(57)【要約】【課題】高記録密度の磁気記録媒体の耐食性、走行性および耐久性の向上を図る。【解決手段】非磁性支持体１上に強磁性金属薄膜よりなる磁性層２を有し、磁性層上に保護層３、磁性層２と非磁性支持体１との間に下地層４、磁性層形成面側とは反対側の主面に裏面下地層５のうちの少なくともいずれかを有してなる磁気記録媒体において、保護層３、下地層４、裏面下地層５は、加熱触媒体を用いて原料ガスを接触熱分解して触媒化学気相成長法によって窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜の少なくともいずれかとして形成するか、もしくは冷陰極イオンソースの永久磁石あるいは電磁石部を加熱し、プラズマＣＶＤ法により、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜の少なくともいずれかとして形成したものとする。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性支持体上に、強磁性金属薄膜よりなる磁性層および保護層を有する磁気記録媒体であって、
上記保護層は、加熱触媒体を用いて原料ガスを接触熱分解して触媒化学気相成長法によって形成された窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかよりなるものであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
上記保護層の膜厚が、４ｎｍ〜２５ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
非磁性支持体上に、下地層および強磁性金属薄膜よりなる磁性層を有する磁気記録媒体であって、
上記下地層が、加熱触媒体を用いて原料ガスを接触熱分解して触媒化学気相成長法によって形成された窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかよりなるものであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
上記下地層の膜厚が、４〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
非磁性支持体上に強磁性金属薄膜よりなる磁性層を有し、上記非磁性支持体の上記磁性層形成面側とは反対側の主面に裏面下地層を有する磁気記録媒体であって、
上記裏面下地層が、加熱触媒体を用いて原料ガスを接触熱分解して触媒化学気相成長法によって形成された窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかよりなるものであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
上記裏面下地層の膜厚が、４〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
非磁性支持体上に、強磁性金属薄膜よりなる磁性層を有する磁気記録媒体であって、
上記磁性層上に保護層、上記非磁性支持体と上記磁性層との間に下地層、上記磁性層形成面側とは反対側の主面に裏面下地層の、少なくともいずれかを有し、上記保護層、上記下地層、および上記裏面下地層が、加熱触媒体を用いて原料ガスを接触熱分解して触媒化学気相成長法によって形成された窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかよりなるものであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項８】
上記磁性層は、Ｃｏ、ＣｏＮｉ、これらの酸化物からなる蒸着層、またはＣｒ層上にＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＰｔＳｉＯ２、ＣｏＰｔＢ−Ｏのスパッタ層を形成したもの、もしくはこれらのスパッタ層を上記Ｃｒ層を形成せずに単独で形成したもののうちのいずれかよりなり、
上記磁性層の膜厚が２０〜１００ｎｍであり、かつ磁性層の保磁力が１００〜２５０ｋＡ／ｍであり、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用いて信号の記録再生がなされることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
非磁性支持体上に、強磁性金属薄膜よりなる磁性層および保護層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、
上記保護層の形成工程においては、上記非磁性支持体を冷却しながら、加熱触媒体を用いて原料ガスを接触熱分解し、触媒化学気相成長法によって窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかを形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
非磁性支持体上に、下地層および強磁性金属薄膜よりなる磁性層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、
上記下地層の形成工程においては、上記非磁性支持体を冷却しながら、加熱触媒体を用いて原料ガスを接触熱分解し、触媒化学気相成長法によって、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかを形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
非磁性支持体上に強磁性金属薄膜よりなる磁性層を有し、上記非磁性支持体の上記磁性層形成面側とは反対側の主面に裏面下地層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、
上記裏面下地層の形成工程においては、上記非磁性支持体を冷却しながら、加熱触媒体を用いて原料ガスを接触熱分解し、触媒化学気相成長法によって、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかを形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
非磁性支持体上に磁性層および保護層を有する磁気記録媒体であって、
上記保護層は、冷陰極イオンソースを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１３】
上記保護層の膜厚が、４ｎｍ〜２５ｎｍであることを特徴とする請求項１２に記載の磁気記録媒体。
【請求項１４】
非磁性支持体上に、下地層および磁性層を有する磁気記録媒体であって、
上記下地層が、冷陰極イオンソースを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかよりなるものであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１５】
上記下地層の膜厚が、４〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項１４に記載の磁気記録媒体。
【請求項１６】
非磁性支持体上に、強磁性金属薄膜よりなる磁性層を有し、
上記非磁性支持体の上記磁性層形成面側とは反対側の主面に、裏面下地層を有する磁気記録媒体であって、
上記裏面下地層が、冷陰極イオンソースを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１７】
上記裏面下地層の膜厚が、４〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項１６に記載の磁気記録媒体。
【請求項１８】
非磁性支持体上に、強磁性金属薄膜よりなる磁性層を有する磁気記録媒体であって、
上記磁性層上に保護層、上記非磁性支持体と上記磁性層との間に下地層、上記磁性層形成面側とは反対側の主面に裏面下地層の、少なくともいずれかを有し、上記保護層、上記下地層、および上記裏面下地層が、冷陰極イオンソースを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかよりなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１９】
