(57)【要約】【課題】ｎまたはｐチャネルのどちらか一方のチャネル型のＴＦＴで画素ＴＦＴ４と駆動回路を形成し、かつ多階調表示ができる画像表示装置を提供する。【解決手段】本発明の画像表示装置は、スイッチ駆動線に入力された駆動信号を、複数のスイッチ手段（スイッチマトリクス１２，１３）に対して選択的に入力するためのスイッチ手段選択手段（シフトレジスタ１３，１４）を有し、画素（表示電極５）、信号線２，３、スイッチ手段、デコード手段（デコーダ１５，１６）、スイッチ手段選択手段は同一の基板１上に形成され、画素、スイッチ手段、デコード手段、スイッチ手段選択手段を構成するトランジスタは、ｎまたはｐチャネルのいずれか一方のチャネル型のトランジスタだけで構成する。【効果】駆動回路を画素トランジスタと共に基板上に一体形成できる。【選択図】図１
2004085666.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素により構成された画像表示部と、前記画素に表示信号を入力するために前記画像表示部内に配置された複数の信号線と、アナログ値である階調電圧を印加された階調電圧線群と、前記階調電圧線群から所定の階調電圧を印加された階調電圧線を選択的に前記信号線へ接続するために各前記信号線毎に設けられたスイッチ手段と、前記スイッチ手段を駆動するためのスイッチ駆動線と、デジタルで入力された表示信号データを基に前記スイッチ駆動線を駆動するデコード手段と、前記スイッチ駆動線に入力された駆動信号を複数の前記スイッチ手段に対して選択的に入力するためのスイッチ手段選択手段を有する画像表示装置であって、前記画素、前記信号線、前記スイッチ手段、前記デコード手段、前記スイッチ手段選択手段は同一の基板上に形成され、前記画素、前記スイッチ手段、前記デコード手段、前記スイッチ手段選択手段を、ｎチャネルまたはｐチャネルいずれかの単一チャネルトランジスタだけで構成することを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の画像表示装置において、前記基板上に形成する回路のトランジスタは多結晶薄膜トランジスタを用いることを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
請求項１記載の画像表示装置において、前記スイッチ手段選択手段はシフトレジスタ回路を用いて形成されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
請求項１記載の画像表示装置において、前記スイッチ手段選択手段の選択信号を前記スイッチ手段に伝えるためのトリガ線と、前記スイッチ手段の出力電圧を前記信号線に伝えるための出力配線は、前記階調電圧線群と交差して形成されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
請求項１記載の画像表示装置において、前記スイッチ手段は前記階調電圧線と前記信号線間を接続するための少なくとも１つの第１薄膜トランジスタと、前記スイッチ手段選択手段の選択信号で前記スイッチを選択するための少なくとも１つの第２薄膜トランジスタで構成されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項６】
請求項５記載の画像表示装置において、前記スイッチ駆動線の電圧を保持するための少なくとも１つのキャパシタを具備することを特徴とする画像表示装置。
【請求項７】
請求項１記載の画像表示装置において、前記スイッチ手段は前記スイッチ駆動線と前記トリガ線の交点毎に配置され、前記第１薄膜トランジスタは、前記階調電圧線群のいずれか１本と、出力配線のいずれか１本の間を接続し、前記第２薄膜トランジスタは、前記トリガ線のいずれか１本と前記スイッチ駆動線のいずれか１本に接続されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項８】
請求項１記載の画像表示装置において、前記デコード手段を構成する回路の出力部に、ブートストラップ回路を具備していることを特徴とする画像表示装置。
【請求項９】
請求項１の画像表示装置において、前記デコード手段は前記スイッチ手段の周辺部に配置され、前記スイッチ手段選択手段は前記画像表示部の周辺部に配置され、前記デコード手段は前記スイッチ手段および前記スイッチ手段選択手段と異なる辺に配置されることを特徴とする画像表示装置。
【請求項１０】
複数の画素により構成された画像表示部と、前記画素に表示信号を入力するために前記画像表示部内に配置された複数の信号線と、前記画素に表示信号の書き込み選択信号を発生するためのデコード手段を有する画像表示装置であって、前記画素、前記信号線、前記デコード手段、前記スイッチ手段選択手段は同一の基板上に形成され、前記デコード手段を構成する回路の出力部には、ブートストラップ回路を具備し、前記画素および前記デコード手段を構成するトランジスタは、ｎチャネルまたはｐチャネルかいずれか一方の単一チャネルトランジスタであることを特徴とする画像表示装置。
【請求項１１】
請求項１または請求項１０記載の画像表示装置において、前記デコード手段は４層のクロックを用いて駆動されることを特徴とする画像表示装置。
【請求項１２】
請求項１記載の画像表示装置において、前記画像表示部は液晶ディスプレイであって、前記トランジスタはすべてｎチャネルの薄膜トランジスタであることを特徴とする画像表示装置。
【請求項１３】
請求項１記載の画像表示装置において、前記画像表示部は発光ダイオードディスプレイであって、前記トランジスタはすべてｐチャネルの薄膜トランジスタであることを特徴とする画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は画像表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、フラットパネルディスプレイの分野で、液晶ディスプレイが大きなシェアを占めるようになった。液晶ディスプレイはガラス等の２枚の基板に液晶を挟持し、光透過率、もしくは反射率を変化させることで光を制御し画像を表示する画像表示装置である。液晶ディスプレイの中でも、画素毎にアクティブ素子として薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略す）を用いた、アクティブマトリクス型の液晶ディスプレイは応答が速く、画像が鮮明なため、主流となった。
