(57)【要約】【課題】磁場の供給を受け、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して形成される光磁気記録媒体、およびそのような光磁気記録媒体の製造方法に関し、再生層に影響を及ぼさない微細な凹凸パターンが形成された下地層を備えた光磁気記録媒体、およびそのような光磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】基板１０と、基板１０上に設けられ、マークの大きさよりも小さな粒径であって、外観形状を成す面に平面１１１ａを有する粒子１１１が、平面１１１ａを上に向けて所定方向に並べられた微粒子層１１と、微粒子層１１上に設けられ、そのマークが形成される記録層１２と、記録層１２上に設けられ、記録層１２に形成されたマークの磁化方向と同一方向に磁化された、そのマークの大きさよりも大きな領域が形成される再生層１４とを備える。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁場の供給を受け、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して形成される光磁気記録媒体において、
基板と、
前記基板上に設けられ、前記マークの大きさよりも小さな粒径であって、外観形状を成す面に平面を有する粒子が、該平面を上に向けて前記所定方向に並べられた微粒子層と、
前記微粒子層上に設けられ、前記マークが形成される記録層と、
前記記録層上に設けられ、前記記録層に形成されたマークの磁化方向と同一方向に磁化された、該マークの大きさよりも大きな領域が形成される再生層とを備えたことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
前記粒子は、粒径が１０ｎｍ以下のものであることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】
前記記録層と前記再生層との間に、該記録層と該再生層との双方のキュリー温度よりも低いキュリー温度を有する中間層が形成されたものであることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。
【請求項４】
磁場の供給を受け、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して形成される光磁気記録媒体の製造方法において、
所定の粒子が溶解された溶液に高分子材料を加えたものを還元することにより、前記マークの大きさよりも小さな粒径であって、外観形状を成す面に平面を有し、該外観形状を成す面が該高分子材料で被覆された粒子が分散された塗布液を製造する塗布液製造工程と、
基板上に、前記塗布液製造工程によって製造された塗布液を塗布し、該基板上に、該塗布液に分散されている粒子が前記平面を上に向けて前記所定方向に並んだ微粒子層を設ける微粒子層形成工程と、
前記微粒子層形成工程によって設けられた微粒子層上に、前記マークが形成される記録層を設ける記録層形成工程と、
前記記録層形成工程によって設けられた記録層上に、該記録層に形成されたマークの磁化方向と同一方向に磁化された、該マークの大きさよりも大きな領域が形成される再生層を設ける再生層形成工程とを有することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記記録層形成工程の実施後であって前記再生層形成工程の実施前に、前記記録層の上に、該記録層と前記再生層との双方のキュリー温度よりも低いキュリー温度を有する中間層を設ける中間層形成工程を有することを特徴とする請求項４記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁場の供給を受け、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して形成される光磁気記録媒体、およびそのような光磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、光と磁気の双方を用いて情報を記録する光磁気ディスク等の光磁気記録媒体が広く使用されている。この光磁気記録媒体は磁性を有する磁性層を備えており、光磁気記録媒体では、この磁性層に、情報を表す一連のマークが形成されることで情報が記録される。すなわち、光磁気記録媒体に情報を記録するには、光磁気記録媒体に記録用の光ビームの照射および磁場の供給を行い、この磁性層に、供給された磁場に応じた向きに磁化されたマークを形成する。また、光磁気記録媒体に記録された情報を再生するには、光磁気記録媒体に再生用の光ビームの照射を行い、磁性層に形成されたマークを読み出す。
【０００３】
