(57)【要約】【課題】電荷を効率よく転送することのできる電荷転送装置を提供する。【解決手段】第１の半導体層と、第１の半導体層内に形成された第１導電型の第２の半導体層と、第２の半導体層の内部に形成された第１導電型とは異なる第２導電型の第１のチャネル領域、及び第１のチャネル領域の上方に形成された第１の電極を含んで構成される第１の電荷転送路と、第１の半導体層内に、第２の半導体層とオーバーラップされて形成される、第１導電型の第３の半導体層と、第３の半導体層の内部に形成された第２導電型の第２のチャネル領域、及び第２のチャネル領域の上方に形成された第２の電極を含んで構成され、第１の電荷転送路から電荷が転送される第２の電荷転送路とを有する電荷転送装置を提供する。【選択図】      図２
2004273843.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体層と、
前記第１の半導体層内に形成された第１導電型の第２の半導体層と、
前記第２の半導体層の内部に形成された前記第１導電型とは異なる第２導電型の第１のチャネル領域、及び該第１のチャネル領域の上方に形成された第１の電極を含んで構成される第１の電荷転送路と、
前記第１の半導体層内に、前記第２の半導体層とオーバーラップされて形成される、第１導電型の第３の半導体層と、
前記第３の半導体層の内部に形成された第２導電型の第２のチャネル領域、及び該第２のチャネル領域の上方に形成された第２の電極を含んで構成され、前記第１の電荷転送路から電荷が転送される第２の電荷転送路と
を有する電荷転送装置。
【請求項２】
前記第２の半導体層と前記第３の半導体層とがオーバーラップされて形成されている領域における、前記第１の方向と平行な方向に沿う長さの平均が０．１μｍ以上１．０μｍ以下である請求項１に記載の電荷転送装置。
【請求項３】
第１の半導体層と、
前記第１の半導体層内に形成された第１導電型の第２の半導体層と、
前記第１の半導体層内に、前記第２の半導体層の近傍に形成された、前記第１導電型の第３の半導体層と、
前記第３の半導体層内に形成され、入射光量に応じた電荷を蓄積する光電変換素子と、
前記第２の半導体層の内部に形成された前記第１導電型とは異なる第２導電型の第１のチャネル領域、及び該第１のチャネル領域の上方に形成された第１の電極を含んで構成され、前記光電変換素子に蓄積された電荷が転送される第１の電荷転送路と、
前記第１の半導体層内に、前記第２の半導体層とオーバーラップされて形成される、第１導電型の第４の半導体層と、
前記第４の半導体層の内部に形成された第２導電型の第２のチャネル領域、及び該第２のチャネル領域の上方に形成された第２の電極を含んで構成され、前記第１の電荷転送路から電荷が転送される第２の電荷転送路と
を有する固体撮像装置。
【請求項４】
前記第２の半導体層と前記第４の半導体層とがオーバーラップされて形成されている領域における、前記第１の方向と平行な方向に沿う長さの平均が０．１μｍ以上１．０μｍ以下である請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第１の電荷転送路を、前記光電変換素子が近接して形成されている画素部と、前記光電変換素子が近接して形成されていない連結部とに分けるとき、前記第２の半導体層と前記第４の半導体層とがオーバーラップされて形成されている領域が前記連結部の下方に存在する請求項３または４に記載の固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体領域内で電荷を転送する電荷転送装置に関する。また、第１の電荷転送路と、第１の電荷転送路に接続された第２の電荷転送路とを有する固体撮像装置に関し、特に、第１の電荷転送路と第２の電荷転送路の下部に形成されるウエルの構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図６（Ａ）は、インターライン方式を採用した固体撮像装置の概略を示す平面図である。固体撮像装置に含まれる固体撮像素子は、たとえばシリコン等の半導体基板上に形成されたｎ型半導体層５０に作られている。
【０００３】
