(57)【要約】【課題】半導体製造装置の出口側配管部品の腐食を抑制するクリーニング方法を提供する。【解決手段】反応室１０の上流から出口配管３１側に流れるようにフッ素を含むクリーニングガスを導入し、反応室１０の出口配管３１側を導入ポイントとしてフッ素と反応する防食ガスを流すことを含む。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室の上流から出口配管側に流れるようにフッ素を含むクリーニングガスを導入し、
前記反応室の前記出口配管側を導入ポイントとして前記フッ素と反応する防食ガスを流す
ことを含むことを特徴とするクリーニング方法。
【請求項２】
前記防食ガスが、水素を含む有機ガスであることを特徴とする請求項１に記載のクリーニング方法。
【請求項３】
前記防食ガスが、炭素酸化物及び窒素酸化物の一方を含むことを特徴とする請求項１に記載のクリーニング方法。
【請求項４】
前記防食ガスが、前記反応室の出口の近傍の前記反応室のマニホールドを前記導入ポイントとして選択的に導入されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のクリーニング方法。
【請求項５】
前記防食ガスが、前記反応室と前記反応室を排気する真空ポンプの間に接続された主バルブの内部を前記導入ポイントとして選択的に導入されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のクリーニング方法。
【請求項６】
前記防食ガスの導入タイミングが、前記クリーニングガスの導入タイミングの前又は同時であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のクリーニング方法。
【請求項７】
前記防食ガスが、前記クリーニングガスの流れに対向する方向を導入方向として導入されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のクリーニング方法。
【請求項８】
原料ガスを流し、プロセスを行う反応室と、
前記反応室の前記プロセスの実施部にクリーニングガスを導入するクリーニングガス導入配管と、
前記反応室の前記クリーニングガスを排出する出口配管側に防食ガスを導入する導入端部を有する防食ガス導入配管
とを備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項９】
前記防食ガス導入配管の導入端部が、前記反応室の出口の近傍の前記反応室のマニホールドに設置されることを特徴とする請求項８に記載の半導体製造装置。
【請求項１０】
前記防食ガス導入配管の導入端部が、前記反応室と前記反応室を排気する真空ポンプの間に接続された主バルブに設置されることを特徴とする請求項８に記載の半導体製造装置。
【請求項１１】
前記防食ガス導入配管の導入端部が、前記反応室の中で前記クリーニングガスの流れに対向する方向に向かって設置されることを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体製造装置。
【請求項１２】
前記防食ガス導入配管の導入端部が、前記反応室の出口側に配置されたＬ字配管により、前記クリーニングガスの流れに対向する方向に向かって設置されていることを特徴とする請求項１１に記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置のクリーニング方法に関して、特にクリーニング時の腐食、クリーニング後のガス残留の防止に関する。
【０００２】
【従来の技術】
バッチタイプの低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）装置等の半導体製造装置に使用する大型の反応室クリーニングには、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）ガスや、三フッ化窒素（ＮＦ３）ガスの熱反応によるエッチングが用いられている。クリーニングに用いるＣｌＦ３ガスやＮＦ３ガスは非常に高価である。また、ＮＦ３ガス等の過フッ素化合物（ＰＦＣ）は地球温暖化等環境に与える影響が大きい。