(57)【要約】【課題】平均粒径が０．２μｍ以下、特に０．１μｍ以下の超微粒子であっても、焼成過程におけるデラミネーションを防止でき、積層セラミックコンデンサ等の超微粒子応用品の薄層化が可能な複合Ｎｉ微粒子、その製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】複合Ｎｉ微粒子は、Ｎｉ又はＮｉ合金の微粒子の表面に、Ｓｉ、Ｓｉ３Ｎ４及びＳｉＯ２からなる群から選択された１種の材料が１乃至５ｎｍの厚さで被覆されており、平均粒径が０．０７乃至０．５０μｍである。Ｎｉ微粒子の原料はＮｉＣｌ２を気化させた気化ガスであり、被覆材の原料はＳｉＣｌ４を気化させた気化ガスを含む。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎｉ又はＮｉ合金の微粒子の表面に、Ｓｉ、Ｓｉ３Ｎ４及びＳｉＯ２からなる群から選択された１種の材料が１乃至５ｎｍの厚さで被覆されており、平均粒径が０．０７乃至０．５０μｍであることを特徴とする複合Ｎｉ微粒子。
【請求項２】
平均粒径が０．１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の複合Ｎｉ微粒子。
【請求項３】
反応管内でＮｉ又はＮｉ合金の微粒子を生成する工程と、同一反応管内でＳｉＣｌ４を含む原料ガスを気化させて生成した気化雰囲気に前記微粒子を供給して前記微粒子の表面にＳｉ、Ｓｉ３Ｎ４及びＳｉＯ２からなる群から選択された１種の材料を１乃至５ｎｍの厚さで被覆する工程と、を有し、これにより、平均粒径が０．０７乃至０．５０μｍの複合Ｎｉ微粒子を得ることを特徴とする複合Ｎｉ微粒子の製造方法。
【請求項４】
前記微粒子を生成する工程は、ＮｉＣｌ２原料を気化させる工程と、還元反応温度域にてこのＮｉＣｌ２気化ガスに還元性ガスを接触させてＮｉ又はＮｉ合金の微粒子を生成する工程とを有することを特徴とする請求項２に記載の複合Ｎｉ微粒子の製造方法。
【請求項５】
前記複合Ｎｉ微粒子は、平均粒径が０．１０μｍ以下であることを特徴とする請求項３又は４に記載の複合Ｎｉ微粒子の製造方法。
【請求項６】
キャリアガスが一方向に流れる反応管と、前記反応管内に設けられＮｉＣｌ２原料の加熱によりＮｉＣｌ２気化ガスを得る原料気化部と、前記反応管内にて前記キャリアガスの通流方向における前記原料気化部の下流側に設けられ前記キャリアガスによりキャリアされたＮｉＣｌ２気化ガスに還元反応温度域にて還元性ガスを供給して前記ＮｉＣｌ２気化ガスを還元しＮｉ又はＮｉ合金の微粒子を得る還元部と、前記反応管内にて前記キャリアガスの通流方向における前記還元部の下流側に設けられＳｉＣｌ４を含む被覆材原料の気化ガス前記微粒子に接触させて前記微粒子の表面にＳｉ、Ｓｉ３Ｎ４及びＳｉＯ２からなる群から選択された１種の材料を１乃至５ｎｍの厚さで被覆する被覆部とを有し、これにより平均粒径が０．０７乃至０．５０μｍである複合Ｎｉ微粒子を得ることを特徴とする複合Ｎｉ微粒子の製造装置。
【請求項７】
前記複合Ｎｉ微粒子は、平均粒径が０．１０μｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の複合Ｎｉ微粒子の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品等に使用される導電ペーストフィラー、積層セラミックスコンデンサ等の電極形成材料、Ｔｉ材の接合材又は触媒等に適用され、Ｎｉ微粒子の表面にＳｉ、Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＯ２からなる被覆材を被覆した複合Ｎｉ微粒子、その製造方法及び製造装置に関し、特に、平均粒径が０．１０μｍ以下の超微粒の複合Ｎｉ微粒子、その製造方法及び製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
