(57)【要約】      （修正有）【課題】従来、問題であった、ポリカーボネート樹脂からディスク基板を安定的に成形加工する技術を提供する。【解決手段】一般式（１）で示されるジヒドロキシ化合物９０〜１０モル％および一般式（２）で示されるジヒドロキシ化合物１０〜９０モル％とを、炭酸ジエステルもしくは塩化カルボニルによりカーボネート結合してなるポリカーボネート樹脂から外径１２０ｍｍ、厚さ１．１〜１．２ｍｍのディスク基板を成形するに際して、該ポリカーボネート樹脂として、３００℃において、剪断速度γ（単位：ｓｅｃ−１）が６×１０２  ＜γ＜６．１×１０３  の領域における溶融粘度η（単位：ｐｏｉｓｅ）が、２００＜η＜２５００である樹脂を用いるディスク基板の製造方法。2004171672.tif 0000102004171672.tif 000011【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で示されるジヒドロキシ化合物９０〜１０モル％および一般式（２）で示されるジヒドロキシ化合物１０〜９０モル％とを、炭酸ジエステルもしくは塩化カルボニルによりカーボネート結合してなるポリカーボネート樹脂から外径１２０ｍｍ、厚さ１．１〜１．２ｍｍのディスク基板を成形するに際して、該ポリカーボネート樹脂として、３００℃の剪断速度γ（単位：ｓｅｃ−１）が６×１０２  ＜γ＜６．１×１０３  の領域における溶融粘度η（単位：ｐｏｉｓｅ）が、２００＜η＜２５００である樹脂を用いることを特徴とするディスク基板の製造方法。
【化１】
2004171672.tif 000008
（式中、Ｘは、単結合、炭素数１から１２のアルキリデン基、炭素数５から１０のシクロアルキリデン基、炭素数７から１３のアリール置換アルキリデン基、フルオレニリデン基またはα，α，α’，α’−テトラメチルキシリデン基である。）
【化２】
2004171672.tif 000009
（式中、Ｙは、単結合、炭素数１から１２のアルキリデン基、炭素数５から１０のシクロアルキリデン基、炭素数７から１３のアリール置換アルキリデン基、フルオレニリデン基またはα，α，α’，α’−テトラメチルキシリデン基であり、Ｒ１  は、水素原子または炭素数１から３のアルキル基、Ｒ２  は炭素数３から８のアルキル基、炭素数５から１０のシクロアルキル基または炭素数６から１０のアリール基である。）
【請求項２】
一般式（１）中のＸがイソプロピリデン基、一般式（２）中のＹがブチリデン基、Ｒ１  がメチル基、Ｒ２  がｔｅｒｔ−ブチル基である請求項１記載のディスク基板の製造方法。
【請求項３】
一般式（１）中のＸがイソプロピリデン基、一般式（２）中のＹがイソプロピリデン基、Ｒ１  が水素原子、Ｒ２  がｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基または１−メチルエチル基である請求項１記載のディスク基板の製造方法。
【請求項４】
ガラス転移温度（Ｔｇ）が１００℃以上２００℃以下であるポリカーボネート樹脂を用いる請求項１〜３のいずれか記載のディスク基板の製造方法。
【請求項５】
成形機のシリンダー温度が２８０〜３７０℃で成形する請求項１〜４のいずれか記載のディスク基板の製造方法。
【請求項６】
成形機の金型温度（Ｔｍ）が該ポリカーボネート樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）に対して、（Ｔｇ−２５℃）＜Ｔｍ＜（Ｔｇ−５℃）で成形する請求項５記載のディスク基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特定の構造を有するポリカーボネート樹脂を、外径１２０ｍｍ、厚さ１．１〜１．２ｍｍのディスク基板に成形する技術に属する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、ビスフェノールＡよりなるポリカーボネート樹脂から、ＣＤ基板用途として、外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのディスク基板が製造されている。ＣＤ基板用途向けのビスフェノールＡよりなるポリカーボネート樹脂としては、ユーピロンＨ−４０００（三菱エンジニアリングプラスチックス（株）製）が市販されており、本発明者らの検討によると、該ポリカーボネート樹脂は、３００℃の剪断速度γ（単位：ｓｅｃ−１）が６×１０２  ＜γ＜６×１０３  の領域における溶融粘度η（単位：ｐｏｉｓｅ）が６００＜η＜１２００である。通常、樹脂の流動性はメルトインデックス（ＭＩ）あるいはメルトフローレイト（ＭＦＲ）によって議論される。しかし、ＣＤ基板のような肉薄の円盤を成形する場合には、成形時、ゲートに近い内周部分では剪断速度が大きく、ゲートから遠い外周部分では剪断速度が小さくなる。そのため、溶融粘度の剪断速度依存性が重要となる。ビスフェノールＡよりなるポリカーボネート樹脂の場合、本発明者らの計算によると、ＣＤ基板を成形するのにゲートに近い内周部分では剪断速度が１０００〜６０００ｃｍ−１程度、外周に近い部分では剪断速度が６００ｃｍ−１程度となるため、近内周部分と近外周部分とでは、複屈折やそり、スタンパーからのピットの転写性に若干の差が生じる。ＭＩやＭＦＲの測定データは剪断速度が１０程度と遅いため、ＣＤ基板の成形の場合の数値データとして有意なものにならない。
