(57)【要約】【課題】サセプタ周囲における金属膜の形成に起因する処理パワーのリークを低減することにより、効率的な処理性能を確保するとともに、サセプタ表面の電磁気的構成の変動を抑制することにより、処理プロセスの安定化を図る。【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１００は、内部にプラズマを形成可能な処理チャンバ１１０と、処理チャンバの内部に配置されたサセプタ１２０とを有し、サセプタには高周波電力が供給される電極１２１が設けられ、サセプタにおける被処理体の支持範囲の周囲において被処理体の表面と並置されるように配置された露出表面を備え、電極と絶縁された導電性部材１２７が設けられていることを特徴とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部にプラズマを形成可能な処理チャンバと、該処理チャンバの内部に配置されたサセプタとを有し、該サセプタには高周波電力が供給される電極が設けられ、前記サセプタに支持された前記被処理体が前記プラズマにより処理されるプラズマ処理装置において、
前記サセプタにおける前記被処理体の支持範囲の周囲において前記被処理体の表面と並置される露出表面を備え、前記電極に絶縁された導電性部材が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記サセプタの外周部には、前記電極に対して絶縁されているとともに所定電位に接続され導電性カバーが設けられ、前記導電性部材と前記導電性カバーとが絶縁されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記導電性部材と前記導電性カバーとの間のインピーダンスは、前記電極と前記導電性カバーとの間のインピーダンスよりも大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記処理チャンバは、前記サセプタを収容する処理部と、プラズマを形成可能なプラズマ形成部とを有し、
前記プラズマ形成部は絶縁体壁により画成され、前記絶縁体壁の外側に配置され前記絶縁体壁の内側に誘導電磁界を形成する誘導電磁界形成手段を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記被処理体は導電膜であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマ処理装置に係り、特に、プラズマにより被処理体をエッチングするプラズマエッチング装置として構成する場合に好適な装置構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体集積回路の製造工程では、半導体ウエハ等の基板に対し、成膜工程やパターニング工程等の複数の処理工程を順次行うことにより、所望の素子構造を備えた回路が形成される。このような各種の処理工程が行われる過程においては、たとえば、プラズマを用いてエッチングを行うプラズマエッチング装置や、プラズマを用いて各種の成膜を行うプラズマ成膜装置などが知られている。
【０００３】
図５には、従来のプラズマ処理装置の一例として、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）処理装置の構成例を示す。このプラズマ処理装置（プラズマエッチング装置）２００は、処理チャンバ２１０と、処理チャンバ２１０の内部に配置されたサセプタ２２０と、処理チャンバ２１０にプラズマ生成ガスを供給するガス供給系２４０とを有する。処理チャンバ２１０は、上記サセプタ２２０を収容する処理部を構成する処理容器２１１と、プラズマを生成するためのプラズマ形成部を構成するベルジャー２１２とを備えている。ベルジャー２１２の外側には、高周波電源２５１及び整合器２５２から電力供給を受ける誘導コイル２１３が設置されている。また、上記ガス供給系２４０から供給されるプラズマ生成ガスを処理チャンバ２１０内に導入するガス導入部２１４が設けられる。さらに、処理チャンバ２１０の内部は、排気管２１６に接続された図示しない排気装置によって所定圧力まで減圧される。
【０００４】
サセプタ２２０は、高周波電源２５３及び整合器２５４に接続された電極２２１と、この電極２２１を被覆するアルミナなどの誘電体２２２と、静電チャックを構成する直流電源２５５に接続された補助電極２２３と、サセプタ２２０の上部に石英等で構成される絶縁体からなるフォーカスリング２２７と、サセプタ２２０の側面の外周を絶縁する石英等の絶縁体２２５と、この絶縁体２２５の外側を覆い、接地された導電性カバー２２６とを有する。サセプタ２２０の誘電体２２２上には被処理体であるウエハＷが載置される。
