(57)【要約】【課題】レーザ加工のスループットを向上することができるレーザ加工方法を提供することを目的とする。【解決手段】レーザ光を所定パターンの孔を設けたステンシルマスク２４を通して被加工物２６に照射し、この所定パターンの孔を通過するレーザ光によりこの被加工物２６上の薄膜材料を直接加工しパターニングするようにしたものである。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を所定パターンの孔を設けたステンシルマスクを通して被加工物に照射し、前記所定パターンの孔を通過するレーザ光により前記被加工物上の薄膜材料を直接加工する
ようにしたことを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項２】
請求項１に記載のレーザ加工方法において、
前記レーザ加工はレーザアブレーションによる薄膜材料のパターニング処理である
ことを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項３】
請求項１に記載のレーザ加工方法において、
前記レーザ加工はレーザアニール処理である
ことを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項４】
請求項１または２または３に記載のレーザ加工方法において、
前記ステンシルマスクは基板上に金属材料または誘電体材料の遮光膜を成膜して構成し、
パターンが形成される開口部は所定パターンの孔が設けられた前記遮光膜よりなる
ことを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項５】
請求項４に記載のレーザ加工方法において、
前記ステンシルマスクの前記基板と前記遮光膜との間に中間層を成膜してなる
ことを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項６】
請求項１または２または３に記載のレーザ加工方法において、
前記ステンシルマスクは基板上に中間層を成膜しその上に金属材料または誘電体材料の遮光膜を成膜して構成し、
パターンが形成される開口部は前記基板を所定膜厚に薄くした後に前記基板、中間層及び遮光膜を通じて同一所定パターンの孔を形成してなる
ことを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項７】
請求項４または５または６に記載のレーザ加工方法において、
前記ステンシルマスクを構成する各膜の材料に熱伝導率が高くかつ線膨張係数の低い材料を用いる
ようにしたことを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項８】
請求項４または５または６に記載のレーザ加工方法において、
前記ステンシルマスクのレーザ光照射面表面に凹凸を設ける
ようにしたことを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項９】
請求項６に記載のレーザ加工方法において、
前記ステンシルマスクの前記所定パターンの孔が設けられた開口部、またはマスク基材全面に用いられ、レーザの波長に対して選択的に反射率の高い金属膜を成膜する
ようにしたことを特徴とするレーザ加工方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば低温プロセス法による多結晶シリコン薄膜トランジスタを使用した液晶ディスプレイ（以下、「低温ｐ−ＳｉＴＦＴ−ＬＣＤ」と称する。）等のレーザ加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
マルチメディア情報化時代の必需品として、携帯電話、携帯情報端末（ＰＤＡ等）、ノート型ＰＣやカメラ一体型ＶＴＲ等多くの製品に薄型ディスプレイが使用されている。ディスプレイには、例えば低温プロセス法による多結晶シリコン薄膜トランジスタを使用した液晶ディスプレイ（低温ｐ−ＳｉＴＦＴ−ＬＣＤ）やアクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  ）ディスプレイ（以下、「有機ＥＬ」と称する。）等が用いられている。これらのディスプレイの駆動には、ＴＦＴ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が用いられていることから、高精細化、低消費電力化が可能となり、将来様々な回路を集積できることで応用も広がることが期待されている。また、例えば液晶ディスプレイ用の高精細液晶パネルを量産化する上で、より低コストで高い信頼性の要求が高まっている。
