(57)【要約】【課題】広い波長可変幅を有しかつ高出力の光増幅部一体型面発光レーザ素子を提供する。【解決手段】対向する２つの反射膜の間に活性層を有する面発光レーザ部と該面発光レーザ部で発振したレーザ光を反射させる反射鏡と該反射鏡によって反射されたレーザ光を導波させる光導波路とレーザ光を増幅する増幅活性層を含んでなり光導波路に接続された光増幅部とを備え、光導波路と光増幅部とが同一基板上に一体で構成されている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する２つの反射膜の間に活性層を有する面発光レーザ部と該面発光レーザ部で発振したレーザ光を増幅する増幅活性層を含んでなる光増幅部とを備え、上記面発光レーザ部と上記光増幅部とが同一基板上に一体で構成された光増幅部一体型面発光レーザ素子。
【請求項２】
上記面発光レーザ部と上記光増幅部との間に上記面発光レーザ部で発振したレーザ光を反射させる反射鏡を備え、上記光増幅部は上記反射鏡によって反射されたレーザ光を増幅する請求項１記載の光増幅部一体型面発光レーザ素子。
【請求項３】
上記反射鏡と上記光増幅部の間にさらに光導波路が上記基板上に上記反射鏡及び上記光増幅部と一体で形成され、上記反射鏡によって反射された光が上記光導波路を介して上記光増幅部に導波される請求項１又は２記載の光増幅部一体型面発光レーザ素子。
【請求項４】
上記光導波路を切断するように溝が形成され、該溝による上記光導波路の切断面により上記反射鏡が構成されている請求項３に記載の光増幅部一体型面発光レーザ素子。
【請求項５】
上記反射鏡は上記２つの反射膜に対して４５度の角度で設けられている請求項１〜４のうちのいずれか１つに記載の光増幅部一体型面発光レーザ素子。
【請求項６】
上記２つの反射膜のうちの一方の反射膜は、上記２つの反射膜の間隔を変更できるように移動可能に設けられている請求項１〜５のうちのいずれか１つに記載の光増幅部一体型面発光レーザ素子。
【請求項７】
上記２つの反射膜のうちの他方の反射膜は、上記一方の反射膜と上記基板との間に設けられており、かつ上記光導波路が上記他方の反射膜と上記基板の間に設けられている請求項６記載の光増幅部一体型面発光レーザ素子。
【請求項８】
上記２つの反射膜のうちの他方の反射膜は、上記一方の反射膜と上記光導波路の間に設けられている請求項６記載の光増幅部一体型面発光レーザ素子。
【請求項９】
上記光導波路は、上記面発光レーザ部と上記基板の間に位置する請求項１〜６のうちのいずれか１つに記載の光増幅部一体型面発光レーザ素子。
【請求項１０】
上記面発光レーザ部は、上記光導波路より基板に近い側に位置する請求項１〜６のうちのいずれか１つに記載の光増幅部一体型面発光レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、面発光レーザと光増幅器とが集積された光増幅部一体型面発光レーザ素子、波長可変面発光レーザと光増幅器とが集積された光増幅部一体型面発光レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ファイバを用いた大容量光通信システムでは、有る一定間隔で波長の異なる信号光を数十波束ねたＷＤＭ（波長多重）伝送方式が広く用いられている。この方式では、一本の光ファイバで数波長分の信号を送信することができるため、光ファイバーの増設を行うことなく伝送容量の増大が図れる。ＷＤＭ伝送方式では、信号を送り出す半導体レーザの発振波長を極めて精度良く作り込むことが必要とされるため、一般にＤＢＦレーザを温度コントロールする方法が用いられる。ＤＢＦレーザは活性層に隣接して回折格子が作りつけられており、回折格子のピッチを調整することで任意の波長をえることができる。また、ＤＢＦレーザでは約０．１ｎｍ／℃の割合で発振波長が変化するため、ＷＤＭ伝送で必要な波長に正確にあわせ込むことが可能である。
【０００３】
ＷＤＭ伝送方式では、１５２８ｎｍ〜１５６５ｎｍの広い範囲の中から複数の波長（例えば、３２波〜６４波）が選択される。波長の異なるＤＢＦレーザを用意するには、それぞれの波長に応じた回折格子をウエハ単位で作り込む必要があり、必要とされる波長数分のレーザを用意するには相当数のウエハを作成する必要がある。また、ある波長のレーザを数個だけ必要となった場合にも、ウエハ単位（数千個）で作製するため、非常にコストもかかり効率も悪かった。
