(57)【要約】【課題】突沸が生じたことを報知することにより、突沸による基板への悪影響を回避することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】突沸に起因する処理液の液面状態の乱れを圧力測定部３１によって検知し、これに基づき制御部４１が突沸したことを判断して報知部４３により報知する。したがって、装置のオペレータは突沸が生じたことを知ることができるので、基板への継続的な処理を停止する等の対応をとることができ、突沸状態の処理液による基板処理を継続することによる悪影響を防止できる。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱した処理液を処理槽に貯留し、処理液に基板を浸漬して処理を施す基板処理装置において、
処理液の液面状態を検知する検知手段と、
前記検知手段により検知した液面状態に基づいて処理液が突沸したこと判断する制御手段と、
前記制御手段が処理液の突沸と判断した場合、その状態を報知する報知手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
基板を前記処理槽から搬出する搬出手段をさらに備え、
前記制御手段が処理液の突沸と判断した場合、前記搬送手段は、基板を前記処理槽から搬出することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置において、
前記検知手段は、前記処理槽内の所定深さに検出端を有し、この検出端に付与される処理液の圧力を検知することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置において、
前記検知手段は、前記検出端から処理液中の所定深さから気体を放出し、その放出圧力に基づいて処理液の圧力を検知することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記検知手段の検知した処理液の圧力が低下したことに基づいて判断することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置において、前記制御手段は、前記検知手段による検知を所定のサンプリング周期で行わせ、所定回数分の平均値に基づいて判断することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前回平均値と今回平均値との差に基づき判断することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板等の基板（以下、単に基板と称する）を処理液で処理する基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の装置として、特開平９−１８１０４１号公報に示すようなものがある。この装置は、処理液を貯留する処理槽と、この処理槽から溢れた処理液を回収する回収槽と、処理槽の処理液を高温に加熱する加熱器と、濃度を調整するために、処理槽に純水を補充する補充部とを備えている。
【０００３】
このような装置により、例えば、表面にシリコン窒化膜が被着された基板をエッチング処理するには、シリコン酸化膜との高エッチングレートを維持するために、処理液の温度を、その濃度に応じた沸点直前の高温（１２０〜１７０℃）で用いる。処理液としては、例えば、燐酸（Ｈ３ＰＯ４）を含むものが挙げられる。また、濃度の変動もエッチングレートに影響が生じるが、処理液を高温に加熱している関係上、水分が蒸発しやすく、処理液の濃度が上昇してしまう。そのため、濃度の上昇に応じて純水を補充部から適宜補充するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、処理液の濃度が沸点に近い濃度に制御されている関係上、処理槽及びその周辺の状態等が変化して処理液の濃度が低い状態となった場合には、沸点もそれに応じて低下し、処理槽内の処理液が急激に沸騰する「突沸」が生じることがある。このような突沸が生じた状態では、処理液の液面が激しく乱れた状態であることから、基板に対する処理を継続すると基板がその悪影響を受けるという問題点がある。
