(57)【要約】【課題】良好な焼結性を有し、高周波特性が優れ、低温焼成可能な誘電体磁器組成物を提供する。【解決手段】一般式αＢａＯ・（１−α）ＴｉＯ２（αはｍｏｌ％で、０．１７１≦α≦０．２４）で表される組成物に、βｍｏｌ％（２≦β≦４０）のタングステン酸化物を添加して得た材料１００重量部に対して、少なくともゲルマニウム（Ｇｅ）を含むガラスをｘ重量部（１０≦ｘ≦１７．５）と、少なくともホウ素（Ｂ）を含む化合物をｙ重量（３≦ｙ≦７．５）とを混合し、焼成して誘電体磁器組成物を製造する。【選択図】        図３
2004331410.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともバリウム（Ｂａ）と、チタン（Ｔｉ）と、タングステン（Ｗ）を含む化合物粉体を、一般式αＢａＯ・（１−α）ＴｉＯ２（αはｍｏｌ％で、０．１７１≦α≦０．２４）と、βＷＯ３（βはｍｏｌ％で、２≦β≦４０）とで表される組成比で混合して得たＢａＯ−ＴｉＯ２−ＷＯ３系組成物、および／またはＢａＯ−ＴｉＯ２系組成物およびＢａＯ−ＷＯ３系組成物からなる複合組成物に、少なくともゲルマニウム（Ｇｅ）を含むガラスと、少なくともホウ素（Ｂ）を含むホウ素化合物とを混合してなることを特徴とする誘電体磁器組成物。
【請求項２】
一般式αＢａＯ・（１−α）ＴｉＯ２（αはｍｏｌ％で、０．１７１≦α≦０．２４）で表される組成物に、βｍｏｌ％（２≦β≦４０）のタングステン酸化物を添加して得た第１の材料１００重量部に対して、少なくともゲルマニウムを含むガラスをｘ重量部（１０≦ｘ≦１７．５）と、少なくともホウ素（Ｂ）を含む化合物をｙ重量部（３≦ｙ≦７．５）とを混合した第２の材料を焼成してなることを特徴とする誘電体磁器組成物。
【請求項３】
前記ガラスは、少なくともゲルマニウムと、バリウムと、ビスマスからなる粉末を原材料とすることを特徴とする請求項２記載の誘電体磁器組成物。
【請求項４】
前記ガラスは、組成式ａＧｅＯ２−ｂＢａＯ−ｃＢｉ２Ｏ３（ａ，ｂ，ｃはｍｏｌ％で、０．４≦ａ≦０．６，０．１≦ｂ≦０．５，０．１≦ｃ≦０．５であって、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）で表されることを特徴とする請求項３記載の誘電体磁器組成物。
【請求項５】
前記第２の材料の焼成温度を銀（Ａｇ）の融点未満の温度とすることを特徴とする請求項２記載の誘電体磁器組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、マイクロ波用フィルター等に使用する誘電体磁器組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年において、携帯電話機に代表される移動体通信機器は、より小型化、および軽量化される傾向にあり、それらに使用される電子部品等も、小型、軽量化が求められている。これらの部品の小型、軽量化の要求は、例えば、マイクロ波用セラミックフィルターチップやＲＦモジュール等の部品についても例外ではない。この場合、特に重要なのは、セラミックス磁器組成物に銀（Ａｇ）を印刷したシートを重ね合わせた積層型部品において、その銀（Ａｇ）が溶け出さないような低い温度、すなわち、９００℃前後で組成物が焼結することである。
【０００３】
ＢａＯ−ＴｉＯ２系組成の誘電体磁器組成物は、その比誘電率が３０〜４０と高く、Ｑも高く、また、共振周波数の温度係数（τｆ）が小さいので、マイクロ波用セラミックスフィルターチップ素地に有用であることが知られている。
【０００４】
さらに、例えば、非特許文献１に記載されているように、ＢａＯ−ＴｉＯ２系組成に三酸化タングステン（ＷＯ３）を添加した誘電体磁器組成物は、Ｑ，τｆともに改善されるため、マイクロ波用セラミックスフィルターチップ素地に有用であることも知られている。
【０００５】
【非特許文献１】
