(57)【要約】【課題】  シリコンウエハ等の被加熱物を均一に加熱することができるセラミックヒータを提供すること。【解決手段】  セラミック板の表面または内部に発熱体を形成してなるセラミックヒータであって、被加熱物を加熱する加熱面の反対側から加熱面に向けて有底孔を設けるとともに、該有底孔の底を発熱体よりも相対的に加熱面に近く形成し、この有底孔に測温素子を設けたことを特徴とする。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック板の表面または内部に発熱体を形成してなるセラミックヒータであって、
被加熱物を加熱する加熱面の反対側から加熱面に向けて有底孔を設けるとともに、該有底孔の底を発熱体よりも相対的に加熱面に近く形成し、この有底孔に測温素子を設けたことを特徴とするセラミックヒータ。
【請求項２】
前記有底孔の底と加熱面との距離は、０．１ｍｍ〜セラミック板の厚さの１／２である請求項１に記載のセラミックヒータ。
【請求項３】
前記セラミックヒータを構成するセラミックは、窒化物セラミックまたは炭化物セラミックである請求項１に記載のセラミックヒータ。
【請求項４】
前記発熱体は、少なくとも２以上の回路に分割されてなる請求項１に記載のセラミックヒータ。
【請求項５】
前記発熱体は、断面が偏平形状である請求項１に記載のセラミックヒータ。
【請求項６】
セラミック板の表面または内部に発熱体が形成されるとともに、このセラミック板の温度を測定する測温素子と、前記発熱体に電力を供給する制御部と、前記測温素子により測定された温度データを記憶する記憶部と、前記温度データから前記発熱体に必要な電力を演算する演算部とを備えてなるセラミックヒータであって、
前記セラミック板に、被加熱物を加熱する加熱面の反対側から加熱面に向けて有底孔を設けるとともに、該有底孔の底を発熱体よりも相対的に加熱面に近く形成し、この有底孔に前記測温素子を設けたことを特徴とするセラミックヒータ。
【請求項７】
前記発熱体は、少なくとも２以上の回路に分割されてなり、各回路には異なる電力が供給されるように構成されている請求項６に記載のセラミックヒータ。
【請求項８】
前記測温素子は、シース型熱電対である請求項１〜７のいずれか１に記載のセラミックヒータ。
【請求項９】
前記測温素子は、有底孔の底部に圧着されてなる請求項１〜８のいずれか１に記載のセラミックヒータ。
【請求項１０】
前記測温素子は、弾性体またはネジにより圧着されてなる請求項９に記載のセラミックヒータ。
【請求項１１】
前記測温素子は、有底孔内に絶縁物で封止されてなる請求項１〜１０のいずれか１に記載のセラミックヒータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主に半導体産業において使用される乾燥用、スパッタリング用等のセラミックヒータに関し、特には、温度制御しやすく、加熱面の温度均一性に優れるセラミックヒータに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製品は、シリコンウエハ上に感光性樹脂をエッチングレジストとして形成し、シリコンウエハのエッチングを行う工程等を経て製造される。
この感光性樹脂は液状であり、スピンコーターなどを用いてシリコンウエハ表面に塗布されるのであるが、塗布後に乾燥させなければならず、塗布したシリコンウエハをヒータ上に載置して加熱することになる。
【０００３】
従来、このような用途に使用される金属製のヒータとしては、アルミニウム板の裏面に発熱体を配置したものが採用されている。
ところが、このような金属製のヒータは、以下のような問題があった。
まず、金属製であるため、ヒータ板の厚みは、１５ｍｍ程度と厚くしなければならない。なぜなら、薄い金属板では、加熱に起因する熱膨張により、反り、歪みが発生してしまい、金属板上に載置したシリコンウエハが破損したり傾いたりしてしまうからである。しかしながら、ヒータ板の厚みを厚くすると、ヒータの重量が重くなり、また、かさばってしまう。
【０００４】
また、発熱体に印加する電圧や電流量を変えることにより、加熱温度を制御するのであるが、金属板が厚いために、電圧や電流量の変化に対してヒータ板の温度が迅速に追従せず、温度制御しにくいという問題もあった。
そこで、特許文献１などで提案されているように、発熱体が形成された窒化物セラミックを使用し、発熱体近傍の温度を測定しながら、温度制御する技術が提案されている。
【特許文献１】特公平８−８２４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、このような技術を用いてシリコンウエハを加熱しようとした際、ヒータ表面の温度差に起因する熱衝撃でシリコンウエハが破損してしまうという問題が発生した。
そこで、本発明者らは、シリコンウエハ破損の原因について鋭意研究した結果、温度制御を行っているにも拘わらずシリコンウエハが破損するのは、発熱体の近傍の温度を測定しても、この温度は、必ずしもシリコンウエハ加熱面の温度を反映していないため、シリコンウエハに場所による温度差が生じ、破損してしまうという予期しない事実をつきとめた。
また、このような温度の不均一性は、窒化物セラミックや炭化物セラミックなどの熱伝導率の高いものほど顕著であるという事実も新たにつきとめた。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そこで、本発明者らはさらに検討を重ね、よりシリコンウエハに近い部分の温度を測定し、その結果に基づいて加熱を行うことにより、シリコンウエハの加熱面の温度差を小さくすることができ、セラミック板の破損を防止することができることを見いだし、以下に示す内容を要旨構成とする本発明を完成するに至った。
【０００７】
即ち、第一の本発明のセラミックヒータは、セラミック板の表面または内部に発熱体を形成してなるセラミックヒータであって、
被加熱物を加熱する加熱面の反対側から加熱面に向けて有底孔を設けるとともに、該有底孔の底を発熱体よりも相対的に加熱面に近く形成し、この有底孔に上記測温素子を設けたことを特徴とする。
【０００８】
上記セラミックヒータにおいて、上記有底孔の底と加熱面との距離は、０．１ｍｍ〜セラミック板の厚さの１／２であることが望ましい。
上記セラミックヒータを構成するセラミックは、窒化物セラミックまたは炭化物セラミックであることが望ましい。
