(57)【要約】【課題】真空容器内に付着してダスト源となり得る反応性デポ物を取り除き、信頼性の高い微細パターンを形成できるプラズマ処理方法を提供すること。【解決手段】真空容器内にガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板を載置する基板電極に対向して設けられたプラズマ源に高周波電力を印加することで、真空容器内にプラズマを発生させ、基板上の貴金属または貴金属を含む物質をエッチングするプラズマ処理方法であって、エッチングプロセス終了後、前記エッチングプロセスとは別のアンモニアガスを用いて前記真空容器内をクリーニングすることで解決できる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内にガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板を載置する基板電極に対向して設けられたプラズマ源に高周波電力を印加することで、真空容器内にプラズマを発生させ、基板上の貴金属または貴金属を含む物質をエッチングするプラズマ処理方法であって、エッチングプロセス終了後、前記エッチングプロセスとは別のアンモニアガスを用いて前記真空容器内をクリーニングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
真空容器内にガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板を載置する基板電極に対向して設けられたプラズマ源に高周波電力を印加することで、真空容器内にプラズマを発生させ、基板上の貴金属または貴金属を含む物質をエッチングするプラズマ処理方法であって、エッチングプロセス終了後、前記エッチングプロセスで用いるガスにアンモニアガスを添加して真空容器内をクリーニングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
真空容器内にガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板を載置する基板電極に対向して設けられたプラズマ源に高周波電力を印加することで、真空容器内にプラズマを発生させ、基板上の貴金属または貴金属を含む物質をエッチングするプラズマ処理方法であって、エッチングプロセス終了後、前記エッチングプロセスとは別の塩化水素ガスを用いて前記真空容器内をクリーニングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
真空容器内にガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板を載置する基板電極に対向して設けられたプラズマ源に高周波電力を印加することで、真空容器内にプラズマを発生させ、基板上の貴金属または貴金属を含む物質をエッチングするプラズマ処理方法であって、エッチングプロセス終了後、前記エッチングプロセスで用いるガスに塩化水素ガスを添加して真空容器内をクリーニングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
貴金属または貴金属を含む物質が、ルテニウム、白金、パラジウムのうち少なくとも１つの元素を含む薄膜であることを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】
アンモニアガスもしくは塩化水素ガスでクリーニングを行う際は、１枚以上２００枚以下のエッチング処理毎に行うことを特徴とする請求項１または３記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】
アンモニアガスもしくは塩化水素ガスでクリーニングを行う際は、１秒以上２０分以下であることを特徴とする請求項１または３記載のプラズマ処理方法。
【請求項８】
ドライエッチングプロセスに用いるガスは、塩素を含むガス、フッ素を含むガスおよびアルゴン、酸素であることを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項９】
塩素を含むガスは、塩素，三塩化ホウ素，フッ化塩素の何れかのガスであることを特徴とする請求項８記載のプラズマ処理方法。
【請求項１０】
フッ素を含むガスは、四フッ化炭素，三フッ化メタン，八フッ化四炭素，八フッ化五炭素の何れかのガスであることを特徴とする請求項８記載のプラズマ処理方法。
【請求項１１】
