(57)【要約】【課題】光素子からなる半導体素子の受光面や発光面が臨む回路基板の開口部に封止樹脂が流れ込むのを防ぐことができる上に、開口部での電磁波の乱反射が生じにくい半導体素子実装基板及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】回路基板２は光が通過する開口部３を備え、該開口部３の近傍の表面に前記開口部３の全周を囲むように一体突出させた凸部８を設けるとともに、該凸部８が囲う部位の外側に電極部５を形成している。固定撮像素子のような半導体素子３は、その撮像面が開口部３に臨むように前記回路基板２の凸部８上方に配置されるとともに回路基板２側に対向する面に設けた電極１１と前記電極部５との間に金バンプ４を介在させて電気的に接合してある。封止樹脂７は電極１１、前記金バンプ４及び前記電極部５からなる接合部位を封止している。【選択図】        図１
2004247611.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波が通過する開口部を備え、該開口部の近傍の表面に前記開口部の一部乃至全周を囲むように一体突出させた凸部を設けるとともに、該凸部が囲う部位の外側に電極部を形成した回路基板と、
前記開口部に受光面若しくは発光面が臨むように前記回路基板の凸部上方に配置され、前記回路基板側に対向する面に設けた電極と前記電極部との間にバンプを介在させて電気的に接合した光素子からなる半導体素子と、から成り、
前記電極、前記バンプ及び前記電極部からなる接合部位を封止樹脂で封止していることを特徴とする半導体素子実装基板。
【請求項２】
前記回路基板として、少なくとも前記封止樹脂が塗布硬化される部位に対応する前記凸部の上端部に前記半導体素子の対向面に圧接する緩衝部を設けている回路基板を用いていることを特徴とする請求項１記載の半導体素子実装基板。
【請求項３】
前記緩衝部の材料として前記回路基板の樹脂材料の弾性率よりも小さい材料を用いていることを特徴とする請求項２記載の半導体素子実装基板。
【請求項４】
前記緩衝部の材料として熱膨張率が前記封止樹脂の熱膨張率よりも大きな材料を用いたことを特徴とする請求項２又は３記載の半導体素子実装基板。
【請求項５】
前記緩衝部の材料としてガラス転移温度が前記封止樹脂の硬化温度よりも低い材料を用いたことを特徴とする請求項２乃至４の何れか記載の半導体素子実装基板。
【請求項６】
前記緩衝部を下方にスライド可能に上記凸部の上端部に設けていることを特徴とする請求項２又は３記載の半導体素子実装基板。
【請求項７】
前記緩衝部の上面の高さ位置を塗布時の封止樹脂の上面の高さ位置より高くしていることを特徴とする請求項２乃至６の何れか記載の半導体素子実装基板。
【請求項８】
前記記緩衝部を前記凸部の上端部に全周に亘って一体に上方へ突出形成するとともに、前記緩衝部の幅寸法を、前記凸部の幅寸法より小さく形成していることを特徴とする請求項２記載の半導体素子実装基板。
【請求項９】
前記凸部及び前記緩衝部を含めた前記回路基板が射出成形されたものであって、その樹脂材料として、前記緩衝部の前記幅寸法より大きな径のフィラーを混入した樹脂材料を用いていることを特徴とする請求項８記載の半導体素子実装基板。
【請求項１０】
前記緩衝部を外側に傾斜させていることを特徴とする請求項８又は９の何れか記載の半導体素子実装基板。
【請求項１１】
前記緩衝部の突出位置より外側に位置する前記凸部の上端部に、前記緩衝部の高さと略同じ高さの別の緩衝部を全周に亘って一体に突出形成していることを特徴とする請求項８記載の半導体素子実装基板。
【請求項１２】
前記緩衝部の下端から上端までの高さ寸法を、上記凸部の上端開口縁から前記緩衝部の下端までの最短距離より短い寸法としていることを特徴とする請求項８記載の半導体素子実装基板。
【請求項１３】
前記緩衝部の一部に上端より下端方向に切り欠いた切欠部を形成していることを特徴とする請求項８乃至１２の何れか記載の半導体素子実装基板。
【請求項１４】
前記緩衝部の幅寸法を略１０乃至略５０μｍとしていることを特徴する請求項８乃至１３の何れか記載の半導体素子実装基板。
【請求項１５】
前記電極部を回路基板の表面より上方へ突出せる凸形状に形成していることを特徴とする請求項１乃至１４の何れか記載の半導体素子実装基板。
【請求項１６】
前記緩衝部の少なくとも上端近傍の内周面を黒色としていることを特徴とする請求項１乃至１５の何れか記載の半導体素子実装基板。
【請求項１７】
電磁波が通過する開口部を備え、該開口部の近傍の表面に前記開口部の一部乃至全周を囲むように一体突出させた凸部を設けるとともに、該凸部が囲う部位の外側に電極部を形成した回路基板と、
前記開口部に受光面若しくは発光面が臨むように前記回路基板の凸部上方に配置され、前記回路基板側に対向する面に設けた電極と前記電極部との間にバンプを介在させて電気的に接合した光素子からなる半導体素子と、から成り、
前記電極、前記バンプ及び前記電極部からなる接合部位を封止樹脂で封止している半導体素子実装基板の製造方法において、
前記凸部の外側周辺で且つ前記電極部を内包するように前記回路基板表面に封止樹脂を塗布する工程と、
前記凸部の上端部に突出形成した緩衝部に前記半導体素子を圧接させて前記開口部に半導体素子の受光面若しくは発光面が臨むように半導体素子を配置し、且つ前記電極部に前記半導体素子の電極をバンプを介して圧接させる工程と、
前記封止樹脂を硬化させ、前記半導体素子の電極、バンプ、回路基板の電極部による接合部位を封止樹脂で封止する工程とから成ることを特徴とする半導体素子実装基板の製造方法。
【請求項１８】
電磁波が通過する開口部を備え、該開口部の近傍の表面に前記開口部の一部乃至全周を囲むように一体突出させた凸部を設けるとともに、該凸部が囲う部位の外側に電極部を形成した回路基板と、
前記開口部に受光面若しくは発光面が臨むように前記回路基板の凸部上方に配置され、前記回路基板側に対向する面に設けた電極と前記電極部との間にバンプを介在させて電気的に接合した光素子からなる半導体素子と、から成り、
前記電極、前記バンプ及び前記電極部からなる接合部位を前記半導体素子と前記回路基板との間で塗布させた封止樹脂により封止する半導体素子実装基板の製造方法において、
前記電極部の外側に位置する回路基板の表面に前記電極部の外側部に沿うように第１の封止樹脂を塗布する工程と、
この塗布後に前記半導体素子を前記凸部の上部に接しないように前記電極をバンプを介して前記電極部に圧接させながら第１の封止樹脂を硬化させて半導体素子を仮実装する工程と、
この仮実装の後、前記電極部と前記凸部との間の前記回路基板表面に前記電極部に沿うように第２の封止樹脂を塗布して硬化させ半導体素子を本実装する工程とから成ることを特徴とする半導体素子実装基板の製造方法。
【請求項１９】
前記本実装の工程における封止樹脂注入時に前記開口部内を加圧することを特徴とする請求項１８記載の半導体素子実装基板の製造方法。
【請求項２０】
前記加圧は、前記開口部を密閉状態とした後、前記開口部内の空気を加熱して空気を膨張させることで行うことを特徴とする請求項１８記載の半導体素子実装基板の製造方法。
【請求項２１】
前記回路基板として、凸部と前記電極部との間の表面に凹溝を形成している回路基板を用いることを特徴とする請求項１８乃至２０の何れか記載の記載の半導体素子実装基板の製造方法。
