(57)【要約】【目的】水分による劣化がなく、かつ均一な蛍光を呈する蛍光層を備えた発光デバイスを提供する。【構成】蛍光活性元素がガラス成分の一部として含有されている蛍光ガラスにより蛍光層を構成し、これで発光素子を被覆する。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子から放出された光に励起して蛍光する蛍光ガラスを含む蛍光層と、
を備えてなる発光デバイス。
【請求項２】
前記発光素子は紫外線を放出し、前記蛍光ガラスは該紫外光に励起して可視光を蛍光する、ことを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記蛍光ガラスは、Ｔｂ（テルビウム）、Ｅｕ２＋（２価のユーロビウム）若しくはＥｕ３＋（３価のユーロビウム）をガラス成分として含む、ことを特徴とする請求項２に記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記蛍光層は複数種類の前記蛍光ガラスを積層したものである、ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記蛍光ガラスは粒体であり、光透過性材料中に分散されている、ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の発光デバイス。
【請求項６】
複数の種類の粒体状の蛍光ガラスが前記光透過性材料中に分散されている、ことを特徴とする請求項５に記載の発光デバイス。
【請求項７】
前記蛍光ガラス以外の蛍光材料が前記光透過性材料中に更に分散されている、ことを特徴とする請求項５又は６に記載の発光デバイス。
【請求項８】
前記光透過性材料は低融点ガラス又は合成樹脂である、ことを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の発光デバイス。
【請求項９】
前記発光素子が発する光を集光して外部放射する光学系を備え、外部放射窓に前記蛍光ガラスが用いられることを特徴とする請求項２又は３に記載の発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は発光素子と蛍光層とを有する発光デバイスの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、発光素子から放出された光を蛍光材料により波長変換し、所望の発光色を得ようとする発光デバイスが提案されている。例えば、図１に示す発光デバイスでは紫外線を放出する発光素子１を断面半球状のカバー２で被覆し、当該カバー２の内側に蛍光材料層３が形成されている。この発光デバイスでは発光素子１から放出された紫外線が蛍光材料層３の蛍光材料を励起し、例えば白色の蛍光を放出する。
また、粒体状の蛍光材料を分散させた樹脂製の封止部材（蛍光層）で発光素子を被覆した構成の発光デバイスも提案されている（特許文献１等参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−２１７４６６号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記図１に示した発光デバイスでは、蛍光材料層３が露出しているので水分による蛍光材料の劣化が促進される。カバー２内に水分が浸入しないようにこれを気密にするには、発光デバイスの組み立てに手間がかかり、発光デバイスの製造コストを上昇させてしまう。また、樹脂製の封止部材中に蛍光材料を分散させるタイプにおいても樹脂には吸湿性があるので、水分による蛍光材料の劣化回避が充分に行えなかった。
さらには、図１に示した発光デバイスにおいて、金属を含む蛍光材料は一般的に高比重であるので、カバー２の裏面に塗布等したときに重力により流れやすい。従って、蛍光材料層３の膜厚が不均一となり、カバー２の全体に渡って均一な蛍光を生じさせることが困難であった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この発明は上記課題を解決すべくなされたものであり、次の構成を採る。
発光素子と、
前記発光素子から放出された光に励起して蛍光する蛍光ガラスを含む蛍光層と、
を備えてなる発光デバイス。
このように構成された発光デバイスによれば、蛍光材料として蛍光ガラスが用いられているので、水分による劣化の問題が解決される。また、蛍光ガラスには蛍光活性元素がガラス成分として含有されており、蛍光ガラスの全体に渡って当該蛍光活性元素が均一に分布している。その結果、蛍光ガラス全体から均一な蛍光を得られる。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の各要素について詳細に説明する。
（発光素子）
