(57)【要約】【課題】露光のためにマスクステージに固定されたマスクに付着しているパーティクルを除去できるようにする。【解決手段】ステージ１０５の上にパーティクル除去ウエハ１０７を配置し、この上方に、マスク支持アーム１０６により保持されたマスク１０３を配置する。この状態で、マスク１０３を保持しているマスク支持アーム１０６を下降させ、マスク１０３のパターン面１０３ａを粘着層１０７ａに当接させ、これらがステージ１０５の上で重着した状態とする。【選択図】        図３
2004273705.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクに設けられたマスクパターンを露光対象のウエハの上に露光する露光装置であって、
露光時に前記ウエハを載置するステージと、
このステージの上方で、前記マスクパターンの形成面を前記ステージの方向に向けて前記マスクを昇降可能に保持する保持手段と、
少なくとも表面に粘着層が形成されたシート状のパーティクル除去部材を前記ステージと前記マスク保持手段に保持されるマスクとの間に搬入する移動機構と
を少なくとも備え、
前記マスク保持手段は、
前記ステージの上に保持している前記マスクを下降させ、前記パーティクル除去部材と前記マスクとを重着させる
ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
マスクに設けられたマスクパターンを露光対象のウエハの上に露光する露光装置であって、
露光時に前記マスクを固定するマスクステージと、
このマスクステージに前記マスクを搬入するマスク移動機構と、
少なくとも主表面に粘着層が形成された平面状のパーティクル除去部材を載置する構造物と前記パーティクル除去部材とを別々にまたは同時に前記マスクステージの上に搬入し、前記マスクステージの上に前記構造物および前記パーティクル除去部材を載置させる移動機構と
を少なくとも備え、
前記マスク移動機構は、
前記マスクステージの上に載置された前記パーティクル除去部材の上に前記マスクを搬入し、前記構造物の上で前記パーティクル除去部材に前記マスクを当接させる
ことを特徴とする露光装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の露光装置において、
前記パーティクル除去部材は、裏面にも粘着層を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項４】
請求項１記載の露光装置において、
前記パーティクル除去部材は、裏面にも粘着層を備えて前記ステージの上に載置されることを特徴とする露光装置。
【請求項５】
請求項１記載の露光装置において、
前記パーティクル除去部材は、裏面にも粘着層を備え、前記ステージの上に載置された前記ウエハに当接することを特徴とする露光装置。
【請求項６】
請求項１記載の露光装置において、
前記マスクは、パターン面が最も飛び出したペリクルレスの等倍マスクであり、
前記保持手段は、露光時に前記マスクを前記ステージの上に載置された前記ウエハに接近して保持することを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造におけるリソグラフィ工程に用いられる露光装置に関し、特に、異物付着を抑止するペリクル（異物保護膜）を設けることができないマスクを用いる露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造におけるリソグラフィ工程では、現在、紫外域である波長２４８ｎｍのレーザ光を発振するＫｒＦエキシマレーザを光源としたＫｒＦリソグラフィが広く利用されている。また、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザを光源とするＡｒＦリソグラフィも、量産に利用されるようになってきている。
【０００３】
これらのリソグラフィ技術において使用される露光装置は、フォトマスクやフォトレチクルなどのマスクに形成された回路パターンの光像を、ウエハの上に結像させて露光するものである。露光装置には、マスクとウエハを近接させてマスクのパターンを等倍で露光するものや、パターンの光像を、縮小して投影する所謂ステッパと呼ばれるものがある。
