(57)【要約】【課題】表面にキズや剥がれ等がなく、極めて均一な厚さの金属層を有する導電性微粒子の製造方法を提供する。【解決手段】基材微粒子と前記基材微粒子の表面に形成された金属層とからなる導電性微粒子を製造する方法であって、少なくとも、基材微粒子を第１の平面上に単層状に配列させる工程１と、真空中で前記基材微粒子の片面に金属層を形成させる工程２と、片面に金属層が形成された基材微粒子を第２の平面上に転写させて、金属層が形成されていない側の片面が露出するように第２の平面上に単層状に配列させる工程３と、真空中で前記片面に金属層が形成された基材微粒子の金属層が形成されていない側の片面に金属層を形成させる工程４とを有する導電性微粒子の製造方法。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材微粒子と前記基材微粒子の表面に形成された金属層とからなる導電性微粒子を製造する方法であって、少なくとも、
基材微粒子を第１の平面上に単層状に配列させる工程１と、
真空中で前記基材微粒子の片面に金属層を形成させる工程２と、
片面に金属層が形成された基材微粒子を第２の平面上に転写させて、金属層が形成されていない側の片面が露出するように第２の平面上に単層状に配列させる工程３と、
真空中で前記片面に金属層が形成された基材微粒子の金属層が形成されていない側の片面に金属層を形成させる工程４とを有する
ことを特徴とする導電性微粒子の製造方法。
【請求項２】
第１の平面上及び第２の平面上には粘着剤層が形成されており、かつ、第２の平面上に形成された粘着剤層の粘着力は第１の平面上に形成された粘着剤層の粘着力よりも強いものであることを特徴とする請求項１記載の導電性微粒子の製造方法。
【請求項３】
蒸着法、スパッタリング法又はイオンプレーティング法により基材微粒子の表面に金属層を形成することを特徴とする請求項１又は２記載の導電性微粒子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面にキズや剥がれ等がなく、極めて均一な厚さの金属層を有する導電性微粒子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子回路基板において、ＩＣやＬＳＩ等のチップを接続するためには、それぞれの電極をプリント基板上にハンダ付けする方法が用いられてきたが、この方法は生産効率が悪く、また、接続信頼性が低く高密度化には適さないものであった。そこで、このような接続信頼性の低さ等を解決するためにハンダを球状にした、いわゆるハンダボールでチップと基板とを接続するＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）等の技術が開発された。この技術によれば、基板とチップ間、基板間に実装されたハンダボールを高温で溶融しながら接続することで、高生産性、高接続信頼性を両立した電子回路基板を構成できる。
【０００３】
しかしながら、近年基板の多層化が進み、基板自体の外環境変化による歪みや伸縮が発生し、その際に生じる力が基板間の接続部にかかることによって断線が発生することが問題となっていた。また、ハンダボールを用いた場合、基板間の距離にバラツキが生じ一定にすることが困難であり、これを一定にするために別途スペーサー等を置かなければならず手間や費用がかかることが問題となっていた。
【０００４】
これらを解決する手段として、基板間の接続部にかかる力の緩和については、基板間に樹脂等を充填することにより補強することが行われており、接続信頼性の向上には一定の効果を示したが、このような手段は、手間がかかり、充填工程が増えることによる費用の増大等が問題であった。
【０００５】
このような問題を解決するために、例えば、銅をコア微粒子としてその周囲にハンダをコーティングした導電性粒子（例えば、特許文献１参照）や、樹脂をコア微粒子としてその周囲にハンダをめっきした導電性粒子（例えば、特許文献２参照）を用いて基板間の導電接続を行い、基板間の距離の維持や基板間の接続部にかかる力を緩和する方法が提案されている。
【０００６】
このようなハンダ層を有する導電性微粒子の製造方法としては、被めっき物であるコア微粒子の粒径が５０００μｍ以下である場合には、一般にバレルめっき装置が使用されている。
