(57)【要約】【課題】  本発明は、確実に本人を認識することができるよう暗証番号やパスワードの表示に工夫した集積回路を有する装置、特にＩＣカードを提供することを課題とする。またさらに、限られた範囲に設けられた表示領域（表示部）において、複数の表示を行うＰＤＡや携帯電話等の携帯用電子機器やその他の物品を提供することを課題とする。【解決手段】  本発明の薄膜集積回路装置において、第１の表示部と、透光性を有する第２の表示部とを積層して設けることを特徴とする。そして、第１の表示部の表示と、透光性を有する第２の表示部の表示と、を重ねることで、表示面積を低減することができ、さらに複雑な暗証番号やパスワードの表示を行うことができる。【選択図】  図１
2004310069.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表示部と、
絶縁膜上に設けられた、互いに分離した複数の半導体膜を能動領域として有する薄膜集積回路と、
前記第１の表示部上に設けられ、前記薄膜集積回路に接続される第２の表示部と、を有することを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項２】
第１の表示部と、
絶縁膜上に設けられた、互いに分離した複数の半導体膜を能動領域として有する薄膜集積回路と、
前記第１の表示部上に設けられ、前記薄膜集積回路に接続される第２の表示部と、を有する薄膜集積回路装置であって、
前記第２の表示部がオフしているときは前記第１の表示部の表示を視認できることを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項３】
第１の表示部と、
絶縁膜の一方の面に設けられた、互いに分離した複数の半導体膜を能動領域として有する薄膜集積回路と、
前記絶縁膜の他方の面に設けられた金属酸化物と、
前記第１の表示部上に設けられ、前記薄膜集積回路に接続される第２の表示部と、を有することを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項４】
第１の表示部と、
絶縁膜の一方の面に設けられた、互いに分離した複数の半導体膜を能動領域として有する薄膜集積回路と、
前記絶縁膜の他方の面に設けられた金属酸化物と、
前記第１の表示部上に設けられ、前記薄膜集積回路に接続される第２の表示部と、を有する薄膜集積回路装置であって、
前記第２の表示部がオフしているときは前記第１の表示部の表示を視認できることを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項５】
第１の表示部と、
絶縁膜の一方の面に設けられた、互いに分離した複数の半導体膜をチャネル形成領域として含む薄膜トランジスタを有する薄膜集積回路と、
前記絶縁膜の他方の面に設けられた金属酸化物と、
前記第１の表示部上に設けられ、前記薄膜集積回路に接続される第２の表示部と、を有することを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項６】
第１の表示部と、
絶縁膜の一方の面に設けられた、互いに分離した複数の半導体膜をチャネル形成領域として含む薄膜トランジスタを有する薄膜集積回路と、
前記絶縁膜の他方の面に設けられた金属酸化物と、
前記第１の表示部上に設けられ、前記薄膜集積回路に接続される第２の表示部と、を有する薄膜集積回路装置であって、
前記第２の表示部がオフしているときは前記第１の表示部の表示を視認できることを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記第１の表示部は写真であることを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記第２の表示部は両面出射型の発光装置であることを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記第２の表示部は、前記第１の表示部に固定して設けられていることを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項１０】
請求項３乃至９にいずれか一において、前記金属酸化物はＷ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒから選ばれた元素、前記金属を主成分とする合金、及び前記金属の化合物のいずれかの酸化物であることを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項１１】
請求項３乃至１０のいずれか一において、前記金属酸化物はＷＯ2又はＷＯ3であることを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記第１の表示部と前記第２の表示部とは同程度の表示面積を有することを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記第１の表示部と前記第２の表示部とを合わせて文字、図形、記号、又はこれらを結合したものを表示することを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一において、前記第１の表示部は静止画を表示することを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一において、前記第２の表示部は動画を表示することを特徴とする薄膜集積回路装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５に記載の薄膜集積回路装置は、ICカードであることを特徴とする薄膜集積回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリやマイクロプロセッサ（ＣＰＵ）などの集積回路を内蔵した薄膜集積回路装置、特にＩＣカード、又はＰＤＡや携帯電話機を代表とする携帯用電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＣカードを利用する分野が多くなり、より多機能性を持つＩＣカードの需要が増えてきている。このような反面、ＩＣカードの不正利用が増加し、対策が急がれている。不正利用対策としては、本人認証を正確に行う方法が挙げられる。  一般に市販されているＩＣカードにおける本人認証方法としては、暗証番号やパスワードによる管理、又はカードの一部に顔写真を掲載する方法がある。また、本人確認データが内蔵されたＩＣカードを用いて、外部の入力装置からの本人に関するデータと、ＩＣカードから読み出される本人確認データとを照合する確認方法がある（特許文献１参照）。またユーザが、指紋データとログオンＩＤが予め記憶されたＩＣカードを読取／認証装置に挿入し、読取／認証装置の指紋読取面から指紋画像を読み込ませる方法がある（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２０００−２１５２９５号公報
【特許文献２】特開２００２−２５８９７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、暗証番号やパスワード又はカードの一部に顔写真を掲載する場合、盗難や紛失時に本人以外の者が改変し、不正利用されてしまう恐れがあった。  また、カードの表示領域は限られおり、提供できる情報量は限度があった。
【０００４】
