(57)【要約】【課題】磁気記録テープの記録情報を正確に読み出すことができる薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】磁気抵抗効果膜３１を軟磁性層３３よりも下部シールド層２４側に積層することで、磁気抵抗効果膜３１の結晶性は向上する。磁気抵抗効果膜３１の結晶性が向上すれば、磁気抵抗効果膜３１のコア幅方向の全域に渡って均一なムラの無い信号出力を実現するので、回転ドラムの偏心や磁気記録テープの走行変動により記録トラックが磁気抵抗効果膜３１の端部付近までズレても、中心付近と殆ど変わらない良好なレベルの読み出し信号を得ることができる。こうして、磁気抵抗効果膜３１に対する記録トラックの位置の変動にかかわらず、磁気記録テープから安定して記録情報を読み出すのに大いに役立つ。【選択図】        図４
2004171624.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軟磁性体からなる下部シールド層および上部シールド層と、前記２つのシールド層の間に積層される磁気抵抗効果膜、非磁性層および軟磁性層とを備え、媒体対向面に磁気テープを相対摺動させて記録トラック幅よりも広幅で磁気記録情報を読み出すヘリカルスキャン方式の摺動型薄膜磁気ヘッドであって、
前記磁気抵抗効果膜は前記軟磁性層よりも前記下部シールド層側に積層されたことを特徴とする摺動型薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記磁気抵抗効果膜と前記下部シールド層との間には更に下地層が積層されたことを特徴とする請求項１に記載の摺動型薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、摺動型薄膜磁気ヘッドに関するものであり、詳しくは記録トラック幅よりも広幅で磁気記録情報を読み出すヘリカルスキャン方式の摺動型薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１６に示すように、ハードディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッド１０１として、例えば下部シールド層１０２と上部シールド層１０３との間に下部ギャップ層１０４、軟磁性（ＳＡＬ）層１０５、非磁性層（ＳＨＵＮＴ）層１０６、磁気抵抗効果（ＭＲ）膜１０７の順に積層された積層体１０８が形成され、さらにこの積層体１０８の幅方向の両側にハードバイアス層１０９が形成され、ハードバイアス層１０９の上には引き出し電極層１１０が形成され、これら積層体１０８および引き出し電極層１１０を覆うように上部ギャップ層１１１が積層されたものが知られている。また、図１６に示すように下部ギャップ層１０４と軟磁性（ＳＡＬ）層１０５との間に下地層１１５が形成されている場合もある。
【０００３】
このような薄膜磁気ヘッド１０１は、ハードバイアス層１０９の作用で、磁気抵抗効果膜１０５が磁界変化に対する抵抗変化が直線性を有する状態に設定される。そして、磁気記録媒体の相対的な移動で磁気抵抗効果膜１０５の磁界が変化すると、磁気抵抗効果（Ｈ−Ｒ効果）により磁気抵抗効果膜１０５の抵抗値が変化し、磁気抵抗効果膜１０５に流されたセンス電流の電圧変化として検出される。
【０００４】
