(57)【要約】【課題】縦線の低減された、高画質の固体撮像装置を提供する。【解決手段】受光領域を有する半導体基板と、受光領域中に行列状に形成された光電変換素子と、光電変換素子の形成されていない部分を有する垂直電荷転送路と、垂直電荷転送路の光電変換素子の形成されていない部分に電気的に接続する水平電荷転送路を有する固体撮像装置であって、垂直電荷転送路の光電変換素子の形成されていない部分は、一導電型の半導体で形成されたチャネル領域と、チャネル領域の表面の上方に形成された複数の電極とを含んで構成され、複数の電極の各々の下方にあるチャネル領域に複数の電極と同数の印加領域を画定するとき、複数の印加領域の少なくとも１つに不純物が追加されている固体撮像装置を提供する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光領域を有する半導体基板と、前記受光領域中に行列状に形成された光電変換素子と、前記光電変換素子の形成されていない部分を有する垂直電荷転送路と、前記垂直電荷転送路の前記光電変換素子の形成されていない部分に電気的に接続する水平電荷転送路を有する固体撮像装置であって、
前記垂直電荷転送路の前記光電変換素子の形成されていない部分は、一導電型の半導体で形成されたチャネル領域と、前記チャネル領域の表面の上方に形成された複数の電極とを含んで構成され、前記複数の電極の各々の下方にある前記チャネル領域に前記複数の電極と同数の印加領域を画定するとき、複数の前記印加領域の少なくとも１つに不純物が追加されている固体撮像装置。
【請求項２】
複数の前記印加領域のうち、前記水平転送路に２番目に近い前記印加領域に、前記一導電型と反対の導電型の不純物が追加されている請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
不純物が追加される前記印加領域が、該印加領域の上方にある前記電極に合わせて、不純物を追加されている請求項１または２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記複数の電極は、２層の多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンで形成されており、前記不純物の追加される印加領域には、第１層セルフアラインで不純物追加が行われた印加領域が含まれている請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、垂直電荷転送路と、垂直電荷転送路に接続された水平電荷転送路とを有する固体撮像装置に関し、特に、垂直電荷転送路と水平電荷転送路の連結部分の構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図６（Ａ）は、インターライン転送方式を採用した固体撮像装置の概略を示す平面図である。複数の垂直転送路５３、受光領域内で各々の垂直転送路５３の片側に配置された複数の光電変換素子５１、光電変換素子５１で発生した信号電荷を垂直転送路５３に読み出す読み出し部５２、受光領域外で各垂直転送路５３の一端に形成されたラインメモリ５４、ラインメモリ５４を介して、複数の垂直転送路５３に電気的に結合された水平転送路５５、及びその端部に設けられた出力アンプ５６から構成されている。
【０００３】
入射した光量に応じて光電変換素子５１に蓄積された信号電荷が、読み出し部５２から垂直転送路５３に読み出された後、垂直転送路５３内を、水平転送路５５の方向に向かって、転送される。垂直転送路５３の末端まで転送された信号電荷は、ラインメモリ５４に一旦蓄えられた後、水平転送路５５に転送され、出力アンプ５６から映像信号として外部に取り出される。
【０００４】
垂直転送路５３は、受光領域内で光電変換素子５１が片側に近接して配置された画素部５３ａ、及び、受光領域外で画素部５３ａとラインメモリ５４との間に位置し、片側に光電変換素子５１が配置されない連結部５３ｂとに大別される。なお、ラインメモリ５４が存在しない固体撮像装置においては、画素部５３ａと水平転送路５５とを連結する部分であって、片側に光電変換素子５１が配置されない部分を連結部５３ｂと呼ぶこととする。
【０００５】
