(57)【要約】【課題】  基板に形成された膜の不要部分を除去するにあたり、基板の不要膜除去部分に不要膜の残滓が発生したり、パターン形成領域の膜に凹状やピンホール状の欠陥が発生するという問題を解決する。【解決手段】  基板１に形成された膜の不要部分に、前記膜に対して溶解可能な薬液を供給するための薬液供給路１３ａが形成されたカバー部材１３を介して薬液を供給し、この部分の膜を溶解除去する不要膜除去装置であって、前記薬液供給路に薬液を供給する薬液供給手段１４と、前記薬液の供給開始及び供給停止を制御する薬液供給制御手段と、前記薬液供給路に対する薬液の供給を停止した後、前記薬液供給路に残留する薬液を排出するため、前記薬液供給路に気体又は前記膜に対して不溶な液体を供給する流体供給手段１５とを備えた構成。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された膜の不要部分に、前記膜に対して溶解可能な薬液を供給するための薬液供給路が形成されたカバー部材を介して薬液を供給し、この部分の膜を溶解除去する不要膜除去装置であって、
前記薬液供給路に薬液を供給する薬液供給手段と、
前記薬液の供給開始及び供給停止を制御する薬液供給制御手段と、
前記薬液供給路に対する薬液の供給を停止した後、前記薬液供給路に残留する薬液を排出するため、前記薬液供給路に流体を供給する流体供給手段と、
を備えることを特徴とする不要膜除去装置。
【請求項２】
前記流体は、気体又は前記膜に対して不溶な液体であることを特徴とする請求項１記載の不要膜除去装置。
【請求項３】
前記基板上にカバー部材を覆った状態で、前記薬液の供給及び前記流体の供給を行うことを特徴とする請求項１又は２記載の不要膜除去装置。
【請求項４】
前記不要膜除去装置は、前記基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段を回転駆動させる回転駆動手段と、を有し、
前記薬液供給路に対する薬液の供給、及び前記薬液供給路に残留する薬液を排出するための前記薬液供給路に対する流体の供給は、基板保持手段を回転させて行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の不要膜除去装置。
【請求項５】
前記基板に対しカバー部材を装着及び／又は脱着させる昇降手段を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の不要膜除去装置。
【請求項６】
基板上に転写パターンとなる薄膜と、レジスト膜が形成されたレジスト膜付き基板の不要部分を請求項１〜５のいずれかに記載の不要膜除去装置を用いて除去するマスクブランクスの製造方法であって、
前記基板を前記カバー部材で覆い、前記薬液供給手段から前記カバー部材に形成された薬液供給路に薬液を供給して、前記基板上に形成されたレジスト膜の不要部分を溶解し、前記薬液供給制御手段により前記薬液の供給を停止した後に、前記流体供給手段により前記薬液供給路に流体を供給することで、前記薬液供給路に残留する薬液を排出することを特徴とするマスクブランクスの製造方法。
【請求項７】
前記基板及び前記カバー部材を回転させながら、前記薬液の供給及び前記流体の供給を行うことを特徴とする請求項６記載のマスクブランクスの製造方法。
【請求項８】
前記基板及び前記カバー部材を回転させながら、薬液供給手段から薬液供給路に薬液を供給して、前記基板に形成された膜の不要部分を溶解し、前記基板及び前記カバー部材の回転を停止させることなく、前記薬液供給手段による前記薬液の供給を停止して、溶解した不要膜を遠心力で前記基板の外方へ除去するとともに、前記基板の不要膜除去部分を乾燥させるにあたり、
前記薬液供給手段による前記薬液の供給を停止した後に、前記流体供給手段により前記薬液供給路に流体を供給することで、前記薬液供給路に残留する薬液を排出することを特徴とする請求項６又は７に記載のマスクブランクスの製造方法。
【請求項９】
前記流体は、気体又は前記レジスト膜に対して不溶な液体であることを特徴とする請求項５〜８のいずれかに記載のマスクブランクスの製造方法。
【請求項１０】
前記レジスト膜が、化学増幅型レジストであることを特徴とする請求項５〜９のいずれかに記載のマスクブランクスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスクブランクス（以下、マスクブランクスという。）、半導体基板、情報記録媒体、カラーフィルタなどの基板に形成された膜の不要部分を除去する不要膜除去装置及びマスクブランクスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マスクブランクス、半導体基板、情報記録媒体、カラーフィルタなどの製造においては、基板上に膜を形成する際に、基板周縁部などの不要部分にも膜が形成されることがあり、この不要膜を除去することが要求される。
【０００３】
例えば、基板上に、レジスト膜、レジスト下地反射防止膜（ＢＡＲＣ：Ｂｏｔｔｏｍ  Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  Ｃｏａｔｉｎｇ）、レジスト上層反射防止膜（ＴＡＲＬ：Ｔｏｐ  Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  Ｌａｙｅｒ９）、レジスト上層保護膜などの膜（以下、これらの膜をレジスト膜という。）を回転塗布方法などを用いて形成する場合、塗布液が基板の周縁部（基板側面、基板裏面を含む。）に溜まり、ここに比較的厚いレジスト膜が形成される。
