(57)【要約】【課題】基板に対して良好な状態の処理液を供給することができ、プリディスペンスに伴う汚染の問題もない基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】薬液タンク５からくみ出された薬液は、温調器５２を通り、分岐部ＢＣ１１から薬液循環路５４を通って薬液タンク５へと循環される。薬液は、薬液供給バルブＶＣ１１、処理液流通路２１、処理液供給バルブＶＴ、処理液供給管２および裏面ノズル３を通って、スピンチャック１に保持されたウエハＷの裏面中央に供給される。薬液のプリディスペンス時には、処理液供給バルブＶＴが閉じられ、薬液排出バルブＶＣ２１が開かれる。プリディスペンスされた薬液は、第１薬液帰還路５７を通って薬液タンク５に戻される。処理液供給管２および処理液流通路２１に残留した処理液は、処理液供給バルブＶＴおよび処理液吸引バルブＶＶを開くことで、吸引排出路４１へと排出できる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理液を供給して基板を処理する基板処理装置であって、
処理液を貯留しておくための処理液貯留槽と、
この処理液貯留槽から基板へと処理液を導くための処理液供給路と、
上記処理液貯留槽から処理液をくみ出して処理液供給路へと送り出す送液手段と、
上記処理液供給路の途中部の第１分岐部に接続され、上記処理液貯留槽へと処理液を循環させるための処理液循環路と、
上記処理液供給路において、上記第１分岐部よりも下流側の途中部の第２分岐部に接続され、上記第２分岐部よりも下流側における上記処理液供給路内の処理液を吸引して排出するための処理液吸引路と、
この処理液吸引路に接続され、この処理液吸引路内の処理液を吸引する吸引手段と、
上記処理液供給路において、上記第１分岐部よりも下流側の途中部の第３分岐部に接続され、上記処理液貯留槽から上記送液手段によって送液される処理液によって押し出される上記第１分岐部および第３分岐部の間の上記処理液供給路内の処理液を排出するための処理液排出路と、
上記処理液供給路を通って上記第１分岐部から上記第２分岐部へと導かれる処理液を上記第２分岐部よりも下流側の上記処理液供給路へと導く状態と、上記第２分岐部よりも下流側の上記処理液供給路と上記処理液吸引路とを連通させた状態とを切り換える第１切り換え手段と、
上記処理液供給路を通って上記第１分岐部から上記第３分岐部へと導かれる処理液を、上記第３分岐部よりも下流側の上記処理液供給路と上記処理液排出路とのいずれかに切り換えて導く第２切り換え手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
上記第３分岐部は、上記第２分岐部と一致するか、または上記第２分岐部よりも下流側において上記処理液供給路の途中部に配置されていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
上記処理液排出路は、上記処理液循環路または上記処理液貯留槽に接続されていることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
基板に処理液を供給するのに先だって、上記第２切り換え手段を制御することにより、上記第１分岐部側からの処理液を上記処理液排出路へと導くことによって、上記第１分岐部と上記第３分岐部との間の処理液供給路内の処理液を上記処理液排出路へと押し出させる処理液排出工程を実行する制御手段をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
上記制御手段は、さらに、上記第１切り換え手段を制御して、上記第２分岐部よりも下流側の上記処理液供給路と上記処理液吸引路とを連通させることにより、上記第２分岐部よりも下流側の上記処理液供給路内の処理液を上記吸引手段によって吸引させる処理液吸引工程を実行するものであることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
上記基板を保持する基板保持手段と、
この基板保持手段に対して一定の位置関係で固定され、上記処理液供給路から供給される処理液を上記基板保持手段に保持された基板に供給する固定ノズルとをさらに含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
上記基板保持手段は、上記基板を保持して回転させる基板保持回転手段を含むことを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
処理液供給路を介して基板に処理液を供給することによって当該基板を処理するための方法であって、
上記処理液供給路の途中部の分岐部よりも下流側に処理液を供給せずに、上記分岐部に分岐接続された処理液排出路へと処理液を導いて排出する処理液排出工程と、
上記処理液供給路を通って上記分岐部に至った処理液を、この分岐部よりも下流側の処理液供給路に導き、基板に供給する基板処理工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、基板に処理液を供給して当該基板を処理するための基板処理装置および基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、基板に対して処理液を用いた表面処理が施される。たとえば、基板を１枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置では、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板に処理液を供給する処理液供給ノズルとが備えられていて、スピンチャックに保持された基板が水平面内で回転され、その一方で、処理液供給ノズルから基板の表面に処理液が供給されることにより、基板の表面に処理液による処理が施される。
【０００３】
このような枚葉型の基板処理装置の中には、処理に適した一定温度に温度調節された処理液（温調液）を用いるものがある。基板に対して温調液を用いた表面処理を施すための装置は、たとえば、本願出願人の先願に係る下記特許文献１に開示されている。
