(57)【要約】【課題】撥水性の強い離形剤を使用して離形処理を行い、その後、めっき処理を施しても所望パターンの金属薄膜を容易に得ることのできるようにする。【解決手段】ベースフィルム１の表面に離形剤を塗布して離形処理層２を形成した後、絶縁マスク３を介してコロナ放電処理を施し、該絶縁マスク３の開口部３ａに対応する所定領域に親水性を付与する。次いで、活性化触媒イオンに配位する官能基を含有した有機化合物溶液にベースフィルム１を浸漬し、前記有機化合物を前記親水性付与領域に吸着させて有機化合物層７を形成し、その後有機化合物層７に活性化触媒を吸着させて活性化触媒層８を形成し、この後無電解めっきを施して活性化触媒層８上にめっき皮膜９を形成する【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルム表面に離形剤を塗布して離形処理層を形成した後、所定パターン状に親水性を付与する親水性付与処理を施し、次いで、活性化触媒イオンに配位する官能基を含有した有機化合物を前記親水性が付与された所定領域に吸着させ、そしてこの後、活性化触媒を前記所定領域に吸着させ、その後無電解めっきを施して金属薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項２】
前記親水性付与処理は、コロナ放電処理であることを特徴とする請求項１記載の薄膜形成方法。
【請求項３】
絶縁性材料からなるマスク部材を介して前記コロナ放電処理を施すことを特徴とする請求項２記載の薄膜形成方法。
【請求項４】
前記親水性付与処理は、酸化物蒸着処理であることを特徴とする請求項１記載の薄膜形成方法。
【請求項５】
前記有機化合物は、アミノ基を含有したシラン化合物であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の薄膜形成方法。
【請求項６】
前記活性化触媒イオンは、Ｐｄイオンを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の薄膜形成方法。
【請求項７】
前記金属薄膜は、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ及びＮｉの中から選択された１種以上を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の薄膜形成方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれかの薄膜形成方法によりフィルム上に金属薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記金属薄膜が形成されたフィルム上でセラミックスラリーに成形加工を施し、セラミックグリーンシートを作製するセラミックグリーンシート作製工程と、前記フィルムから前記金属薄膜及び前記セラミックグリーンシートを引き剥がすと共に、前記金属薄膜が表面に形成された前記セラミックグリーンシートを積層して積層体を作製する積層体作製工程とを含むことを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれかの薄膜形成方法により第１のフィルム上に金属薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記金属薄膜が形成されていない第２のフィルム上でセラミックスラリーに成形加工を施し、セラミックグリーンシートを作製するセラミックグリーンシート作製工程と、前記第１のフィルム上に形成された前記金属薄膜を前記セラミックグリーンシートに転写する転写工程と、前記金属薄膜が転写された前記セラミックグリーンシートを積層して積層体を作製する積層体作製工程とを含むことを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜形成方法及び積層セラミック電子部品の製造方法に関し、特に、積層セラミック電子部品の内部電極に使用される金属薄膜の薄膜形成方法、及び該薄膜形成方法を使用して製造された積層セラミック電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品では、近年における小型化・大容量化の進展に伴って内部電極の薄膜化が要請されており、従来のスクリーン印刷法による電極形成に代えて、金属薄膜を内部電極に使用する方法が研究・開発されてきている。
