(57)【要約】【課題】半導体素子の局所的な温度上昇を防止することが可能な半導体集積回路を提供する。【解決手段】放熱セル２は、発熱セル１に対して隣接して配置され、電源電位配線３又は接地電位配線４と同じ第１配線層に放熱部材６及び放熱部材７を備え、さらに放熱部材６及び放熱部材７は、ビア９を介して第２配線層８に接続される。発熱セル１で発生した熱は、電源配線３、接地配線４に伝導し、放熱部材６及び放熱部材７で放熱される。また、放熱部材６及び放熱部材７からビア９を介して第２配線層８に熱が伝導することにより、更に放熱を促進し、発熱セル１が局部的に高温になることを防ぐ。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に複数の半導体素子が形成される半導体集積回路において、
前記半導体素子間を接続する配線のうち、少なくともいずれか１の前記配線に接続される放熱セルを備え、
前記放熱セルは、前記配線に接続される前記半導体のうち少なくともいずれか１の前記半導体素子から発生した熱を放熱する放熱部材を有することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体集積回路において、
前記配線は、前記半導体素子間を電気的に接続する電源電位配線又は接地電位配線のいずれか一方であることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体集積回路において、
前記放熱部材は、前記放熱セルのスペースの大部分の面積を占めることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれか１項に記載の半導体集積回路において、
前記放熱セルは、前記熱を発生する半導体素子に隣接して配置されていることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれか１項に記載の半導体集積回路において、
前記半導体集積回路は、前記配線を有する配線層が複数層積層して形成される多層構造を構成しており、
前記放熱部材は、前記配線と同一層に形成されていることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体集積回路において、
前記同一層は、前記複数層のうちの前記半導体基板側に最も近い最下位層に形成されていることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の半導体集積回路において、
前記放熱部材は、前記放熱部材と異なる層に属する前記配線のうち少なくとも１の前記配線と接続部材を介して接続されていることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項８】
請求項１乃至７いずれか１項に記載の半導体集積回路において、
前記半導体素子に対して複数の前記放熱セルが配置されていることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体集積回路において、
複数の前記半導体素子が互いに隣接して配置され、
前記複数の放熱セルが、前記複数の半導体素子の周囲に配置されていることを特徴とする半導体集積回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板上に多数のトランジスタ素子などの半導体素子が形成され、前記半導体素子を電気的に接続するための配線層によって形成される半導体集積回路に関し、特にトランジスタ素子などの発熱体による局部温度上昇による性能変化や故障を防止する半導体集積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年半導体集積回路の設計においては、そのサイズをより微細化することにより、性能向上を図っている。しかし微細化が進むに従って、トランジスタ素子のリーク電流（漏れ電流）が大きくなっており、半導体製造の問題となってきている。そこでその対策として絶縁体上において単結晶シリコン層（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ：ＳＯＩ層）に半導体素子を形成する技術が実用化されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
