(57)【要約】【課題】アルミニウム合金の表面を改質して，密で耐食性の向上した酸化物被膜を形成する。【解決手段】処理容器２内のアルミニウム合金からなる被処理体Ｔの温度を所定温度にし，処理容器２内に処理ガス供給源１３から，酸素ガスにアルゴンやクリプトンを混入したガスを導入する。マイクロ波供給装置３７の供給によって，処理容器２内にプラズマを発生させ，それによって発生した酸素ラジカルによって被処理体Ｔの表面にラジカル酸化処理を行う。その結果被処理体の表面には，密で耐食性の向上した酸化物被膜が形成される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブラズマ処理を施すプラズマ処理装置に使用され，かつ少なくともその一部がプラズマに曝される部材であって，
前記部材はアルミニウムまたはアルミニウム合金からなり，さらにプラズマに曝される部分の表面には，プラズマ処理によって酸化された酸化物被膜を有することを特徴とする，プラズマ処理装置用の部材。
【請求項２】
ブラズマ処理を施すプラズマ処理装置に使用され，かつ少なくともその一部がプラズマに曝される部材であって，
前記部材はアルミニウムまたはアルミニウム合金からなり，さらにプラズマに曝される部分の表面には，酸素ラジカルによって酸化された酸化物被膜を有することを特徴とする，プラズマ処理装置用の部材。
【請求項３】
ブラズマ処理を施すプラズマ処理装置に使用され，かつ少なくともその一部がプラズマに曝される部材であって，
前記部材はアルミニウムまたはアルミニウム合金からなり，さらにプラズマに曝される部分の表面には，希ガス成分を微量含むアルミニウムまたはアルミニウム合金の酸化物被膜を有することを特徴とする，プラズマ処理装置用の部材。
【請求項４】
前記希ガス成分は，クリプトンであることを特徴とする，請求項３に記載のプラズマ処理装置用の部材。
【請求項５】
ブラズマ処理を施すプラズマ処理装置に使用され，かつ少なくともその一部がプラズマに曝される部材であって，
前記部材はマグネシウム，ストロンチウム又はバリウムのうちの少なくとも一つを含有するアルミニウム合金からなり，さらにプラズマに曝される部分の表面には酸化物被膜を有し，
前記酸化物被膜はアルミニウムの酸化物と，マグネシウム，ストロンチウム又はバリウムの各酸化物のうちの少なくとも一つの酸化物とを含むことを特徴とする，プラズマ処理装置用の部材。
【請求項６】
前記アルミニウム合金は，少なくともジルコニウムを含有していることを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマ処理装置用の部材。
【請求項７】
前記アルミニウム合金は，少なくともハフニウムを含有していることを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマ処理装置用の部材。
【請求項８】
前記アルミニウム合金は，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｎの含有率が，いずれも０．０１重量％以下であることを特徴とする，請求項１〜７のいずれかに記載のプラズマ処理装置用の部材。
【請求項９】
処理容器内で被処理体に対して反応性の強いガスまたは薬液を用いて処理を施す処理装置に使用され，かつ少なくともその一部が前記ガスまたは薬液に曝される部材であって，
前記部材はアルミニウムまたはアルミニウム合金からなり，さらに前記ガスまたは薬液に曝される部分の表面には，プラズマ処理によって酸化された酸化物被膜を有することを特徴とする，処理装置用の部材。
【請求項１０】
処理容器内で被処理体に対して反応性の強いガスまたは薬液を用いて処理を施す処理装置に使用され，かつ少なくともその一部が前記ガスまたは薬液に曝される部材であって，
前記部材はアルミニウムまたはアルミニウム合金からなり，さらに前記ガスまたは薬液に曝される部分の表面には，酸素ラジカルによって酸化された酸化物被膜を有することを特徴とする，処理装置用の部材。
【請求項１１】
処理容器内で被処理体に対して反応性の強いガスまたは薬液を用いて処理を施す処理装置に使用され，かつ少なくともその一部が前記ガスまたは薬液に曝される部材であって，
前記部材はアルミニウムまたはアルミニウム合金からなり，さらに前記ガスまたは薬液に曝される部分の表面には，希ガス成分を微量含むアルミニウムまたはアルミニウム合金の酸化物被膜を有することを特徴とする，処理装置用の部材。
【請求項１２】
前記希ガス成分は，クリプトンであることを特徴とする，請求項１１に記載の処理装置用の部材。
【請求項１３】
処理容器内で被処理体に対して反応性の強いガスまたは薬液を用いて処理を施す処理装置に使用され，かつ少なくともその一部が前記ガスまたは薬液に曝される部材であって，
前記部材はマグネシウム，ストロンチウム又はバリウムのうちの少なくとも一つを含有するアルミニウム合金からなり，さらに前記ガスまたは薬液に曝される部分の表面には酸化物被膜を有し，
前記酸化物被膜はアルミニウムの酸化物と，マグネシウム，ストロンチウム又はバリウムの各酸化物のうちの少なくとも一つの酸化物とを含むことを特徴とする，処理装置用の部材。
【請求項１４】
前記アルミニウム合金は，少なくともジルコニウムを含有していることを特徴とする，請求項９〜１３のいずれかに記載の処理装置用の部材。
【請求項１５】
前記アルミニウム合金は，少なくともハフニウムを含有していることを特徴とする，請求項９〜１３のいずれかに記載の処理装置用の部材。
【請求項１６】
前記アルミニウム合金は，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｎの含有率が，いずれも０．０１重量％以下であることを特徴とする，請求項９〜１５のいずれかに記載の処理装置用の部材。
【請求項１７】
処理容器内で基板に対してブラズマ処理を施すプラズマ処理装置において，
プラズマに曝される部材の少なくとも一部がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなり，前記アルミニウムまたはアルミニウム合金の表面にプラズマ処理によって酸化された酸化物被膜を有することを特徴とする，プラズマ処理装置。
【請求項１８】
処理容器内で基板に対してブラズマ処理を施すプラズマ処理装置において，
プラズマに曝される部材の少なくとも一部がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなり，前記アルミニウムまたはアルミニウム合金の表面に酸素ラジカルによって酸化された酸化物被膜を有することを特徴とする，プラズマ処理装置。
【請求項１９】
処理容器内で基板に対してブラズマ処理を施すプラズマ処理装置において，
