(57)【要約】【課題】レーザー窓の透明膜の失透を抑制して研磨終点を正確に検出できるＣＭＰ装置、ＣＭＰ研磨方法、半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るＣＭＰ装置は、被研磨基板であるウエハの研磨終点を検出する研磨終点検出機構を備えたＣＭＰ装置において、ターンテーブル１１と、このターンテーブル１１上に載置され、ウエハを押圧して研磨する研磨クロス１３と、この研磨クロス１３及びターンテーブル１１に設けられたレーザー窓３０と、このレーザー窓３０内に設置された透明膜５１と、前記レーザー窓３０及び透明膜５１を通してウエハの研磨面にレーザー光を照射する発光素子と、前記研磨面で反射した光を、レーザー窓３０及び透明膜５１を通して受光する受光素子と、前記透明膜５１の結露を防止する結露防止機構と、を具備する。【選択図】        図２
2004160609.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被研磨基板の研磨終点を検出する研磨終点検出機構を備えたＣＭＰ装置において、
ターンテーブルと、
このターンテーブル上に載置され、被研磨基板を押圧して研磨する研磨クロスと、
この研磨クロス及びターンテーブルに設けられたレーザー窓と、
このレーザー窓内に設置された透明膜と、
前記レーザー窓及び透明膜を通して被研磨基板の研磨面にレーザー光を照射する発光素子と、
前記研磨面で反射した光を、レーザー窓及び透明膜を通して受光する受光素子と、
前記透明膜の結露を防止する結露防止機構と、
を具備することを特徴とするＣＭＰ装置。
【請求項２】
前記結露防止機構は加熱装置を有するものであることを特徴とする請求項１に記載のＣＭＰ装置。
【請求項３】
前記結露防止機構は冷却装置を有するものであることを特徴とする請求項１に記載のＣＭＰ装置。
【請求項４】
前記結露防止機構は乾燥機を有するものであることを特徴とする請求項１に記載のＣＭＰ装置。
【請求項５】
請求項１〜４のうちいずれか１項記載のＣＭＰ装置を用いてＣＭＰ研磨を行う工程を経て製造されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１〜４のうちいずれか１項記載のＣＭＰ装置を用いてＣＭＰ研磨を行う工程を経て半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
被研磨基板の研磨終点を検出する研磨終点検出機構を備えたＣＭＰ装置を用いて研磨するＣＭＰ研磨方法であって、
前記ＣＭＰ装置は、ターンテーブルと、このターンテーブル上に載置された研磨クロスと、この研磨クロス及びターンテーブルに設けられたレーザー窓と、このレーザー窓内に設置された透明膜と、発光素子と、受光素子と、を具備しており、
前記ターンテーブルを回転させ、前記研磨クロス上にスラリーを滴下し、該研磨クロスに被研磨基板を押圧して研磨しながら、前記レーザー窓内を加熱して所定の温度に保持することにより透明膜に結露が発生するのを抑制しつつ、前記レーザー窓及び透明膜を通して被研磨基板の研磨面にレーザー光を発光素子によって照射し、前記研磨面で反射した光を、レーザー窓及び透明膜を通して受光素子によって受光することにより、研磨終点を検出することを特徴とするＣＭＰ研磨方法。
【請求項８】
被研磨基板の研磨終点を検出する研磨終点検出機構を備えたＣＭＰ装置を用いて研磨するＣＭＰ研磨方法であって、
前記ＣＭＰ装置は、ターンテーブルと、このターンテーブル上に載置された研磨クロスと、この研磨クロス及びターンテーブルに設けられたレーザー窓と、このレーザー窓内に設置された透明膜と、発光素子と、受光素子と、を具備しており、
前記ターンテーブルを回転させ、前記研磨クロス上にスラリーを滴下し、該研磨クロスに被研磨基板を押圧して研磨しながら、前記レーザー窓の内側面を冷却することにより、該レーザー窓の内側面に優先的に結露を発生させて前記透明膜に結露が発生するのを抑制しつつ、前記レーザー窓及び透明膜を通して被研磨基板の研磨面にレーザー光を発光素子によって照射し、前記研磨面で反射した光を、レーザー窓及び透明膜を通して受光素子によって受光することにより、研磨終点を検出することを特徴とするＣＭＰ研磨方法。
【請求項９】
被研磨基板の研磨終点を検出する研磨終点検出機構を備えたＣＭＰ装置を用いて研磨するＣＭＰ研磨方法であって、
