(57)【要約】【課題】被研磨面の微小うねりを低減して平滑性を向上させることができる研磨用組成物を提供する。【解決手段】研磨用組成物は、（ａ）酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、炭化ケイ素及び窒化ケイ素から選ばれる少なくとも一種、（ｂ）カルボキシエチルチオコハク酸及びその塩から選ばれる少なくとも一種及び（ｃ）水を含有している。研磨用組成物は、成分（ｄ）成分（ｂ）以外の有機酸、無機酸及びそれらの塩からなる群から選ばれる少なくとも一種の研磨促進剤を含有するのが好ましい。研磨用組成物は磁気ディスク用基板等の被研磨物の表面の研磨に用いられ、成分（ｂ）により被研磨面の微小うねりを低減して平滑性を向上させる。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、炭化ケイ素及び窒化ケイ素からなる群から選ばれる少なくとも一種の研磨材、（ｂ）カルボキシエチルチオコハク酸及びその塩からなる群から選ばれる少なくとも一種及び（ｃ）水の各成分を含有する研磨用組成物。
【請求項２】
さらに（ｄ）成分（ｂ）以外の有機酸、無機酸及びそれらの塩からなる群から選ばれる少なくとも一種の研磨促進剤を含有する請求項１に記載の研磨用組成物。
【請求項３】
成分（ｄ）が、リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸、クエン酸、マレイン酸、イタコン酸、マロン酸、イミノ二酢酸、グルコン酸、乳酸、マンデル酸、酒石酸、クロトン酸、ニコチン酸、酢酸、グリシン、アラニン、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、チオ酢酸、メルカプトコハク酸、硝酸アルミニウム及び硫酸アルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも一種である請求項２に記載の研磨用組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンピュータの記憶装置として用いられる磁気ディスク用の基板等の被研磨物の表面を研磨するために用いられる研磨用組成物に関するものである。より詳しくは、被研磨面の微小うねりを低減して平滑性を向上させることができる研磨用組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、コンピュータの記憶装置として用いられるハードディスクの高密度化等の要求に伴い、研磨後のハードディスク用基板の表面品質の向上が求められている。このような要求を満たすために、従来の研磨用組成物は、酸化アルミニウム等の研磨材、コハク酸又はその塩及び水を含有している（例えば、特許文献１参照。）。そして、研磨材により被研磨物の表面（被研磨面）を研磨し、コハク酸又はその塩が研磨促進剤として作用してより大きな研磨速度が得られるとともに、被研磨面に微小突起等の表面欠陥が発生するのを防止するようになっている。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−１６６５号公報（第２〜４頁）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、この従来の研磨用組成物においては、コハク酸又はその塩は研磨を促進して被研磨面に表面欠陥が発生するのを防止することはできるが、微小うねりを低減する効果が低く被研磨面の平滑性を十分に向上させることができないという問題があった。
【０００５】
本発明は、前記のような従来技術に存在する問題点に着目してなされたものである。その目的とするところは、被研磨面の微小うねりを低減して平滑性を向上させることができる研磨用組成物を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明の研磨用組成物は、（ａ）酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、炭化ケイ素及び窒化ケイ素からなる群から選ばれる少なくとも一種の研磨材、（ｂ）カルボキシエチルチオコハク酸及びその塩からなる群から選ばれる少なくとも一種及び（ｃ）水の各成分を含有するものである。
