(57)【要約】【課題】高級なアクティブマトリックス方式とパッシブマトリックス方式の有機発光素子に適した吸湿性パッシベーション膜を提供することである。また、表面発光式のエレクトロルミネッセンス表示装置に適用される吸湿性パッシベーション構造を提供することである。【解決手段】有機エレクトロルミネッセンス表示装置（ＯＥＬＤ）の表示領域を覆う吸湿性パッシベーション構造は、少なくとも一つのバッファー層、吸湿性材料層、パッシベーション層とを含む。吸湿性材料は、ＯＥＬＤの内部で発生する少量の湿気とパッシベーション層の外から侵入してくる湿気とを吸着するのに使用される。【選択図】　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置（ＯＥＬＤ）の吸湿性パッシベーション構造であって、ＯＥＬＤの表示領域の上にある第１のバッファー層と、ＯＥＬＤの表示領域の上にある吸湿性材料層と、ＯＥＬＤの表示領域の上にあるパッシベーション層とを含んでいることを特徴とする吸湿性パッシベーション構造。
【請求項２】
ＯＥＬＤが表面発光型のＯＥＬＤであることを特徴とする請求項１記載の吸湿性パッシベーション構造。
【請求項３】
第１のバッファー層は、パリレンまたはダイヤモンドに似た炭素（ＤＬＣ）を含み、その厚みが１オングストロームから１００ミクロンの範囲にあることを特徴とする請求項１記載の吸湿性パッシベーション構造。
【請求項４】
吸湿性材料層は、酸化カルシューム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などを含み、厚みは、１オングストロームから１００ミクロンの範囲にあることを特徴とする請求項１記載の吸湿性パッシベーション構造。
【請求項５】
吸湿性材料層が第１のバッファー層の上にあり、パッシベーション層が吸湿性材料層の上にあることを特徴とする請求項１記載の吸湿性パッシベーション構造。
【請求項６】
吸湿性材料層とパッシベーション層との間に、さらに第二のバッファー層があることを特徴とする請求項１記載の吸湿性パッシベーション構造。
【請求項７】
第１のバッファー層が吸湿性材料層の上にあり、パッシベーション層が第１のバッファー層の上にあることを特徴とする請求項１記載の吸湿性パッシベーション構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、特に、アクティブマトリックス式の有機エレクトロルミネッセンス表示装置（ＡＭ−ＯＥＬＤ）並びにパッシブアクティブマトリックス式の有機エレクトロルミネッセンス表示装置（ＰＭ−ＯＥＬＤ）の吸湿性パッシベーション構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
様々な形式の平面型表示装置のなかで、ＯＥＬＤは多くの有利な特性をもっている。例えば、光源もあること、広い視野角、高い応答速度、フルカラー、単純な構造、広い動作温度、低消費電力などの特性を持つので、ＯＥＬＤは小型、中型の携帯用表示装置の分野で広く使用されている。
【０００３】
図１に、一般的なＯＥＬＤ１０の断面図を示す。図１に示す一般的なＯＥＬＤ１０は、主に、基板１２、基板１２の上に配置された透明な導電層１４、透明な導電層１４の予め決められた領域に配置された有機物層１６、有機物層１６の上に配置された金属層１８とを含んでいる。透明な導電層１４はＯＥＬＤ１０の陽極として、金属層１８は陰極として使用される。ＯＥＬＤ１０の有機物層１６と金属層１８は湿気と酸素に敏感である。有機物層１６と金属層１８が湿気や酸素に触れると有機物層１６は透明な導電層１４と金属層１８からはがれ、金属層１８は酸化され、ＯＥＬＤ１０に黒点が発生する。それ故に、有機物層１６と金属層１８を外気の湿気と酸素に触れないようにして、ＯＥＬＤの寿命を延ばすために、ＯＥＬＤ１０のパッシベーションと封止材料は、完全な耐摩耗性、高熱伝導率、低透湿度などを持つ必要がある。
【０００４】