【０００９】
上記セラミックヒータの発熱体は、少なくとも２以上の回路に分割されてなることが望ましい。
上記セラミックヒータの発熱体は、断面が偏平形状であることが望ましい。
【００１０】
また、第二の本発明のセラミックヒータは、セラミック板の表面または内部に発熱体が形成されるとともに、このセラミック板の温度を測定する測温素子と、上記発熱体に電力を供給する制御部と、上記測温素子により測定された温度データを記憶する記憶部と、上記温度データから上記発熱体に必要な電力を演算する演算部とを備えてなるセラミックヒータであって、
上記セラミック板に、被加熱物を加熱する加熱面の反対側から加熱面に向けて有底孔を設けるとともに、該有底孔の底を発熱体よりも相対的に加熱面に近く形成し、この有底孔に上記測温素子を設けたことを特徴とする。
【００１１】
上記セラミックヒータにおいて、上記発熱体は、少なくとも２以上の回路に分割されてなり、各回路には異なる電力が供給されるように構成されていることが望ましい。
上記第一および第二のセラミックヒータにおいて、上記測温素子は、シース型熱電対であって、有底孔の底部に圧着されていることが望ましい。
【００１２】
また、上記測温素子は、有底孔の底部に弾性体またはネジにより圧着されていることが望ましい。
さらに、上記測温素子は、有底孔内に絶縁物で封止されていることが望ましい。
【発明の効果】
【００１３】
第一および第二の本発明のセラミックヒータによれば、正確な被加熱物の温度の測定が可能となり、この温度の測定結果に基づいて発熱体の発熱状態を調整することにより、シリコンウエハ全体を均一に加熱することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
第一の本発明のセラミックヒータは、セラミック板の表面または内部に発熱体を形成してなるセラミックヒータであって、
被加熱物を加熱する加熱面の反対側から加熱面に向けて有底孔を設けるとともに、該有底孔の底を発熱体よりも相対的に加熱面に近く形成し、この有底孔に上記測温素子を設けたことを特徴とする。
【００１５】
第一の本発明のセラミックヒータによれば、測温場所が発熱体よりも被加熱物（シリコンウエハ）の加熱面に近いので、より正確な被加熱物の温度の測定が可能となり、この温度の測定結果に基づいて発熱体の発熱状態を調整することにより、被加熱物を均一に加熱することが可能となる。
【００１６】
また、窒化物セラミックや炭化物セラミックは、熱膨張係数が金属よりも小さく、機械的な強度が金属に比べて格段に高いため、セラミック板（以下、ヒータ板という）の厚さを薄くしても、加熱により反ったり、歪んだりしない。そのため、ヒータ板を薄くて軽いものとすることができる。さらに、ヒータ板の熱伝導率が高く、ヒータ板自体が薄いため、ヒータ板の表面温度が、発熱体の温度変化に迅速に追従する。即ち、電圧、電流値を変えて発熱体の温度を変化させることにより、ヒータ板の表面温度を制御することができるのである。
【００１７】
上記セラミックヒータにおいて、上記発熱体は、ヒータ板の一主面の表面に形成し、反対側面をシリコンウエハなどの被加熱物を加熱する加熱面とするか、または、ヒータ板の内部であって、中心より一方の主面側に偏芯させて形成し、発熱体から遠い方の面を加熱面とすることが望ましい。
【００１８】
発熱体の形成位置をこのように設定することにより、発熱体から発生した熱が伝搬していくうちに、ヒータ板全体に拡散し、被加熱物（シリコンウエハ）を加熱する面の温度分布が均一化され、その結果、被加熱物の各部分における温度が均一化される。
加熱は、ヒータ板に被加熱物を載置して行うか、または、ヒータ板から被加熱物を所定距離に離間させた状態で保持して行うことができる。
【００１９】
図１は、第一の本発明のセラミックヒータの一例を模式的に示す底面図である。
ヒータ板１１は、円板状に形成されており、発熱体１２は、ヒータ板１１の加熱面（図示した底面の反対側面）の全体の温度が均一になるように加熱する必要があるため、ヒータ板１１の底面に同心円状のパターンに形成されている。また、これら発熱体１２は、互いに近い二重の同心円同士が１組として、１本の線になるように接続され、その両端に入出力の端子となる端子ピン１３が接続されている。また、中央に近い部分には、支持ピン（図示せず）を挿入するための貫通孔１５が形成され、さらに、測温素子を挿入するための有底孔１４ａ〜１４ｉが形成されている。
【００２０】
このセラミックヒータ１０において、ヒータ板１１の厚さは、０．５〜５ｍｍが好ましい。０．５ｍｍより薄いと、強度が低下するため破損しやすくなり、一方、５ｍｍより厚くなると、熱が伝搬しにくくなり、加熱の効率が悪くなる。
【００２１】
セラミックヒータ１０を構成するセラミックは、窒化物セラミックまたは炭化物セラミックであることが望ましい。
上記窒化物セラミックとしては、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタン等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
また、炭化物セラミックとしては、例えば、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化タンタル、炭化タングステン等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００２２】
これらのなかでは、窒化アルミニウムが最も好ましい。熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋと最も高く、温度追従性に優れる反面、温度分布の不均一を招きやすく、本発明のような測温素子の形成構造をとる必要があるからである。
【００２３】
第一の本発明のセラミックヒータ１０において、有底孔１４ａ〜１４ｉの底と加熱面との距離（図２（ｂ）参照）Ｌは、０．１ｍｍ〜セラミック板の厚さの１／２であることが望ましい。有底孔１４ａ〜１４ｉの底と加熱面との距離が０．１ｍｍ未満では、放熱してしまい、シリコンウエハ加熱面に温度分布が形成されてしまい、一方、セラミック板の厚さの１／２を超えると、発熱体の温度の影響を受けやすく、やはりシリコンウエハの加熱面に温度分布が形成されてしまうからである。
【００２４】
上記測温素子としては、例えば、熱電対、白金測温抵抗体、サーミスタ等が挙げられる。