【０００４】
このように基板の周縁部に形成されたレジスト膜は、基板を取り扱う際に、剥離・脱落などが発生しやすいため、製品の欠陥原因になるだけでなく、後工程において基板を支持する際の妨げとなる可能性がある。そのため、基板に形成されたレジスト膜のうち、基板の周縁部に形成された不要部分を除去するための方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
特許文献１に示される不要膜除去方法は、レジスト膜が形成された基板を、周縁部に薬液供給孔が多数形成されたカバー部材で覆うとともに、基板及びカバー部材を一体的に回転させながら、カバー部材の薬液供給孔を介して、基板の周縁部に薬液を供給することにより、レジスト膜の不要部分を溶解し、これを除去するという方法である。
【０００６】
そして、上述の不要膜除去方法を用いて、レジスト膜の不要部分を除去する場合は、基板及びカバー部材を所定の回転数ｆ１で回転させながら、基板の周縁部に薬液を供給して、不要膜を溶解させる溶解工程Ｐ１と、薬液の供給を停止し、基板及びカバー部材を所定の回転数ｆ２（ｆ２＞ｆ１）で回転させながら、溶解した不要膜を遠心力で基板の外方に除去するとともに、基板の不要膜除去部分を乾燥させる除去・乾燥工程Ｐ２とを行うことが好ましい。
【特許文献１】特開２００１−２５９５０２号公報（第６頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述の不要膜除去方法を用いて作製された基板において、周縁部にレジスト膜の残滓があったり、レジスト膜のパターン形成領域に凹状やピンホール状の欠陥が発生するという問題が起こった。
レジスト残滓は、上述の溶解工程Ｐ１で溶解された不要膜が、除去・乾燥工程Ｐ２で確実に除去されなかったために発生したものであり、このレジスト残滓がレジスト膜のパターン形成領域に付着すると、基板の欠陥原因となる。
また、凹状やピンホール状の欠陥は、カバー部材を基板上方から取り外すとき、カバー部材の薬液供給孔に溜まっていた薬液が、レジスト膜のパターン形成領域に落ちることにより発生するものである。このような欠陥が発生した基板は、直ちに欠陥品として排除されるため、歩留まりを低下させることになる。
【０００８】
本発明は、上記の事情にかんがみなされたものであり、基板に形成された膜の不要部分を除去するにあたり、基板の不要膜除去部分に不要膜の残滓が発生したり、パターン形成領域の膜に凹状やピンホール状の欠陥が発生するという問題を解消し、不要膜除去における歩留まりを向上させることができる不要膜除去装置及び不要膜除去方法、並びにマスクブランクスの製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため本発明の不要膜除去装置は、基板に形成された膜の不要部分に、前記膜を溶解可能な薬液を供給するための薬液供給路が形成されたカバー部材を介して薬液を供給し、この部分の膜を溶解除去する不要膜除去装置であって、前記薬液供給路に薬液を供給する薬液供給手段と、前記薬液の供給開始及び供給停止を制御する薬液供給制御手段と、前記薬液供給路に対する薬液の供給を停止した後、前記薬液供給路に残留する薬液を排出するため、前記薬液供給路に流体を供給する流体供給手段と、を備える構成としてある。
不要膜除去装置をこのように構成すれば、薬液供給路に残留する薬液を排出する流体供給手段を設けることにより、不要膜の残滓を確実に除去することが可能になる。流体供給手段に使用する流体は、基板上に形成された膜に対して不溶であればよく、液体、気体のいずれでも構わない。
また、不要膜を除去した後に、薬液供給路に膜に対して不要な液体を供給することにより、薬液供給路に残っている薬液を除去することができるため、カバー部材を基板上方から取り外すとき、カバー部材に残っていた薬液が、パターン形成領域の膜に落ち、凹状やピンホール状の欠陥を発生させるこという問題が解消される。
上記の流体において、液体としては、水や超純水などを用いることができる。
また、上記の気体としては、窒素や、フィルタ（ケミカルフィルタなど）を通した空気などを用いることができる。
【００１０】
また、上記目的を達成するため本発明の不要膜除去装置は、前記基板上にカバー部材を覆った状態で、前記薬液の供給及び前記流体の供給を行う構成としてある。不要膜除去装置をこのような構成にすれば、不要部分の膜を溶解除去する過程において不要部分以外に薬液が供給されるのを防止することができる。
また、上記目的を達成するため本発明の不要膜除去装置は、前記基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段を回転駆動させる回転駆動手段と、を有し、前記薬液供給路に対する薬液の供給、及び前記薬液供給路に残留する薬液を排出するための前記薬液供給路に対する流体の供給は、基板保持手段を回転させて行う構成としてある。不要膜除去装置をこのような構成にすれば、不要部分の膜を溶解除去する除去領域を厳密に制御することができる。
また、上記目的を達成するため本発明の不要膜除去装置は、前記基板に対しカバー部材を装着及び／又は脱着させる昇降手段を備える構成としてある。不要膜除去装置をこのような構成にすれば、不要部分以外の領域に形成されている膜のダメージを防止することができる。上記の昇降手段は、基板に対しカバー部材を昇降させても、カバー部材に対し基板又は基板保持手段を昇降させてもよい。
【００１１】
