(57)【要約】【課題】半導体装置に関して容量の確保と開口率の確保との両立を図ることが可能なキャパシタを提供する。【解決手段】下部電極層２と中間電極層３１との間に誘電絶縁層４１が配設された構成を有するキャパシタ部分Ｃ１上に、中間電極層３１と上部電極層３との間に誘電絶縁層４２が配設された構成を有するキャパシタ部分Ｃ２が積層されるように、キャパシタ１３を構成する。下部電極層と上部電極層との間に誘電絶縁層が配設された構成のみを有する従来のキャパシタと比較して、追加のキャパシタＣ２の分だけ保持容量が増加する。しかも、２つのキャパシタ部分Ｃ１，Ｃ２を並列させずに積層させたので、キャパシタ１０の面積が増加することなく、その容量が増加する。したがって、キャパシタ１３の容量確保と液晶表示装置の開口率確保とが両立される。【選択図】    図４
2004247500.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、半導体素子と共に並列的に形成されるキャパシタであって、
金属により構成された第１の電極層と金属により構成された第２の電極層との間に、１または２以上の第３の電極層を介して誘電絶縁層が配設された積層構成を有する
ことを特徴とするキャパシタ。
【請求項２】
前記第１の電極層が、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）またはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）のうちのいずれかの金属により構成されている
ことを特徴とする請求項１記載のキャパシタ。
【請求項３】
前記第２の電極層が、銀（Ａｇ）またはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）のいずれかの金属により構成されている
ことを特徴とする請求項１記載のキャパシタ。
【請求項４】
前記半導体素子が、液晶を駆動させるための薄膜トランジスタであり、
前記第２の電極層が、画素電極層である
ことを特徴とする請求項１記載のキャパシタ。
【請求項５】
前記第３の電極層が、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、チタンとアルミニウムとの積層体（Ｔｉ／Ａｌ）、銀（Ａｇ）またはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）のうちのいずれかの金属により構成されている
ことを特徴とする請求項１記載のキャパシタ。
【請求項６】
基板上に、半導体素子と共に並列的に形成されるキャパシタの製造方法であって、
金属よりなる第１の電極層を形成する工程と、
金属よりなる第２の電極層を形成する工程と、
これらの第１および第２の電極層の間に、１または２以上の第３の電極層を介して誘電絶縁層を形成する工程と
を含むことを特徴とするキャパシタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば液晶表示装置などの半導体装置に適用されるキャパシタおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶の配向特性の変化を利用して画像を表示する液晶表示装置（ＬＣＤ；Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）が普及している。液晶表示装置としては、例えば、アクティブマトリックス型の駆動機構を有するものが知られており、このアクティブマトリックス型の液晶表示装置は、マトリックス状に配列された複数の液晶表示素子（以下、単に「表示素子」という。）を備えている。この表示素子は、詳細には、液晶と、この液晶を駆動させるためのスイッチング用のトランジスタと、電荷を保持して液晶の駆動状態を補償するためのキャパシタとを含んで構成されている。キャパシタは、一般的に、スイッチング用のトランジスタとほぼ同様の断面構成を有しており、基板上にトランジスタと並列的に形成されている。
【０００３】
図７は、従来のキャパシタ１１３の概略断面構成を表している。このキャパシタ１１３は、例えば、単位容量が大きく、かつ保持特性に優れた表示素子を製造するために設計されたものであり、ガラスなどの透明な基板１０１上に、下部電極層１０２と、誘電絶縁層１０３と、上部電極層１０４とがこの順に積層された積層構成を有している。下部電極層１０２は、モリブデン（Ｍｏ）などの金属により構成されており、上部電極層１０４は、イオンドープ処理が施されたポリシリコンなどの半導体により構成されている。誘電絶縁層１０３は、酸化珪素（ＳｉＯ２  ）層と窒化珪素（ＳｉＮ）層との積構構成を有している。このキャパシタ１１３は、基板１０１上に、下部電極層１０２と、誘電絶縁層１０３と、上部電極層１０４になるポリシリコン層とがこの順に積層されたのち、このポリシリコン層に対してインピーダンスを低下させるためにイオンドープ処理が施され、低インピーダンスの上部電極層１０４が形成されることにより、製造されている。
