(57)【要約】【課題】電気絶縁性高分子膜に貫通孔を形成し、貫通孔内を導電性物質で付着もしくは充填した異方性導電シートの製造方法において、従来のフォトレジストを用いた方法より、製造工程が少ない異方性導電シートの製造方法を提供する。【解決手段】電気絶縁性高分子膜の両面に、フッ素樹脂膜からなるマスク材を積層する工程、積層により得られた積層膜に貫通孔を形成する工程、該貫通孔に導電性物質を付着もしくは充填する工程、および該マスク材を該積層膜から除去する工程、を有することを特徴とする異方性導電シートの製造方法。【選択図】          図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気絶縁性高分子膜の両面に、フッ素樹脂膜からなるマスク材を積層する工程、積層により得られた積層膜に貫通孔を形成する工程、該貫通孔に導電性物質を付着もしくは充填する工程、および該マスク材を該積層膜から除去する工程、を有することを特徴とする異方性導電シートの製造方法。
【請求項２】
電気絶縁性高分子膜が、フッ素樹脂膜であることを特徴とする請求項１に記載の異方性導電シートの製造方法。
【請求項３】
電気絶縁性高分子膜が、多孔質の高分子膜であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の異方性導電シートの製造方法。
【請求項４】
多孔質の高分子膜が、延伸ポリテトラフルオロエチレンであることを特徴とする請求項３に記載の異方性導電シートの製造方法。
【請求項５】
マスク材が、多孔質であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の異方性導電シートの製造方法。
【請求項６】
マスク材が、延伸ポリテトラフルオロエチレンであることを特徴とする請求項５に記載の異方性導電シートの製造方法。
【請求項７】
貫通孔の形成が、シンクロトロン放射光または波長２５０ｎｍ以下のレーザ光を用いたアブレーション法により行われることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の異方性導電シートの製造方法。
【請求項８】
導電性物質が導電性金属であり、貫通孔への導電性金属の付着もしくは充填が、めっき法により行われることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の異方性導電シートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路素子相互間の電気的接続や、回路基板製造後に行われる信頼性検査などに使用される異方性導電シートの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
異方性導電シートは、厚み方向にのみ導電性を有するシートであり、ハンダ付けなどの手段を用いずにコンパクトな電気的接続を達成することができることから、回路素子相互間の電気的接続を達成するために広く用いられている。
また半導体ウェハやプリント基板などの回路基板の電気的検査においては、検査対象の回路基板の一面に形成された被検査電極と、検査装置の表面に形成された電極との電気的な接続を達成するために、該回路基板と検査装置の表面との間に異方性導電シートを介在させることが行われている。
【０００３】
このような異方性導電シートとして、金属微粒子が分散されているエラストマーが充填された多数の貫通孔を有する剛性のフレーム板であって、該貫通孔の位置に該フレーム板の表面から突出する被押圧部を有するものが知られている（特開平９−３２０６６７号公報）。この異方性導電シートでは、該被押圧部を押圧することにより膜厚方向に電気的導通を得ることができる。
しかし、この異方性導電シートでは導通を得るのに高押圧が必要であるとの問題に加え、エラストマーの耐熱性に限界があり、高温下での使用、例えば半導体の不良を促進するため１５０〜２００℃の高温の雰囲気で行われるバーンインテストに使用することは困難である、との問題も有する。さらに近年、回路電極の配列の狭ピッチ化が進んでいるが、この異方性導電シートでは狭ピッチ化への対応に限界がある。
