(57)【要約】【課題】プラズマディスプレイパネルの基板への成膜において、膜質に悪影響を与える成膜装置内のダストの発生を抑制することができるプラズマディスプレイパネルの製造方法とその基板保持具を実現することを目的とする。【解決手段】基板３とダミー基板３５を下方から支持する支持手段３４ａと、基板３の面方向の位置を規制する規制手段とからなる保持手段を有する枠体３３よりなる第一の基板保持具３１を第二の基板保持具３２によって保持しながら成膜する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイパネルの基板を基板保持具に保持して成膜を行うプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、複数の枠体を有する第一の基板保持具を第二の基板保持具に載置し、前記第一の基板保持具の前記枠体で前記基板およびダミー基板を保持して成膜を行うことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
基板およびダミー基板は、枠体の周縁部で保持されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
枠体は、板状物体の周縁部を載置して保持する支持手段と、前記板状物体の周辺位置を規制する規制手段とを有し、基板およびダミー基板を前記規制手段にはめ込んで前記支持手段上に保持されることで、前記枠体の周縁部で保持されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
プラズマディスプレイパネルの基板への成膜を行う際に用いるプラズマディスプレイパネルの基板保持具であって、前記基板保持具は、枠体を複数配列した第一の基板保持具と、前記第一の基板保持具を保持する第二の基板保持具とを備え、前記第一の基板保持具の前記枠体により前記基板の周縁部を保持することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの基板保持具。
【請求項５】
枠体は、板状物体の周縁部を載置して保持する支持手段と、前記板状物体の周辺位置を規制する規制手段とを有し、基板を前記規制手段にはめ込んで前記支持手段上に保持することを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの基板保持具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大画面で、薄型、軽量のディスプレイ装置として知られるプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと記す）用基板への成膜を行う、ＰＤＰの製造方法および基板保持具に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＰＤＰは、ガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で蛍光体を励起して発光させることにより画像表示を行っている。
【０００３】
ＰＤＰには、大別して、駆動方式としてＡＣ型とＤＣ型とがあり、放電方式では面放電型と対向放電型とがあり、高精細化、大画面化および構造の簡素性に伴う製造の簡便性から、現状では３電極構造のＡＣ型で面放電型のＰＤＰが主流である。ＡＣ型面放電のＰＤＰは前面板と背面板から構成されている。前面板は、ガラスなどの基板上に、走査電極と維持電極とからなる表示電極と、それを覆う誘電体層と、さらにそれを覆う保護層とを有している。一方、背面板は、複数のアドレス電極と、それを覆う誘電体層と、誘電体層上の隔壁と、誘電体層上と隔壁側面とに設けた蛍光体層とを有している。前面板と背面板とを、表示電極とアドレス電極とが直交するように対向配置し、表示電極とアドレス電極との交差部に放電セルを形成している。
【０００４】
このようなＰＤＰは、液晶パネルに比べて高速の表示が可能であり、視野角が広いこと、大型化が容易であること、自発光型であるため表示品質が高いことなどの理由から、フラットパネルディスプレイの中で最近特に注目を集めており、多くの人が集まる場所での表示装置や家庭で大画面の映像を楽しむための表示装置として各種の用途に使用されている。
