(57)【要約】【課題】磁壁の発生が抑えられ、低ノイズな垂直磁気記録媒体を得る。【解決手段】遷移金属元素及び希土類元素を含有し、磁化容易軸を有し、かつ窒素及び酸素のうち少なくとも一方を含まない軟磁性層を使用した垂直二層膜媒体。【選択図】　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板と、該非磁性基板上に設けられ、遷移金属元素及び希土類元素を含有し、磁化容易軸を有し、かつ窒素及び酸素のうち少なくとも一方を含まない軟磁性層と、該軟磁性層上に設けられた垂直磁気記録層とを具備することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記遷移金属元素は、鉄、コバルト、及びニッケルからなる群から選択され、前記軟磁性層中の遷移金属元素の原子組成百分率をｘ、希土類元素の原子組成百分率をｙとするとき、ｘは、６０ａｔ％以上１００ａｔ％未満、ｙは０ａｔ％より多く４０ａｔ％以下であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記軟磁性層の磁化容易軸は面内方向を向いていることを特徴とする請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記希土類元素は、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユ−ロピウム、及びガドリニウムからなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記軟磁性層は、１０ないし２００ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
前記遷移金属元素と前記希土類元素の組み合わせは、コバルト−ガドリニウム、コバルト−ネオジム、鉄−サマリウム、鉄−コバルト−ガドリニウム、鉄−コバルト−ネオジム、鉄−コバルト−サマリウム、及び鉄−コバルト−イットリウムからなる群から選択される少なくとも１つであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
前記軟磁性層は、前記遷移金属元素と前記希土類元素を含有する２以上の層が、ホウ素、炭素、チタン、ケイ素、アルミニウム、クロム、ルテニウム、ジルコニウム、ニオブ、タンタル、窒素、及び酸素からなる群から選択される少なくとも１種の元素を含有する非磁性層を介して積層された多層体を含むことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体と、前記垂直磁気記録媒体を支持及び回転駆動する駆動機構と、前記垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行うための素子及び記録された情報の再生を行うための素子を有する磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記垂直磁気記録媒体に対して移動自在に支持したキャリッジアッセンブリとを具備することを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハ−ドディスク装置として使用される磁気記録再生装置、特に、垂直方向磁化を利用する磁気記録再生装置、及びこれに用いられる垂直磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
垂直磁気記録方式は、従来、磁気記録媒体の面内方向に向けられていた磁気記録層の磁化容易軸を、磁気記録媒体の垂直方向に向けることにより、記録ビットの境界である磁化遷移領域付近の反磁界が小さくなり、このため、記録密度が高くなるほど静磁気的に安定となって、熱揺らぎ耐性が向上することから、面記録密度の向上に適した方式である。また、基板と垂直磁気記録層との間に軟磁性層を形成した場合には、単磁極ヘッドと組み合わせることにより、いわゆる垂直二層媒体として機能し、高い記録能力を得ることができる。このとき、軟磁性層は磁気ヘッドからの記録磁界を環流させる役割を果たしており、記録再生効率を向上させることができる。
【０００３】
しかしながら、垂直二層媒体では、軟磁性層の磁壁により、ノイズが発生し易いという問題があった。
【０００４】
このため、軟磁性層の磁壁を抑え、媒体ノイズを低下するため、従来より、種々の提案がなされている。
【０００５】
このような提案として、例えば磁性材料に非磁性材料を添加することにより、軟磁性層を微結晶化し、これにより、ある程度の保磁力を有する垂直磁気記録媒体がある。しかしながら、この垂直磁気記録媒体では、大きな磁壁の存在によるスパイクノイズを低減することはできるが、細かな磁区の存在によるノイズを防ぐことができなかった。また、この垂直磁気記録媒体では、非磁性材料、特に、酸素と窒素を同時に添加することにより、飽和磁化が劣化するという問題があった（特許文献１参照。）。
【０００６】
【特許文献１】
特開平５−１０９０４０号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の第１の目的は、磁壁の発生が抑えられ、低ノイズな垂直磁気記録媒体を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の第２の目的は、磁壁の発生が抑えられ、低ノイズな記録再生が可能な磁気記録再生装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第１に、非磁性基板と、該非磁性基板上に設けられ、遷移金属元素及び希土類元素を含有し、磁化容易軸を有し、かつ窒素及び酸素のうち少なくとも一方を含まない軟磁性層と、該軟磁性層上に設けられた垂直磁気記録層とを具備することを特徴とする垂直磁気記録媒体を提供する。