またさらに特許文献１に開示されるように、外部の入力装置に本人（個人）に関するデータが表示される場合、個人情報が第３者、特に外部装置を管理する者へ流出する不安があった。また特許文献２に開示されるように、指紋センサを搭載した読取／認証装置を用いる場合、当該装置を有する必要があり、設備投資にコストがかかってしまう。
【０００５】
そこで本発明は、特に表示領域に工夫を凝らした集積回路を有する装置、例えばＩＣカードを提供することを課題とする。またさらに、限られた範囲に設けられた表示領域（表示部）において、複数の表示を行うことができるＩＣカード、ＰＤＡや携帯電話機等の携帯用電子機器、又はその他の装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を鑑み、本発明の薄膜集積回路を有する装置（以下、薄膜集積回路装置と表記する）において、第１の表示部と、透光性を有する第２の表示部とを積層して設けることを特徴とする。本発明により、第１の表示部の表示（第１の表示）と、透光性を有する第２の表示部の表示（第２の表示）と、を重ねることで、少ない表示領域の面積であっても多くの情報を提供することができる。すなわち、表示領域の面積を低減することも可能となる。
【０００７】
第１の表示は静止画（静止映像）又は動画（動画映像）である。例えば静止画の表示には、文字、図形、記号、若しくはそれらを結合した表示、例えば描写したものや印刷したもの、または写真を用いることができる。特に、本発明を利用するＩＣカードの場合、使用者の顔写真を用いるとよい。また動画の表示には、液晶表示装置、又は発光装置（ＥＬ素子等の自発光素子を有する表示装置）、電子ペーパ等を利用することができる。
【０００８】
第２の表示は静止画又は動画であり、例えば上方及び下方に発光が行われる両面出射型の発光装置を用いればよい。両面出射型の発光装置は、上方及び下方から光が出射されるように設計されるため、該発光装置の画素部は透光性を有している。
【０００９】
発光装置としては、パッシブマトリクス型とアクティブマトリクス型のいずれも用いることができる。特に、パッシブマトリクス型は画素部にスイッチングとして機能する半導体素子が形成されていないため、透光性が高く、好ましい。
【００１０】
発光装置の表示方法としては、フルカラー表示、マルチカラー表示、又は白黒表示がある。さらにフルカラー表示は、ＲＧＢを塗り分けて発光素子を形成する場合と、発光素子全体を白色発光材料で形成しＲＧＢのカラーフィルターを用いる場合がある。マルチカラー表示は、各種発光色を所定の位置に配置して発光させる。
【００１１】
なお本発明において、静止画と動画の積層順はどちらでもよい。すなわち本発明は、複数の表示部を積層し、上方に設けられる表示部が透光性を有していればよい。
【００１２】
なお、本発明の薄膜集積回路とは、非常に薄い半導体膜を能動領域として有する集積回路である。そして、薄膜集積回路は、プラスチック材料などを有するフレキシブル（可撓）性を有する基板（フィルム基板と表記する）に形成することができる。そのため、本発明の薄膜集積回路は、従来のシリコンウェハに形成される集積回路（いわゆるＩＣチップ）と比べて非常に軽く、薄膜化することができ、落としても破壊しにくいという特徴を有する。従って本発明の薄膜集積回路は、軽量、薄膜化、高い破壊強度が必要とされるＩＣカード等の薄膜集積回路装置に適している。また本発明の薄膜集積回路を利用して、発光装置の画素部や駆動回路部を形成しても構わない。
【００１３】
また本発明の特徴である第１の表示部と、第２の表示部とを積層する構成は、薄膜集積回路装置以外に使用することもできる。例えばＰＤＡや携帯電話機を代表とする携帯用電子機器にも適応できる。この場合、第１の表示部には写真、液晶表示装置、発光装置、又は電子ペーパ等を利用することができる。そして透光性を有する第２の表示部には、両面出射型の発光装置を利用すればよい。
【００１４】
このように本発明は、薄膜集積回路装置や携帯用電子機器の表示領域で複数の表示を行うことができ、多くの情報を提供することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、薄膜集積回路装置、携帯用電子機器、その他の商品における所定の表示領域で第１の表示部と、透光性を有する第２の表示部とを積層して設けることにより、表示面積を低減することができ、さらに複数の表示が行えるため多くの情報や複雑な表示を提供することができる。そして薄膜集積回路装置、携帯用電子機器の高付加価値化を図ることができる。
【００１６】
さらにＩＣカード第１の表示部と、第２の表示部とを重ねて複合的な表示を行って本人確認をすることにより、外部装置から個人情報が流出することを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発 明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から 逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に 理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１８】
（実施の形態１）
図１（Ａ）には本発明の特徴である第１の表示部と、第２の表示部とが重なるように固定された状態の概略図を示す。第１の表示部１０に写真、第２の表示部１１に上述した両面出射型の発光装置を用いる。そして第１の表示を点線で、第２の表示を実線で示す。
【００１９】
図１（Ｂ）には、第２の表示部、すなわち両面出射型の発光装置の電源がオフとなっている状態を示す。両面出射型の発光装置は、電源がオフとなり表示を行わないときは透光性を有するため、第１の表示１２を認識することができる。なお第１の表示部の表示手段は写真に限定されず、液晶表示装置、発光表示装置、又は電子ペーパ等を用いてもよいことは上述の通りである。
【００２０】
そして図１（Ｃ）には、第２の表示部の電源がオンとなっている状態を示し、このとき発光装置の表示、つまり第２の表示１３を認識することができる。このように第２の表示部として両面出射型の発光装置を表示する場合、背面をオン状態とし、表示内容（文字や映像）をオフ状態として表示することができる（図１（Ｃ）ａ．参照）。また背面をオフ状態とし、表示内容をオン状態として表示してもよい（図１（Ｃ）ｂ．参照）。なお背面又は表示内容がオフ状態となっているとき、透光性を有する状態となっている。
【００２１】
さらに両面出射型の発光装置は、電源をオンしているとき、すなわち表示を行っているときであっても、第１の表示を認識できるように設定することができる。例えば、表示装置の発光強度を調節したり、第１の表示部に、発光装置からの光に反応するインク（例えば、蛍光インク）を用いた画像を用いればよい。またさらに、第２の表示部において、背面をオフ状態として文字を表示する場合であっても、透光性を有する領域が多いため第１の表示を認識することができる。この場合、第１の表示部と、第２の表示部とが重なった複合的な表示を行うことができる。
【００２２】
なお、本発明の薄膜集積回路とは、非常に薄い半導体膜を能動領域として有する集積回路である。そして、薄膜集積回路は、プラスチック材料などのフィルム基板に形成することができる。そのため、本発明の薄膜集積回路は、従来のシリコンウェハに形成される集積回路（いわゆるＩＣチップ）と比べて非常に軽く、薄膜化することができ、落としても破壊しにくいという特徴を有する。従って本発明の薄膜集積回路は、軽量、薄膜化、高い破壊強度が必要とされるＩＣカード等の薄膜集積回路装置に適している。また本発明の薄膜集積回路を利用して、発光装置の画素部や駆動回路部を形成してもよい。
