(57)【要約】【課題】周波数１ＧＨｚ〜１０ＧＨｚで優れた磁気特性を有する樹脂複合体を得る。【解決手段】平均粒径０．１μｍ〜１０μｍの鉄または鉄を含む合金粉を２９〜５２体積％、セラミックス粉を２２〜４２体積％、合成樹脂を１９〜３５体積％含有することを特徴とする樹脂複合体とする。【選択図】　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒径０．１μｍ〜１０μｍの鉄または鉄を含む合金粉を２９〜５２体積％、セラミックス粉を２２〜４２体積％、合成樹脂を１９〜３５体積％含有することを特徴とする樹脂複合体。
【請求項２】
前記鉄粉がカーボニル鉄、センダスト、ステンレス、パーマロイのうち少なくとも１種からなることを特徴とする請求項１に記載の樹脂複合体。
【請求項３】
前記セラミックス粉がＣｕＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３のうち少なくとも１種からなることを特徴とする請求項１、２のいずれかに記載の樹脂複合体。
【請求項４】
前記鉄粉の表面の少なくとも一部に絶縁層が存在することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の樹脂複合体。
【請求項５】
前記鉄粉の最大粒径が５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の樹脂複合体。
【請求項６】
前記鉄粉の平均粒径をＤとしたとき、前記鉄粉の７０体積％以上が０．２Ｄ〜５Ｄの範囲であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の樹脂複合体。
【請求項７】
請求項１〜６記載の樹脂複合体からなることを特徴とする電磁波吸収体。
【請求項８】
パッケージベースと、該パッケージベース上に取り付けられた蓋体とからなる高周波回路用パッケージにおいて、請求項７に記載の電磁波吸収体を高周波回路用パッケージ内部に装着したことを特徴とする高周波回路用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、インダクター、ノイズフィルター、高周波回路用パッケージ、特に光通信用、無線通信用に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電波を使用する建物、設備、機器、及びその周囲において、電波の不要な反射、散乱、干渉が生じる箇所に電磁波吸収体を装着することによって、入射した電磁波を吸収し、電磁波エネルギーを熱エネルギーに変換することで、種々のトラブルを抑制している。一般に、電磁波吸収体は、絶縁体中に磁性材料粉を分散含有し、その誘電損失、磁気損失を利用して電磁波を減衰させることが知られている。
【０００３】
また、例えば信頼性が要求される高周波回路用パッケージでは、金属又はセラミックス等からなる蓋体をパッケージベースに取り付けることにより気密封止を行う。従って、上記高周波回路用パッケージ内には直方体状の空洞が形成されることから、高周波回路用パッケージは方形空洞共振器と同様の性質を有する。そのため上記空洞の寸法によって定まる遮断周波数より高い周波数帯域で、空洞共振を生じるので、上記周波数帯域で動作する高周波半導体素子あるいはその他の回路素子を高周波回路用パッケージに実装する場合には、上記空洞の寸法を小さくすることによって、遮断周波数を上記素子が動作する周波数帯域よりも十分に高くしている。しかしながら上記方法では、素子の動作周波数が高周波化するに伴い、上記素子が動作する周波数帯域より空洞共振が生じる周波数の方が低くなるという問題がある。この問題点を解決するために、電磁波吸収体を高周波回路用パッケージ内部に配設して、空洞共振時の電界又は磁界エネルギーを吸収することにより、空洞共振を抑制する方法が知られている。
【０００４】
