(57)【要約】      （修正有）【課題】表示特性を向上させるためのアレー基板を提供し、前記したアレー基板を有する液晶表示装置を提供する。【解決手段】  アレー基板及びこれを有する液晶表示装置において、信号線ＧＬ、前記信号線ＧＬ上に形成された第１絶縁膜１２２、前記第１絶縁膜１２２上に前記信号線ＧＬとオーバーラップされて形成され、外部から提供された信号を、前記信号線を通じて放電させるために前記信号線と電気的に連結される画素電極１５０を有する。第２絶縁膜１４０は、前記画素電極１５０と前記第１絶縁膜１２２との間に介在され、前記画素電極１５０と信号線ＧＬがオーバーラップされた領域で前記第１絶縁膜１２２を露出させるための開口部１６５を有する。従って、液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。【選択図】図３
2004310110.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号線と、
前記信号線上に形成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に前記信号線とオーバーラップされて形成され、外部から提供された信号を、前記信号線を通じて放電させるために、前記信号線と電気的に連結される画素電極と、
前記画素電極と前記第１絶縁膜との間に介在され、前記画素電極と信号線とがオーバーラップされた領域で前記第１絶縁膜を露出させるための開口部を有する第２絶縁膜と、を含むことを特徴とするアレー基板。
【請求項２】
前記画素電極は、
透過電極と、
前記透過電極上に具備されて前記透過電極を露出させるための透過窓を有する反射電極と、で構成されることを特徴とする請求項１記載のアレー基板。
【請求項３】
前記第２絶縁膜は、前記透過窓が具備された透過領域より前記反射電極が具備された反射領域で厚い厚さを有することを特徴とする請求項２記載のアレー基板。
【請求項４】
前記信号線は、前記透過領域に形成され、前記透過電極とオーバーラップされることを特徴とする請求項３記載のアレー基板。
【請求項５】
前記信号線は、前記反射領域に形成され、前記反射電極とオーバーラップされることを特徴とする請求項３記載のアレー基板。
【請求項６】
前記第２絶縁膜は、前記反射領域で凸凹構造を有する有機絶縁膜であることを特徴とする請求項３記載のアレー基板。
【請求項７】
ゲートラインと、
前記ゲートラインと直交するデータラインと、
前記ゲートラインに連結されたゲート電極、前記データラインに連結されたソース電極及び前記画素電極に連結されたドレーン電極で構成された薄膜トランジスタと、を更に含むことを特徴とする請求項１記載のアレー基板。
【請求項８】
前記信号線は、前記ゲートラインであることを特徴とする請求項７記載のアレー基板。
【請求項９】
前記第１絶縁膜は、
前記信号線上に具備されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に介在された無機絶縁膜と、で構成されたことを特徴とする請求項７記載のアレー基板。
【請求項１０】
前記画素電極は、反射電極であることを特徴とする請求項１記載のアレー基板。
【請求項１１】
信号線と、前記信号線上に形成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に前記信号線とオーバーラップされて形成され、外部から提供された信号を、前記信号線を通じて放電させるために、前記信号線と電気的に連結される画素電極と、前記画素電極と前記第１絶縁膜との間に介在され、前記画素電極と信号線がオーバーラップされた領域で前記第１絶縁膜を露出させるための開口部を有する第２絶縁膜と、を具備する第１基板と、
前記第１基板と向かい合って共通電極が具備された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に介在された液晶層と、を含む液晶表示装置。
【請求項１２】
前記画素電極は、
透過電極と、