【０００５】
ガス供給系２４０から供給されたプラズマ生成ガスは、ガス導入部２１４から処理チャンバ２１０内に導入され、高周波電源２５１より整合器２５２を介して誘電コイル２１３に高周波電力を供給することによって形成される誘導電磁界によってプラズマ化される。一方、サセプタ２２０の電極２２１には高周波電位が供給されるため、自己バイアス電圧が発生し、このバイアス電圧によってプラズマ中のＡｒイオンが加速され、ウエハＷ上の非常に薄いシリコン酸化膜などがエッチングされる。
【０００６】
ところで、上記のようなプラズマエッチング装置としては、以下の特許文献１及び２に記載されたものが知られている。また、同種の装置としては、特許文献３に記載されたものも知られている。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−２３７４８６号公報
【特許文献２】
特開２００２−２４６３７０号公報
【特許文献３】
特開平５−３３５２８３号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記のプラズマエッチング装置２００によって銅、アルミニウムなどの金属表面に形成される金属酸化物をエッチングすると、ウエハＷから除去された金属が飛散し、ウエハＷの周囲にある絶縁体からなるフォーカスリング２２７の上面２２７ａに被着されて金属膜が形成される場合がある。この金属膜が形成されると、ウエハＷと、接地された導電性カバー２２６との間に上記の金属膜を介した放電経路が形成され、金属膜上に帯電した電荷が導電性カバー２２６へ電流として流れるため、電極２２１に供給された高周波電力パワーのロスによる自己バイアスの低下や放電経路での異常放電によって、処理効率が低下したり、処理の均一性が阻害されたりすると言う問題点がある。
【０００９】
また、上記の金属膜が形成されることによってサセプタ２２０の表面の電磁気的構成に大きな変化が生ずるので、サセプタ２２０上のプラズマ状態も経時的に変化し、これによって処理プロセスの再現性が悪化するという問題点もある。
【００１０】
更に、サセプタの外周のフォーカスリング２２７に導電性の金属膜が形成されるので、結果的に下部電極が基板より大きい面積となった状態と実質的に同等の状況になるため、自己バイアスが低下して、エッチングレートが低下し、処理状態の均一性も悪くなる。
【００１１】
そこで本発明は上記課題を解決するものであり、サセプタ周囲における金属膜の形成に起因する電流のリークを低減することにより、効率的な処理性能を確保するとともに、サセプタ表面の電磁気的構成の変動を抑制することにより、処理プロセスの安定化を図り、その再現性を向上させることにある。また、金属の付着に起因する下部電極の面積の変化を防止することで、均一性を向上できる構成を実現することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するために本発明が講じた手段は、内部にプラズマを形成可能な処理チャンバと、該処理チャンバの内部に配置されたサセプタとを有し、該サセプタには高周波電力が供給される電極が設けられ、前記サセプタに支持された前記被処理体が前記プラズマにより処理されるプラズマ処理装置において、前記サセプタにおける前記被処理体の支持範囲の周囲（たとえば外周部）において前記被処理体の表面と並置される露出表面を備え、前記電極と絶縁された導電性部材が設けられていることを特徴とする。
【００１３】
この発明によれば、導電性部材が被処理体の周囲において被処理体の表面と並置される露出表面を備えていることにより、処理中に導電性部材の露出表面に金属膜が被着されても、被処理体の周囲における電極面積が変化せず、電磁気的環境が変動しにくくなることから、サセプタの電極に供給される高周波電力のリークが生じにくくなるため、効率的に処理を行うことができるとともに、プラズマによる処理態様を安定化させることができるため、処理の再現性を向上させることができる。
【００１４】
