(57)【要約】【課題】レーザー光による短時間の照射であっても確実に結晶化でき、しかも、非晶質状態の熱安定性に優れた光記録媒体を提供する。【解決手段】非晶質相と結晶質相との可逆的な相変化を利用した相変化型の記録層を有し、記録層は、少なくともＳｂ、ＭｎおよびＴｅをそれぞれ含有すると共に、結晶質相の状態で、面間隔（Å）が２．１２以上３．１３以下の範囲内において、３．１０±０．０３、２．２５±０．０３および２．１５±０．０３の各面間隔（Å）の範囲内にのみそれぞれ１つの回折線の存在がＸ線回折によって確認される構造を有している。【選択図】図５
2004122768.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　非晶質相と結晶質相との可逆的な相変化を利用した相変化型の記録層を有し、
　前記記録層は、少なくともＳｂ、ＭｎおよびＴｅをそれぞれ含有すると共に、前記結晶質相の状態で、面間隔（Å）が２．１２以上３．１３以下の範囲内において、３．１０±０．０３、２．２５±０．０３および２．１５±０．０３の各面間隔（Å）の範囲内にのみそれぞれ１つの回折線の存在がＸ線回折によって確認される構造を有している光記録媒体。
【請求項２】
　前記記録層は、前記結晶質相の状態において、六方晶格子として指数付けをしたときに、前記３．１０±０．０３の面間隔の範囲内に存在する前記回折線に該当する格子面が六方晶（０１２）面、前記２．２５±０．０３の面間隔の範囲内に存在する前記回折線に該当する格子面が六方晶（１０４）面、前記２．１５±０．０３の面間隔の範囲内に存在する前記回折線に該当する格子面が六方晶（１１０）面として指数付け可能な構造を有している請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
　非晶質相と結晶質相との可逆的な相変化を利用した相変化型の記録層を有し、
　前記記録層は、前記結晶質相の状態において、六方晶格子として指数付けをしたときに、当該六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比ｃ／ａが２．５５８以上２．６７６以下となる構造を有している光記録媒体。
【請求項４】
　前記記録層は、前記結晶質相の状態において、Ａ７構造による単一相で構成されている請求項１から３のいずれかに記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、相変化型の記録層を有する光記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　近年、高密度記録が可能で、しかも記録情報の書換え（オーバーライト）が可能な光記録媒体が注目されている。この書換え可能型の光記録媒体のうちの相変化型光記録媒体は、レーザー光を照射することによって記録層の結晶状態を変化させて記録情報の記録が行われ、このような状態変化に伴う記録層の反射率変化を検出することによって記録情報の再生が行われる。この相変化型光記録媒体は、単一のレーザー光の強度を変調することによって書き換えが可能であり、また、光磁気記録媒体用の光学系と比較して単純な構造の光学系で記録情報を記録再生するのが可能な点で特に注目されている。
【０００３】
　相変化型の記録層を構成する記録材料としては、ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳｅ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、ＧｅＡｓＳｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、Ｇｅ−Ｔｅ−（Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅなどが知られている。特に最近では、結晶質状態と非晶質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料やＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料などの、主成分としてのＳｂにＴｅやＳｅ等のＶＩｂ族に属する元素（カルコゲン）を含有するカルコゲナイド化合物が主として用いられている。