前記ＣＭＰ装置は、ターンテーブルと、このターンテーブル上に載置された研磨クロスと、この研磨クロス及びターンテーブルに設けられたレーザー窓と、このレーザー窓内に設置された透明膜と、発光素子と、受光素子と、を具備しており、
前記ターンテーブルを回転させ、前記研磨クロス上にスラリーを滴下し、該研磨クロスに被研磨基板を押圧して研磨しながら、前記レーザー窓内を乾燥雰囲気にすることにより透明膜に結露が発生するのを抑制しつつ、前記レーザー窓及び透明膜を通して被研磨基板の研磨面にレーザー光を発光素子によって照射し、前記研磨面で反射した光を、レーザー窓及び透明膜を通して受光素子によって受光することにより、研磨終点を検出することを特徴とするＣＭＰ研磨方法。
【請求項１０】
請求項７〜９のうちいずれか１項記載のＣＭＰ研磨方法により研磨する工程を経て製造されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項７〜９のうちいずれか１項記載のＣＭＰ研磨方法により研磨する工程を経て半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＣＭＰ装置、ＣＭＰ研磨方法、半導体装置及びその製造方法に関する。特には、レーザー窓の透明膜の失透を抑制して研磨終点を正確に検出できるＣＭＰ装置、ＣＭＰ研磨方法、半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図３（ａ）は、従来の研磨終点検出装置を備えたＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装置の概略を示す平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す３ｂ−３ｂ線に沿った断面図である。図４は、図３（ｂ）に示す研磨クロスとターンテーブルの一部を拡大した断面図である。
ＣＭＰ装置は円盤形状のターンテーブル１１１を有しており、このターンテーブル１１１の下面には回転軸（図示せず）を介して回転モータ（図示せず）が配置されている。
【０００３】
ターンテーブル１１１の上面上には研磨クロス１１３が載置されている。ターンテーブル１１１の下方には発光素子１２３及び受光素子（図示せず）が配置されている。ターンテーブル１１１及び研磨クロス１１３にはレーザー窓（穴）１２０が設けられている。研磨クロス１１３のレーザー窓には図４に示すように樹脂製の透明膜１３１が設置されている。ターンテーブル１１１のレーザー窓には樹脂製の透明膜１３２が設置されている。
【０００４】
ターンテーブル１１１が矢印のように回転して発光素子１２３の上方にレーザー窓１２０が位置した時、発光素子１２３により発せられたレーザー光がレーザー窓１２０及び透明膜１３１，１３２を通してターンテーブル１１１の上方に送られるようになっている。発光素子１２３、受光素子及びレーザー窓１２０等により研磨終点検出装置を構成している。
【０００５】
ターンテーブル１１１の上方にはウエハ保持手段としてのウエハ吸着ヘッド１１７が配置されており、このウエハ吸着ヘッド１１７の上部には回転軸１１８を介して回転モータ（図示せず）が配置されている。研磨時にはウエハ吸着ヘッド１１７が発光素子１２３の上方に位置するようになっている。また、ターンテーブル１１１の上方にはスラリー（図示せず）を吐出するノズル（図示せず）が配置されている。
【０００６】
ターンテーブル１１１の上方にはコンディショナ１２４が設けられており、このコンディショナ１２４はアーム１２５によって支持されている。また、コンディショナ１２４は、複数枚のウエハを研磨した後又はウエハを研磨しながら、研磨クロス１１３の表面を調整するものである。
【０００７】
上記ＣＭＰ装置において被研磨基板としてのウエハを研磨する場合、まず、ウエハ保持手段１１７の下部にウエハ１１５の裏面を真空吸着する。そして、回転モータによってターンテーブル１１１を図３（ａ）に示す矢印の方向に回転させ、ノズルからスラリーを吐出し、そのスラリーを研磨クロス１１３の中央付近に滴下する。次に、回転モータによってウエハ保持手段１１７を矢印の方向に回転させ、ウエハ１１５の表面（研磨面）を研磨クロス１１３に押圧する。このようにしてウエハ１１５を研磨しながら発光素子１２３によって発せられたレーザー光を、レーザー窓１２０及び透明膜１３１，１３２を通してウエハ１１５の研磨面に照射し、その研磨面で反射した光を、レーザー窓１２０及び透明膜１３１，１３２を通して受光素子により受光する。この受光した光の反射率、強度を検知し、その変化によってウエハ１１５の研磨終点を検出する。この研磨終点時にウエハの研磨を終了させる。