プラズマに曝される部材の少なくとも一部がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなり，
前記アルミニウムまたはアルミニウム合金の表面に，希ガス成分を微量含むアルミニウムまたはアルミニウム合金の酸化物被膜を有することを特徴とする，プラズマ処理装置。
【請求項２０】
前記希ガス成分は，クリプトンであることを特徴とする，請求項１９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項２１】
処理容器内で基板に対してブラズマ処理を施すプラズマ処理装置において，
プラズマに曝される部材の少なくとも一部が，マグネシウム，ストロンチウム又はバリウムのうちの少なくとも一つを含有するアルミニウム合金からなり，
前記アルミニウム合金の表面に酸化物被膜を有し，
前記酸化物被膜はアルミニウムの酸化物と，マグネシウム，ストロンチウム又はバリウムの各酸化物のうちの少なくとも一つの酸化物とを含むことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２２】
前記アルミニウム合金は，少なくともジルコニウムを含有していることを特徴とする，請求項１７〜２１のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項２３】
前記アルミニウム合金は，少なくともハフニウムを含有していることを特徴とする，請求項１７〜２１のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項２４】
前記アルミニウム合金は，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｎの含有率が，いずれも０．０１重量％以下であることを特徴とする，請求項１７〜２３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項２５】
処理容器内で被処理体に対して反応性の強いガスまたは薬液を用いて処理を施す処理装置において，
前記ガスまたは薬液に曝される部材の少なくとも一部がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなり，前記アルミニウムまたはアルミニウム合金の表面にプラズマ処理によって酸化された酸化物皮膜を有することを特徴とする，処理装置。
【請求項２６】
処理容器内で被処理体に対して反応性の強いガスまたは薬液を用いて処理を施す処理装置において，
前記ガスまたは薬液に曝される部材の少なくとも一部がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなり，前記アルミニウムまたはアルミニウム合金の表面に酸素ラジカルによって酸化された酸化物皮膜を有することを特徴とする，処理装置。
【請求項２７】
処理容器内で被処理体に対して反応性の強いガスまたは薬液を用いて処理を施す処理装置において，
前記ガスまたは薬液に曝される部材の少なくとも一部がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなり，前記アルミニウムまたはアルミニウム合金の表面に，希ガス成分を微量含むアルミニウムまたはアルミニウム合金の酸化物皮膜を有することを特徴とする，処理装置。
【請求項２８】
前記希ガス成分は，クリプトンであることを特徴とする，請求項２７に記載の処理装置。
【請求項２９】
処理容器内で被処理体に対して反応性の強いガスまたは薬液を用いて処理を施す処理装置において，
前記ガスまたは薬液に曝される部材の少なくとも一部がマグネシウム，ストロンチウムおよびバリウムのうちの少なくとも一つを含有するアルミニウム合金からなり，
前記アルミニウム合金の表面に酸化物皮膜を有し，前記酸化物皮膜はアルミニウムの酸化物と，マグネシウム，ストロンチウム又はバリウムのうちの少なくとも一つの酸化物とを含むことを特徴とする，処理装置。
【請求項３０】
前記アルミニウム合金は，少なくともジルコニウムを含有していることを特徴とする，請求項２５〜２９のいずれかに記載の処理装置。
【請求項３１】
前記アルミニウム合金は，少なくともハフニウムを含有していることを特徴とする，請求項２５〜２９のいずれかに記載の処理装置。
【請求項３２】
前記アルミニウム合金は，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｎの含有率が，いずれも０．０１重量％以下であることを特徴とする，請求項２５〜３１のいずれかに記載の処理装置。
【請求項３３】
処理容器内の被処理体に対してプラズマ処理を施す方法であって，
前記処理容器内のアルミニウム又はアルミニウム合金からなる被処理体の温度を４５０℃以下にした状態で，
プラズマによって発生させた酸素ラジカルによって，前記処理容器内で前記被処理体の表面に酸化処理を行う工程を有することを特徴とする，プラズマ処理方法。
【請求項３４】
処理容器内の被処理体に対してプラズマ処理を施す方法であって，
前記処理容器内のアルミニウム又はアルミニウム合金からなる被処理体の温度を１５０℃〜２５０℃に加熱する工程と，
プラズマによって発生させた酸素ラジカルによって前記処理容器内で前記被処理体の表面に酸化処理を行う工程と，
を有することを特徴とする，プラズマ処理方法。
【請求項３５】
前記アルミニウム合金は，少なくともマグネシウムを含有していることを特徴とする，請求項３３又は３４に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３６】
マグネシウムの含有率が，０．５重量％〜固溶最大量であることを特徴とする，請求項３５に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３７】
前記アルミニウム合金は，少なくともストロンチウムを含有していることを特徴とする，請求項３３又は３４に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３８】
前記アルミニウム合金は，少なくともバリウムを含有していることを特徴とする，請求項３３又は３４に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３９】
前記アルミニウム合金は，少なくともジルコニウムを含有していることを特徴とする，請求項３３〜３８のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
【請求項４０】
前記アルミニウム合金は，少なくともハフニウムを含有していることを特徴とする，請求項３３〜３８のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
