(57)【要約】【課題】化学機械研磨（ＣＭＰ）用研磨工具の表面に好適な大きさの凹凸を容易に形成でき、ドレッシング装置の長寿命化が図れる研磨工具のドレッシング方法及びドレッシング装置及び研磨装置を提供すること。【解決手段】研磨装置の固定砥粒研磨工具１０の表面をドレッシング装置２０によってドレッシングすることで凹凸を形成する。ドレッシング装置２０は固定砥粒研磨工具１０の表面にレーザー光線Ｌを照射して凹凸を形成するレーザー加工手段によって構成する。ドレッシング装置２０はレーザー加工手段の他に、固定砥粒研磨工具の表面に微紛を吹き付けて凹凸を形成するブラスト加工手段や、スタンプの表面に設けた凹凸形状を固定砥粒研磨工具１０の表面に押し付けることで凹凸形状を固定砥粒研磨工具１０の表面に転写するスタンプ加工手段によって構成してもよい。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨工具を有する研磨装置の前記研磨工具の表面に凹凸を形成する研磨工具のドレッシング方法において、
前記凹凸はレーザー光線を前記研磨工具の表面に照射するレーザー加工によって形成されることを特徴とする研磨工具のドレッシング方法。
【請求項２】
前記研磨工具の表面に照射されるレーザー光線は、間欠光であることを特徴とする請求項１に記載の研磨工具のドレッシング方法。
【請求項３】
前記レーザー光線は、集光手段により集光されて研磨工具の表面に照射されることを特徴とする請求項１に記載の研磨工具のドレッシング方法。
【請求項４】
前記レーザー光線は、干渉されて研磨工具の表面に照射されることを特徴とする請求項１に記載の研磨工具のドレッシング方法。
【請求項５】
研磨工具を有する研磨装置の前記研磨工具の表面に凹凸を形成する研磨工具のドレッシング方法において、
前記凹凸は微紛噴射材を前記研磨工具の表面に吹き付けるブラスト加工によって形成されることを特徴とする研磨工具のドレッシング方法。
【請求項６】
研磨工具を有する研磨装置の前記研磨工具の表面に凹凸を形成する研磨工具のドレッシング方法において、
前記凹凸はスタンプの表面に設けた凹凸形状を前記研磨工具の表面に押し付けることで転写するスタンプ加工によって形成されることを特徴とする研磨工具のドレッシング方法。
【請求項７】
研磨工具を有する研磨装置の前記研磨工具の表面に凹凸を形成する研磨工具のドレッシング装置において、
前記ドレッシング装置は、前記研磨工具の表面にレーザー光線を照射して凹凸を形成するレーザー加工手段によって構成されていることを特徴とする研磨工具のドレッシング装置。
【請求項８】
前記ドレッシング装置は、前記研磨工具の表面に照射されるレーザー光線を間欠光にする手段を有していることを特徴とする請求項７に記載の研磨工具のドレッシング装置。
【請求項９】
前記ドレッシング装置は、前記研磨工具の表面に照射されるレーザー光線を集光する集光手段を有していることを特徴とする請求項７に記載の研磨工具のドレッシング装置。
【請求項１０】
前記ドレッシング装置は、前記研磨工具の表面に照射されるレーザー光線を干渉させる干渉手段を有することを特徴とする請求項７に記載の研磨工具のドレッシング装置。
【請求項１１】
研磨工具を有する研磨装置の前記研磨工具の表面に凹凸を形成する研磨工具のドレッシング装置において、
前記ドレッシング装置は、前記研磨工具の表面に微紛噴射材を吹き付けて凹凸を形成するブラスト加工手段によって構成されていることを特徴とする研磨工具のドレッシング装置。
【請求項１２】
研磨工具を有する研磨装置の前記研磨工具の表面に凹凸を形成する研磨工具のドレッシング装置において、
前記ドレッシング装置は、スタンプの表面に設けた凹凸形状を前記研磨工具の表面に押し付けることで転写するスタンプ加工手段によって構成されていることを特徴とする研磨工具のドレッシング装置。
【請求項１３】
研磨工具と、研磨対象物を保持するとともにこの研磨対象物の表面を前記研磨工具の表面に当接させて研磨するトップリングと、研磨工具の表面に凹凸を形成するドレッシング装置とを具備する研磨装置において、
前記ドレッシング装置が請求項７乃至１２の内の何れか一項に記載のドレッシング装置によって構成されていることを特徴とする研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の研磨対象物を平坦且つ鏡面状に研磨する研磨装置に関し、特に半導体デバイスの製造工程において、種々の素子や配線等のパターンや凹凸が形成されたいわゆるデバイスウエハを平坦且つ鏡面状に研磨する研磨装置の研磨工具のドレッシング方法及びドレッシング装置及び研磨装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて、回路の配線が微細化し、集積されるデバイスの寸法もより微細化されつつある。そこで、半導体ウエハの表面に形成された被膜を研磨により除去して、表面を平坦化する工程が必要となる場合があるが、この平坦化法の手段として、化学機械研磨（ＣＭＰ）装置により研磨することが行なわれている。この種の化学機械研磨（ＣＭＰ）装置は、研磨工具とトップリングとを有し、研磨工具とトップリングとの間に研磨対象物を介在させて、トップリングが一定の圧力を研磨工具に与えつつ両者が回転し、研磨工具に砥液を供給しつつ研磨対象物の表面を平坦且つ鏡面状に研磨している。
【０００３】
このような化学機械研磨（ＣＭＰ）においては、砥粒を多量に含む懸濁液（スラリ）を供給しつつ比較的柔らかな研磨工具（研磨布）を用いて研磨する方法が一般的であるが、一方で、酸化セリウム（ＣｅＯ２）等の砥粒を例えばフェノール樹脂等のバインダを用いて固定した、いわゆる固定砥粒（固定砥粒研磨工具）を用いて研磨する方法が研究されている。このような固定砥粒研磨工具による研磨では、研磨材が従来の研磨布と異なり硬質であるため、被研磨面の凹凸の凸部を優先的に研磨し、凹部は研磨され難いため、絶対的な平坦性が得やすいという利点がある。また固定砥粒研磨工具の組成によっては、凸部の研磨が終了し平坦面となると研磨速度が著しく低下し、研磨が事実上進行しなくなるいわゆるセルフストップ機能が現れる。また固定砥粒研磨工具を用いた研磨では砥粒を多量に含む懸濁液（スラリ）を使用しないため、環境問題の負荷が低減するという利点もある。
