(57)【要約】【課題】ランド・アンド・グルーブ記録方式で利用する光磁気記録媒体においてランド部及びグルーブ部の記録磁界感度を揃え共に特性が良好な光磁気記録媒体を提供する。【解決手段】ランド・アンド・グルーブ記録方式で利用する光磁気記録媒体において、ランド部記録領域の記録補助層平均膜厚Ａ（Ｌ）、ランド部記録領域の記録層平均膜厚Ｍ（Ｌ）及び、グルーブ部記録補助層平均膜厚Ａ（Ｇ）、グルーブ部記録領域の記録均膜厚Ｍ（Ｇ）の関係がＡ（Ｌ）／Ｍ（Ｌ）＜Ａ（Ｇ）／Ｍ（Ｇ）とする。【選択図】      図１
2004310961.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランド部及びグルーブ部の両方を情報トラックとして使用する、ランド・アンド・グルーブ記録方式で利用する光磁気記録媒体であって、少なくとも、情報が記録される記録層と、前記記録層に記録された情報を磁壁を移動させることにより再生するための磁壁移動層と、前記記録層に記録を行なう際に記録磁界感度を補助する記録補助層とを有する磁性層が積層されてなる光磁気記録媒体において、
ランド部記録領域の記録補助層平均膜厚Ａ（Ｌ）、ランド部記録領域の記録層平均膜厚Ｍ（Ｌ）及び、グルーブ部記録補助層平均膜厚Ａ（Ｇ）、グルーブ部記録領域の記録層平均膜厚Ｍ（Ｇ）の関係がＡ（Ｌ）／Ｍ（Ｌ）＜Ａ（Ｇ）／Ｍ（Ｇ）であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば光磁気ディスク等の磁気光学効果を利用してレーザー光により情報の記録および再生が行われる光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
情報の書き換え可能な情報記録媒体として、各種の磁性記録媒体が実用化されている。特に、半導体レーザーの熱エネルギを用いて磁性薄膜に磁区を書き込むことで情報を記録し、磁気光学効果を用いてこの記録情報を読み出す光磁気記録媒体は、高密度記録が可能な大容量可換媒体として期待されている。近年、動画像のデジタル化に伴って、これらの磁性記録媒体の記録密度を高めてさらに大容量の記録媒体とする要求が高まっている。
【０００３】
一般に、光記録媒体の線記録密度は、再生光学系のレーザー光の波長及び対物レンズの開口数ＮＡに大きく依存する。すなわち、再生光学系のレーザー光の波長λと対物レンズの開口数ＮＡが決まることでビームウェスト径が決定するため、信号再生可能な記録ピットの空間周波数は２ＮＡ／λ程度が限界となってしまう。したがって、従来の光ディスクで高密度化を実現するためには、再生光学系のレーザー光の波長λを短くするか、対物レンズの開口数ＮＡを大きくする必要がある。しかしながら、レーザー光の波長λを短くすることは、発光素子の効率や発熱等の問題から容易ではない。また、対物レンズの開口数ＮＡを大きくした場合には、焦点深度が浅くなる等の理由から、機械的精度に対する要求が厳しくなるという不都合が生じる。
【０００４】
そこで、最近では、レーザー光の波長λや対物レンズの開口数ＮＡを変更することなく、記録媒体の構成や再生方法を工夫して記録密度を改善する、いわゆる超解像技術が種々提案されている。
【０００５】
例えば、下記特許文献１には、磁気的に結合される再生層と記録保持層とを有してなる多層膜の、記録保持層に信号記録を行うとともに、再生層の磁化の向きを揃えた後、レーザー光を照射して加熱し、再生層の昇温領域に、記録保持層に記録された信号を転写させながら読み取る信号再生方法が開示されている。この信号再生方法によれば、再生時の符号間干渉を減少させることができるとともに、再生用のレーザー光のビームスポット径に対して、このレーザー光によって加熱されて転写温度に達し信号が検出される領域は、より小さな領域に限定できるため、空間周波数が２ＮＡ／λ以上の信号を再生することが可能である。
【０００６】
しかしながら、上述した信号再生方法は、再生用のレーザー光のビームスポット径に対して、有効に使用される信号検出領域が小さくなるため、再生信号の振幅が低下し、十分な再生出力が得られないという欠点を有している。このため、有効信号検出領域をビームスポット径に対してあまり小さくすることができず、結局は光学系の回折限界で決まる記録密度に対して、大幅な高密度化を達成することはできない。
