(57)【要約】　【課題】　高いアスペクト比と短いヨークを有する多層コイルを備えた誘導書き込みヘッドを有する磁気トランスデューサの製造方法について開示する。　【解決手段】　2つのコイル層に対してはダマシーンプロセスを使用し、第3のコイル層に対しては従来のプロセスを使用する。本発明のプロセスによって、第1のコイル層と第2のコイル層に使用するトレンチの側壁にコイル用のシード層を溶着することができる。一実施例では、粘着層はコイル用のシード層の前に形成される。【選択図】　図11
2004146045.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　ウェーハ上に磁気トランスデューサ用の書き込みヘッドを製造する方法であって、
　強磁性体を溶着させて、計画した書き込みギャップより下の前記ウェーハ上に第1の磁極を形成し、
　前記ウェーハを覆って第1の高分子材料層を溶着させ、
　第1のハードマスク層および第1のマスキングされたフォトレジスト層を含む第1の積層体を形成し、前記第1のマスキングされたフォトレジスト層は、前記第1のハードマスク層よりも上にあり、かつ、前記第1の磁極の後ろにコイルの形状を形成し、
　前記第1のマスキングされたフォトレジスト層に従って、前記第1の積層体と前記第1の高分子材料層を通してエッチングを施して、第1のトレンチ群をコイル状に形成し、
　前記ウェーハ上に第1のシード層を溶着させ、
　前記第1のトレンチ群がオーバーフィルさせられるまで、前記第1のシード層を覆って前記ウェーハ上に導電性材料を溶着させ、
　前記第1のトレンチ群が露出され、導電性材料の複数の巻回を備える第1のコイル層が形成されるまで、前記ウェーハを平坦化して前記ウェーハから材料を取り除き、
　前記ウェーハ上にギャップ層を形成し、
　前記書き込みギャップにおいて、前記ギャップ層の上に強磁性体の第2の磁極を形成し、
　前記ウェーハを覆って第2の高分子材料層を溶着させ、
　第2のハードマスク層および第2のマスキングされたフォトレジスト層を含む第2の積層体を形成し、前記第2のマスキングされたフォトレジスト層は、前記第2のハードマスク層の上にあり、かつ、前記第2の磁極の後ろにコイルの形状を形成し、
　前記第2のマスキングされたフォトレジスト層に従って、前記第2の積層体および前記第2の高分子材料層を通してエッチングを施し、第2のトレンチ群をコイル状に形成し、
　前記ウェーハを覆って第2のシード層を溶着させ、
　前記第2のトレンチ群がオーバーフィルさせられるまで、前記ウェーハ上に導電性材料を溶着させ、
　前記第2のトレンチ群が露出し、導電性材料の複数の巻回を備える第2のコイル層が形成されるまで、前記ウェーハを平坦化して前記ウェーハから材料を取り除き、
　前記第2のコイル層の上に第3のコイル層を形成し、
　絶縁材で前記第3のコイル層を包み込み、
　前記第3のコイルの絶縁材を覆って第3の磁極を形成して、ヨークを完成させる、ステップを有することを特徴とする方法。
【請求項２】
　前記第1のハードマスク層は酸化タンタルであることを特徴とする請求項1記載の方法。
【請求項３】
　前記第1のハードマスク層は二酸化ケイ素であることを特徴とする請求項1記載の方法。
【請求項４】
　前記第1の積層体は、第1のシード層よりも以前に溶着させた粘着層を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
【請求項５】
　前記粘着層はタンタルであることを特徴とする請求項4記載の方法。
【請求項６】
　前記粘着層は窒化タンタルであることを特徴とする請求項4記載の方法。
【請求項７】
　前記第1のコイル層のアスペクト比は、3より大きいことを特徴とする請求項1記載の方法。
【請求項８】
　前記第1のコイル層のアスペクト比は、およそ8であることを特徴とする請求項1記載の方法。
【請求項９】
　誘導書き込みヘッドを備えた磁気トランスデューサであって、
　書き込みギャップからヨークの背部へ伸びているギャップ層と、
