(57)【要約】【課題】片側の基板に電極と誘電体層を２層に形成する場合に、下側の誘電体層をプラズマＣＶＤ法で形成することにより、下側の誘電体層上に電極を形成する際の下側の誘電体層のウェットエッチャントによる浸食を防止し、さらに、上側の誘電体層形成時の下側の誘電体層への影響をなくす。【解決手段】一方の基板と他方の基板を対向配置し、一方の基板の内側面に下側電極を形成し、その下側電極を第１の誘電体層で覆い、その第１の誘電体層上に上側電極を形成し、その上側電極を第２の誘電体層で覆い、第１と第２の誘電体層の内、少なくとも第１の誘電体層をプラズマＣＶＤ法によって形成する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の基板と他方の基板を対向配置し、一方の基板の内側面に下側電極を形成し、その下側電極を第１の誘電体層で覆い、その第１の誘電体層上に上側電極を形成し、その上側電極を第２の誘電体層で覆い、第１と第２の誘電体層の内、少なくとも第１の誘電体層をプラズマＣＶＤ法によって形成してなるプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記下側電極が複数の帯状の主電極からなり、前記上側電極が、その複数の帯状の主電極に対して交差する方向に配置された複数の帯状の選択用電極からなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記他方の基板の内側面には、選択用電極と選択用電極との間に隔壁が形成され、選択用電極が、隔壁対応位置に配置され隔壁に沿って延びる金属電極と、その金属電極から放電空間に向かって張り出した透明電極とからなる請求項２記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記他方の基板の隔壁と隔壁との間に、前記複数の帯状の主電極と交差する方向に複数の帯状の背面側電極が形成されてなる請求項３記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記下側電極が複数の帯状の主電極対からなり、前記上側電極が、その主電極対と主電極対との間の非放電領域に配置された電荷反転防止用の補助電極からなり、
前記他方の基板の内側面に、前記複数の帯状の主電極対と交差する方向に複数の帯状の選択用背面側電極が形成されてなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記下側電極が複数の帯状の主電極対からなり、前記上側電極が、その主電極対間の放電領域に配置されたプライミング用の補助電極からなり、
前記他方の基板の内側面に、前記複数の帯状の主電極対と交差する方向に複数の帯状の選択用背面側電極が形成されてなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下「ＰＤＰ」とも記す）に関し、さらに詳しくは、対向配置された一対の基板の少なくとも一方の基板の内側面に電極と誘電体層が形成されたＰＤＰに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＰＤＰは、前面側の基板と背面側の基板とを微少間隔設けて対向配置し、周辺を封止して放電空間に放電ガスを充填し、放電空間での放電発生時の発光を利用して表示を行う自己発光型の表示パネルである。
【０００３】
このＰＤＰは、ＤＣ型のものとＡＣ型のものが知られており、ＡＣ型のＰＤＰでは、前面側の基板と背面側の基板の一方、または両方の基板の内側面に放電用の電極を形成した後、その電極を誘電体層で覆うようにしている。
【０００４】
この一例として、特許文献１や特許文献２に記載のようなＰＤＰが知られている。これらのＰＤＰでは、前面側の基板の内側面にフォトエッチングの手法により複数の帯状電極を平行に形成し、その電極を第１の誘電体層で覆った後、その上に再度フォトエッチングの手法により複数の帯状電極を下層の電極と交差する方向に形成し、その電極を第２の誘電体層で覆うようにしている。第１と第２の誘電体層は、一般に鉛系の低融点ガラスペーストを用い、これを印刷などの厚膜形成技術で塗布した後焼成することで形成したり、ホウケイ酸ガラスを蒸着法により形成するようにしている。
