(57)【要約】【課題】ＣＯＦ・ＩＣのキャリアテープの反りに伴う不良を防止する。【解決手段】ＣＯＦ・ＩＣのチップ１０の複数個のバンプ１５の内側エリアには複数個のダミーバンプ１７を突設し、キャリアテープ２０の複数本のインナリード２５の先端の内側エリアには複数個のダミーインナリード２７を敷設し、各ダミーバンプ１７と各ダミーインナリード２７とを正規のバンプ１５と正規のインナリード２５のインナリードボンディング時に同時に熱圧着する。【効果】加熱によるキャリアテープの反りに伴って発生するストレスをダミーバンプとダミーインナリードによって分散して支持できるので、大きなストレスを分散して小さくでき、インナリードとバンプとの接合部が剥離したり、インナリードが断線したり、インナリードとテープ本体との接着界面が剥離したりする不良が発生するの防止できる。【選択図】      図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの複数個の電極パッドがフィルム状のキャリアに敷設された複数本のインナリードに接合されている半導体装置であって、
前記半導体チップにおける前記複数個の電極パッドの内側エリアまたは外側エリアまたは電極パッド間には電気的に非接続のダミーパッドが形成されているとともに、前記キャリアにおける前記複数本のインナリードの先端の内側エリアまたは外側エリアまたはインナリード間には電気的に非接続のダミーインナリードが敷設されており、前記ダミーパッドと前記ダミーインナリードとがダミーバンプによって接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ダミーパッドおよび前記ダミーインナリードは複数が、前記内側エリアまたは外側エリアまたは電極パッド間において均等あるいはランダムに分布するように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ダミーバンプが前記ダミーパッドに予め形成されたものであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記インナリード、ダミーインナリードおよびダミーバンプを樹脂封止する樹脂封止体が成形されていることを特徴とする請求項１、２または３に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体チップの複数個の電極パッドがフィルム状のキャリアに敷設された複数本のインナリードに接合されている半導体装置であって、
前記キャリアにおける前記半導体チップと反対側の主面には電気的に非接続のダミーインナリードが敷設されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置、特に、半導体素子を含む集積回路が作り込まれた半導体チップ（以下、チップという。）の電極パッドにフィルム状のキャリアに敷設されたインナリードがボンディングされた半導体装置に関し、例えば、チップ・オン・フィルム・パッケージ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ  Ｐａｃｋａｇｅ）を備えた半導体集積回路装置（以下、ＣＯＦ・ＩＣという。）に利用して有効なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置のドライバには、フィルム状のキャリアに敷設された複数本のインナリードがチップの複数個の電極パッドにボンディングされたＣＯＦ・ＩＣが、使用されている。
【０００３】
ＣＯＦ・ＩＣの製造方法においてインナリードをチップの電極パッドにボンディングするインナリードボンディング工程を実施するボンディング装置として、多数本のインナリードをチップの多数個の電極パッドにボンディング工具によって一括して接合するインナリードボンディング装置（以下、ダイボンダという。）、がある（例えば、非特許文献１参照）。
【０００４】
【非特許文献１】
「電子材料１９９９年１１月号別冊」，株式会社工業調査会，１９９９年１１月２５日，ｐ．１１５−１２０
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記したダイボンダにおいては、電極パッドおよびインナリードの多ピン化や狭ピッチ化が進むと、加熱によるフィルム状のキャリアの反り（変形）に伴う大きなストレス（機械的な応力）が発生するために、電極パッドとインナリードとの接合部の剥離等の不良が発生するという問題点があることが本発明者によって明らかにされた。
【０００６】
本発明の目的は、キャリアの反りに伴う不良を防止することができる半導体装置を提供することにある。
【０００７】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通りである。
【０００９】
