(57)【要約】【課題】本発明の目的は、電気特性に優れた高密度配線を有するモールド樹脂１０で成型されたマルチチップモジュール１９の形成方法を提供するものである。【解決手段】ガラスまたはシリコンウェハ基板１の一部分に有機樹脂との接着性を向上させるアルミキレート材２を形成、ポリイミド骨格または、エポキシ骨格を有する有機樹脂を塗布し、電気めっきまたはエッチングを用いて配線を形成、電子部品搭載、電子部品と配線の間にアンダーフィル形成、モールド形成１０を行った後、有機樹脂との接着性を向上させる材料を形成した部分２を切断し、有機樹脂と基板１を剥離する工程を有する電子部品を搭載した薄膜配線基板の製造方法を提供する。【選択図】　　　　図１２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスまたはシリコンウェハまたは金属板からなる基板の一部分に有機樹脂との接着性を向上させる材料を形成し、有機樹脂の塗布、配線形成、電子部品搭載を行った後、有機樹脂との接着性を向上させる材料を形成した部分を切断し、有機樹脂と前記基板を剥離する工程を有する電子部品を搭載した薄膜配線基板の製造方法。
【請求項２】
ガラスまたはシリコンウェハまたは金属板からなる基板の一部分に有機樹脂との接着性を向上させる材料を形成し、かつ、前記基板の一部分に有機樹脂との接着性を阻害させる材料を形成し、有機樹脂の塗布、配線形成、電子部品搭載を行った後、有機樹脂との接着性を向上させる材料を形成した部分を切断し、有機樹脂と前記基板を剥離する工程を有する電子部品を搭載した薄膜配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の電子部品を搭載した薄膜配線基板の製造方法であって、基板として、ガラスまたはシリコンウェハを用い、有機樹脂として、ポリイミド骨格または、エポキシ骨格を有する樹脂を用い、有機樹脂との接着性を向上させる材料として、アルミキレートを用い、有機樹脂との接着性を阻害させる材料として、金、白金、パラジウム、銅およびそれらの含む合金、又は必要に応じてそれらの金属の上に前記有機樹脂との接着力を向上させるチタン、クロムおよびそれらの含む合金を用いることを特徴とする電子部品を搭載した薄膜配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のうちいずれか１項記載の電子部品を搭載した薄膜配線基板の製造方法であって、電子部品搭載を行った後に、モールド形成を行った後、有機樹脂との接着性を向上させる材料を形成した部分を切断することを特徴とする電子部品を搭載した薄膜配線基板の製造方法
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のうちいずれか１項記載の電子部品を搭載した薄膜配線基板の製造方法によって製造されたマルチチップモジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板の製造方法およびそれによって製造されたマルチチップモジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
支持基板の中に、回路が形成され、表面層に薄膜配線基板が形成される形態は、大形計算機等に用いられているポリイミドセラミクス基板がある。例えば、非特許文献１には、大形計算機に用いられている配線基板（ポリイミドセラミクス基板）の記載がある。ページ２７４の図６の記載は、断面方向の縮尺が説明のため変えてあるが、実際には、ページ２７５の写真に記載があるように、大部分がセラミクスであり、その表面に極薄い薄膜配線基板が形成されている。
【０００３】
また、犠牲基板を用いて薄形パッケージを形成する例として、特許文献１がある。
【０００４】
【非特許文献１】
本多進監修、「マルチチップ実装技術」、第１版、トリケップス出版部、平成３年３月、ｐ．２７４−２７５
【特許文献１】
