(57)【要約】【課題】  本発明は、真球度が高く、粒径の揃った微小金属球を容易に得ることができる製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明は直径φのワイヤ材を所定の間隔に切断し、切断後の長さＬが２ｍｍ以下、φとＬとの比が０．１≦Ｌ／φ≦３．０である金属片を得、ついで該金属片をプラズマ炎中に導入して球状化する微小金属球の製造方法である。  上記本発明では金属片はＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌの何れかの金属またはこれらを主体とする合金であることが好ましい。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
直径φのワイヤ材を所定の間隔に切断し、切断後の長さＬが２ｍｍ以下、φとＬとの比が０．１≦Ｌ／φ≦３．０である金属片を得、ついで該金属片をプラズマ炎中に導入して球状化することを特徴とする微小金属球の製造方法。
【請求項２】
金属片はＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌの何れかの金属またはこれらを主体とする合金であることを特徴とする請求項１に記載の微小金属球の製造方法。
【請求項３】
金属片の平均体積が５×１０−４ｃｍ３以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の微小金属球の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真球度が高く、粒径の揃った微小金属球を得る製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、真球度が高く、粒径の揃った微小金属球が様々な分野で要求されている。例えば電子機器の製造分野では、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれる形態の接合方法が広く行われるようになっており、こられの接合方法では微小金属球が用いられる。ＢＧＡ、ＣＳＰは何れもパッケージの裏面に入出力用のパッドを並べたＩＣパッケージであり、金属球を予め搭載しているパッケージを、実装基板上に設置し、一括リフローによりパッケージと実装基板とを接合を行う技術である。
【０００３】
電子機器の高性能化に伴い、ＢＧＡ、ＣＳＰ等により電子機器を構成する各部品を接合する際には、高精度な接合寸法が要求されている。従来、要求される接合寸法は、縦、横の平面方向についてであったが、一部の電子機器に用いられる電子部品では、平面方向に加え、高さ方向、すなわち部品を接合する基板と部品との間隔についても高精度な接合寸法が要求されるようになっている。言いかえると、このような電子機器では、接合部は単に電気的な導通部としての機能のみならず、スペーサとしての機能も要求されるようになっている。
【０００４】
通常、ＢＧＡ、ＣＳＰ等の接続では融点の低いＳｎ基のはんだ合金からなる微小金属球が用いられているが、スペーサとしての機能が要求される上記の用途では、はんだ合金と比べて融点の高いＣｕ等の微小金属球にはんだ合金を被覆したものが用いられている。
【０００５】
例示したこれらの用途に用いられる微小金属球では、粒径が小さいのみならず、真球度が高く、粒径のばらつきが小さいことが併せて要求される。現在このような微小金属は、定尺に切断された金属細片を、上部がこの金属細片の融点より高く、下部が融点以下の油中に上部から投入し、表面張力を利用して球状化させる油中冷却法や、縦配列された炉芯管内で、金属細片を自由落下させながら金属細片をその融点以上に加熱して、球状化させる方法（例えば特許文献１、２参照。）などにより製造されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平４−０６６６０１号公報
【特許文献２】特開平８−２９５９０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述の方法は、定量に分断された金属片を溶解し、表面張力により球状化した後、凝固させるので、真球度が高く、粒径が揃った微小金属球を製造することが出来る。