発光素子には発光ダイオード、レーザダイオードその他の発光素子が含まれる。発光素子の受発光波長も特に限定されるものではなく、紫外光〜緑色系光に有効なＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子などを用いることができる。
実施例で用いる紫外線を放出するものはＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子である。ここに、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体は、一般式としてＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ（０＜Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）で表される。Ａｌを含むものはこのうち、ＡｌＮのいわゆる２元系、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ及びＡｌｘＩｎ１−ｘＮ（以上において０＜ｘ＜１）のいわゆる３元系を包含する。ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体及びＧａＮにおいて、ＩＩＩ族元素の少なくとも一部をボロン（Ｂ）、タリウム（Ｔｌ）等で置換しても良く、また、窒素（Ｎ）の少なくとも一部もリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等で置換できる。
また、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体は任意のドーパントを含むものであっても良い。ｎ型不純物として、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）、カーボン（Ｃ）等を用いることができる。ｐ型不純物として、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、ベリリウム（Ｂｅ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）等を用いることができる。なお、ｐ型不純物をドープした後にＩＩＩ族窒化物系化合物半導体を電子線照射、プラズマ照射若しくは炉による加熱にさらすことができるが必須ではない。  ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層はＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法により形成される。素子を構成する全ての半導体層を当該ＭＯＣＶＤ法で形成する必要はなく、分子線結晶成長法（ＭＢＥ法）、ハライド系気相成長法（ＨＶＰＥ法）、スパッタ法、イオンプレーティング法等を併用することが可能である。
【０００７】
発光素子の構成としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やｐｎ接合を有したホモ構造、ヘテロ構造若しくはダブルへテロ構造のものを用いることができる。発光層として量子井戸構造（単一量子井戸構造若しくは多重量子井戸構造）を採用することもできる。かかるＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子として、主たる光受発光方向（電極面）を光デバイスの光軸方向にしたフェイスアップタイプや主たる光受発光方向を光軸方向と反対方向にして反射光を利用するフリップチップタイプを用いることができる。
【０００８】
（蛍光ガラス）
蛍光ガラスには蛍光活性元素がガラス成分の一部として含有されている。換言すればフツリン酸塩等の基本ガラス成分に蛍光活性を有する例えば希土類元素をドープしたものである。
具体的には、特開平８−１３３７８０号公報及び特開平９−２０２６４２号公報に記載されるフツリン酸塩蛍光ガラスや特開平１０−１６７７５５号公報に記載される酸化物蛍光ガラスをこの発明の蛍光ガラスとして用いることができる。これらの蛍光ガラスにはＴｂ３＋、Ｅｕ２＋、Ｅｕ３＋が蛍光活性元素としてドープされている。これら蛍光ガラスは可視光線下では殆ど着色のない透明である一方、広い波長範囲の紫外光に対して強い蛍光を発生する。紫外線を受けてＴｂ３＋は緑色系の蛍光を、Ｅｕ２＋は青色系の蛍光を、Ｅｕ３＋は赤色系の蛍光をそれぞれ呈する。かかる蛍光ガラスとして出願人（株式会社住田光学ガラス）の提供するルミラスーＧ９，ルミラスーＢ、ルミラスーＲ７（それぞれ商品名）が上市されている。
【０００９】
（蛍光層）
蛍光層は発光素子からの光を受けて蛍光し、発光素子からの光を波長変換して発光デバイスの発光色を規定しようとするものである。この蛍光層は発光素子からの光を受光しその蛍光を外部へ放出できればその形状、配置等は特に限定されず、発光デバイスの特性に応じて適宜設計することができる。
