(57)【要約】【課題】誘電絶縁層の絶縁耐圧を確保し、半導体装置の動作特性を確保することが可能なキャパシタを提供する。【解決手段】キャパシタ１３を構成する下部電極層２および上部電極層４の双方を、イオンドープ処理が必要なポリシリコン系の半導体ではなく、イオンドープ処理が不要な金属で構成する。上部電極層４を半導体で構成する場合とは異なり、上部電極層４を形成する際に、半導体を形成するために必要なイオンドープ処理が不要になるため、そのイオンドープ処理に起因して誘電絶縁層３にピンホール等の構造欠陥が生じなくなる。これにより、誘電絶縁層３の絶縁耐圧が確保されるため、液晶表示装置の表示画像中において表示欠陥が発生することが防止される。【選択図】    図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、半導体素子と共に並列的に形成されるキャパシタであって、
金属により構成された第１の電極層と、誘電絶縁層と、金属により構成された第２の電極層とがこの順に積層された積層構成を有する
ことを特徴とするキャパシタ。
【請求項２】
前記第１の電極層が、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）またはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）のうちのいずれかの金属により構成されている
ことを特徴とする請求項１記載のキャパシタ。
【請求項３】
前記第２の電極層が、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、チタンとアルミニウムとの積層体（Ｔｉ／Ａｌ）、銀（Ａｇ）またはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）のうちのいずれかの金属により構成されている
ことを特徴とする請求項１記載のキャパシタ。
【請求項４】
前記半導体素子が、液晶を駆動させるための薄膜トランジスタである
ことを特徴とする請求項１記載のキャパシタ。
【請求項５】
前記第１および第２の電極層が、いずれも光透過性の金属により構成されている
ことを特徴とする請求項１記載のキャパシタ。
【請求項６】
基板上に、半導体素子と共に並列的に形成されるキャパシタの製造方法であって、
金属よりなる第１の電極層を成する第１の工程と、
この第１の電極層上に、誘電絶縁層を形成する第２の工程と、
この誘電絶縁層上に、金属よりなる第２の電極層を形成する第３の工程と
を含むことを特徴とするキャパシタの製造方法。
【請求項７】
前記半導体素子が、ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、半導体層と、配線電極層とがこの順に積層された積層構成を有し、
前記第１の工程において、前記第１の電極層と共に前記ゲート電極層を形成し、
前記第２の工程において、前記ゲート絶縁層を含むように前記誘電絶縁層を形成し、
前記第３の工程において、前記第２の電極層と共に前記配線電極層を形成する
ことを特徴とする請求項６記載のキャパシタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば液晶表示装置などの半導体装置に適用されるキャパシタおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶の配向特性の変化を利用して画像を表示する液晶表示装置（ＬＣＤ；Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）が普及している。液晶表示装置としては、例えば、アクティブマトリックス型の駆動機構を有するものが知られており、このアクティブマトリックス型の液晶表示装置は、マトリックス状に配列された複数の液晶表示素子（以下、単に「表示素子」という。）を備えている。この表示素子は、詳細には、液晶と、この液晶を駆動させるためのスイッチング用のトランジスタと、電荷を保持して液晶の駆動状態を補償するためのキャパシタとを含んで構成されている。キャパシタは、一般的に、スイッチング用のトランジスタとほぼ同様の積層構成を有しており、基板上にトランジスタと並列的に形成されている。
【０００３】
