(57)【要約】【課題】量子ドットに対して、正確に電気的にアクセスすることを可能とする量子半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板１０上に形成された量子ドット１２と、量子ドット１２を埋め込むように形成された半導体層１８と、量子ドット１２の存在により半導体層１８に生じる歪により、半導体層１８表面の量子ドット１２上の位置に形成された電極２２とを有している。したがって、量子ドット１２に対して正確に電気的にアクセスすることができ、また、量子ドット１２に対してそれぞれ独立して電気的にアクセスすることができる。【選択図】      図１
2004247431.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された量子ドットと、
前記量子ドットを埋め込むように形成された半導体層と、
前記量子ドットの存在により前記半導体層に生じる歪の位置上に自己整合的に形成された電極と
を有することを特徴とする量子半導体装置。
【請求項２】
半導体基板上に形成された量子ドットと、
前記量子ドットを埋め込むように形成された半導体層と、
前記半導体層表面の前記量子ドット上の位置に形成された凹部内に形成された電極と
を有することを特徴とする量子半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の量子半導体装置において、
前記半導体層表面に形成された溝内に形成され、前記電極に電気的に接続された配線を更に有する
ことを特徴とする量子半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は２記載の量子半導体装置において、
前記半導体層表面に形成され、前記電極近傍に一端が位置するライン状の酸化物と、
前記電極及び前記ライン状の酸化物を埋め込むように形成された他の半導体層と、
前記他の半導体層に埋め込まれ、前記電極に電気的に接続された他の電極と、
前記ライン状の酸化物に沿って前記他の半導体層表面に形成された溝内に形成され、前記他の電極に電気的に接続された配線と
を更に有することを特徴とする量子半導体装置。
【請求項５】
半導体基板上に形成された量子ドットと、
前記量子ドットを埋め込むように形成された第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上の前記量子ドット上の位置に形成された半導体ドットと、
前記半導体ドットの一部が酸化されてなるドット状の酸化物と、
前記半導体ドットを埋め込むように形成された第２の半導体層と、
前記第２の半導体層表面の前記ドット状の酸化物上の位置に形成された凹部内に形成された電極と
を有することを特徴とする量子半導体装置。
【請求項６】
半導体基板上に、量子ドットを形成する工程と、
前記量子ドットを埋め込むように半導体層を形成する工程と、
前記量子ドットの存在により前記半導体層に生じる歪の位置上に自己整合的に電極を形成する工程と
を有することを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体基板上に、量子ドットを形成する工程と、
前記量子ドットを埋め込むように半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上の前記量子ドット上の位置に、半導体ドットを形成する工程と、
前記半導体ドットと前記半導体ドットの直下における前記半導体層とを酸化することにより、その一部が前記半導体層に埋め込まれたドット状の酸化物を形成する工程と、
前記ドット状の酸化物を除去することにより、前記半導体層表面に凹部を形成する工程と、
前記半導体層表面に形成された前記凹部内に電極を形成する工程と
を有することを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７記載の量子半導体装置の製造方法において、
前記電極を形成する工程の前に、前記半導体層を酸化することにより、前記半導体層表面に、前記半導体層の前記電極の形成予定位置の近傍に一端が位置するライン状の酸化物を形成する工程と、前記ライン状の酸化物を除去することにより、前記半導体層表面に溝を形成する工程とを更に有し、
前記電極を形成する工程では、前記電極とともに、前記溝内に、前記電極に電気的に接続された配線を形成する
ことを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６又は７記載の量子半導体装置の製造方法において、
前記電極を形成する工程の後に、前記半導体層を酸化することにより、前記半導体層表面に、前記半導体層の前記電極の形成予定位置の近傍に一端が位置するライン状の酸化物を形成する工程と、
前記電極上の位置における表面に凹部が形成され、前記ライン状の酸化物に沿って表面に溝が形成されるように、前記電極及び前記ライン状の酸化物を埋め込む他の半導体層を形成する工程と、
前記凹部に前記電極に達する開口部を形成する工程と、
前記開口部内に前記電極に電気的に接続された他の電極を形成するとともに、前記溝内に前記他の電極に電気的に接続された前記配線を形成する工程と
を更に有することを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
半導体基板上に、量子ドットを形成する工程と、
前記量子ドットを埋め込むように第１の半導体層を形成する工程と、
前記第１の半導体層上の前記量子ドット上の位置に、半導体ドットを形成する工程と、
前記半導体ドットの一部を酸化することにより、前記半導体ドットの一部が酸化されてなるドット状の酸化物を形成する工程と、
前記ドット状の酸化物上の位置における表面に凹部が形成されるように、前記ドット状の酸化物及び前記半導体ドットを埋め込む第２の半導体層を形成する工程と、
前記第２の半導体層表面に形成された前記凹部内に電極を形成する工程と
を有することを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、量子半導体装置及びその製造方法に係り、特に、量子ドットを有する量子半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
量子ドットは、例えば、Ｓｔｒａｎｓｋｉ−Ｋｒａｓｔａｎｏｗモード（Ｓ−Ｋモード）を利用した形成方法により、半導体基板上に相互に離間して島状に形成される。ここで、Ｓ−Ｋモードとは、エピタキシャル成長される半導体結晶が、成長開始当初は、２次元成長（膜成長）するが、膜の弾性限界を超えた段階で三次元成長するモードのことである。下地の材料と格子定数の異なる膜をエピタキシャル成長することにより、三次元成長島よりなる量子ドットが自己形成される。
【０００３】
近時、量子情報や量子計算の分野の技術が大きく注目されており、量子ドットの応用の可能性が注目されている。しかしながら、量子ドットに関する更なる基礎研究及び応用開発のためには、乗り越えるべき種々の技術的な障壁が存在している。
【０００４】
例えば、量子ドットは大きさが小さく、また、Ｓ−Ｋモードを利用して自己形成された量子ドットはランダムに分布している。現在までのところ、このようなランダムに分散した状態で自己形成された量子ドットの各々に対して正確に電気的にアクセスすることを可能とする方法は提案されていなかった。
【０００５】
一方、電子ビームリソグラフィ、反応性イオンエッチング等のサブミクロンでの加工が可能なプロセスを用いることにより、１００ｎｍ程度の大きさの導体パッドを作製することは可能である。したがって、量子ドットの密度が非常に低い場合には、このようなプロセスを用いて単一の量子ドット上に電極を形成しうる可能性がある。すなわち、サブミクロンでの加工が可能なプロセスを用いて量子ドットが形成されたであろう領域上に電極を適当に形成する。次いで、電極の下に量子ドットが存在するか否かをチェックする。こうして、電極形成及びその後のチェックを数多く繰り返すことにより、電極の下に単一の量子ドットが存在する場合を見出すことができる可能性もある。しかしながら、このような方法では、量子ドットの密度が高い場合に単一の量子ドットを捕捉することはほぼ不可能である。また、このような確率的な方法は、素子を製造するにあたって非効率的な方法であるといえる。
【０００６】
また、特許文献１には、微細な探針形状をした電極を用いて量子ドットに電気的にアクセスする方法が提案されている。しかしながら、この場合、電極を量子ドット上に配置するために、量子ドットをアレイ化した状態で形成しておく等の特別なプロセスが必要となる。また、特許文献１では、針状電極による電界は、量子ドットの大きさよりもはるかに広く分布すると考えられる。このため、ある量子ドット上に配置した電極による電界が、隣接する量子ドットにまで影響を及ぼしてしまうことが想定される。
【０００７】
【特許文献１】
特開平７−２９７３８１号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、従来の技術では、ランダムに分散した状態で自己形成された量子ドットの各々に対して、正確に電気的にアクセスすることを可能とする方法は確立されていなかった。
【０００９】
自己形成された各々の量子ドットに対する正確な電気的アクセスを実現することは、量子ドットに関する基礎研究、応用開発等における種々の局面において、非常に重要なことである。
【００１０】
本発明の目的は、量子ドットに対して、正確に電気的にアクセスすることを可能とする量子半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、半導体基板上に形成された量子ドットと、前記量子ドットを埋め込むように形成された半導体層と、前記量子ドットの存在により前記半導体層に生じる歪の位置上に自己整合的に形成された電極とを有することを特徴とする量子半導体装置により達成される。これにより、量子ドット上に電極を正確に形成することができるので、かかる電極を介して、量子ドットに対して正確に電気的にアクセスすることが可能となり、また、量子ドットに対してそれぞれ独立して電気的にアクセスすることが可能となる。
