(57)【要約】【課題】２５０ｎｍ以上の波長の光照射により撥水・親水のパターンを形成し、親水部分に金属配線、或いは電極，半導体層，絶縁層等を形成することで作製される配線基板，表示デバイス，カラーフィルターを提供すること。【解決手段】表面に金属部材からなる配線を有し、且つ基板上の配線を形成する部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を照射して配線のパターン形成することを特徴とする配線基板において、該配線基板の非配線部分上に非晶質含フッ素重合体からなる層を有し、且つその下に配線パターンを形成する際に用いる光を吸収する層を有することを特徴とする配線基板とする。【効果】２５０ｎｍ以上の波長の光照射により撥水・親水のパターンを形成し、親水部分に金属配線、或いは電極，半導体層，絶縁層等を形成することで作製される配線基板，表示デバイス，カラーフィルターを提供することが可能になった。【選択図】　図１
2004146478.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に金属部材からなる配線を有し、且つ基板上の配線を形成する部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を照射して配線のパターン形成することを特徴とする配線基板において、該配線基板の非配線部分上に非晶質含フッ素重合体からなる層を有し、且つその下に配線パターンを形成する際に用いる光を吸収する層を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
表面に金属部材からなる配線を有し、且つ基板上の配線を形成する部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を照射して配線のパターン形成することを特徴とする配線基板において、該配線基板の非配線部分上に非晶質含フッ素重合体からなる層を有し、且つその下に配線パターンを形成する際に用いる光を吸収する層を有し、且つ該光を吸収する層が水酸基を有する樹脂を含有し、且つ該非晶質含フッ素重合体からなる層がパーフルオロポリエーテル鎖またはフルオロアルキル鎖とアルコキシシラン残基を有する含フッ素化合物により形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
表面に金属部材からなる配線を有し、且つ基板上の配線を形成する部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を照射して配線のパターン形成することを特徴とする配線基板において、該配線基板の非配線部分上に非晶質含フッ素重合体からなる層を有し、且つその下に配線パターンを形成する際に用いる光を吸収する層を有し、且つ該光を吸収する層が水酸基を有する樹脂を含有し、且つ該非晶質含フッ素重合体からなる層がパーフルオロポリエーテル鎖とアルコキシシラン残基を有する含フッ素化合物またはフルオロアルキル鎖とアルコキシシラン残基を有する含フッ素化合物により形成され、且つ該含フッ素化合物が下記構造であることを特徴とする配線基板。
【化１】
2004146478.tif 000040
【請求項４】
表面に金属部材からなる配線を有し、且つ基板上の配線を形成する部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を照射して配線のパターン形成することを特徴とする配線基板において、該基板の非配線部分上に非晶質含フッ素重合体からなる層を有し、且つ該非晶質含フッ素重合体が分子中に該配線パターンを形成する際に用いる光を吸収する部位を有することを特徴とする配線基板。
【請求項５】
表面に金属部材からなる配線を有し、且つ基板上の配線を形成する部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を照射して配線のパターン形成することを特徴とする配線基板において、該基板の非配線部分上に非晶質含フッ素重合体からなる層を有し、且つ該非晶質含フッ素重合体が分子中に該配線パターンを形成する際に用いる光を吸収する部位を有し、且つ該非晶質含フッ素重合体が分子内にパーフルオロポリエーテル鎖とアルコキシシラン残基を有するか、あるいはフルオロアルキル鎖とアルコキシシラン残基を有する化合物から形成されることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
表面に金属部材からなる配線を有し、且つ基板上の配線を形成する部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を照射して配線のパターン形成することを特徴とする配線基板において、該基板の非配線部分上に非晶質含フッ素重合体からなる層を有し、且つ該非晶質含フッ素重合体が分子中に該配線パターンを形成する際に用いる光を吸収する部位を有し、且つ該非晶質含フッ素重合体が分子内にパーフルオロポリエーテル鎖とアルコキシシラン残基を有するか、あるいはフルオロアルキル鎖とアルコキシシラン残基を有する下記構造の化合物から形成されることを特徴とする配線基板。
【化２】
2004146478.tif 000041
【請求項７】
表面に金属部材からなる配線を有する配線基板の製造方法において、少なくとも以下の▲１▼，▲２▼，▲３▼の工程を用いて製造されることを特徴とする配線基板の製造方法。
▲１▼基板の表面に▲２▼の工程で用いる撥水性を低下させる２５０ｎｍ以上の波長の光を吸収する層、及びその上に非晶質含フッ素重合体からなる層を設ける工程。
▲２▼配線を形成する部分に２５０ｎｍ以上の波長の光の照射を行い、光照射部分の撥水性を低下させる工程。
▲３▼上記光照射によって撥水性の低下した部分に対して配線を形成するための部材が溶解または分散した液を付着する工程。
【請求項８】
基板の上にゲート電極、その上に絶縁層、その上に半導体層とソース電極とドレイン電極，半導体層とソース電極とドレイン電極の上に保護層を有するＴＦＴ素子において、基板とゲート電極の間、ゲート電極と絶縁層の間、絶縁層と半導体層の間、ソース電極と保護層の間、或いはドレイン電極と保護層の間に含フッ素化合物層を有することを特徴とするＴＦＴ素子。
【請求項９】
透明基板表面の上に透明電極、その上に正孔輸送層、その上に発光層を有し、透明基板表面上の透明電極がない部分に絶縁層を有し、発光層と絶縁層の上に金属電極を有し、金属電極の上に封止層を有する有機ＥＬ素子において、透明電極と正孔輸送層の間、透明基板と絶縁層の間、或いは絶縁層と金属電極の間に含フッ素化合物層を有することを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項１０】
透明基板表面上にＲ、及びＧ，Ｂのカラーフィルター部を有し、透明基板表面上のカラーフィルター部の無い部分にブラックマトリクスを有し、Ｒ、及びＧ，Ｂのカラーフィルター部とブラックマトリクスの上に保護層を有するカラーフィルターパネルにおいて、透明基板とブラックマトリクスの間、或いは透明基板とＲ、及びＧ，Ｂのカラーフィルター部の間とブラックマトリクスの上の保護層の間に含フッ素化合物層を有することを特徴とするカラーフィルターパネル。
【請求項１１】
基板の上にゲート電極、その上に絶縁層、その上に半導体層とソース電極とドレイン電極、半導体層とソース電極とドレイン電極の上に保護層を有するＴＦＴ素子の製造方法において、少なくとも下記（１）〜（５）のどれかの工程を用いてＴＦＴ素子を製造することを特徴とするＴＦＴ素子の方法。
（１）ゲート電極形成予定部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を吸収する部位を持つ含フッ素化合物からなる撥水層を形成し、２５０ｎｍ以上の波長の光を照射した後にゲート電極の形成を行う工程。
（２）絶縁層形成予定部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を吸収する部位を持つ含フッ素化合物からなる撥水層を形成し、２５０ｎｍ以上の波長の光を照射した後に絶縁層の形成を行う工程。
（３）ソース電極とドレイン電極形成予定部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を吸収する部位を持つ含フッ素化合物からなる撥水層を形成し、２５０ｎｍ以上の波長の光を照射した後にソース電極とドレイン電極の形成を行う工程。
（４）半導体層形成予定部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を吸収する部位を持つ含フッ素化合物からなる撥水層を形成し、２５０ｎｍ以上の波長の光を照射した後に半導体層の形成を行う工程。
（５）保護層形成予定部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を吸収する部位を持つ含フッ素化合物からなる撥水層を形成し、２５０ｎｍ以上の波長の光を照射した後に保護層の形成を行う工程。
【請求項１２】
透明基板表面の上に透明電極、その上に正孔輸送層、その上に発光層を有し、透明基板表面上の透明電極がない部分に絶縁層を有し、発光層と絶縁層の上に金属電極を有し、金属電極の上に封止層を有する有機ＥＬ素子の製造方法において、少なくとも下記（１）〜（３）のどれかの工程を用いて有機ＥＬ素子を製造することを特徴とする有機ＥＬ素子の方法。
（１）絶縁層形成予定部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を吸収する部位を持つ含フッ素化合物からなる撥水層を形成し、２５０ｎｍ以上の波長の光を照射した後に絶縁層の形成を行う工程。
（２）透明電極に２５０ｎｍ以上の波長の光を吸収する部位を持つ含フッ素化合物からなる撥水層を形成し、２５０ｎｍ以上の波長の光を照射した後に正孔輸送層と発光層の形成を行う工程。
（３）絶縁層に２５０ｎｍ以上の波長の光を吸収する部位を持つ含フッ素化合物からなる撥水層を形成し、２５０ｎｍ以上の波長の光を照射した後に金属電極と封止層の形成を行う工程。
【請求項１３】
透明基板表面上にＲ、及びＧ，Ｂのカラーフィルター部を有し、透明基板表面上のカラーフィルター部の無い部分にブラックマトリクスを有し、Ｒ、及びＧ，Ｂのカラーフィルター部とブラックマトリクスの上に保護層を有するカラーフィルターパネルの製造方法において、少なくとも下記（１）〜（３）のどれかの工程を用いてカラーフィルターパネルを製造することを特徴とするカラーフィルターパネルの方法。
（１）透明基板のブラックマトリクス形成予定部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を吸収する部位を持つ含フッ素化合物からなる撥水層を形成し、２５０ｎｍ以上の波長の光を照射した後にブラックマトリクスの形成を行う工程。
（２）透明基板のＲ、及びＧ，Ｂのカラーフィルター部形成予定部分に２５０
ｎｍ以上の波長の光を吸収する部位を持つ含フッ素化合物からなる撥水層を形成し、２５０ｎｍ以上の波長の光を照射した後にＲ、及びＧ，Ｂのカラーフィルター部の形成を行う工程。
（３）ブラックマトリクスの上に２５０ｎｍ以上の波長の光を吸収する部位を持つ含フッ素化合物からなる撥水層を形成し、２５０ｎｍ以上の波長の光を照射した後に保護層の形成を行う工程。
【請求項１４】
少なくとも反射防止層，画像発光部或いはカラーフィルター層と画像形成部を有する表示装置において、該画像発光部或いは画像形成部内の基板に金属部材からなる配線を有し、且つ該基板の配線を形成する部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を照射して配線のパターン形成しており、該配線基板の非配線部分上に非晶質含フッ素重合体からなる層を有し、且つその下に配線パターンを形成する際に用いる光を吸収する層を有することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はテレビ，ラジオ，パソコン等の電子機器の回路に用いられる配線基板に関する。またＴＦＴ、有機のＥＬといったディスプレイ、またディスプレイに用いるカラーフィルターパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の配線基板はエポキシやガラスフィラの入ったエポキシ樹脂等の表面に銅、あるいはアルミ等の金属により配線が形成されている。この上にトランジスタ，ダイオード，コンデンサ，抵抗等の部品がセットされる。こうして完成したモジュールは種々の入力信号を所望の出力信号に変換する役割を果たす。
【０００３】
配線基板作製は幾つかの方法があるが、通常クロム等の金属をスパッタ後、レジストを塗布し、露光，エッチング，洗浄等の工程を経て作製されることが一般的である。そのため高真空の蒸着プロセスに伴う大電力が必要であり、酸・アルカリの廃液が大量に発生するといった問題があり、このことがコストの低減を妨げている。そこであらかじめ表面全体を撥水性にした基板表面に対して部分的に光照射することで、光照射部分の撥水性を低下させ（この部分を以後親水部分と記述する）、次に親水部分に配線を形成するための部材が溶解または分散した液を付着させ（光照射していない部分は撥水性のためこの液が付着しない）、溶媒あるいは分散媒体を揮発させることで配線を形成する方法が提案されている。
【０００４】
またこの方法は配線のみならず薄膜電界効果トランジスター（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｅｌｄ　ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ　ＴＦＴ）、有機の電気発光（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ＥＬ）素子等の表示デバイス作製、或いはこれらに用いるカラーフィルターパネルの作製にも用いることが可能となる。
【０００５】
これらに関する技術としては例えば特許文献１乃至特許文献３がある。
【０００６】
【特許文献１】
特開平２０００−１４７７９２号公報
【特許文献２】
特開平２０００−２８２２４０号公報
【特許文献３】
特開平２００１−３２４８１６号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし提案された方法でも用いる光は真空紫外領域の１７２ｎｍであり、真空プロセスが必要な点では従来と同じである。そこで真空プロセスの必要ない長波長、具体的には２５０ｎｍ以上の波長の光でパターニングする方法が検討されてきた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
我々は上記課題を解決するため検討した結果、撥水層の下に光を吸収する層を設けることで上記課題が解決することを見出し本発明にいたった。
【０００９】
手段の具体的な内容は以下に記述されるものである。
【００１０】
（１）表面に金属部材からなる配線を有し、且つ基板上の配線を形成する部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を照射して配線のパターン形成することを特徴とする配線基板において、該配線基板の非配線部分上に非晶質含フッ素重合体からなる層を有し、且つその下に配線パターンを形成する際に用いる光を吸収する層を有することを特徴とする配線基板。
【００１１】
