(57)【要約】【課題】熱処理を施してデバイスを製造する方法において、熱処理により形状を変形制御された部分と、熱処理により形状が変化しないように保持された部分とを、同一面位に並存させて、デバイスの高集積化を図る。【解決手段】基板２１０上に、第１部分２２４′と、少なくとも基板２１０面に対して垂直な端面を含む第２部分２２１′，２２５′とをほぼ同一の面位上に形成するとともに、第２部分２２１′，２２５′の上層または下層として第１部分２２４′または第２部分２２１′，２２５′よりも融点の高い形状保護層２１４を形成して、熱処理前のデバイス２００′を構成するステップと、第１部分２２４′および第２部分２２１′，２２５′の融点と形状保護層２１４の融点との間の温度で、デバイス２００′について熱処理を行なうステップとをそなえるように構成する。【選択図】　　　　図２
2004061711.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱処理を施してデバイスを製造する方法において、
基板上に、上記熱処理により形状を変形させるべき第１部分と、所定の形状を含んで構成されて上記熱処理により形状が変化しないように保持すべき第２部分とをほぼ同一の面位上に形成するとともに、該第２部分の上層または下層として上記第１部分または第２部分よりも融点の高い形状保護層を形成して、上記熱処理前のデバイスを構成する熱処理前デバイス構成ステップと、
上記の第１部分および第２部分の融点と形状保護層の融点との間の温度で、該熱処理前デバイス構成ステップで構成された該熱処理前デバイスについて熱処理を行なって、該第１部分についてはリフローさせて所望の形状を形成させる一方、該第２部分については、該形状保護層により形状を保持させる熱処理ステップとをそなえて構成されたことを
特徴とする、デバイス製造方法。
【請求項２】
少なくとも熱処理を経て構成され、基板と、該基板上に形成されたコア層と該コア層を包囲するクラッド層とをそなえてなる光導波路デバイスであって、
上記のコア層とクラッド層とを構成する部分が、
上記熱処理によりリフローされて形状が変形制御された変形部分と、
上記熱処理の際に、当該熱処理の温度よりも高い融点を有する形状保護層を上層又は下層に積層することで、上記熱処理により形状が変化しないように保持された形状保持部分とにより構成され、
該形状保持部分が所定の形状を含み、かつ、上記の変形部分および形状保持部分が、該基板上においてほぼ同一の面位上にそなえたことを特徴とする、光導波路デバイス。
【請求項３】
該基板上に、
上記のコア層およびクラッド層とからなり該光導波路の出力端面として該基板面に対しほぼ垂直な端面を有する、該形状保持部分としての形状保持バンクと、
該形状保持バンクに溝部を介して隣接したクラッド層からなり、上記溝部側の一部の領域を該変形部分とし上記溝部側とは反対側の領域を該形状保持部分として、上記の変形部分および形状保持部分を一体とした一体化バンクとが形成され、
かつ、該熱処理により、上記の一体化バンクにおける変形部分の領域を、該基板面について平滑傾斜層が形成されるように構成されたことを特徴とする、請求項２記載の光導波路デバイス。
【請求項４】
該クラッド層が、該コア層の下層として形成された第１クラッド層と該コア層の上層として形成された第２クラッド層とにより構成され、
上記の基板上に第１クラッド層が形成されるとともに、
該形状保持部分として径が均一な均一径領域とともに、該変形部分として該均一径領域から連続的に径が狭まるテーパ領域からなるリッジ形状のコア層が、該第１クラッド層上に形成され、
該形状保護層が、上記の均一径領域のコア層および上記の均一径領域のコア層近傍の第１クラッド層上に形成されるとともに、
上記のテーパ領域のコア層近傍の第１クラッド層上に、該熱処理に起因した該テーパ領域のリフローによる平滑傾斜の度合いを調整するためのダム層が形成され、
かつ、該熱処理により、該テーパ領域のコア層を、上記リッジ形状の長手方向について平滑傾斜層とすべく構成されたことを特徴とする、請求項２記載の光導波路デバイス。
【請求項５】
上記の基板上にクラッド層として形成され、複数の互いに近接した溝部を有する該形状保持部分としての第１クラッド層をそなえるとともに、
該形状保護層が、上記の溝部が形成された第１クラッド層上に形成される一方、
該コア層が、該形状保護層上に該変形部分として形成され、
かつ、該熱処理により、上記の溝部をコア層で充填させる一方、上記の溝部が形成された第１クラッド層の形状を該形状保持部分として保持すべく構成されたことを特徴とする、請求項２記載の光導波路デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に光導波路デバイスの製造する際に用いて好適の、デバイス製造方法および光導波路デバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般的に、光導波路デバイス等のデバイスを製造する際には、基板面にエッチング処理等を施す工程に加えて、熱処理により特定の層の形状を成型する工程が含まれる場合がある。例えば、図１１に示すように、Ｓｉ基板５０１上に、下クラッド層５０２，コア層５０３および上クラッド層５０４が積層されて構成された光導波路デバイス５００に熱処理を施すことが行なわれる。
【０００３】
これにより、上クラッド層５０４をリフローさせ、例えば図１１中におけるコア層５０３の両端部分Ｊのごとき空隙が形成されがちな部分についても、クラッド質で充填させて、上クラッド層５０４の分布の均一化を図って、良好なデバイス特性を得ることができるようになっている。
また、５０５は形状保護層であるが、この形状保護層５０５は、上述の加熱処理によってもリフローが生じないような融点を有する物質により、下クラッド層５０２とコア層５０３および上クラッド層５０４との間に積層されたもので、上述の上クラッド層５０４の分布を均一化させるための熱処理を施す際に、下クラッド層５０２が軟化することによりコア層５０３が沈むことを防止するためのものである。
【０００４】
すなわち、この図１１に示す光導波路デバイス５００は、形状保護層５０５により、下クラッド層５０２の形状が変化しないようにして製造されるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来のデバイス製造方法および光導波路デバイスにおいては、熱処理により形状を変形制御された部分と、熱処理により形状が変化しないように保持された部分とが、同一面位に並存するようなデバイスおよびその製造方法についてまでは開発されていなかった。このようなデバイスおよびその製造方法の開発は、デバイスのさまざまな用途に応じた高集積化のために不可欠である。
【０００６】
このようなデバイスを製造する際には、熱処理により形状が変化しないように保持すべき部分については確実に形状を保持しつつ、形状を変化させるべき部分については、熱処理により所望の形状制御を図ることができるように、熱処理前のデバイスの形状を構成しておかなければならない。
本発明は、このような課題に鑑み創案されたもので、熱処理により形状を変形制御された部分と、熱処理により形状が変化しないように保持された部分とを、ほぼ同一面位に並存させて、デバイスの高集積化を図ることができるようにした、デバイスの製造方法および光導波路デバイスを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