そこで、異方性導電シートの基膜として電気絶縁性高分子膜を用い、該高分子膜に微細な貫通孔を多数形成し、該貫通孔のみを導電化する方法が提案されている（特開平２−４９３８５号公報）。この方法により、貫通孔のみが導電化され膜の厚み方向に電気的導通が得られるとともに、貫通孔間は高分子膜により絶縁されているので、異方性導電シートを得ることができる。貫通孔のみを導電化する方法としては、該貫通孔のみに導電性物質を充填する方法が挙げられ、また、良好な電気接触を得るために、膜表面に突起状の電極を設ける方法などが提案されている。そして、貫通孔のみに導電性物質を充填し、膜表面に突起状の電極を得る方法として、フォトレジストをマスク材として使用し、電気絶縁性高分子膜の両面にレジスト膜を形成し（マスク材の積層）、露光、現像、リンス、エッチング後、めっきにより導電性金属を貫通孔部分に充填して、その後レジスト膜を除去する方法が一般的に知られている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平９−３２０６６７号公報（第１頁）
【特許文献２】
特開平２−４９３８５号公報（第１頁）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記のマスク材としてフォトレジストを使用する方法は、レジスト膜形成、露光、現像、リンス、エッチング、めっき、レジスト膜の除去などを要し、製造工程が増える問題がある。
また、上記の半導体ウェハのバーンインテストなどのように高温の雰囲気で行われる検査に用いられる異方性導電シートとしては、フッ素樹脂のような耐熱性、耐薬品性に優れた樹脂からなる高分子膜を基膜として使用したものが好ましい。しかし、フッ素樹脂を基膜とする異方性導電シートの製造に適用可能なフォトレジストは、見出されていない。即ち、レジスト膜としては、フッ素樹脂膜とめっき工程まで密着し、耐めっき性を有し、かつめっき後に容易に除去できるとの性質が求められるが、このような性質を満足するレジスト膜を与えるフォトレジストは見出されていない。
このため、製造工程が少なく、また耐めっき性を有するとともにめっき後に容易に除去できるマスク材を用いた異方性導電シートの製造方法の開発が望まれていた。
【０００６】
本発明者は、電気絶縁性高分子膜に貫通孔を形成し、貫通孔内に導電性物質を付着もしくは充填した異方性導電シートの製造方法において、貫通孔形成のために電気絶縁性高分子膜に積層するマスク材の材料として、一般的に使用されるフォトレジストではなく、フッ素樹脂を用いることで、レジスト膜形成、露光、現像、リンスなどの工程が省略され、大幅に工程が簡略化できることを見いだした。
また、特に基膜である電気絶縁性高分子膜として、フッ素樹脂膜を用いた場合、フッ素樹脂からなるマスク材と該電気絶縁性高分子膜が、めっきによる導電性金属の付着もしくは充填工程まで良好に密着し、耐めっき性を有するとともに、めっき後にマスク材を、該電気絶縁性高分子膜から容易に剥離し、除去できることを見いだした。そして、所定のパターンを有する光遮断シートを介して光反応によるエッチングを行い、そのままめっきをした後、該電気絶縁性高分子膜の両面のマスク材を剥離するだけで、電気絶縁性高分子膜の貫通孔に導電性物質が付着もしくは充填され、かつ該電気絶縁性高分子膜表面に突起状の電極も形成された異方性導電シートが得られることを見いだした。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、電気絶縁性高分子膜の両面に、フッ素樹脂膜からなるマスク材を積層する工程、積層により得られた積層膜に貫通孔を形成する工程、該貫通孔に導電性物質を付着もしくは充填する工程、および該マスク材を該積層膜から除去する工程、を有することを特徴とする異方性導電シートの製造方法である。
【０００８】
