(57)【要約】【課題】簡単で、かつ、所望の微細領域を精度良く加工することのできる加工方法及び装置を提供する。【解決手段】薄板１を巻きつけた第１ロール２から引き出した薄板１を、第２ロール３へ送りつつ第２ロール３に巻き取る構成において、ガイド４及び５の間にある薄板１の近傍に配置した複数のマイクロプラズマ源６に、ガス供給装置７からガスを供給しつつ、高周波電源８より１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給することにより、マイクロプラズマを発生させ、マイクロプラズマ源６の開口部から供給される活性粒子を薄板上に形成されたモリブデン薄膜に作用させることによりこれをエッチングし、微細線状部分を除去してスクライブライン９を形成する。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄板上に形成された膜をエッチングしてスクライブラインを形成する加工方法であって、
薄板が巻き付けられた第１ロールから引き出した前記薄板を、第２ロールへ送りつつ第２ロールに巻き取る工程と、第１ロールと第２ロールの間にある薄板の近傍に配置されたマイクロプラズマ源にガスを供給しつつ、マイクロプラズマ源または薄板に電力を供給することにより、マイクロプラズマを発生させ、前記マイクロプラズマ源の開口部から供給される活性粒子を薄板上に形成された膜に作用させ、ロールの送り方向と概垂直方向に膜の微細線状部分をエッチングする工程とを含むこと
を特徴とする加工方法。
【請求項２】
マイクロプラズマ源の開口部が微細点状を為し、膜の微細線状部分をエッチングする工程において、マイクロプラズマ源をロールの送り方向と概垂直方向に移動させつつエッチングすること
を特徴とする請求項１記載の加工方法。
【請求項３】
マイクロプラズマ源の開口部の代表寸法が１ｍｍ以下であること
を特徴とする請求項２記載の加工方法。
【請求項４】
マイクロプラズマ源の開口部が微細線状を為し、膜の微細線状部分をエッチングする工程において、マイクロプラズマ源をロールの送り方向と概垂直方向に移動させつつエッチングすること
を特徴とする請求項１記載の加工方法。
【請求項５】
マイクロプラズマ源の開口部をなす微細線の太さが１ｍｍ以下であること
を特徴とする請求項４記載の加工方法。
【請求項６】
複数のマイクロプラズマ源を用いて、同時に複数の微細線状部分をエッチングすること
を特徴とする請求項１記載の加工方法。
【請求項７】
薄膜太陽電池の裏面電極としての膜をエッチングする方法として用いられること
を特徴とする請求項１記載の加工方法。
【請求項８】
モリブデン薄膜をエッチングすることを特徴とする請求項１記載の加工方法。
【請求項９】
導電性の膜をエッチングしてスクライブラインを形成した後、薄板上に残った導電性の膜が互いに絶縁されていることを確認する検査を実施すること
を特徴とする請求項１記載の加工方法。
【請求項１０】
被処理物から離れた位置において、マイクロプラズマ源にガスを供給しつつ電力を供給することにより、マイクロプラズマを発生させる工程と、被処理物の近傍にマイクロプラズマ源を配置させ、マイクロプラズマ源の開口部から供給される活性粒子を被処理物に作用させ、被処理物を加工する工程とを含むこと
を特徴とする加工方法。
【請求項１１】
被処理物から離れた位置において、マイクロプラズマを発生させる工程において、被処理物とマイクロプラズマ源の開口部の距離が１０ｍｍ以上であること
を特徴とする請求項１０記載の加工方法。
【請求項１２】
被処理物の近傍に、被処理物の表面にほぼ連続した面に表面を有する着火用電極を配置する工程と、着火用電極の近傍に配置したマイクロプラズマ源にガスを供給しつつ、マイクロプラズマ源または着火用電極に電力を供給することにより、マイクロプラズマを発生させる工程と、被処理物の近傍にマイクロプラズマ源を配置させ、マイクロプラズマ源の開口部から供給される活性粒子を被処理物に作用させ、被処理物を加工する工程とを含むこと
を特徴とする加工方法。
【請求項１３】
被処理物の近傍に配置したマイクロプラズマ源に不活性ガスを供給しつつ、マイクロプラズマ源または被処理物に電力を供給することにより、マイクロプラズマを発生させる工程と、被処理物の近傍にマイクロプラズマ源を配置させ、マイクロプラズマ源に不活性ガスと反応性ガスを供給しつつ、マイクロプラズマ源または被処理物に電力を供給することにより、マイクロプラズマ源の開口部から供給される活性粒子を被処理物に作用させ、被処理物を加工する工程とを含むこと
を特徴とする加工方法。
【請求項１４】
被処理物の近傍にマイクロプラズマ源を配置させ、マイクロプラズマ源にガスを供給しつつ、マイクロプラズマ源または被処理物に電力を供給することにより、マイクロプラズマ源の開口部から供給される活性粒子を被処理物に作用させ、被処理物を加工する工程と、被処理物の近傍に、被処理物の表面にほぼ連続した面に表面を有する消火用電極を配置する工程と、消火用電極の近傍にマイクロプラズマ源を配置させ、マイクロプラズマ源または消火用電極に供給する電力を停止してマイクロプラズマの発生を停止する工程とを含むこと
を特徴とする加工方法。
【請求項１５】
薄板が巻き付けられた第１ロールと、前記薄板を巻きつけた第１ロールから引き出した薄板を巻き取る第２ロールと、第１ロールと第２ロールの間にある薄板の近傍に配置されたマイクロプラズマ源と、マイクロプラズマ源にガスを供給するガス供給装置と、マイクロプラズマ源または薄板に電力を供給する電源とを備えたこと
を特徴とする加工装置。
【請求項１６】
マイクロプラズマ源の開口部が微細点状を為し、マイクロプラズマ源をロールの送り方向と概垂直方向に移動させる機構を備えたこと
を特徴とする請求項１５記載の加工装置。
【請求項１７】
マイクロプラズマ源の開口部の代表寸法が１ｍｍ以下であること
を特徴とする請求項１６記載の加工装置。
【請求項１８】
マイクロプラズマ源の開口部が微細線状をなし、マイクロプラズマ源をロールの送り方向と概垂直方向に移動させる機構を備えたことを特徴とする、請求項１５記載の加工装置。
【請求項１９】
マイクロプラズマ源の開口部をなす微細線の太さが１ｍｍ以下であること
を特徴とする請求項１８記載の加工装置。
【請求項２０】
複数のマイクロプラズマ源を備えたことを特徴とする請求項１５記載の加工装置。
【請求項２１】
薄板の表面の任意の２点間が絶縁されていることを確認する検査装置を備えたこと
を特徴とする請求項１５記載の加工装置。
