(57)【要約】【課題】被処理基板上に塗布したレジスト液が乾燥処理中に移動するのを抑制して、レジスト膜の膜厚均一性を保つこと。【解決手段】レジストノズルヘッド１５４は、鎖線Ａで示すルートに沿って移動して、第１〜第３の各列について順次塗布走査を行う。より詳細には、各列の液晶パネル領域ＳをＹ方向に縦断移動し、各塗布領域Ｅ（図の斜線領域）にだけ限定的にレジスト液を塗布する。これにより、基板Ｇの被処理面のうち液晶パネル領域Ｓにそれぞれ対応する塗布領域Ｅだけにレジスト液がほぼ一定の膜厚で塗布される。基板周縁部と相隣接する塗布領域Ｅ，Ｅの隙間ｄには、レジスト液膜の存在しない空き領域が残る。【選択図】　　図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトリソグラフィー工程において被処理基板上にレジスト液を塗布するレジスト塗布方法において、
前記基板上に実質的に分離独立した複数の塗布領域を設定する工程と、
前記基板に対して前記塗布領域に限定してレジスト液を塗布する工程と
を有するレジスト塗布方法。
【請求項２】
前記塗布領域内では前記レジスト液をほぼ一定の膜厚で領域全体を覆うように塗布する請求項１に記載のレジスト塗布方法。
【請求項３】
前記基板がフラットパネルディスプレイ用の多面取り型のマザー基板であり、前記塗布領域設定工程では前記基板上の各パネル領域に対応させて前記塗布領域が設定される請求項１または２に記載のレジスト塗布方法。
【請求項４】
前記基板が各画素毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有するＴＦＴ液晶ディスプレイ用の基板であり、前記塗布領域設定工程では前記基板上の各ＴＦＴ領域に対応させて前記塗布領域が設定される請求項１または２に記載のレジスト塗布方法。
【請求項５】
前記基板が各画素毎に赤色、緑色もしくは青色の着色層を有するカラーフィルタ用の基板であり、前記塗布領域設定工程では各々の着色層毎に前記基板上の各画素領域に対応させて前記塗布領域が設定される請求項１または２に記載のレジスト塗布方法。
【請求項６】
レジスト液吐出動作を各々独立して制御できるように構成された複数のノズル部を一定間隔で配置してなるレジストノズルヘッドと、
被処理基板に対して前記レジストノズルヘッドを相対的に走査移動させる走査手段と、
前記基板上に実質的に分離独立した複数の塗布領域を設定する塗布領域設定手段と、
前記基板に対して前記塗布領域に限定してレジスト液を塗布するように前記レジストノズルヘッドにおける前記ノズル部のレジスト液吐出動作を制御するレジスト液吐出制御手段と
を有するレジスト塗布装置。
【請求項７】
前記走査手段が、前記基板に対して前記レジストノズルヘッドを前記ノズル部の配列方向と直交する第１の方向に相対的に移動させる第１の走査部と、前記基板に対して前記レジストノズルヘッドを前記ノズル部の配列方向と平行な第２の方向に相対的に移動させる第２の走査部とを有する請求項６に記載のレジスト塗布装置。
【請求項８】
前記基板上に塗布された直後のレジスト液を加熱して乾燥させる乾燥手段を有し、前記乾燥手段を前記走査手段により前記レジストノズルヘッドと一緒に走査移動させる請求項６または７に記載のレジスト塗布装置。
【請求項９】
前記基板がフラットパネルディスプレイ用の多面取り型マザー基板であり、前記塗布領域設定手段が前記基板上の各パネル領域に対応させて前記塗布領域を設定する請求項６〜８のいずれか一項に記載のレジスト塗布装置。
【請求項１０】
前記基板が各画素毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有するＴＦＴ液晶ディスプレイ用の基板であり、前記塗布領域設定手段が前記基板上の各ＴＦＴ領域に対応させて前記塗布領域を設定する請求項６〜８のいずれか一項に記載のレジスト塗布装置。
【請求項１１】
前記基板が各画素毎に赤色、緑色もしくは青色の着色層を有するカラーフィルタ用の基板であり、前記塗布領域設定手段が各々の着色層毎に前記基板上の各画素領域に対応させて前記塗布領域を設定する請求項６〜８のいずれか一項に記載のレジスト塗布装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトリソグラフィー工程において被処理基板にレジスト液を塗布するためのレジスト塗布方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ＬＣＤや半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、被処理基板（ガラス基板、半導体ウエハ等）上にレジスト液を塗布するために、いわゆるスピンコート法が多用されてきた（たとえば、特許文献１参照）。しかし、スピンコート法は、被処理基板をかなりの高速度でスピン回転させるため、多量のレジスト液が遠心力で基板の外へ飛散して、無駄に捨てられたりパーティクルの原因になるという問題がある。特に、基板が大型化するほど、上記の問題が一層顕著になるだけでなく、スピン回転時に基板外周部において周速度が大きいために空気の乱流を引き起こし、レジスト膜の膜厚変動を招きやすいという問題もある。
【０００３】
そうしたことから、最近は、基板の大型化に有利なレジスト塗布法として、基板の上方でレジストノズルを相対移動または走査させながらレジスト液を細径で連続的に吐出させることにより、高速回転を要することなく基板上に所望の膜厚でレジスト液を塗布するようにした技法（スピンレス法）が普及している（たとえば特許文献２および特許文献３参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平８−２５５７４５号公報（第４−６頁、図２）
【特許文献２】
特開２０００１−１６２２０７号公報（第４頁、図２、図３）
【特許文献３】
特開平１０−７６２０７号公報（第３−４頁、図１）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来のスピンレス法では、基板の被処理面全体にレジスト液を盛るように塗布する。しかしながら、この方式によると、基板上にレジスト液をほぼ一定の膜厚で塗布しても、その後の乾燥処理つまり減圧乾燥やプリベーキングの際に基板上でレジスト液がランダムな方向に移動して、乾燥後に膜厚の不均一なレジスト膜が出来上がってしまうことがある。また、レジスト液の乾燥に要する時間が長いという問題もある。
【０００６】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、被処理基板上に塗布したレジスト液が乾燥処理中に移動するのを抑制して、レジスト膜の膜厚均一性を保証するレジスト塗布方法およびレジスト塗布装置を提供することを目的とする。
【０００７】