【０００３】
すなわち、この種の内部電極用金属薄膜としては、従来より、蒸着によりフィルム上に第１の金属層を形成し、次いで、湿式めっきにより前記第１の金属層の上に第２の金属層を形成した金属薄膜が提案されている（特許文献１）。
【０００４】
また、該特許文献１では、フォトリソグラフィー技術を利用して前記第１及び第２の金属層にパターニング処理を施し、次いで、金属薄膜が形成された面上に、ドクターブレード法により、セラミックグリーンシート（以下、「セラミックシート」という）を形成し、セラミックシートを積み重ねる毎に熱圧着処理を行ない、その後、金属薄膜及びセラミックシートをフィルムから剥離し、積層されたセラミックシートに焼成処理を施している。
【０００５】
また、他の従来技術としては、有機フィルム上に所定パターン状に活性化処理を施し、その所定パターン状部分のみに無電解めっきにより内部電極となる金属箔を形成するようにした内部電極製造方法が提案されている（特許文献２）。
【０００６】
該特許文献２では、有機フィルム上に、スタンプを用いて所定パターン状にパラジウム活性化処理液をスタンプし、次いで、無電解Ｎｉめっきを施し、所定パターンの金属箔を形成する一方、別途、有機フィルム上にセラミックスラリーを塗布してセラミックシートを作製し、該セラミックシートに金属箔を転写することにより、内部電極用金属薄膜をセラミックシート上に形成している。
【０００７】
【特許文献１】
特開平４−３１４８７６号公報（段落番号〔００２７〕〜〔００３６〕）
【特許文献２】
特開平６−２３１９９９号公報（段落番号〔００１５〕〜〔００１８〕
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献１では、フォトリソグラフィー技術を利用して金属層にパターニング処理を施した場合、レジスト膜を除去する際に洗浄が不十分であると、レジスト膜の残渣（以下、「レジスト残渣」という）が第２の金属層やフィルムに付着することがある。そして、レジスト残渣が付着した状態でセラミックシートを積層すると絶縁不良等を引き起こす虞があるという問題点があった。
【０００９】
さらに、フォトリソグラフィー工程では、通常、レジスト膜の除去に強アルカリ性溶液を使用するため、廃液による環境への悪影響が生じる虞があるという問題点があった。
【００１０】
また、特許文献２では、有機フィルムに無電解めっきを施して金属薄膜を形成しなければならないため、シリコン系やフッ素系等の撥水性の強い離形剤を使用することができない。
【００１１】
すなわち、有機フィルム上に形成された金属薄膜を、有機フィルムから容易に引き剥がすためには、表面エネルギが小さく、撥水性に優れた離形剤を使用するのが好ましい。
【００１２】
しかしながら、後工程における無電解めっき処理で有機フィルム上にめっき皮膜を被着させる必要があることから、強力な撥水性を有する処理剤を離形剤として使用することができず、金属薄膜を有機フィルムから引き剥がす場合に、金属薄膜が部分的に有機フィルムから剥離せず、所望パターンの内部電極を得ることができないという問題点があった。
【００１３】
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであって、撥水性の強い離形剤を使用して離形処理を行い、その後、めっき処理を施しても所望パターンの金属薄膜を容易に得ることのできる薄膜形成方法、及び該薄膜形成方法を使用して積層セラミック電子部品を製造する積層セラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明者は鋭意研究を行ったところ、離形処理が施されたフィルム表面に活性化処理を施す前に、フィルム上の所定領域に親水性を付与した後、活性化触媒イオンとの間で配位結合する有機化合物を前記所定位置に吸着させておくことにより、フィルムとの剥離性に優れ、かつ所望パターンの金属薄膜を容易に得ることができるという知見を得た。
