(57)【要約】【課題】生産効率が高く且つキャリア移動度の大きなアセン類を含有する有機半導体層を備えてなる有機薄膜トランジスタ素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】基板の表面に、ゲート電極及びゲート絶縁膜を形成した後、該ゲート絶縁膜の上に、プロトネートにより脱離し得る基を少なくとも一つ有するアセン類前駆体を含有する層を形成した後、該層を加熱することにより該アセン類前駆体をアセン類に変換し有機半導体層とすることを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。【選択図】        図１
2004273677.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロトネートにより脱離し得る基を少なくとも一つ有するアセン類前駆体から脱離により変換されたアセン類を含有する有機半導体層を備えてなることを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子。
【請求項２】
プロトネートする脱離基の共役酸のｐＫａ値が１０〜２０であることを特徴とする請求項１記載の有機薄膜トランジスタ素子。
【請求項３】
前記アセン類前駆体がペンタセン前駆体であることを特徴とする請求項１又は２記載の有機薄膜トランジスタ素子。
【請求項４】
前記ペンタセン前駆体が下記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする請求項３記載の有機薄膜トランジスタ素子。
【化１】
2004273677.tif 000011
〔式中、Ｒは水素原子又は一価の有機基を表す。〕
【請求項５】
基板の表面に、プロトネートにより脱離し得る基を少なくとも一つ有するアセン類前駆体を含有する層を形成した後、該層を加熱することにより該アセン類前駆体をアセン類に変換し有機半導体層とすることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
【請求項６】
前記加熱が酸の存在下で行われることを特徴とする請求項５記載の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
【請求項７】
基板の表面に、ゲート電極及びゲート絶縁膜を形成した後、該ゲート絶縁膜の上に、プロトネートにより脱離し得る基を少なくとも一つ有するアセン類前駆体を含有する層を形成した後、該層を加熱することにより該アセン類前駆体をアセン類に変換し有機半導体層とすることを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
【請求項８】
前記加熱が酸の存在下で行われることを特徴とする請求項７記載の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
【請求項９】
プロトネートする脱離基の共役酸のｐＫａ値が１０〜２０であることを特徴とする請求項７又は８記載の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
【請求項１０】
前記アセン類前駆体がペンタセン前駆体であることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項記載の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
【請求項１１】
前記ペンタセン前駆体が前記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする請求項１０記載の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機薄膜トランジスタ素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
情報端末の普及に伴い、コンピュータ用のディスプレイとしてフラットパネルディスプレイに対するニーズが高まっている。又、さらに情報化の進展に伴い、従来紙媒体で提供されていた情報が電子化されて提供される機会が増え、薄くて軽い、手軽に持ち運びが可能なモバイル用表示媒体として、電子ペーパーあるいはデジタルペーパーへのニーズも高まりつつある。
【０００３】
一般に平板型のディスプレイ装置においては液晶、有機ＥＬ、電気泳動などを利用した素子を用いて表示媒体を形成している。又、こうした表示媒体では画面輝度の均一性や画面書き換え速度などを確保するために、画像駆動素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により構成されたアクティブ駆動素子を用いる技術が主流になっている。
【０００４】
