(57)【要約】【課題】抵抗発熱体の配線間距離を最適化することによって、ウエハ表面の均熱性を保持しながら、加熱処理時に抵抗発熱体間での短絡による損傷が防止することができる半導体製造装置用セラミックスヒーターを提供する。【解決手段】セラミックス基板２の表面又は内部に抵抗発熱体３ａを有する半導体製造装置用セラミックスヒーターであって、抵抗発熱体３ａの断面において、抵抗発熱体３ａの底面と側面とがなす最小角度θを５°以上とする。セラミックスヒーターは、セラミックス基板２ａの表面又は内部に、更にプラズマ電極が配置されていても良い。また、セラミックス基板２ａは、窒化アルミニウム、窒化珪素、酸窒化アルミニウム、炭化珪素から選ばれた少なくとも１種が好ましい。【選択図】　　　図１
2004146569.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する半導体製造装置用セラミックスヒーターであって、抵抗発熱体の断面において、該抵抗発熱体の底面と側面とがなす最小角度が５°以上であることを特徴とする半導体製造装置用セラミックスヒーター。
【請求項２】
ウエハ載置面にウエハを載置して抵抗発熱体に通電加熱したとき、ウエハ表面温度のバラツキが使用温度において±１．０％以下であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体製造装置用セラミックスヒーター。
【請求項３】
前記ウエハ表面温度のバラツキが使用温度において±０．５％以下であることを特徴とする、請求項２に記載の半導体製造装置用セラミックスヒーター。
【請求項４】
前記セラミックス基板が、窒化アルミニウム、窒化珪素、酸窒化アルミニウム、炭化珪素から選ばれた少なくとも１種からなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体製造装置用セラミックスヒーター。
【請求項５】
前記セラミックス基板が、熱伝導率１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の窒化アルミニウム又は炭化ケイ素であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体製造装置用セラミックスヒーター。
【請求項６】
前記抵抗発熱体が、タングステン、モリブデン、白金、パラジウム、銀、ニッケル、クロムから選ばれた少なくとも１種からなることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の半導体製造装置用セラミックスヒーター。
【請求項７】
前記セラミックス基板の表面又は内部に、更にプラズマ電極が配置されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体製造装置用セラミックスヒーター。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造工程においてウエハに所定の処理を行う半導体製造装置に使用され、ウエハを保持して加熱するセラミックスヒーターに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、半導体製造装置に使用されるセラミックスヒーターに関しては、種々の構造が提案なされている。例えば、特公平６−２８２５８号公報には、抵抗発熱体が埋設され、容器内に設置されたセラミックスヒーターと、このヒーターのウエハ加熱面以外の面に設けられ、反応容器との間で気密性シールを形成する凸状支持部材とを備えた半導体ウエハ加熱装置が提案されている。
【０００３】
また、最近では、製造コスト低減のために、ウエハの外径は８インチから１２インチへ大口径化が進められており、これに伴ってウエハを保持するセラミックスヒーターも直径３００ｍｍ以上になってきている。同時に、セラミックスヒーターにウエハを載置して抵抗発熱体に通電加熱したとき、ウエハ表面温度のバラツキ、即ちウエハ表面の均熱性は±１．０％以下、更に望ましくは±０．５％以下が求められている。
【０００４】
【特許文献１】
特公平６−２８２５８号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
