセラミックパッケージの外側に突出していることを特徴とする。これにより、半導体光検出素子が搭載されている層の側端面を基準として位置合わせをすることができる。【選択図】  図２
2004247351.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚のグリーンシートを積層し焼成することにより複数層からなる、複数の半導体光検出装置分のセラミックパッケージを一体としたセラミック焼成体を形成し、前記セラミック焼成体を分割して構成されたセラミックパッケージと、前記セラミックパッケージ内に収納された半導体光検出素子とを有する半導体光検出装置において、
前記セラミックパッケージの側端面の少なくとも２箇所に切り欠き部を有し、
前記切り欠き部において、前記セラミックパッケージを構成している複数層のうち、前記半導体光検出素子が搭載されている層の側端面が他の何れの層の側端面よりも前記セラミックパッケージの外側に突出していることを特徴とする半導体光検出装置。
【請求項２】
前記少なくとも２つの切り欠き部が前記セラミックパッケージの角部に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体光検出装置。
【請求項３】
複数枚のグリーンシートを積層し焼成することにより複数層からなる、複数の半導体光検出装置分のセラミックパッケージを一体としたセラミック焼成体を形成し、前記セラミック焼成体を分割して構成されたセラミックパッケージと、前記セラミックパッケージ内に収納された半導体光検出素子とを有する半導体光検出装置の製造方法において、
前記複数枚のグリーンシートのうち、前記半導体光検出素子を搭載する層となるグリーンシートの分割線上に少なくとも２つの貫通孔を形成し、他のグリーンシートにおける分割線上であって、前記半導体光検出素子を搭載する層となるグリーンシートに形成した少なくとも２つの貫通孔の位置に対応する位置に前記貫通孔よりも大きい貫通孔を形成し、
上記貫通孔が形成された複数枚のグリーンシートを、前記半導体光検出素子を搭載する層となるグリーンシートに形成された貫通孔の中心軸線とその貫通孔に対応するように他のグリーンシートに形成された貫通孔の中心軸線とを実質的に一致させて積層し焼成して形成されたセラミック焼成体を分割し、
前記セラミック焼成体から分割されたセラミックパッケージの所定の位置に前記半導体光検出素子を収納することを特徴とする半導体光検出装置の製造方法。
【請求項４】
複数枚のグリーンシートを積層し焼成することにより複数層からなる、複数の半導体光検出装置分のセラミックパッケージを一体としたセラミック焼成体を形成し、前記セラミック焼成体を分割して構成されたセラミックパッケージと、前記セラミックパッケージ内に収納された半導体光検出素子とを有する半導体光検出装置の製造方法において、
前記複数枚のグリーンシートのうち、前記半導体光検出素子を搭載する層となるグリーンシートの分割線上に少なくとも２つの貫通孔を形成し、他のグリーンシートにおける分割線上であって、前記半導体光検出素子を搭載する層となるグリーンシートに形成した少なくとも２つの貫通孔の位置に対応する位置に前記貫通孔よりも大きい貫通孔を形成し、
上記貫通孔が形成された複数枚のグリーンシートを、前記半導体光検出素子を搭載する層となるグリーンシートに形成された貫通孔の中心軸線とその貫通孔に対応するように他のグリーンシートに形成された貫通孔の中心軸線とを実質的に一致させて積層し焼成して形成されたセラミック焼成体における各セラミックパッケージの所定の位置に前記半導体光検出素子を収納し、