【０００４】
　一般的に、書換え可能型の相変化型光記録媒体に記録情報を記録する際には、まず、記録層全体を結晶質状態に初期化しておき、記録層を融点以上まで昇温し得る高パワー（記録パワー）に設定されたレーザー光を照射する。この際に、記録パワーのレーザー光が照射された部位では、記録層が溶融された後に急冷されることによって非晶質の記録マークが形成される。一方、形成された記録マークを消去する際には、記録層の結晶化温度以上の温度まで昇温し得るパワー（消去パワー）のレーザー光を照射する。この際に、消去パワーのレーザー光が照射された部位では、記録層が結晶化温度以上まで加熱された後に徐冷されることによって記録マーク（非晶質部分）が結晶質に復帰（記録マークの消去）させられる。このように、書換え可能型の相変化型光記録媒体では、単一の光ビームの強度を変調することにより、書き換えが可能となっている。
【０００５】
　例えば、特開２０００−４３４１５には、ＳｂおよびＴｅを含有して空間群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ３Ｔｅ相を有する相変化型記録層が記載されている。このＳｂ３Ｔｅ相は、面心立方（face centered cubic ）構造を持っており、同公報中の実施例では、波長６３５ｎｍのレーザー光を使用して、線速度７ｍ／ｓで記録を行っている。
【０００６】
　また、特開２０００−３１３１７０には、Ｓｂ、ＴｅおよびＧｅを含有して（（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）ｙ Ｇｅ１−ｙ）ｚＭ１−ｚで表される組成の相変化型記録層が記載されている。また、同公報中において、この記録層は、結晶状態において面心立方晶構造を有する結晶相からなるのが好ましく、この場合、単一の結晶相からなっていてもよく、また複数の結晶相からなっていてもよいが、複数の結晶相からなる場合は、格子不整合を有しないのが好ましいと記載されている。また、同公報中の実施例では、波長７８０ｎｍのレーザー光を使用して、線速度を１．２ｍ／ｓ〜８．１ｍ／ｓの間で変化させて記録を行っている。
【特許文献１】特開２０００−４３４１５号公報（第４頁、表１）
【特許文献２】特開２０００−３１３１７０号公報（第３−４頁、第９頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　ところが、これらの各公報に記載された記録層を有する光記録媒体には、以下の問題点がある。すなわち、近年では、記録の高密度化および高転送レート化を実現するために、記録再生時に照射するレーザー光の波長の短縮化、記録再生光学系の対物レンズの高開口数化、媒体の高線速化が進んでいる。この場合、レーザー光の記録層表面におけるスポット径はレーザー波長をλ、開口数をＮＡとしたときにλ／ＮＡで表され、このスポット径λ／ＮＡを媒体の線速度Ｖで除した値（λ／ＮＡ）／Ｖが記録層へのレーザー照射時間（ビームスポット通過に要する時間）となる。したがって、高密度化および高転送レート化に伴い、記録層へのレザー照射時間はますます短くなっていく。このため、光記録媒体は、レーザー光の照射時間が短くても確実に結晶化が行える結晶転移速度の速い記録層を備えている必要がある。また、この記録層は、環境の変化に対して、記録された記録情報を安定して保持できるもの、つまり非晶質状態の熱安定性に優れているものでなければならない。しかしながら、上記各公報（特開２０００−４３４１５号公報、特開２０００−３１３１７０号公報）に記載された光記録媒体は、４００ｎｍ前後のような短波長のレーザー光を光源としては想定しておらず、また線速度も１０ｍ／ｓ以下と非常に遅いために、記録の高密度化および高転送レート化に対応することができないという問題点がある。
【０００８】
　本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、レーザー光による短時間の照射であっても確実に結晶化でき、しかも、非晶質状態の熱安定性に優れた光記録媒体を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