【０００４】
このステッパでは、図５に示すように、マスクステージ５０１の上に固定されたマスク５０２のパターンが、縮小投影光学系５０３により、ウエハステージ５０４の上に固定されたウエハ５０５の上に、光像５０６として縮小投影される。なお、マスク５０２は、図示していない露光光源より出射された露光光により照明されている。
【０００５】
ところで、マスクのパターン（マスクパターン）が形成されている領域に、微細な異物（パーティクル）が付着していると、この形状の光像もウエハの上に露光されることになる。このような、本来は存在しないものであるパーティクルの像が露光され、ウエハの上にパーティクルの形状のパターンが形成されると、これが欠陥となる場合が多い。従って、マスクは、パーティクルが無い状態で露光に用いることが必要となる。
【０００６】
パーティクルからマスクを保護する技術として、ペリクル技術がある。これは、図６に示すように、マスク６０１のマスクパターン６０２が形成されている領域の周囲に所定の高さの枠６０３を固定し、枠６０３の上面に極薄い膜（ペリクル）６０４を展着し、マスクパターン６０２が形成されている領域を封止する技術である。ペリクル６０４は、透明な樹脂膜であり、厚さ１μｍ程度である。ペリクル技術は、主に、投影露光装置を用いたりフォトリソグラフィにおいて利用される。
【０００７】
ペリクル６０４は、マスク６０１のマスクパターン６０２形成面から、例えば３ｍｍ程度離れているため、ペリクル６０４の面に付着したパーティクルの光像は、マスクパターン６０４が投影されるウエハの面には結像しない。従って、ペリクル６０４の上にパーティクルが付着しても、ウエハの上にパーティクルの形状のパターンが形成されることがない。
【０００８】
ところで、ＡｒＦリソグラフィの次の世代のリソグラフィ技術と言われているフッ素分子レーザ（以下、Ｆ２レーザ）を光源とするＦ２リソグラフィでは、従来と同様の樹脂膜から成るペリクル（ソフトペリクル）が使用しにくいという問題がある。これは、ソフトペリクルが、Ｆ２レーザのレーザ光に対する耐光性が著しく低く、短期間でダメージを受けるためである。
これに対し、厚さ０．３ｍｍ〜０．８ｍｍの石英ガラスで構成したハードペリクルを用いれば、Ｆ２レーザ光に対する耐光性が向上する。しかしながら、ハードペリクルは、ソフトペリクルに比べて厚さが３００〜１０００倍にもなり、本来ウエハの上に露光されるべきパターンの光像が歪むなど問題がある。
【０００９】
これらのように、現状では、Ｆ２リソグラフィに用いることができる実用的なペリクル技術が確立されていない。
また、Ｆ２リソグラフィの次の世代、あるいはＦ２リソグラフィに代わるリソグラフィとして期待されている、Ｘ線領域である波長１３．４ｎｍの光源とするＥＵＶＬ（Ｅｘｔｒｅｍｅｌｙ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）では、光源の波長１３．４ｎｍのＸ線に対して、これを通すガラスや樹脂膜が存在しない。このため、ＥＵＶＬに用いることができるペリクル技術がないのが現状である。
同様にＬＥＥＰＬ（Ｌｏｗ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｅ−ｂｅａｍ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）などの電子ビームを用いたパターン転写型のリソグラフィにおいても、進路を曲げずに電子ビームを通過させる膜は無く、利用できるペリクル技術が存在していない。
【００１０】
以上に示したように、露光波長がより短い次世代リソグラフィ技術で用いられる露光装置では、ペリクルが実現しにくく、また利用できないため、パーティクルに起因する様々な問題が発生していた。例えば、マスクに付着したパーティクルが、ブロアーによりエアを吹き付けた程度では除去できないなど、容易に取り除けない場合には、マスクを再作成することになる。
【００１１】
一方、半導体製造装置のウエハチャックやアームなど、ウエハが搭載されるパーツに付着したパーティクルを除去する手法の一つとして、粘着テープを用いる技術がある（特許文献１参照）。この技術によれば、ウエハなどの表面に付着したパーティクルを、容易に除去することを可能としている。
