(57)【要約】【課題】層間導通用の柱状導体を有し、層間絶縁層に電着手法で電着樹脂を用いた多層回路基板及びその製造法を提供する。【解決手段】銅箔１上に層間接続部２となる箇所にドライフィルムレジスト３で電着時の析出マスクを通常の露光現像工程で形成し、露出している銅箔１の面上に電着手法により層間絶縁層４となる電着樹脂を析出させた段階で、ドライフィルムレジスト３を剥離して開口した層間接続部２を形成する。そこで、層間絶縁層４をマスクとしてメッキ手法により柱状導体５を層間接続部２に形成した後、層間絶縁層４及び柱状導体５上に一様に銅箔６を積層し、この両面の銅箔１、６に同時にサブトラクティブ法で所要の配線層７、８を形成する。そして、上記の手法により形成した柱状導体を有する層間絶縁層付銅箔を両面から積層し、サブトラクティブ法により他の所要の配線層９、１０を形成して多層回路基板を製作する。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
層間導通用の柱状導体を有する層間絶縁層は電着手法を用いて電着樹脂で形成したことを特徴とする多層回路基板。
【請求項２】
多層回路基板において、配線層と電着樹脂との間に接着性樹脂を介在させた請求項１の多層回路基板。
【請求項３】
前記配線層及び層間絶縁層付金属箔を有する積層板の該金属箔に所望の配線層を形成して両面回路基板を構成し、この両面回路基板に更に他の層間絶縁層付金属箔を積層し、該金属箔に更に他の配線層を形成する請求項１又は２の多層回路基板。
【請求項４】
多層回路基板の製造において、金属箔上に電着手法により形成した層間絶縁層に層間の導通を得るための開口部を前加工又は後加工で形成し、該開口部に層間導通用の柱状導体を形成することを特徴とする多層回路基板の製造法。
【請求項５】
前記柱状導体の先端部をマスキングし、電着手法により層間絶縁層を形成した後、前記マスクを除去することにより層間導通用の前記柱状導体を前記層間絶縁層に形成することを請求項４の多層回路基板の製造法。
【請求項６】
前記柱状導体の先端部を必要に応じて研磨する請求項４又は５の多層回路基板の製造法。
【請求項７】
前記層間絶縁層の金属箔と対向する側に他の金属箔を張り合わせ、この金属箔に他の配線層を形成する請求項４、５又は６の多層回路基板の製造法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路基板とその為の製造法に関するものであり、さらに詳細にいえば、本発明は層間導通用の柱状導体を有し、層間絶縁層に電着手法で電着樹脂を用いた多層回路基板及びその製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】
電気・電子機器の更なる小型・軽量化の要求のために回路基板に於ける配線の密度は年々高くなっている。この要求に応えるために片面配線から、両面配線、さらには多層化が進められている。
【０００３】
近年、多層回路基板においてはその内層の配線との電気的な導通を得るために、配線あるいは金属箔上に突起状導体をエッチングやメッキ、印刷などの手法で形成し、ここに絶縁樹脂をラミネ−トする事により、突起状導体が樹脂を貫通し、さらに金属箔を積層する事で層間の導通をこの突起状導体を介して得るという手法がある。
【０００４】
しかしながら、突起状導体の樹脂への貫通は必ずしも安定せず、貫通が不十分な場合は層間の導通不良を起こしてしまう虞がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
電着手法は通電部に樹脂を析出する手法であり、適切な樹脂を選択することにより回路基板の配線間の絶縁にも適用可能なものである。
【０００６】
そこで本発明では、多層回路基板の層間絶縁層として電着手法により形成した電着樹脂を適用するものであり、貫通不良による層間の導通不良を起こす虞のない多層回路基板を提供するものである。
【０００７】
金属箔上に電着手法により層間絶縁層として電着樹脂を形成し、この際前加工又は後加工で電着樹脂に開口部を設け、該開口部を電解あるいは無電解メッキ又は導電ペ−ストを印刷すること等適切な手法により導電体で充填する。
【０００８】
また、金属箔上にメッキ又はエッチングあるいは転写や印刷など適切な手法で柱状導体を形成し、必要に応じて特願２００１−３６９６４５のように柱状導体の先端部をフォトレジストなどの非導電体でマスキングし、電着手法により絶縁膜を形成する。
【０００９】
層間絶縁層に用いる電着樹脂としてはこの後配線層を形成する面が該配線層金属と接着性のある樹脂を用いる。あるいは必要に応じて層間絶縁層と該配線層金属との間に接着性の樹脂層を形成することもできる。
【００１０】
また、柱状導体の先端部が樹脂により埋設される場合、研磨を行うことで柱状導体の先端部を露出させても良い。このようにして、柱状導体を有する層間絶縁層付金属箔が形成される。
【００１１】
この後、層間絶縁層の電着樹脂が析出した金属箔と対向する表面に配線層を形成する。このとき、配線層の形成方法としては、層間絶縁層上に金属箔を張り合わせてサブトラクティブ法を適用できる。この場合、電着樹脂が析出した金属箔も同時に配線が形成可能である。