【０００７】
請求項２に記載の発明の研磨用組成物は、請求項１に記載の発明において、さらに（ｄ）成分（ｂ）以外の有機酸、無機酸及びそれらの塩からなる群から選ばれる少なくとも一種の研磨促進剤を含有するものである。
【０００８】
請求項３に記載の発明の研磨用組成物は、請求項２に記載の発明において、成分（ｄ）が、リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸、クエン酸、マレイン酸、イタコン酸、マロン酸、イミノ二酢酸、グルコン酸、乳酸、マンデル酸、酒石酸、クロトン酸、ニコチン酸、酢酸、グリシン、アラニン、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、チオ酢酸、メルカプトコハク酸、硝酸アルミニウム及び硫酸アルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも一種である。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した実施形態を詳細に説明する。
本実施形態の研磨用組成物には、（ａ）酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、炭化ケイ素及び窒化ケイ素からなる群から選ばれる少なくとも一種の研磨材、（ｂ）カルボキシエチルチオコハク酸及びその塩からなる群から選ばれる少なくとも一種及び（ｃ）水の各成分が含有されている。
【００１０】
この研磨用組成物は、磁気ディスク用基板等の被研磨物の表面を研磨（一次研磨等）するために用いられる。被研磨物の具体例としては、ブランク材のアルミニウム合金表面にニッケル（Ｎｉ）−リン（Ｐ）の無電解メッキが施されたＮｉ−Ｐサブストレートや、Ｎｉ−鉄（Ｆｅ）サブストレート、ボロンカーバイド（ＢＣ）サブストレート、カーボン（Ｃ）サブストレート等が挙げられる。
【００１１】
成分（ａ）の酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、炭化ケイ素及び窒化ケイ素からなる群から選ばれる少なくとも一種の研磨材は、その機械的研磨作用により被研磨面を研磨する。これらの中でも、酸化アルミニウム又は二酸化ケイ素が微小うねりを低減する効果が高いために好ましく、酸化アルミニウムが前記効果に加えてより大きな研磨速度を得ることができるためにより好ましい。
【００１２】
酸化アルミニウムの具体例としては、α−アルミナ、δ−アルミナ、θ−アルミナ、κ−アルミナ等の結晶形態が異なるものや、フュームドアルミナ等の製造方法が異なる種々のものが挙げられる。二酸化ケイ素の具体例としては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ等の製造方法や性状の異なる種々のものが挙げられる。酸化セリウムの具体例としては、二酸化セリウム、三酸化二セリウム等や、六方晶系、等軸晶系、面心立方晶系等の結晶系が異なる種々のものが挙げられる。
【００１３】
酸化ジルコニウムの具体例としては、単斜晶系、正方晶系等の結晶系が異なるものや非晶質なもの、フュームドジルコニア等の製造方法が異なる種々のものが挙げられる。酸化チタンの具体例としては、一酸化チタン、三酸化二チタン、二酸化チタン等や、フュームドチタニア等の製造方法が異なる種々のものが挙げられる。炭化ケイ素の具体例としては、α−炭化ケイ素、β−炭化ケイ素、アモルファス炭化ケイ素等の結晶形態が異なる種々のものが挙げられる。窒化ケイ素の具体例としては、α−窒化ケイ素、β−窒化ケイ素、アモルファス窒化ケイ素等の結晶形態が異なる種々のものが挙げられる。
【００１４】
