(57)【要約】【課題】焼成時に内部導体が融解や揮発せず、内部導体と外部電極が十分な接合力を有することにより、製造歩留まりの高い積層セラミック電子部品および積層セラミック複合部品を得ること。【解決手段】積層セラミック電子部品を構成するセラミック焼結体が、Ｓｉ成分をＳｉＯ２に換算して５０〜７０重量％、Ｂａ成分をＢａＣＯ３に換算して２０〜４０重量％、Ａｌ成分をＡｌ２Ｏ３に換算して２〜１０重量％、Ｃｒ成分をＣｒ２Ｏ３に換算して０．５〜３重量％、Ｃａ成分をＣａＣＯ３に換算して０．３〜３重量％、Ｂ成分をＢ２Ｏ３に換算して１〜３重量％含む絶縁セラミック組成物よりなるとともに、前記積層セラミック電子部品を構成する内部導体および外部電極が、銅を主成分とすることを特徴とする。【選択図】　　　　図２
2004146635.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁セラミック組成物からなるセラミック焼結体と、前記セラミック焼結体の内部に形成された内部導体と、前記セラミック焼結体の外表面に形成され前記内部導体と電気的に接続される外部電極と、前記外部電極上に形成されたメッキ層を備える積層セラミック電子部品において、
前記内部導体および前記外部電極が銅を主成分とするとともに、前記絶縁セラミック組成物が、Ｓｉ成分をＳｉＯ２に換算して５０〜７０重量％、Ｂａ成分をＢａＣＯ３に換算して２０〜４０重量％、Ａｌ成分をＡｌ２Ｏ３に換算して２〜１０重量％、Ｃｒ成分をＣｒ２Ｏ３に換算して０．５〜３重量％、Ｃａ成分をＣａＣＯ３に換算して０．３〜３重量％、Ｂ成分をＢ２Ｏ３に換算して１〜３重量％含むことを特徴とする積層セラミック電子部品。
【請求項２】
絶縁セラミック組成物からなるセラミック焼結体にコンデンサ部とインダクタ部が一体に構成され、前記コンデンサ部および前記インダクタ部はそれぞれ前記セラミック焼結体と内部導体が積層されたもので構成され、前記セラミック焼結体の外表面に形成され、前記コンデンサ部および前記インダクタ部の前記各内部導体に電気的に接続される外部電極を備える積層セラミック複合部品において、
前記内部導体および前記外部電極が銅を主成分とするとともに、前記絶縁セラミック組成物が、Ｓｉ成分をＳｉＯ２に換算して５０〜７０重量％、Ｂａ成分をＢａＣＯ３に換算して２０〜４０重量％、Ａｌ成分をＡｌ２Ｏ３に換算して２〜１０重量％、Ｃｒ成分をＣｒ２Ｏ３に換算して０．５〜３重量％、Ｃａ成分をＣａＣＯ３に換算して０．３〜３重量％、Ｂ成分をＢ２Ｏ３に換算して１〜３重量％含むことを特徴とする積層セラミック複合部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、積層型のセラミック電子部品に関する。例えば積層インダクタ、積層コンデンサなどの積層セラミック電子部品、あるいはインダクタ部とコンデンサ部を有する積層セラミック複合部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
積層インダクタ、積層コンデンサなどのセラミック積層電子部品、あるいはインダクタ部とコンデンサ部を有する積層セラミック複合部品に用いられる材料としては、低融点の内部導体との共焼成が可能な低温焼結材料が知られている。例えば、特開平４−１６５５１号にて示される低温焼結磁器組成物がある。この低温焼結磁器組成物は、Ｓｉ成分をＳｉＯ２に換算して４０．０〜７０．０重量％、Ｂａ成分をＢａＣＯ３に換算して２０．０〜５０．０重量％、Ａｌ成分をＡｌ２Ｏ３に換算して２．０〜１０．０重量％、Ｂ成分をＢ２Ｏ３に換算して１．０〜３．０重量％、Ｃｒ成分をＣｒ２Ｏ３に換算して０．３〜３．０重量％、およびＣａ成分をＣａＣＯ３に換算して０．３〜３．０重量％含むものである。この低温焼結磁器組成物によれば、低温で焼成可能であり、最適焼成温度範囲が広く、しかも絶縁抵抗が高く誘電率が低い。したがって、たとえばバッチ炉や連続焼成炉にフルチャージで焼成することが可能であるとともに、歩留まりが向上する効果を有し、多層電気回路基板などの量産実用化に大きく寄与するものである。
