(57)【要約】【課題】入力または出力の容量を増加させ、振動速度を減少させることにより、高出力を実現することが出来ると同時に発熱温度を低減させることにある。【解決手段】本発明は第１圧電体素子（２１ａ）と、上記第１圧電体素子（２１ａ）の上側面に形成される第１入力電極（ＩＮＥ１）と、上記第１圧電体素子（２１ａ）の上側面に上記第１入力電極（ＩＮＥ１）と電気的に分離して形成される第１出力電極（ＯＵＴＥ１）と、上記第１圧電体素子（２１ａ）の下側面に形成される接地電極（ＧＥ）と、上記接地電極（ＧＥ）が形成される第１圧電体素子（２１ａ）の下部に積層の第２圧電体素子（２１ｂ）と、上記第２圧電体素子（２１ｂ）の下側面に上記第１入力電極と対向して形成される第２入力電極（ＩＮＥ２）と、上記第２圧電体素子（２１ｂ）の下側面に上記第１出力電極と対向して形成される第２出力電極（ＯＵＴＥ２）とを備えたことを特徴とする。【選択図】図１
2004088132.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　圧電体素子（５１）と、
　上記圧電体素子（５１）の上面に形成される入力電極（ＩＮＥ）と、
　上記入力電極（ＩＮＥ）と電気的に分離して形成される出力電極（ＯＵＴＥ）と、
　上記圧電体素子（５１）の下面に形成される接地電極（ＧＥ）とを具備し、
　上記圧電体素子（５１）の略中央部に上側から下側へ貫通する貫通ホール（Ｈ）を形成することを特徴とする高出力用積層圧電トランス。
【請求項２】
　請求項１において、上記高出力用積層圧電トランスは圧電体素子を少なくとも２層以上に形成することを特徴とする高出力用積層圧電トランス。
【請求項３】
　請求項１において、上記高出力用積層圧電トランスは円版態様なることを特徴とする高出力用積層圧電トランス。　
【請求項４】
　ドーナツ態様の圧電体素子（６１）と、
　上記圧電体素子（６１）の上面の一部に形成される入力電極（ＩＮＥ）と、
　上記圧電体素子（６１）の上面に上記入力電極（ＩＮＥ）と電気的に分離して形成される出力電極（ＯＵＴＥ）と、
　上記圧電体素子（６１）の下面に形成される接地電極（ＧＥ）と、
　を備えたことを特徴とする高出力用積層圧電トランス。
【請求項５】
　請求項４において、上記高出力用積層圧電トランスは圧電体素子を少なくとも２層以上に形成することを特徴とする高出力用積層圧電トランス。
【請求項６】
　請求項４において、上記高出力用積層圧電トランスは二つ以上の入力電極（ＩＮＥ）、出力電極（ＯＵＴＥ）および接地電極（ＧＥ）をそれぞれ同一な機能を行なう電極同士を接続部（ＩＮＣ，ＯＵＴＣ，ＧＣ）により連結することを特徴とする高出力用積層圧電トランス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は電圧印加に伴う圧電体素子の変形を利用して１次電圧を２次電圧に変換する圧電トランスに係わるものであって、殊に入力または出力の容量値を増加させ、振動速度を減少させることによって高出力を実現可能なるものと同時に発熱温度を低減可能に成した高出力用積層圧電トランスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　一般的に、圧電トランスの基本原理は胴体（筐体）の一部の領域に電圧を印加することによって生ずる変形が、同じ胴体の他の領域に変形と２次電圧に転換することを利用したものである。このような圧電トランスは入力および出力側の形状と振動モード等によりいろいろな種類に分けられるが、そのうち、バラスト（ｂａｌｌａｓｔ）圧電トランス用に検討しているリング−ドットタイプ圧電トランスを図１２（Ａ），（Ｂ）に図示する。
【０００３】