セラミックスヒーターの表面又は内部に形成される抵抗発熱体は、ウエハを載置する面を均一に加熱できるようにパターン設計され配置されている。即ち、ウエハ表面の均熱性を向上させるためには、抵抗発熱体の線幅及び隣接する抵抗発熱間の間隔を極力狭くし、抵抗発熱体を密に配置することが考えられる。
【０００６】
しかしながら、ウエハ表面の均熱性向上を重視して抵抗発熱体の配線間隔を狭くし過ぎると、抵抗発熱体の配線間に生じる電位差によって部分放電現象が生じ、これが更に進行すると抵抗発熱体の配線間で短絡が起こり、セラミックスヒーターの損傷にいたる。
【０００７】
本発明は、このような従来の事情に鑑み、抵抗発熱体のパターン設計を最適化することにより、ウエハ表面の均熱性を保持しながら、加熱処理時に抵抗発熱体間での短絡による損傷を防止することができる半導体製造装置用セラミックスヒーターを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、セラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する半導体製造装置用セラミックスヒーターであって、抵抗発熱体の断面において、該抵抗発熱体の底面と側面とがなす最小角度が５°以上であることを特徴とする半導体製造装置用セラミックスヒーターを提供する。
【０００９】
上記本発明の半導体製造装置用セラミックスヒーターは、ウエハ載置面にウエハを載置して抵抗発熱体に通電加熱したとき、ウエハ表面温度のバラツキが使用温度において±１．０％以下であること、好ましくは±０．５％以下であることを特徴とするものである。
【００１０】
上記本発明の半導体製造装置用セラミックスヒーターにおいては、前記セラミックス基板が、窒化アルミニウム、窒化珪素、酸窒化アルミニウム、炭化珪素から選ばれた少なくとも１種からなることが好ましい。特に、前記セラミックス基板が、熱伝導率１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の窒化アルミニウム又は炭化ケイ素であることが好ましい。
【００１１】
また、上記本発明の半導体製造装置用セラミックスヒーターにおいては、前記抵抗発熱体が、タングステン、モリブデン、白金、パラジウム、銀、ニッケル、クロムから選ばれた少なくとも１種からなることが好ましい。
【００１２】
更に、上記本発明の半導体製造装置用セラミックスヒーターは、前記セラミックス基板の表面又は内部に、更にプラズマ電極が配置されていても良い。
【００１３】
【発明の実施の形態】
発明者らは、セラミックスヒーターの抵抗発熱体に通電加熱して昇温させた際に、セラミックスヒーターに割れ等の損傷が発生する現象を詳細に検討した結果、互いに隣り合う抵抗発熱体の配線がその電位差の最も高い部位で短絡し、セラミックスヒーターの破壊に至っていることを見出した。
【００１４】
このような抵抗発熱体での短絡現象を回避するため、発明者らは、抵抗発熱体の断面形状、とりわけ抵抗発熱体の配線断面（以下、単に抵抗発熱体断面とも言う）における底面と側面とがなす角度に着目した。即ち、このような短絡現象は、抵抗発熱体の配線間の距離、印加電圧、電極形状、及び雰囲気圧力によって発生の有無が決定される。ここで、配線間距離はヒーターの均熱性を得るために抵抗発熱体のパターン設計で制約され、印加電圧及び雰囲気圧力は処理条件により定められる。
【００１５】
一方、抵抗発熱体の配線間距離を一定とした場合、配線断面が正方形状及び長方形状のとき最も短絡が起こり難く、針状のときに最も短絡が起こり易いことが判明した。従って、セラミックスヒーターの抵抗発熱体の断面形状を工夫することによって、短絡による割れを防止できると考え、その方法を検討した。
【００１６】
セラミックスヒーターの抵抗発熱体は、一般的に、セラミックス焼結体若しくはグリーンシート上に、導電ペーストを印刷して焼き付けることにより形成される。このようにして得られる抵抗発熱体の断面形状を模式的に示すと、理想的には図１（ｂ）のように断面矩形の抵抗発熱体３ｂとして図示されることが多いが、実際には導電ペーストのダレや滲みによって、必ず図（ａ）のように抵抗発熱体３ａは傾斜した側面を有する略台形状となり、セラミックス基板２に接する抵抗発熱体３ａの底面と側面とがなす最小角度θは鋭角になる。
