(57)【要約】【課題】開口率を高くすることにより高性能（高精細・高輝度）で、絶縁信頼性が高くかつ安価（低コスト）な画像表示装置用金属隔壁を提供するための有効な絶縁処理プロセス（画像表示装置用金属隔壁の製造方法）を提案する。【解決手段】多数の貫通孔を有する金属隔壁用基板に、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ系、ＳｉＯ２−Ｎａ２Ｏ系、ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ系、ＳｉＯ２−Ｐ２Ｏ５系、Ｐ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系のうちの少なくとも一種を主成分とする酸化物層を形成する画像表示装置用金属隔壁の製造方法において、前記酸化物層の形成は、ミスト成膜法によって形成されたことを特徴とする画像表示装置用金属隔壁の製造方法。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の貫通孔を有する金属隔壁用基板に、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ系、ＳｉＯ２−Ｎａ２Ｏ系、ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ系、ＳｉＯ２−Ｐ２Ｏ５系、Ｐ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系のうちの少なくとも一種を主成分とする酸化物層を形成する画像表示装置用金属隔壁の製造方法において、前記酸化物層の形成は、ミスト成膜法によって形成されたことを特徴とする画像表示装置用金属隔壁の製造方法。
【請求項２】
ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ系の酸化物層はＬｉ２Ｏを７〜２５ｍａｓｓ％含有し、ＳｉＯ２−Ｎａ２Ｏ系の酸化物層はＮａ２Ｏを１２〜２４ｍａｓｓ％含有し、ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ系の酸化物層はＫ２Ｏを１５〜２５ｍａｓｓ％含有し、ＳｉＯ２−Ｐ２Ｏ５系の酸化物層はＰ２Ｏ５を５〜３５ｍａｓｓ％含有しＰ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系の酸化物層はＡｌ２Ｏ３を９〜２０ｍａｓｓ％含有することを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置用金属隔壁の製造方法。
【請求項３】
酸化物層の厚みを０．１〜５μｍの厚みに被覆することを特徴とする請求項１または２に記載の画像表示装置用金属隔壁の製造方法。
【請求項４】
酸化物層は気相成長法によって酸化物層を形成した後、ミスト成膜法によって更に酸化物層を形成することを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の画像表示装置用金属隔壁の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばプラズマディスプレイパネル（以下ＰＤＰと称する）やフィールドエミッションディスプレイ（以下ＦＥＤと称する）やシートディスプレイ等の薄型の画像表示装置に使用される金属隔壁の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄型の画像表示装置において、例えばＰＤＰ等のガス放電型画像表示装置においては、一つの放電空間を形成し隣接したセルと色の干渉を防止するための仕切りとして絶縁性隔壁が必要である。また、ＦＥＤにおいては、冷陰極と蛍光体との間隔を一定に保持するためのスペーサとしての役割をする絶縁性隔壁が必要である。
これらの隔壁の製造方法について具体的に言えば、例えばＰＤＰでは、鉛を含むガラスを基板素材として、主にサンドブラスト法により製造されている。
また、特開平３−２０５７３８号（特許文献１参照）では、ガラスを含む誘電体を表面に形成した金属隔壁が提案されている。この公報の中では金属隔壁用基板表面に主として電着法によってガラスを含む誘電体を形成する絶縁処理方法が開示されている。
また、特開２０００−３６７５号（特許文献２参照）、特開２０００−６４０２７号（特許文献３参照）、特開２００１−５２６１５号（特許文献４参照）には、本出願人から、気相成長法を利用して金属隔壁用基板に酸化物を形成する絶縁処理方法が開示されている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平３−２０５７３８号公報