【０００４】
一方、化学機械研磨（ＣＭＰ）においては、ドレッシングによって研磨工具に凹凸をつけることが一般的に行なわれている。その理由として、化学機械研磨（ＣＭＰ）においては、ドレッシングされた研磨工具の凸部に供給された砥粒と被研磨面との接触により発生する圧力及び熱によって、化学的及び機械的に研磨が進行することが挙げられる。また研磨工具の凹部に砥粒を溜めること、スクラッチ（キズ）の原因となる研磨屑や粒子をトラップすることもその理由の一つである。
従って、化学機械研磨（ＣＭＰ）に好適な大きさの凹凸が研磨工具の表面に多数存在すれば、研磨速度が速く、しかも研磨速度の安定性に優れ、スクラッチ（キズ）の少ない研磨が可能となる。
【０００５】
しかしながら、従来のダイヤモンドドレッサによるドレッシングでは、所望の大きさの凹凸をつけることが困難であった。またダイヤモンドの脱落に起因するスクラッチ（キズ）が問題となることがあった。また固定砥粒研磨工具のドレッシングにおいては、固定砥粒研磨工具が硬いため、ドレッサの寿命が著しく低下するという問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、化学機械研磨（ＣＭＰ）用研磨工具の表面に好適な大きさの凹凸を容易に形成でき、且つドレッシング装置の長寿命化が図れる研磨工具のドレッシング方法及びドレッシング装置及び研磨装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本願の請求項１に記載の発明は、研磨工具を有する研磨装置の前記研磨工具の表面に凹凸を形成する研磨工具のドレッシング方法において、前記凹凸はレーザー光線を前記研磨工具の表面に照射するレーザー加工によって形成されることを特徴とする研磨工具のドレッシング方法である。
研磨工具として用いる固定砥粒研磨工具は砥粒をバインダで固定したものであり、バインダとしては樹脂材料を用いるので、レーザー光線の熱によりバインダを除去することができる。ここでレーザー光線の照射条件を適切に選択することにより、化学機械研磨（ＣＭＰ）に好適な大きさの凹凸を研磨工具の表面に多数形成させることができるので、研磨速度が速く、しかも研磨速度の安定性に優れ、スクラッチ（キズ）の少ない研磨が可能となる。化学機械研磨（ＣＭＰ）に好適な凹凸の大きさは、研磨されるデバイスウエハのライン・アンド・スペースの大きさやトレンチ深さ、及び研磨する膜の種類によっても異なるが、凹凸の間隔が５μｍ〜１ｍｍ程度、凹凸の高さが１μｍ〜５００μｍ程度である。またレーザー光線を用いることにより、ダイヤモンドドレッサを用いる場合よりもドレッサ寿命を長くすることができる。
【０００８】
本願の請求項２に記載の発明は、前記研磨工具の表面に照射されるレーザー光線は、間欠光であることを特徴とする請求項１に記載の研磨工具のドレッシング方法である。
【０００９】
本願の請求項３に記載の発明は、前記レーザー光線は、集光手段により集光されて研磨工具の表面に照射されることを特徴とする請求項１に記載の研磨工具のドレッシング方法である。
【００１０】
本願の請求項請求項４に記載の発明は、前記レーザー光線は、干渉されて研磨工具の表面に照射されることを特徴とする請求項１に記載の研磨工具のドレッシング方法である。
【００１１】
本願の請求項５に記載の発明は、研磨工具を有する研磨装置の前記研磨工具の表面に凹凸を形成する研磨工具のドレッシング方法において、前記凹凸は微紛噴射材を前記研磨工具の表面に吹き付けるブラスト加工によって形成されることを特徴とする研磨工具のドレッシング方法である。
好適な大きさの微粉噴射材を選択してブラスト加工することにより、化学機械研磨（ＣＭＰ）に好適な大きさの凹凸を研磨工具の表面に多数形成させることができる。従って研磨速度が速く、しかも研磨速度の安定性に優れ、スクラッチ（キズ）の少ない研磨が可能となる。またブラスト加工を用いることにより、ダイヤモンドドレッサを用いる場合よりもドレッサ寿命を長くすることができる。
【００１２】
本願の請求項６に記載の発明は、研磨工具を有する研磨装置の前記研磨工具の表面に凹凸を形成する研磨工具のドレッシング方法において、前記凹凸はスタンプの表面に設けた凹凸形状を前記研磨工具の表面に押し付けることで転写するスタンプ加工によって形成されることを特徴とする研磨工具のドレッシング方法である。
スタンプの凹凸形状を研磨工具に直接転写することで、化学機械研磨（ＣＭＰ）に好適な大きさの凹凸を研磨工具の表面に多数形成させることができる。従って研磨速度が速く、しかも研磨速度の安定性に優れ、スクラッチ（キズ）の少ない研磨が可能となる。また研磨工具とスタンプヘッドの水平方向相対速度を極めて小さくすることにより、スタンプヘッドの摩耗を最小限に抑えることができ、ドレッサ寿命を長くできる。
【００１３】
また本願の請求項７に記載の発明は、研磨工具を有する研磨装置の前記研磨工具の表面に凹凸を形成する研磨工具のドレッシング装置において、前記ドレッシング装置は、前記研磨工具の表面にレーザー光線を照射して凹凸を形成するレーザー加工手段によって構成されていることを特徴とする研磨工具のドレッシング装置である。
【００１４】
また本願の請求項８に記載の発明は、前記ドレッシング装置は、前記研磨工具の表面に照射されるレーザー光線を間欠光にする手段を有していることを特徴とする請求項７に記載の研磨工具のドレッシング装置である。
【００１５】
また本願の請求項９に記載の発明は、前記ドレッシング装置は、前記研磨工具の表面に照射されるレーザー光線を集光する集光手段を有していることを特徴とする請求項７に記載の研磨工具のドレッシング装置である。
【００１６】
