(57)【要約】【課題】光ディスク欠陥によってフォーカス制御、トラッキング制御等を一時中断して系を安定化する構成では、レーザー出射光量に変化が生じた場合に各中断動作が正確に行えない。【解決手段】光ピックアップ１０２の半導体レーザー１０３により出射した光ビームの光ディスク１０１上における収束状態若しくは案内溝への走査状態を検出して電気信号に変換する第１の光検出器１０４から得られる信号と、半導体レーザー１０３が出射する出射光量を検出して電気信号に変換する第２の光検出器１０５から得られる信号のうち、第２の光検出器１０５から得られる検出量に応じて、第１の光検出器１０４から得られる信号の増幅量を制御する利得制御手段を有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ヘッドに備えるレーザーから出射した光ビームの、光ディスクに備える情報層上における収束状態若しくは案内溝への走査状態を検出して電気信号に変換する一つ以上の光検出器で構成した第１の光検出手段と、
前記光検出器における出力の総和を演算する総和演算手段と、
前記総和演算手段の総和信号から欠陥を検出する欠陥検出手段と、
前記レーザーが出射する出射光量を検出して電気信号に変換する第２の光検出手段と、
前記第２の光検出手段から得られる出射光量に応じて、前記総和演算手段の前記総和信号の増幅量を制御する利得制御手段とを有することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
光ヘッドに備えるレーザーから出射した光ビームの、光ディスクに備える情報層上における収束状態若しくは案内溝への走査状態を検出して電気信号に変換する一つ以上の光検出器で構成した第１の光検出手段と、
前記光検出器における出力の総和を演算する総和演算手段と、
前記総和演算手段の総和信号から欠陥を検出する欠陥検出手段と、
前記第１の光検出手段の出力信号を所定のレベルで２値化するコンパレータと、
前記レーザーが出射する出射光量を検出して電気信号に変換する第２の光検出手段と、
前記第２の光検出手段から得られた検出量に応じて、前記所定のレベルを変動させる振幅制御手段を前記欠陥検出手段に備えることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項３】
前記情報層に対する前記光ビームの光軸方向における収束状態を制御するフォーカス制御手段を備え、欠陥検出手段で検出した前記欠陥検出領域において、前記フォーカス制御手段によるフォーカス制御を中断することを特徴とする請求項１または２何れかに記載の光ディスク装置。
【請求項４】
前記情報層のラジアル方向における案内溝走査状態を制御するトラッキング制御手段を備え、前記欠陥検出手段で検出した前記欠陥領域において、トラッキング制御手段によるトラッキング制御を中断することを特徴とする請求項１または２何れかに記載の光ディスク装置。
【請求項５】
前記情報層の情報信号を再生した再生信号からクロック成分を抽出するクロック抽出手段を備え、前記欠陥検出手段で検出した前記欠陥領域において、前記クロック抽出手段による前記クロック成分の抽出を中断することを特徴とする請求項１または２何れかに記載の光ディスク装置。
【請求項６】
前記情報層の情報信号を再生した再生信号を一定振幅に保つようゲインを制御するゲイン制御手段を備え、前記欠陥検出手段で検出した前記欠陥領域において、前記ゲイン制御手段の制御を中断することを特徴とする請求項１または２何れかに記載の光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は記録再生を行う光ディスク装置に関するものであり、特に、再生信号の振幅制御機能を備えた信号処理の分野に属するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光ディスクには、ディスク製造の過程で生じる気泡や記録面膜の蒸着むら、若しくは、後天的に発生する傷や汚れなどにより、盤面からの戻り光量が著しく低下するような欠陥領域が存在する。その欠陥領域では、記録情報が欠落するだけでなく、フォーカス状態を示すフォーカスエラー信号や、トラッキング状態を示すトラッキングエラー信号の抽出も困難になる。これにより、再生データＰＬＬのロック外れ、再生信号振幅を一定に制御するＡＧＣ回路の誤動作、フォーカス跳びやトラック跳びを引き起こし、装置の不安定や致命的エラーを生じさせる恐れがある。そのため、一般的な光ディスク装置では、光ディスク盤面の欠陥領域を検出し、その結果をもって、前記のデータＰＬＬやＡＧＣ動作のホールド、フォーカス制御やトラッキング制御のホールドを行うことにより、装置の安定化を図る施策を講じている。
