(57)【要約】【課題】ＩＣウェハの表面に切削屑を付着させ難く、また、切削屑による傷を付けることの少ない、ＩＣウェハの切断装置及びＩＣウェハの切断方法を提供する。【解決手段】ＩＣウェハを固定するＩＣウェハ支持装置と、回転刃を用いて前記ＩＣウェハを切断するダイシング装置と、前記回転刃と前記ＩＣウェハとの冷却および洗浄を行うための冷却洗浄液を蓄積する蓄積槽と、を備えたＩＣウェハの切断装置において、前記ＩＣウェハを、前記冷却洗浄液中に浸漬し且つ前記ＩＣウェハを立てて設置し、切断する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣウェハを支持するＩＣウェハ支持装置と、回転刃を用いて前記ＩＣウェハを切断するダイシング装置と、前記回転刃と前記ＩＣウェハとの冷却および洗浄を行うための冷却洗浄液を蓄積する蓄積槽と、を備えたＩＣウェハの切断装置において、
前記ＩＣウェハ支持装置は、前記ＩＣウェハを立てた状態で支持する縦型の支持装置であり、
前記蓄積槽は、前記立てた状態で支持した前記ＩＣウェハ全体を冷却洗浄液中に浸漬するようになっていることを特徴とするＩＣウェハ切断装置。
【請求項２】
前記冷却洗浄液に前記蓄積槽の槽底部側から開口部側へ向かわせる流れを与える水流付与装置を備えたことを特徴とする請求項１に記載のＩＣウェハ切断装置。
【請求項３】
前記流れの圧力を前記ＩＣウェハの表面に作用させる水圧方向制御装置を備えたことを特徴とする請求項２に記載のＩＣウェハ切断装置。
【請求項４】
前記蓄積槽は、第一の蓄積槽と、該第一の蓄積槽から溢れた前記冷却洗浄液を回収する第二の蓄積槽と、を備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＩＣウェハ切断装置。
【請求項５】
前記冷却洗浄液中に気泡を介在させる気泡発生装置を備えたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＩＣウェハ切断装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載のＩＣウェハ切断装置を用いて、前記ＩＣウェハを切断することを特徴とするＩＣウェハの切断方法。
【請求項７】
請求項６に記載のＩＣウェハの切断方法であって、前記回転刃が前記ＩＣウェハを切断する側での前記回転刃の回転方向と、前記ＩＣウェハを切断するための切削送りの送り方向と、を前記蓄積槽の槽底部側から開口部側へ向かわせて前記ＩＣウェハを切断することを特徴とするＩＣウェハの切断方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ＩＣウェハ切断装置及びＩＣウェハの切断方法に係り、特に、ＩＣウェハ全体を液体中に浸漬させて切断する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ダイシングは、ブレード（回転刃）を回転させながら切削送りを行ってＩＣウェハを切断するダイシング装置によって行われる。このとき、切断した切削屑（シリコン破片）が出るが、これが製品不良等の原因となる場合がある。
つまり、従来この切断工程では、まず、ＩＣウェハの表面（能動面）を水平方向に設置する。そして、ブレードとＩＣウェハの熱を除去しながら切削屑を除去するために冷却洗浄液（通常、純水）をかけながら大気中で切断する。
【０００３】
しかし、この冷却洗浄液をかける勢いによって、尖った切削屑がＩＣウェハの表面に突き刺さるなどして傷を付けてしまい生産歩留まりが低下する場合があった。
また、カメラのセンサなどに用いられるマイクロレンズアレイにおいては、集光レンズ部に切削屑が付着したまま乾燥してしまうと集光レンズの集光率が低下するため製品の品質に大きく影響することになる。
【０００４】
このような問題点に鑑みて、ＩＣウェハ全体を冷却洗浄液の中に浸漬させて切断する方法が知られている（例えば、特許文献１〜３参照。）。
【０００５】
【特許文献１】
特開昭５７−２５４３号公報
【特許文献２】