【０００７】
このような問題点を解決する方法の１つとして、下記特許文献２には、記録マーク（磁区）の境界部に存在する磁壁を光磁気記録媒体に生じた温度勾配に従って高温側に移動させることで、再生信号の振幅を低下させることなく、光学系の分解能を超えた記録密度の信号再生を可能にする再生方法が開示されている。
【０００８】
以下、この再生方法について説明する。
【０００９】
図４は、前記光磁気記録媒体及びその情報再生原理を説明するための図で、図４（Ａ）は、光磁気記録媒体の構成及び再生用のレーザー光が照射された部分の磁化状態を模式的に示す断面図、図４（Ｂ）は、そのレーザー光の照射時に光磁気記録媒体に生じる温度分布を示す図、図４（Ｃ）は、図４（Ｂ）の温度分布に対応する磁壁移動層の磁壁エネルギー密度σ及び磁壁に作用する力Ｆの分布を示す図である。
【００１０】
図４（Ａ）に示すように、この光磁気記録媒体の磁性層５１０は、磁壁が移動する磁壁移動層５３、各磁性層より低いキュリー温度を有するスイッチング層５４、情報を記録（蓄積）する記録層５５が順次積層されてなる。ここでは、磁壁移動層５３が、再生用のレーザー光５２１が照射される照射面側に位置して形成されている。各磁性層５３、５４、５５中の矢印ｍ１、ｍ２の方向は原子スピンの向きを表している。この原子スピンの向きが相互に逆向きの各領域の境界部には磁壁５２２が形成されている。
【００１１】
光磁気記録媒体は、照射されたレーザー光５２１のビームスポットに対して相対移動する。光磁気記録媒体が、媒体移動方向である矢印ｒ方向に移動することで、ビームスポットが記録層５５の記録トラックに沿って移動する。このビームスポットが照射された領域では、図４（Ｂ）に示すように、ビームスポットの移動方向に対して、ビームスポットの前方から温度が上昇し、位置Ｘｂで温度のピークになるような温度分布が生じる。ここでは、位置Ｘａにおいて、媒体温度がスイッチング層５４のキュリー温度Ｔｓに達するようにされている。
【００１２】
磁壁移動層５３における磁壁エネルギー密度σの分布は、図４（Ｃ）に示すように、ビームスポットの後方の温度ピーク部において極小となり、ビームスポットの前方ほど大きくなる。このように、位置Ｘ方向に磁壁エネルギー密度σの勾配があるとき、位置Ｘに存在する各層の磁壁に対して次式（１）から求められる力Ｆが作用する。
【００１３】
Ｆ＝∂σ／∂Ｘ          ・・・（１）
この力Ｆは、磁壁エネルギーの低い方に磁壁を移動させるように作用する。磁壁移動層５３は、磁壁抗磁力が小さく、磁壁移動度も大きいので、単層の場合にはこの力Ｆによって容易に磁壁５２２が移動する。ただし、位置Ｘａよりビームスポットの前方側に位置する領域においては、媒体温度がスイッチング層５４のキュリー温度Ｔｓより低く、磁壁抗磁力が大きな記録層５５と交換結合しているために、磁壁５２２が移動せず、磁壁抗磁力が大きな記録層５５中の磁壁の位置と対応する位置に固定されている。
【００１４】
この光磁気記録媒体では、矢印ｒ方向に光磁気記録媒体が移動し、磁壁移動層５３の磁壁５２２が位置Ｘａの位置に移動したとき、その磁壁５２２の部分における媒体温度がスイッチング層５４のキュリー温度近傍の温度Ｔｓまで上昇し、磁壁移動層５３と記録層５５との間の交換結合が切断される。この結果、磁壁移動層５３の磁壁２２は、破線で示す矢印ｓ方向に向かって、より温度が高く、且つより磁壁エネルギー密度が小さな領域へと瞬間的に移動する。ビームスポットの領域下を磁壁２２が通過するとき、位置Ｘａから位置Ｘｂの範囲で磁壁移動層５３の原子スピンが一方向に揃う。
【００１５】
信号の間隔で形成されている磁壁２２が、光磁気記録媒体の移動に伴って位置Ｘａに来る度に、磁壁移動層５３中の磁壁５２２がビームスポットの領域下を瞬間的に移動し、位置Ｘａから位置Ｘｂの範囲に記録磁区が拡大し、磁壁移動層５３の原子スピンは一方向に揃う。この結果、再生信号の振幅は、記録されている磁壁の間隔（すなわち記録マーク長）によらず、常に一定かつ最大の振幅になり、光学的な回折限界に起因した波形干渉等の問題から完全に解放される。