【請求項２２】
マイクロプラズマ源と、マイクロプラズマ源にガスを供給するガス供給装置と、マイクロプラズマ源に電力を供給する電源と、マイクロプラズマ源を被処理物から離れた位置及び被処理物の近傍に配置させる機構を備えたこと
を特徴とする加工装置。
【請求項２３】
被処理物から離れた位置において、被処理物とマイクロプラズマ源の開口部の距離が１０ｍｍ以上であること
を特徴とする請求項２２記載の加工装置。
【請求項２４】
マイクロプラズマ源と、マイクロプラズマ源にガスを供給するガス供給装置と、マイクロプラズマ源または被処理物に電力を供給する電源とを備えた加工装置であって、
被処理物を配置することが予定された被処理物位置の近傍に、被処理物が配置された際における被処理物の表面にほぼ連続した面に表面を配置させる着火用電極を備えたこと
を特徴とする加工装置。
【請求項２５】
マイクロプラズマ源と、マイクロプラズマ源にガスを供給するガス供給装置と、マイクロプラズマ源または被処理物に電力を供給する電源とを備えた加工装置であって、
被処理物を配置することが予定された被処理物位置の近傍に、被処理物が配置された際における被処理物の表面にほぼ連続した面に表面を配置させる消火用電極を備えたこと
を特徴とする加工装置。
【請求項２６】
開口部が微細線状を為すマイクロプラズマ源を用いた加工方法であって、外側ガス流路にガスを供給し、外側ガス流路に通じ、かつ、外側ガス流路よりも浅い外側ガス排出口から被処理物に向けてガスを吹き出すとともに、内側ガス流路にガスを供給し、内側ガス流路に通じ、かつ、内側ガス流路よりも浅い内側ガス排出口から被処理物に向けてガスを吹き出しつつ、電極または被処理物に電力を供給することによってマイクロプラズマを発生させること
を特徴とする加工方法。
【請求項２７】
開口部が微細線状を為すマイクロプラズマ源を用いた加工装置であって、マイクロプラズマ源が、外側ガス流路と、外側ガス流路に通じ、かつ、外側ガス流路よりも浅い外側ガス排出口と、内側ガス流路と、内側ガス流路に通じ、かつ、内側ガス流路よりも浅い内側ガス排出口と、電極とから為り、また、外側ガス流路及び内側ガス流路にガスを供給するガス供給装置と、電極または被処理物に電力を供給する電源とを備えたこと
を特徴とする加工装置。
【請求項２８】
複数の薄膜からなり、薄板状でフレキシブルな電子デバイスであって、パターニングされた薄膜の断面形状がテーパー状であること
を特徴とする電子デバイス。
【請求項２９】
複数の薄膜からなり、薄板状でフレキシブルな電子デバイスであって、パターニングされた薄膜の断面形状において、パターンの肩部がなだらかな曲線であること
を特徴とする電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微細領域の加工が可能な加工方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜太陽電池の製造工程において、裏面電極にスクライブラインを形成する工程がある。これは、裏面電極をなす導電性の薄膜に微細線状の溝を形成する工程である。
【０００３】
図１２を用いて、切削法によるスクライブライン形成工程について説明する。図１２において、薄板１を巻きつけた第１ロール２から引き出した薄板１を、第２ロール３へ送りつつ第２ロール３に巻き取る構成になっている。ガイド４及び５の間にある薄板１の近傍に配置したスクライブ針２７を用いて薄板１上に形成された裏面電極としてのモリブデン薄膜を引っ掻き、微細線状部分を切削除去してスクライブライン９を形成する。
【０００４】
切削ではなく、リフトオフ法によってスクライブラインを形成する方法もある。その一例を図１３に示す。
【０００５】
図１３において、薄板１上に絶縁膜２８を形成した後、ディスペンサまたはインクジェットなどを用いて樹脂の微細線２９を形成する（図１３（ａ））。次に、裏面電極としてのモリブデン薄膜３０を堆積させる（図１３（ｂ））。次いで、樹脂２９をウエットエッチングすることにより、微細線状部分のモリブデン薄膜が除去され、スクライブライン３１が形成される（図１３（ｃ））。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、切削法では、モリブデン薄膜のみを除去することが困難であるという問題点があった。針圧が不適切であると、下地の絶縁膜をも除去してしまったり、逆にモリブデン薄膜が除去しきれずに残ってしまう場合がある。
【０００７】
また、切削屑が、形成されたスクライブラインの周辺に飛び散り、裏面電極間の絶縁不良を引き起こすこともある。さらに、切削断面がなだらかでないため、スクライブラインの形成後に薄膜半導体層を堆積した際に、薄膜半導体層がなだらかに堆積できないという問題点もあった。
【０００８】
また、リフトオフ法では、切削法における上述のような問題点は生じないが、工程が極めて複雑であるという問題点があった。絶縁層２８をスパッタリングなどの真空成膜装置で形成した後、一旦薄板１を大気中に取り出し、樹脂の微細線２９を形成し、再び薄板１を真空成膜装置に投入して裏面電極３０を形成し、さらに薄板１を大気中に取り出してウエットエッチング処理することになる。一方、切削法では絶縁膜と裏面電極を連続的に真空成膜装置で形成できるため、工程としては簡単である。
【０００９】
また、リフトオフ法では大量のウエットエッチング液を用いるとともに、エッチング後の廃液が発生するため、環境負荷が大きいという問題点もある。さらに、エッチング液を何度も使用していくうちに、エッチング速度が低下するため、エッチング処理の時間管理が極めて煩雑になるという問題点もある。
【００１０】
また、薄膜太陽電池やディスプレイなどにおいては、自由に曲げることが可能なフレキシブル性が求められている。こうしたデバイスは、複数の薄膜から構成されているが、切削法やリフトオフ法では、パターニングされた薄膜の断面が図１４に示すように垂直形状になっている。また、パターニングされた薄膜の断面形状において、パターンの肩部３２がほぼ９０°に切り立っている。このような場合、図１５に示すように、パターニングされた薄膜３０の上に、別の薄膜としての半導体層３３を堆積させると、平坦部、パターン側部及び肩部のステップカバレッジに不均一が生じ、デバイス特性を損なう場合がある。また、図１６に示すように、薄板自体は曲げられても、曲げた際に肩部からクラック３４が入る場合がある。
【００１１】
