(57)【要約】【課題】製造プロセスが複雑にならず、画像読取領域に原稿を密着させることができる画像読取装置を提供する【解決手段】基板１２上に複数の光電変換素子９が配列された画像読取領域１４と、光電変換素子９と外部回路部材２４とを電気的に接続する入出力端子が配設された周辺領域１６とを含む基板１２を備え、画像読取領域１４に近接して配置された原稿１８の画像を、光電変換素子９によって読み取る画像読取装置において、周辺領域１６を、原稿１８から遠ざかる方向に湾曲した構成とする。【選択図】  図１
2004254046.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光電変換素子が配列された画像読取領域と、上記光電変換素子と外部回路部材とを電気的に接続する入出力端子が配設された周辺領域とを含む基板を備え、上記画像読取領域に近接して配置された被写体の画像を、上記光電変換素子によって読み取る画像読取装置において、
上記周辺領域は、被写体から遠ざかる方向に湾曲していることを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
上記画像読取領域を保護する第１保護部材と、上記周辺領域を保護する第２保護部材とを備えていることを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項３】
上記第１保護部材の表面と上記被写体の表面との間の距離は、上記第２保護部材の表面と上記被写体の表面との間の距離以下であることを特徴とする請求項２に記載の画像読取装置。
【請求項４】
上記基板は、厚さ０．１〜０．５ｍｍのガラス基板またはプラスチック基板であることを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項５】
上記基板は略矩形であり、上記周辺領域が、上記基板のうちの対向する２辺、あるいは１辺に存在することを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項６】
上記基板の上記被写体と近接する面とは反対側の面に、上記周辺領域の湾曲形状を支持する支持部材を備えていることを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項７】
上記支持部材は、上記被写体に対して光を照射する光源の機能を兼用していることを特徴とする請求項６に記載の画像読取装置。
【請求項８】
少なくとも上記周辺領域の湾曲した部分では、上記基板と上記支持部材とが、接着部材によって固定されていることを特徴とする請求項６に記載の画像読取装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、原稿、写真などの画像を読み取ることができる画像読取装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、画像読取装置の薄型軽量化、読み取り速度の向上を目的として、基板上に、フォトダイオード、フォトトランジスタなどの光電変換素子（光検出素子）と、薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）などのスイッチング素子と、をライン状または２次元状に多数配列させた密着型の画像読取装置が開発されている。
【０００３】
このような構成の画像読取装置として、例えば、特開平５−２４３５４７号公報（特許文献１）に開示されているアクティブマトリクス型画像読取装置がある。
【０００４】
同公報に開示されたアクティブマトリクス型画像読取装置に使用されるアクティブマトリクスアレイ（アクティブマトリクス基板）は、図７に示すように、ＸＹマトリクス状に画素が配列されており、各画素には、光検出用の薄膜トランジスタ（光センサ用ＴＦＴと称する）とスイッチング用の薄膜トランジスタ（スイッチング用ＴＦＴと称する）、および画素容量（電荷蓄積容量）が備えられている。
【０００５】
各画素の光センサ用ＴＦＴは、原稿面などの被写体の白／黒（明／暗）によって電気特性が変化する仕組みになっている。
【０００６】
光電変換素子として用いられている光センサ用ＴＦＴの抵抗値は、光の明／暗によって変化するため、光センサ用ＴＦＴの抵抗値の変化に伴って、光センサ用ＴＦＴに接続されている蓄積容量に蓄積される電荷量（あるいは電圧）は変化する。この蓄積容量の電荷量分布（あるいは電圧分布）を、スイッチング用ＴＦＴが順次読み出すことによって、被写体の２次元情報を得ることができる仕組みになっている。
【０００７】