【００１０】
第１の発明に係る好ましい垂直磁気記録媒体において、前記遷移金属元素は、鉄、コバルト、及びニッケルからなる群から選択され、前記軟磁性層中の遷移金属元素の原子組成百分率をｘ、希土類元素の原子組成百分率をｙとするとき、ｘは、６０ａｔ％以上１００ａｔ％未満、ｙは０ａｔ％より多く４０ａｔ％以下であることを特徴とする。
【００１１】
第１の発明に係る好ましい垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性層の磁化容易軸は面内方向を向いていることを特徴とする。
【００１２】
第１の発明に係る好ましい垂直磁気記録媒体において、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユ−ロピウム、及びガドリニウムからなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする。
【００１３】
第１の発明に係る好ましい垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性層は、１０ないし２００ｎｍの厚さを有することを特徴とする。
【００１４】
第１の発明に係る好ましい垂直磁気記録媒体において、前記遷移金属元素と前記希土類元素の組み合わせは、コバルト−ガドリニウム、コバルト−ネオジム、鉄−サマリウム、鉄−コバルト−ガドリニウム、鉄−コバルト−ネオジム、鉄−コバルト−サマリウム、及び鉄−コバルト−イットリウムからなる群から選択される少なくとも１つであることを特徴とする。
【００１５】
第１の発明に係る好ましい垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性層は、前記遷移金属元素と前記希土類元素を含有する２以上の層が、ホウ素、炭素、チタン、ケイ素、アルミニウム、クロム、ルテニウム、ジルコニウム、ニオブ、タンタル、窒素、及び酸素からなる群から選択される少なくとも１種の元素を含有する非磁性層を介して積層された多層体を含むことを特徴とする。
【００１６】
本発明は、第２に、上述の垂直磁気記録媒体のいずれか１つと、前記垂直磁気記録媒体を支持及び回転駆動する駆動機構と、前記垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行うための素子及び記録された情報の再生を行うための素子を有する磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記垂直磁気記録媒体に対して移動自在に支持したキャリッジアッセンブリとを具備することを特徴とする磁気記録再生装置を提供する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の垂直磁気記録媒体は、非磁性基板上に、軟磁性層及び垂直磁気記録層が順に積層された構成を有し、軟磁性層は、遷移金属元素及び希土類元素を含有し、磁化容易軸を有し、かつ窒素及び酸素のうち少なくとも一方を含まないことを特徴とする。
【００１８】
本発明では、軟磁性材料として、通常、磁性をもたらす元素として使われている遷移金属元素に加えて、磁気モ−メント及び異方性を大きくする効果のある希土類元素を使用する。得られる軟磁性層は、その飽和磁束密度を劣化させることなく、シャ−プな一軸の異方性を有し、かつ適度な保磁力を有する。この軟磁性層を用いた本発明の垂直磁気記録媒体は、磁壁の発生が抑えられ、低ノイズとなる。
【００１９】
また、本発明に用いられる軟磁性層は、少なくとも酸素または窒素のいずれかの元素を含まない。これらの元素が軟磁性層に同時に含まれると、軟磁性材料の飽和磁束密度が劣化しやすい。
【００２０】
酸素または窒素は、特に、軟磁性層を作成する際に混入しやすい。このため、例えばスパッタ法により軟磁性層を作成する際、スパッタ材料から酸化物又は窒化物を除き、かつそのスパッタ装置内を酸素または窒素を含まない雰囲気にすることで、微結晶化が進まない程度に、酸素または窒素を除外し得る。また、片方が含まれる場合にも、その含有量を３０ａ％以下に抑えることが望ましい。
【００２１】
さらに好ましくは、軟磁性層は、酸素及び窒素の両方を含まない。
【００２２】
図１に、本発明の垂直磁気記録媒体の一例を表す概略断面図を示す。
【００２３】
図示するように、この垂直磁気記録媒体１０は、非磁性基板１上に、遷移金属元素及び希土類元素を含有し、磁化容易軸を有し、かつ窒素及び酸素のうち少なくとも一方を含まない軟磁性層２及び垂直磁気記録層３を順に積層した構成を有する。
【００２４】
軟磁性層に用いられる遷移金属元素をＴ、希土類元素をＲ、軟磁性層中の遷移金属元素の原子組成百分率をｘ、希土類元素の原子組成百分率をｙとするとき、本発明に用いられる軟磁性材料は、ＴｘＲｙで表される。
【００２５】
遷移金属元素Ｔは、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１つの元素であることが好ましい。
【００２６】
また、ｘは、６０ａｔ％以上１００ａｔ％未満、ｙは０ａｔ％より多く４０ａｔ％以下であることが好ましい。
【００２７】
これらの元素を上記組成比で用いると、飽和磁束密度を保ちながら、適度な保磁力、異方性がより効果的に得られる傾向がある。
【００２８】
しかしながら、ｘが６０ａｔ％未満、ｙが４０ａｔ％以上であると、飽和磁束密度が劣化する傾向がある。
【００２９】
希土類元素Ｒは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、及びＧｄからなる群から選択される少なくとも１つの元素であることが好ましい。これらの軽希土類を用いると、軟磁性層の磁気モ−メントがより大きくなる傾向がある。