【００１６】
さらに、磁壁移動を円滑に行うためには隣接する記録トラック間での磁気的な結合を分断することが望ましいとなっており、磁気的な結合を分断するには、深溝基板を用いて形状的に分断する方法と、高出力のレーザー光を記録トラック間に照射するアニール処理を施すことでトラック間の磁性層を変質させる方法が提案されている。
【００１７】
また、下記特許文献３では、エッチングにより情報トラック間の磁性膜を削る方法が提案されている。
【００１８】
【特許文献１】
特開平３−９３０５８号公報
【特許文献２】
特開平６−２９０４９６号公報
【特許文献３】
特開２００１−１６７４７９号公報
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、アニール処理を行う場合は、ディスク全面にアニール処理を行うと時間がかかり、媒体の量産性を考慮すると、媒体のコストアップにつながり問題である。また、エッチングによりトラック間の磁性膜をエッチングする場合は、膜厚の制御が難しい上に処理に時間がかかり、この場合も、媒体の量産性を考慮すると、媒体のコストアップにつながり問題である。さらに、ランド部及びグルーブ部の両方を情報トラックとして使用する、ランド・アンド・グルーブ記録方式で利用する場合、ランド部とグルーブ部で膜の付き方が異なるために、ランド部とグルーブ部の記録再生特性、特に記録磁界感度が異なり、両方の特性を同時に良くすることが困難であった。
【００２０】
深溝基板を用いて形状的に分断する場合には、生産性には問題が無いが、ここでも、ランド・アンド・グルーブ記録方式で利用する場合、ランド部とグルーブ部で膜の付き方が異なるために、ランド部とグルーブ部の記録再生特性、特に記録磁界感度が異なり、両方の特性を同時に良くすることが困難であった。
【００２１】
本発明はこのような課題を鑑みなされたものであり、ランド・アンド・グルーブ記録方式で利用する光磁気記録媒体においてランド部及びグルーブ部の記録磁界感度を揃え共に特性が良好な光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明の光磁気記録媒体は、
ランド部及びグルーブ部の両方を情報トラックとして使用する、ランド・アンド・グルーブ記録方式で利用する光磁気記録媒体であって、少なくとも、情報が記録される記録層と、前記記録層に記録された情報を磁壁を移動させることにより再生するための磁壁移動層と、前記記録層に記録を行う際に記録磁界感度を補助する記録補助層とを有する磁性層が積層されてなる光磁気記録媒体において、ランド部記録領域の記録補助層平均膜厚Ａ（Ｌ）、ランド部記録領域の記録層平均膜厚Ｍ（Ｌ）及び、グルーブ部記録補助層平均膜厚Ａ（Ｇ）、グルーブ部記録領域の記録層平均膜厚Ｍ（Ｇ）の関係がＡ（Ｌ）／Ｍ（Ｌ）＜Ａ（Ｇ）／Ｍ（Ｇ）である。
【００２３】
この結果、記録磁界感度が高く、記録補助層の効果が大きいランド部の記録補助層の厚さを相対的に薄くすることで、ランド部とグルーブ部の記録磁界感度を揃えることが出来、ランド部、グルーブ部共に特性が良好な光磁気記録媒体を作成することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００２５】
図１は本発明の一例である光磁気記録媒体の基本的な構成を模式的に示す断面図である。図１に示すように、基板１１上に第１の誘電体層１２、磁性層１０、第２の誘電体層１７が順次積層されて構成されている。磁性層１０は、基板１１側から、磁壁が移動する磁壁移動層１３、各磁性層より低いキュリー温度を有するスイッチング層１４、情報を記録（蓄積）する記録層１５、記録磁界感度を向上させるための記録補助層１６が順次形成されている。
【００２６】
そして、これら磁壁移動層１３、スイッチング層１４、記録層１５は、スイッチング層１４のキュリー温度以下で交換結合する。
【００２７】