特開２０００−２１９１９号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来の技術は、回路が形成されたプリント基板やセラミクス基板の表面に薄膜配線形成工程を用いて、微細配線を形成してきた。しかし、この方法では、プリント基板やセラミクス基板を支持基板として用いているため、ある程度の厚さが必要である。従来は、搭載部品が大きかったため問題となることは少なかったが、近年では、その厚さは搭載する電子部品と同等の厚さとなり、機器の薄型化を妨げている。本発明では、仮基板の上に回路を形成し、回路を形成した後に、仮基板を分離することで、極薄形の回路基板を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
近年では、電子機器は小型化するのみでなく、薄型化という要求が大きい。従来用いられてきた技術では、薄膜配線層は薄いが、それを支持している基板が厚いため、薄型化を阻害していた。
【０００７】
本発明では、基板の一部分に有機樹脂との接着性を向上させる材料を形成し、有機樹脂の塗布、配線形成、電子部品搭載を行った後、有機樹脂との接着性を向上させる材料を形成した部分を切断し、有機樹脂と基板を剥離する工程を有する電子部品を搭載した薄膜配線基板の製造方法を提供する。
【０００８】
また、ガラスまたはシリコンウェハまたは金属板からなる基板の一部分に有機樹脂との接着性を向上させる材料を形成し、かつ、ガラスまたはシリコンウェハまたは金属板の一部分に有機樹脂との接着性を阻害させる材料を形成し、有機樹脂の塗布、配線形成、電子部品搭載を行った後、有機樹脂との接着性を向上させる材料を形成した部分を切断し、有機樹脂と基板を剥離する工程を有する電子部品を搭載した薄膜配線基板の製造方法を提供する。
【０００９】
基板として、ガラスまたはシリコンウェハを用い、有機樹脂として、ポリイミド骨格または、エポキシ骨格を有する樹脂を用い、有機樹脂との接着性を向上させる材料として、アルミキレートを用い、有機樹脂との接着性を阻害させる材料として、金、白金、パラジウム、銅およびそれらの含む合金、又は必要に応じてそれらの金属の上に前記有機樹脂との接着力を向上させるチタン、クロムおよびそれらを含む合金を用いる。
【００１０】
これらの方法を用いることで、支持基板を有することない薄形基板を形成することでき、複数個の電子部品を搭載することでマルチチップモジュールを製造することが出来る。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施例について図を併用しつつ説明する。なお、全ての図において、同一符号は同一部位を示しているため、重複する説明を省いている場合があり、また説明を容易にするため各部の寸法比を実際とは変えてある。
【００１２】
［図１工程（１）］
本実施例の基板として、ガラス基板１を用いる。基板１には、シリコンウェハを用いても良いが、コストの点からは、ガラス基板が好ましい。その上に、有機樹脂との接着性を向上させる材料であるアルミキレート材２を図のように、基板周辺部のみに形成し加熱処理を行う。ここでのアルミキレート材としては、日立化成工業（株）製ＰＩＱ　ＣＯＵＰＬＥＲを用いた。塗布後に、空気中で３５０℃、３０分の熱処理を行った。
【００１３】
有機樹脂材料の種類によっては、基板１との接着性があるものがある。その場合、図１１に示すように、有機樹脂材料と基板１が接着力を有しないように、接着阻害層１８を形成する。接着阻害層は、基板１と図１（２）に示す絶縁層３の少なくとも一方との接着力がないことが必要である。また、工程中にかかる熱工程に耐えることが必要である。ここに用いる材料としては、貴金属が好ましく、その中でも、金は蒸着成膜が出来、接着力がなく、また、耐熱性が良好であるため、適当である。また、材料費削減の点からは、Ｃｕ／Ｃｒの多層スパッタ膜を用いることが適当である。
【００１４】
図１（２）に示す、絶縁層３と基板１の接着力を得るために形成するアルミキレート材であるが、モジュールの収量を得るためには、出来るだけ狭い部分に形成することが好ましい。また、図１３に示すように、４角のみを留めることも可能であるが、ウェット工程時の剥離防止の観点からは、図１に示すとおり、周辺部分を囲む方が好ましい。
【００１５】