【００３０】
遷移金属元素と希土類元素のより好ましい組み合わせとして、例えばＣｏ−Ｇｄ、Ｃｏ−Ｎｄ、Ｆｅ−Ｓｍ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｇｄ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｄ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｍ、及びＦｅ−Ｃｏ−Ｙがあげられ、これらの組合せを用いると、軟磁性層の磁気モ−メント、磁気異方性がより大きくなる傾向がある。
【００３１】
軟磁性層の磁化容易軸は面内方向を向いていることが好ましく、これにより、垂直二層媒体において、軟磁性層が、磁気ヘッドからの記録磁界を効率よく環流させる傾向がある。
【００３２】
軟磁性層の磁化容易軸は半径方向に向いていることがさらに好ましく、これにより、上述の役割を果たすことに加えて、さらに、ノイズの原因となる磁壁の発生を抑制することができる。
【００３３】
軟磁性層は、１０ないし２００ｎｍの厚さを有することが好ましい。
【００３４】
この厚さの範囲であると、軟磁性層の磁化容易軸が面内方向を向き易い傾向がある。しかしながら、１０ｎｍ未満であると、軟磁性層全体としての磁束密度が不足する傾向があり、２００ｎｍを超えると、軟磁性層面内の一軸異方性が得られにくくなる傾向がある。
【００３５】
また、軟磁性層は、単層あるいは軟磁性層を少なくとも２以上積層した多層体として使用することができる。
【００３６】
磁壁の生じにくい軟磁性層を、多層体にすることにより、層間の相互作用により磁壁の発生がより抑制される傾向がある。
【００３７】
多層体に用いられる軟磁性層は、直接または非磁性中間層を介して積層することができる。各軟磁性層は、互いに異なる組成を有する軟磁性層を使用しても、また、中間層を介する場合、互いに同様の組成を有する軟磁性層を使用することができる。
【００３８】
図２に、軟磁性層として多層体が形成された垂直磁気記録媒体の一例の構成を表す概略断面図を示す。
【００３９】
図示するように、この垂直磁気記録媒体２０は、軟磁性層２の代わりに、遷移金属元素及び希土類元素を含有し、磁化容易軸を有し、かつ窒素及び酸素のうち少なくとも一方を含まない３層の軟磁性層４を、その層間に非磁性中間層５を介して積層した構成を有する軟磁性多層体６を設けること以外は、図１と同様の構成を有する。
【００４０】
図３に、軟磁性層として多層体が形成された垂直磁気記録媒体の他の一例の構成を表す概略断面図を示す。
【００４１】
図示するように、この垂直磁気記録媒体３０は、軟磁性層２の代わりに、非磁性基板１上に、遷移金属元素及び希土類元素を含有し、磁化容易軸を有し、かつ窒素及び酸素のうち少なくとも一方を含まない軟磁性層７、ＣｏＺｒＮｂ軟磁性層８、及び窒素及び酸素のうち少なくとも一方を含まない軟磁性層９を順に積層した構成を有する軟磁性多層体１１を設けること以外は、図１と同様の構成を有する。
【００４２】
多層体に使用される軟磁性層は、その少なくとも一層は、遷移金属元素及び希土類元素を含有し、磁化容易軸を有し、かつ窒素及び酸素のうち少なくとも一方を含まない。多層体の他の軟磁性層としては、例えばＣｏＺｒＮｂ、ＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＦｅＴａＣ等の従来の軟磁性層を使用することができる。
【００４３】
非磁性中間層の材料としては、Ｂ、Ｃ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｎ、及びＯからなる群から選択される少なくとも１種の元素を使用することができる。
【００４４】
多層体は、その全体の厚さが１０ないし２００ｎｍであり、各層の厚さは、０．５ないし１００ｎｍであることが好ましい。全体の厚さが２００ｎｍを超えると、多層体全体としての面内の一軸異方性が得られにくくなる傾向があり、１０ｎｍ未満であると、多層体全体としての飽和磁束密度が不足となる傾向がある。また、各層の厚さが１００ｎｍを超えると、各層間の相互作用が弱くなる傾向があり、０．５ｎｍ未満であると、膜の結晶性が劣悪になる傾向がある。
【００４５】
また、基板と軟磁性層との間には、硬磁性層を設けることができる。この硬磁性層に所望の着磁を行うことにより、その上に設けられる軟磁性層の磁化の方向を固定し、ノイズの発生をより防止することができる。
【００４６】
このような硬磁性層としては、ＣｏＣｒＰｔ層、ＣｏＰｔＣｒＯ層があげられる。
【００４７】
また、硬磁性層と基板との間には、任意に、Ｖ、ＶＣｒ、ＮｉＡｌ、ＣｏＣｒ等の下地層を設けることができる。
【００４８】
また、本発明の装置は、上記垂直磁気記録媒体を用いた磁気気記録再生装置である。
【００４９】
図４に、本発明にかかる磁気記録再生装置の一例を一部分解した斜視図を示す。
【００５０】
本発明に係る情報を記録するための剛構成の磁気ディスク１２１はスピンドル１２２に装着されており、図示しないスピンドルモ−タによって一定回転数で回転駆動される。磁気ディスク１２１にアクセスして情報の記録行う単磁極型記録ヘッド及び情報の再生を行うためのＭＲヘッドを搭載したスライダ−１２３は、薄板状の板ばねからなるサスペンション１２４の先端に取付けられている。サスペンション１２４は図示しない駆動コイルを保持するボビン部等を有するア−ム１２５の一端側に接続されている。
【００５１】
ア−ム１２５の他端側には、リニアモ−タの一種であるボイスコイルモ−タ１２６が設けられている。ボイスコイルモ−タ１２６は、ア−ム１２５のボビン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、それを挟み込むように対向して配置された永久磁石および対向ヨ−クにより構成される磁気回路とから構成されている。
