(57)【要約】【解決手段】本発明の回路基板は、除去可能な絶縁膜を表面に有する金属粉末を含有する樹脂成形体と、該樹脂成形体へのレーザ光照射により食刻されたパターン中の絶縁膜除去金属粒子を種としてメッキ処理により析出させた金属により形成された金属配線とを有することを特徴としている。また、本発明の回路基板の製造方法は、除去可能な絶縁膜を表面に有する金属粉末とレーザ光により加工可能な樹脂からなる樹脂組成物を用いて樹脂成形体を製造し、次いで、該樹脂成形体にレーザ光を照射して所望のパターンを食刻し、該形成されたパターン中の金属粉末の絶縁膜を選択的に除去した後、メッキ処理により該絶縁膜が除去された金属粉末を種として金属を析出成長させて金属配線を形成することを特徴としている。【効果】本発明によれば、短絡が生じにくく、樹脂基板に対する密着性が高い回路基板が提供される。【選択図】　図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
除去可能な絶縁膜を表面に有する金属粉末を含有する樹脂成形体と、該樹脂成形体へのレーザ光照射により食刻されたパターン中の絶縁膜除去金属粒子を種としてメッキ処理により析出させた金属により形成された金属配線とを有することを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記レーザ光の照射により食刻されたパターン中に露出した金属粒子の表面の絶縁膜が、樹脂成形体を形成する樹脂を溶解せず該絶縁膜を選択的に除去可能な薬剤との接触により除去されていることを特徴とする請求項第１項記載の回路基板。
【請求項３】
前記除去可能な絶縁膜を表面に有する金属粉末が、表面に絶縁膜を有するｄ−遷移金属粉末であることを特徴とする請求項第１項記載の回路基板。
【請求項４】
前記ｄ−遷移金属が、銅、ニッケルおよびクロムよりなる群から選ばれる少なくとも一種類の金属であることを特徴とする請求項第３項記載の回路基板。
【請求項５】
前記パターン中の絶縁膜除去金属粒子が、メッキ処理される前に、活性化処理されていることを特徴とする請求項第４項記載の回路基板。
【請求項６】
前記除去可能な絶縁膜を表面に有する金属粉末の最大粒子径が、形成された配線パターン中における配線間の最小幅よりも小さいことを特徴とする請求項第１項記載の回路基板。
【請求項７】
前記樹脂成形体が、レーザ光照射前に、該樹脂成形体を形成する樹脂は溶解せず前記金属粉末を溶解する除去液で処理されたものであることを特徴とする請求項第１項記載の回路基板。
【請求項８】
除去可能な絶縁膜を表面に有する金属粉末とレーザ光により加工可能な樹脂からなる樹脂組成物を用いて樹脂成形体を製造し、次いで、該樹脂成形体にレーザ光を照射して所望のパターンを食刻し、該形成されたパターン中の金属粉末の絶縁膜を選択的に除去した後、メッキ処理により該絶縁膜が除去された金属粉末を種として金属を析出成長させて金属配線を形成することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記樹脂成形体にレーザ光を照射する前に、該樹脂成形体を、樹脂を溶解しない前記金属粉末の除去液で処理して、樹脂成形体の表面にある金属粉末を除去することを特徴とする請求項第８項記載の回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記樹脂成形体に食刻したパターン中の絶縁膜を選択的に除去して絶縁膜が除去された金属粒子を活性化処理した後、メッキ処理により活性化処理された金属粉末を種として金属を析出成長させて金属配線を形成することを特徴とする請求項第８項記載の回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記除去可能な絶縁膜を表面に有する金属粉末が、表面に絶縁膜を有するｄ−遷移金属粉末であることを特徴とする請求項第８項記載の回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記ｄ−遷移金属が、銅、ニッケルおよびクロムよりなる群から選ばれる少なくとも一種類の金属であることを特徴とする請求項第１１項記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂成形体表面にメッキにより密着性のよい金属配線を形成することが可能な樹脂組成物を用いて成形した基板に回路を描いて得られる回路基板、およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、回路付き樹脂パッケージは、ＭＩＤ（Ｍｏｌｄｅｄ　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ　Ｄｅｖｉｃｅ）の呼び名で広く普及している。このＭＩＤは、樹脂モールドした２次元または３次元部品の表面に、導体回路を形成するものであり、樹脂モールドに用いる樹脂として、一般的に、ポリスルホン（ＰＳ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、エンジニアリングプラスティックスなどの熱可塑性樹脂が用いられている。
【０００３】
このような回路付き樹脂パッケージは、主に以下のような方法で作製されている。
（１）ＡＰＥ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ　Ｐｌａｔｅ−ｎ−Ｅｔｃｈ）法：
部品全体に無電解メッキした後、エッチングで回路を形成する方法。
（２）ＭｎＡ法：
触媒入り樹脂でモールドされた部品にマスクを当てて無電解メッキによって、回路を形成する方法。
（３）ＰＳＰ法（Ｐｈｏｔｏ　Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ　Ｐｌａｔｉｎｇ）：
部品に感光性触媒を塗布し回路部をＵＶ露光させた後、無電解メッキによって回路を形成する方法。
（４）Ｍｏｌｄ−ｎ−ｐｌａｔｅ法（２ショット法）
触媒入り樹脂を用いて第１ショットで回路部を形成し、第２ショットで通常の樹脂からなる部分（基板部分）を形成した後、無電解メッキによって回路を形成する方法。
【０００４】
これらの方法のうち、ＰＳＰ法と２ショット法がよく用いられている。このような製造法により製造された回路付き樹脂パッケージは、ＩＣ、ＣＣＤ（固体撮像素子）、ＬＤ（半導体レーザ）などの半導体素子、または電気・電子素子を収納する樹脂パッケージとして広範に使用されている。
近年、特に３次元回路付き樹脂パッケージは、例えば、パソコン、携帯機器などの情報関連分野から、自動車用車載部品などの過酷環境分野にいたるまで様々な用途に使用されるようになっている。
【０００５】
このため、３次元回路付き樹脂パッケージには、より小型で、安価であり、しかも、表面実装性、高温での安定性、耐薬品性、ならびに接着性に優れることがますます厳しく要求されているのが実情である。
しかしながら、従来の３次元回路付き樹脂パッケージでは、以下のような問題があった。
（１）半田クラック：
従来の回路付き樹脂パッケージで用いられている熱可塑性樹脂は、耐湿性に劣り、かつ、高温で不安定であるため、半田クラックを生じ易い。
（２）微細回路による小型化：
上記のような２ショット法では、金型で直接回路パターンを形成するため、成形安定性から金型設計上の制約が多く、線幅が１ｍｍ未満の微細回路には適用することができない。
【０００６】
一方、ＰＳＰ法では、線幅が１ｍｍ未満の微細回路に適用することはできるが、非常に高価な高精度の３次元ＵＶ露光マスクと、樹脂部品と、このマスクを正確に固定する精密固定治具などとが必要である。しかも、個々にそれらのマスクと治具とを付けたり外したりする必要があり、煩雑な作業が必要で、３次元回路付き樹脂パッケージを工業的に安価に製造することが難しく、製造工程が複雑になる結果、３次元回路付き樹脂パッケージが高価になってしまう。
（３）高温での安定性：
従来の樹脂パッケージに用いられてきた熱可塑性樹脂では、ガラス転移温度（Ｔｇ）に近づくと樹脂自体が不安定となる。樹脂パッケージの製造の際には約２６０℃付近にまで加熱する半田リフロー工程があるために、使用する熱可塑性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）が約２６０℃以上の熱可塑性樹脂が必要となる。しかしながら、現状の熱可塑性樹脂では、約２６０℃以上のガラス転移温度（Ｔｇ）を有する熱可塑性樹脂はたいへん高価である。