また本願の請求項１０に記載の発明は、前記ドレッシング装置は、前記研磨工具の表面に照射されるレーザー光線を干渉させる干渉手段を有することを特徴とする請求項７に記載の研磨工具のドレッシング装置である。
【００１７】
また本願の請求項１１に記載の発明は、研磨工具を有する研磨装置の前記研磨工具の表面に凹凸を形成する研磨工具のドレッシング装置において、前記ドレッシング装置は、前記研磨工具の表面に微紛噴射材を吹き付けて凹凸を形成するブラスト加工手段によって構成されていることを特徴とする研磨工具のドレッシング装置である。
【００１８】
また本願の請求項１２に記載の発明は、研磨工具を有する研磨装置の前記研磨工具の表面に凹凸を形成する研磨工具のドレッシング装置において、前記ドレッシング装置は、スタンプの表面に設けた凹凸形状を前記研磨工具の表面に押し付けることで転写するスタンプ加工手段によって構成されていることを特徴とする研磨工具のドレッシング装置である。
【００１９】
また本願の請求項１３に記載の発明は、研磨工具と、研磨対象物を保持するとともにこの研磨対象物の表面を前記研磨工具の表面に当接させて研磨するトップリングと、研磨工具の表面に凹凸を形成するドレッシング装置とを具備する研磨装置において、前記ドレッシング装置が請求項７乃至１２の内の何れか一項に記載のドレッシング装置によって構成されていることを特徴とする研磨装置である。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図１は請求項１に記載のドレッシング方法の実施の形態を用いて構成した研磨装置を模式的に示す図である。同図に示すようにこの研磨装置は、ターンテーブル１００上に固定された固定砥粒研磨工具１０と、デバイスウエハ等の研磨対象物をその下面に保持するトップリング１１０と、固定砥粒研磨工具１０の表面に凹凸を形成するドレッシング装置２０とを具備して構成されている。ここでドレッシング装置２０は、固定砥粒研磨工具１０の表面にレーザー光線Ｌを照射して凹凸を形成するレーザー加工手段によって構成されている。
【００２１】
そしてターンテーブル１００及び固定砥粒研磨工具１０とトップリング１１０とをそれぞれ独立に回転してトップリング１１０の下面に保持した研磨対象物表面（下面）を固定砥粒研磨工具１０の表面（研磨面）に押圧して摺動し、これによって研磨対象物表面の研磨を行う。研磨工程の際、研磨液供給装置１２０から研磨液が供給される。
【００２２】
ここで固定砥粒研磨工具１０は前述のように、砥粒をバインダで固定した物であって円板状に形成されている。固定砥粒研磨工具に使用される砥粒としては、酸化セリウム（ＣｅＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、炭化珪素（ＳｉＣ）、酸化珪素（ＳｉＯ２）、ジルコニア（ＺｒＯ）、酸化鉄（ＦｅＯ，Ｆｅ３Ｏ４）、酸化マンガン（ＭｎＯ２，Ｍｎ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、ダイヤモンド（Ｃ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）等が用いられている。
【００２３】
また、固定砥粒研磨工具１０に使用されるバインダの材料としては、フェノール（ＰＦ）、ユリア（ＵＦ）、メラミン（ＭＦ）、不飽和ポリエステル（ＵＰ）、エポキシ（ＥＰ）、シリコン（ＳＩ）、ポリウレタン（ＰＵＲ）などの熱硬化性樹脂や、汎用プラスチックとして知られるポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリエチレン（ＰＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、アクリロニトリルブタジエンスチレン（ＡＢＳ）、アクリロニトリルスチレン（ＡＳ）、ブタンジエン・スチレン・メチルメタクリレート（ＭＢＳ）、ポリメチルメタアクリル（ＰＭＭＡ）、ポリビニールアルコール（ＰＶＡ）、ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、汎用エンジニアリングプラスチックとして知られるポリアミド（ＰＡ）、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ（変性ＰＰＯ））、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷ−ＰＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、スーパーエンジニアリングプラスチックとして知られるポリサルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリイミド（ＰＩ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリテトラフロロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリスチレンメタアクリル樹脂、ポリカーボネート酢酸セルロース、ポリアセタールポリアミド、ポリプロピレンポリエチレン、３フッ化エチレン樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、ポリエステル樹脂、ジアリルフタレートなどの熱可塑性樹脂が挙げられる。これらの樹脂を２種類以上混合して用いてもよい。又、これら樹脂の単量体成分を共重合させることも可能である。
【００２４】
一方固定砥粒研磨工具１０の表面をドレッシングする場合は、ドレッシング装置２０からレーザ光線Ｌを発射して固定砥粒研磨工具１０の表面に照射し、熱によってこの固定砥粒研磨工具１０の表面を除去することによりドレッシングを行なう。固定砥粒研磨工具１０は砥粒をバインダで固定した物で構成されているので、レーザー光線の熱によってバインダを除去することができ、固定砥粒研磨工具１０の表面に凹凸を形成することができる。
【００２５】