【００５２】
ア−ム１２５は、固定軸１２７の上下２カ所に設けられた図示しないボ−ルベアリングによって保持され、ボイスコイルモ−タ１２６によって回転揺動駆動される。すなわち、磁気ディスク１２１上におけるスライダ−１２３の位置は、ボイスコイルモ−タ１２６によって制御される。なお、図４中、１２８は蓋体を示している。
【００５３】
【実施例】
以下、図面を参照し、本発明を具体的に説明する。
【００５４】
実施例１
図５に、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置内のターゲットと基板の配置を説明するための図を示す。
【００５５】
図示するように、このＤＣマグネトロンスパッタリング装置１００では、図示しない真空チャンバー内に、例えば非磁性ガラス基板１が置かれ、その両面に各々対向して一対のターゲット１５が配置されており、各ターゲット１５の背面側に、例えば最大エネルギ−積（ＢＨ）ｍａｘが３５０ｋＪ／ｍ３で、中心にＮ極と外周にＳ極を持つ円柱形をした超強力マグネット１６が設けられている。
【００５６】
本実施例では、上述の配置のターゲットを用いて、成膜を行った。
【００５７】
まず、真空チャンバ−内を１×１０−５Ｐａの真空度に引き、２つのＣｏ−Ｇｄ１０ａｔ％タ−ゲットを対向して載置した。２つのターゲット間に対向するように非磁性ガラス基板１を置いた。
【００５８】
Ａｒガスを０．６Ｐａの圧力になるよう流入し、ＤＣ５００ＷでＣｏ−Ｇｄ１０ａｔ％タ−ゲットを放電し、非磁性ガラス基板上に１００ｎｍの厚さになるようにＣｏＧｄ軟磁性層を成膜した。
【００５９】
このとき、中心にＮ極と外周にＳ極を持つ円柱形をした超強力マグネットをターゲット背面に配置することにより、スパッタ粒子が非磁性ガラス基板１の内周から外周へ流れるようにして成膜を行った。
【００６０】
さらに、この非磁性ガラス基板を、真空を保ったまま、Ｃｏ−Ｇｄ１０ａｔ％タ−ゲットの代わりにＴｉタ−ゲットが設けられている以外は同様に配置されたターゲット間に移動した。
【００６１】
Ａｒガスを０．５Ｐａの圧力になるよう流入、ＤＣ１０００ＷでＴｉタ−ゲットを放電し、ＣｏＧｄ軟磁性層上に、５ｎｍの厚さになるようにＴｉ下地層３を成膜した。
【００６２】
次に、この非磁性ガラス基板を、Ｃｏ−Ｇｄ１０ａｔ％タ−ゲットの代わりにＲｕタ−ゲットが設けられている以外は同様に配置されたターゲット間に移動した。
【００６３】
Ａｒガスを０．５Ｐａの圧力になるよう流入、ＤＣ１０００ＷでＲｕタ−ゲットを放電し、５０ｎｍの厚さになるようにＲｕ下地層を成膜した。
【００６４】
その後、この非磁性ガラス基板１を、真空を保ったまま、Ｃｏ−Ｇｄ１０ａｔ％タ−ゲットの代わりにＣｏ−２０ａｔ％Ｐｔ−１６ａｔ％Ｃｒタ−ゲットが設けられている以外は同様の構成を有するＤＣマグネトロンスパッタ装置内に移動し、このターゲット間に対向するように置いた。
【００６５】
酸素　０．００５％を含むＡｒガスを、２０Ｐａの圧力になるように流入し、ＤＣ２５０Ｗで、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｐｔ−１６ａｔ％Ｃｒ　タ−ゲットを放電し、１２ｎｍの厚さになるようＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁気記録層を一層を成膜した。
【００６６】
再度、非磁性ガラス基板１を真空を保ったままＲｕタ−ゲットと対向する位置に移動し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧力になるよう流入し、今度はＤＣ２５０ＷでＲｕタ−ゲットを放電し、４ｎｍの厚さになるようにＲｕ中間層を成膜した。
【００６７】
さらに、上記ＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁気記録層と同様にして、Ｒｕ中間層上に二層目ＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁気記録層５を成膜した。
【００６８】
最後に、非磁性ガラス基板を移動し、Ｃタ−ゲット間に対向するように設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧力になるように流入し、ＤＣ１０００Ｗで放電し、７ｎｍの厚さになるようＣ保護層を成膜した。
【００６９】
成膜工程終了後、ディップ法により、パーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）潤滑剤を１０オングストロームの厚さに塗布し、垂直磁気記録媒体Ａを得た。
【００７０】
得られた垂直磁気記録媒体Ａの構成を表す断面図を図６に示す。
【００７１】
図示するように、この垂直磁気記録媒体Ａは、非磁性ガラス基板１上に、ＣｏＧｄ軟磁性層３１、Ｔｉシード層２１、Ｒｕ下地層２２、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁気記録層２３、Ｒｕ中間層２４、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁気記録層２５、及びＣ保護層２６を順に積層した構成を有する。
【００７２】
また、垂直磁気記録媒体Ａとは別に、非磁性ガラス基板上に、上記垂直磁気記録媒体Ａの成膜工程におけるＣｏＧｄ軟磁性層のみを成膜し、サンプル基板１を作成した。
【００７３】
得られたサンプル基板１のＣｏＧｄ軟磁性層について、ＩＣＰ−ＭＳ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）法により組成分析を行った。その結果、ＣｏＧｄ軟磁性層の組成は、Ｃｏ９３−Ｇｄ７ａｔ％であることがわかった。
