(57)【要約】　　　（修正有）【課題】導管またはその他の囲繞容器内を流れる液体及び気体に磁気処理を行い、同液体及び気体に依存する機械及びシステムの運転効率及び性能の質を高める。【解決手段】（１）磁石（望ましくは高磁束密度の安定化された非等方性磁石）の使用、（２）不均一な磁束密度の組み合わせ、（３）高度な絶縁シールド及び平行配列制御の使用によるエアーギャップへの磁場の集中、（４）漸増処理、（５）モジュール設計などの高度技術の組み合わせによって達成できる。【選択図】図１
2004034020.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導管内を流れる液体及び気体物質のための磁気処理用装置であって、
前記液体または気体用の導管の外表面にしっかり固定された２部品１組のモジュールを１組ないし８組含み、
各モジュールの各部品は、同モジュールの他方の部品と実質的に平行であり、同各モジュールの各部品には、前記導管に直接接触して形態で磁石が設けられ、
各モジュールの各部品内の磁石のうち一つは、前記他方の平行な部品内の磁石よりも高い磁束密度を持ち、各磁石の磁気極性及び配列は、前記導管内の前記物質の流れの方向に対して垂直な単一方向の磁場を形成するようになされており、前記導管に面する前記モジュールの前記磁石のうちの一つの側面は、反対側の磁石面の極性とは反対の極性を有するようになされている、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
２組から８組のモジュールが設けられている装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置であって、
前記モジュールの部品間の空間は、平行な配列により間隔をあけてある装置。
【請求項４】
請求項１に記載の装置であって、
前記磁石は熱的に安定化された非等方性磁石である装置。
【請求項５】
請求項４に記載の装置であって、
前記磁石は正方形または長方形である装置。
【請求項６】
請求項４に記載の装置であって、
高度な絶縁シールドが設けられている装置。
【請求項７】
請求項６に記載の装置であって、
前記シールドは、１部品からなり且つ前記各磁石の２つの面ないし５つの面を覆っている装置。
【請求項８】
請求項６に記載の装置であって、
前記シールドは、独立した部品からなり、前記各磁石の２つの面ないし５つの面を覆っている装置。
【請求項９】
請求項２に記載の装置であって、
前記磁束密度が高い方の磁石の全てが、前記モジュールの部品内で互いに隣接しており、磁束密度が低い方の磁石の全てが、同モジュールの反対側の部品内で互いに隣接している、装置。
【請求項１０】
請求項２に記載の装置であって、
前記磁束密度が高い方の磁石と磁束密度が低い方の磁石とが、モジュールの部品内で交互に配列されている、装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の装置であって、
磁石の磁束密度が、一つの磁石においては最低約２，２００ガウスで、もう一方の磁石においては約３，８５０から約１１，０００ガウスの範囲で、高磁束密度の磁石と低磁束密度の磁石との間の磁束密度の差が、少なくとも約８００ガウスである、装置。
【請求項１２】
液体または気体物質を磁気的に処理する方法であって、
各モジュールの各部品がもう一方の部品に対して実質的に平行であり、各モジュールの各部品内には一つの磁石が存在し、各モジュールの各部品内の磁石のうちの一つが、もう一方の平行な部品内の磁石よりも高い磁束密度を有するようにして、導管の外表面に２部品１組のモジュールを１組ないし８組しっかり固定することにより、前記導管内に液体または気体物質を通過させることと、
前記導管を流れる同物質の方向に対して垂直の単一方向の磁場を形成するように、前記導管に面する各磁石の側が反対の磁気極性を有するように各磁石を整合させて、前記モジュール内のエアーギャップ内に不均一な磁束密度を形成して前記液体または気体の層流を破壊し、それによって、性能効率を高めるようになされた、磁気処理方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
高磁束密度の磁石と低磁束密度の磁石との間の磁束密度の差が、少なくとも約８００ガウスである、装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
磁気処理技術は、メカニズム又はシステム内の物質の流れの性能を高めるために応用されてきている。同技術が応用された典型的な二つの例は、自動車の燃料ラインを流れる炭化水素混合燃料の完全な燃焼を促す応用、また給水管を流れる家庭用及び工業用水の給水管の壁に蓄積されるカルシウムを減少させる応用などである。これらの応用の知識は、Ｆａｒａｄａｙ、ｖａｎ　ｄｅｒ　Ｗａａｌｓ及びＤｉｖａｃなどの科学者の研究によりよく知られている。
【０００２】
背景
温度の変化、磁場の導入など、外部の影響による変化がない場合、分子構造における電子及びその原子は、周知の如く、隣接する結合価電子間における動きのような結合性質に基づいた平衡状態をとる。しかし、外部の影響を導入した場合、分子構造は、最小の抵抗で新しい形態をとるようになる。
【０００３】
磁場応用の場合、電子は、磁気モーメント導入により、磁場の極性に従い自らを再編成することが観察されている。これは、一般に「スピンフリップ（ｓｐｉｎｆｌｉｐ）」と呼ばれている。さらに、特定の液体及び気体の場合、スピンフリップは分子内の原子の再編成をもたらす。たとえば、典型的なガソリンをベースとした燃料の長い炭化水素鎖について言えば、この原子再編成は、折り重なった鎖を分離し、又は「散開（ｕｎｆｏｌｄ）し」、酸素との接触面を拡大し、酸化を顕著に増加させる。しかし、酸化の度合いは、液体の攪拌及び燃焼前に散開した炭化水素鎖が自由な酸素分子と反応する接触時間にもよる。「擬似合成物」と呼ばれる炭化水素鎖の折り目に絡んだり閉じ込められた不純物もまた、影響を及ぼす。炭化水素鎖の散開は、液体の粘度が減少することにより確認できる。これらの炭化水素燃料の磁気処理効果が重なって、その燃料のより完全な燃焼を達成する。
【０００４】
磁気を帯びた物質内の全ての原子の電子がスピンフリップ作用を起こした状態は、「飽和」と定義される。一般に是認されている有名科学者による研究において、程度の差はあるが、全ての物質は磁気を帯びていると説明されている。よって、「飽和」という用語は磁気の特性を示していると分類された物質のみに限定されるものではないという推測は妥当である。とにかく、飽和は、磁気の特性を強く示している物質にも滅多にない理想状態である。このため、より強大な磁気を物質に適用することは、収穫低減限度に達するまでは、重要な結果をもたらすのみである。この限度は、もちろん物質によって違うが、いったん限度に達した後は、より強力な磁気をさらに適用しても、統計的に論理的ではないと推定することができ、よって、経済的に不合理であると考えられる。
