(57)【要約】【課題】薄層のＤＬＣ膜を均一に、かつ低コストで成膜する。【解決手段】ＣＶＤ法によって保護層を形成する工程において、被処理体の電気抵抗値を測定する測定ヘッドと、電気抵抗値の校正用の基準値を測定する校正ヘッドとを具備する原反電気抵抗測定器を用い、測定ヘッドによって被処理体の電気抵抗値を測定し、かつ、同期して校正ヘッドによって測定された校正用の基準値を電気抵抗値に反映させて校正電気抵抗値を算出し、校正電気抵抗値に応じて放電電圧を調整し、保護層の膜厚を制御する。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺状の非磁性支持体の一主面上に、強磁性金属薄膜よりなる磁性層を形成する工程と、上記磁性層上に、ＣＶＤ法によって保護層を形成する工程とを有する磁気記録媒体の製造方法であって、
被処理体に上記保護層を形成する工程において、
上記被処理体の電気抵抗値を測定する測定ヘッドと、校正用の基準値として特定された基準測定対象面の電気抵抗値を測定する校正ヘッドとを具備する原反電気抵抗測定器を用い、
上記測定ヘッドによって上記被処理体の電気抵抗値を測定し、かつ、同期して上記校正ヘッドによって校正用の基準値を測定し、当該校正用の基準値を、上記被処理体の電気抵抗値に反映させて校正電気抵抗値を算出し、当該校正電気抵抗値に応じて、放電電圧を調整し、上記保護層の膜厚を制御することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
上記校正ヘッドの基準測定対象面を、上記被処理体と同じ材質としたことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
長尺状の非磁性支持体の一主面上に強磁性金属薄膜よりなる磁性層が形成された被処理体上に保護層を形成する磁気記録媒体の製造装置であって、
上記被処理体の電気抵抗値を測定する測定ヘッドと、校正用の基準値として特定された基準測定対象面の電気抵抗値を測定する校正ヘッドとを備える原反電気抵抗測定器と、
上記測定ヘッドにより測定された被処理体の電気抵抗値に、上記校正ヘッドにより測定された校正用の基準値を反映させて校正電気抵抗値を算出する抵抗測定器演算処理手段と、
上記校正電気抵抗値に応じて、放電電圧を調整する電圧コントロール手段とを具備し、
上記保護層の膜厚を制御するようになされていることを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。
【請求項４】
上記校正ヘッドの基準測定対象面が、上記被処理体と同じ材質となされていることを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属薄膜型の磁性層を有する磁気記録媒体の製造方法とこれに用いる製造装置に係る。
【０００２】
【従来の技術】
従来、例えばポリエステル系材料やアラミド系の材料等からなる非磁性支持体上に、磁性金属を蒸着させて磁性層を形成し、磁性層上にプラズマＣＶＤ装置により保護層を形成し、更に両主面に潤滑剤をコーティングし、その後所定幅に裁断して作製される金属薄膜型の磁気記録媒体が知られている。
【０００３】
上記のような磁気記録媒体の製造工程中、例えばダイヤモンドライクカーボン膜（以下ＤＬＣ膜と略称する）よりなる硬質の保護層を形成するプラズマＣＶＤ装置においては、プラズマを発生させる発生源として、ＤＣ放電やＲＦ放電、または、ＤＣ電源とＬＦ周波数もしくはＤＣとＲＦ周波数を重畳させて放電させる方式が一般的に適用されている。
【０００４】
このような保護層形成工程に関し、一例としてＤＣ放電方式のプラズマＣＶＤ装置を用いて磁気記録媒体の保護層を形成する場合について、図９を参照して説明する。
【０００５】
図９のＣＶＤ装置１００は、長尺状の非磁性支持体に磁性層が形成された被処理体１０１上に、保護層としてＤＬＣ膜を形成するものとする。
プラズマＣＶＤ装置１００においては、排気系１０２によって排気されて略真空状態となされた真空室１０３内に、巻き出しロール１０４と、巻き取りロール１０５とが設けられ、これらの間に被処理体１０１が順次走行するようになされている。これら巻き出しロール１０４から巻き取りロール１０５に向かって被処理体１０１が走行する途中には、円筒状の回転可能な対向電極用キャン１０６が設けられている。
【０００６】