本発明において、前記サセプタの外周部には、前記電極に対して絶縁されているとともに所定電位に接続された導電性カバーが設けられ、前記導電性部材と前記導電性カバーとが絶縁されていることが好ましい。所定の電位に接続された（たとえば接地された）導電性カバーを設けることにより、導電性部材を介して導電性カバーへ流れる電流が低減され、電極に印加された高周波電力のロスによる自己バイアスの低下を抑制することができ、上記高周波電力を有効に処理に用いることができ効率的に処理を実施することが可能になるとともに、導電性部材と導電性カバーとが実質的に放電経路を絶縁しているため、上記電流をリークさせることもない。
【００１５】
本発明において、前記導電性部材と前記導電性カバーとの間のインピーダンスは、前記電極と前記導電性カバーとの間のインピーダンスよりも大きいことが好ましい。このように、導電性部材と導電性カバーとの間のインピーダンスが電極と導電性カバーとの間のインピーダンスより大きいと、導電性部材からの接地への電流の流れを低減することが可能になり、基板の外周に導電性部材を配置しても実質的に電極と導電性カバーとの間のインピーダンスがほとんど変化しないように構成できるため、電流のリークを抑制できる。
【００１６】
本発明において、前記処理チャンバは、前記サセプタを収容する処理部と、プラズマを形成可能なプラズマ形成部とを有し、前記プラズマ形成部は絶縁体壁により画成され、前記絶縁体壁の外側に配置され前記絶縁体壁の内側に誘導電磁界を形成する誘導電磁界形成手段とを有することが好ましい。これによれば、プラズマ密度が高いために処理効率が良好で、バイアス電圧が低く被処理体へのダメージが少ない誘導結合プラズマによる処理が可能になる。
【００１７】
なお、上記各手段においては、前記絶縁体壁の内部へプラズマ生成ガスを導入するガス導入手段と、前記処理チャンバの内部を減圧する減圧手段とをさらに設けることが好ましい。
【００１８】
本発明は、被処理体が導電膜である場合に特に効果的である。この場合の処理としては、導電膜の表面に形成された酸化膜を除去する処理が挙げられる。たとえば、金属Ｃｕ，Ｓｉ，Ｔｉ，ＴｉＮ，ＴｉＳｉ，Ｗ，Ｔａ，ＴａＮ，ＷＳｉ，ｐｏｌｙ−Ｓｉなどの表面上の酸化膜が例示される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
次に、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１は、本実施形態のプラズマ処理装置１００の構成を模式的に示す概略構成断面図である。このプラズマ処理装置１００は、処理チャンバ１１０を有し、この処理チャンバ１１０内にサセプタ１２０が配置されている。処理チャンバ１１０には、ガス供給系１４０からプラズマ生成ガスが導入されるとともに、処理チャンバ１１０の底部中央に形成した排気口１１１ｃに排気室１１１Ｂが設けられ、排気室１１１Ｂの側壁に設けた排気管１１６を介した排気手段によって減圧可能に構成されている。
【００２０】
処理チャンバ１１０は、その下方にサセプタ１２０を収容するアルミニウム又はその合金その他の金属などの導電体で構成された処理容器１１１と、この処理容器１１１の上部に配置されたガラス又はセラミック（Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ）などの絶縁体で構成されたベルジャー１１２とで構成されている。処理容器１１１は処理部を構成し、上方のベルジャー１１２はプラズマ形成部を構成する。ベルジャー１１２の外側には誘導コイル１１３が配置される。この誘導コイル１１３には、高周波電源１５１から整合器１５２を介してたとえば４５０ｋＨｚなどの高周波電力が供給されることにより、ベルジャー１１２の内部に誘導電磁界を形成する。処理容器１１１及び誘導コイル１１３は接地されている。
【００２１】
処理容器１１１とベルジャー１１２との間には、環状のガス導入部１１４がＯリング等のシール材で気密に形成されている。このガス導入部１１４は、ガス供給系１４０から供給されたプラズマ生成ガスを処理チャンバ１１０の内部に導入する。ガス供給系１４０は、ガス源１４１（たとえばＡｒガスの供給源），１４２（たとえばＨ２ガスの供給源）から放出される処理ガスをバルブ及び流量計を介して上記ガス導入部１１４に供給する。ガス導入部１１４は、処理チャンバ１１０の周囲に等間隔に複数のガス導入口を有し、ベルジャー１１２の中心に向けて均一にプラズマ生成ガスを放出する。
【００２２】
