(57)【要約】【課題】小型でアライメントが容易であり、光半導体素子とのアライメントによって、光アイソレータ４部の結合状態が変せず、且つ長期信頼性に優れた光デバイスＳ２を提供すること。【解決手段】不図示の発光素子または受光素子である光半導体素子に光結合可能で、且つコアレスファイバ５を含む複数の光ファイバの端部どうしが一列に接続された後記する光ファイバ体の少なくとも一部を、その光軸を横切りコアレスファイバ５を分断する第１凹部７を形成したフェルール３内に設け、第１凹部７の底面に、分断されたコアレスファイバ５，５を光結合可能な光アイソレータやフィルタ等の光学素子を位置決めするための第２凹部３３を設けた光デバイスＳ２とする。【選択図】　図１
2004061871.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体素子に光結合可能で、且つコアレスファイバを含む複数の光ファイバの端部どうしが一列に接続された光ファイバ体を、該光ファイバ体の光軸を横切り前記コアレスファイバを分断する第１凹部を形成したフェルール内に設けるとともに、前記第１凹部の底面に、前記分断されたコアレスファイバどうしを光結合可能な光学素子を位置決めするための第２凹部を設けたことを特徴とする光デバイス。
【請求項２】
前記光ファイバ体は、前記光半導体素子を光結合させる側から前記第１凹部までの間に、マルチモードファイバ及びコアレスファイバがこの順で接続されている部分を含むことを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。
【請求項３】
前記光ファイバ体は、前記マルチモードファイバの前記光半導体素子を光結合させる側にシングルモードファイバを接続したことを特徴とする請求項２に記載の光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信機器，センサー等に使用される光モジュールに搭載され、光モジュール外部からの反射戻り光を遮断する、光アイソレータと光学系を一体化した光デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
光通信の光源に用いられるレーザーダイオード（以下、ＬＤともいう）は、出射した光がある箇所で反射し、再びＬＤの活性層に戻ると発振状態が乱れ、出射パワーの変動や波長ずれ等が生じ、これにより信号が劣化する。
【０００３】
このような反射戻り光の問題を防止するために、通常、ＬＤは光を一方向のみに透過させる光アイソレータと同じパッケージ内に搭載され、光モジュールの一種であるＬＤモジュールを構成している。
【０００４】
特に、アナログ信号は上記反射戻り光によって劣化し易く、また、高密度な信号ほど反射戻り光の影響を受け易いため、ＣＡＴＶ等のアナログ伝送データの増加、大容量化、高速化に伴い、光アイソレータは不可欠な構成要素となってきている。
【０００５】
以下に、光アイソレータの一般的な動作について簡単に説明する。図７に示すように、光アイソレータ４は二つの偏光子１９ａ、１９ｂでファラデー回転子２０を挟むようにして構成されている。このような構成において、順方向光２２はそのまま透過し、逆方向光２３は遮断される。なお、ファラデー回転子２０は外部から磁界を印加することでファラデー効果を得るものと、自発磁化により外部磁界なしでファラデー効果を持つものがあるが、ここでは特に磁界を印加するための磁石は図示しないものとする。
【０００６】
次に、従来のＬＤモジュールの一例について説明する。図８に示すように、ＬＤモジュールＪ１は、パッケージ１８内に少なくともＬＤ１５、レンズ６ａ、６ｂ、光アイソレータ４、シングルモードファイバ１の一端部等が収納されている。なお、図中１６は受光素子（以下、ＰＤともいう）、１７はペルティエクーラー、３２は光ファイバ余長部を保護するためのラバーブーツである。また、１２は気密窓であり、パッケージ１８内部の気密を損なうことなく光線を通す機能を有している。
【０００７】
ＬＤ１５から出射された光は、レンズ６ａでコリメートされ光アイソレータ４を通過し、レンズ６ｂで集光されシングルモードファイバ１に入射される。全体は外部の環境から遮断するためパッケージ１８に内蔵される。レンズ６ａ、６ｂにはボールレンズ、両凸レンズ、非球面レンズ、グレイデッドインデックスレンズ（以下ＧＲＩＮレンズという）等が用いられる。