このため、本発明のデバイス製造方法および光導波路デバイスは、熱処理を施してデバイスを製造する方法において、基板上に、上記熱処理により形状を変形させるべき第１部分と、所定の形状（例えば該基板面に対して垂直な端面）を含んで構成されて上記熱処理により形状が変化しないように保持すべき第２部分とをほぼ同一の面位上に形成するとともに、該第２部分の上層または下層として上記第１部分または第２部分よりも融点の高い形状保護層を形成して、上記熱処理前のデバイスを構成する熱処理前デバイス構成ステップと、上記の第１部分および第２部分の融点と形状保護層の融点との間の温度で、該熱処理前デバイス構成ステップで構成された該熱処理前デバイスについて熱処理を行なって、該第１部分についてはリフローさせて所望の形状を形成させる一方、該第２部分については、該形状保護層により形状を保持させる熱処理ステップとをそなえて構成されたことを特徴としている（請求項１）。
【０００８】
また、本発明の光導波路デバイスは、少なくとも熱処理を経て構成され、基板と、該基板上に形成されたコア層と該コア層を包囲するクラッド層とをそなえてなる光導波路デバイスであって、上記のコア層とクラッド層とを構成する部分が、上記熱処理によりリフローされて形状が変形制御された変形部分と、上記熱処理の際に、当該熱処理の温度よりも高い融点を有する形状保護層を上層又は下層に積層することで、上記熱処理により形状が変化しないように保持された形状保持部分とにより構成され、該形状保持部分が所定の形状（例えば該基板面に対して垂直な端面）を含み、かつ、上記の変形部分および形状保持部分が、該基板上においてほぼ同一の面位上にそなえたことを特徴としている（請求項２）。
【０００９】
この場合においては、好ましくは、該基板上に、上記のコア層およびクラッド層とからなり該光導波路の出力端面として該基板面に対しほぼ垂直な端面を有する、該形状保持部分としての形状保持バンクと、該形状保持バンクに溝部を介して隣接したクラッド層からなり、上記溝部側の一部の領域を該変形部分とし上記溝部側とは反対側の領域を該形状保持部分として、上記の変形部分および形状保持部分を一体とした一体化バンクとが形成され、かつ、該熱処理により、上記の一体化バンクにおける変形部分の領域を、該基板面について平滑傾斜層が形成されるように構成されたこととしてもよい（請求項３）。
【００１０】
または、好ましくは、該クラッド層が、該コア層の下層として形成された第１クラッド層と該コア層の上層として形成された第２クラッド層とにより構成され、上記の基板上に第１クラッド層が形成されるとともに、該形状保持部分として径が均一な均一径領域とともに、該変形部分として該均一径領域から連続的に径が狭まるテーパ領域からなるリッジ形状のコア層が、該第１クラッド層上に形成され、該形状保護層が、上記の均一径領域のコア層および上記の均一径領域のコア層近傍の第１クラッド層上に形成されるとともに、上記のテーパ領域のコア層近傍の第１クラッド層上に、該熱処理に起因した該テーパ領域のリフローによる平滑傾斜の度合いを調整するためのダム層が形成され、かつ、該熱処理により、該テーパ領域のコア層を、上記リッジ形状の長手方向について平滑傾斜層とすべく構成されたこととしてもよい（請求項４）。
【００１１】
さらには、好ましくは、上記の基板上にクラッド層として形成され、複数の互いに近接した溝部を有する該形状保持部分としての第１クラッド層をそなえるとともに、該形状保護層が、上記の溝部が形成された第１クラッド層上に形成される一方、該コア層が、該形状保護層上に該変形部分として形成され、かつ、該熱処理により、上記の溝部をコア層で充填させる一方、上記の溝部が形成された第１クラッド層の形状を該形状保持部分として保持すべく構成されたこととしても良い（請求項５）。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照することにより、本発明の実施の形態を説明する。
［Ａ］第１実施形態の説明
図１は本発明の第１実施形態にかかる光導波路デバイスとしての平面光回路（ＰＬＣ：Ｐｌａｎｅｒ　Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）デバイス２００を示す模式図であり、図１（ａ）はその上視図、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ′断面（光導波路における光伝播方向に平行な方向の断面）の矢印方向正視図、図１（ｃ）は図１（ａ）におけるＢ−Ｂ′断面（光導波路における光伝播方向に垂直な方向の断面）の矢印方向正視図である。
【００１３】
ここで、この図１に示す平面光回路デバイス２００は、光導波路に対し４５度前後の斜面Ｆ２を有する金属ミラー２１５を用いて光アクティブ素子に結合させる構造を有するものであって、この平面光回路デバイス２００により、ＰＬＣを構成する光導波路と光アクティブ素子に対する結合とを簡易かつ高密度化させるとともに、後述の簡素な工程で製造することで低コスト化を図ることができるようになっている。
【００１４】
また、この図１（ｂ）又は図１（ｃ）に示すように、平面光回路デバイス２００は、例えばシリコン（Ｓｉ）基板２１０の上に、導波路を構成するコア層２１２が、下クラッド層２１１および上クラッド層２１３によって埋め込まれて構成されている。換言すれば、コア層２１２はクラッド層２１１，２１３によって包囲されている。
【００１５】
さらに、コア層２１２は、屈折率がクラッド層２１１，２１３よりも高くなるように形成されたもので、これにより、信号光はコア層２１２中に閉じ込められて伝播されるようになっている。尚、コア層２１２は、例えばＧＰＳＧ（ゲルマニウム〔Ｇｅ〕・リン〔Ｐ〕ドープシリカガラス）により構成され、クラッド層２１１，２１３は、例えばＢＰＳＧ（ホウ素〔Ｂ〕・リン〔Ｐ〕ドープシリカガラス）により構成される。
【００１６】
また、図１（ａ）に示すように、平面光回路デバイス２００は、開口部が長方形の溝部２２３が形成されているが、図１（ｂ）に示すように、この溝部２２３をなす内側の一側面Ｆ１は、コア層２１２としての導波路の出射端面を含んだ垂直端面として構成され、側面Ｆ１に対向する面Ｆ２は、後述する熱処理を施すことによって形成された、例えば光導波路に対して４５度程度の傾斜を有する傾斜面として構成されている。
【００１７】
また、図１（ｂ）において、２２１はコア層２１２およびクラッド層２１１，２１３とからなり光導波路の出力端面Ｆ１として基板２１０面に対し垂直な端面を有する形状保持バンクである。即ち、形状保持バンク２２１は、上述の熱処理の際に、当該熱処理の温度よりも高い融点を有する形状保護層２１４を上層又は下層に積層することで、熱処理により形状が変化しないように保持された形状保持部分である。
【００１８】
また、２２２はバンク２２１に溝部２２３を介して隣接したクラッド層２１１，２１３からなる一体化バンクである。即ち、一体化バンク２２２は、熱処理によりリフローされて平滑な傾斜面Ｆ２を有する形状に変形した変形部分としての領域２２４ととともに、熱処理によっても形状が変化しないように保持された形状保持部分としての領域２２５とが一体形成されている。
【００１９】
なお、上述のバンク２２１および領域２２５の上層に形成される形状保護層２１４は、クラッド層２１１，２１３と屈折率がほぼ等しく融点の高い材料、例えば、ＰＳＧ（リンドープシリカガラス）、あるいは低ホウ素濃度のＢＰＳＧを用いて形成される。
また、２１５は上述の平滑に形成された傾斜面Ｆ２上に形成された平滑な金属ミラーであって、光導波路としてのコア層２１２を伝播し、出射端面Ｆ１から出射された光を上方〔図１（ｂ）中の白ヌキ矢印方向〕に全反射させるためのものである。
【００２０】
なお、溝部２２３上部には光アクティブ素子としての図示しない光受光素子（フォトダイオード，ＰＤ）を接続することができ、この光受光素子を、金属ミラー２１５にて全反射された光を上述のフォトダイオードで受光するようにして、光パワーモニタ等の制御を行なうことができるようになっている。
上述のごとき平面光回路デバイス２００は、基板２１０上に、熱処理前のデバイスを構成する熱処理前デバイス構成ステップと、熱処理前デバイス構成ステップにより構成されたデバイスについて熱処理を行なう熱処理ステップと、熱処理後のデバイスに、金属ミラー２１５を形成する金属ミラー形成ステップとによって、製造されるようになっている。