上記磁性層は、Ｃｏ、ＣｏＮｉ、これらの酸化物からなる蒸着層、またはＣｒ層上にＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＰｔＳｉＯ２、ＣｏＰｔＢ−Ｏのスパッタ層を形成したもの、もしくはこれらのスパッタ層を上記Ｃｒ層を形成せずに単独で形成したものであり、
上記磁性層の膜厚が２０〜１００ｎｍであり、かつ磁性層の保磁力が、１００〜２５０ｋＡ／ｍであり、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）を用いて信号の記録再生がなされることを特徴とする請求項１２乃至１８のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項２０】
非磁性支持体上に、強磁性金属薄膜よりなる磁性層を有し、
上記磁性層上に保護層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、
上記保護層の形成工程においては、冷陰極イオンソースの放電側表面を加熱し、プラズマＣＶＤ法により、窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかを形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２１】
非磁性支持体上に、下地層および磁性層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、
上記下地層の形成工程においては、冷陰極イオンソースの放電側表面を加熱し、プラズマＣＶＤ法により、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかを形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２２】
非磁性支持体上に、強磁性金属薄膜よりなる磁性層を有し、
上記非磁性支持体の上記磁性層形成面側とは反対側の主面に、裏面下地層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、
上記裏面下地層の形成工程においては、冷陰極イオンソースの放電側表面を加熱し、プラズマＣＶＤ法により、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかを形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空薄膜形成技術により形成された磁性層を有する磁気記録媒体およびその製造方法に係る。
【０００２】
【従来の技術】
従来からオーディオテープ、ビデオテープ等の磁気テープとしては、長尺状の非磁性支持体上に、酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機結合剤中に分散させた磁性塗料を塗布することにより作製される、いわゆる塗布型の磁気記録媒体が広く使用されていた。
【０００３】
これに対して、高密度磁気記録への要求の高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや真空薄膜形成手段（真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法等）によってポリエステルフィルムやポリアミド、ポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着した、いわゆる金属薄膜型の磁気記録媒体が提案され、実用化されている。
【０００４】
この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性に優れるばかりでなく、磁性層をきわめて薄層に形成できるため、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材であるバインダー（結合剤）が混入することが無いため、磁性材料の充填密度を高めることが出来ること等、数々の利点を有している。
【０００５】
また、この種の磁気記録媒体の電磁変換特性を向上させ、より大きな出力を得ることが出来るようにするために、磁性層を斜めに蒸着するいわゆる斜方蒸着が提案され、民生用ビデオ（８ミリＨｉ−８方式、ＤＶ方式）あるいは業務用ビデオ（ＤＶＣＡＭ）の磁気記録媒体として実用化されている。
【０００６】
上述したような金属薄膜型の磁気記録媒体においては、通常、耐久性や走行性等の改善を目的として、磁性層上に保護層を形成し、最外層に潤滑剤層を形成し、非磁性支持体の磁性層が形成されている側とは反対側の面にバック層を形成する構成が採られている。
【０００７】
金属薄膜型の磁気記録媒体においては、高密度化に対応してスペーシングロスの低減化を図るために表面を平滑化する方向にあるが、磁性層表面が平滑になると磁気ヘッドに対する接触面積が大きくなるために、摩擦力が増大し、磁性層に生ずるせん断応力が大きくなる。このような厳しい摺動条件から磁性層を保護するために、保護層を形成することが重要である。
【０００８】
また、磁気記録媒体の最外層には、潤滑剤を塗布して潤滑剤層を形成し、磁気ヘッドやガイドロールとの摺動が滑らかにし、耐久性、走行性の向上を図ることが望ましい。
【０００９】
また、バック層を形成することにより、非磁性支持体表面の電気抵抗を下げて帯電による走行不良を防止し、非磁性支持体の耐久性を向上させ、使用中の傷つき等の発生を防ぎ、また磁気テープ間の摩擦を小さくする等の効果が得られ、磁気テープの走行性、耐久性を向上が図られる。
【００１０】
上記保護層としては、炭素膜や水素含有炭素膜が用いられることが多く、その形成方法としては、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法が適用されている。
プラズマＣＶＤ法においては、磁性層に接しているガイドロールより電流を流し、磁性層（強磁性金属薄膜）を電極として用いて、ＣＶＤ反応管内のメッシュ状電極との間で電圧を印加し、グロー放電を発生させて、反応管内に導入された炭化水素系の成膜ガスをグロー放電によって分解し、磁性層上に被着させる方法によって保護層を形成している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで通常磁気記録媒体用の非磁性支持体（ベースフィルム）としては、ポリエステル系が主に用いられている。
【００１２】
しかしながら、上記非磁性支持体として膜厚４〜１５μｍ程度のポリエステル系フィルムを用い、表面に特定のマット面とフィラー面を形成し、極めて薄層の強磁性金属薄膜よりなる磁性層を形成した構成の磁気記録媒体において、上述した従来の方式によるプラズマＣＶＤ法によって保護層を形成する場合には、磁性層（強磁性金属薄膜）を電極として用いるため、強磁性金属薄膜の膜厚が薄くなると抵抗値の上昇を伴い、電極としての強磁性金属薄膜とＣＶＤ反応管内のメッシュ状電極との間での電圧印加が困難となるという問題があった。特に強磁性金属薄膜の膜厚が１００ｎｍ以下の薄層とするとこのような問題が顕著になる。
【００１３】
さらに、絶縁体である非磁性支持体のポリエステル系フィルム上には、このＣＶＤ方式によって炭素膜および水素含有炭素膜を直接形成することは不可能であるため、高密度記録の磁気テープを作製する場合において、走行性や耐食性、耐久性に関して充分な特性の向上が図られないという問題が生じていた。
【００１４】
そこで本発明者は、上記の問題点に鑑み、特にＭＲヘッドを用いたシステムに好適な、膜厚２０〜１００ｎｍの強磁性金属薄膜よりなる磁性層を有する高記録密度の磁気記録媒体において、耐食性、走行性、および耐久性の向上を図ることとした。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜よりなる磁性層を有し、磁性層上に保護層、磁性層と非磁性支持体との間に下地層、磁性層形成面側とは反対側の主面に裏面下地層のうちの少なくともいずれかを有してなるものであり、保護層、下地層、裏面下地層は、加熱触媒体を用いて原料ガスを接触熱分解して触媒化学気相成長法により形成された窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかであるものとする。
【００１６】