前記透過電極上に具備されて前記透過電極を露出させるための透過窓を有する反射電極と、で構成されたことを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第２絶縁膜は、前記透過窓が具備された透過領域より前記反射電極が具備された反射領域で厚い厚さを有することを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記透過電極と前記共通電極との第１距離は、前記反射電極と前記共通電極との第２距離より大きいことを特徴とする請求項１３記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記信号線は、前記透過領域で前記透過電極とオーバーラップされることを特徴とする請求項１３記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
基板と、
基板上に形成された信号線と、
前記信号線上に形成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成され、少なくとも前記信号線と対応する位置で前記第１絶縁膜を露出させるための開口部が形成された第２絶縁膜と、
前記信号線と対応する位置を含んで前記開口部を通じて露出された前記第１絶縁膜と接触されるように第２絶縁膜上に形成された画素電極と、を含むことを特徴とするアレー基板。
【請求項１７】
前記第１絶縁膜には、前記画素電極と前記信号線を電気的に連結して前記画素電極に印加された信号を放電させるためのコンタクトホールが選択的に形成されることを特徴とする請求項１６記載のアレー基板。
【請求項１８】
前記画素電極は、
透過電極と、
前記透過電極上に具備されて前記透過電極を露出させるための透過窓を有する反射電極と、で構成されることを特徴とする請求項１７記載のアレー基板。
【請求項１９】
前記信号線は、前記透過窓が具備された透過領域に形成され、前記透過電極とオーバーラップされることを特徴とする請求項１８記載のアレー基板。
【請求項２０】
前記信号線は前記反射領域に形成され、前記反射電極とオーバーラップされることを特徴とする請求項１８記載のアレー基板。
【請求項２１】
前記画素電極は、反射電極であることを特徴とする請求項１６記載のアレー基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アレー基板及びこれを有する液晶表示装置に関し、より詳細には、表示特性を向上させることができるアレー基板及びこれを有する液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示装置は、アレー基板、カラーフィルター基板、アレー基板とカラーフィルター基板との間に介在された液晶層で構成される。
【０００３】
アレー基板は、薄膜トランジスタと電気的に連結される透過電極、及び透過電極の一部領域を露出させながら透過電極上に具備された反射電極で構成された画素電極を含む。
【０００４】
一方、カラーフィルター基板は、光が透過しながら所定の色が発現されるＲ、Ｇ、Ｂ色画素で構成されたカラーフィルター、平坦化膜及び共通電極が順次形成された基板である。
【０００５】
カラーフィルターは、反射効率を最大化するために、Ｒ、Ｇ、Ｂ色画素の間に別のブラックマトリックスを形成せずに、Ｒ、Ｇ、Ｂ色画素が互いに部分的にオーバーラップされる構造を有する。この際、カラーフィルターのＲ、Ｇ、Ｂ色画素の間に段差が発生するので、カラーフィルター上に一般的に平坦化膜を具備する。平坦化膜上には、共通電極が均一な厚さに形成される。
【０００６】
しかし、前記平坦化膜には、工程環境の条件によって、微細塵又は平坦化膜自体の凝集（ａｇｇｒｅｇａｔｉｏｎ）等による突起が形成される。この際、平坦化膜によって形成される突起は、１.０μｍ〜１０μｍの多様なサイズを有する。
【０００７】
平坦化膜に形成された突起は、カラーフィルター基板の共通電極とアレー基板の画素電極のショート（Ｓｈｏｒｔ）を誘発する。即ち、共通電極は平坦化膜上に均一な厚さに形成されるので、平坦化膜に形成された突起の高さだけ突出され、共通電極と画素電極とが電気的にショートされる可能性がある。これにより、液晶表示装置の画面上にショートが発生された画素が相対的に白く見えるハイピクセル（ｈｉｇｈ  ｐｉｘｅｌ）が発生する。特に、セルギャップが低くなるほど、平坦化膜の不均一による突起の数が増加され、これによるハイピクセルの発生確率が増加される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、表示特性を向上させるためのアレー基板を提供する。
