(57)【要約】【課題】輝度が高く、濃度消光を起こしにくく、比較的長波長に発光ピークを示す有機電界発光素子を提供する。【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物、およびこれを用いた有機電界発光素子。2004155665.tif 000021〔式中、Ａは置換基を有していてもよい６員環の単環または縮合環からなる、芳香族炭化水素残基または芳香族複素環残基を表す。Ｙは酸素原子またはＣＲ１Ｒ２を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、５〜６員環の単環または縮合環からなる芳香族炭化水素基または芳香族複素環基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アミノ基、アシル基、アシルアミノ基、カルバモイル基、ヒドロキシ基、シアノ基またはアラルキル基を表わし、これらはいずれも更に置換基を有していてもよい。Ｘは水素原子または任意の置換基を表す。Ｚ１およびＺ２は各々独立に、置換基を有していても良い５〜６員環の単環または縮合環からなる芳香族複素環基を表す。Ｂは電子供与性基を表す。〕【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される化合物。
【化１】
2004155665.tif 000020
〔式中、Ａは置換基を有していてもよい６員環の単環または縮合環からなる、芳香族炭化水素残基または芳香族複素環残基を表す。
Ｙは酸素原子またはＣＲ１Ｒ２を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、５〜６員環の単環または縮合環からなる芳香族炭化水素基または芳香族複素環基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アミノ基、アシル基、アシルアミノ基、カルバモイル基、ヒドロキシ基、シアノ基またはアラルキル基を表わし、これらはいずれも更に置換基を有していてもよい。
Ｘは水素原子または任意の置換基を表す。
Ｚ１およびＺ２は各々独立に、置換基を有していても良い５〜６員環の単環または縮合環からなる芳香族複素環基を表す。
Ｂは電子供与性基を表す。〕
【請求項２】
一般式（１）におけるＢが、置換基を有していても良いアミノ基、置換基を有していても良いアルコキシ基、および置換基を有していても良いアリールオキシ基から選ばれた少なくとも１つの基を有する基である、請求項１記載の化合物。
【請求項３】
一般式（１）におけるＢが、
置換基を有していても良いアミノ基、置換基を有していても良いアルコキシ基、および置換基を有していても良いアリールオキシ基から選ばれた、少なくとも１つの基を有する、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基である、請求項２記載の化合物。
【請求項４】
一般式（１）におけるＢが、置換基を有していても良いアミノ基を有する、６員環の単環または縮合環からなる芳香族炭化水素基であり、該アミノ基が−ＮＲ４Ｒ５で表される、請求項３記載の化合物。
〔Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立に水素原子、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、置換基を有していても良い芳香族複素環基、または置換基を有していても良いアラルキル基を表す。
Ｒ４およびＲ５は互いに結合して環を形成していても良く、また各々独立に、−ＮＲ４Ｒ５が結合している芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合し、該環に縮合する環を形成していてもよい。〕
【請求項５】
一般式（１）におけるＢが、置換基を有していても良いアルコキシ基および／または置換基を有していても良いアリールオキシ基を有する、６員環の単環または縮合環からなる芳香族炭化水素基である請求項１乃至４のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項６】
一般式（１）におけるＺ１およびＺ２が、各々独立に、置換基を有していても良い、チオフェン環、フラン環、チアゾール環またはピロール環である請求項１乃至５のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項７】
前記一般式（１）で表される化合物からなる発光色素。
【請求項８】
前記一般式（１）で表される化合物からなる、有機電界発光素子材料。
【請求項９】
基板上に、陽極、有機層および陰極が順次積層されてなる有機電界発光素子において、前記一般式（１）で表される化合物を含有する有機電界発光素子。
【請求項１０】
有機層の一つとして、電子輸送材料および／または正孔輸送材料をホスト材料とし、該ホスト材料に対して前記一般式（１）で表される化合物がドープされている層を有する、請求項９記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は特定の構造を有する化合物を用いた、特に黄〜赤色に発光する素子に適した新規化合物、発光色素、有機電界発光素子材料、および該化合物を使用した有機電界発光素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、蛍光色素は、樹脂、染料、インクなどの種々の材料の着色に利用されているが、近年その蛍光効率を利用して、薄膜発光素子等の電子機器分野への用途が開発されている。蛍光性色素については種々の構造および発光色の色素が知られているが、高効率で発光し、堅牢性の優れた化合物は少ない。
【０００３】
従来、有機電界発光素子の発光色素としてクロモン系化合物を用いることにより、輝度の向上を図る試みがなされてきた。例えば、特許文献１には、下記一般式（２）
【０００４】
【化２】
2004155665.tif 000002
【０００５】
で表される化合物を用いた有機電界発光素子が記載されている。該公報記載の発明においては、クロモン骨格とこれに結合するベンゼン環を、芳香族ではない環構造で繋いで平面に近い分子構造を形成することにより、輝度の向上を図っている。しかし、平面性の高い化合物は、濃度消光を起こしやすいという問題点がある。
【０００６】
また、特許文献２には、例えばクロモン骨格を有する下記化合物
【０００７】
【化３】
2004155665.tif 000003
【０００８】
を用いた有機電界発光素子が記載されている。しかし、上記化合物はいずれも、クロモン環に結合している置換基の電子供与性が弱く、十分な発光強度が得られない。
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−１６７８８３号公報
【００１０】
【特許文献２】特開平７−１３３４８２号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は駆動電圧が低く、発光効率、堅牢性などの特性が優れ、充分な発光強度を有し、さらには濃度消光しにくい、特定の蛍光性色素を用いた有機電界発光素子の提供を目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、鋭意検討を重ね、特定構造の化合物に電子供与性基を導入すること、さらに連結基部分として芳香族複素環からなる官能基を複数個導入して共役系を広げることにより、色純度や発光効率等の点で優れた性能を有する蛍光性色素が得られることを見出した。また、該系化合物を用いることで、特に黄〜赤色の波長範囲において高発光効率で高堅牢性を有する有機電界発光素子が得られることを見いだし、本発明を達成した。
【００１３】
即ち、本発明の概要は以下の通りである。
〔１〕下記一般式（１）で表される化合物。
【００１４】
【化４】
2004155665.tif 000004
【００１５】
〔式中、Ａは置換基を有していてもよい６員環の単環または縮合環からなる、芳香族炭化水素残基または芳香族複素環残基を表す。
Ｙは酸素原子またはＣＲ１Ｒ２を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、５〜６員環の単環または縮合環からなる芳香族炭化水素基または芳香族複素環基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アミノ基、アシル基、アシルアミノ基、カルバモイル基、ヒドロキシ基、シアノ基またはアラルキル基を表わし、これらはいずれも更に置換基を有していてもよい。
【００１６】
Ｘは水素原子または任意の置換基を表す。
Ｚ１およびＺ２は各々独立に、置換基を有していても良い５〜６員環の、単環または縮合環からなる芳香族複素環基を表す。Ｂは電子供与性基を表す。〕
〔２〕  一般式（１）におけるＢが、置換基を有していても良いアミノ基、置換基を有していても良いアルコキシ基、および置換基を有していても良いアリールオキシ基から選ばれた、少なくとも１つの基を有する基である、〔１〕記載の化合物。
【００１７】
〔３〕  一般式（１）におけるＢが、置換基を有していても良いアミノ基、置換基を有していても良いアルコキシ基、および置換基を有していても良いアリールオキシ基から選ばれた、少なくとも１つの基を有する芳香族炭化水素基または芳香族複素環基である、〔２〕記載の化合物。
〔４〕  一般式（１）におけるＢが、置換基を有していても良いアミノ基を有する、６員環の単環または縮合環からなる芳香族炭化水素基であり、該アミノ基が−ＮＲ４Ｒ５で表される、〔３〕記載の化合物。
【００１８】
〔Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立に水素原子、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、置換基を有していても良い芳香族複素環基、または置換基を有していても良いアラルキル基を表す。
Ｒ４およびＲ５は互いに結合して環を形成していても良く、また各々独立に、−ＮＲ４Ｒ５が結合している芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合し、該環に縮合する環を形成していてもよい。〕
〔５〕  一般式（１）におけるＢが、置換基を有していても良いアルコキシ基および／または置換基を有していても良いアリールオキシ基を有する、６員環の単環または縮合環からなる芳香族炭化水素基である〔１〕〜〔４〕いずれかに記載の化合物。
【００１９】
〔６〕  一般式（１）におけるＺ１およびＺ２が、置換基を有していても良い、チオフェン環、フラン環、チアゾール環またはピロール環である〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載の化合物。
