(57)【要約】【課題】より簡略な構造で、より大きな範囲で精密に温度を調節して、試料を微細に加工することのできる真空処理装置用の試料載置装置を提供する。【解決手段】真空処理室内で試料を載置して保持する支持ブロック４と、内部に冷媒流路１１，１２を備え、かつ前記支持ブロック４を支持する電極ブロック１を備えた空処理装置用の試料載置装置であって、前記電極ブロック１は該電極ブロック１及び前記支持ブロック４の周辺部を介して前記支持ブロック４を支持し、前記電極ブロック１及び支持ブロック４からなる試料載置部の中央部に冷媒を流すことのできる空間１４を形成した。【選択図】        図２
2004273619.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理室内で試料を載置して保持する支持ブロックと、
内部に冷媒流路を備え、かつ前記支持ブロックを支持する電極ブロックを備えた空処理装置用の試料載置装置であって、
前記電極ブロックは該電極ブロック及び前記支持ブロックの周辺部を介して前記支持ブロックを支持し、前記電極ブロック及び支持ブロックからなる試料載置部の中央部に冷媒を流すことのできる空間を形成したことを特徴とする真空処理装置用の試料載置装置。
【請求項２】
真空処理室内で試料を載置して保持する支持ブロックと、
内部に冷媒流路を備え、かつ前記支持ブロックを支持する電極ブロックを備えた空処理装置用の試料載置装置であって、
前記電極ブロックは該電極ブロック及び前記支持ブロックの周辺部を介して前記支持ブロックを支持し、前記電極ブロック及び支持ブロックからなる試料載置部の中央部に冷媒を流すことのできる空間を形成し、前記電極ブロックの内部に形成した冷媒流路の流出口を前記空間に接続したことを特徴とする真空処理装置用の試料載置装置。
【請求項３】
真空処理室内で試料を載置して保持する支持ブロックと、
内部に冷媒流路を備え、かつ前記支持ブロックを支持する電極ブロックを備えた空処理装置用の試料載置装置であって、
前記電極ブロックは該電極ブロック及び前記支持ブロックの周辺部を介して前記支持ブロックを支持し、前記電極ブロック及び支持ブロックからなる試料載置部の中央部に冷媒を流すことのできる空間を形成し、
前記支持ブロック内には前記試料を加熱するヒータを備えたことを特徴とする真空処理装置用の試料載置装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３の何れか１の記載の真空処理装置用の試料載置装置において、
前記冷媒流路は、電極ブロックの外周側に形成した外周側冷媒流路及び電極ブロックの内周側に形成した内周側流路からなることを特徴とする真空処理装置用の試料載置装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項３の何れか１の記載の真空処理装置用の試料載置装置において、
前記冷媒流路は、電極ブロックの外周側に形成した外周側冷媒流路、電極ブロックの内周側に形成した内周側流路、及び前記外周側流路と内周側流路の中間に形成した熱伝達抑制用部材からなることを特徴とする真空処理装置用の試料載置装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空処理装置用の試料載置装置に係り、特に試料載置装置温度を調整することのできる真空処理装置用の試料載置装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体素子の高集積化に伴い、回路パターンは微細化の一途を辿っており、要求される加工寸法精度はますます厳しくなってきている。しかも、このとき、スループット向上、被処理物の大面積化への対応が要求されており、処理中における半導体ウエハの温度制御性が極めて重要なことになっている。
【０００３】