【０００５】
以上の構成においては、例えば、前面板の保護層や表示電極、背面板のアドレス電極などは、蒸着やスパッタなどの成膜方法により形成されている（例えば、非特許文献１参照）。
【非特許文献１】２００１  ＦＰＤテクノロジー大全、株式会社電子ジャーナル、２０００年１０月２５日、ｐ５７６−ｐ５８０、ｐ５８５−ｐ５８８、ｐ５９８−ｐ６００、ｐ６２９−ｐ６４８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したように、ＰＤＰの前面板および背面板の基板に対して成膜する際には、例えば、基板を連続して成膜するという目的のために、基板を基板保持具により保持しながら、基板保持具を搬送ローラー、ワイヤー、チェーンなどの搬送手段に接触または接続させて基板を搬送しながら成膜している。
【０００７】
したがって、このような搬送形態であることから、基板保持具は基板よりさらに大きなサイズのものとなり、さらに、基板保持具の基板によって覆われる部分以外の領域にも成膜がされ膜が付着する。この領域では、成膜が繰り返されて付着する膜厚が厚くなると、膜の一部が欠落し成膜装置内でのダスト発生源となってしまう。そのため、成膜装置のダストが膜中に巻き込まれたり、膜原材料中に混入し、膜質や膜の均一性に悪影響を与えてしまうこととなる。
【０００８】
上述のような課題を解決する手段として、基板保持具に付着した膜を、付着した膜の厚みが厚くなり欠落してしまう前に定期的に除去するという方法がある。しかしながら、ＰＤＰは、その画面サイズが、例えば４２インチや５０インチなどの大画面であり基板も重量物となる。そのため、基板保持具も大型であり、大サイズの重量物の基板を支持し安定に搬送できるだけの剛性を持たせる重量物となる。したがって、上述のような膜の除去の際の基板保持具の取り扱いは非常に重労働なものとなり、作業を困難、かつ非効率なものとする要因となっていた。また、除去作業は、基板保持具を成膜工程の流れから取り出して行う必要があり、膜を除去する間は成膜工程を中断することが必要となり、生産効率を阻害する原因となっていた。
【０００９】
本発明は、このような課題に鑑みなされたものであり、ＰＤＰを用いた表示装置の良好な画像表示を実現するために、ＰＤＰ用基板への成膜において、膜質に悪影響を与える成膜装置内のダストの発生を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明のＰＤＰの製造方法は、ＰＤＰの基板を基板保持具に保持して成膜を行うＰＤＰの製造方法であって、複数の枠体を有する第一の基板保持具を第二の基板保持具に載置し、第一の基板保持具の枠体で基板およびダミー基板を保持して成膜を行うものである。
【００１１】
このような製造方法によれば、成膜中に基板保持具からの脱落によるダスト発生を抑制して高品質な膜質を実現することができる。
【００１２】
さらに、基板およびダミー基板は、枠体の周縁部で保持されていることが望ましく、基板保持具への膜の付着領域を小さくするとともに、基板およびダミー基板の交換を容易にして、ダスト発生を抑制することができる。
【００１３】
さらに、枠体は、板状物体の周縁部を載置して保持する支持手段と、板状物体の周辺位置を規制する規制手段とを有し、基板およびダミー基板を規制手段にはめ込んで支持手段上に保持されることで、枠体の周縁部で保持してもよい。そのため、基板およびダミー基板を位置精度よく保持することができるとともに、基板に対してダメージのない保持が可能となる。
【００１４】
また、ＰＤＰの基板保持具は、ＰＤＰの基板への成膜を行う際に用いるＰＤＰの基板保持具であって、基板保持具は、枠体を複数配列した第一の基板保持具と、第一の基板保持具を保持する第二の基板保持具とを備え、第一の基板保持具の枠体により基板の周縁部を保持している。
【００１５】
このような構成によれば、搬送系と接触する基板保持具と基板を載置する基板保持具とを分離でき、さらに基板保持具への膜付着を抑制してダスト発生を抑制することができる。
【００１６】