【０００５】
全ての物質は磁気を帯び、スピンフリップを起こし、飽和状態にある程度近づくと一般的に是認されているが、一方では、磁気の特性を微小ながら示している物質の多くは、飽和状態にはあまり近づかないのではないかという主張もできる。しかし、ある特定の液体及び気体の流れの場合、これらの物体は原子内スピンフリップを起こすことにより磁場の存在に直ちに反応し、その結果、飽和状態にかなり近づくことが、研究で示されている。上記のように、この反応は、流れる物質の粘度の変化を測定することにより確認される。
【０００６】
炭化水素燃料の場合で説明したように、外部磁場の導入による物質へのスピンフリップ効果が有益であるので、目標は同物質の飽和である。しかし、上述のように、ある物質への強力な磁場の持続的な適用の有益な効果は、測定可能な収穫低減限度に達してしまう。もしもより強力な磁場のさらなる適用が事実上論理的でないならば、収穫低減限度を超えることは重大な変化をもたらさないか又は適用の効果に変化をもたらさない、という磁気処理のひとつの重要な要素を認識させるものである。
【０００７】
磁場は、直観的には、適当に磁化された物質すなわち磁石による産物である。研究によると、二つの別個の磁石の反対の極間に作られた磁場内を物質が垂直に流れる時に、磁気処理は最適の効果を示す。すなわち、単一方向の磁場の流動ラインは、同物質の流れに垂直であるということである。
【０００８】
磁石の強度は、ガウスという単位で測定される。「非等方性」と呼ばれる特定の磁石は、特有の方向性があり、自然に密度の高い磁場を有しているので好ましい。この性質は、磁場により占められている全体の容量を減少させ、結果として、磁場を流れる磁束密度を増大させる。その代替として、フェライト、アルニコ、またはネオジム鉄ホウ素（Ｂ１０Ｎ級）などの等方性磁石も適用できる。これらは、十分に高い磁束密度を付与するように磁化することができ、適度に効果的である。
【０００９】
磁場内を通る物質の制御された流れは、流れる液体又は気体を収容する導管または収容容器の存在を必要とする。導管及びその内部の物質ばかりでなく磁石と導管の間の距離は、二つの磁石間に一定のスペースを占める。このスペースは、「エアーギャップ」と呼ばれる。磁場の強度、及びそれに続く特定の物質に対する磁場の効力は、エアーギャップの長さ又は対向する磁石の面間の距離に正比例する。
【００１０】
導管の材質は、物質内へ磁場が通るのを妨害するような物理的特性を有するもの以外であれば、どのようなものであってもよい。導管の材質及び物理的厚みは、磁場の動きを最低限に抑制するものであるのが理想的だ。残念ながら、一般的に導管の材質及び厚みは、外部から適用される磁場の全体的な効力をある程度減少させる傾向がある。さらに、その原子構造及び多様な分子の複雑性のために、磁場内の一定の磁束密度における異なった混合物の流れは、明らかに異なる度合いの飽和状態に達する。たとえば、水道水に含まれるカルシウム・イオンの異質的存在のような、特定の物質内の微小な非均質物であっても、物質を飽和状態にする磁場の能力に不整合を引き起こす。特定の物質の磁場のスピンフリップ効果に対するこの異なる量の「抵抗」だけでなく導管の材質の磁気不浸透性の測定の考慮が、効果的処理に必要な磁束密度を決定する際の重要な要素になる。自動車の燃料ラインは、本発明の実施によく使用される導管である。
【００１１】
一般的に、今までの文献のほとんどは、磁場を横切る均質な磁束密度を使用した磁気処理について議論している。しかし、磁束密度が均質であるときに磁場が最も効果的であるという確証はない。言い換えれば、不均質な磁束密度の磁場が、均質な磁束密度の磁場よりも有益ではないということは証明されていない。さらに、物質が磁場を流れる結果として生ずる酸化などの有益な特性については、分子が経験する不均質な磁束密度は、磁場の弱いほうに分子を動かす反応を引き起こすであろうと思われ、その結果、物質の層流を破壊させている。この破壊又は乱流は、酸化のような有益な反応をより多く引き起こすと思われる。よって、エアーギャップ内に不均質な磁束密度を磁場に適用することは、磁気処理の適用において全体的利益をより高める結果になると提案する次第である。
【００１２】
等方性磁石の磁気特性は、全ての方向で等しい。一般的に、安定処理された等方性磁石は、処理されていない等方性磁石よりも高い強度に磁化でき、熱くなった乗り物のエンジンに近接して装着されるという使用時の応力に対して、より効果的な機能を発揮すると思われる。使用時に磁石がさらされると想定される消磁作用は、磁石の性能の変動及び／又は磁束に対する不可逆性の変化をもたらす。そのような「使用時」の消磁作用の典型的な例は、温度変化（すなわち、標準的なエンジン稼動温度及び／又は気候）、または、その他の外部磁場の影響（すなわち、イグニッション・コイルまたは発電機による磁場）などである。ネオジム鉄ホウ素磁石の一般的な温度係数範囲は、−０．０９ないし−０．１２％／℃で、比較的低い可逆性温度係数に影響されやすい。これらの傾向は、「キュリー温度」だけでなく「作動」及び／又は「運転温度」等級として、上記磁石材料の標準仕様として具体化されている。
【００１３】
特に、直接的温度及び／又は環境温度が摂氏７０度を超える用途での使用においては、Ｎ２８ＵＨ，Ｎ３０Ｈ，Ｎ３２ＳＨ，Ｎ３５ＳＨ，Ｎ３５ＵＨ，Ｎ３８Ｈ，Ｎ４２Ｈなどのような熱安定処理を施された磁石材が好ましい。よって、炭化水素燃料、熱・冷水及びその他の熱に感応する用途での使用においては、これらの熱安定処理を施された磁石材を適用するべきである。安定化は、本発明の実際の使用時または運転時におけるガウス変動（可逆性温度係数とも言う）を減少させるため及び／又は非可逆的減損を防止するためである。
【００１４】
この用途における磁場の強度と不均質磁束密度に付け加え、磁場の集中もまた重要である。二つの対向する磁石が正確に位置されていない場合、磁石間の磁束の概念的な線は、最適の配置及び密度をとらない。さらに、エアーギャップ内の焦点における磁束密度は、絶縁シールドが無いので、より広いスペースに亘って分配されるため低くなる。いずれの場合にも、低い磁束密度は磁気処理の効果を減少させる。従って、高度な絶縁シールド及び正確な磁石の平行位置も、この用途の重要な要素である。
【００１５】
最後に、磁気処理の効果は、異質組成の流体または気体によって異なるため、また実際の環境における上記物質の異質度合いは一定ではないため、多様な物質または多様な環境状況にさらされた特定な物質には、それぞれ異なるレベルの処理が必要になるということがいえよう。さらに、スピンフリップは石油ベースの燃料以外でも有益である。カルシウム・イオンがパイプの内壁に蓄積しないよう磁場を応用しているのは、よく知られている。それでもなお、様々な考えられる条件それぞれに必要な処理のレベルを処方する経済的妥当性はない。さらに、最高レベルまたは平均的レベルという大まかな処理では、個々の実効的及び経済的思惑を十分満足させない。従って、大部分の適用に十分対応するよういくつかの異なるレベルの強度を利用できるようにすることは、重要な実効的かつ経済的妥協である。