【００２３】
また本発明の特徴である第１の表示部と、第２の表示部とを積層する構成は、薄膜集積回路装置以外に使用することもできる。例えばＰＤＡや携帯電話機を代表とする携帯用電子機器にも適応できる。この場合、第１の表示部には写真、液晶表示装置、発光装置、又は電子ペーパ等を利用することができる。そして透光性を有する第２の表示部には、両面出射型の発光装置を利用すればよい。
【００２４】
このように本発明は、薄膜集積回路装置や携帯用電子機器における所定の表示領域で複数の表示を行うことができ、多くの情報を提供することができる。
【００２５】
（実施の形態２）
本実施の形態では、具体的な薄膜集積回路装置の構成についてＩＣカードを例として説明する。
【００２６】
図２（Ａ）には、第１の表示部に写真、第２の表示部には両面出射型の発光装置（両面ＥＬ表示装置）を有する表示領域（表示部）２１と、薄膜集積回路領域２９、表示用の駆動回路（表示周辺回路）３０を有するＩＣカード２０を示す。
【００２７】
図２（Ｂ）には、ａ−ａ’における断面の拡大図を示す。断面図をみると、ＩＣカードの基材２２上に第１の表示部２３が設けられ、第１の表示部上には第２の表示部２４が設けられている。第１の表示部は、写真等を用いればよく、画像を表示する（第１の表示）。そして第１の表示部は、基材上に接着したり、基材に開口部（ザグリ）を形成してから接着してもよい。第２の表示部となる両面出射型の発光装置は、第１の透明導電膜２５及び第２の透明導電膜２６に挟まれた有機化合物を有する層（以下、有機化合物層という）２７を有している。また第２の表示部上には保護膜２８が設けられている。なお保護膜は、薄膜集積回路装置の全体を覆ってもよい。
【００２８】
そして第１及び第２の透明導電膜、有機化合物層は透光性を有しているため、第１の表示を認識することができる。またアクティブマトリクス型の発光装置では、各画素にスイッチングとして機能する半導体素子が設けられているが非常に小さいため、第２の表示部は透明性を有する。またパッシブマトリクス型の発光装置では、スイッチングとして機能する半導体素子がないため、より高い透光性を有する。
【００２９】
また図３（Ａ）は、図２（Ａ）のｂ−ｂ’における断面図を示す。第１の表示部と第２の表示部とが重なって設けられている表示領域（表示部）２１と、薄膜集積回路領域２９が設けられている。薄膜集積回路領域にはＣＰＵ（Central Processing Unit：中央演算装置）や、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random access memory）又はＥＥＰＯＭ（ElectronＩＣally Erasable and Programmable ROM）等のメモリ、Ｉ／Ｏポート、コプロセッサ、インターフェース等が、本発明の薄膜集積回路により形成されている。また薄膜集積回路領域は、本発明の薄膜集積回路により作製される第２の表示部用の信号線駆動回路や走査線駆動回路を有していてもよい。このように非常に薄い本発明の薄膜集積回路により薄膜集積回路領域を形成することは、規定により大きさや厚みが制限されることがあるＩＣカードに適している。
【００３０】
第２の表示部２４は、薄膜トランジスタに接続される第１の透明導電膜２５と、有機化合物層２７と、第２の透明導電膜２６が順次積層している。
【００３１】
図３（Ｂ）には、第１の表示部と第２の表示部との境界周辺の拡大図を示す。基材２２上に設けられた第１の表示部２３上には、第１の表示部を保護したり、薄膜トランジスタへの汚染防止するための保護膜３１が設けられている。保護膜上には、接着剤３２を介して絶縁層３６が設けられ、不純物領域を有する半導体薄膜（半導体膜）３７が設けられている。絶縁層は、単層構造又は積層構造をとることができ、本実施の形態では珪素を有する酸化膜３３と、第１の下地絶縁膜３４と、第２の下地絶縁膜３５とを順次積層している。なお下地絶縁膜も単層構造であっても、３層以上の積層構造でも構わない。また接着剤は、紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は両面テープを用いればよい。
【００３２】
図示しないが、本発明の薄膜集積回路を、剥離したのち第１の表示部上へ転写する場合、第２の表示部の下面に金属酸化物が付着している場合がある。なお、金属酸化物を除去した後に第１の表示部上へ転写する場合もある。
【００３３】
またアンテナを有するＩＣカードの場合、銀、銅やアルミニウムとの導電材料を用いて、印刷法、又はフォトリソグラフィを使用したフォトエッチングによりアンテナを形成すればよい。
【００３４】
なお本実施の形態では、薄膜集積回路装置を用いて説明したが、これに限定されず、携帯用電子機器等にも適応することができる。携帯用電子機器の場合、薄膜集積回路領域や発光装置は、本発明の薄膜集積回路、ガラス上に形成された薄膜トランジスタ、又はシリコンウェハを有するトランジスタを用いて作製することができ、設計の幅が広い。
【００３５】
以上のように第２の表示部が透光性を有するため、積層した表示領域を形成することができ、多様な表示を可能とする。その結果、表示領域の面積を増やすことなく、多種表示を行うことができる。また第１の表示部に写真を使用する場合、表示装置を使用する場合と比べて薄膜集積回路への負担を軽減することができる。そのためＩＣカードのように、規定により大きさが制限されるＩＣカード等の薄膜集積回路装置には、第１の表示部に写真を使用することよい。
【００３６】
（実施の形態３）
本実施の形態では、薄膜集積回路装置であるＩＣカードを例として、具体的な構成を説明する。本実施の形態において、ＩＣカードは表面に電極を有する接触型、内部にアンテナを有する非接触型、それらを複合したハイブリッド型やデュアルインタフェース型のいずれも用いることができる。なお以下の説明において、ＩＣカード表面に形成されて、視認できるものを実線、ＩＣカード内部に形成されているものを点線で示す。
【００３７】
図４（Ａ）には、接触型のＩＣカード４７であって、端子５０と、第１の表示部２３と、第２の表示部２４とを有する。接触型ＩＣカードでは、第１の表示部と、第２の表示部とを重ねて、複合化することで暗証番号やパスワード４１を表示する例を示す。このとき、第２の表示により透光性を有させることで、第１の表示部と、第２の表示部とが重なるように表示でき、表示が重なってはじめて暗証番号やパスワードが完成する。
【００３８】
また図４（Ｂ）には、非接触型のＩＣカード４８であって、アンテナ４２、電流回路、ＣＰＵやメモリ等を含む薄膜集積回路領域２９、第１の表示部２３、第２の表示部２４を有し、アンテナは電流回路を介して薄膜集積回路領域に接続されている。電流回路は、例えばダイオードと、容量とを有する構成であって、アンテナが受信する交流周波を直流に変換する機能を有する。
【００３９】
アンテナの作製条件は適宜設定すればよく、例えば薄膜集積回路の配線材料を用いて所定形状にエッチングして形成したり、印刷法により導電ペースト（具体的には銀、銅、アルミニウム等の導電ペースト）を用いて形成したり、第２の層間絶縁膜に凹部を形成しアンテナ材料を流し込み、エッチバックによりパターニングして形成することができる。またアンテナは、薄膜集積回路の配線と同一のレイヤで同時に形成してもよい。例えば、薄膜集積回路が有するゲート電極、ソース配線、ドレイン配線、信号線、走査線又は電源供給線と同時に形成すればよい。このとき、薄膜集積回路の配線と同一材料で形成することができる。
