(57)【要約】【課題】装置の小型化を図りながら、半導体ウェハーの大小に係わらず処理液を満遍なく被処理面に噴出することができる半導体製造装置を提供する点にある。【解決手段】処理物である半導体ウェハー３を所定姿勢に保持するための保持手段２を設け、この保持手段２にて保持された半導体ウェハー３の被処理面３Ａに向けて処理槽１内の処理液を噴出させるための単数または複数の処理液噴出口１４Ａを設け、処理液噴出口１４Ａから処理液を噴出させながら配置した一対の電極２，５間に電流を流すための通電手段６を設け、処理槽１内に設けられた処理液噴出口１４Ａから半導体ウェハー３の被処理面３Ａへ噴出させる処理液の噴出位置を変更するための噴出位置変更手段１０を設けた。【選択図】　　　図１
2004143540.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物を所定姿勢に保持するための保持手段を設け、この保持手段にて保持された被処理物の被処理面に向けて処理槽内の処理液を噴出させるための単数又は複数の処理液噴出口を設け、前記処理液噴出口から処理液を噴出させながら前記被処理物の被処理面に接触状態にした一方の電極とこの電極に対して配置した他方の電極との間に電流を流すことにより該被処理物にメッキ、化成等の処理を行うための通電手段を設けた半導体製造装置において、前記処理液噴出口の全部又は一部から前記被処理物の被処理面へ噴出させる処理液の噴出位置を変更するための噴出位置変更手段を設けたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記処理槽が上方を開放したカップ構造のものでなり、前記被処理物をそれの被処理面が下を向いた所定姿勢で前記処理槽の上方に前記保持手段にて保持させ、前記処理液噴出口から処理液を前記被処理物の被処理面に向けて噴出させるカップ式の半導体製造装置において、前記処理液噴出口から上下方向に対して交差する斜め方向へ処理液を噴出するように構成され、かつ、少なくとも上下軸芯周りで回転可能に構成された処理液噴出体と、この処理液噴出体を駆動回転するための駆動機構とから前記噴出位置変更手段を構成してなる請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記駆動機構が、前記処理液噴出体に装着された永久磁石と、前記処理液噴出体を回転可能に支持する固定側の支持体に装着した複数個の電磁石と、前記複数個の電磁石のうちの特定の電磁石への通電方向を変更する通電方向変更手段とから構成してなる請求項２記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記処理槽が上方を開放したカップ構造のものでなり、前記被処理物をそれの被処理面が下を向いた所定姿勢で前記処理槽の上方に前記保持手段にて保持させ、前記処理液噴出口から処理液を前記被処理物の被処理面に向けて噴出させるカップ式の半導体製造装置において、前記処理槽内の底部に回転自在に取り付けられ、かつ、前記処理液噴出口が上端に形成された球状体と、前記球状体を駆動回転させる駆動機構とから前記噴出位置変更手段を構成してなる請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記処理槽が上方を開放したカップ構造のものでなり、前記被処理物をそれの被処理面が下を向いた所定姿勢で前記処理槽の上方に前記保持手段にて保持し、前記処理液噴出口から処理液を前記被処理物の被処理面に向けて噴出させるカップ式の半導体製造装置において、前記処理液噴出口から上下方向に対して交差する斜め方向へ処理液を噴出するように構成され、かつ、上下移動自在に構成されると共に付勢手段により下方へ移動付勢された処理液噴出体と、この処理液噴出体の下端面へ処理液を供給することにより発生する液圧により前記付勢手段の付勢力に抗して上方へ移動する該処理液噴出体を所定角度回転させるための回転案内手段と、前記処理液噴出体の下端面へ処理液を供給する供給状態と供給しない供給停止状態とに切り替える処理液供給状態切り替え手段とから前記噴出位置変更手段を構成してなる請求項１記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理物である半導体ウェハー又は基板に、メッキや化成等の処理を行うことができる半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体を製造する場合、例えば半導体ウェハーに対して、メッキ処理を施したり、化成処理を施すことがある。