図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示した固体撮像装置の垂直転送路５３の転送段と、それに続くラインメモリ５４との関係を示す模式図である。各垂直転送路５３は、シリコン基板中に形成されたチャネル領域と、チャネル領域を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に形成された転送電極とを含む。各転送電極下のチャネル領域が、転送段を構成する。♭１〜♭４は、垂直転送路５３の転送段のうち垂直電荷転送電極下のチャネル領域を示す。符号が同じ転送段には、同一の駆動信号（転送電圧）が印加され、読み出し部５２から垂直転送路５３に読み出された信号電荷が、水平転送路５５の方向に転送される。従来、垂直転送路５３の連結部５３ｂのチャネル領域は、画素部５３ａのそれと同一の不純物プロファイルで形成されていた。
【０００６】
固体撮像装置の画面には、上下方向に、一様な強度の縦線が現れる場合がある。
【０００７】
縦線（連続縦線）の発生を抑制するために、垂直電荷転送部の領域に入り込んだ水平電荷転送電極で被われる、垂直電荷転送部のチャネル領域の末端領域を、水平電荷転送部に向かって徐々に広げる方法が考えられている。（たとえば、特許文献１参照。）
また、垂直電荷転送部を構成する複数の電荷転送電極のうち、水平電荷転送部直前の垂直電荷転送部の最終の電荷転送電極の電極長を、他の垂直電荷転送電極の電極長よりも短くすることで、縦線（連続縦線）の発生を防ぐ提案がある。（たとえば、特許文献２参照。）
【０００８】
【特許文献１】
特許２６９９８４１号公報
【特許文献２】
特許３０９００９２号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
垂直転送路５３の連結部５３ｂのチャネル領域が、画素部５３ａのそれと同一の不純物プロファイルで形成されている固体撮像装置においては、連結部５３ｂにおいて、画素部５３ａと同様には、電荷がスムーズに転送されず、転送電荷の取り残しが発生していた。連結部５３ｂで生じる転送不良によって、固体撮像装置の画面には、上下方向に、一様な強度の縦線（連続縦線）が現れる。
【００１０】
本発明の目的は、縦線（連続縦線）を低減し、高画質の固体撮像装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、受光領域を有する半導体基板と、前記受光領域中に行列状に形成された光電変換素子と、前記光電変換素子の形成されていない部分を有する垂直電荷転送路と、前記垂直電荷転送路の前記光電変換素子の形成されていない部分に電気的に接続する水平電荷転送路を有する固体撮像装置であって、前記垂直電荷転送路の前記光電変換素子の形成されていない部分は、一導電型の半導体で形成されたチャネル領域と、前記チャネル領域の表面の上方に形成された複数の電極とを含んで構成され、前記複数の電極の各々の下方にある前記チャネル領域に前記複数の電極と同数の印加領域を画定するとき、複数の前記印加領域の少なくとも１つに不純物が追加されている固体撮像装置が提供される。
【００１２】
この固体撮像装置は、画面に生じる縦線（連続縦線）を低減した、高画質の固体撮像装置である。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図７は、固体撮像装置における垂直転送路と水平転送路の概略を示す平面図である。垂直転送路５３が、８相駆動画素部Ｖ１〜Ｖ８と、８相駆動のうちの４相Ｖ１〜Ｖ４で駆動される連結部５３ｂとを有する構成において、電荷の転送残りが生じた。８相駆動のうちＶ１、Ｖ２、Ｖ３及びＶ４とＶ５、Ｖ６、Ｖ７及びＶ８とはこの順に対応し、対応するそれらには、電荷転送時に同等の駆動信号（転送電圧）が印加される。なお、連結部５３ｂを駆動する４相、Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３及びＶ４は、この順に水平転送路５５に向かって形成されている。本願発明者は、予備実験として、８相駆動画素部Ｖ１〜Ｖ８にそれぞれ印加される駆動信号（転送電圧）ΦＶ１〜ΦＶ８の各々を調整して、電荷の転送残りの変化を観察した。
【００１４】
駆動信号（転送電圧）ΦＶ３を調整することによって、転送残りを解消することができた。駆動信号（転送電圧）ΦＶ３と同等の信号である駆動信号（転送電圧）ΦＶ７の調整によっては、転送残りは解消しなかった。この結果から、駆動信号（転送電圧）ΦＶ１〜ΦＶ４は印加されるが、ΦＶ５〜ΦＶ８は印加されない連結部５３ｂに、転送残りの原因が存在すると推定できる。印加する転送電圧の高低をチャネル領域のポテンシャルの低高として考えると、チャネル領域の不純物濃度を増減することにより、印加する転送電圧の高低と同等の効果を与えることが可能であろう。
