(57)【要約】【課題】マスクとウェハとを高精度に重ね合わせると共に、効率よくウェハに回路パターンを転写することが可能な位置合わせ方法を提供する。【解決手段】露光装置を用いてマスクのパターンが露光される被露光体であって、前記マスクと前記被露光体とを位置合わせするための観察光学系と、前記露光装置で露光された前記被露光体と前記マスクの整合状態を確認する合わせずれ計測装置の両者により観察可能な位置合わせ用マークを有することを特徴とする被露光体を提供する。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置を用いてマスクのパターンが露光される被露光体であって、前記マスクと前記被露光体とを位置合わせするための観察光学系と、前記露光装置で露光された前記被露光体と前記マスクの整合状態を確認する合わせずれ計測装置の両者により観察可能な位置合わせ用マークを有することを特徴とする被露光体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般には、被露光体及び方法に係り、特に、半導体集積回路の製造過程において用いられる位置合わせ用マークを有するウェハに関する。例えば、半導体集積回路等の製造過程のフォトリソグラフィ工程で使用される投影露光装置と、投影露光装置での露光結果位置ずれを測定する合わせずれ計測装置において用いられる位置合わせ用マーク及び合わせずれ計測マークとを有するウェハに好適である。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体素子の製造技術の進展は目覚ましく、又それに伴う微細加工技術の進展も著しい。特に光加工技術はサブミクロンの解像力を有する縮小露光装置（「ステッパー」と呼ばれる。）が主流であり、更なる解像力向上に向けて光学系の開口数（ＮＡ）の拡大や、露光波長の短波長化が図られている。
【０００３】
解像線幅が微細化するに従って、マスク又はレチクル（本出願では、これらの用語を交換可能に使用する。）上に形成された所望のマスクパターンと被露光体であるウェハとを高精度に重ね合わせる必要が生じている。そこで、図８に示すような、重ね合わせ用の指標となる位置合わせ用マーク１０００をウェハ上の多数の箇所に構成し、かかる位置合わせ用マーク１０００を位置合わせ観察光学系を用いて計測することで、所定のステージ位置にウェハを配置することが行われている。ここで、図８は、位置合わせ用マーク１０００の一例を示す概略平面図である。
【０００４】
また、マスクとウェハとが良好に重ね合ったかどうかは、専用の合わせずれ計測装置を用いて確認される。合わせずれ計測装置は、図９に示すような、ウェハ上に構成される合わせずれ計測用マーク２０００と、露光現像されてウェハ上に形成されたマスクパターンのレジスト像との相対位置関係を測定する。かかる測定結果に基づいて、マスクとウェハとが良好に重ね合ったかを確認し、所望の範囲内にレジスト像が現像されていれば、ウェハを次の工程で使用する。マスクとウェハとの重ね合わせの確認も、解像線幅が微細化するに従って、ウェハ上の多数の位置で行う必要が生じている。ここで、図９は、合わせずれ計測用マーク２０００の一例を示す概略平面図である。
【０００５】
一般的に、位置合わせ用マーク１０００は、位置合わせ観察光学系に応じた形状で構成されており、また、合わせずれ計測用マーク２０００も合わせずれ計測装置に対して適正な形状で構成されている。即ち、位置合わせ用マーク１０００と合わせずれ計測用マーク２０００は、大きさや形状に関して各々独立に形成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、高密度に回路パターンを露光し、効率よく半導体素子を生産するためには、ウェハ上の位置合わせ用マーク及び合わせずれ計測用マークを構成する領域を減少させることが望ましい。これは、マスクとウェハとを高精度に重ね合わせるために、ウェハ上に位置合わせ用マークと合わせずれ計測用マークを多数配置したいという要望と相反することになる。
【０００７】
また、位置合わせ用マークと合わせずれ計測用マークとが異なる為に、配置座標の描画誤差やウェハパターンとしての製造上誤差などがウェハの位置合わせ計測結果とマスクとウェハとの合わせずれ計測結果との間で誤差を生じる原因となっていた。
