(57)【要約】【課題】突起電極が露出する開口部が設けられた絶縁保護膜を比較的簡単かつ低コストに形成することができる回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】まず、突起電極１２及び配線１３が設けられた基板１０を用意する。次に、基板１０の上に絶縁樹脂フィルムをラミネートして絶縁保護膜１５とする。その後、基板１０を２枚の平板に挟んで熱プレスする。これにより、絶縁保護膜１５の膜厚が、突起電極１２の上では薄く、その他の部分では厚くなる。次いで、絶縁保護膜１５をドライエッチングして、突起電極１２が露出する開口部を形成する。配線１３は、残存した保護絶縁膜１５に覆われて保護される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に突起電極を形成する第１の工程と、
前記基板上に絶縁性樹脂フィルムを押圧して接着することにより、前記突起電極上における膜厚が前記突起電極のない領域における膜厚よりも薄い絶縁保護膜を形成する第２の工程と、
前記絶縁保護膜をエッチングして前記突起電極上の絶縁保護膜を選択的に除去し、前記除去した絶縁保護膜以外の領域の絶縁保護膜を残存させる第３の工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
基板上に突起電極を形成する第１の工程と、
前記基板上に絶縁性樹脂フィルムを押圧して接着することにより、前記突起電極上における膜厚が前記突起電極のない領域における膜厚よりも薄い絶縁保護膜を形成する第２の工程と、
前記突起電極のない領域の絶縁保護膜が残存するとともに、少なくとも前記突起電極が露出するまでエッチングする第３の工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２の工程は、前記絶縁性樹脂フィルムを前記基板の面に圧着する工程と、前記絶縁性樹脂フィルムが接合された基板を平板で挟んで熱プレスする工程とを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁性樹脂フィルムが、エポキシ樹脂、ＢＴレジン樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリキノリン樹脂、ＢＣＢ樹脂、シアネート樹脂、アラミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂及びジアリルフタレート樹脂からなる群から選択されたいずれか１種又は２種以上の樹脂からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記基板には一方の面から他方の面に貫通する孔内に埋め込まれた導電体からなるビアが設けられており、前記突起電極は前記ビアと電気的に接続されることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ビルドアップ基板、ＭＣＭ（マルチチップモジュール）基板、インタポーザ及びプリント配線基板等の回路基板の製造方法に関し、特に表面に突起電極が露出する開口部が設けられた絶縁保護膜を有する回路基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
回路基板の表面には、通常、突起電極と、配線パターンと、配線パターンを覆う絶縁保護膜とが設けられている。突起電極は、絶縁保護膜に設けられた開口部内に配置されており、ＬＳＩ等の電子部品ははんだ等により突起電極と電気的及び機械的に接続される。
【０００３】
従来、回路基板表面の絶縁保護膜の形成には、主に以下に示す４つの方法のいずれかが使用される。
【０００４】
絶縁保護膜の第１の形成方法は、特開昭５８−１２７３２８号公報（特許文献１）、特開昭５８−１２７３２９号公報（特許文献２）、特開平７−５７２３１号公報（特許文献３）、特開平７−９３７３７号公報（特許文献４）及び特開平１０−１２４８３６号公報（特許文献５）等に記載されている方法である。この方法では、まず、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ）法又はスパッタ法等の成膜法を使用して、配線パターン及び突起電極が形成された回路基板の表面全体を覆うＳｉＯ２  又はＳｉＮなどの絶縁保護膜を成膜する。次に、液状又はフィルム状のフォトレジストを使用して、絶縁保護膜の上にレジスト膜を形成する。その後、レジスト膜に対し選択露光及び現像処理を施して、突起電極及びその周囲の部分のレジスト膜を除去する。そして、レジスト膜をマスクとして絶縁保護膜をウェットエッチング又はドライエッチングすることにより絶縁保護膜に開口部を形成し、突起電極を露出させる。次いで、レジスト膜を除去する。このようにして、突起電極形成部が開口された絶縁保護膜が完成する。
【０００５】
