(57)【要約】【課題】常圧プラズマエッチング装置において、エッチング条件のデータ採取の時間と労力を削減する。【解決手段】常圧プラズマエッチング装置Ｍの吹出し孔からのプラズマ化処理ガスの吹出し流量と、吹出し孔を囲む吸込み孔からの吸込み流量との比のみを変えた複数の実験データを行なう。この実験結果から上記流量比とエッチングプロファイルとの対応関係を近似化しておく。この対応関係に基づいて所望のプロファイルのエッチングを行う。【選択図】  図１
2004183063.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略常圧の環境下で処理ガスをプラズマ化して吹出し孔から被処理物へ吹き出すことによりエッチングし、上記吹出し孔を囲むように設けられた吸込み孔から吸い込んで排気する常圧プラズマエッチング方法であって、
上記吹出しと吸込みの流量比のみを変えた複数の実験データから上記流量比とエッチングプロファイルとの対応関係を近似化しておき、この対応関係に基づいて所望のプロファイルのエッチングを行うことを特徴とする常圧プラズマエッチング方法。
【請求項２】
上記吹出し流量を固定にする一方、上記吸込み流量を可変にすることにより、上記流量比を調節することを特徴とする請求項１に記載の常圧プラズマエッチング方法。
【請求項３】
上記吸込み流量が吹出し流量の約１〜５倍になる範囲で上記比を定めることを特徴とする請求項１または２に記載の常圧プラズマエッチング方法。
【請求項４】
略常圧の環境下で処理ガスをプラズマ化して吹出し孔から被処理物へ吹き出すことによりエッチングし、上記吹出し孔を囲むように設けられた吸込み孔から吸い込んで排気する常圧プラズマエッチング方法であって、
上記吹出し孔から被処理物までの距離のみを変えた複数の実験データから上記距離とエッチングプロファイルとの対応関係を近似化しておき、この対応関係に基づいて所望のプロファイルのエッチングを行うことを特徴とする常圧プラズマエッチング方法。
【請求項５】
略常圧の環境下で処理ガスをプラズマ化して吹出し孔から被処理物へ吹き出すことによりエッチングし、上記吹出し孔を囲むように設けられた吸込み孔から吸い込んで排気する常圧プラズマエッチング方法であって、
上記被処理物の温度のみを変えた複数の実験データから上記温度とエッチングプロファイルとの対応関係を近似化しておき、この対応関係に基づいて所望のプロファイルのエッチングを行うことを特徴とする常圧プラズマエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、略常圧下で行うプラズマエッチング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、特許文献１には、略常圧下で処理ガスをプラズマ化して吹出し孔から被処理物へ吹き出すことにより被処理物を局所的にエッチングする技術が示されている。処理済みのガスや副生成物は、吹出し孔を囲む吸込み孔に吸込まれて排気される。
また、一般にプラズマエッチングにおいては、所望のプロファイルごとにそれを得るための処理ガスの成分比、流量、温度などの諸種のエッチング条件を定めたレシピを予め用意しておく。それに基づいて実際のエッチングを実施する。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−５８５０８号公報（段落００６０、図６）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のレシピは、得ようとするプロファイルの１つ１つについて作成しており、しかも、１つのプロファイルに対して、多数のエッチング条件の１つ１つを変えて実験を行い、最適な条件の組み合わせを見つけていた。そのため、レシピの作成に多大な時間と労力を要していた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するための、本発明は、略常圧の環境下で処理ガスをプラズマ化（イオン状態にすることだけでなくラジカル状態にする所謂活性化をも含む）して吹出し孔から被処理物へ吹き出すことによりエッチングし、上記吹出し孔を囲むように設けられた吸込み孔から吸い込んで排気する常圧プラズマエッチング方法に係る。