下記特許文献１に開示された装置では、図１０に示すように、処理に用いられる処理液は、処理液タンク１０１に貯留されており、処理液供給ノズル１０２には、処理液タンク１０１から延びた処理液供給路１０３が接続されている。処理液供給路１０３の途中部には、処理液タンク１０１側から順に、ポンプ１０４、温度調節器１０５、フィルタ１０６および処理液供給バルブ１０７が介装されている。温度調節器１０５は、処理液タンク１０１から処理液供給ノズル１０２に向けて送られる処理液の温度を処理に適した一定温度に調節するためのものであり、フィルタ１０６は、処理液供給ノズル１０２に向けて送られる温調液中の異物を除去するためのものである。また、処理液供給路１０３には、フィルタ１０６と処理液供給バルブ１０７との間の分岐点Ｊにおいて、処理液帰還路１０８が分岐接続されている。処理液帰還路１０８の先端は、処理液タンク１０１に接続されており、処理液帰還路１０８の途中部には、処理液帰還バルブ１０９が介装されている。
【０００４】
装置の運転中は、ポンプ１０４および温度調節器１０５が常に駆動されており、基板の表面に温調液による処理を施すべきときには、処理液帰還バルブ１０９が閉じられ、処理液供給バルブ１０７が開かれて、処理液供給路１０３を流れる温調液が処理液供給ノズル１０２へと供給される。一方、基板の処理を行わないとき（基板の表面への温調液の供給を行わないとき）には、処理液供給バルブ１０７が閉じられ、処理液帰還バルブ１０９が開かれて、処理液供給路１０３を流れる温調液が分岐点Ｊから処理液帰還路１０８を通して処理液タンク１０１に戻される。これにより、基板の処理を行わないときには、処理液タンク１０１、処理液供給路１０３および処理液帰還路１０８からなる処理液循環路を温調液が循環することになる。こうして温調液を循環させておくことによって、処理液供給バルブ１０７の開成後、速やかに、基板に供給すべき温調液を処理液供給ノズル１０２に供給することができる。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−２０６９５７号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、処理液循環路を温調液が循環している間、処理液供給路１０３の分岐点Ｊよりも処理液供給ノズル１０２側には温調液が流入しないから、分岐点Ｊと処理液供給バルブ１０７との間、さらには処理液供給バルブ１０７と処理液供給ノズル１０２の先端との間に溜まった処理液の温度は低下していく。このため、基板の処理を行わない状態が長い時間続いた場合、処理液供給バルブ１０７の開成直後に、分岐点Ｊと処理液供給ノズル１０２の先端との間の低温の処理液（処理に適した温度よりも低い温度の処理液）が基板に供給されてしまい、その基板における処理品質が悪くなるおそれがあった。
【０００７】
また、基板に対して温調液を用いた表面処理を施すための装置に限らず、基板に対して温度調節されていない処理液を用いた表面処理を施す装置であっても、処理液供給路の処理液供給バルブよりも上流側に処理液帰還路を分岐接続した構造を有している場合、処理品質の悪化の問題を生じるおそれがある。たとえば、処理液としてエッチング液などの薬液が用いられている場合には、基板の処理を行わない状態が長い時間続くと、処理液帰還路の分岐点と処理液供給ノズルの先端との間に溜まった処理液中に薬液成分の析出物が発生し、処理液供給バルブの開成直後に、その薬液成分の析出物（パーティクル）を含む処理液が供給されることによって、基板が汚染されるおそれがある。そのうえ、処理液中の薬液成分が析出すると、その処理液の濃度は低下するため、処理液供給バルブの開成直後は、適正な濃度よりも低濃度の処理液が基板に供給されることになり、洗浄不足やエッチング不足などの処理不良を生じるおそれもある。
【０００８】
また、処理液として純水が用いられている場合には、基板の処理を行わない状態が長い時間続くと、処理液帰還路の分岐点と処理液供給ノズルの先端との間に溜まった処理液中にバクテリアなどの雑菌が発生し、処理液供給バルブの開成直後に、その雑菌を含む処理液が供給されることによって、基板が汚染されるおそれがある。
このような問題を回避するために、基板の搬入前に、処理液供給バルブを開いて、処理液帰還路の分岐点と処理液供給ノズルの先端との間に溜まった処理液を廃棄する手法（処理液のプリディスペンス）が考えられる。
【０００９】
しかしながら、たとえば、基板をスピンチャックによって保持するとともに、スピンチャックの回転軸に挿通した裏面中心軸ノズルから基板の裏面中央に向けて処理液を供給する構成では、プリディスペンスが不可能である。すなわち、スピンチャック上に基板を保持した状態では、プリディスペンスを行うと、基板に不良な処理液が付着してしまう。また、スピンチャック上に基板が存在していない状態でプリディスペンスを行うと、処理液が噴水状に吐出されてまき散らされ、スピンチャックおよびその周囲が汚染されるという問題がある。
【００１０】
そこで、この発明の目的は、基板に対して確実に良好な状態の処理液を供給することができ、プリディスペンスに伴う汚染の問題もない基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）に処理液を供給して基板を処理する基板処理装置であって、処理液を貯留しておくための処理液貯留槽（５，６，７）と、この処理液貯留槽から基板へと処理液を導くための処理液供給路（５５，６５，７５，２１，２）と、上記処理液貯留槽から処理液をくみ出して処理液供給路へと送り出す送液手段（５１，６２，７１）と、上記処理液供給路の途中部の第１分岐部（ＢＣ１１，ＢＣ１２，ＢＤ１）に接続され、上記処理液貯留槽へと処理液を循環させるための処理液循環路（５４，６４，７４）と、上記処理液供給路において、上記第１分岐部よりも下流側の途中部の第２分岐部（Ｂ２）に接続され、上記第２分岐部よりも下流側における上記処理液供給路（２１，２）内の処理液を吸引して排出するための処理液吸引路（４１）と、この処理液吸引路に接続され、この処理液吸引路内の処理液を吸引する吸引手段（４）と、上記処理液供給路において、上記第１分岐部よりも下流側の途中部の第３分岐部（Ｂ３）に接続され、上記処理液貯留槽から上記送液手段によって送液される処理液によって押し出される上記第１分岐部および第３分岐部の間の上記処理液供給路（５５，６５，７５，２１）内の処理液を排出するための処理液排出路（５７，６７，７７）と、上記処理液供給路を通って上記第１分岐部から上記第２分岐部へと導かれる処理液を上記第２分岐部よりも下流側の上記処理液供給路（２１，２）へと導く状態と、上記第２分岐部よりも下流側の上記処理液供給路と上記処理液吸引路とを連通させた状態とを切り換える第１切り換え手段（ＭＶ１）と、上記処理液供給路を通って上記第１分岐部から上記第３分岐部へと導かれる処理液を、上記第３分岐部よりも下流側の上記処理液供給路（２）と上記処理液排出路とのいずれかに切り換えて導く第２切り換え手段（ＭＶ２）とを含むことを特徴とする基板処理装置である。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