また、上記目的を達成するため本発明のマスクブランクスの製造方法は、基板上に転写パターンとなる薄膜と、レジスト膜が形成されたレジスト膜付き基板の不要部分を請求項１〜５のいずれかに記載の不要膜除去装置を用いて除去するマスクブランクスの製造方法であって、前記基板を前記カバー部材で覆い、前記薬液供給手段から前記カバー部材に形成された薬液供給路に薬液を供給して、前記基板上に形成されたレジスト膜の不要部分を溶解し、前記薬液供給制御手段により前記薬液の供給を停止した後に、前記流体供給手段により前記薬液供給路に流体を供給することで、前記薬液供給路に残留する薬液を排出する方法としてある。
マスクブランクスの製造方法をこのような方法にすれば、薬液の供給を停止した後に、薬液供給路に残留する薬液を排出することにより、溶解されたレジスト膜の除去を促進できるだけでなく、基板の不要膜除去部分にあるレジスト膜の残滓を確実に除去することができる。
【００１２】
また、薬液の供給を停止した後に、流体供給手段により薬液供給路に、レジスト膜に対して不溶で、薬液供給路に残留する薬液を排出することができる流体を供給して、薬液供給路に残っている薬液を除去することにより、カバー部材を基板上方から取り外すとき、カバー部材の薬液供給路に残っている薬液が、パターン形成領域の膜に落ち、凹状やピンホール状の欠陥を発生させるこという問題を解消することができる。流体供給手段に使用する流体は、基板上に形成されたレジスト膜に対して不溶であればよく、液体、気体のいずれでもかまわない。
上記の流体において、液体とする場合は、不要部分を除去した領域の洗浄も兼ねて行うことができる。液体としては、水や超純水が好ましい。
【００１３】
また、上記の気体としては、窒素とすることができ、その場合、フィルタを通さずに気体供給ができるだけでなく、レジストの化学的な汚染も回避することができる。また、気体としては窒素以外に、フィルタ（ケミカルフィルタなど）を通した空気などを用いることもできる。
また、上記目的を達成するため本発明におけるマスクブランクスの製造方法は、前記基板及び前記カバー部材を回転させながら、前記薬液の供給及び前記流体の供給を行う方法である。マスクブランクスの製造方法をこのような方法にすれば、不要部分のレジスト膜を溶解除去する除去領域を厳密に制御することができる。従って、基板の周縁部に形成されるアライメントマークやＱＡ（品質保証）パターン、バーコードパターン等の補助パターンのパターン不良を防止することが可能となる。
【００１４】
また、上記目的を達成するため本発明におけるマスクブランクスの製造方法は、前記基板及び前記カバー部材を回転させながら、薬液供給手段から薬液供給路に薬液を供給して、前記基板に形成された膜の不要部分を溶解し、前記基板及び前記カバー部材の回転を停止させることなく、前記薬液供給手段による前記薬液の供給を停止して、溶解した不要膜を遠心力で前記基板の外方へ除去するとともに、前記基板の不要膜除去部分を乾燥させるにあたり、前記薬液供給手段による前記薬液の供給を停止した後に、前記流体供給手段により前記薬液供給路に流体を供給することで、前記薬液供給路に残留する薬液を排出させる方法である。マスクブランクの製造方法をこのような方法にすれば、不要部分のレジスト膜を溶解除去する除去領域を厳密に制御することができるとともに、溶解除去後の除去領域の乾燥を促進させ、スループットを向上することができる。
【００１５】
また、本発明のマスクブランクスの製造方法は、前記レジスト膜を化学増幅型レジストとしてある。
化学増幅型レジストは、レジストに含まれる溶剤を加熱により揮発されてレジスト膜にしたときに、他のレジストに比べて脆いため、不要膜除去部分にレジスト残滓があった場合、それが発塵となるパーティクル欠陥となりやすいが、本発明の適用により、確実にレジスト残滓の発生を防止できる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、基板に形成された膜の不要部分を除去するにあたり、基板の不要膜除去部分に不要膜の残滓が発生したり、パターン形成領域の膜に凹状やピンホール状の欠陥が発生するという問題を解消し、不要膜除去における歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
［不要膜除去装置］
まず、本発明に係る不要膜除去装置の第一実施形態について説明する。
＜第一実施形態＞
図１は、本発明に係る不要膜除去装置の第一実施形態を示す断面図である。
この図に示すように、不要膜除去装置１０は、基板１を保持する基板保持手段１１と、基板保持手段１１を回転駆動させる回転駆動手段１２と、基板１を上方から覆い、基板１と一体的に回転可能なカバー部材１３と、カバー部材１３によって形成される薬液供給路１３ａを介して、基板１の周縁部に不要膜溶解用の薬液を供給する薬液供給手段１４と、薬液供給路１３ａに気体を供給する気体供給手段１５と、基板保持手段１１の外方を囲むカップ１６と、カップ１６の底部から薬液や溶解された不要膜を排出する排液手段１７とを備えて構成されている。
また、基板１にカバー部材１３を装着、脱着できるように、カバー部材１３を把持して昇降するようにした昇降手段１８（図示せず）を設けることもできる。昇降手段１８を設けた場合、特に、不要膜除去後において、カバー部材１３が誤って基板１上に形成されている膜に接触して膜にダメージを与えることがないので好ましい。
【００１８】
