(57)【要約】      （修正有）【課題】構造要素の基板に対する表面精密機械的構造体の確実な電気絶縁と、表面精密機械的構造体の非可動要素と基板との確実な機械的固定とを同時に可能なものとする構造要素を提供する。【解決手段】可動要素８および非可動要素９、１０、１１を含む表面精密機械的構造体を有し、その際、表面精密機械的構造体が機能性層６中に形成されており、機能性層６が、少なくとも１つの非導電性の第１の絶縁層３および少なくとも１つの第１の犠牲層５を介して基板２と接続されており、かつ可動要素８が第１の犠牲層５の除去により露出されている構造要素１。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可動要素（８）および非可動要素（９、１０、１１）を含む表面精密機械的構造体を有し、その際、
−表面精密機械的構造体が機能性層（６）中に形成されており、
−機能性層（６）が、少なくとも１つの非導電性の第１の絶縁層（３）および少なくとも１つの第１の犠牲層（５）を介して基板（２）と接続されており、かつ−可動要素（８）が第１の犠牲層（５）の除去により露出されている構造要素（１）において、
第１の絶縁層（３）が、第１の犠牲層（５）を除去するための処理により本質的に腐食されることのない材料からなっていることを特徴とする、可動要素（８）および非可動要素（９、１０、１１）を含む表面精密機械的構造体を有する構造要素（１）。
【請求項２】
第１の絶縁層（３）と第１の犠牲層（５）との間に導電性層（４）が配置されており、かつ導電性層（４）が構造化されている、請求項１記載の構造要素（１）。
【請求項３】
−表面精密機械的構造体が機能性層（６）中に形成されており、
−機能性層（６）が、少なくとも１つの第１の犠牲層（５）を介して基板（２）と接続されており、
−少なくとも１つの膜層（２３）が表面精密機械的構造体の上方に形成されており、
−膜層（２３）が、表面精密機械的構造体の少なくとも１つの非可動要素（９）を介して機械的に基板（２）と接続されており、かつ非可動要素（９）と膜層（２３）との間に少なくとも１つの第２の絶縁層（２１）が形成されており、
−表面精密機械的構造体の可動要素（８）が、第１の犠牲層（５）と少なくとも１つの第２の犠牲層（２２）とを除去することにより露出されており、かつ第２の犠牲層（２２）が、機能性層（６）と膜層（２３）との間に配置されており、第２の絶縁層（２１）が、第２の犠牲層（２２）を除去するための処理により本質的に腐食されることのない材料からなっている、
可動要素（８）および非可動要素（９）を含む表面精密機械的構造体を有する、殊に請求項１または２記載の構造要素（２０）。
【請求項４】
第１の絶縁層（３）および／または第２の絶縁層（２１）が構造化されており、殊に上記層が本質的に非可動要素（９、１０、１１）の領域内にのみ形成されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の構造要素。
【請求項５】
第１の犠牲層（５）が構造化されており、そのためこの第１の犠牲層（５）が少なくとも非可動要素（９、１０、１１）の領域内で除去されており、機能性層（６）が上記領域内で第１の犠牲層（５）の下方に配置された層と直接接触している、請求項１から４までのいずれか１項記載の構造要素。
【請求項６】
第２の犠牲層（２２）が構造化されており、そのためこの第２の犠牲層（２２）が少なくとも非可動要素（９）の領域内で除去されており、膜層（２３）が上記領域内で第２の絶縁層（２１）と直接接触している、請求項３から５までのいずれか１項記載の構造要素。
【請求項７】
表面精密機械的構造体の少なくとも１つの非可動要素が電極（９）として形成されており、第２の絶縁層（２１）が電極（９）の領域内に少なくとも１つのコンタクトホール（２６）を有し、このコンタクトホール（２６）を介して膜層（２３）が電極（９）に直接接触していることにより、少なくとも１つの電極（９）が膜層（２３）を介して電気的に接触可能である、請求項３から６までのいずれか１項記載の構造要素。
【請求項８】
