(57)【要約】【課題】小型で大電流を流すことができるチップ型サージアブソーバの提供を目的とする。【解決手段】筒状碍子２１と、周面に放電ギャップ２４を介して導電性皮膜２３が分割形成された柱状のセラミックス部材２２と、該セラミックス部材２２の両端面を覆うように接触して対向配置された一対の板状主放電電極２５，２５と、セラミックス部材２２及び板状主放電電極２５，２５を筒状碍子２１の内部に不活性ガスと共に封止する一対の封止電極２６，２６とを具備し、板状主放電電極２５，２５を筒状碍子２１の軸方向へそれぞれ逆向きに延長してなる電極先端部２５ａを封止電極２６に接触させた。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒状碍子と、周面に放電ギャップを介して導電性皮膜が分割形成された柱状の絶縁性部材と、該絶縁性部材の両端面を覆うように接触して対向配置された一対の板状主放電電極と、前記絶縁性部材及び前記板状主放電電極を前記筒状碍子の内部に不活性ガスと共に封止する一対の封止電極とを具備し、前記板状主放電電極を前記筒状碍子の軸方向へそれぞれ逆向きに延長してなる電極先端部を前記封止電極に接触させたことを特徴とするチップ型サージアブソーバ。
【請求項２】
前記電極先端部を曲面にしたことを特徴とする請求項１記載のチップ型サージアブソーバ。
【請求項３】
周面に放電ギャップを介して導電性皮膜が分割形成された柱状の絶縁性部材の両端面を覆うように一対の板状主放電電極を接触させて対向配置し、これら絶縁性部材及び板状主放電電極を筒状碍子の内部に不活性ガスと共に挿入して一対の封止電極で封止して、前記筒状碍子の軸方向へそれぞれ逆向きに延長してなる前記板状主放電電極の電極先端部を前記封止電極に接触させることを特徴とするチップ型サージアブソーバの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、サージから種々の電子機器等を保護し、事故を未然に防ぐために使用されるチップ型サージアブソーバ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、電話機、ファクシミリ、モデム等の通信機器用の電子機器が通信線と接続される部分、あるいはＣＲＴ駆動回路等、雷サージや静電気等の異常電圧（サージ電圧）による電撃を受けやすい部分には、異常電圧によって電子機器やこの機器を搭載するプリント基板の熱的損傷または発火等による破壊を防止するために、サージアブソーバが接続されている。
【０００３】
このようなサージアブソーバには、たとえば図５に示す第１従来例のように、マイクロギャップを有するサージ吸収素子を用いたものがある。
サージ吸収素子１は、導電性皮膜２で全面を被包した円柱状のセラミックス部材（絶縁性部材）３の周面に、いわゆるマイクロギャップＭが形成され、セラミックス部材３の両端には、一対のキャップ電極４，４が取り付けられている。このように構成されたサージ吸収素子１は、不活性ガスＧと共にガラス管５内に収容され、このガラス管５の両端を相対向する一対の封止電極６，６により高温加熱で封着することにより放電型のサージアブソーバとなる。
なお、このサージアブソーバは、面実装型（メルフ型）のサージアブソーバであり、封止電極６にリード線がなく、実装するときは封止電極６と基板側とを半田付けで接続して固定するものである。（たとえば、特許文献１参照）
【０００４】
しかし、上述した第１従来例のサージアブソーバは、ガラス管５の内部に円柱状のセラミックス部材３を封入するため、小型化が困難である。このため、電子回路の小型化、高密度化という産業上の要請に応えることができなかった。
また、メルフ型の場合、素子表面が平坦でなく、基板実装持にチャッキング不良を生じる。
【０００５】
一方、上述したマイクロギャップ型の性能を維持して小型化が可能なサージアブソーバとして、たとえば図６に示す第２従来例のようなチップ型サージアブソーバ１０がある。
この場合、絶縁性基体１１の表面に、放電ギャップ１２を形成した放電電極１３が設けられている。また、絶縁性基体１１の両端には、放電電極１３と導通する１組の端子電極１４が配置されている。さらに、放電ガスが充填される気密室１５を形成するために、放電電極１３及び放電ギャップ１２とを覆って気密キャップ１６が接着されている。なお、図中の符号１７は、放電電極１３と端子電極１４との接続面であり、放電電極１３は、印刷法、蒸着法スパッタリング法などによって形成された厚さ１μｍ〜４０μｍ程度の導電性薄膜である。