【０００３】
例えば、薄型ディスプレイの代表的なデバイスである低温ｐ−ＳｉＴＦＴ−ＬＣＤや有機ＥＬは、液晶層や発光層をＴＦＴアレイ基板と対向基板（カラー表示の場合はカラーフィルタ基板）で挟んだ構成になっており、対向基板には導通させるための透明導電膜が成膜されている。この透明導電膜は、製造過程で全面に成膜した後、フォトリソグラフィーを経て、エッチング処理することで所望のパターンを形成している。フォトリソグラフィー工程は、レジストコート、ベーク、露光、現像、ポストベークなどの処理があり、大型のコータディベロッパーやエッチング装置が必要となり、低コスト化を妨げる要因となっていた。
【０００４】
このような煩雑な工程を回避するために、フォトリソグラフィーで必要とされていたレジストを不要とし、上述する透明導電膜等の薄膜材料をレーザ光で直接加工する技術が提案されている。例えば、周知のレーザ照射装置を用い加工対象物にレーザ光を照射するもので、ガラス基板上にＣｒ（クロム）などの遮光膜を成膜したフォトマスクを介し、レンズによりレーザ光のビームサイズを等倍〜数十分の１に縮小し、加工対象物である基板上の薄膜に照射するようにしたものである（例えば、特許文献１を参照。）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−１４２０９４号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のフォトマスクは、照射されるレーザ光のエネルギー密度は露光用の比較的弱いものしか想定していないので、マスク面でのレーザ光のエネルギー密度が高くなると、遮光膜がレーザ光のエネルギーを吸収することで熱が生じ遮光膜が破損してしまうおそれがある。また、照射するレーザに短波長レーザを用いるとガラス基板がレーザ光を吸収し、遮光膜の無い透過部分で透過率が低下しマスクとしての機能が低下してしまう。遮光膜のダメージは、遮光膜材料の融点及び照射レーザの波長に応じ変化し、一般的に、融点の低い材料あるいは、短波長レーザの場合に遮光膜にダメージを与えやすい不都合がある。
【０００７】
フォトマスクへのダメージを回避するためにフォトマスクに照射されるエネルギーを制限すると、ガラス基板上の薄膜を加工するのに必要なエネルギーが不足することがある。十分な加工エネルギーを得る手段の一つとして、レーザ光を集光しエネルギー密度を上げる方法がある。光学系に集光レンズを用い、レーザ光を集光するもので、マスク上のエネルギー密度（フルエンス）Ｅｍとレンズ縮小率Ｍと加工ステージ上のフルエンスＥｓは、次式で表すことがことができる（縮小率Ｍは、マスク上レーザビームサイズ／加工ステージ上レーザビームサイズ、で求められる。）。
Ｅｓ＝Ｅｍ×Ｍ２  
【０００８】
加工ステージ上のエネルギー密度は、マスク上エネルギーと縮小率の二乗との積であり、加工ステージ上のエネルギー密度を上げるには、縮小率を上げる（レーザビームを集光する。）ことで実現できる。しかし、縮小率を上げることにより、被加工物２６への一回のレーザ光照射面積は小さくなりスループットを低下させるという問題がある。スループット向上のためには、マスク面でのレーザ光のフルエンスを上げる及び縮小率を下げるという、現状では相反する問題があった。
【０００９】
また、低温ｐ−ＳｉＴＦＴ−ＬＣＤや有機ＥＬ等を駆動させる駆動回路であるＴＦＴが形成されたＴＦＴアレイ基板の製造プロセスには、成膜した非晶質シリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」ともいう）薄膜にレーザ光を照射し、結晶化を行うレーザアニール工程がある。以下、非晶質シリコンのレーザアニールする場合につき述べるに、このレーザアニールの対象はシリコンに限定するものではない。ここで、非晶質シリコン薄膜のレーザアニールを説明するために、ボトムゲート型ＴＦＴ構造の低温ｐ−Ｓｉ薄膜半導体装置の作成手順を例にとり説明する。
【００１０】
図５にＴＦＴアレイ基板のガラス基板から反射層までの層構成を表す断面模式図を示す。ガラス等の基板７にＭｏ（モリブデン）などをスパッタ成膜しゲート電極８を形成する。続いて、ゲート電極８を被覆するように、例えばプラズマＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ）法で窒化シリコンからなる第１ゲート絶縁膜９を成膜し、次いで酸化シリコンからなる第２ゲート絶縁膜１０を成膜することで絶縁膜を形成する。次に薄膜半導体層１１として、例えば非晶質シリコンを同じくプラズマＣＶＤ法で成膜する。成膜後、アニール処理を行い非晶質シリコンに含まれている水素を除去する。続いて、エキシマレーザを照射し、非晶質シリコンを多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）に転換する。この工程がレーザアニールといわれるものである。