社団法人日本セラミックス協会編、「セラミック工学ハンドブック」、技報堂出版株式会社、第２版、２００２年、ｐ．１０２５、図６．５０、表６．１５等
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した誘電体磁器組成物は、その焼成温度が約１３００℃と高温であり、また、これよりも低い温度では焼結せず、その電気的特性も著しく低下するという問題がある。
【０００７】
一方、ホウケイ酸ガラス等の適当な焼結助剤を用いて、９００℃前後の温度でＢａＯ−ＴｉＯ２系組成物の焼成を試みた場合、この温度での焼結は難しく、たとえ焼結したとしても、誘電体磁器組成物の電気的な特性を大きく変化させてしまう。そのため、高周波（マイクロ波）帯域において優れた高誘電率、高Ｑ特性が得られなくなるという問題がある。
【０００８】
一般的に焼結助剤として知られているホウケイ酸ガラスを用いて、例えば、ＢａＯ−ＴｉＯ２系組成物を９３０℃で焼成して得た試料の特性データを表２に示す。表２から分かるように、このような条件下で得られた試料は、焼結が不十分なため、その特性の測定ができない。よって、従来の一般的な焼結助剤では、ＢａＯ−ＴｉＯ２系組成物を銀（Ａｇ）の融点以下の温度で焼結させることは困難である。
【０００９】
従って、一般的に知られた焼結助剤を用いた焼成方法では、銀（Ａｇ）電極と同時焼成でき、かつ、マイクロ波用セラミックスフィルター特性を十分に満足する誘電体磁器組成物を得ることができない、という問題がある。
【００１０】
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、良好な焼結性が得られ、誘電体としての高周波特性が優れ、かつ、比較的低温で焼成が可能な誘電体磁器組成物を提供することである。
【００１１】
本発明の他の目的は、マイクロ波用フィルター特性を満足する誘電体磁器組成物を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成し、上述した課題を解決する一手段として、本発明は、例えば、以下の構成を備える。すなわち、誘電体磁器組成物であって、少なくともバリウム（Ｂａ）と、チタン（Ｔｉ）と、タングステン（Ｗ）を含む化合物粉体を、一般式αＢａＯ・（１−α）ＴｉＯ２（αはｍｏｌ％で、０．１７１≦α≦０．２４）と、βＷＯ３（βはｍｏｌ％で、２≦β≦４０）とで表される組成比で混合して得たＢａＯ−ＴｉＯ２−ＷＯ３系組成物、および／またはＢａＯ−ＴｉＯ２系組成物およびＢａＯ−ＷＯ３系組成物からなる複合組成物に、少なくともゲルマニウム（Ｇｅ）を含むガラスと、少なくともホウ素（Ｂ）を含むホウ素化合物とを混合してなることを特徴とする。
【００１３】
さらに、上述した課題を解決する他の手段として、本発明は、例えば、以下の構成を備える。すなわち、誘電体磁器組成物であって、一般式αＢａＯ・（１−α）ＴｉＯ２（αはｍｏｌ％で、０．１７１≦α≦０．２４）で表される組成物に、βｍｏｌ％（２≦β≦４０）のタングステン酸化物を添加して得た第１の材料１００重量部に対して、少なくともゲルマニウムを含むガラスをｘ重量部（１０≦ｘ≦１７．５）と、少なくともホウ素（Ｂ）を含む化合物をｙ重量部（３≦ｙ≦７．５）とを混合した第２の材料を焼成してなることを特徴とする。
【００１４】
例えば、上記ガラスは、少なくともゲルマニウムと、バリウムと、ビスマスからなる粉末を原材料とすることを特徴とする。
【００１５】
また、例えば、上記ガラスは、組成式ａＧｅＯ２−ｂＢａＯ−ｃＢｉ２Ｏ３（ａ，ｂ，ｃはｍｏｌ％で、０．４≦ａ≦０．６，０．１≦ｂ≦０．５，０．１≦ｃ≦０．５であって、ａ＋ｂ＋ｃ＝１）で表されることを特徴とする。
【００１６】
さらに、例えば、上記第２の材料の焼成温度を銀（Ａｇ）の融点９６１．９３℃未満の温度とすることを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面および表を参照して、本発明に係る実施の形態例を詳細に説明する。本実施の形態例に係る誘電体磁器組成物の作製工程は、磁器組成物の原料を作製する工程と、焼結助剤として機能するガラスを作製する工程と、これらの組成物、ガラス等を混合、焼成して、目的とする磁器組成物を作製する工程とからなる。