【００１２】
上記の構成によれば、処理液を供給していないときには、第１分岐部から処理液循環路へと処理液を導くことにより、処理液貯留槽へと処理液を循環させることができる。これにより、処理液の滞留を防止できる。たとえば、処理液貯留槽と第１分岐部との間の処理液供給路に温調手段（５２，６２）を介装しておけば、処理液の温度を調節できる。また、処理液中の溶質が処理液供給路内で析出したりする問題や、処理液として純水を用いる場合におけるバクテリア発生の問題を回避できる。
【００１３】
一方、第１分岐部と基板との間の処理液供給路内では処理液の循環が行われないのであるが、第１分岐部よりも下流側の第２分岐部から処理液吸引路へと処理液を吸引することによって、第２分岐部と基板との間の処理液供給路内の処理液を吸引して排出できる。
また、第１分岐部とそれよりも下流側の第３分岐部との間の処理液は、処理液貯留槽から送液手段によって送液される処理液によって、処理液排出路へと押し出すことによって排除できる（プリディスペンス）。
【００１４】
このようにして、第１分岐部よりも下流側における処理液供給路内での滞留処理液を排除することができるので、滞留処理液が基板に供給されることを防止でき、基板に対する処理を良好に行うことができる。また、処理液排出路を設けたことによって、滞留処理液が基板に付着したり、滞留処理液が噴水状に吐出されたりすることなくプリディスペンスを行えるから、基板や基板保持機構などが汚染されたりするおそれがない。
【００１５】
なお、上記基板処理装置は、さらに、上記処理液貯留槽から上記第１分岐部まで導かれた処理液を上記処理液循環路側と上記第２分岐部側とのいずれかに切り換えて導く供給／循環切り換え手段（ＶＣＲ１，ＶＣＲ２，ＶＤＲ）をさらに含むことが好ましい。
また、処理液の流路は、上記処理液貯留槽からの処理液が上記第１分岐部を経て上記処理液循環路に導かれる循環状態、上記処理液貯留槽からの処理液が基板へと供給される処理液供給状態、上記第２分岐部よりも下流側の処理液供給路内の処理液が上記処理液吸引路に導かれる処理液吸引状態、および上記処理液貯留槽からの処理液が上記第３分岐部を経て上記処理液排出路に導かれる処理液排出状態のいずれかに切り換え可能とされていることが好ましい。
【００１６】
請求項２記載の発明は、上記第３分岐部は、上記第２分岐部と一致するか、または上記第２分岐部よりも下流側において上記処理液供給路の途中部に配置されていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第３分岐部から処理液排出路へとプリディスペンスを行うことによって、第１分岐部と第２分岐部との間で滞留した処理液を完全に排除できる。これにより、より良好な基板処理が可能になる。
【００１７】
請求項３記載の発明は、上記処理液排出路は、上記処理液循環路または上記処理液貯留槽に接続されていることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置である。
この構成によれば、プリディスペンスされた処理液を処理液貯留槽に帰還させることができるから、プリディスペンスによる処理液の消費を防止できる。このような構成は、処理液として薬液を用いる場合にとくに効果的であり、装置のランニングコストを低減できる。
【００１８】
処理液として純水を用いる場合には、プリディスペンスされる純水中にバクテリアが発生しているおそれがある。したがって、純水の場合には、処理液貯留槽への帰還は行わずに、プリディスペンスされた純水を廃棄する方が好ましい。
請求項４記載の発明は、基板に処理液を供給するのに先だって、上記第２切り換え手段を制御することにより、上記第１分岐部側からの処理液を上記処理液排出路へと導くことによって、上記第１分岐部と上記第３分岐部との間の処理液供給路内の処理液を上記処理液排出路へと押し出させる処理液排出工程を実行する制御手段（８）をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置である。
【００１９】
この構成によれば、基板に処理液を供給する前に、第２切り換え手段の制御によって、プリディスペンスを行うことができるから、処理液供給路内に滞留していた処理液を排除した後に、基板に対して良好な状態の処理液を当初から供給することができる。これにより、良好な基板処理が可能になる。
請求項５記載の発明は、上記制御手段は、さらに、上記第１切り換え手段を制御して、上記第２分岐部よりも下流側の上記処理液供給路と上記処理液吸引路とを連通させることにより、上記第２分岐部よりも下流側の上記処理液供給路内の処理液を上記吸引手段によって吸引させる処理液吸引工程を実行するものであることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置である。
【００２０】
この構成によれば、第１切り換え手段の制御によって、第２分岐部よりも下流側の処理液供給路内の処理液を吸引して排出できる。これにより、第２分岐部よりも下流側の処理液供給路内の残留処理液を排除できるから、この残留処理液が基板に供給されることによる処理不良を防止できる。
請求項６記載の発明は、上記基板を保持する基板保持手段（１）と、この基板保持手段に対して一定の位置関係で固定され、上記処理液供給路から供給される処理液を上記基板保持手段に保持された基板に供給する固定ノズル（３）とをさらに含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置である。
【００２１】
上記基板保持手段は、処理対象の基板を１枚ずつ処理するものであってもよい。この場合には、この基板保持手段に保持された１枚の基板に対して、固定ノズルからの処理液が供給される、枚葉式の基板処理装置が構成されることになる。
また、上記基板保持手段は、基板を浸漬すべき処理液を貯留する基板浸漬処理槽に貯留された処理液中で基板を保持するものであってもよい。この場合に、上記固定ノズルは、基板浸漬処理槽に処理液を供給するものであってもよい。このような構成によって、たとえば、複数枚の基板を一括して処理液に浸漬して処理するバッチ式の基板処理装置に対してこの発明を適用できる。
【００２２】
請求項７記載の発明は、上記基板保持手段は、上記基板を保持して回転させる基板保持回転手段（１）を含むことを特徴とする請求項６記載の基板処理装置である。
この構成では、基板を保持して回転させる一方で、この回転されている基板に対して固定ノズルからの処理液を供給することができる。すなわち、この場合には、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が構成されることになる。