また、本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体上に、強磁性金属薄膜よりなる磁性層を有し、磁性層上に保護層、磁性層と非磁性支持体との間に下地層、磁性層形成面側とは反対側の主面に裏面下地層のうちの少なくともいずれかを有してなるものであり、保護層、下地層、裏面下地層は、冷陰極イオンソースの放電側表面を加熱し、プラズマＣＶＤ法により形成された窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかであるものとする。
【００１７】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性支持体上に、強磁性金属薄膜よりなる磁性層を有し、磁性層上に保護層、磁性層と上記非磁性支持体との間に下地層、磁性層形成面側とは反対側の主面に裏面下地層のうちの、少なくともいずれかを有してなる磁気記録媒体の製造方法であって、保護層、下地層、裏面下地層の形成工程においては、非磁性支持体を冷却しながら、加熱触媒体を用いて原料ガスを接触熱分解し、触媒化学気相成長法により、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜の少なくともいずれかを形成するものとする。
【００１８】
また、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性支持体上に、強磁性金属薄膜よりなる磁性層を有し、磁性層上に保護層、磁性層と非磁性支持体との間に下地層、磁性層形成面側とは反対側の主面に裏面下地層のうちの少なくともいずれかを有する磁気記録媒体の製造方法であって、保護層、下地層、裏面下地層の形成工程においては、冷陰極イオンソースの放電側表面を加熱し、プラズマＣＶＤ法により、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜の少なくともいずれかを形成するものとする。
【００１９】
本発明によれば、特にＭＲヘッドを用いたシステムに好適な膜厚２０〜１００ｎｍの強磁性金属薄膜よりなる磁性層を有する高記録密度の磁気記録媒体に関し、耐食性、走行性、および耐久性の向上が図られる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
〔第１の実施の形態〕
本発明の磁気記録媒体の具体的な実施形態について説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
本発明の磁気記録媒体１０の一例の概略断面図を図１に示す。
磁気記録媒体１０は、長尺状の非磁性支持体１上に強磁性金属薄膜よりなる磁性層２、および保護層３が順次形成され、磁性層２の形成面側とは反対側の主面にバックコート層６が形成された構成を有している。
【００２１】
非磁性支持体（ベースフィルム）１形成用材料としては、ポリエステル系が主に用いられている。ポリエステルとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリテトラメチレンテレフタレート、ポリ−１，４−シクロヘキシレンジメチレンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタリンジカルボキシレート、ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエートなどが挙げられる。特にポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）が好適なものとされ、これらのポリエステルはホモポリエステルやコポリエステルも適用することができる。
非磁性支持体１は膜厚４〜１５μｍ程度のものを適用するものとし、磁気記録媒体１０の耐久性や走行性、および磁気テープ成膜時のハンドリングを向上させるために、バインダー樹脂、フィラー及び界面活性剤等を含有する塗料により表面に微細な凹凸を付加したり、機械的な強度を高めたりしてもよい。
バインダー樹脂としては、例えば水性ポリエステル樹脂、水性アクリル樹脂、水性ポリウレタン樹脂等が挙げられ、フィラーとしては、耐熱性ポリマーからなる粒子、二酸化珪素、炭酸カルシウム等の粒子が挙げられる。
【００２２】
上述した方法の他、リソグラフィー技術によって非磁性支持体１上に人工的に凹凸を形成したり、メッキや真空薄膜形成技術によって金属、無機化合物または有機高分子によって島状構造を形成したりする方法を用いて表面に微小突起を形成してもよい。
【００２３】
磁性層２は、Ｃｏ、ＣｏＮｉ、これらの酸化物からなる蒸着層、またはＣｒ層上にＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＰｔＳｉＯ２、ＣｏＰｔＢ−Ｏのスパッタ層を形成したもの、もしくはこれらのスパッタ層をＣｒ層を形成せずに単独で形成したものとする。磁性層の保磁力は、１００〜２５０ｋＡ／ｍであるものとする。
【００２４】
次に、磁性層２の形成工程の一例として、図２に示すような連続巻き取り式の真空蒸着装置４０を挙げ、真空蒸着によって磁性層を形成する場合について説明する。
この真空蒸着装置４０においては、頭部と低部にそれぞれ設けられた排気口４１、４２から排気されて内部が真空状態となされた真空室４３内に、送りロール４４と、巻き取りロール４５とが設けられ、これら送りロール４４から巻き取りロール４５に長尺状の非磁性支持体１が順次走行するようになされている。
【００２５】
送りロール４４から巻き取りロール４５側に非磁性支持体１が走行する中途部には、冷却キャン４６が設けられている。冷却キャン４６は非磁性支持体１を図中下方に引き出すように設けられ定速回転する構成とされる。なお冷却キャン４６には、内部に冷却装置（図示せず）が設けられ、非磁性支持体１の温度上昇よる変形等を抑制するようになされている。
また、送りロール４４と冷却キャン４６との間、および冷却キャン４６と巻き取りロール４５との間には、それぞれガイドロール４７、４８が設けられ、送り走行する非磁性支持体１に所定のテンションをかけ、円滑に走行するようになされている。
【００２６】
真空室４３内には、冷却キャン４６の下方にルツボ４９が設けられ、このルツボ４９内に金属磁性材料５０が充填されている。一方、真空室４３の側壁部には、ルツボ４９内に充填された金属磁性材料５０を加熱蒸発させるための電子銃５１が取り付けられている。この電子銃５１は、放出される電子線Ｘが上記ルツボ４９内の金属磁性材料５０に照射されるような位置に配設される。そして、電子銃５１によって蒸発した金属磁性材料５０が冷却キャン４６の周面を走行する非磁性支持体１上に磁性層２として被着形成されるようになっている。
【００２７】
また、冷却キャン４６とルツボ４９との間であって、冷却キャン４６の近傍に、シャッタ５２が配設されている。このシャッタ５２は、冷却キャン４６の周面を定速走行する非磁性支持体１の所定領域を覆う形で設けられており、シャッタ５２により金属磁性材料５０が非磁性支持体１に対して所定の角度範囲で斜めに蒸着されるようになっている。さらに真空室４３の側壁部を貫通して設けられている酸素ガス導入口５４を介して非磁性支持体１の表面に酸素ガスが供給され、磁気特性、耐久性及び耐候性の向上が図られている。
【００２８】
なお本発明の磁気記録媒体は、ＭＲヘッドを有する記録再生装置に適用するものであって、ノイズの低減化を図り、Ｃ／Ｎの向上を図るために、磁性層２は極めて薄層に形成することが望ましく、膜厚２０〜１００ｎｍに形成するものとした。
【００２９】
磁性層２上の保護層３は、加熱触媒体を用いて原料ガスを接触熱分解して触媒化学気相成長法によって形成された窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜の少なくともいずれかよりなるものとする。以下保護層３の形成方法について図を示して具体的に説明する。
【００３０】
図３に保護層３を形成する触媒化学気相成長装置６０の概略構成図を示す。
この触媒化学気相成長装置６０は、側面部に設けられた真空排気系６１によって内部が高真空状態となされた真空室６２内に、定速度で回転する送りロール６３と巻き取りロール６４とが設けられ、これら送りロール６３から巻き取りロール６４に、上述したように非磁性支持体１に磁性層２が形成された被処理体６５が順次走行するようになされている。
【００３１】
