(57)【要約】【課題】精度の良い制御が行えるオートフォーカス制御機能を有するＥＵＶ露光装置を提供する。【解決手段】マスク１４は、転写パターンの形成されているパターン領域１０を有している。照明光学系１によって、このパターン領域１０のうち、円弧状の一括露光フィールド１１が照明され、転写される。スキャン露光では、マスク１４を図の上方、又は下方に向けて移動させ、これによりパターン領域全面が順次照明されるようにする。マスクＡＦ測定装置６は、図に示すような一括露光フィールド１１に合わせた測定点を持つ。この測定点のうち、一括露光フィールド１１の円弧の外側１２、又は内側１３の測定点における測定値については、これらのうち、スキャン前方に相当する測定値を使用する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハ、及びマスクのオートフォーカス用のうち少なくとも一方用の測定点が、円弧状一括露光フィールドに合わせて湾曲して配置されていることを特徴とするＥＵＶ露光装置。
【請求項２】
ウエハ、及びマスクのオートフォーカス用のうち少なくとも一方用の測定点が、円弧状一括露光フィールド内以外に、前記円弧状の露光フィールドの内側円弧の内側と、外側円弧の外側にも配置されていることを特徴とするＥＵＶ露光装置。
【請求項３】
請求項２に記載のＥＵＶ露光装置であって、ＥＵＶ露光装置の、前記円弧状の露光フィールドの内側円弧の内側と、外側円弧の外側に配置された測定点から得られた測定値のうち、実際に露光転写が行われるスキャン露光フィールド内の測定値のみが、オートフォーカス制御に用いられるようにされていることを特徴とするＥＵＶ露光装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に記載のＥＵＶ露光装置であって、オートフォーカス用測定点から得られた測定値のうち、実際に露光転写が行われるスキャン露光フィールド内の測定値のみが、オートフォーカス制御に用いられるようにされていることを特徴とするＥＵＶ露光装置。
【請求項５】
ステップ＆スキャン方式により、１つの露光フィールド内をスキャン動作により露光し、その後隣接する露光フィールドにステップ動作で移動し、その後当該隣接するフィールドをスキャン動作で露光する動作を繰り返すＥＵＶ露光装置であって、ウエハのオートフォーカス用の測定点が、スキャン露光している露光フィールドの次に露光される露光フィールドの位置にも設けられていることを特徴とするＥＵＶ露光装置。
【請求項６】
請求項５に記載のＥＵＶ露光装置であって、スキャン露光している露光フィールドの次に露光される露光フィールドの位置に設けられたオートフォーカス用測定点の測定値を使って、スキャン露光中に次の露光フィールドのウエハ平坦性の測定を行い、その情報を当該次の露光フィールドをスキャン露光時のする際のウエハのオートフォーカス制御に反映させる機能を有することを特徴とするＥＵＶ露光装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のうちいずれか１項に記載のＥＵＶ露光装置を使用して、マスクに形成されたパターンをウエハに露光転写する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＥＵＶ露光装置及び半導体デバイスの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路素子の微細化に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上させるために、従来の紫外線に代わってこれより波長の短いＥＵＶ（極短紫外線）を使用した投影リソグラフィ技術が開発されている。この技術に使用されるＥＵＶ露光装置は、主としてＥＵＶ光源、照明光学系、マスク、投影光学系、ウエハステージ等により構成される。
【０００３】
ＥＵＶ光源には、放射光またはレーザープラズマ光源やＤｅｎｓｅ  Ｐｌａｓｍａ  Ｆｏｃｕｓ光源などが使用される。照明光学系は、斜入射反射鏡、多層膜反射鏡、および所定の波長のＥＵＶのみを反射または透過させるフィルター等により構成され、マスク上を所望の波長のＥＵＶ光で照明する。マスクには反射型マスクが使用される。反射型マスクは、例えばＥＵＶ光を反射する多層膜上に反射率の低い部分を所定の形状に設けることによってパターンを形成したものである。このようなマスク上に形成されたパターンは、複数の多層膜反射鏡で構成された投影光学系により、フォトレジストが塗布されたウエハ上に結像して当該レジストに転写される。なお、ＥＵＶ光は大気に吸収されて減衰するため、その光路は全て所定の真空度に維持されている。
