(57)【要約】【課題】短時間で精度良く組み立てられ、長期に渡ってその精度を維持でき、低コストな半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】ミラー３の取り付け角度に応じた切り欠き部１７をミラーホルダ７に形成し、切り欠き部１７のエッジ１８に沿ってミラー３をミラーホルダ７に固定する。半導体レーザ１をマウント部材４に固定し、半導体レーザ１のスロー軸方向（Ｘ軸方向）に設けられる２枚の側面板５により半導体レーザ１をスロー軸方向から挟み込むように位置固定する。柱状のファスト軸コリメートレンズ２の軸方向をスロー軸と一致させ、ミラーホルダ７とともに側面板５に固定する。その際、ファスト軸コリメートレンズ２およびミラーホルダ７と側面板５との間に設けられるギャップｇに接着剤を塗布することにより、ファスト軸コリメートレンズ２およびミラーホルダ７の移動可能性をスロー軸方向に限定する。【選択図】    図４
2004273545.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スロー軸方向およびファスト軸方向に広がりを持つ光ビームを出射する半導体レーザ素子と、
この半導体レーザ素子の前記スロー軸方向に延伸され当該半導体レーザ素子から出射される光ビームの前記ファスト軸方向の広がりを制御するファスト軸コリメートレンズと、
前記スロー軸方向に所定の角度範囲で出射される光ビームを前記半導体レーザ素子に戻す反射手段と、
この反射手段を支持する反射手段支持部材と、
前記ファスト軸コリメートレンズと前記反射手段支持部材とを、前記半導体レーザ素子に対して前記スロー軸方向から支持する側方支持部材とを具備することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
さらに、前記半導体レーザ素子を搭載するマウント部材を備え、
このマウント部材と、前記ファスト軸コリメートレンズと、前記反射手段支持部材とを一体化することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記ファスト軸コリメートレンズと前記反射手段支持部材は、前記マウント部材に接着固定されることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記ファスト軸コリメートレンズと前記反射手段支持部材は、前記マウント部材に溶接固定されることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
半導体レーザ装置と、
この半導体レーザ装置から出射される光ビームのスロー軸方向の広がりを制御するスロー軸コリメートレンズと、
このスロー軸コリメートレンズを通過した光ビームを集束させる集光レンズと、
この集光レンズを通過した光ビームが導入される光ファイバとを具備し、
前記半導体レーザ装置は、
前記スロー軸方向およびファスト軸方向に広がりを持つ光ビームを出射する半導体レーザ素子と、
この半導体レーザ素子の前記スロー軸方向に延伸され当該半導体レーザ素子から出射される光ビームの前記ファスト軸方向の広がりを制御するファスト軸コリメートレンズと、
前記スロー軸方向に所定の角度範囲で出射される光ビームを前記半導体レーザ素子に戻す反射手段と、
この反射手段を支持する反射手段支持部材と、
前記ファスト軸コリメートレンズと前記反射手段支持部材とを、前記半導体レーザ素子に対して前記スロー軸方向から支持する側方支持部材とを備え、
前記スロー軸コリメートレンズの光軸と、前記集光レンズの光軸と、前記光ファイバの光軸とは、前記反射手段で反射される光ビームの方向に対して、前記半導体レーザ素子の中心軸に対称な方向に一致するように固定されることを特徴とする半導体レーザシステム。
【請求項６】
前記半導体レーザ装置は、さらに、前記半導体レーザ素子を搭載するマウント部材を備え、
このマウント部材と、前記ファスト軸コリメートレンズと、前記反射手段支持部材とを一体化することを特徴とする請求項５に記載の半導体レーザシステム。
【請求項７】
前記ファスト軸コリメートレンズと前記反射手段支持部材は、前記マウント部材に接着固定されることを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザシステム。