【請求項２２】
前記回路基板として、前記凸部と前記電極部との間の表面に前記凸部と並行するように別の凸部を形成している回路基板を用いることを特徴とする請求項１８乃至２１の何れか記載の記載の半導体素子実装基板の製造方法。
【請求項２３】
電磁波が通過する開口部を備え、該開口部の近傍の表面に前記開口部の一部乃至全周を囲むように一体突出させた凸部を設けるとともに、該凸部が囲う部位の外側に電極部を形成した回路基板と、
前記開口部に受光面若しくは発光面が臨むように前記回路基板の凸部上方に配置され、前記回路基板側に対向する面に設けた電極と前記電極部との間にバンプを介在させて電気的に接合した光素子からなる半導体素子と、から成り、
前記電極、前記バンプ及び前記電極部からなる接合部位を樹脂で封止する半導体素子実装基板の製造方法において、
前記凸部の外側周辺の前記回路基板表面に、前記電極部を内包するように載置するとともに加圧・加熱により異方性導電フィルムを前記回路基板表面に貼り付ける工程と、
この工程後に、前記半導体素子の前記電極に形成しているバンプを異方性導電フィルムを貫通させて前記電極部に圧接させながら半導体素子を異方性導電フィルム上に載置し、加圧・加熱により異方性導電フィルムの上面に半導体素子を貼り付け固定し且つ異方性導電フィルムで前記電極、バンプ、電極部からなる接合部を封止する工程と、から成ることを特徴とする半導体素子実装基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像素子等の光素子からなる半導体素子を実装した半導体素子実装基板及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光素子の実装構造体としては、実装される半導体素子の受光面に対向するように回路基板に形成した開口部を囲むフィルム状の樹脂製隔離壁を形成し、この隔離壁で隔離壁で開口部周辺に注入する封止樹脂を開口部から流れ出るのを防ぐようにしたものがある。（例えば特許文献１）
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−２５０８８９号公報（段落番号００６１参照）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来例の場合、隔離壁がフィルム状樹脂であるため、注入される封止樹脂の硬化時に開口部側に撓み、隔離壁で囲繞された空間の内径が狭くなったり、内周面に変形が生じ、そのため電磁波の乱反射が生じ易くなって光ノイズが増加するという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記の点に鑑みて為されたもので、その目的とするところは、光素子からなる半導体素子の受光面や発光面が臨む回路基板の開口部に封止樹脂が流れ込むのを防ぐことができる上に、開口部での電磁波の乱反射が生じにくい半導体素子実装基板及びその半導体素子実装基板の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、請求項１の半導体素子実装基板の発明では、電磁波が通過する開口部を備え、該開口部の近傍の表面に前記開口部の一部乃至全周を囲むように一体突出させた凸部を設けるとともに、該凸部が囲う部位の外側に電極部を形成した回路基板と、
前記開口部に受光面若しくは発光面が臨むように前記回路基板の凸部上方に配置され、前記回路基板側に対向する面に設けた電極と前記電極部との間にバンプを介在させて電気的に接合した光素子からなる半導体素子と、から成り、
前記電極、前記バンプ及び前記電極部からなる接合部位を封止樹脂で封止していることを特徴とする。
【０００７】
請求項２の半導体素子実装基板の発明では、請求項１の発明において、前記回路基板として、少なくとも前記封止樹脂が塗布硬化される部位に対応する前記凸部の上端部に前記半導体素子の対向面に圧接する緩衝部を設けている回路基板を用いていることを特徴とする。
【０００８】
請求項３の半導体素子実装基板の発明では、請求項２の発明において、前記緩衝部の材料として前記回路基板の樹脂材料の弾性率よりも小さい材料を用いていることを特徴とする。
【０００９】
請求項４の半導体素子実装基板の発明では、請求項２又は３の発明において、前記緩衝部の材料として熱膨張率が前記封止樹脂の熱膨張率よりも大きい材料を用いたことを特徴とする。
【００１０】
請求項５の半導体素子実装基板の発明では、請求項２乃至４の何れかの発明において、前記緩衝部の材料としてガラス転移温度が前記封止樹脂の硬化温度よりも低い樹脂材料を用いたことを特徴とする。
【００１１】
請求項６の半導体素子実装基板の発明では、請求項２又は３の発明において、前記緩衝部を下方にスライド可能に上記凸部の上端部に設けていることを特徴とする。
【００１２】
請求項７の半導体素子実装基板の発明では、請求項２乃至６の何れかの発明において、前記緩衝部の上面の高さ位置を塗布時の封止樹脂の上面の高さ位置より高くしていることを特徴とする。
【００１３】
請求項８の半導体素子実装基板の発明では、請求項２の発明において、前記記緩衝部を前記凸部の上端部に全周に亘って一体に上方へ突出形成するとともに、前記緩衝部の幅寸法を、前記凸部の幅寸法より小さく形成していることを特徴とする。
【００１４】
請求項９の半導体素子実装基板の発明では、請求項８の発明において、前記凸部及び前記緩衝部を含めた前記回路基板が射出成形されたものであって、その樹脂材料として、前記緩衝部の前記幅寸法より大きな径のフィラーを混入した樹脂材料を用いていることを特徴とする。
【００１５】
請求項１０の半導体素子実装基板の発明では、請求項８又は９の何れかの発明において、前記緩衝部を外側に傾斜させていることを特徴とする。
【００１６】
請求項１１の半導体素子実装基板の発明では、請求項８の発明において、前記緩衝部の突出位置より外側に位置する前記凸部の上端部に、前記緩衝部の高さと略同じ高さの別の緩衝部を全周に亘って一体に突出形成していることを特徴とする。
【００１７】
請求項１２の半導体素子実装基板の発明では、請求項８の発明において、前記緩衝部の下端から上端までの高さ寸法を、上記凸部の上端開口縁から前記緩衝部の下端までの最短距離より短い寸法としていることを特徴とする。
【００１８】
請求項１３の半導体素子実装基板の発明では、請求項８乃至１２の何れかの発明において、前記緩衝部の一部に上端より下端方向に切り欠いた切欠部を形成していることを特徴とする。
【００１９】
請求項１４の半導体素子実装基板の発明では、請求項８乃至１３の何れかの発明において、前記緩衝部の幅寸法を略１０乃至略５０μｍとしていることを特徴する。
【００２０】
請求項１５の半導体素子実装基板の発明では、請求項１乃至１４の何れかの発明において、前記電極部を回路基板の表面より上方へ突出せる凸形状に形成していることを特徴とする。
【００２１】
請求項１６の半導体素子実装基板の発明では、請求項１乃至１５の何れかの発明において、前記緩衝部の少なくとも上端近傍の内周面を黒色としていることを特徴とする。
【００２２】
請求項１７の半導体素子実装基板の製造方法の発明では、電磁波が通過する開口部を備え、該開口部の近傍の表面に前記開口部の一部乃至全周を囲むように一体突出させた凸部を設けるとともに、該凸部が囲う部位の外側に電極部を形成した回路基板と、