このバレルめっき装置は、めっき液に浸漬した回転可能な多角形筒状のバレル内にコア微粒子を入れ、バレルを回転させながらバレル内に配置した陰極とコア微粒子とを接触させることでコア微粒子に電気めっきを行い、ハンダ層を形成するものである。
【０００７】
しかしながら、通常のバレルめっき法により微粒子のめっきを行うと、めっき液中で微粒子が凝集したままめっきがされやすく、めっき液中で単粒子として導電性微粒子を得られなかったり、たとえ微粒子が凝集しなくても全ての微粒子が均一にめっきされず、めっき層の厚みが不均一になったりすることがあった。
【０００８】
また、被めっき物であるコア微粒子が樹脂や樹脂微粒子の表面に薄い導電層が形成された比較的比重が軽いものである場合には、バレルの回転時に一部のコア微粒子が浮遊し、陰極から離れるためにバイポーラ現象が発生し、めっきされないことがあるという問題もあった。なお、バイポーラ現象とは、被めっき物と陰極との接触力が弱い場合や、バレルめっきにおいてバレル内で多数の被めっき物が沈降した一つの塊として存在している状態から外れて浮遊した場合に通電されると、浮遊している被めっき物が分極し、プラスに帯電した部分から被膜の溶解が起こる現象である。
【０００９】
これらを解決する方法として、外周部に陰極を有し、めっき液を通過させて排出するフィルター部を有する回転可能なドームと、ドームの中に陰極と接触しないように設置された陽極とを有しており、ドームの回転による遠心力の効果で微粒子を陰極に接触させて通電、撹拌を繰り返す回転型めっき装置を用いた微粒子のめっき方法が報告されている（例えば、特許文献３参照）。この方法では、通常のバレルめっきに比べると微粒子の凝集が少なく、均一にめっきできることが知られている。
【００１０】
しかし、特許文献３に開示されたような回転型めっき装置を用いても、基材（被処理微粒子）の粒子径が小さくなり、かつ、めっき層の厚みが大きくなると凝集が発生してくる。特に基材粒子径が１００μｍ以下でめっき層の厚みが１μｍ以上となると全ての微粒子を単粒子の状態のままでめっきすることはほとんど不可能であった。これは、従来の回転形めっき装置では、ドーム部分の回転、停止を繰り返すことで基材粒子同士の凝集を防止するが、基材粒子の粒子径が小さくなることで凝集の解砕効果が小さくなるためと考えられる。また、基材粒子の粒子径が小さい故に、ドーム部分のわずかな隙間に粒子が入り込み、基材粒子が挟まれた状態のままでめっきが進むことも凝集発生の一因と考えられる。
【００１１】
これらの凝集を防止するために、ステンレスやジルコニア等のダミー粒子を加えて、解砕効果を与えながらめっきを行う方法が知られているが、ダミー粒子を用いると、解砕の際にダミー粒子が基材粒子と激しく衝突するため、得られる導電性微粒子にめっき剥がれや割れなどが発生し、表面状態が大きく劣化するという問題があった。
【００１２】
【特許文献１】
特開平１１−７４３１１号公報
【特許文献２】
特開平５−３６３０６号公報
【特許文献３】
特開平９−１３７２８９号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記現状に鑑み、表面にキズや剥がれ等がなく、極めて均一な厚さの金属層を有する導電性微粒子の製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基材微粒子と前記基材微粒子の表面に形成された金属層とからなる導電性微粒子を製造する方法であって、少なくとも、基材微粒子を第１の平面上に単層状に配列させる工程１と、真空中で前記基材微粒子の片面に金属層を形成させる工程２と、片面に金属層が形成された基材微粒子を第２の平面上に転写させて、金属層が形成されていない側の片面が露出するように第２の平面上に単層状に配列させる工程３と、真空中で前記片面に金属層が形成された基材微粒子の金属層が形成されていない側の片面に金属層を形成させる工程４とを有する導電性微粒子の製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
【００１５】
本発明の導電性微粒子の製造方法の一実施態様を示す模式図を図１に示した。