しかしながら、上記のような流動性に優れた樹脂を用いているにも拘わらず、ビスフェノールＡからなるポリカーボネート樹脂からＣＤ基板を成形する場合、複屈折の低減、基板のそりの防止、また転写性の向上のために、通常シリンダー温度３００〜３７０℃、金型温度１２０〜１３５℃といった厳しい条件下で成形されている（例えば、非特許文献１）。
しかるに、一般式（１）で示されるジヒドロキシ化合物９０〜１０モル％および一般式（２）で示されるジヒドロキシ化合物１０〜９０モル％とを、炭酸ジエステルもしくは塩化カルボニルによりカーボネート結合してなるポリカーボネート樹脂は、その低複屈折から様々な用途に展開可能である（例えば特許文献１参照）。
しかしながら、該ポリカーボネート樹脂から外径１２０ｍｍ、厚さ１．１〜１．２ｍｍのディスク基板を成形するに際し、本発明者らの調査したところでは、上述のようなディスク基板に安定的に成形加工した前例はなく、ディスク基板に成形するために必要な条件は確立されていない。
【化３】
2004171672.tif 000002
（式中、Ｘは、単結合、炭素数１から１２のアルキリデン基、炭素数５から１０のシクロアルキリデン基、炭素数７から１３のアリール置換アルキリデン基、フルオレニリデン基またはα，α，α’，α’−テトラメチルキシリデン基である。）
【化４】
2004171672.tif 000003
（式中、Ｙは、単結合、炭素数１から１２のアルキリデン基、炭素数５から１０のシクロアルキリデン基、炭素数７から１３のアリール置換アルキリデン基、フルオレニリデン基またはα，α，α’，α’−テトラメチルキシリデン基であり、Ｒ１  は、水素原子または炭素数１から３のアルキル基、Ｒ２  は炭素数３から８のアルキル基、炭素数５から１０のシクロアルキル基または炭素数６から１０のアリール基である。）
【０００３】
【特許文献１】
特開平４−４２２２号公報
【非特許文献１】
本間精一編「ポリカーボネート樹脂ハンドブック」第１２７頁
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、従来技術における上記課題を解決しようとするものであり、該ポリカーボネート樹脂に必要なディスク成形技術を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するべく鋭意検討を重ねた結果、一般式（１）で示されるジヒドロキシ化合物９０〜１０モル％および一般式（２）で示されるジヒドロキシ化合物１０〜９０モル％とを、炭酸ジエステルもしくは塩化カルボニル類によりカーボネート結合してなるポリカーボネート樹脂から外径１２０ｍｍ、厚さ１．１〜１．２ｍｍのディスク基板を成形するに際して、該ポリカーボネート樹脂として、３００℃において、剪断速度γ（単位：ｓｅｃ−１）が６×１０２  ＜γ＜６．１×１０３  の領域における溶融粘度η（単位：ｐｏｉｓｅ）が、２００＜η＜２５００である樹脂を用いることにより上記課題を解決できることを見出し本発明に到達した。
【化５】
2004171672.tif 000004
（式中、Ｘは、単結合、炭素数１から１２のアルキリデン基、炭素数５から１０のシクロアルキリデン基、炭素数７から１３のアリール置換アルキリデン基、フルオレニリデン基またはα，α，α’，α’−テトラメチルキシリデン基である。）
【化６】
2004171672.tif 000005
（式中、Ｙは、単結合、炭素数１から１２のアルキリデン基、炭素数５から１０のシクロアルキリデン基、炭素数７から１３のアリール置換アルキリデン基、フルオレニリデン基またはα，α，α’，α’−テトラメチルキシリデン基であり、Ｒ１  は、水素原子または炭素数１から３のアルキル基、Ｒ２  は炭素数３から８のアルキル基、炭素数５から１０のシクロアルキル基または炭素数６から１０のアリール基である。）
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明を具体的に説明する。本発明に用いられるポリカーボネート樹脂は、一般式（１）で示されるジヒドロキシ化合物、および一般式（２）で示されるジヒドロキシ化合物と、炭酸ジエステルまたは塩化カルボニルとを反応させて得られる。
【化７】
2004171672.tif 000006