本発明の異方性導電シートの製造方法において、異方性導電シートの基膜となる電気絶縁性高分子膜は、特に限定されないが、電気絶縁性でありかつ柔軟性を有するものが好ましく用いられる。このような高分子膜としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリオレフィン、ポリウレタンなどの樹脂からなる膜が例示されるが、特にフッ素樹脂膜が、耐熱性、耐薬品性などにすぐれ、好ましく例示される。さらに、基膜にフッ素樹脂膜を用いることにより、後述する製造工程において、マスク材と該電気絶縁性高分子膜とが、めっきによる導電性金属の付着もしくは充填工程まで良好に密着し、耐めっき性を有するとともに、めっき後にマスク材を、該電気絶縁性高分子膜から容易に剥離し、除去できるので好ましい。なお、本明細書において、フッ素樹脂膜とは、フッ素置換したポリマー（フッ素樹脂）を主体とする樹脂膜をいう。このフッ素樹脂としては、ポリテトラフルオロエチレン、ポリテトラフルオロエチレンとポリエステルの共重合体、ポリテトラフルオロエチレンとフッ化エチレン−プロピレンの共重合体、フッ化アクリレート、ポリビニリデンフルオライド、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体などが挙げられるが、中でもポリテトラフルオロエチレンが好ましい。
【０００９】
基膜としては、膜厚方向に弾性があると共に、低誘電率であることが好ましい。そこで、膜厚方向に弾性があり、低誘電率化できる多孔化された高分子膜が好ましい材料として選択される。さらにフッ素樹脂の場合、多孔質であると、めっきが付着しやすいとの利点も有する。高分子膜を多孔化する方法としては、造孔法、相分離法、溶媒抽出法、延伸法、レーザ穿孔法などが挙げられる。例えば、延伸ポリテトラフルオロエチレンは、特公昭４２−１３５６０号公報に開示されている方法により製造できる。
異方性導電シートの基膜として、多孔質高分子膜を用いる場合、その気孔率は２０〜８０％程度が好ましい。また、その平均孔径は１０μｍ以下（バブルポイント２ｋＰａ以上）であればよいが、電極の狭ピッチ化に対応するために１μｍ以下が好ましい。
本発明の異方性導電シートの製造方法における基膜の厚さは、特に限定されないが、後述するシンクロトロン放射光または波長２５０ｎｍ以下のレーザ光を用いたアブレーション法による貫通孔の製造を容易にするためには、通常３ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以下、より好ましくは１０〜２００μｍである。
【００１０】
本発明の異方性導電シートの製造方法において、電気絶縁性高分子膜に積層されるマスク材は、フッ素樹脂膜からなる。このようなマスク材を構成するフッ素樹脂としては、上記の電気絶縁性高分子膜に用いられるものとして例示されたフッ素樹脂と同様なものを用いることができる。具体的なフッ素樹脂としては、ポリテトラフルオロエチレン、ポリテトラフルオロエチレンとポリエステルの共重合体、ポリテトラフルオロエチレンとフッ化エチレン−プロピレンの共重合体、フッ化アクリレート、ポリビニリデンフルオライド、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体などが好ましく、中でもポリテトラフルオロエチレンがより好ましい。特に、電気絶縁性の多孔質高分子膜との密着をよくすること、光によるエッチング速度を高めること、およびめっき後に剥離しやすくすることなどの観点より、多孔質である延伸ポリテトラフルオロエチレンが好ましい。
【００１１】
ポリテトラフルオロエチレン以外のフッ素樹脂膜についても、基膜との密着性を向上するため、かつ、後工程での剥離を容易にするために、多孔化することが好ましい。この多孔化する方法としては、基膜の場合と同様に、造孔法、相分離法、溶媒抽出法、延伸法、レーザ穿孔法などが挙げられる。
【００１２】
マスク材として多孔化されたフッ素樹脂膜を用いる場合、基膜との密着性を向上するため、および後工程での剥離を容易にするためには、該フッ素樹脂膜の孔径は、０．１−１０μｍ（バブルポイント２−１５０ｋＰａ）が好ましく、気孔率は、２０〜８０％程度が好ましい。貫通孔形成のためのエッチング速度を高めるため、および剥離しやすさの点では、気孔率は高く、孔径は大きい方が好ましいが、平均孔径が１０μｍ（バブルポイント２ｋＰａ以下）以上でかつ膜厚が５０μｍ以下になると耐水性が維持されず、マスクとしての意味をなさなくなるので、平均孔径は１０μｍ未満が好ましく、より好ましくは５μｍ以下である。
【００１３】