積層セラミックコンデンサ（以下、ＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ  Ｃｅｒａｍｉｃ  Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）という）の内部電極材料としては、従来Ｐｄ又はＡｇ−Ｐｄ等の粉末が主に使用されていた。しかし、これらの貴金属微粒子を使用した内部電極では製造コストが高くなるという問題点がある。そこで、特に、携帯電話を始めとする小型電子機器の普及によりＭＬＣＣの需要が大幅に増加するにつれて、貴金属に替る低コストで信頼性が高い電極材料としてＮｉ粉末が使用されるようになった。
【０００３】
ＭＬＣＣはセラミックスの誘電体層と金属の内部電極層を多層化したものであるが、ＭＬＣＣの小型化及び大容量化の観点から、内部電極層の薄層化及び低抵抗化に対する要求が徐々に進み、現在では、粒径が１μｍ以下のＮｉ粉末は勿論のこと、粒径が０．５乃至０．２μｍのＮｉ超微粒子が主流になっている。なお、ＭＬＣＣ用金属超微粒子に求められる特徴としては、下記（１）乃至（４）に示すものがある。（１）ぺ−ストに良く分散し、乾燥後に均一で高密度の金属膜が得られることが必要である。そのためには、凝集要素が少ない表面性状を有し、タップ密度及び圧縮密度が大きいことが必要である。（２）脱媒温度である３００乃至５００℃付近で耐酸化性が優れていることが必要である。（３）焼結開始温度が誘電体の焼結開始温度に近いことが必要である。（４）電極としての金属膜を薄層化することができ、表面粗さが小さいことが必要である。そのためには、粒度分布が狭く、ペーストへの分散性がよいこと、及び１μｍ以上の粗粒を含まないことが必要である。
【０００４】
従来のＮｉ超微粒子を工業的レベルで製造する方法は、塩化ニッケルガス（ＮｉＣｌ２ガス）を気相中で水素還元する気相水素還元法と、ＮｉＣｌ２水溶液をヒドラジン等の還元剤で還元する液相還元析出法とに大別することができる。特に、水素ガスにより気相還元する気相水素還元法により金属Ｎｉ粒子を合成する場合には、粒子の球状性及び分散性が優れた高品質のＮｉ超微粒子を得ることができるので、この製造方法により得られるＮｉ超微粒子は緻密で欠陥が少ない高信頼性電極材料としての需要が拡大している。
【０００５】
気相水素還元法によりＮｉ超微粒子又はその他の種々の金属微粒子を生成する方法が種々提案されている（特許文献１乃至１１参照。）。これらの従来技術の中には、金属微粒子の合成反応を起こさせる反応管の内部に還元性ガスの導入管を設置し、この導入管の外側に原料ガスとしてＮｉＣｌ２ガス等の金属ハロゲン化物ガスを流すか、又は反応管の内部に原料ガスの導入管を設置し、この導入管の外側に還元性ガスを流しながら、両ガスの界面部においてＮｉ等金属元素を気相析出させ、その超微粒子を得るものがある。この場合、内側を流す還元性ガスと外側を流す原料ガス、又は内側を流す原料ガスと外側を流す還元性ガスとを、平行又は交差させ、また、原料ガスの濃度及び合成温度等を制御することにより、粒度分布が狭い球状の金属超微粒子粒子が得られるとしている。
【０００６】
一方で、今後はコンデンサ自体の小型化及び大容量化への要求がますます高まると考えられ、一つの選択肢として、ＭＬＣＣの更なる薄層化が検討されつつある。この場合、粒径０．２μｍ以下で粒径が揃った高品質Ｎｉ超微粒子を合成できることが重要である。しかし、一般的に小径化に伴ない、焼結開始温度も低温化することが知られており、この焼結特性を改善すること、即ち焼結開始温度を高温化することが超微粒子で粒径が揃ったものを合成するために必要である。
【０００７】
ＭＬＣＣはセラミックスの誘電体層と金属の内部電極層を多層化焼成したものであるが、セラミックス材である誘電体層（通常、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３））と金属材である内部電極層（通常、ニッケル（Ｎｉ））との焼結開始温度に差があることが、不良発生の原因となっている。即ち、誘電体層の焼結開始温度が約１２００℃であるため、通常の焼成温度は１１５０乃至１２００℃程度とされるが、内部電極層は約４００℃より既に焼結をはじめているため、両者の焼結挙動に大きな違いが生じ、主として両者の体積変化に差が生じてしまう。このため、電極層間の短絡、層間剥離、クラック等のデラミネーションが発生したすい。