【００４０】
そして、第１の表示部２３により本人認証をし、第２の表示部２４により個人情報４４を表示させる。また暗証番号やパスワードを表示させてもよい。このとき、第１の表示部が不必要な人に対して透けて見えないように、第２の表示部の表示を設定する。例えば、パスワードにより、第２の表示部の表示を管理すればよい
【００４１】
またさらに図４（Ｃ）には、ハイブリッド型のＩＣカード４９であって、端子５０、アンテナ４２、電流下回路４３、第１の表示部２３、第２の表示部２４を有する。なお、アンテナは上述した方法により形成すればよい。
【００４２】
第１の表示部２３で本人認証のための表示を行い、第２の表示部２４ではその他の多目的な表示４５、例えば残高や経路、さらにはカレンダーや時計等を表示する例を示す。
【００４３】
以上のようなＩＣカードにおいて、第１の表示部に写真を用いる場合、第２の表示部である発光装置からの光により発光する蛍光インクを使用することにより、第１の表示部の表示を強調することができる。そして第１の表示部と、第２の表示部とを複合した表示が可能となる。このとき第２の表示部において、背面をオフ状態（すなわち透明状態）としたり、淡色としたり調整するとより好ましい。
【００４４】
なお、各型のＩＣカードと、第１及び第２の表示部の用途とは、どのように組み合わせても良い。
【００４５】
また本発明は、第２の表示部が透光性を有し、第１の表示部と第２の表示部とが一部でも重なった状態で第１の表示部を認識できればよく、第１の表示部又は第２の表示部が薄膜集積回路装置や携帯用電子機器の全面に設けられていてもよい。但し、ＩＣカードの場合、強度の問題で写真を掲載するための開口部を設ける領域が決まっている等の規定内で行う必要がある。
【００４６】
例えば図５に示すように、ＩＣカードの所定の位置に第１の表示部２３として顔写真を配置する。そして全体に第２の表示部２４を設け、暗証番号やパスワード、時刻又はカレンダー等の多目的な表示を行うことができる。
【００４７】
以上のように、本発明は第１の表示部と、第２の表示部とを重ねて設けるため、限られた表示領域の面積であっても複数の表示を行うことができる。その結果、例えばある表示情報を表示する場合、薄膜集積回路装置や携帯用電子機器における表示領域の面積を低減することができる。
【００４８】
さらに第１の表示部と、第２の表示部とを合わせて本人認証を行って、薄膜集積回路装置又は携帯用電子機器自体でユーザの確認を行うことができる。その結果、外部装置への設備投資を低減することができる。加えて、外部装置からの暗証番号やパスワードの漏洩を防止することができる。また第１の表示部と、第２の表示部とを合わせることにより、複雑なパスワードや暗証番号表示を行うことができる。
【００４９】
また本発明の薄膜集積回路はカードの広範囲に渡って形成されているため、廃棄するとき、簡単に薄膜集積回路領域を切断することができ、カードの不正な再利用を防止することができる。
【００５０】
なお本実施の形態において、表示部が積層することを特徴としており、第１の表示部と、第２の表示部との積層順は任意に設定しても構わない。
【００５１】
（実施の形態４）
本実施の形態では、プリント基板等に形成された薄膜集積回路及び表示部を有する携帯用電子機器であって、第２の表示部を第１の表示部より大きく設計する場合について説明する。
【００５２】
図６（Ａ）には、携帯用電子機器の一例であるＰＤＡを示し、第１の表示部６０と、第２の表示部６１とが積層された表示領域と、コントロール領域６２と、を有している。図６（Ａ）において、第２の表示部のサイズは第１の表示部よりも大きく設定されている。逆に、第１の表示部のサイズを第２の表示部よりも大きくしても構わない。なお第２の表示部はパッシブマトリクス型の発光装置である。
【００５３】
図６（Ｂ）にはプリント基板８０の一方の面に第１の表示部６０と、第２の表示部６１とが設けられ、他方の面に薄膜集積回路領域６３と、信号線駆動回路６４及び走査線駆動回路６５等の駆動回路部が設けられ、全体を保護膜６６で覆う状態の断面図を示す。
【００５４】
本発明において、画素部と駆動回路とを同一面に設けても構わないが、上述のように、表示部（第１又は第２の表示部を有する）と、駆動回路部（薄膜集積回路領域、信号線駆動回路又は走査線駆動回路を有する）とをプリント基板の異なる面にそれぞれ形成すると、表示領域を大きくすることができ好ましい。この場合、一方の面に設けられた信号線、走査線、及び電極と、他方の面に設けられた駆動回路や薄膜集積回路領域とは、プリント基板に形成された貫通部に注入された導電材料（接続配線）６７により接続される。なお、本発明においてコントロール領域に薄膜集積回路領域を設け、薄膜集積回路以外の作製方法により形成してもよい。
【００５５】
図６（Ｃ）にはプリント基板の一方の面を示す。一方の面には第１の表示部６０が配置され、第２の表示部６１用の信号線６８と走査線６９とが交差して設けられている。なお、信号線や走査線にも透明導電膜を用いることで、透光性を有する第２の表示部を提供することができる。
【００５６】
なお図６（Ｃ）では、パッシブマトリクス型の発光装置を示しているが、アクティブマトリクス型の発光装置でも構わない。パッシブマトリクス型の発光装置の場合、画素毎の半導体素子が不要であるため、高い透光性を有する。
【００５７】
また図６（Ｄ）に示すように、プリント基板の他方の面には信号線駆動回路６４及び走査線駆動回路６５と、薄膜集積回路領域６３が設けられている。これら回路は、本発明の薄膜集積回路を用いて作製すると非常に薄く作製できる。
【００５８】
このように表示部と異なる面に回路等を配置することにより、表示領域を広くすることができる。
【００５９】
そして上述したようにプリント基板に形成された貫通部に注入された導電材を用いて接続したり、異方導電性フィルム（ACF：AnisotropＩＣ Conductive Film）を用いて、信号線駆動回路と信号線、走査線駆動回路と走査線が接続されている。またさらに、フリップチップ法を用いて薄膜集積回路を複数個積層してもよい。
【００６０】
最後に保護膜６６を設け、第２の表示部が全面に設けられた携帯用電子機器が完成する。
【００６１】
このように、第１の表示部及び第２の表示部の配置は自由に設計することができる。
【００６２】
本実施の形態では、薄膜集積回路を用いて説明したが、特に携帯用電子機器においては、集積回路や、駆動回路をガラス上の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いて形成しても、シリコンウェハを用いて形成されたトランジスタで形成してもよい。
【００６３】
なお本実施の形態は、薄膜集積回路装置に適応することもできる。また本発明の薄膜集積回路を用いると、非常に薄いためＩＣカード等の薄膜集積回路に好適であることは上述の通りである。但し薄膜集積回路装置の一例であるＩＣカードの場合、厚みが規定により制限されるときは、プリント基板の厚さ又は薄膜集積回路の厚さを設定する必要がある。
【００６４】
（実施の形態５）
本実施の形態では、その他の本発明の利用方法について説明する。
【００６５】
図９（Ａ）には、本発明を写真たてに用いる例を示す。まず第１表示９０に写真を用い、第２の表示９１に両面出射型の発光装置を用いて、コメントや時間、更には模様等を表示する。コントロール部９３には、表示の電源や、入力ボタン、切り換えボタン等が設けられている。そして入力ボタンより、コメント内容を更新していくことができる。さらに写真たてには、適宜電源電圧や駆動回路、その他の回路等の両面出射型の発光装置の表示に必要なものを搭載する。