【００１８】
図１は、本発明の実施の形態例に係る誘電体磁器組成物の組成物原料を作製する手順を示すフローチャートである。図１のステップＳ１１において、磁器組成物の出発原料として、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）粉末と、二酸化チタン（ＴｉＯ２）粉末と、三酸化タングステン（ＷＯ３）粉末を、例えば、以下の表１に示す組成となるように秤量する。なお、ここでは、酸化バリウム（ＢａＯ）をＢａＣＯ３から得る。
【００１９】
ステップＳ１２では、ステップＳ１１で秤量した原料をボールミルに入れて湿式混合し、続くステップＳ１３において、それを乾燥させて混合粉を得る。次のステップＳ１４では、この混合粉を高温焼成する。ここでは、大気中において、焼結助剤なしでＢａＯ−ＴｉＯ２−ＷＯ３系化合物、および／またはＢａＯ−ＴｉＯ２系とＢａＯ−ＷＯ３系よりなる混合系化合物を生成するような高温（例えば、１２５０℃）で焼成する。
【００２０】
その後、ステップＳ１５において、この焼成物をボールミルにより湿式粉砕し、続くステップＳ１６で、焼結助剤を含まないＢａＯ−ＴｉＯ２−ＷＯ３系化合物粉末、および／またはＢａＯ−ＴｉＯ２系とＢａＯ−ＷＯ３系よりなる混合系化合物を得る。
【００２１】
図４は、上述した工程によって得られた化合物の粉末Ｘ線回折パターンである。図４に示す回折パターンから、この化合物粉末がＢａ４Ｔｉ３Ｏ３０およびＢａＴｉ４Ｏ９のＢａＯ−ＴｉＯ２系化合物、並びにＢａ４ＷＯ４であるＢａＯ−ＷＯ３系化合物よりなる混合相であることが同定できる。なお、以下の説明における材料等の混合時間、高温焼成温度、粉砕時間、平均粒径等は一例であり、Ｘ線回折によって、粉末がＢａＯ−ＴｉＯ２−ＷＯ３系組成物、および／またはＢａＯ−ＴｉＯ２系組成物とＢａＯ−ＷＯ３系組成物よりなる混合系組成物もしくは化合物であることが同定できれば、それらに類似するプロセスも本発明に含まれる。
【００２２】
図２は、本発明の実施の形態例に係る誘電体磁器組成物の焼成助剤として機能するガラスの作製手順を示すフローチャートである。図２のステップＳ２１において、ガラスの出発原料として二酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ２）粉末とＢａＯ（このＢａＯは、ＢａＣＯ３粉末により添加する）と三酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）粉末を、例えば、表１に示す組成となるように換算して秤量する。
【００２３】
ステップＳ２２では、このように秤量された原料を、例えば、乳鉢・乳棒によって乾式混合する。次のステップＳ２３において、混合した粉末をアルミナ質るつぼに入れて、例えば、１０００℃の炉内で溶融する。そして、３０分後、炉からるつぼを取り出し、室内で放冷してガラスを固化させる。
【００２４】
ステップＳ２４では、るつぼからガラスだけを取り出し、自動乳鉢機で粗粉砕する。そして、粗粉砕したガラスの粉末をボールミルで湿式粉砕することで、ガラス粉末を得る（ステップＳ２５）。なお、後述するように、得られた粉末のＸ線回折パターンより、その粉末は非晶質ガラスであることが分かる。
【００２５】
図５は、本実施の形態例に係るガラスのＸ線回折パターンを示している。ここで、ガラスは、ａＧｅＯ２−ｂＢａＯ−ｃＢｉ２Ｏ３（ａ＝０．５６７，ｂ＝０．２４３，ｃ＝０．１８９）である。本実施の形態例では、ガラスは、溶融後、室温へ放冷して作製しているが、粉末Ｘ線回折により非晶質ガラスであることが確認できれば、この方法に限定されることなく、一般的な急冷水砕法、急冷ロール法等も使用できる。
【００２６】