【請求項４１】
前記アルミニウム合金は，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｎの含有率が，いずれも０．０１重量％以下であることを特徴とする，請求項３３〜４０のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
【請求項４２】
前記アルミニウム合金の被処理体に対して，酸化処理を行う前に，前記被処理体を４５０℃以下にして水素還元雰囲気の状態におく前処理工程を有することを特徴とする，請求項３３〜４０のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
【請求項４３】
前記酸素ラジカルを発生させるにあたり，酸素含有ガスにクリプトンガスを混入したガスを用いることを特徴とする，請求項３３〜４２のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
【請求項４４】
前記酸素ラジカルを発生させるにあたり，酸素含有ガスにアルゴンガスを混入したガスを用いることを特徴とする，請求項３３〜４２のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
【請求項４５】
前記プラズマは，マイクロ波によって発生させることを特徴とする，請求項３３〜４４のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，プラズマ処理装置用の部材，処理装置用の部材，プラズマ処理装置，処理装置及びプラズマ処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマ処理を行う装置に使用される部材，たとえばチャンバは，軽量化が考慮されてアルミニウム合金が使用されているが，プラズマによって各種ガスが解離した際のイオンをはじめとする活性種や腐食性ガスによってチャンバ内壁が腐食するのを防止するため，チャンバの内壁は，予め酸化処理が施されて，表面に耐食性のあるＡｌ２Ｏ３の被膜が形成されている。
【０００３】
前記酸化処理は，従来から陽極酸化処理と呼ばれる方法によって施されている（例えば，特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平７−２１６５８９号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
陽極酸化処理によって形成されたＡｌ２Ｏ３の被膜は，基本的には多孔質の膜であり，表面も凹凸状になっている。そのため被膜に高温の水蒸気にあてるなどして，膜の分子に水分を吸い込ませて膨張させ，空隙を埋めるなどの後処理が施されている。
しかしながらそのような後処理が施されても，一般的に高い減圧度での処理が実施されるプラズマ装置の処理容器のチャンバに，陽極酸化処理したアルミニウム合金を使用すると，所定の減圧度に達するまで非常な時間を要する。このことは，装置の立ち上げ時に顕著にみられる現象である。
これは，陽極酸化処理したアルミニウム合金の表面の酸化物被膜が，本質的には多孔質であるため，アウトガスの問題や膜内に形成されて残っている空隙の存在により，所定の減圧度まで真空引きするのに必要以上の時間がかかることに起因している。
【０００６】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり，プラズマ処理装置や処理装置のチャンバをはじめとする，プラズマ処理装置や処理装置に使用される各種の部材が，従来よりも密で耐食性の向上した被膜を有している，プラズマ処理装置用の部材，処理装置用の部材，並びにこのような部材を有するプラズマ処理装置と処理装置，さらにはそのような被膜を形成するのに適したプラズマ処理方法を提供して，前記問題の解決を図ることを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため，本発明のプラズマ処理装置用の部材は，ブラズマ処理を施すプラズマ処理装置に使用され，かつ少なくともその一部がプラズマに曝される部材であって，前記部材はアルミニウムまたはアルミニウム合金からなり，さらにプラズマに曝される部分の表面には，プラズマ処理によって酸化された酸化物被膜を有することを特徴としている。
【０００８】
前記プラズマ処理によって酸化された酸化物被膜としては，たとえばプラズマによって発生させた酸素ラジカルによって酸化された酸化物被膜を一例として挙げることができる。
【０００９】
発明者らの検証によれば，プラズマ処理，たとえばプラズマによって生成された酸素ラジカルによってアルミニウムまたはアルミニウム合金の表面に成膜された酸化物被膜は，極めて密でかつ表面がフラットな性質を有し，しかも膜内には空隙が殆ど存在しないものとなっている。また前記酸化物被膜は強固で耐食性も向上していることがわかった。したがって，このような被膜を有する部材は，プラズマに曝される部材に非常に適している。たとえばプラズマ処理装置の処理容器をはじめとする各種の減圧装置のチャンバ構成部材に，そのような処理を施した部材を使用すれば，所定の減圧度までの真空引き時間を従来よりも短縮することができる。酸素ラジカルによる酸化は，後述するが，たとえば酸素含有ガスをプラズマ化してこれらアルミニウムまたはアルミニウム合金の表面を該プラズマ処理することによってなされる。
【００１０】
また本発明が対象としている部材には，既述したチャンバの他，たとえば基板を載置する載置台，電極，ゲートバルブ，チャンバ内を排気する際の排気管が挙げられる。
【００１１】
また本発明のプラズマ処理装置用の部材は，アルミニウムまたはアルミニウム合金からなり，さらにプラズマに曝される部分の表面には，希ガス成分を微量含むアルミニウムまたはアルミニウム合金の酸化物被膜を有するものとしてもよい。
希ガスが含まれることにより，膜応力が抑制され，密着力や信頼性が向上する。希ガスとしてはクリプトン（Ｋｒ）ガスが特に好ましい。
【００１２】
さらにまた本発明のプラズマ処理装置用の部材は，アルミニウムにマグネシウム，ストロンチウム又はバリウムのうちの少なくとも一つを含有するアルミニウム合金からなり，さらにプラズマに曝される部分の表面には酸化物被膜を有し，前記酸化物被膜はアルミニウムの酸化物と，マグネシウム，ストロンチウム又はバリウムの各酸化物のうちの少なくとも一つの酸化物とを含むものであってもよい。かかるプラズマ処理装置用の部材は，耐食性がさらに向上している。
【００１３】
前記アルミニウム合金は，少なくともジルコニウムを含有していたり，あるいは少なくともハフニウムを含有するものであってもよい，これらを含有している場合には，機械的強度が向上する。
