(57)【要約】【課題】冷却キャンへの密着性の低下等の問題を引き起こすことなく、Ｄ．Ｏ．頻度が低く走行耐久性に優れた磁気記録媒体を得ることのできる磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】非磁性基体１０の少なくとも一方の面上に、磁性層と、炭素を主成分とする硬質膜とを順次成膜して磁気記録媒体を製造するに際し、硬質膜の成膜後に、少なくとも非磁性基体１０の、硬質膜成膜面とは反対側の面に対して、除電処理を行う製造方法である。長尺状の非磁性基体１０を走行させるための複数のガイドロール４と、炭素を主成分とする硬質膜の成膜部１と、成膜部１に近接して設置され、成膜時に非磁性基体１０を冷却する冷却キャン２とを備え、成膜部１の下流側に除電部５が配置されてなる製造装置である。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基体の少なくとも一方の面上に、磁性層と、炭素を主成分とする硬質膜とを順次成膜して磁気記録媒体を製造するに際し、前記硬質膜の成膜後に、少なくとも前記非磁性基体の、該硬質膜成膜面とは反対側の面に対して、除電処理を行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記非磁性基体の両面に対して前記除電処理を行う請求項１記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記硬質膜の活性化処理後に前記除電処理を行う請求項１または２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記除電処理をプラズマ法にて行う請求項１〜３のうちいずれか一項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記プラズマ法における放電ガスとして、希ガスを用いる請求項４記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記硬質膜の成膜に先立って、前記非磁性基体を帯電させる請求項１〜５のうちいずれか一項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
長尺状の非磁性基体を走行させるための複数のガイドロールと、炭素を主成分とする硬質膜の成膜部と、該成膜部に近接して設置され、成膜時に前記非磁性基体を冷却する冷却キャンとを備え、該成膜部の下流側に除電部が配置されてなることを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気記録媒体の製造方法および製造装置に関し、詳しくは、磁性層上に炭素を主成分とする硬質膜（ダイヤモンドライクカーボン膜（以下、単に「ＤＬＣ膜」とも称する））を有する薄膜磁気記録媒体の製造方法および製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、データストレージ用テープ等の磁気記録媒体においては、高密度記録化に伴う記録波長の短波長化に対応すべく磁性層の薄膜化が図られており、このため、磁性層の微小なクラックや突起が磁気記録媒体の記録信頼性に大きな影響を与えるようになってきている。これら磁性層欠陥を発生させる要因の一つとして、磁気記録媒体の製造工程においてその表面に付着する異物の存在がある。即ち、この異物が、各工程を経過する度に磁性層の成膜面とその反対側の面との間で転着を繰り返すことにより、磁性層にスクラッチ痕や転写痕を発生させることになる。
【０００３】
このような異物の付着は、製造時における磁気記録媒体表面の帯電により引き起こされる。一般に周知であるように、大気圧下においては、ある程度（６０％ＲＨ）の相対湿度が確保されていれば帯電については問題はない。しかし、減圧環境下では雰囲気による電荷中和が起こりにくいので、一度帯電してしまうと非常に除電しにくくなり、特に、電気伝導度の低い非磁性基体側では、帯電による影響を非常に大きく受けることになる。また、磁性層の薄膜化により磁性層側の電気伝導度も低下するため、今後の磁気記録媒体の大容量化に伴って、帯電の影響がより大きくなってゆくことが推測される。この帯電の影響は、磁性層形成後、その上にＤＬＣ膜を成膜する工程において、特に問題となる。