例えばＤＨＤ（Ｄｏｕｂｌｅ　Ｈｅａｔｓｉｎｋ　Ｄｉｏｄｅ）を製造する場合や、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｕｎｄｉｎｇ）型（方式の）半導体を製造する場合、半導体ウェハーに対し、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、半田等よりなる５０〜６０μｍ程度のバンプ電極を形成したり、Ａｕその他の金属により、配線を形成することになる。そして、このようなバンプ電極や配線を形成する場合、一般に噴流（噴出）式のメッキ装置が用いられている。
具体的には、例えば処理槽が上方を開放したカップ構造のもので構成される半導体製造装置では、メッキ液をメッキ槽の下部に設けた多数のメッキ供給管それぞれの噴出口から処理液を半導体ウェハーの被処理面に噴出させ、外周縁の上方からオーバーフローさせる噴流式のメッキ槽と、このメッキ槽内に配設された下部電極と、メッキ槽の上方に半導体ウェハーをそれの被処理面を下にした状態で保持するための保持手段を構成する上部電極とを備え、半導体ウェハーの被処理面にメッキ液を噴出させながら上下の電極間に電流を流すことにより半導体ウェハーにメッキ処理を施すものが既に提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特許第３１１２７００号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記メッキ装置によれば、多数のメッキ供給管の供給口から処理液を噴出させる構成であるため、半導体ウェハーの被処理面にメッキ液を出来る限り噴出させることができるものの、被処理面全てに処理液を噴出させることができない。このため、被処理面において形成されるメッキ層の厚みにバラツキが発生することから、メッキ供給管へのメッキ液を流量調節することでメッキ液の噴出の偏りを制御するようにしている。しかしながら、前記メッキ液の流量調節を行うための弁体をメッキ供給管と同数配設しなければならないため、メッキ装置全体が複雑で大型化するだけでなく、前記多数の弁体内に設けられるシリコンチューブの交換などのメンテナンスを必要とし、煩わしいものになっていた。尚、このような不都合は、メッキ供給管の本数が増えれば増えるほど顕著になるものである。
又、メッキ槽の下部空間内にメッキ供給管及び弁体を設置する本数にも限りがあることや弁体によるメッキ液の流量調節が難しいことに起因して、半導体ウェハーの被処理面にメッキ液を満遍なく噴出させることが非常に難しいだけでなく、処理する半導体ウェハーが大きなものである場合にはその半導体ウェハーの大きさに合わせてメッキ液の噴出口の位置を変更しなければならず、コスト面及び使用面において不利であり、改善の余地があった。
【０００５】
本発明が前述の状況に鑑み、解決しようとするところは、装置の小型化を図りながらも、半導体ウェハーの大小に係わらず処理液を満遍なく被処理面に噴出することができる半導体製造装置を提供する点にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体製造装置は、前述の課題解決のために、被処理物を所定姿勢に保持するための保持手段を設け、この保持手段にて保持された被処理物の被処理面に向けて処理槽内の処理液を噴出させるための単数又は複数の処理液噴出口を設け、前記処理液噴出口から処理液を噴出させながら前記被処理物の被処理面に接触状態にした一方の電極とこの電極に対して配置した他方の電極との間に電流を流すことにより該被処理物にメッキ、化成等の処理を行うための通電手段を設けた半導体製造装置において、前記処理液噴出口の全部又は一部から前記被処理物の被処理面へ噴出させる処理液の噴出位置を変更するための噴出位置変更手段を設けたことを特徴としている。