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、簡単で、かつ、所望の微細領域を精度良く加工することのできる加工方法及び装置と、良好な電気特性、フレキシブル性を有する電子デバイスを提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本願の第１発明の加工方法は、薄板上に形成された膜をエッチングしてスクライブラインを形成する加工方法であって、薄板が巻き付けられた第１ロールから引き出した前記薄板を、第２ロールへ送りつつ第２ロールに巻き取る工程と、第１ロールと第２ロールの間にある薄板の近傍に配置されたマイクロプラズマ源にガスを供給しつつ、マイクロプラズマ源または薄板に電力を供給することにより、マイクロプラズマを発生させ、前記マイクロプラズマ源の開口部から供給される活性粒子を薄板上に形成された膜に作用させ、ロールの送り方向と概垂直方向に膜の微細線状部分をエッチングする工程とを含むことを特徴とする。
【００１３】
本願の第１発明の加工方法において、好適には、マイクロプラズマ源の開口部が微細点状を為し、膜の微細線状部分をエッチングする工程において、マイクロプラズマ源をロールの送り方向と概垂直方向に移動させつつエッチングすることが望ましい。この場合、好適には、マイクロプラズマ源の開口部の代表寸法が１ｍｍ以下であることが望ましい。
【００１４】
或いは、マイクロプラズマ源の開口部が微細線状を為し、膜の微細線状部分をエッチングする工程において、マイクロプラズマ源をロールの送り方向と概垂直方向に移動させつつエッチングしてもよく、この場合、好適には、マイクロプラズマ源の開口部をなす微細線の太さが１ｍｍ以下であることが望ましい。
【００１５】
また、本願の第１発明の加工方法において、好適には、複数のマイクロプラズマ源を用いて、同時に複数の微細線状部分をエッチングすることが望ましい。
【００１６】
本願の第１発明の加工方法は、とくに薄膜太陽電池の裏面電極としての膜をエッチングする方法として用いられる場合に格別の効果を奏する。また、とくに、モリブデン薄膜をエッチングする場合に格別の効果を奏する。
【００１７】
また、本願の第１発明の加工方法において、好適には、導電性の膜をエッチングしてスクライブラインを形成した後、薄板上に残った導電性の膜が互いに絶縁されていることを確認する検査を実施することが望ましい。
【００１８】
本願の第２発明の加工方法は、被処理物から離れた位置において、マイクロプラズマ源にガスを供給しつつ電力を供給することにより、マイクロプラズマを発生させる工程と、被処理物の近傍にマイクロプラズマ源を配置させ、マイクロプラズマ源の開口部から供給される活性粒子を被処理物に作用させ、被処理物を加工する工程とを含むことを特徴とする。
【００１９】
本願の第２発明の加工方法において、好適には、被処理物から離れた位置において、マイクロプラズマを発生させる工程において、被処理物とマイクロプラズマ源の開口部の距離が１０ｍｍ以上であることが望ましい。
【００２０】
本願の第３発明の加工方法は、被処理物の近傍に、被処理物の表面にほぼ連続した面に表面を有する着火用電極を配置する工程と、着火用電極の近傍に配置したマイクロプラズマ源にガスを供給しつつ、マイクロプラズマ源または着火用電極に電力を供給することにより、マイクロプラズマを発生させる工程と、被処理物の近傍にマイクロプラズマ源を配置させ、マイクロプラズマ源の開口部から供給される活性粒子を被処理物に作用させ、被処理物を加工する工程とを含むことを特徴とする。
【００２１】
本願の第４発明の加工方法は、被処理物の近傍に配置したマイクロプラズマ源に不活性ガスを供給しつつ、マイクロプラズマ源または被処理物に電力を供給することにより、マイクロプラズマを発生させる工程と、被処理物の近傍にマイクロプラズマ源を配置させ、マイクロプラズマ源に不活性ガスと反応性ガスを供給しつつ電力を供給することにより、マイクロプラズマ源の開口部から供給される活性粒子を被処理物に作用させ、被処理物を加工する工程とを含むことを特徴とする。
【００２２】
本願の第５発明の加工方法は、被処理物の近傍にマイクロプラズマ源を配置させ、マイクロプラズマ源にガスを供給しつつ、マイクロプラズマ源または被処理物に電力を供給することにより、マイクロプラズマ源の開口部から供給される活性粒子を被処理物に作用させ、被処理物を加工する工程と、被処理物の近傍に、被処理物の表面にほぼ連続した面に表面を有する消火用電極を配置する工程と、消火用電極の近傍にマイクロプラズマ源を配置させ、マイクロプラズマ源または消火用電極に供給する電力を停止してマイクロプラズマの発生を停止する工程とを含むことを特徴とする加工方法。
【００２３】
本願の第６発明の加工装置は、薄板が巻き付けられた第１ロールと、薄板を巻きつけた第１ロールから引き出した薄板を巻き取る第２ロールと、第１ロールと第２ロールの間にある薄板の近傍に配置されたマイクロプラズマ源と、マイクロプラズマ源にガスを供給するガス供給装置と、マイクロプラズマ源または薄板に電力を供給する電源とを備えたことを特徴とする。
【００２４】
本願の第６発明の加工装置において、好適には、マイクロプラズマ源の開口部が微細点状を為し、マイクロプラズマ源をロールの送り方向と概垂直方向に移動させる機構を備えることが望ましい。この場合、好適には、マイクロプラズマ源の開口部の代表寸法が１ｍｍ以下であることが望ましい。
【００２５】
或いは、マイクロプラズマ源の開口部が微細線状をなし、マイクロプラズマ源をロールの送り方向と概垂直方向に移動させる機構を備えてもよく、この場合、好適には、マイクロプラズマ源の開口部をなす微細線の太さが１ｍｍ以下であることが望ましい。
【００２６】
また、本願の第６発明の加工装置において、好適には、複数のマイクロプラズマ源を備えることが望ましい。
【００２７】
また、好適には、薄板の表面の任意の２点間が絶縁されていることを確認する検査装置を備えることが望ましい。
【００２８】
本願の第７発明の加工装置は、マイクロプラズマ源と、マイクロプラズマ源にガスを供給するガス供給装置と、マイクロプラズマ源に電力を供給する電源と、マイクロプラズマ源を被処理物から離れた位置及び被処理物の近傍に配置させる機構を備えたことを特徴とする。
【００２９】
本願の第７発明の加工装置において、好適には、被処理物から離れた位置において、被処理物とマイクロプラズマ源の開口部の距離が１０ｍｍ以上であることが望ましい。
【００３０】