（２）表面に金属部材からなる配線を有し、且つ基板上の配線を形成する部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を照射して配線のパターン形成することを特徴とする配線基板において、該配線基板の非配線部分上に非晶質含フッ素重合体からなる層を有し、且つその下に配線パターンを形成する際に用いる光を吸収する層を有し、且つ該光を吸収する層が水酸基を有する樹脂を含有し、且つ該非晶質含フッ素重合体からなる層がパーフルオロポリエーテル鎖またはフルオロアルキル鎖とアルコキシシラン残基を有する含フッ素化合物により形成されていることを特徴とする配線基板。
【００１２】
（３）表面に金属部材からなる配線を有し、且つ基板上の配線を形成する部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を照射して配線のパターン形成することを特徴とする配線基板において、該配線基板の非配線部分上に非晶質含フッ素重合体からなる層を有し、且つその下に配線パターンを形成する際に用いる光を吸収する層を有し、且つ該光を吸収する層が水酸基を有する樹脂を含有し、且つ該非晶質含フッ素重合体からなる層がパーフルオロポリエーテル鎖とアルコキシシラン残基を有する含フッ素化合物またはフルオロアルキル鎖とアルコキシシラン残基を有する含フッ素化合物により形成され、且つ該含フッ素化合物が下記構造であることを特徴とする配線基板。
【００１３】
【化３】
2004146478.tif 000003
【００１４】
（４）表面に金属部材からなる配線を有し、且つ基板上の配線を形成する部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を照射して配線のパターン形成することを特徴とする配線基板において、該基板の非配線部分上に非晶質含フッ素重合体からなる層を有し、且つ該非晶質含フッ素重合体が分子中に該配線パターンを形成する際に用いる光を吸収する部位を有することを特徴とする配線基板。
【００１５】
（５）表面に金属部材からなる配線を有し、且つ基板上の配線を形成する部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を照射して配線のパターン形成することを特徴とする配線基板において、該基板の非配線部分上に非晶質含フッ素重合体からなる層を有し、且つ該非晶質含フッ素重合体が分子中に該配線パターンを形成する際に用いる光を吸収する部位を有し、且つ該非晶質含フッ素重合体が分子内にパーフルオロポリエーテル鎖とアルコキシシラン残基を有するか、あるいはフルオロアルキル鎖とアルコキシシラン残基を有する化合物から形成されることを特徴とする配線基板。
【００１６】
（６）表面に金属部材からなる配線を有し、且つ基板上の配線を形成する部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を照射して配線のパターン形成することを特徴とする配線基板において、該基板の非配線部分上に非晶質含フッ素重合体からなる層を有し、且つ該非晶質含フッ素重合体が分子中に該配線パターンを形成する際に用いる光を吸収する部位を有し、且つ該非晶質含フッ素重合体が分子内にパーフルオロポリエーテル鎖とアルコキシシラン残基を有するか、あるいはフルオロアルキル鎖とアルコキシシラン残基を有する下記構造の化合物から形成されることを特徴とする配線基板。
【００１７】
【化４】
2004146478.tif 000004
【００１８】
（７）表面に金属部材からなる配線を有する配線基板の製造方法において、少なくとも以下の▲１▼，▲２▼，▲３▼の工程を用いて製造されることを特徴とする配線基板の製造方法。
▲１▼基板の表面に▲２▼の工程で用いる撥水性を低下させる２５０ｎｍ以上の波長の光を吸収する層、及びその上に非晶質含フッ素重合体からなる層を設ける工程。
▲２▼配線を形成する部分に２５０ｎｍ以上の波長の光の照射を行い、光照射部分の撥水性を低下させる工程。
▲３▼上記光照射によって撥水性の低下した部分に対して配線を形成するための部材が溶解または分散した液を付着する工程。
【００１９】
（８）基板の上にゲート電極、その上に絶縁層、その上に半導体層とソース電極とドレイン電極，半導体層とソース電極とドレイン電極の上に保護層を有するＴＦＴ素子において、基板とゲート電極の間，ゲート電極と絶縁層の間，絶縁層と半導体層の間，ソース電極と保護層の間、或いはドレイン電極と保護層の間に含フッ素化合物層を有することを特徴とするＴＦＴ素子。
【００２０】
（９）透明基板表面の上に透明電極、その上に正孔輸送層、その上に発光層を有し、透明基板表面上の透明電極がない部分に絶縁層を有し、発光層と絶縁層の上に金属電極を有し、金属電極の上に封止層を有する有機ＥＬ素子において、透明電極と正孔輸送層の間、透明基板と絶縁層の間、或いは絶縁層と金属電極の間に含フッ素化合物層を有することを特徴とする有機ＥＬ素子。
【００２１】
（１０）透明基板表面上にＲ、及びＧ，Ｂのカラーフィルター部を有し、透明基板表面上のカラーフィルター部の無い部分にブラックマトリクスを有し、Ｒ、及びＧ，Ｂのカラーフィルター部とブラックマトリクスの上に保護層を有するカラーフィルターパネルにおいて、透明基板とブラックマトリクスの間、或いは透明基板とＲ、及びＧ，Ｂのカラーフィルター部の間とブラックマトリクスの上の保護層の間に含フッ素化合物層を有することを特徴とする有機ＥＬ素子。
【００２２】
（１１）基板の上にゲート電極、その上に絶縁層、その上に半導体層とソース電極とドレイン電極，半導体層とソース電極とドレイン電極の上に保護層を有するＴＦＴ素子の製造方法において、少なくとも下記▲１▼〜▲５▼のどれかの工程を用いてＴＦＴ素子を製造することを特徴とするＴＦＴ素子の方法。
▲１▼ゲート電極形成予定部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を吸収する部位を持つ含フッ素化合物からなる撥水層を形成し、２５０ｎｍ以上の波長の光を照射した後にゲート電極の形成を行う工程。
▲２▼絶縁層形成予定部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を吸収する部位を持つ含フッ素化合物からなる撥水層を形成し、２５０ｎｍ以上の波長の光を照射した後に絶縁層の形成を行う工程。
▲３▼ソース電極とドレイン電極形成予定部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を吸収する部位を持つ含フッ素化合物からなる撥水層を形成し、２５０ｎｍ以上の波長の光を照射した後にソース電極とドレイン電極の形成を行う工程。
▲４▼半導体層形成予定部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を吸収する部位を持つ含フッ素化合物からなる撥水層を形成し、２５０ｎｍ以上の波長の光を照射した後に半導体層の形成を行う工程。
▲５▼保護層形成予定部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を吸収する部位を持つ含フッ素化合物からなる撥水層を形成し、２５０ｎｍ以上の波長の光を照射した後に保護層の形成を行う工程。
【００２３】
（１２）透明基板表面の上に透明電極、その上に正孔輸送層、その上に発光層を有し、透明基板表面上の透明電極がない部分に絶縁層を有し、発光層と絶縁層の上に金属電極を有し、金属電極の上に封止層を有する有機ＥＬ素子の製造方法において、少なくとも下記▲１▼〜▲３▼のどれかの工程を用いて有機ＥＬ素子を製造することを特徴とする有機ＥＬ素子の方法。
▲１▼絶縁層形成予定部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を吸収する部位を持つ含フッ素化合物からなる撥水層を形成し、２５０ｎｍ以上の波長の光を照射した後に絶縁層の形成を行う工程。
▲２▼透明電極に２５０ｎｍ以上の波長の光を吸収する部位を持つ含フッ素化合物からなる撥水層を形成し、２５０ｎｍ以上の波長の光を照射した後に正孔輸送層と発光層の形成を行う工程。
▲３▼絶縁層に２５０ｎｍ以上の波長の光を吸収する部位を持つ含フッ素化合物からなる撥水層を形成し、２５０ｎｍ以上の波長の光を照射した後に金属電極と封止層の形成を行う工程。
【００２４】
（１３）透明基板表面上にＲ、及びＧ，Ｂのカラーフィルター部を有し、透明基板表面上のカラーフィルター部の無い部分にブラックマトリクスを有し、Ｒ、及びＧ，Ｂのカラーフィルター部とブラックマトリクスの上に保護層を有するカラーフィルターパネルの製造方法において、少なくとも下記▲１▼〜▲３▼のどれかの工程を用いてカラーフィルターパネルを製造することを特徴とするカラーフィルターパネルの方法。
▲１▼透明基板のブラックマトリクス形成予定部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を吸収する部位を持つ含フッ素化合物からなる撥水層を形成し、２５０ｎｍ以上の波長の光を照射した後にブラックマトリクスの形成を行う工程。
▲２▼透明基板のＲ、及びＧ，Ｂのカラーフィルター部形成予定部分に２５０ｎｍ以上の波長の光を吸収する部位を持つ含フッ素化合物からなる撥水層を形成し、
２５０ｎｍ以上の波長の光を照射した後にＲ、及びＧ，Ｂのカラーフィルター部の形成を行う工程。
▲３▼ブラックマトリクスの上に２５０ｎｍ以上の波長の光を吸収する部位を持つ含フッ素化合物からなる撥水層を形成し、２５０ｎｍ以上の波長の光を照射した後に保護層の形成を行う工程。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明の配線基板の種類は大きく分けて２つある。１つ目は基板表面に光吸収層と撥水層を有するもの（｛Ａ｝で表示）である。２つ目は基板表面に光吸収部位を持つ撥水層を有するもの（｛Ｂ｝で表示）である。これらを分けて説明する。［１］本発明の原理、［２］光照射前の基板作製に用いる部材の（１），（２）の部分は｛Ａ｝に、（３）は｛Ｂ｝に関係する内容である。それ以外の部分
（［２］の（４）と［３］，［４］）は｛Ａ｝，｛Ｂ｝とも共通の内容である。
【００２６】
また表示デバイス作製に関しては、配線基板作製の際に用いられる「配線を形成するための金属部材が溶解または分散した液」の代わりに「絶縁層，半導体層，発光層等を形成する液」を用いることで作製可能である。
【００２７】
［１］本発明の原理
｛Ａ｝光吸収層と撥水層を有する基板の場合
図１を用いて本発明の原理を記述する。まず基板１の表面に光を吸収する層
（光吸収層２）と非晶質含フッ素重合体からなる層（撥水層３）を形成する。非晶質含フッ素重合体からなる層は撥水性であり、後述する配線を形成するための金属部材が溶解または分散した液を弾く。
【００２８】
次に光を基板の金属配線を形成したい部分に照射する。照射光４は、光吸収層で吸収される。するとこの光のエネルギーが熱エネルギーに変換し、光を照射された部分が発熱する。この熱によって撥水層が分解する。場合によっては光吸収層も表面が変形する。これにより光を照射された部分は撥水性が失われ、親水部分になる。
【００２９】
なお図１では光照射部分は撥水層がなくなっているように描かれているが、実際には撥水層が変性したもの（一種の含フッ素化合物からなる層）が残っている。
【００３０】
この状態で配線を形成するための金属部材が溶解または分散した液５を接触させると光を照射された部分、即ち親水部分にのみこの液が付着する。溶媒あるいは分散媒が揮発することで金属の配線６が形成される。
【００３１】
以上が配線形成の概略である。用いる光の波長が長波長であっても、光吸収層の材料（いわば色材）を変えることによって対応可能である。光吸収層中の色材が光を吸収し、吸収したエネルギーが熱エネルギーに変わり、撥水層を熱分解して親水部分を形成すれば本発明の目的は達せられる。
【００３２】
なお撥水層を消失するまで分解するには２５０ｎｍ未満の、しかもかなりの光量の光エネルギーを照射する必要がある。上記光照射条件では消失するまでエネルギーが与えられるわけではない。消失するまで分解されなくても撥水性を低下させることが可能である。その場合、光照射後の撥水層の表面には非晶質含フッ素重合体の構成元素であるフッ素が検出できる（ＴＯＦ−ＳＩＭＳで表面を分析すれば、フッ素原子由来の質量数１９のシグナルが検出可能である）。よって図１では撥水層の光照射部分はなくなっているように描かれているが、実際には非晶質含フッ素重合体が変性したものが残っている。
【００３３】
また表示デバイス作製に関しては、配線基板作製の際に用いられる「配線を形成するための金属部材が溶解または分散した液」の代わりに「絶縁層，半導体層，発光層等を形成する液」を用いることで作製可能である。この場合も例えば画像デバイスの１つであるＴＦＴでは電極と基板の間や絶縁層と基板の間等に非晶質含フッ素重合体が変性したものが残っており、有機のＥＬでは電極と絶縁層の間や絶縁層と基板の間等に非晶質含フッ素重合体が変性したものが残っている。またカラーフィルターパネルではカラーフィルター部と基板の間やブラックマトリクス部基板の間等に非晶質含フッ素重合体が変性したものが残っている。
【００３４】
｛Ｂ｝光吸収部位を持つ撥水層を有する基板の場合
図２を用いて本発明の原理を記述する。まず基板表面に光吸収部位を持つ撥水層７を形成する。この撥水層は後述する配線を形成するための金属部材が溶解または分散した液を弾く。
【００３５】
次に光を基板の金属配線を形成したい部分に照射する。照射光８は、撥水層の光吸収部位で吸収される。するとこの光のエネルギーが熱エネルギーに変換し、光を照射された部分が発熱する。この熱によって撥水層は分解する。これにより光を照射された部分は撥水性が失われ、親水部分になる。
【００３６】
なお図２では光照射部分は光吸収部位を持つ撥水層がなくなっているように描かれているが、実際には光吸収部位を持つ撥水層が変性したもの（一種の含フッ素化合物からなる層）が残っている。
【００３７】
この状態で配線を形成するための金属部材が溶解または分散した液９を接触させると光を照射された部分、即ち親水部分にのみこの液が付着する。溶媒あるいは分散媒が揮発することで金属の配線１０が形成される。
【００３８】
なお｛Ａ｝と同様、光吸収部位を持つ撥水層を消失するまで分解するには２５０ｎｍ未満の、しかもかなりの光量の光エネルギーを照射する必要がある。消失するまで分解されなくても撥水性を低下させることが可能である。その場合、光照射後の光吸収部位を持つ撥水層の表面には構成元素であるフッ素が検出できる
（ＴＯＦ−ＳＩＭＳで表面を分析すれば、フッ素原子由来の質量数１９のシグナルが検出可能である）。よって図２では光吸収部位を持つ撥水層の光照射部分はなくなっているように描かれているが、実際には光吸収部位を持つ撥水層が変性したものが残っている。
【００３９】
また表示デバイス作製に関しては、配線基板作製の際に用いられる「配線を形成するための金属部材が溶解または分散した液」の代わりに「絶縁層，半導体層，発光層等を形成する液」を用いることで作製可能である。この場合も例えば画像デバイスの１つであるＴＦＴでは電極と基板の間や絶縁層と基板の間等に光吸収部位を持つ撥水層が変性したものが残っており、有機のＥＬでは電極と絶縁層の間や絶縁層と基板の間等に光吸収部位を持つ撥水層が変性したものが残っている。またカラーフィルターパネルではカラーフィルター部と基板の間やブラックマトリクス部基板の間等には光吸収部位を持つ撥水層が変性したものが残っている。
【００４０】
以上が概略である。｛Ａ｝と同様、用いる光の波長が長波長であっても、光吸収部位の構造を変えることによって対応可能である。光吸収部位が光を吸収し、吸収したエネルギーが熱エネルギーに変わり、撥水層を熱分解して親水部分を形成すれば本発明の目的は達せられる。
【００４１】
［２］光照射前の基板作製に用いる部材、及び作製方法
以下に基板作製に用いる部材を記述する。
【００４２】
（１）撥水層形成材料とその処理方法
