(57)【要約】【課題】サブクォーターミクロンのパターン加工が可能な解像度を持ち、高感度なポジ型感放射線性組成物を得る。【解決手段】（ａ）α位に置換基を持つアクリレート単位またはα位に置換基を持つｐ−ヒドロキシスチレン単位を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性となる重合体または（ｃ）α位に置換基を持つアクリレート単位またはα位に置換基を持つｐ−ヒドロキシスチレン単位を有するアルカリ可溶性の重合体と、（ｄ）（ｃ）α位に置換基を持つアクリレート単位またはα位に置換基を持つｐ−ヒドロキシスチレン単位を有するアルカリ可溶性の重合体のアルカリ可溶性を抑制する効果を持ち、該抑制効果が酸の作用によって低下または消失する化合物、（ｂ）特定の構造式で表されるイオン性酸発生剤を含有することを特徴とするポジ型感放射線性組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造方法。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）α位に置換基を持つアクリレート単位またはα位に置換基を持つｐ−ヒドロキシスチレン単位を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性となる重合体、（ｂ）下記一般式（１）および／または（２）で表されるイオン性酸発生剤を含有することを特徴とするポジ型感放射線性組成物。
【化１】
2004085657.tif 000023
（一般式（１）および（２）中Ｒ１〜Ｒ５は置換基を有していても良いアルキル基、アラルキル基、アリール基または−ＳＯ２Ｒ６であり、一般式（１）のＲ１、Ｒ２の少なくとも１つ、一般式（２）のＲ３〜Ｒ５の少なくとも１つは−ＳＯ２Ｒ６であり、Ｒ６はフルオロアルキル基である。Ｒ１とＲ２はそれぞれ同じでも異なっていても良く、Ｒ３〜Ｒ５はそれぞれ同じでも異なっていても良い。Ａは有機基である。）
【請求項２】
（ｃ）α位に置換基を持つアクリレート単位またはα位に置換基を持つｐ−ヒドロキシスチレン単位を有するアルカリ可溶性の重合体、（ｄ）（ｃ）α位に置換基を持つアクリレート単位またはα位に置換基を持つｐ−ヒドロキシスチレン単位を有するアルカリ可溶性の重合体のアルカリ可溶性を抑制し、該抑制効果が酸の作用によって低下または消失する化合物、（ｂ）下記一般式（１）および／または（２）で表されるイオン性酸発剤を含有することを特徴とするポジ型感放射線性組成物。
【化２】
2004085657.tif 000024
（一般式（１）および（２）中Ｒ１〜Ｒ５は置換基を有していても良いアルキル基、アラルキル基、アリール基または−ＳＯ２Ｒ６であり、一般式（１）のＲ１、Ｒ２の少なくとも１つ、一般式（２）のＲ３〜Ｒ５の少なくとも１つは−ＳＯ２Ｒ６であり、Ｒ６はフルオロアルキル基である。Ｒ１とＲ２はそれぞれ同じでも異なっていても良く、Ｒ３〜Ｒ５はそれぞれ同じでも異なっていても良い。Ａは有機基である。）
【請求項３】
（ｂ）のイオン性酸発生剤が一般式（３）から（６）で示される化合物の少なくとも１つである請求項１または２に記載のポジ型感放射線性組成物。
【化３】
2004085657.tif 000025
（一般式（３）から（６）中Ｒ１〜Ｒ５は置換基を有していても良いアルキル基、アラルキル基、アリール基または−ＳＯ２Ｒ６であり、一般式（３）〜（６）のＲ１、Ｒ２の少なくとも１つ、一般式（３）から（６）のＲ３〜Ｒ５の少なくとも１つは−ＳＯ２Ｒ６で表され、Ｒ６はフルオロアルキル基である。Ｒ１とＲ２はそれぞれ同じでも異なっていても良く、Ｒ３〜Ｒ５はそれぞれ同じでも異なっていても良い。Ｒ７からＲ１１は炭素数１から６のアルキル基、フェニル基または炭素数６から１２の置換フェニル基から選ばれる。Ｒ７からＲ１１はそれぞれ同じでも異なっていても良い。）
【請求項４】
一般式（３）から（６）が有するＲ６が炭素数１から９のフルオロアルキル基である請求項３記載のポジ型感放射線性組成物。
【請求項５】
（ａ）が芳香環を含有するエステル基を分子内に有する重合体である請求項１記載のポジ型感放射線性組成物。
【請求項６】
（ａ）が下記一般式（７）で示される構造単位を分子内に有する重合体であることを特徴とする請求項５記載のポジ型感放射線性組成物。
【化４】
2004085657.tif 000026
（Ｒ１２からＲ１４は置換基を有していても良いアルキル基、アラルキル基、アリール基であり、Ｒ１２からＲ１４のうち少なくとも一つはその構造中に芳香環を有する。Ｒ１２からＲ１４はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。）
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載のポジ型感放射線性組成物を被加工基板上に塗布、乾燥、露光、現像するパターン製造法。
【請求項８】