　上記目的を達成すべく本発明に係る光記録媒体は、非晶質相と結晶質相との可逆的な相変化を利用した相変化型の記録層を有し、前記記録層は、少なくともＳｂ、ＭｎおよびＴｅをそれぞれ含有すると共に、前記結晶質相の状態で、面間隔（Å）が２．１２以上３．１３以下の範囲内において、３．１０±０．０３、２．２５±０．０３および２．１５±０．０３の各面間隔（Å）の範囲内にのみそれぞれ１つの回折線の存在がＸ線回折によって確認される構造を有している。
【００１０】
　この場合、前記記録層としては、前記結晶質相の状態において、六方晶格子として指数付けをしたときに、前記３．１０±０．０３の面間隔の範囲内に存在する前記回折線に該当する格子面が六方晶（０１２）面、前記２．２５±０．０３の面間隔の範囲内に存在する前記回折線に該当する格子面が六方晶（１０４）面、前記２．１５±０．０３の面間隔の範囲内に存在する前記回折線に該当する格子面が六方晶（１１０）面として指数付け可能な構造を有しているのが好ましい。
【００１１】
　また、本発明に係る光記録媒体は、非晶質相と結晶質相との可逆的な相変化を利用した相変化型の記録層を有し、前記記録層は、前記結晶質相の状態において、六方晶格子として指数付けをしたときに、当該六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比ｃ／ａが２．５５８以上２．６７６以下となる構造を有している。
【００１２】
　また、前記記録層としては、前記結晶質相の状態において、Ａ７構造による単一相で構成されているのが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
　以上のように、本発明に係る光記録媒体によれば、少なくともＳｂ、ＭｎおよびＴｅをそれぞれ含有し、かつ、結晶質相の状態で、面間隔（Å）が２．１２以上３．１３以下の範囲内において、３．１０±０．０３、２．２５±０．０３および２．１５±０．０３の各面間隔（Å）の範囲内にのみそれぞれ１つの回折線の存在がＸ線回折によって確認される構造の記録層を備えたことにより、非晶質状態の熱安定性を十分に確保しつつ、レーザー光の短時間照射であっても結晶化を確実に行うことができる。したがって、記録の高密度化および高転送レート化に対応する光記録媒体を提供することができる。
【００１４】
　また、本発明に係る光記録媒体によれば、結晶質相の状態において、六方晶格子として指数付けをしたときに、３．１０±０．０３の面間隔の範囲内に存在する回折線に該当する格子面が六方晶（０１２）面、２．２５±０．０３の面間隔の範囲内に存在する回折線に該当する格子面が六方晶（１０４）面、２．１５±０．０３の面間隔の範囲内に存在する回折線に該当する格子面が六方晶（１１０）面として指数付け可能な構造の記録層を備えたことにより、つまりＡ７構造による単一相で構成された記録層を備えたことにより、相分離による結晶化速度の低下、オーバーライト特性の劣化、および一部元素などの析出による保存特定の劣化等を抑制することができるため、結晶転移速度（転送レート）の高速化、および保存安定性の向上を図ることができる。
【００１５】
　また、本発明に係る光記録媒体によれば、結晶質相の状態において、六方晶格子として指数付けをしたときに、六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比ｃ／ａが２．５５８以上２．６７６以下となる構造の記録層を備えたことにより、非晶質状態の熱安定性を十分に確保しつつ、レーザー光の短時間照射であっても結晶化を確実に行うことができる。したがって、記録の高密度化および高転送レート化に対応する光記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
　以下、添付図面を参照して、本発明に係る光記録媒体の好適な実施の形態について説明する。
【００１７】
