(57)【要約】【課題】本発明は、不揮発性強誘電体メモリを利用した電子式手帳等の電子機器において、バックアップ用の電源電圧等を要することなく、管理データを保持することを目的とする。【解決手段】スケジュールや電話番号等の管理データを、揮発モード（ダイナミックモード）と不揮発モード（ノンボラタイルモード）との切換えが可能な強誘電体ＲＡＭ１６に記憶させ、電圧検出器Ｄにより所定値以下の電源電圧が検出された際には、メモリ制御回路１７により上記強誘電体ＲＡＭ１６を不揮発モードに切換えて管理データの保持を図り、電池交換時に所定のスイッチが操作されることによって、上記強誘電体ＲＡＭ１６を不揮発モードに切換えて上記管理データの保持を図る構成とする。【選択図】　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
　データを記憶する不揮発性強誘電体メモリと、
　供給される電圧が所定の電圧以下に降下したことを検出する電圧検出手段と、
　この電圧検出手段による電圧降下検出動作に応じて上記不揮発性強誘電体メモリの動作モードをダイナミックモードから不揮発モードに切換える制御手段と
を具備したことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
　データを記憶する不揮発性強誘電体メモリと、
　内部電池と、
　この内部電池を交換する際に操作されるスイッチと、
　このスイッチの操作に応じて上記不揮発性強誘電体メモリの動作モードをダイナミックモードから不揮発モードに切換える制御手段と
を具備したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、ダイナミックモードと不揮発モードとの切換えが可能な不揮発性強誘電体メモリを利用した電子式手帳等の電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
　従来、個人のスケジュールや知人の住所，電話番号等の管理には、カレンダ式の自筆によるメモ帳等が広く使用されているが、最近では、キー入力操作により半導体メモリに管理データを記憶させ、必要に応じて該管理データを読出して表示部に表示させる、所謂、電子式のメモ帳も実用されている。
【０００３】
　この電子式メモ帳において、上記管理データはＤＲＡＭ（ダイナミックＲＡＭ）やＳＲＡＭ（スタィックＲＡＭ）カード等に記憶され、電源ＯＦＦ時あるいはカード取外し時でも、上記ＲＡＭにはバックアップ電圧を供給する構成として上記管理データの保持を図っているが、通常、この種の電子機器の電源には、電池や充電池が使用されるため、該電池が消耗すると上記バックアップ電圧も供給されなくなりＲＡＭ内のデータは消滅してしまう。このため、従来は、電子機器の電源となる電池電圧が所定値以下に低下すると、表示やブザー等によりユーザに電池交換を促す機能が付加されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　しかしながら、上記電池交換報知機能を備えた電子機器にあっても、長期間使用されないと、その報知動作にユーザが気付かないまま電池の消耗が進行するため、結局、ＲＡＭ内の管理データを消滅させてしまう場合がある。
【０００５】
　本発明は上記課題に鑑みなされたもので、バックアップ用の電源電圧等を要することなく、管理データを保持することが可能になる電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
　請求項１の電子機器は、データを記憶する不揮発性強誘電体メモリと、供給される電圧が所定の電圧以下に降下したことを検出する電圧検出手段と、この電圧検出手段による電圧降下検出動作に応じて上記不揮発性強誘電体メモリの動作モードをダイナミックモードから不揮発モードに切換える制御手段とを備えて構成したものである。
