(57)【要約】      （修正有）【課題】バフ研磨工程前の洗浄工程を、バフ研磨用のプラテン上に水を溜めて行うことにより、ウェハ面上に発生する欠陥の抑制と処理能力の向上を両立する。【解決手段】第１プラテン上でウェハの研磨を行う工程と、第１のプラテン上で研磨を行った後、第２プラテン上でバフ研磨を行う工程とを備える研磨方法において、第２プラテン２上で、前記ウェハ７の洗浄を行うことを特徴とする、研磨方法を提供する。その結果、バフ研磨前にバフ２及びウェハ７上のパーティクル等を除去することが出来る。また、この除去工程をバフプラテン２上で行うことが出来るため、ウェハ７の表面欠陥の抑制と処理能力向上の両立を可能にする半導体装置の製造方法を提供することが出来る。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１プラテン上でウェハの研磨を行う工程と、
前記第１プラテン上で研磨を行った後、第２プラテン上でバフ研磨を行う工程とを備える研磨方法において、
前記第２プラテン上で、前記ウェハの洗浄を行うことを特徴とする、研磨方法。
【請求項２】
前記第２プラテン上で前記ウェハの洗浄を行う工程において、
前記第２プラテン上に純水を溜めておくことを特徴とする、請求項１記載の研磨方法。
【請求項３】
前記第２プラテン上に純水を溜める際に、
前記第２プラテンの回転数は０〜２０ｒｐｍであることを特徴とする、請求項２記載の研磨方法  。
【請求項４】
前記第２プラテン上で前記ウェハの洗浄を行う工程において、
前記ウェハを保持するヘッドの圧力を減圧しておくことを特徴とする、請求項１記載の研磨方法。
【請求項５】
前記ウェハの洗浄を行う工程において前記ヘッドを前記第２プラテン上に載せる際に、
前記ヘッドの圧力を大気に開放した状態にしておくことを特徴とする、請求項１記載の研磨方法。
【請求項６】
前記ヘッドを前記第２プラテン上に載せる工程において、
前記第２プラテンの回転数は２０〜４０ｒｐｍであることを特徴とする、請求項４又は５記載の研磨方法。
【請求項７】
前記ウェハの洗浄を行う工程において前記ヘッドを前記第２プラテン上に載せる際に、
前記ヘッド、若しくは前記プラテンの回転数は２０〜７０ｒｐｍであることを特徴とする、請求項４又は５記載の研磨方法。
【請求項８】
前記ウェハの洗浄を行う工程において前記ヘッドを前記第２プラテン上に載せる際に、
前記ヘッドと前記プラテンの回転数の比が、１．０〜１．３であることを特徴とする、請求項４又は５記載の研磨方法。
【請求項９】
前記第２プラテン上で前記ウェハの洗浄を行う工程において、
前記ウェハを前記第２プラテン上に載せる際に、前記第２プラテンは回転と停止を一定の周期で繰り返すことを特徴とする、請求項１記載の研磨方法。
【請求項１０】
プラテン上にウェハを保持するヘッドにおいて、
前記ヘッドに圧力を加える加圧部位と、前記ウェハを保持するガイドリングと、前記ウェハに対して圧力を印加するエアーバッグと、前記エアーバッグの圧力を調整する部位とを備え、
前記ウェハを前記プラテン上で洗浄する際に、前記プラテンの表面と前記ウェハの間に空間が存在するように構成されていることを特徴とする、研磨装置。
【請求項１１】
前記ガイドリングは、前記プラテン側の表面に溝を有していることを特徴とする、請求項１０記載の研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、研磨工程中の仕上げ（バフ）研磨に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路の高集積化に伴い、ウェハ面内におけるグローバルな平坦性が要求されている。そこでＣＭＰプロセスが用いられ、さまざまなスラリーを用いてウェハの研磨が行われている。
【０００３】
しかしこのＣＭＰプロセスにおいて、スラリー成分が原因となって、スクラッチやパーティクルなどがウェハ上に発生する欠陥が問題となっている。
【０００４】