その第１の特徴は、上記吹出しと吸込みの流量比のみを変えた複数の実験データから上記流量比とエッチングプロファイルとの対応関係を近似化しておき、この対応関係に基づいて所望のプロファイルのエッチングを行うことにある。これによって、吹出しと吸込みの流量比だけを変えた複数個のデータを採取しておくだけで、これらデータには含まれていないプロファイルに対してもそれを得るためのエッチング条件を簡単に求めることができる。したがって、プロファイルごとにエッチング条件設定のためのデータ採取を行なう必要がない。これによって、データ採取の時間と労力を大幅に削減することができる。
【０００６】
ここで、上記吹出し流量を固定にする一方、上記吸込み流量を可変にすることにより、上記比を調節することが望ましい。これによって、条件設定を一層簡素化できる。吹出し流量は、エッチングレートや被処理物の成分などを考慮して決めるとよい。
また、上記吸込み流量が吹出し流量の約１〜５倍になる範囲で上記比を定めることが望ましい。これによって、吹き出したガスを滞留させることなく確実に吸込んで排気することができるとともに、エッチングレートを十分に高く維持することができる。
【０００７】
本発明の第２の特徴は、上記吹出し孔から被処理物までの距離のみを変えた複数の実験データから上記距離とエッチングプロファイルとの対応関係を近似化しておき、この対応関係に基づいて所望のプロファイルのエッチングを行うことにある。これによって、第１の特徴と同様の効果を奏することができる。
ここで、上記距離の上限は、上記吸込み孔の幅に対して所定以内であることが望ましい。これによって、吹出し・吸込みのガス流のコントロールを確実に行なうことができる。
【０００８】
本発明の第３の特徴は、上記被処理物の温度のみを変えた複数の実験データから上記温度とエッチングプロファイルとの対応関係を近似化しておき、この対応関係に基づいて所望のプロファイルのエッチングを行うことにある。これによって、第１の特徴と同様の効果を奏することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第１実施形態を、図面を参照して説明する。
図１は、常圧プラズマエッチング装置Ｍを示したものである。常圧プラズマエッチング装置Ｍは、移動機構４Ａによって水平および垂直に移動される基板セットテーブル４と、このテーブル４の上方に対向するようにして架台（図示せず）に取り付けられたノズルヘッド１と、このノズルヘッド１に接続された処理ガス源２および電圧印加装置３を備えている。処理ガス源２からの処理ガスが、ノズルヘッド１に導かれ、電圧印加装置３の印可電界によりプラズマ化された後、吹き出される。これによって、テーブル４上にセットされた基板９０（被処理物）に所定のエッチングが施されるようになっている。
【００１０】
更に詳述する。
図２に示すように、ノズルヘッド１は、軸線を上下に向けたボディ１０と、このボディ１０内に装填された絶縁ホルダ２０とを備えている。ボディ１０は、導電金属製の３つのボディ構成部材１１，１２，１３を上下に連ねた三段筒形状をなしている。下段のボディ構成部材１３の内周に筒状のアース電極４０が装着されている。アース電極４０は、ボディ１０および上記架台を介してアースされている。アース電極４０の内周面には、固体誘電体層４１が被膜されている。
【００１１】
絶縁ホルダ２０は、絶縁樹脂製の３つのホルダ構成部材２１，２２，２３を上下に連ねた筒形状をなしている。下段のホルダ構成部材２３に、有底筒状のホット電極３０が装着されている。ホット電極３０は、アース電極４０内に挿入されている。ホット電極３０の外面には、固体誘電体層３１が被膜されている。ホット電極３０の内部には、導電金属製のパイプ３２の下端部が挿入されている。導電パイプ３２は、中間部で導電リング３３を介してホット電極３０と導通するとともに、上端部が、ホルダ２０の上方へ突出し、上記電圧印加装置３に接続されている。
【００１２】
処理ガス源２からの例えばＣＦ４などを含む処理ガスは、ノズルヘッド１のボディ構成部材１１やホルダ構成部材２２，２３などに形成された処理ガス供給路１ｂを経て、電極３０，４０どうし間のプラズマ化空間１ａに導入されるようになっている。