【０００８】
このような光モジュールＪ１では、光アイソレータ４、レンズ６ａ、６ｂ等は独立した部品として、それぞれが別々にホルダーに固定された後にアライメントされるので、部品点数が多く調整も煩雑で、大型化するといった問題があった。
【０００９】
そこで、光モジュール全体を小型化し、アライメントを容易にするために、図９に示すように、ファイバスタブ型光デバイスＳ１が提案されている（例えば、特開２００１−４４５５３号公報を参照）。このファイバスタブ型光デバイスＳ１はフェルール３内にモードフィールド径が異なる複数の光ファイバを収容して成り、フェルール３にモードフィールド径が最大の光ファイバを２つに分断する凹部７を形成するともに、凹部７内に光アイソレータ４を配設したものである。
【００１０】
フェルール３内に収容される光ファイバは、モードフィールド径１０μｍのシングルモードファイバ１ａ、モードフィールド径を１０μｍから４０μｍに拡大するレンズ効果をもったマルチモードファイバ２ａ、モードフィールド径４０μｍのコア拡大ファイバ１０、マルチモードファイバ２ｂ、シングルモードファイバ１ｂの順に融着され固定する。これにより、モードフィールド径を１：４に変換し、シングルモードファイバ１ａ，１ｂとコア拡大ファイバ１０を高効率で結合する。フェルール端面から数百μｍ突出することになるが端面を研磨により成形する。
【００１１】
このようなコア拡大ファイバは、焦点ずれ（光軸と平行方向でコア拡大ファイバどうしの距離に相当）のトレランスが大きいため、光ファイバどうしを離して、その間に光アイソレータ等の光学素子を設置しても結合損失が少ないという利点がある。
【００１２】
また、このようなコア拡大ファイバは、一般的なシングルモード光ファイバを局所的に加熱して作られる。シングルモード光ファイバを加熱し、コアにドープされているＧｅ等のドーパントを拡散させ、ドーパントの拡散領域を広くするとともに比屈折率差を小さくしている。コア拡大ファイバは、熱によるドーパントの拡散のため、コアの拡大と比屈折率差の低下が同時に起こり、自動的にｒ×（Ｄ）１／２が一定に保たれる。ここで、ｒは光ファイバのコアの半径、Ｄはコアとクラッドの比屈折率差、ｒ×（Ｄ）１／２は規格化周波数に比例する量であり、これが一定ならばシングルモードのまま、モードフィールド径が拡大できる。
【００１３】
図１１にコア拡大ファイバを用いた光結合の特性を示す。横軸に光ファイバ間の距離（対向間隔（μｍ）：コア拡大部に形成する凹部の幅）、縦軸に光の結合損失（ｄＢ）を示す。ｗはそれぞれのモードフィールド径（以下、ＭＦＤと記述）を示し、各曲線に対応する。なお、光の波長は光通信で一般に使われる１．３１μｍとし、凹部（ファイバ間）は空気（屈折率ｎ＝１）で満たされていることとした。ＭＦＤが１０μｍのコアを拡大していない場合は、ファイバ間距離が７０μｍで１ｄＢ以上の損失があるのに対し、ＭＦＤが４０μｍの場合は、ファイバ間が８００μｍでも損失が１ｄＢ以下であることがわかり、明らかに結合特性が改善されることがわかる。
【００１４】
ここでマルチモードファイバとは、ファイバの中心軸から徐々に屈折率が下がるような軸対称の屈折率分布を持つ光ファイバであり、一般にはマルチモード伝送用に用いられている。ほとんどのマルチモードファイバはほぼ２乗の屈折率分布を持つ。この屈折率分布はＧＲＩＮレンズと同様にレンズ効果をもつため、適当な屈折率分布のマルチモードファイバを適切な長さで用いれば結合光学系を構成することができる。また、マルチモードファイバの特性を示すパラメータとしては、クラッドとコア中心の屈折率差Δ、コア径Ｄ、収束パラメータＡがある。
【００１５】
さらに、マルチモードファイバ中の光線は図１２に示すようなサインカーブの挙動を示すため、その長さをその光線挙動の周期に対応させてピッチ（Ｐ）で表す。図１２の横軸はピッチを表し、縦軸はマルチモードファイバ内での光線の位置を示し、光が最も広がった個所を１として相対的に図示したものである。なおＰ＝１はサインカーブの１周期（２π）に相当する。幾何光学的に点光源から入射した光がコリメート光といわれる条件になるのはＰ＝０．２５＋０．５×ｍであり、再度、点に収束するのはＰ＝０．５＋０．５×ｍ（ｍは整数）である。すなわち０．５Ｐごとに同一の挙動を示す。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、従来の光モジュールＪ１では部品点数が多く調整も煩雑で、大型化するといった問題があった。また、この点を改善するために提案された光デバイスＳ１では全体を小型に集約することが可能であり、予め光学的に調整された光ファイバの間に光アイソレータを挿入し、作製するため、アライメントが容易で工数が非常に少なく、これを用いた光モジュールも小型で、容易に構成できるという利点があった。
