(57)【要約】【課題】レーザー光線の反射によるエネルギー損失を低減し、エネルギーの消費量を大幅に低減することができるレーザー加工方法を提供する。【解決手段】被加工物にレーザー光線を照射して所定の加工を施すレーザー加工方法であって、被加工物の少なくともレーザー光線を照射する領域に反射防止層を形成する反射防止層形成工程と、該反射防止層を通してレーザー光線を照射するレーザー光線照射工程とを含む。【選択図】        図６
2004160493.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物にレーザー光線を照射して所定の加工を施すレーザー加工方法であって、
被加工物の少なくともレーザー光線を照射する領域に反射防止層を形成する反射防止層形成工程と、
該反射防止層を通してレーザー光線を照射するレーザー光線照射工程と、を含む、
ことを特徴とするレーザー加工方法。
【請求項２】
赤外光領域の波長のレーザー光線を被加工物の内部に集光点を合わせて照射して変質領域を生成し、所定の加工を施すレーザー加工方法であって、
被加工物の少なくともレーザー光線を照射する領域に反射防止層を形成する反射防止層形成工程と、
該反射防止層を通して被加工物の内部に集光点を合わせてレーザー光線を照射するレーザー光線照射工程と、を含む、
ことを特徴とするレーザー加工方法。
【請求項３】
該被加工物は表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域に回路が形成された半導体ウエーハであり、該レーザー光線照射工程は該変質領域を該ストリートに沿って連続的に形成し、該半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する、請求項２記載のレーザー加工方法。
【請求項４】
該反射防止層形成工程は該反射防止層を半導体ウエーハの裏面に形成し、該レーザー光線照射工程は半導体ウエーハの裏面に形成された該反射防止層を通して該ストリートに沿って内部に集光点を合わせてレーザー光線を照射する、請求項３記載のレーザー加工方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被加工物の所定の領域にレーザービームを照射して所定の加工を施すレーザー加工方法に関する。
【０００２】
当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリート（切断ライン）によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路を形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによって回路が形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。半導体ウエーハのストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物である半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハを切削するための切断手段と、チャックテーブルと切断手段とを相対的に移動せしめる移動手段とを具備している。切断手段は、高速回転せしめられる回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ２０μｍ程度に形成されている。このような切削ブレードによって半導体ウエーハを切削すると、切断された半導体チップの切断面に欠けやクラックが発生するため、この欠けやクラックの影響を見込んでストリートの幅は５０μｍ程度に形成されている。しかるに、半導体チップのサイズが小型化されると、半導体チップに占めるストリートの割合が大きくなり、生産性が低下する原因となる。また、切削ブレードによる切削においては、送り速度に限界があるとともに、切削屑の発生により半導体チップが汚染されるという問題がある。
【０００３】
一方、近年被加工物を分割する方法として、分割すべき領域の内部に集光点を合わせて赤外光領域（例えば、１０６４ｎｍ）のレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた半導体ウエーハの分割方法は、半導体ウエーハのストリートに沿って内部に集光点を合わせて赤外光領域のレーザー光線を照射し、半導体ウエーハの内部にストリートに沿って変質領域を連続的に形成することにより、ストリートによって区画された個々の半導体チップに分割するものである。（例えば、特許文献１参照。）
【０００４】
【特許文献１】
特開平２００２−１９２３６７号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
而して、シリコン等で形成された半導体ウエーハに赤外光領域のレーザー光線を照射すると、照射光線の３０％程度の反射率をもって反射してしまう。従って、この反射によるエネルギー損失を見込んで高出力のレーザー光線を照射しなければならず、レーザー加工におけるエネルギーの消費量が大きい原因の一つとなっている。
また、半導体ウエーハ以外の被加工物をレーザー加工する場合においても、レーザー光線の反射によるエネルギー損失は避けられない。
【０００６】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、レーザー光線の反射によるエネルギー損失を低減し、エネルギーの消費量を大幅に低減することができるレーザー加工方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物にレーザー光線を照射して所定の加工を施すレーザー加工方法であって、
被加工物の少なくともレーザー光線を照射する領域に反射防止層を形成する反射防止層形成工程と、
該反射防止層を通してレーザー光線を照射するレーザー光線照射工程と、を含む、
ことを特徴とするレーザー加工方法が提供される。
【０００８】
また、本発明によれば、赤外光領域の波長のレーザー光線を被加工物の内部に集光点を合わせて照射して変質領域を生成し、所定の加工を施すレーザー加工方法であって、
被加工物の少なくともレーザー光線を照射する領域に反射防止層を形成する反射防止層形成工程と、
該反射防止層を通して被加工物の内部に集光点を合わせてレーザー光線を照射するレーザー光線照射工程と、を含む、
ことを特徴とするレーザー加工方法が提供される。
【０００９】