固体撮像装置は、ｎ型半導体層５０内に形成された第１のｐウエル５３ｗ、第１のｐウエル５３ｗの内部及び上方に形成された複数の垂直転送路５３、各々の垂直転送路５３の片側に配置された複数の光電変換素子５１、光電変換素子５１で発生した信号電荷を垂直転送路５３に読み出す読み出し部５２、ｎ型半導体層５０内に形成された第２のｐウエル５４ｗ、第２のｐウエル５４ｗの内部及び上方に形成され、垂直転送路５３の一端で、各々の垂直転送路５３に電気的に結合された水平転送路５４、及び水平転送路５４の端部に設けられた出力アンプ５５を含んで構成されている。
【０００４】
入射した光量に応じて光電変換素子５１に蓄積された信号電荷が、読み出し部５２から垂直転送路５３に読み出された後、垂直転送路５３内を、水平転送路５４の方向に向かって、転送される。垂直転送路５３の末端まで転送された信号電荷は、水平転送路５４に転送される。出力アンプ５５から信号電荷に応じた映像信号が、外部に取り出される。
【０００５】
垂直転送路５３は、光電変換素子５１が片側に近接して配置された画素部５３ａ、及び、画素部５３ａと水平転送路５４とを連結する部分であって、片側に光電変換素子５１が配置されていない連結部５３ｂとに大別される。なお、連結部５３ｂと水平転送路５４との間の垂直転送路５３に、ラインメモリが形成されている固体撮像装置もある。そのような構成の固体撮像装置の場合、画素部５３ａとラインメモリとの間の部分を連結部５３ｂと呼ぶこととする。
【０００６】
図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示した固体撮像装置の６Ｂ−６Ｂ線に沿った断面図である。垂直転送路５３は、ｎ型半導体で形成された垂直転送チャネル５６と、垂直転送チャネル５６を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に、たとえば２層のポリシリコンで形成された垂直転送電極Ｖ（１）、Ｖ（２）、Ｖ（３）及びＶ（４）とを含んで構成される。垂直転送電極Ｖ（１）、Ｖ（２）、Ｖ（３）及びＶ（４）には、それぞれ駆動信号（転送電圧）ΦＶ（１）、ΦＶ（２）、ΦＶ（３）及びΦＶ（４）が印加され、信号電荷を水平転送路５４に向かって転送する。信号電荷は、垂直転送チャネル５６内を転送される。
【０００７】
水平転送路５４は、ｎ型半導体で形成された水平転送チャネル５７と、水平転送チャネル５７を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に、たとえば２層のポリシリコンで形成された水平転送電極Ｈａ及びＨｂを含んで構成される。複数の垂直転送路５３から転送されてきた信号電荷が、水平転送チャネル５７内を出力アンプ５５に向かって転送される。
【０００８】
第１のｐウエル５３ｗの端部と第２のｐウエル５４ｗとは、距離ｄだけ離れて形成されている。これは、垂直転送チャネル５６から水平転送チャネル５７に転送される信号電荷の転送効率を低下させないための工夫である。（例えば、特許文献１参照。）転送効率が悪いと、固体撮像装置の画面には、上下方向に、一様な強度の縦線（連続縦線）が現れる場合がある。
【０００９】
図７は、第１のｐウエル５３ｗの端部と第２のｐウエル５４ｗとの間の距離ｄと、画面に現れる縦線（連続縦線）の強度との関係を示す概略的なグラフである。横軸は、両ウエル間の距離ｄを、単位「μｍ」で表し、縦軸は、画面に現れる縦線（連続縦線）の強度を表す。距離ｄが正の値をとることは、２つのウエルは、その値だけ離れて形成されることを意味する。負の値をとることは、２つのウエルは、その値の絶対値だけ重ねられて（オーバーラップされて）形成されることを意味する。図示した範囲においては、第１のｐウエル５３ｗの端部と第２のｐウエル５４ｗとの間の距離ｄの絶対値（ギャップまたはオーバーラップ幅）が大きくなると、縦線（連続縦線）の強度が低下するのがわかる。
【００１０】
【特許文献１】
特開２００１−１１９０１１号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、第１のｐウエル５３ｗの端部と第２のｐウエル５４ｗとの間に距離（ギャップ）を設けた固体撮像装置であっても、依然として、画面には縦線（連続縦線）が現れる。
【００１２】