【００２１】
以下においては、上述の各ステップにおける製造工程について、図２（ａ）〜図２（ｅ）を用いて説明していくこととする。尚、図２（ａ）〜図２（ｅ）は、図１（ａ）〜図１（ｃ）に示す平面光回路デバイス２００の製造過程を説明するための図であって、前述の図１（ｂ）と同様の方向によるデバイス断面図である。
【００２２】
まず、熱処理前デバイス構成ステップとして、光導波路を構成するコア層２１２とコア層２１２を包囲するクラッド層２１１，２１３とからなり光導波路の出力端面Ｆ１として基板面に対し垂直な端面を有する第１バンク２２１′を形成（成膜）するとともに、第１バンク２２１′に溝部２２３′を介して隣接した第２バンク２２２′を形成し、第１バンク２２１′の上層および第２バンク２２２′の一部２２５の上層に形状保護層２１４を形成（成膜）する〔図２（ａ）〜図２（ｄ）参照〕。
【００２３】
これにより、図２（ａ）〜図２（ｄ）に示すように、図１（ａ）〜図１（ｃ）の形状保持バンク２２１の原型となる第１バンク２２１′を形成するとともに、一体化バンク２２２の原型となる第２バンク２２２′を形成するようになっている。
具体的には、基板２１０上に、下クラッド層２１１をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等により成膜した後に、所望のパターンを有するコア層２１２をドライエッチング等により形成して〔図２（ａ）参照〕、コア層２１２を導波路パターンに加工する。更に、上クラッド層２１３を、下クラッド層２１１と同様のＣＶＤ法により成膜を行なって、コア層２１２を埋め込む〔図２（ｂ）参照〕。
【００２４】
ついで、図１（ａ）〜図１（ｃ）に示す溝部２２３の原型となる溝部２２３′を溝エッチングにより形成する。換言すれば、この溝部２２３′が形成されることで、光導波路の出力端面を垂直端面Ｆ１とともに、この垂直端面Ｆ１に対向する傾斜面Ｆ２の原型となる垂直端面Ｆ２′が形成される〔図２（ｃ）参照〕。
図２（ｃ）のように溝部２２３′を形成すると、続いて、第１バンク２２１′の上層とともに、第２バンク２２２′の一部の領域（溝部２２３′とは反対側の領域）２２５′の上層に、それぞれ形状保護層２１４を形成する。具体的には、溝部２２３′を含む基板面全面に形状保護層２１４を形成した後に、エッチング等により、溝部２２３′における前述の領域２２４を形成するための部分の形状保護層２１４を除去する。
【００２５】
したがって、上述の第１バンク２２１′および第２バンク２２２′の領域２２５′は、少なくとも基板２１０面に対して垂直な端面を含んで構成されて熱処理により形状が変化しないように保持すべき第２部分として構成される。又、垂直端面Ｆ２′を含んだ領域２２４′は、領域２２５′とともに一体形成して第２バンク２２２′を構成するものであるが、この領域２２４′上には形状保護層２１４が上層に形成されておらず、熱処理により形状を変化させるべき第１部分として構成される。
【００２６】
また、上述の第１部分としての領域２２４′と、第２部分としての第１バンク２２１′および領域２２５′は、基板２１０上においてほぼ同一の面位上〔図２（ｄ）の溝部２２３′の底面の面位Ｇを基準として〕形成されている。
このようにして形成された熱処理前デバイス２００′〔図２（ｄ）参照〕について、熱処理ステップとして、クラッド層２１１，２１３およびコア層２１２の融点と、形状保護層２１４の融点との間の温度で熱処理を行なう。これにより、第２バンク２２２′における第１部分の領域２２４′は、リフローされて基板２１０面について平滑傾斜層に変形する〔図２（ｅ）参照〕。
【００２７】
これにより、熱処理前デバイス２００′の第１バンク２２１′を図１（ａ）〜図１（ｃ）または図２（ｅ）に示す形状保護バンク２２１とし、第２バンク２２２′を図１（ａ）〜図１（ｃ）または図２（ｅ）に示す一体化バンク２２２とすることができる。
さらに、上述の熱処理ステップに次いで、ミラー形成ステップとして、平滑傾斜層上（傾斜面Ｆ２上）に、光導波路から出射された光を反射させるための金属ミラー２１５を、例えば蒸着作用等により形成する。このミラー形成ステップにおいては、熱処理ステップにより平滑に形成された傾斜面Ｆ２上に金属ミラー２１５を形成することができるので、この金属ミラー２１５についても平滑にすることができる。このようにして、平面光回路デバイス２００を完成させる。
【００２８】
なお、上述のバンク２２１′の上層に形成される形状保護層２１４は、垂直端面Ｆ１および溝部２１６の一部まで延在するように成膜されている。この垂直端面Ｆ１に延在された形状保護層２１４により、上述の熱処理によっても、垂直端面Ｆ１の形状を確実に保持することができる〔図２（ｄ）参照〕。更には、溝部２１６の一部まで延在された形状保護層２１４は、熱処理によりリフローした領域２２４′の部分が所望の傾斜角（この場合は４５度程度）を有する傾斜面となるように、リフローされたクラッド質の流れを塞き止めるダム層（堤防層）の機能をも有している。
【００２９】
また、ＰＳＧ（リン〔Ｐ〕ドープシリカガラス）を上述の形状保護層２１４として用いた場合には、線膨張係数がＳｉ基板２１０と大きく異なりクラックが発生しやすいため、膜厚は保護に必要な最低膜厚、例えば、０．５〜１．０μｍが好ましい。
このように、本発明の第１実施形態によれば、熱処理前デバイス構成ステップと熱処理ステップとによる簡易な製造工程により、熱処理により形状を変形制御された変形部分と、熱処理により形状が変化しないように保持された形状保持部分とが、ほぼ同一面位に並存するような光導波路デバイスとしての平面光回路デバイスを製造することができ、平面光回路デバイスの製造コストを抑えつつ高集積化を図ることができる利点がある。
【００３０】
さらに、第１実施形態によれば、従来の平面光回路デバイスにおいて、光導波路から出射された光を反射させるためのミラーが形成される傾斜面を形成する際の、以下に示す技術的課題を解決することができる。
すなわち、従来においては、例えば図３（ａ）〜図３（ｃ）に示すような平面光回路デバイス１００のように、図１（ａ）〜図１（ｃ）に示す傾斜面Ｆ２に対応する傾斜面Ｆ３を、多段露光を行なうことによって形成していた。尚、図３（ａ）は平面光回路デバイス１００の上視図、図３（ｂ）は図３（ａ）におけるＡ−Ａ′断面（光導波路における光伝播方向に平行な方向の断面）の矢印方向正視図、図３（ｃ）は図３（ａ）におけるＢ−Ｂ′断面（光導波路における光伝播方向に垂直な方向の断面）の矢印方向正視図である。
【００３１】
ここで、この図３（ａ）〜図３（ｃ）に示す光回路デバイス１００においても、Ｓｉ基板１１０上にコア層１１２が上下のクラッド層１１１，１１３間に埋め込まれた構造を有し、図３（ｂ）に示すように溝部１２３を介して２つのバンク１２１，１２２が形成されているが、傾斜層を有するバンク１２２は、上述の多段露光により形成しているので、平滑性が不十分であった。
【００３２】
すなわち、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示す平面光回路デバイス１００を製造する手法では、第１実施形態にかかる平面光回路デバイス２００のクラッド層２１１，２１３の溝エッチングにおいて、溝の深さを決定するマスク材料の厚さを多段露光により段階的に薄くしその形状を転写することで、傾斜面を形成していた。従って、この手法では、金属ミラー１１５が形成される面としては不連続な形状で平滑性に劣る上に、多段露光を行なうという煩雑な製造工程を踏まなければならないという課題がある。
【００３３】