これら送りロール６３から巻き取りロール６４に被処理体６５が走行する途中部には、冷却キャン６６が設けられている。この冷却キャン６６は、被処理体６５を図中下方に引き出すように設けられ、図中の矢印Ａ方向に定速度で回転する構成となされている。また、冷却キャン６６には、内部に冷却機構（図示せず）が設けられ、被処理体６５の温度上昇による変形等を抑制している。
従って被処理体６５は、送りロール６３から順次送り出され、冷却キャン６６の周面を通過し、巻き取りロール６４に巻き取られるようになされている。なお、送りロール６３と冷却キャン６６との間、および冷却キャン６６と巻き取りロールとの間には、それぞれガイドロール６７、６８が設けられ、被処理体６５に所定のテンションをかけ円滑に走行するようになされている。
【００３２】
真空室６２内には、ステンレスよりなるフード６９が設けられ、フード６９の内部には、触媒体となるモリブデン、タンタル、タングステン等の高融点金属よりなるワイヤーが張られたカタライザ７０が設けられている。カタライザ７０のワイヤーの両端は、絶縁された構造を有している導入端子を介して、真空室６２の外部に設けられた交流電源７１に接続されている。
【００３３】
カタライザ７０は、交流電源７１により電流供給を受け、１５００℃以上に発熱する。カタライザ７０の下方には原料ガスを導入するためのシャワーヘッド７２が設けられている。シャワーヘッド７２は中空のステンレスよりなる箱状の構造を有しており、上面部には径１ｍｍの穴を多数開けられており、シャワーヘッド７２の下面側にはガス導入パイプ７３が連結されている。
ガス導入パイプ７３はフード６９の底部および真空室６２の底壁部を貫通して設けられ、原料ガスが供給できるようになされている。
【００３４】
また、フードの側部６９と真空室６２の側壁部を貫通して、斜め下方に石英ガラスが設置されたビューポート７４が設けられ、フード６９の内部のカタライザ７０の温度を赤外線温度計７５によりモニタできる構造となっている。
【００３５】
図３に示す触媒化学気相成長装置６０においては、先ず真空室６２内部を高真空状態としておき、続いてガス導入パイプ７３から所定の原料ガスをシャワーヘッド７２を介して、交流電源７１により電流供給を受けて１５００℃以上に発熱したカタライザ７０に向かって供出させる。これにより原料ガスを接触熱分解し、原料ガスに応じて、窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜、水素含有炭素膜等を被処　理体６５に形成する。
なお、本発明の磁気記録媒体においては、保護層３の膜厚を４ｎｍ〜２５ｎｍとして形成した。
【００３６】
上述のようにして形成した保護層３上には、走行性を良好ならしめるために、例えば任意のパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を塗布して潤滑剤層（図示せず）を形成してもよい。
【００３７】
また、磁性層２形成面側とは反対側には、走行性の向上や帯電防止等を目的として、膜厚０．２〜０．７μｍ程度のバックコート層６を形成する。
バックコート層６は、例えば無機顔料等の固体粒子を結合剤中に分散させ、結合剤の種類に応じた有機溶剤とともに混練してバックコート層用塗料を調整し、これを非磁性支持体１の裏面側に塗布して形成される。
【００３８】
上述したように、保護層３を、加熱触媒体を用いて原料ガスを接触熱分解して、触媒化学気相成長法により、窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかに形成したことにより、磁性層２を極めて薄層に形成した場合においても、充分に耐食性、走行性、および耐久性の向上が図られ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）を用いた磁気記録システム用の磁気記録媒体として好適なものとすることができる。
ここでＭＲヘッドとは、磁気記録媒体からの信号を磁気抵抗効果を利用して検出する再生専用の磁気ヘッドである。一般にＭＲヘッドは電磁誘導を利用して記録再生を行うインダクティブ型磁気ヘッドよりも感度が高く再生出力が大きいので、高密度記録の磁気記録媒体に好適である。
【００３９】
〔第２の実施の形態〕
次に本発明の磁気記録媒体の他の一例について、図を参照して説明する。
図４に示す磁気記録媒体２０においては、非磁性支持体１の一主面に、下地層４、および強磁性金属薄膜よりなる磁性層２が順次形成され、磁性層形成面側とは反対側にバックコート層６が形成された構成を有している。
非磁性支持体１は図１に示した磁気記録媒体１０の非磁性支持体と同様のものを適用し、磁性層２についても図２に示した真空蒸着装置４０を用いた蒸着法やスパッタ法により、上記第１の実施の形態と同様の構成とする。バックコート層６についても上記図１の磁気記録媒体の場合と同様の方法によって形成することができる。
【００４０】
また下地層４は、上記図１に示した磁気記録媒体１０を構成する保護層３と同様の方法で形成する。すなわち下地層４は図３に示した触媒化学気相成長装置６０を適用して、加熱触媒体を用いて原料ガスを接触熱分解して触媒化学気相成長法によって形成された窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜の少なくともいずれかよりなるものとする。なお、下地層４は膜厚４〜１００ｎｍに形成する。
【００４１】
上述したように、磁性層２と非磁性支持体１との間の下地層４を、加熱触媒体を用いて原料ガスを接触熱分解して、触媒化学気相成長法により、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかに形成したことにより、磁性層２を極めて薄層に形成した場合においても、充分に耐食性、走行性、および耐久性の向上が図られ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）を用いた磁気記録システム用の磁気記録媒体として好適なものとすることができる。
【００４２】
〔第３の実施の形態〕
次に、本発明の磁気記録媒体の他の一例について、図を参照して説明する。
図５の磁気記録媒体３０においては、非磁性支持体１上に強磁性金属薄膜よりなる磁性層２を有し、非磁性支持体１の磁性層２形成面側とは反対側の主面に裏面下地層５が形成された構成を有している。
非磁性支持体１は図１に示した磁気記録媒体１０の非磁性支持体と同様のものを適用でき、磁性層２についても図２に示した真空蒸着装置４０を用いた蒸着法やスパッタ法により、上記第１の実施の形態と同様の構成に形成することができる。バックコート層６についても上記図１の磁気記録媒体の場合と同様の方法によって形成することができる。
【００４３】
また裏面下地層５は、上記図１に示した磁気記録媒体１０を構成する保護層３と同様の方法によって形成する。すなわち裏面下地層５は図３に示した触媒化学気相成長装置６０を適用して加熱触媒体を用いて原料ガスを接触熱分解して触媒化学気相成長法によって形成された窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜の少なくともいずれかよりなるものとする。なお、裏面下地層５は膜厚４〜１００ｎｍに形成する。
【００４４】
上述したように、非磁性支持体１とバックコート層６との間の裏面下地層５を、加熱触媒体を用いて原料ガスを接触熱分解して、触媒化学気相成長法により、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかに形成したことにより、磁性層２を極めて薄層に形成した場合においても、充分に耐食性、走行性、および耐久性の向上が図られ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）を用いた磁気記録システム用の磁気記録媒体として好適なものとすることができる。
【００４５】
なお、図４および図５に示した磁気記録媒体２０および３０の磁性層２上には、良好な走行耐久性および耐食性を確保するためにダイヤモンドライクカーボン層を形成することが望ましい。
ダイヤモンドライクカーボン層は、例えばプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）連続膜形成装置を用いて、ＣＶＤ法によって形成することができる。ＣＶＤ方式としては、メッシュ電極ＤＣプラズマ方式、電子ビーム励起プラズマソース方式、冷陰極イオンソース方式、イオン化蒸着方式、触媒ＣＶＤ方式等の従来公知の方式をいずれも使用することができる。
