(57)【要約】【課題】液滴吐出方式を用いて導電性パターンを精度よく形成することができる導電性パターンの製造方法、電気光学装置及び電子機器を提供する。【解決手段】導電性材料を含む液滴を吐出して基板の所望位置に該液滴を付着させる液滴吐出方式を用いた導電性パターンの製造方法であって、液滴を、８×１０−１２（Ｊｏｕｌｅ）から１．７×１０−８（Ｊｏｕｌｅ）までのいずれかの運動エネルギーで吐出させて、基板の所望位置に該液滴を付着させることで導電性パターンを形成する（ＳＰ３）ことを特徴とする。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性材料を含む液滴を吐出して基板の所望位置に該液滴を付着させる液滴吐出方式を用いた導電性パターンの製造方法であって、
前記液滴を、８×１０−１２（Ｊｏｕｌｅ）から１．７×１０−８（Ｊｏｕｌｅ）までのいずれかの運動エネルギーで吐出させて、前記基板の所望位置に該液滴を付着させることで導電性パターンを形成させることを特徴とする導電性パターンの製造方法。
【請求項２】
前記液滴は、４（ｍ／ｓ）から１０（ｍ／ｓ）までのいずれかの速度で吐出させることを特徴とする請求項１記載の導電性パターンの製造方法。
【請求項３】
前記液滴は、吐出時の重量が１×１０−１０（ｇ）から３×１０−８（ｇ）までのいずれかであることを特徴とする請求項１又は２記載の導電性パターンの製造方法。
【請求項４】
前記液滴は、直径が５（μｍ）から４０（μｍ）までの大きさの開口をもつ吐出口から吐出されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の導電性パターンの製造方法。
【請求項５】
前記液滴は、配線パターンを形成する材料からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の導電性パターンの製造方法。
【請求項６】
前記基板における導電性パターンを形成する領域の少なくとも一部は、凸形状の隔壁で区分けされており、
前記隔壁の高さは、０．５μｍから２０μｍまでのいずれかであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の導電性パターンの製造方法。
【請求項７】
前記液滴が前記隔壁に接触角３０度から１７０度の範囲で接するように、該液滴の吐出をする前に、該隔壁に表面処理を施しておくことを特徴とする請求項６記載の導電性パターンの製造方法。
【請求項８】
前記隔壁に対する前記液滴の接触角と、該隔壁で区分けされた導電性パターン形成領域の表面に対する該液滴の接触角との差が１０度以上であることを特徴とする請求項６又は７記載の導電性パターンの製造方法。
【請求項９】
前記隔壁で区分けされた導電性パターン形成領域の表面は、前記液滴が吐出される前に、親液処理が施されることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の導電性パターンの製造方法。
【請求項１０】
前記隔壁で区分けされた導電性パターン形成領域は、少なくとも幅が１μｍから１５０μｍまでの範囲であることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載の導電性パターンの製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の導電性パターンの製造方法を用いて配線パターンが形成されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液滴吐出方式を用いた導電性パターンの製造方法、電気光学装置及び電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、インクジェットノズルから液状材料からなる液滴を吐出して、基板上の所望領域にその液状材料を塗布してパターン又は層を形成するする液滴吐出方式（液滴吐出方式）が考え出されている。このような液滴吐出方式は、例えば液晶ディスプレイや自発発光型ディスプレイであって有機物を用いた発光素子からなる有機ＥＬ素子の製造への適用が検討されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−３０５０７７号公報
【０００４】
液滴吐出方式で有機ＥＬ素子を作製する場合、例えば基板上において配線パターン領域の境界に隔壁（バンク）を設け、次いでその隔壁で囲まれる画素領域内にインク液滴を吐出する。その隔壁は、隣りの領域などに液滴が溢れ出すことを防ぐ構造物であり、例えば隣接する配線パターン同士が接触（ショート）することを回避する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のように所望の領域に液滴吐出方式で液滴を吐出する場合その液滴の運動エネルギーが大きすぎると、基板に着弾した瞬間にその液滴は広がり過ぎてしまい、隔壁を越えてしまうことがある。また、運動エネルギーの大きすぎる液滴は、霧状の飛散液（ミスト）が発生しやすく、意図した場所以外に細かい液滴が付着してしまう。
【０００６】
一方、運動エネルギーの小さすぎる液滴は、その液滴がふわふわと飛翔し、意図した場所に付着させることが困難である。これらのため、従来においては液滴吐出方式で細かいピッチの配線パターンなどの導電性パターンを形成するときに、ショート部が発生し易いという問題点があった。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、液滴吐出方式を用いて導電性パターンを精度よく形成することができる導電性パターンの製造方法、電気光学装置及び電子機器の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するために本発明の導電性パターンの製造方法は、導電性材料を含む液滴を吐出して基板の所望位置に該液滴を付着させる液滴吐出方式を用いた導電性パターンの製造方法であって、前記液滴を、８×１０−１２（Ｊｏｕｌｅ）から１．７×１０−８（Ｊｏｕｌｅ）までのいずれかの運動エネルギーで吐出させて、前記基板の所望位置に該液滴を付着させることで導電性パターンを形成させることを特徴とする。
本発明によれば、インクジェットノズルなどから液滴を吐出する液滴吐出方式を用いて、基板上に配線パターンなどをなす導電性パターン（導電膜又は導電層）を形成するときに、吐出された液滴の運動エネルギーが大きすぎて、所望の塗布領域内に着弾した液滴がその領域を越えて濡れ広がること、及び着弾した液滴がその領域から飛散液（ミスト）となって飛び散ることを回避することができる。したがって、本発明によれば、例えば基板上に細かいピッチの導電性パターンを形成するときでも、濡れ広がり過ぎ又は飛散液の発生によるショート部の発生を回避することができる。
また、本発明によれば、上記吐出された液滴の運動エネルギーが小さすぎることでふわふわと飛翔し、その液滴の吐出位置（着弾位置）のコントロールが悪くなり、基板上の所望の塗布領域内に液滴を塗布することができないということを、回避することができ、高精度形状の導電性パターンを形成することができる。
【０００９】
また、本発明の導電性パターンの製造方法は、前記液滴を４（ｍ／ｓ）から１０（ｍ／ｓ）までのいずれかの速度で吐出させることが好ましい。
本発明によれば、吐出された液滴の速度が遅すぎて、その液滴がふわふわと飛翔し、液滴の着弾位置のコントロールが悪くなること、を回避することができる。また、本発明によれば、吐出された液滴の速度が速すぎて、飛散液が発生し、その飛散液が基板上の所望の塗布領域以外に付着すること、を回避することができる。
【００１０】
また、本発明の導電性パターンの製造方法は、前記液滴の吐出時の重量が１×１０−１０（ｇ）から３×１０−８（ｇ）までのいずれかであることが好ましい。
本発明によれば、吐出された液滴の重量が小さすぎて、液滴の吐出位置についてのコントロールが悪くなること、基板に着弾した後の液滴が十分に濡れ広がらなくなること、所望の膜厚が得られないこと、吐出回数の増加により製造時間が増加することなどを回避することができる。また、本発明によれば、吐出された液滴の重量が大きすぎて、基板に着弾した液滴が所望の塗布領域から溢れ出すこと及びその着弾した液滴が所望の塗布領域以外に飛散することなどを回避することができる。そこで、本発明によれば、液滴吐出方式により、所望形状の導電性パターンを高精度に形成することができる。
【００１１】
また、本発明の導電性パターンの製造方法は、前記液滴が直径５（μｍ）から４０（μｍ）までの大きさの開口をもつ吐出口から吐出されることが好ましい。本発明によれば、プリンタの構成部品などとして従来より製造されているインクジェットヘッドなどを用いて、上記条件の運動エネルギー、速度及び重量をもつ液滴を吐出することができる。したがって、本発明によれば、比較的低コストで所望形状の導電性パターンを高精度に形成することができる。
【００１２】
また、本発明の導電性パターンの製造方法は、前記液滴が配線パターンを形成する材料からなることが好ましい。
本発明によれば、液滴吐出方式を用いて配線パターンを高精度に形成することができる。したがって、例えば基板上に細かいピッチの配線パターンを形成するときでも、ショート部が発生すること及び断線が発生することを回避することができ、より微細な配線パターンを高精度にかつ低コストで迅速に形成することができる。
【００１３】
また、本発明の導電性パターンの製造方法は、前記基板における導電性パターンを形成する領域の少なくとも一部が凸形状の隔壁で区分けされており、前記隔壁の高さは、０．５μｍから２０μｍまでのいずれかであることが好ましい。
本発明によれば、基板上の所望領域（例えば配線領域）を囲むように又は挟むように隔壁を設けることで、より高精度な導電性パターンを形成することができる。また、本発明によれば、かかる隔壁の高さを比較的低くしても、吐出され着弾した液滴がその隔壁を越えて濡れ広がること及び飛散液が他の領域に飛び散ることを回避することができ、より微細な配線パターンを高精度にかつ低コストで迅速に形成することができる。
【００１４】
また、本発明の導電性パターンの製造方法は、前記液滴が前記隔壁に接触角３０度から１７０度の範囲で接するように、該液滴の吐出をする前に該隔壁に表面処理を施しておくことが好ましい。
本発明によれば、液滴の吐出処理が行われる前に隔壁に撥液処理などを施しておくことにより、吐出された液滴のうちで隔壁の表面に接したものがその隔壁から弾かれる作用を受けるので、隔壁で規定される所望領域に導電性材料をムラ及び欠陥などを生じさせずに高精度に塗布することができる。
【００１５】
また、本発明の導電性パターンの製造方法は、前記隔壁に対する前記液滴の接触角と、該隔壁で区分けされた導電性パターン形成領域の表面に対する該液滴の接触角との差が１０度以上であることが好ましい。
本発明によれば、隔壁に対する液滴の接触角（撥液性）と隔壁で区分けされた導電性パターン形成領域の表面に対する液滴の接触角（親液性）との差が１０度以上とすることにより、隔壁で規定される所望領域に導電性材料をムラ及び欠陥などを生じさせずに高精度に塗布することができる。また、上記のような接触角の差は、隔壁に撥液処理をすること及び導電性パターン形成領域の表面に親液処理をすることの少なくとも一方をすることにより実現することができる。
【００１６】
また、本発明の導電性パターンの製造方法は、前記隔壁で区分けされた導電性パターン形成領域の表面が、前記液滴が吐出される前に、親液処理が施されることが好ましい。
本発明によれば、導電性パターン形成領域に着弾した液滴がその領域全体に濡れ広がり易くなるので、さらに導電性パターンをムラ及び欠陥などを生じさせずに高精度に形成することができる。
【００１７】
また、本発明の導電性パターンの製造方法は、前記隔壁で区分けされた導電性パターン形成領域が、少なくとも幅が１μｍから１５０μｍまでの範囲であることが好ましい。
本発明によれば、基板上に細かいピッチの導電性パターンを形成するときでも、ショート部及び短絡部の発生を回避することができる。
【００１８】
また、本発明の電気光学装置は、前記導電性パターンの製造方法を用いて配線パターンが形成されたことを特徴とする。
本発明によれば、ショート部及び断線部がなく高精度に形成された配線パターンを備える電気光学装置（例えば有機ＥＬ表示装置など）を提供することができる。
【００１９】
また、本発明の電子機器は、前記電気光学装置を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、ショート部及び断線部がなくムラや画素欠陥などがない高品位な画像を表示することができる電子機器を低コストで提供することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る導電性パターンの製造方法について図面を参照して説明する。本実施形態では、液滴吐出方式を用いて導電性パターンを形成する方法について説明する。ここで、導電性パターンの例として配線パターンを挙げて説明する。
【００２１】
先ず、本実施形態に係る導電性パターンの製造方法で用いられるデバイス製造装置について図１〜図３を参照して説明する。図１は本発明のデバイス製造装置を示す概略斜視図、図２及び図３は吐出ヘッドを示す図である。
図１において、デバイス製造装置Ｓは、基板Ｐ上に液状材料を設置可能な製膜装置１０と、基板Ｐ上に設置された液状材料を予備乾燥する予備乾燥装置８０とを備えている。製膜装置１０は、所定のパターンで液状材料を供給可能な液滴吐出装置（インクジェット装置）である。
【００２２】
図１において、デバイス製造装置Ｓは、ベース１２と、ベース１２上に設けられ、基板Ｐを支持するステージＳＴと、ベース１２とステージＳＴとの間に介在し、ステージＳＴを移動可能に支持する第１移動装置（移動装置）１４と、ステージＳＴに支持されている基板Ｐに対して所定の材料を含む液状材料、流動体を定量的に吐出（滴下）可能な吐出ヘッド（液滴吐出装置）２０と、吐出ヘッド２０を移動可能に支持する第２移動装置１６とを備えている。ベース１２上には、重量測定装置としての電子天秤（不図示）と、キャッピングユニット２２と、クリーニングユニット２４とが設けられている。
【００２３】
更に、デバイス製造装置Ｓは、ステージＳＴに支持されている基板Ｐに対して所定の温度に加熱されたガスを吹き付けて当てる予備乾燥装置８０を備えている。予備乾燥装置８０には加熱されたガスを基板Ｐに対して供給するためのガス供給部８１が設けられており、このガス供給部８１がステージＳＴに支持されている基板Ｐに対して対向する位置に設けられている。
【００２４】
そして、吐出ヘッド２０の液状材料の吐出動作や、加熱ガス供給部８１のガス供給動作、第１移動装置１４及び第２移動装置１６の移動動作を含むデバイス製造装置Ｓの動作は、制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００２５】
吐出ヘッド２０は、配線パターンを形成するための液状材料を液滴として定量的に吐出可能であり、例えば１〜３００ｎｇの液状材料を液滴として定量滴に断続して滴下することができる。このような吐出ヘッド２０による液滴吐出方法を用いることにより、安価な設備で配線パターン層を任意の位置に任意の厚さで配置することができる。
【００２６】
また、吐出ヘッド２０は、圧電体素子の体積変化により流動体（液状材料）を吐出させるピエゾジェット方式であっても、熱の印加により急激に気泡を発生させることにより流動体を吐出させる方式であってもよい。
【００２７】
ここで、流動体とは、吐出ヘッドのノズルから吐出可能（滴下可能）な粘度を備えた媒体をいう。水性であると油性であるとを問わない。ノズル等から吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。また、流動体に含まれる材料は、溶媒中に微粒子として分散されたものの他に、融点以上に加熱されて溶解されたものでもよく、溶媒の他に染料や顔料その他の機能性材料を添加したものであってもよい。また、配線パターン（電気回路）とは回路素子間の電気的な協働関係により成り立つ部材であって、特定の電気的特徴や一定の電気的特性を有するものである。また基板はフラット基板を指す他、曲面状の基板であってもよい。さらにパターン形成面の硬度が硬い必要はなく、ガラスやプラスチック、金属以外に、フィルム、紙、ゴム等可撓性を有するものの表面であってもよい。
【００２８】
吐出ヘッド２０が導電性材料を含む液状材料を液滴として吐出することで、基板Ｐ上の所望位置に導電性パターン（配線パターン）を形成することができる。ここで、吐出ヘッド２０は、液滴を８×１０−１２（Ｊｏｕｌｅ）から１．７×１０−８（Ｊｏｕｌｅ）までのいずれかの運動エネルギーＥで吐出させる。その液滴の飛行速度Ｖは、４（ｍ／ｓ）から１０（ｍ／ｓ）までの範囲であることが好ましい。また、その液滴の吐出時の重量ｍは、１×１０−１０（ｇ）から３×１０−８（ｇ）までのいずれかであることが好ましい。
【００２９】
このように、吐出ヘッド２０から吐出される液滴の運動エネルギーＥ、飛行速度Ｖ及び重量ｍを制御することで、吐出された液滴の運動エネルギー、速度又は重量が大きすぎて、所望の塗布領域内に着弾した液滴がその領域を越えて濡れ広がること、及び着弾した液滴がその領域から飛散液となって飛び散ることを回避することができる。したがって、デバイス製造装置Ｓは、基板Ｐ上に細かいピッチの配線パターンを形成するときでも、濡れ広がり過ぎ又は飛散液の発生によるショート部の発生を回避することができる。
【００３０】
また、上記のように吐出ヘッド２０から吐出される液滴の運動エネルギーＥ、速度Ｖ及び重量ｍを制御することで、吐出された液滴の運動エネルギー、速度又は重量が小さすぎることにより、ふわふわと飛翔し、その液滴の吐出位置（着弾位置）のコントロールが悪くなり、基板Ｐ上の所望の塗布領域内に液滴を塗布することができないということを、回避することができ、高精度形状の配線パターンを形成することができる。
【００３１】
また、基板Ｐにおける配線パターンを形成する領域、すなわち所定の幅をもった帯状領域の境界には、隔壁（バンク）が予め設けられていることが好ましい。隔壁は基板Ｐの表面に形成された凸形状の構造物であり、配線パターン領域（帯状領域）を挟むように、例えば河川の堤防のように、設けられる。そして、隔壁の高さは０．５μｍから２０μｍであり、その隔壁で挟まれている配線パターン領域の幅は１μｍから１５０μｍであることが好ましい。なお、配線パターン領域の長さは特に限定されない。
【００３２】
このような隔壁により、配線パターン領域に着弾した液滴（液状材料）がその隔壁を越えて他の領域に濡れ広がること、及び吐出された液滴がなす飛散液が他の領域に飛び散ることを大幅に低減することができる。
【００３３】
また、吐出ヘッド２０からの液滴の吐出をする前に、上記隔壁について撥液処理などを予め施しておくことで、その隔壁に対して液滴が接触角３０度から１７０度で接触するようにしておくことが好ましい。これにより、吐出ヘッド２０から吐出された液滴のうちで隔壁の表面に接したものがその隔壁から弾かれる作用を受けるので、配線パターン領域に液滴をムラ及び欠陥などを生じさせずに高精度に塗布することができる。
【００３４】