一方、電圧印加装置３からの電圧が、導電パイプ３２および導電リング３３を経て、ホット電極３０に印加される。これにより、プラズマ化空間１ａに電界が形成され、処理ガスがプラズマ化されるようになっている。
【００１３】
プラズマ化空間１ａの下端部は、ボディ構成部材１３の下端部に設けられたノズル部５０の吹出し孔５２ａに連なっている。ノズル部５０は、導電金属製のアウターノズルピース５１と、その上面の凹部に収容された絶縁樹脂製のインナーノズルピース５２とを有している。インナーノズルピース５２の中央に上記吹出し孔５２ａが形成されている。この吹出し孔５２ａの下端開口（先端開口）から上記プラズマ化された処理ガスが吹き出される。これによって、図３に示すように、基板９０が局所的にエッチングされ、ホール９２ａなどが形成されるようになっている。なお、この実施形態における基板９０は、下地膜９１上に酸化シリコンなどの被エッチング材料９２が被膜されており、この被エッチング材料９２に上記プラズマ化された処理ガスが直接吹き付けられ、ホール９２ａが形成されるようになっている。
【００１４】
図２、図３、図４に示すように、２つのノズルピース５１，５２の間には、吹出し孔５２ａを囲む環状の吸込み孔５０ａが形成されている。インナーノズルピース５２の下面中央には、これら孔５２ａ，５０ａの隔壁として、環状凸部５２ｂが設けられている。環状凸部５２ｂにおける吹出し孔５２ａを画成する内周面は、吹出し孔５２ａの軸線に沿って一様断面のストレート状になる一方、吸込み孔５０ａを画成する外周面は、下方へ向かうにしたがって縮径して吹出し孔５２ａに近づくテーパ状になっている。これらストレートな面とテーパ面とが交差することにより、環状凸部５２ｂの下端（先端）がナイフエッジ状になっている。これによって、ノズル部５０の下端面すなわちノズルヘッド１の先端面において、吸込み孔５０ａの先端開口の内周縁と吹出し孔５２ａの先端開口の外周縁とがくっついている。
【００１５】
上記エッチング後の処理ガスやエッチングで生じた副生成物は、吸込み孔５０ａに吸込まれるようになっている。その後、図２に示すように、ボディ構成部材１３、ホルダ構成部材２３，２２、およびボディ構成部材１１に順次形成された吸込み路１ｃを経て、更に排気管５ａを介して排気ポンプ５（排気手段）に吸込まれ、排出されるようになっている。排気管５ａには、流量制御弁５ｂ（吸込み流量調節手段）が介在されている。
【００１６】
なお、図１に示すように、パイプ３２の上端開口には、冷却水供給部６が接続されている。この供給部からの冷却水が、パイプ３２を通った後、ホット電極３０の内周とパイプ３２の外周との間を通ることにより、ホット電極３０を冷却する。その後、冷却水は、ホルダ構成部材２３およびボディ構成部材１３に形成された連通水路（図示せず）を経て、アース電極４０の外周とボディ１３との間の空間１ｄを回ることにより、アース電極４０を冷却する。その後、冷却水は、ボディ構成部材１３、ホルダ構成部材２３，２２、およびボディ構成部材１１に順次通された排水通路（図示せず）を経て、排出されるようになっている。
【００１７】
さらに、プラズマエッチング装置Ｍには、全体の動作を制御するコントローラ７が備えられている。このコントローラ７に操作パネル７０が接続されている。操作パネル７０には、ダイヤルやキーボードなどからなる吹き出し流量設定手段７１、吹出・吸込み流量比設定手段７２、ワーキングディスタンス設定手段７３、基板温度設定手段７４などの、エッチングの実行に必要な諸種条件の設定手段が設けられている。
【００１８】
吹き出し流量設定手段７１によって、処理ガスの処理ガス源２からノズルヘッド１への供給流量ひいては吹出し孔５２ａからの吹き出し流量を設定することができるようになっている。
【００１９】
吹出・吸込み流量比設定手段７２によって、上記吹出し孔５２ａからの吹き出し流量に対する吸込み孔５０ａへの吸込み流量の比Ｒを設定することができるようになっている。Ｒの設定可能範囲は、１＜Ｒ≦５であることが望ましい。Ｒ≦１では、吹き出したガスのすべてを排気しきることができず、Ｒ＞５では、エッチングレートの確保が難しくなる。