【０００９】
本発明は、前記したアレー基板を有する液晶表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の特徴によるアレー基板は、信号線と、前記信号線上に形成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成された画素電極及び前記第１絶縁膜と画素電極との間に形成された第２絶縁膜と、を含む。
【００１１】
前記画素電極は、前記第１絶縁膜上に前記信号線とオーバーラップされて形成され、外部から提供された信号を、前記信号線を通じて放電させるために、前記信号線と電気的に連結される。又、前記第２絶縁膜は、前記画素電極と信号線がオーバーラップされた領域で前記第１絶縁膜を露出させるための開口部を有する。
【００１２】
又、本発明の他の特徴による液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板と向かい合って共通電極が具備された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に介在された液晶層と、を含む。
【００１３】
前記第１基板は、信号線と、前記信号線上に形成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に前記信号線とオーバーラップされて形成され、外部から提供された信号を、前記信号線を通じて放電させるために、前記信号線と電気的に連結される画素電極と、前記画素電極と前記第１絶縁膜との間に介在され、前記画素電極と信号線がオーバーラップされた領域で前記第１絶縁膜を露出させるための開口部を有する第２絶縁膜を具備する。
【００１４】
このようなアレー基板及びこれを有する液晶表示装置によると、アレー基板に具備されたゲートラインは、無機絶縁膜を挟んで画素電極とオーバーラップされ、画素電極に印加された信号を放電させるために、画素電極と電気的に連結される。有機絶縁膜は、画素電極とゲートラインとの間で前記無機絶縁膜を露出させるための開口部を有する。従って、液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１は、本発明の一実施例によるアレー基板を示した概略図であり、図２は、図１に図示された画素を具体的に示した平面図である。但し、図１及び図２に図示されたアレー基板は、液晶表示装置に用いられる。
【００１６】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施例によるアレー基板１００は、第１方向Ｄ１に延長されたゲートラインＧＬと、前記第１方向Ｄ１と直交する第２方向Ｄ２に延長されたデータラインＤＬが多数具備された基板である。
【００１７】
前記ゲートラインＧＬと前記データラインＤＬが交差されながら、前記アレー基板１００上にマトリックス形状に多数の画素領域ＰＡを区画する。前記各画素領域ＰＡ内には、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下、ＴＦＴ）１２０及び画素電極が具備される。前記ＴＦＴ１２０のゲート電極１２１は、前記ゲートラインＧＬに連結され、ソース電極１２５は、前記データラインＤＬに連結され、ドレーン電極１２６は、前記画素電極に接続される。
【００１８】
前記画素電極は、透過電極１５０及び反射電極１６０で構成される。前記透過電極１５０は、前記反射電極１６０の下で前記ＴＦＴ１２０のドレーン電極１２６と接続され、前記反射電極１６０は、前記透過電極１５０上に具備され前記透過電極１５０を通じて前記ＴＦＴ１２０のドレーン電極１２６と電気的に連結される。前記反射電極１６０は、前記透過電極１５０の一部分を露出させるための透過窓１６５を有する。従って、各画素領域ＰＡは、前記反射電極１６０が形成された反射領域ＲＡと、前記透過窓１６５が具備された透過領域ＴＡに区分される。
【００１９】
