(57)【要約】【課題】絶縁膜から露出した部分に選択的に膜を形成可能な技術を提供する。【解決手段】本発明の成膜方法によれば、水素ガスのプラズマで基板１０の不活性化処理を行った後、基板１０が置かれたクリーニング室６に、化学構造中にフッ素原子を有する処理ガスのラジカルを供給し、基板１０のクリーニングを行うので、絶縁膜１２がイオンのような高エネルギー物質でダメージを受けることがない。従って、絶縁膜１２が形成された領域にＣＶＤ膜が成長せず、クリーニング工程の後の成膜工程で、絶縁膜１２が形成された領域に膜が形成されないので、本発明の成膜方法の選択性は高い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定領域に絶縁膜が形成された基板を成膜雰囲気に配置し、前記成膜雰囲気に原料ガスを供給し、前記基板の前記絶縁膜から露出する表面に膜を形成する成膜方法であって、
前記膜を形成する前に、水素ガスを含有する不活性化ガスのプラズマに基板を晒す不活性化工程と、化学構造中にフッ素原子を含有する処理ガスのラジカルを生成し、前記基板を前記処理ガスのラジカルに晒すクリーニング工程を行う成膜方法。
【請求項２】
前記クリーニング工程では、前記処理ガスにマイクロ波を照射して前記処理ガスのラジカルを生成させる請求項１記載の成膜方法。
【請求項３】
前記クリーニング工程では、前記基板が置かれた真空槽内に前記処理ガスが供給される経路の途中に前記マイクロ波を照射する請求項２記載の成膜方法。
【請求項４】
前記クリーニング工程では、前記基板をステージ上に配置し、前記ステージに正の電圧を印加した状態で、前記基板を前記ラジカルに晒す請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の成膜方法。
【請求項５】
前記原料ガスとして化学構造中に金属原子を有するガスを用い、前記基板の前記絶縁膜から露出する表面に金属を析出させ、金属膜を形成する請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は金属膜の成膜方法に関し、特に、半導体装置の金属膜を成膜する成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来技術で、シリコンウェハの所定領域に選択的に金属膜を成膜する方法を説明する。
先ず、シリコンウェハを真空槽内に置き、該真空槽内に真空雰囲気を形成した状態で水素ガスのプラズマを発生させる。該シリコンウェハの表面が水素ガスのプラズマに晒されると、シリコンウェハのうち、絶縁膜から露出し、砒素や硼素のような不純物が高濃度に注入された不純物領域の表面で、不純物と水素ガスのプラズマが反応し、不純物領域の表面が不活性化される。
【０００３】
不活性化処理を行った後、シリコンウェハを別の真空槽内に搬入し、該真空槽内に真空雰囲気を形成した後、シリコンウェハを加熱しながら、フッ化タングステンのようなハロゲン化金属のガスと、該ハロゲン化金属を還元させる還元ガスを真空槽内に供給すると、ハロゲン化金属が還元され、絶縁膜の表面には金属が析出しないが、不純物領域の表面にのみ金属が析出する（選択ＣＶＤ法）。
【０００４】
このように、不純物領域の不活性化を行った後、ハロゲン化金属のガスを用いてＣＶＤ法で成膜を行えば、不純物領域の表面のみに選択的に金属膜を形成することができる。
【０００５】
ところで、シリコンウェハの表面に有機物質や、不活性化処理時に生成される絶縁膜等の汚染物質が付着した状態で金属膜の成膜を行うと、製造される半導体装置の動作が不安定になるため、不活性化処理の工程と、金属膜の成膜工程との間にシリコンウェハを洗浄する必要がある。
【０００６】
シリコンウェハの洗浄方法としては、不活性化処理後のウェハを一旦真空槽から真空槽外の大気雰囲気へ取り出し、フッ酸（ＨＦ）溶液等の洗浄液に浸漬し、汚染物質を分解除去する方法がある。
【０００７】
しかし、この方法ではウェハを真空雰囲気から大気雰囲気中に搬出する必要があり、また、クリーニング後は成膜のために再度ウェハを真空雰囲気に搬入する必要があるため、工程が煩雑である。
【０００８】
