(57)【要約】【課題】帯電による静電破壊やマスクパターンの崩壊を防止したフォトマスクを提供する。【解決手段】基板１１上に遮光材料からなるマスクパターン１２を有したフォトマスク１０である。マスクパターン１２が透光性の導電性ポリマーからなる導電膜１３によって被覆されている。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に遮光材料からなるマスクパターンを有したフォトマスクにおいて、
前記マスクパターンが透光性の導電性ポリマーによって被覆されていることを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
前記導電性ポリマーからなる導電膜の膜厚が、該導電膜の上に異物が載った場合、露光時に該異物の光学像が露光試料上でデフォーカスされ、異物形状が転写されないようになる厚さに形成されていることを特徴とする請求項１記載のフォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置などの製造において、フォトリソグラフィ工程で用いられるフォトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種のフォトマスクとしては、図３（ａ）、（ｂ）に示すように石英基板１上に金属系で導電性の遮光材料からなるマスクパターン２が形成されたものが一般的である。マスクパターン２は、クロム（Ｃｒ）や酸化クロムなどのクロム系の遮光材料が、単層で形成され、または積層されることによって形成されたものである。
【０００３】
また、このようなフォトマスクにおいては、その使用時に異物（パーティクル）がのってしまい、露光時にパターン欠陥となることを防ぐため、マスクパターン２を形成した面側のみ、あるいは両面にペリクル３を設けることがある。このペリクル３は、マスクパターン２の周辺などに固定された枠状のペリクルフレーム４と、このペリクルフレーム４に貼着されたペリクル膜５とから構成されるものである。
【０００４】
このような構成のもとに、異物がある程度以下の大きさであれば、この異物がペリクル３上にのった場合でもマスクパターン２の上面からある距離を保っているので、露光時に異物の光学像が露光試料上でデフォーカスされ、したがって異物形状が転写されないようになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記のフォトマスクにあっては、図３（ａ）、（ｂ）に示したようにマスクパターン２‥が石英基板１上にそれぞれ孤立して設けられ、これにより電気的にも孤立しているため、フォトマスク自体の帯電や外部からの静電気等によって静電破壊を起こすことがある。
また、製品寿命によっては１年以上の長期間にわたり使用されるフォトマスクも多いが、このように長期間使用されるフォトマスクでは、特にマスクパターン２が金属などによって形成されている場合、その使用が長時間に及ぶためステッパー等の露光装置の照射エネルギーによりマスクパターン２に崩壊が起こることがある。
【０００６】
したがって、これらの問題に対応するため、従来では以下のような措置を講じている。
１．マスク取り扱い作業者は、アースバンドや帯電防止シューズ等を着用するなどの帯電防止を行っている。
２．マスク取り扱い環境にイオナイザーを配置し、フォトマスクの帯電を防止している。
３．高価なマスク検査装置を用いて受け入れ検査、定期抜き取り検査等を行い、フォトマスクの品質確認はもちろん、製品の品質も維持するようにつとめている。
【０００７】
しかしながら、以上の措置を最低限として行っているものの、それでもフォトマスクの静電破壊やパターン崩壊といった不都合をなくすことができないのが現状である。
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、帯電による静電破壊やマスクパターンの崩壊を防止したフォトマスクを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明のフォトマスクでは、基板上に遮光材料からなるマスクパターンを有したフォトマスクにおいて、前記マスクパターンが透光性の導電性ポリマーによって被覆されていることを前記課題の解決手段とした。
このフォトマスクによれば、マスクパターンが導電性ポリマーによって被覆されているので、この導電性ポリマーからなる導電膜により、孤立して形成されたマスクパターンも電気的には孤立することなく導通するものとなり、したがってフォトマスク自体の帯電や外部からの静電気等に起因するマスクパターンの静電破壊が防止される。
また、このように静電破壊が防止されることにより、長期間使用にも耐え得るものとなり、したがって露光装置の照射エネルギーなどによるマスクパターンの崩壊も防止される。
【０００９】
また、前記フォトマスクにおいては、前記導電性ポリマーからなる導電膜の膜厚が、該導電膜の上に異物が載った場合、露光時に該異物の光学像が露光試料上でデフォーカスされ、異物形状が転写されないようになる厚さに形成されているのが好ましい。
このようにすれば、導電性ポリマーからなる導電膜の上に異物が載った場合、露光時に該異物の光学像が露光試料上でデフォーカスされ、異物形状が転写されないようになるので、この導電膜が従来基板上に設けていたペリクルと同じ機能を有するものとなり、したがってペリクルが不要になる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のフォトマスクを詳しく説明する。
図１（ａ）、（ｂ）は本発明のフォトマスクの第１実施形態を示す図であり、図１（ａ）、（ｂ）において符号１０はフォトマスクである。このフォトマスク１０は、石英基板１１上に金属系の遮光材料からなるマスクパターン１２を複数形成したものである。マスクパターン１２は、クロム（Ｃｒ）や酸化クロムなどのクロム系の遮光材料が、単層で形成され、または積層されることによって形成されたものである。なお、本例では、それぞれのマスクパターン１２が孤立した状態に形成されたものとなっている。
【００１１】
また、石英基板１１上には、マスクパターン１２を覆った状態で透光性の導電性ポリマーからなる導電膜１３が設けられている。導電膜１３を形成する透光性の導電性ポリマーとしては、例えばポリプロピレンやポリスチレン、ＡＢＳ樹脂などの透明樹脂に、金属粉末、金属繊維、金属コート繊維、カーボンコート繊維、金属フレークなどの導電性物質を添加して導電性を付与したものが用いられる。また、ポリマー自体が導電性を有するもの、例えば共役二重結合を有したものなどももちろん使用可能である。