例えば高アスペクト比の溝（細くて深い溝）加工が要求されるエッチングプロセスにおいては、異方性エッチングが要求され、これを実現するため側壁を有機ポリマで保護しながらエッチングを行うプロセスが用いられるが、この場合、保護膜となる有機ポリマの生成状態が温度により変化する。このときエッチング処理中の半導体ウエハ面内の温度が不均一に分布していると、側壁保護膜の生成度合いがウエハ面内でばらつき、その結果エッチング形状も不均一となるという問題を生じる場合がある。
【０００４】
また、反応生成物がエッチング面に再付着しエッチングレートを低下させる場合があるが、この反応生成物は半導体ウエハ外周付近よりも半導体ウエハ中心で多い分布となり易く、この結果、半導体ウエハ中心では外周付近に比べてエッチングレートが低く、従って、半導体ウエハ面内のエッチング形状がウエハ面内でばらついてしまう。
【０００５】
これを改善するには、ウエハ中心付近の温度を外周付近よりも高くし、反応性生物のエッチング面への再付着を抑えることが有効であり、従って、このように、プラズマエッチング中の半導体ウェハの温度は、面内で均一にするか、あるいは半導体ウェハの面内で任意に中央側を高く外周側を低くする温度分布にして反応生成物の分布による影響を抑えるようにウエハやステージの温度を調節することが必要となっている。
【０００６】
このような処理中の半導体ウエハの温度を制御する従来の技術としては、例えば特許文献１が知られている。特許文献１では、保持ステージを構成する金属製の静電吸着用電極ブロック内に冷媒の流量を制御できる独立した複数個の冷媒流路を設け、電極ブロックの表面には誘電体膜を設けた構造となっている。
【０００７】
また、特許文献２には、半導体ウエハの面内温度分布を制御するために、静電吸着電極の内部に２系統の冷媒流路を同心円上に設け、外側の冷媒流路には相対的に低温の冷媒を、そして内側の冷媒流路には相対的に高温の冷媒を循環させる構造が開示されている。また、特許文献３には、金属製の電極ブロックを分割し、それぞれに冷媒流路又はヒーターを設け、温度制御を行う試料台（保持ステージ）が開示されている。
【０００８】
【特許文献１】
特開２０００−２１６１４０号公報
【０００９】
【特許文献２】
特開平９−１７７７０号公報
【００１０】
【特許文献３】
特開平８−４５９０９号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、従来の技術では、試料台の温度を制御することを目的に構造が検討されている。しかしながら、これら従来の技術では、減圧下で熱を受けながら処理される試料を保持する試料台において、試料台の設定温度によっては処理中のプラズマからの入熱等の影響により、試料台の温度が徐々に上昇して、試料台の実際の温度と設定温度との間に差が生じてしまい、これにより、上は処理に悪影響を及ぼしてしまうといった問題点については、考慮されていなかった。
【００１２】
また、従来技術では、複数の冷媒の流路が必要で、これにより構造が複雑で大きくなり、製造やメンテナンスのコストが増大してしまうという問題点があった。
【００１３】
本発明の目的は、より簡略な構造で、より大きな範囲で精密に温度を調節して、試料を微細に加工することのできる真空処理装置用の試料載置装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の課題を解決するために次のような手段を採用した。
【００１５】
真空処理室内で試料を載置して保持する支持ブロックと、内部に冷媒流路を備え、かつ前記支持ブロックを支持する電極ブロックを備えた空処理装置用の試料載置装置であって、前記電極ブロックは該電極ブロック及び前記支持ブロックの周辺部を介して前記支持ブロックを支持し、前記電極ブロック及び支持ブロックからなる試料載置部の中央部に冷媒を流すことのできる空間を形成した。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態をを図面を用いて説明する。図１は、本発明の試料載置装置（試料台）を適用することのできるプラズマ処理装置を説明する図である。図１において、１００はプラズマ処理装置、１０１は真空処理室であり、その上部には、セラミクスまたは石英製の高周波の電波（本実施形態ではマイクロ波）を真空処理室１０１内に導入するための導入窓１０２が配置されている。また、真空処理室１０１内部には、被処理対象としての試料であるウエハ１０５がその上に載置される試料載置装置１０３が配置されている。