被処理体１０１は、巻き出しロール１０４から順次送り出され、対向電極用キャン１０６の周面を通過し、巻き取りロール１０５に巻き取られるようになされている。なお、巻き出しロール１０４と対向電極用キャン１０６との間、および対向電極用キャン１０６と巻き取りロール１０５との間には、それぞれガイドロール１０７が配置され、被処理体１０１に所定のテンションをかけ、円滑に走行するようになされている。
【０００７】
また、対向電極用キャン１０６に対向して、例えばパイレックス（登録商標）ガラス、プラスチック等よりなる反応管１０８が設けられており、ガス導入口１０９から成膜用ガスが内部に導入されるようになされている。
また、反応管１０８内には、平板状の放電電極１１０が組み込まれており、外部に配設された直流電源１１１により、所定の電位が印加されるようになされている。
【０００８】
上述した構成のプラズマＣＶＤ装置１００においては、放電電極１１０に電圧が印加されることで、放電電極１１０と対向電極用キャン１０６との間にプラズマが発生する。そして、反応管１０８内に導入された成膜用ガスは、生じたプラズマのエネルギーによって分解および化学的結合し、被処理体１０１上に被着して保護層が形成される。
【０００９】
ところで、近年においては工業的な見地から、より安価に大容量で高密度記録の磁気記録媒体を提供することへの要望が高まってきており、磁気記録媒体（磁気テープ）の生産においては、より長尺で幅広なものが作製されるようになってきている。
【００１０】
このような大容量の磁気記録媒体を作製する場合に、製品不良率を低減化させるためには、保護層を均一に形成することが重要となる。例えば、膜厚が薄い場合、走行耐久性の特性劣化が起こり、また膜厚が厚くなると、走行耐久性は向上するが電磁変換特性の劣化を招く。Ｃｏ薄膜やＣｏ−Ｎｉ薄膜等の金属磁性薄膜上に直接ＤＬＣ膜を形成することによって、実用水準の耐久性を得るには、このＤＬＣ膜の膜厚をある程度厚くする必要がある。一方、今後さらなる高密度化に伴う短波長化が進むと、スペーシング損失による出力低下が無視できなくなる。
すなわち、ＤＬＣ膜は、耐久性を維持できる範囲において薄層化することが望ましいが、薄層の場合には成膜誤差が磁気特性に与える影響が大きくなるので、更なる膜厚の制御の適正化が重要となってくる。
【００１１】
ところが従来においては、ＤＬＣ膜の膜厚制御は、上述した連続巻き取り式ＣＶＤ装置における被処理体の送り速度および設定電圧から経験的に調整されるにとどまり、精密な膜厚制御には限界があった。
【００１２】
一方、ＤＬＣ膜を成膜後ラマン分光法による測定を行い、得られたラマンスペクトル強度面積に基づいて膜厚制御を行う方法についての提案がなされているが（例えば、特許文献１参照。）、この方法においては、小型化したラマン分光測定器をＣＶＤ装置に組み込まなければならず、極めてコスト高になるという問題を有している。
【００１３】
【特許文献１】
特開２０００−２６８３５６号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明においては、上述したような従来の実情に鑑みて、極めて薄層のＤＬＣ膜を均一に、かつ低コストで形成することが可能な磁気記録媒体の製造方法と製造装置を提供する。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、長尺状の非磁性支持体の一主面上に、強磁性金属薄膜よりなる磁性層を形成する工程と、磁性層上にＣＶＤ法によって保護層を形成する工程とを有する磁気記録媒体の製造方法に関するものであり、被処理体に保護層を形成する工程において、被処理体の電気抵抗値を測定する測定ヘッドと、校正用の基準値として特定された基準測定対象面の電気抵抗値を測定する校正ヘッドとを具備する原反電気抵抗測定器を用い、測定ヘッドによって被処理体の電気抵抗値を測定し、これと同期して校正ヘッドによって校正用の基準値を測定し、この校正用の基準値を、被処理体の電気抵抗値に反映させて校正電気抵抗値を算出し、この校正電気抵抗値に応じて放電電圧を調整し、保護層の膜厚を制御するものである。
【００１６】
また、本発明は、長尺状の非磁性支持体の一主面上に強磁性金属薄膜よりなる磁性層が形成された被処理体上に保護層を形成する磁気記録媒体の製造装置に関するものであり、被処理体の電気抵抗値を測定する測定ヘッドと、校正用の基準値として、特定された基準測定対象面の電気抵抗値を測定する校正ヘッドとを備える原反電気抵抗測定器と、測定ヘッドにより測定された被処理体の電気抵抗値に、校正ヘッドにより測定された校正用の基準値を反映させて校正電気抵抗値を算出する抵抗測定器演算処理手段と、校正電気抵抗値に応じて、放電電圧を調整する電圧コントロール手段とを具備し、膜厚の制御を行いながら保護層を形成するものである。