〔７〕  前記一般式（１）で表される化合物からなる発光色素。
〔８〕  前記一般式（１）で表される化合物からなる、有機電界発光素子材料。
【００２０】
〔９〕  基板上に、陽極、有機層および陰極が順次積層されてなる有機電界発光素子において、該有機層に、前記一般式（１）で表される化合物を含有する有機電界発光素子。
〔１０〕  有機層の一つとして、電子輸送材料および／または正孔輸送材料をホスト材料とし、該ホスト材料に対して前記一般式（１）で表される化合物がドープされている層を有する、〔９〕記載の有機電界発光素子。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
まず本発明における化合物について説明する。本発明に係る化合物は前記一般式（１）で示される構造を有するものである。
一般式（１）において、Ａで表される６員環の、単環または縮合環からなる、芳香族炭化水素残基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ナフタセン環、等を形成するものが挙げられる。また芳香族複素環残基としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環等が挙げられる。
【００２２】
以下に、Ａの具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
【００２３】
【化５】
2004155665.tif 000005
【００２４】
（なお、上記構造中では記載を省略したが、Ａ部分には、後述するように各種置換基を有していてもよい。）
中でも、Ａとして好ましくは芳香族炭化水素残基であり、より好ましくはベンゼン環またはナフタレン環を形成するものである。さらに好ましくはベンゼン環を形成するものである。
【００２５】
Ａで表される、６員環の単環または縮合環からなる、芳香族炭化水素残基または芳香族複素環残基に有することの出来る置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、シリル基、ヒドロキシ基、シアノ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、カルバモイル基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、アラルキル基またはハロゲン原子等が挙げられ、これらはいずれも更に置換基を有していてもよい。
【００２６】
アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−エチルヘキシル基等の炭素数１〜８程度の直鎖もしくは分岐のアルキル基が挙げられる。これらのアルキル基は置換されていても良く、置換アルキル基の総炭素数は通常１〜１５程度、好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは炭素数１〜４である。
【００２７】
アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜８の直鎖もしくは分岐のアルコキシ基が挙げられる。これらのアルコキシ基は置換されていても良く、置換アルコキシ基の総炭素数は通常１〜１５程度、好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは、炭素数１〜４である。
【００２８】
アリールオキシ基としては、例えばフェノキシ基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基等の炭素数６〜２０のアリールオキシ基が挙げられる。これらのアリールオキシ基は置換されていても良く、置換アルコキシ基の総炭素数は通常６〜３０程度、好ましくは６〜１５であり、さらに好ましくは、炭素数６〜１２である。
アルキルチオ基としては、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基等の炭素数１〜８の直鎖もしくは分岐のアルキルチオ基が挙げられる。これらのアルキルチオ基は置換されていても良く、置換アルキルチオ基の総炭素数は通常１〜１５程度、好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは、炭素数１〜４である。
【００２９】
アリールチオ基としては、例えばフェニルチオ基、ナフチルチオ基等の炭素数６〜２０のアリールチオ基が挙げられる。これらのアリールチオ基は置換されていても良く、置換アリールチオ基の総炭素数は通常６〜３０程度、好ましくは６〜１５であり、さらに好ましくは、炭素数６〜１２である。
芳香族炭化水素基としては、例えばフェニル基（ｐｈｅｎｙｌ）、ナフチル基（ｎａｐｈｔｈｙｌ）、アンスリル基（ａｎｔｈｒｙｌ）、ビフェニル基（ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ビナフチル基（ｂｉｎａｐｈｔｈｙｌ）、フェナンスリル基（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｙｌ）、ピレニル基（ｐｙｒｅｎｙｌ）、フルオレニル基（ｆｌｕｏｒｅｎｙｌ）などの炭素数６〜２０程度、好ましくは炭素数６〜１５の芳香族炭化水素基が挙げられる。これらの芳香族炭化水素基は置換されていてもよく、置換芳香族炭化水素基の総炭素数は通常６〜３０程度、好ましくは６〜２０であり、さらに好ましくは炭素数６〜１２である。
【００３０】
芳香族複素環基としては、例えばチエニル基（ｔｈｉｅｎｙｌ）、フリル基（ｆｕｒｙｌ）、ピリジル基（ｐｙｒｉｄｙｌ）、カルバゾリル基（ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）、キノキサリニル基（ｑｕｉｎｏｘａｌｉｎｙｌ）、イミダゾリル基（ｉｍｉｄａｚｏｌｙｌ）、ピラジニル基（ｐｙｒａｚｉｎｙｌ）などの炭素数４〜２０程度、好ましくは炭素数４〜１５の芳香族複素環基が挙げられる。これらの芳香族複素環基は置換されていてもよく、置換芳香族複素環基の総炭素数は通常４〜３０程度、好ましくは４〜２０であり、さらに好ましくは炭素数４〜１０である。
【００３１】
アルコキシカルボニル基は−ＣＯ２Ｒ１１で表される。ここでＲ１１基は置換基を有していてもよいアルキル基であり、該アルキル基として、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−エチルヘキシル基等の炭素数１〜８程度の直鎖もしくは分岐のアルキル基が挙げられる。置換アルキル基部分の総炭素数は通常１〜１５程度、好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは炭素数１〜４である。
【００３２】
アリールオキシカルボニル基は−ＣＯ２Ｒ１２で表される。ここでＲ１２基は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であり、該芳香族炭化水素基として、例えばフェニル基、トリル基、ビフェニル基等の炭素数６〜２０程度の、単環もしくは縮合環の芳香族炭化水素基が挙げられる。置換芳香族炭化水素基の総炭素数は通常６〜３０程度、好ましくは６〜２０であり、さらに好ましくは炭素数６〜１２である。
【００３３】
シリル基は−ＳｉＲ１３Ｒ１４Ｒ１５で表され、Ｒ１３基、Ｒ１４基およびＲ１５基として、それぞれ例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−エチルヘキシル基等の炭素数１〜８程度の直鎖もしくは分岐のアルキル基が挙げられる。これらＲ１３基、Ｒ１４基およびＲ１５基は置換されていても良く、置換アルキル基部分の総炭素数は、各々通常１〜１５程度、好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは炭素数１〜４である。
【００３４】
アシル基としては、例えばアセチル基（ａｃｅｔｙｌ）、ピバロイル基（ｐｉｖａｌｏｙｌ）、プロピオニル基（ｐｒｏｐｉｏｎｙｌ）、ベンゾイル基（ｂｅｎｚｏｙｌ）、ナフトイル基（ｎａｐｈｔｏｙｌ）など炭素数１〜２０程度の直鎖もしくは分岐のアルキル基部分、あるいは、単環または縮合環からなる芳香族炭化水素基部分を有するものが挙げられる。
これらのアルキル基部分および芳香族炭化水素基部分は置換されていても良く、置換アルキル基部分の総炭素数は通常１〜１５程度、好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは炭素数１〜４である。置換芳香族炭化水素基部分の総炭素数は通常６〜３０程度、好ましくは６〜２０であり、さらに好ましくは炭素数６〜１５である。
【００３５】
アシルオキシ基としては、例えばアセトキシ基（ａｃｔｏｘｙ）、ベンゾイルオキシ基（ｂｅｎｚｙｌｏｘｙ）等の炭素数２〜２０のアシルオキシ基が挙げられる。これらのアシルオキシ基は置換されていても良く、置換アシルオキシ基の総炭素数は通常２〜３０程度、好ましくは２〜１５であり、さらに好ましくは、炭素数２〜１２である。
【００３６】
アシルアミノ基としては、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等の炭素数２〜２０のアシルアミノ基が挙げられる。これらのアシルアミノ基は置換されていても良く、置換アシルアミノ基の総炭素数は通常２〜３０程度、好ましくは２〜１５であり、さらに好ましくは、炭素数２〜１２である。
カルバモイル基としては、例えばメチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基等の炭素数２〜２０のカルバモイル基が挙げられる。これらのカルバモイル基は置換されていても良く、置換カルバモイル基の総炭素数は通常２〜３０程度、好ましくは２〜１５であり、さらに好ましくは、炭素数２〜１２である。
【００３７】
アルコキシカルボニルアミノ基としては、アミノ基の少なくとも一方の水素原子が、アルコキシカルボニル基として前記した基であるようなアミノ基が挙げられる。アルコキシカルボニル基部分は、炭素数１〜８程度の直鎖もしくは分岐のアルキル基部分を有しており、該アルキル基部分はさらに置換されていてもよい。置換アルキル基部分の総炭素数は通常１〜１５程度、好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは炭素数１〜４である。
【００３８】
アリールオキシカルボニルアミノ基としては、アミノ基の少なくとも一方の水素原子が、アリールオキシカルボニル基として前記した基であるようなアミノ基が挙げられる。アリールオキシカルボニル基部分は、炭素数６〜２０程度の、単環もしくは縮合環の芳香族炭化水素基部分を有しており、該芳香族炭化水素基部分はさらに置換されていてもよい。置換芳香族炭化水素基部分の総炭素数は通常６〜３０程度、好ましくは６〜２０であり、さらに好ましくは炭素数６〜１２である。