このような光磁気記録媒体について近年一層の記録密度の向上が要求されてきている。光磁気記録媒体の記録密度の向上を実現するには、高密度記録を実現する技術とともに、高密度に記録した情報を正確に再生する高精度再生技術が必要である。
【０００４】
高密度記録を実現するためには、光磁気記録媒体の磁性層を、低ノイズ化および高保持力化することが望まれる。特許文献１では、磁性層の下地層として非磁性金属膜を形成し、この非磁性金属膜の作用によって磁性層を低ノイズ化および高保持力化することが提案されている。また、磁性層の記録最小単位である磁区クラスタをできる限り小さくして、短マークに対する保持力を高めることが望まれる。磁性層の下地層に微細な凹凸パターンを設けると、その凹凸パターンが磁性層に反映され、磁性層には、凸部に対応した部分ごとに磁区クラスタが形成される。したがって、下地層にできるかぎり微細な凹凸パターンを設けることがよく、従来では、下地層として、微小な粒径である球形状の粒子を敷き詰めたものが知られている。この下地層では、互いに隣り合う粒子の上半分部分によって微細な凹凸パターンが形成される。
【０００５】
一方、高精度再生を実現するためには、情報を記録する磁性層の上に再生層を設け、再生時に再生層で磁壁の移動を行わせるＤＷＤＤ（Ｄｏｍａｉｎ  Ｗａｌｌ  Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）や、再生時に再生層で磁区の拡大を行わせるＭＡＭＭＯＳ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ａｍｐｌｉｆｙｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｙｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）といった技術が知られている。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−２９１２３０号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、ＤＷＤＤやＭＡＭＭＯＳといった技術が適用された光磁気記録媒体に、球形状の粒子を敷き詰めた下地層を設けることを考えてみると、たとえ微小な粒径の粒子を用いたとしてもこの粒子の上半分部分の半球形状が再生層にまで反映され、再生層にも磁区クラスタができてしまうと考える。再生層に磁区クラスタが形成されると、再生時の磁壁の移動や磁区の拡大が阻害され好ましくない。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑み、再生層に影響を及ぼさない微細な凹凸パターンが形成された下地層を備えた光磁気記録媒体、およびそのような光磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明の光磁気記録媒体は、磁場の供給を受け、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して形成される光磁気記録媒体において、
基板と、
上記基板上に設けられ、上記マークの大きさよりも小さな粒径であって、外観形状を成す面に平面を有する粒子が、その平面を上に向けて上記所定方向に並べられた微粒子層と、
上記微粒子層上に設けられ、上記マークが形成される記録層と、
上記記録層上に設けられ、上記記録層に形成されたマークの磁化方向と同一方向に磁化された、そのマークの大きさよりも大きな領域が形成される再生層とを備えたことを特徴とする。
【００１０】
本発明の光磁気記録媒体によれば、上記微粒子層が上記記録層の下地層になる。この微粒子層の表面には、上記粒子の平面を凸部の突出面とした微細な凹凸パターンが形成されており、上記記録層には、凸部に対応した部分ごとに磁区クラスタが形成されている。このため、高密度記録を実現することができる。また、この下地層に形成された微細な凹凸パターンは、凸部の突出面が平面であることから上記再生層には反映されず、再生層は平坦な層になる。この結果、上記再生層における再生時の磁壁の移動や磁区の拡大はスムーズに行われる。
【００１１】
また、本発明の光磁気記録媒体において、上記粒子は、粒径が１０ｎｍ以下のものであることが好ましい。
【００１２】
１０ｎｍ以下であれば、下地層に十分に微細な凹凸パターンが形成され、上記記録層には、十分に微細な磁区クラスタが形成される。
【００１３】
さらに、本発明の光磁気記録媒体において、上記記録層と上記再生層との間に、その記録層とその再生層との双方のキュリー温度よりも低いキュリー温度を有する中間層が形成されたものであることも好ましい。
【００１４】