図２では、前記透過領域ＴＡが、前記画素領域ＰＡの一側に位置し、前記透過電極１５０の一部分が、前記ゲートラインＧＬ側に延長され、前記ゲートラインＧＬとオーバーラップされた構造（図中ＯＡ）を図示した。しかし、本発明による画素領域ＰＡの構造は、ここに限定されず、前記透過領域ＴＡの一部分が前記ゲートラインＧＬと隣接するように配置される範囲内で多様に変更することができる。
【００２０】
ここで、前記透過電極１５０は、前記透過領域ＴＡ内で前記ゲートラインＧＬと絶縁された状態でオーバーラップされる。しかし、前記透過電極１５０は、前記ゲートラインＧＬと電気的に連結されることができる。
【００２１】
図３は、図２の切断線Ａ−Ａ′によって切断された画素を具体的に示した断面図であり、図４は、ゲートラインと透明電極が電気的に連結された構造を示した断面図である。
【００２２】
図２及び図３を参照すると、第１基板１１０上には、ゲートラインＧＬ、前記ゲートラインＧＬから分岐されたゲート電極１２１が形成される。前記ゲート電極１２１及び前記ゲートラインＧＬ上には、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）からなるゲート絶縁膜１２２が約４０００Åの厚さに積層される。前記ゲート絶縁膜１２２上には、アクティブ層１２３及びオームコンタクト層１２４が順次積層される。その後、前記第１基板１１０上には、データラインＤＬ、前記データラインＤＬから分岐されたソース電極１２５及び前記ソース電極１２５と分離されたドレーン電極１２６が形成される。これにより、前記第１基板１１０上にＴＦＴ１２０が完成される。
【００２３】
前記ＴＦＴ１２０上には、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）からなる無機絶縁膜１３０が、約２０００Åの厚さに積層され前記ＴＦＴ１２０を保護する。前記無機絶縁膜１３０には、第１コンタクトホール１３１が形成され前記ＴＦＴ１２０のドレーン電極１２６を部分的に露出させる。その後、前記無機絶縁膜１３０上には、アクリル系樹脂からなる有機絶縁膜１４０が、約２〜３μｍの厚さに積層される。前記有機絶縁膜１４０には、前記第１コンタクトホール１３１と対応する第２コンタクトホール１４１が形成され前記ＴＦＴ１２０のドレーン電極１２６を露出させる。
【００２４】
前記透過領域ＴＡにおいて、前記有機絶縁膜１４０は、前記無機絶縁膜１３０を露出させるための開口部１４５を有する。又、前記ゲートラインＧＬをカバーする前記無機絶縁膜１３０は、前記開口部１４５を通じて露出される。一方、光の反射効率及び視野角を向上させるために、前記反射領域ＲＡで前記有機絶縁膜１４０は凸凹構造を有する。
【００２５】
その後、前記有機絶縁膜１４０及び前記開口部１４５を通じて露出された前記無機絶縁膜１３０上には、透明性導電物質であるインジウムティンオキサイド（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ；以下、ＩＴＯ）又はインジウムジンクオキサイド（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ；以下、ＩＺＯ）からなる透過電極１５０が均一な厚さに積層される。前記透過電極１５０は、前記第１及び第２コンタクトホール１３１、１４１を通じて前記ＴＦＴ１２０のドレーン電極１２６と電気的に連結される。又、前記透過領域ＴＡ内には、前記透過電極１５０が前記無機絶縁膜１３０及びゲート絶縁膜１２２を挟んで前記ゲートラインＧＬとオーバーラップされるオーバーラップ領域ＯＡが具備される。
【００２６】
前記透過電極１５０上には、アルミニウムネオジム（ＡｌＮｄ）からなる単一膜又はアルミニウムネオジム（ＡｌＮｄ）とモリブデンタングステン（ＭｏＷ）からなる二重膜構造を有する反射電極１６０が均一な厚さに積層される。前記反射電極１６０は、前記透過電極１５０を露出させるための透過窓１６５を具備する。一方、凸凹構造を有する前記有機絶縁膜１４０によって前記反射電極１６０も凸凹構造を有する。従って、前記反射電極１６０は、液晶表示装置の光の反射効率及び視野角を向上させることができる。
【００２７】