【０００４】
ＥＵＶ光の波長域では、透明な物質は存在せず、また物質表面での反射率も非常に低いため、レンズや反射鏡などの通常の光学素子が使用できない。そのため、ＥＵＶ用の光学系は、反射面に斜め方向から入射したＥＵＶ光を、全反射を利用して反射させる斜入射反射鏡や、多層膜の各界面での反射光の位相を一致させて干渉効果によって高い反射率を得る多層膜がコーティングされたＥＵＶ反射鏡等により構成されている。
【０００５】
反射マスクもこのようなＥＵＶ多層膜反射鏡を利用する。このようなＥＵＶ多層膜反射鏡は、シリコンのＬ吸収端（１２．３ｎｍ）の長波長側でモリブデンとシリコンからなる多層膜を用いたときに最も高い反射率が得られるが、波長１３〜１５ｎｍでは入射角によらず７０％程度である。シリコンのＬ吸収端よりも短波長側では、垂直入射で７０％以上の反射率が得られる多層膜は殆ど開発されていない。多層膜反射鏡の基板材料には、形状精度が高く表面粗さの小さい加工が可能な、石英や低熱膨張ガラス等のガラス材料が用いられている。
【０００６】
投影光学系に使用できる光学素子は、ＥＵＶ多層膜反射鏡のみである。反射鏡のみで構成する場合、細いリング上の露光フィールドを持つ実用的な設計解が得られている。
【０００７】
一方、ＥＵＶリソグラフィでは、高い解像度が得られるが、ＤＯＦ（焦点深度）は狭い。投影光学系を使って露光したときのＤＯＦは、
ＤＯＦ＝ｋ２＊λ／ＮＡ２
で決まる。ＮＡ＝０．２５、λ＝１３．５ｎｍ、ｋ２＝０．６としたときのＤＯＦは１２９．６ｎｍと非常に狭い。従って、転写パターンの空間像面と、実際に露光されるレジストを塗布されたウエハ面を精度良く一致させることが非常に重要である。
【０００８】
一方、ウエハは完全な平坦ではなく、若干の凹凸を持っている。そこで、従来のエキシマレーザーなどを使った露光装置では、露光フィールド内の複数点でウエハの高さ、ウエハ面の角度を測定（オートフォーカス測定）し、ウエハの露光面を転写像の空間像面に合わせるよう、ウエハステージを制御しながら、露光を行っている。この制御はオートフォーカス（ＡＦ）制御と呼ばれて周知となっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来の露光装置では、良好な転写像を得るために様々な工夫がなされている。従来の露光装置では、一括露光する長方形の露光フィールド、或いは、スキャンして露光する矩形の露光フィールドに合わせてオートフォーカス用の測定点が碁盤目の格子点に配置されていた。ＥＵＶ露光装置では、一括露光するフィールドが長方形ではなく、円弧状に曲がったスリット状の形状をしており、従来の複数点測定のオートフォーカス測定装置をそのまま転用しても、ＥＵＶ露光装置の一括露光フィールドの形状と異なるので、本当に必要な円弧状の露光フィールド内のオートフォーカス測定データが得られないという問題があった。
【００１０】
また、前述のように、ＥＵＶ露光装置においてはＤＯＦが非常に狭いので、その分、オートフォーカス制御の精度を上げる必要があるが、そのためには、単なるフィードバック制御では、制御が間に合わないという問題点があった。
【００１１】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、精度の良い制御が行えるオートフォーカス制御機能を有するＥＵＶ露光装置、及びこのＥＵＶ露光装置を使用した半導体デバイスの製造方法を提供することを課題とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するための第１の手段は、ウエハ、及びマスクのオートフォーカス用のうち少なくとも一方用の測定点が、円弧状一括露光フィールドに合わせて湾曲して配置されていることを特徴とするＥＵＶ露光装置（請求項１）である。
【００１３】
本手段においては、ＥＵＶ露光装置のウエハ、及びマスクのオートフォーカス用の測定点のうちいずれか一方又は両方が、ＥＵＶ露光装置の円弧状一括露光フィールドに合わせて湾曲して配置されているので、実際に露光に使用されるマスク面を所定位置に制御したり、実際に露光されるウエハ面を、転写像の空間像面に精度良く合わせるように制御することが可能となる。よって、露光転写精度を向上させることができる。