【特許文献２】
特開２０００−３６７５号公報
【特許文献３】
特開２０００−６４０２７号公報
【特許文献４】
特開２００１−５２６１５号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の技術では以下の問題点があった。
まず、サンドブラストによるガラス隔壁の製造方法は工程が煩雑であり、生産性が悪くコストが高くなるばかりか、製造されたガラス隔壁自体及び除去されたガラス粉に有害な鉛が多く含まれるため、環境上好ましくないという問題点があった。
また、ＰＤＰの高性能化は隔壁の構造に制限され易く、特に、高精細化・高輝度化のためには隔壁の幅を小さくし開口率を高める必要があるが、ガラス隔壁は脆いため隔壁の幅を小さくすることが困難であるという問題点があった。
【０００５】
一方、特開平３−２０５７３８号に主として開示される電着技術では、本発明者等の検討により、気泡が絶縁層中に残存するため位置によって絶縁性のばらつきが大きくなるということが分かった。従って、絶縁性を確保するためには膜厚を厚くする必要があるが、膜厚を厚くすると開口率が低下してしまい、高精細化できないという問題がある。
また、同公報の中で電着以外の絶縁処理法として開示されるガラス粉末を分散した溶液中へのディッピング法では、膜厚が均一にならないこと、更に金属の焼成酸化法および陽極酸化法では膜質が緻密にならないために十分な絶縁性が得られないこと、そして粉体静電塗布法では膜厚が厚くなり過ぎて１０μｍ以下に制御することが難しいこと、から、現在のところ、ＰＤＰ等の画像表示装置用の金属隔壁は実用化されていないのが実情である。
【０００６】
次に、特開２０００−３６７５号、特開２０００−６４０２７号、特開２００１−５２６１５号には、気相成長法を利用して金属隔壁用基板に酸化物層を１μｍ以上の厚みに形成する絶縁処理方法が開示されているが、気相成長法単独では成膜速度が遅いため生産性が悪く、高コストとなるので、実用化されていないのが現状である。
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、開口率を高くすることにより高性能（高精細・高輝度）で、絶縁信頼性が高くかつ安価（低コスト）な画像表示装置用金属隔壁を提供するための有効な絶縁処理プロセス（画像表示装置用金属隔壁の製造方法）を提案することを目的とする。
【０００７】
【問題を解決するための手段】
上述のように、特開平３−２０５７３８号、特開２０００−３６７５号、特開２０００−６４０２７号、特開２００１−５２６１５号に記載された具体的な金属隔壁の酸化物層の形成による絶縁処理方法では、実用的な画像表示装置用の金属隔壁を得るのが困難である。
本発明者等は、画像表示装置用金属隔壁に最適な絶縁層を形成するため種々の酸化物層の形成による絶縁処理方法と絶縁膜（酸化物）成分を鋭意検討した結果、金属隔壁に求められる高開口率と絶縁性を兼備し、鉛等の有害物質を含まず、かつ、低コスト化も同時に達成可能で、成膜速度の速い成膜方法を鋭意検討した結果、ミスト成膜法を適用することで、低コストで金属隔壁に求められる高開口率と絶縁性を兼備した酸化物層でなる絶縁層を形成することができることを見出し、本発明に到達した。
【０００８】
即ち本発明は、多数の貫通孔を有する金属隔壁用基板に、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ系、ＳｉＯ２−Ｎａ２Ｏ系、ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ系、ＳｉＯ２−Ｐ２Ｏ５系、Ｐ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系のうちの少なくとも一種を主成分とする酸化物層を形成する画像表示装置用金属隔壁の製造方法において、前記酸化物層の形成は、ミスト成膜法によって形成された画像表示装置用金属隔壁の製造方法である。
【０００９】
望ましくは、ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ系の酸化物層はＬｉ２Ｏを７〜２５ｍａｓｓ％含有し、ＳｉＯ２−Ｎａ２Ｏ系の酸化物層はＮａ２Ｏを１２〜２４ｍａｓｓ％含有し、ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ系の酸化物層はＫ２Ｏを１５〜２５ｍａｓｓ％含有し、ＳｉＯ２−Ｐ２Ｏ５系の酸化物層はＰ２Ｏ５を５〜３５ｍａｓｓ％含有し、Ｐ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系の酸化物層はＡｌ２Ｏ３を９〜２０ｍａｓｓ％含有する画像表示装置用金属隔壁の製造方法である。