ドレッシング装置２０は、レーザー光線射出装置２３から射出されたレーザー光線をガルバノミラー２５で反射して、レンズ（集光手段）２７で集光し熱によって固定砥粒研磨工具１０の表面を除去することによりドレッシングを行うように構成されている。二つの異なる軸ｘ１，ｘ２の廻りに揺動する二つのミラー２５−１，２５−２を使ってレーザー光線Ｌを直交する二方向に振って固定砥粒研磨工具１０上をレーザー光線Ｌが走査するようにしている。レーザー光線射出装置２３、ガルバノミラー２５、レンズ２７などの光学系を揺動させて固定砥粒研磨工具１０上をレーザー光線Ｌが走査するようにしても良い。また、ガルバノミラー２５の代わりに、二つの異なる軸の廻りに回転するポリゴンミラーを用いてもよい。
【００２６】
さらにこのドレッシング装置２０は、間欠光を利用して所定の部位に非連続的な除去加工を行い、固定砥粒研磨工具１０表面に凹凸を形成させるようにしている。間欠光を発生させる方法（手段）としては、レーザー光源２１で直接間欠光を発生させる方法（手段）や、レーザー光源２１から固定砥粒研磨工具１０にレーザー光線Ｌが到達するまでの経路に複数の窓を有する回転板などを入れて間欠光にする方法（手段）などを用いる。
【００２７】
レンズ２７により集光されたレーザー光Ｌによってバインダの除去加工を行うので、固定砥粒研磨工具１０表面に微細な凹凸を形成することができる。ここで、ドレッシングおよび研磨を繰り返すと固定砥粒研磨工具１０は次第に薄くなるので、そのままでは光学系と固定砥粒研磨工具１０との距離が次第に大きくなっていく。本方法では、レンズ２７により集光されたレーザ光線Ｌによって除去加工を行うので、固定砥粒研磨工具１０の表面に光が集光されるように、光学系と固定砥粒研磨工具１０との距離が適切に保たれるように調整されなければならない。したがって、本方法においては、光学系と固定砥粒研磨工具１０との距離を測定した結果をフィードバックして、光学系と固定砥粒研磨工具１０との距離を適切に保つ工程（手段）を設けることが好ましい。また、光学系を複数設けることにより、高速なドレッシングが可能となる。なお、ドレッシングはデバイスウェーハの研磨と並行して（ｉｎ−ｓｉｔｕ）、あるいは研磨の前に（ｅｘ−ｓｉｔｕ）行う。
【００２８】
本方法で用いられるレーザー光源２１としては、固定砥粒研磨工具１０の表面にレーザー光線Ｌを集光させた際に固定砥粒研磨工具１０のバインダを熱により除去できるだけのエネルギーをもつものであれば良い。たとえば、あるアクリル系樹脂をバインダとした場合、このアクリル系樹脂は約２３０℃を超えると蒸発した。このようなエネルギーをもつレーザー光源２１としては、炭酸ガスレーザー、Ｎｄ−ＹＡＧレーザー、Ａｒイオンレーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、Ｈｅ−Ｃｄレーザー、半導体レーザーなどが挙げられる。
【００２９】
固定砥粒研磨工具１０の表面でのレーザー光線Ｌの出力、ビーム径、照射時間を調節することにより、化学機械研磨（ＣＭＰ）に好適な大きさの凹凸を固定砥粒研磨工具１０の表面に多数形成させることができる。レーザー光線Ｌのビーム径の調節方法としては、レンズ２７と固定砥粒研磨工具１０の距離を調節する方法、ビームエクスパンダやピンホールマスクなどを用いて拡大、縮小する方法などが挙げられる。また、照射時間の調節方法としては、間欠光の間隔を調節すればよい。化学機械研磨（ＣＭＰ）に好適な凹凸の大きさは、研磨されるデバイスウエハのライン・アンド・スペースの大きさやトレンチ深さ、および研磨する膜の種類によっても異なるが、凹凸の間隔が５μｍ〜１ｍｍ程度、凹凸の高さが１μｍ〜５００μｍ程度である。
【００３０】
このレーザー光線Ｌによるドレッシング方法を、固定砥粒研磨工具１０の表面形状を測定する方法と組み合わせることにより、固定砥粒研磨工具１０の形状修正に応用することもできる。つまり、ドレッシングおよび研磨を繰り返すと、固定砥粒研磨工具１０の表面に図２に示すような大規模な凹凸が生じる。ドレッシングにより形成させる小規模な凹凸は、デバイスウェーハ径に対して無視できるほど小さいため、摺動により平均化されて影響が現れない。しかし、このような大規模な凹凸は、デバイスウェーハ径に対して無視できない大きさのため、固定砥粒研磨工具１０の凸部１１と凹部１３で研磨レートに差が生じ、一枚のデバイスウェーハの面内で研磨後の残膜厚が異なるという問題（面内均一性の欠如）を引き起こす。この問題を解消するために、固定砥粒研磨工具１０の表面形状を測定し、固定砥粒研磨工具１０の凸部１１が凹部１３よりも多く除去されるようにドレッシングを施すことによって、形状を例えば図２の破線のように修正することができる。修正後の形状は、平坦であることが好ましいが、大規模な凹凸１１，１３が残っていても面内均一性の欠如が問題にならない程度であれば良い。
【００３１】
図３は、請求項１に記載のドレッシング方法の他の実施の形態を用いて構成した研磨装置を模式的に示す図である。この研磨装置も、ターンテーブル１００−２上に固定された固定砥粒研磨工具１０−２と、デバイスウエハ等の研磨対象物をその下面に保持するトップリング１１０−２と、固定砥粒研磨工具１０−２の表面に凹凸を形成するドレッシング装置２０−２と、研磨液供給装置１２０−２とを具備して構成されている。この研磨装置において前記図１に示す研磨装置と相違する点は、ドレッシング装置２０−２の構造のみである。即ちこの研磨装置は、トップリング１１０−２に保持した研磨対象物であるデバイスウェハの表面を固定砥粒研磨工具１０の研磨面に押圧して摺動しつつ研磨を行う研磨装置であり、ドレッシング装置２０−２は、レーザー光線射出装置２３−２から射出されたレーザー光線Ｌを干渉装置（干渉手段）２９−２により干渉させて多数の光線に分割して固定砥粒研磨工具１０の表面に照射し、熱によって固定砥粒研磨工具１０の表面を除去することによりドレッシングを行うレーザー加工手段である。
【００３２】