本発明の別の目的は、レジスト液の消費量を節減できるレジスト塗布方法およびレジスト塗布装置を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、基板上に塗布したレジスト液の乾燥に要する時間を短縮するレジスト塗布方法およびレジスト塗布装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明のレジスト塗布方法は、フォトリソグラフィー工程において被処理基板上にレジスト液を塗布するレジスト塗布方法において、前記基板上に実質的に分離独立した複数の塗布領域を設定する工程と、前記基板に対して前記塗布領域に限定してレジスト液を塗布する工程とを有する。
【００１０】
また、本発明のレジスト塗布装置は、レジスト液吐出動作を各々独立して制御できるように構成された複数のノズル部を一定間隔で配置してなるレジストノズルヘッドと、被処理基板に対して前記レジストノズルヘッドを相対的に走査移動させる走査手段と、前記基板上に実質的に分離独立した複数の塗布領域を設定する塗布領域設定手段と、前記基板に対して前記塗布領域に限定してレジスト液を塗布するように前記レジストノズルヘッドにおける前記ノズル部のレジスト液吐出動作を制御するレジスト液吐出制御手段とを有する。
【００１１】
本発明によれば、基板上の被処理面のうち離散的な塗布領域にだけレジスト液が塗布され、他の領域にはレジスト液が塗布されないため、塗布後に、たとえば乾燥処理中に基板上のレジスト液がゆれ動いても塗布領域内に制限されるため、全体的な移動やより戻しまで発展することがなく、レジスト液の膜厚が一定に保たれる。また、基板上の全面にではなく必要箇所（塗布領域）にのみ限定的または離散的にレジスト液を塗布するので、レジスト液の消費量を少なくできるうえ、乾燥に要する時間を短縮することもできる。
【００１２】
本発明の方法では、塗布領域内の塗布ムラを低減するために、好ましくは、塗布領域内ではレジスト液をほぼ一定の膜厚で領域全体を覆うように塗布してよい。本発明の装置において、好ましくは、走査手段が、基板に対してレジストノズルヘッドをノズル部の配列方向と直交する第１の方向に相対的に移動させる第１の走査部と、基板に対してレジストノズルヘッドをノズル部の配列方向と平行な第２の方向に相対的に移動させる第２の走査部とを有してよい。また、塗布後の乾燥時間を一層短縮するために、好ましくは、基板上に塗布された直後のレジスト液を加熱して乾燥させる乾燥手段を有し、この乾燥手段を走査手段によりレジストノズルヘッドと一緒に走査移動させる構成としてよい。
【００１３】
本発明の一態様として、基板がフラットパネルディスプレイ用の多面取り型マザー基板である場合は、基板上の各パネル領域に対応させて塗布領域を設定してよい。
【００１４】
別の態様として、基板が各画素毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有するＴＦＴ液晶ディスプレイ用の基板である場合は、基板上の各ＴＦＴ領域に対応させて塗布領域を設定してよい。
【００１５】
また、基板が各画素毎に赤色、緑色もしくは青色の着色層を有するカラーフィルタ用の基板である場合は、各々の着色層毎に基板上の各画素領域に対応させて塗布領域を設定してよい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１７】
図１に、本発明のレジスト塗布方法および装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ用のガラス基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。
【００１８】
この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。
【００１９】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平方向たとえばＹ方向に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００２０】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、システム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを横一列に配置している。一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、第２の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロセス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置している。このライン形態では、第２の熱的処理部３０が、上流側のプロセスラインＡの最後尾に位置するとともに下流側のプロセスラインＢの先頭に位置しており、両ラインＡ，Ｂ間に跨っている。
【００２１】
両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によってライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。
【００２２】
上流部のプロセスラインＡにおいて、洗浄プロセス部２４は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内のカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と隣接する場所にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１を配置している。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内の洗浄部は、ＬＣＤ基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でラインＡ方向に搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すようになっている。
【００２３】
洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数のユニットを多段に積層配置している。たとえば、図２に示すように、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０、脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２側と基板Ｇの受け渡しを行うために用いられる。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０、冷却ユニット（ＣＬ）６２，６４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）６０は、塗布プロセス部２８側と基板Ｇの受け渡しを行うためのものである。