【００１６】
従来技術
米国特許第５，５５８，７６５号（Ｔｗａｒｄｚｉｋ）は、炭化水素系の燃料、より特定すると液体の炭化水素系燃料の処理のみに限定また特定した磁気処理装置を記述している。南北に極性与えられた対立する面を持つ磁石を使用し、単一方向の磁場を確立することの重要性を強調している。やはり、Ｔｗａｒｄｚｉｋは自分の発明の対象は「均質磁場」の形成である、と非常に明確に記述している。エアーギャップ内の不均質磁束密度を利用することには一切言及していない。さらに、磁場を最適に整合するための、磁石間及び導管の壁に沿った絶縁シールドや平行配列スペーサーについて論考されていない。
【００１７】
セラミック−８及び標準ネオジム鉄ホウ素など、セラミック磁石材料の使用を提案している。この特許における表１及び表２は、上記の磁石材料の一般的な特性を規定しているが、高磁束密度の非等方性磁石、熱安定、またはその他の磁石材料の利用及びそれぞれの特徴についての具体的な言及はない。さらに、磁束密度の収穫低減限度のコンセプトは、特定の物質により異なる。従って、先行特許による設計よりも強力な磁石の利用を提案している。
【００１８】
Ｔｗａｒｄｚｉｋ特許は、装置は、燃料タンクと酸素・燃料混合装置の間にある燃料給送導管の近くに位置するべきであると概ね述べている。「液体燃料の強化された磁気処理用の装置を、燃料噴射装置または気化装置に密接させて配置すること」が、発明の目的として特別に記述されている。酸化またはその他の分子反応を促進させるための漸増処理の概念または液体の流れを攪拌する有益性に関する記述はない。さらに、磁気温度係数、安定化若しくは高度遮蔽技術、または特に磁石の電磁磁束密度に影響を及ぼす磁石外面に沿った標準的な保磁子についてさえの記述または明確な考慮もされていない。
【００１９】
Ｔｗａｒｄｚｉｋ特許に具体的に記述されているのは、永久磁石と導管の間に据える非磁性材料プレート（３４）の使用ということである。同プレートは、「磁石を定位置に固定すること及び磁石の電磁磁束密度への影響を最小にすること」を意図的に記されている。磁石の外面（導管と反対側の磁石面）に沿った保磁子としてこのプレートを使用すること及び／又はいかなる高度絶縁シールド技術の適用についての記述はない。
【００２０】
本発明は、特に下記の点、すなわち、
Ａ）収穫低減限度のコンセプトを考慮した高磁束密度磁石、望ましくは熱安定性非等方性磁石、
Ｂ）層流を意図的に妨げるためのエアーギャップ内の非均等磁束密度磁石一対、
Ｃ）磁場をエアーギャップに集中するための高度絶縁シールド及び平行配列スペーサー、
Ｄ）望ましくは、より優れた処理結果のための漸増処理、
Ｅ）幅広い適用のニーズに経済的に対応するモジュール・デザイン
の点でＴｗａｒｄｚｉｋ特許とは異なっている。Ｔｗａｒｄｚｉｋが漸増処理またはモジュール・デザインについて言及、記述、使用、または考慮さえしていないことについての留意は、非常に重要である。また、本発明が論証するより高度でより一定した効果は、より幅広い場所における発明の配置を可能にするものである（例：炭化水素系の燃料での使用において、便利な位置は燃料フィルターと燃焼元との間であるが、一般的には、燃焼ポイントから８フィート（２．４メートル）以内の任意の場所に位置付けることができる）。さらに、本発明は、炭化水素系の燃料に限定されておらず、導管またはその他の収容容器を通る全ての液体及び気体に対して、その物体を使用する直前に（距離というよりも時間的に）処理されるための物体の現存の慣性を利用してもよい。
【００２１】
米国特許第５，０５９，７４２号（Ｓａｋｕｍａ）も、炭化水素系の燃料のみを限定及び特定した処理を記述している。図面は掲載されていないが、記述は、南極における対象の磁束密度が北極のものより高い個々の磁石の使用を明確に指摘している。
【００２２】
この方法は、非常に弱い非均等磁束密度（５−１８ガウス）の個々の磁石の使用を具体的に記述している。非均等磁束密度は、同磁石の南北極における異なるガウス・レベルについて特に言及している。さらに、この特許は保存用燃料の前処理を特にその適用の対象としている。それは続けて、磁場への露出、また磁場との接触はタンク内の燃料の攪拌または循環により達成できると説明している。上述の磁場への露出は、燃料が磁石の回りを動いているということで、二つの磁石間のエアーギャップを必ずしも通っているわけではないことを示唆している。
【００２３】
本発明がＳａｋｕｍａ特許と特に違うのは、本発明が以下を使用することである。Ａ）収穫低減限界の概念を組み入れ、高磁束密度磁石で、望ましくは熱安定性非等方性磁石、Ｂ）層流を意図的に妨害するためのエアーギャップ内の二つの別々の非均等磁束密度磁石一対、Ｃ）エアーギャップに磁気を集中させるための高度絶縁シールドと平行配列スペーサー、Ｄ）望ましくは、より優れた処理結果のための漸増処理、Ｅ）液体及び気体両方の処理、Ｆ）幅広い適用のニーズに経済的に対応するモジュール・デザイン。Ｓａｋｕｍａはまた、漸増処理またはモジュール・デザインについて言及、記述、使用、または考慮さえもしていない。さらに、磁気温度係数、安定化、高度遮蔽技術について記述または明確な考慮もされていない。しかしながら、Ｓａｋｕｍａのこのデザインの燃料タンクにおいて暗示されている使用方法には、磁気処理プロセスから燃料使用までの期間について懸念がある。一方、本発明は、幅広い場所に位置付けられるので、物体の速やかな使用が実質的に起こるべき場所に特定することができる。さらに、本発明は、炭化水素系燃料だけを限定しておらず、導管またはその他の囲繞容器を通る全ての液体及び気体で、その物体を使用する直前に（距離というよりも時間的に）処理をされるための物体の現存する慣性を利用している。
【００２４】
米国特許第４，７１１，２７１号（Ｗｅｉｓｅｎｂａｒｇｅｒ）は、「磁束密度を高めるための金属製流路」を使用し、磁気装置の効果を高めようと限られた試みを企てている。この特許は、導管の周囲の外側から取り付けられる二つの通常同一磁石の使用を明記している。磁石は、指向性の（南北）磁場を作り出すために極性を与えられ、非金属構造内に収められ、外部金属流路を提供する同クランプ部によって定位置に固定されている。ここで特許出願人は、金属製の外部クランプ部の使用は、「持続的及び連続した金属製流路を可能にする」と記述している。この特許は、外部流路の再方向付けは、磁束密度を高めることを意味し、ゆえに物体を処理する磁石装置の能力をさらに効果的にするとしている。しかし、そのような磁気流路は、流れる物体が磁場の領域へスムーズに移動することを妨げ、結果として初期の漸増処理の有益な効果を犠牲にすることになる。
【００２５】