また、上記熱電対としては、例えば、ＪＩＳ−Ｃ−１６０２（１９８０）に挙げられるように、Ｋ型、Ｒ型、Ｂ型、Ｓ型、Ｅ型、Ｊ型、Ｔ型熱電対等が挙げられるが、これらのなかでは、Ｋ型熱電対が好ましい。
【００２５】
上記熱電対の接合部の大きさは、素線の径と同一か、または、それよりも大きく、０．５ｍｍ以下であることが望ましい。これは、接合部が大きい場合は、熱容量が大きくなって応答性が低下してしまうからである。なお、素線の径よりも小さくすることは困難である。
有底孔１４ａ〜１４ｉの直径は、０．３〜０．５ｍｍであることが望ましい。これは、直径が大きすぎると放熱性が大きくなり、また小さすぎると加工性が低下して、加工面との距離を均等にすることができなくなるからである。
【００２６】
上記有底孔１４ａ〜１４ｉは、図１に示したように、ヒータ板１１の中心に対して対称で、かつ、十字を形成するように配列することが望ましい。このように配列することにより、加熱面全体の温度を測定することができるからである。
【００２７】
上記測温素子は、金ろう、銀ろうなどを使用して、有底孔１４ａ〜１４ｉの底に接着してもよく、有底孔１４ａ〜１４ｉに挿入した後、耐熱性樹脂やセラミック等の絶縁物で封止してもよく、両者を併用してもよい。
【００２８】
上記耐熱性樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂、特にはエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられる。これらの樹脂は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。また、シリカゾル、アルミナゾルなどのセラミックを用いて封止してもよい。
【００２９】
上記金ろうとしては、３７〜８０．５重量％Ａｕ−６３〜１９．５重量％Ｃｕ合金、８１．５〜８２．５重量％Ａｕ−１８．５〜１７．５重量％Ｎｉ合金から選ばれる少なくとも１種が望ましい。これらは、溶融温度が、９００℃以上であり、高温領域でも溶融しにくいためである。
【００３０】
銀ろうとしては、例えば、Ａｇ−Ｃｕ系のものを使用することができる。
発熱体１２は、図１に示したように、少なくとも２以上の回路に分割されていることが望ましく、２〜１０の回路に分割されていることがより望ましい。回路を分割することにより、各回路に投入する電力を制御して発熱量を変えることができ、シリコンウエハの加熱面の温度を調整することができるからである。
【００３１】
図４、５は、いずれも測温素子の固定方法を示す図面で、（ａ）は、有底孔の近傍を示す断面図であり、（ｂ）は、有底孔の形状を示す拡大底面図である。
測温素子を固定する際には、図４に示すように、コイルバネ６５等の弾性体を用いて有底孔６１０の底面に圧着してもよく、図５に示すように、ボルト７４のようなもので有底孔７１０の底面に押しつけてもよい。弾性体としてはコイルばねや板バネなどを使用することができる。
【００３２】
樹脂、セラミック、ろう材等で測温素子を固定すると、熱劣化して測温素子が脱落するおそれがあるが、圧着等の物理的な方法を用いると、このような問題が生じないため有利である。図４、５に示すように、圧着等による固定を行う場合であって、測温素子として熱電対を使用する場合には、筒状体の内部に熱電対が納められ、その周囲にアルミナ粉末等の絶縁粉末が充填されたシース型熱電対を使用することが望ましい。熱電対が破損するのを防止することができるからである。
【００３３】
発熱体１２のパターンとしては、図１に示した同心円のほか、例えば、渦巻き、偏心円、屈曲線などが挙げられる。
【００３４】
本発明において、発熱体１２をヒータ板１１の表面に形成する場合には、金属粒子を含む導電ペーストをヒータ板１１の表面に塗布して所定パターンの導体ペースト層を形成した後、これを焼き付け、ヒータ板１１の表面で金属粒子を焼結させる方法が好ましい。なお、金属の焼結は、金属粒子同士および金属粒子とセラミックとが融着していれば充分である。
図１に示したように、ヒータ板１１の表面に発熱体１２を形成する場合には、この発熱体１２の厚さは、１〜３０μｍが好ましく、１〜１０μｍがより好ましい。また、ヒータ板１１の内部に発熱体を形成する場合には、その厚さは、１〜５０μｍが好ましい。
【００３５】
また、ヒータ板１１の表面に発熱体１２を形成する場合には、発熱体１２の幅は、０．１〜２０ｍｍが好ましく、０．１〜５ｍｍがより好ましい。また、ヒータ板１１の内部に発熱体を形成する場合には、発熱体の幅は、５〜２０μｍが好ましい。
【００３６】
発熱体１２は、その幅や厚さにより抵抗値に変化を持たせることができるが、上記した範囲が最も実用的である。抵抗値は、薄く、また、細くなる程大きくなる。発熱体１２は、ヒータ板１１の内部に形成した場合の方が、厚み、幅とも大きくなるが、これは、発熱体１２を内部に設けると、加熱面と発熱体との距離が短くなり、表面の温度の均一性が低下するため、発熱体１２自体の幅を広げる必要があるからである。また、内部に発熱体を設けるために、窒化物セラミック等との密着性を考慮する必要性がなく、タングステン、モリブデンなどの高融点金属やタングステン、モリブデンなどの炭化物を使用することができ、抵抗値を高くすることが可能となるため、断線等を防止する目的で厚み自体を厚くしてもよい。以上の理由から、発熱体１２は、上記した厚みや幅とすることが望ましい。
発熱体１２は、断面が矩形であっても楕円であってもよいが、偏平であることが望ましい。偏平の方が加熱面に向かって放熱しやすいため、加熱面の温度分布ができにくいからである。
【００３７】
断面のアスペクト比（発熱体の幅／発熱体の厚さ）は、１０〜５０００であることが望ましい。
この範囲に調整することにより、発熱体１２の抵抗値を大きくすることができるとともに、加熱面の温度の均一性を確保することができるからである。
発熱体１２の厚さを一定とした場合、アスペクト比が上記範囲より小さいと、ヒータ板１１のウエハ加熱面方向への熱の伝搬量が小さくなり、発熱体１２のパターンに近似した熱分布が加熱面に発生してしまい、逆にアスペクト比が大きすぎると発熱体１２の中央の直上部分が高温となってしまい、結局、発熱体１２のパターンに近似した熱分布が加熱面に発生してしまう。従って、温度分布を考慮すると、断面のアスペクト比は、１０〜５０００であることが好ましいのである。