電子線により露光を行うことを特徴とする請求項７記載のパターン製造法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体集積回路、リソグラフィー用マスクなどの製造に用いられるポジ型感放射線性組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体回路、リソグラフィー用マスクの製造などの分野では、集積度の向上に伴って、パターンの微細化が進んでいる。これを実現するためにレジスト材料としてさらに高解像度のものが要求されるようになってきており、０．２５μｍ以下のサブクォーターミクロンのパターンが高感度で加工できることが必要となってきた。ポジ型フォトレジスト組成物としては米国特許第３，６６６，４７３号明細書、Ｌ．Ｆ．Ｔｈｏｍｐｓｏｎ，　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｔｏ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｈｒａｐｈｙ，ＡＣＳ出版，Ｎｏ．２，１９，ｐ１１２−１２１などに記載されているようなアルカリ可溶性樹脂（ノボラック樹脂など）と感光物としてのナフトキノンジアジド化合物とを含む組成物が用いられてきた。しかしながら高集積化に伴い、微細パターンの加工に必要な解像力を達成するためにフォトリソグラフィーに用いられる露光装置の使用波長はますます短波長化してきている。現在はよりエネルギーの高いＸ線や電子線、エキシマレーザー光（ＫｒＦ、ＡｒＦなど）を用いたリソグラフィーが検討されている。しかしながらこれらの光源を用いて前述のノボラックおよびナフトキノンジアジド化合物からなるレジストを露光すると、ノボラックおよびナフトキノンジアジドの短波長部の吸収が大きく、光がレジスト膜底部まで到達しにくくなり、低感度でテーパーのついたパターンしか得る事ができない。このような問題を解決するための手段として、前述した露光光源に対応し、高感度、高解像度の特性を持つ公知のレジスト材料（例えばＭ．Ｊ．Ｂｏｗｄｅｎ　ｅｔ　ａｌ，　Ｊ．Ａｐｐｌ．ｐｌｙｍｅｒ　Ｓｃｉ．，１７，３２２１（１９７３）やＴ．Ｔａｄａ，　Ｊ．　Ｅｌｅｃｔｒｏ　ｃｈｅｍ．　Ｓｏｃ．，１３０，９１２（１９８３）、Ｙ．Ｔａｎｉ　ｅｔ　ａｌ，　”Ｎｅｗ　ｐｏｓｉｔｉｂｅｒｅｓｉｓｔ　ｆｏｒ　ＫｒＦ　ｅｘｃｉｍｅｒ　ｌａｓｅｒ　ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ”，Ｐｒｏｃ．　ｏｆ　ＳＰＩＥ，１０８６，２２，（１９８９）など）が開発されてきたが、最近では例えばＨ．Ｓｔｅｐｐｅｎ　ｅｔ　ａｌ，　Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．２１，４５５（１９８２）やＨ．Ｉｔｏ，　Ｃ．Ｇ．Ｗｉｌｌｓｏｎ，　Ｐｏｌｙｍ．Ｅｎｇ．Ｓｃｉ．２３，１０１２（１９８３）、Ｈ．Ｉｔｏ，　Ｃ．Ｇ．Ｗｉｌｌｓｏｎ，　ＡＣＳ　Ｓｙｍｏ．Ｓｅｒ．２４２．１１（１９８４）などに記載されているような化学増幅型のレジストが盛んに検討されている。化学増幅型のレジストは光酸発生剤の作用によって露光部に酸が発生し、この酸の触媒作用によって露光部の溶解性が変化する機構を持つレジストである。このように、化学増幅型レジストにおける酸発生剤の役割は非常に大きい。酸発生剤としてはオニウム塩、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、スルホンイミド化合物などがある。特によく用いられるものがオニウム塩であるがＷ．　Ｍ．　Ｌａｍａｎｎａ　ｅｔ　ａｌ，　ＳＰＩＥ，４６９０，８１７（２００２）、Ｇ．Ｍ．Ｗａｌｌｒａｆｆ，　Ｗ．　Ｍ．　Ｌａｍａｎｎａ　ｅｔ　ａｌ，　ＳＰＩＥ，４６９０，１６０（２００２）、ＤｏｎｇＫｗａｎ　Ｌｅｅ���　Ｗ．　Ｍ．　Ｌａｍａｎｎａ，　Ｇ．Ｐａｗｌｏｗｓｋｉ　ｅｔ　ａｌ，　ＳＰＩＥ，４６９０，１６９（２００２）などの報告にはイミドまたはメチドイオンを含むイオン性酸発生剤を用いた化学増幅型レジストが記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これまで用いられてきたレジストでは実用的な感度・解像度を達成するには至っていない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明の第一の態様は、（ａ）α位に置換基を持つアクリレート単位またはα位に置換基を持つｐ−ヒドロキシスチレン単位を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性となる重合体、（ｂ）下記一般式（１）および／または（２）で表されるイオン性酸発生剤を含有することを特徴とするポジ型感放射線性組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造方法である。
【０００５】
【化５】
2004085657.tif 000002
【０００６】
（一般式（１）および（２）中Ｒ１〜Ｒ５は置換基を有していても良いアルキル基、アラルキル基、アリール基または−ＳＯ２Ｒ６であり、一般式（１）のＲ１、Ｒ２の少なくとも１つ、一般式（２）のＲ３〜Ｒ５の少なくとも１つは−ＳＯ２Ｒ６であり、Ｒ６はフルオロアルキル基である。Ｒ１とＲ２はそれぞれ同じでも異なっていても良く、Ｒ３〜Ｒ５はそれぞれ同じでも異なっていても良い。Ａは有機基である。）
本発明の第二の態様は、（ｃ）α位に置換基を持つアクリレート単位またはα位に置換基を持つｐ−ヒドロキシスチレン単位を有するアルカリ可溶性の重合体、（ｄ）（ｃ）アルカリ可溶性の重合体のアルカリ可溶性を抑制する効果を持ち、該抑制効果が酸の作用によって低下または消失する化合物、（ｂ）上記一般式（１）および／または（２）で表されるイオン性酸発生剤を含有することを特徴とするポジ型感放射線性組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造方法である。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明は、特定構造の酸発生剤を用いる事により化学増幅機構により高感度かつ高解像度のレジストを得ることができるものである。