ウェハの不活性化処理を行った後、ウェハが置かれた真空雰囲気中にＨＦガス（弗化水素）やＣＦ４（四弗化炭素）ガス等のフッ素系ガスのプラズマを発生させ、該プラズマにウェハを晒すことで汚染物質を分解、除去するプラズマ処理法によれば、ウェハを大気中に取り出す必要がなく、一連の工程を真空雰囲気中で行うことができる。
【０００９】
しかし、フッ素系ガスのプラズマを発生させるときには高エネルギーイオンも発生するため、ウェハの酸化膜がダメージを受けることがある。酸化膜がダメージを受けた状態で金属膜の成膜を行うと、金属膜が高濃度領域だけではなく、酸化膜のダメージを受けた部分にも成長してしまう。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、成膜工程の煩雑さをなくし、かつ、金属膜を所望の領域のみに選択的に成膜可能な技術を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、所定領域に絶縁膜が形成された基板を成膜雰囲気に配置し、前記成膜雰囲気に原料ガスを供給し、前記基板の前記絶縁膜から露出する表面に膜を形成する成膜方法であって、前記膜を形成する前に、水素ガスを含有する不活性化ガスのプラズマに基板を晒す不活性化工程と、化学構造中にフッ素原子を含有する処理ガスのラジカルを生成し、前記基板を前記処理ガスのラジカルに晒すクリーニング工程を行う成膜方法である。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の成膜方法であって、前記クリーニング工程では、前記処理ガスにマイクロ波を照射して前記処理ガスのラジカルを生成させる成膜方法である。
請求項３記載の発明は、請求項２記載の成膜方法であって、前記クリーニング工程では、前記基板が置かれた真空槽内に前記処理ガスが供給される経路の途中に前記マイクロ波を照射する成膜方法である。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の成膜方法であって、前記クリーニング工程では、前記基板をステージ上に配置し、前記ステージに正の電圧を印加した状態で、前記基板を前記ラジカルに晒す成膜方法である。
請求項５記載の発明は、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の成膜方法であって、前記原料ガスとして化学構造中に金属原子を有するガスを用い、前記基板の前記絶縁膜から露出する表面に金属を析出させ、金属膜を形成する成膜方法である。
【００１２】
本発明は上記のように構成されており、不活性化工程の後、基板を処理ガスのラジカルに晒すことでクリーニングを行うので、基板を真空槽の外に取り出す必要がない。従って、不活性化工程と、クリーニング工程と、成膜工程の一連の工程を真空槽内で行うことができるので、工程が簡易になる。
【００１３】
また、ラジカルはイオンに比べてエネルギー量が小さいので、シリコンウェハをクリーニングする際に、酸化膜がダメージを受けることがなく、汚染物質のみを分解除去することができる。
【００１４】
また、マイクロ波の照射は、処理ガスが真空槽内に供給される経路の途中で行うので、基板にマイクロ波が照射されることなく、基板がマイクロ波でダメージを受けることがない。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下で図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。
図１（ａ）の符号１０は本発明の成膜方法に用いられる基板の一例を示している。この基板１０は、シリコンで構成された板状の単結晶層１１を有しており、単結晶層１１の表面には酸化膜からなる絶縁膜１２が形成されている。
【００１６】
絶縁膜１２は所定形状にパターニングされ、窓部１９が形成されており、窓部１９の底面の一部には、単結晶層１１が、絶縁膜１２や他の絶縁膜から露出している。
【００１７】
単結晶層１１の露出部分にはＡｓ（砒素）やＢ（硼素）等の不純物が高濃度に注入され、不純物の表面濃度が１×１０１５ａｔｍｓ／ｃｍ２以上１×１０１８ａｔｍｓ／ｃｍ２以下と高くなっており、単結晶層１１の表面は不純物が高濃度に注入された部分だけが露出している。