第１の犠牲層（５）および場合により第２の犠牲層（２２）が酸化シリコンから形成されており、この場合この酸化シリコンはＨＦエッチング媒体を用いて除去され、第１の絶縁層（３）および場合により第２の絶縁層（２１）が窒化シリコンまたは炭化シリコンから形成されている、請求項１から７までのいずれか１項記載の構造要素。
【請求項９】
第１の絶縁層（３）および場合により第２の絶縁層（２１）が窒化シリコンから形成されており、この窒化シリコンのシリコン含量が４２％を上回っている、請求項１から８までのいずれか１項記載の構造要素。
【請求項１０】
−少なくとも１つの第１の非導電性絶縁層（３）を基板（２）上に施与し、
−少なくとも１つの第１の犠牲層（５）を第１の絶縁層（３）の上方に製造し、
−機能性層（６）を第１の犠牲層（５）の上方に製造し、
−構造要素（１）の表面精密機械的構造体を機能性層（６）中に定義し、かつ
−可動要素（８）を、第１の犠牲層（５）を除去することにより露出させる
可動要素（８）および非可動要素（９、１０、１１）を含む表面精密機械的構造体を有する、殊に請求項１から９までのいずれか１項記載の構造要素（１）の製造法において、第１の絶縁層（３）を、第１の犠牲層（５）を除去するための処理により本質的に腐食されることのない材料から形成することを特徴とする、請求項１から９までのいずれか１項記載の構造要素（１）の製造法。
【請求項１１】
第１の絶縁層（３）を構造化し、そのためこの第１の絶縁層（３）を少なくとも非可動要素（９、１０、１１）の領域内に残存させる、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
第１の犠牲層（５）を構造化し、その際、この第１の犠牲層（５）を非可動要素（９、１０、１１）の領域内で除去する、請求項１０または１１記載の方法。
【請求項１３】
第１の絶縁層（３）の上方に導電性層（４）を製造し、導電性層（４）を第１の犠牲層（５）を製造する前に構造化する、請求項１０から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
−表面精密機械的構造体の上方に少なくとも１つの第２の絶縁層（２１）を製造し、
−第２の絶縁層（２１）の上方に少なくとも１つの第２の犠牲層（２２）を製造し、
−第２の犠牲層（２２）を構造化し、その際、第２の犠牲層（２２）を少なくとも表面精密機械的構造体の非可動要素（９）の領域内で除去し、
−構造化された第２の犠牲層（２２）の上方に少なくとも１つの膜層（２３）を製造し、
−膜層（２３）を構造化し、その際、第２の犠牲層（２２）およびまた第１の犠牲層（５）を除去するために少なくとも開口部（２４）を製造し、
−少なくとも第２の犠牲層（２２）を除去し、かつ
−第２の絶縁層（２１）を、第２の犠牲層（２２）を除去するための処理により本質的に腐食されることのない材料から形成する
請求項１０から１３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
第２の絶縁層（２１）を構造化し、そのためこの第２の絶縁層（２１）を本質的に非可動要素（９）の領域内にのみ残存させる、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
第２の犠牲層（２２）を構造化し、その際、この第２の犠牲層（２２）を少なくとも非可動要素（９）の領域内で除去し、従って膜層（２３）を非可動要素（９）の領域内で第２の絶縁層（２１）上に直接施与することが可能である、請求項１４または１５記載の方法。
【請求項１７】
表面精密機械的構造体の少なくとも１つの非可動要素を電極（９）として形成し、第２の絶縁層（２１）を構造化する際に少なくとも１つのコンタクトホール（２６）を少なくとも１つの電極（９）の領域内に製造し、従って膜層（２３）を少なくとも１つの電極（９）の領域内で電極（９）上に直接施与することが可能であり、上記方法により電極（９）が膜層（２３）を介して接触可能である、請求項１から１６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】
膜層（２３）を構造化する際に開口部（２８）を製造し、この開口部（２８）により膜層（２３）への電極（９）の電気接続部を膜層（２３）の残りの領域から電気絶縁する、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