特開平１１−１１１６４７号公報
【特許文献３】
特開平１１−２６０７６５号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
すなわち、上記特許文献１〜３のいずれかに記載の方法によれば、ＩＣウェハを冷却洗浄液の中に浸漬させて切断しているから、常にＩＣウェハの表面を冷却洗浄液が覆っているため切削屑はＩＣウェハの表面に付着しにくい。しかし、これらの方法は、あくまでＩＣウェハの表面と、切削屑との間に冷却洗浄液を介在させたことによって双方の直接接触の程度を低減させたにすぎず、積極的に切削屑を排除するという機能を具備させたわけではない。
【０００７】
加えて、集積量の増大と生産歩留りの向上の面からＩＣウェハが大径化し、その面積は増大した。そして、そのＩＣウェハを水平方向に設置しているから、製品部分の専有面積の広さに比して切削屑の逃げ場が相対的に無くなっていた。
そのため、これらの方法による切削屑の排除効果は不十分なものとなっていたのである。
【０００８】
この発明は、このような問題点に着目してなされたものである。
すなわち、ＩＣウェハのダイシング工程に際し、ＩＣウェハ設置手段の見直しと、積極的切削屑の排除手段とによってＩＣウェハの表面から切削屑を排除することで、ＩＣウェハの表面に切削屑を付着させ難く、また、切削屑による傷を付けることの少ない、ＩＣウェハ切断装置及びＩＣウェハの切断方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項１に係る発明は、ＩＣウェハを支持するＩＣウェハ支持装置と、回転刃を用いて前記ＩＣウェハを切断するダイシング装置と、前記回転刃と前記ＩＣウェハとの冷却および洗浄を行うための冷却洗浄液を蓄積する蓄積槽と、を備えたＩＣウェハの切断装置において、前記ＩＣウェハ支持装置は、前記ＩＣウェハを立てた状態で支持する縦型の支持装置であり、前記蓄積槽は、前記立てた状態で支持した前記ＩＣウェハ全体を冷却洗浄液中に浸漬するようになっていることを特徴としている。
【００１０】
また、請求項２に係る発明は、請求項１に記載のＩＣウェハ切断装置であって、前記冷却洗浄液に前記蓄積槽の槽底部側から開口部側へ向かわせる流れを与える水流付与装置を備えたことを特徴としている。
また、請求項３に係る発明は、請求項２に記載のＩＣウェハ切断装置であって、前記流れの圧力を前記ＩＣウェハの表面に作用させる水圧方向制御装置を備えたことを特徴としている。
【００１１】
また、請求項４に係る発明は、請求項１〜３のいずれかに記載のＩＣウェハ切断装置であって、前記蓄積槽は、第一の蓄積槽と、該第一の蓄積槽から溢れた前記冷却洗浄液を回収する第二の蓄積槽と、を備えたことを特徴としている。
また、請求項５に係る発明は、請求項１〜４のいずれかに記載のＩＣウェハ切断装置であって、前記冷却洗浄液中に気泡を介在させる気泡発生装置を備えたことを特徴としている。
【００１２】
本発明に係るＩＣウェハの切断装置によれば、前記ＩＣウェハ全体を冷却洗浄液中に浸漬し、且つ、ＩＣウェハを立てて配置することが可能である。したがって、その配置状態でダイシング装置によって切断すれば、ＩＣウェハの切削屑は切削屑自身のもつ浮力によって効果的にＩＣウェハの表面近傍から遠ざかるので、切断部から離脱させることができる。
【００１３】
そして、水流付与装置によって、冷却洗浄液の水流の方向を蓄積槽の槽底部側から開口部側に向かって流れるようにしたので、切削屑自身の浮力に加え、水流の力によって、切削屑をより効果的に蓄積槽の槽底部側から開口部側に浮かびあがらせることができる。
また、水圧方向制御装置によって、冷却洗浄液の流れの圧力をＩＣウェハの表面に作用させることができる。そのため、冷却洗浄液の洗浄作用がＩＣウェハの表面に直接加わるので、ＩＣウェハの切断部から切削屑をより効果的に離脱させることができる。
【００１４】