【００１４】
さらにまた前記アルミニウム合金は，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｎの含有率が，いずれも０．０１重量％以下であることが好ましい。これらの金属を含んでいると，腐食耐性が劣化するからである。
【００１５】
また上記した酸化物被膜の性質から，処理容器内で被処理体に対して反応性の強いガスまたは薬液を用いて処理を施す処理装置に使用され，かつ少なくともその一部が前記ガスまたは薬液に曝される部材についても提案できる。
すなわち，本発明の処理装置用の部材は，処理容器内で被処理体に対して反応性の強いガスまたは薬液を用いて処理を施す処理装置に使用され，かつ少なくともその一部が前記ガスまたは薬液に曝される部材であって，前記部材はアルミニウムまたはアルミニウム合金からなり，さらに前記ガスまたは薬液に曝される部分の表面には，プラズマ処理によって酸化された酸化物被膜を有することを特徴としている。
プラズマ処理によって酸化された酸化物被膜としては，たとえばプラズマによって生成された酸素ラジカルによって酸化された酸化物被膜を挙げることができる。
【００１６】
反応性の強いガスまたは薬液としては，たとえばＣｌ系ガス，Ｆ系ガス，ＨＣｌ，Ｈ２ＳＯ４，ＨＦが挙げられる。また前記ガスまたは薬液に曝される部材としては，既述したチャンバ，載置台，ゲートバルブの他に，たとえば薬液槽，供給管，排気管はじめとする各種の配管，排気するためのポンプの部材（たとえばブレード），弁が挙げられる。
【００１７】
処理装置の例としては，半導体装置や液晶表示装置等の電子デバイスを製造する際のエッチング装置，デポジション装置，その他の電子デバイス製造装置一般，さらには薬液によって洗浄する洗浄装置や各種の加熱処理装置などの処理装置，プラズマを発生させてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置がある。
【００１８】
また本発明の処理装置用の部材は，アルミニウムまたはアルミニウム合金からなり，さらにプラズマに曝される部分の表面には，希ガス成分を微量含むアルミニウムまたはアルミニウム合金の酸化物被膜を有するものとしてもよい。
前記したように，希ガスが含まれることにより，膜応力が抑制され，密着力や信頼性が向上する。希ガスとしてはクリプトン（Ｋｒ）ガスが好ましい。
【００１９】
さらにまた本発明の処理装置用の部材は，アルミニウムにマグネシウム，ストロンチウム又はバリウムのうちの少なくとも一つを含有するアルミニウム合金からなり，さらにプラズマに曝される部分の表面には酸化物被膜を有し，前記酸化物被膜はアルミニウムの酸化物と，マグネシウム，ストロンチウム又はバリウムの各酸化物のうちの少なくとも一つの酸化物とを含むものであってもよい。かかる組成により，耐食性がさらに向上している。
【００２０】
前記アルミニウム合金は，少なくともジルコニウムを含有していたり，あるいは少なくともハフニウムを含有するものであってもよい，これらを含有している場合には，機械的強度が向上する。
【００２１】
さらにまた前記アルミニウム合金は，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｎの含有率が，いずれも０．０１重量％以下であることが好ましい。これらの金属を含んでいると，腐食耐性が劣化するからである。
【００２２】
本発明のプラズマ処理装置は，処理容器内で基板に対してブラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって，プラズマに曝される部材の少なくとも一部がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなり，前記アルミニウムまたはアルミニウム合金の表面にプラズマ処理によって酸化された酸化物被膜を有することを特徴としている。
プラズマ処理によって酸化された酸化物被膜としては，たとえばプラズマによって生成された酸素ラジカルによって酸化された酸化物被膜を挙げることができる。
【００２３】
また本発明によれば，処理容器内で基板に対してブラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって，プラズマに曝される部材の少なくとも一部がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなり，前記アルミニウムまたはアルミニウム合金の表面に，希ガス成分を微量含むアルミニウムまたはアルミニウム合金の酸化物被膜を有することを特徴とする，プラズマ処理装置も提案できる。希ガスとしてはクリプトン（Ｋｒ）ガスが好ましい。
【００２４】
さらにまた，処理容器内で基板に対してブラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって，プラズマに曝される部材の少なくとも一部が，アルミニウムにマグネシウム，ストロンチウム又はバリウムのうちの少なくとも一つを含有するアルミニウム合金からなり，前記アルミニウム合金の表面に酸化物被膜を有し，前記酸化物被膜はアルミニウムの酸化物と，マグネシウム，ストロンチウム又はバリウムの各酸化物のうちの少なくとも一つの酸化物とを含むことを特徴とするプラズマ処理装置も提案できる。
【００２５】
前記アルミニウム合金は，少なくともジルコニウムを含有していたり，あるいは少なくともハフニウムを含有するものであってもよい，これらを含有している場合には，機械的強度が向上する。
【００２６】
さらにまた前記アルミニウム合金は，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｎの含有率が，いずれも０．０１重量％以下であることが好ましい。これらの金属を含んでいると，腐食耐性が劣化するからである。
【００２７】
さらにまた本発明の処理装置は，処理容器内で被処理体に対して反応性の強いガスまたは薬液を用いて処理を施す処理装置において，前記ガスまたは薬液に曝される部材の少なくとも一部がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなり，前記アルミニウムまたはアルミニウム合金の表面にプラズマ処理によって酸化された酸化物皮膜を有することを特徴としている。
プラズマ処理によって酸化された酸化物被膜としては，たとえばプラズマによって生成された酸素ラジカルによって酸化された酸化物被膜を挙げることができる。
【００２８】
前記ガスまたは薬液に曝される部材の少なくとも一部がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなり，前記アルミニウムまたはアルミニウム合金の表面に，希ガス成分を微量含むアルミニウムまたはアルミニウム合金の酸化物皮膜を有するものであってもよい。希ガスとしてはクリプトン（Ｋｒ）ガスが好ましい。