第１の犠牲層（５）および場合により第２の犠牲層（２２）を酸化シリコンから形成し、第１の絶縁層（３）および場合により第２の絶縁層（２１）を窒化シリコンまたは炭化シリコンから形成し、かつ第１の犠牲層（５）および場合により第２の犠牲層（２２）をＨＦエッチング媒体を用いて除去する、請求項１０から１８までのいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、可動要素および非可動要素を含む表面精密機械的構造体を有する構造要素に関する。構造要素の表面精密機械的構造体は、少なくとも１つの非導電性の第１の絶縁層および少なくとも１つの第１の犠牲層を介して基板と接続されている機能性層中に形成されており、その際、表面精密機械的構造体の可動要素は第１の犠牲層を除去することにより露出されている。
【０００２】
さらに、本発明はこのような構造要素の製造法に関する。これに関して、少なくとも１つの第１の非導電性絶縁層が基板上に施与される。第１の絶縁層の上方には少なくとも１つの第１の犠牲層が製造され、その後この犠牲層上に機能性層が施与される。構造要素の表面精密機械的構造体は機能性層中に定義され、表面精密機械的構造体の可動要素は第１の犠牲層を除去することにより露出される。
【０００３】
【従来の技術】
実地において、表面精密機械的構造体を有する構造要素は公知であり、その際、基板上に施与された絶縁層および犠牲層は酸化シリコン層の形で実現される。表面精密機械的構造体の可動要素を露出させるために、酸化シリコンは少なくとも可動要素の下方の領域内で除去され、そのためには通常ＨＦエッチング媒体が使用される。しかしながらこの場合、構造要素構造体の別の部分も常にアンダーエッチングされ、それというのもこのエッチング法は設計制御されたエッチング停止なしの純粋な時間制御された等方的な方法であるからである。
【０００４】
例えば前記の層構造を有する構造要素は、種々の観点で問題が多いことが判明している。例えばこの種の構造要素の表面精密機械的構造体の非可動要素の機械的な固定は、この非可動要素がある程度の最小寸法を有し、従ってこの非可動要素は犠牲層エッチングの際に完全にアンダーエッチングされることはなく、基板から剥離されることがない場合にのみ保証され得る。さらに、構造要素の機能性層を電気接続する際に問題が生じ得る。しばしば、非可動要素として表面精密機械的構造体中に形成されている電極は、構造化された導体路層を介して電気的に接触され、この場合この導体路層は基板上に施与された絶縁層と犠牲層との間に配置されている。絶縁層および犠牲層が同一の材料、即ち酸化シリコンからなる場合、構造化された導体路層は犠牲層エッチングの際に少なくともその縁部領域内で常にアンダーエッチングされる。その後、この領域内には極めて容易に汚れの粒子が堆積または付着し得り、基板へのショートを引き起こし得る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の方法により、犠牲層を除去する際の設計制御された境界のための構想が提案される。本発明による方法により、構造要素の基板に対する表面精密機械的構造体の確実な電気絶縁と、表面精密機械的構造体の非可動要素と基板との確実な機械的固定とが同時に可能となる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、本発明により、基板上に施与される絶縁層が、犠牲層を除去するための処理により本質的に腐食されることのない材料から形成されることにより達成される。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明によれば、絶縁層と犠牲層には、構造要素を製造する際にも固有の構造要素機能の範囲においても、種々の機能が存在することが判明した。本発明によれば、それに応じて、種々の特性を有する材料が絶縁層および犠牲層のために選択される。絶縁層の材料は、まず第一に電気絶縁されていなければならない。犠牲層の材料は、他の層が犠牲層上に施与されており、犠牲層自体が他の層中の比較的小さな開口部を介してのみ開放されている際にも、  −  犠牲層の主な機能に応じて  −  容易に除去可能でなければならない。さらに本発明によれば、絶縁層の材料は有利に、犠牲層の腐食に対してなお耐性を有しているはずであることが判明した。従って本発明によれば、絶縁層の材料は、犠牲層の材料と、犠牲層のその都度使用された除去法とに応じて選択されねばならない。