しかしながら油中冷却法は、はんだ等の低融点の金属、換言すると融点が油の沸点以下の金属にしか適用することが出来ない為、Ｃｕや、Ｗ、Ｍｏ等の融点の高い金属を球状化することは不可能である。
【０００８】
また、特許文献１、２に記載の方法は、油中冷却法と比べると金属片を高温に加熱することが可能であるものの、炉中を自由落下させる為、金属片は炉の高温部分を短時間で通過するため、十分な加熱が出来ない場合がある。また、微小な金属片の場合は、炉心管内部の対流の為、飛散したり、炉内部への付着が避けられない。これは炉の寿命を短くするほか、粉末を回収できないという問題がある。さらに、高融点の金属片を球状化する場合には金属片の融点と比較して十分な温度まで炉の温度を上げることが出来ない為、一層、金属片の加熱が不足し、球状化を達成することが困難である。
【０００９】
本発明は上記課題に鑑み、真球度が高く、粒径の揃った微小金属球を容易に得ることができる製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、ワイヤ材を所定の寸法に切断した金属片をプラズマにより加熱・成形することにより上記問題を解決するに至った。
【００１１】
すなわち本発明は、直径φのワイヤ材を所定の間隔に切断し、切断後の長さＬが２ｍｍ以下、φとＬとの比が０．１≦Ｌ／φ≦３．０である金属片を得、ついで該金属片をプラズマ炎中に導入して球状化する微小金属球の製造方法である。
本発明において金属片はＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌの何れかの金属またはこれらを主体とする合金であることが好ましい。また、金属片の平均体積は５×１０−４ｃｍ３以下であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、真球度が高く、粒径の揃った微小金属球の製造が可能である。加えて、微小金属球の表面の清浄化も同時に達成することが可能である。このような特徴を具備する微小金属球は、電子部品やマイクロマシン等の製造において欠くことの出来ないものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
上述したように、本発明の重要な特徴は、ワイヤ材を所定の間隔に切断してなる金属片をプラズマ炎中に導入する構成を採用したことにある。
【００１４】
本発明で適用するプラズマ炎とは気体にエネルギを加える事で気体中の分子を原子の状態に解離し、原子をさらにイオンと電子に電離させた電離気体であり、電気炉により金属片の加熱を行う従来の製造方法と比べて非常に高い温度、具体的には、高温部では温度が５０００℃以上に加熱することが可能である。このようにプラズマ炎では極めて高温の雰囲気を、はんだ合金と比べて融点の高い融点が５００〜２０００℃、さらにはそれ以上の金属や合金からなる金属片であっても、プラズマ炎の高温部に金属片が導入さると、プラズマ炎の高い熱伝導率により、金属片は瞬時に溶解する。
【００１５】
加えて、プラズマ炎を用いた場合、高温となるのはプラズマ炎のみであり、プラズマ炎から外れた位置では急激に温度が低下する。言いかえると、局所的に極めて高温の雰囲気を達成でき、プラズマ炎とそれ以外の場所との間では急激な温度勾配を形成できる。この急激な温度勾配により、プラズマ炎の高温部において金属片は溶解、自身の表面張力により球状化し、球状化した金属片はプラズマ炎からはなれると、すばやく融点以下に冷却され、凝固して金属球を形成することができる。したがって、実質的に自由落下している短時間で、高融点の金属を効率的に球状化することが可能となる。
【００１６】
このようなプラズマ炎中での溶解から凝固の過程では、溶解から凝固が単一の金属片で行われたものは短時間で溶解、凝固を行うので、溶融中の蒸発量が少なく、殆ど体積の変動を生じない。したがって、ワイヤ材を所定の間隔に切断してなる金属片、即ち体積の揃った金属片を用いることで、粒径の揃った微小金属球とすることができるのである。溶解から凝固の過程が単一の金属片で行われず、溶解中に他の金属片と接触して体積が変動するものもあるが、これらの金属球では、単一の金属片が凝固したものと比べて体積や形状が大きく異なる為、分級により容易に取り除くことが可能である。
