(57)【要約】【課題】積層された複数の情報記録層を有する光記録媒体に対し、良好な信号特性が得られる条件にて光記録を行う。【解決手段】支持基板１１と、光透過層１３と、光透過層１３と支持基板１１との間に設けられたＬ０記録層２０及びＬ１記録層３０とを備え、Ｌ１層３０に含まれる記録膜３２が複数の無機反応膜５１，５２からなる光記録媒体１０の前記Ｌ１層３０にデータを記録するに際し、光入射面１３ａから、記録パワーＰｗ１、中間パワーＰｍ１及び基底パワーＰｂ１を含む３値以上に強度変調されたレーザビームを照射する。これにより、２値に強度変調されたレーザビームを用いて記録する場合に比べより正確な温度制御が可能となるので、放熱性が低いＬ１記録層３０に対し、良好な記録特性を得ることが可能となる。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光記録媒体の一方の表面を構成する基板と、光記録媒体の他方の表面を構成する保護層と、前記保護層と前記基板との間に設けられた複数の情報記録層とを備え、前記一方及び他方の表面のうち光入射面となる側の表面から最も遠い情報記録層とは異なる所定の情報記録層に含まれる記録膜が複数の無機反応膜からなる光記録媒体に対する光記録方法であって、前記光入射面から、少なくとも記録パワー、前記記録パワーよりも強度の低い中間パワー及び前記中間パワーよりも強度の低い基底パワーを含む３値以上に強度変調されたレーザビームを照射することによって前記所定の情報記録層に記録マークを形成することを特徴とする光記録方法。
【請求項２】
少なくとも、前記レーザビームの強度を前記記録パワーと前記基底パワーに交互に設定する加熱期間と、前記加熱期間に続いて設けられ、前記レーザビームの強度を前記基底パワーに設定する冷却期間を用いて前記記録マークを形成することを特徴とする請求項１に記載の光記録方法。
【請求項３】
所定の記録マークを形成するための前記冷却期間と、前記所定の記録マークに続く他の記録マークを形成するための前記加熱期間との間において、前記レーザビームの強度を前記中間パワーに設定することを特徴とする請求項２に記載の光記録方法。
【請求項４】
記録線速度をＶ１に設定して記録を行う場合の前記冷却期間をｔｃｌ１とし、記録線速度をＶ２に設定して記録を行う場合の前記冷却期間をｔｃｌ２とした場合、
Ｖ１＜Ｖ２、且つ、
ｔｃｌ１＜ｔｃｌ２
に設定して前記記録マークを形成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光記録方法。
【請求項５】
前記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビームを集束するための対物レンズの開口数をＮＡとした場合、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍの条件にて前記記録マークの形成を行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光記録方法。
【請求項６】
光記録媒体の一方の表面を構成する基板と、光記録媒体の他方の表面を構成する保護層と、前記保護層と前記基板との間に設けられた複数の情報記録層とを備え、前記一方及び他方の表面のうち光入射面となる側の表面からレーザビームを照射することによって各情報記録層に対するデータの記録及び／又は再生が可能な光記録媒体であって、前記複数の情報記録層のうち前記光入射面から最も遠い情報記録層とは異なる所定の情報記録層に含まれる記録膜が複数の無機反応膜を備えており、さらに、前記光入射面から、少なくとも記録パワー、前記記録パワーよりも強度の低い中間パワー及び前記中間パワーよりも強度の低い基底パワーを含む３値以上に強度変調されたレーザビームを照射することによって前記所定の情報記録層に記録マークを形成するために必要な設定情報を有していることを特徴とする光記録媒体。
【請求項７】
前記複数の無機反応膜が、銅（Ｃｕ）を主成分とする第１の無機反応膜とシリコン（Ｓｉ）を主成分とする第２の無機反応膜とを含んでいることを特徴とする請求項６に記載の光記録媒体。
【請求項８】
光記録媒体の一方の表面を構成する基板と、光記録媒体の他方の表面を構成する保護層と、前記保護層と前記基板との間に設けられた複数の情報記録層とを備え、前記一方及び他方の表面のうち光入射面となる側の表面から最も遠い情報記録層とは異なる所定の情報記録層に含まれる記録膜が複数の無機反応膜からなる光記録媒体に対し、前記光入射面からレーザビームを照射することによって各情報記録層に対するデータの記録及び／又は再生を行うことが可能な光記録装置であって、前記レーザビームを少なくとも記録パワー、前記記録パワーよりも強度の低い中間パワー及び前記中間パワーよりも強度の低い基底パワーを含む３値以上に強度変調することによって前記所定の情報記録層に記録マークを形成可能であることを特徴とする光記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光記録媒体に関し、特に、積層された複数の情報記録層を備える光記録媒体に関する。また、本発明は光記録方法に関し、特に、積層された複数の情報記録層を備える光記録媒体への光記録方法に関する。さらに、本発明は光記録装置に関し、特に、積層された複数の情報記録層を備える光記録媒体に対して光記録を行うことが可能な光記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されている。このような光記録媒体に要求される記録容量は年々増大し、これを達成するために種々の提案がなされている。かかる提案の一つとして、光記録媒体に含まれる情報記録層を２層構造とする手法が提案され、再生専用の光記録媒体であるＤＶＤ−ＶｉｄｅｏやＤＶＤ−ＲＯＭにおいて実用化されている。このような再生専用の光記録媒体においては、基板表面に形成されたピットが情報記録層となり、このような基板が中間層を介して積層された構造を有している。
【０００３】
また近年、ユーザによるデータの記録が可能な光記録媒体に対しても情報記録層を多層構造とする手法が提案されており、例えば、特許文献１には書き換え型光記録媒体において情報記録層を２層構造とする技術が開示されている。同特許文献に記載された光記録媒体においては、相変化記録膜及びこれを挟んで形成された誘電体膜（保護膜）が情報記録層として用いられ、かかる情報記録層が中間層を介して積層された構造を有している。
【０００４】
情報記録層が多層構造である書き込み可能な光記録媒体にデータを記録する場合、レーザビームのフォーカスをいずれか一つの情報記録層に合わせ、その強度を再生パワー（Ｐｒ）よりも十分に高い記録パワー（Ｐｗ）に設定することによって、当該情報記録層に含まれる記録膜の状態を変化させこれによって所定の部分に記録マークを形成する。このようにして形成された記録マークは、記録マークが形成されていないブランク領域とは異なる光学特性を有することから、再生パワー（Ｐｒ）に設定されたレーザビームのフォーカスをいずれか一方の情報記録層に合わせ、その反射光量を検出することによって記録されたデータを再生することができる。
【０００５】
ここで、情報記録層が多層構造である書き込み可能な光記録媒体において、光入射面から最も遠い情報記録層を「Ｌ０層」とし、以下、光入射面へ近づくに連れて「Ｌ１層，Ｌ２層，Ｌ３層，Ｌ４層・・・」とした場合、Ｌ０層に対してデータの記録／再生を行う場合には、Ｌ１層，Ｌ２層，Ｌ３層，Ｌ４層・・・を介してレーザビームが照射されることになる。同様に、Ｌ１層に対してデータの記録／再生を行う場合には、Ｌ２層，Ｌ３層，Ｌ４層・・・を介してレーザビームが照射され、Ｌ２層に対してデータの記録／再生を行う場合には、Ｌ３層，Ｌ４層・・・を介してレーザビームが照射されることになる。したがって、より下層（光入射面からより遠い）に位置する情報記録層に対するデータの記録／再生を有効に行うためには、より上層（光入射面により近い）に位置する情報記録層は十分な光透過率を有している必要があり、そのためＬ１層，Ｌ２層，Ｌ３層，Ｌ４層・・・には反射膜が設けられないか、或いは反射膜の膜厚が非常に薄く設定される。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−２４３６５５号公報
【発明が解決しようとする課題】
このように、積層された複数の情報記録層を有する光記録媒体においては、下層に位置する情報記録層（例えばＬ０層）に対してデータの記録／再生を行う場合、より上層に位置する情報記録層（例えばＬ１層）を介してレーザビームを照射する必要があることから、下層の情報記録層に到達するレーザビーム光量及び反射光量は、上層の情報記録層の影響を大きく受けることになる。具体的には、上層の情報記録層のうち記録マークが形成されている領域とブランク領域とで光透過率が大きく異なると、下層の情報記録層にレーザビームのフォーカスを合わせた場合に、上層の情報記録層のうちレーザビームが通過する部分が記録領域であるか未記録領域であるかによって、下層の情報記録層に到達するレーザビーム光量及び反射光量が大きく異なってしまう。このため、レーザビームが通過する部分が記録領域であるか未記録領域であるかによって下層の情報記録層に対する記録特性や下層の情報記録層より得られる信号振幅が変化し、安定した記録／再生の妨げになるという問題があった。
【０００７】
このような問題を解決すべく、本発明者らは、上層の情報記録層に含まれる記録膜を複数の無機反応膜によって構成した光記録媒体を既に提案した（特願２００２−１９６３３５号）。このような構造を有する光記録媒体においては、上層の情報記録層において記録マーク形成領域の光透過率とブランク領域の光透過率との差が小さく、このため、下層の情報記録層に対するデータの記録／再生を安定して行うことが可能である。
【０００８】
しかしながら、本発明者らがさらなる研究を重ねた結果、このような構造を有する光記録媒体のＬ１層，Ｌ２層，Ｌ３層，Ｌ４層・・・に対してデータの記録を行う場合、Ｌ０層に対してデータの記録を行う場合に比べて良好な信号特性が得られにくいことが判明した。
【０００９】
したがって、本発明の目的は、積層された複数の情報記録層を有し、少なくとも、光入射面から最も遠い情報記録層（Ｌ０層）とは異なる所定の情報記録層に含まれる記録膜が無機反応膜を備えるタイプの光記録媒体の前記所定の情報記録層にデータを記録する光記録方法であって、良好な信号特性を得ることが可能な光記録方法を提供することである。
【００１０】
また、本発明の他の目的は、このような光記録方法を実行するために必要な情報を備える光記録媒体、並びに、このような光記録方法を実行可能な光記録装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上述したタイプの光記録媒体に対する光記録方法について鋭意研究を重ねた結果、Ｌ１層，Ｌ２層，Ｌ３層，Ｌ４層・・・に対してデータの記録を行う場合に良好な信号特性が得られにくいのは、Ｌ０層とは異なり、Ｌ１層，Ｌ２層，Ｌ３層，Ｌ４層・・・には反射膜が設けられないか或いは反射膜の膜厚が非常に薄く設定されることが原因であることを見いだした。すなわち、一般に反射膜の材料は金属であるため、Ｌ０層のように十分な膜厚の反射膜を具備可能な情報記録層においては、記録時に照射されるレーザビームの熱が効果的に放熱される一方、このような反射膜が設けられないか或いは反射膜の膜厚が非常に薄く設定されるＬ１層，Ｌ２層，Ｌ３層，Ｌ４層・・・においては、反射膜による放熱効果が全く或いは十分に得られないため、記録時に照射されるレーザビームの熱が十分に放熱されず、これが信号特性を悪化させる原因であることが明らかとなった。
【００１２】
本発明はこのような技術的知見に基づきなされたものであって、本発明による光記録方法は、光記録媒体の一方の表面を構成する基板と、光記録媒体の他方の表面を構成する保護層と、前記保護層と前記基板との間に設けられた複数の情報記録層とを備え、前記一方及び他方の表面のうち光入射面となる側の表面から最も遠い情報記録層とは異なる所定の情報記録層に含まれる記録膜が複数の無機反応膜からなる光記録媒体に対する光記録方法であって、前記光入射面から、少なくとも記録パワー、前記記録パワーよりも強度の低い中間パワー及び前記中間パワーよりも強度の低い基底パワーを含む３値以上に強度変調されたレーザビームを照射することによって前記所定の情報記録層に記録マークを形成することを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、記録パワー、中間パワー及び基底パワーを含む３値以上に強度変調されたレーザビームを照射することによって該所定の情報記録層に記録マークを形成していることから、２値に強度変調されたレーザビームを用いて記録マークを形成する場合に比べ、より正確な温度制御が可能となる。これにより、対応する反射膜が設けられないか或いは反射膜の膜厚が非常に薄く設定されるために放熱性が低い情報記録層に対しても、良好な記録特性を得ることが可能となる。