　図１２（Ａ）は従来のリング−ドットタイプ圧電トランスの平面図であり、図１２（Ｂ）は従来のリング−ドットタイプ圧電トランスの断面図であり、リング−ドットタイプの圧電トランスは図１２（Ｂ）のように、リング態様のオープン領域（ＯＰ）を通じて圧電体素子をリング領域（ｒｉｎｇ）とドット領域（ｄｏｔ）とに分けたものである。図１２（Ｂ）を参照すると、リング−ドットタイプ圧電トランスは圧電体素子（１１０）と、上記圧電体素子（１１０）の上側面に形成されて１次電圧が印加する入力端（ＩＮ）に連結される入力電極（ＩＮＥ）と、上記入力電極（ＩＮＥ）とオープン領域（ＯＰ）により電気的に分離して２次電圧を出力する出力端（ＯＵＴ）に連結される出力電極（ＯＵＴＥ）と、上記圧電体素子（１１０）の下側面に形成されて接地に連結する接地電極（ＧＥ）とからなる。上記において、ドット部位が入力電極（ＩＮＥ）となり、リング部位が出力電極（ＯＵＴＥ）と成り得ることも有り、反対にリング部位が入力電極（ＩＮＥ）となり、ドット部位が出力電極（ＯＵＴＥ）となることもある。
【０００４】
　上記のように構成される従来のリング−ドットタイプ圧電トランスにおいて、図１２（Ａ）に図示のドット（ＤＯＴ）、即ち図１２（Ｂ）の入力電極（ＩＮＥ）へ共振周波数の入力電圧を印加すれば、図１２（Ｂ）に図示のような平面方向（矢印方向）へ収縮膨張する振動モードに振動をするようになり、このとき厚さ方向には反対に膨張収縮が生じて出力電極（ＯＵＴＥ）において、圧電効果による電圧が発生するようになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　ところで、このような従来のリング−ドットタイプ圧電トランスは入力側および出力側の容量が少ないために、高出力用として用いることが不適合であり、万一高出力用として用いられるようになっても振動速度が増加して或る特定のレベル以上に振動速度が増加すれば発熱温度が急激に上昇して許容値以上になる等のような問題点が発生する。
【０００６】
　本発明は上記の問題点を解決するため案出されたものであって、本発明の目的は入力または出力の容量を増加させ、振動速度を減少させることにより、高出力を実現することができると同時に発熱温度を低減させる高出力用積層圧電トランスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　上記の本発明の目的を達成するための技術的な手段として、本発明による高出力用積層圧電トランスは圧電体素子（５１）と、上記圧電体素子（５１）の上面に形成される入力電極（ＩＮＥ）と、上記入力電極（ＩＮＥ）と電気的に分離して形成される出力電極（ＯＵＴＥ）と、上記圧電体素子（５１）の下面に形成される接地電極（ＧＥ）とを具備し、上記圧電体素子（５１）の略中央部に上側から下側へ貫通する貫通ホール（Ｈ）を形成することを要旨とする。従って、入力または出力の容量を増加させ、振動速度を減少させることにより、高出力を実現することができると同時に発熱温度を低減できる。上記高出力用積層圧電トランスは圧電体素子を少なくとも２層以上に形成することを要旨とする。上記高出力用積層圧電トランスは円版態様なることを要旨とする。
【０００８】
　更に、本発明による高出力用積層圧電トランスはドーナツ態様の圧電体素子（６１）と、上記圧電体素子（６１）の上面の一部に形成される入力電極（ＩＮＥ）と、上記圧電体素子（６１）の上面に上記入力電極（ＩＮＥ）と電気的に分離して形成される出力電極（ＯＵＴＥ）と、上記圧電体素子（６１）の下面に形成される接地電極（ＧＥ）とを備えたことを要旨とする。従って、入力または出力の容量を増加させ、振動速度を減少させることにより、高出力を実現することができると同時に発熱温度を低減できる。上記高出力用積層圧電トランスは圧電体素子を少なくとも２層以上に形成することを要旨とする。上記高出力用積層圧電トランスは二つ以上の入力電極（ＩＮＥ）、出力電極（ＯＵＴＥ）および接地電極（ＧＥ）をそれぞれ同一な機能を行なう電極同士を接続部（ＩＮＣ，ＯＵＴＣ，ＧＣ）により連結することを要旨とする。