上記処理容器１１１の側壁には開口１１１ａが設けられ、この開口１１１ａを開閉するゲートバルブ１１５が設けられている。このゲートバルブ１１５は、被処理体（ウエハＷ）を処理チャンバ１１０に対して出し入れする場合に用いる。また、排気管１１６は、図示しない真空ポンプなどの排気装置に接続され、これによって、処理チャンバ１１０の内部を所定の真空度（圧力）、例えば０．１ｍＴｏｒｒ〜１．０Ｔｏｒｒ、に減圧することができるようになっている。
【００２３】
ベルジャー１１２の上部には、下部電極と対向する、接地された導電性の、例えばアルミニウムにアルマイト処理された上部電極１１７が配置されている。この上部電極１１７は、サセプタ１２０に設けられる下部電極の対向電極として働き、プラズマＰの点火時の不具合を回避するとともにプラズマＰの点火を容易にする役割を有する。この上部電極１１７は、例えば樹脂等で構成された緩衝部材を介してベルジャーを押さえて割れないように固定する。
【００２４】
サセプタ１２０には下部電極１２１が設けられている。この下部電極１２１には、高周波電源１５３からたとえば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が整合器１５４を介して供給され、ウエハにバイアス電位を印加するようになっている。また、下部電極１２１内には熱媒体を流通するための媒体流通路１２１ａが設けられている。これによって、サセプタ１２０上の被処理体（ウエハ）Ｗを加熱したり冷却したりすることで基板温度を例えば−２０〜１００℃に制御可能になる。サセプタ１２０には上記媒体流通路１２１ａに限らず、任意の温度制御手段を設けてもよい。たとえば、サセプタ１２０に抵抗加熱式のヒータを内蔵してもよい。
【００２５】
下部電極１２１は、アルミナなどの誘電体１２２によって覆われ、絶縁された状態となっている。この誘電体１２２はサセプタ１２０の支持表面を構成し、この支持表面により上記の被処理体を支持する。また、この誘電体１２２の内部には補助電極１２３が下部電極１２１と絶縁された状態で配置されている。この補助電極１２３には、直流電源１５５から下部電極１２１内に絶縁して配置した配線を介して直流高電圧が印加される。誘電体１２２と補助電極１２３とは静電チャックを構成し、下部電極上に形成される。そして、上記直流高電圧が補助電極１２３に印加されることによって被処理体Ｗが静電力により吸着保持されるようになっている。
【００２６】
下部電極１２１の外周及び下面には石英などで構成される絶縁体１２５が配置されている。また、この絶縁体１２５の外周を覆うように、アルミニウムなどの導電体で構成された導電性カバー１２６が排気室１１１Ｂの底部に気密に配置されている。この導電性カバー１２６は、下部電極１２１に高周波電力が印加された際に処理容器１１１、排気室１１１Ｂとの間の排気空間内でプラズマが形成されないように、導電性カバー１２６に誘導電磁界が形成されて電荷が帯電しても電荷が導電性カバー１２６から接地電位に流れるようにしているので、プラズマが生成されずに、効率的且つ安定的に処理プロセスが行われるようにするためのものである。
【００２７】
サセプタ１２０の上部外縁には、リング状の導電性部材（導電性リング）１２７が配置されている。この導電性部材１２７は、サセプタ１２０上に被処理体Ｗを載置したときに、被処理体Ｗの表面と並置される露出表面を有するものである。導電性部材１２７は誘電体１２２により上記電極１２１に対して絶縁されているとともに、上記絶縁体１２５により、或いは、十分な間隙により、上記導電性カバー１２６に対しても絶縁されている。実際には、導電性部材１２７はその周囲にある電位が供給された全ての部材に対して絶縁されている。換言すれば、導電性部材１２７は特定の電位が供給されていない状態となっている。
【００２８】
導電性部材１２７は環状に構成され、被処理体Ｗを周囲から完全に取り巻くように構成されていることが好ましい。また、導電性部材１２７は、チタン、アルミニウム、ステンレス鋼などの金属や、低抵抗シリコン基板などの導電性を有する各種材料で構成される。好ましくは、導電体が剥離してパーティクル等が生じにくいチタン又はその合金で構成されたもの、或いは、これらのチタン又はその合金でコーティングがなされたものである。
【００２９】
処理チャンバ１２０の外側には、電動モータや流体圧シリンダ等で構成される駆動源１３１が配置され、この駆動源１３１が駆動部材１３２を介して複数の支持ピン１３３を昇降動作させる用に構成されている。支持ピン１３３が上昇すると、被処理体Ｗはサセプタ１２０の支持表面から離間し、上方に持ち上げられる。これらの支持ピン１３３は、サセプタ１２０に対して被処理体Ｗを供給する場合、及び、サセプタ１２０から被処理体Ｗを取り外す場合に、被処理体Ｗを上昇させる。