【００２９】
さらにまた前記ガスまたは薬液に曝される部材の少なくとも一部がマグネシウム，ストロンチウムおよびバリウムのうちの少なくとも一つを含有するアルミニウム合金からなり，前記アルミニウム合金の表面に酸化物皮膜を有し，前記酸化物皮膜はアルミニウムの酸化物と，マグネシウム，ストロンチウム又はバリウムのうちの少なくとも一つの酸化物とを含むものとしてもよい。
【００３０】
前記アルミニウム合金は，少なくともジルコニウムを含有していたり，あるいは少なくともハフニウムを含有するものであってもよい，これらを含有している場合には，機械的強度が向上する。
【００３１】
さらにまた前記アルミニウム合金は，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｎの含有率が，いずれも０．０１重量％以下であることが好ましい。これらの金属を含んでいると，腐食耐性が劣化するからである。
【００３２】
本発明のプラズマ処理方法は，処理容器内の被処理体に対してプラズマ処理を施す方法であって，前記処理容器内のアルミニウム又はアルミニウム合金からなる被処理体の温度を４５０℃以下にした状態で，プラズマによって発生させた酸素ラジカルによって，前記処理容器内で前記被処理体の表面に酸化処理を行う工程を有することを特徴としている。
【００３３】
発明者らの検証によれば，たとえばクリプトンを含有する酸素ガスを用いてプラズマを発生させると，アルミニウム又はアルミニウム合金からなる被処理体の温度が室温（たとえば２３℃）の状態においても，該プラズマによって発生した酸素ラジカルによって前記被処理体に対して好適な酸化処理が行え，空隙がない極めて密でかつ表面がフラットなＡｌ２Ｏ３の被膜を被処理体の表面に形成することができた。
これは，下記の式に示すように，アルミニウム又はアルミニウム合金表面の改質が，酸素ラジカルによって進行したためである。
２Ａｌ＋３Ｏ＊  →Ａｌ２Ｏ３
【００３４】
また前記処理容器内のアルミニウム又はアルミニウム合金からなる被処理体の温度を１５０℃〜２５０℃に加熱する工程と，プラズマによって発生した酸素ラジカルによって前記処理容器内で前記被処理体の表面に酸化処理を行う工程とを有するプラズマ処理方法も提案できる。
【００３５】
発明者らの検証によれば，アルミニウム又はアルミニウム合金からなる被処理体の温度を１５０℃〜２５０℃に加熱し，プラズマによって発生した酸素ラジカルによって処理容器内で，前記被処理体に対して酸化処理を行うと，クリプトンではなく他の希ガスを含有する酸素ガスをプラズマ化しても，空隙がない極めて密でかつ表面がフラットなＡｌ２Ｏ３の被膜を形成することができた。
【００３６】
前記アルミニウム合金にマグネシウム（Ｍｇ）を含有しているものを用いれば，酸素ラジカルによって生成されたＭｇＯを多く含む酸化物被膜をアルミニウム合金の表面に形成させることができる。したがって，耐食性，強度を向上させた材料を提供することができる。マグネシウムの含有率は，０．５重量％〜固溶最大量（発明者らの考えでは，約６．０重量％程度と考えられる）が適当である。
なおクリプトンを含有する酸素ガスをプラズマ化して酸素ラジカルを発生させれば，マグネシウムの含有率が０．５重量％，１．０重量％のように極めて少ない含有率でも，これを酸化してＭｇＯを得ることができる。
【００３７】
前記アルミニウム合金にストロンチウム（Ｓｒ）を含有しているものを用いれば，酸素ラジカルによって酸化されたＳｒＯを多く含む酸化物被膜をアルミニウム合金の表面に形成させることができ，耐食性，強度を向上させた材料を提供することができる。
【００３８】
前記アルミニウム合金にバリウム（Ｂａ）を含有しているものを用いれば，酸素ラジカルによって酸化されたＢａＯを多く含む酸化物被膜をアルミニウム合金の表面に形成させることができ，耐食性，強度を向上させた材料を提供することができる。
【００３９】
前記アルミニウム合金にジルコニウム（Ｚｒ）を含有しているものを用いれば，合金粒成長を抑制して耐食性，機械強度を向上させた材料を提供することができる。含有率は，０．１〜０．１５重量％程度で良いと考えられる。
【００４０】
前記アルミニウム合金にハフニウム（Ｈｆ）を含有しているものを用いれば，合金粒成長を抑制して耐食性，機械強度を向上させた材料を提供することができる。含有率は，０．１〜０．１５重量％程度で良いと考えられる。
【００４１】
さらにまた前記アルミニウム合金は，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｎの含有率が，いずれも０．０１重量％以下であることが好ましい。これらの金属を含んでいると，腐食耐性が劣化するからである。
【００４２】
かかる観点からすると，前記アルミニウム合金の被処理体に対して，酸化処理を行う前に，前記被処理体を４５０℃以下にして水素還元雰囲気の状態に置いて前処理するようにすれば，これらＦｅ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｎを被処理体中から除去することができる。
【００４３】
プラズマによって酸素ラジカルを発生させる場合，酸素含有ガスにクリプトン（Ｋｒ）ガスを混入したガスを用いてプラズマを発生させるようにしてもよい。クリプトンガスを混入することによって，高いエネルギー状態に励起されたクリプトンが酸素分子（Ｏ２）と衝突し，容易に２つの酸素ラジカルを生成することができ，その結果多量の酸素ラジカルを短時間で生成して，酸化レートを向上させることができる。
しかも被処理体の温度が室温であっても，これを好適に酸化処理することが可能である。
【００４４】
酸素ラジカルを発生させるにあたり，酸素含有ガスにアルゴン（Ａｒ）ガスを混入したガスを用いてプラズマを発生させるようにしてもよい。アルゴンガスは取り扱いが容易で，かつ安価であるので，実際の運用上これらのメリットを享有することができる。
またクリプトン，アルゴン等の希ガスを用いてプラズマを発生させ酸化処理，たとえば酸素ラジカルによる酸化処理を行うと，生成した酸化物中には微量のこれら希ガス成分が含まれることになる。それによって，被膜の膜応力が抑制され，密着力や信頼性が向上する。
【００４５】
酸素ラジカルを生成する際のプラズマソースは特に問わないが，たとえば２．４５ＧＨｚの周波数を用いるマイクロ波プラズマが本発明に適している。マイクロ波プラズマは，高密度でかつ，Ｖｄｃが比較的低いいわば穏やかなプラズマであるので，アルミニウムやアルミニウム合金の表面にダメージを与えることなく，好適に被処理体の表面をラジカル酸化処理して，酸化物被膜を形成することが可能である。
【００４６】
