(57)【要約】【課題】加熱手段によりウエーハを加熱して金属膜の成膜を行うスパッタ装置及びスパッタ方法において、成膜した金属膜における金属のグレインの肥大化を防止可能としたスパッタ装置及びスパッタ方法を提供する。【解決手段】金属膜の成膜時にウエーハを冷却する強制冷却手段を設ける。強制冷却手段によるウエーハの冷却をウエーハに所定膜厚の金属膜を形成した後に開始するとともに、ウエーハを冷却しながら金属膜を成膜する。加熱手段は、プロセスガスを送気するプロセスガス送気管に設けた加熱器で加熱したプロセスガスをウエーハに送気するものとし、強制冷却手段は、加熱器を迂回させてプロセスガスを送気する迂回配管を介してプロセスガスをウエーハに送気するものとする。強制冷却手段によるウエーハの冷却開始後に、成膜を所定時間停止する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱手段によりウエーハを加熱して金属膜の成膜を行うスパッタ装置において、
前記ウエーハを冷却する強制冷却手段を設けたことを特徴とするスパッタ装置。
【請求項２】
前記強制冷却手段による前記ウエーハの冷却は、前記ウエーハに所定膜厚の金属膜を形成した後に開始するとともに、前記ウエーハを冷却しながら金属膜を成膜すべく構成したことを特徴とする請求項１記載のスパッタ装置。
【請求項３】
前記加熱手段は、プロセスガスを送気するプロセスガス送気管に設けた加熱器で加熱した前記プロセスガスを前記ウエーハに送気することにより前記ウエーハの加熱を行い、
前記強制冷却手段は、前記加熱器を迂回させて前記プロセスガスを送気する迂回配管を介して前記プロセスガスを前記ウエーハに送気することにより前記ウエーハの冷却を行うべく構成したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のスパッタ装置。
【請求項４】
前記強制冷却手段による前記ウエーハの冷却開始後に、所定時間、成膜を停止すべく構成したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のスパッタ装置。
【請求項５】
加熱手段によりウエーハを加熱して金属膜の成膜を行うスパッタ方法において、
強制冷却手段によって前記ウエーハを冷却することを特徴とするスパッタ方法。
【請求項６】
前記強制冷却手段による前記ウエーハの冷却は、前記ウエーハに所定膜厚の金属膜を形成した後に開始するとともに、前記ウエーハを冷却しながら金属膜を成膜することを特徴とする請求項５記載のスパッタ方法。
【請求項７】
前記加熱手段は、プロセスガスを送気するプロセスガス送気管に設けた加熱器で加熱した前記プロセスガスを前記ウエーハに送気することにより前記ウエーハを加熱し、
前記強制冷却手段は、前記加熱器を迂回させて前記プロセスガスを送気する迂回配管を介して前記プロセスガスを前記ウエーハに送気することにより前記ウエーハを冷却することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のスパッタ装置。
【請求項８】
前記強制冷却手段による前記ウエーハの冷却開始後に、所定時間、成膜を停止することを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載のスパッタ方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板上に金属膜を成膜するスパッタ装置及びスパッタ方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体装置の製造工程において、半導体装置内の配線形成に用いる金属膜を成膜する場合等にはスパッタ装置が用いられている。
【０００３】
かかるスパッタ装置は、図４に示すように、金属膜が成膜されるウエーハ１００とスパッタリング材料であるターゲット２００とを収容するチャンバー３００と、このチャンバー３００内にアルゴンガスからなるプロセスガスを送気するプロセスガス送気部４００とから構成している。
【０００４】