また、上述のごとき傾斜面を形成する他の手法として、溝エッチングされる溝の深さを決定するマスク材料の厚さを段階的に薄くするために、サブピクセルサイズでの開口面積で近似したグレースケールのマスクを用いることで、露光強度を連続的に変化させ、上述のごとき傾斜面を形成することが考えられるが、このようなグレースケールのマスクは高価であり、厚膜の露光に対してはピクセルサイズの凹凸を生じる可能性が高い。
【００３４】
第１実施形態におけるデバイス製造方法においては、上述のごとき従来の手法における課題を解決し、簡易な製造工程にて、平滑な斜面ミラーを形成し、平面光回路デバイスとしての高機能化・製造コストの低減を図ることができる利点がある。
［Ｂ１］第２実施形態の説明
図４は本発明の第２実施形態にかかる平面光回路デバイス（光導波路デバイス）としてのスターカプラ３００を、光導波路パターンに着目して示す模式的上視図であり、図５（ａ）は、上述の図４に示すスターカプラ３００のＣ−Ｃ′断面の矢印方向正視図であり、図５（ｂ）は、図４に示すスターカプラ３００のＤ−Ｄ′断面の矢印方向正視図であり、図５（ｃ）は、図４に示すスターカプラ３００のＥ−Ｅ′断面の矢印方向正視図である。
【００３５】
ここで、図４に示すスターカプラ３００としての導波路パターンは、入力された光を伝播させるための１本の入力導波路３２１と、入力導波路３２１からの光について放射させるためのスラブ導波路３２２と、スラブ導波路３２２からの光を分岐された入力光として伝播させるための複数の（図４においては５本の）出力導波路３２３〜３２７とをそなえて構成されている。
【００３６】
また、出力導波路３２３〜３２７は、スラブ導波路３２２近傍の部分について、スラブ導波路３２２に近づくに従って、３次元テーパ形状を有している。即ち、スラブ導波路側に向けてテーパ状に導波路の幅および高さ（以下、単に導波路径という）が連続的に狭くなるテーパ導波路３２３Ａ〜３２７Ａとともに、各テーパ導波路３２３Ａ〜３２７Ａにおける光出射側に接続された導波路径が一定（均一）の均一径導波路３２３Ｂ〜３２７Ｂをそなえて構成されている。
【００３７】
例えば、図５（ｂ）に示すように、均一径導波路３２３Ｂ〜３２７Ｂの導波路径としての幅および高さが例えばともにａ（例えば７μｍ程度）である場合において、図５（ｃ）に示すように、テーパ導波路３２３Ａ〜３２７Ａのスラブ導波路３２２側における導波路径としての幅および高さをａ（例えば７μｍ程度）よりも小さいｂ（例えば１〜２μｍ程度）とすることができる。尚、均一径導波路３２３Ｂ〜３２７Ｂの導波路径は、テーパ導波路３２３Ａ〜３２７Ａの導波路径が最も広くなった部分の径に等しい。
【００３８】
これにより、テーパ導波路３２３Ａ〜３２７Ａのスポットサイズを徐々に広げて、スラブ導波路３２２とテーパ導波路３２３Ａ〜３２７Ａとの間における光結合損失を、上述のごときテーパ構造を持たない出力導波路の場合よりも低減させている。即ち、このスターカプラ３００は、テーパ構造を有しない出力導波路をもつものに比して、光結合効率ひいては損失特性を改善させることができるのである。
【００３９】
なお、図５（ａ）においては、出力導波路３２３〜３２７のうちで出力導波路３２５の断面のみが図示されているが、各出力導波路３２３〜３２７はいずれも同様の構成を有している。
ここで、第２実施形態にかかるスターカプラ３００についても前述の第１実施形態の場合と同様に、少なくとも熱処理を経て構成されたものであって、Ｓｉ基板３１０と、基板３１０上に形成されたコア層３１２と、コア層３１２を包囲するクラッド層３１１，３１３とをそなえている。
【００４０】
下クラッド層３１１は、基板３１０上に、コア層３１２の下層として形成された第１クラッド層として機能するもので、上クラッド層３１３は、コア層３１２の上層として形成された第２クラッド層として機能するものである。又、コア層３１２は、上述の図４に示すスターカプラ３００としての導波路パターンで形成されているものであって、本願発明の特徴的な構造である出力導波路３２３〜３２７をそなえている。
【００４１】
すなわち、出力導波路３２３〜３２７はそれぞれ、テーパ領域としてのテーパ導波路３２３Ａ〜３２７Ａと径一定領域としての径一定導波路３２３Ｂ〜３２７Ｂとによりリッジ形状に形成されているが、径一定導波路３２３Ｂ〜３２７Ｂは、後述の熱処理により形状が変化しないように保持された形状保持部分であり、テーパ導波路３２３Ａ〜３２７Ａは、熱処理によりリフローされて形状が変形された変形部分である。
【００４２】
具体的には、図５（ａ）〜図５（ｃ）に示すように、コア層３１２をなすテーパ導波路３２５Ａ（３２３Ａ〜３２７Ａ）は、後述する熱処理によって、スラブ導波路３２２に近づくに従ってテーパ状に高さが低くなるように形成され、このテーパ導波路３２５Ａ（３２３Ａ〜３２７Ａ）の部分を除く部分（入力導波路３２１，スラブ導波路３２２および均一径導波路３２３Ｂ〜３２７Ｂ）については、熱処理によっても形状が保持されて、均一な高さ（膜厚）で形成されている。
【００４３】
なお、形状保持部分としての径一定導波路３２３Ｂ〜３２７Ｂは、少なくとも基板３１０面に対して垂直な端面Ｆ４を含み、かつ、これらの径一定導波路３２３Ｂ〜３２７Ｂおよび変形部分としてのテーパ導波路３２３Ａ〜３２７Ａが、基板３１０上においてほぼ同一の面位上にそなえられている。
また、３１４は形状保護層であり、この形状保護層３１４は、熱処理の際に、当該熱処理における温度よりも高い融点を有するものであって、形状保持部分の上層に積層することで、形状保持部分が熱処理により形状が変化しないようにするためのものである。
【００４４】
具体的には、形状保護層３１４としては図６に示すように、下クラッド層３１１およびコア層３１２と上クラッド層３１３との間に、テーパ導波路３２３Ａ〜３２７Ａおよびテーパ導波路３２３Ａ〜３２７Ａの両端のコア層部分３２３Ｃ〜３２７Ｃを除いて基板面全面に形成されるようになっている。尚、上述の形状保護層３１４が形成されないコア層部分３２３Ｃ〜３２７Ｃの上視形状は、この図６に示すように、テーパ導波路３２３Ａ〜３２７Ａと均一径導波路３２３Ｂ〜３２７Ｂとが結合する部分から、スラブ導波路３２２側に向けて幅が両側に広がるような形状を有している。
【００４５】
また、上述のテーパ導波路３２３Ａ〜３２７Ａをなすコア層３１２近傍の下クラッド層３１１上に形成された（下クラッド層３１１の上層としてテーパ導波路３２３Ａ〜３２７Ａ間に間隔を置いて形成された）形状保護層３１４は、後述の熱処理に起因したテーパ導波路３２３Ａ〜３２７Ａのリフローによる平滑傾斜の度合い〔高さの変化または図５（ａ）に示す断面での傾斜角度〕を調整するためのダム層（堤防層）３１４Ａとして機能している〔図５（ｃ）参照〕。
【００４６】
上述のごときスターカプラ３００は、基板３１０上に、熱処理前のデバイスを構成する熱処理前デバイス構成ステップと、熱処理前デバイス構成ステップにより構成されたデバイスについて熱処理を行なう熱処理ステップと、熱処理後のデバイスにおける第１部分としてのコア層３１２を部分的に除去するステップと、第２クラッド層３１３を形成するステップとによって、製造されるようになっている。
【００４７】
以下においては、上述の各ステップにおける製造工程について、図７（ａ）〜図７（ｄ）を用いて説明していくこととする。尚、図７（ａ）〜図７（ｃ）は、図４〜図６に示すスターカプラ３００の製造過程を説明するための図であって、それぞれ、Ｈ１は各製造工程におけるデバイスの要部を示す上視図、Ｈ２はＨ１のＣ−Ｃ′断面の矢印方向正視図、Ｈ３はＨ１のＤ−Ｄ′断面の矢印方向正視図、Ｈ４はＨ１のＥ−Ｅ′断面の矢印方向正視図である。
【００４８】
まず、熱処理前デバイス構成ステップとして、ＣＶＤ法等により、基板３１０上に第１クラッド層としての下クラッド層３１１を形成（成膜）し（第１クラッド層形成ステップ）、下クラッド層３１１上に、コア層３１２を形成（成膜）する〔コア層形成ステップ，図７（ａ）参照〕。