なお、流量比設定手段７２に代えて、吸込み孔５０ａへの吸込み流量を設定する吸込み流量設定手段を設け、この吸込み流量設定手段と上記吹き出し流量設定手段７１とによって流量比Ｒを設定することにしてもよい。
【００２０】
ワーキングディスタンス設定手段７３によって、移動機構４Ａによる基板セットテーブル４の上下高さ、ひいては、ノズルヘッド１と基板９０との間の距離を設定できるようになっている。詳しくは、図３に示すように、ノズルヘッド１の下端面（先端面）から基板９０の上面までの距離Ｄ（以下、「ワーキングディスタンス」という。）を設定できるようになっている。
【００２１】
基板温度設定手段７４によって、基板９０をテーブル４へのセット前に加温するヒータ（基板温度調節手段、図示せず）の出力、ひいては基板９０の温度を設定できるようになっている。
【００２２】
上記のように構成されたプラズマエッチング装置Ｍの使用方法を説明する。
製品としての基板９０を実際にエッチングする本処理工程に先立ち、該工程における諸種のエッチング条件を設定するのに必要なデータを採取するデータ採取工程と、採取結果に基づく対応関係確定工程とを実行しておく。
［データ採取工程］
データ採取工程では、実際の基板９０と同一の試料を用意し、装置Ｍにセットする。吹き出しと排気の流量比Ｒ以外のエッチング条件（処理ガスの成分比、吹き出し流量、ワーキングディスタンス、基板温度など）については、エッチングレートや基板の材料などを考慮して適切な一定の値に固定する。そして、流量比Ｒ（吹き出し流量が固定なので実質的には吸込み流量）のみを１回ごとに変えて複数回エッチングを実行する。これらエッチングにより形成したホールの内周面の基板主面に対する角度θ（図３参照）や、ホールの底面の直径すなわちエッチダイアメータφ（図３参照）などのプロファイルを測定する。図５（ａ）および（ｂ）に例示するように、一般に、流量比Ｒを大きくすると、内周面角度θが大きくなり、エッチダイアメータφが小さくなる。なお、このように、内周面角度θとエッチダイアメータφとは一定の相関関係を有しているので、いずれか一方だけを測定することにしてもよい。
【００２３】
［対応関係確定工程］
次に、上記複数個の測定データに基づいて、吹き出しと排気の流量比Ｒとプロファイル（例えば内周面角度θ）との対応関係を近似的に表したグラフや式を作成する。例えば、次式（１）のような一般式を設定しておく。
θ＝ａ１×Ｒ＋ｂ１  （ここで、ａ１，ｂ１は、定数）  …（式１）
そして、最小二乗法などを用いて上記測定データを一般式（１）にフィッティングさせ、定数ａ１，ｂ１の値を確定する。これによって、図５（ａ）に例示するように、流量比Ｒと角度θとの対応関係を近似化した回帰直線Ｌ１の式を得ることができる。また、横軸を流量比Ｒとし、縦軸を角度θとする回帰直線Ｌ１のグラフを作成することができる。なお、一般式として、直線の式（１）に代えて、指数関数や対数関数などの曲線となる式を用い、これに測定データをフィッティングさせてもよい。角度θに代えて、エッチダイアメータφについての流量比Ｒとの対応関係の近似式やグラフを求めることにしてもよい。
【００２４】
［本処理工程］
以上の準備の後に、本処理工程を実行する。すなわち、処理すべき基板９０を装置Ｍにセットする。また、所望のプロファイル（例えば内周面角度θ）に対応する流量比Ｒの値を、上記対応関係の近似式やグラフから求める。このＲの値を流量比設定手段７２に設定する。その他の、吹き出し流量、ワーキングディスタンス、基板温度などのエッチング条件については、上記データ採取工程で定めた一定値にしておく。そして、基板９０のエッチングを実行する。
【００２５】
これによって、コントローラ７が、流量比設定手段７２の設定値を読み取る。そして、この設定値と、吹き出し流量設定手段７１による設定吹き出し流量とに基づいて、流量制御弁５ｂの開度（排気ポンプ５の出力でもよい）を調節し、ひいては吸込み孔５０ａへの吸込み流量を調節する。これにより、吹き出し流量に対する吸込み流量が、上記流量比設定手段７２による設定値になる。この結果、基板９０に所望のプロファイルを有するホール９２ａを形成することができる。
【００２６】