従って、被処理物である半導体ウェハー又は基板の被処理面へ噴出させる処理液の噴出位置を変更するための噴出位置変更手段を設けることによって、被処理物の被処理面のどの位置へも処理液を噴出させることが可能になり、異なった大きさの被処理物にも対応させることができる半導体製造装置を構成することができる。又、同一箇所にのみ噴出させる従来の場合のように、メッキ供給管の本数を必要以上に増やすことが不要になるできるだけでなく、処理液の噴出量を調節するための弁体を不要にしながらも、処理液を所望範囲に満遍なく噴出させることが可能になる。
本発明の半導体製造装置は、上方が開放されたカップ型の処理槽の上方に位置する被処理物の下面の被処理面に、処理槽の下部（底部）に設けた処理液噴出口から上方に向けて処理液を噴出させるカップ式のものに適応できる他、処理槽内に被処理物を垂設し、この垂設された被処理物の被処理面に対して処理槽の底部又は側部に設けた処理液噴出口から処理液を噴出させるディップ式のものや、処理槽の底部に配置した被処理物の上面（被処理面）に、処理槽の上方に設けた処理液噴出口から下方に向けて処理液を噴出させるフェイスアップ式のものに適応することができ、被処理物の向き及び処理液の噴出方向はどのようなものであっても本発明は適応することができる。
【０００７】
前記処理槽が上方を開放したカップ構造のものでなり、前記被処理物をそれの被処理面が下を向いた所定姿勢で前記処理槽の上方に前記保持手段にて保持させ、前記処理液噴出口から処理液を前記被処理物の被処理面に向けて噴出させるカップ式の半導体製造装置において、前記処理液噴出口から上下方向に対して交差する斜め方向へ処理液を噴出するように構成され、かつ、少なくとも上下軸芯周りで回転可能に構成された処理液噴出体と、この処理液噴出体を駆動回転するための駆動機構とから前記噴出位置変更手段を構成している。
上記のように処理液噴出体を駆動回転することによって、処理液噴出口から上下方向に対して交差する斜め方向へ噴出する処理液を半導体ウェハーの被処理面に円弧を描きながら当てることができる。尚、前記処理液噴出口の個数は、１個でもよいが、複数設ける場合の方が広い範囲に渡って処理液の噴出を行うことができる。
【０００８】
前記駆動機構は、前記処理液噴出体に装着された永久磁石と、前記処理液噴出体を回転可能に支持する固定側の支持体に装着した複数個の電磁石と、前記複数個の電磁石のうちの特定の電磁石への通電方向を変更する通電方向変更手段とから構成されている。
上記のように特定の電磁石の磁極を変更することによって、永久磁石に吸引力及び反発力を作用させて処理液噴出体を回転させることができ、処理液噴出体からの処理液の半導体ウェハーの被処理面への噴出位置を変更することができる。
【０００９】
前記処理槽が上方を開放したカップ構造のものでなり、前記被処理物をそれの被処理面が下を向いた所定姿勢で前記処理槽の上方に前記保持手段にて保持させ、前記処理液噴出口から処理液を前記被処理物の被処理面に向けて噴出させるカップ式の半導体製造装置において、前記処理槽内の底部に回転自在に取り付けられ、かつ、前記処理液噴出口が上端に形成された球状体と、前記球状体を駆動回転させる駆動機構とから前記噴出位置変更手段を構成してもよい。
【００１０】
前記処理槽が上方を開放したカップ構造のものでなり、前記被処理物をそれの被処理面が下を向いた所定姿勢で前記処理槽の上方に前記保持手段にて保持し、前記処理液噴出口から処理液を前記被処理物の被処理面に向けて噴出させるカップ式の半導体製造装置において、前記処理液噴出口から上下方向に対して交差する斜め方向へ処理液を噴出するように構成され、かつ、上下移動自在に構成されると共に付勢手段により下方へ移動付勢された処理液噴出体と、この処理液噴出体の下端面へ処理液を供給することにより発生する液圧により前記付勢手段の付勢力に抗して上方へ移動する該処理液噴出体を所定角度回転させるための回転案内手段と、前記処理液噴出体の下端面へ処理液を供給する供給状態と供給しない供給停止状態とに切り替える処理液供給状態切り替え手段とから前記噴出位置変更手段を構成してもよい。
