(57)【要約】【課題】半導体素子をリードフレームに搭載する際の前記半導体素子の位置ズレ及び酸化を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ヒーター３のリードフレーム１が、流れる側に、ボンディングヘッド４、５のリードフレームが流れる進行方向に対して後方より、前記ヒーター３部が終了する位置まで溝１１、１２を形成したことを特徴とする。このような構成にすることにより、半導体素子６が載置された後、溝１１により、放熱することができ、半導体素子６が位置ズレする前に速やかに固定されるとともに、過度な加熱による酸化も抑制することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を吸着するボンディングヘッドと、複数の前記半導体素子が載置される載置部を有するリードフレームを加熱するためのヒーターとを備え、前記リードフレームを前記ヒーターにより加熱しながら、前記リードフレームの前記載置部に前記半導体素子を載置する半導体装置の製造装置において、前記ヒーターの前記載置部に相対する部分に溝を設けたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２】
前記溝には、不活性ガスを流すための孔を設けたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造装置。
【請求項３】
半導体素子を吸着するボンディングヘッドと、複数の前記半導体素子が載置される載置部を有するリードフレームを加熱するためのヒーターとを備え、前記リードフレームを前記ヒーターにより加熱しながら、前記リードフレームの前記載置部に前記半導体素子を載置する半導体装置の製造方法において、前記半導体素子を載置する際、前記半導体素子を載置後、前記リードフレームの前記半導体素子が載置されない側から、不活性ガスを吹き付けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、リードフレーム上に半導体素子を載置する製造装置及び製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
以下、従来の半導体装置の製造装置について説明する。
【０００３】
図４（ａ）に示されるように、リードフレーム１が、例えば、３００〜４００℃に加熱されたヒーター３の上を矢印８の方向に進行する。リードフレーム１は、例えば、図５に示されるように複数列に半導体素子が載置される載置部２を備え、載置部２は、例えば、金などがメッキされたものである。
【０００４】
次に、図４（ｂ）に示されるように、半導体素子６、７をボンディングヘッド４、５により真空吸着する。
【０００５】
次に、図４（ｃ）に示されるように、ヒーター３の上を矢印８の方向に流れるリードフレーム１上の載置部２に、複数のボンディングヘッド４、５により、真空吸着された半導体素子６、７が載置される。
【０００６】
ここで、ヒーター３により、リードフレーム１を加熱しながら半導体素子６、７を載置する目的は、載置部２上の金を溶かし、金メッキされた半導体素子６、７の電極と共晶させるためである。
【０００７】
図４（ｂ）、（ｃ）を繰り返すことにより、図４（ｄ）に示されるように、リードフレーム１上に複数の半導体素子を載置する（例えば特許文献１参照）。
【０００８】
【特許文献１】
特開平０５−３０４３５８号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のヒーター構造の場合、リードフレーム１は、載置部２上に半導体素子を載置した後も、ヒーター３による加熱状態にあり、半導体素子は、載置部２に固定されず、装置のかすかな振動、傾き等の影響で位置ズレを生じるという課題がある。
【００１０】
また、過度に加熱することは、リードフレーム１の酸化を促し、品質面においても課題がある。
【００１１】
本発明は前記課題に鑑み、載置後の半導体素子の位置ズレとリードフレームの酸化を抑制することができる半導体装置の製造装置及び製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明の半導体装置の製造装置は、半導体素子を吸着するボンディングヘッドと、複数の前記半導体素子が載置される載置部を有するリードフレームを加熱するためのヒーターとを備え、前記ヒーターの前記載置部に相対する部分に溝を設けたことを特徴とする。
【００１３】
かかる構成によれば、半導体素子を載置後、リードフレームが、ヒーターと非接触となり、冷却されるため、位置ズレを抑制することができる。
【００１４】
また好ましくは、請求項２記載のように、前記溝に、不活性ガスを流すための貫通孔を設けることにより、酸化を更に抑制することができる。
【００１５】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、リードフレームに半導体素子を載置する際、前記半導体素子を載置後、前記リードフレームの前記半導体素子が載置されない側から、不活性ガスを吹き付けることを特徴とする。
【００１６】
かかる構成によれば、酸化を効率良く抑制することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１８】
なお、従来と同一構成のものに関しては、同一符号を付し、説明は省略する。
【００１９】
本発明の半導体装置の製造装置の第１の実施例は、図１（ａ）の斜視図に示されるように、ヒーター３のリードフレーム１が流れる側に、ボンディングヘッド４、５のリードフレーム１が流れる進行方向に対して後方より、前記ヒーター３部が終了する位置まで溝１１、１２を形成したことを特徴とする。
【００２０】
このような構成にすることにより、図１（ｂ）の断面図に示されるように、半導体素子６が載置された後、溝１１により、リードフレーム１の熱が放熱され、半導体素子６が位置ズレする前に速やかに固定されるとともに、過度な加熱による酸化も抑制することができる。
【００２１】
次に、本発明の第２の実施例について、図２を基に説明する。
【００２２】
本発明の第２の実施例は、図２（ａ）の斜視図に示されるように、溝１１、１２に貫通孔１３、１４を形成したことを特徴とし、図２（ｂ）に示されるように、ヒーター３のリードフレーム１が流れる側と反対になる側から、不活性ガス２０を吹き付けることにより、不活性ガス２０は、貫通孔１３を通り、リードフレーム１に吹き付けられることになる。
【００２３】
このようにすることにより、リードフレーム１の酸化を更に抑制することができるとともに、リードフレーム１の熱の発散を促進することになる。
【００２４】
図３は、以上述べたような、第１の実施例と第２の実施例におけるリードフレーム１の温度を測定したグラフであり、縦軸がリードフレーム１の温度を示し、横軸はヒーター上の測定位置を示し、実線が、第１の実施例、点線が第２の実施例を示したものであり、第１、第２の実施例ともボンディングヘッド４を過ぎたあたりから、温度が下降しているのが判る。
【００２５】
なお、本発明の実施例においては、２列に形成されたリードフレーム１により、説明したが、これに限られるものではなく、１列でも更に複数の列でも対応できることは言うまでも無い。
【００２６】
【発明の効果】
以上詳細に述べましたように、本発明によれば、ヒーターに溝を設けることにより、半導体素子を載置後、リードフレームが、前記ヒーターと非接触となり、冷却されるため、酸化及び位置ズレを抑制することができる。
【００２７】
また、前記溝に不活性ガスを流すための貫通孔を設け、前記貫通孔を介し、不活性ガスをリードフレームに吹き付けることにより、更に酸化を抑制することができるとともに、冷却が速やかに行われる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明の半導体装置の製造装置の第１の実施例の斜視図
（ｂ）本発明の半導体装置の製造装置の第１の実施例の断面図
【図２】（ａ）本発明の半導体装置の製造装置の第２の実施例の斜視図
（ｂ）本発明の半導体装置の製造装置の第２の実施例の断面図
【図３】本発明の第１、第２の実施例によるリードフレームの温度の測定グラフ
【図４】従来の半導体装置の製造装置及び製造方法を示す斜視図
【図５】リードフレームの構造図
【符号の説明】
１  リードフレーム
２  搭載部
３  ヒーター
４、５  ボンディングヘッド
６、７  半導体素子
１１、１２  溝
１３、１４  貫通孔
２０  不活性ガス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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