【０００３】
ＴＦＴには、従来からのアクティブマトリクス液晶ディスプレイに広く使われているアモルファスシリコンＴＦＴ（ａ−Ｓｉ　ＴＦＴ）液晶ディスプレイの他に、ａ−Ｓｉ　ＴＦＴに比べ、移動度が２桁以上高い多結晶シリコンＴＦＴ（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ　ＴＦＴ）がある。ＴＦＴの移動度が高いと、ＴＦＴにより多くの電流が流すことができ、また、そのＴＦＴを使った回路はより高速に動作することができる。
【０００４】
これにより、ａ−Ｓｉ　ＴＦＴを使った液晶ディスプレイでドライバＩＣとして基板外部に外付けしていた駆動回路を、基板の周辺部に画素ＴＦＴと一体形成することができるようになった。また、発光素子の電流を制御して画像を表示するアクティブマトリクス型の発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイの画素回路を駆動する回路を形成できるようになった。ＬＥＤディスプレイの画素回路の一例は、第７回Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ　Ｗｏｒｋｓｈｏｐ　（ＩＤＷ’００）の予稿集の２３６ページの図１に記載されている。
【０００５】
図１３にアクティブマトリクス型のＴＦＴ液晶ディスプレイの構成の一例を示す。図１３は、駆動回路をＰｏｌｙ−Ｓｉ　ＴＦＴで作成し、基板の周辺部に画素ＴＦＴと一体形成した例でもある。また、図１３はデジタル画像信号を入力して画像表示する液晶ディスプレイの例でもある。
【０００６】
透明基板１５１は液晶を挟持する基板の片方であり、基板上表面の表示領域１５６には、信号線１５２が紙面縦方向に、走査線１５３が紙面横方向に、マトリクス状に配線されている。信号線１５２と走査線１５３の交差部には画素ＴＦＴ１５４と表示電極１５５がある。透明基板１５１の紙面上方向には、図面に記載していないもう１枚の透明基板が重なり、それらの間に液晶を挟持して液晶ディスプレイを構成している。このもう１枚の透明基板には対向電極と呼ばれる透明電極が液晶側表面に形成されている。表示電極１５５と対向電極の間に交流電圧を印加し、交流電圧の実効値で光透過率や反射率を変化することで画像を表示する。
【０００７】
通常、それぞれの信号線１５２には表示する画像信号に対応したアナログの電圧信号を供給し、それに同期して特定の走査線１５３に画素ＴＦＴ１５４をスイッチングするパルスが供給されることにより、横一列の表示電極１５５に信号線１５２のアナログ電圧が供給される。画素ＴＦＴ１５４がオフになっても、表示電極１５５に供給された電圧は、対向電極との間の容量や、他の配線との間に設けた容量により保持される。その後、信号線１５２にアナログ信号を供給する毎にパルスを送る走査線１５３を順番に変えていく。全ての走査線１５３にパルスを供給し終わると、各表示電極１５５に所定の電圧を供給することになる。
【０００８】
以上のような信号線１５２と走査線１５３の信号を供給するための駆動回路として、透明基板１５１の周辺部に、走査回路１５７と信号回路１５８、１５９がＴＦＴで形成されている。
走査回路１５７はシフトレジスタで構成され、各出力Ｇ１〜Ｇ２に順番にパルスを発生する機能を持つ。
【０００９】
信号回路１５８，１５９は図１４に示すように、シフトレジスタ１７１、ラッチ１７２、ＤＡ変換回路１７３によって構成され、データ信号線ＤＢから入力される画像データを、各出力Ｓ１〜Ｓ３に分配する機能と、デジタル信号をアナログ信号に変換する機能を持つ。
【００１０】
画像表示装置の性能の指標の一つとして、表示階調のビット数が有る。ビット数をｎとすると、各画素の明るさを２ｎ段階に変化することができることを示し、ビット数が高い画像表示装置は、明るさや色の変化が滑らかな画像をより正確に表現できる。最近のノートパソコンなどに用いられている液晶表示装置の表示階調のビット数は、６ビット以上であることが多い。この表示階調のビット数は、信号回路のＤＡ変換回路１７３の電圧階調のビット数で決定される。
【００１１】
データ信号線ＤＢから入力されたデジタル画像信号は、シフトレジスタ１７１から順次出力されるパルスによってラッチ１７２のそれぞれに記憶される。それぞれのラッチに記憶されたデジタル画像信号は、ＤＡ変換回路１７３でアナログ電圧に変換され、Ｓ１〜Ｓ３に出力される。また、信号回路１５９も図１４と同じ回路で構成されている。
【００１２】
液晶に印加する電圧を交流化するために、図１３の信号回路１５８と信号回路１５９内のＤＡ変換回路に、対称的な電圧群ＶＲ＋とＶＲ−を供給し、信号回路１５８，１５９が発生した電圧をＴＦＴで構成した切替スイッチ１６０によって、奇数番目と偶数番目の信号線１５２に１水平期間あるいは１垂直期間毎に切り替えて供給する。
【００１３】
信号回路１５８，１５９、走査回路１５７などの周辺部の回路をＰｏｌｙ−Ｓｉ　ＴＦＴで形成することにより、表示領域１５６の各素子と一体形成することができる。したがって、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ　ＴＦＴで形成した液晶ディスプレイでは、ａ−Ｓｉ　ＴＦＴで形成した液晶ディスプレイで基板に外付けしていた信号回路と走査回路のドライバＩＣが不要になるため、コストを削減することができる。
【００１４】