【００３９】
アラルキル基としては、例えばベンジル基（ｂｅｎｚｙｌ）、フェネチル基（ｐｈｅｎｅｔｈｙｌ）、ジフェニルメチル基（ｄｉｐｈｅｎｙｌｍｅｔｈｙｌ）などの炭素数７〜２０のアラルキル基が挙げられ、好ましくは７〜１２のアラルキル基である。
これらのアラルキル基は置換されていても良く、置換アラルキル基の総炭素数は通常７〜３０程度、好ましくは７〜１５である。
【００４０】
また、ハロゲン原子としては、具体的には塩素原子、臭素原子、フッ素原子およびヨウ素原子が挙げられる。
前述のように、これらアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アルコキシカルボニル基におけるＲ１１、アリールオキシカルボニル基におけるＲ１２、シリル基におけるＲ１３、Ｒ１４およびＲ１５、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、カルバモイル基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基およびアラルキル基は、いずれもさらに置換されていてもよい。
【００４１】
該置換基としては、例えばアルキル基、アラルキル基、ヒドロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリル基、アシル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、カルバモイル基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、ハロゲン原子等が挙げられ、各基の具体例としては、Ａが有しうる基として前述した基等が挙げられる。
【００４２】
一般式（１）におけるＡが有しうる基として、好ましくは水素原子、シアノ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基が挙げられ、中でもＲ１１の炭素数１〜４のアルコキシカルボニル基、Ｒ１２の炭素数６〜２０のアリールオキシカルボニル基、水素原子、シアノ基がより好ましい。
Ｘは水素原子または任意の置換基であり、本発明の化合物の性能を損なわない限り任意の置換基であってよい。
【００４３】
中でも水素原子、アルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、シリル基、アラルキル基、ヒドロキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、カルバモイル基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基またはハロゲン原子等が好ましい。
【００４４】
各基の具体例としては、Ａが有しうる置換基として上述した基等が挙げられる。また、これらは更に置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えばＡが有しうる基を置換しうる基がいずれも挙げられる。
Ｙは酸素原子またはＣＲ１Ｒ２を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、５〜６員環の単環または縮合環からなる芳香族炭化水素基または芳香族複素環基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アミノ基、アシル基、アシルアミノ、カルバモイル基、ヒドロキシ基、シアノ基またはアラルキル基を表わす。これらはいずれも置換基を有していてもよい。
【００４５】
Ｒ１およびＲ２がアルキル基の場合、それぞれ例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−エチルヘキシル基等の炭素数１〜８程度の直鎖もしくは分岐のアルキル基が挙げられる。これらのアルキル基は置換されていても良く、置換アルキル基の総炭素数は通常１〜１５程度、好ましくは１〜１０である。
【００４６】
Ｒ１およびＲ２が６員環の単環または縮合環からなる、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基の場合は、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、フラザン環、イソチアゾール環、チアゾール環、ピラン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、テトラジン環、オキサジン環、チアジン環、チオナフテン環、ベンゾフラン環、、イソベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、インドール環、イソインドール環、インドリジン環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、プリン環、ベンゾピラン環、キノリン環、イソキノリン環、キノリジン環、シンノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、プテリジン環、等が挙げられる。これらは置換基を有していても良く、置換芳香族炭化水素基の総炭素数は通常６〜３０程度、好ましくは６〜２０程度、さらに好ましくは６〜１２である。また置換芳香族複素環基の総炭素数は通常５〜３０程度、好ましくは５〜２０  程度、さらに好ましくは５〜１０である。
【００４７】
アルコキシカルボニル基は−ＣＯ２Ｒ１６で表される。ここでＲ１６基は置換基を有していてもよいアルキル基であり、該アルキル基としては、Ｒ１およびＲ２がアルキル基である場合と同様の、炭素数１〜８程度の直鎖もしくは分岐のアルキル基が挙げられる。置換アルキル基部分の総炭素数は通常１〜１５程度、好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは炭素数１〜４である。
【００４８】
アリールオキシカルボニル基は−ＣＯ２Ｒ１７で表される。ここでＲ１７基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であり、該芳香族炭化水素基および芳香族複素環基としては、Ｒ１およびＲ２が芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であるばあいと同様の基が挙げられる。置換芳香族炭化水素基の総炭素数は通常６〜３０程度、好ましくは６〜２０程度、さらに好ましくは６〜１２である。また置換芳香族複素環基の総炭素数は通常５〜３０程度、好ましくは５〜２０  程度、さらに好ましくは５〜１０である。
【００４９】
アミノ基としては、無置換のアミノ基か、アミノ基の少なくとも一方の水素原子が、アルキル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基で置換された置換アミノ基が挙げられる。このアルキル基、芳香族炭化水素基および芳香族複素環基の部分としては、Ｒ１およびＲ２として前述した基と同様の基が挙げられ、炭素数も同様である。
【００５０】
アシル基、カルバモイル基、アシルアミノ基、およびアラルキル基は、いずれもＡが有しうる置換基として前述したものと同じ基が挙げられ、炭素数も同様である。
Ｒ１およびＲ２であるアルキル基、５〜６員環の単環または縮合環からなる芳香族炭化水素基または芳香族複素環基、アルコキシカルボニル基におけるＲ１６、アリールオキシカルボニル基におけるＲ１７、アミノ基におけるアルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アシル基、アシルアミノ基、カルバモイル基、アリールオキシカルボニル基およびアラルキル基は、いずれも更に置換されていてもよい。
【００５１】
該置換基としては、ヒドロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シアノ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、カルバモイル基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、アルキル基、アラルキル基、カルボキシル基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。これらの具体例としては、Ａが有しうる置換基を置換しうる基として挙げたものが、いずれも挙げられる。
【００５２】
一般式（１）のＹにおいて、Ｒ１としては水素原子が好ましく、Ｒ２としてはシアノ基、アルコキシカルボニル基（中でも炭素数が１〜６程度のもの）が好ましい。
Ｙとしては、酸素原子が特に好ましい。
Ｚ１およびＺ２で表される、置換基を有していても良い、５員環〜６員環の、単環または縮合環からなる芳香族複素環基としては、例えば、フラン環、チオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、フラザン環、イソチアゾール環、チアゾール環、ピラン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、テトラジン環、オキサジン環、チアジン環、チオナフテン環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、インドール環、イソインドール環、インドリジン環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、プリン環、ベンゾピラン環、キノリン環、イソキノリン環、キノリジン環、シンノリン環、キナゾリン環、キノキサリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、プテリジン環等が挙げられ、これらはいずれも置換基を有していてもよい。
【００５３】
これらのうち、Ｚ１（およびＺ２）としては、員数５の芳香族複素環、またはこれを含む縮合環であり、該５員環にクロモン骨格およびＺ１基（Ｚ２基の場合にはＺ１基およびＢ基）が結合している構造が好ましい。Ｚ１およびＺ２のいずれに関しても、置換基を有していてもよいチオフェン環、置換基を有していてもよいフラン環、置換基を有していてもよいチアゾール環、または置換基を有していてもよいピロール環が特に好ましい。
【００５４】
またＺ１およびＺ２は、互いに結合して環を形成していることが好ましい。互いに結合することにより、Ｚ１−Ｚ２が固定され、Ｚ１−Ｚ２間の分子振動が抑制されるため、例えば発光スペクトルピークの半値幅が狭くなり、色純度の高い発光が得られる。特に、色純度の高い赤色発光色素を得るには好ましい。