【０００８】
そこで、このようなデラミネーションを防止する技術として、種々提案されている（例えば、特許文献１２乃至１９参照。）。これらの従来技術は、Ｎｉ粒径を制御したり、異種元素を添加したり、Ｎｉ微粒子の表面を酸化したりしている。
【０００９】
【特許文献１】
特公昭５９−７７６５号公報
【特許文献２】
特開昭６２−１８８７０９号公報
【特許文献３】
特開平４−３６５８０６号公報
【特許文献４】
特開平１０−６６８６３号公報
【特許文献５】
特開平１０−２１９３１３号公報
【特許文献６】
特開２０００−３４５２１６号公報
【特許文献７】
特開２０００−３４５２１７号公報
【特許文献８】
特開２０００−３４５２１８号公報
【特許文献９】
特開２０００−３４５２１９号公報
【特許文献１０】
特開２００１−８９８０４号公報
【特許文献１１】
特開２０００−３３６４０８号公報
【特許文献１２】
特開平８−２４６００１号公報
【特許文献１３】
特開平１１−８０８１７号公報
【特許文献１４】
特開平１１−１８９８０１号公報
【特許文献１５】
特開平１１−１８９８０２号公報
【特許文献１６】
特開２０００−４５００１号公報
【特許文献１７】
特開２０００−４５００２号公報
【特許文献１８】
特開２００１−７３００７号公報
【特許文献１９】
特開２００２−２６６０７４号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これらの従来技術は、Ｎｉ超微粒子の粒径制御、異種元素添加、Ｎｉ表面酸化に大別できるが、いずれも平均粒径が０．１乃至１．０μｍ範囲において焼結挙動を改善できてはいるものの、平均粒径が０．２μｍ以下、特に０．１μｍ以下の超微粒子においては、その効果が必ずしも十分でなく、デラミネーションを防止し難いという問題がある。
【００１１】
これは、粒子径が小さくなると、融点が低下し、前述の如く、焼結開始温度が低下したり、また表面活性度が高くなる等の本質的な物性変化を伴うためであると考えられる。即ち、平均粒径が０．２μｍ以下、特に０．１μｍ以下の超微粒子においては、融点が低下するために、焼結開始温度の低温化をもたらし、平均粒径が０．２乃至１．０μｍの粒子に比して、平均粒径が０．２μｍ以下、特に０．１μｍ以下のＮｉ超微粒子はデラミネーションが起きやすくなるという問題点がある。また、表面活性度が高いと、凝集が生じ易いため、ペースト中での分散性が悪くなり、均一な内部電極層の形成を阻害し、デラミネーションが起きやすくなる。
【００１２】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、平均粒径が０．２μｍ以下、特に０．１μｍ以下の超微粒子であっても、焼成過程におけるデラミネーションを防止でき、積層セラミックコンデンサ等の超微粒子応用品の薄層化が可能な複合Ｎｉ微粒子、その製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る複合Ｎｉ微粒子は、Ｎｉ又はＮｉ合金の微粒子の表面に、Ｓｉ、Ｓｉ３Ｎ４及びＳｉＯ２からなる群から選択された１種の材料が１乃至５ｎｍの厚さで被覆されており、平均粒径が０．０７乃至０．５０μｍであることを特徴とする。
【００１４】
この複合Ｎｉ微粒子において、前記平均粒径は０．１０μｍ以下とすることができる。
【００１５】
また、本発明に係る複合Ｎｉ微粒子の製造方法は、反応管内でＮｉ又はＮｉ合金の微粒子を生成する工程と、同一反応管内でＳｉＣｌ４を含む原料ガスを気化させて生成した気化雰囲気に前記微粒子を供給して前記微粒子の表面にＳｉ、Ｓｉ３Ｎ４及びＳｉＯ２からなる群から選択された１種の材料を１乃至５ｎｍの厚さで被覆する工程と、を有し、これにより、平均粒径が０．０７乃至０．５０μｍの複合Ｎｉ微粒子を得ることを特徴とする。
【００１６】
この複合Ｎｉ微粒子の製造方法において、前記微粒子を生成する工程は、例えば、ＮｉＣｌ２原料を気化させる工程と、還元反応温度域にてこのＮｉＣｌ２気化ガスに還元性ガスを接触させてＮｉ又はＮｉ合金の微粒子を生成する工程とを有する。また、前記複合Ｎｉ微粒子は、平均粒径が０．１０μｍ以下とすることができる。