【０００４】
これに対して、例えば、特許文献１には、プラズマＣＶＤ法によりＤＬＣ膜の成膜を行うに当たり、成膜の前後において除電処理を行う技術が記載されている。ここで、一般にプラズマＣＶＤ法によるＤＬＣ成膜は低温プラズマ法と呼ばれており、他のプラズマ成膜法に比べると低い温度で成膜が可能であるが、この場合でも非磁性基体は２００〜３００℃程度の温度に曝される。従って、上記特許文献１に記載されているようにＤＬＣ成膜前に除電処理を行うためには、冷却キャンの温度を非常に低く設定するなど、冷却能力を向上させる対策が必要になると考えられる。また、ＤＬＣ成膜前に除電処理を行うと、非磁性基体の冷却キャンヘの密着不良が生じて、非磁性基体の熱変形やＤＬＣ膜厚の変動を誘発し、品質低下につながる可能性が高いという問題もある。
【０００５】
また、従来は、磁性層成膜面へのＤＬＣ処理が完了した後、大気雰囲気中においてその表面を有機溶剤を用いて湿式洗浄するなどの方法で、異物である転着成分の減少が図られてきた。しかし、磁気記録媒体の製造に採用されているＤＬＣ処理工程では、通常、成膜したＤＬＣ表面を酸素ガスや窒素ガスなどのプラズマに暴露することによってＤＬＣ表面を活性化し、潤滑剤との親和性を向上させる手法が用いられている（特許文献２、特許文献３等に記載）。そのため、これらの技術を組み合せた場合、ＤＬＣ処理工程において一旦活性化させたＤＬＣ表面を有機溶剤に接触させることで再び失活させることになり、潤滑剤の均一塗布において重大な問題を引き起こしてしまう。また、有機溶剤を使用することから環境負荷が高く、工程数の増加によるコストの引き上げが生ずるという難点もあった。即ち、従来の製法技術では、ドロップアウト（Ｄ．Ｏ．：信号欠落）特性と耐久走行特性とをともに向上させることは困難であった。
【０００６】
【特許文献１】
特開平２−２８１４２０号公報（特許請求の範囲等）
【特許文献２】
特許第２８６１０４８号公報（特許請求の範囲等）
【特許文献３】
特開平２−２６５０１８号公報（特許請求の範囲等）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明の目的は、磁気記録媒体を製造する際のＤＬＣ処理工程において、主として電気伝導度の低い非磁性基体側の帯電を除去することにより、ＤＬＣ膜の表面活性を失うことなくＤ．Ｏ．特性の改善を行って、冷却キャンへの密着性の低下等の問題を引き起こすことなく、Ｄ．Ｏ．頻度が低く走行耐久性に優れた磁気記録媒体を得ることのできる磁気記録媒体の製造方法および製造装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基体の少なくとも一方の面上に、磁性層と、炭素を主成分とする硬質膜とを順次成膜して磁気記録媒体を製造するに際し、前記硬質膜の成膜後に、少なくとも前記非磁性基体の、該硬質膜成膜面とは反対側の面、好適には前記非磁性基体の両面に対して、除電処理を行うことを特徴とするものである。
【０００９】
本発明においては、特には、前記硬質膜の活性化処理後に前記除電処理を行うことが好ましい。また、前記除電処理をプラズマ法にて行うことが好ましく、この場合、放電ガスとして、希ガスを好適に用いることができる。さらに、前記硬質膜の成膜に先立って、前記非磁性基体を帯電させることが好ましい。
【００１０】
また、本発明の磁気記録媒体の製造装置は、長尺状の非磁性基体を走行させるための複数のガイドロールと、炭素を主成分とする硬質膜の成膜部と、該成膜部に近接して設置され、成膜時に前記非磁性基体を冷却する冷却キャンとを備え、該成膜部の下流側に除電部が配置されてなることを特徴とするものである。
【００１１】