本発明が概して違うのは、他の重要でユニークな発明を組み合わせたものから成り立っていることである。特にＷｅｉｓｅｎｂａｒｇｅｒ特許と違うのは、以下を使用する点である、Ａ）収穫低減限界の概念を組み入れ、高磁束密度磁石で、望ましくは熱安定性の非等方性磁石、Ｂ）層流を意図的に妨害するためのエアーギャップ内の二つの別々な非均等磁束密度磁石対、Ｃ）予備的漸増処理の初期の有益な周辺効果を減少させることなく、エアーギャップに磁気を集中させるための高度絶縁シールドと平行配列スペーサー、Ｄ）望ましくは、より優れた液体及び気体両方の処理をもたらすための漸増処理、Ｆ）幅広い適用のニーズに経済的に対応するモジュール・デザイン。Ｗｅｉｓｅｎｂａｒｇｅｒはまた、漸増処理またはモジュール・デザインについて言及、記述、使用、または考慮さえもしていない。さらに、磁気温度係数、安定化、高度遮蔽技術について記述または明確な考慮もされていない。
【００２６】
発明の概要
本発明のメリットは、モジュール形態またはシステムの応用と利用である。装置を実際に使用する際、様々な不確定要素が予測されるが、モジュール・デザインはこの磁気技術の目的に添った、様々な物体における望ましい効果レベル、導管の不確定な物理的特徴、予定された接触時間、利用できるスペース、温度範囲、環境の特徴及び経費などのバランスをとることを可能にする。
【００２７】
本発明の明確なメリットは、平行配列スペーサーの使用である。上述のように、実質的に磁石の平行位置と配列とは、エアーギャップ内において方向的磁束密度を高める。平行配列スペーサーは、この重要な位置の事前の及び持続的な正確な位置付けを確実にする。このようなスペーサー抜きには、磁石は、平行な位置に取り付けられないか、または外部的要素（たとえば、振動等）により位置が変動してしまう可能性がある。どちらにしても、配列の不正確度に正比例して、効果は減少するであろう。
【００２８】
本発明のメリットは、処理される物体の流れ方向に直角な最も高い磁束密度をエアーギャップ内に得ることである。よって、摂氏７０度を超える用途での使用においては、熱安定処理を施された磁石材料が好ましい。
【００２９】
本発明のもうひとつのメリットは、分子、原子及び原子より小さいレベルで、対象物質の乱流を引き起こす不均等磁束密度の形成である。各モジュール内の磁石間の磁束密度の違いによって、物体が処理されるエアーギャップ内に、本発明の非均一な自作密度の磁場が形成される。どちらにしても、効果は、不整合の度合いに直接に比例して減少するであろう。
【００３０】
本発明の特別な利点は、一連の段階的で且つ一貫したより高度なスピンフリップをもたらすために、徐々に高くなる不均等なレベルで磁気技術を適用することができることである。
【００３１】
本発明の重要な利点は、発明の特有の磁場を高め且つ封入するために優れた絶縁シールドを適用することができることである。同シールドは、第一に、各磁石の上方及び／又は脇を占める概念的な磁束線の性質を減少させることにより物体の流動路の磁場の有効部分を集中させるように機能する。次に、外部の影響から発明の磁場を保護すると同時に、発明が提供する磁場から同外部影響を保護する機能を発揮する。
【００３２】
本発明のその他の利点は、下記の詳述を考察すれば明らかとなるであろう。
本発明は、導管を流れる液体及び気体の磁気処理用装置に関連し、２つ一組で１組〜８組からなる同装置は、同液体及び気体用導管の外面にしっかり固定され、各モジュールは対となるそれぞれのモジュールと実質的に平行であり、各モジュールのそれぞれの部品は同導管と直接接触しており、各モジュールのそれぞれの部品である磁石のひとつは平行に位置した対となる磁石よりも高い磁束密度を有しており、各々の磁石の極性及び整合は、同導管内の同物体の流れの方向に対し垂直な単一方向磁場を形成し、同導管に面している同モジュールの同磁石のうちの一つの側面は、同磁石と対向している磁石の極とは反対の極性を示すようになされている。
【００３３】
磁石は磁束密度が高く熱安定性で非等方性のものが望ましい。これらの高磁束密度の磁石の磁気強度の特定のレベルは重要ではない。たとえば、最低でも約８００ガウスの強度の違いがある限り、モジュールの一方の部品である磁石が約２，２００ガウス以下から約１０，２００ガウス以上の強度を有しており、反対側の磁石が約３，８５０ガウス以下から約１１，０００ガウス以上の強度を有しても良い。
【００３４】
分子鎖の均一な散開を促進させるために、１組か２組から８組までのモジュールの平行対が、導管の表面に沿って直線状に取り付けられ且つそれぞれの磁束密度の強度幅の増加に応じて同導管に沿って漸増するよう配置されるのが望ましい。または、それらは導管のまわりに様々な角度で任意に、または規則的に交互に取り付けてもかまわない。導管が自動車の燃料ラインの場合、最初のモジュール対は、自動車の燃焼源から約８フィート以内（２．４メートル）以内に設置する。
【００３５】
モジュールの設計は、最も広い分野における物体、導管及びそれらの個々の用途に発明をより効果的に応用することができるようにすることができるので、特定の種類の物体及び導管又は囲繞容器への発明のより明確な応用を可能にするものが望ましい。
【００３６】
本発明のその他の面において、本発明は、２つ一組で１組〜８組のモジュールを導管の外部表面にしっかり固定することによって、液体又は気体からなる物質を導管内を通して流すことを含む、液体及び気体の磁気処理のプロセスに関連し、このプロセスにおいては、各モジュールの各部品は同モジュールの他方の部品と実質的に平行であり、各モジュールのそれぞれの部品内に磁石が設けられ、各モジュールのそれぞれの部品内の磁石の一方は、これと平行に位置した部品内の磁石よりも高い磁束密度を有しており、同導管に対向している各磁石の側面に反対の極性を有するように磁石を整合させ、それによって、同導管内の同物体の流れの方向に対し垂直な単一方向磁場が形成され、それによって、前記モジュール同士の間のエアーギャップ内に同液体または気体の層流を破壊する不均一な磁束密度を形成し且つ処理性能効率を高めるようになされている。
【００３７】
各磁石の上部及び／又は側部の空間を占める概念的流線の性質を減少させることにより磁場の有効部分を物質の流動路上に集中させるために、各磁石の５つの外面の裏側に高度な絶縁シールドを使うことが望ましい。たとえば、一般的には、磁石の一面のみ（利用可能な６面の内の１面のみ）に金属製の保磁子が嵌合される。典型的な高度な絶縁シールド技術は、成形された（２−５面）または取り付けられた１つの「保磁子」または個々の「保磁子」の組み合わせを使用し、正方形または長方形の磁石の利用可能な６つの面のうちの２面以上及び／又は５面以下を覆うことである。従って、高度な絶縁シールドは、所与の磁石の外面のうちの２−３−４面及び／又は５面以下を覆っても良い。同高度絶縁シールド技術は、本発明の特定の磁場を包み込むことにより外部磁場への露出をさらに効果的に除去または減少する役目を果たす。本発明の包み込まれた磁場が、その他の外部の磁場／装置と干渉しにくくなるという点において、逆の利点も得られる。（その他の外部磁場及び装置とは、イグニッション・コイル、発電機、ナビゲーション機器、コンピュータ、ラジオなどである。）
