(57)【要約】【課題】２５ＧＨｚ以上といった準ミリ波帯以上の高周波数領域ではその波長が短いことから、蓋体が誘電体共振器と同様の働きにより共振を発生させてしまい、高周波回路部品を伝送する高周波信号の伝送特性が大きく劣化する。【解決手段】上面に２５〜９０ＧＨｚの周波数領域で使用される高周波回路部品４の搭載部１ａを有する絶縁基体１と、この絶縁基体１の上面に搭載部１ａを取り囲むように封止材９を介して接合される絶縁体材料から成る蓋体２とを具備し、絶縁基体１と蓋体２とから成る容器内部に高周波回路部品４を気密に収容する高周波回路部品収納用パッケージ３であって、蓋体２の厚みをＴ（ｍｍ）、高周波回路部品４で使用される高周波信号の波長をλ（ｍｍ）としたときに、Ｔ≦λ／４である。【選択図】　図１
2004146756.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面の中央部に２５〜９０ＧＨｚの周波数で使用される高周波回路部品の搭載部を有する絶縁基体と、該絶縁基体の上面に前記搭載部を取り囲むように封止材を介して接合される絶縁体材料から成る蓋体とを具備し、前記絶縁基体と前記蓋体とから成る容器内部に前記高周波回路部品を気密に収容する高周波回路部品収納用パッケージであって、前記蓋体の厚みをＴ（ｍｍ）、前記高周波回路部品で使用される高周波信号の波長をλ（ｍｍ）としたときに、Ｔ≦λ／４であることを特徴とする高周波回路部品収納用パッケージ。
【請求項２】
前記絶縁基体の前記上面の前記搭載部の近傍から下面にかけて、前記搭載部側の一端に前記高周波回路部品の電極が、他端に外部電気回路がそれぞれ電気的に接続される信号配線が形成され、該信号配線は、前記蓋体と０．３ｍｍ以上離れていることを特徴とする請求項１記載の高周波回路部品収納用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、２５ＧＨｚ以上の準ミリ波帯の高周波領域で使用される高周波回路部品収納用パッケージに関し、特に、絶縁基体と絶縁体材料から成る蓋体とで高周波回路部品を気密に封止する高周波回路部品収納用パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、衛星通信網の構築に伴い、２５ＧＨｚを超える周波数帯の周波数を使用する高周波回路部品が民生化され、高周波帯における部品の小型化・低価格化の要求が強まってきている。なお、高周波信号の周波数が２５ＧＨｚ以上といった準ミリ波帯以上の高周波領域では高周波信号の波長が数ｍｍ〜数１０ｍｍとなっている。
【０００３】
このような高周波回路部品収納用パッケージは、高周波回路基板等の高周波回路部品が実装されるアルミナセラミックス等の電気絶縁材料から成り、その上面の略中央部に高周波回路部品を搭載するための搭載部およびその周辺から下面にかけて導出されたタングステンやモリブデン等の高融点金属から成る複数の配線導体層を有する絶縁基体と、同じくアルミナセラミックス等の絶縁体を素材とする、厚みが数１００μｍ〜数ｍｍの蓋体とから成り、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に高周波回路部品を気密に収容することによって高周波回路装置と成る。なお、配線導体層は、高周波回路部品に電源を供給する電源配線、高周波信号を伝達する信号配線および外部からのノイズをシールドする接地配線から構成されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平７−５０３６２号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記構成の高周波回路部品収納用パッケージにおいては、蓋体が絶縁体材料から成ること、蓋体には絶縁基体のように接地導体等の配線導体層が形成されていないこと、および周波数が２５ＧＨｚ以上といった準ミリ波帯以上の高周波信号の波長が数ｍｍ〜数１０ｍｍであり蓋体の厚みに近似していること等から、絶縁基体に形成された信号配線や高周波回路部品から漏れ出た高周波信号が電磁波として絶縁体材料から成る蓋体を透過してパッケージの外部に漏れ出る際に、蓋体内部にパッケージを透過する電磁波の定在波が発生し易くなり、この定在波によって蓋体が高周波信号と共振してしまうとともに、この共振が高周波回路部品や信号配線を伝送する高周波信号の伝送特性に影響を与えてしまい、その結果、高周波回路装置の伝送特性が大きく劣化してしまうという問題点を有していた。