さらに、枠体は、板状物体の周縁部を載置して保持する支持手段と、板状物体の周辺位置を規制する規制手段とを有し、基板を規制手段にはめ込んで支持手段上に保持してもよい。そのため、基板およびダミー基板を位置精度よく保持することができるとともに、基板に対してダメージのない保持が可能となる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ＰＤＰの基板に成膜する際に、膜質に悪影響を与える成膜装置内のダストの発生を抑制し、良好な画像表示が可能なＰＤＰを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施の形態によるＰＤＰの製造方法について、図面を用いて説明する。
【００１９】
まず、ＰＤＰの構造の一例について説明する。図１は、本発明の実施の形態によるＰＤＰの製造方法により製造されるＰＤＰの概略構成を示す断面斜視図である。
【００２０】
ＰＤＰ１の前面板２は、前面側の、例えばガラスなどの透明で絶縁性の基板３の一主面上に形成した走査電極４と維持電極５とからなる表示電極６と、その表示電極６を覆う誘電体層７と、さらにその誘電体層７を覆う例えばＭｇＯによる保護層８とを有している。走査電極４と維持電極５とは、電気抵抗の低減を目的として、透明電極４ａ、５ａに金属材料、例えばＡｇなどからなるバス電極４ｂ、５ｂを積層した構造としている。
【００２１】
また背面板９は、背面側の、例えばガラスなどの絶縁性の基板１０の一主面上に形成したアドレス電極１１と、そのアドレス電極１１を覆う誘電体層１２と、誘電体層１２上の、隣り合うアドレス電極１１の間に相当する場所に設けた隔壁１３と、隔壁１３間の蛍光体層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂとを有している。
【００２２】
前面板２と背面板９とは、隔壁１３を挟んで、表示電極６とアドレス電極１１とが直交するように対向され、画像表示領域の外の周囲を封着部材（図示せず）により封止している。前面板２と背面板９との間に形成された放電空間１５には、例えばＮｅ−Ｘｅ５％の放電ガスを６６．５ｋＰａ（約５００Ｔｏｒｒ）の圧力で封入している。そして、放電空間１５の表示電極６とアドレス電極１１との交差部が放電セル１６（単位発光領域）となる。
【００２３】
次に、上述したＰＤＰ１について、その製造方法を図１、図２を参照して説明する。
【００２４】
前面板２は、基板３上にまず、走査電極４および維持電極５をストライプ状に形成する。具体的には、基板３上にＩＴＯ膜などを蒸着やスパッタなどの成膜方法を用いて形成し、その後、フォトリソ法などによってパターニングすることでストライプ状に透明電極４ａ、５ａを形成する。さらにその上から、例えばＡｇなどによる膜を蒸着やスパッタなどの成膜方法を用いて形成し、その後、フォトリソ法などによってパターニングすることで、ストライプ状にバス電極４ｂ、５ｂを形成する。以上により、ストライプ状の走査電極４および維持電極５からなる表示電極６を形成することができる。
【００２５】
次に、以上のようにして形成した表示電極６を誘電体層７で被覆する。誘電体層７は、鉛系のガラス材料を含むペーストを、例えばスクリーン印刷法などで塗布したのち、所定温度（例えば５６０℃）、所定時間（例えば２０分）で焼成することによって、所定の層の厚み（例えば約２０μｍ）となるように形成する。上記鉛系のガラス材料を含むペーストとしては、例えば、ＰｂＯ（７０ｗｔ％）、Ｂ２Ｏ３（１５ｗｔ％）、ＳｉＯ２（１０ｗｔ％）、およびＡｌ２Ｏ３（５ｗｔ％）と有機バインダ（例えば、α−ターピネオールに１０％のエチルセルローズを溶解したもの）との混合物が使用される。ここで、有機バインダとは樹脂を有機溶媒に溶解したものであり、エチルセルローズ以外に樹脂としてアクリル樹脂、有機溶媒としてブチルカービトールなども使用することができる。さらに、こうした有機バインダに分散剤（例えば、グリセルトリオレエート）を混入させてもよい。
【００２６】
次に、以上のようにして形成した誘電体層７を、保護層８で被覆する。保護層８は、例えばＭｇＯなどからなるものであり、蒸着やスパッタなどの成膜方法により、保護層８が所定の厚み（例えば約０．５μｍ）となるように形成する。
【００２７】
一方、背面板９は、基板１０上に、アドレス電極１１をストライプ状に形成する。具体的には、基板１０上に、アドレス電極１１の材料、例えばＡｇによる膜を、蒸着やスパッタなどの成膜方法により形成し、その後、フォトリソ法などを用いてパターニングする。