【０００４】
このような問題を解決するために、１つの素子で数波長分をカバーできる波長可変レーザが注目されている。このなかでも、面発光型波長可変レーザは、レーザ共振器長を変化させることで瞬時に波長を変更することができ、しかも可変波長幅が大きくとれる特徴を有しており、盛んに研究が行われている。例えば、非特許文献１にはＭＥＭＳと面発光レーザとを集積化した例が示されている。
【０００５】
また、特許文献１には、可動反射鏡を有する面発光レーザを用いた波長多重伝送システムが開示され、そのレーザ上面部にミラーと導波路よりなる光学素子を形成した波長可変レーザダイオードが開示されている（図９及び段落番号００７３）。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−２８９９６９号公報
【非特許文献１】
Ｃ．  Ｊ．  Ｃｈａｎｇ−Ｈａｓｎａｉｎ，  ２００１  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  ｏｎ  Ｉｎｄｉｕｍ  Ｐｈｏｓｈｉｄｅ  ａｎｄ  Ｒｅｌａｔｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ  ＴｕＡｌ−２
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、一般に光ファイバ通信に用いられるレーザは、５〜１０ｍＷ以上の光出力が必要とされるのに対して、面発光レーザはその構造上の理由から活性層の体積が小さくて光出力を上げることが困難であり、１ｍＷ程度しか出せないという問題があった。
かかる問題点を解決する手段は上述した特許文献１においても示されていない。
【０００８】
そこで、本発明は、広い波長可変幅を有しかつ高出力の光増幅部一体型面発光レーザ素子を提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
以上の目的を達成するために、本発明に係る光増幅部一体型面発光レーザ素子は、対向する２つの反射膜の間に活性層を有する面発光レーザ部と該面発光レーザ部で発振したレーザ光を増幅する増幅活性層を含んでなる光増幅部とを備え、上記面発光レーザ部と上記光増幅部とが同一基板上に一体で構成されたことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る実施の形態の光増幅部一体型面発光レーザ素子について説明する。
実施の形態１．
本発明に係る実施の形態１の光増幅部一体型面発光レーザ素子は、図１及び図２に示すように、面発光レーザ部２０、光増幅部２２及び面発光レーザ部と光増幅部の間を接続する光導波路２１とが１つの基板１００上にモノリシックに集積されていることを特徴とし、これにより高出力でかつ可変波長範囲の広い光増幅部一体型面発光レーザ素子が構成されている。
【００１１】
具体的には、本実施の形態１の光増幅部一体型面発光レーザ素子では、図１及び図２に示すように、基板１００（例えば、ｐ型ＩｎＰからなる）の上面の一部分（第１領域）に、第１クラッド層１（例えば、ｐ型ＩｎＰからなる）、導波路層２（例えば、アンドープＩｎＧａＡｓＰからなる）及び第２クラッド層３（例えば、ｎ型ＩｎＰからなる）が順に積層されて光導波路部２１が構成される。
尚、第２クラッド層３、導波路層２は、幅が長手方向の長さに比べて十分狭く（例えば、１．５μｍ）なるように細長く形成されており、その両側には電流ブロック層８（例えば、ｐ型ＩｎＰ／ｎ型ＩｎＰ／ｐ型ＩｎＰの３層構造からなる）が埋め込み成長されている。
このような構成により、光導波路部２１はレーザ光を導波路層２の長手方向に導波させることができる。
【００１２】
面発光レーザ部２０は、光増幅部２２と共有するコンタクト層９（例えば、ｎ型ＩｎＰからなる）を含み、そのコンタクト層上に、
第１反射膜１０（例えば、ｎ型ＩｎＰ層とｎ型ＩｎＧａＡｓＰを交互に積層してなる）、
レーザ部第１クラッド層１１（例えば、ｎ型ＩｎＰ層からなる）、
活性層１２（例えば、アンドープＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸構造からなる）、