なお、本発明において「炭素を主成分とする」とは、膜における炭素含有量が６０〜８０原子％であることを意味し、炭素の他に、通常、水素が含まれる。水素と炭素との原子比（Ｈ／Ｃ）は０．２５〜０．６６の範囲内であることが好ましい。また、「硬質膜」とは、具体的にはビッカース硬度が６３７０Ｎ／ｍｍ２（６５０ｋｇ／ｍｍ２）以上の膜を意味し、この硬度を屈折率の値で表すと１．９以上である。このような屈折率を有する膜は、その屈折率から硬度を近似できることがわかっている。例えば、屈折率が１．９のときのビッカース硬度は６３７０Ｎ／ｍｍ２（６５０ｋｇ／ｍｍ２）である。屈折率の上限には特に制限はないが、２．２５程度であり、ビッカース硬度２９４００Ｎ／ｍｍ２（３０００ｋｇ／ｍｍ２）に対応する。屈折率から硬度を近似する方法としては、硬質膜についてエリプソメーターにて屈折率を測定し、一方で微小硬度計（ＮＥＣ（株）製）によりビッカース硬度を測定して、あらかじめ検量線を作製しておく方法を用いることができ、これにより屈折率から硬度を知ることができる。また、このような硬質膜は、非晶質またはそれに近い連続相を形成し、ラマン分光分析において、１５６０ｃｍ−１と１３３０ｃｍ−１にブロードなピークを有する。本発明においては、このような「炭素を主成分とする硬質膜」の意味で、「ＤＬＣ膜」の語を用いる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基体の少なくとも一方の面上に、直接または下地層を介して、磁性層と、炭素を主成分とする硬質膜（ＤＬＣ膜）とを順次成膜する工程を含むものであって、かかるＤＬＣ膜の成膜工程の改良に係る技術である。また、本発明の磁気記録媒体の製造装置は、かかる本発明の製造方法に好適に使用可能なＤＬＣ成膜部を備えるものである。
【００１３】
図１に、本発明の一好適例の磁気記録媒体の製造装置のＤＬＣ膜成膜部近傍の概略図を示す。図示する装置は、長尺状の非磁性基体１０を走行させるための複数のガイドロール４と、炭素を主成分とする硬質膜の成膜部１と、冷却キャン２と、硬質膜の後処理電極３とを備え、更に、冷却キャン２の下流側に、除電部５を有している。非磁性基体１０は、図示しない繰り出しロールから繰り出され、ガイドロール４を介して連続的に走行しながら、成膜部１にて成膜され、後処理電極３で処理された後、図示しない巻き取りロールに巻き取られる。
【００１４】
本発明においては、ＤＬＣ膜の成膜後の非磁性基体に対し、除電部５により除電処理を行う点が重要である。前述したように、ＤＬＣ処理や、その後の後処理によるＤＬＣ表面の活性化によって非磁性基体には帯電が生じ、異物付着による磁性層欠陥等の問題を引き起こす原因となる。そこで、本発明においては、ＤＬＣ処理後、または、ＤＬＣ膜の活性化処理後に、除電処理を行ってかかる帯電を除去する。これにより、ＤＬＣ成膜以降の工程における異物付着を防止して、Ｄ．Ｏ．低減と、歩留まりの向上とを共に図ることが可能となる。特には、図示するように、活性化処理後に除電処理を行って、不要な帯電を確実に除去することが好適である。
【００１５】
かかる除電処理の具体的方法としては、特に制限はされないが、例えば、図示するように、成膜部１の下流側に除電部５として除電用電極を配置し、非磁性基体表面をプラズマ処理する手法を好適に挙げることができ、これにより非接触で電荷中和を行って、容易に除電を実現することができる。また、非磁性基体表面に対し電子線照射を行って電子に指向性と運動エネルギーを与える手法や、非磁性基体表面を電子雰囲気下に暴露して電子の自由運動により除電を達成する手法なども有効に用いることができる。
【００１６】
プラズマ法により除電処理を行う際の条件には特に制限はないが、例えば、以下のように行う。放電ガスとしては、アルゴンをはじめとする希ガスを好適に用いることができる。放電に用いる電源周波数については特に限定されるものではなく、投入電力等の他の条件についても特に限定されない。これは、プラズマ放電について最適な投入電力が装置の形状やガス種、その量等により変動するものであるため、安定してプラズマ雰囲気を維持することが可能な最適投入電力は、これら条件に応じて適宜設定する必要があるためである。
【００１７】
かかる除電処理は、図示するように、少なくとも非磁性基体１０の、硬質膜成膜面とは反対側の面、即ち、磁性層形成面の反対側の面に対して行う。ＤＬＣ処理のようにイオンや電子が処理の中心要素となる工程における帯電量は、処理を受ける基材の電気伝導度（電気抵抗）に大きく影響を受ける。磁気記録媒体では、通常、ＤＬＣ処理を受ける磁性層は電気伝導度の比較的高い金属膜面からなり、その反対側の非磁性基体ないし有機物含有層（バックコート層）側は直接イオンや電子の影響を受ける可能性は低い。従って、除電処理は、磁性層形成面とは反対側の非磁性基体または有機物含有層側、即ち、非磁性面側において行うことが好適である。