【００１７】
本発明方法および本発明装置によれば、長尺状の被処理体全体に、均一の膜厚のＤＬＣ膜を極めて低コストで成膜することが可能となる。
【００１８】
また、本発明によれば、真空装置内から被処理体を取り出さずに、電気抵抗測定操作と同期して測定ヘッドの校正を行うので、安定した放電状態を保持することが可能となり、成膜工程の効率の向上が図られる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の磁気記録媒体の製造方法、およびこれに適用する磁気記録媒体の製造装置について、具体的に説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
先ず、本発明において製造対象となる磁気記録媒体１０の概略断面図を図１に示す。磁気記録媒体１０は、長尺状の非磁性支持体１上に強磁性金属薄膜よりなる磁性層２および保護層３が形成されてなり、磁性層２の形成面側とは反対側の主面にバック層４が形成され、磁性層側の最表面に潤滑剤層５が設けられた構成を有している。
【００２０】
本発明においては、いわゆる金属薄膜型の磁気記録媒体の保護層を構成するＤＬＣ膜の膜厚制御を適正に行うことを目的とするものであり、作製される磁気記録媒体の非磁性支持体や金属磁性薄膜等の構成材料は、従来公知の材料をいずれも適用することができ、特に限定されるものではない。
【００２１】
非磁性支持体（ベースフィルム）１形成用材料としては、通常、磁気テープの基体として用いられている公知の材料をいずれも適用できる。
例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレン２，６−ナフタリンジカルボキシレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート等のセルロース誘導体、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド等のプラスチック類等を挙げることができる。
【００２２】
磁性層２は、強磁性金属材料を直接被着することにより形成するものであり、強磁性金属材料としては、通常の蒸着テープに使用されるものであればいずれも適用できる。例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｕ  、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃｂ−Ａｕ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｍｎ−Ｂｉ、Ｍｎ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金が挙げられ、これらの単層膜であってもよいし多層膜であってもよい。更には、非磁性支持体と磁性層間、あるいは多層膜の場合には、各層間の付着力向上、並びに抗磁力の制御等のため、所定の下地層や中間層を設けてもよい。また、例えば磁性層表面近傍が耐蝕性改善等のために酸化物となっていてもよい。磁性層２は、例えば略真空下で強磁性材料を加熱蒸発させ非磁性支持体上に沈着させる真空蒸着法や、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行うイオンプレーティング法、アルゴンを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起し、生じたアルゴンイオンでターゲット表面の原子を叩き出すスパッタ法等、の各種ＰＶＤ技術によって形成することができる。
【００２３】
磁性層２上には、摺動耐久性を付与するとともに外部の湿気等から磁性層２を保護するために、硬質カーボン膜よりなる保護層３が設けられる。
この保護層３は、例えば、炭化水素系ガスを用いたＣＶＤ法によって成膜することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法、アークジェットプラズマＣＶＤ法のいずれであってもよい。
【００２４】
保護層３の成膜工程について、本発明の磁気記録媒体の製造装置の一例としてプラズマＣＶＤ装置を挙げ、この装置の概略図を参照して説明する。
図２のプラズマＣＶＤ装置２０は、図１中の非磁性支持体１上に磁性層２を形成した被処理体２１上に保護層３としてＤＬＣ膜を形成するものである。