液晶ディスプレイの駆動回路をＰｏｌｙ−Ｓｉ　ＴＦＴで形成し、表示領域の周辺部に一体形成した例として、Ｅｘｔｅｎｄｅｄ　Ａｂｓｔｒａｃｔｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　１９９７　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　ｏｎ　Ｓｏｉｌｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　ａｎｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ｐｐ．３４８−３４９　Ｆｉｇ．２に記載されている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
Ｐｏｌｙ−Ｓｉ　ＴＦＴを用いて基板に駆動回路を一体形成する液晶ディスプレイに、６ビット以上の表示階調性能を持たせるためには、信号回路１５８，１５９には６ビット以上のＤＡ変換回路を内蔵する必要がある。
【００１６】
ところが、信号回路１５８，１５９に内蔵するＤＡ変換回路の回路面積は、ビット数が多くなると回路規模が増大する。図１５に、ｎチャネルＴＦＴ１８１とｐチャネルＴＦＴ１８２の両方を用いて形成した６ビットのＤＡ変換回路の回路図を示す。ｎチャネルＴＦＴはゲート電位が高くなるとＯＮ、低くなるとＯＦＦ、ｐチャネルＴＦＴはゲート電位が低くなるとＯＮ、高くなるとＯＦＦになる特性を利用して、６ビットのロジック電圧で階調電圧配線Ｖ０〜Ｖ６３の電圧をトーナメント方式で選択するようになっている。この構成では、ビット数がｎのとき、データバス配線Ｄｂｕｓの本数がｎ本必要になり、ｎが増大するとデータバス配線本数が増大する。ｎ＝６のとき、６本である。
【００１７】
しかしながら、ＤＡ変換回路を透明基板１５１上に形成するとき、以下のような問題がある。配線に使用できる金属配線層は、ＴＦＴのゲート用の金属配線と、ＴＦＴのソースおよびドレインに接続する金属配線の２種類しかない。それ以上の配線を作成することは可能では有るが、製造上コストアップになるため好ましくない。ＤＡ変換回路１７３の階調電圧配線Ｖ０〜Ｖ６３を紙面横方向に１層の金属配線層で配線すると、それと交差して紙面縦方向に配線するデータバス配線Ｄｂｕｓは、残りの１層の金属配線層だけで配線することになる。１層だけでバスを配線すると、互いの配線をオーバーラップして配線できないため、配線の幅と間隔がそのまま、ＤＡ変換回路の紙面横方向の幅Ｗｘに含まれることになる。また、液晶ディスプレイは、ＬＳＩとは異なり基板の大きさが数ｃｍ〜数十ｃｍと大きいため、配線の間隔や配線幅はＬＳＩのそれらに比べて１桁以上大きな数値になる。現状では４μｍ程度であることが多い。
【００１８】
それに対して、ＤＡ変換回路の幅Ｗｘは、表示電極１５５のピッチ（＝信号線１５２のピッチ）によって制約される。図１３のように信号回路１５８、１５９を表示領域の上下に配置した場合、Ｗｘ　≦　２×Ｐｘにしなくてはならない。なお、信号回路を上下どちらかにだけ配置した場合は、Ｗｘ　≦　Ｐｘにしなければならない。
【００１９】
仮に、Ｗｘ＞２×Ｐｘの場合でも、ピッチを変換する配線を作成して、信号線１５２と出力Ｓ１〜Ｓ３を接続することができるが、実際の信号線１５２の本数は一般的に数百〜１０００以上と多く、結局、ピッチを変換する配線の面積が膨大になるため、現実的ではない。
【００２０】
例えば、対角４インチ、カラーＶＧＡ（縦４８０画素、横６４０×ＲＧＢ）ディスプレイの場合、信号線１５２のピッチＰｘは約４２μｍであるから、ＤＡ変換回路の幅Ｗｘの最大値は８４μｍである。金属配線の配線幅および配線間隔のルールが４μｍの場合、Ｄｂｕｓ配線６本で（幅４μｍ＋間隔４μｍ）×６本＝４８μｍ必要になるから、ＤＡ変換回路の幅Ｗｘの５７％の領域を配線だけで占められてしまい、残りの領域で、全てのＴＦＴや、ＴＦＴと配線を接続するコンタクトホールを配置する場所に使用できる幅は残りの４３％の３６μｍ幅に制限され、回路のレイアウトが困難になる。
【００２１】
ところで、ａ−Ｓｉ　ＴＦＴで形成した液晶ディスプレイでは、ＴＦＴを形成する箇所は画素ＴＦＴだけであったため、ｎチャネルのＴＦＴだけを作成すれば良かった。一方、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ　ＴＦＴで形成した液晶ディスプレイでは駆動回路をｎチャネルとｐチャネルの両方で形成する例が多い。しかしながら、ｎチャネルとｐチャネルの両方のＴＦＴを用いると製造上工程数が多くなるため、ｎチャネルのみ、あるいはｐチャネルのみで形成するのに比べてコストアップになるため、駆動回路も全てｎチャネルのみ、あるいはｐチャネルのみで形成することが好ましい。
【００２２】
図１６に、ｎチャネルＴＦＴのみで形成した６ビットＤＡ変換回路の回路図を示す。ｎチャネルＴＦＴ１８３のみで構成すると、ＴＦＴはゲート電位が高くなるとＯＮ、低くなるとＯＦＦになる動作しかできないため、６ビットのロジック電圧の他にそれらの反転信号の６ビットのロジック電圧が必要になる。そのため、この構成では、データバス配線Ｄｂｕｓは１２本必要になる。例えば、対角４インチ、解像度ＶＧＡ（縦４８０画素、横６４０×ＲＧＢ）ディスプレイの場合、信号線１５２のピッチＰｘは約４２μｍであるから、ＤＡ変換回路の幅Ｗｘの最大値は８４μｍである。金属配線の配線幅および配線間隔のルールが４μｍの場合、Ｄｂｕｓ配線６本で（幅４μｍ＋間隔４μｍ）×１２本＝９６μｍ必要になり、ＤＡ変換回路の幅Ｗｘに収めることが出来ない。さらに、全てのＴＦＴや、ＴＦＴと配線を接続するコンタクトホールを配置する場所も確保することができない。したがって、４μｍ程度の現状の配線ルールでは６ビットのＤＡ変換回路を形成することは極めて困難である。
【００２３】
ＤＡ変換回路の幅Ｗｘを大きくするために表示電極のピッチＰｘを広げると、細かい画像を表示できなくなる。このため、液晶ディスプレイの解像度の性能を低下させることになり、好ましくない。
【００２４】
また、図１３において、信号回路１５８を２回路に分けて紙面縦方向に積み上げる方法が有るが、その方法では図１４の信号回路幅Ｗｙが倍増する。図１４の信号回路幅Ｗｙが大きいと、表示領域１５６の周辺部に画像表示に寄与しない領域が多く存在することになる。これはディスプレイの適用製品のサイズや適用製品内でのディスプレイ配置位置の自由度を制限することになり、好ましくない。