この項は「｛Ａ｝光吸収層と撥水層を有する基板の場合」の説明である。
【００４３】
撥水層形成材料は分子内に撥水性を高めるフッ素原子を含むものを用いる。これら材料を溶解することのできる溶媒に溶解し、この溶液を光吸収層に塗布する。その後乾燥し溶媒を揮発させ、撥水層形成材料からなる薄膜を形成する。その際形成される撥水層表面は、配線を形成するための部材が溶解または分散した液を付着する場合、或いはその上への保護膜形成を行う工程等で光吸収層との密着性が高まるよう、また撥水層の上に保護膜等を塗布する際の膜の均一性を高めるためにも平坦であることが望ましい。平坦化するためには撥水層形成材料が非晶質であることが望まれる。また膜としての物理的耐久性を持つためには重合体構造が望ましい。なお世の中には含シリコン撥水材料もあるが、液を弾く能力は一般に含フッ素材料の方が優れているので本発明では含フッ素材料を用いる。
【００４４】
以上より撥水層形成材料としては非晶質含フッ素重合体が望ましい。これにあたる材料としては具体的にはポリジパーフルオロアルキルフマレート，テフロンＡＦ（登録商標）（Ｄｕｐｏｎｔ社製），サイトップ（旭硝子製），フマライト（日本油脂製）が挙げられる。またポリジパーフルオロアルキルフマレートとスチレンの共重合体、３−フッ化塩化エチレンとビニルエーテルの共重合体、４−フッ化エチレンとビニルエステルの共重合体のような含フッ素エチレンと炭化水素系エチレンの共重合体等も挙げられる。
【００４５】
なお撥水層形成材料によっては塗布後加熱することにより光吸収層表面と化学結合させる材料もある。このような材料の方が撥水層形成材料が次第に親水性の画像パターンに移動し、そのパターンを消失させるおそれが少ないので好適である。このような材料としては次に示すようなものが挙げられる。これら化合物は塗布後加熱することで光吸収層表面の水酸基等と反応し、表面に化学結合を形成するので光吸収層表面を移動する心配が無く、親水性の画像パターンを消失させるおそれが低い。
【００４６】
【化５】
2004146478.tif 000005
【００４７】
具体的には以下の化合物１〜１２等が挙げられる。
【００４８】
【化６】
2004146478.tif 000006
【００４９】
【化７】
2004146478.tif 000007
【００５０】
【化８】
2004146478.tif 000008
【００５１】
【化９】
2004146478.tif 000009
【００５２】
【化１０】
2004146478.tif 000010
【００５３】
【化１１】
2004146478.tif 000011
【００５４】
【化１２】
2004146478.tif 000012
【００５５】
【化１３】
2004146478.tif 000013
【００５６】
【化１４】
2004146478.tif 000014
【００５７】
【化１５】
2004146478.tif 000015
【００５８】
【化１６】
2004146478.tif 000016
【００５９】
【化１７】
2004146478.tif 000017
【００６０】
このうち化合物１〜８は以下に示す合成方法を実行することで得られる。化合物９〜１２は化合物名がそれぞれ１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルトリメトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルトリエトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルトリメトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルトリエトキシシランとしてヒドラス化学社より上市されている。またその他の市販材料としてはダイキン工業社製オプツールＤＳＸが挙げられる。
【００６１】
また化合物１〜４はフッ素鎖がパーフルオロポリエーテルと呼ばれるものであり、このフッ素鎖を有する化合物から形成される撥水膜は水以外にアルコール系溶媒、或いはハイドロカーボン系溶媒等に長期（１０００時間）にわたって浸漬しても撥水性がほとんど低下しない（低下量は５°以下）という特徴がある。
【００６２】
化合物５〜１２はアルコール系溶媒、或いはハイドロカーボン系溶媒に長期
（１０００時間）にわたって浸漬すると、水との接触角が浸漬前（約１１０°）から基材の接触角とほぼ同レベルまで低下する。
【００６３】
（化合物１の合成）
デュポン社製クライトックス１５７ＦＳ−Ｌ（平均分子量２５００）（２５重量部）を３Ｍ社製ＰＦ−５０８０（１００重量部）に溶解し、これに塩化チオニル（２０重量部）を加え、撹拌しながら４８時間還流する。塩化チオニルとＰＦ−５０８０をエバポレーターで揮発させクライトックス１５７ＦＳ−Ｌの酸クロライド（２５重量部）を得る。これにＰＦ−５０８０（１００重量部）、チッソ（株）製サイラエースＳ３３０（３重量部）、トリエチルアミン（３重量部）を加え、室温で２０時間撹拌する。反応液を昭和化学工業製ラジオライト　ファインフローＡでろ過し、ろ液中のＰＦ−５０８０をエバポレーターで揮発させ、化合物１（２０重量部）を得た。
【００６４】
（化合物２の合成）
チッソ（株）製サイラエースＳ３３０（３重量部）の代わりにチッソ（株）製サイラエースＳ３６０（３重量部）を用いる以外は化合物１の合成と同様にして化合物２（２０重量部）を得た。
【００６５】
（化合物３の合成）
デュポン社製クライトックス１５７ＦＳ−Ｌ（平均分子量２５００）（２５重量部）の代わりにダイキン工業社製デムナムＳＨ（平均分子量３５００）（３５重量部）を用いる以外は化合物１の合成と同様にして化合物３（３０重量部）を得た。
【００６６】
（化合物４の合成）
チッソ（株）製サイラエースＳ３３０（３重量部）の代わりにチッソ（株）製サイラエースＳ３６０（３重量部）を用い、デュポン社製クライトックス１５７ＦＳ−Ｌ（平均分子量２５００）（２５重量部）の代わりにダイキン工業社製デムナムＳＨ（平均分子量３５００）（３５重量部）を用いる以外は化合物１の合成と同様にして化合物４（３０重量部）を得た。
【００６７】
（化合物５の合成）
デュポン社製クライトックス１５７ＦＳ−Ｌ（平均分子量２５００）（２５重量部）の代わりにダイキン工業社製７Ｈ−ドデカフルオロヘプタン酸（分子量
３４６．０６）（３．５重量部）を用いる以外は化合物１の合成と同様にして化合物５（３．５重量部）を得た。
【００６８】
（化合物６の合成）
デュポン社製クライトックス１５７ＦＳ−Ｌ（平均分子量２５００）（２５重量部）の代わりにダイキン工業社製７Ｈ−ドデカフルオロヘプタン酸（分子量
３４６．０６）（３．５重量部）を用い、チッソ（株）製サイラエースＳ３３０
（３重量部）の代わりにチッソ（株）製サイラエースＳ３６０（３重量部）を用いる以外は化合物１の合成と同様にして化合物６（３．５重量部）を得た。
【００６９】
（化合物７の合成）
デュポン社製クライトックス１５７ＦＳ−Ｌ（平均分子量２５００）（２５重量部）の代わりにダイキン工業社製９Ｈ−ヘキサデカフルオロノナン酸（分子量４４６．０７）（４．５重量部）を用いる以外は化合物１の合成と同様にして化合物７（４．５重量部）を得た。
【００７０】
（化合物８の合成）
デュポン社製クライトックス１５７ＦＳ−Ｌ（平均分子量２５００）（２５重量部）の代わりにダイキン工業社製９Ｈ−ヘキサデカフルオロノナン酸（分子量４４６．０７）（４．５重量部）を用い、チッソ（株）製サイラエースＳ３３０（３重量部）の代わりにチッソ（株）製サイラエースＳ３６０（３重量部）を用いる以外は化合物１の合成と同様にして化合物８（４．５重量部）を得た。
【００７１】
これらの化合物をフッ素系の溶媒に溶解し、光吸収層に塗布する。その後、加熱することで光吸収層の水酸基やカルボキシル基等と反応し化学結合を形成する。こうして撥水処理が終了する。撥水層形成材料の濃度は平均分子量の大きい材料ほど高濃度に設定する。平均分子量が３０００前後では濃度は０．３　重量％程度が好ましい。フッ素系の溶媒として具体的には３Ｍ社製のＦＣ−７２，ＦＣ−７７，ＰＦ−５０６０，ＰＦ−５０８０，ＨＦＥ−７１００，ＨＦＥ−７２００、デュポン社製バートレルＸＦ等が挙げられる。加熱温度は１００℃以上が望ましい。できれば１２０℃以上のほうが敏速に製膜の反応が進行する。加熱時間は１００℃の場合は１時間程度、１２０℃の場合は１５分間、１４０℃の場合は１０分間程度が望ましい。但し２５０℃以上の場合は撥水層形成材料が熱分解するおそれがある。光吸収層の基材に水酸基等が存在しない場合は、酸素プラズマ処理を行うことで表面に水酸基を持たせることが可能である。この処理を行った後に撥水処理を行うことで上記撥水層形成材料と光吸収層と化学結合を持つことが可能になる。
【００７２】
なお撥水層形成材料の塗布はハケ塗り，ディップコート法，スピンコート，スプレーコート法等で製膜する。
【００７３】
（２）光吸収層
この項は「｛Ａ｝光吸収層と撥水層を有する基板の場合」の説明である。
【００７４】
光吸収層は層中に光を吸収する部位を有する化合物が存在することが必要である。このような化合物としては一般に知られている色素が用いられる。色素が非晶質であれば色素のみで光吸収層を形成可能である。しかし結晶性の場合は平坦な光吸収層を形成しにくい。そのため光吸収層が結晶化した場合、照射した光が散乱する等の問題を生じる。この場合は別の何らかの物質を溶解・或いは混合することによって結晶性を低下させ平坦な光吸収層を形成する等の手段を嵩じる。上記別の何らかの物質として有効なのが樹脂である。樹脂は色素の保持体としても機能し、膜の物理的強度を高める効果もある。そこで結晶性の色素を用いる場合は色素を樹脂で保持することによって光吸収層を形成することが有効である。なおこの場合、樹脂自身に光吸収部位を設けることによっても達成される。
【００７５】
照射光の波長が近紫外領域（波長としてはおおむね２５０〜４００ｎｍ）であれば、色素ではなくても、ベンゼン環，ナフタレン環，アントラセン環等を有する化合物、或いはアミド等の結合基を有する化合物も挙げられる。また樹脂でも芳香環を有するポリエチレンテレフタレート，ポリスチレン，スチレン−アクリル樹脂，フェノール樹脂等も近紫外光領域に吸収を有する。
【００７６】
照射光の波長が可視光領域（波長としてはおおむね４００〜７００ｎｍ）であれば世の中で色素として用いられているものを樹脂に分散し製膜することで光吸収層を作製できる。また照射光の波長が近赤外光領域（波長としてはおおむね
７００〜１１００ｎｍ）の場合もシアニン色素やフタロシアニン系，ナフタロシアニン系色素を用いることで対応可能である。
【００７７】
色素を樹脂で保持する構造の場合、撥水層への熱の伝達が均一になるように色素は樹脂に溶解またはなるべく細かく均一に分散された状態にする。また照射された光を有効に熱に変換するため、用いる光源の出力波長になるべく大きな吸収を有していることが望ましい。色素としては染料，顔料の限定は特に無い。樹脂への分散性が高いという点では染料のほうが望ましい。ただ染料の場合は吸収した光を熱に変える以外に自らの光分解エネルギーに変えてしまう傾向もある。そのため光エネルギーの熱エネルギーへの変換効率が低い。その点では一般に耐光性の高い顔料は吸収した光のかなりの割合を熱に変えるので好適である。
【００７８】
染料としてはフラバントロン・イエロー，インダンスレン・レッド５ＧＫ，インダンスレン・バイオレットＢＮ等のインダンスレン染料。またオレンジＩＩ，Ｃ．Ｉ．ダイレクト・イエロー１２（クリソフェニン），Ｃ．Ｉ．アシッド・イエロー２３（タートラジン），Ｃ．Ｉ．モルダント・オレンジ１，Ｃ．Ｉ．リアクティブ・イエロー３（プロシオン・イエローＨＡ），Ｃ．Ｉ．ディスパーズ・イエロー３，ナフトール・ブルーブラックＢ等のアゾ染料。マラカイトグリーン系，パラローズアニリン系，オーリン系のトリフェニルメタン染料。インドール環にキノリン環やピリジン環等を結合させたシアニン染料。サフラニンＴ，フルオッセン，メチレン・ブルー等の複素環染料。その他キナクリドン・キノン等のアントラキノン系染料，ポリメチン染料，アゾメチン染料等も挙げられる。
【００７９】
顔料としてはアゾ顔料，フタロシアニン顔料，縮合多環顔料，酸性または塩基性染料のレーキが挙げられる。アゾ顔料の中では具体的にはアセト酢酸アニリド系，ピラゾロン系，βナフトール系，βオキシナフトエ酸系，βオキシナフトエ酸アニリド系等の溶性アゾ顔料，アセト酢酸アニリド系，ピラゾロン系，βナフトール系，βオキシナフトエ酸アニリド系の不溶性アゾ顔料，アセト酢酸アニリド系，βオキシナフトエ酸アニリド系の縮合アゾ顔料が挙げられる。フタロシアニン顔料の中では銅フタロシアニン，ハロゲン化銅フタロシアニン，スルホン化フタロシアニンレーキ等の銅フタロシアニン顔料，無金属フタロシアニン顔料，銅ナフタロシアニン顔料，珪素ナフタロシアニン顔料，ゲルマニウムナフタロシアニン顔料等が挙げられる。縮合多環顔料としてはアミノアントラキノン，アントラピリミジン，フラバントロン，アントアントロン，インダントロン，ピラントロン，ビオラントロン等のアントラキノン系顔料，ペリレン，ペリノン，キナクリドン，チオインジゴ，ジオキサジン，イソインドリン，キノフタロン、種々の金属錯体等が挙げられる。
【００８０】
顔料は分散を均一にするため遊星ボールミル等の粉砕装置で微粒子にする、或いは若干の分散剤を添加することで分散性を向上させる等の手段を採ることが望ましい。
【００８１】
これら色素を保持するため用いられる樹脂は特に限定は無いが、光吸収層をディップ法やスピンコート法といった簡便な方法で形成するため、モノマー、或いは樹脂自身が有機溶媒、あるいは水に溶解するものが望ましい。このような樹脂としてはエチレン・酢酸ビニル共重合体，ポリエチレンテレフタレート，ポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリデン，ポリ酢酸ビニル，ポリビニルアルコール，ポリビニルブチラール，ポリメチルメタクリレート，ポリエチルメタクリレート，ポリスチレン，スチレン・アクリロニトリル共重合体，アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体，ポリアセタール，ポリカーボネート，酢酸セルロース，二酢酸セルロース，三酢酸セルロース，酢酸酪酸セルロース，プロピオン酸セルロース，エチルセルロース，メチルセルロース，カルボキシメチルセルロース，フェノール樹脂，エポキシ樹脂，ポリエステル樹脂，アルキド樹脂，メラミン樹脂，珪素樹脂，ポリウレタン，ジアリルフタレート樹脂，ポリフェニレンオキシド，ポリイミド，ポリスルホン等が挙げられる。
【００８２】
また光吸収層の上に形成される撥水層が光吸収層と化学結合するタイプの物を用いる場合は撥水層の耐久性が向上するという点でフェノール樹脂やポリビニルアルコールのように水酸基を有する樹脂が望ましい。
【００８３】
（３）光吸収部位を持つ撥水層を形成する材料
この項は「｛Ｂ｝光吸収部位を持つ撥水層を有する基板の場合」の説明である。
【００８４】
▲１▼光を吸収する材料を溶解または分散した撥水材料
光吸収部位を持つ撥水層は撥水層を形成する撥水材料に光吸収する材料、いわゆる色材を溶解または分散する方法が挙げられる。これにあたる撥水材料としてはポリジパーフルオロアルキルフマレート，テフロンＡＦ（Ｄｕｐｏｎｔ社製），サイトップ（旭硝子製），フマライト（日本油脂製）が挙げられる。またポリジパーフルオロアルキルフマレートとスチレンの共重合体、３−フッ化塩化エチレンとビニルエーテルの共重合体、４−フッ化エチレンとビニルエステルの共重合体のような含フッ素エチレンと炭化水素系エチレンの共重合体等も挙げられる。
【００８５】