【０００３】
上記欠陥領域の検出手段として、従来から行っている一般的な構成を図７に示し、説明する。７０１は光ディスクからの戻り光をＤＣ加算する加算アンプ、７０２は再生中と記録中のレーザー出射光量差を吸収するゲイン切替アンプ、７０３はローパスフィルタ（ＬＰＦ）、７０４はゲイン切替を行った信号のピーク側エンベロープを高速に検出する高速ピーク検波回路、７０５はピーク側エンベロープを低速に検出する低速ピーク検波回路、７０６は高速ピーク検波回路７０４の検波信号と、低速ピーク検波回路７０５で検出した検波信号とを抵抗分割し、所定レベルで２値検出するコンパレータである。
【０００４】
光ビームが光ディスクの欠陥領域を通過したとき、光ディスクからの戻り光が減少するため、加算アンプ７０１の出力ＤＣ信号が減少する。ローパスフィルタ７０３で再生データ信号成分や記録時のレーザー変調波形成分を除去され、高速ピーク検波回路７０４では欠陥領域によるＤＣ信号の減少がほぼリアルタイムに現れる。また、ローパスフィルタ７０３の出力を応答の遅い低速ピーク検波回路７０５で検波して、さらに抵抗分割することにより、ピーク検波の動きに低速に対応したしきい値電圧を発生する。コンパレータ７０６で、高速ピーク検波回路７０４の出力と、低速ピーク検波７０５の出力を分割した電圧とを比較することによって、欠陥部分を２値信号として検出することができる。
【０００５】
このコンパレータ７０６で検出した２値信号によって、前述したデータＰＬＬやＡＧＣ動作のホールド、フォーカス制御やトラッキング制御のホールドを行う構成をしては、例えば特許文献１に提案の技術では、光ピックアップからの出力を受け、反射量の異常を検出することによって、ブラックドットおよび傷をディスク欠陥として検出し、その区間フォーカス、およびトラッキングを予測回路の出力に基づいて制御する技術を開示している。
【０００６】
【特許文献１】
特開昭６２−７５９３７号公報（第５頁左上欄第９行〜左下欄第１６行、第７図）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記従来の構成では、例えば最適記録パワーの探査またはデータ消去などにより記録パワーが変化した場合、コンパレータに入力される信号振幅としきい値とに不整合が起き、最適なレベルで欠陥領域を検出できず、欠陥領域の誤検出や未検出が発生する。前述のように、光ディスク装置に置いては、光ディスク盤面からの光量が著しく劣化するような欠陥領域において、フォーカス制御、トラッキング制御、データＰＬＬまたはＡＧＣ動作のホールドを行うが、欠陥領域の誤検出あるいは未検出に起因する不必要なホールド動作によって、制御誤差の増大もしくはホールド動作が出来ず、トラック跳びやＰＬＬロック外れ等が発生し、装置の動作が不安定となるような課題が生じる。
【０００８】
すなわち、上記特許文献１においても、ディスク盤面からの光量に変化があったとき、その光量変化がレーザー出射パワーが低下によるものであるか、或いはディスク盤面上の欠陥によるものであるか、切り分けることが不可能である。そのため、光量変化がレーザー出射パワーの低下によるものであった場合、欠陥検出回路における振幅の低下により、欠陥の検出精度が悪化してしまう。
【０００９】
そこで、本願発明は、上記のようなレーザー出射パワーの低下においても、ディスク盤面上の欠陥検出精度の悪化を防止する光ディスク装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の光ディスク装置は、光ヘッドに備えるレーザーから出射した光ビームの、光ディスクに備える情報層上における収束状態若しくは案内溝への走査状態を検出して電気信号に変換する複数の光検出器で構成した第１の光検出手段と、一つ以上からなる光検出器における出力の総和を演算する総和演算手段と、総和演算手段の総和信号から欠陥を検出する欠陥検出手段と、レーザーが出射する出射光量を検出して電気信号に変換する第２の光検出手段と、欠陥検出手段が欠陥を検出したとき、第２の光検出手段から得られる出射光量に応じて、総和演算手段の総和信号の増幅量を制御する利得制御手段とから構成する。
