(57)【要約】【課題】専用の設定手段を用いることなく、光学ピックアップにおける光検出器１のゲインを調整する。【解決手段】光学ピックアップに備えられている発光素子２からの放射光の一部が光学系を介して受光素子４に入射することを利用し、該発光素子２に与える駆動信号を設定すべきゲインに対応した信号とする。受光素子４からの光電流は光電変換回路５で光電変換され、弁別回路６、基準電圧源７およびデコーダ８で前記設定すべきゲインが認識され、ゲイン設定回路９が前記光電変換回路５の電子ボリウム１３に設定する。したがって、無配線で調整を行うことができるとともに、リモートコントローラなどの専用の設定手段を用いることなく、光学ピックアップに既存の発光素子２を用いて、その駆動信号だけを変更することでゲイン調整を行うことができる。【選択図】  図１
2004273033.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子に与える駆動信号を設定すべきゲインに対応した信号とし、
前記発光素子からの放射光の一部を光学系を介して受光素子で受光し、
前記受光素子の出力を光電変換し、
前記変換された出力から前記設定すべきゲインを認識し、
前記認識されたゲインを前記光電変換のゲインとして設定することを特徴とする光学ピックアップのゲイン調整方法。
【請求項２】
設定すべきゲインに対応した駆動信号を作成し、発光素子に与える駆動信号源と、
前記発光素子からの放射光の一部が光学系を介して受光素子で受光され、得られた光電流を光電変換手段で光電変換して得られた出力から前記設定すべきゲインを認識する認識手段と、
前記認識手段で認識されたゲインを前記光電変換手段に設定する設定手段とを含むことを特徴とする光学ピックアップ。
【請求項３】
前記設定手段は、
前記認識手段で認識されたゲインデータを格納する複数の第１のメモリと、前記光電変換手段において、ゲイン調整を実現する電子ボリウムのボリウム値を、その出力で設定する第２のメモリと、
前記認識手段での認識結果に応答して、前記第１のメモリを択一的に選択して、そのストア内容を前記第２のメモリにセットする選択手段とを備えて構成されることを特徴とする請求項２記載の光学ピックアップ。
【請求項４】
前記第１のメモリには、前記ボリウム値の最大値を格納する最大値メモリを有し、
前記選択手段は、初期状態では、前記最大値メモリの内容を前記第２のメモリにセットすることを特徴とする請求項３記載の光学ピックアップ。
【請求項５】
前記第１のメモリは、書換え可能な不揮発性メモリから成ることを特徴とする請求項３記載の光学ピックアップ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学ピックアップのゲイン調整方法およびその調整方法を適用する光学ピックアップに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、光検出器の感度を外部からの光によって設定する構成として、特開平４−１６４２８４号公報記載の技術が開示されている。該従来技術について、図６を用いて説明する。図６は、前記光検出器である光電センサ１０１の動作条件の調整方法を示すブロック図である。概略的に、この光電センサ１０１は、物体等を検知する光電センサにおいて、その受発光機能を利用して、専用のリモートコントローラ１０２との間で光通信を行い、前記リモートコントローラ１０２から光信号で送信された設定すべきデータを、光電センサ１０１が受光し、デコードして、内部に設定するものである。
【０００３】
すなわち、前記リモートコントローラ１０２から照射された前記光信号は、受光素子１０３で受光され、その出力は受光アンプ１０４へ入力され、該受光アンプ１０４の出力はコンパレータ１０５へ入力され、該コンパレータ１０５の出力は検波回路１０６で処理されて制御回路１０７へと与えられる。前記制御回路１０７は、コンパレータ１０５の基準電位を設定して受光感度を設定するとともに、発光素子１０８を駆動する駆動回路１０９を設定する構成になっている。
【０００４】
そして、前記制御回路１０７は、前記受光素子１０３および発光素子１０８を経由して通信することで、前記受光素子１０３の感度、前記発光素子１０８の出射光量設定データ等の前記リモートコントローラ１０２に内蔵されているメモリ１１０の内容を入手し、設定するようになっている。
【０００５】
