(57)【要約】【課題】薄膜トランジスタが作り込まれた基体上に、電子ビーム蒸着法で薄膜を形成する際に、薄膜トランジスタの特性異常を招くことなく所望の薄膜を形成するための技術を提供することを課題とする。【解決手段】トランジスタと電気的に接続する電極上に、電子ビーム蒸着法により薄膜を形成するに当たり、薄膜を形成する蒸着材料に電子ビームを照射したときに、当該蒸着材料から実質的に放射線が放射されないように電子の加速電圧を制御することを特徴とするものである。実質的に放射線が放射されないようにするということは、当該蒸着材料から放射される放射線で、薄膜トランジスタが劣化しないように電子の加速電圧を制御することとするものである。【選択図】【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上の薄膜トランジスタと電気的に接続しその表面が露出した電極上に電子ビーム蒸着法で薄膜を形成するに当たり、前記薄膜を形成する蒸着材料に電子ビームを照射したときに、当該蒸着材料から実質的に放射線が放射されないように電子の加速電圧を制御することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２】
基体上の薄膜トランジスタと電気的に接続しその表面が露出した電極上に電子ビーム蒸着法で薄膜を形成するに当たり、前記薄膜を形成する蒸着材料に電子ビームを照射したときに、当該蒸着材料から放射される放射線で前記薄膜トランジスタが劣化しないように電子の加速電圧を制御することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項３】
基体上の薄膜トランジスタと電気的に接続しその表面が露出した第１電極上に有機化合物を含む発光体を形成し、該発光体上に電子ビーム蒸着法により第２電極を形成するに当たり、前記第２電極を形成する蒸着材料に電子ビームを照射したときに、当該蒸着材料から実質的に放射線が放射されないように電子の加速電圧を制御することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項４】
基体上の薄膜トランジスタと電気的に接続しその表面が露出した第１電極上に有機化合物を含む発光体を形成し、該発光体上に電子ビーム蒸着法により第２電極を形成するに当たり、前記第２電極を形成する蒸着材料に電子ビームを照射したときに、当該蒸着材料から放射される放射線で前記薄膜トランジスタが劣化しないように電子の加速電圧を制御することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項５】
基体上の薄膜トランジスタと電気的に接続しその表面が露出した電極上に電子ビーム蒸着法により薄膜を形成するに当たり、前記薄膜の膜厚を０．１μｍ以下として、前記薄膜を形成する蒸着材料に電子ビームを照射したときに、当該蒸着材料から放射される放射線に前記薄膜トランジスタが晒される時間を短くして、劣化をしないように制御することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項６】
基体上の薄膜トランジスタと電気的に接続しその表面が露出した第１電極上に、有機化合物を含む発光体を形成し、該発光体上に電子ビーム蒸着法により第２電極を形成するに当たり、前記第２電極の膜厚を０．１μｍ以下として、前記薄膜を形成する蒸着材料に電子ビームを照射したときに、当該蒸着材料から放射される放射線に前記薄膜トランジスタが晒される時間を短くして、劣化をしないように制御することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記蒸着材料が金属成分と、アルカリ金属又はアルカリ土類金属、若しくはその両者を含む成分とからなる多成分の合金若しくは化合物を用いることを特徴とする表示装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、能動素子（代表的にはトランジスタ）を各画素に設けた表示装置の作製方法に関し、特にエレクトロルミネセンス材料を用いた発光素子と該能動素子を組み合わせて画素を形成するアクティブマトリクス型の表示装置の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、基体上にトランジスタ、具体的には薄膜トランジスタやＭＯＳトランジスタを集積化してなる液晶表示装置やエレクトロルミネセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置の開発が進んでいる。これらの表示装置は、いずれもガラス基体上に薄膜形成技術を用いてトランジスタを作り込み、そのトランジスタをマトリクス配列する各画素に配置し、画像表示を行う表示装置として機能させることを特徴としている。
【０００３】
上記のような画素構成はトランジスタのような能動素子を用いていることから、アクティブマトリクス方式と呼ばれている。図２は、典型的なアクティブマトリクス方式のエレクトロルミネセンス表示装置の構造を示している。図２において、３０１は基体であり、その上に薄膜トランジスタ３０２が設けられ、薄膜トランジスタ３０２に発光素子の陽極として機能する第１電極３０３が接続されている。また、第１電極３０３上にはそれに対応する位置に開口部を有する絶縁膜３０４が設けられ、それらを覆うように発光体３０５及び発光素子の陰極として機能する第２電極３０６が設けられている。エレクトロルミネセンス表示装置は、発光体３０５に電流注入を行うことにより発光させ画像表示を行うものである。
