(57)【要約】【課題】良好な記録特性及び熱揺らぎ耐性を共に有し、高密度記録可能かつ長期データ保持の信頼性の高い垂直磁気記録媒体と磁気記憶装置を提供する。【解決手段】基板１１と、基板１１上に軟磁性裏打ち層１２、非磁性シード層１３、軟磁性シード層１４、非磁性中間層１５、記録積層体１６、保護膜１８、潤滑層１９が順次形成された構成とし、前記記録積層体１６を、第１非磁性層１６Ｂ１、第１磁性層１６Ａ１、第２非磁性層１６Ｂ２、第２磁性層１６Ａ２がエピタキシャル成長により順次積層された構成とする。第１非磁性層１６Ｂ１と第１磁性層１６Ａ１、第２非磁性層１６Ｂ２と第２磁性層１６Ａ２の界面において格子不整合を生じさせることにより、垂直磁気異方性の大きさが増加すると共にその分散が狭小となる。垂直保磁力を高め記録特性の向上を図る共に熱揺らぎ耐性を確保する。【選択図】        図１
2004310944.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板の上方に形成された記録積層体とよりなる垂直磁気記録媒体であって、
前記記録積層体は、複数の磁性層及び非磁性層を有し、前記磁性層と非磁性層が交互に繰り返して積層されると共に、互いにエピタキシャル成長してなり、
前記磁性層と非磁性層は、該エピタキシャル成長方向に対して垂直な面内において、対応する結晶軸の格子定数が互いに異なることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記磁性層及び非磁性層の結晶軸の格子定数が下記式（１）の関係を有することを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
０．００１≦｜ａ２−ａ１｜／ａ１≦０．０５                        …（１）
（式（１）中、ａ１は磁性層の格子定数、ａ２は非磁性層の格子定数）
【請求項３】
前記基板と記録積層体との間に、軟磁性裏打ち層と、該軟磁性裏打ち層上に形成されたシード層と、該シード層上に非磁性中間層を更に有し、
前記記録積層体は、前記シード層上に非磁性中間層を介してエピタキシャル成長し、
前記シード層は、非磁性シード層と、該非磁性シード層上に形成された結晶質軟磁性シード層よりなり、
前記結晶質軟磁性シード層はｆｃｃ構造を有し、かつエピタキシャル成長方向が［１１１］方位であること特徴とする請求項１または２記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記非磁性層は、１．０ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内で選定された膜厚を有することを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１〜４のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体と、該垂直磁気記録媒体に対向して記録再生を行う垂直磁気記録ヘッドとを備えた磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置に係り、特に高密度記録に適した積層構造を有する垂直磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
コンピュータの外部磁気記憶装置や民生用ビデオ記憶装置に用いられる磁気記録媒体に対して、記憶される情報量の急速な増加に伴って、大容量化、高速化、低コスト化のニーズが高まっている。このニーズに対する最良の解決方法は磁気記録媒体の高記録密度化である。
【０００３】
しかし、これまで主流である面内記録方式では、高密度記録になる程、トランジッションノイズに代表される媒体ノイズの増加により信号対雑音比が低下し、また記録された磁化の熱揺らぎ耐性が低下する問題等により、１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ２の記録密度を境に技術的限界にさしかかろうとしている。
【０００４】
そこで、１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ２を超える次世代の磁気記録方式として、原理的に面内磁気記録方式より熱揺らぎ耐性が優れ高記録密度化に有利な垂直磁気記録方式が盛んに研究されている。特に、垂直磁気記録層と軟磁性裏打ち層とを形成したいわゆる２層垂直磁気記録媒体は理想的な垂直記録が可能であるとされ注目されている。
【０００５】
しかし、２層垂直磁気記録媒体において、一般に、軟磁性裏打ち層上に垂直磁気記録層を直接堆積しただけでは十分な垂直磁気異方性を得られない場合が多い。垂直磁気異方性が不十分であると記録特性が劣化し、さらに、熱揺らぎ耐性が低下することが報告されている（参照：ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．，３５，２８０２（１９９９））。垂直磁気異方性が不十分ある要因としては、垂直磁気記録層の磁化容易軸となる結晶軸が十分に垂直配向していないことが挙げられる。この対策としては垂直磁気記録層の下地層としてＴｉ膜やＴｉＣｒ膜の非磁性の配向制御層を設け、垂直磁気記録層をエピタキシャル成長させることが提案されている。さらに、配向制御層の結晶性を向上させるために、配向性御層の下地層として非晶質層やｆｃｃ構造を有する結晶質シード層を設けることが提案されている（参照：例えば、Ｊ．Ａｐｐｉ．Ｐｈｙｓ．，８８，６６４５（２０００）、及びＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，８５，４６９９（１９９９））。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−１８３９２５号公報
【０００７】
【特許文献２】
特開平８−１８０３６０号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、単にエピタキシャル成長により垂直磁気記録層の結晶性を向上した場合は、垂直磁気記録層の柱状構造を有する結晶粒の横方向のサイズが大きくなる。この場合結晶磁気異方性は増加するが、垂直保磁力は逆に低下してしまう。さらに、結晶粒のサイズの増加により磁化遷移領域のジグザグが大となりトランジッションノイズが増大してしまう。