また、各磁石からの中央磁束密度線が平行になるように、二つの磁石を配列する際にモジュールの組の各部の間にスペーサーを使用し、モジュール組の安定した平行配列を実行することも望ましい。
【００３８】
装置は磁石のモジュール一組以上から成り立っている。磁石の各組は、液体または気体の流れる導管または囲繞容器の周囲に、実質的平行になるように配置され且つ配列されている。モジュール組の各磁石は、縦面横面とも正方形又は矩形である。モジュールは、流れる物体が磁場と十分な接触時間を持てるようにするため漸増方式により導管に沿って縦長に取り付ける。モジュールの磁石は、導管を流れる物質の方向に垂直な単一方向磁場を形成するために極に関して配列し、ひとつの磁石の導管に面する側面は、同じモジュールのもう一方の磁石の導管に面する側面とは極性が反対で、またモジュール組の一方の磁石はもう一方の磁石よりも高い磁束密度を持つ。さらに、電磁回路の影響力を持つ磁束場の線は、導管内の物質の流れに対して垂直となる。
【００３９】
各モジュールには磁石が利用されているが、特定の物質を処理するために最適の磁束密度を提供するためには、熱安定性非等方性磁石の利用が望ましい。モジュール内の二つの磁石間の磁束密度の違いが、物質内の流れに乱流を起こす“不均質”磁場を形成する。本願における参考のために、導管またはその他の囲繞容器内を流れる液体または気体のエアーギャップ内に不均質な磁束密度の場を適用する技術は、「磁気的位相合わせ」または「位相合わせ」と称する。
【００４０】
高度な絶縁シールドは、各磁石の上部及び／又は側部の空間を占める概念的流線の性質を減少させることによって、物体の流動路の磁場の有効な部分を集中させるために、各磁石の５つの外面の背後において使われるのが望ましい。それにより、これらの流線は、絶縁シールドもしくは“保磁子”を介して、エアーギャップ内の集中領域に向かって導かれる。平行な整列の制御は、両磁石からの中央の磁束密度線が理想的に整列されるように、両磁石をしっかり整合させるための「スペーサー」、つまりスペーサー手段を使用するユニークな方法で達成することができる。これらのスペーサーは、モジュールの二つの磁石の間の導管の両側に配置され、物体の方へ導かれる磁石の強度の減少を防ぐ。例を挙げれば、典型的なスペーサーは、モジュールの長さに合わせ且つ対象となるモジュール組の間に存在する空間のための均一で且つ平行な充填材を提供する本質的に長方形のプラスチック片である。空間は導管の直径及び各モジュール片の寸法により決定されるが、好ましいスペーサ手段は、約１／１６インチ（０．１６ｃｍ）から各モジュールの各辺内の磁石の幅を超えないの寸法までの厚さのものが望ましい。
【００４１】
遮断材（保磁子）は、軟鉄が工業用遮蔽材として一般的に使用されているので、細長い平らな軟鉄が望ましい。しかしながら、鋼などの別の遮断材を使用することが可能である。保磁子は、普通、特定の磁石面の長さと幅とに一致し、厚さは一般的に１／１６インチから７／８インチ（０．１６ｃｍ〜２．２４ｃｍ）である。
【００４２】
モジュールは、分子鎖が均一に散開するのを促進するために、磁束密度範囲の強度の増加に基づいて、導管に沿って個々に又は漸増的に配置する。商業的に入手できる適切な磁石の使用に基づいて、磁束密度強度の全幅は、典型的には、片側の磁石は約２，２００ガウス以下から約１３，８００ガウス以上で、もう一方の磁石は約３，８５０ガウス以下から約１１，０００ガウス以上で、典型的には、少なくとも約８００ガウスの差があるようにする。種々の磁性材料が利用できるので、これらの強度レベルは低くしても高くしても良い。物体を磁気モーメントの初期段階に到達させるために、最初に指向的磁気エネルギーのレベルで物体を処理することによって、漸増処理を行う。例えば、個体における磁束密度の典型的な幅として、第一段階のモジュールの片側の磁石が２，２００ガウスで、もう一方の磁石が３，８５０ガウスであり、また同片側の磁石がセラミック材で、もう一方もセラミックかまたは類似の材とすることができる。
【００４３】
熱安定化処理を施したセラミック及び／又はネオジム鉄ホウ素磁石の併用は、望ましい非等方性磁石材の代表である。その他の非等方性磁石材（すなわち、サマリウム・コバルト級等）も使用できる。さらに、その他の非等方性磁石材が利用可能になれば、それもまた使用できると予想される。別の方法として、十分な磁束密度があれば等尺の磁石の使用も考えられる。
【００４４】
第一段階は、「抵抗のより低い」分子に対する磁気モーメント作用を開始するように作用する。それが進行する段階で、一旦磁気を与えられ「整列」せしめられたこれらの分子は、他のまだ影響を受けていない分子へのより大きなアクセスを提供しつつ、自らを再配列する傾向がある。次に、第二段階のより強力な指向性磁気エネルギーが適用され、物体内の遙かに高度な全体的な磁気飽和を達成するために、より抵抗が大きいけれども上記によりアクセスのしやすくなった分子に、特定的にまた効果的に作用する。個体における磁束密度幅の典型的な例を挙げれば、２組のモジュールを有する装置のための第二段階モジュールは、一つの磁石がセラミック材から成り３，４００ガウスで、第二の磁石がネオジム鉄ホウ素から成り１０，２００ガウスということも可能である。
【００４５】
必要であれば、処理物体が最適飽和度に達するまで、一貫して高いレベルの磁気エネルギーを漸増的に追加適用することもできる。
モジュールの設計は、特定のタイプの物体及び導管または囲繞容器への本発明のより特別な応用を可能にする。また、様々なタイプの物体、導管、そしてそれらの個々の用途に本発明をより効果的に適用することも可能にしている。しかし、それはモジュール内の漸増強度及び非均一磁束密度に限定されていない。高磁束密度磁石はすべて、モジュールの同じ上部または下部にそれぞれ隣接して配列し、一方、低磁束密度磁石はすべて、モジュールの反対側部品内に位置するよう配列することもできる。その他の配置として、より強力な攪拌または乱流を促進するために、各モジュールにより強力な磁石を少しずつずらして配列することも望ましい。
【００４６】
好ましい実施形態の詳細な説明
一つの図面の特徴に対して使用された符号であって、他の図面において繰り返し使用される符号は、説明されている特徴に関して変わることはない。
【００４７】
本発明は、２部品から成るモジュール（図１で示されている上部品（Ａ）及び下部品（Ｂ））最低１つから構成されている。システム全体は最高８つまでのモジュールにより形成されるが、最低１つのモジュールでも効果的な適用が可能である。モジュールは、液体または気体が流れる導管１またはその他の囲繞容器のまわりに配列される。モジュール組の各部品（上部（Ａ）及び下部（Ｂ））は、プラスティック（しかしそれに限定されることはない）のような非磁性材料で作られた外被２を含む。この外被は、通常、上面及び側面に沿って丸みのある縁をもつ長方形である。外被内の磁石５及び５ａもまた、同様な形（磁石５が図１Ａに示されている）である。モジュール内の各磁石は、導管を流れる物体の方向に垂直な単一方向磁場を形成するように磁極をそろえて配列されている。具体的に言えば、ひとつの磁石の導管に面した側面は、同じモジュールのもうひとつの磁石の導管に面した側面とは極性が反対である。さらに、電磁回路の概念的磁束場の線は、導管を流れる物体に対して垂直である。