【０００８】
本発明のポジ型感放射線性組成物は一般式（１）および／または（２）で表されるイオン性酸発生剤を含有する。一般式（１）および（２）のＲ１〜Ｒ５において、置換基を有していても良いアルキル基の具体的な例としてはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。同様に置換基を有していても良いアラルキル基の具体的例としてはベンジル基、フェネチル基などが挙げられる。置換基を有していても良いアリール基の具体的例としてはフェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，４−キシリル基、３，５−キシリル基、ｏ−クロロフェニル基、ｍ−クロロフェニル基、ｐ−クロロフェニル基、ｏ−ヒドロキシフェニル基、ｍ−ヒドロキシフェニル基、ｐ−ヒドロキシフェニル基、３，４−ジヒドロキシフェニル基、３，５−ジヒドロキシフェニル基、３，４，５−トリヒドロキシフェニル基、ナフチル基、ｐ−メトキシフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、ｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル基、テトラヒドロピラニルオキシフェニル基などを挙げることができる。Ｒ１〜Ｒ５の選択肢の１つである−ＳＯ２Ｒ６のＲ６は、パーフルオロアルキル基であるが、さらに好ましくはＲ６は炭素数１から９のフルオロアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数２のフルオロアルキル基である。Ｒ６の具体的な例としてはパーフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、１，２，２−トリフルオロエチル基、１，２−ジフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、１，２，３，４−テトラフルオロブチル基などを挙げることができる。
【０００９】
一般式（１）、（２）で示される化合物が有するＡ＋の具体的な例としてはスルホニウム、ヨードニウム、ホスホニウム、アンモニウムなどが挙げられる。スルホニウムは例えば一般式（８）で表される。
【００１０】
【化６】
2004085657.tif 000003
【００１１】
一般式（８）中、Ｒ１５からＲ１７は炭素数１から６のアルキル基、フェニル基または炭素数６から１２の置換フェニル基から選ばれる。Ｒ１５からＲ１７はそれぞれ同じでも異なっていても良く、Ｒ１５とＲ１６、Ｒ１６とＲ１７で環を形成しても良い。
ヨードニウムは例えば下記一般式（９）で表される。
【００１２】
【化７】
2004085657.tif 000004
【００１３】
一般式（９）中、Ｒ１８およびＲ１９は一般式（８）のＲ１５からＲ１７で挙げた有機基と同様である。
ホスホニウムは例えば下記一般式（１０）で表される。
【００１４】
【化８】
2004085657.tif 000005
【００１５】
一般式（１０）中、Ｒ２０からＲ２３は一般式（８）のＲ１５からＲ１７で挙げた有機基と同様である。Ｒ２０とＲ２１、Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２０とＲ２３で環を形成しても良い。アンモニウムは例えば下記一般式（１１）で表される。
【００１６】
【化９】
2004085657.tif 000006
【００１７】
一般式（１１）中、Ｒ２４からＲ２７は一般式（８）のＲ１５からＲ１７で挙げた有機基と同様である。Ｒ２４とＲ２５、Ｒ２５とＲ２６、Ｒ２６とＲ２７で環を形成しても良い。一般式（８）から（１１）の、Ｒ１５からＲ２７の具体的な例としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、ヘキシル基、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−（ｔ−ブチル）フェニル基、４−（フェニルチオール）フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
【００１８】
Ａ＋の具体的な例の中で、好ましくはスルホニウム、ヨードニウムであり、さらには一般式（８）および（９）で示される化合物は好ましい。このとき好ましくは式中のＲ１５からＲ１７が全てフェニル基、Ｒ１８とＲ１９が共に４−ｔ−ブチルフェニル基であることがよい。特に好ましくは一般式（８）で示される化合物であり、さらに好ましくはＲ１５からＲ１７が全てフェニル基である。
【００１９】
（ｂ）の一般式（１）および／または（２）で表されるイオン性酸発生剤は好ましくは、下記一般式（３）から（６）が挙げられる。
【００２０】
【化１０】
2004085657.tif 000007
【００２１】
一般式（３）から（６）のＲ１〜Ｒ５は、置換基を有していても良いアルキル基、アラルキル基、アリール基または−ＳＯ２Ｒ６であり、一般式（３）〜（６）のＲ１、Ｒ２の少なくとも１つ、一般式（３）から（６）のＲ３〜Ｒ５の少なくとも１つは−ＳＯ２Ｒ６で表され、Ｒ６はフルオロアルキル基である。Ｒ１とＲ２はそれぞれ同じでも異なっていても良く、Ｒ３〜Ｒ５はそれぞれ同じでも異なっていても良い。Ｒ７からＲ１１は炭素数１から６のアルキル基、フェニル基または炭素数６から１２の置換フェニル基から選ばれる。Ｒ７からＲ１１はそれぞれ同じでも異なっていても良い。一般式（３）から（６）で示される化合物のうち、好ましくは一般式（３）または（４）で示される化合物である。