【００２５】
また、信号回路１５８を紙面縦方向に積み上げることは、信号回路内に引き回しの配線が多くなるために、さらに配線の幅や間隔に制限された構造になる。また、信号回路１５９についても同様である。
【００２６】
本発明の目的は、ｎチャネルあるいはｐチャネルのどちらか一方のチャネル型のＴＦＴだけを用いて画素ＴＦＴと駆動回路を形成し、かつ多階調表示を可能にする画像表示装置を提供することにある。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
本発明の画像表示装置は、複数の画素（後述する図１で言えば表示電極５、以下同様に括弧内に、対応する図１の構成要素の参照符号を示す）により構成された画像表示部（表示領域６）と、前記画素に表示信号を入力するために前記画像表示部内に配置された複数の信号線（信号線２，３）と、アナログ値である階調電圧を印加された階調電圧線群（Ｖ０〜Ｖ６３）と、前記階調電圧線群から所定の階調電圧を印加された階調電圧線を選択的に前記信号線へ接続するために各前記信号線毎に設けられたスイッチ手段（スイッチマトリクス１１，１２）と、前記スイッチ手段を駆動するためのスイッチ駆動線と、デジタルで入力された表示信号データを基に前記スイッチ駆動線を駆動するデコード手段（デコーダ１５，１６）と、前記スイッチ駆動線に入力された駆動信号を複数の前記スイッチ手段に対して選択的に入力するためのスイッチ手段選択手段（シフトレジスタ１３，１４）を有する画像表示装置であって、前記画素、前記信号線、前記スイッチ手段、前記デコード手段、前記スイッチ手段選択手段は同一の基板上に形成され、前記画素、前記スイッチ手段、前記デコード手段、前記スイッチ手段選択手段を、ｎチャネルまたはｐチャネルいずれかの単一チャネルトランジスタだけで構成することを特徴とするものである。
【００２８】
この場合、前記スイッチ手段は少なくとも前記階調電圧線と前記信号線間を接続するための１つの第１薄膜トランジスタと、前記スイッチ手段選択手段の選択信号で前記スイッチを選択するための少なくとも１つの第２薄膜トランジスタで構成すれば好適である。
【００２９】
さらに、前記画像表示装置において、前記スイッチ手段は前記スイッチ駆動線と前記スイッチ手段選択手段の選択信号を前記スイッチ手段に伝えるためのトリガ線との交点毎に配置され、前記スイッチ手段である少なくとも１つの第１薄膜トランジスタは、前記階調電圧線群のいずれか１本と、出力配線のいずれか１本の間を接続し、前記階調電圧線群のいずれか１本の第２薄膜トランジスタは、前記トリガ線のいずれか１本と前記スイッチ駆動線のいずれか１本に接続されていれば好適である。
【００３０】
またさらに、前記画像表示装置において、前記デコード手段を構成する回路の出力部に、ブートストラップ回路を設ければ好適である。
【００３１】
【発明の実施の形態】
次に、本発明に係る画像表示装置の好適な実施形態について添付図面を参照しながら以下詳細に説明する。
【００３２】
＜実施形態１＞
図１に本発明の第１の実施形態の構成を示す。図１は、ガラス基板の上にｎチャネルＴＦＴの画素ＴＦＴと駆動回路を一体形成した液晶ディスプレイである。また、図１は６ビットのデジタル画像信号を入力し、６ビットの階調表示が可能な液晶ディスプレイである。ガラス基板１の上には、紙面縦方向に複数の信号線２、紙面横方向に複数の走査線３がマトリクス状に形成され、交差部毎に、ｎチャネルのＴＦＴである画素ＴＦＴ４、表示電極５が形成されている。図１では信号線２は６本、走査線３は２本、画素ＴＦＴ４と表示電極５はそれぞれ６×２＝１２個であるが、一般的にはこれらの個数はもっと多く、例えば解像度がカラーＶＧＡの場合、信号線２は１９２０本、走査線３は４８０本、画素ＴＦＴ４と表示電極はそれぞれ９２１６００個である。
【００３３】
これらの部品で構成される表示領域６の周辺には、駆動回路が形成されている。表示領域６の紙面上側と紙面下側にはスイッチマトリクス１１，１２、シフトレジスタ１３，１４が形成されている。表示領域６の紙面左側にはデコーダ１５，１６と信号入力端子１０が形成されている。表示領域６の紙面右側には走査回路７と階調電圧源１７，１８が形成されており、走査回路７の出力Ｇ１〜Ｇ２は走査線３に接続している。表示領域６とスイッチマトリクス１１，１２の間には、交流化の機能を果たすＴＦＴ８が配置され、ＴＦＴ８のソースとドレインはスイッチマトリクスの出力Ｓ１〜Ｓ３と信号線２にそれぞれ接続し、ＴＦＴ８のゲートは交互に交流化信号用の配線Ｍ，ＭＢに接続している。
【００３４】
信号入力端子１０から入力された６ビットのデジタル画像信号はデコーダ１５，１６でデコードされ、デコーダ１５，１６の出力Ｄ０〜Ｄ６３はそれぞれ６４本の配線を通してスイッチマトリクス１１，１２に送られる。階調電圧源１７，１８で発生して出力されるＶ０〜Ｖ６３の６４段階の電圧はそれぞれ６４本の配線を通してスイッチマトリクス１１，１２に供給される。シフトレジスタ１３，１４の出力Ｑ１〜Ｑ３は、それぞれスイッチマトリクス１１，１２に接続している。
【００３５】
なお、図１では電源配線や制御線および説明に不要な一部配線は略してある。また、信号入力端子１０は紙面右側に形成してもよい。また各駆動回路や信号入力端子１０の配置関係は紙面の上下、左右に反転しても良く、また９０度回転しても構わない。
【００３６】
図２にスイッチマトリクス１１の構成を示す。スイッチマトリクス１１には横方向にデコード信号線３１、階調電圧線３２と、縦方向にトリガ線３３、出力線３４がマトリクス状に配線され、さらに、２つのＴＦＴ２２，２３と１つのキャパシタ２４で構成されたスイッチユニット２１が２次元配列されている。トリガ線３３と出力線３４の配線本数と、スイッチユニット２１の横方向個数は、表示電極の個数に比例して変わる。また、デコード信号線３１と階調電圧線３２の本数とスイッチユニット２１の縦方向個数は、表示階調のビット数ｎに対して２ｎ個である。スイッチマトリクスのＴＦＴは、すべてｎチャネルＴＦＴで形成されている。
【００３７】