【０００８】
また、ウエハ１１５を研磨しながら、コンディショナ１２４を研磨クロス１１３に接触させて揺動させる。これにより、研磨クロス１１３の表面が調整される。なお、コンディショナによる研磨クロスの調整は、ウエハの研磨中ではなくウエハを研磨した後、ウエハを研磨していないときに行っても良い。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来のＣＭＰ装置では、図４に示すように、研磨クロス１１３のレーザー窓に設置した透明膜１３１とターンテーブル１１１のレーザー窓に設置した透明膜１３２との間に空間（隙間）１３３が存在する。この空間１３３に水分が浸入することがある。侵入経路は、透明膜１３２と研磨クロス１１３との隙間やターンテーブル１１１と研磨クロス１１３との隙間などである。これらの隙間を通って空間１３３に水分が浸入すると、この水分がウエハ研磨中の摩擦熱で蒸発し、透明膜１３１，１３２の表面で結露することにより、該透明膜が失透してしまうことがある。このように失透すると、レーザー窓１２０を通してウエハ１１５の研磨面に照射する光の強度と、その研磨面で反射した光を、レーザー窓１２０を通して受光素子により受光する光の強度が失透した透明膜１３１，１３２によって弱められるので、この受光した光の反射率を正確に検知することができなくなる。それにより、ウエハ１１５の研磨終点を正確に検出することができなくなる。
【００１０】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、レーザー窓の透明膜の失透を抑制して研磨終点を正確に検出できるＣＭＰ装置、ＣＭＰ研磨方法、半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係るＣＭＰ装置は、被研磨基板の研磨終点を検出する研磨終点検出機構を備えたＣＭＰ装置において、
ターンテーブルと、
このターンテーブル上に載置され、被研磨基板を押圧して研磨する研磨クロスと、
この研磨クロス及びターンテーブルに設けられたレーザー窓と、
このレーザー窓内に設置された透明膜と、
前記レーザー窓及び透明膜を通して被研磨基板の研磨面にレーザー光を照射する発光素子と、
前記研磨面で反射した光を、レーザー窓及び透明膜を通して受光する受光素子と、
前記透明膜の結露を防止する結露防止機構と、
を具備することを特徴とする。
【００１２】
上記ＣＭＰ装置によれば、ＣＭＰ装置に結露防止機構を備えているため、レーザー窓内の透明膜に結露が発生するのを抑制することができ、その結果、レーザー窓の透明膜の失透を抑制することができる。従って、研磨終点を検出する際、レーザー窓及び透明膜を通して受光素子により受光する光の強度が失透した透明膜によって弱められることがない。このため、この受光した光の反射強度を安定して検知することができ、ウエハの研磨面の光の反射率、光の強度の変化を安定して測定することができる。それにより、被研磨基板の研磨終点を正確に検出することができる。
【００１３】
また、本発明に係るＣＭＰ装置において、前記結露防止機構は加熱装置を有するものであることも可能である。
また、本発明に係るＣＭＰ装置において、前記結露防止機構は冷却装置を有するものであることも可能である。
また、本発明に係るＣＭＰ装置において、前記結露防止機構は乾燥機を有するものであることも可能である。
【００１４】
本発明に係る半導体装置は、前記ＣＭＰ装置を用いてＣＭＰ研磨を行う工程を経て製造されたものであることを特徴とする。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記ＣＭＰ装置を用いてＣＭＰ研磨を行う工程を経て半導体装置を製造することを特徴とする。
【００１５】
本発明に係るＣＭＰ研磨方法は、被研磨基板の研磨終点を検出する研磨終点検出機構を備えたＣＭＰ装置を用いて研磨するＣＭＰ研磨方法であって、