【００１４】
また、本発明においては、少なくとも、前記レーザビームの強度を前記記録パワーと前記基底パワーに交互に設定する加熱期間と、前記加熱期間に続いて設けられ、前記レーザビームの強度を前記基底パワーに設定する冷却期間を用いて前記記録マークを形成することが好ましい。これによれば、記録パワーに設定されたレーザビームの照射により与えられた熱が効果的に放熱されることから、記録マークが形成される領域において熱が過剰に蓄積されることが無くなる。
【００１５】
また、本発明においては、所定の記録マークを形成するための前記冷却期間と、前記所定の記録マークに続く他の記録マークを形成するための前記加熱期間との間において、前記レーザビームの強度を前記中間パワーに設定することがより好ましい。これによれば、記録マークが形成される領域における過剰な蓄熱を抑制しつつ、全体的な熱量不足を解消することができる。
【００１６】
また、本発明においては、記録線速度をＶ１に設定して記録を行う場合の前記冷却期間をｔｃｌ１とし、記録線速度をＶ２に設定して記録を行う場合の前記冷却期間をｔｃｌ２とした場合、
Ｖ１＜Ｖ２、且つ、
ｔｃｌ１＜ｔｃｌ２
に設定して前記記録マークを形成することが好ましい。これによれば、高い線速度で記録を行う場合であっても、良好な記録特性を得ることが可能となる。
【００１７】
また、本発明においては、前記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビームを集束するための対物レンズの開口数をＮＡとした場合、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍの条件にて前記記録マークの形成を行うことが好ましい。上記条件にて記録を行うと、ビームスポットにおけるエネルギー密度が非常に高いことから放熱性の低い情報記録層に対する記録特性が悪化しやすいが、本発明によれば、このような条件で記録を行う場合であっても、良好な記録特性を得ることが可能となる。このような条件にて記録を行う場合、保護層側からレーザビームを照射することによってチルトマージンを十分に確保することができる。つまりこの場合、保護層を光透過層として用いることが好ましい。
【００１８】
また、本発明による光記録媒体は、光記録媒体の一方の表面を構成する基板と、光記録媒体の他方の表面を構成する保護層と、前記保護層と前記基板との間に設けられた複数の情報記録層とを備え、前記一方及び他方の表面のうち光入射面となる側の表面からレーザビームを照射することによって各情報記録層に対するデータの記録及び／又は再生が可能な光記録媒体であって、前記複数の情報記録層のうち前記光入射面から最も遠い情報記録層とは異なる所定の情報記録層に含まれる記録膜が複数の無機反応膜を備えており、さらに、前記光入射面から、少なくとも記録パワー、前記記録パワーよりも強度の低い中間パワー及び前記中間パワーよりも強度の低い基底パワーを含む３値以上に強度変調されたレーザビームを照射することによって前記所定の情報記録層に記録マークを形成するために必要な設定情報を有していることを特徴とする。
【００１９】
本発明による光記録媒体は、複数の無機反応膜からなる記録膜を備えていることから、記録マーク形成領域の光透過率とブランク領域の光透過率との差を小さくすることができる。これにより、下層に位置する情報記録層に対してデータの記録／再生を行う場合において、上層の情報記録層の状態による記録／再生特性の変化を抑制することが可能となる。また、上記設定情報に基づいて記録条件を設定すれば、上層の情報記録層に対しても良好な記録特性を得ることが可能となる。
【００２０】
この場合、前記複数の無機反応膜が、銅（Ｃｕ）を主成分とする第１の無機反応膜とシリコン（Ｓｉ）を主成分とする第２の無機反応膜とを含んでいることが好ましい。このような材料を用いれば、次世代型の光記録媒体に用いられるレーザビームの波長領域において、これら無機反応膜が積層状態である場合と混合状態である場合との光透過率差を４％以下まで小さくすることができ、また環境負荷を抑制することも可能となる。また、第１の無機反応膜にアルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）及び金（Ａｕ）からなる群より選ばれた少なくとも一つの元素を添加すれば、再生信号のノイズレベルをより低く抑えることができるとともに、長期間の保存に対する信頼性を高めることが可能となる。
【００２１】
本発明による光記録装置は、光記録媒体の一方の表面を構成する基板と、光記録媒体の他方の表面を構成する保護層と、前記保護層と前記基板との間に設けられた複数の情報記録層とを備え、前記一方及び他方の表面のうち光入射面となる側の表面から最も遠い情報記録層とは異なる所定の情報記録層に含まれる記録膜が複数の無機反応膜からなる光記録媒体に対し、前記光入射面からレーザビームを照射することによって各情報記録層に対するデータの記録及び／又は再生を行うことが可能な光記録装置であって、前記レーザビームを少なくとも記録パワー、前記記録パワーよりも強度の低い中間パワー及び前記中間パワーよりも強度の低い基底パワーを含む３値以上に強度変調することによって前記所定の情報記録層に記録マークを形成可能であることを特徴とする。
【００２２】
本発明によれば、上記設定情報に基づいて記録条件を設定することにより、前記所定の情報記録層に対して良好な特性にて記録を行うことが可能となる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。
【００２４】
図１（ａ）は、本発明による光記録方法の適用が好適な光記録媒体１０の外観を示す切り欠き斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すＡ部を拡大した部分断面図である。
【００２５】
図１（ａ），（ｂ）に示す光記録媒体１０は、外径が約１２０ｍｍ、厚みが約１．２ｍｍである円盤状の光記録媒体であり、図１（ｂ）に示すように、支持基板１１と、透明中間層１２と、光透過層（保護層）１３と、支持基板１１と透明中間層１２との間に設けられたＬ０層２０と、透明中間層１２と光透過層１３との間に設けられたＬ１層３０とを備える。Ｌ０層２０は、光入射面１３ａから遠い側の情報記録層を構成し、支持基板１１側から反射膜２１、第４誘電体膜２２、Ｌ０記録膜２３及び第３誘電体膜２４が積層された構造を有する。また、Ｌ１層３０は、光入射面１３ａから近い側の情報記録層を構成し、支持基板１１側から第２誘電体膜３１、Ｌ１記録膜３２及び第１誘電体膜３３が積層された構造を有する。このように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、積層された２層の情報記録層（Ｌ０層２０及びＬ１層３０）を有している。尚、「第４」誘電体膜２２、「第３」誘電体膜２４、「第２」誘電体膜３１及び「第１」誘電体膜３３とは、光入射面１３ａから見てそれぞれ４番目、３番目、２番目及び１番目の誘電体膜であることを意味する。
【００２６】
以下に詳述するが、Ｌ０層２０に対してデータの記録／再生を行う場合及びＬ１層３０に対してデータの記録／再生を行う場合には、光入射面１３ａ側から波長が３８０ｎｍ〜４５０ｎｍであるレーザビームＬが照射され、その焦点がＬ０層２０及びＬ１層３０のいずれか一方に合わせられる。
【００２７】
尚、Ｌ０層２０とは異なり、Ｌ１層３０には反射膜が含まれていない。これは、Ｌ０層２０に対してデータの記録／再生を有効に行う場合、Ｌ１層３０を介してレーザビームＬが照射されるため、Ｌ０層２０に対してデータの記録／再生を有効に行うためには、Ｌ１層３０の光透過率を高める必要があるからである。但し、本発明による光記録方法の適用が可能な光記録媒体において、Ｌ１層３０には反射膜が含まれていないことは必須でなく、Ｌ０層２０に対するデータの記録／再生を妨げない範囲において薄い反射膜が含まれていても構わない。この場合、かかる反射膜は透明中間層１２と第２誘電体膜３１との間に設けられる。
【００２８】
支持基板１１は、光記録媒体１０に求められる厚み（約１．２ｍｍ）を確保するために用いられる円盤状の基板であり、その一方の面には、その中心部近傍から外縁部に向けて、グルーブ１１ａ及びランド１１ｂが螺旋状に形成されている。これらグルーブ１１ａ及び／又はランド１１ｂは、Ｌ０層２０に対してデータの記録／再生を行う場合におけるレーザビームＬのガイドトラックとしての役割を果たす。特に限定されるものではないが、グルーブ１１ａの深さとしては１０ｎｍ〜４０ｎｍに設定することが好ましく、グルーブ１１ａのピッチとしては０．２μｍ〜０．４μｍに設定することが好ましい。支持基板１１の材料としては種々の材料を用いることが可能であり、例えば、ガラス、セラミックス、あるいは樹脂を用いることができる。これらのうち、成形の容易性の観点から樹脂が好ましい。このような樹脂としてはポリカーボネート樹脂、オレフィン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。中でも、加工性などの点からポリカーボネート樹脂やオレフィン樹脂が特に好ましい。但し、支持基板１１は、レーザビームＬの光路とはならないことから、高い光透過性を有している必要はない。
【００２９】
透明中間層１２は、Ｌ０層２０とＬ１層３０とを物理的及び光学的に十分な距離をもって離間させる役割を果たし、その表面にはグルーブ１２ａ及びランド１２ｂが設けられている。これらグルーブ１２ａ及び／又はランド１２ｂは、Ｌ１層３０に対してデータの記録／再生を行う場合におけるレーザビームＬのガイドトラックとしての役割を果たす。グルーブ１２ａの深さやピッチは、支持基板１１に設けられたグルーブ１１ａの深さやピッチと同程度に設定すればよい。透明中間層１２の厚みとしては５μｍ〜５０μｍに設定することが好ましく、１０μｍ〜４０μｍに設定することが特に好ましい。また、透明中間層１２の材料としては特に限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。透明中間層１２は、Ｌ０層２０に対してデータの記録／再生を行う場合にレーザビームＬの光路となることから、十分に高い光透過性を有している必要がある。
【００３０】
光透過層１３は、レーザビームＬの光路となるとともに光入射面１３ａを構成し、その厚みとしては、３０μｍ〜２００μｍに設定することが好ましい。光透過層１３の材料としては、特に限定されるものではないが、透明中間層１２と同様、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。上述のとおり、光透過層１３はレーザビームＬの光路となることから、十分に高い光透過性を有している必要がある。
【００３１】
次に、Ｌ０層２０及びＬ１層３０を構成する各膜について詳述する。
【００３２】
図２（ａ）に示すように、Ｌ０層２０に含まれるＬ０記録膜２３及びＬ１層３０に含まれるＬ１記録膜３２は、支持基板１１側に位置する無機反応膜５１と光透過層１３側に位置する無機反応膜５２とが積層された構造を有している。Ｌ０記録膜２３又はＬ１記録膜３２のうち未記録状態である領域は、図２（ａ）に示すように無機反応膜５１と無機反応膜５２がそのまま積層された状態となっているが、所定以上のパワーを持つレーザビームが照射されると、その熱によって、図２（ｂ）に示すように無機反応膜５１を構成する元素及び無機反応膜５２を構成する元素がそれぞれ部分的又は全体的に混合されて記録マークＭとなる。このとき、記録層において記録マークＭの形成された混合部分とそれ以外の部分とでは再生光に対する反射率が異なるため、これを利用してデータの記録・再生を行うことができる。
【００３３】
したがって、高い再生信号出力を得るためには無機反応膜５１，５２の材料として、用いられるレーザビームの波長に関し、積層状態である場合（図２（ａ）参照）の反射率と混合状態である場合（図２（ｂ）参照）の反射率との差が大きい材料を用いる必要があるが、Ｌ１記録膜３２において積層状態である場合の光透過率と混合状態である場合の光透過率との差が大きいと、Ｌ０層２０に対するデータの記録／再生において既に説明した問題が生じてしまう。したがって、Ｌ１記録膜３２を構成する無機反応膜５１，５２の材料としては、用いられるレーザビームの波長に関して、積層状態である場合と混合状態である場合とで反射率差が大きく、且つ、光透過率差が小さい材料を選択する必要がある。具体的には、Ｌ０層２０に対するデータの記録／再生を安定的に行うためには、上記光透過率差を４％以下に抑えることが好ましく、２％以下に抑えることがより好ましい。