（４）耐薬品性：
回路付き樹脂パッケージに用いられる前述したＰＳ、ＰＥＳ、ＰＥＩ、ＬＣＰなどの熱可塑性樹脂は、強酸、強アルカリなどの薬液処理によって、樹脂自体がエッチングされやすく、充分な耐薬品性を有していない。
（５）接着性：
半導体容器としての樹脂パッケージの封緘に、例えば、金属、セラミクス、ガラスなどの蓋を接着して、気密封止する必要がある。しかしながら、従来のＭＩＤで用いられるＬＣＰなどの樹脂は、非常に接着性が低い。
（６）製造時の安全衛生：
従来の回路付き樹脂パッケージを製造する際のエッチング・粗面化には、例えば、クロム混酸やフッ酸などの強酸、苛性ソーダなどの強アルカリが用いられている。これらの薬液を用いたエッチング・粗面化には、薬液を高温（６０〜８０℃）にして用いるのが一般的であり、これらの強酸、強アルカリの蒸発などによって作業環境が悪化する虞がある。また、これらの強酸、強アルカリの交換・補充などの作業は、製造現場における作業環境上好ましくなかった。
【０００７】
従来より、これらの問題を解決するために様々な試みがなされているが、コスト低減と諸特性を満足するパッケージを製造するに至る方法は未だ提案されていないのが実情である。
しかしながら、ＩＣ、ＣＣＤ、ＬＤをはじめとする半導体素子パッケージへの価格低減要求は年々厳しさを増しており、３次元回路付き樹脂パッケージの表面実装化、微細回路による小型化、高温安定性、耐薬品性、接着性に優れるとともに、製造時の作業性、良好な環境などを実現するための新たなプロセス開発が望まれている。特に、半導体の集積度が著しく向上している等の理由から、半導体パッケージの回路幅、回路間幅についても５０μｍ以下の微細化が求められている。
【０００８】
特開平７−１１６８７０号公報（特許文献１）には、銅粉末と樹脂の混合物を成形した基板に回路パターンに沿って紫外レーザを照射して前記基材表面の粗化を行う工程を含む基材表面の処理方法の発明が開示されており、この方法によれば、レーザ光の照射によって基材を粗化する際に紫外レーザによって除去されにくい銅粉が残留して金属層との密着性が向上することが示されている。しかしながら、この公報には、紫外レーザを基材表面に照射してこの表面を粗面化してＣＶＤなどによる金属膜の密着性を向上させることが記載されている。この方法を電解あるいは無電解メッキによって回路を描く方法に適用すると、バリ処理などによって表面に剥き出しになった金属により不要な部分にメッキ層が成長するとか、樹脂基板の電気的安定性が必ずしも充分ではなく、無電解メッキ触媒の種類と配合量によっては基板の電気絶縁性が低下したり、また回路基板を高温・高湿下で使用した場合にはマイグレーションによって回路の短絡が発生しやすく一定品質の回路基板を得ることが困難であるという問題がある。
【０００９】
一方、本出願人は、特開平１０−３０８５６２号公報（特許文献２）で、樹脂成形体表面の少なくとも一部に、レーザ光を掃引照射して、レーザ光の掃引方向にほぼ一定のピッチの複数の窪みからなる粗面部を形成し、該粗面部にメッキ処理を行うことで金属膜を形成することを特徴とする方法を提案しているが、厚いメッキ層を作ろうとすると処理時間が長くなるなど操作性に問題がある。
【００１０】
【特許文献１】
特開平７−１１６８７０号公報
【特許文献２】
特開平１０−３０８５６２号公報
【００１１】
【発明の目的】
本発明は、上記問題を解決して安価でしかも容易に所望の厚さの微細な回路を描くことが可能な樹脂組成物を用いた成形体に回路が描かれた回路基板を提供することを目的としている。
また、本発明は、微細な回路においても短絡およびマイグレーションなどによる絶縁不良が発生しにくく、回路を形成する金属と基板とが強固に密着しており、さらに表面実装性、高温安定性、耐薬品性および接着性などの特性に優れた小型の回路基板を提供することを目的としている。
【００１２】
さらに、本発明は、上記のような回路基板を製造する方法であり、製造工程が簡素化され、製造コストの低減を図ることができる回路基板の製造方法を提供することを目的としている。
【００１３】
【発明の概要】
本発明の回路基板は、除去可能な絶縁膜を表面に有する金属粉末を含有する樹脂成形体と、該樹脂成形体へのレーザ光照射により食刻されたパターン中の絶縁膜除去金属粒子を種としてメッキ処理により析出させた金属により形成された金属配線とを有することを特徴としている。
【００１４】
また、本発明の回路基板の製造方法は、除去可能な絶縁膜を表面に有する金属粉末とレーザ光により加工可能な樹脂からなる樹脂組成物を用いて樹脂成形体を製造し、次いで、該樹脂成形体にレーザ光を照射して所望のパターンを食刻し、該形成されたパターン中の金属粉末の絶縁膜を選択的に除去した後、メッキ処理により該絶縁膜が除去された金属粉末を種として金属を析出成長させて金属配線を形成することを特徴としている。
【００１５】
【発明の具体的な説明】
次に本発明の回路基板およびその製造方法について図面を参照しながらその製造工程を参照しつつ具体的に説明する。
図１は、本発明で使用する表面に絶縁膜を有する金属粉末の断面を模式的に示す断面図であり、図２は、本発明の回路基板を製造する際におけるレーザ光の照射を示す原理図を示す斜視図であり、図３は、レーザ光が照射されて樹脂を食刻することにより形成されたパターンにおける表面に絶縁膜を有する金属粉末の状態を模式的に示す断面図であり、図４は、このようなパターンにおける金属粉末をメッキに対して活性にした状態の例を示す断面図である。また、図５は、上記のようにしてレーザ光を照射して食刻（彫り込み）された回路パターンにメッキにより金属を選択的に析出して金属配線が形成された回路基板の断面の例を模式的に示す断面図であり、図６は、このようにして形成された金属配線の部分を拡大して示す拡大断面図である。
【００１６】
本発明の回路基板は表面に絶縁膜（不活性膜）を有する金属粉末が分散された樹脂成形体と、この樹脂成形体の表面に、レーザ光で食刻描画（彫り込み）されたパターンにメッキにより析出した金属からなる金属配線とを有する。
本発明において、樹脂成形体を構成する樹脂としては、特に限定されるものではなく、耐熱性樹脂であればよい。具体的には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）およびポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）などのエンジニアリングプラスチックに代表される熱可塑性樹脂が使用できる。
【００１７】
このうち、化学的に安定な点で、熱硬化性樹脂が好ましく、特に、熱安定性の点からすれば、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂としては、オルソクレゾール型、ビフェノール型、ナフタレン型などのエポキシ樹脂が使用できる。このようなエポキシ樹脂の中でも難燃化剤を含有するエポキシ樹脂を使用することが特に好ましい。
【００１８】
本発明で使用する樹脂成形体の形状に特に限定されるものではなく、例えば、箱型形状の樹脂成形体であっても、平板形状の樹脂成形体であってもよい。
このような樹脂成形体には、メッキにより金属を析出させる際に析出する金属の種として働く金属からなる粒子が配合されている。ここで粒子を形成する金属としては、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）および金（Ａｕ）を挙げることができる。これらの金属は単独であるいは組み合わせて使用することができる。これらの金属の中でもｄ−遷移金属を使用することが好ましく、さらにこれらの金属の中でも銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）およびクロム（Ｃｒ）を主成分とする粉末が特に好ましい。これらの金属の粉末は、メッキにより金属を析出させる際に金属が析出するための起点となる触媒作用が優れている。特にＣｕはメッキ処理の際の金属を析出させる触媒作用に優れるとともに安価であり、本発明における金属として好適である。