レーザー光線Ｌを干渉させて照射すると、固定砥粒研磨工具１０の表面に光の干渉により明部と暗部（干渉縞）が生じる。明部と暗部ではエネルギーが異なるため、明部では固定砥粒研磨工具１０のバインダが熱によって除去されるが、暗部では除去されずにそのまま残る。また、パルスなどの間欠光を利用して所定の部位に非連続的な除去加工を行い、固定砥粒研磨工具１０表面に凹凸を形成させるようにする。間欠光の発生には、レーザー光源２１−２で直接間欠光を発生させる方法（手段）や、レーザー光源２１−２から固定砥粒研磨工具１０にレーザー光線Ｌが到達するまでの経路に複数の窓を有する回転板などを入れて間欠光にする方法（手段）などがある。
【００３３】
また、図４に示すドレッシング装置（レーザー加工手段）２０−３の様に干渉装置２９−３と固定砥粒研磨工具１０−３の間に、レンズ、ビームエクスパンダ、ピンホールマスクなどの光線径調節装置３１−３を設置して、分割されたレーザー光線Ｌを拡大、縮小してもよい。
【００３４】
図３，図４に示すドレッシング装置２０−２，２０−３において、ドレッシングおよび研磨を繰り返すと固定砥粒研磨工具１０−２，１０−３は次第に薄くなるので、そのままではレーザー光線射出装置２３−２，２３−３、干渉装置２９−２，２９−３、光線径調節装置３１−３といった光学系と固定砥粒研磨工具１０−２，１０−３との距離が次第に大きくなっていく。本方法では、光学系と固定砥粒研磨工具１０−２，１０−３の距離が変わると、干渉縞の間隔が変わったり、光線径調節装置３１−３により拡大、縮小された光の径が変わったりする。したがって、一定の大きさの凹凸を固定砥粒研磨工具１０−２，１０−３表面に形成するには、光学系と固定砥粒研磨工具１０−２，１０−３の距離が適切に保たれるように調整しなければならない。そこで本方法においては、光学系と固定砥粒研磨工具１０−２，１０−３の距離を測定した結果をフィードバックして、光学系と固定砥粒研磨工具１０−２，１０−３の距離を適切に保つ工程（手段）を設けることが好ましい。
【００３５】
また、光学系を複数設けたり、ガルバノミラーやポリゴンミラーを設けてレーザー光線Ｌが固定砥粒研磨工具１０−２，１０−３上を走査するようにしたりすれば、高速なドレッシングが可能となる。固定砥粒研磨工具１０−２，１０−３を効率よくドレッシングするために、レーザー光線射出装置２３−２，２３−３と干渉装置２９−２，２９−３などからなる光学系を揺動させてもよい。なお、ドレッシングはデバイスウェハの研磨と並行して（ｉｎ−ｓｉｔｕ）、あるいは研磨の前に（ｅｘ−ｓｉｔｕ）行う。
【００３６】
本方法で用いられるレーザー光源２１−２，２１−３としても、前記図１に示すレーザー光源２１と同様に、固定砥粒研磨工具１０の表面にレーザー光線Ｌを照射させた際に固定砥粒研磨工具１０のバインダを熱により除去できるだけのエネルギーをもつものであれば良く、例えば前記図１に示すレーザー光源２１で示した具体例と同様のレーザー光源（炭酸ガスレーザー、Ｎｄ−ＹＡＧレーザー、Ａｒイオンレーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、Ｈｅ−Ｃｄレーザー、半導体レーザーなど）を用いる。本方法によれば、レーザー光源Ｌは干渉装置２９−２，２９−３により分割されるので、炭酸ガスレーザー、Ｎｄ−ＹＡＧレーザーのような高出力のレーザー光源であることが望ましい。
【００３７】
本方法で用いられる干渉装置２９−２，２９−３としては、複数のスリットを設けたものがある。この干渉装置２９−２，２９−３は、ヤングの干渉実験に用いられた。同様に、ロイドの鏡、ビレーの半レンズ、フレネルの複プリズムを干渉装置２９−２，２９−３として用いることができる。また、一本のレーザー光線Ｌを所望の空間分布を持つ多数のレーザー光線Ｌに分割することのできる回折光学素子（回折格子）を干渉装置２９−２，２９−３として用いることもできる。
【００３８】
固定砥粒研磨工具１０の表面での干渉縞の間隔、レーザー光線Ｌの出力、ビーム径、照射時間を調節することにより、化学機械研磨（ＣＭＰ）に好適な大きさの凹凸を固定砥粒研磨工具１０の表面に多数形成させることができる。また、照射時間の調節方法としては、間欠光の間隔を調節すればよい。化学機械研磨（ＣＭＰ）に好適な凹凸の大きさは、研磨されるデバイスウエハのライン・アンド・スペースの大きさやトレンチ深さ、および研磨する膜の種類によっても異なるが、凹凸の間隔が５μｍ〜１ｍｍ程度、凹凸の高さが１μｍ〜５００μｍ程度である。
【００３９】
このレーザー光線Ｌによるドレッシング方法を、固定砥粒研磨工具１０の表面形状を測定する方法と組み合わせることにより、固定砥粒研磨工具１０の形状修正に応用することもできる。つまり、前述のようにドレッシングおよび研磨を繰り返すと、固定砥粒研磨工具の表面に図２に示すような大規模な凹凸１１，１３が生じ、この大規模な凹凸１１，１３によって一枚のデバイスウェハの面内で研磨後の残膜厚が異なるという問題を引き起こすので、この問題を解消するために、固定砥粒研磨工具１０−２，１０−３の表面形状を測定し、固定砥粒研磨工具１０−２，１０−３の凸部１１が凹部１３よりも多く除去されるようにドレッシングを施すことによって形状を図２の破線のように修正する。修正後の形状は、平坦であることが好ましいが、大規模な凹凸１１，１３が残っていても面内均一性の欠如が問題にならない程度であれば良い。
【００４０】
図５は、請求項２に記載のドレッシング方法の実施の形態を用いて構成した研磨装置を模式的に示す図である。同図に示すようにこの研磨装置は、ターンテーブル１００−４上に固定した固定砥粒研磨工具１０−４と、デバイスウエハ等の研磨対象物Ｗをその下面に保持するトップリング１１０−４と、固定砥粒研磨工具１０−４の表面に凹凸を形成するドレッシング装置２０−４と、研磨液供給装置１２０−４を具備して構成されている。ここでドレッシング装置２０−４は、固定砥粒研磨工具１０−４の表面（研磨面）に微粉噴射材Ｍをキャリアガスと共に吹き付ける（ブラストする）ことで固定砥粒研磨工具１０−４の表面に凹凸を形成するブラスト加工手段によって構成されており、具体的には微粉噴射材Ｍをキャリアガスと共に吹き付けるノズル３３−４を固定砥粒研磨工具１０−４の上方に設置して構成されている。