この技術において、トランジスタ素子等の半導体素子の領域はシリコン酸化膜等の絶縁材に囲われる形になっており、リーク電流を大幅に抑制できる構成になっている。その一方でこの絶縁材は熱伝導率が低いことから、発熱による局所温度上昇が問題であることが知られている。
【０００４】
このような局部温度上昇を防止するため、例えば多層配線間に専用のダミーの貫通孔を設け、このダミーの貫通孔に熱伝導率の高い絶縁物質を充填することにより、高温となる配線とその上下の配線とを熱的に接続する方法が提案されている（例えば特許文献２参照）。
【特許文献１】
特開平２０００−３１４８７号公報
【特許文献２】
特開平９−１２９７２５号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来技術では放熱用のダミーホールを形成する材料として、仮に配線材料等と同一材料とした場合には、このダミーホールが形成される材料によって配線間が電気的に接続されることとなり、電気的機能が損なわれる。そのためダミーホール形成材料としては、本来の絶縁層よりも熱伝導率が大きくかつ通電性のない絶縁材料を用いる必要がある。
【０００６】
また所望の回路を構成する配線の製造工程に加えて、放熱のためのダミーホールを形成したり、このダミーホールに熱伝導率の高い絶縁物質を充填するといった専用の工程が必要となる。
【０００７】
このため、放熱用のダミーホールを形成するためには、半導体製造プロセス数が増え、また製造コストが上昇するという問題点があった。
【０００８】
そこで本発明は、上記の問題点に鑑みて為されたものであり、その課題は、ＳＯＩ層上に形成された半導体集積回路において、製造プロセスを変更することなく、また製造コストを増加させることなく、半導体素子の局所的な温度上昇を効果的に防止することが可能な半導体集積回路を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項１に記載の半導体集積回路の発明は、半導体基板上に複数の半導体素子が形成される半導体集積回路において、前記半導体素子間を接続する配線のうち、少なくともいずれか１の前記配線に接続される放熱セルを備え、前記放熱セルは、前記配線に接続される前記半導体のうち少なくともいずれか１の前記半導体素子から発生した熱を放熱する放熱部材を有することを特徴として構成する。
【００１０】
請求項１に記載の発明によれば、半導体基板上に複数の半導体素子が形成される半導体集積回路において、放熱専用の放熱セルを設け、熱を発生させる半導体素子すなわち発熱セルからの熱を配線を介して放熱セルに伝導するように構成したので、発熱セルの温度上昇を効果的に防止することが可能となる。
【００１１】
上記の課題を解決するため、請求項２に記載の半導体集積回路の発明は、請求項１に記載の半導体集積回路において、前記配線は、前記半導体素子間を電気的に接続する電源電位配線又は接地電位配線のいずれか一方であることを特徴として構成する。
【００１２】
請求項２に記載の発明によれば、発熱セルから放熱セルへ熱を伝導する前記配線は前記半導体素子間を電気的に接続する電源電位配線又は接地電位配線のいずれか一方であるので、電気配線を利用して放熱を効果的に行うことが可能となり、信号遅延の問題が生ずることもない。
【００１３】
上記の課題を解決するため、請求項３に記載の半導体集積回路の発明は、請求項１又は２に記載の半導体集積回路において、前記放熱部材は、前記放熱セルのスペースの大部分の面積を占めることを特徴として構成する。
【００１４】
請求項３に記載の発明によれば、放熱部材は放熱セルのスペースの大部分の面積を占め、放熱を行うのに十分な面積を有しているので、発熱セルからの熱を十分に放熱することが可能となる。
【００１５】
上記の課題を解決するため、請求項４に記載の半導体集積回路の発明は、請求項１乃至３いずれか１項に記載の半導体集積回路において、前記放熱セルは、前記熱を発生する半導体素子に隣接して配置されていることを特徴として構成する。
【００１６】