【００２３】
基板保持回転手段は、たとえば、基板をほぼ水平な姿勢で鉛直軸線まわりに回転させるものであってもよく、この場合に、固定ノズルは、基板の上面または下面の回転中心付近に向けて処理液を吐出するものであってもよい。
請求項８記載の発明は、処理液供給路（５５，６５，７５，２１，２）を介して基板（Ｗ）に処理液を供給することによって当該基板を処理するための方法であって、上記処理液供給路の途中部の分岐部（Ｂ３）よりも下流側に処理液を供給せずに、上記分岐部に分岐接続された処理液排出路（５７，６７，７７）へと処理液を導いて排出する処理液排出工程と、上記処理液供給路を通って上記分岐部に至った処理液を、この分岐部よりも下流側の処理液供給路（２）に導き、基板に供給する基板処理工程とを含むことを特徴とする基板処理方法である。
【００２４】
この方法によれば、分岐部よりも上流側の処理液供給路内の処理液を、基板側へと導くことなく、処理液排出路へと排出できる。これにより、基板や基板保持手段等を汚染したりすることなく、処理液のプリディスペンスを行うことができるので、基板に対して良好な処理を実行できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための系統図である。この基板処理装置は、処理対象の基板の一例である半導体ウエハ（以下単に「ウエハ」という。）Ｗをほぼ水平に保持して鉛直軸線まわりに回転するスピンチャック１を備えており、ウエハＷを１枚ずつ処理する枚葉型の装置である。
【００２６】
スピンチャック１は、鉛直方向に沿って配置された中空の回転軸１１の上端に円板状のスピンベース１２をほぼ水平な姿勢で結合するとともに、このスピンベース１２の周縁部に複数本（たとえば３本）の挟持ピン１３を立設して構成されている。この複数本の挟持ピン１３によってウエハＷの周縁部が挟持され、その状態でスピンチャック１が回転することにより、ウエハＷはその中心を通る鉛直軸線まわりに回転されることになる。スピンチャック１を回転するための回転駆動力は、回転駆動機構１４から回転軸１１へと伝達されるようになっている。
【００２７】
回転軸１１には処理液供給管２が挿通されており、その上端はスピンチャック１に保持されたウエハＷの下面中央付近に至っている。この処理液供給管２の上端には、ウエハＷの下面中央に向けて処理液を吐出する裏面ノズル３が、ウエハＷに対する相対位置が固定された状態で取り付けられている。この裏面ノズル３からウエハＷの下面中央に向けて吐出された処理液は、ウエハＷの下面において遠心力を受け、ウエハＷの半径方向外方側へと広がってウエハＷの下面の全域に供給される。
【００２８】
この実施形態では、裏面ノズル３からは、第１薬液、第２薬液および純水（脱イオン水）のいずれかを、処理液として、ウエハＷの下面に供給することができる。第１薬液は第１薬液タンク５に貯留されており、第２薬液は第２薬液タンク６に貯留されており、純水は純水タンク７に貯留されている。
第１薬液タンク５内の第１薬液は、ポンプ５１によって汲み出され、温調器５２を通って適切な温度に温度調節された後、フィルタ５３を通ることによって異物が除去されて清浄な状態とされる。この第１薬液は、第１薬液供給路５５を通って第１多連弁ＭＶ１へと導かれる。
【００２９】
第２薬液も同様に、第２薬液タンク６からポンプ６１によって汲み出され、温調器６２によって温度調節されるとともに、フィルタ６３を通ることにより液中の異物が取り出されて清浄な状態とされた後に、第２薬液供給路６５を通って第１多連弁ＭＶ１に導かれる。
さらに、純水タンク７に貯留された純水は、ポンプ７１によって汲み出され、フィルタ７３によって異物が取り除かれた後に、純水供給路７５を通って第１多連弁ＭＶ１へと導かれる。
【００３０】
第１薬液供給路５５の途中部には、分岐部ＢＣ１１において、第１薬液循環路５４が分岐接続されている。この第１薬液循環路５４は第１薬液タンク５へと導かれており、その途中部には、第１薬液循環バルブＶＣＲ１が介装されている。
同様に、第２薬液供給路６５の途中部には、分岐部ＢＣ１２において、第２薬液循環路６４が分岐接続されている。この第２薬液循環路６４は、第２薬液タンク６に接続されており、その途中部には、第２薬液循環バルブＶＣＲ２が介装されている。
【００３１】
同様に、純水供給路７５の途中部には、分岐部ＢＤ１において、純水循環路７４が分岐して接続されている。この純水循環路７４は、純水タンク７に接続されており、その途中部には、純水循環バルブＶＤＲが介装されている。
第１多連弁ＭＶ１は、処理液流通路２１を介して第２多連弁ＭＶ２に接続されており、この第２多連弁ＭＶ２に、処理液供給管２が結合されている。処理液流通路２１には、必要に応じて、この処理液流通路２１内に存在する処理液の温度を検出する温度センサ１０が配置されている。
【００３２】
上記第１薬液供給路５５、第２薬液供給路６５、純水供給路７５、第１および第２多連弁ＭＶ１，ＭＶ２内の処理液流路、処理液流通路２１ならびに処理液供給管２によって、処理液をスピンチャック１に保持されたウエハＷに供給するための処理液供給路が形成されている。
第１多連弁ＭＶ１は、処理液流通路２１の一端（第１および第２薬液タンク５，６ならびに純水タンク７側の一端）側に配置された分岐部Ｂ２から分岐した複数の配管を備えており、それらには、第１薬液供給バルブＶＣ１１、第２薬液供給バルブＶＣ１２、純水供給バルブＶＤ１および処理液吸引バルブＶＶがそれぞれ結合されている。第１薬液供給バルブＶＣ１１には第１薬液供給路５５が結合されており、第２薬液供給バルブＶＣ１２には第２薬液供給路６５が結合されており、純水供給バルブＶＤ１には純水供給路７５が接続されている。そして、処理液吸引バルブＶＶには、吸引排出路４１が接続されていて、この吸引排出路４１はさらに吸引機構４に接続されている。吸引機構４は、真空発生器（コンバム）やエジェクタ等で構成されていて、吸引路排出４１を介して処理液を吸引し、この吸引された処理液を排液する。
【００３３】
一方、第２多連弁ＭＶ２は、処理液流通路２１の他端（スピンチャック１側の端部）側に配置された分岐部Ｂ３において分岐した複数本の配管と、これらの配管にそれぞれ接続された複数個のバルブとを備えている。この複数個のバルブは、処理液供給管２に接続された処理液供給バルブＶＴと、第１薬液タンク５へと第１薬液を帰還させるための第１薬液帰還路５７に接続された第１薬液排出バルブＶＣ２１と、第２薬液タンク６に第２薬液を帰還させるための第２薬液帰還路６７に接続された第２薬液排出バルブＶＣ２２と、純水を排液するための純水排出路７７に接続された純水排出バルブＶＤ２とを含む。
【００３４】