ＴＦＴ２２のソースはデコード信号線３１のいずれかに接続し、ゲートはトリガ線３３のいずれかに接続し、ＴＦＴ２２のドレインはキャパシタ２４の片側の電極と、ＴＦＴ２３のゲートに接続している。キャパシタ２４のもう片側の電極は階調電圧線３２いずれかと接続して交流的な接地状態を得ている。ＴＦＴ２３のソースは階調電圧線３２のいずれかに接続し、ＴＦＴ２３のドレインは出力線３４のいずれかに接続している。スイッチユニット２１の機能は、シフトレジスタ１３からトリガ線３３を通してトリガパルスがきたときに、ＴＦＴ２２によってデコード信号線３１を通して供給されるデコーダ１５の出力をキャパシタ２４にラッチし、そのラッチした信号が高い電圧だった場合にＴＦＴ２３をＯＮにし、階調電圧線３２を通して供給される階調電圧源１７の出力電圧を、出力線３４を通して信号線２に供給するものである。スイッチマトリクス１２の構成も全く同じである。
【００３８】
図３にスイッチマトリクス１１におけるＤＡ変換動作を示す。Ｔ１〜Ｔ３の期間に、シフトレジスタ１３の出力Ｑ１〜Ｑ３にパルスを発生する。それに同期してデコーダ１５は、出力Ｄ０〜Ｄ６３に画像信号に対応したデコード信号を発生する。デコード信号は、デコーダ１５の入力ＤＢ０〜ＤＢ５に入力される６ビット画像信号の値０〜６３に対応して特定の１出力だけが高（Ｈ）レベルになり、対応しない他の出力は全て低（Ｌ）レベルになる信号である。図３には、デコーダ１５に、＜０，６３，２＞のデジタル画像信号が順に入力された場合のデコード信号を記述している。
【００３９】
期間Ｔ１において、シフトレジスタ１３の出力Ｑ１からトリガが入力されたとき、デコーダ１５の出力Ｄ０がＨレベル、その他がＬレベルであるので、図２のａ点にＨ’レベルの電圧がラッチされる。ここで、Ｈ’レベルはＨレベルの電圧からＴＦＴのスレッショルド電圧Ｖｔｈ分だけ低い電圧を表し、以下においても同様である。Ｈ’レベルの電圧がＴＦＴ２３をＯＮにするのに十分な電圧だとすると、階調電圧線３２の電圧Ｖ０はスイッチマトリクス１１のＳ１に出力され、新たにＱ１のトリガが来るまで出力は保持される。Ｈ’レベルの電圧がＴＦＴ２３をＯＮにするのに十分にするためには、Ｈレベルの電圧を高くするか、スレッショルド電圧Ｖｔｈの低いＴＦＴを用いれば良い。
【００４０】
期間Ｔ２において、シフトレジスタ１３の出力Ｑ２からトリガが入力されたとき、デコーダ１５の出力Ｄ６３がＨレベル、その他がＬレベルであるので、図２のｂ点にＨ’レベルの電圧がラッチされる。すると階調電圧線３２の電圧Ｖ６３はＳ２に出力され、新たに出力Ｑ２からトリガが来るまで出力は保持される。
【００４１】
期間Ｔ３において、シフトレジスタ１３の出力Ｑ３からトリガが入力されたとき、デコーダ１５の出力Ｄ２がＨレベル、その他がＬレベルであるので、図２のｃ点にＨ’レベルの電圧がラッチされる。すると階調電圧線３２の電圧Ｖ２はＳ２に出力され、新たに出力Ｑ３からトリガが来るまで出力は保持される。
【００４２】
以上のＴ１〜Ｔ３の期間の動作が完了するとスイッチマトリクスの出力Ｓ１〜Ｓ３には、デコーダに入力されたデジタル画像信号＜０，６３，２＞に対応したアナログ電圧＜Ｖ０，Ｖ６３，Ｖ２＞を発生することができる。同様にして、他のデジタル画像信号に対しても対応したアナログ電圧に変換できる。
【００４３】
なお、ここでＨレベルとは２値のデジタル信号の高い方の電圧、Ｌレベルとは低い方の電圧を表し、以下同様である。なお、シフトレジスタ１３の出力Ｑ１〜Ｑ３のパルスには隙間が有るが、無くても良い。
【００４４】
図４に、図１の液晶ディスプレイを駆動するための波形を示す。交流化のために、階調電圧源１７は出力Ｖ０〜Ｖ６３に＋側の電圧を発生し、階調電圧源１８は−側の電圧を発生する。したがって、スイッチマトリクス１１はデコーダ１５に入力したデジタル画像信号に対応して＋側のアナログ電圧を発生し、スイッチマトリクス１２はデコーダ１６に入力したデジタル画像信号に対応して−側のアナログ電圧を発生する。図４において、“Ａ”〜“Ｌ”の記号は表示電極５に与えるべき電圧を意味し、“＋”、“−”の記号はその電圧が＋側か−側かを意味する。
【００４５】
第１フレーム期間Ｔｖ１の第１ライン期間Ｔｈ１で、走査回路７の出力Ｇ１にＨレベルのパルスを出力する。この期間に、スイッチマトリクス１１，１２は図３で説明したＤＡ変換動作を行い、スイッチマトリクス１１の出力Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３にはそれぞれ、Ａ＋，Ｃ＋，Ｅ＋が出力され、スイッチマトリクス１２の出力Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３にはそれぞれ、Ｂ−，Ｄ−，Ｆ−が出力される。配線ＭはＬレベル、配線ＭＢはＨレベルであり、これらの電圧に対応してＴＦＴ８が動作し、信号線２にスイッチマトリクス１１，１２の出力電圧を振り分ける。信号線２に出力されたアナログ電圧は、走査回路の出力Ｇ１に接続した画素ＴＦＴ４を通してさらに接続する表示電極５にサンプリングされる。
【００４６】
第１フレーム期間Ｔｖ１の第２ライン期間Ｔｈ２で、走査回路７の出力Ｇ２にＨレベルのパルスを出力する。この期間にスイッチマトリクス１１，１２は図３で説明したＤＡ変換動作を行い、スイッチマトリクス１１の出力Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３にはそれぞれ、Ｈ＋，Ｊ＋，Ｌ＋が出力され、スイッチマトリクス１２の出力Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３にはそれぞれＧ−，Ｉ−，Ｋ−が出力される。配線ＭはＨレベル、配線ＭＢはＬレベルであり、これら電圧に対応してＴＦＴ８が動作し、信号線２にスイッチマトリクス１１，１２の出力電圧を振り分ける。信号線２に出力されたアナログ電圧は、走査回路の出力Ｇ２に接続した画素ＴＦＴ４を通してさらに接続する表示電極５にサンプリングされる。
【００４７】