【０００９】
この対策として、垂直磁気記録層をＣｏ／ＰｄあるいはＣｏ／Ｐｔ人工格子膜により形成することも考えられる。これらの人工格子膜は、例えば０．２ｎｍ〜１．０ｎｍの極薄磁性層と０．３ｎｍ〜１．０ｎｍの極薄非磁性層を交互積層したものであり，従来のＣｏＣｒ系合金を用いた媒体に比べ非常に強い垂直磁気異方性を有し、垂直保磁力を増加することが可能となる。また、極薄非磁性層により膜厚方向の交換結合が弱められているので、交換結合の２次元化によりトランジッションノイズを低下することが可能となる。
【００１０】
しかしながら、このような人工格子膜は磁性原子間の交換結合の２次元化により、熱揺らぎ耐性が著しく低下してしまい、長期間に亘る磁化の安定性が低下し、情報保持の信頼性に問題が生じる。
【００１１】
さらに、軟磁性裏打ち層が設けられた垂直磁気記録媒体では、軟磁性裏打ち層の鏡像効果は磁気ヘッドと軟磁性裏打ち層との距離に依存し、記録特性を向上するためにはこの距離を短くする方が好ましい。しかし、結晶性を向上するために軟磁性裏打ち層上に設けられた配向制御層や結晶質シード層を単に厚く形成すると、磁気ヘッドと軟磁性裏打ち層との距離が大となり、記録特性が低下してしまうという問題が生じる。
【００１２】
したがって、本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、良好な記録特性及び熱揺らぎ耐性を共に有し、高密度記録可能な垂直磁気記録媒体と磁気記憶装置を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、基板と、該基板の上方に形成された記録積層体とよりなる垂直磁気記録媒体であって、前記記録積層体は、複数の磁性層及び非磁性層を有し、前記磁性層と非磁性層が交互に繰り返して積層されると共に、互いにエピタキシャル成長してなり、前記磁性層と非磁性層は、該エピタキシャル成長方向に対して垂直な面内において、対応する結晶軸の格子定数が互いに異なる垂直磁気記録媒体が提供される。
【００１４】
本発明によれば、記録積層体は複数の磁性層と、該磁性層間に形成された非磁性層とを有しエピタキシャル成長して形成されている。したがって、磁性層及び非磁性層は良好な結晶性を有している。さらに、磁性層と非磁性層は結晶方向と垂直な面において、エピタキシャル成長の際に対応する結晶軸の格子定数が異なっている。したがって、内部応力が発生し磁気弾性効果により垂直磁気異方性定数が増加する。その結果垂直保磁力が増加する。一方熱揺らぎ耐性も垂直磁気異方性定数の増加により向上する。その結果、高密度記録可能な垂直磁気記録媒体を実現できる。
【００１５】
前記磁性層及び非磁性層の結晶軸の格子定数が下記式（１）の関係を有する。
０．００１≦｜ａ２−ａ１｜／ａ１≦０．０５                        …（１）
ここで式（１）中、ａ１は磁性層の格子定数、ａ２は非磁性層の格子定数を示す。格子不整合を０．１％〜５％とすることで、エピタキシャル成長を可能とし、かつ結晶性を損なうことなく垂直異方性定数を増加することができる。
【００１６】
前記基板と記録積層体との間に、軟磁性裏打ち層と、該軟磁性裏打ち層上に形成されたシード層と、該シード層上に非磁性中間層を更に有し、前記記録積層体は、前記シード層上に非磁性中間層を介してエピタキシャル成長し、前記シード層は、非磁性シード層と、該非磁性シード層上に形成された結晶質軟磁性シード層よりなり、前記結晶質軟磁性シード層はｆｃｃ構造を有し、かつエピタキシャル成長方向が［１１１］方位である。非磁性シード層を設けることにより裏打ち層の影響を切り、記録積層体に適合した結晶構造を形成できる。更にｆｃｃ構造を有し、かつ膜厚方向のエピタキシャル成長方向が［１１１］方位の軟磁性シード層を設けることにより、非磁性シード層の結晶性を引き継ぐと共に、裏打ち層の機能を果たして、磁気ヘッドと裏打ち層との距離を狭める。したがって、鏡像効果を向上し記録特性を向上することができる。
【００１７】
前記非磁性層は、１．０ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内で選定された膜厚を有する。非磁性層は、非磁性層自体が良好な結晶性を形成できる厚さを有するので、エピタキシャル成長によりその上層に良好な結晶性及び配向性を引き継ぐことができる。特に磁性層上に形成される非磁性層は、磁性層と非磁性層との界面において格子不整合を生じているので磁性層表面付近の非磁性層は結晶性が低くなり易い。非磁性層の膜厚を１．０ｎｍ以上、すなわち数原子層以上を積層することによって格子不整合を吸収し、非磁性層本来の格子定数を有する結晶を形成することができる。したがって、非磁性層上に形成される磁性層に対して、格子不整合による内部応力を印加することが可能となり、磁性層の垂直異方性定数を増すことができる。
【００１８】
本発明の他の観点によれば、上記いずれかの垂直磁気記録媒体と、該垂直磁気記録媒体に対向して記録再生を行う垂直磁気記録ヘッドとを備えた磁気記憶装置が提供される。本発明によれば、垂直磁気記録媒体が良好な記録特性及び熱揺らぎ耐性を共に有しているので、高密度記録が可能であり、情報保持の長期信頼性を有している。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
【００２０】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態に係る磁気記録媒体の断面図である。図１を参照するに、本実施の形態に係る磁気記録媒体１０は、基板１１と、基板１１上に裏打ち層１２、非磁性シード層１３、軟磁性シード層１４、非磁性中間層１５、記録積層体１６、保護膜１８、潤滑層１９が順次形成された構成となっている。
【００２１】
前記記録積層体１６は、第１非磁性層１６Ｂ１、第１磁性層１６Ａ１、第２非磁性層１６Ｂ２、第２磁性層１６Ａ２が順次積層された構成となっている。第１及び第２磁性層１６Ａ１、１６Ａ２は、例えばｈｃｐ構造を有する強磁性合金である、Ｃｏ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ−Ｍを含むＣｏ系合金からなるグループから選択された材料からなり、Ｍ＝Ｂ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ又はこれらの合金であってもよい。