【０００５】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、突沸が生じたことを報知することにより、突沸による基板への悪影響を回避することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、加熱した処理液を処理槽に貯留し、処理液に基板を浸漬して処理を施す基板処理装置において、処理液の液面状態を検知する検知手段と、前記検知手段により検知した液面状態に基づいて処理液が突沸したこと判断する制御手段と、前記制御手段が処理液の突沸と判断した場合、その状態を報知する報知手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【０００７】
（作用・効果）突沸が生じると処理液の液面状態が変化するので、液面状態を検知手段によって検知し、制御手段がそれに基づき処理液が突沸したことを判断し、報知手段によって報知する。これにより装置のオペレータは突沸が生じたことを知ることができるので、基板への処理を停止する等の対応をとることができ、突沸状態の処理液による基板処理を継続することによる悪影響を防止することができる。
【０００８】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、基板を前記処理槽から搬出する搬出手段をさらに備え、前記制御手段が処理液の突沸と判断した場合、前記搬送手段は、基板を前記処理槽から搬出することを特徴とするものである。
【０００９】
（作用・効果）処理液の突沸とともに基板を処理槽から搬出することにより、突沸した処理液によって悪影響を受ける時間を極力短くすることができる。
【００１０】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置において、前記検知手段は、前記処理槽内の所定深さに検出端を有し、この検出端に付与される処理液の圧力を検知することを特徴とするものである。
【００１１】
（作用・効果）所定深さの検出端には液面状態に応じて圧力がかかるので、この圧力を検知することで処理液の液面状態を知ることができる。
【００１２】
また、請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の基板処理装置において、前記検知手段は、前記検出端から処理液中の所定深さから気体を放出し、その放出圧力に基づいて処理液の圧力を検知することを特徴とするものである。
【００１３】
（作用・効果）検出端から気体を放出する際の放出圧力は、処理液の液面状態に応じて変化するので、これを検知することで液面状態を知ることができる。
【００１４】
また、請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の基板処理装置において、前記制御手段は、前記検知手段の検知した処理液の圧力が低下したことに基づいて判断することを特徴とするものである。
【００１５】
（作用・効果）処理液が突沸すると液面が激しく乱れて液面が低下する。したがって、検出端からの放出圧力が低下するので、これに基づいて制御手段は突沸を判断することができる。
【００１６】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置において、前記制御手段は、前記検知手段による検知を所定のサンプリング周期で行わせ、所定回数分の平均値に基づいて判断することを特徴とするものである。
【００１７】
（作用・効果）例えば、処理槽に基板が収容される際に液面状態が乱れるように、液面状態は突沸以外の要因によっても瞬時的に変動する場合があるが、所定回数分の平均値に基づいて判断することによって、誤判断を防止することができる。
【００１８】
また、請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の基板処理装置において、前記制御手段は、前回平均値と今回平均値との差に基づき判断することを特徴とするものである。
【００１９】
（作用・効果）検知手段による液面状態の平均値がある基準から変動した絶対変位量ではなく、今回の平均値と前回の平均値との差がある閾値を越えるか否かの相対変位量で判断する。例えば、基板の浸漬時に生じる液面の乱れ等が生じた状態で突沸が生じると、まず前回の平均値が低下した状態となり、次に今回の平均値が低下するような現象が生じる。したがって、最初の平均値低下は突沸ではなく次の平均値低下で突沸と判断するために、平均値の相対的な変位量に着目する。この変位を捉えることにより、突沸以外の要因による誤判断を抑制するとともに、突沸を正確に判断することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