前記セラミック焼成体から前記半導体光検出素子が収納されたセラミックパッケージを分割して半導体光検出装置を得ることを特徴とする半導体光検出装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体光検出素子を搭載する層となるグリーンシートに形成する前記少なくとも２つの貫通孔を、そのグリーンシートの分割線の交点に形成することを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の半導体光検出装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミックパッケージに半導体光検出素子が収納された半導体光検出装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体光検出装置において、半導体光検出素子は予め配線を形成したセラミックパッケージ（以下、単に「パッケージ」という）に収納されている。
【０００３】
半導体光検出素子を収納するパッケージは次のようにして製造される。まず、複数枚のグリーンシートを積層し焼成することにより複数層からなる、複数の半導体光検出装置分のパッケージを一体としたセラミック焼成体を作製する。次に、そのセラミック焼成体を、いわゆるチョコレートブレークにより分割して個々の半導体光検出装置のパッケージとする。
【０００４】
そして、以上のようにして製造されたパッケージに半導体光検出素子を収納して半導体光検出装置とする。
【０００５】
上記のようにして製造された半導体光検出装置は、パッケージの側端面を基準に用いてレンズなどの他の光学素子と位置調整される。
【０００６】
ところで、上述したようにセラミック焼成体から個々の半導体光検出装置のパッケージにチョコレートブレークにより分割するとパッケージの側端面の一部にバリが残ることがある。このようなバリが存在すると寸法誤差が生じて半導体光検出装置の位置合わせを適正にできない。
【０００７】
そのため、複数枚のグリーンシート夫々において、半導体光検出装置のパッケージの角部に相当する位置に貫通孔を予め形成し、その貫通孔が形成されたグリーンシートを用いてパッケージを製造する手法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
このように予めグリーンシートに貫通孔を形成していると、その貫通孔により形成される、パッケージの角部における側端面には分割によるバリが発生しない。
【０００９】
【特許文献１】
特許第２５１７９８４号明細書
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した手法により製造され角部にバリが生じていないパッケージを有する半導体光検出装置でもその位置合わせは困難であった。
【００１１】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、位置合わせが容易な半導体光検出装置及びその製造方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を重ね以下のことを見出した。
【００１３】
上述したように半導体光検出素子を収納するパッケージは、複数枚のグリーンシートを積層し焼成して形成されたセラミック焼成体がチョコレートブレークにより分割されて製造される。そのため、パッケージの製造工程では、グリーンシートを積層する場合の製造誤差や、焼成する際における各グリーンシートの収縮の違いから収縮ずれが発生する。
【００１４】
従って、複数枚のグリーンシート夫々に貫通孔を形成してパッケージの角部における側端面に分割によるバリが発生しないようにしても、製造誤差や収縮ずれによりその側端面は平坦ではなくなっている。そのため、半導体光検出装置内の半導体光検出素子の位置を正確に把握できないことから半導体光検出装置の位置合わせが困難になる。
【００１５】
そこで、上記課題を解決するために、本発明に係る半導体光検出装置は、複数枚のグリーンシートを積層し焼成することにより複数層からなる、複数の半導体光検出装置分のセラミックパッケージを一体としたセラミック焼成体を形成し、そのセラミック焼成体を分割して構成されたセラミックパッケージと、セラミックパッケージ内に収納された半導体光検出素子とを有する半導体光検出装置であって、セラミックパッケージの側端面の少なくとも２箇所に切り欠き部を有し、その切り欠き部において、セラミックパッケージを構成している複数層のうち、半導体光検出素子が搭載されている層の側端面が他の何れの層の側端面よりもセラミックパッケージの外側に突出していることを特徴とする。ここで、半導体光検出素子とは固体撮像素子を含む意味である。