更に本発明においては、上記被加工物は表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域に回路が形成された半導体ウエーハであり、上記レーザー光線照射工程は該変質領域をストリートに沿って連続的に形成し、半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割するレーザー加工方法が提供される。上記反射防止層形成工程は反射防止層を半導体ウエーハの裏面に形成し、上記レーザー光線照射工程は半導体ウエーハの裏面に形成された反射防止層を通してストリートに沿って内部に集光点を合わせてレーザー光線を照射することが望ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明によるレーザー加工方法について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１１】
図１には、本発明によるレーザー加工方法を実施するためのレーザー加工装置の斜視図が示されている。図１に示されたレーザー加工装置は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２に上記矢印Ｘで示す方向と直角な矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構４と、該レーザー光線ユニット支持機構４に矢印Ｚで示す方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット５とを具備している。
【００１２】
上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上に矢印Ｘで示す方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上に矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設された第一の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持された支持テーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。また、チャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。
【００１３】
上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面に矢印Ｙで示す方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す方向に移動させるための移動手段３７を具備している。移動手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す方向に移動せしめられる。
【００１４】
上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、矢印Ｙで示す方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す方向に移動させるための移動手段３８を具備している。移動手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｘで示す方向に移動せしめられる。
【００１５】
上記レーザー光線照射ユニット支持機構４は、静止基台２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール４１、４１と、該案内レール４１、４１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台４２を具備している。この可動支持基台４２は、案内レール４１、４１上に移動可能に配設された移動支持部４２１と、該移動支持部４２１に取り付けられた装着部４２２とからなっている。装着部４２２は、一側面に矢印Ｚで示す方向に延びる一対の案内レール４２３、４２３が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構４は、可動支持基台４２を一対の案内レール４１、４１に沿って割り出し送り方向である矢印Ｙで示す方向に移動させるための移動手段４３を具備している。移動手段４３は、上記一対の案内レール４１、４１の間に平行に配設された雄ネジロッド４３１と、該雄ねじロッド４３１を回転駆動するためのパルスモータ４３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４３１は、その一端が上記静止基台２に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ４３２の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド４３１は、可動支持基台４２を構成する移動支持部４２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ４３２によって雄ネジロッド４３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台４２は案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
【００１６】
図示の実施形態のおけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１と、該ユニットホルダ５１に取り付けられたレーザー光線照射手段５２を具備している。ユニットホルダ５１は、上記装着部４２２に設けられた一対の案内レール４２３、４２３に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝５１１、５１１が設けられており、この被案内溝５１１、５１１を上記案内レール４２３、４２３に嵌合することにより、矢印Ｚで示す方向に移動可能に支持される。
【００１７】
