(57)【要約】【課題】遮光領域における金属遮光膜の突起物の形成を抑制し、光漏れを防止することができる固体撮像装置を提供する。【解決手段】撮像領域内に設けられ、複数の受光素子４が配置された受光領域２と、撮像領域のうち、受光領域２を除く領域を隙間無く遮光する遮光領域３とを有し、遮光領域３は、多層の金属遮光膜２１，２２により形成され、各層２１，２２により遮光面積が分割されている。遮光領域３は、金属遮光膜２１，２２の各層が互いに重なる領域をもつように形成されている。また、ＣＭＯＳイメージセンサの場合には、遮光領域３は、撮像領域のうち受光領域を除く領域内に配置された、暗示の基準出力を出力する複数の受光素子４を遮光する。【選択図】図２
2004273566.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像領域内に設けられ、複数の受光素子が配置された受光領域と、
前記撮像領域のうち、前記受光領域を除く領域を隙間無く遮光する遮光領域とを有し、
前記遮光領域は、多層の金属遮光膜により形成され、各層により遮光面積が分割されている
固体撮像装置。
【請求項２】
前記遮光領域は、各層における前記金属遮光膜が互いに重なる領域をもつように形成されている
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記遮光領域は、前記撮像領域のうち前記受光領域を除く領域内に配置された、暗示の基準出力を出力する複数の受光素子を遮光する
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記受光領域は複数列設けられ、
各列の前記受光領域毎に設けられた電荷転送部をさらに有し、
前記遮光領域は、前記電荷転送部を遮光する
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記受光領域は複数列設けられ、
各列の前記受光領域毎に設けられた電荷転送部と、
前記電荷転送部により転送された信号電荷を蓄積する蓄積部とをさらに有し、
前記遮光領域は、前記電荷転送部および前記蓄積部を遮光する
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記受光領域は、光電変換により信号を蓄積しかつ信号電荷を転送し、
前記受光領域により転送された信号電荷を蓄積する蓄積部をさらに有し、
前記遮光領域は、前記蓄積部を遮光する
請求項１記載の固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像装置に関し、特に、ＣＣＤセンサやＣＭＯＳセンサ等の固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
デジタルカメラ、ビデオカメラ、イメージリーダ等の画像入力装置には、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサや、ＣＭＯＳイメージセンサ等の固体撮像装置が設けられ、ここで光学的画像情報を電気信号に変換し、この変換された電気信号に各種の信号処理を施して表示器に表示したり、記録媒体に記録したりしている（特許文献１、２参照）。
【０００３】
ＣＭＯＳイメージセンサやＣＣＤイメージセンサ等の固体撮像装置では、光を遮光すべき大面積領域において１層の金属遮光膜により遮光する構造を採用している。
【０００４】
図７（ａ）は、従来の固体撮像装置の一例の構成を示す平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図である。なお、図７（ａ）および図７（ｂ）はＣＭＯＳセンサの構成を示している。
【０００５】
図７に示すように、固体撮像装置の複数の画素が配置された撮像領域１は、大別して受光領域１０２と遮光領域１０３とを有する。光Ｌが入射される受光領域１０２には、基板１１１に図示しない複数のフォトダイオードが２次元に配置されている。光Ｌを遮光する遮光領域１０３には、暗示の基準出力を出力する暗画素である複数のフォトダイオードが配置されている。