【００３４】
これらの点を考慮して、光記録媒体１０では、Ｌ１記録膜３２を構成する無機反応膜５１の材料として銅（Ｃｕ）及びシリコン（Ｓｉ）の一方を主成分とする材料を用い、無機反応膜５２の材料として銅（Ｃｕ）及びシリコン（Ｓｉ）の他方を主成分とする材料を用いている。これにより、レーザビームの波長λが３８０ｎｍ〜４５０ｎｍである場合において、積層状態である場合と混合状態である場合との光透過率差を４％以下とすることができ、Ｌ０層２０に対するデータの記録／再生を安定的に行うことができる。このような材料を用いた場合、特に、次世代型の光記録媒体に用いられる波長λ＝約４０５ｎｍのレーザビームに対しては、積層状態である場合と混合状態である場合との光透過率差を１％以下とすることができる。また、主成分が銅（Ｃｕ）およびシリコン（Ｓｉ）であることから、環境負荷を抑制することも可能となる。尚、この場合、無機反応膜５１の主成分が銅（Ｃｕ）であり、無機反応膜５２の主成分がシリコン（Ｓｉ）であることが好ましい。
【００３５】
また、無機反応膜５１及び無機反応膜５２のうち主成分が銅（Ｃｕ）である反応膜には、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）または金（Ａｕ）が添加されていることが好ましい。このような元素を添加すれば、再生信号のノイズレベルがより低く抑えられるとともに、長期間の保存に対する信頼性を高めることが可能となる。尚、本明細書において「主成分」とは、当該膜中において最も含有率（原子％＝ａｔｍ％）の高い元素を指す。
【００３６】
尚、Ｌ０記録膜２３を構成する無機反応膜５１及び無機反応膜５２の材料としては、記録の前後における光透過率差を考慮する必要はないが、高い変調度が得られるとともに、環境負荷を抑制することが可能となることから、Ｌ１記録膜３２と同様の材料を用いることが好ましい。
【００３７】
ここで、Ｌ１記録膜３２は、Ｌ０層２０に対してデータの記録／再生を行う場合にレーザビームＬの光路となることから、十分な光透過性を有している必要があり、このためＬ１記録膜３２の膜厚は、Ｌ０記録膜２３の膜厚と比べて薄く設定することが好ましい。
【００３８】
具体的には、Ｌ０記録膜２３の膜厚については２ｎｍ〜４０ｎｍに設定することが好ましく、Ｌ１記録膜３２の膜厚については２ｎｍ〜１５ｎｍに設定することが好ましい。これは、無機反応膜５１及び５２の積層体からなるＬ０記録膜２３及びＬ１記録膜３３の膜厚が２ｎｍ未満であるとこれらを混合する前後における光学特性の差が十分に得られなくなる一方、Ｌ１記録膜３２の膜厚が１５ｎｍを超えるとＬ１層３０の光透過率が低下し、Ｌ０層２０に対するデータの記録特性及び再生特性が悪化してしまうからであり、また、Ｌ０記録膜２３の膜厚が４０ｎｍを超えると、記録感度が悪化してしまうからである。また、無機反応膜５１の膜厚と無機反応膜５２の膜厚との比（無機反応膜５１の膜厚／無機反応膜５２の膜厚）は、０．２〜５．０であることが好ましい。
【００３９】
一方、Ｌ０記録膜２３を挟むように設けられた第４誘電体膜２２及び第３誘電体膜２４は、Ｌ０記録膜２３に対する保護膜として機能し、Ｌ１記録膜３２を挟むように設けられた第２誘電体膜３１及び第１誘電体膜３３は、Ｌ１記録膜３２に対する保護膜として機能する。
【００４０】
第４誘電体膜２２、第３誘電体膜２４、第２誘電体膜３１及び第１誘電体膜３３の厚みとしては、特に限定されるものではないが、１ｎｍ〜５０ｎｍに設定することが好ましい。これら誘電体膜の厚みを１ｎｍ未満に設定すると保護膜としての機能が不十分となり、一方、これら誘電体膜の厚みを５０ｎｍ超に設定すると、成膜時間が長くなって生産性が低下したり、膜の応力によってＬ０記録膜２３やＬ１記録膜３２にクラックが発生するおそれがある。
【００４１】
尚、これら第４誘電体膜２２、第３誘電体膜２４、第２誘電体膜３１及び第１誘電体膜３３は、１層の誘電体膜からなる単層構造であってもよいし、２層以上の誘電体膜からなる積層構造であってもよい。これら誘電体膜の材料としては特に限定されないが、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＴａＯ、ＺｎＳ、ＣｅＯ２、ＴｉＯ２等、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）、セリウム（Ｃｅ）、チタン（Ｔｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、タンタル（Ｔａ）等の酸化物、窒化物、硫化物、炭化物あるいはそれらの混合物を用いることが好ましく、特に、第４誘電体膜２２、第３誘電体膜２４及び第２誘電体膜３１についてはＺｎＳとＳｉＯ２との混合物（モル比＝８０：２０）を用いることが好ましく、第１誘電体膜３３についてはＴｉＯ２を用いることが好ましい。これは、Ｌ１層３０には反射膜が備えられていないためＬ０層２０に比べて放熱性が低く、このためＺｎＳとＳｉＯ２との混合物よりも熱伝導率の高いＴｉＯ２を用いることによって放熱性を高めることが有効であるからである。
【００４２】
反射膜２１は、光入射面１３ａから入射されるレーザビームＬを反射し、再び光入射面１３ａから出射させる役割を果たすとともに、Ｌ０記録膜２３に生じた熱を効果的に放熱させる役割を果たし、その膜厚は２０ｎｍ〜２００ｎｍに設定することが好ましい。反射膜２１の膜厚が２０ｎｍ未満であると充分な放熱効果を得ることができず、また、２００ｎｍ超であると、成膜に長い時間がかかることから生産性を低下させたり、内部応力等によってクラックが発生するおそれが生じる。反射膜２１の材料としては特に限定されないが、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）等を用いることができる。これらのうち、高い反射率と高い熱伝導率を有することから、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）又はこれらの合金を用いることが好ましい。
【００４３】
以上が本発明による光記録方法の適用が好適な光記録媒体１０の構造であり、このような構造を有する光記録媒体１０に記録されたデータを再生する場合、光入射面１３ａからレーザビームＬが照射され、その反射光量が検出される。すなわち、Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３２は、未混合領域と混合領域（記録マークＭ）とで光反射率が異なっていることから、レーザビームＬを光入射面１３ａから照射してＬ０記録膜２３及びＬ１記録膜３２の一方にフォーカスを合わせその反射光量を検出すれば、レーザビームが照射された部分におけるＬ０記録膜２３またはＬ１記録膜３２が混合領域であるか未混合領域であるかを判別することができる。
【００４４】
尚、本発明による光記録方法の適用が可能な光記録媒体が上述した光記録媒体１０に限定されるものではなく、あくまで本発明による効果をより顕著に得ることができる光記録媒体を例示したに過ぎない。
【００４５】
次に、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録方法について、図１に示した光記録媒体１０に対してデータの記録を行う場合を例に説明する。
【００４６】
本実施態様においては、Ｌ０層２０に対してデータの記録を行う場合には以下に説明する第１のパルス列パターン又は第２のパルス列パターンが用いられ、Ｌ１層３０に対してデータの記録を行う場合には第１のパルス列パターンが用いられる。
【００４７】
まず、第１のパルス列パターンについて、１，７ＲＬＬ変調方式を用いた場合を例に説明する。上述の通り、第１のパルス列パターンは、Ｌ１層３０に対するデータの記録において用いられるとともに、Ｌ０層２０に対するデータの記録においても用いることが可能である。
【００４８】
図３は、第１のパルス列パターンを示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｂ）は３Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｃ）は４Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｄ）は５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。
【００４９】
図３（ａ）〜（ｄ）に示すように、第１のパルス列パターンにおいては、レーザビームＬの強度は記録パワーＰｗ１、中間パワーＰｍ１及び基底パワーＰｂ１からなる３つの設定強度（３値）に変調される。ここで、特に区別する必要がある場合には、Ｌ０層２０に対して記録を行う場合におけるこれら記録パワー、中間パワー及び基底パワーをそれぞれ「Ｐｗ１０」、「Ｐｍ１０」及び「Ｐｂ１０」と表記し、Ｌ１層３０に対して記録を行う場合におけるこれら記録パワー、中間パワー及び基底パワーをそれぞれ「Ｐｗ１１」、「Ｐｍ１１」及び「Ｐｂ１１」と表記する。したがって、記録パワーＰｗ１というときには記録パワーＰｗ１０及びＰｗ１１の両方を指し、中間パワーＰｍ１というときには中間パワーＰｍ１０及びＰｍ１１の両方を指し、基底パワーＰｂ１というときには基底パワーＰｂ１０及びＰｂ１１の両方を指す。
【００５０】
これら記録パワー、中間パワー及び基底パワーの関係については、
Ｐｗ１０＞Ｐｍ１０＞Ｐｂ１０
に設定されるとともに、
Ｐｗ１１＞Ｐｍ１１＞Ｐｂ１１
に設定される。
【００５１】
記録パワーＰｗ１０としては、照射によってＬ０記録膜２３を構成する無機反応膜５１，５２が溶融混合するような高いレベルに設定され、中間パワーＰｍ１０及び基底パワーＰｂ１０としては、照射されてもＬ０記録膜２３を構成する無機反応膜５１，５２が溶融混合しないような低いレベルに設定される。特に、基底パワーＰｂ１０は、照射によってＬ０記録膜２３に与える熱的な影響がほとんどなく、記録パワーＰｗ１０を持つレーザビームＬの照射により加熱されたＬ０記録膜２３が冷却されるような極めて低いレベルに設定される。
【００５２】
同様に、記録パワーＰｗ１１としては、照射によってＬ１記録膜３２を構成する無機反応膜５１，５２が溶融混合するような高いレベルに設定され、中間パワーＰｍ１１及び基底パワーＰｂ１１としては、照射されてもＬ１記録膜３２を構成する無機反応膜５１，５２が溶融混合しないような低いレベルに設定される。特に、基底パワーＰｂ１１は、照射によりＬ１記録膜３２に与える熱的な影響がほとんどなく、記録パワーＰｗ１１を持つレーザビームＬの照射により加熱されたＬ１記録膜３２が冷却されるような極めて低いレベルに設定される。
【００５３】
記録パワーＰｗ１０と記録パワーＰｗ１１との関係については特に限定されない。また、中間パワーＰｍ１０と中間パワーＰｍ１１との関係についても、特に限定されない。
【００５４】
基底パワーＰｂ１０と基底パワーＰｂ１１との関係については、上記のように、加熱されたＬ０記録膜２３又はＬ１記録膜３２を冷却可能な低いレベルである限り特に限定されない。
【００５５】
図３（ａ）に示すように、第１のパルス列パターンにおいて２Ｔ信号を形成する場合、レーザビームＬの記録パルス数は「１」に設定され、その後、冷却期間ｔｃｌが挿入される。レーザビームＬの記録パルス数とは、レーザビームＬの強度が記録パワーＰｗ１（又はＰｗ２（Ｐｗ２については後述する））まで高められた回数によって定義される。また、本明細書においては、レーザビームＬの記録パルスのうち、先頭の記録パルスをトップパルス、最後の記録パルスをラストパルス、トップパルスとラストパルスの間に存在する記録パルスをマルチパルスと定義する。但し、図３（ａ）に示すように、記録パルス数が「１」である場合には、当該記録パルスはトップパルスである。
【００５６】