【００１２】
【特許文献１】
特開平７−１４２４５０号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、粘着テープを用いてパーティクルを除去する技術を前述したような露光装置に適用することが、容易ではないという問題があった。
露光装置のマスクステージに固定するまでの間にパーティクルが付着する場合もあるため、マスクに付着したパーティクルの除去は、露光装置で露光に用いる直前に行うことが望ましい。しかしながら、マスクステージに固定されたマスクのパターン形成領域に、粘着テープ（粘着シート）を均一に貼り付けることが容易ではなく、この結果、パーティクルが完全に除去できない場合が多い。
【００１４】
例えば、露光装置においては、図７に示すように、マスク７０１はマスクステージ７０３に固定され、マスク７０１のマスクパターン形成領域７０２が、マスクステージ７０３の開口領域で露出するようにされている。このような状態では、マスクステージ７０３の枠部分が妨げとなり、パーティクル除去のための粘着シートを、マスクパターン形成領域７０２に均一に貼り付けることが容易ではない。
【００１５】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、露光のためにマスクステージに固定されたマスクに付着しているパーティクルを除去できるようにすることを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る露光装置は、マスクに設けられたマスクパターンを露光対象のウエハの上に露光する露光装置であって、露光時にウエハを載置するステージと、このステージの上方で、マスクパターンの形成面をステージの方向に向けてマスクを昇降可能に保持する保持手段と、少なくとも表面に粘着層が形成されたシート状のパーティクル除去部材をステージとマスク保持手段に保持されるマスクとの間に搬入する移動機構とを少なくとも備え、マスク保持手段は、ステージの上に保持しているマスクを下降させ、パーティクル除去部材とマスクとを重着させるようにしたものである。
この露光装置によれば、露光時にマスクが配置される状態で、パーティクル除去部材の表面に設けられた粘着層が、マスクのマスクパターン形成面に当接する。
【００１７】
また、本発明に係る他の露光装置は、マスクに設けられたマスクパターンを露光対象のウエハの上に露光する露光装置であって、露光時にマスクを固定するマスクステージと、このマスクステージにマスクを搬入するマスク移動機構と、少なくとも主表面に粘着層が形成された平面状のパーティクル除去部材を載置する構造物とパーティクル除去部材とを別々にまたは同時にマスクステージの上に搬入し、マスクステージの上に構造物およびパーティクル除去部材を載置させる移動機構とを少なくとも備え、マスク移動機構は、マスクステージの上に載置されたパーティクル除去部材の上にマスクを搬入し、構造物の上でパーティクル除去部材にマスクを当接させるようにしたものである。
この露光装置によれば、露光時にマスクが配置される状態で、パーティクル除去部材の表面に設けられた粘着層が、マスクのマスクパターン形成面に当接する。
【００１８】
上記露光装置において、パーティクル除去部材は、裏面に粘着層を備えるようにしてもよい。また、パーティクル除去部材は、裏面に粘着層を備えてステージの上に載置されるようにしてもよい。
また、上記露光装置において、パーティクル除去部材は、裏面に粘着層を備え、ステージの上に載置されたウエハに当接させるようにしても良い。
また、マスクは、パターン面が最も飛び出したペリクルレスの等倍マスクであり、保持手段は、露光時にマスクをステージの上に載置されたウエハに接近して保持するようにしたものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の実施の形態における露光装置の構成例を模式的に示す構成図である。図１は、露光装置の構成を平面的に示している。
【００２０】
露光装置１００は、まず、２５枚のウエハを収容可能なウエハカセット１０１が固定されるカセットステージ１０２、マスク１０３を格納するマスクホルダー１０４、露光対象のウエハが固定されるステージ１０５、ステージ１０５の上方でマスク１０３を保持するマスク支持アーム（マスク保持手段）１０６を備えている。