【００１２】
また、上記目的は、半導体基板上に形成された量子ドットと、前記量子ドットを埋め込むように形成された半導体層と、前記半導体層表面の前記量子ドット上の位置に形成された凹部内に形成された電極とを有することを特徴とする量子半導体装置により達成される。これにより、量子ドット上に電極を正確に形成することができるので、かかる電極を介して、量子ドットに対して正確に電気的にアクセスすることが可能となり、また、量子ドットに対してそれぞれ独立して電気的にアクセスすることが可能となる。
【００１３】
また、上記目的は、半導体基板上に形成された量子ドットと、前記量子ドットを埋め込むように形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上の前記量子ドット上の位置に形成された半導体ドットと、前記半導体ドットの一部が酸化されてなるドット状の酸化物と、前記半導体ドットを埋め込むように形成された第２の半導体層と、前記第２の半導体層表面の前記ドット状の酸化物上の位置に形成された凹部内に形成された電極とを有することを特徴とする量子半導体装置により達成される。
【００１４】
また、上記目的は、半導体基板上に、量子ドットを形成する工程と、前記量子ドットを埋め込むように半導体層を形成する工程と、前記量子ドットの存在により前記半導体層に生じる歪の位置上に自己整合的に電極を形成する工程とを有することを特徴とする量子半導体装置の製造方法により達成される。
【００１５】
また、上記目的は、半導体基板上に、量子ドットを形成する工程と、前記量子ドットを埋め込むように半導体層を形成する工程と、前記半導体層上の前記量子ドット上の位置に、半導体ドットを形成する工程と、前記半導体ドットと前記半導体ドットの直下における前記半導体層とを酸化することにより、その一部が前記半導体層に埋め込まれたドット状の酸化物を形成する工程と、前記ドット状の酸化物を除去することにより、前記半導体層表面に凹部を形成する工程と、前記半導体層表面に形成された前記凹部内に電極を形成する工程とを有することを特徴とする量子半導体装置の製造方法により達成される。
【００１６】
また、上記目的は、半導体基板上に、量子ドットを形成する工程と、前記量子ドットを埋め込むように第１の半導体層を形成する工程と、前記第１の半導体層上の前記量子ドット上の位置に、半導体ドットを形成する工程と、前記半導体ドットの一部を酸化することにより、前記半導体ドットの一部が酸化されてなるドット状の酸化物を形成する工程と、前記ドット状の酸化物上の位置における表面に凹部が形成されるように、前記ドット状の酸化物及び前記半導体ドットを埋め込む第２の半導体層を形成する工程と、前記第２の半導体層表面に形成された前記凹部内に電極を形成する工程とを有することを特徴とする量子半導体装置の製造方法により達成される。
【００１７】
【発明の実施の形態】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による量子半導体装置及びその製造方法について図１乃至図３を用いて説明する。図１は本実施形態による量子半導体装置の構造を示す断面図、図２は本実施形態による量子半導体装置のエネルギーバンド構造を示す図、図３は本実施形態による量子半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【００１８】
まず、本実施形態による量子半導体装置の構造について図１を用いて説明する。
【００１９】
半導体基板１０上には、自己形成された量子ドット１２を含む半導体よりなる量子ドット層１４が形成されている。量子ドット層１４は、半導体基板１０上にＳ−Ｋモードによって自己形成された三次元成長島よりなる量子ドット１２と、量子ドット１２の間の半導体基板１０上に形成された濡れ層１６とから構成されている。
【００２０】
量子ドット層１６上には、キャップ層すなわち半導体層１８が形成されている。量子ドット１２上の半導体層１８には、量子ドット１２の材料と半導体層１８の材料との格子不整合により歪が生じている。図１では、半導体層１８の歪が生じている領域を点線で示している。
【００２１】
半導体層１８表面の歪が生じている位置には、金属よりなる粒状の電極２２が形成されている。
【００２２】
本実施形態による量子半導体装置は、半導体層１８表面の歪が生じている位置に電極２２が自己整合的に形成されていること、すなわち、それぞれの量子ドット１２上に、金属よりなる粒状の電極２２が正確に形成されていることに主たる特徴がある。
【００２３】
このように、量子ドット１２上の半導体層１８に生じた歪により、それぞれの量子ドット１２上に電極２２が正確に形成されているので、かかる電極２２を介して、自己形成された量子ドット１２に対して正確に電気的にアクセスすることが可能となる。また、自己形成された量子ドット１２に対してそれぞれ独立して電気的にアクセスすることが可能となる。
【００２４】
なお、本実施形態による量子半導体装置のエネルギーバンド構造は、図２に示すようになる。
【００２５】
次に、本実施形態による量子半導体装置の製造方法について図３を用いて説明する。
【００２６】
まず、半導体基板１０上に、例えばＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ、分子線エピタキシー）法により、量子ドット層１４を形成する。量子ドット層１４には、Ｓ−Ｋモードにより、量子ドット１２が自己形成される（図３（ａ）を参照）。量子ドット層１４の材料としては、半導体基板１０の材料と格子定数が異なり格子不整合が大きい材料を用いる。例えば、半導体基板１０としてＧａＡｓ基板を用いる場合、量子ドット層１４の材料としては、例えばＩｎＡｓを用いることができる。
【００２７】
次いで、量子ドット層１４上に、例えばＭＢＥ法により、半導体層１８を形成する（図３（ｂ）を参照）。半導体層１８の材料としては、例えば、量子ドット層１４の材料と格子定数が異なり、格子不整合が大きい材料を用いる。量子ドット層１４の材料としてＩｎＡｓを用いる場合には、例えば、半導体層１８の材料としてＧａＡｓを用いることができる。
【００２８】
量子ドット１２上の半導体層１８には、量子ドット１２との格子不整合により歪が生じる。
【００２９】
なお、半導体層１８は、その表面にまで十分に歪が生じるように、比較的薄めに形成することが望ましい。例えば、量子ドット１２の上端が半導体層１８により埋められた段階で、ＭＢＥ法による半導体層１８の成長を停止する。半導体層１８の厚さは、例えば１０ｎｍ以下、より望ましくは５ｎｍ以下とする。なお、半導体層１８を薄めに形成すべき理由については詳述する。
【００３０】
次いで、液滴エピタキシー法により、金属液滴を半導体層１８表面に堆積することにより、金属よりなる粒状の電極２２を形成する。ここで、液滴エピタキシー法とは、蒸発した金属の原子や分子を、例えば絶縁体や半導体等の金属より低い表面エネルギーを有する材料の表面に堆積することにより、微細な粒状体を成長する技術のことである。この方法では、系のエネルギーを最小にしようとする作用が起こるために、金属が絶縁体や半導体等の表面積を最小にするように微細な球状に成長する。電極２２の材料としては、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｌ、若しくはＡｕ、又はこれらの合金を用いることができる。
【００３１】
また、電極２２は、半導体層１８を形成するために用いた成膜装置のエピタキシャル成長チャンバ内において、半導体層１８の形成後に連続した工程で形成することができる。
【００３２】
半導体層１８と電極２２とを連続した工程で形成する場合には、エピタキシャル成長チャンバ内でのＭＢＥ法による半導体層１８の形成後、半導体層１８の材料となる半導体の堆積を停止する。
【００３３】
例えば、半導体層１８を形成するために、ＩＩＩ−Ｖ族半導体を堆積した場合、エピタキシャル成長チャンバ内へのＶ族元素の供給を停止する。
【００３４】
Ｖ族元素の供給の停止により、ＩＩＩ族元素の金属ビームのみが半導体層１８の表面に照射され、ＩＩＩ族元素の金属液滴が半導体層１８表面に堆積される。
【００３５】
液滴エピタキシー法により半導体層１８表面に堆積された金属液滴は、半導体層１８表面に生じている歪の位置へと移動する。
【００３６】
続いて、金属液滴の堆積終了後の冷却により、金属液滴は固化し、金属の粒子が形成される。こうして、半導体層１８表面の歪が生じている位置、すなわち半導体層１８に埋め込まれた量子ドット１２のそれぞれの上の半導体層１８表面に、金属よりなる粒状の電極２２が正確に形成される。すなわち、量子ドット１２の存在により半導体層１８に生じる歪の位置上に自己整合的に電極２２が形成される。
【００３７】
液滴エピタキシー法により電極２２を形成する場合の条件は、例えば以下のようにすればよい。以下の条件は、半導体基板１０として、ＧａＡｓ基板を用いる場合のものである。
【００３８】
エピタキシャル成長チャンバ内のＡｓ分圧は、例えば１０−７Ｔｏｒｒ程度の無視できる大きさにする。金属液滴としてＩｎ又はＧａを堆積する場合には、基板温度は例えば１００〜２００℃とする。また、金属液滴としてＡｌを堆積する場合には、基板温度は例えば３００〜４００℃とする。堆積速度は例えば０．５〜３原子層（ｍｏｎｏｌａｙｅｒｓ）／秒とし、総堆積量は例えば１〜４原子層とする。
【００３９】
電極２２は、堆積量等の金属液滴を堆積する際の条件を適宜設定することにより、量子ドット１２の大きさ等に応じて、所望の大きさに設定することができる。
【００４０】
ここで、上述のようにして液滴エピタキシー法により形成された金属よりなる粒状の電極２２が、半導体層１８表面における量子ドット１２上の位置に正確に形成されるメカニズムについて説明する。
【００４１】
一般的に、上述の液滴エピタキシー法において、表面に堆積される金属液滴の位置は、金属液滴が堆積される表面の液滴エピタキシー過程の間の表面自由エネルギー分布に依存することが知られている。
【００４２】
