(57)【要約】【課題】基板を高速回転させてスピン乾燥させる前に、基板上に残っている液滴を効果的に排除することができる装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを保持して回転させるスピンチャック１０と、基板Ｗに対応する平面形状および大きさを有し、基板Ｗの上面に対向し近接して配置され、基板Ｗ上面の中央部へ処理液および気体をそれぞれ吐出する処理液吐出口３２および気体吐出口３６が形設された雰囲気遮断部材１２とを備える。雰囲気遮断部材１２の、平面視で気体吐出口３６の外側に、基板Ｗの上面へ気体を吐出する外側気体吐出口４０を形設した。外側気体吐出口４０から吐出される気体の到達位置がスピンベース１４に保持された基板Ｗの上面の中心と外周端縁との中間よりも中心側となるように、外側気体吐出口４０を雰囲気遮断部材１２に形設した。【選択図】　　　　図１
2004146784.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転する基板に流体を供給して所定の処理を行う基板処理装置であって、
基板を保持して回転させる基板保持回転手段と、
基板に対応する平面形状および大きさを有し、前記基板保持回転手段に保持された基板の少なくとも一方の面に対向し近接して配置され、基板の当該面の中央部へ処理液および気体をそれぞれ吐出する処理液吐出口および気体吐出口が形設された雰囲気遮断部材と、
を備え、
前記雰囲気遮断部材の、平面視で前記気体吐出口の外側に、前記基板保持回転手段に保持された基板の当該面へ気体を吐出する外側気体吐出口を形設することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理装置において、
前記外側気体吐出口から吐出される気体の到達位置が前記基板保持回転手段に保持された基板の当該面の中心と外周端縁との中間よりも中心側となるように前記外側気体吐出口を前記雰囲気遮断部材に形設することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２記載の基板処理装置において、
前記到達位置が前記基板保持回転手段に保持された基板の当該面の中心と外周端縁との中間近傍となるように前記外側気体吐出口を前記雰囲気遮断部材に形設することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３記載の基板処理装置において、
前記外側気体吐出口からの気体の吐出が前記気体吐出口からの気体の吐出より遅れて開始されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１記載の基板処理装置において、
前記外側気体吐出口から吐出される気体の到達位置が前記基板保持回転手段に保持された基板の当該面の中心近傍となるように前記外側気体吐出口を前記雰囲気遮断部材に形設することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５記載の基板処理装置において、
前記気体吐出口および前記外側気体吐出口からほぼ同時にそれぞれ気体が吐出されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記外側気体吐出口から吐出される気体の流量が、前記気体吐出口から吐出される気体の流量より大きいことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、
平面視で前記雰囲気遮断部材を支持する支持筒の内側に前記気体吐出口および前記外側気体吐出口が配置されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
回転する基板に流体を供給して所定の処理を行う基板処理方法であって、
基板保持回転手段によって基板を回転させる工程と、
基板に対応する平面形状および大きさを有する雰囲気遮断部材を、基板保持回転手段に保持された基板の少なくとも一方の面に対向させ近接させて配置する工程と、
前記雰囲気遮断部材に形設された処理液吐出口から前記基板保持回転手段によって回転される基板の当該面の中央部へ処理液を吐出する工程と、
前記雰囲気遮断部材に形設された気体吐出口から前記基板の当該面の中央部へ気体を吐出する工程と、
前記雰囲気遮断部材に平面視で前記気体吐出口の外側に形設された外側気体吐出口から前記基板の当該面へ気体を吐出する工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
請求項９記載の基板処理方法において、
前記外側気体吐出口から吐出される気体の到達位置が前記基板保持回転手段に保持された基板の当該面の中心と外周端縁との中間近傍となるように前記外側気体吐出口が前記雰囲気遮断部材に形設され、
前記外側気体吐出口からの気体の吐出が前記気体吐出口からの気体の吐出より遅れて開始されることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１１】
請求項９記載の基板処理方法において、
前記外側気体吐出口から吐出される気体の到達位置が前記基板保持回転手段に保持された基板の当該面の中心近傍となるように前記外側気体吐出口が前記雰囲気遮断部材に形設され、
前記気体吐出口および前記外側気体吐出口からほぼ同時にそれぞれ気体が吐出されることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、光ディスク用基板等の基板を回転させながら、その基板へ薬液や純水などの処理液を供給して洗浄等の処理を行い、その処理後にまたは処理中から基板へ窒素ガス等の不活性ガスやドライエアーなどの気体を供給して、基板を乾燥させる基板処理装置および基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の基板処理装置としては、従来、例えば、図１２に一部を省略した概略正面図を、図１３に要部の縦断面図を、図１４に図１３のＸＩ−ＸＩ矢視断面図をそれぞれ示すような構成の装置が使用されている。この例示した装置は、基板の上・下両面に対して薬液による洗浄処理、純水によるリンス処理およびスピンドライ方式による乾燥処理をそれぞれ施す枚葉式の基板処理装置である。
【０００３】
この基板処理装置は、基板、例えば半導体ウエハＷを水平姿勢に保持して回転させるスピンチャック１００と、このスピンチャック１００に保持されたウエハＷの上面に対向し近接して配置される雰囲気遮断部材１０２とを備えている。雰囲気遮断部材１０２は、その平面形状がウエハＷに相応する大きさの円板状をなしている。
【０００４】
