(57)【要約】【課題】系統誤差が発生した場合でも、重ね合わせ精度の悪化を防止する。【解決手段】マスクＲに形成された基板位置合わせマークとパターンとを投影光学系１２を介して基板Ｐに露光する。マスクＲに形成された基板位置合わせマークの位置情報を投影光学系１２を介して計測する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクに形成された基板位置合わせマークとパターンとを投影光学系を介して基板に露光する露光方法において、
前記マスクに形成された前記基板位置合わせマークの位置情報を前記投影光学系を介して計測することを特徴とする露光方法。
【請求項２】
請求項１記載の露光方法において、
前記計測された前記基板位置合わせマークの位置情報に基づいて、前記基板位置合わせマークを前記基板に露光することを特徴とする露光方法。
【請求項３】
請求項１記載の露光方法において、
前記基板に露光された前記基板位置合わせマークの位置情報と、前記計測された前記基板位置合わせマークの位置情報とに基づいて、前記基板に露光された前記パターンに前記パターンとは異なるパターンを重ねて露光することを特徴とする露光方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の露光方法において、
前記パターンは、複数の部分パターンをつなぎ合わせて前記基板に露光されることを特徴とする露光方法。
【請求項５】
マスクに形成された基板位置合わせマークとパターンとを投影光学系を介して基板に露光する露光装置において、
前記マスクに形成された前記基板位置合わせマークの位置情報を前記投影光学系を介して計測する計測装置を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項６】
請求項５記載の露光装置において、
前記基板位置合わせマークを前記基板に露光し、前記パターンを前記基板に露光しないように、前記マスクの照明領域を設定する設定装置を備えたことを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、投影光学系を介してマスクのパターンを基板に露光する露光方法および露光装置に関し、特に、複数のパターンを基板上で継ぎ合わせる際に用いて好適な露光方法および露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、パソコンやテレビ等の表示素子としては、薄型化を可能とする液晶表示基板が多用されるようになっている。この種の液晶表示基板は、平面視矩形状のガラスプレート上に透明薄膜電極をフォトリソグラフィの手法で所望の形状にパターニングすることにより製造されている。そして、このフォトリソグラフィの装置として、マスク上に形成された露光パターンを投影光学系を介してガラスプレート上のフォトレジスト層に露光する投影型の露光装置が用いられている。
【０００３】
図１５に、この種の露光装置の一例を示す。この露光装置１は、レチクルＲ（例えば、レチクルＲＡ）上に形成されたパターンをステージ３上に保持されたガラスプレート（以下、単にプレートと称する）４の所定領域に露光した後、該プレート４を一定距離だけステッピングさせて再びレチクルＲ（例えば、ＲＡ）のパターンを露光することを繰り返す、いわゆるステップ・アンド・リピート方式のものであって、不図示の照明光学系により照明されたレチクルＲ上のパターンが投影光学系５によって、ステージ３上のプレート４上に結像される。ステージ３は、Ｘ方向の位置を計測するレーザ干渉計６ａとＹ方向の位置を計測するレーザ干渉計６ｂによって正確に位置座標がモニタされて位置制御される。このステージ３における直交座標系Ｘ、Ｙが露光装置１の基準座標系（ステージ座標系）となっている。
【０００４】
一方、レチクルＲは、ステージ３上の基準マークＦＭを用いてレチクルＲ上のレチクルアライメントマークＲＭを計測することにより、上記基準座標系に従ってキャリブレーションされる。そして、このキャリブレーション位置をレチクルアライメント系７ａ、７ｂにより計測・管理することで、露光処理中もレチクルＲは常に基準座標系で管理される。このための計測方法としては、例えば特許文献１や特許文献２が開示されている。
【０００５】
また、プレート４は、投影光学系５の近傍に配置されたプレートアライメントセンサ２によってプレート４上の任意のプレートアライメントマーク（基板位置合わせマーク）ＰＭを計測することで、上記基準座標系で管理される。プレートアライメントセンサ２によるプレート４の位置合わせを簡単に説明する。最初にステージ３上の基準マークＦＭを計測し、プレートアライメントセンサ２を基準座標系に関してキャリブレーションする。次に、キャリブレーションされたプレートアライメントセンサ２を用いて、ステージ３上に保持されたプレート４上のプレートアライメントマークＰＭを計測する。これにより、プレート４は、プレートアライメントセンサ２を介して基準座標系で管理される。
【０００６】
ところで、近年、液晶表示デバイスの大画面化が進むのに伴って、露光装置で用いられるプレートも大型化の一途を辿っている。このような大型のプレートに対して露光する方法として、図１５に示したように、分割されたＬＣＤパターンのそれぞれに対応する複数のレチクルＲＡ〜ＲＤを用い、一枚のレチクルに対応するプレートの露光領域に当該レチクルのパターンを露光した後に、プレートをステップさせるとともにレチクルを別のものに交換し、このレチクルに対応する露光領域に該レチクルのパターンを露光することにより、プレートに複数の分割パターン（部分パターン）Ａ〜Ｄが合成されたＬＣＤパターンを形成する、いわゆる画面合成法が用いられている。
【０００７】
この場合、例えば、図１６に示すような分割パターンＡ〜Ｄを継ぎ合わせてそれぞれ構成されるパネルパターン（パターン）Ｐ１、Ｐ２が配置されたプレート４を露光する場合、図１５に示したように、各分割パターンＡ〜ＤおよびプレートアライメントマークＰＭを有するレチクルＲＡ〜ＲＤをレチクル交換機構８により交換しながら順次露光して、分割パターンＡ〜Ｄを継ぎ合わせることで、大型のパネルＰ１、Ｐ２を所定の間隔をおいて形成している。
【０００８】