ガスコスト削減及びＰＦＣ削減の観点から、フッ素（Ｆ２）ガスやＦ２ガスを含む混合ガスが代替ガスとして考えられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−１００６１８号公報（第５−９頁、第１図）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、Ｆ２ガスは非常に反応性が高く、反応室の出口側に設置された配管やバルブ類の配管部品材料であるステンレススチール内壁表面をフッ化反応により腐食させ劣化させる。また、Ｆ２ガスは、反応室や配管の内壁に吸着している水（Ｈ２Ｏ）と反応してフッ化水素（ＨＦ）ガスを生成する。フッ化反応により出口側配管部品内壁表面に生成されたフッ化鉄（ＦｅＦ２）やフッ化クロム（ＣｒＦ２）等の金属フッ化物は、フッ化水素（ＨＦ）ガスを配位結合して貯蔵する。出口側配管部品内壁表面に貯蔵されたＨＦガスは、ＬＰＣＶＤ中に放出されて逆拡散し、半導体基板と堆積膜界面や堆積膜中にフッ素による汚染を生じさせることになる。フッ素汚染を抑えるためには、出口側配管部品を冷却することが有効である。出口側配管部品の内壁表面を低温に保つことで、Ｆ２ガスによるステンレススチールのフッ化反応による腐食が抑えられる。しかし、Ｆ２ガスで反応室内に堆積したシリコン（Ｓｉ）膜や窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）膜をクリーニングする場合、反応生成物として四フッ化珪素（ＳｉＦ４）ガスが発生する。ＳｉＦ４ガスは、ＨＦガスと反応して蒸気圧の低いヘキサフルオロケイ酸（Ｈ２ＳｉＦ６）を生成する。冷却された出口側配管部品の内壁に蒸気圧の低いＨ２ＳｉＦ６が吸着し、フッ素汚染源となる。
【０００５】
出口側配管部品の内壁表面保護には、アルミナパシベーション、ニッケルメッキ、ポリテトラフルオロエチレン材コーティング等の耐腐食表面コーティングが有効である。内壁に表面コーティングを施したステンレススチールは加熱された状態でもフッ化反応が抑制できる。しかし、配管の小さなシーリング材にいたるまで、表面コーティングすることは、コストアップにつながり、出口側配管部品の汎用性を制限することになる。また、配管に使用する部品には、バルブのベローズなど可動部分を有するものがあり、摩耗による損傷を免れることができない。定期的な再コーティングのため、分解メンテナンスが必要となり、半導体製造装置の動作不能時間を増加させて生産能力を低下させることになる。
【０００６】
本発明は、このような課題を解決し、半導体製造装置の出口側配管部品の腐食を抑制するクリーニング方法及び半導体製造装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の第１の特徴は、（イ）反応室の上流から出口配管側に流れるようにフッ素を含むクリーニングガスを導入し、（ロ）反応室の出口配管側を導入ポイントとしてフッ素と反応する防食ガスを流すことを含むクリーニング方法であることを要旨とする。
【０００８】
本発明の第２の特徴は、（イ）原料ガスを流し、プロセスを行う反応室と、（ロ）反応室のプロセスの実施部にクリーニングガスを導入するクリーニングガス導入配管と、（ハ）反応室のクリーニングガスを排出する出口配管側に防食ガスを導入する導入端部を有する防食ガス導入配管とを備える半導体製造装置であることを要旨とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して、本発明の第１及び第２の実施の形態について説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号が付してある。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１０】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係る半導体製造装置としてのＬＰＣＶＤ装置は、図１に示すように、成膜を行う反応室１０と、反応室１０に供給する反応ガスの制御を行なうガス供給系２０と、反応室１０を真空排気する真空ポンプ３０を備えている。
【００１１】