以上に述べた製造方法により、粒径の揃った微小金属球を効率的に製造することができる。
【００１７】
加えて本発明の製造方法では、金属片に形成している酸化物を、溶融、球状化過程において低減することも可能であり、従来の製造方法と比べて表面の清浄な微小金属球を得ることができる。これは、本発明の製造方法では既に述べたようにプラズマ炎の高温部では温度が５０００℃以上に達するが、プラズマ炎中において金属片が５０００℃のような高温に加熱されると、金属片表面で酸化物を形成している酸素は解離し、雰囲気中に飛散するためである。
【００１８】
微小金属球が電子機器に用いられる場合には、微小金属球の抵抗率を低くする等の理由から、表面の汚染や、酸化が少ないことが要求されるが、本発明の製造方法によればこのような用途に適した微小金属球を製造することが可能となる。したがって、本発明の製造方法は、導電性材料として用いられる金属や合金、具体的にはＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌの何れかの金属またはこれらを主体とする合金の球状化に適用することが特に好ましい。
さらに、金属片の溶融、球状化、凝固を還元雰囲気のプラズマ中で行うことで、より酸素含有量の低い金属球を得ることができる。
【００１９】
また逆に、表面を酸化被膜で構成した金属球が必要な場合には、酸素を導入した酸化雰囲気のプラズマ炎を用いることで金属球の表面を酸化させることも可能である。
【００２０】
以上に述べた金属や合金の他にも、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒ等の金属またはこれらを主体とする合金からなる微小金属球を製造するにおいても本発明の製造方法は有効である。これらの金属または合金からなる微小金属球は、上記のように電子機器において電極材やスペーサとして用いられる他、小型ベアリング用のボールやコンタクトプローブ用のボールとして用いられる。
【００２１】
また本発明では、金属片は長さＬが２ｍｍ以下、切断前のワイヤ材直径φ、長さＬの比が０．１≦Ｌ／φ≦３．０であることを要件とする。
直径φに対する長さＬの割合が小さいと、切断が困難であるのみならず、金属片の表面積における切断部面積の割合が大きくなる。切断はカッタ等により行われ、この場合切断部では塑性変形を生じるが、切断部及びその周辺は形状が不均一である。そのため切断部が占める面積割合が大きいと、金属片の体積が不均一となる。よって、切断後の金属片における体積のばらつきを小さくする為、０．１≦Ｌ／φとする。
【００２２】
一方、直径φに対する長さＬの割合が大きすぎると、プラズマ炎中での球状化において、溶解時に金属片が長手方向に２以上に分断しやすくなり、均一な大きさの微小金属球を得ることが困難となる。よってＬ／φ≦３．０とする。好ましくは１．０≦Ｌ／φ≦２．０である。また、長く切断され体積が大きいワイヤ材は、プラズマ炎中を自由落下する短時間では溶解が不十分となる場合があるので、切断後のワイヤの長さを２ｍｍ以下とする。好ましくは１ｍｍ以下、より好ましくは０．５ｍｍである。
【００２３】
本発明の製造方法では、金属片の平均体積は５×１０−４ｃｍ３以下であることが好ましい。既に述べたように本発明の特徴は、プラズマ炎を用いることにより金属片を短時間で溶解、球状化、凝固することである。金属片の寸法が微小なほどこのプロセスを短時間で行うことが可能となり好ましい。具体的には金属片の平均体積は５×１０−４ｃｍ３以下であることが好ましい。
【００２４】
本発明では、金属片は体積のＣＶ値が５％以下であることが好ましい。
本発明で用いるＣＶ値とは、金属片の体積の均一さを表す値であり、金属片の平均体積Ｖａｖｅ及び、金属片の体積分布の標準偏差σＶから下記の式で算出される値である。
ＣＶ値＝σＶ／Ｖａｖｅ×１００  （％）
【００２５】
先に述べたように、本発明の金属球の製造方法では、溶解から凝固の過程では、溶解から凝固が単一の金属片で行われたものでは、殆ど体積の変動を生じない。言いかえると、溶解から凝固の過程が単一の金属片で行われず、体積や形状が大きく異なる金属球を分級により取り除いた後の金属球のばらつきは、プラズマ炎中に導入する前の金属片のばらつきに依存する。