本発明の導電性微粒子の製造方法では、まず、基材微粒子を第１の平面上に単層状に配列させる工程１を行う（図１ａ）。
上記基材微粒子が単層状ではなく重なった状態で配列されると、重なった基材微粒子の下側に配置された基材微粒子の表面には金属層が形成されず、均一な金属層を形成させることができない。
上記基材微粒子は単層状に配列されているならば、基材微粒子同士が接触していても間隔を空けて配列されていてもかまわないが、より確実にかつ均一に金属層を形成させるためには、間隔を空けて配列されていることが好ましい。
【００１６】
上記第１の平面としては、配列された上記基材微粒子の高さがほぼ同じになる程度に平らであれば特に限定されず、金属、ガラス、樹脂等からなるものが挙げられる。
【００１７】
上記第１の平面上に基材微粒子を単層状に配列する方法としては特に限定されず、例えば、平面上に基材微粒子の粒子径よりも少し大きな孔径を有する穴を開けたプレートや篩を重ねて、その上から基材微粒子を散布する方法；基材微粒子の粒子径よりも少し大きな孔径を有する穴を開けたプレートや篩の裏面に多孔板を重ね、そこからエアーで吸引することで基材微粒子を配列し、その上に平板を重ねて基材微粒子を転写する方法；基材微粒子を揮発性の溶媒に分散させたスラリーを平面上に滴下し、溶媒を蒸発させる方法；基材微粒子を乾式散布法又は湿式散布法により散布する方法；平面に静電気を帯びさせておいて基材微粒子を近づけることで単層に配列させる方法；平面上の特定の場所にのみ静電気を帯びさせ（例えば、樹脂製の平板に磁性のあるワイヤーを埋め込み、その裏面に磁石をつけることで特定の場所だけに磁性を持たせて粒子を配列させる）、磁性を有する基材微粒子を付着させる方法；平面上に基材微粒子を散布した後、平面に微振動を与えて単層状にする方法；基材微粒子の比重よりも大きな比重をもつ溶媒表面に単層になるように微粒子を散布し（溶媒に低濃度で微粒子を分散させ、微粒子を浮き上がらせてもよい）、平板に転写する方法；格子状に配列させた基材微粒子の粒子径よりも小さい口径のノズルを用いて吸引し平板に転写する方法等が挙げられる。
【００１８】
上記第１の平面上に単層状に配列された基材微粒子は、液架橋力、静電気力、ファンデルワールス力、磁力等により第１の平面上に固定される。上記第１の平面上に粘着剤層が形成されている場合には、この粘着剤の粘着力により基材微粒子を固定することができ好ましい。基材微粒子を固定することにより、作業を容易にすることができ、また金属層形成工程において基材微粒子が動いてしまうこともない。
上記粘着剤層を構成する粘着剤としては特に限定されないが、１００℃以上、好ましくは１５０℃以上の高温に耐えられるものが好ましく、また、容易に上記基材微粒子を剥離することができる程度の粘着力を有することが好ましい。また、例えば、熱や紫外線を照射することにより粘着力が低下する粘着剤等もより好適に用いることができる。
【００１９】
本発明の導電性微粒子の製造方法では、次いで、真空中で前記基材微粒子の片面に金属層を形成させる工程２を行う（図１ｂ）。
金属層を形成させる手段としては真空中で行われるものであれば特に限定されないが、蒸着法、スパッタリング法又はイオンプレーティング法が好適である。これらの方法により、上記基材微粒子の第１の平面に接していない側の片面に金属層が形成される。
なお、本明細書において真空とは、大気圧より低い圧力の気体で満たされている特定の空間の状態を意味し、好ましい圧力は１０Ｐａ以下である。
【００２０】
本発明の導電性微粒子の製造方法では、次いで、片面に金属層が形成された基材微粒子を第２の平面上に転写させて、金属層が形成されていない側の片面が露出するように第２の平面上に単層状に配列させる工程３を行う（図１ｃ）。
上記転写は、金属層が形成されていない側の片面が完全に露出するように１８０°反転されて転写されることが最適であるが、金属層が形成されていない側の片面が露出していれば、全面を金属層を形成することは可能である。９０°〜２７０°の範囲の角度で反転されることが好ましく、より好ましくは１３５°〜２２５°、更に好ましくは１５０°〜２１０°、特に好ましくは１８０°である。転写時の角度が９０°未満であるか、又は２７０°を超えると、基材微粒子の全表面に金属層を形成できなかったり、金属層の膜厚のバラツキが大きくなったりすることがある。