【特許文献１】
特開昭５７−７８７５１号公報
【特許文献２】
特開２００１−２８３７３５号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、第１と第２の誘電体層の材料として鉛系の低融点ガラスペーストを用いた場合、第１の誘電体層上に電極を形成する際、第１の誘電体層がフォトエッチング時に用いるウェットエッチャントで浸食されてしまい、電極の形成が困難であるという問題があった。
【０００６】
また、第１の誘電体層は、上述したように低融点ガラスペーストを用い、これを塗布した後、焼成することで形成するようにしているが、第２の誘電体層を焼成する際、第１の誘電体層が溶融してしまうという問題があった。
【０００７】
また、第１の誘電体層をホウケイ酸ガラスを用いて蒸着法で形成すると、ゴミが多く混入し、絶縁破壊を起こし電極間が短絡してしまうという問題があった。
【０００８】
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、片側の基板に電極と誘電体層を２層に形成する場合に、下側の誘電体層をプラズマＣＶＤ法で形成することにより、下側の誘電体層上に電極を形成する際の下側の誘電体層のウェットエッチャントによる浸食を防止し、また、上側の誘電体層形成時の下側の誘電体層への影響をなくし、さらにゴミの混入に起因する電極間短絡をなくすことを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、一方の基板と他方の基板を対向配置し、一方の基板の内側面に下側電極を形成し、その下側電極を第１の誘電体層で覆い、その第１の誘電体層上に上側電極を形成し、その上側電極を第２の誘電体層で覆い、第１と第２の誘電体層の内、少なくとも第１の誘電体層をプラズマＣＶＤ法によって形成してなるプラズマディスプレイパネルである。
【００１０】
本発明によれば、片側の基板に下側電極と第１の誘電体層を形成し、さらにその上に上側電極と第２の誘電体層を形成する場合、少なくとも第１の誘電体層がプラズマＣＶＤ法によって形成されているので、第１の誘電体層上にフォトエッチングで上側電極を形成しても、第１の誘電体層のウェットエッチャントによる浸食を防止することができる。また、第２の誘電体層形成時における第１の誘電体層の溶融を防止することができる。
【００１１】
しかも、プラズマＣＶＤ法で形成した誘電体層は、低融点ガラスペーストを用いて形成した誘電体層や、蒸着法でホウケイ酸ガラスを用いて形成した誘電体層よりも誘電率が低いので、電極間の放電電圧を低下させることができる。さらに、表面平滑性を有するため、第１の誘電体層上に電極を形成しやすい。
【００１２】
これにより、従来よりも高い性能を有するＰＤＰとすることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明において、一方と他方の基板としては、ガラス、石英、セラミック等の基板や、これらの基板上に、電極、絶縁膜、誘電体層、保護膜等の所望の構成物を形成した基板が含まれる。
【００１４】
下側電極は、一方の基板の内側面に形成できるものであればよく、当該分野で公知の材料と方法を用いて形成することができる。例えば、ＩＴＯ、ＳｎＯ２などの幅の広い透明電極と、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造）等からなる金属製の幅の狭いバス電極とで形成することができる。Ａｇ、Ａｕについては印刷のような厚膜形成技術を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の薄膜形成技術とエッチングの技術を用いることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができる。
【００１５】
上側電極は、第１の誘電体層上に形成できるものであればよく、下側電極と同様の材料と方法を用いて形成することができる。
【００１６】