基板１１としては、例えば、透明なポリカーボネート、ガラス等が用いられている。本実施の形態では、ランド・アンド・グルーブ記録用の案内溝が形成されたポリカーボネート基板を用いた。案内溝の形状は、情報トラックとなるランド部記録領域１９及びグルーブ部記録領域１８が形成されている。
本実施の形態では、基板越しにレーザー光を照射して再生する光磁気記録媒体の層構成を用いて説明するが、これに限定するものではない。基板に対して膜側からレーザー光を照射する場合は磁性層の順序は逆にすれば良く基板としては不透明な材料を用いても良い。
【００２８】
第１の誘電体層１２としては、例えば、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＺｎＳ、ＭｇＦ２などの透明誘電材料を使用することができる。保護層として再び形成される第２の誘電体層１７にも、これと同様の誘電材料を用いることができる。これら各層は、例えばマグネトロンスパッタ装置による連続スパッタリング、または連続蒸着等によって被着形成することができる。
【００２９】
また、本実施の形態の光磁気記録媒体の構成に加えて、更に例えばＡｌ、ＡｌＴａ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ、Ｃｕなどからなる金属層を付加して、熱的な特性を調整可能に構成されてもよい。さらに、高分子樹脂からなる保護コートを付与してもよい。さらに、各層が成膜された基板を貼り合わせた構成としてもよい。
【００３０】
また、本実施の形態の光磁気記録媒体の構成において、磁壁移動層１３、スイッチング層１４、記録層１５、記録補助層１６の各層は、種々の磁性材料によって構成することが考えられるが、例えば、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏなどの希土類金属元素の１種類あるいは２種類以上が１０〜４０ａｔ％と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの鉄族元素の１種類あるいは２種類以上が９０〜６０ａｔ％とで構成される希土類−鉄族非晶質合金によって構成してもよい。また、耐食性向上などのために、これにＣｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｉｎなどの元素を少量添加してもよい。
【００３１】
重希土類−鉄族非晶質合金の場合、飽和磁化は、希土類元素と鉄族元素との組成比により制御することが可能である。また、キュリー温度も、組成比により制御することが可能であるが、飽和磁化と独立に制御するためには、鉄族元素として、Ｆｅの一部をＣｏで置き換えた材料を用い、置換量を制御する方法がより好ましく利用できる。すなわち、Ｆｅの１ａｔ％をＣｏで置き換えることにより、６℃程度のキュリー温度上昇が見込めるので、この関係を用いて所望のキュリー温度となるようにＣｏの添加量を調整することができる。また、Ｃｒ、Ｔｉなどの非磁性元素を微量添加することにより、キュリー温度を低下させることも可能である。さらにまた、２種類以上の希土類元素を用いてそれらの組成比を調整することによってもキュリー温度を制御することができる。
【００３２】
上述した他に、例えばガーネット、白金族−鉄族周期構造膜、あるいは白金族−鉄族合金などの材料も使用可能である。
【００３３】
磁壁移動層１３としては、例えば、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＧｄＦｅＣｏなどの垂直磁気異方性の小さな希土類−鉄族非晶質合金や、ガーネット等のバブルメモリ用材料を用いることが望ましい。
【００３４】
記録層１５としては、例えば、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏなどの希土類−鉄族非晶質合金など、垂直磁気異方性が大きく安定に磁化状態が保持できるものが望ましい。
【００３５】
スイッチング層１４としては、他の磁性層と同様に希土類−鉄族非晶質合金を用い、他の磁性層と比べ最もキュリー温度が低く、スイッチング層１４のキュリー温度Ｔｓ以下で他の磁性層と交換結合していることが望ましい。