前記コンパレータ１０５の出力信号から設定値を読出す方法については、たとえばＭＡＸＩＭ社の温度センサＩＣ「ＤＳ１８２２」のデータシートに記載されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平４−１６４２８４号公報（公開日：平成４年６月９日）
【０００７】
【非特許文献１】
温度センサＩＣ「ＤＳ１８２２」のデータシート
（ＭＡＸＩＭ社ホームページ：
ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｍａｘｉｍ−ｉｃ．ｃｏｍ／ｑｕｉｃｋ＃ｖｉｅｗ２．ｃｆｍ／ｑｖ＃ｐｋ／２７９５）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような設定方法では、光電センサ１０１の受光感度を設定するにあたって、別途リモートコントローラ１０２が必要になるという問題がある。また、該リモートコントローラ１０２と光電センサ１０１とを対向させて双方向に通信しながら設定を行うので、光学ピックアップの光検出器には適用できない場合が多いという問題がある。すなわち、光学ピックアップを組付けた光ディスク記録／再生ユニットや記録／再生装置などでは、間に介在する筐体や基板などによって、前記リモートコントローラを光検出器に対向させることができず、このような手法を適用できない。
【０００９】
本発明の目的は、専用の設定手段を用いることなく、光学ピックアップに好適なゲイン調整方法およびそれを適用する光学ピックアップを提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の光学ピックアップのゲイン調整方法は、発光素子に与える駆動信号を設定すべきゲインに対応した信号とし、前記発光素子からの放射光の一部を光学系を介して受光素子で受光し、前記受光素子の出力を光電変換し、前記変換された出力から前記設定すべきゲインを認識し、前記認識されたゲインを前記光電変換のゲインとして設定することを特徴とする。
【００１１】
上記の構成によれば、光学ピックアップのゲイン調整を実現するにあたって、設定すべきゲインに対応した光信号を光学ピックアップに入射し、その信号を受光し、内部でデコードすることによって、無配線で調整を実現する。さらに本発明では、前記光信号は光学ピックアップに備えられている発光素子から出射するようにし、該発光素子からの放射光の一部を光学系を介して受光素子で受光させる。該発光素子へは、光ディスクへの書込や読取りの信号に代えて、設定すべきゲインに対応した信号を与える。
【００１２】
したがって、リモートコントローラなどの専用の設定手段を用いることなく、光学ピックアップに既存の発光素子を用いて、その駆動信号だけを変更することでゲイン調整を行なうことができる。
【００１３】
また、本発明の光学ピックアップは、設定すべきゲインに対応した駆動信号を作成し、発光素子に与える駆動信号源と、前記発光素子からの放射光の一部が光学系を介して受光素子で受光され、得られた光電流を光電変換手段で光電変換して得られた出力から前記設定すべきゲインを認識する認識手段と、前記認識手段で認識されたゲインを前記光電変換手段に設定する設定手段とを含むことを特徴とする。
【００１４】
上記の構成によれば、光学ピックアップのゲイン調整を実現するにあたって、設定すべきゲインに対応した光信号を光学ピックアップに入射し、その信号を受光し、内部の認識手段でデコードし、設定手段が光電変換手段に設定することによって、無配線で調整を実現する。さらに本発明では、前記光信号は光学ピックアップに備えられている発光素子から出射するようにし、該発光素子からの放射光の一部を光学系を介して受光素子で受光させる。該発光素子へは、光ディスクへの書込や読取りの信号に代えて、駆動信号源が設定すべきゲインに対応した信号を与える。
【００１５】
したがって、リモートコントローラなどの専用の設定手段を用いることなく、光学ピックアップに既存の発光素子を用いて、その駆動信号だけを変更することでゲイン調整を行なうことができる。
【００１６】
さらにまた、本発明の光学ピックアップでは、前記設定手段は、前記認識手段で認識されたゲインデータを格納する複数の第１のメモリと、前記光電変換手段において、ゲイン調整を実現する電子ボリウムのボリウム値を、その出力で設定する第２のメモリと、前記認識手段での認識結果に応答して、前記第１のメモリを択一的に選択して、そのストア内容を前記第２のメモリにセットする選択手段とを備えて構成されることを特徴とする。
【００１７】