【００１８】
但し、特に、磁性層の膜厚が薄い場合には、薄膜化により磁性層の電気伝導度の低下が起こり、磁性層側においても帯電する可能性が高くなる。また、磁性層の膜厚がそれほど薄膜化されていなくても、金属の酸化状態によっては電気伝導度が低下して、帯電によるＤ．Ｏ．特性の悪化、即ち、記録データ読み出し時における著しい出力低下の発生箇所の増大が懸念される。従ってこのような場合には、図２に示すように、非磁性基体１０の磁性層形成面側にも除電部５を設けて、反対側の非磁性面だけでなく、磁性層側についても除電処理を行うことが好ましい。非磁性基体１０の両面に対し除電処理を行うことにより、薄膜の磁性層の場合などにおいても、Ｄ．Ｏ．頻度が低く、走行耐久性に優れた磁気記録媒体を製造することが可能となる。
【００１９】
本発明の製造方法においては、上記除電処理に係る以外の点については従来と同様の手順および装置にて常法に従い行えばよく、特に制限されるものではないが、特には、ＤＬＣ膜の成膜に先立って、非磁性基体１０を帯電させることが好ましい（図示せず）。これにより、非磁性基体１０の冷却キャン２への密着性を確保して、非磁性基体１０の熱変形等の密着不良に伴う問題の発生を防止することができる。かかる帯電処理は、冷却キャンへの導入前または導入後のいずれにおいて行ってもよい。
【００２０】
また、本発明の製造装置は、ＤＬＣ成膜部に関して上記除電部５を備えるものであればよく、その他の装置構成については特に制限はない。成膜部１におけるＤＬＣ膜の成膜手法としては、特に限定されるものではないが、好ましくは、プラズマＣＶＤ法、イオン化蒸着法およびスパッタ法のうちのいずれかを用いる。
【００２１】
このうちプラズマＣＶＤ法の詳細については、例えば、特開平４−４１６７２号公報等に記載されている。プラズマＣＶＤ法におけるプラズマは、直流、交流のいずれであってもよいが、交流を用いることが好ましい。交流を用いる場合、数ヘルツのものからマイクロ波帯域のものまで適宜利用可能である。また、「ダイヤモンド薄膜技術」（総合技術センター発行）などに記載されているＥＣＲプラズマを利用することもできる。
【００２２】
また、プラズマＣＶＤ法のうちでは、バイアス印加プラズマＣＶＤ法を用いることが好ましい。バイアス印加プラズマＣＶＤ法では、負のバイアス電圧を印加する。この方法については、例えば、Ｍ．Ｎａｋａｙａｍａ  ｅｔ  ａｌ，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｃｅｒａｍｉｃ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｏｆ  Ｊａｐａｎ  Ｉｎｔ．Ｅｄｉｔｉｏｎ  Ｖｏｌ．９８，６０７−６０９（１９９０）等に詳細に記載されている。また、バイアス電圧を印加せずにセルフバイアスを利用してもよい。以下、セルフバイアスについて説明する。交流電源であるプラズマ電源を装置の電極に接続すると、プラズマが発生する。このプラズマは電子、イオン、ラジカルを含み、全体としては中性である。しかし、プラズマ電源の周波数がオーディオ波（ＡＦ）、高周波（ＲＦ）、マイクロ波（ＭＷ）になると、イオンと電子とで移動度に差が生ずるため、電圧を印加した電極側（通常、アースしない側）に負電圧が生ずる。これをセルフバイアス電圧という。バイアス電圧は、好ましくは−１０〜−２０００Ｖ、より好ましくは−５０〜−１０００Ｖとする。
【００２３】
ＤＬＣ薄膜をプラズマＣＶＤ法により形成する場合、原料ガスには、ＣおよびＨを含む化合物を用いることが好ましいが、Ｃを含む化合物とＨを含む化合物とを用いることもできる。ＣおよびＨを含む化合物としては、例えば、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ３Ｈ８、Ｃ６Ｈ６等の炭化水素が、Ｃを含む化合物としては、例えば、ＣＯ、ＣＯ２等が、Ｈを含む化合物としては、例えば、Ｈ２、Ｈ２Ｏ、ＮＨ３等が挙げられる。また、ＣおよびＨのいずれも含まない化合物、例えば、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２ＯなどのＮＯｘで表される化合物やＮ２等を、必要に応じて併用してもよい。