ここでＴＦＴ素子は、通常、ガラス基板上に、主にａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）、ｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）などの半導体薄膜や、ソース、ドレイン、ゲート電極などの金属薄膜を基板上に順次形成していくことで製造される。このＴＦＴを用いるフラットパネルディスプレイの製造には通常、ＣＶＤ、スパッタリングなどの真空系設備や高温処理工程を要する薄膜形成工程に加え、精度の高いフォトリソグラフ工程が必要とされ、設備コスト、ランニングコストの負荷が非常に大きい。さらに、近年のディスプレイの大画面化のニーズに伴い、それらのコストは非常に膨大なものとなっている。
【０００５】
近年、従来のＴＦＴ素子のデメリットを補う技術として、有機半導体材料を用いた有機ＴＦＴ素子の研究開発が盛んに進められている。
【０００６】
様々な有機半導体材料が提案されているが、高いキャリア移動度の有機ＴＦＴ素子を提供するものとしてペンタセンが知られている（特許文献１参照）。しかし、ここではペンタセンの薄膜は蒸着により形成されるので、真空プロセスが必要になり、生産効率が低く、コストが高くなるといった問題がある。
【０００７】
この問題を改良する方法として、橋架け構造のハロゲン置換シクロヘキサジエンを有するペンタセン前駆体の薄膜を熱処理することにより、このペンタセン前駆体を分解しペンタセン薄膜を形成する技術が提案されている（非特許文献１参照）。この技術では、特許文献１のような真空プロセスは不要となるが、このペンタセン前駆体は、超高圧下で合成されており、生産効率が低く現実的でない。又、このようにして得られたペンタセンはキャリア移動度が低いといった問題がある。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００１−９４１０７号公報
【０００９】
【非特許文献１】
Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，１９９９，ｖｏｌ．１１，ｐ４８０〜ｐ４８３
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の目的は、生産効率が高く且つキャリア移動度の大きなアセン類を含有する有機半導体層を備えてなる有機薄膜トランジスタ素子及びその製造方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記目的は、下記構成によって達成される。
【００１２】
（１）  プロトネートにより脱離し得る基を少なくとも一つ有するアセン類前駆体から脱離により変換されたアセン類を含有する有機半導体層を備えてなることを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子。
【００１３】
（２）  プロトネートする脱離基の共役酸のｐＫａ値が１０〜２０であることを特徴とする（１）記載の有機薄膜トランジスタ素子。
【００１４】
（３）  前記アセン類前駆体がペンタセン前駆体であることを特徴とする（１）又は（２）記載の有機薄膜トランジスタ素子。
【００１５】
（４）  前記ペンタセン前駆体が下記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする（３）記載の有機薄膜トランジスタ素子。
【００１６】
【化２】
2004273677.tif 000003
【００１７】
〔式中、Ｒは水素原子又は一価の有機基を表す。〕
（５）  基板の表面に、プロトネートにより脱離し得る基を少なくとも一つ有するアセン類前駆体を含有する層を形成した後、該層を加熱することにより該アセン類前駆体をアセン類に変換し有機半導体層とすることを特徴とする（１）乃至（４）のいずれか１項記載の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
【００１８】
（６）  前記加熱が酸の存在下で行われることを特徴とする（５）記載の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
【００１９】
（７）  基板の表面に、ゲート電極及びゲート絶縁膜を形成した後、該ゲート絶縁膜の上に、プロトネートにより脱離し得る基を少なくとも一つ有するアセン類前駆体を含有する層を形成した後、該層を加熱することにより該アセン類前駆体をアセン類に変換し有機半導体層とすることを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
【００２０】
（８）  前記加熱が酸の存在下で行われることを特徴とする（７）記載の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
【００２１】
（９）  プロトネートする脱離基の共役酸のｐＫａ値が１０〜２０であることを特徴とする（７）又は（８）記載の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
【００２２】