本発明のエッチング方法によれば、複数個のデータを採取しておくだけで、これらデータには含まれていないプロファイルに対してもそれを得るためのエッチング条件を簡単に求めることができる。したがって、プロファイルごとにエッチング条件設定のためのデータ採取を行なう必要がない。これによって、データ採取の時間と労力を大幅に削減することができる。
【００２７】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
第２実施形態においては、第１実施形態での吹出しと吸込みの流量比Ｒに代えて、ワーキングディスタンスＤをパラメータとして、プロファイルを制御するものである。なお、装置Ｍ自体については、第１実施形態と同様に構成することができる。
【００２８】
詳述すると、第２実施形態のデータ採取工程では、ワーキングディスタンスＤ以外のエッチング条件（処理ガスの成分比、吹き出し流量、吸込み流量、ひいては吹き出しと吸込みの流量比、基板温度など）については、エッチングレートや基板の材料などを考慮して適切な一定の値に固定する。そして、ワーキングディスタンスＤのみを１回ごとに変えて複数回エッチングを実行し、ホールの内周面角度θやエッチダイアメータφなどのプロファイルを測定する。図６（ａ）および（ｂ）に例示するように、一般に、ワーキングディスタンスＤを大きくすると、内周角度θが小さくなり、エッチダイアメータφが大きくなる。このように、内周面角度θとエッチダイアメータφとは一定の相関関係を有しているので、いずれか一方だけを測定することにしてもよい。なお、ワーキングディスタンスＤの上限は、吸込み孔５０ａの幅（外直径−内直径）に対して所定以内とする。ワーキングディスタンスＤが、吸込み孔５０ａの幅を大きく超える場合には、ノズルヘッド１と基板９０間の空間でのガス流のコンダクタンスが吸込み孔５０ａでのそれと比較して大きくなるため、ガス流のコントロールが困難になる。
【００２９】
次に、第２実施形態の対応関係確定工程では、上記複数個の測定データに基づいて、ワーキングディスタンスＤとプロファイルのうち例えば内周面角度θとの対応関係を近似的に表したグラフや式を作成する。例えば、次式（２）のような一般式を設定しておく。
θ＝ａ２×Ｄ＋ｂ２  （ここで、ａ２，ｂ２は、定数）  …（式２）
そして、最小二乗法などを用いて上記測定データを一般式（２）にフィッティングさせ、定数ａ２，ｂ２の値を確定する。これによって、図６（ａ）に例示するように、ワーキングディスタンスＤと角度θとの対応関係を近似化した回帰直線Ｌ２の式を得ることができる。また、横軸をワーキングディスタンスＤとし、縦軸を角度θとする回帰直線Ｌ２のグラフを作成することができる。勿論、一般式として、直線の式（２）に代えて、指数関数や対数関数などの曲線となる式を用い、これに測定データをフィッティングさせてもよい。角度θに代えて、エッチダイアメータφについてのワーキングディスタンスＤとの対応関係の近似式やグラフを求めることにしてもよい。
【００３０】
そして、第２実施形態の本処理工程では、所望のプロファイル（例えば内周面角度θ）に対応するワーキングディスタンスＤの値を、上記対応関係の近似式やグラフから求める。この値をワーキングディスタンス設定手段７３に設定する。その他の、吹き出し流量、吸込み流量、ひいては吹き出しと吸込みの流量比、基板温度などのエッチング条件については、上記データ採取工程で定めた一定値にしておく。そして、基板９０のエッチングを実行する。
【００３１】
これによって、コントローラ７が、ワーキングディスタンス設定手段７３の設定値を読み取り、移動機構４Ａによってテーブル４を上下動させることにより、ワーキングディスタンスが上記設定値になるようにする。この結果、基板９０に所望のプロファイルを有するホール９２ａを形成することができる。なお、テーブル４を固定する一方、ノズルヘッド１を上下動させて、ワーキングディスタンスを調節することにしてもよい。
【００３２】
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
第３実施形態においては、既述実施形態の流量比ＲまたはワーキングディスタンスＤに代えて、基板温度Ｔをパラメータとして、プロファイルを制御するものである。なお、装置Ｍ自体については、既述実施形態と同様に構成することができる。