【０００７】
　請求項２の電子機器は、データを記憶する不揮発性強誘電体メモリと、内部電池と、この内部電池を交換する際に操作されるスイッチと、このスイッチの操作に応じて上記不揮発性強誘電体メモリの動作モードをダイナミックモードから不揮発モードに切換える制御手段とを備えて構成したものである。
【発明の効果】
【０００８】
　本発明の第１の電子機器では、データを記憶する不揮発性強誘電体メモリと、供給される電圧が所定の電圧以下に降下したことを検出する電圧検出手段と、この電圧検出手段による電圧降下検出動作に応じて上記不揮発性強誘電体メモリの動作モードをダイナミックモードから不揮発モードに切換える制御手段とを備えて構成し、また、別の電子機器では、データを記憶する不揮発性強誘電体メモリと、内部電池と、この内部電池を交換する際に操作されるスイッチと、このスイッチの操作に応じて上記不揮発性強誘電体メモリの動作モードをダイナミックモードから不揮発モードに切換える制御手段とを備えて構成したので、バックアップ用の電源電圧等を要することなく、管理データを保持することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
　以下図面により本発明の一実施例について説明する。図１は不揮発性強誘電体メモリのモード切換えを電圧検知及びキー操作に連動させた電子手帳の電源供給構成を示す回路図である。
【００１０】
　電子手帳の主要部を構成する電子手帳回路１０に対しては、電池あるいは充電池等を用いてなるバッテリ電源Ｂからの電源電圧が、電源スイッチＳＷ及び定電圧レギュレータＲを介して供給される。
【００１１】
　上記定電圧レギュレータＲの出力電圧は、電圧検出器Ｄにより検出され、その電圧検出信号は上記電子手帳回路１０に供給される。図２は上記モード切換え及び電圧検知連動型電子手帳の電子手帳回路１０の構成を示すブロック図である。
【００１２】
　この電子手帳回路１０は、ＣＰＵ（中央処理装置）１１により、キー入力部１２からのキー操作信号に応じてＲＯＭ１３に予め記憶されているシステムプログラムが起動され、回路各部の動作制御が行なわれるもので、このＣＰＵ１１には、上記キー入力部１２，ＲＯＭ１３，及び上記電圧検出器Ｄの他、主にワーク用として動作するＲＡＭ１４，計時部１５，不揮発性強誘電体メモリ（強誘電体ＲＡＭ）１６，メモリ制御回路１７，及び表示部１８が接続される。
【００１３】
　上記キー入力部１２には、個人のスケジュールデータや知人のアドレスデータ，電話番号データ等を管理データとして入力するためのかなキー，テンキー，記号キー等の文字入力キーが備えられると共に、時計表示を行なう時計モードに設定する際に操作される「ＣＬＫ」キー１２ａ，スケジュールデータの登録／表示を行なうスケジュールモードに設定する際に操作される「Ｓｃｈ」キー１２ｂ，電話番号データの登録／表示を行なう電話モードに設定する際に操作される「Ｔｅｌ」キー１２ｃ等、各種機能キーが備えられる。
【００１４】
　上記強誘電体ＲＡＭ１６は、通常のＤＲＡＭとして動作する揮発モード（ダイナミックモード）とバックアップ電圧を要しない不揮発モード（ノンボラタイルモード）との切換えが可能なもので、この強誘電体ＲＡＭ１６には、上記スケジュールモードや電話モードが設定された際に登録あるいは表示されるスケジュールデータや電話番号データが管理データとして記憶される。
【００１５】
　そして、上記強誘電体ＲＡＭ１６に対する揮発モードと不揮発モードとのモード切換え信号「Ｄ／NV」やリフレッシュ信号「ＲＦＳＨ」等の制御信号は、ＣＰＵ１１からの指示に従ってメモリ制御回路１７から供給される。
【００１６】