色材としては上述の染料，顔料、その他汎用の色材が挙げられる。いずれも撥水材料に溶解または微粒子で分散する必要がある。
【００８６】
なお撥水層形成材料の塗布はハケ塗り，ディップコート法，スピンコート，スプレーコート法等で製膜する。
【００８７】
▲２▼分子内に撥水部分と光吸収部位を持った撥水材料
分子内に光吸収部位を有する撥水材料がこの範疇に入る。ただ基板との結合部位を持たない場合は高粘性の液体として基板表面で拡散する可能性があるため、光照射後に金属部材を分散、或いは溶解した液体を付着させる間に光照射部分の撥水性が回復してしまう恐れがある。そのため、この撥水材料を用いる場合は基板との結合部位も有することが望ましい。具体的には下記の化学構造の撥水材料が望ましい。
【００８８】
【化１８】
2004146478.tif 000018
【００８９】
これら材料の光吸収部位としては２５０ｎｍの光を吸収するアミド結合等も挙げられる。すでに示した化合物１〜８はこの範疇の化合物に入る。
【００９０】
また分子内に色素骨格を持たせることで、この色素骨格が光吸収部位として機能する。具体的な例としては以下の化合物１３〜２７が挙げられる。
【００９１】
【化１９】
2004146478.tif 000019
【００９２】
【化２０】
2004146478.tif 000020
【００９３】
【化２１】
2004146478.tif 000021
【００９４】
【化２２】
2004146478.tif 000022
【００９５】
【化２３】
2004146478.tif 000023
【００９６】
【化２４】
2004146478.tif 000024
【００９７】
【化２５】
2004146478.tif 000025
【００９８】
【化２６】
2004146478.tif 000026
【００９９】
【化２７】
2004146478.tif 000027
【０１００】
【化２８】
2004146478.tif 000028
【０１０１】
【化２９】
2004146478.tif 000029
【０１０２】
【化３０】
2004146478.tif 000030
【０１０３】
【化３１】
2004146478.tif 000031
【０１０４】
【化３２】
2004146478.tif 000032
【０１０５】
【化３３】
2004146478.tif 000033
【０１０６】
これらの化合物の合成方法を以下に示す。
【０１０７】
（化合物１３の合成）
化合物１３は下記の（ｉ）〜（ｉｉｉ）の反応により合成される。
【０１０８】
（ｉ）撥水材料の還元
デュポン社製クライトックス１５７ＦＳ−Ｌ（平均分子量２５００）（５０重量部）を３Ｍ社製ＰＦ−５０８０（１００重量部）に溶解し、これに水素化リチウムアルミニウム（２重量部）を加え、４８時間８０℃で加熱・攪拌する。反応液を氷水に注ぎ、下層を分取し１％塩酸で洗った後、洗浄液の液性が中性になるまで水洗する。ろ紙でろ過することで洗浄後の液中の水分を除いた後、ＰＦ−５０８０をエバポレーターで揮発させクライトックス１５７ＦＳ−Ｌの末端がＣＨ２ＯＨに変換された化合物２８（４５重量部）を得る。
【０１０９】
【化３４】
2004146478.tif 000034
【０１１０】
（ｉｉ）色素骨格の導入反応
化合物２８（４５重量部）を３Ｍ社製ＨＦＥ−７２００（１００重量部）に溶解し、これにリアクティブ・イエロー３（別名プロシオン・イエローＨＡ）（１２重量部），エタノール（１００重量部），炭酸ナトリウム（２重量部）を加え、３０時間還流する。なおリアクティブ・イエロー３の構造を下記に示す。
【０１１１】
【化３５】
2004146478.tif 000035
【０１１２】
反応液中の溶媒（ＨＦＥ−７２００とエタノール）をエバポレーターで揮発させ、残渣にＨＦＥ−７２００（１００重量部），３５重量％の塩酸（１００重量部）に氷水（１００重量部）を合わせたものを加え、激しく攪拌した後静置する。下層を分取し、洗浄液の液性が中性になるまで水洗する。ろ紙でろ過することで洗浄後の液中の水分を除いた後、ＨＦＥ−７２００をエバポレーターで揮発させ化合物２８にリアクティブ・イエロー３が結合した化合物２９（４５重量部）を得る。
【０１１３】
【化３６】
2004146478.tif 000036
【０１１４】
（ｉｉｉ）結合部位の導入反応
化合物２９（４５重量部）をＨＦＥ−７２００（１００重量部）に溶解後、０℃前後に冷却時、チッソ（株）製サイラエースＳ３３０（１０重量部）、Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミド（１０重量部），ジクロルメタン（２０重量部）を加え、３時間攪拌する。更に反応液を常温に戻し、３０時間攪拌する。反応液を静置後、反応液がおおよそ２層に分かれたら下層を分取する。なお上層と下層の間に濁りを生じるがこれは下層に加えない。下層をジクロルメタン（２０重量部）で数回洗った後、ろ紙でろ過する。この後液中の溶媒（ＨＦＥ−７２００）をエバポレーターで揮発させ目的の化合物１３（４０重量部）を得た。
【０１１５】
（化合物１４の合成）
リアクティブ・イエロー３（１２重量部）の代わりにミカシオン・ブリリアント・ブルーＲＳ（７重量部）を用いる以外は化合物１３の合成と同様にして化合物１４（４０重量部）を得た。
【０１１６】
なおミカシオン・ブリリアント・ブルーＲＳの化学構造は下記の通りである。
【０１１７】
【化３７】
2004146478.tif 000037
【０１１８】
場合によってスルホン酸ナトリウムの部分がスルホン酸になっているものもあるので、その場合は水酸化ナトリウム等でスルホン酸ナトリウムに変換した後に使用する。
【０１１９】
（化合物１５の合成）
チッソ（株）製サイラエースＳ３３０（１０重量部）の代わりにチッソ（株）製サイラエースＳ３６０（１０重量部）を用いる以外は化合物１３の合成と同様にして化合物１５（３５重量部）を得た。
【０１２０】
（化合物１６の合成）
チッソ（株）製サイラエースＳ３３０（１０重量部）の代わりにチッソ（株）製サイラエースＳ３６０（１０重量部）を用い、リアクティブ・イエロー３（１２重量部）の代わりにミカシオン・ブリリアント・ブルーＲＳ（７重量部）を用いる以外は化合物１３の合成と同様にして化合物１６（３６重量部）を得た。
【０１２１】
（化合物１７の合成）
化合物２８（４５重量部）の代わりにダイキン工業社製デムナムＳＡ（平均分子量３５００）（６５重量部）を用いる以外は化合物１３の合成と同様にして化合物１７（５６重量部）を得た。
【０１２２】
（化合物１８の合成）
化合物２８（４５重量部）の代わりにダイキン工業社製デムナムＳＡ（平均分子量３５００）（６５重量部）を用い、リアクティブ・イエロー３（１２重量部）の代わりにミカシオン・ブリリアント・ブルーＲＳ（７重量部）を用いる以外は化合物１３の合成と同様にして化合物１８（５０重量部）を得た。
【０１２３】
（化合物１９の合成）
化合物２８（４５重量部）の代わりにダイキン工業社製デムナムＳＡ（平均分子量３５００）（６５重量部）を用い、チッソ（株）製サイラエースＳ３３０
（１０重量部）の代わりにチッソ（株）製サイラエースＳ３６０（１０重量部）を用いる以外は化合物１３の合成と同様にして化合物１９（４８重量部）を得た。
【０１２４】
（化合物２０の合成）
化合物２８（４５重量部）の代わりにダイキン工業社製デムナムＳＡ（平均分子量３５００）（６５重量部）を用い、リアクティブ・イエロー３（１２重量部）の代わりにミカシオン・ブリリアント・ブルーＲＳ（７重量部）を用い、チッソ（株）製サイラエースＳ３３０（１０重量部）の代わりにチッソ（株）製サイラエースＳ３６０（１０重量部）を用いる以外は化合物１３の合成と同様にして化合物２０（４４重量部）を得た。
【０１２５】
（化合物２１の合成）
化合物２８（４５重量部）の代わりにアウジモント社製ＤＯＬ４０００（平均分子量４０００）（４０重量部）を用いる以外は化合物１３の合成と同様にして化合物２１（４０重量部）を得た。
【０１２６】
（化合物２２の合成）
化合物２８（４５重量部）の代わりにアウジモント社製ＤＯＬ４０００（平均分子量４０００）（４０重量部）を用い、チッソ（株）製サイラエースＳ３３０（１０重量部）の代わりにチッソ（株）製サイラエースＳ３６０（１０重量部）を用いる以外は化合物１３の合成と同様にして化合物２２（３８重量部）を得た。
【０１２７】
（化合物２３の合成）
化合物２８（４５重量部）の代わりに１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデカノール（４重量部）を用い、リアクティブ・イエロー３（１２重量部）の代わりにミカシオン・ブリリアント・ブルーＲＳ（７重量部）を用いる以外は化合物１３の合成と同様にして化合物２３（１１重量部）を得た。
【０１２８】
（化合物２４の合成）
化合物２８（４５重量部）の代わりに１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデカノール（４重量部）を用い、リアクティブ・イエロー３（１２重量部）の代わりにミカシオン・ブリリアント・ブルーＲＳ（７重量部）を用い、チッソ（株）製サイラエースＳ３３０（１０重量部）の代わりにチッソ（株）製サイラエースＳ３６０（１０重量部）を用いる以外は化合物１３の合成と同様にして化合物
２４（９重量部）を得た。
【０１２９】
（化合物２５の合成）
化合物２８（４５重量部）の代わりに１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデカノール（４重量部）を用い、チッソ（株）製サイラエースＳ３３０（１０重量部）の代わりにチッソ（株）製サイラエースＳ３６０（１０重量部）を用いる以外は化合物１３の合成と同様にして化合物２５（１０重量部）を得た。
【０１３０】
（化合物２６の合成）
化合物２８（４５重量部）の代わりに１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ，１０Ｈ−パーフルオロデカノール（４重量部）を用い、リアクティブ・イエロー３（１２重量部）の代わりにミカシオン・ブリリアント・ブルーＲＳ（７重量部）を用い、チッソ（株）製サイラエースＳ３３０（１０重量部）の代わりにチッソ（株）製サイラエースＳ３６０（１０重量部）を用いる以外は化合物１３の合成と同様にして化合物２６（８重量部）を得た。
【０１３１】
（化合物２７の合成）
化合物２８（４５重量部）の代わりに１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ，１０Ｈ−パーフルオロデカノール（４重量部）を用い、チッソ（株）製サイラエースＳ３３０（１０重量部）の代わりにチッソ（株）製サイラエースＳ３６０（１０重量部）を用いる以外は化合物１３の合成と同様にして化合物２７（９重量部）を得た。
【０１３２】
これらの化合物をフッ素系の溶媒に溶解し、基板に塗布する。その後、加熱することで基板の水酸基やカルボキシル基等と反応し化学結合を形成する。こうして光吸収部位を持つ撥水層の形成が終了する。分子内に撥水部分と光吸収部位を持った撥水材料の濃度は平均分子量の大きい材料ほど高濃度に設定する。平均分子量が３０００前後では濃度は０．３　重量％程度が好ましい。フッ素系の溶媒として具体的には３Ｍ社製のＦＣ−７２，ＦＣ−７７，ＰＦ−５０６０，ＰＦ−
５０８０，ＨＦＥ−７１００，ＨＦＥ−７２００，デュポン社製バートレルＸＦ等が挙げられる。加熱温度は１００℃以上が望ましい。できれば１２０℃以上のほうが敏速に製膜の反応が進行する。加熱時間は１００℃の場合は１時間程度、１２０℃の場合は１５分間、１４０℃の場合は１０分間程度が望ましい。但し
２５０℃以上の場合は撥水層形成材料が熱分解するおそれがある。基板に水酸基等が存在しない場合は、酸素プラズマ処理を行うことで表面に水酸基を持たせることが可能である。この処理を行った後に処理を行うことで分子内に撥水部分と光吸収部位を持った撥水材料と基板とが化学結合を持つことが可能になる。
【０１３３】
なお分子内に撥水部分と光吸収部位を持った撥水材料の塗布はハケ塗り，ディップコート法，スピンコート法等で製膜する。
【０１３４】
（４）基板材料、及びその表面の親水化
この項に関しては上記｛Ａ｝，｛Ｂ｝とも内容は共通である。
【０１３５】
光吸収層，撥水層，光吸収部位を持つ撥水層を形成する前にあらかじめ基板表面を親水性にしておくことで、その表面への物質の付着が容易になり光吸収層や光吸収部位を持つ撥水層を平坦に形成しやすくなる。特に塗布法で光吸収層を形成する場合は、形成するための塗料の濡れ性を向上させることで、高密着性の光吸収層が形成可能となる。また光吸収部位を持つ撥水層に光を照射することで撥水層が分解された後、金属部材を溶解または分散した液を付着しやすくするために基板を親水化しておくことが望ましい。
【０１３６】
基板としてはガラス，石英，シリコン，樹脂、或いはガラス粒子を含んだ樹脂等、種々の材料が考えられる。
【０１３７】
▲１▼基材がガラス，石英，シリコンの場合に適用する方法
基材がガラス，石英，シリコンの場合は酸素プラズマで処理したり、塩基性の溶液に浸漬する等の方法により親水性を向上させることが可能である。酸素プラズマの場合、酸素分圧１Ｔｏｒｒ、高周波電源の出力３００Ｗ、処理時間３分間で水との接触角が１０°以下になった。
【０１３８】
また紫外線を照射することにより基板近傍の酸素をオゾンに変え、そのオゾンによって基板表面を親水性に変えることも可能である。オゾン発生装置を用いて基板をオゾン雰囲気に曝す事も親水性を向上させる手段として有効である。
【０１３９】
その他、塩基性の溶液として１重量％の水酸化ナトリウムの水溶液を用いた場合、５分間浸漬後、水との接触角は皆２０°以下になった。
【０１４０】
▲２▼基材が樹脂の場合に適用する方法
基材が樹脂の場合は酸素プラズマで処理したり、酸・塩基性の溶液に浸漬する等の方法により親水性を向上させることが可能である。
【０１４１】
酸素プラズマを用いる場合、例えばポリスチレン，アクリル樹脂，スチレン／アクリル樹脂，ポリエステル樹脂，アセタール樹脂，ポリカーボネート，ポリエーテルスルホン，ポリサルホン，ポリエーテルサルホン等では、酸素分圧１Ｔｏｒｒ、高周波電源の出力１００Ｗ、処理時間１分間の条件で水との接触角が２０°以下になった。
【０１４２】
またガラス同様、紫外線を照射することにより基板近傍の酸素をオゾンに変え、そのオゾンによって基板表面を親水性に変えることも可能である。オゾン発生装置を用いて基板をオゾン雰囲気に曝す事も親水性を向上させる手段として有効である。
【０１４３】
その他の方法として塩基性の溶液への浸漬はアクリル樹脂，スチレン／アクリル樹脂，ポリエステル樹脂，アセタール樹脂，ポリカーボネート等のように分子内にエステル結合を有する材料の場合に特に有効である。これは表面、及びその近傍にあるエステル結合を切断することで親水性の高いカルボン酸塩残基、及び／或いは水酸基が生成することで総じて表面の親水性が高まるためである。またポリイミドやポリアミド等のアミノ基とカルボキシル基の縮合により重合する樹脂の場合は、塩酸等の酸に浸漬することで重合時に反応せず残ったアミノ基を親水性の高いアンモニウム塩構造にしたり、水酸化ナトリウム水溶液に浸漬することで重合時に反応せず残ったカルボキシル基を親水性の高いカルボン酸塩にすることで総じて表面の親水性を高めることができる。酸・塩基性の溶液への浸漬は溶液の温度が高いほど、また濃度が高い親水化が敏速に進行する傾向がある。しかし高温・高濃度化は基材へのダメージを与えやすいので注意が必要である。
【０１４４】
▲３▼種々の基材に適用する方法
基材が金属，ガラス、あるいは樹脂であっても処理可能な親水化方法としては親水性を発揮させる塗料を塗布する方法が挙げられる。これら材料は一般にａ）〜ｄ）に示すものが挙げられるがこれ以外も特に限定は受けない。