前記アレー基板１００自体の欠陥又は前記アレー基板１００の外部的な要因により前記画素に不良、例えばハイピクセルが発生する虞がある。このようなハイピクセル現象を防止するために、図４に示したように、前記オーバーラップ領域ＯＡで、前記透過電極１５０は、前記ゲートラインＧＬと電気的に連結されることができる。即ち、前記透過電極１５０と前記ゲートラインＧＬがオーバーラップされた領域ＯＡにレーザーを照査すると、前記無機絶縁膜１３０及びゲート絶縁膜１２２が融けて、前記透過電極１５０は前記ゲートラインＧＬと電気的に連結される。従って、ハイピクセルが発生される画素を非活性化状態に維持することができるので、表示特性が低下することを防止することができる。
【００２８】
一方、前記透過電極１５０は、前記反射電極１６０と電気的に連結されるので、前記透過電極１５０が前記ゲートラインＧＬと接続されると、結局前記反射電極１６０は、前記ゲートラインＧＬと電気的に連結される。
【００２９】
ここで、前記ゲートラインＧＬは、一つのフレーム（ｆｒａｍｅ）の間、特定な時間の間にのみ、前記ゲートラインＧＬに連結された前記ＴＦＴ１２０を駆動させるのに充分なオン（ｏｎ）電圧を出力し、前記特定時間以外の時間には、オフ（ｏｆｆ）電圧を出力する。
【００３０】
前記透過電極１５０と前記ゲートラインＧＬを電気的に連結させると、前記特定時間以外の時間の間に前記透過電極１５０は、前記オフ（ｏｆｆ）電圧を維持することができる。従って、ハイピクセルのような不良が発生された画素が不良な状態に動作することを防止して前記液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。
【００３１】
図５は、本発明の他の実施例によるアレー基板の画素を具体的に示した平面図であり、図６は、図５の切断線Ｂ−Ｂ′により切断された画素を具体的に示した断面図である。
【００３２】
図５及び図６を参照すると、本発明の他の実施例によるアレー基板は、第１方向Ｄ１に延長されたゲートラインＧＬと前記第１方向Ｄ１と直交する第２方向Ｄ２に延長されたデータラインＤＬにより区画された画素領域を具備する。
【００３３】
前記画素領域内には、ＴＦＴ１２０、透過電極１５０及び反射電極１６０が具備される。前記ＴＦＴ１２０のゲート電極１２１は、前記ゲートラインＧＬに連結され、ソース電極１２５は前記データラインＤＬに連結され、ドレーン電極１２６は前記透過電極１５０及び反射電極１６０にそれぞれ接続される。
【００３４】
前記透過電極１５０は、前記反射電極１６０の下で前記ＴＦＴ１２０のドレーン電極１２６に直接的に接続され、前記反射電極１６０は、前記透過電極１５０上に具備され、前記透過電極１５０を通じて前記ＴＦＴ１２０のドレーン電極１２６と電気的に連結される。前記反射電極１６０は、部分的に開口された透過窓１６５が形成され前記透過電極１５０の一部分を露出させる。従って、前記画素領域は、前記反射電極１６０が形成された反射領域ＲＡと前記透過窓１６５が具備された透過領域ＴＡに区分される。
【００３５】
ここで、前記反射領域ＲＡ内には、前記反射電極１６０が前記ゲートラインＧＬと絶縁された状態でオーバーラップされるオーバーラップ領域ＯＡが具備される。
【００３６】
図５及び図６に示したように、第１基板１１０上には、ゲートラインＧＬ、前記ゲートラインＧＬから分岐されたゲート電極１２１が形成される。前記ゲート電極１２１及び前記ゲートラインＧＬ上には、ゲート絶縁膜１２２が積層される。前記ゲート絶縁膜１２２上には、アクティブ層１２３及びオームコンタクト層１２４が順次積層される。以後、前記第１基板１１０上には、データラインＤＬ、前記データラインＤＬから分岐されたソース電極１２５及び前記ソース電極１２５と分離されたドレーン電極１２６が形成される。これにより、前記第１基板１１０上にＴＦＴ１２０が完成される。
【００３７】
前記ＴＦＴ１２０上には、無機絶縁膜１３０が積層され前記ＴＦＴ１２０を保護する。前記無機絶縁膜１３０は、前記ＴＦＴ１２０のドレーン電極１２６を露出させるための第１コンタクトホール１３１を具備する。以後、前記無機絶縁膜１３１上には、アクリル系樹脂からなる有機絶縁膜１４０が積層される。前記有機絶縁膜１４０は、前記第１コンタクトホール１３１と対応する位置で前記ＴＦＴ１２０のドレーン電極１２６を露出させるための第２コンタクトホール１４１を具備する。
【００３８】
又、前記有機絶縁膜１４０は、前記ゲートラインＧＬと前記反射電極１６０がオーバーラップされるオーバーラップ領域ＯＡで前記無機絶縁膜１３０を露出させるための開口部１４７を更に具備する。