例えば、表面が均一に処理されている場合には、金属液滴はランダムに配置した状態で表面に堆積される。
【００４３】
これに対し、表面状態が局所的に改質されている場合には、金属液滴は、表面状態が意図的に改質された領域に堆積される。表面状態が局所的に改質されている場合には、例えば、表面が局所的に不動態化されていたり、局所的に不純物が堆積されていたり、パターニングされていたり、局所的に電界が印加されているといった場合がある（例えば、米国特許第６，３８３，２８６号明細書、米国特許第６，２４２，３２６号明細書、米国特許第６，０３３，９７２号明細書、特開平４−２４５６２０号公報、特開２０００−３１５６５４号公報等を参照）。
【００４４】
本実施形態による量子半導体装置の製造方法では、量子ドット層１４上に、半導体層１８が薄く形成されている。このため、それぞれの量子ドット１２上において半導体層１８に歪が生じている。
【００４５】
半導体層１８表面の歪が生じている部分は、歪が生じていない部分に比して、表面エネルギーが高くなっている。このため、液滴エピタキシー法による金属液滴は、歪が生じている半導体層１８表面の量子ドット１２上の位置に選択的に堆積される。
【００４６】
なお、前述したように半導体層１８をできるだけ薄めに形成するのが望ましいのは、次の理由による。すなわち、半導体層１８を量子ドット１２の高さと比して厚く形成したのでは、半導体層１８表面にまで十分な歪が生じない。このため、半導体層１８表面の量子ドット１２上の部分の表面エネルギーが他の部分と大きく変化せず、金属液滴の選択的形成が困難となるためである。
【００４７】
以上のようにして、液滴エピタキシー法により、金属よりなる粒状の電極２２が、自己形成した量子ドット１２のそれぞれの上の半導体層１８表面の位置に正確に形成される。
【００４８】
こうして、本実施形態による量子半導体装置が製造される。
【００４９】
このように、本実施形態によれば、量子ドット１２上の半導体層１８中に生じた歪により、液滴エピタキシー法により形成する金属よりなる粒状の電極２２を、それぞれの量子ドット１２上の位置に正確を形成することができる。これにより、量子ドット１２に対して正確に電気的にアクセスすることが可能となる。また、量子ドット１２に対してそれぞれ独立して電気的にアクセスすることが可能となる。
【００５０】
（変形例）
次に、本実施形態の変形例による量子半導体装置及びその製造方法について図４乃至図６を用いて説明する。図４は本変形例による量子半導体装置の構造を示す断面図、図５は本変形例による量子半導体装置の製造方法を示す工程断面図、図６は配線を電極パッドに接続した場合を示す上面図である。
【００５１】
まず、本変形例による量子半導体装置の構造について図４を用いて説明する。
【００５２】
本変形例による量子半導体装置は、電極２２とともに、電極２２に電気的に接続された配線２６が形成されていることに主たる特徴がある。
【００５３】
図４に示すように、半導体層１８表面には、溝２４が形成されている。溝２４の一端は、半導体層１８表面の量子ドット１２上の位置に正確に形成された電極２２近傍に位置している。
【００５４】
溝２４内には、電極２２に電気的に接続された配線２６が形成されている。
【００５５】
このように、本変形例による量子半導体装置は、電極２２に電気的に接続された配線２６を有しているので、量子ドット１２に対して電圧の印加等を行う周辺回路と電極２２とを配線２６を介して電気的に接続することができる。これにより、量子ドット１２への電気的なアクセスがさらに容易になる。
【００５６】
次に、本変形例による量子半導体装置の製造方法について図５及び図６を用いて説明する。
【００５７】
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す場合と同様にして、半導体基板１０上に、量子ドット層１４と、半導体層１８とを順次形成する。
【００５８】
次いで、半導体層１８上に、例えばＭＢＥ法により、半導体ドット層３８を形成する。半導体ドット層３８をエピタキシャル成長することにより、Ｓ−Ｋモードにより、三次元成長島よりなる半導体ドット３６が自己形成される（図５（ａ）を参照）。ここで形成された半導体ドット層３８は、半導体層１８上に自己形成された半導体ドット３６と、半導体ドット３６間の半導体層１８上に形成された濡れ層４０とから構成されるものである。半導体ドット３６は、量子ドットであってもよいし、アンチドットであってもよい。半導体ドット層３８の材料としては、半導体層１８の材料と格子定数が異なり格子不整合が大きい材料を用いる。例えば量子ドット層１４の材料としてＩｎＧａＡｓ、半導体層１８の材料としてＧａＡｓを用いた場合には、半導体ドット層３８の材料として、ＡｌＩｎＡｓを用いることができる。
【００５９】
上述のようにして、量子ドット層１４上に半導体層１８を介してＳ−Ｋモードにより積層形成された半導体ドット層３８の半導体ドット３６は、量子ドット層１４の量子ドット１２上に形成される。すなわち、第１層目の量子ドット層１４の量子ドット１２の位置と、第２層目の半導体ドット層３８の半導体ドット３６の位置とは、それぞれ互いに垂直方向に揃った状態となっている。このように、量子ドット１２と半導体ドット３６とが互いに重なり合うように形成されるのは、量子ドットが形成された量子ドット層上に半導体ドット層を形成すると、半導体ドット層において量子ドットに重なり合うように量子ドット或いはアンチドットである半導体ドットが形成される傾向があるためである。
【００６０】
次いで、ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、原子間力顕微鏡）酸化法を用いて、半導体ドット層３８の濡れ層４０及び半導体層１８の表層を酸化することにより、ライン状の酸化物２８を形成する。ここで、ライン状の酸化物２８の一端が、量子ドット１２上に形成されている半導体ドット３６の近傍の位置にくるように、ライン状の酸化物２８を形成する。
【００６１】
ＡＦＭ酸化法とは、ＡＦＭの探針を試料に近接し、ＡＦＭの探針と試料との間に電圧を印加することにより、試料表面に酸化物を形成する方法である。
【００６２】
本変形例では、例えば、湿度４０〜６０％の大気中において、ＡＦＭの探針３０を半導体ドット層３８の濡れ層４０に近接し、探針３０に負のバイアスを印加し、半導体基板１０に正のバイアスを印加する。このようにバイアスを印加しつつ濡れ層４０に近接した状態で探針３０を走査する。探針３０は、ライン状の酸化物２８を形成すべき濡れ層４０表面の線上を走査する。これにより、探針３０が走査された半導体ドット層３８の濡れ層４０及び半導体層１８の表層が酸化され、ライン状の酸化物２８が形成される（図５（ｂ）を参照）。
【００６３】
次いで、エッチングにより、半導体ドット層３８の半導体ドット３６及び濡れ層４０と、ライン状の酸化物２８を除去する。こうして、半導体ドット３６及び濡れ層４０と、ライン状の酸化物２８とが除去された半導体層１８表面に、溝２４が形成される（図５（ｃ）を参照）。例えばＩｎＡｓよりなる半導体ドット層３８の場合、エッチング液としてＨＣｌを用いることにより、半導体ドット３６及び濡れ層４０と、ライン状の酸化物２８とを同時に除去することができる。
【００６４】
次いで、上記と同様に、液滴エピタキシー法により、半導体層１８表面に、金属液滴を堆積する。このとき、金属液滴は、半導体層１８表面の歪が生じている位置に形成されるとともに、溝２４内に形成される。
【００６５】
続いて、堆積終了後の冷却により、金属液滴が固化し、金属粒子が形成される。こうして、金属よりなる粒状の電極２２とともに、溝２４内に金属粒子が連続的に接続されてなる配線２６が形成される（図５（ｄ）を参照）。
【００６６】
こうして、本変形例による量子半導体装置が製造される。
【００６７】
なお、この後、図６に示すように、配線２６に電気的に接続される電極パッド３２を形成してもよい。
【００６８】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による量子半導体装置及びその製造方法について図７及び図８を用いて説明する。図７は本実施形態による量子半導体装置の構造を示す断面図、図８は本実施形態による量子半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、第１実施形態による量子半導体装置及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
【００６９】
まず、本実施形態による量子半導体装置の構造について図７を用いて説明する。
【００７０】
半導体基板１０上には、自己形成された量子ドット１２を含む半導体よりなる量子ドット層１４が形成されている。
【００７１】
量子ドット層１４上には、半導体層１８が形成されている。
【００７２】
半導体層１８表面の量子ドット１２上の位置には、凹部３４が形成されている。凹部３４内には、金属よりなる粒状の電極２２が形成されている。
【００７３】
本実施形態による量子半導体装置は、半導体層１８表面における量子ドット１２上の位置に形成された凹部３４内に電極２２が形成されていることに主たる特徴がある。
【００７４】
このように、半導体層１８表面の量子ドット１２上の位置に形成された凹部３４により、それぞれの量子ドット１２上に電極２２が正確に形成されているので、かかる電極２２を介して、自己形成された量子ドット１２に対して正確に電気的にアクセスすることが可能となる。また、自己形成された量子ドット１２に対してそれぞれ独立して電気的にアクセスすることが可能となる。
【００７５】
なお、本実施形態による量子半導体装置のエネルギーバンド構造は、図２に示す第１実施形態による量子半導体装置のものとほぼ同様になる。
【００７６】
次に、本実施形態による量子半導体装置の製造方法について図８を用いて説明する。
【００７７】
まず、第１実施形態による場合と同様にして、半導体基板１０上に、量子ドット１２を含む量子ドット層１４と、半導体層１８とを順次形成する（図８（ａ）及び図８（ｂ）を参照）。
【００７８】