スピンチャック１００は、ウエハＷを上面側に保持する円板状のスピンベース１０４と、このスピンベース１０４の下面側中央部に垂設された円筒状の回転筒１０６とから構成されている。スピンベース１０４の上面側周縁部には、ウエハＷの周縁部を把持してウエハＷをスピンベース１０４の上面から離間させた状態で保持する３本以上のチャックピン１０８が、円周方向に等配されて植設されている。このスピンベース１０４が、それに保持されたウエハＷの下面に対向し近接して配置される雰囲気遮断部材としての機能も果たす。回転筒１０６は、モータ１１０、このモータ１１０の回転軸に固着された駆動プーリ１１２、回転筒１０６の外周面側に嵌着された従動プーリ１１４、および、駆動プーリ１１２と従動プーリ１１４とに掛け回されたベルト１１６からなる回転駆動機構により、鉛直方向の軸心線回りに回転させられるようになっている。そして、回転筒１０６が回転することにより、スピンベース１０４と共にウエハＷが回転するようになっている。回転筒１０６の中空部には、細長い円柱状の内挿軸１１８が挿通されている。内挿軸１１８は、固定されて立設されており、内挿軸１１８と回転筒１０６とは同心に配置され、内挿軸１１８の外周面と回転筒１０６の内周面との間にベアリング（図示せず）が介在して取着されている。
【０００５】
雰囲気遮断部材１０２は、円筒状の回転支持筒１２０の下端に連接されている。図１２には詳細な構造を図示していないが、回転支持筒１２０の中空部には、上記したスピンチャック１００の回転筒１０６と同様に、細長い円柱状の内挿軸１２２が挿通されており、内挿軸１２２と回転支持筒１２０とは同心に配置され、内挿軸１２２の外周面と回転支持筒１２０の内周面との間にベアリング（図示せず）が介在して取着されている。回転支持筒１２０は、支持アーム１２４の先端部に懸垂状態で、かつ、モータ１２６によって鉛直方向の軸心線回りに回転可能に支持されている。そして、モータ１２６によって回転支持筒１２０が回転させられることにより、雰囲気遮断部材１０２が回転支持筒１２０と共に回転するようになっている。また、回転支持筒１２０および支持アーム１２４は、図示しないエアーシリンダ等の直線駆動機構からなる昇降駆動装置によって上下方向へ往復移動させられるように構成されている。そして、回転支持筒１２０が上下方向へ往復移動することにより、雰囲気遮断部材１０２がスピンベース１０４上のウエハＷの上面に対して近接および離間するようになっている。
【０００６】
回転支持筒１２０の中空部に挿通された内挿軸１２２には、その軸心部に処理液供給路１２８が形設されており、その処理液供給路１２８の、スピンベース１０４上に保持されたウエハＷの上面と対向する下端が処理液吐出口１３０となる。また、内挿軸１２２の外周面と回転支持筒１２０の内周面との間に形成される空間部分が気体供給路１３２を構成し、その気体供給路１３２の下端が、環状の気体吐出口１３４となる。同様に、スピンチャック１００の回転筒１０６の中空部に挿通された内挿軸１１８には、その軸心部に処理液供給路１３６が形設されており、その処理液供給路１３６の、スピンベース１０４上に保持されたウエハＷの下面と対向する上端が処理液吐出口１３８となる。また、内挿軸１１８の外周面と回転筒１０６の内周面との間に形成される空間部分が気体供給路１４０を構成し、その気体供給路１４０の上端が、環状の気体吐出口１４２となる。そして、各処理液供給路１２８、１３６は、薬液や純水などの処理液の供給を行う処理液供給部１４４にそれぞれ流路接続されている。また、各気体供給路１３２、１４０は、窒素ガス等の不活性ガスやドライエアーなどのプロセスガスの供給を行う気体供給部１４６にそれぞれ流路接続されている。
【０００７】
上記した基板処理装置による処理動作は、例えば以下のようにして行われる。スピンチャック１００のスピンベース１０４上にウエハＷを保持してウエハＷを水平面内で鉛直軸回りに回転させる。そして、処理液供給部１４４から各処理液供給路１２８、１３６へ薬液を供給し、雰囲気遮断部材１０２の下面およびスピンベース１０４の上面にそれぞれ開口した各処理液吐出口１３０、１３８からウエハＷの上・下両面の各中心部に向けて薬液がそれぞれ吐出される。ウエハＷの上・下両面の各中心部に向けてそれぞれ吐出された薬液は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの全面にそれぞれ拡げられ、ウエハＷの上・下両面がそれぞれ薬液によって洗浄処理される。
【０００８】
薬液による洗浄処理が終わると、処理液供給部１４４から各処理液供給路１２８、１３６へ供給していた薬液を純水に切り替え、各処理液吐出口１３０、１３８からウエハＷの上・下両面の各中心部に向けて純水をそれぞれ吐出させる。ウエハＷの上・下両面の各中心部に向けてそれぞれ吐出された純水は、ウエハＷの回転に伴う遠心力によってウエハＷの全面にそれぞれ拡げられ、ウエハＷの上・下両面がそれぞれ純水によってリンス処理される。なお、上記した薬液洗浄処理および／または純水リンス処理の際に、必要に応じて、気体供給部１４６から各気体供給路１３２、１４０へ窒素ガス等のプロセスガスを供給し、雰囲気遮断部材１０２の下面およびスピンベース１０４の上面にそれぞれ開口した環状の各気体吐出口１３４、１４２からウエハＷの上・下両面に向けてプロセスガスをそれぞれ吐出させる。
【０００９】
純水によるリンス処理が終わると、各処理液吐出口１３０、１３８からの純水の吐出をそれぞれ停止させ、気体供給部１４６から各気体供給路１３２、１４０へプロセスガスを供給し、環状の各気体吐出口１３４、１４２からウエハＷの上・下両面に向けてプロセスガスをそれぞれ吐出させながら、ウエハＷを回転させ、ウエハＷの回転に伴う遠心力によって、ウエハＷの上・下両面に残留する純水をウエハＷの周縁部から振り切って除去し、ウエハＷの上・下両面をそれぞれ乾燥させる。このとき、各気体吐出口１３４、１４２からウエハＷの上・下両面に向けてそれぞれ吐出されるプロセスガスが、ウエハＷの上・下両面にそれぞれ沿って流れ、ウエハＷの全面に拡がって、ウエハＷの乾燥が促進される。
【００１０】
また、例えば、特許文献１には、図１３および図１４に示したものとは異なる構成の処理液吐出部および気体吐出部を有する基板処理装置が開示されている。すなわち、特許文献１に記載された装置では、図１６に要部の縦断面図を、図１７に図１６のＸＩＶ−ＸＩＶ矢視断面図をそれぞれ示すように、雰囲気遮断部材１４８が下端に連接された回転支持筒１５０の中空部に挿通された内挿軸１５２に、その内挿軸１５２の軸心から軸心がずれるように気体供給路１５４が形設されている。そして、雰囲気遮断部材１４８の、スピンチャック１６２のスピンベース１６４上に保持されたウエハＷの上面と対向する面（下面）に気体吐出口１５６が開口しており、その気体吐出口１５６の中心は、ウエハＷの中心からずれている。また、内挿軸１５２には、気体供給路１５４の側方に並んで処理液供給路１５８が形設されており、雰囲気遮断部材１４８の、ウエハＷの上面との対向面に処理液吐出口１６０が、気体吐出口１５６に隣接して開口している。
【００１１】
同様に、スピンチャック１６２の回転筒１６６の中空部に挿通された内挿軸１６８には、その内挿軸１６８の軸心から軸心がずれるように気体供給路１７０が形設されており、スピンベース１６４の、それに保持されたウエハＷの下面と対向する上面に、ウエハＷの中心から偏心するように気体吐出口１７２が開口している。また、内挿軸１６８には、気体供給路１７０の側方に並んで処理液供給路１７４が形設されており、スピンベース１６４の上面に、気体吐出口１７２に隣接して処理液吐出口１７６が開口している。