【０００６】
このような構成のサージアブソーバでは、端子電極１４と図示しない外部回路との間をハンダで電気的に接続することにより、表面実装が可能であり、かつ、封入用のガラス管やキャップ電極を必要としないので、小型化が可能である。しかも、基本的な作動原理は第１従来例に記載されたものと同様であるから、性能面でも遜色のないものとなる。（たとえば、特許文献２参照）
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−１３４２４７号公報（段落番号００１１〜００１４及び図１）
【特許文献２】
特開２００２−１５８３２号公報（段落番号００１３〜００２３及び図２）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年のサージアブソーバには、小型化と共に大電流を流せるようにすることが求められている。
しかしながら、上述した第２従来例のチップ型サージアブソーバ１０は、小型化の面では有利になる反面、印刷法等により形成された導電性薄膜の放電電極１３と端子電極１４との接続面１７において、その接触面積が小さくなることもあって、放電時に大電流を流すのは困難である。
また、主放電Ｓのアーク放電時には、導電性薄膜よりなる放電電極１３の基端部に点状態でアーク電流が流れ込むので、その部分が局所的に電流密度の高い状態となる。このため、局所的な高温の影響で接合部が破損することも考えられるため、やはり大電流を流すのは困難である。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、小型で大電流を流すことができるサージアブソーバの提供を目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を採用した。
請求項１に記載のチップ型サージアブソーバは、筒状碍子と、周面に放電ギャップを介して導電性皮膜が分割形成された柱状の絶縁性部材と、該絶縁性部材の両端面を覆うように接触して対向配置された一対の板状主放電電極と、前記絶縁性部材及び前記板状主放電電極を前記筒状碍子の内部に不活性ガスと共に封止する一対の封止電極とを具備し、前記板状主放電電極を前記筒状碍子の軸方向へそれぞれ逆向きに延長してなる電極先端部を前記封止電極に接触させたことを特徴とするものである。
【００１０】
このようなチップ型サージアブソーバによれば、絶縁性部材の両端面を覆うように接触して対向配置された一対の板状主放電電極間で主放電が行われるので、比較的小型のまま主放電電極の面積を大きくし、局所的な温度上昇を防止して大電流の放電を可能にする。また、板状主放電電極の電極先端部を封止電極に接触させているので、導電性薄膜と比較して電極間の接触面積が増加するので、これによっても大電流を流すことができる。
この場合、板状主放電電極は、適度な撓みをもって確実に封止電極と接触するような長さに設定するのが好ましい。
【００１１】
請求項１記載のチップ型サージアブソーバにおいては、前記電極先端部を曲面にすることが好ましく、これにより、封止電極との接触面積を大きくでき、かつ、接触の安定性を増すことができる。
【００１２】
請求項３に記載のチップ型サージアブソーバの製造方法は、周面に放電ギャップを介して導電性皮膜が分割形成された柱状の絶縁性部材の両端面を覆うように一対の板状主放電電極を接触させて対向配置し、これら絶縁性部材及び板状主放電電極を筒状碍子の内部に不活性ガスと共に挿入して一対の封止電極で封止して、前記筒状碍子の軸方向へそれぞれ逆向きに延長してなる前記板状主放電電極の電極先端部を前記封止電極に接触させることを特徴とするものである。
【００１３】