【００１７】
本発明に係る複合Ｎｉ微粒子の製造装置は、キャリアガスが一方向に流れる反応管と、前記反応管内に設けられＮｉＣｌ２原料の加熱によりＮｉＣｌ２気化ガスを得る原料気化部と、前記反応管内にて前記キャリアガスの通流方向における前記原料気化部の下流側に設けられ前記キャリアガスによりキャリアされたＮｉＣｌ２気化ガスに還元反応温度域にて還元性ガスを供給して前記ＮｉＣｌ２気化ガスを還元しＮｉ又はＮｉ合金の微粒子を得る還元部と、前記反応管内にて前記キャリアガスの通流方向における前記還元部の下流側に設けられＳｉＣｌ４を含む被覆材原料の気化ガス前記微粒子に接触させて前記微粒子の表面にＳｉ、Ｓｉ３Ｎ４及びＳｉＯ２からなる群から選択された１種の材料を１乃至５ｎｍの厚さで被覆する被覆部とを有し、これにより平均粒径が０．０７乃至０．５０μｍである複合Ｎｉ微粒子を得ることを特徴とする。
【００１８】
この複合Ｎｉ微粒子の製造装置において、前記複合Ｎｉ微粒子は、平均粒径が０．１０μｍ以下とすることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は本実施形態の複合Ｎｉ微粒子を製造するための製造装置を示し、図２はその被覆部１を拡大して示す図である。
【００２０】
反応管１の一方の端部からキャリアガスとしてのＡｒガス２が供給され、このＡｒガス２は反応管１内を一方向に流れる。なお、キャリアガスとしては、Ａｒガスに限らず、例えば、Ｎ２ガス等でもよい。この反応管１内には、Ａｒガス２の通流方向における上流側から下流側に向けて順に、原料気化部１００、還元部１０１及び被覆部１０２が配置されている。原料気化部１００においては、トレー３上に収納された塩化ニッケル（ＮｉＣｌ２）原料の粉末４が載置されている。また、原料気化部１００と還元部１０１との間の反応管１内には、漏斗状の吐出部５がその大径側をキャリアガスの通流方向の上流側に向け、その小径側を下流側に向けて設置されている。ＮｉＣｌ２の気化ガス６は吐出部５の小径側から還元部１０１に向けて吐出する。
【００２１】
反応管１における吐出部５の設置位置の周面には、還元ガスとしてのＨ２ガス７の供給口８が設けられており、この供給口８からＨ２ガス７が吐出部５と反応管１との間に供給される。そして、このＨ２ガス７は吐出部５の小径口の前方で、吐出部５内のＮｉＣｌ２気化ガス６と接触し、このＮｉＣｌ２気化ガスを還元する。これにより、Ｎｉ又はＮｉ合金の微粒子９が生成する。
【００２２】
被覆部１０２においては、反応管１の周面に、ＳｉＣｌ４を含む被覆材原料気化ガス１０の供給口１１が設けられている。そして、反応管１内には、ＡｒガスにキャリアされたＮｉ又はＮｉ合金の微粒子の通流域に介在するように、多数の小箱１２が配置されており、この小箱１２には夫々多数のガス吐出口１３が形成されている。またこれらの小箱１２の内部は供給口１１に連通しており、供給口１１から供給された被覆材原料気化ガス１０が小箱１２のガス吐出口１３から反応管１内にシャワー状に吐出される。これにより、微粒子９の表面に、Ｓｉ、Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＯ２からなる被覆材が被覆され、複合Ｎｉ微粒子１４が生成する。
【００２３】
なお、反応管１の外部には、ＮｉＣｌ２ガスの気化部１００から被覆部１０２に至るまでの区間を、８００乃至１２００℃に加熱するヒータ１５が設けられている。
【００２４】
また、被覆材原料の気化ガス１０は、ＳｉＣｌ４を含み、更に、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ４、ＮＨ３又はＯ２を含む原料を気化させて得たガスであり、これをＨ２、Ｎ２又はＣＯガス等をキャリアガスとして反応管１内に送給されたものである。
【００２５】