図２は、この基板処理装置の制御ブロック図である。マイクロコンピュータ等を含む制御部８が設けられており、この制御部８により、回転駆動機構１４、吸引機構４、ポンプ５１，６１，７１および温調器５２，６２の動作が制御されるようになっている。また、この制御部８には、温度センサ１０の検出信号が入力されている。
制御部８は、さらに、第１薬液循環バルブＶＣＲ１、第２薬液循環バルブＶＣＲ２、純水循環バルブＶＤＲの開閉を個別に制御するとともに、第１多連弁ＭＶ１に備えられている第１薬液供給バルブＶＣ１１、第２薬液供給バルブＶＣ１２、純水供給バルブＶＤ１および処理液吸引バルブＶＶの開閉を個別に制御し、同様に、第２多連弁ＭＶ２に備えられている処理液供給バルブＶＴ、第１薬液排出バルブＶＣ２１、第２薬液排出バルブＶＣ２２および純水排出バルブＶＤ２の開閉を個別に制御する。
【００３５】
図３は、上記基板処理装置によるウエハＷに対する処理フローの一例を示す流れ図である。まず、配管内における非温調薬液（ウエハＷの処理に対して不適切な温度となっているおそれのある薬液）や、バクテリアが発生しているおそれのある純水を配管系から排除するための初期動作（ステップＡ０）が実行される。この初期動作に引き続き、回転駆動機構１４によってスピンチャック１を回転状態とするとともに、スピンチャック１に保持されたウエハＷに、第１薬液タンク５からの第１薬液を供給して（ステップＡ１）、ウエハＷの処理が行われる。この第１薬液によるウエハＷの処理をたとえば所定時間だけ行った後、第１薬液の供給を止めて、第２薬液タンク６に貯留されている第２薬液をウエハＷに供給して（ステップＡ２）、この第２薬液によるウエハＷの処理が行われる。この第２薬液による処理をたとえば所定時間だけ行った後に、第２薬液の供給を停止し、純水タンク７から純水を汲み出し、ウエハＷに供給して、ウエハＷ上に残留する薬液を排除するための純水リンス処理が、たとえば所定時間だけ行われる（ステップＡ３）。
【００３６】
その後、純水の供給を停止し、回転駆動機構１４によってスピンチャック１が高速回転されることにより、ウエハＷの表面から遠心力によって水分を排除するための乾燥処理（ステップＡ４）が実行される。
この乾燥処理の後には、処理の終了したウエハＷが、基板搬送ロボットによってスピンチャック１から搬出されて、次のウエハＷがスピンチャック１に受け渡され、この新たなウエハＷに対してステップＡ１〜Ａ４の処理が行われる。
【００３７】
初期動作（ステップＡ０）は、分岐部ＢＣ１１，ＢＣ１２よりもスピンチャック１側の処理液供給路に存在する薬液の温度がウエハＷの表面処理のために不適切な温度範囲にあるような場合や、分岐部ＢＤ１よりもスピンチャック１側の処理液供給路内にバクテリアが発生した純水が存在するおそれのある状況で実行される。
具体的には、複数枚のウエハを相次いで処理しているときには、１枚のウエハＷの処理が完了してから次のウエハＷに対する処理が開始されるまでの間の待機時間は十分に短いので、初期動作（ステップＡ０）は不要であり、ステップＡ１以降の処理が各ウエハＷに対して行われればよい。これに対し、複数枚（たとえば２５枚）のウエハＷで構成される１つのロットに対する処理と、別のロットのウエハＷに対する処理との間に長い待機時間（たとえば１時間以上）が生じる場合には、分岐部ＢＣ１１，ＢＣ１２よりもスピンチャック１側の配管内に存在する第１および第２薬液の温度が低下していて、上記別のロットの１枚目のウエハＷに対する処理が不良になる恐れがある。
【００３８】
したがって、初期動作（ステップＡ０）は、たとえば、上記別のロットの１枚目のウエハＷを処理する直前にのみ行い、当該ロットの２枚目以降のウエハＷを処理するときには、初期動作（ステップＡ０）を行わずに、第１薬液供給（ステップＡ１）からの処理を行えばよい。
また、１つのロットの最後のウエハＷに対して処理した後に、次のロットの１枚目のウエハＷがスピンチャック１に受け渡されてその処理が開始されるまでの時間が十分に短ければ、この１枚目のウエハＷに対する処理開始前に初期動作（Ａ０）を行う必要は必ずしもない。そこで、たとえば制御部８の内蔵のタイマによって、１枚のウエハＷに対する処理が完了してから、次のウエハＷがスピンチャック１に受け渡されてその処理が開始されるまでの時間を計測し、この計測された時間が所定時間（たとえば１時間）を超える場合にのみ、当該ウエハＷの処理に先立って、初期動作（ステップＡ０）を実行するようにしてもよい。
【００３９】
さらに、処理液流通路２１を流通する温度を計測する温度センサ１０の出力に基づき、この処理液流通路２１内の処理液の温度が予め定めるしきい値以下である場合にのみ初期動作（ステップＡ０）を実行することとしてもよい。
たとえば、上記第１薬液は、オゾン水（酸化剤の一例）であって、上記第２薬液はフッ酸（酸化膜をエッチングできるエッチング液の一例）であってもよい。この場合に、ステップＡ１，Ａ２の処理を繰り返し実行することにより、ウエハＷの表面に第１薬液としてのオゾン水の働きによる酸化膜を形成し、この酸化膜を第２薬液としてのフッ酸によってライトエッチングすることにより、酸化膜とともにウエハＷの表面の異物（パーティクルや金属イオン等）をリフトオフすることができる。こうしてステップＡ１，Ａ２の処理を繰り返し実行した後に、純水を供給して（ステップＡ３）、ウエハＷの表面をリンスしておけばよい。
【００４０】
また、上記第１薬液として硫酸を用い、上記第２薬液として過酸化水素水を用いてもよい。これらの薬液の組み合わせにより、ウエハＷの表面の異物を除去することができる。
第１および第２薬液が、酸とアルカリの組み合わせである場合には、図４に示すように、第１薬液（たとえば酸）を供給した後（ステップＡ１）、ウエハＷに純水を供給して当該第１薬液をウエハＷの表面から排除し（ステップＡ１０）、その後に、第２薬液（たとえばアルカリ）を供給するようにすればよい（ステップＡ２）。
【００４１】
図５は、初期動作（図３および図４のステップＡ０）の一例を説明するためのフローチャートである。この例では、基板処理装置が待機状態（ステップＳ０）であるときに、第１薬液のプリディスペンス処理（ステップＳ１０）、第２薬液のプリディスペンス処理（ステップＳ２０）、純水のプリディスペンス処理（ステップＳ３０）、および処理液供給管２および処理液流通路２１内の処理液を排出するための処理液吸引排出処理（ステップＳ４０）が順次実行される。
【００４２】