しかし、図１６に示す薄膜磁気ヘッドは、軟磁性層１０５の両側に隣接してハードバイアス層１０９が形成されているため、軟磁性層１０５に対するハードバイアス層１０９の磁気的な悪影響があった。こうした影響を低減するために、図１６に示すように、下部ギャップ層１２１上に磁気抵抗効果膜１２２、非磁性層１２３、軟磁性層１２４を順に積層した積層体１２５を積層し、磁気抵抗効果膜１２２の両側に隣接させてハードバイアス層１２６を形成し、この上に引き出し電極層１２７と上部ギャップ層１２８を積層する手法が従来より検討されていた。しかしながら、こうした薄膜磁気ヘッドの積層体１２５はその製法上、側面１２９が下層に向かって広がるように傾斜しており、下層ほど積層体の幅が広がっているため、磁気抵抗効果膜１２２を下層にすると実質的にトラック幅が広がってしまい、記録密度の面で不利であった。こうした積層体１２５の幅の広がりは、記録トラック幅の極めて小さいハードディスク装置では記録トラック幅に占める積層体１２５の側面１２９を成す斜面の割合が大きくなるために特に重要である。
【０００５】
こうした課題を解決するために、例えば特許文献１では、補助層によって形成された隆起部の上に磁気抵抗効果膜、非磁性層、軟磁性層の順に積層体を形成し、隆起部の両側に隣接してハードバイアス層を形成することで、軟磁性層とハードバイアス層とを離間させる一方で、この積層体の下層となる磁気抵抗効果膜の幅方向の広がりを防止した薄膜磁気ヘッドが記載されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平７−３２０２３３号公報
【０００７】
しかし、特許文献１に示す薄膜磁気ヘッドは、積層体のトラック幅方向両端面の傾斜部分にハードバイアス層の付き回りが生じてしまう問題や、新たに補助層を形成するなどの製法上の特徴から、実現は可能であるが製造工程が複雑になるということもあり、実用化には至っておらず、図１６に示すような薄膜磁気ヘッドが広く用いられているのが現状であった。
【０００８】
一方、磁気記録ヘッドを備えた回転ドラムを高速で回転させ、磁気記録テープをこの回転ドラムの周面に斜めに沿わせて情報を記録する方法が広く行われている。こうした記録方法によって磁気記録テープの走行方向に対して傾斜した方向に記録トラックが多数形成された、いわゆるアジマス記録が行なわれている。
【０００９】
例えば、磁気記録テープにできるだけ高密度に磁気情報を記録するために、互いに隣接する記録トラック間に隙間を設けない、いわゆるガードバンドレス記録であるヘリカルスキャン方式が一般的に行われている。このため、記録情報の読み出し時には、薄膜磁気ヘッドは隣接する記録トラックの影響を受けることなく目的の記録トラックに記録された情報だけを正確に読み出す必要がある。しかし、ビデオデッキに代表される磁気テープ装置は、高速で回転する回転ドラムの僅かな偏心や磁気テープ送り機構のブレにより、薄膜磁気ヘッドを磁気記録テープの記録トラックに全くズレなく合わせることは極めて困難である。
【００１０】
このため、薄膜磁気ヘッドは実際に記録されている記録トラック幅よりも若干広い幅で読み出しを行っている（ワイドリード方式）。すなわち、図１８に示すように、ワイドリード方式では、磁気記録テープ１４０に形成された記録トラック１４１のトラック幅Ｔよりも広いコア幅の薄膜磁気ヘッド１４２を用いて、読み出し対象の記録トラック１４１ａよりも広い幅で記録情報を読み出すことにより、回転ドラムの僅かな偏心や磁気テープ送り機構のブレによって薄膜磁気ヘッド１４２に対する記録トラック１４１ａの相対位置がトラック幅Ｔ方向の左右にブレても、読み出し対象の記録トラック１４１ａから記録情報を正しく読み出すことができるようにしている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のヘリカルスキャン方式で記録された磁気記録テープを図１６に示す薄膜磁気ヘッドを用いてワイドリード方式で読み出す場合、薄膜磁気ヘッドの幅方向の位置によって出力信号にバラつきがあり、磁気記録テープの記録情報を正確に読み出すために、薄膜磁気ヘッドの出力信号の更なる均一化が望まれていた。