チャンバー３００内にはウエーハ１００を保持するウエーハステージ５００を設けており、このウエーハステージ５００にウエーハ１００を装着するとともに、ウエーハ１００に対向させて位置させてターゲット２００をターゲットホルダー（図示せず）に装着し、チャンバー３００内を高真空状態とした後にプロセスガス送気部４００によってチャンバー３００内にプロセスガスを送気し、さらにウエーハステージ５００とターゲットホルダーとの間に所要の電位差を生起することによってスパッタリングを行い、ウエーハ１００の上面に金属膜を成膜している。
【０００５】
特に、プロセスガス送気部４００からチャンバー３００内にプロセスガスを送気するプロセスガス送気管６００はウエーハステージ５００と連通連結し、チャンバー３００内にプロセスガスを供給するだけでなく、ウエーハ１００の裏面にプロセスガスを吹き付けるべく構成しており、プロセスガス送気部４００に設けた加熱器７００によってプロセスガスを加熱しておくことにより、ウエーハ１００を加熱可能としている。図４中、８００はプロセスガスの流量を制御する流量コントローラであり、９００はアイソレーションバルブからなる開閉バルブである。
【０００６】
このようなスパッタ装置を用いてウエーハに金属膜を成膜する場合には、たとえば金属膜をアルミニウムで形成する場合、加熱器によって加熱したプロセスガスを用いてウエーハをあらかじめ２００℃程度まで加熱する初期加熱を行い、その後ウエーハステージとターゲットホルダーとの間に所要の電位差を生起することにより行っている。この初期加熱を行うことにより、ウエーハ表面に形成された段差部分の下段側における金属膜の被覆性（ステップカバレッジ）を向上させることができる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
【特許文献１】
特開平５−１３３３４号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記したスパッタ装置による成膜には次のような問題があった。
【０００９】
すなわち、上記したスパッタ装置を用いてスパッタリングを行った際には、図５に示すようにウエーハは初期加熱後にもスパッタリングにともなう発熱作用によって加熱され、加熱器によるプロセスガスの加熱を停止してもウエーハの温度が徐々に上昇するという問題があった。
【００１０】
金属膜の成膜時にウエーハ温度が上昇した場合には、成膜した金属膜の金属においてグレインの肥大化が生じやすくなり、金属膜表面に大きな凹凸が形成されて、後工程において金属膜上に塗布したレジストのパターンニングを行った際にレジストの完全な除去が困難な領域が形成されやすくなり、残留したレジストに起因するエッチング不良が生じるおそれがあった。
【００１１】
あるいは光学的手段を用いてウエーハのアライメントを行う場合に、金属の肥大化したグレインによって生起される散乱の影響によるノイズが大きくなり、アライメントマークの認識率が低下してアライメントの精度が低下するおそれがあった。
【００１２】
特に、昨今、大電流の通電を必要とする形態の半導体装置の需要にともなって、かかる半導体装置においては配線となる金属膜の膜厚が厚くなってきており、膜厚の増大にともなって金属膜により大きなグレインが形成されるだけでなく、成膜時間が長くなることによってウエーハ温度がさらに上昇し、グレインの肥大化を促進させているという問題があった。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明のスパッタ装置では、加熱手段によりウエーハを加熱して金属膜の成膜を行うスパッタ装置において、ウエーハを冷却する強制冷却手段を設けた。
【００１４】
さらに、以下の点にも特徴を有するものである。すなわち、
（１）強制冷却手段によるウエーハの冷却は、ウエーハに所定膜厚の金属膜を形成した後に開始するとともに、ウエーハを冷却しながら金属膜を成膜すべく構成したこと。
（２）加熱手段は、プロセスガスを送気するプロセスガス送気管に設けた加熱器で加熱したプロセスガスをウエーハに送気することによりウエーハの加熱を行い、強制冷却手段は、加熱器を迂回させてプロセスガスを送気する迂回配管を介してプロセスガスをウエーハに送気することによりウエーハの冷却を行うべく構成したこと。
（３）強制冷却手段によるウエーハの冷却開始後に成膜を所定時間停止すべく構成したこと。
【００１５】
また、本発明のスパッタ方法では、加熱手段によりウエーハを加熱して金属膜の成膜を行うスパッタ方法において、強制冷却手段によってウエーハを冷却することとした。