ここで、パネルＰ１、Ｐ２における各分割パターンＡは、図１７に示す同一のレチクルＲＡを用いて露光され、同様に各分割パターンＢはレチクルＲＢ、各分割パターンＣはレチクルＲＣ、各分割パターンＤはレチクルＲＤを用いてそれぞれ露光される。また、レチクルＲＡには、パターン領域ＰＡに位置して、画素パターンが形成される画素部Ｇ（図の斜線部）と、画素部Ｇの周辺に配置され端子パターンが形成される端子部Ｔとが設けられており、端子部ＴにはプレートアライメントマークＰＭが形成されている。
【０００９】
また、レチクルＲＡのパターン領域ＰＡの外側には、パターン領域ＰＡの両側に位置して、レチクルＲＡのアライメントに用いられるレチクルアライメントマークＲＭと、分割パターンＡが継ぎ合わされる辺の近傍に位置してマークＭがそれぞれ複数形成されている。なお、レチクルＲＢ〜ＲＤは、図示していないものの、レチクルＲＡと同様に、プレートアライメントマークＰＭ、レチクルアライメントマークＲＭおよびマークＭがそれぞれ形成されている。
【００１０】
そして、例えば１層目の露光で、図１６に示す分割パターンＡ〜ＤおよびプレートアライメントマークＰＭＡ〜ＰＭＤが形成されたプレート４に対して第２層目を露光するために位置決めするには、まず、プレートアライメントマークＰＭＡ〜ＰＭＤをプレートアライメントセンサ２により測定可能な位置にステージ３を位置制御し、各マークＰＭＡ〜ＰＭＤの位置を計測する。次に、各マークＰＭＡ〜ＰＭＤの基準座標系に対する設計座標位置と計測結果とから、重ね合わせ露光を行う際に最適な補正パラメータを所定の統計演算処理により算出する。
【００１１】
ここで、補正パラメータとは、レチクルＲの基準座標系に対する平行移動を表すシフト（ξＲ、ηＲ）、基準座標系に対する回転を表すローテーションθＲ、投影光学系５の倍率を表すπ、プレート４の基準座標系に対する平行移動に対する平行移動を表すシフト（ξ、η）、基準座標系に対する回転を表すローテーションθ、基準座標系の直交からのずれ、すなわちＸ軸を基準としたときのＹ軸の倒れ、いわゆる直交度ω、基準座標系に対するプレート４の伸縮率を表すスケーリング（κ、λ）からなるものである。
【００１２】
そして、プレート４上のプレートアライメントマークを最低６つ（２次元マークのときは３つ）計測し、その計測結果を用いて統計演算処理を実施することにより、残留誤差が最小となる補正パラメータを求めることができる。実際に、重ね合わせ露光を行う際には、以上の過程で得られた補正パラメータにより、実際に必要となる露光パターンの位置を推定し、レチクルの位置決め制御、投影光学系５の倍率制御およびステージ３の位置決め制御を行う。
【００１３】
なお、上記第１層目に用いられる各レチクルＲＡ〜ＲＤは、レチクルアライメント系７ａ、７ｂによりレチクルアライメントマークＲＭを計測することによりアライメントした後、マークＭを複数計測し、この計測結果を用いて上記と同様の統計演算処理を行うことで、隣り合う分割パターンとの継ぎ合わせ特性に優れた補正パラメータξＲ、ηＲ、θＲ、πを求めることができ、実際に製品の表示部となる部分をより正確に継ぎ合わせることができる。
【００１４】
【特許文献１】
特開昭６３−５５２１号公報
【特許文献２】
特開平７−３２１０２６号公報
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような従来の露光方法および露光装置には、以下のような問題が存在する。
このようなプレートの位置合わせ方法は、画素部Ｇ（および端子部Ｔ）とプレートアライメントマークとの相対位置関係が所定の関係に管理されてプレート上に露光されたという前提に基づいている。
【００１６】
ところが、この相対位置関係が以下に示す要因により設計値からずれることがある。
（１）第１層目にプレートアライメントマークを露光形成する際に発生する、露光装置におけるステージ３の位置決め誤差やレチクルアライメント系７ａ、７ｂの位置決め誤差、重ね合わせ露光時にプレートアライメントマークを計測するためのプレートアライメントセンサ２の測定誤差等の偶然誤差。
（２）ＥＢ等を用いてプレートアライメントセンサをパターニングした際のレチクル製造誤差や投影光学系５のディストーション等の系統誤差（システム誤差）。
（３）隣り合う分割パターンとの継ぎ合わせを重視した補正パラメータを採用することで、プレートアライメントマークが所定の位置からずれて露光形成される系統誤差。
【００１７】
上記のような誤差のうち、ランダムに発生すると考えられる偶然誤差は、いわゆる計測の平均化を行うことにより、正確な計測値を得ることができる。例えば、プレートアライメントマークを形成する際に発生するステージ３の位置決め誤差やレチクルアライメント系７ａ、７ｂの位置決め誤差を低減させるには、同一レチクルの同一位置のプレートアライメントマークをプレート４上の近傍に多数露光形成し、各マークを計測して平均値を求めればよい。また、プレートアライメントセンサ２の測定誤差を低減させるには、同一のプレートアライメントマークを複数回計測すればよい。
【００１８】
しかしながら、上記の誤差のうち、系統誤差は傾向を有する誤差であり、平均化によって除去することはできない。例えば、投影光学系５に図１８に示すようなディストーションが存在する場合、プレートアライメントマークＰＭＡ〜ＰＭＤは、図１９に破線で示す設計座標位置からずれた位置に露光形成されるため、正確な露光補正パラメータを得ることができない。
【００１９】
このように、プレート上のプレートアライメントマークの計測結果に基づいて算出された各補正パラメータが正確な値を持たない場合、重ね合わせ露光を行うために必要な正確な情報が得られず、結果的に重ね合わせ精度の悪化をもたらすという問題があった。
【００２０】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、系統誤差が発生した場合でも重ね合わせ精度の悪化を防止する露光方法および露光装置を提供することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために本発明は、実施の形態を示す図１ないし図１３に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の露光方法は、マスク（Ｒ）に形成された基板位置合わせマーク（ＰＭ）とパターン（Ａ〜Ｄ）とを投影光学系（１２）を介して基板（Ｐ）に露光する露光方法において、マスク（Ｒ）に形成された基板位置合わせマーク（ＰＭ）の位置情報を投影光学系（１２）を介して計測することを特徴とするものである。