【００４８】
導管１は、各部品の底部に設けられた凹状の半楕円構造の溝３に収まる。この溝は、様々な大きさ及び形状の導管を収容できるよう、特に幅広く且つ浅く設計されている。さらに、この溝は、図１Ａに示されているように、エアーギャップに対して磁石をより直接的に配置できるようにしている。各整合溝３内の矩形の開口部４により、収容された磁石５の実際の表面がモジュール対間のエアーギャップへ直接露出されている。部品は、理想的には平行に配置され、特に図１Ｂに示してあるような一般的なプラスチック製の紐６などを使用し固定することができる。図示されているように、上下における平行な配置である。別の方法として、平行部品は、導管の両側または対角線上にそれぞれが平行になるようにしてもよい。各部品の側部に設けられた窪んだ溝７は、プラスチック製の紐の固定嵌合部を収納するために設けられた孔が開けられた開口部８につながっている。直径の小さい導管に対しては、外部ハウジングの平らな面が、通常は、しっかり取り付けられる同一平面の平行な適合を可能にする。しかし、このようにしっかり取り付けられた同一平面の平行な適合ができないサイズまたは形の導管の場合には、様々な厚みの平行に配列されたスペーサー手段９が、２つのモジュール部品の両側の間のスペースを満たすために提供されている。図１Ｂは、部品がデカルト平面の全３面において平行に配列されるよう、モジュール対の最適な配置を確実にするという平行配列スペーサーの機能を示している。スペーサー９は、各部品の底面の浅い窪み２１内にスナップ形式ではめ込まれる。
【００４９】
図２及び図２Ａは、ハウジング２を示す正面立面図及びカッタウェイ図であり、導管１の周囲に一定した平行位置を維持するための平行配置スペーサー９の使用方法を強調している。モジュールの各対は、特定の液体または気体物質の最適な処理と磁束密度を提供するために熱的に安定化された非等方性磁石を利用することが望ましい。しかしながら、安定化された非等方性磁石においてさえも、処理の程度は、物質内の分子の抵抗する群に有効に到達する磁場の能力によって制限される。しかしながら、ここでは、一つのモジュール対の一つの磁石５及び５ａは、常に、他の磁石よりも高い磁束密度を有している。一つのモジュール内の２つの磁石の磁束密度の差によって、特に、エアーギャップ内に独特の“不均一”な磁束場が形成され、これは物質内に乱流を惹き起こす。ここでの参考として、導管又はその他の囲繞容器内を液体又は気体の流れを生じさせるために、特にエアーギャップ内の不均一な磁束密度の場を適用する技術は、“磁気的位相合わせ”又は“位相合わせ”と呼ばれている。エアーギャップ内の中心の流線に沿って導かれる磁気エネルギのレベルを増大させることによって物質内の流れの乱れを惹き起こすのは、この磁気的な位相合わせ技術である。乱流が増大すると、物質に対する磁束場の作用力が増す。
【００５０】
図２Ａのカッタウェイ図においては、磁石５及び５ａの、導管１に近接し且つ平行な配置が示されている。両側に示された平行な整合スペーサー９は、モジュールの上部片と下部片との両方の平行な配置を確実なものにする。各スペーサーは、ハウジング２に設けられた窪み２１（図１Ａにも示されている）内にスナップ式にはめ込まれるコネクタを有している。平行整合のための溝３及び直接的な露出開口部４もまた図示されている。更に、高度な絶縁シールド１０，１０ａ，１０ｂが各々示されている。
【００５１】
図２Ｂは、磁石の外面の周囲の定位置に設けられた典型的な高度な絶縁シールドを強調している斜視図である。磁石の上方及び／又は側方の空間を満たすために、概念的な磁束線の性質を減らすことによって物質の流路上の磁場の有効領域を収束させるために各磁石の各々の外面の背後において使用されている絶縁シールド１０，１０ｂ，１０ｃが示されている。その代わりに、これらの磁束線は、絶縁シールド又は“保磁子”によって、エアーギャップ内の集束領域に向かって方向が変えられる。本質的に、各磁石は、最少２つの面内に囲繞されているが、５つの側部遮蔽手段によって囲繞されているのが好ましい。液体又は気体にさらされるべき唯一の磁石の面は、処理されるべき物質に対して直接さらされるように遮蔽されず且つ開放されたままである。
【００５２】
図２Ｃは、磁石の５つの外面の周囲の高度な絶縁シールド１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄを極めて詳細に強調している分解斜視図である。磁石（５または５ａ）は、わかりやすいように灰色で示されている。
【００５３】
図２Ｄは、磁石の各外面の周囲の定位置に設けられた典型的な高度な絶縁シールド１０，１０ｃ、１０ｄを強調している側面カッタウェイ立面図である。磁石（５または５ａ）は、わかりやすいように灰色で示されている。
【００５４】
図２Ｅは、磁石の外面の周囲の定位置に配置された典型的な高度な絶縁シールド１０，１０ａ、１０ｂを強調してるい正面カッタウェイ立面図である。磁石（５または５ａ）は、わかりやすいように灰色で示されている。
【００５５】
図３は、典型的なモジュールの側面立面図である。典型的なモジュールの側面は視覚的に同一である。プラスチック製の紐と共に使用するための丸みが付けられた頂部端縁及び窪んだ溝を示している。
【００５６】
図３Ａは、外部ハウジング及び導管に関連した内部構成部品を示す、カッタウェイ側面立面図である。各々の磁石の面と同じ長さ、幅及び大きさの絶縁シールド１０，１０ｃ、１０ｄの使用方法が示されている。
【００５７】
この側面立面図からわかるように、モジュール対の各磁石５および５ａは、長さ及び横幅の両方が矩形として示され、非磁性材料の外部ハウジング内に収容されている。既述の如く、モジュールの磁石は、導管を通る物質の流れの方向に垂直な単一方向の磁場を形成するように磁極が配列されている。特にエアーギャップへの磁石表面の直接的な露出は、上記した配列のための溝３の一体部分である直接的に露出するための開口部４により提供される。繰り返すが、電磁回路の概念的磁束場の線は、導管内の物質の流れに垂直である。コネクタ１８（図２Ａにも示されている）は、平行配置スペーサー手段９のみならずハウジングの底面に設けられた同スペーサー手段に適合するコネクタ嵌合窪み２１の一部分として示されている。
【００５８】
図４には、典型的なモジュールの上部部品「Ａ」の頂面は、実質的に長方形である。側部及び頂部に沿った丸みを付けられた端縁及び各モジュール部品上の２つの位置を通すためにプラスチック製の紐を通すための溝穴８が示されている。
【００５９】
図４Ａには、典型的なモジュールの下部部品「Ｂ」の頂面が示されている。これは、本質的に矩形で、上部部品「Ａ」と視覚的に同一である。