【００３８】
発熱体１２をヒータ板１１の表面に形成する場合は、アスペクト比を１０〜２００、発熱体１２をヒータ板１１の内部に形成する場合は、アスペクト比を２００〜５０００とすることが望ましい。
【００３９】
発熱体１２は、ヒータ板１１の内部に形成した場合の方が、アスペクト比が大きくなるが、これは、発熱体１２を内部に設けると、加熱面と発熱体１２との距離が短くなり、表面の温度均一性が低下するため、発熱体１２自体を偏平にする必要があるからである。
本発明の発熱体１２をヒータ板１１の内部に偏芯して形成する場合の位置は、ヒータ板１１の加熱面の反対側面（底面）に近い位置で、加熱面から底面までの距離に対して５０％を超え、９９％までの位置とすることが望ましい。
【００４０】
５０％以下であると、加熱面に近すぎるため、温度分布が発生してしまい、逆に、９９％を超えると、ヒータ板１１自体に反りが発生して、シリコンウエハが破損するからである。
また、発熱体１２をヒータ板１１の内部に形成する場合には、発熱体形成層を複数層設けてもよい。この場合は、各層のパターンは、相互に補完するようにどこかの層に発熱体１２が形成され、加熱面の上方から見ると、どの領域にもパターンが形成されている状態が望ましい。このような構造としては、例えば、互いに千鳥の配置になっている構造が挙げられる。
【００４１】
導体ペーストとしては特に限定されないが、導電性を確保するための金属粒子または導電性セラミックが含有されているほか、樹脂、溶剤、増粘剤などを含むものが好ましい。
上記金属粒子としては、例えば、貴金属（金、銀、白金、パラジウム）、鉛、タングステン、モリブデン、ニッケルなどが好ましい。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの金属は、比較的酸化しにくく、発熱するに充分な抵抗値を有するからである。
【００４２】
上記導電性セラミックとしては、例えば、タングステン、モリブデンの炭化物などが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
これら金属粒子または導電性セラミック粒子の粒径は、０．１〜１００μｍが好ましい。０．１μｍ未満と微細すぎると、酸化されやすく、一方、１００μｍを超えると、焼結しにくくなり、抵抗値が大きくなるからである。
【００４３】
上記金属粒子の形状は、球状であっても、リン片状であってもよい。これらの金属粒子を用いる場合、上記球状物と上記リン片状物との混合物であってよい。
上記金属粒子がリン片状物、または、球状物とリン片状物との混合物の場合は、金属粒子間の金属酸化物を保持しやすくなり、発熱体１２と窒化物セラミック等との密着性を確実にし、かつ、抵抗値を大きくすることができるため有利である。
【００４４】
導体ペーストに使用される樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。また、溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコールなどが挙げられる。増粘剤としては、セルロースなどが挙げられる。
【００４５】
導体ペーストには、上記したように、金属粒子に金属酸化物を添加し、発熱体１２を金属粒子および金属酸化物を焼結させたものとすることが望ましい。このように、金属酸化物を金属粒子とともに焼結させることにより、ヒータ板である窒化物セラミックまたは炭化物セラミックと金属粒子とを密着させることができる。
【００４６】
金属酸化物を混合することにより、窒化物セラミックまたは炭化物セラミックと密着性が改善される理由は明確ではないが、金属粒子表面や窒化物セラミック、炭化物セラミックの表面は、わずかに酸化されて酸化膜が形成されており、この酸化膜同士が金属酸化物を介して焼結して一体化し、金属粒子と窒化物セラミックまたは炭化物セラミックとが密着するのではないかと考えられる。
【００４７】
前記金属酸化物としては、例えば、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）、アルミナ、イットリアおよびチタニアからなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。
これらの酸化物は、発熱体１２の抵抗値を大きくすることなく、金属粒子と窒化物セラミックまたは炭化物セラミックとの密着性を改善することができるからである。
【００４８】
上記酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）、アルミナ、イットリア、チタニアの割合は、金属酸化物の全量を１００重量部とした場合、重量比で、酸化鉛が１〜１０、シリカが１〜３０、酸化ホウ素が５〜５０、酸化亜鉛が２０〜７０、アルミナが１〜１０、イットリアが１〜５０、チタニアが１〜５０であって、その合計が１００重量部を超えない範囲で調整されていることが望ましい。
【００４９】
これらの範囲で、これらの酸化物の量を調整することにより、特に窒化物セラミックとの密着性を改善することができる。
上記金属酸化物の金属粒子に対する添加量は、０．１重量％以上１０重量％未満が好ましい。また、このような構成の導体ペーストを使用して発熱体１２を形成した際の面積抵抗率は、１ｍΩ／□〜１０Ω／□が好ましい。
【００５０】
発熱体１２がヒータ板１１の表面に形成される場合には、発熱体１２の表面部分に、金属被覆層（図３参照）４８が形成されていることが望ましい。内部の金属焼結体が酸化されて抵抗値が変化するのを防止するためである。形成する金属被覆層の厚さは、０．１〜１０μｍが好ましい。
【００５１】
金属被覆層を形成する際に使用される金属は、非酸化性の金属であれば特に限定されないが、具体的には、例えば、金、銀、パラジウム、白金、ニッケルなどが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらのなかでは、ニッケルが好ましい。
【００５２】
発熱体１２には、電源と接続するための端子が必要であり、この端子は、半田を介して発熱体１２に取り付けるが、ニッケルは、半田の熱拡散を防止するからである。接続端子としては、例えば、コバール製の端子ピン１３が挙げられる。
【００５３】