【００２４】
図２に示すように、搬送機構４６は、鉛直方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この旋回搬送体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有している。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送体７２を旋回駆動するための駆動部７８が昇降搬送体７０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するための駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構成されてよい。
【００２５】
上記のように構成された搬送機構４６は、高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセス可能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板Ｇを受け渡しできるようになっている。
【００２６】
第１の熱的処理部２６の下流側に隣接する塗布プロセス部２８は、図１に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４およびエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６をプロセスラインＡに沿って一列に配置している。図示省略するが、塗布プロセス部２８内には、これら３つのユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６に基板Ｇを工程順に１枚ずつ搬入・搬出するための搬送装置が設けられており、各ユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６内では基板１枚単位で各処理が行われるようになっている。
【００２７】
塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第２の熱的処理部３０は、上記第１の熱的処理部２６と同様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に縦型の搬送機構９０を設け、プロセスラインＡ側（最後尾）に一方の多段ユニット部（ＴＢ）８８を設け、プロセスラインＢ側（先頭）に他方の多段ユニット部（ＴＢ）９２を設けている。
【００２８】
図示省略するが、たとえば、プロセスラインＡ側の多段ユニット部（ＴＢ）８８には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば３段積みに重ねられてよい。また、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上に冷却ユニット（ＣＯＬ）がたとえば１段重ねられ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば２段積みに重ねられてよい。
【００２９】
第２の熱的処理部３０における搬送機構９０は、両多段ユニット部（ＴＢ）８８，９２のそれぞれのパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して塗布プロセス部２８および現像プロセス部３２と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０や後述するインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００３０】
下流部のプロセスラインＢにおいて、現像プロセス部３２は、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら一連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユニット（ＤＥＶ）９４を含んでいる。
【００３１】
現像プロセス部３２の下流側には脱色プロセス部３４を挟んで第３の熱的処理部３６が配置される。脱色プロセス部３４は、基板Ｇの被処理面にｉ線（波長３６５ｎｍ）を照射して脱色処理を行うためのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６を備えている。
【００３２】
第３の熱的処理部３６は、上記第１の熱的処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有しており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１００とその前後両側に一対の多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２を設けている。
【００３３】
図示省略するが、たとえば、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）９８には、最下段にパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）がたとえば３段積みに重ねられてよい。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）１０２には、最下段にポストベーキング・ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が置かれ、その上に基板受け渡しおよび冷却用のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）が１段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段積みに重ねられてよい。
【００３４】