【００２２】
さらに、第１及び第２磁性層１６Ａ１、１６Ａ２は、上記の強磁性合金にＳｉＯ２、Ｏ、ＭｇＯ、ＳｉＮ、Ｙ−ＳｉＯ２等の非磁性の添加材料が含まれていてもよい。これらの添加材料は強磁性合金とは固溶せず層分離し易いので、強磁性合金からなる柱状構造の結晶粒同士を、磁性層の面内方向に分離する境界層を形成する。面内方向の結晶粒間の磁気的相互作用を弱めあるいは切って、媒体ノイズを低減することができる。非磁性の添加材料は強磁性合金に対して、５原子％〜１５原子％に設定する。なお、強磁性合金に非磁性の添加材料を添加した場合は、強磁性合金のＣｒ量を減じても結晶粒の分離が阻害されない。したがってＣｒ量を減じてＰｔ量を増加することができる。Ｐｔ量は、ＣｏＣｒＰｔを１００として、１５原子％〜３０原子％に設定してもよい。強磁性合金の結晶磁気異方性定数を増加することができ、その結果垂直異方性定数を増加することができ垂直保磁力を高めることができる。その結果熱的安定性を高めることができる。
【００２３】
なお、第１及び第２磁性層１６Ａ１、１６Ａ２は、それぞれ前記第１及び第２非磁性層１６Ｂ１、１６Ｂ２上のエピタキシャル成長が阻害されない範囲であれば異なる組成であってもよい。
【００２４】
第１及び第２磁性層１６Ａ１、１６Ａ２の厚さは１．０ｎｍ〜１０ｎｍの範囲に設定される。１．０ｎｍより薄いと良好な結晶性を形成するには十分でなくその上に形成される層のエピタキシャル成長に影響を及ぼしてしまう。１０ｎｍより厚いとオーバーライト等の書込み性が低下し記録特性が低下する。
【００２５】
さらに、第１及び第２磁性層１６Ａ１、１６Ａ２の厚さの総和は８ｎｍ〜２０ｎｍの範囲に設定され、残留磁化と膜厚Ｍｒ×ｔの総和は３０Ｇμｍ〜２００Ｇμｍの間に設定される。
【００２６】
前記第１及び第２非磁性層１６Ｂ１、１６Ｂ２は、これらの上に第１及び第２磁性層１６Ａ１、１６Ａ２がエピタキシャル成長可能で、かつ面内方向の対応する結晶軸の格子定数の大きさが異なる材料が設定される。具体的には、第１及び第２磁性層１６Ａ１、１６Ａ２がｈｃｐ構造の場合は、第１及び第２非磁性層１６Ｂ１、１６Ｂ２がｈｃｐ構造又はｆｃｃ構造の材料が好ましく、またｂｃｃ構造の材料であってもエピタキシャル成長を阻害しない限り用いることができる。例えば、第１及び第２磁性層１６Ａ１、１６Ａ２がｈｃｐ構造のＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ−Ｍ系の強磁性合金である場合、第１及び第２非磁性層１６Ｂ１、１６Ｂ２はｈｃｐ構造のＲｕ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｃｏ、あるいはこれらにＣｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、及びＢの群のうち少なくとも１種類を含む材料、ｆｃｃ構造の白金族金属またはこれらの合金、ｂｃｃ構造のＣｒ、あるいはこれにＲｕ、Ｍｏ、Ｗ、及びＶの群のうち少なくとも１種類を含む材料を用いることができる。これらのうちｈｃｐ構造のＲｕ、Ｒｕ−Ｃｒ、Ｒｕ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｃｒが特に好ましい。
【００２７】
さらに、第１及び第２非磁性層１６Ｂ１、１６Ｂ２は、それぞれ第１及び第２磁性層１６Ａ１、１６Ａ２との格子定数の差違が０．１％〜５．０％の範囲の材料が選択される。第１磁性層１６Ａ１及び第１非磁性層１６Ｂ１が、例えばｈｃｐ構造を有している場合は、第１非磁性層の上面において、第１磁性層１６Ａ１及び第１非磁性層１６Ｂ１のａ軸がそれぞれ対応するように、第１磁性層が成長する。第１磁性層のａ軸の格子定数をａ１、第１非磁性層のａ軸の格子定数をａ２とすると、下記式（１）を満足するように、第１磁性層及び第１非磁性層の材料が選択される。
０．００１≦｜ａ２−ａ１｜／ａ１≦０．０５                        …（１）
０．１％より小さいと格子不整合に起因する内部応力が十分でなく、第１及び第２磁性層１６Ａ１、１６Ａ２の異方性定数が増加しない。５．０％より大きいと格子不整合が過度となり、エピタキシャル成長が困難となり結晶性が低下する。なお、第２磁性層１６Ａ２及び第２非磁性層１６Ｂ２の場合も同様である。また、ｈｃｐ構造以外の場合も下地層とその下地層上にエピタキシャル成長する層との関係は同様である。
【００２８】
前記第１及び第２非磁性層１６Ｂ１、１６Ｂ２の厚さは、１．０ｎｍ〜１０ｎｍ（好ましくは１．０ｎｍ〜５．０ｎｍ）に設定される。１０ｎｍより厚いと第１及び第２磁性層１６Ａ１、１６Ａ２の静磁気的結合が阻害され出力が低下してしまう。１．０ｎｍより薄いと２原子層程度となり結晶性が低い。特に第２非磁性層１６Ｂ２は、第１磁性層１６Ａ１と第２磁性層１６Ａ２とに挟まれているため、第２非磁性層１６Ｂ２の上下の両面において格子不整合が生じているので、結晶性の観点からは１．５ｎｍ以上の膜厚を有することが好ましい。
【００２９】
なお、第２非磁性層の厚さを１．０ｎｍより薄くしてもその上に形成される第２磁性層１６Ａ２の結晶性が良好に保持される場合がある。結晶性の観点からは問題ないが、かかる第２磁性層１６Ａ２には第２非磁性層１６Ｂ２により充分な内部応力が印加されないため垂直磁気異方性定数の増加がほとんど認められず、高密度記録には適しない。
【００３０】
前記非磁性中間層１５は、記録積層体１６の下地層として形成され、厚さ１．０〜５０ｎｍの範囲に選択され、Ｔｉ、Ｃ、Ｐｔ、ＴｉＣｒ、ＣｏＣｒ、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３などの非磁性材料、あるいは第１及び第２非磁性層１６Ｂ１、１６Ｂ２と同様の材料により形成される。軟磁性裏打ち層１２と記録層の静磁気的相互作用を遮断し、浮遊磁界による悪影響を回避できる。非磁性中間層１５は第１及び第２非磁性層１６Ｂ１、１６Ｂ２と同様の材料を用いることが好ましい。記録積層体１６を容易にエピタキシャル成長させることが可能となる。