【００１５】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係る薄膜形成方法は、フィルム表面に離形剤を塗布して離形処理層を形成した後、所定パターン状に親水性を付与する親水性付与処理を施し、次いで、活性化触媒イオンに配位する官能基を含有した有機化合物を前記親水性が付与された所定領域に吸着させ、そしてこの後、活性化触媒を前記所定領域に吸着させ、その後無電解めっきを施して金属薄膜を形成することを特徴としている。
【００１６】
また、親水性付与処理としては、経済性、処理性、操作性の簡易性等の観点から高周波インパルスによるコロナ放電処理を使用するのが好ましい。
【００１７】
すなわち、本発明の薄膜形成方法は、前記親水性付与処理が、コロナ放電処理であることを特徴としている。
【００１８】
上記薄膜形成方法によれば、表面にカルボニル基（−ＣＯ）が生成され、容易に親水性を付与することができる。
【００１９】
また、フィルム上の所定領域にのみ親水性を付与するためには、マスク部材を介してコロナ放電処理を行なう必要がある。しかるに、マスク部材の母材として導電性材料を使用するとコロナ放電が導電性の高いマスク部材側に集中し、このため親水性付与面積がマスク部材の開口部よりも小さくなり、所望領域に親水性を付与することができなくなることがある。
【００２０】
このためコロナ放電処理を行なう場合は、マスク部材としては絶縁性材料を使用することが好ましい。
【００２１】
すなわち、本発明の薄膜形成方法は、絶縁性材料からなるマスク部材を介して前記コロナ放電処理を施すことを特徴としている。
【００２２】
また、親水性は、真空蒸着により酸化物をフィルム上に堆積することによっても付与することができる。
【００２３】
すなわち、本発明の薄膜形成方法は、前記親水性付与処理は、酸化物蒸着処理であることを特徴としている。
【００２４】
また、活性化触媒イオンとしては、経済的観点からＰｄイオンを使用するのが好ましく、Ｐｄイオンに配位する官能基を有する有機化合物としては、アミノ基を含有したシラン化合物を使用することができる。
【００２５】
すなわち、本発明の薄膜形成方法は、前記有機化合物は、アミノ基を含有したシラン化合物であることを特徴とし、前記活性化触媒イオンは、Ｐｄイオンを含むことを特徴としている。
【００２６】
また、金属薄膜としては、積層セラミック電子部品の内部電極用導電材料として、通常使用されるＡｇ、Ｐｄ、Ｃｕ及びＮｉの中から選択された１種以上を含むことができる。
【００２７】
また、本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、上記いずれかの薄膜形成方法によりフィルム上に金属薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記金属薄膜が形成されたフィルム上でセラミックスラリーに成形加工を施し、セラミックシートを作製するセラミックシート作製工程と、前記フィルムから前記金属薄膜及び前記セラミックシートを引き剥がすと共に、前記金属薄膜が表面に形成された前記セラミックシートを積層して積層体を作製する積層体作製工程とを含むことを特徴としている。
【００２８】
上記製造方法によれば、薄膜形成工程によりフィルム上に金属薄膜及びセラミックシートを形成した後、金属薄膜及びセラミックシートをフィルムから同時に引き剥がすことにより、セラミックシート上に容易に所望パターンの金属薄膜を形成することができる。そして、積層されたセラミックシートに焼成処理等を行なうことにより、所望パターンの内部電極を有する薄層化・多層化された積層セラミック電子部品を容易に製造することができる。
【００２９】
また、本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、上記いずれかの薄膜形成方法により第１のフィルム上に金属薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記金属薄膜が形成されていない第２のフィルム上でセラミックスラリーに成形加工を施し、セラミックシートを作製するセラミックシート作製工程と、前記第１のフィルム上に形成された前記金属薄膜を前記セラミックシートに転写する転写工程と、前記金属薄膜が転写された前記セラミックシートを積層して積層体を作製する積層体作製工程とを含むことを特徴としている。
【００３０】