【発明の効果】
【０００９】
　上述のような本発明によれば、積層により入力キャパシタンスを増加させることができ、入力パワーを増加させて出力キャパシタンスを増加させ、負荷とのインピーダンスマッチングを容易にし、振動速度を減少させ、高出力を実現可能に成す効果があると同時に、高出力時の発熱温度を低減させることのできる特別な効果がある。また、従来の単層から成るリング ドットタイプ圧電トランスはバラスト（ｂａｌｌａｓｔ）だけに適用が可能なるものの、本発明のように積層から形成される場合、入出力キャパシタンスの調整が可能になるから負荷とソース（ｓｏｕｒｃｅ）間の調節が容易になってアダプター（ａｄａｐｔｅｒ）、充電器（ｃｈａｒｇｅｒ）にも利用できるようになる優秀な効果がある。以上の説明は、本発明の実施の形態についての説明に過ぎず、本発明はその構成の範囲内において 多様な変更及び改造が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
　以下、本発明の高出力用積層圧電トランスについて添付の図面を参照して詳細に説明する。本発明に参照の図面において、実質的に同一な構成と機能を有する構成要素などは同一な符号を用いる筈である。
【００１１】
　図１は本発明による第１実施の形態の積層リング−ドットタイプ圧電トランス（圧電変換器）の断面図であって、図１を参照すれば、本発明による第１実施の形態の積層リング−ドットタイプ圧電トランスは第１圧電素子（２１ａ）と、上記第１圧電体素子（２１ａ）の上側面に形成される第１入力電極（ＩＮＥ１）と、上記第１入力電極（ＩＮＥ１）のような面上に電気的に分離して形状される第１出力電極（ＯＵＴＥ１）と、上記第１圧電体素子（２１ａ）の下側面に形成される接地電極（ＧＥ）と、上記接地電極（ＧＥ）の下部に形成される第２圧電体素子（２１ｂ）と、上記第２圧電体素子（２１ｂ）の下側面に形成される第２入力電極（ＩＮＥ２）と、上記第２入力電極（ＩＮＥ２）のような面上に電気的に分離して形成される第２出力電極（ＯＵＴＥ２）とから構成される。ここで、矢印方向は分極方向を表示したものであって、それは本発明の全体図面に同一に作用する。
【００１２】
　上記図１において、第１および第２入力電極（ＩＮＥ１，ＩＮＥ２）のそれぞれは該当圧電体素子（２１ａ，２１ｂ）の中央部に円形に形成されており、上記第１および第２出力電極（ＯＵＴＥ１，ＯＵＴＥ２）それぞれは該当入力電極（ＩＮＥ１，ＩＮＥ２）の周辺にリング形状のオープン領域（ＯＰ）により電気的に分離して形成された。一方、上記第１および第２出力電極（ＯＵＴＥ１，ＯＵＴＥ２）それぞれを該当圧電体素子（２１ａ，２１ｂ）の中央部に円形に形成し、上記第１および第２入力電極（ＩＮＥ１，ＩＮＥ２）のそれぞれを該当出力電極（ＯＵＴＥ１，ＯＵＴＥ２）の周囲にリング形状のオープン領域（ＯＰ）により電気的に分離するように形成することもできる。
【００１３】
　上記図１の変形例として図２に他の積層リング−ドットタイプ圧電トランスを示す。図２を参照すれば、本発明による第１実施の形態の変形には図１に図示の圧電トランスにおいて、第１圧電体素子（２１ａ）と第２圧電体素子（２１ｂ）との間に位置する接地電極を絶縁層（ＭＬ）を介して両層に分離して、第１圧電体素子（２１ａ）の下側面に形成される接地電極（ＧＥ１）と、第２圧電体素子（２１ｂ）の上側面に形成の接地電極（ＧＥ２）とから形成される。