【００１０】
上記蛍光ガラス層をもって蛍光層とすることができる。蛍光活性元素はガラス成分として蛍光ガラス中に均等に含有されている。従って、蛍光ガラスそのもので蛍光層を形成したとき、蛍光層における蛍光のバラツキは生じない。また、蛍光活性元素としてガラス組織中に組み込まれているので、水分に対しても安定である。
この異なる種類の蛍光ガラス層を積層してこれを蛍光層とすることもできる。各蛍光ガラス層から放出される蛍光が混合することにより、発光デバイスの発光色を任意に調整できることとなる。例えば、紫外線発光素子に対して既述のＴｂ３＋（緑色系の蛍光）、Ｅｕ２＋（青色系の蛍光）、Ｅｕ３＋（赤色系の蛍光）の蛍光ガラスを積層すると、各蛍光ガラス層からの蛍光が混合されて白色の光が形成される。
【００１１】
かかる蛍光ガラスはこれを粉砕して用いることもできる。この蛍光ガラスは耐水性に優れるので樹脂中に分散させても一般的な蛍光材料に比べてその特性を長時間維持することができる。
蛍光ガラスの粉砕はボールミル等の周知の粉砕装置を用いて行うことができる。
粉砕により得られた粒体状の蛍光ガラスは蛍光層の基体をなす光透過性材料中に分散される。光透過性材料中に複数種類の蛍光ガラス粒体を分散させることができる。これにより、発光デバイスの発光色を任意に調整することができる。
なお、粒体状とはバルクの蛍光ガラスを粉砕して得られたものをいい、粉砕方法等により粒体の単位あたりの形状は粒子状、粉状、フレーク状等の様々な形態をとりうる。
【００１２】
粒体状の蛍光ガラスとともに周知の蛍光物質を分散させることができる。
発光素子から紫外光が発せられる場合、例えば、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｃｌ、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ、Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、ＬａＰＯ４：Ｃｅ，Ｔｂ、Ｙ２Ｏ３Ｓ：Ｅｕ、ＹＶＯ４：Ｅｕ、ＺｎＳ：Ｍｎ、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、ＺｎＳ：Ａｇ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、Ｓｒ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｅｕ）（Ｍｇ，Ｍｎ）Ａｌ１０Ｏ１７、（Ｂａ，Ｅｕ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７、ＺｎＯ：Ｚｎ、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅのいずれか又はこれらの中から選ばれる二以上の蛍光体を上記蛍光ガラスの粒体と組み合わせて用いることができる。
【００１３】
上記蛍光ガラス及び／又は蛍光材料より発せられる蛍光により励起され、当該蛍光と異なる波長の光を蛍光可能な蛍光体（第２の蛍光体）を組み合わせて用いることもできる。これにより、第２の蛍光体からの蛍光を利用して発光装置の発光色の補正をすることができる。
【００１４】
粒体状の蛍光ガラス及び上記汎用的な蛍光材料は光透過性材料中に一様に分散させても、また一部の領域に局在させてもよい。例えば蛍光ガラス粒体を発光素子の近傍に局在させることにより、発光素子から放出された光を効率的に波長変換することができる。
光透過性封止部材に光拡散材を含有させて当該光透過性材料内での光の拡散を促進させ、発光ムラの減少を図ることもできる。
【００１５】
光透過性材料としては、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂、又はガラス等が用いられる。なかでもＳｉＯ２−Ｎｂ２Ｏ５系、Ｂ２Ｏ３−Ｆ系、Ｐ２Ｏ５−Ｆ系、Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｌａ２Ｏ３系若しくはＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系の低融点ガラスを用いることが好ましい。これらの低融点ガラスには有害元素が含まれていない。従って、製造工程における作業環境の保全が容易になりまたリサイクル作業の負荷が軽減される。低融点ガラスは樹脂材料に比べて化学的に安定なため、黄変等の変色の問題が生じない。また、当該低融点ガラスを光学素子へ被覆するときの温度を低く維持できるので、光学素子及びボンディングワイヤー等の光デバイスを構成する他の要素に対して熱影響は生じない。更には、樹脂製の構成要素を省略することにより、デバイス全体として高い耐熱温度が確保される。従って、この光デバイスは半田リフロー等の加熱を要する工程に適用可能なものとなる。