【００１７】
真空処理室１０１内には、マグネトロン１０７により発生された電波であるマイクロ波１０８が、導波管１０９を伝播して上記マイクロ波導入窓１０２を介して導入されるとともに、一方で、処理用ガスの導入口１０６から処理用ガスが供給される。また、真空処理室１０１の外側には、この真空処理室１０１を構成するその断面が略円状容器の外周に沿って、前記円とほぼ同心となるように、ソレノイドコイル１１０が配置されており、このソレノイドコイル１１０からは、真空処理室１０１内に予め定められた強さの分布を有する磁界が供給される。
【００１８】
本実施形態によるプラズマ処理装置では、ウエハ１０５は、その搬送手段であるロボット１０４の伸縮する動作が可能なアームに保持された状態で、真空処理室１０１の外部から内部に搬送され、試料載置装置１０３上に載置される。この後、処理室１０１内の気体は、図示しない真空ポンプ等の排気手段により排気口１２０から排気されて減圧される。
【００１９】
さらに、上記の通り導入口１０６から処理ガスが導入されるが、前記減圧手段である真空ポンプの動作により、導入される処理ガスの供給量と排気されるガスの排出量とがバランスして、真空処理室内は所定の圧力に調節される。図示していないが、本実施形態の装置では、真空処理室内の圧力を検出するセンサあるいは真空ポンプの排気量を検知するセンサや、処理ガスの導入量を調節するためのレギュレータバルブ、真空ポンプ等の流量調節手段、マグネトロン１０７、高周波電源１１１，直流電源１１２、搬送手段１０４と接続され、前記センサからの検出結果の出力を受けて上記流量調節手段やマグネトロン１０７、電源からの出力等を調節する制御装置が備えられている。
【００２０】
このような装置において、減圧された後の真空処理室１０１内に放射されるマイクロ波１０８による電子は、同時に供給される磁場の作用を受けて、前記処理ガスとの衝突を起こし、処理室１内のウエハ上方の空間にプラズマが形成される。
【００２１】
また、試料載置装置１０３には、ウエハ載置面が構成されているとともに、高周波電源１１１と直流電源１１２とによるバイアス電圧が供給されており、この供給された電力による電圧が、プラズマ中にあるイオンを試料載置装置１０３とその上のウエハ１０５方向に引き寄せ、これとウエハ１０５表面とを接触させて化学反応を生起させる。
【００２２】
この化学反応によって、ウエハ表面がエッチングされ、化学反応の結果生じた生成物は、プラズマ中の他のガスの粒子とともに、排気口１２０から排気される。
【００２３】
図２は、図１に示す試料載置装置１０３の詳細を説明する断面図、図３は冷媒流路の構成を説明する図である。
【００２４】
図２において、試料載置装置１０３は、アルミニウムで構成され前記バイアス用の電力が供給される電極ブロック１と、その下方のステンレス製のガイド部材２、ベース部材３とを有している。さらに、その上方に、載置された半導体ウエハ１０５と接触する誘電体膜を備えた支持ブロック４、それにセラミックス製の電極カバー５で構成され、例えば１２インチ（直径３００ｍｍ）の半導体ウエハを対象とした場合、直径が３２０ｍｍで、全体の厚さが２５ｍｍになるように作られている。
【００２５】
ここで、まず、電極ブロック１には、その下面に、図３に示すように、スパイラル（渦巻）状に配置されて電極ブロック１内の冷媒の流路を構成するスリット１１、１２が内周側（試料載置装置１０３の中央側）と外周側（試料載置装置１０３の外周側）とに分けて形成してあり、それらの間には、略同心円状に配置されて内周側側と外周側との間の熱伝達を抑制する部材としてのスリット１３（半径＝９０ｍｍ、幅＝５ｍｍ、高さ（深さ）＝１８ｍｍ）が形成してある。