【００１６】
上記構成によれば、切り欠き部における、セラミックパッケージの外側に突出している側端面は、セラミックパッケージを構成している複数層のうち半導体光検出素子が搭載されている層の側端面である。従って、その側端面を基準として半導体光検出素子の位置を正確に把握することができる。また、セラミックパッケージの側端面の少なくとも２箇所に切り欠き部を有していることから、半導体光検出装置をレンズなどの他の光学素子に対して位置決めすることができる。そのため、切り欠き部においてパッケージの外側に突出している側端面を基準として半導体光検出装置の位置合わせをすることが可能である。
【００１７】
上記半導体光検出装置において、少なくとも２つの切り欠き部がセラミックパッケージの角部に形成されていることは好適である。
【００１８】
半導体光検出装置を配置すべき場所の都合や配線等の関係から角部しか位置合わせの基準に用いることができないときに有効である。
【００１９】
また、本発明は半導体光検出装置の製造方法にも係る。本発明に係る半導体光検出装置の製造方法は、本発明に係る半導体光検出装置を好適に製造する方法であって、複数枚のグリーンシートのうち、半導体光検出素子を搭載する層となるグリーンシートの分割線上に少なくとも２つの貫通孔を形成し、他のグリーンシートにおける分割線上であって、半導体光検出素子を搭載する層となるグリーンシートに形成した少なくとも２つの貫通孔の位置に対応する位置に前記貫通孔よりも大きい貫通孔を形成し、上記貫通孔が形成された複数枚のグリーンシートを、半導体光検出素子を搭載する層となるグリーンシートに形成された貫通孔の中心軸線とその貫通孔に対応するように他のグリーンシートに形成された貫通孔の中心軸線とを実質的に一致させて積層し焼成して形成されたセラミック焼成体を分割し、そのセラミック焼成体から分割されたセラミックパッケージの所定の位置に半導体光検出素子を収納することを特徴とする。ここで、分割線とはセラミック焼成体を個々のセラミックパッケージに分割する際の基準となる線、即ち、各グリーンシートにおいて隣接するセラミックパッケージに相当する領域間を区画する線である。
【００２０】
上記製造方法によれば、複数枚のグリーンシートに予め貫通孔を形成してセラミックパッケージの側端面に少なくとも２箇所に切り欠き部を形成する。セラミックパッケージを構成している複数層のうち半導体光検出素子が搭載される層に相当するグリーンシートに形成される貫通孔よりも他のグリーンシートに形成されている貫通孔の方が大きいことから、切り欠き部において、半導体光検出素子を搭載する層の側端面が他の何れの層の側端面よりもセラミックパッケージの外側に突出する。そして、上述した切り欠き部を有するセラミックパッケージの所定の位置に半導体光検出素子を収納する。
【００２１】
従って、予め貫通孔が形成された複数枚のグリーンシートを積層し焼成しても、製造誤差や焼成の際の収縮ずれなどに依存せずに半導体光検出素子の位置を切り欠き部における半導体光検出素子が搭載されている層の側端面を基準として正確に把握することができる。そのため、半導体光検出素子がセラミックパッケージ内に収納されていても、切り欠き部における半導体光検出素子が搭載されている層の側端面を基準として半導体光検出装置の位置合わせをすることが可能である。
【００２２】
また、本発明は、上述した製造方法で形成されるセラミック焼成体における各セラミックパッケージの所定の位置に半導体光検出素子を収納し、そのセラミック焼成体から半導体光検出素子が収納されたセラミックパッケージを分割して半導体光検出装置を得ることを特徴とする半導体光検出装置の製造方法にも係る。
【００２３】