本願の第８発明の加工装置は、マイクロプラズマ源と、マイクロプラズマ源にガスを供給するガス供給装置と、マイクロプラズマ源または被処理物に電力を供給する電源とを備えた加工装置であって、被処理物を配置することが予定された被処理物位置の近傍に、被処理物が配置された際における被処理物の表面にほぼ連続した面に表面を配置させる着火用電極を備えたことを特徴とする。
【００３１】
本願の第９発明の加工装置は、マイクロプラズマ源と、マイクロプラズマ源にガスを供給するガス供給装置と、マイクロプラズマ源または被処理物に電力を供給する電源とを備えた加工装置であって、被処理物を配置することが予定された被処理物位置の近傍に、被処理物が配置された際における被処理物の表面にほぼ連続した面に表面を配置させる消火用電極を備えたことを特徴とする。
【００３２】
本願の第１０発明の加工方法は、開口部が微細線状を為すマイクロプラズマ源を用いた加工方法であって、外側ガス流路にガスを供給し、外側ガス流路に通じ、かつ、外側ガス流路よりも浅い外側ガス排出口から被処理物に向けてガスを吹き出すとともに、内側ガス流路にガスを供給し、内側ガス流路に通じ、かつ、内側ガス流路よりも浅い内側ガス排出口から被処理物に向けてガスを吹き出しつつ、電極または被処理物に電力を供給することによってマイクロプラズマを発生させることを特徴とする。
【００３３】
本願の第１１発明の加工装置は、開口部が微細線状を為すマイクロプラズマ源を用いた加工装置であって、マイクロプラズマ源が、外側ガス流路と、外側ガス流路に通じ、かつ、外側ガス流路よりも浅い外側ガス排出口と、内側ガス流路と、内側ガス流路に通じ、かつ、内側ガス流路よりも浅い内側ガス排出口と、電極とから為り、また、外側ガス流路及び内側ガス流路にガスを供給するガス供給装置と、電極または被処理物に電力を供給する電源とを備えたことを特徴とする。
【００３４】
本願の第１２発明の電子デバイスは、複数の薄膜からなり、薄板状でフレキシブルな電子デバイスであって、パターニングされた薄膜の断面形状がテーパー状であることを特徴とする。
【００３５】
本願の第１３発明の電子デバイスは、複数の薄膜からなり、薄板状でフレキシブルな電子デバイスであって、パターニングされた薄膜の断面形状において、パターンの肩部がなだらかな曲線であることを特徴とする。
【００３６】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態について、図１乃至図５を参照して説明する。
【００３７】
図１に、本発明の第１の実施形態において用いた、マイクロプラズマ源を搭載した加工装置の斜視図を示す。図１において、薄板１を巻きつけた第１ロール２から引き出した薄板１を、第２ロール３へ送りつつ第２ロール３に巻き取る構成になっている。ガイド４及び５の間にある薄板１の近傍に配置した複数のマイクロプラズマ源６に、ガス供給装置７からガスを供給しつつ、高周波電源８より１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給することにより、マイクロプラズマを発生させ、マイクロプラズマ源６の開口部から供給される活性粒子を薄板上に形成されたモリブデン薄膜に作用させることによりこれをエッチングし、微細線状部分を除去してスクライブライン９を形成する。
【００３８】
複数のマイクロプラズマ源６を用いているので、同時に複数の微細線状部分をエッチングすることが可能である。マイクロプラズマによるエッチング処理は、第２ロール３の回転を停止した状態で、マイクロプラズマ源６をロールの送り方向と概垂直方向に移動させることにより、モリブデン薄膜の微細線状部分をエッチングする。或いは、第２ロール３の回転を継続したまま、マイクロプラズマ源６をロールの送り方向と斜め方向に移動させることにより、ロールの送り方向と概垂直方向に膜の微細線状部分をエッチングしてもよい。
【００３９】
なお、マイクロプラズマを安定的に発生させるため、薄板１の表面を接地するか、薄板１の裏面のマイクロプラズマ源と対向する位置に、接地電位の電極を設けることが望ましい。図１では、薄板１の表面を接地する場合を図示した。また、マイクロプラズマ源の開口部と被処理物との距離を０．１ｍｍとした状態でエッチング処理を実施した。
【００４０】
図２に、マイクロプラズマ源６の分解図を示す。なお、構造を判りやすくするため、図１とは上下を逆にしてある。
【００４１】
マイクロプラズマ源は、セラミック製の外側板１０、内側板１１及び１２、外側板１３から成り、外側板１０及び１３には、外側ガス流路１４及び外側ガス排出口１５が設けられ、内側板１１及び１２には、内側ガス流路１６及び内側ガス排出口１７が設けられている。内側ガス排出口１７から吹き出すガスの原料ガスは、外側板１０に設けられた内側ガス供給口２０から、内側板１１に設けられた貫通穴２１を介して、内側ガス流路１６に導かれる。
【００４２】
また、外側ガス排出口１５から吹き出すガスの原料ガスは、外側板１０に設けられた外側ガス供給口２２から、内側板１１に設けられた貫通穴２３、内側板１２に設けられた貫通穴２４を介して、外側ガス流路１４に導かれる。高周波電力が印加される電極１８は、内側板１１及び１２に設けられた電極固定穴１９に挿入され、外側板１０及び１３に設けられた貫通穴２０を通して高周波電力供給のための配線と冷却が行われる。
【００４３】
図３に、マイクロプラズマ源６を、ガス排出口側から見た平面図を示す。外側板１０、内側板１１及び１２、外側板１３が設けられ、外側板１０と内側板１１の間と、内側板１２と外側板１３の間に外側ガス排出口１５が設けられ、内側板１１及び１２の間に内側ガス排出口１７が設けられている。
【００４４】
図４に、薄板１及びマイクロプラズマ源６を、薄板１に垂直な面で切った断面を示す。マイクロプラズマ源は、セラミック製の外側板１０、内側板１１及び１２、外側板１３から成り、外側板１０及び１３には、外側ガス流路１４及び外側ガス排出口１５が設けられ、内側板１１及び１２には、内側ガス流路１６及び内側ガス排出口１７が設けられている。
【００４５】
高周波電力が印加される電極１８には、外側板１０及び１３に設けられた貫通穴２０を通して高周波電力供給のための配線と冷却が行われる。内側板１１及び１２は、その最下部がテーパー形状をなし、より微細な線状領域をプラズマ処理できるようになっている。なお、マイクロプラズマ源の開口部としての内側ガス排出口１７がなす微細線の太さは０．１ｍｍである。
【００４６】