すなわち、半導体チップの複数個の電極パッドがフィルム状のキャリアに敷設された複数本のインナリードに接合されている半導体装置であって、
前記半導体チップにおける前記複数個の電極パッドの内側エリアまたは外側エリアまたは電極パッド間には電気的に非接続のダミーパッドが形成されているとともに、前記キャリアにおける前記複数本のインナリードの先端の内側エリアまたは外側エリアまたはインナリード間には電気的に非接続のダミーインナリードが敷設されており、前記ダミーパッドと前記ダミーインナリードとがダミーバンプによって接合されていることを特徴とする。
【００１０】
前記した手段によれば、フィルム状のキャリアの反りに伴って大きなストレスが発生しても、フィルム状のキャリアの内側エリアまたは外側エリアまたは電極パッド間に配置されたダミーバンプとダミーインナリードとの接合部により、このストレスを分散して受け持つことができるので、キャリアの反りに伴う不良が発生するのを防止することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に即して説明する。
【００１２】
本実施の形態において、本発明に係る半導体装置はＣＯＦ・ＩＣとして構成されており、ＣＯＦ・ＩＣは図１に示されたチップ１０が図２に示されたキャリアテープ２０に図３に示されたダイボンダ３０によってインナリードボンディングされて製造されたものである。以下、ＣＯＦ・ＩＣの製造方法を説明することにより、本実施の形態に係るＣＯＦ・ＩＣの構成を明らかにして行く。
【００１３】
ＣＯＦ・ＩＣの製造方法に使用されるチップ１０は、ＣＯＦ・ＩＣの製造方法における所謂前工程において半導体ウエハの状態で半導体素子を含む集積回路が各チップ部毎に作り込まれた後に、その半導体ウエハが各チップ部毎にダイシングされることにより、図１に示されているように、平面視が正方形の平板形状の小片に切り出されて成る。チップ１０のサブストレート１１のアクティブエリア側主面（以下、第一主面という。）１２には、集積回路を外部に取り出すための電極パッド１３が複数個、四辺において互いに干渉しない適当な間隔をとってそれぞれ配列されて開設されている。チップ１０の第一主面１２の上にはパッシベーション膜１４が、電極パッド（以下、パッドという。）１３をそれぞれ露出させた状態で全体的に均一に被着されている。各パッド１３の上には金系材料（ＡｕまたはＡｕ合金）からなるバンプ１５がそれぞれ突設されている。バンプ１５は金メッキ処理が使用されて薄い平板に形成されており、パッシベーション膜１４から突出した状態になっている。チップ１０の第一主面１２におけるパッド１３群の内側エリアにはチップ１０の集積回路と電気的に接続されていないダミーパッド１６が複数個（本実施の形態においては九個）、内側エリア内において均等に分布するように散在されており、ダミーパッド１６にはダミーバンプ１７がそれぞれ突設されている。ちなみに、ダミーバンプ１７は正規のバンプ１５の成形に際して、同時に成形される。
【００１４】
本実施の形態に係るＣＯＦ・ＩＣの製造方法には、図２に示されたキャリアテープ２０が供給される。キャリアテープ２０はＴＣＰ・ＩＣ（テープ・キャリア・パッケージを備えたＩＣ）の製造方法に使用されるＴＡＢ（テープ・オートメイテッド・ボンディング）テープに相当するものである。キャリアテープ２０は同一パターンが長手方向に繰り返されるように構成されているため、その構成の説明および図示は一単位だけについて行う。
【００１５】
図２に示されているように、キャリアテープ２０はポリイミド樹脂等の絶縁性を有する材料が用いられてテープ形状に形成されたテープ本体２１を備えており、テープ本体２１には多数個の送り孔２２が両端辺に沿うように所定の間隔で配列されている。テープ本体２１の中心線上には仮想的に形成された略正方形のボンディングエリア２３が多数個、所定の間隔をもって配列されており、各ボンディングエリア２３は中心線の一方がテープ本体２１の中心線に一致されている。ボンディングエリア２３の四方には四個のアウタリードホール２４、２４、２４、２４が前後左右対称形にそれぞれ開設されている。テープ本体２１の一方の主面（以下、第一主面とする。）には集積回路を外部に取り出すためのインナリード２５が複数本、互いに電気的に非接続になるように敷設されている。インナリード２５群は複数本宛がボンディングエリア２３の四方に分配されており、四方の各インナリード２５の先端部はボンディングエリア２３に突き出してチップ１０の各バンプ１５と対応するように配列されている。インナリード２５の外側には各アウタリード２６がそれぞれ一体的に形成されており、各アウタリード２６はテープ本体２１の四方のアウタリードホール２４、２４、２４、２４をそれぞれ跨ぐように形成されている。ボンディングエリア２３のインナリード２５群の内側エリアにはダミーインナリード２７が複数個（本実施の形態においては九個）、チップ１０のダミーバンプ１７に対応して内側エリア内において均等に分布するように散在されている。各ダミーインナリード２７はインナリード２５およびアウタリード２６の成形に際して、チップ１０のダミーバンプ１７に対応した大きさの正方形の小片に同時に成形される。図示しないが、インナリード２５、アウタリード２６およびダミーインナリード２７の表面には錫メッキ被膜が部分的または全体的に被着されている。