【０００４】
なお、従来のキャパシタとしては、図７に示した構成以外に、例えば、イオンドープ処理が施されたポリシリコンなどの半導体により下部電極層が構成され、かつアルミニウム系の金属により上部電極層が構成されたものも知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−２９０１７１号公報
【０００６】
また、従来の液晶表示装置としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）またはタングステン（Ｗ）により画素電極層が形成されたものが知られている（例えば、特許文献２参照。）。この液晶表示装置では、表示画像の大画面化に伴って配線を低抵抗化するために、低抵抗なアルミニウム複合材料によりゲート配線が構成されている。
【０００７】
【特許文献２】
特開２００２−２８９８６５号公報
【０００８】
さらに、従来の液晶表示装置としては、例えば、画素電極に対向する対向電極がチタン層とアルミニウム層との積層構成（Ｔｉ／Ａｌ）を有するものも知られている（例えば、特許文献３参照。）。
【０００９】
【特許文献３】
特許第３３００３３６号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、液晶表示装置の表示特性を確保するためには、例えば、キャパシタ１１３の容量を可能な限り大きくする必要がある。この点に関して、特に、下部電極層１０２や上部電極層１０４を金属などの非光透過性材料で構成した場合には、キャパシタ１１３の容量を増加させるために単純にその面積を大きくしたのでは、画素面積に対してキャパシタ１１３の面積が大きくなりすぎ、結果として液晶表示装置の開口率が低下してしまう。したがって、液晶表示装置の開口率を確保しつつ、キャパシタ１１３の容量を確保し得る工夫が必要となる。しかしながら、従来の液晶表示装置では、キャパシタ１１３の容量と液晶表示装置の開口率とが互いにトレードオフの関係にあるため、これらの容量確保と開口率確保とを両立することが困難であるという問題あった。
【００１１】
また、液晶表示装置の生産性を考慮すれば、容量確保と開口率確保との両立を図る上で、可能な限り既存の製造プロセスを変更せず、かつ新たな製造プロセスを必要とせずに液晶表示装置を容易に製造し得ることも重要である。
【００１２】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、半導体装置に関して容量の確保と開口率の確保との両立を図ることが可能なキャパシタを提供することにある。
【００１３】
また、本発明の第２の目的は、既存の製造プロセスを使用して、容量の確保と開口率の確保とが両立された半導体装置を容易に製造することが可能なキャパシタの製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明によるキャパシタは、基板上に、半導体素子と共に並列的に形成されるものであり、金属により構成された第１の電極層と金属により構成された第２の電極層との間に、１または２以上の第３の電極層を介して誘電絶縁層が配設された積層構成を有するようにしたものである。
【００１５】
本発明によるキャパシタの製造方法は、基板上に、半導体素子と共に並列的に形成されるキャパシタを製造する方法であり、金属よりなる第１の電極層を形成する工程と、金属よりなる第２の電極層を形成する工程と、これらの第１および第２の電極層の間に、１または２以上の第３の電極層を介して誘電絶縁層を形成する工程とを含むようにしたものである。
【００１６】
本発明によるキャパシタまたはその製造方法では、例えば、第１の電極層と第第２の電極層との間に第３の電極層が１つ配設されるようにすれば、第１の電極層と第３の電極層との間に誘電絶縁層が配設された構成を有するキャパシタ部分と、第３の電極層と第２の電極層との間に誘電絶縁層が配設された構成を有する追加のキャパシタ部分との双方において、電荷が保持される。これにより、２つの電極層の間に誘電絶縁層が配設された構成のみを有するキャパシタと比較して、キャパシタの面積が増加することなく、その容量が増加する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】
まず、本発明の一実施の形態に係るキャパシタを備えた液晶表示装置の構成について説明する。図１は液晶表示装置の回路構成を表し、図２は図１に示した液晶表示装置の一部を拡大して模式的に表している。
【００１９】