　書き込みギャップにおいて前記ギャップ層と接触している強磁性体のペデスタル磁極とを有し、前記ペデスタルの背面はゼロスロート高さの線を規定しており、
　前記ペデスタル磁極片と前記ヨークの背面との間を通る、導電性材料の複数の巻回を含む第1のコイル層を更に有し、前記第1のコイル層の導電性材料の前記巻回は、上部に第1のシード層を備えた側壁を有する絶縁材によって分離されており、
　P2磁極と前記ヨークの前記背部との間を通る、導電性材料の複数の巻きを含む第2のコイル層を更に有し、前記第2のコイル層の導電性材料の前記巻回は、上部に第2のシード層を備えた側壁を有する絶縁材によって分離されており、
　P3磁極と前記ヨークの背部との間を通る、伝導性材料の複数の巻回を含む第3のコイル層を更に有することを特徴とする磁気トランスデューサ。
【請求項１０】
　前記第1のシード層と前記絶縁材との間に粘着層を更に有することを特徴とする請求項9記載の磁気トランスデューサ。
【請求項１１】
　前記粘着層はタンタルであることを特徴とする請求項10記載の磁気トランスデューサ。
【請求項１２】
　前記粘着層は窒化タンタルであることを特徴とする請求項10記載の磁気トランスデューサ。
【請求項１３】
　前記第1のシード層は銅であることを特徴とする請求項9記載の磁気トランスデューサ。
【請求項１４】
　前記第1のコイル層のアスペクト比は、3より大きいことを特徴とする請求項9記載の磁気トランスデューサ。
【請求項１５】
　前記第1のコイル層のアスペクト比は、およそ8であることを特徴とする請求項9記載の磁気トランスデューサ。
【請求項１６】
　ディスクドライブであって、
　ディスクの平面上に強磁性体の薄膜を有するディスクと、
　前記ディスクを回転可能に支持するスピンドルと、
　前記ディスクの平らな面に対向するエアベアリング面を有する磁気トランスデューサを支持するアクチュエータと、を有し、
　書き込みヘッドを有する前記磁気トランスデューサは、 
　　　書き込みギャップからヨークの背部へ伸びているギャップ層と、
　　　前記書き込みギャップにおいて前記ギャップ層と接触している強磁性体のペデスタル磁極とを有し、前記ペデスタルの背面はゼロスロート高さの線を規定しており、
　　　前記ペデスタル磁極片と前記ヨークの背面との間を通る、導電性材料の複数の巻回を含む第1のコイル層を更に有し、前記第1のコイル層の導電性材料の前記巻回は、上部に第1のシード層を備えた側壁を有する絶縁材によって分離されており、
　　　前記書き込みギャップにおけるP2磁極と前記ヨークの前記背部との間を通る、導電性材料の複数の巻回を含む第2のコイル層を更に有し、前記第2のコイル層の導電性材料の前記巻回は、上部に第2のシード層を備えた側壁を有する絶縁材によって分離されており、
　　　P2磁極に接続された前記P3磁極と前記ヨークの背部との間を通る、伝導性材料の複数の巻回を含む第3のコイル層を更に有することを特徴とするディスクドライブ。
【請求項１７】
　前記第1のコイル層のアスペクト比は、3より大きいことを特徴とする請求項16記載のディスクドライブ。
【請求項１８】
　前記第1のシード層と前記絶縁材との間に粘着層が溶着されていることを特徴とする請求項16記載のディスクドライブ。
【請求項１９】
　前記粘着層はタンタルであることを特徴とする請求項18記載のディスクドライブ。
【請求項２０】
　前記粘着層は窒化タンタルであることを特徴とする請求項18記載のディスクドライブ。
【請求項２１】
　前記第1のシード層は銅であることを特徴とする請求項16記載のディスクドライブ。
【請求項２２】
　前記第1のコイル層のアスペクト比は、3より大きいことを特徴とする請求項16記載のディスクドライブ。
【請求項２３】
　前記第1のコイル層のアスペクト比は、およそ8であることを特徴とする請求項16記載のディスクドライブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、誘導書き込みヘッドを有する磁気トランスデューサ（ヘッド）の分野に関し、特に、誘導書き込みヘッドに使用する磁極とコイルの構造およびその製造プロセスに関するものである。