絶縁保護膜の第２の形成方法は、液状又はフィルム状の感光性絶縁樹脂により絶縁保護膜を形成する方法である。液状感光性絶縁樹脂を使用する場合は、スピンコートにより回路基板の表面全体を覆う感光性樹脂膜を形成する。フィルム状感光性絶縁樹脂（以下、感光性樹脂フィルムという）を使用する場合は、ラミネータにより回路基板の上に感光性樹脂フィルムを圧着して、感光性樹脂膜とする。その後、感光性樹脂膜に対し選択露光及び現像処理を施して、突起電極に対応する部分に開口部を設け、突起電極を露出させる。このようにして、感光性樹脂膜により絶縁保護膜が形成される。
【０００６】
絶縁保護膜の第３の形成方法は、レーザにより絶縁保護膜の開口部を形成する方法である。すなわち、絶縁性フィルムを回路基板の表面にラミネートした後、炭酸ガスレーザ又はＹＡＧレーザで絶縁性フィルムを部分的に除去して突起電極を露出させる。この方法では、感光性樹脂を使用せずに突起電極形成部が開口された絶縁保護膜を形成することができる。
【０００７】
絶縁保護膜の第４の形成方法は、研磨により絶縁保護膜の開口部を形成する方法である。この方法では、まず、回路基板上に、例えば液状の絶縁性樹脂をスピンコートして絶縁性樹脂膜を形成する。また、ラミネータを使用し、絶縁性樹脂フィルムを回路基板の上にラミネートすることにより絶縁性樹脂膜を形成してもよい。その後、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ  ）又はバフロール研磨などの方法により、突起電極が露出するまで絶縁性樹脂膜を研磨する。この方法においても、感光性樹脂を使用せずに突起電極形成部が開口された絶縁保護膜を形成することができる。
【０００８】
【特許文献１】
特開昭５８−１２７３２８号公報
【特許文献２】
特開昭５８−１２７３２９号公報
【特許文献３】
特開平７−５７２３１号公報
【特許文献４】
特開平７−９３７３７号公報
【特許文献５】
特開平１０−１２４８３６号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする問題点】
しかしながら、上述した従来の絶縁保護膜の形成方法には以下に示す問題点がある。
【００１０】
すなわち、第１の方法では、ＣＶＤ装置又はスパッタ装置等の成膜装置が必要である。また、チャンバ内を真空にする工程やマスクを形成する工程及びエッチング工程等が必要であり、絶縁保護膜の形成に要する時間が長いことから、回路基板の製造コストが高くなるという問題点がある。更に、突起電極の高さが数１０μｍ以上の場合はレジスト膜の被覆性が低下するため、特に突起電極の側壁底部の部分に絶縁不足が発生しやすい。
【００１１】
第２の方法では、感光性絶縁樹脂のコストが高いため、回路基板の製造コストが上昇するという問題点がある。また、第１の方法と同様に、突起電極の高さが数１０μｍ以上の場合は被覆性が低下するため、特に突起電極の側壁底部の部分に絶縁不足が発生しやすい。
【００１２】
第３の方法では、レーザにより絶縁性フィルムに穴を開けていくので、突起電極の数が多くなると処理時間が長くなり、製造コストの上昇を招くという欠点がある。また、絶縁性フィルムをレーザにより開口する場合は、最小開口径が直径５０μｍ程度であり、微細な開口部を形成することができない。更に、レーザによる開口では樹脂が炭化して残渣として残るため、残渣を除去するためのデスミア工程が必要であり、工程数が多くなる。
【００１３】
第４の方法では、絶縁保護膜の表面に研磨による残渣が発生したり、研磨傷が発生しやすいという欠点がある。また、研磨に耐えうる強度や密着性を有する樹脂が要求されるため、使用可能な樹脂が限られるという問題点もある。
【００１４】
以上から、本発明の目的は、突起電極が露出する開口部が設けられた絶縁保護膜を既存の材料を用いて比較的簡単かつ低コストに形成することができる回路基板の製造方法を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記した課題は、基板上に突起電極を形成する第１の工程と、前記基板上に絶縁性樹脂フィルムを押圧して接着することにより、前記突起電極上における膜厚が前記突起電極のない領域における膜厚よりも薄い絶縁保護膜を形成する第２の工程と、前記絶縁保護膜をエッチングして前記突起電極上の絶縁保護膜を選択的に除去し、前記除去した絶縁保護膜以外の領域の絶縁保護膜を残存させる第３の工程とを有することを特徴とする回路基板の製造方法により解決する。
【００１６】
また、上記した課題は、基板上に突起電極を形成する第１の工程と、前記基板上に絶縁性樹脂フィルムを押圧して接着することにより、前記突起電極上における膜厚が前記突起電極のない領域における膜厚よりも薄い絶縁保護膜を形成する第２の工程と、前記突起電極のない領域の絶縁保護膜が残存するとともに、少なくとも前記突起電極が露出するまでエッチングする第３の工程とを有することを特徴とする回路基板の製造方法により解決する。
【００１７】