この液晶表示装置は、アクティブマトリックス型の駆動機構を有するものであり、マトリックス状に配列された複数の液晶表示素子（以下、単に「表示素子」という。）１０を備えている。この表示素子１０は、表示画像中の画素単位を構成するものであり、液晶１１と、トランジスタ１２と、キャパシタ（保持容量）１３とを含んで構成されている。各表示素子１０は、動作用の複数の信号線、すなわちゲート線２１、データ線２２およびキャパシタ線２３と接続されており、これらの複数の信号線２１〜２３を利用して選択的に動作可能になっている。
【００２０】
液晶１１は、液晶の配向特性の変化を利用して実質的に画素を構成するものである。トランジスタ１２は、液晶１１を駆動させるためのスイッチング素子であり、例えば、ＭＯＳ−ＴＦＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）により構成されている。キャパシタ１３は、電荷を保持して液晶１１の駆動状態を補償するためのものである。
【００２１】
次に、図３を参照して、液晶表示装置の具体的な構成について簡単に説明する。図３は、液晶表示装置の概略断面構成を表している。
【００２２】
この液晶表示装置は、主に、ガラスなどの透明な２つの基板１，５２の間に、トランジスタ１２およびキャパシタ１３と、液晶１１と、対向電極層５１とがこの順に積層された構成を有している。
【００２３】
トランジスタ１２は、ゲート電極層５と、ゲート絶縁層として機能する誘電絶縁層４１と、半導体層６と、２つの配線電極層７Ａ，７Ｂとがこの順に積層された積層構成を有している。２つの配線電極層７Ａ，７Ｂは、半導体層６の一部を構成するコンタクト領域に接続されている。キャパシタ１３は、下部電極層２と、誘電絶縁層４１と、中間電極層３１と、誘電絶縁層４２と、上部電極層３とがこの順に積層された積層構成を有している。これらのトランジスタ１２およびキャパシタ１３は、液晶表示装置の製造過程において、基板１上に並列的に形成されるものである。
【００２４】
なお、この液晶表示装置は、上記した一連の構成要素と共に、図示しない他の構成要素を含んで構成されている。この「他の構成要素」としては、例えば、液晶１１を配向させるために上部電極層３や対向電極層５１に隣接して配設されたポリイミド製の配向膜などが挙げられる。
【００２５】
次に、図４を参照して、キャパシタ１３の詳細な構成について説明する。図４は、キャパシタ１３の概略断面構成を拡大して模式的に表している。
【００２６】
このキャパシタ１３は、金属により構成された下部電極層（第１の電極層）２と金属により構成された上部電極層（第２の電極層）３との間に、１または２以上の中間電極層（第３の電極層）を介して誘電絶縁層が配設された積層構成を有している。
【００２７】
具体的には、キャパシタ１３は、例えば、図４に示したように、下部電極層２と上部電極層３との間に中間電極層が１つ配設されており、すなわち全体として、上記したように、下部電極層２と、誘電絶縁層４１と、中間電極層３１と、誘電絶縁層４２と、上部電極層３とがこの順に積層された５層構成を有している。
【００２８】
下部電極層２は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）などの金属薄膜や、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの金属化合物薄膜により構成されている。
【００２９】
誘電絶縁層４１は、キャパシタ１３と並列的に形成されるトランジスタ１２においてはゲート絶縁層として機能するものであり、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ２  ）層と窒化珪素（ＳｉＮ）層とがこの順に積層された積層構成を有している。誘電絶縁層４１の厚さは自由に設定可能であり、その誘電絶縁層４１の厚さを調整することにより容量を制御することが可能になっている。
【００３０】
中間電極層３１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）または銀（Ａｇ）などの金属薄膜や、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの金属化合物薄膜により構成されている。特に、例えば、誘電絶縁層４１と中間電極層３１との間にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明電極層（図示せず）が設けられる場合には、その透明電極層と中間電極層３１との相性を考慮して、チタン層とアルミニウム層とがこの順に積層された積層構成（Ｔｉ／Ａｌ）を有するように中間電極層３１が構成される場合もある。この場合、チタン層は、透明電極層に対するバリア層として機能する。
【００３１】
誘電絶縁層４２は、液晶表示装置の構成要素のうちの１つである層間絶縁層であり、例えば、誘電絶縁層４１と同様の材料により構成されている。
【００３２】