そこで、通常ＣＭＰプロセス後のウェハに対して薬液洗浄を施し、発生したスクラッチやパーティクルを除去する。更に、スラリー中の砥粒が凝集したような大きなパーティクルやウェハに付着したスラリーの添加剤等は薬液洗浄を阻害する場合があるため、ＣＭＰプロセス中においても大きなパーティクル等の除去が行われている。
【０００５】
例えばこの方法として、メイン研磨直後にウェハと垂直に純水を噴射し大きなパーティクルを除去する方法や、仕上げ研磨としてＢｕｆｆ（バフ）研磨と呼ばれる研磨により除去する方法がある。この時の問題点として、純水洗浄の場合は、装置の処理能力を落とすこと、バフ研磨の場合は、凝集した砥粒がウェハから離れる前に研磨が行われるため、スクラッチなどを引き起こすことが上げられる。またスラリー中の添加剤がウェハ上に付着した状態で研磨を行うと、ウェハ内のパターンに過剰なストレスをかけることになり、パターン欠損を引き起こす可能性もある。
【０００６】
具体的には、特許文献１に記載されているような方法がある。以下、図面を参照しながら説明する。
【０００７】
まず、図９（ａ）の段階２００の工程において、図８（ａ）に示す研磨パッド１２０ａ上にスラリーを供給しながら研磨パッド１２０ａの表面に半導体基板１３０の表面を密着回転させることによって半導体基板１３０の表面を研磨する。この時、研磨効率を上げるために研磨パッド１２０ａも共に回転させる。
【０００８】
次に、図９（ｂ）の段階２２０の工程において、半導体基板１３０を研磨パッド１２０ａから隔離した後にコンディショナ１５０を研磨パッド１２０ａに密着回転させることによって研磨パッド１２０ａの表面を削って新しい表面を露出させるコンディショニング段階を行う。
【０００９】
その後、図９（ｃ）の段階２４０の工程において、コンディショニング段階以後に研磨パッド１２０ａ上に存在する粒子及び研磨粒子塊りを除去するために研磨パッドブラシ１７０で前記研磨パッド１２０ａの表面をブラッシングする。ここで研磨パッド１２０ａの表面に洗浄液を供給しながらブラッシング段階を進行する、若しくは研磨パッドブラシ１７０を回転させながらブラッシング段階を進行することによってブラッシングの効率を増加させることが出来る。
【００１０】
続いて、図９（ｄ）の段階２６０の工程において、半導体基板１３０をクリーニング部に移送し、補助パッド１２０ｂの表面に洗浄液を供給しながら半導体基板１３０を補助パッド１２０ｂに密着回転させることにより、半導体基板１３０の表面をクリーニングする。
【００１１】
次に、図９（ｅ）の段階２８０の工程において、上記のような補助研磨作業を行う場合にも半導体基板１３０の表面にスクラッチが発生し、更に半導体基板１３０表面が不均一に研磨される問題が発生するため、図８（ｂ）に示す装置を用いてクリーニング段階以後または補助研磨作業以後に補助パッドブラシ１８０で補助パッド１２０ｂをブラッシングする。この際、クリーニング効率を増大させるために補助パッド１２０ｂ表面に洗浄液を供給しながらブラッシングを行うことが望ましい。
【００１２】
以上の方法により、ウェハ上の残留粒子及び研磨粒子塊をブラシにより効果的に除去し、基板表面でのスクラッチの発生と不均一な研磨を防止する。
【００１３】
【特許文献１】
特開平１０−２０２５０７号公報（段落番号［００２４］〜［００３６］）
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来方法における図９（ｄ）の工程において、水や薬液を供給しながら基板と補助パッドを密着させた状態でクリーニングを行うと、凝集した砥粒がウェハから離れる前に研磨が行われるため、スクラッチなどを引き起こす。またスラリー中の添加剤がウェハ上に付着した状態で研磨を行われるため、ウェハ内のパターンに過剰なストレスをかけることとなり、パターン欠損を引き起こす可能性もある。
【００１５】