上記電波吸収体を構成する材質としては、ゴム、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂中に、磁性材料を所定の比率で配合した複合材が使用されており、例えば、図６の電磁波吸収体６０を構成する材質としては、合成樹脂６１に、磁性材料６２を分散含有した複合材が知られている（特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−１６４１２４号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この様な樹脂複合体においては、例えば、特許文献１の表２に示す試料Ｎｏ．１７〜１９ではパーマロイの平均粒径が１２μｍ〜４０μｍと大きいため、特に周波数１ＧＨｚ〜１０ＧＨｚ帯において高周波回路用パッケージの内部共振を抑制する効果が十分に得られないという問題があった。
また、特許文献１の表４に示す試料Ｎｏ．３２、３３では合成樹脂の含有率が大きいため、アウトガスの発生量が多くなるという問題があった。
また、特許文献１の表４に示す試料Ｎｏ．３３、３４ではパーマロイの含有率が５７体積％、９３体積％と大きいため、複素比透磁率より複素比誘電率が著しく高くなる。このため樹脂複合体１０表面で電磁波の反射が多くなり、その結果高周波回路用パッケージの空洞共振抑制効果が小さくなるという問題があった。
【０００７】
また、特許文献１の表４に示す試料Ｎｏ．３５ではパーマロイの含有率が小さいため、複素比透磁率が小さくなるという問題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明は、平均粒径０．１μｍ〜１０μｍの鉄または鉄を含む合金粉を２９〜５２体積％、セラミックス粉を２２〜４２体積％、合成樹脂を１９〜３５体積％含有することを特徴とするものである。
【０００９】
また、前記鉄粉がカーボニル鉄粉、センダスト、ステンレス、パーマロイのうち少なくとも１種からなることを特徴とするものである。
【００１０】
また、前記セラミックス粉がＣｕＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３のうち少なくとも１種からなることを特徴とするものである。
【００１１】
また、前記鉄粉の表面の少なくとも一部に絶縁層が存在することを特徴とするものである。
【００１２】
また、前記鉄粉の最大粒径が５０μｍ以下であることを特徴とするものである。
【００１３】
また、前記鉄粉の平均粒径をＤとしたとき、前記鉄粉の７０体積％以上が０．２Ｄ〜５Ｄの範囲であることを特徴とするものである。
【００１４】
また、前記樹脂複合体からなることを特徴とする電磁波吸収体であることを特徴とするものである。
【００１５】
また、パッケージベースと、該パッケージベース上に取り付けられた蓋体とからなる高周波回路用パッケージにおいて、前記電磁波吸収体を高周波回路用パッケージ内部に装着したことを特徴とするものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００１７】
例えば図１に示すように、樹脂複合体１０は、平均粒径０．１μｍ〜１０μｍの鉄粉１１を２９〜５２体積％、セラミックス粉１２を２２〜４２体積％、合成樹脂１３を１９〜３５体積％含有している。
【００１８】
ここで、鉄粉１１の平均粒径が０．１μｍ未満であると、非常に酸化しやすく、取り扱いが難しいため使用することができない。逆に鉄粉１１の平均粒径が１０μｍより大きくなると、高周波での複素比透磁率が低下するため使用することができない。
【００１９】
また、鉄粉１１が２９体積％未満であると、複素比透磁率が小さくなるため使用することができない。
【００２０】
また、鉄粉１１が５２体積％より大きいと、複素比透磁率より複素比誘電率が著しく高くなり、樹脂複合体１０表面で電磁波の反射が多くなるため、高周波回路用パッケージのキャビティ共振抑制効果が小さくなるといった問題が生じる。
【００２１】
また、セラミックス粉１２が２２体積％未満であると、必然的に合成樹脂１３の含有量を多くしなければならないため、アウトガス量が多くなり問題である。
【００２２】
また、セラミックス粉１２が４２体積％より大きいと、必然的に合成樹脂１３の含有量が少なくなるため、樹脂複合体１０の強度が著しく低下し使用することができない。
【００２３】
また、合成樹脂１３が１９体積％未満であると、樹脂複合体１０の強度が著しく低下するため使用することができない。
また、合成樹脂１３が３５体積％より大きいと、アウトガス量が多くなるため使用することができない。
【００２４】