また、隔壁に対する液滴の接触角と、配線パターン領域に対する液滴の接触角との差は、１０度以上あることが好ましい。そして、配線パターン領域は、吐出ヘッド２０からの液滴吐出処理の前に、親液処理が施されることが好ましい。これにより、配線パターン領域に着弾した液滴がその領域全体に濡れ広がり易くなるので、さらに配線パターンをムラ及び欠陥などを生じさせずに高精度に形成することができる。
【００３５】
次に、上記のような隔壁、すなわち高さが０．５μｍ又は２０μｍ、撥液性が３０度から１７０度、隔壁の接触角と配線パターン領域の接触角との差が１０度以上、配線パターン領域の幅（対向する隔壁間の距離）が１μｍから１５０μｍを基板Ｐ上に設け、その配線パターン領域に各種条件で液滴を吐出させたときの実験結果について説明する。
【００３６】
（１）隔壁の高さは２０μｍとして、液滴の重量ｍは７×１０−８（ｇ）、速度Ｖは７（ｍ／ｓ）とした。このときの液滴の運動エネルギーＥは１．７２×１０−８（Ｊｏｕｌｅ）である。すると、配線パターン領域に着弾した液滴は他の領域に溢れてしまった。
【００３７】
（２）隔壁の高さは２０μｍとして、液滴の重量ｍは６×１０−８（ｇ）、速度Ｖは７（ｍ／ｓ）とした。このときの液滴の運動エネルギーＥは１．４７×１０−８（Ｊｏｕｌｅ）である。すると、配線パターン領域に着弾した液滴は他の領域に溢れることはなかった。
【００３８】
（３）隔壁の高さは２０μｍとして、液滴の重量ｍは６×１０−８（ｇ）、速度Ｖは８（ｍ／ｓ）とした。このときの液滴の運動エネルギーＥは１．９２×１０−８（Ｊｏｕｌｅ）である。すると、配線パターン領域に着弾した液滴は他の領域に溢れてしまった。
【００３９】
（４）隔壁の高さは０．５μｍとして、液滴の重量ｍは１５×１０−９（ｇ）、速度Ｖは１５（ｍ／ｓ）とした。このときの液滴の運動エネルギーＥは１．７×１０−８（Ｊｏｕｌｅ）である。すると、配線パターン領域に着弾した液滴は他の領域に溢れてしまった。
【００４０】
（５）隔壁の高さは０．５μｍとして、液滴の重量ｍは１４×１０−９（ｇ）、速度Ｖは１５（ｍ／ｓ）とした。このときの液滴の運動エネルギーＥは１．５８×１０−８（Ｊｏｕｌｅ）である。すると、配線パターン領域に着弾した液滴は他の領域に溢れることはなかった。
【００４１】
（６）隔壁の高さは０．５μｍとして、液滴の重量ｍは１４×１０−９（ｇ）、速度Ｖは１６（ｍ／ｓ）とした。このときの液滴の運動エネルギーＥは１．７９×１０−８（Ｊｏｕｌｅ）である。すると、配線パターン領域に着弾した液滴は他の領域に溢れてしまった。
【００４２】
これらの実験結果より、液滴の運動エネルギーＥは
８×１０−１２（Ｊｏｕｌｅ）＜Ｅ＜１．７×１０−８（Ｊｏｕｌｅ）
であることが好ましいことがわかる。ここで、液滴の重量が０．１×１０−９（ｇ）であるときにその液滴が安定して飛翔する速度が４（ｍ／ｓ）であることより、液滴の運動エネルギーＥの最小値は８×１０−１２（Ｊｏｕｌｅ）以上あることが好ましい。
【００４３】
次に、上記運動エネルギーＥの液滴を吐出することができる吐出ヘッド２０の詳細構造について図２及び図３を参照して説明する。図２は吐出ヘッド２０を示す分解斜視図である。図２に示すように、吐出ヘッド２０は、ノズル２１１を有するノズルプレート２１０と、振動板２３０を有する圧力室基板２２０と、これらノズルプレート２１０と振動板２３０とを嵌めコンで支持する筐体２５０とを備えている。
【００４４】
ノズル２１１は、液滴を吐出する開口であり、直径が５μｍから４０μｍまでの範囲であることが好ましい。吐出ヘッド２０の主要部構造は、図３の斜視図一部断面図に示すように、圧力室基板２２０をノズルプレート２１０と振動板２３０とで挟み込んだ構造を備える。ノズルプレート２１０には、圧力室基板２２０と貼り合わせられたときにキャビティ（圧力室）２２１に対応することとなる位置にノズル２１１が形成されている。圧力室基板２２０には、シリコン単結晶基板等をエッチングすることにより、各々が圧力室として機能可能にキャビティ２２１が複数設けられている。キャビティ２２１どうしの間は側壁（隔壁）２２２で分離されている。各キャビティ２２１は供給口２２４を介して共通の流路であるリザーバ２２３に繋がっている。振動板２３０は、例えば熱酸化膜等により構成される。振動板２３０には液状材料タンク口２３１が設けられ、不図示のタンク（流動体収容部）からパイプ（流路）を通して任意の液状材料を供給可能に構成されている。振動板２３０上のキャビティ２２１に相当する位置には圧電体素子２４０が形成されている。圧電体素子２４０はＰＺＴ素子等の圧電性セラミックスの結晶を上部電極および下部電極（図示せず）で挟んだ構造を備える。圧電体素子２４０は制御装置ＣＯＮＴから供給される吐出信号に対応して体積変化を発生可能に構成されている。
【００４５】
吐出ヘッド２０から液状材料（液滴）を吐出するには、まず、制御装置ＣＯＮＴが液状材料を吐出させるための吐出信号を吐出ヘッド２０に供給する。液状材料は吐出ヘッド２０のキャビティ２２１に流入しており、吐出信号が供給された吐出ヘッド２０では、その圧電体素子２４０がその上部電極と下部電極との間に加えられた電圧により体積変化を生ずる。この体積変化は振動板２３０を変形させ、キャビティ２２１の体積を変化させる。この結果、そのキャビティ２２１のノズル２１１から液状材料の液滴が吐出される。液状材料が吐出されたキャビティ２２１には吐出によって減った液状材料が新たにタンクから供給される。
【００４６】
なお、上記吐出ヘッドは圧電体素子に体積変化を生じさせて液状材料を吐出させる構成であったが、発熱体により液状材料に熱を加えその膨張によって液滴を吐出させるようなヘッド構成であってもよい。
【００４７】
電子天秤（不図示）は、吐出ヘッド２０のノズルから吐出された液滴の一滴の重量を測定して管理するために、例えば、吐出ヘッド２０のノズルから、５０００滴分の液滴を受ける。電子天秤は、この５０００滴の液滴の重量を５０００の数字で割ることにより、一滴の液滴の重量を正確に測定することができる。この液滴の測定量に基づいて、吐出ヘッド２０から吐出する液滴の量を最適にコントロールすることができる。
【００４８】
クリーニングユニット２４は、吐出ヘッド２０のノズル等のクリーニングをデバイス製造工程中や待機時に定期的にあるいは随時に行うことができる。キャッピングユニット２２は、吐出ヘッド２０の液状材料吐出面２０Ｐが乾燥しないようにするために、デバイスを製造しない待機時にこの液状材料吐出面２０Ｐにキャップをかぶせるものである。
【００４９】
吐出ヘッド２０が第２移動装置１６によりＸ軸方向に移動することで、吐出ヘッド２０を電子天秤、クリーニングユニット２４あるいはキャッピングユニット２２の上部に選択的に位置決めさせることができる。つまり、デバイス製造作業の途中であっても、吐出ヘッド２０をたとえば電子天秤側に移動すれば、液滴の重量を測定できる。また吐出ヘッド２０をクリーニングユニット２４上に移動すれば、吐出ヘッド２０のクリーニングを行うことができる。吐出ヘッド２０をキャッピングユニット２２の上に移動すれば、吐出ヘッド２０の液状材料吐出面２０Ｐにキャップを取り付けて乾燥を防止する。
【００５０】
つまり、これら電子天秤、クリーニングユニット２４、およびキャッピングユニット２２は、ベース１２上の後端側で、吐出ヘッド２０の移動経路直下に、ステージＳＴと離間して配置されている。ステージＳＴに対する基板Ｐの給材作業及び排材作業はベース１２の前端側で行われるため、これら電子天秤、クリーニングユニット２４あるいはキャッピングユニット２２により作業に支障を来すことはない。
【００５１】
基板Ｐは、上面に配線パターン（電気回路）が形成されるパターン形成領域を有している。そして、配線パターンを形成するために、基板Ｐのパターン形成領域（配線パターン領域）に対して吐出ヘッド２０から液状材料が吐出される。液状材料は、配線パターンを形成するために、所定の溶媒に例えば金属材料等のデバイス形成用材料を分散したものである。
【００５２】
次に、図１に戻って、デバイス製造装置Ｓの詳細について説明する。図１には吐出ヘッド２０が１つだけ図示されているが、インクジェット装置１０には複数の吐出ヘッド２０が設けられており、これら複数の吐出ヘッド２０のそれぞれから異種又は同種の液状材料が吐出されるようになっている。
【００５３】
第１移動装置１４はベース１２の上に設置されており、Ｙ軸方向に沿って位置決めされている。第２移動装置１６は、支柱１６Ａ，１６Ａを用いてベース１２に対して立てて取り付けられており、ベース１２の後部１２Ａにおいて取り付けられている。第２移動装置１６のＸ軸方向（第２の方向）は、第１移動装置１４のＹ軸方向（第１の方向）と直交する方向である。ここで、Ｙ軸方向はベース１２の前部１２Ｂと後部１２Ａ方向に沿った方向である。これに対してＸ軸方向はベース１２の左右方向に沿った方向であり、各々水平である。また、Ｚ軸方向はＸ軸方向及びＹ軸方向に垂直な方向である。
【００５４】
第１移動装置１４は、例えばリニアモータによって構成され、ガイドレール４０、４０と、このガイドレール４０に沿って移動可能に設けられているスライダー４２とを備えている。このリニアモータ形式の第１移動装置１４のスライダー４２は、ガイドレール４０に沿ってＹ軸方向に移動して位置決め可能である。
【００５５】
また、スライダー４２はＺ軸回り（θｚ）用のモータ４４を備えている。このモータ４４は、例えばダイレクトドライブモータであり、モータ４４のロータはステージＳＴに固定されている。これにより、モータ４４に通電することでロータとステージＳＴとは、θｚ方向に沿って回転してステージＳＴをインデックス（回転割り出し）することができる。すなわち、第１移動装置１４は、ステージＳＴをＹ軸方向（第１の方向）及びθｚ方向に移動可能である。