第１の誘電体層は、下側電極を覆うことができるものであればよいが、成膜後に基板のそりが小さく、成膜にクラックが生じないという理由から、プラズマＣＶＤ法によって形成されるのが望ましい。
【００１７】
プラズマＣＶＤ法により形成された誘電体層は、低融点ガラスペーストを用いた誘電体層や、蒸着法を用いたホウケイ酸ガラスの誘電体層と比較して、電極間に電圧が印加された際の絶縁破壊に強い。また、低融点ガラスペーストを用いた誘電体層の誘電率は１２前後、ホウケイ酸ガラスを用いた誘電体層の誘電率は５．７前後であるが、プラズマＣＶＤ法で形成した誘電体層の誘電率は４前後であり、０．３〜０．７倍程度である。このため、電極間の放電電圧を低下させることができる。さらに、表面平滑性を有するため、第１の誘電体層上に電極を形成しやすい。
【００１８】
また、低融点ガラスペーストを用いた誘電体層は電極形成プロセスの際にウェットエッチャントに侵されることがあったが、第１の誘電体層として、プラズマＣＶＤ法で例えばＳｉＯ２膜を形成した場合には、このＳｉＯ２膜はフッ酸以外のウェットエッチャントに侵されないため、電極形成プロセスにおいて変質することがない。
【００１９】
第２の誘電体層は、上側電極を覆うことができるものであればよく、前述したプラズマＣＶＤ法や、低融点ガラスペーストを塗布して焼成することで形成することができる。
【００２０】
上記構成においては、下側電極を複数の帯状の主電極とし、上側電極を、その複数の帯状の主電極に対して交差する方向に配置した複数の帯状の選択用電極としてもよい。
【００２１】
この場合、他方の基板の内側面には、選択用電極と選択用電極との間に隔壁を形成し、選択用電極を、隔壁対応位置に配置され隔壁に沿って延びる金属電極と、その金属電極から放電空間に向かって張り出した透明電極とで形成することが望ましい。
【００２２】
そしてこの場合、他方の基板の隔壁と隔壁との間に、複数の帯状の主電極と交差する方向に複数の帯状の背面側電極を形成してもよい。
【００２３】
また、上記構成においては、下側電極を複数の帯状の主電極対とし、上側電極を、その主電極対と主電極対との間の非放電領域に配置された電荷反転防止用の補助電極とし、他方の基板の内側面に、複数の帯状の主電極対と交差する方向に複数の帯状の選択用背面側電極を形成するようにしてもよい。
【００２４】
また、下側電極を複数の帯状の主電極対とし、上側電極を、その主電極対間の放電領域に配置されたプライミング用の補助電極とし、他方の基板の内側面に、複数の帯状の主電極対と交差する方向に複数の帯状の選択用背面側電極を形成するようにしてもよい。
【００２５】
以下、図面に示す実施の形態に基づいて本発明を詳述する。なお、本発明はこれによって限定されるものではなく、各種の変形が可能である。
【００２６】
実施形態１
図１は本発明のＰＤＰの実施形態１の構成を示す部分斜視図である。このＰＤＰはカラー表示用のＡＣ型３電極面放電形式のＰＤＰであり、前面側の基板に３電極を配置した片側３電極構造のＰＤＰの例である。
【００２７】
本ＰＤＰは、前面側の基板１１を含む前面側のパネルアセンブリと、背面側の基板２１を含む背面側のパネルアセンブリから構成されている。前面側の基板１１と背面側の基板２１としては、ガラス基板、石英基板、セラミック基板等を使用することができる。
【００２８】
前面側の基板１１の内側面には、水平方向に複数の表示電極対Ｘ，Ｙが等間隔に形成されている。なお、表示電極Ｘと表示電極Ｙを単にＸ電極とＹ電極と呼ぶこともある。各表示電極Ｘ，Ｙは、ＩＴＯ、ＳｎＯ２などの幅の広い透明電極１２と、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造）等からなる金属製の幅の狭いバス電極１３から構成されている。表示電極Ｘ、Ｙは、Ａｇ、Ａｕについては印刷のような厚膜形成技術を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の薄膜形成技術とエッチングの技術を用いることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができる。