【００３６】
記録補助層１６としては、外部磁界に対して容易に磁化反転可能な、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＧｄＦｅＣｏなどの垂直磁気異方性の小さな希土類−鉄族非晶質合金を用いることが望ましい。
【００３７】
ここで、本発明の特徴は、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、記録補助層を形成後、光磁気記録媒体３１に対してグルーブ部がランド部の陰影になるように、斜め方向から、光磁気記録媒体を回転させながら、記録補助層をエッチングすることによりランド部の記録補助層をグルーブ部の記録補助層より多く除去し、ランド部記録領域の記録補助層平均膜厚Ａ（Ｌ）、ランド部記録領域の記録層平均膜厚Ｍ（Ｌ）及び、グルーブ部記録補助層平均膜厚Ａ（Ｇ）、グルーブ部記録領域の記録層平均膜厚Ｍ（Ｇ）の関係がＡ（Ｌ）／Ｍ（Ｌ）＜Ａ（Ｇ）／Ｍ（Ｇ）とすることである。また、図２（Ｃ）に示すようにグルーブ部がランド部の陰影にならず、ランド部及びグルーブ部のエッチングが均等になる領域をマスクしても良い。
【００３８】
磁壁移動検出方式の情報再生原理の説明は、図４で示すものであり［従来の技術］の項目で記述したとおりである。
【００３９】
図３に、本実施形態の光磁気記録媒体７９に対してデータ信号の記録および再生を行う記録再生装置が備える光学系の一例の模式図を示す。図３に示すように、光学系は、光路の順に、レーザー光２０を出射するレーザー光源７１と、このレーザー光源７１から出射されたレーザー光を平行光に変換するコリメータレンズ７２と、レーザー光源７１からのレーザー光２０を透過するとともに光磁気記録媒体からの戻り光を反射するビームスプリッタ７３と、このビームスプリッタ７３を透過したレーザー光２０を光磁気記録媒体に集光する対物レンズ７４と、ビームスプリッタ７３に反射された戻り光を受光するディテクタ７６を有する信号検出系７５とを備えている。レーザー光源７１は、記録再生用の光源である。
【００４０】
以上のように構成された光学系を備える記録再生装置では、光磁気記録媒体の記録面のグルーブ（またはランド）上において、レーザー光源７１からの出射されたレーザー光２０が集光された記録再生用のビームスポットが形成される。データ信号の記録は、光磁気記録媒体７９を所望の線速度で移動しながら、記録用のビームスポットを形成しこれと同時に、磁界発生用コイル８０を用いて外部磁界を発生させ、データに応じてこの外部磁界の向きを高周波で変化させ記録磁区を形成する。データ信号の再生は、光磁気記録媒体７９を所望の線速度で移動しながら、再生用のビームスポットを用いて行う。これにより、再生時には、光磁気記録媒体を図４（Ｂ）に示したような温度勾配で加熱することができる。
【００４１】
【実施例】
（実施例１）
本実施例の光磁気記録媒体の膜構成は実施の形態に記載したものと同じ構成である。本実施例では基板１１として、情報トラックとなるランド部及びグルーブ部のピッチが０．５μｍ、溝の深さ１８０ｎｍ、側壁部の角度が基板面に対して６０度であるランド・アンド・グルーブ記録ポリカーボネート基板を用いた。本発明ではこの基板形状に限定するものではない。第１の誘電体層１２としてＳｉターゲットを用いてＡｒガス１９ｓｃｃｍとＮ２ガス１２．７ｓｃｃｍを導入しながら反応性スパッタリングによりＳｉＮを３０ｎｍに形成した。磁壁移動層１３としてＧｄＦｅＣｏＣｒを３６ｎｍ、スイッチング層１４としてＴｂＦｅＣｒを１０ｎｍ、記録層１５としてＴｂＦｅＣｏＣｒを６０ｎｍ、記録補助層１６としてＧｄＦｅＣｏＣｒを３０ｎｍ形成した。各磁性層は、磁壁移動層１３のキュリー温度は２９０℃、補償温度は２３０℃、スイッチング層１４のキュリー温度Ｔｓは１５０℃、記録層１５のキュリー温度は３２０℃、補償温度は１４０℃、記録補助層１６のキュリー温度は３８０℃、補償温度は６０℃となるように調整した。
【００４２】