【００３３】
詳述すると、第３実施形態のデータ採取工程では、基板温度Ｔ以外のエッチング条件（処理ガスの成分比、吹き出し流量、吸込み流量、ひいては吹き出しと吸込みの流量比、ワーキングディスタンスなど）については、エッチングレートや基板の材料などを考慮して適切な一定の値に固定する。そして、基板温度Ｔのみを１回ごとに変えて複数回エッチングを実行し、ホールの内周面角度θなどのプロファイルを測定する。一般に、基板温度Ｔを高くすると、角度θが小さくなり、基板温度Ｔを低くすると、角度θが大きくなる。なお、図７は、この傾向を示す実測データであるが、同図の縦軸には、ホールの内周面角度θではなく、内周面の水平投影幅ｘ（＝ｙｃｏｔθ、ｙは、ホールの深さ。）を取ってある。水平投影幅ｘは、基板温度Ｔを高くすると、大きくなり、基板温度Ｔを低くすると、小さくなる。
【００３４】
次に、第３実施形態の対応関係確定工程では、上記複数個の測定データに基づいて、基板温度Ｔとプロファイルのうち例えば内周面角度θとの対応関係を近似的に表したグラフや式を作成する。例えば、次式（３）のような一般式を設定しておく。
θ＝ａ３×Ｔ＋ｂ３  （ここで、ａ３，ｂ３は、定数）  …（式３）
そして、最小二乗法などを用いて上記測定データを一般式（３）にフィッティングさせ、定数ａ３，ｂ３の値を確定する。これによって、基板温度Ｔと角度θとの対応関係式を近似化した回帰直線の式を得ることができる。また、横軸を基板温度Ｔとし、縦軸を角度θとする測定データの回帰直線グラフを作成することができる。
【００３５】
勿論、ホール内周面の角度θに代えて水平投影幅ｘを用いた一般式（３’）を設定しておいてもよい。
ｘ＝ａ３’×Ｔ＋ｂ３’  （ここで、ａ３’，ｂ３’は、定数）  …（式３’）
そして、水平投影幅ｘを測定することにより、図７に示すように、基板温度Ｔと水平投影幅ｘとの回帰直線Ｌ３の式を求めたり、横軸を基板温度Ｔとし縦軸を水平投影幅ｘとする回帰直線Ｌ３のグラフを作成したりすることにしてもよい。（このように、角度θに代えて水平投影幅ｘを用いてもよいという点については、上記第１、第２実施形態においても同様である。）
また、一般式として、直線の式（３）または（３’）に代えて、指数関数や対数関数などの曲線となる式を用いてもよい。
【００３６】
そして、第３実施形態の本処理工程では、所望のプロファイル（例えば内周面角度θ）に対応する基板温度Ｔの値を、上記対応関係の近似式やグラフから求める。この値を基板温度設定手段７４に設定する。その他の、吹き出し流量、吸込み流量、ひいては吹き出しと吸込みの流量比、ワーキングディスタンスなどのエッチング条件については、上記データ採取工程で定めた一定値にしておく。そして、基板９０のエッチングを実行する。
【００３７】
これによって、コントローラ７が、基板温度設定手段７４の設定値を読み取り、上記図示しないヒータを操作することにより、基板温度が上記設定値になるようにする。この結果、基板９０に所望のプロファイルを有するホール９２ａを形成することができる。
【００３８】
【実施例】
［実施例１］
上記第１実施形態のデータ採取工程に対応する実施例１を説明する。
処理ガスとして、９ｓｃｃｍのＣＦ４、２１ｓｃｃｍのＯ２、０．３５６ｓｃｃｍのＨ２Ｏからなる混合ガスを用いた。したがって、吹き出し流量は、約３０ｓｃｃｍであった。印加電圧は、１０ｋＶとし、その周波数は、２０ｋＨｚとした。電極温度は、５０℃とした。被処理物の基板は、無機系ｌｏｗ−ｋ（低誘電率）膜を用い、基板温度は、室温と同じ２５℃とした。ワーキングディスタンスは、０．５ｍｍとした。処理時間は、１つのホール当たり２０ｓｅｃとした。そして、吹き出し流量に対する吸込み流量の比ＲについてＲ＝２．００、２．６７、３．３３、４．００の４つの大きさごとにエッチングを行ない、各ホールの角度θとエッチダイアメータφを測定した。測定結果を、図５（ａ）および（ｂ）に示す。
【００３９】
［実施例２］
次に、上記第２実施形態のデータ採取工程に対応する実施例２を説明する。