上記製造方法によれば、上述した薄膜形成方法によりフィルム上に金属薄膜を、別途セラミックシート作製工程で作製されたセラミックシートに転写し、これによりセラミックシートの表面に金属薄膜を形成しており、斯かる製造方法によっても上述と同様、所望パターンの内部電極を有する薄層化・多層化された積層セラミック電子部品を容易に製造することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
【００３２】
図１は本発明に係る薄膜形成方法の一実施の形態（第１の実施の形態）を示す製造工程図である。
【００３３】
まず、図１（ａ）に示すように、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のプラスチック材料からなるベースフィルム１の表面に強力な撥水性を有する離形剤、例えばシリコン系或いはフッ素系の離形剤を塗布し、離形処理層２を形成する。
【００３４】
次いで、図１（ｂ）に示すように、ポリエチレンテレフタレート（以下、「ＰＥＴ」という）樹脂やアルミナ等の絶縁性材料で形成されたマスク部材（以下、「絶縁性マスク」という）３を離形処理層２に密着させ、コロナ放電処理を行なう。すなわち、ベースフィルム１を陰極４に載置すると共に、開口部３ａが貫設された絶縁性マスク３を離形処理層２に密着させ、陽極５と陰極４との間に高周波電源６を印加してコロナ放電を行う。そして、このコロナ放電処理により絶縁性マスク３の開口部３ａに対応する離形処理層２の表面（所定領域）にはカルボニル基（−ＣＯ）が生成され、所定パターン状に親水性が付与される。
【００３５】
すなわち、このようにコロナ放電処理で電力密度を調整することにより、離形性を損なうことなく親水性を付与することができ、例えば３０〜３００Ｗ／ｍ２・ｍｉｎの範囲で適宜電力密度を調整することにより、離形性に優れためっき皮膜を形成することができる。
【００３６】
尚、本実施の形態で、絶縁性マスクを使用したのは、導電性材料からなるマスク部材（以下、「導電性マスク」という）を使用した場合、コロナ放電が導電性の高い導電性マスクに集中し、このため親水性付与領域が開口部３ａよりも小さくなって所望のパターン状に親水性を付与することができなくなる虞があるからである。
【００３７】
そして、コロナ放電処理が終了した後、ベースフィルム１を活性化触媒イオンに配位する官能基を含有した有機化合物溶液に浸漬し、図１（ｃ）に示すように、親水性付与領域に前記有機化合物を吸着させ、有機化合物層７を形成する。
【００３８】
尚、活性化触媒イオンとしては、めっき皮膜の形成が可能となるような触媒イオン種であればよく、Ｐｔ、Ｐｄが使用可能であるが、本実施の形態では、良好な触媒活性を有するＰｄイオンを使用している。そして、斯かる活性化触媒イオンであるＰｄイオンに配位する官能基としては、アミノ基、エポキシ基が挙げられる。したがって、前記有機化合物層７を形成する有機化合物としては、アミノシラン、アミノシランオリゴマ、或いはエポキシシラン等を使用することができる。
【００３９】
次に、前記有機化合物層７が形成されたベースフィルム１をパラジウム触媒溶液に所定時間（例えば、３０秒間）浸漬し、Ｐｄイオンを有機化合物と配位結合させて有機化合物層７上にＰｄイオンを吸着させ、図１（ｄ）に示すように、活性化触媒層８を形成し、被めっき物を作製する。
【００４０】
尚、パラジウム触媒溶液としては、塩化パラジウム系溶液等を使用することができる。
【００４１】
次に、還元剤を含有した無電解めっき液に被めっき物を所定時間（例えば、４分間）浸漬する。そしてこれにより、Ｐｄイオンが還元剤によって還元され、図１（ｅ）に示すように、活性化触媒層８上に膜厚０．３〜０．５μｍのめっき皮膜９を形成する。
【００４２】
ここで、無電解めっき液としては、内部電極としての導電機能を発揮する金属をめっき析出させるものであればよく、例えば、めっき金属源としてＡｇ、Ｐｄ、Ｃｕ或いはＮｉを含有した無電解めっき液を使用することができる。
【００４３】
また、還元剤についても、これらめっき金属源に対し良好な還元性を有するものであれば特に限定されることはなく、各種金属源に対し、ホスフィン酸塩やアルデヒド化合物等を適宜使用することができる。
【００４４】
このように本第１の実施の形態では、活性化処理を行う前に離型層２に親水性付与処理を行っているので、強力な撥水性を有する離形剤を使用してベースフィルム１に離形処理も施しても、剥離性に優れた所望パターンのめっき皮膜９を形成することができる。