また、冷却期間ｔｃｌにおいては、レーザビームＬの強度が基底パワーＰｂ１に設定される。このように、本明細書においては、レーザビームＬの強度が基底パワーＰｂ１に設定される最後の期間を「冷却期間」と定義する。また、トップパルスが立ち上がってから冷却期間が始まるまでの期間を「加熱期間」と定義する。２Ｔ信号を形成する場合、レーザビームＬの強度は、タイミングｔ１１以前においては中間パワーＰｍ１に設定され、タイミングｔ１１からタイミングｔ１２までの期間（ｔｔｏｐ）においては記録パワーＰｗ１に設定され、タイミングｔ１２からタイミングｔ１３までの期間ｔｃｌにおいては基底パワーＰｂ１に設定され、タイミングｔ１３以降においては再び中間パワーＰｍ１に設定される。したがって、２Ｔ信号を形成する場合、タイミングｔ１１からタイミングｔ１２までの期間が加熱期間となり、タイミングｔ１２からタイミングｔ１３までの期間が冷却期間となる。
【００５７】
また、図３（ｂ）に示すように、第１のパルス列パターンにおいて３Ｔ信号を形成する場合、レーザビームＬの記録パルス数は「２」に設定され、その後、冷却期間ｔｃｌが挿入される。したがって、３Ｔ信号を形成する場合、レーザビームＬの強度は、タイミングｔ２１以前においては中間パワーＰｍ１に設定され、タイミングｔ２１からタイミングｔ２２までの期間（ｔｔｏｐ）及びタイミングｔ２３からタイミングｔ２４までの期間（ｔｌｐ）においては記録パワーＰｗ１に設定され、タイミングｔ２２からタイミングｔ２３までの期間（ｔｏｆｆ）及びタイミングｔ２４からタイミングｔ２５までの期間（ｔｃｌ）においては基底パワーＰｂ１に設定され、タイミングｔ２５以降においては再び中間パワーＰｍ１に設定される。したがって、３Ｔ信号を形成する場合、タイミングｔ２１からタイミングｔ２４までの期間が加熱期間となり、タイミングｔ２４からタイミングｔ２５までの期間が冷却期間となる。
【００５８】
さらに、図３（ｃ）に示すように、第１のパルス列パターンにおいて４Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの記録パルス数は「３」に設定され、その後、冷却期間ｔｃｌが挿入される。したがって、４Ｔ信号を形成する場合、レーザビームＬの強度は、タイミングｔ３１以前においては中間パワーＰｍ１に設定され、タイミングｔ３１からタイミングｔ３２までの期間（ｔｔｏｐ）、タイミングｔ３３からタイミングｔ３４までの期間（ｔｍｐ）及びタイミングｔ３５からタイミングｔ３６までの期間（ｔｌｐ）においては記録パワーＰｗ１に設定され、タイミングｔ３２からタイミングｔ３３までの期間（ｔｏｆｆ）、タイミングｔ３４からタイミングｔ３５までの期間（ｔｏｆｆ）及びタイミングｔ３６からタイミングｔ３７までの期間（ｔｃｌ）においては基底パワーＰｂ１に設定され、タイミングｔ３７以降においては再び中間パワーＰｍ１に設定される。したがって、４Ｔ信号を形成する場合、タイミングｔ３１からタイミングｔ３６までの期間が加熱期間となり、タイミングｔ３６からタイミングｔ３７までの期間が冷却期間となる。
【００５９】
そして、図３（ｄ）に示すように、第１のパルス列パターンにおいて５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合、レーザビームＬの記録パルス数はそれぞれ「４」〜「７」に設定され、その後、冷却期間ｔｃｌが挿入される。したがって、マルチパルスの数は、５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合それぞれ「２」〜「５」に設定される。この場合も、レーザビームＬの強度は、ｔｔｏｐ（タイミングｔ４１からタイミングｔ４２までの期間）、ｔｍｐ（タイミングｔ４３からタイミングｔ４４までの期間、タイミングｔ４５からタイミングｔ４６までの期間等）及びｔｌｐの期間（タイミングｔ４７からタイミングｔ４８までの期間）においては記録パワーＰｗ１に設定され、オフ期間ｔｏｆｆ（タイミングｔ４２からタイミングｔ４３までの期間、タイミングｔ４６からタイミングｔ４７までの期間等）及び冷却期間ｔｃｌ（タイミングｔ４８からタイミングｔ４９までの期間）においては基底パワーＰｂ１に設定され、その他の期間においては中間パワーＰｍ１に設定される。したがって、５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合、タイミングｔ４１からタイミングｔ４８までの期間が加熱期間となり、タイミングｔ４８からタイミングｔ４９までの期間が冷却期間となる。
【００６０】
以上により、記録信号（２Ｔ信号〜８Ｔ信号）を形成すべき領域においては、記録パワーＰｗ１をもつレーザビームＬの照射によって、Ｌ０記録膜２３又はＬ１記録膜３２を構成する無機反応膜５１，５２が溶融混合し、所望の長さを持った記録マークＭが形成される。
【００６１】
このように、第１のパルス列パターンにおいては記録マークＭを形成するための記録パルスがｎ−１個（ｎはＴの倍数であり、１，７ＲＬＬ変調方式を用いた場合においては２〜８の整数である）に分割され、加熱期間においてはレーザビームＬの強度が記録パワーＰｗ１と基底パワーＰｂ１に交互に設定され、前記加熱期間に続く冷却期間ｔｃｌにおいてはレーザビームの強度が基底パワーＰｂ１に設定される。また、冷却期間ｔｃｌが終了してから次の記録マークＭを形成するためのトップパルスが立ち上がるまでの期間においてはレーザビームＬの強度が中間パワーＰｍ１に設定される。
【００６２】
Ｌ１層３０に対するデータの記録において上述した第１のパルス列パターンを用いる理由は次の通りである。
【００６３】
すなわち、上述したようにＬ１層３０には反射膜が含まれていないため（或いは、非常に薄い反射膜しか設けられないため）、Ｌ０層２０とは違って反射膜による放熱効果が全く（或いは十分に）得られない。このため、記録パワーＰｗ１１に設定されたレーザビームＬによる熱が十分に放熱されず、これが信号特性を悪化させるという問題があった。しかしながら、Ｌ１層３０に対するデータの記録において上述した第１のパルス列パターンを用いれば、記録パルスの直後においてレーザビームＬの強度が基底パワーＰｂ１に設定されるので、熱が過剰に蓄積されることが無く、その結果、良好な信号特性を得ることが可能となるのである。
【００６４】
また、第１のパルス列パターンにおけるトップパルスのパルス期間ｔｔｏｐは２Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合において一定に設定することができ、ラストパルスのパルス期間ｔｌｐは３Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合において一定に設定することができ、マルチパルスのパルス期間ｔｍｐは４Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合において一定に設定することができる。また、冷却期間ｔｃｌは２Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合において一定に設定することができ、オフ期間ｔｏｆｆは３Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合において一定に設定することができる。
【００６５】
但し、Ｌ１記録層３０への記録においては、少なくとも冷却期間ｔｃｌについては実際の記録線速度に基づいて設定することが好ましい。具体的には、記録線速度をＶ１に設定してＬ１記録層３０への記録を行う場合の冷却期間を「ｔｃｌ１」とし、記録線速度をＶ２（＞Ｖ１）に設定してＬ１記録層３０への記録を行う場合の冷却期間を「ｔｃｌ２」とした場合、これら冷却期間ｔｃｌ１とｔｃｌ２との関係は、
ｔｃｌ１＜ｔｃｌ２
に設定することが好ましい。これにより、高い線速度でＬ１記録層３０に対し記録を行う場合であっても、良好な記録特性を得ることが可能となる。
【００６６】
また、高い線速度で記録を行うと記録感度が低下する傾向にあるため、例えばマルチパルスのパルス期間ｔｍｐを長く設定する等によって感度を高める必要が生じる場合がある。このような場合、冷却期間ｔｃｌにおいてより十分な冷却を行うことが重要となるが、冷却期間ｔｃｌ１とｔｃｌ２との関係を上述のように設定すれば、マルチパルスのパルス期間ｔｍｐを長く設定する等によって高速記録時における感度を高めた場合であっても、良好な記録特性を得ることが可能となる。
【００６７】
次に、第２のパルス列パターンについて、１，７ＲＬＬ変調方式を用いた場合を例に説明する。上述の通り、第２のパルス列パターンは、Ｌ０層２０に対するデータの記録において用いることが可能である。
【００６８】
図４は、第２のパルス列パターンを示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｂ）は３Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｃ）は４Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｄ）は５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。
【００６９】
図４（ａ）〜（ｄ）に示すように、第２のパルス列パターンにおいては、レーザビームＬの設定強度は記録パワーＰｗ２及び基底パワーＰｂ２からなる２つの強度（２値）に変調される。
【００７０】
また、これら記録パワーＰｗ２及び基底パワーＰｂ２の関係については、
Ｐｗ２＞Ｐｂ２
に設定される。
【００７１】
記録パワーＰｗ２としては、照射によってＬ０記録膜２３を構成する無機反応膜５１，５２が溶融混合するような高いレベルに設定され、基底パワーＰｂ２としては、照射されてもＬ０記録膜２３を構成する無機反応膜５１，５２が溶融混合しないような低いレベルに設定される。この場合、基底パワーＰｂ２のレベルとしては、照射によってＬ０記録膜２３に与える熱的な影響がほとんどなく、記録パワーＰｗ２を持つレーザビームＬの照射により加熱されたＬ０記録膜２３が冷却されるような極めて低いレベルに設定しても構わない。
【００７２】
図４（ａ）に示すように、第２のパルス列パターンにおいて２Ｔ信号を形成する場合、レーザビームＬの記録パルス数は「１」に設定される。より具体的には、レーザビームＬの強度は、タイミングｔ５１以前においては基底パワーＰｂ２に設定され、タイミングｔ５１からタイミングｔ５２までの期間（ｔｔｏｐ）においては記録パワーＰｗ２に設定され、タイミングｔ５２以降においては再び基底パワーＰｂ２に設定される。
【００７３】
また、図４（ｂ）に示すように、第２のパルス列パターンにおいて３Ｔ信号を形成する場合、レーザビームＬの記録パルス数は「２」に設定される。つまり、レーザビームＬの強度は、タイミングｔ６１からタイミングｔ６２までの期間（ｔｔｏｐ）及びタイミングｔ６３からタイミングｔ６４までの期間（ｔｌｐ）においては記録パワーＰｗ２に設定され、その他の期間においては基底パワーＰｂ２に設定される。
【００７４】
さらに、図４（ｃ）に示すように、第２のパルス列パターンにおいて４Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの記録パルス数は「３」に設定される。つまり、レーザビームＬの強度は、タイミングｔ７１からタイミングｔ７２までの期間（ｔｔｏｐ）、タイミングｔ７３からタイミングｔ７４までの期間（ｔｍｐ）及びタイミングｔ７５からタイミングｔ７６までの期間（ｔｌｐ）においては記録パワーＰｗ２に設定され、その他の期間においては基底パワーＰｂ２に設定される。
【００７５】
そして、図４（ｄ）に示すように、第２のパルス列パターンにおいて５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合、レーザビームＬの記録パルス数はそれぞれ「４」〜「７」に設定される。この場合も、レーザビームＬの強度は、ｔｔｏｐ（タイミングｔ８１からタイミングｔ８２までの期間）、ｔｍｐ（タイミングｔ８３からタイミングｔ８４までの期間、タイミングｔ８５からタイミングｔ８６までの期間等）及びｔｌｐの期間（タイミングｔ８７からタイミングｔ８８までの期間）においては記録パワーＰｗ２に設定され、その他の期間においては基底パワーＰｂ２に設定される。
【００７６】
以上により、記録信号（２Ｔ信号〜８Ｔ信号）を形成すべき領域においては、記録パワーＰｗ２をもつレーザビームＬの照射によって、Ｌ０記録膜２３を構成する無機反応膜５１，５２が溶融混合し、所望の長さを持った記録マークＭが形成される。
【００７７】
上述した第２のパルス列パターンは、Ｌ０層２０に対するデータの記録においては適用可能であるが、Ｌ１層３０に対するデータの記録には不適切である。以下、その理由について詳述する。
【００７８】