また、蓄積槽は、第一の蓄積槽と、その第一の蓄積槽から溢れた冷却洗浄液を回収する第二の蓄積槽と、を備えている。そのため、十分に供給された冷却洗浄液を意図的に第一の蓄積槽からオーバーフローさせることによって、さらに迅速に切削屑を排除し、且つ、第一の蓄積槽内の冷却洗浄液の清浄度を保つことができる。加えて、第二の蓄積槽から冷却洗浄液を回収し、濾過装置を通して再処理することによって経済性が向上する。
【００１５】
また、気泡発生装置によって、冷却洗浄液に気泡を介在させることができる。そのため、冷却洗浄液中の気泡に切削屑が包まれるため、より効果的にＩＣウェハ近傍から切削屑を排除することができる。
また、請求項６に係る発明は、ＩＣウェハの切断方法であって、請求項１〜５のいずれかに記載のＩＣウェハ切断装置を用いて、前記ＩＣウェハを切断することを特徴としている。
【００１６】
そして請求項７に係る発明は、請求項６に記載のＩＣウェハの切断方法であって、前記回転刃が前記ＩＣウェハを切断する側での前記回転刃の回転方向と、前記ＩＣウェハを切断するための切削送りの送り方向と、を前記蓄積槽の槽底部側から開口部側へ向かわせて前記ＩＣウェハを切断することを特徴としている。
本発明に係るＩＣウェハの切断方法によれば、請求項１〜５のいずれかに記載のＩＣウェハ切断装置による作用が得られるため、上記各請求項に対応した効果を奏するＩＣウェハの切断方法を提供することができる。
【００１７】
さらに、ＩＣウェハを切断する側での回転刃の回転方向と、切削送りの方向と、を蓄積槽の槽底部側から開口部側に向かわせている。そのため、切削屑自身のもつ浮力の方向と、水流の作用方向と、さらに切削屑を送り出す力と、が相乗効果として切削屑に加わるので、より効果的に切削屑を排除することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
図１は本発明の一実施形態におけるＩＣウェハ１の切断装置を正面方向から一部破断図にて示した、概略説明図である。なお、ＩＣウェハ１は、例えば、従来技術同様に、単結晶シリコンのウェハ表面へ写真技術等を用いて多数の集積回路のパターンを形成したものである。
【００１９】
同図に示すように、このＩＣウェハ切断装置１０は、蓄積槽２０と、ダイシング装置３０と、ＩＣウェハ支持装置４０と、マイクロバブル発生装置５０と、濾過装置６０と、から主に構成されており、それらの各装置は、支持筐体１１の所定位置に配置されている。
支持筐体１１は、通常の精密工作機械と同様の基礎工事がなされた床面９上に設置されている。床面９上には、平面形状が略方形状をした基部１１ａが設置され、その基部１１ａの四隅から、十分な剛性を備えた金属性の支柱１１ｂが４本立ち上げられている。この支柱１１ｂの上側には上枠体１１ｃが、また、支柱１１ｂの下側には下枠体１１ｄが固定されている。この上枠体１１ｃには、ダイシング装置３０と、ＩＣウェハ支持装置４０と、を吊り下げ可能とするビーム１１ｅが必要な数だけ（例えば、４本）取り付けられており、吊下に必要な取り付け孔等が加工されている。また、下枠体１１ｄには、蓄積槽２０を据え付けるための取り付け孔等が加工されている。
【００２０】
蓄積槽２０は、第一の蓄積槽２１と、第二の蓄積槽２４と、からなる２槽式を採用している。
第一の蓄積槽２１は、ＩＣウェハ１と、ダイシング装置３０のブレード３１と、をその内部空間に収容するに十分な口径と深さとを備え、上部に開口し、槽底部２１ａ側から開口部２１ｂ側に向かって拡径した円筒形状の容器である。この第一の蓄積槽２１には、ＩＣウェハ１と、ダイシング装置３０のブレード３１と、を冷却および洗浄するための冷却洗浄液２が満たされている。本発明のＩＣウェハ切断装置１０は、この第一の蓄積槽２１内で、ＩＣウェハ１を冷却洗浄液２に浸漬し、ダイシング装置３０のブレード３１によってＩＣウェハ１を切断する。
【００２１】
第二の蓄積槽２４は、第一の蓄積槽２１の外径よりも一回り大きな内径をもち、上部に開口した円筒形状の容器である。そして、第一の蓄積槽２１から意図的にオーバーフローさせた冷却洗浄液２を流し込むために第一の蓄積槽２１をその槽底部２４ａ上に据え付け且つ取り囲んで、下枠体１１ｄ上に配置されている。なお、蓄積槽２０の槽底部には、後述するマイクロバブル発生装置５０と、濾過装置６０と、の配管をパッキンを介して接続する為の孔が明けられている。