【００１４】
前記課題を解決するための第２の手段は、ウエハ、及びマスクのオートフォーカス用のうち少なくとも一方用の測定点が、円弧状一括露光フィールド内以外に、前記円弧状の露光フィールドの内側円弧の内側と、外側円弧の外側にも配置されていることを特徴とするＥＵＶ露光装置（請求項２）である。
【００１５】
このように、ＥＵＶ露光装置の円弧状一括露光フィールドの内側円弧の内側と、外側円弧の外側にも、オートフォーカス用測定点を設けることで、スキャン露光時に、スキャン前方のウエハ平坦性の情報が得られる。よって、この情報に基づきスキャン走査を行いながら、オートフォーカス制御として、フィードバック制御に加えてフィードフォワード制御を行えるので、実際に露光に使用されるマスク面を所定位置に制御したり、実際に露光されるウエハ面を、転写像の空間像面に精度良く合わせるように制御することが可能となる。よって、露光転写精度を向上させることができる。
【００１６】
前記課題を解決するための第３の手段は、前記第２の手段であって、ＥＵＶ露光装置の円弧状一括露光フィールドの外側で測定された情報のうち、前記円弧状の露光フィールドの内側円弧の内側と、外側円弧の外側に配置された測定点から得られた測定値のうち、実際に露光転写が行われるスキャン露光フィールド内の測定値のみが、オートフォーカス制御に用いられるようにされていることを特徴とするもの（請求項３）である。
【００１７】
円弧状の一括露光フィールドを使って、矩形のスキャン露光フィールドに対してスキャン露光を行おうとすると、スキャンの初めとスキャンの終わりに円弧状の一括露光フィールドとスキャン露光フィールドが重ならない部分が出てくる。重ならない部分は、露光に使用されないので、この部分における測定値は、不要である。むしろ、その測定値が特異的な凹凸を持った異常値であった場合は、マスクやウエハの露光面の設定誤差になり、転写像の劣化をもたらすこともある。そこで、本手段においては、このような測定値をオートフォーカス制御に使用しないようにされており、それにより転写像の劣化を防止している。
【００１８】
前記課題を解決するための第３の手段は、前記第１の手段又は第２の手段であって、オートフォーカス用測定点から得られた測定値のうち、実際に露光転写が行われるスキャン露光フィールド内の測定値のみが、オートフォーカス制御に用いられるようにされていることを特徴とするもの（請求項４）である。
【００１９】
前記第３の手段においては、前記円弧状の露光フィールドの内側円弧の内側と、外側円弧の外側に配置された測定点から得られた測定値において、実際に露光転写が行われるスキャン露光フィールド内の測定値のみをオートフォーカス制御に用いるようにしている。本手段においては、このような制限に加えて、円弧状一括露光フィールド内に配置された測定点から得られた測定値においても、実際に露光転写が行われるスキャン露光フィールド内の測定値のみをオートフォーカス制御に用いるようにしている。よって、より精度の高いオートフォーカス制御を行うことができる。
【００２０】
前記課題を解決するための第５の手段は、ステップ＆スキャン方式により、１つの露光フィールド内をスキャン動作により露光し、その後隣接する露光フィールドにステップ動作で移動し、その後当該隣接するフィールドをスキャン動作で露光する動作を繰り返すＥＵＶ露光装置であって、ウエハのオートフォーカス用の測定点が、スキャン露光している露光フィールドの次に露光される露光フィールドの位置にも設けられていることを特徴とするもの（請求項５）である。
【００２１】
スキャン中に次々にオートフォーカス用の測定を行い、その測定値を使って次の瞬間のウエハ露光面が適切になるように制御するのは、スキャン速度の向上に伴い困難になってくる。その原因は、オートフォーカス測定値を使ってウエハ露光面が転写像の空間像と一致するような、ステージの高さ、角度を計算し、その位置制御を行うのにある程度の時間がかかるためである。
【００２２】
そこで、手段では、オートフォーカス用測定点を、現在露光しているスキャン露光フィールドの次のスキャン露光フィールド内に設け、スキャン露光しながら、次の露光フィールドの測定を行って、ウエハ面の平坦性をあらかじめ評価することで、計算時間に余裕を持ち、フィードフォワード制御を行うことで、精度良く転写像の空間像面とウエハの露光面を合わせることが可能なようにしている。