【０００３】
【特許文献１】
特開平４−１６５５１号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述した特開平４−１６５５１号の低温焼結磁器組成物は、最適焼成温度が９４０〜１０００℃と、Ａｇの融点（約９６０℃）に近いか、またはそれ以上である。よって、前記低温焼結磁器組成物を使用して積層インダクタ等の積層セラミック電子部品を製造する場合、内部導体にＡｇを使用することができない。前記低温焼結磁器組成物の焼成温度がＡｇの融点以下近傍であっても、Ａｇが揮発しやすく、内部導体の切断による特性低下、信頼性低下が起こるという問題がある。
【０００５】
本発明は、上述した特開平４−１６５５１号の低温焼結磁器組成物をベースとしつつ、焼成時に内部導体が融解や揮発せず、内部導体と外部電極が十分な接合力を有することにより、製造歩留まりの高い積層セラミック電子部品または積層セラミック複合部品を得ることを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を達成するため、本発明の積層セラミック電子部品は、絶縁セラミック組成物からなるセラミック焼結体と、前記セラミック焼結体の内部に形成された内部導体と、前記セラミック焼結体の外表面に形成され前記内部導体と電気的に接続される外部電極と、前記外部電極上に形成されたメッキ層を備える積層セラミック電子部品において、前記内部導体および前記外部電極が銅を主成分とするとともに、前記絶縁セラミック組成物が、Ｓｉ成分をＳｉＯ２に換算して５０〜７０重量％、Ｂａ成分をＢａＣＯ３に換算して２０〜４０重量％、Ａｌ成分をＡｌ２Ｏ３に換算して２〜１０重量％、Ｃｒ成分をＣｒ２Ｏ３に換算して０．５〜３重量％、Ｃａ成分をＣａＣＯ３に換算して０．３〜３重量％、Ｂ成分をＢ２Ｏ３に換算して１〜３重量％含むことを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の積層セラミック複合部品は、　絶縁セラミック組成物からなるセラミック焼結体にコンデンサ部とインダクタ部が一体に構成され、前記コンデンサ部および前記インダクタ部はそれぞれ前記セラミック焼結体と内部導体が積層されたもので構成され、前記セラミック焼結体の外表面に形成され、前記コンデンサ部および前記インダクタ部の前記各内部導体に電気的に接続される外部電極を備える積層セラミック複合部品において、前記内部導体および前記外部電極が銅を主成分とするとともに、前記絶縁セラミック組成物が、Ｓｉ成分をＳｉＯ２に換算して５０〜７０重量％、Ｂａ成分をＢａＣＯ３に換算して２０〜４０重量％、Ａｌ成分をＡｌ２Ｏ３に換算して２〜１０重量％、Ｃｒ成分をＣｒ２Ｏ３に換算して０．５〜３重量％、Ｃａ成分をＣａＣＯ３に換算して０．３〜３重量％、Ｂ成分をＢ２Ｏ３に換算して１〜３重量％含むことを特徴とする。
【０００８】
上述した構成の絶縁セラミック組成物を、銅を主成分とする内部導体および外部電極と同時焼成した場合、これらの内部導体あるいは外部電極の融解や揮発による消失が防止される。また、内部導体と外部電極がともにＣｕにより構成されるため、界面が十分な接合力を有する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の積層セラミック電子部品の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
【００１０】
図１は本発明の積層電子部品の一実施の形態である積層インダクタの製造工程を示す図である。図２は前記積層インダクタの断面図である。
【００１１】