【００２６】
そして、この電極ブロック１の下面にはベース部材２を介してガイド部材２が重ねられ、ボルト６で固定されることにより、各スリット１１、１２、１３の開放部が塞がれるようになっている。このとき、電極ブロック１、ベース部材３及びガイド部材２を貫通してガス導入孔７が設けられるようにしてある。
【００２７】
次に、支持ブロック４は、例えば高純度のアルミナセラミックスからなり、所定の厚さを有しているが、この支持ブロック４の材質や厚さは、この例に限られたものではなく、例えば合成樹脂の場合は、それに応じて厚さが選択できる。
【００２８】
ウエハ１０５と接触する支持ブロック４の面には誘電体の層が形成されており、この誘電体の層にはガス導入孔７に連通して放射状に伸びる直線状のスリットとこれに連通した複数条の同心円状のスリット等のガスの伝達路が設けてあり、これにより、試料載置装置１０３の上に半導体ウエハ１０５が載置されたとき、誘電体層と半導体ウエハ１０５との間隙に、ガス導入孔７から伝熱用のＨｅガスが導入されるようにしてある。
【００２９】
また、電極ブロック１の各流路用スリット１１、１２には、夫々、冷媒（又は熱媒）の導入部１１Ａ、１２Ａと、排出部１１Ｂ、１２Ｂが設けてあり、これにより、各流路用スリット１１、１２は、温度制御用の冷媒を通流させるための互いに独立した熱媒流通路として働かせることができるように構成してある。
【００３０】
そして、各流路用スリット１１、１２の導入部１１Ａ、１２Ａと排出部１１Ｂ、１２Ｂには、各々独立した冷媒供給ユニット５１、５２に接続され、夫々に循環させるべき冷媒の流量と温度の少なくとも一方が個別に調整できるようになっている。
【００３１】
冷媒流路を構成する流路用スリット１１、１２の配列形状としては、上記図２あるいは図３に示したスパイラル状に限らない。
【００３２】
図４は、冷媒流路の構成の他の例を説明する図である。図に示すように、流路用スリット１１、１２は夫々複数条の同心円状に構成する。この場合、冷媒は相互に反対に向かって半円方向に分かれて流れる。
【００３３】
さらに、支持ブロック４と電極ブロック１との間には、これらと接触してこれらの間の熱伝達を行うための熱伝導部材１７が配置されている。また、この熱伝導製部材１７と、上記電極ブロック１、支持ブロック４とで構成された空間１４が形成されており、この空間１４は、図示していないが、前記スリット１２と直列に連通されており、スリット１２を通流した後の冷媒がその内部を流れて、図示しない排出口から排出されて、冷媒供給ユニット５２に導入される。つまり、この空間１４は冷媒が流れる冷媒流路となっている。
【００３４】
本実施の形態では、これらの構成において、試料載置装置１０３の電極ブロック１に直流電圧と高周波を印加し、半導体ウエハ１０５の温度を制御しながらエッチングを行う。
なお、本発明によるプラズマ処理装置の実施形態としては、ここに示したマグネトロンを使用する方式に限らず、他の方式のプラズマ処理装置でも良い。
【００３５】
また、図２に示す本実施形態の試料載置装置１０３では、支持ブロック４中には、ヒータ１５が埋設されている。この実施形態では、ヒータ１５は、鋳造技術を用いて支持ブロック４の中に鋳込まれている。ヒータ１５としては、ニクロム線やタングステン線をアルミナなどの絶縁材で被覆してステンレス管や鋼管の中に納めたシーズヒータなどと呼ばれるものが用いられている。
【００３６】
さらに、この支持ブロック４中には、半導体ウエハ１０３に対して静電気に基づく吸着力を発生させるための電圧が印加される静電吸着用電極１６がその内部に配置されている。
【００３７】