【００２３】
前記課題を解決するための第６の手段は、前記第５の手段であって、スキャン露光している露光フィールドの次に露光される露光フィールドの位置に設けられたオートフォーカス用測定点の測定値を使って、スキャン露光中に次の露光フィールドのウエハ平坦性の測定を行い、その情報を当該次の露光フィールドをスキャン露光時のする際のウエハのオートフォーカス制御に反映させる機能を有することを特徴とするもの（請求項６）である。
【００２４】
本手段においては、スキャン露光中に次の露光フィールドのウエハ平坦性の測定を行い、その情報を当該次の露光フィールドをスキャン露光時のする際のウエハのオートフォーカス制御に反映させるようにしているので、次の露光フィールドにおいては、予め測定された測定値に基づいたフィードフォワード制御を、十分な時間の余裕を持って行うことができるようになり、精度良く転写像の空間像面とウエハの露光面を合わせることができる。なお、フィードフォワードに必要な計算は、ステップ中、すなわち、露光を行っていない時間中に行うようにすることが好ましい。
【００２５】
前記課題を解決するための第７の手段は、前記第１の手段から第６の手段のいずれかであるＥＵＶ露光装置を使用して、マスクに形成されたパターンをウエハに露光転写する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法（請求項６）である。
【００２６】
本手段においては、リソグラフィ工程におけるウエハの露光工程に前記第１の手段から第５の手段のいずれかであるＥＵＶ露光装置を使用しているので、露光転写の精度を高め、より微細なパターンを有する半導体デバイスを製造することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態の例について、図を用いて説明する。図１は本発明の実施の形態の１例であるＥＵＶ露光装置の概要図である。以下の説明においては、オートフォーカスをＡＦと略称することがある。
【００２８】
露光装置は照明光学系１、マスク２、投影光学系３、ウエハ４、ウエハＡＦ測定装置５、マスクＡＦ測定装置６、マスクステージ７、ウエハステージ８、制御システム９からなる。
【００２９】
マスク２は、照明光学系１により照明され、マスク上に形成された転写パターンが投影光学系３によってウエハ４上に投影される。このとき、マスクステージ７とウエハステージ８は同期して移動し、それによって実現されるスキャン露光によって広い露光フィールドを得ることができる。
【００３０】
前述のようにＤＯＦが狭いので、ウエハの露光面をマスクの転写空間像に一致させるよう制御を行う。具体的には、マスクＡＦ測定装置６により、マスクのパターン面の高さを計測し、常に一定の高さになるよう、マスクステージ７を制御すると同時に、制御しきれずに残った誤差の情報を制御システム９に送る。マスクＡＦ測定装置６の測定方法や、マスクステージ７を制御する方法は、光学式露光装置における周知の方法と変わるところがないので、その説明を省略する。
【００３１】
図２は、マスクＡＦ装置の測定点の配置の例を示す概要図である。マスク１４は、転写パターンの形成されているパターン領域１０を有している。照明光学系１によって、このパターン領域１０のうち、円弧状の一括露光フィールド１１が照明され、転写される。スキャン露光では、マスク１４を図の上方、又は下方に向けて移動させ、これによりパターン領域１０全面が順次照明されるようにする。
【００３２】
本実施の形態によるマスクＡＦ測定装置６は、図２に示すように、一括露光フィールド１１に合わせた測定点を持つ。この測定点のうち、一括露光フィールド１１の円弧の外側１２、又は内側１３の測定点における測定値については、これらのうち、スキャン前方に相当する測定値を使用する。すなわち、マスク１４が図中の下方に向かって移動しているときは、円弧の外側１２の測定値、マスク１４が図中の上方に向かって移動しているときは、円弧の内側１３の測定値を使用する。これらの測定値は、マスクステージ７を移動させながら、次にマスクステージ７をどの様な高さ、傾きにするのかを計算して、マスクステージ制御にフィードフォワードして使用し、投影光学系の適切な物面とマスク１４のパターン面が一致するように制御する。
【００３３】