更に望ましくは、酸化物層の厚みを０．１〜５μｍの厚みに被覆する画像表示装置用金属隔壁の製造方法である。
更に望ましくは、前記酸化物層は、気相成長法によって酸化物層を形成した後、ミスト成膜法によって更に酸化物層を形成する画像表示装置用金属隔壁の製造方法である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の重要な特徴は、画像表示装置用金属隔壁とすべき金属隔壁用基板に、ミスト成膜法を適用して酸化物層を形成する点にある。
酸化物層を、多数の貫通孔を有する金属隔壁用基板表面に被覆する目的は、絶縁性を確保することが主体であるが、酸化物の少なくとも一部を結晶化または分相させることによって、光の反射率を向上させる目的にも利用できる。
【００１１】
本発明において、多数の貫通孔を有する金属隔壁用基板は酸化物層で被覆されて画像表示装置用金属隔壁となり、この画像表示装置用金属隔壁は前面板ガラスと背面板ガラスの間に挟まれて画像表示装置に使用される。
この画像表示装置用金属隔壁はパネルの組立工程で５００℃程度の熱サイクルを受けるため、熱膨張差が大きい場合、熱応力が発生しパネルが破損して画像表示装置として機能できなくなる。それを防ぐためには、隔壁は前面板ガラス及び背面板ガラスと熱膨張係数を近似させることが好ましい。
現状では、例えばＰＤＰの前面板・背面板ガラスには熱膨張係数（２０〜５００℃）が８×１０−６／℃程度のソーダライムガラスや高歪点ガラスが用いられているため、金属隔壁用基板にはＮｉをｍａｓｓ％で４０〜５２％の範囲で含み、残部が実質的にＦｅからなるＦｅ−Ｎｉ系合金を用いると良く、このうちＮｉがｍａｓｓ％で４５％〜４９％の範囲であるＦｅ−Ｎｉ系合金が特に好ましい。これらのＦｅ−Ｎｉ系合金は、熱膨張係数を上記ガラスに近似させることができ、且つエッチング法により微細な貫通孔を容易に形成できるため、金属隔壁用基板に適している。
【００１２】
本発明においては、上述した金属隔壁用基板の表面にミスト成膜法にて酸化物層を形成する。
本発明でいう酸化物層を形成するミスト成膜法とは、金属元素を含む溶液を超音波振動させることにより、液面から液滴を発生させる方法や、上記溶液に圧力を加えて、ノズルの孔から液滴を発生させる方法などの方法により、一粒のサイズが１００μｍ以下の液滴の集団（ミスト）を形成させ、このミストを基板表面に堆積させた後、酸素を有す雰囲気下で焼成することにより、緻密な金属酸化物とする成膜法を言う。
図１は、本発明の実施形態の一例を示す装置の構成図である。原料溶液（２）を超音波振動子（３）で振動を加えることによりミスト（４）を発生させる。このミストを紫外線ランプ（７）で紫外線を照射しながらシャワーヘッド（８）から、加熱ヒータ（９）で加熱された処理用基板に吹き付けることにより、基板表面に原料を堆積させて、膜を形成させる。
【００１３】
更に具体的に説明する。一般的なゾルゲル法では、ディッピングやスプレーなどのコーティング工程があり、ディッピング法では引き上げた後に金属隔壁用基板の微細貫通孔に目詰まりを生じるという問題やスプレーでは直進性が強いため、孔内面への成膜ができないという問題があるが、本発明で言うミスト成膜法では、ミストのサイズが０．１〜１０μｍ程度の微粒子に制御できるため、金属隔壁用基板のような微細貫通孔を有す形状の基板であっても、孔内へ微粒子が進入することが可能であり、ディッピングのように目詰まりを生じさせることはない。
また、微粒子であって空間に浮遊する時間が長いため、スプレーのように直進性がないので、孔内面へも回り込んで、金属隔壁用基板の表面全体に均一な成膜が可能である。
【００１４】
なお、ミストや基板を加熱したり、紫外線、赤外線などの光やプラズマをミストや基板に照射しながらミスト成膜を実施することにより、液滴中の溶媒の分解を促進させたり液滴を硬化させることが可能となるため、基板に付着した液の液垂れが防止されるので、比較的膜厚が厚い場合であっても基板形状に良く追従した段差被覆性の良好な薄膜を形成することが可能である。
さらに、気相成長法と比べて、成膜速度が速く生産性が良いという特徴がある。これが、本発明でミスト成膜法を適用する理由である。
【００１５】
本発明のミスト成膜法における原料としては、金属有機化合物（金属アルコキシド、金属アセチルアセトネート、金属カルボキシレートなど）や金属無機化合物（硝酸塩、塩化物など）等を用いることができる。中でも、金属アルコキシドは安価であるため、低コストプロセスという面で有利である。