【００１４】
　図３は上記図１および図２に図示の本発明による積層リング ドットタイプ圧電トランスの等価回路図であって、図３を参照すれば、本発明による積層リング−ドットタイプ圧電トランスは入力キャパシター（Ｃｉ）と、インダクタンス（Ｌ１）、キャパシター（Ｃ１）、抵抗（Ｒｍ）、トランス（Ｔ）、そして出力キャパシター（Ｃｏ）を等価的に含めているが、上記抵抗（Ｒｍ）、インダクタンス（Ｌ１）、キャパシター（Ｃ）は圧電体素子の振動モード、構造、物性等による値であり、入力キャパシター（Ｃｉ）と出力キャパシター（Ｃｏ）は電極面の面積と圧電体素子の厚さにより形成される値である。
【００１５】
　このとき、本発明による圧電トランスにおける入、出力キャパシター（Ｃｉ，Ｃｏ）のキャパシタンスＣはＣ＝ａ＊Ｎ＊（Ａ／ｔ）に現すことができる。上記数式において、Ｎは圧電トランスの積層数であり、Ａは電極面の面積、ｔは圧電体素子の厚さである。したがって、本発明による積層リング−ドットタイプ圧電トランスは積層数を調整することにより入力側と出力側のキャパシタンスの大きさを容易に調整することが出来るし、その結果、入力電圧および出力負荷（Ｌｏａｄ）の変化による対応設計が容易となる。上記図３の等価回路図は以下説明する他の実施の形態による圧電トランスにも同一に適用可能である。
【００１６】
　上記図１２に図示の従来の積層リング−ドットタイプ圧電トランスと、図１および図２に図示の通りの本発明の積層リング−ドットタイプ圧電トランスの等価回路要素値を比較して整理すれば下記表１のとおりである。
【表１】
2004088132.tif 000003
【００１７】
　上記表１に示した通り、積層形成の本発明による圧電トランスの入力キャパシター（Ｃｉ）と出力キャパシター（Ｃｏ）が従来の単層からなる圧電トランスより高くなったことを知ることが出来る。それによれば従来のリング−ドットタイプ圧電トランスに比して、本発明による積層形成のリング−ドットタイプ圧電トランスの入力側および出力側の容量が従来より概ね２倍程度大きいために、入力パワーを増加させて出力を増加させるから高出力用に用いることが適合となり、高出力用として使用する場合には従来のリング−ドットタイプの圧電トランスに比して、振動速度が大きく増加しないから発熱温度が急激に上昇しないようになる。更に、出力側のキャパシターはリングの面積を調整することにより負荷とのインピーダンスマッチングが可能となる。
【００１８】
　一方、リング−ドットタイプ圧電トランスにおいて、通常的に振動速度が増加すれば発熱量が増加するようになる。このときリング−ドットタイプ圧電トランスの出力を２８Ｗを基準とするとき、従来のリング−ドットタイプ圧電トランスの振動速度は０．３３（ｍ／ｓｅｃ）であり、本発明の積層リング−ドットタイプ圧電トランスの振動速度は０．２４（ｍ／ｓｅｃ）である。それによれば、本発明による振動速度は従来の振動速度より概ね２７％減少すると同様に発熱温度を減らして高出力に使用可能なものである。
【００１９】
　図４は本発明による第２実施の形態の積層リング−ドットタイプ圧電トランスの断面図であって、図４を参照すれば、本発明による第２実施の形態の積層リング−ドットタイプ圧電トランスは第１圧電体素子（３１ａ）と、上記第１圧電体素子（３１ａ）の上側面に形成される入力電極（ＩＮＥ）と、上記入力電極（ＩＮＥ）のような平面上に電気的に分離して形成される第１出力電極（ＯＵＴＥ１）と、上記第１圧電体素子（３１ａ）の下側面に第１出力電極（ＯＵＴＥ１）と対向するように形成される第１接地電極（ＧＥ１）と、上記第１接地電極（ＧＥ１）が形成される第１圧電体素子（３１ａ）の下部に積層する第２圧電体素子（３１ｂ）と、上記第２圧電体素子（３１ｂ）の下側面に上記第１接地電極（ＧＥ１）と対向するように形成される第２出力電極（ＯＵＴＥ２）と、上記第２出力電極（ＯＵＴＥ２）の同一な面上に電気的に分離し、上記入力電極（ＩＮＥ）に対向するように形成される第２接地電極（ＧＥ２）とを備える。