【００２２】
図２は、図１に示したＩＣウェハ支持装置４０の拡大図である。
ＩＣウェハ支持装置４０は、ミクロンオーダの高精度でＸ軸方向とＹ軸方向にテーブル部を移動可能な、いわゆるＸ−Ｙテーブル４１を備えている。このＸ−Ｙテーブル４１は、図１の紙面に対して表裏の方向をＸ方向、上下の方向（重力方向）をＹ方向とした縦型配置としている。すなわち、Ｘ−Ｙテーブル４１の取り付け面４１ａを垂直にして支持筐体１１のビーム１１ｅから吊り下げて、第一の蓄積槽２１内部の所望位置にＩＣウェハー１を配置可能に取り付けられている。
【００２３】
取り付け面４１ａには、バキュームチャックテーブル４４が取り付けられている。このバキュームチャックテーブル４４は、テーブル面４４ａにダイシングフレーム４３を真空発生装置によって真空吸着して保持することができる。ダイシングフレーム４３には、ＩＣウェハ１をダイシングフレーム４３の設置面４３ａにダイシングテープ４２を使用して保持する。
【００２４】
このダイシングテープ４２は、ＩＣウェハー１を確実に保持可能なタック力・粘着力・凝集力の３要素のバランスを保ちつつ凝集力が高く、耐チッピング性に優れたＵＶ硬化型のものを使用している。そのため、ダイシング工程では強い粘着力でＩＣウェハ１を保持し、ダイシング後にはＵＶ照射をすることで簡単にＩＣウェハ１を剥離することができる。
【００２５】
図３は、図１に示したダイシング装置３０の拡大図である。
ダイシング装置３０は、支持筐体１１のビーム１１ｅから吊り下げて、第一の蓄積槽２１の内部の所定位置にブレード３１を設定できるように配置されている（図１参照）。具体的には、ビーム１１ｅの上部にダイシング装置３０の駆動部３２が設置されている。そして、この駆動部３２はビーム１１ｅに沿うように配置された直線軌道レール３３上の支持ブロック３４（スライダー）に取り付けられている。この駆動部３２のベース３５にはダイシング装置３０を直線軌道レール３３上（Ｚ軸方向）で移動させるためのボールねじ３６が取り付けられている。ボールねじ３６は減速機構を介して、移動用モータ３７の出力軸に連結され、Ｚ軸上を移動可能にしている。
【００２６】
このダイシング装置３０のブレード３１（回転刃）は、駆動部３２から吊り下げられた状態で連結されている。具体的には、ブレード３１の従動軸３８のハウジングが駆動部３２の筐体に固定されている。そして、駆動部３２内の駆動モータの出力軸から連結されたタイミングベルトを介してブレード３１側の従動軸に動力が伝えられる。なお、ブレード３１はその全体を冷却洗浄液２中に浸漬するため、ＩＣウェハ１側の一部を除いて保護カバー３９に覆われている。このブレード３１は、例えば、５０〜２００μｍ程度の厚みのダイヤモンドブレードを高速で回転させ、切削送りをかけながらＩＣウェハ１をミクロン精度で切断することができる。
【００２７】
図４は、図１に示したマイクロバブル発生装置５０の拡大図である。
マイクロバブル発生装置５０は、キャビテーションポンプ５１と、旋回加速器５２と、分散器５３と、を備えている。このマイクロバブル発生装置５０から第一の蓄積槽２１の槽底部２１ａにマイクロバブルの送り出しパイプ５４が接続されている。マイクロバブル発生装置５０は、キャビテーションポンプ５１の１次側から気体、例えば、炭酸ガスを吸い込ませ、キャビテーションポンプ５１の吐出口に取り付けた旋回加速器５２によって一定の混合比率とし、送り出しパイプの先端に取り付けた分散器５３によって生じるせん断力でマイクロバブル（気泡）を発生させる気泡発生装置である。
【００２８】
このマイクロバブル発生装置５０によって発生する気泡は、数μｍ〜十数μｍという非常に微細な気泡であり、冷却洗浄液２中での滞留時間が長いため、効果的にＩＣウェハ１表面の切削屑に付着して切削屑を取り込むことができる。そして、この気泡により、冷却洗浄液２中の切削屑を浮上分離させる効果が生じるので洗浄度をより効果的に上げることができる。
【００２９】