【００２９】
表示電極Ｘ、Ｙの上には、表示電極Ｘ、Ｙを覆うように交流（ＡＣ）駆動用の第１誘電体層１７ａが形成されている。第１誘電体層１７ａとしては、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜を形成している。
【００３０】
そして、第１誘電体層１７ａの上には、平面的にみて表示電極Ｘ、Ｙと交差する方向に複数のアドレス電極（信号電極やデータ電極などとも呼ばれる）Ａが形成され、そのアドレス電極Ａを覆って第２誘電体層１７ｂが形成されている。なお、アドレス電極Ａを単にＡ電極と呼ぶこともある。アドレス電極Ａは、スキャン用の表示電極との交差部で発光セルを選択するためのアドレス放電を発生させるものであり、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造）等からなる金属製の幅の狭いバス電極１５と、そのバス電極Ａ１５から放電空間に向けて張り出したＩＴＯ、ＳｎＯ２などの幅の広い透明電極１４から構成されている。アドレス電極Ａも、Ａｇ、Ａｕについては印刷のような厚膜形成技術を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の薄膜形成技術とエッチングの技術を用いることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができる。
【００３１】
第２誘電体層１７ｂとしては、第１誘電体層１７ａと同様に、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜を形成している。
【００３２】
第２誘電体層１７ｂの上には、表示の際の放電により生じるイオンの衝突による損傷から第２誘電体層１７ｂを保護するための保護膜１８が形成されている。この保護膜は、例えば、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ等からなる。
【００３３】
背面側の基板２１の内側面には、アドレス電極Ａのバス電極１５に対応する位置に、直線状の隔壁２９が形成されている。隔壁２９は、サンドブラスト法、印刷法、フォトエッチング法等により形成することができる。例えば、サンドブラスト法では、低融点ガラスフリット、バインダー樹脂、溶媒等からなるガラスペーストを背面側の基板２１上に塗布して乾燥させた後、そのガラスペースト層上に隔壁パターンの開口を有する切削マスクを設けた状態で切削粒子を吹きつけて、マスクの開口に露出したガラスペースト層を切削し、さらに焼成することにより形成する。また、フォトエッチング法では、切削粒子で切削することに代えて、バインダー樹脂に感光性の樹脂を使用し、マスクを用いた露光及び現像の後、焼成することにより形成する。
【００３４】
隔壁２９の側面及び隔壁間の基板２１上には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体層２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂが形成されている。蛍光体層２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂは、蛍光体粉末とバインダー樹脂と溶媒とを含む蛍光体ペーストを隔壁２９間の凹溝状の放電空間内にスクリーン印刷、又はディスペンサーを用いた方法などで塗布し、これを各色毎に繰り返した後、焼成することにより形成している。この蛍光体層２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂは、蛍光体粉末とバインダー樹脂とを含むシート状の蛍光体層材料（いわゆるグリーンシート）を使用し、フォトリソ法で形成することもできる。この場合、所望の色のシートを基板上の表示領域全面に貼り付けて、露光、現像を行い、これを各色毎に繰り返すことで、対応する隔壁間に各色の蛍光体層を形成することができる。
【００３５】