【０００６】
図７（ｂ）に示すように、フォトダイオードが形成された基板１１１の上層には、一層の金属遮光膜１１２が形成されており、これにより遮光領域１０３が規定されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平６−４５５６９号公報
【特許文献２】
特開平６−２０９０９４号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、撮像領域１０１のうち受光領域１０２を除く全ての大面積領域を１層の金属遮光膜を用いて遮光した場合には、ヒロック（ヒルロックともいう）のような突起物ができる可能性が高くなる。
【０００９】
図８（ａ）および図８（ｂ）は、ヒロックによる問題点を説明するための断面図である。
図８（ａ）に示すように、大面積の遮光領域１０３を一層のアルミニウム等の金属遮光膜１１２により形成し、その後酸化シリコン等の層間膜１１３を形成した場合、その後の熱処理工程により、ヒロック１１２ａが形成されてしまう。このヒロック１１２ａは、金属である遮光膜の面積が大きいほど、堆積後の加熱処理の繰り返しにより大きく成長する。
【００１０】
この状態で、層間膜１１３をリフローやエッチバック等により平坦化すると、ヒロック１１２ａ上の層間膜１１３が薄くなり、場合によっては図８（ｂ）に示すようにヒロック１１２ａの頂部が露出してしまう。
【００１１】
ヒロック１１２ａの頂部が露出すると、平坦化後の洗浄工程において、露出した部分から洗浄液により金属遮光膜１１２が溶かされてしまい、図９に示すように溶かされた部分において光Ｌを遮光できずに、光漏れが起きてしまう。
【００１２】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、遮光領域における金属遮光膜の突起物の形成を抑制し、光漏れを防止することができる固体撮像装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の固体撮像装置は、撮像領域内に設けられ、複数の受光素子が配置された受光領域と、前記撮像領域のうち、前記受光領域を除く領域を隙間無く遮光する遮光領域とを有し、前記遮光領域は、多層の金属遮光膜により形成され、各層により遮光面積が分割されている。
【００１４】
前記遮光領域は、各層における前記金属遮光膜が互いに重なる領域をもつように形成されている。
【００１５】
前記遮光領域は、前記撮像領域のうち前記受光領域を除く領域内に配置された、暗示の基準出力を出力する複数の受光素子を遮光する。
【００１６】
前記受光領域は複数列設けられ、各列の前記受光領域毎に設けられた電荷転送部をさらに有し、前記遮光領域は、前記電荷転送部を遮光する。
【００１７】
前記受光領域は複数列設けられ、各列の前記受光領域毎に設けられた電荷転送部と、前記電荷転送部により転送された信号電荷を蓄積する蓄積部とをさらに有し、前記遮光領域は、前記電荷転送部および前記蓄積部を遮光する。
【００１８】
前記受光領域は、光電変換により信号を蓄積しかつ信号電荷を転送し、前記受光領域により転送された信号電荷を蓄積する蓄積部をさらに有し、前記遮光領域は、前記蓄積部を遮光する。
【００１９】
上記の本発明の固体撮像装置では、撮像領域のうち受光領域を除く領域を隙間無く遮光する大面積の遮光領域が、多層の金属遮光膜により形成され、各層により遮光面積が分割されていることから、各層の遮光面積を小さくすることができ、突起物の形成が抑制される。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の固体撮像装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２１】
第１実施形態
本実施形態では、ＣＭＯＳイメージセンサよりなる固体撮像装置について説明する。
図１（ａ）は、ＣＭＯＳイメージセンサよりなる固体撮像装置の構成の一例を示す概略回路図であり、図１（ｂ）はＣＭＯＳイメージセンサの撮像領域の平面図である。