このような密着型の画像読取装置では、１次元のリニアセンサ用、２次元のエリアセンサ用にかかわらず、図８に示すように、基板２０５上に、薄膜フォトトランジスタ（あるいはフォトダイオード、フォトコンダクタなど）からなる光電変換素子２０２を形成した後、半導体素子からなる光電変換素子２０２の保護を目的として、光電変換素子２０２の上に透光性を有する表面保護層２０６を形成する必要がある。
【０００８】
この表面保護層２０６としては、例えば、薄いガラスシート、無機絶縁膜、または有機−無機のハイブリッド膜が用いられる。表面保護層２０６は、透光性を有する接着樹脂２０７によって接着される。
【０００９】
ところで、画像読取装置の高精細化が求められる場合、それに伴って表面保護層２０６の厚みを薄くしていく必要がある。例えば、３００ｄｐｉ（ｄｏｔ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）の画素密度を有する画像読取装置の場合、画素ピッチが約８５μｍとなるが、表面保護層２０６の厚みをそれ以下の５０μｍ程度に設定しないと、原稿で反射された光の画素間のクロストークが激しくなってしまい画像がボケてしまう。
【００１０】
例えば、５００ｄｐｉの画素密度を有する画像読取装置の場合は、画素ピッチが約５０μｍとなり、さらに薄い３０μｍ程度の厚みの表面保護層２０６が求められる。このように薄い表面保護層２０６を備えた密着型の画像読取装置の場合には次のような問題が発生する。
【００１１】
通常、上述した画像読取装置には、図８に示すように、基板上２０５に、複数の光電変換素子２０２が配列された画像読取領域２０８と、その光電変換素子２０２を外部回路部材２１０と電気的接続するための入出力端子が配設された周辺領域２１２が備えられている。
【００１２】
具体的には、光電変換素子２０２を駆動したり光電変換素子２０２からの情報を外部に取り出したりするために基板２０５上に配線が配設されており、その配線の端部に入出力端子が設けられている。
【００１３】
その入出力端子には、例えば、テープキャリアパッケージ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ：ＴＣＰ）やフレキシブルプリント回路（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ：ＦＰＣ）などの外部回路部材２１０を実装したり、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式により外部回路部材２１０としてのＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ：集積回路）を基板２０５上に直接実装したりする。
【００１４】
外部回路部材２１０は、主に異方導電接着材２１１によって基板２０５上に実装される。このような外部回路部材２１０が実装された周辺領域２１２には、通常、外部回路部材２１０を保護するための保護部材（例えば金属板）が備えられる（図示せず）。
【００１５】
このため、周辺領域２１２においては、外部回路部材２１０自身の厚みと、外部回路部材２１０を保護するための保護部材の厚みと、の合計分が基板２０５の表面に突出する形態になる。これらの合計厚みは、少なくとも０．３ｍｍ以上となる。したがって、図８に示すように、この周辺領域２１２は、表面保護層２０６が備えられた画像読取領域２０８に比べて少し突出する形状になってしまう。
【００１６】
この結果、図９に示すように、被写体としての原稿２１４の上に、画像読取装置を載せた状態で画像を読み取ろうとしても、基板２０５の周辺領域２１２（すなわち外部回路部材２１０の実装領域）に上述の出っ張りが存在することから、画像読取領域２０８の表面保護層２０６を原稿２１４に密着させることができないといった問題が発生していた。
【００１７】
画像読取領域２０８に原稿２１４が密着していないと、光源２１６から照射され、原稿２１４で反射された原稿反射光２０１の画素間のクロストークが激しがくなってしまい画像がボケてしまうといった問題が発生する。このため、基板２０５の周辺領域（すなわち外部回路部材２１０の実装領域）２１２の表面出っ張りをなくした画像読取装置が求められていた。
【００１８】
これに対して、画像読取領域に原稿を密着させることができる画像読取装置が、例えば特開平８−８４１４号公報（特許文献２）に開示されている。
【００１９】
同公報に開示された画像読取装置１１１は、図１０に示すように、ガラス基板１１２の読取領域Ｒにセンサ素子１１３及びカバーガラス１１４を設け、この読取領域Ｒの外側の領域にセンサ素子１１３側から引き出した配線１１５を、ガラス基板１１２の裏面周縁部まで基板側壁を介して延在し、この配線１１５の基板裏面の端部にＬＳＩパッケージ（駆動回路チップ）１１６を実装する構成としている。
【００２０】
このような構成としたことにより、センサ面の周囲にこのセンサ面より高い構造物をなくすことができ、原稿をセンサ面に完全密着させることが可能となる。