この方法によれば、セラミック焼成体を構成しているセラミックパッケージに半導体光検出素子を収納し、複数の半導体光検出装置からなるセラミック焼成体としてから個々の半導体光検出装置に分割する。この場合にも、セラミック焼成体から分割されたセラミックパッケージに半導体光検出素子を収納する製造方法と同様の効果を奏する。即ち、半導体光検出素子がセラミックパッケージ内に収納されていても、切り欠き部における半導体光検出素子が搭載されている層の側端面を基準として半導体光検出装置の位置合わせをすることが可能である。
【００２４】
上記製造方法において、半導体光検出素子を搭載する層となるグリーンシートに形成する少なくとも２つの貫通孔を、そのグリーンシートの分割線の交点に形成することは好適である。これによりセラミックパッケージの角部に切り欠き部が形成される。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。尚、以下の説明においては、同一の要素には同一の符号を用いることとし重複する説明は省略する。また、図面の寸法比率は、図示の比率に限られるものではない
【００２６】
図１〜図３は、本実施形態の半導体光検出装置１０を説明するための図である。半導体光検出装置１０は、図１と図２とに示すように半導体光検出素子１２とセラミックパッケージ１４（以下、単に「パッケージ」という）とを含んで構成される。
【００２７】
パッケージ１４は、３枚のグリーンシートを積層し焼成したものであり３層構造をしている。パッケージ１４は、図２及び図３に示すように中央部に内周壁が階段状の凹部１６を有している。凹部１６は、パッケージ１４の最下層１８の上面と、中間層２０に設けた開口部２２と、最上層２４に設けた、中間層２２の開口部２２より大きい開口部２６とから構成されている。凹部１６は半導体光検出素子１２を収納するものである。凹部１６の底面であるパッケージ１４の最下層１８の上面には、図３に示すように半導体光検出素子１２をボンディングさせる配線膜２８が形成されている。また、凹部１６の内側に突出している中間層２０の上面には半導体光検出素子１２とボンディングワイヤ３０で接続される配線膜３２が形成されている。尚、図３はパッケージ１４の構成を概略的に示すための斜視図である。
【００２８】
また、パッケージ１４は、図１及び図３に示すようにその角部３４に、例えば平面視略矩形状の切り欠き部３６を有する。切り欠き部３６において、中間層２０及び最上層２４は最下層１８よりも大きく切り欠かれており、パッケージ１４の最下層１８の側端面３８が中間層２０の側端面４０及び最上層２４の側端面４２よりもパッケージ１４の外側に突出している。パッケージ１４は、その側端面４４，４６にも、例えば平面視略半円形状の切り欠き部４８を有する。切り欠き部４８における最下層１８の側端面５０は、図３に示すように中間層２０の側端面５２及び最上層２４の側端面５４よりもパッケージ１４の外側に突出している。
【００２９】
半導体光検出装置１０は、図１及び図２に示すように半導体光検出素子１２がパッケージ１４の凹部１６に収納されたものである。半導体光検出素子１２は、凹部１６の底面に搭載されている。半導体光検出素子１２と中間層２０の配線膜３２とはボンディングワイヤ３０で接続されている。また、凹部１６は、半導体光検出素子１２の表面を保護するためにシリコーン樹脂５６で封止されている。
【００３０】
上記の半導体光検出装置１０は、以下のようにして製造される。図４〜図７は、半導体光検出装置１０の製造方法の各工程を示したものである。
【００３１】
まず、第１のグリーンシート５８、第２のグリーンシート６０及び第３のグリーンシート６２を用意する。第１のグリーンシート５８は、複数のパッケージ１４の最下層１８が一体に形成されたものである。第２のグリーンシート６０及び第３のグリーンシート６２も夫々同様に複数のパッケージ１４の中間層２０、最上層２４が一体に形成されたものである。
【００３２】