（式中、Ｘは、単結合、炭素数１から１２のアルキリデン基、炭素数５から１０のシクロアルキリデン基、炭素数７から１３のアリール置換アルキリデン基、フルオレニリデン基またはα，α，α’，α’−テトラメチルキシリデン基である。）
【化８】
2004171672.tif 000007
（式中、Ｙは、単結合、炭素数１から１２のアルキリデン基、炭素数５から１０のシクロアルキリデン基、炭素数７から１３のアリール置換アルキリデン基、フルオレニリデン基またはα，α，α’，α’−テトラメチルキシリデン基であり、Ｒ１  は、水素原子または炭素数１から３のアルキル基、Ｒ２  は炭素数３から８のアルキル基、炭素数５から１０のシクロアルキル基または炭素数６から１０のアリール基である。）
【０００７】
一般式（１）で示されるジヒドロキシ化合物としては、具体的には、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（通称：ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、３，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、４，４’−（１，３−フェニレン−ビス（１−メチルエチリデン））ビスフェノール、４，４’−（１，４−フェニレン−ビス（１−メチルエチリデン））ビスフェノール、４，４’−ビフェノール等が例示される。中でも、ビスフェノールＡが好適に使用される。
【０００８】
一般式（２）で示されるジヒドロキシ化合物としては、具体的には、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−（１−メチルエチル）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−フェニルフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−（１−メチルエチル）−６−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−６−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−６−メチルフェニル）−２−メチルプロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−６−（１−メチルエチル）フェニル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−シクロヘキシル−６−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−シクロヘキシル−６−メチルフェニル）−２−メチルプロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−６−メチルフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−（１−メチルエチル）フェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−フェニルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−（１−メチルエチル）−６−メチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−６−メチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−６−（１−メチルエチル）フェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−シクロヘキシル−６−メチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−（１−メチルエチル）フェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−フェニルフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−（１−メチルエチル）−６−メチルフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−６−メチルフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−６−（１−メチルエチル）フェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−シクロヘキシル−６−メチルフェニル）シクロペンタン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−（１−メチルエチル）フェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）フルオレン、ビス（２−シクロヘキシル−５−メチルフェノール）、ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェノール）、４，４’−（１，４−フェニレン−ビス（１−メチルエチリデン））ビスフェノール、４，４’−（１，３−フェニレン−ビス（１−メチルエチリデン））ビスフェノール、４，４’−（１，４−フェニレン−ビス（１−メチルエチリデン））ビス−（２−シクロヘキシル−５−メチルフェノール）、４，４’−（１，３−フェニレン−ビス（１−メチルエチリデン））ビス−（２−シクロヘキシル−５−メチルフェノール）、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−（１−メチルエチル）フェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１−フェニルエタン等が例示される。中でも、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−６−メチルフェニル）ブタンが好適に使用される。
【０００９】
炭酸ジエステルとしては、ジフェニルカーボネート、ジ−ｐ−クレジルカーボネート、ジ−ｍ−クレジルカーボネート、ジ−ｏ−クレジルカ−ボネ−ト、ジメチルカ−ボネート、ジエチルカーボネート、ジプロピルカ−ボネート、ジブチルカーボネート、ジアミルカーボネート、ジシクロヘキシルカーボネート等が例示される。中でも、ジフェニルカーボネートが好適に使用される。
【００１０】
塩化カルボニル類としては、ホスゲン、ダイホスゲン、トリホスゲン等が例示される。中でも、ホスゲンが好適に使用される。
【００１１】
本発明に用いられるポリカーボネート樹脂は、公知のエステル交換法もしくは界面法により製造される。エステル交換法を用いる場合には、カーボネート結合を生成するために炭酸ジエステルが用いられ、ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとを塩基性金属触媒の存在下反応させ、ポリカーボネート樹脂が製造される。また、界面法を用いる場合には、カーボネート結合を生成するために塩化カルボニル類が用いられ、ジヒドロキシ化合物と塩基性アルカリ金属化合物と塩化カルボニルとを溶媒および酸結合剤の存在下反応させ、ポリカーボネート樹脂が製造される。
【００１２】
以下に本発明に関わるポリカーボネート樹脂の製造方法について述べる。１つの方法として、ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルを塩基性化合物触媒の存在下反応させる公知のエステル交換法が用いられる。
【００１３】
炭酸ジエステルとしては、ジフェニルカーボネート、ジトリールカーボネート、ビス（クロロフェニル）カーボネート、ｍ−クレジルカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネート、ジシクロヘキシルカーボネート等が挙げらる。これらの中でも特にジフェニルカーボネートが好ましい。炭酸ジエステルは、ジヒドロキシ化合物の合計１モルに対して０．９７〜１．１０モルの比率で用いられることが好ましく、更に好ましくは０．９９〜１．０４モルの比率である。
【００１４】
塩基性化合物触媒としては、特にアルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合物、含窒素化合物等があげられる。
【００１５】
このような化合物としては、アルカリ金属およびアルカリ土類金属化合物等の有機酸塩、無機塩、酸化物、水酸化物、水素化物あるいはアルコキシド、４級アンモニウムヒドロキシドおよびそれらの塩、アミン類等が好ましく用いられ、これらの化合物は単独もしくは組み合わせて用いることができる。
【００１６】
アルカリ金属化合物としては、具体的には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム、水酸化リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸リチウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸セシウム、酢酸リチウム、ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウム、ステアリン酸セシウム、ステアリン酸リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、フェニル化ホウ素ナトリウム、安息香酸ナトリウム、安息香酸カリウム、安息香酸セシウム、安息香酸リチウム、リン酸水素２ナトリウム、リン酸水素２カリウム、リン酸水素２リチウム、フェニルリン酸２ナトリウム、ビスフェノールＡの２ナトリウム塩、２カリウム塩、２セシウム塩、２リチウム塩、フェノールのナトリウム塩、カリウム塩、セシウム塩、リチウム塩等が用いられる。