【００４５】
しかも、コロナ放電処理で親水性を付与することにより、パターニングを行っているので、フォトリソグラフィー工程でパターニングする場合のようにレジスト残渣が発生する絶縁不良等を生じることもない。
【００４６】
図２は本発明に係る薄膜形成方法の第２の実施の形態を示す製造工程図であって、本第２の実施の形態ではコロナ放電処理に代えて酸化物蒸着処理を行ない、これにより離形処理層２上の所定領域に親水性を付与している。
【００４７】
すなわち、まず、第１の実施の形態と同様、図２（ａ）に示すように、ベースフィルム１１の表面に強力な撥水性を有する離形剤、例えばシリコン系或いはフッ素系の離形剤を塗布し、離形処理層１２を形成する。
【００４８】
次いで、図２（ｂ）に示すように、開口部１３ａが貫設されたマスク部材１３を離形処理層１２に密着させて真空蒸着処理を行い、図２（ｃ）に示すように、前記開口部１３ａに対応する離形処理層１２の表面に酸化物層１４を形成し、該酸化物層１４により親水性を付与する。
【００４９】
尚、酸化物層１４としては、セラミック特性に悪影響を与えるものでなければ、特に限定されるものではなく、例えばＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＢａＯ、或いはＢａＴｉＯ３を使用することができる。
【００５０】
次いで、Ｐｄイオンに配位する官能基を含有した有機化合物溶液にベースフィルム１１を浸漬し、図２（ｄ）に示すように、酸化物層１４上に前記有機化合物を吸着させ、有機化合物層１５を形成する。
【００５１】
そしてこの後、第１の実施の形態と同様、図２（ｅ）に示すように、有機化合物層１５上に活性化触媒層１６を形成し、さらに、図２（ｆ）に示すように、活性化触媒層１６上にめっき皮膜１７を形成する。
【００５２】
このように本第２の実施の形態でも、活性化処理を行う前に離型層１２の所定領域に親水性を付与しているので、強力な撥水性を有する離形剤を使用してベースフィルム１１に離形処理も施しても、所望パターンの剥離性に優れためっき皮膜９を形成することができる。
【００５３】
次に、上記薄膜形成方法を使用した積層セラミック電子部品の製造方法について説明する。
【００５４】
図３は積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの一実施の形態を示す断面図である。
【００５５】
該積層セラミックコンデンサは、ＢａＴｉＯ３を主成分とする誘電体材料からなるセラミック焼結体２１に内部電極２２（２２ａ〜２２ｆ）が埋設されると共に、該セラミック焼結体の両端部には外部電極２３ａ、２３ｂが形成され、さらに該外部電極２３ａ、２３ｂの表面にはめっき皮膜２４ａ、２４ｂが形成されている。
【００５６】
各内部電極２２ａ〜２２ｆは積層方向に並設されると共に、内部電極２２ａ、２２ｃ、２２ｅは外部電極２３ａと電気的に接続され、内部電極２２ｂ、２２ｄ、２２ｆは外部電極２３ｂと電気的に接続されている。そして、内部電極２２ａ、２２ｃ、２２ｅと内部電極２２ｂ、２２ｄ、２２ｆとの対向面間で静電容量を形成している。
【００５７】
次に、上記積層セラミックコンデンサの製造方法を説明する。
【００５８】
図４は積層セラミックコンデンサの製造方法の一実施の形態（第１の実施の形態）を示すブロック工程図である。
【００５９】
薄膜形成工程３１では上述した薄膜形成方法でベースフィルム上にめっき皮膜を形成する。
【００６０】
次いで、セラミックシート作製工程３２では、ベースフィルム上にセラミックスラリーを載置し、ドクターブレード法等により該セラミックスラリーに成形加工を施し、セラミックシートを作製する。
【００６１】
続く積層体作製工程３３では、所定の熱圧着処理を施した後、セラミックシート及びめっき皮膜をベースフィルムから同時に引き剥がす。この場合、ベースフィルムの表面には離形処理が施されているので、めっき皮膜が所定パターンを維持した状態でセラミックシート及びめっき皮膜をベースフィルムから容易に同時に剥がすことができる。
【００６２】
その後、めっき皮膜の形成されたセラミックシートを積み重ね、該セラミックシートを積み重ねる毎に熱圧着処理を行った後、ベースフィルムをめっき皮膜及びセラミックシートから引き剥がし、これにより所定枚数のセラミックシートが積層されたセラミック積層体を作製する。