【００２０】
　上記第１接地電極（ＧＥ１）は上記第１および第２圧電体素子（３１ａ，３１ｂ）間に、中央の円形部を取り除いた残りの部分に形成する。上記入力電極（ＩＮＥ）と第２接地電極（ＧＥ２）それぞれは第１、２圧電体素子（３１ａ，３１ｂ）の中央部に円形に形成され、上記第１および第２出力電極（ＯＵＴＥ１，ＯＵＴＥ２）それぞれは該当第１入力電極（ＩＮＥ１）および第２接地電極（ＧＥ２）のような平面上において、リング形状のオープン領域（ＯＰ１，ＯＰ２）により他の電極と電気的に分離するように形成される。
【００２１】
　図５は本発明による第３実施の形態の積層リング−ドットタイプ圧電トランスの断面図であり、図６は図５の積層リング−ドットタイプ圧電トランスの分解斜視図である。
【００２２】
　図５および図６を参照すれば、本発明による第３実施の形態の積層リング ドットタイプ圧電トランスは第１圧電体素子（４１ａ）と、上記第１圧電体素子（４１ａ）の上側面のオープン領域（ＯＰ）の外側に形成される第１入力電極（ＩＮＥ１）と、上記第１入力電極（ＩＮＥ１）の同じ平面上のオープン領域（ＯＰ）の内側に電気的に分離するように形成される出力電極（ＯＵＴＥ）と、上記第１圧電体素子（４１ａ）の下側面に上記第１入力電極（ＩＮＥ１）と対向するように形成される第１接地電極（ＧＥ１）と、上記第１接地電極（ＧＥ１）に形成される第１圧電体素子（４１ａ）の下部に積層される第２圧電体素子（４１ｂ）と、上記第２圧電体素子（４１ｂ）の下側面に上記第１接地電極（ＧＥ１）に対向するように形成される第２入力電極（ＩＮＥ２）と、上記第２入力電極（ＩＮＥ２）が形成される第２圧電体素子（４１ｂ）の下部に積層形成される第３圧電体素子（４１ｃ）と、上記第３圧電体素子（４１ｃ）の下側面に全面に亘って形成される第２接地電極（ＧＥ２）とを備える。
【００２３】
　上記において、出力電極（ＯＵＴＥ）は第１圧電体素子（４１ａ）の上側面上において、中央部に円形に形成され、第１入力電極（ＩＮＥ１）は出力電極（ＯＵＴＥ）と同一面上において、その周囲にリング形状のオープン領域（ＯＰ）により電気的に分離して形成される。
【００２４】
　上記第１接地電極（ＧＥ１）は上記第１、第２圧電体素子（４１ａ，４１ｂ）間の中央の円形部を取り除いた残りの部分に形成されるが、上記第１入力電極（ＩＮＥ１）と同一な態様である。
【００２５】
　上記第２入力電極（ＩＮＥ２）は上記第２、第３圧電体素子（４１ｂ，４１ｃ）間に、上記第１入力電極（ＩＮＥ１）及び第１接地電極（ＧＥ１）と同一な態様に中央の円形部を取り除いた残りの部分に形成される。そして、第２接地電極（ＧＥ２）は第３圧電体素子（４１ｃ）の下側面全体に亘って形成される。
【００２６】
　図７は図５に示した圧電トランスの変形例を示す図面である。図７を参照すれば、本発明による第３実施の形態の変形には上記積層リング ドットタイプ圧電トランスが第１入力電極（ＩＮＥ１）と第２入力電極（ＩＮＥ２）をパターンに連結する入力電極接続部（ＩＮＣ）と、第１接地電極（ＧＥ１）と第２接地電極（ＧＥ２）をパターンに連結する接地電極接続部（ＧＣ）とを更に備える。
【００２７】