図６は、従来のキャパシタ１１３の概略断面構成を表している。このキャパシタ１１３は、例えば、単位容量が大きく、かつ保持特性に優れた表示素子を製造するために設計されたものであり、ガラスなどの光透過性の基板１０１上に、下部電極層１０２と、誘電絶縁層１０３と、上部電極層１０４とがこの順に積層された積層構成を有している。下部電極層１０２は、モリブデン（Ｍｏ）などの金属により構成されており、上部電極層１０４は、イオンドープ処理が施されたポリシリコンなどの半導体により構成されている。誘電絶縁層１０３は、酸化珪素（ＳｉＯ２  ）層と窒化珪素（ＳｉＮ）層との積層構成を有している。このキャパシタ１１３は、基板１０１上に、下部電極層１０２と、誘電絶縁層１０３と、上部電極層１０４になるポリシリコン層とがこの順に積層されたのち、このポリシリコン層に対してインピーダンスを低下させるためにイオンドープ処理が施され、低インピーダンスの上部電極層１０４が形成されることにより、製造されている。
【０００４】
なお、従来のキャパシタの構成としては、図６に示した構成以外に、例えば、イオンドープ処理が施されたポリシリコンなどの半導体により下部電極層が構成され、かつアルミニウム系の金属により上部電極層が構成されたものも知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−２９０１７１号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、液晶表示装置の表示特性を確保するためには、例えば、キャパシタ１１３を正常に動作させるために、誘電絶縁層１０３の絶縁耐圧を確保する必要がある。しかしながら、従来の液晶表示装置では、以下の理由により、キャパシタ１１３の製造プロセス上の要因に起因して誘電絶縁層１０３の絶縁耐圧が劣化するため、表示特性を確保することが困難になるおそれがあるという問題があった。
【０００７】
すなわち、上記したように、従来のキャパシタ１１３の製造工程では、上部電極層１０４を形成するためにポリシリコン層に対してイオンドープ処理が施されるが、このイオンドープ処理の際、ドープイオンの一部がポリシリコン層を貫通して誘電絶縁層１０３に到達すると（イオントラップ）、不要なドープイオンの存在に起因して誘電絶縁層１０３にピンホール等の構造欠陥が生じ、その誘電絶縁層１０３の絶縁耐圧が劣化する場合がある。誘電絶縁層１０３の絶縁耐圧が劣化すると、その誘電絶縁層１０３中をリーク電流が流れるため、このリーク電流に起因して表示画像中に表示欠陥が生じてしまう。したがって、液晶表示装置の表示特性を確保することが困難になるのである。以上の理由により、液晶表示装置の表示特性を確保するために、誘電絶縁層１０３の絶縁耐圧を確保し得る技術の確立が望まれている。この場合、液晶表示装置の生産性を考慮すれば、可能な限り既存の製造プロセスを変更せず、かつ新たな製造プロセスを必要とせずに液晶表示装置を容易に製造し得ることも重要である。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、誘電絶縁層の絶縁耐圧を確保し、半導体装置の動作特性を確保することが可能なキャパシタを提供することにある。
【０００９】
また、本発明の第２の目的は、既存の製造プロセスを使用して、動作特性が確保された半導体装置を容易に製造することが可能なキャパシタの製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明によるキャパシタは、基板上に、半導体素子と共に並列的に形成されるものであり、金属により構成された第１の電極層と、誘電絶縁層と、金属により構成された第２の電極層とがこの順に積層された積層構成を有するようにしたものである。
【００１１】
本発明によるキャパシタの製造方法は、基板上に、半導体素子と共に並列的に形成されるキャパシタを製造する方法であり、金属よりなる第１の電極層を成する第１の工程と、この第１の電極層上に、誘電絶縁層を形成する第２の工程と、この誘電絶縁層上に、金属よりなる第２の電極層を形成する第３の工程とを含むようにしたものである。
【００１２】
本発明によるキャパシタまたはその製造方法では、イオンドープ処理が必要な半導体ではなく、イオンドープ処理が不要な金属により第１および第２の電極層の双方が構成されるため、第２の電極層を形成する際に、半導体を形成するために必要なイオンドープ処理が不要になる。これにより、誘電絶縁層がイオンドープ処理に起因する悪影響を受けなくなる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
まず、本発明の一実施の形態に係るキャパシタを備えた液晶表示装置の構成について説明する。図１は液晶表示装置の回路構成を表し、図２は図１に示した液晶表示装置の一部を拡大して模式的に表している。