薬液供給路１３ａは、カバー部材１３の上面中央部１３ｂと、その周囲に形成される環状の溝部１３ｃと、溝部１３ｃの底面からカバー部材１３の内側に通じる多数の薬液供給孔１３ｄとからなる。つまり、薬液供給手段１４からカバー部材１３の上面中央部１３ｂに供給された薬液は、カバー部材１３の回転に伴って溝部１３ｃに流れ込み、ここから薬液供給孔１３ｄを通って、基板１の周縁部に供給される。
【００１９】
薬液供給孔１３ｄは、薬液の粘度などに応じて、適切な形状、大きさ及び形成間隔が選定される。薬液供給孔１３ｄの形状は、正方形、長方形、円形、楕円形など、任意に設定することができる。薬液供給孔１３ｄの大きさや形成間隔は、薬液が一定の速度で不要膜部分全体にむらなく供給され、かつ、カバー部材１３の必要強度が維持されるように設定する。例えば、薬液供給孔１３ｄの孔径及び形成間隔を１０ｍｍ以下とする。
【００２０】
薬液供給孔１３ｄのうち、適宜の数箇所（例えば四箇所）には、薬液に耐性のある糸１３ｅ（例えば樹脂系）が通されている。この糸１３ｅは、カバー部材１３の天井面周縁部（不要膜対向部）と基板１の表面（周縁部）との間に介在し、これらの間隙ｄ１を設定するようになっている。すなわち、この糸１３ｅは、薬液供給孔１３ｄを通った後、カバー部材１３の天井面周縁部と基板１の表面との間を通るとともに、カバー部材１３の内側面と基板１の側面との間を通り、さらに、カバー部材１３の外周部を通るようにループ状に形成されている。
【００２１】
糸１３ｅの太さは、カバー部材１３の天井面周縁部と基板１の表面との間隙ｄ１を決める太さであり、この間隙ｄ１に薬液を供給したとき、薬液の広がる範囲がメニスカス作用によって規定されるようにｄ１を設定している。例えば、間隙ｄ１を０．０５〜３ｍｍとする。
なお、カバー部材１３の内側面と基板１の側面との間隙は、溶解された不要膜が通過できる大きさであればよい。例えば、間隙ｄ１と同じ範囲で設定する。
【００２２】
また、カバー部材１３の天井面のうち、周縁部を除く部分は、基板１のパターン形成領域と対向しており、この領域においては、カバー部材１３の天井面と基板１の表面との間の間隙ｄ２が天井面周縁部と基板１の表面との間隙ｄ１よりも大きく設定されている。つまり、間隙ｄ２は、カバー部材１３の温度分布が基板１のレジスト膜に熱伝達されることを避け、かつ、この間隙で気体の対流が生じて、基板１のレジスト膜に温度分布が発生することを避けることができる値とすることが好ましい。例えば、間隙ｄ２を０．０５〜２０ｍｍの範囲で設定する。
【００２３】
基板保持手段１１は、基板１を保持し、これを回転駆動手段（モータ）１２の駆動に応じて回転させるものであればよい。例えば、回転駆動手段１２の回転軸１２ａに取り付けられ、水平方向に放射状に延びる４本の支持腕１１ａと、各支持腕１１ａの先端部に設けられた保持台座１１ｂとを有し、これらの保持台座１１ｂによって基板１の四隅を係合保持するように構成される。
なお、基板保持手段１１は、基板１に対するカバー部材１３の位置を位置決めする手段を備えることが好ましい。
【００２４】
気体供給手段１５は、例えば、カバー部材１３の上方位置に設けられるノズルあり、カバー部材１３の上面中央部１３ｂから薬液供給孔１３ｄに向けて気体を供給するように向きが設定される。気体供給手段１５を構成するノズルの形状（断面）は、円形、楕円形、正方形、長方形など任意に設定することができる。
例えば、ノズル形状を長方形とし、カバー部材１３の溝部１３ｃに沿って配置してもよい。また、ノズルの個数は適宜設定されるが、後述する不要膜除去工程では、基板１及びカバー部材１３を一体的に回転させるので、一つのノズルでも薬液供給路１３ａ全体に気体を供給することが可能である。
【００２５】
気体供給手段１５から供給する気体の圧力や流量は、レジスト種類や薬液の種類によって適宜調整される。例えば、気体として窒素ガスを供給する場合、圧力は、１０ｋＰａ〜５００ｋＰａ、流量は、０．１〜３０ｍｌ／ｍｉｎとする。
また、気体供給手段１５から供給される気体は、レジストの感度むらを防止するために、温度制御されていることが好ましい。具体的には、不要膜除去が行われる雰囲気温度と同じか同程度の温度であることが好ましい。
【００２６】
図２は、薬液供給手段及び気体供給手段の他例を示す断面図である。
この図は、内側ノズルと、その外周側を覆う外側ノズルとからなる二重構造のノズルを用い、内側ノズルで薬液供給手段１４を構成し、外側ノズルで気体供給手段１５を構成した例を示している。このように構成された薬液供給手段１４及び気体供給手段１５を、第一実施形態の不要膜除去装置１０に適用してもよい。
【００２７】
＜第二実施形態＞
図３は、本発明に係る不要膜除去装置の第二実施形態を示す断面図である。
この図に示すように、第二実施形態の不要膜除去装置２０は、基板１を保持する基板保持手段２１と、基板保持手段２１を回転駆動させる回転駆動手段２２と、基板１を上方から覆い、基板１と一体的に回転可能なカバー部材２３と、カバー部材２３によって形成される薬液供給路２３ａを介して、基板１の周縁部に薬液を供給する薬液供給手段２４と、薬液供給路２３ａに気体を供給する気体供給手段２５と、基板保持手段２１の外方を囲むカップ２６と、カップ２６の底部から薬液などを排出する排液手段２７とを備えて構成されている。
なお、上述の第一実施形態と同様に、基板１にカバー部材２３を装着、脱着できるように、カバー部材２３を把持して昇降するようにした昇降手段２８（図示せず）を設けることもできる。昇降手段２８を設けた場合、特に、不要膜除去後において、カバー部材２３が誤って基板１上に形成されている膜に接触して膜にダメージを与えることがないので好ましい。
【００２８】