【０００８】
通常、犠牲層は時間制御された等方的なエッチング法の範囲内で除去される。この場合、本発明により実現された絶縁層により、設計制御された、即ち十分に定義されたエッチング停止が実現され得る。従って、ここでは本発明による方法は本質的に製造の確実性にも寄与する。設計制御されたエッチング停止により、定義されたエッチング時間の遵守のみが不必要となるばかりではない。設計定義されたエッチング停止により、合計でより長いエッチング時間も可能となり、従って予め定義された領域におけるより大きなアンダーエッチング広さが可能となる。さらに、犠牲層エッチングに対するエッチング停止部として作用する絶縁層は構造要素の小型化に貢献し、それというのも、絶縁層は機能性層と任意の大きさの基板との間における電気絶縁された固定の実現を可能にするからである。ここでは、最小の大きさは単に固定部の機械的安定性により制限されるに過ぎない。
【０００９】
原則的に、構造要素またはその製造法の範囲内における本発明による構想を実現するためには種々の可能性が存在する。
【００１０】
上記の通り、絶縁層は基板上に施与される。その後、製造すべき構造要素の種類に応じて絶縁層はまず構造化されてよく、その後他の層が施与される。この場合、犠牲層を除去する際に非可動要素が基板から剥離することを防ぐために、絶縁層は少なくとも非可動要素の領域内に残存するはずであった。さらに、この非可動要素は基板に対して電気絶縁されていることは保証され得り、このことは殊に電極の場合に本質的なことである。
【００１１】
通常は犠牲層も構造化され、その後他の層も施与される。この場合、犠牲層は少なくとも非可動要素の領域内で除去され、従って機能性層はこの領域内で、犠牲層を除去する際に腐食されない層上に直接成長し得る。
【００１２】
ここで議論されている種の構造要素の場合、機能性層中で電極を確実な非可動要素として形成し、この電極を絶縁層の上方の構造化された導体路層を介して接触させるという可能性が存在する。従って、本発明による方法の有利な変法の１つにおいて、導電性層は絶縁層上に施与され、他の層、殊に犠牲層および機能性層を施与する前になお構造化される。この場合、犠牲層を構造化する際に、機能性層の電気接続のためのコンタクトホールが、構造化された導電性層上に製造され、この場合この導電性層は以下で導体路層とも呼称される。
【００１３】
実地において、ここで議論されている種の構造要素にはしばしばキャップ膜が備えられており、このキャップ膜により構造要素の表面精密機械的構造体が保護される。このようなキャップ膜は通常は機能性層中の非可動要素を介して基板に固定される。それに加え、表面精密機械的構造体はしばしばいわゆる支持要素を含み、この場合この支持要素はキャップ膜に必要とされる安定性を保証するためにのみ利用される。この関連においても、本発明による構想は有利な方法で適用可能である。
【００１４】
例えば、キャップ膜を有する本発明による構造要素を実現するために、少なくとも１つの第２の絶縁層と少なくとも１つの第２の犠牲層とを、構造要素の表面精密機械的構造体の上方に製造することが提案される。その後この第２の犠牲層は構造化され、この場合少なくとも表面精密機械的構造体の非可動要素の領域内で除去される。その後、構造化された第２の犠牲層の上方に少なくとも１つの膜層が施与され、同様に構造化される。この場合膜層中に開口部が製造され、この開口部を介して第２の犠牲層および場合により第１の犠牲層も除去され得り、従って表面精密機械的構造体の可動要素は露出される。本発明によれば、第２の絶縁層の材料も、第２の犠牲層と、第２の犠牲層のその都度使用された除去法とに応じて選択されるべきであり、しかも、第２の絶縁層の材料は第２の犠牲層を除去するための処理により本質的に腐食されることはない。
【００１５】