【００２８】
次に、アドレス電極１１を誘電体層１２により被覆する。誘電体層１２は、例えば、鉛系のガラス材料を含むペーストを、例えば、スクリーン印刷法で塗布したのち、所定温度（例えば５６０℃）、所定時間（例えば２０分）で焼成することによって、所定の厚み（例えば約２０μｍ）となるように形成する。
【００２９】
次に、隔壁１３を、例えばストライプ状に形成する。隔壁１３は、誘電体層１２と同じく、鉛系のガラス材料を含むペーストを、例えば、スクリーン印刷法などにより所定のパターンで繰り返し塗布したのち、焼成することによって形成する。ここで、隔壁１３の間隙の寸法は、例えば３２インチ〜５０インチのＨＤ−ＴＶの場合、１３０μｍ〜２４０μｍ程度となる。
【００３０】
そして、隔壁１３と隔壁１３との間の溝には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色に発光する蛍光体粒子により構成される蛍光体層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂを形成する。蛍光体層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂは、各色の蛍光体粒子と有機バインダとからなるペースト状の蛍光体インキを塗布し、これを、例えば４００℃〜５９０℃の温度で焼成して有機バンイダを焼失させることによって、各蛍光体粒子が結着させて形成する。
【００３１】
以上のようにして作製した前面板２と背面板９とを、前面板２の表示電極６と背面板９のアドレス電極１１とが直交するように重ね合わせ、画像表示領域の外の周縁に、例えば封着用ガラスなどの封着部材を介挿させ、これを、例えば４５０℃程度で１０分〜２０分間焼成することにより封着する。そして、一旦、放電空間１５内を高真空（例えば、１．１×１０−４Ｐａ）に排気したのち、例えば、Ｈｅ−Ｘｅ系、Ｎｅ−Ｘｅ系の不活性ガスなどの放電ガスを所定の圧力で封入することによってＰＤＰ１を作製する。
【００３２】
以上述べたように、ＰＤＰ１の製造工程においては、成膜方法が多く用いられている。そこで、その成膜方法について、ＭｇＯによる保護層８を蒸着により形成する場合を例として、図２に示す成膜装置の構成の一例を用いて説明する。図２は、本発明の実施の形態における保護層８を形成するための成膜装置２０の概略構成を示す断面図である。
【００３３】
成膜装置２０は、ＰＤＰ１の基板３に対してＭｇＯを蒸着させてＭｇＯ薄膜の保護層８を形成する蒸着室２１と、蒸着室２１に投入する前に、基板３を予備加熱するとともに予備排気を行うための基板投入室２２と、蒸着室２１での蒸着が終了後、取り出された基板３を冷却するための基板取出室２３とから構成されている。基板投入室２２、蒸着室２１、基板取出室２３の各々は、内部を真空雰囲気にできるよう密閉構造となっており、各室ごとに独立して真空排気系２４ａ、２４ｂ、２４ｃをそれぞれ備えている。
【００３４】
また、基板投入室２２、蒸着室２１、基板取出室２３を貫いて、搬送ローラー、ワイヤー、チェーンなどによる搬送手段２５を配設している。成膜装置２０外（外気）と基板投入室２２との間、基板投入室２２と蒸着室２１との間、蒸着室２１と基板取出室２３との間、基板取出室２３と成膜装置２０外との間はそれぞれ開閉可能な仕切壁２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄで仕切られている。搬送手段２５の駆動と仕切壁２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄの開閉との連動によって、基板投入室２２、蒸着室２１、基板取出室２３のそれぞれの真空度の変動を最低限にしている。基板３を成膜装置２０外から基板投入室２２、蒸着室２１、基板取出室２３の順に通過させ、それぞれの室での所定の処理を行い、その後、成膜装置２０外に搬出する。
【００３５】
また、基板投入室２２、蒸着室２１の各室には、基板３を加熱するための加熱ランプ２７ａ、２７ｂをそれぞれ設置している。
【００３６】