【００１６】
図３に示されているように、ダイボンダ３０はキャリアテープ２０を一方向に案内する複数個のテープガイド３１を備えており、複数個のテープガイド３１の間に架橋されたキャリアテープ２０は、ピッチ送り装置（図示せず）によって一方向にピッチ送りされるようになっている。所定の位置において隣り合うテープガイド３１、３１の途中にはボンディングステーション３２が設定されており、ボンディングステーション３２にはキャリアテープ２０をクランピングする上クランパ３３Ａおよび下クランパ３３Ｂが設置されている。また、ボンディングステーション３２にはヒートブロック３４が設置されており、ヒートブロック３４の上には第一ボンディング工具３５が設置されている。第一ボンディング工具３５はチップ１０をバンプ１５側が上向きになった状態で保持するように構成されている。ヒートブロック３４は断熱ブロック３６を介してＺテーブル３７に支持されており、Ｚテーブル３７は第一ボンディング工具３５を垂直（Ｚ）方向に昇降させるように構成されている。Ｚテーブル３７はΘテーブル３８に支持されており、Θテーブル３８はＺテーブル３７を水平面内で回転させるように構成されている。Θテーブル３８はＸテーブル３９に支持されており、Ｘテーブル３９はΘテーブル３８を水平面内でキャリアテープ２０の送り方向（Ｙ方向）と直交する方向であるＸ方向に往復移動させるように構成されている。Ｘテーブル３９はＹテーブル４０に支持されており、Ｙテーブル４０はＸテーブル３９を水平面内でキャリアテープ２０の送り方向であるＹ方向に往復移動させるように構成されている。
【００１７】
ボンディングステーション３２の上方には上側Ｙテーブル４１が水平に設置されており、上側Ｙテーブル４１の上には上側Ｘテーブル４２が支持されている。上側Ｙテーブル４１は上側Ｘテーブル４２を水平面内でＹ方向に往復移動させるように構成されている。上側Ｘテーブル４２のボンディングステーション３２に面する側面にはブラケット４３が垂直に支持されており、上側Ｘテーブル４２はブラケット４３を水平面内でＸ方向に往復移動させるように構成されている。ブラケット４３のボンディングステーション３２に面する側面の上端部には、荷重印加装置４４が設置されており、荷重印加装置４４には第二ボンディング工具５１が、ロードセル４５、工具平坦度Θｙ調整部４６、工具平坦度Θｘ調整部４７、工具平坦度Θ調整部４８、断熱部４９および保持部５０を介して連結されている。荷重印加装置４４は送りねじ軸装置によって第二ボンディング工具５１に荷重を印加するように構成されており、ロードセル４５は荷重印加装置４４をフィードバック制御するように構成されている。第二ボンディング工具５１はボンディングエリア２３に対応する長方形の棒形状に形成されており、第二ボンディング工具５１にはヒータ（図示せず）が内蔵されている。図示しないが、ブラケット４３には画像認識装置が垂直方向下向きに設置されている。また、各テーブルや荷重印加装置４４はコントローラによって制御されるように構成されている。
【００１８】
以上の構成に係るダイボンダ３０によるＣＯＦ・ＩＣの製造方法におけるインナリードボンディング工程を説明する。
【００１９】
チップ１０がキャリアテープ２０にインナリードボンディングされるに際して、図３に示されているように、一方のワークであるキャリアテープ２０はインナリード２５側の第一主面が下向きに配置された状態で、複数個のテープガイド３１間に張設されて一方向にピッチ送りされる。他方のワークであるチップ１０はバンプ１５側の第一主面を上向きにした状態で第一ボンディング工具３５に保持される。
【００２０】
キャリアテープ２０が間欠停止されて上クランパ３３Ａと下クランパ３３Ｂとによってクランピングされると、図４（ａ）に示されているように、チップ１０のパッド１３に突設されたバンプ１５がキャリアテープ２０のボンディングエリア２３に対向してインナリード２５の先端部に整合されるとともに、第一ボンディング工具３５が上昇される。
【００２１】
この状態で、第二ボンディング工具５１が荷重印加装置４４によって下降されると、図４（ｂ）に示されているように、各バンプ１５および各ダミーバンプ１７は各インナリード２５の先端部および各ダミーインナリード２７に、第一ボンディング工具３５と第二ボンディング工具５１とによって一括して熱圧着される。すなわち、金系材料から構成されたバンプ１５および各ダミーバンプ１７と、インナリード２５およびダミーインナリード２７の表面に被着された錫メッキ被膜との間において、金−錫共晶層が形成される。この熱圧着により、各パッド１３と各インナリード２５とはバンプ１５によって機械的かつ電気的に接続された状態になる。但し、各ダミーパッド１６と各ダミーインナリード２７とは各ダミーバンプ１７によって機械的に接続された状態になるが、電気的には接続されていない。