【００１５】
図１は、本発明の第１の実施例による固体撮像装置における垂直転送路５３の連結部５３ｂ、ラインメモリ５４及び水平転送路５５の構成の概略を示す平面図である。
【００１６】
複数の垂直転送路５３の連結部５３ｂの垂直転送チャネル５９を被うように、垂直転送電極Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３及びＶ４が、この順に水平転送路５５に向かって形成されている。垂直転送チャネル５９は、ｎ型の半導体で形成されている。垂直転送電極Ｖ１〜Ｖ４は、２層の多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンで形成されている。垂直転送電極Ｖ２及びＶ４は第１層目の多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンで形成され、垂直転送電極Ｖ１及びＶ３は、第２層目の多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンで形成される。垂直転送電極Ｖ１〜Ｖ４には、それぞれ駆動信号（転送電圧）ΦＶ１〜ΦＶ４が印加される。垂直転送路５３と水平転送路５５とは、ラインメモリ５４を介して電気的に結合されている。
【００１７】
ラインメモリ５４は、チャネル領域と、その上方に形成された転送制御電極ＬＭ１及びＬＭ２を含んで構成される。転送制御電極ＬＭ１及びＬＭ２には、駆動信号（転送電圧）ΦＬＭが印加される。
【００１８】
水平転送路５５は、水平転送チャネル６０と、それを被うように形成された水平転送電極Ｈａ及びＨｂを含んで構成される。１組の水平転送電極Ｈａ及びＨｂには、同一の駆動信号（転送電圧）が印加され、連続する８組の水平転送電極Ｈａ及びＨｂには、１組ごとにそれぞれ異なった駆動信号（転送電圧）ΦＨ１〜ΦＨ８が印加され、信号電荷を水平方向に転送する。なお、図１に示す固体撮像装置の垂直転送路５３の画素部５３ａにおいては、連続する８つの電極が１単位として繰り返し形成され、８相駆動で信号電荷を垂直方向に転送する。信号電荷は、半導体基板中の受光領域に行列状に形成された光電変換素子に、入射光量に応じて蓄積され、垂直転送路５３に読み出されたものである。
【００１９】
図２は、図１のＡＡ’線に沿った断面図である。ｎ基板６２表面に、ｐウエル６１が形成されている。垂直転送路５３の連結部５３ｂは、ｐウエル６１表面に形成されたｎ型垂直転送チャネル５９と、絶縁膜を介して垂直転送チャネル５９の上方に形成された垂直転送電極Ｖ１〜Ｖ４を含んで構成される。
【００２０】
ラインメモリ５４は、ｐウエル６１表面に形成された垂直転送チャネル５９、及び垂直転送チャネル５９の上方に形成された転送制御電極ＬＭ１及びＬＭ２を含んで構成される。
【００２１】
水平転送路５５は、ｐウエル６１表面に形成された水平転送チャネル６０、及び水平転送チャネル６０の上方に形成された複数組の水平転送電極Ｈａ及びＨｂを含んで構成される。
【００２２】
垂直転送路５３の連結部５３ｂの垂直転送チャネル５９のうち、垂直転送電極Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３及びＶ４の下にあり、それぞれ駆動信号（転送電圧）ΦＶ１、ΦＶ２、ΦＶ３及びΦＶ４が印加される領域を、印加領域♯１、♯２、♯３及び♯４と呼ぶこととする。印加領域♯１〜♯４は、平面視において、略矩形状である。
【００２３】
垂直転送路５３の連結部５３ｂの印加領域のうち、水平転送路５５に２番目に近い印加領域である印加領域♯３には、印加領域♯３の全面に、一様に、たとえば、第１層電極Ｖ２、Ｖ４に対して、セルフアラインの関係で、ｐ型不純物、たとえばホウ素が追加されている。なお、この明細書及び図面においては、ｐ型不純物が追加されて、実効不純物濃度が低下しているｎ型チャネル領域をｎ−、ｎ型不純物が追加されて、実効不純物濃度が増加しているｎ型チャネル領域をｎ＋と表記する。
【００２４】
印加領域♯３の不純物濃度を低下させてｎ−型にしたことは、転送電極Ｖ３に印加する駆動信号（転送電圧）ΦＶ３を低くしたことに対応する。予備実験において、転送電圧ΦＶ３を低くしたときに、転送残りが解消したことに対応する。