上記の構成によれば、設定手段は、第１のメモリに複数のゲインデータを格納しておくことができ、選択手段で択一的に選択して、電子ボリウムで実現される前記光電変換手段におけるゲイン調整手段のゲインを実際に設定する第２のメモリに格納する。
【００１８】
したがって、たとえばＤＶＤ用の６８０ｎｍとＣＤ用の７８０ｎｍとのように、前記発光素子の波長や、また温度などによって受光素子の感度（光電変換特性）が変化しても、さらにまた書込と読出しとで受光パワーが変化しても、適切なゲインを適宜選択して設定することができる。
【００１９】
また、本発明の光学ピックアップでは、前記第１のメモリには、前記ボリウム値の最大値を格納する最大値メモリを有し、前記選択手段は、初期状態では、前記最大値メモリの内容を前記第２のメモリにセットすることを特徴とする。
【００２０】
上記の構成によれば、初期状態では、前記ボリウム値が最大、すなわち光電変換手段のゲインが最大になっているので、入射光が微弱な場合であっても、設定手段は入射光からゲインデータをデコードして、光電変換手段の電子ボリウムに設定することができる。
【００２１】
さらにまた、本発明の光学ピックアップでは、前記第１のメモリは、書換え可能な不揮発性メモリから成ることを特徴とする。
【００２２】
上記の構成によれば、異なる波長毎に変換ゲインを予め保持しておくことが可能となる。これによって、該光学ピックアップが波長の異なる光を受光する場合に、受光感度補正を瞬時に行うことが可能となる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の一形態について、図１〜図３に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【００２４】
図１は、本発明の実施の一形態の光検出器１の電気的構成を示すブロック図である。この光検出器１は、発光素子２とともに、後述する光学ピックアップに搭載される。前記光学ピックアップは、駆動回路３からの駆動電流で半導体レーザなどで実現される前記発光素子２を駆動し、書込み用や読出し用の照射光をフォトダイオードなどで実現される受光素子４で受光し、得られた光電流を光電変換回路５において電流ー電圧変換した後、後段の図示しない信号処理回路へ出力し、光ビームの出力レベルモニタなどに使用される。
【００２５】
注目すべきは、本発明では、この光学ピックアップの可動部内に、前記光電変換回路５における変換ゲインを外部から設定可能なように、弁別回路６およびその基準電圧源７と、デコーダ８と、ゲイン設定回路９とを備えており、設定すべきゲインに対応した駆動パルスを前記駆動回路３から発光素子２へ与え、その発光光の一部が光学系を介して受光素子４に入射し、前記構成で解析して光電変換回路５のゲインを自動設定することである。前記駆動回路３は、発光素子２を所定の光量で点灯および消灯させる。
【００２６】
このため、前記光電変換回路５からの出力電圧は、弁別回路６において基準電圧源７からの基準電圧と比較され、２値のデジタル信号にレベル弁別される。前記基準電圧源７の基準電圧は、受光素子４に入射される光のうち、前記光電変換回路５の変換ゲインを設定するための情報を抽出できる電圧に設定されている。その弁別結果はデコーダ８において解析され、解析結果に対応して、ゲイン設定回路９が、後述するように設定および制御され、前記光電変換回路５の変換ゲインが設定される。
【００２７】
前記光電変換回路５は、差動演算回路１１と、基準電圧源１２と、電子ボリウム１３とを備えて構成されている。差動演算回路１１は、前記受光素子４からの光電流を電圧変換する。その出力は、前記図示しない信号処理回路および弁別回路６に出力されるとともに、電子ボリウム１３を介して負帰還される。前記電子ボリウム１３内のスイッチ素子が、ゲイン設定回路９内の第２のメモリ２２のストア内容に対応してオン／オフ切換えされることで、該電子ボリウム１３の抵抗値、したがってフィードバックゲインが変化する。
【００２８】
前記ゲイン設定回路９は、複数（図１では２つ）の第１のメモリ２１ａ、２１ｂと、前記第２のメモリ２２と、スイッチ２３とを備えて構成されている。前記第１のメモリ２１ａ、２１ｂには、デコーダ８が、弁別回路６から入力されるデジタル信号列を解析して得られたゲインデータが設定される。前記スイッチ２３は、前記デコーダ８の解析結果に応じて切換え制御され、前記メモリ２１ａまたは２１ｂのストア内容を択一的に取出し、前記第２のメモリ２２にストアさせる。