【００２２】
第一ボンディング工具３５と第二ボンディング工具５１との協働によるギャングボンディングが終了すると、図４（ｃ）に示されているように、第二ボンディング工具５１は上昇される。続いて、図４（ｄ）に示されているように、第一ボンディング工具３５が下降される。
【００２３】
以降、キャリアテープ２０の各単位毎にインナリードボンディングが、前記作動が繰り返されることにより順次実施されて行く。
【００２４】
インナリードボンディング工程が終了すると、図５に示されているように、キャリアテープ２０にチップ１０がバンプ１５によって機械的かつ電気的に接続された組立体２８が製造されたことになる。すなわち、図５に示されているように、チップ１０のパッド１３に突設されたバンプ１５がキャリアテープ２０のボンディングエリア２３に対向してインナリード２５の先端部に機械的かつ電気的に接続されている。但し、各ダミーパッド１６と各ダミーインナリード２７とは各ダミーバンプ１７によって機械的に接続された状態になるが、電気的には接続されていない。
【００２５】
ところで、ＣＯＦ・ＩＣにおいてパッドおよびインナリードの多ピン化や狭ピッチ化が進むと、インナリード２５およびアウタリード２６がテープ本体２１の片面のみに敷設されていることにより、キャリアテープ２０の厚さ方向において熱膨張差が大きくなるために、キャリアテープ２０に反り（変形）が発生する。すなわち、インナリード２５およびアウタリード２６の熱膨張率はテープ本体２１の熱膨張率よりも大きいために、前述したインナリードボンディングにおいて加熱されると、図６（ａ）に示されている如く、キャリアテープ２０はインナリード２５およびアウタリード２６が敷設された側の主面が出っ張るように反り返る。この反った状態から自然の平坦な状態に戻ると、キャリアテープ２０の反りの上側に位置したインナリード２５とバンプ１５との接合部にはテープ本体２１の弾発力がインナリード２５とバンプ１５とを引き剥がす方向に作用するために、インナリード２５とバンプ１５との接合部が剥離してしまう。インナリード２５とバンプ１５との接合部の接合強度が充分に高い場合には、その接合強度よりも機械的強度の低いインナリード２５が断線したり、インナリード２５とテープ本体２１との接着界面が剥離したりする。
【００２６】
しかし、本実施の形態においては、チップ１０における複数個のバンプ１５の内側エリアには複数個のダミーバンプ１７が均等に分布されて突設されているとともに、キャリアテープ２０における複数本のインナリード２５の先端の内側エリアには複数個のダミーインナリード２７が敷設されており、各ダミーバンプ１７と各ダミーインナリード２７とが正規のバンプ１５と正規のインナリード２５のボンディング時に同時にボンディングされるので、ボンディング時の加熱によってキャリアテープ２０が反り返っても、インナリード２５とバンプ１５との接合部が剥離したり、インナリード２５が断線したり、インナリード２５とテープ本体２１との接着界面が剥離したりする不良が発生するのを防止することができる。すなわち、ボンディング時の加熱によるキャリアテープ２０の反りが大きくなることによって大きなストレス（機械的な応力）が発生しても、図６（ｂ）に示されているように、キャリアテープ２０の内側エリアに配置された複数個のダミーバンプ１７とダミーインナリード２７との接合部のそれぞれによって、このストレスを分散して受け持つことができるので、正規のバンプ１５と正規のインナリード２５との接合部や、各正規のインナリード２５および各インナリード２５とテープ本体２１との接着界面のそれぞれに大きなストレスが作用するのを防止することができ、その結果、インナリード２５とバンプ１５との接合部が剥離したり、インナリード２５が断線したり、インナリード２５とテープ本体２１との接着界面が剥離したりする不良が発生するのを防止することができる。
【００２７】
以上のようにしてインナリードボンディング工程においてチップ１０がキャリアテープ２０にインナリードボンディングされてなる組立体２８は、樹脂封止体成形工程に供給される。樹脂封止体成形工程において、図７で参照されるように、テープ本体２１とチップ１０との合わせ面間にはアンダフィルが充填されることにより、組立体２８には樹脂封止体２９がポッティング法によって成形される。この樹脂封止体成形工程のアンダフィルのテープ本体２１とチップ１０の合わせ面間への充填に際して、テープ本体２１とチップ１０との合わせ面間の隙間はダミーバンプ１７群およびダミーインナリード２７群によって全体的に均一に維持されているので、アンダフィルは気泡や未充填部位を発生することなく、均一かつ完全に充填される。以上のようにして成形された樹脂封止体２９はチップ１０の第一主面、バンプ１５群、インナリード２５群、ダミーバンプ１７群およびダミーインナリード２７群を樹脂封止した状態になるとともに、樹脂封止体２９はテープ本体２１およびチップ１０にそれぞれ接着した状態になっている。