本実施例では、後述する工程で、図１（１）に示されたものに、有機樹脂の塗布、配線形成、電子部品搭載等を行い、図１２（上段）に示すように、基板１上にモジュール１９を複数個形成する。そのうちの１個のモジュールの拡大図を図１２（中段）に示す。さらに、この１個のモジュールの部分拡大断面図を図１２（下段）に示す。図１から図３の断面図については、左右の波線で、アルミキレート材２が形成された周辺部と中央部を分けて示しているが、この中央部は図１２（下段）に示された部分を代表して図示する。図４以降の断面図については、図面が複雑になるため波線を省略する。図面では簡略して一部の構造のみを示しているが、これは工程の説明をわかりやすくするためであり、実際には図４までの工程によって図１２に示すものが製造される。
【００１６】
［図１工程（２）］
基板１上に、有機樹脂材料としてポリイミドを用いて絶縁層３を形成した。また、絶縁層の材料として、ポリイミドを用いたが、基板との接着性に乏しく、エポキシなどの樹脂を用いても問題はない。
【００１７】
［図２工程（３）］
電気めっきを実施するための給電膜４を全面に形成する。ここでは、蒸着や、無電解銅めっき、ＣＶＤなども用いることが可能であるが、ポリイミドとの接着強度が強いためスパッタを用いることとした。スパッタの前処理として、導体の導通を確保するためにスパッタエッチングを行った。
【００１８】
本実施例におけるスパッタ膜としては、クロム（７５ナノメートル）／銅（０．５マイクロメートル）の多層膜を形成した。ここでのクロムの機能は、その上下に位置する銅と絶縁層３との接着を確保することにあり、その膜厚はそれらの接着を維持する最低限でかまわない。所要膜厚は、スパッタエッチングおよびスパッタの条件、クロムの膜質などによっても変動する。なお、本実施例で使用したクロム膜に代えてチタン膜やチタン／白金膜、タングステンなどでも代替できる。
【００１９】
一方、銅の膜厚は、後の工程で電気ニッケルめっき膜６を形成したときに、膜厚分布が生じない最小限度の膜厚が好ましく、めっき前処理として行なう酸洗などでの膜減り量も考慮に入れたうえで膜厚分布を誘発しない膜厚を決定する。銅の膜厚を必要以上に厚くした場合、例えば１マイクロメートルを越える銅厚の場合には、スパッタ時間が長くなって生産効率が低下するという問題に加えて、後の工程で実施する給電膜４のエッチング除去の際に長時間エッチングが避けられず、その結果として電気ニッケルめっき６のサイドエッチングが大きくなる。
【００２０】
［図２工程（４）］
ホトリソグラフィー技術を用い、電気ニッケルめっき６を形成する部分のみが開口した配線の逆パターン５をレジストを用いて形成する。
【００２１】
［図２工程（５）］
電極６は電気ニッケル膜からなる電気ニッケルめっき６を形成する。ここでの膜厚は、後の工程（１６）でこの部分をレーザーで開口する際に耐えることが出来かつ、この開口部分に搭載するはんだの拡散を防止することが出来る最低限度の膜厚が必要である。
【００２２】
本実施例では、電気ニッケルめっきに、ワット浴を用いたが、めっき液の種類は問わない。界面活性剤による洗浄、水洗、希硫酸による洗浄、水洗を行った後、給電膜４を陰極に接続し、ニッケル板を陽極に接続して電気ニッケル膜を形成した。なお、ここで形成するニッケルは電気めっきを用いて形成する方法を示したが、無電解めっきを用いることも可能である。また、組成は、ニッケル合金であってもよい。
【００２３】
［図２工程（６）］
フォトレジストからなる配線の逆パターン５および電気めっきの給電膜４をエッチング処理により除去する。電気銅めっき膜および電気ニッケルめっき膜を形成したのちにレジストを使用した配線の逆パターン５を除去し、エッチング処理をすることで予め成膜した給電膜４を除去する。銅のエッチングには、塩化第二鉄、アルカリ系エッチング液等の種類があるが、本実施例では硫酸／過酸化水素水を主成分とするエッチング液を用いた。１０秒以上のエッチング時間がないと制御が困難となって実用的観点では不利であるが、あまりに長い時間エッチングを行なうと、サイドエッチングが大きくなったりタクトが長くなるという問題も生じるため、エッチング液およびエッチング条件は、適宜実験により求めるのがよい。引き続いて実施する給電膜４のクロム部分のエッチングには、クロムのエッチング液には、フェリシアン系、塩酸系等の種類があるが、本実施例では、過マンガン酸カリウムとメタケイ酸を主成分とするエッチング液を用いた。