【０００６】
また、信号配線や高周波回路部品から漏れ出た高周波信号が電磁波として絶縁体材料から成る蓋体を透過してパッケージの外部に漏れ出る際に、電磁波の一部がパッケージ内部側の蓋体表面で反射するが、特に高周波回路装置の小型化の要求の中で信号配線と蓋体との距離が近いものとなった場合には、反射した電磁波が信号配線にノイズを発生させてしまうとともに、信号配線のインピーダンスを初期設定値から大きくずらしてしまい、一般に要求されるインピーダンス値５０±２Ωの範囲から外れてしまい、良好な伝送特性を得られないという問題点も有していた。
【０００７】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、絶縁体材料から成る蓋体において、高周波回路部品や配線導体から漏れ出た高周波信号により発生する共振を抑制することができ、かつ配線導体を構成する信号配線と蓋体との間に適正な空間距離を確保することにより、２５ＧＨｚ以上の準ミリ波帯以上の高周波数領域においても良好な伝送特性が得られる高周波回路部品収納用パッケージを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波回路部品収納用パッケージは、上面の中央部に２５〜９０ＧＨｚの周波数で使用される高周波回路部品の搭載部を有する絶縁基体と、この絶縁基体の上面に前記搭載部を取り囲むように封止材を介して接合される絶縁体材料から成る蓋体とを具備し、前記絶縁基体と前記蓋体とから成る容器内部に前記高周波回路部品を気密に収容する高周波回路部品収納用パッケージであって、前記蓋体の厚みをＴ（ｍｍ）、前記高周波回路部品で使用される高周波信号の波長をλ（ｍｍ）としたときに、Ｔ≦λ／４であることを特徴とするものである。
【０００９】
本発明の高周波回路部品収納用パッケージによれば、蓋体の厚みをＴ（ｍｍ）、２５〜９０ＧＨｚの周波数領域において使用される高周波回路部品の高周波信号の波長をλ（ｍｍ）としたときに、Ｔ≦λ／４としたことから、蓋体の厚みＴが高周波回路部品で使用される高周波信号の波長λに対し十分に薄い厚みとなり、高周波回路部品や絶縁基体に形成された信号配線から漏れ出た高周波信号が電磁波として絶縁体材料から成る蓋体を透過してパッケージの外部に漏れ出る際に、蓋体内部に高周波回路部品や信号配線から漏れ出た電磁波の定在波が発生し難にくくなり、その結果、２５ＧＨｚ以上の準ミリ波帯以上の高周波数領域においても蓋体に発生する共振を抑制することができ、良好な伝送特性が得られる。
【００１０】
また、本発明の高周波回路部品収納用パッケージは、上記構成において、前記絶縁基体の前記上面の前記搭載部の近傍から下面にかけて、前記搭載部側の一端に前記高周波回路部品の電極が、他端に外部電気回路がそれぞれ電気的に接続される信号配線が形成され、この信号配線は前記蓋体と０．３ｍｍ以上離れていることを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の高周波回路部品収納用パッケージによれば、上記構成において、絶縁基体の上面の搭載部の近傍から下面にかけて、搭載部側の一端に高周波回路部品の電極が、他端側に外部電気回路がそれぞれ電気的に接続される信号配線を形成され、この信号配線が蓋体と０．３ｍｍ以上離れている場合には、信号配線や高周波回路部品から漏れ出た高周波信号が電磁波として絶縁体材料から成る蓋体を透過してパッケージの外部に漏れ出る際に、電磁波の一部がパッケージ内部側の蓋体表面で反射したとしても、信号配線にノイズを発生させたり、信号配線のインピーダンスを初期設定値から大きくずらしてしまうことはない。
【００１２】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の高周波回路部品収納用パッケージを添付の図面に基づいて詳細に説明する。