すなわち、この図７（ａ）に示すように、図４〜図６に示す出力導波路３２３〜３２７の原型となるリッジ形状のコア層３１２として、径が均一な均一径領域のコア層部分３２３Ｂ′〜３２７Ｂ′とともに、均一径領域の部分３２３Ｂ′〜３２７Ｂ′から連続的に径が狭まるテーパ領域のコア層部分３２３Ａ′〜３２７Ａ′を形成する。
【００４９】
換言すれば、図４〜図６に示すテーパ導波路３２３Ａ〜３２７Ａの原型となるコア層部分３２３Ａ′〜３２７Ａ′を形成するとともに、均一径導波路３２３Ｂ〜３２７Ｂの原型となるコア層部分３２３Ｂ′〜３２７Ｂ′を形成する。従って、コア層部分３２３Ａ′〜３２７Ａ′は、熱処理によって形状を変化させるべき第１部分である。コア層部分３２３Ｂ′〜３２７Ｂ′は、少なくとも基板面に対して垂直な端面Ｆ４′を含んで構成されて熱処理により形状が変化しないように保持すべき第２部分であって、コア層部分３２３Ａ′〜３２７Ａ′とほぼ同一の面位上（クラッド層３１１上）に形成されている。
【００５０】
なお、図７（ａ）中においては、特に出力導波路３２５の原型となる部分３２５Ａ′，３２５Ｂ′に着目して図示している。図７（ｂ）〜図７（ｄ）に示すものにおいても同様である。
上述のごときコア層３１２を形成すると、熱処理によって形状が変化しないように保持すべき領域に形状保護層３１４を形成する。具体的には、スラブ導波路３２２およびコア層部分３２３Ｂ′〜３２７Ｂ′となるコア層３１２の部分と、上記のコア層部分３２３Ｂ′〜３２７Ｂ′となるコア層近傍の第１クラッド層３１１の部分に、上層として、エッチング等によって形状保護層３１４を形成する〔形状保護層形成ステップ，図７（ｂ）参照〕。この場合においては、図７（ｂ）のＨ１または図６に示すように、形状保護層３１４は、領域３２３Ｃ〜３２７Ｃを除いて、基板全面にわたって形成されている。
【００５１】
さらに、上記の第１部分となるコア層３１２（テーパ導波路３２３Ａ〜３２７Ａ）近傍の第１クラッド３１１層上に、熱処理によりリフローされて形成される平滑傾斜の度合いを調整するためのダム層３１４Ａを、リッジ形状をなすコア層３１２の幅方向両側（領域３２３Ｃ〜３２７Ｃ）を挟むように形成する（堤防層形成ステップ）。この場合においては、上述の形状保護層３１４がダム層３１４Ａの役割も果たしている〔図７（ｂ）参照〕。
【００５２】
上述のごとき熱処理前デバイス構成ステップにて構成された製造過程のデバイスは、次に、熱処理ステップとして、第１部分および第２部分の融点と形状保護層３１４の融点との間の温度で熱処理が施される。これにより、第１部分としてのテーパ領域３２３Ａ′〜３２７Ａ′についてはリフローさせて所望の形状を形成させる一方、それ以外の部分については、形状保護層３１４により形状を保持させる〔図７（ｃ）のＨ４参照〕。
【００５３】
具体的には、ダム層形成ステップにて形成されたダム層３１４Ａにより、熱処理によりコア層部分３２３Ａ′〜３２７Ａ′が融化されたコア層質の流れが塞き止められて〔図７（ｃ）のＨ１，Ｈ３参照〕、リフロー後にはリッジ形状における長手方向にわたり基板面について平滑傾斜層としている〔図７（ｃ）のＨ２参照〕。
【００５４】
すなわち、熱処理によって融化されたコア層部分３２３Ａ′〜３２７Ａ′のコア層質の左右への広がり幅が、コア層部分３２３Ｂ′〜３２７Ｂ′との結合部分からスラブ導波路３２２側に向かって連続的に広がるように、上述のコア層部分３２３Ａ′〜３２７Ａ′を挟むダム層３１４Ａの間隔が定められている。これにより、コア層部分３２３Ａ′〜３２７Ａ′の熱処理後の高さが、コア層部分３２３Ｂ′〜３２７Ｂ′との結合部分からスラブ導波路３２２側に向かって連続的に高さが低くなるような平滑傾斜層とすることができるのである。
【００５５】
また、熱処理前デバイス構成ステップにおいて構成されたコア層部分３２３Ａ′〜３２７Ａ′が、コア層部分３２３Ｂ′〜３２７Ｂ′との結合部分からスラブ導波路３２２側に向かって幅が狭くなるように形成しているので、上述のごとき熱処理後の高さの変化をより効率的につけることができる。
上述の熱処理ステップにおける熱処理により、第１部分としてのテーパ領域３２３Ａ′〜３２７Ａ′が平滑傾斜層となると、次いで、図７（ｄ）のＨ１に示すように、この平滑傾斜層となったテーパ領域３２３Ａ′〜３２７Ａ′を、上述の長手方向にわたり幅を狭くするように、コア層３１２を部分的に除去する。尚、図７（ｄ）のＨ１に示す上視図は、コア層部分３２３Ａ′〜３２７Ａ′におけるコア層質の一部が除去された点に着目したものである。
【００５６】
これにより、リフローされたコア層部分３２３Ａ′〜３２７Ａ′のうちで、上述のコア層質の一部を除去した後の残りの部分をテーパ導波路３２３Ａ〜３２７Ａとして構成し、形状が保持された均一径領域３２３Ｂ′〜３２７Ｂ′を均一径導波路３２３Ｂ〜３２７Ｂとして構成する。
さらに、上述のコア層３１２の部分的な除去が行なわれた後に、基板面上の全面に第２クラッド層としての上クラッド層３１３を形成（成膜）して〔第２クラッド層形成ステップ，図７（ｄ）のＨ２〜Ｈ４参照〕、スターカプラ３００を完成させる。
【００５７】
このように、本発明の第２実施形態によれば、熱処理前デバイス構成ステップおよび熱処理ステップとをそなえた簡素な工程により、熱処理により形状を変形制御された変形部分と、熱処理により形状が変化しないように保持された形状保持部分とが、ほぼ同一面位に並存するような光導波路デバイスとしてのスターカプラ３００を製造することができる利点があり、ひいては、デバイスの高集積化を図ることもできる。
【００５８】
また、第２実施形態によれば、テーパ導波路３２３Ａ〜３２７Ａとして、高さと幅の次元でスラブ導波路３２２に向けて平滑に小さくなるようにした３次元のテーパ導波路を、簡素な製造工程によりウエハ面内で容易に製造することができるので、デバイスとしての特性を改善しつつ、製造コストを低減させることができる利点がある。
【００５９】
［Ｂ２］第２実施形態の変形例の説明
図８（ａ）は上述の第２実施形態の変形例としてのスターカプラ３００Ａの、図５（ａ）に相当するＣＣ′断面図であり、図８（ｂ）は図５（ｂ）に相当するＤＤ′断面図であり、図８（ｃ）は図５（ｃ）に相当するＥＥ′断面図である。
上述の第２実施形態にかかるスターカプラ３００においては、製造過程において、下クラッド層３１１を形成した後にコア層３１２を形成するようになっているが、本発明によれば、この図８（ａ）〜図８（ｃ）に示すように、下クラッド層３１１を形成させる工程とコア層３１２を形成させる工程との間に、下クラッド層３１１の形状を保持させるための形状保護層３１５を形成（成膜）させる工程を設けることとしてもよい。
【００６０】
すなわち、このクラッド層３１１とコア層３１２との間に積層される形状保護層３１５によって、熱処理により下クラッド層３１１が変形することを防止することができる。換言すれば、この形状保護層３１５は、下クラッド層用の形状保護層３１５として機能する。
したがって、本変形例によれば、前述の第２実施形態における利点があるほか、形状保護層３１５により、下クラッド層３１５の変形についても防止することができるので、簡素な製造工程によって、より精密にデバイスを製造することができ、更にはデバイスとしての特性をより改善させることができる。
【００６１】
なお、上述の第２実施形態および第２実施形態の変形例においては、本発明にかかる光導波路デバイスとしてスターカプラを適用した場合について詳述したが、本発明によればこれに限定されず、スターカプラ以外の光導波路デバイスにも、もちろん適用することができる。
［Ｃ］第３実施形態の説明
図９（ａ）は本発明の第３実施形態にかかる光導波路デバイスとしての方向性結合器４００を示す模式的上視図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＦ−Ｆ′断面の矢印方向正視図である。
【００６２】