図１に示すように、一般的なＯＥＬＤ１０の封止プロセスでは、基板１２にガラスや金属からなる筐体２２とを接着するために、高分子の膠からなる接着剤のような封止材料２０を使っている。続いて、ＯＥＬＤ１０に湿気が入るのを防ぐために、筐体２２と基板１２との中空部分に乾燥した窒素ガスが注入される。しかし、ＯＥＬＤ１０の内部には、封止プロセスを実施した後でも、基板１２や筐体２２に吸着した少量の湿気が含まれている。一旦ＯＥＬＤ１０が約１００℃程度の温度になると、基板１２と筐体２２に吸着した湿気が離れてＯＥＬＤ１０に黒点が発生する。この問題を解決するために、酸化バリウム（ＢａＯ２）、酸化カルシウム（ＣａＯ２）のような乾燥剤２４をＯＥＬＤ１０の中に置いて、ＯＥＬＤ１０の中を常に乾燥状態に保つために、ＯＥＬＤ１０の中の湿気を吸収する吸湿剤として使用している。
【０００５】
しかし、上記のような筐体は柔軟性があるＯＥＬＤには適用できない。金属の筐体は、重くて、酸化し易く、ガラスとは剥がれ易いという欠点がある。また、ガラスの筐体は、作業上不便で、割れやすく、大型になり、重くなるという欠点がある。さらに、高分子の膠からなる一般的な接着剤は、湿気を防ぐには十分ではなく、封止プロセスを完了した後でも、湿気が接着剤を通してＯＥＬＤの中に侵入して、表示装置を腐食させ、表示品質に影響を及ぼし、寿命を縮める。さらに、ＯＥＬＤの中の部品は湿気や他のガスを保持し易く、一般的な封止プロセスを真空中で行うことはできない。
【０００６】
上述したようなガラスや金属の筐体での問題点を解決するために、ＯＥＬＤの封止にフィルムを使う新しいパッシベーションプロセスが米国特許５，８１１，１７７号に開示されている。図２に、もう一つの一般的なＯＥＬＤ３０の断面図を示す。図２に示すように、一般的なＯＥＬＤ３０は、主に、基板３２、基板３２の上に配置された表示素子３４、表示素子３４と基板３２とを覆うようなパッシベーション構造３６を含む。表示素子３４は複数の表示ユニット（図２には示されない）からなり、それぞれの表示ユニットは透明導電層、有機物層、基板３２の上の金属層とを含んでいる。パッシベーション構造３６は、多層膜の構造で、表示素子３４を保護するために、金属層３８、バッファー層４０、熱膨張係数の整合層４２、低透湿層４４、表示素子３４を覆う封止層４６を含む。
【０００７】
すなわち、一般的なパッシベーション構造３６は、湿気や酸素が外界から表示素子３４に侵入するのを防ぐために、パッシベーション膜として、セラミック材料金属材料、高分子材料などを使用している。しかし、ＯＥＬＤ３０が長時間高温の下で動作すれば、パッシベーション膜にピンホールなどがなく、最高の状態であったとしても、少量の湿気がＯＥＬＤの中にある基板３２や有機物層や他の材料から発生する。湿気は除去できないし、品質の低下を招き、ＯＥＬＤ３０の寿命を縮める。
【０００８】
それ故、上記の問題を改善するために、もう一つの湿気防止多層構造が中国台北特許３７９，５３１号に開示されている。その構造は、エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ）を湿気と酸素から保護するために、湿気を吸収する樹脂、吸着層、透明樹脂層などでエレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ）を覆う構造である。吸湿樹脂層は、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）やポリビニルエステル鹸化剤のような本質的に吸湿する樹脂材料かまたは吸湿しない材料と吸湿化学物質からなる吸湿性樹脂である。さらに、吸湿樹脂層はＥＬの吸湿樹脂層として使用される前に乾燥させなければならない。吸湿樹脂層は物理吸着物質であるので、吸湿樹脂層に吸着された湿気は、吸湿樹脂層が加熱されると、ＥＬの内部で簡単に放出される。したがって、湿気防止多層構造は無機ＥＬか低級の有機ＥＬには適しているが、高級なＥＬには適さない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
この発明の主たる目的は、高級なアクティブマトリックス方式とパッシブマトリックス方式の有機発光素子に適した吸湿性パッシベーション膜を提供することである。この発明のもう一つの目的は、表面発光式のエレクトロルミネッセンス表示装置に適用される吸湿性パッシベーション構造を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この発明の好ましい実施例によると、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（ＯＥＬＤ）の吸湿性パッシベーション構造は、ＯＥＬＤの表示部分を覆い、表示部分の上のバッファー層と、バッファー層の上の吸湿性材料層と、吸湿性材料層の上のパッシベーション層とからなっている。
