(57)【要約】【課題】  行列形態に配置されたセルを有し、各セルは光ビームの波長より小さい寸法を有する情報記録媒体に情報を記録すると同時に記録された情報を再生すること。【解決手段】  基板１１０と、基板１１０上に互いに一定間隔で平行に配置された複数の下部電極線１２０と、下部電極線１２０と交差するように形成されて互いに一定間隔で平行に配置された複数の上部電極線１４０と、下部電極線１２０と上部電極線１４０の間に形成された情報記録層１３０とで構成されている。情報記録層１３０は、カルコゲナイド系列の相変化媒体で形成される。情報記録層のセルの初期状態が結晶相または非晶質相であり、電気的な加熱によって二つの相のうちの一つから他の一つに変換される。セルが結晶相である場合と非晶質相である場合の入射光に対する反射率が相異なるので、このような性質を利用して情報記録媒体に記録された情報を再生することができる。【選択図】  図１
2004310985.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に互いに一定間隔で平行に配置された複数の下部電極線と、
該複数の下部電極線と交差するように長く形成され、互いに一定間隔で平行に配置された複数の上部電極線と、
前記複数の下部電極線と前記複数の上部電極線との間に形成され、前記各交差点でセルを形成して行列構造を有する情報記録層と
を備えたことを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
前記情報記録層が、カルコゲナイド系列の相変化媒体で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記下部電極線と前記上部電極線は、金、銀、銅のような貴金属、チタニウム、タングステン、アルミニウムのような金属又は窒化チタニウム、窒化アルミニウムのような導電物質からなることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記下部電極線又は前記上部電極線は、５０ｎｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記下部電極線又は前記上部電極線が、インジウムスズ酸化物からなる透明電極で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項６】
前記情報記録媒体の全表面にはシリコン酸化膜が塗布され、前記各セルの下部にはＰ−領域、Ｎ領域、Ｐ＋領域を各々積層してトランジスタを形成したことを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項７】
情報記録媒体のセルのサイズより大きいスポットサイズを有する光ビームを利用して情報を再生する光学装置において、
入射する光ビームを前記情報記録媒体に向かうようにし、反射された光ビームの方向を変化させて出力するビーム分離機と、
該ビーム分離機から出力された光ビームを前記情報記録媒体のセルに集光し、前記情報記録媒体で反射された光ビームを前記ビーム分離機に伝達する対物レンズと、
前記ビーム分離機を通じて前記情報記録媒体で反射された光ビームを受信して、各セルでの反射率差を検出して記録された情報を再生する光検出器と
を備えたことを特徴とする光学装置。
【請求項８】
前記ビーム分離機の前端に、入射される光ビームの１次回折ビームと−１次回折ビームを抽出するための回折格子を備えたことを特徴とする請求項７に記載の光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録媒体及びこれを利用した光学装置に関し、より詳細には、行列形態を有する記録媒体の所望の場所に、熱を加えて物理特性の顕著な変化を誘起させる相変化型情報記録媒体及びこの記録媒体に情報を記録し、この記録媒体に記録された情報を再生するための光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＤ（ｃｏｍｐａｃｔ  ｄｉｓｃ）、ＤＶＤまたは光カードのような光記録媒体において、単位面積当りの情報密度を高めるためには、情報記録時に用いるエネルギー源である光の波長を短くしたり、又は対物レンズの直径ひいては開口数を増加させなければならない。また、近接場光を用いる記録再生方法も研究されている。
【０００３】