【００２８】
その後に、成形品が左右のアウタリード２６、２６とテープ本体２１の樹脂封止体２９の前後両脇において切断されると、図７に示されたＣＯＦ・ＩＣが製造された状態になる。ＣＯＦ・ＩＣにおいて、チップ１０の上面には複数個のパッド１３が四辺に整列されており、インナリード２５の先端部はボンディングエリア２３においてパッド１３にそれぞれバンプ１５を介してギャングボンディングされて機械的かつ電気的に接続されており、樹脂封止体２９によって樹脂封止されている。樹脂封止体２９の内部にはバンプ１５群およびインナリード２５群と共に、ダミーバンプ１７群およびダミーインナリード２７群が樹脂封止されている。
【００２９】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００３０】
１）  チップ１０における複数個のバンプ１５の内側エリアには複数個のダミーバンプ１７を突設するとともに、キャリアテープ２０における複数本のインナリード２５の先端の内側エリアには複数個のダミーインナリード２７を敷設し、各ダミーバンプ１７と各ダミーインナリード２７とを正規のバンプ１５と正規のインナリード２５のボンディング時に同時にボンディングすることにより、ボンディング時の加熱によってキャリアテープ２０が反り返っても、インナリード２５とバンプ１５との接合部が剥離したり、インナリード２５が断線したり、インナリード２５とテープ本体２１との接着界面が剥離したりする不良が発生するのを防止することができる。
【００３１】
２）  複数個のダミーバンプ１７およびダミーインナリード２７を均等に配置することにより、ボンディング時の加熱によるキャリアテープ２０の反りに伴って発生するストレスを均等に分散して受け持つことができるので、正規のバンプ１５と正規のインナリード２５との接合部の剥離や、各正規のインナリード２５および各インナリード２５とテープ本体２１との接着界面のそれぞれに大きなストレスが作用するのを均等に小さく抑制することができ、その結果、インナリード２５とバンプ１５との接合部が剥離したり、インナリード２５が断線したり、インナリード２５とテープ本体２１との接着界面が剥離したりする不良が発生するのをより一層確実に防止することができる。
【００３２】
３）  テープ本体２１とチップ１０との合わせ面間の隙間をダミーバンプ１７群およびダミーインナリード２７群によって全体的に均一に維持することにより、樹脂封止体成形工程のアンダフィルのテープ本体２１とチップ１０の合わせ面間への充填に際して、アンダフィルを気泡や未充填部位を発生することなく、均一かつ完全に充填させることができるので、チップ１０、バンプ１５群、インナリード２５群、ダミーバンプ１７群およびダミーインナリード２７群を全体にわたって均一かつ確実に樹脂封止することができ、ＣＯＦ・ＩＣの耐湿性を高めることができる。
【００３３】
４）  ＣＯＦ・ＩＣのキャリアテープは所謂フライングインナリードが無いことにより、インナリードの多ピン化や狭ピッチ化が容易であるので、ＣＯＦ・ＩＣの多ピン化や狭ピッチ化およびシュリンク化を促進することができ、また、インナリードの成形や取り扱いの観点から歩留り的に有利であるので、ＣＯＦ・ＩＣの製造コストを低減することができる。
【００３４】
図８は本発明の第二の実施の形態であるＣＯＦ・ＩＣのインナリードボンディング工程後を示しており、（ａ）は一部省略底面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
【００３５】
本実施の形態が前記実施の形態と異なる点は、ダミーインナリード２５Ａ群およびダミーアウタリード２６Ａ群がテープ本体２１の第二主面に敷設されている点である。本実施の形態によれば、キャリアテープ２０の熱膨張が第一主面側と第二主面側とで略等しくなることにより、キャリアテープ２０の反りの発生を殆ど抑止して大きなストレスが発生するのを防止することができるので、インナリード２５とバンプ１５との接合部が剥離したり、インナリード２５が断線したり、インナリード２５とテープ本体２１との接着界面が剥離したりする不良が発生するのを防止することができる。
【００３６】
以上本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００３７】