本発明においては、絶縁性樹脂フィルムを圧着するときの平坦化特性を利用して絶縁保護膜の開口部を形成する。つまり、突起電極が形成された基板の表面上に絶縁性樹脂フィルムを押圧して接着し、絶縁保護膜とする。このとき、例えば絶縁性樹脂フィルムを基板にラミネートした後、２枚の平板に挟んで熱プレスすると、絶縁保護膜の厚さが、突起電極上では薄く、他の領域では厚くなる。その後、絶縁保護膜をエッチングして突起電極上の絶縁保護膜を除去し、その他の領域の絶縁保護膜を残す。これにより、フォトレジストを使用せずに、絶縁保護膜の開口部を形成することができる。また、多数の開口部を一度に形成することができるので、製造時間が短くてすむ。更に、研磨かすや残渣が発生しないので、デスミア工程が不要である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１９】
（第１の実施の形態）
図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施の形態の回路基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【００２０】
まず、図１（ａ）に示すように、突起電極１２が形成された基板１０を用意する。この例では、基板１０に、上側の面から下側の面に貫通する貫通ビア１１ａ，１１ｂが設けられている。貫通ビア１１は基板１０の表面上に形成された突起電極１２と接続され、貫通ビア１１ｂは基板１０の表面上に形成された配線１３と接続されている。なお、基板１０としては、ビルドアップ基板、ＭＣＭ基板、インタポーザ及びプリント配線基板等を使用することができる。
【００２１】
次に、ラミネータを使用し、図１（ｂ）に示すように、基板１０の上に絶縁樹脂性フィルムを熱圧着して絶縁保護膜１５とする。絶縁性樹脂フィルムとしては、例えば、エポキシ樹脂、ＢＴレジン樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリキノリン樹脂、ＢＣＢ樹脂、シアネート樹脂、アラミド樹脂、アクリル系樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂及びジアリルフタレート樹脂からなる群から選択されたいずれか１種又は２種以上の樹脂のフィルムを使用すればよい。また、ラミネート時の圧力及び温度は、樹脂の種類、厚さ及びラミネート速度等に応じて適宜設定する。
【００２２】
次に、絶縁保護膜１５がラミネートされた基板１０を２枚の平板の間に挟んで、熱プレスを行う。この熱プレス工程では、絶縁保護膜１５を構成する樹脂が一旦軟化した後に硬化する。これにより、突起電極１２の上の絶縁保護膜１５の厚さが、他の部分の絶縁保護膜１５の厚さよりも小さくなる。
【００２３】
なお、ラミネート時の条件によっては、突起電極１２上の絶縁保護膜１５の厚さを他の部分の絶縁保護膜１５の厚さよりも小さくすることが可能であり、この場合は熱プレス工程が必ずしも必要ではない。しかし、特に突起電極１２の側壁底部における絶縁保護膜１５と基板１０との密着性を向上させるために、熱プレス工程を実施することが好ましい。
【００２４】
次いで、図１（ｃ）に示すように、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）法により基板１０上の絶縁保護膜１５をエッチングし、突起電極１２を露出させる。突起電極１２が露出し、かつ配線１３が絶縁保護膜１５に覆われている状態でエッチングを終了する。このようにして、突起電極１２が露出する絶縁保護膜１５の開口部が形成される。なお、エッチング方法はＲＩＥ法に限定するものではないが、絶縁保護膜１５全体を均一にエッチングできる方法が好ましい。
【００２５】
本実施の形態においては、絶縁保護膜１５を非感光性の樹脂により形成するので、感光性樹脂を使用した場合に比べて材料コストが低い。また、本実施の形態による方法では、真空工程、露光工程及びレーザ照射工程等が不要であり、比較的簡単な工程で短時間に突起電極部が開口された絶縁保護膜１５を形成することができる。
【００２６】
更に、本実施の形態においては、絶縁保護膜１５をＲＩＥによりエッチングするので、研磨による方法と異なり、絶縁保護膜の表面に傷や残渣が発生することもなく、デスミア工程が不要である。これらにより、回路基板を安価に製造することができる。
【００２７】
以下、本実施の形態により実際に突起電極形成部に開口部が設けられた絶縁保護膜を有する回路基板を製造した例について説明する。
【００２８】
（突起電極の形成）
まず、突起電極付きの基板を製造した。すなわち、直径が６インチのシリコンウエハを用意し、このシリコンウエハの上に、突起電極形成用シード層として厚さが８０ｎｍのＣｒ層と、厚さが５００ｎｍのＣｕ層とを順次スパッタリングにより形成した。
【００２９】