【００２４】
［図２工程（７）］
感光性ポリイミドを用いて絶縁層３を形成し、端子となる部分を開口させる。開口方法については、感光性ポリイミドを用いたが、全面にポリイミドを塗布し、レーザー加工やドライエッチングなどの手法を用いても問題はない。また、絶縁層の材料として、ポリイミドを用いたが、エポキシなどの樹脂を用いても問題ではなく、また、場合によっては、無機系の絶縁層を用いても良い。
【００２５】
［図３工程（８）］
電気めっきを実施するための給電膜４を全面に形成する。ここでは、蒸着や、無電解銅めっき、ＣＶＤなども用いることが可能であるが、ポリイミドとの接着強度が強いためスパッタを用いることとした。スパッタの前処理として、導体の導通を確保するためにスパッタエッチングを行った。
【００２６】
本実施例におけるスパッタ膜としては、クロム（７５ナノメートル）／銅（０．５マイクロメートル）の多層膜を形成した。ここでのクロムの機能は、その上下に位置する銅と絶縁層３との接着を確保することにあり、その膜厚はそれらの接着を維持する最低限でかまわない。所要膜厚は、スパッタエッチングおよびスパッタの条件、クロムの膜質などによっても変動する。なお、本実施例で使用したクロム膜に代えてチタン膜やチタン／白金膜、タングステンなどでも代替できる。
【００２７】
一方、銅の膜厚は、後の工程で電気銅めっき膜１５及び電気ニッケルめっき膜６を形成したときに、膜厚分布が生じない最小限度の膜厚が好ましく、めっき前処理として行なう酸洗などでの膜減り量も考慮に入れたうえで膜厚分布を誘発しない膜厚を決定する。銅の膜厚を必要以上に厚くした場合、例えば１マイクロメートルを越える銅厚の場合には、スパッタ時間が長くなって生産効率が低下するという問題に加えて、後の工程で実施する給電膜４のエッチング除去の際に長時間エッチングが避けられず、その結果として電気ニッケルめっき６のサイドエッチングが大きくなる。
【００２８】
［図３工程（９）］
ホトリソグラフィー技術を用い、電気ニッケルめっき６を形成する部分のみが開口した配線の逆パターン５をレジストを用いて形成する。
【００２９】
配線は、硫酸・硫酸銅めっき液を用い、界面活性剤による洗浄、水洗、希硫酸による洗浄、水洗を行った後、給電膜４を陰極に接続し、リンを含有する銅板を陽極に接続して電気銅めっき膜１５を形成した。はんだ拡散防止膜である電気ニッケルめっき膜６は、給電膜４を陰極に接続し、ニッケル板を陽極に接続して電気ニッケル膜を形成した。電気ニッケルめっき膜を形成する前に、界面活性剤による洗浄、水洗、希硫酸による洗浄、水洗を行うと良好な膜質の電気ニッケルめっき膜が得られる場合がある。なお、銅、ニッケルとも電気めっきを用いて導体を形成する方法を示したが、無電解めっきを用いることも可能である。また、配線は銅以外に、金または銀を包含するものであってもよく、はんだ拡散防止膜である電気ニッケルめっき膜６は、ニッケル合金であってもよい。
【００３０】
［図３工程（１０）］
フォトレジストからなる配線の逆パターン５および電気めっきの給電膜４をエッチング処理により除去する。電気銅めっき膜および電気ニッケルめっき膜を形成したのちにレジストを使用した配線の逆パターン５を除去し、エッチング処理をすることで予め成膜した給電膜４を除去する。銅のエッチングには、塩化第二鉄、アルカリ系エッチング液等の種類があるが、本実施例では硫酸／過酸化水素水を主成分とするエッチング液を用いた。１０秒以上のエッチング時間がないと制御が困難となって実用的観点では不利であるが、あまりに長い時間エッチングを行なうと、サイドエッチングが大きくなったりタクトが長くなるという問題も生じるため、エッチング液およびエッチング条件は、適宜実験により求めるのがよい。引き続いて実施する給電膜４のクロム部分のエッチングには、クロムのエッチング液には、フェリシアン系、塩酸系等の種類があるが、本実施例では、過マンガン酸カリウムとメタケイ酸を主成分とするエッチング液を用いた。
【００３１】
［図３工程（１１）］