【００１６】
さらに、以下の点にも特徴を有するものである。すなわち、
（１）強制冷却手段によるウエーハの冷却は、ウエーハに所定膜厚の金属膜を形成した後に開始するとともに、ウエーハを冷却しながら金属膜を成膜すること。
（２）加熱手段は、プロセスガスを送気するプロセスガス送気管に設けた加熱器で加熱したプロセスガスをウエーハに送気することによりウエーハを加熱し、強制冷却手段は、加熱器を迂回させてプロセスガスを送気する迂回配管を介してプロセスガスをウエーハに送気することによりウエーハを冷却すること。
（３）強制冷却手段によるウエーハの冷却開始後に成膜を所定時間停止すること。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明のスパッタ装置及びスパッタ方法では、通常、ウエーハ上に成膜する金属膜のステップカバレッジを向上させるべく加熱しているウエーハを、強制冷却手段によって金属膜の成膜時に冷却しているものであり、さらに、冷却しながら金属膜の成膜を行っているものである。
【００１８】
金属膜の成膜時にウエーハを冷却することにより、スパッタリング時の加熱作用によりウエーハが必要以上に加熱されることを防止できるので、ウエーハ上に成膜した金属膜における金属のグレインが肥大化することを防止でき、所要の膜厚を有しながら表面において凹凸の極めて小さい金属膜を形成することができる。
【００１９】
以下において、図面に基づいてさらに詳説する。図１は本実施形態のスパッタ装置Ａの概略模式図である。
【００２０】
スパッタ装置Ａは、金属膜が成膜されるウエーハ１とスパッタリング材料であるターゲット２とを収容するチャンバー３と、このチャンバー３内にアルゴンガスからなるプロセスガスを送気するプロセスガス送気部４とから構成している。
【００２１】
チャンバー３は内部を高真空状態に保持可能としたケース体であって、同チャンバー３内にはウエーハ１を保持するウエーハステージ５を設けており、このウエーハステージ５にウエーハ１を着脱自在に装着可能としている。
【００２２】
さらに、チャンバー３内には、ウエーハ１に対向させてターゲット２を位置させるべく所要の位置にターゲットホルダー（図示せず）を設けており、このターゲットホルダーにターゲット２を着脱自在に装着可能としている。
【００２３】
そして、ウエーハステージ５には所要のプラスの電圧を印加可能とし、またターゲットホルダーには所要のマイナスの電圧を印加可能として、ウエーハステージ５とターゲットホルダーとの間に所要の電位差を生起可能としている。
【００２４】
また、チャンバー３内には、図示していないが適宜の電磁コイル等を設けて磁場を生成可能とし、かかる磁場と、ウエーハステージ５とターゲットホルダーとの間の電位差にともなう電場との作用によってチャンバー３内のアルゴンガスをプラズマ化して、プラズマ化したアルゴンイオンをターゲットホルダーに装着したターゲット２に衝突させ、衝突にともなってターゲット２から反跳させた金属原子をウエーハステージ５に装着したウエーハ１上に堆積させて金属膜を成膜している。
【００２５】
プロセスガス送気部４は、プロセスガスを収容した収容タンク（図示せず）とチャンバー３とを連通連結してチャンバー３内にプロセスガスを供給するプロセスガス送気管６と、このプロセスガス送気管６の上流部から下流部に向けて次の順番に介設した流量コントローラ７と、第１開閉バルブ８と、加熱器９とで構成している。
【００２６】
流量コントローラ７は、プロセスガス送気管６内に送気するプロセスガスの流量を調整しているものである。第１開閉バルブ８はアイソレーションバルブで構成し、プロセスガス送気管６によるプロセスガスの送気と送気停止を切換制御しているものである。加熱器９はヒータ等で構成し、プロセスガス送気管６内を送気されるプロセスガスを加熱しているものである。
【００２７】
さらに、本実施形態においては、プロセスガス送気部４において、加熱器９を迂回させながらプロセスガスを下流側に送気する迂回配管１０をプロセスガス送気管６に設けている。
【００２８】
すなわち、迂回配管１０の一端は、プロセスガス送気管６における流量コントローラ７と第１開閉バルブ８との間に接続し、他端は加熱器９の下流側のプロセスガス送気管６に接続している。さらに、迂回配管１０には第１開閉バルブ８と同様のアイソレーションバルブからなる第２開閉バルブ１１を介設している。
