(57)【要約】【課題】小型化が可能でセンサ出力のオフセット調整が容易な回転検出磁気センサ及びその製造方法を提供すること【解決手段】ＩＣチップ１０を備えたモールドＩＣ２と、当該モールドＩＣ２に装着され、ＩＣチップ１０に内蔵される磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える磁石３とを、第二のモールド樹脂６により二次モールドした回転検出磁気センサ１であって、第二のモールド樹脂６の所望の位置に凹部１５を有し、当該凹部１５内に、磁気抵抗素子における磁場ベクトルを調整するための磁場調整部材１６を備える。このように、第二のモールド樹脂６に設けた凹部１５内に磁場調整部材１６を配置するだけなので、センサの小型化が可能で、且つ、センサ出力のオフセット調整が容易である。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレーム上に搭載されるＩＣチップと前記リードフレームの一部とを第一のモールド樹脂により一次モールドしたモールドＩＣと、
当該モールドＩＣに装着され、前記ＩＣチップに内蔵される磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える磁石と、
前記リードフレームに接続されるターミナルと、
前記モールドＩＣと前記ターミナルの一部とを二次モールドする第二のモールド樹脂とを備え、
前記磁気抵抗素子の抵抗値変化から被検体の回転数或いは回転方向を検出する回転検出磁気センサにおいて、
前記第二のモールド樹脂は、所望の位置に凹部を有し、当該凹部内に、前記磁気抵抗素子における磁場ベクトルの向きを調整する磁場調整部材を備えることを特徴とする回転検出磁気センサ。
【請求項２】
前記磁場調整部材は、永久磁石若しくは強磁性体であることを特徴とする請求項１に記載の回転検出磁気センサ。
【請求項３】
前記磁石は、前記モールドＩＣを一方向にのみ移動可能な貫通孔を有し、当該貫通孔内に前記モールドＩＣを挿入した状態で二次モールドされることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の回転検出磁気センサ。
【請求項４】
磁気抵抗素子を内蔵するＩＣチップを搭載したリードフレームの一部と前記ＩＣチップとを第一のモールド樹脂により一次モールドし、モールドＩＣを形成する工程と、
前記第一のモールド樹脂によりモールドされていないリードフレームの一端に、ターミナルを接続する工程と、
前記ＩＣチップに内蔵される磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える磁石を前記モールドＩＣに装着してなる検出部を形成する工程と、
前記ターミナルが接続された検出部を、第二のモールド樹脂により二次モールドするとともに、当該第二のモールド樹脂の所望の位置に凹部を形成する工程と、
二次モールド完了後、前記磁気抵抗素子の抵抗値変化に応じたセンサ出力のオフセットを確認する工程と、
前記オフセットの値に応じて、前記凹部内の所望の位置に前記磁気抵抗素子における磁場ベクトルの向きを調整する磁場調整部材を位置決め固定する工程とを備えることを特徴とする回転検出磁気センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は回転検出磁気センサ及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、被検体の回転数及び回転方向を検出するものとして、磁気抵抗素子を含むモールドＩＣと当該磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える磁石とを有する回転検出磁気センサがある。
【０００３】
このような回転検出磁気センサの製造方法として、例えば、磁気抵抗素子を含むモールドＩＣと磁石とを位置決めした状態で二次モールドする方法が、特許文献１に開示されている。
【０００４】
特許文献１の方法によると、成形型のキャビティに対して進退自在に設けられた保持ピンにより、磁気抵抗素子を含むモールドＩＣと磁石との位置決めを行い、キャビティ内に保持した状態でキャビティ内に第二のモールド樹脂を射出する。そして、キャビティ内に第二のモールド樹脂が充填完了される前若しくは充填完了後に、保持ピンをキャビティ内から後退させることにより、回転検出磁気センサが形成される。