ここで、図９（ａ），図９（ｂ）に示す方向性結合器４００は、Ｓｉ基板４１０上に形成された２本の光導波路４２１，４２２が、入出射端の中間部分４２３において距離が近接するような導波路パターンを有している。これにより、光導波路４２１，４２２は、隣接する他方の光導波路４２２，４２１におけるモード結合を利用し、入力光を一定比率で出力に分波することができるようになっている。
【００６３】
ここで、第３実施形態にかかる方向性結合器４００についても前述の第１，第２実施形態の場合と同様に、少なくとも熱処理を経て構成されたものであって、基板４１０と、基板４１０上に形成されたコア層４１２と、コア層４１２を包囲するクラッド層４１１，４１３とをそなえている。
下クラッド層４１１は、基板４１０上に、コア層４１２の下層として形成された第１クラッド層として機能するもので、上クラッド層４１３は、コア層４１２の上層として形成された第２クラッド層として機能するものである。又、コア層４１２は、上述の図９（ａ），図９（ｂ）に示す方向性結合器４００としての導波路パターンで形成されているものである。
【００６４】
すなわち、光導波路４２１，４２２はそれぞれ、後述の熱処理により形状が変化された変形部分であり、下クラッド層４１１は、熱処理により形状が変形しないように保持された形状保持部分である。
具体的には、図９（ｂ）に示すように、コア層４１２をなすテーパ導波路３２５Ａ（３２３Ａ〜３２７Ａ）は、後述する熱処理によって、下クラッド層４１１に形成された導波路用の溝の中に、コア層４１２が充填されている一方、２本の近接した光導波路４２１，４２２間で挟まれる下クラッド層（即ち、２本の溝間の下クラッド層）４１１の部分については、当該下クラッド層４１１とコア層４１２との間に積層された形状保護層４１４により、熱処理によっても形状が保持されている。
【００６５】
なお、形状保持部分としての下クラッド層４１１（例えばリッジ部分４３３）は、少なくとも基板４１０面に対して垂直な端面Ｆ５を含み、かつ、この下クラッド層４１１（例えばリッジ部分４３３）および変形部分としての光導波路４２１，４２２が、基板４１０上においてほぼ同一の面位（溝部４３１，４３２の底面の面位）上にそなえられている。
【００６６】
また、形状保護層４１４は、熱処理の際に、当該熱処理における温度よりも高い融点を有するものであって、形状保持部分としての下クラッド層４１１の上層に積層することで、熱処理前の第２部分の形状を変化させないようにして、形状保持部分を構成するためのものである。
上述のごとき方向性結合器４００は、基板４１０上に、熱処理前のデバイスを構成する熱処理前デバイス構成ステップと、熱処理前デバイス構成ステップにより構成されたデバイスについて熱処理を行なう熱処理ステップと、熱処理後のデバイスにおける第１部分としてのコア層４１２を部分的に除去するステップと、第２クラッド層４１３を形成するステップとによって、製造されるようになっている。
【００６７】
以下においては、上述の各ステップにおける製造工程について、図１０（ａ）〜図１０（ｅ）を用いて説明していくこととする。尚、図１０（ａ）〜図１０（ｅ）は、図９（ａ），図９（ｂ）に示すスターカプラ４００の製造過程を説明するための図であって、それぞれ、図９（ａ）のＦ−Ｆ′断面の矢印方向正視図に相当するものである。
【００６８】
まず、第１クラッド層形成ステップ，溝部形成ステップ，形状保護層形成ステップおよびコア層形成ステップからなる熱処理前デバイス構成ステップによって、熱処理前のデバイスを構成する。
すなわち、第１クラッド層形成ステップにおいて、ＣＶＤ法等により、基板４１０上に下クラッド層（第１クラッド層）４１１を形状を保持すべき第２部分として形成（成膜）し、溝部形成ステップにおいて、第１クラッド層形成ステップで形成された第１クラッド層４１１に複数（本実施形態においては２つ）の互いに近接した溝部（微細溝）４３１，４３２を形成する〔図１０（ａ）参照〕。
【００６９】
さらに、溝部形成ステップにおいて溝部４３１，４３２が形成された第１クラッド層４１１上に、基板面全面にわたって、形状保護層４１４を形成（成膜）する〔形状保護層形成ステップ，図１０（ｂ）参照〕。この形状保護層４１４により、特に溝部４３１，４３２間における下クラッド層４１１としてのリッジ４３３の形状を熱処理によっても変化しないように保持することができる。
【００７０】
ついで、上述のごとく成膜された形状保護層４１４上に、形状を変形させるべき第１部分としてコア層４１２を形成する（コア層形成ステップ，図１０（ｃ）参照）。尚、熱処理前のコア層形成ステップにおいては、コア層４１２を、溝部４２１，４２２のみならず形状保護層４１４全体を覆うように成膜している。この時点においては、コア層４１２は微細溝である溝部４３１，４３２中に完全には充填されていない。
【００７１】
換言すれば、コア層形成ステップにより、図９（ａ），図９（ｂ）に示す方向性結合器４００をなす光導波路４２１，４２２の原型となるコア層４１２を形成する。また、溝部４３１，４３２間のリッジ４３３は、少なくとも基板面に対して垂直な端面Ｆ５′を含んで構成されて熱処理により形状が変化しないように保持すべき第２部分であって、コア層４１２とほぼ同一の面位上に形成されている。
【００７２】
さらに、熱処理ステップにおいて、形状保護層４１４の融点とコア層４１２の融点との間の温度で高温熱処理を施し、溝部４３１，４３２中のコア層をリフローにより平坦化させることにより、溝部４３１，４３２をコア層４１２で完全に充填させる一方、形状保護層４１４により、溝部４３１，４３２が形成された第１クラッド層４１１の形状を第２部分として保持している。
【００７３】
また、熱処理ステップによる熱処理を施した後に、コア層４１２について、エッチバックにより、溝部４３１，４３２に充填された部分以外を除去する〔除去ステップ，図１０（ｄ）参照〕。これにより、方向性結合器４００をなす２本の光導波路４２１，４２２を構成する。その後、除去ステップにおけるコア層４１２の除去を行なった後のデバイス面上に、上クラッド層（第２クラッド層）４１３を形成（成膜）して〔第２クラッド層形成ステップ，図１０（ｅ）参照〕、方向性結合器４００を完成させる。
【００７４】
このように、本発明の第３実施形態によれば、熱処理前デバイス構成ステップおよび熱処理ステップとを有する簡素な工程により、熱処理により形状を変形制御された変形部分と、熱処理により形状が変化しないように保持された形状保持部分とが、ほぼ同一面位に並存するような光導波路デバイスとしての方向性結合器４００を製造することができる利点があり、ひいては、デバイスの高集積化を図ることもできる。
【００７５】
また、第３実施形態によれば、基板上に近接した複数の光導波路を有する方向性結合器を製造する際において、形状保護層４１４により、微細溝の熱処理に対する耐用度を向上させることができ、より微細な溝部を形成させることができるのでデバイスとしての特性を改善させることができるほか、表面の平坦性が高く、電極形成等の導波路形成工程以降にフォトリソグラフィ工程を行なう場合にも容易にすることもできるので、デバイス製造のためのコストを低減させることができる利点もある。
【００７６】
なお、上述の第３実施形態においては、２本の光導波路からなる方向性結合器について詳述したが、本発明によれば、３本以上の光導波路を近接させるための溝部を形成するようなデバイスを製造する際にも、もちろん適用させることができる。
［Ｄ］その他
なお、上述の各実施形態における形状保護層２１４〜４１４，３１５は、下クラッド層２１１〜４１１，上クラッド層２１３〜４１３およびコア層２１２〜４１２よりもドープされる不純物（例えばＧｅ〔ゲルマニウム〕，Ｐ〔リン〕，Ｔｉ〔チタン〕またはＢ〔ボロン〕等）の割合を減らすことで、これらのクラッド層又はコア層よりも融点を高めている。
【００７７】