【００２５】
図１及び図２に示す構成の固体撮像装置のサンプルを試作した。転送試験の結果、転送残りはなかった。
【００２６】
図３（Ａ）〜（Ｃ）は、垂直転送路５３の連結部５３ｂに追加する不純物の追加領域の変形例を示す概略的な平面図である。図３（Ａ）〜（Ｃ）においては、ｐウエル６１に形成されたチャネル領域５９のうち、ｐ型不純物が追加された部分を斜線で示してある。
【００２７】
図３（Ａ）においては、垂直転送電極Ｖ３の下方の印加領域♯３のうち、印加領域♯２に隣接する部分にｐ型不純物を追加した。
【００２８】
図３（Ｂ）においては、垂直転送電極Ｖ３の下方のチャネル領域の両側部に、矩形の画素部５３ａ寄りの一辺と、矩形の対角線の１つとを２つの辺とする略直角三角形状の領域に、ｐ型不純物を追加した。
【００２９】
図３（Ｃ）においては、垂直転送電極Ｖ３の下方のチャネル領域の両端部に水平転送路に向かって次第に幅が狭くなるようにｐ型不純物を追加した。したがって、略矩形状の印加領域♯３の中央部には、末広がりのｎ型領域が残っている。
【００３０】
図３（Ａ）〜（Ｃ）に示すいずれの領域にｐ型不純物を追加した場合も、垂直転送路５３の連結部５３ｂのチャネル領域を、画素部５３ａのそれと同一の不純物プロファイルで構成する従来の場合に比べ、固体撮像装置の画面に現れる縦線（連続縦線）を低減することができた。
【００３１】
また、印加領域♯３の全面または図３（Ａ）〜（Ｃ）に示すような形状の領域に、ｐ型不純物を追加し、更に、他の印加領域にも不純物を加えた場合も、縦線（連続縦線）不良の改善が見られた。たとえば、印加領域♯３にｐ型不純物を追加し、更に、印加領域♯１にもｐ型不純物を追加した場合、また、印加領域♯３にｐ型不純物を追加し、更に印加領域♯２にｎ型不純物、たとえばリンまたはヒ素を追加した場合も、縦線（連続縦線）の低減が確認された。印加領域の不純物プロファイルを様々に変化させて実験を行った結果、印加領域♯３にｐ型不純物が追加されていれば、他の任意の印加領域には、任意の型の不純物が追加されているとき、あるいは、不純物が追加されていないとき、縦線（連続縦線）の低減が確認された。
【００３２】
なお、４つの印加領域♯１〜♯４のうちの１つのみにｐ型またはｎ型不純物を追加した場合も、縦線（連続縦線）の低減が確認された。また、印加領域♯１〜♯４のうちの１つにｐ型またはｎ型不純物を追加し、更に、他の印加領域にｐ型またはｎ型の不純物を追加した場合も、縦線（連続縦線）の低減が認められた。この際、水平転送路５５に２番目に近い印加領域である印加領域♯３にｐ型不純物を追加したとき、縦線（連続縦線）の低減が最も顕著に見られた。
【００３３】
このことから、垂直転送路５３の連結部５３ｂの印加領域のうち、少なくとも１つにｐ型またはｎ型不純物が追加されると、縦線（連続縦線）が低減されるものと考えられる。不純物の追加は、印加領域の全面に行ってもよいし、その一部に行ってもよい。また、水平転送路５５に２番目に近い印加領域である印加領域♯３にｐ型不純物を追加することが、縦線（連続縦線）不良の低減のために最も効果的であると考えられる。
【００３４】
なお、印加領域♯３の全面または一部に、ｐ型不純物を追加する場合、また、それに加えて更に、印加領域♯３以外の任意の印加領域の全面または一部に不純物を追加する場合、印加領域♯３にｐ型不純物を、１ｃｍ３当たり、１０２２個のオーダの濃度になるように追加したとき、最も顕著に縦線（連続縦線）不良の改善が見られた。
【００３５】
図４（Ａ）は、本発明の第２の実施例による固体撮像装置における垂直転送路５３及び水平転送路５５の構成の概略を示す断面図である。
【００３６】
垂直転送路５３は、ｐウエル６１表面に形成された垂直転送チャネル５９、及び、垂直転送チャネル５９の上方に形成された垂直転送電極を含んで構成され、前述のように、画素部５３ａと連結部５３ｂとに大別される。
【００３７】