前記ＣＭＰ装置は、ターンテーブルと、このターンテーブル上に載置された研磨クロスと、この研磨クロス及びターンテーブルに設けられたレーザー窓と、このレーザー窓内に設置された透明膜と、発光素子と、受光素子と、を具備しており、
前記ターンテーブルを回転させ、前記研磨クロス上にスラリーを滴下し、該研磨クロスに被研磨基板を押圧して研磨しながら、前記レーザー窓内を加熱して所定の温度に保持することにより透明膜に結露が発生するのを抑制しつつ、前記レーザー窓及び透明膜を通して被研磨基板の研磨面にレーザー光を発光素子によって照射し、前記研磨面で反射した光を、レーザー窓及び透明膜を通して受光素子によって受光することにより、研磨終点を検出することを特徴とする。
【００１６】
上記ＣＭＰ研磨方法によれば、レーザー窓内を加熱して所定の温度に保持することにより透明膜に結露が発生するのを抑制しているため、レーザー窓の透明膜の失透を抑制することができる。従って、研磨終点を検出する際、レーザー窓及び透明膜を通して受光素子により受光する光の強度が失透した透明膜によって弱められることがない。このため、この受光した光の反射強度を安定して検知することができ、ウエハの研磨面の光の反射率、光の強度の変化を安定して測定することができる。それにより、被研磨基板の研磨終点を正確に検出することができる。
【００１７】
本発明に係るＣＭＰ研磨方法は、被研磨基板の研磨終点を検出する研磨終点検出機構を備えたＣＭＰ装置を用いて研磨するＣＭＰ研磨方法であって、
前記ＣＭＰ装置は、ターンテーブルと、このターンテーブル上に載置された研磨クロスと、この研磨クロス及びターンテーブルに設けられたレーザー窓と、このレーザー窓内に設置された透明膜と、発光素子と、受光素子と、を具備しており、
前記ターンテーブルを回転させ、前記研磨クロス上にスラリーを滴下し、該研磨クロスに被研磨基板を押圧して研磨しながら、前記レーザー窓の内側面を冷却することにより、該レーザー窓の内側面に優先的に結露を発生させて前記透明膜に結露が発生するのを抑制しつつ、前記レーザー窓及び透明膜を通して被研磨基板の研磨面にレーザー光を発光素子によって照射し、前記研磨面で反射した光を、レーザー窓及び透明膜を通して受光素子によって受光することにより、研磨終点を検出することを特徴とする。
【００１８】
上記ＣＭＰ研磨方法によれば、レーザー窓の内側面を冷却することにより、該レーザー窓の内側面に優先的に結露を発生させて透明膜に結露が発生するのを抑制しているため、レーザー窓の透明膜の失透を抑制することができる。従って、被研磨基板の研磨終点を正確に検出することができる。
【００１９】
本発明に係るＣＭＰ研磨方法は、被研磨基板の研磨終点を検出する研磨終点検出機構を備えたＣＭＰ装置を用いて研磨するＣＭＰ研磨方法であって、
前記ＣＭＰ装置は、ターンテーブルと、このターンテーブル上に載置された研磨クロスと、この研磨クロス及びターンテーブルに設けられたレーザー窓と、このレーザー窓内に設置された透明膜と、発光素子と、受光素子と、を具備しており、
前記ターンテーブルを回転させ、前記研磨クロス上にスラリーを滴下し、該研磨クロスに被研磨基板を押圧して研磨しながら、前記レーザー窓内を乾燥雰囲気にすることにより透明膜に結露が発生するのを抑制しつつ、前記レーザー窓及び透明膜を通して被研磨基板の研磨面にレーザー光を発光素子によって照射し、前記研磨面で反射した光を、レーザー窓及び透明膜を通して受光素子によって受光することにより、研磨終点を検出することを特徴とする。
【００２０】
上記ＣＭＰ研磨方法によれば、レーザー窓内を乾燥雰囲気にすることにより透明膜に結露が発生するのを抑制しているため、レーザー窓の透明膜の失透を抑制することができる。従って、被研磨基板の研磨終点を正確に検出することができる。
【００２１】
本発明に係る半導体装置は、前記ＣＭＰ研磨方法により研磨する工程を経て製造されたものであることを特徴とする。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記ＣＭＰ研磨方法により研磨する工程を経て半導体装置を製造することを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の実施の形態によるＣＭＰ装置の一部の構成を示す断面図である。図２は、図１に示す研磨クロスとターンテーブルの一部を拡大した断面図である。