【００２１】
【特許文献１】
特開平５−２４３５４７号公報（１９９３年９月２１日公開）
【００２２】
【特許文献２】
特開平８−８４１４号公報（１９９６年１月１２日公開）
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特開平８−８４１４号公報に開示された従来の画像読取装置では、画像読取装置の製造プロセスが複雑になるという問題があった。
【００２４】
すなわち、画像読取領域の表面出っ張りをなくすために、読取領域Ｒの外側の領域にセンサ素子１１３側から引き出した配線１１５を、ガラス基板１１２の裏面周縁部まで基板側壁を介して延在し、この配線１１５の基板裏面の端部にＬＳＩパッケージ（駆動回路チップ）１１６を実装している。
【００２５】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、製造プロセスが複雑にならず、画像読取領域に原稿を密着させることができる画像読取装置を提供することにある。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
本発明の画像読取装置は、上記の課題を解決するために、基板上に複数の光電変換素子が配列された画像読取領域と、光電変換素子と外部回路部材とを電気的に接続する入出力端子が配設された周辺領域とを含む基板を備え、画像読取領域に近接して配置された被写体の画像を、光電変換素子によって読み取る画像読取装置において、周辺領域が、被写体から遠ざかる方向に湾曲していることを特徴としている。
【００２７】
上記の構成によれば、基板の周辺領域（すなわち外部回路部材の実装領域）の表面出っ張りを無くすことができ、画像読取領域を原稿に密着させることが可能になる。この結果、原稿で反射された光の画素間のクロストークが無くなり読み取り画像のボケを解消することができる。
【００２８】
しかも、上記構成では、周辺領域を被写体から遠ざかる方向に曲げるように形成されているだけなので、製造プロセスが複雑にならない。
【００２９】
したがって、製造プロセスが複雑にならず、画像読取領域に原稿を密着させることができる画像読取装置を提供することができる。
【００３０】
また、本発明の画像読取装置は、上記の構成において、画像読取領域を保護する第１保護部材と、周辺領域を保護する第２保護部材とを備えていることがより好ましい。
【００３１】
上記の構成によれば、基板の周辺領域（すなわち外部回路部材の実装領域）と、画像読取領域とを保護することができる。
【００３２】
さらに、本発明の画像読取装置は、上記の構成において、第１保護部材の表面と被写体の表面との間の距離が、第２保護部材の表面と被写体の表面との間の距離以下であることがより好ましい。
【００３３】
上記の構成によれば、第１保護部材の表面と被写体の表面との間の距離と、第２保護部材の表面と被写体の表面との間の距離とが同じである、または、第１保護部材の表面と被写体の表面との間の距離が、第２保護部材の表面と被写体の表面との間の距離に比べて短いため、画像読取領域を保護する第１保護部材の表面を原稿に密着させることが可能になる。
【００３４】
このとき、たとえ周辺領域に第２保護部材を設けたとしても、上述のように、基板の主面が、入出力端子の配設部分において被写体から遠ざかる方向に曲がっているので、周辺領域が表面に出っ張ることなない。
【００３５】
さらに、本発明の画像読取装置は、上記の構成において、基板が、厚さ０．１〜０．５ｍｍのガラス基板またはプラスチック基板であることがより好ましい。
【００３６】
上記の構成によれば、入出力端子の配設部分において、基板の主面を被写体から遠ざかる方向に容易に曲げることができる。
【００３７】
また、本発明の画像読取装置は、上記の構成において、基板が略矩形であり、入出力端子が配設された周辺領域が、基板のうちの対向する２辺、あるいは１辺に存在することがより好ましい。
【００３８】
上記の構成によれば、基板の主面のうち、画像読取領域の平坦性を維持することができる。
【００３９】
さらに、本発明の画像読取装置は、上記の構成において、基板の被写体と近接する面とは反対側の面に、周辺領域の湾曲形状を支持する支持部材を備えていることがより好ましい。
【００４０】
上記の構成によれば、基板を、入出力端子の配設部分において被写体から遠ざかる方向に湾曲した形状を維持することが容易になる。
【００４１】
また、本発明の画像読取装置は、上記の構成において、支持部材が、被写体に対して光を照射する光源の機能を兼用していることがより好ましい。
【００４２】
上記の構成によれば、支持部材が光源の構成部材を兼用することによって、構成を簡略化することができる。
【００４３】