１つのフレーム期間が終了すると、図５（ａ）のように、表示領域６全体の表示電極５に電圧を供給し、画像を表示することができる。一般的には走査線３は図１より多く、１フレーム期間内に多くのライン期間が存在する。例えば解像度がカラーＶＧＡの場合、走査線３は４８０本有り、フレーム期間は４８０以上存在する。
【００４８】
次の第２フレーム期間Ｔｖ２では、配線Ｍおよび配線ＭＢの信号の位相を第１フレーム期間Ｔｖ１の期間と反対にする。第１フレーム期間と同様に、第１ライン期間Ｔｈ１と第２ライン期間Ｔｈ２において、スイッチマトリクス１１，１２はＤＡ変換動作を行い、走査回路７はＧ１〜Ｇ２にパルスを出力する。
【００４９】
第２フレーム期間が終了すると、図５（ｂ）に示すように、表示領域６全体の表示電極５に電圧を供給し、画像を表示することができる。ただし、電圧の極性は図５（ａ）とは反対の極性になっている。以上の第１フレーム期間Ｔｖ１の動作と、第２フレーム期間Ｔｖ２の動作を交互に行うことにより、表示電極５に供給する電圧を交流化することができる。
【００５０】
図６にｎチャネルＴＦＴで形成した６ビットのデコーダ１５の回路図を示す。デコーダ回路１５は、４種類のクロック入力ＣＫ１〜ＣＫ４と複数のｎチャネルＴＦＴおよびキャパシタから構成されている。回路４１の部分は、デコーダ入力ＤＢ０〜ＤＢ５の反転信号を作成する回路である。この回路４１でＤＢ０〜ＤＢ５に入力されたデータをラッチし、反転しない信号を配線ｂ０〜ｂ５に、反転信号を配線ｂ０ｂ〜ｂ５ｂに発生する。回路４２の部分はデコード動作をする回路であり、配線ｂ０〜ｂ５および配線ｂ０ｂ〜ｂ５ｂの信号に従って配線ｅ０〜ｅ６３にデコード信号を発生する。回路４３の部分はブートストラップ回路であり、ＴＦＴのスレッショルド電圧Ｖｔｈ分低下した配線ｅ０〜ｅ６３のＨ’レベル信号を、Ｈレベルに回復することができる。
【００５１】
図７は、図６の回路のデコード動作の一例を示す図であり、入力信号が“１”の場合のデコード動作を示している。期間ｔ１〜ｔ４に、クロック入力ＣＫ１〜ＣＫ４には順番にパルスが供給され、ｔ４の期間が終了すると、デコーダ動作が完了する。期間ｔ１において、クロック入力ＣＫ１のパルスによってＴＦＴ４４，４５がＯＮになり、配線ｂ０〜ｂ５および配線ｂ０ｂ〜ｂ５ｂがリセットされる。
【００５２】
期間ｔ２において、クロック入力ＣＫ２のパルスによって、配線ｂ０〜ｂ５および配線ｂ０ｂ〜ｂ５ｂの信号が、デコーダ１５のＤＢ０〜ＤＢ５に入力されたデータがＨであるビットに限り反転される。図７では入力信号は“１”なので、ＤＢ０だけ反転される。また、期間ｔ２ではＴＦＴ４９，５０，５１がＯＮになり、配線ｅ０〜ｅ６３や配線ｆ０〜ｆ６３電圧をＨ’レベルに、デコーダ１５のＤ０〜Ｄ６３の出力をＬレベルにリセットする。このリセット動作はクロック入力ＣＫ１を用いて期間ｔ１に実施してもかまわない。
【００５３】
期間ｔ３において、クロック入力ＣＫ３のパルスによって、入力信号に対応しない配線ｅ０〜ｅ６３や配線ｆ０〜ｆ６３の電圧をＬレベルに落とす。入力信号“１”に対応した配線ｅ１に並列に接続した６個のＴＦＴ４６は全てＯＦＦであるために、Ｈ’レベルを保持しているが、入力信号“１”に対応した他の配線ｅ０，ｅ２ｅ〜６３に並列に接続した６個のＴＦＴ４６はＯＮになるＴＦＴが１つ以上有るため、全てＬレベルになる。ＴＦＴ４７がＯＮであるので、配線ｆ０〜ｆ６３についても同様になる。
【００５４】
期間ｔ４において、配線ｆ１のＨ’レベルの電圧はブートストラップ動作によってデコーダ１５の出力Ｄ１にＨレベルとなって出力される。配線ｆ１の電位はＨ’レベルであるので、この電位がＴＦＴ４８をＯＮできると仮定とすると、Ｈレベルであるクロック入力ＣＫ４から電流が出力Ｄ１に流れてＤ１の電位が上昇し、上昇した電位はキャパシタ４８を通して配線ｆ０にフィードバックされる。その結果、最大（Ｈレベルの電位の２倍−ＴＦＴのスレッショルド電圧Ｖｔｈ）まで上昇する。この電位をＨＨレベルと記述し、以下においても同様である。
【００５５】
このＨＨレベルの電位がＨレベルの電位よりＶｔｈ以上高いと仮定すると、デコーダ１５の出力Ｄ１にＨレベルの出力を発生することができる。上記仮定条件を満足するにはＶｔｈを低く押さえるか、Ｈレベルの電圧を高くすれば良い。配線ｆ０，ｆ２〜ｆ６３の電位はＬレベルであるので、ＴＦＴ４８はＯＦＦのままであり、クロック入力ＣＫ４にパルスが来てもデコーダ１５の出力Ｄ０，Ｄ２〜Ｄ６３はＬレベルのままである。
【００５６】
同様にして、デコーダ１５の他の入力信号に対しても、出力Ｄ０〜Ｄ６３のうち、対応した出力のみがＨレベルになり、他は全てＬレベルになる。また、クロック入力ＣＫ４の後にクロック入力ＣＫ１が来る周期的なパルスならば、クロック入力ＣＫ１〜ＣＫ４をローテーションしてもよい。それによって４つの異なるタイミングで入力信号をラッチするデコーダを形成することができる。また、クロック入力ＣＫ１〜ＣＫ４のパルスには隙間が有るが、無くても良い。デコーダ１６も、図６の回路構成で形成し、図７の波形で動作することが出来る。
【００５７】
なお、デコーダ１５は比較的大きな回路になるが、スイッチマトリクス１１やシフトレジスタ１３と別の位置に配置することができるので、信号線２のピッチＰｘには影響しない。図１では、表示領域６の左辺に配置している。
【００５８】
図８にｎチャネルＴＦＴで形成したシフトレジスタ１３の回路図を示す。シフトレジスタ１３は、クロック入力ＣＬ１，ＣＬ２と、スタート信号入力ＳＴと複数のｎチャネルＴＦＴおよびキャパシタから構成されている。図８のシフトレジスタはＱ１〜Ｑ６までの６出力のシフトレジスタであるが、シフトレジスタ１３に必要な出力が３出力の場合は、Ｑ１〜Ｑ３の出力だけ利用すれば良い。また、一般的にはシフトレジスタの段数はもっと多く、例えば解像度がカラーＶＧＡの場合、シフトレジスタの出力はＱ１〜Ｑ９６０の９６０出力になる。
【００５９】