本発明による酸素ラジカルによるアルミニウムやアルミニウム合金表面からなる被処理体に対する酸化処理は，所望の厚さの酸化物被膜が形成されるまで行えばよいが，たとえば酸素ラジカルが前記被処理体の表面と反応しなくなり，被膜が成長しなくなる，いわば飽和状態まで実施することが提案できる。このような状態まで処理した被処理体を，たとえばプラズマ処理装置のチャンバ壁として使用した場合，該プラズマ処理装置によって半導体ウエハなどに対して酸化処理や成膜処理などを実施すると，これらの処理に必要な酸素ラジカルがチャンバ内壁と反応してしまうことを防止することができる。その結果，酸素ラジカルの半導体ウエハ等に対する投入効率が向上し，レートの高い処理を実施することができる。
【００４７】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の実施の形態について説明する。図１は，本発明の方法を実施するために用いたプラズマ処理装置１の縦断面の様子を模式的に示しており，このプラズマ処理装置１は例えばアルミニウム合金からなる，上部が開口した有底円筒状の処理容器２を備えている。前記処理容器２は接地されている。この処理容器２の底部には，例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）Ｗを載置するためのサセプタ３が設けられている。このサセプタ３は例えばアルミニウム合金からなり，処理容器２の外部に設けられた交流電源４からの給電によって，サセプタ３内のヒータ５が発熱し，サセプタ３上の基板，試料や被処理体を３００℃程度まで加熱することが可能になっている。
【００４８】
処理容器２の底部には，ターボ分子ポンプなどの排気装置１１によって処理容器２内の雰囲気を排気するための排気管１２が設けられている。また処理容器２の側壁には，処理ガス供給源１３からの処理ガスを供給するための供給管１４が設けられている。本実施の形態においては処理ガス供給源１３に酸素ガス（Ｏ２）と不活性ガスのアルゴン（Ａｒ）ガスの各供給源１５，１６が接続されている。
【００４９】
処理容器２の上部開口には，気密性を確保するためのＯリングなどのシール材２１を介して，たとえば石英ガラスからなる誘電体窓２２が設けられている。この誘電体窓２２によって，処理容器２内に，処理空間Ｓが形成される。
【００５０】
誘電体窓２２の上方には，アンテナ部材３１が設けられている。本実施の形態において，アンテナ部材３１は，たとえば最下面に位置するラジアルスロットアンテナ３２，その上部に位置する遅波板３３，遅波板３３を覆って遅波板３３を保護するとともにこれを冷却するアンテナカバー３４によって構成されている。
【００５１】
ラジアルスロットアンテナ３２は，導電性を有する材質，たとえば銅の薄い円板からなり，おりなす角度が直角に近い鋭角をもった一対のスリットが，同心円状に整列して該円板に形成された構成を有している。
【００５２】
遅波板３３の中心には，導電性を有する材質，たとえば金属によって構成された円錐形の一部を構成するバンプ３５が配置されている。このバンプ３５は，内側導体３６ａと外管３６ｂとによって構成される同軸導波管３６の当該内側導体３６ａと電気的に導通している。同軸導波管３６は，マイクロ波供給装置３７で発生させた，たとえば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を，負荷整合器３８を介して同軸導波管３６を通じ，前記アンテナ部材３１に伝搬させるように構成されている。
【００５３】
プラズマ処理装置１は，以上の構成を有しており，次に本発明の実施の形態にかかるプラズマ処理方法について説明する。
【００５４】
本実施の形態に用いた被処理体Ｔは，方形の薄板状のアルミニウム合金からなっており，サセプタ３上に載置されたウエハＷの表面に，放射状に配置して貼り付けられている。このアルミニウム合金は，マグネシウムを２．５重量％含有しているものである。
【００５５】
サセプタ３上のウエハＷに貼り付けた被処理体Ｔの温度は，ヒータ５の作用によって，室温〜３００℃程度まで加熱し，これを維持することが可能である。これによって被処理体Ｔの温度を所定の温度に維持した。そして供給管１４から，所定の酸素とアルゴンの混合ガスを処理容器２内に供給しつつ，排気管１２から排気することで処理空間Ｓ内を所定の圧力にし，さらにマイクロ波供給装置３７によってマイクロ波を発生させて，これを同軸導波管３６によってアンテナ部材３１に伝搬させて処理空間Ｓにおいてプラズマを発生させ，それによって処理容器２内に発生した酸素ラジカルによって被処理体Ｔの表面を酸化処理させた。
【００５６】
前記酸化処理の際のプラズマ条件は，次の通りである。
・ガス：１％Ｏ２／Ａｒ
・圧力：１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）
・マイクロ波出力：２ｋＷ
・プラズマ照射時間：１０ｍｉｎ．
・被処理体温度：室温〜２００℃
【００５７】
前記酸化処理の結果を図２〜図７に基づいて説明する。これら各図のグラフは，被処理体Ｔの深さ方向の組成を，ＮＦ３／Ａｒガスを用いたプラズマエッチングによって分析したものであり，縦軸左側の目盛りは，エッチング時間を示し，これによって深さを表示している。１０ｍｉｎは約４０ｎｍに相当する。
（１）まず酸化処理前の被処理体ＴのＡｌ２Ｏ３−Ａｌのデプスプロファイルは，図２に示した通りである。
（２）被処理体Ｔを加熱することなく，室温（約２３℃）のままで酸素ラジカルによって酸化処理した際のＡｌ２Ｏ３−Ａｌのデプスプロファイルを図３に示す。
（３）被処理体Ｔを２００℃に加熱して，酸素ラジカルによって酸化処理した際のＡｌ２Ｏ３−Ａｌのデプスプロファイルを図４に示す。
【００５８】
以上の各図に示した実験結果からわかるように，まず酸化処理前の被処理体Ｔの表面には，自然酸化されたＡｌ２Ｏ３が約１５ｎｍの深さにまで形成されているが，それより深いところは，依然として母材であるＡｌのままである。
次いで図３に示したように，被処理体Ｔを室温のまま酸素ラジカルによって酸化処理しても，未処理の被処理体Ｔと比べて多少深いところまでＡｌ２Ｏ３が形成されるが，依然としてそれより深いところは母材のＡｌのままである。
これに対して被処理体Ｔを２００℃にして，酸化処理した場合には，図４に示したように，検証した４０ｎｍの深さまで全てＡｌ２Ｏ３が形成されており，母材となるＡｌは見当たらない。
【００５９】
したがって，被処理体Ｔを２００℃にして酸素ラジカル処理を実施すれば，相当程度厚いＡｌ２Ｏ３の被膜を形成することが可能である。しかも形成された被膜自体は，従来のような陽極酸化処理によって形成されたものと比べると，空隙のない密でしかも表面がフラットな被膜とすることができる。
【００６０】