【００３０】
図２は、本実施形態のプラズマ処理装置１００の主要部の構成を模式的に示す概略構成図である。このプラズマ処理装置１００は、処理容器１１１の上方を覆うように接続されたシールボックス１１９が形成され、その内部に上記ベルジャー１１２及び誘導コイル１１３が収容された構造となっている。このシールボックス１１９は、プラズマの発光（紫外線等）や電磁界を遮断する機能を有するものであり、接地された状態となっている。また、上部電極１１７はシールボックス１１９の上部の部材１１８に支持されている。
【００３１】
以上説明した構成を有するプラズマ処理装置１００においては、ガス供給系１４０からプラズマ生成ガス（たとえばＡｒガスとＨ２ガスとを混合した混合ガス）がガス導入部１１４を介して処理チャンバ１１０内に導入されるとともに、排気室１１１Ｂ及び排気管１１６を介して処理チャンバ１１０の内部が所定圧力（真空度）、例えば０．１ｍＴｏｒｒ〜１．０Ｔｏｒｒに減圧される。この状態で、誘導コイル１１３に高周波電力、例えば１００〜１０００Ｗを印加すると、処理チャンバ１１０のプラズマ形成部（ベルジャー１１２の内部）の被処理体上のプラズマ領域Ｐが形成される。
【００３２】
ここで、サセプタ１２０の電極１２１に高周波電力が供給されると、自己バイアス電圧が発生し、この自己バイアス電圧によってプラズマＰ中のイオンが加速され、被処理体Ｗの表面に衝突し、エッチングが行われる。
【００３３】
このプラズマ処理装置１００において、被処理体Ｗの表面上にある金属や金属酸化物、たとえば、金属Ｃｕ，Ｓｉ，Ｔｉ，ＴｉＮ，ＴｉＳｉ，Ｗ，Ｔａ，ＴａＮ，ＷＳｉ，ｐｏｌｙ−Ｓｉなどの表面上の酸化膜などをエッチングすると、被処理体Ｗから金属が周囲に飛散し、周囲に金属膜を形成する場合があることは前述したとおりである。しかしながら、本実施形態においては、サセプタ１２０の上部外縁に導電性部材１２７が配置され、この導電性部材１２７は被処理体Ｗの表面と並置された露出表面を有することにより、上述の金属膜は主に導電性部材１２７の露出表面上に形成される。
【００３４】
図３は、上記の金属膜Ｍが形成された様子を示す拡大部分断面図である。金属膜Ｍは、被処理体Ｗの外周側にあるサセプタ１２０の上に配置する導電性部材１２７の露出表面が存在しているため、金属膜Ｍの多くは導電性部材１２７の露出表面上に形成される。このため、金属膜Ｍが形成された場合でも、導電性部材１２７と導電性カバー１２６との間の放電経路を充分絶縁する空間１２８が形成されているため、サセプタ１２０の外周部の電磁気的環境にほとんど変化は生じない。また、導電性部材１２７は周囲の部材に対して十分に絶縁されているため、導電性部材１２７を介して電極１２１に供給された高周波電力による電流の流れが生じないので、自己バイアスがドリフトして、装置の処理パワーを浪費してしまうことも少ない。すなわち、本実施形態では、導電性部材１２７を最初から配置しているため、導電性部材１２７の存在に対する電磁気的配慮がなされており、上記金属膜が形成されても電磁気的状況はほとんど変化しないので、従来構造のような放電経路の形成や異常放電が問題となることはほとんどない。
【００３５】
上記の電磁気的配慮の一つは、導電性部材１２７と導電性カバー１２６との間の絶縁性に関するものである。本実施形態において導電性カバー１２６が従来構造と何ら変わりなければ、導電性部材１２７を配置したことによって電極１２１に印加された電力パワーのリークが却って大きくなり、効率的且つ安定的に処理を行うことができなくなる。このため、本実施形態では、導電性カバー１２６と導電性部材１２７との空間１２８を介した距離Ｓを十分に確保している。
【００３６】
特に、本実施形態では、間に誘電体を挟んだ下部電極１２１と導電性カバー１２６との間のインピーダンスＺ１に対して、間に誘電体を挟んだ導電性部材１２７と導電性カバー１２６との間のインピーダンスＺ２が大きくなるように構成してある。これらのインピーダンス値は下部電極１２１に印加される高周波の周波数を基準とする。このようにすることにより、電極１２１に印加された高周波電力による電流が導電性部材１２７を介して流れるのを低減する（実質的になくす）ことができる。換言すれば、導電性部材１２７を設けたことによる電極１２１と導電性カバー１２６との間のインピーダンスの変化がほとんどなくなることにより、放電経路がほとんど形成されなくなる。
【００３７】