本発明の目的は、電荷を効率よく転送することのできる電荷転送装置を提供することである。また、縦線（連続縦線）の低減された、高画質の固体撮像装置を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、第１の半導体層と、前記第１の半導体層内に形成された第１導電型の第２の半導体層と、前記第２の半導体層の内部に形成された前記第１導電型とは異なる第２導電型の第１のチャネル領域、及び該第１のチャネル領域の上方に形成された第１の電極を含んで構成される第１の電荷転送路と、前記第１の半導体層内に、前記第２の半導体層とオーバーラップされて形成される、第１導電型の第３の半導体層と、前記第３の半導体層の内部に形成された第２導電型の第２のチャネル領域、及び該第２のチャネル領域の上方に形成された第２の電極を含んで構成され、前記第１の電荷転送路から電荷が転送される第２の電荷転送路とを有する電荷転送装置が提供される。
【００１４】
この電荷転送装置によれば、第１の電荷転送路から第２の電荷転送路に転送される電荷の転送効率を向上させることができる。
【００１５】
また、本発明の他の観点によれば、第１の半導体層と、前記第１の半導体層内に形成された第１導電型の第２の半導体層と、前記第１の半導体層内に、前記第２の半導体層の近傍に形成された、前記第１導電型の第３の半導体層と、前記第３の半導体層内に形成され、入射光量に応じた電荷を蓄積する光電変換素子と、前記第２の半導体層の内部に形成された前記第１導電型とは異なる第２導電型の第１のチャネル領域、及び該第１のチャネル領域の上方に形成された第１の電極を含んで構成され、前記光電変換素子に蓄積された電荷が転送される第１の電荷転送路と、前記第１の半導体層内に、前記第２の半導体層とオーバーラップされて形成される、第１導電型の第４の半導体層と、前記第４の半導体層の内部に形成された第２導電型の第２のチャネル領域、及び該第２のチャネル領域の上方に形成された第２の電極を含んで構成され、前記第１の電荷転送路から電荷が転送される第２の電荷転送路とを有する固体撮像装置が提供される。
【００１６】
この固体撮像装置は、第１の電荷転送路から第２の電荷転送路に転送される電荷の転送効率を向上させることにより、画面に生じる縦線（連続縦線）を低減した、高画質の固体撮像装置である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図１は、図６に示す固体撮像装置の第１のｐウエル５３ｗの端部と第２のｐウエル５４ｗとの間の距離ｄを様々に変化させて調べた、距離ｄと固体撮像装置の画面に現れる縦線（連続縦線）の強度との関係を示す。グラフの縦軸及び横軸の表すところは、図７に示したグラフの場合と等しい。
【００１８】
点線で記した曲線は、従来より知られていた両者の関係（図７のグラフ）と同一のものであり、実線で記した曲線は、本願発明者らが、固体撮像装置の垂直転送路５３における電荷転送の条件を厳しくして、実験により求めた、両者の関係を示すグラフである。
【００１９】
実線で記したグラフは、距離ｄが正の領域では、強度の強い縦線（連続縦線）が発生し、距離ｄが負の領域では、発生する縦線（連続縦線）の強度が弱くなることを示している。第１のｐウエル５３ｗの端部と第２のｐウエル５４ｗとの間にギャップを設けた場合、それによって、従来知られていたモードとは別モードの電荷転送不良が生じ、画面の縦線（連続縦線）が解消されないものと考えられる。
【００２０】
また、この実験結果から、半導体層に複数のｐウエルと、そのｐウエルの内部及び上方に電荷転送路が形成された構成を有する電荷転送装置において、少なくとも２つ以上のｐウエルが重なる領域（オーバーラップ領域）をもつように、半導体層にｐウエルを形成すると、電荷の転送効率を向上させることができると考えられる。また、たとえば図６に示した固体撮像装置において、第１のｐウエル５３ｗの端部と第２のｐウエル５４ｗとの間にオーバーラップ領域を設けることで、画面に現れる縦線（連続縦線）を低減させることができると考えられる。
【００２１】
図２（Ａ）は、本発明の第１の実施例による電荷転送装置の概略を示す平面図である。電荷転送装置は、たとえばシリコン等の半導体基板上に形成されたｎ型半導体層２０に作られている。
【００２２】
第１の実施例による電荷転送装置は、ｎ型半導体層２０内に形成された第１のｐウエル１ｗ、第１のｐウエル１ｗの内部及び上方に形成され、電荷を転送することのできる第１の転送路１、ｎ型半導体層２０内に形成された第２のｐウエル２ｗ、及び第２のｐウエル２ｗの内部及び上方に形成され、第１の転送路１の一端で、第１の転送路１に電気的に結合された第２の転送路２を含んで構成されている。第１のｐウエル１ｗの延在方向（図においては上下方向）と、第２のｐウエル２ｗの延在方向（図においては左右方向）とは、たとえば略直交するように形成されている。第１の転送路１及び第２の転送路２の延在方向は、それぞれ第１のｐウエル１ｗ及び第２のｐウエル２ｗの延在方向と一致する。電荷は、全体として、それぞれの転送路の延在方向に転送される。