図５は、Ｌ１層３０に対するデータの記録において第２のパルス列パターンを用いた場合の信号特性を示す模式的なグラフであり、基底パワーＰｂ２を極めて低いレベルに設定した場合（例えばＰｂ２＝０．１ｍＷ）における記録パワーＰｗ２の強度と２Ｔ信号及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比との関係を示している。
【００７９】
図５に示すように、Ｌ１層３０に対するデータの記録において第２のパルス列パターンを用いるとともに、基底パワーＰｂ２を極めて低いレベルに設定した場合、８Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２の強度を「ａ」とし、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２の強度を「ｂ」とすると、これらａ及びｂの関係は、
ａ＜ｂ
となる。このため、記録パワーＰｗ２の強度をａに設定すれば、８Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる一方で２Ｔ信号のＣ／Ｎ比が犠牲となり、記録パワーＰｗ２の強度をｂに設定すれば、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる一方で８Ｔ信号のＣ／Ｎ比が犠牲となってしまう。具体的には、記録パワーＰｗ２の強度をａに設定した場合に得られる２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比をそれぞれ「Ａ２」及び「Ａ８」（最大値）とし、記録パワーＰｗ２の強度をｂに設定した場合に得られる２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比をそれぞれ「Ｂ２」（最大値）及び「Ｂ８」とすると、記録パワーＰｗ２の強度をａに設定すれば２Ｔ信号のＣ／Ｎ比がＢ２−Ａ２だけ犠牲となる一方、記録パワーＰｗ２の強度をｂに設定すれば８Ｔ信号のＣ／Ｎ比がＡ８−Ｂ８だけ犠牲となる。
【００８０】
この場合、Ｂ２−Ａ２の値又はＡ８−Ｂ８の値が十分に小さければ、記録パワーＰｗ２の強度をａからｂの間或いはその近傍に設定することにより、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比の両方をある程度高い値とすることができるが、実際に得られるジッタは８Ｔ信号のＣ／Ｎ比よりも２Ｔ信号のＣ／Ｎ比に大きく依存するため、Ｂ２−Ａ２の値がある程度小さい場合であっても、現実的には記録パワーＰｗ２の強度をｂの近傍に設定せざるを得ない。このため、Ｂ２−Ａ２の値が小さくてもＡ８−Ｂ８の値が大きい場合には、実際に良好なジッタを得ることができなくなってしまう。
【００８１】
そして、Ｌ１層３０に対するデータの記録において第２のパルス列パターンを用いるとともに、基底パワーＰｂ２を極めて低いレベルに設定すると、Ａ８−Ｂ８の値が非常に大きく（約１０ｄＢ以上）なることから、結果的に良好なジッタが得られなくなってしまう。
【００８２】
このような問題は、基底パワーＰｂ２の強度を高めることによって解決可能である。つまり、Ｌ１層３０に対するデータの記録において第２のパルス列パターンを用いるとともに、基底パワーＰｂ２のレベルとして、照射によりＬ１記録膜３２に対して実質的に熱的な影響を与えるレベルに設定すれば、Ｂ２−Ａ２の値及びＡ８−Ｂ８の値が小さくなり、結果的に、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比の両方を最大とすることが可能となる。
【００８３】
図６は、これを説明するための模式的なグラフであり、Ｌ１層３０に対するデータの記録において第２のパルス列パターンを用い、基底パワーＰｂ２のレベルとして照射によりＬ１記録膜３２に対して実質的に熱的な影響を与えるレベルに設定した場合（例えばＰｂ２＝２．４ｍＷ）における記録パワーＰｗ２の強度と２Ｔ信号及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比との関係を示している。
【００８４】
図６に示すように、基底パワーＰｂ２のレベルを極めて低いレベルから徐々に高めると、記録パワーＰｗ２の強度と２Ｔ信号及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比との関係が変化し、基底パワーＰｂ２が所定のレベルに達した場合に８Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２の強度及び２Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２の強度がいずれも「ｃ」となり、一致する。したがって、この場合、記録パワーＰｗ２の強度をｃに設定すれば、８Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び２Ｔ信号のＣ／Ｎ比の両方を最大とすることができる。
【００８５】
しかしながら、記録パワーＰｗ２の強度をｃに設定した場合に得られる２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比をそれぞれ「Ｃ２」及び「Ｃ８」（いずれも最大値）とすると、図６に示すように、Ｃ２の値はＢ２の値よりも低くなり、且つ、Ｃ８の値はＡ８の値よりも低くなってしまう。この場合、２Ｔ信号についてＣ／Ｎ比の低下が特に顕著であり（Ｂ２−Ｃ２の値が大きい）、このため、記録パワーＰｗ２の強度をｃに設定しても、実際には良好なジッタを得ることができない。これは、上述の通り、実際に得られるジッタが２Ｔ信号のＣ／Ｎ比に大きく依存するためである。
【００８６】
以上の通り、Ｌ１層３０に対するデータの記録において第２のパルス列パターンを用いると、基底パワーＰｂ２のレベルが低い場合にはＡ８−Ｂ８の値が大きくなることから良好なジッタを得ることができず、基底パワーＰｂ２のレベルがある程度高い場合にはＢ２−Ｃ２の値が大きくなることからやはり良好なジッタを得ることができないという問題が生じる。
【００８７】
これに対し、Ｌ１層３０に対するデータの記録において図３に示した第１のパルス列パターンを用いると、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比を高く保ったまま、８Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ１１の強度及び２Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ１１の強度をほぼ一致させることが可能となる。
【００８８】
図７は、これを説明するための模式的なグラフであり、Ｌ１層３０に対するデータの記録において第１のパルス列パターンを用いた場合における記録パワーＰｗ１１の強度と２Ｔ信号及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比との関係を示している。
【００８９】
図７に示すように、Ｌ１層３０に対するデータの記録において第１のパルス列パターンを用いると、第２のパルス列パターンにおいて基底パワーＰｂ２を極めて低いレベルに設定した場合に得られる特性がグラフの上で横方向にシフトしたような特性となり、記録パワーＰｗ１１の強度が「ｄ」である場合に８Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び２Ｔ信号のＣ／Ｎ比の両方を最大とすることができる。
【００９０】
ここで、記録パワーＰｗ１１の強度をｄに設定した場合に得られる２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比をそれぞれ「Ｄ２」及び「Ｄ８」（いずれも最大値）とすると、図７に示すように、Ｄ２の値はＢ２の値とほぼ等しくなり、且つ、Ｄ８の値はＡ８の値とほぼ等しくなる。したがって、記録パワーＰｗ１１の強度をｄに設定すれば、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比としていずれも高い値を得ることが可能となり、これにより実際に良好なジッタを得ることが可能となる。
【００９１】
このような現象が生じるのは、上述の通り、Ｌ１層３０には反射膜が含まれていないため（或いは、非常に薄い反射膜しか設けられないため）、Ｌ０層２０とは異なり反射膜による放熱効果が全く（或いは十分に）得られないことに起因する。つまり、Ｌ１層３０に対するデータの記録において第２のパルス列パターンを用いると、基底パワーＰｂ２を低く設定した場合には全体的な熱量不足により結果的にＡ８−Ｂ８の値が大きくなる一方、基底パワーＰｂ２のをある程度高く設定した場合には全体的な熱量過剰により結果的にＢ２−Ｃ２の値が大きくなってしまうが、Ｌ１層３０に対するデータの記録において第１のパルス列パターンを用いれば、記録パルスの直後においてレーザビームＬの強度が基底パワーＰｂ１１に設定されることから、記録マークＭが形成される領域において熱が過剰に蓄積されることが無く、さらに、記録マーク間においてレーザビームＬの強度が中間パワーＰｍ１１に設定されることから、全体的な熱量不足が解消される。その結果、放熱性が低いＬ１層３０においても良好な信号特性を得ることが可能となるのである。
【００９２】
このように、Ｌ１層３０に対するデータの記録においては、図４に示す第２のパルス列パターンではなく、図３に示す第１のパルス列パターンを用いることにより、良好な記録特性を得ることが可能となる。
【００９３】
以上が、光記録媒体１０に記録マークＭを形成するための具体的なパルス列パターンである。
【００９４】
以上説明したパルス列パターンを特定するための情報は、「記録条件設定情報」として当該光記録媒体１０内に保存しておくことが好ましい。このような記録条件設定情報を光記録媒体１０内に保存しておけば、ユーザが実際にデータの記録を行う際に、情報記録装置によってかかる記録条件設定情報が読み出され、これに基づいてパルス列パターンを決定することが可能となる。
【００９５】
記録条件設定情報としては、パルス列パターンのみならず、光記録媒体１０に対してデータの記録を行う場合に必要な各種条件（記録線速度等）を特定するために必要な情報を含んでいることがより好ましい。記録条件設定情報は、ウォブルやプレピットとして記録されたものでもよく、Ｌ０層２０及び／又はＬ１層３０にデータとして記録されたものでもよい。また、データの記録に必要な各条件を直接的に示すもののみならず、情報記録装置内にあらかじめ格納されている各種条件のいずれかを指定することによりパルス列パターン等の特定を間接的に行うものであっても構わない。
【００９６】
次に、光記録媒体１０に対してデータの記録を行うことが可能な情報記録装置について説明する。
【００９７】
図８は、光記録媒体１０に対してデータの記録を行うことが可能な情報記録装置１００の概略構成図である。
【００９８】
図８に示すように、情報記録装置１００は、光記録媒体１０を回転させるスピンドルモータ１０１と、光記録媒体１０にレーザビームＬを照射するとともにその反射光Ｌ’を受光する光ヘッド１１０と、光ヘッド１１０を光記録媒体１０の径方向に移動させるトラバースモータ１０２と、光ヘッド１１０にレーザ駆動信号１０３ａを供給するレーザ駆動回路１０３と、光ヘッド１１０レンズ駆動信号１０４ａを供給するレンズ駆動回路１０４と、スピンドルモータ１０１、トラバースモータ１０２、レーザ駆動回路１０３及びレンズ駆動回路１０４を制御するコントローラ１０５とを備えている。
【００９９】
光ヘッド１１０は、レーザ駆動信号１０３ａに基づいてレーザビームＬを発生するレーザ光源１１１と、レーザ光源１１１が発するレーザビームＬを平行光線に変換するコリメータレンズ１１２と、光束上に配置されたビームスプリッタ１１３と、レーザビームＬを集光する対物レンズ１１４と、レンズ駆動信号１０４ａに基づいて対物レンズ１１４を垂直方向及び水平方向に移動させるアクチュエータ１１５と、反射光Ｌ’を受けてこれを光電変換するフォトディテクタ１１６とを備えている。
【０１００】