前記開口部に受光面若しくは発光面が臨むように前記回路基板の凸部上方に配置され、前記回路基板側に対向する面に設けた電極と前記電極部との間にバンプを介在させて電気的に接合した光素子からなる半導体素子と、から成り、
前記電極、前記バンプ及び前記電極部からなる接合部位を封止樹脂で封止している半導体素子実装基板の製造方法において、
前記凸部の外側周辺で且つ前記電極部を内包するように前記回路基板表面に封止樹脂を塗布する工程と、
前記凸部の上端部に突出形成した緩衝部に前記半導体素子を圧接させて前記開口部に半導体素子の受光面若しくは発光面が臨むように半導体素子を配置し、且つ前記電極部に前記半導体素子の電極をバンプを介して圧接させる工程と、
前記封止樹脂を硬化させ、前記半導体素子の電極、バンプ、回路基板の電極部による接合部位を封止樹脂で封止する工程とから成ることを特徴とする。
【００２３】
請求項１８の半導体素子実装基板の製造方法の発明では、電磁波が通過する開口部を備え、該開口部の近傍の表面に前記開口部の一部乃至全周を囲むように一体突出させた凸部を設けるとともに、該凸部が囲う部位の外側に電極部を形成した回路基板と、
前記開口部に受光面若しくは発光面が臨むように前記回路基板の凸部上方に配置され、前記回路基板側に対向する面に設けた電極と前記電極部との間にバンプを介在させて電気的に接合した光素子からなる半導体素子と、から成り、
前記電極、前記バンプ及び前記電極部からなる接合部位を前記半導体素子と前記回路基板との間で塗布させた封止樹脂により封止する半導体素子実装基板の製造方法において、
前記電極部の外側に位置する回路基板の表面に前記電極部の外側部に沿うように第１の封止樹脂を塗布する工程と、
この塗布後に前記半導体素子を前記凸部の上部に接しないように前記電極をバンプを介して前記電極部に圧接させながら第１の封止樹脂を硬化させて半導体素子を仮実装する工程と、
この仮実装の後、前記電極部と前記凸部との間の前記回路基板表面に前記電極部に沿うように第２の封止樹脂を塗布して硬化させ半導体素子を本実装する工程とから成ることを特徴とする。
【００２４】
請求項１９の半導体素子実装基板の製造方法の発明では、請求項１８の発明において、前記本実装の工程における封止樹脂注入時に前記開口部内を加圧することを特徴とする。
【００２５】
請求項２０の半導体素子実装基板の製造方法の発明では、請求項１８の発明において、前記加圧は、前記開口部を密閉状態とした後、前記開口部内の空気を加熱して空気を膨張させることで行うことを特徴とする。
【００２６】
請求項２１の半導体素子実装基板の製造方法の発明では、請求項１８乃至２０の何れかの発明において、前記回路基板として、凸部と前記電極部との間の表面に凹溝を形成している回路基板を用いることを特徴とする。
【００２７】
請求項２２の半導体素子実装基板の製造方法の発明では、請求項１８乃至２１の何れかの発明において、前記回路基板として、前記凸部と前記電極部との間の表面に前記凸部と並行するように別の凸部を形成している回路基板を用いることを特徴とする。
【００２８】
請求項２３の半導体素子実装基板の製造方法の発明では、電磁波が通過する開口部を備え、該開口部の近傍の表面に前記開口部の一部乃至全周を囲むように一体突出させた凸部を設けるとともに、該凸部が囲う部位の外側に電極部を形成した回路基板と、
前記開口部に受光面若しくは発光面が臨むように前記回路基板の凸部上方に配置され、前記回路基板側に対向する面に設けた電極と前記電極部との間にバンプを介在させて電気的に接合した光素子からなる半導体素子と、から成り、
前記電極、前記バンプ及び前記電極部からなる接合部位を樹脂で封止する半導体素子実装基板の製造方法において、
前記凸部の外側周辺の前記回路基板表面に、前記電極部を内包するように載置するとともに加圧・加熱により異方性導電フィルムを前記回路基板表面に貼り付ける工程と、
この工程後に、前記半導体素子の前記電極に形成しているバンプを異方性導電フィルムを貫通させて前記電極部に圧接させながら半導体素子を異方性導電フィルム上に載置し、加圧・加熱により異方性導電フィルムの上面に半導体素子を貼り付け固定し且つ異方性導電フィルムで前記電極、バンプ、電極部からなる接合部を封止する工程と、から成ることを特徴とする。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下本発明を実施形態により説明する。
【００３０】
（実施形態１）
本実施形態は、本発明の基本となるものであって、半導体素子実装基板１０の製造工程を概説する。
【００３１】
図１は光素子、例えば撮像素子からなるフェースダウンタイプの半導体素子（半導体チップ）１を樹脂成形された立体回路基板（ＭＩＤ；Ｍｏｌｄｅｄ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｅｃｔｉｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅ）からなる回路基板２に実装して半導体素子実装基板１０を得るまでの製造工程を示しており、この図示例ではまず図１（ａ）は、回路基板２に対して実装する半導体素子１を整列させ、半導体素子１の受光部側を回路基板２の開口部３に対置するとともに、受光部側の面（以後下面という）に設けた各電極（図示せず）に形成してある金バンプ４を、回路基板２の表面（以下上面という）側に設けた電極部５に対向させる整列工程を示す。尚電極部５は回路基板２の上面に形成した回路パターン６の一部で構成される。
【００３２】
この整列工程を経た後、電極部５を内包する形で開口部３の周辺に封止樹脂７を塗布し（図１（ｂ））、この塗布後に上記金バンプ４を電極部５に圧接させて電極部５と半導体素子１の電極とを電気的に接続するように半導体素子１を回路基板２上に載置実装する（図１（ｃ））。この実装後封止樹脂７を硬化させて封止樹脂７で電極部５と金バンプ４との接合部位を内包し封止することで、所望の半導体素子実装基板１０が完成することになる。
【００３３】
このような製造工程において半導体素子１を回路基板２の表面に載置実装する際に、硬化前の封止樹脂７が半導体素子１の下面に押されて周辺へ広がることになる。この際に開口部３内に封止樹脂７が流れ込む恐れがある。
【００３４】
そこで本実施形態に用いる回路基板２は、開口部３を囲むように環状の凸部８を一体に形成し、この凸部８が堰となって、封止樹脂７が開口部３側へ流れ込むのを防ぐようになっている。
【００３５】
また凸部８は回路基板２と同じ樹脂材料で成形されたものであって、その剛性は高く、そのため半導体素子１の回路基板２への実装時や封止樹脂７の硬化時に生じる凸部８への応力によって凸部８の内周面が変形することも殆どなく、それにより電磁波の乱反射などが生じ難く、そのために光ノイズの増加も殆どない。
【００３６】
尚本実施形態の回路基板２及び凸部８の樹脂材料としては、芳香族ポリアミド系樹脂（例えば線膨張率が２５ｐｐｍ／℃、弾性率が１３ＧＰａ、ガラス転移温度が１２０℃のポリフタルアミド）を用いている。
【００３７】
（実施形態２）