このようなチップ型サージアブソーバの製造方法によれば、周面に放電ギャップを介して導電性皮膜が分割形成された柱状の絶縁性部材の両端面を覆うように一対の板状主放電電極を接触させて対向配置し、筒状碍子の軸方向へそれぞれ逆向きに延長してなる板状主放電電極の電極先端部を封止電極に接触させるようにして封止するので、比較的小型のまま主放電電極の面積を大きくし、局所的な温度上昇を防止して大電流の放電が可能になる。また、板状主放電電極の電極先端部を封止電極に接触させるため、導電性薄膜と比較して電極間の接触面積が増加するので、これによっても大電流を流すことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るチップ型サージアブソーバ及びその製造方法の一実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１において、（ａ）はチップ型サージアブソーバ（以下では、「サージアブソーバ」と呼ぶ）の全体構成を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図であり、図中の符号２０はサージアブソーバ、２１は筒状碍子、２２はセラミックス部材（絶縁性部材）、２３は導電性皮膜、２４は放電ギャップ（マイクロギャップ）、２５は板状主放電電極、２６は封止電極、２７は気密室（封止空間）である。
【００１５】
筒状碍子２１は、たとえばアルミナ等の絶縁性セラミックスや鉛ガラスにより成形された筒型の四角柱であり、略矩形断面を有して貫通する中空部が後述する気密室２７となる。なお、この場合の略矩形断面とは、長方形または正方形は勿論のこと、角部が直角でないものや曲面のものなどを包含する。
また、筒状碍子２１の両端面には、たとえばＭｏ−Ｍｎのメタライズ処理後、Ｎｉメッキを行う。なお、両端面のメタライズについては、Ｍｏ−Ｍｎに限定されることはなく、たとえばＭｏ−Ｗ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ等でもよいし、Ｎｉメッキを行わなくてもよい。あるいは、メタライズ層を形成する代わりに活性金属ろう材を使用することも可能である。
【００１６】
絶縁性部材として用いられるセラミックス部材２２は、たとえばムライト焼結体等よりなる円柱形状のセラミックス碍子であり、その表面にはＴｉ薄膜等の導電性被膜２３が形成されている。なお、セラミックス部材２２として採用可能なものには、アルミナ、ベリリア、ステアライト、フォルステライト、ジルコン、普通磁器、ガラスセラミック、窒化ケイ素、窒化アルミ、炭化ケイ素等の絶縁性セラミックスがある。
導電性被膜２３は、円柱の周面に形成されたマイクロギャップと呼ばれる放電ギャップ２４を介して、軸方向で二分割された状態に形成されている。なお、導電性被膜２３の形成には、スパッタや蒸着等のＰＶＤ法、あるいは、ＣＶＤ法を採用することができ、上述したＴｉ薄膜以外にも、たとえばＡｇ，Ａｇ／Ｐｄ，ＳｎＯ２  ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｕ，ＴｉＮ，Ｔａ，Ｗ，ＳｉＣ，ＢａＡｌ，Ｃ，Ａｇ／Ｐｔ，ＴＩＯ，ＴｉＣ，ＴｉＣＮなどの薄膜を採用することができる。
【００１７】
放電ギャップ２４は、セラミックス碍子２２の全表面（周面及び両端面）に対し一様に形成された導電性被膜２３を、周面の軸方向中央部で円周方向へ除去した部分である。このような放電ギャップ２４の形成は、レーザーカット、ダイシングまたはエッチング等の手法を用いて行うことができる。なお、放電ギャップ２４は、おおよそ０．０１〜１．５ｍｍ程度の幅で、１〜１００本程度形成されている。
【００１８】
上述したセラミックス部材２２は、円筒形状の両端面を覆うように接触して対向配置された一対の板状主放電電極２５，２５によって挟まれている。板状主放電電極２５は、たとえばリン青銅の板材を帯状など所望の形状に切断したものである。なお、板状主放電電極２５は、上述したリン青銅の他にも、たとえばステンレス（ＳＵＳ）材、ベリリウム銅、銅、鉄、ニッケル等の導電性物質板材を用いることができる。
【００１９】
この板状主放電電極２５は、セラミックス部材２２に対して、それぞれが筒状碍子２１の軸方向逆向きに延長された状態として配設されている。そして、板状主放電電極２５は、延長側の先端部分が後述する封止電極２６と接触する電極先端部２５ａとされる。すなわち、図示の例では、セラミックス部材２２の上端面に接触する板状主放電電極２５が紙面左側へ延長され、下端面に接触する板状主放電電極２５が紙面右側へ延長されている。換言すれば、上下一対の板状主放電電極２５，２５を同じ長さとし、それぞれ筒状碍子２１の軸方向において逆方向へずらした端部付近にセラミックス部材２２を接触させている。
【００２０】