上記芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有しうる置換基としては、例えば、アルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アシル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シアノ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、カルバモイル基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
【００５５】
これらは、更に置換されていてもよく、該置換基としては、前述のＡが有することの出来る置換基として記述したものと同様の官能基が挙げられる。
Ｂは電子供与性基であり、好ましくは、置換基を有していても良いアミノ基、置換基を有していても良いアルコキシ基または置換基を有していてもよいアリールオキシ基を有する基である。
【００５６】
Ｂが有する「置換基を有していても良いアミノ基」として、具体的には例えば、−ＮＲ４Ｒ５で表されるアミノ基が挙げられる。Ｒ４およびＲ５はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良い芳香族炭化水素基、置換基を有していても良い芳香族複素環基、または置換基を有していても良いアラルキル基を表す。
【００５７】
Ｒ４およびＲ５は互いに結合して環を形成していても良く、また各々独立に、−ＮＲ４Ｒ５が結合している芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合し、該環に縮合する環を形成していてもよい。
Ｒ４またはＲ５が置換基を有していてもよいアルキル基の場合、これらの具体例としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−エチルヘキシル基等の炭素数１〜８程度の直鎖もしくは分岐のアルキル基が挙げられる。これらのアルキル基は置換されていても良く、置換アルキル基の総炭素数は通常１〜１５程度、好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは炭素数１〜４である。
【００５８】
置換基を有していても良い芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基（ｐｈｅｎｙｌ）、ナフチル基（ｎａｐｈｔｈｙｌ）、アンスリル基（ａｎｔｈｒｙｌ）、フェナンスリル基（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｙｌ）、ピレニル基（ｐｙｒｅｎｙｌ）、フルオレニル基（ｆｌｕｏｒｅｎｙｌ）、などの炭素数６〜２０程度の芳香族炭化水素基が挙げられ、好ましくは炭素数６〜１５の芳香族炭化水素基である。
【００５９】
これらの芳香族炭化水素基は置換されていても良く、置換芳香族炭化水素基の総炭素数は６〜３０、好ましくは６〜１５である。
置換基を有していても良い芳香族複素環としては、例えば、チエニル基（ｔｈｉｅｎｙｌ）、フリル基（ｆｕｒｙｌ）、ピリジル基（ｐｙｒｉｄｙｌ）、カルバゾリル基（ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）、キノキサリニル基（ｑｕｉｎｏｘａｌｉｎｙｌ）、イミダゾリル基（ｉｍｉｄａｚｏｌｙｌ）、ピラジニル基（ｐｙｒａｚｉｎｙｌ）などの炭素数４〜２０程度の複素環が挙げられ、好ましくは炭素数４〜１２の複素環である。
【００６０】
これらの芳香族複素環は置換されていても良く、置換複素環基の総炭素数は４〜３０、好ましくは４〜１２である。
前記置換基を有していても良いアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ジフェニルメチル基などの炭素数７〜３０程度のアラルキル基が挙げられ、好ましくは７〜１５のアラルキル基である。
【００６１】
これらのアラルキル基は置換されていても良く、置換アラルキル基の総炭素数は８〜３１、好ましくは８〜１６である。
これらアルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基およびアラルキル基が有しうる置換基としては、Ａが有しうる置換基として前述した基などが挙げられ、これらの具体例および炭素数等も前述の通りである。
【００６２】
Ｂが、置換基を有していても良いアルコキシ基を含む場合、該アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜８のアルコキシ基が挙げられる。
これらのアルコキシ基は置換されていても良く、置換基としては、Ａが有しうる基を置換しうる基がいずれも挙げられる。置換アルコキシ基の総炭素数は１〜１５、好ましくは１〜１０であり、さらに好ましくは、炭素数１〜４である。
【００６３】
Ｂが、置換基を有していても良いアリールオキシ基を含む場合、該アリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、ナフトキシ基等の炭素数６〜３０のアリールオキシ基が挙げられる。
これらのアリールオキシ基は置換されていても良く、置換基としては、Ａが有しうる基を置換しうる基がいずれも挙げられる。置換アリールオキシ基の総炭素数は６〜３０、好ましくは６〜２０であり、さらに好ましくは、炭素数６〜１５である。
【００６４】
一般式（１）におけるＢ基は、これら置換基を有していても良いアミノ基、置換基を有していても良いアルコキシ基、および置換基を有していてもよいアリールオキシ基そのものであってもよく（すなわちＺ２基に直接結合していても良く）、また後述するように、置換基を有していても良い芳香族炭化水素基または芳香族複素環基（以下、併せて「芳香族基」と称することがある）に、前記アミノ基、アルコキシ基またはアリールオキシ基が結合したものであってもよい（すなわち、置換基を有していても良い芳香族炭化水素基または芳香族複素環を介して、Ｚ２基に結合されていてもよい）。
【００６５】
置換基を有していても良い芳香族炭化水素基の中でも、６員環の単環または縮合環からなる芳香族炭化水素基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ピレニル基、フルオレニル基などの炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、より好ましくは炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基が挙げられ、特に好ましくはベンゼン環である。
【００６６】
置換基を有していても良い芳香族複素環基としては、６員環の単環または縮合環からなる芳香族複素環基が好ましく、例えば、ピリジル基、ピラジル基、ピリミジル基などの、構成原子数６〜３０の芳香族複素環基が挙げられる。
これら芳香族基のうち、芳香族炭化水素基が好ましい。
【００６７】
前記アミノ基、アルコキシ基およびアリールオキシ基は、該芳香族基に２個以上有していてもよく、複数個有する場合には、同じ基であっても異なる基であってもよい。
該芳香族環が６員環の単環または縮合環である場合、前記アミノ基、アルコキシ基およびアリールオキシ基から選択された基、並びにＺ２基が、同一の６員環に結合しているものが好ましい。さらに、以下に示すように、前記アミノ基、アルコキシ基およびアリールオキシ基から選択された基が、Ｚ２に対してｍ−位および／またはｐ−位に結合していることが好ましい。
【００６８】
【化６】
2004155665.tif 000006
【００６９】
（上記構造式中、２つのＲ基のうち少なくとも１つが、置換基を有していても良いアミノ基、置換基を有していても良いアルコキシ基、および置換基を有していても良いアリールオキシ基から選ばれた基を表す。また、芳香族６員環は便宜上、ベンゼン環で代表させた。）
【００７０】
特に、Ｂが前記アミノ基を含む場合には、Ｚ２に対してｐ−位に結合している場合が好ましい。
なお、該芳香族基は、前記アミノ基、アルコキシ基およびアリールオキシ基以外に、本発明の化合物の特性を損なわない限り、任意の置換基を有していてもよい。
【００７１】
該置換基としては、Ｚ１およびＺ２の置換基として前述したものと同様の基が挙げられる。
前述したように、Ｂが−ＮＲ４Ｒ５で表されるアミノ基を有する場合、Ｒ４およびＲ５は互いに結合して環を形成していても良い。また、Ｂが−ＮＲ４Ｒ５基で置換された芳香族基の場合、該芳香族基の構成原子とＲ４および／またはＲ５が結合し、該芳香族基に縮合する環を形成してもよい。
【００７２】
このように形成される環としては、例えば下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００７３】
【化７】
2004155665.tif 000007
【００７４】
（上記構造式には殆ど置換基を記していないが、置換可能な部位はそれぞれ置換基を有していてもよく、該置換基としては、Ｚ１およびＺ２の置換基として前述したものと同様の基が挙げられる。さらにこれら置換基は、互いに結合して環を形成してもよい。）
本発明化合物の代表例を図−１に示すが、本発明化合物はこれらに限定されるものではない。
【００７５】
【表１】
2004155665.tif 000008
【００７６】
【表２】
2004155665.tif 000009
【００７７】
一般式（Ｉ）で表される化合物は、後述するように、例えば有機電界発光素子における有機層形成時には真空蒸着法を使用することが多い点を考慮すると、それほど高分子量でない方が好ましい。具体的には、総分子量は３０００以下程度が好ましく、さらに好ましくは３００〜１５００程度である。
本発明における一般式（１）で表わされる化合物は、公知の方法により製造することができる。
【００７８】
例えば、ジメチルスルホキシドとサリチル酸エステルを反応させてメチルスルフィニルアセトフェノン体を得て、次いで４−ジエチルアミノベンズアルデヒドやジュロリジンやホルミル体等と反応させる方法、あるいは得られたメチルスルフィニルアセトフェノン体にアセトアルデヒドを反応させて２−メチルクロモンを得て、これと４−ジエチルアミノベンズアルデヒドや４−ジエチルアミノベンズアルデヒド等を反応させる方法など種々の方法が採用される。
【００７９】
本発明に係る前記一般式（１）で表される化合物は、高効率で発光し、堅牢性の優れるため、発光色素として樹脂、染料、インクなどの種々の材料の着色、および有機電界発光素子等の電子機器分野に好適に使用される。
また前記一般式（１）で表される化合物を用いることにより、高発光効率で高堅牢性を有する有機電界発光素子が得られるため、有機電界発光素子材料として好適である。
【００８０】
次に、一般式（１）で示される化合物を用いた、本発明の有機電界発光素子について説明する。
