(57)【要約】【課題】低ランニングコストで、しかも基板に対するリンス処理を高品質で実行したり、洗浄処理中に基板にダメージを与えることなく、高品質な洗浄処理を低ランニングコストで実行する。【解決手段】洗浄用２流体ノズル５およびリンス用ノズル６に対して、超純水にアンモニアを微量添加した液体、つまりアンモニア微量含有純水を供給する液体供給ユニット８が接続されている。この液体供給ユニット８では、ミキシング部８３が純水供給部８１から供給される超純水と、アンモニア水供給部８２から供給されるアンモニア水とを混合させてアンモニア微量含有純水を生成する。そして、コントローラ４からの制御信号に応じて電磁弁８９Ａ、８９Ｂを開閉制御することで各ノズル５、６からアンモニア微量含有純水の供給／停止を制御可能となっている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
超純水にアンモニアが微量添加されて比抵抗値が０．１〜１０ＭΩ・ｃｍの範囲となっていることを特徴とする基板用リンス液。
【請求項２】
ｐＨが８〜１０の範囲となっている請求項１記載の基板用リンス液。
【請求項３】
基板に処理液を供給して所定の湿式処理を施す湿式処理工程と、
前記湿式処理工程後に、超純水にアンモニアが微量添加されてなるリンス液により前記基板に対してリンス処理を施すリンス工程と
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】
前記リンス液として、その比抵抗値が０．１〜１０ＭΩ・ｃｍの範囲となっているものを用いる請求項３記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記リンス液として、そのｐＨが８〜１０の範囲となっているものを用いる請求項３または４記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記リンス工程は最終リンス工程である請求項３ないし５のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記基板への前記リンス液の供給直前に、超純水にアンモニアを微量添加して前記リンス液を作成するリンス液作成工程をさらに備える請求項３ないし６のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項８】
超純水にアンモニアを微量添加した液体を供給する液体供給手段と、
気体を供給する気体供給手段と、
前記液体供給手段から前記液体の供給を受けるとともに、前記気体供給手段から前記気体の供給を受け、前記液体と前記気体を混合させて洗浄用液滴を生成し、基板に衝突させて該基板を洗浄する洗浄手段と
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
前記洗浄手段は、前記液体を吐出する液体吐出手段と、前記液体吐出手段に近接して前記気体を吐出する気体吐出手段とを備え、前記液体吐出手段から吐出される液体を、空中にて前記気体吐出手段より吐出された気体と混合して前記洗浄用液滴を生成し、前記基板に衝突させることにより洗浄を行う請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記洗浄手段は、その先端部に開口を有するノズル本体を備え、前記ノズル本体の内部で前記液体と前記気体を混合させて前記洗浄用液滴を生成するとともに前記開口から前記基板に向けて吐出し、前記基板に衝突させることにより洗浄を行う請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記液体吐出手段からの前記液体の供給および停止、ならびに前記気体吐出手段からの前記気体の供給および停止を制御する制御手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記洗浄手段による基板洗浄を実行した後に、前記洗浄手段に前記液体のみを供給して前記洗浄手段を洗浄する請求項８ないし１０のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１２】