【請求項８】
前記ファスト軸コリメートレンズと前記反射手段支持部材は、前記マウント部材に溶接固定されることを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザシステム。
【請求項９】
スロー軸方向およびファスト軸方向に広がりを持つ光ビームを出射する半導体レーザ素子に対して、この半導体レーザ素子の前記スロー軸方向に延伸され当該半導体レーザ素子から出射される光ビームの前記ファスト軸方向の広がりを制御するファスト軸コリメートレンズの位置を調整する第１の調整工程と、
この第１の調整工程において位置調整された前記ファスト軸コリメートレンズを、前記半導体レーザ素子に対して前記スロー軸方向から支持する側方支持部材に固定する第１の固定工程と、
反射面を有する反射手段を、この反射手段を支持する反射手段支持部材に対して取り付ける取り付け工程と、
前記半導体レーザ素子から前記スロー軸方向に所定の角度範囲で出射される光ビームが当該半導体レーザ素子に戻るように前記反射面の位置を調整すべく、前記反射手段支持部材の前記半導体レーザ素子に対する位置を調整する第２の調整工程と、
この第２の調整工程において位置調整された前記反射手段支持部材を、前記側方支持部材に固定する第２の固定工程とを具備することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、外部共振器型の半導体レーザ装置とこの半導体レーザ装置を備える半導体レーザシステム、および当該半導体レーザ装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
下記の非特許文献１に、外部共振器型の半導体レーザに関する概要が記載されている。この種の半導体レーザは、半導体チップ内で励起された光ビームをチップ外に射出したのち反射器で再びチップ内に戻して共振させることにより、大出力の光ビームを生成する。光出射領域のサイズが２〜１０μｍと非常に小さいため、この種の半導体レーザにおいては半導体チップ、レンズ部、および反射器を非常に高い精度で位置決めする必要がある。特に、出射される光ビームを半導体チップのファスト軸方向に平行化するファスト軸コリメートレンズの位置精度は、半導体チップに対してサブミクロンオーダで保たれる必要がある。また、光ビームを半導体チップに戻す反射器の位置精度は、半導体チップに対して、特にあおり角度で０．０１°以下のオーダで保たれる必要がある。
【０００３】
多くの場合、半導体チップは金属のマウント部材にはんだ材を介して接合される。その際、接合位置のばらつき（通常１０μｍ程度）と、はんだ材の厚さばらつき（通常数μｍ）とが生じる。これらのばらつきに対して所望の性能を得るには、ファスト軸コリメートレンズの位置と反射器の位置とを半導体チップに対して３軸方向に調整する必要がある。
【０００４】
なお、半導体レーザシステムの位置決め制御に係わる技術が下記特許文献１に開示されている。この文献には、半導体レーザ素子（レーザダイオード）と光ファイバーのカップリング構造において２枚のカップリングレンズを設け、各レンズを半導体レーザ素子と光ファイバーとの間で位置調整可能とし、また各レンズの間も位置調整可能とすることでそれぞれの調整感度を低くし、これにより高い精度での位置調整、高い信頼性、および製造の容易化を実現できるようにした構成が記載されている。なおこの文献に記載のレーザダイオードは外部共振器型ではなく、端面反射型である。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−５２１７７号公報（［００３０］〜［００３４］、図１）
【０００６】
【非特許文献１】
“ＯＰＴＩＣＳ  ＬＥＴＴＥＲＳ”、２００２年２月１日、Ｖｏｌ．２７，Ｎｏ．３、ｐ．１６７−１６９
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように外部共振器型の半導体レーザに所望の性能を発揮させるには、半導体チップ、レンズ部、反射器などの構成部分を非常に高い精度で位置決めする必要がある。さらに、外部共振器型の半導体レーザを工業的に量産するには、位置決め制御の高精度化とともに、簡易化、低コスト化、さらには精度を長期にわたり維持できることが要求される。