また、板状主放電電極２５の寸法は、セラミックス部材２２を筒状碍子２１内の所定位置（中間位置）に設置した状態で、電極先端部２５ａが共に筒状碍子２１の両端開口から適度に突出する長さに設定する。これは、後述する封止電極２６により封止を行った後、適度な撓みを生じさせて弾性により確実に接触するようにしたものである。また、電極先端部２５ａを曲面にすることで、封止電極との接触がより一層安定し、接触面積を増加させることもできる。
なお、板状主放電電極２５とセラミックス部材２２との接触部分（面）は、板状主放電電極２５に凹部を設けて位置決めされるが、必要に応じてろう材等を用いて接着してもよい。
【００２１】
上述したように、セラミックス部材２２を一対の板状主放電電極２５，２５で挟持してなる構成のサージ吸収素子は、筒状碍子２１の両端に形成された開口部のうち、いずれか一方から挿入して中空部内の所定位置に収納される。この時、板状主放電電極２５，２５は、略矩形断面とした中空部の対向面にそれぞれ接して収納されるような寸法設定となっている。すなわち、中間部内に収納されたサージ吸収素子は、板状主放電電極２５とセラミックス部材２２との間が接着されていなくても、対向面間に挟持されるため位置ずれすることなく所定の位置関係を維持できる。
【００２２】
筒状碍子２１は、サージ吸収素子を収納した後、たとえばアルゴン等の不活性ガス雰囲気中において、両端の開口部が封止電極２６，２６により封止される。この封止電極２６は、中空部を塞ぐようにして開口部の両端面に当接させて筒状碍子２１を挟み込み、ろう付けやガラス等を用いて接着される。この結果、筒状碍子２１の中空部は、サージ吸収素子及び不活性ガスが封入された封止空間の気密室２７となる。なお、図中の符号２８は、封止電極２６を筒状端子２１の端面に接着するろう材である。
【００２３】
封止電極２６となる電極材には、たとえばコバールの他、Ｃｕ、Ｃｕ系及びＮｉ系の合金材などの使用が可能である。この封止電極２６は、サージから保護する回路等に接続されるサージアブソーバ２０の端子電極として機能する。
また、上述した不活性ガスはアルゴンに限定されることはなく、放電ガスとして機能するものであればよい。従って、高温でイオン化する気体（ガス）であれば空気を含めて使用可能であるが、高温での安定性を考慮すると、Ｈｅ，Ｎ２  ，Ｎｅ，Ｘｅ，ＳＦ６  ，ＣＯ２  ，Ｈ２  ，Ｃ２  Ｆ６  などの１種または２種以上の混合ガスを使用することができる。
【００２４】
上述した構成のサージアブソーバ２０は、図示の例では、紙面右側の封止電極２６と下側の導電性皮膜２３とが右側の板状主放電電極２５を介して電気的に接続され、かつ、紙面左側の封止電極２６と上側の導電性皮膜２３とが左側の板状主放電電極２５を介して電気的に接続されているが、上下に分割された導電性皮膜２３は、放電ギャップ２４の存在により電気的に絶縁されている。このため、回路が平常の状態で作動している時には、放電ギャップ２４に絶縁されてサージアブソーバ２０を電流が流れるようなことはない。
【００２５】
しかし、回路に誘電雷などのサージが侵入すると、そのサージに対応した電圧が放電ギャップ２４の両端にかかる。このサージ電圧が当該サージアブソーバ２０に設定された直流放電開始電圧（Ｖｓ）以上であると、放電ギャップ２４間の絶縁が破壊され、放電ギャップ２４にグロー放電が発生する。さらに、サージが継続すると、放電ガスが高温となってイオン化し、グロー放電からアーク放電へと移行すると共に、板状主放電電極２５，２５間の放電となり、さらに大電流のサージを流すことができる。
【００２６】
すなわち、本発明の構成では、板状主放電電極２５，２５間で主放電Ｓのアーク放電が行われるので、主放電用の電極に大きな放電面積を確保し、局所的に電流密度が高くなるのを防止することができる。
また、板状主放電電極２５の電極先端部２５ａと封止電極２６との間でも、板状部材の電極先端部２５ａが接触して通電するので、薄膜の場合と比較してはるかに大きな接触面積を確保することができる。この場合、電極先端部２５ａは板状の端面が封止電極２６と接触するようにしてもよいが、曲面の電極先端部２５ａとすることで、接触面積を増加させたり、接触の安定性をより一層向上させることができる。
【００２７】
以下では、上述した構成のサージアブソーバ２０を製造する工程を図２ないし図４に基づいて具体的に説明する。