【００２４】
プラズマＣＶＤを行う際の原料ガスの流量は、原料ガスの種類に応じて適宜決定すればよい。動作圧力は、通常、１．３３〜６６．５Ｐａ（０．０１〜０．５Ｔｏｒｒ）、投入電力は、通常、１０Ｗ〜５ｋＷとすることが好ましい。
【００２５】
イオン化蒸着法は、例えば、特開昭５８−１７４５０７号公報、特開昭５９−１７４５０８号公報等に記載されているが、これらに記載されたイオン化蒸着技術に限らず、イオン化ガスの加速が可能なものであれば他の技術を利用してもよい。イオン化蒸着法に用いる装置の好ましい例としては、例えば、実開昭５９−１７４５０７号公報に記載されたイオン直進型またはイオン偏向型のものが挙げられる。
【００２６】
イオン化蒸着法では、真空容器内を１．３３×１０−４Ｐａ（１０−６Ｔｏｒｒ）程度の高真空とする。この真空容器内には、交流電源によって加熱されて熱電子を発生するフィラメントと、このフィラメントを取り囲む対電極とを配置し、これらの間に電圧Ｖｄを印加する。また、フィラメントおよび対電極を取り囲んで、イオン化ガス閉じ込め用の磁界を発生する電磁コイルを配置する。原料ガスはフィラメントからの熱電子と衝突して、プラスの熱分解イオンと電子とを生じ、この熱分解イオンはグリッドに印加された負電位Ｖａにより加速されて基体に衝突し、膜化する。このようなイオン化蒸着法では、前記電圧Ｖｄ、Ｖａおよびコイルから発生する磁界を変更することにより、ＤＬＣ膜の組成や膜質を制御することができる。本発明においては、Ｖｄは１０〜５００Ｖとすることが好ましく、Ｖａは−１０〜−５００Ｖとすることが好ましい。なお、イオン化蒸着法では、基板に負のバイアス電圧を加えることが好ましい。また、バイアス電圧を印加せずにセルフバイアスを利用してもよい。バイアス電圧は、好ましくは−１０〜−２０００Ｖ、より好ましくは−５０〜−１０００Ｖである。
【００２７】
イオン化蒸着法における原料ガスには、上記プラズマＣＶＤ法の場合と同様の原料ガスを用いることができる。また、原料ガスの流量はその種類に応じて適宜決定すればよい。動作圧力は、通常、１．３３〜６６．５Ｐａ（０．０１〜０．５Ｔｏｒｒ）程度とすることが好ましい。
【００２８】
ＤＬＣ膜をスパッタ法により形成する場合には、高周波スパッタ法を利用することが好ましい。この場合、Ｃをターゲットとし、反応性ガスとしてＨ２、ＮＨ３等を用いる反応性スパッタ法を利用することが好ましいが、ＣおよびＨを含むポリマーをターゲットとして用いることも可能である。なお、高周波スパッタ法においては、基体に負のバイアス電圧を加えることが好ましい。但し、バイアス電圧を印加せずにセルフバイアスを利用してもよい。バイアス電圧は、好ましくは−１０〜−２０００Ｖ、より好ましくは−５０〜−１０００Ｖである。高周波スパッタ電力は、通常、５０Ｗ〜２ｋＷ程度とする。動作圧力は、通常、１．３３×１０−３〜１．３３×１０−１Ｐａ（１０−５〜１０−３Ｔｏｒｒ）とすることが好ましい。
【００２９】
ＤＬＣ膜の成膜後には、膜表面と潤滑剤との親和性を高めるために、好適には、後処理電極３により表面活性化処理を行う。後処理は、酸素かまたは酸素を含むガスを用いて行うことが好ましく、例えば、酸素、空気、炭酸ガスなどを用いることができる。後処理の方法としては、上述したような、ＤＬＣ膜成膜時におけるのと同様の手法を用いることが実用的であり、好ましい。後処理における周波数としては、ＤＬＣ膜成膜時と同様の１ｋＨｚ〜４０ＭＨｚ程度が好適であり、特に、５０ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの範囲内であると、効果が発現しやすい。
【００３０】
本発明に適用することのできる非磁性基体１０としては、蒸着工程に耐えられるものであればいかなるものであってもよく、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリサルフォン等のフィルムが挙げられる。その厚さは、磁気記録媒体が使用される用途により適宜選択されるが、例えば、磁気記録媒体がデータテープとして使用される場合には、記録容量やシステム要求値に合わせて選択され、通常は３〜１０μｍである。
【００３１】