ＰＤＰは、上記した前面側のパネルアセンブリと背面側のパネルアセンブリとを対向配置し、周囲を封止し、隔壁２９で囲まれた放電空間に放電ガスを充填することにより作製されている。このＰＤＰでは、表示電極Ｘ、Ｙとアドレス電極Ａとの交差部の放電空間が表示の最小単位である１つのセル領域（単位発光領域）となる。１画素はＲ、Ｇ、Ｂの３つのセルで構成される。
【００３６】
表示は、まず、Ｙ側の表示電極群をスキャン電極として用いて、それら各表示電極Ｙに順次スキャン電圧を印加してゆき、その間に所望のアドレス電極Ａにアドレス電圧を印加し、選択されたアドレス電極Ａの透明電極１４と表示電極Ｙとの間でアドレス放電を発生させることで発光すべきセルを選択する。この発光セル対応の第２誘電体層１７ｂ上には壁電荷が形成されるので、次に、Ｙ側の表示電極群とＸ側の表示電極群との間に交互にサスティン電圧を印加して、当該壁電荷の蓄積されたセルにおいて再び放電（維持放電または表示放電と呼称）を発生させることで、セルを発光させる。このセルの発光は、表示放電によって発生された紫外線で蛍光体を励起して、蛍光体から所望の色の可視光を発生させることにより行われる。
【００３７】
図２はＰＤＰを平面的に見た状態の説明図であり、図３はＰＤＰを側面的に見た状態の説明図である。
上述したように、前面側の基板１１には表示電極対Ｘ，Ｙ群が形成されている。また、これらＸ，Ｙ電極群の上には、その端部を除いて、Ｘ，Ｙ電極群を覆うＳｉＯ２膜からなる第１誘電体層１７ａがプラズマＣＶＤ法により形成されている。
【００３８】
そして、第１誘電体層１７ａの上には、アドレス電極Ａ群が、表示電極対Ｘ，Ｙと直交するように形成され、その上に、ＳｉＯ２膜からなる第２誘電体層１７ｂがプラズマＣＶＤ法により形成されている。各放電セルはＹ電極群とＡ電極群の交点で規定される。図中３１は封止材である。
【００３９】
なお、第２誘電体層１７ｂは、必ずしもプラズマＣＶＤ法で形成する必要はなく、低融点ガラスペーストを用いて形成してもよい。
【００４０】
第２誘電体層１７ｂは保護膜１８で覆われている。保護膜１８は第２誘電体層１７ｂの保護だけでなく、放電の成長を助けるためのものである。この保護膜１８はイオン衝撃により電子を放出して放電を成長させ、放電電圧の低減、放電遅れの低減などの効果を持つ。
【００４１】
本構造ではすべての電極群（Ｘ電極群，Ｙ電極群，Ａ電極群）がこの保護膜１８で覆われているため、どの電極群が陰極になっても保護膜の効果を利用した放電が可能となる。
【００４２】
一方、背面側の基板２１の上にはＡ電極群とほぼ平行に隔壁２９が設けられ、隔壁２９と隔壁２９との間には放電の紫外光により赤、緑、青の可視光を発生する蛍光体層２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂが形成されている。
【００４３】
本構造では電極群を蛍光体層で覆うことがないので、放電電圧に色ごとの差が生じることがない。さらに、サスティン放電の際に蛍光体層の側にイオンを引き付ける電極がないので、イオンスパッタによる蛍光体層の劣化を低減することができる。
【００４４】
パネル組み立て時には、前面側の基板１１と背面側の基板２１とを対向させ、アドレス電極Ａ群のバス電極１５を隔壁２９上に位置決めし、前面側の基板１１と背面側の基板２１とを封止材３１で封止して、放電空間を密封する。そして、放電空間から空気を抜いて放電ガスを充填する。放電ガスとしては、例えばＮｅとＸｅの混合ガスを使用する。
【００４５】
次に、本構造のパネルの放電動作を説明する。
まず、直交するＡ電極群とＹ電極群との間でアドレス放電を発生させ、所望のＹ電極群の上に壁電荷を形成することで発光セルを選択する。このアドレス放電を発生させるための電圧（放電電圧）は、背面側の基板にＡ電極群を設けた構造のＰＤＰと比較して、２電極間の距離が近いため、低くすることができる。
【００４６】
また、背面側の基板にＡ電極群を設けた構造のＰＤＰでは、アドレス放電は蛍光体層を介して行われるが、本構造のＰＤＰでは、アドレス放電は蛍光体層を介さない放電となるので、アドレス放電に蛍光体層の影響がない。すなわち、アドレス放電に対する、Ｒ，Ｇ，Ｂの蛍光体層の特性の差による影響がない。さらに、放電する２つの電極が近接しているため、放電開始時の電荷の移動距離が短く、放電遅れが少ない。