（１０）  前記アセン類前駆体がペンタセン前駆体であることを特徴とする（７）乃至（９）のいずれか１項記載の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
【００２３】
（１１）  前記ペンタセン前駆体が前記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする（１０）記載の有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。
【００２４】
【発明の実施の形態】
本発明の大きな特徴は、プロトネートにより離脱し得る基を少なくとも一つ有するアセン類前駆体から脱離により変換されたアセン類を有機薄膜トランジスタ素子用の有機半導体とする点にある。以下の説明では、特に断りのない限り、プロトネートにより脱離し得る基を少なくとも一つ有するアセン類前駆体を本発明に係るアセン類前駆体といい、本発明に係るアセン類前駆体から脱離により変換されたアセン類を本発明に係るアセン類という。
【００２５】
本発明において、アセン類とはベンゼン環が複数個縮合した化合物をいい、具体的には、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フェナントレン、ピレン等が挙げられる。キャリア移動度、生産効率等を考慮すると、この中でも特に好ましいアセン類はペンタセンである。
【００２６】
本発明に係るアセン類前駆体としては、プロトネートする脱離基の共役酸のｐＫａ値が１０〜２０であることが好ましい。
【００２７】
本発明に係るアセン類前駆体は、薄膜としたときに加熱により容易に脱離しアセン類に変換する。加熱温度は、アセン類前駆体の種類、薄膜の膜厚などによって異なるが、おおむね１５０〜３００℃でよい。加熱時間は、アセン類前駆体の種類、薄膜の膜厚、加熱温度などによって異なるが、おおむね５〜２０分でよい。酸を存在させることにより、加熱温度はより低く、加熱時間はより短くすることができる。又、特願２００２−３０９４８３号明細書に記載の光熱変換層を適用することもできる。
【００２８】
本発明に係るアセン類前駆体の代表的なペンタセン前駆体としては、下記の一般式（１）で表される化合物が好ましい。
【００２９】
【化３】
2004273677.tif 000004
【００３０】
式中、Ｒは水素原子又は一価の有機基を表す。一価の有機基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ハロゲン原子等が挙げられるが、好ましくはアルキル基である。また、アルキル基はさらに一価の有機基によって置換されてもよい。アルキル基の例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。
【００３１】
本発明に係るアセン類前駆体は、市販の原料から容易に合成して得ることができる。例えば、アセン類前駆体としての代表的なペンタセン前駆体の好ましい化合物である前記一般式（１）で表される化合物は以下の方法により得られる。
【００３２】
（合成例１）  化合物Ａの合成
ペンタセン−６，１３−キノン７．０ｇを酢酸３５０ｍｌに加えた懸濁液に、窒素雰囲気下５７％ヨウ化水素酸１７５ｇを加え５時間加熱還流した。放冷後、反応混合物に１％ピロ亜硫酸ナトリウム水溶液７００ｍｌを加えた後、沈殿物を濾過し水洗して乾燥した。得られた固体をトルエンで再結晶し、ペンタセン−６（１３Ｈ）−オン５．０ｇを得た（収率７４％）。
【００３３】
次にペンタセン−６（１３Ｈ）−オン５．０ｇをエタノール１０５０ｍｌ、水１６５ｍｌの混合溶媒に懸濁させ、窒素雰囲気下、水素化ホウ素ナトリウム８ｇを加え室温で２０時間攪拌した。得られた反応混合物に３％塩化アンモニア水溶液を加え、析出物を吸引濾過し水で洗浄後乾燥した。得られた白色固体をさらにトルエンで再結晶し、下記構造の化合物Ａ３．９ｇを得た。（収率７８％）
【００３４】
【化４】
2004273677.tif 000005
【００３５】
反応スキームを下記に示す。
【００３６】
【化５】
2004273677.tif 000006
【００３７】
（合成例２）  化合物Ｂの合成
化合物Ａ１．０ｇをメチルエチルケトン５００ｍｌに溶解し、窒素雰囲気下、炭酸カリウム１．２ｇとヨードメタン０．５ｇを加え６０℃で４時間攪拌を行った。得られた反応混合物に水を加え有機層を分離し、これを濃縮して固体を析出させた。濾別後、得られた固体をトルエンで再結晶し、下記構造の化合物Ｂ０．７６ｇを得た（収率７３％）
【００３８】
【化６】
2004273677.tif 000007
【００３９】
反応スキームを下記に示す。
【００４０】
【化７】
2004273677.tif 000008
【００４１】
本発明の一実施形態である有機薄膜トランジスタ素子を製造するには、基板の表面に、本発明に係るアセン類前駆体を含有する層を形成した後、該層を加熱するだけでよい。又、別の実施形態である有機薄膜トランジスタ素子を製造するには、基板の表面に、ゲート電極及びゲート絶縁膜を形成した後、該ゲート絶縁膜の上に、本発明に係るアセン類前駆体を含有する層を形成した後、該層を加熱するだけでよい。加熱は、酸の存在下で行うことが効率の面で好ましい。ここで、酸の存在下とは、本発明に係るアセン類前駆体を含有する層に予め酸を含有させておくこともできるし、加熱を酸性雰囲気中で行うこともできる。