よって、本発明において直径の揃った金属球を得るには、体積の揃った金属片を用いることが好ましい。
【００２６】
金属片の体積の均一さを表す値であるＣＶ値が５％以下の金属片を用いることで、より直径の揃った金属球を得ることができ、加えて金属球の表面における微粉末の付着を低減し、表面の清浄化を達成することができる。ＣＶ値が１％以下の金属片を用いることがより好ましい。さらに好ましくは０．５％以下である。
【００２７】
以上に述べたように、本発明の製造方法によれば、融点が高い為、従来、球状化が困難であった高融点の金属片を、表面の酸化や汚染を抑制した状態で効率的に球状化することが可能となる。従って、本発明の製造方法によれば、様々な材質の微小金属球を得ることができる。
【００２８】
本発明の金属球の製造方法は例えば図１に一例を示す装置により実施することができる。
図１において、水冷管１０により冷却されているＲＦプラズマトーチ８は、プラズマ動作ガス供給装置１１によりプラズマ動作ガス供給位置６から供給されるプラズマ動作ガスと、コイル７から発生する高周波エネルギによりプラズマ炎３を発生する。
原料供給装置１（例えば電磁振動原料供給装置）に投入された所定の寸法に切断された金属片は、キャリアガスと共に原料供給位置２よりプラズマ炎３内部の高温部（５０００〜１００００℃）に投入される。プラズマ炎中に投入された原料は瞬時に溶融し、表面張力により球状となる。
【００２９】
プラズマ炎の上流側に位置する原料供給位置２から供給された原料は、十分に加熱、溶融された状態で水素ガスを含有する精錬効果の高いプラズマ部分を通過し、酸化物などの不純物が低減される。
プラズマ炎内で処理された金属片はチャンバ４中を落下しながら不活性ガス雰囲気中で凝固し、微小金属球９として下部の微小金属球回収部５に集められ、回収される。
以上のようにして、表面酸化、汚染が少なく、粒径の揃った微小金属球を効率的に製造することができる。
【００３０】
本発明に適用することができる、プラズマ炎には代表的なものとしてＤＣプラズマ、ＲＦプラズマがあるが、本発明にはＲＦプラズマを用いることが好ましい。ＲＦプラズマは、ＤＣプラズマと異なり、電極が不要で、電極材料等に起因する不純物の混入の少ない為である。加えて、ＲＦプラズマでは、ＤＣプラズマと比べて、プラズマ動作ガスのガス流速を低く出来る為、プラズマ炎中での金属片の滞留時間を長くすることで、十分に金属片を加熱することが可能である。
【００３１】
また、プラズマ炎を発生する為のプラズマ動作ガスには、一般にプラズマ動作ガスとして用いられているアルゴンガス、窒素ガス等を用いることができるが、これに水素ガスを含有させることが好ましい。
本発明では金属片をプラズマ炎中に導入することで微小金属球表面での酸素濃度を低減することができるが、さらに、プラズマ動作ガス中に水素を導入すれば、水素イオン、励起原子などの還元反応により酸素濃度を一層低下することが可能となる。プラズマ動作ガス中に水素ガスを含有させる場合、十分な効果を得る為にはプラズマ動作ガス中の水素ガスの濃度を１ｖｏｌ％以上とすることが好ましい。より好ましくは３ｖｏｌ％以上である。なお、水素ガスの濃度が高くすることで、より酸素濃度を低減することが出来るが、一方、水素ガスを過度に含有させるとプラズマ炎が不安定となり、金属片の球状化を達成できなくなる場合がある。よって水素ガスは２０ｖｏｌ％以下で含有することが好ましい。
【実施例１】
【００３２】
図１に記載のＲＦプラズマ装置を用いて、質量％でＡｇを７１％含有し、残部実質的にＣｕである金属片を用い、目標直径が３００．０μｍの微小金属球を以下に示す製造条件で作製した。プラズマ炎に導入するＡｇ−Ｃｕ合金（金属片）は直径０．２ｍｍのワイヤを回転刃により、一定寸法に切断して作製した。金属片のＣＶ値は、約６０ｐｃｓの金属片を用い、各金属片の側面（軸に水平な面）を写した画像から金属片の長さ、及び直径を測定し、その測定値より算出する値である。また、金属球のＣＶ値は、約６０ｐｃｓの微小金属球を用い、微小金属球を写した画像の任意の位置において直径を測定し、その測定値より算出する値である。
【００３３】
（製造条件）
金属片寸法：φ０．２ｍｍ×Ｌ０．４５０ｍｍ（体積１．４×１０−５ｃｍ３、Ｌ／φ＝２．２５）