プラズマ源に印加する電力の周波数は５０ｋＨｚから３ＧＨｚであることを特徴とする請求項１から１０の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体等の電子デバイス製造に利用されるプラズマ処理方法に関し、特に、貴金属または貴金属を含む物質をエッチングする際のプラズマ処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体メモリ（記憶装置）において、従来、メモリキャパシタ構造を変革することによって、メモリキャパシタのキャパシタ容量の増大に対応してきたが、近年の微細化においては、構造の変革だけでは要望される容量を確保することが難しくなった。そのため、キャパシタ容量材料にチタン酸バリウム・ストロンチウム、チタン酸ジルコニウム鉛、タンタル酸ビスマス・ストロンチウムなどの誘電率の高いセラミック系酸化物が用いられるようになってきた。
【０００３】
これらのセラミック系酸化物から酸素が脱離すると、その特性が大きく悪化してしまうため、キャパシタ電極材料として、酸素との反応が低い材料、例えば、ルテニウム、白金、イリジウム、ロジウム、金などの貴金属やこれらの貴金属を含む化合物または合金が用いられる。これらの材料を用いて、微細なパターンを形成するには、これらの材料のエッチング技術が必要である。
【０００４】
以下、従来のエッチング方法の一例として、誘導結合型プラズマ源を用いた白金のドライエッチングについて、図１のドライエッチング装置の構造図を参照して説明する。
【０００５】
図１において、真空容器１内に、ガス供給装置２から所定のガスを導入し、ＭＦＣ３でガス流量を制御しつつ、排気装置としてのポンプ４により排気を行い、真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、プラズマ源用高周波電源５により１３．５６ＭＨｚの高周波電力をコイル６に供給することにより、真空容器１内にプラズマが発生し、基板電極７上に載置された基板８に対してエッチング処理を行うことができる。また、基板電極７に高周波電力を供給するための基板電極用高周波電源９が設けられており、基板８に到達するイオンエネルギーを制御することができるようになっている。
【０００６】
従来、白金のドライエッチングには、塩素ガスとアルゴンガスの混合ガスが用いられている。特許文献１及び２に記載された技術では、塩素ガスと酸素ガスとアルゴンガス、または、塩素ガスとアルゴンガスの混合ガスでエッチングしている。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−００９０４６号公報
【特許文献２】
特開２００１−３５１８９８号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来方法による白金のエッチングでは、エッチング処理時間が増すにつれて、図２に見られるように、真空容器１内に反応生成物１４が付着し続け、さらにはこれらの付着物が剥れることで、ダスト１５の発生に繋がるという問題点がある。このように、真空容器内にダストが存在し、基板パターン上に落下した場合、後の工程に影響を及ぼすとともに、デバイスの信頼性を著しく低下させてしまう。
【０００９】
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、白金等の貴金属をエッチングする際に、真空容器内に付着してダスト源となり得る反応性デポ物を取り除いて、ダストを減少させ、その結果として安定したエッチングが行え、信頼性の高い微細パターンを形成できるように、付着デポ物を揮発除去できるプラズマ処理方法を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本願の第１発明のプラズマ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板を載置する基板電極に対向して設けられたプラズマ源に高周波電力を印加することで、真空容器内にプラズマを発生させ、基板上の貴金属または貴金属を含む物質をエッチングするプラズマ処理方法であって、エッチングプロセス終了後、前記エッチングプロセスとは別のアンモニアガスを用いて前記真空容器内をクリーニングすることを特徴とする。
【００１１】
また、本願の第２発明のプラズマ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板を載置する基板電極に対向して設けられたプラズマ源に高周波電力を印加することで、真空容器内にプラズマを発生させ、基板上の貴金属または貴金属を含む物質をエッチングするプラズマ処理方法であって、エッチングプロセス終了後、前記エッチングプロセスで用いるガスにアンモニアガスを添加して真空容器内をクリーニングすることを特徴とする。
【００１２】
また、本願の第３発明のプラズマ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板を載置する基板電極に対向して設けられたプラズマ源に高周波電力を印加することで、真空容器内にプラズマを発生させ、基板上の貴金属または貴金属を含む物質をエッチングするプラズマ処理方法であって、エッチングプロセス終了後、前記エッチングプロセスとは別の塩化水素ガスを用いて前記真空容器内をクリーニングすることを特徴とする。