ところで、ダイシング時の冷却洗浄液２（純水）がブレード３１の回転で加速され、ＩＣウェハ１に高速で衝突すると、衝突帯電や超音波を発生させることが知られている。すると、静電気の発生により、集積回路のゲート酸化膜が破壊される場合がある。そこで、冷却洗浄液２へ炭酸ガスドーピングを行い、冷却洗浄液２の比抵抗を低下させ、ゲート酸化膜の破壊を防止している。
【００３０】
図５は、図１に示した濾過装置６０の拡大図である。
濾過装置６０は、蓄積槽２０の外部近傍に設置されている。この濾過装置６０は、密閉式のフィルタ６２と、ポンプ体６３と、を内蔵した円筒形の本体部６１を備えている。この本体部６１には、吸水・吐水を行うための二本のパイプが蓄積槽２０のそれぞれに連結されている。すなわち、第一の蓄積槽２１には、その槽底部２１ａに吐水パイプ６４が連結されており、第二の蓄積槽２４には、その槽底部２４ａに吸水パイプ６５が二箇所に連結されている。吐水パイプ６４には、水流の圧力をＩＣウェハの表面に作用させる吐水方向を調整可能なように、水圧方向制御装置が備えられている。具体的には、第一の蓄積槽２１に接続した吐水パイプ６４の先端部分には整流装置２２が、槽底部２１ａには流出案内板２３が、設けられている。
【００３１】
この濾過装置６０は、本体部６１に内蔵されているポンプ体６３によって第二の蓄積槽２４内の冷却洗浄液２を吸水パイプ６５によって吸い上げ、フィルタ６２内部で濾過した後、再び吐水パイプ６４で第一の蓄積槽２１内へ冷却洗浄液２を戻すことによって冷却洗浄液２の清浄度を維持している。そして、整流装置２２と、流出案内板２３と、によって、ＩＣウェハ１の能動面に対する水流の流れる方向、及び、水流によって生じる圧力の相対角度θ１、を適切に調整することが可能になっている。すなわち、水流を蓄積槽の槽底部側から開口部側へ向かわせる水流付与装置としての機能を備えている。そのため、水圧方向制御装置としての整流装置２２と流出案内板２３との働きも加わって、ＩＣウェハ１の切断部分に向けて洗浄力を、より効果的に働くようにすることができる。
【００３２】
なお、濾過装置６０のメンテナンスは定期的に行う。メンテナンスは、濾過装置６０の上部ヘッドを開け、本体部６１内のコンテナに入っている濾材を交換する。
次に、このＩＣウェハ切断装置１０によるＩＣウェハ１の切断方法を、主に図６を参照して説明する。
【００３３】
まず、ＩＣウェハ１をダイシングフレーム４３の所定の設置面にダイシングテープ４２を使用して固定する。
ダイシングフレーム４３に固定したＩＣウェハ１をバキュームチャックテーブル４４の所定位置に、例えば、ロボットによって搬送し、真空吸着によってチャッキングする。サーボモータによってＸ−Ｙテーブル４１を移動させてダイシング工程を行うために必要な第一の蓄積槽２１内の初期位置へＩＣウェハ１を移動させる。そして、第一の蓄積槽２１内の冷却洗浄液２中にＩＣウェハ１を浸漬させる。
【００３４】
次に、マイクロバブル発生装置５０及び、濾過装置６０を、ＩＣウェハ１の浸漬または切断を行うと同時、あるいは、切断に先だって予め作動させる。
そして、予め設定されたダイシングラインにしたがって、ＩＣウェハ１を切断する。この切断の手順は通常の方法と同様に、例えば、制御方式としては、閉ループ方式を採用し、Ｘ、Ｙ、Ｚの３軸を制御する。すなわち、予め設定されているプログラムに従ってダイシング装置３０（Ｚ軸）と、Ｘ−Ｙテーブル４１（Ｘ軸及びＹ軸）とを移動させることによってダイシング装置３０のブレード３１で所望の位置からＩＣウェハ１のダイシングを実行することができる。
【００３５】
なお、ＩＣウェハ１を切断する位置でのブレード３１の回転方向は、図６の矢印Ａに示すように、第一の蓄積槽２１の槽底２１ａ側から開口部２１ｂ側に向かわせている。さらに、切削送りの方向、すなわちＸ−Ｙテーブル４１のＹ軸方向の送り方向を第一の蓄積槽２１の槽底２１ａ側から開口部２１ｂ側に向かわせている。
【００３６】