【０００２】
　＜関連出願＞
　ＵＳ２００２００９３７６２Ａ１として公開された審理中の米国特許出願：「磁気ヘッドにおけるシード層の除去方法（Method for seed layer removal for magnetic heads）」は、本出願に引用し、シード層と粘着層の材料およびプロセスの関連概念を提示するものである。
【０００３】
　ここで使用されるダマシーンプロセスは、本出願に引用する出願番号10/115,414の同一出願人による米国特許出願において詳細に説明されている。
【０００４】
　本明細書に引用する出願番号０９／８８４６０７の「ペデスタル磁極構造の磁気トランスデューサ（Magnetic Transducer with Pedestal Pole Piece Structure）」と題する同一出願人による米国特許出願では、ゼロスロート高さを定めるペデスタルP1磁極を備えた三層コイル書き込みヘッドの実施態様について説明している。これは、本出願の中で説明される本発明の好適な実施態様において使用されている。
【背景技術】
【０００５】
　図１は、一般的な先行技術のディスクシステム10を図示したものである。動作中、アームすなわちアクチュエータ13に取り付けられている磁気トランスデューサ20（通常、「ヘッド」と呼ばれる）が、回転ディスク16の上方を浮動する。ボイスコイルモータ19（VCM）によってアクチュエータ13が回動し、磁気トランスデューサ20をディスク16上の選択された円周方向トラック上に位置付ける。ディスク16は、スピンドルモータ（不図示）によって回転するスピンドル18に取り付けられている。ディスク16は、複数の薄膜が形成された基板を有する。薄膜には、磁気トランスデューサ20によって書き込まれる磁気遷移の記録に使用される強磁性体が含まれる。この磁気遷移の記録に、情報がコード化されている。テープベースの記憶装置(不図示)は、回転ディスク16の代わりに移動テープも使用できるが、基本的にディスクドライブと同じ方法で磁気トランスデューサを使用する。
【０００６】
　磁気トランスデューサ20は、図2に示されるように、磁気遷移を書き込むタスク（書き込みヘッド23）を実行する要素と、磁気遷移を読み取るタスク（読み取りヘッド12）を実行する要素から成る。読み取りヘッド12と書き込みヘッド23の各々が送受信する電気信号は、アクチュエータ13に取り付けられた、またはアクチュエータ13に組み込まれた導電性の経路（導線）(不図示)に沿って伝わる。一般的に、読み取りヘッド12と書き込みヘッド23に対してそれぞれ2本の導線14が用意されている。
【０００７】
　図2は、先行技術による第1のタイプの磁気トランスデューサ20Aを示す中線断面図である。読み取りヘッド12の構成部分としては、第1シールド（Si）、センサ素子105を取り囲む2つの絶縁層107、109、および第2シールド104（P1/S2）がある。このタイプの磁気トランスデューサ20Aは、P1/S2層104が読み取りヘッド12用のシールドおよび書き込みヘッド23A用の磁極としての機能を果たすため、「併合形ヘッド」と呼ばれる。ヨークも、時として「バックギャップ」（BG）とも呼ばれる場所で、エアベアリング面（ABS）から離れてP1/S2層104に接続している第2磁極103（P2）を備える。P2 103は、書き込みギャップ層42の全体にわたってP1 104と対向し、ABSでの書き込みギャップ43を形成する。この具体的に説明する先行技術によるヘッドの内部のコイル37は、レジスト層106上に溶着される。このレジスト層106を使用してギャップ層42上でステップを形成することによって、ゼロスロート高さ（ZTH／Zero Throat Height）が規定される。
【０００８】