【０００８】
本発明は上記事情によりなされたもので、その目的は、短時間で精度良く組み立てられ、長期に渡ってその精度を維持でき、低コストな半導体レーザ装置、半導体レーザシステムおよび半導体レーザ装置の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明に係わる外部共振器型の半導体レーザ装置は、スロー軸方向およびファスト軸方向に広がりを持つ光ビームを出射する半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子の前記スロー軸方向に延伸され当該半導体レーザ素子から出射される光ビームの前記ファスト軸方向の広がりを制御するファスト軸コリメートレンズと、前記スロー軸方向に所定の角度範囲で出射される光ビームを前記半導体レーザ素子に戻す反射手段（例えばミラー３）と、この反射手段を支持する反射手段支持部材（例えばミラーホルダ７）と、側方支持部材（例えば側面板５）とを具備する。そして、側方支持部材により、前記ファスト軸コリメートレンズと前記反射手段支持部材とを前記半導体レーザ素子に対して前記スロー軸方向から支持するようにしたことを特徴とする。
【００１０】
このような手段を講じることにより、経年変化などによりファスト軸コリメートレンズが半導体レーザ素子に対して移動したとしても、その移動方向はファスト軸コリメートレンズの長手方向のみに限定される。これによりファスト軸コリメートレンズの移動による光学特性の変化をほぼ無視することが可能となる。同様に、反射手段支持部材が半導体レーザ素子に対して移動したとしても、反射手段の位置の変化による光学特性の変化をほぼ無視することが可能となる。従って、光学的な精度を長期に渡って維持することが可能になる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図１は、外部共振器型の半導体レーザ装置の一実施形態を示す模式図である。図１において、符号１はシングルストライプのマルチモード発振型の半導体レーザである。このタイプの半導体レーザにおいては、光出射端面１２に露出される光出射領域（図示せず）が１つの活性層で構成される。以下の説明において、光出射端面１２に垂直となる方向をＺ軸、上記光出射領域のスロー軸方向をＸ軸、光出射領域のファスト軸方向をＹ軸と定義する。
【００１２】
光出射領域から放射される光ビームは、ファスト軸コリメートレンズ２によりＹ軸方向にコリメートされる。ファスト軸コリメートレンズ２としては、例えば、Ｙ軸方向にのみ屈折力を持つロッドレンズやシリンドリカルレンズ等が使用される。
【００１３】
ファスト軸コリメートレンズ２を通過した光ビームはＸ軸方向にＺ軸に対して所定の角度で広がり、その一部が反射手段としてのミラー３で反射され光出射領域に戻されることにより、外部共振動作が行なわれる。これにより光出射領域からは、先に出射されミラー３で反射された光ビームの方向ｖに対し、Ｚ軸を挟んで光軸対称となる方向ｗに、外部共振動作により集光された光ビームが出射される。
【００１４】
図２は、図１の外部共振器型半導体レーザ装置のマウント部材への取り付け状態を示す模式図である。図２において半導体レーザ１は、例えばその裏面電極が、はんだ材を介してマウント部材４に接合される。マウント部材４には絶縁体４２を介してＬ字状の端子４２が取り付けられる。金属細線４１により半導体レーザ１の表面電極と端子４３とが接続される。マウント部材４は、端子４３から金属細線４１を介して半導体レーザ１に供給される電流の経路となるとともに、半導体レーザ１が発生する熱を外部に放熱する。
【００１５】
図３は、本発明に係わる外部共振器型の半導体レーザ装置の実施の形態を示す斜視図である。図１において、半導体レーザ１が接合された状態のマウント部材４は、図示しないネジなどによりベース板６に固定される。マウント部材４には側面板５が接着され、その間にファスト軸コリメートレンズ２が挿入される。
【００１６】