次に、本実施の形態例に係る誘電体磁器組成物の作製手順を説明する。図３は、本実施の形態例に係る誘電体磁器組成物の作製手順を示すフローチャートである。最初に、図３のステップＳ３１において、図１に示す工程で得られた、誘電体磁器組成物の主成分であるＢａＯ−ＴｉＯ２−ＷＯ３系組成物、および／またはＢａＯ−ＴｉＯ２系組成物とＢａＯ−ＷＯ３系組成物よりなる混合系組成物（ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＷＯ３粉末）と、図２に示す工程で得たガラス粉末と、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）とを、表１に示す組成となるように秤量する。なお、ここでは、Ｂ２Ｏ３をホウ酸（Ｈ３ＢＯ３）で秤量する。
【００２７】
次に、ステップＳ３２で、上記の秤量した材料を、ボールミルによって湿式混合した後、ステップＳ３３で乾燥させて、混合粉を得る。そして、続くステップＳ３４において、この混合粉にＰＶＡ水溶液を添加して造粒する。
【００２８】
ステップＳ３５では、上記のステップで得られた造粒粉を金型に詰めて、例えば、１９．６ＭＰａ（メガパスカル）（２００ｋｇｆ／ｃｍ２）の１軸加圧で仮成形する。さらに、その成形体に対して、静水圧プレス機を使って、例えば、９８ＭＰａ（１０００ｋｇｆ／ｃｍ２）の圧力で等方加圧し、成形する。
【００２９】
ステップＳ３６では、上記の成形品を大気中において、表１の低温焼成温度で、例えば、２時間焼成して、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＷＯ３系、および／またはＢａＯ−ＴｉＯ２系とＢａＯ−ＷＯ３系よりなる混合系組成物の低温焼結体を得る（ステップＳ３７）。なお、本実施の形態例では、粉末金型プレス法と静水圧プレス法を組み合わせて試料を作製しているが、本発明における成形方法は、これに限定されない。他の成形方法、例えば、グリーンシー卜法、鋳込み法、押出し法等のような方法を使用してもよい。
【００３０】
表１は、上述した手順で作製した試料（全３３件）について、その組成と電気的な諸特性のデータをまとめて示したものである。本実施の形態例では、一般式αＢａＯ・（１−α）ＴｉＯ２［α：ｍｏｌ％］で示される組成物に、βｍｏｌ％のＷＯ３を添加したものを主成分とする材料に対して、焼結助剤としてのＧｅＯ２を含むガラスとＢ２Ｏ３の添加の有無、その添加率を変えること、ガラスの組成を変えること、焼結温度等を考慮して、表１に示す試料の作製を行った。
【００３１】
図６は、表１に示すガラスの組成を示す図（３元組成図）である。図６中において、黒丸に付した数字は、表１中の試料番号に対応している。
【００３２】
表１に示す試料のうち、試料番号１〜２８の試料は、上述した手順によって作製した低温焼結体に対応している。また、試料番号２９〜３３の５件の試料は、ガラスおよびＢ２Ｏ３の添加がないＢａＯ−ＴｉＯ２組成物と、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＷＯ３組成物、および／またはＢａＯ−ＴｉＯ２系組成物とＢａＯ−ＷＯ３系組成物よりなる混合系組成物の評価用試料を、表１の組成となるように調整し、１２００℃以上で焼成して作製したものである。
【００３３】
表１に示す各試料の測定データは、上述した手順によって作製した試料を、直径９ｍｍ、高さ４．５ｍｍの円柱状に加工して、その電気的特性を測定した結果である。すなわち、マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法（ＪＩＳＲ１６２７）に規定された両端短絡形誘電体共振器法で得られた、焼結体の比誘電率とＱの測定結果である。
【００３４】
【表１】
2004331410.tif 000003
【００３５】
また、共振周波数（本測定方法では、共振周波数とは測定周波数を指す）の温度係数（τｆ）の計算も行った。この共振周波数の温度係数（τｆ）は、次の式（１）で求める。すなわち、温度係数は、共振周波数の変化分率を、対応する温度の変化分で除した値である。