【００１７】
しかし、光デバイスＳ１では、フェルール３に形成した凹部７に光アイソレータ４を接着剤８により固定しているため、光デバイスＳ１が使用される温度環境下において、接着剤８とフェルール３に形成した凹部７との界面、及び接着剤８と光学素子４との界面に剥離が生じ、結果として光学特性を著しく劣化し信頼性を損なう問題があった。
【００１８】
剥離の発生は光アイソレータ４の光透過部とフェルール３内の凹部７との隙間の長さＡ、すなわち接着剤８の厚さに大きく依存し、厚さが大き過ぎると接着剤８の膨張、収縮による応力が原因で又、小さ過ぎると製造時に接着剤８中に発生する気泡が原因で剥離が生じる。
【００１９】
光デバイスＳ１では、凹部７に光アイソレータ４を接着剤８により固定する際に凹部７の底面が平坦であるため光アイソレータ４の位置合わせが困難であり、結果として光アイソレータ４の光透過部と凹部７との隙間の長さＡを最適値で組み立てることが困難となり剥離が生じる問題があった。
【００２０】
そこで、小型化及びアライメントが容易であり、光半導体素子とのアライメントによって、光アイソレータ等の光学素子における結合状態が変化せず、且つ長期信頼性に優れた光デバイスを提供することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
上記課題に鑑みて本発明の光デバイスは、光半導体素子に光結合可能で、且つコアレスファイバを含む複数の光ファイバの端部どうしが一列に接続された光ファイバ体を、該光ファイバ体の光軸を横切り前記コアレスファイバを分断する第１凹部を形成したフェルール内に設けるとともに、前記第１凹部の底面に、前記分断されたコアレスファイバどうしを光結合可能な光学素子を位置決めするための第２凹部を設けたことを特徴とする。なおここで、フェルール３内に設ける光ファイバ体はその少なくとも一部が収容されていればよいものとし、全ての光ファイバ体が収容されていなくともよいものとする。
【００２２】
また特に、前記光ファイバ体は、前記光半導体素子を光結合させる側から前記第１凹部までの間に、マルチモードファイバ及びコアレスファイバがこの順で接続されている部分を含むことを特徴とする。さらに。この構成において、前記マルチモードファイバの前記光半導体素子を光結合させる側にシングルモードファイバを接続したことを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る光デバイスの実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２４】
図１に示すように、本発明の光デバイスＳ２は、不図示の発光素子または受光素子である光半導体素子に光結合可能で、且つコアレスファイバ５を含む複数の光ファイバの端部どうしが一列に接続された後記する光ファイバ体の少なくとも一部を、その光軸を横切りコアレスファイバ５を分断する第１凹部７を形成したフェルール３内に設け、第１凹部７の底面に、分断されたコアレスファイバ５，５を光結合可能な光アイソレータやフィルタ等の光学素子を位置決めするための第２凹部３３を設けたものである。
【００２５】
また、上記構成において、前記光ファイバ体は、光半導体素子を光結合させる側から第１凹部７までの間に、第１のマルチモードファイバ２ａ及びコアレスファイバがこの順で接続されている部分を含むことを特徴とする。さらに、この構成において、第１のマルチモードファイバ２ａの光半導体素子を光結合させる側に第１のシングルモードファイバを接続したものである。
【００２６】