【００２２】
また、本発明の露光装置は、マスク（Ｒ）に形成された基板位置合わせマーク（ＰＭ）とパターン（Ａ〜Ｄ）とを投影光学系（１２）を介して基板（Ｐ）に露光する露光装置（９）において、マスク（Ｒ）に形成された基板位置合わせマーク（ＰＭ）の位置情報を投影光学系（１２）を介して計測する計測装置（３７）を備えたことを特徴とするものである。
【００２３】
従って、本発明の露光方法および露光装置では、投影光学系（１２）を介して計測された基板位置合わせマーク（ＰＭ）の位置情報に、投影光学系（１２）のディストーションに起因する誤差や、マスク（Ｒ）の製造誤差等、基板位置合わせマーク（Ｒ）を基板（Ｐ）に結像させる際に発生する系統誤差が含まれることになる。そのため、計測された位置情報と設計値とのずれ量を予め算出し、露光補正パラメータに還元することにより、原理的に系統誤差を除去した補正パラメータを得ることができ、重ね合わせ精度を向上させることができる。また、得られたずれ量を用いて基板位置合わせマーク（ＰＭ）を基板（Ｐ）に露光する方法も採用できる。この場合、基板（Ｐ）に露光されたパターン（Ａ〜Ｄ）と基板位置合わせマーク（ＰＭ）とが所定の相対位置関係を有することになるため、重ね合わせ露光時に基板（Ｐ）を位置合わせする際に、系統誤差を考慮することなく補正パラメータを求めればよい。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の露光方法および露光装置の第１の実施の形態を、図１ないし図８を参照して説明する。ここでは、基板として液晶表示パネル製造に用いられる角形のガラスプレートを用い、レチクルに形成された液晶表示デバイスの回路パターンを４枚のレチクルを用いてガラスプレート上に継ぎ合わせる場合の例を用いて説明する。また、ここでは、プレートステージ側からレチクルのマークを計測する場合の例を用いて説明する。これらの図において、従来例として示した図１５ないし図１９と同一の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００２５】
図１は、液晶表示デバイス用露光装置９の概略構成図である。この露光装置９は、レチクル（マスク）Ｒに形成された液晶表示デバイスのパターンを感光剤（レジスト）が塗布されたプレート（基板）Ｐ上に投影露光するものであって、光源１０、照明光学系１１、投影光学系１２、レチクルステージ（マスクステージ）１３およびプレートステージ（基板ステージ）１４から概略構成されている。ここで、投影光学系１２の光軸に平行にＺ軸が、光軸に垂直な面内において、図１の紙面に平行にＸ軸が、光軸に垂直な面内において図１の紙面に垂直にＹ軸がそれぞれ設定されているものとする。
【００２６】
光源１０は、露光光としてのビームＢを発するものであり、超高圧水銀ランプ等で構成されている。光源１０から射出されたビームＢは、照明光学系１１に入射する。
【００２７】
照明光学系１１は、ビームＢの光路を開閉するシャッタ１５と、反射ミラー１６、１７と、波長選択フィルター１８と、ビームＢを均一化するためのオプティカルインテグレータ（フライアイレンズ等）１９と、可変視野絞り（設定装置）２０と、コンデンサ光学系２１とから構成されている。シャッタ１５は、シャッタ駆動部２２を介して制御装置２３によりビームＢの光路を開閉するように駆動する。そして、シャッタ１５の開動作に応答して照明光学系１１に入射したビームＢは、波長選択フィルター１８において露光に必要な波長（ｇ線やｉ線）が通過し、オプティカルインテグレータ１９で照度が均一化される。照度が均一化されたビームＢは、ビームスプリッタ２４を透過した後、コンデンサ光学系２１で集光され、可変視野絞り２０の開口によって設定されるレチクルＲ上の照明領域を重畳的に照明する。
【００２８】
レチクルステージ１３は、レチクルＲを保持するものであって、レチクルステージ駆動系２５によってＸＹ座標系上で二次元に移動可能になっている。また、レチクルステージ１３の上方には、光電センサーであるレチクルアライメント系２６ａ、２６ｂが配置されている。レチクルアライメント系２６ａ、２６ｂは、光源１０が発するビームＢと同じ波長のアライメント光を照射し、その反射光をＣＣＤカメラ（電荷結合素子）で受光して画像処理を行うものであり、図１７に示したように、Ｃｒ等で直線状に形成されたレチクルＲ上のレチクルアライメントマークＲＭを検出し、この検出結果に基づいてレチクルステージ駆動系２５を介してレチクルステージ１３を駆動することにより、レチクルＲをＸＹ座標系で所定の位置にアライメントするようになっている。なお、アライメント系２６ａ、２６ｂには、アライメント光として単一波長のレーザビーム（Ｈｅ−Ｎｅレーザなど）、多波長光、広帯域光、及び露光光などのいずれを用いてもよいし、受光素子として撮像素子やＳＰＤなどを用いてもよい。
【００２９】
投影光学系１２は、レチクルＲの照明領域に存在するパターンの像をプレートＰ上に結像させる。そして、プレートＰ上に塗布された感光剤が感光することで、プレートＰ上にパターン像が転写される。
【００３０】
プレートステージ１４は、プレートＰを保持するものであって、ステージ駆動装置２７によってＸＹ座標系上を二次元に移動可能に構成されている。このプレートステージ１４上には、移動鏡２８が設置されている。そして、プレートステージ１４の位置（ひいてはプレートＰの位置）は、レーザ干渉計２９から出射されたレーザ光が移動鏡２８で反射してレーザ干渉計２９に入射し、その反射光と入射光との干渉に基づいて正確に計測されるようになっている。このレーザ干渉計２９による計測結果は、制御装置２３に出力される。なお、説明の便宜上、図１においてはプレートステージ１４のＸ方向の位置を計測するための移動鏡２８、レーザ干渉計２９のみを示しているが、Ｙ方向の位置を計測するための移動鏡、レーザ干渉計がもう一組備えられている。
【００３１】