図５には、本質的に矩形の上部部品「Ａ」の底面が示されている。凹状の楕円形配列溝形３、直接露出用開口部４、磁石５ａ及び挿入口２１が示されている。下部部品「Ｂ」の底部は、上部部品「Ａ」の対応する面と視覚的に同一のものとして図５Ａに示されている。図に示されているように、上部部品及び下部部品の磁石５及び５ａの強度は差異がなくてはならない。
【００６０】
モジュールは、分子鎖の均一な散開を促進するために、増大する磁束密度の強さに基づいて導管に沿って漸増するように配置する。
図６は、４個のモジュール構造を示している。漸増的な処理は、初期の程度の磁気モーメントを得るために、方向性を持つ磁気エネルギーのレベルによって、物質を最初に処理することを含む。論理的に、最初のレベルの処理は、より低い抵抗力を持つ分子内の電子のスピン・フリップを促す方向性磁気エネルギーを持った１番目のモジュール１２内で行われる。処理が進むに従い、磁気の影響を受け且つ整列した分子は、自らを再配置する傾向を示し、まだ影響を受けていない他の分子へのアクセスをより容易にさせる。方向性磁気エネルギーの比較的高い増分を提供する２番目のモジュール１３は、物質内の磁気飽和度を増大させる。この漸増プロセスは、３番目のモジュール１４及び４番目のモジュール１５においても続けられ、物質内に著しく高いレベルの全体的磁気飽和を達成する。モジュールは、モジュール結合装置１６ａ及び１６ｂの使用により互いに結合されている。各結合装置は、図６Ａに示されているように、表面及び裏面に４個のコネクター１８を有している。これらのコネクターは、各モジュールの表面及び裏面に設けられた適合するコネクター挿入口１７にスナップ式にはめ込まれる。モジュール設計は特定のタイプの物質及び導管または囲繞容器への発明のより特別な適用を可能にする。図７は、別の４個のモジュール構造の分解カッタウェイ図を示している。この分解図は、モジュール結合装置１６Ａ及び１６Ｂの相対的な使用方法を示している。これらの結合装置１６Ａ及び１６Ｂは、一貫した磁気的な方向性流動を維持し、モジュールを、整列したグループとして導管の周囲に配置させることを可能にする。本発明は、モジュールが相互に整合され且つ平行で且つ処理される物質の流れに対して垂直のままである限り、導管に対する角度とは無関係に一貫して機能するように設計されている。
【００６１】
図８及び８Ａは、個々のモジュール結合装置形式Ａ及びＢの表面、裏面及び側面からの眺めである。モジュール結合装置は、全部で６個ある。これらのうち、実質的に２つの形式が、８つのモジュール間の相対的な高さの違いに対応するために高さを調節できる。全ての結合装置には、コネクター１８が合計８個ある。典型的な結合装置の表面と裏面それぞれには４つのコネクターがある。これらのコネクターは円筒形で、各モジュール部品の表面と裏面にある対応するコネクター挿入口１７にはめ込めるような大きさと位置にある。
【００６２】
図９は、平行配置スペーサーの斜視図である。２つ一組の同一スペーサーは、典型的なモジュールの部品（Ａ／Ｂ）間の開放空間に最も適合するように漸増的に高さを変えて使用することができる。各スペーサーは、長方形で、頂面及び底面それぞれに２つのコネクター１９がある。コネクターの間には、プラスチック製の紐を通すための孔２０がある。これらのコネクターは、各モジュール部品Ａ及びＢの底面にある対応する差込口（図１Ａ，２Ａ，３Ａの２１）にはめ込む。様々なサイズで描かれているが、図解のためであって、本発明のためのコネクターの使用方法を限定する目的ではない。
【００６３】
図１０は、発明の作動方法を示している発明の好ましい実施形態のカッタウェイ側面図である。モジュール＃１のエアーギャップ内における初期の方向的不均等磁束密度の提供により、磁気処理は、処理物質内の抵抗の低い分子の磁気モーメントに作用を開始する。整列した分子は自らを再配置して、他のまだ磁的影響を受けていない分子への大きなアクセスを作り出す。モジュール＃２は、第二のより高いレベルの磁気的位相合わせを提供し、それによって、更に高い磁気モーメント効果を与え、分子鎖の均一的散開の促進を継続する。このプロセスは、モジュール＃３より＃８により、磁気的位相合わせのレベルを漸増的に増加することにより継続される。
【００６４】
図１０Ａには、８モジュールの全体システムが、漸増的な形態で導管（図示せず）に沿って配置されている。モジュール・スペーサーは、各隣接するモジュールの上部部品「Ａ」及び下部部品「Ｂ」に対して一定した相対的な配置を維持している。
【００６５】
図１１は、導管１（図１１には図示されていない）の上下に正しく配置されたシステムを示している斜視図である。導管が如何に各モジュールの配置溝３に沿って特別に配置されているかについてのより詳細な細部を提供するために、平行配置スペーサー手段９は図示されていない。直接アクセス開口部４は、導管の外壁に対して適合する位置で図示されている。
【００６６】
ここに説明した効果を得るためには、最低１つまたは最高８つのモジュールを一緒に使用してもよい。このモジュールの設計を提供することにより、実社会での使用における多くの変動要素に対して、プロセス及び装置を最適に応用することが可能であると考えられる。既述のように、最適飽和度は、２〜８個のモジュールの使用により達成される。また、特定物質へのより強力な磁場の持続的適用の有益な効果は、既述のように、計測可能な収穫低減限度に到達する。モジュールをそれ以上追加することは、統計学的及び経済的に論理的ではない。それ以上使用することはできるが、８個のモジュールを超える使用は収穫低減限度に達し、効果の点で大きな差異は認められず且つ変化をもたらさない。
【００６７】
実験的試験及び結果の比較的検証
先行試験は、同一のエンジン特性を有する数台の自動車で行われた。運転手、車両重量・形、目的地までのドライブの特徴もまた比較的一定である。試験目的は、可能な限り多くの車に種々の装置を装着し、ガロン当たりのマイル（ＭＰＧ）またはリッター当たりのキロメートルの年間平均を出すことである。ここに説明された装置の試作品もまた同一のガイドラインに沿ってテストされる。車は、自動車製造会社３社により提供された類似する車両モデル及びエンジンの範囲から選ばれた。合計６種の基本的なエンジン・サイズ・グループに類別し、各平均距離ベースラインを設定するために各エンジン・グループの比較走行距離データが使用された。
【００６８】
初期ベースライン走行距離データは、車をエンジン・サイズ、車種、重量及びドライブ距離により類別し、２年間以上の記録を蓄積したものである。初期ベースライン・テストにおいては、磁気装置は使われない。
【００６９】
第二テストは、商業的に利用可能な磁気装置を、上記の車両の燃焼源から８フィート（２．４メートル）以内に取り付け、マイルまたはキロメートルの距離、車両及びドライブの特徴を記録したものである。このデータは、同じ車の類似平均ＭＰＧまたはＫｍ／Ｌを得るため一年間以上記録を蓄積する。
【００７０】