【００６６】
図９（Ｂ）には、本発明を用いた表示シートであって、所定の場所に接着する例を示す。例えば、第１の表示９５に絵又は写真を用い、第２の表示９６に両面出射型の発光装置を用いて、伝言や電子メールの内容を表示する。また、伝言や電子メールの内容を表示するの下方にある第１の表示を、黒色等の画像とすることで、第２の表示の黒表示を行うことが可能となる。さらに表示シートには適宜電源電圧、駆動回路、その他の回路等の両面出射型の発光装置の表示に必要なもの、及び受信するための機能を搭載させる。また本発明のフレキシブル基板を用いて両面出射型の発光装置を作製するため、表示シートは曲面を有する場所に接着してもよく、表示シートは着脱可能となるようにしてもよい。
【００６７】
本発明は、第１の表示部と第２の表示部とが重なって表示を行うことが特徴である。そのため第１の表示部と第２の表示部との大きさや形状は揃っている必要がない。このように本発明の利用範囲は幅広く、あらゆる商品に用いることができる。また本発明の発光装置は非常に薄く形成することができるため、曲面を有する商品に配置することができる。
【００６８】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の薄膜集積回路の作製方法であって、剥離及び転写を用いてフィルム基板に薄膜トランジスタを形成する方法を説明する。
【００６９】
まず図７（Ａ）に示すように第１の基板７０上に、金属膜７１を形成する。なお、第１の基板は後の剥離工程に耐えうる剛性を有していればよく、例えばガラス基板、石英基板、セラミック基板、シリコン基板、金属基板またはステンレス基板を用いることができる。金属膜としては、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、ＮＩＣｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒから選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、或いはこれらの積層を用いることができる。金属膜の作製方法として例えば、金属のターゲットを用いるスパッタリング法により形成すればよい。なお金属膜の膜厚は、１０ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜７５ｎｍとなるように形成すればよい。
【００７０】
金属膜の代わりに、上記金属が窒化された（例えば、窒化タングステンや窒化モリブデン）膜を用いても構わない。また金属膜の代わりに上記金属の合金（例えば、ＷとＭｏとの合金：ＷxＭｏ1-X）膜を用いてもよい。この場合、成膜室内に第１の金属（Ｗ）及び第２の金属（Ｍｏ）といった複数のターゲットを用いたり、第１の金属（Ｗ）と第２の金属（Ｍｏ）との合金のターゲットを用いたスパッタリング法により形成することができる。また更に、金属膜に窒素や酸素を添加してもよい。添加する方法として例えば、金属膜に窒素や酸素をイオン注入したり、成膜室を窒素や酸素雰囲気としてスパッタリング法により形成したりすればよく、このときターゲットとして窒化金属材料を用いてもよい。
【００７１】
スパッタリング法を用いて金属膜を形成する場合、基板の周縁部の膜厚が不均一になるときがある。そのため、ドライエッチングによって周縁部の膜を除去することが好ましい。その際、第１の基板がエッチングされないために、第１の基板７０と金属膜７１との間に窒化酸化珪素（ＳｉＯＮやＳｉＮＯ）膜等の窒素を有する絶縁膜を１００ｎｍ程度形成するとよい。
【００７２】
このように金属膜の形成方法を適宜設定することにより、剥離工程を制御することができ、プロセスマージンが広がる。すなわち、例えば、金属の合金を用いた場合、合金の各金属の組成比を制御することにより、剥離工程を制御できる。具体的には、剥離するための加熱温度の制御や、加熱処理の要否までも制御することができる。
【００７３】
その後、金属膜７１上に被剥離層７２を形成する。この被剥離層は珪素を有する酸化膜と、半導体膜と、更に両面出射型の発光装置の素子を有しており、非接触型ＩＣカード等の場合にはアンテナを有してもよい。また両面出射型の発光装置において、被剥離層となり得る状態は多数ある。例えば、第１の透明導電膜を形成した状態で剥離を行う場合、発光材料を形成した状態で剥離を行う場合、その他の素子形成の状態で剥離を行う場合、形成された素子全てが被剥離層となり得る。
【００７４】
被剥離層７２、特に半導体膜より下面には、金属膜や基板からの不純物やゴミの侵入を防ぐため、窒化珪素（ＳｉＮ）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＯＮやＳｉＮＯ）膜等の窒素を有する絶縁膜を下地膜として設けると好ましい。
【００７５】
珪素を有する酸化膜は、スパッタリング法やＣＶＤ法により酸化シリコン、酸化窒化シリコン等を形成すればよい。なお珪素を有する酸化膜の膜厚は、金属膜の約２倍以上であることが望ましい。本実施の形態では、シリコンターゲットを用いたスパッタリング法により、酸化シリコン膜を膜厚１５０ｎｍ〜２００ｎｍとして形成する。
【００７６】
この珪素を有する酸化膜を形成するときに、金属膜上に当該金属を有する酸化物（金属酸化物）７３が形成される。また金属酸化物は、硫酸、塩酸或いは硝酸を有する水溶液、硫酸、塩酸或いは硝酸と過酸化水素水とを混同させた水溶液又はオゾン水で処理することにより金属膜表面に形成される薄い金属酸化物を用いることもできる。更に他の方法としては、酸素雰囲気中でのプラズマ処理や、酸素含有雰囲気中で紫外線照射することによりオゾンを発生させて酸化処理を行ってもよく、クリーンオーブンを用い２００〜３５０℃程度に加熱して形成してもよい。
【００７７】
金属酸化物の膜厚は、０．１ｎｍ〜１μｍ、好ましくは０．１ｎｍ〜１００ｎｍ、更に好ましくは０．１ｎｍ〜５ｎｍとなるように形成すればよい。
【００７８】
なお半導体膜と金属膜との間に設けられた珪素を有する酸化膜や下地膜等を合わせて絶縁層と表記する。すなわち、金属膜と、金属酸化物と、絶縁層と、半導体膜とが積層された状態、つまり絶縁層の一方の面に半導体膜が設けられ、他方の面に金属酸化物及び金属膜が設けられる構造となっていればよい。
【００７９】
また半導体膜に所定の作製工程を施し、半導体素子、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成する。薄膜トランジスタ以外に、有機ＴＦＴ、薄膜ダイオード等も形成する。これらの半導体素子が薄膜集積回路のＣＰＵやメモリ等を構成し、さらに発光素子を駆動するスイッチング素子、駆動回路の素子として用いられる。また半導体素子を保護するために、半導体素子上にDLC或いは窒化炭素（ＣＮ）等の炭素を有する保護膜、又は窒化珪素（ＳｉＮ）或いは窒化酸化珪素（ＳｉＮＯやＳｉＯＮ）等の窒素を有する保護膜を設けると好ましい。
【００８０】
以上のような被剥離層７２を形成後、詳細には金属酸化物形成後に適宜加熱処理を行い、金属酸化物を結晶化させる。例えば、金属膜にＷ（タングステン）を用いる場合、４００℃程度、好ましくは３８０〜４１０℃、例えば４００℃で加熱処理を行うと、ＷＯ2又はＷＯ3の金属酸化物が結晶状態となる。また被剥離層７２が有する半導体膜を形成後に加熱を行うと、半導体膜の水素を拡散させることができる。この水素により金属酸化物の価数に変化が起こっていると考えられる。このような加熱処理は、選択される金属膜により温度、更には要否を決定することができる。すなわち剥離を容易に行うために、必要に応じて金属酸化物を結晶化しておけばよい。