【００１１】
この発明の吸湿性材料層は、パッシベーション層の外から侵入してくる湿気とＯＥＬＤの中で発生する少量の湿気を化学吸着で捕捉する。したがって、ＯＥＬＤの有機物層や電極材料は湿気で侵されることはない。さらに、吸湿性材料層に捕捉された湿気は吸湿性材料層に蓄積されるだけでなく、吸湿性材料層と湿気とが反応して水酸化合物が生成される。したがって、吸湿性材料層に捕捉された湿気はＯＥＬＤが高温になっても放出されないので、ＯＥＬＤの寿命を延ばす。
【００１２】
【発明の実施の形態】
この発明の好ましい実施例を、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を例にとり説明するが、この発明はこの例に限定されるものではない。この発明による吸湿性パッシベーション構造は、高分子発光ダイオード（ＰＬＥＤ）のようないろいろな有機発光素子にも適用できる。図３は、この発明によるＯＬＥＤ５０の吸湿性パッシベーション構造６０を説明する断面図である。図４から図１０は、図３で示されたＯＬＥＤ５０の吸湿性パッシベーション構造６０の局所拡大図である。図４と図５は、この発明によるパッシブマトリックス方式のＯＬＥＤ（ＰＭ−ＯＬＥＤ）７０の断面図である。図６と図７は、この発明によるアクティブマトリックス方式のＯＬＥＤ（ＡＭ−ＯＬＥＤ）１００の断面図である。図８は、この発明による表面発光方式のＯＬＥＤ（ＴＭ−ＯＬＥＤ）１３０の断面図である。
【００１３】
図３に示すように、ＯＬＥＤ５０は、主に、基板５２、基板５２の上に配置された表示領域５６と周辺領域５８とからなる表示素子５４、表示領域５６とＯＬＥＤ５０とを覆う吸湿性パッシベーション構造６０で構成されている。特に、吸湿性パッシベーション構造６０は、主に、表示ユニット５４の上にあるバッファー層６２、バッファー層６２の上にある吸湿性材料層６４、吸湿性材料層６４の上にあるパッシベーション層６６とからなり、表示素子５４が外気に触れないように保護している。
【００１４】
この発明による吸湿性パッシベーション構造６０は種々のパッシブ式発光素子にも適用できる。図４に示すように、ＯＬＥＤ５０の表示素子５４が複数のパッシブマトリックス方式の表示ユニット７２で構成されるとき、ＯＬＥＤ５０は、パッシブマトリックス方式のＯＬＥＤ（ＰＭ−ＯＬＥＤ）７０と呼ばれる。ＰＭ−ＯＬＥＤ７０は、基板７４と、複数の絶縁層７６と複数のリブ７８とで仕切られた表示ユニット７２からなっている。それぞれの表示ユニット７２は、基板７４の上にあって、ＰＭ−ＯＬＥＤ７０の陽極になっている透明導電層８０、透明導電層８０とリブ７８の上にある有機物層８２、有機物層８２の上にあって、ＰＭ−ＯＬＥＤ７０の陰極になっている金属層８４を含んでいる。代表的には、基板７４はガラス基板、プラスティック基板、金属基板などである。絶縁層７６とリブ７８は、高分子または無機材料で構成することができる。透明導電層８０は、酸化インジューム錫（ＩＴＯ）または酸化インジューム亜鉛（ＩＺＯ）からなっている。金属層８４は、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニューム（Ａｌ）、リチューム（Ｌｉ）などかまたはＭｇ、Ａｌ、Ｌｉの合金からなっている。さらに、有機物層８２は、透明導電層８０の上にあるホール移動層（ＨＴＬ、図４には示さず）とＨＴＬの上にある発光層（ＥＭＬ、図４には示さず）とＥＭＬの上にあるエレクトロン移動層（ＥＴＬ、図４には示さず）とを含んでいる。
【００１５】