【００５６】
ステージＳＴは基板Ｐを保持し、所定の位置に位置決めするものである。また、ステージＳＴは吸着保持装置５０を有しており、吸着保持装置５０が作動することにより、ステージＳＴの穴４６Ａを通して基板ＰをステージＳＴの上に吸着して保持する。
【００５７】
第２移動装置１６はリニアモータによって構成され、支柱１６Ａ，１６Ａに固定されたコラム１６Ｂと、このコラム１６Ｂに支持されているガイドレール６２Ａと、ガイドレール６２Ａに沿ってＸ軸方向に移動可能に支持されているスライダー６０とを備えている。スライダー６０はガイドレール６２Ａに沿ってＸ軸方向に移動して位置決め可能であり、吐出ヘッド２０はスライダー６０に取り付けられている。
【００５８】
吐出ヘッド２０は、揺動位置決め装置としてのモータ６２，６４，６６，６８を有している。モータ６２を作動すれば、吐出ヘッド２０は、Ｚ軸に沿って上下動して位置決め可能である。このＺ軸はＸ軸とＹ軸に対して各々直交する方向（上下方向）である。モータ６４を作動すると、吐出ヘッド２０は、Ｙ軸回りのβ方向に沿って揺動して位置決め可能である。モータ６６を作動すると、吐出ヘッド２０は、Ｘ軸回りのγ方向に揺動して位置決め可能である。モータ６８を作動すると、吐出ヘッド２０は、Ｚ軸回りのα方向に揺動して位置決め可能である。すなわち、第２移動装置１６は、吐出ヘッド２０をＸ軸方向（第１の方向）及びＺ軸方向に移動可能に支持するとともに、この吐出ヘッド２０をθｘ方向、θｙ方向、θｚ方向に移動可能に支持する。
【００５９】
このように、図１の吐出ヘッド２０は、スライダー６０において、Ｚ軸方向に直線移動して位置決め可能で、α、β、γに沿って揺動して位置決め可能であり、吐出ヘッド２０の液状材料吐出面２０Ｐは、ステージＳＴ側の基板Ｐに対して正確に位置あるいは姿勢をコントロールすることができる。なお、吐出ヘッド２０の液状材料吐出面２０Ｐには液状材料を吐出する複数のノズルが設けられている。
【００６０】
次に、予備乾燥装置８０は、支柱８２Ａ，８２Ａと、支柱８２Ａ，８２Ａに固定されたコラム８２Ｂとを有している。ガス供給部８１はコラム８２Ｂに第３移動装置（移動装置）８３を介して支持されている。第３移動装置８３は、例えばエアシリンダによって構成されており、ガス供給部８１をＺ軸方向に上下動可能に支持している。ガス供給部８１はＸ軸方向を長手方向としており、下方（−Ｚ軸方向）に向くガス供給用ノズルを前記長手方向に沿って複数備えている。したがって、ガス供給部８１からのガスは下方に向けて放出される。
【００６１】
第１移動装置１４のガイドレール４０は、予備乾燥装置８０のガス供給部８１下方まで延びており、基板Ｐを支持するステージＳＴはガス供給部８１の下方まで移動可能に設けられている。したがって、ステージＳＴにより基板Ｐをガス供給部８１の下方まで移動することにより、ガス供給部８１からのガスは基板Ｐに対して上方から（真上から）当たるようになっている。
【００６２】
ガス供給部８１のガス供給用ノズルには不図示のガス供給源が、ゴム等の可撓性を有する配管（流路）を介して接続されている。ガス供給源には加熱装置が設けられており、ガス供給源からは加熱装置で所定の温度に加熱されたガスがガス供給部８１に供給される。加熱装置は制御装置ＣＯＮＴにより制御されるようになっており、ガス供給部８１のガス供給用ノズルからは、加熱装置で所定の温度に加熱されたガスがステージＳＴに支持されている基板Ｐに吹き付けられるようになっている。
【００６３】
次に、上述したデバイス製造装置Ｓを用いて基板Ｐ上に配線パターンを形成する手順について、図４のフローチャートを参照しながら説明する。
先ず、基板Ｐを洗浄する。その後、基板Ｐについて撥液処理（ＦＡＳ）を施す（ＳＰ１）。
その後、基板ＰにＵＶ（紫外線）を照射して、吐出ヘッド２０から吐出される液滴（液状材料）に対して所望の接触角となるように撥液性又は親液性を設定する（ＳＰ２）。
【００６４】
このステップＳＰ２までにおける撥液性又は親液性の設定は、配線パターン領域表面を親液性にして、その配線パターン領域を挟む隔壁表面を撥液性にするものである。ＵＶ照射時間を制御することにより、撥液性及び親液性を制御することができる。また、プラズマ処理をすることで、撥液性及び親液性を制御してもよい。例えば、プラズマ処理工程は、予備加熱工程と、配線パターン領域表面を親液性にする親液化工程と、隔壁上面を撥液性にする撥液化工程と、冷却工程とを有している。
【００６５】
すなわち、基板Ｐを所定温度（例えば７０〜８０度程度）に加熱し、次いで親液化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラスマ処理）を行う。続いて、撥液化工程として大気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラスマ処理（ＣＦ４プラスマ処理）を行い、プラズマ処理のために加熱された基板Ｐを室温まで冷却することで、親液性及び撥液性が所定箇所に付与されることとなる。
【００６６】
次いで、吐出ヘッド２０から液滴を吐出して、その液滴を基板Ｐの配線パターン領域に塗布することで配線パターンを形成する。制御装置ＣＯＮＴは、吐出ヘッド２０を制御して、上記のように、吐出された液滴の運動エネルギーＥが８×１０−１２（Ｊｏｕｌｅ）から１．７×１０−８（Ｊｏｕｌｅ）、速度が４（ｍ／ｓ）から１０（ｍ／ｓ）、重量が１×１０−１０（ｇ）から３×１０−８（ｇ）の範囲内とする（ＳＰ３）。
【００６７】
また、制御装置ＣＯＮＴは、ステージＳＴ及び吐出ヘッド２０を相対的に移動させつつ吐出ヘッド２０から液状材料を吐出させる。これにより、基板Ｐ上には所定の配線パターンが形成される。
【００６８】
次いで、乾燥工程（中間乾燥）を入れながら、液状材料の重ね塗りを行う（ＳＰ４）。
具体的には、先ず制御装置ＣＯＮＴは、ガス供給部８１から加熱されたガスを出す。ただし、このようにガス供給部８１から加熱されたガスを出してもよいが、必ずしもガスの加熱又は冷却を行う必要はなく、温度制御していないガスを出すことで中間乾燥を行ってもよい。
ガス供給部８１からのガスの温度は、吐出ヘッド２０から吐出された液状材料の溶媒に応じて設定してもよい。すなわち、ガスの温度は、ガスを液状材料に吹き付けることにより液状材料に含まれている溶媒を除去可能な程度に予め設定してもよい。制御装置ＣＯＮＴにはプロセスに関する情報、すなわち、吐出される液状材料に用いられている溶媒の沸点に関する情報が予め記憶されており、制御装置ＣＯＮＴはこの記憶されている情報に基づいて、ガスの温度を設定してもよい。
【００６９】
例えばガス供給部８１から供給されるガスの温度は約１００度に設定される。そして、液状材料に含まれている溶媒の沸点が高い場合には、ガス供給部８１から出すガスの温度を溶媒に応じて高く設定すればよい。一方、液状材料に含まれている溶媒の沸点が低い場合には、ガスの温度を溶媒に応じて低く設定することができる。ガスの温度を溶媒に応じて可能な限り低く設定することにより、基板や材料に対する負担を低減することができる。
【００７０】
次いで、制御装置ＣＯＮＴは、液状材料が配置された基板Ｐを支持しているステージＳＴを第１移動装置１４により−Ｙ軸方向に移動し、予備乾燥装置８０のガス供給部８１近傍まで移動する。そして、制御装置ＣＯＮＴは、ステージＳＴをＹ軸方向に移動しながら、ガス供給部８１から所定の温度に加熱されているガス（又は温度制御していないガス）を基板Ｐに対して真上から当て、液状材料に対する中間乾燥（予備焼成）を行う。
すなわち基板ＰはＹ軸方向に走査しながら加熱されたガスを吹き付けられる。こうすることにより、基板Ｐの全面に対して均一にガスを当てることができる。ここで液状材料の製膜工程（ステップＳＰ３）から液状材料に対する中間乾燥工程（ステップＳＰ４）へと移行する際、基板ＰはステージＳＴから外されない。
【００７１】
液状材料に対する中間乾燥工程において、ステージＳＴの移動速度（すなわち基板Ｐの走査速度）は制御装置ＣＯＮＴにより最適に制御される。制御装置ＣＯＮＴは、使用される材料や基板Ｐの材質などに応じて、最適な走査速度、すなわち、基板Ｐに対してガスを吹き付ける時間を設定する。また、基板Ｐに当てるガスの風速も材料や基板に応じて最適に設定されている。このとき、制御装置ＣＯＮＴは、ガスを当てることによって基板Ｐ上に設けられている液状材料が動いてしまわない程度に、ガス風速や送風時間を最適に設定する。
【００７２】
すなわち、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐに対して当てるガスの温度、風速、時間、及び風量等の各パラメータを、液状材料の溶媒、材料物性、基板に応じて最適に制御する。制御装置ＣＯＮＴは、記憶してあるプロセスに関する情報（使用される溶媒物性、材料物性、基板物性など）に基づいて制御を行う。
【００７３】
ここで、ガス供給部８１は第３移動装置８３によってＺ軸方向に移動可能に設けられているため、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐの厚みや、液状材料の溶媒、材料物性等に応じて、例えば材料にダメージを与えない程度に、あるいは液状材料が動いてしまわない程度に、第３移動装置８３を用いてガス供給部８１と基板Ｐとの距離を調整しつつ中間乾燥することができる。
中間乾燥工程においては、溶媒を完全に飛ばす場合と、液滴の表層のわずかな溶媒のみを飛ばずだけで十分な場合とがある。
【００７４】
液状材料に対する第１の中間乾燥工程を行ったら、制御装置ＣＯＮＴは、ステージＳＴを＋Ｙ軸方向に移動し、ステップＳＰ３で形成した配線パターンの上に、吐出ヘッド２０を用いて液状材料の重ね塗りを行う。