波長の縮少の場合には、窒化ガリウム（ＧａＮ）を材料とする青色レーザーダイオードを使用する方法が可能であり、開口数増加の場合には、現在０．８まで増加が可能である。しかし、光の回折限界などにより５０Ｇｂ／ｉｎ２以上の超高密度記録には限界がある。
【０００４】
現在は、このような記録密度の限界を克服するために、光の回折限界を超える分解能を有する近接場記録技術や多重レベル記録技術、多層記録及びホログラフィー技術が提案されている。この中で光ディスクの技術的優位点である媒体脱着式を使用できる技術、または、原理的に可能な技術の中で、面密度向上の観点では電子回路技術を利用する多重レベル記録技術があり、記録情報を３次元的に分布させる方式として多層記録技術、一つの情報を多くの場所に分散記録するホログラフィー技術がある。
【０００５】
ホログラフィー技術の場合には、主な技術の基本概念が定立されており、現在はディスク型有機メディアに関する研究が進められている。また、多層記録技術の場合には、分離再生できる記録層の層数限界が大略４層程度であるので、その集積度の向上には限界がある。
【０００６】
このような技術傾向により、媒体脱着式が可能で、かつ２次元集積の原理を利用する多重レベル記録技術が最近非常に脚光を浴びている。しかし、既存の多重レベル記録技術は、光記録方式で情報を記録する場合、記録パターンを光の回折により波長長さ以内に減らすことができないという問題点がある。
【０００７】
一方、従来技術として特許文献１には、カルコゲナイド薄膜の電気抵抗發熱による相変化現象を利用して電気的に情報を記録し、電気抵抗値の変化を電気的に読み込んで情報を再生する原理を有する再記録が可能な不揮発性メモリ技術が知られている。この特許文献１に記載された記録媒体には、相変化薄膜及び電気加熱構造を有するメモリセルが集積化されて高速で記録及び再生が可能であり、テラビット級の記録密度を実現することができる。しかし、記録速度及び再記録可能回数に限界があって、電子式ランダムアクセス読み書きメモリ（ＲＡＭ）の形態で用いられることには限界がある。
【０００８】
なお、カルコゲナイド物質としては、例えば、Ｔｅ，Ｓｅ，Ｇｅ，Ｓｂの単一元素物質、合金ではＴｅ８１−Ｇｅ１５−Ｓ２−Ａｓ２、Ｔｅ８１−Ｇｅ１５−Ｓ２−Ｓｂ２、Ｔｅ５１−Ｇｅ４０−Ｓｂ９及び類似の組成物が、上述した特許文献１に開示されている。
【０００９】
他の文献として特許文献２には、多重レベル光記録媒体が知られている。従来の光ディスクの場合、記録情報が”０”または”１”の２進数化された情報のみを記録再生する反面、特許文献２で提案された技術は、結晶化の程度を調節して多段階の情報レベルを記録して各レベルを再生できる原理を利用して記録密度を向上させる技術である。
【００１０】
８−レベル及び１２−レベルで情報を再生するので、同じ機械的規格を有するＣＤやＤＶＤと比較してみる時、２〜４倍程度の記録密度（面積当たりビット数）を可能にすることができ、同じ大きさのディスクで２〜４倍程度の記録容量を可能にする。一般に、これを多重レベル記録技術と言う。しかし、多重レベル記録媒体でも用いられる光の波長が短くなるほどその記録容量の増大には限界がある。
【００１１】
一方、非特許文献１に発表された技術は、記録する情報の記録密度及び容量を増加させるためのものであって、マイクロミラー形態を有する記録媒体のミラー角度変化をデータとして用いる技術である。この非特許文献１では、角度の変化を測定するために光検出器の組み合わせを利用して微細な角度の変化を検出するので、情報記録容量が数十倍まで増加することができる。しかし、マイクロミラー媒体の製作は、リソグラフィ工程を利用して読取り専用メモリ（ＲＯＭ）形態でだけ可能であるので製造工程上の制約がある。
【００１２】
【特許文献１】米国特許第５，２９６，７１６号明細書
【特許文献２】米国特許第６，１４８，４２８号明細書
【非特許文献１】ＩＳＯＭ／ＯＤＳ  ２００２、”Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｄｉｇｅｓｔ”ｐｐ．１５０−１５２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、行列形態で配置されたセルを有し、各セルは記録用光ビームの波長より小さい寸法を有する情報記録媒体を備え、このような情報記録媒体に情報を記録するだけでなく、情報記録媒体に記録された情報を再生することができる光学装置を提供することにある。