【００１３】
また、本願の第４発明のプラズマ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板を載置する基板電極に対向して設けられたプラズマ源に高周波電力を印加することで、真空容器内にプラズマを発生させ、基板上の貴金属または貴金属を含む物質をエッチングするプラズマ処理方法であって、エッチングプロセス終了後、前記エッチングプロセスで用いるガスに塩化水素ガスを添加して真空容器内をクリーニングすることを特徴とする。
【００１４】
このとき、本願の第１または第２、第３、第４発明のプラズマ処理方法において、好適には貴金属または貴金属を含む物質が、貴金属または貴金属を含む物質が、ルテニウム、白金、パラジウムなどのうち少なくとも１つの元素を含む薄膜であることが望ましい。
【００１５】
さらに、本願の第１または第３発明のプラズマ処理方法において、好適には、アンモニアガスもしくは塩化水素ガスでクリーニングを行う際は、１枚以上２００枚以下のエッチング処理毎に行うことが望ましい。更に好適には、アンモニアガスもしくは塩化水素ガスでクリーニングを行う際は、１秒以上２０分以下であることが望ましい。
【００１６】
また、本願の第１、第２、第３または第４発明のプラズマ処理方法において、好適には、ドライエッチングプロセスに用いるガスは、塩素を含むガス（塩素、三塩化ホウ素、フッ化塩素）、フッ素を含むガス（四フッ化炭素、三フッ化メタン、八フッ化四炭素、八フッ化五炭素）およびアルゴン、酸素であることが望ましい。
【００１７】
更に好適には、プラズマ源に印加する高周波電力の周波数が５０ｋＨｚから３ＧＨｚであることが望ましい。そして、好適には、プラズマ源は、誘導結合型プラズマ源または電子サイクロトロン共鳴プラズマ源またはヘリコン波プラズマ源もしくはアンテナ式プラズマ源であることが望ましい。
【００１８】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について、図１から図３を参照して説明する。
図１に、本発明の第１実施形態において用いたエッチング装置の断面図を示す。
【００１９】
図１において、真空容器１内に、ガス供給装置２から所定のガスを導入し、ＭＦＣ３でガス流量を制御しつつ、排気装置としてのポンプ４により排気を行い、真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、プラズマ源用高周波電源５により１３．５６ＭＨｚの高周波電力を真空容器１内に突出して設けられたコイルもしくはアンテナ６に供給することにより、真空容器１内にプラズマが発生し、基板電極７上に載置された基板８に対してエッチング処理を行うことができる。
【００２０】
また、基板電極７に１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給するための基板電極用高周波電源９が設けられており、基板８に到達するイオンエネルギーを制御することができるようになっている。コイルもしくはアンテナ６と真空容器１との間に誘電板１０が挟まれている。基板電極７内には、冷媒流路１１が設けられており、冷媒循環装置１２から冷媒が供給されており、また、基板電極７には基板８を基板電極７に対して、ＤＣ電源１３を用いて静電的に吸着する機構が備えられており、基板８を低温に保持することができるようになっている。
【００２１】
図１に示すエッチング装置において、ＧａＡｓ基板もしくはＳｉ基板上の白金２５０ｎｍの全面エッチングを行った。エッチング条件は、アルゴン／塩素＝９０／１０ｓｃｃｍ、圧力＝１．０Ｐａ、プラズマ源電力＝６００Ｗ、電極電力＝２００Ｗ、基板温度＝２０℃であり、クリーニング条件は、１ｓｌ毎にアンモニア＝１００ｓｃｃｍ、圧力＝２．０Ｐａ、プラズマ源電力＝２００Ｗ、電極電力＝５０Ｗ、基板温度＝２０℃、６０ｓｅｃで行った。
【００２２】
図３には、エッチング処理枚数と真空容器１内のダスト増加数の関係を示す。今回、パーティクルとしてカウントした大きさは０．２μｍ以上のダストである。従来のクリーニング処理なしにおいては、図３（ａ）より、２００ｓｌ積算時までは、パーティクルの増加数はいずれも２０個以下であるが、２００ｓｌ以降パーティクルが増加しはじめ、３００ｓｌ積算時には、２００個以上のパーティクルが計測された。しかしながら、図３（ｂ）に見られるように、アンモニアのガスクリーニングを行った場合は、３００ｓｌを超えてもパーティクルの増加は計測されなかった。この結果より、従来例と比べて飛躍的な改善がみられたことがわかる。
【００２３】