【００２２】
図１（ａ）に示すように、ＣＭＯＳイメージセンサは、フォトダイオード（受光素子）４およびＭＯＳトランジスタにより構成されるセンスアンプ５からなる画素６がマトリックス状に複数配置されており、各画素６は、垂直シフトレジスタ７および水平シフトレジスタ８に接続されており、画素６に印加されるパルスによって順番にスイッチングされて、各画素６の信号電荷が出力に取り出されていくものである。
【００２３】
ＣＭＯＳイメージセンサでは、光が入射されるとフォトダイオード４で光電変換され、光の強弱に応じた信号電荷が時間とともに蓄積される。走査は、まず、垂直シフトレジスタ７により垂直方向の画素の一ライン、すなわち水平１ラインが選択される。選択された水平１ラインの画素の信号電荷による電圧変化がセンスアンプ５により増幅されて読み出され、各画素６からの増幅された信号電圧のノイズがＣＤＳ（Ｃｏｒｒｅｌａｔｅｄ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｓａｍｐｌｉｎｇ  Ｃｉｒｃｕｉｔ：二重サンプリング回路）９により除去される。そして、水平シフトレジスタ８により水平方向に連続してパルスが順次加えられて、スイッチング素子１０を順次オンすることにより、各画素６からの信号電圧が水平方向に順次、出力に読み出されていく。
【００２４】
上記のＣＭＯＳイメージセンサでは、図１（ｂ）に示すように、複数の画素が配置された撮像領域１は、大別して受光領域２と、遮光領域３とにより構成される。遮光領域３には、受光領域２と同様にフォトダイオードがマトリックス状に配置されて、暗示の基準出力を出力する暗画素が形成されている。
【００２５】
図２は、受光領域２と遮光領域３における一画素の断面図である。
図２に示すように、受光領域２および遮光領域３のバルク構造は同じとなっている。すなわち、ｎ型のシリコン等からなる基板１１にｐ型半導体領域１２が形成され、基板１１に形成された素子分離絶縁膜１３によりｐ型半導体領域１２の活性領域が区画されている。
【００２６】
ｐ型半導体領域１２には、センスアンプを構成するトランジスタのソース・ドレイン領域や、フォトダイオード４となるｎ型半導体領域１４が複数形成されている。フォトダイオード４を構成するｎ型半導体領域１４の表面にはｐ＋  半導体領域１４ａが形成されており、これにより埋め込み型のフォトダイオードが構成される。
【００２７】
基板１１上には、センスアンプを構成するトランジスタ等のゲート電極１５が形成され、当該ゲート電極１５を被覆して全面に、酸化シリコン等からなる層間絶縁膜１６が形成されている。層間絶縁膜中１６には、ゲート電極１５や、トランジスタのソース・ドレイン領域となるｎ型半導体領域１４に接続するコンタクトプラグ１７が埋め込まれ、コンタクトプラグ１７に接続するアルミニウム等からなる配線１８が層間絶縁膜１６上に形成されている。
【００２８】
層間絶縁膜１６上には、配線１８を被覆してさらに酸化シリコン等からなる層間絶縁膜１９が形成されており、層間絶縁膜１９上には、図示を省略するが、複数の多層配線が層間絶縁膜中に形成された配線層２０が設けられる。
【００２９】
配線層２０上には、アルミニウム等からなる金属遮光膜２１，２２が形成されている。本実施形態では、特に大面積の遮光領域３は、多層の金属遮光膜２１，２２により構成されており、各層の遮光面積を小さくしている。多層の金属遮光膜２１，２２は、遮光性を確保する観点から、一部が重なるように形成されている。
なお、受光領域２においても、各画素を開口する金属遮光膜２２が形成されているが、受光領域２における各画素を区画し開口する遮光膜の面積は小さいことから、１層の金属遮光膜２２により形成されている。ただし、受光領域２においても、遮光領域３と同様に、各画素を開口する金属遮光膜を多層構造にしてもよい。
多層の金属遮光膜２１，２２は、例えばアルミニウム等を全面にスパッタリングした後、レジストマスクを用いてエッチングすることによりパターニングし、層間絶縁膜を堆積させる工程を繰り返すことにより形成する。
【００３０】