【００１１】
この多結晶シリコン膜をパターニングする。この後ＣＶＤ法で酸化シリコンを成膜し、ゲート電極８をマスクとしてセルフアライメントによりこの酸化シリコンをパターニングして、ゲート電極８上に位置する多結晶シリコン膜の部分を被覆するようにストッパー層１２を形成する。このストッパー層１２をマスクとして例えば不純物Ｐ（リン）を注入しＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄｄ  Ｄｒａｉｎ）構造部を形成する。ストッパー層１２及びその周辺をフォトレジストでマスクした後、不純物Ｐ（リン）を注入しｎチャンネル領域を形成する。そして、ランプアニール法により不純物の活性化を図る。ｐチャンネルも同様に、不要な領域をフォトレジストでマスクした後、例えばＢ（ボロン）を注入しｐチャンネル領域を形成し、アニール処理を行うことで作成される。
【００１２】
この後、層間絶縁膜として、例えばプラズマＣＶＤ法で酸化シリコン１３と、窒化シリコン１４を順次積層して２層構造で絶縁膜を形成する。
【００１３】
次に、反射光を拡散し均一な明るさにするための拡散板（スキャッタリング層）１５を形成し、さらにその上に平坦化層１６を形成する。その上に透過部の画素電極膜とするためにＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅｓ  ）などの透明導電膜１７を形成する。さらに反射部の画素電極膜として、例えばＡｌ、Ａｇなどの導電膜１８を形成する。以上により、アクティブマトリクス型の表示装置の駆動回路基板に用いられる薄膜半導体装置が完成する。
【００１４】
非晶質シリコンのレーザアニールは、全面に成膜された非晶質シリコンに対してレジストにより開口パターンを作成し、レジストを遮断マスクとして用い、例えば、レーザ光のビーム形状が短冊状のラインビームをほぼ全面に渡り走査するレーザ照射方法である。照射面積が基板全域で広範囲なこともあり、スループットに問題があった。
【００１５】
斯かる点に鑑み、本発明はレーザ加工のスループットを向上することができるレーザ加工方法を提供するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明レーザ加工方法は、レーザ光を所定パターンの孔を設けたステンシルマスクを通して被加工物に照射し、この所定パターンの孔を通過するレーザ光によりこの被加工物上の薄膜材料を直接加工しパターニングするようにしたものである。
例えば、このレーザ加工はレーザアブレーションによる薄膜材料のパターニング処理やレーザアニール処理等である。
【００１７】
斯かる本発明によれば、所定パターンの孔が設けられたステンシルマスクを用いレーザにより透明導電膜等の薄膜材料を直接加工するようにしたので、この所定パターンの孔が設けられた部分でのレーザ光の吸収が無いことから、フォトマスクと比較してマスクのレーザ照射面のレーザ光吸収による熱の影響を抑えることができる。
【００１８】
また本発明レーザ加工方法においては、このステンシルマスクは基板上に金属材料または誘電体材料の遮光膜を成膜して構成し、パターンが形成される開口部は所定パターンの孔が設けられたこの遮光膜よりなるようにしたものである。
【００１９】
また本発明レーザ加工方法において、このステンシルマスクはこの基板とこの遮光膜との間に中間層を成膜してなるようにしたものである。
【００２０】
斯かる本発明によれば、基板と遮光膜との間に中間層を設けるようにした場合には、エッチングストッパーとしての機能や密着性向上が期待できる。
【００２１】
また本発明レーザ加工方法において、このステンシルマスクは基板上に中間層を成膜しその上に金属材料または誘電体材料の遮光膜を成膜して構成し、パターンが形成される開口部はこの基板を所定膜厚に薄くした後にこの基板、中間層及び遮光膜を通じて同一所定パターンの孔を形成してなるようにしたものである。
【００２２】
また本発明レーザ加工方法において、ステンシルマスクを構成する各膜の材料に熱伝導率が高くかつ線膨張係数の低い材料を用いるようにしたものである。
【００２３】
斯かる本発明によれば、レーザ光の吸収により生じる熱を拡散させる効果と合わせマスクパターンの変形を防ぎ、高精度なレーザ加工ができる。