【００３６】
【数１】
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【００３７】
上記の式（１）において、ｆｒｅｆは、基準温度Ｔｒｅｆにおける共振周波数であり、ｆＴは、温度Ｔにおける共振周波数である。ここでは、−４０℃〜＋８０℃の温度範囲で、τｆを計算するための共振周波数を測定した。
【００３８】
共振周波数は、測定する温度に到達した後、その温度で１５分以上保持してから測定した。ここでは、２０℃を基準温度Ｔｒｅｆとし、この温度における共振周波数をｆｒｅｆとした。また、共振周波数の測定は、マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法（ＪＩＳＲ１６２７）に規定された両端短絡形誘電体共振器法で行った。なお、表１におけるτｆは、−４０℃〜＋８０℃のτｆの平均値である。
【００３９】
作製試料についての焼結性の評価は、得られた各試料についての吸水率を、電気絶縁用セラミック材料試験方法（ＪＩＳＣ２１４１）に規定された方法により求めた。表１に示すように、吸水率が０．１％未満のものは、焼結が十分に行われているものと判断して○印を付してある。また、吸水率が０．１％以上のものについては、焼結が不十分であると判断して×印を付してある。
【００４０】
一般的に、ＢａＯ−ＴｉＯ２系組成物は、約１３００℃の焼成温度で十分に焼結し、マイクロ波フィルター特性を満足する良好な比誘電率やＱ等が得られる。例えば、表１に示す試料Ｎｏ．３０は、上述した一般式αＢａＯ・（１−α）ＴｉＯ２において、α＝０．１７４とした場合であり、１２５０℃の焼成温度で、吸水率が０．１％未満、比誘電率が３８、Ｑが２７８０と、良好な値が得られた。
【００４１】
一方、試料Ｎｏ．３３は、式αＢａＯ・（１−α）ＴｉＯ２において、α＝０．２４とし、ＷＯ３を３３．０ｍｏｌ％添加した場合であり、そのＱが５５３８となって、上記の試料Ｎｏ．３０よりも、さらに良好な値が得られた。
【００４２】
しかしながら、これらの組成物に焼結助剤を添加することなく単独で、これよりも低い温度で焼成した場合には、焼結性が悪化し、その電気的特性も著しく低下することは、上述したとおりである（上記「従来の技術」の欄を参照）。
【００４３】
表２は、１２５０℃の高温焼成によって作製したＢａＯ−ＴｉＯ２系組成物１００重量部に対して、一般的に焼結助剤として知られているホウケイ酸ガラスを、表中に示すｘ重量部添加し、９３０℃で焼成した結果である。
【００４４】
【表２】
2004331410.tif 000005
【００４５】
表２から分かるように、得られた試料（試料番号＊１〜＊５）は、その吸水率が高く、焼結も不十分であるため、電気的特性の測定が不可能であった。すなわち、ホウケイ酸ガラスは、焼結助剤として知られているが、ここで取り上げている磁器組成物を９００℃前後の温度で焼結することは困難である。
【００４６】
これに対して、１２５０℃の高温焼成で作製したＢａＯ−ＴｉＯ２−ＷＯ３系組成物、および／またはＢａＯ−ＴｉＯ２系組成物とＢａＯ−ＷＯ３系組成物よりなる混合系組成物もしくは化合物に、ＧｅＯ２を含むガラスと、Ｂ２Ｏ３とを適当量、添加して得られた試料（すなわち、試料Ｎｏ．２、試料Ｎｏ．４、試料Ｎｏ．６、試料Ｎｏ．７、試料Ｎｏ．９〜１１、試料Ｎｏ．１３、試料Ｎｏ．１５、試料Ｎｏ．１６、試料Ｎｏ．１８、試料Ｎｏ．２０〜２３）は、表１に示すように、その焼成温度が８７０℃と８５０℃である。これは、銀と同時焼成できる低温焼成温度であり、結果として、良好な焼結性とともに所望の電気的特性が得られた。
【００４７】
次に、上記の試料の具体的な組成について説明する。表１に示す試料は、一般式αＢａＯ・（１−α）ＴｉＯ２（０．１７１≦α≦０．２４、α：ｍｏｌ％）で示される組成物に、βＷＯ３（２≦β≦４０）（β：ｍｏｌ％）を添加したものを主成分とする材料１００重量部に対して、焼結助剤としてのＧｅＯ２を含むガラスｘ重量部（１０≦ｘ≦１７．５）と、Ｂ２Ｏ３をｙ重量部（３≦ｙ≦７．５）混合して焼成したものである。