【００１５】
この液晶表示装置は、アクティブマトリックス型の駆動機構を有するものであり、マトリックス状に配列された複数の液晶表示素子（以下、単に「表示素子」という。）１０を備えている。この表示素子１０は、表示画像中の画素単位を構成するものであり、液晶１１と、トランジスタ１２と、キャパシタ（保持容量）１３とを含んで構成されている。各表示素子１０は、動作用の複数の信号線、すなわちゲート線２１、データ線２２およびキャパシタ線２３と接続されており、これらの信号線２１〜２３を利用して選択的に動作可能になっている。
【００１６】
液晶１１は、液晶の配向特性の変化を利用して実質的に画素を構成するものである。トランジスタ１２は、液晶１１を駆動させるためのスイッチング素子であり、例えば、ＭＯＳ−ＴＦＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）により構成されている。キャパシタ１３は、電荷を保持して液晶１１の駆動状態を補償するためのものである。
【００１７】
次に、図３を参照して、液晶表示装置の具体的な構成について簡単に説明する。図３は、液晶表示装置の概略断面構成を表している。
【００１８】
この液晶表示装置は、主に、ガラスなどの光透過性の２つの基板１，３４の間に、トランジスタ１２およびキャパシタ１３と、層間絶縁層３１と、画素電極層３２と、液晶１１と、対向電極層３３とがこの順に積層された構成を有している。
【００１９】
トランジスタ１２は、ゲート電極層５と、ゲート絶縁層として機能する誘電絶縁層３と、半導体層６と、２つの配線電極層７Ａ，７Ｂとがこの順に積層された積層構成を有している。２つの配線電極層７Ａ，７Ｂは、半導体層６の一部を構成するコンタクト領域に接続されている。キャパシタ１３は、下部電極層２と、誘電絶縁層３と、上部電極層４とがこの順に積層された積層構成を有している。これらのトランジスタ１２およびキャパシタ１３は、液晶表示装置の製造過程において、基板１上に並列的に形成されるものである。
【００２０】
なお、この液晶表示装置は、上記した一連の構成要素と共に、図示しない他の構成要素を含んで構成されている。この「他の構成要素」としては、例えば、液晶１１を配向させるために画素電極層３２や対向電極層３３に隣接して配設されたポリイミド製の配向膜などが挙げられる。
【００２１】
次に、図４を参照して、キャパシタ１３の詳細な構成について説明する。図４は、キャパシタ１３の概略断面構成を拡大して模式的に表している。
【００２２】
このキャパシタ１３は、上記したように、金属により構成された下部電極層２と、誘電絶縁層３と、金属により構成された上部電極層４とがこの順に積層された積層構成を有している。
【００２３】
下部電極層２は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）などの金属薄膜や、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの金属化合物薄膜により構成されている。
【００２４】
誘電絶縁層３は、キャパシタ１３と並列的に形成されるトランジスタ１２においてはゲート絶縁層として機能するものであり、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ２  ）層と窒化珪素（ＳｉＮ）層とがこの順に積層された積層構成を有している。誘電絶縁層３の厚さは自由に設定可能であり、その誘電絶縁層３の厚さを調整することにより容量を制御することが可能になっている。
【００２５】
上部電極層４は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）または銀（Ａｇ）などの金属薄膜や、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの金属化合物薄膜により構成されている。特に、例えば、誘電絶縁層３と上部電極層４との間にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明電極層（図示せず）が設けられる場合には、その透明電極層と上部電極層４との相性を考慮して、チタン層とアルミニウム層とがこの順に積層された積層構成（Ｔｉ／Ａｌ）を有するように上部電極層４が構成される場合もある。この場合、チタン層は、透明電極層に対するバリア層として機能する。
【００２６】