記録補助層１６を形成した後に、図２（Ａ）、（Ｂ）に示したようにイオンガンを用いてＡｒイオンビームを本実施例の光磁気記録媒体に対して２０度の角度で照射し、光磁気記録媒体を回転させながら、ランド部記録領域の記録補助層平均膜厚Ａ（Ｌ）、ランド部記録領域の記録層平均膜厚Ｍ（Ｌ）及び、グルーブ部記録領域の記録補助層平均膜厚Ａ（Ｇ）、グルーブ部記録領域の記録層平均膜厚Ｍ（Ｇ）の関係がＡ（Ｌ）／Ｍ（Ｌ）＜Ａ（Ｇ）／Ｍ（Ｇ）となるまで記録補助層１６のエッチングを行った。具体的には、Ａ（Ｌ）／Ｍ（Ｌ）＝０．１６７、Ａ（Ｇ）／Ｍ（Ｇ）＝０．３３３となるまで記録補助層１６のエッチングを行った。本実施例ではこの平均膜厚の関係に限定するものではない。また、本発明ではＡｒイオンビームに限定するものではない。
【００４３】
最後に第２の誘電体層１７として、第１の誘電体層１２と同様にＳｉターゲットを用いてＡｒガス１９ｓｃｃｍとＮ２ガス１２．７ｓｃｃｍを導入しながら反応性スパッタリング法によりＳｉＮを５０ｎｍ形成した。
【００４４】
以上のような構成の光磁気記録媒体について、図３に示した光学系を用いて、波長λは６５０ｎｍ、対物レンズ７４の開口数ＮＡは０．６、記録時の線速は２．４ｍ／ｓとして、磁界発生用コイル８０を用いて、記録密度０．０８０ｕｍ／ｂｉｔの（１−７）変調で情報記録再生特性の評価を行った。その結果、本実施例の光磁気記録媒体は、ランド部は外部磁界が２００Ｏｅ（エールステッド［ＣＧＳ単位系］）で記録特性が飽和し４Ｅ−５のビットエラーレートが得られた。グルーブ部も外部磁界が２００Ｏｅで記録特性が飽和し４Ｅ−５のビットエラーレートが得られた。ランド部及びグルーブ部の記録磁界感度が揃い、共に良好な特性が実現された。
【００４５】
（比較例１）
比較例１の光磁気記録媒体は、記録補助層の膜厚を変えたこと及びエッチングを行わないこと以外は実施例１の光磁気記録媒体と同一構成とした。記録補助層の膜厚としては２０ｎｍとした。平均膜厚の関係はＡ（Ｌ）／Ｍ（Ｌ）＝Ａ（Ｇ）／Ｍ（Ｇ）＝０．３３３である。
【００４６】
比較例１の光磁気記録媒体について、実施例１の場合と同様の記録再生信号評価を行った。その結果、記録密度０．０８０ｕｍ／ｂｉｔの（１−７）変調で、グルーブ部は実験例１と同様に外部磁界が２００Ｏｅで記録特性が飽和し４Ｅ−５のビットエラーレートが得られたが、ランド部では記録補助層の効果が大きすぎるために特性が安定せず１Ｅ−３のエラーレートしか得られなかった。
【００４７】
（比較例２）
比較例２の光磁気記録媒体は、記録補助層の組成を変えたこと以外は比較例１の光磁気記録媒体と同一構成とした。記録補助層としては、ランド部の記録特性が良くなるようにキュリー温度は３８０℃、補償温度は１６０℃となるように調整した。
【００４８】
比較例２の光磁気記録媒体について、実施例１の場合と同様の記録再生信号評価を行った。その結果、記録密度０．０８０ｕｍ／ｂｉｔの（１−７）変調で、ランド部では外部磁界が２００Ｏｅで記録特性が飽和し４Ｅ−５のビットエラーレートが得られたが、グルーブ部は記録補助層の効果が小さすぎるために記録磁界感度特性が飽和せず５Ｅ−４のエラーレートしか得られなかった。
【００４９】
（実施例２）
実施例２の光磁気記録媒体は、実施例１と同様の基板を用い、記録補助層の膜厚を変えたこと及び記録補助層形成後にエッチング制御層としてカーボンを形成した以外は実施例１と同様の膜構成である。記録補助層の膜厚としては３５ｎｍとした。エッチング制御層としてはカーボンを５０ｎｍを形成した。エッチング制御層としては磁性層よりもエッチング速度の遅い材料で形成すればよいが、カーボンが特に好適である。続いてイオンガンを用いてＡｒイオンビームを本実施例の光磁気記録媒体に対して９０度の角度で照射し、情報トラック間の磁性膜がほぼ除去されるまでエッチングを行った。このときランド部及びグルーブ部のカーボンはほぼ除去され厚さ３５ｎｍの記録補助層が露出した状態になった。後に、Ａｒビームを本実施例の光磁気記録媒体に対して３０度の角度で照射し、光磁気記録媒体を回転させながら、ランド部記録領域の記録補助層平均膜厚Ａ（Ｌ）、ランド部記録領域の記録層平均膜厚Ｍ（Ｌ）及び、グルーブ部記録補助層平均膜厚Ａ（Ｇ）、グルーブ部記録領域の記録層平均膜厚Ｍ（Ｇ）の関係がＡ（Ｌ）／Ｍ（Ｌ）＜Ａ（Ｇ）／Ｍ（Ｇ）となるまで記録補助層１６のエッチングを行った。具体的には、Ａ（Ｌ）／Ｍ（Ｌ）＝０．２５、Ａ（Ｇ）＝０．３３３となるまで記録補助層１６のエッチングを行った。本実施例ではこの平均膜厚の関係に限定するものではない。