なお、発熱体１２をヒータ板１１の内部に形成する場合には、発熱体表面が酸化されることがないため、被覆は不要である。発熱体１２をヒータ板１１内部に形成する場合、発熱体の一部が表面に露出していてもよく、発熱体を接続するためのスルーホールが端子部分に設けられ、このスルーホールに端子が接続、固定されていてもよい。
【００５４】
接続端子を接続する場合、半田としては、銀−鉛、鉛−スズ、ビスマス−スズなどの合金を使用することができる。なお、半田層の厚さは、０．１〜５０μｍが好ましい。半田による接続を確保するのに充分な範囲だからである。
【００５５】
本発明のセラミックヒータでは、セラミック板の内部に電極を埋設して静電チャックとしたり、表面にチャックトップ導体層を設け、内部にガード電極やグランド電極を形成してウエハプローバとして機能させることができる。
【００５６】
次に、第一の本発明のセラミックヒータの製造方法について説明する。
まず、図１に示したヒータ板１１の表面に発熱体１２が形成されたセラミックヒータの製造方法について説明する。
【００５７】
(1) ヒータ板の作製工程
上述した窒化アルミニウムなどの窒化物セラミックまたは炭化物セラミックの粉末に必要に応じてイットリア等の焼結助剤やバインダ等を配合してスラリーを調製した後、このスラリーをスプレードライ等の方法で顆粒状にし、この顆粒を金型などに入れて加圧することにより板状などに成形し、生成形体（グリーン）を作製する。
【００５８】
次に、生成形体に、必要に応じて、シリコンウエハを支持するための支持ピンを挿入する貫通孔１５となる部分や熱電対などの測温素子を埋め込むための有底孔１４ａ〜１４ｉとなる部分を、ドリル加工やブラスト処理等により形成する。なお、貫通孔となる部分を形成するための加工は、焼結体を製造した後に行ってもよい。
【００５９】
次に、この生成形体を加熱、焼成して焼結させ、セラミック製の板状体を製造する。この後、所定の形状に加工することにより、ヒータ板１１を作製するが、焼成後にそのまま使用することができる形状としてもよい。加圧しながら加熱、焼成を行うことにより、気孔のないヒータ板１１を製造することが可能となる。加熱、焼成は、焼結温度以上であればよいが、窒化物セラミックまたは炭化物セラミックでは、１０００〜２５００℃である。
【００６０】
(2) ヒータ板に導体ペーストを印刷する工程
導体ペーストは、一般に、金属粒子、樹脂、溶剤からなる粘度の高い流動物である。この導体ペーストをスクリーン印刷などを用い、発熱体を設けようとする部分に印刷を行うことにより、導体ペースト層を形成する。発熱体は、ヒータ板全体を均一な温度にする必要があることから、図１に示すような同心円状からなるパターンに印刷することが望ましい。
導体ペースト層は、焼成後の発熱体１２の断面が、方形で、偏平な形状となるように形成することが望ましい。
【００６１】
(3) 導体ペーストの焼成
ヒータ板１１の底面に印刷した導体ペースト層を加熱焼成して、樹脂、溶剤を除去するとともに、金属粒子を焼結させ、ヒータ板１１の底面に焼き付け、発熱体１２を形成する。加熱焼成の温度は、５００〜１０００℃が好ましい。
【００６２】
導体ペースト中に上述した金属酸化物を添加しておくと、金属粒子、ヒータ板および金属酸化物が焼結して一体化するため、発熱体とヒータ板との密着性が向上する。
【００６３】
(4) 金属被覆層の形成
発熱体１２表面には、金属被覆層を設けることが望ましい。金属被覆層は、電解めっき、無電解めっき、スパッタリング等により形成することができるが、量産性を考慮すると、無電解めっきが最適である。
【００６４】
(5) 端子等の取り付け
発熱体１２のパターンの端部に電源との接続のための端子（端子ピン１３）を半田で取り付ける。また、有底孔１４ａ〜１４ｉに銀ろう、金ろうなどで熱電対を固定し、ポリイミド等の耐熱樹脂で封止し、セラミックヒータ１０の製造を終了する。
次に、ヒータ板の内部に発熱体が形成されたセラミックヒータの製造方法について説明する。
【００６５】
(1) ヒータ板の作製工程
まず、窒化物セラミックまたは炭化物セラミックの粉末をバインダ、溶剤等と混合してペーストを調製し、これを用いてグリーンシートを作製する。
上述したセラミック粉末としては、窒化アルミニウム、炭化ケイ素などを使用することができ、必要に応じて、イットリア等の焼結助剤を加えてもよい。
【００６６】
また、バインダとしては、アクリル系バインダ、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニルアルコールから選ばれる少なくとも１種が望ましい。
さらに溶媒としては、α−テルピネオール、グリコールから選ばれる少なくとも１種が望ましい。
これらを混合して得られるペーストをドクターブレード法でシート状に成形してグリーンシートを作製する。
【００６７】
グリーンシートの厚さは、０．１〜５ｍｍが好ましい。
次に、得られたグリーンシートに、必要に応じて、シリコンウエハを支持するための支持ピンを挿入する貫通孔となる部分、熱電対などの測温素子を埋め込むための有底孔となる部分、発熱体を外部の端ピンと接続するためのスルーホールとなる部分等を形成する。後述するグリーンシート積層体を形成した後に、上記加工を行ってもよい。
【００６８】
(2) グリーンシート上に導体ペーストを印刷する工程
グリーンシート上に、金属ペーストまたは導電性セラミックを含む導体ペーストを印刷する。
【００６９】
これらの導体ペースト中には、金属粒子または導電性セラミック粒子が含まれている。
タングステン粒子またはモリブデン粒子の平均粒子径は、０．１〜５μｍが好ましい。平均粒子が０．１μｍ未満であるか、５μｍを超えると、導体ペーストを印刷しにくいからである。
【００７０】
このような導体ペーストとしては、例えば、金属粒子または導電性セラミック粒子８５〜８７重量部；アクリル系、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニルアルコールから選ばれる少なくとも１種のバインダ１．５〜１０重量部；および、α−テルピネオール、グリコールから選ばれる少なくとも１種の溶媒１．５〜１０重量部を混合した組成物（ペースト）が挙げられる。
【００７１】
(3) グリーンシートの積層工程
導体ペーストを印刷していないグリーンシートを、導体ペーストを印刷したグリーンシートの上下に積層する。
このとき、上側に積層するグリーンシートの数を下側に積層するグリーンシートの数よりも多くして、発熱体の形成位置を底面の方向に偏芯させる。