　ここで、メモリ制御回路１７は、内蔵されるフリップフロップＦＦによりモード切換え信号「Ｄ／NV」を保有しており、強誘電体ＲＡＭ１６は、「Ｄ／NV」が“１”の場合に揮発モード（ダイナミックモード）に切換え設定され、“０”の場合に不揮発モード（ノンボラタイルモード）に切換え設定される。
【００１７】
　図３は上記電子手帳回路１０に内蔵される強誘電体ＲＡＭ１６の端子構成を示す図である。この強誘電体ＲＡＭ１６には、電源端子「Ｖcc」，接地端子「ＧＮＤ」，アドレス線及びデータ線の各接続端子が備えられると共に、モード切換え信号「Ｄ／NV」，リフレッシュ信号「ＲＦＳＨ」，チップイネーブル信号「ＣＥ」，ライト信号「ＷＥ」，リード信号「ＯＥ」の各制御信号入力端子が備えられる。
【００１８】
　図４は上記電子手帳回路１０に内蔵される強誘電体ＲＡＭ１６のモード切換え動作を示すタイミングチャートである。この強誘電体ＲＡＭ１６は、不揮発モード（ノンボラタイルモード）において、パルス状のチップイネーブル信号「ＣＥ」が一定期間供給されると共に、モード切換え信号「Ｄ／NV」が“０”（ＶIL）→“１”（ＶIH）にセットされると、揮発モード（ダイナミックモード）に切換えられてリフレッシュ信号「ＲＦＳＨ」が供給されるようになり、また、揮発モード（ダイナミックモード）において、リフレッシュ信号「ＲＦＳＨ」が停止され、モード切換え信号「Ｄ／NV」が“１”（ＶIH）→“０”（ＶIL）にセットされると共に、パルス状のチップイネーブル信号「ＣＥ」が一定期間供給されると、不揮発モード（ノンボラタイルモード）に切換えられるようになる。
【００１９】
　次に、上記構成によるモード切換え及び電圧検知連動型の電子手帳の動作について説明する。図５は上記モード切換え及び電圧検知連動型電子手帳の動作を示すフローチャートである。
【００２０】
　すなわち、電源スイッチＳＷをＯＮにすると、まず、ＣＰＵ１１により電圧検出器Ｄからの電圧検出信号に基づき、電子手帳回路１０に供給される電源電圧がその残量に余裕のない所定値以下に低下したか否か判断される（ステップＳ１）。
【００２１】
　このステップＳ１において「Ｎｏ」、つまり、電源電圧は未だ所定値以下に低下しておらず、その残量には余裕があると判断されると、キー入力部１２からのキー操作信号の入力待ち状態となる（ステップＳ１→Ｓ２）。
【００２２】
　ここで、ユーザが時計モードを指定すべくキー入力部１２の「ＣＬＫ」キー１２ａを操作すると、現在、メモリ制御回路１７に保有されているモード切換え信号「Ｄ／NV」は“１”か否か、つまり、強誘電体ＲＡＭ１６の現動作モードは揮発モード（ダイナミックモード）か否か判断され、揮発モードである場合には、メモリ制御回路１７によりリフレッシュ信号「ＲＦＳＨ」が停止され、モード切換え信号「Ｄ／NV」が“１”（ＶIH）→“０”（ＶIL）にセットされると共に、パルス状のチップイネーブル信号「ＣＥ」が一定期間供給され、不揮発モード（ノンボラタイルモード）に切換えられる（ステップＳ３→Ｓ４→Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７）。
【００２３】
　そして、計時部１５からの計時信号に基づき、表示部１８に時計表示が行なわれる（ステップＳ８）。すなわち、上記時計モードでは、上記強誘電体ＲＡＭ１６に対する管理データの書込み（登録）あるいは読出し（表示）は行なわないので、不揮発モード（ノンボラタイルモード）に切換え、管理データの保持及び無駄な電力消費の抑制が図られる。
【００２４】