請求項４に記載の発明によれば、放熱セルは、発熱セルに隣接して配置されているので、発熱セルからの熱の放熱を更に効果的に行うことが可能となる。
【００１７】
上記の課題を解決するため、請求項５に記載の半導体集積回路の発明は、請求項１乃至４いずれか１項に記載の半導体集積回路において、前記半導体集積回路は、前記配線を有する配線層が複数層積層して形成される多層構造を構成しており、前記放熱部材は、前記配線と同一層に形成されていることを特徴として構成する。
【００１８】
請求項５に記載の発明によれば、放熱部材は配線と同一層に形成されているので、製造プロセスを変更することなく、また製造コストを増加させることなく、発熱セルからの熱を効果的に放熱することが可能となる。
【００１９】
上記の課題を解決するため、請求項６に記載の半導体集積回路の発明は、請求項５に記載の半導体集積回路において、前記同一層は、前記複数層のうちの前記半導体基板側に最も近い最下位層に形成されていることを特徴として構成する。
【００２０】
請求項６に記載の発明によれば、最下位層、すなわち第１配線層に放熱部材が形成されているため、発熱セルから第１配線層の配線から放熱部材へと効果的に熱が伝導し、放熱を行うことが可能となる。
【００２１】
上記の課題を解決するため、請求項７に記載の半導体集積回路の発明は、請求項５又は６に記載の半導体集積回路において、前記放熱部材は、前記放熱部材と異なる層に属する前記配線のうち少なくとも１の前記配線と接続部材を介して接続されていることを特徴として構成する。
【００２２】
請求項７に記載の発明によれば、前記放熱部材は、他の配線層に属する配線と接続部材を介して接続されるので、当該接続部材から他の配線層に属する配線に熱を分散させることにより、放熱セルのスペースを大きくすることなく効果的に放熱することが可能となる。
【００２３】
上記の課題を解決するため、請求項８に記載の半導体集積回路の発明は、請求項１乃至７いずれか１項に記載の半導体集積回路において、前記半導体素子に対して複数の前記放熱セルが配置されていることを特徴として構成する。
【００２４】
請求項８に記載の発明によれば、発熱セルに対して複数の放熱セルが配置されるため、放熱を更に効果的に行うことが可能となる。
【００２５】
上記の課題を解決するため、請求項９に記載の半導体集積回路の発明は、請求項８に記載の半導体集積回路において、複数の前記半導体素子が互いに隣接して配置され、前記複数の放熱セルが、前記複数の半導体素子の周囲に配置されていることを特徴として構成する。
【００２６】
請求項９に記載の発明によれば、複数の発熱セルが隣接して配置される場合、例えばデータパス等の場合にその周囲に複数の放熱セルが配置されるので、複数の発熱セルからの熱を効果的に放熱することが可能となる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
続いて本発明に係る各実施形態について説明する。なお以下に説明する各実施形態は、基本セルをマトリクス状に配置して構成するゲートアレイ方式やスタンダードセル方式等の半導体集積回路に適用した場合についてである。
１．第１実施形態
本発明に好適な第１実施形態について、図１乃至３を用いて説明する。なお、図１は本発明による半導体集積回路の第１実施形態の概要を示した平面図であり、図２及び図３は本発明に係る第１実施形態における放熱セルの他の一例を示した平面図である。
【００２８】
半導体集積回路は、シリコン基板の表面部に多数のトランジスタ等の半導体素子を電気的に配線接続することにより構成されるが、基本セルに電源電圧（ＶＤＤ）及び接地電位（ＶＳＳ）を供給するために、図１に示すように、基本セル内にいわゆるパワーレールとしての電源電圧配線３及び接地電位配線４を備えている。
【００２９】
なお、これらのパワーレールは回路動作上重要な配線であるため、最下層の配線層すなわち第１配線層で構成されることが一般的である。ここで、配線層は高集積化に伴い多層構造になっており、本明細書においては、シリコン基板に近い方の配線層から順に第１配線層、第２配線層、第３配線層、・・・と呼ぶものとする。
【００３０】