上記のように、処理液噴出体を供給される処理液の液圧を利用して上方に移動させる構成とすることによって、処理液噴出体を上方へ移動させるための特別な駆動装置を不要にすることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図１（ａ）に、半導体製造装置を示し、これは、上方を開放した処理槽１と、その処理槽１の上方に被処理物である半導体ウェハー（基板でもよい）３をそれの被処理面３Ａを下にした所定姿勢で保持するための保持手段を構成する複数の上部電極（保持手段を構成する）２と、この保持手段２にて保持された半導体ウェハー３の被処理面３Ａに向けて前記処理槽１内から処理液（ここではメッキ液）を噴出させるために該処理槽１の底部（下部）に設けた処理液噴出手段４と、前記上部電極２と処理槽１の下方に配置したメッシュ状の下部電極５との間に電流を流すための通電手段（電力を供給するための電源から構成することになる）６とを備え、処理液噴出手段４から処理液を噴出させながら上下に配置した電極２，５間に電流を流すことにより半導体ウェハー３にメッキ処理を行うように構成されている。
ここでは、メッキ処理について説明しているが、化成処理を行うものであってもよい。又、前記複数の上部電極２は、円周上に所定間隔を置いて配置され、かつ、それらの先端が円錐状のピン形状となっているものを使用しているが、これの代わりに、半導体ウェハー３の被処理面３Ａの背面（図では上面）より電流を流す裏面電極を採用することもできる。又、図では、処理槽の下部（底部）に設けた処理液噴出口から上方の半導体ウェハー３の被処理面３Ａに向けて処理液を噴出させるカップ式のものを示しているが、処理槽内に被処理物を垂設し、この垂設された被処理物の被処理面に対して処理槽の底部又は側部に設けた処理液噴出口から処理液を噴出させるディップ式のものや、処理槽の底部に配置した被処理物の上面（被処理面）に、処理槽の上方に設けた処理液噴出口から下方に向けて処理液を噴出させるフェイスアップ式のものであってもよく、被処理物の姿勢及び位置はどのように変更したものであってもよい。前記被処理物の姿勢及び位置に対応させて、処理液噴出口の姿勢や位置を変更することになる。
【００１２】
前記処理液噴出手段４について説明すれば、図１（ａ）に示すように、半導体ウェハー３の被処理面３Ａに向けて処理槽１内から処理液を噴出させてオーバーフローした処理液を受け止めるために処理槽１の外周に配置した補助容器７内の処理液を移送するためのポンプＰと、このポンプＰからの処理液をフィルター８を介して濾過し、その濾過された処理液を前記処理槽１を構成する容器９の下端から上方に位置する半導体ウェハー３の被処理面３Ａへ噴出させると共にその噴出位置を変更するための噴出位置変更手段１０とから処理液噴出手段４を構成している。
【００１３】
前記噴出位置変更手段１０は、図１（ａ），（ｂ）及び図２（ａ），（ｂ）に示すように、前記容器９の底部に一体連接され、かつ、下面に前記ポンプＰからの処理液をホース１１を介して受け入れるための受け入れ部１２Ａを備えた断面形状がほぼコの字状の固定部材１２と、この固定部材１２の外周部に適当間隔を置いて取り付けられた電磁石１３の多数と、前記固定部材１２の内部に上下軸芯Ｘ周りで回転自在に配置され、かつ、上端面に容器の底部の開口部９Ａを通して上方に処理液を噴出させるための処理液噴出口１４Ａが形成されると共に下端面に受け入れ部１２Ａからの処理液を受け入れる処理液導入口１４Ｂが形成されたほぼ円柱形状の処理液噴出体１４と、前記電磁石１３からの反発力や吸引力を受けて処理液噴出体１４を上下軸芯Ｘ周りで駆動回転させるために該処理液噴出体１４に埋設した２個（１個又は３個以上であってもよい）の永久磁石１５と、前記電磁石１３に電力を供給する電力供給部（図示せず）とから構成している。前記電力供給部は、電源とこの電源からの電圧を電力に変換するための電気回路などからなり、また、特定の電磁石１３の磁極を変更することによって、処理液噴出体１４を連続回転させたり、所定角度ずつ回転させながら処理液の噴出を行うことになるが、それら構成については図５（ａ），（ｂ）に基づいて後述することにする。
【００１４】