次いで、半導体層１８上に、例えばＭＢＥ法により、半導体ドット層３８を形成する。半導体ドット層３８をエピタキシャル成長することにより、Ｓ−Ｋモードにより、三次元成長島よりなる半導体ドット３６が自己形成される（図８（ｃ）を参照）。ここで形成された半導体ドット層３８は、半導体層１８上に自己形成された半導体ドット３６と、半導体ドット３６間の半導体層１８上に形成された濡れ層４０とから構成されるものである。半導体ドット３６は、量子ドットであってもよいし、アンチドットであってもよい。半導体ドット層３８の材料としては、半導体層１８の材料と格子定数が異なり格子不整合が大きい材料を用いる。例えば量子ドット層１４の材料としてＩｎＧａＡｓ、半導体層１８の材料としてＧａＡｓを用いた場合には、半導体ドット層３８の材料として、ＡｌＩｎＡｓを用いることができる。
【００７９】
上述のようにして、量子ドット層１４上に半導体層１８を介してＳ−Ｋモードにより積層形成された半導体ドット層３８の半導体ドット３６は、量子ドット層１４の量子ドット１２上に形成される。すなわち、第１層目の量子ドット層１４の量子ドット１２の位置と、第２層目の半導体ドット層３８の半導体ドット３６の位置とは、それぞれ互いに垂直方向に揃った状態となっている。このように、量子ドット１２と半導体ドット３６とが互いに重なり合うように形成されるのは、量子ドットが形成された量子ドット層上に半導体ドット層を形成すると、半導体ドット層において量子ドットに重なり合うように量子ドット或いはアンチドットである半導体ドットが形成される傾向があるためである。
【００８０】
次いで、ＡＦＭ酸化法を用いて、半導体ドット３６及び半導体ドット３６の直下半導体層１８を酸化する。例えば、湿度４０〜６０％の大気中において、ＡＦＭの探針３０を半導体ドット３６に近接した状態で、所定の時間、探針３０に負のバイアスを印加し、半導体基板１０に正のバイアスを印加する（図８（ｄ）を参照）。例えば、半導体ドット３６の材料がＩｎＧａＡｓの場合には、３〜１０Ｖ程度の電圧を印加する。これにより、半導体ドット３６と半導体ドット３６の直下の半導体層１８とが酸化されてなるドット状の酸化物４２が形成される。こうして、ドット状の酸化物４２は、その一部が半導体層１８の表層内に埋め込まれるように形成される。
【００８１】
なお、半導体ドット３６は、上述した酸化を容易に行うことができるように、小さめに形成しておくことが望ましい。例えば、半導体ドット３６を、その大きさが１５〜３０ｎｍ程度となるように形成しておくことが望ましい。
【００８２】
次いで、エッチングによりドット状の酸化物４２を除去する。エッチング液としては、例えばＩｎＧａＡｓよりなる半導体ドット３６を酸化したドット状の酸化物４２を除去する場合には、希釈したＨＣｌや希釈したＮＨ４ＯＨ等を用いる。
【００８３】
ここで、ドット状の酸化物４２をエッチングにより除去するとともに、濡れ層４０についても、エッチングにより除去する。なお、ドット状の酸化物４２と濡れ層４０を除去する順序の先後は問わない。また、エッチング液を適宜選択することにより、ドット状の酸化物４２と、濡れ層４０とを同時に除去してもよい。例えば、エッチング液としてＨＣｌを用いることにより、Ａｓを含有するドット状の酸化物４２と、ＩｎＡｓよりなる濡れ層４０とを同時に除去することができる。
【００８４】
こうしてドット状の酸化物４２を除去することにより、半導体層１８表面の半導体ドット３６が形成されていた位置、すなわち半導体層１８に埋め込まれた量子ドット１２のそれぞれの上の位置に、凹部３４が形成される（図８（ｅ）を参照）。
【００８５】
なお、半導体ドット３６の高さが十分に低くなく、１回のＡＦＭ酸化法により半導体ドット３６を完全に酸化することが困難な場合等には、次のようにして凹部３４を半導体層１８表面に形成してもよい。すなわち、ＡＦＭ酸化法により半導体ドット３６の上端の一部を酸化する工程と、半導体ドット３６の酸化された部分をエッチングにより除去する工程とを繰り返すことにより、凹部３４を半導体層１８表面に形成してもよい。
【００８６】
次いで、第１実施形態による場合と同様にして、液滴エピタキシー法により、凹部３４が形成された半導体層１８表面に金属液滴を堆積する。
【００８７】
このとき、半導体層１８表面に堆積された金属液滴は、半導体層１８表面に形成された凹部３４に移動する。
【００８８】
続いて、堆積終了後の冷却により、金属液滴は固化し、金属粒子が形成される。こうして、金属よりなる粒状の電極２２が凹部３４内に形成される（図８（ｆ）を参照）。
【００８９】
本実施形態による量子半導体装置の製造方法では、量子ドット１２上の半導体層１８に歪が十分に生じない場合であっても、上述のように半導体層１８の表面の量子ドット１２上の位置に凹部３４を形成するので、電極２２を量子ドット１２上に正確に形成することができる。量子ドット１２上の半導体層１８に歪が十分に生じない場合としては、例えば、量子ドット１２と半導体層１８との格子不整合が小さい場合や、半導体層１８の厚さが例えば１０ｎｍと薄くない場合がある。
【００９０】
なお、液滴エピタキシー法により堆積した金属液滴の凹部３４への移動が円滑に行われるように、凹部３４周辺に凸状物が残存しないように、半導体ドット３６を完全に酸化してドット状の酸化物４２を形成しておくことが望ましい。また、同様の理由から、濡れ層４０のエッチングによる除去の際には、凹部３４周辺等に濡れ層４０が残存してなる凸状物が形成されないように、エッチングにより濡れ層４０を十分に除去しておくことが望ましい。
【００９１】
こうして、本実施形態による量子半導体装置が形成される。
【００９２】
このように、本実施形態によれば、量子ドット１２上に積層形成された半導体ドット３６が酸化されてなるドット状の酸化物４２をエッチング除去することにより、量子ドット１２上の半導体層１８表面に凹部３４を形成し、液滴エピタキシー法により金属よりなる粒状の電極２２を形成するので、それぞれの量子ドット１２上の位置に正確に電極２２を形成することができる。これにより、量子ドット１２に対して正確に電気的にアクセスすることが可能となる。また、量子ドット１２に対してそれぞれ独立して電気的にアクセスすることが可能となる。
【００９３】
（変形例）
次に、本実施形態の変形例による量子半導体装置及びその製造方法について図９及び図１０を用いて説明する。図９は本変形例による量子半導体装置の構造を示す断面図、図１０は本変形例による量子半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【００９４】
まず、本変形例による量子半導体装置の構造について図９を用いて説明する。
【００９５】
本変形例による量子半導体装置は、第１実施形態の変形例による量子半導体装置と同様に、電極２２とともに、電極２２に電気的に接続された配線２６が形成されていることに主たる特徴がある。
【００９６】
図９に示すように、半導体層１８表面には、溝２４が形成されている。溝２４の一端は、半導体層１８表面の量子ドット１２上の位置に正確に形成された凹部３４近傍に位置している。
【００９７】
溝２４内には、電極２２に電気的に接続された配線２６が形成されている。
【００９８】
このように、本変形例による量子半導体装置は、電極２２に電気的に接続された配線２６を有しているので、量子ドット１２に対して電圧の印加等を行う周辺回路と電極２２とを配線２６を介して電気的に接続することができる。
【００９９】
次に、本変形例による量子半導体装置の製造方法について図１０を用いて説明する。
【０１００】
図８（ａ）乃至図８（ｅ）に示す場合と同様にして、量子ドット１２上の半導体層１８表面に凹部３４を形成する（図１０（ａ）を参照）。
【０１０１】
次いで、ＡＦＭ酸化法により、半導体層１８表面に、ライン状の酸化物２８を形成する。ここで、ライン状の酸化物２８の一端が、半導体層１８表面の凹部３４の位置にくるように、ライン状の酸化物２８を形成する（図１０（ｂ）を参照）。
【０１０２】
次いで、エッチングにより半導体層１８表面に形成されたライン状の酸化物２８を除去する。こうして、ライン状の酸化物２８が除去された半導体層１８表面に、溝２４が形成される（図１０（ｃ）を参照）。
【０１０３】
次いで、上記と同様に、液滴エピタキシー法により、半導体層１８表面に、金属液滴を堆積する。このとき、金属液滴は、半導体層１８表面の凹部３４内に形成されるとともに、溝２４内に形成される。
【０１０４】
続いて、堆積終了後の冷却により、金属液滴は固化し、金属粒子が形成される。こうして、金属よりなる粒状の電極２２とともに、溝２４内に金属粒子が連続的に接続されてなる配線２６が形成される（図１０（ｄ）を参照）。
【０１０５】
こうして、本変形例による量子半導体装置が製造される。
【０１０６】
なお、この後、第１実施形態の変形例による場合と同様に、配線２６に電気的に接続される電極パッド３２を形成してもよい。
【０１０７】
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態による量子半導体装置及びその製造方法について図１１乃至図１３を用いて説明する。図１１は本実施形態よる量子半導体装置の構造を示す断面図、図１２は本実施形態による量子半導体装置のバンドエネルギー図、図１３は本実施形態による量子半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、第１及び第２実施形態による量子半導体装置及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
【０１０８】
まず、本実施形態による量子半導体装置の構造について図１１を用いて説明する。
【０１０９】
半導体基板１０上には、自己形成された量子ドット１２を含む半導体よりなる量子ドット層１４が形成されている。
【０１１０】
量子ドット層１４上には、中間層すなわち半導体層１８が形成されている。
【０１１１】