【００１２】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、磁気記録テープの記録情報を正確に読み出すことができる薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明によれば、軟磁性体からなる下部シールド層および上部シールド層と、前記２つのシールド層の間に積層される磁気抵抗効果膜、非磁性層および軟磁性層とを備え、媒体対向面に磁気テープを相対摺動させて記録トラック幅よりも広幅で磁気記録情報を読み出すヘリカルスキャン方式の摺動型薄膜磁気ヘッドであって、前記磁気抵抗効果膜は前記軟磁性層よりも前記下部シールド層側に積層されたことを特徴とする摺動型薄膜磁気ヘッドが提供される。また、この磁気抵抗効果膜は前記下部シールド層との間で下部ギャップ層を介して隣接して積層されてもよい。
【００１４】
このような摺動型薄膜磁気ヘッドによれば、磁気抵抗効果膜を軟磁性層よりも下部シールド層側に形成することで軟磁性層によって磁気抵抗効果膜の結晶性が乱されることがなく磁気抵抗効果膜の結晶均一性は向上する。磁気抵抗効果膜の結晶均一性が向上すれば、磁気抵抗効果膜のトラック幅方向の全域に渡って出力信号が均一化される。従って、磁気抵抗効果膜のトラック幅方向のどの位置に読み出す記録トラックがあっても、トラック幅方向の全域に渡って均一で良好なレベルの読み出し信号を得ることができる。
【００１５】
前記磁気抵抗効果膜はＦｅ−Ｎｉ系材料膜で構成されるとともに、前記下部ギャップ層はアルミナで構成されていてもよい。また、前記磁気抵抗効果膜と前記下部シールド層との間には更に下地層が積層されていてもよい。下地層により、酸化拡散防止と磁気抵抗効果膜の磁歪安定化の役割を果たす。この下地層はＴａから構成されているのが好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図１に本発明の摺動型薄膜磁気ヘッドを搭載したテープ媒体記録再生装置のテープローディング系路の平面模式図を示す。図１に示すテープ媒体記録再生装置は、回転式ヘッドを具備してなり、ＶＴＲ等の機器に用いられるもので、モータにて回転駆動される回転式ヘッド１が設けられ、この回転式ヘッド１に本発明に係る２つの磁気ヘッド１１が搭載されている。図１のテープ媒体記録再生装置においては、送出側テープリール３から引出された磁気テープ（磁気テープ媒体）Ｔが、ガイドポスト４ａに案内されて、回転式ヘッド１に所定角度巻き付けられ、さらにガイドポスト４ｂに案内され、キャプスタン５とピンチローラ６とで挟持され、キャプスタン５の回転により図示矢印方向へ走行させられ、最終的にこの磁気テープＴは巻取側テープリール７に巻き取られる。このようにして、回転式ヘッド１と磁気テープＴを具備してなるテープローディング系路が構成されている。本形態をＶＣＲ（ビデオ録画装置）用に適用した場合には、別途テープローディング系路の途上に、全幅消去ヘッドＨａと音声用ヘッドＨｂが更に備えられる。
【００１７】
回転式ヘッド１は、２つの磁気ヘッド１１ａ、１１ｂと、各磁気ヘッド１１ａ、１１ｂを搭載する台板を備えた回転シリンダ８とから概略構成されている。各磁気ヘッド２ａ、２ｂの相対位置が回転シリンダ８の回転軸対称となるように設定されている。
【００１８】
図２に示すように、磁気ヘッド１１は、アルミナチタンカーバイドなどの非磁性体からなる基板（コア半体）１２上に、絶縁性材料からなる絶縁層を介して、読み取りヘッド部１３、記録用のインダクティブヘッド１４、および絶縁層１５が薄膜形成プロセスによって形成されている。また、アルミナチタンカーバイドなどの非磁性体からなる保護基板（コア半体）１６の絶縁層１５に対向する面上に絶縁層１７が、スパッタ法によって薄膜形成され、さらに、コア半体１２，１６が絶縁層１５と絶縁層１７の部分を介して、接着剤１８によって接着されている。読み取りヘッド部１３はコア半体１２およびコア半体１６の２つのコア半体の間に位置されている。
【００１９】