【０００８】
そこで、本発明は、マスクとウェハとを高精度に重ね合わせると共に、効率よくウェハに回路パターンを転写することが可能な位置合わせ用マークを有する被露光体及び方法を提供することを例示的目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の位置合わせ用マークを有する被露光体は、露光装置を用いてマスクのパターンが露光される被露光体であって、前記マスクと前記被露光体とを位置合わせするための観察光学系と、前記露光装置で露光された前記被露光体と前記マスクの整合状態を確認する合わせずれ計測装置の両者により観察可能な位置合わせ用マークを有する。
【００１０】
本発明の他の目的と更なる特徴は、以下、添付図面を参照して説明される実施形態において明らかになるであろう。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の一側面としての位置合わせ用マーク１５０を有する被露光体１４０及び方法について説明する。但し、本発明はこれらの実施形態に限定するものではなく、本発明の目的が達成される範囲において、各構成要素が代替的に置換されてもよい。図１は、本発明の位置合わせ用マーク１５０を有する被露光体１４０を観察する位置合わせ観察光学系１２７を有する露光装置１００の概略図である。図２は、本発明の位置合わせ用マーク１５０を計測する合わせずれ計測装置１２５を示す概略図である。図３は、本発明の位置合わせ用マーク１５０を示す概略図であって、図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は断面図である。図４は、本発明の位置合わせ用マーク１５０とレジスト像マーク１５５を示す概略図であって、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は断面図である。図７は、本発明の計測方法２００を説明するためのフローチャートである。
【００１２】
露光装置１００は、図１に示すように、照明装置１２２と、マスク１２０と、投影光学系１２６と、被露光体１４０と、ステージ１２３とを有する。露光装置１００は、ステップアンドリピート方式またはステップアンドスキャン方式でマスク１２０に形成された回路パターンを被露光体１４０に露光する走査型投影露光装置である。また本発明では、被露光体１４０を例示的にウェハ１４０として説明する。
【００１３】
照明装置１２２は転写用の回路パターンが形成されたマスク１２０を照明し、光源部１２１と照明光学系１２４とを有する。
【００１４】
光源部１２１は、例えば、光源としてレーザを使用する。レーザは、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ、波長約１５７ｎｍのＦ２エキシマレーザなどを使用することができるが、レーザの種類はエキシマレーザに限定されず、例えば、ＹＡＧレーザを使用してもよいし、そのレーザの個数も限定されない。光源部１２１にレーザが使用される場合、レーザ光源からの平行光束を所望のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレントなレーザ光束をインコヒーレント化するインコヒーレント化光学系を使用することが好ましい。また、光源部１２１に使用可能な光源はレーザに限定されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなどのランプも使用可能である。
【００１５】
照明光学系１２４はマスク１２０を照明する光学系であり、レンズ、ミラー、ライトインテグレーター、絞り等を含む。例えば、コンデンサーレンズ、ハエの目レンズ、開口絞り、コンデンサーレンズ、スリット、結像光学系の順で整列する等である。照明光学系１２４は、軸上光、軸外光を問わず使用することができる。ライトインテグレーターは、ハエの目レンズや２組のシリンドリカルレンズアレイ（又はレンチキュラーレンズ）板を重ねることによって構成されるインテグレーター等を含むが、光学ロッドや回折素子に置換される場合もある。かかる照明光学系１２４のレンズなどの光学素子に本発明のフッ化カリウム結晶から製造される光学素子を使用することができる。