第二実施形態の不要膜除去装置２０は、薬液供給手段２４及び気体供給手段２５が、図２に示した二重構造のノズルを用いて構成されている点と、カバー部材２３が、内カバー部材２３ｂ及び外カバー部材２３ｃを備え、内外のカバー部材２３ｂ、２３ｃが共同して薬液供給路２３ａを形成している点が第一実施形態のものと相違している。以下、第一実施形態との相違点について説明する。
【００２９】
内カバー部材２３ｂは、基板１のパターン形成領域を上方から覆うために、平面形状が基板１とほぼ一致し、かつ、内側の天井面が基板１のパターン形成領域と対向するように形状が設定されている。内カバー部材２３ｂの天井面と基板１の表面（パターン形成領域）との間隔は、第一実施形態のｄ２と同じ範囲で設定されることが好ましい。
【００３０】
内カバー部材２３ｂの側部下端面は、基板１の周縁部に対向するようになっており、ここには間隔調整部材２３ｄが設けられている。間隔調整部材２３ｄは、内カバー部材２３ｂの側部下端面と基板１の表面（不要膜除去領域）との間隔を規定しており、この間隔は、第一実施形態のｄ１と同じ範囲で設定されることが好ましい。
つまり、内カバー部材２３ｂの上部から薬液を供給すると、その外側面を伝わって側部下端面に到達した薬液が、メニスカス作用によって基板１の周縁部にのみ広がり、この領域のレジスト膜だけが溶解されることになる。
【００３１】
外カバー部材２３ｃは、内カバー部材２３ｂを覆うように形状が設定される。
外カバー部材２３ｃと内カバー部材２３ｂは、接続部材２３ｅを介して連結されており、外カバー部材２３ｃと内カバー部材２３ｂとの間に形成される間隙が薬液供給路２３ａとなる。外カバー部材２３ｃは、上部中央に供給口２３ｆを有し、ここから薬液供給手段２４による薬液の供給や、気体供給手段２５による気体の供給が行われる。
【００３２】
＜第三、第四実施形態＞
第三、第四実施形態の不要膜除去装置２０は、気体供給手段１５、２５が、膜に対して不要な液体を供給する液体供給手段１９、２９にした点が第一、第二実施形態のものと相違している。以下、第一、第二実施形態との相違点について説明する。
第三実施形態における液体供給手段１９は、例えば、カバー部材１３の上方位置に設けられるノズルであり、カバー部材１３の上面中央部１３ｂから薬液供給孔１３ｄに向けて、膜に対して不要な液体を供給するように向きが設定される。
第四実施形態における液体供給手段２９は、図２に記載の二重構造のノズルを用い、内側ノズルで薬液供給手段１４を構成し、外側ノズルで液体供給手段２９を構成する。
液体供給手段１９から供給する液体としては、例えば、水や超純水などが上げられる。液体として超純水を供給する場合、流量は、０．５ｍｌ／ｍｉｎ〜５０ｍｌ／ｍｉｎとする。また、液体供給手段１９から供給される液体は、レジストの感度むらを防止するために、温度制御されていることが好ましい。具体的には、不要膜除去が行われる雰囲気温度と同じか同程度の温度であることが好ましい。
【００３３】
［不要膜除去方法］
つぎに、本発明の不要膜除去装置を用いた不要膜除去方法について、図４を参照して説明する。
図４は、この不要膜除去方法を示すタイミングチャートである。
この図に示すように、この不要膜除去方法には、上述した不要膜除去装置１０、２０の基板保持手段１１、２１に基板１をセットし、基板１の表面をカバー部材１３、２３で覆った後、基板１及びカバー部材１３、２３を所定の回転数ｆ１で一体的に回転させながら、カバー部材１３、２３の上方から薬液を供給し、薬液供給路１３ａ、２３ａを通じて基板１の周縁部に供給される薬液によって、不要膜を溶解する溶解工程Ｐ１と、薬液供給手段１４、２４による薬液の供給を停止させて、基板１及びカバー部材１３、２３を所定の回転数ｆ２（ｆ２＞ｆ１）で回転させることにより、溶解した不要膜を遠心力で基板１の外方へ除去するとともに、除去した領域を乾燥する除去・乾燥工程Ｐ２とが含まれる。
【００３４】
そして、気体供給手段１５、２５から薬液供給路１３ａ、２３ａへの気体供給は、除去・乾燥工程Ｐ２において行われる。この気体供給は、図４に示すように、溶解された不要膜を遠心力で除去した後、除去した領域を乾燥させる段階で行っても良いし、溶解工程Ｐ１の後、溶解された不要膜を遠心力で除去する段階から行うようにしてもかまわない。
つまり、気体供給手段１５、２５から薬液供給路１３ａ、２３ａへの気体供給は、薬液供給手段１４、２４による薬液の供給を停止させた後に行われ、好ましくは、基板１及びカバー部材１３、２３を回転させながら行う。
【００３５】
溶解工程Ｐ１における基板回転数ｆ１は、２００〜７５０ｒｐｍ、除去・乾燥工程Ｐ２における基板回転数ｆ２は、３５０〜２５００ｒｐｍの範囲で行うことが好ましい。
なお、回転数ｆ２を回転数ｆ１より大きくしているのは、回転数ｆ２が小さいと、溶解工程Ｐ１によって膨潤したレジストのまとまろうとする力が、回転数ｆ２による遠心力よりも強くなり、溶解した不要膜が基板１の外方に除去されなくなるからである。
【００３６】
図５は、不要膜除去方法の他例を示すタイミングチャートである。
この図に示すように、溶解工程Ｐ１及び除去・乾燥工程Ｐ２は、複数回繰り返すようにしても良い。この場合、気体の供給は、除去・乾燥工程Ｐ２、Ｐ４が行われる毎に行っても良いし、最後に行われる除去・乾燥工程Ｐ４だけで行うようにしても良い。除去・乾燥工程Ｐ２、Ｐ４が行われる毎に気体を供給する方が、不要膜除去効率の点で好ましい。これは、不要膜除去領域を気体供給で早く乾燥させ、ここに新しい薬液を供給することができるからである。
【００３７】
図６は、不要膜除去方法の他例を示すタイミングチャートである。