本発明の異方性導電シートの製造方法においては、基膜となる電気絶縁性高分子膜の貫通孔部表面から導電性物質が突出するように電極を形成することができる。その電極の突出の高さは、マスク材の厚みに対応する。従って、マスク材の膜厚は、形成させたい電極の高さに合わせればよいが、好ましくは１ｍｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の異方性導電シートの製造方法は、
電気絶縁性高分子膜の両面に、フッ素樹脂膜からなるマスク材を積層する第一工程、
電気絶縁性高分子膜とマスク材との積層により得られた、電気絶縁性高分子膜とマスク材とを有する積層膜に、貫通孔を形成する第二工程、
該貫通孔に導電性物質を付着もしくは充填する第三工程、および
該マスク材を該積層膜から除去する第四工程を有する。
【００１５】
電気絶縁性高分子膜（基膜）の両面への、フッ素樹脂膜からなるマスク材の積層は、電気絶縁性高分子膜と、マスク材となるフッ素樹脂膜を重ねて、熱などを加えて融着する方法などにより行うことができる。
例えば、電気絶縁性高分子膜として延伸ポリテトラフルオロエチレンを用い、その両面にマスク材としての延伸ポリテトラフルオロエチレン膜を積層する場合は、図１に示されるように、マスク材２、電気絶縁性高分子膜１、マスク材２’の順に３層に重ね合わせ、それを、平行面をもったステンレス板に挟む。次に該ステンレス板を、好ましくは３２０℃以上３８０℃以下、３０分以上の条件で、加熱処理して延伸ポリテトラフルオロエチレンを３層に融着する。これらの工程のみで、３層に重ね融着された延伸ポリテトラフルオロエチレン膜が作製できる。フッ素樹脂の力学的強度を高めるためには、加熱処理後は冷却水などで急冷する方が好ましい。
【００１６】
第二工程の貫通孔を形成する方法は特に限定されないが、シンクロトロン放射光または波長２５０ｎｍ以下のレーザ光を用いたアブレーション法が好ましく例示される。
この方法では、所定のパターンからなる開口部を持ったタングステン製の光遮断シートを介して、シンクロトロン放射光もしくは波長２５０ｎｍ以下のレーザ光を、積層膜に照射する。光遮断シートの開口部を透過した光により照射された箇所はエッチングされ、シートの膜厚方向に貫通した空洞が形成される。光遮断シートの開口パターンの形状は、円形、四角形、三角形など任意の形状が可能である。一般的には、貫通孔の孔径は、一辺もしくは径が０．１μｍ以上、２００μｍ以下であり、かつ電気絶縁性高分子膜として多孔質高分子膜を使用する場合は、その平均孔径より大きければよい。
シンクロトロン放射光によるエッチングでは、エッチング速度が大きく、エッチングのコストを削減でき、かつ高アスペクト比の加工も容易に達成できる。
また、波長２５０ｎｍ以下のレーザ光によるエッチングでは、装置サイズおよび装置コストが小さく、容易に加工が行なえる利点を有する。
【００１７】
第三工程で貫通孔へ付着もしくは充填される導電性物質としては、導電性金属が好ましく、付着もしくは充填する方法としては、めっき法が好ましい。
フッ素樹脂膜は絶縁性であるので、貫通孔へ導電性金属の付着もしくは充填を、例えば電気めっきにより行うためには、該フッ素樹脂膜を導電化する必要がある。絶縁性であるポリテトラフルオロエチレンや延伸ポリテトラフルオロエチレンシートを導電化する方法としては、スパッタ法、イオンプレーティング法、無電解めっき法などがあるが、微細な貫通孔の壁まで導電化するためには無電解めっき法が好ましい。上記の例である３層に融着された延伸ポリテトラフルオロエチレンシートの貫通孔を、導電化する方法としては、例えば、化学還元法による無電解めっきによる方法が挙げられる。この場合、化学還元を促進するために、該延伸ポリテトラフルオロエチレンシートを、無電解めっき処理前に、パラジウム−スズコロイド触媒付与液に浸漬することが好ましい。また、場合によってはシートに液を吹き付ける方法も有効である。浸漬は、微細な貫通孔の壁面も均一にパラジウム−スズコロイド触媒が付与されるように、液を十分撹拌しながら行うことが好ましい。通常、パラジウム−スズコロイド触媒付与液は強酸性であるが、延伸ポリテトラフルオロエチレンは耐酸性が強いため問題とはならない。また、各種無電解めっき液も強酸性、強アルカリ性液を使用するが、これも同様に、問題とならない。貫通孔に無電解めっきされる好適な導電性物質としては、ニッケル、銅などが挙げられる。
【００１８】