【００６３】
次いで、焼成工程３４に進み、窒素雰囲気下で所定温度（例えば、２５０〜３５０℃）に加熱し、バインダを燃焼させて該バインダを除去した後、焼成温度１０００〜１２００℃で約２時間、焼成処理を施し、セラミック焼結体２１を作製する。
【００６４】
その後、外部電極形成工程３５では、ガラスフリットをＣｕ等の導電性材料に含有させた導電性ペーストを使用し、該導電性ペーストをセラミック焼結体２１の両端面に塗布した後、焼付処理を行なって外部電極２３ａ、２３ｂを形成する。
【００６５】
最後にめっき工程３６では、電解めっき又は無電解めっきを行い、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎｉ−Ｃｕ合金等のめっき皮膜２４ａ、２４ｂを外部電極２３ａ、２３ｂの表面に形成し、これにより積層セラミックコンデンサが製造される。
【００６６】
このように本第１の実施の形態に係る製造方法によれば、上記薄膜形成方法を使用して積層セラミックコンデンサを製造しているので、所定パターンの内部電極が形成されて所望の電気特性を有する積層セラミック電子部品を得ることができる。
【００６７】
しかも、１つのベースフィルム上にめっき皮膜とセラミックシートとを形成し、該めっき皮膜及びセラミックシートをベースフィルムから同時に引き剥がすことができるので、めっき皮膜とセラミックシートとを別々のベースフィルム上に形成する必要がなく、低コストで製造することができる。
【００６８】
図５は積層セラミックコンデンサの第２の実施の形態を示す要部ブロック工程図であって、本第２の実施の形態では別途作製されたセラミックシートにめっき皮膜を転写し、これによりセラミックシート上にめっき皮膜を形成している。
【００６９】
まず、薄膜形成工程４１では、第１の実施の形態と同様、ベースフィルム（第１のフィルム）上にめっき皮膜を形成する。
【００７０】
また、セラミックシート作製工程４２では、別途、表面に離形処理が施されたベースフィルム（第２のフィルム）上にセラミックスラリーを載置し、ドクターブレード法等によりセラミックスラリーに成形加工を施し、ベースフィルム上に所定膜厚のセラミックシートを作製し、該セラミックシートをベースフィルムから引き剥がす。
【００７１】
次いで、転写工程４３ではセラミックシートとめっき皮膜とが当接するようにセラミックシート上にベースフィルムを配置し、８０〜１００℃の加熱下、１．９６×１０６〜４．９０×１０７Ｐａの圧力でめっき皮膜とセラミックシートとを圧着し、その後、ベースフィルムをめっき皮膜から引き剥がすことにより、めっき皮膜はセラミックシートに転写される。
【００７２】
次に、積層体作製工程４４では、めっき皮膜が転写されたセラミックシートを所定枚数積層し、積層体を作製する。
【００７３】
そしてその後は第１の実施の形態と同様、焼成工程３４→外部電極形成工程３５→めっき工程３６を実行し、これにより積層セラミックコンデンサが製造される。
【００７４】
このように本第２の実施の形態に係る製造方法においても、上記薄膜形成方法を使用して積層セラミックコンデンサを製造しているので、所定パターンの内部電極が形成されて所望の電気特性を有する積層セラミック電子部品を得ることができる。
【００７５】
【実施例】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【００７６】
（実施例１）
本発明者は、まず、ＰＥＴからなるベースフィルム（ＰＥＴフィルム）の表面にシリコン系離形剤を塗布し、離形処理層を形成した。
【００７７】
次いで、開口部が貫設されたＰＥＴ樹脂からなる絶縁性マスクを離形処理層に密着させ、コロナ放電処理を行ない、前記開口部に対応する所定領域に親水性を付与した。尚、コロナ放電処理は電極間ギャップを１ｍｍ、電力密度を１００Ｗ／ｍ２・ｍｉｎ、走査速度を３ｍｍ／ｍｉｎで行った。
【００７８】
次に、室温下、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）３ＳｉＣ３Ｈ６ＮＨＣ２Ｈ４ＮＨ２）溶液（以下、「アミノシラン化合物溶液」という）にベースフィルムを３０秒間浸漬し、アミノシラン化合物を親水性付与領域に吸着させ、アミノシラン層を形成し、その後水洗した。