【０００４】
第１電極３０３及び第２電極３０６は、陽極及び陰極と表現され区別している。陽極を形成する電極材料は発光体３０５に対して正孔注入性の高い材料を適用し、陰極を形成する電極材料は電子注入性の高い材料を適用する。例えば、陰極を形成する電極材料は仕事関数が３ｅＶ以下の材料が好ましいとされている。代表的にはＡｌＬｉやＡｇＭｇ合金等が用いられている。
【０００５】
このとき、第１電極３０３及び絶縁膜３０４の形成までは通常のプロセスで作製可能であるが、発光体３０５として有機化合物を用いる場合、成膜方法としては蒸着法、塗布法、インクジェット法若しくは印刷法が用いられている。また、その上の第２電極３０６の形成には、発光体３０５の耐熱性が１００℃以下と低いため、蒸着法が用いられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは、研究開発の過程において作製した図２の構造のエレクトロルミネセンス表示装置において、薄膜トランジスタのしきい値電圧やサブスレッショルド特性に異常が見られることを発見した。そして、その原因を究明した結果、陰極となる金属膜を電子ビーム蒸着法で形成した際に、その前後でしきい値電圧（Ｖｔｈ）の大幅なシフトが見られることを発見した。図３に示す結果は、陰極となる金属膜の形成前後における薄膜トランジスタのドレイン電圧−ゲート電圧特性（以下、ＩＤ−ＶＧ特性という。）である。図３から明らかなように、陰極形成前のしきい値電圧に比べて形成後のしきい値電圧は、マイナス側へ４Ｖ程度も移動していることが判明した。またさらに、スイッチング特性の急峻性を示すサブスレッショルド係数（Ｓ値）も大きくなっている（悪化している）ことが確認された。
【０００７】
これは陰極を形成した際に何らかの損傷が薄膜トランジスタに与えられ、その結果しきい値電圧及びＳ値が大きく変化したと考えられる。本発明は、これらの問題点に鑑みてなされたものであり、薄膜トランジスタが作り込まれた基体上に、その特性異常を招くことなく所望の薄膜を形成するための技術を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記薄膜トランジスタの特性異常の原因として考えられたのが、放射線損傷による影響であり、ゲート絶縁膜に電荷若しくは準位が生成されたことによる特性劣化である。放射線損傷によるトランジスタの動作不良は良く知られた現象であり、一般的には放射線（ガンマ線、中性子、エックス線等）の照射によって生じる酸化膜内正電荷の発生、Ｓｉ−ＳｉＯ２界面の界面準位の発生、酸化膜内の中性電子トラップの発生の三つに分類されている。この放射線損傷によるトランジスタの動作不良については、例えば、「株式会社リアライズ社、平成３年７月３１日発行、谷口研二他編集、“シリコン熱酸化膜とその界面”第１６７〜１８２頁」に詳しく記載されている。
【０００９】
また、電子ビーム蒸着法においては、電子ビームの照射により溶融した金属から放射線（典型的には特性Ｘ線）が発生することが知られており、本発明者らは、電子ビーム蒸着の際に発生した放射線によって薄膜トランジスタのゲート絶縁膜等に正電荷の発生や界面準位が生成し、それに起因してしきい値電圧のマイナス側へのシフトという特性異常が発生するという結論に達した。
【００１０】
本発明はこれらの知見に基づいてなされたものであり、その第１の構成は、トランジスタと電気的に接続する電極上に、電子ビーム蒸着法により薄膜を形成するに当たり、薄膜を形成する蒸着材料に電子ビームを照射したときに、当該蒸着材料から実質的に放射線が放射されないように電子の加速電圧を制御することを特徴とするものである。実質的に放射線が放射されないようにするということは、当該蒸着材料から放射される放射線で、薄膜トランジスタが劣化しないように電子の加速電圧を制御することとするものである。
【００１１】
また、基体上の薄膜トランジスタと電気的に接続し表面が露出した第１電極上に有機化合物を含む発光体を形成し、該発光体上に電子ビーム蒸着法により第２電極を形成するに当たり、第２電極を形成する蒸着材料に電子ビームを照射したときに、当該蒸着材料から実質的に放射線が放射されないように電子の加速電圧を制御することを特徴とするものである。実質的に放射線が放射されないようにするということは、当該蒸着材料から放射される放射線で、薄膜トランジスタが劣化しないように電子の加速電圧を制御することとするものである。
【００１２】
電子ビーム蒸着において、蒸着材料から実質的に放射線が放射されないように電子の加速電圧を制御することにより、薄膜トランジスタの放射線損傷が抑制され、特性の劣化を低減することができる。
【００１３】
上記知見に基づいてなされた本発明の第２の構成は、基体上に薄膜トランジスタを形成し、該薄膜トランジスタと電気的に接続し表面が露出した電極上に、電子ビーム蒸着法により薄膜を形成するに当たり、薄膜の膜厚を０．１μｍ以下として、薄膜を形成する蒸着材料に電子ビームを照射したときに、当該蒸着材料から放射される放射線に薄膜トランジスタが晒される時間を短くして、薄膜トランジスタの劣化をしないように制御するものである。