前記処理液導入口１４Ｂを、受け入れ部１２Ａからの処理液をスムーズに受け入れることができるように、処理液噴出体１４の回転中心に形成し、この処理液導入口１４Ｂに対して外側に位置する上面に前記処理液噴出口１４Ａを形成し、それら処理液導入口１４Ｂと処理液噴出口１４Ａとを一直線状（湾曲した経路であってもよい）の経路１４Ｃに形成することによって、上下方向に対して交差する斜め方向へ噴出することができるように構成している。図１（ａ），（ｂ）では、１個の処理液噴出口１４Ａを形成し、処理液噴出体１４の回転によりそれの処理液噴出口１４Ａを図１（ｂ）の範囲Ｈ内を図の矢印方向（逆方向に回転してもよいし、回転方向を定期的に逆方向に切り替えるようにしてもよい）に移動させながら処理液を噴出させるようにしているが、図２（ａ）に示すように、前記処理液導入口１４Ｂを共通とし、二股状に分岐して前記経路１４Ｃの上下方向に対する傾きよりも小さな傾きを有する他方の経路１６Ｃを形成すると共に上端に処理液噴出口１６Ａを形成して、図３に示すように２つの処理液噴出口１４Ａ，１６Ａをそれぞれの範囲Ｈ１，Ｈ２内を図の矢印方向（逆方向に回転してもよいし、回転方向を定期的に逆方向に切り替えるようにしてもよい）に移動させながら処理液を噴出させるようにすることによって、より広範囲に渡る半導体ウェハー３の被処理面３Ａに処理液を噴出するように構成してもよいし、更に３つ以上の処理液噴出口を形成して更に広い範囲に渡る半導体ウェハー３の被処理面３Ａに処理液を噴出するように構成してもよい。尚、処理液噴出口が多数になると、１個のポンプＰからの圧力では所定圧を得ることができない場合には、ポンプＰを増やすことも考えられる。前記処理液噴出体１４に形成する経路の傾き又は噴出位置又はそれら両方を異ならせた複数個の処理液噴出体１４を備えさせ、それら処理液噴出体１４を交換するだけで異なる大きさの半導体ウェハーに的確に処理液を噴出させることができる。
【００１５】
図１（ａ）では、前記処理液噴出体１４を上下軸芯Ｘ周りでのみ回転させることにより処理液噴出口を円周方向に変化させるようにしたが、図４（ａ），（ｂ）に示すように、どの方向へも処理液噴出口を向けることができるように構成してもよい。つまり、前記容器９の底部に固定された支持部材１７にそれの開口部１７Ａに連通する開口部が上端に形成された上方開放型のほぼ球状をなす固定部材１８を固定し、その固定部材１８の外面のほぼ全域に前記電磁石１３を適当間隔をおいて固定し、前記固定部材１８の内部に配置されると共にほぼ中心部に回転中心Ｙを有する球状体の上下端を切断（カット）することにより形成された処理液噴出体１９に前記２つの永久磁石１５を埋設している。このような構成とすることにより、図１（ａ）や図２（ａ）の場合のように半導体ウェハーの大きさに応じた処理液噴出体１４を備えさせておくことや半導体ウェハーの大きさに応じて処理液噴出体１４を交換する手間を不要にすることができる利点がある。
前記処理液噴出体１９は、上端面に処理液噴出口１９Ａを備え、下端面に受け入れ部１２Ａからの処理液を受け入れるための処理液導入口１９Ｂを備え、それら処理液噴出口１９Ａと処理液導入口１９Ｂとを一直線状（湾曲していてもよい）の経路１９Ｃにて連通している。例えば、図５（ａ）に示すように、永久磁石１５の外側の磁極がＮ極であり、その永久磁石１５と対抗位置する電磁石１３の内側の磁極がＳ極で永久磁石１５に対して吸引力が作用し、その円周方向で隣り合う電磁石１３，１３の内側の磁極がＮ極で永久磁石１５に対して反発力が作用することで処理液噴出体１９が図５（ａ）の位置で固定されている状態になっている。この状態から、永久磁石１５と対抗位置する電磁石１３の内側の磁極をＳ極からＮ極へ変更して永久磁石１５に反発力を作用させると共に、その円周方向で隣り合う電磁石１３，１３のうちの回転させたい電磁石１３の内側の磁極をＮ極からＳ極へ変更して永久磁石１５に吸引力を作用させることによって、図５（ｂ）に示すように矢印方向に回転させることができる。このように回転させたい側の電磁石１３を永久磁石１５に吸引力を作用させるように磁極を順次変更することによって、どの位置へも処理液噴出体１９を回転させることができるのである。前記電磁石１３の磁極を変更する場合には、電磁石１３への通電方向を変更する通電方向変更手段にて容易に行うことができる。尚、前記通電方向変更手段は、比較的簡素で一般的な電気回路（ステッピングモータなどで用いられている回路）であるため、説明は省略する。
【００１６】