　上記の図４、図５及び図７に図示の積層リング−ドットタイプ圧電トランスにおいて、出力を２８Ｗにする場合、インピーダンスマッチングのため圧電トランスの出力キャパシターは概ね２１０４ｐＦになるべきである。したがって、出力側の厚さを３．５ｍｍとする場合のドットの半径は１５．５ｍｍ（（Ｃ＝εＡ／ｔ＝επ２／ｔ＝０．９７４７５Ｅ−０８＊π＊ｒ２／０．００３５，ｒ＝ｓｑｒｔ（ｔＣ／（（／（□π）））となり、このような積層リング−ドットタイプ圧電トランスは入力側および出力側のインピーダンスをすべて下げた態様に該当される。
【００２８】
　図８（Ａ）は本発明による第４実施の形態の積層リング−ドットタイプ圧電トランスの分解斜視図であり、図８（Ｂ）は図８（Ａ）に図示の積層リング ドットタイプ圧電トランスの結合斜視図であり、図８（Ｃ）は図８（Ｂ）の断面図である。
【００２９】
　図８（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）を参照すれば、本発明による第４実施の形態は圧電体素子（５１）と、上記圧電体素子（５１）の上側面に形成の入力電極（ＩＮＥ）と、上記入力電極と電気的に分離して形成される出力電極（ＯＵＴＥ）と、上記圧電体素子の下側面に形成される接地電極（ＧＥ）を具備した積層リング−ドットタイプ圧電トランスにおいて、上記圧電体素子（５１）の略中央部に上側から下側へ貫通する貫通ホール（Ｈ）を形成する。上記貫通ホール（Ｈ）は外部と接触する断面積を増加させて発熱温度を下げるためのものである。
【００３０】
　図９は図８の変形例を示す図面であって、図９を参照すれば、本発明による第４実施の形態の変形例は上記積層リング−ドットタイプ圧電トランスが二層の圧電体素子を備えることもできるし、２層以上の圧電体素子を備えることもできる。
【００３１】
　このとき入力電極、出力電極、そして、接地電極は同じ電極同士それぞれ接続部（ＩＮＣ，ＯＵＴＣ，ＧＣ）を通じて電気的に接続する。上記図８および図９に図示の積層リング−ドットタイプの圧電トランスは入力インピーダンスをドット（ＤＯＴ）の大きさに合わせ、出力インピーダンスを積層数に合わせて出力側のインピーダンスだけを下げるようにしたものである。
【００３２】
　そして、本発明の積層リング−ドットタイプの圧電トランスと従来のリング−ドットタイプの圧電トランスの共振周波数および反共振周波数を比較すれば下記表２に示す通りである。
【表２】
2004088132.tif 000004
【００３３】
　上記表２において、ｆｒは共振周波数であり、ｆａは反共振周波数であり、そして は振動エネルギー／電圧エネルギーである。上記表２に示すとおり、本発明においては、従来に比して共振周波数（ｆｒ）と反共振周波数（ｆａ）はそれぞれ若干低くなった反面、ｋは若干増加している。
【００３４】
　図１０は本発明による他の圧電トランスの実施の形態を図示したものであって、図８に図示の第４実施の形態による圧電トランスにおいて、圧電体素子の形状を四角形でなく円形にできるものである。
【００３５】
　図１１（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の圧電トランスの第５実施の形態を図示したものであって、図１１（Ａ）に図示の通り、ドーナツ態様の圧電体素子（６１）の上側面を二分して入力電極（ＩＮＥ）と出力電極（ＯＵＴＥ）を形成し、その下側面に接地電極（ＧＥ）を形成してなるリング形圧電トランスを積層形に構成した例を示したものである。
【００３６】