ところで、酸化物層の特性としてはＰＤＰの組立てプロセスにより、５００℃程度の熱サイクルを受けるため、金属隔壁用基板の熱膨張係数（２０〜５００℃）の８×１０−６／℃に近い６〜１０×１０−６／℃であることが望ましく、軟化する性質を有す酸化物の場合は、その軟化点が５００℃以上であることが望ましい。
酸化物層の熱膨張係数が、これらの範囲から外れると、熱サイクルにより膜にクラックが発生したり、剥離する危険性が生じる。また、酸化物層の軟化点が５００℃以下の場合には、例えばＰＤＰの組立て中に、酸化物層が軟化して膜の形状が変化して膜厚が薄くなる可能性がある。
【００１６】
そこで、酸化物としてＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ系、ＳｉＯ２−Ｎａ２Ｏ系、ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ系、ＳｉＯ２−Ｐ２Ｏ５系、Ｐ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系を選んだ理由は、これらの酸化物の適用が金属隔壁として良好な絶縁性を有し、金属隔壁に近い熱膨張係数に調整しやすいこと、さらに原料が比較的入手しやすいためである。
従って、上述する酸化物の一種を主成分（５０ｍａｓｓ％）とする必要がある。なお、上述の酸化物を複数組合せて用いても、熱膨張係数の点から言うと特に問題無く、例えば上述した酸化物のうちから複数の種類の酸化物で形成する場合は、それらの酸化物の合計量が主成分となっていれば良い。
特に、２〜３成分系の組成を利用することで酸化物層に要求される種々の特性への対応が可能となる。
【００１７】
そして、上述した酸化物の中で特に複合酸化物とした系では、単独の酸化物と比較し、所望の熱膨張係数（２０〜５００℃）の６〜１０×１０−６／℃に調整しやすいため、より好ましい。
具体的には、ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ系ではＬｉ２Ｏを７〜２５ｍａｓｓ％含有したＳｉＯ２であり、ＳｉＯ２−Ｎａ２Ｏ系の酸化物層はＮａ２Ｏを１２〜２４ｍａｓｓ％含有したＳｉＯ２であり、ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ系の酸化物層はＫ２Ｏを１５〜２５ｍａｓｓ％含有したＳｉＯ２であり、ＳｉＯ２−Ｐ２Ｏ５系ではＰ２Ｏ５を５〜３５ｍａｓｓ％含有したＳｉＯ２であり、Ｐ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系の酸化物層はＡｌ２Ｏ３を９〜２０ｍａｓｓ％含有したＰ２Ｏ５である。
上記の添加物の含有量であるが、上記した範囲を上回っても、下回っても熱膨張係数の調整が難しくなるので、本発明で規定する範囲内に調整することが望ましい。
なお、上述以外の複合酸化物として、ＭｇＯとＳｉＯ２の混合物で例えば、２ＭｇＯ・ＳｉＯ２（フォルステライト）やＭｇＯとＡｌ２Ｏ３の混合物で例えば、ＭｇＯ・Ａｌ２Ｏ３（スピネル）の利用も可能である。
【００１８】
そして、本発明ではこのＳｉＯ２を主成分とした酸化物に結晶化または分相させることも可能である。
ＳｉＯ２を主成分とした酸化物を金属基板にコーティングした後、４００℃以上の加熱処理によって特別な熱処理を施すと、非晶質の酸化物層中に結晶が析出するかまたは分相状態となり、透明な膜が白濁して着色が生じるため、光の反射特性を向上させることができる。
結晶化とは微視的には非晶質の酸化物の原子配列が、部分的にまたは全体が規則的な配列に変化することを言い、分相とは、単一組成からなる非晶質相が、２種類以上の組成の非晶質相に分離する現象である。
特に、ＳｉＯ２にＬｉ２ＯかＮａ２Ｏを添加することによって、比較的低温で結晶化または分相が生じるため、絶縁性に加えて反射率を向上させるためには、これらの成分の酸化物の利用が特に有効である。
【００１９】
本発明では、上述の酸化物層の膜厚を任意の厚みに緻密に形成することができるが、過度に酸化物層を厚くすると開口率の低下につながるため、開口率の観点から膜厚は５μｍ以下が好ましい。
一方、絶縁性の観点からは、厚みが０．１μｍ未満では十分な絶縁性が得にくくなるため、絶縁性と開口率を共に満足させるには、０．１〜５μｍの厚さの酸化物層を形成させれば良い。さらに、生産性を考慮すると、３μｍ以下が望ましいので、０．３〜３μｍの膜厚が最も好ましい。
【００２０】
本発明では、これらの酸化物を成膜して酸化物層とするが、酸化物層は一層であってもよく、また、複数層としてもよい。なお、複数層とする場合には全てを異なる酸化物としてもよいが、同じ酸化物で形成される層を複数積層させてもよい。