【００１４】
電子ビーム蒸着法を用いて薄膜トランジスタに接続する電極上に薄膜を形成する際に、その膜厚を０．１μｍ以下として、すなわち放射線に薄膜トランジスタがさらされる時間を短くすることで薄膜トランジスタの放射線損傷が抑制され、特性の劣化を低減することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の態様について図面を参照して詳細に説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１６】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態について、図１を用いて説明する。図１（Ａ）に示す画素構成において１０１はデータ信号線、１０２はゲート信号線、１０３は電源線、１０４はスイッチング用の薄膜トランジスタ（スイッチングＴＦＴという。以下、同じ）、１０５は電荷保持用のコンデンサ、１０６は発光素子に電流を供給するための駆動用薄膜トランジスタ（駆動ＴＦＴという。以下、同じ）、１０７は駆動ＴＦＴのドレインに電気的に接続する第１電極であり、第１電極１０７は発光素子の陽極として機能する。なお、ここで発光素子とは、一対の電極（陽極及び陰極）の間に発光体を設けた素子をいう。例えば、本実施の形態においては、発光素子としてエレクトロルミネセンス素子を設ける。
【００１７】
このときのＡ−Ａ’における切断面に相当する図面を図１（Ｂ）に示す。図１（Ｂ）において、１１０は基体であり、ガラス基体、石英基体、プラスチック基体その他の透光性基体を用いることができる。基体１１０の上には公知の半導体プロセスを用いて駆動用ＴＦＴ１０６が形成される。また、駆動ＴＦＴ１０６に接続されるように形成された第１電極１０７の端部及び少なくとも駆動ＴＦＴ及びスイッチングＴＦＴを覆い隠すように、格子状にパターン化された隔壁層１０８が設けられる。
【００１８】
スイッチングＴＦＴ１０４や駆動ＴＦＴ１０６のチャネル部を形成する半導体層には多結晶シリコン又は非晶質シリコンが適用されて、ゲート構造等に特段の制約はない。シングルドレインや低濃度ドレイン等公知の技術を適用することができる。図示している薄膜トランジスタの構成はトップゲート構造（具体的にはプレーナ構造）であるが、他の形態としてボトムゲート構造（具体的には逆スタガ構造）とすることも可能である。その場合、半導体層とゲート電極等の配置が反対になるだけである。また当然のことながら、薄膜トランジスタに限らず、単結晶シリコンウエハーにシリコンウェルを用いて形成されたＭＯＳ構造のトランジスタを適用しても良い。
【００１９】
第１電極１０７及び隔壁層１０８の上には発光体１１１、陰極として機能する第２電極１１２及びパッシベーション膜１１３が設けられる。第１電極１０７、発光体１１１、第２電極１１２が重畳する部位が実質的に発光素子となる。
【００２０】
この発光体１１１の構成は公知の構成を用いることができる。第１電極１０７と第２電極１１２との間に配設する発光体には、発光層、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれ、これらの層が積層された形態又はこれらの層を形成する材料の一部又は全部が混合された形態をとることができる。具体的に、発光層、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれる。基本的にＥＬ素子は、陽極／発光層／陰極が順に積層された構造を有しており、この構造に加えて、陽極／正孔注入層／発光層／陰極や、陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極等の順に積層した構造を有していても良い。
【００２１】
発光体１１１は典型的には有機化合物を用いて形成するが、有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送物質及び発光材料で形成され、その分子数から低分子系有機化合物、中分子系有機化合物、高分子系有機化合物から選ばれた一種又は複数種の層を含み、電子注入輸送性又は正孔注入輸送性の無機化合物と組み合わせても良い。尚、中分子とは昇華性を有さず、分子数が２０以下、又は連鎖する分子の長さが１０μｍ以下の有機化合物を指していう。
【００２２】
発光体１１１の主体となる発光材料は、低分子系有機化合物としてトリス−８−キノリノラトアルミニウム錯体やビス（ベンゾキノリラト）ベリリウム錯体等の金属錯体をはじめ、フェニルアントラセン誘導体、テトラアリールジアミン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体等が適用可能であり、これをホスト物質としてクマリン誘導体、ＤＣＭ、キナクリドン、ルブレン等が適用され、その他公知の材料を適用することが可能である。