反応室１０は、石英製の外管１１及び内管１２を有し、内管１２の内側には、半導体基板を搭載する石英製のペデスタル１４がベースプレート１３上に設けられている。外管１１とベースプレート１３の間にステンレススチール製のマニホールド１５が設置されている。マニホールド１５には、反応ガスを導入する複数の導入配管２４、２５及び２６が取り付けられ、また、真空排気のための出口ポート１６が設けられている。外管１１の外側には、ペデスタル１４に搭載された半導体基板の温度を制御する加熱炉１７が配置されている。反応室１０は外気遮断と雰囲気を保持することが可能な密閉構造をしている。
【００１２】
ガス供給系２０は、原料ガス源２１、クリーニングガス源２２及び防食ガス源２３を備えている。原料ガス源２１及びクリーニングガス源２２にはそれぞれ導入配管２４及び２５が接続されている。導入配管２４及び２５は、それぞれ成膜用の原料ガスあるいは反応室クリーニング用のクリーニングガスを内管１２の内側下部から導入するようにマニホールド１５を介して設置されている。防食ガス源２３には導入端部２７を有する導入配管２６が接続されている。導入配管２６は、クリーニングガスによる腐食を抑制する防食ガスを外管１１と内管１２の間で、導入端部２７から出口ポート１６の近傍に導入するようにマニホールド１５を介して設置されている。
【００１３】
反応室１０の内部を真空ポンプ３０で真空排気するために、反応室１０の出口ポート１６には出口配管３１が接続されている。出口配管３１の排気側には、例えばベローズシールＬ型バルブの主バルブ３２が接続されている。主バルブ３２の排気側には吸気配管３３が接続されている。吸気配管３３の排気側に真空ポンプ３０の吸気側が接続されている。更に、真空ポンプ３０の排気側に排気配管３５が接続されている。主バルブ３２は必要に応じて反応室１０と真空ポンプ３０を分離したり、或いは排気コンダクタンスを調整する。そして、真空ポンプ３０は反応室１０に導入された未反応の原料ガス及び反応生成物を排気するために用いられる。出口配管３１及び主バルブ３２には、配管部品の温度を制御する加熱部３７が設けられている。ここで、出口配管３１、あるいは主バルブ３２の主要部等を含む出口側配管部品の材質はステンレススチールである。
【００１４】
次に、第１の実施の形態に係るクリーニング方法について、Ｓｉ膜を成膜するＬＰＣＶＤ装置を用いて説明をする。ＬＰＣＶＤ装置を用いてＳｉ膜を成膜する場合、まず、ペデスタル１４に半導体基板が装着される。加熱炉１７により半導体基板を約７００℃に加熱し、原料ガス源２１から原料ガス、例えばモノシラン（ＳｉＨ４）ガスが導入配管２４を介して反応室１０に導入される。原料ガスは内管１２とペデスタル１４の間を、反応室１０の下側から上側へと流れる。原料ガスは熱分解反応により、加熱された半導体基板表面にＳｉ膜を成膜する。熱分解反応式は、
ＳｉＨ４（気体）→Ｓｉ（固体）＋２Ｈ２（気体）  ・・・（１）
となる。なお、副生成物の水素（Ｈ２）ガスは、真空ポンプにより排気される。
【００１５】
ＳｉＨ４ガスは半導体基板表面だけでなく、加熱炉１７により加熱されたペデスタル１４、内管１２あるいは外管１１等の反応室１０の内壁表面でも熱分解し、Ｓｉを含む堆積膜が形成される。反応室１０内壁の堆積膜が増加すると、成膜条件が変化する。また、堆積膜が厚くなると反応室１０内壁から部分的に剥離して粉塵を発生させ、半導体装置の製造歩留まりが落ちる。したがって、反応室１０内壁の堆積膜を除去するクリーニング工程が定期的に行われる。クリーニングの効率を上げるため、堆積膜のＳｉとの高い反応性を有するフッ素を含むガス、例えば、Ｆ２ガス等がクリーニングガスとして用いられる。
【００１６】
第１の実施の形態に係るクリーニング方法では、例えば、図１に示したガス供給系２０のクリーニングガス源２２からクリーニングガスが、導入配管２５を介して反応室１０に導入される。クリーニングガスの反応効率を高くするため、反応室１０内壁は、加熱炉１７により約４００℃に加熱される。クリーニングガスの流入位置は、原料ガスの流入位置の近傍に設けられているので、原料ガス同様に、内管１２とペデスタル１４の間を反応室１０内で下側から上側に、図１で点線で示した経路で流れる。内管１２及びペデスタル１４の上端を通過したクリーニングガスは、内管１２と外管１１の間を上側から下側に流れ、反応室１０の出口ポート１６から排出される。クリーニングガスとして、例えばＦ２ガスを用いる場合、
Ｓｉ（固体）＋２Ｆ２（気体）→ＳｉＦ４（気体）  ・・・（２）
の反応により反応室１０内壁の堆積膜がエッチングされる。クリーニング中には、反応生成物のＳｉＦ４ガス及び未反応クリーニングガスのＦ２ガスが排出される。