　図3は、先行技術による第2のタイプの磁気トランスデューサ20Bを示す中線断面図である。図2に示される磁気トランスデューサ20Aと図3に示される磁気トランスデューサ20Bとの間には、2つの大きな相違点がある。第1の相違点は、磁気トランスデューサ20B内のヨークには、3つの磁極P1 104、P2 103A、P3 103Bが含まれることである。磁極P2 103Aは、書き込みギャップ43において別個の要素で形成される。第3の磁極103B（P3）は、P2 103Aに固着されるとともに、バックギャップ（BG）においてP1 104に接続され、これによってヨークが完成する。一般的に、書き込みヘッド23の有するコイル層37は1層のみであるが、この図示説明する書き込みヘッド23Bは、コイル1 37およびコイル2 57と呼ばれる2層のコイル層を有する。コイル1およびコイル2の巻回は、書き込みギャップ43とバックギャップ（BG）との間を引き回された後、ヨークの後ろに回される。コイル1およびコイル2は、電気的に接続され（一般的に、バックギャップの後ろで）、単一の誘導コイルを形成する。磁極P3 103Bは、コイルを取り囲むレジストマウンド111上にアーチ状に延びている。先行技術による書き込みヘッド23A、23Bのいずれにおいても、磁極P2の底面がZTH点から隔たる角度は一般的に90度よりもかなり小さい。その結果、漏れ磁束が生じ効率が低下する。
【０００９】
　図2および図3の先行技術によるヘッド20A、20Bのいずれにおいても、囲周磁極を形成する前に、形成済みコイルの上部に追加コイル層を形成することができる。このように、これらの基本設計の範囲内で3層以上のコイル層を形成することができる。しかし、追加のコイル層を加えても、これらのヘッドのヨーク長に対する基本的制限は変わらない。
【００１０】
　要求される記録密度が高まれば、その分書き込まれるトラックの幅を狭くしなければならない。必要とされる書き込みヘッドは、高い磁気効率と低いインダクタンスを備えていなければならない。これらの要件によって、先行技術を用いて可能である場合と比較して、誘導性構成部分を磁極端により接近して配置することが必要になる。
【００１１】
　DowneyおよびYenの米国特許第6,194,323号において、いわゆるハードマスクを使用した半導体の製造プロセスが開示されている。このハードマスクは、使用する金属エッチング液に対する耐性を高める目的で選択されるため、結果として得られる分解能の向上に伴いさらに薄いフォトレジストを使用できるようになる。ハードマスクは金属層上に溶着させる。薄いフォトレジストはハードマスク上に溶着させてから、従来の方法でパターンをつける。次に、ハードマスクにエッチングを施して金属層の部分を露出させる。その後、これらの金属層の部分にエッチングを施して金属の所望のパターンを形成することができる。ハードマスクに役立つ材料には、スピンオン反射防止コーティングのような有機的ハードマスクとともに、窒化チタン、窒化ケイ素、タングステン、チタン、種々のガラス、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化チタンなどが含まれると言われている。
【００１２】
　ミクロン以下の寸法で材料のパターンを形成する1つのプロセスは、ダマシーンプロセスと呼ばれている。この方法では、選択された誘電材料をエッチングすることによってパターンを形成し、いくつかの機構（バイア、トラフなど）を形成する。その後、これらの機構は、銅などの金属に電気めっきを施すことによってオーバーフィルされる。この充填材は、化学的−機械的研磨（ＣMP）によって金属と誘電材料を残したまま取り除かれ、パターンが形成される。ハードマスクは、ダマシーンプロセスの精度向上のために用いられた。米国特許第6,121,150号では、AvanzinoおよびWangは、ハードマスク用にスパッタ耐性を備えた材料を使用することを提案している。具体的には、彼らが教示しているのは、半導体を製造するダマシーンプロセスにおけるハードマスク用にTa、W、Ti、TaN、WN、およびTiNなどの高原子質量を有する金属材料を使用することである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