一括露光フィールド１１内の測定値からは、物面とマスクパターン面とのズレが計算され、これは、マスクステージ制御に反映される。すなわち、物面が光軸方向に所定量だけずれた場合に、その像の光軸方向のずれ量は、縮小倍率の２乗に比例する。よって、例えば縮小倍率が１／５のとき、マスクを移動させる量の１／２５だけウエハを移動させれば、結像位置をウエハ面に合わせることができる。このため、マスクのＡＦ制御で残った残差を、ウエハのＡＦ制御に反映（フィードフォワード）して、結像面のずれを補正している。
【００３４】
もちろん、一括露光フィールド１１内の測定値を用いて、マスクステージ位置のフィードバック制御をも行うようにし、その上で、残った残差をウエハのＡＦ制御に反映させるようにしてもよい。
【００３５】
一方、ウエハＡＦ測定装置５により、ウエハの表面高さを計測し、常に一定の高さになるよう、ウエハステージ８を制御する。ウエハＡＦ測定装置５の測定方法や、ウエハステージ８を制御する方法は、光学式露光装置における周知の方法と変わるところがないので、その説明を省略する。
【００３６】
図３はウエハＡＦ測定装置の測定点の配置の例を示す概要図である。露光ウエハを搭載したウエハステージは、図中の矢印に従って移動し、それぞれの露光フィールドをスキャンしながらステップ＆スキャン露光を行い、本図ではウエハ上のスキャン露光フィールド１５ａ、１５ｂ、１５ｃを順番にスキャン露光する。
【００３７】
以下の説明は、スキャン露光フィールド１５ｂが露光されているものとして行う。本実施の形態によるウエハＡＦ測定装置の測定点は、円弧状の一括露光フィールド１６内、一括露光フィールド１６の円弧の内側１７及び外側１８、隣接したスキャン露光フィールド内に、それぞれ５カ所設けられている。ウエハの露光面については、一括露光フィールド１６内のＡＦ測定値により、転写パターンの空間像面とウエハの露光面が一致するよう、ウエハ面の高さ、傾きがフィードバック制御される。また、マスクＡＦの測定及び制御と同様に、ウエハＡＦ測定点の内、円弧の内側１７と外側１８の測定値は、ウエハステージのスキャン制御時におけるフィードフォワード制御に使用される。
【００３８】
つまり、図中スキャン露光フィールド１５ａ又は１５ｃの露光を行う場合は、ウエハステージが下方に移動していくが、この場合、スキャン方向の前方に相当する円弧の外側１８の測定値を使用し、ウエハステージの予測制御を行う。一方、スキャン露光フィールド１５ｂの場合は、この逆で、内側１７の測定値を使用する。このようにスキャン方向前方のＡＦ測定値を利用して、転写パターンの空間像面にウエハの露光面を一致させるよう、ウエハステージをフィードフォワード制御する。
【００３９】
このとき、スキャン露光フィールド１５ｂのスタート位置及び終了位置近傍では、ウエハＡＦ測定点は、一部がスキャン露光フィールド１５ｂの外側を測定することになってしまう。そこで、本実施形態では、スキャン露光フィールドと、円弧状の一括露光フィールドとの位置関係から、スキャン露光フィールド１５ｂの外側になってしまうＡＦ測定点の測定値を判別し、これらの測定値を制御計算に使用しないようにしている。こうすることにより、仮にスキャン露光フィールド１５ｂの外側に大きな凹凸のような異常部分があったとしても、その影響を受けず、スキャン露光フィールド１５ｂ内で最適に制御することが可能になる。
【００４０】
また、スキャン露光中、隣接スキャン露光フィールドにあるＡＦ測定点１９の測定値を利用すれば、次のスキャン露光フィールド（例えばスキャン露光フィールド１５ｂの露光をしているときは、スキャン露光フィールド１５ｃ）のウエハの凹凸の情報が得られるので、この情報に基づき、次のフィールドに移るステップ時間を利用して、次のスキャン露光フィールドの露光が始まる前までに、次の露光スキャンのステージ制御パターンを計算で求めることができる。
【００４１】
この制御パターンを利用すれば、更に安定して、ウエハ面の制御を行うことができる。このような制御方法を使用すれば、ステップ中、すなわち露光していないタイミングで計算を行うので、時間のロスが無く、あらかじめ制御パターンを求めておける。よって、スキャンスピードが向上しても制御が遅れること無く、安定して転写パターンを得ることができる。なお、隣接露光フィールド内を測定する場合であっても、その測定値のうち隣接露光フィールドにあるもののみを使用するようにすれば、前述したような効果が得られることはいうまでもない。