【００１１】
また、第１の光検出手段の出力信号を所定のレベルで２値化するコンパレータと、第２の光検出手段から得られた検出量に応じて、前記所定のレベルを変動させる振幅制御手段を前記欠陥検出手段に備える構成である。
【００１２】
さらに、情報層に対する前記光ビームの光軸方向における収束状態を制御するフォーカス制御手段を備え、欠陥検出手段で検出した欠陥検出領域において、フォーカス制御手段によるフォーカス制御を中断する。
【００１３】
さらに、情報層のラジアル方向における案内溝走査状態を制御するトラッキング制御手段を備え、欠陥検出手段で検出した欠陥領域において、トラッキング制御手段によるトラッキング制御を中断する。
【００１４】
さらに、情報層の情報信号を再生した再生信号からクロック成分を抽出するクロック抽出手段を備え、欠陥検出手段で検出した欠陥領域において、クロック抽出手段によるクロック成分の抽出を中断する。
【００１５】
さらに、情報層の情報信号を再生した再生信号を一定振幅に保つようゲインを制御するゲイン制御手段を備え、欠陥検出手段で検出した欠陥領域において、ゲイン制御手段の制御を中断する。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下本発明の一実施の形態に係る光ディスク装置について、図面を参照しながら説明する。図１は本発明の一実施の形態に係る光ディスク装置の構成の要部を示すブロック図である。図１において、１０１は光ディスク、１０２は光ピックアップであり、光ピックアップ１０２は主に、光を出射する半導体レーザー１０３、出射光の光ディスク１０１盤面上での光収束状態やトラック走査状態を検出するよう分割された光検出器１０４、出射光量に比例した光量を検出する光検出器（以下、前光検出器という）１０５、光を集光する対物レンズ１０６、対物レンズ１０６を光ディスク１０１への光軸方向に動かす不図示のフォーカスアクチュエータ、対物レンズを光ディスク１０１の半径方向に動かす不図示のトラッキングアクチュエータ、その他コリメートレンズ、ホログラムなどの光学部品（何れも図示は省略）から構成される。また、１０７及び１０８はそれぞれ光検出器１０４及び前光検出器１０５が検出した電流を電圧に変換する電流電圧変換器、１０９はレーザーパワーコントローラ、１１０はレーザー駆動回路、１１１はゲイン調整回路である。
【００１７】
１１２は加算アンプ、１１３はフォーカスエラー及びトラッキングエラー信号を生成する演算回路、１１４はフォーカス状態及びトラッキング状態等を制御するサーボコントローラ、１１５は光ディスク上の欠陥を検出する欠陥検出回路、１１６は再生ＲＦ信号の振幅を一定に制御するＡＧＣ回路、１１７は波形等化回路、１１８は再生ＲＦ信号からクロック成分を抽出するＰＬＬ回路、１１９は再生データの復調を行うデータ復調回路である。なお、図１に記載した以外にも、光ディスク装置には光ディスク１０１を回転させるディスクモーターや装置全体を制御するシステムコントローラなどがあるが、図示は省略した。
【００１８】
また、図２は欠陥検出回路１１５の構成を示すブロック図である。図２において、２０１は加算アンプ１１２の出力信号に対し再生中と記録中とでゲインを切り替えるアンプ、２０２はゲイン切替アンプ２０１の出力信号を平滑化するローパスフィルタ（以下、ＬＰＦと記す）、２０９は記録中のゲイン調整回路１１１で調整された前光検出信号を再生中と記録中とでゲインを切り替えるアンプ、２１０は記録データの変調波形を平滑化するＬＰＦ、２０３はＬＰＦ２１０の出力電圧に反比例してゲインを変化させる電圧制御増幅器、２０４は高速応答で信号のピーク側エンベロープを検出する高速ピーク検波回路、２０５はピーク検波回路よりも低速応答でエンベロープを検出する低速ピーク検波回路、２０６は低速ピーク検波回路２０５の検波信号から高速ピーク検波回路２０４の検波信号を差し引く減算回路、２０７はコンパレータ、２０８はコンパレータ２０７のしきい値を設定するＤＡコンバータである。
【００１９】