図２に示すように、積層インダクタは、セラミック焼結体１１とその両端部に形成された外部電極１３ａ、１３ｂよりなる。
【００１２】
セラミック焼結体１１はセラミック層１１ａ〜１１ｌが積層されたものであり、本発明の絶縁セラミック組成物よりなる。具体的には、セラミック焼結体１１は、内部導体１２ａ〜１２ｇが表面に形成された内部セラミック層１１ｄ〜１１ｊと、該内部セラミック層１１ｄ〜１１ｊを挟持し前記内部導体の形成されていないセラミック層１１ａ〜１１ｃ、１１ｋ〜１１ｌが積層されたものである。内部導体１２ａは外部電極１３ａと電気的に接続され、内部導体１２ｇは外部電極１３ｂと電気的に接続されている。そして、各内部導体１２ａ〜１２ｇはビアホール（図２では不図示）を介して電気的に直列接続され、コイル１２が形成されている。
【００１３】
次に、上記の積層インダクタの製造方法を図１に基づいて説明する。
【００１４】
まず、Ｓｉ成分をＳｉＯ２に換算して５０〜７０重量％、Ｂａ成分をＢａＣＯ３に換算して２０〜４０重量％、Ａｌ成分をＡｌ２Ｏ３に換算して２〜１０重量％、Ｃｒ成分をＣｒ２Ｏ３に換算して０．５〜３重量％、Ｃａ成分をＣａＣＯ３に換算して０．３〜３重量％、Ｂ成分をＢ２Ｏ３に換算して１〜３重量％含む絶縁セラミック組成物の粉末原料に、有機ビヒクルが添加され、スラリーとされる。該スラリーはシート成形によりセラミックグリーンシートとされ、乾燥後所定の大きさに打ち抜かれ、図１に示す矩形状のセラミックグリーンシート１ａ〜１ｌとして準備される。
【００１５】
次に、セラミックグリーンシート１ｄ〜１ｉにビアホール６が形成され、該ビアホール６にＣｕペーストが充填される。さらに、セラミックグリーンシート１ｄ〜１ｊにＣｕペーストがスクリーン印刷され、内部導体２ａ〜２ｇが形成される。
【００１６】
次に、セラミックグリーンシート１ａ〜１ｌが積層され、厚み方向に加圧されて積層体が得られる。該積層体の内部ではビアホール６を介して内部導体２ａ〜２ｇが電気的に直列接続され、コイルが形成される。該積層体の両端部に外部電極用Ｃｕペーストが塗布された後、焼成により図２に示すセラミック焼結体１１が得られる。
【００１７】
得られたセラミック焼結体１１は、図２に示すように外部電極１３ａ、１３ｂの上に第１のめっき皮膜１４ａ、１４ｂが形成される。例えば、セラミック焼結体１１はニッケルめっき液等の第１のめっき液に浸漬され、電解めっき処理によりニッケルめっき皮膜が形成される。さらに、必要に応じて第２のめっき皮膜１５ａ、１５ｂが形成される。例えば、スズめっき液やはんだめっき液等の第２のめっき液に浸漬され、電解めっき処理によりスズめっき皮膜またははんだめっき皮膜が形成される。これにより積層インダクタ１８が製造される。
【００１８】
このようにして得られた積層インダクタ１８は、焼成時の内部導体や外部電極の融解や揮発による消失が防止される。また、内部導体と外部電極がともにＣｕにより構成されるため、両者の界面が十分な接合力を有する。これらの作用により、特性や信頼性の低下が抑えられ、製造歩留が向上するという効果を有する。
【００１９】
次に、本発明の積層セラミック複合部品の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
【００２０】
図３は本発明の積層セラミック複合部品の一実施形態であるＬＣフィルタの製造工程を示す図である。図４は前記ＬＣフィルタの外観斜視図である。図５は前記ＬＣフィルタの回路図である。
【００２１】
図４のＬＣフィルタ２８の内部には、図５に示すＬＣ共振回路回路が構成されている。セラミック焼結体２７は、本発明の絶縁セラミック組成物よりなる。また、セラミック焼結体２７の外表面には、前記ＬＣ共振回路のインダクタンス部に接続するように外部電極２４ａ、２４ｂが、コンデンサ部に接続するように外部電極２５ａ、２５ｂがそれぞれ形成されている。
【００２２】