【００７４】
このＣｏＧｄ軟磁性層について、その静磁気特性を、ＶＳＭ（Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ　Ｓａｍｐｌｅ　Ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ）で、膜面半径の方向について最大外部磁界４．０ｋＡ／ｍで測定をした。これより直に保磁力Ｈｃを、また、計算により、角型比ＲＳ（Ｍｒ／Ｍｓ）、及び飽和磁束密度Ｂｓを求めた。
【００７５】
それぞれの静磁気特性を下記表１に示す。
【００７６】
また、サンプル基板１のＣｏＧｄ軟磁性層について半径方向に測定したＭ−Ｈル−プを図７に示す。
【００７７】
また、ＣｏＧｄ軟磁性層２の円周方向に測ったＭ−Ｈル−プを図８に実線で示す。これは、最大磁界２０ｋＡ／ｍをかけて測定した。また、図７と同じＭ−Ｈループを破線で示す。半径方向と比較して、異方性磁界Ｈｋはおよそ１０ｋＡ／ｍであり、本発明の垂直磁気記録媒体Ａにおいては、半径方向に磁化容易軸を有する磁気異方性が鮮明についていることがわかった。
【００７８】
さらに、サンプル基板１のＣｏＧｄ軟磁性層上に保護膜を成膜し、各軟磁性層のみのＤＣイレ−ズ後の信号をＭＲヘッドで読み込んだ、サンプル基板１周あたりの波形を図９に示す。
【００７９】
図示するようにサンプル基板１ではノイズが発生しなかった。
【００８０】
さらにまた、垂直磁気記録媒体Ａについて、単磁極ヘッドを用いて信号を書き込み、ＭＲヘッドを用いて信号を読み取る方法により、Ｒ／Ｗテストを行なった。測定条件は、半径位置２０ｍｍと一定の位置で、ディスクを４２００ｒｐｍに回転させて行った。このＲ／Ｗテストにより、電磁変換特性として、媒体Ｓ／Ｎ比であるＳＮＲｍ、オ−バ−ライト特性、半値幅ｄＰＷ５０、及びＴＡＡを測定した。なお、ＳＮＲｍにおけるＳは、１０ｋＦＣＩの孤立波形の１磁化反転におけるｐｐ値（＋−それぞれ最高値の差）を１／２にした値、及びＮｍは４００ｋＦＣＩでのｒｍｓ値（ｒｏｏｔ　ｍｅａｎ　ｓｑｕａｒｅ　ｉｎｃｈｅｓ）を示す。また、オ−バ−ライト特性ＯＷは、４６ｋＦＣＩ記録信号書き込み後、５５２ｋＦＣＩの信号を書き込んだ際の上書き前の信号出力と上書き後の消え残り信号出力の比で表される。また、分解能特性である磁化反転部の半値幅ｄＰＷ５０は、磁化反転部で反転時を中心に微分した出力差が５０％となる幅をいう。さらに、出力値であるＴＡＡは、１０ｋＦＣＩの孤立波形の１磁化反転におけるｐｐ値（＋−それぞれ最高値の差）を１／２にした値である。
【００８１】
得られた結果を下記表２に示す。
【００８２】
比較例１
ＣｏＧｄ軟磁性層を成膜する代わりに、ＣｏＺｒＮｂ軟磁性層を、Ｃｏ−Ｚｒ６−Ｎｂ１０ａｔ％タ−ゲットを用いて形成すること以外は実施例１と同様にして、垂直磁気記録媒体Ｂ及びサンプル基板２を作成した。
【００８３】
得られた垂直磁気記録媒体Ｂ及びサンプル基板２を用いて、実施例１と同様に、静磁気特性及び電磁変換特性を測定した。
【００８４】
その結果として、下記表１に静磁気特性を、下記表２に電磁変換特性を示す。
【００８５】
また、サンプル基板２の半径方向及び円周方向のＭ−Ｈループは、いずれも変わらぬ波形を描いており、磁気異方性が等方的であった。サンプル基板２よりも、サンプル基板１の方がループが角張っていた。これは、軟磁性層のどの部分について半径方向に測定しても同じであった。
【００８６】
ディスク基板１周あたりの波形を図１０に示す。垂直磁気記録媒体ＢのＣｏＺｒＮｂ軟磁性層では図に示すようなスパイクノイズが発生した。
【００８７】
実施例２
ＣｏＧｄ軟磁性層の代わりに、Ｆｅ５４−Ｃｏ３６−Ｎｄ１０ａｔ％タ−ゲットを用いて、ＦｅＣｏＮｄ軟磁性層を成膜すること以外は、実施例１と同様にして、本発明の垂直磁気記録媒体Ｃ及びサンプル基板３を得た。
【００８８】
図１１に、垂直磁気記録媒体Ｃの構成を表す概略断面図を示す。
【００８９】
図示するように、この垂直磁気記録媒体Ｃは、ＣｏＧｄ軟磁性層３１の代わりに、ＦｅＣｏＮｄ軟磁性層３２を形成すること以外は、図６に示す垂直磁気記録媒体Ａと同様の構成を有する。
【００９０】
ＩＣＰ−ＭＳ法により実施例１と同様にして組成分析を行った結果、ＦｅＣｏＮｄ軟磁性層の組成は、Ｆｅ５７−Ｃｏ３８−Ｎｄ５ａｔ％であることがわかった。
【００９１】
サンプル基板３の半径方向のＭ−Ｈル−プは、サンプル基板１のＣｏＧｄ軟磁性層と同等な角張った形状を有しており、異方性が半径方向についていることが確認された。
【００９２】
サンプル基板３のＨｃ、ＲＳもやはり同等な値であった。Ｂｓは、垂直磁気記録媒体ＡのＣｏＧｄ軟磁性層、垂直磁気記録媒体ＢのＣｏＺｒＮｂ軟磁性層とほぼ同等であった。
【００９３】
また、実施例１と同様な方法で、ＦｅＣｏＮｄ軟磁性層１８のみのＤＣイレ−ズ後の信号をＭＲヘッドで読み込んだが、図９に示す本発明の垂直磁気記録媒体Ａの波形と同等な波形を示した。
【００９４】
軟磁性層のみの静磁気特性を、実施例１と同様にＶＳＭで測定した。結果を表１に示す。
【００９５】
また、Ｒ／Ｗテストも、実施例１と同様な方法で行った。その結果を下記表２に示す。
【００９６】
【表１】
2004118977.tif 000003
【００９７】
【表２】
2004118977.tif 000004
【００９８】
保磁力は、従来の垂直磁気記録媒体Ｂの方が明らかに小さく、良好な軟磁性を示した。飽和磁束密度は同等であった。
【００９９】
また、残留磁束密度と飽和磁束密度の比を表す角型比ＲＳも、本発明の垂直磁気記録媒体Ａでは、従来の垂直磁気記録媒体Ｂよりも大きく、１．００であった。
【０１００】