待機状態（ステップＳ０）では、制御部８の働きによってポンプ５１，６１，７１、温調器５２，６２および吸引機構４がそれぞれ駆動状態とされる。また、第１薬液循環バルブＶＣＲ１、第２薬液循環バルブＶＣＲ２および純水循環バルブＶＤＲがそれぞれ開状態とされている。また、第１多連弁ＭＶ１に備えられたバルブＶＣ１１，ＶＣ１２，ＶＤ１，ＶＶおよび第２多連弁ＭＶ２に備えられたバルブＶＴ，ＶＣ２１，ＶＣ２２，ＶＤ２はいずれも閉状態とされている。したがって、第１薬液タンク５、第２薬液タンク６および純水タンク７からそれぞれ汲み出された第１薬液、第２薬液および純水は、分岐部ＢＣ１１，ＢＣ１２，ＢＤ１から第１薬液循環路５４、第２薬液循環路６４および純水循環路７４へとそれぞれ導かれて、第１薬液タンク５、第２薬液タンク６および純水タンク７に帰還される。こうして、第１および第２薬液が循環されて、温調器５２，６２の働きによる第１および第２薬液の温度調節が行われるとともに、純水が循環されることによって、バクテリアの発生が防がれている。
【００４３】
この状態から、ウエハＷ（たとえば、あるロットの１枚目のウエハ）の処理に先立ち、プリディスペンス処理（ステップＳ１０，Ｓ２０，Ｓ３０）および処理液吸引排出処理（ステップＳ４０）が行われる。
第１薬液プリディスペンス処理（ステップＳ１０）は、分岐部ＢＣ１１よりもスピンチャック１側の薬液供給路（主として第１薬液供給路５５）に存在する非温調状態の第１薬液を排除するための処理である。具体的には、制御部８により、第１薬液排出バルブＶＣ２１が開かれ、第１薬液供給バルブＶＣ１１が開かれ、第１薬液循環バルブＶＣＲ１が閉じられる（ステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３）。これにより、第１薬液タンク５から汲み出された第１薬液は、ポンプ５１、温調器５２、フィルタ５３を通り、分岐部ＢＣ１１から第１薬液供給路５５へと導かれ、さらに、第１薬液供給バルブＶＣ１１、処理液流通路２１および第１薬液排出バルブＶＣ２１を順次通って、第１薬液帰還路５７へと導かれることになる。これによって、分岐部ＢＣ１１よりもスピンチャック１側（より詳細には分岐部ＢＣ１１と分岐部Ｂ３との間）の処理液供給路に存在する第１薬液は、第１薬液帰還路５７へと押し出され、第１薬液タンク５へと帰還されることになる。その結果、分岐部ＢＣ１１よりもスピンチャック１側における非温調状態の第１薬液が排出される。
【００４４】
このようにして、第１薬液のプリディスペンス（ステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３）を一定時間だけ行って非温調状態の第１薬液を排除した後に、制御部８は、第１薬液循環バルブＶＣＲ１を開き、第１薬液供給バルブＶＣ１１を閉じ、第１薬液排出バルブＶＣ２１を閉じる（ステップＳ１４，Ｓ１５，Ｓ１６）。こうして、第１薬液プリディスペンス処理が完了する。
第２薬液プリディスペンス処理（ステップＳ２０）も、第１薬液プリディスペンス処理（ステップＳ１０）と同様にして実行される。すなわち、制御部８は、第２薬液排出バルブＶＣ２１を開き、第２薬液供給バルブＶＣ１２を開くとともに、第２薬液循環バルブＶＣＲ２を閉じる（ステップＳ２１，Ｓ２２，Ｓ２３）。これにより、第２薬液タンク６からポンプ６１によって汲み出された第２薬液は、温調器６２、フィルタ６３および分岐部ＢＣ１２を通って第２薬液供給路６５へと導かれ、さらに、第２薬液供給バルブＶＣ１２、処理液流通路２１および第２薬液排出バルブＶＣ２２を通って、第２薬液帰還路６７へと導かれる。これにより、分岐部ＢＣ１２よりもスピンチャック１側（より具体的には分岐部ＢＣ１２およびＢ３の間）の処理液供給路に存在する第２薬液が、第２薬液帰還路６７へと排除されて、第２薬液タンク６へと帰還されることになる。こうして、第２薬液のプリディスペンスが行われて、非温調状態の第２薬液が排除される。
【００４５】
このような第２薬液プリディスペンス（ステップＳ２１，Ｓ２２，Ｓ２３）を一定時間だけ実行した後に、制御部８は、第２薬液循環バルブＶＣＲ２を開き、第２薬液供給バルブＶＣ１２を閉じ、第２薬液排出バルブＶＣ２２を閉じる（ステップＳ２４，Ｓ２５，Ｓ２６）。こうして、第２薬液プリディスペンス処理が完了する。
純水のプリディスペンス処理（ステップＳ３０）も同様である。すなわち、制御部８は、純水排出バルブＶＤ２を開き、純水供給バルブＶＤ１を開き、さらに純水循環バルブＶＤＲを閉じる（ステップＳ３１，Ｓ３２，Ｓ３３）。これにより、純水タンク７から純水供給用のポンプ７１によって汲み出された純水は、フィルタ７３を通って、分岐部ＢＤ１から純水供給路７５へと導かれる。この純水は、さらに、純水供給バルブＶＤ１、処理液流通路２１および純水排出バルブＶＤ２を通り、純水排出路７７を通って装置外に排液される。こうして、分岐部ＢＤ１よりもスピンチャック１側（より詳細には分岐部ＢＤ１，Ｂ３の間）の処理液供給路における非循環状態の純水がプリディスペンスされる。
【００４６】
この純水のプリディスペンス（ステップＳ３１，Ｓ３２，Ｓ３３）を一定期間だけ実行した後に、制御部８は、純水循環バルブＶＤＲを開き、純水供給バルブＶＤ１を閉じ、純水排出バルブＶＤ２を閉じて、純水のプリディスペンスを完了する（ステップＳ３４，Ｓ３５，Ｓ３６）。こうして、純水タンク７と分岐部ＢＤ１との間で純水が循環される状態に戻ることになる。
なお、純水中にバクテリアが発生するには相当の時間（２〜３日程度）を要するので、第１および第２薬液のプリディスペンス処理が必要な場合であっても、純水プリディスペンス処理は必ずしも実行する必要がない。たとえば、１枚のロットのウエハＷの処理と、別のロットのウエハＷの処理との間に１〜２時間程度の時間が開いたような場合には、第１薬液プリディスペンス処理（ステップＳ１０）および第２薬液プリディスペンス処理（ステップＳ２０）は必要であるが、純水プリディスペンス処理（ステップＳ３０）は省いても差し支えない。
【００４７】
純水プリディスペンス処理に続いて（純水プリディスペンス処理が省かれる場合には第２薬液プリディスペンス処理に続いて）、制御部８は、処理液吸引排出処理（ステップＳ４０）を実行するために、処理液供給バルブＶＴを開き、処理液吸引バルブＶＶを開く（ステップＳ４１，Ｓ４２）。処理液供給管２の上端に固定された裏面ノズル３は大気に開放されているから、吸引機構４によって吸引排出路４１内を吸引することにより、分岐部Ｂ２，Ｂ３の間に残留している純水を、吸引排出路４１から装置外へと排出することができる。このような処理液吸引（ステップＳ４１，Ｓ４２）を一定時間だけ行った後に、制御部８は、処理液吸引バルブＶＶを閉じる（ステップＳ４３）。こうして、処理液吸引排出処理が完了する。
【００４８】
処理液吸引排出処理（ステップＳ４０）は、必ずしも実行する必要はないのであるが、初期動作において、この処理液吸引排出処理を実行しておけば、初期動作に引き続いてウエハＷに供給される第１薬液が、配管内に残留する純水により希釈されることがなく、ウエハＷに対する薬液処理を精密に制御することができる。