【００１２】
【特許文献１】
特開平１１−２７４１３５号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
上記した基板処理装置では、スピンドライ方式によってウエハＷの乾燥処理を行っている。この場合、ウエハＷを高速で回転させて乾燥させる前にウエハＷ上に残っている水滴は、高速回転時にウエハＷの表面上で飛散し、デバイス不良や歩留まりの低下につながるウォーターマークの形成やウエハＷへのパーティクルの付着の原因となる。また、雰囲気遮断部材１０２の、ウエハＷとの対向面（下面）に付着して残る水滴も、同様にウォーターマーク形成やパーティクル付着の原因となる。
【００１４】
このため、ウエハＷ上および雰囲気遮断部材１０２の下面から水滴が完全に排除された状態で、ウエハＷを高速回転させてスピン乾燥させることが重要となる。特に、雰囲気遮断部材１０２をスピンベース１０４上のウエハＷに近接させた状態で乾燥処理を行う場合には、ウエハＷを高速回転させてスピン乾燥させる前に、雰囲気遮断部材１０２をウエハＷに近接させた状態で、リンス処理後にウエハＷ上に残っている水滴を効率良く排除することが必要となる。
【００１５】
ところで、図１３および図１４に示した従来の基板処理装置では、雰囲気遮断部材１０２の気体吐出口１３４が、ウエハＷの中心部に対向する処理液吐出口１３０を取り囲むようにウエハＷの回転中心を中心とした環状に形成されており、処理液吐出口１３０の周囲から均等にプロセスガスが吐出されるような構成となっている。また、ウエハＷの下面側に対向して雰囲気遮断部材の機能を果たすスピンベース１０４も、同様の構成となっている。そして、薬液洗浄処理持や純水リンス処理持には、通常、処理液吐出口１３０、１３８から薬液や純水をウエハＷの中心部に吐出するとともに、気体吐出口１３４、１４２から窒素ガス等のプロセスガスをウエハＷの中央部に吐出し、乾燥処理中には、プロセスガスのみをウエハＷの中央部に吐出するようにしている。
【００１６】
図１３および図１４に示した構成の装置において、乾燥処理中に気体吐出口１３４、１４２からプロセスガスをウエハＷの中央部に吐出したとき、ウエハＷの中心付近におけるプロセスガスの流れは、図１５に示したような状態となる（図１５は、ウエハＷの上面側だけを示しているが、ウエハＷの下面側においても同様である）。図１５中に破線で示すように、環状の気体吐出口１３４からウエハＷの中央部に吐出されたプロセスガスは、ウエハＷの周辺方向へ向かう流れの他にウエハＷの中心Ｃへ向かう流れを生じる。この環状の周囲からウエハＷの中心Ｃへ向かうプロセスガスの流れのために、ウエハＷの中心部に残っている水滴が遠心力によって周辺へ拡散するのが妨げられる。特に、ウエハＷの中心部では周辺部に比べて水滴に作用する遠心力が小さいため、水滴はウエハＷの中心部により残り易くなる。この結果、ウエハＷの中心部での乾燥が遅くなったり、ウエハＷの中心部に残った水滴はウエハＷの高速回転時に飛散するため、上記したウォーターマーク発生やパーティクル付着の原因になったりする。
【００１７】
また、特許文献１に開示されているように図１６および図１７に示した構成の装置では、図１８中に破線で示すように（図１８は、ウエハＷの上面側だけを示しているが、ウエハＷの下面側においても同様である）、気体吐出口１５６からウエハＷの中心部の、ウエハＷの中心Ｃからずれた位置へ吐出されたプロセスガスは、ウエハＷの中心Ｃへ向かう勢いのある流れを生じるため、ウエハＷの中心部に残留する水滴は、プロセスガスによって周辺方向へ排除される。
【００１８】
このように、図１６および図１７に示した構成の装置は、ウエハＷの中心部における液残りを防止するのには極めて有効である。しかしながら、この装置では、ウエハＷの周辺部の水滴をプロセスガスによって除去することは困難である。プロセスガスによってウエハＷの周辺部の水滴を除去しようとすると、気体吐出口１５６からウエハＷの中心部へ大流量のプロセスガスを吐出する必要があるが、この場合には、水滴が飛散して雰囲気遮断部材１４８の下面側に付着し易くなるし、必要量以上のプロセスガスを使用することとなる。したがって、気体吐出口１５６からウエハＷの中心部へプロセスガスを吐出してウエハＷ上の水滴を除去することができる範囲は限られており、特に３００ｍｍといった大口径ウエハに対しては、プロセスガスによってウエハＷの周辺部まで完全に水滴を除去することは極めて困難である。このように、図１６および図１７に示した構成の装置でも、ウエハＷを高速回転させてスピン乾燥させる前に、ウエハＷ上に残っている水滴を完全に排除することはできない。このため、上記したウォーターマークの形成やウエハへのパーティクルの付着といったことを効果的に防止することができない。
【００１９】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、基板を高速回転させてスピン乾燥させる前に、基板上に残っている液滴を効果的に排除することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、回転する基板に流体を供給して所定の処理を行う基板処理装置において、基板を保持して回転させる基板保持回転手段と、基板に対応する平面形状および大きさを有し、前記基板保持回転手段に保持された基板の少なくとも一方の面に対向し近接して配置され、基板の当該面の中央部へ処理液および気体をそれぞれ吐出する処理液吐出口および気体吐出口が形設された雰囲気遮断部材と、を備え、前記雰囲気遮断部材の、平面視で前記気体吐出口の外側に、前記基板保持回転手段に保持された基板の当該面へ気体を吐出する外側気体吐出口を形設している。
【００２１】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記外側気体吐出口から吐出される気体の到達位置が前記基板保持回転手段に保持された基板の当該面の中心と外周端縁との中間よりも中心側となるように前記外側気体吐出口を前記雰囲気遮断部材に形設している。
【００２２】
また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係る基板処理装置において、前記到達位置が前記基板保持回転手段に保持された基板の当該面の中心と外周端縁との中間近傍となるように前記外側気体吐出口を前記雰囲気遮断部材に形設している。
【００２３】
また、請求項４の発明は、請求項３の発明に係る基板処理装置において、前記外側気体吐出口からの気体の吐出を前記気体吐出口からの気体の吐出より遅れて開始している。
【００２４】