本発明の垂直磁気記録媒体Ａは、垂直磁気記録媒体Ｂよりも、Ｓ／Ｎ比が大きく、オ−バ−ライト、分解能についても優れた値であった。
【０１０１】
本発明の垂直磁気記録媒体Ｃの媒体Ｓ／Ｎ比、オ−バ−ライトについて、本発明の垂直磁気記録媒体Ａを更に凌ぐ値を示した。分解能については、本発明の垂直磁気記録媒体Ｃは垂直磁気記録媒体Ａと、ほぼ同等であった。
【０１０２】
以上のように、本発明によれば、垂直二層媒体の裏打軟磁性層に、保磁力、角型が大きく半径方向に磁気異方性のついたＣｏ−Ｇｄ軟磁性層、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｄ軟磁性層を用いることにより、従来のＣｏＺｒＮｂ軟磁性層を用いるよりも、軟磁性層からのノイズ発生が無くなり、媒体Ｓ／Ｎ比、オ−バ−ライト、分解能、及び出力値とも優れた垂直磁気記録媒体が得られることがわかった。
【０１０３】
実施例３
図１２に、本発明の垂直磁気記録媒体を製造する装置の一部の構成を説明するための図を示す。
【０１０４】
図示するように、この装置３９は、真空を保つように接続された複数の例えば１３室の成膜室、第１成膜室４１、第２成膜室４２、第３成膜室４３、第４成膜室４４…第１１成膜室５１、第１２成膜室５２、第１３成膜室５３を有する真空チャンバー３９を備えている。各成膜室には、一対のターゲット６１、６２、６３、６４、３７、３８、５４が各々対向して配置され、対向して配置された各ターゲット間を基板５３が移動可能に配置されている。また、各成膜室は、基板５３が隣室に移動後は、移動と同時に各成膜室毎に密閉可能になっている。
【０１０５】
実施例３では、図１２に示す構成を備えた装置を使用した。
【０１０６】
ここでは、第１成膜室、第３成膜室、第５成膜室、第７成膜室、及び第９成膜室に同じターゲットが配置され、ターゲット６１、６３としてＦｅ９２−Ｓｍ８ａｔ％タ−ゲットを用いた。また、第２成膜室、第４成膜室、第６成膜室、第８成膜室、及び第１０成膜室に同じターゲットが配置され、ターゲット６２、６４としてＣタ−ゲットを用いた。すなわち、Ｆｅ９２−Ｓｍ８ａｔ％タ−ゲットとＣタ−ゲットを交互に配置した。後続の第１１成膜室には、ターゲット３７としてＮｉ７０−Ｎｂ３０ａｔ％タ−ゲットを使用し、さらに第１２成膜室には、Ｃｏ６７−Ｃｒ１８−Ｐｔ１５ａｔ％タ−ゲットを用い、第１３成膜室にはＣターゲットを配置した。また、各ターゲットの背面には、図示しない実施例１と同様の超強力マグネットを配した。
【０１０７】
このような装置を使用し、Ａｒガスに窒素ガスを１０ａｔ％混合したガスを用いて、まず、実施例１と同様の基板を用い、ＦｅＳｍＮ軟磁性層を２０ｎｍの厚さに成膜し、続いて、成膜された基板を、真空を破ることなく次の成膜室に移動して、Ｃ中間層を２ｎｍの厚さに成膜し、これを繰り返して、ＦｅＳｍＮ軟磁性層とＣ中間層を交互に積層成膜した。
【０１０８】
同様にして、成膜された基板上に、さらにＮｉＮｂ下地層を１５ｎｍの厚さに、ＣｏＣｒＰｔ垂直磁気記録層を２０ｎｍの厚さに成膜した。
【０１０９】
最後に、同じく真空を破らずに、アルゴン＋水素雰囲気中でＣをＤＣスパッタすることにより、Ｃ−Ｈ保護層を５ｎｍの厚さに成膜した。
【０１１０】
成膜工程終了後、ディップ法により、パ−フルオロポリオキシアルカンよりなる潤滑剤を１．５ｎｍの厚さに塗布し、垂直磁気記録媒体Ｄを得た。
【０１１１】
得られた垂直磁気記録媒体Ｄの構成を表す概略断面図を図１３に示す。
【０１１２】
図示するように、この垂直磁気記録媒体Ｄは、非磁性基板１上に、交互に５層ずつ積層されたＦｅＳｍＮ軟磁性層７１及びＣ中間層７２からなる軟磁性多層体７９、その上に順に形成されたＮｉＮｂ下地層７３、ＣｏＣｒＰｔ垂直磁気記録層７４、Ｃ−Ｈ保護層７５、及び図示しない潤滑層を有する。
【０１１３】
また、別途、非磁性基板上に、ＦｅＳｍＮ軟磁性層を成膜し、実施例１と同様にして成分分析を行ったところ、Ｆｅ８５−Ｓｍ５−Ｎ１０ａｔ％であった。
【０１１４】
さらに、ＮｉＮｂ下地層、ＣｏＣｒＰｔ垂直磁気記録層、Ｃ−Ｈ保護層、及び潤滑層を作成しないこと以外は、垂直磁気記録媒体Ｄと同様にしてサンプル基板４を作成した。
【０１１５】
サンプル基板４の軟磁性層多層体の静磁気特性を、実施例１と同様にＶＳＭで測定した。その結果を表３に示す。
【０１１６】
また、実施例１と同様にして、サンプル基板４の軟磁性層多層体のＤＣイレ−ズ後の信号を読み取った。図１５に、読みとりにより得られた波形を表すグラフ図を示す。図示するように、ＦｅＳｍＮ軟磁性層多層体では、ノイズが発生せず、基底の波形も、図９に示された垂直磁気記録媒体Ａの波形と比べて、より細くなり、よりノイズが発生しにくい構造になったことがわかった。
【０１１７】
また、得られた垂直磁気記録媒体Ｄにおいて、そのＲ／Ｗ特性を、実施例１と同様にしておこなった。その結果を下記表４に示す。
【０１１８】
実施例４
また、６室の成膜室を有する同様の装置を用い、第１成膜室にＦｅ６３−Ｃｏ２７−Ｙ１０ａｔ％タ−ゲット、第２成膜室にＣｏ−Ｚｒ６−Ｎｂ１０ａｔ％タ−ゲット、第３成膜室にＦｅ６１−Ｃｏ２６−Ｓｍ１３ａｔ％のタ−ゲット、第４ないし第６成膜室は、図１２に示す第１１ないし第１３成膜室と同様のターゲットを使用する以外は、実施例３と同様にして順次成膜を行い、ＦｅＣｏＹ軟磁性層を４０ｎｍ、ＣｏＺｒＮｂ軟磁性層を２０ｎｍ、ＦｅＣｏＳｍ軟磁性層膜を４０ｎｍ、同様のＮｉＮｂ下地層、ＣｏＣｒＰｔ垂直磁気記録層、Ｃ−Ｈ保護層、潤滑剤層を形成して垂直磁気記録媒体Ｅを得た。
【０１１９】
得られた垂直磁気記録媒体Ｅの構成を表す概略断面図を図１４に示す。
【０１２０】
図示するように、この垂直磁気記録媒体Ｅは、交互に５層ずつ積層されたＦｅＳｍＮ軟磁性層７１及びＣ中間層７２の代わりに、ＦｅＣｏＹ軟磁性層７６、ＣｏＺｒＮｂ軟磁性層７７、及びＦｅＣｏＳｍ軟磁性層７８からなる多層体８４を形成すること以外は垂直磁気記録媒体Ｄと同様の構成を有する。