【００２９】
なお、デコーダ８において、弁別回路６からのデジタル信号列を解析する手法としては、たとえばタイムスロットによって解析する方法が挙げられる。具体的には、ロジック「１」を伝送する場合には、ある一定時間Ｔｈの間、弁別回路６から「Ｌｏｗ」レベルを出力するように受光素子４へ光を照射する。また、ロジック「０」を伝送する場合には、ある一定時間Ｔｌ（≠Ｔｈ）の間、弁別回路６から「Ｌｏｗ」レベルを出力するように受光素子４へ光を照射する。一方、デコーダ８は内部発振器を有しており、弁別回路６の出力の立下がりエッジに同期して、自動クロックを発生するように構成されている。デコーダ８は、弁別回路６の出力と前記自動クロックとから、受光素子４に入力されたデジタル信号列を情報データとして取込み、その情報データに基づき、該デコーダ８内部の論理回路からゲイン設定回路９を設定する。このデコーダ８を構成するハードウエアは論理回路であり、その中身は用途に応じて回路設計が行なわれ、またはソフトウエアで記述される。
【００３０】
また、ゲイン設定回路９の具体的な設定方法は、実際に使用する信号列（情報）のフォーマット（情報フォーマット）に対して規定される。以下に、情報フォーマットの例を示し、そのときのデコーダ８の動作を示す。
【００３１】
先ず、情報フォーマットとしては、下記の４つの領域を有するフォーマットがある。第１領域はゲイン設定回路９の動作を規定する「モード領域」、第２領域はメモリ２１ａ，２１ｂやスイッチ２３を指定する「アドレス領域」、第３領域はメモリ２１ａ，２１ｂの内容やスイッチ２３の動作を指定する「データ領域」、第４領域は前記した３つの領域のデータが正しく伝送されているか否かを判定し、間違っていたら訂正するための情報であるエラー訂正符号を有する「エラー訂正符号領域」である。
【００３２】
次に、モード領域の情報は、ゲイン設定回路９の動作モードを指定する。前記動作モードとしては、「更新モード」と「非更新モード」とが考えられる。更新モードでは、受光素子４に照射される光でゲイン設定回路９の内容を更新できる状態であり、非更新モードはゲイン設定回路９の内容を更新できない状態である。アドレス領域の情報は、メモリ２１ａ，２１ｂおよびスイッチ２３などを１対１で指定する。データ領域の情報は、アドレス領域の情報と対を成しており、アドレス領域で指定した対象に対して情報を記録したり、動作を規定したりする。たとえば、アドレス領域でメモリ２１ａが指定されている場合には、データ領域の情報はメモリ２１ａに書込むデータである。これに対して、アドレス領域でスイッチ２３が指定されている場合には、データ領域の情報はどのメモリを選択するかを指定している。エラー訂正符号領域の情報は、伝送したデータが正しく受信されているか否かを判定し、間違っていれば訂正するための情報である。デコーダ８では、上記した情報フォーマットに対応する情報を取得し、ゲイン設定回路９を制御する。
【００３３】
ここで、上述の例では、光電変換回路５は電力増幅を行なっているけれども、弁別回路６で２値のデジタル信号にエラーなく弁別できる場合には、図２の光電変換回路５ａで示すように、前記電子ボリウム１３のみで、より低コストに構成されてもよい。この光電変換回路５ａでは、抵抗素子１３ａの一端１３ｂには前記受光素子４からの光電流が与えられ、他端１３ｃが接地されることで光電変換が行なわれ、前記スイッチが切換えられることで、端子１３ｄを通じて抵抗値（光電変換のゲイン）が変化され、前記抵抗素子１３ａの一端１３ｂに発生する電位が前記信号処理回路および弁別回路６に出力される。
【００３４】
図３は、上述のように構成される光検出器１を搭載する光学ピックアップの光学系を説明するための概略的な光路図である。図１の構成に対応する部分には、同一の参照符号を付して示す。前記発光素子２から出射された光ビームは、コリメータレンズ３３によって平行光にされてビームスプリッタ３４に入射される。ビームスプリッタ３４は、発光素子２から出射された光ビームの内、約９０％を透過するとともに、残りの約１０％を反射する反射膜３５を有しており、前記透過光は１／４波長板３６に導かれ、前記反射光は光ビームの出力レベルモニタ用として上述の光検出器１へ導かれる。
【００３５】