また、請求項５の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記外側気体吐出口から吐出される気体の到達位置が前記基板保持回転手段に保持された基板の当該面の中心近傍となるように前記外側気体吐出口を前記雰囲気遮断部材に形設している。
【００２５】
また、請求項６の発明は、請求項５の発明に係る基板処理装置において、前記気体吐出口および前記外側気体吐出口からほぼ同時にそれぞれ気体を吐出している。
【００２６】
また、請求項７の発明は、請求項１から請求項６のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記外側気体吐出口から吐出される気体の流量を、前記気体吐出口から吐出される気体の流量より大きくしている。
【００２７】
また、請求項８の発明は、請求項１から請求項７のいずれかの発明に係る基板処理装置において、平面視で前記雰囲気遮断部材を支持する支持筒の内側に前記気体吐出口および前記外側気体吐出口を配置している。
【００２８】
また、請求項９の発明は、回転する基板に流体を供給して所定の処理を行う基板処理方法において、基板保持回転手段によって基板を回転させる工程と、基板に対応する平面形状および大きさを有する雰囲気遮断部材を、基板保持回転手段に保持された基板の少なくとも一方の面に対向させ近接させて配置する工程と、前記雰囲気遮断部材に形設された処理液吐出口から前記基板保持回転手段によって回転される基板の当該面の中央部へ処理液を吐出する工程と、前記雰囲気遮断部材に形設された気体吐出口から前記基板の当該面の中央部へ気体を吐出する工程と、前記雰囲気遮断部材に平面視で前記気体吐出口の外側に形設された外側気体吐出口から前記基板の当該面へ気体を吐出する工程と、を備える。
【００２９】
また、請求項１０の発明は、請求項９の発明に係る基板処理方法において、前記外側気体吐出口から吐出される気体の到達位置が前記基板保持回転手段に保持された基板の当該面の中心と外周端縁との中間近傍となるように前記外側気体吐出口が前記雰囲気遮断部材に形設され、前記外側気体吐出口からの気体の吐出を前記気体吐出口からの気体の吐出より遅れて開始している。
【００３０】
また、請求項１１の発明は、請求項９の発明に係る基板処理方法において、前記外側気体吐出口から吐出される気体の到達位置が前記基板保持回転手段に保持された基板の当該面の中心近傍となるように前記外側気体吐出口が前記雰囲気遮断部材に形設され、前記気体吐出口および前記外側気体吐出口からほぼ同時にそれぞれ気体を吐出している。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００３２】
＜１．第１実施形態＞
図１および図２は、この発明の第１実施形態を示し、図１は、基板処理装置の要部の構成を示す縦断面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ矢視断面図である。基板処理装置の全体構成および基本的な処理動作については、図１２に示した従来の装置と同様であるので、重複する説明を省略する。
【００３３】
この基板処理装置は、基板、例えば円形の半導体ウエハＷを水平姿勢に保持して回転させるスピンチャック１０と、このスピンチャック１０に保持されたウエハＷの上面に対向し近接して配置される雰囲気遮断部材１２とを備えている。雰囲気遮断部材１２は、その平面形状がウエハＷに対応する形状および大きさの円板状をなしている。
【００３４】
スピンチャック１０は、ウエハＷを上面側に保持する円板状のスピンベース１４と、このスピンベース１４の下面側中央部に垂設された円筒状の回転筒１６とから構成されている。スピンベース１４の上面側周縁部には、ウエハＷの周縁部を把持してウエハＷをスピンベース１４の上面から離間させた状態で保持する３本以上のチャックピン１８が、円周方向に等配されて植設されている。回転筒１６は、図示しない回転駆動機構によって鉛直方向の軸心線回りに回転させられ、回転筒１６が回転することにより、スピンベース１４と共にウエハＷが回転するようになっている。回転筒１６の中空部には、細長い円柱状の内挿軸２０が挿通されている。内挿軸２０は、固定されて立設されており、内挿軸２０と回転筒１６とは同心に配置され、内挿軸２０の外周面と回転筒１６の内周面との間にベアリング（図示せず）が介在して取着されている。また、内挿軸２０の軸心部には、薬液や純水などの処理液の通路となる処理液供給路２２が形設されており、その処理液供給路２２の、スピンベース１４上に保持されたウエハＷの下面と対向する上端が処理液吐出口２４となる。
【００３５】
雰囲気遮断部材１２は、円筒状の回転支持筒２６の下端に連接されている。回転支持筒２６の中空部には、細長い円柱状の内挿軸２８が挿通されており、内挿軸２８と回転支持筒２６とは同心に配置され、内挿軸２８の外周面と回転支持筒２６の内周面との間にベアリング（図示せず）が介在して取着されている。回転支持筒２６は、図示していないが、支持アームの先端部に懸垂状態で、かつ、モータによって鉛直方向の軸心線回りに回転可能に支持されており、回転支持筒２６が回転させられることにより、雰囲気遮断部材１２が回転支持筒２６と共に回転するようになっている。また、回転支持筒２６は、昇降駆動装置によって上下方向へ往復移動させられるように構成されており、回転支持筒２６が上下方向へ往復移動することにより、雰囲気遮断部材１２がスピンベース１４上のウエハＷの上面に対して近接および離間するようになっている。
【００３６】
回転支持筒２６の中空部に挿通された内挿軸２８には、薬液や純水などの処理液の通路となる処理液供給路３０が形設されており、その処理液供給路３０の、スピンベース１４上に保持されたウエハＷの上面と対向する下端が処理液吐出口３２となる。また、内挿軸２８には、処理液供給路３０の側方に並んで、窒素ガス等の不活性ガスやドライエアーなどのプロセスガスの通路となる気体供給路３４が形設されており、その気体供給路３４の下端が気体吐出口３６となる。気体吐出口３６は、雰囲気遮断部材１２の、ウエハＷの上面との対向面に形設され、処理液吐出口３２に隣接して開口している。気体供給路３４の内径寸法は、処理液供給路３０の内径寸法より大きくされている。なお、図示例では、処理液供給路３０および気体供給路３４はいずれも、内挿軸２８の軸心から軸心がずれるように、したがってスピンベース１４上に保持されたウエハＷの中心に対して偏心して形成されているが、処理液供給路３０または気体供給路３４を内挿軸２８と同心に形成するようにしてもよい。
【００３７】
この装置では、さらに、内挿軸２８の外周面と回転支持筒２６の内周面との間に形成される空間部分が外側気体供給路３８を構成し、その外側気体供給路３８の下端が、環状の外側気体吐出口４０となっている。すなわち、雰囲気遮断部材１２には、ウエハＷの上面の中心部へプロセスガスを吐出する気体吐出口３６の他に、平面視でその気体吐出口３６の外側に外側気体吐出口４０が、気体吐出口３６の周囲を環状に取り囲むように設けられている。また、図１および図２に示すように、平面視で雰囲気遮断部材１２を支持する回転支持筒２６の内側に気体吐出口３６および外側気体吐出口４０の双方が配置されている。