スピンドルモータ１０１は、コントローラ１０５による制御のもと、光記録媒体１０を所望の回転数で回転させることが可能である。光記録媒体１０に対する回転制御方法としては、線速度を一定に保って回転させる方法（ＣＬＶ方式）と角速度を一定に保って回転させる方法（ＣＡＶ方式）に大別することができる。ＣＬＶ方式を用いた回転制御によれば、記録／再生位置が光記録媒体１０の内周部分であるか外周部分であるかに関わらずデータ転送レートが一定となることから、常に高いデータ転送レートで記録／再生を行うことができるとともに、記録密度が高いという利点がある反面、記録／再生位置に応じて光記録媒体１０の回転速度を変化させる必要があるためスピンドルモータ１０１に対する制御が複雑となり、このためランダムアクセス速度が遅いという欠点を有している。一方、ＣＡＶ方式を用いた回転制御によれば、スピンドルモータ１０１に対する制御が簡単であることからランダムアクセス速度が速いという利点がある反面、外周での記録密度がやや低くなるという欠点を有している。現在実用化されている光記録媒体の記録／再生方式の多くは、ＣＬＶ方式を採用しているが、これは、高い記録密度が得られるとともに、データ転送レートを最大限に生かすことができるという利点に着目した結果である。
【０１０１】
トラバースモータ１０２は、コントローラ１０５による制御のもと、光ヘッド１１０を光記録媒体１０の径方向に移動させるために用いられ、データの記録／再生時においては、光記録媒体１０に設けられた螺旋状のグルーブ１１ａ又は１２ａに沿ってレーザビームＬのビームスポットが光記録媒体１０の内周から外周へ又は外周から内周へ徐々に移動するよう、光ヘッド１１０を駆動する。また、データの記録／再生位置を変更する場合にも、コントローラ１０５はトラバースモータ１０２を制御することによって、レーザビームＬのビームスポットを光記録媒体１０上の所望の位置に移動させる。
【０１０２】
レーザ駆動回路１０３は、コントローラ１０５による制御のもと、光ヘッド１１０内のレーザ光源１１１にレーザ駆動信号１０３ａを供給するために用いられ、生成されるレーザビームＬの強度はレーザ駆動信号１０３ａの強度に対応したものとなる。レーザ駆動回路１０３は、Ｌ０層２０にデータを記録する場合には、レーザビームＬの波形が第１のパルス列パターン又は第２のパルス列パターンとなるようにレーザ駆動信号１０３ａを強度変調し、Ｌ１層３０にデータを記録する場合には、レーザビームＬの波形が第１のパルス列パターンとなるようにレーザ駆動信号１０３ａを強度変調する。また、レーザ駆動回路１０３は、データの再生時においては、レーザ駆動信号１０３ａを所定の強度に固定し、これによりレーザビームＬの強度を再生パワーＰｒに固定する。
【０１０３】
レンズ駆動回路１０４は、コントローラ１０５による制御のもと、アクチュエータ１１５にレンズ駆動信号１０４ａを供給するために用いられ、これにより、レーザビームＬのビームスポットを光記録媒体１０のＬ０記録膜２３又はＬ１記録膜３２に正しくフォーカスすることができるとともに、偏芯しているグルーブ１１ａ又は１２ａに対して、レーザビームＬのビームスポットを追従させることができる。すなわち、コントローラ１０５にはフォーカス制御回路１０５ａが備えられており、これがフォーカスオン状態となると、レーザビームＬのビームスポットが光記録媒体１０のＬ０記録膜２３又はＬ１記録膜３２にフォーカスされた状態に固定される。さらに、コントローラ１０５にはトラッキング制御回路１０５ｂが備えられており、これがトラッキングオン状態となると、レーザビームＬのビームスポットが光記録媒体１０のグルーブ１１ａ又は１２ａに対して自動追従状態とされる。
【０１０４】
このような情報記録装置１００を用いて光記録媒体１０にレーザビームＬを照射する場合、コントローラ１０５は、レーザ駆動回路１０３を制御し、これに基づきレーザ駆動回路１０３はレーザ駆動信号１０３ａをレーザ光源１１１に供給する。レーザ光源１１１はこれに基づいてレーザビームＬを発生し、このレーザビームＬはコリメータレンズ１１２によって平行光線に変換された後、ビームスプリッタ１１３を経由して対物レンズ１１４に入射し、光記録媒体１０が備えるグルーブ１１ａ又は１２ａ上に集束される。
【０１０５】
また、光記録媒体１０に照射されたレーザビームＬの反射光Ｌ’は、対物レンズ１１４によって平行光線に変換された後、ビームスプリッタ１１３により反射し、フォトディテクタ１１６に入射する。これにより反射光Ｌ’はフォトディテクタ１１６によって光電変換され、コントローラ１０５に供給される。
【０１０６】
このような構成からなる情報記録装置１００を用いて光記録媒体１０に対するデータの記録を行う場合、上述のとおり、光記録媒体１０に記録されている記録条件設定情報が読み出され、コントローラ１０５による制御のもと、これに基づく条件にてデータの記録が行われる。つまり、コントローラ１０５は、Ｌ０層２０にデータを記録する場合には、レーザビームＬの波形が第１のパルス列パターン又は第２のパルス列パターンとなるようレーザ駆動回路１０３を制御し、Ｌ１層３０にデータを記録する場合には、レーザビームＬの波形が第１のパルス列パターンとなるようにレーザ駆動回路１０３を制御する。好ましくは、コントローラ１０５は、スピンドルモータ１０１への制御によりＬ１層３０への記録を記録線速度をＶ１に設定して行う場合には、冷却期間がｔｃｌ１となるようレーザ駆動回路１０３を制御し、Ｌ１層３０への記録を記録線速度をＶ２（＞Ｖ１）に設定して行う場合には、冷却期間がｔｃｌ２（＞ｔｃｌ１）となるようレーザ駆動回路１０３を制御する。
【０１０７】
これにより、Ｌ０層２０に対するデータの記録特性はもちろんのこと、放熱性の低いＬ１層３０に対するデータの記録特性についてもこれを良好とすることが可能となる。特に、冷却期間ｔｃｌを上述のように記録線速度に基づいて設定すれば、高い線速度でＬ１層３０に対しデータの記録を行った場合であっても、良好な信号特性を得ることが可能となる。
【０１０８】
このように、本実施態様においては、図１に示す構造を有する光記録媒体１０に対し、放熱性の低いＬ１層３０に対してデータの記録を行う場合には図３に示す第１のパルス列パターンを用いていることから、Ｌ１層３０に対する記録特性を高めることが可能となる。
【０１０９】
本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【０１１０】
まず、上記実施態様において説明した光記録媒体１０は、本発明による光記録方法の適用が好適な光記録媒体のあくまで一例であり、本発明の適用が可能な光記録媒体がこれに限定されるものではない。例えば、光記録媒体１０ではＬ０記録膜２３及びＬ１記録膜３２がいずれも無機反応膜５１及び無機反応膜５２からなる２層構造を有しているが、これらを無機反応膜５１及び無機反応膜５２からなる２層構造とすることは必須でなく、３層以上の無機反応膜を含む積層体としても構わない。例えば、銅（Ｃｕ）からなる２つの無機反応膜と、これら２つの無機反応膜の間に配置されたシリコン（Ｓｉ）からなる１つの無機反応膜とからなる３層構造としても構わない。また、無機反応膜５１と無機反応膜５２との間に、無機反応膜５１を構成する材料と無機反応膜５２を構成する材料とが混合されてなる混合膜が介在していても構わない。さらに、光記録媒体１０においては、無機反応膜５１と無機反応膜５２とが互いに接しているが、必要に応じてこれらの間に薄い他の膜（例えば誘電体膜）を介在させても構わない。
【０１１１】
また、上述した光記録媒体１０では、無機反応膜５１の材料として銅（Ｃｕ）及びシリコン（Ｓｉ）の一方を主成分とする材料を用い、無機反応膜５２の材料として銅（Ｃｕ）及びシリコン（Ｓｉ）の他方を主成分とする材料を用いているが、無機反応膜５１，５２の主成分としてこれ以外の元素を用いても構わない。例えば、無機反応膜５１が、銅（Ｃｕ），シリコン（Ｓｉ），アルミニウム（Ａｌ），ゲルマニウム（Ｇｅ），炭素（Ｃ），錫（Ｓｎ），金（Ａｕ），亜鉛（Ｚｎ），ホウ素（Ｂ），マグネシウム（Ｍｇ），チタン（Ｔｉ），マンガン（Ｍｎ），鉄（Ｆｅ），ガリウム（Ｇａ），ジルコニウム（Ｚｒ），銀（Ａｇ），ビスマス（Ｂｉ）及び白金（Ｐｔ）からなる群より選ばれた一の材料を主成分とし、無機反応膜５２が上記群より選ばれた他の材料を主成分とするものであっても構わない。
【０１１２】
さらに、上述した光記録媒体１０においては、Ｌ０層２０及びＬ１層３０とも、無機反応膜５１、５２の積層体からなる記録膜を有しているが、最下層であるＬ０層２０の構成については記録膜を備えない再生専用の情報記録層であっても構わない。この場合、支持基板１１上に螺旋状のピット列が設けられ、かかるピット列によってＬ０層２０に情報が保持される。
【０１１３】
さらに、本発明の適用が可能な光記録媒体が２層の情報記録層を有する光記録媒体に限定されるものではなく、３層以上の情報記録層を有する光記録媒体に対しても本発明を適用することも可能である。この場合、光入射面から最も遠い情報記録層（Ｌ０層）以外の情報記録層（Ｌ１層，Ｌ２層，Ｌ３層，Ｌ４層・・・）のうち少なくとも一つの情報記録層に対するデータの記録において、上述した第１のパルス列パターンを用いればよい。
【０１１４】
さらに、上述した光記録媒体１０は、層厚の薄い光透過層１３側からレーザビームＬが入射される、いわゆる次世代型の光記録媒体であるが、本発明の適用が可能な光記録媒体がこのような次世代型の光記録媒体に限定されるものではなく、ＤＶＤのように基板側からレーザビームＬが入射されるタイプの光記録媒体に対しても適用可能である。ＤＶＤ型の光記録媒体では、光記録媒体１０の支持基板１１に相当する要素は厚さ約０．６ｍｍの光透過性基板となり、光記録媒体１０の光透過層１３に相当する要素は厚さ約０．６ｍｍのダミー基板となる。したがって、本発明において「基板」とは、ＤＶＤ型の光記録媒体のようにその表面が光入射面となる場合には光透過性基板であることを意味し、光記録媒体１０のようにその表面が光入射面とならない場合には支持基板であることを意味する。同様に、本発明において「保護層」とは、光記録媒体１０のようにその表面が光入射面となる場合には光透過層であることを意味し、ＤＶＤ型の光記録媒体のようにその表面が光入射面とならない場合には支持基板であることを意味する。
【０１１５】
さらに、情報記録層を１層しか備えない光記録媒体であっても、複数の無機反応膜からなる記録膜を備え、且つ、要求される光反射率が低い等の理由により反射膜が設けられないか或いは反射膜の膜厚が非常に薄く設定されるタイプの光記録媒体であれば、この情報記録層へのデータの記録において上記第１のパルス列パターンを用いることにより、本発明による光記録方法を適用することが可能である。
【０１１６】
さらに、上記実施態様では、データの記録において波長が３８０ｎｍ〜４５０ｎｍであるレーザビームＬを用いているが、本発明がこれに限定されるものではない。但し、放熱性が低い情報記録層に対して第２のパルス列パターンを用いた場合に起きる問題は、ビームスポットのエネルギー密度が高いほど顕著となることを考慮すれば、レーザビームＬの波長が上記の範囲にあり、また、レーザビームＬを集光する対物レンズ１１４の開口数（ＮＡ）が０．７以上、好ましくは、０．８５程度に設定され、これによりλ／ＮＡ≦６４０ｎｍの条件でデータの記録を行う場合において、より顕著な効果を得ることができる。
【０１１７】
さらに、上記実施態様では、最下層であるＬ０層２０に対するデータの記録に際して第１のパルス列パターン又は第２のパルス列パターンを用いているが、本発明では最下層に位置する情報記録層への光記録方法としては特に限定されない。したがって、最下層に位置する情報記録層に対しては、レーザビームＬを第１のパルス列パターン及び第２のパルス列パターン以外のパターンに強度変調することによって記録を行っても構わない。
【０１１８】
さらに、上記実施態様における第１のパルス列パターンでは、一つの記録マークＭを形成するためにｎ−１個に分割された記録パルスが用いられているが、第１のパルス列パターンにおける記録パルスの分割方法としてはこれに限定されるものではない。例えば、１，７ＲＬＬ変調方式を用いる場合にあっては記録パルスをｎ個に分割しても構わないし、８／１６変調方式を用いる場合にあっては記録パルスをｎ−２個に分割しても構わない。また、１，７ＲＬＬ変調方式を用いる場合、２Ｔ，４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ信号を形成する場合には記録パルスをｎ／２個に分割し、３Ｔ，５Ｔ，７Ｔ信号を形成する場合には記録パルスを（ｎ−１）／２個に分割しても構わない。
【０１１９】
さらに、上記実施態様における第１のパルス列パターンでは、レーザビームＬの設定強度を３値に変調しているが、目的に応じ、４値以上に強度変調しても構わない。例えば、上記実施態様における第１のパルス列パターンでは、加熱期間においてレーザビームＬの強度を記録パワーＰｗ１と基底パワーＰｂ１に交互に設定しているが、十分な放熱効果が得られる限り、記録パワーＰｗ１に対して交互に設定されるパワーを基底パワーＰｂ１と中間パワーＰｍ１との間の第４のパワーに設定しても構わないし、冷却期間におけるレーザビームＬのパワーをかかる第４のパワーに設定しても構わない。