　出願人は、高いアスペクト比と短いヨークを有する多層コイルを備えた誘導書き込みヘッドを有する磁気トランスデューサの製造方法について開示する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
　2つのコイル層に対してはダマシーンプロセスを使用し、第3のコイル層に対しては従来のプロセスを使用する。本発明のプロセスによって、第1のコイル層と第2のコイル層に使用するトレンチの側壁にコイル用のシード層を溶着させることができる。一実施例では、粘着層はコイル用のシード層の前に形成される。
【００１５】
　本発明の好適な実施例においては、第1のコイル層は、ギャップ層よりも下の、P1に使用するペデスタル磁極の後ろに形成される。高分子材料の層を溶着して、コイルの巻回に対するベッドとして作用するようにする。ハードマスク層とその後に形成されるマスキングされたフォトレジスト層を含む積層体が、コイル状に形成され、高いアスペクトによるエッチング（RIE）が可能になる。ハードマスク材料としては、酸化タンタルが好ましい。次いで、結果としてできたトレンチを覆うようにシード層を溶着させる。このプロセスによって、トレンチの底部のみでなく側壁上にもシード層が溶着されることになる。他の実施例においては、シード層を溶着させる前に粘着層を溶着させてもよい。粘着層としてはタンタルが好ましく、またコイルに使用するシード層としては銅が好ましい。ウェーハ上にコイル用の導電性材料を溶着させてトレンチをオーバーフィルさせるには、湿式電気めっきプロセスが好ましい。平坦化によってオーバーフィルを取り除くことによって、第1のコイル層が完成する。次に、ギャップ層を形成する。第1のコイル層を形成したときと同じ方法を使用して、ギャップ層より上の、P2磁極の後ろに第2のコイル層を形成する。その後、第3のコイル層を、従来のプロセスによって形成してもよい。P3磁極を形成してヨークが出来上がれば、書き込みヘッドが完成する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
　従来の方法では、単一のウェーハ上で何千ものヘッドを同時に製造する。以下、単純化するために、単一ヘッドの動作または構造について一般的な説明を行うが、当然のことながら、大部分のプロセスステップはウェーハ全体にわたって実行される。従って、何千ものヘッドのための複数の構造体を同時に形成することになる。本発明は、磁気トランスデューサの書き込みヘッド部に関するものであり、一緒に使用することができる読み取りヘッドのタイプについて制限はない。一般的に、トランスデューサの読み取りヘッド部が最初に製造されるが、先行技術では、書き込みヘッド部を最初に製造したトランスデューサについて説明した。本発明による書き込みヘッドを製造する順序は、トランスデューサの読み取りヘッド部の前または後でよい。
【００１７】
　図に示される構成部分の相対的なサイズは、縮尺に従って示したものではない。その理由は、サイズが広範囲になると図面が不明確になってしまうためである。下記に示す場合を除き、構成部分の相対的なサイズ/厚さは先行技術の原理に従っている。ハッチング線は、構造の材料組成を表すことを目的とするものではなく、構造を区別する目的でのみ使用されている。つまり、ハッチング線は、書き込みヘッドの製造プロセスの説明に役立つように使用されている。
【００１８】
　以下、前述したようなダマシーンプロセスの一実施例について概要を説明する。高分子材料が絶縁層上に溶着される。この絶縁層が基板となる。この高分子材料は、金属構造体間の充填材としての機能を果たす。次に、積層体を溶着して、マスキング機能を提供する。この積層体は、SiOxのようなハードマスクとも呼ばれる誘電体層から開始する。誘電体層上には、オプションの粘着層を設けてもよい。その後、マスキングしたフォトレジスト層を施して金属構造体を形成し、積層体を完成させる。次に、反応性イオンエッチング（RIE）のような方法を使用してウェーハにエッチングを施し、金属構造体のために形成した高分子材料による領域から材料を取り除く。その後、エッチングを施した表面には、導電性の、コンフォーマルなシード層を設ける。ノンコンフォーマルな膜を作る湿式めっき処理において、大量の金属を溶着させ、トレンチをオーバーフィルさせる。化学的−機械的研磨法（CMP）を使用することによって、ハードマスクを通じて材料を取り除き、表面を平坦化する。その結果、絶縁材料に取り囲まれた金属パターンが得られる。この方法を使用することによって、7対10のアスペクト比を得ることができる。