さらに、本発明の画像読取装置は、上記の構成において、少なくとも周辺領域の湾曲した部分では、基板と支持部材とが、接着部材によって固定されていることがより好ましい。
【００４４】
上記の構成によれば、基板を、入出力端子の配設部分において被写体から遠ざかる方向に湾曲した形状を確実に維持することができる。
【００４５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の一形態について、図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本発明の権利範囲は、特に、本実施の形態に記載の範囲内に限定されるものではない。
【００４６】
本発明にかかる画像読取装置の基本構成は、基板の形状を除いては、従来技術として説明したものと略同じであり、基板上に光電変換素子（フォトダイオード、フォトトランジスタなど）とスイッチング素子（薄膜トランジスタなど）をライン状、あるいは２次元状に多数配列させた密着型の画像読取装置である。
【００４７】
本発明にかかる画像読取装置のアクティブマトリクス基板（アクティブマトリクスアレイ）１の詳細について、図２を参照しながら以下に説明する。
【００４８】
図２は、アクティブマトリクス基板１の概略ブロック図を示す。上記アクティブマトリクス基板１は、図７に示した従来からあるアクティブマトリクス型画像読み取り装置の回路構成と同じである。
【００４９】
すなわち、上記アクティブマトリクス基板１は、図２に示すように、駆動回路４から延びる電気配線としてのゲート配線Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｎと、読み出し回路５から延びる電気配線としてのソース配線Ｄ１，Ｄ２，…，ＤｍとがＸＹマトリクス（格子状）に配列されており、各格子によって画素が区画されている。
【００５０】
各画素には、スイッチング素子８、光電変換素子９、および電荷蓄積容量としての画素容量（蓄積容量）１０が各々備えられている。
【００５１】
各画素の光電変換素子９は、原稿面などの被写体の白／黒（明／暗）によって電気特性が変化する仕組みになっている。ここで、光電変換素子９として用いられているフォトトランジスタの抵抗値が光の明／暗によって変化するため、それに伴って、各フォトトランジスタに接続されている画素容量１０に蓄積される電荷量（あるいは電圧）が変化する。その画素容量１０の電荷量分布（あるいは電圧分布）を、スイッチング素子８が順次読み出すことによって、被写体の２次元情報を得ることができる。
【００５２】
本発明にかかる画像読取装置は、図１に示すように、基板１２上に複数のスイッチング素子８および光電変換素子９が配列された画像読取領域１４と、スイッチング素子８および光電変換素子９と外部回路部材２４とを電気的に接続する入出力端子が配設された周辺領域１６とを含む基板１２を備え、画像読取領域１４に近接して配置された原稿（被写体）１８の画像を、光電変換素子９によって読み取る画像読取装置において、周辺領域１６は、原稿１８から遠ざかる方向に湾曲しているものである。
【００５３】
基板１２の原稿１８と接する面とは反対側の面に、原稿１８に光を照射するための光源（バックライト）２０が備えられている。
【００５４】
上記画像読取装置では、図１に示すように、光源２０から照射された照射光２は、上記アクティブマトリクス基板１の開口部分を透過し、被写体である原稿１８の原稿面を照射する。原稿面に到達した照射光２は、該原稿面の画像情報に応じて反射して、この反射光がアクティブマトリクス基板１の光電変換素子９に到達する仕組みになっている。
【００５５】
基板１２は透光性を有する基板であればよく、例えばガラス基板、プラスチック基板が好ましい。
【００５６】
基板１２の一方の面（図では下側の面）上、すなわち原稿１８と接する面上には、図１に示した等価回路に沿って光電変換素子９とスイッチング素子８が配設されている。ここでは、光電変換素子９およびスイッチング素子８が配設されている領域を画像読取領域１４と規定している。
【００５７】
光電変換素子９は、フォトダイオード、フォトトランジスタ、フォトコンダクタのように、光を電気信号に変換する素子であればよい。光電変換素子９には、例えば、シリコン（Ｓｉ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）を始めとする各種光伝導性半導体材料を用いることができる。
【００５８】