【００３１】
非磁性中間層１５は上記範囲内で厚い方が結晶性が向上し記録積層体１６の結晶性を高めるためには好ましい。しかし、５０ｎｍより厚いと軟磁性裏打ち層１２の鏡像効果が弱められ、記録磁界が低下してしまう。１．０ｎｍより薄いと結晶性が低く、エピタキシャル成長の基礎となる結晶性を確保できない。
【００３２】
なお、非磁性中間層１５の材料を第１及び第２非磁性層１６Ｂ１、１６Ｂ２の材料と同一としてもよい。この場合は第１非磁性層１６Ｂ１を省略してもよい。但し、非磁性中間層１５を形成後、別の真空チャンバに移送して第１非磁性層１６Ｂ１から第２磁性層１６Ａ２までを連続して同一の真空チャンバ内で成膜する場合は、結晶性の観点から第１非磁性層１６Ｂ１を省略しない方がよい。
【００３３】
第１非磁性層１６Ｂ１を省略する場合は、非磁性中間層１５とその上に形成される第１磁性層１６Ａ１及との関係は上記式（１）と同様の理由により下記式（２）を満足するにように非磁性中間層１５の材料が選択される。
０．００１≦｜ａ３−ａ１｜／ａ１≦０．０５                        …（２）
ここで式（２）中、ａ１は第１磁性層１６Ａ１の格子定数、ａ３は非磁性中間層１５の格子定数である。
【００３４】
前記基板１１は、例えばディスク状のプラスチック基板、ガラス基板、ＮｉＰメッキアルミ合金基板、シリコン基板などを用いることができ、特に基板１１がテープ状である場合は、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリイミド等のプラスチックフィルムを用いることできる。
【００３５】
軟磁性裏打ち層１２は、例えば、厚さが１００ｎｍから２μｍであり、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、ＣおよびＢよりなる群から選択されたうち少なくとも１種類の元素を含む非晶質もしくは微結晶の合金、またはこれらの合金の積層膜などの、飽和磁束密度Ｂｓの高い軟磁性材料により構成される。例えば、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＴａＣ、ＮｉＦｅＮｂ、ＣｏＣｒＮｂ、ＣｏＮｂＺｒなどが用いられる。また、軟磁性裏打ち層１２は磁性薄膜と非磁性薄膜との多層膜、例えばＦｅ／Ｃ多層膜でもよい。
【００３６】
軟磁性裏打ち層１２は、メッキ法、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法（化学気相成長法）などにより形成される。軟磁性裏打ち層１２は、単磁極ヘッドにより記録する場合に、単磁極のヘッドからの全磁束を吸収するためのもので、飽和記録するためには、飽和磁束密度Ｂｓと膜厚の積の値が大きい方が好ましい。また、軟磁性裏打ち層１２は、軟磁性の高周波特性、例えば、高周波透磁率が高い方が好ましい。高転送速度での記録が可能となる。なお、リング型ヘッドにより記録する場合は、軟磁性裏打ち層１２を設けなくてもよい。
【００３７】
前記非磁性シード層１３は軟磁性裏打ち層１２上に形成され、前記軟磁性シード層１４あるいは非磁性中間層１５の下地層として、結晶性の良好な材料が用いられる。軟磁性裏打ち層１２の結晶性、結晶粒のサイズ、結晶構造の影響を回避し、記録積層体１６の結晶構造に適合させることができる。特にｆｃｃ構造を有し自己形成的に［１１１］方向に成長する材料が好ましく、例えば、Ｔａ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｒｈが挙げられる。非磁性シード層１３上に形成される軟磁性シード層１４をエピタキシャル成長させることができる。また、非磁性シード層１３の厚さは１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内に設定される。２０ｎｍより厚いと軟磁性裏打ち層１２と磁気ヘッドとの距離が過大となり、鏡像効果が低減する。また、１ｎｍより薄いと良好な結晶性が得られない。なお、非磁性シード層１３は、この機能を非磁性中間層１５により代替させる場合は形成しなくてもよい。
【００３８】
前記軟磁性シード層１４は非磁性シード層１３上に形成され、ｆｃｃ構造を有する軟磁性材料で、かつ［１１１］方向に成長する材料が用いられる。例えばＮｉＦｅ（パーマロイ）合金、ＣｏＮｉ合金、Ｎｉ等が挙げられる。エピタキシャル成長して結晶性が良好でありかつ、非磁性中間層１５に結晶性を引き継ぐことができる。非磁性シード層１３と同様の理由により、軟磁性シード層１４の厚さは１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内に設定される。
【００３９】
保護膜１８は、例えば、厚さが０．５ｎｍ〜１０ｎｍ（好ましくは０．５ｎｍ〜５ｎｍ）であり、アモルファスカーボン、水素化カーボン、窒化カーボンなどにより構成される。保護層１８は、スパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法、ＦＣＡ法（Ｆｉｌｔｅｒｅｄ  Ｃａｔｈｏｄｉｃ  Ａｒｃ法）などにより形成される。
【００４０】
前記潤滑層１９は、厚さが０．５ｎｍ〜５ｎｍであり、例えば、パーフルオロポリエーテルが主鎖の潤滑剤より構成される。潤滑層１９は、ディップ法やスピンコート法、磁気記録媒体がテープ状の場合はダイコータ法などにより形成される。
【００４１】
本実施の形態によれば、記録積層体１６を形成する第１及び第２磁性層１６Ａ１、１６Ａ２と第１非磁性層１６Ｂ１がエピタキシャル成長し、成長方向と垂直をなすａ軸の格子定数の差違が０．１％〜５．０％の範囲内に設定されているので、垂直磁気異方性定数が増加し、垂直保磁力が増加する。また、エピタキシャル成長しているので結晶性が良好であり、磁性層のｃ軸配向性が良好となる。したがって、記録特性が向上し高密度記録が可能となる。
【００４２】
本実施の形態によれば、自己形成的に［１１１］方向を成長方向とした非磁性シード層１３を下地層として、その上に軟磁性シード層１４、非磁性中間層１５、及び記録積層体１６がエピタキシャル成長しているので、軟磁性裏打ち層１２の影響を回避することができる。また、非磁性シード層１３、軟磁性シード層１４、非磁性中間層１５の総膜厚を抑制することが可能となる。したがって、軟磁性裏打ち層１２と磁気ヘッドとの距離を短くして、軟磁性裏打ち層１２の鏡像効果を増すことができる。