基板洗浄後に前記液体供給手段から前記液体の供給を受け、前記液体をリンス液として前記基板に供給してリンス処理を実行するリンス手段をさらに備える請求項８ないし１１のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などの各種基板（以下、単に「基板」という）の帯電やパーティクル付着を防止する技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置や液晶表示装置などの電子部品の製造工程では、基板の表面に成膜やエッチングなどの処理を繰り返し施して微細パターンを形成していく工程が含まれる。ここで、微細加工を良好に行うためには基板表面を清浄な状態に保つ必要がある。そこで、必要に応じて基板の洗浄処理が行われる（特許文献１参照）。この特許文献１に記載の発明では、洗浄処理に適した処理液、つまり洗浄液によって基板表面を洗浄した後、その基板表面に残留している処理液をリンス液によってリンス除去している。ここでは、リンス液として超純水を用いている。そして、リンス処理された基板を高速回転させることで基板表面に付着している超純水（リンス液）を振切って乾燥させている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平５−２９２９２号公報（第３頁、図１）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、リンス液として超純水を用いた場合、次のような問題が生じる。すなわち、超純水の比抵抗値は高いため、超純水によるリンス処理によって静電気が発生して静電破壊が発生したり、静電気によってパーティクルが基板表面に付着するという問題が生じる。そこで、かかる問題を解消するため、超純水に炭酸ガスを溶解させて比抵抗値を低下させる提案が数多くなされている。
【０００５】
しかしながら、炭酸ガスの供給源として液化ガスが一般的に用いられており、炭酸ガスへの不純物の混入を避けることができず、超純水に炭酸ガスを溶解させる技術を微細化や高集積化などが進行した電子部品に適用することは困難となっている。その理由は、以下のとおりである。近年、電子部品の微細化および高集積化などに伴いパーティクル除去のみならず同時に金属コンタミネーションの除去も求められるようになっている。このような要望を満足するためにはリンス液への不純物の混入を抑制することが不可避であるが、上記したように炭酸ガスを用いた場合には該要望を満足することができず、良好な品質でリンス処理を行うことができない。特に、金属コンタミネーションの除去を最優先課題とする場合には、超純水に炭酸ガスを溶解させたリンス液を用いて最終リンス処理を実行することは事実上不可能であった。
【０００６】
また、超純水に炭酸ガスを溶解させたリンス液は酸性を示すため、例えば銅配線をパターニングした基板に対して該リンス液を適用した場合、該リンス液により銅配線が腐食されてしまう可能性がある。したがって、該リンス液の使用自体が不可能となってしまう。このように、超純水に炭酸ガスを溶解させたリンス液の適用範囲は非常に限られたものとなっていた。
【０００７】
また、炭酸ガスの溶解によりリンス液の比抵抗値を下げて基板の静電破壊を効果的に防止するためには、比較的多量の炭酸ガスを超純水に溶解させる必要がある。そのため、ランニングコストの増大を招いてしまうという問題もあった。
【０００８】
さらに、超純水を用いて洗浄処理する場合にも、リンス処理と同様の問題が発生する場合があった。すなわち、洗浄処理中に静電破壊が発生するのを防止するために炭酸ガスを超純水に溶解させて洗浄液の比抵抗値を低下させることがあった。しかしながら、超純水に炭酸ガスを溶解させて洗浄液を生成した場合、洗浄液への不純物の混入によって洗浄処理の品質を低下させてしまったり、洗浄処理中に基板の配線を腐食させてしまうなどのダメージを基板に与えるという問題が発生するおそれがあった。また、ランニングコストの面でも炭酸ガスの溶解は不利であった。
【０００９】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、低ランニングコストで、しかも基板に対するリンス処理を高品質で実行することができる基板用リンス液および基板処理方法を提供することを第１の目的とする。
【００１０】