また、図２及び図４から明らかなように、このマイクロプラズマ源は、開口部が微細線状を為し、外側ガス流路１４にガスを供給し、外側ガス流路１４に通じ、かつ、外側ガス流路１４よりも浅い外側ガス排出口１５から被処理物に向けてガスを吹き出すとともに、内側ガス流路１６にガスを供給し、内側ガス流路１６に通じ、かつ、内側ガス流路１６よりも浅い内側ガス排出口１７から被処理物に向けてガスを吹き出しつつ、電極１８に電力を供給することによってマイクロプラズマを発生させるものである。このような方式をとることにより、ガス供給装置７から外側ガス流路１４または内側ガス流路１６に供給されたガスは、まず深くてコンダクタンスの大きい外側ガス流路１４または内側ガス流路１６内に行き渡り、次いで、浅くてコンダクタンスの小さい外側ガス排出口１５または内側ガス排出口１７内に導かれる。いいかえると、圧力分布としては、外側ガス流路１４内は、外側ガス排出口１５内よりも圧力が高く、内側ガス流路１６内は、内側ガス排出口１７内よりも圧力が高くなる。したがって、深さに差を設けない場合と比較して、外側ガス排出口１５または内側ガス排出口１７から吹き出すガスの量及び速度が、微細線方向に均一になるという格別の効果を奏する。なお、流路や排出口のコンダクタンスの大小を「深い」・「浅い」という言葉で表現したが、これは、微細線方向に概略垂直方向で、かつ、被処理物の表面に概略平行な向きの流路または排出口の幅が広いことを「深い」と表現し、同様に、微細線方向に概略垂直方向で、かつ、被処理物の表面に概略平行な向きの流路または排出口の幅が狭いことを「浅い」と表現したものである。
【００４７】
マイクロプラズマ源６は数Ｐａから数気圧まで動作可能であるが、典型的には１０４Ｐａから３気圧程度の範囲の圧力で動作する。特に、大気圧付近での動作は、厳重な密閉構造や特別な排気装置が不要であるとともに、プラズマや活性粒子の拡散が適度に抑制されるため、特に好ましい。ガスとして、内側ガス流路１６を介して内側ガス排出口１７からＨｅを１０３ｓｃｃｍ、外側ガス流路１４を介して外側ガス排出口１５からＣＦ４を１０００ｓｃｃｍ供給し、高周波電力を１００Ｗ供給する条件にて薄板１上に形成されたモリブデン薄膜のエッチング処理を行ったところ、図５のようなエッチングプロファイルが得られた。下地の絶縁膜はほとんど除去されず、また、モリブデン薄膜が除去しきれずに残ってしまうこともなく、良好なエッチングが行えた。また、切削法で見られたような切削屑の飛び散りもなく、裏面電極間の絶縁不良を引き起こすこともなかった。さらに、エッチング断面における肩部がなだらかな曲線であり、かつ、パターニングされたモリブデン薄膜の断面形状がテーパー状であるため、スクライブラインの形成後に薄膜半導体層を堆積した際に、薄膜半導体層３３がなだらかに堆積でき、図１４に示すように良好なステップカバレッジが得られ、曲げた際にもクラックが生じず、良好な電気特性とフレキシブル性が得られた。すなわち、本実施形態では、複数の薄膜からなり、薄板状でフレキシブルな電子デバイスであって、パターニングされた薄膜の断面形状がテーパー状であり、パターニングされた薄膜の断面形状において、パターンの肩部がなだらかな曲線である電子デバイスを構成することによって、良好な電気特性とフレキシブル性を有する電子デバイスを実現できた。
【００４８】
また、本発明の第１の実施形態は、従来のリフトオフ法に比べて工程が極めて簡単である。これは、絶縁膜と裏面電極を連続的に真空成膜装置で形成できるためである。また、リフトオフ法のように大量のウエットエッチング液を用いる必要が無く、エッチング後の廃液も発生しないため、環境負荷が小さくなった。さらに、常に安定した組成のガスを供給して処理することから、エッチング速度が安定する。つまり、本発明の第１の実施形態においては、簡単で、かつ、所望の微細領域を精度良く加工することのできる加工を実現できた。
【００４９】
また、本発明の第１の実施形態においては、ロールの送り方向と概垂直方向にモリブデン薄膜の微細線状部分をエッチングするため、ひと続きの薄板１のスクライビング処理を全て完了するのを待たずに、スクライブラインが正常に形成されているかを、薄板上に残った導電性の膜が互いに絶縁されていることを確認するための検査を実施することにより、確認することが可能であり、この点においても従来例と比較して格段に優れている。
【００５０】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について、図６を参照して説明する。
【００５１】
図６に、本発明の第２の実施形態において用いた、マイクロプラズマ源を搭載した加工装置の斜視図を示す。
【００５２】
本発明の第２の実施形態で用いた加工装置の構成については、図１乃至図５とほぼ同じであるので、ここでは説明を省略する。但し、まず、図６に示すように、被処理物としての薄板１から１５ｍｍ離れた位置において、マイクロプラズマ源６にガスを供給しつつ電力を供給することにより、マイクロプラズマを発生させ、安定したプラズマの発生を確認した後、図１のように被処理物の近傍にマイクロプラズマ源を配置させ、マイクロプラズマ源の開口部から供給される活性粒子を被処理物に作用させ、薄板１を加工する。
【００５３】
通常、マイクロプラズマ源６への高周波電力の供給を開始した瞬間から、高周波電源８とマイクロプラズマ源６の間に挿入している整合回路（図示しない）の動作が開始するが、整合状態が得られるまでの時間がばらつくため、高周波電力を供給してからプラズマが発生するまでに要する時間は、０．１乃至２秒程度の間でばらついてしまう。したがって、本発明の第１の実施形態においては、マイクロプラズマ源６を薄板１の近傍に配置した状態でマイクロプラズマを着火させているため、マイクロプラズマ源６をロールの送り方向と概垂直方向に移動させる速度が一定であると、着火が行われる薄板１の端部においてエッチングが行われなかったり、逆にエッチングが過剰に進行してスクライブラインの幅が広がってしまう場合があった。これは、エッチング速度が極めて速く、モリブデン薄膜の膜厚が０．３５μｍである場合、数秒以内でエッチングが完了してしまうためである。
【００５４】
しかしながら、本発明の第２の実施形態においては、被処理物としての薄板１から離れた位置においてマイクロプラズマを発生させ、安定したプラズマの発生を確認した後、図１のように被処理物の近傍にマイクロプラズマ源を配置させ、マイクロプラズマ源の開口部から供給される活性粒子を被処理物に作用させ、薄板１を加工するため、薄板１の端部においても安定してエッチングが行われ、かつ、一定幅のスクライブラインを形成できるという利点がある。