また、支持ブロック４を多層にして、その中間にタングステン膜を挟んだ、例えばアルミナ／タングステン／アルミナ構成の膜を形成した膜構成のヒータとしも良く、このとき、更にタングステンのヒータを上記静電吸着力を発生させるための電極１６と兼用した構成にしても良い。つまり、支持ブロック４は、電極を備えて半導体ウエハ１０５と接触して、これを（吸着して）支持するとともに、そのヒータ等の温度調節手段を備えたものである。
【００３８】
次に、この実施形態における試料載置装置１０３の動作について、まず、その温度の調節から説明する。
【００３９】
まず、この試料載置装置１０３は、静電吸着用電極１６に高電圧を印加することにより発現されるクーロン力又はジョンソンランベック力により半導体ウエハ１０５を吸着させる。このとき、高電圧の印加方法として、単極型と双極型の２種がある。
【００４０】
単極型は、半導体ウエハと誘電体膜間に一様な電位を与える方法で、双極型は誘電体膜間に２種以上の電位差を与える方法であるが、本実施形態では、何れの方法でもよい。
【００４１】
ウエハ１０５を吸着後、上記したように、ガス導入孔７から、伝熱用のＨｅガス（通常１０００ｋＰａ程度）が半導体ウエハ１０５の裏側表面（試料載置装置１０３の載置部の表面に対向するウエハの表面）と誘電体膜４の表面との間隙に導入される。半導体ウエハ１０５の温度は、上記プラズマから供給される熱量と、Ｈｅガスが充填された上記間隙の熱通過率、電極ブロック１の熱抵抗、さらに電極ブロック１内に循環される冷媒と電極ブロック１との熱通過率によって影響を受ける。
【００４２】
従って、半導体ウエハ１０５の温度を制御するには、試料載置装置１０３に対するＨｅガスの圧力、冷媒の温度、冷媒の流量（電極ブロック１との熱通過率が変わる）を変化する機構を設けるか、又はヒーターなどの第２の温度調整機構を設けてやれば良いことになる。
【００４３】
例えば、発明者らの実験や検討によれば、いま流路用スリット１１、１２の大きさが幅５ｍｍ×高さ１５ｍｍのとき、２０℃の冷媒の流量を２Ｌ／ｍｉｎから４Ｌ／ｍｉｎと２倍にしたとすると、冷媒と電極ブロック１の間の熱通過率は約２００Ｗ／ｍ２Ｋから約４００Ｗ／ｍ２Ｋになるのが確認されている。従って、冷媒の流量を多くすることにより熱通過率が大きくできるので、プラズマから供給される熱量（入熱）が多くなっても、電極ブロック１の温度上昇は小さく抑えられることになる。
【００４４】
なお、半導体ウエハ１０５は、処理が終了すると、支持ブロック４の電極１６に供給されていた電圧が止めらるか、あるいは前に与えられていた電位差とは逆の電位差となるように電圧が与えられた後、図２に示す貫通孔２１の内側をウエハ１０３の方向に上下するリフトピンにより試料載置装置１０３の上方側に持ち上げられて支持される。この状態で、上記ロボット１０４のアームに支持されて真空処理室１０１の外部に搬送される。
【００４５】
上記冷媒としては、このような金属製の部材を冷却するために通常用いられる液体や気体が用いられる。この冷媒が流れる通路であるスリット１２を通流して、試料載置装置１０３の外周部側の部材と熱交換を行った冷媒は、一部は排出部１２Ｂから冷媒供給ユニット５２に向かって流れるが、他の一部は図示していない連通路を介して空間１４へ流入し、この空間１４内において、試料載置装置１０３の中央部側の部材と熱交換する。冷媒の温度が試料載置装置１０３の温度よりも低い場合（通常は、このような条件となる）これら熱交換により試料載置装置１０３の温度が低下され冷却される。本実施の形態では、空間１４は、スリット１２に対して試料載置装置１０３の中央部側に配置され、冷媒はその試料載置装置外周部側から導入され中央部側から排出されている。
【００４６】
この空間１４の形状は、この図２，３に示されるスリット１１，１２のように螺旋形状、あるいは図４に示されるように同心円状に形成することができる。
【００４７】