図２は、セラミックス部材２２に導電性皮膜２３を形成した後、周面に放電ギャップ２４を形成するトリガ電極製造工程を示している。
このトリガ電極製造工程では、（ａ）に示すように、最初に絶縁性部材のセラミックス部材２２として、ムライト焼結材よりなる円柱形状碍子を用意する。
【００２８】
このセラミックス部材２２は、（ｂ）に示すように、周面及び両端面の全表面が導電性皮膜２３のＴｉ薄膜によって覆われる。この導電性皮膜２３は、スパッタや蒸着等により形成される。
次の工程では、（ｃ）に示すように、軸方向中心位置の導電性薄膜２３を全周にわたりレーザーカット等の方法で除去する。この結果、セラミックス部材２２を微小の幅で露出させた放電ギャップ２４が形成される。この放電ギャップ２４を形成したことにより、導電性皮膜２３は、セラミックス部材２２の軸方向において電気的に絶縁されて二つに分割される。
【００２９】
図３は、トリガ電極製造工程でトリガ電極とされたセラミックス部材２２を板状主放電電極部材２５，２５間に挟み、サージ吸収素子を組み立てる工程を示している。
図３（ａ）は、板状の電極素材から帯状（長方形）とした板状主放電電極２５を、複数枚同時に形成する様子を示したものである。第１リードフレーム３０Ａは、リン青銅の１枚の板材から第２リードフレーム３０Ｂを切り抜くことにより残った部分であり、第１及び第２リードフレーム３０Ａ，３０Ｂには、それぞれ基部３１Ａ，３１Ｂで連結された複数の板状主放電電極２５が一定のピッチで平行に配列されている。
【００３０】
また、各板状主放電電極２５の一方の端部近傍には、トリガ電極となったセラミックス部材２２を上下から挟み込んで位置決めするため、たとえば切断と同時にプレス成形された凹部３２Ａ，３２Ｂが形成されている。この場合、下側となる第２リードフレーム３０Ｂの板状主放電電極２５に形成された凹部３２Ｂにセラミックス部材２２を載置するが、必要に応じてろう材等で接着してもよい。
【００３１】
続く図３（ｂ）の工程では、各凹部３２Ｂにそれぞれセラミックス部材２２を載置または接着した第２リードフレーム３０Ｂに対し、セラミックス部材２２にそれぞれ凹部３２Ａを被せるように位置合わせして第１リードフレーム３０Ａを載置または接着する。この場合の接着にも、ろう材等を使用してもよい。
【００３２】
このようにして複数のサージ吸収素子が並列に形成された後、図３（ｃ）に示すように、第２リードフレーム３０Ｂから不要部分である基部３１Ｂを切断除去する。この時、第２リードフレーム３０Ｂ側では、電極先端部２５ａが曲面となるように切断するとよい。すなわち、板状主放電電極２５の一方の端部であり、後に封止電極２６と接触する側の電極先端部２５ａが、セラミックス部材２２側へ上向きに曲げられた曲面となるように切断する。
なお、この時点において第１リードフレーム３０Ａ側の基部３１Ａはそのまま残り、複数のサージ吸収素子は連結された状態にある。
【００３３】
図３（ａ）〜（Ｃ）の工程でできたサージ吸収素子は、続いて図４に示す組立工程へ送られる。
図４（ａ）の工程では、筒型四角柱としたアルミナ製の筒状碍子２１に、一方の開口部からサージ吸収素子を挿入する。なお、筒状碍子２１は、サージ吸収素子と同数が適当な治具により保持されて等ピッチで並んでいる。
【００３４】
筒状碍子２１内に挿入されたサージ吸収素子は、図４（ｂ）に示すように、セラミックス部材２２が所定位置（軸方向の中心位置）に設置され、曲面とした電極先端部２５ａが他方の開口部から若干突出する。
次に、図４（ｃ）に示すように、第１リードフレーム３０Ａの不要部分である基部３１Ａを切断する。この時、第１リードフレーム３０Ａ側の電極先端部２５ａについても、曲面となるように切断するとよい。すなわち、板状主放電電極２５の一方の端部であり、後に封止電極２６と接触する側の電極先端部２５ａが、セラミックス部材２２側へ下向きに曲げられた曲面となるように切断する。
この結果、各サージ吸収素子は分断され、それぞれが独立して筒状碍子２１内の所定位置に収納された状態となる。なお、ここで切断された電極先端部２５ａの曲面も、筒状碍子２１の開口部から若干突出した状態になる。
【００３５】
続いて、図４（ｄ）に示すように、サージ吸収素子を収納した筒状碍子２１の両端開口を封止電極２６で封止する。この時、アルミナ（セラミックス）の筒状碍子２１とコバール（金属）の封止電極２６とを接着するため、間にろう材２８を介在させる。
