(57)【要約】      （修正有）【課題】電力、通信用施設の誘導防止策接地工事にて、接地電極の等価半球体半径の増加率と接地抵抗の低減率の関係を直続できるグラフを得る。【解決手段】対数座標のグラフの横軸と縦軸の何れか一方に１ｒ〜１００ｒを目盛り、何れか他方に接地抵抗の低減率として０．０１〜１．０を目盛り、横軸の値１００と縦軸の値０．０１との座標点と、横軸の値１ｒと縦軸の値１．０との座標点とを結んだ直線によって接地電極の等価半球体半径の増加率と接地抵抗の低減率の関係を示すようにする。また、対数座標のグラフの横軸と縦軸の何れか一方に１ｒ〜１００ｒの１．２５倍の値を目盛り、何れか他方に０．０１〜１．０の０．８倍の値を接地抵抗の低減率として目盛り、横軸の値８０ｒと縦軸の値０．００８との座標点と、横軸の値０．８ｒと縦軸の値１．２５との座標点とを結んだ直線によって関係を示す。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対数座標のグラフの横軸と縦軸の何れかに１ｒ〜１００ｒ（ここでｒは等価半球体の半径）を目盛り、何れか他方に接地抵抗の低減率として０．０１〜１．０を目盛り、横軸の値１００と縦軸の値０．０１との座標点と、横軸の値１ｒと縦軸の値１．０との座標点とを結んだ直線によって接地電極の等価半球体半径の増加率と接地抵抗の低減率の関係を示すようにしたことを特徴とする接地電極の等価半球体半径の増加率と接地抵抗の低減率の関係表示グラフ。
【請求項２】
対数座標のグラフの横軸と縦軸の何れか一方に１ｒ〜１００ｒ（ここでｒは等価半球体の半径である）の１．２５倍の値を目盛り、何れか他方に０．０１〜１．０の０．８倍の値を接地抵抗の低減率として目盛り、横軸の値８０ｒと縦軸の値０．００８との座標点と、横軸の値０．８ｒと縦軸の値１．２５との座標点とを結んだ直線によって接地電極の等価半球体半径の増加率と接地抵抗の低減率の関係を示すようにしたことを特徴とする接地電極の等価半球体半径の増加率と接地抵抗の低減率の関係表示グラフ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は接地電極の等価半球体半径の増加率と接地抵抗の低減率の関係表示グラフ、特に、対数座標を用いた接地電極の等価半球体半径の増加率と接地抵抗の低減率の関係表示グラフに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
接地抵抗の電圧波及間隔等を計算した整数倍（自然数）の対数グラフは既知である（例えば特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−１４８２７４号公報（第４，６，９頁、図３，図５，図８，図１１）。
【０００４】
従来、電力、通信用施設の誘導防止策用接地工事等において、着工に先立って接地電極の等価半球体半径の増加率と接地抵抗の低減率の関係を推定する必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
然しながら上記の関係を直続できるグラフは得られていない。
【０００６】
本発明は上記のグラフを得るようにしたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の接地電極の等価半球体半径の増加率と接地抵抗の低減率の関係表示グラフは、対数座標のグラフの横軸と縦軸の何れか一方に１ｒ〜１００ｒ（ここでｒは等価半球体の半径）を目盛り、何れか他方に接地抵抗の低減率として０．０１〜１．０を目盛り、横軸の値１００と縦軸の値０．０１との座標点と、横軸の値１ｒと縦軸の値１．０との座標点とを結んだ直線によって接地電極の等価半球体半径の増加率と接地抵抗の低減率の関係を示すようにしたことを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の接地電極の等価半球体半径の増加率と接地抵抗の低減率の関係表示グラフは、対数座標のグラフの横軸と縦軸の何れか一方に１ｒ〜１００ｒ（ここでｒは等価半球体の半径である）の１．２５倍の値を目盛り、何れか他方に０．０１〜１．０の０．８倍の値を接地抵抗の低減率として目盛り、横軸の値８０ｒと縦軸の値０．００８との座標点と、横軸の値０．８ｒと縦軸の値１．２５との座標点とを結んだ直線によって接地電極の等価半球体半径の増加率と接地抵抗の低減率の関係を示すようにしたことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下図面によって本発明の実施例を説明する。