図６は、初期動作の別の例を説明するためのフローチャートである。この図６において、図５に示された各処理と同様の処理が行われる各ステップには、図５の場合と同一の参照符号を付して示す。
【００４９】
この図６の例では、初期動作に引き続いて最初に供給される処理液である第１薬液のプリディスペンス処理（ステップＳ１０）が、最後に行われるようになっている。これにより、第１薬液プリディスペンス処理（ステップＳ１０）の後に、処理液吸引排出処理を実行する必要がなくなる。すなわち、第１薬液プリディスペンス処理の後に配管内に残留する処理液は第１薬液であるから、この状態で処理液吸引排出処理を実行することなく第１薬液供給処理（図３および図４のステップＡ１）を実行しても、何らの不都合はなく、ウエハＷに対して良好な処理を施すことができる。
【００５０】
図６の例では、処理液吸引排出処理を最初に実行し（ステップＳ４０）、その後に、純水プリディスペンス処理（ステップＳ３０）、第２薬液プリディスペンス処理（ステップＳ２０）および第１薬液プリディスペンス処理（ステップＳ１０）を順次行うようにしている。しかし、後述するとおり、第１薬液、第２薬液および純水をそれぞれ供給した直後に、その都度処理液吸引排出処理を行うこととしておけば、処理液供給バルブＶＴよりもスピンチャック１側の配管（すなわち処理液供給管２および裏面ノズル３）には実質的にいずれの処理液も残留していないから、処理液吸引処理（ステップＳ４０）を省いても実害はないと言える。したがって、図６の例では、処理液吸引排出処理（ステップＳ４０）を省くことができるから、初期動作に要する時間を短縮し、基板処理装置の生産性を高めることができる。
【００５１】
また、上記のとおり、純水プリディスペンス処理（ステップＳ３０）は、必要に応じて行われる処理であって、初期動作の際に純水プリディスペンス処理を行わず、第２薬液プリディスペンス処理および第１薬液プリディスペンス処理のみを順次実行すれば足りる場合もある。
図７は、第１薬液供給処理（図３および図４のステップＡ１）の詳細を説明するためのフローチャートである。初期動作の直後に第１薬液を供給するとき、その初期動作が図５に示す処理であるときには処理液供給バルブＶＴは開状態であり、図６に示す処理であるときには閉状態となっている。そこで、制御部８は、図５に示す初期動作を行った後に第１薬液をウエハＷに供給するときには処理液供給バルブＶＴを開状態に保持し、図６に示す初期動作を行った直後に第１薬液を供給するときには処理液供給バルブＶＴを閉状態から開状態に切り換える。その後、制御部８は、第１薬液供給バルブＶＣ１１を開き、第１薬液循環バルブＶＣＲ１を閉じる（ステップＡ１１，Ａ１２）。これにより、第１薬液タンク５からポンプ５１によって汲み出された第１薬液は、分岐部ＢＣ１１から第１薬液供給路５５へと導かれ、さらに、第１薬液供給バルブＶＣ１１、処理液流通路２１および処理液供給バルブＶＴを通過して処理液供給管２へと供給されて、裏面ノズル３からウエハＷの裏面中央に向けて吐出される。このとき、制御部８は、予め、回転駆動機構１４を制御し、スピンチャック１を所定の回転速度で回転駆動している。よって、ウエハＷの裏面中央に供給された第１薬液は、遠心力を受けて、ウエハＷの回転半径方向外方側へと広がり、ウエハＷの裏面全域を処理することになる。
【００５２】
このようにして、第１薬液を所定時間だけ供給した後に、制御部８は、第１薬液循環バルブＶＣＲ１を開き、第１薬液供給バルブＶＣ１１を閉じる（ステップＡ１３，Ａ１４）。これにより、第１薬液の供給が停止される。
その後、制御部８は、処理液吸引バルブＶＶを開く（ステップＡ１５）。処理液供給バルブＶＴは引き続き開状態とされているから、吸引機構４によって吸引排出路４１を吸引すると、処理液供給管２および裏面ノズル３内に残留していた第１薬液は、処理液供給バルブＶＴを通り、分岐部Ｂ３、処理液流通路２１および分岐部Ｂ２をそれぞれ通過して、処理液吸引バルブＶＶから処理液吸引排出路４１へと導かれることになる。こうして、分岐部Ｂ２よりもスピンチャック１側の処理液供給路内における第１薬液が排出される。このような処理液吸引排出処理を一定時間だけ行った後に、制御部８は、処理液吸引バルブＶＶを閉じて（ステップＡ１６）、第１薬液供給処理を完了する。
【００５３】
図８は、第２薬液供給処理（図３および図４のステップＡ２）の詳細を説明するためのフローチャートである。制御部８は、処理液供給バルブＶＴを開状態としておいて、第２薬液供給バルブＶＣ１２を開き、第２薬液循環バルブＶＣＲ２を閉じる（ステップＡ２１，Ａ２２）。これにより、第２薬液タンク６からポンプ６１によって汲み出された第２薬液は、分岐部ＢＣ１２から第２薬液供給路６５へと導かれ、第２薬液供給バルブＶＣ１２、処理液流通路２１および処理液供給バルブＶＴを順次通過して、処理液供給管２から裏面ノズル３へと導かれてウエハＷの裏面中央に吐出される。第１薬液供給処理の場合と同様に、制御部８は回転駆動機構１４によってスピンチャック１を所定の回転速度で回転状態としており、ウエハＷの裏面中央に導かれて第２薬液は、遠心力を受けて、ウエハＷの回転半径方向外方へと広がり、その全域に供給される。
【００５４】
このような第２薬液の供給が一定時間だけ行われると、制御部８は、第２薬液循環バルブＶＣＲ２を開き、第２薬液供給バルブＶＣ１２を閉じて、第２薬液の供給を停止する（ステップＡ２３，Ａ２４）。その後、制御部８は、処理液吸引バルブＶＶを開き（ステップＡ２５）、分岐部Ｂ２からスピンチャック１側の処理液供給路内に残留している第２薬液を吸引排出路４１を介して排出する。この処理液吸引排出処理を一定時間だけ行った後、制御部８は、処理液吸引バルブＶＶを閉じる（ステップＡ２６）。こうして、第２薬液供給処理が完了する。
【００５５】
図９は、純水供給処理の詳細を説明するためのフローチャートである。制御部８は、純水供給バルブＶＤ１を開き、純水循環バルブＶＤＲを閉じる（ステップＡ３１，Ａ３２）。これにより、純水タンク７からポンプ７１によって汲み出された純水は、分岐部ＢＤ１から純水供給路７５へと導かれ、さらに、純水供給バルブＶＤ１、処理液流通路２１および処理液供給バルブＶＴを順次通過して、処理液供給管２から裏面ノズル３へと導かれる。これにより、裏面ノズル３からはウエハＷの裏面中央に向けて純水が吐出される。
【００５６】