【００４８】
このガラスは、組成式ａＧｅＯ２−ｂＢａＯ−ｃＢｉ２Ｏ３で表される。ここで、ａ，ｂ，ｃはモル比であり、０．４≦ａ≦０．６，０．１≦ｂ≦０．５，０．１≦ｃ≦０．５であって、ａ＋ｂ＋ｃ＝１の範囲内にある（図６参照）。
【００４９】
表１に示す試料のうち、試料Ｎｏ．２、試料Ｎｏ．４、試料Ｎｏ．６、試料Ｎｏ．７、試料Ｎｏ．９〜１１、試料Ｎｏ．１３、試料Ｎｏ．１５、試料Ｎｏ．１６、試料Ｎｏ．２０〜２３については、その焼成温度（低温焼成温度）が８７０℃であり、試料Ｎｏ．１８の低温焼成温度は、８５０℃である。よって、これらの試料１５件は、８７０℃と８５０℃という低温の焼成温度で、緻密な構造を有する誘電体磁器組成物として作製されたものである。
【００５０】
また、これらの試料の比誘電率ε’については、試料Ｎｏ．４が最高値（ε’＝３３）を有し、試料Ｎｏ．１５のε’が最低値（ε’＝２８）であった。また、いずれの試料も、そのＱが５００以上と高く、試料Ｎｏ．６が最高値（共振周波数＝８ＧＨｚにおいて、Ｑ＝８６４）を有する結果となった。さらに、τｆは、±２０ｐｐｍ／℃以内であり、マイクロ波用セラミックフィルターを形成するために十分な特性を有している。
【００５１】
［比較例］
次に、上記のα，β，ａ，ｂ，ｃ，ｘ，ｙの値が適正でない試料例について説明する。まず、ガラス組成が、上記の好ましい範囲外（図６参照）にある試料について説明する。例えば、試料Ｎｏ．２４は、表１に示すように、ｂ＝０であり、上記の範囲外にある。また、試料Ｎｏ．２６は、ｃ＝０で範囲外にあり、試料Ｎｏ．２７については、ａ＝０．８で範囲外である。これらの試料は、吸水率が高くなり、緻密化しないことが判明した。
【００５２】
また、試料Ｎｏ．２５は、ａ＝０．３で範囲外にあり、組成物として緻密化しても、そのＱが１００より低く、マイクロ波用セラミックフィルター特性を十分満足するものではない。
【００５３】
一方、ガラス組成が上記の好ましい範囲内にあっても、全体として所望の特性が得られなかった試料について説明する。この場合においても、ガラス組成が好ましい範囲内にあるので、その組成は、ａＧｅＯ２−ｂＢａＯ−ｃＢｉ２Ｏ３で表され、モル比ａ，ｂ，ｃは、０．４≦ａ≦０．６，０．１≦ｂ≦０．５，０．１≦ｃ≦０．５、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ＝１である。
【００５４】
例えば、試料Ｎｏ．５は、ＧｅＯ２を含むガラスの添加量ｘが１０重量部よりも少ないため、その吸水率が０．１％未満に緻密化しなかった。一方、試料Ｎｏ．１４のように、ガラスの添加量ｘが１７．５重量部を超えると、ガラスの過剰添加によるものと思われる試料の溶着が起こり、比誘電率ε’やＱの測定ができなかった。
【００５５】
試料Ｎｏ．８は、Ｂ２Ｏ３の添加量ｙが、その下限値３．０重量部よりも少ないため、８７０℃における焼成では焼結が不十分で、緻密化しない。その一方で、Ｂ２Ｏ３の添加量ｙが上限値７．５重量部を超えている試料Ｎｏ．１２は、共振周波数の温度係数（τｆ）が＋３７ｐｐｍ／℃となり、±２０ｐｐｍ／℃以内に入らなかった。また、試料Ｎｏ．１９のように、低温焼成温度が８５０℃よりも低い場合には、得られた組成物が緻密な構造にならず、その吸水率も０．１％未満にならなかった。
【００５６】
上述した一般式αＢａＯ・（１−α）ＴｉＯ２で示される組成物において、αの値がその上限値（α＝０．２４）よりも大きい試料Ｎｏ．２８（α＝０．３０８）は、過焼結を生じて破損した。また、αが、その下限値（α＝０．１７１）よりも小さい試料Ｎｏ．１（α＝０．１２）については、τｆが、＋６３ｐｐｍ／℃となった。
【００５７】