【００１８】
図１（ａ）の符号１３は不純物が高濃度に注入された領域である不純物領域を示しており、同図の符号１６はタングステン等からなるゲート電極を示し、同図の符号１７は絶縁物を示している。
【００１９】
ここではゲート電極１６はポリシリコンからなる第一の電極１５と、タングステンからなる第二の電極１８とで構成されている。第一の電極１５はゲート酸化膜２９を介して単結晶層１１上に配置され、第二の電極１８は第一の電極１５の表面に配置されており、第一、第二の電極１５、１８の側面と第二の電極１８の表面は絶縁物１７で覆われている。
【００２０】
次に、この基板１０上に選択的に成膜を行う工程について説明する。図２の符号１は本発明の成膜方法に用いる成膜装置の一例を示している。成膜装置１は搬送室２と、搬出入室３、４と、複数の処理室５〜８とを有している。
【００２１】
各搬出入室３、４と、各処理室５〜８はそれぞれ真空バルブ２５を介して搬送室２に接続されており、真空バルブ２５を開けると、搬出入室３、４と、処理室５〜８が搬送室２にそれぞれ接続されるようになっている。
【００２２】
搬送室２の内部には搬送ロボット２１が配置されており、真空バルブ２５を開けた状態で、搬送ロボット２１のアームに基板を載せた状態で、アームを伸縮、回転させれば、搬送室２に接続された処理室５〜８に基板を搬入できるようになっている。
【００２３】
搬送室２と、各搬出入室３、４と、各処理室５〜８には真空排気系９が接続されており、真空バルブ２５を閉じ、各搬出入室３、４と、各処理室５〜８を搬送室２から遮断した状態で真空排気系９を起動すると、搬送室２と、各搬出入室３、４と、各処理室５〜８が個別に真空排気されるようになっている。
【００２４】
搬送室２、各搬出入室３、４と、各処理室５〜８はそれぞれ真空槽で構成されており、搬送室２、各搬出入室３、４と、各処理室５〜８が真空排気されると、搬送室２、各搬出入室３、４と、各処理室５〜８内に真空雰囲気が形成されるようになっている。
【００２５】
搬出入室３、４には扉３３、４３が設けられており、扉３３、４３を開けると搬出入室３、４の内部が成膜装置１外部の大気雰囲気に接続されるようになっている。この成膜装置１を用いてシリコンウェハ上に金属膜を成膜するには、先ず各搬出入室３、４と、各処理室５〜８の内部に所定圧力の真空雰囲気を形成し、該真空雰囲気を維持する。
【００２６】
搬入室３を搬送室２から遮断した状態で、搬入室３を大気雰囲気に接続し、成膜装置１外部から基板１０を搬入室３へ搬入する。搬入室３を大気雰囲気から遮断し、搬入室３内に再び所定圧力の真空雰囲気を形成した後、搬入室３と搬送室２とを接続する。
【００２７】
ここでは、処理室５〜８は不活性化室５と、クリーニング室６と、成膜室７と、再活性化室８とで構成されており、先ず、不活性化室５と搬送室２とを接続し、搬送ロボット２１によって基板１０を搬入室３から不活性化室５に搬入する。
【００２８】
図３は不活性化室５の断面図を示している。不活性化室５内の底壁側にはウェハステージ５３が配置されており、不活性化室５内に搬入した基板１０を、不純物領域１３が形成された面を上側に向けてウェハステージ５３上に載置し、不活性化室５と搬送室２とを遮断する。
【００２９】
不活性化室５には不活性化ガス供給系５６が接続されており、不活性化室５の真空排気を続けながら、不活性化ガス供給系５６から水素ガスからなる不活性化ガスを不活性化室５内に導入する。
【００３０】
不活性化室５の天井側にはＲＦ電極５５が取り付けられており、不活性化ガスの導入と、真空排気を続け、不活性化室５内の圧力が安定したところで、ＲＦ電極５５に接続された高周波電源５９を起動し、ＲＦ電極５５に高周波電圧を印加すると、不活性化ガスを構成する水素ガスが励起され、不活性化室５内に水素ガスのプラズマが生成され、基板１０が水素ガスのプラズマに晒される。
【００３１】
基板１０が水素ガスのプラズマに晒されると、絶縁膜１２から露出された不純物領域１３で、水素ガスのプラズマと単結晶層１１とが反応し、反応した部分の単結晶層１１表面が不活性化される。基板１０を所定時間水素ガスのプラズマに晒した後、ＲＦ電極５５への通電を停止し、プラズマの生成を終了させて不活性化工程を終了する。