図示のレーザー光線照射手段５２は、上記ユニットホルダ５１に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング５２１を含んでいる。ケーシング５２１内には図２に示すようにレーザー光線発振手段５２２とレーザー光線変調手段５２３とが配設されている。レーザー光線発振手段５２２としてはＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器を用いることができるる。レーザー光線変調手段５２３は繰り返し周波数設定手段５２３ａ、レーザー光線パルス幅設定手段５２３ｂ、およびレーザー光線波長設定手段５２３ｃを含んでいる。レーザー光線変調手段５２３を構成する繰り返し周波数設定手段５２３ａ、レーザー光線パルス幅設定手段５２３ｂおよびレーザー光線波長設定手段５２３ｃは当業者には周知の形態のものでよく、それ故にこれらの構成についての詳細な説明は本明細書においては省略する。上記ケーシング５２１の先端には、それ自体は周知の形態でよい集光器５２４が装着されている。
【００１８】
上記レーザー光線発振手段５２２が発振するレーザー光線はレーザー光線変調手段５２３を介して集光器５２４に到達する。レーザー光線変調手段５２３における繰り返し周波数設定手段５２３ａはレーザー光線を所定繰り返し周波数のパルスレーザー光線にし、レーザー光線パルス幅設定手段５２３ｂはパルスレーザー光線のパルス幅を所定幅に設定し、そしてレーザー光線波長設定手段５２３ｃはパルスレーザー光線の波長を所定値に設定する。
【００１９】
上記レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５２１の前端部には、撮像手段６が配設されている。この撮像手段６は、図示の実施形態においては被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００２０】
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１を一対の案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向に移動させるための移動手段５３を具備している。移動手段５３は、上記各移動手段と同様に一対案内レール４２３、４２３の間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ５３２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ５３２によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ５１およびレーザビーム照射手段５２を案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向に移動せしめる。
【００２１】
次に、上述したレーザー加工装置を使用して半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する加工方法について説明する。
半導体ウエーハ１０は、図３に示すように表面１０ａに格子状に配列された複数のストリート（切断ライン）１０１によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路１０２が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ１０には、図４に示すようにその裏面１０ｂに反射防止層１０３を形成する（反射防止層形成工程）。この反射防止層１０３は、例えばシグマ光機株式会社によって提供されている反射防止剤（商品名；ＭＬＡＲ（Ｙ１））を半導体ウエーハ１０の他方の面１０ｂにコーティングして１μｍ程度の反射防止膜を形成する。なお、反射防止層１０３は、後述するレーザー光線照射工程においてレーザー光線が照射される領域に形成すればよい。
【００２２】
上述したように半導体ウエーハ１０の裏面１０ｂに反射防止層１０３を形成したならば、図５に示すように環状のフレーム１１に装着された保護テープ１２に回路１０２が形成されている表面１０ａを貼着する。このように環状のフレーム１１に保護テープ１２を介して支持された半導体ウエーハ１０（以下、単に半導体ウエーハ１０という）は、図示しない被加工物搬送手段よって上記チャックテーブル機構３を構成するチャックテーブル３６の吸着チャック３６１上に反射防止層１０３が形成された裏面１０ｂを上側にして搬送され、該吸着チャック３６１に吸引保持される。このようにして半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３６は、移動手段３７の作動により案内レール３１、３１に沿って移動せしめられレーザー光線照射ユニット５に配設された撮像手段６の直下に位置付けられる。
【００２３】
上述したようにチャックテーブル３６が撮像手段６の直下に位置付けられると、撮像手段６および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ１０に形成されている第１の方向のストリートと、ストリートに沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射ユニット５の集光器５２４との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。また、半導体ウエーハ１０に形成されている第２の方向のストリートに対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ１０のストリートが形成されている裏面１０ａは下側に位置しているが、撮像手段６が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されているので、裏面から透かしてストリートを撮像することができる。
【００２４】
以上のようにしてチャックテーブル３６上に保持されている半導体ウエーハ１０に形成されているストリートを検出し、レーザビーム照射位置のアライメントが行われたならば、チャックテーブル３６をレーザー光線を照射するレーザー光線照射ユニット５の集光器５２４が位置するレーザー光線照射領域に移動し、レーザー光線照射領域において半導体ウエーハ１０のストリートに沿ってレーザー光線照射ユニット５の集光器５２４からレーザー光線を照射する（レーザー光線照射工程）。
【００２５】
ここで、レーザー光線照射工程について説明する。
レーザー光線照射工程においては、レーザー光線を照射するレーザー光線照射ユニット５の集光器５２４から半導体ウエーハ１０の所定のストリートに向けてパルスレーザー光線を照射しながら、チャックテーブル３６、従ってこれに保持されている半導体ウエーハ１０を矢印Ｘで示す方向に所定の送り速度（例えば、１００ｍｍ／秒）で移動せしめる。なお、レーザー光線照射工程においては、レーザー光線として例えば以下に示すレーザー光線が照射される。