【００２９】
そして、第１開閉バルブ８を開状態として第２開閉バルブ１１を閉状態とすることにより加熱器９を通過させたプロセスガスをチャンバー３に送気可能とし、逆に第１開閉バルブ８を閉状態として第２開閉バルブ１１を開状態とすることにより迂回配管１０を通過させて、加熱器９を通過させずにプロセスガスをチャンバー３に送気可能としている。
【００３０】
チャンバー３内にプロセスガスを送給するプロセスガス送気管６は、ウエーハステージ５と連通連結しており、チャンバー３内にプロセスガスを供給するだけでなく、ウエーハ１の裏面にプロセスガスを吹き付けるべく構成しており、加熱器９を通過させることによって加熱したプロセスガスをウエーハ１に送気することによってウエーハ１を加熱可能としている。これが本実施形態における加熱手段である。
【００３１】
さらに、迂回配管１０を通過させることによって加熱していないプロセスガスを加熱されたウエーハ１に対して送気することによりウエーハ１を冷却可能としている。このように、迂回配管１０を通過させることによって加熱していないプロセスガスをウエーハ１に送気する構成が本実施形態における強制冷却手段である。
【００３２】
このように構成したスパッタ装置Ａによってスパッタリングを行ってウエーハ１上に金属膜を成膜する場合には、次のように行っている。
【００３３】
ここでは、図２に基づいて第１の実施形態での金属膜の成膜形態について説明する。
【００３４】
まず、チャンバー３内にはあらかじめターゲット２を装着しておき、ウエーハステージ５に金属膜を成膜するウエーハ１を装着し、チャンバー３を封止してチャンバー３内を高真空とする。
【００３５】
チャンバー３内が所要の真空状態となったところで、図２（ｃ）に示すように第１開閉バルブ８を開状態としてチャンバー３内へのアルゴンガスの送気を開始する。このとき、第２開閉バルブ１１は閉状態としている。
【００３６】
チャンバー３内へのアルゴンガスの送気開始にともなって、加熱器９を作動させることによりアルゴンガスを加熱して、図２（ａ）に示すようにウエーハ１の加熱を開始する。
【００３７】
ここでは、ウエーハ１上に成膜する金属膜をアルミニウム膜としているので、加熱したアルゴンガスによってウエーハ１を約２００℃まで加熱し、ウエーハ１の温度が２００℃に達したところでウエーハステージ５とターゲットホルダーとの間に所要の電位差を生起して、図２（ｂ）に示すようにスパッタリングを開始する。ウエーハステージ５とターゲットホルダーとの間に生起する電位差は、スパッタリング速度が約１μｍ／ｍｉｎとなる程度としている。
【００３８】
また、スパッタリングの開始にともなって、ウエーハ１をさらに加熱することを防止すべく加熱器９の作動を停止させ、アルゴンガスの加熱を停止する。加熱器９によるアルゴンガスの加熱を停止した後も、スパッタリングにともなう発熱作用によってウエーハ１の温度は上昇する。
【００３９】
次いで、ウエーハ１上に所要の膜厚の金属膜が成膜されたところで、図２（ｃ）に示すように、第１開閉バルブ８を閉状態とするとともに第２開閉バルブ１１を開状態として、ウエーハ１に全く加熱していないアルゴンガスを送気する。
【００４０】
ウエーハ１に加熱していない低温のアルゴンガスを送気することによって、図２（ａ）に示すようにウエーハ１を急激に冷却することができる。そして、冷却したウエーハ１上に金属膜を成膜することにより、成膜された金属膜における金属のグレインの肥大化を防止できる。
【００４１】
特に、加熱していないアルゴンガスをウエーハ１に送気する際に、単に加熱器９の作動を停止させてアルゴンガスの送気を継続するのではなく、第１開閉バルブ８により加熱器９へのアルゴンガスの送気を停止し、第２開閉バルブ１１によって迂回配管１０を通過させることにより、加熱器９の余熱で加熱されていない低温のアルゴンガスを速やかに送気することができるので、比較的短時間で終了するスパッタリングの処理時間内において、十分な冷却効果を得ることができる。
【００４２】
なお、加熱していないアルゴンガスのウエーハ１への送気にともなって、ウエーハ１は２００℃よりも温度が低下するが、この時点においてウエーハ１上には既にある程度の膜厚となった金属膜が形成されていることにより、ステップカバレッジに悪影響を与えることなく金属膜の成膜を続行することができる。