垂直転送路５３の連結部５３ｂには、Ｎ個の垂直転送電極、・・・Ｖ（Ｎ−３）、Ｖ（Ｎ−２）、Ｖ（Ｎ−１）及びＶ（Ｎ）が、この順に、水平転送路５５に向かって形成されている。図４（Ａ）には、４つの垂直転送電極Ｖ（Ｎ−３）〜Ｖ（Ｎ）を図示した。垂直転送チャネル５９は、ｎ型の半導体で形成されている。垂直転送電極は、２層の多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンで形成されている。図示した中では、垂直転送電極Ｖ（Ｎ−２）及びＶ（Ｎ）は第１層目の多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンで形成され、垂直転送電極Ｖ（Ｎ−３）及びＶ（Ｎ−１）は、第２層目の多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンで形成される。各垂直転送電極には、駆動信号（転送電圧）、・・・ΦＶ（Ｎ−３）、ΦＶ（Ｎ−２）、ΦＶ（Ｎ−１）及びΦＶ（Ｎ）が印加される。また、垂直転送チャネル５９のうち、垂直転送電極、・・・Ｖ（Ｎ−３）、Ｖ（Ｎ−２）、Ｖ（Ｎ−１）及びＶ（Ｎ）の下方にあり、それぞれ駆動信号（転送電圧）、・・・ΦＶ（Ｎ−３）、ΦＶ（Ｎ−２）、ΦＶ（Ｎ−１）及びΦＶ（Ｎ）が印加される領域を、それぞれ印加領域、・・・♯（Ｎ−３）、♯（Ｎ−２）、♯（Ｎ−１）及び♯（Ｎ）と呼ぶこととする。図４（Ａ）には、４つの印加領域♯（Ｎ−３）〜♯（Ｎ）を図示した。各印加領域は、平面視において、略矩形状である。
【００３８】
水平転送路５５は、ｐウエル６１表面に形成されたｎ型水平転送チャネル６０、及び水平転送チャネル６０の上方に形成された水平転送電極Ｈａ及びＨｂを含んで構成される。
【００３９】
なお、第２の実施例による固体撮像装置には、第１の実施例によるそれとは異なり、ラインメモリが形成されていない。垂直転送路５３の連結部５３ｂと水平転送路５５とは、電気的に結合されている。
【００４０】
図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示した垂直転送路５３の連結部５３ｂにおける垂直転送チャネル５９及び垂直転送電極Ｖ（Ｎ−３）〜Ｖ（Ｎ）を示す概略的な平面図である。
【００４１】
まず、垂直転送路５３の連結部５３ｂの印加領域のうち、水平転送路５５に２番目に近い印加領域である印加領域♯（Ｎ−１）には、たとえば、第１層電極Ｖ（Ｎ−２）、Ｖ（Ｎ）に対してセルフアラインの関係で、ｐ型不純物が追加されている。連結部５３ｂの他の印加領域には、不純物の追加を行わない。印加領域♯（Ｎ−１）への不純物の追加は、印加領域♯（Ｎ−１）の全面または一部に、たとえば図３（Ａ）〜（Ｃ）を用いて説明した形状の領域に行う。
【００４２】
印加領域♯（Ｎ−１）の全面または一部に、ｐ型不純物を追加した場合、垂直転送路５３の連結部５３ｂのチャネル領域を、画素部５３ａのそれと同一の不純物プロファイルで構成する従来の場合に比べ、固体撮像装置の画面に現れる縦線（連続縦線）を低減することができる。
【００４３】
次に、印加領域♯（Ｎ−１）へのｐ型不純物の追加に加え、他の印加領域にも不純物を追加する場合を説明する。
【００４４】
図５（Ａ）は、印加領域♯（Ｎ−１）にｐ型不純物を追加し、更に、印加領域♯（Ｎ−２）に、ｎ型不純物を追加した連結部５３ｂを有する固体撮像装置の垂直転送路５３及び水平転送路５５の構成の概略を示す断面図である。
【００４５】
図５（Ｂ）は、印加領域♯（Ｎ−１）にｐ型不純物を追加し、更に、印加領域♯（Ｎ−３）に、ｐ型不純物を追加した連結部５３ｂを有する固体撮像装置の垂直転送路５３及び水平転送路５５の構成の概略を示す断面図である。
【００４６】
図５（Ｃ）は、印加領域♯（Ｎ−１）にｐ型不純物を追加し、更に、他の任意の印加領域に、任意の不純物を追加し、あるいは、追加しない連結部５３ｂを有する固体撮像装置の垂直転送路５３及び水平転送路５５の構成の概略を示す断面図である。図５（Ｃ）には、印加領域♯（Ｎ−１）の他の領域として、便宜上、印加領域♯（Ｎ−２）にｎ型不純物を追加し、更に、印加領域♯（Ｎ−３）にｐ型不純物を追加したように記してあるが、不純物追加の態様はこの限りではなく、任意である。なお、印加領域、・・・♯（Ｎ−２）、♯（Ｎ−１）のうち、１つおきの印加領域にｐ型不純物を追加する場合、第１層セルフアラインにより、ドープが可能である。
【００４７】
なお、図５（Ａ）〜（Ｃ）に示すすべての場合において、印加領域♯（Ｎ−１）へのｐ型不純物の追加は、印加領域♯（Ｎ−１）の全面または一部、たとえば図３（Ａ）〜（Ｃ）を用いて説明したいずれの形状の領域に行ってもよい。
【００４８】
図５（Ａ）〜（Ｃ）に示すすべての不純物追加の態様において、固体撮像装置の画面に現れる縦線（連続縦線）を低減することができる。
【００４９】