　一方、上記ステップＳ２におけるキー入力待ち状態において、ユーザがスケジュールモードあるいは電話モードを指定すべくキー入力部１２の「Ｓｃｈ」キー１２ｂあるいは「Ｔｅｌ」キー１２ｃを操作すると、現在、メモリ制御回路１７に保有されているモード切換え信号「Ｄ／NV」は“１”か否か、つまり、強誘電体ＲＡＭ１６の現動作モードは揮発モード（ダイナミックモード）か否か判断され、揮発モードでない場合には、メモリ制御回路１７によりパルス状のチップイネーブル信号「ＣＥ」が一定期間供給されると共に、モード切換え信号「Ｄ／NV」が“０”（ＶIL）→“１”（ＶIH）にセットされ、リフレッシュ信号「ＲＦＳＨ」の供給が開始されて揮発モード（ダイナミックモード）に切換えられる（ステップＳ９→Ｓ１０→Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３）。
【００２５】
　すると、キー入力操作に応じたスケジュールデータあるいは電話番号データの書込みまたは読出しが、上記強誘電体ＲＡＭ１６に対して実行され、その登録処理や表示処理が行なわれるようになる（ステップＳ１４）。
【００２６】
　すなわち、上記スケジュールモードあるいは電話モードでは、上記強誘電体ＲＡＭ１６に対する管理データの書込み（登録）や読出し（表示）が行なわれるので、ＤＲＡＭとして動作する揮発モード（ダイナミックモード）に切換えられる。
【００２７】
　一方、上記ステップＳ１において「Ｙｅｓ」、つまり、電源電圧はその残量に余裕のない所定値以下に低下したと判断されると、現在、メモリ制御回路１７に保有されているモード切換え信号「Ｄ／NV」は“１”か否か、つまり、強誘電体ＲＡＭ１６の現動作モードは揮発モード（ダイナミックモード）か否か判断され、揮発モードである場合には、メモリ制御回路１７によりリフレッシュ信号「ＲＦＳＨ」が停止され、モード切換え信号「Ｄ／NV」が“１”（ＶIH）→“０”（ＶIL）にセットされると共に、パルス状のチップイネーブル信号「ＣＥ」が一定期間供給され、不揮発モード（ノンボラタイルモード）に切換えられる（ステップＳ１→Ｓ１７，Ｓ１８）。
【００２８】
　そして、バッテリＢの交換をユーザに促すアラーム処理が、メッセージ表示あるいはブザー駆動等により行なわれる（ステップＳ１９）。すなわち、上記バッテリＢの残量に余裕がなくなり、揮発モード（ダイナミックモード）にある強誘電体ＲＡＭ１６内の管理データに、破壊あるいは消滅等の恐れが生じた場合には、不揮発モード（ノンボラタイルモード）に切換えられ、管理データの保持及び無駄な電力消費の抑制が図られる。
【００２９】
　したがって、上記構成のモード切換え及び電圧検知連動型の電子手帳によれば、スケジュールデータや電話番号データ等の管理データを、通常のＤＲＡＭとして動作する揮発モード（ダイナミックモード）とバックアップ電圧を要しない不揮発モード（ノンボラタイルモード）との切換えが可能な強誘電体ＲＡＭ１６に記憶させ、「ＣＬＫ」キー１２ａの操作による時計モード指定の際、あるいは電圧検出器Ｄにより所定値以下の電源電圧が検出された際には、メモリ制御回路１７により上記強誘電体ＲＡＭ１６を不揮発モードに切換え、管理データの保持及び電力消費の抑制を図り、また、「Ｓｃｈ」キー１２ｂあるいは「Ｔｅｌ」キー１２ｃの操作によるスケジュールモードあるいは電話モード指定の際には、上記強誘電体ＲＡＭ１６を揮発モードに切換え、上記管理データの書込み（登録）や読出し（表示）を行なうので、バックアップ電圧を要さず、管理データを確実に保持することができる。
【００３０】
　図６は強誘電体ＲＡＭのモード切換えを電源スイッチ連動型とした電子手帳の電源供給構成を示す回路図である。電子手帳の主要部を構成する電子手帳回路１０に対しては、電池あるいは充電池等を用いてなるバッテリ電源Ｂからの電源電圧が、電源スイッチＳＷ及び定電圧レギュレータＲを介して供給される。
【００３１】