上記実施形態１では実装される半導体素子１の下面と凸部８との間に微小な隙間があるため封止樹脂７の塗布量によっては開口部３側へ漏洩する恐れがある。そこで、本実施形態に用いる回路基板２としては図２（ａ）（ｂ）に示すように上記の凸部８の上端面に緩衝部９を突出形成したものを用いる。
【００３８】
この緩衝部９は例えば回路基板２の樹脂材料とは異なる別の樹脂材料を用いられ、二色成形によりで凸部８の上端部に一体的に突出形成されている。
【００３９】
而して本実施形態では半導体素子実装基板３を製造するに当たっては、封止樹脂塗布工程において、図３（ａ）及び図４（ａ）に示すように環状の凸部８の各辺近傍の回路基板２上面に封止樹脂７を塗布する。
【００４０】
次に受光部周辺の半導体素子１の下面を緩衝部９の上端面に密接させて、半導体素子１を押し下げる。これにより半導体素子１の下面に緩衝部９が圧接した状態で緩衝部９が撓みながら各電極１１に形成してある金バンプ４が回路基板２の上面の対応する電極部５に圧接して電極１１と対応する電極部５との間を電気的に接合する。半導体基板１の押し下げにより半導体素子１の下面により凸部８の周辺に塗布した封止樹脂７が押し流されて凸部８周辺の回路基板２の表面に広がり、凸部８周辺の半導体基板１と回路基板２との間に充満し、電極１１、金バンプ４、電極部５からなる接合部位を封止樹脂７に内包させる。
【００４１】
この状態で２１０℃で１０秒間加熱して封止樹脂７を硬化させることで、回路基板２の上面と半導体素子１の下面との間で硬化した封止樹脂７により上記接合部位を封止した所定の半導体素子実装基板１０が完成することになる（図３（ｂ）、４（ｂ）参照）。
【００４２】
尚金バンプ４一個当たりの荷重の大きさを４０ｇ〜１５０ｇとしている。
【００４３】
本実施形態では、緩衝部９が半導体素子１の下面に密接するため、半導体素子１を押し下げながら金バンプ４を電極部５に圧接させる際に、封止樹脂７が凸部８を乗り越えて開口部３側へ流れ込むことがない。
【００４４】
例１
凸部８を含む回路基板２の樹脂材料として弾性率が１３Ｇｐａの芳香族ポリイミド系樹脂（例えばポリフタルアミド）を用い、他方緩衝部９の樹脂材料として弾性率が５Ｇｐａのエポキシ系樹脂を用いた。
【００４５】
これにより半導体素子１の下面に緩衝部９が弾接して密着度を高め封止樹脂７の開口部３側への漏洩を確実に防止でき、また半導体素子１の実装時の緩衝能力が高くなり半導体素子１が傷つけくのを防止することができた。
【００４６】
例２
上記例１では回路基板２の樹脂材料として用いる樹脂の弾性率に比して弾性率が小さい樹脂を緩衝部９の樹脂材料として用いたが、本実施例では、凸部８を含む回路基板２の樹脂材料として熱膨張率が２５ｐｐｍ／℃の芳香族ポリイミド系樹脂（例えばポリフタルアミド）を用い、他方緩衝部９の樹脂材料として熱膨張率が３５ｐｐｍ／℃のエポキシ系樹脂を用いた。
【００４７】
これにより緩衝部９が半導体素子１に負荷する応力が、封止樹脂７の硬化後の冷却時の温度加工による緩衝部９と封止樹脂７との間の熱膨張差により緩和されるので、応力の半導体素子１へ影響を軽減して信頼性が向上させることができた。
【００４８】
例３
上記例１では弾性率に、また実施例２では熱膨張率に着目して、凸部８を含めた回路基板２の樹脂材料と、緩衝部９の樹脂材料とを選定しているが、本実施例では、ガラス転移温度に着目し、凸部８を含む回路基板２の樹脂材料としてガラス転移温度が１２０℃の芳香族ポリイミド系樹脂（例えばポリフタルアミド）を、また緩衝部９の樹脂材料としてガラス転移温度が１３８℃のエポキシ系樹脂を用いた。
【００４９】
これにより封止樹脂７を硬化させるときに、同時に半導体素子１、緩衝部９間の応力が緩和され、応力の半導体素子１へ影響を軽減して信頼性が向上させることができた。
【００５０】
尚上記例１〜３の夫々の特性を全て持つを芳香族ポリイミド系樹脂を用いて凸部８を含む回路基板２を、また例１〜３の夫々の特性を全て持つエポキシ系樹脂を用いて緩衝部９を夫々形成すれば、例１〜３の全ての特徴を有する半導体素子実装基板１０を得ることができる。
【００５１】
また上記各例１〜３において回路基板２の下面から緩衝部９の上端面までの高さ寸法Ｌ２を、図５に示すように回路基板２の上面に塗布する封止樹脂７の上端の回路基板２の下面からの高さ寸法Ｌ１より高くすると、封止樹脂７が回路基板２の実装時に押し流されても、開口部３側へ流れ込むのを確実に防止できる。
【００５２】
更に図６に示すように緩衝部９の内周面に黒色のフィルムＦを貼り付け内周面での乱反射を抑制し、光ノイズの増加を防ぐようにしても良い。このフィルムＦを貼り付ける構成は、上記実施形態１は勿論のこと、後述する実施形態３以降に適用できる構成であるので、図６の例に限定されるものではない。
【００５３】
（実施形態３）
上記実施形態１では、凸部８に緩衝部９を二色成形により一体的に突出形成した回路基板２を用いているが、本実施形態では図７（ａ）に示すように凸部８の上端部の周方向に全周に亘るように例えば上向き開口の環状の凹溝１２を形成し、この溝１２に環状の緩衝部９を嵌合して凸部８の上端部に取り付けた回路基板２を用いる。
【００５４】
この場合緩衝部９としては、例えばシリコン系ゴムのような弾性材料を用いて、図７（ｂ）に示すように直径０．３ｍｍという微小なものを用い、半導体素子１の実装前は凸部８の上方に高さｈの略２／３程度を突出させた状態で溝１２に保持させる。
【００５５】
而して本実施形態では、半導体素子１を実装する工程では半導体素子１の下面が緩衝部９を押圧して、緩衝部９を凹溝１２内に押し下げ金バンプ５を回路基板２側の電極部５に圧接させる。
【００５６】
従って、半導体素子１と緩衝部９との間の応力の発生を防止でき、そのため応力の半導体素子１へ影響がなく信頼性が向上させることができるのである。
【００５７】
尚封止樹脂７の塗布、硬化の夫々工程は実施形態２に準ずるので、ここでの説明は省略する。
【００５８】
（実施形態４）
上記実施形態２に用いる回路基板２では緩衝部９を凸部８とは異なる樹脂材料で形成しているが、本実施形態では、図８（ａ）に示すように凸部８，緩衝部９を、同じ樹脂材料（上記実施形態１，２と同様な芳香族ポリイミド系樹脂＜ポリフタルアミド＞）を用いて一体に形成した回路基板２を用い、例えば図８（ｂ）で示すように凸部８の幅ａを０．１ｍｍ、厚さｄを０．１ｍｍとし、緩衝部９の厚さ（幅）ｂを０．０５ｍｍ、緩衝部９の高さｅを０．１ｍｍ〜０．２ｍｍとし、更に回路基板２の下面から緩衝部９の上端までの高さｃを１．３ｍｍとし、凸部８には剛性を、緩衝部９には可撓性を持たせている。
【００５９】
而して本実施形態によれば、緩衝部９は、上記実施形態１乃至３の緩衝部９と同様に半導体素子１の実装工程時に半導体素子１を傷つけることなく、半導体素子１の下面に圧接し、封止樹脂７の開口部３側への漏洩を防止する。
【００６０】
尚封止樹脂７の塗布、硬化の夫々工程は実施形態２に準ずるので、ここでの説明は省略する。
【００６１】
また凸部８，回路基板２と同じ樹脂で成形できるため、緩衝部９，凸部８を含む回路基板２の成形が容易に行える。
【００６２】
また一体形成する緩衝部９の厚さ（幅）としては、略０．０１ｍｍ〜略０．０５ｍｍであれば、半導体素子１の実装時に押し流される封止樹脂７からの圧力によっても割れが生じず、しかも半導体素子１を傷つけることがないことを本発明者らは確認しており、そのため上述の０．０５ｍｍには限定されるものではない。
【００６３】
（実施形態５）