次に、図１および図２に基づいて、回路動作および信号の流れを説明する。先ず、レーザーパワーコントローラ１０９がレーザー駆動回路１１０を動作させ、半導体レーザー１０３に電流を印加すると、半導体レーザー１０３が発光し、その光の一部を前光検出器１０５が受光する。前光検出器１０５は受光した光を電流に変換し、電流電圧変換器１０８で電圧に変換される。光ディスク１０１再生中は、レーザーパワーコントローラ１０９が電流電圧変換器１０７及び１０８の出力電圧が一定になるよう、即ち半導体レーザー１０３の出射光量が一定になるように、レーザー駆動回路１１０の出力電流を制御し、光ディスク１０１の再生に適したレーザー出力パワーに保たれる。また、光ディスク１０１への記録においては、半導体レーザー１０３の出射パワーが情報層に記録マークを形成するピークバワー、および記録スペースを形成するバイアスパワーに、レーザーパワーコントローラ１０９がレーザー駆動回路１１０に指令し、レーザー駆動回路１１０が各々の出射パワーに応じた電流を半導体レーザー１０３に印加する。また、光ディスク１０１のデータを消去する場合は、常にバイアスパワーを出力するようにレーザーパワーコントローラ１０９が半導体レーザー１０３を制御する。
【００２０】
半導体レーザー１０３の出射光が光ディスク１０１によって反射して戻ってくる光を光検出器１０４が検出し、その光量に応じた電流を出力する。光検出器１０４はフォーカス状態及びトラッキング状態を検出できるよう分割されており、分割された信号をそれぞれ電流電圧変換器１０７で電圧に変換する。電圧変換された信号から、演算回路１１３でフォーカス状態を示すフォーカスエラー信号、及びトラッキング状態を示すトラッキングエラー信号を生成する。サーボコントローラ１１４は生成されたフォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号の誤差が少なくなるよう、対物レンズ１０６を動かすフォーカスアクチュエータ及びトラッキングアクチュエータを電流駆動して制御することにより、最適なフォーカス状態及びトラッキング状態を維持する。
【００２１】
電流変換器１０７で電圧変換された信号は、加算アンプ１１２にも入力され、分割された信号を加算および増幅する。加算アンプ１１２の出力は、一方はＡＧＣ回路１１６で振幅正規化され、さらに波形等化回路１１７により波形等化される。波形等化された信号は、ＰＬＬ１１８において、２値化および２値化されたデータからクロックを抽出し、データ復調回路１１９にてデータ復調される。
【００２２】
加算アンプ１１２の出力のもう一方は欠陥検出回路１１５に出力され、欠陥検出回路１１５では光ディスク１０１の表面や情報層に存在するブラックドットや傷などの欠陥を検出する。欠陥検出回路１１５が検出した検出結果は即座に、ＡＧＣ回路１１６、ＰＬＬ１１８、サーボコントローラ１１４へ送信する。
【００２３】
ＡＧＣ回路１１６では、ループを遮断し、欠陥を検出する直前のアンプゲインを保持するようＡＧＣ動作のホールドを行う。ＰＬＬ１１８では、ＰＬＬループを遮断し、クロックを欠陥を検出する直前の周波数に保つクロックホールドを行う。サーボコントローラ１１４では、欠陥を検出する直前の対物レンズ１０６の位置に保つように、フォーカスアクチュエータへの出力をホールド、およびトラッキングアクチュエータへの出力をホールドする。
【００２４】
このホールド処理により、ＡＧＣ回路１１６においては、欠陥での信号振幅低下によるゲイン吹き上げ等の誤動作を防止する。ＰＬＬ１１８においては、欠陥による擬似信号での同期外れを防止する。また、同様にフォーカス制御、トラッキング制御においては、ホールド処理により、欠陥によるフォーカス外れやトラック跳びを防止する。
【００２５】
次に、欠陥検出回路１１５の動作を図２に従って説明する。加算アンプ１１２の出力を、ゲイン切替アンプ２０１にて信号増幅する。ゲイン切替アンプ２０１においては、データ再生中とデータ記録中とでは半導体レーザー１０３の出射光量が変化し、光検出器１０４が検出する信号振幅が変化するため、記録中か否かを表す信号であるライトゲートにて、その変化を吸収するようにアンプゲインの切替を行う。ＬＰＦ２０２は、ゲイン切替アンプ２０１に含まれる再生データ成分および記録データ成分などの高周波成分を除去する。
【００２６】