【００１６】
マスク１２０の上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成され、図示しないマスクステージに支持及び駆動される。マスク１２０から発せられた回折光は投影光学系１２６を通りウェハ１４０上に投影される。ウェハ１４０はウェハや液晶基板などの被処理体でありレジストが塗布されている。マスク１２０とウェハ１４０とは共役の関係にある。走査型投影露光装置の場合は、マスク１２０とウェハ１４０を走査することによりマスク１２０のパターンをウェハ１４０上に転写する。ステッパー（ステップアンドリピート露光方式の露光装置）の場合はマスク１２０とウェハ１４０を静止させた状態で露光が行われる。
【００１７】
投影光学系１２６は、複数のレンズ素子のみからなる光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系（カタディオプトリック光学系）、複数のレンズ素子と少なくとも一枚のキノフォームなどの回折光学素子とを有する光学系、全ミラー型の光学系等を使用することができる。色収差の補正が必要な場合には、互いに分散値（アッベ値）の異なるガラス材からなる複数のレンズ素子を使用したり、回折光学素子をレンズ素子と逆方向の分散が生じるように構成したりする。かかる投影光学系１２６のレンズなどの光学素子に本発明のフッ化カルシウム結晶から製造される光学素子を使用することができる。
【００１８】
位置合わせ観察光学系１２７は、位置合わせ用マーク１５０にある複数の相対する箇所を測定し、位置を観察する。この場合、段差１５０を露光装置１００の位置合わせ観察光学系１２７によって測定し、ウェハ１４０の位置情報を得てもよい。即ち、ウェハ１４０上に形成された位置合わせ用マーク１５０の位置を光電検出する。光電検出の方法としては、レーザ光をウェハ１４０上の段差に照射し、その段差により回折または散乱された光を用いて位置合わせ用マーク１５０の位置情報を検出する方式、ハロゲンランプなどを光源とする波長帯域幅の広い光で照明し、ＣＣＤカメラなどで撮像した位置合わせ用マーク１５０の画像データを画像処理して段差の位置情報を検出する方式、あるいはウェハ１４０上の位置合わせ用マーク１５０に周波数をわずかに変えたレーザ光を２方向から照射し、発生した２つの回折光を干渉させ、その位相から段差の位置情報を検出する方式などがある。
【００１９】
ウェハ１４０にはフォトレジストが塗布されている。フォトレジスト塗布工程は、前処理と、密着性向上剤塗布処理と、フォトレジスト塗布処理と、プリベーク処理とを含む。前処理は洗浄、乾燥などを含む。密着性向上剤塗布処理は、フォトレジストと下地との密着性を高めるための表面改質（即ち、界面活性剤塗布による疎水性化）処理であり、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ−ｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）などの有機膜をコート又は蒸気処理する。プリベークはベーキング（焼成）工程であるが現像後のそれよりもソフトであり、溶剤を除去する。
【００２０】
ステージ１２３はウェハ１４０を支持する。ステージ１２３は、当業界で周知のいかなる構成をも適用することができるので、ここでは詳しい構造及び動作の説明は省略する。例えば、ステージ１２３はリニアモータを利用してＸＹ方向にウェハ１４０を移動することができる。マスク１２０とウェハ１４０は、例えば、同期走査され、ステージ１２３と図示しないマスクステージの位置は、例えば、レーザ干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。ステージ１２３は、例えば、ダンパを介して床等の上に支持されるステージ定盤上に設けられ、マスクステージ及び投影光学系１２６は例えば、鏡筒定盤は床等に載置されたベースフレーム上にダンパ等を介して支持される図示しない鏡筒定盤上に設けられる。
【００２１】