ＣＶＤ方式に使用する炭素化合物としては、炭化水素系、ケトン系、アルコール系等の従来公知の材料をいずれも使用することができる。また、プラズマ生成時には、炭素化合物の分化を促進するためのガスとして、Ａｒ、Ｈ２等が導入されていてもよい。
【００４６】
また上記第１〜第３の実施の形態に示した磁気記録媒体１０、２０、３０においては、走行性を良好ならしめるために、例えば任意のパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を最表面に塗布して潤滑剤層を形成した構成としてもよい。
【００４７】
〔第４の実施の形態〕
次に、本発明の磁気記録媒体の他の一例について説明する。
この例における磁気記録媒体は、上述した第１の実施の形態における磁気記録媒体と同様の構成を有するものとする。すなわち、長尺状の非磁性支持体１上に強磁性金属薄膜よりなる磁性層２および保護層３が順次形成され、磁性層２の形成面側とは反対側の主面にバックコート層６が形成された構成を有している。
【００４８】
非磁性支持体１は上述した例と同様のものを適用でき、磁性層２についても図２に示した真空蒸着装置４０を用いた蒸着法や、スパッタ法により、上記第１の実施の形態と同様の構成とすることができ、バックコート層６についても上記図１の磁気記録媒体の場合と同様の方法によって形成することができる。
【００４９】
この例において保護層３は、冷陰極イオンソースを用いたプラズマＣＶＤ法によって、窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜の少なくともいずれかに形成されたものとする。以下保護層３の形成方法について図を示して具体的に説明する。
【００５０】
図６に、冷陰極イオンソースを用いたＣＶＤ装置８０の概略構成図を示す。
このＣＶＤ装置８０は、側面部に設けられた真空排気系８１によって内部が高真空状態となされた真空室８２内に、定速度で回転する送りロール８３と巻き取りロール８４とが設けられ、これら送りロール８３から巻き取りロール８４に、上述したように非磁性支持体１に磁性層２が形成された被処理体８５が順次走行するようになされている。
【００５１】
これら送りロール８３から巻き取りロール８４に被処理体８５が走行する途中部には冷却キャン８６が設けられている。この冷却キャン８６は、被処理体８５を図中下方に引き出すように設けられ、図中の矢印Ｂ方向に定速度で回転する構成となされている。また、冷却キャン８６には内部に冷却機構（図示せず）が設けられており、被処理体８５の温度上昇による変形等を抑制している。
従って被処理体８５は、送りロール８３から順次送り出され、冷却キャン８６の周面を通過し、巻き取りロール８４に巻き取られるようになされている。なお、送りロール８３と冷却キャン８６との間、および冷却キャン８６と巻き取りロール８４との間には、それぞれガイドロール８７、８８が設けられ、被処理体８５に所定のテンションをかけ円滑に走行するようになされている。
【００５２】
真空室８２内には、ステンレスよりなるフード８９が設けられ、フード８９の内部には冷陰極イオンソース９０が設けられている。冷陰極イオンソース９０の内部にはアノード９１と磁石９２とが設けられている。この磁石９２には永久磁石、電磁石のいずれであってもよい。真空室８２の外部には直流電源９３が設けられており、アノード９１は絶縁された構造を有した導入端子を介して直流電源９３に接続されている。
【００５３】
冷陰極イオンソース９０には、底部を貫通する原料ガス導入孔９４から原料ガス導入パイプ９５が連結されている。
原料ガス導入パイプ９５はフード８９の底部および真空室８２の底壁部を貫通して設けられ、原料ガスが供給できるようになされている。
【００５４】
図６に示す冷陰極イオンソースによるＣＶＤ装置８０においては、先ず真空室８２内部を高真空状態としておき、続いてガス導入パイプ９５から所定の原料ガスを冷陰極イオンソース９０内に供給する。
続いてカソードとなる冷却キャン８６とアノード９１とを用いて所定の電圧を印加し、これらの間に放電を生じさせる。そして冷陰極イオンソース９０内に導入された原料ガスは、この放電によって分解し、冷却キャン８６の周面を走行する被処理体８５に所定の層が形成される。この保護層３は膜厚４ｎｍ〜２５ｎｍに形成する。
【００５５】
上述のように冷陰極イオンソースを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成した保護層３上には、走行性を良好ならしめるために、例えば任意のパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を塗布して潤滑剤層（図示せず）を形成してもよい。
【００５６】
また、磁性層２形成面側とは反対側には、走行性の向上や帯電防止等を目的としてバックコート層６を形成する。
バックコート層６は膜厚０．２〜０．７μｍ程度であることが好適である。バックコート層６は、例えば無機顔料等の固体粒子を結合剤中に分散させ、結合剤の種類に応じた有機溶剤とともに混練してバックコート層用塗料を調整し、これを非磁性支持体１の裏面側に塗布して形成される。
【００５７】
上述のようにして作製される磁気記録媒体は、保護層３を、冷陰極イオンソースを用いたプラズマＣＶＤ法によって、窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜の少なくともいずれかに形成したことにより、磁性層２を極めて薄層に形成した場合においても、充分に耐食性、走行性、および耐久性の向上が図られ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）を用いた磁気記録システム用の磁気記録媒体として好適なものとすることができる。
【００５８】
〔第５の実施の形態〕
次に本発明の磁気記録媒体の他の一例について、図を参照して説明する。
この例における磁気記録媒体は、上記第２の実施の形態において、図４に示して説明した磁気記録媒体と同様の構成を有するものとする。すなわち、非磁性支持体１の一主面に、下地層４および強磁性金属薄膜よりなる磁性層２が順次形成され、磁性層形成面側とは反対側にバックコート層６が形成された構成を有しているものとする。
非磁性支持体１は図１に示した磁気記録媒体１０の非磁性支持体と同様のものを適用でき、磁性層２についても図２に示した真空蒸着装置４０を用いた蒸着法やスパッタ法により、上述した第１の実施の形態と同様の構成とすることができ、バックコート層６についても上述した磁気記録媒体の場合と同様の方法によって形成することができる。
【００５９】
また下地層４は、上記第４の実施の形態において説明した磁気記録媒体を構成する保護層３と同様の方法で形成することができる。すなわち図６に示した保護層形成用のＣＶＤ装置８０を適用し、冷陰極イオンソースを用いたプラズマＣＶＤ法によって、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかに形成する。なお下地層４の膜厚は４〜１００ｎｍとする。
【００６０】
上述のように下地層４を、冷陰極イオンソースを用いたプラズマＣＶＤ法によって、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかに形成したことにより、磁性層２を極めて薄層に形成した場合においても、充分に耐食性、走行性、および耐久性の向上が図られ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）を用いた磁気記録システム用の磁気記録媒体として好適なものとすることができる。
【００６１】
〔第６の実施の形態〕
次に、本発明の磁気記録媒体の他の一例について、図を参照して説明する。
この例における磁気記録媒体は、上記第３の実施の形態において図５に示して説明した磁気記録媒体３０と同様の構成を有するものとする。
すなわち非磁性支持体１上に強磁性金属薄膜よりなる磁性層２を有し、非磁性支持体１の磁性層２形成面側とは反対側の主面に裏面下地層５が形成された構成を有している。
非磁性支持体１は図１に示した磁気記録媒体１０の非磁性支持体と同様のものを適用でき、磁性層２についても図２に示した真空蒸着装置４０を用いた蒸着法やスパッタ法により、上述した第１の実施の形態と同様の構成とすることができ、バックコート層６についても上述した磁気記録媒体の場合と同様の方法によって形成することができる。