【００１７】
Ｆ２ガスは、真空配管部品の主材質であるステンレススチールを腐食する。第１の実施の形態では、クリーニング中に出口ポート１６に流れてくる未反応クリーニングガスを、防食ガスと反応させて除去する。例えば、防食ガスとして有機ガスのメタン（ＣＨ４）ガスを用いると、
ＣＨ４（気体）＋Ｆ２（気体）→ＣＨ３Ｆ（気体）＋ＨＦ（気体）  ・・・（３）
のように未反応クリーニングガスと反応して、フルオロメタン（ＣＨ３Ｆ）ガス及びＨＦガスが生成される。防食ガスは、内管１２と出口ポート１６の間の経路でクリーニングガスの流れに対向する方向で導入される。したがって、未反応クリーニンガスは、防食ガスに捕捉されて反応する確率が高くなり、排出ガス中の未反応クリーニングガスの濃度が減少する。
【００１８】
防食ガスと反応して生成されたＣＨ３Ｆガス及びＨＦガスは、クリーニングガスのＦ２ガスに比べてステンレススチールとの反応性は低い。したがって、出口ポート１６近傍のマニホールド１５や出口ポート１６より下流側に接続されている出口配管３１及び主バルブ３２等を含む出口側配管部品のステンレススチール内面では、未反応クリーニングガスによる腐食が抑制される。
【００１９】
反応式（２）で生成されたＳｉＦ４ガスの一部は、出口ポート１６近傍で反応式（３）で生成されたＨＦガスと反応して蒸気圧の低いＨ２ＳｉＦ６ガスを生成する。Ｈ２ＳｉＦ６ガスの出口側配管部品の内面への吸着を防止するため、クリーニング中に出口配管３１及び主バルブ３２の出口側配管部品の内面は、加熱部３７により約１５０℃に保たれている。また、出口側配管部品の内面は加熱によりＨ２Ｏの吸着が抑制されているため、ＨＦガスやＨ２ＳｉＦ６ガス等の反応生成物の貯蔵を防止することができる。
【００２０】
第１の実施の形態に係るクリーニング方法よれば、反応室１０のクリーニング中に防食ガスを導入することにより、出口側配管部品の腐食を抑制することができ、更に、出口側配管内面のフッ素を含むガスの貯蔵を防止することが可能となる。
【００２１】
第１の実施の形態において、防食ガスの導入タイミングは、クリーニングガスを反応室に導入する前か、あるいは同時にすることが望ましい。防食ガスの導入タイミングが遅いと、未反応クリーニングガスが出口配管３１に排出されてしまう可能性があるためである。
【００２２】
また、第１の実施の形態において、防食ガスとして有機ガスのＣＨ４ガスを用いて説明したが、他の有機ガス、例えば、エタン（Ｃ２Ｈ６）ガス、エチレン（Ｃ２Ｈ４）ガス、あるいはプロパン（Ｃ３Ｈ８）ガス等も、ＣＨ４ガスと同様にフッ素と反応してハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）を生成するため、防食ガスとして使用できることは、勿論である。また、防食ガスは、有機ガスに限定されず、例えば、酸化炭素ガス、酸化窒素ガス、あるいはジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガス等でもよい。酸化炭素ガスあるいは酸化窒素ガスもフッ素を含むクリーニングガスと反応して、反応性の低いフッ素化合物を生成する。例えば、一酸化炭素（ＣＯ）の場合、
ＣＯ（気体）＋Ｆ２（気体）→ＣＯＦ２（気体）  ・・・（４）
のようにＦ２ガスと反応して、フッ化カルボニル（ＣＯＦ２）を生成する。
【００２３】
また、防食ガスの導入配管２６の導入端部２７は、防食ガスの逆流で反応室１０内壁のクリーニングガスによるエッチングが妨げられない高さに調整される。例えば、導入端部２７は、図１に示したようにマニホールド１５と外管１１との境界面より下部にあり、出口配管３１の直径方向の中心より高い位置に設置される。また、上述したように、導入端部２７は、内管１２と外管１１の間で反応室１０の上側から下側に流れてくる未反応クリーニングガスの流れの方向に対向するように上向きに設置される。
【００２４】