なお、装置構成としては上述したもの以外に、例えば、基板３の温度プロファイルの設定条件に応じて、基板投入室２２と蒸着室２１の間に基板３を加熱するための基板加熱室が一つ以上あるものや、また、蒸着室２１と基板取出室２３との間に基板冷却室が一つ以上あるものなどでも構わない。
【００３７】
また、蒸着室２１には、蒸着されるＭｇＯが、酸素欠損によりＭｇとなってしまわないよう蒸着時の雰囲気を酸素雰囲気にするための、酸素を含むガスを導入するための導入手段２８を設置している。さらに、蒸着室２１には、蒸着源２９ａであるＭｇＯの粒を入れたハース２９ｂ、電子銃２９ｃ、磁場を印加する偏向マグネット（図示せず）などを設けている。電子銃２９ｃから照射した電子ビーム２９ｄを、偏向マグネットにより発生する磁場によって偏向して蒸着源２９ａに照射し、蒸着源２９ａであるＭｇＯの蒸気流２９ｅを発生させる。そして、発生させた蒸気流２９ｅを、基板３の表面に堆積させてＭｇＯの保護層８を形成する。なお、この蒸気流２９ｅは、必要時以外はシャッタ２９ｆで遮断できるようになっている。
【００３８】
以上の成膜装置２０においては、基板３の搬送は、基板保持具３０に保持した状態で行う。そして、基板保持具３０は、基板３を保持する第一の基板保持具３１と、第一の基板保持具３１をその外周部で保持するとともに、成膜装置２０の搬送手段２５と接触または接続することで基板保持具３０全体を搬送するための第二の基板保持具３２とからなり、基板保持具３０全体を搬送することで基板３の搬送を行っている。
【００３９】
次に、基板保持具３０について、図３〜図５を用いて説明する。
【００４０】
図３（ａ）に、第一の基板保持具３１の概略構成の平面図を、そして、図３（ｂ）に図３（ａ）におけるＡ−Ａ断面図を示す。また、図４（ａ）に、第二の基板保持具３２の概略構成の平面図を、そして、図４（ｂ）に図４（ａ）におけるＡ−Ａ断面図を示す。また、図５（ａ）は、第一の基板保持具３１によって基板３とダミー基板３５とを保持し、さらに第一の基板保持具３１を第二の基板保持具３２により保持した基板保持具３０の概略構成の平面図である。また図５（ｂ）は図５（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。
【００４１】
図３に示すように、第一の基板保持具３１は、基板３のような板状物体を、その周縁部で保持する枠体３３を複数配列した構造である。ここで、枠体３３を複数配列した構造としては、例えば、個々が枠体形状であるものを複数組み合わせることにより構成したものや、直線形状の物体を組み合わせて梯子状に構成したものや、板状の物体を削り出して孔を設けることで構成したものなど、さまざまな構造を挙げることができる。ここで、枠体３３は、基板３のような板状物体を保持するための保持手段３４を有している。
【００４２】
図６に、保持手段３４の一例の概略構造として枠体３３の一部を拡大して示す。図６に示すように、枠体３３はその断面形状をＬ字状や逆Ｔ字状とし、枠体３３の横桟部が基板３のような板状物体を下方から支持する支持手段３４ａとしている。また、枠体３３の縦桟部は基板３のような板状物体の面方向の位置を規制する規制手段３４ｂとして機能する。このことにより、基板３のような板状物体は、規制手段３４ｂにはめ込んで支持手段３４ａ上に載置することで保持されることとなり、枠体３３が保持手段３４を兼ねることとなる。
【００４３】
また、保持手段３４の別の構造としては、図７に示すような構成でもよい。すなわち、枠体３３の下面側に設けた基板３のような板状物体を下方から支持する支持手段３４ａと、基板３のような板状物体の面方向の位置を規制する規制手段３４ｂの枠体３３の枠部とからなり、基板３のような板状物体は、規制手段３４ｂにはめ込んで支持手段３４ａ上に載置することで保持するという構造を挙げることができる。
【００４４】
また、保持手段３４の別の構造としては、図８に示すような構成でもよい。すなわち、枠体３３の上面側に設けた、基板３のような板状物体の面方向の位置を規制する規制手段３４ｂと、基板３のような板状物体を下方から支持する支持手段３４ａ、すなわち枠体３３の枠部とにより構成されている。基板３のような板状物体は、規制手段３４ｂにはめ込んで支持手段３４ａ上に載置することで保持するという構造を挙げることができる。
【００４５】