図１は本発明の高周波回路部品収納用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図であり、この図において、１は絶縁基体、２は蓋体であり、主に絶縁基体１と蓋体２とで本発明の高周波回路部品収納用パッケージ３が構成されている。
【００１３】
高周波回路部品収納用パッケージ１を構成する絶縁基体１は、その上面の略中央部に２５〜９０ＧＨｚの周波数領域で使用される高周波回路基板等の高周波回路部品４を搭載する搭載部１ａを有し、アルミナ・ムライト・窒化アルミニウム等のセラミックス材料やガラスセラミックス等の無機系材料、四フッ化エチレン樹脂（ポリテトラフルオロエチレン）・四フッ化エチレン−エチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−エチレン共重合樹脂）、四フッ化エチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂）等のフッ素樹脂、ガラスエポキシ樹脂・ポリフェニレンエーテル樹脂・液晶ポリエステル・ポリイミド等の樹脂系材料などから成る略四角形状の板体である。なお、絶縁基体１の縦・横・厚みの寸法は、搭載される高周波回路基板等の高周波回路部品の大きさや、使用される高周波信号の周波数や特性インピーダンスなどに応じて適宜設定される。
【００１４】
また、絶縁基体１の搭載部１ａの近傍から下面にかけて、ならびに内部および表面には高周波回路部品４に電源を供給する電源配線や高周波信号を伝達する信号配線および外部からのノイズをシールドする接地配線等から成る配線導体層５が形成されている。なお、図１には、配線導体層５のうち信号配線のみを図示した例を示している。
【００１５】
このような配線導体層５は、高周波信号伝送用として適した金属材料の導体層から成り、例えばＣｕメタライズ層やＭｏ−Ｍｎ・Ｗ・Ｍｏ−Ｍｎメタライズ層上にＮｉめっき層およびＡｕめっき層を被着させたもの、Ｗメタライズ層上にＮｉめっき層およびＡｕめっき層を被着させたもの、Ｃｒ−Ｃｕ合金層、Ｃｒ−Ｃｕ合金層上にＮｉめっき層およびＡｕめっき層を被着させたもの、Ｔａ２Ｎ層上にＮｉ−Ｃｒ合金層およびＡｕめっき層を被着させたもの、Ｔｉ層上にＰｔ層およびＡｕめっき層を被着させたもの、またはＮｉ−Ｃｒ合金層上にＰｔ層およびＡｕめっき層を被着させたもの等から成り、厚膜印刷法あるいは各種の薄膜形成法やめっき処理法などにより形成される。なお、その厚みや幅は伝送される高周波信号の周波数や特性インピーダンスなどに応じて設定される。
【００１６】
このような絶縁基体１および配線導体層５は、例えば絶縁基体１がガラスセラミックスから成る場合であれば、まず絶縁基体１と成るガラスセラミックスのグリーンシートを従来周知のドクターブレード法を用いて成形し、これに所定の打ち抜き加工を施すとともに、スクリーン印刷法により配線導体層５となるＣｕやＡｇなどの導体ペーストを塗布し、次に１０００℃で焼成を行なうことにより形成される。
【００１７】
そして、絶縁基体１の搭載部１ａに２５〜９０ＧＨｚの周波数領域で使用される高周波回路基板等の高周波回路部品４をエポキシ樹脂や金属ろう材等を介して搭載するとともに、絶縁基体１表面の搭載部１ａ近傍に形成された信号配線等の配線導体層５と高周波回路部品４の各電極とをＡｕやＡｌ等の金属細線６で電気的に接続するとともに、絶縁基体１の下面に露出した、信号配線等の配線導体層５の一部を用いて形成した接続パッド５ａを導体バンプ等の導電性接続部材７を介して外部電気回路基板８の配線導体層８ａに電気的に接続することにより、高周波回路部品４が外部電気回路基板８と電気的に接続される。
【００１８】
なお、導電性接続部材７としては、Ｃｕ、Ｐｂ−Ｓｎ共晶半田やＰｂ高含有のＰｂ−Ｓｎ半田あるいはＰｂフリー半田が用いられる。また、接続パッド５ａの形成は、配線導体層５と同様の材料を用いて同様の方法により被着形成する方法の他、他の導電性部材、例えば金属板や金属ブロックを取着することにより形成してもよい。
【００１９】
