(57)【要約】【課題】ワイヤループの垂れによるショートの防止を低コストで実現できる。【解決手段】リードフレーム１上に固定された半導体チップ２の第１ボンド点３であるパッド２ａと、リードフレーム１のリード１ａの第２ボンド点４とを、ワイヤ５により電気的に接続してなる半導体装置において、第２ボンド点４より半導体チップ２側にワイヤボンディング方法によってバンプ６を設けた。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板上に固定された半導体チップの第１ボンド点である電極と、回路基板上に配設された配線パターンの配線の第２ボンド点とを、ワイヤにより電気的に接続してなる半導体装置において、前記第２ボンド点より前記半導体チップ側にワイヤボンディング方法によってバンプを設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
回路基板上に固定された半導体チップの第１ボンド点である電極上に１次ボンディングを行った後、ワイヤをルーピングして回路基板上に配設された配線パターンの配線の第２ボンド点に２次ボンディングを行い、前記第１ボンド点と前記第２ボンド点間をワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディング方法において、前記第２ボンド点より前記半導体チップ側にワイヤボンディング方法によってバンプを形成した後、前記１次ボンディングを行い、次に前記２次ボンディングを行うことを特徴とするワイヤボンディング方法。
【請求項３】
ワイヤループの垂れ下がりを防止する必要がある第２ボンド点に対して全て又は複数個前記バンプを形成した後、この形成されたバンプに対応する第２ボンド点と、この第２ボンド点に対応する前記第１ボンド点に対して前記１次ボンディング及び前記２次ボンディングを行うことを特徴とする請求項２記載のワイヤボンディング方法。
【請求項４】
１個の前記バンプを形成した後、続いて該バンプに対応する第２ボンド点と、この第２ボンド点に対応する前記第１ボンド点に対して前記１次ボンディング及び前記２次ボンディングを行うことを特徴とする請求項２記載のワイヤボンディング方法。
【請求項５】
前記バンプは、前記第２ボンド点の直前に設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置又はワイヤボンディング方法。
【請求項６】
前記バンプ上に上方に突出した突出部を形成し、前記ワイヤは前記突出部より樹脂流入側にルーピングされていることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置又はワイヤボンディング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路基板上に固定された半導体チップの電極と、回路基板上に配設された配線パターンの配線とを、ワイヤにより電気的に接続してなる半導体装置及びワイヤボンディング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置においては、半導体チップと配線パターンの所望の配線とを電気的に接続したワイヤが他の配線ににショートするのを防止し、またワイヤループの垂れや変形に起因する電気的なショートを防止する必要がある。特に、積層された半導体チップにおける多層ワイヤ、低ワイヤループ、第１ボンド点と第２ボンド点が長い長ワイヤループ、ワイヤが他のワイヤを跨いでいる場合等においては、ワイヤ垂れが生じ易い。
【０００３】
従来は、リードフレームのダイパッド上に半導体チップを囲むように全面に絶縁ブロックを設け、この絶縁ブロックによってワイヤループの弛みを防止している（例えば、特許文献１参照）。また、回路基板上に配設された配線パターンの複数種類の配線間に、これらの配線より高さが高い絶縁体を設け、この絶縁体によってワイヤループの弛みを防止している（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
なお、本発明の要旨とは異なるが、バンプ形成方法として例えば特許文献３及び４等が挙げられる。
【０００５】
【特許文献１】
特開平５−１０２２２４号公報
【特許文献２】
特開平１１−１２１５００号公報
【特許文献３】
特公平６−９５４６８号公報
【特許文献４】
特開平８−２６４５４０号公報（特許第２７３５０２２号公報）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献１及び２は、いずれも基板上に絶縁体を設けており、絶縁体はワイヤボンディング前に別工程で設ける必要があり、コスト高になるという問題があった。
【０００７】
本発明の第１の課題は、ワイヤループの垂れによるショートの防止を低コストで実現できる半導体装置及びワイヤボンディング方法を提供することにある。
【０００８】
本発明の第２の課題は、樹脂封止の際に接続されたワイヤの流動変形によるワイヤ同士のショートを防止することができる半導体装置及びワイヤボンディング方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記第１の課題を解決するための本発明の請求項１は、回路基板上に固定された半導体チップの第１ボンド点である電極と、回路基板上に配設された配線パターンの配線の第２ボンド点とを、ワイヤにより電気的に接続してなる半導体装置において、前記第２ボンド点より前記半導体チップ側にワイヤボンディング方法によってバンプを設けたことを特徴とする。
【００１０】
上記第１の課題を解決するための本発明の請求項２は、回路基板上に固定された半導体チップの第１ボンド点である電極上に１次ボンディングを行った後、ワイヤをルーピングして回路基板上に配設された配線パターンの配線の第２ボンド点に２次ボンディングを行い、前記第１ボンド点と前記第２ボンド点間をワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディング方法において、前記第２ボンド点より前記半導体チップ側にワイヤボンディング方法によってバンプを形成した後、前記１次ボンディングを行い、次に前記２次ボンディングを行うことを特徴とする。