レーザ部第２クラッド層１３（例えば、ｐ型ＩｎＰ層／ｐ型ＡｌＩｎＡｓ／ｐ型ＩｎＰ層の３層構造からなる）が上記記載順に積層されてなる半導体積層部と、その上に形成されたアノード電極１４及び第２反射膜１６（例えば、ＳｉＯ２／ＴｉＯ２多重膜からなる）によって構成されている。ここで、第２反射膜１６は４つの梁部１６ａによって半導体積層部の上面から離れて移動可能に支えられていて、例えば、反射膜移動制御電極（図示せず）に印加される電圧に対応した静電力によって半導体積層部との間の間隔が調整される。これによって、第１反射膜と第２反射膜の間の共振器間隔を変化させることができ、共振器間隔に対応させてレーザ発振波長を変更できる。
尚、梁部１６ａの一端は第２反射膜１６に接続され、梁部１６ａの他端は、半導体積層部の外周部分に形成された固定部１６ｂに接続されている。
また、面発光レーザ部を励振する他方の電極は光増幅部２２と共有するカソード電極１５である。
また、面発光レーザ部２０と光導波路部２１とは、光面発光レーザ部２０の光軸と光導波路部２１の光軸が一致するように配置される。
【００１３】
また、本実施の形態１の光増幅部一体型面発光レーザ素子において、基板１００の上面の第２領域に、第１クラッド層１（例えば、ｐ型ＩｎＰからなる）、光増幅用活性層５（例えば、アンドープＩｎＧａＡｓＰからなる）及び第２クラッド層６（例えば、ｎ型ＩｎＰからなる）が順に積層されて光導波路部が構成され、その光導波路を基板１００及びコンタクト層９を介して挟むように形成されたカソード電極１５及びアノード電極１７によって光増幅部２２が構成されている。
尚、第２クラッド層６、光増幅用活性層５の幅は、光導波路部の導波層及び第２クラッド層３の幅と同一に設定される。
また、光導波路部２１と光増幅部２２とは、互いに光軸が一致するように配置される。
【００１４】
以上の実施の形態１の光増幅部一体型面発光レーザ素子は、移動可能な第２反射膜を備え共振器間隔を変化させることによりレーザ発振波長を変更できるので、波長可変範囲を比較的大きくできる。
また、面発光レーザ部２０、光導波路２１及び光増幅部２２が上述の位置関係で１つの基板１００上にモノリシックに集積されているので、面発光レーザ部２０で発振されたレーザ光を光増幅部２２により増幅して出力でき、高出力のレーザ光を出力できる。
【００１５】
（実施の形態１の光増幅部一体型面発光レーザ素子の製造方法）
以下、図面を参照しながら、本発明に係る実施の形態１の光増幅部一体型面発光レーザ素子の製造方法について説明する。
尚、以下の製造方法の説明では、具体的な材料及び寸法を示して説明するが、本発明はこれらの材料及び寸法に限られるものではない。
【００１６】
本製造方法では、まず、ｐ型ＩｎＰ基板１００上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層１（第１クラッド層１）、アンドープＩｎＧａＡｓＰ導波路層２（導波路層２）及びｎ型ＩｎＰクラッド層３（第２クラッド層３）を有機金属気相成長法により成長させる（図３）。この３つの層は、光導波路部２１を構成するための層である。ここで、アンドープＩｎＧａＡｓＰ導波路層２の組成は、フォトルミネッセンス波長が１．３μｍになるように設定される。
【００１７】
次に、ｎ型ＩｎＰクラッド層３の一部（一端部から所定の長さの部分であり上記第１領域に相当する部分）にＳｉＯ２絶縁膜４を形成して、ＳｉＯ２絶縁膜４が形成されていない部分のｎ型ＩｎＰクラッド層３、アンドープＩｎＧａＡｓＰ導波路層２をエッチングにより除去する（図４）。
【００１８】
そして、ＳｉＯ２絶縁膜４を選択成長マスクとして、エッチングにより除去することにより露出させたｐ型ＩｎＰクラッド層１上（第２領域に相当）に、アンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層５（光増幅用活性層５）とｎ型ＩｎＰクラッド層６（第２クラッド層６）とを有機金属気相成長法により成長させる（図５）。アンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層５の組成は、フォトルミネッセンス波長が１．５５μｍになるように設定される。
選択成長後、フッ酸溶液でＳｉＯ２絶縁膜４を除去する。
【００１９】
次に、ｎ型ＩｎＰクラッド層３及びｎ型ＩｎＰクラッド層６上に幅２μｍのＳｉＯ２マスク７を形成して、ＣＨ４／Ｈ２ガスを用いたドライエッチングにより、深さ２μｍのメサを形成する（図６）。