また、プレートステージ１４の上方には、オフアクシス方式のプレートアライメントセンサ２が配設されている。プレートアライメントセンサ２のアライメント方式としては、ＦＩＡ方式、ＬＳＡ方式、ＬＩＡ方式または露光光を使用する露光光アライメント方式を適用できる。プレートアライメントセンサ２には、ＬＳＡ方式、ＬＩＡ方式ではＳＰＤ等の光電変換素子を使用し、ＦＩＡ方式ではＣＣＤカメラ等の撮像素子を使用する。これらの方式のうち、本実施の形態ではＬＳＡ方式を採用している。
【００３２】
すなわち、プレートアライメントセンサ２は、図１６に示したように、プレートＰ上に形成されたプレートアライメントマークＰＭＡ〜ＰＭＤに対して、プレートＰに垂直にレーザビームを照射し、マークによる回折光を検出することで、プレートアライメントマークＰＭＡ〜ＰＭＤの基準座標系における座標位置を計測する。
【００３３】
投影光学系１２とプレートステージ１４との間には、斜入射型のオートフォーカス系３０ａ、３０ｂが配置されており、プレートＰの表面が常に投影光学系１２の光軸方向の所定位置になるように位置決めされる。すなわち、プレートＰの被露光面が投影光学系１２の焦点面に一致するように、プレートステージ１４をＺ方向に駆動する構成になっている。
【００３４】
また、プレートステージ１４上には、投影光学系１２の光軸方向に関してプレートＰの被露光面と略一致する位置に、円盤状のガラス部材３２が配設されている。このガラス部材３２には、図２に示すように、矩形状の開口を有するスリットマーク（基準マーク）３３が設けられている。（なお、スリットマークは、一方向に延在するものだけを図示しているが、これと同様のものがスリットマーク３３と直交する方向にも形成されている）。
【００３５】
また、プレートステージ１４中のガラス部材３２の下方には、ミラー３４およびコンデンサレンズ３５が配設され、光ファイバ３６によって検出光として伝送されたビームＢが、コンデンサレンズ３５およびミラー３４を介して下方からガラス部材３２に照明されるようになっている。
【００３６】
照明されたガラス部材３２上のスリットマーク３３の像は、投影光学系１２を介してレチクルＲ上に逆投影される。そして、レチクルＲを透過したビームＢは、コンデンサ光学系２１、反射ミラー１７を介してビームスプリッタ２４に入射する。ビームスプリッタ２４に入射したビームＢは、ここで反射し、光量センサー（計測装置）３７に入射する。光量センサー３７は、入射したビームＢの強度に応じた電気信号を制御装置２３に出力する。なお、光量センサー３７は、レチクルＲと共役な面に配置されている。
【００３７】
制御装置２３は、光量センサー３７から出力された信号を用い、ＣＰＵ（演算部）において後述する演算処理を実行するようになっている。また、制御装置２３は、上記シャッタ駆動部２２、可変視野絞り２０、レチクルステージ駆動系２５、ステージ駆動装置２７を統括的に制御している。
【００３８】
上記の構成の露光装置を用いて重ね合わせ露光を行うにあたり、レチクルＲをアライメントする手順について説明する。
レチクルＲ（例えばＲＡ）が不図示の搬送系によりレチクルステージ１３上に搬送されると、レチクルＲ上の照明領域外に形成されたレチクルアライメントマークＲＭをレチクルアライメント系２６ａ、２６ｂにより計測し、レチクルステージ駆動系２５を介してレチクルＲ自体のアライメントを行う。
【００３９】
次に、オートフォーカス系３０ａ、３０ｂを用いて、ガラス部材３２およびプレートＰを投影光学系１２の光軸方向について、レチクルＲと共役な位置に位置合わせする。そして、上記光ファイバ３６および光量センサー３７を有するアライメント光学系によりレチクルＲのキャリブレーションを実施する。このキャリブレーションを実行するための方法は、特開昭６３−５５２１号や特開平７−３２１０２６号に詳述されているため、ここでは簡単に説明する。
【００４０】
図２に示すように、プレートステージ１４を移動させて、スリットマーク３３を、レチクルＲ上の照明領域のパターン近傍に形成されたマークＭに対して計測方向（マークの長手方向と直交する方向）に走査すると、スリットマーク３３を通過した矩形のビームＢがマークＭで遮られるため光量が変化し、レーザ干渉計２９で計測されているスリットマーク３３の座標に対応して、光量センサー３７から図３に示すようなレベルの信号が出力される。この信号波形で適当なスライスレベルでの中点を求めることにより、走査方向におけるマークＭの座標位置を求めることができる。
【００４１】
そして、上記と同様の手順で非走査方向であるＹ方向についてもマークＭの座標位置を求めるとともに、パターン近傍に設けられた複数のマークＭの位置をそれぞれ計測することにより、各アライメントマークが設計上あるべき理想点とのずれ量を求める。ここで、各マークＭの設計位置を（ｘｉ、ｙｉ）とし、計測されたマークＭの位置を（Ｘｉ、Ｙｉ）とすると、これらの位置と上述した補正パラメータ（ξＲ、ηＲ、θＲ、π）との間には以下の関係が成り立つ。
【数１】
2004273535.tif 000003
マークＭは２次元マークなので、マークＭを２箇所以上計測することで、レチクルＲに対して継ぎ合わせを重視した補正パラメータを求めることができる。
【００４２】
そして、求められた補正パラメータを用いてレチクルＲを位置決めするとともに、投影光学系１２の結像特性を調整する。これにより、レチクルＲに対するキャリブレーションが完了する。なお、この計測は、レチクルＲのパターン誤差と投影光学系１２のディストーションとを含めて、実際にプレートＰ上に転写される位置で計測して補正量を算出するため、これらの誤差を含めて補正することができる。
【００４３】
続いて、プレートＰを位置合わせする手順を図４に示すフローチャートを用いて説明する。
まず、ステップ１では、図１７に示したレチクルＲ上の基板位置合わせマークであるプレートアライメントマークＰＭを計測する。すなわち、図５に示すように、Ｙ方向に延在して配置された格子状のプレートアライメントマークＰＭに対してプレートステージ１４を移動させて、スリットマーク３３を計測方向（Ｘ方向）に走査すると、レーザ干渉計２９で計測されているスリットマーク３３の座標に対応して、光量センサー３７から図３に示したレベルの信号が出力される。この信号波形から上記と同様に、走査方向におけるプレートアライメントマークＰＭの座標位置を投影光学系１２を介して求めることができる。そして、上記と同様の手順で非走査方向であるＹ方向についてもプレートアライメントマークＰＭの座標位置を基準座標系で求める。