【００１７】
アルカリ土類金属化合物としては、具体的には、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化ストロンチウム、水酸化バリウム、炭酸水素マグネシウム、炭酸水素カルシウム、炭酸水素ストロンチウム、炭酸水素バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム、炭酸バリウム、酢酸マグネシウム、酢酸カルシウム、酢酸ストロンチウム、酢酸バリウム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸カルシウム、安息香酸カルシウム、フェニルリン酸マグネシウム等が用いられる。
【００１８】
含窒素化合物としては、具体的には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキシド等のアルキル、アリール、基等を有する４級アンモニウムヒドロキシド類、トリエチルアミン、ジメチルベンジルアミン、トリフェニルアミン等の３級アミン類、ジエチルアミン、ジブチルアミン等の２級アミン類、プロピルアミン、ブチルアミン等の１級アミン類、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、ベンゾイミダゾール等のイミダゾール類、あるいは、アンモニア、テトラメチルアンモニウムボロハイドライド、テトラブチルアンモニウムボロハイドライド、テトラブチルアンモニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルアンモニウムテトラフェニルボレート等の塩基あるいは塩基性塩等が用いられる。
【００１９】
これらの触媒は、ジヒドロキシ化合物の合計１モルに対して、１０−９〜１０−３モルの比率で、好ましくは１０−８〜１０−４モルの比率で用いられる。
【００２０】
本発明にかかわるエステル交換反応は、公知の溶融重縮合法により行うことができる。すなわち、前記の原料、および触媒を用いて、加熱下に常圧または減圧下にエステル交換反応により副生成物を除去しながら溶融重縮合を行うものである。反応は、一般には二段以上の多段行程で実施される。
【００２１】
具体的には、第一段目の反応を１２０〜２６０℃、好ましくは１８０〜２４０℃の温度で０．１〜５時間、好ましくは０．５〜３時間反応させる。次いで反応系の減圧度を上げながら反応温度を高めてジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとの反応を行い、最終的には１ｍｍＨｇ以下の減圧下、２００〜３５０℃の温度で重縮合反応を行う。このような反応は、連続式で行っても良くまたバッチ式で行ってもよい。上記の反応を行うに際して用いられる反応装置は、錨型攪拌翼、マックスブレンド攪拌翼、ヘリカルリボン型攪拌翼等を装備した縦型であっても、パドル翼、格子翼、メガネ翼等を装備した横型であってもスクリューを装備した押出機型であってもよく、また、これらを重合物の粘度を勘案して適宜組み合わせた反応装置を使用することが好適に実施される。
【００２２】
本発明にかかわるポリカーボネート樹脂は、重合反応終了後、熱安定性および加水分解安定性を保持するために、触媒を除去もしくは失活させる。一般的には、公知の酸性物質の添加による触媒の失活を行う方法が好適に実施される。これらの物質としては、具体的には、ｐ−トルエンスルホン酸等の芳香族スルホン酸類、ｐ−トルエンスルホン酸ブチル、ｐ−トルエンスルホン酸ヘキシル等の芳香族スルホン酸エステル類、ｐ−トルエンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩等の芳香族スルホン酸塩類、ステアリン酸クロライド、塩化ベンゾイル、ｐ−トルエンスルホン酸クロライド等の有機ハロゲン化物、ジメチル硫酸等のアルキル硫酸、塩化ベンジル等の有機ハロゲン化物等が好適に用いられる。
【００２３】
触媒失活後、ポリマー中の低沸点化合物を０．１〜１ｍｍＨｇの圧力、２００〜３５０℃の温度で脱揮除去する工程を設けても良く、このためには、パドル翼、格子翼、メガネ翼等、表面更新能の優れた攪拌翼を備えた横型装置、あるいは薄膜蒸発器が好適に用いられる。
【００２４】
本発明に関わるポリカーボネート樹脂のもう１つの製造方法として、ジヒドロキシ化合物を溶媒および末端停止剤および酸結合剤の存在下、ホスゲンと反応させる界面重合法がある。通常、酸結合剤の水溶液にジヒドロキシ化合物および末端停止剤を溶解し、有機溶媒の存在下に反応させる。
【００２５】