また、図１は半導体集積回路のうち本発明に係る配置に関する部分について示したものであり、他の部分については省略している。図１に示すように、発熱量の多いインバータが半導体集積回路の所定の領域に配置されている。この図１では例としてインバータを図示しているが高発熱素子であればインバータに限るものではない。
【００３１】
発熱素子としての発熱セル１は、アルミや銅などを材料とする電源電位配線３及び接地電位配線４により他の半導体素子と電気的に接続されている。
【００３２】
そして発熱セル１に隣接して本発明に係る放熱セルとしての放熱セル２が配置されている。放熱セル２は放熱専用に設けられるセルであり、放熱セル２内には放熱部材としての放熱部６及び放熱部７を備えている。放熱部６は放熱セル２内の電源電位配線３に接続され、放熱部７は接地電位配線４に接続されている。また放熱部６と放熱部７とは絶縁層を介して分離している。
【００３３】
放熱部６及び放熱部７は、図１に示すように放熱セル２の平面スペース部分の大部分の面積、すなわち発熱セル１から発生する熱の放熱を行うのに十分な面積を占めている。なお、放熱セル２自身は発熱しないよう、セル内に発熱素子は備えていない。
【００３４】
また、放熱部６及び放熱部７は熱伝導性の高いアルミや銅などを材料として電源電位配線３及び接地電位配線４と同じ材料で構成することが可能であるが、熱伝導性の高い材料であればこれに限るものではない。
【００３５】
なお、図１において放熱セル２は発熱セル１に対して隣接して設置されているが、必ずしも隣接している必要はなく、放熱セル２が放熱を行うのに有効な範囲内であれば発熱セル１と放熱セル２とは離れていても良い。
【００３６】
発熱セル１、放熱セル２は通常のセル配置エリア内に配置されており、その周辺には図示しない他のセルが配置されている。
【００３７】
なお、電源電位配線３、接地電位配線４、発熱セル１のトランジスタ６の各端子、放熱部６及び放熱部７は同じ配線層（第１配線層）に形成されている。
【００３８】
次に、本実施形態に係る動作について説明する。
【００３９】
発熱セル１が動作する際に、発熱セル１内で発熱し、温度が上昇する。発熱した熱は、主として発熱セル１のトランジスタ６のソース端子から電源電位配線３、接地電位配線４に伝導する。
【００４０】
また放熱セル２は発熱素子を有していないため、発熱セル１よりも温度的に低いことから、発熱セル１で発生した熱は電源電位配線３、接地電位配線４を介して放熱セル２に伝わり、放熱部６及び放熱部７で放熱されることとなる。
【００４１】
このように熱が伝導するのは、発熱素子１を取り囲む絶縁物よりも配線材質及び放熱部材であるアルミや銅の方が熱伝導率が高いためである。たとえば、シリコン酸化膜の熱伝導率は０．０１３Ｗ／ｃｍ・Ｋである一方、銅の熱伝導率は４Ｗ／ｃｍ・Ｋである。
【００４２】
このように、本発明に係る第１実施形態によれば、発熱セル１は電源電位配線３あるいは接地電位配線４を介し放熱セル２の放熱用部材としての放熱部６及び放熱部７に接続され、発熱セル１で発生した熱が伝導する。この放熱部６及び放熱部７は、発熱セル１が発する熱に対し十分な面積を有することにより、発熱セル１が発生した熱を拡散することが可能となる。
【００４３】
これにより、発熱セル１が局部的に温度上昇し高温になることを防ぐことができ、半導体集積回路の性能が変化したり故障が発生する等の問題発生を防止し、結果として半導体集積回路の寿命信頼度が向上することとなる。
【００４４】
また放熱部材は、信号配線ではなく電源電位配線３又は接地電位配線４のいずれかに接続されているので、寄生容量の増大による配線遅延の問題を生ずることもない。
【００４５】
また、放熱セルとしての放熱部６及び放熱部７は、同じ高さの層にある電源電位配線３、接地電位配線４と同じ材料により同時に形成することが可能となるため、従来の製造プロセスを変更する必要がなく、また製造コストを大幅に増加させることがないという効果を有する。
【００４６】
なお、図２に示したように放熱用の放熱部６のみを設けて電源電位配線３に接続したり、あるいは図３に示したように放熱部７のみを設けて接地電位配線４に接続した構成の放熱セルでも上記と同様の効果を得ることが出来る。
２．第２実施形態