【００３８】
第１実施形態では、外側気体吐出口４０がウエハＷの上面の中心部へプロセスガスを吐出する気体吐出口３６の外側に近接して設けられている。このため、外側気体吐出口４０から吐出される気体の到達位置もスピンベース１４上に保持されたウエハＷの上面の中心近傍となる。
【００３９】
雰囲気遮断部材１２の気体吐出口３６および外側気体吐出口４０からのプロセスガスの吐出は、ウエハＷの薬液洗浄処理および純水リンス処理が終わった後、ウエハＷを高速で回転させるスピン乾燥処理を行う前に行う。このとき、雰囲気遮断部材１２の気体吐出口３６からウエハＷの上面の中央部へプロセスガスが吐出されることにより、ウエハＷの上面の中央部に残っている水滴がウエハＷの周辺部へ拡散してウエハＷの中央部から排除される。また、雰囲気遮断部材１２の外側気体吐出口４０からウエハＷの上面の中心近傍へプロセスガスが吐出されることにより、ウエハＷの上面の周辺部に残っている水滴や中央部から周辺部へ拡散してきた水滴が、ウエハＷの周辺部から外周方向へ拡散して周辺部から排除される。このようにして、ウエハＷ上に残っている全ての水滴が排除される。そして、この装置では、気体吐出口３６からウエハＷの中心部へ大流量のプロセスガスを吐出する必要が無いので、水滴がウエハＷの上面で跳ね返って飛散し雰囲気遮断部材１２の下面側に付着する、といった心配が無いし、必要量以上のプロセスガスを使用することもない。なお、必要に応じて、薬液洗浄処理および／または純水リンス処理の際に、気体吐出口３６からウエハＷの上面の中央部に向けてプロセスガスを吐出させる。また、続いて行われるスピン乾燥時には、気体吐出口３６および外側気体吐出口４０からプロセスガスを引き続き吐出したままにする。
【００４０】
外側気体吐出口４０から吐出されるプロセスガスの流量は、通常、気体吐出口３６から吐出されるプロセスガスの流量より大きくされる。また、第１実施形態の如く、外側気体吐出口４０からウエハＷの上面の中心近傍へプロセスガスが吐出されるように、雰囲気遮断部材１２に外側気体吐出口４０を配置したときは、通常図３に示すように、気体吐出口３６および外側気体吐出口４０からほぼ同時にそれぞれ気体が吐出されるようにする。そして、このときは、各吐出口３６、４０から吐出されるプロセスガスの流量バランスを適正に調整することにより、気体吐出口３６から吐出されるプロセスガスによってウエハＷの上面の中央部から液滴が排除されるとともに、外側気体吐出口４０から吐出されるプロセスガスによってウエハＷの周辺部から液滴が除去されるようにする。例えば、プロセスガスを１００ｌ／ｍｉｎの流量でウエハＷの上面へ吐出する場合、気体吐出口３６からは２０ｌ／ｍｉｎの流量でプロセスガスを吐出し、外側気体吐出口４０からは８０ｌ／ｍｉｎの流量でプロセスガスを吐出するようにする。
【００４１】
＜２．第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図４は、第２実施形態の基板処理装置の要部の構成を示す縦断面図であり、図５は、図４のＩＶ−ＩＶ矢視断面図である。図４において図１と同一符号を付した部材は、図１に関して説明したものと同一の機能を有する同一部材であり、それらについての説明は省略する。また、第１実施形態と同様に、基板処理装置の全体構成および基本的な処理動作については、図１２に示した従来の装置と同様であるので、重複する説明を省略する。
【００４２】
第１実施形態の基板処理装置と同様に、スピンチャック１０に保持されたウエハＷの上面に対向し近接して配置される雰囲気遮断部材８２は、円筒状の回転支持筒８６の下端に連接されている。回転支持筒８６の中空部には、円柱状の内挿軸８８が挿通されており、内挿軸８８と回転支持筒８６とは同心に配置され、内挿軸８８の外周面と回転支持筒８６の内周面との間にベアリング（図示せず）が介在して取着されている。回転支持筒８６は、図示を省略する支持アームの先端部に懸垂状態で、かつ、モータによって鉛直方向の軸心線回りに回転可能に支持されており、回転支持筒８６が回転させられることにより、雰囲気遮断部材８２が回転支持筒８６と共に回転するようになっている。また、回転支持筒８６は、昇降駆動装置によって上下方向へ往復移動させられるように構成されており、回転支持筒８６が上下方向へ往復移動することにより、雰囲気遮断部材８２がスピンベース１４上のウエハＷの上面に対して近接および離間するようになっている。
【００４３】
回転支持筒８６の中空部に挿通された内挿軸８８には、薬液や純水などの処理液の通路となる処理液供給路９０が形設されており、その処理液供給路９０の、スピンベース１４上に保持されたウエハＷの上面と対向する下端が処理液吐出口９２となる。また、内挿軸８８には、処理液供給路９０の側方に並んで、窒素ガス等の不活性ガスやドライエアーなどのプロセスガスの通路となる気体供給路９４が形設されており、その気体供給路９４の下端が気体吐出口９６となる。気体吐出口９６は、雰囲気遮断部材８２の、ウエハＷの上面との対向面に形設され、処理液吐出口９２に隣接して開口している。気体供給路９４の内径寸法は、処理液供給路９０の内径寸法より大きくされている。なお、図示例では、処理液供給路９０および気体供給路９４はいずれも、内挿軸８８の軸心から軸心がずれるように、したがってスピンベース１４上に保持されたウエハＷの中心に対して偏心して形成されているが、処理液供給路９０または気体供給路９４を内挿軸８８と同心に形成するようにしてもよい。
【００４４】
第２実施形態の装置でも、さらに、内挿軸８８の外周面と回転支持筒８６の内周面との間に形成される空間部分が外側気体供給路９８を構成し、その外側気体供給路９８の下端が、環状の外側気体吐出口９９となっている。すなわち、雰囲気遮断部材８２には、ウエハＷの上面の中心部へプロセスガスを吐出する気体吐出口９６の他に、平面視でその気体吐出口３６の外側に外側気体吐出口９９が、気体吐出口９６の周囲を環状に取り囲むように設けられている。また、図４および図５に示すように、平面視で雰囲気遮断部材８２を支持する回転支持筒８６の内側に気体吐出口９６および外側気体吐出口９９の双方が配置されている。
【００４５】
第２実施形態では、外側気体吐出口９９がウエハＷの上面の中心部へプロセスガスを吐出する気体吐出口３６から離間して設けられている。具体的には、外側気体吐出口９９から吐出される気体の到達位置がスピンベース１４に保持されたウエハＷの上面の中心と外周端縁との中間近傍となるように、外側気体吐出口９９が雰囲気遮断部材８２に形設されている。
【００４６】