【００２４】
また本発明レーザ加工方法において、ステンシルマスクのレーザ光照射面表面に凹凸を設けるようにしたものである。
【００２５】
斯かる本発明によれば、レーザ光照射面の表面積が大きくなり、温調された空間内でのレーザ光による温度上昇を防ぎ、熱の影響によるマスクパターンの変形や位置ずれを抑えることができる。
【００２６】
また本発明レーザ加工方法において、ステンシルマスクのこの所定パターンの孔が設けられた開口部、またはマスク基材全面に用いられ、レーザの波長に対して選択的に反射率の高い金属膜を成膜するようにしたものである。
【００２７】
斯かる本発明によれば、マスクのレーザ光照射面に反射率の高い金属膜を成膜して照射されるレーザ光を反射させることで、レーザ光吸収による熱の影響を抑えることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明レーザ加工方法の実施の形態の例につき説明する。
【００２９】
図１に本例のレーザ加工に用いるレーザ照射装置の一例の構成図を示す。本例はレーザ加工にステンシルマスク（孔開きマスク）を使用することを特徴とすると共に、このステンシルマスク自体に特徴を持たせている。レーザ照射装置の構成は一般的に使用されているものと同様であるが、これに限定されるものではない。
【００３０】
例えば、図中１９はレーザ発振器、２０は可変減衰器、２１はミラー、２１ａ，  ２１ａはミラー、２２は光学系、２４は所定パターンの孔が形成されたステンシルマスク、２５は投影レンズ、２６は被加工物、２７は真空チャックなど被加工物２６を固定する機能を具備しＸ−Ｙ方向及びθ方向にそれぞれ可動して被加工物２６のレーザ光照射面の適切な走査を行うＸ−Ｙステージである。アライメントを可能にするステージである。図中２点鎖線はレーザ発振器１９より出射されるレーザ光の光路を表す。
【００３１】
本例で使用するレーザの媒質及び波長としては、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧ（波長：１０６４、５３２、３５５、２６６ｎｍ）、あるいはエキシマレーザのＫｒＦ（波長：２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（波長：１９３ｎｍ）などが望ましい。以下、本例ではレーザアニール等で一般的に使用されているエキシマレーザが、大面積照射に適していると考え、さらに波長を考慮してＫｒＦが最も適していると考えられる。ＫｒＦレーザにより所定パルス幅のレーザ光を被加工物に所定回数照射し短時間で所望の加工を行う如くする。
【００３２】
次に、本例で使用するステンシルマスクは、マスク基材４に例えば合成石英やフッ化カルシウムあるいはＳｉを用い、遮光膜６にはＣｒ、Ｃｕ、Ａｌ等の金属材料や誘電体材料（ＬｉＦ、ＭｇＦ２  等のフッ化物やＳｉＯ２  、Ａｌ２  Ｏ３  などの酸化物）が適用できる。そして、図２及び図３の断面図に示すように、ステンシルマスク２４の遮光膜６とマスク基材４の組み合わせに応じ、エッチングストッパーあるいは密着性向上を目的として例えばＳｉＯ２  、フッ化カルシウム等の中間層５を設ける場合がある。
【００３３】
例えば、図２に示すステンシルマスクは、ある程度の膜厚により必要な強度を持たせたマスク基材４上に中間層５を成膜し、その上に遮光膜６を成膜してマスク基材４及び中間層５のレーザ光照射面の放熱性を高めるために開口部３を遮光膜３を残してエッチングするとともに所定パターン形状の孔を形成したものである。レーザ光が遮光膜６の所定パターンの孔を通して被加工物２６へ透過するようになされている。当然この遮光膜６の膜厚は弛んだりよれたりすることのないよう適度な強度をもつ膜厚としてある。また、開口部３のマスク基材４及び中間層５の縁をレーザ光照射部分と若干の距離をおくようにすることで、マスク基材４のダメージを抑えることができる。
【００３４】
また図３に示すステンシルマスクにおいては、マスク基材４上に中間層５を成膜しさらにその上に遮光膜６を成膜した後、開口部３のマスク基材４を所定膜厚だけ残すようにエッチングし、そしてマスク基材４、中間層５及び遮光膜６を通じて同一所定パターン形状の孔を形成するようにしたものである。このように構成することで、開口部３の強度を図２のものよりさらに向上させることができる。
【００３５】