【００２２】
これら好ましい酸発生剤の具体的な例としてはトリフェニルスルホニウム−ジ（パーフルオロメチルスルホン）イミド、トリフェニルスルホニウム−ジ（パーフルオロエチルスルホン）イミド、トリフェニルスルホニウム−ジ（パーフルオロブチルスルホン）イミド、トリフェニルスルホニウム−トリ（パーフルオロメチルスルホン）メチド、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム−ジ（パーフルオロメチルスルホン）イミド、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム−ジ（パーフルオロエチルスルホン）イミド、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム−ジ（パーフルオロブチルスルホン）イミド、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム−トリ（パーフルオロメチルスルホン）メチドなどが挙げられる。
【００２３】
これらの酸発生剤は単独あるいは２種以上を混合して用いることができる。一般式（１）と一般式（２）の混合も可能であるし、その他の酸発生剤との混合であっても良い。その他の酸発生剤としては、発生する酸によって（ａ）成分のアルカリ水溶液への溶解速度を増加せしめるもの、あるいは（ｃ）成分のアルカリ可溶性を抑制し、該抑制効果が酸の作用によって低下または消失する化合物の抑制速度を低下あるいは消失させ得るものであればどのようなものであっても良く、オニウム塩、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、スルホンイミド化合物などを例として挙げることができる。
【００２４】
オニウム塩の具体的な例としては、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、オキソニウム塩などを挙げることができる。好ましいオニウム塩としてはジフェニルヨードニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムドデシルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムナフタレンスルホネート、（ヒドロキシフェニル）ベンジルメチルスルホニウムトルエンスルホネートなどが挙げられる。
【００２５】
ハロゲン含有化合物の具体的な例としては、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有ヘテロ環状化合物などが挙げられる。好ましいハロゲン含有化合物としては１，１−ビス（４−クロロフェニル）−２，２，２−トリクロロエタン、２−フェニル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−ナフチル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンなどを挙げることができる。
【００２６】
ジアゾケトン化合物の具体的な例としては、１，３−ジケト−２−ジアゾ化合物、ジアゾベンゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物などが挙げられる。好ましいジアゾケトン化合物は１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸と２，２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンとのエステル、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸と１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタンとのエステルなどを挙げることができる。
【００２７】
ジアゾメタン化合物の具体的な例としては、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−キシリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル−ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、フェニルスルホニル（ベンゾイル）ジアゾメタン等を挙げることができる。
【００２８】
スルホン化合物の具体的な例としては、β−ケトスルホン化合物、β−スルホニルスルホン化合物などが挙げられる。好ましい化合物としては、４−トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フェニルスルホニル）メタンなどが挙げられる。
【００２９】
スルホン酸エステル化合物の例としては、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネートなどが挙げられる。スルホン酸化合物の具体的な例としてはベンゾイントシレート、ピロガロールトリメシレート、ニトロベンジル−９，１０−ジエトキシアントラセン−２−スルホネートなどを挙げることができる。
【００３０】
スルホンイミド化合物の具体的な例としてはＮ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−フルオロフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシルイミド等を挙げることができる。