【００７９】
次いで、室温下、ベースフィルムをＰｄ触媒液（奥野製薬社製アクチベーター）に３０秒間浸漬し、Ｐｄをアミノシラン化合物と配位結合させて該Ｐｄをアミノシラン化合物に吸着させ、被めっき物を作製し、その後水洗した。
【００８０】
次いで、浴温６５℃、ｐＨ６．５に調製された無電解Ｎｉめっき液（奥野製薬社製トップケミアロイ６６）に被めっき物を４分間浸漬し、ＰＥＴフィルム上に膜厚０．４μｍのＮｉ皮膜を形成した。
【００８１】
次に、本発明者らは、焼成後の厚みが３μｍとなるようなＢａＴｉＯ３系セラミックシートを用意した。
【００８２】
そして、Ｎｉ皮膜がセラミックシートと対向するようにＰＥＴフィルムをセラミックシートに貼り合わせ、温度８０℃、２０ＭＰａの圧力を負荷して熱圧着処理を行い、Ｎｉ皮膜をセラミックシートに転写した。
【００８３】
次いで、このようにＮｉ皮膜の形成されたセラミックシートを所定寸法に裁断した後、１１層のめっき皮膜を有するようにセラミックシートを積層し、セラミック積層体を形成した後、所定寸法に切断した。
【００８４】
そして、セラミック積層体を窒素雰囲気下、温度２７０℃で脱脂処理を行い、その後、温度１２００℃で焼成処理を行い、セラミック焼結体を作製した。
【００８５】
次いで、セラミック焼結体の両端面にＣｕを主成分とする導電性ペーストを塗布した後、焼付処理を行って外部電極を形成し、実施例１の試験片を作製した。
【００８６】
（実施例２）
まず、実施例１と同様、ＰＥＴフィルムの表面にシリコン系離形剤を塗布し、離形処理層を形成した。
【００８７】
次いで、開口部が貫設された導電性マスクを離形処理層に密着させ、真空蒸着処理を行い、前記開口部に対応する離形処理層の表面に膜厚５ｎｍのＳｉＯ２層を形成し、所定パターン状に親水性を付与した。
【００８８】
次に、ＰＥＴフィルムを、実施例１と同様のアミノシラン化合物溶液に室温下、３０秒間浸漬し、アミノシラン化合物をＳｉＯ２層に吸着させ、アミノシラン層を形成した。
【００８９】
そしてその後、実施例１と同様の方法・手順で触媒化処理・無電解Ｎｉめっき処理を行い、さらに熱圧着処理、積層加工、焼成処理を経て外部電極を形成し、実施例２の試験片を作製した。
【００９０】
（測定結果）
次に、本発明者らは実施例１、２についてＮｉ皮膜の膜厚、焼成後の内部電極の膜厚、Ｎｉ皮膜の剥離性試験、静電容量を測定した。
【００９１】
表１はその測定結果を示している。
【００９２】
【表１】
2004183048.tif 000003
Ｎｉ皮膜の膜厚は、蛍光Ｘ線膜厚計で測定した。また、内部電極の膜厚は、セラミック焼結体の断面を研磨し、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、測定した。
【００９３】
剥離性試験は、Ｎｉ皮膜にセロハン粘着テープを貼着し、引き剥がしたときにＮｉ皮膜がＰＥＴフィルムから剥離してセロハン粘着テープに転写されるか否かを確認した。
【００９４】
また、静電容量はヒューレット・パッカード社製、４２８４Ａで測定した。
【００９５】
この表１から明らかなように、実施例１、２のいずれにおいても、剥離性試験ではＮｉ皮膜がセロハン粘着テープに転写され、Ｎｉ皮膜の形状パターンを損傷することなくＰＥＴフィルムから容易に引き剥がすことのできることが確認された。
【００９６】
また、静電容量も７０ｎＦ、６６ｎＦでありコンデンサの内部電極として十分に機能することも分かった。
【００９７】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明に係る薄膜形成方法は、フィルム表面に離形剤を塗布して離形処理層を形成した後、所定パターン状に親水性を付与する親水性付与処理を施し、次いで、活性化触媒イオンに配位する官能基を含有した有機化合物を前記親水性が付与された所定領域に吸着させ、そしてこの後、活性化触媒を前記所定領域に吸着させ、その後無電解めっきを施して金属薄膜を形成するので、離形性に優れた所望パターンの金属皮膜を形成することができる。
【００９８】
また、前記親水性付与処理はコロナ放電処理とすることにより、表面にカルボニル基が生成され、容易に親水性を付与することができ、簡単かつ低コストでフィルム上の所定領域に親水性を付与することができる。