【０００５】
【特許文献１】特開平９−３８９８２号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１に示される回転検出磁気センサの製造方法の場合、保持ピンをキャビティ内から後退させる際、若しくは保持ピン等の長さの公差によって、第二のモールド樹脂の充填完了後に、モールドＩＣの磁気抵抗素子と磁石との位置関係にずれが生じる場合がある。
【０００７】
このように、磁気抵抗素子と磁石との位置関係にずれが生じた場合、磁気抵抗素子が磁石から受けるバイアス磁界の磁場ベクトルの向きが変化することとなるので、被検体が回転する前の初期状態における磁気抵抗素子の抵抗値が所定の値から変化し、センサ出力のオフセット調整を行う必要が生じる。
【０００８】
このようなオフセット調整は、例えば処理回路用ＣＭＯＳチップ等を用いることにより実施できるが、この場合センサの小型化の点で問題がある。
【０００９】
また、磁石を一旦脱磁し、再度着磁することにより、磁気抵抗素子における磁場ベクトルを調整し、オフセットを調整することもできる。しかしながら、この方法によると工数が増加し作業効率が低下する。
【００１０】
本発明は上記問題点に鑑み、小型化が可能でセンサ出力のオフセット調整が容易な回転検出磁気センサ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する為に、請求項１に記載の回転検出磁気センサは、リードフレーム上に搭載されるＩＣチップとリードフレームの一部とを第一のモールド樹脂により一次モールドしたモールドＩＣと、当該モールドＩＣに装着され、ＩＣチップに内蔵される磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える磁石と、リードフレームに接続されるターミナルと、モールドＩＣとターミナルの一部とを二次モールドする第二のモールド樹脂とを備える。そして、磁気抵抗素子の抵抗値変化から被検体の回転数或いは回転方向を検出するものである。このとき、第二のモールド樹脂は、所望の位置に凹部を有し、当該凹部内に、磁気抵抗素子における磁場ベクトルを調整するための磁場調整部材を備えることを特徴とする。
【００１２】
従来、モールドＩＣ等を第二のモールド樹脂により二次モールドしてなる回転検出磁気センサにおいて、第二のモールド樹脂の射出時にモールドＩＣの磁気抵抗素子と磁石との間に位置ずれが生じることがある。そして、磁気抵抗素子が磁石から受けるバイアス磁界の磁場ベクトルの向きが変化し、磁気抵抗素子の抵抗値が変化することにより、被検体が回転していない初期状態においてセンサ出力のオフセットにずれが生じる場合があった。
【００１３】
このような問題に対して、本発明の回転検出磁気センサは、第二のモールド樹脂に凹部を有しており、当該凹部内に磁気抵抗素子における磁場ベクトルの向きを調整する磁場調整部材を配置している。従って、上述のような位置ずれが生じても、磁場調整部材により磁気抵抗素子における磁場ベクトルの向きを調整することができるので、センサ出力のオフセット調整を容易に実施することができる。
【００１４】
また、回転検出磁気センサの体格を大きくすること無く、磁場調整部材の配置が可能であるので、センサの体格の小型化に適している。
【００１５】
請求項２に記載のように、磁場調整部材として、永久磁石若しくは強磁性体を用いることが好ましい。これらを用いることにより、磁気抵抗素子における磁場ベクトルの向きを調整することができる。
【００１６】
請求項３に記載のように、磁石は、モールドＩＣを一方向にのみ移動可能な貫通孔を有し、当該貫通孔内にモールドＩＣを挿入した状態で二次モールドされることが好ましい。
【００１７】
このように、磁石に対してモールドＩＣが一方向にのみスライド可能であるため、第二のモールド樹脂の射出時に生じる磁気抵抗素子と磁石との間の位置ずれは、一方向にのみ生じることとなる。従って、磁場調整部材による磁気抵抗素子における磁場ベクトルの調整が容易となる。
【００１８】
また、回転検出磁気センサの製造方法としては、請求項４に記載のように、磁気抵抗素子を内蔵するＩＣチップを搭載したリードフレームの一部とＩＣチップとを第一のモールド樹脂により一次モールドする工程と、