成分（ａ）の粒子径は、成分（ａ）が酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、炭化ケイ素又は窒化ケイ素のときには、レーザー回折散乱式粒度測定機（ＬＳ−２３０；Ｃｏｕｌｔｅｒ社製）を用いた測定等のレーザー回折散乱法により求められる平均粒子径で好ましくは０．０５〜２μｍ、より好ましくは０．１〜１．５μｍである。成分（ａ）が二酸化ケイ素のときには、気体吸着による粉体の比表面積測定法（ＢＥＴ法）により測定された比表面積から求められる平均粒子径で好ましくは０．００５〜０．５μｍ、より好ましくは０．０１〜０．３μｍである。
【００１５】
一方、成分（ａ）が酸化セリウムのときには、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察される平均粒子径で好ましくは０．０１〜０．５μｍ、より好ましくは０．０５〜０．４５μｍである。成分（ａ）の粒子径が前記範囲未満では機械的研磨作用が低く十分な研磨速度が得られないおそれがある。一方、前記範囲を超えると、研磨用組成物中で成分（ａ）の沈殿が発生しやすくなるとともに、被研磨面にスクラッチが発生するおそれがある。ここで、スクラッチとは、一定の幅及び深さを超える引掻き傷のことである。
【００１６】
研磨用組成物中の成分（ａ）の含有量は、好ましくは０．１〜４０重量％、より好ましくは１〜２５重量％である。成分（ａ）の含有量が０．１重量％未満では機械的研磨作用が低く十分な研磨速度が得られないおそれがある。一方、４０重量％を超えると、成分（ａ）同士が凝集することにより研磨用組成物の安定性が低下して研磨用組成物に沈殿が発生しやすくなるとともに、研磨用組成物の粘性が高くなるおそれがある。
【００１７】
成分（ｂ）のカルボキシエチルチオコハク酸及びその塩からなる群から選ばれる少なくとも一種は、その化学的研磨作用によって被研磨面を研磨して研磨を促進するとともに、被研磨面の微小うねりを低減する。これは、成分（ｂ）が、その化学的研磨作用によって被研磨面の微小うねりを除去するためと推察される。ここで、微小うねりとは、表面粗さ測定機を用いて一定の測定波長で測定された微小な凹凸を高さ（Å）で表したものである。研磨用組成物には研磨促進効果を有するものとして成分（ｂ）以外にも公知の各種研磨促進剤が一般的に用いられるが、その種類及び量によっては被研磨面の微小うねりが悪化（増大）するおそれがある。従って、研磨用組成物は成分（ｂ）を含有する必要がある。
【００１８】
カルボキシルエチルチオコハク酸は下記式（１）で示され、塩の具体例としてはカリウム塩等のアルカリ金属塩、アンモニウム塩、モノエタノールアミン塩等のアミン塩等が挙げられる。これらの中でも、カルボキシエチルチオコハク酸、又はそのカリウム塩やモノエタノールアミン塩が、化学的研磨作用によって被研磨面の微小うねりを除去する作用が強く微小うねりを低減する効果が高いために好ましい。
【００１９】
【化１】
2004331887.tif 000002
研磨用組成物中の成分（ｂ）の含有量は、好ましくは０．００１〜１０重量％、より好ましくは０．００３〜５重量％、最も好ましくは０．０１〜２重量％である。成分（ｂ）の含有量が０．００１重量％未満では、成分（ｂ）による被研磨面の微小うねりの除去の程度が低く微小うねりを十分に低減することができないとともに、十分な研磨速度が得られないおそれがある。一方、１０重量％を超えると、被研磨面に微小突起や微細なピット（凹み）等の表面欠陥が発生するおそれがある。
【００２０】
成分（ｃ）の水は、他の成分を溶解又は分散させる。成分（ｃ）は他の成分の作用を阻害するのを防止するために不純物をできるだけ含有しないものが好ましく、具体的にはイオン交換樹脂にて不純物イオンを除去した後にフィルタを通して異物を除去した純水や超純水、又は蒸留水等が好ましい。研磨用組成物中の成分（ｃ）の含有量は、研磨用組成物中の他の成分の含有量に対する残量である。
【００２１】
研磨用組成物には、前記各成分以外に（ｄ）成分（ｂ）以外の有機酸、無機酸及びそれらの塩からなる群から選ばれる少なくとも一種の研磨促進剤を含有させるのが好ましい。