そこで本発明は、バフ研磨工程前の洗浄工程を、バフ研磨用のプラテン上に水を溜めて行うことにより、ウェハ面上に発生する欠陥の抑制と処理能力の向上を両立することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明において、第１プラテン上でウェハの研磨を行う工程と、第１プラテン上で研磨を行った後、第２プラテン上でバフ研磨を行う工程とを備える研磨方法において、第２プラテン上で、ウェハの洗浄を行うことを特徴とする、研磨方法を提供する。
【００１７】
その結果、バフ研磨前にバフ及びウェハ上のパーティクル等を除去出来ると共に、この除去工程をバフプラテン上で行うことが出来るため、ウェハ表面欠陥の抑制と処理能力向上の両立を可能にする半導体装置の製造方法を提供することが出来る。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について、以下図面を参照しながら説明する。
【００１９】
（第１の実施形態）
まず、図１（ａ）に示すように、ウェハ搬送時にプラテン回転数を減速させてバフプラテン２上に純水を溜める。例えば、プラテン回転数は０〜２０ｒｐｍ程度が望ましい。このように、遅い速度でバフプラテン２を回転させることにより、溶液供給アーム３より供給された溶液、例えば純水４を、純水の表面張力によりバフプラテン２上に溜めることが出来る。なお、この際の純水流量は、例えば５．０ｌ／ｍｉｎ程度が望ましい。
【００２０】
次に、図１（ｂ）に示すように、バフ研磨工程中で洗浄を行う。この工程が、本発明の特徴となる工程であり、後程詳述する。
【００２１】
その後、図１（ｃ）に示す工程においてバフ研磨を行う。ここでウェハ７は、図３（ｂ）に示すように、エアーバッグ用圧力６が加圧されることによって、バフプラテン２に密着された状態にある。この際エアーバッグ用圧力６は１〜１．５ＰＳＩ、ヘッド回転数は８０〜１０ｒｐｍ、ヘッド用圧力５は１．５〜２ＰＳＩ、バフプラテン回転数は８０〜１２０ｒｐｍが望ましい。また、バフプラテン２の研磨時間としては、例えば２秒〜４０秒程度で行う。
【００２２】
ここで、本実施形態の特徴である、図１（ｂ）に示すバフプラテン２上での洗浄工程について説明する。
【００２３】
まず、ヘッド用圧力５を加圧状態にすることにより、ヘッド１をバフプラテン２上に設置させる。例えば、ヘッド圧力５は０．５ＰＳＩ程度が望ましい。またこの時、エアーバッグ用圧力６は減圧状態にしておき、ウェハ７がバフプラテン２と接しないようにする。ここでヘッドの回転数は２０〜７０ｒｐｍ、プラテンの回転数は２０〜７０ｒｐｍが望ましい。またバフプラテン２とヘッド１の回転数の割合は、バフプラテン回転数／ヘッド回転数が１．０〜１．３程度であることが望ましい。なお、本工程に要する時間は、２０秒程度とする。
【００２４】
ここで、バフ研磨工程で洗浄中のウェハの状態についてより詳細に説明する。先に述べたように、ヘッド用圧力５、エアーバッグ用圧力６、ヘッドの回転数とバフプラテンの回転数を調整すると、バフプラテン２上にあるウェハ７の状態も変化する。図３は、ウェハ７を保持しているヘッド部分の断面図である。図３（ａ）に示すように、ヘッド用圧力５とエアーバッグ用圧力６を減圧状態にすると、ヘッド１のガイドリング８はプラテン上に設置されるが、エアーバッグ９はエアーバッグ用圧力６が減圧になっているために、ウェハ７がヘッド１上部に吸い付けられ、ウェハ７とバフプラテン２が離れた状態を形成する。その結果、ガイドリング８に囲まれた部分、つまりウェハ７とバフプラテン２の間に空間が形成され、先の図１（ａ）に示す工程においてバフプラテン２上には純水４が溜められているため、ウェハ７とバフプラテン２の間の空間は純水４で満たされた状態となる。本工程では、ウェハ７とバフプラテン２の間の空間に純水４が満たされた状態でヘッド１とバフプラテン２を回転させることにより、ウェハ７表面の洗浄を行うことが出来る。
【００２５】
次に、この洗浄時の様子について説明する。
【００２６】