　図１１（Ａ）はリング形圧電トランスの外観を図示した斜視図であり、図１１（Ｂ）は単層からなるリング形圧電トランスの断面図を示す。このようなリング形圧電トランスは外部と接触する断面積が増加するため発熱温度を低減させることができる。図１１（Ｃ）は本発明による積層リング形圧電トランスの断面図であって、トーナツ形態の第１圧電体素子（６１ａ）と、上記第１圧電体素子（６１ａ）の上側面の一部分に形成される第１入力電極（ＩＮＥ１）と、上記第１圧電対素子（６１ａ）の上側面上にオープン領域（ＯＰ）によって、上記第１入力電極（ＩＮＥ１）と電気的に分離するように形成される第１出力電極（ＯＵＴＥ１）と、上記第１圧電体素子（６１ａ）の下側面に形成される接地電極（ＧＥ）と、上記接地電極（ＧＥ）が形成される第１圧電体素子（６１ａ）の下部に積層の第２圧電体素子（６１ｂ）と、上記第１圧電体素子（６１ａ）の下部にそれぞれ上記第１入力電極（ＩＮＥ１）と第１出力電極（ＯＵＴＥ１）に対向して形成される第２入力電極（ＩＮＥ２）および第２出力電極（ＯＵＴＥ２）とを備える。上記において 第１入力電極（ＩＮＥ１）と第２入力電極（ＩＮＥ２）は共に入力端（ＩＮ）に連結し、第１出力電極（ＯＵＴＥ１）と第２出力電極（ＯＵＴＥ２）も共に出力端（ＯＵＴ）に連結し、接地電極（ＧＥ）は接地端（Ｇ）に連結する。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１実施の形態の積層リング−ドットタイプ圧電トランスの断面図である。
【図２】図１の変形例を示す図面である。
【図３】本発明による積層リング−ドットタイプ圧電トランスの等価回路図である。
【図４】本発明の第２実施の形態の積層リング−ドットタイプ圧電トランスの断面図である。
【図５】本発明による第３実施の形態の積層リング−ドットタイプの圧電トランス断面図である。
【図６】図５の積層リング−ドットタイプ圧電トランスの分解斜視図である。
【図７】図５の変形例を示す図面である。
【図８】（Ａ）は本発明による第４実施の形態の積層リング−ドットタイプ圧電トランスの分解斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）の積層リング−ドットタイプ圧電トランスの結合斜視図であり、（Ｃ）は（Ｂ）の断面図である。
【図９】図８の変形例を示す図面である。
【図１０】図８の更に他の変形例を示す図面である。
【図１１】本発明の第５実施の形態の積層リング形圧電トランスであって、（Ａ）はリング形圧電トランスの斜視図であり、（Ｂ）は単層のリング形圧電トランスの断面図であり、（Ｃ）は多層リング形圧電トランスの断面図である。
【図１２】（Ａ）は従来のリング−ドットタイプ圧電トランスの平面図であり、（Ｂ）は従来のリング−ドットタイプ圧電トランスの断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
　２１ａ，２１ｂ，３１ａ，３１ｂ，４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，５１　圧電体素子
　ＩＮＥ，ＩＮＥ１，ＩＮＥ２　入力電極
　ＯＵＴ，ＯＵＴＥ１，ＯＵＴＥ２　出力電極
　ＧＥ　接地電極
　ＭＬ　絶縁層
　ＩＮＣ　入力電極接続部
　ＧＣ　接地電極接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004088132.tif 000009
【図６】
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【図７】
2004088132.tif 000011
【図８】
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【図９】
2004088132.tif 000013
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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