(57)【要約】【課題】再生層の磁壁移動により記録情報の読み出しを行う光磁気記録媒体において、グルーブ側壁部の磁気的分離をより確実に行う光磁気記録媒体の製法を提供し、これにより、記録再生特性の良好な光磁気記録媒体を提供する。【解決手段】グルーブ１２を有する基体１上に少なくとも磁性層より成る再生層及び記録層が成膜され、再生層の磁壁移動により記録情報の再生がなされる光磁気記録媒体の製造方法であって、ランド１１及びグルーブ１２が形成された基体１上に、少なくとも再生層及び記録層を被着した後、隣接するランド１１及びグルーブ１２の間の側壁部１３のみにレーザ光Ｌ１  を照射する第１のアニール工程と、この第１のアニール工程におけるレーザ光のスポット径に比して大なるスポット径をもって、隣接する側壁部１３と、この側壁部１３に挟まれたランド１１を含む領域に、外部磁界Ｈｅｘを印加しながらレーザ光Ｌ２  を照射する第２の着磁アニール工程とを有する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
グルーブを有する基体上に少なくとも磁性層より成る再生層及び記録層が成膜され、上記再生層の磁壁移動により記録情報の再生がなされる光磁気記録媒体の製造方法であって、
ランド及びグルーブが形成された基体上に、少なくとも再生層及び記録層を被着した後、
隣接する上記ランド及びグルーブの間の側壁部のみにレーザを照射する第１のアニール工程と、
上記第１のアニール工程における上記レーザのスポット径に比して大なるスポット径をもって、隣接する上記側壁部と、該側壁部に挟まれた上記ランドを含む領域に、外部磁界を印加しながらレーザ光を照射する第２の着磁アニール工程とを有することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基体上に少なくとも再生層及び記録層が成膜され、再生層の磁壁移動により記録情報の再生がなされる光磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
書き換え可能な光記録媒体として、記録情報に対応した磁区による記録マークを磁性薄膜に書き込んで、磁気光学効果を用いてこの情報を読み出す光磁気記録媒体が各種実用化されている。
このような光磁気記録媒体において、その高記録密度化、大容量化を図る方法としてはさまざまな方法が提案されているが、その一つが、光学的回折限界を超えた超解像再生を行うＭＳＲ（Ｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙ  Ｓｕｐｅｒ  Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ  ）方式であり、各種のＭＳＲ方式が提案されている。
【０００３】
例えば、基体上に再生層、記録層等より成る磁性層を成膜して、再生時には、記録層に記録された記録マークを再生層に転写するとともに、再生用光のスポット内の温度分布を利用して、再生層の磁壁移動度が大となる領域が形成されるようにして、再生用光のスポット径に比して小さい記録マークを、再生層の磁区の磁壁移動によって拡大して読み出すことによって、光学的回折限界を超えて読み出すＤＷＤＤ（Ｄｏｍａｉｎ  Ｗａｌｌ  Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ  ）方式が提案されている（例えば特許文献１参照。）。
【０００４】
このＤＷＤＤ方式による光磁気記録媒体においては、記録マークの磁区の磁壁移動による読み出しを行うことから、特に基体上に設けられた案内溝、いわゆるグルーブ上と、グルーブ間にはさまれたいわゆるランド上に情報が記録されるランドグルーブ記録方式を採る場合、隣接する記録トラック間の領域は案内溝の側壁部となり、この側壁部における磁気的分離が記録再生特性に影響する。
【０００５】
このような問題に鑑みて、例えば、隣り合う記録トラック間のグルーブの側壁部にレーザ等によるアニールを行い、隣接するトラック間の磁性層を非磁性化、或いはこの部分を面内磁化膜化することによって、磁気的分離を良好に行う方法が提案されている（例えば特許文献２参照。）。
【０００６】
【特許文献１】
特許第３３３２４５８号公報
【特許文献２】
特開平０８−  １４７７７７号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述のいわゆるＤＷＤＤ方式による光磁気記録媒体のような、再生層の磁壁移動により記録情報の読み出しを行う光磁気記録媒体において、グルーブ側壁部の磁気的分離をより確実に行う光磁気記録媒体の製法を提供し、これにより、記録再生特性の良好な光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、グルーブを有する基体上に少なくとも磁性層より成る再生層及び記録層が成膜され、再生層の磁壁移動により記録情報の再生がなされる光磁気記録媒体の製造方法であって、ランド及びグルーブが形成された基体上に、少なくとも再生層及び記録層を被着した後、隣接するランド及びグルーブの間の側壁部のみにレーザ光を照射する第１のアニール工程と、この第１のアニール工程におけるレーザ光のスポット径に比して大なるスポット径をもって、隣接する側壁部と、この側壁部に挟まれたランドを含む領域に、外部磁界を印加しながらレーザ光を照射する第２の着磁アニール工程とを有する。