この液晶表示装置では、ゲート線２１、データ線２２およびキャパシタ線２３を利用してトランジスタ１２が通電されると、このトランジスタ１２のスイッチング動作に基づいて液晶１１が駆動することにより、その液晶１１の配向特性の変化を利用して画像が表示される。この際、キャパシタ１３において電荷が保持されることにより、液晶１１の駆動状態が補償される。
【００２７】
次に、図１〜図４を参照して、本発明のキャパシタの製造方法が適用される液晶表示装置の要部の製造方法について説明する。
【００２８】
この液晶表示装置の要部、すなわち液晶１１を駆動させるためのトランジスタ１２およびキャパシタ１３は、既存の製造プロセスを使用して基板１上に並列的に形成される。すなわち、まず、基体１上に、下部電極層２と共にゲート電極層５を同一工程において形成する。続いて、ゲート絶縁層を含むように誘電絶縁層３を全体に形成する。最後に、半導体層６を形成したのち、上部電極層４と共に２つの配線電極層７Ａ，７Ｂを同一工程において形成する。これにより、下部電極層２と、誘電絶縁層３と、上部電極層４とがこの順に積層された積層構成を有するキャパシタ１３が完成すると共に、ゲート電極層５と、ゲート絶縁層として機能する誘電絶縁層３と、半導体層６と、２つの配線電極層７Ａ，７Ｂとがこの順に積層された積層構成を有するトランジスタ１２が完成する。
【００２９】
本実施の形態に係る液晶表示装置では、下部電極層２および上部電極層４の双方を金属で構成するようにしたので、以下の理由により、従来の液晶表示装置とは異なり、キャパシタ１３を構成する誘電絶縁層３の絶縁耐圧を確保し、液晶表示装置の表示特性を確保することができる。
【００３０】
すなわち、従来の液晶表示装置（図６参照）では、上記した「発明が解決しようとする課題」の項において説明したように、キャパシタ１１３を構成する上部電極層１０４をポリシリコン系の半導体で構成していたので、イオンドープ処理の際に生じるピンホール等の構造欠陥に起因して誘電絶縁層１０３の絶縁耐圧が劣化し、表示欠陥が発生するおそれがあった。
【００３１】
これに対して、本実施の形態では、イオンドープ処理が必要なポリシリコン系の半導体ではなく、イオンドープ処理が不要な金属で下部電極層２および上部電極層４の双方を構成しているため、上部電極層４を形成する際に、半導体を形成するために必要なイオンドープ処理が不要になる。この場合には、イオンドープ処理を要する従来の場合とは異なり、イオンドープ処理に起因して誘電絶縁層３にピンホール等の構造欠陥が生じないため、その誘電絶縁層３の絶縁耐圧が確保され、表示欠陥の発生が防止される。しかも、この場合には、誘電絶縁層３の厚さを調整すれば、容量を制御し得る。したがって、本実施の形態では、液晶表示装置の表示特性を確保することが可能になるのである。なお、補足して説明すれば、上記したようにイオンドープ処理が不要となるのは、キャパシタ１３を構成する上部電極層４の形成工程に限ってのことであり、液晶表示装置全体の製造工程では、キャパシタ１３以外の他の構成要素（例えばトランジスタ１２の半導体層６）の形成工程において必要に応じてイオンドープ処理が行われ得ることは言うまでもない。
【００３２】
また、本実施の形態では、下部電極層２および上部電極層４の双方を金属で構成したことにより、下部電極層１０２または上部電極層１０４のいずれか一方がポリシリコン系の半導体で構成されていた従来の場合と異なり、ＣＲ（Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）時定数に基づくキャパシタ１３の駆動周波数制限を解消することもできる。
【００３３】
また、本実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法では、キャパシタ１３を形成するために既存の製造プロセスを変更することなく、かつ新たな製造プロセスも必要としないため、既存の製造プロセスのみを使用して液晶表示装置を製造することが可能である。したがって、本実施の形態では、表示特性を確保可能な液晶表示装置を容易に製造することができる。
【００３４】
また、本実施の形態では、キャパシタ１３とトランジスタ１２とを基体１上に形成する際に、下部電極層２とゲート電極層５とを同一工程において形成すると共に上部電極層４と配線電極層７Ａ，７Ｂとを同一工程において形成し、かつゲート絶縁層としても機能する誘電絶縁層３をキャパシタ１３とトランジスタ１２とで共用されるように形成しているので、下部電極層２および上部電極層４の双方が金属で構成された特徴的な構成を有するキャパシタ１３を形成するために、新たな工程を要しない。したがって、製造工程数を増加させることなくキャパシタ１３を形成することが可能なため、この観点においても液晶表示装置の製造容易化に寄与することができる。