　本発明に係る光記録媒体の記録層は、少なくともＳｂ、ＭｎおよびＴｅをそれぞれ含有する。この記録層は、結晶質相の状態（結晶質化した状態）に対して例えばＣｕ−Ｋα線を用いたＸ線回折を行ったときに、面間隔（Å）が２．１２以上３．１３以下の範囲内において、３．１０±０．０３、２．２５±０．０３および２．１５±０．０３の各面間隔ｄ（Å）の範囲内にのみそれぞれ１つの回折線の存在が確認される構造を有しているのが好ましい。これらの回折線の存在は、Ｘ線回折装置（ＸＲＤ）または透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による構造解析によって容易に判別できる。また、上記３つの各面間隔（Å）の範囲内にのみ１つの回折線がそれぞれ存在するように記録層を構成することにより、記録層は、記録の高密度化および高転送レート化に対応可能な相変化型記録層として、十分に高速な結晶転移速度と、非晶質状態における十分な熱安定性とを確保する。
【００１８】
　また、本発明の光記録媒体の記録層は、結晶質相の状態において、六方晶格子として指数付けをしたときに、六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比ｃ／ａが２．５５８以上２．６７６以下に規定されている。軸比ｃ／ａをこの範囲内に規定することにより、結晶状態の構造が立方晶系の面心立方構造の記録層（軸比ｃ／ａが２．４５）と比較して、結晶転移速度をさらに高速にできるため、データの転送レートのさらなる高速化が可能となる。ただし、軸比ｃ／ａが２．６７６を超えるときには、結晶化速度が速くなり過ぎて非晶質状態での熱安定性が損なわれるという不都合があり、また２．５５８未満となるときには、結晶化速度が遅くなるという不都合がある。このため、軸比ｃ／ａを上記範囲内に規定するのが好ましい。
【００１９】
　この軸比ｃ／ａを求める際には、記録層に対して例えばＣｕ−Ｋα線を用いたＸ線回折を行ったときに、Ｘ線回折図に現れる回折線について六方晶格子としての指数付けを行い、これらの回折線の位置に基づいてその六方晶格子におけるｃ軸長／ａ軸長を算出し、これを軸比ｃ／ａとする。この軸比ｃ／ａの算出に利用する回折線は特に限定されないが、狭面間隔側（高角度側）に存在することおよび互いの距離が近いことから、六方晶（１０４）面に由来する回折線と六方晶（１１０）面に由来する回折線とを利用するのが好ましい。なお、一例としての上記Ｃｕ−Ｋα線を用いたＸ線回折において、３．１０±０．０３の面間隔ｄ（Å）の範囲内に存在する回折線に該当する格子面は六方晶（０１２）面、２．２５±０．０３の面間隔ｄ（Å）の範囲内に存在する回折線に該当する格子面は六方晶（１０４）面、２．１５±０．０３の面間隔ｄ（Å）の範囲内に存在する回折線に該当する格子面は六方晶（１１０）面として指数付けすることができる。
【００２０】
　また、本発明の光記録媒体の記録層は、結晶質相の状態において、Ａ７構造による単一相からなる菱面体晶によって構成されているのが好ましい。記録層のＸ線回折図に現れる回折線の数および位置は、Ｓｂに対するＭｎおよびＴｅの各含有量によって変化して、例えば適切な量を超えたＭｎを含有する場合には、記録層中にＳｂＭｎが生成される結果、ＳｂＭｎの存在を示す回折線が現れる。したがって、ＪＣＰＤＳカードなどのデータベースと照らし合わせることにより、面間隔（Å）が２．１２以上３．１３以下の範囲内において、上記した３つの面間隔ｄ（Å）の範囲内にのみ回折線が現れる記録層は、Ｓｂによる単一相からなる菱面体晶によって構成されているのが容易に判別できる。ここでいう単一相とは、記録層中にはＳｂの他に、ＭｎおよびＴｅが含有されている（場合によってはＩｎおよびＧｅも含有されている）が、これらの元素がＳｂ格子内に固溶する状態を含む概念である。このように、結晶質相の状態においてＡ７構造による単一相からなる菱面体晶によって記録層を構成したことにより、相分離による結晶化速度の低下、オーバーライト特性の劣化、および一部元素などの析出による保存特定の劣化等を抑制することができるため、結晶転移速度（転送レート）の高速化、および保存安定性の向上を図ることができる。
【００２１】