さらに、接続パッド５ａの外周側の表面に絶縁基体１と同様の材料などを用いてコーティングを施す、もしくは同電位の接続パッド５ａ同士において、複数の同電位の接続パッド５ａを覆うように導体層を設けるとともに、導体バンプ等の導電性接続部材７を取着する箇所以外を絶縁基体１と同様の材料などを用いてコーティングを施すことによって、絶縁基体１と接続パッド５ａとの密着強度を強固にすることができる。また、その表面にニッケルや金等の良導電性で耐蝕性および導電性接続部材７との濡れ性が良好な金属をめっき法により０．０１〜２０μｍの厚みに被着させておくと、接続パッド５ａの酸化腐食を有効に防止することができるとともに導電性接続部材７による高周波回路用パッケージ３と外部電気回路基板８との接続を強固となすことができる。
【００２０】
そして、絶縁基体１に高周波回路基板等の高周波回路部品４を実装後、絶縁基体１の上面に搭載部１ａを取り囲むように封止材９を介して絶縁体材料から成る蓋体２を接合することにより、高周波回路装置となる。
【００２１】
蓋体２は、絶縁基体１に搭載する高周波回路部品４を気密に収容するとともに外部からの衝撃等から高周波回路部品４を保護する機能を有し、酸化アルミニウム質焼結体やムライト質焼結体・ステアタイト質焼結体・フォルステライト質焼結体等の電気絶縁材料から形成されている。
【００２２】
そして、本発明の高周波回路部品収納用パッケージ３においては、蓋体２の厚みをＴ（ｍｍ）、高周波回路部品４で使用される高周波信号の波長をλ（ｍｍ）としたときに、Ｔ≦λ／４としてある。また、本発明においては、このことが重要である。
【００２３】
本発明の高周波回路部品収納用パッケージ３によれば、蓋体２の厚みをＴ（ｍｍ）、高周波回路部品４で使用される高周波信号の波長をλ（ｍｍ）としたときに、Ｔ≦λ／４としたことから、蓋体２の厚みＴが高周波回路部品４で使用される高周波信号の波長λに対し十分に薄い厚みとなり、高周波回路部品４や絶縁基体１に形成された信号配線から漏れ出た高周波信号が電磁波として絶縁体材料から成る蓋体２を透過してパッケージの外部に漏れ出る際に、蓋体２内部に高周波回路部品４や信号配線から漏れ出た電磁波の定在波が発生し難にくくなり、その結果、２５ＧＨｚ以上の準ミリ波帯以上の高周波数領域においても蓋体２に発生する共振を抑制することができ、良好な伝送特性が得られる。
【００２４】
なお、λ／４＜Ｔの場合は、高周波回路部品４や絶縁基体１に形成された信号配線から漏れ出た高周波信号が電磁波として絶縁体材料から成る蓋体２を透過してパッケージの外部に漏れ出る際に、蓋体２内部に高周波回路部品や信号配線から漏れ出た電磁波の定在波が発生し易くなり、その結果、２５ＧＨｚ以上の準ミリ波帯以上の高周波数領域において蓋体２に発生する共振を抑制することが困難となり、信号配線の伝送損失Δ２１が急激に大きな値となる傾向がある。従って、蓋体２の厚みをＴ（ｍｍ）、２５〜９０ＧＨｚの周波数領域において使用される高周波回路部品５の高周波信号の波長をλ（ｍｍ）としたときにＴ≦λ／４とすることが重要である。
【００２５】
また、高周波回路部品４で使用される高周波信号の蓋体２内部での実効波長をλｊ（ｍｍ）としたときに、Ｔ≦λｊ／４とすることによって、より共振の発生を抑えることができる。これは、同じ周波数の場合、空気中の波長λ（ｍｍ）に比べてセラミックス等の固体中での実効波長λｊ（ｍｍ）の方が短くなり、蓋体の厚みＴ（ｍｍ）が高周波回路部品で使用される高周波信号の波長λ（ｍｍ）に対しより薄い厚みとなるためである。
【００２６】
さらに、本発明の高周波回路部品収納用パッケージ３においては、上記構成において、信号配線が蓋体２と０．３ｍｍ以上離れていることが好ましい。
本発明の高周波回路部品収納用パッケージ３によれば、信号配線が蓋体２と０．３ｍｍ以上離れている場合には、信号配線や高周波回路部品から漏れ出た高周波信号が電磁波として絶縁体材料から成る蓋体２を透過してパッケージの外部に漏れ出る際に、電磁波の一部がパッケージ内部側の蓋体２表面で反射したとしても、信号配線にノイズを発生させたり、信号配線のインピーダンスを初期設定値から大きくずらしてしまうことはない。
【００２７】
なお、ここで信号配線が蓋体２と０．３ｍｍ以上離れているとは、信号配線と蓋体２の天板あるいは側面との距離Ｌが、どこをとっても０．３ｍｍ以上であることをいう。