露光装置１００は、例えば、電子線露光装置であり、露光対象のウエハとマスク１０３とを近接させた状態で等倍露光を行う装置である。従って、マスク１０３は、所謂等倍のマスクである。
【００２１】
加えて、図１に示す露光装置では、パーティクル除去ウエハ（パーティクル除去部材）１０７およびこれを格納するウエハ格納部１０８を備えるようにした。パーティクル除去ウエハ１０７は、ウエハ状部材の平面上に粘着層が形成されたものである。本実施の形態において、パーティクル除去ウエハ１０７は、露光対象となるウエハと同様のベアウエハの両面に、粘着層が設けられたものである。例えば、上記ベアウエハの表面に、公知の粘着剤が塗布された粘着シートがつけられたものである（特許文献１参照）。また、上記粘着剤を、ベアウエハの両面に、塗布することで粘着層を形成しても良い。
【００２２】
つぎに、この露光装置の動作について、図２のフローチャートを用いて説明する。
まず、図示しない移動機構が、パーティクル除去ウエハ１０７を、ウエハ格納部１０８よりステージ１０５の上に移動して固定（配置）する（ステップＳ２０１）。移動機構は、例えばロボットアームであり、パーティクル除去ウエハ１０７を保持して移動させるものである。
【００２３】
パーティクル除去ウエハ１０７がステージ１０５に配置されると、図示しないマスク搬送機構が、マスクホルダー１０４に格納されているマスク１０３を搬出し、ステージ１０５の上方に移動させる。マスク１０３がステージ１０５の上方に移動されると、マスク支持アーム１０６がステージ１０５の上に移動し、マスク１０３を保持する（ステップＳ２０２）。
【００２４】
マスク１０３がマスク支持アーム１０６に挟まれて保持されると、マスク支持アーム１０６は、自身をステージ１０５の方向に下降させ（ステップＳ２０３）、マスク１０３をステージ１０５の上に固定されているパーティクル除去ウエハ１０７に当接させる。
図３の断面図に、マスク支持アーム１０６に保持されたマスク１０３と、パーティクル除去ウエハ１０７とステージ１０５との位置関係について示す。
【００２５】
ステージ１０５の上には、図示しない移動機構によりパーティクル除去ウエハ１０７が固定され、この上方には、マスク支持アーム１０６により保持されたマスク１０３が配置されている。パーティクル除去ウエハ１０７は、両面に粘着層１０７ａ，１０７ｂが形成されている。
【００２６】
この状態で、マスク支持アーム１０６は、ステージ１０５の方向に下降する。マスク支持アーム１０６が下降するに従い、マスク１０３のパターンが形成されたパターン面１０３ａが、パーティクル除去ウエハ１０７の粘着層１０７ａの表面に当接すると（ステップＳ２０４：ＹＥＳ）、マスク１０３の下降が停止する。このとき、マスク１０３とパーティクル除去ウエハ１０７は、ステージ１０５の上で重着した状態となる。
【００２７】
以上のプロセスにより、ステージ１０５の上において、マスク１０３の自重により、マスク１０３のパターン面１０３ａは、パーティクル除去ウエハ１０７の粘着層１０７ａに押し付けられた状態となる。このことにより、パターン面１０３ａに付着していたパーティクルは、粘着層１０７ａに固着する。また、同時に、パーティクル除去ウエハ１０７の粘着層１０７ｂが、ステージ１０５のウエハが固定される面に押し付けられた状態となる。このことにより、ステージ１０５の上に付着していたパーティクルが、粘着層１０７ｂに固着する。
【００２８】
この後、マスク１０３を保持するマスク支持アーム１０６は、ステージ１０５より離間する方向に上昇し、所定の位置で待機する（ステップＳ２０５）。パーティクル除去ウエハ１０７は、図示しない移動機構によりステージ１０５の上に固定されているため、上述したことにより、マスク１０３（パターン面１０３ａ）は、パーティクル除去ウエハ１０７の粘着層１０７ａより剥離される。この結果、パターン面１０３ａに付着していたパーティクルは、粘着層１０７ａに固着されてパターン面１０３より除去される。
【００２９】