前記噴出位置変更手段１０を、図６（ａ），（ｂ）に示すように構成してもよい。つまり、上端面に処理液噴出口２０Ａが形成され、かつ、下端面に処理液導入口２０Ｂが形成され、それら処理液噴出口２０Ａと処理液導入口２０Ｂとが一直線状に形成された経路２０Ｃにより連通状態となった処理液噴出体２０と、この処理液噴出体２０を上下動自在に収納するために前記容器９の下端に形成された空間２１と、前記処理液噴出体２０をそれの自重の他に、下方側へ更に移動付勢するために該処理液噴出体２０に埋設された付勢手段を構成する重り２２と、前記ポンプＰからの処理液がパイプ２３を介して供給されることにより発生する液圧により前記重り２２の付勢力に抗して上方へ移動する該処理液噴出体２０を所定角度回転させるための回転案内手段２４と、前記処理液噴出体２０の下端面へ前記パイプ２３を介して処理液を供給する供給状態と供給しない供給停止状態とに切り替えるためにポンプＰとパイプ２３との間に配置された電磁弁などで構成される処理液供給状態切り替え手段２５とから噴出位置変更手段１０を構成してもよい。
【００１７】
前記空間２１は、前記容器９の底面に固定された固定部材２６と、この固定部材２６の底面に取り付けられ、かつ、前記パイプ２３を連通自在な貫通孔２７Ａが底面に形成された有底円筒状の補助部材２７とから上下方向に形成され、前記固定部材２６の内側に形成されたＬ字状の段部２６Ｄに入り込む円環状のリング部材２８と該段部２６Ｄとで処理液噴出体２０の外周面に突出した状態で設けられた一対のピン状（円柱状）の突起部２０Ｔ，２０Ｔを前記のように上方へ移動する該処理液噴出体２０を所定角度回転させるための回転案内手段２４を構成している。つまり、前記リング部材２８の内周面に図７に展開図で示すように逆Ｖ字形状の上側溝部２９を形成し、前記段部２６Ｄの底面の内側箇所に図７に展開図で示すようにＶ字形状の下側溝部３０を形成すると共に、下側溝部３０の頂部（上側角部）３０Ａがこれに上下方向で対抗位置する上側溝部２９の頂部（上側角部）２９Ａよりも回転方向上手側に位置し、かつ、上側溝部２９の下側角部２９Ｂがこれに上下方向で対抗位置する下側溝部３０の下側角部３０Ｂよりも回転方向上手側に位置するように上側溝部２９の上下の角部２９Ａ，２９Ｂ及び下側溝部３０の上下の角部３０Ａ，３０Ｂを設定している。ここでは、溝部をＶ字形状で構成しているが、Ｕ字形状など処理液噴出体２０を所定角度回転させることができる形状であれば、どのような形状であってもよい。又、前記補助部材２７のほぼ中心に貫通孔２７Ａを形成し、この貫通孔２７Ａと上下方向と異なる位置、つまり中心から外側に位置する箇所に前記処理液導入口２０Ｂを形成することによって、パイプ２３から供給される処理液の液圧により処理液噴出体２０を押し上げることができ、前記空間２１が少し形成されることにより前記処理液導入口２０Ｂに処理液が供給されながら処理液噴出体２０を上昇させることができるようになっている。つまり、貫通孔２７Ａと処理液導入口２０Ｂとが上下方向で異なる位置に形成されていれば、それらを図に示される位置以外に形成してもよい。
従って、処理液を供給する供給状態から供給停止状態に切り替えることにより、処理液の噴出が停止されると共に処理液噴出体２０が下降し、下側溝部の傾斜案内面に突起部２０Ｔが接当し、傾斜案内面に沿って移動案内されることにより処理液噴出体２０が３０度回転した下降位置で停止し、所定時間経過後又は下降終了後直ちに処理液を供給する供給状態に切り替えることにより処理液噴出体２０が上昇し始めると共に処理液の噴出が開始され、上側溝部２９の傾斜案内面に突起部２０Ｔが接当し、傾斜案内面に沿って移動案内されることにより処理液噴出体２０が３０度回転した上昇位置で停止し、処理液の噴出を続行するのである。尚、前記のように実際は突起部２０Ｔが下方又は上方に移動した後、斜め下方又は斜め上方に２段階に移動することになるが、紙面のスペースの関係で矢印では、斜め下方又は斜め上方に矢印では示している。このように１回の回転で３０度だけ処理液噴出体２０を回転させるように構成する他、図８に示すように１回の回転で３６度だけ処理液噴出体２０を回転させるように構成してもよく、溝部２９，３０の傾斜面の角度を変更することによって、処理液噴出体２０の回転角度を変更させることができる。
【００１８】