【００４１】
そしてターンテーブル１００−４及び固定砥粒研磨工具１０−４とトップリング１１０−４とをそれぞれ独立に回転してトップリング１１０−４の下面に保持した研磨対象物Ｗ表面（下面）を固定砥粒研磨工具１０−４の表面（研磨面）に押圧して摺動し、これによって研磨対象物Ｗ表面の研磨を行う。
【００４２】
一方固定砥粒研磨工具１０−４の表面をドレッシングする場合は、固定砥粒研磨工具１０−４の表面にドレッシング装置２０−４のノズル３３−４から微粉噴射材Ｍをキャリアガスと共に吹き付けることによって行なう。このドレッシングはデバイスウェーハの研磨と並行して（ｉｎ−ｓｉｔｕ）、あるいは研磨の前に（ｅｘ−ｓｉｔｕ）行う。固定砥粒研磨工具１０−４を効率よくドレッシングするために、ノズル３３−４は複数設置してもよく、また、揺動させてもよい。
【００４３】
微粉噴射材Ｍの材料としては、固定砥粒研磨工具１０−４のバインダよりも硬いもの（モース硬度が大きいもの）を用いればよい。例えば、微粉噴射材Ｍの材料として、酸化セリウム（ＣｅＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、炭化珪素（ＳｉＣ）、酸化珪素（ＳｉＯ２）、ジルコニア（ＺｒＯ）、酸化鉄（ＦｅＯ，Ｆｅ３Ｏ４）、酸化マンガン（ＭｎＯ２，Ｍｎ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、ダイヤモンド（Ｃ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）などの砥粒が挙げられる。
【００４４】
また、ギ酸カリウム（ＨＣＯＯＫ）、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、硝酸アンモニウム（ＮＨ４ＮＯ３）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）、尿素（ＣＯ　（ＮＨ２）２）、フッ化カリウム（ＫＦ）、グルコース（Ｃ６Ｈ１２Ｏ６）、硝酸ナトリウム（ＮａＮＯ３）、酒石酸（ＨＯＯＣＣＨ（ＯＨ）ＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯＨ）、臭化ナトリウム（ＮａＢｒ）、アニリン塩酸塩（Ｃ６Ｈ５ＮＨ３Ｃｌ）、ショ糖（Ｃ１２Ｈ２２Ｏ１１）、クエン酸（Ｃ６Ｈ８Ｏ７・Ｈ２Ｏ）、炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）など、研磨液の主成分である水に可溶な固体が挙げられる。
【００４５】
さらに、上述の固体材料の他に、例えば、水、アルコール、酸、アルカリ、有機溶媒、研磨助剤など室温で液体の物質を冷却凝固させたもの、アルゴン、二酸化炭素など室温で気体の物質を冷却凝固させたものを用いてもよい。室温で液体の物質を冷却凝固させて微粉噴射材Ｍを得る方法には、例えば液体窒素の噴霧によって冷却されたチャンバー内に液体を噴霧し、冷却凝固させる方法などがある。また、室温で気体の物質を冷却凝固させて微粉噴射材Ｍとする方法には、冷凍機で冷却されたガスをノズルから噴出させることにより断熱膨張作用でさらに冷却させてガスの一部を個体微粒子とする方法などがある。
【００４６】
微粉噴射材Ｍとして砥粒を用いる場合には、微粉噴射材Ｍがデバイスウェーハのスクラッチ（キズ）の原因とならないような工夫が必要である。例えば、微粉噴射材Ｍをデバイスウェーハ（研磨対象物）Ｗと固定砥粒研磨工具１０−４の間に入り込まない大きさ（概ね３０μｍ以上）にしたり、微粉噴射材Ｍを固定砥粒研磨工具１０−４の研磨面に吹き付けた後にウォータージェットなどで洗い流したりする方法が挙げられる。また、例えば数十ｎｍ程度の大きさの砥粒をクラスタ状に凝集させて微細粉集合体としたものを微粉噴射材Ｍとして使用する方法も挙げられる。微粉噴射材Ｍは、固定砥粒研磨工具１０−４に衝突する際に分裂する他、研磨対象物Ｗと固定砥粒研磨工具１０−４の間に入り込んだ際にも分裂するので、スクラッチの原因とならない。また、微細粉集合体を固定砥粒研磨工具１０−４に吹き付けた後に超音波加振などして積極的に分裂させても良い。微細粉集合体を化学機械研磨（ＣＭＰ）に使用する砥粒で形成することにより、微粉噴射材Ｍをデバイスウェハの研磨にそのまま砥粒として用いることもできる。
【００４７】
研磨液に可溶な固体を微粉噴射材Ｍとして用いると、固定砥粒研磨工具１０−４の研磨面にブラストした後で研磨液に溶解して液体となるため、スクラッチ（キズ）の原因とならない。また、粉塵飛散による研磨対象物Ｗの汚染を防ぐこともできる。さらには、水酸化カリウムなどの微粉噴射材Ｍの溶液をｐＨなどの研磨条件の調節に利用しても良い。
【００４８】
室温で液体の物質を冷却凝固させた粒子を微粉噴射材Ｍとして用いると、固定砥粒研磨工具１０−４の研磨面にブラストした後で融解し液体となるので、スクラッチ（キズ）の原因とならない。また、粉塵飛散による研磨対象物Ｗの汚染を防ぐこともできる。ここで、微粉噴射材Ｍとして冷却凝固させた酸性溶液、アルカリ性溶液を用いると、融解後に研磨面でのｐＨの調節に利用できる。また、微粉噴射材Ｍとして冷却凝固させた界面活性剤、防食剤、酸化剤、キレート剤などを用いると、融解後に研磨助剤として利用できる。
【００４９】
室温で気体の物質を冷却凝固させた粒子を微粉噴射材Ｍとして用いると、固定砥粒研磨工具１０−４の研磨面にブラストした後で蒸発し気体となるので、スクラッチ（キズ）の原因とならない。また、粉塵飛散による研磨対象物Ｗの汚染を防ぐこともできる。
【００５０】
微粉噴射材Ｍの大きさは、固定砥粒研磨工具１０−４の研磨面に化学機械研磨（ＣＭＰ）に好適な大きさの凹凸を形成可能なように選ばれる。ここで、化学機械研磨（ＣＭＰ）に好適な凹凸の大きさは、研磨されるデバイスウェハのライン・アンド・スペースの大きさやトレンチ深さ、および研磨する膜の種類によっても異なるが、微粉噴射材Ｍの大きさとしては平均粒径が５μｍ〜１ｍｍ程度である。必要であれば、微粉噴射材Ｍの分級は、サイクロン分級機や篩などの既知の分級方法により分級される。