図９に、図８のシフトレジスタの駆動波形および動作波形を示す。クロック入力ＣＬ１，ＣＬ２には交互にクロックパルスを常時入力し、クロック入力ＣＬ１のパルスにオーバーラップしてスタート信号入力ＳＴにスタートパルスを入力することにより、シフトレジスタ動作が開始される。このとき、ノードａ２〜ａ７をＨ’レベルにすることで、ノードｂ２〜ｂ７はＬレベルにリセットされる。ノードｂ１だけはＴＦＴ６１によってＨ’レベルにセットされ、同時にＴＦＴ６２によってノードｃ１をＬレベルにすることでキャパシタ８１を充電し、ＴＦＴ６３をＯＮにしてシフト動作の準備をする。
【００６０】
次に、クロック入力ＣＬ２にパルスを入力すると、ＴＦＴ６３はＯＮであるので、キャパシタ８１によってノードｂ１はＨＨレベル、ノードｃ１はＨレベルになる。この時、シフトレジスタ１３の出力Ｑ１にはノードｃ１の電圧がパルスとして出力される。また、ＴＦＴ６４によりノードｂ２をＨ’レベル、ＴＦＴ６５によりノードｃ２をＬレベルにすることでキャパシタ８２を充電し、ＴＦＴ６６をＯＮにして次のシフト動作の準備をする。
【００６１】
次に、クロック入力ＣＬ１にパルスを入力すると、ＴＦＴ６６はＯＮであるのでキャパシタ８２によってノードｂ２はＨＨレベル、ノードｃ２はＨレベルになる。この時、シフトレジスタ１３の出力Ｑ２にはノードｃ２の電圧がパルスとして出力される。また、ＴＦＴ６７によりノードｂ３がＨ’レベル、ＴＦＴ６８によりノードｃ３をＬレベルにすることでキャパシタ８３を充電し、ＴＦＴ６９をＯＮにして次のシフト動作の準備をする。さらに、ＴＦＴ７０を通してノードａ１がＨ’レベルになり、次にクロック入力ＣＬ２にパルスが来てもノードｂ１の電圧が上がらないようにＴＦＴ７１によってＬレベルに固定される。
【００６２】
次に、クロック入力ＣＬ２にパルスを入力すると、ＴＦＴ６９はＯＮであるのでキャパシタ８３によってノードｂ３はＨＨレベル、ノードｃ３はＨレベルになる。この時、シフトレジスタ１３の出力Ｑ３にはノードｃ３の電圧がパルスとして出力される。また、ＴＦＴ７２によりノードｂ４がＨ’レベル、ＴＦＴ７３によりノードｃ４をＬレベルにすることでキャパシタ８４を充電し、ＴＦＴ７３をＯＮにして次のシフト動作の準備をする。さらに、ＴＦＴ７５を通してａ２がＨ’レベルになり、次にクロック入力ＣＬ１にパルスが来てもｂ２の電圧が上がらないようにＴＦＴ７６によってＬレベルに固定される。
【００６３】
以上の動作を繰り返すことにより、シフトレジスタ１３の出力Ｑ４〜Ｑ６にもパルスを発生することができる。シフトレジスタ１４も図８の回路構成で形成し、図９の波形で動作することができる。また、クロック入力ＣＬ１，ＣＬ２のパルスには隙間が有るが、無くても良い。
【００６４】
図１に示した走査回路７は、図８の回路構成で形成し、図９の波形で動作することができる。その場合、走査回路７の出力Ｇ１〜Ｇ２は、図８のシフトレジスタの出力Ｑ１〜Ｑ２に置き換えることで対応できる。
【００６５】
また、走査回路７は、図６に示した回路構成で形成し、図７の波形で動作することができる。その場合、走査回路の出力Ｇ１〜Ｇ２は、図６のデコーダ出力Ｄ１〜Ｄ２に置き換えることで対応できる。
【００６６】
図１０に、階調電圧源１７の構成を示す。なお、階調電圧源１８も同じ構成である。複数の抵抗９１を直列に接続し、その両端に外部からの２つの電圧ＶＲ１とＶＲ２を供給して、６４段階に分圧する。また、抵抗９１を直列に接続している途中に電圧ＶＲ１，ＶＲ２以外の電圧ＶＲｘをいくつか外部から供給しても良い。抵抗９１は、ＴＦＴのソースおよびドレインを形成するのに用いられるシリコンの薄膜か、あるいは金属配線を長く引き伸ばして作成することができる。また、外部からＶ０〜Ｖ６３の６４種類の全ての電圧を供給する場合には階調電圧源１７，１８は不要である。
【００６７】
以上に述べた図２のスイッチマトリクス、図６のデコーダ、図８のシフトレジスタを用いることにより、図１に示した画像表示装置は、表示領域６の画素ＴＦＴ４とともに、各駆動回路である走査回路７、スイッチ８、スイッチマトリクス１１，１２、シフトレジスタ１３，１４、デコーダ１５，１６を構成するＴＦＴは全てｎチャネルＴＦＴで形成することができる。
【００６８】
＜実施形態２＞
図１１に本発明の第２の実施形態の構成を示す。図１１は、ガラス基板の上にｐチャネルＴＦＴの画素ＴＦＴと駆動回路を一体形成した発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）ディスプレイである。また、図１１は６ビットのデジタル画像信号を入力し、６ビットの階調表示が可能なＬＥＤディスプレイである。ガラス基板１０１の上には、紙面縦方向に複数の信号線１０２、紙面横方向に複数の走査線１０３がマトリクス状に形成され、交差部毎に、ｐチャネルのＴＦＴである画素ＴＦＴ１０４と、画素回路１０５とが形成されている。図１１では、信号線１０２は６本、走査線１０３は２本、画素ＴＦＴ１０４と表示電極１０５はそれぞれ６×２＝１２個であるが、一般的にはこれらの個数はもっと多く、例えば解像度がカラーＶＧＡの場合、信号線１０２は１９２０本、走査線１０３は４８０本、画素ＴＦＴ１０４と画素回路１０５はそれぞれ９２１６００個である。
【００６９】
これらの部品で構成される表示領域１０６の周辺には、駆動回路が形成されている。表示領域１０６の紙面上側と紙面下側にはスイッチマトリクス１１１，１１２、シフトレジスタ１１３，１１４が形成されている。表示領域の紙面左側にはデコーダ１１５，１１６と信号入力端子１１０が形成されている。表示領域の紙面右側には走査回路１０７と階調電圧源１１７，１１８が形成されており、走査回路１０７の出力Ｇ１，Ｇ２は走査線１０３に接続している。
【００７０】
なお、ＬＥＤディスプレイは液晶ディスプレイのように交流化の必要が無いので、交流化のための回路はなく、また、階調電圧源１１７，１１８には同電位の電圧群を発生する。
【００７１】
信号入力端子１１０から入力された６ビットのデジタル画像信号はデコーダ１１５，１１６でデコードされ、デコーダ１１５の出力Ｄ０〜Ｄ６３は６４本の配線を通してスイッチマトリクス１１１，１１２に送られる。階調電圧源１１７，１１８で発生して出力されるＶ０〜Ｖ６３の６４段階の電圧は、６４本の配線を通してスイッチマトリクス１１１，１１２に供給される。シフトレジスタ１１３，１１４の出力Ｑ１〜Ｑ３は、スイッチマトリクス１１１，１１２に接続している。