雰囲気遮断部材８２の気体吐出口９６および外側気体吐出口９９からのプロセスガスの吐出は、ウエハＷの薬液洗浄処理および純水リンス処理が終わった後、ウエハＷを高速で回転させてスピン乾燥処理を行う前に行う。このとき、雰囲気遮断部材８２の気体吐出口９６からウエハＷの上面の中央部へプロセスガスが吐出されることにより、ウエハＷの上面の中央部に残っている水滴がウエハＷの周辺部へ拡散してウエハＷの中央部から排除される。また、雰囲気遮断部材８２の外側気体吐出口９９からウエハＷの上面へプロセスガスが吐出されることにより、ウエハＷの上面の周辺部に残っている水滴や中央部から周辺部へ拡散してきた水滴が、ウエハＷの周辺部から外周方向へ拡散して周辺部から排除される。このようにして、ウエハＷ上に残っている全ての水滴が排除される。そして、この装置では、気体吐出口９６からウエハＷの中心部へ大流量のプロセスガスを吐出する必要が無いので、水滴がウエハＷの上面で跳ね返って飛散し雰囲気遮断部材８２の下面側に付着する、といった心配が無いし、必要量以上のプロセスガスを使用することもない。なお、必要に応じて、薬液洗浄処理および／または純水リンス処理の際に、気体吐出口９６からウエハＷの上面の中央部に向けてプロセスガスを吐出させる。また、続いて行われるスピン乾燥時には、気体吐出口９６および外側気体吐出口９９からプロセスガスを引き続き吐出したままにする。
【００４７】
第１実施形態と同様に、外側気体吐出口９９から吐出されるプロセスガスの流量は、通常、気体吐出口９６から吐出されるプロセスガスの流量より大きくされる。また、第２実施形態の如く、外側気体吐出口９９からウエハＷの上面の中心と外周端縁との中間近傍にプロセスガスが吐出されるように、雰囲気遮断部材８２に外側気体吐出口９９を配置したときは、通常、気体吐出口９６からのプロセスガスの吐出より遅れて外側気体吐出口９９からのプロセスガスの吐出が開始されるように制御する。すなわち、図６（ａ）に示すように、まず、気体吐出口９６からウエハＷの上面の中央部へプロセスガスを、例えば２０ｌ／ｍｉｎの流量で吐出し、ウエハＷの上面の中央部に残っている純水１をウエハＷの周辺部へ拡散させてウエハＷの中央部から排除する。このときに、気体吐出口９６からのプロセスガスの吐出によって、純水１はウエハＷの上面の中心と外周端縁との中間付近まで押し出される。
【００４８】
続いて、図３（ｂ）に示すように、外側気体吐出口９９からウエハＷの上面の中心と外周端縁との中間近傍へプロセスガスを、例えば８０ｌ／ｍｉｎの流量で吐出し、ウエハＷの上面の中央部から上記中間近傍にまで押し出されてきた純水１を、元々周辺部に残っている純水と共にウエハＷの周辺部から外周方向へ拡散させて周辺部から排除する。なお、外側気体吐出口９９からのプロセスガスの吐出を開始した後は、気体吐出口９６からのプロセスガスの吐出を停止させてもよいし、気体吐出口９６からのプロセスガスの吐出を引き続いて行ってもよいし、また、外側気体吐出口９９からのプロセスガスの吐出を開始してから所定時間が経過した時点で、気体吐出口９６からのプロセスガスの吐出だけを停止させるようにしてもよい。
【００４９】
第２実施形態では、気体吐出口９６からのプロセスガスの吐出によって、中央部の純水１がウエハＷの上面の中心と外周端縁との中間付近まで押し出される。そして、その中間近傍に外側気体吐出口９９からプロセスガスを吐出している。つまり、気体吐出口９６からのプロセスガス吐出によって純水１を排除できる限界の位置に外側気体吐出口９９からプロセスガスを吐出しているのである。こんため、第１実施形態に比較して外側気体吐出口９９からのプロセスガス吐出による純水排除効果が大きく、効率良く純水をウエハＷの周辺部から外周方向へ飛散させることができる。
【００５０】
＜３．第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。図７は、第３実施形態の基板処理装置の要部の構成を示す縦断面図であり、図８は、図７のＶ−Ｖ矢視断面図である。図７において図１と同一符号を付した部材は、図１に関して説明したものと同一の機能を有する同一部材であり、それらについての説明は省略する。
【００５１】
第１実施形態の基板処理装置と同様に、スピンチャック１０に保持されたウエハＷの上面に対向し近接して配置される雰囲気遮断部材４２は、円筒状の回転支持筒４４の下端に連接されており、回転支持筒４４の中空部に、細長い円柱状の内挿軸４６が挿通されている。内挿軸４６と回転支持筒４４とは同心に配置され、回転支持筒４４は鉛直方向の軸心線回りに回転可能に支持されていて、雰囲気遮断部材４２は、回転支持筒４４と共に回転するようになっている。これ以外の基本的な構成も、図１および図２に示した第１実施形態の基板処理装置と同様である。
【００５２】
第３実施形態の基板処理装置においても、回転支持筒４４の中空部に挿通された内挿軸４６に、薬液や純水などの処理液の通路となる処理液供給路４８が形設されており、その処理液供給路４８の、スピンベース１４上に保持されたウエハＷの上面と対向する下端が処理液吐出口５０となる。また、内挿軸４６には、処理液供給路４８の側方に並んで、窒素ガス等の不活性ガスやドライエアーなどのプロセスガスの通路となる気体供給路５２が形設されており、その気体供給路５２の下端が気体吐出口５４となる。気体吐出口５４は、雰囲気遮断部材４２の、ウエハＷの上面との対向面に形設され、処理液吐出口５０に隣接して開口している。気体供給路５２は、内挿軸４６と同心に形成されており、気体吐出口５４からスピンベース１４上に保持されたウエハＷの中心部に向けてプロセスガスが吐出されるようになっている。この気体供給路５２の内径寸法は、処理液供給路４８の内径寸法より大きくされている。
【００５３】
また、この装置では、回転支持筒４４の、内挿軸４６に形成された気体供給路５２の軸心を中心とした円周上の位置に、複数本の外側気体供給路５６が、円周方向に等配されてそれぞれ気体供給路５２の軸心線と平行に形設されている。そして、複数本の外側気体供給路５６のそれぞれの下端が外側気体吐出口５８となっており、雰囲気遮断部材４２の、ウエハＷの上面との対向面に、複数個の外側気体吐出口５８が、円周方向に等配されて気体吐出口５４を取り囲むようにそれぞれ開口している。
【００５４】
この基板処理装置における雰囲気遮断部材４２の気体吐出口５４および複数個の外側気体吐出口５８からのプロセスガスの吐出も、第１実施形態の装置と同様に行われ、同様の作用効果が奏される。
【００５５】
図９は、複数個の外側気体吐出口５８からのプロセスガスの吐出を、気体吐出口５４からのプロセスガスの吐出より遅れて開始するようにしたときの状態を示す図である。図９（ａ）に示すように、まず、気体吐出口５４からウエハＷの上面の中心部へプロセスガスを吐出し、ウエハＷの上面の中央部に残っている純水１をウエハＷの周辺部へ拡散させてウエハＷの中央部から排除する。続いて、図６（ｂ）に示すように、複数個の外側気体吐出口５８からウエハＷの上面へプロセスガスを吐出し、ウエハＷの上面の中央部から周辺部へ拡散してきた純水１を、元々周辺部に残っている純水と共にウエハＷの周辺部から外周方向へ拡散させて周辺部から排除する。このとき、外側気体吐出口５８からのプロセスガスの吐出を開始した後に、気体吐出口５４からのプロセスガスの吐出を停止させてもよいし、気体吐出口５４からのプロセスガスの吐出を継続させてもよいし、また、外側気体吐出口５８からのプロセスガスの吐出を開始してから所定時間が経過した時点で気体吐出口５４からのプロセスガスの吐出だけを停止させるようにしてもよい。