図４及び図５には各パッケージ１４に相当する領域を示すための分割線Ｘ，Ｙを記載している。ただし、これらの分割線は、説明のために記載した仮想的な線であり実際には表出していない。但し、第１のグリーンシート５８の裏面、及び第３のグリーンシート６２の表面の分割線の位置には、図示しないが分割の為のスリットが設けられている。尚、第１〜第３のグリーンシート５８〜６２毎に分割線を区別する際にはＸ１，Ｙ１のように添え字を付すものとする。また、以下の説明では、第１のグリーンシート５８、第２のグリーンシート６０及び第３のグリーンシート６２において、分割線Ｘ，Ｙで区画される領域である各パッケージ１４に相当する領域を夫々パッケージ１４ａ、パッケージ１４ｂ及びパッケージ１４ｃと表記する。
【００３３】
次に、第１〜第３のグリーンシート５８〜６２を加工する。
【００３４】
第１のグリーンシート５８に、半導体光検出素子１２をボンディングさせる配線膜２８を各パッケージ１４ａに対応させて形成する。また、第１のグリーンシート５８において、図３のパッケージ１４の角部３４に相当する位置、即ち分割線Ｘ１，Ｙ１の交点の位置に略正方形の貫通孔６４を形成する。貫通孔６４は、略正方形における対角線の交点が分割線Ｘ１，Ｙ１の交点とほぼ一致し且つ略正方形のうちの一辺が分割線Ｘ１，Ｙ１のうちの一方と略平行になるように形成する。更に、パッケージ１４の側端面４４，４６に相当する分割線Ｘ１上に略円形の貫通孔６６をその円の中心が分割線Ｘ１上に位置するように形成する。
【００３５】
第２のグリーンシート６０における各パッケージ１４ｂの中央部に、収納すべき半導体光検出素子１２とほぼ同程度の大きさの開口部２２を形成する。また、開口部２２の周りには半導体光検出素子１２とボンディングワイヤ３０を介して接続されるべき配線膜３２を形成する。第２のグリーンシート６０において分割線Ｘ２，Ｙ２の交点位置に貫通孔６８を形成する。貫通孔６８は、略正方形における対角線の交点が分割線Ｘ２，Ｙ２の交点とほぼ一致し且つ略正方形のうちの一辺が分割線Ｘ２，Ｙ２のうちの一方と略平行になるように形成する。ここで、貫通孔６８は、第１のグリーンシート５８に形成する貫通孔６４よりも所定の割合だけ大きいとする。また、図３のパッケージ１４の側端面４４，４６に相当する分割線Ｘ２上に略円形の貫通孔７０を形成する。貫通孔７０の中心位置は、分割線Ｘ２上であって、各パッケージ１４ｂに対して、第１のグリーンシート５８に形成した貫通孔６６の中心位置とほぼ同じ位置になるように形成する。貫通孔７０は第１のグリーンシート５８に形成した貫通孔６６よりも所定の割合だけ大きいものとする。
【００３６】
第３のグリーンシート６２における各パッケージ１４ｃの中央部に、第２のグリーンシート６０に形成した開口部２２よりも大きい開口部２６を形成する。開口部２６は、図３のパッケージ１４に示すように開口部２２の周りに形成された配線膜３２が露出する程度に開口部２２より大きく形成する。また、第３のグリーンシート６２における分割線Ｘ３，Ｙ３の交点位置に、第２のグリーンシート６０に貫通孔６８を形成した場合と同様にして貫通孔６８と同じ大きさの略正方形の貫通孔７２を形成する。即ち、貫通孔６４よりも所定の割合だけ大きい貫通孔７２を形成する。更に、図３のパッケージ１４の側端面４４，４６に相当する分割線Ｘ３上に第２のグリーンシート６０の貫通孔７０と同じ大きさの略円形、即ち貫通孔６６よりも所定の割合だけ大きい略円形の貫通孔７４を形成する。貫通孔７４の中心位置は、分割線Ｘ３上であって、各パッケージ１４ｃに対して、第２のグリーンシート６０に形成した貫通孔７０の中心位置とほぼ同じ位置になるように形成する。
【００３７】
上述のように加工された第１〜第３のグリーンシート５８〜６２を、貫通孔６４，６８，７２の中心軸線が夫々一致し且つ貫通孔６６，７０，７４の中心軸線が夫々一致するように、即ち、第１のグリーンシート５８のパッケージ１４ａ、第２のグリーンシート６０のパッケージ１４ｂ及び第３のグリーンシート６２のパッケージ１４ｃが重なるように位置合わせをして積層する。
【００３８】
そして、第１〜第３のグリーンシート５８〜６２を積層したものを焼成して図５に示すような複数個分のパッケージ１４を一体に形成したセラミック焼成体７６とする。
【００３９】