本発明において、複数層の酸化物層を形成する場合、絶縁性を考慮すると気相成長法によって酸化物層を形成した後、ミスト成膜法によって更に酸化物層を形成するのが良い。
本発明でいう気相成長法とは、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相成長法（以下ＣＶＤ法と称す）等を利用して、金属や金属化合物を気化した原料ガスを基板表面に衝突させることにより、金属酸化物層を形成する成膜法を言う。
【００２１】
この気相成長法では、ピンホールの少ない緻密な膜が形成できるため、絶縁性の保証という面において優れている一方で、成膜速度が遅いため生産性が悪いという特徴がある。
従って、気相成長法を適用する場合には、上述のミスト成膜法との組合せが最適である。気相成長法とミスト成膜法を組合わせた方式においては、気相成長法による絶縁性保証とミスト成膜法による生産性向上という相互のメリットを兼備した成膜法とすることができる。
【００２２】
以上の説明で明らかなように、本発明では酸化物層形成に際し鉛入りの低融点ガラスを使用しないため、環境上の問題も発生しないという効果も併せ持っている。
なお、本発明の製造方法はミスト成膜法を適用するため、微細な貫通孔を多数有する隔壁への適用が最も有効であるが、ミスト成膜法の有する孔内面へも回り込んで、金属隔壁用基板の表面全体に均一な成膜が可能という特徴を活かして、例えば端部に貫通孔を有するような、画像表示装置の背面板へ適用しても何ら問題無い。この背面板は、一般的に隔壁の背後に位置する矩形の平面板である。
この場合の背面板の製造方法を規定すると、多数の貫通孔を有する金属隔壁用基板に、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ系、ＳｉＯ２−Ｎａ２Ｏ系、ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ系、ＳｉＯ２−Ｐ２Ｏ５系、Ｐ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系のうちの少なくとも一種を主成分とする酸化物層を形成する画像表示装置用金属隔壁の製造方法において、前記酸化物層の形成は、ミスト成膜法によって形成されたことを特徴とする画像表示装置用金属背面板の製造方法である。
【００２３】
（実施例１）
以下、本発明を更に詳細に実施例を用いて説明する。
金属隔壁用素材には熱膨張係数８．５×１０−６／℃のＦｅ−４７ｍａｓｓ％Ｎｉ合金を用い、画像表示装置の金属隔壁（ＰＤＰ用隔壁もしくはＦＥＤ用隔壁）の基板とすべく、ＦｅＣｌ３水溶液をノズルから噴射するスプレー式の湿式エッチング法で所定形状の板材に多数の貫通孔を形成して金属隔壁用基板とした。加工された金属隔壁用基板の開口率は５５％であった。
【００２４】
ＳｉＯ２膜の原料溶液としては、テトラエトキシシランＳｉ（ＯＣ２Ｈ５）４を利用し、これにエチルアルコールを混合して、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４の濃度を調整して、微細なミストが生成し易い条件に設定した後、図１に示すミスト成膜装置で酸化物層を形成した。取り出した基板を、乾燥―焼成（５００℃）することによって、緻密なＳｉＯ２膜とした。
ＳｉＯ２へのＬｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｐ２Ｏ５の添加は、上記の溶液にそれぞれとＬｉ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）、Ｎａ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）、Ｋ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）、Ｐ（ＯＣＨ３）３を適量添加して、原料溶液とした後、金属隔壁用基板にミスト成膜して画像表示装置用金属隔壁とした。
【００２５】
また、Ａｌ２Ｏ３膜の形成は、Ａｌ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）３を利用し、これにエチルアルコールを混合して、Ａｌ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）３の濃度を調整し、微細なミストが生成し易い条件に設定した後、その原料溶液でミスト成膜した。取り出した基板を、乾燥―焼成（６００℃）することによって、緻密なＡｌ２Ｏ３膜を形成して画像表示装置用金属隔壁とした。