このような中間層を設けることで、上記記録層の磁化や上記再生層の磁化が消失する温度より低い温度において、この中間層の磁化を消失させることができる。上記中間層の温度がこの中間層のキュリー温度未満であると、この中間層には上記記録層との交換結合が作用し、上記再生層には、上記記録層に形成されたマークの磁化方向と同一方向に磁化された、そのマークの大きさと同じ大きさの領域が形成されているが、上記中間層の温度がそのキュリー温度を超えると、中間層の磁化が消失して上記記録層との交換結合が切断され、上記再生層には、そのマークの磁化方向と同一方向に磁化された、そのマークの大きさよりも大きな領域が形成される。
【００１５】
上記目的を達成する本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、磁場の供給を受け、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して形成される光磁気記録媒体の製造方法において、
所定の粒子が溶解された溶液に高分子材料を加えたものを還元することにより、上記マークの大きさよりも小さな粒径であって、外観形状を成す面に平面を有し、その外観形状を成す面がその高分子材料で被覆された粒子が分散された塗布液を製造する塗布液製造工程と、
基板上に、上記塗布液製造工程によって製造された塗布液を塗布し、その基板上に、その塗布液に分散されている粒子が上記平面を上に向けて上記所定方向に並んだ微粒子層を設ける微粒子層形成工程と、
上記微粒子層形成工程によって設けられた微粒子層上に、上記マークが形成される記録層を設ける記録層形成工程と、
上記記録層形成工程によって設けられた記録層上に、その記録層に形成されたマークの磁化方向と同一方向に磁化された、そのマークの大きさよりも大きな領域が形成される再生層を設ける再生層形成工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
本発明の光磁気記録媒体の製造方法によれば、本発明の光磁気記録媒体を製造することができる。しかも、上記塗布液製造工程において、上記粒子の外観形状を成す面が上記高分子材料で被覆されているため、塗布液中で粒子どうしがくっつかず、上記微粒子層形成工程では、上記粒子が上記所定方向に均一に並んだ微粒子層を形成することができる。
【００１７】
また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法において、前記記録層形成工程の実施後であって前記再生層形成工程の実施前に、前記記録層の上に、該記録層と前記再生層との双方のキュリー温度よりも低いキュリー温度を有する中間層を設ける中間層形成工程を有することが好ましい。
【００１８】
さらに、本発明の光磁気記録媒体の製造方法において、前記粒子が、金属原子を含むものであれば、上記塗布液製造工程における上記塗布液の製造が容易になる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００２０】
本発明の一実施形態である光磁気記録媒体は、表面にランド・グルーブが形成された記録層を備えた、いわゆるＤＷＤＤ媒体である。
【００２１】
図１は、本実施形態の光磁気記録媒体を、グルーブの延在方向に沿って断面したきの、模式的断面図である。
【００２２】
図１に示す光磁気記録媒体１は、微粒子層１１、記録層１２、中間層１３、再生層（移動層）１４、および保護層１５が、基板１０側からこの記載順に積層されたものである。図１に示す基板１０は、ポリカーボネート製の円盤であるが、ガラス基板や、ガラス基板にフォトポリマの膜を転写したものであってもよい。
【００２３】
微粒子層１１は、支持層１１０の表面にＰｔ微粒子１１１をグルーブの延在方向に並べた層である。Ｐｔ微粒子１１１は、粒径１０ｎｍの６面体構造を有する粒子である。このＰｔ粒子１１１の各面は平面であり、Ｐｔ微粒子１１１は、支持層１１０の表面に、いずれかの面を上方に向けて配置されている。隣り合うＰｔ微粒子１１１の間には、１０ｎｍ未満のわずかな隙間が形成されており、支持層１１０の表面には、Ｐｔ微粒子１１１の上方を向いた面とこの隙間とによって微細な凹凸パターンが形成されている。なお、Ｐｔ微粒子に限らず、Ａｕ等の金属原子を含む微粒子であってもよい。また、微粒子の粒径は、１０ｎｍ以下であればよく、微粒子の構造は、６面体構造に限らず、多面体構造であってもよい。
【００２４】