また、この発明は、基板に洗浄液を供給して基板洗浄を行う基板処理装置において、洗浄処理中に基板にダメージを与えることなく、高品質な洗浄処理を低ランニングコストで実行することができる基板処理装置を提供することを第２の目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明にかかる基板用リンス液は、上記第１の目的を達成するため、超純水にアンモニアが微量添加されて比抵抗値が０．１〜１０ＭΩ・ｃｍの範囲となっていることを特徴としている。
【００１２】
このように構成された基板用リンス液では、超純水にアンモニアを微量添加することでリンス液の比抵抗値が下げられている。このため、該リンス液を用いて基板に対するリンス処理を実行した際に、基板の静電破壊や基板へのパーティクルの付着を効果的に防止することができる。ここで、単に静電破壊やパーティクル付着の防止効果のみを考えると、炭酸ガスを用いた従来技術と大差はない。しかしながら、炭酸ガスについては上記したように高純度のものを入手することは現状では困難であるのに対し、アンモニアについては高純度のもの、例えばＥＬグレードと称されている品質のものを容易に入手しやすく、しかも高純度であるにもかかわらず、純度の低い炭酸ガスよりも安価に入手することができる。したがって、超純水にアンモニアを微量添加することでリンス液の比抵抗値を０．１〜１０ＭΩ・ｃｍの範囲に低下させ、低ランニングコストで、しかも優れた品質でリンス処理を実行することができる。
【００１３】
また、アンモニア添加により基板用リンス液はアルカリ性を示すため、該基板用リンス液を用いたリンス処理によってパーティクル除去のみならず同時に金属コンタミネーションの除去も可能となり、基板に対するリンス処理を高品質で実行することができる。なお、このようなリンス処理をより良好に実行するためには、そのｐＨが８〜１０の範囲となるようにアンモニアの添加量を調整するのが望ましい。
【００１４】
この発明にかかる基板処理方法は、上記第１の目的を達成するため、基板に処理液を供給して所定の湿式処理を施す湿式処理工程と、湿式処理工程後に、超純水にアンモニアが微量添加されてなるリンス液により基板に対してリンス処理を施すリンス工程とを備えている。
【００１５】
このように構成された発明では、処理液による湿式処理が実行された基板には処理液が付着しているが、リンス工程を実行することで付着している処理液が洗い流され、湿式処理が完全に停止される。このように、リンス液を基板に供給する際、比抵抗値が高いリンス液を用いると、上記したように基板の静電破壊やパーティクルの付着が発生してしまい、品質低下を招いてしまう。しかしながら、超純水にアンモニアが微量添加されてなるリンス液を用いてリンス処理を実行すると、基板の静電破壊や基板へのパーティクルの付着を効果的に防止することができる。しかも、このようなリンス液を用いることで、「基板用リンス液」にかかる発明と同様の作用効果が得られる。すなわち、アンモニアについては高純度のもの、例えばＥＬグレードと称されている品質のものを容易に入手しやすく、しかも高純度であるにもかかわらず、純度の低い炭酸ガスよりも安価に入手することができるため、低ランニングコストで、しかも優れた品質でリンス処理を実行することができる。また、リンス処理においてパーティクル除去のみならず同時に金属コンタミネーションの除去も可能となり、基板に対するリンス処理を高品質で実行することができる。
【００１６】
ここで、基板の静電破壊やパーティクルの付着を効果的に防止する観点では、リンス液として、その比抵抗値が０．１〜１０ＭΩ・ｃｍの範囲となっているものを用いるのが望ましい。また、リンス処理をより良好に実行するためには、そのｐＨが８〜１０の範囲となるようにアンモニアの添加量を調整するのが望ましい。
【００１７】
また、リンス工程を複数回に分けて実行する場合があるが、このような場合には少なくとも最終リンス工程を実行する際、超純水にアンモニアが微量添加されてなるリンス液により基板に対してリンス処理を施すのが望ましい。
【００１８】
また、超純水にアンモニアが微量添加したリンス液を作成するリンス液作成工程の実行タイミングについては、特に制限されるものではないが、基板へのリンス液の供給直前に行うのが望ましい。というのも、上記のようにして作成されたリンス液中のアンモニア成分は時間経過とともに揮発し、その結果、比抵抗値が増大するからである。したがって、基板へのリンス液の供給直前に行うと、アンモニアの揮発量を抑制することができ、比抵抗値の変化を抑えて安定したリンス処理を行うことができるとともに、アンモニアを使用効率を高めてランニングコストを低減することができる。