セラミック焼成体７６を図６に示すように個々の半導体光検出装置１０用のパッケージ１４に分割する。尚、分割に際しては第３のグリーンシート６２の上面における各パッケージ１４ｃの分割線Ｘ３，Ｙ３上と第１のグリーンシート５８の下面における各パッケージ１４ａの分割線Ｘ１，Ｙ１上にＶ字状の溝などを形成しておくと良い。
【００４０】
以上のようにして図３に示すパッケージ１４が製造される。図３のパッケージ１４はセラミック焼成体７６を分割したものであるから、第１のグリーンシート５８、第２のグリーンシート６０及び第３のグリーンシート６２が夫々有するパッケージ１４ａ，パッケージ１４ｂ及びパッケージ１４ｃが、夫々図３のパッケージ１４の最下層１８、中間層２０及び最上層２４となっている。
【００４１】
また、第２のグリーンシート６０及び第３のグリーンシート６２に形成された開口部２２，２６によりパッケージ１４の中央部の凹部１６が構成されている。開口部２６が開口部２２より大きく形成されていることから凹部１６において中間層２０の配線膜３２が露出している。
【００４２】
また、第１〜第３のグリーンシート５８〜６２に形成した貫通孔６４，６８，７２により図３に示すようにパッケージ１４の角部３４に平面視略矩形状の切り欠き部３６が形成されている。第２のグリーンシート６０及び第３のグリーンシート６２に形成した貫通孔６８，７２が第１のグリーンシート５８に形成した貫通孔６６より所定の割合だけ大きいことから、切り欠き部３６において、側端面３８が側端面４０，４２よりパッケージ１４の外側に突出している。
【００４３】
ところで、貫通孔６４と貫通孔６８，７２との大きさがあまり異ならないと、積層時の製造誤差や焼成による収縮ずれで、貫通孔６４が、貫通孔６８，７２と同じ大きさ又は貫通孔６８，７２より大きくなってしまい側端面３８が側端面４０，４２よりもパッケージ１４の外側に突出しない場合が生じる。
【００４４】
そのため、貫通孔６８，７２は、貫通孔６４，６８，７２を形成した後の工程における製造誤差等で貫通孔６４が、貫通孔６８，７２と同じ又は貫通孔６８，７２より大きくならない程度の所定の割合だけ貫通孔６４より大きく形成しなければならない。
【００４５】
同様に、第１〜第３のグリーンシート５８〜６２に形成した貫通孔６６，７０，７４により図３に示すようにパッケージ１４の側端面４４，４６に平面視略半円形状の切り欠き部４８が形成されている。そして、貫通孔７０，７４が貫通孔６６よりも所定の割合だけ大きいことから、切り欠き部４８において、側端面５０が側端面５２，５４よりもパッケージ１４の外側に突出している。尚、所定の割合に関しては、上記貫通孔６４と貫通孔６８，７２との関係における所定の割合と同様である。
【００４６】
半導体光検出装置１０は、上記方法により製造された図３のパッケージ１４に半導体光検出素子１２を収納して製造されるものである。本実施形態では、切り欠き部３６，４８においてパッケージ１４の外側に突出している側端面３８，５０を基準としてパッケージ１４と半導体光検出素子１２との位置関係を決め、半導体光検出素子１２をパッケージ１４に収納する。パッケージ１４に半導体光検出素子１２を収納し半導体光検出装置１０とする方法を説明する。
【００４７】
半導体光検出素子１２のパッケージ１４への収納には種々の方法があるが、例えば図７に示すような位置決め治具７８を用いる。位置決め治具７８は、図７に示すような略Ｌ字状の板状体で、突出部８０，８２を有している。突出部８０と突出部８２とは、それらの位置関係が、パッケージ１４に形成されている切り欠き部３６と切り欠き部４８との位置関係と同じになるように配設されている。また、突出部８０，８２の夫々の側端面の形状は、パッケージ１４における側端面３８，５０と同じ形状となっている。
【００４８】
半導体光検出素子１２の収納は、まず、図７のようにパッケージ１４の側端面３８，５０を夫々位置決め治具７８の突出部８０，８２に当接させ、パッケージ１４の位置を決定する。
【００４９】
次に、このように位置決めしたパッケージ１４の凹部１６に半導体光検出素子１２を納め、所定の位置であるパッケージ１４の最下層１８の配線膜２８上に半導体光検出素子１２をボンディングする。
【００５０】