【００３２】
また、磁性層の磁性材料としては、Ｃｏ、Ｆｅ等の純金属、または、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｂ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ等の合金類を使用することができ、特には、ＣｏまたはＣｏ合金を用いることが、電磁変換特性の観点から好適である。通常は、非磁性基体上にこのような磁性材料を直接、または、非磁性基体上にＮｉを蒸着した後、蒸着して磁性層を形成する。磁性層の蒸着は、蒸着用チャンバー内を１．３３×１０−４Ｐａ（１０−６Ｔｏｒｒ）程度にまで排気した後、磁性材料を電子銃にて溶融し、磁性材料全体が溶融した時点で非磁性基体を冷却したメインローラに添って走行させて、メインローラ部にて蒸着を始める。この際、磁気特性を制御するために、酸素、オゾン、亜酸化窒素から選ばれる酸化性ガスを磁性層に導入する。
【００３３】
ＤＬＣ膜上に設ける潤滑剤層の潤滑剤成分としては、フッ素樹脂を含む潤滑剤、炭化水素系のエステル、またはこれらの混合物等を用いることができる。具体的には、例えば、基本構造として、Ｒ１−Ａ−Ｒ２で表されるものが挙げられる。ここで、
Ｒ１：ＣＦ３（ＣＦ２）ｎ−、ＣＦ３（ＣＦ２）ｎ（ＣＨ２）ｍ−、ＣＨ３（ＣＨ２）ｐ−、またはＨであり、
Ａ：−ＣＯＯ−、−Ｏ−、またはＣＯＯＣＨ（ＣｐＨ２ｐ＋１）ＣＨ２ＣＯＯ−であり、
Ｒ２：ＣＦ３（ＣＦ２）ｎ−、ＣＦ３（ＣＦ２）ｎ（ＣＨ２）ｍ−、ＣＨ３（ＣＨ２）ｐ−、またはＨである。但し、Ｒ１とＲ２とは異なり、ｎ＝７〜１７、ｍ＝１〜３、ｐ＝７〜３０を満足するものが好ましい。さらに、Ｒ１および／またはＲ２が直鎖のものであれば、潤滑効果が大きい。ｎが７より小さいと撥水効果が低く、また、ｎが１７より大きいと潤滑剤と非磁性基体またはバックコート層とのブロッキング現象が起こり、摩擦が低くならない。これらの中でも、特にフッ素を含む潤滑剤が好ましい。さらに、これら潤滑剤は２種以上混合して用いてもよい。
【００３４】
これら潤滑剤成分をケトン類、炭化水素類、アルコール類などの溶剤に溶解させて、潤滑剤塗布液を調製する。ケトン類としては、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジエチルケトン等が挙げられる。炭化水素類としては、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、アンデカン、ドデカン等のノルマル系、ｉｓｏ系等が挙げられる。アルコール類としては、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。調製された潤滑剤塗布液を、ＤＬＣ膜上に塗布し、乾燥することにより、潤滑剤層を形成することができる。潤滑剤層の厚みは、数ｎｍ程度である。また、潤滑剤成分の量は、塗布液の濃度により調整することができる。
【００３５】
さらに、本発明においては、所望に応じ、磁性層の下層側に下地層を設けてＳ／Ｎ特性の改善を図ることができる。下地層は、非磁性または非磁性に近い層であり、磁性層と同様の手法で、膜厚に対する酸素の導入量を増加させることにより形成することができる。下地層の具体的な成膜条件、例えば、成膜時の非磁性基体の搬送速度、導入酸素量等については、慣用に従い適宜定めることができ、特に制限されるものではない。特には、成膜時の供給ガスとして、酸素のみでなく、酸素中にＡｒ等の不活性ガスおよび窒素のうちの少なくとも１種を含有するガスを用いることが好ましく、これにより、Ｓ／Ｎ特性のさらなる向上を図ることができる。これは、不活性ガスの存在により下地層が粒子状に成長してミクロな凹凸が大きくなるため、この下地層上で成長する磁性層が膜面内により強く配向して、保磁力が高くなることに起因するものと考えられる。
【００３６】