第１の実施の形態では、防食ガスの導入配管２６の導入端部２７の設置位置は、上記した位置に限定されない。例えば、図２に示すように、導入端部２７ａを有する防食ガスの導入配管２６ａを、マニホールド１５の出口ポート１６の近傍に設置する。導入端部２７ａの設置位置では、クリーニングガスの流れが、反応室の上側から下側への方向から、マニホールド１５から出口配管３１の方向に変わっている。また、導入配管２６ａの導入端部２７ａは、出口配管３１の直径方向の中心の高さで内管１２の方向に向かって直角に曲げられている。図２のように導入端部２７ａを設置すると、防食ガスは、マニホールド１５で経路が直角方向に曲げられた未反応クリーニングガスの流れの方向に対向して導入端部２７ａから導入される。したがって、防食ガスは未反応クリーニングガスと出口ポート１６の上流側で反応するため、出口ポート１６の排出側の出口配管３１への未反応クリーニングガスの流入を防止することができる。
【００２５】
また、防食ガスの反応効率を高くするために、出口側配管のコンダクタンスを小さくして、未反応クリーニングガスの流速を落とすことも有効である。主バルブ３２のバルブ開度を調整してコンダクタンスを小さくする方法もあるが、調整範囲が限られ実用的ではない。例えば、図３に示すように、出口ポート１６と出口配管３１ａの間に可変コンダクタンス調節器５１を設置する。出口ポート１６の近傍のマニホールド１５ａに設けた真空計５２からフィードバック信号を得て制御回路５３を用いて可変コンダクタンス調節器５１を調整する。反応室１０のクリーニング中は、クリーニングガスの流速が遅くなるように可変コンダクタンス調節器５１のコンダクタンスを小さくすれば、防食ガスが未反応クリーニングガスを補足する確率は大きくなり、未反応クリーニングガスの濃度を、更に減少することができる。なお、上記の説明では、自動制御式の可変コンダクタンス調節器５１を用いたが、手動式の可変コンダクタンス調節器であってもよい。また、可変コンダクタンス調節器の代わりに、スロットバルブやバタフライバルブ等の真空バルブを用いることもできることは、勿論である。
【００２６】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係る半導体製造装置としてのＬＰＣＶＤ装置では、図４に示すように、導入端部２７ｂを有する防食ガスの導入配管２６ｂがベローズシールＬ型バルブの主バルブ３２ａに接続されている。原料ガス及びクリーニングガスの導入配管２４及び２５はそれぞれ、第１の実施の形態と同様に、内管１２の内側下部から導入するようにマニホールド１５ｂを介して設置されている。
【００２７】
主バルブ３２ａは、ボディ４１に入口バルブポート４５と出口バルブポート４６を備えている。ボディ４１の内部には、バルブの開閉動作を行うディスク４２と、ディスク４２をボディ４１の外部より操作するステム４３と、ディスク４２とボディ４１とに溶着されステム４３の操作により伸縮運動をするベローズ４４とを含んでいる。なお、ベローズ４４は主バルブ３２ａの内部を外気より遮断する構造となっている。したがって、ステム４３は、ベローズ４４により遮断されて、反応室１０より排気されるガスと接触しない。主バルブ３２ａの入口バルブポート４５は、出口配管３１ｂにより、マニホールド１５ｂの出口ポート１６と接続される。主バルブ３２ａの出口バルブポート４６は、吸気配管３３により真空ポンプ３０と接続される。
【００２８】
第２の実施の形態では、出口配管３１ｂと主バルブ３２ａのボディ４１の内面には、アルミナ材等の保護膜５０が設けられている。したがって、加熱部３７を用いて出口配管３１ｂ及びボディ４１の内面を加熱してもＦ２ガスによる腐食の惧れはない。一方、主バルブ３２ａに含まれるディスク４２及びベローズ４４には、保護膜は設けられていない。ディスク４２及びベローズ４４は可動部であるため、磨耗により保護膜が剥離して粉塵を発生させる惧れがあるためである。
【００２９】
第２の実施例では、出口配管３１ｂと主バルブ３２ａのボディ４１の内面を保護膜により腐食を防止し、防食ガスを主バルブ３２ａのディスク４２及びベローズ４４のような可動部に導入する点が、第１の実施の形態と異なる。その他は第１の実施の形態と同様であるので、重複した説明は省略する。
【００３０】
第２の実施の形態に係るクリーニング方法において、クリーニングガスを導入する前に、例えば、加熱部３７により出口配管３１ｂ及び主バルブ３２ａの内面を約１５０℃に加熱し、防食ガスを導入配管２６ｂを介して主バルブ３２ａの内部に導入端部２７ｂから導入しておく。クリーニングガスが導入配管２５を介して反応室１０に導入され、堆積膜と反応して、反応生成物と、未反応クリーニングガスがマニホールド１５ｂの出口ポート１６から排出される。出口配管３１ｂ及びボディ４１の内面は保護膜５０で覆われているため、未反応クリーニングガスで腐食されない。また、出口配管３１ｂ及びボディ４１の内面は約１５０℃と加熱されているため、反応生成物の吸着も抑制される。主バルブ３２ａの内部には、防食ガスが予め導入され、未反応クリーニングガスを捕捉して未反応クリーニングガスの濃度を減少させている。したがって、ディスク４２及びベローズ４４等の可動部も未反応クリーニングガスの腐食を防止することができる。