第３の熱的処理部３６における搬送機構１００は、両多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２のパスユニット（ＰＡＳＳ）およびパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介してそれぞれｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６およびカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００３５】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置１０４を有し、その周囲にバッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８および周辺装置１１０を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０５には定置型のバッファカセット（図示せず）が置かれる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置１１０は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置１０４は、基板Ｇを保持できる手段としてたとえば搬送アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１２や各ユニット（ＢＵＦ）１０６、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１１０と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００３６】
図３に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部２４のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に搬入する（ステップＳ１）。
【００３７】
エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１内で基板Ｇは紫外線照射による乾式洗浄を施される（ステップＳ２）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板Ｇは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２によって洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２へ移される。
【００３８】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２では、上記したように基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でプロセスラインＡ方向に平流しで搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の汚れを除去する（ステップＳ３）。そして、洗浄後も基板Ｇを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。
【００３９】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で洗浄処理の済んだ基板Ｇは、第１の熱的処理部２６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）４４内のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に搬入される。
【００４０】
第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは搬送機構４６により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット（ＰＡＳＳ）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップＳ４）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ５）。しかる後、基板Ｇはアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６に移され、そこで疎水化処理を受ける（ステップＳ６）。この疎水化処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ７）。最後に、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）６０に移される。
【００４１】
このように、第１の熱的処理部２６内では、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４と下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８との間で任意に行き来できるようになっている。なお、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の基板搬送動作を行えるようになっている。
【００４２】
第１の熱的処理部２６で上記のような一連の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０から下流側隣の塗布プロセス部２８のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２へ移される。
【００４３】
基板Ｇはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２でたとえばスピンレス法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４で減圧による乾燥処理を受け、次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６で基板周縁部の余分（不要）なレジストを取り除かれる（ステップＳ８）。
【００４４】
上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Ｇは、エッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６から隣の第２の熱的処理部３０の上流側多段ユニット部（ＴＢ）８８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００４５】
第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬送機構９０により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受ける（ステップＳ９）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ１０）。しかる後、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）９２側のパスユニット（ＰＡＳＳ）を経由して、あるいは経由せずにインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８へ受け渡される。
【００４６】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８から周辺装置１１０の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ１１）。