【００２２】
成分（ｄ）は、成分（ｂ）と同様にその化学的研磨作用によって被研磨面を研磨し、研磨を促進する。成分（ｄ）を構成する群の中でも、有機酸及び無機塩からなる群から選ばれる少なくとも一種が、化学的研磨作用が強く研磨促進効果が高いために好ましい。さらに、成分（ｄ）は、研磨促進効果がより高いために、リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸、クエン酸、マレイン酸、イタコン酸、マロン酸、イミノ二酢酸、グルコン酸、乳酸、マンデル酸、酒石酸、クロトン酸、ニコチン酸、酢酸、グリシン、アラニン、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、チオ酢酸、メルカプトコハク酸、硝酸アルミニウム及び硫酸アルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも一種がより好ましく、リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸、クエン酸又はイミノ二酢酸が最も好ましい。
【００２３】
研磨用組成物中の成分（ｄ）の含有量は、好ましくは０．００１〜０．５重量％、より好ましくは０．００５〜０．３重量％である。成分（ｄ）の含有量が０．００１重量％未満では、成分（ｄ）による十分な研磨促進効果を得ることができない。一方、０．５重量％を超えると、成分（ｄ）によって被研磨面が浸食されることにより、被研磨面の微小うねりが悪化したり微細なピット等の表面欠陥が発生するおそれがある。
【００２４】
研磨用組成物には、研磨用組成物の安定化や研磨加工上の必要性等に応じ、成分（ｄ）以外のその他の添加成分として、（ｅ）界面活性剤、（ｆ）アルミナゾル、モリブデン酸やそのナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩等の塩、アルギン酸ナトリウムや炭酸水素カリウム等の殺菌剤、ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）、トリエチレンテトラミン六酢酸（ＴＴＨＡ）等のキレート剤、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロース等の水溶性セルロース類、高級脂肪酸アミン、スルホン酸、防錆剤、消泡剤等の加工油類等を含有させてもよい。研磨用組成物中のその他の添加成分の含有量は、研磨用組成物の常法に従って決定される。
【００２５】
成分（ｅ）の界面活性剤は一般的に研磨用組成物の分散性の向上や被研磨面の表面欠陥の発生の抑制等の効果を有し、ノニオン系界面活性剤やアニオン系界面活性剤等が挙げられる。これらの中でも、例えば被研磨面としての磁気ディスク用基板の表面を研磨するときに、磁気ディスク用基板表面の外周縁における面ダレを改善して磁気ディスク用基板表面の平坦性を向上させる効果が高いために、ノニオン系界面活性剤においては下記一般式（２）で示されるポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル、下記一般式（３）又は下記一般式（４）で示される構造を持つポリオキシエチレンポリオキシプロピレンコポリマー、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビット脂肪酸エステル、下記一般式（５）で示されるウレタン会合型界面活性剤が好ましい。
【００２６】
【化２】
2004331887.tif 000003
（式中のＲはアルキル基を示し、ｌ及びｍは整数を示す。）
【００２７】
【化３】
2004331887.tif 000004
（式中のｎ、ｏ及びｐは整数を示す。）
【００２８】
【化４】
2004331887.tif 000005
（式中のｑ、ｒ及びｓは整数を示す。）
【００２９】
【化５】
2004331887.tif 000006