金属片のＣＶ値：０．４７％
プラズマ動作ガス：Ａｒ  ３０Ｌ／ｍｉｎ、Ｈ２  １Ｌ／ｍｉｎ、混合ガス
プラズマトーチ：水冷式石英管φ５０ｍｍ、高周波誘導コイルφ７０ｍｍ
チャンバ：最大内径φ８００ｍｍ、最大内高１５００
チャンバ内雰囲気：Ａｒガス雰囲気
原料供給装置：電磁フィーダー
高周波誘導コイル入力条件：４ＭＨｚ、１０ｋＷ
【００３４】
上述の製造条件により得られた金属球について、粒径が大きく異なる金属球を取り除く為のふるい分級、及び二以上の金属球が連なったものを取り除く転がし分級（傾斜させた平板上で金属球を転がし、直進しないものを取り除く分級方法）を行ない、プラズマ炎に導入した金属片の重量に対して、約３０％の重量の金属球を回収した。分級後の金属球から無作為に１００球を抽出し、平均直径、平均真円度を測定した。これらは抽出した微小金属球のＳＥＭ像について画像分析を行ない、投影面積を円と仮定した場合の直径（円相当径）から平均直径を、真球度＝円相当径／最大径から平均真円度を算出して求めた。また円相当径から、金属球の体積を算出して、金属球について体積のＣＶ値を求めた。加えてＩＣＰ法により金属球中の酸素含有量の分析を行った。結果を表１に示す。
【００３５】
表１に示すように、目標とする直径で、真球度の高い金属球を製造することができている。また、金属球のＣＶ値は０．４７となり、プラズマ炎中に導入した金属片のＣＶ値と同じ値となっている。加えて、酸素含有量も装置の検出限界である１ｐｐｍ以下と非常に低い値を達成することが出来ている。
【００３６】
上記の本発明の製造方法でははんだ合金等の低融点金属と比べて高融点の金属を球状化することが可能である。これにより得られる微小金属球は、例えばプリント基板と電子部品等を接合するにおいて、両者を電気的に接続すると共に、間隔を任意の寸法に固定する導電性スペーサ金属球として用いることができる。
【００３７】
また、ＢＧＡ接続においても通常のはんだボールによる接続よりも融点が高いため、ＢＧＡ基板の周辺部に微小金属球を設置し、これらをＥＢ等であらかじめ溶融して接着しておけば、はんだボールを溶融するＢＧＡ基板のリフロー時にはんだと比べて融点が高いため溶融せず、結果として、潰れてしまうのを防ぐ機能を付加することができる。したがって、リフローによるＢＧＡ接続の信頼性の向上が得られる。
本発明の製造方法により得られる微小金属球は必要に応じ、表面にはんだなどの低融点の金属を被覆したり、Ａｕめっきを施すなどして用いることもできる。
【００３８】
【表１】
2004232084.tif 000003
【実施例２】
【００３９】
図１に記載のＲＦプラズマ装置を用いて、実質的にＣｕ（不可避的不純物含む）からなる金属片を用い、目標直径が３００．０μｍの金属球を以下に示す製造条件で作製した。この際、金属片のＣＶ値が異なる２条件で製造を行った。なお、金属片の作製、及びＣＶ値の測定は実施例１と同様にして行った。
【００４０】
（製造条件）
金属片寸法：φ０．２ｍｍ×Ｌ０．４５０ｍｍ（体積１．４×１０−５ｃｍ３、Ｌ／φ＝２．２５）
プラズマ動作ガス：Ａｒ  ３０Ｌ／ｍｉｎ
プラズマトーチ：水冷式石英管φ５０ｍｍ、高周波誘導コイルφ７０ｍｍ
チャンバ：最大内径φ８００ｍｍ、最大内高１５００
チャンバ内雰囲気：Ａｒガス雰囲気
原料供給装置：電磁フィーダー
高周波誘導コイル入力条件：４ＭＨｚ、１２ｋＷ
【００４１】
上述の製造条件により得られた金属球について実施例１と同様の分級を行ない、プラズマ炎に導入した金属片の重量に対して、約４０％の重量の金属球を回収した。分級後の金属球から無作為に約６０球を抽出し、実施例１と同様の方法により金属球の平均粒径、金属球のＣＶ値、酸素含有量の測定を行った。結果を表２に示す。
【００４２】
【表２】
2004232084.tif 000004
【００４３】
表２に示すように、プラズマ炎中に導入した金属片のＣＶ値と、分級後の金属球のＣＶ値は一致している。よって、金属片のばらつきを小さくすることにより、分級後の金属球における直径のばらつきを小さくすることが可能である。
【実施例３】
【００４４】