さらに、ＰＭ−ＯＬＥＤ７０は、表示ユニット７２を覆う吸湿性パッシベーション構造８６を含む。吸湿性パッシベーション構造８６は、主に、基板７４の表示領域の上に配置されたバッファー層８８、バッファー層８８の上に配置された吸湿性材料層９０、吸湿性材料層９０の上に配置されたパッシベーション層９２を含む。吸湿性材料層９０は、ＰＭ−ＯＬＥＤ７０の中で発生する湿気とパッシベーション層９２をとおして侵入する湿気とを吸収し、バッファー層８８は、吸湿性材料層９０が湿気と反応したときに、ＰＭ−ＯＬＥＤ７０の正常な動作に影響することを防止している。吸湿性パッシベーション構造９０を作成するための詳細な方法を以下に述べる。まず最初に、化学気相成長（ＣＶＤ）プロセスにより、バッファー層８８が基板７４の上に形成される。次に、反応式イオンエッチング（ＲＩＥ）により、マスクを使って表示領域の外側のバッファー層が図３に示すように除去される。その後、バッファー層８８の上に、吸湿性材料層９０が熱蒸着法または電子ビーム蒸着法によって形成され、パッシベーション層９２が吸湿性材料層９０の上に形成されてこの発明に係わる吸湿性パッシベーション構造８６が完成する。代表的には、バッファー層８８は、パリレンかダイヤモンドに似た炭素（ＤＬＣ）のような高分子様の材料で構成される。バッファー層８８は、ほぼ１オングストロームから１００ミクロンの厚みで、１０オングストロームから１０ミクロンが好ましい。吸湿性材料層９０は、酸化カルシューム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などで構成され、厚みは、ほぼ１オングストロームから１００ミクロンで、１０オングストロームから１０ミクロンが好ましい。パッシベーション層９２は、高分子材料、セラミック材料、金属材料などで構成され、吸湿性材料層９０とともに吸着能力を増すので、高分子材料が好ましい。さらに、バッファー層８８がＤＬＣで構成されるときには、バッファー層８８は、金属層８４の上のバッファー層８８を付着するときのマスクとバイアス電圧を変更するだけで、ＣＶＤプロセスで形成できる。
【００１６】
言い換えれば、吸湿性材料層９０は、アルカリ土類金属の酸化物を含む。アルカリ土類金属の酸化物は化学吸着物質であるから、水酸化バリウム（Ｂａ（ＯＨ）２）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、水酸化カルシウム（Ｃａ（ＯＨ）２）のような水酸化物が、吸湿性材料層９０と湿気とが反応した後に形成される。したがって、吸湿性材料層９０に捕捉された湿気が、周囲の温度変化により、ＰＭ−ＯＬＥＤ７０の中に放出されることはなく、ＰＭ−ＯＬＥＤ７０の表示ユニット７２の動作の影響を与えない。さらに、吸湿性材料層９０が湿気と反応したときに、剥がれることを防ぐために、吸湿性材料層９０は、バッファー層８８で封止される。さらに、図５に示すように、もう一つのバッファー層９４が、吸湿性材料層９０とパッシベーション層９２との間に配置されて、湿気と酸素がＰＭ−ＯＬＥＤ７０の中に侵入するのを効果的に防ぐ。
【００１７】
図６に示すように、吸湿性パッシベーション構造６０は、種々なアクティブ方式の発光素子にも適用できる。ＯＬＥＤ５０の表示素子５４が、複数のアクティブマトリックス型の表示ユニット１０２からなるとき、ＯＬＥＤ５０はアクティブマトリックス式ＯＬＥＤ（ＡＭ−ＯＬＥＤ）１００と呼ばれている。ＡＭ−ＯＬＥＤ１００は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板１０４と、複数の絶縁層１０６で仕切られた表示ユニット１０２とからなっている。それぞれの表示ユニット１０２は、ＴＦＴ基板１０４の上にありＡＭ−ＯＬＥＤ１００の陽極としてはたらく透明導電層１０８、透明導電層１０８と絶縁層１０６の上にある有機物層１１０、有機物層１１０の上にありＡＭ−ＯＬＥＤ１００の陰極としてはたらく金属層１１２を含む。代表的には、ＴＦＴ基板１０４は、ガラス基板、セラミック基板、金属基板などである。絶縁層１０６は、高分子または無機材料で構成することができる。透明導電層１０８は、酸化インジューム錫（ＩＴＯ）または酸化インジューム亜鉛（ＩＺＯ）からなっている。金属層８４は、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニューム（Ａｌ）、リチューム（Ｌｉ）などからなっている。さらに、表示ユニット１０２は、対応する表示ユニット１０２に電気的に接続されて、その下にあるＴＦＴ１１４を含む。
【００１８】