酸結合剤としては、例えば、ピリジンあるいは水酸化ナトリウムあるいは水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物が好適に用いられ、また、溶媒としては、例えば、塩化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼン、キシレンなどが好適に使用される。さらに、重合反応を促進するために、触媒としてトリエチルアミンのような第三級アミンあるいはテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド等の第四級アンモニウム塩等が使用される。
【００２６】
また、重合度の調節に用いられる末端停止剤としては、フェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェノール、長鎖アルキル置換フェノール等の一官能ヒドロキシ化合物が使用される。
【００２７】
さらに、所望に応じて、亜硫酸ナトリウム、ハイドロサルファイトナトリウム等の酸化防止剤を少量添加しても良い。
【００２８】
反応は、通常０〜１５０℃、好ましくは５〜４０℃の範囲で行われる。反応時間は反応温度によって左右されるが、通常０．５分〜１０時間、好ましくは１分〜２時間である。また、反応中は反応系のｐＨを１０以上に保持することが好ましい。
【００２９】
本発明に用いられるポリカーボネート樹脂の好ましいガラス転移温度は１００℃以上２００℃以下であり、より好ましくは１０５℃以上１８０℃以下である。ガラス転移温度が１００℃より低いと基板の耐熱性が悪くなり使用環境が限定されるため好ましくない。また、ガラス転移温度が２００℃より高いと、流動性が悪くなり、樹脂製造工程あるいは押出工程でのハンドリングが困難になるため好ましくない。
【００３０】
本発明におけるポリカーボネート樹脂には、酸化防止剤、離型剤、紫外線吸収剤、流動性改良剤、帯電防止剤、抗菌剤、着色剤あるいは核剤等を添加することが好適に実施される。これらの添加剤の混練には通常の２軸押し出し機が用いられる。軸の回転方向は同方向であっても異方向であっても構わない。押し出し機のシリンダー温度は、樹脂の粘度にもよるが、通常２２０℃〜２８０℃に設定される。
【００３１】
本発明に用いられる樹脂は、３００℃において、剪断速度γ（単位：ｓｅｃ−１）が６×１０２  ＜γ＜６．１×１０３  の領域における溶融粘度η（単位：ｐｏｉｓｅ）が、２００＜η＜２５００である。より好ましくは、４００＜η＜２０００であり、更に好ましくは４００＜η＜１５００である。剪断速度γ（単位：ｓｅｃ−１）が６×１０２  ＜γ＜６．１×１０３  の領域における溶融粘度η（単位：ｐｏｉｓｅ）が２００以下であると、成形片が脆くなり、ディスク基板として実用に耐えるものにならない。また、２５００以上であると、樹脂圧が高くなりすぎて好ましいシリンダー温度では成形不可能になる、あるいはシリンダー温度を好ましい温度以上に高く設定する必要が生じ、分解ガスによりシルバーが発生するため好ましくない。
【００３２】
成形機は通常の射出成形機あるいは射出圧縮成形機が用いられる。より好適には射出圧縮成形機が用いられる。好ましい成形温度領域は、成形機のシリンダー温度として２８０℃から３７０℃であり、より好ましくは３００℃から３６０℃である。シリンダー温度が２８０℃より低いと、コールドフローが発生したり、あるいは基板のそりが大きくなるため、好ましくない。また、シリンダー温度が３７０℃を越えると、樹脂が分解によりシルバーが発生したり、あるいは基板に気泡が混入したり、あるいは、スタンパーへの汚染物の蓄積速度が速くなり、あるいは分子量低下により成形片が脆くなるため好ましくない。シリンダー内部での樹脂の好ましい滞留時間は１０秒から５０秒であり、型締め圧は、好ましくは１０トンから４０トンである。
【００３３】
また、成形機の金型温度（Ｔｍ）は、該ポリカーボネート樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）に対して、（Ｔｇ−２５℃）＜Ｔｍ＜（Ｔｇ−５℃）であることが好ましい。ＴｍがＴｇ−２５℃より低いと、スタンパーのピットが基板に充分に転写されないため好ましくない。また、ＴｍがＴｇ−５℃を越えると、基板を金型から外す際に変形を起こすため好ましくない。より好ましい金型温度は、（Ｔｇ−２０℃）＜Ｔｍ＜（Ｔｇ−１０℃）である。
【００３４】
【実施例】
以下に本発明を実施例で説明するが、本発明は、これらの実施例になんらの制限を受けるものではない。なお、
１．剪断速度と溶融粘度はキャピログラフにより測定した。
２．Ｔｇは、ＤＳＣ（示差走査熱量計）を用いて測定した。
３．重量平均分子量（Ｍｗ）はクロロホルムを展開溶媒としてＧＰＣにより計測した。検量線は既知分子量の分散の小さいポリスチレンを用いて作成した。
４．射出成形機には住友重機械工業社製ＤＩＳＫ３を用いた。
【００３５】
実施例１