第一のモールド樹脂によりモールドされていないリードフレームの一端に、ターミナルを接続する工程と、ＩＣチップに内蔵される磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える磁石をモールドＩＣに装着してなる検出部を形成する工程と、ターミナルが接続された検出部を第二のモールド樹脂により二次モールドするとともに、当該第二のモールド樹脂の所望の位置に凹部を形成する工程と、二次モールド完了後、磁気抵抗素子の抵抗値変化に応じたセンサ出力のオフセットを確認する工程と、オフセット値に応じて凹部内の所望の位置に磁気抵抗素子における磁場ベクトルの向きを調整する磁場調整部材を位置決め固定する工程とを備えることを特徴とする。
【００１９】
このように、先ず第二のモールド樹脂の所望の位置に凹部を形成し、二次モールド完了後にセンサ出力のオフセットを確認した後、オフセット値に応じて、凹部内の所望の位置に磁場調整部材を位置決め固定する。従って、第二のモールド樹脂の射出時にモールドＩＣと磁石との間に位置ずれが生じ、それに伴ってセンサ出力のオフセットにずれが生じても、容易にオフセット調整を行うことができる。
【００２０】
また、オフセット値の確認後に、第二のモールド樹脂に形成された凹部内に磁場調整部材を後付け配置するので、オフセット値に応じた磁場調整部材を配置させることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本実施の形態における回転検出磁気センサの一例を示す概略断面図である。尚、本センサは、例えば車両用として、エンジン回転センサ、クランク角センサ、カム角センサ、車速センサ、車輪速センサ等、回転を行う被検体の回転数及び回転方向の検出が可能である。
【００２２】
本実施の形態における回転検出磁気センサは、バイアス磁界の与えられた磁気抵抗素子を有するＩＣチップを有し、バイアス磁界の変化による磁気抵抗素子の抵抗値変化から、被検体の回転数及び回転方向を検出するものである。
【００２３】
図１に示すように、回転検出磁気センサ１は、モールドＩＣ２と当該モールドＩＣ２に装着された磁石３とからなる検出部４と、モールドＩＣ２に接続された外部出力端子としてのターミナル５と、検出部４及びターミナル５を被覆・保護する第二のモールド樹脂６とにより構成される。
【００２４】
モールドＩＣ２は、図示されない磁気抵抗素子を含むＩＣチップ１０が搭載されたＣｕ等の導電性材料からなるリードフレーム１１を、第一のモールド樹脂１２にて一次モールドしてなるものである。第一のモールド樹脂１２としては、例えばポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）やエポキシ樹脂等の樹脂材料が用いられる。
【００２５】
磁石３は、例えば磁性体粉末が添加された樹脂材料を用いて形成され、ＩＣチップ１０の磁気抵抗素子にバイアス磁界を与えるものである。磁石３は、例えば略円筒形状を有しており、その中心に貫通孔１３が形成されている。従って、当該貫通孔１３内にモールドＩＣ２をＩＣチップ１０の搭載端側から所定の位置まで挿入することにより、磁石３がモールドＩＣ２に装着される。
【００２６】
このとき、貫通孔１３は、その断面形状がモールドＩＣ２の外形に対応した形状を有しており、モールドＩＣ２の外形よりも若干大きめに形成されている。従って、磁石３に対してモールドＩＣ２を貫通孔１３に沿う方向にのみ移動可能としている。尚、モールドＩＣ２は、当該貫通孔１３を素通りしないように、例えば第一のモールド樹脂１２の貫通孔１３への挿入の後端側が隆起した形状を有している。
【００２７】
また、第一のモールド樹脂１２により被覆されていないリードフレーム１１の一端に、Ｃｕ等の導電性材料からなるターミナル５が溶接やかしめ等により接続されている。ターミナル５は、リードフレーム１１との接続部の他端が、回転検出磁気センサ１の一端であるコネクタ部１４の開口部内に突出している。従って、ターミナル５は、リードフレーム１１を介してＩＣチップ１０と電気的に接続されているので、図示されない被検体の回転に伴う磁気抵抗素子の抵抗値変化に応じたセンサ出力を、外部に出力可能となっている。
【００２８】