さらに、ＡＭ−ＯＬＥＤ１００は、ＡＭ−ＯＬＥＤ１００の表示領域を覆う吸湿性パッシベーション構造１１４を含む。吸湿性パッシベーション構造１１４は、主に、金属層１１２の上に配置されたバッファー層１１６、バッファー層１１６の上に配置された吸湿性材料層１１８、吸湿性材料層１１８の上に配置されたパッシベーション層１２０を含む。吸湿性材料層１１８は、ＡＭ−ＯＬＥＤ１００の中で発生する湿気とパッシベーション層１２０をとおして侵入する湿気とを吸収し、バッファー層１１６は、吸湿性材料層１１８が湿気と反応したときに、ＡＭ−ＯＬＥＤ１００の正常な動作に影響することを防止している。吸湿性パッシベーション構造１１４を作成する方法は、吸湿性パッシベーション構造８６を作成する方法と同じであるので、ここでは繰り返さない。同様に、図７に示すように、もう一つのバッファー層１２２が、吸湿性材料層１１８とパッシベーション層１２０との間に配置されて、湿気と酸素が侵入するのを効果的に防ぐ。
【００１９】
そのうえ、ＡＭ−ＯＬＥＤ１００の吸湿性材料層１１８が、絶縁層１０６の上のバッファー層１１６の上に、単に配置されているときには、そのＡＭ−ＯＬＥＤ１００は、図８に示すように、表面発光式ＯＬＥＤ（ＴＭ−ＯＬＥＤ）１３０と呼ばれる。ＴＭ−ＯＬＥＤ１３０の発光した光の行路は吸湿性パッシベーション構造１１４を通過する必要がある。もし、吸湿性パッシベーション構造１１４の吸湿性材料層１１８が厚すぎる場合には、ＴＭ−ＯＬＥＤ１３０の輝きが低下するので、吸湿性材料層１１８が、絶縁層１０６の上のバッファー層１１６の上に、単に配置されてだけである。ＴＭ−ＯＬＥＤ１３０の吸湿性パッシベーション構造１１４を形成する方法を以下に示す。最初に、金属層１１２の上のバッファー層１１６を作るために、ＣＶＤプロセスを行う。次に、マスクを使ってＴＭ−ＯＬＥＤ１３０の表示領域の外側にあるバッファー層１１６が、図３に示すように除去されるように、ＲＩＥプロセスを行う。その後、バッファー層１１６の上に、スリットマスクを使って、吸湿性材料層１１８が熱蒸着法または電子ビーム蒸着法によって形成され、パッシベーション層１２０が吸湿性材料層１１８の上に形成されて、ＴＭ−ＯＬＥＤ１３０の吸湿性パッシベーション構造１１４が完成する。
【００２０】
図９と図１０にこの発明によるもう一つのＡＭ−ＯＬＥＤの断面図を示す。図９に示すように、ＡＭ−ＯＬＥＤ１４０は、主に、ＴＦＴ基板１４２、ＴＦＴ基板１４２の上にある複数のアクティブマトリックス式の表示ユニット１４４、ＴＦＴ基板１４２の上にある透明導電層１４６、しれぞれの表示ユニットを仕切るために、ＴＦＴ基板１４２の上にある複数の絶縁層１４８、絶縁層１４８の上にある吸湿性材料層１５０、吸湿性材料層１５０の上にあるバッファー層１５２、バッファー層１５２と透明導電層１４６の上にある有機物層１５４、有機物層１５４の上にある金属層１５６、金属層１５６の上にあるパッシベーション層１５８などをふくんでいる。代表的には、最近のＡＭ−ＯＬＥＤ１４０製造プロセスでは、絶縁層１４８は、ポリイミドのような高分子材料から構成されている。ＡＭ−ＯＬＥＤ１４０が加熱されたときに、絶縁層１４８が放出する湿気により有機物層１５４や金属層１５６に影響を与えないように、吸湿性材料層１５０が絶縁層１４８を封止して、直接湿気を捕捉する。
【００２１】
さらに、吸湿性材料層１５０、バッファー層１５２、有機物層１５４は、ＯＬＥＤの都合で入れ替えることができる。図１０に示すように、バッファー層１５２は絶縁層１４８の上にあり、吸湿性材料層１５０はバッファー層１５２の上にある。そのうえ、もう一つのバッファー層１６０を吸湿性材料層１５０と透明導電層１４６との上に配置でき、パッシベーション層１５８、金属層１５６、有機物層１５４などを、それぞれバッファー層１６０の上に配置できる。それ故、バッファー層１５２と１６０とで吸湿性材料層１５０を完全に覆って、吸湿性材料層１５０が湿気と反応したときに、剥がれるのを防ぐ。ＯＥＬＤの一般的なパッシベーション構造と比較して、この発明による吸湿性パッシベーション構造は、パッシベーション層の外から侵入する湿気とＯＬＥＤの内部で発生する少量の湿気とを化学吸着により捕捉できる。それ故に、有機物層や金属層が湿気により浸食されることがない。さらに、吸湿性材料層で捕捉された湿気は、吸湿性材料層に蓄積されるだけではなくて、吸湿性材料層が湿気と反応して水酸化化合物ができる。したがって、吸湿性材料層で捕捉された湿気は、ＯＬＥＤが高温になっても放出されないので、ＯＬＥＤの寿命を延ばす。
【００２２】