図４の不要膜除去方法との相違点は、薬液の供給を停止した後、薬液供給路に残留している薬液を排出するため、気体供給の変わりに膜に対して不要な液体を供給する点である。気体供給の変わりに、液体を供給することで、不要部分を除去した領域の洗浄も兼ねて行うことができるので好ましい。
図７は、不要膜除去方法の他例を示すタイミングチャートである。
図４の不要膜除去方法との相違点は、薬液の供給を停止した後、薬液供給路に残留している薬液を効率良く排出させるために、気体供給している間、基板の回転数ｆ２から回転数を低下させ（回転数ｆ３）、薬液供給路に残留している薬液を重力の作用により下方に降下させている点である。なお、気体供給している間、基板を回転数ｆ２と回転数ｆ３を複数回繰り返してもかまわない。
【００３８】
［マスクブランクスの製造方法］
つぎに、本発明に係るマスクブランクスの製造方法について説明する。
一般に、マスクブランクスの製造方法は、精密研磨された基板上に、転写パターンとなる薄膜を形成する薄膜形成工程と、薄膜上にレジスト塗布膜を形成する回転塗布工程と、レジスト膜の不要部分を除去する不要膜除去工程と、レジスト膜を加熱・冷却して乾燥させる加熱・冷却工程とを有する。本発明のマスクブランクス製造方法は、上記不要膜除去工程において上述した不要膜除去方法を用い
る点に特徴がある。
【００３９】
以下、上記の各工程について簡単に説明する。
＜薄膜形成工程＞
転写パターンとなる薄膜は、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などで成膜される。転写パターンとなる薄膜の材料は、マスクブランクスの種類に応じて適宜選定されたものを使用する。
マスクブランクスは、透過型マスクブランクス、反射型マスクブランクスに分けることができる。
【００４０】
透過型マスクブランクスは、基板としてガラス基板などの透光性基板を使用し、転写パターンとなる薄膜は、被転写体に転写するときに使用する露光光に対して光学的な変化をもたらす薄膜が使用されたフォトマスクブランクスである。ここで、露光光に対して光学的変化をもたらす薄膜とは、露光光を遮断する遮光膜や、露光光の位相差を変化させる位相シフト膜などを指す。
【００４１】
したがって、本発明でいうマスクブランクスは、遮光機能を有する薄膜として遮光膜が形成された通常のフォトマスクブランクスと、遮光機能を有する薄膜としてハーフトーン膜が形成された位相シフトマスクブランクス（ハーフトーン型位相シフトマスクブランクス）、位相シフト膜が形成された位相シフトマスクブランクスなどを含む。
また、反射型マスクブランクスは、基板として低膨張基板を使用し、その基板上に光反射多層膜と、転写パターンとなる光吸収体膜とを有するマスクブランクスである。
【００４２】
＜回転塗布工程＞
回転塗布工程は、回転塗布装置を用いて、薄膜付き基板上にレジスト液を均一に塗布する工程であり、少なくとも以下の２工程を含む。すなわち、基板上にレジスト液を滴下し、所定の回転数（主回転数）で所定の時間（主回転時間）基板を回転させ、レジスト液の膜厚を均一化させる均一化工程と、均一化工程の後、所定の回転数（乾燥回転数）で所定の時間（乾燥回転時間）基板を回転させ、均一化されたレジスト膜を乾燥させる乾燥工程とが含まれる。
これらの主回転数、主回転時間、乾燥回転数及び乾燥回転時間は、レジスト液を均一に塗布できるようにレジスト種類に応じて適宜条件が設定される。
【００４３】
回転塗布装置は、基板を載置し、固定するためのチャックと、レジストを滴下するためのノズルと、チャックを回転させるためのモータと、滴下されたレジストが回転によって周辺に飛散することを防止するためのカップと、カップ上方から基板に向けて気流を発生させるための排気機構とを備えている。
【００４４】
上記回転塗布装置を用いて、基板上にレジスト液を塗布する場合は、まず、基板をチャックに載置固定する。ノズルからレジスト液を滴下した後、基板を主回転数で所定の時間回転させ、滴下されたレジスト液を基板上に均一に広げる。主回転時間が経過した後、基板を乾燥回転数で所定の時間回転させ、レジスト液を乾燥させる。この工程では、基板上に塗布されたレジスト膜が完全乾燥されず、基板の周縁部に形成されたレジスト膜が流動性を持たない程度に乾燥される。
【００４５】
＜不要膜除去工程＞
この不要膜除去工程では、上述した不要膜除去方法を用いるため、マスクブランクスに適用した際の特別な点についてのみ説明する。
薬液は、マスクブランクスに形成されたレジストの種類に応じて適宜選択される。例えば、レジストを溶解可能なケトン、エステル、芳香族炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エーテルなどの溶媒が用いられる。また、基板の周縁部に形成された不要なレジスト膜に対し、露光光源によって選択的に露光を行い、露光した露光領域のみに現像液を供給して、レジスト膜を除去する場合は、薬液として現像液が使用される。
【００４６】
不要膜除去工程における溶解工程Ｐ１、除去・乾燥工程Ｐ２の基板回転数、開店時間は、レジストの種類、薬液の種類に応じて適宜調整される。例えば、溶解工程Ｐ１及び除去・乾燥工程Ｐ２の回転数は、レジストが薬液に対して溶解し易い場合（レジスト液の粘性が低い場合）よりも、溶解しにくい場合（レジスト液の粘性が高い場合）のほうが遅くなるように設定する。
薬液供給路に供給する気体としては、レジストを化学的的に汚染しないガスを使用することが好ましい。例えば、窒素ガスを用いる。
【００４７】
＜加熱・冷却工程＞