本発明の有機電界発光素子は対向する陽極と陰極の間に有機層を有し、該有機層が一般式（１）の化合物を含有することを特徴とする。
かかる有機層としては特に限定はされないが、後述するごとく、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等が挙げられる。尚、本発明における「有機層」とは、陽極と陰極の間に位置する、実質的に有機物からなる層を意味し、これらの層は本発明の性能を損なわない範囲で無機物を含んでも良い。
【００８１】
前記一般式（１）で表される化合物は、有機電界発光素子における有機層のうち、いずれの層に含有されていても良い。
例えば、前記一般式（Ｉ）において、Ｂが−ＮＲ４Ｒ５で置換された芳香族基であり、該Ｒ４とＲ５が結合し、全体としてカルバゾリル基を形成している場合、カルバゾリル基に含まれる平面性を帯びた窒素原子の作用により、発光波長の短波長化とともに、電子輸送性の向上が期待でき、後述する発光層のホスト材料や、発光層−陰極間に設ける電子輸送性の層の材料できると考えられる。
また、Ｂがアリールオキシ基で置換された芳香族基である場合にも、発光層のホスト材料として使用することができると考えられる。このように、一般式（Ｉ）における各可変基を適宜調整することにより、有機電界発光素子の各層に適した材料とすることが可能である。
【００８２】
これらのうち、上述した一般式（１）で表される化合物の有用性から、有機層の中でも発光層に含まれている場合が好ましく、特に、後述するように発光層のドーパントとして用いる場合がより好ましい。
本発明における有機電界発光素子の層構成としては、例えば以下の例が挙げられる。
基板／陽極／発光層／陰極
基板／陽極／陽極バッファー層／発光層／陰極
基板／陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
基板／陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／陰極
基板／陽極／発光層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／陽極バッファー層／発光層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／発光層／電／正孔阻止層子輸送層／陰極
基板／陽極／陽極バッファー層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
基板／陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
これら有機電界発光素子構造中の各有機層は、単層であっても、または２層以上の積層構造であっても良い。
【００８３】
以下、該化合物を発光層に含む場合を例に、本発明の有機電界発光素子について、図面を参照して説明する。
図２は、本発明の有機電界発光素子の、基本的な実施形態の一つを示す模式的な断面図であり、１は基板、２は陽極、４は正孔輸送層、５は発光層、６は電子輸送層、７は陰極を各々表す。
【００８４】
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリヤ性に留意する必要がある。基板のガスバリヤ性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化する虞がある。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリヤ性を確保してもよい。
【００８５】
基板１上には陽極２が設けられるが、陽極２は正孔輸送層４への正孔注入の役割を果たすものである。この陽極は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび／またはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、あるいは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などの場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散し、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，  ６０巻，２７１１頁，１９９２年）。
【００８６】
陽極２は異なる２種類以上の物質からなる層を積層して、形成することも可能である。
陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが望ましく、この場合、厚みの下限は通常５ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ程度であり、上限は通常１０００ｎｍ、好ましくは５００ｎｍ程度である。不透明でよい場合は陽極２の厚みは基板１と同程度でもよい。また、さらには上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
【００８７】
図２に示す素子において、陽極２の上には正孔輸送層４が設けられる。
正孔輸送層４に用いられる正孔輸送材料に要求される条件としては、陽極からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが必要である。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求される。また、発光層の発光を消光するような物質を含まないことが必要とされる。上記の一般的要求以外に、車載表示用の応用を考えた場合、素子にはさらに耐熱性が要求される。従って、Ｔｇとして７０℃以上の値を有する材料が望ましい。
【００８８】
このような正孔輸送材料としては、例えば、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで代表される２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４’，４”−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Ｊ．  Ｌｕｍｉｎ．，  ７２−７４巻、９８５頁、１９９７年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Ｃｈｅｍ．  Ｃｏｍｍｕｎ．，  ２１７５頁、１９９６年）、トリフェニルベンゼンの誘導体でスターバースト構造を有する芳香族トリアミン（米国特許第４，９２３，７７４号）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）ビフェニル−４，４’−ジアミン等、ピレニル基に芳香族ジアミノ基が複数個置換した化合物、スチリル構造を有する芳香族ジアミン（特開平４−２９０８５１号公報）、チオフェン基で芳香族３級アミンユニットを連結したもの（特開平４−３０４４６６号公報）、スターバースト型芳香族トリアミン（特開平４−３０８６８８号公報）、フルオレン基で３級アミンを連結したもの（特開平５−２５４７３号公報）、トリアミン化合物（特開平５−２３９４５５号公報）、ビスジピリジルアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリフェニルアミン誘導体（特開平６−１９７２号公報）、フェノキサジン構造を有する芳香族ジアミン（特開平７−１３８５６２号公報）、ジアミノフェニルフェナントリジン誘導体（特開平７−２５２４７４号公報）、シラザン化合物（米国特許第４，９５０，９５０号公報）、シラナミン誘導体（特開平６−４９０７９号公報）、ホスファミン誘導体（特開平６−２５６５９号公報）、２，２’，７，７’−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Ｓｙｎｔｈ．  Ｍｅｔａｌｓ，  ９１巻、２０９頁、１９９７年）等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用いてもよいし、必要に応じて、各々、混合して用いてもよい。
【００８９】
上記の化合物以外に、正孔輸送層４の材料として、ポリビニルカルバゾールやポリシラン（Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．  ，５９巻，２７６０頁，１９９１年）、ポリフォスファゼン（特開平５−３１０９４９号公報）、ポリアミド（特開平５−３１０９４９号公報）、ポリビニルトリフェニルアミン（特開平７−５３９５３号公報）、トリフェニルアミン骨格を有する高分子（特開平４−１３３０６５号公報）、トリフェニルアミン単位をメチレン基等で連結した高分子（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ  Ｍｅｔａｌｓ，５５−５７  巻，４１６３頁，１９９３年）、芳香族アミンを含有するポリメタクリレート（Ｊ．  Ｐｏｌｙｍ．  Ｓｃｉ．，  Ｐｏｌｙｍ．  Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．  ，２１巻，９６９  頁，１９８３年）等の高分子材料が挙げられる。
【００９０】
上記の正孔輸送材料を、塗布法あるいは真空蒸着法により前記陽極２上に積層することにより正孔輸送層４を形成する。
塗布法の場合は、例えば正孔輸送材料を１種または２種以上と、必要により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤とを添加し、溶解して塗布溶液を調製し、スプレー法、印刷法、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法などの通常のコーティング法や、インクジェット法等により陽極２上に塗布し、乾燥して正孔輸送層４を薄膜形成する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、５０重量％以下が好ましい。
【００９１】
または、フィルム、基板、ロール等の媒体に、前述の薄膜形成方法によってあらかじめ薄膜を形成しておき、媒体上の薄膜を熱転写または圧力転写することにより薄膜形成することも出来る。
真空蒸着法の場合には、正孔輸送材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度にまで排気した後、るつぼを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、るつぼと向き合って置かれた、陽極が形成された基板１上に正孔輸送層４を形成させる。
【００９２】
正孔輸送層４の膜厚の下限は、通常１ｎｍ、好ましくは５ｎｍ程度であり、上限は通常３００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ程度である。この様に薄い膜を一様に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いられる。