すなわち、光デバイスＳ２は、まずフェルール３内に、第１のシングルモードファイバ１ａ、第１のマルチモードファイバ２ａ、コアを持たないコアレスファイバ５、第２のマルチモードファイバ２ｂ、第２のシングルモードファイバ１ｂを順に縦列接続した光ファイバ体Ｆ１を収納し、フェルール３から突出した第１のシングルモードファイバ１ａの一端は、光半導体素子と結合するために先球９に加工されており、他端は第２のシングルモードファイバ１ｂを一定長備えた形の所謂ピグテイル形状としている（図示せず）。そして、フェルール３内で分断されたコアレスファイバ５，５は第１凹部７の底面に形成された第２凹部３３内に配設した光学素子（この実施形態では光イソレータ４）介して光接続させるようにしている。
【００２７】
ここで、第２凹部の深さは、「光アイソレータ４の高さ−光アイソレータ４へ入射する光の有効径」以下として結合効率が低下しないようにしている。
【００２８】
なお、上記コアレスファイバ５の分断前の長さは２つのマルチモードファイバによるビームスポットが中央で一致するように調整されている。また、光アイソレータ４は接着剤８で固定されている。
【００２９】
具体的には、ＭＦＤが例えば１０μｍの第１のシングルモードファイバ１ａ、Ｐ（ピッチ）＞０．２５の第１のマルチモードファイバ２ａ、第２のマルチモードファイバ２ｂから出射される光のビームウエストとマルチモードファイバ２ａの出射端面の距離をｄとして、長さ２ｄのコアレスファイバ５、第１のマルチモードファイバ２ａと同じ長さの第２のマルチモードファイバ２ｂ、伝送用シングルモードファイバ１ｂを縦列に接続し、第１のシングルモードファイバ１ａの先端を先球９に加工し光ファイバ体Ｆ１とした。さらに、例えば直径１．２５ｍｍ，長さ１２ｍｍ程度のフェルール３の貫通孔３ａに光ファイバ体Ｆ１を挿入し固定する。さらにコアレスファイバ５の部分で貫通孔３ａを横切るように第１凹部７を形成した後、凹部７の底面に第２凹部３３を形成する。
【００３０】
なお、第２のシングルモードファイバ１ｂはフェルール３の後端面３ｃが一致するように研摩されるか、そのままファイバの余長をもったピグテイル形状にされる。そして、この第１凹部７に、偏光子１９ａ，１９ｂとファラデー回転子２０を一体成形後、切断して作製した光アイソレータ４を、屈折率をコアレスファイバ５に整合させた透光性の接着剤８で固定する。
【００３１】
第１凹部７へ光アイソレータ４を固定する場合、図１０に示すように、第１凹部７の底面が平坦であると光アイソレータ４の位置合わせが困難であり、結果として光アイソレータ４の光透過部と第１凹部７との隙間の長さＡを最適値で組み立てることが困難であった。
【００３２】
また、光アイソレータ４の光透過部と第１凹部７との隙間の長さＡが小さ過ぎると、製造時に接着剤８中に発生する微小な気泡を完全に取り除くことが困難になり、温度環境が厳しい使用条件下では、接着剤８中に取り残された微小な気泡の熱膨張、収縮による応力が原因で接着剤８とフェルール３に形成した第１凹部７との界面、及び接着剤８と光アイソレータ４との界面に剥離が生じ、結果として光学特性を損ない、信頼性が劣る。
【００３３】
一方、光アイソレータ４の光透過部と第１凹部７との隙間の長さＡが大き過ぎても、温度環境が厳しい使用条件下では接着剤８の熱膨張、収縮による応力が原因で接着剤８とフェルール３に形成した第１凹部７との界面、及び接着剤８と光アイソレータ４との界面に剥離が生じ、結果として光学特性を損ない、信頼性が劣る。
【００３４】
しかし、図３に示すように、第１凹部７の底面に形成された第２凹部３３内に光アイソレータ４の下部が収まるように位置を合わせ固定すれば、位置合わせが容易になると同時に位置調整時間の短縮もでき、光アイソレータ４の光透過部と第１凹部７との隙間の長さを安定して最適値で組み立てることが可能であり、結果として、接着剤８とフェルール３に形成した第１凹部７との界面、及び接着剤８と光アイソレータ４との界面の剥離を防止することが可能となる。
【００３５】
なお、前述のようにここでは磁界印加手段は省略する。また、光アイソレータ４の表面は反射量０．２％以下の反射防止膜が形成されたものを使用するとよい。また、接着剤８にはエポキシ系のＵＶや、熱併用型接着剤（ガラス転移点温度−６３．９℃、ショア硬度２９、硬化収縮率１．２％）を用いるとよい。
【００３６】