【００５５】
この方法は、スクライブラインの形成のみならず、マイクロプラズマを用いた加工において、マイクロプラズマ源と被処理物との相対的な位置を変化させながら処理を行う方法一般に適用することが可能である。なお、安定したプラズマの発生を確認する方法として、放電電圧または放電電流のモニタリングや、発光のモニタリングを行う方法がある。とくに発光のモニタリングは、簡便で確実な方法である。
【００５６】
なお、被処理物から離れた位置において、マイクロプラズマを発生させる工程において、被処理物とマイクロプラズマ源の開口部の距離が１０ｍｍ以上であれば、着火時に被処理物をエッチングしてしまう恐れは小さい。
【００５７】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について、図７を参照して説明する。
【００５８】
図７に、本発明の第３の実施形態において用いた、マイクロプラズマ源を搭載した加工装置の斜視図を示す。
【００５９】
本発明の第３の実施形態で用いた加工装置の構成については、図１乃至図５とほぼ同じであるので、ここでは説明を省略する。但し、まず、図７に示すように、被処理物としての薄板１の近傍に、薄板１の表面に若干の隙間をあけてほぼ連続した面に表面を有する着火用電極２５を配置し、着火用電極２５の近傍に配置したマイクロプラズマ源６にガスを供給しつつ電力を供給することにより、マイクロプラズマを発生させ、安定したプラズマの発生を確認した後、マイクロプラズマ源６をロールの送り方向と概垂直方向に移動させて図１のように被処理物の近傍にマイクロプラズマ源を配置させ、マイクロプラズマ源の開口部から供給される活性粒子を被処理物に作用させ、薄板１を加工する。
【００６０】
通常、マイクロプラズマ源６への高周波電力の供給を開始した瞬間から、高周波電源８とマイクロプラズマ源６の間に挿入している整合回路（図示しない）の動作が開始するが、整合状態が得られるまでの時間がばらつくため、高周波電力を供給してからプラズマが発生するまでに要する時間は、０．１乃至２秒程度の間でばらついてしまう。したがって、本発明の第１の実施形態においては、マイクロプラズマ源６を薄板１の近傍に配置した状態でマイクロプラズマを着火させているため、マイクロプラズマ源６をロールの送り方向と概垂直方向に移動させる速度が一定であると、着火が行われる薄板１の端部においてエッチングが行われなかったり、逆にエッチングが過剰に進行してスクライブラインの幅が広がってしまう場合があった。これは、エッチング速度が極めて速く、モリブデン薄膜の膜厚が０．３５μｍである場合、数秒以内でエッチングが完了してしまうためである。
【００６１】
しかしながら、本発明の第３の実施形態においては、着火用電極２５の近傍でマイクロプラズマを発生させ、安定したプラズマの発生を確認した後、図１のように被処理物の近傍にマイクロプラズマ源を配置させ、マイクロプラズマ源の開口部から供給される活性粒子を被処理物に作用させ、薄板１を加工するため、薄板１の端部においても安定してエッチングが行われ、かつ、一定幅のスクライブラインを形成できるという利点がある。
【００６２】
この方法は、スクライブラインの形成のみならず、マイクロプラズマを用いた加工において、マイクロプラズマ源と被処理物との相対的な位置を変化させながら処理を行う方法一般に適用することが可能である。なお、安定したプラズマの発生を確認する方法として、放電電圧または放電電流のモニタリングや、発光のモニタリングを行う方法がある。とくに発光のモニタリングは、簡便で確実な方法である。
【００６３】
また、同様の効果をもたらす別の方法として、着火時に被処理物の近傍に配置したマイクロプラズマ源６に不活性ガスを供給しつつ電力を供給することにより、マイクロプラズマを発生させることにより、着火してプラズマが安定化するまでにエッチングが起きないようにする方法がある。この場合、発光のモニタリングなどによって安定したプラズマの発生を確認した後、マイクロプラズマ源６に不活性ガス及び反応性ガスを供給しつつ電力を供給することにより、マイクロプラズマ源の開口部から供給される活性粒子を被処理物に作用させてエッチング処理を行う。
【００６４】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について、図８を参照して説明する。
【００６５】
図８に、本発明の第４実施形態において用いた、マイクロプラズマ源を搭載した加工装置の斜視図を示す。
【００６６】
本発明の第４の実施形態で用いた加工装置の構成については、図１乃至図５とほぼ同じであるので、ここでは説明を省略する。但し、図１のように被処理物の近傍にマイクロプラズマ源を配置させ、マイクロプラズマ源６をロールの送り方向と概垂直方向に移動させてマイクロプラズマ源の開口部から供給される活性粒子を被処理物に作用させて薄板１を加工した後、図８に示すように、被処理物としての薄板１の近傍に配置させた、被処理物の表面に若干の隙間をあけてほぼ連続した面に表面を有する消火用電極２６の近傍にマイクロプラズマ源６を配置させ、マイクロプラズマ源に供給する電力を停止してマイクロプラズマの発生を停止する。
【００６７】
マイクロプラズマ源６をロールの送り方向と概垂直方向に移動させてマイクロプラズマ源の開口部から供給される活性粒子を被処理物に作用させて薄板１を加工させ、薄板１の端部まで処理が進行してマイクロプラズマ源６の下部が薄板１からはみ出ると、マイクロプラズマの発生領域が薄板１とマイクロプラズマ源６の開口部としての内側ガス排出口１７の対向する部分に限定されるため、単位体積あたりに供給される高周波電力が増加してエッチング速度が高くなってしまう。このため、マイクロプラズマ源６をロールの送り方向と概垂直方向に移動させる速度が一定であると、薄板１の端部においてエッチングが過剰に進行してスクライブラインの幅が広がってしまう場合があった。これは、エッチング速度が極めて速く、モリブデン薄膜の膜厚が０．３５μｍである場合、数秒以内でエッチングが完了してしまうためである。しかし、本発明の第４実施形態においては、消火用電極２６があるために、薄板１の端部においても一定のエッチング速度が得られるため、一定幅のスクライブラインを形成できるという利点がある。
【００６８】
この方法は、スクライブラインの形成のみならず、マイクロプラズマを用いた加工において、マイクロプラズマ源と被処理物との相対的な位置を変化させながら処理を行う方法一般に適用することが可能である。