【００１４】
特に、本発明では記録時の熱源として、光照射または電気抵抗加熱の方式を用い、各セル毎に相変化を起こして情報を記録し、このような局部的相変化による反射率の変化を検出して記録された情報を判別するようにした情報記録媒体及びこのような情報記録媒体のための光学装置を提供することに特徴があり、このような情報記録媒体を電子光学駆動（ＥＯＤ：ｅｌｅｃｔｒｏ−ｏｐｔｉｃａｌ  ｄｒｉｖｅ）型記録媒体と記す。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、このような目的を達成するためになされたもので、基板と、該基板上に互いに一定間隔で平行に配置された複数の下部電極線と、該複数の下部電極線と交差するように長く形成され、互いに一定間隔で平行に配置された複数の上部電極線と、前記複数の下部電極線と前記複数の上部電極線との間に形成され、前記各交差点でセルを形成して行列構造を有する情報記録層とを備えたことを特徴とする。
【００１６】
本発明による情報記録媒体では、情報記録層のセルの初期状態が結晶相または非晶質相のいずれかであり、電気的な加熱によって二つの相のうちの一つの相から他の相に変換する。セルが結晶相である場合と非晶質相である場合の入射光に対する反射率が相異するので、このような性質を利用して情報記録媒体に記録された情報を再生することができる。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明の情報記録媒体は、既存の光ディスク型情報記録媒体が有している回折限界による集積度の限界を克服することができる。つまり、光ビームの波長より小さいセルに電気的に相変化を誘導することができる電子回路を構成して情報を高速で記録し、光検出器を利用して光ビームの波長より小さい距離で変化する反射度分布の情報を検出することができる。
【００１８】
したがって、現在の光ディスクで情報を記録するのに必要な探索時間が大きく減って再記録回数が大きく増加することがある。同時に、その記録密度も相変化媒体の多重レベル技術を使用して得られる１００Ｇｂ／ｉｎ２をはるかに越える３００Ｇｂ／ｉｎ２以上の記録密度を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の技術分野における通常の知識を有する者が、本発明を容易に実施することができる最も好ましい実施例を添付した図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】
図１は、本発明の実施例１による情報記録媒体及びこの情報記録媒体に情報を記録するための光学装置を示す構成図で、図２は、本発明の実施例２による情報記録媒体の断面構造を示す図である。実施例１の情報記録媒体は、受動型情報記録媒体であり、実施例２の情報記録媒体は、能動型情報記録媒体である。
【実施例１】
【００２１】
図１に示すように、本発明の実施例１による情報記録媒体は、基板１１０と、この基板１１０上に互いに一定間隔で平行に配置された複数の下部電極線１２０と、この各下部電極線１２０と交差するように形成されて互いに一定間隔で平行に配置された複数の上部電極線１４０と、各下部電極線１２０と上部電極線１４０の間に形成された情報記録層１３０とで構成されている。情報記録層１３０は、カルコゲナイド系列の相変化媒体で形成される。
【００２２】
上述した情報記録媒体は、カード形態に作ることもでき、ディスク形態で作ることもできる。勿論、現存する紫外線消去型ＥＰＲＯＭのような半導体型メモリに類似した形態も可能である。
【００２３】
下部電極線１２０と上部電極線１４０は、金、銀、銅などの貴金属、チタニウム、タングステン、アルミニウムのような金属または窒化チタニウム、窒化アルミニウムなどの様々な形態の導電物質で形成され得る。この時、金属からなる電極線１２０、１４０の厚さは光が透過できる程度である５０ｎｍ以下であるのが好ましい。また、電極線１２０、１４０としては、可視光の領域で光の透過率の高いインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）のような透明電極で形成されることもできる。
【００２４】
次に、図１に示した情報記録媒体に情報を記録する過程について説明する。  