【００１７】
そこで、図１（ｂ）に示す抵抗発熱体の断面において、抵抗発熱体３ａの配線間距離Ｌを０．５〜２０ｍｍの範囲で変化させると共に、その底面と側面とがなす最小角度θを２°から次第に大きく設定して、抵抗発熱体を通電加熱したときの配線間における短絡の有無を調べた。その結果、配線間距離Ｌに拘わらず、抵抗発熱体断面において底面と側面とがなす最小角度θを５°以上とすることにより、配線間の短絡を回避できることを見出した。
【００１８】
尚、抵抗発熱体断面において底面と側面とがなす最小角度θを変える方法としては、抵抗発熱体形成用のペーストを印刷塗布する際に、ペースト希釈量を変えてペースト粘度を変化させる等の方法を採用することができる。
【００１９】
本発明のセラミックスヒーターにおいては、抵抗発熱体の底面と側面とがなす最小角度θが５°以上であっても、抵抗発熱体の配線間距離Ｌが余りに小さ過ぎると、即ち一般的に配線間距離Ｌが０．１ｍｍ未満になると、配線間で短絡が生じやすくなるため注意を要する。
【００２０】
このように、抵抗発熱体断面において底面と側面とがなす最小角度θを５°以上とする本発明のセラミックスヒーターでは、抵抗発熱体に通電加熱したときのウエハ表面温度のバラツキ（均熱性）を、使用温度において好ましくは±１．０％以下、更に好ましくは±０．５％以下とすることが可能である。
【００２１】
しかし、抵抗発熱体の配線間距離Ｌが大き過ぎると、抵抗発熱体に通電加熱したときのウエハ表面温度のバラツキが大きくなり、所望の均熱性を達成することが難しくなる。この点を考慮すると、抵抗発熱体の配線間距離Ｌは５ｍｍ以下とすることが望ましい。
【００２２】
次に、本発明によるセラミックスヒーターの具体的な構造を、図２〜図３により説明する。図２に示すセラミックスヒーター１は、セラミックス基板２ａの表面上に所定の配線パターンの抵抗発熱体３が設けてあり、その表面上に別のセラミックス基板２ｂがガラス又はセラミックスからなる接着層４により接合されている。尚、抵抗発熱体３の配線パターンの配線幅は、好ましくは５ｍｍ以下、更に好ましくは１ｍｍ以下とする。
【００２３】
また、図２に示すセラミックスヒーター１１は、その内部に抵抗発熱体１３と共にプラズマ電極１５を備えている。即ち、図１のセラミックスヒーターと同様に、表面上に抵抗発熱体１３を有するセラミックス基板１２ａとセラミックス基板１２ｂを接着層４で接合すると共に、そのセラミックス基板１２ａの他表面に、プラズマ電極１５を設けた別のセラミックス基板１２ｃがガラス又はセラミックスからなる接着層１５により接合してある。
【００２４】
尚、図２及び図３に示したセラミックスヒーターの製造においては、それぞれのセラミックス基板を接合する方法以外にも、厚さ約０．５ｍｍのグリーンシートを準備し、各グリーンシート上に導電性ペーストを抵抗発熱体及び／又はプラズマ電極の回路パターンを印刷塗布した後、これらのグリーンシート並びに必要に応じて通常のグリーンシートを所要の厚さが得られるよう積層し、同時に焼結して一体化しても良い。
【００２５】
【実施例】
実施例１
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末に、焼結助剤とバインダーを添加し、ボールミルによって分散混合した。この混合粉末をスプレードライ乾燥した後、直径３８０ｍｍ、厚み１ｍｍの円板状にプレス成形した。得られた成形体を非酸化性雰囲気中にて温度８００℃で脱脂した後、温度１９００℃で４時間焼結することにより、ＡｌＮ焼結体を得た。このＡｌＮ焼結体の熱伝導率は１７０Ｗ／ｍＫであった。このＡｌＮ焼結体の外周面を外径３００ｍｍになるまで研磨して、セラミックスヒーター用のＡｌＮ基板２枚を準備した。
【００２６】
１枚の上記ＡｌＮ基板の表面上に、タングステン粉末と焼結助剤をバインダーに混練したペーストを印刷塗布し、所定の抵抗発熱体の配線パターンを形成した。その際、印刷スクリーンやペースト粘度を変えることにより、抵抗発熱体の断面において、抵抗発熱体の底面と側面とがなす最小角度θ（以下、断面最小角度θと称する）及び隣接する配線間距離Ｌを変化させた。その後、このＡｌＮ基板を非酸化雰囲気中にて温度８００℃で脱脂した後、温度１７００℃で焼成して、Ｗの抵抗発熱体を形成した。