【０１４５】
ａ）水溶性高分子材料の溶液
水溶性の高分子としてはポリエチレングリコール，ポリビニルアルコール，ポリアクリル酸，ポリアクリル酸塩，ポリアリルアミン，ポリアリルアミンの塩酸塩，デンプン等が挙げられる。分子内に水酸基，アミノ基，カルボキシル基，塩構造の残基等親水性の残基を有しているものが挙げられる。これらの水溶液、あるいは有機溶媒の溶液を調製し塗料とする。これをセルの基材に塗布し、乾燥させることで親水塗膜を形成する。これら水溶性高分子の中では特にポリエチレングリコールを塗布した表面の接触角を低下させる傾向が強い。用いる高分子は分子量が大きいほど光散乱の少ない平滑な親水膜が形成できるので好ましい。また処理する表面の撥水性が高い場合は塗料が弾かれてしまうため、結果として平坦な膜を形成できない。これは溶媒が水の場合は用いる高分子の溶液の表面張力が大きくなるためである。そこでこれら塗料を塗布する前に予め酸素プラズマ処理をしておくと、平坦な塗膜が形成しやすい。ところでポリエチレングリコールはテトラヒドロフラン等の有機溶媒に溶解する。そのためこの溶液の表面張力は同じポリエチレングリコールの水溶液に比べて小さく、撥水性の高いアルミ等の表面にも塗布しやすい。
【０１４６】
ｂ）親水性粒子を含んだ塗料
親水性アルミナ粒子や親水性シリカ粒子を含んだ分散液とアルコキシシランの溶液を混ぜたものを塗料として用いる。この塗料を用いる場合、セルの基材に塗布後に加熱することで製膜が完了する。この塗料で主に親水性を発揮するのは親水性アルミナ粒子や親水性シリカ粒子であり、アルコキシシランは主にこれら粒子の保持体として機能する。そのため親水性を高めるには親水性アルミナ粒子や親水性シリカ粒子の割合を大きくすることで対処することができる。またアルコキシシランの割合を大きくすることで膜の物理的強度は向上する。アルコキシシランはある程度分子間で架橋していた方が、塗布後の加熱で揮発する割合が減るので好ましい。またアルコキシシランには分子間の重合を促進させるために塩酸等を加えることがあるが、親水性シリカの場合は分散を良好にするため、その分散液は塩基性になっている場合がある。そのため両者を混ぜた場合、親水性シリカが凝集することがあるので混合した場合の液性と親水性シリカの分散の状況には注意する。この点アルミナの場合は分散液は主に酸性であるため混合の際のトラブルが少ない。アルコキシシランとしてはメチルトリメトキシシラン，エチルトリメトキシシラン，ブチルトリメトキシシラン，メチルトリエトキシシラン，エチルトリエトキシシラン，ブチルトリエトキシシラン，テトラメトキシシラン，テトラエトキシシラン等が挙げられる。なお液性や溶媒が合えばアルコキシシランの代わりにアルコキシチタンを用いても良い。アルコキシチタンとしてはテトラ−ｉ−プロピルチタネート，テトラ−ｎ−ブチルチタネート，テトラステアリルチタネート，トリエタノールアミンチタネート，チタニウムアセチルアセトネート，チタニウムエチルアセトアセテート，チタニウムラクテート，テトラオクチレングリコールチタネート等が挙げられる。またこれらの化合物が数分子重合したものも用いることが可能である。
【０１４７】
ｃ）水溶性高分子とその架橋剤を含んだ塗料
ａ）に挙げたような水溶性高分子に架橋剤としてｂ）に挙げたアルコキシシランやアルコキシチタンを混ぜることによって親水表面を形成する塗料とすることも可能である。この場合、溶媒は水であっても良いが、セル基材の撥水性が高い場合は塗料を弾いてしまうため、メタノールやエタノール等のアルコール系溶媒が好適である。
【０１４８】
ｄ）アルコキシシラン溶液とアルカリ溶液の併用
ｂ）に挙げたアルコキシシランの溶液を基材に塗布後、１２０〜１８０℃程度で数分間加熱すると基材表面に酸化ケイ素の被膜が形成する。その後アルカリ性の溶液に浸漬すると表面の親水性が高まる。最後にアルカリ性の溶液を水洗することで親水処理が終了する。アルカリ性の溶液は水酸化ナトリウム，水酸化カリウム等の水酸化物の水溶液、あるいはアルコール溶液，含水アルコール溶液を用いる。濃度は高いほど浸漬時間は短くできるが、用いる水酸化物の種類によっても異なる。水酸化ナトリウムを用いた場合、溶液濃度１重量％では浸漬時間は１〜５分間、５重量％では１０〜３０秒間程度が好適である。またアルコキシシランの溶液に用いる溶媒としてケトン系のもの（アセトンやメチルエチルケトン等）はアルコキシシランが二酸化ケイ素に変化しやすいので、アルコール系，エステル系、あるいはエーテル系の溶媒が好適である。特にアルコール系は基材が樹脂の場合、樹脂を溶解し難いので特に好適である。
［３］光源
本発明で金属配線予定部分に光照射するため用いる光源は光吸収層、或いは光吸収部位の吸収波長の光を発している必要がある。それがランプであってもレーザーであっても特に問題は無い。ただ望ましくは照射された光がなるべく高効率で吸収され、熱に変換し、撥水層を形成する部材に熱を与えられれば良い。光吸収層、或いは光吸収部位の吸収スペクトルが近紫外〜近赤外あたりまで広くブロードにある場合は、特定の波長の光を照射するレーザーや水銀ランプよりもキセノンランプのように広い波長の光を発する光源の方が望ましい。それとは逆に吸収スペクトルが狭い場合は、その吸収波長の光を発するレーザーが望ましい。なお近紫外の場合はレーザーと同様に特定の波長の光を発する水銀ランプも有効である。具体的には水銀ランプは２５４ｎｍ，３６５ｎｍ（Ｉ線）、そして可視領域の４３５ｎｍ（Ｇ線）の光を発する。
【０１４９】
低圧水銀ランプの場合は１８５ｎｍの光も発する。しかしこの波長の光は酸素等で吸収されるため光照射の際は基板を減圧状態の場所に置く必要があり、真空プロセスを用いず配線基板を作製するという本発明の思想から外れる。
【０１５０】
レーザーの場合はアルゴンレーザーの４１５ｎｍ，４８８ｎｍ，５１５ｎｍ。ＹＡＧレーザーの２倍波の５３２ｎｍ，３倍波の３５５ｎｍ，４倍波の２６６ｎｍ。窒素レーザーの３３７ｎｍ。ヘリウム／ネオンレーザーの６３３ｎｍ。エキシマレーザー（ＸｅＣｌ）の３０８ｎｍ。半導体レーザーの６７０ｎｍ，７８０ｎｍ，８３０ｎｍ，ＹＡＧレーザーの１０６４ｎｍ等が挙げられる。またレーザー発信用色素を用いることによって広範囲の波長の光を発信可能となる。そのため色素の選択範囲が広がる。例えばレーザー発信用色素としてクマリン系の色素である７−（エチルアミノ）−４，６−ジメチル−２Ｈ−１−ベンゾピラン−２−オンを用いることで４３０〜４９０ｎｍの光を発信可能である。それより長波長を発信させる場合はクマリン系の色素である２，３，６，７−テトラハイドロ−１１−オキソ−１Ｈ，５Ｈ，１１Ｈ−［１］ベンゾピラノ［６，７，８−ｉｊ］キノリジン−１０−カルボン酸エチルエステルを用いることで４８４〜５４４ｎｍの光を発信可能である。それより長波長を発信させる場合はローダミン系の色素である９−［２−（エトキシカルボニル）フェニル］−３，６−ビス（エチルアミノ）−２，７−ジメチルアンスリウムクロライドを用いることで５５０〜６３３ｎｍの光を発信可能である。それより長波長を発信させる場合は２−［４−｛４−（ジメチルアミノ）フェニル｝−１，３−ブタジエニル］−１−エチルピリジニウムパークロレートを用いることで６４５〜８０８ｎｍの光を発信可能である。それより長波長を発信させる場合は５−クロロ−２−［２−［３−｛２−（５−クロロ−３−エチル−２（３Ｈ）−ベンゾチアゾリリデン）エチリデン｝−２−ジフェニルアミノ−１−シクロペンテン−１−リル］エテニル］−３−エチル−ベンゾチアゾリウムパークロレートを用いることで８０５〜１０３０ｎｍの光を発信可能である。それより長波長を発信させる場合は３−エチル−２−［［３−［３−［３−｛（３−エチルナフソ［２，１−ｄ］チアゾール−２（３Ｈ）−イリデン）メチル｝−５，５−ジメチル−２−シクロヘキセン−１−イリデン］−１−プロペニル］−５，５−ジメチル−２−シクロヘキセン−１−イリデン］メチル］ナフソ［２，１−ｄ］チアゾリウムパークロレートを用いることで１０７６〜１２００ｎｍの光を発信可能である。
【０１５１】
［４］金属部材を溶解または分散した液
金属部材を分散した液としては金，銀，白金を分散した液が挙げられる。これらは凝集して大きな粒子にならないよう、分散剤，分散安定剤が必要となる。１次粒子としては数十ｎｍの大きさであることが望ましい。銅は空気中の酸素によって腐食しやすいので分散液中に酸化防止剤を添加することが望ましい。
【０１５２】
金属部材を溶解した液としてはメッキ液が挙げられる。例えば無電解銅メッキ用の銅含有液が挙げられる。これはあらかじめ塩化パラジウムの液を親水パターニングを行う部分に付着させた後に銅含有液を付着させる。これにより形成される銅の配線の基板に対する密着性が向上する。なお銅含有液を付着させる前に金の含有液を付着する操作を行うことで密着性がさらに向上する。
【０１５３】
［５］表示デバイス作製への適用方法
前述したように表示デバイス作製に関しては、配線基板作製の際に用いられる「配線を形成するための金属部材が溶解または分散した液」の代わりに「絶縁層，半導体層，発光層等を形成する液」を用いることで作製可能である。作製の詳細に関しては実施例で示す。
【０１５４】
【実施例】
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０１５５】
実施例１〜２２に本発明の配線基板のうち、光吸収層と撥水層を有する配線基板の作製方法、及び性能評価結果を示す。また実施例２３〜３８に本発明の配線基板のうち、光吸収部位を持つ撥水層を有する配線基板の作製方法、及び性能評価結果を示す。実施例３９は両者に関係する実施例である。実施例４１以降にＴＦＴ，有機のＥＬ基板等の表示素子及びカラーフィルターの作製方法、及び性能評価結果を示す。
【０１５６】
【実施例１】
（１）光吸収層形成工程
ガラス製基板に低圧水銀ランプで紫外光を照射した。ランプは５００Ｗ、照射時間は５分間である。その結果ガラス製基板の水との接触角は照射前の３０〜３５°から照射後には１０°以下となった。この処理は光吸収層を形成するため塗布する色素が均一に塗れるよう、濡れ性を向上させる操作である。
【０１５７】
林原生物化学研究所社製色素ＮＫ−２０１４の１重量％メチルエチルケトン溶液と丸善石油化学社製のフェノール樹脂であるマルカリンカーＭの１重量％メチルエチルケトン溶液を調製する。なおＮＫ−２０１４をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約７８０ｎｍである。これら２液を同重量混合後、この混合液を上記処理を行ったアルミ製基板の上にスピンコート法（回転数：２０００ｒｐｍ　，回転時間：３０秒間）で塗布する。更に８０℃で２分間加熱する。こうして光吸収層が形成される。
【０１５８】
（２）撥水層形成工程
次に、化合物１の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液に１０分間浸漬後、１２０℃で１０分間加熱する。こうして撥水層が形成される。
【０１５９】
（３）光照射工程
出力２ｍＷ，発信波長７８０ｎｍの半導体レーザーを用い、レーザースポット径２μｍ，スキャン速度１０ｍｍ／秒で基板表面の配線形成予定部分に光を照射する。すると照射した光が熱に変わり、化合物１により形成された撥水層がこの熱で変性を起こし、結果として変性部分（即ち光照射部分）の撥水性が低下する。
【０１６０】
（４）属配線形成工程
０．５　重量％の銀微粒子分散液（溶媒は水、液の表面張力は６９ｍＮ／ｍ、銀微粒子の一次粒子の平均粒径は約２０ｎｍ）が深さ５ｍｍになるよう入っているバットを用意する。バットは基板が入るだけの大きさがある。光照射後の基板の光照射面を下にしてバットの中に入れた後、すぐに引き上げる。光の非照射部分には銀微粒子分散液が付着しないが、光の照射部分に銀微粒子分散液が付着する。基板の銀微粒子分散液が付着した側を上にして１２０℃で１５分間加熱する。銀微粒子分散液の付着した部分は溶媒の水が揮発し、銀の配線が形成された。
【０１６１】
（５）導通確認試験
形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０１６２】
【実施例２】
林原生物化学研究所社製色素ＮＫ−２０１４の代わりに林原生物化学研究所社製色素ＮＫ−４を用いる以外は実施例１と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０１６３】
なおＮＫ−４をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約７８０ｎｍである。
【０１６４】
【実施例３】
林原生物化学研究所社製色素ＮＫ−２０１４の代わりに林原生物化学研究所社製色素ＮＫ−２２６８を用い、光照射に用いる半導体レーザーの発信波長を７８０ｎｍから８３０ｎｍに変更する以外は実施例１と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０１６５】
なおＮＫ−２２６８をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約８３０ｎｍである。
【０１６６】
【実施例４】
林原生物化学研究所社製色素ＮＫ−２０１４の代わりに林原生物化学研究所社製色素ＮＫ−３９８７を用い、光照射に用いる半導体レーザーの発信波長を７８０ｎｍから６７０ｎｍに変更する以外は実施例１と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０１６７】
なおＮＫ−３９８７をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約６７０ｎｍである。
【０１６８】
【実施例５】
林原生物化学研究所社製色素ＮＫ−２０１４の代わりに林原生物化学研究所社製色素ＮＫ−２９２９を用い、光照射に用いる半導体レーザーの発信波長を７８０ｎｍから６７０ｎｍに変更する以外は実施例１と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０１６９】
なおＮＫ−２９２９をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約６７０ｎｍである。
【０１７０】
【実施例６】
林原生物化学研究所社製色素ＮＫ−２０１４の代わりに林原生物化学研究所社製色素ＮＫ−１８８６を用い、光照射に用いるレーザーをアルゴンレーザーに代え、発信波長を７８０ｎｍから４１５ｎｍに変更する以外は実施例１と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０１７１】
なおＮＫ−１８８６をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約４１５ｎｍである。
【０１７２】
またＮＫ−１８８６の代わりに林原生物化学研究所社製色素ＮＫ−７２３を用い、発信波長を４１５ｎｍから４８８ｎｍに変更する以外は上記と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０１７３】
なおＮＫ−７２３をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約４９０ｎｍである。
【０１７４】
またＮＫ−１８８６の代わりに林原生物化学研究所社製色素ＮＫ−１４２０を用い、発信波長を４１５ｎｍから５１５ｎｍに変更する以外は上記と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０１７５】
なおＮＫ−１４２０をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約５１５ｎｍである。
【０１７６】
【実施例７】