一方、平均粒径０．１μｍ〜１０μｍの鉄粉１１を２９〜５２体積％、セラミックス粉１２を２２〜４２体積％、合成樹脂１３を１９〜３５体積％とすることによって、良好な特性が得られる。さらに、平均粒径２μｍ〜７μｍの鉄粉１１を３５〜４５体積％、平均粒径０．５μｍ〜１０μｍのセラミックス粉１２を２７〜３７体積％、合成樹脂１３を２２〜３２体積％とすることが好ましい。
【００２５】
ここで、鉄粉１１は主成分が鉄からなる粒子であり、例えば、カーボニル鉄、炭素鋼、Ｃｒ鋼、Ｃｏ−Ｃｒ鋼、センダスト、パーマロイ、フェロシリコン、アモルファス合金、ステンレス鋼、窒化鉄、その他のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ基合金などの軟磁性金属等を使用できる。また、それらの形状は、球状、塊状、扁平状、繊維状、鱗片状、コイル状、四面体、六面体等何でも良いが、成形性、鉄粉１１の分散性の点から、球状、塊状が好ましい。
【００２６】
また、鉄粉１１のＧＨｚ帯域における複素比透磁率を高くするためには、鉄粉１１がカーボニル鉄、センダスト、ステンレス、パーマロイのうち少なくとも１種からなることが好ましく、特に鉄粉１１がカーボニル鉄を主成分とすることが特に好ましい。カーボニル鉄が特に好ましいのは、鉄カーボニル（Ｆｅ（ＣＯ）５）の熱解離を利用して精製した鉄粉であるため、微粉で球状の粉体が得られることから、ＧＨｚ帯域での複素比透磁率が特に高いこと、すなわち伝送特性の向上、および、成形性、分散性に優れているからである。
【００２７】
また、鉄粉１１の表面の少なくとも一部に絶縁層が存在することが好ましい。例えば、鉄粉１１の表面に絶縁層が存在しないと酸化しやすいことから、樹脂複合体１０の複素比誘電率、複素比透磁率が安定しない場合がある。一方、鉄粉１１の表面にケイ酸塩ガラス等の絶縁体を被覆することによって、鉄粉１１表面の酸化を抑制することができるため、優れた伝送特性が得られる。
【００２８】
また、絶縁層は、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）もしくは３次元アトムプローブのいずれかで測定することができる。
【００２９】
また、セラミックス粉１２は、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＣｕＯ、Ｆｅ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＢｅＯ、ＴｈＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＣｅＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、ＰｂＯ、Ｌｉ２Ｏ、Ｂ４Ｃ、ＢＮ、ＴｉＮ、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＶＮ、Ｃ、ＴｉＣ、ＳｉＣ、ＷＣ、ＶＣ、または、これらの化合物を使用でき、また、それらの形状は、球状、塊状、扁平状、繊維状、鱗片状、コイル状、四面体、六面体等何でも良いが、成形性、セラミックス粉１２の分散性の点から、球状、塊状が好ましい。
【００３０】
また、セラミックス粉１２がＣｕＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３のうち少なくとも１種であることが好ましい。これは、合成樹脂１０の複素比誘電率、複素比透磁率の調整、さらに合成樹脂１３の充填量を少なくするための増量材の役割を果たしている。
【００３１】
また、合成樹脂１３は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＢＩ樹脂、フラン樹脂、ポリブタジエン樹脂、アイオノマー樹脂、ＥＥＡ樹脂、ＡＡＳ樹脂（ＡＳＡ樹脂）、ＡＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、エチレン酢ビコポリマー、エチレンビニルアルコール共重合樹脂、ＡＢＳ樹脂、塩化ビニル樹脂、塩素化ポリエチレン樹脂、酢酸繊維素樹脂、フッ素樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミド樹脂６，６６、ポリアミド樹脂１１，１２、ポリアリレート樹脂、熱可塑性ポリウレタンエラストマー、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン、ポリサルフォン樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、高密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、メタクリル樹脂、メチルペンテンポリマー等の樹脂を使用することができ、これらの中でも耐熱性、寸法安定性、強度等の点からフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂が好適である。