前記１／４波長板３６に導かれた光ビームは、対物レンズ３７によって光ディスク３８の情報記録面上に集光されて、規定の大きさのビームスポットを形成する。光ディスク３８からの反射光は、前記対物レンズ３７および１／４波長板３６を介して、ビームスプリッタ３４の反射膜３５に入射する。この反射膜３５は、光ディスク３８の方向からの光ビームに対しては、ほぼ１００％反射する特性を有するので、前記反射光は、集光レンズ３９およびシリンドリカルレンズ４０を経て、ディテクタ４１に導かれる。ディテクタ４１の複数の受光領域で得られた信号は前記信号処理回路へ入力され、前記光ディスク３８に記録されていた情報信号を再生するとともに、トラッキングやフォーカシングなどの各種のサーボ信号が作成されて、該光学ピックアップの前記可動部が制御される。
【００３６】
上述のように構成される光学ピックアップにおいて、本発明では、上記の光学系で発光素子２から出射された光ビームの内、約１０％が前記光検出器１へ入射することを利用して、設定すべきゲインに対応した駆動パルスを前記駆動回路３から発光素子２へ与えることで、上述のようにして光電変換回路５のゲインが自動設定される。これによって、リモートコントローラなどの専用の設定手段を用いることなく、光学ピックアップに既存の発光素子２を用いて、その駆動信号だけを変更することで、光学ピックアップ毎に、ゲイン調整を行うことができる。
【００３７】
また、該光学ピックアップを組立てた状態でのゲイン調整が可能になり、発光素子２の波長ばらつきに対しても最適なゲインを設定することができる。ここで、前記光電変換回路５のゲインは、従来では、前記電子ボリウム１３が使用される帰還抵抗に半固定抵抗が採用されて調整されており、前記組立てた状態でのゲイン調整は困難であるだけでなく、機械的な衝撃に対しても弱い。これに対して、本発明では、前記半固定抵抗が不要となり、さらに調整にあたって基板やＦＰＣ上の配線数を増やす必要もなく、該光学ピックアップの小型化に好適であるとともに、調整作業も容易である。さらに、変換ゲインを電気的に設定するので、機械的な衝撃に対しても強くすることができる。
【００３８】
さらにまた、前記ゲイン設定回路９は、複数の第１のメモリ２１ａ、２１ｂを備え、前記デコーダ８の解析結果に応じて、その内の１つのデータがスイッチ２３を介して、実際に電子ボリウム１３の抵抗値を設定する前記第２のメモリ２２にセットされる。したがって、前記第１のメモリ２１ａ、２１ｂには、温度などによる受光素子４の感度（光電変換特性）変化や、書込と読出しとによる受光パワーの変化に対応した適切なゲインをそれぞれ設定することができる。
【００３９】
また、前記第１のメモリ２１ａ、２１ｂの１つを、前記電子ボリウム１３のボリウム値の最大値を格納する最大値メモリとし、初期状態では、スイッチ２３は前記最大値メモリの内容を前記第２のメモリ２２にセットするようにすれば、前記初期状態では光電変換回路５のゲインが最大になっているので、入射光が微弱な場合であっても、前記弁別回路６およびデコーダ８は、入射光からゲインデータをデコードして、前記電子ボリウム１３に設定することができる。
【００４０】
本発明の実施の他の形態について、図４および図５に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【００４１】
図４は、本発明の実施の他の形態の光学ピックアップの光学系を説明するための概略的な光路図である。図３の構成に類似し、対応する部分には、同一の参照符号を付して示す。注目すべきは、この光学ピックアップでは、たとえばＤＶＤ用の６８０ｎｍとＣＤ用の７８０ｎｍとのように、相互に波長の異なる発光素子が、参照符２ａと２ｂとで示すように、２つ設けられていることである。これに対応して、受発光系も２組設けられるが、前記図３の構成と同一の参照符号に、それぞれ添字ａまたはｂを付して示す。
【００４２】
すなわち、第１の波長λａの光を発光する発光素子２ａから出射された光ビームは、コリメータレンズ３３ａによって平行光にされ、ビームスプリッタ３４ａに入射される。ビームスプリッタ３４ａは、発光素子２ａから出射された光ビームのほぼ１００％を透過し、光ディスク３８からの反射光をほぼ１００％反射する特性を有する。発光素子２ａから出射され、このビームスプリッタ３４ａを透過した光ビームは、波長選択ビームスプリッタ４２へ入射される。波長選択ビームスプリッタ４２は、前記波長λａの光を透過し、第２の波長λｂの光を反射する特性を有する。したがって、発光素子２ａから出射された波長λａの光ビームは、該波長選択ビームスプリッタ４２を透過し、立上げミラー４３に導かれる。立上げミラー４３は、導かれた光ビームの約９０％を反射し、約１０％を透過する特性を有する。立上げミラー４３に導かれた光ビームの約９０％は反射されて前記１／４波長板３６に導かれると共に、約１０％は透過して前記光検出器１へ導かれる。１／４波長板３６に導かれた光ビームは、対物レンズ３７によって光ディスク３８の情報記録面上に集光されて、規定の大きさのビームスポットを形成する。