図１はこの発明の一実施例に係り、図１は実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【００２１】
この基板処理装置は、保持アーム１と、処理槽３と、処理液配管５とを備えている。保持アーム１は、処理対象である複数枚の基板Ｗを保持し、処理槽３の上方位置と、図１に示す浸漬位置（処理位置）との間を昇降可能に、また上方位置から他の処理槽３の上方位置への水平移動が可能に構成されている。処理槽３は、その底部に、処理液を注入する注入管７を備えている。また、その上部周囲には、溢れた処理液を回収して排出する回収槽９を備えている。注入管７には、処理液配管５が連通接続されている。
【００２２】
処理液配管５は、流通する処理液の流量及び開閉を制御する制御弁１０と、フィルタ１１と、加熱器１３と、ミキシングバルブ１４と、このミキシングバルブ１４に連通された第１供給配管１５及び第２供給配管１７と、循環ポンプ１８とを備えている。
【００２３】
フィルタ１１は処理液中のパーティクル等を除去するものであり、加熱器１３は薬液及び純水を含む処理液を所定の温度に昇温するとともに一定温度となるように調節する。第１供給配管１５には純水供給源が連通接続され、その流量と開閉を制御する制御弁１９が取り付けられている。第２供給配管１７には薬液供給源が連通接続され、その流量と開閉を制御する制御弁２１が取り付けられている。
【００２４】
処理槽３と回収槽９との境界付近の上方には、補充ノズル２３が配備されている。この補充ノズル２３には、純水供給源に連通接続された第３供給配管２５が接続されている。第３供給配管２５における流量及び開閉は、制御弁２７によって制御される。また、処理槽３及び回収槽９の外側面には、ヒータ２９が付設されている。
【００２５】
処理槽３には、本発明における検知手段に相当する圧力測定部３１が配備されている。
この圧力測定部３１は、検出管３３と、レギュレータ３５と、圧力検出部３７と、ＡＤＣ３９とを備えている。処理液に耐性を有するフッ素樹脂等の材料で構成された検出管３３は、その検出端（先端部）が処理槽３の所定深さに位置するように設けられている。レギュレータ３５は、窒素ガス供給源からの窒素ガスを一定流量にして検出管３３に供給する。すると、定常状態においては、窒素ガスの放出圧力は、処理槽３の液面から所定深さにおける液圧にほぼ等しいものとみなすことができる。圧力検出部３７は、この検出管３３内の窒素ガス圧力を測定する圧力センサを備えている。したがって、この圧力検出部３７からの出力信号は、処理槽３の液面からの所定深さにおける液圧であるとみなすことができる。
【００２６】
ＡＤＣ３９は、圧力検出部３７から出力される、液圧に応じた出力信号、具体的には、電圧をデジタル化して制御部４１に対して出力する。このときのサンプリング周期は、制御部４１によって予め設定されている。サンプリング周期は、本実施例装置においては比較的遅く、例えば、数十秒から数十分程度、本実施例では一例として３０秒に設定されている。本発明における制御手段に相当する制御部４１は、予め記憶しておいた、圧力測定部３１からの圧力に応じた電圧と濃度との対応関係を表した検量線データと、上述した圧力測定部３１からの圧力に応じた電圧とに基づいて処理槽３内に貯留している処理液の濃度を求める。
【００２７】
具体的な濃度算出手法は、特開平１１−２１９９３１号公報に詳述されているが、簡単に説明すると以下のようなものである。
すなわち、電圧と液圧とは所定の関数関係を有し、液圧は、液面から検出管３３の検出端までの距離（深さ）と、処理液の比重との積に比例する値に大気圧を加えたものとしても表すことができる。したがって、検出端における液圧は、処理液の濃度と、検出端の深さとを変数とする関数で表現することができる。このため濃度及び深さは、圧力測定部３１が出力した電圧との間に一定の関係が成り立つ。この関係から、所定深さに対して濃度と電圧との関係を予め求めておくことにより、圧力測定部３１からの電圧に基づいて処理液の濃度を求めることができる。
【００２８】
また、制御部４１は、上記の圧力検出部３７からの電圧に基づいて、処理槽３内の処理液の液面状態に基づいて処理液が突沸したか否かについて判断する。突沸であると判断した場合には、報知部４３を作動させてオペレータ等に突沸が生じたことを報知する報知動作を行わせる。定常状態では、処理槽３の液面が安定しているが、処理液が急激に沸騰してしまう突沸が生じた場合には、検出管３３の検出端から窒素ガスを放出する際の放出圧力が、処理液の液面状態に応じて変化する。制御部４１は、これを検知して処理槽３の液面状態を判断する（詳細後述）。