【００２３】
図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示した電荷転送装置の２Ｂ−２Ｂ線に沿う断面図である。第１の転送路１は、ｎ型半導体で形成された第１の転送チャネル３と、第１の転送チャネル３を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に、たとえば２層のポリシリコンで形成された第１の転送電極Ｆ（１）、Ｆ（２）、Ｆ（３）及びＦ（４）とを含んで構成される。第１の転送電極Ｆ（１）、Ｆ（２）、Ｆ（３）及びＦ（４）には、それぞれ駆動信号（転送電圧）ΦＦ（１）、ΦＦ（２）、ΦＦ（３）及びΦＦ（４）が印加され、電荷を第２の転送路２に向かって転送する。電荷は、第１の転送チャネル３内を転送される。
【００２４】
第２の転送路２は、ｎ型半導体で形成された第２の転送チャネル４と、第２の転送チャネル４を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に、たとえば２層のポリシリコンで形成された第２の転送電極Ｋａ及びＫｂを含んで構成される。第１の転送路１から、第２の転送路２に、電荷が転送され、それらの電荷は、第２の転送チャネル４内を、一方向に向かって転送される。
【００２５】
第１のｐウエル１ｗの端部と第２のｐウエル２ｗとは、第１の転送路１の下方で、距離Ｌだけ重ねられて（オーバーラップされて）形成されている。なお、第２のｐウエル２ｗは、第１のｐウエル１ｗよりも、ｎ型半導体層２０内に深く形成されている。第２のｐウエル２ｗを深く形成することにより、第２の転送電極Ｋａ及びＫｂに、印加する駆動信号（転送電圧）の電圧を大きくすることができ、第２の転送路２における電荷転送速度を高めることができる。
【００２６】
図２（Ｃ）は、図２（Ａ）に示した電荷転送装置の２Ｃ−２Ｃ線に沿う断面図である。ｎ型半導体２０内に第１のｐウエル１ｗが形成され、第１のｐウエル１ｗの内部に、第１の転送チャネル３が形成されている。
【００２７】
図２（Ｄ）は、図２（Ａ）に示した電荷転送装置の２Ｄ−２Ｄ線に沿う断面図である。ｎ型半導体２０内に第２のｐウエル２ｗが形成され、第２のｐウエル２ｗの内部に、第２の転送チャネル４が形成されている。
【００２８】
第１の実施例による電荷転送装置は、第１のｐウエル１ｗと第２のｐウエル２ｗをオーバーラップさせて形成したため、第１の転送路１から第２の転送路２に転送される電荷の転送効率を向上させることができる。転送効率向上のためには、第１のｐウエル１ｗと第２のｐウエル２ｗとがオーバーラップされる距離（オーバーラップ量）Ｌは、０．１μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましいこと、また、０．１μｍ以上０．５μｍ以下であることがより一層好ましいことが、実験的に確かめられた。オーバーラップ量とは、第１の転送路１から第２の転送路２に電荷が転送されるとき、第１のｐウエル１ｗと第２のｐウエル２ｗとが共有する領域における、第１のｐウエル１ｗの延在方向と平行な方向に沿う長さの平均のことと定義する。
【００２９】
なお、第１の実施例においては、第１のｐウエル１ｗの延在方向と、第２のｐウエル２ｗの延在方向とは、略直交するように形成されていたが、必ずしも略直交するように形成する必要はない。
【００３０】
本実施例による電荷転送装置に含まれる電荷転送路の数は、１以上の任意の数でよい。ｐウエルの内部及び上方に形成された電荷転送路を、少なくとも１つ含む電荷転送装置において、少なくとも１組のｐウエルがオーバーラップされて形成されていればよい。
【００３１】
また、オーバーラップされて形成されたｐウエルが、複数組存在する場合、オーバーラップ量Ｌはすべての組について一定の値となる必要はない。
【００３２】
更に、２つまたはそれ以上のｐウエルのオーバーラップ領域におけるオーバーラップ量Ｌは、一定値でなくとも、場所によって異なっていてもよい。
【００３３】
更にまた、図２には、第１の転送路１の下方に、オーバーラップ領域が形成された場合を示したが、第１の転送路１と第２の転送路２との境界の下方に存在する領域を含むように、第１のウエル１ｗと第２のウエル２ｗがオーバーラップする領域を形成してもよい。