読み取りヘッド部１３の磁気ギャップおよびインダクティブヘッド１４の磁気ギャップは、磁気ヘッド１１のテープ対向面１９に露出されている。読み取りヘッド部１３とインダクティブヘッド１４に流される電流は、電極端子２１のいくつかを通じて与えられ、検出信号は他のいくつかの電極端子２１から得られる。
【００２０】
図３は、図２の磁気ヘッド１１における読み取りヘッド部１３およびインダクティブヘッド１４周辺の拡大部分断面図である。再生用の読み取りヘッド部１３には、アルミナチタンカーバイドからなる基板１２に、薄膜形成プロセスによって、絶縁層２３を介して、トラック幅の数倍に相当する幅で下部シールド層２４および下部ギャップ層２５が形成されている。下部シールド層２４は例えばメッキ法により形成されたパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）から、下部ギャップ層２５は例えばアルミナ膜（Ａｌ２ Ｏ３ 膜）などの絶縁材料から構成されればよい。
【００２１】
下部ギャップ層２５の上には下地層３０が積層されている。下地層３０は例えばＴａ膜から構成されればよい。こうした下地層３０は酸化拡散防止と磁気抵抗効果（ＭＲ）膜の磁歪安定化の役割を果たす。なお、下地層３０は特に形成されなくてもよい。下部ギャップ層２５の上には下地層３０を介して後述する複合膜２６が形成され、更にこの複合膜２６の上には上部ギャップ層２７および上部シールド層２８が形成されている。なお、本実施形態ではこの上部シールド層２８はインダクティブヘッド１４の下部コア層の役割も果たす。上部シールド層と下部コア層が別体で設けられてもよい。また、磁気抵抗効果（ＭＲ）膜の幅方向の両側から複合膜２６のトラック幅方向両側を挟み込むようにハードバイアス層２９が形成されている。このハードバイアス層２９は、例えば膜厚１００Åのクローム（Ｃｒ）膜上に膜厚５００ÅのＣｏ−Ｐｔ系材料膜を積層したものなどから構成されれば良い。
【００２２】
インダクティブヘッド１４の下部コア層の役割を果たす上部シールド層２８を覆うようにギャップ層３５、コイル層３６および上部コア層３７が積層されて形成されている。更にこれらコイル層３６および上部コア層３７を覆うように絶縁層１５が積層されている。
【００２３】
図４は読み取りヘッド部１３の要部拡大正面図である。複合膜２６は、磁気抵抗効果（ＭＲ）膜３１、非磁性層（ＳＨＵＮＴ）層３２、軟磁性（ＳＡＬ）層３３から構成されている。磁気抵抗効果（ＭＲ）膜３１は、下部ギャップ層２５を介して下部シールド層２４に隣接して形成されている。一方、軟磁性（ＳＡＬ）層３３は、上部ギャップ層２７を介して上部シールド層２８に隣接して形成されている。非磁性層（ＳＨＵＮＴ）層３２は、これら磁気抵抗効果（ＭＲ）膜３１と軟磁性（ＳＡＬ）層３３との間に形成されている。
【００２４】
磁気抵抗効果膜３１は、例えば膜厚３００Å程度のＦｅ−Ｎｉ系材料膜（パーマロイ膜）から構成されればよい。また、非磁性層３２は例えば膜厚２００Å程度のＴａ膜、軟磁性層３３は膜厚２５０Å程度のＦｅ−Ｎｉ系材料例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｎｂ系材料膜から構成されればよい。軟磁性層３３をＦｅ−Ｎｉ系の多結晶材料とすると、少ない電流で素早く飽和する電流感度が高い利点がある。なお、磁気抵抗効果（ＭＲ）膜３１と下部ギャップ層２５との間、および軟磁性層３３と上部ギャップ層２７との間には、それぞれＴａ膜が形成されていても良い。
【００２５】
磁気抵抗効果膜３１には、ハードバイアス層２９から一定方向のバイアス磁界が与えられるとともに、軟磁性層３３からもハードバイアス層２９とは異なる方向のバイアス磁界が与えられる。磁気抵抗効果膜３１に２つの異なる方向のバイアス磁界が与えられることにより、磁気抵抗効果膜３１の磁界変化に対する抵抗変化が直線性を有する状態に設定される。再生時には、磁気抵抗効果（Ｈ−Ｒ効果）により、磁気抵抗効果膜３１の抵抗値が変化し、磁気抵抗効果膜３１に流されるセンス電流の電圧値の変化として検出される。