また、本実施形態においては、白金等の貴金属をエッチングする際に、真空容器内に付着してダスト源となり得る反応性デポ物を取り除いて、パーティクルを減少させることが可能となり、従来例と比べて、安定したエッチングが行え、信頼性の高い微細パターンを形成できる点において大きく改善した。
【００２４】
このように、従来例に比べて、エッチング処理後のパーティクル増加が観測されなかったのは、アンモニアのガスクリーニングの際に真空容器内に付着した反応生成物を除去した為だと考えられる。以下、これについて詳しく説明する。
【００２５】
今回、被エッチング膜として用いた白金は、エッチングプロセス中に塩素ガスと反応して、塩化白金（ＩＩ）が生成することを発見した。図４に示すように、従来の方法で白金をエッチング処理した後の真空容器内の付着物を採取し、成分分析を行った結果から明らかである。それに対して、本実施形態においては、アンモニアガスでプラズマ処理を行ったことで、塩化白金（ＩＩ）を揮発除去させるのに非常に効果的であったと言える。
【００２６】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について、図１及び図５を参照して説明する。本発明の第２実施形態において用いたエッチング装置は、既に図１において説明したので、ここでは説明を省略する。
【００２７】
図１に示すエッチング装置において、ＧａＡｓ基板もしくはＳｉ基板上の白金２５０ｎｍの全面エッチングを行った。エッチング条件は、アルゴン／塩素／アンモニア＝９０／１０／１０ｓｃｃｍ、圧力＝１．０Ｐａ、プラズマ源電力＝６００Ｗ、電極電力＝２００Ｗ、基板温度＝２０℃で行った。
【００２８】
図５には、エッチング処理枚数と真空容器１内のダスト増加数の関係を示す。今回、パーティクルとしてカウントした大きさは０．２μｍ以上のダストである。従来のクリーニング処理なしにおいては、図５（ａ）より、２００ｓｌ積算時までは、パーティクルの増加数はいずれも２０個以下であるが、２００ｓｌ以降パーティクルが増加しはじめ、３００ｓｌ積算時には、２００個以上のパーティクルが計測された。しかしながら、図５（ｂ）に見られるように、アンモニアをエッチングガスに添加した場合は、３００ｓｌを超えてもパーティクルの増加は計測されなかった。この結果より、従来例と比べて飛躍的な改善がみられたことがわかる。
【００２９】
また、本実施形態においては、白金等の貴金属をエッチングする際に、真空容器内に付着してダスト源となり得る反応性デポ物を取り除いて、パーティクルを減少させることが可能となり、従来例と比べて、安定したエッチングが行え、信頼性の高い微細パターンを形成できる点において大きく改善した。
【００３０】
このように、従来例に比べて、エッチング処理後のパーティクル増加が観測されなかったのは、エッチングプロセス中に真空容器内に付着した反応生成物を除去した為だと考えられる。以下、これについて詳しく説明する。
【００３１】
今回、被エッチング膜として用いた白金は、エッチングプロセス中に塩素ガスと反応して、塩化白金（ＩＩ）が生成することを発見した。図４に示すように、従来の方法で白金をエッチング処理した後の真空容器内の付着物を採取し、成分分析を行った結果から明らかである。それに対して、本実施形態においては、アンモニアガスをエッチングプロセスガスに添加してプラズマ処理を行ったことで、塩化白金（ＩＩ）を揮発除去させるのに非常に効果的であったと言える。
【００３２】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について、図１及び図６を参照して説明する。本発明の第３実施形態において用いたエッチング装置は、既に図１において説明したので、ここでは説明を省略する。
【００３３】
図１に示すエッチング装置において、ＧａＡｓ基板もしくはＳｉ基板上の白金２５０ｎｍの全面エッチングを行った。エッチング条件は、アルゴン／塩素＝９０／１０ｓｃｃｍ、圧力＝１．０Ｐａ、プラズマ源電力＝６００Ｗ、電極電力＝２００Ｗ、基板温度＝２０℃であり、クリーニング条件は、１ｓｌ毎に塩化水素＝１００ｓｃｃｍ、圧力＝２．０Ｐａ、プラズマ源電力＝２００Ｗ、電極電力＝５０Ｗ、基板温度＝２０℃、６０ｓｅｃで行った。
【００３４】
そして、エッチング処理枚数と真空容器１内のダスト増加数の関係を図６に示す。今回、パーティクルとしてカウントした大きさは０．２μｍ以上のダストである。従来のクリーニング処理なし図６（ａ）においては、図３（ａ）と同様で省略する。それに対して、図６（ｂ）に見られるように、塩化水素のガスクリーニングを行った場合は、３００ｓｌを超えてもパーティクルの増加は計測されなかった。この結果より、従来例と比べて飛躍的な改善がみられたことがわかる。
【００３５】