上記のようにして導電性が付与された貫通孔を有する積層膜に、通常、電気めっきが行なわれ、該貫通孔に、導電性金属により付着もしくは充填される。付着もしくは充填する金属としては、高導電性を維持するために銅が好ましい。めっきを行なう場合、微細な貫通孔に十分めっき液が入らないために、孔内が十分めっきされないということを防ぐため、めっき液をエアーなどで十分撹拌しながら行うことが好ましい。
【００１９】
これらのめっき工程においても、一般に、強酸溶液や強アルカリ溶液に積層膜を浸漬する工程を要するが、マスク材として耐酸性、耐アルカリ性溶液の強いポリテトラフルオロエチレンシート、延伸ポリテトラフルオロエチレンシートを使用している場合は、特別の措置を講じなくても問題はない。また、電気めっき法において、電流密度分布によっては微細な貫通孔の端部からめっきが成長することがある。そのような場合、必要に応じて電流密度分布を制御する添加剤を使用するとよい。銅などのめっきされた導電性金属の酸化防止や、電極の強度向上の目的で、めっきされた導電性金属を、さらに金、パラジウム、ロジウムなどで覆ってもよい。
上記の電気めっきは、少なくとも、貫通孔の一方の端から他方の端まで、導電性金属による電気的導通が達成されるまで行われる。場合によっては、貫通孔内部が該導電性金属で充填されるまで行なってもよい。
【００２０】
上記のようにして貫通孔が導電性物質で付着もしくは充填されたあと、第四工程として、マスク材が剥離され、積層膜から除去される。
電気めっきが行われた場合、通常、マスク材表面は、めっきされた導電性金属で覆われている（過剰めっき）ので、マスク材の剥離を容易にするため、剥離前にこれらの除去が行われる。過剰めっきされた導電性金属の除去は、１０％程度の硫酸溶液でエッチングする方法が好ましく例示される。目視でマスク材の表面が見える程度でエッチングを終了するとよい。
エッチング後のマスク材の剥離は、手で容易に行うことができる。特に、多孔質材料同士、とりわけ、延伸ポリテトラフルオロエチレンシート同士の熱融着は、延伸ポリテトラフルオロエチレンシートを形成するポリテトラフルオロエチレンの繊維が絡むような点密着であるので、容易に剥離することができる。
【００２１】
【実施例】
以下、実施例を用いて本発明をより具体的に説明するが、実施例は、本発明の範囲を限定するものではない。
また、実施例において、延伸ポリテトラフルオロエチレンシートのバブルポイントは、イソプロピルアルコールを使用し、ＡＳＴＭ−Ｆ−３１６−７６に従って測定した。気孔率は、ＡＳＴＭ  Ｄ−７９２に従って求めた。
【００２２】
実施例１
面積１０ｃｍ角、気孔率６０％、平均孔径０．１μｍ（バブルポイント１５０ｋＰａ）、膜厚３０μｍの延伸ポリテトラフルオロエチレン２、１、２’を、３枚積層し（図１）、厚さ３ｍｍ、縦１５ｃｍ、横１０ｃｍのステンレス板に挟み、ステンレス板の荷重とともに３５０℃で３０分間加熱処理した。加熱後、ステンレス板の上から水にて急冷し、３枚に融着された延伸ポリテトラフルオロエチレンの積層膜を得た。次いで、開口率２５％、２５μｍ角で均等に開口したタングステンシートを、該積層膜に重ね、シンクロトロン放射光を照射し、膜厚方向へ２５μｍ角で均等に配置された貫通孔３を形成した。貫通孔３が形成された積層膜の断面図を、図２に示す。
【００２３】
次いで、貫通孔３が形成された積層膜を、奥野製薬工業（株）製のパラジウム−スズコロイド触媒付与液（キャタリストＣ）を、８％塩酸で、３％に希釈した液に浸漬することで、該積層膜にパラジウム粒子を付与した。次に、次亜燐酸ナトリウムを還元剤としためっき浴で、化学還元反応による無電解ニッケルめっきを５分間行い導電化した。ニッケル４がめっきされ、導電化された積層膜の断面図を、図３に示す。
引き続き、電気銅めっき液としてメルテックス（株）製カッパークリームＣＬＸを使用し、電流密度２Ａ／ｄｍ２にて、３０分間、電気銅めっきを行い、貫通孔３を銅５で充填した。貫通孔３が銅５で充填された積層膜の断面図を、図４に示す。
マスク材表面に過剰にめっきされた銅５を１０％硫酸溶液に目視でマスク材の表面が見えるまで浸漬しエッチングした。エッチング後の積層膜の断面図を、図５に示す。