【００３１】
一般式（１）および（２）で示されるイオン性酸発生剤の添加量は通例ポリマーに対して０．０１〜５０重量％が好ましい。また、これに他の酸発生剤を混合する場合は、酸発生剤全体量がポリマーに対して５０重量％を越えない様に添加するのが好ましい。好ましくは酸発生剤全体量が０．１〜２０重量％であり、さらに好ましくは１５重量％である。イオン性酸発生剤が０．０１重量％より少ないとパターン形成が不可能となり、５０重量％より多いと現像液との親和性が低下し、現像不良などが発生する。
【００３２】
本発明で用いる（ａ）α位に置換基を持つアクリレート単位またはα位に置換基を持つｐ−ヒドロキシスチレン単位を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性となる重合体としては、酸性官能基を有する有機基を含む重合体を酸分解性基で保護したものを用いることができる。酸性官能基を有する有機基を含む重合体としては、酸性官能基を有するモノマー単位を含むものであればどのような物でも良く、酸性官能性基を有するモノマー単位としては例えばカルボキシル基を有するモノマー、スルホキシ基を有するモノマー、フェノール性水酸基を有するモノマーなどが挙げられる。カルボキシル基を有するモノマーの具体的な例としてはメタクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸、クロトン酸、フマル酸、メサコン酸、シトラコン酸、イタコン酸、無水イタコン酸、ビニル安息香酸、カルボキシメチルスチレン、カルボキシメトキシスチレン、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２−カルボン酸などが挙げられる。スルホキシ基を有するモノマーの具体的な例としてはα−メチル−ビニルスルホン酸などが挙げられる。フェノール性水酸基を有するポリマーの具体的な例としてはα−メチル−ｐ−ヒドロキシスチレン、α−クロロヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシフェニルエチルメタクリレートなどが挙げられる。
【００３３】
また、これらの酸性官能基を保護する酸分解性基の具体的な例としてはメトキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル基、エチルチオメチル基、メトキシエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ベンジルチオメチル基、フェナシル基、ブロモフェナシル基、メトキシフェナシル基、メチルチオフェナシル基、α−メチルフェナシル基、シクロプロピルメチル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基、プロモベンジル基、ニトロベンジル基、メトキシベンジル基、メチルチオベンジル基、エトキシベンジル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、ｎ−ブトキシカルボニルメチル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、プロぺニル基、１−メトキシエチル基、１−メチルチオエチル基、１，１−ジメトキシエチル基、１−エトキシエチル基、１−エチルチオエチル基、１，１−ジエトキシエチル基、１−フェノキシエチル基、１−フェニルチオエチル基、１，１−ジフェノキシエチル基、１−ベンジルオキシエチル基、１−ベンジルチオエチル基、１−シクロプロピルエチル基、１−フェニルエチル基、１，１−ジフェニルエチル基、１−メトキシカルボニルエチル基、１−エトキシカルボニルエチル基、１−ｎ−プロポキシカルボニルエチル基、１−イソプロポキシカルボニルエチル基、１−ｎ−ブトキシカルボニルエチル基、１−ｔ−ブトキシカルボニルエチル基、イソプロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、１，１−ジメチルブチル基、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジエチルシリル基、トリエチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、メチルジイソプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、メチルジ−ｔ−ブチルシリル基、トリ−ｔ−ブチルシリル基、フェニルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウリロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、アクリロイル基、プロピオイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、フマロイル基、メサコノイル基、ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基、ｐ−トルエンスルホニル基、メシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、４−メトキシシクロヘキシル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、３−ブロモテトラヒドロピラニル基、４−メトキシテトラヒドロピラニル基、４−メトキシテト���ヒドロチオピラニル基、３−テロラヒドロチオフェン−１，１−ジオキシドなどを挙げることができる。