　上記電源スイッチＳＷの後段には、コンデンサＣが挿入されて電源ＯＮ時における電源電圧の蓄積が行なわれる。また、電源スイッチＳＷのＯＦＦ時には、電源ＯＦＦ信号“０”（ＶIL）が上記電子手帳回路１０に供給される。
【００３２】
　図７は上記電源スイッチ連動型の電子手帳回路１０に内蔵される強誘電体ＲＡＭ１６の電源ＯＮに伴うモード切換え動作を示すタイミングチャートである。すなわち、電源スイッチＳＷをＯＮにすると、その電源電圧がコンデンサＣに蓄積されると共に、電子手帳回路１０に供給されるＶcc及び電源ＯＦＦ信号が過渡的に立上り、該Ｖcc及び電源ＯＦＦ信号が“１”（ＶIH）になると、強誘電体ＲＡＭ１６に対し、メモリ制御回路１７によりパルス状のチップイネーブル信号「ＣＥ」が一定期間供給されると共に、モード切換え信号「Ｄ／NV」が“０”（ＶIL）→“１”（ＶIH）にセットされ、管理データの書込み（登録）及び読出し（表示）が可能な揮発モード（ダイナミックモード）に切換えられる。
【００３３】
　図８は上記電源スイッチ連動型の電子手帳回路１０に内蔵される強誘電体ＲＡＭ１６の電源ＯＦＦに伴うモード切換え動作を示すタイミングチャートである。すなわち、電源スイッチＳＷをＯＦＦにすると、電子手帳回路１０に供給される電源ＯＦＦ信号が“０”（ＶIL）に立下ると共に、コンデンサＣの放電により、Ｖccは徐々に降下して行く。このＶccの残留電圧を利用して、強誘電体ＲＡＭ１６に対し、メモリ制御回路１７により、モード切換え信号「Ｄ／NV」が“１”（ＶIH）→“０”（ＶIL）にセットされると共に、パルス状のチップイネーブル信号「ＣＥ」が一定期間供給され、管理データの保持が可能な不揮発モード（ノンボラタイルモード）に切換えられる。
【００３４】
　したがって、上記図６で示した構成の電源スイッチ連動型の電子手帳によれば、電子手帳回路１０に内蔵される強誘電体ＲＡＭ１６を、電源ＯＮに伴い管理データの書込み（登録）及び読出し（表示）が可能な揮発モードに切換え、電源ＯＦＦに伴い管理データの保持が可能な不揮発モードに切換えることができる。
【００３５】
　図９は強誘電体ＲＡＭのモード切換えをバッテリ交換連動型とした電子手帳の電源供給構成を示す回路図である。電子手帳の主要部を構成する電子手帳回路１０に対しては、電池あるいは充電池等を用いてなるバッテリ電源Ｂからの電源電圧が、電源スイッチＳＷ及び定電圧レギュレータＲを介して供給される。
【００３６】
　上記電源スイッチＳＷの後段には、バッテリＢの交換に伴い切換え動作するバッテリ交換連動スイッチＳＷ（Ｂ）が挿入され、バッテリＢの交換時には、バッテリ交換検出信号が上記電子手帳回路１０に供給される。このＳＷ（Ｂ）は、例えば電池蓋の開閉と連動するように構成され、電池交換時には必ず操作されるものとする。
【００３７】
　すなわち、上記図９で示した構成のバッテリ交換連動型の電子手帳によれば、バッテリＢの交換に伴いバッテリ交換検出信号が供給された場合には、電子手帳回路１０に内蔵される強誘電体ＲＡＭ１６を不揮発モード（ノンボラタイルモード）に切換えられ、また、バッテリＢの交換終了に伴い上記バッテリ交換検出信号の供給が停止された場合には、上記強誘電体ＲＡＭ１６を揮発モード（ダイナミックモード）に切換えることにより、バッテリＢの取外しにより管理データが消滅する恐れを無くすことができる。
【００３８】
　図１０は外部記憶媒体として強誘電体ＲＡＭカード２１が装着可能な電子手帳回路２０の構成を示すブロック図であり、前記図２における電子手帳回路１０と同様の構成部分については、それと同一の符号を付してその説明を省略する。
【００３９】