上部電極層３は、液晶表示装置の構成要素のうちの他の１つである画素電極層であり、例えば、銀（Ａｇ）やＩＴＯなどにより構成されている。
【００３３】
この液晶表示装置では、ゲート線２１、データ線２２およびキャパシタ線２３を利用してトランジスタ１２が通電されると、このトランジスタ１２のスイッチング動作に基づいて液晶１１が駆動することにより、その液晶１１の配向特性の変化を利用して画像が表示される。この際、キャパシタ１３において、下部電極層２と中間電極層３１との間に誘電絶縁層４１が配設された構成を有するキャパシタ部分Ｃ１と、中間電極層３１と上部電極層３との間に誘電絶縁層４２が配設された構成を有する追加のキャパシタ部分Ｃ２との双方において電荷が保持されることにより、液晶１１の駆動状態が補償される。
【００３４】
次に、図１〜図４を参照して、本発明のキャパシタの製造方法が適用される液晶表示装置の要部の製造方法について説明する。
【００３５】
この液晶表示装置の要部、すなわち液晶１１を駆動させるためのトランジスタ１２およびキャパシタ１３は、既存の製造プロセスを使用して基板１上に並列的に形成される。すなわち、まず、基体１上に、下部電極層２と共にゲート電極層５を同一工程において形成する。続いて、ゲート絶縁層を含むように誘電絶縁層４１を形成する。続いて、半導体層６を形成したのち、中間電極層３１と共に２つの配線電極層７Ａ，７Ｂを同一工程において形成する。最後に、層間絶縁層としての誘電絶縁層４２および画素電極層としての上部電極層３を形成する。これにより、下部電極層２と、誘電絶縁層４１と、中間電極層３１と、誘電絶縁層４２と、上部電極層３とがこの順に積層された積層構成を有するキャパシタ１３が完成すると共に、ゲート電極層５と、ゲート絶縁層として機能する誘電絶縁層３と、半導体層６と、２つの配線電極層７Ａ，７Ｂとがこの順に積層された積層構成を有するトランジスタ１２が完成する。
【００３６】
本実施の形態に係る液晶表示装置では、下部電極層２、誘電絶縁層４１および中間電極層３１により構成されたキャパシタ部分Ｃ１と共に、中間電極層３１、誘電絶縁層４２および上部電極層３により構成された追加のキャパシタ部分Ｃ２とを含むようにキャパシタ１３を構成したので、下部電極層１０２、誘電絶縁層１０３よび上部電極層１０４により構成されたキャパシタ部分Ｃ１のみを有する従来のキャパシタ１１３（図７参照）と比較して、追加のキャパシタＣ２の分だけ容量が増加する。しかも、２つのキャパシタ部分Ｃ１，Ｃ２を並列させずに積層させたので、一連の電極層（下部電極層２，中間電極層３１，上部電極層３）を非光透過性の金属で構成した場合においても、キャパシタ１３の面積が増加することなくその容量が増加し、液晶表示装置の開口率が確保される。したがって、本実施の形態では、容量の確保と液晶表示装置の開口率の確保との両立を図ることができる。
【００３７】
また、本実施の形態では、下部電極層２および中間電極層３１の双方を金属で構成したことにより、下部電極層１０２または上部電極層１０４のいずれか一方がポリシリコン系の半導体で構成されていた従来の場合と異なり、ＣＲ（Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）時定数に基づくキャパシタ１３の駆動周波数制限を解消することもできる。
【００３８】
特に、本実施の形態では、誘電絶縁層４１上に形成される中間電極層３１を金属で構成するようにしたので、以下の理由により、従来の場合とは異なり、キャパシタ１３を構成する誘電絶縁層４１の絶縁耐圧を確保し、液晶表示装置の表示特性を確保することができる。
【００３９】
すなわち、従来の液晶表示装置のキャパシタ１１３（図７参照）では、誘電絶縁層１０３上に形成される上部電極層１０４をポリシリコン系の半導体で構成していたので、上部電極層１０４を形成する際、インピーダンスを低下させるためにポリシリコン層に対してイオンドープ処理を施す必要がある。しかしながら、イオンドープ処理の際、ドープイオンの一部がポリシリコン層を貫通して誘電絶縁層１０３に到達すると（イオントラップ）、不要なドープイオンの存在に起因して誘電絶縁層１０３にピンホール等の構造欠陥が生じ、その誘電絶縁層１０３の絶縁耐圧が劣化するおそれがある。誘電絶縁層１０３の絶縁耐圧が劣化すると、その誘電絶縁層１０３中をリーク電流が流れるため、このリーク電流に起因して液晶表示装置の表示画像中に表示欠陥が生じてしまう。
【００４０】