（式中のＸは活性水素原子を有する化合物とアルキレンオキシドから誘導されたポリエーテルポリオールの残基（但し、ポリエーテル鎖中にオキシエチレン基を２０〜９０重量％含む。）、ｔは２〜８の整数（＝前記ポリエーテルポリオール１分子中の水酸基の数）、Ｙは二価の炭化水素基、Ｚは活性水素原子を有する一価の化合物の残基、ｕは３以上の整数を示す。）
一方、アニオン系界面活性剤においては、ポリアクリル酸ナトリウム等のポリカルボン酸塩、イソプレンスルホン酸とアクリル酸との共重合体等のイソプレンスルホン酸又はその塩を必須単量体として得られる重合体等が好ましい。
【００３０】
研磨用組成物中の成分（ｅ）の含有量は、好ましくは０．００１〜０．５重量％、より好ましくは０．００５〜０．３重量％である。界面活性剤の含有量が０．００１重量％未満では面ダレを十分に抑制することができない。一方、０．５重量％を超えると、研磨促進効果を妨げて大きな研磨速度が得られず、研磨用組成物中に析出物が析出するとともに発泡するおそれがある。
【００３１】
成分（ｆ）のアルミナゾルは、被研磨面に微小突起、微細なピット等の表面欠陥の発生を抑制する。これは、アルミナゾルが成分（ａ）の研磨材粒子表面に付着し、成分（ａ）の機械的研磨作用を促進するためと推察される。さらに、アルミナゾルが研磨用組成物中にコロイド状に分散することにより、成分（ａ）の分散性を向上させて成分（ａ）が沈殿するのを防止し、被研磨物を研磨するときに研磨パッドに成分（ａ）を保持しやすくする。
【００３２】
成分（ｆ）の具体例としてはアルミナ水和物及び水酸化アルミニウムから選ばれる少なくとも一種を酸性水溶液中にコロイド状に分散させたものが挙げられ、アルミナ水和物としてはベーマイト、擬ベーマイト、ダイアスポア、ジブサイト、バイヤライト等が挙げられる。ここで、酸性水溶液は有機酸、無機酸及びそれらの塩により水のｐＨを酸性側に調整することにより調製される。アルミナ水和物は単独で含有されてもよいし、二種以上を組み合わせて含有されてもよい。これらの中でも、ベーマイト又は擬ベーマイトを酸性水溶液中に分散させたものが、表面欠陥の発生を抑制する効果が高いとともに被研磨面の表面粗さを低減する効果を有するために好ましい。本実施形態の研磨用組成物を調製するときにおける各成分の混合順序は限定されず、いずれの順序でもよいし同時でもよい。
【００３３】
次に、本実施形態の研磨用組成物を用いた研磨方法について説明する。
被研磨面として磁気ディスク用基板表面を研磨するときには、磁気ディスク用基板表面の研磨工程における磁気ディスク用基板の表面品質をより効率的に向上させるため、一般的には研磨工程は二段階に分けて行なわれる。即ち、１段目の研磨工程においては、磁気ディスク用基板表面のうねり、２段目の仕上げ研磨工程では除去できないような磁気ディスク用基板表面の大きなスクラッチや凹凸等の表面欠陥を除去する目的で研磨工程が行なわれる。
【００３４】
一方、２段目の研磨工程においては、所望の小さな表面粗さに調整し、かつ１段目の研磨工程で発生した表面欠陥や１段目の研磨工程で完全に除去できなかったような表面欠陥を除去する目的で、仕上げ研磨工程が行なわれる。また、場合によっては、研磨工程を３段以上の工程に細分化して行なわれることもある。本実施形態の研磨用組成物は、これらの研磨工程のいずれにも用いることができるが、磁気ディスク用基板表面の微小うねりを低減することができるために、１段目の研磨工程で用いられるのが好ましい。
【００３５】
さて、本実施形態の研磨用組成物を用いて例えばＮｉ−Ｐサブストレート表面の１段目の研磨（一次研磨）を行なうときには、研磨用組成物をＮｉ−Ｐサブストレート表面に供給しながら研磨パッドでＮｉ−Ｐサブストレート表面を研磨する。このとき、研磨用組成物には成分（ａ）が含有されているために、その機械的研磨作用によって一定の研磨速度でＮｉ−Ｐサブストレート表面を研磨することができる。さらに、研磨用組成物には成分（ｂ）が含有されているために、その化学的研磨作用によって研磨を促進して大きな研磨速度が得られるとともに、被研磨面の微小うねりを低減して平滑性を向上させることができる。加えて、成分（ｄ）を含有することにより、より大きな研磨速度を得ることができる。