次に被処理体ＴのＭｇＯ−Ｍｇのデプスプロファイルについて図５〜図７に基づいて説明する。
（１）酸化処理前の被処理体ＴのＭｇＯ−Ｍｇのデプスプロファイルは，図５に示した通りである。
（２）被処理体Ｔを加熱することなく，室温（約２３℃）のままで酸素ラジカルによって酸化処理した際のＭｇＯ−Ｍｇのデプスプロファイルは図６に示した通りである。
（３）被処理体Ｔを２００℃にして，酸素ラジカルによって酸化処理した際の，ＭｇＯ−Ｍｇのデプスプロファイルは図７に示した通りである。
【００６１】
以上の結果からわかるように，まず図５に示したように，酸化処理前の被処理体Ｔの表面には，酸化されたＭｇＯは見当たらず，また約２５ｎｍの深さからは，無垢のＭｇが出現し始めている。
次いで図６に示したように，被処理体Ｔを室温のまま酸素ラジカルによって酸化処理すると，約２０ｎｍ以下のところではＭｇＯが形成されているが，依然として無垢のＭｇも残っていることがわかる。
これに対して被処理体Ｔを２００℃にして，酸素ラジカルによって酸化処理した場合には，図７に示したように，検証した４０ｎｍの深さまで全てＭｇＯが形成されており，無垢のＭｇは見当たらない。
【００６２】
したがって，被処理体Ｔを２００℃にして酸素ラジカル処理を実施すれば，前記したＡｌ２Ｏ３の被膜中にＭｇＯを多量に形成させることが可能である。
Ａｌ２Ｏ３の被膜中にＭｇＯが多量に存在するということは，それだけ強固で耐食性の強い被膜であることの証左である。
【００６３】
前記した例は，被処理体の温度を２００℃にして行ったものであったが，発明者らによれば，２００℃±５０℃の範囲，すなわち１５０℃〜２５０℃の範囲においても同様な効果が得られるものと考えている。被処理体がアルミニウムやアルミニウム合金の場合，これらの金属がやわらかくなる温度（４５０℃）に達しない温度で処理を行っても同様な効果が得られる。
なお既述したように，クリプトン含有ガスを用いて酸素ラジカルを発生させれば，被処理体の温度が室温であっても，その表面を酸化して好適な酸化物被膜を形成することが可能である。
【００６４】
図８は，マグネシウムを４．５重量％含有する被処理体Ｔの温度を２５℃として前記したプラズマ処理装置１を用いてラジカル酸化したときの，ＸＰＳデプスプロファイルを示している。同図のグラフにおいて，横軸は膜厚を示し（０は表面を示している），縦軸は各成分の含率（ａｔ％）である。
なお酸化処理の際のプラズマ条件は，次の通りである。
・ガス：１％Ｏ２／Ｋｒ
・圧力：１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）
・マイクロ波出力：２ｋＷ
・プラズマ照射時間：１０ｍｉｎ．
・被処理体温度：２５℃
【００６５】
かかる結果からわかるように，被処理体Ｔの温度が２５℃という室温であっても，表面に３０ａｔ％にまでマグネシウムを濃縮化して，これを酸化することができた。また膜厚についても８０ｎｍの深さまで，Ａｌ２Ｏ３を形成することができ，しかも被膜中には多量のＭｇＯを含有させることができた。
この例では，マグネシウムを４．５重量％含有する被処理体Ｔについて処理を行ったが，マグネシウムの含有率が１．０重量％，２．５重量％の被処理体についても，クリプトン含有ガスを用いて酸素ラジカルを発生させれば，被処理体の温度が室温であっても，その表面を酸化して好適な酸化物被膜を形成することが可能である。
【００６６】
またアルゴン含有ガスを用いた先の実施の形態では，被処理体Ｔを構成するアルミニウム合金のマグネシウムの含有率が，２．５重量％のものを使用したが，発明者らの検証によれば，１．０重量％ではさほど顕著な効果が得られなかった。したがってある程度の量をマグネシウムを含有したものでないと，所期のＭｇＯを生成することができないと考えられ，またその量は多ければ多いほど，多量のＭｇＯを被膜中に生成することが可能であると考えられる。
【００６７】
被処理体がアルミニウム合金の場合，たとえばマグネシウムの含有率が２．５重量％の被処理体と，４．５重量％の被処理体に対して，アルゴン含有ガスを用いて酸化処理した際のＸＰＳデプスプロファイルは，各々図９，図１０に示した通りになった。なおプラズマ条件は次の通りである。
・ガス：１％Ｏ２／Ａｒ
・圧力：１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）
・マイクロ波出力：２ｋＷ
・プラズマ照射時間：１０ｍｉｎ．
・被処理体温度：２００℃
【００６８】
これによれば，マグネシウム含有率が４．５重量％の被処理体の方が，２．５重量％含有の被処理体よりも多量のＭｇＯを被膜中に生成していることがわかる。
【００６９】
しかしながら，クリプトン含有ガスを用いて酸素ラジカルを発生させて，これによって酸化処理すれば，たとえばマグネシウムの含有率が，１．０重量％であっても，ＭｇＯを生成することができた。
【００７０】
図１１は，マグネシウム含有率が１．０重量％の被処理体の処理前のＸＰＳデプスプロファイルを示し，図１２は，マグネシウム含有率が１．０重量％の被処理体ラジカル酸化処理を行った後の，ＸＰＳデプスプロファイルを示している。なお酸化処理の際のプラズマ条件は，次の通りである。
・ガス：１％Ｏ２／Ｋｒ
・圧力：１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）
・マイクロ波出力：２ｋＷ
・プラズマ照射時間：１０ｍｉｎ．
・被処理体温度：２００℃
【００７１】
この結果からわかるように，マグネシウム含有率が１．０重量％の被処理体であっても，クリプトン含有ガスを用いて酸素ラジカルを発生させて酸化処理すれば，被処理体の表面であっても約３０ａｔ％にまでマグネシウムを濃縮化して，これを酸化することができた。したがって，表面に耐食性の強いＭｇＯを形成していることが確認できる。
【００７２】
もちろんクリプトン含有ガスを用いて酸素ラジカルを発生させて酸化処理する場合，アルミニウム合金の被処理体のマグネシウム含有率が高いほど，より多量のＭｇＯを発生させて，しかも被膜中のより深いところまでこれを存在させることができる。
【００７３】
図１３は，マグネシウムの含有率が２．５重量％の被処理体に対して，クリプトン含有ガスによって酸素ラジカルを発生させて酸化処理したときのＸＰＳデプスプロファイルを示し，図１４は，同じくマグネシウムの含有率が２．５重量％の被処理体に対して酸化処理した際のＸＰＳデプスプロファイルを示している。
【００７４】
これらの結果から分かるように，マグネシウムの含有率が高いほど，より多量のＭｇＯを発生させて，しかも被膜中のより深いところまでこれを存在させることができる。そしていずれの場合にも，表面のマグネシウムを３０ａｔ％にまで濃縮化できている。
【００７５】