【００２１】
上記第１の平面としては、配列された上記基材微粒子の高さがほぼ同じになる程度に平らであれば特に限定されず、金属、ガラス、樹脂等からなるものが挙げられる。また、第１の平面と第２の平面とは、同じ材質からなるものであっても、異なる材質からなるものであってもよい。
【００２２】
上記転写の方法としては特に限定されず、例えば、磁石を利用して反転させる方法；第１の平面上に配列された基材微粒子上に平板を重ね、適度な圧力をかけた状態で上側の平板をずらすことによって、粒子を回転させ、その後第２の平面上に配列させる方法；吸引ノズルを用いて第１の平面上の基材微粒子剥がし、その後、もう１つの吸引ノズルで粒子を受け取り第２の平面上に配列させる方法；吸引ノズルが１列に並んだような治具を用いて、配列された粒子の横から吸引力で粒子を保持して反転させる方法等が挙げられる。
また、第１の平面よりも接着力の強い表面を有するものを第２の平面として用いれば、第１の平面上に配列された基材微粒子上に第２の平面を重ねた後、第１の平面と第２の平面とを引き剥がせば、基材微粒子は極めて容易に第２の平面に転写される。例えば、第１の平面上に粘着剤層を設け、この粘着力により基材微粒子を第１の平面上に固定している場合には、第１の平面上の粘着剤層よりも粘着力の強い粘着剤層を第２に平面上に設ければ、重ね合わせるだけで容易に基材微粒子の転写を行うことができる。
【００２３】
本発明の導電性微粒子の製造方法では、次いで、真空中で前記片面に金属層が形成された基材微粒子の金属層が形成されていない側の片面に金属層を形成させる工程４を行う（図１ｄ）。工程３において基材微粒子は金属層が形成されていない側の片面が露出するように第２の平面上に単層状に配列されていることから、蒸着法、スパッタリング法又はイオンプレーティング法により、工程２において金属層が形成されなかった側の片面に金属層が形成され、全体として均一な金属層が形成される。
【００２４】
本発明の導電性微粒子の製造方法に供する上記基材微粒子としては特に限定されず、例えば、ポリスチレン、ポリスチレン共重合体、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステル共重合体、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル等の樹脂材料や、銅等の金属材料等が挙げられる。特に樹脂材料からなる場合には、半導体チップや電子部品等と基板との線膨張係数の違いから生じる歪み応力を緩和する効果が得られることから好ましい。
【００２５】
上記基材微粒子の粒子径としては特に限定されないが、好ましい下限は１μｍ、好ましい上限は１０００μｍである。１μｍ未満であると、基材微粒子を配列したり、転写したりするのが困難となったり、凝集が発生したりすることがあり、１０００μｍを超えると、平面の単位表面積あたりに配列できる基材微粒子数が極端に少なくなり不経済となる。より好ましい下限は５μｍ、より好ましい上限は５００μｍ、更に好ましい下限は１０μｍ、更に好ましい上限は３００μｍ、特に好ましい上限は１００μｍである。特に他の方法では凝集が発生する１００μｍ以下の基材微粒子を好適に用いることができる。
【００２６】
上記基材微粒子の表面には金属下地層が形成されていてもよい。上記金属下地層があれば、より容易に金属層を形成することができる。上記金属下地層を構成する金属としては特に限定されず、例えば、ニッケル、鉄、コバルト等が挙げられる。上記金属下地層は、無電解めっき法等によりめっきすることにより形成することができる。
【００２７】
上記金属層は、１層からなるものであってもよいし、複数層からなるものであってもよい。
上記金属層を構成する金属としては特に限定されず、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、カドミウム、珪素、これらの合金やその窒化物、酸化物、炭化物が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２８】