マスク支持アーム１０６が上昇してマスク１０３がパーティクル除去ウエハ１０７より離間した後、図示しない移動機構は、パーティクル除去ウエハ１０７をステージ１０５より離間（搬出）し、ウエハ格納部１０８に格納する（ステップＳ２０６）。この結果、ステージ１０５の上に付着していたパーティクルは、粘着層１０７ｂに固着されたことにより、ステージ１０５の上から除去される。
【００３０】
この後、ウエハカセット１０１より図示しない搬送機構がウエハを搬出し、搬出したウエハをステージ１０５の上に搬入する（ステップＳ２０７）。ウエハが搬入されたステージ１０５では、搬入されたウエハを所定の位置に固定する。露光対象のウエハがステージ１０５に固定されると、マスク支持アーム１０６が所定の位置にまで下降し（ステップＳ２０８）、露光対象のウエハの上に、所定の距離を離間した露光位置でマスク１０３を固定する（ステップＳ２０９：ＹＥＳ）。
【００３１】
この状態で、マスク１０３の上方より、図示しない電子線源より電子線を照射して露光を行う（ステップＳ２１０）。所定時間の露光を行った後、マスク支持アーム１０６は、マスク１０３を保持したまま所定の位置まで上昇して停止する（ステップＳ２１１）。マスク支持アーム１０６が所定の位置にまで上昇した後、図示しない搬送機構が、露光済みのウエハを搬出する。
【００３２】
以上に説明したことにより、本実施の形態によれば、マスク１０３のパターン面１０３ａに付着したパーティクルを、粘着層を有するパーティクル除去ウエハ１０７によって除去してから露光を行うことができる。
本実施の形態では、露光対象となるウエハに用いられるベアウエハに粘着層を設け、これをパーティクル除去ウエハ１０７とした。この結果、本実施の形態によれば、露光時にマスクが配置される箇所において、粘着部分（面）をマスクのパターン形成面に対向した状態で配置させることが容易となる。また、ベアウエハに粘着層を設けているため、マスクのパターン面に、粘着する部分を均一に貼り付けることが可能となる。加えて、これらの構成は、露光装置の構成を大きく変更することなく実現できる。
【００３３】
また、パーティクルの除去は、露光を行う直前で行われるので、露光を行うときまでに、再度パーティクルが付着することが発生しにくい。また、パーティクルの除去は、露光装置１００のステージ１０５などが配置された内部（装置内部）を、装置外に開放することがない状態で行える。このため、露光装置１００が、例えばミニエンバイロメント型のクリーンルームに設置されているような場合であっても、露光装置１００の周囲に存在しているパーティクルが、マスク１０３のパーティクル除去のために、露光装置１００の内部に侵入することがない。
【００３４】
また、ステージ１０５の上にパーティクルが付着した状態で、この上に露光対象のウエハを固定しようとすると、ウエハが歪み、また、ウエハがステージ１０５の上面に対して傾斜した状態となる。マスク支持アーム１０６は、パターン面１０３ａとステージ１０５の上面とが平行となるように、マスク１０３を支持する。このため、ウエハが、ステージ１０５の上面に対して傾斜し、またウエハが歪んだ状態では、ウエハの露光面とパターン面１０３ａとが平行な状態を保持できず、パターン面１０３ａのパターンを、正確に露光できなくなる。
【００３５】
このことに対し、本実施の形態によれば、前述したように、ステージ１０５の上のパーティクルも除去されるようになるので、ウエハの傾斜やウエハの歪みなどを起こすことなく、正確な露光が行えるようになる。
【００３６】
なお、ステージ１０５の上に露光対象のウエハを搬入して固定した後、パーティクル除去ウエハ１０７をステージ１０５の上に配置し、この上にマスク１０３を搬入し、この後、マスク１０３をパーティクル除去ウエハ１０７に当接させてもよい。このようにすることで、マスク１０３の自重により、パーティクル除去ウエハ１０７，露光対象のウエハ，およびステージ１０５が、重着した状態となる。
【００３７】
この結果、パーティクル除去ウエハ１０７の裏面においては、露光対象のウエハの表面にある異物が、パーティクル除去ウエハ１０７の粘着層１０７ｂに固着し、上記ウエハよりパーティクル除去ウエハ１０７を離間することで、ウエハ上の異物が除去されるようになる。
【００３８】