発光層５は、前記一般式（１）で表される化合物を含有するが、実質的に該化合物のみからなる層であってもよいし、前述の正孔輸送層４または後述の電子輸送層７の材料として挙げた各種電荷輸送性材料、或いは公知の電荷輸送性材料から選択した材料をホスト材料とし、このホスト材料に対して、前記一般式（１）で表される化合物をドープすることにより形成された層であってもよい。一般的には、前記一般式（１）で表される化合物を、ホスト材料に対してドープすることにより形成される。
【００９３】
ホスト材料としては、正孔輸送層４または電子輸送層７の材料と同一の材料を使用しても良く、両層のいずれとも異なる材料を使用しても良い。また、発光層５中のホスト材料は１種類でもよいが、複数種併用しても良い。さらに、該ホスト材料は、低分子材料・高分子材料のいずれであってもよく、両者を併用してもよい。なお、高分子材料を使用する場合は、例えば正孔輸送層４材料の例として挙げたような、正孔輸送性の高分子材料と、発光層には、さらに電子輸送性化合物を含有していても良い。前記一般式（１）で表される化合物は、発光層５中に１種類のみ含まれていてもよく、複数種含まれていてもよい。
【００９４】
また、前記一般式（１）で表される化合物は２種類以上の複数を併用してもかまわないし、他の蛍光色素などを併用しても良い。この場合、前記一般式（１）で表される化合物をホスト材料として他の蛍光色素をドーパントとして使用することもできるし、前記一般式（１）で表される化合物を、特開２０００−１６４３６２号公報に記載されている様に、他のドーパントの発光を助ける励起エネルギー移動用のドーパントとして用いることもできる。併用しても良い他の蛍光色素としては、例えば、ペリレン系化合物誘導体、ピレン系化合物誘導体、アントラセン系化合物誘導体、クマリン系化合物誘導体、キナクリドン系化合物誘導体、ナフタル酸系化合物誘導体等が挙げられる。
【００９５】
前記一般式（１）で表される化合物がドープされる領域は、発光層５の、層全体であってもその一部分であってもよく、各層の膜厚方向において均一にドープされても、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。なお、前記一般式（１）で表される化合物のドープされる量は、ホスト材料に対して１０−３重量％以上が好ましく、０．１重量％以上であればなお好ましい。また２０重量％以下が好ましく、１０重量％以下であればより好ましい。
【００９６】
前記一般式（１）で表される化合物の発光層へのドープは、前述した正孔輸送層４または後述する電子輸送層６の形成方法と同様に、塗布法あるいは真空蒸着法などにて行われる該層形成時に行われる。
塗布法の場合は、例えば電子輸送材料と、前記一般式（１）で表される化合物、さらに必要により、電子のトラップや発光の消光剤とならないバインダー樹脂や、レベリング剤等の塗布性改良剤などの添加剤を添加し溶解した塗布溶液を調整し、スプレー法、印刷法、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法などの通常のコーティング法や、インクジェット法等により正孔輸送層４上に塗布し、乾燥して発光層５を薄膜形成することが出きる。また、前記一般式（１）で表される化合物と、前記正孔輸送性高分子材料と、電子輸送材料を１種または２種以上と、必要により電子のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤とを添加し、溶解して塗布溶液を調製し、同様に発光層を形成することもできる。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔／電子移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、５０重量％以下が好ましい。または、フィルム、基板、ロール等の媒体に、前述の薄膜形成方法によってあらかじめ薄膜を形成しておき、媒体上の薄膜を熱転写または圧力転写することにより薄膜形成することも出来る。
【００９７】
真空蒸着法の場合には、例えば、ホスト材料となる電子輸送材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、前記一般式（１）で表される化合物を別のるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度にまで排気した後、各々のるつぼを同時に加熱して蒸発させ、るつぼと向き合って置かれた基板上に層を形成する。また、他の方法として、上記の材料を予め所定比で混合し、同一のるつぼを用いて蒸発させてもよい。正孔輸送材料にドープする場合も同様に行う。
【００９８】
これらの層形成方法のうち、通常は真空蒸着法が用いられる。
発光層５の膜厚の下限は、通常１ｎｍ、好ましくは５ｎｍ程度であり、上限は通常３００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ程度である。
図２に示す構造の有機電界発光素子において、発光層５の上には電子輸送層６が設けられる。
【００９９】
電子輸送層６に用いられる電子輸送性材料としては、陰極７からの電子注入効率が高く、かつ、注入された電子を効率よく正孔輸送層４の方向へ輸送することができることが必要である。そのためには、電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優れトラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくい化合物であることが要求される。
【０１００】
このような条件を満たす材料としては、テトラフェニルブタジエンなどの芳香族化合物（特開昭５７−５１７８１号公報）、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体（特開平６−３２２３６２号公報）、混合配位子アルミニウムキレート錯体（特開平５−１９８３７７号公報、特開平５−１９８３７８号公報、特開平５−２１４３３２号公報、特開平６−１７２７５１号公報）、シクロペンタジエン誘導体（特開平２−２８９６７５号公報）、ペリノン誘導体（特開平２−２８９６７６号公報）、オキサジアゾール誘導体（特開平２−２１６７９１号公報）、ビススチリルベンゼン誘導体（特開平１−２４５０８７号公報、同２−２２２４８４号公報）、ペリレン誘導体（特開平２−１８９８９０号公報、特開平３−７９１号公報）、クマリン化合物（特開平２−１９１６９４号公報、特開平３−７９２号公報）、希土類錯体（特開平１−２５６５８４号公報）、ジスチリルピラジン誘導体（特開平２−２５２７９３号公報）、ｐ−フェニレン化合物（特開平３−３３１８３号公報）、チアジアゾロピリジン誘導体（特開平３−３７２９２号公報）、ピロロピリジン誘導体（特開平３−３７２９３号公報）、ナフチリジン誘導体（特開平３−２０３９８２号公報）、ビススチリルアリーレン誘導体（特開平２−２４７２７８号公報）、（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾールの金属錯体（特開平８−３１５９８３号公報）、シロール誘導体（日本化学会第７０春季年会，  ２Ｄ１  ０２および２Ｄ１  ０３，  １９９６年）等が挙げられる。
【０１０１】
電子輸送層６の膜厚は、通常下限は１ｎｍ、好ましくは５ｎｍ程度であり、上限は通常３００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ程度である。
電子輸送層も正孔輸送層と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。
陰極７は、有機層（図２に示す素子の場合、直接には電子輸送層６）に電子を注入する役割を果たす。陰極７として用いられる材料は、前記陽極２に使用される材料から選択することが可能であるが、効率よく電子注入を行うには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
【０１０２】
さらに、陰極の有機層側の界面にＬｉＦ、ＭｇＦ２、Ｌｉ２Ｏ等の極薄絶縁膜（０．１〜５ｎｍ）を設けることも、素子の発光効率向上に有効である（Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，  ７０巻，１５２頁，１９９７年；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．  Ｄｅｖｉｃｅｓ，４４巻，１２４５頁，１９９７年）。
陰極７の膜厚は通常、陽極２と同様である。低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子の安定性を増すため好ましい。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。
【０１０３】
図２の構成の素子では、正孔輸送層４は陽極２から正孔を受け取る（正孔注入）機能と、受け取った正孔を発光層５へ運ぶ（正孔輸送）機能を果たしており、電子輸送層６は、陰極７から電子を受け取る（電子注入）機能と、受け取った電子を発光層５へ運ぶ（電子輸送）機能を果たしている。
しかし本発明の素子の、さらなる発光特性や駆動安定性の向上のために、例えば陰極の陽極側の界面に接する層として、電子輸送層６と陰極７の間に電子注入層を設けたり、図３に示すように、陽極２と正孔輸送層４の間に陽極バッファー層３を設けるなど、機能毎に層を分ける構造、すなわち機能分離型の素子にすることも可能である。
【０１０４】
陰極の陽極側の界面に接する層として設けられる電子注入層に用いられる材料には、陰極からの電子注入が容易で、電子の輸送能力がさらに大きいことが要求される。この様な電子注入材料としては、既に電子輸送材料として挙げた８−ヒドロキシキノリンのアルミ錯体、オキサジアゾール誘導体（Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，  ５５巻，  １４８９頁，  １９８９年他）やそれらをポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）などの樹脂に分散した系（Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，  ６１巻，  ２７９３頁，  １９９２年）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン（Ｐｈｙｓ．  Ｓｔａｔ．  Ｓｏｌ．  （ａ），  １４２巻，  ４８９頁，  １９９４年）、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。