上記実施形態４では同じ樹脂材料を用いて緩衝部９，凸部８とともに射出成形により形成された回路基板２を用いているが、本実施形態では、図９に示すように樹脂材料に混入する例えばシリカ等のフィラー１３（図では●により示す）に緩衝部９の幅以上の粒径を持つものを使用して成形した回路基板２を用いる点に特徴があり、この回路基板２は緩衝部９，凸部８を含む回路基板２を射出成形する際に緩衝部９にフィラー１３が入らず、緩衝部９の剛性が小さくて可撓性が富んでいる。
【００６４】
而して本実施形態によれば、半導体素子１の実装工程において、半導体素子１の下面を緩衝部９の上端に圧接させたときに、緩衝部９の剛性が小さいため半導体素子１を傷つけることがなく、また半導体素子１の下面に密接し、封止樹脂７の開口部３側への漏洩を防止するという役割を果たす。
【００６５】
尚封止樹脂７の塗布、硬化の夫々工程は実施形態２に準ずるので、ここでの説明は省略する。
【００６６】
また凸部８，回路基板２と同じ樹脂で成形できるため、緩衝部９，凸部８を含む回路基板２の成形が容易に行える。
【００６７】
（実施形態６）
上記実施形態４，５に用いる回路基板２は緩衝部９を凸部８の上面に垂立させているが、本実施形態に用いる回路基板２は図１０（ａ）（ｂ）に示すよう下端から上端にかけて外方向へ傾斜させて緩衝部９を形成している。尚傾斜角度θとしては例えば３０°程度としている。
【００６８】
緩衝部９の幅寸法などは実施形態５の回路基板２に準ずるものとする。またフィラー１３を樹脂材料に混入する場合には、粒径が緩衝部９の幅寸法より大きなフィラーを用いる。
【００６９】
而して本実施形態によれば、半導体素子１の実装工程において、半導体素子１の下面を緩衝部９の上端に圧接させたときに、緩衝部９が内側に倒れることがなく、そのため封止樹脂７が緩衝部９を越えて内側へ漏出するのを確実に防止できる。
【００７０】
尚封止樹脂７の塗布、硬化の夫々工程は実施形態２に準ずるので、ここでの説明は省略する。
【００７１】
（実施形態７）
上記実施形態４〜６に用いる回路基板２は緩衝部９はその内周面が凸部８の内周面と連続するように一体形成しているが、本実施形態では図１１（ａ）に示すように緩衝部９の外側に位置する凸部８の上端面に緩衝部９と同様な環状の緩衝部９’を一体に形成した回路基板２を用いる。つまり緩衝部９，９’で二重の緩衝部を構成したもの回路基板２を用いる。尚両緩衝部９，９’は例えば図１１（ｂ）に示すように夫々の厚み（幅）寸法ａ，ａ’を０．０５ｍｍ、両緩衝部９，９’間の距離ｂを０．１ｍｍ、高さ寸法ｃを０．１ｍｍ〜０．２ｍｍとしている。
【００７２】
而して本実施形態によれば、半導体素子１の実装工程において、半導体素子１の下面を緩衝部９の上端に圧接させる際に、半導体素子１の下面により押し流される封止樹脂７を外側の緩衝部９’によって規制する。
【００７３】
更に万が一封止樹脂９’を越えて内側へ封止樹脂７が漏れ出たとしても両緩衝部９’，９間に滞留させることで、緩衝部９を越えて内側へ封止樹脂７が漏れ出るのを防ぐ。これにより封止樹脂７が開口部３側へ漏れ出るのを確実に防止できるのである。また半導体素子実装基板の製造生産性を向上させることもできる。
【００７４】
尚封止樹脂７の塗布、硬化の夫々工程は実施形態２に準ずるので、ここでの説明は省略する。
【００７５】
（実施形態８）
上記実施形態４に用いる回路基板２は緩衝部９の内周面が凸部８の内周面と同一面となるように緩衝部９を突出形成しているが、本実施形態では図１２（ａ）に示すように凸部８の上端面の内縁から離れた位置から一体突出させ、半導体素子１を緩衝部９に圧接したときに、緩衝部９が万が一に内側へ倒れてもその先部が開口部３側へはみ出さないようにした回路基板２を用いる。
【００７６】
図１２（ｂ）は本実施形態に用いる回路基板２の一例を示しており、凸部８の内縁から緩衝部９の外縁までの距離Ｌ２を、緩衝部９の高さＬ１の寸法より大きくし、緩衝部９が内側に倒れても凸部８の内縁より、緩衝部９の先部がはみ出さないようにしてある。尚本例ではＬ１＝０．２ｍｍ、Ｌ２＝１．５ｍｍとし、緩衝部９自体の厚さＬ３を０．０５ｍｍとしている。
【００７７】
而して本実施形態によれば、半導体素子１の実装工程において、半導体素子１の下面を緩衝部９の上端に圧接させたときに、半導体素子１の下面で押し流される封止樹脂７を緩衝部９により規制して、内側へ漏れ出るの防ぐ。
【００７８】
また緩衝部９が内側に倒れてもその先部が凸部８の内縁より内側にはみ出すことがない。従って緩衝部９の開口部３側へのはみ出しが、光ノイズの原因となるのを防ぐことができる。
【００７９】
尚封止樹脂７の塗布、硬化の夫々工程は実施形態２に準ずるので、ここでの説明は省略する。
【００８０】
（実施形態９）
上記実施形態２乃至８に用いる回路基板２は緩衝部９（及び９’）を環状に形成しているが、本実施形態に用いる回路基板２は、図１３に示すように実施形態４の構成において、緩衝部９に適宜間隔で上下方向の切欠いた切欠部１４を形成している。
【００８１】
尚図１３の例では実施形態４の回路基板２と同様に緩衝部９を、凸部８，回路基板２と同じ樹脂を用いて一体成形したものであるが、実施形態２、３の回路基板２のように別の樹脂材料を用いて二色成形により緩衝部９を形成した回路基板２の場合にも本実施形態に用いる回路基板２のように切欠部１４を設けても良い。また実施形態５〜８の構成にも適用しても良いの勿論である。
【００８２】
尚半導体素子実装基板の製造工程については実施形態２に準ずるので、ここでの説明は省略する。
【００８３】
（実施形態１０）
上記実施形態２乃至９の実施形態では、緩衝部９（及び９’）に、半導体素子１の下面を圧接させて半導体素子１を実装することで、封止樹脂７が凸部８を越えて開口部３側へ漏れ出るのを防いでいる。一方実施形態１では、半導体素子１を実装する際に、先に塗布されている封止樹脂７が押し流されて開口部３側へ漏れ出るのを凸部８のみで堰き止めるので、実施形態２〜９に比して封止樹脂７の漏れ出るのを防ぐ能力はやや劣る。
【００８４】
そこで本実施形態は、実施形態１と同様に開口部３を囲むように凸部８を形成しているが緩衝部９を設けていない回路基板２を用いながら確実に封止樹脂７が開口部３側へ漏れ出ないようにした製造方法にかかる。
【００８５】
つまり本実施形態は、図１４（ａ）、図１５（ａ）に示すように凸部８を一体成形した回路基板２を用い、まず半導体素子１を実装する前の工程において、両側に設けた電極部５よりも外側の回路基板２上面に一部の電極部５上に乗るように第１の封止樹脂７ａ（例えば粘度が４０Ｐａ・ｓのエポキシ系樹脂）を夫々塗布する。この塗布工程終了後に半導体素子１の各電極１１に形成した金バンプ４を対応する電極部５に圧接させる。このとき半導体素子１の両側の下面に封止樹脂７ａが広がるように接することになる。この状態で２１０℃で１０秒間加熱し封止樹脂７ａを硬化させ、図１４（ｂ）、図１５（ｂ）に示すように半導体基板１を金バンプ４と電極部５の接合部位の外側から仮封止する。
【００８６】
この仮封止の工程が終了した後接合部位と凸部８の間の空間に図１４（ｃ）、図１５（ｃ）に示すように第２の封止樹脂７ｂ（例えば粘度が１５Ｐａ・ｓのエポキシ系樹脂）を注入塗布する。この注入塗布後に１００℃で１時間加熱した後、更に１５０℃で３時間加熱して第２の封止樹脂７ｂを硬化させ、接合部位を内側から封止する。この際第２の封止樹脂７ｂが第１の封止樹脂７ａに接する部分は第２の封止樹脂７ｂが硬化することで一体となる。