【００１１】
上記第１の課題を解決するための本発明の請求項３は、上記請求項２において、ワイヤループの垂れ下がりを防止する必要がある第２ボンド点に対して全て又は複数個前記バンプを形成した後、この形成されたバンプに対応する第２ボンド点と、この第２ボンド点に対応する前記第１ボンド点に対して前記１次ボンディング及び前記２次ボンディングを行うことを特徴とする。
【００１２】
上記第１の課題を解決するための本発明の請求項４は、上記請求項２において、１個の前記バンプを形成した後、続いて該バンプに対応する第２ボンド点と、この第２ボンド点に対応する前記第１ボンド点に対して前記１次ボンディング及び前記２次ボンディングを行うことを特徴とする。
【００１３】
上記第１の課題を解決するための本発明の請求項５は、上記請求項１又は２において、前記バンプは、前記第２ボンド点の直前に設けられていることを特徴とする。
【００１４】
上記第１及び第２の課題を解決するための本発明の請求項６は、上記請求項１又は２において、前記バンプ上に上方に突出した突出部を形成し、前記ワイヤは前記突出部より樹脂流入側にルーピングされていることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１の実施の形態を示す半導体装置で、回路基板がリードフレームである場合を示す。リードフレーム１上には、パッド２ａが形成された半導体チップ２がマウントされている。第１ボンド点３であるパッド２ａとリードフレーム１の配線であるリード１ａの第２ボンド点４とは、ワイヤ５によって電気的に接続されている。本実施の形態においては、第２ボンド点４より半導体チップ２側のリード１ａ上にはワイヤボンディング方法によってバンプ６が設けられている。
【００１６】
図２は、本発明の第２の実施の形態を示す半導体装置で、回路基板がセラミック基板やプリント基板等の基板である場合を示す。基板７上には、パッド２ａが形成された半導体チップ２がマウントされている。また基板７には配線８が形成されている。本実施の形態においても前記実施の形態と同様に、第１ボンド点３であるパッド２ａと配線８の第２ボンド点４とは、ワイヤ５によって電気的に接続されている。また第２ボンド点４より半導体チップ２側の基板７上にはワイヤボンディング方法によってバンプ６が設けられている。
【００１７】
次に図１及び図２に示す半導体装置のワイヤボンディング方法について説明する。図１の場合は、リード１ａの第２ボンド点４より半導体チップ２側のリード１ａ上に、図２の場合は、配線８の第２ボンド点４より半導体チップ２側の基板７上に、ワイヤボンディング方法によってバンプ６を形成する。次にワイヤボンディング方法によって第１ボンド点３に１次ボンディングを行った後、ワイヤ５をルーピングして第２ボンド点４に２次ボンディングを行い、第１ボンド点３と第２ボンド点４間をワイヤ５により電気的に接続する。
【００１８】
このように、第２ボンド点４より半導体チップ２側にはバンプ６が形成されているので、第２ボンド点４側のワイヤ５はバンプ６によって持ち上げられ、ワイヤ５の垂れによるショートが防止され、半導体装置としての信頼性が向上する。
またバンプ６の形成及びワイヤ５の接続は、ワイヤボンディング方法の一連の工程によって行うことができるので、コスト低減が図れる。
【００１９】
前記バンプ６の形状は特に限定されるものではなく、例えば図３に示すような種々の形状のものでもよい。図３（ａ）は、一般的なバンプ形状のものを示す。
図３（ｂ）は、バンプ６ａ上にバンプ６ｂを形成した２段バンプ６を示す。勿論、３段以上のバンプを形成してもよい。このような２段以上のバンプ６は、例えば従来の技術の項で挙げた特許文献４の方法によって形成することができる。図３（ｃ）は、バンプ６の上部にテール６ｃを形成した場合を示す。図３（ｄ）及び図３（ｅ）は、バンプ６上に湾曲形状の頂部６ｄを形成した場合を示す。このようなバンプ６は、例えば従来の技術の項で挙げた特許文献３の方法によって形成することができる。
【００２０】
図３（ｃ）、図３（ｄ）、図３（ｅ）に示すように、バンプ６上に上方に突出したテール６ｃ、頂部６ｄ等の突出部を形成した場合には、ワイヤ５をテール６ｃ又は頂部６ｄより樹脂封止の際の樹脂流入側にルーピングすると、樹脂流動によるワイヤ５の変形は、テール６ｃまたは頂部６ｄによって受けられ、ワイヤ５の変形が抑えられる。またワイヤ５に加わる樹脂流動力は、テール６ｃ、頂部６ｄで受けられるので、樹脂流動力によって第２ボンド点４よりワイヤ５を剥離させる力が減殺され、更に信頼性が向上する。
【００２１】
【発明の効果】
本発明は、回路基板上に固定された半導体チップの第１ボンド点である電極と、回路基板上に配設された配線パターンの配線の第２ボンド点とを、ワイヤにより電気的に接続してなる半導体装置において、前記第２ボンド点より前記半導体チップ側にワイヤボンディング方法によってバンプを設けたので、前記バンプの形成及び前記ワイヤの接続を一連のワイヤボンディング方法によって行うことができ、ワイヤループの垂れによるショートの防止を低コストで実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の半導体装置を示す正面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態の半導体装置を示す正面図である。
【図３】バンプ形状を示す正面図である。
【符号の説明】
１    リードフレーム
１ａ    リード
２    半導体チップ
２ａ    パッド
３    第１ボンド点
４    第２ボンド点
５    ワイヤ
６、６ａ、６ｂ    バンプ
６ｃ    テール
６ｄ    頂部
７    基板
８    配線
【図１】
2004273904.tif 000003
【図２】
2004273904.tif 000004
【図３】
2004273904.tif 000005