本願において説明した本発明の試作品も、同一のガイドラインに沿ってテストされた。年間ＭＰＧまたはＫｍ／Ｌについて商業的に利用可能な装置使用の車と装置を装着していない車の比較試験が行われ、その結果と本発明の試作品の結果が比較された。図１２の表は、装置を装着していない車、商業的に利用可能な装置を装着している車、本発明試作品を装着している車の特徴を詳述しているものであるが、試作装置装着後にＭＧＰまたはＫｍ／Ｌの効率の著しい増加を示している。本発明は、テストされた商業的装置と比較して、平均１２％もＭＰＧまたはＫｍ／Ｌを増加させている。さらに、新発明は、よりコンスタントに全体的効果をも示している。ここで重要な点は、この比較テストに、本発明わ含む合計８個のモジュールのうち、ただ一つのモジュールしか使われていないということである。
【００７１】
ここに説明したプロセス及び装置に、本発明の精神から逸脱することなく様々な修正または変更を加えることが可能であるということは明らかである。
【図面の簡単な説明】
以下の図面は、現在の好ましい実施形態を視覚的に表現するために提出されるものである。しかしながら、本発明はこの通りの形態を取るものとは限らない。図中の導管とプラスティック製の紐とは、使用法を明確にする目的であって、それらは本発明に含まれるものではなく、またそれら自体が発明でもない。
【図１】図１は、各モジュールの上部及び下部を示す２−モジュール構造の斜視図である。本発明は、導管に固定された状態で示されており、平行配列スペーサーの相対的使用方法が示されている。
【図１Ａ】図１Ａは、詳細な構成が拡大された典型的モジュールを示している、図１の断面の斜視図である。エアーギャップも強調されている。
【図１Ｂ】図１Ｂは、平行配列スペーサーを使用した図１モジュールの同じ断面図の斜視図である。この図では、モジュールは導管に設置されて示され、モジュールを導管の周囲に固定するための標準的なプラスティック製の紐の使用が強調されている。
【図２】図２は、典型的なモジュールの正面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、典型的なモジュールのカッタウェイ正面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、磁石の外表面の周りに装着された典型的な高度絶縁シールドが強調されている斜視図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、磁石の５つの外面の周囲に装着された高度絶縁シールドをより詳細に強調している分解斜視図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、磁石の外面の周りの定位置に装着された典型的な高度絶縁シールドを強調している側面図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは、磁石の外面の周りの定位置に装着された典型的な高度絶縁シールドが強調されている正面図である。
【図３】図３は、典型的なモジュールの側面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、典型的なモジュールのカッタウェイ正面図である。
【図４】図４は、典型的なモジュールの頂面図であり、上部（Ａ）の上面が示されている。
【図４Ａ】図４Ａは、典型的なモジュールの頂面図であり、下部（Ｂ）の上面が示されている。
【図５】図５は、典型的なモジュールの上部（Ａ）の下面の平面図であり、上部（Ａ）及び下部（Ｂ）の磁石構成の違いが示されている。
【図５Ａ】図５Ａは、典型的なモジュールの下部（Ｂ）の下面の平面図であり、上部（Ａ）及び下部（Ｂ）の磁石構成の違いが示されている。
【図６】図６は、部分的４−モジュール構造の斜視図である。
【図６Ａ】図６Ａは、モジュール連結装置と部品の装着部分の詳細を示す斜視図である。
【図７】図７は、図６の部分的モジュール使用構造の詳細を示すカッタウェイ側面図である。モジュールは、モジュール連結装置のより詳細な使用方法を示すために、導管に沿って離れて示されている。
【図８】図８は、個々のモジュール連結装置の、正面、側面、背面からの立面図である。
【図８Ａ】図８Ａは、個々のモジュール連結装置の、正面、側面、背面からの立面図である。
【図９】図９は、平行配列スペーサー・サイズの斜視図である。
【図１０】図１０は、導管（図示せず）に沿って配列されたシステム全体のカッタウェイ側面図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、連結装置及び平行配列スペーサーを強調しているシステム全体の分解、カッタウェイ、側面図を示す、挿入図である。
【図１１】図１１は、システム全体を強調している好ましい実施形態の斜視図である。本発明は、導管（図示せず）に沿って装着されている。
【図１２】図１２は、本発明による性能の改良を示した図である。
【図１】
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【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図３】
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【図３Ａ】
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【図４】
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【図４Ａ】
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【図５】
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【図５Ａ】
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【図６】
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【図６Ａ】
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【図７】
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【図８】
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【図８Ａ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１０Ａ】
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【図１１】
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【図１２】
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【外国語明細書】
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