たとえば、下クラッド層２１１〜４１１，上クラッド層２１３〜４１３およびコア層２１２〜４１２の融点を８００〜９００℃程度とするとともに、形状保護層２１４，４１４，３１５の融点を１０００〜１２００℃程度とすることができる。この場合においては、熱処理ステップにおける加熱温度を、上述の８００〜９００℃および１０００〜１２００℃の中間の温度程度とすることができる。
【００７８】
さらに、上述の各実施形態における基板２１０〜４１０面に対して垂直な端面Ｆ１′，Ｆ４′，Ｆ５′を保護する（形状を保持させる）には、当該垂直端面Ｆ１′，Ｆ４′，Ｆ５′の上層の形状保護層２１４〜４１４についても、上述のごとき膜厚が必要となる。このとき、成膜にステップカバレッジの良好な、常圧ＣＶＤ法を用いて形状保護層２１４〜４１４を成膜することで、これらの垂直端面Ｆ１′，Ｆ４′，Ｆ５′においても十分な保護効果を得ることができる。
【００７９】
また、上述の各実施形態においては、光導波路デバイスの製造方法について詳述しているが、本発明のデバイス製造方法によれば、光導波路デバイス以外のデバイスにおいても同様に適用させることができる。
［Ｅ］付記
（付記１）　熱処理を施してデバイスを製造する方法において、
基板上に、上記熱処理により形状を変形させるべき第１部分と、所定の形状を含んで構成されて上記熱処理により形状が変化しないように保持すべき第２部分とをほぼ同一の面位上に形成するとともに、該第２部分の上層または下層として上記第１部分または第２部分よりも融点の高い形状保護層を形成して、上記熱処理前のデバイスを構成する熱処理前デバイス構成ステップと、
上記の第１部分および第２部分の融点と形状保護層の融点との間の温度で、該熱処理前デバイス構成ステップで構成された該熱処理前デバイスについて熱処理を行なって、該第１部分についてはリフローさせて所望の形状を形成させる一方、該第２部分については、該形状保護層により形状を保持させる熱処理ステップとをそなえて構成されたことを
特徴とする、デバイス製造方法。
【００８０】
（付記２）　該熱処理ステップにより、該第１部分をリフローさせることにより所望の平滑層を形成することを特徴とする、付記１記載のデバイス製造方法。
（付記３）　上記の熱処理前デバイス構成ステップにおいて、上記の第１部分および第２部分が一体となったバンクが形成され、
該熱処理ステップにおける上記熱処理により、該バンクをなす該第１部分の領域を、該基板面について平滑傾斜層とすることを特徴とする、付記１記載のデバイス製造方法。
【００８１】
（付記４）　該熱処理前デバイス構成ステップにおいて、該第１部分がリッジとして形成されるとともに、該熱処理に起因した該リッジのリフローによる平滑傾斜の度合いを調整するための堤防層を、該リッジの幅方向両側を挟むように形成することを特徴とする、付記１記載のデバイス製造方法。
（付記５）　該熱処理前デバイス構成ステップにおいて、
光導波路を構成するコア層と該コア層を包囲するクラッド層とからなり該光導波路の出力端面として該基板面に対し垂直な端面を有する第１バンクを該第２部分として形成するとともに、
該第１バンクに溝部を介して隣接し、上記溝部側の一部の領域を該第１部分とし上記溝部側とは反対側の領域を該第２部分として、上記の第１部分および第２部分を一体とした第２バンクを形成し、
該熱処理ステップにより、上記の第２バンクにおける第１部分の領域を、該基板面について平滑傾斜層とすることを特徴とする、付記１記載のデバイス製造方法。
【００８２】
（付記６）　該熱処理ステップに次いで、上記平滑傾斜層上に、該光導波路から出射された光を反射するミラーを形成するミラー形成ステップをそなえて構成されたことを特徴とする、付記５記載のデバイス製造方法。
（付記７）　該熱処理前デバイス構成ステップが、
該基板上に第１クラッド層を形成する第１クラッド層形成ステップと、
該第１クラッド層上に、該第２部分として径が均一な均一径領域とともに、該第１部分として該均一径領域から連続的に径が狭まるテーパ領域からなるリッジ形状のコア層を形成するコア層形成ステップと、
上記の均一径領域のコア層および上記の均一径領域のコア層近傍の第１クラッド層上に、該形状保護層を形成する形状保護層形成ステップと、
上記のテーパ領域のコア層近傍の第１クラッド層上に、該熱処理に起因した該テーパ領域のリフローによる平滑傾斜の度合いを調整するための堤防層を、該リッジ形状をなすコア層の幅方向両側を挟むように形成する堤防層形成ステップとをそなえて構成されたことを特徴とする、付記１記載のデバイス製造方法。
【００８３】
（付記８）　該堤防層形成ステップにおいて、該熱処理により該第１部分のコア層がリフローされて、該リッジ形状における長手方向にわたり該基板面について平滑傾斜層となるように、上記のテーパ領域との間隔を定めて堤防層を形成することを特徴とする、付記７記載のデバイス製造方法。
（付記９）　上記の第１クラッド層形成ステップとコア層形成ステップとの間に、該第１クラッド層の上層部に、該第１クラッド層用の形状保護層を形成するステップをそなえて構成されたことを特徴とする、付記７記載のデバイス製造方法。
【００８４】
（付記１０）　上記の熱処理ステップにおける熱処理により、該第１部分が平滑傾斜層となると、次いで、該第１部分を、上記長手方向にわたり幅を狭くするように、該コア層を部分的に除去するステップと、
該コア層を部分的に除去した後に、該基板面上に第２クラッド層を形成する第２クラッド層形成ステップをそなえて構成されたことを特徴とする、付記７〜９のいずれか一項記載のデバイス製造方法。
【００８５】
（付記１１）　該熱処理前デバイス構成ステップが、
該基板上に第１クラッド層を該第２部分として形成する第１クラッド層形成ステップと、
該第１クラッド層形成ステップにおいて形成された該第１クラッド層に、複数の互いに近接した溝部を形成する溝部形成ステップと、
該溝部形成ステップにおいて上記の溝部が形成された第１クラッド層上に、該形状保護層を形成する形状保護層形成ステップと、
該形状保護層形成ステップにおいて形成された該形状保護層上に、該第１部分としてコア層を形成するコア層形成ステップとをそなえて構成され、
該熱処理ステップにおける熱処理により、上記の溝部をコア層で充填させる一方、上記の溝部が形成された第１クラッド層の形状を該第２部分として保持することを特徴とする、付記１記載のデバイス製造方法。
【００８６】
（付記１２）　上記の熱処理ステップによる熱処理を施した後に、該コア層について、上記の溝部に充填された部分以外を除去する除去ステップと、
該除去ステップにおける該コア層の除去を行なった後のデバイス面上に、第２クラッド層を形成する第２クラッド層形成ステップをそなえて構成されたことを特徴とする、付記１１記載のデバイス製造方法。
【００８７】
（付記１３）　上記の形状保護層または堤防層を、上記の第１部分および第２部分よりも不純物の割合を少なくすることを特徴とする、付記１〜１２のいずれか一項記載のデバイス製造方法。
（付記１４）　該形状保護層または堤防層を、常圧ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成することを特徴とする、付記１〜１３のいずれか一項記載のデバイス製造方法。
【００８８】
（付記１５）　少なくとも熱処理を経て構成され、基板と、該基板上に形成されたコア層と該コア層を包囲するクラッド層とをそなえてなる光導波路デバイスであって、
上記のコア層とクラッド層とを構成する部分が、
上記熱処理によりリフローされて形状が変形制御された変形部分と、
上記熱処理の際に、当該熱処理の温度よりも高い融点を有する形状保護層を上層又は下層に積層することで、上記熱処理により形状が変化しないように保持された形状保持部分とにより構成され、
該形状保持部分が所定の形状を含み、かつ、上記の変形部分および形状保持部分が、該基板上においてほぼ同一の面位上にそなえたことを特徴とする、光導波路デバイス。
【００８９】
（付記１６）　該基板上に、