そして、上述のコネクタ部１４から突出するターミナル５の一部を除き、検出部４及びターミナル５は、第二のモールド樹脂６により被覆・保護されている。第二のモールド樹脂６は、例えばＰＰＳ等の樹脂材料からなり、所望の位置に凹部１５を有している。そして、当該凹部１５内の所望の位置に、磁気抵抗素子における磁場ベクトルを調整するための磁場調整部材１６が配置されており、当該磁場調整部材１６は、例えば接着剤により凹部１５の内壁に位置決め固定されている。尚、凹部１５及び磁場調整部材１６の詳細については後述する。
【００２９】
次に、本実施の形態における回転検出磁気センサ１の製造方法について、図１〜図３を用いて説明する。尚、図２（ａ）〜（ｃ）は製造工程を説明するための補足図であり、図３はセンサ出力のオフセットを説明するための図である。
【００３０】
図示されないが、先ずモールドＩＣ２を形成する。リードフレーム１１の所望の位置に磁気抵抗素子を有するＩＣチップ１０を搭載し、図示されないワイヤをワイヤボンドすることによりＩＣチップ１０とリードフレーム１１とを電気的に接続する。このとき、ＩＣチップ１０は、リードフレーム１１において、例えばターミナル５が接続される一端の他端側に搭載される。尚、磁気抵抗素子は、Ｎｉ−ＣｏやＮｉ−Ｆｅ等の材料を用い、パターニングにより、互いに直交するハの字型に形成され、磁石３のバイアス磁界の磁場ベクトルに対して所望の角度を有するように配置されている。磁気抵抗素子の配置及び磁気抵抗素子による回転体の回転数及び回転方向の検出原理については、特開平１３−１５３６８３号公報等により開示されているので、ここではその説明を省略する。
【００３１】
そして、図示されない成形型のキャビティ内にＩＣチップ１０を搭載したリードフレーム１１を固定し、キャビティ内に第一のモールド樹脂１２を射出することによりモールドＩＣ２を形成する。このとき、第一のモールド樹脂１２は、ＩＣチップ１０の全体と、リードフレーム１１の一部（少なくともターミナル５との接続部は被覆されないようにする）を被覆している。
【００３２】
モールドＩＣ２形成後、図２（ａ）に示すように、第一のモールド樹脂１２によって被覆されていないリードフレーム１１の一端に、ターミナル５が例えば溶接により機械的かつ電気的に接続される。これにより、図示されないＩＣチップ１０がリードフレーム１１を介してターミナル５と電気的に接続される。尚、ターミナル５は、例えばＣｕ等の金属板を所定の形状に打ち抜くことにより形成され、図２（ａ）で示すターミナル５の３本の足部は、各々、出力端子、電源端子、ＧＮＤ端子である。
【００３３】
このようにしてターミナル５がモールドＩＣ２のリードフレーム１１に接続されると、続いてモールドＩＣ２に磁石３が装着されて検出部４が形成される。
【００３４】
磁石３は、図２（ｂ）に示されるように、例えば略円筒形状を有しており、モールドＩＣ２を挿入可能な貫通孔１３を有している。そして、この貫通孔１３に、ＩＣチップ１０の搭載側（非ターミナル接続側）からモールドＩＣ２を挿入する。このとき、磁石３の貫通孔１３の断面は、モールドＩＣ２の外形に対応し且つ若干大きめに形成されているので、磁石３は貫通孔１３に沿う方向にのみモールドＩＣ２を移動可能としている。このように、モールドＩＣ２に磁石３が装着され、図２（ｃ）に示すように、検出部４が形成される。尚、モールドＩＣ２への磁石３の装着は、モールドＩＣ２のリードフレーム１１にターミナル５を接続する前に行われても良い。
【００３５】
以上の工程を経て形成されたターミナル５の接続された検出部４を、図示されない成形型のキャビティ内に配置し、保持ピンにより位置決め・固定した状態で、キャビティ内にＰＰＳ等からなる第二のモールド樹脂６を射出する。そして、第二のモールド樹脂６の射出完了前或いは射出完了後に保持ピンを後退させることにより、図１に示す回転検出磁気センサ１を形成する。
【００３６】
このとき上述したように、モールドＩＣ２は磁石３に対して貫通孔１３に沿う方向に移動可能である。従って、例えば保持ピンを後退させる際に、モールドＩＣ２及び磁石３の一方が他方に対して位置ずれし、モールドＩＣ２の磁気抵抗素子における磁石３のバイアス磁界の磁場ベクトルの向きにずれが生じる場合がある。
【００３７】