記録層１２は、膜厚６０ｎｍのＴｂＦｅＣｏ膜である。ＴｂＦｅＣｏ膜は、垂直方向に磁化容易磁区を有する磁性膜である。この記録層１２には、微粒子層１１に設けられた微細な凹凸パターンの凸部に対応した部分ごとに磁区クラスタが形成されており、形成された磁区クラスタ１２１のサイズは微小である。図１に示す光磁気記録媒体１では、記録層１２のグルーブに情報を表す一連のマークが形成されることで、情報が記録される。すなわち、この光磁気記録媒体１に情報を記録するには、光磁気記録媒体１を回転させながら記録用の光ビームの照射および磁場の供給を行い、光ビームの照射によって記録層１２を加熱し保磁力を低下させ、この記録層１２のグルーブに、供給された磁場に応じた向きに磁化されたマークを連続して形成する。この記録層１２の磁区クラスタ１２１は微小であるため、グルーブの延在方向の長さ（以下、マーク長と称する）が短いマークであっても、そのマークをしっかりと保持することができる。
【００２５】
中間層１３は、膜厚１０ｎｍのＴｂＦｅ膜である。この中間層１３のキュリー温度は１５０℃である。なお、記録層１２のキュリー温度は２６０℃であり、再生層１４のキュリー温度は２８０℃である。したがって、中間層１３は、記録層１２のキュリー温度よりも低く、かつ再生層１４のキュリー温度よりも低いキュリー温度を有する層である。
【００２６】
再生層１４は、膜厚３０ｎｍのＧｄＦｅＣｏ膜である。この光磁気記録媒体１から記録された情報を読み出すには、光磁気記録媒体１を回転させながら再生用の光ビームの照射を行う。再生用の光ビームの照射によって、記録層１２、中間層１３、および再生層１４は加熱される。中間層１３の温度が中間層１３のキュリー温度である１５０℃に達するまでは、この中間層１３には、記録層１２との交換結合が作用し、再生層１４には、記録層１２に形成されたマークの磁化方向と同一方向に磁化された、そのマークの大きさと同じ大きさの領域が形成されている。光ビームの照射によって中間層１３の温度が１５０℃以上になると、この中間層１３の磁化が消失して記録層１２との交換結合が切断され、再生層１４には、記録層１２に形成されたマークの磁化方向と同一方向に磁化された、そのマークの大きさよりも大きな領域が形成される。すなわち、光ビームの照射によって加熱された再生層１４には温度勾配が形成されており、再生層１４内の磁壁は高温側に移動し、記録層１２に形成されたマークの磁化方向と同一方向に磁化された、そのマークの大きさよりも大きな領域が形成される。保護層１５は、湿気等から記録層等を保護する機能を有するＳｉＮ誘電体膜である。
【００２７】
次に、本実施形態の光磁気記録媒体１の製造方法について説明する。
【００２８】
図２は、図１に示す光磁気記録媒体を製法するにあたっての各工程を示したフローチャートである。
【００２９】
図２に示すように、図１に示す光磁気記録媒体１を製造するにあたっては、塗布液製造工程５１、微粒子層形成工程５２、記録層形成工程５３、中間層形成工程５４、再生層形成工程５５、および保護層形成工程５６をこの記載順に実施することで製造する。
【００３０】
塗布液製造工程５１は、Ｋ２ＰｔＣｌ４を０．１ミリモル添加した２５０ミリリットルの水溶液に、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）を０．１モル添加した０．２ミリリットルの高分子溶液を混合する。次に、混合した溶液を所定の容器に入れ、アルゴンガスを２０分間流した後に、水素ガスを５分間流し、容器を密封して１２時間還流する。すなわち、ゆっくりとした水素還元を行う。こうすることにより、粒径１０ｎｍの６面体構造を有するＰｔ微粒子１１１が分散された塗布液が得られる。この塗布液中のＰｔ微粒子は、高分子材料によって覆われており、互いにくっつくことなく均一に分散している。
【００３１】
なお、Ｋ２ＰｔＣｌ４を添加した水溶液に代えて、Ｈ２ＰｔＣｌ６を添加した水溶液を用いてもよく、ポリビニルピロリドンを添加した高分子溶液に代えてポリアクリル酸ナトリウム（ＰＡＡ）を添加した高分子溶液を用いてもよい。また、水素還元の代わりにメタノールやエタノールを用いたアルコール還元を行ってもよい。
【００３２】
微粒子層形成工程５２は、塗布液製造工程５１で得られた塗布液を、図１に示す基板１０上に、スピンコート法により塗布する。
【００３３】
図３は、スピンコート法により塗布液が塗布された基板を模式的に示す図である。
【００３４】
基板１０上には、予め、支持層１１０が設けられており、塗布液２は、この支持層１１０の表面１１０ａに塗布される。ここではまず、基板１０を１０ｒｐｍの回転速度で回転させながら塗布液２を支持層１１０の表面１１０ａに垂らし、次いで、その回転速度を１００ｒｐｍまで上げる。回転速度の上昇に伴い、塗布液２は、支持層１１０の表面１１０ａ全体に均一に行き渡る。これにより、塗布液中にのＰｔ微粒子１１１は、互いに重なることなく支持層１１０の表面１１０ａ全体に均一に分散する。その後、塗布液２を自然乾燥させる。
【００３５】
図４は、塗布液を自然乾燥させた後の基板を模式的に示す図である。
【００３６】