　また、本発明では、記録層の組成以外、すなわち、光記録媒体の構造は特に限定されない。例えば、一般的な相変化型光記録媒体１の構成例としては、図１に示すように、基体２０上に、反射層５、第２誘電体層３ｂ、記録層４、第１誘電体層３ａおよび光透過層２を順次積層したものが挙げられる。また、第１誘電体層３ａと光透過層２との間に、例えば窒化アルミ（ＡｌＮ）で構成される放熱層を配設して光記録媒体を構成することもできる。この光記録媒体１では、記録再生時に光透過層２を介してレーザー光が照射される。
【００２２】
　また、本発明は、図２に示す構成の光記録媒体にも適用することができる。この相変化型光記録媒体１Ａの構成例としては、同図に示すように、透光性基体２０Ａ上に、第１誘電体層３ａ、記録層４、第２誘電体層３ｂ、反射層５および保護層６を順次積層したものであり、この光記録媒体１Ａでは、記録再生時に透光性基体２０Ａを介してレーザー光が照射される。
【実施例】
【００２３】
　次に、実施例を挙げて本発明を詳細に説明する。
【００２４】
（実施例１，２、比較例１，２）
　射出成形によってグルーブを同時形成した直径１２０ｍｍ、厚み１．１ｍｍのポリカーボネート製ディスクを基体２０として用い、その表面に、図１に示すように、反射層５、第２誘電体層３ｂ、記録層４、第１誘電体層３ａおよび光透過層２を順次形成した複数の光記録媒体を作製した。この場合、各光記録媒体における各記録層４については、Ｓｂ、ＭｎおよびＴｅの組成を図３に示すように各光記録媒体毎に変えて（同図中の各数値の単位は原子％（ａｔ％））、実施例１，２および比較例１，２とした。
【００２５】
　この場合、反射層５は、Ａｒ雰囲気中においてスパッタ法によって形成した。ターゲットには、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ＝９８：１：１を用いた。また、反射層５の厚みは１００ｎｍとした。
【００２６】
　第２誘電体層３ｂは、Ａｌ２Ｏ３ターゲットを用いてＡｒ雰囲気中でスパッタ法によって形成した。また、第２誘電体層３ｂの厚みは７ｎｍとした。記録層４は、ターゲットとしてＳｂ，Ｍｎ，Ｔｅ各元素のターゲットを用い、Ａｒ雰囲気中で３元スパッタ法によって形成した。また、記録層４の厚みは１４ｎｍとした。第１誘電体層３ａは、ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ２（２０モル％）ターゲットを用いてＡｒ雰囲気中でスパッタ法によって形成した。また、第１誘電体層３ａの厚みは１１０ｎｍとした。光透過層２は、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いて、スピンコート法によって形成した。また、光透過層２の厚みは０．１ｍｍとした。
【００２７】
　次いで、これらの実施例１，２および比較例１，２に係る光記録媒体の各記録層４をバルクイレーザーにより初期化（結晶化）した。次に、レーザー波長：４０５ｎｍ、開口数ＮＡ：０．８５、変調方式：（１，７）ＲＬＬ、チャンネルビット長：０．１３μｍ／ｂｉｔ、フォーマット効率：８０％の条件下で記録・消去の転送レート（線速度つまりレーザースポットの照射時間）を変えて、８ＴマークをＤＣの消去パワーで消去したときの消去率（以下、「８Ｔ−ＤＣ消去率」ともいう。単位：ｄＢ）を各転送レート毎に測定した。実施例１，２および比較例１，２に係る光記録媒体における転送レートと消去率との関係を図４に示す。なお、比較例１については、同図中に示されていないが、これは、すべての転送レートにおいて８Ｔマークを消去することができなかったためである。
【００２８】
　図４によれば、比較例２に係る光記録媒体は、１０Ｍｂｐｓ程度の低速な転送レートにおいては消去率が３０ｄＢであって、書換え可能な消去率の目安である３０ｄＢを確保できるが、転送レートが１０Ｍｂｐｓを超えたときには、消去率が３０ｄＢよりも急速に低下する。この結果によれば、比較例２に係る光記録媒体は、転送レートが１０Ｍｂｐｓを超える領域で記録情報の記録・消去を行うことができないことが確認された。一方、実施例１に係る光記録媒体は、２００Ｍｂｐｓの転送レートまで、３３ｄＢ以上の十分な消去率を確保することができる。また、実施例２に係る光記録媒体も、１００Ｍｂｐｓまでの転送レートにおいては３０ｄＢ以上の十分な消去率を確保することができる。しかしながら、実施例２に係る光記録媒体では、その消去率は、転送レートが１００Ｍｂｐｓを超えると急速に低下して約１４０Ｍｂｐｓでは１５ｄＢ以下になる。この結果によれば、実施例２に係る光記録媒体は、転送レートが１００Ｍｂｐｓを超える領域では、記録情報の記録・消去が困難となることが確認された。