第１と第２の双方の犠牲層が同一の材料から形成されている場合、殊に有利であることが判明した。この場合、第１と第２の双方の絶縁層も  −  相応して選択された  −  材料から形成されてよい。さらにその後、第１と第２の双方の犠牲層は１つの処理工程で除去されてよい。
【００１６】
上記の本発明による構想は、構造要素の表面精密機械的構造体の全ての非可動要素、殊に構造要素機能に必要とされる非可動要素、例えば電極を介してキャップ膜を基板に固定する可能性を与える。本発明により第２の犠牲層を除去する際に腐食されることのない電気絶縁材料からなる第２の絶縁層に基づき、非可動要素は、非可動要素のその都度の寸法に関係なく純粋に機械的にキャップ膜と接続されてよい。これは本質的にキャップ膜の安定性に貢献する。さらに本発明による方法に基づき、表面精密機械的構造体中の付加的で純粋な支持要素はしばしば省略されてよく、このことは本質的に構造要素の小型化に貢献する。さらに、これにより表面精密機械的構造体の設計も単純化される。
【００１７】
基板上に施与された第１の絶縁層と同様に、第２の絶縁層も他の層を施与する前にまず構造化されてよい。この場合、第２の絶縁層も少なくとも非可動要素の領域内に残存するはずであった。第２の犠牲層がこのように構造化された第２の絶縁層上に施与され、その後非可動要素の領域内で除去される場合、引き続き施与された膜層はこの領域内で第２の絶縁層上に直接成長し得る。それにより安定な機械的接続が非可動要素と膜層との間に生じ、この場合この膜層は第２の犠牲層を除去する際にも腐食されることはない。さらに、第２の絶縁層により、非可動要素、例えば電極は確実に膜層に対して電気絶縁されてよい。
【００１８】
キャップ膜を有する本発明による構造要素の表面精密機械的構造体の電気接続は、膜層を介しても実現され得る。この場合、第２の絶縁層を構造化する際に、電極の領域内にコンタクトホールが製造される。第２の犠牲層もこの領域内で開放されるため、ここでは膜層は電極上に直接成長し得る。しかしながらこの場合、膜層を構造化する際に開口部も製造されねばならず、この開口部により、膜層への電極の電気接続部は膜層の残りの領域から電気絶縁される。
【００１９】
犠牲層材料として酸化シリコンが有効であることが実証され、それというのも、ＨＦエッチング媒体を用いて、他の層を施与した後にも、これらの他の層中の比較的小さなエッチング開口部を通じて容易に再度除去することが可能であるからである。犠牲層材料としての酸化シリコンに関連して、窒化シリコンまたは炭化シリコンは絶縁層に適当な材料であることが判明し、それというのも、これらは一方で電気絶縁作用を有し、他方でＨＦエッチング腐食に対して本質的に耐性を有しているからである。殊に良好な結果は、シリコン含量が４２％を上回る窒化シリコンを用いて達成することが可能である。
【００２０】
上記に詳細に議論された通り、本発明の教示を有利な方法で構成させ、後形成させるための種々の可能性が存在する。これに関して、一方では独立請求項に従属された請求項の記載、他方では本発明の２つの実施例の以下の記載は図をもとに参照される。
【００２１】
【実施例】
図１および図２に示された構造要素１は、加速度を検知するためのセンサ素子である。しかしながらここで、本発明による教示は加速度センサの実現に限定されているわけではないことが改めて明確に指摘されるであろう。むしろ本発明による教示は完全に一般的に、可動要素も非可動要素も含む表面精密機械的構造体を有する構造要素、例えば容量性センサに関する。
【００２２】
構造要素１の層構造は基板２を含んでおり、この基板２上に第１の非導電性絶縁層３を製造した。ここに示された実施例においては、４２％を上回るシリコン含量を有する窒化シリコン層を絶縁層３として堆積させ、構造化した。その後、構造化された絶縁層３の上方にポリシリコンからの導電性層４を堆積させ、同様に構造化した。この場合、基板２への接続は維持されないはずであるため、導電性層４を絶縁層３とずらして構造化してもよい。この導体路層４は、構造要素１の機能性層６の電気接続、および構造要素１のリード線の導出に利用される。導体路層４を、以下で犠牲層５と呼称される酸化シリコン層により、機能性層６に対して電気絶縁させる。ここでは、機能性層６としてエピタキシャル成長されたポリシリコン層を利用する。犠牲層中のコンタクトホール７を介して、機能性層６を、導体路層４へと意図的に電気接続させる。