【００５１】
キャリアガスとしては、空気、窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガスなどを用いる。
【００５２】
このブラストによるドレッシング方法を、固定砥粒研磨工具１０−４の表面形状を測定する方法と組み合わせることにより、固定砥粒研磨工具１０−４の形状修正に応用することもできる。つまり、前述のようにドレッシングおよび研磨を繰り返すと、固定砥粒研磨工具の表面に図２に示すような大規模な凹凸１１，１３が生じ、この大規模な凹凸１１，１３によって一枚のデバイスウェハの面内で研磨後の残膜厚が異なるという問題を引き起こす。この問題を解消するために、固定砥粒研磨工具１０−４の表面形状を測定し、固定砥粒研磨工具１０−４の凸部１１に凹部１３よりも長時間ドレッシングを施すことによって形状を図２破線のように修正することができる。修正後の形状は、平坦であることが好ましいが、大規模な凹凸が残っていても面内均一性の欠如が問題にならない程度であれば良い。
【００５３】
図６は、請求項３に記載のドレッシング方法の実施の形態を用いて構成した研磨装置を模式的に示す図である。同図に示すようにこの研磨装置は、ターンテーブル１００−５上に固定された固定砥粒研磨工具１０−５と、デバイスウエハ等の研磨対象物をその下面に保持するトップリング１１０−５と、固定砥粒研磨工具１０−５の表面に凹凸を形成するドレッシング装置２０−５と、研磨液供給装置１２０−５を具備して構成されている。ドレッシング装置２０−５はスタンプ３５−５のスタンプヘッド３７−５の表面に設けた凹凸４７−５（図７，図８参照）を固定砥粒研磨工具１０−５の表面（研磨面）に転写するスタンプ加工手段によって構成されている。
【００５４】
そしてターンテーブル１００−５及び固定砥粒研磨工具１０−５とトップリング１１０−５とをそれぞれ独立に回転してトップリング１１０−５の下面に保持した研磨対象物表面（下面）を固定砥粒研磨工具１０−５の表面（研磨面）に押圧して摺動し、これによって研磨対象物表面の研磨を行う。
【００５５】
一方固定砥粒研磨工具１０−５の表面のドレッシングは、スタンプ３５−５を上下運動と揺動運動させ、間欠的にスタンプヘッド３７−５の下面を固定砥粒研磨工具１０−５の表面に押圧して凹凸４７−５の形状を直接転写することにより行う。上下動速度は、低速でも効果があるが、高速、すなわち超音波振動により上下動させれば、より多くの微小凹凸が形成され、効果が高い。
【００５６】
ここで、押圧時のスタンプヘッド３７−５の揺動角速度ｖ１とターンテーブル１００−５の回転角速度ｖ２とを等しくすることにより、スタンプヘッド３７−５と固定砥粒研磨工具１０−５との水平方向相対速度を極めて小さくすることが本方法の特徴である。これにより、スタンプヘッド３７−５の凹凸４７−５の磨耗を最小限に抑えることが出来る。
【００５７】
ドレッシングは研磨対象物の研磨と並行して（ｉｎ−ｓｉｔｕ）、あるいは研磨の前に（ｅｘ−ｓｉｔｕ）行う。固定砥粒研磨工具１０−５を効率よくドレッシングするために、スタンプヘッド３７−５を複数設置してもよい。
【００５８】
予め化学機械研磨（ＣＭＰ）に好適な大きさの凹凸４７−５が形成されたスタンプヘッド３７−５を固定砥粒研磨工具１０−５に直接転写するので、固定砥粒研磨工具１０−５の表面に化学機械研磨（ＣＭＰ）に好適な大きさの凹凸を多数形成させることができる。
【００５９】
スタンプ３５−５は図７に示すように、スタンプヘッド３７−５の下面の凹部４１−５を覆って密封するように柔軟性のある膜４３−５を取り付けた構造を有しており、この膜４３−５の下面には多数のチップ４５−５が貼り付けられている。そして凹部４１−５内に空気などの流体を供給すれば、その流体力により膜４３−５の各チップ４５−５は均等圧力で固定砥粒研磨工具１０−５の表面に押圧できる。したがって、固定砥粒研磨工具１０−５に図２に示すような大規模な凹凸１１，１３があったとしても、固定砥粒研磨工具１０−５の凸部１１も凹部１３も同じ様にスタンプヘッド３７−５の凹凸４７−５の形状を転写することが可能になる。
【００６０】
スタンプヘッド３７−５のチップ４５−５の材料としては、セラミックやＳｉＯ２などの硬い材料が望ましい。また、チップ４５−５の表面には図８のように化学機械研磨（ＣＭＰ）に好適な大きさの凹凸４７−５が形成されている。化学機械研磨（ＣＭＰ）に好適な凹凸４７−５の大きさは、研磨されるデバイスウエハのライン・アンド・スペースの大きさやトレンチ深さ、および研磨する膜の種類によっても異なるが、凹凸４７−５の間隔が５μｍ〜１ｍｍ程度、凹凸４７−５の高さが１μｍ〜５００μｍ程度である。
【００６１】
スタンプヘッド３７−５の凹凸４７−５の形状の転写を促進するための幾つかの方法を併用してもよい。例えば、固定砥粒研磨工具１０−５のバインダを軟らかくして凹凸形状を転写し易くするために、ドレッシング中またはドレッシング前に固定砥粒研磨工具１０−５に薬剤を供給する方法が挙げられる。薬剤としては、アセトンなどの有機溶媒などが挙げられる。薬剤は、薬剤供給装置を別に設けても良いし、スタンプヘッド３７−５から直接供給するようにしても良い。また、固定砥粒研磨工具１０−５のバインダを軟らかくする他の方法としては、バインダのガラス転移点（Ｔｇ）より高温の流体（温水や蒸気など）を供給する方法が挙げられる。温水や蒸気などは、供給装置を別に設けても良いし、スタンプヘッド３７−５から直接供給するようにしても良い。また、固定砥粒研磨工具１０−５のバインダを軟らかくする他の方法としては、スタンプヘッド３７−５にヒータを設ける方法が挙げられる。
【００６２】