そして、第一の基板保持具３１においては、上述したような保持手段３４を有する枠体３３により、成膜する対象物である基板３と、成膜装置２０のハース２９ｂからの蒸気流２９ｅのうち、基板３以外の領域に飛翔する分を堆積させるためのダミー基板３５とを保持する。逆に言えば、基板３以外の領域に飛翔する分を堆積させることができれば、すべての枠体３３にダミー基板３５を保持させる必要はない。
【００４６】
また、図４に示すように、第二の基板保持具３２は、第一の基板保持具３１をその外周部で保持するものである。そして、この状態で、成膜装置２０の搬送手段２５と接触、または接続することで、基板保持具３０全体を搬送する。このことから、第二の基板保持具３２は、第一の基板保持具３１を介して基板３を確実に保持するとともにその搬送の安定性を実現するのに必要な強度を有した構造となっている。
【００４７】
そして、基板３を保持した基板保持具３０を搬送手段２５により成膜装置２０内を搬送することで、基板３に対して成膜を行う。このことにより、成膜による膜の形成は、第一の基板保持具３１の枠体３３上、およびそれにより保持される基板３上およびダミー基板３５上となるが、枠体３３の幅を小さくすることで、膜形成の大部分を基板３上およびダミー基板３５上とすることができる。
【００４８】
次に、成膜の流れの一例を、図１、図２および図５を用いて説明する。まず、図５に示すように、第一の基板保持具３１に基板３とダミー基板３５とを保持し、その第一の基板保持具３１を第二の基板保持具３２に保持して基板保持具３０を構成している。この基板保持具３０を、図２に示すような成膜装置２０の基板投入室２２に投入し、真空排気系２４ａにより予備排気しながら加熱ランプ２７ａにより加熱する。ここで基板３は、表示電極６と誘電体層７とが形成された状態である。
【００４９】
基板投入室２２内が所定の真空度に到達したら、仕切り壁２６ｂを開けるとともに、搬送手段２５を用いて、加熱された状態の基板３を基板保持具３０に保持された状態で蒸着室２１に搬送する。
【００５０】
蒸着室２１では、加熱ランプ２７ｂにより基板３を加熱してこれを一定温度に保っている。この温度は、表示電極６や誘電体層７が熱劣化することがないように、例えば１００℃〜４００℃程度に設定される。そして、シャッタ２９ｆを閉じた状態で、電子銃２９ｃから電子ビーム２９ｄを蒸着源２９ａに照射して予備加熱して蒸着源２９ａのガス出しを行ったのち、導入手段２８から酸素を含むガスを導入する。その状態でシャッタ２９ｆを開けると、ＭｇＯの蒸気流２９ｅが基板保持具３０に保持された基板３およびダミー基板３５（図１、２では図示せず）に向け照射される。その結果、第一の基板保持具３１に保持した基板３およびダミー基板３５上にＭｇＯの蒸着膜が形成される。このとき、第一の基板保持具３１の枠体３３は、その周縁部に基板３やダミー基板３５が載置されるだけの幅を有しているだけであるため、枠体３３上に形成される膜は非常に少なくなる。
【００５１】
基板３上に形成されたＭｇＯの蒸着膜は保護層８となる。ＭｇＯの蒸着膜である保護層８の膜厚が所定の値（例えば、約０．５μｍ）に達したら、シャッタ２９ｆを閉じ、仕切り壁２６ｃを通じて基板３を基板取出室２３へ搬送する。ここで、搬送手段２５は、例えば基板保持具３０の第二の基板保持具３２の両端部のみに接触または接続して搬送する構造としており、このことにより、蒸着室２１での蒸着の際に搬送手段２５の影響により基板３上に形成する膜の品質に問題が生じるということが抑制される。
【００５２】
その後、基板取出室２３で基板３を所定の温度以下に冷却したのち、基板３を、基板保持具３０の第一の基板保持具３１の枠体３３の保持手段３４から取り出す。ここで、本実施の形態では、基板３は、枠体３３に設けられた支持手段３４ａ上に載置することで保持するという構成であるため、取り出しも、基板３を枠体３３の上方へ引き上げるだけで済み、その作業は非常に簡単にできる。
【００５３】
なお、基板３は表面に傷などを発生させないように取り扱うことが要求される。このような観点から、基板３と保持手段３４の、特に支持手段３４ａとの接触箇所においては、例えば図９に示すように、緩衝部材３４ｃを設ける構造が望ましい。すなわち、緩衝部材３４ｃとして、硬度が基板３の材料よりも低い材料を使用することで、基板３に傷をつけない効果を得ることができる。さらには枠体３３よりも熱伝導率の低い材料を使用することにより、基板３の温度分布が均一になるという効果を得ることもできる。なお、緩衝部材３４ｃは、その劣化に応じて交換が可能な構成とすることが好ましい。