本発明に好適な第２実施形態について、図４を用いて説明する。なお、図４は本発明による半導体集積回路の第２実施形態の概要構成を示した平面図であり、図５及び図６は本発明に係る第２実施形態における放熱セルの他の一例を示した平面図である。
【００４７】
なお、上記第１実施形態で示した構成と同じ構成要素には同じ符号番号を付してある。
【００４８】
本実施形態においては、発熱セル１、放熱セル２、電源電位配線３及び接地電位配線４が接続されており、上記実施形態１と同様の構成を含んでいる。上記第１実施形態との相違点は、放熱部６及び放熱部７がビア９を介して電源電位配線又は接地電位配線としての第２配線層８に接続されていることにある。なおビア９は熱伝導率の高いタングステン等を材料として構成している。
【００４９】
このため、発熱セル１で発生した熱は、電源電位配線３を介して放熱部６に、接地電位配線４を介して放熱部７にそれぞれ伝導し、その熱はさらに放熱部６からビア９を介して電源電位配線としての第２配線層８に、また放熱部７からビア９を介して接地電位配線としての第２配線層８へと伝導することとなる。
【００５０】
このように、発熱セル１で発生した熱は、放熱部６及び放熱部７から第２配線層８に熱を伝えることにより、放熱部６及び放熱部７における放熱に加えて、第２配線層８においても更に放熱を促進することができる。
【００５１】
なお図４においては、第２配線層８までの接続についてのみ図示しているが、本発明はこれに限るものではない。すなわち、更に上層の第３配線層以降の最上層の配線層に至るまで何層にもわたってビアによって接続することが可能であり、配線層を接続する毎に、熱が分散されることとなるため、一層放熱の効果を高めることができる。
【００５２】
また、第２配線層以降の配線層は既存の電源電位配線又は接地電位配線を用いることができるが、放熱専用の配線層を設けることも可能である。
【００５３】
以上のように、本実施形態においては、上述の第１実施形態の構成を含むため、第１実施形態の効果全てを得ることができる。
【００５４】
加えて、本実施形態においては、熱を分散する作用を有する配線層を多層にわたって配線し接続しているため、放熱セル２のエリアを第１実施形態の場合に比べて小さくしても十分に放熱を行うことができる。従って、発熱セルで発生する熱に対する放熱の効果を保ちつつ、放熱セル２を確保するためのスペースをより小さくすることが可能となる。
【００５５】
なお、放熱セルの直上層の第２配線層の配線状況及び放熱セルのスペースに応じて、図５に示したように、放熱用の放熱部６を電源電位配線３のみに接続したり、あるいは図６に示したように放熱部７を電源電位配線４のみに接続した構成のセルを用いることも可能である。
３．第３実施形態
続いて本発明に好適な第３実施形態について図７を用いて説明する。なお図７は本発明による半導体集積回路の第３実施形態の概要構成を示した平面図である。
【００５６】
なお上記実施形態で示した構成と同じ構成要素には同じ符号番号を付している。
【００５７】
図７に示すように、スタンダードセル方式等の半導体集積回路において、パワーレールとしての電源電圧配線及び接地電位配線を基本セル内に設定し、基本セルをマトリクス状に配置した場合に、電源電圧配線及び接地電位配線は基本セル列の延長方向（図７における発熱セル１の横方向）の配線トラックに沿って平行に配線されることとなる。
【００５８】
図７に示す発熱セル群７１は、発熱セル１のような発熱セルが多数集積されたエリアである。本実施形態においては、配線遅延などの制約が厳しく発熱セルを密集して配置せざるを得ないような配置構成となる場合、例えばデータパス等を想定している。
【００５９】
このような配置構成となる場合、すなわち発熱セル群７１の中に放熱セルを配置することができない場合において、本実施形態では第１配線層の電源電位配線、接地電位配線に対しおよそ直交する方向（図７における発熱セル１の縦方向）に、発熱セル群７１に沿って放熱セルを複数個並べて配置して放熱セル群７２を構成し、この放熱セル群７２で発熱セル群７１を挟み込む形で配置している。
【００６０】
放熱セル群７２は、放熱セル７３が複数敷き詰められて構成される。なお放熱セル７３の具体例構成としては、上述の第１実施形態及び第２実施形態で説明した放熱セル２と同様である。