これに対して、本実施の形態では、イオンドープ処理が必要なポリシリコン系の半導体ではなく、イオンドープ処理が不要な金属で中間電極層３１を構成しているため、中間電極層３１を形成する際に、半導体を形成するために必要なイオンドープ処理が不要になる。この場合には、イオンドープ処理が必要な従来の場合とは異なり、そのイオンドープ処理に起因して誘電絶縁層４１にピンホール等の構造欠陥が生じないため、その誘電絶縁層４１の絶縁耐圧が確保され、表示欠陥の発生が防止される。しかも、この場合には、誘電絶縁層４１の厚さを調整することにより、容量を制御し得る。したがって、本実施の形態では、液晶表示装置の表示特性を確保することが可能になるのである。なお、補足して説明すれば、上記したようにイオンドープ処理が不要となるのは、キャパシタ１３を構成する中間電極層３１の形成工程に限ってのことであり、液晶表示装置全体の製造工程では、キャパシタ１３以外の他の構成要素（例えばトランジスタ１２の半導体層６）の形成工程において、必要に応じてイオンドープ処理が行われ得ることは言うまでもない。
【００４１】
また、本実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法では、キャパシタ１３を形成するために既存の製造プロセスを変更することなく、かつ新たな製造プロセスも必要としないため、既存の製造プロセスのみを使用して液晶表示装置を製造することが可能である。しかも、上記したように、キャパシタ１３を構成する上部電極層３は、液晶表示装置の構成要素の１つである画素電極層として機能するものであるため、この画素電極層をキャパシタ１３の容量電極層（すなわち上部電極層３）として利用すれば、その上部電極層３を形成するために新たな製造工程が増えることがない。もちろん、この点は、層間絶縁層として機能する誘電絶縁層４２に関しても同様である。したがって、本実施の形態では、既存の製造プロセスを使用して、容量の確保と開口率の確保とが両立された液晶表示装置を容易に製造することができる。
【００４２】
また、本実施の形態では、キャパシタ１３とトランジスタ１２とを基体１上に形成する際に、下部電極層２とゲート電極層５とを同一工程において形成すると共に中間電極層３１と配線電極層７Ａ，７Ｂとを同一工程において形成し、かつゲート絶縁層としても機能する誘電絶縁層４１をキャパシタ１３とトランジスタ１２とで共用されるように形成しているので、下部電極層２および中間電極層３１の双方が金属で構成された特徴的な構成を有するキャパシタ１３を形成するために、新たな工程を要しない。したがって、製造工程数を増加させることなくキャパシタ１３を形成することが可能なため、この観点においても液晶表示装置の製造容易化に寄与することができる。
【００４３】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。
【００４４】
具体的には、例えば、上記実施の形態では、キャパシタ１３を構成する下部電極層２、中間電極層３１および上部電極層３をいずれも非光透過性の金属で構成するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、図５に示したように、下部電極層２、中間電極層３１および上部電極層３の全てをＩＴＯなどの透明電極材料で構成するようにしてもよい。この構成のキャパシタ１３を備えた液晶表示装置では、以下の理由により、上記実施の形態の場合よりも表示機構の適用範囲を広げることができる。
【００４５】
すなわち、上記実施の形態において説明したキャパシタ１３（図４参照）を備えた液晶表示装置は、キャパシタ１３の容量の確保と液晶表示装置の開口率の確保との両立を図ることが可能な一方で、図４に示したように、非光透過性の下部電極層２、中間電極層３１および上部電極層３の存在に起因して光Ｌの透過領域が狭まるため、光反射型の表示機構に適しているものの、光透過型の表示機構に適しているとは言えない。
【００４６】
この点に関して、図５に示したように、下部電極層２、中間電極層３１および上部電極層３の全てを透明電極材料で構成すれば、上記実施の形態の場合とは異なり、光Ｌが下部電極層２、中間電極層３１および上部電極層３を透過することが可能になり、光Ｌの透過領域が広がるため、開口率が飛躍的に向上する。したがって、図５に示した液晶表示装置は、光反射型に限らず、光透過型の表示機構にも適用することができるのである。
【００４７】
また、例えば、上記実施の形態では、キャパシタ１３の構成に関して、下部電極層２と上部電極層３との間に中間電極層を１つだけ配設するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、中間電極層を２以上配設するようにしてもよい。具体的には、例えば、図６に示したように、下部電極層２と上部電極層３との間に中間電極層が２つ配設され、すなわち全体として、下部電極層２と、誘電絶縁層４１と、中間電極層３１と、誘電絶縁層４２と、中間電極層３２と、誘電絶縁層４３と、上部電極層３とがこの順に積層された７層構成となるようにしてもよい。この場合には、３つのキャパシタ部分、すなわち下部電極層２と中間電極層３１との間に誘電絶縁層４１が配設された構成を有するキャパシタ部分Ｃ１と、中間電極層３１と中間電極層３２との間に誘電絶縁層４２が配設された構成を有するキャパシタ部分Ｃ２と、中間電極層３２と上部電極層３との間に誘電絶縁層４３が配設された構成を有するキャパシタ部分Ｃ３とを有するようにキャパシタ１３が構成されるため、２つのキャパシタ部分Ｃ１，Ｃ２のみを有する上記実施の形態の場合（図４参照）と比較して、キャパシタ部分Ｃ３の分だけさらに容量を増加させることができる。