【０００９】
上述したように、本発明においては、グルーブの側壁部にレーザ光を照射する第１のアニールを行った後、外部磁界を印加しながら隣接する側壁部と、この側壁部の間のランドを含む領域にレーザ光を照射する第２の着磁アニールを行うものである。
【００１０】
このような本発明製造方法による場合、後段の発明の実施の形態において詳細に説明するように、側壁部に、外部磁界を印加せずにアニールを行う前述の従来の製造方法による場合と比較して、記録再生特性を向上させることができた。
【００１１】
これは、アニールにより側壁部を非磁性化或いは面内磁化膜化するのみでなく、第２の着磁アニール時の外部磁界の印加によって、アニール箇所を一方向に着磁することによって、いわばこの側壁部の磁区の形状を揃え、これによりランドとグルーブとの間の側壁部のみを確実に非磁性化または面内磁化膜化して、記録再生時のランド上またはグルーブ上の記録マークの磁壁移動がスムーズに行われ、ビットエラーの低減等に効果があるものと思われる。
【００１２】
したがって、このような本発明製造方法によれば、アニール工程を１回増加させるという、簡単な製造工程の変更のみによって、従来に比して記録再生特性の良好な光磁気記録媒体を提供することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による光磁気記録媒体の製造方法の一実施の形態について説明するが、本発明は以下の例に限定されること無く、種々の変形、変更が可能である。
【００１４】
図１Ａ及びＢにおいては、本発明による光磁気記録媒体の製造方法の一例におけるアニール工程を示す。なお、このアニール工程の前後の製造工程は、従来の各種の光磁気記録媒体の製造方法を用いることができることはいうまでもない。
【００１５】
すなわち、例えばガラスより成る原盤用基板上にフォトレジスト等の感光層を被着した後、レーザカッティング装置等による光学記録及び現像を施すことによって、所定のトラックピッチ及び深さのグルーブパターンが形成されたいわゆるガラス原盤を製造し、このガラス原盤上に、電鋳装置により鍍金を施して剥離して、基板成型用のスタンパを製造する。そしてこのスタンパにポリカーボネート（ＰＣ）等の樹脂を射出成形するか、または例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の紫外線硬化樹脂等のシートを押圧して紫外線を照射して硬化させるいわゆる２Ｐ（Ｐｈｏｔｏ−Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）法等により、所定のトラックピッチ及び深さのグルーブを有する光磁気記録媒体用の基体を製造する。
【００１６】
そしてこの基体上に、例えば誘電体層、再生層、中間層、記録層及び誘電体層をスパッタリング等により成膜し、更に例えば紫外線硬化樹脂等より成る保護膜をスピンコート法等により被着して、光磁気記録媒体を形成することができる。
ここで、上述の再生層を、比較的磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜より成る磁性層とし、中間層を、上下の再生層及び記録層よりキュリー温度の低い磁性層とし、記録層を、垂直磁気異方性が大きく、再生温度範囲内で安定に磁化状態を保持しうる磁性層とすることによって、前述の特許文献１に記載されるＤＷＤＤ型構成の光磁気記録媒体とすることができる。
【００１７】
なお本発明は、このようなＤＷＤＤ型構成の光磁気記録媒体の製造方法に限定されることなく、磁区の拡大、縮小など磁壁の移動を伴う再生方法を採るものであって、特にランドグルーブ記録方式による記録再生がなされ、記録トラックの境界領域がグルーブの側壁部となる構成の光磁気記録媒体の製造方法に適用できることはいうまでもない。
【００１８】
そして本発明においては、上述の光磁気記録媒体の製造工程において、基体上に各磁性層を被着した後、図１Ａ及びＢに模式的に示すアニール工程を行うものである。
【００１９】
すなわち、図１Ａに示すように、上述したように、グルーブ１２を有する基体１上に少なくとも再生層、記録層（図示せず）を成膜した後、隣接するグルーブ１２の間の側壁部１３のみにレーザ光Ｌ１を照射する第１のアニール工程と、図１Ｂに示すように、この第１のアニール工程におけるレーザ光のスポット径に比して大なるスポット径をもって、隣接する側壁部１３と、この側壁部１３に挟まれたランド部１１を含む領域に、外部磁界Ｈｅｘを印加しながらレーザ光Ｌ２  を照射する第２の着磁アニール工程を行う。
【００２０】
このような本発明によれば、後述の実施例において詳細に説明するように、側壁部の非磁性化または面内磁化膜化するとともに、側壁部を着磁することによって、記録再生特性を向上させることができる。次に、本発明の一実施の形態による実施例について説明する。