【００３６】
以上詳述した本実施形態によれば、次のような効果が発揮される。
・  本実施形態の研磨用組成物は成分（ｂ）を含有している。成分（ｂ）はコハク酸又はその塩と同様に研磨促進効果を有するとともに、コハク酸又はその塩に比べて微小うねりを除去する効果が高いと推察される。このため、本実施形態の研磨用組成物は、コハク酸又はその塩を含有する従来の研磨用組成物に比べて、被研磨面の微小うねりを低減して平滑性を向上させることができる。
【００３７】
・  研磨用組成物は成分（ｄ）を含有するのが好ましい。この場合には、成分（ｄ）の化学的研磨作用によって大きな研磨速度を得ることができる。
・  成分（ｄ）はリンゴ酸、グリコール酸、コハク酸、クエン酸、マレイン酸、イタコン酸、マロン酸、イミノ二酢酸、グルコン酸、乳酸、マンデル酸、酒石酸、クロトン酸、ニコチン酸、酢酸、グリシン、アラニン、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、チオ酢酸、メルカプトコハク酸、硝酸アルミニウム及び硫酸アルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも一種が好ましく、リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸、クエン酸及びイミノ二酢酸からなる群から選ばれる少なくとも一種がより好ましい。この場合には、より大きな研磨速度を得ることができる。
【００３８】
・  成分（ａ）は酸化アルミニウムが好ましい。この場合には、被研磨面の平滑性をより向上させることができるとともに、さらに大きな研磨速度を得ることができる。
【００３９】
・  成分（ｂ）はカルボキシエチルチオコハク酸、又はそのカリウム塩やモノエタノールアミン塩が好ましい。この場合には、被研磨面の平滑性をより向上させることができる。
【００４０】
なお、前記実施形態を次のように変更して構成することもできる。
・  研磨用組成物を、調製するときには成分（ｃ）の含有量が研磨工程に用いられるときに比べて少なく設定されることにより成分（ｃ）以外の各成分が濃縮され、研磨工程に用いられるときには成分（ｃ）が加えられて希釈されるように構成してもよい。このように構成した場合は、研磨用組成物の管理を容易に行なうとともに輸送効率を向上させることができる。
【００４１】
・  被研磨面の研磨を１段で行なってもよいし、本実施形態の研磨用組成物を仕上げ研磨に用いてもよい。
・  被研磨物としては、磁気ディスク以外にも半導体ウエハ等の半導体基板、光学レンズ等が挙げられる。これらの材質としては、タングステン、銅、シリコン、ガラス、セラミック等が挙げられる。
【００４２】
【実施例】
次に、実施例及び比較例を挙げて前記実施形態をさらに具体的に説明する。
（実施例１〜１６及び比較例１〜８）
実施例１においては、まず成分（ａ）としての酸化アルミニウム、成分（ｂ）としてのカルボキシエチレルチオコハク酸及び成分（ｃ）の水を混合して研磨用組成物を調製した。ここで、酸化アルミニウムの粒子径は、レーザー回折散乱式粒度測定機（ＬＳ−２３０；Ｃｏｕｌｔｅｒ社製）により測定された平均粒子径で０．８μｍであり、研磨用組成物中の含有量は６重量％であった。成分（ｂ）の含有量を表１に示す。
【００４３】
実施例２〜８においては、成分（ｂ）の種類及び含有量を表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様にして研磨用組成物を調製した。実施例９〜１６及び比較例１〜８においては、成分（ｂ）の種類及び含有量を表１に示すように変更するとともに、成分（ｄ）として表１に示す化合物を混合した以外は、実施例１と同様にして研磨用組成物を調製した。そして、各例の研磨用組成物について、下記（１）及び（２）の項目に関し評価を行なった。それらの結果を表１に示す。尚、表１において、カルボキシエチルチオコハク酸をＡ１で示すとともに、カルボキシエチルチオコハク酸一カリウムをＡ２で示し、カルボキシエチルチオコハク酸二カリウムをＡ３で示すとともにカルボキシエチルチオコハク酸三カリウムをＡ４で示す。さらに、モノエタノールアミン・カルボキシエチルチオコハク酸塩をＡ５で示し、各成分の含有量を重量％で示す。