【００１２】
配線の形成手法としては、この他、薄い金属箔を張り合わせるか、スパッタや真空蒸着のような乾式又は無電解メッキなどによる湿式の導電化層を形成し、これをシ−ド層としてセミアディティブ法により配線を形成することもできる。
【００１３】
あるいは、剥離可能な基板上に所望の配線を形成し、これを層間絶縁層に位置合わせを行い転写することにより配線を形成するか、層間絶縁層上にフォトレジストなどで所望の配線とは反転した形状を形成し、これをマスクとして無電解メッキなどで配線を形成するフルアディティブ法も適用できる。
【００１４】
このようにして得られた配線層及び層間絶縁層付金属箔の該金属箔を用いて所要の配線を形成できる。
【００１５】
また、上記配線を形成する他の手法としては、上記金属箔を全面除去し、薄い金属箔を張り合わせるか、あるいはスパッタや真空蒸着のような乾式又は無電解メッキなどによる湿式の導電化層を形成し、これをシ−ド層としてセミアディティブ法により配線を形成することも可能である。
【００１６】
あるいは、上記金属箔を全面除去し、これとは別に剥離可能な基板上に所望の配線を形成し、これを層間絶縁層に位置合わせを行い転写することにより配線を形成するか、又は同様に上記金属箔を全面除去し、層間絶縁層上にフォトレジストなどで所望の配線とは反転した形状を形成し、これをマスクとして無電解メッキなどで配線を形成するフルアディティブ法も適用できる。
【００１７】
以上の方法により両面に配線層を有する回路基板が形成される。この回路基板に対し、上記手法で形成された柱状導体を有する層間絶縁層付金属箔を積層し、積層した金属箔面に上記手法で所望の配線層を形成することを繰り返すことにより多層回路基板を製作することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図示の実施例を参照しながら本発明をさらに説明する。図１は本発明の一実施例による多層回路基板の製造工程図である。
【００１９】
まず、同図（１）のように銅箔１上に層間接続部２となる箇所にドライフィルムレジスト３で電着時の析出マスクを通常の露光現像工程で形成する。次いで、同図（２）のように露出している銅箔１の面上に電着手法により層間絶縁層４となる電着樹脂を析出させる。
【００２０】
さらに、同図（３）のようにドライフィルムレジスト３を剥離して開口した層間接続部２を形成する。そこで、同図（４）のように層間絶縁層４をマスクとしてメッキ手法により柱状導体５を層間接続部２に形成する。次に、同図（５）のように層間絶縁層４及び柱状導体５上に一様に銅箔６を積層する。
【００２１】
次いで、同図（６）のように両面の銅箔１、６に同時にサブトラクティブ法で所要の配線層７、８を形成する。更に、上記図（１）〜（４）の手法により形成された柱状導体を有する層間絶縁層付銅箔を両面から積層し、同図（７）のようにサブトラクティブ法により他の所要の配線層９、１０を形成して多層回路基板を製作する。これらの工程を繰り返すことによりさらに層数を増すことが可能である。
【００２２】
図２は本発明の他の実施例による多層回路基板の製造工程図である。この実施例では、先ず同図（１）のように銅箔１２の面上に、所望の柱状導体高さの厚みを持つ銅箔１１を形成し、この銅箔１１にドライフィルムレジストをラミネ−トし、所定の層間接続部の箇所にエッチングマスクとなるドライフィルムレジスト１３を残すように通常の露光現像工程で形成する。
【００２３】
次いで、同図（２）のように銅箔１１に対してエッチング処理を加えて柱状導体１４を形成する。そこで、同図（３）のように柱状導体１４の先端部のドライフィルムレジスト１３を剥離せず電着手法により層間絶縁層１５を形成する。
【００２４】
さらに、同図（４）のようにドライフィルムレジスト１３を剥離した段階で、層間絶縁層１５及び柱状導体１４の面上に一様に銅箔１６を積層し、同図（５）の如く両面同時にサブトラクティブ法で所要の配線層１７、１８を形成する。
【００２５】
そして、同図（１）〜（３）の工程を経てドライフィルムレジスト１３を剥離して得られる柱状導体を有する層間絶縁層付銅箔を両面から積層し、同図（６）のようにサブトラクティブ法により他の所要の配線層１９、２０を形成して多層回路基板を製作する。これらの工程を繰り返すことによりさらに層数を増すことが可能である。
【００２６】
【発明の効果】
本発明によれば、柱状導体が樹脂を貫通する必要がないので、層間接続不良の虞のない多層回路基板を製作することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による多層回路基板の製造工程図。
【図２】本発明の他の実施例による多層回路基板の製造工程図。
【符号の説明】
１　銅箔
２　層間接続部
３　ドライフィルムレジスト
４　層間絶縁層
５　柱状導体
６　銅箔
７　配線層
８　配線層
９　配線層
１０　配線層
【図１】
2004146666.tif 000003
【図２】
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