【００２３】
機能性層６において可動要素８が定義されており、加速度はこの可動要素８に影響を及ぼし得る。可動要素８の動きを、導体路層４および絶縁層３を介して堅固に基板と接続されている電極９を用いて検知する。
【００２４】
電極９に加え、構造要素１の機能性層６中に形成された表面精密機械的構造体は、なお他の非可動要素、即ち、構造要素１のためのボンドパッド１０と固定要素１１の形の電気接続部を含んでおり、この場合これらの非可動要素は単独で、表面精密機械的構造体と基板２との機械的固定に利用される。電極９と同様にボンドパッド１０も導体路層４に接続されており、その一方で機能性層６は固定要素１１の領域内で直接絶縁層３上で成長されている。その後、ここでは、絶縁層３が少なくとも非可動要素９、１０および１１の領域内に残存するように絶縁層３を構造化した。それに対して、犠牲層を少なくとも非可動要素９、１０および１１の領域内で除去した。
【００２５】
表面精密機械的構造体の可動要素８のみならず非可動要素９、１０および１１をもディープトレンチにより機能性層６中に定義し、このことは図１に示されている。さらに、この方法は個々の電極９の側方の絶縁を保証し、かつ後続の犠牲層５の除去を可能にする。
【００２６】
図２は、犠牲層５を少なくとも可動要素８の領域内で除去することにより可動要素８を露出させた後の構造要素１を示す。ここでは、犠牲層５の酸化シリコンをＨＦ蒸気を用いて除去し、この場合このＨＦ蒸気は機能性層６中のトレンチ溝１２を通じて酸化シリコンを腐食させる。機能性層６のポリシリコンおよび導体路層４のポリシリコンのみならず絶縁層３の窒化シリコンもＨＦエッチング媒体によるエッチング腐食に対して本質的に耐性を有しているため、このエッチング腐食の場合、電気接続された電極９とボンドパッド１０とがアンダーエッチングされることもなく、純粋に機械的に固定された固定要素１１がアンダーエッチングされることもない。
【００２７】
本発明によれば、シリコン含量に富む窒化シリコンを絶縁層３のための材料として選択し、それというのも、この窒化シリコンは一方で非導電性であり、他方でＳｉｘＮｉｙ（但し、ｘは４２％を上回る）の低いエッチング比によりＨＦ蒸気中の酸化シリコンに対する窒化シリコンの選択的なエッチングが可能となるからである。これにより、構造化された絶縁層３は犠牲層エッチングのための設計制御されたエッチング停止部を形成し、このエッチング停止部により、より長いエッチング時間、および従ってより大きいアンダーエッチング広さが可能となる。
【００２８】
図３および図４に示された構造要素２０の層構造も基板２を含んでおり、この場合この基板２上に、シリコン含量に富む窒化シリコンからの第１の非導電性絶縁層３を堆積させた。絶縁層３上に酸化シリコン層を第１の犠牲層５として施与し、構造化した。構造化された犠牲層５の上方に、ポリシリコン層のエピタキシャル成長により、構造要素２０の機能性層６を製造した。ここでも、機能性層６中には可動要素８が形成されており、例えば加速度はこの可動要素８に影響を及ぼし得る。可動要素８の動きを、絶縁層３を介して機械的に基板と接続されている電極９を用いて検知する。それに応じて、犠牲層５を、機能性層６の成長の前に電極９の領域内で除去した。機能性層６と殊に電極９との電気接続は、図３および図４には示されていない。このための種々の構想は図５および図６に関連して議論される。
【００２９】
図１および図２に示された構造要素１に対して、図３および図４に示された構造要素２０の場合、キャップ膜は膜層２３の形で表面精密機械的構造体の上方に形成されている。それに加え、構造化された機能性層６の上方にここでも同様にシリコン含量に富む窒化シリコンからの第２の絶縁層２１を堆積させ、その後可動要素８の領域内で開放した。このように構造化された第２の絶縁層２１の上方に酸化シリコンからの第２の犠牲層２２を堆積させ、引き続く構造化の際に、非可動要素、即ち電極９の領域内で再度除去した。従って、これに引き続きエピタキシャル製造されたポリシリコンからの膜層２３は、電極９の領域内で第２の絶縁層２１上で直接成長し、一方で第２の絶縁層２１は単に第２の犠牲層２２により可動要素８から分離されているに過ぎず、これは図３に示されている。従って、ここでも膜層２３は電極９を介して基板２と固定されている。