【００４７】
露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ１１）、先ず周辺装置１１０のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ１２）。しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行われる。
【００４８】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６では、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。
【００４９】
現像プロセス部３２では、該多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）から受け取った基板Ｇを現像ユニット（ＤＥＶ）９４に搬入する。現像ユニット（ＤＥＶ）９４において基板ＧはプロセスラインＢの下流に向って平流し方式で搬送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が行われる（ステップＳ１３）。
【００５０】
現像プロセス部３２で現像処理を受けた基板Ｇは下流側隣の脱色プロセス部３４へ搬入され、そこでｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ１４）。脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）９８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００５１】
第３の熱的処理部３６において、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでポストベーキングを受ける（ステップＳ１５）。次に、基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）１０２内のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に移され、そこで所定の基板温度に冷却される（ステップＳ１６）。第３の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１００によって行われる。
【００５２】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）から塗布現像処理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板Ｇをいずれか１つのカセットＣに収容する（ステップＳ１）。
【００５３】
この塗布現像処理システム１０においては、塗布プロセス部２８のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２に本発明を適用することができる。以下、図４〜図１９を参照して本発明をレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２に適用した一実施形態を説明する。
【００５４】
図４および図５に、塗布プロセス部２８におけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４およびエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６の要部の構成を示す。
【００５５】
これらの塗布系処理ユニット群（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６は支持台１１２の上に処理工程の順序にしたがって横一列に配置されている。支持台１１２の両側に敷設された一対のガイドレール１１４，１１４に沿って移動する一組または複数組の搬送アーム１１６，１１６により、ユニット間で基板Ｇを直接やりとりできるようになっている。
【００５６】
減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４は、上面が開口しているトレーまたは底浅容器型の下部チャンバ１１８と、この下部チャンバ１１８の上面に気密に密着または嵌合可能に構成された蓋状の上部チャンバ１２０とを有している。下部チャンバ１１８はほぼ四角形で、中心部には基板Ｇを水平に載置して支持するためのステージ１２２が配設され、底面の四隅には排気口１２４が設けられている。下部チャンバ１１８の下から各排気口１２４に接続する排気管１２８は真空ポンプ（図示せず）に通じている。下部チャンバ１１８に上部チャンバ１２０を被せた状態で、両チャンバ１１８，１２０内の処理空間を該真空ポンプにより所定の真空度まで減圧できるようになっている。
【００５７】
エッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６には、基板Ｇを水平に載置して支持するステージ１３０と、基板Ｇを相対向する一対の角隅部にて位置決めするアライメント手段１３２と、基板Ｇの四辺の周縁部（エッジ）から余分なレジストを除去する４個のリムーバヘッド１３４等が設けられている。アライメント手段１３２がステージ１３０上の基板Ｇを位置決めした状態で、各リムーバヘッド１３４が基板Ｇの各辺に沿って移動しながら、基板各辺の周縁部に付着している余分なレジストをシンナーで溶解して除去するようになっている。
【００５８】
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２は、スピンレス法によって基板Ｇ上にレジスト液を塗布するレジスト塗布装置であり、上面が開口しているカップ状の処理容器１３６と、この処理容器１３６内で基板Ｇを水平に載置して保持するための昇降可能なステージ１３８と、このステージ１３８を昇降させるために処理容器１３６の下に設けられた昇降駆動部１４０と、ステージ１３８上の基板Ｇに対してレジスト液を吐出するレジストノズルヘッド１５４（図６）をＸＹ方向で駆動する走査機構１４４とを有している。
【００５９】
図６に、走査機構１４４の構成を示す。この走査機構１４４では、Ｙ方向に延びる一対のＹガイドレール１４６，１４６が処理容器１３６（図６では図示省略）の両側に配置されるとともに、両Ｙガイドレール１４６，１４６の間にＸ方向に延在するＸガイドレール１４８がＹ方向に移動可能に架け渡されている。所定位置たとえば両Ｙガイドレール１４６，１４６の一端に配置されたＹ方向駆動部１５０，１５０が，無端ベルト等の伝動機構（図示せず）を介してＸガイドレール１４８を両Ｙガイドレール１４６，１４６に沿ってＹ方向に直進駆動するようになっている。また、Ｘガイドレール１４８に沿ってＸ方向にたとえば自走式または外部駆動式で移動できるキャリッジ（搬送体）１５２が設けられており、このキャリッジ１５２にＸ方向に延在する長尺状のレジストノズルヘッド１５４が取り付けられている。