以上の工程により、光軸のずれが極めて少なく接続された光導波路部と光増幅部とが形成される。
【００２０】
メサを形成した後、ＳｉＯ２マスク７を選択成長マスクとして用いてメサの両側にｐ型ＩｎＰ／ｎ型ＩｎＰ／ｐ型ＩｎＰの電流ブロック層８を埋め込み成長させた後、ＳｉＯ２マスク７を除去して、全面にｎ型ＩｎＰコンタクト層９を形成する（図７）。
【００２１】
次いで、ｎ型ＩｎＰコンタクト層９上に、ｎ型ＩｎＰ層／ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ多重反射膜１０、ｎ型ＩｎＰクラッド層１１、アンドープＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸活性層１２、ｐ−ＩｎＰ層１３ａ、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ電流狭窄層１３ｂ、ｐ−ＩｎＰ層１３ｃを成長させる（図８）。
そして、面発光レーザ発振部を残してアンドープＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸活性層１２の下まで（ｎ型ＩｎＰコンタクト層９が露出するまで）エッチングすることによりレーザ素子構成用の半導体積層部を形成し、その積層部の上面にアノード電極１４を形成して露出させたｎ型ＩｎＰコンタクト層９上にカソード電極１５を形成する。尚、アノード電極１４の中央部には、円形の開口部１４ａが形成される（図９）。
尚、半導体積層部を形成した後、レーザ部第２クラッド層１３のＡｌＩｎＡｓ層１３ｂを横方向に酸化することにより、電流ブロック用の高抵抗層１３ｄを形成する。
【００２２】
次に、ｐ型ＩｎＰクラッド層上に０．２μｍ〜０．３μｍのエアギャップを介して、例えば、ＳｉＯ２／ＴｉＯ２多重反射膜１６を形成する。
具体的には、エッチングにより除去が可能な犠牲層を半導体積層部上に形成した上に、ＳｉＯ２／ＴｉＯ２多重反射膜１６とそれを支える梁部１６ａと梁部１６ａを固定する固定部１６ｂを一体で形成した後に犠牲層のみを除去することにより、中空構造（移動可能な）のＳｉＯ２／ＴｉＯ２多重反射膜１６を形成する（図１０）。この際、ＳｉＯ２／ＴｉＯ２多重反射膜１６とそれを支える梁部１６ａは犠牲層の上に形成し、固定部１６ｃはクラッド層１３の上に直接接するように形成する。また、ＳｉＯ２／ＴｉＯ２多重反射膜１６は９９％以上の反射率になるように設計される。
尚、以上の説明では、ＳｉＯ２／ＴｉＯ２多重反射膜１６の移動制御用の電極膜の作製工程は省略したが、ＳｉＯ２／ＴｉＯ２多重反射膜１６の上面又は下面のいずれかに移動制御用の電極膜が形成される。
【００２３】
以上のようにして面発光レーザ部２０と光導波路部２１とが形成された後に、面発光レーザ部２０の光軸と光導波路部２１の光軸とが直交する部分にどちらの光軸に対しても４５度の角度をなす溝１８を形成することにより、レーザ光を光導波路の進行方向に反射させる反射鏡１９を形成する（図１１，図１２）。
この溝１８は、例えば、ウエハを４５度傾けた状態でＡｒイオンを用いたドライエッチングを行うことで形成することができるので、反射鏡１９を容易に形成できる。
【００２４】
溝１８を形成した後、基板１００を１００μｍの厚さまで研磨したのち基板１００の裏側に、カソード電極１５と対向する位置に光増幅部用のアノード電極１７を形成する。
以上のようにして本実施の形態１の光増幅部一体型面発光レーザ素子は製造される。
【００２５】
以上のように本実施の形態１の光増幅部一体型面発光レーザ素子の製造方法によれば、いわゆる半導体製造技術を用いて、面発光レーザ部２０、光導波路部２１、光増幅部２２及び反射鏡１９とを一体として形成できるので、各光軸の位置合わせを容易にかつ精度良く行うことができ、極めて高出力でかつ可変波長幅の広い光増幅部一体型面発光レーザ素子を製造できる。
【００２６】
本実施の形態１の光増幅部一体型面発光レーザ素子において、共振器長（第１反射膜１０と第２反射膜１６との間隔）を３μｍとし、アンドープＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸活性層１２を１５５０ｎｍの波長のレーザ発振が可能な組成に設定し、可動反射膜１６の可動幅を０．１μｍに設定すると、１５５０ｎｍを中心として５２ｎｍの波長可変幅が得られる。