【００３２】
次いで、不活性化室５と、クリーニング室６とを搬送室２にそれぞれ接続し、不活性化工程終了後の基板１０を不活性化室５からクリーニング室６へ搬入する。
図４はクリーニング室６の断面図を示しており、クリーニング室６の外部にはガスボンベ６９とマイクロ波源６１が配置されている。ガスボンベ６９にはガス管６８の一端が接続され、ガス管６８他端はクリーニング室６の天井に取り付けられたシャワーヘッド６５に接続されており、ガスボンベ６８の処理ガスはガス管６８を通ってシャワーヘッド６５に供給されるようになっている。
【００３３】
シャワーヘッド６５のクリーニング室６内部に向けられた面には１又は２以上の噴出口６７が設けられており、シャワーヘッド６５に供給された処理ガスは、噴出口６７からクリーニング室６内部へ供給されるようになっている。
【００３４】
マイクロ波源６１には導波管６２の一端が接続されている。ガス管６８は導波管６２よりも小径の石英チューブで構成されており、導波管６２の他端はガス管６８に貫かれている。従って、マイクロ波源６１を起動し、マイクロ波を発生させ、該マイクロ波が導波管６２を伝わってガス管６８に貫通された部分に到達すると、マイクロ波がガス管６８内に浸入するようになっている。
【００３５】
上述したように、処理ガスはガス管６８を通ってクリーニング室６へ供給されるので、ガスボンベ６９から処理ガスを流しながら、マイクロ波をガス管６８内に浸入させると、処理ガスがクリーニング室６へ供給される経路の途中でマイクロ波が照射されることになる。
【００３６】
クリーニング室６内のシャワーヘッド６５と対向する位置にはウェハステージ６３が配置されている。ウェハステージ６３は電源装置６７に接続されており、クリーニング室６を接地電位に置いた状態で、電源装置６７を起動すると、ウェハステージ６３に電圧を印加可能になっている。
【００３７】
このクリーニング室６で基板１０をクリーニングするには、先ず、クリーニング室６へ搬入した基板１０を、不純物領域１３が形成された面を上側に向けてウェハステージ６３上に載せ、ウェハステージ６３に正の電圧を印加する。
【００３８】
ガスボンベ６９には、Ｆ２（フッ素）ガスからなる処理ガスが充填されており、該処理ガスをクリーニング室６に向かって供給しながら、マイクロ波を発生させると、処理ガスがクリーニング室６へ供給される経路の途中でマイクロ波により励起され、処理ガスのラジカルが生成される。
【００３９】
生成された処理ガスのラジカルは、処理ガスの流れに乗ってシャワーヘッド６５の噴出口６７からクリーニング室６内に供給され、基板１０の表面に到達すると、基板１０表面に付着する油分等の汚染物質がラジカルにより分解除去される。
【００４０】
マイクロ波が処理ガスに照射されると、ラジカルだけではなく正イオンも生成されるが、生成される正イオンの量は非常に少ないので、絶縁膜１２がダメージを受け難い。また、正イオンがクリーニング室６内に供給されたとしても、ウェハステージ６３に正の電圧が印加されているため、正イオンは反発して飛行方向が曲げられ、基板１０には到達しない。結局、基板１０には電気的に中性なラジカルのみが到達するので、絶縁膜１２がイオンのような高エネルギー物質でダメージを受けることなく、基板１０のクリーニングが行われる。
【００４１】
基板１０に所定時間ラジカルを吹き付け、汚染物質が除去されたところで、処理ガスの供給と、マイクロ波の発生を停止させ、ウェハステージ６３への電圧印加を停止し、クリーニング工程を終了する。次いで、クリーニング室６と、成膜室７とを搬送室２にそれぞれ接続し、クリーニング後の基板１０をクリーニング室６から成膜室７へ搬送する。
【００４２】
図５は成膜室７の断面図を示しており、成膜室７の天井にはシャワーノズル７５が取り付けられている。シャワーノズル７５には、原料ガス供給系７８と、還元ガス供給系７９が別々に接続されている。シャワーノズル７５には２以上の噴出口が設けられており、原料ガス供給系７８の原料ガスと、還元ガス供給系７９の還元ガスが別々の噴出口から成膜室７内に噴出されるようになっている。