例えば、ダミーバンプはチップにおける複数個の電極パッドの内側エリアに配置するに限らず、外側エリアや電極パッド間に配置してもよい。ダミーインナリードはキャリアにおける複数本のインナリードの先端の内側エリアに配置するに限らず、外側エリアやインナリード間に配置してもよい。要は補強できればよい。
【００３８】
バンプはチップのパッド側に配設するに限らず、キャリアテープのインナリード側に配設してもよい。また、バンプはメッキ法によって形成するに限らず、ワイヤボンディング法を利用した所謂スタッドバンプ形成法によって形成してもよい。
【００３９】
ＣＯＦ・ＩＣは分断して出荷してもよいし、テープの形態で出荷してもよい。
【００４０】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である液晶表示装置のドライバに使用されるＣＯＦ・ＩＣの製造方法に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、システムＬＳＩのように他の用途に使用されるＣＯＦ・ＩＣ、トランジスタアレーおよび電子部品等の半導体装置全般に適用することができる。
【００４１】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
【００４２】
半導体チップにおける複数個の電極パッドの内側エリアまたは外側エリアまたは電極パッド間には電気的に非接続のダミーパッドを形成するとともに、キャリアにおける複数本のインナリードの先端の内側エリアまたは外側エリアまたはインナリード間には電気的に非接続のダミーインナリードを敷設し、ダミーパッドとダミーインナリードとをダミーバンプによって接合することにより、フィルム状のキャリアの反りに伴う大きなストレスが作用しても、ダミーバンプとダミーインナリードとの接合部により、このストレスを分散して受け持たせることができるので、ストレスによる不良が発生するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態であるＣＯＦ・ＩＣの製造方法に使用されるチップを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う拡大断面図である。
【図２】同じくキャリアテープを示しており、（ａ）は一部省略底面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態であるＣＯＦ・ＩＣの製造方法に使用されるダイボンダを示す正面図である。
【図４】作用を説明するための各拡大正面図であり、（ａ）は整合ステップ、（ｂ）は熱圧着ステップ、（ｃ）は第二ボンディング工具の上昇ステップ、（ｄ）は第一ボンディング工具の下降ステップを示している。
【図５】インナリードボンディング工程後を示しており、（ａ）は一部省略底面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
【図６】キャリアテープの反りによるストレスを説明するための各拡大断面図であり、（ａ）は比較例の場合を示し、（ｂ）は本実施の形態の場合を示している。
【図７】本発明の一実施の形態であるＣＯＦ・ＩＣを示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は一部切断正面図である。
【図８】本発明の第二の実施の形態であるＣＯＦ・ＩＣのインナリードボンディング工程後を示しており、（ａ）は一部省略底面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
【符号の説明】
１０…チップ（半導体チップ）、１１…サブストレート、１２…第一主面（アクティブエリア側主面）、１３…電極パッド、１４…パッシベーション膜、１５…バンプ、１６…ダミーパッド、１７…ダミーバンプ、２０…キャリアテープ、２１…テープ本体、２２…送り孔、２３…ボンディングエリア、２４…アウタリードホール、２５…インナリード、２６…アウタリード、２７…ダミーインナリード、２８…組立体、２９…樹脂封止体、３０…ダイボンダ（ボンディング装置）、３１…テープガイド、３２…ボンディングステーション、３３Ａ…上クランパ、３３Ｂ…下クランパ、３４…ヒートブロック、３５…第一ボンディング工具、３６…断熱ブロック、３７…Ｚテーブル、３８…Θテーブル、３９…Ｘテーブル、４０…Ｙテーブル、４１…上側Ｙテーブル、４２…上側Ｘテーブル、４３…ブラケット、４４…荷重印加装置、４５…ロードセル、４６…工具平坦度Θｙ調整部、４７…Θｘ調整部、４８…Θ調整部、４９…断熱部、５０…保持部、５１…第二ボンディング工具、２５Ａ…ダミーインナリード、２６Ａ…ダミーアウタリード。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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