【００３１】
第２に実施の形態に係るクリーニング方法によれば、反応室１０のクリーニング中に防食ガスを導入することにより、出口側配管部品の腐食を抑制することができ、更に、出口側配管内面のフッ素を含むガスの貯蔵を防止することが可能となる。
【００３２】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は第１及び第２の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００３３】
既に述べた第１及び第２の実施の形態の説明においては、クリーニングガスとして、Ｆ２ガスを用いたが、クリーニングガスとしては、Ｆ２ガスだけでなく、ＮＦ３ガス、ＣＣｌ３ガス等のフッ素化合物ガス、あるいはＦ２ガス、フッ素化合物等間の混合ガスが使用できることは、勿論である。また、Ｆ２ガス、フッ素化合物ガスあるいはＦ２ガス、フッ素化合物等間の混合ガスを不活性ガスで希釈した混合ガス等をクリーニングガスとして用いてもよいことは、勿論である。
【００３４】
また、第１及び第２の実施の形態の説明において、Ｓｉ膜のＬＰＣＶＤ装置について例示的に説明したが、Ｓｉ膜のＬＰＣＶＤ装置に限られないことは勿論である。例えば、Ｓｉ３Ｎ４膜、シリコン酸化（ＳｉＯ２）膜、あるいはタングステン（Ｗ）やタングステンシリサイド（ＷＳｉｘ）膜等のＬＰＣＶＤ装置であってもよく、あるいは常圧ＣＶＤ装置であってもよい。また、エピタキシャル成長装置やドライエッチング装置等の他の半導体製造装置でも構わない。また、主バルブとして、ベローズシールＬ型バルブを用いたが、ベローズシールに限らず、例えば、ダイアフラムシール、あるいはＯリングシール等が使用できることは勿論である。また、Ｌ型バルブに限らず、Ｓ型バルブ、バタフライバルブ、あるいはゲートバルブ等が使用できることも、勿論である。
【００３５】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【００３６】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体製造装置の出口側配管部品の腐食を抑制するクリーニング方法及び半導体製造装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体製造装置の一例を示す概略図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体製造装置の他の例を示す概略図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の変形例に係る半導体製造装置の一例を示す概略図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る半導体製造装置の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
１０  反応室
１１  外管
１２  内管
１３  ベースプレート
１４  ペデスタル
１５、１５ａ、１５ｂ  マニホールド
１６  出口ポート
１７  加熱炉
２０  ガス供給系
２１  原料ガス源
２２  クリーニングガス源
２３  防食ガス源
２４〜２６、２６ａ、２６ｂ  導入配管
２７、２７ａ、２７ｂ  導入端部
３０  真空ポンプ
３１、３１ａ、３１ｂ  出口配管
３２、３２ａ  主バルブ
３３  吸気配管
３５  排気配管
３７  加熱部
４１  ボディ
４２  ディスク
４３  ステム
４４  ベローズ
４５  入口バルブポート
４６  出口バルブポート
５１  可変コンダクタンス調節器
５２  真空計
５３  制御回路
【図１】
2004273750.tif 000003
【図２】
2004273750.tif 000004
【図３】
2004273750.tif 000005
【図４】
2004273750.tif 000006