露光において、光源部１２１から発せられた光束は、照明光学系１２４によりマスク１２０を、例えば、ケーラー照明する。マスク１２０を通過してマスクパターンを反映する光は投影光学系１２６によりウェハ１４０に結像される。露光装置１００が使用する照明光学系１２４及び投影光学系１２６は、本発明によるフッ化カルシウム結晶から製造される光学素子を含んで紫外光、遠紫外光及び真空紫外光を高い透過率で透過するので、高いスループットで経済性よくデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。
合わせずれ計測装置１２５は、露光装置１００と独立して形成しており、位置合わせ用マーク１５０とレジスト像マーク１５５の相対位置関係の測定を行う装置である。また、合わせずれ計測装置１２５は露光装置１００と独立しているため、計測を行う場合には、ウェハ１４０を設置位置まで移動させて計測する。
【００２２】
ここで、本発明の位置合わせ方法２００は、マスク１２０に形成された所望のパターンをウェハ１４０に転写する際に、ウェハ１４０に形成された位置合わせ用マーク１５０を用いてマスク１２０とウェハ１４０との位置を合わせ及び測定を行う。
【００２３】
図７を参照するに、まず、ウェハ１４０に形成された位置合わせ用マーク１５０を位置合わせ観察光学系１２７によって観察し、所定のステージ位置にウェハ１４０を配置する（ステップ２０２）。この場合、所定の範囲内であれば次の工程に進み、ウェハ１４０の位置が所定範囲外であれば、再度ウェハ１４０の位置を合わせる。この所定とは、ウェハ１４０に露光可能な範囲内を意味するものである。位置合わせ用マーク１５０は、本実施形態においては図３（ａ）に示すように、矩形形状に形成されており、ウェハ１４０表面にはフォトレジスト１５３が全面に亘って塗布されている。また、位置合わせ用マーク１５０は、図３（ｂ）に示すように、ウェハ１４０上に段差構造を有して形成されており、例えば、複数の相対する箇所を測定し、その中心を求めることにより、位置を観察してもよい。また、かかる段差を露光装置１００の位置合わせ観察光学系によって測定し、被露光体であるウェハ１４０の位置情報を得てもよい。本実施形態での測定方式は、任意で決定することができ、位置合わせ用マーク１５０の形状及び形態は、実施形態に限定をするものではなく、例えば、反射率、屈折率の異なる部材で形成しても構わない。
【００２４】
次に、ウェハ１４０を露光する（ステップ２０４）。このとき、回路パターンと共にウェハ１４０の所定箇所にレジスト像マーク１５５が形成される。レジスト像マーク１５５は、ウェハ１４０に所望のパターンを転写するためのマスク１２０を介して、所望のパターンの転写と同時に形成される。従って、レジスト像マーク１５５は、マスク１２０とウェハ１４０との重ね合わせずれを反映している。ウェハ１４０を現像する（ステップ２０６）。本実施形態では、ウェハ１４０に所望のパターンが露光現像されることによって、図４に示すように、位置合わせ用マーク１５０の間にレジスト像マーク１５５が形成される。レジスト像マーク１５５は、ウェハ１４０表面に起立している。ここで示された図４（ａ）での位置合わせ用マーク１５０は、図３（ａ）で示された位置合わせ用マーク１５０と全く同一のものであり、本発明の骨子であるマークの共通化は、このことを意味するものである。
【００２５】
ここで上述した所定箇所の定義とは、合わせずれ計測装置１２５が位置合わせ用マーク１５０とレジスト像マーク１５５の位置関係を把握でき、測定可能な範囲を意図している。即ち、図４（ａ）で示すように位置合わせ用マーク１５０内に形成してもよいし、例えば、位置合わせ用マーク１５０外周に形成しても良い。
【００２６】
次に、合わせずれ計測装置１２５を用いて、ウェハ１４０上の位置合わせ用マーク１５０とステップ２０４及び２１０で形成されたレジスト像マーク１５５の相対位置関係を測定する（ステップ２０８）。このステップ２０８では、ウェハ１４０上に元々形成されていた位置合わせ用マーク１５０とレジスト像マーク１５５との相対位置関係から、マスク１２０とウェハ１４０との重ね合わせずれがわかる。
【００２７】
本実施形態においては、図４（ａ）に示すように、位置合わせ用マーク１５０とレジスト像マーク１５５とのＸ方向の距離Ｘ１及びＸ２、位置合わせ用マーク１５０とレジスト像マーク１５５とのＹ方向の距離Ｙ１及びＹ２を計測し、以下の数式１で示されるΔＸ及びΔＹを合わせずれの評価値としている。