半導体層１８上には、自己形成された半導体ドット４４を含む半導体よりなる半導体ドット層４６が形成されている。半導体ドット層４６は、半導体層１８上に自己形成された半導体ドット４４と、半導体ドット４４間の半導体層１８上に形成された濡れ層４８とから構成されている。半導体ドット層４６の半導体ドット４４は、量子ドット層１４の量子ドット１２上の位置に形成されている。半導体ドット４４は、アンチドットであってもよいし、或いは量子ドットであってもよい。
【０１１２】
半導体ドット層４６の半導体ドット４４の上端には、半導体ドット４４の上端の一部が酸化されてなるドット状の酸化物５０が形成されている。
【０１１３】
ドット状の酸化物５０が上端に形成された半導体ドット４４を含む半導体ドット層４６上には、キャップ層すなわち半導体層５２が形成されている。
【０１１４】
半導体層５２表面の積層形成された量子ドット１２及び半導体ドット４４上の位置には、凹部５４が形成されている。凹部５４内には、金属よりなる粒状の電極２２が形成されている。
【０１１５】
本実施形態による量子半導体装置は、積層形成された量子ドット１２及び半導体ドット４４上の半導体層５２表面の位置に形成された凹部５４内に電極２２が形成されていること、すなわち、それぞれの量子ドット１２上に正確に電極２２が形成されていることに主たる特徴がある。
【０１１６】
このように、半導体層５２表面の量子ドット１２上の位置に形成された凹部５４により、それぞれの量子ドット１２上に電極２２が正確に形成されているので、かかる電極２２を介して、自己形成された量子ドット１２に対して正確に電気的にアクセスすることが可能となる。また、自己形成された量子ドット１２に対してそれぞれ独立して電気的にアクセスすることが可能となる。
【０１１７】
また、本実施形態による量子半導体装置は、量子ドット１２と電極２２との間に、半導体層１８に加えてさらに半導体層５２が形成されていることにも特徴がある。半導体層１８に加えてさらに半導体層５２が形成されているため、熱処理等の際に電極２２中の金属が拡散して量子ドット１２中に侵入するのを防止することができる。
【０１１８】
なお、本実施形態による量子半導体装置のエネルギーバンド構造は、図１２に示すようになる。
【０１１９】
図１２に示すエネルギーバンド構造に示される量子ドット１２と電極２２との間のバリアの高さやバリア幅は、半導体層１８、５２の材料組成や厚さ、半導体ドット４４の材料組成や大きさ、ドット状の酸化物５０の大きさ等を適宜設定することにより、所望の値に設定することができる。
【０１２０】
次に、本実施形態による量子半導体装置の製造方法について図１３を用いて説明する。
【０１２１】
まず、第２実施形態による場合と同様にして、例えばＭＢＥ法により、半導体基板１０上に、量子ドット層１４と、半導体ドット層４６とを、半導体層１８を介して積層形成する（図１３（ａ）を参照）。半導体ドット４４の材料は、半導体層１８の材料と格子定数が異なり格子不整合が大きく、また、例えば半導体層１８よりも高い基底準位のエネルギーを有する材料を選択する。この場合、半導体ドット４４は、アンチドットとなる。このような半導体ドット４４の材料を選択することにより、埋め込まれた量子ドット１２への半導体ドット４４の影響を低減することができる。半導体ドット４４の材料としては、例えば、ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｌＡｓ等を用いることができる。
【０１２２】
なお、半導体ドット４４は、第２実施形態による量子半導体装置の製造方法において形成した第２層目の半導体ドット３６と異なり、必ずしも小さく形成する必要はない。
【０１２３】
上述のようにして、量子ドット層１４上に半導体層１８を介してＳ−Ｋモードにより積層形成された半導体ドット層４６の半導体ドット４４は、第２実施形態による場合と同様に、量子ドット層１４の量子ドット１２上に形成される。
【０１２４】
次いで、エピタキシシャル成長チャンバ内から半導体基板１０を取り出す。
【０１２５】
続いて、ＡＦＭ酸化法により、半導体ドット層４６の半導体ドット４４の上端の一部を酸化する。例えば、湿度４０〜６０％の大気中において、ＡＦＭの探針３０を半導体ドット４４に近接した状態で、所定の時間、探針３０に負のバイアスを印加し、半導体基板１０に正のバイアスを印加する。これにより、半導体ドット４４の上端の一部が酸化されてなるドット状の酸化物５０が形成される（図１３（ｂ）を参照）。
【０１２６】
次いで、表面に吸着した汚染物質や、表面に形成された自然酸化膜等を除去した後、半導体基板１０を再び成膜装置のエピタキシシャル成長チャンバ内に収容する。なお、汚染物質等の除去には、例えば水素原子照射による洗浄方法を用いることができる。
【０１２７】
続いて、半導体ドット層４６上に、例えばＭＢＥ法により、半導体層５２を形成する。半導体層５２の材料には、例えば半導体ドット４４の材料と同じものか、或いは半導体ドット４４の材料よりもエネルギーギャップの大きい材料を選択する。
【０１２８】
半導体層５２の成長において、ドット状の酸化物５０は非晶質であるため、ドット状の酸化物５０上の半導体層５２の成長速度は、他の領域での半導体層５２の成長速度よりも遅くなる。この結果、ドット状の酸化物５０上の半導体層５２表面に凹部５４が形成される（図１３（ｃ）を参照）。
【０１２９】
こうして、積層形成された量子ドット１２及び半導体ドット４４上の半導体層５２表面の位置に、凹部５４が形成される。
【０１３０】
次いで、液滴エピタキシー法により、凹部５４が形成された半導体層５２表面に、金属液滴を堆積する。第２実施形態による場合と同様に、半導体層５２表面に堆積された金属液滴は、凹部５４に移動する。
【０１３１】
続いて、堆積終了後の冷却により、金属液滴は固化し、金属粒子が形成される。こうして、半導体層５２表面の凹部４４内に、金属よりなる粒状の電極２２が形成される（図１３（ｄ）を参照）。
【０１３２】
こうして、本実施形態による量子半導体装置が形成される。
【０１３３】
このように、本実施形態によれば、量子ドット１２上に積層形成された半導体ドット４４の上端の一部が酸化されてなるドット状の酸化物５０上での半導体層５２の成長速度が低下することを利用して、量子ドット１２上の半導体層５２表面に凹部５４を形成し、液滴エピタキシー法により金属よりなる粒状の電極２２を形成するので、それぞれの量子ドット１２上の位置に正確に電極２２を形成することができる。これにより、量子ドット１２に対して正確に電気的にアクセスすることが可能となる。また、量子ドット１２に対してそれぞれ独立して電気的にアクセスすることが可能となる。
【０１３４】
（変形例）
次に、本実施形態の変形例による量子半導体装置及びその製造方法について図１４及び図１５を用いて説明する。図１４は本実施形態の変形例による量子半導体装置の構造を示す断面図、図１５は本変形例による量子半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【０１３５】
まず、本変形例による量子半導体装置の構造について図１４を用いて説明する。
【０１３６】
本変形例による量子半導体装置は、第１及び第２実施形態の変形例による量子半導体装置と同様に、電極２２とともに、電極２２に電気的に接続された配線２６が形成されていることに主たる特徴がある。
【０１３７】
図１４に示すように、半導体層５２表面には、溝２４が形成されている。溝２４の一端は、半導体層５２表面の量子ドット１２上の位置に正確に形成された凹部５４近傍に位置している。
【０１３８】
溝２４内には、電極２２に電気的に接続された配線２６が形成されている。
【０１３９】
このように、本変形例による量子半導体装置は、電極２２に電気的に接続された配線２６を有しているので、量子ドット１２に対して電圧の印加等を行う周辺回路と電極２２とを配線２６を介して電気的に接続することができる。
【０１４０】
次に、本変形例による量子半導体装置の製造方法について図１５を用いて説明する。
【０１４１】
図１３（ａ）乃至図１３（ｃ）に示す場合と同様にして、半導体層５２表面のドット状の酸化物５０上の位置に凹部５４を形成する（図１５（ａ）を参照）。
【０１４２】
次いで、ＡＦＭ酸化法により、半導体層５２表面に、ライン状の酸化物２８を形成する。ここで、ライン状の酸化物２８の一端が、半導体層５２表面の凹部５４の位置にくるように、ライン状の酸化物２８を形成する（図１５（ｂ）を参照）。
【０１４３】
次いで、エッチングにより半導体層５２表面に形成されたライン状の酸化物２８を除去する。こうして、ライン状の酸化物２８が除去された半導体層５２表面に、溝２４が形成される（図１５（ｃ）を参照）。
【０１４４】
次いで、上記と同様に、液滴エピタキシー法により、半導体層５２表面に、金属液滴を堆積する。このとき、金属液滴は、半導体層５２表面の凹部５４内に形成されるとともに、溝２４内に形成される。
【０１４５】
続いて、堆積終了後の冷却により、金属液滴は固化し、金属粒子が形成される。こうして、金属よりなる粒状の電極２２とともに、溝２４内に金属粒子が連続的に接続されてなる配線２６が形成される（図１５（ｄ）を参照）。
【０１４６】
こうして、本変形例による量子半導体装置が製造される。
【０１４７】
なお、この後、第１実施形態の変形例による場合と同様に、配線２６に電気的に接続される電極パッド３２を形成してもよい。
【０１４８】
［第４実施形態］
本発明の第４実施形態による量子半導体装置及びその製造方法について図１６及び図１７を用いて説明する。図１６は本実施形態による量子半導体装置の構造を示す断面図、図１７は本実施形態による量子半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、第１乃至第３実施形態による量子半導体装置及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
【０１４９】
まず、本実施形態による量子半導体装置の構造について図１６を用いて説明する。本実施形態による量子半導体装置は、第１実施形態の変形例による場合と同様に、電極とともに配線が形成されている。
【０１５０】
図１６に示すように、半導体基板１０上には、自己形成された量子ドット１２を含む半導体よりなる量子ドット層１４が形成されている。
【０１５１】