高分子系有機化合物としては、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリパラフェニレン系、ポリチオフェン系、ポリフルオレン系等があり、ポリ（パラフェニレンビニレン）（ｐｏｌｙ（ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ　ｖｉｎｙｌｅｎｅ））：（ＰＰＶ）、ポリ（２，５−ジアルコキシ−１，４−フェニレンビニレン）（ｐｏｌｙ（２，５−ｄｉａｌｋｏｘｙ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ　ｖｉｎｙｌｅｎｅ））：（ＲＯ−ＰＰＶ）、ポリ（２−（２’−エチル−ヘキソキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン）（ｐｏｌｙ［２−（２’−ｅｔｈｙｌｈｅｘｏｘｙ）−５−ｍｅｔｈｏｘｙ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ　ｖｉｎｙｌｅｎｅ］）：（ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ（２−（ジアルコキシフェニル）−１，４−フェニレンビニレン）（ｐｏｌｙ［２−（ｄｉａｌｋｏｘｙｐｈｅｎｙｌ）−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ　ｖｉｎｙｌｅｎｅ］）：（ＲＯＰｈ−ＰＰＶ）、ポリパラフェニレン（ｐｏｌｙ［ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ］）：（ＰＰＰ）、ポリ（２，５−ジアルコキシ−１，４−フェニレン）（ｐｏｌｙ（２，５−ｄｉａｌｋｏｘｙ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ））：（ＲＯ−ＰＰＰ）、ポリ（２，５−ジヘキソキシ−１，４−フェニレン）（ｐｏｌｙ（２，５−ｄｉｈｅｘｏｘｙ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ））、ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）：（ＰＴ）、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ｐｏｌｙ（３−ａｌｋｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））：（ＰＡＴ）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（ｐｏｌｙ（３−ｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））：（ＰＨＴ）、ポリ（３−シクロヘキシルチオフェン）（ｐｏｌｙ（３−ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））：（ＰＣＨＴ）、ポリ（３−シクロヘキシル−４−メチルチオフェン）（ｐｏｌｙ（３−ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ−４−ｍｅｔｈｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））：（ＰＣＨＭＴ）、ポリ（３，４−ジシクロヘキシルチオフェン）（ｐｏｌｙ（３，４−ｄｉｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））：（ＰＤＣＨＴ）、ポリ［３−（４−オクチルフェニル）−チオフェン］（ｐｏｌｙ［３−（４ｏｃｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）−ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ］）：（ＰＯＰＴ）、ポリ［３−（４−オクチルフェニル）−２，２ビチオフェン］（ｐｏｌｙ［３−（４−ｏｃｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）−２，２−ｂｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ］）：（ＰＴＯＰＴ）、ポリフルオレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）：（ＰＦ）、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）（ｐｏｌｙ（９，９−ｄｉａｌｋｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ）：（ＰＤＡＦ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）（ｐｏｌｙ（９，９−ｄｉｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ）：（ＰＤＯＦ）等が挙げられる。
【００２３】
無機化合物材料を電荷注入輸送層に適用しても良く、ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）、Ｓｉ、Ｇｅ、及びこれらの酸化物又は窒化物であり、Ｐ、Ｂ、Ｎ等が適宜ドーピングされていても良い。またアルカリ金属又はアルカリ土類金属の、酸化物、窒化物又はフッ化物や、当該金属と少なくともＺｎ、Ｓｎ、Ｖ、Ｒｕ、Ｓｍ、Ｉｎの化合物又は合金であっても良い。