【００１９】
本発明において、上記のような金属は、表面に絶縁膜を有する粉末として樹脂成形体中に含有されている。そして、この金属粒子の表面にある絶縁膜は、樹脂成形体を侵すことはないが、絶縁膜に対してはこれを選択的に除去することができる薬剤によって除去可能に形成されている。
図１にこの表面に絶縁膜を有する金属粉末の断面を模式的に示す。図１に示されるように、本発明で使用される金属粉末１は、金属からなる芯材２とこの芯材２の表面を被覆する絶縁膜３とを有している。
【００２０】
このような金属からなる芯材２の表面に形成されている絶縁膜３は、この金属からなる芯材２の特性、たとえば導電性およびメッキによる金属析出の種となる触媒作用などの特性を、必要となるまで隠蔽する膜である。このような絶縁膜３としては、たとえば、芯材２を形成する金属の酸化物、水酸化物、および、マイクロカプセルを形成し得る樹脂等からなるものを挙げることができる。絶縁膜３としてはその製造の簡便さ、薬液での処理により簡便に除去できることなどから金属の酸化膜とするのが好ましく、金属粉を酸化させて酸化膜を形成する方法で製造すると簡便でしかも均一な層を形成することができる。また、基板を構成する樹脂を溶解しない溶媒に可溶な樹脂で金属粉末の周囲に絶縁層を形成することももちろん可能である。この場合、樹脂からなる絶縁層は、薬液での処理での除去ではなくレーザ光の照射で除去しても何ら問題はない。薬液としては、具体的には酸が好ましい。絶縁膜の厚さは金属粒子間での絶縁性を保つ厚さであれば充分であり、メッキに際して簡単に除去できることも考慮すると１μｍ以下、さらに０．００１〜０．１μｍの範囲内にあることが好ましい。
【００２１】
本発明において上記のような絶縁膜を有する金属粉末の粒子径は、本発明の回路基板において最も密に形成された金属配線の配線間幅よりも、最大粒子径が小さい粉末群を使用することが好ましい。たとえば、図５において、樹脂成形体１２の表面に形成された金属配線は付番４で示されており、その幅はＬｗで表されており、金属配線４と隣接する金属配線４との配線間幅はＢで表されている。この樹脂成形体１２に多数形成される金属配線４のうち配線間幅Ｂが最も小さい部分の配線間幅Ｂを最小配線間幅Ｂｍｉｎとすると、本発明で使用する表面に絶縁膜を有する金属粉末の最大粒子径Ｄｍａｘを最小配線間幅Ｂｍｉｎよりも小さい値とすることが望ましい。特に本発明ではこの金属粉末の最大粒子径Ｄｍａｘを最小配線間幅Ｂｍｉｎの１／２未満とすることが好ましく、さらに、１／３以下とすることが特に好ましい。たとえば、金属配線４の線幅が５０μｍであり、最小配線間幅Ｂｍｉｎが５０μｍである場合、本発明では最大粒子径Ｄｍａｘが５０μｍ未満の金属粉末を使用することが好ましく、最大粒子径Ｄｍａｘが２５μｍ未満の金属粉末を使用することが特に好ましく、さらに最大粒子径Ｄｍａｘが１６．７μｍ以下の金属粉末を使用することが最も好ましい。このような最大粒子径Ｄｍａｘを有する金属粉末を使用することにより、金属粉末の表面に形成されている絶縁膜３に仮に欠陥があったとしても、隣接する金属配線間で短絡が発生することを防止することができ、本発明の回路基板の信頼性が著しく高くなる。
【００２２】
また、この表面に絶縁膜３を有する金属粉末１の最小粒子径には特に制限はないが、粒子径の小さいものを多量に含む粉末では、粒子が凝集して二次粒子を形成することがあり、また微細粒子が多くなると取り扱いが難しくなることからレーザ法で測定した粒子径が１μｍ未満の粒子の含有率が２５重量％以下であることが好ましく、さらに、１０重量％以下であることが特に好ましい。
【００２３】
特に本発明においては粒子径が、通常は２〜２０μｍ、好ましくは３〜１０μｍの範囲である金属粒子を使用することが好ましい。
上記のような粒子径を有する金属粉末１において、絶縁膜３は金属の有する特性を必要とする際に容易に除去できる程度の厚さであればよく、通常の場合、この絶縁膜３の厚さＴｓは、平均厚さ（ＸＰＳによる測定）で１μｍ以下であり、さらに０．００１〜０．１μｍの範囲内にあることが好ましい。絶縁膜３の平均厚さを上記のようにすることにより、金属粉末を絶縁性に維持することができる。なお、表面に絶縁膜３が形成されたままの金属粉末は、無電解メッキに際し、金属が析出する際の種にはならない。
【００２４】
このような金属粉末は、たとえば標準篩、風力分級装置などを用いて、所定の最大粒子径になるように分級して使用することができる。なお、本発明で使用される金属粉末は、通常は球体であるが、この球体のアスペクト比が１でない場合には、金属粉末の最大粒子径は長径を意味する。
本発明で使用する樹脂成形体１２においては、樹脂組成物１００重量％中に金属粉末は、通常５〜２５重量％、好ましくは１０〜１５重量％の量で含有されている。
【００２５】
本発明で使用する樹脂成形体１２は、上述のように樹脂と、この樹脂中に分散された表面に絶縁膜３を有する金属粒子とからなるが、さらに、この樹脂成形体１２中には他の成分を含有していてもよい。
本発明において、上記の樹脂成形体中には、耐熱性の向上などを目的として、無機フィラーを含有させることができる。ここで使用される無機フィラーとして、具体的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、アルミナ粉末、シリカ粉末、ボロンナイトライト粉末、酸化チタン粉末、炭化ケイ素粉末、ガラス繊維、アルミナ繊維などが使用できる。
【００２６】
このような無機フィラーは、粉末を使用する場合には、粉末状の無機フィラーの平均粒子径（測定方法：レーザ法）は通常は２〜５０μｍ、好ましくは５〜３０μｍの範囲内にある粒子を使用する。また、繊維状の無機フィラーを使用する場合には、繊維長が２５μｍ以下、好ましくは１〜１０μｍの範囲内の繊維を使用する。なお、ここで使用する無機フィラーは、メッキの際の金属析出に対して不活性であり、かつ電気絶縁性のものである。
【００２７】
このような無機フィラーは、樹脂成形体を形成する樹脂組成物１００重量％中に、通常は９５重量％以下、好ましくは８５重量％以下、５０重量％以上の量で使用される。このような量で無機フィラーを用いることにより樹脂成形体の耐熱性が向上するとともに、無機フィラーを配合することによる樹脂成形体の脆弱化も生じにくく、寸法安定性にも優れる。
【００２８】
また、本発明で使用する樹脂成形体には、上記の成分に加えて、必要に応じて、硬化剤、イミダゾール類、尿素誘導体およびアミン化合物などの硬化促進剤、酸化アンチモンなどの難燃剤、カップリング剤、ワックス類などの添加剤が含まれていてもよい。
樹脂成形体に製造する方法に特に制限はないが、例えば、樹脂成形体は、耐熱性樹脂および表面に絶縁膜を有する金属粉末、さらに必要により他の成分を含有する樹脂組成物を調製し、この樹脂組成物を用いて、射出成形、押出成形、プレス成形などの成形法により、所望の形状とすることができる。この樹脂成形体の形状に特に制限はなく、箱型形状、平板形状などどのようなものであっても良い。
【００２９】
上記のようにして製造された樹脂成形体の表面は樹脂で覆われており、本発明においては、上記のようにして製造された樹脂成形体に直接レーザ光を照射して配線パターンを食刻（描画）することができる。しかしながら、成形方法、樹脂と金属粉末との比率などによっては、樹脂成形体の表面に金属粉末が露出していることがあり、このように表面から露出した金属粉末は、メッキをする際に金属析出の起点となり得る。したがって、このような樹脂成形体の表面から露出している金属粉末は、レーザ光を照射して配線パターンを食刻する前に除去することが望ましい。ここで用いる除去剤は、金属粉末として使用した金属の種類により異なるが、金属が銅である場合には、酸化力のある酸が好ましく用いられ、具体的には、濃度２〜１０重量％の硫酸水溶液を調製し、この硫酸水溶液１リットルに対して５０〜２００ｇの過硫酸ナトリウムを加えた水溶液を用い５〜３０分間処理すると効果的である。
【００３０】
次に成形体にレーザ光を走査照射して所望のパターンを描画食刻する。すなわち、樹脂成形体表面にレーザ光を照射することにより樹脂成形体の表面の樹脂は彫り込まれ、表面に絶縁膜を有する金属粉末が露出する。さらに、樹脂成形体表面が彫り込まれる際に樹脂は均一に除かれるわけではなく、レーザ光が照射された部分の樹脂面は粗面化される。こうして、このレーザ光の走査（掃引）によって溝状配線パターンを描画する。