尚、必要に応じて公知の硬化剤、硬化助剤、滑剤、可塑剤、分散剤、離型剤、着色剤等を少量添加しても何ら差し支えない。
【００３２】
また、鉄粉１１の最大粒径が５０μｍ以下であることが好ましい。これは、鉄粉１１の最大粒径が５０μｍより大きいと、鉄粉１１の分散が不均一になる場合がある。
【００３３】
また、鉄粉１１の平均粒径をＤとしたとき、鉄粉１１の７０体積％以上が０．２Ｄ〜５Ｄの範囲であることが好ましい。これは、上記範囲内の鉄粉１１が７０体積％未満であると、樹脂複合体１０の製法上、原料を予め造粒する必要があるが、例えば、所定の粒度に調整する場合の分級処理を行うと調合組成に対して組成ズレが起こる原因となる場合がある。
【００３４】
また、鉄粉１１の平均粒径をＤとしたとき、０．２Ｄ〜５Ｄの範囲にある鉄粉の含有率は次の通り測定する。電磁波吸収体の任意の断面を画像解析し、０．２Ｄ〜５Ｄの範囲にある鉄粉の面積占有率を測定し、この面積占有率を鉄粉１１の含有率とする。
【００３５】
また、鉄粉１１、セラミックス粉１２、合成樹脂１３の含有量は反射電子像の写真を画像解析するか、写真をトレースし、写真中の鉄粉１１、セラミックス粉１２、合成樹脂１３の面積占有率を測定し、この面積占有率をそれぞれの含有量（体積％）と定義する。画像解析する場合は、観察面を加工する際に鉄粉１１の変形や、セラミックス粉１２の脱粒などの影響を受けない様にすることが必要である。
また、鉄粉１１、セラミックス粉１２の平均粒径は、反射電子像の写真を画像解析するか、写真をトレースし、写真中の鉄粉１１、セラミックス粉１２をそれぞれ５０個以上、左右、上下の寸法を各々測定し、その平均値を算出することで得られる。例えば、１μｍの粒径が５個、４μｍの粒径が９０個、７μｍの粒径が５個のとき、平均粒径Ｄ＝（１μｍ×５個＋４μｍ×９０個＋７μｍ×５個）／１００個＝４μｍである。
【００３６】
なお、鉄粉１１の最大粒径とは、鉄粉１１の左右、上下の寸法を測定した時に最も長い部分の長さであるが、樹脂複合体１０中の鉄粉１１の最大粒径を測定する時には、便宜的に複合材の任意の表面又は断面を画像解析装置で分析し、その面に存在する鉄粉１１の中で、最も長い鉄粉１１の長さを最大粒径とする。
【００３７】
また、０．１μｍ以下の粒径の鉄粉については、測定の対象外としている。
【００３８】
以下、本発明の実施形態として、電磁波吸収体について説明する。
【００３９】
例えば図２で示すように、電磁波吸収体２０は、前述した樹脂複合体１０を用いて作製されたものである。樹脂複合体１０を用いることによって、周波数１ＧＨｚ〜１０ＧＨｚにおいて特に優れた電磁波吸収特性が得られるため、好適に使用することができる。また、合成樹脂１３が１９体積％〜３５体積％と比較的少ないため、耐熱性に優れ、アウトガスの発生量が少ない。
【００４０】
以下、本発明の実施形態として、電磁波吸収体２０を用いた高周波回路用パッケージについて説明する。
【００４１】
例えば図３で示すように、入出力端子３１を備えているパッケージベース３２と、パッケージベース３２上に取り付けられた蓋体３３とからなる高周波回路用パッケージ３０において、電磁波吸収体２０を高周波回路用パッケージ３０内部に装着したものである。電磁波吸収体２０を装着することによって、空洞共振が抑制されることから、優れた伝送特性が得られる。
【００４２】
また、本発明の樹脂複合体１０の製造方法は、例えば以下の通りである。樹脂複合体１０は、鉄粉１１、セラミックス粉１２、合成樹脂１３を所定の比率で混合した複合材を、所定の粒度に造粒し、粉末加圧成形することによって成形体とし、これを所定の温度で一定時間加熱し加熱硬化させることによって得られる。また、合成樹脂１３と鉄粉１１、セラミックス粉１２を混合する方法は特に制限は無く、公知の方法を採用することができる。例えば、合成樹脂に鉄粉１１をミキサーで混合し、ブラベンダーで混練した後、粉砕する方法や、あるいは、配合物を加熱ロールで溶融混練後、粉砕する方法等があげられる。また、必要に応じて、所定の粒度になるように造粒し、成形に用いても良い。