【００６２】
また裏面下地層５は、上記第４の実施の形態において説明した磁気記録媒体を構成する保護層３と同様の方法により形成することができる。すなわち図６に示した保護層形成用のＣＶＤ装置８０を適用して、冷陰極イオンソースを用いたプラズマＣＶＤ法によって、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかに形成する。なお、裏面下地層４は膜厚４〜１００ｎｍに形成する。
【００６３】
上述したように、非磁性支持体１とバックコート層６との間の裏面下地層５を、冷陰極イオンソースを用いたプラズマＣＶＤ法によって、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかに形成したことにより、磁性層２を極めて薄層に形成した場合においても、充分に耐食性、走行性、および耐久性の向上が図られ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）を用いた磁気記録システム用の磁気記録媒体として好適なものとすることができる。
【００６４】
なお、図４および図５に示した磁気記録媒体２０および３０の磁性層２上には、良好な走行耐久性および耐食性を確保するためにダイヤモンドライクカーボン層を形成することが望ましい。
【００６５】
また上記第４〜第６の実施の形態に示した磁気記録媒体においては、走行性を良好ならしめるために、例えば任意のパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を最表面に塗布して潤滑剤層を形成した構成とすることが望ましい。
【００６６】
【実施例】
以下、本発明の磁気記録媒体の具体的な実施例について実験結果に基いて説明する。
磁気記録媒体の概略断面図を図７に示す。なお図７においては、保護層３、下地層４、裏面下地層５のいずれも記したが、以下の実施例においては、これらのうちの任意の層を形成した構成の磁気記録媒体を挙げて説明する。
【００６７】
〔実施例Ａ１〕
先ず、非磁性支持体１として、膜厚６μｍｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意した。この非磁性支持体１の磁性層形成面側に、膜厚２０ｎｍのＳｉＮよりなる下地層４、膜厚２０ｎｍのＣｏ−ＣｏＯよりなる磁性層２、および膜厚１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン膜よりなる保護層３を順次形成し、磁性層形成面側とは反対側の主面に、膜厚２０ｎｍのＳｉＮよりなる裏面下地層５を形成した。
【００６８】
〔実施例Ａ２〕〜〔実施例Ａ４１〕、〔比較例Ａ１〕〜〔比較例Ａ１７〕
磁性層２、保護層３、下地層４、および裏面下地層５の構成と膜厚を変え、その他の条件は上記実施例Ａ１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
【００６９】
なお、実施例Ａ１〜実施例Ａ４１、比較例Ａ１〜比較例Ａ１７においては、保護層３、下地層４、および裏面下地層５を、それぞれ加熱触媒体を用いて原料ガスを接触熱分解して触媒化学気相成長法によってダイヤモンドライクカーボン膜、ＳｉＯ膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＯＮ膜のうちのいずれかに形成した。これらの成膜条件を下記〔表１〕に示す。また実施例Ａ１〜実施例Ａ４１、比較例Ａ１〜比較例Ａ１７の磁気記録媒体の構成を下記〔表２〕〜〔表７〕に示す。
【００７０】
【表１】
2004118973.tif 000003
【００７１】
【表２】
2004118973.tif 000004
【００７２】
【表３】
2004118973.tif 000005
【００７３】
【表４】
2004118973.tif 000006
【００７４】
【表５】
2004118973.tif 000007
【００７５】
【表６】
2004118973.tif 000008
【００７６】
【表７】
2004118973.tif 000009
【００７７】
上記実施例Ａ１〜実施例Ａ４１、比較例Ａ１〜比較例Ａ１７の磁気テープについて、スチル耐久性、繰り返し走行耐久性（シャトル耐久性）、ＳＯ２ガス雰囲気中における錆発生（磁化劣化率）、高温高湿環境下における錆発生（磁化劣化率）の測定を行った。
ここで、スチル耐久性、およびシャトル耐久性の測定には、デッキに市販のソニー製デジタルビデオ（ＶＸ−１０００）を改造し、ＭＲヘッドを搭載したものを用いた。
【００７８】
スチル耐久性の測定においては、０℃０％ＲＨの環境下でデジタルビデオカセットに１０分長の磁気テープを組み込み１分間記録した後、巻き戻しを行い３０秒再生した時点で一時停止を行い出力をモニタリングし、一時停止した初期の出力に対し、出力が半分（−６ｄＢ）となるまでの時間を測定した。
スチル耐久性の評価については、◎が６０分以上、○が３０分以上６０分未満、△が１５分以上３０分未満、×が１５分未満とした。
【００７９】
シャトル耐久性の測定においては、４０℃８０％ＲＨの環境下で、デジタルビデオカセットに６０分長の磁気テープを組み込み、１分間記録した後巻き戻しを行い１分間再生し、その時の出力を初期出力とした。その後、１回だけ全長記録を行い、繰り返し再生を行い、出力をモニタリングしながら走行させ、上記の初期出力に対し、出力が半分（−６ｄＢ）となるまでの走行繰り返し回数（パス回数）を測定した。
シャトル耐久性の評価については、◎が１００パス以上、○が８０パス以上１００パス未満、△が５０パス以上８０パス未満、×が５０パス未満とした。
【００８０】
ＳＯ２ガス雰囲気中における錆発生については、磁気テープをＳＯ２ガス１ｐｐｍ、５０℃８０％ＲＨの環境下で１０時間保存し、その保存前後での磁化量の劣化率を評価した。
磁化劣化率は、〔（保存前の磁化量−保存後の磁化量）／保存前の磁化量〕×１００により求めるものとした。
ＳＯ２ガス雰囲気中における錆発生（磁化劣化率）の評価については、◎が５％以下、○が５％よりも大きく１０％以下、△が１０％よりも大きく１５％以下、×が１５％よりも大きい、とした。
【００８１】
高温高湿環境下における錆発生（磁化劣化率）については、磁気テープを６５℃９０％ＲＨ中に６日間保存し、その保存前後における磁化量の劣化率を評価した。
磁化劣化率は、〔（保存前の磁化量−保存後の磁化量）／保存前の磁化量〕×１００により求めるものとした。
高温高湿環境下における錆発生（磁化劣化率）の評価については、◎が５％以下、○が５％よりも大きく１０％以下、△が１０％よりも大きく１５％以下、×が１５％よりも大きい、とした。
【００８２】
下記〔表８〕に、スチル耐久性、繰り返し走行耐久性（シャトル耐久性）、ＳＯ２ガス雰囲気中における錆発生（磁化劣化率）、高温高湿環境下における錆発生（磁化劣化率）のそれぞれの評価のランク分けを示す。
【００８３】
【表８】
2004118973.tif 000010
【００８４】
上記実施例Ａ１〜実施例Ａ４１、比較例Ａ１〜比較例Ａ１７の磁気テープの評価結果を下記〔表９〕〜〔表１４〕に示す。
【００８５】
【表９】
2004118973.tif 000011
【００８６】
【表１０】
2004118973.tif 000012
【００８７】
【表１１】
2004118973.tif 000013
【００８８】
【表１２】
2004118973.tif 000014
【００８９】
【表１３】
2004118973.tif 000015
【００９０】
【表１４】
2004118973.tif 000016
【００９１】
上記表９〜表１１に示すように、保護層３、下地層４、裏面下地層５の少なくともいずれかが、ダイヤモンドライクカーボン膜、ＳｉＯ膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＯＮ膜として形成されてなり、磁性層２の膜厚を２０〜１００ｎｍ、保護層３の膜厚を４〜２５ｎｍ、下地層４の膜厚を４〜１００ｎｍ、裏面下地層５の膜厚を４〜１００ｎｍとした実施例Ａ１〜実施例Ａ４１の磁気テープについては、いずれもスチル耐久性、繰り返し走行耐久性（シャトル耐久性）、ＳＯ２ガス雰囲気中における錆発生（磁化劣化率）、高温高湿環境下における錆発生（磁化劣化率）のそれぞれの評価が○以上で、実用上極めて良好な結果が得られた。