具体的には、図４に示すように、ヘッド１で保持されたウェハ７のガイドリング８の底部は、ウェハ７の中心部からウェハ７の外側に向かって放射線状に溝１０が存在する。図３（ａ）に示すように、ウェハ７とバフプラテン２の間の空間に保持された溶液（純水）は、溝１０を伝ってガイドリング８の外側と内側を循環し、ウェハ７表面の洗浄が行われる。なお、ウェハ７を保持しているヘッド１と純水４を溜めているバフプラテン２を共に回転させると、純水がウェハ７とバフプラテン２の間の空間内をより速く循環し、ウェハ７表面の不純物が効果的に除去される。
【００２７】
以上本実施形態によると、バフ研磨前にバフプラテン上でウェハ洗浄を行い、ウェハ上に残留しているパーティクル及びスラリー起因の不純物等を予め除去することが出来るため、バフ研磨を行った際に発生するウェハ表面欠陥を抑制することが出来る。
【００２８】
（第２の実施形態）
まず、図２（ａ）に示すように、第１の実施形態と同様にしてウェハ搬送時にバフプラテン回転数を減速させ、溶液供給アームより供給された溶液、例えば純水４を表面張力によりバフプラテン２上に溜める。ここでは、純水流量は５．０ｌ／ｍｉｎ程度、バフプラテン回転数は０〜２０ｒｐｍ程度が望ましい。
【００２９】
次に、図２（ｂ）に示すように、ヘッド用圧力５を大気開放し、ヘッド１をヘッド１自体の重さによりゆっくりとバフプラテン２上に接地しながら、洗浄を行う。この工程が本実施形態の特徴となる工程であり、後程詳述する。
【００３０】
その後、図２（ｃ）に示すように、バフ研磨を行う。ここでは、エアーバッグ用圧力６を加圧しウェハ７をバフプラテン２に密着させる。この際、例えば、エアーバッグ用圧力６は１．０〜１．５ＰＳＩ、ヘッド回転数は８０〜１０ｒｐｍ、ヘッド用圧力５は１．５〜２ＰＳＩの範囲で設定することが望ましい。また、バフプラテン回転数は８０〜１２０ｒｐｍ、本工程における研磨時間は２秒〜４０秒程度とする。
【００３１】
ここで、本実施形態の特徴である、図２（ｂ）に示すバフプラテン２上での洗浄工程について説明する。
【００３２】
まずヘッド用圧力５を大気開放すると、ヘッド１自体がその自重によりゆっくりバフプラテン２上に降下する。ここで、ヘッド１がバフプラテン２上に接地するまでにかかる時間は、およそ１０〜２０秒程度である。またこの際エアーバッグ用圧力６は減圧状態を保持しておき、ウェハ７がバフプラテン２と接触しないようにする。これにより、ウェハ７がヘッド１に吸い付けられた状態にあるので、ガイドリング８に囲まれた部分には空間が生じ、その空間部分に先にバフプラテン２上に溜めておいた純水４が流入する。つまり、ガイドリング８に囲まれた空間には、図４に示すガイドリング８に形成された溝１０からだけでなく、バフプラテン２とガイドリング８の隙間からも純水４が流入し、より多くの純水４がウェハ７表面及びパフプラテン２上を循環することになる。その結果、ウェハ７表面上やバフプラテン２上に残留していたパーティクルやスラリー粒子がより効果的に除去され、次のバフ研磨工程で傷等の発生を防ぐことが出来る。
【００３３】
なお、バフプラテン２上にウェハ７を接面させるまでの間に、バフプラテン２が回転と停止を繰り返すよう動作させると、洗浄効果を向上させることが出来る。この際バフプラテン２の回転数は２０〜４０ｒｐｍ、ヘッド１の回転数は２０〜７０ｒｐｍが望ましい。
【００３４】
以上本実施形態によると、バフ研磨前にバフプラテン上でウェハ洗浄を行い、ウェハ上に残留しているパーティクル及び先の研磨工程におけるスラリー起因の不純物等を予め除去することが出来るため、バフ研磨を行った際に発生するウェハ表面欠陥を抑制することが出来る。
【００３５】
以上の２つの実施形態に関して、本発明は特に不溶解性スラリーを用いた研磨工程を備える場合に特に有効である。以下、その理由を詳述する。
【００３６】