【００２６】
こうした複合膜２６を構成する磁気抵抗効果（ＭＲ）膜３１を下部ギャップ層２５を介して下部シールド層２４側に形成し、一方で軟磁性層３３を上部ギャップ層２７を介して上部シールド層２８側に形成することで、軟磁性層３３よりも下側に積層された磁気抵抗効果膜３１の結晶の結晶配向性が向上する。結晶配向性の向上は、磁気抵抗効果（ＭＲ）膜３１の全幅に渡って安定した均一な読み出し信号出力を実現する。
【００２７】
上述した構成の磁気ヘッド１１は、例えば回転ドラムに取り付けられ、磁気テープは回転ドラムの周面に対して斜めに押し付けられつつ移動する。これにより、図１８に示すように、磁気記録テープ４１には長手方向Ｌに対して傾斜した記録トラック４２が規定される。こうしたいわゆるヘリカルスキャン方式における磁気記録テープ４１の記録トラック４２のトラック幅Ｔは、磁気抵抗効果（ＭＲ）膜３１の幅Ｐよりも相当に狭く規定されている。例えば、トラック幅Ｔは４μｍ程度、磁気抵抗効果（ＭＲ）膜３１の幅Ｐは１０μｍ程度に設定される。磁気抵抗効果（ＭＲ）膜３１は、記録トラック幅Ｔの３倍以下、さらに好ましくは２倍以下であることが隣々接する同じアジマスの記録トラックを読み込まない上で好ましい。
【００２８】
上述したように、磁気抵抗効果（ＭＲ）膜３１の幅Ｐがトラック幅Ｔよりも十分に広く設定されることで、いわゆるワイドリード方式が実現される。こうしたワイドリード方式では、磁気抵抗効果（ＭＲ）膜３１は目的の記録トラック（記録情報を読み出すトラック）４２ａを磁気抵抗効果（ＭＲ）膜３１の端部にかからず、中心側内部で記録情報が読み出される。磁気抵抗効果（ＭＲ）膜３１の幅Ｐをトラック幅Ｔより十分に広くしたワイドリード方式によれば、磁気ヘッド１１が取り付けられた回転ドラムの偏心や磁気記録テープ４１の走行変動によって目的の記録トラック４２ａが磁気抵抗効果（ＭＲ）膜３１の中心でなくても、記録トラック４２ａは磁気抵抗効果（ＭＲ）膜３１の幅の範囲から外れることは防止される。
【００２９】
軟磁性層３３よりも下側に積層された磁気抵抗効果膜３１は、こうしたワイドリード方式において安定した読み出し信号の出力を実現する。すなわち、トラック幅方向の全域で結晶配向性を向上させた磁気抵抗効果膜３１は、トラック幅方向の全域に渡って均一なムラの無い信号出力を実現するので、回転ドラムの偏心や磁気記録テープ４１の走行変動により記録トラック４２ａが磁気抵抗効果（ＭＲ）膜３１の幅方向にズレても、殆ど変わらない良好なレベルの読み出し信号を得ることができる。こうして、磁気抵抗効果（ＭＲ）膜３１に対する記録トラック４２ａの位置の変動にかかわらず、磁気記録テープ４１から安定して記録情報を読み出すことができる。また、磁気抵抗効果（ＭＲ）膜３１の幅は軟磁性層３３よりも下側に積層することで下層ほど幅が広がるが、記録トラックよりも広い幅で磁気記録情報を読み出すので端部の傾斜は問題にならない。
【００３０】
【実施例】
本出願人は、本発明の摺動型薄膜磁気ヘッドを構成する層構造の特性を検証した。検証にあたって以下の６種類のサンプルを準備した。
サンプル１：  アルミナ上の厚さ２４５ÅのＳＡＬ層の上に厚さ４０ÅのＴａ層を積層させた。
サンプル２：  アルミナ上の厚さ４０ÅのＴａ層の上に厚さ２４５ÅのＳＡＬ層を積層させ、更に厚さ４０ÅのＴａ層を積層させた。
サンプル３：  アルミナ上の厚さ２４５ÅのＳＡＬ層の上に厚さ８０ÅのＴａ層、厚さ２８０ÅのＭＲ層および厚さ４０ÅＴａ層を順次積層した。
サンプル４：  アルミナ上の厚さ４０ÅのＴａ層の上に厚さ２４５ÅのＳＡＬ層、厚さ８０ÅのＴａ層、厚さ２８０ÅのＭＲ層および厚さ４０ÅのＴａ層を順次積層した。