図１に記載のＲＦプラズマ装置を用いて、実質的にオーステナイト系ステンレス（Ｆｅ−１９．４５Ｃｒ−９．７７Ｎｉ−０．１Ｃ（ｍａｓｓ％）、ＪＩＳ  ＳＵＳ３０４）からなる金属片を用い、目標直径が１００．０μｍの金属球を以下に示す製造条件で作製した。なお、金属片の作製、及びＣＶ値の測定は実施例１と同様にして行った。なお、金属片の組成の測定はＬＥＣＯ法により実施した。
【００４５】
（製造条件）
金属片寸法：φ０．２ｍｍ×Ｌ０．１３５ｍｍ（体積４．１×１０−６ｃｍ３、Ｌ／φ＝０．６７５）
金属片のＣＶ値：１．５７％
プラズマ動作ガス：Ａｒ  ３０Ｌ／ｍｉｎ
プラズマトーチ：水冷式石英管φ５０ｍｍ、高周波誘導コイルφ７０ｍｍ
チャンバ：最大内径φ８００ｍｍ、最大内高１５００
チャンバ内雰囲気：Ａｒガス雰囲気
原料供給装置：電磁フィーダー
高周波誘導コイル入力条件：４ＭＨｚ、１０ｋＷ
【００４６】
上述の製造条件により得られた金属球について実施例１と同様の分級を行ない、プラズマ炎に導入した金属片の重量に対して、約９８％の重量の金属球を回収した。分級後の金属球から無作為に約６０球を抽出し、実施例１と同様の方法により金属球の平均粒径、金属球のＣＶ値の測定を行った。結果を表３に示す。
【００４７】
【表３】
2004232084.tif 000005
【００４８】
表３に示すように、目標とする直径で、真球度の高い金属球を製造することができている。また、金属球のＣＶ値は１．５８％となり、プラズマ炎中に導入した金属片のＣＶ値と同じ値となっている。加えて、金属球の組成分析の結果、金属片と同じ組成の変動が無いことが確認された。
【実施例４】
【００４９】
図１に記載のＲＦプラズマ装置を用いて、実質的にＡｌ（不可避的不純物含む）からなりＣＶ値が０．７０％の金属片を用い、目標直径が３００．０μｍの金属球を以下に示す製造条件で作製した。なお、金属片の作製、及びＣＶ値の測定は実施例１と同様にして行った。
【００５０】
（製造条件）
金属片寸法：φ０．３ｍｍ×Ｌ０．２００ｍｍ（体積１．４×１０−５ｃｍ３、Ｌ／φ＝０．６６７）
プラズマ動作ガス：Ａｒ  ３０Ｌ／ｍｉｎ
プラズマトーチ：水冷式石英管φ５０ｍｍ、高周波誘導コイルφ７０ｍｍ
チャンバ：最大内径φ８００ｍｍ、最大内高１５００ｍｍ
チャンバ内雰囲気：Ａｒガス雰囲気
原料供給装置：電磁フィーダー
高周波誘導コイル入力条件：４ＭＨｚ、１９ｋＷ
【００５１】
上述の製造条件により得られた金属球について実施例１と同様の分級を行ない、プラズマ炎に導入した金属片の重量に対して、約９７％の重量の金属球を回収した。分級後の金属球から無作為に約６０球を抽出し、実施例１と同様の方法により金属球の平均粒径、金属球のＣＶ値の測定を行った。結果を表４に示す。また、得られた金属球の表面を示す走査電子顕微鏡像を図２に、金属球の断面を示す走査電子顕微鏡像を図３に示す。
【００５２】
【表４】
2004232084.tif 000006
【００５３】
表４、図２に示すように真円度の高い金属球が得られている。また、プラズマ炎中に導入した金属片のＣＶ値と、分級後の金属球のＣＶ値は一致している。よって、金属片のばらつきを小さくすることにより、分級後の金属球における直径のばらつきを小さくすることが可能である。
また図３に示すように、本発明の製造方法によれば内部に空隙の無い金属球を得ることができている。従って、実施例１で述べるたように金属球を溶融して用いる場合でも、溶融前後で体積の変動を生じることが無く、非接合体同士の高さを正確に制御することを要するＢＧＡ接続の用途にも好適である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の製造方法を実施する製造装置の一例を示す模式図である。
【図２】本発明の製造方法によるＡｌ金属球の表面を示す走査電子顕微鏡写真である。
【図３】本発明の製造方法によるＡｌ金属球の断面を示す走査電子顕微鏡写真である。
【符号の説明】
【００５５】
１．原料供給装置、２．原料供給位置、３．プラズマ炎、４．チャンバ、５．微小金属球回収部、６．プラズマ動作ガス供給位置、７．コイル、８．ＲＦプラズマトーチ、９．微小金属球、１０．水冷管、１１．プラズマ動作ガス供給装置
【図１】
2004232084.tif 000007
【図２】
2004232084.tif 000008
【図３】
2004232084.tif 000009