【００８１】
更に加熱処理は、半導体素子の作製と兼用させて工程数を低減させてもよい。例えば、結晶性半導体膜を形成する場合の加熱炉やレーザ照射を用いて加熱処理を行うことができる。
【００８２】
次いで、図７（Ｂ）に示すように被剥離層７２を第２の基板７４を第１の接着剤７５で貼り付ける。なお、第２の基板７４は第１の基板７０よりも剛性の高い基板を用いることが好ましい。第１の接着剤７５としては剥離可能な接着剤、例えば紫外線により剥離する紫外線剥離型、熱による剥離する熱剥離型或いは水により剥離する水溶性の接着剤、又は両面テープ等を使用するとよい。
【００８３】
そして、金属膜７１が設けられている第１の基板７０を、物理的手段を用いて剥離する（図７（Ｃ））。図面は模式図であるため記載していないが、結晶化された金属酸化物の層内、又は金属酸化物の両面の境界（界面）、すなわち金属酸化物と金属膜との界面或いは金属酸化物と被剥離層との界面で剥がれる。こうして、被剥離層７２を第１の基板７０から剥離することができる。
【００８４】
このとき剥離を容易に行うため、基板の一部を切断し、切断面における剥離界面、すなわち金属膜と金属酸化物との界面付近にカッター等で傷を付けるとよい。
【００８５】
次いで図７（Ｄ）に示すように、剥離した被剥離層７２を、第２の接着剤７６により転写体となる第３の基板７７に貼り付ける。薄膜集積回路装置を作製する場合、第３の基板として装置の基材を用い、直接貼り付けると好ましい。例えば、第１の表示部として写真を貼り付けたＩＣカードの場合、ＩＣカードの基材（塩化ビニル等）に、被剥離層７２を第２の接着剤により貼り付ける。第２の接着剤７６としては紫外線硬化樹脂、具体的にはエポキシ樹脂系接着剤或いは樹脂添加剤等の接着剤又は両面テープ等を用いればよい。また第３の基板が接着性を有する場合は、第２の接着剤は要しない。
【００８６】
またその他の第３の基板の材料は、紙又はポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート或いはポリエーテルスルフォン等のプラスチック材料などのフレキシブル性を有するフィルム基板を用いることができ、その後薄膜集積回路装置の基材へ貼り付けてもよい。
【００８７】
次いで、第１の接着剤７５を除去し、第２の基板７４を剥がす（図７（Ｅ））。具体的には、第１の接着剤を剥がすために紫外線照射を照射したり、加熱したり、水洗したりすればよい。
【００８８】
なお第１の接着剤の除去と、第２の接着剤の硬化は一工程で行ってもよい。例えば、第１の接着剤と第２の接着剤とを、それぞれ熱剥離型樹脂と熱硬化型樹脂、又は紫外線剥離型樹脂と紫外線硬化型樹脂とを用いる場合、一度の加熱や紫外線照射により除去と硬化とを行うことができる。なお第３の基板の透光性等を考慮して適宜接着剤を選択することが必要である。
【００８９】
その後、保護膜を形成したり、ラミネート加工等を施し、本発明の薄膜集積回路装置が完成する。
【００９０】
なお金属酸化物７３は、薄膜集積回路装置において全て除去されている場合、又は一部或いは大部分が被剥離層下面に点在（残留）している場合がある。なお金属酸化物が残留している場合は、エッチング等により除去してもよい。更にこのとき、珪素を有する酸化膜を除去しても構わない。
【００９１】
また以上のような方法を用いて、大型基板に複数の薄膜集積回路を形成する、いわゆる多面取りにより、大量生産することができ、薄膜集積回路、つまり薄膜集積回路装置の低コスト化を図ることができる。
【００９２】
なお本発明の薄膜集積回路は上述した転写や剥離によって作製する方法以外にも、レーザ照射により第１の基板から被剥離層を剥離したり、第１の基板をエッチング除去して第３の基板へ転写してもよい。
【００９３】
その他の剥離の方法は、フッ酸系のエッチング溶液を用いて剥離層を除去したり、研磨によりガラス基板を除去する方法を採用してもよい。
【００９４】
以上のような本発明の薄膜集積回路は、シリコンウェハで作製された集積回路の膜厚が５０μｍ程度であるのに対し、膜厚が２５０〜７５０ｎｍ、好ましくは５００ｎｍ以下の薄膜な半導体膜を用いて形成するため非常に薄くなる。例えば、能動素子となる半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、層間絶縁膜と、一層の配線と、保護膜とからなる場合、１５００〜３０００ｎｍといった飛躍的に薄い薄膜集積回路を形成することができる。その結果、特に本発明の薄膜集積回路はＩＣカードのような薄膜集積回路装置に適する。
【００９５】
また、シリコンウェハで作製されたＩＣのように、クラックや研磨痕の原因となるバックグラインド処理を行う必要がなく、また、厚さのバラツキも、半導体膜等の成膜時におけるばらつきに依存することになるので、大きくても数百ｎｍ程度であり、バックグラインド処理による数〜数十μｍのばらつきと比べて格段に小さく抑えることができる。
【００９６】
またさらに、本発明の非常に薄い薄膜集積回路は積層することも可能である。積層する場合、フリップチップ法等により電気的に接続すればよい。特に、ＩＣカードのような面積が限られた薄膜集積回路装置を作製する場合、表示部を積層することは好適である。
【００９７】
（実施の形態７）
本実施の形態では、特に第２の表示部に用いることができる両面出射型の発光装置が備えるELモジュールの作製方法について説明する。
【００９８】
図８（Ａ）には、両面出射型のELモジュールの断面を示す。また図８（Ｂ）には、ＥＬモジュールの発光素子（有機化合物層、第１の透明導電膜及び第２の透明導電膜を有する）の積層構造を拡大したものを示す。
【００９９】
図８（Ａ）において、第１の基材８００、第１の表示部８０１、金属酸化物８０２、下地絶縁膜８０３、ＴＦＴ８２２、第１の透明導電膜（電極）８０５、絶縁物（隔壁、土手とも呼ばれる）８０６、有機化合物層（有機化合物を含む層）８０７、金属薄膜８０８、第２の透明導電膜（電極）８０９、保護膜８１０、空隙８１１、第２の基材８１２である。
【０１００】
第１の基材８００上に設けられたＴＦＴ８２２（ｐチャネル型ＴＦＴ）は、有機化合物層８０７に流れる電流を制御する素子であり、ドレイン領域（またはソース領域）として機能する不純物領域８１３と、チャネル形成領域８１４と、チャネル形成領域上に設けられたゲート電極８１６を有する。また、第１の透明導電膜８０５に接続され、ドレイン領域（またはソース領域）に接続されるドレイン電極（またはソース電極）８１５を有する。また、ドレイン電極８１５と同じ工程で電源供給線やソース配線などの配線８１７が同時に形成される。
【０１０１】
第１の基材８００上には下地絶縁膜（ここでは、下層を窒化絶縁膜、上層を酸化絶縁膜）となる下地絶縁膜８０３が形成されており、ゲート電極８１６と半導体膜との間には、ゲート絶縁膜が設けられている。また、層間絶縁膜８０４は有機材料または無機材料を有するように形成される。ここでは図示しないが、一つの画素には、他にもＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型ＴＦＴ）を一つ、または複数設けている。また、一つのチャネル形成領域８１４を有するＴＦＴを示したが、特に限定されず、複数のチャネルを有するＴＦＴとしてもよい。
【０１０２】
加えて、ここではトップゲート型ＴＦＴを例として説明したが、ＴＦＴ構造に関係なく本発明を適用することが可能であり、例えばボトムゲート型（逆スタガ型）ＴＦＴや順スタガ型ＴＦＴに適用することが可能である。