【００４３】
なお、本実施の形態では記録積層体１６の構成を非磁性層と磁性層との組を２組としたが、３組以上でもよく、組数は、上述した非磁性層及び磁性層の膜厚の範囲と、磁性層の総膜厚の範囲内に設定されていれば２以上の何れの組数であってもよい
［第１実施例］
本実施例は、非磁性層とその上に形成された磁性層とを有する垂直磁気記録媒体について、非磁性層と磁性層の格子不整合と磁性層の構造との関係を評価するためのものである。なお、本発明においては、非磁性層と磁性層との界面は２以上あるが、評価の観点から界面の数を１とした。
【００４４】
図２は、垂直保磁力と格子不整合との関係の一例を示す図である。本実施例の垂直磁気記録媒体は、ガラス基板上に非磁性層Ｒｕ１００−ＸＣｒＸ膜（厚さ２０ｎｍ）、及び磁性層Ｃｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０（Ｏ）膜（厚さ２０ｎｍ）を形成したものである。図中、縦軸はＫｅｒｒ効果により測定した垂直保磁力、横軸は格子定数の差違を示す（ａ２−ａ１）／ａ１×１００（％）である。ここで、ａ１はＣｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０（Ｏ）膜のａ軸の格子定数、ａ２はＲｕ１００−ＸＣｒＸ膜のａ軸の格子定数を示す。なお、Ｃｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０（Ｏ）膜はＣｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０膜を１０原子％Ｏ２−Ａｒ雰囲気中で成膜したものである。
【００４５】
また、図３は、本実施例の垂直磁気記録媒体のＲｕ１００−ＸＣｒＸ膜の組成とＣｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０（Ｏ）膜の構造の関係を示す図である。具体的には、Ｒｕ１００−ＸＣｒＸ膜の組成に対するＣｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０（Ｏ）膜の（００２）のピーク位置、格子定数、ピーク強度、及びｃ軸の異方性分散Δθ５０を示す図である。図中、「−」は測定不能を示す。なお、測定はＸ線ディフラクトメータを用いた。Ｒｕ１００−ＸＣｒＸ膜のＸはｖｏｌ％で示され、この組成はＲｕ及びＣｒのスパッタターゲットを所定のパワーで一定時間成膜した後の膜厚の比から求めた。
【００４６】
図２及び図３を参照するに、ｈｃｐ構造を有するＲｕ（Ｒｕ１００Ｃｒ０）から格子不整合が小さくなるにつれて垂直保磁力はＲｕ８０Ｃｒ２０で最大を示す。なお、格子不整合が０になる前にＲｕ４０Ｃｒ６０ではＣｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０（Ｏ）膜の（００２）のピークが消失した。すなわち、Ｃｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０（Ｏ）膜の結晶性が低下した。したがって、格子不整合により磁性層の結晶性を低下させない範囲で垂直保磁力を向上することが可能であることが分かる。
【００４７】
また、ｃ軸の異方性分散Δθ５０と格子不整合との関係をみると、Ｒｕ１００Ｃｒ０とＲｕ８０Ｃｒ２０の場合が小さく、格子不整合は生じているものｃ軸の配向性が良好であることが分かる。
【００４８】
したがって、本実施例によれば、格子不整合により垂直保磁力及び垂直配向性を同時に向上することが可能である。
【００４９】
［第２実施例］
本実施例の垂直磁気記録媒体は第１実施例の磁性層のＣｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０（Ｏ）膜の替わりにＣｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０膜を用いたものであり、第１実施例と同様に非磁性層と磁性層の格子不整合と磁性層の構造との関係を評価するためのものである。
【００５０】
図４は、垂直保磁力と格子不整合との関係の他の例を示す図である。本実施例の垂直磁気記録媒体は、ガラス基板上に非磁性層Ｒｕ１００−ＸＣｒＸ膜（厚さ２０ｎｍ）、及び磁性層Ｃｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０膜（厚さ２０ｎｍ）を形成したものである。図中、縦軸はＫｅｒｒ効果により測定した垂直保磁力、横軸は格子定数の差違を示す（ａ２−ａ１）／ａ１×１００（％）である。ここで、ａ１はＣｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０膜のａ軸の格子定数、ａ２はＲｕ１００−ＸＣｒＸ膜のａ軸の格子定数を示す。図４に示すように、Ｒｕ２０Ｃｒ８０膜（格子不整合は−１．８％）で垂直保磁力が最大となる。Ｒｕ２０Ｃｒ８０膜はｂｃｃ構造であり、Ｒｕ２０Ｃｒ８０膜の［１１０］方位とＣｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０膜のｃ軸が対応する。
【００５１】
本実施例によれば、非磁性層がｂｃｃ構造であっても、ｈｃｐ構造の磁性層がエピタキシャル成長し格子不整合により垂直保磁力が増加することが分かる。
【００５２】
［第３実施例］
図５は、本発明の実施例に係る垂直磁気記録媒体の断面図である。図５を参照するに、本実施例の垂直磁気記録媒体２０は、ガラス基板２１上に、ＣｏＮｂＺｒ膜２２（１９５ｎｍ）、Ｔａ膜２３（５．０ｎｍ）、ＮｉＦｅ膜２４（５．０ｎｍ）、Ｒｕ８０Ｃｒ２０膜２５（２１ｎｍ）、Ｃｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０（Ｏ）磁性層２６Ａ１〜Ａ４（２．０ｎｍ）及びＲｕ８０Ｃｒ２０非磁性層２６Ｂ１〜Ｂ３（５．０ｎｍ）よりなる記録積層体２６、カーボン膜２８（４．０ｎｍ）、及び潤滑層２９（２．０ｎｍ）を順次積層して構成した。
【００５３】