【００５０】
最後に第２の誘電体層１７として、第１の誘電体層１２と同様にＳｉターゲットを用いてＡｒガス１９ｓｃｃｍとＮ２ガス１２．７ｓｃｃｍを導入しながら反応性スパッタリング法によりＳｉＮを５０ｎｍ形成した。
【００５１】
実施例２の光磁気記録媒体について、実施例１の場合と同様の記録再生信号評価を行った。その結果、本実施例の光磁気記録媒体は、ランド部は外部磁界が１８０Ｏｅ（エールステッド［ＣＧＳ単位系］）で記録特性が飽和し４Ｅ−５のビットエラーレートが得られた。グルーブ部も外部磁界が１８０Ｏｅで記録特性が飽和し４Ｅ−５のビットエラーレートが得られた。ランド部及びグルーブ部の記録磁界感度が揃い、共に良好な特性が実現された。
【００５２】
（比較例３）
比較例３の光磁気記録媒体は、記録補助層の膜厚を変えたこと及び光磁気記録媒体に対して３０度の角度でエッチングを行わないこと以外は実施例２の光磁気記録媒体と同一構成とした。記録補助層の膜厚としては２０ｎｍとした。平均膜厚の関係はＡ（Ｌ）／Ｍ（Ｌ）＝Ａ（Ｇ）／Ｍ（Ｇ）＝０．３３３である。
【００５３】
比較例３の光磁気記録媒体について、実施例１の場合と同様の記録再生信号評価を行った。その結果、記録密度０．０８０ｕｍ／ｂｉｔの（１−７）変調で、グルーブ部は実験例１と同様に外部磁界が１８０Ｏｅで記録特性が飽和し４Ｅ−５のビットエラーレートが得られたが、ランド部では記録補助層の効果が大きすぎるために特性が安定せず５Ｅ−４のエラーレートしか得られなかった。
【００５４】
（比較例４）
比較例４の光磁気記録媒体は、記録補助層の組成を変えたこと以外は比較例３の光磁気記録媒体と同一構成とした。記録補助層としては、ランド部の記録特性が良くなるようにキュリー温度は３８０℃、補償温度は１６０℃となるように調整した。
【００５５】
比較例４の光磁気記録媒体について、実施例１の場合と同様の記録再生信号評価を行った。その結果、記録密度０．０８０ｕｍ／ｂｉｔの（１−７）変調で、ランド部では外部磁界が２００Ｏｅで記録特性が飽和し４Ｅ−５のビットエラーレートが得られたが、グルーブ部は記録補助層の効果が小さすぎるために記録磁界感度特性が飽和せず５Ｅ−４のエラーレートしか得られなかった。
【００５６】
以上、本発明の実施例が示され説明されたが、当業者であれば、本発明の趣旨と範囲は本明細書内特定の説明と図に限定されるのではなく、本特許請求の範囲に全て述べられた様々の修正と変更に及ぶことが理解されるであろう。
【００５７】
本発明の実施態様の例を以下に列挙する。
【００５８】
本発明の実施態様は、ランド部及びグルーブ部の両方を情報トラックとして使用する、ランド・アンド・グルーブ記録方式で利用する光磁気記録媒体であって、少なくとも、情報が記録される記録層と、記録層に記録された情報を磁壁を移動させることにより再生するための磁壁移動層と、記録層に記録を行なう際に記録磁界感度を補助する記録補助層とを有する磁性層が積層されてなる光磁気記録媒体において、ランド部記録領域の記録補助層平均膜厚Ａ（Ｌ）、ランド部記録領域の記録層平均膜厚Ｍ（Ｌ）及び、グルーブ部記録補助層平均膜厚Ａ（Ｇ）、グルーブ部記録領域の記録層平均膜厚Ｍ（Ｇ）の関係がＡ（Ｌ）／Ｍ（Ｌ）＜Ａ（Ｇ）／Ｍ（Ｇ）である光磁気記録媒体である。
【００５９】
本実施態様によれば、記録磁界感度が高く、記録補助層の効果が大きいランド部の記録補助層の厚さを相対的に薄くすることで、ランド部とグルーブ部の記録磁界感度を揃えることが出来、ランド部、グルーブ部共に特性が良好な光磁気記録媒体を得ることができる。
【００６０】
本発明の他の実施態様は、記録補助層を形成後、斜め方向から記録補助層をエッチングすることによりランド部の記録補助層をグルーブ部の記録補助層より多く除去する、上述の光磁気記録媒体の製造方法である。
【００６１】