次に、ガラスおよびＢ２Ｏ３の添加のないＢａＯ−ＴｉＯ２系組成物について説明する。試料Ｎｏ．２９は、ＧｅＯ２を含むガラスと、Ｂ２Ｏ３の両方を添加しないで、高温焼成温度１２００℃で焼成して得たものである。この試料Ｎｏ．２９は、焼結が不十分であり、比誘電率ε’、及びＱの測定ができなかった。
【００５８】
一方、試料Ｎｏ．３０は、高温焼成温度１２５０℃で焼成したものであり、得られた組成物は緻密化し、その電気的特性としての比誘電率ε’が３８、Ｑが２７８０となった。これらの結果から言えるのは、ＧｅＯ２を含むガラスと、Ｂ２Ｏ３とを添加しないＢａＯ−ＴｉＯ２組成物を焼成させるには、高温焼成温度として約１２５０℃が必要となることである。
【００５９】
次に、ガラスおよびＢ２Ｏ３の添加のないＢａＯ−ＴｉＯ２−ＷＯ３系組成物について説明する。試料Ｎｏ．３１は、一般式αＢａＯ・（１−α）ＴｉＯ２の組成物において、αが０．２４のとき、ＷＯ３の添加のないもの（すなわち、β＝０）である。この試料Ｎｏ．３１は、Ｑ＝２９０２で、τｆ＝＋８８ｐｐｍ／℃である。
【００６０】
また、試料Ｎｏ．３２、および試料Ｎｏ．３３は、αＢａＯ・（１−α）ＴｉＯ２組成物において、αが０．２４のとき、ＷＯ３の添加量をそれぞれ、β＝１６．４，β＝３３．０としたものである。得られた組成物の電気的特性は、試料Ｎｏ．３２については、Ｑ＝４６２０，τｆ＝＋５５ｐｐｍ／℃となり、試料Ｎｏ．３３は、Ｑ＝５５３８，τｆ＝＋２４ｐｐｍ／℃となった。このことから、ＷＯ３の添加とともに、これらの特性が改善されることが分かる。
【００６１】
以上説明したように、本実施の形態例によれば、誘電体材料（ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＷＯ３系組成物）に対して、銀の融点未満の低温での焼成を促進させることができる、Ｇｅを含むガラスと、Ｂ２Ｏ３とを添加することで、比誘電率が２８〜３３、Ｑが５００〜８６４（測定周波数＝６〜８ＧＨｚ）、τｆが、−５〜＋２０ｐｐｍ／℃の特性を有するとともに、吸水率が０．１％未満の緻密な誘電体磁器組成物を、銀（Ａｇ）の融点未満の温度で焼成することができる。
【００６２】
また、得られた誘電体磁器組成物の緻密な構造により、セラミックスの強度が向上し、比誘電率ε’，Ｑ、およびτｆのバラツキが減少して、特性が安定化するという性能面における改善もある。
【００６３】
さらに、誘電体磁器組成物と銀（Ａｇ）電極とを同時焼成できるので、かかる組成物を使用した電子部品等の製造工程の短結と、製造コストの削滅とを達成できるという、製造上の利点もある。
【００６４】
さらにまた、ＢａＯ−ＴｉＯ２組成にＷＯ３を添加して得た組成物は、ＢａＯ−ＴｉＯ２組成物に比べて優れたＱ、およびτｆを持つため、マイクロ波用セラミックスフィルターチップ素地に有用である。
【００６５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、良好な焼結性を有し、誘電体としての高周波特性が優れるとともに、低温焼成が可能な誘電体磁器組成物を提供することができる。
【００６６】
また、本発明によれば、マイクロ波用フィルター特性を満足する誘電体磁器組成物を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態例に係る誘電体磁器組成物の組成物原料を作製する手順を示すフローチャートである。
【図２】実施の形態例に係る誘電体磁器組成物の焼成促進剤として機能するガラスの作製手順を示すフローチャートである。
【図３】実施の形態例に係る誘電体磁器組成物の作製手順を示すフローチャートである。
【図４】組成物原料の作製工程で得られた化合物の粉末Ｘ線回折パターンである。
【図５】実施の形態例に係るガラスのＸ線回折パターンを示す図である。
【図６】実施の形態例に係るガラスの組成を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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