サンプル５：  アルミナ上の厚さ４０ÅのＴａ層の上に厚さ２８０ÅのＭＲ層を積層させ、更に厚さ４０ÅのＴａ層を積層させた。
サンプル６：  アルミナ上の厚さ４０ÅのＴａ層の上に厚さ２８０ÅのＭＲ層、厚さ８０ÅのＴａ層、厚さ２４５ÅのＳＡＬ層および厚さ４０ÅのＴａ層を順次積層した。
【００３１】
上述した１〜６の６種類のサンプルを用いて、結晶配向性を測定するためにＸ線回析測定を行った。図６〜１１に６種類のサンプルそれぞれの測定結果を示す。さらに、これら図６〜１１に示す結果から得られたＸ線回析強度およびＸ線回析半値幅のサンプル間での差を一覧にまとめたグラフを図１２、１３に示す。
【００３２】
図６から明らかなように、ＳＡＬ層およびＴａ層と順に積層した積層体からなるサンプル１のＸ線回析の強度ピークは３００ｃｐｓ程度にとどまり、Ｘ線回析半値幅も０．８５程度と広いことが分かる。また、ピーク曲線も上下に細かく振れている。図７から明らかなように、Ｔａ層、ＳＡＬ層およびＴａ層と順に積層した積層体からなるサンプル２のＸ線回析の強度ピークは１１０００ｃｐｓ程度になり、Ｘ線回析半値幅も０．５２程度と減少している。この結果から、Ｔａ層からなる下地層は、結晶の質に対して一定の効果があることが分かる。
【００３３】
図８から明らかなように、ＳＡＬ層、Ｔａ層、ＭＲ層およびＴａ層と順に積層した積層体からなるサンプル３のＸ線回析の強度ピークは３０００ｃｐｓ程度になり、Ｘ線回析半値幅は０．５７程度であった。図９から明らかなように、Ｔａ層、ＳＡＬ層、Ｔａ層、ＭＲ層およびＴａ層と順に積層した積層体からなるサンプル４のＸ線回析の強度ピークは１１０００ｃｐｓ程度になり、Ｘ線回析半値幅も０．５２程度であった。サンプル１とサンプル２の関係と同様に、ＳＡＬ層上にＴａ層とＭＲ層を積層してもサンプル３に比較してサンプル４は、Ｔａ層からなる下地層は結晶の質に対して一定の効果があることが分かる。
【００３４】
図１０から明らかなように、Ｔａ層、ＭＲ層およびＴａ層と順に積層した積層体からなるサンプル５のＸ線回析の強度ピークは２３０００ｃｐｓ程度になり、Ｘ線回析半値幅は０．４６程度であった。この結果より、アルミナ上にＴａ層を介しただけのＭＲ層の結晶性が高いことが分かる。図１１から明らかなように、Ｔａ層、ＭＲ層、Ｔａ層、ＳＡＬ層およびＴａ層と順に積層した積層体からなるサンプル６のＸ線回析の強度ピークは１９０００ｃｐｓ程度になり、Ｘ線回析半値幅は０．４８程度であった。
【００３５】
以上の結果より、サンプル４のＸ線回析強度ピークが１１０００ｃｐｓ程度と、サンプル５のＸ線回析強度ピーク２３０００ｃｐｓ程度に比較して大幅に小さくなっていることから、ＳＡＬ層の上層にＴａ層を介してＭＲ層を積層させると、ＳＡＬ層の影響によりＭＲ層積層時の結晶性が乱されると推測される。これに対して、サンプル６はＸ線回析強度ピークが１９０００ｃｐｓ程度であり、Ｘ線回析半値幅は０．４８程度である。サンプル６はサンプル５のＭＲ層の評価とほぼ同等の結晶性を有していると言える。サンプル６はＸ線回析強度も高く、Ｘ線回析半値幅も小さいことから、ＭＲ層の結晶粒の分散性も小さく結晶性が高いと推測される。
【００３６】
以上のような検証結果から、結晶性の高いＭＲ層を積層させた上でＳＡＬ層を積層させれば、ＳＡＬ層によってＭＲ層の結晶性が乱されることがなく、ＭＲ層の結晶配向性は良好に保たれることが見出された。
【００３７】
こうした検証結果を踏まえて、本出願人は本発明の薄膜磁気ヘッドを検証した。検証サンプルとして、図３に示す構造の読み取りヘッド部を備えた磁気ヘッドを製造した。即ち、Ｎｉ−Ｆｅ合金からなる厚さ２．５μｍ程度の下部シールド層の上に、アルミナからなる厚さ６８０Å程度の下部ギャップ層、およびパーマロイからなる厚さ３００Å程度の磁気抵抗効果（ＭＲ）膜を積層した。更に磁気抵抗効果（ＭＲ）膜の上にＴａ膜からなる２００Å程度の非磁性層（ＳＨＵＮＴ）層およびＦｅ−Ｎｉ−Ｎｂ膜からなる２５０Å程度の軟磁性（ＳＡＬ）層を順に積層し、磁気抵抗効果（ＭＲ）膜、非磁性層（ＳＨＵＮＴ）層および軟磁性（ＳＡＬ）層を挟むように、厚さ１００Å程度のＣｒ膜と厚さ５００Å程度のＣｏ−Ｐｔ系材料膜からなるハードバイアス層を積層し、これらを覆うようにアルミナからなる厚さ９７０Å程度の上部ギャップ層と、ＮｉＦｅからなる厚さ２．５μｍ程度の上部シールド層を形成した。