不溶解性スラリーは、図５（ａ）に示すように、主に砥粒１１と水溶性化合物１２から構成され、ＣＭＰ工程において削りたい部分は削りやすく、削りたくない部分は削れにくくという、比較的選択性を持たせて研磨出来る性質を有するスラリーである。例えば、図５（ｂ）に示すように、削る必要のない絶縁膜１３表面には不溶解性スラリー中の水溶性化合物１２が配位してごく薄い保護膜１４を形成し、本来削りたいＣｕ膜１５表面には水溶性化合物１２は殆ど配位しない。よって、水溶性化合物１２が外れた砥粒１１は、保護膜１４の形成されていない膜表面の方をより速く研磨するため、選択性を持たせた研磨を行うことが出来る。
【００３７】
しかし、研磨終了後のウェハ１６表面に残った不溶解性スラリー１８は、他の種類のスラリーと比較して除去しにくいという問題がある。これは、図５（ｃ）に示すように、水溶性化合物１２がバフプラテン１７やウェハ１６表面上に部分的に配位し、ウェハ１６上に残りやすくなるためである。また、図５（ｄ）に示すように、砥粒１１の周りにある水溶性化合物１２は、水溶性化合物１２同士で分子間力が働き、凝集して粒子が大きくなり、バフ研磨時の傷及びパーティクル増加の原因となる場合もある。
【００３８】
そこで、本発明においては、先に溶液、例えば純水でウェハ７表面及びバフプラテン１７上を洗浄し、スラリーの水溶性化合物１２を砥粒１１よりも優先的に除去する。その結果、スラリーがウェハ１６表面やバフプラテン１７上に配位しにくくなり、除去効率が向上すると共に、スラリー同士が凝集しにくく粒子が大きく成長しにくいため、バフ研磨時の傷の発生、及びパーティクルの増加を防ぐことが出来る。
【００３９】
（発明の研磨装置）
本発明のバフ研磨装置、及びバフ研磨装置を含む研磨システムについて説明する。
【００４０】
図６（ａ）は、バフ研磨装置の断面図であり、図６（ｂ）はバフ研磨装置を上から見た図である。本発明のバフ研磨装置は、図６（ａ）に示すように、ウェハ１０４を保持するヘッド１０１と、その下にバフ研磨を行うバフプラテン１０２を備え、ヘッド１０１は、ウェハ１０４を着脱するためのエアーバッグ１０７と、ウェハ１０４を支えるガイドリング１０８とを備え、ヘッド１０１はヘッド１０１自体を上下に移動する機構（図示せず）と上部で接続されている。このエアーバッグ１０７を調整することによりウェハ１０４をヘッド１０１に吸着し、ウェハ１０４表面とバフプラテン１０２の間に空間を形成することが出来るため、バフ研磨直前にバフプラテン１０２上で洗浄を行うことが可能となる。また、図６（ｂ）から、ウェハを保持するヘッド１０１部分はバフプラテン１０２よりもずっと面積が小さく、異なった軌跡での回転が可能であり、より偏り無く研磨することが出来る。更に、純水供給アーム１０３は供給口を複数備えることが可能であり、同時により広い範囲へ純水を供給することが出来る。
【００４１】
次に、研磨システムについて説明する。
【００４２】
本発明の研磨システムは、図７（ａ）に示すように、メインの研磨を行う部分である第１プラテン１１２ａと第２プラテン１１２ｂ、バフ研磨を行うバフプラテン１０２、研磨前と研磨終了後のウェハを着脱するウェハ着脱部１１０の４つのパートから構成される。
【００４３】
まず図７（ａ）に示すように、１枚目のウェハ１０４が、ウェハ着脱部１１０でヘッドＡ１０１ａに吸着される。
【００４４】
次に、１枚目のウェハ１０４は第１プラテン１１２ａ上へ移動し、スラリー供給アーム１１４からスラリーを供給しながらメイン研磨が行われると同時に、２枚目のウェハＢが、ウェハ着脱部１１０で吸着される。
【００４５】
続いて、図７（ｂ）に示すように、１枚目のウェハ１０４が第２プラテン１１２ｂ上へ移動する過程において、第１プラテン１１２ａと第２プラテン１１２ｂの間にあるウェハ洗浄ノズル１１１により１枚目のウェハ１０４表面の洗浄を行う。この間、研磨直前のヘッドＡ１０１ａと研磨後のヘッドＤ１０１ｄに装着されたウェハ１０４は待機状態であり、洗浄時間が長くなるほどヘッドＡ１０１ａとヘッドＤ１０１ｄの待機時間も長くなる。
【００４６】
次に、図７（ａ）に示すように１枚目のウェハ１０４が第２プラテン１１２ｂへ移動し引き続きメイン研磨が行われると同時に、２枚目のウェハ１０４は第１プラテン１１２ａへ、３枚目のウェハ１０４はウェハ着脱部１１０で吸着される。
【００４７】