ステンシルマスク２４は、所定のパターンを開口しており、この開口形状により繰り返しパターンが決まる。例えばレーザ光のビームサイズがステンシルマスク２４上のパターンサイズよりも大きな場合は、パターンサイズに対応して、ステージ２７が所定距離の移動と停止を繰り返し、停止中にパターニングするステップアンドリピートによる被加工物２６への照射方式となる。また、ビームサイズがパターンサイズよりも小さい場合には、ステージ２７とステンシルマスク２４が同期して移動し照射する同期スキャン方式等が用いられる。
【００３６】
以上のような構成のレーザ照射装置において、レーザ発振器１からレーザ光を出射し、エネルギー密度を制御する可変減衰器２０を経て、レーザビームの矩形化・照射エネルギーの均一化を行う光学系２２を経て、ステンシルマスク２４を介した後、投影レンズ２５を介して必要に応じ縮小率を設定し、ステージ２７上の被加工物２６に、この例ではエネルギー密度が１００〜１０００ｍＪ／ｃｍ２  のレーザ光が照射され、図５に示す低温ｐ−ＳｉＴＦＴアレイ基板の透明導電膜１７等のパターニングを実現することができる。
【００３７】
また、ステンシルマスク２４の各膜の材料は熱伝導率が極力高くかつ線膨張率係数の極力低い材料を用いることが好ましく、レーザ光の吸収により生じた熱を拡散させる効果と合わせ例えばパターンを形成する孔の大きさが変化する等のマスクパターンの変形を防ぎ、高精度なパターン加工を可能とし、また、形状変化の劣化を抑えることで従来のフォトマスクよりもマスクとしての長寿命化を図ることができる。
【００３８】
また、上述した図３のステンシルマスクのレーザ光照射面をふっ酸（ＨＦ）等の薬液により表面処理し、凹凸を形成する如くする。このようにステンシルマスクのレーザ照射面表面を荒れさせて凹凸を設け表面積を大きくすることで、放熱効果を高め、温調された空間内でのレーザ光による温度上昇を防ぎ、熱影響によるマスクパターンの変形と位置ずれを抑えた高精度のパターニングができる。
【００３９】
さらに、迷光といわれる被加工物２６上にノイズとして結像される光を防ぐために、例えば図３のマスク基板４の遮光膜６側あるいはレーザ照射面のいずれか一方に酸化クロムなどの低反射膜（ＡＲ膜）をコーティングすることが好ましい。
【００４０】
さらにまた、図３のステンシルマスクの開口部のマスク基材４の上、またはマスク基材全面にアルミニウム等のレーザの波長に対して選択的に反射率の高い金属材料を反射膜として蒸着する如くする。このような構成とすることで、この反射膜がレーザ光を反射するので照射面のレーザ光の吸収を制限しステンシルマスクのダメージを防ぐことができる。
【００４１】
上述したステンシルマスクの構成をとることによりあるいは各々を組み合わせて適用することで、さらに照射レーザ光吸収の影響によるパターン形状劣化やダメージの少ないステンシルマスクを得ることができる。
【００４２】
以上のような構成をとることにより、従来のフォトマスクと比較してステンシルマスクのレーザ照射面でのレーザ光吸収による熱的影響を抑えることができる。これは、一般にフォトマスクのマスク基材が短波長レーザに対して吸収を持つことから、レーザ波長が短波長である場合に特に有効である。
【００４３】
また、ステンシルマスクの照射面へ照射されるレーザ光のエネルギーを上げることが可能となったので、照射レーザ光の縮小率を小さくすることで照射面積を大きくし、レーザ加工のスループットを向上することができる。
【００４４】
そして、従来のフォトリソグラフィー工程やエッチング工程を削除することで、工程を短縮して製造設備及び使用材料のコストを大幅に低減できる。同時に、薬液・廃液が削減され、環境面で貢献することができる。
【００４５】
次に、本発明レーザ加工方法の実施の形態の他の例につき説明する。レーザアニールを行う場合のレーザ照射装置としては、図１に示すようにレーザ光を所定パターンの孔が形成されたステンシルマスク２４に対して縮小投影する場合と、図４に示すように、ステンシルマスク２４と被加工物２６を近接し等倍で照射するいずれの場合も適用が考えられる。この図４において、図１に対応する部分には同一符号を付して示し、レーザ光路上でのステンシルマスク２４を被加工物２６に近接するようにしたことを除いては、図１と同様の構成である。
【００４６】
レーザアニールでは、例えば、レーザ発振器１９から出射されたレーザ光は光学系を経て、所定パターンの孔が形成されたステンシルマスク２４を通して、例えばステップアンドリピート方式により所定のパターン形状で被加工物２６に照射される。このときのステンシルマスク２４は図２または図３に示すような透明導電膜１７のパターニングの際に使用したものと同構造のものが適用できる。例えばレーザ光照射されたアモルファスシリコン等の半導体薄膜１１は、ビームサイズが等倍のレーザ光のエネルギーを吸収して熱による結晶化が進み、非結晶シリコンから多結晶シリコンへと転換する如くして、レーザアニールが実現できる。本例のレーザアニールが適用される薄膜はこの例に限るものではない。