【００８７】
これにより半導体素子１を金バンプ４と電極部５の接合部位が第１，第２の封止樹脂７ａ、７ｂにより本封止されて所定の半導体素子実装基板３が完成することになる。
【００８８】
以上のように本実施形態の製造方法によれば、内側に塗布する第２の封止材料７ｂは半導体素子１からの圧力を受けることがないため、押し流されて凸部８を越えて開口部３側へ漏れ出ることがなく、また緩衝部を形成する必要がないため、生産性が向上する。
【００８９】
（実施形態１１）
本実施形態は、上記実施形態１０において、第２の封止樹脂７ｂを注入塗布する際に、図１６に示すように開口部３を介して加圧空気Ａを回路基板２の下面側から開口部３内に送り込んで開口部３内を加圧するとともに、更に凸部８で囲まれた空間の上面開口より加圧空気Ａを半導体素子１と回路基板２との間に噴出させて第２の封止樹脂７ｂが凸部８を越えて開口部３内へ流れ込むのを防ぐことができる。
【００９０】
尚仮封止までの工程及び、第２の封止樹脂７ｂの塗布後の硬化工程は実施形態１０に準ずるものとする。
【００９１】
（実施形態１２）
上記実施形態１１では、第２の封止樹脂７ｂを注入塗布する際に、開口部３内に加圧空気を送り込んでいたが、本実施形態では、図１７に示すように第２の封止樹脂７ｂを注入塗布する前に開口部３の下面開口を例えばポリイミド製のシール１５で閉塞して１００℃で１時間程度加熱して開口部３内の空気を加熱膨張させて、開口部３を大気に対して正圧とする。従って実施形態１１の場合と同様に、半導体素子１と回路基板２との間に第２の封止樹脂７ｂを注入塗布する際に、第２の封止樹脂７ｂが凸部８を越えて開口部３内へ流れ込むのを防ぐことができる。
【００９２】
尚仮封止までの工程及び、第２の封止樹脂７ｂの塗布後の硬化工程は実施形態１０に準ずるものとする。
【００９３】
（実施形態１３）
本実施形態では、図１８に示すように凸部８の基部、特に第２の封止樹脂７ｂを注入塗布する部位に対応する基部に少なくとも凹溝１６（例えば０．１ｍｍの深さの溝）を形成した回路基板２を用い、第２の封止樹脂７ｂを注入塗布させる際に、凸部８側へ流れようとうする第２の封止樹脂７ｂを凹溝１６で滞留させることで、第２の封止樹脂７ｂが凸部８を越えて開口部３内へ流れ込むのを防止するのである。
【００９４】
尚この回路基板２１を用いる製造方法は、上記実施形態１０〜１２の何れでも良い。
【００９５】
勿論この凹溝１６を設ける構成は、実施形態１〜９の何れにも適用できる。
【００９６】
（実施形態１４）
本実施形態では、図１９に示すように回路基板２１の凸部８と電極部５との間の上面、特に第２の封止樹脂７ｂを注入塗布する部位に対応する上面に少なくとも別の凸部８’を形成した回路基板２を用い、第２の封止樹脂７ｂを注入塗布さする際にこの凸部８’で封止樹脂７ｂの流れを規制し、仮に凸部８’を越えても両凸部８，８’間で第２の封止樹脂７ｂを滞留させて凸部８を越えるのを防止するようになっている。尚本実施形態においては凸部８，８’間の距離を０．０５ｍｍとしている。またこの回路基板２１を用いる製造方法は、上記実施形態１０〜１２の何れでも良い。
【００９７】
勿論この凹溝１６を設ける構成は、実施形態１〜９の何れにも適用できる。
【００９８】
（実施形態１５）
上記実施形態１〜１４は半導体素子１の電極１１に形成した金バンプ４と回路基板２１側の電極部５との接合部位を封止するのにエポキシ系の封止樹脂を用いているが、本実施形態はＡＣＦ（異方性導電フィルム）１７を封止樹脂として用いて接合部位を封止するものである。
【００９９】
この場合図２０（ａ）に示すようにまず中央部に凸部８が嵌り込む貫通孔１８を穿設し、厚さが凸部８の高さより大きなＡＣＦ１７を回路基板２上に載置した上で、押圧板１９を介して１００℃の雰囲気下で、１．０ＭＰａの圧力で３．０秒間加圧し、ＡＣＦ１７を回路基板２上に貼り付ける。この貼り付け工程が終了した後、半導体素子１を図２０（ｂ）に示すように電極１１に形成した金バンプ４が回路基板２の上面の電極部５に金バンプ一個当たり４０ｇ〜１５０ｇの荷重で圧接するよう加圧しながら回路基板２上に載置する。この際金バンプ４がＡＣＦ１７を突き抜ける。そしてその後２５０℃で１００秒間加熱してＡＣＦ１７で接合部位を封止するのである。
【０１００】
ここでＡＣＦ１７に圧力が加わることでＡＣＦ１７が側方へ膨らもうとするが、凸部８側では凸部８で規制されるため開口部３へははみ出ない。また凸部８の剛性により凸部８が開口部３側に変形することがなく、内周面の変形による光ノイズの増加もない。
【０１０１】
（実施形態１６）
上記実施形態１乃至１５の何れの電極部５も平坦な回路基板２の表面に形成しているが本実施形態は、図２１（ａ）に示すように断面が台形の凸状部２０を回路基板２の表面に一体形成し、この凸状部２０の表面に電極部５を形成することで、回路基板２の表面より上方へ電極部５を突出させて凸形状とした点に特徴がある。
【０１０２】
而して本実施形態では電極部５を凸状部２０の表面に形成して凸形状とすることで、封止樹脂７の厚みを増加させることができ、そのため封止樹脂７が硬化収縮時に電極部５と電極１１との接合部位に押し付ける力が増加して接合の信頼性が向上し、また半導体素子１と回路基板２との間の熱膨張差による電極剥離を防止することができる。
【０１０３】
図２１（ｂ）に示す凸状部２０の各辺ａ〜ｃの寸法は、実施例として、例えばａ＝０．１５ｍｍ、ｂ＝０．２ｍｍ、ｃ＝０．１５ｍｍに設定した。
【０１０４】
本実施形態１６の電極部５の構成は封止樹脂としてＡＣＦを用いる場合にも適用できるのは勿論である。
【０１０５】
上記各実施形態では凸部８を開口部３の全周を囲むように形成しているが、この凸部８は少なくとも封止樹脂７の塗布位置やＡＣＦ１７の貼り付け位置に対応する部位に突出形成すればよい。
【０１０６】
【発明の効果】
請求項１の半導体素子実装基板の発明では、電磁波が通過する開口部を備え、該開口部の近傍の表面に前記開口部の一部乃至全周を囲むように一体突出させた凸部を設けるとともに、該凸部が囲う部位の外側に電極部を形成した回路基板と、
前記開口部に受光面若しくは発光面が臨むように前記回路基板の凸部上方に配置され、前記回路基板側に対向する面に設けた電極と前記電極部との間にバンプを介在させて電気的に接合した光素子からなる半導体素子と、から成り、
前記電極、前記バンプ及び前記電極部からなる接合部位を封止樹脂で封止しているので、凸部が回路基板と同様にに硬くて剛性を持つことになって、凸部の形成位置周辺の強度が向上し、そのため半導体素子実装時や封止樹脂硬化時などにおいて生じる凸部への応力による変形が少なくなり、開口部の内周面の表面形状が維持され、そのため光ノイズの原因である開口部の内周面における電磁波の乱反射などが生じにくいという効果がある。
【０１０７】
請求項２の半導体素子実装基板の発明では、請求項１の発明において、前記回路基板として、少なくとも前記封止樹脂が塗布硬化される部位に対応する前記凸部の上端部に前記半導体素子の対向面に圧接する緩衝部を設けている回路基板を用いているので、半導体素子と緩衝部との密接により封止樹脂が開口部側に漏洩するのを確実に防ぐことができ、そのため生産性が向上するという効果がある。