また、マルチモードファイバ端面に点光源があったときのコリメート条件はＰ＝０．２５であるが、実際に結合効率が最も高いのは、２つのマルチモードファイバからのビームウェストが一致する場合である。Ｐ＝０．２５ではビームウェストはちょうどマルチモードファイバの出射端面に位置することになり、マルチモードファイバ間に光学素子を挟む場合はビームウェストは一致しない。従って、マルチモードの出射端面から離れた位置にビームウェストを形成するためにはＰ＞０．２５の条件が必要になる。
【００３７】
第１のシングルモードファイバ１ａの先球部９から入った光は、第１のマルチモードファイバ２ａによってビーム径を拡大され、コアレスファイバ５の中央でビームウェストをもつビームとなって光アイソレータ４を通過し、再びコアレスファイバ５内を通過し、第２のマルチモードファイバ２ｂによりビーム径を１０μｍに収束させられ第２のシングルモードファイバ１ｂに伝播する。この光デバイスＳ２は、後端においては第２のシングルモードファイバ１ｂを一定長備えた形の所謂ピグテイル形状としている（図示せず）。または、フェルール３の後端部を研磨して、フェルール３と同一形状で、中心部に伝送用のシングルモード光ファイバを保持したフェルールをもつコネクタと接続される構造にしても良い。
【００３８】
本発明によれば、伝送路中に光学素子を挿入する構成であっても、ほぼアライメントフリーとなる。また、マルチモードファイバを用いているが、焦点距離はコアレスファイバ５の長さで調整済みで光ファイバ体組み立て時点で保証されており、素子実装後に調整する必要がない。これは工程の簡略化ばかりでなく、工程の初期段階で、即ち光学素子等を固定する前に結合効率の不具合が確認できるため、工程トータルの効率化と不良による損害を大幅に減らすことが可能になる。
【００３９】
さらに加えて、−４０℃から８５℃までの温度範囲で安定した作動、保存が可能な信頼性の高い光デバイスとすることができる。
【００４０】
さらに、光半導体素子を光結合させる側から第１凹部までの間に、マルチモードファイバ及びコアレスファイバがこの順で接続されている部分を含むので、レンズを用いずに簡便な構成で且つ光学特性が良好な光デバイスを提供できる。
【００４１】
また、マルチモードファイバの光半導体素子を光結合させる側にシングルモードファイバを接続することにより、高価なマルチモードファイバの一部を安価なシングルモードファイバにすることができる上に、ファイバ長さの自由度を広げることができる。
【００４２】
なお、ここでは光ファイバを分断する凹部内に特に光アイソレータを用いる例を示したが、波長板や波長フィルターといった他の光学素子でも適用できるのは言うまでもない。
【００４３】
【実施例】
次に、本発明をより具体化した実施例について説明する。
〔例１〕
以下のような実験を行ない、接着剤とフェルールに形成した凹部との界面及び、接着剤と光学素子との界面に発生する剥離の発生率と、光学素子の光透過部と前記第１凹部における隙間の長さとの関係について調査した。
【００４４】
図１及び図２（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。図２（ａ）に示すように、ＭＦＤが約１０μｍの石英系光ファイバである第１のシングルモードファイバ１ａの先端に、Δ＝０．８５％、コア径が１０５μｍ、収束パラメータＡ＝３．３７×１０−６μｍ−２、第１のマルチモードファイバ２ａとなるマルチモードファイバを放電加工により融着し、Ｐ＝０．２５８（６５３μｍ）になるようにマルチモードファイバを切断し第１のマルチモードファイバ２ａを得た。
【００４５】
周囲の媒質がｎ＝１．４６（コアレスファイバ５の屈折率に相当）であれば、第１のマルチモードファイバ２ａの端面から、この第１のマルチモードファイバ２ａで形成される出射光のビームウェストまでの距離は５５０μｍとなる。
【００４６】
次に、図２（ｂ）に示すように、ｎ＝１．４６の屈折率をもつコアレスファイバ５を第１のマルチモードファイバ２ａに放電加工により融着し、１１００μｍの長さで切断した。次いで、図２（ｃ）に示すように、第１のマルチモードファイバ２ａと同じ第２のマルチモードファイバ２ｂ、第２のシングルモードファイバ１ｂをこの順に融着接続し、最後に、図２（ｄ）に示すように、第１のシングルモードファイバ１ａの一端に放電加工によりＲ＝１２μｍの先球部９を形成した。
【００４７】