【００５４】
そして次に、蒸着を完了した基板３を取り外したのちの基板保持具３０は、新たな未成膜の基板３を保持したのち、成膜装置２０に再投入される。この際、第一の基板保持具３１のダミー基板３５にはＭｇＯ膜が付着した状態であるが、その状態に応じて、すなわち、ダミー基板３５へのＭｇＯ膜の付着量が多く、欠落などの剥がれが発生すると判断される状態の場合には、ダミー基板３５のみを交換する。このことにより、基板３以外の不要部に付着した膜が欠落などの剥がれによって蒸着室２１内でのダストとなる前に除去することが可能となる。なお、本発明によれば、第一の基板保持具３１の枠体３３上や第二の基板保持具３２上に付着する膜の量は少なくなることから、交換や洗浄の必要性は低い。ここで、ダミー基板３５の交換は、都度、判断するというものでもよいし、過去のデータから、所定回数の成膜を行ったら交換するという定期的なものであってもよい。また、すべてのダミー基板３５を同時に交換してもよいし、その膜の付着状況に応じて、部分的に交換してもよい。
【００５５】
ここで、ダミー基板３５の交換は、基板取出室２３を出たのち、基板投入室２２へ再投入する前に行い、さらに基板３を枠体３３で保持した状態のままでもダミー基板３５のみを取り外すことが可能である。この交換においても、ダミー基板３５は枠体３３に設けられた支持手段３４ａ上に載置することで保持するという構成であるため、ダミー基板３５を枠体３３の上方へ引き上げるだけで取り出しができ、その作業は非常に簡単であり作業性が向上する。
【００５６】
すなわち、本実施の形態によれば、基板保持具３０の、基板３以外に付着した膜の除去は、基板保持具３０を成膜工程の流れから取り出すことなく、成膜工程の流れの中で、第一の基板保持具３１のダミー基板３５のみを交換するという、非常に簡単な作業で行うことが可能となる。以上の趣旨から、ダミー基板３５を、交換の際に負担とならない大きさ、あるいは数とし、第一の基板保持具３１の枠体３３の大きさや数もそれに応じて構成することが好ましい。
【００５７】
なお、基板保持具３０の基板３以外の部分に付着した膜の除去のためのダミー基板３５の交換を、成膜工程の流れを中断して行っても構わない。そのような場合であっても、基板保持具３０の構成が上述のようであることから、従来の構成の基板保持具を使用した場合に比べ、膜の除去作業は簡易に済み、成膜工程の中断の期間は短くて済む。
【００５８】
また、第一の基板保持具３１は枠体３３を複数配列した構造であるが、成膜装置２０内の搬送は第二の基板保持具３２を介して行うため、安定した搬送ができ、基板３への影響を軽減させることができる。
【００５９】
なお、基板３に対する蒸着室２１内でのＭｇＯの蒸着は、搬送を停止して静止した状態で行っても、搬送しながら行ってもどちらでも構わない。
【００６０】
また、成膜装置２０の構造が上述のものに限らず、タクト調整などのために各室間にバッファー室を設けた構造、加熱・冷却のためのチャンバー室を設けた構造、あるいはバッチ式でチャンバー内に基板保持具３０を設置して成膜を行う構造のものなどに対しても本発明による効果を得ることができる。なお、バッチ式でチャンバー内に基板保持具３０を設置する場合は、チャンバー内に設けた保持手段に、基板保持具３０を設置する構成や、第一の基板保持具３１のみを設置するという構成などを挙げることができる。また、第一の基板保持具３１のみを設置する場合、チャンバー内に設けた保持手段を、第二の基板保持具３２とすることができる。
【００６１】
本実施の形態では特にＭｇＯの成膜に関して述べたが、ＭｇＯの成膜に際してさらに次のような効果を発現する。すなわち、ＭｇＯ膜は水分や二酸化炭素などのガス吸着性を持つことから、基板保持具に付着したＭｇＯ膜が吸着したガスを蒸着時に再放出し、蒸着室のガス分圧が変動し、良好なＭｇＯ膜の成膜が困難になるという課題が発生する。しかしながら、本発明によれば、ダミー基板の交換により吸着ガス量を抑制することが可能となるので、良好なＭｇＯ膜の成膜を安定して行うことを容易に実現することができる。