【００３４】
これら重合体のうち、好ましいものとしては芳香環を含有するエステル基を分子内に有する重合体であり、さらに好ましくは下記一般式（７）で示される構造単位を分子内に有する重合体である。
【００３５】
【化１１】
2004085657.tif 000008
【００３６】
一般式（７）のＲ１２からＲ１４は置換基を有していても良いアルキル基、アラルキル基、アリール基であり、Ｒ１２からＲ１４のうち少なくとも一つはその構造中に芳香環を有する。Ｒ１２からＲ１４はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。一般式（７）のＲ１２からＲ１４の具体的な例としてはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，４−キシリル基、３，５−キシリル基、ｏ−クロロフェニル基、ｍ−クロロフェニル基、ｐ−クロロフェニル基、ｏ−ヒドロキシフェニル基、ｍ−ヒドロキシフェニル基、ｐ−ヒドロキシフェニル基、３，４−ジヒドロキシフェニル基、３，５−ジヒドロキシフェニル基、３，４，５−トリヒドロキシフェニル基、ベンジル基、フェネチル基、ナフチル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル基、テトラヒドロピラニルオキシフェニル基などを挙げることができる。
【００３７】
また、本発明の（ｃ）α位に置換基を持つアクリレート単位またはα位に置換基を持つｐ−ヒドロキシスチレン単位を有するアルカリ可溶性の重合体としては、前述の（ａ）α位に置換基を持つアクリレート単位またはα位に置換基を持つｐ−ヒドロキシスチレン単位を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性となる重合体のアルカリ可溶性基を酸分解性基で保護していないものが用いられる。
【００３８】
また、本発明の（ｄ）（ｃ）α位に置換基を持つアクリレート単位またはα位に置換基を持つｐ−ヒドロキシスチレン単位を有するアルカリ可溶性の重合体のアルカリ可溶性を抑制する効果を持ち、該抑制効果が酸の作用によって低下または消失する化合物は一般に溶解抑止剤と呼ばれるが、溶解抑止剤としてはたとえばカルボキシル基、スルホキシ基、フェノール性水酸基などの酸性官能基を含有する化合物で、該酸性官能基の水素原子を酸分解性基で置換した化合物を用いることができる。ここで用いられる酸性官能基を有する化合物としてはヒドロキノン、カテコール、ビスフェノールＡ、ヒドロキシフェニル酢酸、４−ヒドロキシベンゼンスルホン酸などを例として挙げることができる。酸分解性基の具体的な例としては前述の（ａ）α位に置換基を持つアクリレート単位またはα位に置換基を持つｐ−ヒドロキシスチレン単位を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性となる重合体に用いられる酸分解性基を挙げることができる。
【００３９】
本発明で用いられる溶解抑止剤として高分子化合物を用いることもできる。高分子の溶解抑止剤としては、ヒドロキシ基あるいはカルボキシル基を有する重合体のヒドロキシ基、カルボキシル基を酸分解性基によって保護したものが用いられる。ヒドロキシル基あるいはカルボキシル基を有する重合体の具体的な例としてはヒドロキシスチレン、α−メチル−ｐ−ヒドロキシスチレン、α−クロロヒドロキシスチレン、ビニル安息香酸、カルボキシメチルスチレン、カルボキシメトキシスチレン、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、ケイ皮酸などの重合性二重結合を持つ単量体の少なくとも１種の重合体や、ノボラック樹脂に代表される縮合系重合体などが挙げられる。酸脱離基の具体的な例としては、前述の酸分解性基として挙げたものを用いることができる。
【００４０】
溶解抑止剤はアルカリ可溶性重合体１００重量部に対して０〜１５０重量部、好ましくは５〜１００重量部、さらに好ましくは５〜５０重量部である。
【００４１】
本発明で用いられる重合体は、（ａ）α位に置換基を持つアクリレート単位またはα位に置換基を持つｐ−ヒドロキシスチレン単位を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性となる重合体のみ、あるいは（ｃ）α位に置換基を持つアクリレート単位またはα位に置換基を持つｐ−ヒドロキシスチレン単位を有するアルカリ可溶性重合体と（ｄ）（ｃ）α位に置換基を持つアクリレート単位またはα位に置換基を持つｐ−ヒドロキシスチレン単位を有するアルカリ可溶性の重合体のアルカリ可溶性を抑制し、該抑制効果が酸の作用によって低下または消失する化合物のみからなるものであっても良いが、化学増幅型レジストとしての特性を損なわない限り、他のモノマー単位を含んでいてもよい。他のモノマー構造としてはアクリル酸、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、メタクリル酸、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、メチルα−クロロアクリレート、エチルα−クロロアクリレート、ヒドロキシエチルα−クロロアクリレート、ｎ−ブチルα−クロロアクリレート、メチルα−シアノアクリレート、エチルα−シアノアクリレート、ヒドロキシエチルα−シアノアクリレート、イソプロピルα−シアノアクリレート、ｎ−ブチルα−シアノアクリレート、スチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、α−メチルスチレン、α−メチル−ｐ−ヒドロキシスチレン、マレイン酸、無水マレイン酸、クロトン酸、フマル酸、メサコン酸、シトラコン酸、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル、メタコンニトリル、シトラコンニトリル、イタコンニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコンアミド、イタコンアミド、ビニルアニリン、ビニルピロリドン、ビニルイミダゾール、α−メタクリロイル−γ−ブチロラクトン、ｐ−ヒドロキシフェニルエチルメタクリレートなどを挙げることができる。