処理ガスとして、９ｓｃｃｍのＣＦ４、２１ｓｃｃｍのＯ２、０．３５６ｓｃｃｍのＨ２Ｏからなる混合ガスを用いた。したがって、吹き出し流量は、約３０ｓｃｃｍであった。この吹き出し流量に対する吸込み流量の比は、２．６７とした。印加電圧は、１０ｋＶとし、その周波数は、２０ｋＨｚとした。電極温度は、５０℃とした。被処理物の基板は、無機系ｌｏｗ−ｋ膜を用い、基板温度は、室温と同じ２５℃とした。処理時間は、１つのホール当たり２０ｓｅｃとした。そして、ワーキングディスタンスＤについてＤ＝０．８、１．０、１．２５、１．５、１．７５ｍｍの５つの大きさごとにエッチングを行ない、各ホールの角度θとエッチダイアメータφを測定した。測定結果を、図６（ａ）および（ｂ）に示す。
【００４０】
［実施例３］
次に、上記第３実施形態のデータ採取工程および対応関係確定工程に対応する実施例３を説明する。
処理ガスとして、Ｏ２を用いた。吹き出し流量は、１００ｓｃｃｍであった。この吹き出し流量に対する吸込み流量の比は、２．０とした。印加電圧は、１０ｋＶとし、その周波数は、２０ｋＨｚとした。電極温度は、５０℃とした。被処理物の基板は、有機系ｌｏｗ−ｋ膜を用いた。この膜の厚さ（すなわちホールの深さｙ）は、ｙ＝５０００Åとした。ワーキングディスタンスは、０．５ｍｍとした。処理時間は、１つのホール当たり２０ｓｅｃとした。そして、基板温度ＴについてＴ＝２５０、３００、３５０℃の３つの大きさごとにエッチングを行ない、各ホールの内周面の水平投影幅ｘを測定した。測定結果を、図７に示す。
【００４１】
本発明は、上記実施形態および実施例に限定されるものではなく、種々の改変を行なうことができる。
例えば、装置Ｍのコントローラ７に、回帰直線Ｌ１〜Ｌ３などの対応関係式を格納しておき、操作パネル７０で、角度θなどの所望のプロファイルを入力すれば、コントローラ７が、この入力データと対応関係式とに基づいて、流量比Ｒ（第１実施形態）やワーキングディスタンス（第２実施形態）や基板温度（第３実施形態）を自動設定するように構成してもよい。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、吹出しと吸込みの流量比、ワーキングディスタンス、基板温度のうち何れか１つだけを変えた複数個のデータを採取しておくだけで、これらデータには含まれていないプロファイルに対してもそれを得るためのエッチング条件を簡単に求めることができる。したがって、プロファイルごとにエッチング条件設定のためのデータ採取を行なう必要がない。これによって、データ採取の時間と労力を大幅に削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る常圧プラズマエッチング装置の概略構成図である。
【図２】上記常圧プラズマエッチング装置のノズルヘッドの縦断面図である。
【図３】上記ノズルヘッドの下端（先端）のノズル部と基板のエッチング部分とを拡大して示す断面図である。
【図４】上記ノズル部の底面図である。
【図５】（ａ）実施例１による実験結果を示す流量比に対するホール内周面角度のグラフである。
（ｂ）実施例１による実験結果を示す流量比に対するエッチダイアメータのグラフである。
【図６】（ａ）実施例２による実験結果を示すワーキングディスタンスに対するホール内周面角度のグラフである。
（ｂ）実施例１による実験結果を示すワーキングディスタンスに対するエッチダイアメータのグラフである。
【図７】実施例３による実験結果を示す基板温度に対するホール内周面水平投影幅のグラフである。
【符号の説明】
Ｍ  常圧プラズマエッチング装置
１  ノズルヘッド
２  処理ガス源
５  排気ポンプ（排気手段）
５ｂ  流量制御弁（吸込み流量調節手段）
５０ａ  吸込み孔
５２ａ  吹出し孔
７１  吹き出し流量設定手段
７２  吹出・吸込み流量比設定手段
７３  ワーキングディスタンス設定手段
７４  基板温度設定手段
９０  基板（被処理物）
【図１】
2004183063.tif 000003
【図２】
2004183063.tif 000004
【図３】
2004183063.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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