また、前記噴出位置変更手段１０を、図９に示すように構成してもよい。つまり、前記ポンプＰからの処理液がフレキシブルホース３１を介して供給される円筒状のパイプ３２の先端に、該パイプ３２からの処理液を上方に位置する前記半導体ウェハー３の被処理面３Ａに向けて噴出させるための球状体３３を設け、前記球状体３３の上端に形成の処理液噴出口３３Ａの向きを変更するために上下軸芯Ｚ周りで駆動回転される円盤状の回転体３４の中心から外側に位置する部位に形成の貫通孔３４Ａに前記パイプ３２を貫通させている。従って、回転体３４を図示していない電動モータなどの駆動力により直接回転させる、又は図１０のようにギア機構を介して回転させたる、あるいは図１１のようにや図ことにより処理液噴出口３３Ａが円弧を描くように球状体３３を回転させて、処理液を円弧状に噴出させることができるようにしている。この場合には、電動モータなどの他の駆動源を必要とするだけでなく、パイプ３２の移動に伴いフレキシブルホース３１を必要とすることになる。尚、図９に示す３５は、前記容器９の下端に固定される支持部材であり、又、３６は、前記支持部材３５に取り付けられると共に前記球状体３３を回転自在に支持するためのドーナツ型の取付部材であり、又、３７Ａ，３７Ｂは、前記取付部材３６に回転自在に貫通支持された球状体３３が上下方向から抜けてしまうことを阻止するために取付部材３６の上下面に配置した抜け止め部材である。
【００１９】
前記噴出位置変更手段１０を、図１０に示すように構成してもよい。つまり、上端（先端）に処理液噴出口３８Ａが形成され、かつ、下端に処理液供給用の前記フレキシブルホース（図示せず）が内挿接続された断面形状が円形（楕円形や角形あるいは多角形でもよい）の筒状体３８の下端を、外周面に歯部を備えた大径の回転ギア３９の中心部から離れた外周部の特定箇所に回転自在に貫通装着した球状体４０に貫通させると共に、該筒状体３８の上端を処理槽１の底部に固定されている前記固定部材１２に固定された可撓性を有する円盤体４１の中心部に備えさせた筒部４１Ａに回転自在に内嵌させることにより、筒状体３８をそれの処理液噴出口３８Ａが斜め上方を向いた姿勢に維持させ、前記回転ギア３９に噛み合うギア４２を備えた電動モータ４３を配置して、前記噴出位置変更手段１０を構成している。従って、電動モータ４３を作動させて回転ギア３９を回転させることによって、処理液噴出口３８Ａを円周方向に移動させながら、処理液を噴出させるようにしている。
【００２０】
又、前記噴出位置変更手段１０を、図１１に示すように構成してもよい。つまり、処理液供給用のホース（パイプ）から供給される処理液を一旦受け止める貯留空間４４を前記固定部材１２の底部に形成し、その貯留空間４４内の処理液を流入させて噴出するための２つの噴出流路４５Ａ，４５Ｂが形成された円盤体４５を回転自在に設け、その円盤体４５の回転中心から下方に突出する回転軸４６の下端にベルト伝動機構４７を介して連動連結される電動モータ４８を設けて、電動モータ４８を駆動させることにより、ベルト伝動機構４７、回転軸４６を介して円盤体４５を回転させて２つの噴出流路４５Ａ，４５Ｂから処理液を噴出されるようにしている。従って、処理液供給用のパイプ（可撓性のあるホースであってもよい）４９から供給される処理液を貯留空間４４に貯留し、更に供給される処理液を噴出流路４５Ａ，４５Ｂにそれらの下端から供給し、それらの上端から処理液を排出することができるようにしている。尚、図１１では、一方の噴出流路４５Ａを円盤体４５の回転中心から上方に真っ直ぐに排出するように形成しているから、半導体ウェハー３の一箇所にのみ処理液を供給することになり、又、他方の噴出流路４５Ａを上端に位置するほど円盤体４５の外方位置に位置する斜め上方となる姿勢に形成しているから、半導体ウェハー３に円周方向に沿って順次処理液を排出することになっているが、図に示すような噴出流路でなくてもよい。前記ベルト伝動機構４７は、前記回転軸４６の下端に外嵌着された第１ギア４７Ａと、前記電動モータ４８の駆動操作軸に外嵌着された第２ギア４７Ｂと、それら２つのギア４７Ａ，４７Ｂに巻回されたタイミングベルト４７Ｃとからなっているが、複数のギアを噛み合わせてなるギア連動機構であってもよい。
【００２１】
【発明の効果】
請求項１の発明によれば、半導体ウェハーの被処理面へ噴出させる処理液の噴出位置を変更する噴出位置変更手段を設けることによって、従来のように多数の処理液供給管を設けることなく、所望の噴出位置に処理液を噴出させることができるから、半導体ウェハーの大小に係わらず処理液を満遍なく被処理面に噴出させることができるものでありながら、装置の小型化も図ることができる半導体製造装置を提供することができる。しかも、処理液の噴出量を調節するための弁体が不要になり、更に装置の小型化を図ることができるだけでなく、シリコンチューブの交換などのメンテナンスも不要にすることができる利点がある。