図４に示す基板１０には、微粒子層１１が形成されている。塗布された塗布液中のＰｔ微粒子１１１は、支持層１１０の表面１００ａに、いずれか一つの面を上方に向けてグルーブの延在方向に並んでいる。自然乾燥を行うことによって、塗布液は、Ｐｔ微粒子１１１を残して気化しており、互いに隣り合うＰｔ微粒子１１１の間には、わずかな隙間Ｓが生じている。支持層１１０の表面１１０ａには、Ｐｔ微粒子１１１の上方を向いた面１１１ａとこの隙間Ｓとによって微細な凹凸パターンが形成されている。
【００３７】
記録層形成工程５３は、このようにして形成された微粒子層１１の表面、すなち、微細な凹凸パターンに裏面が接するように記録層を形成する。この工程では、図１に示す記録層１２を、マグネトロンスパッタ法により、ガス圧１．０Ｐａ、投入電力０．５ｋＷの条件のもと製膜する。
【００３８】
中間層形成工程５４では、記録層１２の表面に裏面が接するように中間層１３を製膜し、再生層形成工程５５では、中間層１２の表面に裏面が接するように再生層１４を製膜する。いずれの工程においても、ガス圧０．５Ｐａの条件下でスパッタリング製膜が行われる。また、保護層形成工程５６では、図１に示す保護層１５をスパッタリング製膜する。
【００３９】
次に、実験結果について説明する。ここでの実験では、記録用の光ビームのスポットサイズを調整することで、図１に示す光磁気記録媒体１の記録層１２に形成するマークのマーク長を変え、異なるマーク長で情報を記録した。そして、異なるマーク長で記録した光磁気記録媒体ごとに、再生時の、信号強度（キャリア）とノイズを計測し、ＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）を求めた。
【００４０】
図５は、図１に示す光磁気記録媒体におけるＣＮＲのマーク長依存性を示すグラフである。
【００４１】
図５に示すグラフの、横軸はマーク長（単位；μｍ）を表し、縦軸はＣＮＲ（単位；ｄＢ）を表す。ここでは、比較のため、図１に示す光磁気記録媒体１から微粒子層を省略したサンプルと、図１に示す光磁気記録媒体１の微粒子層１２を球形状の粒子を並べた微粒子層に代えたサンプルの２つのサンプルを用意し、これらについても、異なるマーク長で情報を記録しＣＮＲを求めた。図５に示す、丸のプロットを結ぶ線は、図１に示す光磁気記録媒体における結果を表し、三角のプロットを結ぶ線は、球形状の粒子を並べた微粒子層を備えたサンプルにおける結果を表し、四角のプロットを結ぶ線は、微粒子層を省略したサンプルにおける結果を表す。
【００４２】
図５に示すように、微粒子層を省略したサンプルでは、マーク長が０．１５μｍ未満になると、ＣＮＲの値が急激に悪化している。微粒子層を省略したサンプルでは、記録層における磁区クラスタが大きく、マーク長が０．１５μｍ未満のマークの磁化方向は不安定となり、微小なマークを保持することができないためである。一方、球形状の粒子を並べた微粒子層を備えたサンプルでは、マーク長が０．１μｍにまで短くなっても、ＣＮＲの値は４０ｄＢ以上である。これは、記録層における磁区クラスタが小さく、０．１μｍの微小なマーク長であっても、マークをしっかりと保持することができるためである。しかしながら、マーク長が０．０７μｍ程度になると、ＣＮＲの値は４０ｄＢの値を下まわってしまう。これに対して、図１に示す光磁気記録媒体１では、マーク長が０．０７μｍ程度にまで短くなっても、ＣＮＲの値は４０ｄＢ以上である。両者の違いは、再生時の、再生層における磁壁移動のしやすさに起因する。すなわち、球形状の粒子を並べた微粒子層を備えたサンプルでは、粒子の上半分部分の半球状の形状が再生層にまで反映され、再生層にも磁区クラスタが形成されてしまう。このため、再生時の、再生層における磁壁移動が阻害され、再生層の磁壁は、再生層の温度勾配にしたがって高温側まで移動することができず、このことがＣＮＲの低下につながる。ところが、図１に示す光磁気記録媒体１では、微粒子層１１に設けられた凹凸パターンの、凸部の突出面が平面であることから再生層は平坦な層となり、再生層には磁区クラスタが形成されない。このため、再生時には、再生層の磁壁が、再生層の温度勾配にしたがって高温側まで移動することができ、ＣＮＲも良好な値になっている。
【００４３】
なお、ここでの説明では、ＤＷＤＤ媒体、およびその製造方法について説明したが、本発明の光磁気記録媒体は、ＭＡＭＭＯＳ媒体にも適用することができ、本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、ＭＡＭＭＯＳ媒体の製造方法にも適用することができる。
【００４４】
以下、本発明の各種態様を付記する。
【００４５】
（付記１）  磁場の供給を受け、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して形成される光磁気記録媒体において、
基板と、
前記基板上に設けられ、前記マークの大きさよりも小さな粒径であって、外観形状を成す面に平面を有する粒子が、該平面を上に向けて前記所定方向に並べられた微粒子層と、