【００４３】
あらかじめ設定しておいたスパッタリングの処理時間の経過にともなって、ウエーハステージ５とターゲットホルダーとの間に生起していた電位差を解消して図２（ｂ）に示すようにスパッタリングを終了し、同時に、図２（ｃ）に示すように第２開閉バルブ１１を閉状態とする。
【００４４】
その後、チャンバー３内の気圧を常圧に戻して、チャンバー３からのウエーハ１の取り出しを行う。以上が、第１の実施形態の金属膜の成膜形態である。
【００４５】
次に、第１の実施形態の変形例として、第２の実施形態における金属膜の成膜形態について、図３を用いながら説明する。
【００４６】
第２の実施形態では、第１の実施形態と次の点が異なっているだけである。すなわち、第２の実施形態では、ウエーハ１上に金属膜の成膜を開始して所要の膜厚の金属膜が成膜されたところで、図３（ｃ）に示すように、第１開閉バルブ８を閉状態とするとともに第２開閉バルブ１１を開状態として、ウエーハ１に全く加熱していないアルゴンガスを送気してウエーハ１の冷却を開始するとともに、ウエーハステージ５とターゲットホルダーとの間に生起していた電位差を一旦解消して、図３（ｂ）に示すようにスパッタリングを一時停止し、所定時間の経過後に、再度、ウエーハステージ５とターゲットホルダーとの間に電位差を生起して金属膜の成膜を再開するものである。
【００４７】
このように、ウエーハ１の冷却開始後に金属膜の成膜を所定時間停止することによって、ウエーハ１をより冷却した状態で金属膜の成膜を行うことができるので、成膜した金属膜における金属のグレインをさらに小さくすることができ、表面における凹凸の極めて小さい金属膜を形成することができる。
【００４８】
すなわち、ウエーハ１の冷却開始前にはウエーハ１を所定温度以上としてステップカバレッジに対して良好な条件での第１の金属膜の成膜を行い、ウエーハ１の冷却開始後には金属膜における金属のグレインをより小さくすることができるウエーハ１の温度として第１の金属膜の上面に第２の金属膜の成膜を行うことにより、ステップカバレッジに対しても良好であって、かつ表面における凹凸の極めて小さい金属膜を形成することができる。
【００４９】
金属膜の成膜を停止している時間は、ウエーハ１の温度が所要の温度より低くなる時間に基づいて決定することができる。ここでは、図３（ａ）に示すように、ウエーハ１の温度が約１００℃以下となったところで金属膜の成膜を再開すべく構成している。ここでは、金属膜の成膜は１回停止しているだけであるが、複数回停止すべく構成してもよい。
【００５０】
上記した第２の実施形態では、このようにウエーハ１の冷却開始後に金属膜の成膜を所定時間停止する点が第１の実施形態と異なっているものであり、それ以外は先に述べた第１の実施形態と同じであるので、説明は省略する。
【００５１】
上記の説明では、ウエーハ１に成膜する金属膜をアルミニウム膜としているが、アルミニウム膜に限定するものではなく、金や銅、あるいはアルミニウム合金等の所要の金属膜を形成するべく適宜のターゲットを用いて金属膜を形成してよく、その場合には、ステップカバレッジを解消するためのウエーハ１の加熱温度は、その金属に適した温度としてよい。
【００５２】
なお、本発明の趣旨を逸脱しない限り、ウエーハの加熱手段は加熱したガスの送気に限定されず、ランプ加熱あるいはヒータによる直接加熱等の適宜の加熱手段であってもよく、また、強制冷却手段も非加熱のガスの送気に限定されず、冷媒等を用いた冷却手段を用いてもよい。
【００５３】
【発明の効果】
請求項１記載の発明によれば、加熱手段によりウエーハを加熱して金属膜の成膜を行うスパッタ装置において、ウエーハを冷却する強制冷却手段を設けたことによって、スパッタリング時の加熱作用によりウエーハが必要以上に加熱されることを強制冷却手段による冷却によって防止でき、成膜した金属膜における金属のグレインの肥大化を防止できる。
【００５４】
請求項２記載の発明によれば、強制冷却手段によるウエーハの冷却は、ウエーハに所定膜厚の金属膜を形成した後に開始するとともに、ウエーハを冷却しながら金属膜を成膜すべく構成したことによって、最初の金属膜の成膜はステップカバレッジに対して良好な条件で行うことができ、その後の金属膜の成膜は金属のグレインの肥大化を防止可能な条件で行うことができ、ステップカバレッジに対しても良好であって、かつ表面における凹凸の極めて小さい金属膜を形成することができる。