【００４４】
ステップ２では、計測されたプレートアライメントマークＰＭの座標位置と設計値とのずれ量（Δｘ、Δｙ）を計算する。ここで得られるずれ量（位置情報）は、主に投影光学系１２のレンズディストーションおよびレチクル製造誤差等の系統誤差に起因するものである。
【００４５】
ステップ３では、ステップ２で算出されたプレートアライメントマークＰＭのずれ量（Δｘ、Δｙ）を、プレートＰ上のプレートアライメントマークＰＭＡ（レチクルＲＡの場合）の設計位置、このプレートアライメントマークＰＭＡを露光形成した露光装置等のプレートアライメントマークＰＭに関する情報と関係付けて記憶する。
【００４６】
そして、レチクルＲＢ〜ＲＤについても、上記と同様にプレートアライメントマークＰＭの設計位置との位置ずれ量を投影光学系１２を介してそれぞれ計測し、プレートＰ上のプレートアライメントマークＰＭＢ〜ＰＭＤの設計位置等と関係付けて記憶する。なお、この記憶媒体としては、制御装置２３や、あるいは複数の露光装置が含まれるネットワークを総合的に管理するホストコンピュータであってもよい。
【００４７】
ステップＳ４では、上記プレートアライメントマークＰＭＡ〜ＰＭＤが形成されたプレートＰに対して重ね合わせ露光を行う露光装置に対して、ステップＳ３で記憶されたプレートアライメントマークＰＭＡ〜ＰＭＤに関する情報を送る。この送る手段としては、オペレータによる手入力やフロッピー（登録商標）ディスク、ネットワークを介したデータ送信等が採用される。
【００４８】
ステップＳ５では、重ね合わせ露光を行う露光装置で、第１層目の分割パターンＡ〜Ｄに重ね合わせる別のパターンが形成されたレチクルをレチクルステージ１３にセットするとともに、現像処理等が施されたプレートＰに形成されたプレートアライメントマークＰＭＡ〜ＰＭＤを計測する。具体的には、プレートステージ１４を走査方向に移動させることにより、図６に示すように、プレートアライメントセンサ２が照射するレーザビーム２ａに対してプレートアライメントマークＰＭＡ〜ＰＭＤをそれぞれ個別に走査する。
【００４９】
これにより、レーザ干渉計２９で計測されているプレートアライメントマークの座標に対応して、プレートアライメントセンサ２から図７に示すレベルの信号が出力される。この信号波形から走査方向におけるプレートアライメントマークＰＭＡ〜ＰＭＤの座標位置をそれぞれ求める。また、同様の手順で非走査方向であるＹ方向についてもプレートアライメントマークＰＭＡ〜ＰＭＤの座標位置を求める。
【００５０】
ここで、プレートＰ上のプレートアライメントマークＰＭｉ、ＰＭｊの設計位置をそれぞれ（ｘｉ、ｙｉ）、（ｘｊ、ｙｊ）とし、プレートアライメントマークＰＭｉ、ＰＭｊのプレートＰ上の計測結果をそれぞれ（Ｘｉ、Ｙｉ）、（Ｘｊ、Ｙｊ）とし、上記補正パラメータＣ（ξ、η、θ、ω、κ、λ）を用いて補正しても残留する残留誤差をそれぞれ（ΔＸｉ、ΔＹｉ）、（ΔＸｊ、ΔＹｊ）とすると、各補正パラメータとプレートＰ上のプレートアライメントマークＰＭｉ、ＰＭｊの位置、および計測結果とは以下の関係で表される。
【００５１】
Ｘｉ＝ｘｉ×（１＋κ）×ｃｏｓθ＋ｙｉ×｛−（１＋λ）×ｃｏｓθ×ｔａｎω−（１＋λ）×ｓｉｎθ｝＋ξ＋ΔＸｉ  …（２）
Ｙｊ＝ｘｊ×（１＋κ）×ｓｉｎθ＋ｙｊ×｛−（１＋λ）×ｓｉｎθ×ｔａｎω−（１＋λ）×ｃｏｓθ｝＋η＋ΔＹｊ  …（３）
ただし、θ≒０、ω≒０とし、２次の項を無視すると、上記式（２）、（３）は以下で表される。
Ｘｉ＝（１＋κ）×ｘｉ＋（−ω−θ）×ｙｉ＋ξ＋ΔＸｉ  …（４）
Ｙｊ＝θ×ｘｊ＋（１＋λ）×ｙｊ＋η＋ΔＹｊ  …（５）
【００５２】
ここで、計測されたプレートＰ上のプレートアライメントマークＰＭｉ、ＰＭｊの計測結果（Ｘｉ、Ｙｉ）、（Ｘｊ、Ｙｊ）には、プロセス処理で生じた誤差の他に、ステップＳ４で送られたずれ量（Δｘｉ、Δｙｉ）、（Δｘｊ、Δｙｊ）がそれぞれ含まれる。そのため、図８に示すように、プレートＰ上で設計位置（ｘ０、ｙ０）のレチクル中心に対して、レチクル中心に対する設計位置（ｘＲ、ｙＲ）のプレートアライメントマークは、プレートＰ上での設計位置（Ｘ、Ｙ）に対して（Δｘ、Δｙ）ずれて露光形成されたと推定できる。
【００５３】
そこで、式（４）、（５）を用いて演算処理する際に、計測結果として（Ｘｉ−Δｘｉ、Ｙｉ−Δｙｉ）、（Ｘｊ−Δｘｊ、Ｙｊ−Δｙｊ）を使用する。これにより、重ね合わせ露光を行う際に、各プレートアライメントマークに固有の系統誤差を含まない最適補正パラメータＣ’（ξ’、η’、θ’、ω’、κ’、λ’）が得られる。
【００５４】
この後、得られた補正パラメータＣ’を用いて投影光学系１２の結像特性を調整するとともに、プレートステージ１４の位置決め制御を行い、プレートＰ上の分割パターンＡ〜Ｄに対して別のパターンを重ね合わせて露光する。
【００５５】
本実施の形態の露光方法および露光装置では、プレートＰ上のプレートアライメントマークＰＭの位置ずれ量を投影光学系１２を介して計測することで、予めレンズディストーションやレチクル製造誤差等の系統誤差を求めているので、プレートＰ上に露光形成されたプレートアライメントマークＰＭＡ〜ＰＭＤを計測した結果から、マークに固有の系統誤差を除去した正確な補正パラメータＣ’を得ることができる。そのため、本実施の形態では、系統誤差に起因する位置決め誤差を排除して、重ね合わせ精度を向上させることができる。
【００５６】
また、分割パターンＡ〜Ｄの継ぎ合わせを重視した補正パラメータ（ξＲ、ηＲ、θＲ、π）により、レチクルＲの位置および投影光学系１２の結像特性を調整した場合でも、本実施の形態ではこれらが調整された状態でプレートアライメントマークＰＭの位置ずれ量を計測しているため、継ぎ合わせ露光を実施する際にも、系統誤差の影響を排除した良好な重ね合わせ精度を得ることができる。
【００５７】
図９は、本発明の露光方法の第２の実施の形態を示すフローチャート図である。この図において、図４に示す第１の実施の形態のフローチャート図と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。第２の実施の形態と上記の第１の実施の形態とが異なる点は、個々のプレートアライメントマークに対して別々に系統誤差（位置ずれ量）を補正するのではなく、重ね合わせ露光を行う際の最適補正パラメータを直接算出するようにしたことである。