【００２５】
排気手段２８により、所定の減圧雰囲気にされた真空チャンバー２２内において、被処理体２１は巻き出しロール２４から送出され、ガイドロール２３に支持されながら、対向電極であるとともに、図中矢印Ａ方向に定速で回転可能となされた冷却キャン２６により巻回支持され、回転駆動されつつ走行しながら巻き取りロール２５に巻き取られるようになされている。
【００２６】
一方、反応管２９にガス導入管３０から導入された炭化水素系の原料ガスは、ＤＣ電源３２から電圧供給された電極３１を介して、所定のＤＣ電界にてプラズマ化し、分解、結合などの反応を経て、冷却キャン２６の周面に走行する被処理体２１上に被着し、カーボン膜よりなる保護層３が形成されるようになされている。
【００２７】
図２のプラズマＣＶＤ装置２０においては、巻き出しロール２４と冷却キャン２６との間に、保護層成膜工程の前工程として被処理体２１の電気抵抗値を計測するための原反電気抵抗測定器４０が配設されている。
【００２８】
この原反電気抵抗測定器４０は、抵抗測定器演算処理手段５０、放電電圧を調整する電圧コントロール手段６０、およびＤＣ電源３２に電気的に連結するようになされている。
【００２９】
原反電気抵抗測定器４０の概略斜視図を図３に示し、この原反電気抵抗測定器４０に被処理体２１が走行している状態の概略断面図を図４に示す。
原反電気抵抗測定器４０は、被処理体２１を非接触で挟持する支持体４１に、被処理体２１の電気抵抗値を測定する測定ヘッド４２と、電気抵抗値の校正用の基準値を測定する校正ヘッド４３とが配置されている。
【００３０】
図４に示すように、被処理体２１は測定ヘッド４２上を非接触で連続走行するようになされており、長尺形状の被処理体２１の磁性層形成面の微細な凹凸に応じて変化する電気抵抗値が、設定された所定の時間間隔毎に記録されるようになされている。
【００３１】
一方、校正ヘッド４３側においては、校正ヘッド４３に対向するようにして支持体４１に基準測定対象４４が固定されており、かかる基準測定対象４４の表面の電気抵抗値が、校正用の基準値として、設定された所定の時間間隔毎に記録されるようになされている。
校正ヘッド４３側においては、校正ヘッド４３と基準測定対象面との距離が常に一定であることから、理論的に常に電気抵抗値は変化しないはずであるが、実際には、温度等の外的な要素により電気抵抗値に変化が生じる。すなわち、測定ヘッド４２によって実測されている電気抵抗値にもこのような外的な要因による測定誤差が含まれていることが分かる。よって、真の電気抵抗値を得るためには、かかる外的な要因に基づく誤差を、電気抵抗値に校正用の基準値として反映させることが必要である。
なお、基準測定対象４４の測定面は、被処理体２１の測定面と同じ材質となされていることが望ましい。これによって材質に基づく測定誤差を回避することができる。
【００３２】
上述のようにして記録された被処理体２１の電気抵抗値と、校正用の基準値は、図２に示す抵抗測定器演算処理手段５０にメモリーされる。ここで、校正用の基準値が実測の電気抵抗値に反映され、真の電気抵抗値である校正電気抵抗値を算出する。
この校正電気抵抗値は、放電電圧コントロール手段６０によって、所定の設定時間毎に読み出され、ここで、電気抵抗値と成膜層の膜厚との関係から導き出される膜厚値を自動換算し、更に一定の膜厚を確保する為に必要な電源出力を算出し、ＤＣ電源３２に対して所定の放電電圧値を設定し出力する。
【００３３】
次に、ＤＣ電源３２において電圧出力が開始されプラズマ放電が行われる。プラズマ放電開始後は巻き出しロール２４にある被処理体２１が巻き取りロール２５に全て巻き取られるまで、任意に設定可能な時間間隔毎にＤＣ電源３２に放電電圧のコントロールが繰り返される。
【００３４】
上述したように、保護層の成膜工程の前工程として被処理体２１の電気抵抗値を測定することとし、かつ電気抵抗値を測定するための測定ヘッド４２とは別個に設けた校正用ヘッド４３によって校正用の基準値を測定しておき、適宜校正を加えて真の電気抵抗値を算出し、この値に応じて放電電圧を逐次調整することとしたことによって、保護層の膜厚を精密に制御することができた。
また、原反電気抵抗測定器４０により反応管２９と被処理体２１との間で行うプラズマ放電の前に電気抵抗値を測定することにより、プラズマ放電時に、迅速かつ正確にＤＣ電源１２にフィードバックをかけることが容易に行われるようになった。
【００３５】