ここで、中間乾燥工程から液状材料の重ね塗りへと移行する際、基板ＰはステージＳＴから外されない。
【００７５】
液状材料の重ね塗りが終えたら、制御装置ＣＯＮＴはステージＳＴを予備乾燥装置８０に移動し、ステージＳＴをＹ軸方向に移動しながら重ね塗った液状材料に対する中間乾燥工程を行う。
ここで、重ね塗り工程から２回目の中間乾燥工程へと移行する際、基板ＰはステージＳＴから外されない。
【００７６】
制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐに対して当てるガスの温度、風速、時間（ステージＳＴの走査速度）、及び風量等の各パラメータを、液状材料の溶媒、材料物性、基板に応じて最適に制御する。制御装置ＣＯＮＴは、前記記憶してあるプロセスに関する情報に基づいて制御を行う。また、この場合においても、制御装置ＣＯＮＴは、第３移動装置８３を用いてガス供給部８１と基板Ｐとの距離を調整しつつ中間乾燥することができる。
【００７７】
以上のようにして、中間乾燥を入れながらの重ね塗り（複数回の繰り返し）が終了したら、この基板Ｐに対して焼成工程が行われる（ステップＳＰ５）。
焼成工程では、ステージＳＴから基板Ｐが外され、ホットプレートや電気炉、赤外線炉などの焼成装置に搬送される。基板Ｐは前記焼成装置により、例えば３００度以上の温度で３０分以上加熱されることにより、焼成される。なお、焼成装置は、はじめは室温（２５度程度）に設定されており、焼成されるべき基板Ｐは室温状態の焼成装置に配置される。そして、基板Ｐは昇温温度を例えば１０度／分以下に設定して昇温され、３００度以上になったら一定温度に設定され、例えば３０分加熱される。その後、冷却速度を例えば１０度／分以下に設定して降温され、室温となって時点で基板Ｐは焼成装置から搬出される。
こうして、基板Ｐ上には複数の材料層が積層され、多層配線パターンが形成される。
【００７８】
以上説明したように、本実施形態では、ステップＳＰ３において液滴を所定条件（所定の運動エネルギー、速度及び重量）で吐出しているので、液滴の運動エネルギーなどが大きすぎて、配線パターン領域内に着弾した液滴がその領域を越えて濡れ広がること、及び着弾した液滴がその領域から飛散液となって飛び散ることなどを回避することができる。したがって、本実施形態によれば、基板Ｐ上に細かいピッチの配線パターンを形成するときでも、濡れ広がり過ぎ又は飛散液の発生によるショート部の発生を回避することができる。
【００７９】
また、本実施形態では、ステップＳＰ３において液滴を所定条件（所定の運動エネルギー、速度及び重量）で吐出しているので、液滴の運動エネルギーなどが小さすぎて、吐出された液滴がふわふわと飛翔し、その液滴の吐出位置（着弾位置）のコントロールが悪くなり、基板Ｐ上の所望の塗布領域内に液滴を塗布することができないということを、回避することができ、高精度形状の配線パターンを形成することができる。
【００８０】
次に、上述した配線パターンの製造方法を用いて、電気光学装置の一つである有機ＥＬ表示デバイスを製造する手順を示す。
【００８１】
有機ＥＬ表示デバイスは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。
【００８２】
ここで、上述したように、インクジェット装置１０は吐出ヘッド２０を複数備えており、各吐出ヘッドからはそれぞれ異なる材料を含む液状材料が吐出されるようになっている。液状材料は、例えば金属インクからなり、材料を微粒子状にし溶媒及びバインダーを用いてペースト化したものであって、吐出ヘッド２０が吐出可能な粘度（例えば１ｃｐｓ〜５０ｃｐｓまで）に設定されている。また、液状材料の表面張力は例えば０．０２（Ｎ／ｍ）から０．０７（Ｎ／ｍ）である。そして、基板Ｐに対してこれら複数の吐出ヘッドのうち、第１の吐出ヘッドから第１の材料を含む液状材料を吐出した後これを中間乾燥（予備焼成）し、次いで第２の吐出ヘッドから第２の材料を含む液状材料を第１の材料層（配線パターン層）に対して吐出した後これを中間乾燥（予備焼成）し、以下、複数の吐出ヘッドを用いて同様の処理を行うことにより、基板Ｐ上に複数の材料層が積層され、多層配線パターンが形成されるようになっている。
【００８３】
図５，図６，図７は、有機ＥＬ素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装置の一例を示す図であって、図５は対向電極や有機ＥＬ素子を取り除いた状態での画素部の拡大平面図であり、図６は有機ＥＬ表示装置の回路図である。
【００８４】
図６に示すように、この有機ＥＬ表示装置ＤＳは、基板上に、複数の走査線１３１と、これら走査線１３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３２と、これら信号線１３２に並列に延びる複数の共通給電線１３３とがそれぞれ配線されたもので、走査線１３１及び信号線１３２の各交点毎に、画素ＡＲが設けられて構成されたものである。
【００８５】
信号線１３２に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路９０が設けられている。
一方、走査線１３１に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路１００が設けられている。また、画素領域ＡＲの各々には、走査線１３１を介して走査信号がゲート電極に供給される第１の薄膜トランジスタ３２２と、この第１の薄膜トランジスタ３２２を介して信号線１３２から供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２の薄膜トランジスタ３２４と、この第２の薄膜トランジスタ３２４を介して共通給電線１３３に電気的に接続したときに共通給電線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極３２３と、この画素電極（陽極）３２３と対向電極（陰極）５２２との間に挟み込まれる発光部（発光層）３６０とが設けられている。
【００８６】
このような構成のもとに、走査線１３１が駆動されて第１の薄膜トランジスタ３２２がオンとなると、そのときの信号線１３２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、第２の薄膜トランジスタ３２４の導通状態が決まる。そして、第２の薄膜トランジスタ３２４のチャネルを介して共通給電線１３３から画素電極３２３に電流が流れ、さらに発光層３６０を通じて対向電極５２２に電流が流れることにより、発光層３６０は、これを流れる電流量に応じて発光するようになる。
【００８７】
ここで、各画素ＡＲの平面構造は、図５に示すように、平面形状が長方形の画素電極３２３の四辺が、信号線１３２、共通給電線１３３、走査線１３１及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。
【００８８】
図７は図５のＡ−Ａ矢視断面図である。ここで、図７に示す有機ＥＬ表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が配置された基板Ｐ側とは反対側から光を取り出す形態、いわゆるトップエミッション型である。
【００８９】
基板Ｐの形成材料としては、ガラス、石英、サファイア、あるいはポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンなどの合成樹脂などが挙げられる。ここで、有機ＥＬ表示装置がトップエミッション型である場合、基板Ｐは不透明であってもよく、その場合、アルミナ等のセラミック、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
【００９０】
一方、ＴＦＴが配置された基板側から光を取り出す形態、いわゆるバックエミッション型においては、基板としては透明なものが用いられ、光を透過可能な透明あるいは半透明材料、例えば、透明なガラス、石英、サファイア、あるいはポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンなどの透明な合成樹脂などが挙げられる。特に、基板の形成材料としては、安価なソーダガラスが好適に用いられる。
【００９１】
図７に示すように、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置ＤＳは、基板Ｐと、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明電極材料からなる陽極（画素電極）３２３と、陽極３２３から正孔を輸送可能な正孔輸送層３７０と、電気光学物質の１つである有機ＥＬ物質を含む発光層（有機ＥＬ層、電気光学素子）３６０と、発光層３６０の上面に設けられている電子輸送層３５０と、電子輸送層３５０の上面に設けられているアルミニウム（Ａｌ）やマグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）等からなる陰極（対向電極）５２２と、基板Ｐ上に形成され、画素電極３２３にデータ信号を書き込むか否かを制御する通電制御部としての薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と称する）３２４とを有している。ＴＦＴ３２４は、走査線駆動回路１００及びデータ線駆動回路９０からの作動指令信号に基づいて作動し、画素電極３２３への通電制御を行う。
【００９２】