【００３１】
このようなレーザ光の走査による溝状配線パターンの彫り込み（描画）は、例えば、図２に示したようにしてレーザ光を照射することによって行うことができる。
図２は、本発明の回路基板を製造する際のレーザ光の照射の方法の原理を示す斜視図である。
【００３２】
付番１０は本発明の回路基板を示している。回路基板１０は、平板形状の樹脂成形体１２を備えており、この樹脂成形体１２の表面１２ａの少なくとも一部には、レーザ光の走査の軌跡が粗面部１４として形成され、この粗面部１４によってパターンが形成されている。
この粗面部１４は、Ｘ方向、すなわち、レーザ光の走査方向に、複数の一定間隔のピッチｐで離間して形成された複数の窪み１６、１６から形成されている。そして、これらの窪み１６、１６はそれぞれ、Ｘ方向と直交するＹ方向、すなわち、レーザ光の走査線移動方向に、線１８に沿って、略直線状の溝２０、２０を形成している。
【００３３】
このような粗面部１４を形成するには、図２に示したように、レーザ光を、一定の周期でパルス的に照射しながら、走査方向、すなわち、ビームスキャン方向（Ｘ）に移動することによって、Ｘ方向、すなわち、レーザ光の走査方向に、複数の一定間隔のピッチｐで離間して形成された複数の窪み１６、１６を形成する。
【００３４】
そして、Ｘ方向に所定の距離Ｌを走査したのち、Ｙ方向に一定間隔の１ピッチｑ、すなわち、Ｙ方向に連続した窪み１６を形成し得るピッチ幅で、レーザ光の走査線位置を移動して、レーザ光を、前述と同様にして、一定の周期でパルス的に照射しながら、走査方向Ｘに移動することによって、Ｘ方向に、複数の一定間隔のピッチｐで離間して形成された複数の窪み１６、１６を形成する。
【００３５】
この操作を繰り返すことによって、レーザ光の走査線移動方向に、線１８に沿って、Ｙ方向に連続した窪み１６からなる略直線状の溝２０、２０が形成され、所望のパターンに対応した粗面部１４を形成することができる。
なお、図２中では、略中央部の粗面部１４のＸ方向の長さが長くなっているが、この場合には中央部での走査距離Ｌを長く設定すればよい。
【００３６】
この場合、レーザ光の走査方向の複数の溝の離間距離、すなわち、ピッチｐが、０．０１ｍｍ以上であるのが望ましい。
このような範囲に、複数の窪みの離間距離ｐを設定することによって、配線パターン同士の短絡を防止することができる。
また、レーザ光の走査線位置間隔、すなわち、ピッチｑは、Ｙ方向に連続した窪み１６を形成し得るピッチ幅として、１ｍｍ以下であるのが望ましい。
【００３７】
すなわち、レーザ光の走査方向の複数の窪みの離間距離、すなわち、パルス間の隣接する走査線位置間隔ｑは、窪み１６のＹ方向の途中に樹脂成形体１２の最表面層が残らない程度の走査線の間隔ｑであるように、上記の範囲から選択すればよい。
走査線位置間隔ｑが、レーザ光のスポット径に比べて著しく大きいと、窪み１６の間でレーザ光が充分照射されない箇所、すなわち、樹脂成形体１２の最表面層が除去されない箇所が存在し、金属膜との接着性が悪化する。このため、Ｙ方向の窪み１６の間で樹脂成形体１２の最表面層が除去されていることが望ましい。
【００３８】
一方、照射ピッチＰは、レーザ光のスポット径に比べて大きいことが望ましく、それにより溝２０と溝２０の間で樹脂成形体１２の最表面層が除去されない箇所を残すことができ、金属膜間が絶縁される。
このようにして形成される窪み１６の幅および深さは、レーザの出力、スポット径、走査速度などに依存するが、溝の最大幅Ｗが、０．０１〜１ｍｍ、溝の最大深さＤが、０．００１〜１ｍｍであることが望ましい。
【００３９】
また、レーザ光の走査速度は、通常は５００〜３０００ｍｍ／ｍｉｎ、好ましくは８００〜２０００ｍｍ／ｍｉｎである。
この場合、本発明で使用されるレーザ光としては、特に限定されるものではないが、波長２４８ｎｍのレーザ光を出すエキシマレーザからのレーザ光が望ましい。レーザ光の走査照射は、ハイプシジョンミラーとＨＰレンズの構成による２次元平面でのビーム走査が望ましい。このときの焦点深度は、２０〜６０μｍであることが望ましい。
【００４０】
また、照射されるレーザ光のパルスは、被加工物に対する熱的影響を考慮すれば、１０ｎＳ〜３０ｎＳであるのが望ましい。
また、本発明では、レーザ光の走査照射の際、ビーム位置決め方法として、同期スキャンＮＣ制御方式を採用することが望ましい。
また、レーザのスポット径は用いる光学系で異なるが、実用的な範囲で、０．０１ｍｍ以上であることが望ましい。このレーザ光をネガパターン形状に加工されたガラス製マスクを通過させ、樹脂成形体１２の表面１２ａに照射・掃引することで所望のパターン形状の粗面部１４が得られる。
【００４１】
このようなエキシマレーザを用いると、レーザ光のスポット径は用いる光学系で異なるが、例えば、０．０１ｍｍ以上であり、従来のＹＡＧレーザの場合とほぼ等しいが、エキシマレーザの場合には、加工時における被加工物に対する熱的影響がほとんどないので、ほぼスポット径通りの大きさで加工することができる。
【００４２】
従って、このようなエキシマレーザを用いると、ＹＡＧレーザなどに比較して微細な配線パターンを描くことが可能であるので、回路付き樹脂パッケージを極めて小型化することができる。なお、レーザ光によるパターンの食刻描画は、理論的には使用するレーザ光の波長と同等にまで細線化することが可能であるが、パターンの描画安定性などを考慮すると、パターンの幅は、２０μｍ以上とすることが好ましく、特に３０μｍ以上であることが望ましい。
【００４３】
また、このようにエキシマレーザを用いると、必要な微細回路の箇所のみを周期的な粗さにする粗面化が可能となる。
さらに、走査線移動方向における線１８は、図２に示したように、直線状に、平行に並んだ粗面部１４を形成してもよく、折れ線状であっても、曲線状であってもよく、形成される粗面部１４の形状によって適宜選択することができる。
【００４４】
このように折れ線状、曲線状にするには、レーザ光の各走査線位置において、走査速度を変更するか、または、一般的には前述したようなマスクを用いるのが望ましい。
しかも、このような条件によりレーザ光の掃引照射がなされた部分の樹脂は選択的に除去され、図２および図３に示すように、金属からなる芯材２の表面に絶縁膜３を有する金属粉末１が露出する。このように露出した金属粉末の表面にはこの段階では依然として絶縁膜３が存在しており、この絶縁膜３が存在する限り、この金属粉末１は、無電解メッキを行う際に金属析出の種とはならないので、本発明では、このパターンに露出した金属粉末の表面にある絶縁膜を除去する。
【００４５】
この場合、樹脂成形体を、絶縁膜の溶出が可能な薬液に接触することで除去するのが一般的である。用いる薬液としては絶縁膜を選択的に除去できるとともに樹脂成形体を溶解しないものであることが好ましく用いられる。絶縁膜として酸化膜を用いている場合には酸の水溶液、好ましくは無機酸の水溶液を使用することができる。ここで無機酸の例としては、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸などを挙げることができ、これらは単独であるいは組み合わせて使用することができる。特に本発明では、硫酸を使用することが好ましい。硫酸は、金属と接触しても金属粉末の表面を不動態化することがなく、しかも蒸気圧が低いので、臭気が少なく作業環境を悪化させにくい。無機酸は、水溶液として使用することが好ましい。たとえば無機酸として硫酸を使用する場合、硫酸濃度が通常は０．５〜１０重量％、好ましくは１〜５重量％の水溶液を使用する。この場合、樹脂成形体を０．５〜１０分間、好ましくは１〜５分間浸漬することにより、絶縁膜を除去することができる。金属粉末の表面に形成されている絶縁膜は上述のように非常に薄いことから、上記のような酸の水溶液に短時間樹脂成形体を浸漬することにより、露出した部分の金属粉末の絶縁膜を除去することができる。
【００４６】