【００４３】
成膜室７内部の、シャワーノズル７５と対向する位置にはウェハステージ７３が配置されており、成膜室７へ搬送した基板１０を、不純物領域１３が形成された面を上側に向けた状態で、成膜室７内のウェハステージ７３上に載置し、成膜室７を搬送室２から遮断する。
【００４４】
ウェハステージ７３の基板１０が載置される面にはホットプレート７４が配置されており、ホットプレート７４に通電し、昇温させて基板１０を所定温度まで加熱する。基板１０を所定温度に維持しながら、原料ガスであるＷＦ６（六弗化タングステン）ガスと、還元ガスであるＳｉＨ４（モノシラン）ガスとを成膜室７内に噴出させると、原料ガスの還元反応が起こり、単結晶層１１表面のうち、絶縁膜１２から露出し、不純物領域１３が形成された部分にタングステンが析出する。
【００４５】
上述したように絶縁膜１２はクリーニング工程でダメージを受けておらず、絶縁膜１２が形成された部分にはタングステンが析出しないので、結局、単結晶層１１表面の不純物領域１３が形成された部分にだけに選択的にタングステンからなる金属膜が成長することになる。金属膜が所定膜厚まで成長したところで、原料ガスと還元ガスの供給を停止し、成膜工程を終了する。
【００４６】
成膜室７と再活性化室８をそれぞれ搬送室２に接続し、成膜工程終了後の基板１０を再活性化室８へ搬入した後、再活性化室８を搬送室２から遮断する。再活性化室８内には不図示の加熱手段が設けられており、再活性化室８内の真空雰囲気を維持した状態で、該加熱手段により基板１０を所定温度に加熱すると、基板１０に成膜された金属膜がアニール化される。
【００４７】
基板１０が所定時間加熱されたところで、再活性化室８から搬送室２へ基板１０を取り出し、再活性化工程を終了する。再活性化工程が終了した後の基板１０を搬出室４へ搬送し、搬出室４を搬送室２から遮断した後、搬出室４を大気雰囲気に接続すれば、金属膜が成膜された状態の基板１０を成膜装置１外部に取り出すことができる。図１（ｂ）の符号１４は単結晶層１１表面の不純物領域１３に形成された金属膜を示している。
【００４８】
【実施例】
＜実施例１＞
Ａｓがイオン注入された不純物領域１３（Ｎ型領域）と、Ｂがイオン注入された不純物領域１３（Ｐ型領域）が単結晶層１１の露出部分に形成された基板１０を作製した。尚、Ａｓ及びＢのイオン注入量は、表面濃度で１×１０１５ａｔｍｓ／ｃｍ２であった。
【００４９】
この基板１０を上述した成膜装置１に搬入し、単結晶層１１表面の絶縁膜１２から露出する部分に、上述した成膜方法でタングステン膜を形成した。
ここでは、不活性化工程では、不活性化室５内の圧力が１３Ｐａに維持されるように水素ガスからなる不活性化ガスを供給し、ＲＦ電極５５に３００Ｗの電力を投入して、室温で１分間処理を行った。
【００５０】
クリーニング工程では、クリーニング室６内の圧力が５０Ｐａに維持されるようにＦ２ガスからなる処理ガスを供給し、マイクロ波源６１に５００Ｗの電力を投入し、生成したラジカルを３分間クリーニング室６へ供給した。
【００５１】
成膜工程では、基板１０を３００℃に加熱してから、成膜室７内の圧力が１Ｐａに維持されるようにＷＦ６ガスからなる原料ガスと、ＳｉＨ４ガスからなる還元ガスとを供給した。再活性化工程は基板１０を５５０℃で１分間加熱した。
【００５２】
成膜終了後の基板１０には、単結晶層１１表面の不純物領域１３のみに膜厚約５０ｎｍのタングステン膜が形成されており、絶縁膜１２の表面にはタングステン膜が形成されなかった。
【００５３】
また、比較のために、不活性化工程の後、上述した不活性化室５と同じ構造のクリーニング室に基板１０を搬入し、該クリーニング室内に処理ガスを導入した後、クリーニング室のＲＦ電極に３００Ｗの電力を投入し、クリーニング室内で処理ガスのプラズマを発生させてクリーニング工程を行った後に、タングステン膜を成膜したところ、不純物領域１３に膜厚約５０ｎｍのタングステンが成膜されたが、絶縁膜１２の表面に点状にタングステンが析出していた。
これらのことから、本発明の成膜方法によれば、単結晶層１１表面の絶縁膜１２から露出する不純物領域１３のみに選択的に成膜を行えることが確認された。
【００５４】