また、上述の製造装置において、Ｎｉ又はＮｉ合金の微粒子の表面に被覆材を被覆する被覆部１０２における圧力損失が大きく、この被覆部１０２よりも上流側における反応管１の内圧が上昇し易いため、反応管１の下流に真空ポンプ（図示せず）と調圧バルブ（図示せず）を設けることにより、反応管内圧力を９．３１×１０４乃至１０．１３×１０４Ｐａに調整している。
【００２６】
次に、上述の如く構成された製造装置を使用して、複合Ｎｉ微粒子を製造する方法について説明する。Ｎｉ原料であるＮｉＣｌ２原料４を加熱して気化させ、原料気化ガス６をＡｒガスにキャリアさせて還元部１０１に供給する。還元部１０１においては、還元ガスとしてＨ２ガスが供給され、ＮｉＣｌ２ガスがＨ２ガスにより還元されてＮｉ微粒子９が生成する。このＮｉ微粒子９は被覆部１０２において、ＳｉＣｌ４の気化ガスを含む被覆原料気化ガスの接触を受けて、被覆材が微粒子の表面に被覆される。被覆材原料気化ガスは、ＳｉＣｌ４気化ガスを含み、更にＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ４、ＮＨ３又はＯ２を気化させて得た気化ガスを含むものであり、これをＨ２、Ｎ２又はＣＯガス等をキャリアガスとして反応管１内に送給する。これにより、Ｎｉ又はＮｉ合金の微粒子の表面に、Ｓｉ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２が被覆される。
【００２７】
次に、各部における処理条件について説明する。下記表１は、Ｎｉ又はＮｉ合金の微粒子の生成条件と、被覆材の形成条件を示す。なお、表１には、Ｐｄ及びＳを被覆する場合の条件も記載した。
【００２８】
【表１】
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【００２９】
Ｎｉ単体（金属）は融点が１４５３℃であり、原料がＮｉＣｌ２を９００℃以上の温度で気化させたＮｉＣｌ２気化ガスである。このＮｉＣｌ２気化ガスを９００乃至１２００℃の反応温度で還元ガスＨ２ガスにより還元して微粒子を得る。キャリアガスとしては、Ａｒガス又はＮ２ガスを使用することができる。被覆材としては、内部電極材料として混入しても電極としての特性を阻害しないものが好ましく、例えばＰｄ、Ｓｉ、Ｓ、Ｏ、等が考えられる。しかし、これらの元素の通常行われている化学気相成長の際の合成条件は、表１に示すとおりであり、この表１より、被覆材としてはＳｉ、Ｓｉ３Ｎ４及びＳｉＯ２が適切であることがわかる。つまり、Ｐｄは高価である。また、Ｓは融点が低すぎるために、Ｎｉの微粒子の表面に被覆するには、デラミネーションが生じやすくなる。
【００３０】
これに対し、Ｓｉは原料として、ＳｉＣｌ４又はＳｉＨ２Ｃｌ２の液体を使用するが、気化原料として、ＳｉＣｌ４を使用し、−４０〜０℃に加熱しながら気化させ、キャリアガスとしてＨ２ガスを使用すれば、反応温度７７０〜１２００℃でＳｉが得られる。また、気化原料として、ＳｉＨ２Ｃｌ２を使用し、２８０℃以上に加熱しながら、キャリアガスとしてＨ２を使用すれば、反応温度１０００〜１２００℃でＳｉが得られる。
【００３１】
また、Ｓｉ３Ｎ４は、同じく原料としてＳｉＣｌ４を使用し、キャリアガスとしてＮ２＋Ｈ２ガスを使用することにより、得ることができる。この場合のＳｉＣｌ４の気化温度は−４０〜０℃、反応温度は１０００〜１６００℃である。また、高圧下においては、ＳｉＨ４＋４ＮＨ３の混合ガスを原料とすることにより、９００℃以下の反応温度において、Ｓｉ３Ｎ４を得ることができる。
【００３２】
更に、ＳｉＯ２は、同じく原料としてＳｉＣｌ４を使用し、キャリアガスとしてＨ２＋ＣＯガスを使用することにより得られる。このとき、気化温度は０℃、反応温度は８００〜１１００℃である。また、ＳｉＨ４＋Ｏ２の混合ガスを原料とすることにより、４００℃以下の反応温度でＳｉＯ２を得ることができる。
【００３３】
従って、Ｓｉ，Ｓｉ３Ｎ４及びＳｉＯ２を被覆材とすれば、気化用の原料としてＳｉＣｌ４原料を使用し、同一のＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置により、キャリアガス種を変えるだけで、Ｓｉ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２を自由に作り分けることができるため好適である。