また、ＭｇＯ膜の形成はＭｇ（ＯＣ２Ｈ５）２、ＴｉＯ２膜の形成はＴｉ（ＯＣ２Ｈ５）４を原料として利用し、ＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３膜と同様に成膜して画像表示装置用金属隔壁とした。
【００２６】
次に、比較例として特開平３−２０５７３８号で開示される絶縁処理方法（電着法）を用いて隔壁を作成した。平均粒径が６μｍのＢｉ−Ｂ−Ｓｉ−Ｏ系ガラス粉末を原料として用いて、この粉末を分散した溶液中に基板を浸漬し、基板に電圧を印加することにより、この粉末を基板表面に堆積させて膜を形成した後、６３０℃で大気中で加熱―溶融させることにより、酸化物層を形成して画像表示装置用金属隔壁とした。
【００２７】
上述の画像表示装置用金属隔壁の評価方法について説明する。
酸化物層の厚みは金属隔壁の平面部の断面の走査電子顕微鏡写真から測定した。絶縁性については、金属隔壁で孔のない平面部においてＪＩＳ−Ｃ２１１０に従い絶縁破壊電圧を測定し、１０点の平均値として算出した。
得られた膜の特性を表１に示す。
【００２８】
【表１】
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【００２９】
表１の結果より、本発明によるＮｏ．１〜１２では、絶縁破壊電圧として、５０Ｖ以上が確保されており、この金属隔壁をＰＤＰとＦＥＤのパネルに組立てて駆動させたところ絶縁性において問題なく、表示装置として正常に作動することを確認した。
また、開口率は、酸化物層形成後では、形成前の５５％から５４％へ僅かに低下したが、現行のガラス隔壁使用ＰＤＰと比較して輝度はほぼ同レベルであることが確認できた。一方、従来方法（特開平３−２０５７３８号に開示される方法）のＮｏ．１３では、開口率が５５％から４４％へ大きく低下し、現行のガラス隔壁使用ＰＤＰと比較して輝度が低下してしまうことが確認されただけでなく、高精細化も困難であることが分かる。
【００３０】
以上の結果から、本発明の製造方法を適用すれば、絶縁層の膜厚を片面で５μｍ以下に抑えても十分な絶縁性を得ることができ、開口率も実用上問題ないレベルの画像表示装置用金属隔壁を得ることができた。また、画像表示装置としてＰＤＰに組み込んだ性能面でも従来方式と比較して輝度を確保でき、高精細化も十分に図れることが分かる。
【００３１】
（実施例２）
金属隔壁用基板は、実施例１と同じ製法で作製した。
気相成長法としては、スパッタリング、イオンプレーティング、熱ＣＶＤの３手法で成膜テストした。使用した原料について説明する。
スパッタリングでは、各種酸化物のターゲットを高純度化学（株）などより購入して、Ａｒガスでこのターゲットをスパッタリングすることにより金属隔壁用基板に成膜した。
イオンプレーティングでは、各種酸化物のペレット状試料を入手し、るつぼに入れた状態でＥＢ溶解しながら、基板に負の電圧を印加すると、これら酸化物の気化したガスがイオン化し、基板にこれらのイオンガスを引き付けることにより金属隔壁用基板に成膜した。
熱ＣＶＤでは、各種金属アルコキシドまたは金属アセチルアセトネートを原料として利用し、これらを気化器で加熱して気化させたガスを、キャリアガスと共に基板に吹き付けることにより金属隔壁用基板に成膜した。
【００３２】
気相成長法として、スパッタリング、熱ＣＶＤ、イオンプレーティングでＡｌ２Ｏ３膜を約０．５μｍ形成した。その後、ミスト成膜法として、実施例１と同じ製法により、ＳｉＯ２−２０％Ｐ２Ｏ５膜とＳｉＯ２−１４％Ｌｉ２Ｏ膜とＳｉＯ２−２０％Ｋ２Ｏ膜を、Ａｌ２Ｏ３膜の上に約１μｍ形成した。
得られた酸化物層の特性を表２に示す。
【００３３】
【表２】
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【００３４】
表２の結果より、本発明によるＮｏ．１４〜１６では絶縁破壊電圧と開口率の点で問題なかった。なお、開口率は、酸化物層形成後では、形成前の５５％から５４％へ僅かに低下したのみであった。
この金属隔壁をＰＤＰとＦＥＤのパネルに組立てて駆動させたところ、表示装置として正常に作動し、輝度の低下も無いことを確認した。
【００３５】
【発明の効果】
本発明によれば、開口率が高く高性能（高精細・高輝度）で、絶縁信頼性が高く、安価な画像表示装置用金属隔壁を提供すること、また、そのための有効な絶縁処理プロセス（画像表示装置用金属隔壁の製造方法）を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のミスト成膜法の実施形態の一例を示す装置の構成図である。
【図１】
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