次に、上記のＬＣフィルタの製造方法を図３に基づき説明する。
【００２３】
まず、Ｓｉ成分をＳｉＯ２に換算して５０〜７０重量％、Ｂａ成分をＢａＣＯ３に換算して２０〜４０重量％、Ａｌ成分をＡｌ２Ｏ３に換算して２〜１０重量％、Ｃｒ成分をＣｒ２Ｏ３に換算して０．５〜３重量％、Ｃａ成分をＣａＣＯ３に換算して０．３〜３重量％、Ｂ成分をＢ２Ｏ３に換算して１〜３重量％含む絶縁セラミック組成物の粉末原料に、有機ビヒクルが添加され、スラリーとされる。該スラリーはシート成形によりセラミックグリーンシートとされ、乾燥後所定の大きさに打ち抜かれ、図３に示す矩形状のセラミックグリーンシート２１ａ〜２１ｍとして準備される。
【００２４】
次に、セラミックグリーンシート２１ｃ〜２１ｊにビアホール２６が形成され、該ビアホール２６にＣｕペーストが充填される。さらに、セラミックグリーンシート２１ｃ、２１ｄ、２１ｊ、２１ｋにＣｕペーストがスクリーン印刷され、コイル用内部導体２２ａ〜２２ｄが形成される。また、セラミックグリーンシート２１ｆ〜２１ｈにＣｕペーストがスクリーン印刷され、コンデンサ用内部電極２３ａ〜２３ｃが形成される。
【００２５】
次に、セラミックグリーンシート２１ａ〜２１ｍが積層され、厚み方向に加圧されて積層体が得られる。該積層体の内部では、図５に示すように、コイル用内部導体２２ａ、２２ｂによりインダクタンスユニットＬ１が、また、コイル用内部導体２２ｃ、２２ｄによりインダクタンスユニットＬ２が構成され、コンデンサ用内部電極２３ａ、２３ｂ、２３ｃによりコンデンサＣが構成される。得られた積層体の、図４に示す２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂの部位に外部電極用Ｃｕペーストが塗布された後、焼成によりセラミック焼結体２７が得られる。該焼結体の外部電極部に、めっき処理によりめっき皮膜が形成され、ＬＣフィルタ２８が得られる。めっき皮膜は、図１、図２で示した積層インダクタと同様に、第１のめっき皮膜、第２のめっき皮膜から構成される。第１のめっき皮膜はニッケルめっき皮膜からなり、第２のめっき皮膜はスズ皮膜またははんだ皮膜からなる。
【００２６】
このようにして得られたＬＣフィルタ２８においても、焼成時の内部導体や外部電極の融解や揮発による消失が防止される。また、内部導体と外部電極がともにＣｕにより構成されるため、両者の界面が十分な接合力を有する。これらの作用により、特性や信頼性の低下が抑えられ、製造歩留が向上するという効果を有する。
【００２７】
以上、本発明の積層セラミック電子部品または積層セラミック複合部品の製造方法について、それぞれ積層インダクタまたはＬＣフィルタを例に説明したが、上述以外の製造方法を用いることもできる。
【００２８】
例えば、内部導体の形成方法としては、上述のようにセラミックグリーンシートを作製してこれを積層する方法の他に、セラミック層および内部導体層をスクリーン印刷により逐次形成する方法も可能である。
【００２９】
また、上記の製造方法においては、Ｃｕ外部電極を焼成前に形成したが、焼成後に焼付等の方法により形成してもよい。
【００３０】
本発明の絶縁性セラミック組成物とＣｕ内部導体とＣｕ外部電極の組み合わせは、上述の実施形態すなわち積層インダクタやＬＣフィルタの他にも、様々な構造の積層セラミック電子部品あるいは積層セラミック複合部品に適用できる。例えば、マルチチップモジュール用セラミック多層基板、ハイブリッドＩＣ用セラミック多層基板などの各種セラミック多層基板、あるいはこれらのセラミック多層基板に回路素子を搭載したもの、さらに、チップ型積層誘電体アンテナなどのチップ型積層部品に好適に用いられるものである。
【００３１】
【実施例】