また、非磁性基体の上記磁性層およびＤＬＣ膜形成面の反対側の面には、バックコート層を設けることができる。バックコート層は、結合剤樹脂と無機化合物および／またはカーボンブラックとを有機溶媒に混合分散させたバックコート層用塗料を、磁性層とは反対側の基体表面に塗布することにより形成され、塗料組成としては、この種の磁気記録媒体に用いられるものであればいずれのものも使用できる。例えば、結合剤樹脂としては塩化ビニル系共重合体、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂等であり、これらを単独または混合して、媒体の特性、工程条件により適宜選択して用いることができる。カーボンブラックとしてはファーネスカーボンブラック、サーマルカーボンブラック等を挙げることができ、無機化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、アルミナ、α−酸化鉄等を挙げることができる。これら粒子は媒体に要求される電気抵抗、摩擦特性等から粒子サイズを適宜選択すればよい。有機溶剤は、ケトン系や芳香族炭化水素系等、例えば、メチルエチルケトン、トルエン、シクロヘキサノン等を用いることができ、使用する結合剤樹脂の溶解性を考慮して適宜選択すればよい。バックコート層の厚みは、０．１〜０．７μｍ、特には、０．３〜０．５μｍが好ましい。
【００３７】
【実施例】
以下、本発明を、具体的な実施例により、詳細に説明する。
実施例１〜７
厚み４．７μｍのＰＥＮの非磁性基体の一方の面上に、下記の表１中に示す膜厚にて、蒸着法により、酸素を導入しながら１００％Ｃｏを同方向で２層成膜して、磁性層を形成した。得られた磁性層は、φｍ＝７５ｍＡ（７．５ｍｅｍｕ／ｃｍ２）、Ｈｃ＝１１９．４ｋＡ／ｍ（１５００  Ｏｅ）であった。次いで、この磁性層形成済み非磁性基体を用いて、図１または図２に示す装置にて、磁性層上に、下記および表１中に示す条件で、ＤＬＣ膜を厚み０．０１μｍで成膜した。
（ＤＬＣ膜の成膜手法）：プラズマＣＶＤ法（ＲＦ）
（イオン源）：エチレンガス
（ガス流量）：１０ｓｃｃｍ
（放電周波数）：５０ｋＨｚ
【００３８】
次いで、膜表面の潤滑剤に対する親和性を高めるために、ＤＬＣ膜に対し、プラズマ法により、酸素ガスを用いた後処理を行い、さらに、図１の装置の場合には磁気記録媒体の片面に、図２の装置の場合には両面に対して、放電ガスとしてアルゴンガスを用いて、プラズマ法により夫々除電処理を行った。その後、後処理後のＤＬＣ膜上に、潤滑剤塗布液をダイノズル法により塗布し、乾燥して、潤滑剤層を形成した。潤滑剤塗布液は、以下に示す潤滑剤成分としてのコハク酸誘導体の含フッ素化合物と脂肪族エステルの含フッ素化合物とを、同一重量でＭＥＫ／ヘキサン／エタノール＝１／２／７の混合溶媒中に溶解させて、潤滑剤合計濃度が０．５重量％となるようにして作製した。
（潤滑剤成分）：
ＨＯＯＣＣＨ（Ｃ１４Ｈ２９）ＣＨ２ＣＯＯＣＨ２ＣＨ２（ＣＦ２）７ＣＦ３
ＣＨ３（Ｃ１６Ｈ３２）ＣＯＯＣＨ２ＣＨ２（ＣＦ２）７ＣＦ３
【００３９】
次に、非磁性基体の他方の面上に、以下の組成のバックコート層分散液を、ダイノズル法により、乾燥後の厚みが０．４μｍとなるように塗布し、乾燥して、バックコート層を形成し、磁気記録媒体としての磁気テープを製造した。
（バックコート層の組成）
カーボンブラック（粒径８０ｎｍ）                              １０重量部
カーボンブラック（粒径２０ｎｍ）                              ４０重量部
炭酸カルシウム（粒径７０ｎｍ）                                ５０重量部
ニトロセルロース（Ｎｃ）（旭化成工業（株）製  ＢＴＨ１／２Ｓ）４０重量部
ポリウレタン樹脂（東洋紡績（株）製  ＵＲ−８３００）          ６０重量部
ＭＥＫ                                                      ８００重量部
トルエン                                                    ６４０重量部
シクロヘキサノン                                            １６０重量部
ポリイソシアネート（固形分５０％）（日本ポリウレタン工業（株）製  コロネ
ートＬ）                                                    ４０重量部
【００４０】
比較例１〜５