その後、手で裂くようにマスク材を剥離し、膜厚方向に導通する２５μｍ角の導電性金属によって膜厚方向へのみ導電性を有し、膜表面に３０μｍ突出した電極６をもった異方性導電シートを得た。このようにして得られた異方性導電シートの断面図を、図６に示す。
【００２４】
２ｍｍφの電極を、このようにして得られた異方性導電シートに荷重１００ｇで当て、膜厚方向の導通および面方向の導通を測定した。膜厚方向の導通は４０ｍΩ以下であり、一方、面方向の導通は１ＭΩ以上であった。
【００２５】
実施例２
面積１０ｃｍ角、気孔率６０％、平均孔径０．１μｍ（バブルポイント１５０ｋＰａ）、膜厚３０μｍの延伸ポリテトラフルオロエチレンを基膜とし、膜厚２０μｍの無孔ポリテトラフルオロエチレンシート２枚で挟むように積層した。得られた積層膜を、厚さ３ｍｍのステンレス板に挟み、３５０℃で３０分間加熱処理した。以下、実施例１と同様に行い、膜厚方向に導通する２５μｍ角の電極によって膜厚方向へのみ導電性を有し、膜表面に２０μｍ突出した電極をもった異方性導電シートを得た。
貫通孔の形成には、実施例１の３倍の時間を要した。また、基膜とマスク材との密着にばらつきがあり、基膜とマスク材の界面にめっき液がややしみ込んだ跡が残ったが異方性導電シートとしては特に問題のないものであった。
【００２６】
実施例１と同様にして、膜厚方向の導通および面方向の導通を測定した。膜厚方向の導通は、４０ｍΩ以下であり、一方、面方向の導通は、１ＭΩ以上であった。
【００２７】
比較例１
気孔率６０％、平均孔径０．１μｍ（バブルポイント１５０ｋＰａ）、膜厚３０μｍの延伸ポリテトラフルオロエチレンシート上に、東京応化（株）製フォトレジストＢＮＲ  Ｃ−１０００を、スピンコートにて２０μｍの膜厚でコートした。次に５００Ｗ超高圧水銀灯により、３００−５００ｎｍ程度の紫外光を３００ｍＪ／ｃｍ２で露光し、東京応化（株）製の現像液ＢＭＲ  ＳＫ−４を用いてパドル現像したが、現像中に露光により硬化したレジスト膜が、延伸ポリテトラフルオロエチレンシートより脱落した。
【００２８】
【発明の効果】
本発明の異方性導電シートの製造方法によれば、従来のフォトレジストを用いる製造方法において必要であった、レジスト膜形成、露光、現像、リンスなどの工程が省略され、大幅に工程が簡略化でき、所定のパターンを有する光遮断シートを介する光反応によるエッチング後、そのままめっきを行い両面のマスク材を剥離するだけで、電気絶縁性高分子膜の貫通孔に導電性物質が付着もしくは充填され、かつ膜表面に突出した電極も形成された異方性導電シートを得ることができる。
また、基膜の電気絶縁性高分子膜としてフッ素樹脂膜を用いた場合は、マスク材と該電気絶縁性高分子膜とが、めっきによる導電性金属の付着もしくは充填工程まで良好に密着し、耐めっき性を有するとともに、めっき後にマスク材を、該電気絶縁性高分子膜から容易に剥離し、除去することができる。
さらに、マスク材として多孔質フッ素樹脂である延伸ポリテトラフルオロエチレンを用いた場合は、基膜とマスク材との密着性がより向上し、めっき処理後のマスク材の基膜からの剥離、除去がより容易になるとともに、エッチング速度が高まる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１の、延伸ポリテトラフルオロエチレンを３枚積層した積層膜の断面図を示す。
【図２】実施例１の、貫通孔が形成された積層膜の断面図を示す。
【図３】実施例１の、貫通孔がニッケルで導電化された積層膜の断面図を示す。
【図４】実施例１の、貫通孔が銅で充填された積層膜の断面図を示す。
【図５】実施例１の、過剰めっきのエッチング後の積層膜の断面図を示す。
【図６】実施例１により得られた異方性導電シートの断面図を示す。
【符号の説明】
１．      電気絶縁性高分子膜（延伸ポリテトラフルオロエチレン）
２．２’．  マスク材（延伸ポリテトラフルオロエチレン）
３．      貫通孔
４．      ニッケル
５．      銅
６．      電極
【図１】
2004247216.tif 000003
【図２】
2004247216.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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