【００２８】
【数１】
2004247614.tif 000003
【００２９】
そして、測定した位置合わせ用マーク１５０とレジスト像マーク１５５の相対位置関係のずれ（即ち、合わせずれ評価値ΔＸ及びΔＹ）が許容できる範囲内であるかどうか判断する（ステップ２１０）。位置合わせ用マーク１５０とレジスト像マーク１５５の相対位置関係のずれが許容できる範囲内であれば、次工程を行う（ステップ２１４）。位置合わせ用マーク１５０とレジスト像マーク１５５の相対位置関係のずれが許容できる範囲外でれば、破棄する（ステップ２１２）。
【００３０】
本発明の位置合わせ方法及び位置合わせ用マークによれば、マスク１２０とウェハ１４０を高精度に重ね合わせると共に、効率よくウェハ１４０に回路パターンを転写することが可能となる。
【００３１】
又、マークを共通化することで計測する基準（この場合、位置合わせ用マーク１５０である。）がプロセス毎に変動しないため、描画誤差、転写誤差及び製造誤差を防止することができ、重ね合わせ精度を向上することができる。
【００３２】
本実施形態では、マーク形状が矩形形状であるが、勿論この形状に限定されるものではなく、複数の直線で形成しても良いし、格子状マークであっても構わない。露光装置１００と合わせずれ計測装置１２５の双方で計測可能な形状であれば任意である。
【００３３】
同様に、露光装置１００の位置合わせ観察光学系１２７と合わせずれ計測装置１２５の測定系の検出方式は、上述した方式以外にも、任意で決定してよい。例えば、明視野画像方式、暗視野画像方式、ビームスキャン散乱光検出方式、グレーティング干渉検出方式等の各種検出方式のどれであっても問題はなく、位置合わせ観察光学系１２７と合わせずれ計測装置１２５の検出方式が異なっていても構わない。重要となることは、処理しようとしているウェハ１４０上に形成した位置合わせ用マーク１５０が、処理装置である露光装置１００の位置合わせ観察光学系１２７と合わせずれ計測装置１２５の双方で計測可能な形状であるということである。
【００３４】
次に、図５及び図６を参照して、上述の位置合わせ用マーク１５０及びレジスト像マーク１５５の変形例である位置合わせ用マーク１５０ａ及びレジスト像マーク１５５ａについて説明する。図５は、本発明の位置合わせ用マーク１５０の変形例である位置合わせ用マーク１５０ａを示す概略図であって、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は断面図である。図６は、本発明の位置合わせ用マーク１５０とレジスト像マーク１５５の変形例である位置合わせ用マーク１５０ａとレジスト像マーク１５５ａを示す概略図であって、図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は断面図を示す。本実施形態の特徴は、位置合わせ観察光学系１２７と合わせずれ計測装置１２５で共通化した形状を有する位置合わせ用マーク１５０ａではあるが、位置合わせ観察光学系１２７での計測に使用している位置合わせ用マーク１５０ａの計測部分と、合わせずれ計測装置１２５での計測に使用している位置合わせ用マーク１５０ａの計測部分が全く同一ではないという事である。
【００３５】
図３に示した位置合わせ用マーク１５０においては、位置合わせ観察光学系１２７でも合わせずれ計測装置１２５でも全く同じ計測部分を利用していた。しかしながら、位置合わせ観察光学系１２７がもつ計測可能領域と合わせずれ計測装置１２５がもつ計測可能領域は異なっている事が普通である。従って、上述した実施形態では計測可能領域のより小さい装置に合わせた形で位置合わせ用マーク１５０ａの共通化を計らねばならなかった。
【００３６】
そこで本実施形態では、位置合わせ用マーク１５０ａを位置合わせ観察光学系１２７と合わせずれ計測装置１２５と共通して計測可能な領域内のマークについては共通化を維持しつつ、それ以外の一方の計測装置でのみ計測可能な領域にもマークを付加する事とした。
【００３７】