不要膜除去工程を終えたら、以下の熱処理装置に搬送し、加熱・冷却処理を行い、レジスト塗布膜を完全に乾燥させ、基板周縁部のレジスト膜が除去されたマスクブランクスを得る。
熱処理装置は、隣接して配置されて複数の加熱プレート及び冷却プレート、基板を搬送する搬送手段などから構成される。加熱・冷却処理は、基板を開閉自在な一対の搬送手段により把持し、複数の加熱プレートに順次搬送して加熱処理をした後、冷却プレートに搬送して冷却することにより行われる。
加熱プレートの加熱温度及び加熱時間、冷却プレートの冷却温度及び冷却時間は、レジストの種類に応じて適宜調整される。
【００４８】
［実施例及び比較例］
つぎに、本発明の実施例及び比較例について説明する。
＜実施例１＞
表面が精密研磨された合成石英ガラスからなる透明基板（１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ×６．３５ｍｍ）の表面に、クロムからなる遮光膜が形成され、さらに、この遮光膜の上に、厚さ４０００オングストロームからなるレジスト（チッソ社製：ＰＢＳＣ）の膜を、回転塗布方法で形成したマスクブランクスを準備した。
【００４９】
このマスクブランクスに形成されているレジスト膜は、基板表面のパターン形成領域のみに形成されていればよいが、回転塗布工程後のレジスト膜は、必要のない基板周縁部（基板側面や基板裏面部を含む。）まで形成されている。そこで、この基板周辺部に形成された不要なレジスト膜を、以下の方法で除去した。
【００５０】
まず、上述の第一実施形態に示す不要膜除去装置１０の基板保持手段１１に、マスクブランクスをセットして、昇降手段１８によりカバー部材１３をマスクブランクスの上方から被せ、薬液供給手段１４から供給量を調節しながら、ＭＣＡ（メチルセロソルブアセテート）の薬液を供給する。同時に、基板保持手段１１を回転させ、マスクブランクス及びカバー部材１３を回転数２００〜５００ｒｐｍで５〜３００秒間回転させた。これにより、薬液供給路１３ａを介して、マスクブランクスの周縁部に薬液を供給し、レジスト膜の不要部分を溶解させる（溶解工程Ｐ１）。
【００５１】
つぎに、薬液供給手段１４による薬液の供給を停止し、基板保持手段１１を回転数６５０〜２０００ｒｐｍで３〜２００秒間回転させ、溶解されたレジスト膜をマスクブランクスの外方に除去し、その後、基板保持手段１１を同じ回転数で２〜１００秒間回転させ、マスクブランクスの不要膜除去領域を乾燥させた（除去・乾燥工程Ｐ２）。なお、不要膜除去領域を乾燥させているとき（乾燥開始から基板保持手段１１の回転停止までの間）、気体供給手段１５から薬液供給路１３ａに窒素ガスを供給させた。窒素ガスの圧力は、２．５ｋＰａ、流量は、１５ｍｌ／ｍｉｎとした。
【００５２】
除去・乾燥工程Ｐ２の後、昇降手段１８により、マスクブランクスからカバー部材１３を取り外し、基板保持手段１１にセットしたマスクブランクスを、加熱・冷却装置に搬送して加熱・冷却処理を施し、不要なレジスト膜が除去されたマスクブランクスを得た。
なお、マスクブランクスの周縁部におけるレジスト膜の除去幅は、レジスト膜の除去領域がパターン形成領域にかからないように、基板側面から１．５ｍｍ±０．３ｍｍとした。
【００５３】
上述の方法で、基板周縁部のレジスト膜が除去されたレジスト膜付きマスクブランクスを１００枚作製した。
得られたマスクブランクス１００枚について、不要膜除去領域におけるレジスト残滓を顕微鏡にて観察したところ、レジスト残滓はなかった。また、表面欠陥検査装置によりマスクブランクス表面の欠陥検査を行ったところ、パターン形成領域に凹状やピンホール状の欠陥も見られなかった。
【００５４】
＜実施例２＞
表面が精密研磨された合成石英ガラスからなる透明基板（１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ×６．３５ｍｍ）の表面に、クロムからなる遮光膜が形成され、さらに、この遮光膜の上に、厚さ４０００オングストロームからなる化学増幅型レジスト（富士フィルムアーチ社製：ＦＥＰ１７１）の膜を、回転塗布方法で形成したマスクブランクスを準備した。
このマスクブランクスに形成されている化学増幅型レジスト膜のうち、基板周縁部に形成された不要なレジスト膜を、以下の方法で除去した。
まず、上述の第一実施形態に示す不要膜除去装置１０の基板保持手段１１に、マスクブランクスをセットして、昇降手段１８によりカバー部材１３をマスクブランクスの上方から被せ、薬液供給手段１４から供給量を調節しながら、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）＋ＰＧＭＥ（プロピレングリコールモノメチルエーテル）の薬液を供給する。同時に、基板保持手段１１を回転させ、マスクブランクス及びカバー部材１３を回転数５００〜８００ｒｐｍで５〜３００秒間回転させた。これにより、薬液供給路１３ａを介して、マスクブランクスの周縁部に薬液を供給し、レジスト膜の不要部分を溶解させる（溶解工程Ｐ１）。
つぎに、薬液供給手段１４による薬液を停止し、基板保持手段１１を回転数７５０〜１０００ｒｐｍで５〜２００秒間回転させ、溶解されたレジスト膜をマスクブランクスの外方に除去し、その後、基板保持手段１１を同じ回転数で５〜１５０秒間、回転数１００〜３５０ｒｐｍで２〜１００秒間繰り返し回転させ、マスクブランクスの不要膜除去領域を乾燥させた（除去・乾燥工程Ｐ２）。なお、不要膜除去領域を乾燥させているとき（乾燥開始（薬液停止）から基板保持手段１１の回転停止までの間）、気体供給手段１５から薬液供給路１３ａに窒素ガスを供給させた。窒素ガスの圧力は、２．５ｋＰａ、流量は、１５ｍｌ／ｍｉｎとした。