感光性ポリイミドを用いて絶縁層３を形成し、端子となる部分を開口させる。開口方法については、感光性ポリイミドを用いたが、全面にポリイミドを塗布し、レーザー加工やドライエッチングなどの手法を用いても問題はない。また、絶縁層の材料として、ポリイミドを用いたが、エポキシなどの樹脂を用いても問題ではなく、また、場合によっては、無機系の絶縁層を用いても良い。
【００３２】
［図４工程（１２）］
図１から図３の工程で形成した配線基板１２の上に、電子部品８を搭載する。電子部品８の搭載方法であるが、はんだボール７を電子部品側に形成することが一般的であり、電子部品８にはんだボール７を形成し、図３（１１）に示すバンプパッド１４上にフラックスと共に搭載し、加熱することでバンプパッド１４にはんだボール７を接続する。しかし、図１および図２の工程で形成した配線基板１２側に形成することも可能である。バンプパッド１４上に所定量のフラックスとはんだボールを搭載する。この際、はんだボールはフラックスの粘着力によりバンプパッド上に仮固定される。はんだボールが搭載された図１および図２の工程で形成した配線基板１２または電子部品８をリフロー炉に投入することではんだボールは一旦溶融し、その後再び固体化することで、はんだボール７が搭載され、その上に電子部品８を搭載するものである。
【００３３】
はんだをはんだボールで供給する以外にも、印刷機を用いてはんだペーストをバンプパッド１４上に印刷塗布し、これをリフローすることではんだバンプ形成する方法もある。何れの方法においてもはんだ材料は様々なものを選択することが可能となり、現時点において市場に供給されているはんだ材料の多くが使用できる。この他、はんだ材料は限定されるものの、めっき技術を用いることで、はんだバンプを形成する方法もある。また、金や銅を核としたボールを使用したバンプや導電材料を配合した樹脂を使用して形成したバンプを使用しても良い。本実施例では、はんだ拡散による拡散層の厚さによって、電気ニッケルめっき膜６の必要膜厚を決定し、その条件として、はんだの種類やリフロー条件によって異なってくる。はんだボール搭載時のリフロー条件は、ベルト式のリフロー炉を用い、最大温度２４５℃、２３０℃以上で３０秒保持される時間でリフローを行った。また、用いたはんだボールは、ＳｎとＣｕを主成分とし、第三成分として、Ｂｉ、Ａｇを添加したものを用いた。この場合、リフロー回数をリペア工程も考慮して、８回とすると、２マイクロメータが最低値であった。
【００３４】
そして、図１から図３の工程で形成した配線基板１２と図４工程（１２）で搭載した電子部品８の間に、アンダーフィル９を注入する。注入後、加熱硬化を行う。ここでは、エポキシ樹脂から成るアンダーフィルを用い、注入後に２００℃で６０分加熱硬化させた。なお、部品が小さい場合には、必ずしもアンダーフィルを必要としない。
【００３５】
［図４工程（１３）］
アンダーフィル９を充てんした後、モールド樹脂１０で図１ないし図３の工程で形成した配線基板１２とアンダーフィル９を注入した電子部品８を硬化させた。モールドは、トランスファモールド法を用いた。モールド樹脂は、エポキシ樹脂から成るモールド樹脂を用い、注入後に２００℃で３分で成型させ、その後、１７０℃で８時間２次硬化させた。
【００３６】
図４（１３）の断面図では、簡略して一部の構造のみを示しているが、実際には、これまでの工程によって図１２に示すものが製造されている。
【００３７】
［図５工程（１４）］
図１（１）で形成した有機樹脂との接着性を向上させる材料であるアルミキレート材２を含むように切断部分１１で切断する。この時に、図１２（上段）に示す複数のモジュール１９が形成された基板１を、図１６に示すようにスクライブライン２３に沿って、ダイシングを行うことによって、アルミキレート材２を含む部分を切断すると共に、図１７に示すように各モジュール１９を分離する。なお、アルミキレート材２を含む部分の切断とは別工程で各モジュールを分離してもよい。
【００３８】
［図５工程（１５）］
基板１（図５（１４）に示す）とポリイミドを用いた絶縁層３と剥離する。この時には、すでに図５工程（１４）でアルミキレート材２を含む部分が除去されており、ポリイミドを用いた絶縁層３と基板１との接着性は低いため、モールド樹脂１０を保持して機械的に剥がすことが出来る。