一方、前光検出器１０５が検出する半導体レーザー１０３の出射光量に応じた信号を、ゲイン調整アンプ１１１で調整する。例えば、半導体レーザー１０３が１ｍＷで発光したとき、出力が基準電圧＋０．１Ｖとなるように調整する。ここで、基準電圧とは、ゲイン調整アンプ１１１の＋側入力電圧とする。このようにゲイン調整アンプ１１１の調整を行っておくことで、半導体レーザー１０３が１ｍＷで発光しているときに、例えば、電圧制御増幅器２０３のゲインが０ｄＢ、２ｍＷ発光すれば−６ｄＢ、となるように電圧制御増幅器２０３の増幅量を正規化することができる。すなわち、ゲイン調整アンプ１１１出力信号は、ゲイン切替アンプ２０９に入力され、ゲイン切替アンプ２０９においては、前述のゲイン切替アンプ２０１の再生中と記録中とのゲイン差と同等の切替ゲインを有し、ライトゲートにて切替える。ゲイン切替アンプ２０９の出力信号は、ＬＰＦ２１０にて記録データ成分を除去され、電圧制御増幅器２０３のゲインコントロール信号となる。
【００２７】
電圧制御増幅器２０３は、ＬＰＦ２０２の出力信号をＬＰＦ２１０の出力電圧に応じてゲインを増減するアンプである。ＬＰＦ２１０の出力電圧が増加すればゲインを下げ、減少すればゲインを上げるように動作する。電圧制御増幅器２０３の出力信号は、高速ピーク検波回路２０４および低速ピーク検波回路２０５に入力され、各々の回路で信号検波される。減算回路２０６は、高速検波された信号と低速検波された信号との差を検出する。その結果、電圧制御増幅器２０３の出力信号に、低速検波回路２０５が追従する周波数以下での変動には減算回路２０６の出力はゼロ、即ち基準電圧レベルとなり、追従しない周波数での変動が生じた場合に、減算回路２０６出力に信号が現れる。この減算回路２０６出力信号をＤＡコンバータ２０８で設定する所定の電圧で、コンパレータ２０７にて比較することにより、欠落信号として検出することができる。
【００２８】
図３は、上記欠落信号の検出の流れを波形で示した波形図である。ゲイン切替アンプ２０１の出力が信号３０１である。信号３０３はディスク戻り光量検出系の基準レベルであり、光検出器１０４に光があたっていない状態ではこのレベルになる。信号３０２は、ＬＰＦ２０２の出力である。信号３０４はＬＰＦ２１０出力信号であり、また、信号３０５は前光検出系の基準レベルで、前光検出器１０５に光が当たっていない状態、即ち半導体レーザー１０３から光が出射されていない状態である。信号３０６は電圧制御増幅器２０３の出力信号であり、信号３０７は高速ピーク検波回路２０４の出力、信号３０８は低速ピーク検波回路２０５の出力である。信号３０９は減算回路２０６の出力であり、信号３１０はＤＡコンバータ２０８の出力である。信号３１１はコンパレータ２０７の出力で、欠陥領域を検出した信号である。
【００２９】
また、図３において、レーザーパワー１の領域に対し、レーザーパワー２の領域ではレーザー出射光量が徐々に減少している状態、レーザーパワー３の領域ではレーザー出射光量が減少した状態である。レーザーパワー１の領域からレーザー出射光量が徐々に低下するレーザーパワー２の領域及びレーザー出射光量が低く一定に保持されるレーザーパワー３の間では、同図（ａ）に示すように光検出器１０４の出力信号に基づく信号３０１の振幅が低下し、それにつれて信号３０２の振幅が低下していく。そのときレーザー出射光量を検出する前光検出器１０５の検出結果も、同図（ｂ）の信号３０４のように同様に低下していく。このとき、信号３０４の低下に反比例するように、電圧制御増幅器２０３でゲインを上げ、信号３０２の振幅を増大することにより、同図（ｃ）に示すようにレーザー出射光量の変化による信号３０２の振幅低下を信号３０６のように補正することができる。これにより、信号３０６には光ディスク１０１の反射率による影響のみ残存することになり、光ディスク１０１の欠陥によって現れる光検出器１０４の光量変化を表すことができ、ディスクの欠陥を精度よく検出できる。
【００３０】
次に、レーザーパワー１の領域におけるレーザー出射光量よりも低い光量レベルのレーザーパワー３の領域中で欠陥領域を通過しているときは、同図（ａ）に示すように信号３０１および信号３０２の振幅が著しく低下する。一方、この付近では同図（ｂ）に示すようにレーザー出射光量は変化していないため信号３０４には変化は現れず、電圧制御増幅器２０３のゲインはほぼ一定である。そのため、同図（ｃ）の信号３０６に対して、高速にエンベロープ検波をした信号３０７と低速にエンベロープ検波した信号３０８との差を出力すると、同図（ｄ）の信号が３０９のようになる。すなわち、信号３０９では、信号振幅に急激な変動がない場合にはほぼ基準レベル３０３と同等となり、急激な振幅変動が発生した場合に信号振幅が現れる。この信号３０９を基準レベル３０３から所定電圧オフセットさせたレベルの信号３１０でコンパレートすることにより、同図（ｅ）の２値化信号３１１を得て、欠陥領域を検出することができる。