【００４３】
本発明の樹脂複合体の使用形態としては、例えば、コア形状として、インダクター、ノイズフィルター、モーターヨーク、リアクトル、チョークコイル、基板形状として、ＩＣパッケージ、回路基板の内部、或いは上部に貼りつけたり、高周波ラインケーブル上に貼りつけたり、回路基板を覆う筐体、伝送線路を覆うカバーとしたり、或いは光通信・無線通信用のパッケージ内部に配置することもできる。さらに、蓋体３３として、パッケージ全体、回路基板上の配線部を覆ったり、チューブとしてその中にケーブルを通したり、ケース形状として、回路基板上の配線部あるいは半導体素子等を覆うように実装することもできる。
【００４４】
このように、樹脂複合体を配置することによって、不要な結合を抑制することができ、携帯電話、ＰＨＳ、パソコン、デジタルカメラ、ＧＰＳアンテナモジュール、ＢＳ／ＣＳチューナー、コンバーター、ゲーム機器等の電子回路に実装部品として用いることができる。また、インダクター、ノイズフィルター、ガスケット、アイソレータ、アッテネータ、ターミネータ、サーキュレータ、光素子周囲の高周波磁気シールド、プリント回路基板外縁、光伝送装置、固定無線用ＯＤＵ内の不要波の吸収、共振抑制、強誘電体焦電形赤外センサーに用いることもできる。
【００４５】
【実施例】
図１に示す鉄粉１１、セラミックス粉１２、合成樹脂１３の材質、充填量、平均粒径がそれぞれ異なる樹脂複合体を作製し、図４に示す高周波回路用パッケージ４０内部に本発明の電波吸収体２０を装着し、図５に示す測定システム５０を用いて、次のような実験を行った。測定システム５０は、ベクトルネットワークアナライザー５１（アジレントテクノロジー社製）、同軸ケーブル５２、高周波回路用パッケージ４０により構成されている。
【００４６】
高周波回路用パッケージ４０は、入出力端子３１を備えているパッケージベース３２と、パッケージベース３２上に取り付けられた蓋体３３とからなり、蓋体３３に電磁波吸収体２０を貼り付けている。２つの入力端子３１の間にはコプレーナ線路を形成した回路基板４１が実装され、入力端子３１とＡｕリボンで接続されている。高周波回路用パッケージ４０のキャビティサイズは長辺３０ｍｍ短辺３０ｍｍ深さ１０ｍｍとした。
【００４７】
また、伝送特性の評価は次の様に行った。高周波回路用パッケージ４０の電力透過係数（Ｓ２１）を、蓋体３３を付けない場合、蓋体３３のみを付けた場合、蓋体３３と電磁波吸収体２０を付けた場合の各々について、周波数０．１ＧＨｚ〜１３．１ＧＨｚの範囲において６５ＭＨｚ間隔で測定した。この測定結果により周波数７ＧＨｚ付近に発生するＳ２１の低下（以下ディップという）の最小値を求めた。ここで同周波数において、蓋体３３のみを付けた場合に発生するＳ２１のディップの最小値をＡ、蓋体３３を付けない場合のＳ２１のディップの最小値をＢ、蓋体３３と電磁波吸収体２０を付けた場合のＳ２１のディップの最小値をＣとするとき、伝送特性（％）＝１００×｜（Ｂ−Ｃ）／（Ｂ−Ａ）｜とした。
【００４８】
この伝送特性が５％以下であった試料を◎、５％を越え２５％以下であった試料を○、２５％を越え５０％以下であった試料を△、５０％を越えた試料を×とした。この伝送特性が◎、○、△の場合は電磁波吸収体として充分実用に耐えることができるが、×の場合は電磁波吸収体として実用に耐えることができないことを示す。
【００４９】
また、強度は３点曲げ試験（ＪＩＳ　Ｋ６９１１）により測定した。アウトガス量は、ＴＧ−ＤＴＡにより室温から３００℃までの重量減少率を測定し、この重量減少率をアウトガス量とした。重量減少率が１重量％以下のものを○、１重量％を越え３重量％以下であったものを△、３重量％を越えたものを×とした。×は電磁波吸収体として実用上使用できないことを示す。
【００５０】
尚、本実験にあたり、電磁波吸収体２０を形成する鉄粉１１には、カーボニル鉄、センダスト、ステンレス（ＳＵＳ３１６）、パーマロイ、セラミックス粉１２にはＣｕＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、合成樹脂１３にはレゾール型フェノール樹脂、エポキシ樹脂を用いた。これらを配合し、常温で成形圧１ｔｏｎ／ｃｍ２〜８ｔｏｎ／ｃｍ２で加圧成形・離型後、８０℃〜２５０℃で加熱硬化し、試験片を作製した。