具体的には、上側のグリーンシートの積層数は２０〜５０枚が、下側のグリーンシートの積層数は５〜２０枚が好ましい。
【００７２】
(4) グリーンシート積層体の焼成工程
グリーンシート積層体の加熱、加圧を行い、グリーンシート中のセラミック粒子および内部の導体を焼結させる。
加熱温度は、１０００〜２０００℃が好ましく、加圧の圧力は、１００〜２００ｋｇ／ｃｍ2が好ましい。加熱は、不活性ガス雰囲気中で行う。不活性ガスとしては、例えば、アルゴン、窒素などを使用することができる。
【００７３】
なお、焼成を行った後に、測温素子を挿入するための有底孔を設けてもよい。有底孔は、表面研磨後に、サンドブラストなどのブラスト処理を行うことにより形成することができる。また、内部の発熱体と接続するためのスルーホールに端子を接続し、加熱してリフローする。加熱温度は、２００〜５００℃が好適である。
【００７４】
さらに、測温素子としての熱電対などを銀ろう、金ろう等を用いて取り付け、ポリイミドなどの耐熱性樹脂で封止し、セラミックヒータの製造を終了する。
【００７５】
次に、第二の本発明のセラミックヒータについて説明する。
第二の本発明のセラミックヒータは、セラミック板の表面または内部に発熱体が形成されるとともに、このセラミック板の温度を測定する測温素子と、上記発熱体に電力を供給する制御部と、上記測温素子により測定された温度データを記憶する記憶部と、上記温度データから上記発熱体に必要な電力を演算する演算部とを備えてなるセラミックヒータであって、
上記セラミック板に、被加熱物を加熱する加熱面の反対側から加熱面に向けて有底孔を設けるとともに、該有底孔の底を発熱体よりも相対的に加熱面に近く形成し、この有底孔に測温素子を設けたことを特徴とする。
【００７６】
第二の本発明のセラミックヒータによれば、測温場所が発熱体よりもシリコンウエハの加熱面に近いので、より正確なシリコンウエハの温度の測定が可能となり、この正確な温度の測定結果を記憶部に記憶し、上記記憶部で記憶された温度データに基づき、均一加熱のために発熱体に投入する電圧を演算部で計算し、この計算結果に基づき、制御部より制御電圧を発熱体に印加するので、シリコンウエハ全体を均一に加熱することが可能となる。
また、窒化物セラミックや炭化物セラミックは、熱膨張係数が金属よりも小さく、機械的な強度が金属に比べて格段に高いため、ヒータ板を薄くて軽いものとすることができる。さらに、ヒータ板の熱伝導率が高く、ヒータ板自体が薄いため、ヒータ板の表面温度が、発熱体の温度変化に迅速に追従する。
【００７７】
図２（ａ）は、第二の本発明のセラミックヒータの一例の概略を示したブロック図であり、（ｂ）は、その一部を示した部分拡大断面図である。
【００７８】
図２に示したように、このセラミックヒータ２０では、ヒータ板２１に貫通孔２５が複数個（図中では、１個のみ）設けられ、その貫通孔２５に支持ピン２６が挿入され、この支持ピン２６上にシリコンウエハ１９が載置されるようになっている。また、この支持ピン２６を上下させることにより、シリコンウエハ１９を図示しない搬送機に渡したり、搬送機からシリコンウエハ１９を受け取ったりすることができるようになっている。
【００７９】
また、支持ピン２６により、シリコンウエハ１９をヒータ板２１から所定距離に離間させた状態で保持し、加熱を行うこともできるようになっている。
【００８０】
一方、ヒータ板２１の内部に発熱体２２ａ、２２ｂが埋設され、この発熱体２２ａ、２２ｂは、スルーホール２８を介して底面に設けられた端子ピン２３に接続されている。また、端子ピン２３には、ソケット３２が取り付けられ、このソケット３２は、電源を有する制御部２９に接続されている。
【００８１】
また、ヒータ板２１には、底面２１ｂ側から有底孔２４が設けられ、この有底孔２４の底には、熱電対２７が固定されている。この熱電対２７は、記憶部３０に接続され、各熱電対２７の温度を一定時間毎に測定し、そのデータを記憶することができるようになっている。そして、この記憶部３０は、制御部２９に接続されるとともに、演算部３１に接続され、記憶部３０に記憶されたデータに基づき、演算部３１で制御する電圧値等の計算を行い、これに基づき、制御部２９から各発熱体２１に対して所定の電圧を印加し、加熱面２１ａの温度を均一化することができるようになっている。
【００８２】
セラミックヒータ２０を構成する各部材（ヒータ板２１、発熱体２２ａ、２２ｂ、スルーホール２８）やヒータ板２１に形成する有底孔２４等は、第一のセラミックヒータの場合と同様に構成されているので、ここではその説明を省略する。
【００８３】
次に、この第二の本発明のセラミックヒータ２０の動作について、説明する。
まず、制御部２９を作動させることによりセラミックヒータ２０に電力を投入すると、ヒータ板２１自体の温度が上がり始めるが、外周部の方の表面温度がやや低温になる。
熱電対２７で測温したデータは、記憶部３０に一端格納される。次に、この温度データは演算部３１に送られ、演算部３１において、各測定点における温度の差ΔＴを演算し、さらに、加熱面２１ａの温度の均一化のために必要なデータΔＷを演算する。
【００８４】
例えば、発熱体２２ａと発熱体２２ｂにおける温度差ΔＴがあり、発熱体２２ａの方が低ければ、ΔＴを０にするような電力データΔＷを演算し、これを制御部２９に送信して、これに基づいた電力を発熱体２２ａに投入して昇温させるのである。
【００８５】
電力の計算アルゴリズムについては、ヒータ板２１の比熱と加熱域の重量から昇温に必要な電力を演算する方法が最も簡便であり、これに発熱体パターンに起因する補正係数を加味してもよい。また、予め、特定の発熱体パターンについて昇温試験を行い、測温位置、投入電力、温度の関数を予め求めておき、この関数から投入電力を演算してもよい。そして、演算部３１で演算された電力に対応する印加電圧と時間とを制御部２９に送信し、制御部２９でその値に基づいて各発熱体２２に電力を投入することになる。
【００８６】
図３は、第二の本発明のセラミックヒータの他の一例の概略を示したブロック図である。
図３に示したセラミックヒータ４０では、ヒータ板４１の底面４１ｂに発熱体４２ａ、４２ｂが形成され、発熱体４２ａ、４２ｂの周囲に金属被覆層４８が形成されている。