上記金属層の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は０．０２μｍ、好ましい上限は１００μｍである。０．０２μｍ未満であると、所望の導電性が得られないことがあり、１００μｍを超えると、半導体チップや電子部品等と基板との線膨張係数の違いから生じる歪み応力を緩和する効果が得られないことがある。より好ましい下限は０．１μｍ、より好ましい上限は５０μｍ、更に好ましい下限は１μｍ、更に好ましい上限は３０μｍである。
【００２９】
本発明の導電性微粒子の製造方法によれば、基材微粒子が凝集することもなく、容易にかつ高い効率で、表面にキズや剥がれ等がなく、極めて均一な厚さの金属層を有する導電性微粒子を製造することができる。
【００３０】
【実施例】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【００３１】
（実施例１）
スチレンとジビニルベンゼンとを共重合することにより基材微粒子を作製した。得られた基材微粒子２００個について測定した結果、平均粒子径は４７．８μｍであった。
【００３２】
一方、耐熱性の粘着テープ（粘着テープＡ）の粘着剤塗布面に、平均粒子径６．２μｍの樹脂微粒子を散布しスパチュラの腹の部分で静かにならした後、重なっている粒子をドライエアーで吹き飛ばした。粘着剤塗布面を拡大鏡で観察したところ、粘着剤塗布面上に単層状態で樹脂微粒子が密接して配列できていることが確認された。この処理により、粘着テープＡよりも粘着力の弱い粘着テープＢを得た。
【００３３】
得られた粘着テープＢの粘着剤塗布面上に、厚み５０μｍのステンレス平板に穴径５３μｍ、ピッチ９０μｍの穴が空けられたマスクプレートを重ねた。このマスクテープの上から基材微粒子を散布し、スパチュラの腹の部分で静かにならした後、重なっている粒子をドライエアーで吹き飛ばした。マスクプレートを静かに剥がした後、顕微鏡で観察したところ、粘着テープＢの粘着剤塗布面上に基材微粒子が単層状、格子状に配列していた。配列している基材微粒子の個数を計測しところ、１０５個／ｍｍ２であった。
【００３４】
上記粘着テープＢの粘着剤塗布面上に配列させた基材微粒子をスパッタ装置を用いてその表面に銅を被覆させた。即ち、φ６インチ公転式水冷基板ホルダーを用い、この基板ホルダーの金属層形成面に基材微粒子を配列させた粘着テープＢを４辺を耐熱テープを用いて固定し、スパッタ装置のチャンバー内を排気して６．７×１０４Ｐａまで減圧した後、Ａｒガスを導入して１．３Ｐａに調整した。次にカソードにＤＣ１．５ｋＷの電力を印加し、基板ホルダーを５ｒｐｍで回転させながら約２０分間成膜を行った。なお、カソードとしてはφ６インチマグネトロンカソードを用い、ターゲットとして銅を使用した。
得られた銅層が形成された基材微粒子を顕微鏡で観察したところ、全ての基材微粒子の表面に銅層が形成されており、キズ及び剥がれが生じているものや、凝集しているものは全く存在しなかった。また銅層が形成された基材微粒子の切断面を測定したところ、銅層の膜厚は最も厚い部分（粘着テープＢとの接触面から最も遠い部分）で２．１μｍであり、粘着テープＢの粘着剤塗布面と接触していた部分には銅層は全く形成されていなかった。
【００３５】
次に、粘着テープＡを用いて、片面に銅層が形成された後の基材微粒子が配列した粘着テープＢの基材粒子配列面上に粘着テープＡの粘着剤塗布面を重なるように貼り合わせ、静かに粘着テープＡとＢを剥がした。これにより、粘着テープＢ上に配列されていた片面に銅層が形成された基材微粒子を１８０°反転させて、粘着テープＡ上に転写することができた。顕微鏡を用いて粘着テープＡの粘着剤塗布面を上から観察したところ、銅層が形成されていない部分を上にむけて基材微粒子が格子状に配列されていることが観察された。
【００３６】
次に、粘着テープＡ上に配列した片面に銅層が形成された基材微粒子をスパッタ装置を用いてその表面に銅層を形成させて導電性微粒子を得た。このときのスパッタ条件は片面に銅層を形成したときと全く同様にした。