金属遮光膜２１，２２を被覆して、さらに酸化シリコン等からなる層間膜３０が形成されており、層間膜３０の表面が平坦化されている。なお、図示はしないが、平坦化された層間膜３０上にはオンチップカラーフィルタや、オンチップレンズが配置されていてもよい。
【００３１】
本実施形態に係る固体撮像装置によれば、ＣＭＯＳイメージセンサにおいて、撮像領域１のうち受光領域２を除く領域内に配置された、暗示の基準出力を出力する暗画素である複数の受光素子を遮光する大面積の遮光領域３を多層の金属遮光膜２１，２２により形成し、各層により大面積の遮光領域３の面積を分割することにより、各層の金属遮光膜２１，２２による遮光面積を小さくすることができることから、ヒロックのような突起物の形成を抑制することができる。
【００３２】
従って、層間膜３０をリフローやエッチバック等により平坦化することにより突起物が露出し、平坦化後の洗浄工程において金属遮光膜が溶かされてしまうことによる光漏れを防止することができ、暗示の基準出力を示す暗画素を有効に遮光できる。これにより、ＣＭＯＳイメージセンサにおいて、外部の光の状況に影響されることなく常に安定した出力を暗画素から得ることができ、固体撮像装置の性能を向上させることができる。
また、多層の金属遮光膜２１，２２を一部が重なるように形成することにより、位置擦れが発生した場合においても、有効に遮光することが可能となる。
【００３３】
なお、ヒロックは、成膜途中あるいは成膜後の熱処理によりマイグレーションによって生成されることから、金属遮光膜２１，２２として特にアルミニウム等のマイグレーションの起こりやすい金属を用いる場合にヒロック抑制効果が高い。
【００３４】
第２実施形態
本実施形態では、インターライン転送方式（ＩＴ：Ｉｎｔｅｒｌｉｎｅ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）のＣＣＤイメージセンサよりなる固体撮像装置について説明する。
図３（ａ）は、ＩＴ−ＣＣＤイメージセンサよりなる固体撮像装置の構成の一例を示す概略構成図であり、図３（ｂ）はＩＴ−ＣＣＤイメージセンサの撮像領域の平面図である。
【００３５】
ＩＴ−ＣＣＤイメージセンサは、撮像領域（撮像部）１、水平転送部４３、出力部４４を有する。
撮像領域１は、光電変換を行うフォトダイオード（受光部）４５、読み出しゲート部４６および垂直転送部４７からなる画素４８を、マトリックス状に多数配置させて構成されている。各画素４８間は、図示せぬチャネルストッパで電気的に干渉しないように分離されている。
【００３６】
垂直転送部４７は、フォトダイオード４５の列ごとに共通化され所定の本数、配置されている。撮像領域１に、垂直転送部４７を駆動する４相のクロック信号φＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４が入力される。水平転送部４３に、これを駆動する２相のクロック信号φＨ１，φＨ２が入力される。
【００３７】
上記の水平転送部４３および垂直転送部４７は、半導体基板内の表面側に不純物が導入されて形成されたマイノリティキャリアの電位井戸と、基板上に互いに絶縁分離して形成された複数の電極（転送電極）とから構成されている。
転送部４３，４７には、その転送電極に対して上記したクロック信号φＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４，φＨ１，φＨ２がそれぞれ周期的に位相をずらして印加される。
転送部４３，４７は、転送電極に印加されるクロック信号により上述した電位井戸のポテンシャル分布を順次変化させ、この電位井戸内の電荷をクロック信号の位相ずれ方向に転送する、いわゆるシフトレジスタとして機能する。
【００３８】
水平転送部４３により転送された信号電荷は、フローティングディフュージョン４４ａにより電圧に変換され、バッファアンプ４４ｂにより信号電圧が増幅されて出力される。
【００３９】