除去・乾燥工程Ｐ２の後、昇降手段１８により、マスクブランクスからカバー部材１３を取り外し、基板保持手段１１にセットしたマスクブランクスを、加熱・冷却装置に搬送して加熱・冷却処理を施し、不要なレジスト膜が除去されたマスクブランクスを得た。
なお、マスクブランクスの周縁部におけるレジスト膜の除去幅は、レジスト膜の除去領域がパターン形成領域にかからないように、基板側面から１．５ｍｍ±０．３ｍｍとした。
上述の方法で、基板周縁部のレジスト膜が除去されたレジスト膜付きマスクブランクスを１００枚作製した。
得られたマスクブランクス１００枚について、不要膜除去領域におけるレジスト残滓を顕微鏡にて観察したところ、レジスト残滓はなかった。また、表面欠陥検査装置によりマスクブランクス表面の欠陥検査を行ったところ、パターン形成領域に凹状やピンホール状の欠陥も見られなかった。
【００５５】
＜比較例１＞
不要膜除去装置１０において、気体供給手段１５による窒素ガスの供給を行わずに、基板周縁部のレジスト膜が除去されたレジスト膜付きマスクブランクスを１００枚作製した。他の条件は、実施例１と同様とした。
得られたフォトマスクブランクス１００枚について、不要膜除去領域におけるレジスト残滓を顕微鏡にて観察したところ、１００枚中１２枚にレジスト残滓が確認された。また、表面欠陥検査装置によりマスクブランクス表面の欠陥検査を行ったところ、パターン形成領域における凹状やピンホール状の表面欠陥が、１００枚中２３枚で確認された。
【００５６】
＜実施例３＞
上述した第二実施形態の不要膜除去装置２０を用いて、基板周縁部のレジスト膜が除去されたレジスト膜付きマスクブランクスを１００枚作製した。他の条件は、実施例１と同様とした。
得られたフォトマスクブランクス１００枚について、不要膜除去領域におけるレジスト残滓を顕微鏡にて観察したところ、レジスト残滓はなかった。また、表面欠陥検査装置によりマスクブランクス表面の欠陥検査を行ったところ、パターン形成領域に凹状やピンホール状の欠陥も見られなかった。
【００５７】
＜実施例４、５＞
上述した第三、第四実施形態の不要膜除去装置２０を用いて、基板周縁部のレジスト膜が除去されたレジスト膜付きマスクブランクスを１００枚作製した。なお、液体供給手段１９、２９から供給する液体は、超純水とし、超純水の流量は、０．５〜５０ｍｌ／ｍｉｎの間で調整した。得られたフォトマスクブランクス１００枚について、不要膜除去領域におけるレジスト残滓を顕微鏡にて観察したところ、レジスト残滓はなかった。また、表面欠陥検査装置によりマスクブランクス表面の欠陥検査を行ったところ、パターン形成領域に凹状やピンホール状の欠陥も見られなかった。
【００５８】
上記実施例では、レジストとしてＰＢＳＣを使用し、レジストを溶解する薬液としてＭＣＡ（メチルセロソルブアセテート）を用いたが、これに限定されない。レジストとしては、マスクブランクスに一般に使用される高分子型レジスト、化学増幅型レジスト、ノボラック系レジストなどを使用することができる。また、使用する薬液は、レジスト膜の希釈に使用される溶媒など、レジスト膜を溶解できるものであればよい。
【００５９】
さらに、上記実施例では遮光膜上にレジスト膜を形成するマスクブランクスを例に説明したが、これは、透明基板上にＳＯＧ（スピン・オン・グラス）膜を形成し、ＳＯＧ膜上に遮光膜を形成するようにした場合にも適用できる。その場合、遮光膜のほかに、透明導電膜、エッチングストッパ膜などの膜が設けられたものであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は、マスクブランクスの製造方法に適用したとき、特に有効と考えられるが、その他に、情報記録媒体、カラーフィルタなどに形成された保護膜の不要部分を除去する場合や、ディスプレイ用基板における配線の電極部に形成された絶縁膜の不要部分を除去する場合にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明に係る不要膜除去装置の第一実施形態を示す断面図である。
【図２】薬液供給手段及び気体供給手段の他例を示す断面図である。
【図３】本発明に係る不要膜除去装置の第二実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明に係る不要膜除去装置を用いた不要膜除去方法を示すタイミングチャートである。
【図５】本発明に係る不要膜除去装置を用いた不要膜除去方法の他例を示すタイミングチャートである。
【図６】本発明に係る不要膜除去装置を用いた不要膜除去方法の他例を示すタイミングチャートである。
【図７】本発明に係る不要膜除去装置を用いた不要膜除去方法の他例を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
【００６２】
１００  ＥＵＶ反射型マスクブランクス
１００ａ  ＥＵＶ反射型マスク
１０１  ガラス基板
１０２  多層反射膜
１０３  バッファ層
１０４  吸収体層
【図１】
2004310068.tif 000003
【図２】
2004310068.tif 000004
【図３】
2004310068.tif 000005
【図４】
2004310068.tif 000006
【図５】
2004310068.tif 000007
【図６】
2004310068.tif 000008
【図７】
2004310068.tif 000009