【００３９】
以後、前記有機絶縁膜１４０及び前記開口部１４７を通じて露出された前記無機絶縁膜１３０上には透過電極１５０が積層される。前記透過電極１５０は、前記第１及び第２コンタクトホール１３１、１４１を通じて前記ＴＦＴ１２０のドレーン電極１２６と電気的に連結される。
【００４０】
前記透過電極１５０上には、透過窓１６５を有する反射電極１６０が積層される。又、前記反射電極１６０は、前記オーバーラップ領域ＯＡで前記無機絶縁膜１３０及びゲート絶縁膜１２２を挟んで前記ゲートラインＧＬとオーバーラップされる。
【００４１】
図７は、ゲートラインと反射電極が電気的に連結された構造を示した断面図である。
【００４２】
図７を参照すると、不良が発生された画素は、オーバーラップ領域ＯＡで反射電極１６０とゲートラインＧＬが電気的に連結された構造を有する。
【００４３】
即ち、前記アレー基板の自体欠陥又は前記アレー基板の外部的な要因によってハイピクセル現象が発生すると、前記オーバーラップ領域ＯＡにレーザーを照査して前記反射電極１６０を前記ゲートラインＧＬと電気的に連結させる。
【００４４】
前記透過電極１５０及び反射電極１６０が前記ゲートラインＧＬに電気的に連結されると、前記透過電極１５０及び反射電極１６０がオフ（ｏｆｆ）電圧を維持することができ、これにより不良が発生された画素は非活性化状態に維持される。従って、前記画素が不良な状態に動作することを防止して、前記液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。
【００４５】
図１乃至図７では、画素領域ＰＡ内に、透過領域ＴＡと反射領域ＲＡを具備する半透過型液晶表示装置のみを説明した。しかし、本発明による画素領域ＰＡの構造は、半透過型液晶表示装置に限定されず、前記画素領域が反射領域のみで構成され、反射電極の下部に有機絶縁膜１４０を具備する反射型液晶表示装置にも充分に適用することができる。
【００４６】
図８は、本発明の他の実施例によるアレー基板の平面図である。
【００４７】
図８を参照すると、本発明の他の実施例によるアレー基板は、ゲートラインＧＬ、前記ゲートラインＧＬと絶縁され交差する第１データラインＤＬｎ−１及び第２データラインＤＬｎを具備する。前記第１データラインＤＬｎ−１は、ｎ−１番目データラインであり、前記第２データラインＤＬｎは、ｎ番目データラインである。ここで、ｎは２以上の自然数である。
【００４８】
前記アレー基板は、前記ゲートラインＧＬと前記第１データラインＤＬｎ−１により区画された第１画素領域ＰＡ１及び前記ゲートラインＧＬと前記第２データラインＤＬｎにより区画された第２画素領域ＰＡ２からなる。前記第１及び第２画素領域ＰＡ１、ＰＡ２のそれぞれにはＴＦＴ１２０、透過電極１５０及び反射電極１６０が具備される。この実施例において、前記第１画素領域ＰＡ１と前記第２画素領域ＰＡ２は互いに同一な構造を有するので、これに同一な参照符号を付ける。
【００４９】
前記透過電極１５０と前記反射電極１６０のうち、いずれか一つは、前記ゲートラインＧＬとオーバーラップされる。しかし、図８では、前記透過電極１５０が前記ゲートラインＧＬとオーバーラップされた構造を図示する。前記第１画素領域ＰＡ１の中、第１オーバーラップ領域ＯＡ１で前記透過電極１５０は前記ゲートラインＧＬとオーバーラップされ、前記第２画素領域ＰＡ２の中、第２オーバーラップ領域ＯＡ２で前記透過電極１５０は前記ゲートラインＧＬとオーバーラップされる。
【００５０】
前記アレー基板を製造する過程において、前記第１及び第２画素領域ＰＡ１、ＰＡ２にそれぞれ具備された透過電極１５０が電気的に接続されるか、反射電極１６０が電気的に接続されるか、或いは前記第１及び第２画素領域ＰＡ１、ＰＡ２で透過電極１５０と反射電極１６０が接続される場合が発生する可能性がある。これが互いに電気的に接続される場合、前記第１及び第２画素領域ＰＡ１、ＰＡ２に具備された透過電極１５０又は反射電極１６０に同一な電圧が印加される。これにより、前記アレー基板に形成された前記第１及び第２画素領域ＰＡ１、ＰＡ２は正常的に動作されない。
【００５１】