以上は、クリーニング工程で、ウェハステージに正電圧を印加して、正イオンを基板１０へ到達させない場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、マイクロ波の照射によりラジカルを発生させる場合はイオンの生成量が非常に少ないので、ウェハステージに電圧を印加せずにクリーニングを行ってもよい。
【００５５】
またラジカルの生成方法も特に限定されず、イオンの発生量の少ない方法であれば、例えば可視光や紫外光のような光を処理ガスに照射し、ラジカルを生成することもできる。
【００５６】
以上は処理ガスとしてＦ２ガスを用いる場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、化学構造中にフッ素原子を含むガスであれば、例えばＮＦ３ガス、ＨＦガス、ＣＯＦ２ガスを処理ガスとして用いることが可能であり、またこれらのガスを２種類以上混合した混合ガスを用いることもできる。
【００５７】
以上は、不活性化工程と、クリーニング工程と、成膜工程と、再活性化工程をそれぞれ異なる真空槽内で行う場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、一つの真空槽で２以上の工程を行うこともできる。
【００５８】
また、本発明の成膜方法に用いる原料ガスの種類は特に限定されるものではない。金属膜としてタングステン膜を成膜する場合には、ＷＣｌ６（塩化タングステン）ガス等種々のハロゲン化タングステンを用いることができる。
【００５９】
成膜する金属膜の種類もタングステン膜に限定されるものではない。原料ガスや還元ガスと共に、アルゴンガスのような希釈ガスを真空槽内に供給することも可能であり、このような希釈ガスを用いれば、原料ガスや還元ガスが希釈されるので、析出される金属の量を制御することができる。
【００６０】
還元ガスの種類はＳｉＨ４ガスに限定されず、原料ガスを還元した後、シリコンとして析出されるガスであれば、例えばＳｉ２Ｈ６（ジシラン）ガスを用いることもできる。また、原料ガスや還元ガスと共に、トリエチルシラノール（Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）３ＯＨ）ガスのようなシラノールガスを供給して成膜を行えば、成膜の選択性がより改善される。
【００６１】
以上は、不活性化工程で水素ガスからなる不活性化ガスを用いる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、水素ガスを含有するものであれば、例えば水素ガスと酸素ガス（Ｏ２）との混合ガス、水素ガスと窒素ガス（Ｎ２）との混合ガス、又は水素ガスと酸素ガスと窒素ガスとの混合ガスを用いることもできる。
【００６２】
【発明の効果】
本発明によれば、処理ガスのラジカルを生成し、基板をそのラジカルに晒すことでクリーニングを行うので、基板上の絶縁膜がイオンのような高エネルギー物質でダメージを受けることがなく、絶縁膜が形成された領域にＣＶＤ膜が成長しない。従って、クリーニング工程の後の成膜工程で、窓部底面に露出し、不純物が注入された領域のみに選択的に成膜を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）、（ｂ）：金属膜を成膜する工程を説明する断面図
【図２】本発明に用いる成膜装置の一例を説明する図
【図３】不活性化室の一例を説明する断面図
【図４】クリーニング室の一例を説明する断面図
【図５】成膜室の一例を説明する断面図
【符号の説明】
１……成膜装置    ２……搬送室    ３、４……搬出入室      ５……不活性化室    ６……クリーニング室    ７……成膜室    ８……再活性化室    １０……基板    １２……絶縁膜    １３……不純物領域    ６８……ガス管    ６９……ガスボンベ    ６１……マイクロ波源    ６２……導波管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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