スイッチング素子８は、薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）やＭＯＳ（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ：金属酸化膜半導体）トランジスタのように電気信号のＯＮ／ＯＦＦを制御する素子であればよい。スイッチング素子８としては、例えば、アモルファスＳｉ（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）からなるフォトトランジスタ、アモルファスＳｉやポリＳｉ（Ｐｏｌｙ−ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ）からなる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いることができる。
【００５９】
なお、光電変換素子９とスイッチング素子８とを１つの薄膜トランジスタで兼用したものであってもよい。
【００６０】
これら光電変換素子９やスイッチング素子８の形成面には、これらを保護するための透光性を有する表面保護層（第１保護部材）２２が設けられていることが好ましい。表面保護層２２は、透光性を有する接着樹脂７によって接着される。
【００６１】
接着樹脂７は、透光性を有し、光電変換素子９およびスイッチング素子８の形成面と表面保護層２２とを接着することができればよく、従来一般に使用される接着樹脂を好適に用いることができる。
【００６２】
表面保護層２２は、読み取る対象物である原稿１８が、画像読取領域１４に接触することによる表面傷の防止と、半導体素子、すなわち光電変換素子９、スイッチング素子８への不純物や水分の進入防止と、を目的とするものである。表面保護層２２としては、例えば、薄いガラス板、無機絶縁膜、または有機−無機のハイブリッド膜を用いることができる。
【００６３】
例えば、接着剤を用いて、光電変換素子９およびスイッチング素子８の形成面に、薄いガラス板を貼り付けることにより表面保護層２２を形成すればよい。
【００６４】
基板１２の一方の面上、すなわち原稿１８と接する面上における周辺領域（画像読取領域の周辺）１６には、光電変換素子９を駆動したり光電変換素子９からの情報を外部に取り出したりするための配線が配設されている。その配線の端部には、入出力端子が設けられている。その入出力端子部分には、光電変換素子９やスイッチング素子８の駆動や信号検出を担う外部回路部材２４が実装されている。
【００６５】
外部回路部材２４は、駆動ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ：集積回路）、検出ＩＣ、電源供給や各種信号のやり取りを行なう配線基板、例えばフレキシブルプリント回路（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ：ＦＰＣ）などの回路基板である。駆動ＩＣや検出ＩＣは、テープキャリアパッケージ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ：ＴＣＰ）方式やＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によって実装される。
【００６６】
これら外部回路部材２４は、主に異方導電接着材２５によって基板１２上に実装される。さらに、これら外部回路部材２４は、図示しない外部の回路基板（制御基板など）や電源に接続される。
【００６７】
一方、基板１２の他方の面、すなわち基板１２の原稿１８と接する面とは反対側の面には、光源（バックライト）２０が設置されている。光源２０は、基板１２を介して図中下側に配置される読み取り対象物（原稿）１８に対して光を照射できるものであればよい。
【００６８】
光源２０としては、例えば、発光ダイオード（ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）と、導光板、またはプリズムシート、あるいは散乱板、とを組み合わせた薄型の平面光源を用いることができる。
【００６９】
上述した構成は、周辺領域１６が原稿１８から遠ざかる方向に湾曲している点を除いて、従来技術として紹介した図９の画像読取装置と略同じ構成を示すものである。本発明にかかる画像読取装置の特徴は、上述のように、基板１２の周辺領域１６の湾曲した形状にある。
【００７０】
図１（本発明）と図９（従来例）とを比較すれば明らかなように、本発明にかかる画像読取装置は、基板１２の主面が、入出力端子の配設部分（すなわち周辺領域１６）において、原稿１８から遠ざかる方向に湾曲している。すなわち、周辺領域１６は、周辺領域１６に実装された外部回路部材２４が、画像読取領域１４の原稿１８に接する側の表面よりも、原稿１８側に突出しないように、原稿１８から遠ざかる方向に湾曲している。
【００７１】
この結果、基板１２の周辺領域１６、すなわち外部回路部材２４の実装領域の原稿１８側への表面出っ張りを無くすことができる。これによって、画像読取領域１４の表面保護層２２を原稿１８に密着させやすくすることが可能になる。したがって、原稿１８で反射された光の画素間のクロストークを最小限に抑えることができ、読み取り画像のボケを解消することができる。