下記の表１中に示す膜厚にて磁性層を形成した後、除電処理を行わず、比較例２、４については巻き取り後に洗浄処理を行った以外は実施例１〜７と同様にしてＤＬＣ膜の成膜および潤滑剤層の形成を行い、磁気記録媒体としての磁気テープを製造した。
【００４１】
各実施例および比較例にて得られた磁気記録媒体につき、以下のようにしてＤ．Ｏ．特性および短尺耐久性の評価を行った。その結果を、下記の表１中に併せて示す。
【００４２】
Ｄ．Ｏ．特性の評価
家庭用８ｍｍＶＴＲデッキ（ＳＯＮＹ製  ＥＶ／Ｓ−９００）を使用して、幅２０μｓ、信号欠落部の深さ６ｄＢ以上の信号欠落をドロップアウトとして、その１秒間当たりの数をカウントした。
【００４３】
短尺耐久性試験
ドライブとしてＥｘａｂｙｔｅ社製  Ｍａｍｍｏｔｈ−２ドライブを使用して、Ｅｘａｂｙｔｅ社より提供のＶｉｓｔａ（Ｖｉｓｕａｌ  ＳＣＳＩ  ＴｅｓｔＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ）ソフトを用い、常温常湿（２０℃  ６０ＲＨ％）環境にて、以下のような操作を行った。まず、上記ドライブと対象磁気テープサンプルを、夫々６時間、上記測定環境に置き、環境順応させた。その後、上記ドライブで２８８ＭｂｙｔｅのランダムデータをＷｒｉｔｅ／Ｒｅａｄすることにより、磁気テープを走行させた。走行パターンは、（２８８ＭｂｙｔｅのデータのＷｒｉｔｅ／Ｒｅａｄ→巻き戻し→２８８ＭｂｙｔｅのデータのＲｅａｄ→巻き戻し）の繰り返しとした。このパターンを１回とカウントして、１０００パスの走行を行った。
【００４４】
【表１】
2004273032.tif 000003
＊）図１（磁性層とは反対側の面のみの処理）または図２（両面を処理）のいずれの装置を用いたかを示す。
【００４５】
上記表１中に示したように、除電処理を行った実施例１〜７の磁気記録媒体においては、洗浄処理を行わなくても、低いＤ．Ｏ．が維持され、短尺耐久性も良好な結果となっている。また、磁性層の薄膜化による磁性層表面の電気伝導度の低下による影響に関しても、特に、両面につき除電処理を行うことにより、良好な結果が得られることが確かめられた（実施例７）。一方、同じ薄膜の磁性層において磁性層とは反対側の面にのみ除電処理を行った実施例６の場合では、磁性層表面の帯電による異物付着が原因と思われるＤ．Ｏ．の悪化傾向がわずかに観測された。
【００４６】
なお、薄膜磁性層に係る実施例６、７の磁気記録媒体においては、テープ自体の剛性の低下のために短尺耐久性の評価でエッジダメージが発生しているが、これは、短尺耐久に使用した評価機器が厚いテープに対して適合するものであったためと推測される。しかし、かかる磁性層膜厚３０ｎｍ程度のストレージテープに対しては、実使用時にはテンションや走行ガイドなどが最適化されると考えられるため、実際上は問題ないものと思われる。
【００４７】
これに対し、除電処理も洗浄処理も行わない比較例１、３、５の磁気記録媒体の場合には、Ｄ．Ｏ．特性の悪化が観測された。また、除電処理の代わりに洗浄処理を行った比較例２、４の磁気記録媒体においては、短尺耐久性の劣化が確認された。比較例４については、洗浄処理を行ってもＤ．Ｏ．特性の悪化が生じているが、これはＤＬＣ処理後、ロールに巻き取られる際にすでに磁性層表面にクラックや傷が生じており、洗浄処理を行っても所期の効果が得られなかったものと思われる。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明の磁気記録媒体の製造方法および製造装置によれば、ＤＬＣ膜の表面活性を失うことなくＤ．Ｏ．特性の改善を行って、冷却キャンへの密着性の低下等の問題を引き起こすことなく、走行耐久性を維持しつつＤ．Ｏ．特性を低減した信頼性の高い磁気記録媒体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一好適例の製造装置におけるＤＬＣ成膜部近傍を示す概略図である。
【図２】本発明の他の好適例の製造装置におけるＤＬＣ成膜部近傍を示す概略図である。
【符号の説明】
１  成膜部
２  冷却キャン
３  後処理電極
４  ガイドロール
５  除電部
１０  非磁性基体
【図１】
2004273032.tif 000004
【図２】
2004273032.tif 000005