次に、ロールラミネータにより、シリコンウエハの上に膜厚が３７μｍのネガ型ドライフィルム（ＰＨＯＴＥＣ  ＲＹ−３２３７ＥＥ：日立化成工業製）を熱圧着した。このときのラミネート条件は、ラミネートロール温度が１１０℃、ラミネートロール速度が２ｍ／分、ラミネートロール圧力が０．３ＭＰａである。
【００３０】
次に、露光機を使用し、ドライフィルムをＩ線により１００ｍＪのエネルギーで露光した後、濃度が１％のＮａＣＯ３  水溶液でスプレー現像を行い、直径が５０μｍのレジスト開口部を形成した。その後、このレジスト開口部を介して基板の表面に硫酸銅めっきを施すことで、高さ２０μｍ、直径が５０μｍのＣｕからなる突起電極を形成した。その後、ドライフィルムは、３％ＮａＯＨ水溶液に浸漬することで剥離した。
【００３１】
（絶縁保護膜の形成）
上述した方法により作製した突起電極付き基板に、東亞合成社製ビスマレイミド樹脂フィルムＭＭＲ−Ｆ（平均膜厚１４μｍ）を１３０℃で真空ラミネートした。その後、この樹脂フィルムをラミネートした基板を２枚の平板の間に挟んで、実圧１０ｋｇｆ／ｃｍ２  、温度が１８０℃、加圧時間が１時間の条件で熱プレスを実施した。
【００３２】
次いで、基板を常温まで冷却した後にＲＩＥ装置内に入れ、Ｏ２  供給量が２０ｓｃｃｍ、パワーが２００Ｗの条件で１０分間ドライエッチングした。このエッチングにより、突起電極上の樹脂フィルムが完全に除去された。これにより、突起電極部が開口した絶縁保護膜を有する回路基板が完成した。
【００３３】
このようにして製造された回路基板の絶縁保護膜の埋め込み性を確認するため、突起電極周辺の断面を光学顕微鏡及びＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により観察をした。その結果、全てのビアで突起電極の側面底部の部分まで樹脂が埋め込まれているとともに、樹脂等の残渣がなく、突起電極が完全に露出していることを確認できた。
【００３４】
（第２の実施の形態）
図２は本発明の第２の実施の形態の回路基板を示す断面図である。なお、本実施の形態は、本発明をビルドアップ基板に適用した例を示す。
【００３５】
図２に示すように、多層ビルドアップ基板８０は、多数の配線層を積層した構造を有している。この多層ビルドアップ基板８０の上側の面及び下側の面にそれぞれ多数の突起電極２１が形成されている。これらの突起電極２１は、ビルドアップ基板８０の内部に形成された配線と電気的に接続している。
【００３６】
多層ビルドアップ基板８０の上側の面及び下側の面は、突起電極２１が露出する開口部を有する絶縁保護膜３１により覆われている。多層ビルドアップ基板８０の上側の面及び下側の面に形成された配線（図示せず）は、絶縁保護膜３１に覆われて保護されている。ＬＳＩチップ９１は、突起電極２１上に形成されたバンプ７１を介して突起電極２１と電気的及び機械的に接合されている。
【００３７】
本実施の形態において、絶縁保護膜３１は第１の実施の形態で説明した方法により形成される。このように、本発明は、ＬＳＩチップ等の電子部品が搭載されるビルドアップ基板に適用することができる。
【００３８】
（第３の実施の形態）
図３は本発明の第３の実施の形態の回路基板を示す断面図である。本実施の形態は、本発明をＭＣＭ基板に適用した例を示している。
【００３９】
図３に示すように、多層ビルドアップ基板８０の一方の面（図では上側の面）上にはヒートシンク１５１が搭載されており、他方の面（図では下側の面）には突起電極２１が形成されている。また、多層ビルドアップ基板８０の他方の面上には、突起電極２１が露出する開口部を有する絶縁保護膜３１が形成されている。多層ビルドアップ基板８０の他方の面上に形成された配線（図示せず）は、この絶縁保護膜３１に覆われて保護されている。ＬＳＩチップ９１は、突起電極２１の表面上に形成されたバンプ２１を介して突起電極２１と電気的及び機械的に接合されている。
【００４０】
本実施の形態においても、絶縁保護膜３１は、第１の実施の形態で説明した方法により形成される。この図３に示すように、本発明はＭＣＭ基板に適用することができる。
【００４１】
（第４の実施の形態）
図４は本発明の第４の実施の形態の回路基板を示す断面図である。本実施の形態は、本発明をインタポーザに適用した例である。
【００４２】
図４に示すように、シリコン基板２０には上面から下面に貫通する貫通ビア４１が形成されている。また、シリコン基板２０の上には一対の電極膜とそれらの電極膜間の強誘電体膜とにより構成される強誘電体キャパシタ５１が複数形成されている。これらの強誘電体キャパシタ５１は絶縁膜６１に覆われており、絶縁膜６１の上には突起電極２１が形成されている。この突起電極２１は、絶縁膜６１に覆われた内部配線を介して貫通ビア４１と電気的に接続されている。また、絶縁膜６１の上には、突起電極２１が露出する開口部が設けられた絶縁保護膜３１が形成されている。この絶縁保護膜３１により、絶縁膜６１上に形成された配線（図示せず）が覆われて保護されている。
【００４３】