なお、導電性カバー１２６と導電性部材１２７との絶縁抵抗（インピーダンス）を十分に確保する方法としては、上記のように両者間の空間１２８を介した距離Ｓを確保する方法の他に、この空間１２８に絶縁体（誘電体）を配置し、その誘電率や形状を設計する方法もある。たとえば、図示点線で示す空間１２８内に誘電体を配置することによって、両者間に配置された絶縁物質（絶縁体１２５（これも誘電体である。）と空間１２８に配置された絶縁体で構成される。）の実質的な誘電率が変化し、当該絶縁物質の形状も変化したことになる。したがって、上記のように空間１２８に絶縁体を配置することにより、両者間のインピーダンスを変化させることができるから、Ｚ１に対してＺ２が大きくなるように設計することも可能になる。このようにすれば、放電経路は形成されず、安定して処理することができる。
【００３８】
また、本実施形態では、サセプタ１２０の上部外縁に導電性部材１２７を配置し、この導電性部材１２７の露出表面が被処理体Ｗの表面と並置されるように構成することにより、サセプタ１２０の電極１２１の表面積を実質的に増大させている。すなわち、電極１２１の換算半径（対象物の面積と等しい面積を有する仮想円の半径）をＤ１とし、導電性部材１２７の外縁形状に相当する換算半径をＤ２とした場合に、電極１２１の表面積がπ・（Ｄ１）２であるのに対して、導電性部材１２７を有する本実施形態のサセプタ１２０に関しては、電極１２１の表面積がπ・（Ｄ２）２になった場合と同様の電磁気的環境が提供される。
【００３９】
図４は、プラズマ処理装置において、サセプタ１２０の電極面積をＡ１，Ａ２とし、自己バイアス電圧をＶ１，Ｖ２としたときのサセプタ１２０の等価回路を簡略化して示すものである。ここで、電極面積Ａ１＝π・（Ｄ１）２であり、電極面積Ａ２＝π（Ｄ２）２であって、Ａ１＜Ａ２となっている。この場合、電極面積と自己バイアス電圧との間には以下の関係が成り立つ。
（Ｖ２／Ｖ１）＝（Ａ１／Ａ２）４  …（１）
【００４０】
すなわち、上記のようにＡ１＜Ａ２であればＶ１＞＞Ｖ２となり、電極面積が増加すると自己バイアス電圧は急激に減少する。したがって、導電性部材１２７が配置されていない場合（すなわち従来構造の場合）には、図４（ａ）に示す装置の初期状態から、処理が進み上記のように金属膜Ｍが被着することによってサセプタの実効的な電極面積が増大していくため、次第に自己バイアス電圧が低下して処理状態が変化していく。これに対して、本実施形態の場合には、当初から導電性部材１２７の存在によって図４（ｂ）に示す状態となっていて、しかも、処理が進んで金属膜Ｍが被着されても実効的な電極面積はほとんど変化しないため、自己バイアス電圧もほとんど変化せず、安定した処理を行うことができる。
【００４１】
なお、本実施形態では、導電性部材１２７をサセプタ１２０に対して着脱自在に構成しておくことによって、導電性部材１２７を容易に交換することが可能になるから、装置のメンテナンスを簡単に行うことが可能になる。
【００４２】
以上説明した実施形態では、プラズマエッチング装置について説明したが、本発明は、プラズマ成膜装置やプラズマアッシング装置などについても同様に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】プラズマ処理装置の概略構成を模式的に示す概略構成断面図。
【図２】プラズマ処理装置の主要部の構成を模式的に示す概略構成図。
【図３】サセプタ外周部の構造を模式的に示す拡大部分断面図。
【図４】プラズマ処理装置のプラズマと下部電極との間の等価回路を示す回路図。
【図５】従来のプラズマ処理装置の構成を示す概略構成断面図。
【符号の説明】
１００…プラズマ処理装置、１１０…処理チャンバ、１１１…処理容器、１１２…ベルジャー、１１３…誘導コイル、１１４…ガス導入部、１２０…サセプタ、１２１…下部電極、１２２…誘電体、１２３…補助電極、１２５…絶縁体、１２６…導電体カバー、１２７…導電性部材
【図１】
2004273974.tif 000003
【図２】
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【図３】
2004273974.tif 000005
【図４】
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【図５】
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