【００５１】
尚、試験片のサイズは、２８×２８×１ｍｍとした。
【００５２】
測定結果を表１に示す。
【００５３】
表１によれば、本発明の範囲内の試料Ｎｏ．１〜Ｎｏ．２６では、すべての樹脂複合体において、強度が３７〜５６ＭＰａと大きく、アウトガス量が３重量％以下と小さく、また伝送特性も良好であった。特に、試料Ｎｏ．３〜５、８、１７〜１９、２１〜２３は強度が４１ＭＰａ以上、アウトガス量が１重量％以下、伝送特性の比率が２５％以下と優れていた。特に鉄粉の表面に絶縁層が存在する試料Ｎｏ．２０は伝送特性の比率が５％以下と特に優れていた。
【００５４】
また、カ−ボニル鉄量が２９体積％の試料Ｎｏ．１、Ａｌ２Ｏ３量が４２体積％の試料Ｎｏ．２、カーボニル鉄量が５２体積％、Ａｌ２Ｏ３量が２９体積％、フェノール樹脂量が１９体積％の試料Ｎｏ．６、カーボニル鉄の平均粒径が０．１μｍの試料Ｎｏ．７、カーボニル鉄の最大粒径が５０μｍの試料Ｎｏ．９、カーボニル鉄の平均粒径が１０μｍの試料Ｎｏ．１０、鉄粉としてセンダストを用いた試料Ｎｏ．１２、鉄粉としてＳＵＳ３１６を用いた試料Ｎｏ．１３、鉄粉としてパーマロイを用いた試料Ｎｏ．１４、エポキシ樹脂が１９体積％の試料Ｎｏ．１５、エポキシ樹脂量が３５体積％の試料Ｎｏ．１６、０．２Ｄ〜５Ｄが７０体積％の試料Ｎｏ．２５は、Ａｌ２Ｏ３量が２２体積％の試料Ｎｏ．２６は、強度が３７〜５６ＭＰａ、アウトガス量が３重量％以下、伝送特性の比率が５０％以下となり、電磁波吸収体として実用上使用可能であることがわかった。
【００５５】
これに対し本発明の範囲外の試料Ｎｏ．２７では、カーボニル鉄の含有量が２０体積％と少ないことから、高周波回路用パッケージ４０のキャビティ内に実装したとき共振抑制効果が得られず、伝送特性が悪くなった。また、試料Ｎｏ．２９、３０では、カーボニル鉄の含有量がそれぞれ６０体積％、６５体積％と多いため、電磁波吸収体２０表面での電磁波の反射が大きくなり、共振抑制効果が得られなかった。また、試料Ｎｏ．２８では、セラミックス粉の含有量が５０体積％と多く、さらに合成樹脂の含有量が１５体積％と少ないため、強度が著しく低下した。また、試料Ｎｏ．２７では、合成樹脂の充填量が４５体積％と多いため、アウトガス量が多くなった。また、試料Ｎｏ．３２、３３、３４では、パーマロイの平均粒径、最大粒径が大きいことから、高周波回路用パッケージ４０のキャビティ内に実装したとき共振抑制効果が得られず、伝送特性が悪くなった。また、試料Ｎｏ．３１では合成樹脂量が４５体積％と多いためアウトガス量が著しく大きくなり実用上使用できなかった。
【００５６】
【表１】
2004143347.tif 000003
【００５７】
【発明の効果】
本発明によれば、平均粒径０．１μｍ〜１０μｍの鉄粉を２９〜５２体積％、セラミックス粉を２２〜４２体積％、合成樹脂を１９〜３５体積％含有することで、特に１ＧＨｚ〜１０ＧＨｚで優れた磁気特性を有する樹脂複合体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の樹脂複合体を示す断面図である。
【図２】本発明の電磁波吸収体を示す一部破断斜視図である。
【図３】本発明の高周波回路用パッケージを示す断面図である。
【図４】伝送特性を評価するための高周波回路用パッケージを示す断面図である。
【図５】伝送特性を評価するための測定システムを示す図である。
【図６】従来の電磁波吸収体を示す断面図である。
【符号の説明】
１０：樹脂複合体
１１：鉄粉
１２：セラミックス粉
１３：合成樹脂
２０：電磁波吸収体
３０：高周波回路用パッケージ
３１：入出力端子
３２：パッケージベース
３３：蓋体
４０：高周波回路用パッケージ
４１：高周波回路基板
４２：Ａｕリボン
５０：測定システム
５１：ベクトルネットワークアナライザ−
５２：同軸ケーブル
６０：電磁波吸収体
６１：合成樹脂
６２：磁性材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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