【００３８】
さらに本出願人は別の薄膜磁気ヘッドを比較例として検証した。比較例の検証サンプルは、Ｎｉ−Ｆｅ合金からなる厚さ２．５μｍ程度の下部シールド層の上に、アルミナからなる厚さ６８０Å程度の下部ギャップ層およびＦｅ−Ｎｉ−Ｎｂ膜からなる２５０Å程度の軟磁性（ＳＡＬ）層を順に積層した。更に軟磁性（ＳＡＬ）の上にＴａ膜からなる２００Å程度の非磁性層（ＳＨＵＮＴ）層およびパーマロイからなる厚さ３００Å程度の磁気抵抗効果（ＭＲ）膜を積層し、軟磁性（ＳＡＬ）層、非磁性層（ＳＨＵＮＴ）層および磁気抵抗効果（ＭＲ）膜を挟むように、厚さ１００Å程度のＣｒ膜と厚さ５００Å程度のＣｏ−Ｐｔ系材料膜からなるハードバイアス層を積層し、これらを覆うようにアルミナからなる厚さ９７０Å程度の上部ギャップ層と、ＮｉＦｅからなる厚さ２．５μｍ程度の上部シールド層を形成した。
【００３９】
図１４は、上述の本発明の薄膜磁気ヘッドであり、図１５は、比較例の薄膜磁気ヘッドである。図１４および図１５は、測定位置に対する出力と、測定位置に対する出力信号の非対称性を示す。今回は磁気抵抗効果（ＭＲ）膜の幅方向の均一性を確認するために、図５に示すような磁気テープ４１に記録された記録トラック４２を磁気抵抗効果（ＭＲ）膜３１の幅に比して小さく、例えば２μｍ程度として、測定位置に対する出力と、測定位置に対する出力信号の非対称性を測定した。
【００４０】
比較例の薄膜磁気ヘッドの測定結果である図１５は、測定位置６μｍあたりで記録トラックが磁気抵抗効果（ＭＲ）膜にかかり始め、出力が計測されている。出力の中央部分で、出力波形のピークツーピークを計測し、非対称性を求めた。何度か非対称性を測定したが、変動が大きく、ばらついており、しかも測定位置が進むに従って右肩上がりに上昇していくのが分かる。
【００４１】
これに対して、本発明の薄膜磁気ヘッドの計測結果である図１４は、測定位置６μｍを超えるあたりで記録トラックが磁気抵抗効果（ＭＲ）膜にかかり始め、出力が計測されている。同様に非対称性を求めると、複数回の測定でもばらつきは少なく、一定の値を示していた。
【００４２】
サンプル１〜６と、図１４および図１５の結果を勘案すると、本発明の磁気ヘッドは磁気抵抗効果（ＭＲ）膜が軟磁性層（ＳＡＬ層）よりも下部シールド側に積層されると結晶性の高いＭＲ層を積層することができると推測され、磁気抵抗効果（ＭＲ）膜の幅方向の均一性が高くなると考えられる。また、本発明の薄膜磁気ヘッドは媒体対向面に記録テープを相対摺動させて記録トラックよりも広幅で磁気抵抗効果（ＭＲ）膜の幅を設定し、磁気記録情報を読み出すので、磁気テープ装置の回転ドラムの僅かな偏心や磁気テープ送り機構のブレによって、磁気抵抗効果（ＭＲ）膜と磁気テープの記録トラックの相対位置がズレる場合が想定されるが、磁気抵抗効果（ＭＲ）膜の幅方向で一定の出力を取り出すことができ、磁気テープの記録情報を正確に読み出すことができる。
【００４３】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、磁気抵抗効果膜を軟磁性層よりも下部シールド層側に積層することで、磁気抵抗効果膜の結晶性が乱されることがなく磁気抵抗効果膜の結晶均一性は向上する。磁気抵抗効果膜の結晶性が向上すれば、磁気抵抗効果膜の幅方向の全域に渡って出力信号が均一化される。従って、磁気抵抗効果膜の幅方向のどの位置に読み出す記録トラックがあっても、コア幅方向の全域に渡って均一で良好なレベルの読み出し信号を得ることができる。そこで、記録情報を正確に読み出すことができる。