また、この場合、アンドープＩｎＧａＡｓＰ導波路層２の組成は、フォトルミネッセンス波長が１．３μｍになるように設定し、アンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層５の組成は、フォトルミネッセンス波長が１．５５μｍになるように設定すると、上記波長範囲（１５５０ｎｍ±２６ｎｍ）において、高い出力のレーザ光が得られる。
【００２７】
すなわち、面発光レーザの出力不足を補う方法としては、レーザ光を増幅する光増幅器を別体（例えば、レーザ発振器を形成した気板とは異なる他の基板を用いて）で構成して、それぞれ作製後にハイブリッド実装することも考えられる。しかしながら、光通信に利用される単一モード面発光レーザのビームスポットサイズは、２〜３μｍと小さく、そのレーザ光を導波させる光導波路幅も高次モードの光をカットするために１．５μｍ程度となるので、ハイブリッド実装した場合、実用的な範囲で光軸をあわせるためには、１μｍ以下の実装精度が必要となり、現在の実装技術のレベルでは実現は困難であり、仮に可能であるとしてもアッセンブリコストがかかる。
これに対して、本願では半導体製造技術を用いることにより、サブμｍ以下の精度で光軸をあわせることができ、かつ安価に製造できる。
【００２８】
実施の形態２．
本発明に係る実施の形態２の光増幅部一体型面発光レーザ素子は、面発光レーザ部が光導波路部より基板１００に近い側に形成されている点が実施の形態１とは異なる。
すなわち、本実施の形態２の光増幅部一体型面発光レーザ素子において、面発光レーザ部を構成する半導体層を成長させた後に、その第１反射膜１１０の上に光増幅部と光導波路部とを形成している。
尚、以下の説明では、具体的な材料を括弧内等に記載して例示しながら説明するが、本発明は、これらの例示した材料に限定されるものではない。
【００２９】
詳細に説明すると、実施の形態２の光増幅部一体型面発光レーザ素子では、ｐ型ＩｎＰ基板１００の上面に、面発光レーザ部を構成するためのレーザ部第２クラッド層１１３（例えば、ｐ型ＩｎＰからなる）、活性層１１２（例えば、アンドープＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸構造からなる）、レーザ部第１クラッド層１１１（例えば、ｎ型ＩｎＰ層からなる）及び第１反射膜１１０（例えば、ｎ型ＩｎＰ層とｎ型ＩｎＧａＡｓＰを交互に積層してなる）が形成される。そして、面発光レーザ部を構成する部分において、基板１００の裏面に凹部１２０が形成され、その凹部１２０の底面に、実施の形態１と同様にして、梁部に移動可能に支えられた第２反射膜１１６が形成される。また、第２反射膜１１６の直下の活性層１１２に集中して電流が注入されるように、第２反射膜１１６の直下の部分を取り囲むように、水素（Ｈ）又はヘリウム（Ｈｅ）などのイオンを注入して高抵抗領域１２１を形成して電流ブロック構造を構成する。さらに、ｐ型ＩｎＰ基板１００の下面の凹部１２０の周りに、レーザ発振部用のアノード電極１１４を形成する。
以上のように、実施の形態２の光増幅部一体型面発光レーザ素子の面発光レーザ発振部は構成される。
【００３０】
実施の形態２の光増幅部一体型面発光レーザ素子では、多層膜からなる第１反射膜１１０上の面発光レーザ発振部の直上に第２クラッド層（ｎ型ＩｎＰクラッド層）１０３、光導波路層１０２及び第１クラッド層（ｐ型ＩｎＰクラッド層）１０１の３層構造の光導波路部が構成され、第２クラッド層（ｎ型ＩｎＰクラッド層）１０３、活性層１０５及び第１クラッド層（ｐ型ＩｎＰクラッド層）１０６の３層構造とその上に形成された光増幅部アノード電極１１７とによって光増幅部が構成される。
【００３１】
具体的には、第１反射膜１１０の上に、第２クラッド層（ｎ型ＩｎＰクラッド層）１０３を成長させ、その上に導波路層（アンドープＩｎＧａＡｓＰ導波路層）１０２を成長させてストリップ形状にパターンニングした後、第１クラッド層（ｐ型ＩｎＰクラッド層）１０１を有機金属気相成長法により成長させる。次に、光導波路部を構成するための部分を残して第１クラッド層１０１及び導波路層１０２をエッチングにより除去し、そのエッチングにより除去した部分に、光増幅用活性層（アンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層）１０５を成長させてストライプ形状にパターンニングした後、幅１．５μｍ、深さ２μｍのメサを形成し、メサの両側にｐ−ＩｎＰ／ｎ−ＩｎＰ／ｐ−ＩｎＰの電流ブロック層で埋め込む。その後、全面に第１クラッド層１０６を成長させる。ここで、導波路層１０２と光増幅用活性層１０５は、それぞれの光軸が互いに一致するように位置合わせされる必要があるが、本発明では半導体製造技術を用いることにより光軸の位置合わせを容易にかつ高い精度で行うことができる。