林原生物化学研究所社製色素ＮＫ−２０１４の代わりに林原生物化学研究所社製色素ＮＫ−５２９を用い、光照射に用いるレーザーをヘリウム／ネオンレーザーに代え、結果として発信波長を７８０ｎｍから６３３ｎｍに変更される以外は実施例１と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０１７７】
なおＮＫ−５２９をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約６３５ｎｍである。
【０１７８】
【実施例８】
林原生物化学研究所社製色素ＮＫ−２０１４の代わりに林原生物化学研究所社製色素ＮＫ−３５０８を用い、光照射に用いるレーザーをＹＡＧレーザーに代え、結果として発信波長が７８０ｎｍから１０６４ｎｍに変更される以外は実施例１と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０１７９】
なおＮＫ−３５０８をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約１０６０ｎｍである。
【０１８０】
またＮＫ−３５０８の代わりに林原生物化学研究所社製色素ＮＫ−１０４６を用い、用いるＹＡＧレーザーの光学系に２次の非線形素子を組み合わせ、発信波長を１０６４ｎｍから５３２ｎｍに変更する以外は上記と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０１８１】
なおＮＫ−１０４６をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約５３０ｎｍである。
【０１８２】
またＮＫ−３５０８の代わりに林原生物化学研究所社製色素ＮＫＸ−１３１７を用い、用いるＹＡＧレーザーの光学系に３次の非線形素子を組み合わせ、発信波長を１０６４ｎｍから３５５ｎｍに変更する以外は上記と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０１８３】
なおＮＫＸ−１３１７をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約３６０ｎｍである。
【０１８４】
またＮＫ−３５０８を加えず、用いるＹＡＧレーザーの光学系に４次の非線形素子を組み合わせ、発信波長を１０６４ｎｍから２６６ｎｍに変更する以外は上記と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０１８５】
なおＮＫ−３５０８を加えない場合は光吸収層はマルカリンカーＭのみで形成される薄膜になる。マルカリンカーＭをガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収は４５０ｎｍ近傍から観測され、短波長ほど吸収が大きくなり、波長２５０ｎｍ以上では明確な極大波長は観測されなかった。ただ光吸収層の２６６ｎｍにおける吸光度は２．０以上あるため、吸収率は９９％以上であることが確認された。即ち照射された光のほとんどが吸収され、熱エネルギーに変わっていると判断される。
【０１８６】
【実施例９】
林原生物化学研究所社製色素ＮＫ−２０１４の代わりに林原生物化学研究所社製色素ＮＫ−３２１２を用い、光照射に用いる光源を超高圧水銀ランプに代え、４００ｎｍ以下の光をカットするフィルター、及び非配線部分だけ光が遮蔽されるマスクを介して光照射を行う以外は実施例１と同様の操作で配線基板を形成する。この場合、照射される光の波長は４３５ｎｍになる。なお照射光の単位時間あたりのエネルギーは実施例１と同様に調整する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０１８７】
なおＮＫ−３２１２をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約４３５ｎｍである。
【０１８８】
またＮＫ−３２１２の代わりに林原生物化学研究所社製色素ＮＫＸ−１３１７を用い、４００ｎｍ以下の光をカットするフィルターの代わりに３５０ｎｍをカットするフィルターを用いる以外は上記と同様の操作で配線基板を形成する。この場合、照射される光の波長は３６５ｎｍになる。なお照射光の単位時間あたりのエネルギーはこの場合も実施例１と同様に調整する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０１８９】
なおＮＫＸ−１３１７をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約３６０ｎｍである。
【０１９０】
またＮＫ−３２１２を加えず、用いるランプを超高圧水銀ランプから高圧水銀ランプに代え、４００ｎｍ以下の光をカットするフィルターの代わりに３００ｎｍをカットするフィルターを用いる以外は上記と同様の操作で配線基板を形成する。この場合、照射される光の波長は２５４ｎｍになる。なお照射光の単位時間あたりのエネルギーはこの場合も実施例１と同様に調整する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０１９１】
なおＮＫ−３５０８を加えない場合は光吸収層はマルカリンカーＭのみで形成される薄膜になる。マルカリンカーＭをガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収は４５０ｎｍ近傍から観測され、短波長ほど吸収が大きくなり、波長２５０ｎｍ以上では明確な極大波長は観測されなかった。ただ光吸収層の２５４ｎｍにおける吸光度は１．０　以上あるため、吸収率は９０％以上であることが確認された。即ち照射された光のほとんどが吸収され、熱エネルギーに変わっていると判断される。
【０１９２】
【実施例１０】
撥水層形成工程で化合物１の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液の代わりに、化合物２の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液を用いる以外は実施例１と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０１９３】
【実施例１１】
撥水層形成工程で化合物１の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液の代わりに、化合物３の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液を用いる以外は実施例１と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０１９４】
【実施例１２】
撥水層形成工程で化合物１の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液の代わりに、化合物４の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液を用いる以外は実施例１と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０１９５】
【実施例１３】
撥水層形成工程で化合物１の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液の代わりに、化合物５の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液を用いる以外は実施例１と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０１９６】
【実施例１４】
撥水層形成工程で化合物１の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液の代わりに、化合物６の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液を用いる以外は実施例１と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０１９７】
【実施例１５】
撥水層形成工程で化合物１の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液の代わりに、化合物７の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液を用いる以外は実施例１と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０１９８】
【実施例１６】
撥水層形成工程で化合物１の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液の代わりに、化合物８の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液を用いる以外は実施例１と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０１９９】
【実施例１７】
撥水層形成工程で化合物１の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液の代わりに、化合物９の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液を用いる以外は実施例１と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０２００】
【実施例１８】
撥水層形成工程で化合物１の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液の代わりに、化合物１０の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液を用いる以外は実施例１と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０２０１】
【実施例１９】
撥水層形成工程で化合物１の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液の代わりに、化合物１１の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液を用いる以外は実施例１と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０２０２】
【実施例２０】
撥水層形成工程で化合物１の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液の代わりに、化合物１２の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液を用いる以外は実施例１と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０２０３】
【実施例２１】
撥水層形成工程で化合物１の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液の代わりに、オプツールＤＳＸ（ダイキン工業社製）の０．１　重量％ＰＦ−５０６０溶液（ＰＦ−５０６０は３Ｍ社製）を用いる以外は実施例１と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０２０４】
【実施例２２】
撥水層形成工程で化合物１の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液の代わりに、サイトップＣＴＬ−１０７Ｍ（旭硝子社製）７重量％溶液をＰＦ−５０８０で０．１重量％に希釈した溶液を用いる以外は実施例１と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０２０５】
【実施例２３】
撥水層形成工程で化合物１の０．１　重量％ＰＦ−５０８０溶液の代わりに、
ＩＮＴ−３０４ＶＣ（ＩＮＴスクリーン社製）２重量％溶液をＰＦ−５０８０で０．１　重量％に希釈した溶液を用いる以外は実施例１と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０２０６】
【実施例２４】
（１）光吸収部位を有する撥水層形成工程
ガラス製基板に化合物１３の０．１　重量％ＨＦＥ−７２００溶液（ＨＦＥ−７２００は３Ｍ社製）に１０分間浸漬後、１２０℃で１０分間加熱する。こうして光吸収部位を持つ撥水層が形成される。
【０２０７】
なお化合物１３をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約５００ｎｍである。
【０２０８】
（２）光照射工程
出力３ｍＷ，発信波長４８８ｎｍのアルゴンレーザーを用い、レーザースポット径２μｍ，スキャン速度１０ｍｍ／秒で基板表面の配線形成予定部分に光を照射する。
【０２０９】
すると照射した光が熱に変わり、化合物１３により形成された撥水層がこの熱で変性を起こし、結果として変性部分（即ち光照射部分）の撥水性が低下する。
【０２１０】
（３）金属配線形成工程
０．５　重量％の銀微粒子分散液（溶媒は水、液の表面張力は６９ｍＮ／ｍ、銀微粒子の一次粒子の平均粒径は約２０ｎｍ）が深さ５ｍｍになるよう入っているバットを用意する。バットは基板が入るだけの大きさがある。光照射後の基板の光照射面を下にしてバットの中に入れた後、すぐに引き上げる。光の非照射部分には銀微粒子分散液が付着しないが、光の照射部分に銀微粒子分散液が付着する。基板の銀微粒子分散液が付着した側を上にして１２０℃で１５分間加熱する。銀微粒子分散液の付着した部分は溶媒の水が揮発し、銀の配線が形成された。
【０２１１】
（４）導通確認試験
形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０２１２】
【実施例２５】
化合物１３の代わりに化合物１４を用い、光照射に用いるレーザーをアルゴンレーザーからヘリウム／ネオンレーザーに代え、結果として発信波長を４８８
ｎｍから６３３ｎｍに変更される以外は実施例２４と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０２１３】
なお化合物１４をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約６００ｎｍである。
【０２１４】
【実施例２６】
化合物１３の代わりに化合物１５を用いる以外は実施例２４と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０２１５】
なお化合物１５をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約５００ｎｍである。
【０２１６】
【実施例２７】
化合物１３の代わりに化合物１６を用い、光照射に用いるレーザーをアルゴンレーザーからヘリウム／ネオンレーザーに代え、結果として発信波長を４８８ｎｍから６３３ｎｍに変更される以外は実施例２４と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０２１７】
なお化合物１６をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約６００ｎｍである。
【０２１８】
【実施例２８】
化合物１３の代わりに化合物１７を用いる以外は実施例２４と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０２１９】