【００４４】
前記磁気抵抗効果膜はＦｅ−Ｎｉ系材料膜で構成されるとともに、前記下部ギャップ層はアルミナで構成されていてもよい。また、前記磁気抵抗効果膜と前記下部シールド層との間には更に下地層が積層されていてもよい。下地層により酸化拡散星と、ＭＲ膜の磁歪安定化の役割を果たす。この下地層はＴａから構成されているのが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の摺動型薄膜磁気ヘッドを搭載したテープ媒体記録再生装置のテープローディング系路の平面模式図である。
【図２】図２は、本発明の摺動型薄膜磁気ヘッドを備えた記録再生ユニットを示す斜視図である。
【図３】図３は、図１の記録再生ユニットにおける読み取りヘッド部およびインダクティブヘッド周辺の拡大部分断面図である。
【図４】図４は、図２の複合膜およびその周辺の要部拡大正面図である。
【図５】図５は、磁気抵抗効果膜と記録トラックとの関係を示す説明図である。
【図６】図６は、第１のサンプルのＸ線回析結果を示すグラフである。
【図７】図７は、第２のサンプルのＸ線回析結果を示すグラフである。
【図８】図８は、第３のサンプルのＸ線回析結果を示すグラフである。
【図９】図９は、第４のサンプルのＸ線回析結果を示すグラフである。
【図１０】図１０は、第５のサンプルのＸ線回析結果を示すグラフである。
【図１１】図１１は、第６のサンプルのＸ線回析結果を示すグラフである。
【図１２】図１２は、Ｘ線回析強度のサンプル間での差を示すグラフである。
【図１３】図１３は、Ｘ線回析半値幅のサンプル間での差をまとめたグラフである。
【図１４】図１４は、本発明の薄膜磁気ヘッドの非対称性を反復測定した結果を示すグラフである。
【図１５】図１５は、従来の薄膜磁気ヘッドの非対称性を反復測定した比較例の結果を示すグラフである。
【図１６】図１６は、従来の薄膜磁気ヘッドの層構造を示した断面図である。
【図１７】図１７は、別な薄膜磁気ヘッドの層構造を示した断面図である。
【図１８】図１８は、ワイドリード方式の薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果膜と記録トラックとの関係を示す説明図である。
【符号の説明】
１２  基板（コア半体）
１３  読み取りヘッド部
１６  保護基板（コア半体）
２４  下部シールド層
２５  下部ギャップ層
２６  複合膜
２７  上部ギャップ層
２８  上部シールド層
３０  下地層
３１  磁気抵抗効果（ＭＲ）膜
３２  非磁性層（ＳＨＵＮＴ）
３３  軟磁性（ＳＡＬ）層
【図１】
2004171624.tif 000003
【図２】
2004171624.tif 000004
【図３】
2004171624.tif 000005
【図４】
2004171624.tif 000006
【図５】
2004171624.tif 000007
【図６】
2004171624.tif 000008
【図７】
2004171624.tif 000009
【図８】
2004171624.tif 000010
【図９】
2004171624.tif 000011
【図１０】
2004171624.tif 000012
【図１１】
2004171624.tif 000013
【図１２】
2004171624.tif 000014
【図１３】
2004171624.tif 000015
【図１４】
2004171624.tif 000016
【図１５】
2004171624.tif 000017
【図１６】
2004171624.tif 000018
【図１７】
2004171624.tif 000019
【図１８】
2004171624.tif 000020