当業者のなし得る修正、もしくは変更であって、この発明の精神の下においてなされ、この発明に対して均等の効果を有するものは、いずれもこの発明の特許請求の範囲に属するものである。
【００２３】
【発明の効果】
この発明による吸湿性パッシベーション構造は、少なくとも一つのバッファー層、吸湿性材料層、パッシベーション層とを含み、柔軟性のあるＯＥＬＤ、ＡＭ−ＯＬＥＤ、ＰＭ−ＯＬＥＤ、ＴＭ−ＯＬＥＤなどいろいろな種類の発光素子に、広く適用できる。さらに、この発明による吸湿性パッシベーション構造は、表示素子の内部で発生する少量の湿気を吸着できるだけでなく、湿気が表示素子の外から侵入して表示素子の正常な動作に影響することを防ぐことができる。さらに、この発明による吸湿性パッシベーション構造を作る全工程は真空中で行われる。それ故に、表示素子は、封止工程が終了するまで外気には触れない。表示素子の内部の部分は、封止プロセス終了後では、湿気や酸素ガスを保持しない。さらに、この発明による吸湿性パッシベーション構造のバッファー層、吸湿性材料層、有機物層は、製造プロセスの都合で入れ替えることができる。したがって、この発明による吸湿性パッシベーション構造は、広範囲に適用でき、製造プロセスが簡単で、より吸着能力が高く湿気を防止する利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の一般的なＯＥＬＤの断面図である。
【図２】従来の他の一般的なＯＥＬＤの断面図である。
【図３】この発明によるＯＬＥＤの吸湿性パッシベーション構造を示す断面図である。
【図４】図３で示されたＯＬＥＤの吸湿性パッシベーション構造の局所拡大図である。
【図５】図３で示されたＯＬＥＤの吸湿性パッシベーション構造の局所拡大図である。
【図６】図３で示されたＯＬＥＤの吸湿性パッシベーション構造の局所拡大図である。
【図７】図３で示されたＯＬＥＤの吸湿性パッシベーション構造の局所拡大図である。
【図８】図３で示されたＯＬＥＤの吸湿性パッシベーション構造の局所拡大図である。
【図９】図３で示されたＯＬＥＤの吸湿性パッシベーション構造の局所拡大図である。
【図１０】図３で示されたＯＬＥＤの吸湿性パッシベーション構造の局所拡大図である。
【符号の説明】
１０、３０、有機エレクトロルミネッセンス表示素子（ＯＥＬＤ）
１２、３２、５２、７４、基板
１４、８０、１０８、１４６、透明導電層
１６、８２、１１０、１５４、有機物層
１８、３８、８４、１１２、１５６、金属層
２０、封止材料
２２、筐体
２４、乾燥剤
３４、表示素子
３６、パッシベーション構造
４０、６２、８８、１１６、１２２、１５２、１６０、バッファー層
４２、熱膨張係数の整合層
４４、低透湿層
４６、封止層
５０、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）
５４、７２、表示ユニット
５６、表示領域
５８、周辺領域
６０、８６、１１４、吸湿性パッシベーション構造
６４、９０、１１８、１５０、吸湿性材料層
６６、９２、１２０、１５８、パッシベーション層
７０、パッシブマトリックス方式のＯＬＥＤ（ＰＭ−ＯＬＥＤ）
７６、１０６、１４８、絶縁層
７８、リブ
１００、アクティブマトリックス式ＯＬＥＤ（ＡＭ−ＯＬＥＤ）
１０２、１４４、アクティブマトリックス型の表示ユニット
１０４、１４２、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板
１３０、表面発光式ＯＬＥＤ（ＴＭ−ＯＬＥＤ）
１４０、ＡＭ−ＯＬＥＤ
【図１】
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【図２】
2004146353.tif 000004
【図３】
2004146353.tif 000005
【図４】
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【図５】
2004146353.tif 000007
【図６】
2004146353.tif 000008
【図７】
2004146353.tif 000009
【図８】
2004146353.tif 000010
【図９】
2004146353.tif 000011
【図１０】
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