量子ドット層１６上には、中間層すなわち半導体層１８が形成されている。量子ドット１２上の半導体層１８中には、格子不整合による歪が生じている。
【０１５２】
半導体層１８表面の歪が生じている位置には、金属よりなる粒状の電極２２が形成されている。また、半導体層１８表面には、ライン状の酸化物５６が形成されている。ライン状の酸化物５６の一端は、電極２２の近傍に位置している。
【０１５３】
電極２２及びライン状の酸化物５６が形成された半導体層１８上には、キャップ層すなわち半導体層５８が形成されている。
【０１５４】
半導体層５８の電極２２上には、電極２２に達する開口部６０が形成されている。開口部６０には、電極２２に電気的に接続する電極２３が埋め込まれている。
【０１５５】
また、半導体層５８表面には、ライン状の酸化物５６に沿うように溝６２が形成されている。
【０１５６】
溝６２内には、電極２３に電気的に接続された配線６４が形成されている。
【０１５７】
このように、本実施形態による量子半導体装置は、配線６４の下に、ライン状の酸化物５６が形成されていることに主たる特徴がある。ライン状の酸化物５６により、配線６４の下方においてキャリアに対するバリアが形成され、配線６４からのリーク電流を抑制することができる。
【０１５８】
次に、本実施形態による量子半導体装置の製造方法について図１７を用いて説明する。
【０１５９】
まず、第１実施形態の図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示す場合と同様にして、半導体層１８表面の量子ドット１２上の位置に電極２２を形成する。
【０１６０】
次いで、ＡＦＭ酸化法により、半導体層１８表面にライン状の酸化物５６を形成する（図１７（ａ）を参照）。ここで、ライン状の酸化物５６の一端が電極２２の近傍に位置するように、ライン状の酸化物５６を形成する。
【０１６１】
次いで、電極２２と、ライン状の酸化物５６とが表面に形成された半導体層１８上に、例えばＭＢＥ法により、半導体層５８を形成する。
【０１６２】
このとき、電極２２上とライン状の酸化物５６上の半導体層５８の成長速度は、他の領域の半導体層５８の成長速度よりも遅くなる。この結果、半導体層５８表面の電極２２上の位置に凹部６４が形成される。また、ライン状の酸化物５６に沿って半導体層５８表面に溝６２が形成される（図１７（ｂ）を参照）。
【０１６３】
次いで、ＡＦＭ酸化法により、半導体層５８の凹部６４が形成された部分を酸化する。これにより、半導体層５８の凹部６４が形成された部分が酸化されてなるドット状の酸化物６６が形成される（図１７（ｃ）を参照）。ここで、ＡＦＭ酸化法による酸化は、ドット状の酸化物６６の大きさがその下の電極２２に達するまで行う。
【０１６４】
次いで、エッチングにより、凹部６４の位置に形成されたドット状の酸化物６６を除去する。これにより、半導体層５８に、電極２２に達する開口部６０が形成される（図１７（ｄ）を参照）。
【０１６５】
次いで、液滴エピタキシー法により、金属液滴を、開口部６０と溝６２とが形成された半導体層５８表面に堆積する。このとき、金属液滴は、電極２２に達する開口部６０内に形成されるとともに、溝６２内に形成される。
【０１６６】
続いて、堆積終了後の冷却により、金属液滴は固化し、金属粒子が形成される。こうして、電極２２に電気的に接続された金属よりなる粒状の電極２３とともに、溝６２内に金属粒子が連続的に接続されてなる配線６４が形成される（図１７（ｅ）を参照）。
【０１６７】
こうして、本実施形態による量子半導体装置が形成される。
【０１６８】
なお、この後、第１実施形態の変形例による場合と同様に、配線２６に電気的に接続される電極パッド３２を形成してもよい。
【０１６９】
このように、本実施形態によれば、ライン状の酸化物５６上の半導体層５８表面に形成された溝６２内に配線６４を形成するので、ライン状の酸化物５６により、配線６４下方においてキャリアに対するバリアを形成することができる。これにより、配線６４からのリーク電流を抑制することができる。
【０１７０】
なお、本実施形態では、ライン状の酸化物５６を１層形成する場合について説明したが、上述の工程を繰り返すことにより、配線６４の下に複数のライン状の酸化物５６を積層形成してもよい。配線６４の下に複数のライン状の酸化物５６を形成することにより、さらに効果的に配線６４からのリーク電流を抑制することが可能となる。
【０１７１】
（変形例（その１））
本実施形態の変形例（その１）による量子半導体装置及びその製造方法について図１８及び図１９を用いて説明する。図１８は本変形例による量子半導体装置の構造を示す断面図、図１９は本変形例による量子半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【０１７２】
まず、本変形例による量子半導体装置の構造について図１８を用いて説明する。
【０１７３】
本変形例による量子半導体装置は、第２実施形態による場合と同様にして、電極２２が量子ドット１２上に形成されているものである。すなわち、図１８に示すように、半導体層１８表面の量子ドット１２上の位置に形成された凹部３４内に電極２２が形成されている。
【０１７４】
半導体層１８表面には、凹部３４内に形成された電極２２近傍に一端が位置するライン状の酸化物５６が形成されている。
【０１７５】
電極２２及びライン状の酸化物５６が形成された半導体層１８上には、半導体層５８が形成されている。
【０１７６】
半導体層５８には、上記と同様に、電極２２に電気的に接続された電極２３と、電極２３に電気的に接続された配線６４が形成されている。
【０１７７】
こうして本変形例による量子半導体装置が構成されている。
【０１７８】
次に、本変形例による量子半導体装置の製造方法について図１９を用いて説明する。
【０１７９】
まず、第２実施形態による場合と同様にして、半導体層１８表面における量子ドット１２上の位置に形成された凹部３４内に電極２２を形成する。
【０１８０】
次いで、ＡＦＭ酸化法により、凹部３４内に形成された電極２２近傍に一端が位置するライン状の酸化物５６を形成する（図１９（ａ）を参照）。
【０１８１】
次いで、電極２２と、ライン状の酸化物５６とが表面に形成された半導体層１８上に、半導体層５８を形成する。この後、半導体層５８に電極２２に達する開口部６０を形成する（図１９（ｂ）を参照）。
【０１８２】
次いで、液滴エピタキシー法により、電極２２に達する開口部６０内に電極２３を形成するとともに、溝６２内に配線６４を形成する。
【０１８３】
こうして、本変形例による量子半導体装置が形成される。
【０１８４】
（変形例（その２））
本実施形態の変形例（その２）による量子半導体装置及びその製造方法について図２０及び図２１を用いて説明する。図２０は本変形例による量子半導体装置の構造を示す断面図、図２１は本変形例による量子半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【０１８５】
まず、本変形例による量子半導体装置の構造について図２０を用いて説明する。
【０１８６】
本変形例による量子半導体装置は、第３実施形態による場合と同様にして、電極２２が量子ドット１２上に形成されているものである。すなわち、図２０に示すように、半導体層５２表面における量子ドット１２及び半導体ドット４４上の位置に形成された凹部５４内に電極２２が形成されている。
【０１８７】
中間層すなわち半導体層５２表面には、凹部５４内に形成された電極２２近傍に一端が位置するライン状の酸化物５６が形成されている。
【０１８８】
電極２２及びライン状の酸化物５６が形成された半導体層５２上には、キャップ層すなわち半導体層５８が形成されている。
【０１８９】
半導体層５８には、上記と同様に、電極２２に電気的に接続された電極２３と、電極２３に電気的に接続された配線６４が形成されている。
【０１９０】
こうして本変形例による量子半導体装置が構成されている。
【０１９１】
次に、本変形例による量子半導体装置の製造方法について図２１を用いて説明する。
【０１９２】
まず、第３実施形態による場合と同様にして、半導体層５２表面における量子ドット１２及び半導体ドット４４上の位置に形成された凹部５４内に電極２２を形成する。
【０１９３】
次いで、ＡＦＭ酸化法により、凹部５４内に形成された電極２２近傍に一端が位置するライン状の酸化物５６を形成する（図２１（ａ）を参照）。
【０１９４】
次いで、電極２２と、ライン状の酸化物５６とが表面に形成された半導体層５２上に、半導体層５８を形成する。この後、半導体層５８に電極２２に達する開口部６０を形成する（図２１（ｂ）を参照）。
【０１９５】
次いで、液滴エピタキシー法により、電極２２に達する開口部６０内に電極２３を形成するとともに、溝６２内に配線６４を形成する。
【０１９６】
こうして、本変形例による量子半導体装置が形成される。
【０１９７】
［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【０１９８】
例えば上記実施形態では、Ｓ−Ｋモードにより自己形成された量子ドットに対して電極を形成する場合を例に説明したが、電極を形成する量子ドットはＳ−Ｋモードにより自己形成されたものに限定されるものではない。例えば、垂直に積層形成された量子ドットに対して電極を形成する場合にも、本発明を適用することができる。
【０１９９】
また、上記実施形態では、ＡＦＭ酸化法により、量子ドットを酸化し、或いは半導体層を酸化することによりライン状の酸化物を形成したが、電圧を印加するための探針は、針状の導電体のものであれば、種々のものを用いることができる。例えば、探針として、カーボンナノチューブを用いることもできる。
【０２００】
また、上記実施形態では、ＡＦＭ酸化法により、量子ドットを酸化し、或いは半導体層を酸化する場合を例に説明したが、量子ドット等の酸化は、ＡＦＭ酸化に限定されるものではない。量子ドット等の酸化には、微小領域を選択的に酸化することができる種々の手法を用いることができる。
【０２０１】