本実施態様によれば、記録磁界感度が高く、記録補助層の効果が大きいランド部の記録補助層の厚さを相対的に薄くすることで、ランド部とグルーブ部の記録磁界感度を揃えることが出来、ランド部、グルーブ部共に特性が良好な光磁気記録媒体を作成することができる。
【００６２】
本発明の他の実施態様は、記録補助層を形成後、光磁気記録媒体に対してグルーブ部がランド部の陰影になるように、斜め方向から、光磁気記録媒体を回転させながら、記録補助層をエッチングすることによりランド部の記録補助層をグルーブ部の記録補助層より多く除去する、上述の光磁気記録媒体の製造方法である。
【００６３】
本発明の他の実施態様は、記録補助層を形成後、エッチング制御層として磁性層よりもエッチング速度の遅い材料で形成し、ランド部及びグルーブ部の情報トラック間の磁性膜がほぼ除去されるまでエッチングを行い、記録補助層が露出した状態になった後に、斜め方向から記録補助層をエッチングすることによりランド部の記録補助層をグルーブ部の記録補助層より多く除去する、上述の光磁気記録媒体の製造方法である。
【００６４】
また、本発明においては、記録補助層を形成後、斜め方向から記録補助層をエッチングすることによりランド部の記録補助層をグルーブ部の記録補助層より多く除去する上述の工程で、イオンビームによってエッチングを行うことが好ましい。
【００６５】
【発明の効果】
本発明によれば、ランド・アンド・グルーブ記録方式で利用する光磁気記録媒体において、ランド部記録領域の記録補助層平均膜厚Ａ（Ｌ）、ランド部記録領域の記録層平均膜厚Ｍ（Ｌ）及び、グルーブ部記録補助層平均膜厚Ａ（Ｇ）、グルーブ部記録領域の記録均膜厚Ｍ（Ｇ）の関係がＡ（Ｌ）／Ｍ（Ｌ）＜Ａ（Ｇ）／Ｍ（Ｇ）とすることで、ランド部とグルーブ部の記録磁界感度を揃えることが出来、ランド部、グルーブ部共に特性が良好な光磁気記録媒体を得ることが可能となるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一例である光磁気記録媒体の基本的な構成を模式的に示す断面図である。
【図２】（Ａ）  光磁気記録媒体に対してグルーブ部がランド部の陰になるように、斜め方向から、光磁気記録媒体を回転させながら、記録補助層をエッチングする図である。
（Ｂ）  光磁気記録媒体に対してグルーブ部がランド部の陰影になるように、斜め方向から、光磁気記録媒体を回転させながら、記録補助層をエッチングする図である。
（Ｃ）  グルーブ部がランド部の陰影にならず、ランド部及びグルーブ部のエッチングが均等になる領域をマスクする図である。
【図３】本発明の実施形態の光磁気記録媒体に対してデータ信号の記録および再生を行う記録再生装置が備える光学系の一例の模式図である。
【図４】光磁気記録媒体及びその情報再生原理を説明するための図である。
（Ａ）  光磁気記録媒体の構成及び再生用のレーザー光が照射された部分の磁化状態を模式的に示す断面図である。
（Ｂ）  （Ａ）のレーザー光の照射時に光磁気記録媒体に生じる温度分布を示す図である。
（Ｃ）  （Ｂ）の温度分布に対応する磁壁移動層の磁壁エネルギー密度σ及び磁壁に作用する力Ｆの分布を示す図である。
【符号の説明】
１０、５１０    磁性層
１１、７７    基板
１２    第１の誘電体層
１３、５３    磁壁移動層
１４、５４    スイッチング層
１５、５５    記録層
１６    記録補助層
１７    第２の誘電体層
１８    グルーブ部記録領域
１９    ランド部記録領域
２０、５２１    レーザー光
３１、７９    光磁気記録媒体
３２    回転
３３    マスク
７１    レーザー光源
７２    コリメータレンズ
７３    ビームスプリッタ
７４    対物レンズ
７５    信号検出系
７６    ディテクタ
７８    膜
８０    磁界発生用コイル
５２２    磁壁
ｍ１、ｍ２    原子スピンの向き
ｒ    媒体移動方向
【図１】
2004310961.tif 000003
【図２】
2004310961.tif 000004
【図３】
2004310961.tif 000005
【図４】
2004310961.tif 000006