【００５８】
図９に示すように、ステップ１でレチクルＲ上のプレートアライメントマークを投影光学系１２を介して計測し、ステップ２で設計値に対するマークの位置ずれ量を求めると、ステップＳ６では、求められたずれ量に対応する補正パラメータＣ０を算出する。
【００５９】
すなわち、プレートアライメントマークＰＭが露光形成されるプレートＰ上の設計位置は既知であるため、求められたずれ量（Δｘ、Δｙ）に対応する補正パラメータＣ０（ξ０、η０、θ０、ω０、κ０、λ０）は、上述したプレートアライメントマークＰＭのレチクル中心からの設計位置を（ｘＲ、ｙＲ）とし、プレートアライメントマークＰＭを露光する際のレチクル中心のプレートＰ上の位置を（ｘ０、ｙ０）とし、プレートアライメントマークのプレートＰ上の設計位置を（Ｘ、Ｙ）とすると、レチクルキャリブレーションの補正パラメータ（ξＲ、ηＲ、θＲ、π）も用いて以下の関係が成り立つ。
【数２】
2004273535.tif 000004
ここで、露光形成されたプレートアライメントマークの位置ずれ量（ΔＸ、ΔＹ）は、ずれ量（Δｘ、Δｙ）に等しいものとする。
【００６０】
従って、レチクルＲ上のプレートアライメントマークＰＭを複数（２次元マークでは３個以上）計測し、その結果と式（６）とを用いて演算処理することで、系統誤差に対応する補正パラメータＣ０を算出することができる。各プレートアライメントマークＰＭの位置ずれ量はそれぞれ固有であるため、補正パラメータＣ０もこのプレートＰに対し一意的に決まる固有値となる。
【００６１】
そして、ステップＳ７では、この補正パラメータＣ０（ξ０、η０、θ０、ω０、κ０、λ０）を、露光形成した露光装置等の情報と関係付けて記憶する。ステップＳ８では、上記プレートアライメントマークが形成されたプレートＰに対して重ね合わせ露光を行う露光装置に対して、ステップＳ７で記憶された補正パラメータＣ０に関する情報を送る。
【００６２】
ステップＳ９では、重ね合わせ露光を行う露光装置で、プレートＰに形成されたプレートアライメントマークＰＭＡ〜ＰＭＤを計測し、上記と同様に、式（４）、（５）を用いて補正パラメータＣ１（ξ１、η１、θ１、ω１、κ１、λ１）を算出する。この補正パラメータＣ１には、プレートアライメントマークの系統誤差による余分な成分Ｃ０が含まれている。そこで、次式によりこの成分を取り除く。
Ｃ’＝Ｃ１−Ｃ０      …（７）
【００６３】
この補正パラメータＣ’は、重ね合わせ露光を行う際に、各プレートアライメントマークに固有の系統誤差を含まない最適補正パラメータとなる。従って、本実施の形態でも、プレートアライメントマーク毎に個々にずれ量を補正した上記第１の実施の形態と同様の作用・効果を得ることができる。
【００６４】
図１０および図１１は、本発明の露光方法および露光装置の第３の実施の形態を示す図である。これらの図において、図１乃至図８に示す第１の実施の形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。第３の実施の形態と上記の第１の実施の形態とが異なる点は、求められたレチクルＲ上のプレートアライメントマークのずれ量を用いて、このマークをプレートＰに露光することである。
【００６５】
以下、図１０に示すフローチャート図を用いて説明する。
まず、ステップ１でレチクルＲ上のプレートアライメントマークを投影光学系１２を介して計測し、ステップ２で設計値に対するマークの位置ずれ量を求め、ステップＳ３でこの位置ずれ量を記憶する。
【００６６】
次に、ステップＳ１０では可変視野絞り２０を駆動して、プレートアライメントマークＰＭを照明する照明光を遮光し、且つ分割パターンＡ（レチクルＲＡの場合）を照明するように、レチクルＲの照明領域を設定する。そして、プレートＰ上に分割パターンＡのみを露光する。
【００６７】
続いて、ステップＳ１１では、再度可変視野絞り２０を駆動して、プレートアライメントマークＰＭを照明し、且つ分割パターンＡを照明する照明光を遮光するように、レチクルＲの照明領域を設定する。同時に、プレートアライメントマークＰＭの位置ずれ（Δｘ、Δｙ）を補正するようにプレートステージ１４を駆動する。そして、プレートＰ上にプレートアライメントマークのみを露光する。このステップＳ１０、Ｓ１１をレチクルＲＢ〜ＲＤについても繰り返すことにより、図１１に示すように、プレートＰ上には、分割パターンＡ〜ＤからなるパネルパターンＰ１、Ｐ２と、これらパネルパターンＰ１、Ｐ２とは異なる露光で形成されたプレートアライメントマークＰＭＡ〜ＰＭＤとが転写される。なお、上記のステップＳ１０とステップＳ１１とは、順序が逆であってもよい。
【００６８】
このようにパターンＰ１、Ｐ２とマークＰＭＡ〜ＰＭＤとが形成されたプレートＰに対して、ステップＳ１２では重ね合わせ露光を行う露光装置で、プレートＰに形成されたプレートアライメントマークＰＭＡ〜ＰＭＤを計測し、位置ずれ（Δｘ、Δｙ）を考慮することなく、式（４）、（５）を用いて補正パラメータを算出する。このとき、プレートアライメントマークＰＭＡ〜ＰＭＤは、系統誤差が補正された状態でプレートＰ上に露光形成されているため、算出される補正パラメータは最適補正パラメータＣ’（ξ’、η’、θ’、ω’、κ’、λ’）となる。
【００６９】
本実施の形態の露光方法では、上記第１の実施の形態と同様の効果が得られることに加えて、プレートＰ上のプレートアライメントマークＰＭＡ〜ＰＭＤが系統誤差を除去した状態で、パターンＰ１、Ｐ２に対して所定の相対位置関係で露光形成されるため、２層目以後のプレートアライメントの際に、別途、系統誤差を補正する必要がなくなり、シーケンスの設定を簡素にすることができる。
【００７０】
なお、上記実施の形態において、プレートＰ上のプレートアライメントマークＰＭを、格子が遮光されるマークとしたが、これに限定されるものではなく、例えば周辺が遮光帯で格子マークが光束を透過するような構成としても、信号波形の上下が逆転するだけであり、マークの座標位置の計測は可能である。また、プレートアライメントマークＰＭの形状も、図１２および図１３に示すように、格子状のプレートアライメントマークの近傍に基準マークと同等の矩形マークを設け、これらのマークを計測することで、プレートアライメントマークを代表する位置としてもよい。