なお、Ｎ個の印加領域、・・・、♯（Ｎ−１）、♯Ｎのうちの１つのみにｐ型またはｎ型不純物を追加した場合も、縦線（連続縦線）が低減される。また、Ｎ個の印加領域のうちの１つにｐ型またはｎ型不純物を追加し、更に、他の印加領域にｐ型またはｎ型の不純物を追加した場合も、縦線（連続縦線）の低減が実現される。この際、水平転送路５５に２番目に近い印加領域である印加領域♯（Ｎ−１）にｐ型不純物を追加したとき、縦線（連続縦線）の低減が最も顕著に見られる。
【００５０】
垂直転送路５３の連結部５３ｂの印加領域のうち、少なくとも１つにｐ型またはｎ型不純物が追加されると、縦線（連続縦線）が低減されるものと考えられる。不純物の追加は、印加領域の全面に行ってもよいし、その一部に行ってもよい。また、水平転送路５５に２番目に近い印加領域である印加領域♯（Ｎ−１）にｐ型不純物を追加することが、縦線不良の低減のために最も効果的であると考えられる。
【００５１】
なお、印加領域♯（Ｎ−１）の全面または一部に、ｐ型不純物を追加する場合、また、それに加えて更に、印加領域♯（Ｎ−１）以外の任意の印加領域の全面または一部に不純物を追加する場合、印加領域♯（Ｎ−１）にｐ型不純物を、１ｃｍ３当たり、１０２２個のオーダの濃度になるように追加したとき、最も顕著に縦線（連続縦線）不良の改善が見られる。
【００５２】
上記実施例において、全領域の導電型を逆にしてもよい。印加領域への不純物の追加により、縦線（連続縦線）を改善することができる。
【００５３】
以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者には自明であろう。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、縦線（連続縦線）の低減された、高画質の固体撮像装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施例による固体撮像装置における垂直転送路の連結部、ラインメモリ及び水平転送路の構成の概略を示す平面図である。
【図２】図１のＡＡ’線に沿った断面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は、垂直転送路の連結部に追加する不純物の追加領域の変形例を示す概略的な平面図である。
【図４】（Ａ）は、第２の実施例による固体撮像装置における垂直転送路及び水平転送路の構成の概略を示す断面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）に示した垂直転送路の連結部における垂直転送チャネル及び垂直転送電極を示す概略的な平面図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は、複数の印加領域に不純物が追加された連結部を有する固体撮像装置の垂直転送路及び水平転送路の構成の概略を示す断面図である。
【図６】（Ａ）は、インターライン転送方式を採用した固体撮像装置の概略を示す平面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）に示した固体撮像装置の垂直転送路の転送段と、それに続くラインメモリとの関係を示す模式図である。
【図７】固体撮像装置における垂直転送路と水平転送路の概略を示す平面図である。
【符号の説明】
５１  光電変換素子
５２  読み出し部
５３  垂直転送路
５３ａ  画素部
５３ｂ  連結部
５４  ラインメモリ
５５  水平転送路
５６  出力アンプ
５９  垂直転送チャネル
６０  水平転送チャネル
６１  ｐウエル
６２  ｎ基板
♭１〜♭４  チャネル領域
♯１〜♯４、♯（Ｎ−３）〜♯（Ｎ）  印加領域
Ｖ１〜Ｖ８、Ｖ（Ｎ−３）〜Ｖ（Ｎ）  垂直転送電極
ΦＶ１〜ΦＶ４、ΦＶ（Ｎ−３）〜ΦＶ（Ｎ）、ΦＬＭ、ΦＨ１〜ΦＨ８  駆動信号（転送電圧）
ＬＭ１、ＬＭ２  転送制御電極
Ｈａ、Ｈｂ  水平転送電極
【図１】
2004247641.tif 000003
【図２】
2004247641.tif 000004
【図３】
2004247641.tif 000005
【図４】
2004247641.tif 000006
【図５】
2004247641.tif 000007
【図６】
2004247641.tif 000008
【図７】
2004247641.tif 000009