出発原料としてＳｉＯ２、ＢａＣＯ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＣａＣＯ３、Ｂ２Ｏ３の粉末を準備した。これらの粉末を表１に示す重量比でそれぞれ秤量し、水とメディア（玉石）を加えボールミルにて湿式混合した後、脱水・乾燥し、９００℃にて仮焼した。仮焼物をボールミルにより粉砕しセラミック原料粉末とした。
【００３２】
【表１】
2004146635.tif 000003
【００３３】
得られたセラミック原料粉末に水、分散剤、バインダーおよび消泡剤等の成形助剤を添加し、メディアとともに混練して粉末の平均粒径が１〜３μｍのスラリーとした。該スラリーをドクターブレード法により厚さ５０μｍのシート状に成形し、セラミックグリーンシートとした。
【００３４】
得られたセラミックグリーンシートを積層、圧着した後、縦２０ｍｍ、横１０ｍｍに切断し、板状の積層体を得た。
【００３５】
次に、Ｃｕ粉末（平均粒径０．５〜１．５μｍ）と有機質ビヒクルとを重量比８０：２０の割合で混合したＣｕペーストを、前記積層体の両主面にスクリーン印刷し、乾燥後、非酸化性雰囲気中９００℃〜１０５０℃で６０分焼成して、単板試料を得た。
【００３６】
得られた単板試料について、以下の特性を測定した。
【００３７】
自動ブリッジ式測定器を用い、周波数１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓ、温度２５℃における静電容量を測定し、誘電率を算出した。
【００３８】
絶縁抵抗は、絶縁抵抗計を用い、１６Ｖの直流電圧を２分間印加したときの、２５℃における絶縁抵抗を測定した。
【００３９】
抗折強度は強度計にて３点曲げにて測定した。算出方法はＪＩＳ規格を用いた。
【００４０】
熱膨張係数は、圧縮荷重法により測定した。すなわち、試料の下端を固定し、上端には検出棒を通して圧縮荷重を加え、試料の伸びや収縮を測定した。
【００４１】
熱伝導率は、熱定数測定法を用い、比熱と熱拡散率の測定から熱伝導率を算出した。
【００４２】
これらの測定結果を最適焼成温度、最適焼成温度範囲とともに表２に示す。
【００４３】
なお、最適焼成温度とは、試料の焼成前からの収縮率が最大となる温度のことである。また、最適焼成温度範囲とは、収縮率が最適焼成温度における収縮率より０．５％大きくなる温度を下限温度とし、はんだ付け性が不良となる温度を上限温度としたときの、上限温度と下限温度の差である。ここではんだ付け性不良とは、測定試料を１５０℃で２０秒間予熱し、Ｃｕ電極の表面に塩素系のフラックスを付けた後、２３０±１０℃の鉛−スズはんだ槽に２秒間浸漬したときに、Ｃｕ電極表面をはんだが覆う面積の割合が目視で９０％未満のものである。
【００４４】
【表２】
2004146635.tif 000004
【００４５】
次に、表１に記載した組成のうち、表２に示す最適焼成温度が１０００℃以下でＣｕとの同時焼成が可能な組成（試料Ｎｏ．１、２、４、５、６、７、９、１０、１１、１３〜２２）について、以下の手順で積層インダクタ試料および積層コンデンサ試料を作製した。
【００４６】
まず、Ｃｕ粉末（平均粒径０．５〜１．５μｍ）と有機質ビヒクルとを重量比８０：２０の割合で混合した内部導体Ｃｕペーストをセラミックグリーンシートの片主面にスクリーン印刷し、コイル用内部導体パターンを形成した。該セラミックグリーンシートを内部導体パターンを形成していないセラミックグリーンシートとともに積層、圧着した後、所定の寸法に切断し、インダクタ積層体を得た。該インダクタ積層体の内部では、前記内部導体パターンがビアホールを介して直列接続したコイルが形成された。
【００４７】
次に、Ｃｕ粉末（平均粒径０．５〜１．５μｍ）と有機質ビヒクルと平均粒径を１〜３μｍとした調整粉末を重量比７８：２０：２の割合で混合した外部電極用Ｃｕペーストを、前記インダクタ積層体の端面に塗布した後、非酸化性雰囲気中９００〜１０５０℃で６０分焼成して、インダクタ焼結体（外形寸法１．０×１．０×０．５ｍｍ）を得た。該焼結体の端面には、内部導体と電気的に接続したＣｕ外部電極が形成された。