【０１２０】
【実施例】
以下、実施例を用いて本発明について更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【０１２１】
［サンプルの作製］
以下の方法により、図１に示す構造と同じ構造を有する測定用光記録媒体サンプルを作製した。
【０１２２】
まず、射出成型法により、厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍであり、表面にグルーブ１１ａ及びランド１１ｂ（トラックピッチ（グルーブのピッチ）＝０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネートからなるディスク状の支持基板１１を作製した。
【０１２３】
次に、この支持基板１１をスパッタリング装置にセットし、グルーブ１１ａ及びランド１１ｂが形成されている側の表面に銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）及び銅（Ｃｕ）の合金からなる厚さ１００ｎｍの反射膜２１、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物（モル比＝８０：２０）からなる厚さ２７ｎｍの第４誘電体膜２２、銅（Ｃｕ）を主成分としこれにアルミニウム（Ａｌ）が２３ａｔｍ％添加され、金（Ａｕ）が１３ａｔｍ％添加された厚さ５ｎｍの無機反応膜５１、シリコン（Ｓｉ）からなる厚さ５ｎｍの無機反応膜５２、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物（モル比＝８０：２０）からなる厚さ２５ｎｍの第３誘電体膜２４を順次スパッタ法により形成した。以上により、Ｌ０層２０が完成した。
【０１２４】
次に、Ｌ０層２０が形成された支持基板１１をスピンコート装置にセットし、回転させながら、Ｌ０層２０上にアクリル系紫外線硬化性樹脂を滴下し、これをスピンコートした。次いで、スピンコートされた樹脂層の表面にグルーブ及びランドを有するスタンパを載置し、このスタンパを介して樹脂溶液に紫外線を照射することによって樹脂溶液層を硬化させ、スタンパを剥離した。これにより、グルーブ１２ａ及びランド１２ｂ（トラックピッチ（グルーブのピッチ）＝０．３２μｍ）を有する厚さ２０μｍの透明中間層１２が完成した。
【０１２５】
次に、Ｌ０層２０及び透明中間層１２が形成された支持基板１１をスパッタリング装置にセットし、その表面にＺｎＳとＳｉＯ２の混合物（モル比＝８０：２０）からなる厚さ２５ｎｍの第２誘電体膜３１、銅（Ｃｕ）を主成分としこれにアルミニウム（Ａｌ）が２３ａｔｍ％添加され、金（Ａｕ）が１３ａｔｍ％添加された厚さ５ｎｍの無機反応膜５１、シリコン（Ｓｉ）からなる厚さ５ｎｍの無機反応膜５２、ＴｉＯ２からなる厚さ３０ｎｍの第１誘電体膜３３を順次スパッタ法により形成した。以上により、Ｌ１層３０が完成した。
【０１２６】
そして、第１誘電体膜３３上に、アクリル系紫外線硬化性樹脂をスピンコート法によりコーティングし、これに紫外線を照射して厚さ８０μｍの光透過層１３を形成した。
【０１２７】
以上により、測定用光記録媒体サンプルが完成した。
【０１２８】
［記録特性評価１］
記録特性評価１では、第１のパルス列パターン又は第２のパルス列パターンを用いて、Ｌ０層２０及びＬ１層３０に対し種々の条件で実際にデータを記録し、得られる信号特性の比較を行った。
【０１２９】
［記録特性評価１−１（実施例１）］
まず、測定用光記録媒体サンプルのＬ１層３０に対し、第１のパルス列パターンを用いて実際にデータの記録を行った。
【０１３０】
つまり、測定用光記録媒体サンプルを光ディスク評価装置（商品名：ＤＤＵ１０００、パルステック社製）にセットし、５．３ｍ／ｓｅｃの線速度で回転させながら、開口数が０．８５である対物レンズを介して波長が４０５ｎｍであるレーザビームをＬ１記録膜３２に照射し、第１のパルス列パターンを用いてＬ１層３０に２Ｔ単一信号及び８Ｔ単一信号を記録した。パルス幅としては、ｔｔｏｐを０．５Ｔに設定し、ｔｍｐ及びｔｌｐを０．４Ｔに設定し、ｔｃｌを１．２Ｔに設定した。また、レーザビームＬの強度については、記録パワーＰｗ１１を種々に設定するとともに、中間パワーＰｍ１１を２．４ｍＷに固定し、基底パワーＰｂ１１を０．１ｍＷに固定した。
【０１３１】
そして、種々の記録パワーＰｗ１１を用いて記録された２Ｔ単一信号及び８Ｔ単一信号を再生し、そのＣ／Ｎ比を測定した。再生パワーＰｒは０．７ｍＷに設定した。測定の結果を図９に示す。
【０１３２】
図９に示すように、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ１１及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ１１の強度はいずれも９ｍＷ（ｄ）であり、両者は一致した。また、Ｃ／Ｎ比の最大値も、２Ｔ信号については４５．７ｄＢ、８Ｔ信号については６０．３ｄＢであり、十分に高い値であった。
【０１３３】
上記の結果を参照しながら、ジッタが最低となる記録パワーＰｗ１１を探した結果、記録パワーＰｗ１１を８．６ｍＷに設定した場合にジッタが最も低くなり、その値は５．３％と非常に良好な結果が得られた。尚、ここでいう「ジッタ」とはクロックジッタを指し、タイムインターバルアナライザにより再生信号の「ゆらぎ（σ）」を求め、σ／Ｔｗ（Ｔｗ：クロックの１周期）により算出した。
【０１３４】
［記録特性評価１−２（比較例１）］
次に、測定用光記録媒体サンプルのＬ１層３０に対し、第２のパルス列パターンを用いて実際にデータの記録を行った。
【０１３５】
まず、測定用光記録媒体サンプルを上記光ディスク評価装置にセットし、５．３ｍ／ｓｅｃの線速度で回転させながら、開口数が０．８５である対物レンズを介して波長が４０５ｎｍであるレーザビームをＬ１記録膜３２に照射し、第２のパルス列パターンを用いてＬ１層３０に２Ｔ単一信号及び８Ｔ単一信号を記録した。パルス幅としては、ｔｔｏｐを０．５Ｔに設定し、ｔｍｐ及びｔｌｐを０．４Ｔに設定した。また、レーザビームＬの強度については、記録パワーＰｗ２を種々に設定するとともに、基底パワーＰｂ２を０．１ｍＷに固定した。
【０１３６】
そして、種々の記録パワーＰｗ２を用いて記録された２Ｔ単一信号及び８Ｔ単一信号を再生し、そのＣ／Ｎ比を測定した。再生パワーＰｒは０．７ｍＷに設定した。測定の結果を図１０に示す。
【０１３７】
図１０に示すように、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２は１２ｍＷ（ｂ）、８Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２の強度は１０ｍＷ（ａ）であり、両者は一致しなかった。また、記録パワーＰｗ２の強度を１０ｍＷ（ａ）に設定した場合に得られる２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比はそれぞれ４４．７ｄＢ（Ａ２）及び６０．１ｄＢ（Ａ８）であり、記録パワーＰｗ２の強度を１２ｍＷ（ｂ）に設定した場合に得られる２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比はそれぞれ４６．３ｄＢ（Ｂ２）及び４９．６ｄＢ（Ｂ８）であった。以上より、記録パワーＰｗ２の強度を１０ｍＷ（ａ）に設定した場合における２Ｔ信号の劣化量（Ｂ２−Ａ２）は１．６ｄＢであるが、記録パワーＰｗ２の強度を１２ｍＷ（ｂ）に設定した場合における８Ｔ信号の劣化量（Ａ８−Ｂ８）は１０．５ｄＢであり、非常に大きいことが分かった。
【０１３８】
さらに、上記の結果を参照しながらジッタが最低となる記録パワーＰｗ２を探した結果、記録パワーＰｗ２を１０．２ｍＷに設定した場合にジッタが最も低くなったが、その値は１３．５％であり、第１のパルス列パターンを用いた場合に比べて大幅に悪化した。これにより、２Ｔ信号の劣化量（Ｂ２−Ａ２）が小さい場合であっても、８Ｔ信号の劣化量（Ａ８−Ｂ８）が大きい場合には、良好な特性が得られないことが確認された。
【０１３９】
［記録特性評価１−３（比較例２）］
次に、測定用光記録媒体サンプルのＬ１層３０に対し、基底パワーＰｂ２を１．２ｍＷに固定した他は、「記録特性評価１−２」と同様の条件にて２Ｔ単一信号及び８Ｔ単一信号を記録／再生し、これらのＣ／Ｎ比を測定した。測定の結果を図１１に示す。
【０１４０】
図１１に示すように、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２は１１ｍＷ（ｂ）、８Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２の強度は９ｍＷ（ａ）であり、両者は一致しなかった。また、記録パワーＰｗ２の強度を９ｍＷ（ａ）に設定した場合に得られる２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比はそれぞれ４５．０ｄＢ（Ａ２）及び６０．０ｄＢ（Ａ８）であり、記録パワーＰｗ２の強度を１１ｍＷ（ｂ）に設定した場合に得られる２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比はそれぞれ４５．８ｄＢ（Ｂ２）及び４９．４ｄＢ（Ｂ８）であった。以上より、記録パワーＰｗ２の強度を９ｍＷ（ａ）に設定した場合における２Ｔ信号の劣化量（Ｂ２−Ａ２）は０．８ｄＢであるが、記録パワーＰｗ２の強度を１１ｍＷ（ｂ）に設定した場合における８Ｔ信号の劣化量（Ａ８−Ｂ８）は１０．６ｄＢであり、非常に大きいことが分かった。
【０１４１】
さらに、上記の結果を参照しながらジッタが最低となる記録パワーＰｗ２を探した結果、記録パワーＰｗ２を９．４ｍＷに設定した場合にジッタが最も低くなったが、その値は１４．３％であり、第１のパルス列パターンを用いた場合に比べて大幅に悪化した。これにより、２Ｔ信号の劣化量（Ｂ２−Ａ２）が小さい場合であっても、８Ｔ信号の劣化量（Ａ８−Ｂ８）が大きい場合には、良好な特性が得られないことが再度確認された。
【０１４２】
［記録特性評価１−４（比較例３）］
次に、測定用光記録媒体サンプルのＬ１層３０に対し、基底パワーＰｂ２を２．４ｍＷに固定した他は、「記録特性評価１−２」と同様の条件にて２Ｔ単一信号及び８Ｔ単一信号を記録／再生し、これらのＣ／Ｎ比を測定した。測定の結果を図１２に示す。
【０１４３】
図１２に示すように、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２の強度はいずれも８ｍＷ（ｃ）であり、両者は一致した。しかしながら、Ｃ／Ｎ比の最大値は、２Ｔ信号については４３．９ｄＢ、８Ｔ信号については５９．６ｄＢであり、第１のパルス列パターンを用いた場合（実施例１）に比べて低い値となった。
【０１４４】
さらに、上記の結果を参照しながらジッタが最低となる記録パワーＰｗ２を探した結果、記録パワーＰｗ２を７．０ｍＷに設定した場合にジッタが最も低くなったが、その値は１５．０％であり、第１のパルス列パターンを用いた場合に比べて大幅に悪化した。
【０１４５】
［記録特性評価１−５（実施例２）］
次に、測定用光記録媒体サンプルのＬ０層２０に対し、第１のパルス列パターンを用いて実際にデータの記録を行った。
【０１４６】
まず、測定用光記録媒体サンプルを上記光ディスク評価装置にセットし、５．３ｍ／ｓｅｃの線速度で回転させながら、開口数が０．８５である対物レンズを介して波長が４０５ｎｍであるレーザビームをＬ０記録膜２３に照射し、第１のパルス列パターンを用いてＬ０層２０に２Ｔ単一信号及び８Ｔ単一信号を記録した。パルス幅としては、ｔｔｏｐを０．７Ｔに設定し、ｔｍｐ及びｔｌｐを０．５Ｔに設定し、ｔｃｌを１．０Ｔに設定した。また、レーザビームＬの強度については、記録パワーＰｗ１０を種々に設定するとともに、中間パワーＰｍ１０を２．０ｍＷに固定し、基底パワーＰｂ１０を０．１ｍＷに固定した。
【０１４７】
そして、種々の記録パワーＰｗ１０を用いて記録された２Ｔ単一信号及び８Ｔ単一信号を再生し、そのＣ／Ｎ比を測定した。再生パワーＰｒは０．７ｍＷに設定した。測定の結果を図１３に示す。
【０１４８】