【００４８】
なお、当然ながら、キャパシタ部分の数を増やせば、その数の増加に伴ってキャパシタ１３の容量が増加するが、キャパシタ部分の数を増やしすぎると、トランジスタ１２や液晶表示装置の他の構成要素と並列的にキャパシタ部分を形成することができなくなるため、そのキャパシタ部分を形成するための工程が別途必要となり、結果として液晶表示装置の製造工程数が増えることに留意すべきである。この点を考慮すると、既存の液晶表示装置の構成に基づいてトランジスタ１２や液晶表示装置の他の構成要素と並列的にキャパシタ１３を形成し、そのキャパシタ１３を形成するために製造工程数が増えすぎることを回避するならば、キャパシタ１３の構成としては、図４に示した５層構成や図６に示した７層構成が現実的であると言える。
【００４９】
また、例えば、上記実施の形態では、本発明を液晶表示装置に適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、この液晶表示装置と同様にキャパシタ１３を備えるか、あるいはキャパシタ１３を備え得る他の半導体装置に本発明を適用するようにしてもよい。この「他の半導体装置」としては、例えば、電気泳動型の表示機構を有する表示装置などの他の各種表示装置や、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ−ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ  ）や、メモリなどが挙げられる。これらの他の半導体装置に本発明を適用した場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のキャパシタによれば、金属により構成された第１の電極層と、金属により構成された第２の電極層との間に、１または２以上の第３の電極層を介して誘電絶縁層が配設された積層構成を有するようにしたので、２つの電極層の間に誘電絶縁層が配設された構成のみの従来のキャパシタと比較して、容量が増加する。しかも、１または２以上の第３の電極層を介して誘電絶縁層を積層したので、キャパシタの面積が増加することなくその容量が増加する。したがって、本発明のキャパシタを備えた半導体装置に関して容量の確保と開口率の確保との両立を図ることができる。
【００５１】
また、請求項６に記載のキャパシタの製造方法によれば、第１、第２および第３の電極層と誘電絶縁層とを形成するために既存の製造プロセスしか使用しないため、本発明のキャパシタを製造する際に既存の製造プロセスを変更する必要がなく、かつ新たな製造プロセスを必要とすることもない。したがって、既存の製造プロセスを使用して、本発明のキャパシタを備え、容量の確保と開口率の確保とが両立された半導体装置を容易に製造することができる。
【００５２】
特に、上記の他、請求項４に記載のキャパシタによれば、半導体素子を、液晶を駆動させるための薄膜トランジスタとし、第２の電極層を画素電極層としたので、上記したキャパシタの特徴的な構成に基づく作用により、キャパシタの面積が増加することなくその容量が増加する。したがって、キャパシタの容量の確保と液晶表示装置の開口率の確保との両立を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る液晶表示装置の回路構成を表す回路図である。
【図２】図１に示した液晶表示装置の一部を拡大して模式的に表す図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る液晶表示装置の概略断面構成を表す断面図である。
【図４】図３に示したキャパシタの概略断面構成を拡大して模式的に表す断面図である。
【図５】キャパシタの構成に関する変形例を表す断面図である。
【図６】キャパシタの構成に関する他の変形例を表す断面図である。
【図７】従来のキャパシタの概略断面構成を表す断面図である。
【符号の説明】
１，５２…基板、２…下部電極層、３…上部電極層、５…ゲート電極層、６…半導体層、１０…表示素子、１１…液晶、１２…トランジスタ、１３…キャパシタ、２１…ゲート線、２２…データ線、２３…キャパシタ線、３１，３２…中間電極層、４１，４２，４３…誘電絶縁層、５１…対向電極層、Ｌ…光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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