ＴＦＴ３２４は、ＳｉＯ２を主体とする下地保護層５８１を介して基板Ｐの表面に設けられている。このＴＦＴ３２４は、下地保護層５８１の上層に形成されたシリコン層５４１と、シリコン層５４１を覆うように下地保護層５８１の上層に設けられたゲート絶縁層５８２と、ゲート絶縁層５８２の上面のうちシリコン層５４１に対向する部分に設けられたゲート電極５４２と、ゲート電極５４２を覆うようにゲート絶縁層５８２の上層に設けられた第１層間絶縁層５８３と、ゲート絶縁層５８２及び第１層間絶縁層５８３にわたって開孔するコンタクトホールを介してシリコン層５４１と接続するソース電極５４３と、ゲート電極５４２を挟んでソース電極５４３と対向する位置に設けられ、ゲート絶縁層５８２及び第１層間絶縁層５８３にわたって開孔するコンタクトホールを介してシリコン層５４１と接続するドレイン電極（第１の材料層）５４４と、ソース電極５４３及びドレイン電極５４４を覆うように第１層間絶縁層５８３の上層に設けられた第２層間絶縁層（第２の材料層）５８４とを備えている。
【００９３】
そして、第２層間絶縁層５８４の上面に画素電極３２３が配置され、画素電極３２３とドレイン電極（第１の材料層）５４４とは、第２層間絶縁層（第２の材料層）５８４に設けられたコンタクトホール３２３ａを介して接続されている。また、第２層間絶縁層５８４の表面のうち有機ＥＬ素子が設けられている以外の部分と陰極５２２との間には、合成樹脂などからなる第３絶縁層（バンク層）５２１が設けられている。
【００９４】
なお、シリコン層５４１のうち、ゲート絶縁層５８２を挟んでゲート電極５４２と重なる領域がチャネル領域とされている。また、シリコン層５４１のうち、チャネル領域のソース側にはソース領域が設けられている一方、チャネル領域のドレイン側にはドレイン領域が設けられている。このうち、ソース領域が、ゲート絶縁層５８２と第１層間絶縁層５８３とにわたって開孔するコンタクトホールを介して、ソース電極５４３に接続されている。一方、ドレイン領域が、ゲート絶縁層５８２と第１層間絶縁層５８３とにわたって開孔するコンタクトホールを介して、ソース電極５４３と同一層からなるドレイン電極５４４に接続されている。画素電極３２３は、ドレイン電極５４４を介して、シリコン層５４１のドレイン領域に接続されている。
【００９５】
次に、図８及び図９を参照しながら図７に示した有機ＥＬ表示装置の製造プロセスについて説明する。
はじめに、基板Ｐ上にシリコン層５４１を形成する。シリコン層５４１を形成する際には、まず、図８（ａ）に示すように、基板Ｐの表面にＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約２００〜５００ｎｍのシリコン酸化膜からなる下地保護層５８１を形成する。
【００９６】
次に、図８（ｂ）に示すように、基板Ｐの温度を約３５０度に設定して、下地保護膜５８１の表面にプラズマＣＶＤ法あるいはＩＣＶＤ法により厚さ約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコン膜からなる半導体層５４１Ａを形成する。次いで、この半導体層５４１Ａに対してレーザアニール法、急速加熱法、または固相成長法などによって結晶化工程を行い、半導体層５４１Ａをポリシリコン層に結晶化する。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は例えば２００ｍＪ／ｃｍ２  とする。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。
【００９７】
次いで、図８（ｃ）に示すように、半導体層（ポリシリコン層）５４１Ａをパターニングして島状のシリコン層５４１とした後、その表面に対して、ＴＥＯＳや酸化ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約６０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜又は窒化膜からなるゲート絶縁層５８２を形成する。なお、シリコン層５４１は、図５に示した第２の薄膜トランジスタ３２４のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となるものであるが、異なる断面位置においては第１の薄膜トランジスタ３２２のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となる半導体膜も形成されている。つまり、二種類のトランジスタ３２２、３２４は同時に形成されるが、同じ手順で作られるため、以下の説明において、トランジスタに関しては、第２の薄膜トランジスタ３２４についてのみ説明し、第１の薄膜トランジスタ３２２についてはその説明を省略する。
【００９８】
なお、ゲート絶縁層５８２を多孔性を有するシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）としてもよい。多孔性を有するＳｉＯ２膜からなるゲート絶縁層５８２は、反応ガスとしてＳｉ２Ｈ６とＯ３とを用いて、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）により形成される。これらの反応ガスを用いると、気相中に粒子の大きいＳｉＯ２が形成され、この粒子の大きいＳｉＯ２がシリコン層５４１や下地保護層５８１の上に堆積する。そのため、ゲート絶縁層５８２は、層中に多くの空隙を有し、多孔質体となる。そして、ゲート絶縁層５８２は多孔質体となることによって低誘電率を有するようになる。
【００９９】
なお、ゲート絶縁層５８２の表面にＨ（水素）プラズマ処理をしてもよい。これにより、空隙の表面のＳｉ−Ｏ結合中のダングリングボンドがＳｉ−Ｈ結合に置き換えられ、膜の耐吸湿性が良くなる。そして、このプラズマ処理されたゲート絶縁層５８２の表面に別のＳｉＯ２層を設けてもよい。こうすることにより、低誘電率な絶縁層が形成できる。
また、ゲート絶縁層５８２をＣＶＤ法で形成する際の反応ガスは、Ｓｉ２Ｈ６＋Ｏ３の他に、Ｓｉ２Ｈ６＋Ｏ２、Ｓｉ３Ｈ８＋Ｏ３、Ｓｉ３Ｈ８＋Ｏ２としてもよい。更に、上記の反応ガスに加えて、Ｂ（ホウ素）含有の反応ガス、Ｆ（フッ素）含有の反応ガスを用いてもよい。
【０１００】
更に、ゲート絶縁層５８２を上記の液滴吐出方式で形成してもよい。ゲート絶縁層５８２を形成するための吐出ヘッド２０から吐出させる液状材料としては、上述したＳｉＯ２等の材料を適当な溶媒に分散してペースト化したものや、絶縁性材料含有ゾルなどが挙げられる。絶縁性材料含有ゾルとしては、テトラエトキシシラン等のシラン化合物をエタノール等の適当な溶媒に溶かしたものや、アルミニウムのキレート塩、有機アルカリ金属塩または有機アルカリ土類金属塩等を含有する組成物で、焼成すると無機酸化物のみになるように調合したものでもよい。液滴吐出方式によって形成されたゲート絶縁層５８２は、この後、中間乾燥される。
【０１０１】
液滴吐出方式によってゲート絶縁層５８２を形成する際には、ゲート絶縁層５８２を形成するための吐出動作をする前に、下地保護層５８１やシリコン層５４１に対して液状材料の親和性を制御する表面処理をしておいてもよい。この場合の表面処理は、ＵＶ、プラスマ処理等の親液処理である。こうすることにより、ゲート絶縁層５８２を形成するための液状材料は下地保護層５８１などに密着するとともに、平坦化される。
【０１０２】
次いで、図８（ｄ）に示すように、ゲート絶縁層５８２上にアルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を含む導電膜をスパッタ法により形成した後、これをパターニングし、ゲート電極５４２を形成する。次いで、この状態で高濃度のリンイオンを打ち込み、シリコン層５４１に、ゲート電極５４２に対して自己整合的にソース領域５４１ｓ及びドレイン領域５４１ｄを形成する。この場合、ゲート電極５４２はパターニング用マスクとして用いられる。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５４１ｃとなる。
【０１０３】
次いで、図８（ｅ）に示すように、第１層間絶縁層５８３を形成する。第１層間絶縁層５８３は、ゲート絶縁層５８２同様、シリコン酸化膜または窒化膜、多孔性を有するシリコン酸化膜などによって構成され、ゲート絶縁層５８２の形成方法と同様の手順でゲート絶縁層５８２の上層に形成される。
更に、第１層間絶縁層５８３の形成工程を、ゲート絶縁層５８２の形成工程と同様、上記液滴吐出方式によって行ってもよい。第１層間絶縁層５８３を形成するための吐出ヘッド２０から吐出させる液状材料としては、ゲート絶縁層５８２同様、ＳｉＯ２等の材料を適当な溶媒に分散してペースト化したものや、絶縁性材料含有ゾルなどが挙げられる。絶縁性材料含有ゾルとしては、テトラエトキシシラン等のシラン化合物をエタノール等の適当な溶媒に溶かしたものや、アルミニウムのキレート塩、有機アルカリ金属塩または有機アルカリ土類金属塩等を含有する組成物で、焼成すると無機酸化物のみになるように調合したものでもよい。液滴吐出方式によって形成された第１層間絶縁層５８３は、この後、中間乾燥される。
【０１０４】
液滴吐出方式によって第１層間絶縁層５８３を形成する際には、第１層間絶縁層５８３を形成するための吐出動作をする前に、ゲート絶縁層５８２上面に対して液状材料の親和性を制御する表面処理をしておいてもよい。この場合の表面処理は、ＵＶ、プラスマ処理等の親液処理である。こうすることにより、第１層間絶縁層５８３を形成するための液状材料はゲート絶縁層５８２に密着するとともに、平坦化される。
【０１０５】