【００４３】
光ディスク３８からの反射光は、対物レンズ３７、１／４波長板３６、立上げミラー４３を介して、波長選択ビームスプリッタ４２へ入射される。波長選択ビームスプリッタ４２へ入射された波長λａの光ビームは透過され、ビームスプリッタ３４ａへ入射される。光ディスク３８から反射された光ビームに対して、ビームスプリッタ３４ａはほぼ１００％反射する特性を有するので、光ディスク３８からの反射光は、集光レンズ３９ａ、シリンドリカルレンズ４０ａを経て、ディテクタ４１ａに導かれる。
【００４４】
一方、波長λｂの光を発光する発光素子２ｂから出射された光ビームも同様に、コリメータレンズ３３ｂおよびビームスプリッタ３４ｂを透過して、前記波長選択ビームスプリッタ４２へ入射される。波長選択ビームスプリッタ４２は、上述のように、この波長λｂの光を反射する特性を有する。したがって、発光素子２ｂから出射された波長λｂの光ビームは、該波長選択ビームスプリッタ４２で反射され、立上げミラー４３に導かれ、前記波長λａの光ビームと同様に、光ディスク３８の情報記録面上に照射される。
【００４５】
光ディスク３８からのこの波長λｂの反射光は、前記波長選択ビームスプリッタ４２で反射され、ビームスプリッタ３４ｂへ導かれ、さらに集光レンズ３９ｂおよびシリンドリカルレンズ４０ｂを経て、ディテクタ４１ｂに導かれる。
【００４６】
このように構成される光学ピックアップに搭載される光検出器１では、前記第１のメモリ２１ａ、２１ｂには、前記波長λａ，λｂにおける前記受光素子４の感度（光電変換特性）にそれぞれ対応したゲインデータが設定される。これは、図５で示すように、前記フォトダイオードなどで実現される受光素子４の感度（光電変換特性）には、波長依存性があり、発光素子が２ａと２ｂとで異なることで、前記感度（光電変換特性）が大きく変化するためである。
【００４７】
具体的には、発光素子２ａを所定の光量で発光させ、光検出器１の出力電位が所定の電圧値になるように、該発光素子２ａを点灯および消灯することによって、第１のメモリ２１ａを設定する。また、発光素子２ｂを所定の光量で発光させ、光検出器１の出力電位が所定の電圧値になるように、該発光素子２ｂを点灯および消灯することによって、もう１つの第１のメモリ２１ｂを設定する。
【００４８】
このようにして、光学ピックアップを組立てた状態で、第１のメモリ２１ａ、２１ｂに、それぞれの波長λａ，λｂに対応したゲインデータを設定することができ、たとえば前記ＤＶＤとＣＤとのように、波長の異なる２つの発光素子２ａ，２ｂの波長ばらつきに対しても、最適なゲインを設定することが可能となる。したがって、波長毎にそれぞれ半固定抵抗を設ける構成に比べて、光学ピックアップを大幅に小型化することができる。
【００４９】
またこの場合、前記第１のメモリ２１ａ、２１ｂを、書換え可能な不揮発性メモリで構成することが望ましい。そのように構成することで、異なる波長毎に変換ゲインを予め保持しておくことが可能となり、光学ピックアップが波長の異なる光を受光する場合に、受光感度補正を瞬時に行うことが可能となる。
【００５０】
なお、前記第１のメモリ２１ａ、２１ｂへのゲインデータの書込は、上述のように対応する発光素子２ａ，２ｂでそれぞれ行なわれてもよく、または受光素子４の感度の高い方の波長の発光素子（図５ではλｂの２ｂ）のみで行なわれてもよい。ただし、感度の高い方の波長の発光素子のみを用いる方が、ゲイン設定回路９への設定エラーを軽減することができる。
【００５１】
【発明の効果】
本発明の光学ピックアップのゲイン調整方法は、以上のように、光学ピックアップのゲイン調整を実現するにあたって、設定すべきゲインに対応した光信号を光学ピックアップに入射し、その信号を受光し、内部でデコードすることによって、無配線で調整を実現するとともに、注目すべきは、前記光信号は光学ピックアップに備えられている発光素子から出射するようにし、該発光素子からの放射光の一部を光学系を介して受光素子で受光させ、発光素子へは、光ディスクへの書込や読取りの信号に代えて、設定すべきゲインに対応した信号を与える。
【００５２】
それゆえ、リモートコントローラなどの専用の設定手段を用いることなく、光学ピックアップに既存の発光素子を用いて、その駆動信号だけを変更することでゲイン調整を行なうことができる。