そして、半導体光検出素子１２と、第２のグリーンシート６０に形成された配線膜３２、即ち中間層２０の上面の配線膜３２とをボンディングワイヤ３０で接続する。更に、凹部１６をシリコーン樹脂５６で封止する工程を経て図１及び図２に示す半導体光検出装置１０が製造される。
【００５１】
上記製造方法で製造された半導体光検出装置１０において、半導体光検出装置１０のパッケージ１４の切り欠き部３６，４８における最下層１８の側端面３８，５０が夫々側端面４０，４２，５２，５４よりもパッケージ１４の外側に突出していることに留意されたい。
【００５２】
切り欠き部３６，４８は、上述したように第１〜第３のグリーンシート５８〜６２に予め形成した貫通孔６４〜７４により構成されていることから、側端面３８，５０にはセラミック焼成体７６をいわゆるチョコレートブレークにより分割してもバリは発生せずに側端面３８，５０は平坦な面となっている。また、半導体光検出素子１２が搭載されている最下層１８の側端面３８，５０が側端面４０，４２，５２，５４よりもパッケージ１４の外側に突出していることから、側端面３８，５０を基準として、第１〜第３のグリーンシート５８〜６２を積層した場合の製造誤差及び焼成した場合の収縮ずれに依存せずに半導体光検出装置１０における半導体光検出素子１２の位置を精度良く把握することができる。
【００５３】
上述したように半導体光検出装置１０内の半導体光検出素子１２の位置を側端面３８，５０により精度良く正確に把握することができることから、半導体光検出装置１０をレンズなどの他の光学素子と位置合わせする場合には、上記の側端面３８，５０を用いて位置合わせをすることができる。従って、半導体光検出装置１０の位置合わせを極めて容易に実施することができる。
【００５４】
更に、上述したように切り欠き部３６，４８は、第１〜第３のグリーンシート５８〜６２に予め形成した貫通孔６４〜７４により形成されている。従って、例えば、セラミック焼成体７６から分割した後のパッケージ１４や半導体光検出素子１２を収納した後のパッケージ１４に切り欠き部３６，４８を形成する場合よりも簡易に半導体光検出装置１０を製造することができる。
【００５５】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されないことは言うまでもない。例えば、上記実施形態では切り欠き部３６，４８をパッケージ１４の角部３４及び側端面４４，４６に形成しているが、切り欠き部３６，４８は、パッケージ１４の側端面の少なくとも２箇所に設けておけば良い。また、図８に示すように角部３４のみに切り欠き部３６を設けたパッケージ８４としても良く、更に、図９に示すように側端面４４，４６にのみ切り欠き部４８を設けたパッケージ８６としても良い。
【００５６】
また、角部３４の切り欠き部３６の形状を平面視略矩形状（即ち、切り欠かれ残った部分は平面視略Ｌ字状）とし、側端面４４，４６の切り欠き部４８の形状を平面視略半円形状としているが、特にこの形状に限定する必要はない。それらの切り欠き部において、第１のグリーンシートから形成された半導体光検出素子が搭載されている最下層の側端面が他の中間層及び最上層の側端面よりパッケージの外側に突出しているようになっていれば良い。
【００５７】
更に、上記実施形態ではパッケージ１４は、第１〜第３のグリーンシート５８〜６２を用いて製造されて３層構造としているが、特に３層に限る必要はない。例えば、上記実施形態における半導体光検出素子を搭載する最下層及び半導体光検出素子を収納しカバーする中間層の２層構造としても良い。
【００５８】
更にまた、半導体光検出素子の表面を保護するために凹部にシリコーン樹脂を用いたが、特にシリコーン樹脂に限らず例えば、パッケージの上面にガラス板等でカバーを設けても良い。
【００５９】
また、上記実施形態では、パッケージ１４に半導体光検出素子１２を収納するために位置決め治具７８を用いているがこれに限らず、半導体光検出素子１２をパッケージ１４の所定の位置に配置できればよい。上記のように位置決め治具を用いない場合でも、所定の位置に収納された半導体光検出素子と切り欠き部の側端面とは一定の位置関係を有するので、その側端面を基準として半導体光検出装置の位置合わせを容易に実施することが可能である。