【００２９】
本発明における報知手段に相当する報知部４３は、例えば、ランプを備えている場合には点灯または点滅させ、ブザーを備えている場合は音声等を発生させ、ＣＲＴなどの表示部を備えている場合は特殊表示等を行わせるように動作する。また、制御部４１は、報知部４３に報知動作を行わせるとともに、処理位置から保持アーム１を退避させ、例えば、純水を貯留している他の処理槽に基板Ｗを移動させる退避動作を行わせる。
【００３０】
制御部４１は、制御弁１９，２１を制御して薬液を所定濃度とする処理液を生成し、これを処理槽３に所定流量で供給・循環させつつ貯留させる。さらに、加熱器１３及びヒータ２９を制御して、処理槽３に貯留する処理液の温度を、その濃度に応じた沸点直前（以下、『サブ沸点』と称する）の高温に維持しようとする。ここでは薬液として燐酸（Ｈ３ＰＯ４）を含む処理液を例に採って説明する。その場合、温度調節の目標としては、例えば、濃度に応じて１２０〜１７０℃の範囲の所定値に設定される。また、濃度の変動もエッチングレートに影響が生じるが、処理液を高温に加熱している関係上、水分が蒸発しやすく、処理液の濃度が上昇してしまう。そのため、制御部４１は、圧力測定部３１からの電圧に基づく濃度に応じて、制御弁２７を制御して純水を処理槽３及び回収槽９に対して適宜補充し、処理液の濃度を調整してサブ沸点に保つように制御する。
【００３１】
次に、図２から図７を参照して、突沸の検出手法について説明する。なお、図２は燐酸濃度、温度とシリコン窒化膜エッチングレートとの関係を示すグラフであり、図３はロットイン・ロットアウトに伴う電圧変化例を示すグラフであり、図４はロットイン・ロットアウト及び突沸に伴う電圧変化例を示すグラフであり、図５はロットイン・ロットアウトに伴う電圧変化の他の例を示すグラフであり、図６は突沸していない状態における電圧変化例を示すグラフであり、図７はある処理を実施中における電圧変化例を示すグラフである。
【００３２】
図２に示すように、沸点ＢＰは、燐酸濃度が高くなるほどそれにつれて高くなる性質を有する。また、本実施例では、制御部４１が温度を一定に保つように制御していることから、シリコン窒化膜のエッチング時の選択比（エッチングレート）は、濃度の変動に応じて、温度ごとのエッチングレート曲線ＥＲＣに沿って移動することになる。ここでは、温度１５０℃の場合を曲線ＥＲＣ１とし、温度１６０℃の場合を曲線ＥＲＣ２とし、温度１７０℃の場合を曲線ＥＲＣ３としている。
【００３３】
この図２から明らかなように、沸点ＢＰ境界の乱域ＴＺ側に位置するサブ沸点ＳＢＰに維持することでエッチングレートを最も高く維持することができる。したがって、温度一定に維持したまま、高温に伴う水分蒸発に起因して濃度が上昇した場合には、上述したようにして純水を補充する。しかしながら、その補充が過度になったり、あるいは図示しない処理槽３上方の開閉扉に付着した水分が処理槽３内に落下したり、処理槽３の周囲環境が変動したりする等の外乱が生じると、濃度が制御目標よりも低下してしまうことになる。この場合には、エッチングレート曲線ＥＲＣの左側に移動する。つまり処理液の温度がサブ沸点ＳＢＰから沸点ＢＰに移動することになる。すると処理槽３内の処理液が突沸し、液面が大きく乱れることになる。
【００３４】
このような突沸が生じたことを圧力測定部３１からの情報に基づいて制御部４１が判断するが、液面の乱れが突沸以外の場合にも存在するので、これらの場合を回避して突沸を判断する必要がある。以下に、突沸・突沸以外の要因で生じる液面の乱れ等によって生じる電圧の変動例について説明する。
【００３５】
『ロットイン・ロットアウト』
保持アーム１に基板Ｗを保持した状態で、保持アーム１を上方位置から処理位置に下降させるロットイン、保持アーム１を処理位置から上方位置に上昇させるロットアウトの際には、処理槽３の処理液の液面が乱れる。このときの圧力測定部３１からの電圧をプロットしたのが図３のグラフである。
【００３６】
このようにロットインＬＩ時には液面が上昇すること、及び図示しない開閉扉が閉止されて水分蒸発量が低下すること等に起因して濃度、液圧が上昇し、これに伴い電圧も上昇していることがわかる。そして、暫くすると、濃度上昇を抑制するための純水補充等によって濃度・液圧が元の状態に向かって回復し、これに伴い電圧も元に回復してゆく。その一方、ロットアウトＬＯ時には液面が下降すること、及びロットアウトＬＯ時に開放された開閉扉から水分が蒸発して濃度・液圧が低下し、これに伴い電圧が大幅に低下していることがわかる。そして、暫くすると、濃度・液圧が元の状態に向かって回復し、これに伴い電圧も元に回復してゆく。これらの現象から、制御部４１は、ロットイン・ロットアウトの際に突沸か否かの判断を行わないようにする必要がある。