前記微粒子層上に設けられ、前記マークが形成される記録層と、
前記記録層上に設けられ、前記記録層に形成されたマークの磁化方向と同一方向に磁化された、該マークの大きさよりも大きな領域が形成される再生層とを備えたことを特徴とする光磁気記録媒体。
【００４６】
（付記２）  前記粒子は、粒径が１０ｎｍ以下のものであることを特徴とする付記１記載の光磁気記録媒体。
【００４７】
（付記３）  前記記録層と前記再生層との間に、該記録層と該再生層との双方のキュリー温度よりも低いキュリー温度を有する中間層が形成されたものであることを特徴とする付記１記載の光磁気記録媒体。
【００４８】
（付記４）  前記粒子が、非磁性なものであって、多面体結晶構造を有するものであることを特徴とする付記１記載の光磁気記録媒体。
【００４９】
（付記５）  前記粒子が、Ｐｔ原子とＡｕ原子のうちの一方の原子を含むものであることを特徴とする付記１記載の光磁気記録媒体。
【００５０】
（付記６）  磁場の供給を受け、供給された磁場に応じた向きに磁化された所定の大きさのマークが所定方向に連続して形成される光磁気記録媒体の製造方法において、
所定の粒子が溶解された溶液に高分子材料を加えたものを還元することにより、前記マークの大きさよりも小さな粒径であって、外観形状を成す面に平面を有し、該外観形状を成す面が該高分子材料で被覆された粒子が分散された塗布液を製造する塗布液製造工程と、
基板上に、前記塗布液製造工程によって製造された塗布液を塗布し、該基板上に、該塗布液に分散されている粒子が前記平面を上に向けて前記所定方向に並んだ微粒子層を設ける微粒子層形成工程と、
前記微粒子層形成工程によって設けられた微粒子層上に、前記マークが形成される記録層を設ける記録層形成工程と、
前記記録層形成工程によって設けられた記録層上に、該記録層に形成されたマークの磁化方向と同一方向に磁化された、該マークの大きさよりも大きな領域が形成される再生層を設ける再生層形成工程とを有することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【００５１】
（付記７）  前記高分子材料が、ポリビニルピロリドンとポリアクリル酸ナトリウムのうちの一方を主成分とする材料であることを特徴とする付記６記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【００５２】
（付記８）  塗布液製造工程における還元が、アルコール還元と水素還元のうちの一方の還元であることを特徴とする付記６記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【００５３】
（付記９）  前記粒子は、金属原子を含み、粒径が１０ｎｍ以下のものであることを特徴とする付記６記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【００５４】
（付記１０）  前記記録層形成工程の実施後であって前記再生層形成工程の実施前に、前記記録層の上に、該記録層と前記再生層との双方のキュリー温度よりも低いキュリー温度を有する中間層を設ける中間層形成工程を有することを特徴とする付記６記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【００５５】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明によれば、再生層に影響を及ぼさない微細な凹凸パターンが形成された下地層を備えた光磁気記録媒体、およびそのような光磁気記録媒体の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態の光磁気記録媒体を、グルーブの延在方向に沿って断面したきの、模式的断面図である。
【図２】図１に示す光磁気記録媒体を製法するにあたっての各工程を示したフローチャートである。
【図３】スピンコート法により塗布液が塗布された基板を模式的に示す図である。
【図４】塗布液を自然乾燥させた後の基板を模式的に示す図である。
【図５】図１に示す光磁気記録媒体におけるＣＮＲのマーク長依存性を示すグラフである。
【符号の説明】
１    光磁気記録媒体
１０    基板
１１    微粒子層
１１１    Ｐｔ微粒子
１１１ａ    平面
１２    記録層
１３    中間層
１４    再生層
１５    保護層
【図１】
2004171661.tif 000003
【図２】
2004171661.tif 000004
【図３】
2004171661.tif 000005
【図４】
2004171661.tif 000006
【図５】
2004171661.tif 000007