このようにして好適には酸の水溶液に樹脂成形体を浸漬することにより、図３に示されるように、レーザ光で表面にある樹脂が除去されて樹脂基板１０の表面に露出している金属粉末１の表面にある絶縁膜３は、図４に示すように樹脂基板１０から露出している部分の不活性膜が除去され、芯材２が露出する。このようにして露出した芯材２は金属であり、この露出した金属は、メッキ処理により金属を析出させる種となる。
【００４７】
このようにしてパターン中に金属を露出させ、この金属を種として、メッキにより金属を析出させると、析出金属はレーザ光によって食刻描画されたパターンに沿って成長して連続した金属配線を形成する。
さらに、本発明では、金属粉末の活性を向上させ、さらに形成される金属配線と基板樹脂との密着性を向上させるために、パターンの表面に露出している絶縁膜のない金属粉末の表面を活性化処理することもできる。活性化処理方法の例としてはパラジウム化合物および／または白金化合物を含有する無電解メッキ液を使用して金属粉末に対するパラジウムあるいは白金による表面処理を挙げることができる。特に本発明ではパラジウムによる表面処理が好ましい。
【００４８】
ここで使用するパラジウム化合物には、有機パラジウム化合物および無機パラジウム化合物、本発明ではいずれの化合物をも使用することができる。このような金属の表面処理には、塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）、ジアミン第一パラジウム塩化物（Ｐｄ（ＮＨ３）２Ｃｌ２）、テトラアミンしゅう酸パラジウム（Ｐｄ（ＮＨ３）４Ｃ２Ｏ４）、硫酸パラジウム（ＰｄＳＯ４）などのパラジウム化合物を使用することが好ましい。このようなパラジウム化合物などを含有する無電解メッキ浴を用いた表面処理は、常温から４０℃程度の温度に無電解メッキ浴の温度を調整し、樹脂成形体を１〜１０分間程度浸漬して行うことができる。基板を１〜１０分間程度浸漬することで、露出している金属粉末の表面をパラジウムなどで被覆することができる。
【００４９】
このように必要に応じて処理した後、メッキ処理により金属を析出させる。この場合、金属膜を形成するメッキ処理は、無電解メッキ単独、あるいは電解メッキ単独でもよいが、無電解メッキを行った後、電解メッキにより金属配線の金属厚を厚くすることができる。
無電解メッキは、溶液中の金属イオンを、還元剤によって還元析出させるメッキ方法であり公知の方法が採用できる。還元剤としては、次亜リン酸塩、水素化ホウ素化合物、水和ヒドラジン、ホルムアルデヒド、次亜リン酸塩、Ｎ，Ｎ−ジエチルグリシン、硫酸ヒドラジン、アスコルビン酸などが使用される。必要に応じて、ｐＨ調整剤、緩衝剤、錯化剤、促進剤、安定剤、改良剤などを添加してもよい。ｐＨ調整剤としては、水酸化ナトリウム、アンモニアなどの塩基性化合物、硫酸、塩酸などの無機酸、酢酸、コハク酸などの有機酸などが使用できる。
【００５０】
緩衝剤としては、リン酸塩、クエン酸塩、酒石酸塩などが使用できる。錯化剤としては、酢酸、グリコール酸、クエン酸、酒石酸などの有機酸のアルカリ金属塩、チオグリコール酸、アンモニア、ヒドラジン、トリエタノールアミン、エチレンジアミン、グリシン、ｏ−アミノフェノール、ＥＤＴＡなどが使用できる。
また、促進剤としては、コハク酸などが使用できる。安定剤としては、チオ尿素、金属シアン化物、アセチルアセトン、エチルオキサント酸などが使用できる。
【００５１】
改良剤としては、ＮａＣＮ、ＫＣＮなどが使用できる。
無電解メッキをする際の浸漬時間および浸漬温度は、メッキする金属の種類、メッキ浴中の金属イオン濃度より適宜選択される。例えば、無電解メッキにより析出させる金属が銅の場合で、メッキ浴中の金属イオン濃度が１６ｇ／リットルの場合、浸漬時間は約０．５〜４時間程度、好ましくは１〜３時間程度であり、浸漬時の無電解メッキ浴の液温は、約１０〜４０℃、好ましくは２０〜３０℃の範囲内にある。上記のように無電解メッキをすることにより、通常は２〜２０μｍ、好ましくは５〜１５μｍのメッキ厚さを有する金属配線を形成することができる。
【００５２】
本発明の回路基板においては、上記のように無電解メッキにより金属配線を形成すればよいが、さらに、このように無電解メッキにより金属配線を形成した後、電解メッキにより無電解メッキで形成された金属配線をさらに強固なものにすることができる。
本発明の回路基板においては、電解メッキは、通常の電解メッキ液を用いて通常の電解メッキの条件にしたがって行うことができる。電解メッキされる部分は、粗面化された領域であるから、電流密度はその面積で計算すればよい。
【００５３】
以上のような本発明の回路基板の製造方法によれば、任意のパターンの回路基板を製造することができる。また上記金属膜の形状を金属配線の配線パターンにすると、得られた回路基板は、半導体装置の導体回路付きパッケージとして好適に使用することができる。
さらに、本発明の回路基板の製造方法は、回路基板に限られず、樹脂製構造物の表面に、密着性のよい金属膜を形成する場合にも有用である。
【００５４】
上記本発明の説明は樹脂成形体として平板状の樹脂成形体を用いた例を中心にして説明してきたが、本発明の回路基板は、上記のような平板上の樹脂成形体に限らず、三次元的な樹脂成形体であってもよく、また、多層積層基板において厚さ方向に導通を確立するために形成されるビヤホールの内周面に形成される導電性薄膜を形成する際にも採用することができる。
【００５５】
たとえば、図７は、箱型の樹脂成形体に配線パターン形成する例を示す部分拡大斜視図である。
図７において、図２に示した平板状の樹脂成形体を用いる場合と同じ構成部材については、同じ付番を付して、その詳細な説明を省略する。
図７に示したように、この樹脂成形体１２は、箱形状であって、下方の平面部１２ａと、この平面部１２ａに対して傾斜角度θで傾斜した傾斜側面１２ｂと、上方の平面部１２ｃとを備えている。
【００５６】
このような形状の樹脂成形体１２においても、図２の実施例と同様に、レーザ光を、一定の周期でパルス的に照射しながら、走査方向、すなわち、ビームスキャン方向（Ｘ）に移動し、レーザ光の走査線位置を移動して、レーザ光を照射する走査を繰り返すことによって、図７に示したように、これらの平面部１２ａと、傾斜側面１２ｂと、上方の平面部１２ｃに粗面部１４が形成されている。
【００５７】
この粗面部１４も、Ｘ方向、すなわち、レーザ光の走査方向に、複数の一定間隔のピッチｐで離間して形成された複数の窪み１６、１６から形成されている。そして、これらの窪み１６、１６はそれぞれ、Ｘ方向と直交するＹ方向、すなわち、レーザ光の走査線移動方向に、線１８に沿って、略直線状の溝２０、２０を形成している。
【００５８】
この場合、このようにレーザ光走査によって、平面部１２ａと、傾斜側面１２ｂと、上方の平面部１２ｃに粗面部１４を形成するためには、レーザ光が傾斜側面１２ｂに照射できる必要があり、そのためには、傾斜側面１２ｂの平面部１２ａに対する傾斜角度θとしては、７０°以下であることが望ましい。
このような箱型樹脂成形体１２でも、立体回路２２の線方向１８に対して垂直方向Ｘにビーム走査することが可能であり、ビームの焦点深度のおよそ５倍、好ましくは３倍までの高さＨの側面（テーパ部）１２ｂの処理が可能である。
【００５９】
さらに、スルーホールのように樹脂成形体の表面と裏面とをつなぐ穴が開いているものであっても、スルーホールの内壁にレーザ照射することができる。
図８は、このような樹脂成形体のスルーホールの内面に導電性の金属膜を形成する例を示す部分拡大断面図である。
図２の実施例と同じ構成部材については、同じ付番を付して、その詳細な説明を省略する。
【００６０】
図８に示したように、樹脂成形体１２の表面１２ａと裏面１２ｄとの間に、貫通するスルーホール３０が形成されている。
このスルーホール３０の穴径を、ビーム径より少し大きくすることで多重反射による貫通照射することができる。
すなわち、図８に示したように、レーザビームをＸ方向に走査することによって、図８の矢印で示したように、スルーホール３０の内壁で多重反射し、これにより、スルーホール３０の内壁を粗面化することができる。
【００６１】
図９は本発明の回路基板を用いた表面実装型の半導体装置の実施例の断面図である。
この半導体装置４０は、図９に示したように、箱型樹脂パッケージ４１と、半導体素子４２と、導体回路４３と、リッド４４とから構成されている。