【００１９】
　本発明のプロセスによって、先行技術のプロセスよりも高いアスペクト比で三層コイルを作製することができる。第2のコイル層を従来のスルーマスク方式で製造した場合、P2の磁極端を製造するとき、コイルによって平坦化が損なわれる。それに対して、P2の磁極端を最初に製造する場合、コイルシード層を取り除いている間、P2上には過度の再溶着が生じることになり、P2によって第2のコイル層の平坦化が損なわれる。本発明のプロセスによってこれらの問題を解決する。
【００２０】
　図4を参照して、本発明による書き込みヘッド23Cを作製するプロセスの第1の実施例から説明を始める。図示される構造は、先行技術による材料および技術を使用して形成した。この断面図は、エアベアリング面（ABS）(不図示)に対して垂直である。このエアベアリング面は、ウェーハを薄切りにした後の図の左側に位置する。図示されているのは、書き込みヘッドに関わる1つのトランスデューサの一部のみである。読み取りヘッド(不図示)の要素は、書き込みヘッドと連係して製造される。また、述べられているように、他の複数のトランスデューサ(不図示)がウェーハ上で並行して製造されている。第1の磁極（P1）46A〜46Cは、基板42の略平らな面上に3つのセグメントで溶着されており、標準の強磁性体で作られている。P1サブピース46Bは「P1ペデスタル磁極」とも呼ばれており、「ペデスタル磁極構造を有する磁極トランスデューサ（Magnetic Transducer with Pedestal Pole Piece Structure）」と題する、同一出願人による米国特許出願（出願番号09/884607）で使用されている用語に従っている。この特許では、ゼロスロート高さの定義を含むペデスタルP1磁極の利点について説明している。
【００２１】
　絶縁材44A、44Bの上面を含むウェーハの上面は、望ましくは平坦化して、第1のコイル（コイル1）のその後の形成のために良好に制御された表面に作り上げておく（不図示）。コイル1に最小ピッチを実現するには、第１の磁極P1も平坦化しておく必要がある。高分子絶縁材44A、44B（望ましくは、ハードベイクレジスト）は、第1のコイル層のベッドとしての機能を果たす。高分子絶縁材44A、44Bの厚さは、コイルの巻回の高さを制限する。絶縁層45は、第１の磁極P1の第1のセグメント46Aから第1のコイル層を絶縁する働きをする。絶縁層45はアルミナなどの材料からなり、その後のRIEプロセスを停止する役割を果たす。
【００２２】
　図5は、製造プロセスにおける追加のステップを実行した後の、図4に示すP1磁極サブピース46B、46C間の領域の拡大図である。図面を単純化するために、図5には、P1磁極サブピース46Ｃの後ろにある書き込みヘッド23Ｃの一部は示されていない。P1磁極サブピース46Ｃの後ろにあるコイルの巻回は、図示されているものと同様である。図5は、積層体48を通じてエッチングを施したトレンチ47を示す。上記のように、積層体48には以下の複数の層が含まれる（不図示）。すなわち、誘電性ハードマスク層（このハードマスク層上に、粘着層を任意に設けてもよい）、およびコイルの巻回を定めるのに使用されるマスキングされたフォトレジスト層である。この誘電性ハードマスクにとって好ましい材料は、酸化タンタルである。二酸化ケイ素のような先行技術による誘電材料を使用してもよい。出願人は、酸化タンタルはRIEプロセスに対する優れたエッチ抵抗を有するため、分解能の精度を向上させることを見出した。反応性イオンエッチング（RIE）のような方法を使用してウェーハにエッチングを施し、その後の金属構造体に対して形成されたトレンチ47から材料を取り除く。