また、発熱体４２ａ、４２ｂに金属被覆層４８を介して端子ピン４３が接続、固定され、端子ピン４３に、ソケット５２が取り付けられている。そして、このソケット５２は、電源を有する制御部２９に接続されており、そのほかは、図２に示したセラミックヒータと同様に構成されている。
【００８７】
図３に示したセラミックヒータ４０の動作は、図２に示したセラミックヒータ２０と同様であり、熱電対４２ａ、４２ｂの温度を一定時間毎に測定して記憶部５０で記憶し、このデータから演算部５１で制御する電圧値等の計算を行い、これに基づき、制御部４９から発熱体４２ａ、４２ｂに対して所定の電圧を印加して、セラミックヒータ４０の加熱面４１ａ全体の温度を均一化することができるようになっている。
【実施例１】
【００８８】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
【００８９】
（実施例１）窒化アルミニウム製のセラミックヒータ（図１参照）の製造
(1)窒化アルミニウム粉末（平均粒径：１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径：０．４μｍ）４重量部、アクリル系バインダ１２重量部およびアルコールからなる組成物のスプレードライを行い、顆粒状の粉末を作製した。
【００９０】
(2) 次に、この顆粒状の粉末を金型に入れ、平板状に成形して生成形体（グリーン）を得た。この生成形体にドリル加工を施し、シリコンウエハの支持ピンを挿入する貫通孔１５となる部分、熱電対を埋め込むための有底孔１４ａ〜１４ｉとなる部分（直径：１．１ｍｍ、深さ：２ｍｍ）を形成した。
【００９１】
(3) 加工処理の終った生成形体を１８００℃、圧力：２００ｋｇ／ｃｍ2でホットプレスし、厚さが３ｍｍの窒化アルミニウム板状体を得た。
次に、この板状体から直径２１０ｍｍの円板体を切り出し、セラミック製の板状体（ヒータ板）１１とした。
【００９２】
(4) 上記(3) で得たヒータ板１１に、スクリーン印刷にて導体ペーストを印刷した。印刷パターンは、図１に示したような同心円状のパターンとした。
導体ペーストとしては、プリント配線板のスルーホール形成に使用されている徳力化学研究所製のソルベストＰＳ６０３Ｄを使用した。
【００９３】
この導体ペーストは、銀−鉛ペーストであり、銀１００重量部に対して、酸化鉛（５重量％）、酸化亜鉛（５５重量％）、シリカ（１０重量％）、酸化ホウ素（２５重量％）およびアルミナ（５重量％）からなる金属酸化物を７．５重量部含むものであった。また、銀粒子は、平均粒径が４．５μｍで、リン片状のものであった。
【００９４】
(5) 次に、導体ペーストを印刷したヒータ板１１を７８０℃で加熱、焼成して、導体ペースト中の銀、鉛を焼結させるとともにヒータ板１１に焼き付け、発熱体１２を形成した。銀−鉛の発熱体１２は、厚さが５μｍ、幅２．４ｍｍ、面積抵抗率が７．７ｍΩ／□であった。
【００９５】
(6) 硫酸ニッケル８０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２４ｇ／ｌ、酢酸ナトリウム１２ｇ／ｌ、ほう酸８ｇ／ｌ、塩化アンモニウム６ｇ／ｌの濃度の水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴に上記(5) で作製したヒータ板１１を浸漬し、銀−鉛の発熱体１２の表面に厚さ１μｍの金属被覆層（ニッケル層）を析出させた。
【００９６】
(7) 電源との接続を確保するための端子を取り付ける部分に、スクリーン印刷により、銀−鉛半田ペースト（田中貴金属製）を印刷して半田層を形成した。
ついで、半田層の上にコバール製の端子ピン１３を載置して、４２０℃で加熱タフローし、端子ピン１３を発熱体１２の表面に取り付けた。
【００９７】
(8) 温度制御のための熱電対を８１．７Ａｕ−１８．３Ｎｉの金ローで接続し、（１０３０℃で加熱して融着）、セラミックヒータ１０を得た。
【００９８】
（実施例２）炭化ケイ素製のセラミックヒータの製造
平均粒径１．０μｍの炭化ケイ素を使用し、焼結温度を１９００℃とし、さらに得られたヒータ板の表面を１５００℃で２時間焼成して表面に厚さ１μｍのＳｉＯ2層を形成したほかは、実施例１と同様にし、炭化ケイ素製のセラミックヒータを製造した。また、熱電対は、ポリイミド樹脂を用い、１２０℃で硬化させることにより封止した。
【００９９】
（実施例３）発熱体を内部に有するセラミックヒータの製造
(1) 窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製  平均粒径：１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径：０．４μｍ）４重量部、アクリルバインダ１１．５重量部、分散剤０．５重量部および１−ブタノールとエタノールとからなるアルコール５３重量部を混合したペーストを用い、ドクターブレート法により成形を行って、厚さ０．４７ｍｍのグリーンシートを得た。
【０１００】
(2) 次に、このグリーンシートを８０℃で５時間乾燥させた後、パンチングにより直径１．８ｍｍ、３．０ｍｍ、５．０ｍｍのシリコンウエハ支持ピンを挿入する貫通孔１５となる部分、端子ピンと接続するためのスルーホールとなる部分を設けた。
【０１０１】
(3) 平均粒子径１μｍのタングステンカーバイト粒子１００重量部、アクリル系バインダ３．０重量部、α−テルピネオール溶媒３．５重量部および分散剤０．３重量部を混合して導体ペーストＡを調製した。
【０１０２】
平均粒子径３μｍのタングステン粒子１００重量部、アクリル系バインダ１．９重量部、α−テルピネオール溶媒３．７重量部および分散剤０．２重量部を混合して導体ペーストＢを調製した。
【０１０３】
この導電性ペーストＡをグリーンシートにスクリーン印刷で印刷し、導体ペースト層を形成した。印刷パターンは、図１に示したような同心円パターンとした。また、端子ピンを接続するためのスルーホール用の貫通孔に導体ペーストＢを充填した。
上記処理の終わったグリーンシートに、さらに、タングステンペーストを印刷しないグリーンシートを上側（加熱面）に３７枚、下側に１３枚、１３０℃、８０ｋｇ／ｃｍ2の圧力で積層した。
【０１０４】
(4) 次に、得られた積層体を窒素ガス中、６００℃で５時間脱脂し、１８９０℃、圧力１５０ｋｇ／ｃｍ2で３時間ホットプレスし、厚さ３ｍｍの窒化アルミニウム板状体を得た。これを２３０ｍｍの円板状に切り出し、内部に厚さ６μｍ、幅１０ｍｍの発熱体を有するセラミックヒータとした。