なお、原反抵抗測定器４０おいて測定された被処理体２１の電気抵抗値が極端に高い場合や、極端に低い場合には、プラズマ放電時にアークが発生し、被処理体２１、およびＤＣ電源３２にダメージを与え、そのダメージが大きいと被処理体２１の切断となるおそれがある。
かかる問題を防ぐ手段として、電気抵抗値の異常が発見された場合には、放電電圧コントロール手段６０からＤＣ電源３２に対して、電圧出力を停止する制御を行う方法が好適である。
【００３６】
バック層４は、いわゆる薄膜形成技術により形成してもよく、塗料を塗布することによって形成してもよい。バック層形成用材料としては、一般に使用されるものであれば如何なるものであってもよい。例示すれば、カーボン、ＣｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＢＮ、Ｃｏ酸化物、ＭｇＯ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｏ４、ＳｉＮ４、ＳｉＣ、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＴｉＣ等が挙げられる。これらの単層膜であってもよいし多層膜であってもよい。
【００３７】
磁性層側の最表面には、例えばパーフルオロポリエーテル系潤滑剤によって、潤滑剤層５を形成する。
作製された磁気記録媒体の原反を、所望の設定幅に裁断することによって目的とする磁気記録媒体が作製される。
【００３８】
【実施例】
次に、図５に示す工程フローを参照し、本発明の具体的な実施例を示して説明する。
〔実施例〕
先ず、ポリエチレンテレフタレートフィルムよりなる非磁性支持体上に、膜厚２００ｎｍのＣｏ金属磁性薄膜よりなる磁性層を形成した被処理体を作製した。
次に、磁性層上に図２に示したプラズマＣＶＤ装置２０を用いて保護層としてＤＬＣ膜を形成した。
この例においては、原反電気抵抗測定器４０として、図３に示すように測定ヘッド４２と校正ヘッド４３とを具備する構成のものを適用することとし、具体的には、コペル電子社製７１７Ｂにオプションとして校正ヘッドおよび校正用の基準値を加工し演算処理等する手段を付与したものを使用した。
【００３９】
図５に示すように、先ずＣＶＤ装置２０を稼動させ、原反電気抵抗測定器４０により走行する被処理体２１の電気抵抗値と校正用の基準値の測定を行う（工程１、２）。測定ヘッド４２により実測された電気抵抗値と、校正ヘッドにより測定された校正用の基準値とを、抵抗測定器演算処理手段５０にメモリーする（工程３、４）。
【００４０】
続いて、校正ヘッドにおいて測定された最初の値と変化した値との違いを判断するために校正用の基準値を加工し、これを測定ヘッド４２により実測された電気抵抗値と組み合わせ、校正用の基準値とのズレを修正するように演算処理を行って反映させ、真の電気抵抗値である校正電気抵抗値を算出する（工程５〜７）。
【００４１】
校正電気抵抗値を放電電圧コントロール手段６０によって読み出し、校正電気抵抗値とＤＬＣ膜の膜厚との関係から膜厚に換算し、均一な膜厚の保護層を得るための保護層の膜厚として算出する（工程８〜１０）。
本例においては、保護層が１０ｎｍの均一な膜厚になるように設定した。
続いて、保護層の膜厚に対応するＤＣ電源３２の出力を決定し、放電電圧を出力し、プラズマ放電を開始する（工程１１〜１３）。
以後、上述した工程を繰り返して行い、ＤＬＣ膜よりなる保護層を成膜した。
【００４２】
〔実験例〕
先ず、上述した実施例と同様にして被処理体２１を作製した。
磁性層上に図２に示したプラズマＣＶＤ装置２０を用いて保護層としてＤＬＣ膜を形成した。
この例において、原反電気抵抗測定器４０としては、図６の概略斜視図および図７の概略断面図に示すように、測定ヘッド４２のみを具備する構成のものを適用することとし、具体的には、コペル電子社製７１７Ｂを用いた。
【００４３】
図５のフローに示すように、ＣＶＤ装置２０を稼動させ、原反電気抵抗測定器４０により走行する被処理体２１の電気抵抗値の測定を開始した（工程１、２）。測定ヘッド４２により実測された電気抵抗値を、抵抗測定器演算処理手段５０にメモリーした（工程３）。
【００４４】
実測された電気抵抗値を放電電圧コントロール手段６０によって読み出し、電気抵抗値とＤＬＣ膜の膜厚との関係から、成膜する保護層の膜厚を算出した（工程８〜１０）。
本例においては、保護層が１０ｎｍの均一な膜厚になるように設定した。
続いて、保護層の膜厚に対応するＤＣ電源３２の出力を決定し、放電電圧を出力し、プラズマ放電を開始した（工程１１〜１３）。