【００４７】
次に、このように選択した発光セルに対し、Ｘ電極群とＹ電極群との間で繰り返しサスティン放電を発生させ、発光を維持する。この際、蛍光体層が形成された背面側の基板２１にはイオンを引き付ける電極群がないため、蛍光体層に対するイオンスパッタが緩和される。これにより、一般にイオンスパッタでダメージを受けやすいといわれているＧ色の蛍光体層の輝度劣化を緩和することができ、輝度寿命を延ばすことができる。
【００４８】
本ＰＤＰの構造上の特徴としては、蛍光体の発光を遮蔽するＡ電極群のバス電極１５を隔壁２９上に位置させることで、前面側の基板（表示面側の基板）１１の方向に透過する光の遮蔽を防止している。
【００４９】
一般に、サスティン放電の後には、全てのセルに対して電荷の消去と電荷の再配置を行なうためのリセット期間を設けているが、このリセット期間において、Ａ電極側が陰極になったとしても、放電特性に蛍光体特性の差の影響を受けることがない上、保護膜の効果で電圧を下げることが可能である。
【００５０】
本構造のＰＤＰであれば、プラズマＣＶＤ法で形成した第１誘電体層１７ａの表面は平滑性を有しているため、アドレス電極Ａを形成しやすい。また、ＳｉＯ２膜からなる第１誘電体層１７ａは、フッ酸以外のウェットエッチヤントに侵されないため、アドレス電極Ａの電極パターンを形成するプロセスにおいても変質することがない。また、第２誘電体層１７ｂを形成する際に第１誘電体層１７ａが溶融することもない。
【００５１】
さらに、低融点ガラスペーストを用いて形成した誘電体層に比べて、誘電体層を薄くできるため、第１誘電体層１７ａの斜面部９の高低差が少なく、この面でも電極形成が容易である。また、誘電率も、低融点ガラスペーストを用いて形成した誘電体層の約１／３と低く、第１誘電体層１７ａを挟んで両側に、表示電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａを形成しても、静電容量の増加は低くなり、駆動がしやすい。このように、第１誘電体層１７ａをプラズマＣＶＤ法で形成することにより、第１誘電体層１７ａを挟んでその両側に電極を配置することが容易である。
【００５２】
以上のように、プラズマＣＶＤ法により形成された第１誘電体層１７ａの両側に表示電極対Ｘ，Ｙ群とＡ電極群を配置し、前面側の基板１１側にすべての電極群を設けることで、Ａ電極群の駆動電圧を低減でき、蛍光体による特性差のない駆動ができ、輝度劣化を緩和するパネル構造が可能となる。
【００５３】
実施形態２
図４および図５は本発明のＰＤＰの実施形態２の構成を示す説明図である。図４はＰＤＰを平面的に見た状態を示しており、図５はＰＤＰを側面的に見た状態を示している。
【００５４】
本実施形態は、前面側の基板に２電極を配置した（片側２電極）構造のＰＤＰの例である。構造は、実施形態１からＸ電極群を除いた構造である。実施形態１と共通する部分は同じ参照番号を付している。
【００５５】
本構造では、サスティン放電をＹ電極群とＡ電極群で行なう。これにより２電極構造となり、駆動電極が１つ減る分、回路構成が簡素化される。基本構造は実施形態１と同じであり、実施形態１と同じ効果が得られる。
【００５６】
以上のように、本例では駆動電極が１つ減る分、回路構成が簡素化できる。また、プラズマＣＶＤ法で形成した第１誘電体層１７ａの両側にＹ電極群とＡ電極群を配置し、前面側の基板２１側にすべての電極群を設けることで、Ａ電極群の駆動電圧を低減でき、蛍光体による特性差のない駆動ができ、輝度劣化を緩和するパネル構造が可能となる。
【００５７】
実施形態３
図６および図７は本発明のＰＤＰの実施形態３の構成を示す説明図である。図６はＰＤＰを平面的に見た状態を示しており、図７はＰＤＰを側面的に見た状態を示している。
【００５８】
本実施形態は、アドレス補助構造のＰＤＰの例である。構造は、実施形態１の背面側の基板２１上に、背面側のアドレス電極Ｂ群と、それらの電極を覆う誘電体層２４を加えた構造である。実施形態１と共通する部分は同じ参照番号を付している。
【００５９】