記録積層体はＣｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０磁性層（２．０ｎｍ）とＲｕ８０Ｃｒ２０非磁性層（５．０ｎｍ）とを交互に積層し、それぞれ４層、３層により構成した。本実施例の垂直磁気記録媒体は、ＣｏＮｂＺｒ膜からカーボン膜まではスパッタ法により成膜し、Ａｒ雰囲気とし圧力を１Ｐａ、基板温度は２０℃とした。また潤滑層にはＺ−Ｄｏｌ（アウジモント社製商品名）を用いた。なお、括弧内の数値は膜厚を表す（以下同様）。なお、図２において説明したように、本実施例の磁性層と非磁性層との界面において格子不整合が３．２％生じている。
【００５４】
［第１比較例］
本比較例の垂直磁気記録媒体は、ガラス基板上に、ＣｏＮｂＺｒ膜（２００ｎｍ）、Ｔａ膜（５．０ｎｍ）、Ｒｕ膜（２０ｍ）、Ｃｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０（Ｏ）磁性層（２０ｎｍ）、カーボン膜（４．０ｎｍ）、及び潤滑層（２．０ｎｍ）を順次積層した。
【００５５】
［第２比較例］
本比較例の垂直磁気記録媒体は、Ｃｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０（Ｏ）（２０ｎｍ）の替わりにＣｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０磁性層（２０ｎｍ）を用いた以外は第１比較例と同様に形成した。
【００５６】
［第３比較例］
本比較例の垂直磁気記録媒体は、ガラス基板上に、ＣｏＺｒＴａ膜（３００ｎｍ）、Ｐｄ膜（５．０ｎｍ）、ＣｏＢ膜（０．３ｎｍ）及びＰｄＢ膜（１．０ｎｍ）よりなる人工格子多層膜（１６組、総厚２０．９ｎｍ）、カーボン膜（４．０ｎｍ）、及び潤滑層（２．０ｎｍ）を順次積層した。
【００５７】
（ｃ軸配向性と磁気異方性の評価）
図６は、第３実施例、第１及び第２比較例に係る垂直磁気記録媒体のｃ軸の異方性分散Δθ５０及び磁気異方性分散を示す図である。ｃ軸の異方性分散Δθ５０についてはＸ線ディフラクトメータを使用して測定した。また、磁気異方性分散については２軸ＶＳＭ（理研電子社製）を使用し、測定試料は軟磁性裏打ち層を形成していない以外は上記構成のものを用いた。
【００５８】
図６を参照するに、第３実施例は、ｃ軸の異方性分散Δθ５０が第１及び第２比較例と比較して小さく、ｃ軸の配向性が良好であることが分かる。また、第１比較例に係る垂直磁気記録媒体と比較して配向性が良好な理由として、第３実施例はＴａ膜及びＮｉＦｅ膜のシード層により結晶性が良好なエピタキシャル成長が実現していると考えられ、その結果、Ｒｕ８０Ｃｒ２０膜及びＣｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０（Ｏ）磁性層の配向性が向上したものと考えられる。
【００５９】
ところで第３実施例は、図２に示したように、磁性層と非磁性層との間に格子不整合が３．２％生じている。しかし、格子不整合によるｃ軸の配向性への影響はほとんどないことが分かる。
【００６０】
また、磁気異方性分散については、第３実施例が最も分散角が８°と小さくなっている。すなわち磁化容易軸（ｃ軸）が垂直かつその分布が狭小になっていることが分かる。したがって、上記Δθ５０の結果と同様に垂直配向性が良好であることが分かる。
【００６１】
さらに、第３実施例の垂直磁気記録媒体は、異方性磁界が第１及び第２比較例の垂直磁気記録媒体より大きい。格子不整合により異方性磁界が大となっていることが分かる。第１比較例と比較すると、第３実施例の場合はＲｕ８０Ｃｒ２０膜とＣｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０（Ｏ）磁性層との界面が４つあり、１つである第１比較例と比較して、格子不整合による内部応力が印加される厚さ方向の範囲が実質的に大きく、その結果、異方性磁界が大となっていると考えられる。
【００６２】
（電磁変換特性の評価）
次に、電磁変換特性の評価を行った。記録ヘッドにはトラック幅が０．５μｍの単磁極ヘッドを用い，再生にはスピンバルブヘッドを用いた。垂直磁気記録媒体と磁気ヘッドの相対速度は１６ｍ／ｓである。４００ｋＦＣＩにおけるＳ／Ｎと、低記録密度（約５０ｋＦＣＩ）での最大出力信号に対して出力が半減する記録密度Ｄ５０を測定した。また，オーバーライトは５０ｋＦＣＩで書き込みその信号出力に対して、４００ｋＦＣＩを重ね書きした後に残留する５０ｋＦＣＩの信号出力の割合を示す。
【００６３】
図７は、第３実施例、第１〜第３比較例の垂直磁気記録媒体の電磁変換特性を示す図である。図７を参照するに、第３実施例の垂直磁気記録媒体は、Ｓ／Ｎが第１〜第３比較例より良好である。また、線記録密度の点からの高密度記録の指標であるＤ５０も、第１〜第３比較例より良好である。さらに、第３実施例は異方性磁界が最も高いにもかかわらずオーバーライトが十分に確保されている。特に第３実施例はＲｕ８０Ｃｒ２０非磁性とＣｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０（Ｏ）磁性層との多層膜になっているにも拘わらず書き込み性が良好であることが分かる。
【００６４】
したがって、第３実施例の垂直磁気記録媒体はノイズ特性（Ｓ／Ｎ）、線記録密度（Ｄ５０）、書込性（オーバーライト）の点において優れており、高密度記録が可能である。
【００６５】
（熱揺らぎ耐性の評価）
次に飽和磁化と保磁力の温度特性の評価を行った。飽和磁化と保磁力の温度特性はＳＱＵＩＤを用いて温度５０Ｋと２９３Ｋにおいて測定した。なお、測定試料は軟磁性裏打ち層を形成していない以外は上記構成のものを用いた。
【００６６】
図８は、飽和磁化及び保磁力の温度特性を示す図である。図８を参照するに、第３実施例の垂直磁気記録媒体は、温度５０Ｋに対する温度２９３Ｋにおける飽和磁化及び保磁力の減少率は、記録層が人工格子多層膜となっている第３比較例に係る垂直磁気記録媒体より小さくなっていることが分かる。第３実施例は、第３比較例のＣｏＢ膜（０．３ｎｍ）に対して、記録積層体を構成するＣｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０（Ｏ）磁性層が２．０ｎｍと厚く、３次元的な交換結合を有すると考えられ、その結果熱揺らぎ耐性が高くなっていると考えられる。