【００４７】
斯かる本例によれば、従来、レーザ光照射を基板全面に行っていたものを、ステンシルマスク２４を用いることで、例えばステップアンドリピートによる照射方式を採用することが可能となり、レーザ加工のスループットを向上することができる。
【００４８】
その他、上述例と同様の作用効果が得られることは容易に理解できよう。
【００４９】
尚、本発明は上述したこれらの実施の形態の例に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成を取り得ることは勿論である。
【００５０】
【発明の効果】
斯かる本発明によれば、所定パターンの孔が設けられたステンシルマスクを用い薄膜材料を直接レーザ加工することにより、従来のフォトリソグラフィー工程及びエッチング工程を削除することができ、製造設備及び使用材料のコストを大幅に低減できる利益がある。同時に、薬液・廃液が削減され、環境面で貢献することができる利益がある。
【００５１】
また本発明によれば、所定パターンの孔が設けられたステンシルマスクを用いレーザにより透明導電膜等の薄膜材料を直接加工するようにしたので、この所定パターンの孔が設けられた開口部でのレーザ光の吸収が無いことから、フォトマスクと比較してマスクのレーザ照射面のレーザ光吸収による熱の影響を抑えることができる。
【００５２】
また本発明によれば、レーザアニールのマスクにステンシルマスクを用いることで、従来、基板全面に行っていたアニール処理を部分的にレーザ光照射することが可能となり、レーザ加工のスループットが向上する利益がある。
【００５３】
また本発明によれば、ステンシルマスクに熱伝導率が高く線膨張係数の低い材料を用い温調することにより、昇温を防ぎ熱によるパターンの歪を回避することができるとともに、ステンシルマスクのレーザ照射面に凹凸を設けることで、放熱効果を高めることができる。さらに、このステンシルマスクのレーザ光照射面に反射率の高い金属膜を成膜した場合には、レーザ光を反射させてレーザ光吸収による熱の影響を抑えることができる。そしてこれらの構成を採用または組み合わせることにより、レーザ光の影響によるパターン形状劣化やダメージの少ないステンシルマスクを得ることができ、高精度のレーザ加工ができる利益がある。
【００５４】
そして、上述するようなステンレスマスクを得ることで、このステンシルマスクに照射するレーザ光のエネルギー密度を上げることが可能となり照射レーザ光の縮小率を小さくすることで照射面積を大きくできるので、レーザ加工のスループットが向上する利益がある。
【００５５】
また本発明によれば、レーザアニールのマスクにステンシルマスクを用いることにより、従来、マスクに用いられていた感光性樹脂（フォトレジスト等の）薄膜の剥離がなくなることで、剥離時に生じていた下層のダメージ無く膜質を維持することができる利益がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】レーザ照射装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】ステンシルマスクの一例を示す断面図である。
【図３】ステンシルマスクの一例を示す断面図である。
【図４】レーザアニール装置の一例を示す概略構成図である。
【図５】低温ｐ−ＳｉＴＦＴ−ＬＣＤの層構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１・・・・透明基板、２・・・・樹脂層、３・・・・  透明導電膜、４・・・・マスク基材、５・・・・中間層、６・・・・遮光膜、７・・・・基板、８・・・・ゲート電極、９・・・・第１ゲート絶縁膜、１０・・・・第２ゲート絶縁膜、１１・・・・シリコン、１２・・・・ストッパー層、１３・・・・第１層間絶縁膜、１４・・・・第２層間絶縁膜、１５・・・・拡散板、１６・・・・平坦化層、１７・・・・透明導電膜、１８・・・・導電膜、１９・・・・レーザ発振器、２４・・・・ステンシルマスク、２６・・・・被加工物、２７・・・・Ｘ−Ｙステージ
【図１】
2004160518.tif 000003
【図２】
2004160518.tif 000004
【図３】
2004160518.tif 000005
【図４】
2004160518.tif 000006
【図５】
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