このように、マスク１０３のパターン面１０３ａとともに、露光対象のウエハの上面の両方の異物を除去しておくことで、マスク１０３のパターン面１０３ａを、露光対象のウエハにより近接させることができる。マスクをウエハに近づけることができれば、マスクを通過した電子線がウエハに到達するまでに発生する広がりやぼけが低減されるようになり、より高い解像度でパターンを露光することが可能となる。
【００３９】
ところで、上述した実施の形態では、ウエハに等倍マスクが近接して配置される等倍の露光装置に、本発明を適用した場合について説明したが、本発明は、これに限るものではなく、投影露光装置にも適用できる。
以下、投影露光装置を例にした実施の形態について説明する。
図４は、本発明の他の実施の形態における露光装置の一部構成を模式的に示す断面図である。
【００４０】
図４の露光装置は、パーティクル除去ウエハ４０５を載置するパーティクル除去ウエハ台４０４を新に設けたものである。パーティクル除去ウエハ台４０４は、上面に、パーティクル除去ウエハ４０５が載置される定盤（構造体）を備えており、図示しない移動機構によりマスクステージ４０３の上に搬入搬出される。パーティクル除去ウエハ４０５は、両面に粘着層４０５ａ，４０５ｂを備え、やはり図示しない移動機構により、マスクステージ４０３の上に搬入搬出される。パーティクル除去ウエハ台４０４の移動機構とパーティクル除去ウエハ４０５の移動機構とは、例えば同一のロボットアームにより共用するようにしても良く、各々設けるようにしても良い。
【００４１】
以下、図４に示す露光装置の動作について説明する。まず、図示しない移動機構により、パーティクル除去ウエハ台４０４が、マスクステージ４０３の上に搬入されて載置される。ついで、図示しない移動機構により、パーティクル除去ウエハ４０５が、パーティクル除去ウエハ台４０４の定盤上に搬入されて載置される。定盤上に載置されたパーティクル除去ウエハ４０５は、裏面の粘着層４０５ｂにより、定盤上に固定される。
【００４２】
この後、図示しないマスク搬送機構が、マスク４０１をパーティクル除去ウエハ４０５の上に搬入して載置する。
このことにより、マスク４０１とパーティクル除去ウエハ４０５とパーティクル除去ウエハ台４０４とが、重着した状態となり、マスク４０１のパターン面４０２は、マスク４０１の自重により、粘着層４０５ａに押し付けられる。また、パーティクル除去ウエハ４０５は、パーティクル除去ウエハ台４０４の定盤の上に載置されているため、粘着層４０５ａは、撓むなどのことが無く、マスク４０１のパターン面４０２に均一に当接する。
【００４３】
これらの結果、パターン面４０２に付着しているパーティクルは、粘着層４０５ａに固着する。また、粘着層４０５ａは、パターン面４０２に均一に当接しているので、パターン面４０２に付着しているすべてのパーティクルが、粘着層４０５ａに固着する。
この後、図示していないマスク搬送機構により、マスク４０１を保持してマスクステージ４０３から離間する方向（上方）に移動させ、マスク４０１とパーティクル除去ウエハ４０５（粘着層４０５ａ）とを離間させ、この状態で待機する。このとき、粘着層４０５ａに固着したパーティクルは、パターン面４０２より除去される。
【００４４】
ついで、図示しない移動機構により、パーティクル除去ウエハ４０５を、パーティクル除去ウエハ台４０４の上より搬出し、かつ、パーティクル除去ウエハ台４０４も、マスクステージ４０３の上より搬出する。
この後、図示しないマスク搬送機構により、マスク４０１を、マスクステージ４０３の上に搬入し、例えば、図示しないマスク位置合わせ機構により、マスクステージ４０３とマスク４０１とが所定の位置関係となるように、マスク４０１を固定する。
【００４５】
以上に説明したことにより、本実施の形態によれば、マスク４０１のパターン面４０２に付着したパーティクルを、除去してから露光を行うことができる。
本実施の形態によれば、板状のウエハに粘着層を設けてパーティクル除去ウエハ４０５とし、これをパーティクル除去ウエハ台４０４の定盤上で、マスク４０１に当接させるようにした。
【００４６】
この結果、本実施の形態によれば、パーティクル除去ウエハ４０５をパーティクル除去ウエハ台４０４の定盤上に載置することにより、パーティクルを固着する粘着部分を、変形することなく平坦な状態で、パターン面４０２に接触させることが可能となる。また、本実施の形態によれば、露光時にマスクが配置される箇所において、粘着部分（面）をマスクのパターン面に当接させるようにしている。これらの構成は、従来よりある露光装置の構成を大きく変更することなく実現できる。