次に、図２（ｅ）に示すように、直径１．２５ｍｍ，長さ１２ｍｍのジルコニアフェルール３の貫通孔３ａに挿入固定した。固定にはエポキシテクノロジー社製熱硬化型エポキシ接着剤エポテック３５３ＮＤを用いた。さらに、コアレスファイバ５の部分で貫通孔３ａを横切るように第１凹部７を形成した後、凹部７の底面に凹部３３を形成した。なお、この加工にはＤＩＳＣＯ製ダイサーブレードＳＤＣ３２０Ｒ１０ＭＢ０１を用いた。
【００４８】
そして、図１に示すように、この第１凹部７内において、偏光子１９ａ，１９ｂ，ファラデー回転子２０を一体成形後、切断して作製した光アイソレータ４を接着剤８で第２凹部３３内に光アイソレータ４の下部が収まるように位置を合わせ固定した。接着剤８としてエポキシ系ＵＶ、熱硬化併用型接着剤、ガラス転移点温度−６３．９℃、ショア硬度２９、硬化収縮率１．２％を用いた。接着剤８の硬化前に１００Ｔｏｒｒ以下で１０分、真空吸引し、１０分常圧放置して脱泡を行った。その後ＵＶ光を３００ｍＷ／ｃｍ２の強度で２０秒照射し、９０℃３時間の熱硬化を施した。
【００４９】
光アイソレータ４は、偏光子１９ａ，１９ｂ（厚さ２００μｍ、屈折率１．５）、ファラデー回転子２０（磁性ガーネット、厚さ３１０μｍ、屈折率２．２）から成り、各々の光透過面は反射防止膜を形成した後に、エポキシ系の透光性の接着剤（例えばエポキシテクノロジー社製熱硬化型接着剤エポテック３５３ＮＤ）で接合されている。なお、光アイソレータ４は１０ｍｍ角以上の大型の素子で一括アライメントを行い接着した後に、４００μｍ角に切断されている。厚さは７１０μｍとなる。また、ここでは自発磁化型のガーネットを用いるため磁石は不要とした。
【００５０】
ここで、光アイソレータ４を第１凹部７内に接着剤８で固定するにあたり、第１凹部７の底面の第２凹部３３内に光アイソレータ４の下部が収まるように位置を合わせ固定した。また、第１凹部７の寸法を変えることによって光アイソレータ４の光透過部と第１凹部７との隙間の長さＡが０．０１ｍｍ、０．０３ｍｍ、０．０５ｍｍ、０．０７ｍｍ、０．０９ｍｍ、０．１５ｍｍ、０．２０ｍｍ、０．３０ｍｍ、０．３５ｍｍ、０．４０ｍｍの１０種類のサンプルを各々１１サンプル作製し、温度サイクル試験へ投入し試験中の接着剤８と第１凹部７との界面、及び接着剤８と光アイソレータ４との界面に発生する剥離の発生率を評価した。尚、試験条件は１サイクル当たり−４０℃３０分、８５℃３０分、温度変化時間５分の計７０分であり５００サイクルまで実施した。
【００５１】
図５に温度サイクル試験１０サイクル後の結果を示す。この結果より、光アイソレータ４の光透過部と第１凹部７との隙間の長さＡが０．０７ｍｍ未満のサンプルでは剥離が発生し、光アイソレータ４の光透過部と第１凹部７との隙間の長さＡが小さくなるほど剥離発生率が高くなっている。これは光アイソレータ４の光透過部と第１凹部７との隙間の長さＡが０．０７ｍｍ未満では、脱泡処理を実施しても製造時に接着剤８中に発生する気泡を完全に取り除くことが不可能なため、取り残された微小な気泡の熱膨張、収縮による応力が原因で剥離が生じたためである。気泡の熱膨張係数はフェルール３及び、接着剤８の熱膨張係数に比べ格段に大きいため、接着剤８中に気泡が取り残されると、この結果のように温度サイクル試験の１０サイクル以下という短い試験期間でも剥離が発生する傾向がある。
【００５２】
これに対し、光アイソレータ４の光透過部と第１凹部７との隙間の長さＡが０．０７ｍｍ以上では、温度サイクル試験１０サイクル後では剥離の発生率は０であった。
【００５３】
また、図６に温度サイクル試験５００サイクル後の結果を示す。この結果より光アイソレータ４の光透過部と第１凹部７との隙間の長さＡが０．０７ｍｍ未満及び、０．３０ｍｍを超えるサンプルでは剥離発生率が高くなっている。これは光アイソレータ４の光透過部と第１凹部７との隙間の長さＡが０．０７ｍｍ未満では前述の通り接着剤８中に取り残された気泡が原因であるが、０．３０ｍｍを超えるサンプルでは接着剤８の厚みが大きくなったことにより、試験中の接着剤８の熱膨張、収縮による応力が接着力を上回ったことが原因で剥離が生じたためである。また、接着剤８の厚さが大きくなると、熱膨張係数は一定でも膨張、収縮の絶対量は大きくなり、結果として接着界面に働く応力が大きくなったためである。
【００５４】