情報記録層１３０は、熱により相が変化する相変化薄膜で構成され、行列構造のセルとして分割されている。下部電極線１２０と上部電極線１４０が交差する領域に位置した情報記録層１３０のセルは、下部電極線１２０と上部電極線１４０の電位差によってその状態が制御される。情報記録層１３０のセルの初期状態は、結晶相または非晶質相であり、電気的な加熱によって二つの状態のうちの一つの相から他の相に変換される。セルが結晶相である場合と非晶質相である場合の入射光に対する反射率が相異するので、このような性質を利用して記録された情報を再生することができる。
【００２５】
セルを結晶相から非晶質相に変換するためには、セルに７００℃以上の高温が得られるように、できれば断熱的に瞬時昇温するように、短いパルスの電流を印加しなければならず、セルを非晶質相から結晶相に変換するためには２００℃以上になる程度で、多少長いパルスの電流を印加しなければならない。電流の印加は、下部電極線１２０と上部電極線１４０に所定の電圧を印加することによって達成できる。
【００２６】
例えば、下部電極線１２０はｙ方向に長く形成されており、上部電極線１４０はｘ方向に長く形成されているので、臨界電圧を”Ｖ”とする時、下部電極線１２０の中で特定電極線にＶ／２の電圧を印加し、上部電極線１４０の中で特定電極線に−Ｖ／２の電圧を印加する場合、特定電極線が交差する領域に位置したセルには”Ｖ”の臨界電圧が印加され、この電圧によってセルには相変化に必要な電流が流れ、必要な熱がセルに供給されて相変化が発生する。このような方式で情報記録層１３０の全てのセルに意図する情報を記録することも、消去することもできる。
【００２７】
次に、図１に示した情報記録媒体に記録された情報を再生する過程について説明する。
図１を参照すれば、光ビーム１５０がビーム分離機１６０に入射して光の方向が実施例１の情報記録媒体に向かい、対物レンズ１７０によって情報記録媒体上の所定セルに集光される。情報記録媒体上の所定セルでは、そのセルの状態に応じた反射率で入射光を反射させ、この反射された光は、対物レンズ１７０とビーム分離機１６０を経て光検出器セル１８０に投射する。光検出器セル１８０では、記録媒体に入射した光の反射率を反映する投射光強度によって当該セルに記録された情報を判別することができる。本発明の情報記録媒体は、従来のＣＤまたはＤＶＤとは異なってトラッキングのためのランド−グルーブ（ｌａｎｄ−ｇｒｏｏｖｅ）構造を必要としない。
【実施例２】
【００２８】
次に、図２を参照して本発明の実施例２による情報記録媒体について説明する。  
実施例２による情報記録媒体は、能動型情報記録媒体であって、各セルごとにトランジスタを形成して能動的に当該セルの電流を調節するように構成した点に特徴がある。
【００２９】
図２に示したように、本発明の実施例２による情報記録媒体は、Ｐ−領域、Ｎ領域、Ｐ＋領域が各々積層されて形成され、行列形態に配置されたトランジスタと、このトランジスタ上に互いに一定間隔で平行に配置された複数の下部電極線１２０と、各下部電極線１２０と交差するように長く形成されて互いに一定間隔で平行に配置された複数の上部電極線１４０と、各下部電極線１２０と上部電極線１４０の間に形成された情報記録層１３０と、を主な要素として構成されており、追加的な要素としては、主な要素を搭載する基板と、要素間の空間を埋め、全体構成の表面を保護する表面保護材とを含む。
【００３０】
表面保護材としては、全表面にシリコン酸化膜２１０が塗布されている。下部電極線１２０と上部電極線１４０が交差する領域に位置した情報記録層１３０の領域をセルと定義し、各セルには一つのトランジスタが形成されている。このトランジスタは、当該セルに供給される電流量を能動的に制御することができる。
【００３１】
つまり、トランジスタを通じて特定のセルにだけ電圧を印加することによって漏れ電流を最少化して電力消耗を最少化することが可能である。実施例２による情報記録媒体を製作する場合には、トランジスタを形成可能なシリコン基板上に金属電極線と情報記録層を積層するように製作する。情報記録媒体がカード形態である場合には、２次元平面上で電極線がｘ、ｙ軸上に直交する形態で構成されるので製作及び制御が単純である。
【００３２】
しかし、ディスク形態である場合には、図３に示すように、電極線の製作が多少複雑である。ディスク面の空間を効率的に使用してその記録容量を増加させるためには必須な構造である。
【００３３】