【００２７】
また、残り１枚の上記ＡｌＮ基板の表面に、Ｙ２Ｏ３系接着剤とバインダーを混練したペーストを印刷塗布し、温度５００℃で脱脂した。このＡｌＮ基板の接着剤の層を、上記ＡｌＮ基板の抵抗発熱体を形成した面に重ね合わせ、温度８００℃に加熱して接合した。このようにして、図１の構造を有し、下記表１に示すように配線間距離Ｌ及び断面最小角度θが異なる各試料のセラミックスヒーターを作製した。
【００２８】
このようにして得られた各試料のセラミックスヒーターについて、ウエハ載置面の反対側表面に形成した２つの電極から、２００Ｖの電圧で抵抗発熱体に電流を流すことにより、セラミックスヒーターの温度を５００℃まで昇温し、セラミックスヒーターの割れの発生有無を調べた。また、セラミックスヒーターのウエハ載置面上に厚み０．８ｍｍ、直径３００ｍｍのシリコンウエハを載せ、その表面温度分布を測定して、５００℃でのウエハ表面の均熱性を求めた。得られた結果を、試料毎に下記表１に示した。
【００２９】
【表１】
2004146569.tif 000003
【００３０】
上記表１に示す結果から分るように、窒化アルミニウムヒーターにおいて、抵抗発熱体の断面最小角度θを５°以上とすることで、加熱昇温時のヒーター割れを無くすことができた。しかも、抵抗発熱体の配線間距離Ｌを０．５〜５ｍｍの範囲内とすることにより、±０．５％以内の均熱性が得られることが分った。
【００３１】
実施例２
窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）粉末に、焼結助剤とバインダーを添加して、ボールミルによって分散混合した。この混合粉末をスプレードライ乾燥した後、直径３８０ｍｍ、厚み１ｍｍの円板状にプレス成形した。この成形体を非酸化性雰囲気中にて温度８００℃で脱脂した後、温度１５５０℃で４時間焼結することによって、Ｓｉ３Ｎ４焼結体を得た。このＳｉ３Ｎ４焼結体の熱伝導率は２０Ｗ／ｍＫであった。このＳｉ３Ｎ４焼結体の外周面を外径３００ｍｍになるまで研磨して、セラミックスヒーター用のＳｉ３Ｎ４基板２枚を準備した。
【００３２】
１枚の上記Ｓｉ３Ｎ４基板の表面上に、タングステン粉末と焼結助剤をバインダーに混練したペーストを印刷塗布して、所定の抵抗発熱体の配線パターンを形成した。このとき、印刷スクリーンやペースト粘度を変えることにより、抵抗発熱体の断面において、抵抗発熱体の断面最小角度θ及び隣接する配線間距離Ｌを変化させた。その後、このＳｉ３Ｎ４基板を非酸化雰囲気中にて温度８００℃で脱脂した後、温度１７００℃で焼成して、Ｗの抵抗発熱体を形成した。
【００３３】
また、残り１枚の上記Ｓｉ３Ｎ４基板の表面に、ＳｉＯ２系接着剤とバインダーを混練したペーストを印刷塗布し、温度５００℃で脱脂した。このＳｉ３Ｎ４基板の接着剤の層を、上記Ｓｉ３Ｎ４基板の抵抗発熱体を形成した面に重ね合わせ、温度８００℃に加熱して接合した。このようにして、図１の構造を有し、下記表２に示すように配線間距離Ｌ及び断面最小角度θが異なる各試料のセラミックスヒーターを作製した。
【００３４】
このようにして得られた各試料のセラミックスヒーターについて、２００Ｖの電圧で抵抗発熱体に電流を流すことにより、セラミックスヒーターの温度を５００℃まで昇温し、セラミックスヒーターの割れ発生の有無を調べた。また、セラミックスヒーターのウエハ載置面上に厚み０．８ｍｍ、直径３００ｍｍのシリコンウエハを載せ、その表面温度分布を測定して、５００℃でのウエハ表面の均熱性を求めた。得られた結果を、試料毎に下記表２に示した。
【００３５】
【表２】
2004146569.tif 000004
【００３６】
上記表２から分るように、窒化珪素製のセラミックスヒーターにおいても、抵抗発熱体の断面最小角度θを５°以上とすることにより、実施例１の窒化アルミニウム製の場合と同様に、加熱昇温のヒーター割れを無くすことができた。しかも、抵抗発熱体の配線間距離Ｌを０．５〜５ｍｍの範囲内とすることで、±１．０％以内の均熱性が得られた。
【００３７】
実施例３
酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）粉末に、焼結助剤とバインダーを添加し、ボールミルによって分散混合した。この混合粉末をスプレードライ乾燥した後、直径３８０ｍｍ、厚み１ｍｍの円板状にプレス成形した。この成形体を非酸化性雰囲気中にて温度８００℃で脱脂した後、温度１７７０℃で４時間焼結することによって、ＡｌＯＮ焼結体を得た。このＡｌＯＮ焼結体の熱伝導率は２０Ｗ／ｍＫであった。得られたＡｌＯＮ焼結体の外周面を外径３００ｍｍになるまで研磨して、セラミックスヒーター用のＡｌＯＮ基板２枚を準備した。
【００３８】
１枚の上記ＡｌＯＮ基板の表面上に、タングステン粉末と焼結助剤をバインダーに混練したペーストを印刷塗布し、所定の抵抗発熱体の配線パターンを形成した。このとき、印刷スクリーンやペースト粘度を変えることにより、抵抗発熱体の断面において、抵抗発熱体の断面最小角度θ及び隣接する配線間距離Ｌを変化させた。その後、このＡｌＯＮ基板を非酸化雰囲気中にて温度８００℃で脱脂した後、温度１７００℃で焼成して、それぞれＷの抵抗発熱体を形成した。
【００３９】
また、残り１枚の上記ＡｌＯＮ基板の表面に、ＳｉＯ２系接着剤とバインダーを混練したペーストを印刷塗布し、温度５００℃で脱脂した。このＡｌＯＮ基板の接着剤の層を、上記ＡｌＯＮ基板の抵抗発熱体を形成した面に重ね合わせ、温度８００℃に加熱して接合した。このようにして、下記表３に示すように図１の構造を有し、下記表３に示すように配線間距離Ｌ及び断面最小角度θが異なる各試料のセラミックスヒーターを作製した。
【００４０】
このようにして得られた各試料のセラミックスヒーターについて、２００Ｖの電圧で抵抗発熱体に電流を流すことにより、セラミックスヒーターの温度を５００℃まで昇温し、セラミックスヒーターの割れ発生の有無を調べた。また、セラミックスヒーターのウエハ載置面上に厚み０．８ｍｍ、直径３００ｍｍのシリコンウエハを載せ、その表面温度分布を測定して、５００℃でのウエハ表面の均熱性を求めた。得られた結果を、試料毎に下記表３に示した。
【００４１】
【表３】
2004146569.tif 000005
【００４２】
上記表２から分るように、酸窒化アルミニウム製のセラミックスヒーターにおいても、抵抗発熱体の断面最小角度θを５°以上とすることにより、実施例１の窒化アルミニウム製の場合と同様に、加熱昇温のヒーター割れを無くすことができた。しかも、抵抗発熱体の配線間距離Ｌを０．５〜５ｍｍの範囲内とすることで、±１．０％以内の均熱性が得られた。
【００４３】
実施例４
実施例１と同様の方法により、窒化アルミニウム焼結体からなる外径３００ｍｍのセラミックスヒーター用のＡｌＮ基板を２枚作製した。次に、この２枚のＡｌＮ基板を用いてセラミックスヒーターを作製するに際して、１枚のＡｌＮ基板の表面上に設ける抵抗発熱体の材料をＭｏ、Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｃｒに変化させた以外は実施例１と同様にして、それぞれ配線間距離Ｌ及び断面最小角度θが異なるＷの抵抗発熱体を形成した。
【００４４】
次に、残り１枚のＡｌＮ基板の表面には、ＳｉＯ２系接合ガラスを塗布し、非酸化性雰囲気にて温度８００℃で脱脂した。このＡｌＮ基板の接合ガラス層を、上記ＡｌＮ基板の抵抗発熱体を形成した面に重ね合わせ、温度８００℃に加熱して接合することにより、下記表４に示すように配線間距離Ｌ及び断面最小角度θが異なる各試料のＡｌＮ製のセラミックスヒーターを得た。
【００４５】
このようにして得られた各試料のセラミックスヒーターについて、２００Ｖの電圧で抵抗発熱体に電流を流すことにより、セラミックスヒーターの温度を５００℃まで昇温し、セラミックスヒーターの割れ発生の有無を調べた。また、セラミックスヒーターのウエハ載置面上に厚み０．８ｍｍ、直径３００ｍｍのシリコンウエハを載せ、その表面温度分布を測定して、５００℃でのウエハ表面の均熱性を求めた。得られた結果を、試料毎に下記表４に示した。
【００４６】
【表４】
2004146569.tif 000006
【００４７】