【０１０３】
また、第１の透明導電膜８０５は、発光素子の陽極（或いは陰極）となる。透明導電膜としては、ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化インジウムに２〜２０％の酸化珪素（ＳｉＯ2）を混合したＩＴＯ−ＳｉＯｘ（便宜上ＩＴＳＯ又はＮＩＴＯと表記する）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を用いることができる。
【０１０４】
また、第１の透明導電膜８０５の端部（および配線８１７）を覆う絶縁物８０６（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）を有している。絶縁物８０６としては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはこれらの積層などを用いることができる。なお本実施の形態では、感光性の有機樹脂上を窒化シリコン膜で覆われた絶縁物を用いる。例えば、有機樹脂の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物の上端部のみに曲率半径を有する曲面を持たせることでき、好ましい。また、絶縁物として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。
【０１０５】
また、有機化合物層８０７は、蒸着法、塗布法、又はインクジェット法を用いて形成する。本実施の形態では、有機化合物層８０７を蒸着装置で成膜を行い、均一な膜厚を得る。なお、信頼性を向上させるため、有機化合物層８０７の形成直前に真空加熱（１００℃〜２５０℃）を行って脱気を行うことが好ましい。例えば、蒸着法を用いる場合、真空度が５×１０-3Ｔｏｒｒ（０．６６５Ｐａ）以下、好ましくは１０-4〜１０-6Ｐａまで真空排気された成膜室で蒸着を行う。蒸着の際、予め、加熱により有機化合物は気化されており、蒸着時にシャッターが開くことにより基板の方向へ飛散する。気化された有機化合物は、上方に飛散し、メタルマスクに設けられた開口部を通って蒸着される。
【０１０６】
なお図８（Ｂ）に示すように、有機化合物層（ＥＬ層ともいう）８０７は、陽極側から順に、ＨＩＬ（ホール注入層）、ＨＴＬ（ホール輸送層）、ＥＭＬ（発光層）、ＥＴＬ（電子輸送層）、ＥＩＬ（電子注入層）の順に積層されている。代表的には、ＨＩＬとしてＣｕＰｃ、ＨＴＬとしてα−ＮＰＤ、ＥＴＬとしてＢＣＰ、ＥＩＬとしてＢＣＰ：Ｌｉをそれぞれ用いる。
【０１０７】
また有機化合物層（ＥＬ層）８０７として、フルカラー表示とする場合、具体的には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光を示す材料を、それぞれ蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法などによって適宜、選択的に形成すればよい。具体的には、ＨＩＬとしてＣｕＰｃやＰＥＤＯＴ、ＨＴＬとしてα−ＮＰＤ、ＥＴＬとしてＢＣＰやＡｌｑ3、ＥＩＬとしてＢＣＰ：ＬｉやＣａＦ2をそれぞれ用いる。また例えばＥＭＬは、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれの発光色に対応したドーパント（Ｒの場合ＤＣＭ等、Ｇの場合ＤＭＱＤ等）をドープしたＡｌｑ3を用いればよい。なお、上記有機化合物層の積層構造に限定されない。
【０１０８】
より具体的な有機化合物層の積層構造を図１０に例示すると、赤色の発光を示す有機化合物層８０７を形成する場合、例えば、ＣｕＰｃを３０ｎｍ形成し、α-ＮＰＤを６０ｎｍ形成した後、同一のマスクを用いて、赤色の発光層としてＤＣＭ2及びルブレンが添加されたＡｌｑ3を４０ｎｍ形成し、電子輸送層としてＢＣＰを４０ｎｍ形成し、電子注入層としてＬｉが添加されたＢＣＰを１ｎｍ形成する。また、緑色の発光を示す有機化合物層を形成する場合、例えば、ＣｕＰｃを３０ｎｍ形成し、α―ＮＰＤを６０ｎｍ成膜した後、同一の蒸着マスクを用いて、緑色の発光層としてクマリン５４５Ｔが添加されたＡｌｑ3を４０ｎｍ形成し、電子輸送層としてＢＣＰを４０ｎｍ形成し、電子注入層としてＬｉが添加されたＢＣＰを１ｎｍ形成する。また、青色の発光を示す有機化合物を含む層を形成する場合、例えば、ＣｕＰｃを３０ｎｍ形成し、α-ＮＰＤを６０ｎｍ形成した後、同一のマスクを用いて発光層としてビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛：Ｚｎ(ＰＢＯ)2を１０ｎｍ形成し、電子輸送層としてＢＣＰを４０ｎｍ成膜し、電子注入層としてＬｉが添加されたＢＣＰを１ｎｍ形成する。
【０１０９】
このような各色の有機化合物層のうち、共通しているＣｕＰｃやα-ＮＰＤは、画素部全面に形成することができる。またマスクは、各色で共有することもでき、例えば、赤色の有機化合物層を形成後、マスクをずらして、緑色の有機化合物層、再度マスクをずらして青色の有機化合物層を形成することができる。なお、各色の有機化合物層の形成順序は適宜設定すればよい。
【０１１０】
また単色発光の例である白色発光の場合、カラーフィルターや色変換層などを別途設けることによってフルカラー表示を行ってもよい。図１１には、白色発光素子に色変換層またはカラーフィルターを設ける例を示す。図１１（Ａ）は白色発光素子と、カラーフィルターとを用いる場合、（Ｂ）は白色発光素子と、色変換層とを用いる場合、（Ｃ）は白色発光素子と、カラーフィルター及び色変換層とを用いる場合の例である。このように色変換層ではなくカラーフィルターを設けてもよく、色変換層とカラーフィルターとを設けてもよい。
【０１１１】
上方に発光する白色光に対するカラーフィルターや色変換層は、第２の基材に設けた後、張り合わせればよい。また、下方に発光する白色光に対するカラーフィルターや色変換層は、ドレイン電極（またはソース電極）８１５を形成後、絶縁膜を介して形成することができる。その後、カラーフィルターや色変換層上に絶縁膜、第２の透明導電膜の順に形成し、ドレイン電極（またはソース電極）８１５と第２の透明導電膜とは、絶縁膜に形成されるコンタクトを介して接続すればよい。
【０１１２】
簡単な表示のみを行う表示装置、照明装置として使用する場合、単色発光（代表的には白色発光）とすればよい。例えば白色発光は、ホール輸送性のポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）に電子輸送性の１，３，４−オキサジアゾール誘導体（ＰＢＤ）を分散させる材料を用いて形成すればよい。また、３０ｗｔ％のＰＢＤを電子輸送剤として分散し、４種類の色素（ＴＰＢ、クマリン６、ＤＣＭ１、ナイルレッド）を適当量分散することで白色発光が得られる。また、赤色発光する有機化合物膜や緑色発光する有機化合物膜や青色発光する有機化合物膜を適宜選択し、混色させることによって全体として白色発光を得ることも可能である。
【０１１３】
また、有機化合物層８０７上には陰極（または陽極）として機能する第２の透明導電膜８０９を有している。第２の透明導電膜の材料としては、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬＩＣａＦ2、ＣａＮなどの合金を、透光性を有するように非常に薄く形成する。または、周期表の１族もしくは２族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により、透光性を有するように非常に薄く形成してもよい。第２の透明導電膜８０９としてＡｌ膜を用いる構成とすると、有機化合物層８０７と接する材料を酸化物以外の材料で形成することが可能となり、発光装置の信頼性を向上させることができる。また、６ｎｍ〜１０ｎｍのアルミニウム膜を形成する前に陰極バッファ層としてＣａＦ2、ＭｇＦ2、またはＢａＦ2からなる透光性を有する層（膜厚１ｎｍ〜５ｎｍ）を形成してもよい。またさらに第１の透明導電膜と同様に、ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を用いることができる。