以後、上述した工程を繰り返して行い、ＤＬＣ膜よりなる保護層を成膜した。
【００４５】
〔比較例〕
先ず、上述した実施例と同様にして被処理体２１を作製した。
磁性層上に図２に示したプラズマＣＶＤ装置２０を用いて、保護層として、膜厚を１０ｎｍに設定してＤＬＣ膜を形成した。
この例においては、図９に示すように原反電気抵抗測定器４０を具備しないＣＶＤ装置を用いて保護層の成膜を行った。
【００４６】
上述した実施例、実験例および比較例のそれぞれにおいて作製された原反の中央部を原反長手方向に１００ｍおきに３０ポイント測定サンプルとして設定し、各サンプルポイントにおける保護層の膜厚を測定した。測定結果を図８に示す。
【００４７】
図８に示すように、プラズマＣＶＤ法によるＤＬＣ膜の成膜工程において、原反電気抵抗測定器に校正ヘッドを具備するものを使用し、実測された電気抵抗値を校正しながらプラズマ放電を行った（実施例）においては、膜厚の変動幅が約１ｎｍ程度に低減され、極めて正確な膜厚制御を行うことができた。
【００４８】
プラズマＣＶＤ法によるＤＬＣ膜の成膜工程において、校正ヘッドを具備しない原反電気抵抗測定器を適用し、実測された電気抵抗値によってプラズマ放電を行った（実験例）においては、膜厚の変動幅が約２ｎｍ程度となった。
【００４９】
一方、プラズマＣＶＤ法によるＤＬＣ膜の成膜工程において、被処理体の電気抵抗値を測定することなく、被処理体の送り速度を調整することによってのみ膜厚制御を行った（比較例）においては、膜厚の変動幅が約４ｎｍ程度となった。
【００５０】
上述したことから明らかなように、原反電気抵抗測定器４０により、被処理体２１の電気抵抗値を測定し、この電気抵抗値に応じて、放電電圧を調整した場合には、従来のＣＶＤ法に比較してカーボン保護層の膜厚の均一化を図ることができ、更に校正ヘッドによって測定された校正用の基準値を、被処理体２１の電気抵抗値に反映させることによって算出された校正電気抵抗値に応じて放電電圧を調整した場合には、更に精密に膜厚の制御を行うことができた。
【００５１】
【発明の効果】
本発明方法によれば、長尺形状の被処理体に対して、極めて高い精度をもって均一な膜厚の保護層を形成することができた。
【００５２】
また、本発明の磁気記録媒体の製造装置によれば、原反電気抵抗測定器を構成する電気抵抗測定用のヘッドと校正ヘッドとを同期的に稼動させていることにより、成膜する真空室内のガス雰囲気を維持したまま、成膜工程中においてリアルタイムで電気抵抗値の校正を行うことができ、安定した成膜工程を長時間維持することができ、低コストで極めて高精度な膜厚の制御が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法により作製される磁気記録媒体の概略断面図を示す。
【図２】本発明の磁気記録媒体の製造装置の一例のプラズマＣＶＤ装置の概略構成図を示す。
【図３】本発明の磁気記録媒体の製造装置を構成する原反電気抵抗測定器の概略斜視図を示す。
【図４】本発明の磁気記録媒体の製造装置を構成する原反電気抵抗測定器の概略断面図を示す。
【図５】保護層成膜工程のフローを示す。
【図６】参照用の実験例において使用する原反電気抵抗測定器の概略斜視図を示す。
【図７】参照用の実験例において使用する原反電気抵抗測定器の概略断面図を示す。
【図８】保護層膜厚の分布を示す。
【図９】従来におけるプラズマＣＶＤ装置の概略構成図を示す。
【符号の説明】
１……非磁性支持体、２……磁性層、３……保護層、４……バック層、５……潤滑剤層、１０……磁気記録媒体、２０……プラズマＣＶＤ装置、２１……被処理体、２２……真空チャンバー、２３……ガイドロール、２４……巻き出しロール、２５……巻き取りロール、２６……冷却キャン、２８……排気手段、２９……反応管、３０……ガス導入管、３１……電極、３２……ＤＣ電源、４０……原反電気抵抗測定器、４１……支持体、４２……測定ヘッド、４３……校正ヘッド、５０……抵抗測定器演算処理手段、６０……放電電圧コントロール手段、１００……プラズマＣＶＤ装置、１０１……被処理体、１０２……排気系、１０３……真空室、１０４……巻き出しロール、１０５……巻き取りロール、１０６……対向電極用キャン、１０７……ガイドロール、１０８……反応管、１０９……ガス導入管、１１０……放電電極、１１１……直流電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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