なお化合物１７をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約５００ｎｍである。
【０２２０】
【実施例２９】
化合物１３の代わりに化合物１８を用い、光照射に用いるレーザーをアルゴンレーザーからヘリウム／ネオンレーザーに代え、結果として発信波長を４８８ｎｍから６３３ｎｍに変更される以外は実施例２４と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０２２１】
なお化合物１８をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約６００ｎｍである。
【０２２２】
【実施例３０】
化合物１３の代わりに化合物１９を用いる以外は実施例２４と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０２２３】
なお化合物１９をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約５００ｎｍである。
【０２２４】
【実施例３１】
化合物１３の代わりに化合物２０を用い、光照射に用いるレーザーをアルゴンレーザーからヘリウム／ネオンレーザーに代え、結果として発信波長を４８８ｎｍから６３３ｎｍに変更される以外は実施例２４と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０２２５】
なお化合物２０をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約６００ｎｍである。
【０２２６】
【実施例３２】
化合物１３の代わりに化合物２１を用いる以外は実施例２４と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０２２７】
なお化合物２１をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約５００ｎｍである。
【０２２８】
【実施例３３】
化合物１３の代わりに化合物２２を用いる以外は実施例２４と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０２２９】
なお化合物２２をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約５００ｎｍである。
【０２３０】
【実施例３４】
化合物１３の代わりに化合物２３を用い、光照射に用いるレーザーをアルゴンレーザーからヘリウム／ネオンレーザーに代え、結果として発信波長を４８８ｎｍから６３３ｎｍに変更される以外は実施例２４と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０２３１】
なお化合物２３をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約６００ｎｍである。
【０２３２】
【実施例３５】
化合物１３の代わりに化合物２４を用い、光照射に用いるレーザーをアルゴンレーザーからヘリウム／ネオンレーザーに代え、結果として発信波長を４８８ｎｍから６３３ｎｍに変更される以外は実施例２４と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０２３３】
なお化合物２４をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約６００ｎｍである。
【０２３４】
【実施例３６】
化合物１３の代わりに化合物２５を用いる以外は実施例２４と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０２３５】
なお化合物２５をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約５００ｎｍである。
【０２３６】
【実施例３７】
化合物１３の代わりに化合物２６を用い、光照射に用いるレーザーをアルゴンレーザーからヘリウム／ネオンレーザーに代え、結果として発信波長を４８８ｎｍから６３３ｎｍに変更される以外は実施例２４と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０２３７】
なお化合物２６をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約６００ｎｍである。
【０２３８】
【実施例３８】
化合物１３の代わりに化合物２７を用いる以外は実施例２４と同様の操作で配線基板を形成する。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０２３９】
なお化合物２７をガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際に形成される色素薄膜の吸収極大波長は約５００ｎｍである。
【０２４０】
【実施例３９】
化合物１３の代わりに化合物１を用い、光照射に用いるレーザーをアルゴンレーザーから低圧水銀ランプに代え、３００ｎｍ以上の光をカットするフィルターを介することで結果として発信波長を４８８ｎｍから２５４ｎｍに変更される以外は実施例２４と同様の操作で配線基板を形成する。なお光の出力、および照射面積は同様になるように光学系を調整した。この配線基板も形成された配線の端と端にテスターの検知針を接触させると、電気の導通が確認された。また、配線の形成されていない場所の絶縁性も確認された。
【０２４１】
なお化合物１はアミド結合があるため、２７０ｎｍ近傍から吸収が観測され、そこから２５０ｎｍまでは短波長になるほどその吸収が大きくなる。ガラスやクオーツ等の透明基板に塗布した際の２５４ｎｍの吸光度は０．５３以上であった。吸収率としては７０％以上である。
【０２４２】
【実施例４０】
各実施例で形成された配線の幅を計測したところ、実施例１〜２０、及び２３〜３８で形成された配線の幅は３μｍ以下であった。しかし実施例２２，２３で形成された配線の幅は５μｍであった。光照射の際のスポット径は２μｍであるから、照射時の光の幅は２μｍとなる。実施例２２と２３では光のエネルギーから変換された熱エネルギーの拡散が起こったものと推定される。実施例２２，２３では用いた撥水層形成材料がフッ素系の樹脂材料サイトップＣＴＬ−１０７Ｍ、或いはＩＮＴ３０４−ＶＣである。そこで伝わり方を改善を図る目的で撥水層を薄膜化するため、サイトップＣＴＬ−１０７Ｍ、或いはＩＮＴ３０４−ＶＣの溶液濃度を１／２にして実験したが配線幅は５μｍであった。それ以外の実施例で用いた撥水層形成材料はパーフルオロポリエーテル鎖またはフルオロアルキル鎖とアルコキシシラン残基を有する含フッ素化合物である。以上より光照射の幅に対応した幅の配線が得られる点で撥水層形成材料はパーフルオロポリエーテル鎖またはフルオロアルキル鎖とアルコキシシラン残基を有する含フッ素化合物を用いることが効果的であることが示された。
【０２４３】
【実施例４１】
本発明の技術を用いて表示素子用のＴＦＴの作製を試みた。図３にその作製の工程の模式図を示す。
【０２４４】
（１）光吸収部位を持つ撥水層形成工程
大きさ１００×１００ｍｍ，厚さ１ｍｍのガラス製基板１１に化合物１４の０．１　重量％ＨＦＥ−７２００溶液（ＨＦＥ−７２００は３Ｍ社製）に１０分間浸漬後、１２０℃で１０分間加熱する。こうして光吸収部位を持つ撥水層１２が形成される。
【０２４５】
（２）光照射工程
出力３ｍＷ，発信波長６３３ｎｍのヘリウム／ネオンレーザーを用い、レーザースポット径２μｍ，スキャン速度１０ｍｍ／秒で基板表面のゲート電極形成予定部分に６３３ｎｍの光１３を照射する。
【０２４６】
なお図３では光照射部分は光吸収部位を持つ撥水層がなくなっているように描かれているが、実際には光吸収部位を持つ撥水層が変性したもの（一種の含フッ素化合物からなる層）が残っている。ＴＯＦ−ＳＩＭＳで撥水層が変性した表面を分析するとフッ素原子のシグナルが観測された。このことから光照射を受けた部分は撥水性の低下は認められるものの、含フッ素化合物からなる層としては存在することが確かめられた。
【０２４７】
（３）ゲート電極形成工程
０．５　重量％の銀微粒子分散液（溶媒は水、液の表面張力は６９ｍＮ／ｍ、銀微粒子の一次粒子の平均粒径は約２０ｎｍ）が深さ５ｍｍになるよう入っているバットを用意する。バットは基板が入るだけの大きさがある。光照射後の基板の光照射面を下にしてバットの中に入れた後、すぐに引き上げる。光の非照射部分には銀微粒子分散液が付着しないが、光の照射部分に銀微粒子分散液が付着する。基板の銀微粒子分散液が付着した側を上にして１２０℃で１５分間加熱する。銀微粒子分散液の付着した部分は溶媒の水が揮発し、銀のゲート電極１４が形成される。
【０２４８】
（４）全面光照射工程
２０００Ｗのキセノンランプを用いて基板全面に１０分間光照射する。照射光１５にはフィルターは特に介さない。この光照射により表面の撥水性が失われる。
【０２４９】
なお図３では光照射面の光吸収部位を持つ撥水層がなくなっているように描かれているが、実際には光吸収部位を持つ撥水層が変性したもの（一種の含フッ素化合物からなる層）が残っている。
【０２５０】
（５）絶縁層形成
銀の配線が形成された上にポリ（ビニルフェノール）の１％メチルエチルケトン溶液をスピンコート法（回転数２００ｒｐｍ　，回転時間：６０秒間）で塗布後、１００℃で１０分間乾燥しメチルエチルケトンを揮発させる。ポリ（ビニルフェノール）の化学構造は以下の通りである。
【０２５１】
【化３８】
2004146478.tif 000038
【０２５２】
こうしてポリ（ビニルフェノール）からなる絶縁層１６が形成される。
【０２５３】
（６）光吸収部位を持つ撥水層形成工程
絶縁層を形成した基板を化合物１４の０．１　重量％ＨＦＥ−７２００溶液（ＨＦＥ−７２００は３Ｍ社製）に１０分間浸漬後、１２０℃で１０分間加熱する。こうして絶縁層の上に光吸収部位を持つ撥水層１７が形成される。
【０２５４】
（７）光照射工程
出力３ｍＷ，発信波長６３３ｎｍのヘリウム／ネオンレーザーを用い、レーザースポット径２μｍ，スキャン速度１０ｍｍ／秒で基板表面のソース電極とドレイン電極の形成予定部分に６３３ｎｍの光１８を照射する。
【０２５５】
なお図３では光照射部分は光吸収部位を持つ撥水層がなくなっているように描かれているが、実際には光吸収部位を持つ撥水層が変性したもの（一種の含フッ素化合物からなる層）が残っている。
【０２５６】
（８）金属電極形成工程
（２）で用いたものと同じ０．５　重量％の銀微粒子分散液が深さ５ｍｍになるよう入っているバットを用意する。光照射後の基板の光照射面を下にしてバットの中に入れた後、すぐに引き上げる。光の非照射部分には銀微粒子分散液が付着しないが、光の照射部分に銀微粒子分散液が付着する。基板の銀微粒子分散液が付着した側を上にして１２０℃で１５分間加熱する。銀微粒子分散液の付着した部分は溶媒の水が揮発し、ソース電極とドレイン電極１９が形成される。
【０２５７】
（９）光吸収部位を持つ撥水層形成工程
電極を形成した基板を化合物１４の０．１　重量％ＨＦＥ−７２００溶液（ＨＦＥ−７２００は３Ｍ社製）に１０分間浸漬後、１２０℃で１０分間加熱する。こうして基板の電極を形成した面の全面に光吸収部位を持つ撥水層２０が形成される。
【０２５８】
（１０）光照射工程
出力３ｍＷ，発信波長６３３ｎｍのヘリウム／ネオンレーザーを用い、レーザースポット径２μｍ，スキャン速度１０ｍｍ／秒で基板表面の半導体部位形成予定部分に６３３ｎｍの光２１を照射する。
【０２５９】
なお図３では光照射部分は光吸収部位を持つ撥水層がなくなっているように描かれているが、実際には光吸収部位を持つ撥水層が変性したもの（一種の含フッ素化合物からなる層）が残っている。
【０２６０】
（１１）半導体部位形成
ポリ−（９，９−ジオクチルフルオレン−ビスチオフェン）の１％キシレン溶液が深さ５ｍｍになるよう入っているバットを用意する。ポリ−（９，９−ジオクチルフルオレン−ビスチオフェン）の化学構造を下記に示す。
【０２６１】
【化３９】
2004146478.tif 000039
【０２６２】
光照射後の基板の光照射面を下にしてバットの中に入れた後、すぐに引き上げる。光の非照射部分にはポリ−（９，９−ジオクチルフルオレン−ビスチオフェン）の１％キシレン溶液が付着しないが、光の照射部分にポリ−（９，９−ジオクチルフルオレン−ビスチオフェン）の１％キシレン溶液が付着する。基板のポリ−（９，９−ジオクチルフルオレン−ビスチオフェン）の１％キシレン溶液が付着した側を上にして１２０℃で１０分間加熱する。ポリ−（９，９−ジオクチルフルオレン−ビスチオフェン）の１％キシレン溶液の付着した部分は溶媒のキシレンが揮発し、ポリ−（９，９−ジオクチルフルオレン−ビスチオフェン）からなる半導体部位２２が形成される。
【０２６３】
（１２）光照射工程
出力３ｍＷ，発信波長６３３ｎｍのヘリウム／ネオンレーザーを用い、レーザースポット径２μｍ，スキャン速度１０ｍｍ／秒で基板表面の半導体部位形成部分以外に６３３ｎｍの光２３を照射する。
【０２６４】
なお図３では光照射部分は光吸収部位を持つ撥水層がなくなっているように描かれているが、実際には光吸収部位を持つ撥水層が変性したもの（一種の含フッ素化合物からなる層）が残っている。
【０２６５】
（１３）絶縁層形成
半導体部位が形成された表面上にポリ（ビニルフェノール）の１％メチルエチルケトン溶液をスピンコート法（回転数２００ｒｐｍ　，回転時間：６０秒間）で塗布後、１００℃で１０分間乾燥しメチルエチルケトンを揮発させる。こうしてポリ（ビニルフェノール）からなる保護層２４が形成される。
【０２６６】
以上の工程でＴＦＴを作製できた。作製したＴＦＴに配線を施しディスプレイ作成後、画像の出力試験を行ったところ、画像出力が可能であった。よって本発明によって、真空工程を経ずにＴＦＴの作製が可能であることが確かめられた。
【０２６７】
【実施例４２】
化合物１４の代わりに化合物１３を用い、光照射に用いるレーザーをヘリウム／ネオンレーザーからアルゴンレーザーに代え、結果として発信波長を６３３ｎｍから４８８ｎｍに変更される以外は実施例４１と同様の操作でＴＦＴを作製する。作製したＴＦＴに配線を施しディスプレイ作成後、画像の出力試験を行ったところ、画像出力が可能であった。よって本発明によって、真空工程を経ずにＴＦＴの作製が可能であることが再度確かめられた。
【０２６８】
【実施例４３】
本発明の技術を用いて有機のＥＬ基板の作製を試みた。図４にその作製の工程を模式的に表したものを示す。
【０２６９】
（１）光吸収部位を持つ撥水層形成工程
大きさ１００×１００ｍｍ，厚さ１ｍｍで表面にＩＴＯ製の透明電極２５が形成されているガラス製基板２６を化合物１４の０．１　重量％ＨＦＥ−７２００溶液（ＨＦＥ−７２００は３Ｍ社製）に１０分間浸漬後、１２０℃で１０分間加熱する。こうして光吸収部位を持つ撥水層２７が形成される。
【０２７０】
（２）光照射工程
出力３ｍＷ，発信波長６３３ｎｍのヘリウム／ネオンレーザーを用い、レーザースポット径２μｍ，スキャン速度１０ｍｍ／秒で基板表面の絶縁層形成予定部分に６３３ｎｍの波長の光２８を照射する。
【０２７１】
なお図４では光照射部分は光吸収部位を持つ撥水層がなくなっているように描かれているが、実際には光吸収部位を持つ撥水層が変性したもの（一種の含フッ素化合物からなる層）が残っている。
【０２７２】
（３）絶縁層形成
ポリ（ビニルフェノール）の１％メチルエチルケトン溶液が深さ５ｍｍになるよう入っているバットを用意する。バットは基板が入るだけの大きさがある。光照射後の基板の光照射面を下にしてバットの中に入れた後、すぐに引き上げる。光の非照射部分にはポリ（ビニルフェノール）の１％メチルエチルケトン溶液が付着しないが、光の照射部分にはポリ（ビニルフェノール）の１％メチルエチルケトン溶液が付着する。基板の溶液が付着した側を上にして１００℃で１０分間加熱する。こうしてポリ（ビニルフェノール）からなる絶縁層２９が形成される。