【０１１４】
また、上面からの発光と下面からの発光との透過率、吸収率、および反射率を同一とするため、および陰極の低抵抗化を図るため、透光性を有するように６ｎｍ〜１０ｎｍの膜厚で形成したＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬＩＣａＦ2、ＣａＮなどの合金等の上に、透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）を膜厚範囲２４０ｎｍ〜２９０ｎｍ、或いは３８０ｎｍ〜５００ｎｍで積層して形成してもよい。その結果、上面からの発光と下面からの発光との表示における差をなくすことができる。またさらに、陰極の低抵抗化を図るため、発光領域とならない領域の第２の透明導電膜８０９上に補助電極を設けてもよい。また、陰極形成の際には蒸着による抵抗加熱法を用い、蒸着マスクを用いて選択的に形成すればよい。
【０１１５】
なお本実施の形態では、ＩＴＯを用いて第２の透明導電膜を形成する。
【０１１６】
また、透光性を有する保護膜８１０はスパッタ法または蒸着法により形成され、第２の透明導電膜８０９を保護するとともに水分の侵入を防ぐ。保護膜８１０は、スパッタ法またはＣＶＤ法により得られる窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜（ＳｉＮＯ膜（組成比Ｎ＞Ｏ）またはＳｉＯＮ膜（組成比Ｎ＜Ｏ））、炭素を主成分とする薄膜（例えばＤＬＣ膜、ＣＮ膜）を用いることができる。これらの保護膜は水分に対して高いブロッキング効果を有している。
【０１１７】
また、保護膜として、第１の無機絶縁膜と、応力緩和膜と、第２の無機絶縁膜との積層からなる保護層を形成してもよい。例えば、陰極を形成した後、第１の無機絶縁膜を５ｎｍ〜５０ｎｍ形成し、蒸着法で吸湿性および透明性を有する応力緩和膜（有機化合物を含む層など）を１０ｎｍ〜１００ｎｍ形成し、さらに再度、第２の無機絶縁膜を５ｎｍ〜５０ｎｍ形成すればよい。また、応力緩和膜と無機絶縁膜との積層を２以上繰り返し積層してもよい。
【０１１８】
こうして形成される保護膜８１０は、有機化合物層を発光層とする発光素子の保護膜として最適である。なお、基板間隔を確保するためのギャップ材を含有するシール材によって、第２の基材８１２と第１の基材８００とが貼り合わされている。
【０１１９】
本実施の形態では第２の基材８１２を構成する材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Fiberglass-Reinforced PlastＩＣs）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板やコーティング膜を用いることができる。
【０１２０】
本実施の形態では、一対の基板間に形成された空隙８１１を不活性気体で充填した例を示すが、透明なシール材を一対の基板間に充填してもよい。充填するシール材としては、透光性を有している材料であれば特に限定されず、代表的には紫外線硬化または熱硬化のエポキシ樹脂を用いればよい。また、透明なシール材を一対の基板間に充填することによって、一対の基板間を不活性気体で充填した場合に比べて全体の透過率を向上させることもできる。
【０１２１】
本実施の形態における剥離等のタイミングは、第１の透明導電膜を形成したのち、剥離を行って、第１の表示部が設けられた基材上に転写し、その後有機化合物層を形成し第２の基材を接着したり、発光層まで形成し、第２の基材を接着したのち、剥離を行って、第１の表示部が設けられた基材上に転写しても構わない。すなわち、本発明の両面出射型の発光装置は、実施の形態５に記載した、剥離や転写を行うタイミングには限定されない。しかし、積層された各層の強度や、界面状態を考慮すると、第１の透明導電膜を形成した後、剥離と転写を行い、薄膜集積回路装置等の基材に転写したのち、発光材料を成膜する方がよい。
【０１２２】
また本発明の薄膜集積回路や発光装置を剥離により形成する場合、金属酸化物８０２が下地絶縁膜８０３の下方に形成されているときがある。上述したように金属酸化物は、点在していたり、除去してもよい。
【０１２３】
このように形成された両面出射型のELモジュールを第２の表示部として設けることで、第１の電極及び第２の電極が透光性を有するため、上面と下面の両方に発光を放出することができ、さらに発光装置自体が透光性を有するため、下方に配置された第１の表示部を認識することができる。また本発明の薄膜集積回路を用いて形成することにより、非常に薄い両面出射型のELモジュールを形成することができ、ＩＣカードに適す。
【０１２４】
（実施の形態８）
第１の表示は静止画（静止映像）又は動画（動画映像）を用いることができる。また、第２の表示は静止画又は動画を用いることができる。そこで本実施の形態では、第１の表示部と、透光性を有する第２の表示部との組み合わせについて説明する。
【０１２５】
まず、第１の表示に静止画を用い、第２の表示に動画を用いる場合を説明すると、第１の表示には、上述のように写真、液晶表示装置、又は発光装置（ＥＬ素子等の自発光素子を有する表示装置）、電子ペーパ等を用いて表示する静止画を用いることができる。また第２の表示には、動画を表示する両面出射型の発光装置を用いることができる。また、第２の表示に静止画を用いる場合、両面出射型の発光装置の画面を静止画とすればよい。
【０１２６】
また第１の表示に動画を用いる場合、液晶表示装置、又は発光装置（ＥＬ素子等の自発光素子を有する表示装置）、電子ペーパ等を利用することができる。このとき、第２の表示に動画を用いる場合両面出射型の発光装置の画面を動画とし、静止画を用いる場合両面出射型の発光装置の画面を静止画とすればよい。
【０１２７】
すなわち本発明において、静止画と動画の積層順はどちらが先でもよく、複数の表示部を積層し、上方に設けられる表示部が透光性を有していればよい。
【０１２８】
このように本発明は、薄膜集積回路装置や携帯用電子機器の表示領域で複数の表示を行うことができ、多くの情報を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２９】
【図１】本発明の表示部を積層する構成を示す図。
【図２】本発明の薄膜集積回路装置の構成を示す図。
【図３】本発明の薄膜集積回路装置の構成を示す図。
【図４】本発明を搭載したＩＣカードを示す図。
【図５】本発明を搭載したＩＣカードを示す図。
【図６】本発明の携帯用電子機器を示す図。
【図７】本発明の薄膜集積回路の作製工程を示す図。
【図８】本発明の透光性を有する発光装置を示す図。
【図９】本発明を搭載する物品例を示す図。
【図１０】本発明の透光性を有する発光装置を示す図。
【図１１】本発明の透光性を有する発光装置を示す図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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