【００４８】
得られたインダクタ焼結体の外部電極部に、第２層としてニッケル電解メッキ膜、第３層としてスズメッキ膜をそれぞれ形成し、積層インダクタ試料とした。
【００４９】
次に、前記内部導体Ｃｕペーストをセラミックグリーンシートの片主面にスクリーン印刷し、コンデンサ用導体パターンを形成した。該セラミックグリーンシートを内部導体パターンを形成していないダミーシートとともに積層、圧着した後、所定の寸法に切断し、コンデンサ用積層体を得た。得られたコンデンサ用積層体の端面に前記外部電極用ペーストを塗布した後、非酸化性雰囲気中９００〜１０５０℃で６０分焼成して、コンデンサ焼結体（外形寸法１．０×１．０×０．５ｍｍ）を得た。
【００５０】
得られたコンデンサ焼結体の外部電極部に、第２層としてニッケル電解メッキ膜、第３層としてスズメッキ膜をそれぞれ形成し、積層コンデンサ試料とした。
【００５１】
得られた積層インダクタ試料および積層コンデンサ試料について、以下の測定を行った。
【００５２】
まず、積層インダクタ試料の内部導体の透け度合いを目視により判断した。その結果、試料Ｎｏ．６およびＮｏ．１４で内部導体の透け不良が確認された。
【００５３】
次に、積層インダクタ試料および積層コンデンサ試料について、耐湿性の評価を行った。
【００５４】
積層インダクタ試料については、電流１００ｍＡ印加、１２０℃、相対湿度９５％、２ａｔｍの条件にて２００時間放置したときの、放置前後における直流抵抗とインダクタンス値の変化を測定した。また、積層コンデンサ試料については、電圧５０Ｖ印加、１２０℃、相対湿度９５％、２ａｔｍの条件にて２００時間放置したときの、放置前後における静電容量と絶縁抵抗値の変化を測定した。
【００５５】
上記特性のうち、直流抵抗、インダクタンス、静電容量については変化率が±１０％を越えるもの、絶縁抵抗については１０８Ω・ｃｍ以下に低下したものを不具合品としたが、積層インダクタ試料、積層コンデンサ試料とも、作製した全ての組成の試料で不具合は見られなかった。
【００５６】
以下に、本発明の絶縁セラミック組成物の組成範囲を限定した理由を説明する。
【００５７】
ＳｉＯ２が５０重量％未満の場合（試料Ｎｏ．１、Ｎｏ．２）、誘電率が７以上となり自己共振周波数が低下するとともに、絶縁抵抗も低下し、好ましくない。また、ＳｉＯ２が７０重量％を超えると（試料Ｎｏ．２４）、焼成温度が１０００℃を越え、内部導体とその引出し部のＣｕが揮発あるいは拡散し、好ましくない。
【００５８】
ＢａＣＯ３が２０重量％未満では（試料Ｎｏ．２４）、抗折強度が１５０ＭＰａ程度に低下するとともに、焼成温度が上昇するため好ましくない。ＢａＣＯ３が４０重量％を越えると（試料Ｎｏ．１、Ｎｏ．２）、誘電率が７以上となり自己共振周波数が低下するため、好ましくない。
【００５９】
Ａｌ２Ｏ３が２重量％未満の場合（試料Ｎｏ．２３）、またはＡｌ２Ｏ３が１０重量％を超える場合（試料Ｎｏ．３）には、焼成温度が上昇するため好ましくない。
【００６０】
Ｃｒ２Ｏ３が０．５重量％未満では（試料Ｎｏ．６、Ｎｏ．１４）、内部導体が透けて外観選別上の不具合が生じるため、好ましくない。また、Ｃｒ２Ｏ３が３重量％を超えると（試料Ｎｏ．２０）、絶縁抵抗が低下するため好ましくない。
【００６１】
ＣａＣＯ３が０．３重量％未満では（試料Ｎｏ．１８）、最適焼成温度範囲が１５℃以下と狭くなり、好ましくない。また、ＣａＣＯ３が３重量％を超えると（試料Ｎｏ．１２）、焼成温度が１０００℃を越えるため好ましくない。
【００６２】
Ｂ２Ｏ３が１重量％未満では（試料Ｎｏ．８）、焼成温度が１０００℃を越えるため好ましくない。また、Ｂ２Ｏ３が３重量％を超えると（試料Ｎｏ．１９）、最適焼成温度範囲が１５％以下と狭くなり、好ましくない。
【００６３】