本実施形態では、位置合わせ用マーク１５０ａは、第１のマーク１５１と第２のマーク１５２の２つの矩形形状マークから構成されている。図５（ａ）を参照するに、位置合わせ観察光学系１２７が計測可能な領域αに対し、第１のマーク１５１、第２のマーク１５２ともに構成されており、位置合わせ観察光学系１２７では第１のマーク１５１、第２のマーク１５２の情報を使ってウェハの位置情報を測定できる事がわかる。
【００３８】
一方、図６を参照するに、βは合わせずれ計測装置１２５での計測可能な領域を示すものであり、合わせずれ計測装置１２５では第２のマーク１５２を測定する事は行わず、位置合わせ用マーク１５０ａの一部である第１のマーク１５１のみを使ってレジスト像マーク１５５ａとの相対位置関係を計測し、マスク１２０とウェハ１４０ａとの重ね合わせ状態を確認する事ができる。
【００３９】
このように、位置合わせ観察光学系１２７と合わせずれ計測装置１２５の双方の計測可能領域を理解して位置合わせ用マーク１５０ａを形成する、具体的には、位置合わせ観察光学系１２７と合わせずれ計測装置１２５と共通する計測可能領域のなかに共通で使用するマークを形成し、広い計測領域をもつ領域にもマークを付加する事により、狭い計測領域をもつ装置の計測精度は維持しつつ、広い計測領域をもつ装置の計測精度はより高精度化する事が可能となる。
【００４０】
本実施形態では、露光装置が広い計測可能領域をもつ場合に関して例示したが、当然合わせずれ計測装置１２５が広い計測可能領域をもつ場合でも同様な対応が有効である事は自明である。
【００４１】
また、本実施形態では、主にマーク、マークを有するウェハ等について述べてきたが、そのようなウェハとマスクとの位置合わせを行い、位置合わせを行ったウェハを露光する露光装置や、そのような露光装置を用いてウェハを露光する工程と、この露光したウェハを現像する工程とを有するデバイスの製造方法などにも適用可能である。
【００４２】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されることは言うまでもなく、その要旨の範囲内での種々の変形及び変更が可能である。
【００４３】
本出願は、更に、以下の事項を開示する。
【００４４】
［実施態様１］  露光装置を用いてマスクのパターンが露光される被露光体であって、
前記マスクと前記被露光体とを位置合わせするための観察光学系と、前記露光装置で露光された前記被露光体と前記マスクの整合状態を確認する合わせずれ計測装置の両者により観察可能な位置合わせ用マークを有することを特徴とする被露光体。
【００４５】
［実施態様２］  マスクに露光用照明光を照射する照明光学系と、前記露光用照明光を被露光体上に投影する投影光学系と、露光装置に設置され前記被露光体上にある位置合わせ用マークを観察する観察光学系と、前記露光装置で露光された被露光体と前記マスクの整合状態を確認する合わせずれ計測装置とにおいて、前記観察光学系でも前記合わせずれ計測装置でも観察及び計測が可能である位置合わせ用マークを有する被露光体。
【００４６】
［実施態様３］  前記位置合わせ用マークは、前記マスクと前記被露光体の位置を合わせる指標となり、且つ、前記合わせずれ計測装置にも用いられる基準マークと、
前記基準マークとの相対位置関係を測定するための合わせずれ用マークとからなることを特徴とする実施態様１記載の位置合わせ用マークを有する被露光体。
【００４７】
［実施態様４］  前記位置合わせ用マークは、前記基準マークが前記露光装置の位置合わせに使用され、前記合わせずれ計測装置では前記基準マーク及び前記合わせずれマークの対向する箇所が用いられる事を特徴とした実施態様１記載の位置合わせ用マークを有する被露光体。
【００４８】
［実施態様５］  前記位置合わせ用マークは、前記基準マークの一部が前記露光装置の位置合わせに使用され、且つ合わせずれ計測装置でも前記一部が使用される事を特徴とした実施態様１記載の位置合わせ用マークを有する被露光体。
【００４９】
［実施態様６］  マスクに形成された所望のパターンをウェハに転写する際に、前記ウェハに形成された位置合わせ用マークを用いて前記マスクとウェハとの位置を合わせる位置合わせ方法であって、
前記位置合わせ用マークを用いて所定のステージ位置にウェハを配置する工程と、