【００５６】
＜４．第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態について説明する。図１０は、第４実施形態の基板処理装置の要部の構成を示す縦断面図である。図１０において図１と同一符号を付した部材は、図１に関して説明したものと同一の機能を有する同一部材であり、それらについての説明は省略する。
【００５７】
この基板処理装置は、図７および図８に示した装置と同様に、回転支持筒６４の中空部に挿通された内挿軸６６に、薬液や純水などの処理液の通路となる処理液供給路６８が形設されており、その処理液供給路６８の、スピンベース１４上に保持されたウエハＷの上面と対向する下端が処理液吐出口７０となる。また、内挿軸６６には、処理液供給路６８の側方に並んで、窒素ガス等の不活性ガスやドライエアーなどのプロセスガスの通路となる気体供給路７２が形設されており、その気体供給路７２の下端が気体吐出口７４となる。気体吐出口７４は、雰囲気遮断部材６２の、ウエハＷの上面との対向面に形設され、処理液吐出口７０に隣接して開口している。気体供給路７２は、内挿軸６６と同心に形成されており、気体吐出口７４からスピンベース１４上に保持されたウエハＷの中心部に向けてプロセスガスが吐出されるようになっている。この気体供給路７２の内径寸法は、処理液供給路６８の内径寸法より大きくされている。
【００５８】
また、この装置でも、回転支持筒６４の、内挿軸６６に形成された気体供給路７２の軸心を中心とした円周上の位置に、複数本の外側気体供給路７６ａが、円周方向に等配されてそれぞれ気体供給路７２の軸心線と平行に形設されている。そして、この装置では、各外側気体供給路の下端部７６ｂが、それぞれ下方外向きに傾斜して平面視で放射状に雰囲気遮断部材６２に形設されている。そして、複数本の外側気体供給路の下端部７６ｂのそれぞれの出口が外側気体吐出口７８となっており、雰囲気遮断部材６２の、ウエハＷの上面との対向面に、複数個の外側気体吐出口７８がそれぞれ開口している。複数個の外側気体吐出口７８は、円周方向に等配されて気体吐出口７４を取り囲むように設けられているが、図７および図８に示した装置における外側気体吐出口５８に比べて、雰囲気遮断部材６２のより周縁寄りに形成されている。
【００５９】
この基板処理装置における雰囲気遮断部材６２の気体吐出口７４および複数個の外側気体吐出口７８からのプロセスガスの吐出も、図７および図８に示した装置と同様に行われ、同様の作用効果が奏される。
【００６０】
図１１は、複数個の外側気体吐出口７８からのプロセスガスの吐出を、気体吐出口７４からのプロセスガスの吐出より遅れて開始するようにしたときの状態を示す図である。図１１（ａ）に示すように、まず、気体吐出口７４からウエハＷの上面の中心部へプロセスガスを吐出し、ウエハＷの上面の中央部に残っている純水１をウエハＷの周辺部へ拡散させてウエハＷの中央部から排除する。続いて、図１１（ｂ）（図１１（ｂ）では、雰囲気遮断部材６２の片側だけを示している。）に示すように、複数個の外側気体吐出口７８からウエハＷの上面へプロセスガスを吐出し、ウエハＷの上面の中央部から周辺部へ拡散してきた純水１を、元々周辺部に残っている純水と共にウエハＷの周辺部から外周方向へ拡散させて周辺部から排除する。この際、複数個の外側気体吐出口７８からは、ウエハＷの上面に対してそれぞれ斜め方向へ外向きにプロセスガスが吐出されるので、より少ないガス流量で効率良くウエハＷの上面の周辺部から純水１を排除することができる。なお、この装置でも、外側気体吐出口７８からのプロセスガスの吐出を開始した後に、気体吐出口７４からのプロセスガスの吐出を停止させてもよいし、気体吐出口７４からのプロセスガスの吐出を継続させてもよいし、また、外側気体吐出口７８からのプロセスガスの吐出を開始してから所定時間が経過した時点で気体吐出口７４からのプロセスガスの吐出だけを停止させるようにしてもよい。
【００６１】
＜５．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記各実施形態では、スピンチャックのスピンベース、回転筒および内挿軸の構成を、雰囲気遮断部材、その回転支持筒および内挿軸の構成とは異なるものにしているが、図１３および図１６にそれぞれ示した装置のように、スピンチャックのスピンベース、回転筒および内挿軸の構成を雰囲気遮断部材、その回転支持筒および内挿軸の構成と同様のものとし、スピンベースが、それに保持されたウエハＷの下面に対し雰囲気遮断部材としての機能を十分に果たすようにしてもよい。
【００６２】
また、上記第１実施形態においては外側気体吐出口４０からウエハＷの上面の中心近傍へプロセスガスが吐出され、第２実施形態においては外側気体吐出口９９からウエハＷの上面の中心と外周端縁との中間近傍にプロセスガスが吐出されていたが、これに限定されるものではなく、外側気体吐出口から吐出される気体の到達位置がスピンベース１４に保持されたウエハＷの上面の中心と外周端縁との中間よりも中心側となるように、外側気体吐出口を雰囲気遮断部材に形設するようにすれば良い。このようにすれば、少なくとも第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６３】
また、上記第３実施形態および第４実施形態の外側気体吐出口から吐出される気体の到達位置についてもスピンベース１４に保持されたウエハＷの上面の中心と外周端縁との中間よりも中心側となるように、外側気体吐出口を雰囲気遮断部材に形設するようにすれば良い。特に、第４実施形態の外側気体吐出口５８から吐出される気体の到達位置をスピンベース１４に保持されたウエハＷの上面の中心と外周端縁との中間近傍となるようにすれば、気体吐出口７４からのプロセスガス吐出によって純水１を排除できる限界の位置に対して斜め方向へ外向きに外側気体吐出口５８からプロセスガスが吐出されるので、より少ないガス流量で効率良くウエハＷの上面の周辺部から純水１を排除することができる。
【００６４】
また、プロセスガスの吐出フロー形態としては、薬液洗浄処理および／または純水リンス処理の際に気体吐出口および外側気体吐出口の双方からプロセスガスを吐出するようにしても良い。
【００６５】
例えば、第１実施形態において、薬液洗浄処理および／または純水リンス処理の際に気体吐出口３６からウエハＷの上面の中央部に向けてプロセスガスを吐出させるとともに、外側気体吐出口４０からもプロセスガスの吐出を行うようにしてもよい。
【００６６】
こうすることで、口径が小さく吐出量が制限される気体吐出口３６からのプロセスガスの吐出を外側気体吐出口４０に分担させて、より早く雰囲気置換を行うことができ、更に、気体吐出口３６の負荷を軽減することができる。
【００６７】
次に、ウエハＷの薬液洗浄処理および純水リンス処理が終わった後、ウエハＷを高速で回転させるスピン乾燥処理を行う前に、薬液洗浄処理および／または純水リンス処理の際の吐出流量よりも多くして気体吐出口３６および外側気体吐出口４０からのプロセスガスの吐出を行う。