【００４２】
本発明に係るアセン類前駆体を含有する層の形成は、本発明に係るアセン類前駆体を有機溶媒、例えばクロロホルムに溶解して、アプリケーターなどによりキャスティングすることにより簡単に形成できる。キャスト膜の膜厚は、本発明に係るアセン類前駆体の種類、有機薄膜トランジスタ素子の用途などによって異なるが、おおむね２０〜５００ｎｍ、好ましくは３０〜１００ｎｍである。
【００４３】
次に、本発明に係る有機薄膜トランジスタ素子及びその製造方法が関係する一般的なことについて述べる。
【００４４】
有機薄膜トランジスタ素子は、基板の表面に、有機半導体チャネルで連結されたソース電極とドレイン電極を有し、その上にゲート絶縁層を介してゲート電極を有するトップゲート型と、基板の表面に、まずゲート電極を有し、ゲート絶縁層を介して有機半導体チャネルで連結されたソース電極とドレイン電極を有するボトムゲート型に大別される。本発明においては、いずれのタイプも好ましく適用できるが、ボトムゲート型が特に好ましい。
【００４５】
本発明おいて、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を形成する材料は導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン，タングステン，酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペーストおよびカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等が用いられるが、特に、白金、金、銀、銅、アルミニウム、インジウム、ＩＴＯおよび炭素が好ましい。あるいはドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体なども好適に用いられる。中でも半導体層との接触面において電気抵抗が少ないものが好ましい。
【００４６】
電極の形成方法としては、上記を原料として蒸着やスパッタリング等の方法を用いて形成した導電性薄膜を、公知のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いて電極形成する方法、アルミニウムや銅などの金属箔上に熱転写、インクジェット等によるレジストを用いてエッチングする方法がある。又、導電性ポリマーの溶液あるいは分散液，導電性微粒子分散液を直接インクジェットによりパターニングしてもよいし、塗工膜からリソグラフやレーザアブレーションなどにより形成してもよい。さらに導電性ポリマーや導電性微粒子を含むインク、導電性ペーストなどを凸版、凹版、平版、スクリーン印刷などの印刷法でパターニングする方法も用いることができる。
【００４７】
ゲート絶縁層としては種々の絶縁膜を用いることができるが、特に、比誘電率の高い無機酸化物皮膜が好ましい。無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム，ジルコニウム酸チタン酸バリウム，ジルコニウム酸チタン酸鉛，チタン酸鉛ランタン，チタン酸ストロンチウム，チタン酸バリウム，フッ化バリウムマグネシウム，チタン酸ビスマス，チタン酸ストロンチウムビスマス，タンタル酸ストロンチウムビスマス，タンタル酸ニオブ酸ビスマス，トリオキサイドイットリウムなどが挙げられる。それらのうち好ましいのは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンである。窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の無機窒化物も好適に用いることができる。
【００４８】
上記皮膜の形成方法としては、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法などのドライプロセスや、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、デイップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法などの塗布による方法、印刷やインクジェットなどのパターニングによる方法などのウェットプロセスが挙げられ、材料に応じて使用できる。
【００４９】
ウェットプロセスは、無機酸化物の微粒子を、任意の有機溶剤あるいは水に必要に応じて界面活性剤などの分散補助剤を用いて分散した液を塗布、乾燥する方法や、酸化物前駆体、例えばアルコキシド体の溶液を塗布、乾燥する、いわゆるゾルゲル法が用いられる。
【００５０】
これらのうち好ましいのは、大気圧プラズマ法である。