箱型樹脂パッケージ４１の中央には、半導体素子４２を収納するための凹部４５が設けられており、この凹部４５内に、接着剤４６を介して半導体素子４２が固定されている。
【００６２】
さらに、半導体素子４２と導体回路４３とは、金線などからなるボンディングワイヤー４７によって電気的に接続されている。
また、箱型樹脂パッケージ４１の上端面４１ａには、リッド４４が接着剤４８によって接着固定されており、これにより、箱型樹脂パッケージ４１の上部開口部４１ｂが閉止されている。
【００６３】
なお、接着剤４６および接着剤４８としては、通常、エポキシ樹脂または変性エポキシ樹脂が使用される。
図９に示した導体回路４３は、上記したような本発明の回路基板を製造する方法と同様にして、平面回路４３ａと立体回路４３ｂが形成されており、これによって、樹脂パッケージの表面および裏面の回路が電気的に接続されている。
【００６４】
図１０は、本発明の回路基板を用いた他の表面実装型の半導体装置の断面図である。
図１０に示したように、この半導体装置５０は、箱型樹脂パッケージ５１と、半導体素子５２と、導体回路５３と、リッド５４とから構成されている。
箱型樹脂パッケージ５１の中央には、半導体素子５２を収納するための凹部５５が設けられており、この凹部５５内に、ベアチップ実装技術を用いて、半導体素子５２または導体回路５３に設けられたバンプ５７などを介して、半導体素子５２が電気的・機械的に接続されている。
【００６５】
また、箱型樹脂パッケージ５１の上端面５１ａには、リッド５４が接着剤５８によって接着固定されており、これにより、箱型樹脂パッケージ５１の上部開口部５１ｂが閉止されている。
さらに、必要に応じて、半導体素子５２と、導体回路５３と、箱型樹脂パッケージ５１の間に、応力緩衝用樹脂５６を浸透・硬化させることもできる。
【００６６】
この場合、接着剤５８としては、図９に示した実施例の接着剤４６および接着剤４８と同様のものが使用できる。
また、応力緩衝用樹脂５６としては、ＵｎｄｅｒｆｉｌｌあるいはＥｎｃａｐｓｕｌａｎｔ材料として知られる熱硬化型または紫外線硬化型エポキシ樹脂などが使用できる。
さらに、図９および図１０に示したような半導体装置を多量作製する場合には、図１１に示したような多数個取りの製造方法を適用することができる。
【００６７】
すなわち、図１１に示したように、複数個の箱型樹脂パッケージ６０が同時成形された箱型パッケージ搭載板６１を、射出成形または押出成形などによって成形する。
なお、成形体６０の表面６０ａと裏面６０ｂをつなぐ立体回路として、スルーホール６２を設けてもよい。スルーホール６２の穴径をビーム径より少し大きくすることで多重反射による貫通照射をすることができる。
【００６８】
それぞれの箱型パッケージ６０の表面６０ａと、裏面６０ｂと、スルーホール６２に、上記した本発明の回路基板の製造方法によって、導体回路を形成する。そして、それぞれの箱型パッケージ６０をスルーホール６２が断線しないように切断部６３で切断して、個片の箱型パッケージ６０に分断すればよい。
この場合、切断には、ダイヤモンドカッタや薄型砥石などの高速切断機が用いられる。切断の後、外形を整える場合は研削等を行ってもよい。
【００６９】
【発明の効果】
本発明の回路基板は、図４および図５の断面図に示されるように、樹脂成形体１２の表面にレーザ光の照射によって、樹脂成形体１２の表面にある樹脂を除去してパターンを食刻描画し、この食刻描画されたパターンに金属粉末１を露出させる。このようにしてレーザ光の照射によって樹脂を選択的に除去して食刻描画されたパターンは、樹脂の除去によって窪み部として形成されるとともに、その表面は、粗面化され、メッキ処理により析出した金属は金属粉末およびこの粗面化された表面と良好な密着性を示す。
【００７０】
さらに、本発明で使用する金属粉末は、除去可能な絶縁膜を表面に有するために、この絶縁膜が存在する限りにおいては、メッキ処理における金属析出の種（起点）とはならない。
本発明の回路基板およびその製造方法によれば、レーザ光の照射によって食刻描画された部分にある金属粉末だけ絶縁膜を除去することができ、レーザ光により食刻描画されたパターンの部分に高い選択性をもって金属配線を形成することができる。
【００７１】
さらに、本発明で使用する金属粉末の最大粒子径を、形成される配線パターンの最小配線間幅に対して特定の関係を有するように調整することにより、形成される金属配線間における短絡の発生を高い精度で防止することができる。
さらに、本発明の回路基板およびその製造方法によれば、レーザ光を照射することによって形成された樹脂成形体の表面の粗面部にメッキ処理によって析出金属が侵入するので、樹脂成形体の表面に強固な密着力で金属膜を形成することができ、高温安定性、耐半田クラック、耐薬品性に優れた回路基板を得ることができる。さらにこの回路基板を用いることで高温安定性、耐半田クラック、耐薬品性に優れた半導体装置を得ることができる。
【００７２】
さらに、本発明によれば、配線パターン上の金属粉末の表面をたとえばパラジウムなどを用いて処理することにより、メッキスピード、メッキピール強度の向上を図ることができる。
また、本発明では、金属粉末として、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒのいずれかの金属を含有する金属粉末を用いることによって、回路基板を価格的にも安価に製造することができ、さらにこの回路基板の製造には従来のメッキラインをそのまま使用することができるので設備の改造に要するコストも低減することができる。
【００７３】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。
【００７４】
【実施例１】
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、金属粉末（銅粉末）、充填材およびその他の添加剤を下記の割合で配合し、ロールによる１００℃での加熱混練を行って樹脂成形体用組成物を得た。
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂：１００重量部
（商品名：ＥＯＣＮ−１０２０、日本化薬（株）製、エポキシ当量１９９ｇ／ｅｑ）
フェノールノボラック樹脂　　　　　　　　：４５重量部
（商品名：Ｈ−１、明和化成（株）製、ＯＨ当量１０７ｇ／ｅｑ）
臭素系エポキシ樹脂　　　　　　　　　　　：２７重量部
（商品名：ＢＲＥＮ−Ｓ、日本化薬（株）製、エポキシ当量２８５ｇ／ｅｑ）
球状溶融シリカ　　　　　　　　　　　　　：６００重量部
（商品名：ＦＢ−７４、電気化学（株）製、平均粒子径：３０μｍ）
銅粉　　　　　　　　　　　　　　　　　　：１００重量部
（最大粒子径１０μｍ、平均粒径５μｍ、表面に平均厚さ０．０１μｍの酸化膜を有する）
シランカップリング剤　　　　　　　　　　：６重量部
（ＳＺ−６０８３、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）
２−メチルイミダゾール　　　　　　　　　　：１重量部
カルナバワックス　　　　　　　　　　　　：５重量部
カーボンブラック　　　　　　　　　　　　：３重量部
酸化アンチモン（最大粒子径：２０μｍ）　：１０重量部
上記の樹脂成形体用組成物を、プレス成形機を用いた１８０℃で加熱圧縮成形することにより、５０ｍｍ×５０ｍｍ×５ｍｍの平板状の樹脂成形体を製造した。
【００７５】
次に、この平板状の樹脂成形体の水平面の上に、ライン／スペース＝５０μｍ／５０μｍの幅で、長さ３０ｍｍの疑似パターンの溝状粗面部を１５本、定格８０Ｗ出力の同期スキャンＮＣ型エキシマレーザ照射機（スポット大きさ約０．５ｍｍ×２．５ｍｍ、ＨＰＬレンズ及び縮尺倍数４のガラス製マスクからなる光学系を使用）によって、以下の条件でレーザ光を照射して食刻形成した。
周波数：１００Ｈｚ、
ビーム走査速度　：１０００ｍｍ／ｍｉｎ
焦点深度：４０μｍ
エネルギー出力：１．２Ｊ／ｃｍ２。
【００７６】
上記のようにして擬似パターン（配線パターン）が食刻描画された樹脂成形体を常温の濃度３重量％の硫酸水溶液に３分間浸漬して擬似パターンの表面に露出した銅粉の表面の酸化膜を除去した。