図３（ｂ）に示すように、撮像領域１は、複数のフォトダイオード４５の列からなる受光領域２と、各フォトダイオード４５の列ごとに共通化された垂直転送部４７を遮光する遮光領域３とを有する。なお、図示はしないが、遮光領域３は受光領域２の上下のフォトダイオード４５間をも区切るように形成されている。
【００４０】
図４は、一画素に相当する領域の断面図である。
図４に示すように、ｎ型のシリコン等からなる基板５１に、ウエルとなるｐ型半導体領域５２が形成されており、ｐ型半導体領域５２内には、ｐ型半導体領域５２とｐｎ接合を形成してフォトダイオード４５を構成するｎ型半導体領域５３が形成されている。ｎ型半導体領域５３の表面には、ｐ＋  半導体領域５４が形成され、これにより埋め込み型のフォトダイオード４５が形成される。
【００４１】
ｐ型半導体領域５２には、転送電極下にさらにｐ型半導体領域５５が形成され、当該ｐ型半導体領域５５には、電荷を転送する転送チャネルとなるｎ型半導体領域５６が形成されている。隣接する画素のフォトダイオード４５と転送チャネルとなるｎ型半導体領域５６間には、高濃度にｐ型不純物を含有するｐ＋  半導体領域からなるチャネルストッパ５７が形成されている。
【００４２】
基板５１上には、絶縁膜を介して転送電極５８が形成されている。なお、転送電極５８および転送チャネルとなるｎ型半導体領域５６により垂直転送部４７が構成される。
【００４３】
転送電極５８上には、酸化シリコン等からなる絶縁膜５９を介してアルミニウム等からなる多層の金属遮光膜２１，２２が形成されている。図３（ｂ）に示すように、垂直転送部４７を遮光する遮光領域３の面積が大きいことから、多層の金属遮光膜２１，２２により遮光面積を分割することにより、各層の遮光面積を小さくしている。各金属遮光膜２１，２２は、絶縁膜２３を介して積層されており、遮光性を確保する観点から、一部が重なるように形成されている。
多層の金属遮光膜２１，２２は、例えばアルミニウム等を全面にスパッタリングした後、レジストマスクを用いてエッチングすることによりパターニングし、層間絶縁膜２３を堆積させる工程を繰り返すことにより形成する。
【００４４】
金属遮光膜２１，２２上には、酸化シリコン等からなる層間膜３０が形成されており、当該層間膜３０の表面は平坦化されている。なお、平坦化された層間膜３０上には、図示しないオンチップカラーフィルタおよびオンチップレンズが形成されていてもよい。
【００４５】
本実施形態に係る固体撮像装置によれば、ＩＴ−ＣＣＤイメージセンサにおいて、撮像領域１のうち受光領域２を除く領域内に配置された、垂直転送部４７を遮光する大面積の遮光領域３を多層の金属遮光膜２１，２２により形成し、各層により大面積の遮光領域３の面積を分割することにより、各層の金属遮光膜２１，２２による遮光面積を小さくすることができることから、ヒロックのような突起物の形成を抑制することができる。
【００４６】
従って、層間膜３０をリフローやエッチバック等により平坦化することにより突起物が露出し、平坦化後の洗浄工程において金属遮光膜が溶かされてしまうことによる光漏れを防止することができ、垂直転送部４７を有効に遮光できる。これにより、ＩＴ−ＣＣＤイメージセンサにおいて、垂直転送部４７に光が漏れ込むことによるスミアの発生を防止することができ、固体撮像装置の性能を向上させることができる。
また、多層の金属遮光膜２１，２２を一部が重なるように形成することにより、位置擦れが発生した場合においても、有効に遮光することが可能となる。
【００４７】
なお、第１実施形態と同様に、ヒロックは、成膜途中あるいは成膜後の熱処理によりマイグレーションによって生成されることから、金属遮光膜２１，２２として特にアルミニウム等のマイグレーションの起こりやすい金属を用いる場合にヒロック抑制効果が高い。
【００４８】
第３実施形態
本実施形態では、フレーム転送方式（ＦＴ：Ｆｒａｍｅ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）のＣＣＤイメージセンサよりなる固体撮像装置について説明する。
図５（ａ）は、ＦＴ−ＣＣＤイメージセンサよりなる固体撮像装置の構成の一例を示す概略構成図であり、図５（ｂ）はＦＴ−ＣＣＤイメージセンサの撮像領域の平面図である。