【００４２】
図４は、本発明による半導体デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。この例の製造工程は以下の各主行程を含む。
（１）ウエハを製造するウエハ製造工程（又はウエハを準備するウエハ準備工程）
（２）露光に使用するマスクを製作するマスク製造工程（又はマスクを準備するマスク準備工程）
（３）ウエハに必要な加工処理を行うウエハプロセッシング行程
（４）ウエハ上に形成されたチップを１個ずつ切り出し、動作可能にならしめるチップ組立行程
（５）できたチップを検査するチップ検査工程
なお、それぞれの行程はさらに幾つかのサブ行程からなっている。
【００４３】
これらの主行程の中で、半導体のデバイスの性能に決定的な影響を及ぼす主行程がウエハプロセッシング行程である。この行程では、設計された回路パターンをウエハ上に順次積層し、メモリやＭＰＵとして動作するチップを多数形成する。このウエハプロセッシング行程は以下の各工程を含む。
（１）絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、或いは電極部を形成する金属薄膜などを形成する薄膜形成行程（ＣＶＤやスパッタリング等を用いる）
（２）この薄膜層やウエハ基板を酸化する酸化行程
（３）薄膜層やウエハ基板などを選択的に加工するためにマスク（レチクル）を用いてレジストのパターンを形成するリソグラフィ行程
（４）レジストのパターンに従って薄膜層や基板を加工するエッチング行程（例えばドライエッチング技術を用いる）
（５）イオン・不純物注入拡散行程
（６）レジスト剥離行程
（７）さらに加工されたウエハを検査する検査工程
なお、ウエハプロセッシング行程は必要な層数だけ繰り返し行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造する。
【００４４】
図５は、図４のウエハプロセッシング行程の中核をなすリソグラフィ行程を示すフローチャートである。このリソグラフィ行程は以下の各工程を含む。
（１）全段の行程で回路パターンが形成されたウエハ上にレジストをコートするレジスト塗布行程
（２）レジストを露光する露光行程
（３）露光されたレジストを現像してレジストのパターンを得る現像行程
（４）現像されたレジストパターンを安定化させるためのアニール行程
以上の半導体デバイス製造工程、ウエハプロセッシング行程、リソグラフィ行程については、周知のものであり、これ以上の説明を要しないであろう。
【００４５】
上記リソグラフィ行程の中の（２）の露光行程に、本発明によるＥＵＶ露光装置を用いると、良好な転写像が得られるため、半導体デバイスの歩留まりが向上し、かつ、スループットも向上させることができるので、生産性が向上する。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、精度の良い制御が行えるオートフォーカス制御機能を有するＥＵＶ露光装置、及びこのＥＵＶ露光装置を使用した半導体デバイスの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の１例であるＥＵＶ露光装置の概要図である。
【図２】マスクＡＦ装置の測定点の配置の例を示す概要図である。
【図３】ウエハＡＦ測定装置の測定点の配置の例を示す概要図である。
【図４】本発明の露光装置を使った半導体製造プロセスのフローチャートである。
【図５】リソグラフィ行程を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１…照明光学系、２…マスク、３…投影光学系、４…ウエハ、５…ウエハＡＦ測定装置、６…マスクＡＦ測定装置、７…マスクステージ、８…ウエハステージ、９…制御システム、１０…転写パターン領域、１１…一括露光フィールド、１２…円弧の外側のＡＦ測定点群、１３…円弧の内側のＡＦ測定点群、１４…マスク、１５ａ〜１５ｃ…ウエハ上スキャン露光フィールド、１６…一括露光フィールド、１７…円弧の内側のＡＦ測定点群、１８…円弧の外側のＡＦ測定点群、１９…隣接スキャン露光フィールド内のＡＦ測定点群
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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