【００５５】
請求項３記載の発明によれば、強制冷却手段を、加熱器を迂回させてプロセスガスを送気する迂回配管を介してプロセスガスをウエーハに送気することによりウエーハの冷却を行うべく構成したことによって、極めて容易に強制冷却手段を構成することができる。しかも、ウエーハを冷却可能なプロセスガスを速やかに送気可能とすることができるので、比較的短時間で終了するスパッタリング時間内において、十分な冷却効果を得ることができる。
【００５６】
請求項４記載の発明によれば、強制冷却手段によるウエーハの冷却開始後に成膜を所定時間停止すべく構成したことによって、ウエーハをより冷却した状態で金属膜の成膜を行うことができるので、成膜した金属膜における金属のグレインをより小さくすることができ、表面において凹凸の極めて小さい金属膜を形成することができる。
【００５７】
請求項５記載の発明によれば、加熱手段によりウエーハを加熱して金属膜の成膜を行うスパッタ方法において、強制冷却手段によってウエーハを冷却することによって、請求項１記載の発明と同様に、スパッタリング時の加熱作用によりウエーハが必要以上に加熱されることを強制冷却手段による冷却によって防止でき、成膜した金属膜における金属のグレインの肥大化を防止できる。
【００５８】
請求項６記載の発明によれば、強制冷却手段によるウエーハの冷却を、ウエーハに所定膜厚の金属膜を形成した後に開始するとともに、ウエーハを冷却しながら金属膜を成膜することによって、請求項２記載の発明と同様に、最初の金属膜の成膜はステップカバレッジに対して良好な条件で行うことができ、その後の金属膜の成膜は金属のグレインの肥大化を防止可能な条件で行うことができ、ステップカバレッジに対しても良好であって、かつ表面における凹凸の極めて小さい金属膜を形成することができる。
【００５９】
請求項７記載の発明によれば、強制冷却手段が、加熱器を迂回させてプロセスガスを送気する迂回配管を介してプロセスガスをウエーハに送気することによりウエーハを冷却することによって、請求項３記載の発明と同様に、極めて容易にウエーハの冷却を行うことができる。しかも、ウエーハを冷却可能なプロセスガスを速やかに送気可能とすることができるので、比較的短時間で終了するスパッタリング時間内において、十分な冷却効果を得ることができる。
【００６０】
請求項８記載の発明によれば、強制冷却手段によるウエーハの冷却開始後に成膜を所定時間停止することによって、請求項４記載の発明と同様に、ウエーハをより冷却した状態で金属膜の成膜を行うことができるので、成膜した金属膜における金属のグレインをより小さくすることができ、表面において凹凸の極めて小さい金属膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかるスパッタ装置の概略模式図である。
【図２】（ａ）は第１の実施形態でのスパッタリング時におけるウエーハ温度の推移を示すグラフ、（ｂ）は第１の実施形態でのスパッタ速度を示すグラフ、（ｃ）は第１の実施形態での第１開閉バルブと第２開閉バルブの切換制御のタイミングチャートである。
【図３】（ａ）は第２の実施形態でのスパッタリング時におけるウエーハ温度の推移を示すグラフ、（ｂ）は第２の実施形態でのスパッタ速度を示すグラフ、（ｃ）は第２の実施形態での第１開閉バルブと第２開閉バルブの切換制御のタイミングチャートである。
【図４】従来のスパッタ装置の概略模式図である。
【図５】従来のスパッタ装置でのスパッタリング時におけるウエーハ温度の推移を示すグラフである。
【符号の説明】
Ａ  スパッタ装置
１  ウエーハ
２  ターゲット
３  チャンバー
４  プロセスガス送気部
５  ウエーハステージ
６  プロセスガス送気管
７  流量コントローラ
８  第１開閉バルブ
９  加熱器
１０  迂回配管
１１  第２開閉バルブ
【図１】
2004232054.tif 000003
【図２】
2004232054.tif 000004
【図３】
2004232054.tif 000005
【図４】
2004232054.tif 000006
【図５】
2004232054.tif 000007