【００６７】
一方、第３実施例は、第１及び第２比較例と比較すると、飽和磁化及び保磁力の減少率が大きくなっている。これは、第１及び第２比較例に係るＣｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０磁性層またはＣｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０（Ｏ）磁性層の膜厚が２０ｎｍと厚いためである。上述したように、このような膜厚の磁性層ではＳ／Ｎが悪化し、高記録密度では使用することができない。
【００６８】
したがって、第３実施例の垂直磁気記録媒体は、Ｒｕ８０Ｃｒ２０膜とＣｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０（Ｏ）磁性層がそれぞれ一層ずつ形成された第１〜第３比較例と比較してＳ／Ｎ、Ｄ５０、オーバーライトが良好であると共に、第３比較例と比較して飽和磁化及び保磁力の減少率が小さく熱揺らぎ耐性が良好である。その結果、良好な記録特性及び熱揺らぎ耐性を両立している。その結果、第３実施例の垂直磁気記録媒体は高密度記録が可能であり、かつ長期に亘る情報保持の信頼性が高い。
【００６９】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の磁気記憶装置の一実施の形態を示す図９と共に説明する。
【００７０】
図９は、本発明の実施の形態の磁気記憶装置の要部を示す図である。図９を参照するに、磁気記憶装置３０は大略ハウジング３１からなる。ハウジング３１内には、スピンドル（図示されず）により駆動されるハブ３２、ハブ３２に固定され回転される磁気記録媒体３３、アクチュエータユニット３４、アクチュエータユニット３４に取り付けられ磁気記録媒体３３の半径方向に移動されるアーム３５及びサスペンション３６、サスペンション３６に支持された垂直磁気記録ヘッド３８が設けられている。
【００７１】
図１０は垂直磁気記録ヘッドの概略断面図である。図１０を参照するに、垂直磁気記録ヘッドは３８、アルチックのスライダ４０上にアルミナ絶縁層４１を介して、単磁極型記録ヘッド４２とＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子４３を用いた再生ヘッド４４が形成された構成となっている。単磁極型記録ヘッド４２は、垂直磁気記録媒体３３に記録磁界を印加するための軟磁性体よりなる主磁極４５と、主磁極４５に磁気的に接続されたリターンヨーク４６と、主磁極４５とリターンヨーク４６に記録磁界を誘導するための記録用コイル４８などから構成されている。また、再生ヘッド４４は、主磁極４５を下部シールドとし、主磁極４４上にアルミナ絶縁層４１を介して形成されたＧＭＲ素子４３と、さらにアルミナ絶縁層４１を介して形成された上部シールド４９より構成されている。単磁極型記録ヘッド４２は、主磁極４５から記録磁界を垂直磁気記録媒体３３に対して垂直方向に印加して、垂直磁気記録媒体３３に垂直方向の磁化を形成する。また、再生ヘッドは、垂直磁気記録媒体３３の磁化が漏洩する磁界を感知して、その方向に対応するＧＭＲ素子４３の抵抗値の変化により垂直磁気記録媒体３３に記録された情報を得ることができる。
【００７２】
本実施の形態の磁気記憶装置３０は、垂直磁気記録媒体３３に特徴がある。磁気記録媒体３３は、例えば第１の実施の形態又は第３実施例の垂直磁気記録媒体である。
【００７３】
磁気記憶装置３０の基本構成は、図９に示すものに限定されるものではない。本発明で用いる垂直磁気記録媒体３３は、磁気ディスクに限定されず磁気テープであってもよい。また、垂直磁気記録ヘッド３８は複合型に限定されず独立型であってもよく、ＧＭＲ素子４３に限定されずＴＭＲ（Ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｔｕｎｎｅｌ  Ｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子であってもよい。
【００７４】
本実施の形態によれば、磁気記憶装置３０は、垂直磁気記録媒体３３が良好な記録特性及び熱揺らぎ耐性を共に有しているので、高密度記録が可能であり、情報保持の長期信頼性を有している。
【００７５】
以上本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００７６】
なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
（付記１）  基板と、該基板の上方に形成された記録積層体とよりなる垂直磁気記録媒体であって、
前記記録積層体は、複数の磁性層及び非磁性層を有し、前記磁性層と非磁性層が交互に繰り返して積層されると共に、互いにエピタキシャル成長してなり、
前記磁性層と非磁性層は、該エピタキシャル成長方向に対して垂直な面内において、対応する結晶軸の格子定数が互いに異なることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
（付記２）  前記磁性層及び非磁性層の結晶軸の格子定数が下記式（１）の関係を有することを特徴とする付記１記載の垂直磁気記録媒体。
０．００１≦｜ａ２−ａ１｜／ａ１≦０．０５                        …（１）
（式（１）中、ａ１は磁性層の格子定数、ａ２は非磁性層の格子定数）
（付記３）  前記シード層と記録積層体との間にさらに非磁性中間層を有し、
前記記録積層体は、前記非磁性中間層上にエピタキシャル成長し、
前記磁性層及び非磁性中間層は、該エピタキシャル成長方向に対して垂直な面内において、対応する結晶軸の格子定数が下記式（２）の関係を有することを特徴とする付記１または２記載の垂直磁気記録媒体。
０．００１≦｜ａ３−ａ１｜／ａ１≦０．０５                        …（２）
（式（２）中、ａ１は磁性層の格子定数、ａ３は非磁性中間層の格子定数）
（付記４）  前記基板と非磁性中間層との間に、軟磁性裏打ち層と、該軟磁性裏打ち層上に形成されたシード層とを更に有し、
前記記録積層体は、前記シード層上に非磁性中間層を介してエピタキシャル成長していることを特徴とする付記３記載の垂直磁気記録媒体。