【００３５】
また、本実施の形態では、トランジスタ１２の配線電極層７Ａ，７Ｂと同一工程において、キャパシタ１３の上部電極層４を形成するようにしたので、以下の理由により、この観点においても誘電絶縁層３の絶縁耐圧の確保に寄与することができる。
【００３６】
すなわち、従来の液晶表示装置の製造工程では、本実施の形態において説明した場合と同様にトランジスタの半導体層とキャパシタ１１３の上部電極層１０４とを同一の材料で形成するようにすれば、これらの半導体層と上部電極層１０４とを同一工程において形成することが可能になる。しかしながら、この場合には、上部電極層１０４が形成されたのち、この上部電極層１０４上に、液晶表示装置を構成するトランジスタやキャパシタ１１３以外の他の複数の構成要素、具体的には、抵抗、能動デバイス（ダイオード等）および配線などが形成されることとなるため、これらの他の複数の構成要素を形成する際に、誘電絶縁層１０３にピンホール等の構造欠陥が生じる場合がある。なぜなら、例えば、他の複数の構成要素を形成するための後工程の中に、誘電絶縁層１０３の構成材料と同一の材料をエッチングする工程が含まれていると、その後工程のエッチング処理の影響が誘電絶縁層１０３まで及び、その誘電絶縁層１０３が意図せずにエッチングされ得るからである。
【００３７】
これに対して、本実施の形態では、トランジスタ１２の半導体層６ではなく、２つの配線電極層７Ａ，７Ｂと同一工程において上部電極層４を形成しているため、半導体層６の形成工程よりも後の工程において上部電極層４を形成することが可能になる。この場合には、従来の場合と比較して、上部電極層４の形成工程以降の工程の数が少なくなるため、誘電絶縁層３にピンホール等の構造欠陥を生じさせ得るエッチング工程が上部電極層４の形成工程よりも前に行われる可能性が小さくなる。したがって、本実施の形態では、この観点においても誘電絶縁層３の絶縁耐圧の確保に寄与することが可能になるのである。
【００３８】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。
【００３９】
具体的には、例えば、上記実施の形態では、キャパシタ１３を構成する下部電極層２および上部電極層４をいずれも非光透過性の金属で構成するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、図５に示したように、下部電極層２および上部電極層４の双方を光透過性の金属、具体的にはＩＴＯなどの透明電極材料で構成するようにしてもよい。この構成のキャパシタ１３を備えた液晶表示装置では、以下の理由により、上記実施の形態の場合よりも表示機構の適用範囲を広げることができる。
【００４０】
すなわち、上記実施の形態において説明したキャパシタ１３（図４参照）を備えた液晶表示装置は、誘電絶縁層３の絶縁耐圧を確保して表示特性を確保することが可能な一方で、キャパシタ１３がトランジスタ１２と並列的に形成されることに起因して、トランジスタ１２の設計仕様に基づいて誘電絶縁層３の厚さが決定されると、十分な容量が得られなくなる可能性がある。この場合には、容量を確保するためにキャパシタ１３の面積を増加させればよいが、キャパシタ１３の面積を増加させると、図４に示したように、非光透過性の下部電極層２や上部電極層４の存在に起因して画像表示用の光（以下、単に「光」という。）Ｌの透過領域が狭まるため、開口率が低下してしまう。したがって、上記実施の形態において説明した液晶表示装置の適用可能な表示機構は、光反射型に限定され得る。
【００４１】
この点に関して、図５に示したように、下部電極層２および上部電極層４の双方を透明電極材料で構成すれば、上記実施の形態の場合とは異なり、トランジスタ１２の構成要素と並列的に形成し得ない構成要素、すなわち透明電極材料よりなる下部電極層２を形成する工程が増えるものの、光Ｌが下部電極層２や上部電極層４を透過することが可能になり、光Ｌの透過領域が広がるため、開口率が向上する。したがって、図５に示した液晶表示装置の適用可能な表示機構は、光反射型に限らず、光透過型にまで広がるのである。
【００４２】