図１３に示すように、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ１０は９ｍＷ（ｂ）、８Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ１０の強度は１１ｍＷ（ａ）であり、両者は一致しなかった。また、記録パワーＰｗ１０の強度を１１ｍＷ（ａ）に設定した場合に得られる２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比はそれぞれ２９．４ｄＢ（Ａ２）及び６０．１ｄＢ（Ａ８）であり、記録パワーＰｗ１０の強度を９ｍＷ（ｂ）に設定した場合に得られる２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比はそれぞれ４６．３ｄＢ（Ｂ２）及び５８．９ｄＢ（Ｂ８）であった。以上より、記録パワーＰｗ１０の強度を１１ｍＷ（ａ）に設定した場合における２Ｔ信号の劣化量（Ｂ２−Ａ２）は１６．９ｄＢと大きかったが、記録パワーＰｗ１０の強度を９ｍＷ（ｂ）に設定した場合における８Ｔ信号の劣化量（Ａ８−Ｂ８）は１．２ｄＢであり、非常に小さかった。
【０１４９】
さらに、上記の結果を参照しながらジッタが最低となる記録パワーＰｗ１０を探した結果、記録パワーＰｗ１０を８．２ｍＷに設定した場合にジッタが最も低くなり、その値は５．４％と非常に良好な結果が得られた。これにより、２Ｔ信号の劣化量（Ｂ２−Ａ２）が大きい場合であっても、８Ｔ信号の劣化量（Ａ８−Ｂ８）が小さい場合には、良好な特性を得ることが可能であることが確認された。
【０１５０】
［記録特性評価１−６（実施例３）］
次に、測定用光記録媒体サンプルのＬ０層２０に対し、第２のパルス列パターンを用いて実際にデータの記録を行った。
【０１５１】
まず、測定用光記録媒体サンプルを上記光ディスク評価装置にセットし、５．３ｍ／ｓｅｃの線速度で回転させながら、開口数が０．８５である対物レンズを介して波長が４０５ｎｍであるレーザビームをＬ０記録膜２３に照射し、第２のパルス列パターンを用いてＬ０層２０に２Ｔ単一信号及び８Ｔ単一信号を記録した。パルス幅としては、ｔｔｏｐを０．７Ｔに設定し、ｔｍｐ及びｔｌｐを０．５Ｔに設定した。また、レーザビームＬの強度については、記録パワーＰｗ２を種々に設定するとともに、基底パワーＰｂ２を０．１ｍＷに固定した。
【０１５２】
そして、種々の記録パワーＰｗ２を用いて記録された２Ｔ単一信号及び８Ｔ単一信号を再生し、そのＣ／Ｎ比を測定した。再生パワーＰｒは０．７ｍＷに設定した。測定の結果を図１４に示す。
【０１５３】
図１４に示すように、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２は９ｍＷ（ｂ）、８Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２の強度は１１ｍＷ（ａ）であり、両者は一致しなかった。また、記録パワーＰｗ２の強度を１１ｍＷ（ａ）に設定した場合に得られる２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比はそれぞれ４２．７ｄＢ（Ａ２）及び６０．２ｄＢ（Ａ８）であり、記録パワーＰｗ２の強度を９ｍＷ（ｂ）に設定した場合に得られる２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比はそれぞれ４６．５ｄＢ（Ｂ２）及び５９．１ｄＢ（Ｂ８）であった。以上より、記録パワーＰｗ２の強度を１１ｍＷ（ａ）に設定した場合における２Ｔ信号の劣化量（Ｂ２−Ａ２）は３．８ｄＢ、記録パワーＰｗ２の強度を９ｍＷ（ｂ）に設定した場合における８Ｔ信号の劣化量（Ａ８−Ｂ８）は１．１ｄＢであり、いずれも非常に小さかった。
【０１５４】
さらに、上記の結果を参照しながらジッタが最低となる記録パワーＰｗ２を探した結果、記録パワーＰｗ２を８．６ｍＷに設定した場合にジッタが最も低くなり、その値は４．９％と非常に良好な結果が得られた。
【０１５５】
［記録特性評価１−７（実施例４）］
次に、測定用光記録媒体サンプルのＬ０層２０に対し、基底パワーＰｂ２を２．０ｍＷに固定した他は、「記録特性評価１−６」と同様の条件にて２Ｔ単一信号及び８Ｔ単一信号を記録／再生し、これらのＣ／Ｎ比を測定した。測定の結果を図１５に示す。
【０１５６】
図１５に示すように、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２は９ｍＷ（ｂ）、８Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２の強度は１１ｍＷ（ａ）であり、両者は一致しなかった。また、記録パワーＰｗ２の強度を１１ｍＷ（ａ）に設定した場合に得られる２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比はそれぞれ２７．６ｄＢ（Ａ２）及び５９．９ｄＢ（Ａ８）であり、記録パワーＰｗ２の強度を９ｍＷ（ｂ）に設定した場合に得られる２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比はそれぞれ４５．４ｄＢ（Ｂ２）及び５８．０ｄＢ（Ｂ８）であった。以上より、記録パワーＰｗ２の強度を１１ｍＷ（ａ）に設定した場合における２Ｔ信号の劣化量（Ｂ２−Ａ２）は１７．８ｄＢと大きかったが、記録パワーＰｗ２の強度を９ｍＷ（ｂ）に設定した場合における８Ｔ信号の劣化量（Ａ８−Ｂ８）は１．９ｄＢであり、非常に小さかった。
【０１５７】
さらに、上記の結果を参照しながらジッタが最低となる記録パワーＰｗ２を探した結果、記録パワーＰｗ２を８．２ｍＷに設定した場合にジッタが最も低くなり、その値は４．８％と非常に良好な結果が得られた。これにより、２Ｔ信号の劣化量（Ｂ２−Ａ２）が大きい場合であっても、８Ｔ信号の劣化量（Ａ８−Ｂ８）が小さい場合には、良好な特性を得ることが可能であることが再度確認された。
【０１５８】
［記録特性評価２（実施例５）］
記録特性評価２では、Ｌ１層３０に対し第１のパルス列パターンを用いて異なる線速度で実際にデータを記録し、得られる信号特性の比較を行った。
【０１５９】
まず、測定用光記録媒体サンプルを上記光ディスク評価装置にセットし、５．３ｍ／ｓｅｃ又は１０．５ｍ／ｓｅｃの線速度で回転させながら、開口数が０．８５である対物レンズを介して波長が４０５ｎｍであるレーザビームをＬ０記録膜３２に照射し、第１のパルス列パターンを用いてＬ１層３０に２Ｔ〜８Ｔからなる混合信号を記録した。パルス幅としては、ｔｔｏｐを１．１Ｔに設定し、ｔｍｐ及びｔｌｐを０．６Ｔに設定し、ｔｃｌを種々の長さに設定した。また、レーザビームＬの強度については、ｔｃｌの設定値ごとに最も良好なジッタが得られる記録パワーＰｗ１１に設定するとともに、中間パワーＰｍ１１を２．０ｍＷに固定し、基底パワーＰｂ１１を０．１ｍＷに固定した。
【０１６０】
そして、これら異なる条件で記録された混合信号を再生し、そのジッタを測定した。再生パワーＰｒは０．７ｍＷである。測定の結果を図１６に示す。
【０１６１】
図１６に示すように、記録線速度が１０．５ｍ／ｓｅｃである場合には、記録線速度が５．３ｍ／ｓｅｃである場合に比べｔｃｌを長く設定した方が良好なジッタが得られた。以上より、Ｌ１層３０に対する記録においては、記録線速度が高い場合には、ｔｃｌをより長く設定した方が良好な記録特性が得られることが確認された。
【０１６２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明においては、複数の無機反応膜からなる記録膜を有し、対応する反射膜が設けられないか或いは反射膜の膜厚が非常に薄く設定されるために放熱性が低い情報記録層に対する光記録において、レーザビームを少なくとも記録パワー、中間パワー及び基底パワーを含む３値以上に強度変調して上記情報記録層に対する光記録を行っていることから、良好な記録特性を得ることが可能となる。
【０１６３】
特に、冷却期間ｔｃｌを記録線速度に基づいて設定すれば、このような情報記録層に対し高い線速度で光記録を行う場合であっても、良好な信号特性を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明による光記録方法の適用が好適な光記録媒体１０の外観を示す切り欠き斜視図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ部を拡大した部分断面図である。
【図２】Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３２を拡大して示す部分断面図であり、（ａ）は未記録状態、（ｂ）は記録マークＭが形成された状態を示している。
【図３】第１のパルス列パターンを示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｂ）は３Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｃ）は４Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｄ）は５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。
【図４】第２のパルス列パターンを示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｂ）は３Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｃ）は４Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示し、（ｄ）は５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを示している。
【図５】Ｌ１層３０に対するデータの記録において第２のパルス列パターンを用いた場合の信号特性を示す模式的なグラフであり、基底パワーＰｂ２を極めて低いレベルに設定した場合における記録パワーＰｗ２の強度と２Ｔ信号及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比との関係を示している。
【図６】Ｌ１層３０に対するデータの記録において第２のパルス列パターンを用いた場合の信号特性を示す模式的なグラフであり、基底パワーＰｂ２のレベルとして照射によりＬ１記録膜３２に対して実質的に熱的な影響を与えるレベルに設定した場合における記録パワーＰｗ２の強度と２Ｔ信号及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比との関係を示している。
【図７】Ｌ１層３０に対するデータの記録において第１のパルス列パターンを用いた場合における記録パワーＰｗ１１の強度と２Ｔ信号及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比との関係を示している。
【図８】光記録媒体１０に対してデータの記録を行うことが可能な情報記録装置１００の概略構成図である。
【図９】記録特性評価１−１（実施例１）の結果を示すグラフである。
【図１０】記録特性評価１−２（比較例１）の結果を示すグラフである。
【図１１】記録特性評価１−３（比較例２）の結果を示すグラフである。
【図１２】記録特性評価１−４（比較例３）の結果を示すグラフである。
【図１３】記録特性評価１−５（実施例２）の結果を示すグラフである。
【図１４】記録特性評価１−６（実施例３）の結果を示すグラフである。
【図１５】記録特性評価１−７（実施例４）の結果を示すグラフである。
【図１６】記録特性評価２（実施例５）の結果を示すグラフである。
【符号の説明】
１０  光記録媒体
１１  支持基板
１１ａ，１２ａ  グルーブ
１１ｂ，１２ｂ  ランド
１２  透明中間層
１３  光透過層
１３ａ  光入射面
２０  Ｌ０層
２１  反射膜
２２  第４誘電体膜
２３  Ｌ０記録膜
２４  第３誘電体膜
３０  Ｌ１層
３１  第２誘電体膜
３２  Ｌ１記録膜
３３  第１誘電体膜
５１，５２  無機反応膜
１００  情報記録装置
１０１  スピンドルモータ
１０２  トラバースモータ
１０３  レーザ駆動回路
１０４  レンズ駆動回路
１０５  コントローラ
１０５ａ  フォーカス制御回路
１０５ｂ  トラッキング制御回路
１１０  光ヘッド
１１１  レーザ光源
１１２  コリメータレンズ
１１３  ビームスプリッタ
１１４  対物レンズ
１１５  アクチュエータ
１１６  フォトディテクタ
Ｌ  レーザビーム
Ｌ’  反射光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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