【００４９】
ＦＴ−ＣＣＤは、撮像領域が主に受光領域２と蓄積領域３ａにより構成されており、受光領域２および蓄積領域３ａともに第２実施形態と同様のＣＣＤよりなる垂直転送部４７ａにより形成されている。光電変換は、受光領域の垂直ＣＣＤの中で行われるため、垂直転送部４７ａが光電変換、電荷蓄積および電荷転送の機能を兼ねる。
【００５０】
このため、垂直転送部４７ａの転送電極は、光を良く透過するように薄い多結晶Ｓｉで作製される。一方、蓄積領域３ａの垂直転送部４７ａは、アルミニウム等の金属遮光膜により遮光されている。本実施形態では、蓄積領域３ａを遮光する遮光領域３を第２実施形態と同様に多層の金属遮光膜により構成する。
【００５１】
ＦＴ−ＣＣＤでは、受光領域２中の垂直転送部４７ａで光電変換された信号電荷は、受光領域２から蓄積領域３ａにできるだけ高速で転送される。蓄積領域３ａに転送されてきた信号電荷は、水平転送部４３により転送されて、フローティングディフュージョン４４ａにより信号電圧に変換されて、バッファアンプ４４ｂにより増幅されて出力される。
【００５２】
本実施形態に係る固体撮像装置によれば、ＦＴ−ＣＣＤイメージセンサにおいて、蓄積領域３ａを遮光する大面積の遮光領域３を第２実施形態と同様に多層の金属遮光膜により形成し、各層により大面積の遮光領域３の面積を分割することにより、各層の金属遮光膜による遮光面積を小さくすることができることから、ヒロックのような突起物の形成を抑制することができる。
【００５３】
従って、金属遮光膜の上層の層間膜をリフローやエッチバック等により平坦化することにより突起物が露出し、平坦化後の洗浄工程において金属遮光膜が溶かされてしまうことによる光漏れを防止することができ、蓄積領域３ａを有効に遮光できる。これにより、ＦＴ−ＣＣＤイメージセンサにおいて、蓄積領域３ａに光が漏れ込むことによるスミアの発生を防止することができ、固体撮像装置の性能を向上させることができる。
また、第２実施形態と同様に、多層の金属遮光膜を一部が重なるように形成することにより、位置擦れが発生した場合においても、有効に遮光することが可能となる。
【００５４】
なお、第２実施形態と同様に、ヒロックは、成膜途中あるいは成膜後の熱処理によりマイグレーションによって生成されることから、金属遮光膜として特にアルミニウム等のマイグレーションの起こりやすい金属を用いる場合にヒロック抑制効果が高い。
【００５５】
第４実施形態
本実施形態では、フレームインターライン転送方式（ＦＩＴ：Ｆｒａｍｅ  Ｉｎｔｅｒｌｉｎｅ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）のＣＣＤイメージセンサよりなる固体撮像装置について説明する。図６は、ＦＩＴ−ＣＣＤイメージセンサよりなる固体撮像装置の構成の一例を示す概略構成図である。
【００５６】
ＦＩＴ−ＣＣＤイメージセンサは、第２実施形態のＩＴ−ＣＣＤの撮像領域１と、水平転送部４３との間に、一端信号電荷をメモリーしておく蓄積領域３ａを備えている。その他の構成については、第２実施形態と同様である。
【００５７】
撮像領域１の垂直転送部４７および蓄積領域３ａの垂直転送部は、アルミニウム等の金属遮光膜により遮光されている。本実施形態では、撮像領域１の垂直転送部４７および蓄積領域３ａを遮光する遮光領域３を第２実施形態と同様に多層の金属遮光膜により構成する。
【００５８】
本実施形態に係る固体撮像装置によれば、ＦＩＴ−ＣＣＤイメージセンサにおいて、撮像領域１の垂直転送部４７および蓄積領域３ａを遮光する大面積の遮光領域３を第２実施形態と同様に多層の金属遮光膜により形成し、各層により大面積の遮光領域３の面積を分割することにより、各層の金属遮光膜による遮光面積を小さくすることができることから、ヒロックのような突起物の形成を抑制することができる。
【００５９】