【００２１】
【実施例】
次に、本発明の一実施例について説明する。この例においては、上述の図１Ａ及びＢにおいて説明した第１及び第２のアニール工程を行う場合を示す。
この例においては、再生光学系として、開口数ＮＡ＝０．６０、波長λ＝６６０ｎｍの再生用光を用いて記録情報の再生を行う光磁気記録媒体に対して本発明を適用した場合で、所定のピッチ及び幅を有するグルーブを有する基体を、上述したようなガラス原盤、スタンパ及び基体の製造工程を経て作製した後、各磁性層、誘電体層等をスパッタリング等により被着して光磁気記録媒体を作製した。
【００２２】
各磁性層等の構成は、その断面構成を図３に示すように、厚さ０．６ｍｍのＰＣより成る基体１を用意し、この上にＳｉＮより成る誘電体層を４０ｎｍ、ＧｄＦｅＣｏより成る第１の再生層３０ｎｍ、ＧｄＦｅより成る第２の再生層１０ｎｍ、ＴｂＦｅＣｏより成る第１の中間層１０ｎｍ、ＴｂＦｅＣｏＡｌより成る第２の中間層１０ｎｍ、ＴｂＦｅＣｏより成る第１の記録層５０ｎｍ、ＧｄＦｅＣｏより成る第２の記録層１０ｎｍ、ＳｉＮより成る誘電体層５０ｎｍを順次成膜して作製した。
【００２３】
この光磁気記録媒体に対し、第１のアニールとして、膜側から、すなわち図３において矢印Ｌで示すように、波長４０５ｎｍのレーザ光を、開口数ＮＡ＝０．９５の光学系を用いて、アニールパワー８．０ｍＷ、線速４．０ｍ／ｓで、ランドとグルーブの間の側壁部の中央にトラッキングをかけて走査照射した。
【００２４】
この後、第２の着磁アニールとして、波長λ＝６６０ｎｍのレーザ光を、開口数ＮＡ＝０．６６の光学系を用いて、１００Ｏｅ（８×１０３  Ａ／ｍ）の磁界を印加しながら、線速０．９６ｍ／ｓでアニールパワーを変化させて照射した。
このようにして第１及び第２のアニールを行った光磁気記録媒体に対し、トラックピッチ０．５４μｍ、線密度８０ｎｍ／ｂｉｔで記録再生を行い、ジッター及びビットエラーレートを測定した。
【００２５】
図３及び図４に、上述の光磁気記録媒体のランドの記録再生特性について、第２の着磁アニール工程のレーザパワー（イレーズパワーと記す）を変えた時の、ジッター及びビットエラーレートの変化をそれぞれ示す。  図４及び図５からわかるように、第２のアニール工程におけるレーザパワーであるイレーズパワーが低い場合に、ビットエラーレートが１．５×１０−４であったものが、イレーズパワーを５．０ｍＷ程度まで上げると２×１０−５まで改善されていることがわかる。このとき、ジッターはほぼ一定である。５．０ｍＷを超えるパワーのアニールを行うと、ジッター及びビットエラーレートは悪化する。これは、第２のアニール工程におけるレーザパワーが強過ぎると、メイントラックのランド上の磁性層がアニールされてしまい、特性が劣化するものと思われる。
【００２６】
このように、本発明によれば、側壁部に第１のアニールを行った後、この側壁部を含んで外部磁界を印加しながら第２の着磁アニールを行うことによって、いわば磁化の向きの乱れを一方向にそろえて、側壁部のみを確実に着磁して、これにより磁壁移動をスムーズに行わせ、記録再生特性の向上をはかることができた。
【００２７】
なお、上述の実施例においては、第１及び第２のアニール工程を行う場合について説明したが、外部磁界を印加しながら側壁部のみにレーザ光を照射する場合においても、同様な効果が得られることは明らかである。
【００２８】
以上本発明による実施の形態の各例と、実施例について説明したが、本発明は、以上の説明による材料、構成の光磁気記録媒体に限定されるものではなく、その他種々の光磁気記録媒体の材料、構成、アニール時のレーザ光波長、光学系などにおいて、変形、変更が可能であることはいうまでもない。
【００２９】
【発明の効果】
上述したように本発明によれば、磁壁移動による記録情報の再生が行われる光磁気記録媒体の製造にあたり、側壁部のみにレーザ光を照射してアニールした後、外部磁界を印加しながら側壁部を含む比較的広い範囲にレーザ光を照射して着磁アニールを行うことによって側壁部を着磁して、光磁気記録媒体の記録再生特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ａは光磁気記録媒体の製造方法の一例の模式的な工程図である。
Ｂは光磁気記録媒体の製造方法の一例の模式的な工程図である。
【図２】光磁気記録媒体の一例の要部の略線的断面図である。
【図３】光磁気記録媒体の一例の記録再生特性を示す図である。
【図４】光磁気記録媒体の一例の記録再生特性を示す図である。
【符号の説明】
１  基体、２  誘電体層、３  第１の再生層、４  第２の再生層、５  第１の中間層、６  第２の中間層、７  第１の記録層、８  第２の記録層、９  誘電体層、１１  ランド、１２  グルーブ、１３  側壁部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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