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン５．１３７ｋｇ（２２．５０モル）、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−６−メチルフェニル）ブタン８．６０８ｋｇ（２２．５０モル）、ジフェニルカーボネート１０．４１ｋｇ（４８．６０モル）、および水酸化ナトリウム３．６００×１０−３ｇ（９．０００×１０−５モル）を攪拌機および留出装置付きの５０リットル反応器に入れ、窒素雰囲気７６０ｍｍＨｇの下１時間かけて２００℃に加熱した。
その後、撹拌を開始し、減圧度を２０分かけて１００Ｔｏｒｒに調整し、その後２００℃、１００Ｔｏｒｒの条件下で５０分間保持しエステル交換反応を行った。さらに１０分かけて１５Ｔｏｒｒに調整すると同時に６０℃／ｈｒの速度で２３５℃まで昇温を行い、４０分間その温度および圧力に保持した。その後２０分かけて１Ｔｏｒｒ以下に調整すると同時に９０℃／ｈｒの速度で２６０℃まで昇温を行い、２６０℃、１Ｔｏｒｒ以下の条件下で１時間撹拌下重合を行った。反応終了後、反応器内に窒素を吹き込み加圧にし、生成したポリカーボネート樹脂をペレタイズしながら反応器下部から抜き出した。このポリカーボネート樹脂１０．０ｋｇを１００℃で２４時間真空乾燥し、ｐ−トルエンスルホン酸ｎ−ブチルを樹脂中のナトリウムイオンの４倍モル、グリセリンモノステアレートを樹脂に対して６００ｐｐｍ添加して、押し出し機により樹脂温度２４０〜２５０℃で混練してペレタイズしペレットを得た。このペレットのＭｗ＝４１８００、Ｔｇ＝１６０℃であった。このペレットを１００℃で２４時間真空乾燥後、３００℃における剪断速度γと溶融粘度ηの関係を測定したところ、下記の通りであった。
γ＝６．０８×１０２  ｓｅｃ−１のとき、η＝１０８６ｐｏｉｓｅ
γ＝１．２２×１０３  ｓｅｃ−１のとき、η＝１０１３ｐｏｉｓｅ
γ＝２．４３×１０３  ｓｅｃ−１のとき、η＝８７７ｐｏｉｓｅ
γ＝６．０８×１０３  ｓｅｃ−１のとき、η＝６２０ｐｏｉｓｅ
更に、樹脂温度３１０℃、金型温度１４５℃、ＤＶＤ用スタンパー設置下で射出成形し、外径１２０ｍｍφ、厚さ１．２ｍｍのディスク基板を得た。この基板は良好であり、目視でシルバーは見られなかった。
【００３６】
実施例２
実施例１において、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−６−メチルフェニル）ブタンを用いず、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンを６．１６４ｋｇ（２７．００モル）、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−（１−メチルエチル）フェニル）プロパン５．６２４ｋｇ（１８．００モル）を用いた以外は、実施例１と同様の重合および押し出し操作を行った。得られたペレットのＭｗ＝４６７００、Ｔｇ＝１２０℃であった。このペレットを１００℃で２４時間真空乾燥後、３００℃における剪断速度γと溶融粘度ηの関係を測定したところ、下記の通りであった。
γ＝６．０８×１０２  ｓｅｃ−１のとき、η＝１７６０ｐｏｉｓｅ
γ＝１．２２×１０３  ｓｅｃ−１のとき、η＝１５００ｐｏｉｓｅ
γ＝２．４３×１０３  ｓｅｃ−１のとき、η＝１３１０ｐｏｉｓｅ
γ＝６．０８×１０３  ｓｅｃ−１のとき、η＝１０４０ｐｏｉｓｅ
更に、シリンダー温度３６０℃、金型温度１１０℃、ＤＶＤ用スタンパー設置下で射出成形し、外径１２０ｍｍφ、厚さ１．２ｍｍのディスク基板を得た。この基板は良好であり、目視でシルバーは見られなかった。
【００３７】
実施例３
実施例１において、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−６−メチルフェニル）ブタンを用いず、代わりに２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルフェニル）プロパン８．７８７ｋｇ（２２．５０モル）を用いた以外は、実施例１と同様の重合および押し出し操作を行った。得られたペレットのＭｗ＝４４８００、Ｔｇ＝１３４℃であった。このペレットを１００℃で２４時間真空乾燥後、３００℃における剪断速度γと溶融粘度ηの関係を測定したところ、下記の通りであった。
γ＝６．０８×１０２  ｓｅｃ−１のとき、η＝１５５０ｐｏｉｓｅ
γ＝１．２２×１０３  ｓｅｃ−１のとき、η＝１３１０ｐｏｉｓｅ
γ＝２．４３×１０３  ｓｅｃ−１のとき、η＝１１４０ｐｏｉｓｅ
γ＝６．０８×１０３  ｓｅｃ−１のとき、η＝９００ｐｏｉｓｅ
更に、シリンダー温度３５０℃、金型温度１２１℃、ＤＶＤ用スタンパー設置下で射出成形し、外径１２０ｍｍφ、厚さ１．２ｍｍのディスク基板を得た。この基板は良好であり、目視でシルバーは見られなかった。