【００７２】
上述のように、基板１２を周辺領域１６において湾曲した形状とするためには、基板１２に相応の曲げやすさ、すなわちフレキシブル性が求められる。このため、基板１２にガラス基板を用いる場合には、０．１〜０．５ｍｍの厚みのガラス基板であることが好ましい。もちろん、基板１２として、ガラス基板よりもフレキシブル性に優れたプラスチック基板を用いることが可能である。
【００７３】
すなわち、本発明にかかる画像読取装置は、基板１２が、厚さ０．１〜０．５ｍｍのガラス基板またはプラスチック基板であることがより好ましい。
【００７４】
なお、周辺領域１６に実装する外部回路部材２４は、厚みが１ｍｍ程度であるため、基板１２をわずか１〜２ｍｍ程度反らすように曲げるのみで、外部回路部材２４の実装領域の原稿１８側への表面出っ張りを無くすための間隔を確保することができる。
【００７５】
基板１２の周辺領域１６に湾曲した形状を形成する場合、画像読取領域１４は平坦性を維持しておく必要があるので、基板１２が矩形を有する基板である場合には、１辺、あるいは互いに対向する２辺に曲面形状を形成することが求められる。
【００７６】
したがって、上述の入出力端子が形成される周辺領域１６、すなわち外部回路部材２４を実装する領域は、互いに直向する２辺には設けないように配慮して基板１２の配線レイアウトを設計する必要がある。
【００７７】
すなわち、本発明にかかる画像読取装置は、基板１２が略矩形であり、入出力端子が配設された周辺領域１６が、基板１２のうちの対向する２辺、あるいは１辺に存在していることがより好ましい。
【００７８】
例えば、駆動ＩＣは、ポリシリコン（ｐｏｌｙ  ｓｉｌｉｃｏｎ）技術によって基板１２上に一体（モノリシック）形成しておき、すなわち駆動ＩＣの実装を不要としておき、検出ＩＣおよびフレキシブルプリント回路（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ：ＦＰＣ）のみを基板に実装する形態が考えられる。
【００７９】
この場合、基板１２の一辺に検出ＩＣを実装し、検出ＩＣの実装辺と同じ辺、または対向辺にＦＰＣを実装することによって、上述の要求を満たすことが可能になる。さらに、駆動ＩＣと検出ＩＣとの両者を基板上にモノリシック形成しておき、ＦＰＣのみを基板の一辺に実装する形態としてもよい。
【００８０】
ここで、上述した基板１２の湾曲した形状の形成方法について、図３を用いて詳しく説明すれば、以下のとおりである。
【００８１】
本発明にかかる画像読取装置は、図３に示すように、基板１２の原稿１８と近接する面とは反対側の面に、周辺領域１６の湾曲形状を支持する支持部材２６を備えていることがより好ましい。少なくとも周辺領域１６の湾曲した部分では、基板１２と支持部材２６とが、接着部材（接着剤、粘着剤など）によって固定されていることが好ましい。
【００８２】
図３に示すように、支持部材２６は、基板１２と光源２０との隙間に設けられる。支持部材２６は、透明な材質からなり、基板１２における周辺領域１６の曲がり形状（湾曲形状）に沿った表面形状を有していればよい。支持部材２６としては、例えば、基板１２に対して、周辺領域１６の湾曲（曲面）形状を形成するように設計された曲面を有するアクリル樹脂板を用いることができる。
【００８３】
例えば、このような曲面形状を有する支持部材２６の表面に接着部材を塗布し、そこに基板１２を貼りあわせることによって、曲面形状を有する基板１２を容易に形成することができる。支持部材２６の表面に塗布する接着部材は、支持部材２６と基板１２とを貼り合わせることができればよく、支持部材２６および基板１２の材質に合わせて、一般に使用される接着剤または粘着剤などを好適に用いることができる。
【００８４】
本発明にかかる画像読取装置は、図４に示すように、支持部材２６’が、原稿１８に対して光を照射する光源の機能を兼用していることがより好ましい。図３に示した光源２０の構成部材（例えば導光板や散乱板）と、上述の支持部材２６とを兼用することによって構成部材を減らすことができ、さらに有用である。
【００８５】
本発明にかかる画像読取装置は、図５に示すように、画像読取領域１４を保護する第１保護部材（表面保護層）２２と、周辺領域１６を保護する第２保護部材２３とを備えていることがより好ましい。
【００８６】
図５は、上述してきた画像読取装置の基本構成に対して、外部回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ  ｗｉｒｉｎｇ  ｂｏａｒｄ：ＰＷＢ）２８と、第２保護部材２３と、を追加して示した図である。外部回路基板２８は、例えば、駆動ＩＣや検出ＩＣを制御するための制御基板である。外部回路基板２８は、光源（バックライト）の機能を兼用する支持部材２６’の基板１２が接着されている面とは反対側（図中上側）に設置される。