【００６０】
レジストノズルヘッド１５４は、図７に示すように、レジスト液供給管１５６の終端部よりレジスト液を導入するための導入通路１５７と、導入したレジスト液をいったん溜めるバッファ室１５８と、バッファ室１５８の底より一定間隔で垂直下方に延在する複数個のノズル部１６０と、各ノズル部１６０に設けられたジェット噴射部１６２とを有している。ノズル部１６０の吐出口１６０ａは微細径たとえば１００μｍ以下の口径を有する。ノズル部１６０の配列方向はヘッド長手方向と平行である。
【００６１】
各ジェット噴射部１６２は、いわゆるインクジェット方式であり、たとえばピエゾ素子を有し、電気的な駆動信号でピエゾ素子を収縮動作させ、その収縮圧力によりノズル部１６０内のレジスト液を加圧し、液滴としてノズル吐出口１６０ａよりジェット噴射（吐出）するように構成されている。レジストノズルヘッド１５４ないしキャリッジ１５２には各ジェット噴射部１６２毎に個別の駆動信号を与える駆動回路（図示せず）が搭載されている。
【００６２】
図８に、レジストノズルヘッド１５４のレジスト液吐出動作を制御するための制御部の構成例を示す。設定入力部１６４は、たとえば操作盤を含み、ワーク（基板）の種類・サイズや加工条件に関する種々の設定値を入力する。ホストコンピュータ１６６は、入力された設定値に基づいて、基板Ｇの被処理面上に実質的に分離独立した複数の塗布領域を設定し、塗布領域のレイアウトを表すデータ、たとえば塗布イメージデータを生成する。そして、基板Ｇにレジスト液を塗布する際には、所定のタイミングで塗布イメージデータをノズルコントローラ１６８に送る。ノズルコントローラ１６８は、ホストコンピュータ１６６からの塗布イメージデータに応じてレジストノズルヘッド１５４における各ジェット噴射部１６２のレジスト液吐出動作を個別的に制御するためのノズル制御信号を生成する。この実施形態では、基板Ｇ上に設定された離散的な複数の塗布領域に限定してレジスト液を塗布するためのノズル制御信号が生成される。ノズルコントローラ１６８で生成されたノズル制御信号は上記駆動回路を介して各対応するノズル部１６０のジェット噴射部１６２に駆動信号として与えられる。一方で、ホストコンピュータ１６６は、レジストノズルヘッド１５４の走査移動を制御するための走査制御信号を走査機構１４４のコントローラまたは駆動部に与える。
【００６３】
次に、この実施形態におけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２の作用を実施例について説明する。
【００６４】
実施例１
図９〜図１３に、基板ＧがＬＣＤ用の多面取り型マザーガラス基板である場合の一実施例を示す。
【００６５】
図９に示すように、マザーガラス基板Ｇには離散的な複数個たとえば９個の液晶パネル（セル）領域Ｓが設定される。通常、液晶パネル領域Ｓは矩形形状であり、スクライブラインを入れるための１０〜２０ｍｍ程度の間隔または隙間を空けてマトリクス状に配置される。基板Ｇのサイズや液晶パネル領域Ｓのサイズ・個数（面取り数）その他のレイアウト情報が設定値として設定入力部１６４より入力される。ホストコンピュータ１６６は、入力された設定値に応じて基板Ｇ上に液晶パネル領域Ｓに対応する塗布領域Ｅを設定する。液晶パネル領域Ｓと塗布領域Ｅとの対応関係は、好ましくは、１対１の関係で塗布領域Ｅが液晶パネル領域Ｓの全域を必要最小限にカバーする関係であってよい。たとえば、図９に示すように、塗布領域Ｅが液晶パネル領域Ｓより僅かに（たとえば１〜２ｍｍ程度）外へはみ出るような略同形状に設定されてよい。重要なことは、各塗布領域Ｅが実質的に分離独立していること、つまり隣り合う塗布領域Ｅ，Ｅの間に実質的な間隔または隙間ｄが設定されることである。
【００６６】
図９に示すように、レジストノズルヘッド１５４の初期位置Ｐｓは、Ｙ方向においてマザーガラス基板Ｇ上の第１列の液晶パネル領域Ｓの延長上に設定される。レジスト塗布処理が開始されると、ホストコンピュータ１６６は走査機構１４４（特にＹ方向駆動部１５０）を作動させ、レジストノズルヘッド１５４を初期位置Ｐｓからマザーガラス基板Ｇ上の第１列の液晶パネル領域ＳをＹ方向に縦断するように直進移動させる。一方、レジストノズルヘッド１５４にはレジスト液供給部（図示せず）よりレジスト液供給管１５６を介してレジスト液が供給される。
【００６７】
レジストノズルヘッド１５４が第１列の各液晶パネル領域Ｓの上方を通過している間、ノズルコントローラ１６８は、ホストコンピュータ１６６からの塗布イメージデータに応じたノズル制御信号を発生して、レジストノズルヘッド１５４のノズル部１６０（より正確にはジェット噴射部１６２）を選択的に動作させる。この例では、レジストノズルヘッド１５４の全ノズル部１６０のうちレジスト液吐出動作を行うアクティブなノズル部１６０は、塗布領域Ｅの幅サイズ（Ｘ方向サイズ）に対応する区間Ｍ内のものに限定される（図７）。このアクティブ区間Ｍに属する全てのノズル部１６０が、各塗布領域Ｅの上方に差し掛かった時にレジスト液の吐出を開始し、各塗布領域Ｅの外に抜ける時にレジスト液の吐出を停止する。各塗布領域Ｅの中では、一定の膜厚でレジスト液の液膜が形成されるように一定の吐出量で連続的にレジスト液を吐出してよい。アクティブ区間Ｍに属さないノズル部１６０は、レジスト塗布処理中も非アクティブな状態（オフ状態）に維持される。
【００６８】
こうして、図１０に示すように、レジストノズルヘッド１５４がＹ方向に第１列の液晶パネル領域Ｓを縦断移動することによって、第１列の各塗布領域Ｅ（図の斜線領域）だけにレジスト液が塗布される。
【００６９】
第１列の液晶パネル領域Ｓについて上記のような塗布走査を終えた後、レジストノズルヘッド１５４は、図１０の鎖線Ａで示すルートに沿って移動して、第２列および第３列についても同様の塗布走査を行う。より詳細には、第１列の液晶パネル領域Ｓを縦断して基板Ｇの外へ出た後、いったんＸ方向に移動して第２列の液晶パネル領域Ｓに位置を合わせ、次いで第１列のときとは逆向きでＹ方向に第２列の液晶パネル領域Ｓを縦断移動し、その間に上記と同様なレジスト液吐出動作を行うことにより、第２列の各塗布領域Ｅだけにレジスト液を塗布する。そして、基板Ｇの外へ出てからＸ方向に移動して第３列の液晶パネル領域Ｓに位置を合わせ、次いで第１列のときと同じ向きでＹ方向に第３列の液晶パネル領域Ｓを縦断するように直進移動し、その間に上記と同様なレジスト液吐出動作を行うことにより、第３列の各塗布領域Ｅだけにレジスト液を塗布する。
【００７０】
結果として、図１１に示すように、基板Ｇの被処理面（上面）のうち９つの液晶パネル領域Ｓにそれぞれ対応する９つの塗布領域Ｅ（図の斜線領域）だけにレジスト液がほぼ一定の膜厚で塗布される。基板周縁部と相隣接する塗布領域Ｅ，Ｅの隙間ｄには、レジスト液膜の存在しない空き領域が残る。