続いて、図７（ｂ）に示すように、１枚目のウェハ１０４はバフプラテン１０２上へ移動する過程において、再びウェハ洗浄ノズル１１１により１枚目ウェハ１０４の洗浄が行われる。ここで、２枚目のウェハ１０４も洗浄工程に移行するが、先ほどと同様ヘッドＡ１０１ａ、ヘッドＤ１０１ｄに装着されたウェハ１０４は次工程への待機状態になり、研磨処理が停滞するウェハが２枚発生する。
【００４８】
その後、図７（ａ）に示すように、１枚目のウェハはバフプラテン１０２へ移動しバフ研磨が行われると同時に、２枚目のウェハは第２プラテン１１２ｂへ、３枚目のウェハは第１プラテン１１２ａへ、４枚目のウェハが着脱部１１０において新しくヘッドＡ１０１ａに吸着される。
【００４９】
このように、順にウェハがヘッドに吸着され、回転しながら同時進行で複数枚のウェハが研磨されていく。
【００５０】
しかし、第１プラテン１１２ａと第２プラテン１１２ｂ、第２プラテン１１２ｂとバフプラテン１０２の間にあるウェハ洗浄ノズル１１１を用いて洗浄を行う工程が長くなるほど、ヘッドＡ１０１ａ，ヘッドＤ１０１ｄに装着されているウェハ１０４の待機時間が長くなり全体の処理効率が低下する。
【００５１】
本発明によると、バフプラテン１０２上で洗浄及び研磨を共に行うことが出来るため、ウェハ洗浄ノズル１１１を用いた洗浄時間を短縮、もしくは省略することが出来る。その結果、洗浄工程にあるウェハの洗浄が終了するまで待機させる必要がなく、つまり処理待ちのウェハを直ちに次のプラテンへ移行し処理することが出来るため、研磨装置の処理能力を向上させることが出来る。
【００５２】
【発明の効果】
本発明によると、バフ研磨前にバフプラテン上でウェハ洗浄を行い、ウェハ上に残留しているパーティクル及びスラリー起因の不純物等を予め除去することが出来るため、バフ研磨を行った際に発生するウェハ表面欠陥を抑制することが出来る。
【００５３】
またプラテン間での洗浄工程を用いず、バフプラテン上で洗浄工程を行うことが出来るため、ウェハの処理能力を向上させることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態を示す図
【図２】第２の実施形態を示す図
【図３】本発明における研磨時のヘッド断面図
【図４】本発明のヘッド下面図
【図５】本発明のスラリーに関する効果についての説明図
【図６】本発明のヘッド断面図とバフプラテンを示す図
【図７】本発明の処理能力に関する効果についての説明図
【図８】従来の研磨装置の断面図
【図９】従来方法のフローを示す図
【符号の説明】
１  ヘッド
２  バフプラテン
３  純水供給アーム
４  純水
５  ヘッド用圧力
６  エアーバッグ用圧力
７  ウェハ
８  ガイドリング
９  エアーバッグ
１０  溝
１１  砥粒
１２  水溶性化合物
１３  絶縁膜
１４  保護膜
１５  Ｃｕ
１６  ウェハ
１７  バフプラテン
１８  不溶解性スラリー
１０１  ヘッド
１０１ａ  ヘッドＡ
１０１ｂ  ヘッドＢ
１０１ｃ  ヘッドＣ
１０１ｄ  ヘッドＤ
１０２  バフプラテン
１０３  純水供給アーム
１０４  ウェハ
１０５  ヘッド用圧力
１０６  エアーバッグ用圧力
１０７  エアーバッグ
１０８  ガイドリング
１０９  スラリー
１１０  ウェハ着脱部
１１１  ウェハ洗浄ノズル
１１２ａ  第１プラテン
１１２ｂ  第２プラテン
１１３  純水
１１４  スラリー供給アーム
【図１】
2004273502.tif 000003
【図２】
2004273502.tif 000004
【図３】
2004273502.tif 000005
【図４】
2004273502.tif 000006
【図５】
2004273502.tif 000007
【図６】
2004273502.tif 000008
【図７】
2004273502.tif 000009
【図８】
2004273502.tif 000010
【図９】
2004273502.tif 000011