これらに対し、本発明の組成範囲の絶縁セラミック組成物よりなる試料は、いずれも焼成温度が１０００℃以下かつ最適焼成温度範囲が１５℃以上であり、また良好な特性および信頼性を示した。
【００６４】
次に、試料Ｎｏ．１の組成のセラミックグリーンシートを用い、以下の手順でＬＣフィルタを作製した。
【００６５】
まず、前記Ｃｕ内部導体ペーストをスクリーン印刷してコイル用内部導体パターンを形成したセラミックグリーンシートと、コンデンサ用内部導体パターンを形成したセラミックグリーンシートと、内部導体パターンを形成していないセラミックグリーンシートとを積層、圧着した後、所定の寸法に切断し、ＬＣフィルタ積層体を得た。
【００６６】
次に、前記外部電極用Ｃｕペーストを、前記ＬＣフィルタ積層体の端面に塗布した後、非酸化性雰囲気中９００〜１０５０℃で６０分焼成して、ＬＣフィルタ焼結体を得た。該焼結体の端面には、内部導体と電気的に接続したＣｕ外部電極が形成された。
【００６７】
該ＬＣフィルタ焼結体の外部電極部に、第２層としてニッケル電解メッキ膜、第３層としてスズメッキ膜をそれぞれ形成し、ＬＣフィルタ試料とした。
【００６８】
得られたＬＣフィルタは、挿入損失等について良好な特性を示した。
【００６９】
以上の実施例に示されるように、本発明の組成範囲の絶縁セラミック組成物ならびにＣｕ内部導体およびＣｕ外部電極から構成された積層セラミック電子部品または積層セラミック複合部品は、内部導体や外部電極の焼成時における融解や揮発による消失が防止されるとともに、内部導体と外部電極の界面が十分な接合力を有するため、特性や信頼性の低下が抑えらる。
【００７０】
さらに、本発明の組成の絶縁セラミック組成物は、熱膨張係数が１０〜１４ｐｐｍ／℃、抗折強度が１６０〜１９０ＭＰａと良好な特性を有する。したがって、前記絶縁セラミック組成物を用いた積層セラミック電子部品あるいは積層セラミック複合部品は、特開平４−１６６５１号の銅導体内蔵の積層多層基板やガラスエポキシ基板に実装された場合、基板と部品で熱伝導率や熱膨張係数がほぼ同等であるため、はんだ付け工程等における熱応力でのクラックや断線、熱伝導差による実装不良の発生が低減されるという利点をも有する。
【００７１】
【発明の効果】
以上述べてきたように、本発明の積層セラミック電子部品および積層セラミック複合部品は、焼成時の内部導体や外部電極の融解や揮発による消失が防止され、また、内部導体と外部電極の界面が十分な接合力を有することにより、特性や信頼性の低下が抑えられ、製造歩留まりを向上できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の製造工程を示す図である。
【図２】図１に示す実施例の断面図である。
【図３】本発明における他の実施例の製造工程を示す図である。
【図４】図３に示す実施例の外観斜視図である。
【図５】図３に示す実施例の回路図である。
【符号の説明】
１ａ〜１ｌ　　　セラミックグリーンシート
２ａ〜２ｇ　　　内部導体
６　　　　　　　ビアホール
１１　　　　　　セラミック焼結体
１１ａ〜１１ｌ　セラミック層
１２　　　　　　コイル
１２ａ〜１２ｇ　内部導体
１３ａ、１３ｂ　外部電極
１４ａ、１４ｂ　第１のめっき皮膜
１５ａ、１５ｂ　第２のめっき皮膜
１８　　　　　　積層インダクタ
２１ａ〜２１ｍ　セラミックグリーンシート
２２ａ〜２２ｄ　コイル用内部導体
２３ａ〜２３ｃ　コンデンサ用内部電極
２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂ　外部電極
２６　　　　　　ビアホール
２７　　　　　　セラミック焼結体
２８　　　　　　ＬＣフィルタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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