【０１０５】
電子注入層の膜厚の下限は、通常１ｎｍ、好ましくは５ｎｍ程度であり、上限は通常２００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ程度である。
さらに、正孔注入の効率を向上させ、かつ、有機層全体の陽極への付着力を改善させる目的で、正孔輸送層４と陽極２との間に陽極バッファー層３を挿入することも行われている（図３参照）。
【０１０６】
陽極バッファー層３を挿入することで、初期の素子の駆動電圧が下がると同時に、素子を定電流で連続駆動した時の電圧上昇も抑制される効果がある。陽極バッファー層に用いられる材料に要求される条件としては、陽極とのコンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、熱的に安定、すなわち、融点およびガラス転移温度が高いことが挙げられ、融点としては  ３００℃以上、ガラス転移温度としては  １００℃以上が好ましい。さらに、イオン化ポテンシャルが低く陽極からの正孔注入が容易なこと、正孔移動度が大きいことが挙げられる。
【０１０７】
この目的のために、これまでにポルフィリン誘導体やフタロシアニン化合物（特開昭６３−２９５６９５号公報）、ヒドラゾン化合物、アルコキシ置換の芳香族ジアミン誘導体、ｐ−（９−アントリル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリルアニリン、ポリチエニレンビニレンやポリ−ｐ−フェニレンビニレン、ポリアニリン（Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，  ６４巻、１２４５頁，１９９４年）、ポリチオフェン（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，  ９巻、１２５頁、１９９８年）、スターバスト型芳香族トリアミン（特開平４−３０８６８８号公報）等の有機化合物や、スパッタ・カーボン膜（Ｓｙｎｔｈ．  Ｍｅｔ．，  ９１巻、７３頁、１９９７年）や、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、モリブデン酸化物等の金属酸化物（Ｊ．Ｐｈｙｓ．  Ｄ，  ２９巻、２７５０頁、１９９６年）が報告されている。
【０１０８】
また、正孔注入・輸送性の低分子有機化合物と電子受容性化合物を含有する層（特開平１１−２５１０６７号公報、特開２０００−１５９２２１号公報等に記載）や、芳香族アミノ基等を含有する非共役系高分子化合物に、必要に応じて電子受容性化合物をドープしてなる層（特開平１１−１３５２６２号公報、特開平１１−２８３７５０号公報、特開２０００−３６３９０号公報、特開２０００−１５０１６８号公報、特開平２００１−２２３０８４号公報、およびＷＯ９７／３３１９３号公報など）、またはポリチオフェン等の導電性ポリマーを含む層（特開平１０−９２５８４号公報）なども挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１０９】
上記陽極バッファー層材料としては、低分子・高分子いずれの化合物を用いることも可能である。
低分子化合物のうち、よく使用されるものとしては、ポルフィン化合物またはフタロシアニン化合物が挙げられる。これらの化合物は中心金属を有していてもよいし、無金属のものでもよい。これらの化合物の好ましい例としては、以下の化合物が挙げられる：
ポルフィン
５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン
５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィンコバルト（ＩＩ）
５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン銅（ＩＩ）
５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン亜鉛（ＩＩ）
５，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィンバナジウム（ＩＶ）オキシド
５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン
２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニン
銅（ＩＩ）フタロシアニン
亜鉛（ＩＩ）フタロシアニン
チタンフタロシアニンオキシド
マグネシウムフタロシアニン
鉛フタロシアニン
銅（ＩＩ）４，４’４’’，４’’’−テトラアザ−２９Ｈ，３１Ｈ−フタロシアニン
陽極バッファー層の場合も、低分子化合物の場合は、前述の正孔輸送層と同様にして薄膜形成可能であるが、無機物の場合には、さらに、スパッタ法や電子ビーム蒸着法、プラズマＣＶＤ法が用いられる。
【０１１０】
以上の様にして、低分子化合物を用いて形成される陽極バッファー層３の膜厚の下限は、通常３ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ程度であり、上限は通常１００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ程度である。
高分子化合物を用いる場合は、例えば、前記高分子化合物や電子受容性化合物、さらに必要により、正孔のトラップとならない、バインダー樹脂やレベリング剤等の塗布性改良剤などの添加剤を添加し溶解した塗布溶液を調整し、スプレー法、印刷法、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法などの通常のコーティング法や、インクジェット法等により陽極２上に塗布し、乾燥することにより陽極バッファー層３を薄膜形成することができる。
【０１１１】
バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は該層中の含有量が多いと正孔移動度を低下させる虞があるので、少ない方が望ましく、５０重量％以下が好ましい。
また、フィルム、支持基板、ロール等の媒体に、前述の薄膜形成方法によってあらかじめ薄膜を形成しておき、媒体上の薄膜を、陽極２上に熱転写または圧力転写することにより、薄膜形成することも出来る。
【０１１２】
以上の様にして、高分子化合物を用いて形成される陽極バッファー層３の、膜厚の下限は通常５ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ程度であり、上限は通常１０００ｎｍ、好ましくは５００ｎｍ程度である。
また、前記一般式（１）で表される化合物がドープされた領域（発光層）の陰極側界面に接して正孔阻止層を設けることにより、素子の発光効率をさらに向上させることが可能である。
【０１１３】
正孔阻止層は正孔輸送層から移動してくる正孔が陰極に到達するのを阻止する役割と、電子注入層から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送することができる化合物より形成される。また、発光層で再結合によって生成するエキシトンを発光層内に閉じこめるために、発光層材料よりは広いバンドギャップを有することが必要である。この場合のバンドギャップは、電気化学的に決定される酸化電位−還元電位の差、または、光吸収端から求められる。正孔阻止層は電荷キャリアとエキシトンの両方を発光層内に閉じこめて、発光効率を向上させる機能を有する。
【０１１４】
このような条件を満たす正孔阻止層材料としては、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）が挙げられる。
【０１１５】
正孔阻止層の膜厚の下限は、通常０．１ｎｍ、好ましくは１ｎｍ程度であり、上限は通常３００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ程度である。
以上、図２に示す層構成の素子を中心に説明してきたが、本発明の有機電界発光素子は、少なくとも陽極、陰極、および両電極間に一般式（１）で表される化合物を含む発光層を有していればよく、具体的には図１に示したように、電子輸送層６を有さずに発光層５と陰極７が接していてもよい。
【０１１６】
また、本発明の有機電界発光素子の性能を損なわない限り、図３や上記説明にある層の他にも、陽極・陰極と発光層との間には、任意の層を有していてもよい。
尚、図１とは逆の構造、すなわち、基板１上に陰極７、発光層５、正孔輸送層４、陽極２の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い２枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。同様に、図２および図３に示した前記各層構成とは逆の構造に積層することも可能である。
【０１１７】
本発明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。
本発明の有機電界発光素子によれば、有機層に特定の構造を有する化合物を含むために、駆動電圧が低く、発光効率が高く、素子の安定性に優れた黄ないし赤色の有機電界発光が得られる。
【０１１８】
【実施例】
以下に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、これらに限定されるものではない。
（参考例１）
【０１１９】
【化８】
2004155665.tif 000010
【０１２０】
ジメチルスルホキシド４３ｍＬとトルエン３００ｍＬの溶液中に６０％水素化ナトリウムを１２ｇ加え、室温から昇温して、８０℃、３時間撹拌した。この反応溶液を３５℃まで冷やした後、サリチル酸メチル１８．２ｇのトルエン溶液（５０ｍＬ）を滴下した。滴下後、反応溶液を３５℃で３時間撹拌した。反応溶液を４００ｇの氷水にそそぎ、分液ロートで水層を分取し、水層を酢酸で中和した。
【０１２１】
生成する白色固体を塩化メチレンで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗った後、溶液を濃縮した。得られた固体を、トルエン−ヘキサン混合系溶媒で懸洗した後、沈殿をろ取し、目的中間体の白色固体２１ｇ得た。
（参考例２）
【０１２２】
【化９】
2004155665.tif 000011
【０１２３】
Ｎ，Ｎ′−ジエチルアニリン１０ｇを塩化メチレン１２０ｍＬに溶かし、その溶液を０℃まで冷却し、Ｎ−ブロモスクシンイミド６．５ｇをＤＭＦ３０ｍＬにとかし、塩化メチレン３０ｍＬで希釈した溶液を３０分かけて滴下した。反応溶液をさらに３０分、０℃で撹拌後、塩化メチレンで抽出した。有機層を１Ｎの塩酸水溶液で洗った後、さらに有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗った。この有機層を硫酸ナトリウムで乾燥後、溶液を濃縮した。得られた粗生成物を、シリカゲルカラムで精製し、目的物を定量的に得た。