【００４２】
本発明のポジ型感放射線性組成物は上記の成分を溶媒に溶解することにより得られる。溶媒の使用量としては特に限定されないが、固形分が５〜３５重量％となるように調整される。好ましく用いられる溶媒としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、安息香酸メチル、乳酸メチル、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、β−イソブチル酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン等のエステル類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ類、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート等のセロソルブエステル類、１，２−ジメトキシエタン、１，２−ジエトキシエタン、テトラヒドロフラン、アニソールなどのエーテル類、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル−ｎ−アミルケトン、シクロヘキサノン、イソホロンなどのケトン類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、スルホランなどの非プロトン性極性溶媒から選ばれる溶媒であり、更に好ましくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートである。また、必要に応じてこれらを混合しても良い。
【００４３】
本発明のポジ型感放射線性組成物には必要に応じて、界面活性剤、増感剤、安定剤、消泡剤、酸拡散抑制剤などの添加剤を加えることもできる。
【００４４】
本発明のポジ型感放射線性組成物は被加工基板上に塗布、乾燥され、通例、０．２μｍ〜２μｍの膜厚の薄膜にして使用される。この薄膜に電子線、Ｘ線、紫外線、真空紫外線、極紫外線等の放射線を用いてパターン露光し、露光後ベーク、現像を行うことによって微細パターンを得ることができる。特に電子線を用いた場合により効果が顕著となる。
【００４５】
本発明の感放射線性組成物の現像は、公知の現像液を用いて行うことができる。例としては、アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩、ホウ酸塩などの無機アルカリ、２−ジエチルアミノエタノール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン等のアミン類、水酸化テトラメチルアンモニウム、コリン等の４級アンモニウムを１種あるいは２種以上含む水溶液が挙げられる。
【００４６】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。なお、得られたポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）はゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いてポリスチレン換算で求めたものである。
【００４７】
合成例１
フラスコに窒素雰囲気下で、モノマーとして１，１−ジフェニルエチルメタクリレート（４５ｍｍｏｌ）とα−メタクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン（４０ｍｍｏｌ）と２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチルメタクリレート（１５ｍｍｏｌ）を仕込み、重合開始剤として２，２’−アゾビス（イソ酪酸）ジメチル（５ｍｍｏｌ）、連鎖移動剤としてｔ−ドデカンチオール（２０ｍｍｏｌ）、溶媒として１，４−ジオキサン（１００ｍｌ）を添加し、７０℃で１０時間撹拌して重合を行った。得られた重合溶液を多量のメタノールに撹拌しながら滴下し、ポリマーを沈殿させた。得られた沈殿物を露別し、減圧下で１０時間乾燥し、下記化学式で表されるポリマー１（Ｍｗ＝１１０００）を得た。
【００４８】
【化１２】
2004085657.tif 000009
【００４９】
合成例２
モノマーの仕込みを１，１−ジフェニルエチルメタクリレート（７０ｍｍｏｌ）とｐ−イソプロペニルフェノール（３０ｍｍｏｌ）に変更した以外は、合成例１と同様に行い、下記化学式で表されるポリマー２（Ｍｗ＝７５００）を得た。
【００５０】
【化１３】
2004085657.tif 000010
【００５１】
合成例３
モノマーの仕込みを１−メチル−１−フェニルエチルメタクリレート（５５ｍｍｏｌ）とｐ−イソプロペニルフェノール（４５ｍｍｏｌ）に変更した以外は、合成例１と同様に行い、下記化学式で表されるポリマー３（Ｍｗ＝８０００）を得た。
【００５２】
【化１４】