【００７１】
また、上記実施の形態では、プレートステージ１４側からレチクルＲ上のプレートアライメントマークＰＭを計測する構成としたが、これに限られず、プレートステージ１４に光量センサーを設け、可変視野絞り２０でプレートアライメントマークＰＭが照明される開口を設定し、この開口を介したビームＢの光量を計測してもよい。この場合、光量センサーの代わりにプレートステージ１４上に撮像素子を設け、レチクルＲ上のプレートアライメントマークＰＭを画像処理することにより、マークの位置を計測してもよい。
【００７２】
なお、本実施の形態の基板としては、液晶表示デバイス用のプレートＰのみならず、半導体デバイス用の半導体ウエハや、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００７３】
露光装置９としては、レチクルＲとプレートＰとを静止した状態でプレートＰのパターンを露光し、プレートＰを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパー）の他に、レチクルＲとプレートＰとを同期移動してレチクルＲのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニング・ステッパー；ＵＳＰ５，４７３，４１０）にも適用することができる。
【００７４】
露光装置９の種類としては、プレートＰに液晶表示デバイスパターンを露光する液晶表示デバイス製造用の露光装置に限られず、ウエハに半導体デバイスパターンを露光する半導体デバイス製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクルなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００７５】
また、光源１０として、超高圧水銀ランプから発生する輝線（ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０４．７ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ））、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）のみならず、Ｘ線や電子線などの荷電粒子線を用いることができる。例えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱電子放射型のランタンヘキサボライト（ＬａＢ６）、タンタル（Ｔａ）を用いることができる。また、ＹＡＧレーザや半導体レーザ等の高周波などを用いてもよい。
【００７６】
投影光学系１２の倍率は、等倍系のみならず縮小系および拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系１２としては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ２レーザやＸ線を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にし（レチクルＲも反射型タイプのものを用いる）、また電子線を用いる場合には光学系として電子レンズおよび偏向器からなる電子光学系を用いればよい。なお、電子線が通過する光路は、真空状態にすることはいうまでもない。
【００７７】
プレートステージ１４やレチクルステージ１３にリニアモータ（ＵＳＰ５，６２３，８５３またはＵＳＰ５，５２８，１１８参照）を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージ１３、１４は、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。
【００７８】
各ステージ１３、１４の駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニット（永久磁石）と、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージ１３、１４を駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージ１３、１４に接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方を各ステージ１３、１４の移動面側（ベース）に設ければよい。
【００７９】
プレートステージ１４の移動により発生する反力は、投影光学系１２に伝わらないように、特開平８−１６６４７５号公報（ＵＳＰ５，５２８，１１８）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。本発明はこのような構造を備えた露光装置においても適用可能である。
レチクルステージ１３の移動により発生する反力は、投影光学系１２に伝わらないように、特開平８−３３０２２４号公報（ＵＳ  Ｓ／Ｎ  ０８／４１６，５５８）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。本発明はこのような構造を備えた露光装置においても適用可能である。
【００８０】
以上のように、本願実施形態の露光装置９は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００８１】
液晶表示デバイスや半導体デバイス等のデバイスは、図１４に示すように、液晶表示デバイス等の機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクルＲ）を製作するステップ２０２、石英等からプレートＰ、またはシリコン材料からウエハを製作するステップ２０３、前述した実施の形態の露光装置９によりレチクルＲのパターンをプレートＰ（またはウエハ）に露光するステップ２０４、液晶表示デバイス等を組み立てるステップ（ウエハの場合、ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【００８２】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１に係る露光方法は、マスクに形成された基板位置合わせマークの位置情報を投影光学系を介して計測する手順となっている。