【００２８】
なお、信号配線が蓋体２と０．３ｍｍ未満離れている場合、パッケージ内部側の蓋体２表面で反射した電磁波により、信号配線にノイズを発生させたり、信号配線のインピーダンスを初期設定値から大きくずらしてしまい、一般に要求されるインピーダンス値５０±２Ωの範囲から外れてしまい、良好な伝送特性を得られなくなる傾向がある。従って、信号配線は蓋体２と０．３ｍｍ以上離れていることが好ましい。
【００２９】
また、本発明の高周波回路部品収納用パッケージ３においては、上記構成において、蓋体の２５〜９０ＧＨｚの周波数領域での比誘電率を８以下とすることが好ましい。上記構成において、蓋体の２５〜９０ＧＨｚの周波数領域での比誘電率を８以下とすることにより、高周波回路部品４や信号配線から漏れ出た高周波信号が電磁波として絶縁体材料から成る蓋体２を透過してパッケージの外部に漏れ出る際に、その一部が蓋体２のパッケージ内部側の表面で反射すること減少させることができ、その結果、蓋体２のパッケージ内部側の表面で反射した電磁波が高周波回路部品４や信号配線にノイズを発生させてしまうことをより有効に防止できる。
【００３０】
このような蓋体２は、酸化アルミニウム質焼結体やムライト質焼結体・ステアタイト質焼結体・フォルステライト質焼結体等の電気絶縁材料から成り、蓋体２が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウムや窒化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等の原料粉末を所定のプレス金型内に充填するとともに一定圧力でプレスして成形し、しかる後、この成形品を約１５００℃の温度で焼成することによって製作される。
【００３１】
また、絶縁基体１と蓋体２とを接合する封止材９は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成り、絶縁基体１に高周波回路部品４を実装後、絶縁基体１の蓋体２との接合部に、あるいは蓋体２の絶縁基体１との接合部にスクリーン印刷法やディスペンサー法を用いて印刷あるいは塗布され、絶縁基体１と蓋体２とを貼り合わせた後、加熱・加熱することにより硬化する。
【００３２】
かくして本発明の高周波回路部品収納用パッケージによれば、絶縁基体の搭載部に高周波回路部品をエポキシ樹脂を介して接合するとともに、高周波回路部品の各電極と絶縁基体の搭載部近傍に形成した配線導体層とをＡｕの金属細線で出機器的に接続し、しかる後、蓋体を絶縁基体に封止材を介して接合することにより高周波回路装置と成る。
【００３３】
なお、本実施例においては、蓋体２を絶縁基体１側に凹部を有する、中央部の断面形状がコの字状とした例を示したが、略平板であっても良い。また、信号配線や高周波回路部品４から漏れ出た高周波信号は、蓋体２が図１のように断面コの字状の場合、主にこれらと対向する部分、すなわち蓋体２の天板部分を通過するので、蓋体２の天板部分の厚みＴ（ｍｍ）のみがＴ≦λ／４を満足している場合においても、良好な効果を得ることができる。
【００３４】
【実施例】
以下、本発明の高周波回路部品収納用パッケージの実施例について説明する。（実施例１）
まず、次のサンプルを製作した。
絶縁基体は、材料として比誘電率６のガラスセラミックスを用い、外寸法を１１ｍｍ×１１ｍｍ、厚みを０．４ｍｍとした。また、絶縁基体の上下面には配線導体層５および接続用パッドをＣｕメタライズにより形成し、さらに上下面のＣｕメタライズには、ＮｉおよびＡｕめっき層を順次被着させた。なお、接続用パッドは直径を０．３ｍｍとし、０．８ｍｍ間隔で格子状に形成した。
【００３５】
高周波回路部品は、比誘電率８．６で厚みが０．１５ｍｍのアルミナセラミックス基板の上下面に、Ｗメタライズ・ＮｉおよびＡｕめっき層を順次被着させることによりマイクロストリップラインの高周波伝送線路を形成することにより製作した。
蓋体２は、比誘電率が９．４のアルミナセラミックスを用い、形状が絶縁基体側に凹部を有する形状とし、絶縁基体１に高周波回路部品４を実装後、エポキシ樹脂を介して接合した。なお、天板部の厚みが１．０ｍｍと０．５ｍｍの２種類の蓋体を用意した。