【００５３】
また、本発明の光学ピックアップは、以上のように、ゲイン調整を実現するにあたって、設定すべきゲインに対応した光信号を光学ピックアップに入射し、その信号を受光し、内部の認識手段でデコードし、設定手段が光電変換手段に設定することによって、無配線で調整を実現するとともに、注目すべきは、前記光信号は光学ピックアップに備えられている発光素子から出射するようにし、該発光素子からの放射光の一部を光学系を介して受光素子で受光させ、発光素子へは、光ディスクへの書込や読取りの信号に代えて、駆動信号源が設定すべきゲインに対応した信号を与える。
【００５４】
それゆえ、リモートコントローラなどの専用の設定手段を用いることなく、光学ピックアップに既存の発光素子を用いて、その駆動信号だけを変更することでゲイン調整を行なうことができる。
【００５５】
さらにまた、本発明の光学ピックアップは、以上のように、前記設定手段を、前記認識手段で認識されたゲインデータを格納する複数の第１のメモリと、前記光電変換手段において、ゲイン調整を実現する電子ボリウムのボリウム値を、その出力で設定する第２のメモリと、前記認識手段での認識結果に応答して、前記第１のメモリを択一的に選択して、そのストア内容を前記第２のメモリにセットする選択手段とを備えて構成する。
【００５６】
それゆえ、たとえばＤＶＤ用の６８０ｎｍとＣＤ用の７８０ｎｍとのように、前記発光素子の波長や、また温度などによって受光素子の感度（光電変換特性）が変化しても、さらにまた書込と読出しとで受光パワーが変化しても、適切なゲインを適宜選択して設定することができる。
【００５７】
また、本発明の光学ピックアップは、以上のように、前記第１のメモリには、前記ボリウム値の最大値を格納する最大値メモリを有し、前記選択手段は、初期状態では、前記最大値メモリの内容を前記第２のメモリにセットする。
【００５８】
それゆえ、前記初期状態では、光電変換手段のゲインが最大になっているので、入射光が微弱な場合であっても、設定手段は入射光からゲインデータをデコードして、光電変換手段の電子ボリウムに設定することができる。
【００５９】
さらにまた、本発明の光学ピックアップは、以上のように、前記第１のメモリを、書換え可能な不揮発性メモリで構成する。
【００６０】
それゆえ、異なる波長毎に変換ゲインを予め保持しておくことが可能となり、該光学ピックアップが波長の異なる光を受光する場合に、受光感度補正を瞬時に行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態の光検出器の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】図１で示す光検出器における光電変換回路の他の例を示すブロック図である。
【図３】図１で示す光検出器を搭載する光学ピックアップの光学系を説明するための概略的な光路図である。
【図４】本発明の実施の他の形態の光学ピックアップの光学系を説明するための概略的な光路図である。
【図５】受光素子の感度の波長依存性を示すグラフである。
【図６】従来の光検出器である光電センサの動作条件の調整方法を示すブロック図である。
【符号の説明】
１    光検出器
２；２ａ，２ｂ    発光素子
３    駆動回路（駆動信号源）
４    受光素子
５    光電変換回路（光電変換手段）
６    弁別回路（認識手段）
７    基準電圧源（認識手段）
８    デコーダ（認識手段）
９    ゲイン設定回路（設定手段）
１１    差動演算回路
１２    基準電圧源
１３    電子ボリウム
２１ａ、２１ｂ    第１のメモリ
２２    第２のメモリ
２３    スイッチ
３３；３３ａ，３３ｂ    コリメータレンズ
３４；３４ａ，３４ｂ    ビームスプリッタ
３５；３５ａ，３５ｂ    反射膜
３６    １／４波長板
３７    対物レンズ
３８    光ディスク
３９；３９ａ，３９ｂ    集光レンズ
４０；４０ａ，４０ｂ    シリンドリカルレンズ
４１；４１ａ，４１ｂ    ディテクタ
４２    波長選択ビームスプリッタ
４３    立上げミラー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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