これらの材料は、単独で用いられるのは勿論のこと、これらの中から任意に選択される二種以上を用いることもできる。
使用目的、使用条件等に応じて、光透過性材料内における蛍光ガラス粒体の濃度分布を変化させることができる。即ち、発光素子に近づくに従って蛍光ガラス粒体の量を連続的又は段階的に変化させる。例えば、発光素子に近い部分において蛍光ガラス粒体の濃度を大きくする。これにより、効率的に発光素子からの光を蛍光ガラス粒体に照射することができる。発光素子に近づくに従って蛍光ガラス粒体の濃度を小さくすることにより、発光素子の発熱に起因する蛍光ガラス粒体の劣化を抑制することができる。
蛍光材料と発光素子との間に別の光透過性材料からなる層ないし空間を設けることもできる。
【００１６】
【実施例】
次に、この発明の実施例について説明する。
（第１実施例）
この実施例では光学素子として図２に示すフェイスアップタイプのＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子１０を用いた。この発光素子は紫外光を放出する。
発光素子１０の各層のスペックは次の通りである。
層            ：  組成
ｐ型層１５              ：  ｐ−ＧａＮ：Ｍｇ
発光する層を含む層１４  ：  ＩｎＧａＮ層を含む
ｎ型層１３              ：  ｎ−ＧａＮ：Ｓｉ
バッファ層１２          ：  ＡｌＮ
基板１１                ：  サファイア
なお、発光する層を含む層のＩＩＩ族元素の組成比を調整することにより発光素子の発光波長を調整可能である。また、透光性電極１６及びｐ電極１７の代わりにｐ型層１５の上面を被覆する厚膜なｐ型電極を採用するフリップチップタイプの発光素子を用いることもできる。
【００１７】
基板１１の上にはバッファ層１２を介してｎ型不純物としてＳｉをドープしたＧａＮからなるｎ型層１３を形成する。ここで、基板１１にはサファイアを用いたがこれに限定されることはなく、サファイア、スピネル、炭化シリコン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化マンガン、ジルコニウムボライド、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体単結晶等を用いることができる。さらにバッファ層はＡｌＮを用いてＭＯＣＶＤ法で形成されるがこれに限定されることはなく、材料としてはＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＩｎＧａＮ等を用いることができ、製法としては分子線結晶成長法（ＭＢＥ法）、ハライド系気相成長法（ＨＶＰＥ法）、スパッタ法、イオンプレーティング法等を用いることができる。ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体を基板として用いた場合は、当該バッファ層を省略することができる。
さらに基板とバッファ層は半導体素子形成後に、必要に応じて、除去することもできる。
ここでｎ型層１３はＧａＮで形成したが、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ若しくはＡｌＩｎＧａＮを用いることができる。
また、ｎ型層１３はｎ型不純物としてＳｉをドープしたが、このほかにｎ型不純物として、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を用いることもできる。
発光する層を含む層１４は量子井戸構造（多重量子井戸構造、若しくは単一量子井戸構造）を含んでいてもよく、また発光素子の構造としてはシングルへテロ型、ダブルへテロ型及びホモ接合型のものなどでもよい。
【００１８】
発光する層を含む層１４はｐ型層１５の側にＭｇ等をドープしたバンドギャップの広いＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層を含むこともできる。これは発光する層を含む層１４中に注入された電子がｐ型層１５に拡散するのを効果的に防止するためである。
発光する層を含む層１４の上にｐ型不純物としてＭｇをドープしたＧａＮからなるｐ型層１５を形成する。このｐ型層１５はＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ又はＩｎＡｌＧａＮとすることもできる、また、ｐ型不純物としてはＺｎ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａを用いることもできる。ｐ型不純物の導入後に、電子線照射、炉による加熱、プラズマ照射等の周知の方法により低抵抗化することも可能である。