【００６９】
以上述べた本発明の実施形態において、マイクロプラズマ源としてセラミック製の板を４枚用いた場合を例示したが、平行平板型キャピラリタイプや誘導結合型キャピラリタイプなどのキャピラリタイプや、マイクロギャップ方式、誘導結合型チューブタイプなど、様々なマイクロプラズマ源を用いることができる。
【００７０】
また、被処理物に直流電圧または高周波電力を供給することにより、マイクロプラズマ中のイオンを引き込む作用を強めることも可能である。
【００７１】
また、薄膜太陽電池の裏面電極としての導電性の膜であるモリブデン薄膜をエッチング加工する場合を例示したが、加工対象はこれらに限定されるものではなく、本発明は、種々の基板の加工、または、種々の膜がコーティングされた被処理物の加工に適用できる。ＨｅとＯ２の混合ガスを用いてフォトレジストやポリイミドに代表される樹脂等のエッチング加工を行うこともできる。或いは、種々の被処理物の表面にプラズマＣＶＤ法による薄膜堆積を行うこともできる。また、薄膜太陽電池以外のフレキシブル性を有する電子デバイスに広範囲に適用可能であり、薄型ディスプレイやシート状回路基板などにも応用できる。
【００７２】
また、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を用いてマイクロプラズマを発生させる場合を例示したが、数百ｋＨｚから数ＧＨｚまでの高周波電力を用いてマイクロプラズマを発生させることが可能である。或いは、直流電力を用いたり、パルス電力を供給することも可能である。
【００７３】
また、マイクロプラズマ源の開口部をなす微細線の太さが０．１ｍｍである場合を例示したが、マイクロプラズマ源の開口部の幅はこれに限定されるものではなく、概ね１ｍｍ以下であることが好ましい。マイクロプラズマ源の開口部の幅が小さいほど、プラズマによって発生した活性粒子が、基板表面の微細線状部分より外側に触れにくくなり、微細線状部分に限定された領域のみを加工することができるという利点がある。一方、マイクロプラズマ源を構成する部品の加工の精度や、繰り返し処理による形状の経時変化などを考慮すると、あまり極端に小さくすることも避けるべきである。
【００７４】
また、マイクロプラズマ源の開口部と被処理物との距離が０．１ｍｍである場合を例示したが、マイクロプラズマ源の開口部と被処理物との距離はこれに限定されるものではなく、概ね１ｍｍ以下であることが好ましい。さらに、マイクロプラズマ源の開口部と被処理物との距離が０．５ｍｍ以下であることがより好ましい。マイクロプラズマ源の開口部と被処理物との距離が小さいほど、プラズマによって発生した活性粒子が、基板表面の微細線状部分より外側に触れにくくなり、微細線状部分に限定された領域のみを加工することができるという利点がある。一方、マイクロプラズマ源を構成する部品の加工の精度や、繰り返し処理による形状の経時変化、さらには、マイクロプラズマ源の開口部と被処理物との距離の再現性や安定性などを考慮すると、あまり極端に小さくすることも避けるべきであり、概ね０．０５ｍｍ以上であることが好ましいものと考えられる。
【００７５】
また、マイクロプラズマ源の開口部が微細線状をなしている場合を例示したが、マイクロプラズマ源の開口部が微細点状をなしていてもよい。この場合、マイクロプラズマ源の開口部の代表寸法が１ｍｍ以下であることが望ましい。
【００７６】
また、複数のマイクロプラズマ源を用いて、同時に複数の微細線状部分をエッチングする場合を例示したが、１つのマイクロプラズマ源を用いてもよい。
【００７７】
また、マイクロプラズマ源に高周波電力を供給する場合を例示したが、薄板に電力を供給する図９のような構成、着火用電極及び被処理物としての薄板に電力を供給する図１０のような構成、消火用電極及び被処理物としての薄板に電力を供給する図１１のような構成をとることも可能である。これらの例のように、被処理物に高周波電力を供給する場合には、被処理物へのイオンエネルギーを高めることができるという利点がある。
【００７８】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本願の第１発明の加工方法によれば、薄板上に形成された膜をエッチングしてスクライブラインを形成する加工方法であって、薄板が巻き付けられた第１ロールから引き出した前記薄板を、第２ロールへ送りつつ第２ロールに巻き取る工程と、第１ロールと第２ロールの間にある薄板の近傍に配置されたマイクロプラズマ源にガスを供給しつつ、マイクロプラズマ源または薄板に電力を供給することにより、マイクロプラズマを発生させ、前記マイクロプラズマ源の開口部から供給される活性粒子を薄板上に形成された膜に作用させ、ロールの送り方向と概垂直方向に膜の微細線状部分をエッチングする工程とを含むため、簡単で、かつ、所望の微細領域を精度良く加工することのできる加工方法を提供することができる。
【００７９】
また、本願の第２発明の加工方法によれば、被処理物から離れた位置において、マイクロプラズマ源にガスを供給しつつ電力を供給することにより、マイクロプラズマを発生させる工程と、被処理物の近傍にマイクロプラズマ源を配置させ、マイクロプラズマ源の開口部から供給される活性粒子を被処理物に作用させ、被処理物を加工する工程とを含むため、簡単で、かつ、所望の微細領域を精度良く加工することのできる加工方法を提供することができる。
【００８０】
また、本願の第３発明の加工方法によれば、被処理物の近傍に、被処理物の表面にほぼ連続した面に表面を有する着火用電極を配置する工程と、着火用電極の近傍に配置したマイクロプラズマ源にガスを供給しつつ、マイクロプラズマ源または着火用電極に電力を供給することにより、マイクロプラズマを発生させる工程と、被処理物の近傍にマイクロプラズマ源を配置させ、マイクロプラズマ源の開口部から供給される活性粒子を被処理物に作用させ、被処理物を加工する工程とを含むため、簡単で、かつ、所望の微細領域を精度良く加工することのできる加工方法を提供することができる。
【００８１】
また、本願の第４発明の加工方法によれば、被処理物の近傍に配置したマイクロプラズマ源に不活性ガスを供給しつつ、マイクロプラズマ源または被処理物に電力を供給することにより、マイクロプラズマを発生させる工程と、被処理物の近傍にマイクロプラズマ源を配置させ、マイクロプラズマ源に不活性ガスと反応性ガスを供給しつつ電力を供給することにより、マイクロプラズマ源の開口部から供給される活性粒子を被処理物に作用させ、被処理物を加工する工程とを含むため、簡単で、かつ、所望の微細領域を精度良く加工することのできる加工方法を提供することができる。