【００３７】
『ロットイン後に突沸が生じた場合』
上記のようにロットイン・ロットアウト時には、圧力測定部３１からの電圧が変動するが、ロットインＬＩの後に突沸が生じた場合の電圧変動例を示したのが図４のグラフである。上述した理由によりロットインＬＩ時に電圧が上昇するが、その後徐々に下降し（図中の矢印）、ある程度の安定時間を経て、急激に電圧が下降する。この時点を突沸と判断する必要があるので、ある固定的な電圧からの電圧の変位量で判断することはできず、ある程度の時間間隔をおいて測定された前の電圧からの変位量で判断する必要がある。
【００３８】
上述した理由によりロットインＬＩ時及びロットアウトＬＯ時に電圧変動が生じるが、図５のグラフに示すように、ロットインＬＩ時の電圧と、ロットアウトＬＯ時の電圧との差は、およそ０．２Ｖにもなる。また、図６のグラフに示すように、突沸ほどの激しい液面の乱れは生じていないが、さざ波程度の乱れが生じている場合は、およそ０．１５Ｖの電圧差が繰り返し生じる。
【００３９】
したがって、上記理由と同様に、ある固定基準値との差分に基づいて突沸を判断することはできない。そこで、次のように平均間隔の差を考慮して突沸か否かを判断する。
【００４０】
すなわち、サンプリング周期ごとに測定された電圧Ｃｎに基づき、次の（１）式によって平均値の差分を求める。なお、ａは平均値を求める範囲を決める平均間隔であり、ａ回のサンプリングを行った時点でのａ回分のサンプリングデータの平均値を求め、前回と今回のそれらの差分Ｃｄを求める。
【００４１】
【数１】
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【００４２】
ここで上記計算式において、平均間隔ａ＝３とした場合の例を以下に示す。
【００４３】
前回の平均値Ａｍ−１＝（Ｃｎ−１＋Ｃｎ−２＋Ｃｎ−３）／３
今回の平均値Ａｍ＝（Ｃｎ＋Ｃｎ＋１＋Ｃｎ＋２）／３
差分Ｃｄ＝Ａｍ−１−Ａｍ
これらを模式的に図７中のグラフに示す。
【００４４】
制御部４１は、前回の平均値Ａｍ−１と今回の平均値Ａｍとの差分Ｃｄに基づき突沸を判断する。具体的には、差分Ｃｄの絶対値が変動許容値Ｐｄを越えているか否かで判断する。
【００４５】
｜差分Ｃｄ｜＞変動許容値Ｐｄ　　　……　（２）
【００４６】
上記の（２）式が成立する場合には、制御部４１は突沸が生じていると判断して、上述したように報知動作と退避動作を行わせる。
【００４７】
上述したように突沸を判断するので、例えば、ロットイン・ロットアウト時以外においても、また、さざ波程度に液面状態が乱れることがあっても、所定回数分の平均値に基づいて判断することにより誤判断を防止することができる。また、液面状態の平均値がある基準から変動した絶対変位量ではなく、今回の平均値と前回の平均値との差がある閾値を越えるか否かの相対変位量で判断するので、突沸以外の要因による誤判断を抑制するとともに突沸を正確に判断することができる。
【００４８】
次に、上述した構成の装置における動作について、図８を参照して説明する。なお、図８は、上述した構成の基板処理装置における処理の流れを示すフローチャートである。ここでは、温度が既に所定値に調整されて循環され、その温度におけるサブ沸点に応じた濃度に調整されているものとする。
【００４９】
ステップＳ１
処理対象である複数枚の基板Ｗを保持アーム１に保持し、上方位置から処理位置に移動させる。これによって複数枚の基板Ｗが処理槽３の処理液に浸漬される。この時点では、図７のグラフ中においてロットインＬＩ付近の電圧変動を示すが、上述した理由により、制御部４１はロットインＬＩに伴う電圧低下の変動を無視する。
【００５０】
ステップＳ２
エッチング処理に応じた時間だけ保持アーム１を処理位置に保持するが、高温にされた処理液の水分蒸発に起因して濃度が高くなるので、サブ沸点に応じた濃度にするために補充ノズル２３から純水を適宜注入する。
【００５１】
ステップＳ３
制御部４１は、圧力測定部３１からの電圧に基づいて差分Ｃｄを求め、上記（２）式を満たしているか否かを判断する。満たしてない場合は突沸が生じていないので、ステップＳ４に移行し、満たしている場合は突沸が生じているので、ステップＳ６に処理を移行する。