また、例えば、上記実施の形態では、本発明を液晶表示装置に適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、この液晶表示装置と同様にキャパシタ１３を備えるか、あるいはキャパシタ１３を備え得る他の半導体装置に本発明を適用するようにしてもよい。この「他の半導体装置」としては、例えば、電気泳動型の表示機構を有する表示装置などの他の各種表示装置や、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ−ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ  ）や、メモリなどが挙げられる。これらの他の半導体装置に本発明を適用した場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のキャパシタによれば、第１および第２の電極層の双方を金属で構成するようにしたので、第２の電極層を形成する際に、半導体を形成するために必要なイオンドープ処理が不要になる。これにより、イオンドープ処理の影響を受けて誘電絶縁層にピンホール等の構造欠陥が生じないため、その誘電絶縁層の絶縁耐圧が確保される。しかも、第１および第２の電極層の双方が金属により構成されているため、第１および第２の電極層のうちのいずれか一方が半導体で構成されていた従来の場合と異なり、ＣＲ時定数に基づく駆動周波数制限が解消される。したがって、本発明のキャパシタおよびそのキャパシタを備えた半導体装置の動作特性を確保することができる。
【００４４】
また、請求項６に記載のキャパシタの製造方法によれば、第１の電極層、誘電絶縁層および第２の電極層を形成するために既存の製造プロセスしか使用しないため、本発明のキャパシタを製造する際に既存の製造プロセスを変更する必要がなく、かつ新たな製造プロセスを必要とすることもない。したがって、既存製造プロセスを使用して、動作特性が確保された本発明のキャパシタおよびそのキャパシタを備えた半導体装置を容易に製造することができる。
【００４５】
また、上記の他、請求項４に記載のキャパシタによれば、半導体素子を、液晶を駆動させるための薄膜トランジスタとしたので、上記したキャパシタの特徴的な構成に基づく作用により、誘電絶縁層の絶縁耐圧が確保され、液晶表示装置の表示欠陥の発生が防止される。したがって、液晶表示装置の表示性能を確保することができる。
【００４６】
また、請求項５に記載のキャパシタによれば、第１および第２の電極層の双方を光透過性の金属で構成するようにしたので、第１および第２の電極層の一方または双方を非光透過性の金属で構成した場合とは異なり、光の透過領域が広がる。したがって、例えば、本発明のキャパシタを液晶表示装置に適用すれば、その開口率が向上するため、液晶表示装置の適用可能なな表示機構を光反射型だけでなく光透過型にまで広げることができる。
【００４７】
また、請求項７に記載のキャパシタの製造方法によれば、キャパシタを構成する第１の電極層、誘電絶縁層および第２の電極層を、半導体素子を構成するゲート電極層、ゲート絶縁層および配線電極層とそれぞれ同一工程において形成するようにしたので、本発明のキャパシタを形成するために新たな工程を要しない。したがって、製造工程数を増加させることなくキャパシタを形成することが可能なため、この観点においても液晶表示装置の製造容易化に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る液晶表示装置の回路構成を表す回路図である。
【図２】図１に示した液晶表示装置の一部を拡大して模式的に表す図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る液晶表示装置の概略断面構成を表す断面図である。
【図４】図３に示したキャパシタの概略断面構成を拡大して模式的に表す断面図である。
【図５】キャパシタの構成に関する変形例を表す断面図である。
【図６】従来のキャパシタの概略断面構成を表す断面図である。
【符号の説明】
１，３４…基板、２…下部電極層、３…誘電絶縁層（ゲート絶縁層）、４…上部電極層、５…ゲート電極層、６…半導体層、１０…表示素子、１１…液晶、１２…トランジスタ、１３…キャパシタ、２１…ゲート線、２２…データ線、２３…キャパシタ線、３１…層間絶縁層、３２…画素電極層、３３…対向電極層、Ｌ…光。
【図１】
2004247501.tif 000003
【図２】
2004247501.tif 000004
【図３】
2004247501.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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