上記表４に示すように、抵抗発熱体がＭｏ、Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｃｒからなる窒化アルミニウム製のセラミックスヒーターにおいても、実施例１に示したＷの抵抗発熱体の場合と同様に、抵抗発熱体の断面最小角度θを５°以上とすることにより、加熱昇温のヒーター割れを無くすことができた。しかも、抵抗発熱体の配線間距離Ｌを０．５〜５ｍｍの範囲内とすることで、±０．５％以内の均熱性が得られた。
【００４８】
実施例５
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末に焼結助剤、バインダー、分散剤、アルコールを添加混練したペーストを用い、ドクターブレード法による成形を行って、厚さ約０．５ｍｍのグリーンシートを得た。
【００４９】
次に、このグリーンシートを８０℃で５時間乾燥した後、タングステン粉末と焼結助剤をバインダーにて混練したペーストを、１枚のグリーンシートの表面上に印刷塗布して、所定配線パターンの抵抗発熱体層を形成した。このとき、印刷スクリーンやペースト粘度を変えることにより、抵抗発熱体の断面において、抵抗発熱体の断面最小角度θ及び隣接する配線間距離Ｌを変化させた。
【００５０】
更に、別の１枚のグリーンシートを同様に乾燥し、その表面上に前記タングステンペーストを印刷塗布して、プラズマ電極層を形成した。これら２枚の導電層を有するグリーンシートと、導電層が印刷されていないグリーンシートを合計５０枚積層し、７０ｋｇ／ｃｍ２の圧力をかけながら１４０℃に加熱して一体化した。
【００５１】
得られた積層体を非酸化性雰囲気中にて６００℃で５時間脱脂した後、１００〜１５０ｋｇ／ｃｍ２の圧力と１８００℃の温度でホットプレスして、厚さ３ｍｍのＡｌＮ板状体を得た。これを直径３８０ｍｍの円板状に切り出し、その外周部を直径３００ｍｍになるまで研磨した。このようにして、内部にＷの抵抗発熱体とプラズマ電極を備えた図２の構造を有し、下記表５に示すように配線間距離Ｌ及び断面最小角度θが異なる各試料のセラミックスヒーターを作製した。
【００５２】
このようにして得られた各試料のセラミックスヒーターについて、２００Ｖの電圧で抵抗発熱体に電流を流すことにより、セラミックスヒーターの温度を５００℃まで昇温し、セラミックスヒーターの割れ発生の有無を調べた。また、セラミックスヒーターのウエハ載置面上に厚み０．８ｍｍ、直径３００ｍｍのシリコンウエハを載せ、その表面温度分布を測定して、５００℃でのウエハ表面の均熱性を求めた。得られた結果を、試料毎に下記表５に示した。
【００５３】
【表５】
2004146569.tif 000007
【００５４】
上記表５に示す結果から分るように、抵抗発熱体とプラズマ電極を有する窒化アルミニウム製のセラミックスヒーターであっても、抵抗発熱体の断面最小角度θを５°以上とすることにより、加熱昇温のヒーター割れを無くすことができた。しかも、抵抗発熱体の配線間距離Ｌを０．５〜５ｍｍの範囲内とすることによって、±０．５％以内の均熱性が得られた。
【００５５】
【発明の効果】
本発明によれば、抵抗発熱体断面における底面と側面とがなす角度を最適化することにより、ウエハ表面の均熱性を保持しながら、加熱処理時に抵抗発熱体間での短絡による損傷のない半導体製造装置用セラミックスヒーターを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】セラミックスヒーターにおける抵抗発熱体断面を模式的に示す断面図であり、（ａ）は実際の抵抗発熱体断面を示し、（ｂ）は理想的な抵抗発熱体断面を示している。
【図２】本発明によるセラミックスヒーターの一具体例を示す概略の断面図である。
【図３】本発明によるセラミックスヒーターの別の具体例を示す概略の断面図である。
【符号の説明】
１、１１　　　セラミックスヒーター
２、２ａ、２ｂ、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ　　　セラミックス基板
３、３ａ、３ｂ、１３　　　抵抗発熱体
４、１４ａ、１４ｂ　　　接着層
１５　　　プラズマ電極
【図１】
2004146569.tif 000008
【図２】
2004146569.tif 000009
【図３】
2004146569.tif 000010