【００６１】
発熱セル群７１の各発熱セルが動作する際に、発熱セル内で発熱し、温度が上昇する。発熱セル群７１で発生した熱は電源電位配線３、接地電位配線４を介して各放熱セル７３に伝わり、放熱部６及び放熱部７において効果的に放熱されることとなる。
【００６２】
なお、上述の図２、図３に示した、放熱用の放熱部６のみを電源電位配線３に、あるいは放熱部７のみを接地電位配線４に接続した構成の放熱セルを順番に並べる構成でも同様の効果を得ることが出来る。
【００６３】
以上のように本実施形態においては、発熱セル群７１で発生した熱は、電源電位配線３、接地電位配線４を介して放熱セル群７２に伝導することによって、各放熱部６及び放熱部７において放熱されることとなる。
【００６４】
なお、各放熱部６及び放熱部７に対して第２配線層以上をビアにより接続することが可能であることは、上記第２実施形態と同様であり、この場合には熱が上位配線層に拡散することによる放熱の促進、及び放熱セル群に要するスペースの狭小化といった効果が得られる。
【００６５】
また、配置される放熱セル群７２は発熱セル群に対して対称配置である必要はなく、片側のみの配置でもよい。更には１列である必要もなく、複数列配置しても良い。これらは、ともに放熱セル群を確保できるスペース及びレイアウトに応じて適宜変更することが可能である。
４．第４実施形態
続いて本発明に好適な第４実施形態について図８を用いて説明する。なお図８は本発明による半導体集積回路の第４実施形態の概要構成を示した平面図である。
【００６６】
なお上述の各実施形態で示した構成と同じ構成要素には同じ符号番号を付している。
【００６７】
本実施形態も第３実施形態と同様に、スタンダードセル方式等の半導体集積回路において、配線遅延などの制約が厳しく発熱セルを密集して配置せざるを得ないような配置構成となる場合、例えばデータパス等を想定している。
【００６８】
このような配置構成となる場合、すなわち発熱セル群７１の中に放熱セルを配置することができない場合において、本実施形態では図８に示すように、第１配線層の電源電位配線、接地電位配線に対しおよそ平行となる方向に、すなわち基本セル列の延長方向（図８における発熱セル１の横方向）に、発熱セル群７１に沿って放熱セルを複数個並べて配置して放熱セル群８１を構成し、この放熱セル群８１で発熱セル群７１を挟み込む形で配置している。
【００６９】
また放熱セル８２の具体的な構成としては、放熱セル６２の直上層の第２配線層の配線状況に応じて、上述の図５及び図６に示したように、放熱用の放熱部６のみを電源電位配線３に、あるいは放熱部７のみを電源電位配線４に接続した構成のセルを用いることが可能である。また放熱セル６２の直上層の第２配線層の配線状況及び放熱セル６２のスペースによっては、上述の図４で示した構成のセルを用いることもできる。
【００７０】
発熱セル群７１の各発熱セルが動作する際に、発熱セル内で発熱し、温度が上昇する。発熱セル群７１で発生した熱は第１配線層と直交する方向で配線されている電源電位配線又は接地電位配線としての第２配線層８を介して放熱セル８２をはじめとする各放熱セルに伝導し、放熱部６及び放熱部７において効果的に放熱されることとなる。
【００７１】
以上のように本実施形態においては、発熱セル群７１で発生した熱は、電源電位配線あるいは接地電位配線としての第２配線層８を介して放熱セル群８１に伝導することによって、各放熱部６において放熱されることとなる。
【００７２】
なお、放熱部６及び放熱部７に対して第２配線層以上をビアにより接続することが可能であることは、上記実施形態と同様である。
【００７３】
また、配置される放熱セル群８１は発熱セル群に対して対称配置である必要はなく、片側のみの配置でもよい。更には１列である必要もなく、複数列配置しても良い。これらは、ともに放熱セル群を確保できるスペース及びレイアウトに応じて適宜変更することが可能である。
５．第５実施形態
続いて本発明に好適な第５実施形態について図９を用いて説明する。なお図９は、本発明による半導体集積回路の第５実施形態の概要構成を示した平面図である。また上述の各実施形態で示した構成と同じ構成要素には同じ符号番号を付している。
【００７４】