【００３４】
また、ｎ型半導体層２０をｐ−層で形成することもできる。
【００３５】
図３（Ａ）は、本発明の第２の実施例による固体撮像装置の概略的な平面図である。第２の実施例による固体撮像装置は、第１の実施例による電荷転送装置を含んで構成される。図面上では、図２に示した電荷転送装置に、新たに、複数の光電変換素子５１、読み出し部５２及び出力アンプ５５が加入されている。
【００３６】
たとえばシリコン等の半導体基板上に形成されたｎ型半導体層２０内に、第１のｐウエル１ｗの近傍に、ｐ型半導体層５１ｗを形成する。その内部に形成された光電変換素子５１に、入射光量に応じて蓄積された信号電荷が、読み出し部５２によって、第１の転送路１に読み出された後、第１の転送路１内を第２の転送路２の方向に向かって転送される。第１の転送路１の末端まで転送された信号電荷は、第２の転送路２に転送される。出力アンプ５５から信号電荷に応じた映像信号が外部に取り出される。複数の光電変換素子５１は、たとえば行列状に形成され、その列方向と平行な方向に形成された光電変換素子５１に近接して、第１の転送路１が形成されている。
【００３７】
第１の転送路１は、光電変換素子５１が片側に近接して配置された画素部１ａ、及び、画素部１ａと第２の転送路２とを連結する部分であって、片側に光電変換素子５１が配置されていない連結部１ｂとに大別される。なお、連結部１ｂと第２の転送路２との間の第１の転送路１に、信号蓄積部（ラインメモリ）が形成されている固体撮像装置の場合、画素部１ａと信号蓄積部（ラインメモリ）との間の部分を連結部１ｂと呼ぶこととする。
【００３８】
図３（Ｂ）は、図３（Ａ）の３Ｂ−３Ｂ線に沿う断面図である。第１のｐウエル１ｗと第２のｐウエル２ｗとは、第１の転送路１の連結部１ｂの下方で重ねられて（オーバーラップされて）形成されている。オーバーラップ量Ｌは、たとえば０．１μｍ以上１．０μｍ以下である。第１のｐウエル１ｗと第２のｐウエル２ｗとをオーバーラップさせて形成することにより、第１及び第２の転送路間の信号電荷の転送効率を向上させることができる。これによって、固体撮像装置の画面に現れる縦線（連続縦線）を低減させることができる。なお、第１の転送路１及び第２の転送路２における信号電荷の転送は、第１の実施例で説明したのと同様に行われる。
【００３９】
図４（Ａ）〜（Ｃ）は、第２の実施例による固体撮像装置の変形例である。
【００４０】
図４（Ａ）においては、第１の転送路１（の連結部１ｂ）と第２の転送路２との境界の下方に存在する領域を含むように、第１のウエル１ｗと第２のウエル２ｗのオーバーラップする領域が形成されている。
【００４１】
図４（Ｂ）においては、第１の転送路１の画素部１ａと連結部１ｂとの境界の下方に存在する領域を含むように、第１のウエル１ｗと第２のウエル２ｗのオーバーラップする領域が形成されている。
【００４２】
図４（Ｃ）においては、第１の転送路１の画素部１ａの下方に、第１のウエル１ｗと第２のウエル２ｗのオーバーラップする領域が形成されている。
【００４３】
図４（Ａ）〜（Ｃ）に示すいずれの位置に、２つのウエル領域のオーバーラップ部分を形成しても、第１のｐウエル１ｗと第２のｐウエル２ｗとをオーバーラップさせて形成することにより、第１及び第２の転送路間の信号電荷の転送効率を向上させることができる。これによって、固体撮像装置の画面に現れる縦線（連続縦線）を低減させることができる。なお、オーバーラップ量Ｌは、０．１μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましい。
【００４４】
図５（Ａ）は、図３に示した固体撮像装置の、第１の転送路１と第２の転送路２との間に、信号蓄積部（ラインメモリ）７を設けた固体撮像装置の概略を示す平面図である。信号蓄積部は、第１の転送路１を転送されてきた信号電荷を、一旦蓄積した後、第２の転送路２に転送する。
【００４５】