【００７１】
上記のようにしてレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２でレジスト塗布処理を施された基板Ｇは、搬送アーム１１６，１１６により隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４に移される。減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４では、下部チャンバ１１８内に基板Ｇを配置してから上部チャンバ１２０を被せて密閉し、真空ポンプによりチャンバ室内をたとえば０．１Ｔｏｒｒ程度まで減圧して、この減圧状態を所定時間維持する。かかる減圧乾燥においては、基板Ｇ上のレジスト液から溶剤が効率よく放出される一方で、レジスト液がランダムな方向に移動したり、より戻しを生じることがある。しかし、この実施例においては、基板Ｇ上のレジスト液は間ｄを挟んで複数（９つ）の塗布領域Ｅに区画されているため、レジスト液の移動やより戻しは小範囲で小さく治まり（分断され）、膜厚に影響するほど広範囲にわたって拡大成長するまでには至らない。このため、減圧乾燥後も、基板Ｇ上の各塗布領域Ｅにおけるレジスト膜はほぼ均一な膜厚を維持することができる。
【００７２】
また、この実施例では、基板Ｇの全面にではなく必要箇所にのみ限定的または離散的にレジスト液を塗布するので、レジスト液の消費量を少なくできるうえ、乾燥に要する時間を短縮することもできる。したがって、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４における処理時間を短くし、塗布プロセス部２８全体のスループットを向上させることができる。
【００７３】
なお、この実施形態では、上記のように基板Ｇ上に設定された離散的な複数の塗布領域Ｅに限定してレジスト膜が形成される。したがって、現像後に塗布領域Ｅ内の露光部分が残るようなネガ形レジストを使用するのが好ましい。
【００７４】
上記の例では、基板Ｇ上に各液晶パネル領域Ｓを必要最小限にカバーするような塗布領域Ｅを設定した。しかし、たとえば図１２に示すように、隣り合う液晶パネル領域Ｓ，Ｓの間にだけ隙間（非塗布領域）ｄを設定し、各液晶パネル部Ｓに隣接する基板周縁部を塗布領域Ｅに含める塗布パターンも可能である。あるいは、図１３に示すように、各列（もしくは各行）の間にだけ隙間（非塗布領域）ｄを設定し、同一列（もしくは同一行）の液晶パネル部Ｓには連続した１つの塗布領域Ｅを設定する塗布パターンも可能である。
【００７５】
また、上記の多面取りは１枚の基板Ｇから９枚の液晶パネルを取る９面取りであったが、任意の枚数を取る多面取りのアプリケーションに本発明を適用できる。また、上記の例では、レジストノズルヘッド１５４が基板Ｇ上にマトリクス状に設定された複数の塗布領域Ｅに対して各列または各行毎の塗布走査を複数回繰り返すようにしている。しかし、レジストノズルヘッド１５４のノズル部の全長が基板Ｇの端から端までカバーできる場合は、レジストノズルヘッド１５４に基板Ｇ上の全列または全行の塗布領域Ｅにそれぞれ対応するような複数区間のアクティブ範囲Ｍを設定し、基板Ｇに対するレジスト塗布処理を１回の走査で行うことも可能である。
【００７６】
上記した実施例１は液晶ディスプレイ用の多面取りマザーガラス基板に係わるものであったが、本発明は任意の多面取り型基板に適用可能であり、たとえば有機ＥＬディスプレイ（ＯＥＬＤ）用の多面取りマザー基板やプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）用の多面取りマザー基板等にも上記実施例１と同様な仕方で適用可能である。
【００７７】
実施例２
図１４〜図１６に、基板Ｇが各画素毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有するＴＦＴ液晶ディスプレイ用の基板である場合の一実施例を示す。
【００７８】
図１４に示すように、ＴＦＴ液晶ディスプレイにおいてはガラス基板上の各画素領域内にフォトリソグラフィー技術を用いてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）からなるアクティブ素子１６０とＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）からなる透明電極１６２とが設けられる。アクティブ素子領域またはＴＦＴ領域には、アモルファスシリコン膜またはポリシリコン膜からなるＳｉ薄膜が形成されるとともに、このＳｉ薄膜の上または下にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、ゲート電極の左右両側にてシリコン薄膜中に不純物拡散領域（ソース・ドレイン）が作り込まれる。
【００７９】
このＴＦＴ−ＬＣＤの製造工程では、たとえば図１５に概念的に示すように、基板Ｇ上（より正確には液晶パネル領域上）の各ＴＦＴ領域にＳｉ薄膜を形成するフォトリソグラフィー工程において本実施形態のレジスト塗布方法を用いることができる。すなわち、基板Ｇ上に各ＴＦＴ領域をカバーする離散的な塗布領域Ｅを設定し、上記実施例１と同様の仕方で塗布領域Ｅに限定してレジスト液を塗布すればよい。
【００８０】
図１６に、本発明のレジスト塗布方法を用いて基板Ｇ上の各ＴＦＴ領域にＳｉ薄膜を形成するフォトリソグラフィー工程の手順を模式的に示す。図１６の（Ａ）に示すように、主面全体にＳｉ薄膜１６４が形成されている基板Ｇに対して本発明のレジスト塗布工程により各ＴＦＴ領域をカバーする塗布領域Ｅにだけ限定的にレジスト膜Ｒを形成する。次に、露光工程では、図１６の（Ｂ）に示すように、基板Ｇ上の離散的な各レジスト膜Ｒに限定してフォトマスク１６６のパターンを露光する。ここで、フォトマスク１６６のパターンは、各レジスト膜Ｒの領域内にＴＦＴ領域を区画するように設定される。したがって、現像処理を行うと、図１６の（Ｃ）に示すように、基板Ｇ上には各ＴＦＴ領域の区画に対応する離散的なレジスト膜Ｒ’が残る。これにより、エッチング工程では、図１６の（Ｄ）に示すように、このレジスト膜Ｒ’をマスクとして下地層のＳｉ膜１６４がエッチングされる。最後に、アッシングによってレジストマスクＲ’を剥離すると、図１６の（Ｅ）に示すように、基板Ｇ上には各ＴＦＴ領域の区画に対応する離散的なＳｉ膜領域１６４’が形成される。
【００８１】
この実施例でも、レジスト塗布工程においては、乾燥処理に際して基板Ｇ上のレジスト液の移動やより戻しを格子状に延在する空き領域ｄによって効果的に分断ないし抑制することができ、レジスト膜の膜厚の均一性を保証することができる。したがって、フォトリソグラフィー工程の精度を高め、ＴＦＴ−ＬＣＤの歩留まりやデバイス性能を向上させることができる。また、レジスト液の消費量低減と乾燥時間の短縮化もはかれる。