【００８７】
第２保護部材２３は、周辺領域１６に設けられ、駆動ＩＣ、検出ＩＣ、配線基板（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ、フレキシブルプリント回路）などの外部回路部材２４を覆い、保護する部材である。図５には、第２保護部材２３が、画像読取領域１４を除いて、画像読取装置の略全体を覆う筐体の一部から構成される形態を示す。もちろん、筐体と第２保護部材２３は別々に設けても良い。
【００８８】
第２保護部材２３は、外部回路部材２４を覆い、保護することができるものであればよく、特に限定されるものではない。第２保護部材２３は、例えば、ステンレス、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム合金、カーボンファイバーシートなどの材料から形成すればよい。
【００８９】
ここで、重要なことは、第２保護部材２３の表面が、画像読取領域１４の表面に比べて、原稿１８側に突出しないように配慮しなければならない点である。
【００９０】
すなわち、本発明にかかる画像読取装置は、画像読取時において、第１保護部材２２の表面と原稿１８の表面との間の距離が、第２保護部材２３の表面と原稿１８の表面との間の距離以下であることがより好ましい。
【００９１】
本発明にかかる画像読取装置は、図６（ａ）に示すように、第１保護部材２２の表面と原稿１８の表面との間の距離と、第２保護部材２３の表面と原稿１８の表面との間の距離とが、同じになるように構成されていることが好ましく、図６（ｂ）に示すように、第１保護部材２２の表面と原稿１８の表面との間の距離が、第２保護部材２３の表面と原稿１８の表面との間の距離に比べて短くなるように構成されていることがより好ましい。
【００９２】
換言すれば、本発明にかかる画像読取装置は、図６（ａ）に示すように、第１保護部材２２の表面と第２保護部材２３の表面とが略同じ高さであることが好ましく、図６（ｂ）に示すように、第１保護部材２２の表面が、第２保護部材２３の表面に比べて原稿１８側に突出していることがより好ましい。
【００９３】
図６（ａ）および図６（ｂ）には、図５中の「○」で囲んだ部分における原稿１８、第１保護部材２２、第２保護部材２３の好ましい位置関係を拡大して模式的に示した。
【００９４】
上述した、第１保護部材２２の表面と第２保護部材２３の表面とが略同じ高さであるとは、図６（ａ）に示すように、第１保護部材２２の表面および第２保護部材２３の表面が、原稿１８の表面に密接する形態をいう。
【００９５】
上述した、第１保護部材２２の表面が、第２保護部材２３の表面に比べて原稿１８側に突出しているとは、図６（ｂ）に示すように、第１保護部材２２の表面と原稿１８の表面とは密接するが、第２保護部材２３の表面と原稿１８の表面とは密接しない形態をいう。
【００９６】
図６（ａ）および図６（ｂ）に示すような位置関係となるように第２保護部材２３を設けることによって、画像読取領域１４の第１保護部材２２と原稿１８の密着性を妨げることなく外部回路部材２４を保護することができる。
【００９７】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、実施形態に開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【００９８】
【発明の効果】
本発明の画像読取装置は、以上のように、基板上に複数の光電変換素子が配列された画像読取領域と、光電変換素子と外部回路部材とを電気的に接続する入出力端子が配設された周辺領域とを含む基板を備え、画像読取領域に近接して配置された被写体の画像を、光電変換素子によって読み取る画像読取装置において、周辺領域が、被写体から遠ざかる方向に湾曲している構成である。
【００９９】
それゆえ、基板の周辺領域（すなわち外部回路部材の実装領域）の表面出っ張りを無くすことができ、画像読取領域を原稿に密着させることが可能になる。この結果、原稿で反射された光の画素間のクロストークが無くなり読み取り画像のボケを解消することができる。
【０１００】
しかも、上記構成では、周辺領域を被写体から遠ざかる方向に曲げるように形成されているだけなので、製造プロセスが複雑にならない。
【０１０１】
したがって、製造プロセスが複雑にならず、画像読取領域に原稿を密着させることができる画像読取装置を提供することができるという効果を奏する。
【０１０２】
また、本発明の画像読取装置は、上記の構成において、画像読取領域を保護する第１保護部材と、周辺領域を保護する第２保護部材とを備えていることがより好ましい。