これに対し、光アイソレータ４の光透過部と第１凹部７との隙間の長さＡが０．０７ｍｍ〜０．３０ｍｍのサンプルでは温度サイクル試験５００サイクル後では剥離の発生率は０であった。
【００５５】
以上の結果から考察すると、光アイソレータ４の光透過部と第１凹部７との隙間の長さＡの最適値は接着剤８の特性値及び、脱泡条件に依存し一定ではないと考えられるが、光アイソレータ４の光透過部と第１凹部７との隙間の長さＡが小さ過ぎると製造時に接着剤８中に発生する気泡が原因で、また、光アイソレータ４の光透過部と第１凹部７との隙間の長さＡが大き過ぎると接着剤８の熱膨張、収縮による応力が原因で、接着剤８と第１凹部７との界面、及び接着剤８と光アイソレータ４との界面に剥離が生じ光学特性を損なうことは明確になった。
【００５６】
よって、接着剤８と第１凹部７との界面、及び接着剤８と光アイソレータ４との界面の剥離による光学特性の劣化を防止するため、光アイソレータ４の光透過部と第１凹部７との隙間の長さＡが安定して最適値になるように、光アイソレータ４を第１凹部７に固定する必要がある。
【００５７】
なお、本発明の光デバイスＳ２においては、ＬＤモジュールに実装する際に、ＬＤ側のコア拡大ファイバの端面は、反射を防ぎ結合効率も同時に向上させるため先球部９としているが、光モジュールの設計によっては、レンズを設けても良い。
〔例２〕
次に、光ファイバ体を前記例１とは別の光ファイバを用いて構成した例を示す。図４に基づいて説明する。光ファイバ体は長さ７９００μｍの第１のマルチモードファイバ２ａ、１６００μｍのコアレスファイバ５、７８１μｍの第２のマルチモードファイバ２ｂ、シングルモードファイバ１ｂを縦列に接続してなる。なお、第２のマルチモードファイバ２ｂはＰ＝０．２７５にすることによりコアレスファイバ長１６００μｍを可能にしている。第１のマルチモードファイバ２ａは約２．５ピッチ＋０．２７５ピッチになっており、先球９は半径２０μｍの曲面を放電加工にて形成している。なお、前述したように、マルチモードファイバは０．５ピッチ毎に同様の集光特性を示すため、本実施例ではＰ＝０．２７５のマルチモードファイバでコアレスファイバを挟んだものと等しくなっている。丁度２．５ピッチの差になっていないのは、シングルモードファイバ無しに先球が存在するため、補正されているからである。
【００５８】
このようにして形成した光ファイバ体をフェルール３に挿入固定し、コアレスファイバ５を分断するように凹部７を形成し、その後、偏光子１９ａ、１９ｂとファラデー回転子２０からなる光アイソレータ４を接着剤８で光アイソレータ４の下部が凹部７の底面の凹部３３内に収まるように位置を合わせ固定する。接着剤８としてエポキシ系ＵＶ、熱硬化併用型接着剤、ガラス転移点温度−６３．９℃、ショア硬度２９、硬化収縮率１．２％を用いた。接着剤８の硬化前に１００Ｔｏｒｒ以下で１０分、真空吸引し、１０分常圧放置して脱泡を行った。その後ＵＶ光を３００ｍＷ／ｃｍ２の強度で２０秒照射し、９０℃３時間の熱硬化を施し、光デバイスＳ３とした。
【００５９】
かくして、本実施例では、先球９をシングルモードファイバを用いずに直接形成したので、シングルモードファイバとマルチモードファイバの融着点が１点減少し、工数や部品点数が減るばかりか融着を原因とする不良率を下げることが可能になった。また、温度サイクル等の外部環境に対する信頼性は例１と同様優れたものとすることができた。
【００６０】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明の光デバイスよれば、以下の顕著な効果を奏することができる。
【００６１】
請求項１の光デバイスは、光半導体素子に光結合可能で、且つコアレスファイバを含む複数の光ファイバの端部どうしが一列に接続された光ファイバ体を、その光軸を横切りコアレスファイバを分断する第１凹部を形成したフェルール内に設けるとともに、第１凹部の底面に、分断されたコアレスファイバどうしを光結合可能な光学素子を位置決めするための第２凹部を設けたので、小型化が図れるとともに、第２凹部内に光学素子の下部が収まるように位置合わせ固定でき、その位置調整時間の短縮が実現され、安定した特性を有する優れた光デバイスを迅速かつ容易に製造可能となる。また、光学素子の光透過部と第１凹部との隙間の長さを安定して最適値で組み立てることが可能であり、結果として、信頼性に優れた光モジュールを提供できる。