【００２３】
　図6Aは、シード層構造体51を溶着させるプロセスにおける好ましい次のステップを示したものである。シード層の厚さは、他の膜と比較してかなり誇張されている。当業者に容易に理解されるように、シード層構造体51は他の層よりもかなり薄く、縮尺を変更して示してもおそらく目に見えないであろう。シード層構造体51は、図6Aの側壁の拡大図である図6Bに示される。シード層構造体51には、少なくともシード層62が含まれていなければならないが、追加の層が含まれていてもよい。シード層の材料は、導電性コイル（望ましくは、銅）のその後のめっきによる溶着に使用する材料に基づいて、先行技術による方法を使用して選択する。電気めっきを使用する場合、シード層は導電性を備えていなければならない。スパッタされた銅の層は、シード層62として使用することができる。図6Bに示すように、好ましいプロセスでは2つの層をシード層構造体51に使用する。本実施例においては、粘着層61をシード層62の前に溶着する。本実施例においては、銅の層を処理する前に、タンタルの非常に薄い層のスパッタ溶着を施す。粘着層61として窒化タンタル（TaN）を使用してもよい。本発明に従って、シード層62および粘着層61を溶着させるとき、底面だけでなくトレンチの側壁にも溶着する。これは、トレンチの底面のみにシード層材料を設けた先行技術による方法とは対照的である。これによって、先行技術を使用した場合と比較して、コイルのアスペクト比を大きくすることができる。例えば、本発明による方法および材料を使用することによって、8までのアスペクト比を達成することができる。それに対して、アスペクト比3が先行技術の限界である。アスペクト比が高まることによって、全体のヨークをさらに短くすることができたり、またはコイル抵抗をさらに低下させたりすることができるため、性能が向上する。
【００２４】
　図7に、コイルに使用する銅53に施された湿式薄膜電気めっきの結果を示す。この溶着処理によって、ノンコンフォーマルな膜を形成してトレンチをオーバーフィルさせることができる。この時点で、図8に示すように、CMPを使用して、絶縁材44Aのペデスタルのレベルまで表面を平坦化する。この時点で、第1のコイル層（コイル1）の巻回が、トレンチに残存する銅53によって形成されたことになる。
【００２５】
　図9に示されるプロセスの状態は、図8に示される状態の後、いくつかの追加プロセスの工程を経た結果生じたものである。図9において、平坦化された表面上にギャップ層54を溶着させた後、エッチングを施し、P1サブピース46Cの上部に露出するバイアを形成する。ギャップ層43は、誘電材料、例えば、RIEによって取り除かれないアルミナから形成される。背面にあるP2 磁極56は、P1サブピース46C上のバイアに形成され、ヨークを備えた強磁性体の導通を継続させることによって強磁性体のバックフラックスクロージャとしての機能を果たす。前面にあるP2磁極55は、ギャップ層54上に溶着され、書き込みギャップを形成するようにP1サブピース46Aと対向する。前面のP2磁極55は、ペデスタル磁極46Bよりもさらにヨークの後ろに延びる。その結果、ペデスタル磁極46BによってZTHを定めることができる。第2のコイル層(図示されていない)のために絶縁材58のベッドが溶着され、表面が平坦化される。
【００２６】
　第2のコイル層を製造するプロセスは、第1のコイル層を製造するプロセスと同じである。図10は、平坦化の後の、完成した第2のコイル層59（コイル2）を示したものである。図11は、コイル3をカプセル化するためにコイル2の上部を覆って絶縁層59を溶着させた、完成した書き込みヘッドを示すものである。この書き込みヘッドは、従来の先行技術による方法によって製造することができる。同様に、第３の磁極P3は、先行技術による強磁性体から形成され、ヨークを完成させる。コイルを備えた3つの層は、直列に接続されるのが好ましい。