【０１０３】
それゆえ、基板の周辺領域（すなわち外部回路部材の実装領域）と、画像読取領域とを保護することができるという効果を奏する。
【０１０４】
さらに、本発明の画像読取装置は、上記の構成において、第１保護部材の表面と被写体の表面との間の距離が、第２保護部材の表面と被写体の表面との間の距離以下であることがより好ましい。
【０１０５】
上記の構成によれば、第１保護部材の表面と被写体の表面との間の距離と、第２保護部材の表面と被写体の表面との間の距離とが同じである、または、第１保護部材の表面と被写体の表面との間の距離が、第２保護部材の表面と被写体の表面との間の距離に比べて短いため、画像読取領域を保護する第１保護部材の表面を原稿に密着させることが可能になるという効果を奏する。
【０１０６】
さらに、本発明の画像読取装置は、上記の構成において、基板が、厚さ０．１〜０．５ｍｍのガラス基板またはプラスチック基板であることがより好ましい。
【０１０７】
上記の構成によれば、入出力端子の配設部分において、基板の主面を被写体から遠ざかる方向に容易に曲げることができるという効果を奏する。
【０１０８】
また、本発明の画像読取装置は、上記の構成において、基板が略矩形であり、入出力端子が配設された周辺領域が、基板のうちの対向する２辺、あるいは１辺に存在することがより好ましい。
【０１０９】
上記の構成によれば、基板の主面のうち、画像読取領域の平坦性を維持することができるという効果を奏する。
【０１１０】
さらに、本発明の画像読取装置は、上記の構成において、基板の被写体と近接する面とは反対側の面に、周辺領域の湾曲形状を支持する支持部材を備えていることがより好ましい。
【０１１１】
上記の構成によれば、基板を、入出力端子の配設部分において被写体から遠ざかる方向に湾曲した形状を維持することが容易になるという効果を奏する。
【０１１２】
また、本発明の画像読取装置は、上記の構成において、支持部材が、被写体に対して光を照射する光源の機能を兼用していることがより好ましい。
【０１１３】
上記の構成によれば、支持部材が光源の構成部材を兼用することによって、構成を簡略化することができるという効果を奏する。
【０１１４】
さらに、本発明の画像読取装置は、上記の構成において、少なくとも周辺領域の湾曲した部分では、基板と支持部材とが、接着部材によって固定されていることがより好ましい。
【０１１５】
上記の構成によれば、基板を、入出力端子の配設部分において被写体から遠ざかる方向に湾曲した形状を確実に維持することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態にかかる画像読取装置の簡易な構成を示す概略断面図である。
【図２】本発明にかかる画像読取装置のアクティブマトリクス基板の概略ブロック図である。
【図３】本発明にかかる画像読取装置における基板の湾曲部分の支持方法を示す概略断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態にかかる画像読取装置の簡易な構成を示す概略断面図である。
【図５】本発明のさらに他の実施形態にかかる画像読取装置の簡易な構成を示す概略断面図である。
【図６】図５の画像読取装置における被写体、第１保護部材、第２保護部材の位置関係を拡大して模式的に示し、（ａ）は第１保護部材の表面と第２保護部材の表面とが略同じ高さである一例を示す概略断面図であり、（ｂ）は第１保護部材の表面が第２保護部材の表面に比べて被写体側に突出している一例を示す概略断面図である。
【図７】従来の光センサ用ＴＦＴとスイッチング用ＴＦＴとを備えたアクティブマトリクス基板の概略ブロック図である。
【図８】従来の画像読取装置における画像読取領域と周辺領域とを示す概略断面図である。
【図９】従来の画像読取装置の簡易な構成を示す概略断面図である。
【図１０】従来の他の画像読取装置の簡易な構成を示す概略断面図である。
【符号の説明】
８  スイッチング素子
９  光電変換素子
１２  基板
１４  画像読取領域
１６  周辺領域
１８  原稿（被写体）
２４  外部回路部材
【図１】
2004254046.tif 000003
【図２】
2004254046.tif 000004
【図３】
2004254046.tif 000005
【図４】
2004254046.tif 000006
【図５】
2004254046.tif 000007
【図６】
2004254046.tif 000008
【図７】
2004254046.tif 000009
【図８】
2004254046.tif 000010
【図９】
2004254046.tif 000011
【図１０】
2004254046.tif 000012