【００３９】
［図５工程（１６）］
はんだを搭載するためのバンプパッド１４を形成した。形成方法は、レーザー加工、ドライエッチング等のポリイミドを除去することが可能な既存の技術を用いることが可能である。
【００４０】
［図６工程（１７）］
エッチング処理をすることで予め成膜した給電膜４を除去する。給電膜４のクロム部分のエッチングには、クロムのエッチング液には、フェリシアン系、塩酸系等の種類があるが、本実施例では、過マンガン酸カリウムとメタケイ酸を主成分とするエッチング液を用いた。引き続いて実施する銅のエッチングには、塩化第二鉄、アルカリ系エッチング液等の種類があるが、本実施例では硫酸／過酸化水素水を主成分とするエッチング液を用いた。１０秒以上のエッチング時間がないと制御が困難となって実用的観点では不利であるが、あまりに長い時間エッチングを行なうと、サイドエッチングが大きくなったりタクトが長くなるという問題も生じるため、エッチング液およびエッチング条件は、適宜実験により求めるのがよい。
【００４１】
プリント基板などとの接続用のはんだボール７をバンプパッド１４上に搭載する方法について記述する。バンプパッド１４上にフラックスと共に搭載し、加熱することではんだボール７を接続する。なお、はんだボール７は、バンプパッド１４側に形成することも、搭載基板上に形成することも可能である。この場合、搭載基板上に所定量のフラックスとはんだボール７を搭載する。この際、はんだボールはフラックスの粘着力によりバンプパッド上に仮固定される。はんだボールが搭載された搭載基板または図６工程（１７）の上にはんだボール７を搭載したものをリフロー炉に投入することではんだボールは一旦溶融し、その後再び固体化することではんだボール７が搭載されるものである。はんだをはんだボールで供給する以外にも、印刷機を用いてはんだペーストを印刷塗布し、これをリフローすることではんだバンプ形成する方法もある。何れの方法においてもはんだ材料は様々なものを選択することが可能となり、現時点において市場に供給されているはんだ材料の多くが使用できる。この他、はんだ材料は限定されるものの、めっき技術を用いることで、はんだバンプを形成する方法もある。また、金や銅を核としたボールを使用したバンプや導電材料を配合した樹脂を使用して形成したバンプを使用しても良い。先に、図４工程（１２）で記述したが、本実施例では、はんだ拡散による拡散層の厚さによって、電気ニッケルめっき膜６の必要膜厚を決定する必要があり、その条件として、はんだの種類やリフロー条件によって異なってくる。はんだボール搭載時のリフロー条件は、ベルト式のリフロー炉を用い、最大温度２４５℃、２３０℃以上で３０秒保持される時間でリフローを行った。また、用いたはんだボールは、ＳｎとＣｕを主成分とし、第三成分として、Ｂｉ、Ａｇを添加したものを用いた。この場合、リフロー回数をリペア工程も考慮して、８回とすると、２マイクロメータが最低値であった。
【００４２】
本工程を用いて製造したマルチチップモジュールの斜視図を図７に示す。この図では、モールド樹脂１０の内部を透過するように記してある。
【００４３】
図６と図７の関係を図１８を用いて説明する。図１８（上段左）に１枚の基板を用いて作成された複数のモジュールが示されている。そのうちの１個のモジュールが図１８（上段右）に拡大して示されており、これが図７に示すものである。そして、図１８（下段）に示すモジュールの一部断面図に対応するものが図６に示されたものである。図６までの図では、工程の説明をわかりやすくするために、モジュールの一部だけを図示しているが、図６までの工程で実際に製造されたものは図７に示されたものである。
【００４４】
以上の工程で製造したモジュール１９は、図１９に示されるように、プリント基板２４に搭載される。プリント基板上には、本実施例により形成したモジュール以外に、他の電子部品（表示素子、受動素子、能動素子、ＬＳＩ）２５〜２７も共に実装される。
【００４５】
本発明の応用形態として、配線を多層化した形態を図８に示す。図１から図３で形成した配線基板１２の上に、同様な工程を行うことで、２層目配線１３を形成したものである。
【００４６】