【００３１】
これまでは、光ディスクの再生中の動作を説明してきたが、記録中及び消去中の動作においても同様である。すなわち、図４は記録中およびＤＣ消去中の欠陥検出回路の動作波形図である。信号４０１はデータ記録中およびＤＣ消去中の動作におけるゲイン切替アンプ２０１の出力、４０２は同動作におけるディスク戻り光量検出系の基準レベル、信号４０３は同動作におけるＬＰＦ２０２出力信号である。信号４０４は同動作におけるゲイン切替アンプ２０９の出力、信号４０５は同動作における前光検出系の基準レベル、信号４０６は同動作におけるＬＰＦ２１０出力信号である。また、信号４０７は同動作における電圧制御増幅器２０３の出力である。
【００３２】
なお、図４に示すように、データ記録中の動作におけるゲイン切替アンプ２０１の出力信号４０１には、情報層に情報信号を記録マークとして形成するピークレベルと、記録マーク間のスペースを形成するバイアスレベルとの間で変調するため高周波成分を含むが、ＬＰＦ２０２を経ることによって信号４０３では幾分滑らかになる。一方、ＤＣ消去中の動作においては、ゲイン切替アンプ２０１の出力信号４０１に高周波成分が重畳していないため、ＬＰＦ２０２を経た信号４０３と信号４０１とは同一レベルとなる。また、同図（ａ）の信号４０３に示すように、データ記録中のディスク戻り光量を反映する信号４０３と、ＤＣ消去中のディスク戻り光量を反映する信号４０３とは、信号振幅が異なっている。これは、前述したようにデータ記録動作中は半導体レーザー１０３の平均的な出射光量異なるためであるが、同図（ｂ）に示すように同様に前光検出器１０５の出力信号を反映する信号４０６にもその差が現れるため、同図（ｃ）に示すように、電圧制御増幅器２０３の出力は、信号４０７のようにデータ記録中とＤＣ消去中とはほぼ同じ振幅となる。
【００３３】
従って、図４（ｃ）に示したデータ記録中及びＤＣ消去中の動作における信号４０７が図３（ｃ）の信号３０６に相当するため、データ記録中及び／またはＤＣ消去中の何れの動作中において光ディスクに欠陥領域が発生しても、高速ピーク検波回路２０４及び低速ピーク検波回路２０５を介して減算回路２０６とＤＡコンバータ２０８とを比較することにより２値化信号が得られ、データ記録中の動作及び／またはＤＣ消去中の動作においてレーザー出射光量に変動があったとしても、欠陥領域を正確に検出することができる。
【００３４】
ここまで述べてきた構成とは異なり、コンパレータのスライスレベルをレーザー出射光量に応じて変える構成にしても同様の効果を得られる他の実施形態を説明する。図５は、これに準じた欠陥検出回路１１５の他の構成を示し、１１１、１１２、２０１、２０２、２０４、２０５、２０６、２０７、２０８、２０９及び２１０は、図１および図２で示したものと同じであり、説明は省略する。５０１はＤＡコンバータ２０８と前光検出系のＬＰＦ２１０出力とを加算する加算回路であり、図２で説明した構成に較べ、電圧制御増幅器２０３が不要となる。
【００３５】
図６は、図５に示した回路における信号の流れを示す波形図である。同図において、（ａ）に示した信号６０１はゲイン切替アンプ２０１の出力、信号６０２はＬＰＦ２０２の出力、信号６０３はディスク戻り光量検出系回路の基準レベルである。同図（ｂ）の信号６０４はＬＰＦ２１０の出力、信号６０５は前光検出系回路の基準レベルである。同図（ｃ）の信号６０６は高速ピーク検波回路２０４の出力、信号６０７は低速ピーク検波回路２０５の出力である。同図（ｄ）に示した信号６０８は減算回路２０６の出力、信号６０９は加算回路５０１の出力であり、同図（ｅ）の信号６１０はコンパレータ２０７の出力で、欠陥領域の検出信号である。
【００３６】