ここで、ＩＣチップ１０には、例えば４つの磁気抵抗素子が形成されており、これらの磁気抵抗素子が図３に示されるように組み合わされることにより、ブリッジ回路を構成している。このブリッジ回路において、２組のハーフブリッジ回路の中点電圧をＭｏＡ，ＭｏＢとすると、中点電圧ＭｏＡ，ＭｏＢの出力特性から、被検体の回転数及び回転方向が検出される。この中点電圧ＭｏＡ，ＭｏＢは、理想的には被検体が回転していない初期状態において、例えば中点電圧差（センサ出力のオフセット）が略０となるように、磁気抵抗素子が所定のパターンに形成され、ＩＣチップ１０に対する磁石３の位置決めがなされる。
【００３８】
しかしながら、上述のように、第二のモールド樹脂６の射出時にモールドＩＣ２と磁石３との間で位置ずれが生じた場合、磁気抵抗素子が磁石３から受けるバイアス磁界が変化し、磁気抵抗素子における磁場ベクトルが位置ずれのない状態と異なる向きを示すこととなる。従って、磁気抵抗素子の抵抗値が夫々変化し、センサ出力のオフセットが位置ずれのない状態から変化することとなるので、この状態で被検体の測定を行うと、正確な回転数等を検出することができない。
【００３９】
しかしながら、本実施の形態における回転検出磁気センサ１は、第二のモールド樹脂６を射出する際、検出部４及びターミナル５を被覆・保護するとともに、第二のモールド樹脂６の所望位置に図１に示される凹部１５が形成される。尚、凹部１５は、検出部４及びターミナル５の絶縁性を確保できる範囲で、できる限り検出部４（磁気抵抗素子）に近い位置に設けられることが好ましい。これにより、後述する磁場調整部材が、磁気抵抗素子における磁場ベクトルの向きの調整に、効果的に作用することができる。
【００４０】
次いで、第二のモールド樹脂６による二次モールドが完了した後、上述するセンサ出力のオフセット値を測定する。これにより、モールドＩＣ２と磁石３とのずれ、すなわち磁気抵抗素子における磁場ベクトルのずれを確認する。
【００４１】
そして、オフセット調整が必要な場合は、凹部１５内の所望の位置に、例えばフェライト系磁石や希土類系磁石等の永久磁石からなる磁場調整部材１６を位置決め固定し、オフセット値のずれが許容範囲内となる状態に調整される。
【００４２】
従って、本実施の形態における回転検出磁気センサ１は、第二のモールド樹脂６に設けた凹部１５内に磁場調整部材１６を配置することにより、センサ出力のオフセット調整を行うことができるので、処理回路用ＣＭＯＳチップ等を配置する必要が無く、センサの体格を小型化することができる。
【００４３】
次に、磁気抵抗素子における磁場ベクトルの向きの調整方法について、図４（ａ），（ｂ）を用いて説明する。尚、図４（ａ）は、モールドＩＣ２と磁石３との間に位置ずれが生じていない場合の模式図であり、図４（ｂ）は、（ａ）に対してモールドＩＣ２が位置ずれした一例を示す模式図である。尚、図４（ａ），（ｂ）はともに第二のモールド樹脂６を射出した後の状態を示すが、便宜上モールド樹脂６、ターミナル５、リードフレーム１１は省略する。
【００４４】
図４（ａ）に示すように、磁気抵抗素子を有するＩＣチップ１０を搭載したモールドＩＣ２が、磁石３の貫通孔１３内に挿入され、ＩＣチップ１０と磁石３とが所望の位置関係を保ちつつ装着されている。このとき、磁気抵抗素子は、図４（ａ）の破線で示される基準位置に配置されており、磁気抵抗素子が磁石３から受けるバイアス磁界（図４（ａ）の楕円状矢印）の磁場ベクトルは、一点鎖線の矢印で示される向きを有している。
【００４５】
これに対し、図４（ｂ）に示すように、モールドＩＣ２が磁石３に対して位置ずれ（図４（ｂ）において、基準位置を示す破線の下方）を起こした場合、磁気抵抗素子が受けるバイアス磁界の磁場ベクトルは、図４（ａ）の一点鎖線矢印よりも貫通孔１３に沿う方向に近い実線矢印で示される向きとなる。従って、位置ずれがない状態における磁場ベクトル（一点鎖線矢印）の向きからずれた状態となるので、磁気抵抗素子の抵抗値が変化し、上述したようにセンサ出力のオフセット調整を行う必要が生じる。
【００４６】
そのため、図４（ｂ）に示すように、貫通孔１３に沿う方向に対して一点鎖線矢印よりも角度の開いた向きを有する磁場ベクトル（図４（ｂ）における二点鎖線矢印）を磁気抵抗素子に与えることができる磁場調整部材１６を配置する。このように、磁場調整部材１６の追加により、磁石３のバイアス磁界と磁場調整部材１６の磁界の両磁場ベクトルの合成により、磁気抵抗素子における磁場ベクトルの向きを、図４（ｂ）の実線矢印の向きからモールドＩＣ２が磁石３に対して位置ずれしていない一点鎖線矢印の向きへ近づけることができる。