【０１０８】
請求項３の半導体素子実装基板の発明では、請求項２の発明において、前記緩衝部の材料として前記回路基板の樹脂材料の弾性率よりも小さい材料を用いているので、半導体素子と緩衝部との密接により封止樹脂が開口部側に漏洩するのを一層確実に防ぐことができ、しかも緩衝部が半導体素子に圧接する際に半導体素子に傷が付かないという効果がある。
【０１０９】
請求項４の半導体素子実装基板の発明では、請求項２又は３の発明において、前記緩衝部の材料として熱膨張率が前記封止樹脂の熱膨張率よりも大きい材料を用いたので、緩衝部が半導体素子に負荷を加える応力が、封止樹脂の硬化後の冷却時の温度下降による緩衝部と封止樹脂との間の熱膨張差により緩和されるので、応力の影響を半導体素子に与えず、半導体素子の信頼性が向上する
請求項５の半導体素子実装基板の発明では、請求項２乃至４の何れかの発明において、前記緩衝部の材料としてガラス転移温度が前記封止樹脂の硬化温度よりも低い樹脂材料を用いたので、封止樹脂を硬化させるときに、同時に半導体素子、と緩衝部との間の応力が緩和され、そのため応力の影響を半導体素子に与えず、半導体素子の信頼性が向上するという効果がある。
【０１１０】
請求項６の半導体素子実装基板の発明では、請求項２又は３の発明において、前記緩衝部を下方にスライド可能に上記凸部の上端部に設けているので、フリップチップ実装時において半導体素子と緩衝部との間の応力の発生を防止でき、そのため応力の影響を半導体素子に与えず、半導体素子の信頼性が向上するという効果がある。
【０１１１】
請求項７の半導体素子実装基板の発明では、請求項２乃至６の何れかの発明において、前記緩衝部の上面の高さ位置を塗布時の封止樹脂の上面の高さ位置より高くしているので、封止樹脂が半導体素子に押し流された際に緩衝部の高さ位置に封止樹脂が至ることがなく、そのため封止樹脂の開口部側への漏洩を確実に防止でき、その結果生産性が向上するという効果がある。
【０１１２】
請求項８の半導体素子実装基板の発明では、請求項２の発明において、前記記緩衝部を前記凸部の上端部に全周に亘って一体に上方へ突出形成するとともに、前記緩衝部の幅寸法を、前記凸部の幅寸法より小さく形成しているので、緩衝部によって請求項２の発明と同様に封止樹脂の開口部側への漏洩を防ぐことができるのは勿論のこと、回路基板の成形時に凸部及び緩衝部も同時に同じ樹脂成形材料で成形することが可能となって回路基板の生産性が向上し、しかも緩衝部に可撓性を持たせることができるから、半導体素子が緩衝部に圧接したときにも半導体基板に傷を付けることがないという効果がある。
【０１１３】
請求項９の半導体素子実装基板の発明では、請求項８の発明において、前記凸部及び前記緩衝部を含めた前記回路基板が射出成形されたものであって、その樹脂材料として、前記緩衝部の前記幅寸法より大きな径のフィラーを混入した樹脂材料を用いているので、射出成形時に緩衝部にはフィラーが入らず、そのため凸部や回路基板の剛性を維持しながら緩衝部の剛性を弱くして可撓性を持たせることができ、そのため半導体素子が圧接したときにも半導体素子に傷を付けることがない緩衝部を回路基板の成形と同時により形成することができる。
【０１１４】
請求項１０の半導体素子実装基板の発明では、請求項８又は９の何れかの発明において、前記緩衝部を外側に傾斜させているので、半導体素子が緩衝部に圧接するときに、緩衝部が内側に倒れることがなく、そのため封止樹脂が開口部側に漏洩するのを確実に防止でき、生産性が向上するという効果がある。
【０１１５】
請求項１１の半導体素子実装基板の発明では、請求項８の発明において、前記緩衝部の突出位置より外側に位置する前記凸部の上端部に、前記緩衝部の高さと略同じ高さの別の緩衝部を全周に亘って一体に突出形成しているので、緩衝部が二重となることにより、封止樹脂が開口部側に漏洩するのを確実に防止でき、生産性が向上するという効果がある。
【０１１６】
請求項１２の半導体素子実装基板の発明では、請求項８の発明において、前記緩衝部の下端から上端までの高さ寸法を、上記凸部の上端開口縁から前記緩衝部の下端までの最短距離より短い寸法としているので、半導体素子を緩衝部に圧接させたときに、緩衝部が開口部側へはみ出すことがなく、そのため緩衝部のはみ出しが光ノイズの原因となるのを防ぐことができるという効果がある。
【０１１７】
請求項１３の半導体素子実装基板の発明では、請求項８乃至１２の何れかの発明において、前記緩衝部の一部に上端より下端方向に切り欠いた切欠部を形成ているので、半導体素子が緩衝部に圧接したときに緩衝部の切欠部間の部位が開くことになり、そのため半導体素子を緩衝部に小さな力で圧接させることで、所定の高さに半導体素子を実装可能となり、半導体素子の信頼性が向上するという効果がある。
【０１１８】
請求項１４の半導体素子実装基板の発明では、請求項８乃至１３の何れかの発明において、前記緩衝部の幅寸法を略１０乃至略５０μｍとしているので、半導体素子を緩衝部に圧接させる際に押し流される封止樹脂からの圧力によって割れが報じず、また半導体素子にも傷つけることなく半導体素子の実装ができるという効果がある。
【０１１９】
請求項１５の半導体素子実装基板の発明では、請求項１乃至１４の何れかの発明において、前記電極部を回路基板の表面より上方へ突出せる凸形状に形成しているので、封止樹脂７の厚みを増加させることができ、そのため封止樹脂７が硬化収縮時に電極部５と電極１１との接合部位に押し付ける力が増加して接合の信頼性が向上し、また半導体素子と回路基板２との間の熱膨張差による電極剥離を防止することができるという効果がある。
【０１２０】
請求項１６の半導体素子実装基板の発明では、請求項１乃至１５の何れかの発明において、前記緩衝部の少なくとも上端近傍の内周面を黒色としているので、乱反射等が生じにくくなり、ノイズの発生を防止できるという効果がある。
【０１２１】
請求項１７の半導体素子実装基板の製造方法の発明では、電磁波が通過する開口部を備え、該開口部の近傍の表面に前記開口部の一部乃至全周を囲むように一体突出させた凸部を設けるとともに、該凸部が囲う部位の外側に電極部を形成した回路基板と、
前記開口部に受光面若しくは発光面が臨むように前記回路基板の凸部上方に配置され、前記回路基板側に対向する面に設けた電極と前記電極部との間にバンプを介在させて電気的に接合した光素子からなる半導体素子と、から成り、
前記電極、前記バンプ及び前記電極部からなる接合部位を封止樹脂で封止している半導体素子実装基板の製造方法において、
前記凸部の外側周辺で且つ前記電極部を内包するように前記回路基板表面に封止樹脂を塗布する工程と、
前記凸部の上端部に突出形成した緩衝部に前記半導体素子を圧接させて前記開口部に半導体素子の受光面若しくは発光面が臨むように半導体素子を配置し、且つ前記電極部に前記半導体素子の電極をバンプを介して圧接させる工程と、
前記封止樹脂を硬化させ、前記半導体素子の電極、バンプ、回路基板の電極部による接合部位を封止樹脂で封止する工程とから成るので、請求項２の発明の効果を奏する半導体素子実装基板を得ることができる。
【０１２２】
請求項１８の半導体素子実装基板の製造方法の発明では、電磁波が通過する開口部を備え、該開口部の近傍の表面に前記開口部の一部乃至全周を囲むように一体突出させた凸部を設けるとともに、該凸部が囲う部位の外側に電極部を形成した回路基板と、