図１に示すように、ＣＭＰ装置１０は円盤形状のターンテーブル１１を有しており、このターンテーブル１１の下面にはターンテーブル中心軸２４に沿って回転軸（図示せず）が設けられており、この回転軸を介して回転モータ（図示せず）が配置されている。
【００２３】
ターンテーブル１１の上面上には研磨クロス１３が載置されている。この研磨クロス１３は、裏張り層２０と、その上に形成されたカバー層２２と、から構成されている。ターンテーブル１１の上方にはウエハ保持手段としてのウエハ吸着ヘッド１７が配置されている。このウエハ吸着ヘッド１７の上部には吸着ヘッド中心軸２６に沿った回転軸１８が配置されており、この回転軸１８には回転モータ（図示せず）が配置されている。ウエハ吸着ヘッド１７は、平行移動アーム２８を備えた移動手段により矢印の方向に移動可能に構成されている。また、ターンテーブル１１の上方にはスラリー（図示せず）を吐出するノズル（図示せず）が配置されている。
【００２４】
ターンテーブル１１及び研磨クロス１３にはレーザー窓（穴）３０が設けられており、研磨クロス１３のレーザー窓３０には図２に示すように樹脂製の透明膜５１が設置されている。ターンテーブル１１のレーザー窓３０の下方は開口されている。このため、従来のレーザー窓に比べて透明膜に結露が発生することを少なくすることができる。また、ターンテーブル１１内のレーザー窓に面した部分には結露防止機構５２が配置されている。
【００２５】
この結露防止機構５２としては、例えば電熱ヒータのような加熱装置を用いても良いし、冷却水又は冷却ガスをターンテーブル１１内に供給して該ターンテーブル１１のレーザー窓内を冷却する冷却装置を用いても良いし、レーザー窓内を乾燥させる乾燥機を用いても良い。なお、結露防止機構５２は、図２に示す位置に配置する必要は必ずしも無く、結露防止機能を発揮できるのであれば、他の位置に配置することも可能である。
【００２６】
図１に示すように、レーザー窓３０は、ウエハ吸着ヘッド１７の平行移動的な動きに関係なく、ターンテーブル１１が回転している時間の一部の間、ウエハ吸着ヘッド１７によって保持されるウエハ１４から見えるように位置している。
ターンテーブル１１の下方には発光素子３２及び受光素子（図示せず）が配置されている。ターンテーブル１１が矢印のように回転して発光素子３２の上方にレーザー窓３０が位置した時、発光素子３２により発せられたレーザー光がレーザー窓３０及び透明膜５１を通してターンテーブル１１の上方に送られるようになっている。発光素子３２、受光素子及びレーザー窓３０等により研磨終点検出装置を構成している。
【００２７】
発光素子３２としては、種々のものを用いることが可能であり、受光素子としては、ウエハ研磨面から反射した光を受け、その光の波長、強度などを観測できるものであれば種々のものを用いることが可能である。例えば、発光素子３２及び受光素子としては、光学式膜厚検出アレイを用いることが好ましいが、それ以外の素子を用いても良く、ダイオードを複数並べたような光学式検出器を用いることも可能である。
【００２８】
ターンテーブル１１の上方には研磨クロス１３のコンディショニングを行うコンディショナ４１が設けられている。このコンディショナ４１の上部には支持部材を介して平行移動アーム４２が配置されている。コンディショナ４１は、平行移動アーム４２を備えた揺動機構により矢印の方向に移動可能に構成されている。揺動機構は、コンディショナ４１が研磨クロス１３の回転方向に対してほぼ垂直方向に揺れ動くようにする機構である。
【００２９】
なお、揺動機構は、ステッピングモータを用いてコンディショナ４１を矢印のように移動させるものであっても良いし、その他のものを用いても良い。また、コンディショナ４１は、複数枚のウエハを研磨した後又はウエハを研磨しながら、研磨クロス１３の表面を調整するものである。なお、ＣＭＰ装置１０には制御部（図示せず）が設けられており、この制御部によって揺動機構を制御し、コンディショナ４１の動きを制御するようになっている。
【００３０】
上記ＣＭＰ装置において被研磨基板としてのウエハ１４を研磨する場合、まず、ウエハ吸着ヘッド１７の下部にウエハ１４の裏面を真空吸着する。そして、回転モータによってターンテーブル１１を図１に示す矢印の方向に回転させ、ノズルからスラリーを吐出し、そのスラリーを研磨クロス１３の中央付近に滴下する。次に、回転モータによってウエハ吸着ヘッド１７を矢印の方向に回転させ、ウエハ１４の表面（研磨面）を研磨クロス１３に押圧し、さらにウエハ吸着ヘッド１７によってウエハ１４の裏面からエアーにて所定荷重（例えば２．０〜５．０ＰＳＩ）をかけて押圧する。