【００５２】
ステップＳ４
エッチング処理に応じた所定時間が経過したか否かで処理を分岐する。所定時間が経過すればステップＳ５に移行して保持アーム１を上方位置に移動し、所定時間内であれば保持アーム１を処理位置に維持したままステップＳ２に戻って処理を繰り返す。ステップＳ２からＳ４を繰り返す間、図７のロットインＬＩからロットアウトＬＯまでの範囲のような電圧変動を生じる。
【００５３】
ステップＳ６
上記ステップＳ３において上記（２）式を満たしていると制御部４１が判断した場合には、本ステップＳ６に移行する。まず、制御部４１は、報知部４３を作動させてアラーム発報を行い、オペレータに対して突沸が生じたことを報知する。さらに、本発明における搬送手段に相当する保持アーム１を処理位置から上方位置へと移動させるとともに、他の処理槽３に移動させる退避動作を行わせて処理を停止させる。
【００５４】
なお、ステップＳ７を自動で行うのではなく、報知によって突沸を知らされたオペレータが手動で装置を停止させるようにしてもよい。
【００５５】
このように突沸に起因する処理液の液面状態の乱れを検知し、これに基づき制御部４１が突沸したことを判断して報知部４３によって報知する。したがって、装置のオペレータは突沸が生じたことを知ることができるので、基板Ｗへの継続的な処理を停止する等の対応をとることができ、突沸状態の処理液による基板処理を継続することによる悪影響を防止できる。
【００５６】
本発明は、上述した実施形態にのみ限定されるものではなく、以下のように種々変形実施が可能である。
【００５７】
（１）検知手段としては、処理槽から引き出した分岐管の液面レベル変動を検知する構成としてもよい。処理槽内部では処理液が沸点直前にあり、蒸気が多く発生しているとともに、処理液の飛沫が付着するが、引き出した分岐管を用いることにより、それらの影響を受けにくくすることができる。
【００５８】
（２）また、検知手段としては、音センサを用いてもよい。処理液が沸騰すると、気泡が多く発生し、それがはじける際に音を発するので、処理槽に付設した音センサでその音を検知するようにしてもよい。
【００５９】
（３）検知手段として、処理槽に生ずる振動を検知する振動センサを用いてもよい。突沸に伴う気泡の破裂による処理槽の振動を検知するようにしてもよい。
【００６０】
（４）上記の実施例では、燐酸を含む処理液を例に採って説明したが、硫酸等の他の薬液であっても本発明を適用することができる。
【００６１】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、突沸に起因する処理液の液面状態の乱れを検知手段によって検知し、これに基づき制御手段が突沸したことを判断して報知手段により報知する。したがって、装置のオペレータは突沸が生じたことを知ることができるので、基板への継続的な処理を停止する等の対応をとることができ、突沸状態の処理液による基板処理を継続することによる悪影響を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】燐酸濃度、温度とシリコン窒化膜エッチングレートとの関係を示すグラフである。
【図３】ロットイン・ロットアウトに伴う電圧変化例を示すグラフである。
【図４】ロットイン・ロットアウト及び突沸に伴う電圧変化例を示すグラフである。
【図５】ロットイン・ロットアウトに伴う電圧変化の他の例を示すグラフである。
【図６】突沸していない状態における電圧変化例を示すグラフである。
【図７】ある処理を実施中における電圧変化例を示すグラフである。
【図８】処理の流れを示すフローチャートである。
【符号の説明】
Ｗ　…　基板
１　…　保持アーム
３　…　処理槽
５　…　処理液配管
７　…　注入管
９　…　回収槽
２３　…　補充ノズル
３１　…　圧力測定部（検知手段）
３３　…　検出管
３５　…　レギュレータ
３７　…　圧力検出部
３９　…　ＡＤＣ
４１　…　制御部（制御手段）
４３　…　報知部（報知手段）
ＢＰ　…　沸点
ＥＲＣ（ＥＲＣ１〜３）　…　エッチングレート曲線
ＳＢＰ　…　サブ沸点
ＬＩ　…　ロットイン
ＬＯ　…　ロットアウト
ＢＬ　…　突沸
Ｃｄ　…　差分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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