【００２９】
　一方、実施例１，２および比較例１，２の光記録媒体にそれぞれ対応するＸ線回折分析用のサンプル１〜４も作製した。この場合、各サンプル１〜４としては、直径１２０ｍｍ、厚み１．１ｍｍのポリカーボネート製ディスクで構成した基体上に、実施例１，２および比較例１，２に係る光記録媒体の組成と同じ組成の記録層を厚み１４０ｎｍで成膜することによって作製した。この場合、サンプル１〜４の各記録層をバルクイレーザーにより初期化（結晶化）した後、Ｘ線回折分析を行った。このＸ線回折分析には、薄膜評価用Ｘ線回折装置（理学電機株式会社製のＡＴＸ−Ｇ）を使用し、Ｃｕ−Ｋα線を線源として用いた。これらのサンプル１〜４の面間隔ｄ（Å）と回折線の強度（intensity ）との関係を図５に示す。
【００３０】
　図５によれば、比較例１，２の光記録媒体に対応するサンプル１，２では、面間隔（Å）が２．１２以上３．１３以下の範囲内において、面間隔ｄ＝３．１０±０．０３、面間隔ｄ＝３．０２±０．０３、面間隔ｄ＝２．２５±０．０３、面間隔ｄ＝２．１５±０．０３、および面間隔ｄ＝２．０５±０．０３の各範囲内にそれぞれ１本ずつ、合計５本だけ回折線が現れた。また、実施例１，２に係る光記録媒体にそれぞれ対応するサンプル３，４では、面間隔（Å）が２．１２以上３．１３以下の範囲内において、面間隔ｄ＝３．１０±０．０３、面間隔ｄ＝２．２５±０．０３、および面間隔ｄ＝２．１５±０．０３の範囲内にのみそれぞれ１つの回折線が、合計３本だけ現れた。これらの回折線をＪＣＰＤＳカードに照らし合わせることにより、サンプル１，２の各回折線は、面間隔ｄの広い側からそれぞれ、Ｓｂ（０１２）面、ＳｂＭｎ（１０１）面、Ｓｂ（１０４）面とＳｂＭｎ（１０２）面との重なり合い、Ｓｂ（１１０）面、およびＳｂＭｎ（１１０）面からのものであると特定することができた。同様にして、サンプル３，４の各回折線は、面間隔ｄの広い側からそれぞれ、Ｓｂ（０１２）面、Ｓｂ（１０４）面、およびＳｂ（１１０）面からのものであると特定することができた。これらの結果によれば、サンプル１，２では、結晶化した記録層は、ＳｂとＳｂＭｎの２種類の結晶相で構成され、サンプル３，４では、結晶化した記録層がＳｂの単一相で構成されていることが確認できた。
【００３１】
　さらに、サンプル３，４について結晶状態のＴＥＭ観察を行った。この際に、Ｘ線回折結果と同様にして、Ｓｂ（０１２）面、Ｓｂ（１０４）面、およびＳｂ（１１０）面の回折リングを観測することができた。また、Ｘ線回折では観測できなかったＳｂ（００３）面の回折リングも明瞭に観測することができた。この観測結果によれば、サンプル３，４（つまり実施例１，２に係る光記録媒体も同様）では、結晶化した記録層は、Ａ７構造による単一相で構成されていることが確認できる。
【００３２】
　上記した図４，５に示される実施例１，２および比較例１，２に係る光記録媒体およびサンプル１〜４についての比較結果を総合した場合、結晶化した記録層に対するＸ線回折分析において、面間隔（Å）が２．１２以上３．１３以下の範囲内において、３．１０±０．０３、２．２５±０．０３および２．１５±０．０３の各面間隔の範囲内にのみそれぞれ１本ずつ合計３本だけ回折線が現れる光記録媒体については少なくとも１００Ｍｂｐｓまでの転送レートで３０ｄＢ以上の十分な消去率を確保できることが確認された。さらに、実施例１，２に係る光記録媒体同士を比較することにより、２．２５±０．０３および２．１５±０．０３の各面間隔の範囲内にそれぞれ１本ずつ現れる回折線がより明確に分離しているものの方が、より高速な転送レート（２００Ｍｂｐｓ）まで十分な消去率を確保できて好ましいことが確認された。
【００３３】
（実施例３，４，５）