【００２４】
以上に掲げる材料は一例であり、これらを用いて正孔注入輸送層、正孔輸送層、電子注入輸送層、電子輸送層、発光層、電子ブロック層、正孔ブロック層等の機能性の各層を適宜積層することで発光体１１１を形成することができる。また、これらの各層を合わせた混合層又は混合接合を形成しても良い。エレクトロルミネッセンスには一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）とがあるが、本発明に係るエレクトロルミネセンス素子はいずれか一方の発光を用いていても良いし、又は両方の発光を用いていても良い。
【００２５】
パッシベーション膜１１３としては、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、ダイヤモンドライクカーボン膜その他の水分や酸素に高いブロッキング性を示す絶縁膜を用いることができる。
【００２６】
第２電極１１２としては、金属成分とアルカリ金属又はアルカリ土類金属、若しくはその両者を含む成分とからなる多成分の合金若しくは化合物を用いる。金属成分としては、Ａｌ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｖ、Ｐｄ等が挙げられ、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の具体例としては、Ｌｉ（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）、Ｒｂ（ルビジウム）、Ｃｓ（セシウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）等が挙げられる。その他、これら以外にもＹｂ（イッテルビウム）、Ｌｕ（ルテチウム）、Ｎｄ（ネオジウム）、Ｔｍ（ツリウム）等を適用しても良い。第２電極の組成は、上記金属成分にアルカリ金属又はアルカリ土類金属のうち仕事関数が３ｅＶ以下のものを０．０１〜１０重量％含ませた合金若しくは化合物とする。陰極として機能させる目的において、第２電極の厚さは適宜設定すれば良いが、概ね０．０１〜１μｍの範囲内として、電子ビーム蒸着法で形成すれば良い。
【００２７】
ここで、電子ビーム蒸着法により第２電極１１２を形成するに当たって上記金属成分を含む蒸着材料に電子を照射した時に、そこから放射線が実質的に照射されないように加速電圧を制御する。蒸着材料から放射線が照射されない加速電圧は、その種類によって異なり、例えばＡｌを主成分とする場合には概略２ｋＶ以下である。
【００２８】
勿論、加速電圧を低下させると成膜速度も下がるので生産性が低下することが問題となる。上記の如く第２電極１１２を陰極として機能させる目的においてはその厚さは０．０１〜０．０１μｍ程度あれば良いので、低抵抗化を図るにはその上にＡｌ等の低抵抗金属材料を抵抗加熱蒸着法やスパッタリング法で積層させても良い。
【００２９】
以上のように、本実施の形態に示す作製方法により、電子ビーム蒸着法を用いて金属膜を形成するに当たって、放射線の影響を受けずに成膜することが可能となり、放射線照射によるトランジスタのしきい値電圧異常やＳ値異常といった不良の発生を抑制することが可能となる。
【００３０】
（実施の形態２）
放射線による薄膜トランジスタの特性の変化は、それに晒されている時間に比例して変化量が増大する傾向が観測されている。図４はその一例として、電子ビーム蒸着時間と薄膜トランジスタのＳ値（サブスレッショルド係数）の変化量を示すグラフである。このデータは、放射線の照射時間と薄膜トランジスタの特性変化の関係を擬似的に調べたものである。Ｓ値トランジスタのしきい値電圧以下の特性（サブスレッショルド特性）で、ドレイン電流が１桁変化するのに要するゲート電圧の値として定義するものである。Ｓ値の増加、すなわちサブスレッショルド特性の勾配の減少は、トランジスタのスイッチング特性が劣化することを意味している。
【００３１】
実験系は、図５に示すように、電子ビーム蒸着装置において蒸発源５０２と薄膜トランジスタが形成された基体５０１との間にアルミ箔５０３を介在させた構成であり、蒸発材料は直接基体上に飛着しないようになっている。その状態で通常の蒸着と同じように、電子銃５０４から電子ビーム５０５を蒸発源５０２に向けて放射している。
【００３２】
図４は一定の加速電圧で電子を蒸発材料に照射した結果であり、その照射時間（蒸着時間）の増加によりｐチャネル型及びｎチャネル型の薄膜トランジスタ共にＳ値が増大する傾向を示している。つまり、スイッチング特性の低下を示している。
【００３３】
図１で示す構成において、電子ビーム蒸着法で形成する発光素子の第２電極１１２は、陰極又は陽極として機能すれば良いものであり、そのシート抵抗が数百Ω／□以下のものであれば良い。金属材料としてＡｌ等を用いる場合、その厚さは０．１μｍ以下、好ましくは０．０１〜０．０５μｍとすれば良い。つまり、本発明の第２の構成において、第２電極の厚さを薄膜化して電子ビーム蒸着の時間を短くすることで薄膜トランジスタの劣化を抑制することが可能となる。すなわち、蒸着材料から放射される放射線に薄膜トランジスタが晒される時間を短縮して、その劣化をしないように制御することが可能となる。
【００３４】