そして、この第１層間絶縁層５８３及びゲート絶縁層５８２にフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより、ソース電極及びドレイン電極に対応するコンタクトホールを形成する。次いで、第１層間絶縁層５８３を覆うように、アルミニウムやクロム、タンタル等の金属からなる導電層を形成した後、この導電層のうち、ソース電極及びドレイン電極が形成されるべき領域を覆うようにパターニング用マスクを設けるとともに、導電層をパターニングすることにより、ソース電極５４３及びドレイン電極５４４を形成する。
【０１０６】
次に、図示はしないが、第１層間絶縁層５８３上に、信号線、共通給電線、走査線を形成する。このとき、これらに囲まれる箇所は後述するように発光層等を形成する画素となることから、例えばバックエミッション型とする場合には、ＴＦＴ３２４が前記各配線に囲まれた箇所の直下に位置しないよう、各配線を形成する。
【０１０７】
次いで、図９（ａ）に示すように、第２層間絶縁層５８４を、第１層間絶縁層５８３、各電極５４３、５４４、前記不図示の各配線を覆うように形成する。
第１層間絶縁層５８３は液滴吐出方式によって形成される。ここで、デバイス製造装置ＩＪの制御装置ＣＯＮＴは、図９（ａ）に示すように、ドレイン電極（第１の材料層）５４４の上面に非吐出領域（非滴下領域）Ｈを設定し、ドレイン電極５４４のうち非吐出領域Ｈ以外の部分、ソース電極５４３及び第１層間絶縁層５８３を覆うように、第２層間絶縁層５８４を形成するための液状材料を吐出し、第２層間絶縁層５８４を形成する。こうすることによって、コンタクトホール３２３ａが形成される。あるいは、コンタクトホール３２３ａをフォトリソグラフィー法で形成してもよい。
【０１０８】
ここで、第２層間絶縁層５８４を形成するための吐出ヘッド２０から吐出させる液状材料としては、第１層間絶縁層５８３同様、ＳｉＯ２等の材料を適当な溶媒に分散してペースト化したものや、絶縁性材料含有ゾルなどが挙げられる。絶縁性材料含有ゾルとしては、テトラエトキシシラン等のシラン化合物をエタノール等の適当な溶媒に溶かしたものや、アルミニウムのキレート塩、有機アルカリ金属塩または有機アルカリ土類金属塩等を含有する組成物で、焼成すると無機酸化物のみになるように調合したものでもよい。液滴吐出方式によって形成された第２層間絶縁層５８４は、この後、中間乾燥される。
【０１０９】
液滴吐出方式によって第２層間絶縁層５８４を形成する際には、第２層間絶縁層５８４を形成するための吐出動作をする前に、ドレイン電極５４４の非吐出領域Ｈに対して液状材料の親和性を制御する表面処理をしておいてもよい。この場合の表面処理は、撥液処理である。こうすることにより、非吐出領域Ｈには液状材料が配置されず、コンタクトホール３２３ａを安定して形成できる。また、非吐出領域Ｈ以外のドレイン電極５４４上面、ソース電極５４３上面、第１層間絶縁層５８３上面には、予め親液処理を施しておくことにより、第２層間絶縁層５８４を形成するための液状材料は第１層間絶縁層５８３やソース電極５４３、ドレイン電極５４４のうち非吐出領域Ｈ以外に部分に密着するとともに、平坦化される。
【０１１０】
こうして、第２層間絶縁層５８４のうちドレイン電極５４４に対応する部分にコンタクトホール３２３ａを形成しつつ、ドレイン電極（第１の材料層、導電性材料層）５４４の上層に第２層間絶縁層（第２の材料層、絶縁性材料層）５８４を形成したら、図９（ｂ）に示すように、コンタクトホール３２３ａにＩＴＯ等の導電性材料を充填するように、すなわち、コンタクトホール３２３ａを介してドレイン電極５４４に連続するように導電性材料をパターニングし、画素電極（陽極）３２３を形成する。
【０１１１】
有機ＥＬ素子に接続する陽極３２３は、ＩＴＯやフッ素をドープしてなるＳｎＯ２、更にＺｎＯやポリアミン等の透明電極材料からなり、コンタクトホール３２３ａを介してＴＦＴ３２４のドレイン電極５４４に接続されている。陽極３２３を形成するには、前記透明電極材料からなる膜を第２層間絶縁層５８４上面に形成し、この膜をパターニングすることにより形成される。
【０１１２】
陽極５２３を形成したら、図９（ｃ）に示すように、第２層間絶縁層５８４の所定位置及び陽極３２３の一部を覆うように、有機バンク層５２１を形成する。第３絶縁層５２１はアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの合成樹脂によって構成されている。具体的な第３絶縁層５２１の形成方法としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などのレジストを溶媒に融かしたものを、スピンコート、ディップコート等により塗布して絶縁層を形成する。なお、絶縁層の構成材料は、後述する液状材料の溶媒に溶解せず、しかもエッチング等によってパターニングしやすいものであればどのようなものでもよい。更に、絶縁層をフォトリソグラフィ技術等により同時にエッチングして、開口部５２１ａを形成することにより、開口部５２１ａを備えた第３絶縁層５２１が形成される。
【０１１３】
ここで、第３絶縁層５２１の表面には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域とが形成される。本実施形態においてはプラズマ処理工程により、各領域を形成するものとしている。具体的にプラズマ処理工程は、予備加熱工程と、開口部５２１ａの壁面並びに画素電極３２３の電極面を親液性にする親液化工程と、第３絶縁層５２１の上面を撥液性にする撥液化工程と、冷却工程とを有している。すなわち、基材（第３絶縁層等を含む基板Ｐ）を所定温度（例えば７０〜８０度程度）に加熱し、次いで親液化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラスマ処理）を行う。続いて、撥液化工程として大気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラスマ処理（ＣＦ４プラスマ処理）を行い、プラズマ処理のために加熱された基材を室温まで冷却することで、親液性及び撥液性が所定箇所に付与されることとなる。なお、画素電極３２３の電極面についても、このＣＦ４プラスマ処理の影響を多少受けるが、画素電極３２３の材料であるＩＴＯ等はフッ素に対する親和性に乏しいため、親液化工程で付与された水酸基がフッ素基で置換されることがなく、親液性が保たれる。
【０１１４】
次いで、図９（ｄ）に示すように、陽極３２３の上面に正孔輸送層３７０を形成する。ここで、正孔輸送層３７０の形成材料としては、特に限定されることなく公知のものが使用可能であり、例えば、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等からなる。具体的には、特開昭６３−７０２５７号、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号、同２−１３５３６１号、同２−２０９９８８号、同３−３７９９２号、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示されるが、トリフェニルジアミン誘導体が好ましく、中でも４，４’−ビス（Ｎ（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニルが好適とされる。
【０１１５】
なお、正孔輸送層に代えて正孔注入層を形成するようにしてもよく、さらに正孔注入層と正孔輸送層を両方形成するようにしてもよい。その場合、正孔注入層の形成材料としては、例えば銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）や、ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム等が挙げられるが、特に銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を用いるのが好ましい。
【０１１６】
正孔注入／輸送層３７０を形成する際には、液滴吐出方式が用いられる。すなわち、上述した正孔注入／輸送層材料を含む組成物液状材料を陽極３２３の電極面上に吐出した後に、予備乾燥処理を行うことにより、陽極３２３上に正孔注入／輸送層３７０が形成される。なお、この正孔注入／輸送層形成工程以降は、正孔注入／輸送層３７０及び発光層（有機ＥＬ層）３６０の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。例えば、吐出ヘッド（不図示）に正孔注入／輸送層材料を含む組成物液状材料を充填し、吐出ヘッドの吐出ノズルを陽極３２３の電極面に対向させ、吐出ヘッドと基材（基板Ｐ）とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御されたインキ滴を電極面に吐出する。次に、吐出後の液滴を乾燥処理して組成物液状材料に含まれる極性溶媒を蒸発させることにより、正孔注入／輸送層３７０が形成される。
【０１１７】
なお、組成物液状材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸等との混合物を、イソプロピルアルコール等の極性溶媒に溶解させたものを用いることができる。ここで、吐出された液滴は、親液処理された陽極３２３の電極面上に広がり、開口部５２１ａの底部近傍に満たされる。その一方で、撥液処理された第３絶縁層５２１の上面には液滴がはじかれて付着しない。したがって、液滴が所定の吐出位置からはずれて第３絶縁層５２１の上面に吐出されたとしても、該上面が液滴で濡れることがなく、はじかれた液滴が第３絶縁層５２１の開口部５２１ａ内に転がり込むものとされている。
【０１１８】