【００２７】
　本発明は特定の寸法には依存しないが、好ましい寸法に関する一部のコメントは有益な場合がある。例えば、コイルの巻回の好ましいピッチは、0.5〜1.5ミクロンの範囲である。第1のコイル層と第2のコイル層の高さは、望ましくは2〜5ミクロンの範囲である。ヨークの長さは、7〜15ミクロンの範囲である。P2の好ましい幅は、0.5ミクロン未満である。
【００２８】
　本発明に従ったその他の変形および実施例は当業者にとって明らかであり、本発明の精神と適用範囲を逸脱するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明のヘッドを具現化することができる、先行技術によるディスクドライブを象徴的に示した図であって、ヘッドとそれに関連する構成部分との関係を示したものである。
【図２】1層のコイル層を有する先行技術による磁気トランスデューサの、エアベアリング面に対して垂直な断面図である。
【図３】2層のコイル層を有する先行技術による磁気トランスデューサの、エアベアリング面に対して垂直な断面図である。
【図４】第1の磁極の3つのサブピースを形成した後の製造中における、本発明による磁気トランスデューサの、エアベアリング面に対して垂直な一部形成断面図である。図4は、ヨークの裏表にある領域を含んでいる。
【図５】第1のコイル層のためにマスキング積層体を形成してエッチングを施した後の、図4の製造プロセスに続く、本発明によるトランスデューサの一部形成断面図である。図5およびその後の図には、磁極端とヨークの間の領域のみが含まれている。
【図６Ａ】第1のコイル層のためにシード層を溶着させた後の、図5の製造プロセスに続く、本発明によるトランスデューサの一部形成断面図である。
【図６Ｂ】図6Aに示すようなシード層構造51の一実施例の詳細を示す拡大図である。
【図７】第1のコイル層のために導電性材料（Cu）を溶着させた後の、図6の製造プロセスに続く、本発明によるトランスデューサの一部形成断面図である。
【図８】表面を平坦化して第1のコイル層の巻回を分離状態にした後の、図7の製造プロセスに続く、本発明によるトランスデューサの一部形成断面図である。
【図９】ギャップ層および第2のコイル層に用いるベッドを形成した後の、図8の製造プロセスに続く、本発明によるトランスデューサの一部形成断面図である。
【図１０】シード層の溶着、Cuのめっき、および第2のコイル層の平坦化を行った後の、図9の製造プロセスに続く、本発明によるトランスデューサの一部形成断面図である。
【図１１】第3のコイル層およびP3磁極を形成した後の、図10の製造プロセスに続く、本発明によるトランスデューサの断面図である。
【符号の説明】
【００３０】
　10…ディスクシステム、　12…読み取りヘッド、　13…アクチュエータ、14…導線、　16…回転ディスク、　18…スピンドル、　19…ボイスコイルモータ、　20…磁気トランスデューサ（磁気ヘッド）、　23…書き込みヘッド、37…コイル、　42…書き込みギャップ層（基板）、　43…書き込みギャップ、　44（Ａ、Ｂ）…絶縁材、45…絶縁層、　46…第１の磁極（Ｐ1）、46Ａ、46Ｂ、46Ｃ…Ｐ1磁極サブピース、　47…トレンチ、　48…積層体、51…シールド層、　53…銅、　54…ギャップ層、　55、56…Ｐ2磁極、　57…コイル２、　58…絶縁材、　59…第２のコイル層、　61…粘着層、　62…シード層、　Ｓ１…第１シールド、　103Ａ、Ｐ1…第１磁極、　103、Ｐ2…第２磁極、　103Ｂ、Ｐ3…第３磁極、　104（Ｐ1/Ｓ2）…第２シールド、　105…センサ素子、　106…レジスト層、　107、109…絶縁層、　111…ゼジストマウンド、　ＢＧ…バックギャップ、　ＺＴＨ…ゼロスロート高さ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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