【００４７】
従って、本実施の形態における回転検出センサ１は、第二のモールド樹脂６に形成された凹部１５内に、磁場調整部材１６を配置することにより、モールドＩＣ２と磁石３との間の位置ずれにより生じる磁気抵抗素子における磁場ベクトルの向きのずれを調整することができる。すなわち、オフセット値に応じた磁場調整部材１６を配置することにより、センサ出力のオフセット調整を容易に行うことができる。
【００４８】
尚、本実施の形態において、モールドＩＣ２が磁石３に対して、基準位置を示す破線の下方に位置ずれを起こした場合の例を図４（ｂ）に示した。しかしながら、モールドＩＣ２が磁石３に対して、基準位置を示す破線の上方に位置ずれを起こした場合、磁気抵抗素子が受けるバイアス磁界の磁場ベクトルが、一点鎖線矢印よりも貫通孔１３に沿う方向に対して開いた角度を有することとなる。この場合は、一点鎖線矢印よりも貫通孔１３に沿う方向に近い向きを有する磁場ベクトル（図４（ｂ）よりも強い磁場）を磁気抵抗素子に与えることができる磁場調整部材１６を配置することにより、磁気抵抗素子における磁場ベクトルの向きのずれを調整することができる。
【００４９】
また、磁場ベクトルの向きの調整方法として、予め磁性の異なる数種類の磁場調整部材１６を準備しておき、実際に凹部１５内に磁場調整部材１６を配置した状態でセンサ出力のオフセットを測定することにより、最適な磁場調整部材１６を選択し、それを凹部１５の内壁に接着剤等で固定しても良い。
【００５０】
また、予め磁場調整部材１６配置前後のセンサ出力のオフセット値データを種々取得しておき、オフセット値をデータと照らし合わせて、所望の磁場調整部材１６を選択し、凹部１５に配置・固定しても良い。
【００５１】
また、本実施の形態において、モールドＩＣ２は磁石３の貫通孔１３内に挿入され、貫通孔１３に沿う方向にのみ移動が可能であった。すなわち、モールドＩＣ２と磁石３は互いに一方向にのみ位置ずれが可能であった。しかしながら、モールドＩＣ２と磁石３との位置関係はそれ以外の状態であっても良い。本実施の形態における回転検出センサ１は、二次モールド後であっても、センサ出力のオフセット調整が可能である。従って、凹部１５内に磁場調整部材１６を配置させながら、オフセット調製することができる。
【００５２】
また、本実施の形態における磁場調整部材１６として、フェライト系磁石や希土類系磁石等を用いる例を示した。しかしながら、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ等の強磁性体を用いても良く、その中でも硬磁性体を用いることが好ましい。それ以外にも、磁気抵抗素子における磁場ベクトルを変化させることができるものであれば用いることができる。
【００５３】
また、本実施の形態において、モールド樹脂２と磁石３との位置ずれは、第二のモールド樹脂６の射出時に生じる例を示した。しかしながら、それ以外の要因によってモールド樹脂２と磁石３との間に位置ずれが生じた場合においても、本発明における回転検出磁気センサ１を適用することができるのは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における回転検出磁気センサの概略断面図である。
【図２】回転検出磁気センサの製造工程を説明するための補足図であり、（ａ）はモールドＩＣにターミナルを接続した状態、（ｂ）は磁石、（ｃ）は磁石をモールドＩＣに装着した状態を示す。
【図３】センサ出力のオフセットを説明するための図である。
【図４】磁気抵抗素子における磁場ベクトルの調整を説明するための模式図であり、（ａ）はモールドＩＣと磁石に位置ずれがない状態、（ｂ）は磁石に対しモールドＩＣが位置ずれした状態を示す。
【符号の説明】
１・・・回転検出磁気センサ、
２・・・モールドＩＣ、
３・・・磁石、
６・・・第二のモールド樹脂、
１０・・・ＩＣチップ、
１５・・・凹部、
１６・・・磁場調整部材、
【図１】
2004233103.tif 000003
【図２】
2004233103.tif 000004
【図３】
2004233103.tif 000005
【図４】
2004233103.tif 000006