光源          ；ＹＡＧレーザーまたはＹＶＯ４レーザー
波長          ；１０６４ｎｍ（赤外外光レーザー光線）
出力          ；３．５Ｗ
繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
パルス幅      ；２０ｎｓ
集光スポット径；φ１μｍ
【００２６】
上述したレーザー光線照射工程において照射されるレーザー光線としては波長が長い赤外光領域のレーザー光線が用いられ、図６に示すように半導体ウエーハ１０の裏面１０ｂに形成された反射防止層１０３を通して内部に集光点を合わせて照射する。このレーザー光線照射工程で赤外光領域のレーザー光線が用いるのは、波長が短い紫外光領域のレーザー光線では表面で反射して半導体ウエーハ１０の内部に入らないからである。このように、半導体ウエーハ１０の内部に集光点を合わせてレーザー光線を照射しつつ半導体ウエーハ１０を矢印Ｘで示す方向に移動せしめることによって、半導体ウエーハ１０の内部にストリートに沿って変質領域が連続的に形成される。この結果、半導体ウエーハ１０は、連続的に形成された変質領域即ちストリートに沿って分割することができる。上述したレーザー光線照射工程においては、半導体ウエーハ１０の裏面１０ｂに形成された反射防止層１０３を通してレーザー光線が照射されるので、レーザー光線の反射率が低減し、レーザー光線の反射によるエネルギー損失が低減される。従って、照射されたレーザー光線の１００％に近いエネルギーを加工に寄与させることができるので、エネルギーの消費量を大幅に低減すことができる。また、図示の実施形態においては、半導体ウエーハ１０の回路１０２が形成されていない裏面１０ｂに反射防止層１０３を形成し、この反射防止層１０３が形成された裏面１０ｂ側からレーザー光線を照射するようにしたので、回路１０２に損傷を与えることなく個々の半導体チップに分割することができる。
【００２７】
上述したレーザー光線照射工程を半導体ウエーハ１０の第１の方向に形成された全ストリートに沿って実行したら、チャックテーブル３６を９０度回動する。そして半導体ウエーハ１０の第２の方向に形成された全ストリートに対して上述したレーザー光線照射工程を実行することにより、半導体ウエーハ１０は個々の半導体チップに分割される。
【００２８】
なお、上述した図示の実施形態においては、レーザー光線照射工程を遂行する際に、チャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０を移動せしめているが、レーザー光線照射ユニット５を移動させてもよい。また図示の実施形態においては、チャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０を矢印Ｙ方向に割り出し移動する例を示したが、レーザー光線照射ユニット５を矢印Ｙ方向に割り出し移動する構成にすることもできる。しかしながら、レーザビーム照射手段５２４を移動せしめる場合には、振動等に起因して精度が劣化する虞があるので、レーザー光線照射ユニット５は静止せしめて、チャックテーブル３６、従ってこれに保持された半導体ウエーハ１０を適宜に移動せしめるのが好ましい。
【００２９】
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。即ち、図示の実施形態においては半導体ウエーハ１０の回路１０２が形成されていない裏面１０ｂに反射防止層１０３を形成し、この反射防止層１０３が形成された裏面１０ｂ側からレーザー光線を照射するようにした例を示したが、表面１０ａのストリート（切断ライン）１０１に沿って反射防止層１０３を形成し、表面１０ａ側から反射防止層１０３を通してレーザー光線するようにしてもよい。また、図示の実施形態においては半導体ウエーハ１０を個々の半導体チップに分割する例を示したが、本発明はレーザー光線を用いる種々の加工に広く適用することができる。
【００３０】
【発明の効果】
本発明によるレーザー加工方法によれば、被加工物のレーザー光線を照射する領域に反射防止層を形成した後、該反射防止層を通してレーザー光線を照射するようにしたので、レーザー光線の反射率が低減し、レーザー光線の反射によるエネルギー損失が低減される。従って、照射されたレーザー光線の１００％に近いエネルギーを加工に寄与させることができるので、エネルギーの消費量を大幅に低減すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるレーザー加工方法を実施するためのレーザー加工装置の斜視図。
【図２】図１に示すレーザー加工装置に装備されるレーザビーム加工手段の構成を簡略に示すブロック図。
【図３】本発明によるレーザー加工方法によって分割加工される被加工物としての半導体ウエーハの斜視図。
【図４】図２に示す被加工物としての半導体ウエーハに本発明によるレーザー加工方法における反射防止層形成工程により裏面に反射防止層を形成した状態を示すもので、一部を破断して示す斜視図。
【図５】図４に示す裏面に反射防止層を形成した半導体ウエーハの表面を環状のフレームに装着された保護テープに貼着した状態を示す斜視図。
【図６】本発明によるレーザー加工方法におけるレーザー光線照射工程を示す説明図。
【符号の説明】
２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３１：案内レール
３２：第１の滑動ブロック
３３：第２の滑動ブロック
３６：チャックテーブル
３７：移動手段
３８：移動手段
４：レーザー光線照射ユニット支持機構
４１：案内レール
４２：可動支持基台
４３：移動手段
５：レーザー光線照射ユニット
５１：ユニットホルダ
５２：レーザビーム加工手段
５２２：レーザビーム発振手段
５２３：レーザビーム変調手段
５２４：集光器
５３：移動手段
６：撮像手段
１０：半導体ウエーハ
１０１：ストリート
１０２：回路
１０３：反射防止層
１１：環状のフレーム
１２：保護テープ
【図１】
2004160493.tif 000003
【図２】
2004160493.tif 000004
【図３】
2004160493.tif 000005
【図４】
2004160493.tif 000006
【図５】
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【図６】
2004160493.tif 000008