【０２７３】
（４）光吸収部位を持つ撥水層形成工程
絶縁層を形成した基板を化合物１４の０．１　重量％ＨＦＥ−７２００溶液（ＨＦＥ−７２００は３Ｍ社製）に１０分間浸漬後、１２０℃で１０分間加熱する。こうして絶縁層の上に光吸収部位を持つ撥水層３０が形成される。
【０２７４】
（５）光照射工程
出力３ｍＷ，発信波長６３３ｎｍのヘリウム／ネオンレーザーを用い、レーザースポット径２μｍ，スキャン速度１０ｍｍ／秒で基板表面の透明電極形成部分に６３３ｎｍの波長の光３１を照射する。
【０２７５】
なお図４では光照射部分は光吸収部位を持つ撥水層がなくなっているように描かれているが、実際には光吸収部位を持つ撥水層が変性したもの（一種の含フッ素化合物からなる層）が残っている。
【０２７６】
（６）正孔輸送層形成工程
０．１　重量％の銅フタロシアニンのクロロホルム分散液（銅フタロシアニンの一次粒子の大きさは平均約５０ｎｍ）が深さ５ｍｍになるよう入っているバットを用意する。バットは基板が入るだけの大きさがある。光照射後の基板の光照射面を下にしてバットの中に入れた後、すぐに引き上げる。光の非照射部分には銅フタロシアニンのクロロホルム分散液が付着しないが、光の照射部分には銅フタロシアニンのクロロホルム分散液が付着する。基板の分散液が付着した側を上にして７０℃で１５分間加熱する。銅フタロシアニンのクロロホルム分散液の付着した部分は分散媒のクロロホルムが揮発し、正孔輸送層３２が形成される。
【０２７７】
（７）発光層形成工程
０．１　重量％のパラフルオレンのシクロヘキサノン溶液が深さ５ｍｍになるよう入っているバットを用意する。バットは基板が入るだけの大きさがある。正孔輸送層形成後の基板の正孔輸送層形成面を下にしてバットの中に入れた後、すぐに引き上げる。正孔輸送層の非形成部分にはパラフルオレンのシクロヘキサノン溶液が付着しないが、正孔輸送層の形成部分にはパラフルオレンのシクロヘキサノン溶液が付着する。基板を溶液の付着した側を上にして１２０℃で１５分間加熱する。パラフルオレンのシクロヘキサノン溶液の付着した部分は溶媒のシクロヘキサノンが揮発し、発光層３３が形成される。
【０２７８】
（８）光照射工程
出力３ｍＷ，発信波長６３３ｎｍのヘリウム／ネオンレーザーを用い、レーザースポット径２μｍ，スキャン速度１０ｍｍ／秒で絶縁層部分に６３３ｎｍの波長の光３４を照射する。これにより絶縁層の上の撥水性が低下する。
【０２７９】
なお図４では光照射部分は光吸収部位を持つ撥水層がなくなっているように描かれているが、実際には光吸収部位を持つ撥水層が変性したもの（一種の含フッ素化合物からなる層）が残っている。
【０２８０】
（９）金属電極形成工程
０．５　重量％の銀微粒子分散液（溶媒は水とエタノールの混合溶媒、液の表面張力は３０ｍＮ／ｍ、銀微粒子の一次粒子の平均粒径は約２０ｎｍ）をスピンコート法（回転数２００ｒｐｍ　，回転時間：６０秒間）で塗布後、１２０℃で１０分間乾燥し溶媒を揮発させる。こうして銀製の金属電極３５が形成される。
【０２８１】
（１０）封止層形成
金属電極が形成された上にポリ（ビニルフェノール）の１％メチルエチルケトン溶液をスピンコート法（回転数２００ｒｐｍ　，回転時間：６０秒間）で塗布後、１００℃で１０分間乾燥しメチルエチルケトンを揮発させる。こうして封止層３６が形成される。
【０２８２】
以上の工程で有機のＥＬ基板を作製できた。作製した有機のＥＬ基板に配線を施し発光デバイス作成後、発光するか否か試験を行ったところ、発光することが確認された。よって本発明の方法によって有機のＥＬ基板の作製が可能であることが確かめられた。
【０２８３】
【実施例４４】
化合物１４の代わりに化合物１３を用い、光照射に用いるレーザーをヘリウム／ネオンレーザーからアルゴンレーザーに代え、結果として発信波長を６３３ｎｍから４８８ｎｍに変更される以外は実施例４３と同様の操作で有機のＥＬ基板を作製する。作製した有機のＥＬ基板に配線を施し発光デバイス作成後、発光するか否か試験を行ったところ、発光することが確認された。よって本発明の方法によって有機のＥＬ基板の作製が可能であることが再度確かめられた。
【０２８４】
【実施例４５】
本発明の技術を用いてディスプレイ用カラーフィルターパネルの作製を試みた。図５にその作製の工程を示す。
【０２８５】
（１）光吸収部位を持つ撥水層形成工程
大きさ２５０×１９０ｍｍ、厚さ１ｍｍのガラス製基板３７を化合物１４の０．１　重量％ＨＦＥ−７２００溶液（ＨＦＥ−７２００は３Ｍ社製）に１０分間浸漬後、１２０℃で１０分間加熱する。こうして光吸収部位を持つ撥水層３８が形成される。
【０２８６】
（２）光照射工程
出力３ｍＷ，発信波長６３３ｎｍのヘリウム／ネオンレーザーを用い、レーザースポット径２μｍ，スキャン速度１０ｍｍ／秒で基板表面のブラックマトリクス形成予定部分に６３３ｎｍの波長の光３９を照射する。
【０２８７】
なお図５では光照射部分は光吸収部位を持つ撥水層がなくなっているように描かれているが、実際には光吸収部位を持つ撥水層が変性したもの（一種の含フッ素化合物からなる層）が残っている。
【０２８８】
（３）ブラックマトリクス形成
カーボンブラック（一次粒子の平均粒径は約５０ｎｍ）（１０重量部），花王製の粒子分散剤ゲラニオールＬ−９５（１重量部）をシクロヘキサノン（１０００重量部）に加え、遊星ボールミルで攪拌してカーボンブラックを分散させた後、ポリ（ビニルフェノール）（５０重量部）とエポキシ樹脂ＥＰ１００１（５０重量部），ベンゾイミダゾール（１重量部）を加え、攪拌する。こうしてブラックマトリクス形成部材を溶解，懸濁させた液を調製する。この液を今後ブラックマトリクス形成液と記述する。
【０２８９】
ブラックマトリクス形成液が深さ５ｍｍになるよう入っているバットを用意する。バットは基板が入るだけの大きさがある。光照射後の基板の光照射面を下にしてバットの中に入れた後、すぐに引き上げる。光の非照射部分にはブラックマトリクス形成液が付着しないが、光の照射部分にはブラックマトリクス形成液が付着する。基板の液が付着した側を上にして１２０℃で１０分間加熱する。こうしてブラックマトリクス４０が形成される。
【０２９０】
（４）光吸収部位を持つ撥水層形成工程
ブラックマトリクスを形成した基板を化合物１４の０．１　重量％ＨＦＥ−７２００溶液（ＨＦＥ−７２００は３Ｍ社製）に１０分間浸漬後、１２０℃で１０分間加熱する。こうしてブラックマトリクスの上に光吸収部位を持つ撥水層４１が形成される。
【０２９１】
（５）光照射工程
出力３ｍＷ，発信波長６３３ｎｍのヘリウム／ネオンレーザーを用い、レーザースポット径２μｍ，スキャン速度１０ｍｍ／秒で基板表面のカラーフィルターのＲを形成する部分に６３３ｎｍの波長の光４２を照射する。
【０２９２】
なお図５では光照射部分は光吸収部位を持つ撥水層がなくなっているように描かれているが、実際には光吸収部位を持つ撥水層が変性したもの（一種の含フッ素化合物からなる層）が残っている。
【０２９３】
（６）カラーフィルターのＲ部分形成工程
Ｒ用の赤色色素Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１７７（１０重量部），花王製の粒子分散剤ゲラニオールＬ−９５（１重量部）をエタノール（１００重量部）に加え、遊星ボールミルで攪拌してＣ．Ｉ．ピグメントレッド１７７を分散させた後、６重量％のシリカゾル溶液（平均分子量２０００〜４０００。溶媒はエタノールが７０％、それ以外は水が主成分。液性はリン酸でｐＨ３前後に制御）（２０重量部）を加える。これを今後カラーフィルターのＲ部分形成液と記述する。
【０２９４】
カラーフィルターのＲ部分形成液が深さ５ｍｍになるよう入っているバットを用意する。バットは基板が入るだけの大きさがある。光照射後の基板の光照射面を下にしてバットの中に入れた後、すぐに引き上げる。光の非照射部分にはカラーフィルターのＲ部分形成液が付着しないが、光の照射部分にはカラーフィルターのＲ部分形成液が付着する。基板の液が付着した側を上にして１２０℃で１０分間加熱する。こうしてカラーフィルターのＲ部分４３が形成される。
【０２９５】
（７）光吸収部位を持つ撥水層形成工程
カラーフィルターのＲ部分を形成した基板を化合物１４の０．１　重量％ＨＦＥ−７２００溶液（ＨＦＥ−７２００は３Ｍ社製）に１０分間浸漬後、１２０℃で１０分間加熱する。こうしてカラーフィルターのＲ部分の上に光吸収部位を持つ撥水層４４が形成される。
【０２９６】
（８）光照射工程
出力３ｍＷ，発信波長６３３ｎｍのヘリウム／ネオンレーザーを用い、レーザースポット径２μｍ，スキャン速度１０ｍｍ／秒で基板表面のカラーフィルターのＧを形成する部分に６３３ｎｍの波長の光４５を照射する。
【０２９７】
なお図５では光照射部分は光吸収部位を持つ撥水層がなくなっているように描かれているが、実際には光吸収部位を持つ撥水層が変性したもの（一種の含フッ素化合物からなる層）が残っている。
【０２９８】
（９）カラーフィルターのＧ部分形成工程
Ｇ用の緑色色素Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン７（１０重量部）、花王製の粒子分散剤ゲラニオールＬ−９５（１重量部）をエタノール（１００重量部）に加え、遊星ボールミルで攪拌してＣ．Ｉ．ピグメントグリーン７を分散させた後、６重量％のシリカゾル溶液（平均分子量２０００〜４０００。溶媒はエタノールが７０％、それ以外は水が主成分。液性はリン酸でｐＨ３前後に制御）（２０重量部）を加える。これを今後カラーフィルターのＧ部分形成液と記述する。
【０２９９】
カラーフィルターのＧ部分形成液が深さ５ｍｍになるよう入っているバットを用意する。バットは基板が入るだけの大きさがある。光照射後の基板の光照射面を下にしてバットの中に入れた後、すぐに引き上げる。光の非照射部分にはカラーフィルターのＧ部分形成液が付着しないが、光の照射部分にはカラーフィルターのＧ部分形成液が付着する。基板の液が付着した側を上にして１２０℃で１０分間加熱する。こうしてカラーフィルターのＧ部分４６が形成される。
【０３００】
（１０）光吸収部位を持つ撥水層形成工程
カラーフィルターのＧ部分を形成した基板を化合物１４の０．１　重量％ＨＦＥ−７２００溶液（ＨＦＥ−７２００は３Ｍ社製）に１０分間浸漬後、１２０℃で１０分間加熱する。こうしてカラーフィルターのＧ部分の上に光吸収部位を持つ撥水層４７が形成される。
【０３０１】
（１１）光照射工程
出力３ｍＷ，発信波長６３３ｎｍのヘリウム／ネオンレーザーを用い、レーザースポット径２μｍ，スキャン速度１０ｍｍ／秒で基板表面のカラーフィルターのＢを形成する部分に６３３ｎｍの波長の光４８を照射する。
【０３０２】
なお図５では光照射部分は光吸収部位を持つ撥水層がなくなっているように描かれているが、実際には光吸収部位を持つ撥水層が変性したもの（一種の含フッ素化合物からなる層）が残っている。
【０３０３】
（１２）カラーフィルターのＢ部分形成工程
Ｂ用の青色色素Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５（１０重量部）、花王製の粒子分散剤ゲラニオールＬ−９５（１重量部）をエタノール（１００重量部）に加え、遊星ボールミルで攪拌してＣ．Ｉ．ピグメントブルー１５を分散させた後、６重量％のシリカゾル溶液（平均分子量２０００〜４０００。溶媒はエタノールが７０％、それ以外は水が主成分。液性はリン酸でｐＨ３前後に制御）（２０重量部）を加える。これを今後カラーフィルターのＢ部分形成液と記述する。
【０３０４】
カラーフィルターのＢ部分形成液が深さ５ｍｍになるよう入っているバットを用意する。バットは基板が入るだけの大きさがある。光照射後の基板の光照射面を下にしてバットの中に入れた後、すぐに引き上げる。光の非照射部分にはカラーフィルターのＢ部分形成液が付着しないが、光の照射部分にはカラーフィルターのＢ部分形成液が付着する。基板の液が付着した側を上にして１２０℃で１０分間加熱する。こうしてカラーフィルターのＢ部分４９が形成される。
【０３０５】
（１３）光照射工程
出力３ｍＷ，発信波長６３３ｎｍのヘリウム／ネオンレーザーを用い、レーザースポット径２μｍ，スキャン速度１０ｍｍ／秒で基板表面のカラーフィルターのＢが形成された部分以外に６３３ｎｍの波長の光５０を照射する。
【０３０６】
なお図５では光照射部分は光吸収部位を持つ撥水層がなくなっているように描かれているが、実際には光吸収部位を持つ撥水層が変性したもの（一種の含フッ素化合物からなる層）が残っている。
【０３０７】
（１４）保護層形成工程
６重量％のシリカゾル溶液（平均分子量２０００〜４０００。溶媒はエタノールが７０％、それ以外は水が主成分。液性はリン酸でｐＨ３前後に制御）をスピンコート法（回転数２００ｒｐｍ　，回転時間：６０秒間）で塗布後、１２０℃で１０分間加熱する。こうしてブラックマトリクス，カラーフィルターのＲ，Ｇ，Ｂ上にＳｉＯ２の保護層５１が形成される。
【０３０８】
以上の工程でカラーフィルターパネルを作製できた。作製したカラーフィルターパネルをディスプレイに組み込み画像出力試験を行ったところ、クリアな画像を形成することが確認された。よって本発明の方法によってカラーフィルターパネルの作製が可能であることが確かめられた。
【０３０９】
【実施例４６】
化合物１４の代わりに化合物１３を用い、光照射に用いるレーザーをヘリウム／ネオンレーザーからアルゴンレーザーに代え、結果として発信波長を６３３ｎｍから４８８ｎｍに変更される以外は実施例４５と同様の操作でカラーフィルターパネルを作製する。作製したカラーフィルターパネルをディスプレイに組み込み画像出力試験を行ったところ、クリアな画像を形成することが確認された。よって本発明の方法によってカラーフィルターパネルの作製が可能であることが再度確かめられた。
【０３１０】
【発明の効果】
本発明により２５０ｎｍ以上の長波長の光照射により撥水・親水のパターンを形成し、親水部分に金属配線を行うことで作製される配線基板を提供すること可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理（光吸収層と撥水層を有する基板の場合）。
【図２】本発明の原理（光吸収部位を持つ撥水層を有する基板の場合）。
【図３】本発明の技術を用いた表示素子用のＴＦＴの作製工程の模式図。
【図４】本発明の技術を用いた有機のＥＬ素子の作製工程の模式図。
【図５】本発明の技術を用いたディスプレイ用カラーフィルターパネルの作製工程の模式図。
【符号の説明】
１，１１…基板、２…光吸収層、３…撥水層、４…照射光、５，９…金属部材が溶解または分散した液、６…金属の配線、７，１２，１７，２０，２７，３０，３８，４１，４４，４７…光吸収部位を持つ撥水層、８，１５…照射光、１０…金属の配線、１３，１８，２１，２３，２８，３１，３４，３９，４２，４５，４８，５０…６３３ｎｍの波長の光、１４…ゲート電極、１６，２９…絶縁層、１９…ソース電極或いはドレイン電極、２２…半導体部位、２４…保護層、２５…ＩＴＯ製の透明電極、２６，３７…ガラス製基板、３２…正孔輸送層、３３…発光層、３５…金属電極、３６…封止層、４０…ブラックマトリクス、４３…カラーフィルターのＲ部分、４６…カラーフィルターのＧ部分、４９…カラーフィルターのＢ部分、５１…保護層。
【図１】
2004146478.tif 000042
【図２】
2004146478.tif 000043
【図３】
2004146478.tif 000044
【図４】
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【図５】
2004146478.tif 000046