【００６２】
以上の説明では、ＭｇＯにより保護層８を形成する場合を例として示したが、これに限らず、ＩＴＯやＡｇなどによって表示電極６やアドレス電極１１を形成する場合などの成膜に対して同様の効果を得ることができる。
【００６３】
また、以上の説明では、成膜方法として、電子ビーム蒸着法を例として示したが、電子ビーム蒸着法だけでなく、ホローカソード方式によるイオンプレーティング、並びにスパッタといった成膜方法においても、同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
以上説明したように本発明によれば、ＰＤＰ用基板への成膜において、膜質に悪影響を与える成膜装置内のダストの発生を、簡易に抑制することができるＰＤＰの製造方法として有用であり、表示性能に優れたプラズマディスプレイ装置などを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法を用いたＰＤＰの概略構成を示す断面斜視図
【図２】本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法に用いる成膜装置の概略構成を示す断面図
【図３】（ａ）本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造に用いる第一の基板保持具の概略構成を示す平面図（ｂ）図３（ａ）のＡ−Ａ断面図
【図４】（ａ）本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造に用いる第二の基板保持具の概略構成を示す平面図（ｂ）図４（ａ）のＡ−Ａ断面図
【図５】（ａ）本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造に用いる基板保持具の概略構成を示す平面図（ｂ）図５（ａ）のＡ−Ａ断面図
【図６】本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造に用いる基板保持具の保持手段の概略構造を示す斜視図
【図７】本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造に用いる基板保持具の保持手段の他の概略構造を示す斜視図
【図８】本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造に用いる基板保持具の保持手段の他の概略構造を示す斜視図
【図９】本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造に用いる基板保持具の保持手段の他の概略構造を示す斜視図
【符号の説明】
【００６６】
１    ＰＤＰ
２    前面板
３，１０    基板
４    走査電極
４ａ，５ａ    透明電極
４ｂ，５ｂ    バス電極
５    維持電極
６    表示電極
７，１２    誘電体層
８    保護層
９    背面板
１１    アドレス電極  
１３    隔壁
１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂ    蛍光体層
１５    放電空間
１６    放電セル
２０    成膜装置
２１    蒸着室
２２    基板投入室
２３    基板取出室
２４ａ，２４ｂ，２４ｃ    真空排気系
２５    搬送手段
２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ    仕切壁
２７ａ，２７ｂ    加熱ランプ
２８    導入手段
２９ａ    蒸着源
２９ｂ    ハース
２９ｃ    電子銃
２９ｄ    電子ビーム
２９ｅ    蒸気流
２９ｆ    シャッタ
３０    基板保持具
３１    第一の基板保持具
３２    第二の基板保持具
３３    枠体
３４    保持手段
３４ａ    支持手段
３４ｂ    規制手段
３４ｃ    緩衝部材
３５    ダミー基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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