【００９９】
また、絶縁性材料からなるマスク部材を介して前記コロナ放電処理を施すので、容易に所望領域にのみ親水性を付与することができる。
【０１００】
また、前記親水性付与処理は、酸化物蒸着処理であっても、コロナ放電処理と同様、ベースフィルム上の所定領域に親水性を付与することができる。
【０１０１】
また、前記有機化合物は、アミノ基を含有したシラン化合物であり、前記活性化触媒イオンは、Ｐｄイオンを含むので、親水性付与領域にのみ無電解めっきに好適な触媒活性化を付与することができる。
【０１０２】
また、前記金属薄膜は、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ及びＮｉの中から選択された１種以上を含むので、内部電極として好適な機能を有する金属薄膜を形成することができる。
【０１０３】
また、本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、上記いずれかの薄膜形成方法によりフィルム上に金属薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記金属薄膜が形成されたフィルム上でセラミックスラリーに成形加工を施し、セラミックグリーンシートを作製するセラミックグリーンシート作製工程と、前記フィルムから前記金属薄膜及び前記セラミックグリーンシートを引き剥がすと共に、前記金属薄膜が表面に形成された前記セラミックグリーンシートを積層して積層体を作製する積層体作製工程とを含むので、所定パターンの内部電極が形成されて所望の電気特性を有する積層セラミック電子部品を製造することができる。
【０１０４】
しかも、１つのベースフィルム上にめっき皮膜とセラミックシートとを形成し、該めっき皮膜及びセラミックシートをベースフィルムから同時に引き剥がすことができるので、めっき皮膜とセラミックシートとを別々のベースフィルム上に形成する必要がなく、低コストで製造することができる。
【０１０５】
また、本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、上記いずれかの薄膜形成方法により第１のフィルム上に金属薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記金属薄膜が形成されていない第２のフィルム上でセラミックスラリーに成形加工を施し、セラミックグリーンシートを作製するセラミックグリーンシート作製工程と、前記第１のフィルム上に形成された前記金属薄膜を前記セラミックグリーンシートに転写する転写工程と、前記金属薄膜が転写された前記セラミックグリーンシートを積層して積層体を作製する積層体作製工程とを含むことによっても、上述と同様、所定パターンの内部電極が形成されて所望の電気特性を有する積層セラミック電子部品を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る薄膜形成方法の一実施の形態（第１の実施の形態）を示す製造工程図である。
【図２】本発明に係る薄膜形成方法の第２の実施の形態を示す製造工程図である。
【図３】本発明の製造方法で製造された積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの一実施の形態を示す断面図である。
【図４】積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの製造方法の一実施の形態（第１の実施の形態）を示す製造工程図である。
【図５】積層セラミックコンデンサの製造方法の第２の実施の形態を示す製造工程図である。
【符号の説明】
１    ベースフィルム（フィルム）
２    離形処理層
９    めっき皮膜（金属薄膜）
１１  ベースフィルム（フィルム）
１２  離形処理層
１７  めっき皮膜（金属薄膜）
３１  薄膜形成工程
３２  セラミックシート作製工程
３３  積層体作製工程
４１  薄膜形成工程
４２  セラミックシート作製工程
４３  転写工程
４４  積層体作製工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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