【０１２１】
また、別途、非磁性基板上にＦｅＣｏＹ軟磁性層を形成し、実施例１と同様にして成分分析を行ったところ、Ｆｅ６４−Ｃｏ２８−Ｙ８ａｔ％であることがわかった。
【０１２２】
さらに、別途、非磁性基板上にＦｅＣｏＳｍ軟磁性層膜を形成し、実施例１と同様にして成分分析を行ったところ、Ｆｅ６３−Ｃｏ２７−Ｓｍ７ａｔ％であることがわかった。
【０１２３】
また、ＮｉＮｂ下地層、ＣｏＣｒＰｔ垂直磁気記録層、Ｃ−Ｈ保護層、及び潤滑層を作成しないこと以外は、垂直磁気記録媒体Ｅと同様にしてサンプル基板５を作成した。
【０１２４】
また、得られたサンプル基板５の軟磁性層多層体の静磁気特性を、実施例１と同様にＶＳＭで測定した。その結果を下記表３に示す。
【０１２５】
また、得られた垂直磁気記録媒体Ｅにおいて、そのＲ／Ｗ特性を、実施例１と同様にしておこなった。その結果を下記表４に示す。
【０１２６】
比較例２
Ｆｅ９２−Ｓｍ８ａｔ％タ−ゲットの代わりにＦｅ８０−Ｔａ１０−Ｃ１０ａｔ％タ−ゲットを配置し、Ｆｅ８０−Ｔａ１０−Ｃ１０ａｔ％タ−ゲットをスパッタする際にはＡｒガスのみを流入し窒素混入雰囲気にしないこと、２０ｎｍ厚さのＦｅＴａＣと２ｎｍの厚さのＣ中間層を交互に積層成膜する以外は、実施例３と同様にして従来の垂直磁気記録媒体Ｆを得た。
【０１２７】
得られた軟磁性層の積層体の静磁気特性を、実施例１と同様にＶＳＭで測定した結果を表３に示す。
【０１２８】
また、別途、非磁性基板上にＦｅＣｏＹ軟磁性層を形成し、サンプル基板６を作成した。サンプル基板６の軟磁性層のＤＣイレ−ズ後の信号を読み取ったときの波形を観察したところ、図１０と同様のスパイクノイズが見られた。
【０１２９】
また、得られた磁気記録媒体にいて、そのＲ／Ｗ特性を、実施例１と同様にしておこなった。結果を表４に示す。
【０１３０】
【表３】
2004118977.tif 000005
【０１３１】
【表４】
2004118977.tif 000006
【０１３２】
垂直磁気記録媒体Ｄ、Ｅの軟磁性層多層体では、従来の垂直磁気記録媒体Ｆの軟磁性層多層体よりも保磁力が大きかった。本発明の垂直磁気記録媒体ＡやＣの軟磁性層と比べると、Ｈｃ、Ｂｓともやや小さい値を示した。角型比ＲＳは１で、角ばったＭ−Ｈル−プを示し、異方性はやはり半径方向についていた。
【０１３３】
垂直磁気記録媒体Ｄ、Ｅの出力は、垂直磁気記録媒体Ａと同等で、垂直磁気記録媒体Ｃより少し劣るが、媒体Ｓ／Ｎ比は、本発明の媒体Ｃと同等に改善されていた。これは、軟磁性層からのノイズが低減されたことによると考えられる。その他、オ−バ−ライト、分解能は垂直磁気記録媒体ＡないしＣと同等であった。一方、従来の垂直磁気記録媒体Ｆでは、軟磁性層は積層してみたものの、垂直磁気記録媒体Ｂとほぼ同じで、改善は無かった。
【０１３４】
このように、軟磁性層を積層することによっても、同様な改善効果が見られ、特にノイズ低減の効果が現れることがわかった。
【０１３５】
実施例５
図５と同様の構成を含むＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用い、まず、真空チャンバ−内を１×１０−５Ｐａの真空度に引き、Ａｒガスを０．６Ｐａの圧力になるよう流入し、ＤＣ５００ＷでＶターゲットを放電し、非磁性ガラス基板上に、Ｖ下地層を４０ｎｍの厚さに成膜した。
【０１３６】
その後、真空チャンバ−内に、Ａｒガスと酸素ガスを同時に流してＣｏ６８−Ｐｔ２０−Ｃｒ１２ａｔ％タ−ゲットを放電させることにより、ＣｏＰｔＣｒＯ硬磁性層を２０ｎｍの厚さに成膜した。
【０１３７】
得られたＣｏＰｔＣｒＯ硬磁性層は、Ｖ下地層との組み合わせにより、膜面内方向に磁化容易軸があり、保磁力が２７４ｋＡ／ｍの硬磁性膜であることがＶＳＭの測定により分かっている。
【０１３８】
次に、その上に垂直磁気記録媒体Ｃと同様な方法で、ＦｅＣｏＮｄ軟磁性層、Ｔｉシード層、Ｒｕ下地層、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁気記録層、Ｒｕ中間層、ＣｏＰｔＣｒＯ垂直磁気記録層、及びＣ保護層を順に積層し、さらに潤滑層を形成した。潤滑剤塗布後、硬磁性層の効果を発揮するために、半径方向に着磁を行った。
【０１３９】
この着磁には、例えば図１６に示すような着磁装置を用いることができる。この着磁装置４９は、一対の円筒形の外側磁芯４５，４６と、その軸部分に配置され、その中央部から互いに逆向きに巻かれた内側コイル４８とを有する。この中央部にその中心が位置し、その面方向が外側磁芯の軸方向と垂直になるように、硬磁性層が形成されたディスク基板を、載置した。媒体の一方の面と他方の面で逆向きの７９０ｋＡ／ｍの磁界が発生するようにコイルにパルス電流を流し、瞬時に同じ大きさで正反対の向きの磁界を発生させ、中央でぶつかるようにして半径方向に拡散せしめ、中央に置かれたディスク基板に半径方向に大磁界をかけ、硬磁性層を半径方向に着磁し、垂直磁気記録媒体Ｇを得た。
【０１４０】
得られた垂直磁気記録媒体Ｇの構成を表す概略断面図を図１７に示す。
【０１４１】
図示するように、垂直磁気記録媒体Ｇは、非磁性基板１とＴｉシード層２１との間に、Ｖ下地層、ＣｏＰｔＣｒＯ硬磁性層、及びＦｅＣｏＮｄ軟磁性層を非磁性基板１から順に積層する以外は、図１１に示す垂直磁気記録媒体Ｃと同様の構成を有する。
【０１４２】
また、別途、Ｖ下地層及びＣｏＰｔＣｒＯ硬磁性層を形成しないこと以外はと同様にしてサンプル基板７を得た。
【０１４３】
得られたサンプル基板７の静磁気特性を、実施例１と同様にＶＳＭで測定した。結果を下記表５に示す。
【０１４４】
また、実施例１と同様な方法で、垂直磁気記録媒体Ｇについて電磁変換特性を測定した。その結果を下記表６に示す。