【００１２】
この導電膜１３は、全てのマスクパターン１２‥を覆うとともに、石英基板１１上の有効領域、すなわち露光時に光が照射される領域をほぼ覆うようにして形成されたもので、これによって各マスクパターン１２‥を電気的に導通させ、かつマスクパターン１２が形成されていない部分の石英基板１１上についても電気的に導通させるものである。なお、このような導電膜１３の膜厚については、本実施形態では特に限定されることなく、連続する導電膜１３内において良好な導電性を有するだけの膜厚を有していればよい。
【００１３】
また、このようなフォトマスク１０においても、マスクパターン１２‥を形成した側、すなわち導電膜１３を形成した側の面にペリクル１４が設けられている。ペリクル１４は、前記導電膜１３が設けられた領域の周囲に固定された枠状のペリクルフレーム１５と、このペリクルフレーム１５に貼着されたペリクル膜１６とから構成されるものである。ペリクルフレーム１５は、異物（パーティクル）の発生が少ない材料によって形成されたものであり、また、ペリクル膜１６は露光光の透過率が高く、かつ露光光の照射に対し十分な耐性を持つ材料によって形成されたものである。
【００１４】
このようなフォトマスク１０にあっては、これを用いて例えばシリコンウエハの露光を行い、各種の要素をパターニングすることにより、半導体装置などを製造することができる。
また、全てのマスクパターン１２が連続する導電膜１３によって被覆されているので、フォトマスク１０の使用時、保管時にかかわらず全てのマスクパターン１２は電気的に孤立することなく導通するものとなり、したがってフォトマスク１０自体の帯電や外部からの静電気等に起因するマスクパターン１２の静電破壊が防止されたものとなる。
また、このように静電破壊が防止されることにより、長期間使用にも耐え得るものとなり、したがって露光装置の照射エネルギーなどによるマスクパターン１２の崩壊も防止される。
【００１５】
また、透光性の導電性ポリマーからなることにより導電膜１３も透明性（透光性）であり、したがってこの導電膜１３はシリコンウエハに転写されず、マスクパターン１２‥を含む設計のオリジナルパターンのみがシリコンウエハに正しく形成されることになる。
また、ペリクル１４を設けたことにより、ある程度以下の大きさの異物がペリクル１４上にのった場合でも、この異物がマスクパターン１２の上面からある距離を保っているので、露光時に異物の光学像が露光試料上でデフォーカスされ、したがって異物形状が転写されないようになる。
【００１６】
したがって、このフォトマスク１０によれば、マスクパターン１２の静電破壊が防止され、また、長期間の使用に起因してマスクパターン１２が崩壊するのも防止されたものとなるので、フォトマスク１０自体の長期品質保証が可能となり、したがってフォトマスク１０の品質保証に関わる作業コストや高額投資を大幅に軽減することができる。
【００１７】
図２（ａ）、（ｂ）は本発明のフォトマスクの第２実施形態を示す図であり、図２（ａ）、（ｂ）において符号２０はフォトマスクである。このフォトマスク２０が図１（ａ）、（ｂ）に示したフォトマスク１と異なるところは、ペリクル１４を設けず、その分導電膜の膜厚を厚くした点にある。
【００１８】
すなわち、図２（ａ）、（ｂ）に示したフォトマスク２０においては、透光性の導電性ポリマーからなる導電膜２１が、単にマスクパターン１２‥や石英基板１１の光照射域を覆うだけでなく、その膜厚が所定以上の厚さに形成されている。ここで、所定以上の厚さとは、この導電膜２１の上に異物（パーティクル）が載った場合、露光時に該異物の光学像が露光試料上でデフォーカスされ、異物形状が転写されないようになる厚さ、具体的には例えば６ｍｍ以上の厚さとされる。
【００１９】
このような厚さに導電膜２１を形成すれば、この導電膜２１が図１（ａ）、（ｂ）に示したペリクル１４と同じ機能を有するもの、すなわち異物（パーティクル）対策がなされたものとなり、したがってペリクル１４が不要になる。よって、ペリクル１４自体のコストやこれの作製に要するコストが不要になり、その分コストの低減化を図ることができる。
また、導電膜２１を前述したような膜厚に形成するので、導電膜２１自体が膜全体において十分に導電性を有するものとなり、これによって帯電や外部からの静電気等に起因するマスクパターン１２の静電破壊がより確実に防止されたものとなる。
【００２０】
なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない限り種々の変更が可能である。例えば、導電膜の形成範囲を、この導電膜を介して全てのマスクパターン１２が電気的に導通する、最低限の大きさ・形状に形成してもよい。
また、前記実施形態では基板として石英基板を用いたが、他に例えばガラス基板を用いることもできる。
【００２１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明のフォトマスクは、マスクパターンを透光性の導電性ポリマーによって被覆したものであるから、この導電性ポリマーからなる導電膜により、孤立して形成されたマスクパターンも電気的には孤立することなく導通するものとなり、したがってフォトマスク自体の帯電や外部からの静電気等に起因するマスクパターンの静電破壊を防止することができる。
また、このように静電破壊が防止されることにより、長期間使用にも耐え得るものとなり、したがって露光装置の照射エネルギーなどによるマスクパターンの崩壊も防止される。
よって、フォトマスク自体の長期品質保証が可能となり、フォトマスクの品質保証に関わる作業コストや高額投資を大幅に軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のフォトマスクの第１実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図２】本発明のフォトマスクの第２実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【図３】従来のフォトマスクの一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線矢視断面図である。
【符号の説明】
１０、２０…フォトマスク、１１…石英基板（基板）、
１２…マスクパターン、１３、２１…導電膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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