本発明による情報記録媒体に記録された情報を光で再生する原理は、基本的に現在用いられているＣＤやＤＶＤと非常に類似している。しかし、本発明に適用されるＥＯＤ（ｅｌｅｃｔｒｏ−ｏｐｔｉｃａｌ−ｄｒｉｖｅ）技術では、セルの大きさが現在の光ディスクに比較してはるかに小さいために、このような小さいビットを再生することができる技術が要求される。
【００３４】
本発明ではいくつかの光検出器がセットで形成されており、単位セルでの記録された情報によって情報記録媒体で反射されて光検出器に到達する光の強さ分布が、光検出器によって測定され、このような反射された光の強さ分布を通じて情報記録媒体に記録された情報を再生する技術が用いられる。
【００３５】
このような原理は、現在のＣＤ／ＤＶＤで単位トラックを継続して一定についていくトラッキング技術で用いられる光検出器の組み合わせを利用したエラー検出技術と非常に類似しているが、記録トラックに平行な方向に光検出器のセットを構成するという点で差がある。
【実施例３】
【００３６】
実施例３は、実施例２を改良したものである。基板として、半導体用のＰ型シリコン基板を使い、基板上面に、行列形態の列となる１列分の全トランジスタを収容する長いＮ型コレクタ拡散層Ｃ、このＮ型コレクタ拡散層Ｃに順次形成されたトランジスタ１個毎のＰ型ベース層ＢとＮ型エミッタ層Ｅ、これら３種の拡散層と基板を覆う熱酸化膜（ＳｉＯ２）と層間絶縁膜、この層間絶縁膜と熱酸化膜に穿たれたベース接触孔とエミッタ接触孔及びコレクタ接触孔、行方向に並ぶベース接触孔を互いに接続するベース電極線、エミッタ接触孔内面とエミッタ接触孔を囲む層間絶縁膜上面に、各接触孔毎に独立して絶縁形成されたカルコゲナイド物質の膜、このカルコゲナイド物質の膜に接続されたエミッタ電極線、コレクタ拡散層毎にコレクタ接触孔に接続されたコレクタ電極線、これら全ての上方を覆う透明保護膜を含む構成を実施例３による記録媒体の基本構造とする。
【００３７】
この基本構造では、エミッタの接続状態が未定であるが、使用者の要求により、ａ）コレクタ拡散層と同じ列接続、ｂ）ベース線と平行な行接続、ｃ）全てのエミッタを一つに纏める接続、の何れかを選ぶ。これらの接続はそれぞれ次のような利点、欠点が考えられる。
【００３８】
ａ）利点＝ベース電流は特定ベース線と特定エミッタ線の交点のみに流れる。コレクタ拡散層を廃止して、Ｎ型基板で代用できる。欠点＝ベース線とエミッタ線（カルコゲナイド物質の膜を含む）の隔離（層間絶縁）手段が必要である。ただし、ベース線をベース拡散層で形成すれば層間絶縁は不要である。  
ｂ）利点＝ベース線とエミッタ線の隔離（層間絶縁）手段が不要である。欠点＝特定ベース線に含まれる全てのトランジスタにベース電流が流れる。  
ｃ）利点＝特別な利益はない。欠点＝ベース線とエミッタ線（カルコゲナイド物質の膜を含む）の隔離（層間絶縁）手段が必要である。特定ベース線に含まれる全てのトランジスタにベース電流が流れる。
【００３９】
この記録媒体に記録する時は、特定のエミッタに電流を流す必要がある。この場合には、エミッタ電位を基準電位（零ボルト）、コレクタを正電位として、特定のベース電極線を正電位にし、他のベース電極線を基準電位に設定する。
【００４０】
上述したａ）の利点、欠点を考慮した記録媒体の構造は、基板として、半導体用のＮ型シリコン基板を使い、基板上面に、行列形態の行となる複数のトランジスタのための線状Ｐ型ベース層Ｂと、トランジスタ１個毎のＮ型エミッタ層Ｅ、これら２種の拡散層と基板を覆う熱酸化膜（ＳｉＯ２）と層間絶縁膜、この層間絶縁膜と熱酸化膜に穿たれたベース接触孔とエミッタ接触孔及び基板（コレクタ）接触孔、ベース接触孔に接続するベース電極線、列方向に並ぶエミッタ接触孔を連結するように接触孔の内部とエミッタ接触孔を囲む層間絶縁膜上面に形成されたカルコゲナイド物質の膜（孔の内部は金属または多結晶シリコンを埋めてもよい）、このカルコゲナイド物質の膜に接続されたエミッタ電極線、これら全ての上方を覆う透明保護膜を含むことが特徴となる。記録法は、ベースとエミッタにアドレス信号を印加し、コレクタ（基板）は常に正電位とする。多分、この構造が最も実用的と考えられる。
【００４１】
次に、図４Ａ，図４Ｂ及び図５Ａ、図５Ｂを参照して本発明による情報記録媒体を再生するための光学装置について説明する。図４Ａ及び図４Ｂには、本発明による情報記録媒体を再生するための光学装置の再生原理が示されており、図５Ａ及び図５Ｂには回折格子をさらに含む光学装置を示す。