従って、金属遮光膜の上層の層間膜をリフローやエッチバック等により平坦化することにより突起物が露出し、平坦化後の洗浄工程において金属遮光膜が溶かされてしまうことによる光漏れを防止することができ、蓄積領域３ａを有効に遮光できる。これにより、ＦＩＴ−ＣＣＤイメージセンサにおいて、蓄積領域３ａに光が漏れ込むことによるスミアの発生を防止することができ、固体撮像装置の性能を向上させることができる。
また、第２実施形態と同様に、多層の金属遮光膜を一部が重なるように形成することにより、位置擦れが発生した場合においても、有効に遮光することが可能となる。
【００６０】
なお、第２実施形態と同様に、ヒロックは、成膜途中あるいは成膜後の熱処理によりマイグレーションによって生成されることから、金属遮光膜として特にアルミニウム等のマイグレーションの起こりやすい金属を用いる場合にヒロック抑制効果が高い。
【００６１】
本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
例えば、本実施形態で説明した固体撮像装置に限られず、大面積の遮光領域を設けることが必要な種々の固体撮像装置についても同様に適用可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【００６２】
【発明の効果】
本発明の固体撮像装置によれば、遮光領域の金属遮光膜の突起物の形成を抑制し、光漏れを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は、第１実施形態に係るＣＭＯＳイメージセンサよりなる固体撮像装置の構成の一例を示す概略回路図であり、図１（ｂ）はＣＭＯＳイメージセンサの撮像領域の平面図である。
【図２】第１実施形態に係る固体撮像装置において、受光領域と遮光領域における一画素の断面図である。
【図３】図３（ａ）は、第２実施形態に係るＩＴ−ＣＣＤイメージセンサよりなる固体撮像装置の構成の一例を示す概略構成図であり、図３（ｂ）はＩＴ−ＣＣＤイメージセンサの撮像領域の平面図である。
【図４】第２実施形態に係る固体撮像装置において、一画素に相当する領域の断面図である。
【図５】図５（ａ）は、第３実施形態に係るＦＴ−ＣＣＤイメージセンサよりなる固体撮像装置の構成の一例を示す概略構成図であり、図５（ｂ）はＦＴ−ＣＣＤイメージセンサの撮像領域の平面図である。
【図６】第４実施形態に係るＦＩＴ−ＣＣＤイメージセンサよりなる固体撮像装置の構成の一例を示す概略構成図である。
【図７】図７（ａ）は、従来の固体撮像装置の構成の一例を示す平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図８】ヒロックによる問題点を説明するための断面図である。
【図９】ヒロックによる問題点を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１…撮像領域、２…受光領域、３…遮光領域、３ａ…蓄積領域、４…フォトダイオード、５…センスアンプ、６…画素、７…垂直シフトレジスタ、８…水平シフトレジスタ、９…ＣＤＳ回路、１０…スイッチング素子、１１…基板、１２…ｐ型半導体領域、１３…素子分離絶縁膜、１４…ｎ型半導体領域、１４ａ…ｐ＋型半導体領域、１５…ゲート電極、１６…層間絶縁膜、１７…コンタクトプラグ、１８…配線、１９…層間絶縁膜、２０…配線層、２１，２２…金属遮光膜、２３…絶縁膜、３０…層間膜、４３…水平転送部、４４…出力部、４４ａ…フローティングディフュージョン、４４ｂ…バッファアンプ、４５…フォトダイオード、４６…読み出しゲート部、４７，４７ａ…垂直転送部、４８…画素、５１…基板、５２…ｐ型半導体領域、５３…ｎ型半導体領域、５４…ｐ＋  型半導体領域、５５…ｐ型半導体領域、５６…ｎ型半導体領域、５７…チャネルストッパ、５８…転送電極、５９…絶縁膜、１０１…撮像領域、１０２…受光領域、１０３…遮光領域、１１１…基板、１１２…金属遮光膜、１１２ａ…ヒロック、１１３…層間膜、Ｌ…光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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