次いで、銅イオンの濃度を１６ｇ／リットルに調整した硫酸銅ベースの無電解メッキ浴（日鉱メタルプレーティング（株）製、ＮＭＫシリーズ）に上記樹脂成形体を２５℃で、２時間浸漬し、メッキ厚が約１０μｍになるまで、無電解銅メッキを行い、回路基板を製造した。
【００７７】
こうして製造された回路基板を目視観察したところ、レーザ光を照射してパターンを形成した部分に選択的に銅が析出した。また、このようにして形成された回路基板の銅配線間で導通試験をおこなった結果、形成された銅配線間で短絡は生じなかった。なお、銅粉として最大粒子径が配線パターン幅と同じ５０μｍである銅粉を使用すると、形成された銅配線間で短絡が発生しやすくなった。
【００７８】
【実施例２】
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、金属粉末（銅粉末）、充填材およびその他の添加剤を下記の割合で配合し、ロールによる１００℃での加熱混練を行って樹脂基板成形体用組成物を得た。
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂：１００重量部
（商品名：ＥＯＣＮ−１０２０、日本化薬（株）製、エポキシ当量１９９ｇ／ｅｑ）
フェノールノボラック樹脂　　　　　　　　：４５重量部
（商品名：Ｈ−１、明和化成（株）製、ＯＨ当量１０７ｇ／ｅｑ）
臭素系エポキシ樹脂　　　　　　　　　　　：２７重量部
（商品名：ＢＲＥＮ−Ｓ、日本化薬（株）製、エポキシ当量２８５ｇ／ｅｑ）
球状溶融シリカ　　　　　　　　　　　　　：７２０重量部
（商品名：ＦＢ−７４、電気化学（株）製、平均粒子径：３０μｍ）
銅粉　　　　　　　　　　　　　　　　　　：１０５重量部
（最大粒子径：１０μｍ、平均粒子径：５μｍ、表面に平均厚さ０．０１μｍの酸化膜を有する）
シランカップリング剤　　　　　　　　　　：６重量部
（ＳＺ−６０８３、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）
２−メチルイミダゾール　　　　　　　　　：１重量部
カルナバワックス　　　　　　　　　　　　：５重量部
カーボンブラック　　　　　　　　　　　　：３重量部
酸化アンチモン（最大粒子径：２０μｍ）　：１０重量部
上記の樹脂成形体用組成物を、プレス成形機を用いた１８０℃での加熱圧縮成形することにより、５０ｍｍ×５０ｍｍ×５ｍｍの平板状の樹脂成形体を製造した。
【００７９】
次にこの平板の樹脂成形体を常温で５重量％の硫酸水溶液１リットル当り、過硫酸ナトリウム１００ｇを加えた洗浄液に３０分浸漬し、樹脂成形体の表面に露出している銅粉を完全に溶解・除去した。
このように前処理した樹脂成形体の水平面の上に、ライン／スペース＝１００μｍ／１００μｍの幅で、長さ３０ｍｍの疑似パターン（配線パターン）の溝状粗面部を１５本およびメッキの樹脂に対する密着強度測定用の幅１０ｍｍ、長さ３０ｍｍのラインを定格８０Ｗ出力の同期スキャンＮＣ型エキシマレーザ照射機（スポット大きさ約０．５ｍｍ×２．５ｍｍ、ＨＰＬレンズ及び縮尺倍数４のガラス製マスクからなる光学系を使用）によって、以下の条件でレーザ光を照射して食刻形成した。
周波数：１００Ｈｚ、
ビーム走査速度　：１０００ｍｍ／ｍｉｎ
焦点深度：４０μｍ
エネルギー出力：１．２Ｊ／ｃｍ２。
【００８０】
次に、樹脂成形体を常温で３重量％の硫酸水溶液に３分間浸漬し、パターンの表面に露出した銅粉の表面にある酸化膜を除去した。
このようにしてパターン中にある銅粉の表面にある酸化膜を除去した後、銅イオン濃度が１６ｇ／リットルの濃度に調整された硫酸銅ベースの無電解メッキ浴（日鉱メタルプレーティング（株）製、ＮＭＫシリーズ）に樹脂成形体を２５℃で、２時間浸漬し、メッキ厚が約１０μｍになるまで、無電解銅メッキを行い、回路基板を製造した。
【００８１】
上記のようにして無電解メッキにより銅配線を形成した樹脂成形体（回路基板）を水洗・乾燥した。
こうして製造された回路基板を目視観察したところ、レーザ光を照射して配線パターンを形成した部分に選択的に銅が析出しており、樹脂成形体の他の部分への銅の析出は認められなかった。また、このようにして形成された回路基板の銅配線間で導通試験をおこなった結果、形成された銅配線間で短絡は生じなかった。なお、レーザ光を照射する前の過硫酸ナトリウムを含有する硫酸水溶液による洗浄を行わない場合、レーザ光を照射しない部分にわずかではあるが銅の析出が認められることがあった。
【００８２】
上記のようにして形成された銅配線の基板に対する密着強度を基板に対してメッキ層を９０°の方向に剥離することにより測定した結果、剥離強度は０．１Ｎ／ｍｍ程度であった。
【００８３】
【実施例３】
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、金属粉末（銅粉末）、充填材およびその他の添加剤を下記の割合で配合し、ロールによる１００℃での加熱混練を行って樹脂成形体用組成物を得た。
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂：１００重量部
（商品名：ＥＯＣＮ−１０２０、日本化薬（株）製、エポキシ当量１９９ｇ／ｅｑ）
フェノールノボラック樹脂　　　　　　　　：４５重量部
（商品名：Ｈ−１、明和化成（株）製、ＯＨ当量１０７ｇ／ｅｑ）
臭素系エポキシ樹脂　　　　　　　　　　　：２７重量部
（商品名：ＢＲＥＮ−Ｓ、日本化薬（株）製、エポキシ当量２８５ｇ／ｅｑ）
球状溶融シリカ　　　　　　　　　　　　　：７２０重量部
（商品名：ＦＢ−７４、電気化学（株）製、平均粒子径：３０μｍ）
銅粉　　　　　　　　　　　　　　　　　　：１０５重量部
（最大粒径１０μｍ、平均粒子径：５μｍ、表面に平均厚さ０．０１μｍの酸化膜を有する）
シランカップリング剤　　　　　　　　　　：６重量部
（ＳＺ−６０８３、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）
２−メチルイミダゾール　　　　　　　　　　：１重量部
カルナバワックス　　　　　　　　　　　　：５重量部
カーボンブラック　　　　　　　　　　　　：３重量部
酸化アンチモン（最大粒子径：２０μｍ）　：１０重量部
上記の樹脂成形体用組成物を、プレス成形機を用いて１８０℃での加熱圧縮成形することにより、５０ｍｍ×５０ｍｍ×５ｍｍの平板状の樹脂成形体を製造した。
【００８４】
次にこの平板の樹脂成形体を常温で５重量％の硫酸水溶液１リットル当り、過硫酸ナトリウム１００ｇを加えた洗浄液に３０分浸漬し、樹脂成形体の表面に露出している銅粉を完全に溶解・除去した。
このように前処理した樹脂成形体の水平面の上に、ライン／スペース＝１００μｍ／１００μｍの幅で、長さ３０ｍｍの疑似パターンの溝状粗面部を１５本およびメッキの樹脂に対する密着強度測定用の幅１０ｍｍ、長さ３０ｍｍのラインを定格８０Ｗ出力の同期スキャンＮＣ型エキシマレーザ照射機（スポット大きさ約０．５ｍｍ×２．５ｍｍ、ＨＰＬレンズ及び縮尺倍数４のガラス製マスクからなる光学系を使用）によって、以下の条件でレーザ光を照射して食刻形成した。
周波数：１００Ｈｚ、
ビーム走査速度　：１０００ｍｍ／ｍｉｎ
焦点深度：４０μｍ
エネルギー出力：１．２Ｊ／ｃｍ２。
【００８５】
次に、樹脂成形体を濃度３重量％の硫酸水溶液に常温で３分間浸漬して、パターン内に露出した銅粉の表面にある酸化膜を除去した。
次いで、この樹脂成形体を、塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）を０．２５ｇ／リットルの濃度で含有するように調製された塩化パラジウム無電解メッキ浴に、３５℃で１分浸漬して配線パターンの表面にある銅粉の表面を平均厚さ０．００１μｍのパラジウムで被覆した。
【００８６】
上記のようにして処理した樹脂成形体を、銅イオン濃度が１６ｇ／リットルに調整された硫酸銅ベースの無電解メッキ浴（日鉱メタルプレーティング（株）製、ＮＭＫシリーズ）に、２５℃で、２時間浸漬し、メッキ厚が約１０μｍになるまで、無電解銅メッキを行い、回路基板を製造した。
こうして製造された回路基板を目視観察したところ、レーザ光を照射してパターンを形成した部分に選択的に銅が析出していた。また、このようにして形成された回路基板の銅配線間で導通試験を行った結果、形成された銅配線間で短絡は生じなかった。