以上のように，本発明に採用しうるアルミニウム合金のマグネシウム含有率は，たとえば０．５重量％〜固溶最大量，より好ましくは１．０重量％〜固溶最大量が適当であると考えられる。
【００７６】
以上説明したように，本発明によるプラズマ処理方法によって，アルミニウム合金からなる被処理体に対して，これを酸素ラジカルによって酸化処理すれば，その表面に相当程度の厚さをもった耐食性の強い酸化被膜を形成することが可能である。したがって，かかる点を鑑みれば，たとえば前記したプラズマ処理装置１においてプラズマに曝される部材，たとえば処理容器２の内壁やサセプタ，その他排気管１２，供給管１４，さらには図示していないがウエハを搬入出するためのゲートバルブに，前記したプラズマ処理による酸素ラジカルの酸化処理を表面に施したものを使用すれば，極めて耐久性があり，しかも所定の減圧度まで真空引きする時間を短縮させたプラズマ装置を提供することが可能である。
【００７７】
もちろんそのような処理容器２周りの部材に限らず，，処理容器内に発生した腐食性ガスと接する部材についても，前記したプラズマ処理による酸素ラジカルの酸化処理を表面に施したものを使用すれば，これら部材の耐久性を向上させることが可能である。
【００７８】
他方，観点を変えれば，そのように処理容器周りの部材に，本発明のプラズマ処理による酸素ラジカルの酸化処理を施したものを使用する場合，該酸化処理が飽和状態（膜成長が見られない状態）にまでなされたものを使用すれば，たとえば半導体製造プロセスの処理，たとえばエッチング，成膜等の処理を実施する際，これらの処理が酸素ラジカルを用いて処理を行うものであるときには，ウエハや半導体素子の部分に投入されるべき酸素ラジカルが，処理容器のチャンバやゲートバルブを酸化処理し消費されるといった事態を防止することができる。すなわち酸素ラジカルの数が減少し，肝心な処理レートが低下するといった事態を防止することができる。
【００７９】
したがって，本発明のプラズマ処理を施した部材を処理容器をはじめとして処理装置の構成材料に使用すれば，耐久性の向上だけではなく，本来の処理レート自体も向上させることが可能になる。
【００８０】
なおそのように飽和状態にまで酸化処理をしていない部材（たとえばチャンバ壁やサセプタ）を用いても，酸化処理時の温度（たとえば１５０℃〜４５０℃，好ましくは１５０℃〜２５０℃）以下の温度で，装置を稼働させれば，半導体プロセス処理用に生成した酸素ラジカルが，それら部材表面と反応して無駄に消費されることはない。
【００８１】
なお以上の例では，マイクロ波の波長が２．４５ＧＨｚの場合であったが，もちろんこれ限らず，種々の周波数のマイクロ波に対して適用できる。さらにプラズマソース自体もマイクロ波に限らず，たとえば１３．５６ＭＨｚの高周波を用いた各種のプラズマ源も使用可能である。
【００８２】
また本発明による酸化物皮膜は，プラズマに曝される部分以外にも用いて効果がある。すなわち本発明はプラズマ処理装置に限らず，半導体装置や液晶表示装置等の電子デバイスを製造する際のエッチング装置，デポジション装置，その他の電子デバイス製造装置一般，さらには薬液によって洗浄する洗浄装置や各種の加熱処理装置などの処理装置において，反応性，腐食性の強いガス（たとえばＣｌ系ガス，Ｆ系ガス等），または反応性，腐食性の強い薬液（ＨＣｌ，Ｈ２ＳＯ４，ＨＦ等）に曝される部分の部材に適用することができる。これら電子デバイス製造装置などにアルミニウムまたはその合金の部材を使うことは装置の重量を軽減する上で好ましいが，その部材表面に本発明による皮膜を施すことによって，部材の表面をフラットにし，かつ耐食性，耐久性を向上させることができる。
【００８３】
【発明の効果】
本発明によれば，従来の陽極酸化処理された場合よりも，密でかつ表面がフラットな被膜が形成され，しかも耐食性が向上している。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態を実施するためのプラズマ処理装置の縦断面図である。
【図２】酸化処理前の被処理体のＡｌ２Ｏ３−Ａｌのデプスプロファイルを示すグラフである。
【図３】室温の被処理体に対して酸素ラジカルによって酸化処理した際の，Ａｌ２Ｏ３−Ａｌのデプスプロファイルを示すグラフである。
【図４】２００℃の被処理体に対して酸素ラジカルによって酸化処理した際の，Ａｌ２Ｏ３−Ａｌのデプスプロファイルを示すグラフである。
【図５】酸化処理前の被処理体のＭｇＯ−Ｍｇのデプスプロファイルを示すグラフである。
【図６】室温の被処理体に対して酸素ラジカルによって酸化処理した際のＭｇＯ−Ｍｇのデプスプロファイルを示すグラフである。
【図７】２００℃の被処理体に対して酸素ラジカルによって酸化処理した際のＭｇＯ−Ｍｇのデプスプロファイルを示すグラフである。
【図８】２５℃の被処理体に対してクリプトン含有ガスの酸素ラジカルによって酸化処理した際のＸＰＳデプスプロファイルを示すグラフである。
【図９】マグネシウム含有率が２．５重量％の２００℃の被処理体に対してアルゴン含有ガスの酸素ラジカルによって酸化処理した際のＸＰＳデプスプロファイルを示すグラフである。
【図１０】マグネシウム含有率が４．５重量％の２００℃の被処理体に対してアルゴン含有ガスの酸素ラジカルによって酸化処理した際のＸＰＳデプスプロファイルを示すグラフである。
【図１１】マグネシウム含有率が１．０重量％の被処理体の処理前のＸＰＳデプスプロファイルを示すグラフである。
【図１２】マグネシウム含有率が１．０重量％の２００℃の被処理体に対してクリプトン含有ガスの酸素ラジカルによって酸化処理した際のＸＰＳデプスプロファイルを示すグラフである。
【図１３】マグネシウム含有率が２．５重量％の２００℃の被処理体に対してクリプトン含有ガスの酸素ラジカルによって酸化処理した際のＸＰＳデプスプロファイルを示すグラフである。
【図１４】マグネシウム含有率が４．５重量％の２００℃の被処理体に対してクリプトン含有ガスの酸素ラジカルによって酸化処理した際のＸＰＳデプスプロファイルを示すグラフである。
【符号の説明】
１    プラズマ処理装置
２    処理容器
３    サセプタ
５    ヒータ
２２    誘電体窓
３１    アンテナ部材
３２    ラジアルスロットアンテナ
３７    マイクロ波供給装置
Ｗ    ウエハ
Ｔ    被処理体
【図１】
2004273472.tif 000003
【図２】
2004273472.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2004273472.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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