【００１０】
図１の半径ｒの半球体（椀形状）接地１の中心から接地極の等価半径ｒ１迄に含まれる地中接地抵抗をＲ１、大地３の抵抗率をρとすると、接地抵抗Ｒ１は次のように計算される。
【００１１】
Ｒ１＝ρ／２π（（１／ｒ）−（１／ｒ１））又、半径ｒの半球体状接地電極の接地抵抗Ｒは、Ｒ＝ρ／（２πｒ）となる。
【００１２】
また、図２の深埋設接地電極２の場合、その等価半径ｒは次式で求められる。
【００１３】
ｒ＝Ｌ／（Ｌｎ（（４Ｌ／ｄ）−１））
【００１４】
ここでＬは接地電極の埋設長さ（深さ）、ｄは接地電極断面の等価半径である。
【００１５】
この接地電極に接地電流が流れた時、埋設した地中の大地抵抗率ρが一様で接地極の形状が棒状の場合、接地抵抗Ｒ（Ω）は次のように計算できる。
【００１６】
Ｒ＝（ρ／（２πＬ））・（Ｌｎ（４Ｌ／ｄ）−１）
【００１７】
この接地電極に大きな接地電流が通電した場合、即ち、大きな接地電圧が印加された場合、土中放電の作用もありその接地抵抗Ｒ’（Ω）はＲの８０％程度に低減する。
【００１８】
Ｒ’＝Ｒ×０．８
【００１９】
また、このときの等価半径ｒも次のように大きくなったと見做せる。
【００２０】
ｒ’＝ｒ／０．８＝１．２５・ｒ
【００２１】
図３はこの関係を普通座標のグラフで示したものである。
【００２２】
本発明においては普通座標のグラフに代えて対数座標のグラフを用いると上記の関係を直読できることを見出した。
【００２３】
即ち、本発明においては、図４に示すように対数座標のグラフの横軸と縦軸の何れか一方例えば横軸に１ｒ〜１００ｒ（ここでｒは等価半球体の半径）を目盛り、何れか他方例えば縦軸に接地抵抗の低減率として０．０１〜１．０を目盛り、横軸の値１００と縦軸の値０．０１との座標点と、横軸の値１ｒと縦軸の値１．０との座標点とを結んだ直線によって接地電極の等価半球体半径の増加率と接地抵抗の低減率の関係を示すようにする。
【００２４】
また、本発明においては、同じく対数座標のグラフの横軸と縦軸の何れか一方例えば横軸に１ｒ〜１００ｒ（ここでｒは等価半球体の半径である）の１．２５倍の値を目盛り、何れか他方例えば縦軸に０．０１〜１．０の０．８倍の値を接地抵抗の低減率として目盛り、横軸の値８０ｒと縦軸の値０．００８との座標点と、横軸の値０．８ｒと縦軸の値１．２５との座標点とを結んだ直線によって接地電極の等価半球体半径の増加率と接地抵抗の低減率の関係を示すようにする。
【００２５】
【発明の効果】
上記のように本発明の図４に示すグラフを用いると接地電極の等価半球体半径の増加率と接地抵抗の低減率の関係表示グラフを極めて容易に誤差なく判定できるようになる大きな利益がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】椀形接地電極の概念図である。
【図２】深埋設接地電極の概念図である。
【図３】等価半球体からの距離と地表面の電位の関係を示すグラフである。
【図４】本発明の接地電極の等価半球体半径の増加率と接地抵抗の低減率の関係表示グラフである。
【符号の説明】
１  接地
２  深埋設接地電極
３  大地
【図１】
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【図２】
2004247240.tif 000004
【図３】
2004247240.tif 000005
【図４】
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