　上述した実施例１，２に係る光記録媒体と同様にして、複数の光記録媒体を作製した。この場合、各光記録媒体における各記録層４については、Ｓｂ、ＭｎおよびＴｅを含有して構成すると共に、各光記録媒体毎にその組成を変えて、実施例３，４，５とした。この場合、実施例３の光記録媒体における記録層の組成をＳｂ６０（ＭｎＴｅ）４０とし、実施例４の光記録媒体における記録層の組成をＳｂ４０（ＭｎＴｅ）６０とし、実施例５の光記録媒体における記録層の組成をＳｂ７６（ＭｎＴｅ）２４とした。また、実施例１，２の光記録媒体およびサンプル３，４と同様にして、各実施例３，４，５に係る各光記録媒体の組成と同じ組成の記録層を厚み１４０ｎｍで成膜することによって実施例３〜５にそれぞれ対応するＸ線回折分析用のサンプル５〜７を作製した。
【００３４】
　これらの実施例３，４，５の各記録層４をバルクイレーザーにより初期化（結晶化）した後、実施例１，２と同じ条件下で、８Ｔ−ＤＣ消去率（ｄＢ）を測定した。また、Ｘ線回折分析用のサンプル５〜７の各記録層をバルクイレーザーによって初期化（結晶化）した後、サンプル１〜４と同じ条件下で、Ｘ線回折分析を行ってＸ線回折図を作成した。なお、このＸ線回折分析結果により、サンプル５〜７（つまり実施例３〜５に係る光記録媒体も同様）でも、サンプル３，４と同様にして、結晶化した記録層がＡ７構造による単一相で構成されていることが確認された。
【００３５】
　次いで、これらの実施例３，４，５および上記した各実施例１，２の各Ｘ線回折図に現れた回折線に対して六方晶格子としての指数付けを行い、六方晶（１０４）面および六方晶（１１０）面のそれぞれに由来する回折線からａ軸長とｃ軸長とを求め、これらの各軸長に基づいて各実施例１，２，３，４，５におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比ｃ／ａを求めた。この際に求めた各実施例１，２，３，４，５における各軸比ｃ／ａ、転送レート、およびレーザー照射時間（λ／ＮＡ）／Ｖ（ｎｓ）の関係を図６に示す。なお、同図中の転送レートとは、各実施例に係る光記録媒体の８Ｔ−ＤＣ消去率を測定し、その消去率が３０ｄＢ以上になる転送レートのうちの最大の転送レートを意味する。また、レーザー照射時間とは、最大の転送レートにおける記録・消去に最低限必要な照射時間を意味する。
【００３６】
　図６によれば、軸比ｃ／ａが少なくとも２．５５８以上２．６２６以下となる範囲内の場合、レーザー光照射が３２ｎｓ以下の短時間であったとしても十分に記録消去を行うことができる結果、１００Ｍｂｐｓ以上の高速な転送レートで書き換えを行い得るのが理解される。
【００３７】
（実施例６，７，８，９）
　ポリカーボネート製ディスクを基体２０として用い、その表面に、反射層５、第２誘電体層、記録層、第１誘電体層３ａ、放熱層（図示せず）および光透過層２を順次形成した複数の光記録媒体を作製した。上述した実施例１，２に係る光記録媒体と同様の構成については同一の符号を付して重複する説明を省略する。この場合、光透過層２は、放熱層の形成後、記録層４をバルクイレーザーにより初期化（全面結晶化）した後に形成した。第２誘電体層は、ＺｎＳ（５０モル％）−ＳｉＯ２（５０モル％）ターゲットを用いてＡｒ雰囲気中でスパッタ法により、４ｎｍの厚みに形成した。記録層については、Ｓｂ、Ｍｎ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ｉｎを含有して構成すると共に、各光記録媒体毎にＭｎの量を変化させることによってその組成を変えて、実施例６，７，８，９とした。この場合、各実施例の記録層の組成を（Ｉｎ０．９Ｓｂ７５．７Ｔｅ１７．５Ｇｅ５．９）１−ＸＭｎＸとして、実施例６ではＸ＝９．３（ａｔ％）とし、実施例７ではＸ＝１８．７（ａｔ％）とし、実施例８ではＸ＝２８．０（ａｔ％）とし、実施例９ではＸ＝３３．１（ａｔ％）とした。また、各実施例の記録層の厚みは１４ｎｍとした。放熱層は、Ａｌターゲットを用いて、ＡｒとＮ２の雰囲気中で、反応性スパッタ法によって形成した。また、放熱層の厚みは１００ｎｍとした。
【００３８】