ファスト軸コリメートレンズ２は、Ｘ軸（すなわちスロー軸）方向に長軸を持つ柱状、または、かまぼこ状の形状を有する。ファスト軸コリメートレンズ２は、半導体レーザ１から出射されファスト軸コリメートレンズ２を通した光ビームが平行光となるようにＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向およびθｘ、θｙ、θｚまわりに位置調整され、その状態を保つべく、側面板５との間に塗布される接着剤により側面板５に固定される。接着剤としては、熱膨張または硬化収縮の度合いの小さいものを用いるのが好ましい。この種の接着剤としては紫外線硬化型が代表的である。
【００１７】
ファスト軸コリメートレンズ２に対して図中上方に、ミラー３が設けられる。ミラー３は、予めミラーホルダ７に所定の角度で接着固定される。ミラーホルダ７はファスト軸コリメートレンズ２と同様に、二つの側面板５の間に挿入され接着固定される。
【００１８】
図４は、図３に示される半導体レーザ装置の実施の形態を示すＡ矢示図である。図４に示されるように、ファスト軸コリメートレンズ２およびミラーホルダ７と二つの側面板５との間に、例えば１００μｍ程度のギャップｇを設ける。ファスト軸コリメートレンズ２とミラーホルダ７とを側面板５に固定する接着剤は、ギャップｇに塗布される。
【００１９】
ミラーホルダ７のミラー３の取り付け面には、所定の深さを持つ切り欠き部１７を形成する。切り欠き部１７は、半導体レーザ１から出射されミラー３で反射される光ビームが半導体レーザ１の光出射領域に集光するような角度に切削される。ミラー３は、その反射面がファスト軸コリメートレンズ２に対向する状態で、切り欠き部１７のエッジ１８に沿うようにミラーホルダ７に接着固定される。
【００２０】
ミラーホルダ７は、半導体レーザ１から出射されミラー３で反射された光ビームが半導体レーザ１の光出射領域に集光するようにＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向、およびθｘ、θｙ、θｚまわりに位置調整され、その状態を保つべく側面板５に接着固定される。
【００２１】
図５は、図３に示される半導体レーザ装置の実施の形態を示すＢ矢示断面図である。図５において、ミラー３がミラーホルダ７の切り欠き部１７に食い込むような状態で固定されているのが示される。
【００２２】
図４および図５において、半導体レーザ１から出射される光ビームはファスト軸コリメートレンズ２を経てミラー３で反射され、半導体レーザ１の光出射領域に戻されることにより外部共振動作が行われる。これにより図４に示されるように、ミラー３で反射された光ビームの方向に対して、光出射領域を中心としＺ軸に対称な方向に、外部共振動作による光ビームが半導体レーザ１から放射される。
【００２３】
以上の構成においては、半導体レーザ１を搭載するマウント部材４と、ファスト軸コリメートレンズ２と、ミラー３とが互いに一体となるように接着固定される。これにより半導体レーザ１、マウント部材４、ファスト軸コリメートレンズ２、およびミラー３を、製造後に個別に位置調整するための機構を設ける必要が無い。従って、一般的にコストのかかる調整機構を含まない分だけ、半導体レーザ装置の低コスト化を促すことが可能になる。
【００２４】
また上記構成においては、ミラーホルダ７とファスト軸コリメートレンズ２とを、半導体レーザ１のスロー軸方向の側面に、側面板５を介してマウント部材に接着固定するようにしている。これにより接着剤の硬化収縮や熱膨張に起因する引張力は、Ｘ軸方向（スロー軸方向）のみに作用することになる。従ってＹ軸方向、およびＺ軸方向の位置ずれを最小限に抑えることができる。
【００２５】
しかもファスト軸コリメートレンズ２はＸ軸方向に延びる柱状のレンズであるため、Ｘ軸方向に位置ずれが生じたとしてもその光学的特性は変化しない。さらに、ミラー３がＸ軸方向にずれたとしても、半導体レーザ１との相対距離がわずかに変化するだけで、光出射領域へ戻る光量の変化は小さい。このように、位置ずれが生じる可能性のある方向（Ｘ軸方向）に実際に位置ずれが生じたとしても、外部共振系に係わる光学特性への影響はほとんど無い。従って、外部共振器型半導体レーザを構成する半導体レーザ１、ファスト軸コリメートレンズ２、およびミラー３の位置関係を長期に渡って高精度に維持することができ、経年変化に対して安定した性能を保つことが可能になる。
【００２６】