【００３６】
外部電気回路基板８は、ガラスクロスにフッ素樹脂を含浸させた絶縁層の上面にＣｕの配線導体８ａを形成することにより形成した。さらに外部電気回路基板６の上面には、絶縁基体１に形成された接続用パッド５ａに対向して、直径０．３ｍｍの接続パッド８ｂを０．８ｍｍ間隔で格子状に形成した。
そして、これらの部材で高周波回路装置を製作後、絶縁基体と外部電気回路基板とをＳｎ３７質量％／Ｐｂ６３質量％である半田ボールを用いて接続した。
【００３７】
実験は、蓋体の天板部の厚みが１．０ｍｍと０．５ｍｍの２種類の試料に２５〜９０ＧＨｚの高周波信号を通電し、その時の試料の伝送損失ΔＳ２１を測定した。
実験結果を図２に示す。蓋体の天板部の厚みが１．０ｍｍと０．５ｍｍの２種類の試料とも、天板部の厚みが通電した高周波信号の周波数の波長λの１／４を超えると伝送損失ΔＳ２１が急激に大きな値となることがわかった。それに対して天板部の厚みが通電した高周波信号の周波数の波長λの１／４以下では、伝送損失ΔＳ２１が０．１ｄＢ以下と小さな値となることがわかった。
【００３８】
（実施例２）
次に、信号配線と蓋体との距離を変えて、信号配線のインピーダンス値をシミュレーションした。絶縁基体は厚みを０．６ｍｍとした以外は、実施例１と同じ条件とし、蓋体は実施例１と同じものを用いた。なお、信号配線の幅は０．９１ｍｍとした。結果を表１に示す。
【００３９】
【表１】
2004146756.tif 000003
【００４０】
信号配線のインピーダンスの値をシミュレーションした結果、インピーダンスは信号配線の付近に何も存在しない無限設定時の５０Ωに対し、一般的な要求インピーダンス値である±２Ω内のズレを満足するには、信号導体と蓋体との距離は０．３ｍｍ以上必要であることがわかった。
【００４１】
【発明の効果】
本発明の高周波回路部品収納用パッケージによれば、蓋体の厚みをＴ（ｍｍ）、２５〜９０ＧＨｚの周波数領域において使用される高周波回路部品の高周波信号の波長をλ（ｍｍ）としたときに、Ｔ≦λ／４としたことから、蓋体の厚みＴが高周波回路部品で使用される高周波信号の波長λに対し十分に薄い厚みとなり、高周波回路部品や絶縁基体に形成された信号配線から漏れ出た高周波信号が電磁波として絶縁体材料から成る蓋体を透過してパッケージの外部に漏れ出る際に、蓋体内部に高周波回路部品や信号配線から漏れ出た電磁波の定在波が発生し難にくくなり、その結果、２５ＧＨｚ以上の準ミリ波帯以上の高周波数領域においても蓋体に発生する共振を抑制することができ、良好な伝送特性が得られる。
【００４２】
本発明の高周波回路部品収納用パッケージによれば、上記構成において、絶縁基体の上面の搭載部の近傍から下面にかけて、搭載部側の一端に高周波回路部品の電極が、他端側に外部電気回路がそれぞれ電気的に接続される信号配線が形成され、この信号配線が蓋体と０．３ｍｍ以上離れている場合には、信号配線や高周波回路部品から漏れ出た高周波信号が電磁波として絶縁体材料から成る蓋体を透過してパッケージの外部に漏れ出る際に、その一部がパッケージ内部側の蓋体表面で反射したとしても、信号配線にノイズを発生させたり、信号配線のインピーダンスを初期設定値から大きくずらしてしまうことはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波回路部品用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の高周波回路部品収納用パッケージを用いて伝送損失ΔＳ２１（ｄＢ）を測定したときの実験結果を表す図である。
【符号の説明】
１・・・・・・・・絶縁基体
１ａ・・・・・・・搭載部
２・・・・・・・・蓋体
３・・・・・・・・高周波回路部品収納用パッケージ
４・・・・・・・・高周波回路部品
５・・・・・・・・配線導体層（信号配線・電源配線・接地配線）
５ａ・・・・・・・接続用パッド
Ｔ・・・・・・・・蓋体の厚み
Ｌ・・・・・・・・信号配線と蓋体との距離
【図１】
2004146756.tif 000004
【図２】
2004146756.tif 000005