前記開口部に受光面若しくは発光面が臨むように前記回路基板の凸部上方に配置され、前記回路基板側に対向する面に設けた電極と前記電極部との間にバンプを介在させて電気的に接合した光素子からなる半導体素子と、から成り、
前記電極、前記バンプ及び前記電極部からなる接合部位を前記半導体素子と前記回路基板との間で塗布させた封止樹脂により封止する半導体素子実装基板の製造方法において、
前記電極部の外側に位置する回路基板の表面に前記電極部の外側部に沿うように第１の封止樹脂を塗布する工程と、
この塗布後に前記半導体素子を前記凸部の上部に接しないように前記電極をバンプを介して前記電極部に圧接させながら第１の封止樹脂を硬化させて半導体素子を仮実装する工程と、
この仮実装の後、前記電極部と前記凸部との間の前記回路基板表面に前記電極部に沿うように第２の封止樹脂を塗布して硬化させ半導体素子を本実装する工程とから成るので、開口部への封止樹脂の漏洩を防止しながら半導体素子を実装することができ、特に回路基板の凸部側に半導体素子に圧接させる緩衝部などを設ける必要がなく、そのため半導体素子が傷つけく恐れが全くなく、生産性が向上するという効果がある。
【０１２３】
請求項１９の半導体素子実装基板の製造方法の発明では、請求項１８の発明において、前記本実装の工程における封止樹脂注入時に前記開口部内を加圧するので第２の封止樹脂の開口部への漏洩を確実に防止することができ、生産性を一層向上させることができるという効果がある。
【０１２４】
請求項２０の半導体素子実装基板の製造方法の発明では、請求項１８の発明において、前記加圧は、前記開口部を密閉状態とした後、前記開口部内の空気を加熱して空気を膨張させるので、請求項１９と同様な効果があり、しかも実施するのも容易であるという効果がある。
【０１２５】
請求項２１の半導体素子実装基板の製造方法の発明では、請求項１８乃至２０の何れかの発明において、前記回路基板として、凸部と前記電極部との間の表面に凹溝を形成している回路基板を用いるので、第２の封止樹脂が開口部側へ漏洩するのを一層確実に防止できるという効果がある。
【０１２６】
請求項２２の半導体素子実装基板の製造方法の発明では、請求項１８乃至２１の何れかの発明において、前記回路基板として、前記凸部と前記電極部との間の表面に前記凸部と並行するように別の凸部を形成している回路基板を用いるので、半導体素子を傷つけることなく、第２の封止樹脂が開口部側へ漏洩するのを一層確実に防止できるという効果がある。
【０１２７】
請求項２３の半導体素子実装基板の製造方法の発明では、電磁波が通過する開口部を備え、該開口部の近傍の表面に前記開口部の一部乃至全周を囲むように一体突出させた凸部を設けるとともに、該凸部が囲う部位の外側に電極部を形成した回路基板と、
前記開口部に受光面若しくは発光面が臨むように前記回路基板の凸部上方に配置され、前記回路基板側に対向する面に設けた電極と前記電極部との間にバンプを介在させて電気的に接合した光素子からなる半導体素子と、から成り、
前記電極、前記バンプ及び前記電極部からなる接合部位を樹脂で封止する半導体素子実装基板の製造方法において、
前記凸部の外側周辺の前記回路基板表面に、前記電極部を内包するように載置するとともに加圧・加熱により異方性導電フィルムを前記回路基板表面に貼り付ける工程と、
この工程後に、前記半導体素子の前記電極に形成しているバンプを異方性導電フィルムを貫通させて前記電極部に圧接させながら半導体素子を異方性導電フィルム上に載置し、加圧・加熱により異方性導電フィルムの上面に半導体素子を貼り付け固定し且つ異方性導電フィルムで前記電極、バンプ、電極部からなる接合部を封止する工程と、から成るので、封止樹脂液のような漏洩が全く発生する余地がないので、生産性が向上し、しかも凸部で異方性導電フィルムが開口部側へはみ出すことがないため、光ノイズの増加もないという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１の製造方法の工程説明図である。
【図２】（ａ）は本発明の実施形態２に用いる回路基板の正面断面図である。
（ｂ）は同上に用いる回路基板の上面図である。
【図３】同上の製造方法の工程説明図である。
【図４】同上の製造方法の工程説明図である。
【図５】同上に用いる回路基板例を示す半導体素子実装基板の製造における封止樹脂塗布工程での半導体素子及び回路基板の正面断面図である。
【図６】同上に用いる別の回路基板例を示す半導体素子実装基板の製造における封止樹脂塗布工程での半導体素子及び回路基板の正面断面図である。
【図７】（ａ）は本発明の実施形態３に対応する半導体素子実装基板の製造における封止樹脂塗布工程での半導体素子及び回路基板の正面断面図である。
（ｂ）は同上に用いる回路基板の要部説明用の一部省略せる断面図である。
【図８】（ａ）は本発明の実施形態４に対応する半導体素子実装基板の製造における封止樹脂塗布工程での半導体素子及び回路基板の正面断面図である。
（ｂ）は同上に用いる回路基板の要部説明用の一部省略せる断面図である。
【図９】本発明の実施形態５に対応する半導体素子実装基板の製造における封止樹脂塗布工程での半導体素子及び回路基板の正面断面図である。
【図１０】（ａ）は本発明の実施形態６に対応する半導体素子実装基板の製造における封止樹脂塗布工程での半導体素子及び回路基板の正面断面図である。
（ｂ）は同上に用いる回路基板の要部説明用の一部省略せる正面断面図である。
【図１１】（ａ）は本発明の実施形態７に対応する半導体素子実装基板の製造における封止樹脂塗布工程での半導体素子及び回路基板の正面断面図である。
（ｂ）は同上に用いる回路基板の要部説明用の一部省略せる断面図である。
【図１２】（ａ）は本発明の実施形態８に対応する半導体素子実装基板の製造における封止樹脂塗布工程での半導体素子及び回路基板の正面断面図である。
（ｂ）は同上に用いる回路基板の要部説明用の一部省略せる正面断面図である。
【図１３】本発明の実施形態９に用いる回路基板の上面図である。
【図１４】本発明の実施形態１０の製造方法の工程説明図である。
【図１５】同上の製造方法の工程説明図である。
【図１６】本発明の実施形態１１の第２の封止樹脂の塗布時の工程説明図である。
【図１７】本発明の実施形態１２の第２の封止樹脂の塗布時の工程説明図である。
【図１８】本発明の実施形態１３における第１の封止樹脂の塗布工程での半導体素子及び回路基板の正面断面図である。
【図１９】本発明の実施形態１４における第１の封止樹脂の塗布工程での半導体素子及び回路基板の正面断面図である。
【図２０】本発明の実施形態１５の製造方法の工程説明図である。
【図２１】（ａ）は本発明の実施形態１６に対応する半導体素子実装基板の製造における封止樹脂塗布工程での半導体素子及び回路基板の正面断面図である。
（ｂ）は同上に用いる回路基板の要部説明用の一部省略せる正面断面図である
【符号の説明】
１  半導体素子
２  回路基板
３  開口部
４  金バンプ
５  電極部
６  回路パターン
７  封止樹脂
８  凸部
１０  半導体素子実装基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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