本構造では、背面側の基板２１の隔壁２９と隔壁２９との間には、背面側のアドレス電極Ｂ群が設けられ、この電極群を誘電体層２４が覆っている。アドレス電極Ｂは、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造の金属電極で形成している。
【００６０】
本構造のＰＤＰでは、背面側のアドレス電極Ｂ群をアドレス放電に利用する。Ａ電極群は、サスティンパルスに合わせてパルスを印加することで放電を補助するために設けている。これにより輝度を上げることができる。
【００６１】
実施形態４
図８および図９は本発明のＰＤＰの実施形態４の構成を示す説明図である。図８はＰＤＰを平面的に見た状態を示しており、図９はＰＤＰを側面的に見た状態を示している。
【００６２】
本実施形態は、Ｘ，Ｙ電極で放電しない側（非放電領域、または逆スリットと呼ばれる）に逆スリット用補助電極を設けて、逆スリットでの電荷転送を防止した例である。構造は、実施形態３のＡ電極群の代わりに、Ｘ，Ｙ電極群と平行に、逆スリットの隙間に逆スリット用補助電極１を加えた構造である。実施形態３と共通する部分は同じ参照番号を付している。
【００６３】
本例においては、逆スリット用補助電極１には、セル間の電荷移動を防止する電圧を印加して、セル間の電荷移動を防止する。
【００６４】
実施形態５
図１０および図１１は本発明のＰＤＰの実施形態５の構成を示す説明図である。図１０はＰＤＰを平面的に見た状態を示しており、図１１はＰＤＰを側面的に見た状態を示している。
【００６５】
本実施形態は、Ｘ，Ｙ電極で放電する側（放電領域、または放電スリットと呼ばれる）に放電スリット用補助電極２を設けて、放電スリットでのプライミング効果を図った例である。構造は、実施形態４の逆スリット用補助電極１の代わりに、Ｘ，Ｙ電極群と平行に放電スリットの隙間に放電スリット用補助電極２を加えた構造である。実施形態５と共通する部分は同じ参照番号を付している。
【００６６】
本例においては、放電スリット用補助電極２には、サスティンパルスに合わせてパルスを印加して、サスティン放電を補助し、輝度を上げる。
【００６７】
実施形態６
図１２は本発明のＰＤＰの実施形態６の構成を示す説明図である。
本実施形態は、片側２電極構造の応用例である。
【００６８】
ＰＤＰにおいては、複数のＰＤＰ１０を平面的に配置してより大きな画面として表示するものがある。この場合、問題となるのは、ディスプレイ周辺部の非表示部の幅である。この非表示部が画像を寸断するため、非表示部は極力細いほうが望ましい。
【００６９】
前面側の基板にＸ，Ｙ電極群を配置し、背面側の基板にＡ電極群を配置した構造のＰＤＰや、図１〜図３で示した片側３電極構造のＰＤＰでは、３方向あるいは４方向に電極群を引き出しているため、非表示部は、封止材３１と引き出し電極が加わり広くならざるをえない。
【００７０】
一方、本例のように片側２電極構造のＰＤＰであれば、パネルの短辺と長辺に１つずつ引き出し電極を設ければよいので、他の辺は封止材３１のみにできる。したがって、図に示すように、４枚のパネルを並べても、パネルとパネルとの間を封止材３１だけで構成できるため、画像の寸断を緩和させることができる。
【００７１】
このようにして、誘電体層をプラズマＣＶＤ法で形成することにより、誘電体層のウェットエッチャントによる浸食を防止することができとともに、誘電体層形成時における周辺の誘電体層への影響をなくすことができる。
【００７２】
すなわち、低融点ガラスペーストを用いて形成した誘電体層は、ウェットエッチャントで浸食され、誘電体層上に電極パターンを形成することが困難であったが、誘電体層として、プラズマＣＶＤ法で、例えばＳｉＯ２膜を形成した場合には、ＳｉＯ２膜はフッ酸以外のウェットエッチャントに侵されないため、電極パターンを形成するプロセスにおいて誘電体層が浸食されることがない。
【００７３】
また、蒸着によるホウケイ酸ガラスの誘電体層の場合に生ずるゴミの混入による絶縁破壊も起こりにくくすることができる。
【００７４】
また、プラズマＣＶＤ法で形成した誘電体層は、表面の平滑性を有するので、低融点ガラスペーストを用いて形成した誘電体層よりも、誘電体層上に電極を形成しやすい。