　次いで、実施例１，２と同じ条件下で、記録・消去の転送レート（線速度つまりレーザースポットの照射時間）を変えて、８Ｔ−ＤＣ消去率（ｄＢ）を測定した。その後、各実施例６〜９の光記録媒体に対して、記録層の表面が露出するように、第１誘電体層３ａ、放熱層および光透過層２をテープで剥離させてＸ線回折分析用のサンプルとし、サンプル１〜４と同じ条件下で、Ｘ線回折分析を行ってＸ線回折図を作成した。なお、Ｘ線回折分析結果により、各実施例６〜９のサンプルでも、サンプル３〜７と同様にして、面間隔（Å）が２．１２以上３．１３以下の範囲内において、３．１０±０．０３、２．２５±０．０３および２．１５±０．０３の各面間隔の範囲内にのみそれぞれ１本ずつ合計３本だけ回折線が現れると共に、結晶化した記録層がＡ７構造による単一相で構成されていることが確認された。
【００３９】
　次いで、各実施例６〜９の各Ｘ線回折図に現れた回折線に対して六方晶格子としての指数付けを行い、六方晶（１０４）面および六方晶（１１０）面のそれぞれに由来する回折線からａ軸長とｃ軸長とを求め、これらの各軸長に基づいて各実施例６〜９におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比ｃ／ａを求めた。この際に求めた各実施例６〜９における各軸比ｃ／ａ、転送レート、およびレーザー照射時間（λ／ＮＡ）／Ｖ（ｎｓ）の関係を図７に示す。なお、同図中の転送レートとは、各実施例に係る光記録媒体の８Ｔ−ＤＣ消去率を測定し、その消去率が３０ｄＢ以上になる転送レートのうちの最大の転送レートを意味する。また、レーザー照射時間とは、最大の転送レートにおける記録・消去に最低限必要な照射時間を意味する。
【００４０】
　図７によれば、軸比ｃ／ａが２．６２６を超える場合であっても２．６７６以下となる範囲では、レーザー光照射が２６ｎｓ以下の短時間であったとしても十分に記録消去を行うことができる結果、１２５Ｍｂｐｓ以上の高速な転送レートで書き換えを行い得るのが理解される。
【００４１】
　また、発明者は、軸比ｃ／ａが２．５５８以上２．６７６以下の範囲内の光記録媒体に対してArchival試験（上記の８Ｔ−ＤＣ消去率の測定と同じ条件で記録した信号を所定時間保存した後に再生して評価する試験、試験条件は、温度：８０℃、湿度：ドライ（湿度１０％以下））を行った。この試験によれば、長時間（例えば、２００時間以下の２５時間、５０時間および１５０時間）の保存においても、ジッター（Jitter）が例えば９％から９．５％程度までの劣化というように１％以内の劣化に止まり、実用上全く問題がないことが確認された。また、転送レート１００Ｍｂｐｓ，１４０Ｍｂｐｓ，２００Ｍｂｐｓでのマルチスピード記録を行い、上記と同じ条件でのArchival試験を行った。この試験によれば、いずれの転送レートにおいても、ジッターの劣化が１％以内に止まり、実用上全く問題がないことが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】記録媒体１の構成を示す断面図である。
【図２】他の記録媒体１Ａの構成を示す断面図である。
【図３】実施例１，２および比較例１，２の各記録層の組成図である。
【図４】実施例１，２および比較例２についての転送レートと消去率との関係を示す特性図である。
【図５】比較例１，２および実施例１，２に対応する各サンプル１〜４のＸ線回折図である。
【図６】実施例１〜５における軸比、転送レートおよびレーザー照射時間との関係を示す試験結果図である。
【図７】実施例６〜９における軸比、転送レートおよびレーザー照射時間との関係を示す試験結果図である。
【符号の説明】
【００４３】
　　　１，１Ａ　光記録媒体
　　　２　光透過層
　　３ａ　第１誘電体層
　　３ｂ　第２誘電体層
　　　４　記録層
　　　５　反射層
　　　６　保護層
　　２０　基体
　２０Ａ　透明性基体
【図１】
2004122768.tif 000003
【図２】
2004122768.tif 000004
【図３】
2004122768.tif 000005
【図４】
2004122768.tif 000006
【図５】
2004122768.tif 000007
【図６】
2004122768.tif 000008
【図７】
2004122768.tif 000009