勿論、０．１μｍ以下に薄膜化した第２電極上に低抵抗化を図る目的で、抵抗加熱蒸着法やスパッタリング法等放射線の影響の無い成膜法で補助的な電極を形成しても良い。
【００３５】
以上のように、本実施の形態に示す作製方法により、電子ビーム蒸着法を用いて金属膜を形成するにあたって、放射線の影響を受けずに成膜することが可能となり、放射線照射によるトランジスタのしきい値電圧異常やＳ値異常といった不良の発生を抑制することが可能となる。
【００３６】
（実施の形態３）
実施の形態１と２に示した表示装置は、いずれもエレクトロルミネセンス表示装置を例示しているが、本発明は基体上にトランジスタを形成し、その後電子ビーム蒸着法で所定の薄膜を形成する製造工程全般に適用できる。例えば、電子ビーム蒸着法を用いる液晶表示装置、フィールドエミッション表示装置、その他の表示装置の製造工程に適用しても良い。
【００３７】
（実施の形態４）
本発明の表示装置を表示部に用いた電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ　Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ　Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）等が挙げられる。それらの電子機器の具体例を図７に示す。
【００３８】
図６（Ａ）はテレビであり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカー部２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本発明は表示部２００３に適用することができる。なお、パソコン用、ＴＶ放送受信用、広告表示用等の全ての情報表示用のテレビが含まれる。
【００３９】
図６（Ｂ）はデジタルカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッター２１０６等を含む。本発明は、表示部２１０２に適用することができる。
【００４０】
図６（Ｃ）はノート型パーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明は、表示部２２０３に適用することができる。
【００４１】
図６（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本発明は、表示部２３０２に適用することができる。
【００４２】
図６（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示するが、本発明は表示部Ａ、Ｂ２４０３、２４０４に適用することができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器等も含まれる。
【００４３】
図６（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体２５０１、表示部２５０２、アーム部２５０３を含む。本発明は、表示部２５０２に適用することができる。
【００４４】
図６（Ｇ）はビデオカメラであり、本体２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キー２６０９等を含む。本発明は、表示部２６０２に適用することができる。
【００４５】
図６（Ｈ）は携帯電話であり、本体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。本発明は、表示部２７０３に適用することができる。なお、表示部２７０３は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電流を抑えることができる。
【００４６】
以上の様に、本発明を実施して得た表示装置は、あらゆる電子機器の表示部として用いても良い。なお、本実施の形態の電子機器には、実施の形態１〜６に示したいずれの構成を有した表示装置を用いても良い。
【００４７】
【発明の効果】
本発明により、電子ビーム蒸着法により特に金属膜を形成するにあたって、被処理基体に形成されたトランジスタにガンマ線、中性子、エックス線その他の放射線が照射される不具合が解決され、放射線の照射によって生じる酸化膜内正電荷の発生、Ｓｉ−ＳｉＯ２界面の界面準位の発生、酸化膜内の中性電子トラップの発生に伴うトランジスタの動作不良を防止することができる。そして、しきい値電圧の異常やＳ値の異常を防ぐことにより信頼性の高い表示装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】表示装置の画素構成を示す上面図及び断面図である。
【図２】表示装置の画素構成を示す断面図である。
【図３】薄膜トランジスタのＩＤ−ＶＧ特性であり、電子ビーム蒸着前後の特性変化を示すグラフである。
【図４】放射線照射による薄膜トランジスタのＳ値の蒸着時間依存性を示すグラフである。
【図５】実施の形態２において図４のデータを得るために用いた実験系を説明する図である。
【図６】電子機器の一例を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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