また、本実施形態においては、白金等の貴金属をエッチングする際に、真空容器内に付着してダスト源となり得る反応性デポ物を取り除いて、パーティクルを減少させることが可能となり、従来例と比べて、安定したエッチングが行え、信頼性の高い微細パターンを形成できる点において大きく改善した。
【００３６】
このように、従来例に比べて、エッチング処理後のパーティクル増加が観測されなかったのは、塩化水素のガスクリーニングの際に真空容器内に付着した反応生成物を除去した為だと考えられる。以下、これについて詳しく説明する。
【００３７】
今回、被エッチング膜として用いた白金は、エッチングプロセス中に塩素ガスと反応して、塩化白金（ＩＩ）が生成することを発見した（図３参照）。それに対して、本実施形態においては、塩化水素ガスでプラズマ処理を行ったことで、塩化白金（ＩＩ）を揮発除去させるのに非常に効果的であったといえる。
【００３８】
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について、図１及び図７を参照して説明する。本発明の第４実施形態において用いたエッチング装置は、既に図１において説明したので、ここでは説明を省略する。
【００３９】
図１に示すエッチング装置において、ＧａＡｓ基板もしくはＳｉ基板上の白金２５０ｎｍの全面エッチングを行った。エッチング条件は、アルゴン／塩素／塩化水素＝９０／１０／１０ｓｃｃｍ、圧力＝１．０Ｐａ、プラズマ源電力＝６００Ｗ、電極電力＝２００Ｗ、基板温度＝２０℃で行った。
【００４０】
図７には、エッチング処理枚数と真空容器１内のダスト増加数の関係を示す。今回、パーティクルとしてカウントした大きさは０．２μｍ以上のダストである。従来のクリーニング処理なしの図７（ａ）においては、図３（ａ）と同様で省略する。それに対して、図７（ｂ）に見られるように、塩化水素をエッチングガスに添加した場合は、３００ｓｌを超えてもパーティクルの増加は計測されなかった。この結果より、従来例と比べて飛躍的な改善がみられたことがわかる。
【００４１】
また、本実施形態においては、白金等の貴金属をエッチングする際に、真空容器内に付着してダスト源となり得る反応性デポ物を取り除いて、パーティクルを減少させることが可能となり、従来例と比べて、安定したエッチングが行え、信頼性の高い微細パターンを形成できる点において大きく改善した。
【００４２】
このように、従来例に比べて、エッチング処理後のパーティクル増加が観測されなかったのは、エッチングプロセス中に真空容器内に付着した反応生成物を除去した為だと考えられる。以下、これについて詳しく説明する。
【００４３】
今回、被エッチング膜として用いた白金は、エッチングプロセス中に塩素ガスと反応して、塩化白金（ＩＩ）が生成することを発見した。図４に示すように、従来の方法で白金をエッチング処理した後の真空容器内の付着物を採取し、成分分析を行った結果から明らかである。それに対して、本実施形態においては、塩化水素ガスをエッチングプロセスガスに添加してプラズマ処理を行ったことで、塩化白金（ＩＩ）を揮発除去させるのに非常に効果的であったといえる。
【００４４】
以上述べた本発明の実施形態において、被エッチング物が白金である場合を例示したが、その他、貴金属または貴金属を含む物質が、ルテニウム、白金、パラジウムなどのうち少なくとも１つの元素を含む薄膜にも、本発明は適応可能である。
【００４５】
また、本発明の実施形態において、アンモニアガスもしくは塩化水素ガスでクリーニングを行う際は、１枚以上２００枚以下のエッチング処理毎に行うことができる。
【００４６】
また、本発明における、アンモニアガスもしくは塩化水素ガスでクリーニングを行う際は、１秒以上２０分以下である方が望ましい。１秒以下であると付着したデポ物と反応して揮発するのに不十分であるという欠点があり、２０分以上行うのは生産タクトの観点から不利となる。
【００４７】
また、本発明で、ドライエッチングプロセスに用いるガスは、塩素を含むガス（塩素、三塩化ホウ素、フッ化塩素）、フッ素を含むガス（四フッ化炭素、三フッ化メタン、八フッ化四炭素、八フッ化五炭素）およびアルゴン、酸素を用いることができる。
【００４８】
また、本発明の実施形態において、プラズマ源に印加する電力の周波数が１３．５６ＭＨｚを用いた場合を例示したが、プラズマ源はこれに限定されるものではなく、周波数５０ｋＨｚ乃至３ＧＨｚの高周波電力を印加することによりプラズマを発生させるプラズマ源を用いることができる。
【００４９】
更に、本発明の実施形態において、プラズマ源は、誘導結合型プラズマ源または電子サイクロトロン共鳴プラズマ源またはヘリコン波プラズマ源もしくはアンテナ式プラズマ源であっても可能である。