【００４７】
また、パーティクルの除去は、露光を行う直前で行われるので、露光を行うときまでに再度パーティクルが付着することが発生しにくい。また、パーティクルの除去は、露光装置のマスクステージ４０３などが配置された内部（装置内部）を、装置外に開放することがない状態で行える。このため、露光装置が、例えばミニエンバイロメント型のクリーンルームに設置されているような場合であっても、露光装置の周囲に存在しているパーティクルが、パーティクル除去のために、露光装置の内部に侵入することがない。
【００４８】
なお、上述では、パーティクル除去ウエハの粘着層をマスクのパターン面に当接させることで、パーティクルを除去するようにしたが、ローラの表面に粘着層を設け、この粘着層をマスクのパターン面に当接させてパーティクルを除去するようにしても良い。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、ステージやパーティクル除去ウエハ台の定盤上でパーティクル除去ウエハ（パーティクル除去部材）とマスクとを重着させることで、露光時にマスクが配置される状態で、パーティクル除去ウエハの表面に設けられた粘着層が、マスクのマスクパターン形成面に当接するようにした。
この結果、本発明によれば、露光のためにマスクステージに固定されたマスクに付着しているパーティクルを除去できるようになるという優れた効果が得られる。
【００５０】
本発明は、Ｆ２リソグラフィ、ＥＵＶＬ、ＬＥＥＰＬ等のペリクルを用いないマスクによる露光装置に対して有効であり、これらの露光装置を、パーティクルに影響されにくい状態にできる。特に、等倍マスクを用いるＬＥＥＰＬ装置において、マスクの構造等を変更する必要がないので適用しやすい。また、従来必要であった、ブロウによってペリクルレスマスクからパーティクル除去を行う際の装置の停止，開放が，不必要となり装置停止時間の大幅な削減ができ、半導体デバイスの生産性が低下することもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における露光装置の構成例を模式的に示す構成図である。
【図２】本発明の実施の形態における露光装置の動作例を示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施の形態における露光装置の一部構成を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の他の実施の形態における露光装置の一部構成を模式的に示す断面図である。
【図５】ステッパの概略構成を示す斜視図である。
【図６】ペリクルが設けられたマスクの構成を示す断面図である。
【図７】マスクとマスクステージの関係を示す断面図である。
【符号の説明】
１００…露光装置、１０１…ウエハカセット、１０２…カセットステージ、１０３…マスク、１０３ａ…パターン面、１０４…マスクホルダー、１０５…ステージ、１０６…マスク支持アーム（マスク保持手段）、１０７…パーティクル除去ウエハ、１０７ａ，１０７ｂ…粘着層、１０８…ウエハ格納部、４０１…マスク、４０２…パターン面、４０３…マスクステージ、４０４…パーティクル除去ウエハ台、４０５…パーティクル除去ウエハ、４０５ａ，４０５ｂ…粘着層、５０１…マスクステージ、５０２…マスク、５０３…縮小投影光学系、５０４…ウエハステージ、５０５…ウエハ、５０６…光像、６０１…マスク、６０２…マスクパターン、６０３…枠、６０４…極薄い膜（ペリクル）、７０１…マスク、７０２…マスクパターン形成領域、７０３…マスクステージ。
【図１】
2004273705.tif 000003
【図２】
2004273705.tif 000004
【図３】
2004273705.tif 000005
【図４】
2004273705.tif 000006
【図５】
2004273705.tif 000007
【図６】
2004273705.tif 000008
【図７】
2004273705.tif 000009