（付記５）  前記基板と記録積層体との間に、軟磁性裏打ち層と、該軟磁性裏打ち層上に形成されたシード層と、該シード層上に非磁性中間層を更に有し、
前記記録積層体は、前記シード層上に非磁性中間層を介してエピタキシャル成長し、
前記シード層は、非磁性シード層と、該非磁性シード層上に形成された結晶質軟磁性シード層よりなり、
前記結晶質軟磁性シード層はｆｃｃ構造を有し、かつエピタキシャル成長方向が［１１１］方位であること特徴とする付記１〜３のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
（付記６）  前記非磁性層は、１．０ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内で選定された膜厚を有することを特徴とする付記１〜５のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
（付記７）  前記磁性層は、Ｃｏ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ−Ｍを含むＣｏ系合金からなるグループから選択された材料からなり、Ｍ＝Ｂ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ又はこれらの合金であること特徴とする付記１〜６のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
（付記８）  前記磁性層は、ＳｉＯ２、Ｏ、ＭｇＯ、ＳｉＮ、及びＹ−ＳｉＯ２からなる非磁性材料のうち１種を更に含むこと特徴とする付記７記載の垂直磁気記録媒体。
（付記９）  前記非磁性層は、ｈｃｐ構造のＲｕ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｔａ、及びＣｏの群のうち１種、あるいはさらにＣｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、及びＢの群のうち少なくとも１種の元素を含むこと特徴とする付記１〜８のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
（付記１０）  前記非磁性中間層は、ｈｃｐ構造のＲｕ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｔａ、及びＣｏの群のうち１種、またはさらにＣｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、及びＢの群のうち少なくとも１種の元素を含むこと特徴とする付記３〜９のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
（付記１１）  前記非磁性層及び非磁性中間層は、同一材料よりなることを特徴とする付記３〜１０のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
（付記１２）  非磁性シード層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｃｕ、及びＲｈの群のうち少なくとも１種よりなることを特徴とする付記７〜１１のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
（付記１３）  付記１〜１２のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体と、該垂直磁気記録媒体に対向して記録再生を行う垂直磁気記録ヘッドとを備えた磁気記憶装置。
【００７７】
【発明の効果】
以上詳述したところから明らかなように、本発明の垂直磁気記録媒体は、記録積層体を構成する磁性層と非磁性層がエピタキシャル成長し、かつ非磁性層とその上に形成された磁性層との間に格子不整合を有することにより、垂直磁気異方性が大きくかつその分散が狭小となり、その結果良好な記録特性及び熱揺らぎ耐性を共に有する。よって、高密度記録可能な垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る磁気記録媒体の断面図である。
【図２】垂直保磁力と格子不整合との関係の一例を示す図である。
【図３】Ｒｕ１００−ＸＣｒＸ膜の組成とＣｏ７１Ｃｒ９Ｐｔ２０（Ｏ）膜の構造の関係を示す図である。
【図４】垂直保磁力と格子不整合との関係の他の例を示す図である。
【図５】本発明の第３実施例に係る垂直磁気記録媒体の断面図である。
【図６】第３実施例、第１及び第２比較例に係る垂直磁気記録媒体のΔθ５０及び磁気異方性分散を示す図である。
【図７】第３実施例、第１〜第３比較例に係る垂直磁気記録媒体の電磁変換特性を示す図である。
【図８】第３実施例、第１〜第３比較例に係る垂直磁気記録媒体の飽和磁化及び保磁力の温度特性を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態の磁気記憶装置の要部を示す図である。
【図１０】垂直磁気記録ヘッドの概略断面図である。
【符号の説明】
１０、２０  垂直磁気記録媒体
１１        基板
１２        軟磁性裏打ち層
１３        非磁性シード層
１４        軟磁性シード層
１５        非磁性中間層
１６、２６  記録積層体
１６Ａ１    第１磁性層
１６Ｂ１    第１非磁性層
１６Ａ２    第２磁性層
１６Ｂ２    第２非磁性層
１８        保護膜
１９        潤滑層
【図１】
2004310944.tif 000003
【図２】
2004310944.tif 000004
【図３】
2004310944.tif 000005
【図４】
2004310944.tif 000006
【図５】
2004310944.tif 000007
【図６】
2004310944.tif 000008
【図７】
2004310944.tif 000009
【図８】
2004310944.tif 000010
【図９】
2004310944.tif 000011
【図１０】
2004310944.tif 000012