封止電極２６による封止は、図４（ｅ）に示すように、カーボンヒーター４０内のＡｒガス雰囲気中で加熱処理し、ろう材２８により封止電極２６を筒状碍子２１の両端面に接着して行われる。この結果、筒状碍子２１の中空部内は、サージ吸収素子がＡｒガスと共に封止された気密室２７となる。なお、ここではカーボンヒータ４０を使用して加熱処理したが、封止電極２６の接着工程は、部品を固定する治具であれば特に限定されるものではない。
最後に、適当なメッキ処理を行い、サージアブソーバ２０が完成する。
【００３６】
これまで説明したサージアブソーバ２０は、筒状碍子２１が筒型の四角柱であったが、本発明はこれに限定されることはなく、たとえば筒型とした六角柱のように、中空部内に１組の対向面が存在していればよい。また、筒状碍子２１は、四角柱の外形形状と気密室２７となる矩形断面の中空部のように、外形形状と中空部の断面形状とを必ずしも同じ（相似形）にする必要はなく、たとえば円柱形状に矩形断面の中空部を形成したものでもよい。
なお、本発明の構成は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において適宜変更することができる。
【００３７】
【発明の効果】
本発明のチップ型サージアブソーバによれば、サージ吸収素子となる絶縁性部材の両端面を覆うように接触して対向配置され、比較的小型のまま放電面積を大きく確保できる一対の板状主放電電極間で主放電が行われるので、局所的な温度上昇を防止して大電流の放電が可能なサージアブソーバとなる。また、板状主放電電極の電極先端部が封止電極に接触しているので、従来構造の導電性薄膜と比較して電極間の接触面積が増加し、これによっても大きなサージ電流を流すことができるようになる。
特に、電極先端部を曲面にすれば、封止電極との接触面積を大きくし、かつ、接触の安定性を増すことができるので、より大きなサージ電流を流すことができる。
【００３８】
また、板状主放電電極と封止電極との間で接触が安定すると、接触不良が生じないので、直流サージ電圧（Ｖｓ）にばらつきがなく、性能が安定して信頼性の高いチップ型サージアブソーバとなる。
さらに、チップ型サージアブソーバの気密室内に入る部品を小型にすることができるので、小型化及び低コスト化が容易である。
【００３９】
また、本発明のチップ型サージアブソーバの製造方法によれば、比較的小型のまま主放電電極の面積を大きくし、局所的な温度上昇を防止して大電流の放電が可能な製品を容易に製造することができる。また、板状主放電電極の電極先端部を封止電極に接触させるため、導電性薄膜と比較して電極間の接触面積が増加するので、より一層大電流を流すことができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るチップ型サージアブソーバの一実施形態を示す図で、（ａ）組立状態を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】トリガ電極作成の工程を示す図である。
【図３】サージ吸収素子の組立工程を示す図である。
【図４】チップ型サージアブソーバの組立工程を示す図である。
【図５】第１従来例を示す断面図である。
【図６】第２従来例を示す断面図である。
【符号の説明】
２０    チップ型サージアブソーバ
２１    筒状碍子
２２    セラミックス部材（絶縁性部材）
２３    導電性被膜
２４    放電ギャップ（マイクロギャップ）
２５    板状主放電電極
２５ａ  電極先端部
２６    封止電極
２７    気密室（封止空間）
２８    ろう材
３０Ａ  第１リードフレーム
３０Ｂ  第２リードフレーム
３１Ａ，３１Ｂ  基部
３２Ａ，３２Ｂ  凹部
４０    カーボンヒーター
【図１】
2004273188.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2004273188.tif 000006
【図５】
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【図６】
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