図６は、図３〜図５の半導体レーザ装置を用いた半導体レーザシステムの構成を示す断面図である。なお図６において図３〜図５と共通する部分には同一の符号を付して示し、ここでは異なる部分についてのみ説明する。図６には、図４と同方向からの視点から見た状態の半導体レーザ装置が示される。
【００２７】
図６において半導体レーザ装置は、ベース板６に固定されるブラケット８により覆われる。ブラケット８の上面は、半導体レーザ１の出射光軸に直角な斜面となるように形成される。スロー軸コリメートレンズ９、集光レンズ１０、鏡筒１１は予め所定の精度で組み立てられレンズユニット１９を形成する。レンズユニット１９は、透明ガラスまたはプラスチックなどの透明材料から成るリング状のレンズホルダ１３に予め接着される。
【００２８】
レンズユニット１９は、その光軸が、半導体レーザ１から外部に出力される光ビームの光軸と一致するようにＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向、およびθｘ、θｙ、θｚまわりに位置調整され、その状態でレンズホルダ１３を介してブラケット８の上面の斜面に接着剤で固定される。
【００２９】
一方、半導体レーザ１の出力光ビームが導入される光ファイバ１４は、予めフェルール１５に挿入され半導体レーザ１に対向する端面が研磨され、反射防止膜が形成される。フェルール１５は、透明ガラスまたはプラスチックなどの透明材料から成る筒状のフェルールホルダ１６に予め接着される。フェルールホルダ１６は、集光レンズ１０の焦点位置に光ファイバ１４のコアが一致するように位置調整された状態で、レンズユニット１９の鏡筒１１に接着固定される。
【００３０】
上記構成において半導体レーザ１から出力される光ビームは、まずファスト軸コリメートレンズ２により、ファスト軸方向につき平行化される。この光ビームは、次にスロー軸コリメートレンズ９によりスロー軸方向につき平行化され、さらに集光レンズ１０で集光されて光ファイバ１４のコアに入射される。
【００３１】
上記構成においては、スロー軸コリメートレンズ９と集光レンズ１０とが鏡筒１１に予め接着固定される。また光ファイバ１４は、フェルール１５に予め接着固定される。その際、ミラー３で反射される光の方向に対して半導体レーザ１の中心軸に対称な方向、すなわち半導体レーザ１から出力される光ビームの光軸に対して、スロー軸コリメートレンズ９、集光レンズ１０、および光ファイバ１４が一直線上になるように位置決めされる。
【００３２】
すなわち、位置調整作業は装置作成の際に一度だけ必要となるのみで、その後の複雑な調整工程が不要となり、高価な調整機構や光軸変換部品を必要としない。これにより半導体レーザシステムを低コストで実現することができる。しかも、スロー軸コリメートレンズ９、集光レンズ１０、および光ファイバ１４を含む各光学部品は厳密に位置固定されるため、その精度を長期に渡って維持することが可能になる。
【００３３】
図７は、図３に示される半導体レーザ装置および図６に示される半導体レーザシステムの製造方法を示すフローチャートである。図７に示されるように、まず、マウント部材４の両側面に側面板５を接着する（ステップＳ１）。次に、マウント部材４をベース板６にネジ固定する（ステップＳ２）。次に、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向、およびθｘ、θｙ、θｚまわりの調整機能を有する既存の調整機構を用い、ファスト軸コリメートレンズ２を支持し、半導体レーザ１を動作させてファスト軸コリメートレンズ２を通した光ビームのビームプロファイルを観察しながら、光ビームが平行光になるようにファスト軸コリメートレンズ２の位置および姿勢を調整する（ステップＳ３）。
【００３４】
この手順ののちに、ファスト軸コリメートレンズ２を側面板５に接着固定する（ステップＳ４）。一方、ミラー３をミラーホルダ７の切り欠き部１７のエッジ１８に沿って接着固定したものを予め用意しておく（ステップＳ６）。そして、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向、およびθｘ、θｙ、θｚまわりの調整機能を有する既存の調整機構を用い、ミラーホルダ７を支持し、半導体レーザ１を動作させて外部共振器のビームプロファイルおよび光出力を観察しながら、ビーム拡がり角が所定範囲内に収まり、かつ光ビームの出力強度が最大となるようにミラーホルダ７の位置および姿勢を調整する（ステップＳ５）。