レーザーパワー１の領域から、半導体レーザ１０３の出射光量が徐々に低下するレーザーパワー２の領域を経て、レーザー出射光量が低く一定に保持されるレーザーパワー３の間では、同図（ａ）に示すように光検出器１０４の出力信号に基づく信号６０１の振幅が低下し、それにつれて信号６０２の振幅が低下する。なお、レーザー出射光量を検出する前光検出器１０５の検出結果も、同図（ｂ）の信号６０４のように同様に低下していく。同図（ａ）の信号６０２に対して、同図（ｃ）に示すように高速ピーク検波した信号６０６と、低速ピーク検波した信号６０７との差を出力すると、同図（ｄ）の信号６０８が得られる。なお、この減算回路２０６の出力信号６０８の信号振幅も低下するため、欠陥領域の検出精度が悪化する。ところが、同図（ｂ）に示したように前光検出系の信号６０４の振幅も低下するため、それをコンパレータ２０７のスライスレベルに加算して反映することにより、信号６０８に現れる半導体レーザー１０３の出射光量変化に伴って、スライスレベルも変化するようになる。すなわち、レーザー出射光量の変化によって生じる信号振幅変化に、スライスレベルで対応することにより、同図（ｅ）の信号６１０のように安定した精度で欠陥検出を行うことができる。
【００３７】
ここでは、再生中の動作について述べたが、データ記録中やＤＣ消去中であっても、図４を参照して説明したように、前光検出系の信号振幅をスライスレベルに反映させることによって、安定した欠陥検出の制度を得ることができる。
【００３８】
なお、上記実施形態では、欠陥領域がレーザー出射光量が低いが安定なレーザーパワー３の領域中にある場合について説明したが、元来良好なレーザーパワー１の領域での検出精度も維持でき、出射光量が徐々に変化するレーザーパワー２の領域であっても検出精度の向上を図ることができる。
【００３９】
また、上記実施形態において、光検出器１０４は分割されていることを前提に説明してきたが、予め光ディスク情報層上にトラッキング制御のための特殊信号が埋め込まれたディスクを再生するような場合は、必ずしも光検出器１０４は分割されている必要はない。
【００４０】
また、上記実施形態においては、欠陥検出時のフォーカス制御、トラッキング制御として、各アクチュエータの出力をホールドする処理を記載しているが、これとは異なり、欠陥の検出信号を以てフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号を信号基準レベルにショートして、あたかも制御誤差がないように振る舞わせても、同様の効果が期待できる。
【００４１】
また、フォーカス制御においてはフォーカスエラー信号の積分、トラッキング制御においてはトラッキングエラー信号の積分が、それぞれ０になるように各アクチュエータを動かして制御を行っているが、欠陥の検出信号を以て、これらのエラー信号、或いは積分動作をホールドするようにして、制御を中断するようにしても、同様の効果が得られる。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の光ディスク装置に依れば、半導体レーザーの出射状態に応じてディスク戻り光量の検出ゲインを変える構成によって、半導体レーザーの出力状態に依らず最適な戻り光量の振幅を得られる。その結果、ディスク上の欠陥を精度よく検出することが可能となり、フォーカス制御、トラッキング制御、ＡＧＣ回路やデータＰＬＬ回路のディスク欠陥による誤動作を回避する精度が向上する。また、半導体レーザーの出射状態に応じて、コンパレータのスライスレベルを変えるようにしても、同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る光ディスク装置の要部構成図
【図２】第１の欠陥検出回路の構成を示すブロック図
【図３】ディスク再生中における第１の欠陥検出回路の動作を示す波形図
【図４】ディスク記録中および消去中における第１の欠陥検出回路の動作を示す波形図
【図５】第２の欠陥検出回路の構成を示すブロック図
【図６】ディスク再生中の第２の欠陥検出回路の動作を示す波形図
【図７】従来例に示すブロック図
【符号の説明】
１０１  光ディスク
１０２  光ピックアップ
１０３  半導体レーザー
１０４  第１の光検出器
１０５  第２の光検出器
１１５  欠陥検出回路
１１６  ＡＧＣ回路
１１８  ＰＬＬ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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