【００４２】
図４Ｂを参照すれば、情報記録媒体には、光ビームのスポットサイズ４２０より小さいセル４１０が備えられており、光学装置は、情報記録媒体の二つのセル４１０に記録された情報を同時に検出する。光学装置は、ビーム分離機１６０、対物レンズ１７０及び一対の光検出器１８０で構成されている。
【００４３】
図４Ａに示すように、光ビーム１５０がビーム分離機１６０に入射すれば、ビーム分離機１６０は、光ビームを、情報記録媒体を向かって方向を変化させる。対物レンズ１７０は、ビーム分離機１６０から出た光ビームを情報記録媒体のセル４１０に集光させる。セル４１０には、相変化を通じて予め情報が記録されており、セル４１０では、その状態によって光ビームの反射率及び反射される光の方向に差が出る。
【００４４】
情報記録媒体で反射された光ビームは、対物レンズ１７０とビーム分離機１６０を経て光検出器１８０に到達し、この光検出器１８０は反射された光の強さを測定することによってセル４１０での反射度分布の差を測定し、これにより情報記録媒体に記録された情報を再生する。
【００４５】
図４Ｂには、光ビームのスポットサイズ４２０がセルの大きさより大きい状態を示している。このような方式は、現在の光ディスクでランド−グルーブ（Ｌａｎｄ−Ｇｒｏｏｖｅ）格子での回折ビームの強さの差を隣接した光検出器で測定して記録された情報をアクセスしてトラッキングする原理と類似している。
【００４６】
図５Ａに示された光学装置は、光ビームがビーム分離機１６０に入射する前に回折格子５１０を経るようにしたことに特徴がある。このようにする場合、１次回折ビームと−１次回折ビームがビーム分離機１６０と対物レンズ１７０を経て情報記録媒体に集光され、図５Ｂに示すように、中心点から外れる位置に焦点が集まる。情報記録媒体で反射される光が、対物レンズ１７０とビーム分離機１６０を経て光検出器１８０に到達する時、この光検出器１８０は、それぞれで検出された光の強さを利用して情報記録媒体の各セルの反射度分布の差として記録された情報を再生することができる。
【００４７】
このような光学装置を利用する場合、既存のＣＤまたはＤＶＤのピックアップヘッドで円周に垂直な方向だけでなく、平行な方向に光検出器を構成してもトラッキングと同時に波長寸法以下のセルで反射度の差を検出することができる。
【００４８】
上述した良好な実施例に基づいて本発明を説明したが、このような実施例は、本発明を制限するためのものでなく例示するものである。本発明の当分野技術者には、本発明の技術思想を逸脱せずに実施例に対する様々な変化や変更または調節が可能であることは自明である。したがって、本発明の保護範囲は、添付された請求範囲によってのみ限定され、上述した変化例及び変更例または調節例を全て含むものと解釈すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施例１による情報記録媒体及びこの媒体に情報を記録するための光学装置を示す構成図である。
【図２】本発明の実施例２による情報記録媒体の断面構造を示した図である。
【図３】本発明による情報記録媒体をディスク形態に製作する場合の電極構造を示した図である。
【図４Ａ】本発明による情報記録媒体を再生するための光学装置の再生原理を示した図（その１）である。
【図４Ｂ】本発明による情報記録媒体を再生するための光学装置の再生原理を示した図（その２）である。
【図５Ａ】回折格子をさらに含む光学装置を示した図（その１）である。
【図５Ｂ】回折格子をさらに含む光学装置を示した図（その２）である。
【符号の説明】
【００５０】
１１０  基板
１２０、１４０  電極線
１３０  情報記録層
１５０  光ビーム
１６０  ビーム分離機
１７０  対物レンズ
１８０  光検出器
２１０  シリコン酸化膜
４１０  セル
４２０  スポットサイズ
５１０  回折格子
【図１】
2004310985.tif 000003
【図２】
2004310985.tif 000004
【図３】
2004310985.tif 000005
【図４Ａ】
2004310985.tif 000006
【図４Ｂ】
2004310985.tif 000007
【図５Ａ】
2004310985.tif 000008
【図５Ｂ】
2004310985.tif 000009