【００３５】
この手順ののちに、ミラーホルダ７を側面板５に接着固定する（ステップＳ７）。次に、ブラケット８をベース板６にネジ固定する（ステップＳ８）。一方、レンズホルダ１３にレンズユニット１９を予め接着固定する（ステップＳ１０）。そして、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向、およびθｘ、θｙ、θｚまわりの調整機能を有する既存の調整機構を用い、レンズホルダ１３に接着された状態のレンズユニット１９を支持し、その光軸と外部共振器から出射された光ビームの光軸とが一致するようにレンズホルダ１３の位置および姿勢を調整する（ステップＳ９）。この手順ののちに、レンズホルダ１３をブラケット８に接着固定する（ステップＳ１１）。
【００３６】
一方、フェルール付き光ファイバ１４をフェルールホルダ１６に予め接着固定しておく（ステップＳ１３）。そして、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向、およびθｘ、θｙ、θｚまわりの調整機能を有する既存の調整機構によりフェルールホルダ１６を支持し、半導体レーザ１を動作させた状態で光ファイバ１４に入射する光ビームの強度が最大となるように、フェルールホルダ１６の位置および姿勢を調整する（ステップＳ１２）。最後に、位置調整が完了した状態のフェルールホルダ１６をレンズユニット１９に接着固定する（ステップＳ１４）。
【００３７】
このような製造方法によれば、半導体レーザ１に対するファスト軸コリメートレンズ２の位置決め調整と、半導体レーザ１に対するミラー３の位置決め調整とを、それぞれ個別に実施することが可能になる。
【００３８】
すなわち従来では、ファスト軸コリメートレンズ２とミラー３とを調整用ステージに載せ、半導体レーザ１に対してそれぞれを交互に動かしつつ、最適の位置関係をいわば試行錯誤しつつ探り出すという手法に頼るしかなかった。このため位置決め制御にかかる手間が煩雑で、時間もかかるという不具合があった。
【００３９】
これに対し本実施形態によれば、まず、ファスト軸コリメートレンズ２を半導体レーザ１に対して位置調整したのち（ステップＳ３）両者を固定する（ステップＳ４）。そして、この状態でミラー３を半導体レーザ１に対して位置調整したのち（ステップＳ５）両者を固定する（ステップＳ７）という手順を踏むことができる。このように位置調整手順にかかる工程をそれぞれ個別に実施できるようになるので、位置調整作業にかかる手間を簡略化できる。従って外部共振器型半導体レーザ装置の組み立てにかかる時間を短縮でき、組み立て精度を高められ、ひいては外部共振器型半導体レーザ装置を工業的に量産することに適した製造方法を実現することができる。
【００４０】
以上をまとめると本実施形態では、ミラー３の取り付け角度に応じた切り欠き部１７をミラーホルダ７に形成し、切り欠き部１７のエッジ１８に沿ってミラー３をミラーホルダ７に固定する。また、半導体レーザ１をマウント部材４に固定し、半導体レーザ１のスロー軸方向（Ｘ軸方向）に設けられる２枚の側面板５により半導体レーザ１をスロー軸方向から挟み込むように位置固定する。そして、柱状のファスト軸コリメートレンズ２の軸方向をスロー軸と一致させ、ミラーホルダ７とともに側面板５に固定する。その際、ファスト軸コリメートレンズ２およびミラーホルダ７と側面板５との間にギャップｇを設け、このギャップｇに接着剤を塗布するようにしている。
【００４１】
このようにしたので、接着剤の硬化収縮や熱膨張生じても、引張力が作用する方向がＸ軸方向（スロー軸方向）のみに限定され、ファスト軸コリメートレンズ２およびミラーホルダ７が移動する可能性をスロー軸方向のみに留めることができる。これにより経年変化による光学特性への悪影響が最小限に抑えられ、光学的な精度を長期に渡って維持することが可能になる。
【００４２】
また、各部の位置関係を調整し、光学的な位置関係を保つための調整機構や光軸変換部品を必要としないので、レーザ素子ならびにレーザ装置のコストを下げることが可能になる。