配線を多層化した別の形態を図９に示す。多層化する場合、第１層目の電気ニッケルめっき６（図８に記載）は、必ずしも形成する必要はない。図１から図３で形成した配線基板１２（電気銅めっき膜１５のみで電気ニッケルめっきは行わない）の上に、同様な工程を行うことで、２層目配線１３を形成したものである。
【００４７】
配線の層構成の別の形態を図１０に示す。図２に記した電極を配線と兼用するものである。電極として用いた場合は、電気ニッケルめっき膜単層であったが、電気ニッケルめっき膜６の上に、電気銅めっき膜１５を形成することが望ましい。更にその上に電気ニッケルめっき膜６を形成することも可能である。
【００４８】
配線の層構成の別の形態を図１４に示す。この場合、グランド層として第１配線層を用いる場合、表面に電気ニッケルめっきを形成することは電気的に好ましくない。この為、配線材料として、アルミ２２を用いたものである。
【００４９】
図１５は、グランドの材料として、クロム２０と銅２１を用いたものである。何れの応用形態においても、これらの材料の組合せを各層に用いることが可能である。また、本発明においては、その層数を規定するものではない。
【００５０】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【００５１】
【発明の効果】
本発明によれば、電子部品を搭載したモジュール基板を低コストで形成することが可能である。また、通常の工程では構造体となる基板（ここでは、ガラス基板）を剥離することで、基板を薄型化する事が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の配線基板の製造工程（１）〜（２）示す図である。
【図２】本発明の実施例の配線基板の製造工程（３）〜（７）を示す図である。
【図３】本発明の実施例の配線基板の製造工程（８）〜（１１）を示す図である。
【図４】本発明の実施例の配線基板の製造工程（１２）〜（１３）を示す図である。
【図５】本発明の実施例の配線基板の製造工程（１４）〜（１６）を示す図である。
【図６】本発明の実施例の配線基板の製造工程（１７）を示す図である。
【図７】本発明の実施例の製造方法で製造されたマルチチップモジュールの例を示す図である。
【図８】配線を２層とした場合の実施の形態例（１）を示す図である。
【図９】配線を２層とした場合の実施の形態例（２）を示す図である。
【図１０】配線を２層とした場合の実施の形態例（３）を示す図である。
【図１１】図１に示す工程（１）の改良案を示す図である。
【図１２】本発明の実施例における、基板１とアルミキレート材２と基板上に配置されたモジュール１９と、そのうちの１個のモジュールの拡大図と、その部分拡大断面を示す図である。
【図１３】アルミキレート材の形成方法例を示す図である。
【図１４】配線を２層とした場合の実施の形態の例（４）を示す図である。
【図１５】配線を２層とした場合の実施の形態の例（５）を示す図である。
【図１６】本発明の実施例におけるスクライブラインを示す図である。
【図１７】本発明の実施例におけるダイシングされた後のモジュールを示す図である。
【図１８】本発明の実施例におけるダイシングされた後のモジュールとその拡大図とその部分拡大断面を示す図である。
【図１９】本発明の実施例におけるモジュールをプリント基板上に実装した図である。
【符号の説明】
１…基板、２…アルミキレート材、３…絶縁層、４…給電膜、５…配線の逆パターン、６…電気ニッケルめっき膜、７…はんだボール、８…電子部品、９…アンダーフィル、１０…モールド樹脂、１１…切断部分、１２…配線基板、１３…２層目配線、１４…バンプパッド、１５…電気銅めっき膜、１８…接着阻害層（貴金属）、１９…モジュール、２０…クロム、２１…銅、２２…アルミ、２３…スクライブライン、２４…プリント基板、２５…他の電子部品（表示素子）、２６…他の電子部品（受動素子、能動素子）、２７…他の電子部品（ＬＳＩ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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