スリット１２の排出部１２Ｂとスリット１１の導入部１１Ａを管路で接続すると、冷媒供給ユニット５２から外周部側のスリット１２へ供給されて流れる冷媒温度を、その後に試料載置装置１０３の中央部側を流れる冷媒よりも低くして、試料載置装置１０３の外周部側をより大きく冷却することができる。試料載置装置１０３の中央部側を流れる冷媒は、外周部側を流れて熱交換を行っており相対的に熱交換の量が小さく、試料載置装置１０３の中央部側では冷却量が相対的に小さくなる。このため、プラズマや処理室１０１の内側の壁面からの熱の供給に対して、試料載置装置１０３は中央部側と外周部側とで冷却量に分布が形成され、これによって試料載置装置１０３上に載置される半導体ウエハ１０５表面の温度の分布を前記分布からの影響を与えて形成することができる。
【００４８】
また、ウエハ１０３の温度を上昇させ（加熱す）るには、スリット１１，１２への冷媒の供給を停止して、ヒータ１５に電力を供給して支持ブロック４を加熱する。この際に、支持ブロック４の中央部側に配置されている冷媒通路であって支持ブロック４と電極ブロック１との間に配置された空間１４には冷媒は供給されないので、これらの間の熱伝達が抑止される。すなわち、この場合には、この空間１４は熱伝達抑止用の手段となる。
【００４９】
試料載置装置１０３の外周部側では、電極ブロック１と支持ブロック４とは熱伝達用部材１７を介してボルト６で連結されており、熱がこれらを伝わるため、支持ブロック４の外周部側の温度はその内周部側の温度よりも低くされる。これにより、半導体ウエハ１０３上の温度の分布が影響を受けて、その中央部側が相対的に外周部側よりも高くなる温度の分布が形成される。
【００５０】
スリット１２と空間１４とを連通する通路に、これを通流する冷媒の流れを調節するバルブ等の調節手段を設けて、空間１４での冷媒による熱交換の量、ひいては冷却の量を調節するようにしてもよい。このようにすることで、試料載置装置１０３の温度とその分布の調節される範囲を大きくすることができ、半導体ウエハをより精密により微細に行うことができる。この調節手段は、上述の制御装置と接続されその動作が調節されるようにしてもよい。
【００５１】
なお、本実施形態は、試料載置装置１０３を冷却するための冷媒流路を備えるものを示したが、この冷媒流路とともにヒータを備えて、試料載置装置１０３が調節される温度の範囲を広くすることもできる。
【００５２】
図５は、本発明の他の実施形態を説明する図である。この例では、電極ブロック１内に熱伝達抑制用スリット１３を設ると共に、内周側の冷媒流路となるスリット１１と、外周側の冷媒通路となるスリット１２の間を管路１８で直列に連結させ、この管路１８に電熱型のヒータ１９を設けたものである。
【００５３】
また、電極ブロック１内の冷媒流路となるスリット１１とスリット１２には、１台の冷媒供給ユニット５３から共通に冷媒が供給され、このとき、ヒータ１９は、図示してない電力制御装置により温度が制御され、管路１８の中を通る冷媒を所定の温度に加熱する働きをする。また、このようなヒータ１９と同様のヒータをスリット１２と空間１４とを連通する流路に設けてもよい。
【００５４】
従って、この実施形態によれば、ヒータ１９による冷媒の加熱温度を調整することにより、半導体ウエハ１０５の温度分布をウエハの中央部（内周部）が外周部に比して高温になる中高型の温度分布やウエハの外周部が中央部に比して高温になる外高型の温度分布に容易に変えることができる。
【００５５】
すなわち、例えば半導体ウエハ１０５の温度を中高型温度分布にする場合は、実線の矢印で示す方向に冷媒を循環させ、ヒータ１９による冷媒の加熱温度を制御してやれば良く、反対に外高型温度分布にしたい場合は、点線の矢印で示す方向（逆方向）に冷媒を循環させてやれば良い。
【００５６】
従って、本実施形態によれば、プラズマエッチング中の半導体ウェハ１０５の温度分布を明確に制御でき、この結果、半導体ウェハの面内で均一な温度にしたり、中高型や外高型など明確な状態の温度分布にしたり、任意に制御することができ、この結果、反応生成物の分布を相殺して、反応性生物のエッチング面への再付着を抑えるプラズマ処理にも容易に対応でき、半導体ウエハ処理の歩留まり向上に大きく寄与することができる。