また、スタンプヘッド３７−５の凹凸４７−５の形状の転写を促進するための他の方法としては、超音波加工の様にスタンプヘッド３７−５のチップ４５−５を圧電素子（ピエゾ素子）で振動させる方法も挙げられる。スタンプヘッド３７−５に圧電素子を貼り付けてもよいし、スタンプヘッド３７−５を圧電素子で作成してもよい。
【００６３】
図９は、請求項３に記載のドレッシング方法の他の実施の形態を用いて構成した研磨装置を模式的に示す図である。この研磨装置も、ターンテーブル１００−６上に固定された固定砥粒研磨工具１０−６と、デバイスウエハ等の研磨対象物をその下面に保持するトップリング１１０−６と、固定砥粒研磨工具１０−６の表面に凹凸を形成するドレッシング装置２０−６と、研磨液供給装置１２０−６を具備して構成されている。この研磨装置において前記図６に示す研磨装置と相違する点は、ドレッシング装置２０−６の構造のみである。即ちこの研磨装置は、トップリング１１０−６に保持した研磨対象物であるデバイスウェハの表面を固定砥粒研磨工具１０−６の研磨面に押圧して摺動しつつ研磨を行う研磨装置であり、ドレッシング装置２０−６は、スタンプヘッド３７−６を円錐型スタンプヘッドとすることで回転方式とし、図１０に示すようにスタンプヘッド３７−６の外周表面に多数のチップ４５−６（図８に示すチップ４５−５と同様のもの）を貼り付けることで凹凸を形成したスタンプ加工手段である。スタンプヘッド３７−６が揺動方式から回転方式に変わったことを除いて、ドレッシング方法は図６の方法と同様である。スタンプヘッド３７−６を回転方式にしたことにより、スタンプヘッド３７−６を揺動させなくともスタンプヘッド３７−６と固定砥粒研磨工具１０−６との水平方向相対速度を極めて小さくすることができる。円錐型のスタンプヘッド３７−６は、固定砥粒研磨工具１０−６に押圧することで連れ回りするようにしてもよいし、モータなどを取り付けて回転させてもよい。
【００６４】
上記各実施形態では研磨工具として砥粒を含有する固定砥粒を示したが、本発明の研磨工具は固定砥粒に限定されず、例えば樹脂で形成された、砥粒を含まない研磨パッドにも適用される。
【００６５】
以上本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲、及び明細書と図面に記載された技術的思想の範囲内において種々の変形が可能である。なお直接明細書及び図面に記載がない何れの形状や構造や材質であっても、本願発明の作用・効果を奏する以上、本願発明の技術的思想の範囲内である。
【００６６】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明によれば、固定砥粒研磨工具の表面に好適な大きさの凹凸を容易に形成でき、且つスクラッチ（キズ）などの欠陥の少ない研磨が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】請求項１に記載のドレッシング方法の実施の形態を用いて構成した研磨装置を模式的に示す図である。
【図２】ドレッシングと研磨を繰り返した場合の固定砥粒研磨工具１０の表面の状態を示す概略断面図である。
【図３】請求項１に記載のドレッシング方法の他の実施の形態を用いて構成した研磨装置を模式的に示す図である。
【図４】請求項１に記載のドレッシング方法のさらに他の実施の形態を用いて構成したドレッシング装置２０−３を模式的に示す図である。
【図５】請求項２に記載のドレッシング方法の実施の形態を用いて構成した研磨装置を模式的に示す図である。
【図６】請求項３に記載のドレッシング方法の実施の形態を用いて構成した研磨装置を模式的に示す図である。
【図７】スタンプ３５−５（ドレッシング装置２０−５）を示す図であり、図７（ａ）は断面図、図７（ｂ）は底面図である。
【図８】一つのチップ４５−５を拡大して示す斜視図である。
【図９】請求項３に記載のドレッシング方法の他の実施の形態を用いて構成した研磨装置を模式的に示す図である。
【図１０】スタンプヘッド３７−６の側面図である。
【符号の説明】
１０　固定砥粒研磨工具
２０　ドレッシング装置（レーザー加工手段）
２１　レーザー光源
２３　レーザー光線射出装置
２５　ガルバノミラー
２５−１，２５−２　ミラー
２７　レンズ（集光手段）
Ｌ　レーザー光線
１００　ターンテーブル
１１０　トップリング
１２０　研磨液供給装置
２０−２　ドレッシング装置（レーザー加工手段）
２１−２　レーザー光源
２３−２　レーザー光線射出装置
２９−２　干渉装置（干渉手段）
１００−２　ターンテーブル
１１０−２　トップリング
１２０−２　研磨液供給装置
２０−３　ドレッシング装置（レーザー加工手段）
２１−３　レーザー光源
２３−３　レーザー光線射出装置
２９−３　干渉装置
３１−３　光線径調節装置
１０−４　固定砥粒研磨工具
２０−４　ドレッシング装置（ブラスト加工手段）
３３−４　ノズル
１００−４　ターンテーブル
１１０−４　トップリング
１２０−４　研磨液供給装置
Ｗ　研磨対象物
Ｍ　微粉噴射材
１０−５　固定砥粒研磨工具
２０−５　ドレッシング装置（スタンプ加工手段）
３５−５　スタンプ
３７−５　スタンプヘッド
４１−５　凹部
４３−５　膜
４５−５　チップ
４７−５　凹凸
１００−５　ターンテーブル
１１０−５　トップリング
１２０−５　研磨液供給装置
１０−６　固定砥粒研磨工具
２０−６　ドレッシング装置（スタンプ加工手段）
３７−６　スタンプヘッド
４５−６　チップ
１００−６　ターンテーブル
１１０−６　トップリング
１２０−６　研磨液供給装置
【図１】
2004034159.tif 000003
【図２】
2004034159.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2004034159.tif 000007
【図６】
2004034159.tif 000008
【図７】
2004034159.tif 000009
【図８】
2004034159.tif 000010
【図９】
2004034159.tif 000011
【図１０】
2004034159.tif 000012