【００３０】
機能性層６中でトレンチ溝１２により定義されている可動要素８を露出させるためには、第１の犠牲層５のみならず第２の犠牲層２２も除去されねばならない。ここでもこの除去はＨＦ蒸気を用いて行い、この場合このＨＦ蒸気は、膜層２３中の、相応して配置された穿孔２４を通じてまず第２の犠牲層２２を腐食させ、その後第１の犠牲層５をも腐食させる。図４は、犠牲層をエッチングした後、膜層２３中の穿孔２４を密閉部２５を用いて再度密閉した後の構造要素２０を示す。
【００３１】
上記の通り、ここに記載された実施例において絶縁層３および絶縁層２１の双方のための材料として選択されたシリコン含分に富む窒化シリコンは、ＨＦエッチング媒体により本質的に腐食されることはない。従って、上記のエッチング腐食の際には、電極表面から膜層２３が剥離することもなく、また基板２の領域内で電極９のアンダーエッチングが発生することもない。ここでも、構造化された絶縁層３および絶縁層２１の双方は、犠牲層エッチングのための設計制御されたエッチング停止部を形成し、このエッチング停止部により、より長いエッチング時間、および従ってより大きいアンダーエッチング広さが可能となる。その機械的接続にもかかわらず、電極９は膜層２３に対しても  −  第２の絶縁層２１により  −  基板２に対しても  −  第１の絶縁層３により  −  電気絶縁されている。
【００３２】
本発明による構想により、構造要素の表面精密機械的構造体の全ての非可動要素は  −  その寸法に関わらず  −  膜層を支持するために使用されてよい。それにより、この種の形成されたキャップ膜の安定性を、構造要素の表面精密機械的構造体中の付加的な純粋な支持要素なしに、本質的に改善することは可能である。これによっても、本発明による構想は構造要素の小型化に貢献する。
【００３３】
図５および図６は、上記の通り、図３および図４に示された構造要素２０の機能性層６の電気接続のための２つの異なる可能性を示す。
【００３４】
図５に示された変法の場合、第１の絶縁層３と第１の犠牲層５との間に製造された導体路層４を介して電気接続を行うが、これは図１および図２にすでに記載されたものと関連している。
【００３５】
これに対して、図６に示された変法の場合膜層２３を介して電気接続を行う。これに関して、膜層２３は第２の絶縁層２１中のコンタクトホール２６を通じて電極９に直接接触している。この膜層２３の接触領域２７は、その都度絶縁トレンチ２８により膜層２３の残りの領域から電気絶縁されている。さらに、接触領域２７中の膜層２３上には、その都度金属接続部２９が配置されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】犠牲層を除去する前の、本発明による構造要素の層構造を示す概略図。
【図２】犠牲層を除去した後の、図１に示された層構造を示す概略図。
【図３】犠牲層を除去する前の、キャップ膜を有する本発明による他の構造要素の層構造を示す概略図。
【図４】犠牲層を除去した後の、図３に示された層構造を示す概略図。
【図５】キャップ膜を有する本発明による構造要素の機能性層の電気接続のための可能性を示す概略図。
【図６】キャップ膜を有する本発明による構造要素の機能性層の電気接続のための可能性を示す概略図。
【符号の説明】
１  構造要素、  ２  基板、  ３  第１の絶縁層、  ４  導体路層、  ５  第１の犠牲層、  ６  機能性層、  ７  コンタクトホール、  ８  可動要素、  ９電極  １０  ボンドパッド、  １１  固定要素、  １２  トレンチ溝、  ２０構造要素、  ２１  第２の絶縁層、  ２２  第２の犠牲層、  ２３  膜層、  ２４  穿孔、  ２５  密閉部、  ２６  コンタクトホール、  ２７  接触領域、２８  絶縁トレンチ、  ２９  金属接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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