【００５７】
しかも、この変形例によれば、１台の冷媒供給ユニット５３を設置するだけで済むので、装置の構成が簡略化できる。
また、この実施の形態の場合で、ヒータ１９を管路１８内に設置した構造にすれば、スペースを有効に活用でき、熱効率の点からも極めて有効である。
【００５８】
なお、本実施形態では、ヒータ１９が電熱型の場合について説明したが、ヒータ１９としてペルチェ素子を用いて実施しても良く、この場合は、管路１８内の冷媒を加熱するだけではなく、冷却することもできる。
【００５９】
また、本実施形態では、熱伝達用部材１７を試料載置装置１０３の外周部に配置して空間１４を形成しているが、上記空間１４に替えて、熱伝達用部材１７よりも熱伝達性が相対的に小さい部材を、試料載置装置１０３の中央部側に配置しても、試料載置装置１０３の中央部側の熱伝達量を抑制して、半導体ウエハ１０５の温度の分布をその中央部側が高くなるようにすることができる。これら熱伝達部材の熱伝達性能は、半導体ウエハ１０３または試料載置装置１０３の温度分布の求められる仕様に応じて選択することができる。
【００６０】
さらに、電極ブロック１には、その外周部側と内周部側とにスリット１１，１２を備えているが、外周部側のスリット１１のみ、あるいは単一の冷媒流路を設けても良い。この場合でも、冷媒はこの流路を流れて後上記空間１４に流入するように構成されるが、その流路の途中と空間１４とを連通するようにしても良い。
【００６１】
さらに、上記空間１４には、スリット１１に接続された冷媒の経路とは異なる冷媒の経路が接続され、スリット１１とは異なる温度に調節された冷媒が流れるように構成しても良い。この場合も、空間１４内を流れる冷媒は、スリット１１よりも高い温度となるように調節され、試料載置装置１０３あるいは半導体ウエハ１０５の温度分布が、その中央部側が高くなるように構成される。
【００６２】
以上の通り、上記各実施形態によれは、より広範囲に、より精密に試料載置装置１０３あるいは半導体ウエハ１０５に温度の分布を形成することができ、半導体ウエハをより微細に、あるいは均一に加工することができる。
【００６３】
また、冷媒の流路を支持ブロック４や電極ブロック１中ではなく、これらの間に配置することで、構造を簡略にして、より大きな温度範囲で調節を行うことができ、装置のコストを低減することができる。
【００６４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、より簡略な構造で、より大きな範囲で精密に温度を調節して、試料を微細に加工することのできる真空処理装置用の試料載置装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の試料載置装置を適用することのできるプラズマ処理装置を説明する図である。
【図２】試料載置装置の詳細を説明する図である。
【図３】冷媒流路の構成を説明する図である。
【図４】冷媒流路の構成の他の例を説明する図である。
【図５】本発明の他の実施形態を説明する図である
【符号の説明】
１  電極ブロック
４  支持ブロック
１１，１２  冷媒流路（スリット）
１４  空間（流路）
１５  ヒータ
１６  電極
１７  熱伝導性部材
１００  プラズマ処理装置
１０１  真空処理室
１０２  導入窓
１０３  試料載置装置
１０５  半導体ウエハ
１０６  処理ガス導入口
１０８  マグネトロン
１１０  ソレノイドコイル
【図１】
2004273619.tif 000003
【図２】
2004273619.tif 000004
【図３】
2004273619.tif 000005
【図４】
2004273619.tif 000006
【図５】
2004273619.tif 000007