上記のコア層およびクラッド層とからなり該光導波路の出力端面として該基板面に対しほぼ垂直な端面を有する、該形状保持部分としての形状保持バンクと、
該形状保持バンクに溝部を介して隣接したクラッド層からなり、上記溝部側の一部の領域を該変形部分とし上記溝部側とは反対側の領域を該形状保持部分として、上記の変形部分および形状保持部分を一体とした一体化バンクとが形成され、
かつ、該熱処理により、上記の一体化バンクにおける変形部分の領域を、該基板面について平滑傾斜層が形成されるように構成されたことを特徴とする、付記１５記載の光導波路デバイス。
【００９０】
（付記１７）　該クラッド層が、該コア層の下層として形成された第１クラッド層と該コア層の上層として形成された第２クラッド層とにより構成され、
上記の基板上に第１クラッド層が形成されるとともに、
該形状保持部分として径が均一な均一径領域とともに、該変形部分として該均一径領域から連続的に径が狭まるテーパ領域からなるリッジ形状のコア層が、該第１クラッド層上に形成され、
該形状保護層が、上記の均一径領域のコア層および上記の均一径領域のコア層近傍の第１クラッド層上に形成されるとともに、
上記のテーパ領域のコア層近傍の第１クラッド層上に、該熱処理に起因した該テーパ領域のリフローによる平滑傾斜の度合いを調整するためのダム層が形成され、
かつ、該熱処理により、該テーパ領域のコア層を、上記リッジ形状の長手方向について平滑傾斜層とすべく構成されたことを特徴とする、付記１５記載の光導波路デバイス。
【００９１】
（付記１８）　上記の第１クラッド層とコア層との間においても、該形状保護層が形成されたことを特徴とする、付記１７記載の光導波路デバイス。
（付記１９）　上記の基板上にクラッド層として形成され、複数の互いに近接した溝部を有する該形状保持部分としての第１クラッド層をそなえるとともに、
該形状保護層が、上記の溝部が形成された第１クラッド層上に形成される一方、
該コア層が、該形状保護層上に該変形部分として形成され、
かつ、該熱処理により、上記の溝部をコア層で充填させる一方、上記の溝部が形成された第１クラッド層の形状を該形状保持部分として保持すべく構成されたことを特徴とする、付記１５記載の光導波路デバイス。
【００９２】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１および２記載の本発明によれば、熱処理前デバイス構成ステップおよび熱処理ステップを有する簡易な製造工程により、熱処理により形状を変形制御された変形部分と、熱処理により形状が変化しないように保持された形状保持部分とが、ほぼ同一面位に並存するような平面光回路デバイス等のデバイスを実現することができる利点があり、ひいては、デバイスの高集積化を図ることもできる。
【００９３】
また、請求項３記載の本発明によれば、形状保持バンクと一体化バンクとを形成して、熱処理により、上記の一体化バンクにおける変形部分の領域を、該基板面について平滑傾斜層が形成されるように構成しているので、簡易な製造工程にて、平滑な斜面を形成することができるので、平面光回路デバイスとしての高機能化・製造コストの低減を図ることができるほか、利点がある。
【００９４】
さらに、請求項４記載の本発明によれば、形状保持部分として径が均一な均一径領域とともに、変形部分として該均一径領域から連続的に径が狭まるテーパ領域からなるリッジ形状のコア層を、第１クラッド層上に形成するとともに、形状保護層およびダム層を形成して、熱処理により、テーパ領域のコア層を、上記リッジ形状の長手方向についてについて平滑傾斜層とすることにより、テーパ導波路として、高さと幅の次元でスラブ導波路に向けて平滑に小さくなるようにした３次元のテーパ導波路を、簡素な製造工程によりウエハ面内で容易に製造することができるので、デバイスとしての特性を改善しつつ、製造コストを低減させることができる利点がある。
【００９５】
また、請求項５記載の本発明によれば、熱処理により、上記の溝部をコア層で充填させる一方、上記の溝部が形成された第１クラッド層の形状を形状保持部分として保持すべく構成しているので、基板上に近接した複数の光導波路を有する方向性結合器を製造する際において、形状保護層により、微細溝の熱処理に対する耐用度を向上させ、より微細な溝部を形成させることができるのでデバイスとしての特性を改善させることができるほか、表面の平坦性が高く電極形成等の導波路形成工程以降にフォトリソグラフィ工程を行なう場合にも、当該工程を容易にすることができるので、デバイス製造のためのコストを低減させることができる利点もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｃ）はいずれも本発明の第１実施形態にかかる平面光回路デバイスを示す図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）はいずれも第１実施形態にかかる平面光回路デバイスの製造工程を説明するための図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）はいずれも第１実施形態の平面光回路デバイスが解決する課題について説明するための図である。
【図４】本発明の第２実施形態にかかるスターカプラを光導波路パターンに着目して示す模式的上視図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）はいずれも本発明の第２実施形態にかかるスターカプラを示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態にかかるスターカプラを形状保護層のパターンに着目して示す模式的上視図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）はいずれも本発明の第２実施形態にかかるスターカプラの製造工程を説明するための図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）はいずれも本発明の第２実施形態の変形例にかかるスターカプラを示す図である。
【図９】（ａ），（ｂ）はともに本発明の第３実施形態にかかる方向性結合器を示す図である。
【図１０】（ａ）〜（ｅ）はいずれも本発明の第３実施形態にかかる方向性結合器の製造工程を説明するための図である。
【図１１】熱処理により特定の層の形状を成型して製造する光導波路デバイスの一例を示す図である。
【符号の説明】
１００　光導波路デバイス
１１０，２１０，３１０，４１０　Ｓｉ基板
１１１，２１１，３１１，４１１　下クラッド層
１１２，２１２，３１２，４１２　コア層
１１３，２１３，３１３，４１３　上クラッド層
１１４，２１４，３１４，３１５，４１４　形状保護層
２００　平面光導波路デバイス
２１５　金属ミラー
２２１　形状保持バンク
２２２　一体化バンク
２２１′　第１バンク
２２２′　第２バンク
２２３，２２３′　溝部
２２４　変形部分としての領域
２２５　形状保持部分としての領域
２２４′　第１部分としての領域
２２５′　第２部分としての領域
３００，３００Ａ　スターカプラ
３１４Ａ　ダム層
３２１　入力導波路
３２２　スラブ導波路
３２３〜３２７　出力導波路
３２３Ａ〜３２７Ａ　テーパ導波路
３２３Ｂ〜３２７Ｂ　径一定導波路
３２３Ａ′〜３２７Ａ′　テーパ領域のコア層部分
３２３Ｂ′〜３２７Ｂ′　均一径領域のコア層部分
３２３Ｃ〜３２７Ｃ　領域
４００　方向性結合器
４２１，４２２　光導波路
４３１，４３２　溝部
４３３，４３３′　リッジ
５００　光導波路デバイス
５０１　Ｓｉ基板
５０２　下クラッド層
５０３　コア層
５０４　上クラッド層
５０５　形状保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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