大気圧下でのプラズマ製膜処理による絶縁膜の形成方法は、大気圧又は大気圧近傍の圧力下で放電し、反応性ガスをプラズマ励起し、基材上に薄膜を形成する処理で、その方法については特開平１１−６１４０６、同１１−１３３２０５、特開２０００−１２１８０４、同２０００−１４７２０９、同２０００−１８５３６２等の各公報に記載されている（以下、大気圧プラズマ法とも称する）。これによって高機能性の薄膜を、生産性高く形成することができる。
【００５１】
又、有機化合物皮膜としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、およびシアノエチルプルラン等を用いることもできる。
【００５２】
有機化合物皮膜の形成法としては、前記ウェットプロセスが好ましい。
無機酸化物皮膜と有機酸化物皮膜は積層して併用することができる。これら絶縁膜の膜厚としては、一般に５０ｎｍ〜３μｍ、好ましくは、１００ｎｍ〜１μｍである。
【００５３】
基板としては、ガラスやフレキシブルな樹脂製シートで構成され、例えばプラスチックフィルムをシートとして用いることができる。前記プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。このように、プラスチックフィルムを用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができ、可搬性を高めることができるとともに、衝撃に対する耐性を向上できる。
【００５４】
【実施例】
以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００５５】
実施例１
抵抗率０．０１Ω・ｃｍのＳｉウェハーに厚さ２０００Åの熱酸化膜を形成した後、よく精製された化合物Ａのクロロホルム溶液を、アプリケーターを用いて塗布し乾燥し、キャスト膜（厚さ５０ｎｍ）を形成した。窒素ガス雰囲気中、２００℃にて１０分間の熱処理を行うと、ペンタセンの薄膜が形成された。この膜の表面に、マスクを用いて金を蒸着し、ソース、ドレイン電極を形成し、チャネル幅Ｗ＝３ｍｍ、チャネル長Ｌ＝２０μｍの有機薄膜トランジスタ素子（本発明試料１）を作製した。
【００５６】
又、本発明試料１における化合物Ａに代えて化合物Ｂを用いた以外は、本発明試料１と同様にして本発明試料２を作製した。
【００５７】
さらに、本発明試料１における化合物Ａに代えて比較化合物（前記非特許文献１、ｐ４８１に記載の化合物、構造式は下記に示す。）を用いた以外は、本発明試料１と同様にして比較試料１を作製した。
【００５８】
【化８】
2004273677.tif 000009
【００５９】
本発明試料１及び本発明試料２は、ｐチャネルエンハンスメント型ＦＥＴ（ｆｉｅｌｄ−ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の良好な動作特性を示した。しかし、比較試料１は良好な動作特性を示さなかった。
【００６０】
結果を表１に示す。
【００６１】
【表１】
2004273677.tif 000010
【００６２】
表１から本発明試料１及び本発明試料２は比較試料１に比べて、キャリア移動度が３倍以上大きいことがわかる。
【００６３】
実施例２
厚さ２００μｍのポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）フィルム基板１上に、フォトリソグラフ用の感光性レジストを塗設した後、リフトオフ法により幅２０μｍのゲートバスライン（電極）を形成した。なおゲート電極６はＡｌをスパッタリングで２０００Åの厚さに成膜した（図１（ａ））。次いで、このＡｌ膜をリン酸水溶液を用いて陽極酸化処理し、１５００Åの酸化アルミニウム被膜を形成した後、大気圧プラズマ法により厚さ５００Åの酸化ケイ素膜をゲート絶縁層５として設けた（図１（ｂ））。ゲート絶縁層５の上に、よく精製された化合物Ａのクロロホルム溶液を、アプリケーターを用いて塗布し乾燥し、有機半導体層２であるキャスト膜（厚さ５０ｎｍ）を形成した（図１（ｃ））。次いで、窒素ガス雰囲気中、２００℃にて１０分間の熱処理を行うと、有機半導体層２はペンタセンに変換された（図１（ｄ））。マスクを介して厚さ２０００Åの金を蒸着し、ソース電極３及びドレイン電極４を形成した（図１（ｅ））。
【００６４】
以上により作製されたＴＦＴはｐチャネルエンハンスメント型ＦＥＴ（ｆｉｅｌｄ−ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の良好な静特性、及び動作性を示した。
【００６５】
【発明の効果】
本発明によれば、生産効率が高く且つキャリア移動度の大きなアセン類を含有する有機半導体層を備えてなる有機薄膜トランジスタ素子及びその製造方法を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例のＴＦＴ作製プロセスを示すイメージ図である。
【符号の説明】
１  基板
２  有機半導体層
３  ソース電極
４  ドレイン電極
５  ゲート絶縁層
６  ゲート電極
【図１】
2004273677.tif 000012