【００４３】
さらに、半導体レーザ１に対するファスト軸コリメートレンズ２の位置決め調整と、半導体レーザ１に対するミラー３の位置決め調整とを、それぞれ個別に実施できるので、高い精度が必要とされる組み立てを短時間に行うことが可能となる。
【００４４】
これらのことから、短時間で精度良く組み立てられ、長期に渡ってその精度を維持でき、低コストな半導体レーザ装置、半導体レーザシステムおよび半導体レーザ装置の製造方法を提供することが可能になる。
【００４５】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば本実施形態では、シングルストライプのマルチモード発振型の半導体レーザ１を使用したが、これに代えて、光出射領域が複数の活性層で構成される、いわゆるマルチストライプのマルチモード発振型の半導体レーザを用いても良い。
【００４６】
また本実施形態では、マウント部材４に側面板５を接着するようにしたが、両者を一体整形しても良い。このようにすればマウント部材４に側面板５を接着する工程（ステップＳ１）を省略することができ、手順の簡略化およびコストの低下に有利である。
【００４７】
同様に、本実施形態ではミラーホルダ７にミラー３を接着するようにしたが、両者が一体となった構造としても良い。このようにすればミラー３をミラーホルダ７に接着する工程（ステップＳ７）を省略できる。
【００４８】
また本実施形態では、部品を固定するために接着剤を用いたが、これに代えて溶接を適用することも可能である。例えば、マウント部材４と側面板５とを金属部材で一体形成し、金属製のミラーホルダ７の位置および姿勢を調整した後、両者をレーザ溶接するようにしても良い。また、レンズホルダ１３を省略し、ブラケット８とレンズユニット１９とを直接レーザ溶接してもよい。さらに、フェルールホルダ１６を金属製とし、これをレンズユニット１９にレーザ溶接しても良い。
【００４９】
さらに本実施形態では、外部共振器型の半導体レーザ装置から出力される光ビームを光ファイバ１４に入射する構成としたが、本発明はこれに限定されない。例えば、集光レンズ１０および光ファイバ１４を省略し、光ビームをそのまま出射させてこれを加工用のレーザ光源として用いることも可能である。このほか、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々に変形して実施することができる。
【００５０】
【発明の効果】
以上詳しく述べたように本発明によれば、短時間で精度良く組み立てられ、長期に渡ってその精度を維持でき、低コストな半導体レーザ装置、半導体レーザシステムおよび半導体レーザ装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】外部共振器型の半導体レーザ装置の一実施形態を示す模式図。
【図２】図１の外部共振器型半導体レーザ装置のマウント部材への取り付け状態を示す模式図。
【図３】本発明に係わる外部共振器型の半導体レーザ装置の実施の形態を示す斜視図。
【図４】図３に示される半導体レーザ装置の実施の形態を示すＡ矢示図。
【図５】図３に示される半導体レーザ装置の実施の形態を示すＢ矢示断面図。
【図６】図３〜図５の半導体レーザ装置を用いた半導体レーザシステムの構成を示す断面図。
【図７】図３に示される半導体レーザ装置および図６に示される半導体レーザシステムの製造方法を示すフローチャート。
【符号の説明】
ｇ…ギャップ、１…半導体レーザ、２…ファスト軸コリメートレンズ、３…ミラー、４…マウント部材、５…側面板、６…ベース板、７…ミラーホルダ、８…ブラケット、９…スロー軸コリメートレンズ、１０…集光レンズ、１１…鏡筒、１２…光出射端面、１３…レンズホルダ、１４…フェルール付き光ファイバ、１５…フェルール、１６…フェルールホルダ、１７…欠き部、１８…エッジ、１９…レンズユニット、４１…金属細線、４２…絶縁体、４３…端子
【図１】
2004273545.tif 000003
【図２】
2004273545.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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