【００７５】
さらに、低融点ガラスペーストを用いて形成した誘電体層の誘電率が１２前後、蒸着で形成したホウケイ酸ガラスの誘電体層のそれが約５．７であるのに対し、プラズマＣＶＤ法で形成した誘電体層の誘電率は４前後であり、０．３〜０．７倍と低い。このため、誘電体層の両側に電極を形成しても、容量の増加が少なく、駆動がしやすい。
【００７６】
また、ＡＣ型のＰＤＰでは、片側の基板に２層の誘電体層を設けることで、放電電極を片側の基板だけに形成することが可能となるので、蛍光体層を介さない放電が可能となり、蛍光体層にダメージの少ないパネル構造を実現することができる。
【００７７】
さらに、片側の基板に２層の誘電体層を設けることで、一対の電極で選択用の放電と表示用の放電を行ういわゆる片側２電極構造が可能となるので、パネルの構造や駆動回路の構造の簡素化を図ることができる。
【００７８】
しかも、片側の基板に２層の誘電体層を設けることで、それらの誘電体層の間に、電荷の反転を防止したり、プライミング効果を図った補助電極を形成することができるので、輝度向上が図れるほか、セル間の電荷の移動を防止して動作を安定化させることができ、これにより、従来よりも高い性能を有するＰＤＰとすることができる。
【００７９】
このように、ＡＣ型ＰＤＰにおいて、誘電体層を介して片側のパネル基板上に複数種の電極を配置することにより、従来とは異なる機能のＰＤＰを作製したり、性能の向上したＰＤＰを作製することができる。
【００８０】
【発明の効果】
本発明によれば、片側の基板に主電極と第１の誘電体層を形成し、さらにその上に選択用電極と第２の誘電体層を形成する場合、第１の誘電体層をプラズマＣＶＤ法で形成するようにしたので、第１の誘電体層上にフォトエッチングで電極を形成しても、第１の誘電体層のウェットエッチャントによる浸食を防止することができる。また、第２の誘電体層形成時における第１の誘電体層の溶融を防止することができる。しかも、プラズマＣＶＤ法で形成した誘電体層は、低融点ガラスペーストを用いて形成した誘電体層や、蒸着によりホウケイ酸ガラスで形成した誘電体層よりも誘電率が低いので、電極間の放電電圧を低下させることができる。さらに、表面平滑性を有するため、第１の誘電体層上に電極を形成しやすい。また、蒸着で誘電体層を形成した時に起こりやすいゴミの混入による絶縁破壊を生じにくくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＰＤＰの実施形態１の構成を示す部分斜視図である。
【図２】実施形態１のＰＤＰを平面的に見た状態の説明図である。
【図３】実施形態１のＰＤＰを側面的に見た状態の説明図である。
【図４】実施形態２のＰＤＰを平面的に見た状態の説明図である。
【図５】実施形態２のＰＤＰを側面的に見た状態の説明図である。
【図６】実施形態３のＰＤＰを平面的に見た状態の説明図である。
【図７】実施形態３のＰＤＰを側面的に見た状態の説明図である。
【図８】実施形態４のＰＤＰを平面的に見た状態の説明図である。
【図９】実施形態４のＰＤＰを側面的に見た状態の説明図である。
【図１０】実施形態５のＰＤＰを平面的に見た状態の説明図である。
【図１１】実施形態５のＰＤＰを側面的に見た状態の説明図である。
【図１２】本発明のＰＤＰの実施形態６の構成を示す説明図である。
【符号の説明】
１  逆スリット用補助電極
２  放電スリット用補助電極
９  第１誘電体層の斜面部
１０  ＰＤＰ
１１  前面側の基板
１２，１４  透明電極
１３，１５  バス電極
１７ａ  第１誘電体層
１７ｂ  第２誘電体層
１８  保護膜
２１  背面側の基板
２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂ  蛍光体層
２９  隔壁
３０  放電空間
３１  封止材
Ａ  アドレス電極
Ｂ  背面側のアドレス電極
Ｘ，Ｙ  表示電極対
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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