　上記強誘電体ＲＡＭカード２１は、前記実施例同様の強誘電体ＲＡＭ１６を内蔵し、スケジュールデータや電話番号データ等の管理データを記憶するもので、この強誘電体ＲＡＭカード２１はカードインターフェイス２２を介して電子手帳回路２０と接続される。カード２１内の強誘電体ＲＡＭは、電子手帳の強誘電体ＲＡＭ制御回路２３からの信号により揮発モード（ダイナミックモード）と不揮発モード（ノンボラタイルモード）との切換え制御が行なわれる。
【００４０】
　そして、上記強誘電体ＲＡＭカード２１に対する管理データの書込み（登録）あるいは読出し（表示）は、入出力制御回路２４を介してＣＰＵ１１との間で行なわれる。
【００４１】
　ここで、上記カードインターフェイス２２には、カードロックスイッチ２５が備えられ、このカードロックスイッチ２５をロックすることで装着状態にある強誘電体ＲＡＭカード２１の取外しが阻止されるもので、このカードロックスイッチ２５によるカードロック信号は上記強誘電体ＲＡＭ制御回路２３に供給される。
【００４２】
　すなわち、上記図１０で示した構成の強誘電体ＲＡＭカード２１が装着可能な電子手帳回路２０によれば、強誘電体ＲＡＭカード２１の装着に伴いカードロックスイッチ２５からのカードロック信号が強誘電体ＲＡＭ制御回路２３に供給された場合には、該ＲＡＭカード２１に内蔵される強誘電体ＲＡＭ１６にモード切換え信号「Ｄ／NV」を“１”として与え、揮発モード（ダイナミックモード）に切換え、管理データのアクセス処理を可能とする。また、強誘電体ＲＡＭカード２１の取外しに伴いカードロックスイッチ２５からのカードロック信号が強誘電体ＲＡＭ制御回路２３に供給されなくなった場合には、モード切換え信号を“０”として該ＲＡＭカード２１に内蔵される強誘電体ＲＡＭ１６を不揮発モード（ノンボラタイルモード）に切換えるので、カード２１が取外された場合でも、ＲＡＭカード２１内の管理データをバックアップ電圧無しで確実に保持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の電子機器の一実施例に係わるモード切換え及び電圧検知連動型の電子手帳の電源供給構成を示す回路図。
【図２】上記モード切換え及び電圧検知連動型電子手帳の電子手帳回路の構成を示すブロック図。
【図３】上記電子手帳回路に内蔵される強誘電体ＲＡＭの端子構成を示す図。
【図４】上記電子手帳回路に内蔵される強誘電体ＲＡＭのモード切換え動作を示すタイミングチャート。
【図５】上記モード切換え及び電圧検知連動型電子手帳の動作を示すフローチャート。
【図６】電源スイッチ連動型の電子手帳の電源供給構成を示す回路図。
【図７】上記電源スイッチ連動型の電子手帳回路に内蔵される強誘電体ＲＡＭの電源ＯＮに伴うモード切換え動作を示すタイミングチャート。
【図８】上記電源スイッチ連動型の電子手帳回路に内蔵される強誘電体ＲＡＭの電源ＯＦＦに伴うモード切換え動作を示すタイミングチャート。
【図９】バッテリ交換連動型の電子手帳の電源供給構成を示す回路図。
【図１０】外部記憶媒体として強誘電体ＲＡＭカードが装着可能な電子手帳回路の構成を示すブロック図。
【符号の説明】
【００４４】
　１０、２０…電子手帳回路、１２…キー入力部、１２ａ…「ＣＬＫ」キー、１２ｂ…「Ｓｃｈ」キー、１２ｃ…「Ｔｅｌ」キー、１３…ＲＯＭ、１４…ＲＡＭ、１５…計時部、１６…不揮発性強誘電体メモリ（強誘電体ＲＡＭ）、１７…メモリ制御回路、１８…表示部、２１…強誘電体ＲＡＭカード、２２…カードインターフェイス、２３…強誘電体ＲＡＭ制御回路、２４…入出力回路、２５…カードロックスイッチ、Ｂ…バッテリ、ＳＷ…電源スイッチ、Ｒ…定電圧レギュレータ、Ｄ…電圧検出器、Ｃ…コンデンサ、ＳＷ（Ｂ）…バッテリ交換連動スイッチ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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