【００２２】
請求項２の発明によれば、処理液噴出体を駆動回転させるだけで、半導体ウェハーの被処理面に対する噴出位置を変更することができるから、例えば処理液噴出体の向き（処理液の噴出方向）を変更するものに比べて耐久面において有利になると共に、駆動装置の簡素化を図ることができる。
【００２３】
請求項３の発明によれば、永久磁石と電磁石とにより駆動機構を構成することによって、処理液噴出体の回転位置制御を正確でかつオーバーランなどのない精度の良い状態で行うことができ、信頼性の高い半導体製造装置を提供することができる。
【００２４】
請求項５の発明によれば、処理液の液圧を利用することで処理液噴出体を回転させることができるから、処理液噴出体に対する特別な駆動機構を不要にすることができ、装置の小型化を図ることができるだけでなく、ランニングコストを低減することができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体製造装置の構成を示し、（ａ）はそれの全体の概略縦断面図、（ｂ）は処理液噴出部の構造を示す横断平面図である。
【図２】別の半導体製造装置の処理液噴出部の構成を示し、（ａ）はそれの縦断面図、（ｂ）はそれの底面図である。
【図３】図２で示した半導体製造装置の処理液噴出部の横断平面図である。
【図４】別の半導体製造装置の処理液噴出部の構成を示し、（ａ）はそれの縦断面図、（ｂ）はそれの底面図である。
【図５】図４で示した処理液噴出体が（ａ）の位置から（ｂ）の位置へ回転する回転動作を示す説明図である。
【図６】別の半導体製造装置の処理液噴出部の縦断面図であり、（ａ）は処理液噴出体が上昇位置に位置した状態を示し、（ｂ）は処理液噴出体が下降位置に位置した状態を示している。
【図７】図６で示した処理液噴出体を回転案内する構成を示す一部展開にした縦断面図である。
【図８】図７で示した回転角度よりも大きな回転角度に設定した処理液噴出体の回転案内構成を示す一部展開にした縦断面図である。
【図９】別の半導体製造装置の処理液噴出部の縦断面図である。
【図１０】別の半導体製造装置の処理液噴出部の縦断面図である。
【図１１】別の半導体製造装置の処理液噴出部の縦断面図である。
【符号の説明】
１　処理槽　　　　　　　２　上部電極（保持手段）
３　半導体ウェハー　　　３Ａ　被処理面
４　処理液噴出手段　　　５　下部電極
６　通電手段
７　補助容器　　　　　　８　フィルター
９Ａ　開口部　　　　　　９　容器
１０　噴出位置変更手段　１１　ホース
１２　固定部材　　　　　１２Ａ　受け入れ部
１３　電磁石　　　　　　１４　処理液噴出体
１４Ｃ　経路　　　　　　１４Ｂ　処理液導入口
１４Ａ　処理液噴出口　　１４Ｃ　経路
１５　永久磁石　　　　　１６Ｃ　経路
１６Ａ　処理液噴出口　　１７Ａ　開口部
１７　支持部材　　　　　１８　固定部材
１９Ｃ　経路　　　　　　１９Ｂ　処理液導入口
１９Ａ　処理液噴出口　　１９　処理液噴出体
２０　処理液噴出体　　　２０Ｃ　経路
２０Ｂ　処理液導入口　　２０Ａ　処理液噴出口
２０Ｔ　突起部　　　　　２１　空間
２３　パイプ　　　　　　２４　回転案内手段
２５処理液供給状態切り替え手段
２６Ｄ　段部　　　　　　２６　固定部材
２７Ａ　貫通孔　　　　　２７　補助部材
２８　リング部材　　　　２９Ａ，２９Ｂ　角部
２９　上側溝部　　　　　３０Ｂ　下側角部
３０　下側溝部　　　　　３１　フレキシブルホース
３２　パイプ　　　　　　３３　球状体
３３Ａ　処理液噴出口　　３４　回転体
３４Ａ　貫通孔　　　　　３５　支持部材
３６　取付部材
３７Ａ，３７Ｂ　抜け止め部材
３８　筒状体　　　　　　３８Ａ　処理液噴出口
３９　回転ギア　　　　　４０　球状体
４１　円盤体　　　　　　４１Ａ　筒部
４２　ギア　　　　　　　４３　電動モータ
４４　貯留空間　　　　　４５　円盤体
４５Ａ，４５Ｂ　噴出流路
４６　回転軸
４７Ａ，４７Ｂ　ギア　　４７Ｃ　タイミングベルト
４７　ベルト伝動機構　　４８　電動モータ
Ｈ１，Ｈ２　範囲　　　　Ｐ　ポンプ
Ｘ　上下軸芯　　　　　　Ｙ　回転中心
Ｚ　上下軸芯
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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