【０１４５】
さらに、非磁性基板上に、垂直磁気記録媒体Ｇと同様にして、Ｖ下地層、ＣｏＰｔＣｒＯ硬磁性層、及びＦｅＣｏＮｄ軟磁性層を積層し、サンプル基板８を得た。
【０１４６】
得られたサンプル基板８について、実施例１と同様にしてＤＣイレ−ズ後の信号を読み取ったところ、図１５と同様にノイズのない波形が見られた。
【０１４７】
比較例３
ＦｅＣｏＮｄ軟磁性層の代わりに、ＦｅＴａＣ軟磁性層を１００ｎｍの厚さで形成すること以外は、実施例５と同様にして、従来の垂直磁気記録媒体Ｈを得た。
【０１４８】
別途、Ｖ下地層及びＣｏＰｔＣｒＯ硬磁性層を形成しないこと以外は同様にしてサンプル基板９を得た。
【０１４９】
得られたサンプル基板の静磁気特性を、実施例１と同様にＶＳＭで測定した。結果を下記表５に示す。
【０１５０】
また、実施例１と同様な方法で、垂直磁気記録媒体Ｈについて電磁変換特性を測定した。その結果を下記表６に示す。
【０１５１】
【表５】
2004118977.tif 000007
【０１５２】
【表６】
2004118977.tif 000008
【０１５３】
保磁力、飽和磁束密度、ＲＳ共、垂直磁気記録媒体ＧのＦｅＣｏＮｄ軟磁性層の方が大きかった。従来の垂直磁気記録媒体ＨのＦｅＴａＣ軟磁性層の保磁力も、３９５Ａ／ｍで、軟磁性としては決して小さくは無かった。また、磁気記録層の異方性の方向も実施例１と同様に調べた。その結果、垂直磁気記録媒体Ｇの軟磁性層は半径方向に鮮明な異方性が着いていたが、従来媒体ＨのＦｅＴａＣ軟磁性層は等方的であった。
【０１５４】
本発明の垂直磁気記録媒体Ｇは、本発明の垂直磁気記録媒体Ａと同様な値を示したが、従来の垂直磁気記録媒体Ｈは、垂直磁気記録媒体Ｂ、Ｆよりも劣る値を示した。
【０１５５】
さらに、非磁性基板上に、垂直磁気記録媒体Ｇと同様にして、Ｖ下地層、ＣｏＰｔＣｒＯ硬磁性層、及びＦｅＴａＣ軟磁性層を積層し、サンプル基板１０を得た。
【０１５６】
実施例１と同様にしてＤＣイレ−ズ後の信号を読み取ったところ、図１０に示すようなスパイクノイズが見られた。
【０１５７】
本発明の垂直磁気記録媒体Ｇでは、ヘッドからのＲ／Ｗ磁界にかかわらず、着磁が外れることは無かったが、従来の垂直磁気記録媒体Ｈでは、ヘッドからのＲ／Ｗ磁界により着磁が外れ、しかも同じ記録層の構成にもかかわらず垂直磁気記録媒体Ｂよりも劣ったのは、ＦｅＴａＣの飽和磁束密度が小さい上に厚さ通常より薄い１００ｎｍであったため、硬磁性層の磁界がヘッドの再生にまで影響してしまったためと考えられる。
【０１５８】
以上より、本発明によれば、本発明に係る軟磁性層と基板との間に硬磁性層を用いた媒体では、従来よりも軟磁性層の着磁はずれがしづらく、硬磁性層の漏れ磁束がヘッドの再生に及びにくいことがわかった。
【０１５９】
【発明の効果】
本発明によれば、シャ−プな一軸の異方性を有し、かつ適度な保磁力を有する軟磁性層を使用することにより、磁壁の発生が抑えられ低ノイズな垂直記録再生が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の垂直磁気記録媒体の一例を表す概略断面図
【図２】本発明の垂直磁気記録媒体の他の一例を表す概略断面図
【図３】本発明の垂直磁気記録媒体のさらに他の一例を表す概略断面図
【図４】本発明にかかる磁気記録再生装置の一例を一部分解した斜視図
【図５】ＤＣマグネトロンスパッタリング装置の一部を説明するための図
【図６】本発明に係る垂直磁気記録媒体Ａの構成を表す概略断面図
【図７】本発明に使用される軟磁性層の一例の円周方向のＭ−Ｈループを表すグラフ図
【図８】本発明に使用される軟磁性層の一例の半径方向のＭ−Ｈループを表すグラフ図
【図９】サンプル基板１周あたりの波形の一例を表すグラフ図
【図１０】サンプル基板１周あたりの波形の他の一例を表すグラフ図
【図１１】本発明に係る垂直磁気記録媒体Ｃの構成を表す概略断面図
【図１２】本発明の垂直磁気記録媒体を製造する装置の一部の構成を説明するための図
【図１３】本発明に係る垂直磁気記録媒体Ｄの構成を表す概略断面図
【図１４】本発明に係る垂直磁気記録媒体Ｅの構成を表す概略断面図
【図１５】軟磁性層のＤＣイレ−ズ後の信号を表すグラフ図
【図１６】本発明に用いられる着磁装置の一例を表す概略図
【図１７】本発明に係る垂直磁気記録媒体Ｇの構成を表す概略断面図
【符号の説明】
１…基板、２，６，１１，３１，３２，７９，８４，８３…軟磁性層、３，２３，２５，７４…垂直磁気記録層、１５…ターゲット、１６…超強力マグネット、４９…着磁装置、１００…ＤＣマグネトロンスパッタリング装置、１２１…磁気ディスク、１２２…スピンドル、１２３…スライダー、１２４…サスペンション、１２５…アーム、１２６…ボイスコイルモータ、１２７…固定軸
【図１】
2004118977.tif 000009
【図２】
2004118977.tif 000010
【図３】
2004118977.tif 000011
【図４】
2004118977.tif 000012
【図５】
2004118977.tif 000013
【図６】
2004118977.tif 000014
【図７】
2004118977.tif 000015
【図８】
2004118977.tif 000016
【図９】
2004118977.tif 000017
【図１０】
2004118977.tif 000018
【図１１】
2004118977.tif 000019
【図１２】
2004118977.tif 000020
【図１３】
2004118977.tif 000021
【図１４】
2004118977.tif 000022
【図１５】
2004118977.tif 000023
【図１６】
2004118977.tif 000024
【図１７】
2004118977.tif 000025