上記構成の発光素子において、各ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層は一般的な条件でＭＯＣＶＤを実行して形成するか、分子線結晶成長法（ＭＢＥ法）、ハライド系気相成長法（ＨＶＰＥ法）、スパッタ法、イオンプレーティング法等の方法で形成することもできる。
【００１９】
ｎ電極１８はＡｌとＶの２層で構成され、ｐ型層１５を形成した後にｐ型層１５、発光する層を含む層１４、及びｎ型層１３の一部をエッチングにより除去することにより表出したｎ型層１３上に蒸着で形成される。
透光性電極１６は金を含む薄膜であって、ｐ型層１５の上に積層される。ｐ電極１７も金を含む材料で構成されており、蒸着により透光性電極１６の上に形成される。以上の工程により各層及び各電極を形成した後、各チップの分離工程を行う。
【００２０】
図３及び図４にこの実施例の発光デバイス２０を示す。既述の発光素子１０が基体２２に均等に分配して配置されている。基体２２には発光素子１０を覆うように半筒状のカバー２３（蛍光層）が固定されている。このカバー２３は蛍光ガラスからなり、両端は開放されている。当該蛍光ガラスとして、この実施例ではＴｂ３＋をドープしたフツリン酸塩ガラス（ルミラスーＧ９：商品名（住田光学ガラス）を用いた。
この発光デバイス２０では、発光素子１０から放出される紫外線がカバー２２を構成する蛍光ガラスの蛍光成分（Ｔｂ３＋）を励起し、緑色光の蛍光を生じさせる。ここに、蛍光成分は蛍光ガラス内に均一にドープされている。従って、蛍光の態様も均一になり、色むらの発生が防止される。また、ガラス成分の一部としての蛍光成分は水分により劣化することがない。従って、耐久性にも優れたものとなる。
蛍光ガラスを調製する段階において蛍光成分の増減をすることにより、蛍光色の濃淡の調整ができる。他方、図１に示す従来例では、蛍光色の濃淡を調整するには例えば蛍光材料層の膜厚を調整することとなるが、この膜厚を微妙に調整することは困難であり、更には膜厚を薄くした場合には膜厚ムラの発生防止が困難である。
【００２１】
（第２実施例）
図５の他の実施例の発光デバイス３０を示す。なお、図４と同一の要素には同一の符号を付してその説明を省略する。
図５の発光デバイス３０では、カバー３３（蛍光層）を三層構造とした。表面側の第１層３３ＲはＥｕ３＋をドープしたフツリン酸塩ガラス（ルミラスーＲ９：商品名（住田光学ガラス））からなり、中央の第２層３３ＧはＴｂ３＋をドープしたフツリン酸塩ガラス（ルミラスーＧ９：商品名（住田光学ガラス））からなり、内側の第３層３３ＢはＥｕ２＋をドープしたフツリン酸塩ガラス（ルミラスーＢ：商品名（住田光学ガラス））からなる。発光素子１０から放出される紫外線を受けて各層３３Ｒ、３３Ｇ、３３Ｂはそれぞれ赤色系の蛍光、緑色系の蛍光、青色系の蛍光をそれぞれ発光する。これら３色の光が混合することにより、カバー３３からは白色系の光が放出されることとなる。
【００２２】
第１及び第２実施例において、カバーの形状は任意に設計することができる。低融点ガラス中に蛍光成分となる希土類元素をドープすることにより、カバーはプレス成形可能となり、その設計自由度は更に向上する。
【００２３】
（第３実施例）
他の実施例の発光デバイス４０を図６に示す。この発光デバイス４０において発光素子１０はマウントリード４１のカップ部４２の底面に固定される。カップ部４２は蛍光層４５で充填されており、マウントリード４１、サブリード４３は砲弾型の封止部材４７で封止されている。
蛍光層４５は、図７に示すように、エポキシ樹脂等からなる樹脂製の光透過性材料４６中に破砕した蛍光ガラス（Ｔｂ３＋をドープしたフツリン酸塩ガラス（ルミラスーＧ９：商品名（住田光学ガラス））４８を分散させている。ここに、蛍光ガラスはＹＡＧ系等一般の蛍光材料より比重が小さいので、光透過性材料中においてより分散状態が均一になる。また、水分による劣化がないので耐久性が向上する。図７の例では１種類の蛍光ガラスの粒体のみを光透過性材料４６中に分散させたが、複数の蛍光ガラス粒体を分散させることが可能である。この場合、各ガラスとも比重が実質的に等しいので、その粒体の混合態様もより均一となる。よって、光ムラの発生をより確実に防止できる。
図８には蛍光ガラス以外の蛍光材料４９を併用した例を示した。この例では粘度の高いシリコーン樹脂を光透過性材料４７として用い、比重の高い蛍光材料４９が沈殿することを可能な限り防止している。
また、赤色発光成分の少ない蛍光体に赤色発光の蛍光ガラスパウダーを含有させてもよい。これによれば色バランスを調整できるとともに、赤色発光の蛍光体では、蛍光体で反射散乱が生じるのに対し、蛍光成分に吸収される光以外は透過するので、蛍光体層での吸収を低く抑えることができる。
【００２４】
（第４実施例）