前記ウェハの所定箇所に前記マスクを介してレジスト像マークを形成する工程と、
前記位置合わせ用マークと前記レジスト像マークとの相対位置関係を測定する工程と、
前記相対位置関係が許容される範囲内であるかどうか判断する工程とを有することを特徴とする位置合わせ方法。
【００５０】
［実施態様７］  マスクに形成された所望のパターンをウェハに露光する露光装置であって、
前記ウェハに形成された位置合わせ用マークを観察する観察光学系を有し、
前記位置合わせ用マークの近傍に、前記マスクを介してレジスト像マークを形成することを特徴とする露光装置。
【００５１】
［実施態様８］  前記観察光学系により前記位置合わせ用マークの位置を観察し、前記位置合わせ用マークが観察結果に基づいて前記マスクと前記ウェハとの位置合わせを行うことを特徴とする実施態様７記載の露光装置。
【００５２】
［実施態様９］  前記レジスト像マークは、前記位置合わせ用マークの内側にあることを特徴とする実施態様７記載の露光装置。
【００５３】
［実施態様１０］  前記位置合わせ用マークは、前記レジスト像マークの内側にあることを特徴とする実施態様７記載の露光装置。
【００５４】
［実施態様１１］  前記位置合わせ用マークと前記レジスト像マークは少なくとも一部が重なっていることを特徴とする実施態様７記載の露光装置。
【００５５】
［実施態様１２］  請求項１乃至５いずれか１項に記載の被露光体とマスクとの位置合わせを行い、前記被露光体を露光することを特徴とする露光装置。
【００５６】
［実施態様１３］  請求項６に記載の位置合わせ方法を用いて前記被露光体と前記マスクとの位置合わせを行い、前記被露光体を露光することを特徴とする露光装置。
【００５７】
［実施態様１４］  請求項７乃至１３いずれか１項に記載の露光装置を用いて被露光体を露光する工程と、前記露光した被露光体を現像する工程とを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【００５８】
【発明の効果】
本発明によれば、マスクとウェハとを高精度に重ね合わせると共に、効率よくウェハに回路パターンを転写することが可能な位置合わせ用マークを有する被露光体及びそれを用いた位置合わせ方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の位置合わせ用マークを有する被露光体を観察する位置合わせ観察光学系を有する露光装置の概略図である。
【図２】本発明の位置合わせ用マークを計測する合わせずれ計測装置を示す概略図である。
【図３】本発明の位置合わせ用マークを示す概略図である。
【図４】本発明の位置合わせ用マークとレジスト像マークを示す概略図である。
【図５】本発明の位置合わせ用マークの変形例である位置合わせ用マークを示す概略図である。
【図６】本発明の位置合わせ用マークとレジスト像マークの変形例である位置合わせ用マークとレジスト像マークを示す概略図である。
【図７】本発明の位置合わせ方法を説明するためのフローチャートである。
【図８】位置合わせ用マークの一例を示す概略平面図である。
【図９】合わせずれ計測用マークの一例を示す概略平面図である。
【符号の説明】
１４０                ウェハ
１５０                位置合わせ用マーク
１５１                第１のマーク
１５２                第２のマーク
１５３                フォトレジスト
１５５                レジスト像マーク
α                    露光装置での位置合わせ観察光学系計測可能領域
β                    合わせずれ計測装置での計測可能領域
【図１】
2004247614.tif 000004
【図２】
2004247614.tif 000005
【図３】
2004247614.tif 000006
【図４】
2004247614.tif 000007
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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