【０１０５】
(5) 次に、(4) で得られた板状体を、ダイヤモンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、ＳｉＣ等によるブラスト処理で表面に熱電対のための有底孔（直径：１．２ｍｍ、深さ：２．０ｍｍ）を設けた。
【０１０６】
(6) さらに、スルーホール用の貫通孔の一部をえぐり取って凹部とし、この凹部にＮｉ−Ａｕからなる金ろうを用い、７００℃で加熱リフローしてコバール製の端子ピンを接続させた。
なお、端子ピンの接続は、タングステンの支持体が３点で支持する構造が望ましい。接続信頼性を確保することができるからである。
【０１０７】
(8) 次に、温度制御のための複数の熱電対を有底孔に埋め込み、シリカゾル（東亜合成社製  アロンセラミック）で封止し、１２０℃でゲル化し、セラミックヒータの製造を完了した。
【０１０８】
（実施例４）セラミックヒータの温度制御
(1) 電源を有する制御部、記憶部および演算部を備えた温調器（オムロン製、Ｅ５ＺＥ）を用意し、実施例１で製造したセラミックヒータ１０（図１参照）に、端子ピン１３を介して制御部からの配線を接続し、シリコンウエハをこのセラミックヒータ１０上に載置した。
【０１０９】
(2) 次に、このセラミックヒータ１０に電圧を印加して、一旦２００℃まで昇温しておき、さらに２００〜４００℃まで昇温させ、図１に示す有底孔１４ａ〜１４ｃに設置された熱電対により温度を測定した。測定結果を図６に示した。なお、図６では、縦軸に温度をとり、横軸に経過時間をとっている。
また、発熱体１２ａ、１２ｂ、１２ｃに投入した電力（電流値で表記する）のプロファイルを図７に示した。なお、図７では、縦軸に電流をとり、横軸に経過時間をとっている。
このセラミックヒータ１０上に載置したシリコンウエハは、加熱の過程において、破損せず、均一に加熱された。
【０１１０】
（実施例５）
以下の点が異なるほかは、実施例１と同様にしてセラミックヒータを製造した。
すなわち、まず、ステンレス製の筒状体６６の内部にＫ型熱電対６７が納められ、その周囲にＭｇＯ粉末とアルミナ粉末が充填された状態のシース型熱電対を、熱電対として使用した。この筒状体６６は、図４（ａ）に示すように、ほぼ直角に屈曲している。そして、有底孔６１０の形状を図4（ｂ）に示すように平面視鍵孔状とし、ステンレス製のコイルバネ６５の先にステンレス製の棒状体６４が固定された構造のものを用い、この棒状体６４で筒状体６６の屈曲部分を有底孔６１０の底面に押しつけることにより固定した。なお、コイルバネ６５は、セラミック板６１の支持容器（ケーシング）の底板６３に取り付けられている。
【０１１１】
（実施例６）
以下の点が異なるほかは、実施例１と同様にしてセラミックヒータを製造した。
すなわち、図5に示すように、熱電対として、実施例５の場合と同様の構成のシース型熱電対を使用するとともに、実施例５の場合と同様に有底孔７１０を平面視鍵孔状とし、さらに、その側壁面にドリル加工によりネジ溝を形成した。そして、この有底孔７１０にシース型熱電対を有する筒状体６６を挿入し、ステンレス製のボルト７４をネジ込んで筒状体６６の屈曲部分を有底孔６１０の底面に押しつけることにより固定した。
【０１１２】
（比較例１）
その底面がセラミック基板の加熱面からその厚さの７４％の位置、すなわち、発熱体形成面と同レベルの面となるように有底孔を形成し、熱電対を埋め込んでＡｕ−Ｎｉでろう付けしたほかは、実施例３と同様にしてセラミックヒータを製造した。
【０１１３】
（比較例２）
発熱体形成面、すなわち、底面に熱電対をＡｕ−Ｎｉでろうづけしたほかは、実施例１と同様にしてセラミックヒータを製造した。
【０１１４】
実施例１〜６、比較例１、２に係るセラミックヒータについて、２００℃まで昇温し、最高温度と最低温度の差をサーモビュアで測定し、また熱電対付きの２５℃のシリコンウエハを２００℃まで昇温しした状態で載置し、これがもとの２００℃まで戻るまでの時間（回復時間）を測定した。結果を下記の表１に示した。
【０１１５】
【表１】
2004273460.tif 000003
【０１１６】
実施例１〜６のセラミック基板においては、サーモビュアでの測定による温度差も０．５℃以内と小さく、また、２００℃までの回復時間も５０秒以内と短かったのに対し、比較例１、２では、回復時間、温度差ともに長かった。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】第一の本発明のセラミックヒータの一例を模式的に示す底面図である。
【図２】（ａ）は、第二の本発明のセラミックヒータの一例を模式的に示すブロック図であり、（ｂ）は、上記セラミックヒータの部分拡大断面図である。
【図３】第二の本発明のセラミックヒータの他の一例を模式的に示すブロック図である。
【図４】（ａ）は、測温素子が設置されたセラミックヒータの一例を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、有底孔の形状を示す拡大底面図である。
【図５】（ａ）は、測温素子が設置されたセラミックヒータの他の一例を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、有底孔の形状を示す拡大底面図である。
【図６】実施例４に係るセラミックヒータの温度プロファイルを示すグラフである。
【図７】実施例４に係るセラミックヒータの電力のプロファイルを示すグラフである。
【符号の説明】
【０１１８】
１０、２０、４０  セラミックヒータ
１１、２１、４１、６１、７１  ヒータ板
１２、２２、４２、６２、７２  発熱体
１３、２３、４３  端子ピン
１４、２４、４４  有底孔
１５、２５、４５  貫通孔
１９  シリコンウエハ
２１ａ、４１ａ  加熱面
２１ｂ、４１ｂ  底面
２６、４６  支持ピン
２７、４７、６７  熱電対
２８  スルーホール
２９、４９  制御部
３０、５０  記憶部
３１、５１  演算部
６６  筒
６１０、７１０  有底孔
【図１】
2004273460.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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