【００３８】
実施例４
実施例１において、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−６−メチルフェニル）ブタンを１２．０５ｋｇ（３１．５０モル）、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンを３．０８２ｋｇ（１３．５０モル）用い、重合反応の最終段階である２６０℃、１Ｔｏｒｒ以下の条件下で１時間２０分撹拌下重合を行った以外は、実施例１と同様の重合および押し出し操作を行った。得られたペレットのＭｗ＝４７８００、Ｔｇ＝１６５℃であった。このペレットを１００℃で２４時間真空乾燥後、３００℃における剪断速度γと溶融粘度ηの関係を測定したところ、下記の通りであった。
γ＝６．０８×１０２  ｓｅｃ−１のとき、η＝２１００ｐｏｉｓｅ
γ＝１．２２×１０３  ｓｅｃ−１のとき、η＝１９４０ｐｏｉｓｅ
γ＝２．４３×１０３  ｓｅｃ−１のとき、η＝１７００ｐｏｉｓｅ
γ＝６．０８×１０３  ｓｅｃ−１のとき、η＝１３３０ｐｏｉｓｅ
更に、シリンダー温度３７０℃、金型温度１５５℃、ＤＶＤ用スタンパー使用条件下で射出成形し外径１２０ｍｍφ×厚さ１．２ｍｍのディスク基板を得た。この基板は良好であり、目視でシルバーは見られなかった。
【００３９】
実施例５
実施例１において、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−６−メチルフェニル）ブタンを５．１６５ｋｇ（１３．５０モル）、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンを５．１３７ｋｇ（２２．５０モル）、更に４，４’−（１，３−フェニレン−ビス（１−メチルエチリデン））ビスフェノールを３．１１８ｋｇ（９．００モル）用いた以外は、実施例１と同様の重合および押し出し操作を行った。得られたペレットのＭｗ＝４３１００、Ｔｇ＝１４１℃であった。このペレットを１００℃で２４時間真空乾燥後、３００℃における剪断速度γと溶融粘度ηの関係を測定したところ、下記の通りであった。γ＝６．０８×１０２  ｓｅｃ−１のとき、η＝１０００ｐｏｉｓｅ
γ＝１．２２×１０３  ｓｅｃ−１１のとき、η＝９４０ｐｏｉｓｅ
γ＝２．４３×１０３  ｓｅｃ−１のとき、η＝８００ｐｏｉｓｅ
γ＝６．０８×１０３  ｓｅｃ−１のとき、η＝５６０ｐｏｉｓｅ
更に、シリンダー温度３２０℃、金型温度１３０℃、ＤＶＤ用スタンパー使用条件下で射出成形し外径１２０ｍｍφ×厚さ１．２ｍｍのディスク基板を得た。この基板は良好であり、目視でシルバーは見られなかった。
【００４０】
比較例１
実施例１において、重合反応の最終段階である２６０℃、１Ｔｏｒｒ以下の条件下で１時間５０分撹拌下重合を行った以外は、実施例１と同様の重合および押し出し操作を行った。得られたペレットのＭｗ＝５６２００、Ｔｇ＝１６４℃であった。このペレットを１００℃で２４時間真空乾燥後、３００℃における剪断速度γと溶融粘度ηの関係を測定したところ、下記の通りであった。
γ＝６．０８×１０２  ｓｅｃ−１のとき、η＝２８５０ｐｏｉｓｅ
γ＝１．２２×１０３  ｓｅｃ−１のとき、η＝２６２０ｐｏｉｓｅ
γ＝２．４３×１０３  ｓｅｃ−１のとき、η＝２２２０ｐｏｉｓｅ
γ＝６．０８×１０３  ｓｅｃ−１のとき、η＝１７４００ｐｏｉｓｅ
更に、シリンダー温度３７０℃では樹脂圧が上がりすぎて成形できなかったため、シリンダー温度３９０℃、金型温度１５３℃、ＤＶＤ用スタンパー設置下で射出成形し外径１２０ｍｍφ×厚さ１．２ｍｍのディスク基板を得た。この基板はシルバーが多く存在しており、実用に耐えるものではなかった
【００４１】
比較例２
実施例１において、重合反応の最終段階である２６０℃、１Ｔｏｒｒ以下の条件下で３０分撹拌下重合を行った以外は、実施例１と同様の重合および押し出し操作を行った。得られたペレットのＭｗ＝３３５００、Ｔｇ＝１５６℃であった。このペレットを１００℃で２４時間真空乾燥後、３００℃における剪断速度γと溶融粘度ηの関係を測定したところ、下記の通りであった。
γ＝６．０８×１０２  ｓｅｃ−１のとき、η＝５１０ｐｏｉｓｅ
γ＝１．２２×１０３  ｓｅｃ−１のとき、η＝４６３ｐｏｉｓｅ
γ＝２．４３×１０３  ｓｅｃ−１のとき、η＝３７８ｐｏｉｓｅ
γ＝６．０８×１０３  ｓｅｃ−１のとき、η＝２８０ｐｏｉｓｅ
更に、シリンダー温度２９０℃、金型温度１４０℃、ＤＶＤ用スタンパー設置下で射出成形し外径１２０ｍｍφ×厚さ１．２ｍｍのディスク基板を得ようとしたが、基板は脆く取り出し時に割れてしまい基板を得ることはできなかった。
【００４２】
【発明の効果】
本発明によれば、シルバーの発生がない充分な強度を持った厚さ１．１〜１．２ｍｍのポリカーボネートディスク基板を安定的に得られ有用である。