【００５０】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本願の第１発明のプラズマ処理方法によれば、真空容器内にガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板を載置する基板電極に対向して設けられたプラズマ源に高周波電力を印加することで、真空容器内にプラズマを発生させ、基板上の貴金属または貴金属を含む物質をエッチングするプラズマ処理方法であって、エッチングプロセス終了後、前記エッチングプロセスとは別のアンモニアガスを用いて前記真空容器内をクリーニングすることで、白金等の貴金属をエッチングする際に、真空容器内に付着してダスト源となり得る反応性デポ物を取り除いて、ダストを減少させ、その結果として安定したエッチングが行え、信頼性の高い微細パターンを形成できるように、付着デポ物を揮発除去できる。
【００５１】
また、本願の第２発明のプラズマ処理方法によれば、真空容器内にガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板を載置する基板電極に対向して設けられたプラズマ源に高周波電力を印加することで、真空容器内にプラズマを発生させ、基板上の貴金属または貴金属を含む物質をエッチングするプラズマ処理方法であって、エッチングプロセス終了後、前記エッチングプロセスで用いるガスにアンモニアガスを添加して真空容器内をクリーニングすることで、白金等の貴金属をエッチングする際に、真空容器内に付着してダスト源となり得る反応性デポ物を取り除いて、ダストを減少させ、その結果として安定したエッチングが行え、信頼性の高い微細パターンを形成できるように、付着デポ物を揮発除去できる。
【００５２】
また、本願の第３発明のプラズマ処理方法によれば、真空容器内にガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板を載置する基板電極に対向して設けられたプラズマ源に高周波電力を印加することで、真空容器内にプラズマを発生させ、基板上の貴金属または貴金属を含む物質をエッチングするプラズマ処理方法であって、エッチングプロセス終了後、前記エッチングプロセスとは別の塩化水素ガスを用いて前記真空容器内をクリーニングすることで、白金等の貴金属をエッチングする際に、真空容器内に付着してダスト源となり得る反応性デポ物を取り除いて、ダストを減少させ、その結果として安定したエッチングが行え、信頼性の高い微細パターンを形成できるように、付着デポ物を揮発除去できる。
【００５３】
更に、本願の第４発明のプラズマ処理方法によれば、真空容器内にガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板を載置する基板電極に対向して設けられたプラズマ源に高周波電力を印加することで、真空容器内にプラズマを発生させ、基板上の貴金属または貴金属を含む物質をエッチングするプラズマ処理方法であって、エッチングプロセス終了後、前記エッチングプロセスで用いるガスに塩化水素ガスを添加して真空容器内をクリーニングすることで、白金等の貴金属をエッチングする際に、真空容器内に付着してダスト源となり得る反応性デポ物を取り除いて、ダストを減少させ、その結果として安定したエッチングが行え、信頼性の高い微細パターンを形成できるように、付着デポ物を揮発除去できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態および第２実施形態で用いたエッチング装置の構成を示す断面図
【図２】従来方法におけるエッチング処理中のエッチング装置内の様子を示す断面図
【図３】本発明の第１実施形態におけるエッチング処理枚数と真空容器内のダスト増加数との関係を示す図
【図４】従来方法におけるエッチング処理後の真空容器内から採取した反応生成物の成分分析結果を示す図
【図５】本発明の第２実施形態におけるエッチング処理枚数と真空容器内のダスト増加数との関係を示す図
【図６】本発明の第３実施形態におけるエッチング処理枚数と真空容器内のダスト増加数との関係を示す図
【図７】本発明の第４実施形態におけるエッチング処理枚数と真空容器内のダスト増加数との関係を示す図
【符号の説明】
１  真空容器
２  ガス供給装置
３  ＭＦＣ（マスフローコントローラ）
４  ポンプ
５  プラズマ源用高周波電源
６  コイルもしくはアンテナ
７  基板電極
８  基板
９  基板電極用高周波電源
１０  誘電板
１１  冷媒流路
１２  冷媒循環装置
１３  ＤＣ電源
１４  反応生成物
１５  ダスト
【図１】
2004247553.tif 000003
【図２】
2004247553.tif 000004
【図３】
2004247553.tif 000005
【図４】
2004247553.tif 000006
【図５】
2004247553.tif 000007
【図６】
2004247553.tif 000008
【図７】
2004247553.tif 000009