本実施形態も、上記第３実施形態及び第４実施形態と同様にスタンダードセル方式等の半導体集積回路において、配線遅延などの制約が厳しく発熱セルを密集して配置せざるを得ないような配置構成となる場合を想定している。
【００７５】
本実施形態では図９に示すように、第１配線層の電源電位配線、接地電位配線に対しおよそ直交する方向（図９における発熱セル１の縦方向）に、発熱セル群７１に沿って放熱セルを複数個並べて配置して放熱セル群３２を構成する一方、第１配線層の電源電位配線、接地電位配線に対しおよそ平行となる方向に、すなわち基本セル列の延長方向（図９における発熱セル１の横方向）に、発熱セル群７１に沿って放熱セルを複数個並べて配置して放熱セル群６１を構成し、それぞれ発熱セル群７１を囲い込む形で配置している。
【００７６】
なお、各セル群で用いられる放熱セルの具体的構成については、上記第３実施形態及び第４実施形態で説明したとおりである。
【００７７】
本実施形態の動作及び作用効果についても上記第３実施形態及び第４実施形態と同様のものとなる。すなわち、発熱セル群７１で発生した熱は、放熱セル群７２については、電源電位配線３、接地電位配線４を介して各放熱セル７３に伝わり、放熱部６及び放熱部７において放熱する。また放熱セル群８１については、第１配線層と直交する方向で配線されている電源電位配線又は接地電位配線としての第２配線層８を介して放熱セル８２をはじめとする各放熱セルに伝導し、放熱部６及び放熱部７において効果的に放熱されることとなる。
【００７８】
なお、放熱部６及び放熱部７に対して第２配線層以上をビアにより接続することが可能であることは、上記実施形態と同様である。
【００７９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、半導体基板上に複数の半導体素子が形成される半導体集積回路において、放熱セルを設け、発熱セルから発生する熱を配線を介して放熱セルに伝導するように構成したので、製造プロセスを変更することなく、また製造コストを増加させることなく、発熱セルの局所的な温度上昇を効果的に防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１実施形態の概要構成を示した平面図である。
【図２】本発明に係る第１実施形態における放熱セルの他の一例を示した平面図である。
【図３】本発明に係る第１実施形態における放熱セルの他の一例を示した平面図である。
【図４】本発明に係る第２実施形態の概要構成を示した平面図である。
【図５】本発明に係る第２実施形態における放熱セルの他の一例を示す図である。
【図６】本発明に係る第２実施形態における放熱セルの他の一例を示す図である。
【図７】本発明に係る第３実施形態の概要構成を示した平面図である。
【図８】本発明に係る第４実施形態における概要構成を示した平面図である。
【図９】本発明に係る第５実施形態における概要構成を示す図である。
【符号の説明】
１・・・・発熱セル
２・・・・放熱セル
３・・・・電源電位配線
４・・・・接地電位配線
５・・・・トランジスタ
６・・・・放熱部
７・・・・放熱部
８・・・・第２配線層
９・・・・ビア
２１・・・放熱セル
３１・・・放熱セル
５１・・・放熱セル
６１・・・放熱セル
７１・・・発熱セル群
７２・・・放熱セル群
７３・・・放熱セル
８１・・・放熱セル群
８２・・・放熱セル
【図１】
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【図２】
2004273834.tif 000004
【図３】
2004273834.tif 000005
【図４】
2004273834.tif 000006
【図５】
2004273834.tif 000007
【図６】
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【図７】
2004273834.tif 000009
【図８】
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【図９】
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