【００８２】
また、本願の第５発明の加工方法によれば、被処理物の近傍にマイクロプラズマ源を配置させ、マイクロプラズマ源にガスを供給しつつ、マイクロプラズマ源または被処理物に電力を供給することにより、マイクロプラズマ源の開口部から供給される活性粒子を被処理物に作用させ、被処理物を加工する工程と、被処理物の近傍に、被処理物の表面にほぼ連続した面に表面を有する消火用電極を配置する工程と、消火用電極の近傍にマイクロプラズマ源を配置させ、マイクロプラズマ源または消火用電極に供給する電力を停止してマイクロプラズマの発生を停止する工程とを含むため、簡単で、かつ、所望の微細領域を精度良く加工することのできる加工方法を提供することができる。
【００８３】
また、本願の第６発明の加工装置によれば、薄板が巻き付けられた第１ロールと、前記薄板を巻きつけた第１ロールから引き出した薄板を巻き取る第２ロールと、第１ロールと第２ロールの間にある薄板の近傍に配置されたマイクロプラズマ源と、マイクロプラズマ源にガスを供給するガス供給装置と、マイクロプラズマ源または薄板に電力を供給する電源とを備えたため、簡単で、かつ、所望の微細領域を精度良く加工することのできる加工装置を提供することができる。
【００８４】
また、本願の第７発明の加工装置によれば、マイクロプラズマ源と、マイクロプラズマ源にガスを供給することのできるガス供給装置と、マイクロプラズマ源に電力を供給することのできる電源と、マイクロプラズマ源を被処理物から離れた位置及び被処理物の近傍に配置させる機構を備えたため、簡単で、かつ、所望の微細領域を精度良く加工することのできる加工装置を提供することができる。
【００８５】
また、本願の第８発明の加工装置によれば、マイクロプラズマ源と、マイクロプラズマ源にガスを供給するガス供給装置と、マイクロプラズマ源または被処理物に電力を供給する電源とを備えた加工装置であって、被処理物を配置することが予定された被処理物位置の近傍に、被処理物が配置された際における被処理物の表面にほぼ連続した面に表面を配置させる着火用電極を備えたため、簡単で、かつ、所望の微細領域を精度良く加工することのできる加工装置を提供することができる。
【００８６】
また、本願の第９発明の加工装置によれば、マイクロプラズマ源と、マイクロプラズマ源にガスを供給するガス供給装置と、マイクロプラズマ源または被処理物に電力を供給する電源とを備えた加工装置であって、被処理物を配置することが予定された被処理物位置の近傍に、被処理物が配置された際における被処理物の表面にほぼ連続した面に表面を配置させる消火用電極を備えたため、簡単で、かつ、所望の微細領域を精度良く加工することのできる加工装置を提供することができる。
【００８７】
また、本願の第１０発明の加工方法によれば、開口部が微細線状を為すマイクロプラズマ源を用いた加工方法であって、外側ガス流路にガスを供給し、外側ガス流路に通じ、かつ、外側ガス流路よりも浅い外側ガス排出口から被処理物に向けてガスを吹き出すとともに、内側ガス流路にガスを供給し、内側ガス流路に通じ、かつ、内側ガス流路よりも浅い内側ガス排出口から被処理物に向けてガスを吹き出しつつ、電極または被処理物に電力を供給することによってマイクロプラズマを発生させるため、簡単で、かつ、所望の微細領域を精度良く加工することのできる加工方法を提供することができる。
【００８８】
また、本願の第１１発明の加工方法によれば、開口部が微細線状を為すマイクロプラズマ源を用いた加工装置であって、マイクロプラズマ源が、外側ガス流路と、外側ガス流路に通じ、かつ、外側ガス流路よりも浅い外側ガス排出口と、内側ガス流路と、内側ガス流路に通じ、かつ、内側ガス流路よりも浅い内側ガス排出口と、電極とから為り、また、外側ガス流路及び内側ガス流路にガスを供給するガス供給装置と、電極または被処理物に電力を供給する電源とを備えたため、簡単で、かつ、所望の微細領域を精度良く加工することのできる加工装置を提供することができる。
【００８９】
また、本願の第１２発明の電子デバイスによれば、複数の薄膜からなり、薄板状でフレキシブルな電子デバイスであって、パターニングされた薄膜の断面形状がテーパー状であるため、良好な電気特性とフレキシブル性を有する電子デバイスを提供することができる。
【００９０】
また、本願の第１３発明の電子デバイスによれば、複数の薄膜からなり、薄板状でフレキシブルな電子デバイスであって、パターニングされた薄膜の断面形状において、パターンの肩部がなだらかな曲線であるため、良好な電気特性とフレキシブル性を有する電子デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態で用いた加工装置の構成を示す斜視図
【図２】本発明の第１の実施形態で用いたマイクロプラズマ源の分解図
【図３】本発明の第１の実施形態で用いたマイクロプラズマ源の平面図
【図４】本発明の第１の実施形態で用いたマイクロプラズマ源の断面図
【図５】本発明の第１の実施形態におけるエッチングプロファイルを示すグラフ
【図６】本発明の第２の実施形態で用いた加工装置の構成を示す斜視図
【図７】本発明の第３の実施形態で用いた加工装置の構成を示す斜視図
【図８】本発明の第４の実施形態で用いた加工装置の構成を示す斜視図
【図９】本発明の他の実施形態で用いた加工装置の構成を示す斜視図
【図１０】本発明の他の実施形態で用いた加工装置の構成を示す斜視図
【図１１】本発明の他の実施形態で用いた加工装置の構成を示す斜視図
【図１２】従来例で用いた加工装置の構成を示す斜視図
【図１３】従来例で用いたリフトオフ法の工程を示す断面図
【図１４】従来例におけるパターニングされた薄膜の断面図
【図１５】従来例における別の薄膜堆積後の断面図
【図１６】従来例におけるクラックの状態を示す断面図
【図１７】本発明の第１実施形態における別の薄膜堆積後の断面図
【符号の説明】
１　薄板
２　第１ロール
３　第２ロール
４，５　ガイド
６　マイクロプラズマ源
７　ガス供給装置
８　高周波電源
９　スクライブライン
【図１】
2004146773.tif 000003
【図２】
2004146773.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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