得られた導電性微粒子を顕微鏡で観察したところ、全ての基材微粒子の表面に銅層が形成されており、キズ及び剥がれが生じているものや、凝集しているものは全く存在しなかった。また、導電性微粒子の断面を観察したところ、銅層の膜厚は２．２μｍであり、基材微粒子表面の全面に極めて均一に銅層が形成されていることがわかった。
【００３７】
（実施例２）
実施例１で作製した基材微粒子の表面に銅層を形成した導電性微粒子の表面に、実施例１と同様の方法により錫−銀合金層を形成させて、２層構造の金属層を有する導電性微粒子を作製した。なお、スパッタ条件としては、ターゲットを錫／銀＝９６．５／３．５の合金とし、印加電力をＤＣ３．０ＫＷ、成膜時間を約６０分としたこと以外は実施例１と同様にした。
得られた導電性微粒子を顕微鏡で観察したところ、全ての基材微粒子の表面に錫−銀合金層が形成されており、キズ及び剥がれが生じているものや、凝集しているものは全く存在しなかった。また導電性微粒子の断面を観察したところ、錫−銀合金層の膜厚は３．６μｍであり、基材微粒子表面の全面に極めて均一に錫−銀合金層が形成されていることがわかった。また、錫−銀合金層中の銀含有量を原子吸光光度法により測定したところ、銀含有率は３．５重量％であり、ターゲットと同一組成の錫−銀合金層が形成されていることがわかった。
【００３８】
（実施例３）
スチレンとジビニルベンゼンとを共重合することにより微粒子を作製し、この微粒子の表面に無電解めっき法によりニッケルからなる下地層を形成させ、これを基材微粒子とした。得られた基材微粒子２００個について測定した結果、平均粒子径は５０．０μｍ、ニッケル層の厚みは約０．５μｍであった。
一方、射出成形法により、厚さ３ｍｍのポリプロピレンからなる板状体にピッチ９０μｍの網目状のワイヤーを埋め込んだ平板を２枚作製した。これをそれぞれ平板Ａ及び平板Ｂとした。
【００３９】
平板Ａの一方の面に磁石を取り付け、他方の面を下地層が形成された基材微粒子に近づけたところ、基材微粒子は平板Ａへ吸着された。重なっている粒子をドライエアーで吹き飛ばした後、顕微鏡で観察したところ、基材微粒子は、平板Ａに埋め込まれたワイヤーの形状に沿った形で格子状に配列していた。
平板Ａ上に配列した基材微粒子に、実施例１と同じスパッタ条件により銅層を形成した。
得られた銅層が形成された基材微粒子を顕微鏡で観察したところ、全ての基材微粒子の表面に銅層が形成されており、キズ及び剥がれが生じているものや、凝集しているものは全く存在しなかった。また銅層が形成された基材微粒子の切断面を測定したところ、銅層の膜厚は最も厚い部分（平板Ａとの接触面から最も遠い部分）で２．１μｍであり、平板Ａと接触していた部分には銅層は全く形成されていなかった。
【００４０】
次いで、平板Ａから磁石を取り外した。この状態では残存する磁力により基材微粒子が落ちることはなかった。次いで、平板Ａ上に配列された基材微粒子上に平板Ｂを重ね、この平板Ｂの一方の面に磁石を取り付けた後、静かに平板Ａと平板Ｂとを離した。これにより、平板Ａ上に配列されていた片面に銅層が形成された基材微粒子を１８０°反転させて、平板Ｂ上に転写することができた。顕微鏡を用いて平板Ｂ上の基材微粒子を観察したところ、銅層が形成されていない部分を上にむけて基材微粒子が格子状に配列されていることが観察された。
【００４１】
次に、平板Ｂ上に配列した片面に銅層が形成された基材微粒子をスパッタ装置を用いてその表面に銅層を形成させて導電性微粒子を得た。このときのスパッタ条件は片面に銅層を形成したときと全く同様にした。
得られた導電性微粒子を顕微鏡で観察したところ、全ての基材微粒子の表面に銅層が形成されており、キズ及び剥がれが生じているものや、凝集しているものは全く存在しなかった。また、導電性微粒子の切断面を観察したところ、銅層の膜厚は２．２μｍであり、基材微粒子表面の全面に極めて均一に銅層が形成されていることがわかった。
【００４２】
【発明の効果】
本発明によれば、表面にキズや剥がれ等がなく、極めて均一な厚さの金属層を有する導電性微粒子の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の導電性微粒子の製造方法の一実施態様を示す模式図である。
【符号の説明】
１  基材微粒子
２  第１の平面
３  第２の平面
【図１】
2004155814.tif 000002