【００６８】
また、気体吐出口と外側気体吐出口との間の流量配分は２０ｌ／ｍｉｎと８０ｌ／ｍｉｎに限定されるものではなく、例えば、ウエハＷの上面へ吐出するプロセスガスの総流量は１００ｌ／ｍｉｎとして、気体吐出口３６から４０ｌ／ｍｉｎの流量でプロセスガスを吐出し、外側気体吐出口４０から６０ｌ／ｍｉｎの流量でプロセスガスを吐出するようにしても良い。
【００６９】
すなわち、上記第１実施形態より気体吐出口３６からのプロセスガスの流量を多くすることで、外側気体吐出口４０からのプロセスガスの吐出タイミングを早めるようにしても良い。
【００７０】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１の発明によれば、気体吐出口からの気体吐出によって基板の中央部から周辺部に押し出された液滴がさらに気体吐出口の外側に設けられた外側気体吐出口からの気体吐出によって該周辺部からも排除されるため、基板を高速回転させてスピン乾燥させる前に、基板上に残っている液滴を効果的に排除することができ、その結果デバイス不良や歩留まりの低下につながるウォーターマークの形成や基板へのパーティクルの付着を有効に防止することができる。
【００７１】
また、請求項２の発明によれば、外側気体吐出口から吐出される気体の到達位置が基板保持回転手段に保持された基板の当該面の中心と外周端縁との中間よりも中心側となるため、気体吐出口からの気体吐出によって基板の中央部から周辺部に押し出された液滴をより効果的に排除することができる。
【００７２】
また、請求項３の発明によれば、外側気体吐出口から吐出される気体の到達位置が基板保持回転手段に保持された基板の当該面の中心と外周端縁との中間近傍となるため、気体吐出口からの気体吐出によって基板の中央部から周辺部に押し出された液滴をより効果的に排除することができる。
【００７３】
また、請求項４の発明によれば、外側気体吐出口からの気体の吐出が気体吐出口からの気体の吐出より遅れて開始されるため、気体吐出口からの気体吐出によって基板の中央部から周辺部に押し出された液滴をより効果的に排除することができる。
【００７４】
また、請求項５の発明によれば、外側気体吐出口から吐出される気体の到達位置が基板保持回転手段に保持された基板の当該面の中心近傍となるため、気体吐出口からの気体吐出によって基板の中央部から押し出された液滴を基板の周辺部からも排除することができる。
【００７５】
また、請求項６の発明によれば、気体吐出口および外側気体吐出口からほぼ同時にそれぞれ気体が吐出されるため、気体吐出口からの気体吐出によって基板の中央部から押し出された液滴を基板の周辺部からも効果的に排除することができる。
【００７６】
また、請求項７の発明によれば、外側気体吐出口から吐出される気体の流量が気体吐出口から吐出される気体の流量より大きいため、基板の周辺部からも液滴を確実に排除することができる。
【００７７】
また、請求項８の発明によれば、平面視で雰囲気遮断部材を支持する支持筒の内側に気体吐出口および外側気体吐出口を配置しているため、装置構成をコンパクトなものとすることができる。
【００７８】
また、請求項９の発明によれば、気体吐出口からの気体吐出によって基板の中央部から周辺部に押し出された液滴がさらに気体吐出口の外側に設けられた外側気体吐出口からの気体吐出によって該周辺部からも排除されるため、基板を高速回転させてスピン乾燥させる前に、基板上に残っている液滴を効果的に排除することができ、その結果デバイス不良や歩留まりの低下につながるウォーターマークの形成や基板へのパーティクルの付着を有効に防止することができる。
【００７９】
また、請求項１０の発明によれば、外側気体吐出口から吐出される気体の到達位置が基板保持回転手段に保持された基板の当該面の中心と外周端縁との中間近傍とされ、外側気体吐出口からの気体の吐出が気体吐出口からの気体の吐出より遅れて開始されるため、気体吐出口からの気体吐出によって基板の中央部から周辺部に押し出された液滴をより効果的に排除することができる。
【００８０】
また、請求項１１の発明によれば、外側気体吐出口から吐出される気体の到達位置が基板保持回転手段に保持された基板の当該面の中心近傍とされ、気体吐出口および外側気体吐出口からほぼ同時にそれぞれ気体が吐出されるため、気体吐出口からの気体吐出によって基板の中央部から押し出された液滴を基板の周辺部からも効果的に排除することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１実施形態の基板処理装置の要部の構成を示す縦断面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ矢視断面図である。
【図３】図１および図２に示した装置の作用を説明するための要部縦断面図である。
【図４】第２実施形態の基板処理装置の要部の構成を示す縦断面図である。
【図５】図４のＩＶ−ＩＶ矢視断面図である。
【図６】図４および図５に示した装置の作用を説明するための要部縦断面図である。
【図７】第３実施形態の基板処理装置の要部を構成を示す縦断面図である。
【図８】図７のＶ−Ｖ矢視断面図である。
【図９】図７および図８に示した装置の作用を説明するための要部縦断面図である。
【図１０】第４実施形態の基板処理装置の要部を構成を示す縦断面図である。
【図１１】図１０に示した装置の作用を説明するための要部縦断面図である。
【図１２】従来の基板処理装置の全体構成の一例を示し、一部を省略した概略正面図である。
【図１３】図１２に示した基板処理装置の要部の構成を示す縦断面図である。
【図１４】図１３のＸＩ−ＸＩ矢視断面図である。
【図１５】図１３および図１４に示した従来の装置における問題点を説明するための要部縦断面図である。
【図１６】従来の基板処理装置の別の構成例を示し、その要部の構成を示す縦断面図である。
【図１７】図１６のＸＩＶ−ＸＩＶ矢視断面図である。
【図１８】図１６および図１７に示した装置の作用を説明するための要部縦断面図である。
【符号の説明】
１０　スピンチャック
１２、４２、６２　雰囲気遮断部材
１４　スピンベース
１６　回転筒
１８　チャックピン
２０　回転筒の内挿軸
２２　回転筒の内挿軸の処理液供給路
２４　スピンベースの処理液吐出口
２６、４４、６４、８６　回転支持筒
２８、４６、６６、８８　回転支持筒の内挿軸
３０、４８、６８、９０　処理液供給路
３２、５０、７０、９２　処理液吐出口
３４、５２、７２、９４　気体供給路
３６、５４、７４、９６　気体吐出口
３８、５６、７６ａ、９８　外側気体供給路
４０、５８、７８、９９　外側気体吐出口
７６ｂ　外側気体供給路の下端部
Ｗ　半導体ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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