図５（Ｂ）は、図５（Ａ）の５Ｂ−５Ｂ線に沿う断面図である。信号蓄積部（ラインメモリ）７は、第１の転送チャネル３と、第１の転送チャネル３を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に、たとえば２層のポリシリコンで形成された転送制御電極ＬＭ１及びＬＭ２とを含んで構成される。転送制御電極ＬＭ１及びＬＭ２には、駆動信号（転送電圧）ΦＬＭが印加され、第１の転送路１から第２の転送路２に信号電荷が転送される。第１のｐウエル１ｗと第２のｐウエル２ｗとは、連結部１ｂの下方で、オーバーラップされて形成されている。オーバーラップ量Ｌは、０．１μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましい。
【００４６】
信号蓄積部（ラインメモリ）７が形成された固体撮像素子においても、第１のｐウエル１ｗと第２のｐウエル２ｗとをオーバーラップさせて形成することにより、第１及び第２の転送路間の信号電荷の転送効率を向上させることができる。これによって固体撮像装置の画面に現れる縦線（連続縦線）を低減させることができる。
【００４７】
なお、第１のｐウエル１ｗと第２のｐウエル２ｗとが、連結部１ｂの下方で、オーバーラップされている場合を図示したが、連結部１ｂと信号蓄積部（ラインメモリ）７との境界の下方に存在する領域を含むように、オーバーラップ領域を形成してもよい。
【００４８】
なお、図３または図５に示した固体撮像装置は、第１の実施例による電荷転送装置を含んで構成されるものであるから、第１及び第２の転送路は、必ずしも略垂直状に形成される必要はない。両者が略垂直状に形成されているとき、第１の転送路を垂直転送路、第２の転送路を水平転送路と考えることもできる。
【００４９】
上記実施例において、全領域の導電型を逆にしてもよい。第１の転送路の下部に形成されているウエル領域と、第２の転送路の下部に形成されているウエル領域とをオーバーラップさせることにより、両転送路間の電荷の転送効率を向上させることができる。また、固体撮像装置においては、画面に現れる縦線（連続縦線）を改善することができる。
【００５０】
以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者には自明であろう。
【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、電荷を効率よく転送することのできる電荷転送装置を提供することができる。また、縦線（連続縦線）の低減された、高画質の固体撮像装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】固体撮像装置の第１のｐウエルの端部と第２のｐウエルとの間の距離ｄと、固体撮像装置の画面に現れる縦線（連続縦線）の強度との関係を示すグラフである。
【図２】（Ａ）は、第１の実施例による電荷転送装置の概略を示す平面図であり、（Ｂ）〜（Ｄ）は、概略的な断面図である。
【図３】（Ａ）は、第２の実施例による固体撮像装置の概略的な平面図であり、（Ｂ）は概略的な断面図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は、第２の実施例による固体撮像装置の変形例である。
【図５】（Ａ）は、図３に示した固体撮像装置の、第１の転送路と第２の転送路との間に、信号蓄積部（ラインメモリ）を設けた固体撮像装置の概略を示す平面図であり、（Ｂ）は、概略的な断面図である。
【図６】（Ａ）は、インターライン方式を採用した固体撮像装置の概略を示す平面図であり、（Ｂ）は、概略を示す断面図である。
【図７】第１のｐウエルの端部と第２のｐウエルとの間の距離ｄと、画面に現れる縦線（連続縦線）の強度との関係を示す概略的なグラフである。
【符号の説明】
１  第１の転送路
１ａ  画素部
１ｂ  連結部
１ｗ  第１のｐウエル
２  第２の転送路
２ｗ  第２のｐウエル
３  第１の転送チャネル
４  第２の転送チャネル
７  信号蓄積部（ラインメモリ）
２０、５０  ｎ型半導体層
５１  光電変換素子
５１ｗ  ｐ型半導体層
５２  読み出し部
５３  垂直転送路
５３ａ  画素部
５３ｂ  連結部
５３ｗ  第１のｐウエル
５４  水平転送路
５４ｗ  第２のｐウエル
５５  出力アンプ
５６  垂直転送チャネル
５７  水平転送チャネル
Ｆ（１）〜Ｆ（４）  第１の転送電極
Ｋａ、Ｋｂ  第２の転送電極
ΦＦ（１）〜ΦＦ（４）、ΦＬＭ  駆動信号（転送電圧）
ＬＭ１、ＬＭ２  転送制御電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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