次いで、正孔注入／輸送層３７０上面に発光層３６０を形成する。発光層３６０の形成材料としては、特に限定されることなく、低分子の有機発光色素や高分子発光体、すなわち各種の蛍光物質や燐光物質からなる発光物質が使用可能である。発光物質となる共役系高分子の中ではアリーレンビニレン構造を含むものが特に好ましい。低分子蛍光体では、例えばナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体等、または特開昭５７−５１７８１、同５９−１９４３９３号公報等に記載されている公知のものが使用可能である。
【０１１９】
発光層３６０は、正孔注入／輸送層３７０の形成方法と同様の手順で形成される。すなわち、液滴吐出方式によって発光層材料を含む組成物液状材料を正孔注入／輸送層３７０の上面に吐出した後に、中間乾燥処理を行うことにより、第３絶縁層５２１に形成された開口部５２１ａ内部の正孔注入／輸送層３７０上に発光層３６０が形成される。この発光層形成工程も上述したように不活性ガス雰囲気下で行われる。吐出された組成物液状材料は撥液処理された領域ではじかれるので、液滴が所定の吐出位置からはずれたとしても、はじかれた液滴が第３絶縁層５２１の開口部５２１ａ内に転がり込む。
【０１２０】
次いで、発光層３６０の上面に電子輸送層３５０を形成する。電子輸送層３５０も発光層３６０の形成方法と同様、液滴吐出方式により形成される。電子輸送層３５０の形成材料としては、特に限定されることなく、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体等が例示される。具体的には、先の正孔輸送層の形成材料と同様に、特開昭６３−７０２５７号、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号、同２−１３５３６１号、同２−２０９９８８号、同３−３７９９２号、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示され、特に２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウムが好適とされる。液滴吐出方式により組成物液状材料を吐出した後、中間乾燥処理が行われる。
【０１２１】
なお、前述した正孔注入／輸送層３７０の形成材料や電子輸送層３５０の形成材料を発光層３６０の形成材料に混合し、発光層形成材料として使用してもよく、その場合に、正孔注入／輸送層形成材料や電子輸送層形成材料の使用量については、使用する化合物の種類等によっても異なるものの、十分な成膜性と発光特性を阻害しない量範囲でそれらを考慮して適宜決定される。通常は、発光層形成材料に対して１〜４０重量％とされ、さらに好ましくは２〜３０重量％とされる。
【０１２２】
次いで、図９（ｅ）に示すように、電子輸送層３５０及び第３絶縁層５２１の上面に陰極５２２を形成する。陰極５２２は、電子輸送層３５０及び第３絶縁層５２１の表面全体、あるいはストライプ状に形成されている。陰極５２２については、もちろんＡｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａなどの単体材料やＭｇ：Ａｇ（１０：１合金）の合金材料からなる１層で形成してもよいが、２層あるいは３層からなる金属（合金を含む。）層として形成してもよい。具体的には、Ｌｉ２  Ｏ（０．５ｎｍ程度）／ＡｌやＬｉＦ（０．５ｎｍ程度）／Ａｌ、ＭｇＦ２  ／Ａｌといった積層構造のものも使用可能である。陰極２２２は上述した金属からなる薄膜であり、光を透過可能である。
【０１２３】
なお、上記実施形態では、各絶縁層を形成する際に液滴吐出方式を用いているが、ソース電極５４３やドレイン電極５４４、あるいは陽極３２３や陰極５２２を形成する際に本実施形態の液滴吐出方式を用いてもよい。中間乾燥処理は、組成物液状材料のそれぞれを吐出後、行われる。
【０１２４】
なお、導電性材料層を構成する導電性材料（デバイス形成用材料）としては、所定の金属、あるいは導電性ポリマーが挙げられる。
金属としては、金属ペーストの用途によって銀、金、ニッケル、インジウム、錫、鉛、亜鉛、チタン、銅、クロム、タンタル、タングステン、パラジウム、白金、鉄、コバルト、ホウ素、ケイ素、アルミニウム、マグネシウム、スカンジウム、ロジウム、イリジウム、バナジウム、ルテニウム、オスミウム、ニオブ、ビスマス、バリウムなどのうち少なくとも１種の金属又はこれらの合金が挙げられる。また、酸化銀（ＡｇＯ又はＡｇ２Ｏ）や酸化銅なども挙げられる。
【０１２５】
また、上記導電性材料を吐出ヘッドから吐出可能にペースト化する際の有機溶媒としては、炭素数５以上のアルコール類（例えばテルピネオール、シトロネロール、ゲラニオール、ネロール、フェネチルアルコール）の１種以上を含有する溶媒、又は有機エステル類（例えば酢酸エチル、オレイン酸メチル、酢酸ブチル、グリセリド）の１種以上を含有する溶媒であればよく、使用する金属又は金属ペーストの用途によって適宜選択できる。更には、ミネラルスピリット、トリデカン、ドデシルベンゼンもしくはそれらの混合物、又はそれらにα−テルピネオールを混合したもの、炭素数５以上の炭化水素（例えば、ピネン等）、アルコール（例えば、ｎ−ヘプタノール等）、エーテル（例えば、エチルベンジルエーテル等）、エステル（例えば、ｎ−ブチルステアレート等）、ケトン（例えば、ジイソブチルケトン等）、有機窒素化合物（例えば、トリイソプロパノールアミン等）、有機ケイ素化合物（シリコーン油等）、有機硫黄化合物もしくはそれらの混合物を用いることもできる。なお、有機溶媒中に必要に応じて適当な有機物を添加してもよい。そして、これら溶媒に応じて、中間乾燥処理の際のガス温度が設定される。
【０１２６】
次に、上記実施形態の有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器の例について説明する。
図１０は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の有機ＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
【０１２７】
図１１は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１１において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の有機ＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
【０１２８】
図１２は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１２において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の有機ＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
【０１２９】
図１０〜図１２に示す電子機器は、上記実施の形態の有機ＥＬ表示装置を備えているので、ショート部及び断線部がなくムラや画素欠陥などがない高品位な画像を表示できる有機ＥＬ表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【０１３０】
上記実施形態は、本発明の導電性パターンの製造方法を、有機ＥＬ表示デバイスの駆動用ＴＦＴの配線パターン形成に適用したものであるが、有機ＥＬ表示デバイスに限らず、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）デバイスの配線パターンの製造、液晶表示デバイスの配線パターンの製造など、各種多層配線デバイスの製造に適用可能である。そして、各種多層配線デバイスを製造するに際し、導電性材料層及び絶縁性材料層のうちいずれの材料層を形成する際にも本発明の導電性パターンの製造方法を適用できる。
【０１３１】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施の形態で挙げた具体的な材料や層構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の製造方法で用いる製造装置を示す図である。
【図２】同上の製造装置における吐出ヘッドの分解斜視図である。
【図３】同上の吐出ヘッドにおける主要部の斜視図である。
【図４】本実施形態に係る製造方法を示すフローチャートである。
【図５】有機ＥＬ表示装置の画素部の平面構造を示す図である。
【図６】同上の有機ＥＬ表示装置の回路図である。
【図７】本実施形態の有機ＥＬ装置を示す断面図である。
【図８】本実施形態の電気光学装置の製造方法を示す断面図である。
【図９】本実施形態の電気光学装置の製造方法を示す断面図である。
【図１０】本実施形態の有機ＥＬ素子を備えた電子機器を示す図である。
【図１１】本実施形態の有機ＥＬ素子を備えた電子機器を示す図である。
【図１２】本実施形態の有機ＥＬ素子を備えた電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１０…インクジェット装置（液滴吐出装置、製膜装置）、１４…第１移動装置（移動装置）、２０…吐出ヘッド、８０…予備乾燥装置、８１…ガス供給部、８３…第３移動装置（移動装置）、２１１…ノズル、ＤＳ…デバイス（有機ＥＬ装置）、Ｐ…基板、Ｓ…デバイス製造装置、ＳＴ…ステージ
【図１】
2004273367.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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