2004085657.tif 000011
【００５３】
合成例４
モノマーの仕込みを１−メチル−１−（４−メチルシクロヘキシル）エチルメタクリレート（４５ｍｍｏｌ）とｐ−イソプロペニルフェノール（５５ｍｍｏｌ）に変更した以外は、合成例１と同様に行い、下記化学式で表されるポリマー４（Ｍｗ＝１００００）を得た。
【００５４】
【化１５】
2004085657.tif 000012
【００５５】
合成例５
モノマーの仕込みをα−クロロメタクリレート（５５ｍｍｏｌ）とｐ−イソプロペニルフェノール（４５ｍｍｏｌ）に変更した以外は、合成例１と同様に合成を行い、下記化学式で表されるポリマー５（Ｍｗ＝９５００）を得た。
【００５６】
【化１６】
2004085657.tif 000013
【００５７】
合成例６
モノマーの仕込みを１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−（４−ビニル−フェニル）プロパン−２−オール（５５ｍｍｏｌ）とｔ−ブチル−２−（トリフルオロメチル）アクリレート（４５ｍｍｏｌ）に変更した以外は、合成例１と同様に合成を行い、下記化学式で表されるポリマー６（Ｍｗ＝１１０００）を得た。
【００５８】
【化１７】
2004085657.tif 000014
【００５９】
上記合成法によって得られたポリマーを用いて下記の通りレジスト組成物を調製し、得られたレジスト組成物を下記要領で評価した。パターンの評価結果は表１に示す通りである。
【００６０】
実施例および比較例で用いた各酸発生剤は下記の通りである。
【００６１】
【化１８】
2004085657.tif 000015
【００６２】
【化１９】
2004085657.tif 000016
【００６３】
また実施例１４で用いた溶解阻止剤は下記の通りである。
【００６４】
【化２０】
2004085657.tif 000017
【００６５】
（１）評価方法
表中の割合で溶媒に溶解し、０．２μｍのフィルターで濾過してレジスト組成物を得た。得られたポジ型レジスト組成物を、ヘキサメチルジシラザンで表面を疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）したシリコンウェハー上に回転塗布した後、１３０℃で１分間加熱してレジスト膜を得た。このレジスト膜にＫｒＦエキシマレーザーステッパー（表中ＫｒＦと記す）または電子線露光装置（加速電圧５０ｋＶ；表中ＥＢと記す）を用いてパターン状に放射線を照射し、９０℃で２分間加熱した後、水酸化テトラメチルアンモニウムで１分間現像を行い、サンプルとした。
【００６６】
（２）露光量、解像度
解像したレジストパターンの最小寸法（μｍ）を解像度とし、そのときの放射線露光量を露光量として記載した。
【００６７】
（２）パターン形状
解像したレジストパターンを電子顕微鏡で観察し、パターン形状が矩形であるものを「良好」、パターン上層が溶け残り、パターン断面がＴの文字形状に見えるものを「Ｔ−ｔｏｐ」とした。
【００６８】
【表１】
2004085657.tif 000018
【００６９】
【表２】
2004085657.tif 000019
【００７０】
【表３】
2004085657.tif 000020
【００７１】
【表４】
2004085657.tif 000021
【００７２】
【表５】
2004085657.tif 000022
【００７３】
【発明の効果】
本発明のポジ型感放射線性組成物は、高解像度でかつ高感度の特性を得ることができた。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月5日(2003.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
一般式（１０）中、Ｒ２０からＲ２３は一般式（８）のＲ１５からＲ１７で挙げた有機基と同様である。Ｒ２０とＲ２１、Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２２とＲ２３、Ｒ２０とＲ２３で環を形成しても良い。
アンモニウムは例えば下記一般式（１１）で表される。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
一般式（１１）中、Ｒ２４からＲ２７は一般式（８）のＲ１５からＲ１７で挙げた有機基と同様である。Ｒ２４とＲ２５、Ｒ２５とＲ２６、Ｒ２６とＲ２７、Ｒ２４とＲ２７で環を形成しても良い。
一般式（８）から（１１）の、Ｒ１５からＲ２７の具体的な例としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、ヘキシル基、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−（ｔ−ブチル）フェニル基、４−（フェニルチオール）フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
Ａ＋の具体的な例の中で、好ましくはスルホニウム、ヨードニウムであり、さらには一般式（８）および（９）で示される化合物が好ましい。このとき好ましくは式中のＲ１５からＲ１７が全てフェニル基、Ｒ１８とＲ１９が共に４−ｔ−ブチルフェニル基である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
（３）パターン形状
解像したレジストパターンを電子顕微鏡で観察し、パターン形状が矩形であるものを「良好」、パターン上層が溶け残り、パターン断面がＴの文字形状に見えるものを「Ｔ−ｔｏｐ」とした。