【００７２】
なお、図１１では電源配線や制御線および説明に不要な一部配線は省略してある。信号入力端子１１０は紙面右側に形成してもよい。また、各駆動回路や信号入力端子１１０の配置関係は紙面の上下、左右に反転しても良く、また９０度回転しても構わない
図１２に画素回路１０５の構成を示す。画素回路１０５は、ＬＥＤ電源線１２１、ｐチャネルＴＦＴ１２２、キャパシタ１２３と、ＬＥＤとして用いる有機発光素子１２４から構成されている。カソード配線は図１１には記載していないが、有機発光素子１２４のカソードを接地する共通カソード配線がある。信号線１０２に供給されたアナログ電圧は、走査線１０３に接続したＴＦＴ１０４によってノードｖの電圧がサンプリングされ、その電圧、キャパシタ１２３によって保持される。ノードｖの電圧はＴＦＴ１２２によって電圧−電流変換され、ノードｖの電圧によって決まる電流ｉを有機発光素子１２４に流すことが出来る。有機発光素子１２４は電流ｉに比例した発光強度で発光するので、信号線１０２に供給する電圧を各画素回路１０５にサンプリングすることで、各画素回路１０５の有機発光素子１２４の強度を制御し、画像を表示することができる。
【００７３】
スイッチマトリクス１１１，１１２は、図２に示した回路のＴＦＴをすべてｐチャネルＴＦＴで置き換えることにより構成できる。その場合の駆動波形は図３と同様であるが、信号電圧の極性は正負が反対になる。
【００７４】
さらに、デコーダ１１５，１１６は、図６に示した回路のＴＦＴをすべてｐチャネルＴＦＴで置き換えることにより構成できる。その場合の駆動波形は図７と同様であるが、信号電圧の極性は正負が反対になる。
【００７５】
さらに、シフトレジスタ１１３，１１４と、走査回路１０７は、図８に示した回路のＴＦＴをすべてｐチャネルＴＦＴで置き換えることで構成できる。その場合の駆動波形は図９と同様であるが、信号電圧の極性は正負が反対になる。
【００７６】
階調電圧源１１７，１１８は、図１０に示した回路と同じ構成である。外部からＶ０〜Ｖ６３の６４種類の全ての電圧を供給する場合には階調電圧源１１７，１１８は不要である。
【００７７】
以上により、図１１に示した画像表示装置は、表示領域１０６の画素ＴＦＴ１０４、画素回路１０５とともに、各駆動回路である走査回路１０７、スイッチマトリクス１１１，１１２、シフトレジスタ１１３，１１４、デコーダ１１５，１１６を構成するＴＦＴは、全てｐチャネルＴＦＴで形成することができる。
【００７８】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の精神を逸脱しない範囲内において、種々の設計変更をなし得ることは勿論である。
【００７９】
【発明の効果】
前述した実施形態から明らかなように、本発明の画像表示装置は、駆動回路を画素トランジスタとともに基板上に一体形成できるため、価格を安くすることができる。
【００８０】
また、本発明の画像表示装置はｎチャネルあるいはｐチャネルのいずれか一方のチャネル型のトランジスタだけで形成することができるため、価格を安くすることができる。
【００８１】
さらに、本発明の画像表示装置は多階調表示が出来るため、明るさや色の変化が滑らかな画像をより正確に表現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１の実施形態を示す液晶ディスプレイの構成図。
【図２】図１に示したスイッチマトリクスの構成図。
【図３】図２に示した構成のスイッチマトリクスのＤＡ変換動作を示すタイミング図。
【図４】図１の構成の液晶ディスプレイを駆動するための波形を示す図。
【図５】図４の駆動波形により表示領域表示される画像の結果を示す図。
【図６】図１に示したデコーダの回路構成図。
【図７】図６に示したデコーダのデコード動作の一例を示す図。
【図８】図１に示したシフトレジスタの回路構成図。
【図９】図８に示したシフトレジスタの駆動波形および動作波形を示す図。
【図１０】図１に示した階調電圧源の回路構成図。
【図１１】本発明に係る第２の実施形態を示すＬＥＤディスプレイの構成図。
【図１２】図１１に示したＬＥＤディスプレイの画素回路構成を示す図。
【図１３】従来のアクティブマトリクス型ＴＦＴ液晶ディスプレイを示す構成図。
【図１４】図１３に示した液晶ディスプレイの信号回路の構成を示す図。
【図１５】ｎチャネル及びＰチャネルＴＦＴで構成した従来の６ビットＤＡ変換回路の回路図。
【図１６】ｎチャネルＴＦＴだけで構成した従来の６ビットＤＡ変換回路の回路図。
【符号の説明】
１，１０１…ガラス基板、２，１０２…信号線、３，１０３，１５３…走査線、４…ｎチャネル画素ＴＦＴ、５…表示電極、６，１０６，１５６…表示領域、７，１０７，１５７…走査回路、８…ｎチャネルＴＦＴ、１０，１１０…入力端子、１１，１２…スイッチマトリクス、１３，１４…シフトレジスタ、１５，１６…デコーダ、１７，１８…階調電圧源、２１…スイッチユニット、２２，２３…ｎチャネルＴＦＴ、２４…キャパシタ、３１…デコード信号線、３２…階調電圧線、３３…トリガ線、３４…出力線、４１〜４３…ｎチャネルＴＦＴ回路、４４〜５１…ｎチャネルＴＦＴ、６１〜７６…ｎチャネルＴＦＴ、８１〜８４…キャパシタ、９１…抵抗、１０４…ｐチャネル画素ＴＦＴ、１０５…画素回路、１１１，１１２…スイッチマトリクス、１１３，１１４…シフトレジスタ、１１５，１１６…デコーダ、１１７，１１８…階調電圧源、１２１…ＬＥＤ電源線、１２２…ｐチャネルＴＦＴ、１２３…キャパシタ、１２４…ＬＥＤ、１５１…透明基板、１５２…信号線、１５４…画素ＴＦＴ、１５５…表示電極、１５８，１５９…信号回路、１６０…切替スイッチ、１７１…シフトレジスタ、１７２…ラッチ、１７３…ＤＡ変換回路、１８１…ｎチャネルＴＦＴ、１８２…ｐチャネルＴＦＴ、１８３…ｎチャネルＴＦＴ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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