【００３２】
そして、導波路層１０２とアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層１０５を内部に含むように、光軸方向にメサを形成し、そのメサの上に光増幅部用アノード電極１１７を形成する。また、メサの両側に露出された第２クラッド層（ｎ型ＩｎＰクラッド層）１０３上に、光増幅部と面発光レーザ部に共通のカソード電極１１５を形成する。
尚、アンドープＩｎＧａＡｓＰからなる導波路層１０２の組成及びアンドープＩｎＧａＡｓＰからなる光増幅用活性層１０５の組成は、実施の形態１と同様に設定される。
最後に、実施の形態１と同様にして溝１１８を形成することにより、反射鏡を形成する。
【００３３】
以上のように構成された実施の形態２の光増幅部一体型面発光レーザ素子は、実施の形態１と同様の作用効果を有するとともに、表面を原子層レベルで平坦にできる多層膜構造の反射膜１１０上に光増幅部と光導波路部とを形成しているので、光増幅部と光導波路部とを容易に形成できる。
【００３４】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明に係る光増幅部一体型面発光レーザ素子は、対向する２つの反射膜の間に活性層を有する面発光レーザ部と該面発光レーザ部で発振したレーザ光を増幅する増幅活性層を含んでなる光増幅部とを同一基板上に一体で構成しているので、広い波長可変幅を有しかつ高出力の光増幅部一体型面発光レーザ素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る実施の形態１の光増幅部一体型面発光レーザ素子の斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線についての断面図である。
【図３】本発明に係る実施の形態１の光増幅部一体型面発光レーザ素子の製造工程における第１工程後の斜視図である。
【図４】本発明に係る実施の形態１の光増幅部一体型面発光レーザ素子の製造工程における第２工程後の斜視図である。
【図５】本発明に係る実施の形態１の光増幅部一体型面発光レーザ素子の製造工程における第３工程後の斜視図である。
【図６】実施の形態１の光増幅部一体型面発光レーザ素子の製造工程における第４工程後の斜視図である。
【図７】実施の形態１の光増幅部一体型面発光レーザ素子の製造工程における第５工程後の斜視図である。
【図８】実施の形態１の光増幅部一体型面発光レーザ素子の製造工程における第６工程後の斜視図である。
【図９】実施の形態１の光増幅部一体型面発光レーザ素子の製造工程における第７工程後の斜視図である。
【図１０】実施の形態１の光増幅部一体型面発光レーザ素子の製造工程における第８工程後の斜視図である。
【図１１】本発明に係る実施の形態２の光増幅部一体型面発光レーザ素子の斜視図である。
【図１２】図１のＢ−Ｂ’線についての断面図である。
【符号の説明】
１，１０１…第１クラッド層、２，１０２…導波路層、３，１０３…第２クラッド、４，７…ＳｉＯ２絶縁膜、５，１０５…光増幅用活性層、６，１０６…第２クラッド層、８…電流ブロック層、９…コンタクト層、１０，１１０…第１反射膜、１１，１１１…レーザ部第１クラッド層、１２，１１２…活性層、１３，１１３…レーザ部第２クラッド層、１３ａ…ｐ−ＩｎＰ層、１３ｂ…ｐ−ＡｌＩｎＡｓ、１３ｃ…ｐ−ＩｎＰ層、１３ｄ…高抵抗層、１４，１１４…アノード電極、１５，１１５…カソード電極、１６，１１６…第２反射膜、１６ａ…梁部、１６ｂ…固定部、１７，１１７…アノード電極、１８，１１８…溝、１９，１１９…反射鏡、２０…面発光レーザ部、２１…光導波路、２２…光増幅部、１００…基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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