（付記１）  半導体基板上に形成された量子ドットと、前記量子ドットを埋め込むように形成された半導体層と、前記量子ドットの存在により前記半導体層に生じる歪の位置上に自己整合的に形成された電極とを有することを特徴とする量子半導体装置。
【０２０２】
（付記２）  付記１記載の量子半導体装置において、前記半導体層は、前記量子ドットの材料と格子定数の異なる材料よりなることを特徴とする量子半導体装置。
【０２０３】
（付記３）  半導体基板上に形成された量子ドットと、前記量子ドットを埋め込むように形成された半導体層と、前記半導体層表面の前記量子ドット上の位置に形成された凹部内に形成された電極とを有することを特徴とする量子半導体装置。
【０２０４】
（付記４）  付記１乃至３のいずれかに記載の量子半導体装置において、前記半導体層表面に形成された溝内に形成され、前記電極に電気的に接続された配線を更に有することを特徴とする量子半導体装置。
【０２０５】
（付記５）  付記１乃至３のいずれかに記載の量子半導体装置において、前記半導体層表面に形成され、前記電極近傍に一端が位置するライン状の酸化物と、前記電極及び前記ライン状の酸化物を埋め込むように形成された他の半導体層と、前記他の半導体層に埋め込まれ、前記電極に電気的に接続された他の電極と、前記ライン状の酸化物に沿って前記他の半導体層表面に形成された溝内に形成され、前記他の電極に電気的に接続された配線とを更に有することを特徴とする量子半導体装置。
【０２０６】
（付記６）  半導体基板上に形成された量子ドットと、前記量子ドットを埋め込むように形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上の前記量子ドット上の位置に形成された半導体ドットと、前記半導体ドットの一部が酸化されてなるドット状の酸化物と、前記半導体ドットを埋め込むように形成された第２の半導体層と、前記第２の半導体層表面の前記ドット状の酸化物上の位置に形成された凹部内に形成された電極とを有することを特徴とする量子半導体装置。
【０２０７】
（付記７）  付記６記載の量子半導体装置において、前記半導体ドットは、量子ドット又はアンチドットであることを特徴とする量子半導体装置。
【０２０８】
（付記８）  付記６又は７記載の量子半導体装置において、前記第２の半導体層表面に形成された溝内に形成され、前記電極に電気的に接続された配線を更に有することを特徴とする量子半導体装置。
【０２０９】
（付記９）  付記６又は７記載の量子半導体装置において、前記第２の半導体層表面に形成され、前記電極近傍に一端が位置するライン状の酸化物と、前記電極及び前記ライン状の酸化物を埋め込むように形成された第３の半導体層と、前記第３の半導体層に埋め込まれ、前記電極に電気的に接続された他の電極と、前記ライン状の酸化物に沿って前記第３の半導体層表面に形成された溝内に形成され、前記他の電極に電気的に接続された配線とを更に有することを特徴とする量子半導体装置。
【０２１０】
（付記１０）  付記１乃至９のいずれかに記載の量子半導体装置の製造方法において、前記量子ドットは、Ｓ−Ｋモードによって自己形成された三次元成長島よりなることを特徴とする量子半導体装置。
【０２１１】
（付記１１）  半導体基板上に、量子ドットを形成する工程と、前記量子ドットを埋め込むように半導体層を形成する工程と、前記量子ドットの存在により前記半導体層に生じる歪の位置上に自己整合的に電極を形成する工程とを有することを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【０２１２】
（付記１２）  半導体基板上に、量子ドットを形成する工程と、前記量子ドットを埋め込むように半導体層を形成する工程と、前記半導体層上の前記量子ドット上の位置に、半導体ドットを形成する工程と、前記半導体ドットと前記半導体ドットの直下における前記半導体層とを酸化することにより、その一部が前記半導体層に埋め込まれたドット状の酸化物を形成する工程と、前記ドット状の酸化物を除去することにより、前記半導体層表面に凹部を形成する工程と、前記半導体層表面に形成された前記凹部内に電極を形成する工程とを有することを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【０２１３】
（付記１３）  付記１２記載の量子半導体装置の製造方法において、前記半導体ドットを形成する工程では、前記半導体層と格子定数が異なる材料よりなる半導体ドット層をエピタキシャル成長することにより、三次元成長島よりなる前記半導体ドットを形成することを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【０２１４】
（付記１４）  付記１２又は１３記載の量子半導体装置の製造方法において、前記ドット状の酸化物を形成する工程では、前記半導体ドットに針状の導電体を近接し、前記半導体基板と前記針状の導電体との間に電圧を印加することにより前記半導体ドットと前記半導体ドットの直下の前記半導体層とを酸化することを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【０２１５】
（付記１５）  付記１１乃至１４のいずれかに記載の量子半導体装置の製造方法において、前記電極を形成する工程の前に、前記半導体層を酸化することにより、前記半導体層表面に、前記半導体層の前記電極の形成予定位置の近傍に一端が位置するライン状の酸化物を形成する工程と、前記ライン状の酸化物を除去することにより、前記半導体層表面に溝を形成する工程とを更に有し、前記電極を形成する工程では、前記電極とともに、前記溝内に、前記電極に電気的に接続された配線を形成することを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【０２１６】
（付記１６）  付記１１乃至１４のいずれかに記載の量子半導体装置の製造方法において、前記電極を形成する工程の後に、前記半導体層を酸化することにより、前記半導体層表面に、前記半導体層の前記電極の形成予定位置の近傍に一端が位置するライン状の酸化物を形成する工程と、前記電極上の位置における表面に凹部が形成され、前記ライン状の酸化物に沿って表面に溝が形成されるように、前記電極及び前記ライン状の酸化物を埋め込む他の半導体層を形成する工程と、前記凹部に前記電極に達する開口部を形成する工程と、前記開口部内に前記電極に電気的に接続された他の電極を形成するとともに、前記溝内に前記他の電極に電気的に接続された前記配線を形成する工程とを更に有することを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【０２１７】
（付記１７）  付記１６記載の量子半導体装置の製造方法において、前記凹部に前記電極に達する前記開口部を形成する工程では、前記凹部に針状の導電体を近接し、前記半導体基板と前記針状の導電体との間に電圧を印加することにより前記凹部の前記他の半導体層を酸化し、前記凹部の前記他の半導体層の酸化物を除去することにより前記電極に達する前記開口部を形成することを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【０２１８】
（付記１８）  付記１５乃至１７のいずれかに記載の量子半導体装置の製造方法において、前記ライン状の酸化物を形成する工程では、前記半導体層表面に針状の導電体を近接し、前記半導体基板と前記針状の導電体との間に電圧を印加しつつ前記針状の導電体を走査して前記半導体層表面を酸化することにより、前記ライン状の酸化物を形成することを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【０２１９】
（付記１９）  半導体基板上に、量子ドットを形成する工程と、前記量子ドットを埋め込むように第１の半導体層を形成する工程と、前記第１の半導体層上の前記量子ドット上の位置に、半導体ドットを形成する工程と、前記半導体ドットの一部を酸化することにより、前記半導体ドットの一部が酸化されてなるドット状の酸化物を形成する工程と、前記ドット状の酸化物上の位置における表面に凹部が形成されるように、前記ドット状の酸化物及び前記半導体ドットを埋め込む第２の半導体層を形成する工程と、前記第２の半導体層表面に形成された前記凹部内に電極を形成する工程とを有することを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【０２２０】
（付記２０）  付記１９記載の量子半導体装置の製造方法において、前記半導体ドットを形成する工程では、前記第１の半導体層と格子定数が異なる材料よりなる半導体ドット層をエピタキシャル成長することにより、三次元成長島よりなる前記半導体ドットを形成することを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【０２２１】
（付記２１）  付記１９又は２０記載の量子半導体装置の製造方法において、前記ドット状の酸化物を形成する工程では、前記半導体ドットに針状の導電体を近接し、前記半導体基板と前記針状の導電体との間に電圧を印加することにより前記半導体ドットの一部を酸化することを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【０２２２】
（付記２２）  付記１９乃至２１のいずれかに記載の量子半導体装置の製造方法において、前記電極を形成する工程の前に、前記第２の半導体層を酸化することにより、前記第２の半導体層表面に、前記第２の半導体層の前記電極の形成予定位置の近傍に一端が位置するライン状の酸化物を形成する工程と、前記ライン状の酸化物を除去することにより、前記第２の半導体層表面に溝を形成する工程とを更に有し、前記電極を形成する工程では、前記電極とともに、前記溝内に、前記電極に電気的に接続された配線を形成することを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【０２２３】