以上説明したように、本発明のＩＣウェハ切断装置１０によれば、ＩＣウェハ１を冷却洗浄液２中に浸漬し、且つ、ＩＣウェハ１の表面を垂直な方向に設置しているために、ダイシング装置３０によって切断されたＩＣウェハ１の切削屑を、切削屑自身のもつ浮力によって効果的にＩＣウェハ１の表面近傍から遠ざけ、切断部から離脱させることができる。
【００３７】
そして、冷却洗浄液２の水流の方向を第一の蓄積槽２１の槽底部２１ａ側から開口部２１ｂ側に向かって流れるようしたので、切削屑を、自身の浮力に加え、水流の力によって、より効果的に切削屑を浮かびあがらせることができる。
また、冷却洗浄液２の水流の圧力をＩＣウェハ１の表面１ａに作用させるように設置位置に相対角度θ１を付けることによって洗浄作用をＩＣウェハ１の表面１ａに直接加えたので、切削屑を切断部からより効果的に離脱させることができる。
【００３８】
また、十分に供給された冷却洗浄液２を意図的にオーバーフローさせることによって、さらに迅速に切削屑を排除し、冷却洗浄液２の清浄度を保つことができる。
さらにまた、冷却洗浄液２にマイクロバブル（気泡）を介在させたことによって冷却洗浄液２中のマイクロバブルに切削屑が包まれるため、より効果的にＩＣウェハ１近傍から切削屑を排除することができる。
【００３９】
また、切断するブレード３１の回転方向と切削送りの方向とを蓄積槽２０の槽底部側２１ａから開口部側２１ｂに向かわせることによって切削屑自身のもつ浮力の方向と、水流の作用方向との相乗効果に、さらに切削屑を送り出す力が加わるので、より効果的に切削屑を排除することができる。
なお、以上説明した実施形態における本発明のＩＣウェハ切断装置１０は、ＩＣウェハ１の表面を垂直にして切断しているが、この垂直の程度は、必ずしも厳密である必要はなく、切削屑が浮上する方向に対して、ＩＣウェハ１の表面が必要十分な程度に立っていればよい。そして、冷却洗浄液２の作る槽底部２１ａ側から開口部２１ｂ側に向かう水流が強制的に切削屑を排除することができる範囲でＩＣウェハ１の表面を傾けることも可能である。
【００４０】
また、実施形態では、単結晶シリコン基板からなるＩＣウェハ１をダイシングしているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、化合物半導体基板やガラス基板等を切断分離するために使用することも可能である。また、完全に切断分離するためのみではなく、ハーフカットや溝加工にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態における構成を示した概略説明図である。
【図２】図１に示したＩＣウェハ支持装置４０の拡大図である。
【図３】図１に示したダイシング装置３０の拡大図である。
【図４】図１に示したマイクロバブル発生装置５０の拡大図である。
【図５】図１に示した濾過装置６０の拡大図である。
【図６】図１に示した蓄積槽２０部分を拡大図示した説明図である。
【符号の説明】
１    ＩＣウェハ、  ２    冷却洗浄液、  ９    床面、  １０    ＩＣウェハ切断装置、  １１  支持筐体、  ２０  蓄積槽、  ２１  第一の蓄積槽、  ２２  整流装置、  ２３  流出案内板、  ２４  第二の蓄積槽、  ３０  ダイシング装置、  ３１  ブレード（回転刃）、  ４０  半導体ウェハ支持装置、  ４１  Ｘ−Ｙテーブル、  ４２  ダイシングテープ、  ４３  ダイシングフレーム、  ４４  バキュームチャックテーブル、  ５０  マイクロバブル発生装置、  ５１  キャビテーションポンプ、  ５２  旋回加速器、  ５３  分散器、  ６０  濾過装置、  ６１  本体部、  ６２  フィルタ、  ６３  ポンプ体、  ６４  吸水パイプ、  ６５  吐水パイプ、  θ１  （水流とＩＣウェハ表面との）相対角度
【図１】
2004273634.tif 000003
【図２】
2004273634.tif 000004
【図３】
2004273634.tif 000005
【図４】
2004273634.tif 000006
【図５】
2004273634.tif 000007
【図６】
2004273634.tif 000008