【００８７】
上記のようにして形成された銅配線の基板に対する密着強度を基板に対してメッキ層を９０°の方向に剥離することにより測定した結果、剥離強度は０．３Ｎ／ｍｍであった。
【００８８】
【実施例４】
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、金属粉末（銅粉）、充填材およびその他の添加剤を下記の割合で配合し、ロールによる１００℃での加熱混練を行って樹脂成形体用組成物を得た。
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂：１００重量部
（商品名：ＥＯＣＮ−１０２０、日本化薬（株）製、エポキシ当量１９９ｇ／ｅｑ）
フェノールノボラック樹脂　　　　　　　　：４５重量部
（商品名：Ｈ−１、明和化成（株）製、ＯＨ当量１０７ｇ／ｅｑ）
臭素系エポキシ樹脂　　　　　　　　　　　：２７重量部
（商品名：ＢＲＥＮ−Ｓ、日本化薬（株）製、エポキシ当量２８５ｇ／ｅｑ）
球状溶融シリカ　　　　　　　　　　　　　：７２０重量部
（商品名：ＦＢ−７４、電気化学（株）製、平均粒径３０μｍ）
銅粉　　　　　　　　　　　　　　　　　　：１５０重量部
（最大粒子径：１０μｍ、平均粒径５μｍ、表面に平均厚さ０．０１μｍの酸化膜を有する）
シランカップリング剤　　　　　　　　　　：６重量部
（ＳＺ−６０８３、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）
２−メチルイミダゾール　　　　　　　　　　：１重量部
カルナバワックス　　　　　　　　　　　　：５重量部
カーボンブラック　　　　　　　　　　　　：３重量部
酸化アンチモン（最大粒子径：２０μｍ）　：１０重量部
上記の樹脂成形体用組成物を、プレス成形機を用いて１８０℃での加熱圧縮成形することにより、５０ｍｍ×５０ｍｍ×５ｍｍの平板状の樹脂成形体を製造した。
【００８９】
次にこの平板の樹脂成形体を常温で５重量％の硫酸水溶液１リットル当り、過硫酸ナトリウム１００ｇを加えた洗浄液に３０分浸漬し、樹脂成形体の表面に露出している銅粉を完全に溶解・除去した。
このように前処理した樹脂成形体の水平面の上に、ライン／スペース＝１６５μｍ／１６５μｍの幅で、ＩＰＣの櫛形電極パターン（Ａパターン）を定格８０Ｗ出力の同期スキャンＮＣ型エキシマレーザ照射機（スポット大きさ約０．５ｍｍ×２．５ｍｍ、ＨＰＬレンズ及び縮尺倍数４のガラス製マスクからなる光学系を使用）によって、以下の条件でレーザ光を照射して食刻形成した。
周波数：１００Ｈｚ、
ビーム走査速度　：１０００ｍｍ／ｍｉｎ
焦点深度：４０μｍ
エネルギー出力：１．２Ｊ／ｃｍ２。
【００９０】
次に、樹脂成形体を濃度３重量％の硫酸水溶液に常温で３分間浸漬して、配線パターン上に露出した銅粉の表面にある酸化膜を除去した。
こうして得られた樹脂成形体を銅イオンの濃度が１６ｇ／リットルに調整された硫酸銅ベースの無電解メッキ浴（日鉱メタルプレーティング（株）製、ＮＭＫシリーズ）に２５℃、２時間浸漬し、メッキ厚が約１０μｍになるまで、無電解銅メッキを行い、回路基板を製造した。
【００９１】
こうして製造された回路基板を目視観察したところ、レーザ光を照射してパターンを形成した部分に選択的に銅が析出していた。
この回路基板に形成された櫛型電極に、温度８５℃、湿度８５％の条件下において連続的に５０Ｖの直流電圧を掛け、電極間の電気抵抗の経時変化を測定した。結果を表１に示す。
【００９２】
【比較例１】
実施例４において、表面に酸化物膜を有する銅粉の代わりに、表面に酸化膜が形成されていない銅粉を用いた以外は同様にして回路基板を製造した。
こうして製造された回路基板の櫛型電極に、温度８５℃、湿度８５％の条件下において連続的に５０Ｖの直流電圧を掛け、電極間の電気抵抗の経時変化を測定した。結果を表１に示す。
【００９３】
【表１】
2004146763.tif 000003
【００９４】
上記表１に示したとおり、実施例４および比較例１の結果から、表面に絶縁膜を有していない金属粉末を使用して形成された配線パターンは、配線パターン間の抵抗値が時間の経過とともに低下することがわかった。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明で使用する表面に絶縁膜を有する金属粉末の断面を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の回路基板を製造する際におけるレーザ光の照射を示す原理図を示す斜視図である。
【図３】図３は、レーザ光が照射されて形成された配線パターンにおける表面に絶縁膜を有する金属粉末の状態を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、このようなパターンにおける金属粉末を活性にした状態の例を示す断面図である。
【図５】図５は、上記のようにしてレーザ光を照射して食刻描画された配線パターンにメッキ処理により金属を選択的に析出して金属配線が形成された回路基板の断面の例を模式的に示す断面図である。
【図６】図６は、このようにして形成された金属配線の部分を拡大して示す拡大断面図である。
【図７】図７は、箱型樹脂成形体に本発明の回路基板の製造方法を適用した実施例を示す部分拡大斜視図である。
【図８】図８は、樹脂成形体のスルーホールに本発明の回路基板の製造方法を適用した実施例を示す部分拡大断面図である。
【図９】図９は、本発明の回路基板を用いた表面実装型の半導体装置の実施例の断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の回路基板を用いた他の表面実装型の半導体装置の断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の回路基板を一度に多数個作製する状態を説明する半導体装置の概略断面図である。
【符号の説明】
１　・・・金属粉末
２　・・・芯材
３　・・・絶縁膜
４　・・・金属配線
１０・・・　回路基板
１２　・・・樹脂成形体
１２ａ　・・・平面部
１２ｂ　・・・傾斜側面
１２ｃ　・・・平面部
１２ｄ　・・・裏面
１４　・・・粗面部
１８　・・・線
２０　・・・溝
３０　・・・スルーホール
４０　・・・半導体装置
４１ａ　・・・上端面
４１ｂ　・・・上部開口部
４１　・・・箱型樹脂パッケージ
４２　・・・半導体素子
４３　・・・導体回路
４３ａ　・・・平面回路
４３ｂ　・・・立体回路
４４　・・・リッド
４５　・・・凹部
４６、４８　・・・接着剤
４７　・・・ボンディングワイヤー
５０　半導体装置
５１ａ　・・・上端面
５１ｂ　・・・上部開口部
５１　・・・箱型樹脂パッケージ
５２　・・・半導体素子
５３　・・・導体回路
５４　・・・リッド
５５　・・・凹部
５６・・・　応力緩衝用樹脂
５７　・・・バンプ
５８　・・・接着剤
６０　・・・箱型樹脂パッケージ
６０ａ　・・・表面
６０ｂ　・・・裏面
６１　・・・箱型パッケージ搭載板
６２　・・・スルーホール
６３　・・・切断部
Ｂ・・・配線間幅
Ｂｍｉｍ・・・最小配線間幅
Ｄｍａｘ　・・・最大粒子径
Ｌｗ・・・金属配線の幅
Ｌ　・・・走査距離
ｐ　・・・照射ピッチ
ｑ　・・・走査線位置間隔
Ｄ　・・・窪みの最大深さ
Ｗ　・・・窪みの最大幅
Ｘ　・・・走査方向
θ　・・・傾斜角度
【図１】
2004146763.tif 000004
【図２】
2004146763.tif 000005
【図３】
2004146763.tif 000006
【図４】
2004146763.tif 000007
【図５】
2004146763.tif 000008
【図６】
2004146763.tif 000009
【図７】
2004146763.tif 000010
【図８】
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【図９】
2004146763.tif 000012
【図１０】
2004146763.tif 000013
【図１１】
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