（付記２３）  付記１９乃至２１のいずれかに記載の量子半導体装置の製造方法において、前記電極を形成する工程の後に、前記第２の半導体層を酸化することにより、前記第２の半導体層表面に、前記前記第２半導体層の前記電極の形成予定位置の近傍に一端が位置するライン状の酸化物を形成する工程と、前記電極上の位置における表面に凹部が形成され、前記ライン状の酸化物に沿って表面に溝が形成されるように、前記電極及び前記ライン状の酸化物を埋め込む第３の半導体層を形成する工程と、前記凹部に前記電極に達する開口部を形成する工程と、前記開口部内に前記電極に電気的に接続された他の電極を形成するとともに、前記溝内に前記他の電極に電気的に接続された前記配線を形成する工程とを更に有することを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【０２２４】
（付記２４）  付記２３記載の量子半導体装置の製造方法において、前記凹部に前記電極に達する前記開口部を形成する工程では、前記凹部に針状の導電体を近接し、前記半導体基板と前記針状の導電体との間に電圧を印加することにより前記凹部の前記第３の半導体層を酸化し、前記凹部の前記第３の半導体層の酸化物を除去することにより前記電極に達する前記開口部を形成することを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【０２２５】
（付記２５）  付記２２乃至２４のいずれかに記載の量子半導体装置の製造方法において、前記ライン状の酸化物を形成する工程では、前記第２の半導体層表面に針状の導電体を近接し、前記半導体基板と前記針状の導電体との間に電圧を印加しつつ前記針状の導電体を走査して前記第２の半導体層表面を酸化することにより、前記ライン状の酸化物を形成することを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【０２２６】
（付記２６）  付記１１乃至２５のいずれかに記載の量子半導体装置の製造方法において、前記電極を形成する工程では、液滴エピタキシー法により、前記電極を形成することを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【０２２７】
（付記２７）  付記１１乃至２６のいずれかに記載の量子半導体装置の製造方法において、前記量子ドットを形成する工程では、前記半導体基板と格子定数が異なる材料よりなる量子ドット層をエピタキシャル成長することにより、三次元成長島よりなる前記量子ドットを形成することを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【０２２８】
（付記２８）  付記１４、１７、１８、２１、２４、又は２５に記載の量子半導体装置の製造方法において、前記針状の導電体は、原子間力顕微鏡の探針であることを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【０２２９】
（付記２９）  付記１４、１７、１８、２１、２４、又は２５に記載の量子半導体装置の製造方法において、前記針状の導電体は、カーボンナノチューブよりなることを特徴とする量子半導体装置の製造方法。
【０２３０】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、半導体基板上に、量子ドットを形成し、量子ドットを埋め込むように半導体層を形成し、量子ドットの存在により半導体層に生じる歪の位置上に自己整合的に電極を形成するので、それぞれの量子ドット上に電極を正確に形成することができる。したがって、かかる電極を介して、量子ドットに対して正確に電気的にアクセスすることが可能となり、また、量子ドットに対してそれぞれ独立して電気的にアクセスすることが可能となる。
【０２３１】
また、本発明によれば、半導体基板上に、量子ドットを形成し、量子ドットを埋め込むように半導体層を形成し、半導体層上の量子ドット上の位置に、半導体ドットを形成し、半導体ドットと半導体ドットの直下における半導体層とを酸化することにより、その一部が半導体層に埋め込まれたドット状の酸化物を形成し、ドット状の酸化物を除去することにより、半導体層表面に凹部を形成し、半導体層表面に形成された凹部内に電極を形成するので、それぞれの量子ドット上に電極を正確に形成することができる。したがって、かかる電極を介して、量子ドットに対して正確に電気的にアクセスすることが可能となり、また、量子ドットに対してそれぞれ独立して電気的にアクセスすることが可能となる。
【０２３２】
さらに、本発明によれば、半導体基板上に、量子ドットを形成し、量子ドットを埋め込むように第１の半導体層を形成し、第１の半導体層上の量子ドット上の位置に、半導体ドットを形成し、半導体ドットの一部を酸化することにより、半導体ドットの一部が酸化されてなるドット状の酸化物を形成し、ドット状の酸化物上の位置における表面に凹部が形成されるように、ドット状の酸化物及び半導体ドットを埋め込む第２の半導体層を形成し、第２の半導体層表面に形成された凹部内に電極を形成するので、それぞれの量子ドット上に電極を正確に形成することができる。したがって、かかる電極を介して、量子ドットに対して正確に電気的にアクセスすることが可能となり、また、量子ドットに対してそれぞれ独立して電気的にアクセスすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態による量子半導体装置の構造を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態による量子半導体装置のエネルギーバンド構造を示す図である。
【図３】本発明の第１実施形態による量子半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態の変形例による量子半導体装置の構造を示す断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態の変形例による量子半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態の変形例による量子半導体装置において配線を電極パッドに接続した場合を示す上面図である。
【図７】本発明の第２実施形態による量子半導体装置の構造を示す断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態による量子半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図９】本発明の第２実施形態の変形例による量子半導体装置の構造を示す断面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態の変形例による量子半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態による量子半導体装置の構造を示す断面図である。
【図１２】本発明の第３実施形態による量子半導体装置のエネルギーバンド構造を示す図である。
【図１３】本発明の第３実施形態による量子半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１４】本発明の第３実施形態の変形例による量子半導体装置の構造を示す断面図である。
【図１５】本発明の第３実施形態の変形例による量子半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１６】本発明の第４実施形態による量子半導体装置の構造を示す断面図である。
【図１７】本発明の第４実施形態による量子半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１８】本発明の第４実施形態の変形例（その１）による量子半導体装置の構造を示す断面図である。
【図１９】本発明の第４実施形態の変形例（その１）による量子半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図２０】本発明の第４実施形態の変形例（その２）による量子半導体装置の構造を示す断面図である。
【図２１】本発明の第４実施形態の変形例（その２）による量子半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【符号の説明】
１０…半導体基板
１２…量子ドット
１４…量子ドット層
１６…濡れ層
１８…半導体層
２２、２３…電極
２４…溝
２６…配線
２８…ライン状の酸化物
３０…探針
３２…電極パッド
３４…凹部
３６…半導体ドット
３８…半導体ドット層
４０…濡れ層
４２…ドット状の酸化物
４４…半導体ドット
４６…半導体ドット層
４８…濡れ層
５０…ドット状の酸化物
５２…半導体層
５４…凹部
５６…ライン状の酸化物
５８…半導体層
６０…開口部
６２…溝
６４…凹部
６６…ドット状の酸化物
【図１】
2004247431.tif 000003
【図２】
2004247431.tif 000004
【図３】
2004247431.tif 000005
【図４】
2004247431.tif 000006
【図５】
2004247431.tif 000007
【図６】
2004247431.tif 000008
【図７】
2004247431.tif 000009
【図８】
2004247431.tif 000010
【図９】
2004247431.tif 000011
【図１０】
2004247431.tif 000012
【図１１】
2004247431.tif 000013
【図１２】
2004247431.tif 000014
【図１３】
2004247431.tif 000015
【図１４】
2004247431.tif 000016
【図１５】
2004247431.tif 000017
【図１６】
2004247431.tif 000018
【図１７】
2004247431.tif 000019
【図１８】
2004247431.tif 000020
【図１９】
2004247431.tif 000021
【図２０】
2004247431.tif 000022
【図２１】
2004247431.tif 000023