これにより、この露光方法では、系統誤差を除去した正確な補正パラメータが得られるため、系統誤差に起因する位置決め誤差を排除して、重ね合わせ精度を向上できるという効果が得られる。
【００８３】
請求項２に係る露光方法は、計測した基板位置合わせマークの位置情報に基づいて、基板位置合わせマークを基板に露光する手順となっている。
これにより、この露光方法では、系統誤差を除去した状態でパターンに対して所定の相対位置関係で基板位置合わせマークを露光形成できるため、２層目以後の基板の位置合わせの際に、別途、系統誤差を補正する必要がなくなり、シーケンスの設定を簡素にできるという効果が得られる。
【００８４】
請求項３に係る露光方法は、計測した基板位置合わせマークの位置情報と、基板に露光した基板位置合わせマークの位置情報とに基づいて、基板に露光されたパターンとは異なるパターンを重ねて露光する手順となっている。
これにより、この露光方法では、異なるパターン同士を重ね合わせて露光する際に、重ね合わせ精度を向上できるという効果が得られる。
【００８５】
請求項４に係る露光方法は、複数の部分パターンをつなぎ合わせて基板にパターンを露光する手順となっている。
これにより、この露光方法では、つなぎ合わせを重視した補正パラメータを用いた場合でも、系統誤差の影響を排除した良好な重ね合わせ精度が得られるという効果を奏する。
【００８６】
請求項５に係る露光装置は、計測装置がマスクに形成された基板位置合わせマークの位置情報を投影光学系を介して計測する構成となっている。
これにより、この露光装置では、系統誤差を除去した正確な補正パラメータが得られるため、系統誤差に起因する位置決め誤差を排除して、重ね合わせ精度を向上できるという効果が得られる。
【００８７】
請求項６に係る露光装置は、設定装置が基板位置合わせマークを基板に露光し、パターンを基板に露光しないように、マスクの照明領域を設定する構成となっている。
これにより、この露光装置では、系統誤差を除去した状態でパターンに対して所定の相対位置関係で基板位置合わせマークを露光形成できるため、２層目以後の基板の位置合わせの際に、別途、系統誤差を補正する必要がなくなり、シーケンスの設定を簡素にできるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態を示す図であって、光量センサーを有する露光装置の概略構成図である。
【図２】レチクル上のマークと、プレートステージ上のスリットマークとの平面図である。
【図３】スリットマークの位置と光量センサーが計測する光強度との関係を示す関係図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の露光方法を示すフローチャート図である。
【図５】レチクル上のプレートアライメントマークと、プレートステージ上のスリットマークとの平面図である。
【図６】プレートアライメントセンサのレーザビームとプレート上のプレートアライメントマークとの平面図である。
【図７】プレートアライメントマークの位置とプレートアライメントセンサが計測する信号強度との関係を示す関係図である。
【図８】プレート上のプレートアライメントマークの位置ずれを説明する説明図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態の露光方法を示すフローチャート図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態の露光方法を示すフローチャート図である。
【図１１】個別に露光されたパネルパターンとプレートアライメントマークとが形成されたプレートの平面図である。
【図１２】別の形態のプレートアライメントマークの平面図である。
【図１３】別の形態のプレートアライメントマークの平面図である。
【図１４】液晶表示デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【図１５】従来技術による露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図１６】パネルパターンとプレートアライメントマークとが形成されたプレートの平面図である。
【図１７】分割パターンおよび各種マークが形成されたレチクルの平面図である。
【図１８】レンズディストーションを説明するための説明図である。
【図１９】プレートアライメントマークがずれて露光形成されたプレートの平面図である。
【符号の説明】
Ａ〜Ｄ  分割パターン（部分パターン）
Ｐ  プレート（基板）
Ｐ１、Ｐ２  パネルパターン（パターン）
ＰＭ  プレートアライメントマーク（基板位置合わせマーク）
Ｒ  レチクル（マスク）
９  露光装置
１２  投影光学系
２０  可変視野絞り（設定装置）
３７  光量センサー（計測装置）
【図１】
2004273535.tif 000005
【図２】
2004273535.tif 000006
【図３】
2004273535.tif 000007
【図４】
2004273535.tif 000008
【図５】
2004273535.tif 000009
【図６】
2004273535.tif 000010
【図７】
2004273535.tif 000011
【図８】
2004273535.tif 000012
【図９】
2004273535.tif 000013
【図１０】
2004273535.tif 000014
【図１１】
2004273535.tif 000015
【図１２】
2004273535.tif 000016
【図１３】
2004273535.tif 000017
【図１４】
2004273535.tif 000018
【図１５】
2004273535.tif 000019
【図１６】
2004273535.tif 000020
【図１７】
2004273535.tif 000021
【図１８】
2004273535.tif 000022
【図１９】
2004273535.tif 000023