制御部８は、回転駆動機構１４によってスピンチャック１を回転駆動状態としており、ウエハＷの裏面中央に導かれた純水は、遠心力によりその回転半径方向外方側へと導かれ、ウエハＷの裏面全域へと供給される。このような純水の供給が一定時間だけ行われた後に、制御部８は、純水循環バルブＶＤＲを開き、純水供給バルブＶＤ１を閉じる（ステップＡ３３，Ａ３４）。こうして、純水の供給が停止される。その後、制御部８は、処理液吸引バルブＶＶを開いて（ステップＡ３５）、分岐部Ｂ２からスピンチャック１側の処理液供給路内に存在する純水を、処理液吸引排出路４１を介して、装置外へと排出する。
【００５７】
この処理液吸引排出処理を一定時間だけ行った後、制御部８は、処理液吸引バルブＶＶを閉じる（ステップＡ３６）。こうして、純水供給処理が完了する。
なお、純水供給処理の最後に行われる処理液吸引排出処理（純水の吸引排出処理）は、必ずしも行われる必要はないが、この純水の吸引排出処理を行うことにより、その後に第１薬液または第２薬液をウエハＷに供給するときに、供給当初の薬液が処理液供給路内に残留する純水によって希釈されることを防止できる。
【００５８】
以上のように、この実施形態によれば、初期動作の際に、裏面ノズル３からプリディスペンスを行うのではなく、第１薬液排出バルブＶＣ２１、第２薬液排出バルブＶＣ２２および純水排出バルブＶＤ２を介して、処理液供給管２とは別の配管である第１薬液帰還路５７、第２薬液帰還路６７および純水排出路７７へと非温調状態の薬液または非循環状態の純水を導くことができる。したがって、裏面ノズル３から処理液を噴水状に吐出させたりすることなく、プリディスペンスを行うことができる。しかも、第１および第２薬液については、第１および第２薬液帰還路５７，６７を介して第１および第２薬液タンク５，６にそれぞれ帰還するようにしているから、プリディスペンスによって薬液が消費されることがなく、薬液消費量を抑えることができる。
【００５９】
一方、第１，第２薬液および純水によって共有される処理液流通路２１および処理液供給管２ならびに裏面ノズル３内の処理液は、処理液吸引バルブＶＶを介して、吸引機構４により吸引して排出することができる。そのため、処理液供給管２とは別の経路で処理液のプリディスペンスを行っているにも拘らず、処理液供給管２内で第１薬液、第２薬液および純水が相互に混合されるおそれがない。これにより、ウエハＷに対して、厳密に制御された処理を施すことができる。
【００６０】
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、ウエハＷの裏面中央に向けて処理液を吐出する裏面ノズル３が備えられた構成について説明したが、この発明は、上述の図１０に示されているように、基板の上面に向けて処理液を供給する処理液供給配管系に対しても適用することができる。また、上記の実施形態では、複数種類の処理液（第１薬液、第２薬液および純水）を切り換えてウエハＷに供給する構成例について説明したが、１種類の処理液のみをウエハＷに供給する構成の基板処理装置に対してもこの発明を適用することができる。
【００６１】
また、上記の実施形態では、第１薬液帰還路５７および第２薬液帰還路６７を第１薬液タンク５および第２薬液タンク６にそれぞれ接続しているが、これらを第１薬液循環路５４および第２薬液循環路６４にそれぞれ接続してもよい。この構成の場合でも、プリディスペンス時の排出される第１および第２薬液を第１および第２薬液タンク５，６に帰還させることができる。むろん、プリディスペンス時における薬液の消費が問題とならなければ、第１薬液排出バルブＶＣ２１および第２薬液排出バルブＶＣ２２から排出される第１および第２薬液を排液配管に導く構成としてもよい。
【００６２】
さらに、図１の構成において、分岐部Ｂ２，Ｂ３を一致させて（すなわち、第１および第２多連弁ＭＶ１，ＭＶ２を合体させて）、処理液流通路２１を無くしてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための系統図である。
【図２】上記基板処理装置の制御ブロック図である。
【図３】上記基板処理装置によるウエハに対する処理フローの一例を示す流れ図である。
【図４】処理フローの別の例を示す流れ図である。
【図５】初期動作の一例を説明するためのフローチャートである。
【図６】初期動作の別の例を説明するためのフローチャートである。
【図７】第１薬液供給処理の詳細を説明するためのフローチャートである。
【図８】第２薬液供給処理の詳細を説明するためのフローチャートである。
【図９】純水供給処理の詳細を説明するためのフローチャートである。
【図１０】従来の基板処理装置の構成を説明するための図解図である。
【符号の説明】
１        スピンチャック
２        処理液供給管
３        裏面ノズル
４        吸引機構
５        第１薬液タンク
６        第２薬液タンク
７        純水タンク
８        制御部
１０        温度センサ
１１        回転軸
１２        スピンベース
１３        挟持ピン
１４        回転駆動機構
２１        処理液流通路
４１        吸引排出路
５１        ポンプ
５２        温調器
５３        フィルタ
５４        第１薬液循環路
５５        第１薬液供給路
５７        第１薬液帰還路
６１        ポンプ
６２        温調器
６３        フィルタ
６４        第２薬液循環路
６５        第２薬液供給路
６７        第２薬液帰還路
７１        ポンプ
７３        フィルタ
７４        純水循環路
７５        純水供給路
７７        純水排出路
ＢＣ１１    分岐部
ＢＣ１２    分岐部
ＢＤ１      分岐部
Ｂ２        分岐部
Ｂ３        分岐部
ＭＶ１      第１多連弁
ＭＶ２      第２多連弁
ＶＣ１１    第１薬液供給バルブ
ＶＣ１２    第２薬液供給バルブ
ＶＤ１      純水供給バルブ
ＶＶ        処理液吸引バルブ
ＶＴ        処理液供給バルブ
ＶＣ２１    第１薬液排出バルブ
ＶＣ２２    第２薬液排出バルブ
ＶＤ２      純水排出バルブ
ＶＣＲ１    第１薬液循環バルブ
ＶＣＲ２    第２薬液循環バルブ
ＶＤＲ      純水循環バルブ
Ｗ          ウエハ
【図１】
2004273838.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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