（参考例３）
【０１２４】
【化１０】
2004155665.tif 000012
【０１２５】
参考例２で得られたＮ，Ｎ’−ジエチル−４−ブロモアニリン１２．９ｇを無水ＴＨＦ１０５ｍＬと無水ヘキサン３５ｍＬの混合溶液に溶かした。反応溶液を−７８℃に冷却し、１．５８Ｍ  ｎＢｕＬｉヘキサン溶液２８ｍＬを３０分かけて滴下した。滴下後反応溶液を−７８℃で１時間撹拌し、トリイソプロピルボレート２５ｍＬを一気に加えた。反応溶液をさらに−７８℃で１時間撹拌し、室温で２時間撹拌した。１Ｎ塩酸水溶液１４０ｍＬを加え、室温で１２時間撹拌した。反応溶液を炭酸ナトリウムで中和し、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗った後、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶液を濃縮し、目的物を白色固体として、収率８６％で得た。
（参考例４）
【０１２６】
【化１１】
2004155665.tif 000013
【０１２７】
５−ブロモ−２，２’−ビチオフェン−５’−カルボキシアルデヒド３ｇと、参考例３で得られたホウ酸誘導体２．６ｇを、１，４−ジオキサン５０ｍＬとエタノール２５ｍＬに溶解させた。混合溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液１１ｍＬとテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）０．３ｇを加えた後、６時間還流した。反応後、反応溶液を濃縮し、酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗った後、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶液を濃縮し、粗生成物をシリカゲルカラムで精製し、目的物である中間体を９３％収率で得た。
以下に質量分析結果および１Ｈ−ＮＭＲデータを示す。
ＥＳＭＳ（Ｍ＋１）：４８２
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ）：１．２１  （ｔ，  ６Ｈ）    ３．４２  （ｑ，  ４Ｈ）      ６．６２  （ｓ，  １Ｈ）    ６．６７  （ｄ，  １Ｈ）      ７．０７  （ｄ，  １Ｈ）  ７．１８  （ｄ，  ２Ｈ）    ７．２２  （ｄ，  ２Ｈ）      ７．３７−７．５５  （ｍ，  ３Ｈ）      ７．６２  （ｄ，  １Ｈ）    ７．６５−７．７１  （ｍ，  １Ｈ）      ８．１２（ｄｄ，  １Ｈ）
（実施例１）
【０１２８】
【化１２】
2004155665.tif 000014
【０１２９】
２−（メチルスルフェニル）アセトフェノン０．９ｇをトルエン３０ｍＬに懸濁させた後、ピペリジンを１０滴加え、５０℃に昇温した。
この反応溶液に、参考例１〜４に準じて得られた上記アルデヒド体１ｇのトルエン溶液（３０ｍＬ）を加え、６時間還流した。この反応溶液を冷却後、濃縮し得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製すると目的化合物である例示化合物（Ｎｏ．１）が１．１ｇ得られた。
【０１３０】
ＥＩＭＳ  （Ｍ＋１）：４５８
吸収スペクトル：λｍａｘ  ４２１  ｎｍ（溶媒：クロロホルム）
蛍光スペクトル：λｍａｘ  ６１８  ｎｍ（励起波長４３０  ｎｍ  溶媒：クロロホルム）
（実施例２）
図４に示す構造を有する開口絶縁膜ＩＴＯ基板１０を用い、図５に示す構造を有する有機電界発光素子を、以下の方法で作成した。
【０１３１】
まず、図４において、ガラス基板１上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜をスパッタ法にて１６０ｎｍ堆積したものを、通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いてパターニングして、陽極ＩＴＯ２を形成した。ＩＴＯをパターン形成した基板には、通常のフォトレジストを用いて、陽極ＩＴＯ２上に、２ｍｍ×２ｍｍの絶縁膜開口部８を有する開口絶縁膜９を設け、図４に示す構造を有する開口絶縁膜ＩＴＯ基板１０を作成した。
【０１３２】
次いで開口絶縁膜ＩＴＯ基板１０を超純水による水洗、界面活性剤を用いた超音波洗浄、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させた。最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
次に下記に示す組成の陽極バッファー層溶液を調製し、洗浄済みの開口絶縁膜ＩＴＯ基板１０上に、下記条件にてスピンコートし、陽極バッファー層溶液塗膜を形成した。
（陽極バッファー層溶液組成）
シクロヘキサノン    １０ｍｌ
高分子化合物１      １３０ｍｇ
電子受容性化合物１  １３ｍｇ
（スピンコート条件）
スピナ回転数        １５００ｒｐｍ
スピナ回転時間      ３０秒
（高分子化合物１）
下記繰り返し単位のみからなる、単独重合体であり、重量平均分子量は４６，７００である。
【０１３３】
【化１３】
2004155665.tif 000015
【０１３４】
（電子受容性化合物１）
下記構造式で表される化合物である。
【０１３５】
【化１４】
2004155665.tif 000016
【０１３６】
上記組成陽極バッファー層溶液塗膜は、開口絶縁膜ＩＴＯ基板１０のほぼ全面に形成されるので、開口絶縁膜９の周囲に形成された陽極バッファー層溶液塗膜はクロロホルムにて拭き取り除去した。その後、１００℃で１時間乾燥し、厚さ４５ｎｍの陽極バッファー層３を形成した。
次に、上記陽極バッファー層３を形成した開口絶縁膜ＩＴＯ基板１０に対し、絶縁膜開口部８以外の陽極ＩＴＯ上には有機層が蒸着されないようにマスクをし、真空蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が２．０×１０−６Ｔｏｒｒ（約２．７×１０−４Ｐａ）以下になるまで液体窒素トラップを備えた油拡散ポンプを用いて排気した。
【０１３７】
次に、上記陽極バッファー層３の上に、正孔輸送層４の材料として、下記に示す構造式の４，４’−ビス［Ｎ−（９−フェナントリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
【０１３８】
【化１５】
2004155665.tif 000017
【０１３９】
をセラミックるつぼに入れ、るつぼの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。蒸着時の真空度は１．２×１０−６Ｔｏｒｒ（約１．６×１０−４Ｐａ）で、蒸着速度０．１６ｎｍ／秒で膜厚４０ｎｍの正孔輸送層４を得た。
次に、発光層５の材料として、下記に示す構造式のアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体（ＥＭ−１）
【０１４０】
【化１６】
2004155665.tif 000018
【０１４１】
と実施例１で得られた構造を有する例示化合物（Ｎｏ．１）とを、上記正孔輸送層４の上に体積比で１００：２．７の割合で共蒸着を行なった。蒸着時の真空度は０．９×１０−６Ｔｏｒｒ（約１．２×１０−４Ｐａ）、ＥＭ−１の蒸着速度は０．１２ｎｍ／秒で、全膜厚は３０ｎｍであった。
続いて、電子輸送層６の材料として前述のＥＭ−１を上記発光層５の上に蒸着した。蒸着時の真空度は０．８×１０−６Ｔｏｒｒ（約１．１×１０−４Ｐａ）、蒸着速度は０．１７ｎｍ／秒で、膜厚は３０ｎｍであった。
【０１４２】
次に、電子輸送層６までの蒸着を行った素子を、一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、少なくとも開口絶縁膜９の外側の陽極ＩＴＯ２には陰極が蒸着されないようマスクし、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が３．０×１０−６Ｔｏｒｒ（約４．０×１０−４Ｐａ）以下になるまで排気した。
陰極７として、先ず、フッ化リチウム（ＬｉＦ）をモリブデンボートを用いて、蒸着速度０．０７ｎｍ／秒、真空度３．０×１０−６Ｔｏｒｒ（約４．０×１０−４Ｐａ）で、０．５ｎｍの膜厚で電子輸送層６の上に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度０．４５ｎｍ／秒、真空度６．０×１０−６Ｔｏｒｒ（約８×１０−４Ｐａ）で膜厚８０ｎｍのアルミニウム層を形成し、陰極７を完成させた。
【０１４３】
以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性を表−２に示す。表−２において、発光輝度は電流密度２５０ｍＡ／ｃｍ２での値を、電流発光効率１００ｃｄ／ｍ２での値を示す。
この素子の発光ピークの波長は６１４ｎｍであった。
【０１４４】
【表３】
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【０１４５】
【発明の効果】
本発明は、特定構造の化合物を用いることにより、安定性に優れ、濃度消光しにくい、広範囲の波長範囲における高輝度の発光、特に黄〜赤の波長範囲における高輝度の発光を効率よく得ることができる有機電界発光素子を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の一例を示した模式断面図である。
【図２】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の別の例を示した模式断面図である。
【図３】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の別の例を示した模式断面図である。
【図４】実施例２で使用したＩＴＯガラス基板の模式断面図である。
【図５】実施例２で作成した有機電界発光素子の層構成を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
１      基板
２      陽極（ＩＴＯ）
３      陽極バッファー層
４        正孔輸送層
５      発光層
６      電子輸送層
７      陰極
８      絶縁膜開口部
９      開口絶縁膜
１０    開口絶縁膜ＩＴＯ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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