【００８２】
実施例３
図１７に、基板Ｇが各画素毎に赤色、緑色もしくは青色の着色層を有するカラーフィルタ用の基板である場合の一実施例を示す。
【００８３】
カラーフィルタは、透明基板上に赤色、緑色および青色の３原色画素をマトリクス状に配置してなり、電気的な光シャッタとの組み合わせによりＬＣＤのカラー表示を可能にするものである。従来より、カラーフィルタの製造方法の一つとしてフォトリソグラフィーを用いる顔料分散法が知られている。この製法は、顔料分散型のレジスト液（カラーレジスト液）を基板上に塗布した後、フォトマスクのパターンを紫外線で焼き付け（露光）、さらに現像することで、一色の着色パターンまたは画素を形成する。赤色、緑色および青色の各色毎に上記の工程を繰り返すことによって、基板全面に３原色画素をマトリクス状に形成する。
【００８４】
従来は、基板上に塗布するに際して基板全面にカラーレジスト液を塗布した。しかし、本発明によれば、図１７の（Ａ）に示すように、たとえば赤色のカラーレジスト液を塗布するときは基板Ｇ上に各赤色画素の領域をカバーする離散的な塗布領域Ｅを設定し、塗布領域Ｅにのみ限定的または局所的にカラーレジスト液を塗布する。露光工程では、図１７の（Ｂ）に示すように、フォトマスク１６８を介して赤色画素の領域を区画するパターンを塗布領域Ｅに露光する。その結果、図１７の（Ｃ）に示すように、基板Ｇ上の赤色画素領域に赤色画素Ｒ’が形成される。同様にして、緑色および青色の画素も形成される（図１７の（Ｄ））。
【００８５】
この実施例でも、基板Ｇ上に塗布したカラーレジスト液Ｒが乾燥処理中に移動するのを抑制して、カラーレジスト膜の膜厚均一性を保証することができる。また、カラーレジスト液の消費量低減と乾燥時間の短縮化をはかることもできる。
【００８６】
上記した実施例１，２，３は一例であり、本発明のレジスト塗布方法および装置はフォトリソグラフィー工程において任意の基板上に任意のレジスト液を塗布するアプリケーションに適用可能である。したがって、本発明における被処理基板はＬＣＤ用のガラス基板に限らず、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
【００８７】
また、上記した実施形態のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２では、レジストノズルヘッド１５４により基板Ｇ上に塗布された直後のレジスト液を加熱して乾燥させるためのヒータ１７０をレジストノズルヘッド１５４と一緒に走査機構１４４によって走査移動させる構成も可能である。
【００８８】
たとえば、図１８および図１９に示すように、走査方向においてレジストノズルヘッド１５４の両側に一対のヒータ１７０を配置し、進行方向においてレジストノズルヘッド１５４の後方に位置する側のヒータ１７０を選択的に動作させるようにしてよい。各ヒータ１７０内にはたとえば抵抗発熱素子からなる発熱部１７２が設けられる。ヒータ１７０にガス管１７４を介してエアまたは窒素ガス等を引き込んで、ヒータ１７０より基板Ｇ側に向けて温風を吹き付けるようにしてもよい。このように、レジスト塗布工程の中で塗布直後のレジスト液をある程度まで乾かすことにより、後続の乾燥処理（減圧乾燥あるいはプリベーキング）における乾燥時間を一層短縮することができる。しかも、そのような前置乾燥処理によってレジスト液が移動し難くなるので、膜厚の均一性を一層向上させることもできる。
【００８９】
上記した実施形態において、装置各部の構成は一例であり、種々の変形が可能である。特に、レジストノズルヘッド１５４におけるジェット噴射部１６２はピエゾ方式に限るものではなく、サーマル方式や荷電制御方式等も可能である。
【００９０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のレジスト塗布装置またはレジスト塗布方法によれば、被処理基板上に塗布したレジスト液が乾燥処理中に移動するのを抑制して、レジスト膜の膜厚均一性を保証することができる。また、レジスト液の消費量を節減できるうえ、基板上に塗布したレジスト液の乾燥に要する時間を短縮することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の塗布方法および塗布装置が適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムにおける熱的処理部の構成を示す側面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。
【図４】図１の塗布現像処理システムにおける塗布系処理ユニット群の要部の構成を示す平面図である。
【図５】図１の塗布現像処理システムにおける塗布系処理ユニット群の要部の構成を示す側面図である。
【図６】一実施形態のレジスト塗布ユニットにおける走査機構の構成を示す斜視図である。
【図７】実施形態のレジスト塗布ユニットにおけるレジストノズルヘッドの構成例を示す縦断面図である。
【図８】実施形態においてレジストノズルヘッドのレジスト液吐出動作を制御するための制御部の構成例を示すブロック図である。
【図９】第１の実施例におけるレジスト塗布処理の一段階を模式的に示す略平面図である。
【図１０】第１の実施例におけるレジスト塗布処理の一段階を模式的に示す略平面図である。
【図１１】第１の実施例におけるレジスト塗布処理終了時の状態を模式的に示す略平面図である。
【図１２】第１の実施例におけるレジスト塗布パターンの一変形例を模式的に示す略平面図である。
【図１３】第１の実施例におけるレジスト塗布パターンの一変形例を模式的に示す略平面図である。
【図１４】第２の実施例におけるＴＦＴ一ＬＣＤのアレイ基板の構成を模式的に示す略平面図である。
【図１５】第２の実施例におけるレジスト塗布パターンを示す略平面図である。
【図１６】第２の実施例におけるフォトリソグラフィー工程を示す略断面図である。
【図１７】第３の実施例におけるフォトリソグラフィー工程を示す略断面図である。
【図１８】実施形態のレジスト塗布ユニットに乾燥手段（ヒータ）を設ける構成を示す略平面図である。
【図１９】実施形態のレジスト塗布ユニットに乾燥手段（ヒータ）を設ける構成を示す略側面図である。
【符号の説明】
８２　　レジスト塗布ユニット（ＣＴ）
１３８　　ステージ
１４４　　走査機構
１５４　　レジストノズルヘッド
１５６　　レジスト供給管
１６０　　ノズル部
１６２　　ジェット噴射部
１６４　　設定入力部
１６６　　ホストコンピュータ
１６８　　ノズルコントローラ
１７０　　ヒータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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