本実施の形態においても、絶縁保護膜３１は第１の実施の形態で説明した方法により形成される。この図４に示すように、本発明はインタポーザに適用することができる。
【００４４】
（付記１）基板上に突起電極を形成する第１の工程と、前記基板上に絶縁性樹脂フィルムを押圧して接着することにより、前記突起電極上における膜厚が前記突起電極のない領域における膜厚よりも薄い絶縁保護膜を形成する第２の工程と、前記絶縁保護膜をエッチングして前記突起電極上の絶縁保護膜を選択的に除去し、前記除去した絶縁保護膜以外の領域の絶縁保護膜を残存させる第３の工程とを有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【００４５】
（付記２）基板上に突起電極を形成する第１の工程と、前記基板上に絶縁性樹脂フィルムを押圧して接着することにより、前記突起電極上における膜厚が前記突起電極のない領域における膜厚よりも薄い絶縁保護膜を形成する第２の工程と、前記突起電極のない領域の絶縁保護膜が残存するとともに、少なくとも前記突起電極が露出するまでエッチングする第３の工程とを有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【００４６】
（付記３）前記第２の工程は、前記絶縁性樹脂フィルムを前記基板の面に圧着する工程と、前記絶縁性樹脂フィルムが接合された基板を平板で挟んで熱プレスする工程とを有することを特徴とする付記１又は２に記載の回路基板の製造方法。
【００４７】
（付記４）前記絶縁性樹脂フィルムが、エポキシ樹脂、ＢＴレジン樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリキノリン樹脂、ＢＣＢ樹脂、シアネート樹脂、アラミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂及びジアリルフタレート樹脂からなる群から選択されたいずれか１種又は２種以上の樹脂からなることを特徴とする付記１又は２に記載の回路基板の製造方法。
【００４８】
（付記５）前記基板の表面上には配線パターンを有し、前記第３の工程では前記配線パターンの上に絶縁保護膜を残存させることを特徴とする付記１又は２に記載の回路基板の製造方法。
【００４９】
（付記６）前記基板には一方の面から他方の面に貫通する孔内に埋め込まれた導電体からなるビアが設けられており、前記突起電極は前記ビアと電気的に接続されることを特徴とする付記１又は２に記載の回路基板の製造方法。
【００５０】
（付記７）前記基板がビルドアップ基板であることを特徴とする付記１又は２に記載の回路基板の製造方法。
【００５１】
（付記８）前記基板がマルチチップモジュール基板であることを特徴とする付記１又は２に記載の回路基板の製造方法。
【００５２】
（付記９）前記基板がインタポーザであることを特徴とする付記１又は２に記載の回路基板の製造方法。
【００５３】
（付記１０）前記基板がプリント配線基板であることを特徴とする付記１又は２に記載の回路基板の製造方法。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、絶縁性樹脂フィルムを突起電極が設けられた基板の表面に押圧して接着した後、エッチングして突起電極上の絶縁保護膜を除去するので、突起電極が露出し、その他の部分が絶縁保護膜で覆われた回路基板を製造することができる。本発明では、フォトレジストを使用せずに絶縁保護膜の開口部を形成することができるとともに、多数の開口部を一度に形成することができるので、製造コストを低減することができる。また、本発明方法では、研磨かすや残渣が発生しないので、デスミア工程が不要である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態の回路基板の製造方法を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の第２の実施の形態の回路基板を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の第３の実施の形態の回路基板を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の第４の実施の形態の回路基板を示す断面図である。
【符号の説明】
１０…基板、
１１ａ，１１ｂ，４１…貫通ビア、
１２，２１…突起電極、
１３…配線、
１５，３１…絶縁保護膜、
２０…シリコン基板、
５１…強誘電体キャパシタ、
６１…絶縁膜、
７１…バンプ、
８０…多層ビルドアップ基板、
９１…ＬＳＩチップ、
１５１…ヒートシンク。
【図１】
2004247483.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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