図９には他の実施例の発光デバイス５０を示す。この発光デバイス５０において発光素子１０はマウントリード５１の端部に固定されている。図中の符号５２はサブリード、符号５４、５５はボンディングワイヤである。この実施例において蛍光層５７は低融点ガラスからなる母材にＥｕ３＋をドープしたフツリン酸塩ガラス（ルミラスーＲ９：商品名（住田光学ガラス））、Ｔｂ３＋をドープしたフツリン酸塩ガラス（ルミラスーＧ９：商品名（住田光学ガラス））、Ｅｕ２＋をドープしたフツリン酸塩ガラス（ルミラスーＢ：商品名（住田光学ガラス））の各粉砕物を分散させている。低融点ガラスをプレス成形することにより蛍光層５７が半球状に形成されている。
この発光デバイス５０によれば、発光素子１０からの紫外線が各蛍光ガラスの粉砕物を励起し、これから赤色系蛍光、緑色系蛍光、青色系蛍光が放出される。これらの光が混合されることにより、全体として発光デバイス５０から白色系の光が放出されることとなる。
【００２５】
（第５実施例）
図１０には他の実施例の発光デバイス６０を示す。この発光デバイス６０は発光素子１０とその筐体６１及び蛍光層としての窓６２を備えてなる。窓６２はＴｂ３＋を薄くドープしたフツリン酸塩ガラスからなる。かかる発光デバイス６０では、発光素子１０から紫外光が放出されてその光が窓６２を通過したとき、窓６２を構成する蛍光ガラスが緑色に淡く蛍光する。蛍光ガラス中の蛍光成分（Ｔｂ３＋）からは全周方向へ蛍光が放出されるので、発光デバイス６０の光軸方向以外の方向からも当該蛍光を視認することができる。また、この蛍光ガラスは、発光素子自体が発し、蛍光成分に吸収される光以外は、直進する特性を有している。これにより、発光デバイスの側方から容易に発光素子１０の発光状態を目視により確認できることとなる。また、紫外線放射光自体は、光出力・集光度とも、特に影響を与えることなく、外部放射できる。
【００２６】
図１１に示す発光デバイス７０ではレンズ状の窓６４が用いられている。図１０と同一の要素には同一の符号を付してその説明を省略する。この発光デバイス７０では発光素子１０からの紫外線が窓６４で集光される。従って、その光軸方向には強い紫外光が放出されることとなる。発光素子１０の発光スペクトルは殆どが紫外光領域にあるものの、わずかながら可視光も含まれている。したがって、目視によりその点灯状態を確認可能であるが、集光された光軸方向からその点灯状態を目視で確認することは好ましくない。そこでこの例のように蛍光ガラスで窓６４を構成すると、当該窓６４から側方へ放出される蛍光を観察することにより、安全性を確保しつつその点灯状態を確認することができる。
【００２７】
図１２には反射型の発光デバイス８０を示す。図中の符号８１は反射鏡である。なお、図１０と同一の要素には同一の符号を付してその説明を省略する。図１２に示す発光デバイスにおいても発光素子１０からの紫外線が集光されるので、安全性確保の見地から窓６２より側方へ放出される蛍光によりその点灯状態を確認できる。
上記実施例では、窓として蛍光ガラスを用いたものとして説明したが、必ずしも窓とする必要はなく、発光素子が発光する光が照射され、蛍光ガラスの励起光が外から視認できる位置に用いられたものであればよい。
【００２８】
この発明は、上記発明の実施の形態及び実施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変形態様もこの発明に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来例の発光デバイスの構成を示す側面図である。
【図２】この発明の実施例で用いる発光素子の構成を示す断面図である。
【図３】この発明の実施例の発光デバイスの構成を示す側面図である。
【図４】同じく正面図である。
【図５】他の実施例の発光デバイスの構成を示す側面図である。
【図６】他の実施例の発光デバイスの構成を示す断面図である。
【図７】図６の発光デバイスの蛍光層の部分拡大図である。
【図８】図６の発光デバイスの他の態様の発光層を示す部分拡大図である。
【図９】他の実施例の発光デバイスの構成を示す断面図である。
【図１０】他の実施例の発光デバイスの構成を示す断面図である。
【図１１】他の実施例の発光デバイスの構成を示す断面図である。
【図１２】他の実施例の発光デバイスの構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１、１０  発光素子
２、２３、３３  カバー
２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０  発光デバイス
４５、５７  蛍光層
６２、６４  窓（蛍光層）
【図１】
2004273798.tif 000003
【図２】
2004273798.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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