【００６０】
更にまた、上記実施形態では、まず、セラミック焼成体７６から複数のパッケージ１４に分割し、次に、その分割されたパッケージ１４に半導体光検出素子１２を収納して半導体光検出装置１０としているが、この順番は代えることも可能である。
【００６１】
即ち、まず、図５のセラミック焼成体７６を構成している各パッケージ１４における第１グリーンシート５８の配線膜２８上に夫々半導体光検出素子１２をボンディングする。次に、半導体光検出素子１２と、第２のグリーンシート６０に形成された配線膜３２とをボンディングワイヤ３０で接続する。続いて、各パッケージ１４の凹部１６をシリコーン樹脂５６で封止する。以上のようにして複数の半導体光検出装置１０からなるセラミック焼成体を形成する。そして、そのセラミック焼成体から半導体光検出素子１２が収納された個々のパッケージ１４、即ち個々の半導体光検出装置１０に分割して図１及び図２に記載の半導体光検出装置１０を得る。
【００６２】
このようにして製造された図１及び図２の半導体光検出装置１０が奏する効果は、上記実施形態の場合と同様である。即ち、半導体光検出装置１０をレンズなどの他の光学素子と位置合わせする場合には、側端面３８，５０を用いて位置合わせをすることができるので、半導体光検出装置１０の位置合わせを極めて容易に実施することが可能である。
【００６３】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体光検出装置のセラミックパッケージは、その側端面の少なくとも２箇所に切り欠き部を有する。その切り欠き部において、セラミックパッケージを構成している複数層のうち、半導体光検出素子が搭載されている層の側端面が他の何れの層の側端面よりもセラミックパッケージの外側に突出している。そのため、その切り欠き部におけるセラミックパッケージの外側に突出している側端面を基準として半導体光検出素子の位置を精度良く把握することができる。従って、半導体光検出装置とレンズなど他の光学素子などとの位置合わせを極めて容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体光検出装置の一実施形態の平面図である。
【図２】図１の半導体光検出装置の側面図である。
【図３】セラミックパッケージの構成を概略的に示す斜視図である。
【図４】セラミックパッケージを製造する一工程を示す図である。
【図５】セラミックパッケージを製造する工程において図４の次の工程を示す図である
【図６】セラミックパッケージを製造する工程において図５の次の工程を示す図である
【図７】セラミックパッケージに半導体光検出素子を収納する工程を説明する図である。
【図８】角部にのみ切り欠き部を有するセラミックパッケージの斜視図である。
【図９】側端面にのみ切り欠き部を有するセラミックパッケージの斜視図である。
【符号の説明】
１０…半導体光検出装置、１２…半導体光検出素子、１４…セラミックパッケージ、１６…凹部、１８…パッケージの最下層、２０…パッケージの中間層、２２…開口部、２４…パッケージの最上層、２６…開口部、２８…配線膜，３０…ボンディングワイヤ、３２…配線膜、３４…パッケージの角部、３６…切り欠き部，３８〜４２…切り欠き部における側端面、４４，４６…パッケージの側端面、４８…切り欠き部、５０〜５４…切り欠き部における側端面、５６…シリコーン樹脂、５８…第１のグリーンシート、６０…第２のグリーンシート、６２…第３のグリーンシート、６４〜７４…貫通孔、７６……セラミック焼成体、７８…位置決め治具、８０，８２…突出部、８４，８６…セラミックパッケージ、Ｘ，Ｙ…分割線、１４ａ，１４ｂ，１４ｃ…分割線で区画される領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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