このような不良が発生する場合、前記第１画素領域ＰＡ１に具備された前記透過電極１５０を前記ゲートラインＧＬと電気的に連結させると、前記第１及び第２画素領域ＰＡ１、ＰＡ２のそれぞれに具備された前記透過電極１５０及び反射電極１６０にオフ（ｏｆｆ）電圧を印加することができる。
【００５２】
即ち、前記第１及び第２画素領域ＰＡ１、ＰＡ２に具備された透過電極１５０又は反射電極１６０が電気的に連結された非正常状態で、前記第１画素領域ＰＡ１に具備された前記透過電極ＧＬを前記ゲートラインＧＬと接続させることにより、前記第２画素領域ＰＡ２に具備された前記透過電極１５０にも前記オフ（ｏｆｆ）電圧を印加することができる。
【００５３】
従って、前記第１及び第２画素領域ＰＡ１、ＰＡ２で不良が発生された二つの画素には動作電圧が提供されないので、これらの画素が非正常状態に動作することを防止することができ、前記液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。
【００５４】
図９は、本発明の他の実施例による液晶表示装置を具体的に示した断面図である。
【００５５】
図９を参照すると、本発明の他の実施例による液晶表示装置４００は、アレー基板１００、前記アレー基板１００と対向するカラーフィルター基板２００及び前記アレー基板１００と前記カラーフィルター基板２００との間に介在された液晶層３００で構成される。
【００５６】
前記アレー基板１００は、ゲートラインＧＬとデータラインにより区画された多数の画素領域内に形成されたＴＦＴ１２０、透過電極１５０及び反射電極１６０をそれぞれ具備する。前記透過電極１５０は、前記ＴＦＴ１２０のドレーン電極１２６と接続され、前記反射電極１６０は、前記透過電極１５０上に具備され前記透過電極１５０を通じて前記ＴＦＴ１２０のドレーン電極１２６と電気的に連結される。
【００５７】
前記反射電極１６０は、前記透過電極１５０の一部分を露出させるための透過窓１６５を有する。従って、各画素領域は、前記反射電極１６０が形成された反射領域ＲＡと前記透過窓１６５が具備された透過領域ＴＡとに区分される。
【００５８】
前記透過電極１５０は、前記透過領域ＴＡ内で前記ゲートラインＧＬと絶縁された状態でオーバーラップされる。しかし、前記透過電極１５０は、前記ゲートラインＧＬと電気的に連結されることができる。一方、前記カラーフィルター基板２００は、第２基板２１０上にカラーフィルター２２０、平坦化膜２３０及び共通電極２４０が順次形成された基板である。
【００５９】
前記カラーフィルター２２０は、光によって赤色に発現されるＲ（Ｒｅｄ）色画素、光によって緑色に発現されるＧ（Ｇｒｅｅｎ）色画素及び光によって青色に発現されるＢ（Ｂｌｕｅ）色画素からなる。この際、前記Ｒ、Ｇ、Ｂ色画素のそれぞれは、隣接する色画素と部分的にオーバーラップされるように形成される。
【００６０】
又、前記カラーフィルター２２０上には、前記Ｒ、Ｇ、Ｂ色画素が互いにオーバーラップされて発生する段差を除去するための平坦化膜２３０が形成される。前記平坦化膜２３０は、感光性有機絶縁膜中の一つであるアクリル樹脂又はポリイミド樹脂からなる有機膜で形成される。前記平坦化膜２３０上には、均一な厚さに共通電極２４０が形成される。前記共通電極２４０は、ＩＴＯ又はＩＺＯ膜のような透明性導電膜で形成される。
【００６１】
図９に示したように、前記カラーフィルター２２０の段差を除去するために、前記平坦化膜２３０を形成する過程で発生する微細塵又は製造工程での不良によって、前記平坦化膜２３０を形成する有機物質が固まって突起２３１が形成されることもある。前記共通電極２４０は、前記突起２３１が形成された前記平坦化膜２３０上にも均一に積層される。
【００６２】
一般に、前記透過領域ＴＡでの前記透過電極１５０と前記共通電極２４０との第１距離ｄ１は、前記反射領域ＲＡでの前記反射電極１６０と前記共通電極２４０との第２距離ｄ２より大きい。即ち、前記液晶表示装置４００は、前記透過領域ＴＡと前記反射領域ＲＡで互いに異なるセルギャップからなる二重セルギャップ構造を有する。
【００６３】
前記反射領域ＲＡでのセルギャップが、前記透過領域ＴＡでのセルギャップより相対的に小さいので、前記突起２３１上に形成された前記共通電極２４０は、前記反射領域ＲＡで前記透明電極１５０上に具備された前記反射電極１６０とショートされる可能性がある。
【００６４】