【００３４】
被覆材の厚さを１乃至５ｎｍに制御するためには、気化原料であるＳｉＣｌ４の分圧比を０．００５〜０．０２に調整すればよい。また、Ｎｉ又はＮｉ合金の微粒子の平均粒径を０．０７乃至０．５０μｍに制御するためには、ＮｉＣｌ２ガスの分圧比を０．０１〜０．２に調整すればよい。また、Ｎｉ又はＮｉ合金の微粒子の平均粒径を０．２μｍ以下にするには、ＮｉＣｌ２ガス分圧比を０．１以下にし、０．１μｍ以下にするには、ＮｉＣｌ２ガス分圧比を０．０３以下にする。
【００３５】
このようにして、Ｓｉ、Ｓｉ３Ｎ４、及びＳｉＯ２からなる群から選択された被覆材の厚さを、１乃至５ｎｍにすることができる。被覆材の厚さが１ｎｍ未満であると、必ずしも一様な厚さの被覆材を形成できるとは限らない。被覆材の厚さが５ｎｍを超えると、不純物としてのＳｉ量が多くなるため好ましくない。また、得られた複合Ｎｉ微粒子の平均粒径は、０．０７乃至０．５０μｍ、好ましくは、０．２０μｍ以下、更に好ましくは０．１０μｍ以下である。平均粒径が０．５μｍを超える場合は、Ｎｉ電極層の厚さが厚くなるため、デラミネーションを起こしにくく、被覆の効果が現れにくいが、粒径が小さくなると、電極厚さが薄くなり、被覆効果が出てくる。
【００３６】
また、複合Ｎｉ微粒子の平均粒径の測定方法は、画像解析及びレーザ式粒度分布測定法等がある。更に、被覆材の厚さの測定方法は、断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）観察により行うことができる。
【００３７】
【実施例】
以下、本発明の特許請求の範囲を満たす実施例の効果について具体的に説明する。図１に示した装置を用いて下記表２に示す条件１乃至９のもとで、複合Ｎｉ微粒子を合成した。条件１乃至９において、ＮｉＣｌ２の加熱温度を９８０℃、Ｎｉ微粒子合成温度を１１００℃、水素流量を５リットル／分、ＳｉＣｌ４の加熱温度を１００℃、反応管内圧力を９．３１×１０４乃至１０．１３×１０４Ｐａに調整した。また、条件１及び２においてＳｉＣｌ４のキャリアガスをＡｒ、条件３及び４においてＳｉＣｌ４のキャリアガスをＮ２、条件５、６、７、８及び９においてＳｉＣｌ４のキャリアガスをＣＯとした。
【００３８】
【表２】
2004232036.tif 000004
【００３９】
このような条件で、Ｎｉ微粒子表面にＳｉ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２を被覆した複合Ｎｉ微粒子を作成し、その平均粒径及び被覆材の厚さを測定した結果を下記表３に示す。
【００４０】
【表３】
2004232036.tif 000005
その結果、表３に示すように、本発明の特許請求の範囲に規定した平均粒径及び被覆材厚さを有する複合Ｎｉ微粒子を製造することができた。
【００４１】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、Ｎｉ微粒子表面に高融点異種材料を厚さが１乃至５ｎｍの範囲で被覆形成することにより、平均粒径が０．２μｍ以下の超微粒子であっても、焼成過程におけるデラミネーションを防止でき、積層セラミックコンデンサの薄層化が可能になる。また、Ｎｉ微粒子合成工程と被覆材の被覆工程を１つの反応管内で連続して実施できるため、製造コストを抑制できると共に、高品質の複合Ｎｉ微粒子の生成が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係るＮｉ又はＮｉ合金微粒子の製造装置を示す縦断面図である。
【図２】被覆部１０２の一部拡大図である。
【符号の説明】
１；反応管
２；Ａｒガス
４；ＮｉＣｌ２原料粉末
５；吐出部
６；ＮｉＣｌ２気化ガス
７；Ｈ２ガス
８、１１；供給口
９；Ｎｉ微粒子
１０；被覆材原料気化ガス
１２；小箱
１４；複合Ｎｉ微粒子
１００；気化部
１０１；還元部
１０２；被覆部
【図１】
2004232036.tif 000006
【図２】
2004232036.tif 000007