【００６２】
また、請求項２の光デバイスは、光半導体素子を光結合させる側から第１凹部までの間に、マルチモードファイバ及びコアレスファイバがこの順で接続されている部分を含むので、レンズを用いずに簡便な構成で且つ光学特性が良好な光デバイスを提供できる。
【００６３】
さらに、請求項３の光デバイスは、マルチモードファイバの光半導体素子を光結合させる側にシングルモードファイバを接続したので、高価なマルチモードファイバの一部を安価なシングルモードファイバにすることができる上に、ファイバ長さの自由度を広げることができる。
【００６４】
さらにまた、本発明の光デバイスは以下の優れた効果も期待できる。
【００６５】
基本となる光ファイバ体は、マルチモードファイバとコアレスファイバの接続部の調整のみでよく、調整軸が少なく組み立てが容易である。
【００６６】
マルチモードファイバとマルチモードファイバに挟まれるコアレスファイバは焦点距離調節と軸ずれ防止、組み立ての簡易化の役割をもつ。もともと一本のファイバなのでこれを分断したものは軸ずれは原理的に発生しない。
【００６７】
コアレスファイバの長さによって予め焦点位置が精密に決定されている。フェルールの細孔の両端から挿入する場合の細孔内で調整するというような煩雑な作業が不要である。
【００６８】
光ファイバ体に光学素子を挿入する場合は、コアレスファイバ部に形成した凹部に挿入するが、この凹部位置はコアレスファイバの範囲でさえあれば、ずれても全く問題が生じないため極めて作製しやすい。光アイソレータの挿入はほぼアライメントフリーで行うことができる。
【００６９】
そして、以上のような作製上、光学的な利点に加え、光ファイバ体をフェルールに収納したため安定性が高く、前記凹部の底面に凹部を設けた構造にすることによりさらに長期信頼性に優れた光デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光デバイスＳ２を模式的に説明する断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は本発明に係る光デバイスの作製工程を模式的に説明する断面図である。
【図３】本発明に係る光デバイスＳ２の凹部近傍を拡大した断面図である。
【図４】本発明に係る光デバイスＳ３の実施例を示す断面図である。
【図５】光学素子の光透過部とフェルール内凹部との隙間と温度サイクル試験１０サイクル後の剥離発生率の関係を説明するためのグラフである。
【図６】光学素子の光透過部とフェルール内凹部との隙間と温度サイクル試験５００サイクル後の剥離発生率の関係を説明するためのグラフである。
【図７】光アイソレータの動作を模式的に示す斜視図である。
【図８】従来の光モジュールを説明する一部断面図である。
【図９】従来の光デバイスＳ１を模式的に示す断面図である。
【図１０】従来の光デバイスＳ１における凹部近傍を拡大した断面図である。
【図１１】コア拡大ファイバの結合間隔と結合損失の関係を示すグラフである。
【図１２】マルチモードファイバ内の光の挙動を説明する模式図である。
【符号の説明】
１：シングルモードファイバ
１ａ：第１のシングルモードファイバ
１ｂ：第２のシングルモードファイバ
２ａ：第１のマルチモードファイバ
２ｂ：第２のマルチモードファイバ
３：フェルール
４：光学素子（光アイソレータ）
５：コアレスファイバ
６ａ，６ｂ：レンズ
７：凹部（第１凹部）
８：接着剤
９：先球
１０：コア拡大ファイバ
１１：耐湿接着剤
１２：気密窓
１５：ＬＤ（発光素子）
１６：ＰＤ（受光素子）
１７：ペルティエクーラー
１８：パッケージ
１９ａ，１９ｂ：偏光子
２０：ファラデー回転子
２２：順方向入射光
２３：逆方向入射光
３２：ラバーブーツ
３３：フェルール内凹部７の底面に形成された凹部（第２凹部）
Ａ　：光学素子の光透過部とフェルール内凹部７との隙間の長さ
Ｊ１：光モジュール
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３：光デバイス
Ｆ１：光ファイバ体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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