【００４４】
（１）微小うねり
各例の研磨用組成物を用い、下記の研磨条件で被研磨物（無電解Ｎｉ−Ｐサブストレート）の表面を研磨した。次いで、非接触式表面粗さ測定器（Ｍｉｃｒｏ  ＸＡＭ；ＰｈａｓｅＳｈｉｆｔ社製；対物レンズ：×１０倍、フィルター：Ｇａｕｓｓｉａｎ  Ｂａｎｄｐａｓｓ  ８０〜４５０μｍで測定されたＲａ値）を用い、研磨加工後の無電解Ｎｉ−Ｐサブストレート表面の微小うねりの大きさを測定した。そして、微小うねりについて、Ｒａが４．５Å未満（◎）、Ｒａが４．５Å以上５．０Å未満（○）、Ｒａが５．０Å以上（△）の３段階で評価した。
＜研磨条件＞
被研磨物：直径３．５インチ（≒９５ｍｍ）の無電解Ｎｉ−Ｐサブストレート、研磨機：両面研磨機（定盤直径７２０ｍｍ）、研磨パッド：ポリウレタンパッド（ＢＥＬＬＡＴＲＩＸ  Ｎ００４８；カネボウ株式会社製）、荷重：１００ｇ／ｃｍ２（≒１０ｋＰａ）、上定盤回転数：２４ｒｐｍ、下定盤回転数：１６ｒｐｍ、研磨用組成物の供給量：１５０ｍｌ／分、研磨量：両面の取り代にして３μｍ
（２）研磨速度
各例の研磨用組成物を用い、前記の研磨条件で被研磨物（無電解Ｎｉ−Ｐサブストレート）の表面を研磨した後、下記に示す計算式に基づいて研磨速度を求めた。そして、研磨速度について、研磨速度が０．５０μｍ／分以上（◎）、研磨速度が０．４５μｍ／分以上０．５０μｍ／分未満（○）、研磨速度が０．４５μｍ／分未満（△）の３段階で評価した。
＜研磨速度の計算式＞
研磨速度［μｍ／分］＝研磨による無電解Ｎｉ−Ｐサブストレートの重量減［ｇ］÷（被研磨面の面積［ｃｍ２］×Ｎｉ−Ｐメッキの密度［ｇ／ｃｍ３］×研磨時間［分］）×１００００
【００４５】
【表１】
2004331887.tif 000007
表１に示すように、実施例１〜１６においては、微小うねり及び研磨速度について優れた評価となった。さらに、実施例９〜１６においては、成分（ｄ）を含有するために、研磨速度についてさらに優れた結果となった。このため、実施例１〜１６の研磨用組成物を用いると微小うねりを低減して平滑性を向上させることができ、実施例９〜１６の研磨用組成物を用いるとより大きな研磨速度を得ることができた。一方、比較例１〜８においては、成分（ｂ）を含有しないために、各実施例に比べて微小うねりについて劣る評価となった。
【００４６】
次に、前記実施形態から把握できる技術的思想について以下に記載する。
（１）前記成分（ａ）は酸化アルミニウムである請求項１から３のいずれか一項に記載の研磨用組成物。この構成によれば、被研磨面の微小うねりをより低減することにより平滑性をより向上させることができるとともに、より大きな研磨速度を得ることができる。
【００４７】
（２）前記成分（ｂ）はカルボキシエチルチオコハク酸並びにそのカリウム塩及びモノエタノールアミン塩からなる群から選ばれる少なくとも一種である請求項１から３及び上記（１）のいずれか一項に記載の研磨用組成物。この構成によれば、被研磨面の微小うねりをより低減することにより平滑性をより向上させることができる。
【００４８】
（３）前記成分（ｄ）はリンゴ酸、グリコール酸、コハク酸、クエン酸及びイミノ二酢酸からなる群から選ばれる少なくとも一種である請求項２、請求項３、上記（１）及び上記（２）のいずれか一項に記載の研磨用組成物。この構成によれば、より大きな研磨速度を得ることができる。
【００４９】
【発明の効果】
本発明は、以上のように構成されているため、次のような効果を奏する。
請求項１に記載の発明の研磨用組成物によれば、被研磨面の微小うねりを低減して平滑性を向上させることができる。
【００５０】
請求項２及び３に記載の発明の研磨用組成物によれば、請求項１に記載の発明の効果に加え、より大きな研磨速度を得ることができる。