【００９２】
一方、表１２に示すように、比較例Ａ１の磁気テープは磁性層２の膜厚が２０ｎｍ未満と薄くしたことにより、特にシャトル耐久性と高温高湿環境下における錆発生（磁化劣化率）の評価が劣り、実用上望ましい特性が得られなかった。
【００９３】
表１２に示すように、比較例Ａ２〜比較例Ａ４の磁気テープは、保護層３の膜厚が４ｎｍ未満と薄すぎ、スチル耐久性、繰り返し走行耐久性（シャトル耐久性）、ＳＯ２ガス雰囲気中における錆発生（磁化劣化率）、高温高湿環境下における錆発生（磁化劣化率）のすべての評価が劣り、実用上望ましい特性が得られなかった。
【００９４】
表１２に示すように、比較例Ａ５〜比較例Ａ７の磁気テープは、保護層３が２５ｎｍよりも厚く形成したものであるが、これらはスチル耐久性、繰り返し走行耐久性（シャトル耐久性）の評価が劣り、実用上望ましい特性が得られなかった。
【００９５】
表１３に示すように、比較例Ａ８〜比較例Ａ１２の磁気テープは、下地層４を４ｎｍよりも薄く形成したものであるが、これらはＳＯ２ガス雰囲気中における錆発生（磁化劣化率）、および高温高湿環境下における錆発生（磁化劣化率）の評価が劣り、実用上望ましい特性が得られなかった。
【００９６】
表１４に示すように、比較例Ａ１３〜比較例Ａ１７の磁気テープは、裏面下地層５を４ｎｍよりも薄く形成したものであるが、これらは、ＳＯ２ガス雰囲気中における錆発生（磁化劣化率）、および高温高湿環境下における錆発生（磁化劣化率）の評価が劣り、実用上望ましい特性が得られなかった。
【００９７】
上述したように、保護層３、下地層４および裏面下地層５の少なくともいずれかを、加熱触媒体を用いて原料ガスを接触熱分解して触媒化学気相成長法によってダイヤモンドライクカーボン膜、ＳｉＯ膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＯＮ膜のうちのいずれかに形成し、磁性層２の膜厚を２０〜１００ｎｍ、保護層３の膜厚を４〜２５ｎｍ、下地層４の膜厚を４〜１００ｎｍ、裏面下地層５の膜厚を４〜１００ｎｍとすることによって、スチル耐久性、繰り返し走行耐久性（シャトル耐久性）、ＳＯ２ガス雰囲気中における錆発生（磁化劣化率）、高温高湿環境下における錆発生（磁化劣化率）のいずれの評価についても良好な結果が得られた。
【００９８】
次に、保護層３、下地層４および裏面下地層５を、冷陰極イオンソースを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成した磁気記録媒体の具体例について説明する。
【００９９】
〔実施例Ｂ１〕
先ず、非磁性支持体１として、膜厚６μｍｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意した。この非磁性支持体１の磁性層形成面側に、膜厚２０ｎｍのＳｉＮよりなる下地層４、膜厚２０ｎｍのＣｏ−ＣｏＯよりなる磁性層２、および膜厚１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン膜よりなる保護層３を順次形成し、磁性層形成面側とは反対側の主面に、膜厚２０ｎｍのＳｉＮよりなる裏面下地層５を形成した。
【０１００】
〔実施例Ｂ２〕〜〔実施例Ｂ４１〕、〔比較例Ｂ１〕〜〔比較例Ｂ１７〕
磁性層２、保護層３、下地層４、および裏面下地層５の構成と膜厚を変え、その他の条件は上記実施例Ｂ１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
【０１０１】
保護層３、下地層３、および裏面下地層５の、冷陰極イオンソースを用いたＣＶＤ法における成膜条件を下記〔表１５〕に示す。
また実施例Ｂ１〜実施例Ｂ４１、比較例Ｂ１〜比較例Ｂ１７の磁気記録媒体の構成を下記〔表１６〕〜〔表２１〕に示す。
【０１０２】
【表１５】
2004118973.tif 000017
【０１０３】
【表１６】
2004118973.tif 000018
【０１０４】
【表１７】
2004118973.tif 000019
【０１０５】
【表１８】
2004118973.tif 000020
【０１０６】
【表１９】
2004118973.tif 000021
【０１０７】
【表２０】
2004118973.tif 000022
【０１０８】
【表２１】
2004118973.tif 000023
【０１０９】
上記実施例Ｂ１〜実施例Ｂ４１、比較例Ｂ１〜比較例Ｂ１７の磁気テープについて、スチル耐久性、繰り返し走行耐久性（シャトル耐久性）、ＳＯ２ガス雰囲気中における錆発生（磁化劣化率）、高温高湿環境下における錆発生（磁化劣化率）の測定を行った。
ここで、スチル耐久性、およびシャトル耐久性の測定には、デッキに市販のソニー製デジタルビデオ（ＶＸ−１０００）を改造し、ＭＲヘッドを搭載したものを用いた。
【０１１０】
スチル耐久性の測定においては、０℃０％ＲＨの環境下でデジタルビデオカセットに１０分長の磁気テープを組み込み１分間記録した後、巻き戻しを行い３０秒再生した時点で一時停止を行い出力をモニタリングし、一時停止した初期の出力に対し、出力が半分（−６ｄＢ）となるまでの時間を測定した。
スチル耐久性の評価については、◎が６０分以上、○が３０分以上６０分未満、△が１５分以上３０分未満、×が１５分未満とした。
【０１１１】
シャトル耐久性の測定においては、４０℃８０％ＲＨの環境下で、デジタルビデオカセットに６０分長の磁気テープを組み込み、１分間記録した後巻き戻しを行い１分間再生し、その時の出力を初期出力とした。その後、１回だけ全長記録を行い、繰り返し再生を行い、出力をモニタリングしながら走行させ、上記の初期出力に対し、出力が半分（−６ｄＢ）となるまでの走行繰り返し回数（パス回数）を測定した。
シャトル耐久性の評価については、◎が１００パス以上、○が８０パス以上１００パス未満、△が５０パス以上８０パス未満、×が５０パス未満とした。
【０１１２】
ＳＯ２ガス雰囲気中における錆発生については、磁気テープをＳＯ２ガス１ｐｐｍ、５０℃８０％ＲＨの環境下で１０時間保存し、その保存前後での磁化量の劣化率を評価した。
磁化劣化率は、〔（保存前の磁化量−保存後の磁化量）／保存前の磁化量〕×１００により求めるものとした。
ＳＯ２ガス雰囲気中における錆発生（磁化劣化率）の評価については、◎が５％以下、○が５％よりも大きく１０％以下、△が１０％よりも大きく１５％以下、×が１５％よりも大きい、とした。
【０１１３】
高温高湿環境下における錆発生（磁化劣化率）については、磁気テープを６５℃９０％ＲＨ中に６日間保存し、その保存前後における磁化量の劣化率を評価した。
磁化劣化率は、〔（保存前の磁化量−保存後の磁化量）／保存前の磁化量〕×１００により求めるものとした。
高温高湿環境下における錆発生（磁化劣化率）の評価については、◎が５％以下、○が５％よりも大きく１０％以下、△が１０％よりも大きく１５％以下、×が１５％よりも大きい、とした。
【０１１４】
下記〔表２２〕に、スチル耐久性、繰り返し走行耐久性（シャトル耐久性）、ＳＯ２ガス雰囲気中における錆発生（磁化劣化率）、高温高湿環境下における錆発生（磁化劣化率）のそれぞれの評価のランク分けを示す。
【０１１５】
【表２２】
2004118973.tif 000024
【０１１６】
上記実施例Ｂ１〜実施例Ｂ４１、比較例Ｂ１〜比較例Ｂ１７の磁気テープの評価結果を下記〔表２３〕〜〔表２８〕に示す。
【０１１７】
【表２３】
2004118973.tif 000025
【０１１８】
【表２４】
2004118973.tif 000026
【０１１９】
【表２５】
2004118973.tif 000027
【０１２０】
【表２６】
2004118973.tif 000028
【０１２１】
【表２７】
2004118973.tif 000029
【０１２２】
【表２８】
2004118973.tif 000030
【０１２３】
上記表２３〜表２５に示すように、保護層３、下地層４、裏面下地層５の少なくともいずれかが、ダイヤモンドライクカーボン膜（炭素膜および水素含有炭素膜）、ＳｉＯ膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＯＮ膜として形成されてなり、磁性層２の膜厚を２０〜１００ｎｍ、保護層３の膜厚を４〜２５ｎｍ、下地層４の膜厚を４〜１００ｎｍ、裏面下地層５の膜厚を４〜１００ｎｍとした実施例Ｂ１〜実施例Ｂ４１の磁気テープについては、いずれもスチル耐久性、繰り返し走行耐久性（シャトル耐久性）、ＳＯ２ガス雰囲気中における錆発生（磁化劣化率）、高温高湿環境下における錆発生（磁化劣化率）のそれぞれの評価が○以上で、実用上極めて良好な結果が得られた。