【００３１】
このようにしてウエハ１４を研磨しながら発光素子３２によって発せられたレーザー光３４を、レーザー窓３０を通してウエハ１４の研磨面に照射し、その研磨面で反射した光を、レーザー窓３０を通して受光素子により受光する。この受光した光の反射率、光の強度を検知し、ウエハ１４の研磨終点を検出する。この研磨終点時にウエハの研磨を終了させる。
【００３２】
このように複数のウエハを研磨した後、コンディショナ４１を研磨クロス１３に所定荷重（例えば３．０〜６．０ＰＳＩ）をかけて接触させ揺動させる。このようにして研磨クロス１３の表面が調整される。なお、コンディショナによる研磨クロスの調整は、ウエハの研磨後に限られず、ウエハの研磨中又はウエハを研磨していない時に行うことも可能である。
【００３３】
上記のようにウエハを研磨している間は結露防止機構５２を作動させておくことにより、レーザー窓の透明膜５１の結露を防止することができる。
すなわち、結露防止機構５２がヒータなどの加熱装置である場合、ヒータによってレーザー窓３０内をプロセス温度と同程度の温度、例えば５０〜６０℃程度に保持することにより、透明膜５１に結露が発生するのを防止する。
【００３４】
また、結露防止機構５２が冷却装置である場合、ターンテーブル１１内に冷却水又は冷却ガスを供給してターンテーブル１１のレーザー窓の内側面を冷却することにより、レーザー窓の内側面に優先的に結露を発生させる。その結果、透明膜５１に結露が発生するのを防止することができる。
また、結露防止機構５２が乾燥機である場合、乾燥機によってレーザー窓内を乾燥雰囲気にすることにより、透明膜５１に結露が発生するのを防止する。
【００３５】
上記実施の形態によれば、ＣＭＰ装置に結露防止機構５２を備えているため、レーザー窓内の透明膜５１に結露が発生するのを防止することができる。その結果、レーザー窓の透明膜の失透を抑制することができる。従って、研磨終点を検出する際、レーザー窓３０及び透明膜５１を通して受光素子により受光する光の強度が失透した透明膜によって弱められることがない。このため、この受光した光の反射強度を安定して検知することができ、ウエハの研磨面の光の反射率、光の強度の変化を安定して測定することができる。それにより、ウエハ１４の研磨終点を正確に検出することができる。
【００３６】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
また、上記実施の形態では、ＣＭＰ装置、ＣＭＰ研磨方法について説明しているが、本発明はこれらに限定されるものではなく、前記ＣＭＰ装置を用いてＣＭＰ研磨を行う工程を経て製造された半導体装置として実施することも可能であり、また、前記ＣＭＰ装置を用いてＣＭＰ研磨を行う工程を経て半導体装置を製造する半導体装置の製造方法として実施することも可能であり、また、前記ＣＭＰ研磨方法により研磨する工程を経て製造された半導体装置として実施することも可能であり、また、前記ＣＭＰ研磨方法により研磨する工程を経て半導体装置を製造する半導体装置の製造方法として実施することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態によるＣＭＰ装置の一部の構成を示す断面図。
【図２】図１に示す研磨クロスとターンテーブルの一部を拡大した断面図。
【図３】従来の研磨終点検出装置を備えたＣＭＰ装置の概略図。
【図４】図３（ｂ）に示す研磨クロスとターンテーブルの一部の拡大断面図。
【符号の説明】
１０…ＣＭＰ装置、１１，１１１…ターンテーブル、１３，１１３…研磨クロス、１４，１１５…ウエハ、１７，１１７…ウエハ吸着ヘッド、１８，１１８…回転軸、２０…裏張り層、２２…カバー層、２４…ターンテーブル中心軸、
２６…吸着ヘッド中心軸、２８…平行移動アーム、３０，１２０…レーザー窓、３２，１２３…発光素子、３４…レーザー光、４１，１２４…コンディショナ、４２…平行移動アーム、５１，１３１，１３２…透明膜、５２…結露防止機構、１２５…アーム
【図１】
2004160609.tif 000003
【図２】
2004160609.tif 000004
【図３】
2004160609.tif 000005
【図４】
2004160609.tif 000006