前記共通電極２４０が、前記反射電極１６０と電気的に連結される場合、前記透過電極１５０及び前記反射電極１６０には、正常的に印加されるべき電圧より高いか、或いは低い電圧が印加される虞がある。このため、前記ショートが発生された領域ＳＡの画素が、前記液晶表示装置４００の画面上で相対的に明るく見えるか、或いは暗く見える。
【００６５】
この際、前記透過電極１５０と前記ゲートラインＧＬがオーバーラップされたオーバーラップ領域ＯＡにレーザーを照査して前記透過電極１５０と前記ゲートラインＧＬを電気的に接続させる。従って、前記透過電極１５０及び反射電極１６０には、前記ゲートラインＧＬを通じて外部からのオフ電圧が提供される。これにより、前記ショートが発生された領域ＳＡの画素が、前記液晶表示装置４００の画面上で大部分暗く見えるようにすることができ、前記液晶表示装置４００の表示特性を向上させることができる。
【００６６】
図９では、前記カラーフィルター２２０がＲ、Ｇ、Ｂ色画素が部分的にオーバーラップされた構造を有することを図示した。しかし、前記カラーフィルター２２０は、Ｒ、Ｇ、Ｂ色画素が所定間隔に離隔され、各色画素の間に遮光膜（図示せず）が介在される構造を有することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
このようなアレー基板及びこれを有する液晶表示装置によると、アレー基板に具備されたゲートラインは、無機絶縁膜を挟んで画素電極とオーバーラップされ、画素電極に印加された信号を放電させるために、画素電極と電気的に連結される。有機絶縁膜は、画素電極とゲートラインとの間に前記無機絶縁膜を露出させるための開口部を有する。
【００６８】
従って、前記ゲートラインと画素電極がオーバーラップされた領域で前記有機絶縁膜が開口部を有するので、誤動作状態の画素電極を容易にゲートラインと電気的に接続させることができる。
【００６９】
又、誤動作状態の前記画素電極に印加された電圧を、前記ゲートラインを通じて放電させることにより、前記液晶表示装置の画面に前記誤動作状態の画素電極領域が相対的に白く見えるハイピクセル現象を防止することができる。その結果、液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。
【００７０】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の一実施例によるアレー基板を示す概略図である。
【図２】図１に図示された画素を具体的に示した平面図である。
【図３】図２の切断線Ａ−Ａ′によって切断された画素を具体的に示した断面図である。
【図４】ゲートラインと透明電極が電気的に連結された構造を示した断面図である。
【図５】本発明の他の実施例によるアレー基板の画素を具体的に示した平面図である。
【図６】図５の切断線Ｂ−Ｂ′によって切断された画素を具体的に示した断面図である。
【図７】ゲートラインと反射電極とが電気的に連結された構造を示した断面図である。
【図８】本発明の他の実施例によるアレー基板の画素を示した平面図である。
【図９】本発明の他の実施例による液晶表示装置を具体的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１００    アレー基板
１１０    第１基板
１２０    ＴＦＴ
１２１    ゲート電極
１２２    ゲート絶縁膜
１２３    アクティブ層
１２４    オームコンタクト層
１２５    ソース電極
１２６    ドレーン電極
１３０    無機絶縁膜
１３１    第１コンタクトホール
１４０    有機絶縁膜
１４１    第２コンタクトホール
１４５，１４７    開口部
１５０    透過電極
１６０    反射電極
１６５    透過窓
２００    カラーフィルター基板
２１０    第２基板
２２０    カラーフィルター
２３０    平坦化膜
２３１    突起
２４０    共通電極
３００    液晶層
４００    液晶表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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