【０１２４】
一方、表２６に示すように、比較例Ｂ１の磁気テープは、磁性層２の膜厚が２０ｎｍ未満と薄くしたことにより、特にシャトル耐久性と高温高湿環境下における錆発生（磁化劣化率）の評価が劣り、実用上望ましい特性が得られなかった。
【０１２５】
表２６に示すように、比較例Ｂ２〜比較例Ｂ４の磁気テープは、保護層３の膜厚が４ｎｍ未満と薄すぎ、スチル耐久性、繰り返し走行耐久性（シャトル耐久性）、ＳＯ２ガス雰囲気中における錆発生（磁化劣化率）、高温高湿環境下における錆発生（磁化劣化率）のすべての評価が劣り、実用上望ましい特性が得られなかった。
【０１２６】
表２６に示すように、比較例Ｂ５〜比較例Ｂ７の磁気テープは、保護層３を２５ｎｍよりも厚く形成したものであるが、これらはスチル耐久性、繰り返し走行耐久性（シャトル耐久性）の評価が劣り、実用上望ましい特性が得られなかった。
【０１２７】
表２７に示すように、比較例Ｂ８〜比較例Ｂ１２の磁気テープは、下地層４を４ｎｍよりも薄く形成したものであるが、これらはＳＯ２ガス雰囲気中における錆発生（磁化劣化率）、および高温高湿環境下における錆発生（磁化劣化率）の評価が劣り、実用上望ましい特性が得られなかった。
【０１２８】
表２８に示すように、比較例Ｂ１３〜比較例Ｂ１７の磁気テープは、裏面下地層５を４ｎｍよりも薄く形成したものであるが、これらは、ＳＯ２ガス雰囲気中における錆発生（磁化劣化率）、および高温高湿環境下における錆発生（磁化劣化率）の評価が劣り、実用上望ましい特性が得られなかった。
【０１２９】
上述したように、保護層３、下地層４および裏面下地層５の少なくともいずれかを、冷陰極イオンソースを用いたプラズマＣＶＤ法により、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、ダイヤモンドライクカーボン膜（炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜）のいずれかに形成し、磁性層２の膜厚を２０〜１００ｎｍ、保護層３の膜厚を４〜２５ｎｍ、下地層４の膜厚を４〜１００ｎｍ、裏面下地層５の膜厚を４〜１００ｎｍとしたことによって、スチル耐久性、繰り返し走行耐久性（シャトル耐久性）、ＳＯ２ガス雰囲気中における錆発生（磁化劣化率）、高温高湿環境下における錆発生（磁化劣化率）について、実用上良好な評価が得られた。
【０１３０】
次に、比較例として、下地層４および裏面下地層５を形成せず、保護層３をＣＶＤ法によってダイヤモンドライクカーボン膜として形成した磁気記録媒体の具体例について説明する。
【０１３１】
〔比較例Ｃ１〕
先ず、非磁性支持体１として、膜厚６μｍｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意した。この非磁性支持体１の一主面に、膜厚２０ｎｍのＣｏ−ＣｏＯよりなる磁性層２、および膜厚１０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン膜よりなる保護層３を順次形成した。
【０１３２】
〔比較例Ｃ２〕、〔比較例Ｃ３〕
磁性層２の膜厚を変え、その他の条件は上記比較例Ｃ１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
【０１３３】
保護層３のＣＶＤ法における成膜条件を下記〔表２９〕に示す。
また、比較例Ｃ１〜比較例Ｃ３の磁気記録媒体の構成を下記〔表３０〕に示す。
【０１３４】
【表２９】
2004118973.tif 000031
【０１３５】
【表３０】
2004118973.tif 000032
【０１３６】
上記比較例Ｃ１〜比較例Ｃ３の磁気テープについて、スチル耐久性、繰り返し走行耐久性（シャトル耐久性）、ＳＯ２ガス雰囲気中における錆発生（磁化劣化率）、高温高湿環境下における錆発生（磁化劣化率）の測定を行った。
スチル耐久性、およびシャトル耐久性の測定には、デッキに市販のソニー製デジタルビデオ（ＶＸ−１０００）を改造し、ＭＲヘッドを搭載したものを用いた。
測定方法および評価基準については、上述した各実施例と同様とした。
【０１３７】
上記比較例Ｃ１〜比較例Ｃ３の磁気テープの評価結果を下記〔表３１〕に示す。
【０１３８】
【表３１】
2004118973.tif 000033
【０１３９】
表３１に示すように、比較例Ｃ１〜比較例Ｃ３の磁気テープは、下地層４および裏面下地層５を形成しない構成としたことにより、特にスチル耐久性、ＳＯ２ガス雰囲気中における錆発生（磁化劣化率）、高温高湿環境下における錆発生（磁化劣化率）の評価について、実用上良好な評価が得られなかった。
【０１４０】
【発明の効果】
本発明によれば、保護層、下地層、あるいは裏面下地層の少なくともいずれかを、加熱触媒体を用いて原料ガスを接触熱分解して、触媒化学気相成長法により、窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかに形成したことにより、磁性層を極めて薄層に形成した場合においても、充分に耐食性、走行性および耐久性の向上が図られ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）を用いた磁気記録システム用として好適な磁気記録媒体が得られた。
【０１４１】
また、本発明によれば、保護層、下地層、あるいは裏面下地層の少なくともいずれかを、冷陰極イオンソースを用いたプラズマＣＶＤ法によって、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、炭化珪素膜、炭素膜および水素含有炭素膜のいずれかに形成したことにより、磁性層を極めて薄層に形成した場合においても、充分に耐食性、走行性、および耐久性の向上が図られ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）を用いた磁気記録システム用として好適な磁気記録媒体が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の一例の概略構成図を示す。
【図２】磁性層を形成する真空蒸着装置の概略構成図を示す。
【図３】本発明の磁気記録媒体を構成する保護層、下地層、裏面下地層を形成する触媒化学気相成長装置の概略構成図を示す。
【図４】本発明の磁気記録媒体の他の一例の概略構成図を示す。
【図５】本発明の磁気記録媒体の他の一例の概略構成図を示す。
【図６】本発明の磁気記録媒体を構成する保護層、下地層、裏面下地層を形成する冷陰極イオンソースによるＣＶＤ装置の概略構成図を示す。
【図７】本発明の磁気記録媒体の一例の概略構成図を示す。
【符号の説明】
１……非磁性支持体、２……磁性層、３……保護層、４……下地層、５……裏面下地層、６……バックコート層、７……潤滑剤層、１０，２０，３０……磁気記録媒体、４０……真空蒸着装置、４１，４２……排気口、４３……真空室、４４……送りロール、４５……巻き取りロール、４６……冷却キャン、４７，４８……ガイドロール、４９……ルツボ、５０……金属磁性材料、５１……電子銃、５２……シャッタ、５４……酸素ガス導入管、６０……触媒化学気相成長装置、６１……真空排気系、６２……真空室、６３……送りロール、６４……巻き取りロール、６５……被処理体、６６……冷却キャン、６７，６８……ガイドロール、６９……フード、７０……カタライザ、７１……交流電源、７２……原料供給シャワーヘッド、７３……ガス導入パイプ、７４……ビューポート、７５……赤外線温度計、８０……冷陰極イオンソースによるＣＶＤ装置、８１……真空排気系、８２……真空室、８３……送りロール、８４……巻き取りロール、８５……被処理体、８６……冷却キャン、８７，８８……ガイドロール、８９……フード、９０……冷陰極イオンソース、９１……アノード、９２……磁石、９３……直流電源、９４……原料ガス導入口、９５……原料ガス導入パイプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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