【００１９】
この発明にかかる基板処理装置は、上記第２の目的を達成するため、超純水にアンモニアを微量添加した液体を供給する液体供給手段と、気体を供給する気体供給手段と、液体供給手段から液体の供給を受けるとともに、気体供給手段から気体の供給を受け、液体と気体を混合させて洗浄用液滴を生成し、基板に衝突させて該基板を洗浄する洗浄手段とを備えている。
【００２０】
このように構成された発明では、超純水にアンモニアが微量添加されてなる液体と、気体とが混合されて洗浄用液滴が生成される。そして、洗浄用液滴が基板に衝突されて該基板の洗浄処理が実行される。このように洗浄用液滴を生成するにあたって、超純水にアンモニアが微量添加されてなる液体を用いているため、洗浄用液滴の比抵抗値が低下し、基板の静電破壊や基板へのパーティクルの付着を効果的に防止することができる。しかも、このような洗浄用液滴を用いることで、「基板用リンス液」にかかる発明と同様の作用効果が得られる。すなわち、アンモニアについては高純度のもの、例えばＥＬグレードと称されている品質のものを容易に入手しやすく、しかも高純度であるにもかかわらず、純度の低い炭酸ガスよりも安価に入手することができるため、低ランニングコストで、しかも優れた品質で洗浄処理を実行することができる。また、洗浄用液滴はアルカリ性を呈することとなるため、基板の配線を腐食させてしまうなどのダメージを基板に与えることなく、洗浄処理を高品質で行うことができる。
【００２１】
ここで、液体と気体とを混合させる態様としては、空中にて気体と液体とを混合して洗浄用液滴を生成するようにしてもよいし、洗浄手段のノズル本体内部で気体と液体とを混合して洗浄用液滴を生成するようにしてもよい。
【００２２】
また、洗浄手段による基板洗浄を実行した後に、洗浄手段に液体のみを供給して洗浄手段を洗浄するように構成してもよく、洗浄手段の自己洗浄（セルフクリーニング）によって洗浄手段を常に清浄な状態に保つことができ、洗浄処理を良好に行うことができる。
【００２３】
さらに、基板洗浄後に液体供給手段から液体の供給を受け、液体をリンス液として基板に供給してリンス処理を実行するリンス手段をさらに設けてもよく、超純水にアンモニアが微量添加されてなる液体がリンス液として洗浄処理後の基板に供給されてリンス処理される。したがって、「基板用リンス液」にかかる発明と同様の作用効果が得られる、つまり低ランニングコストで、しかも高品質で、基板の静電破壊や基板へのパーティクルの付着を効果的に防止することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
図１は本発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す概略図である。また、図２は図１の平面図である。この基板処理装置は、後述するように、
（１）洗浄処理：超純水にアンモニアを微量添加してなる液体と圧縮空気とを混合して生成した液滴（以下「洗浄用液滴」という）を洗浄液（処理液）として用いて基板表面を洗浄する湿式処理、
（２）リンス処理：超純水にアンモニアを微量添加してなるリンス液を基板表面に供給して基板表面に付着する液滴を洗い流す処理、
（３）スピン乾燥処理：基板を高速回転させて基板表面に付着するリンス液を振り切って基板を乾燥させる処理、
を実行するものである。以下、この基板処理装置の構成および動作について図面を参照しつつ詳述する。
【００２５】
この基板処理装置は、基板Ｗよりも若干大きな平面サイズを有するスピンベース１を有している。このスピンベース１の上面周縁には、複数の支持ピン２が配置されている。そして、各支持ピン２が基板Ｗの端部と当接しており、基板Ｗは、その基板表面を上方に向けた状態で、かつ略水平状態で支持される。なお、この実施形態では、支持ピン２によって基板Ｗを機械的に保持しているが、基板Ｗの保持方式はこれに限定されるものではなく、例えば基板Ｗを吸着保持するようにしてもよい。
【００２６】
また、スピンベース１には、図１に示すように、回転軸３１が連結されている。また、この回転軸３１はモータ３２と連結されており、装置全体を制御するコントローラ４によるモータ駆動に応じてモータ３２が作動するのに伴って回転する。これによって、スピンベース１の上方で支持ピン２により保持されている基板Ｗはスピンベース１とともに回転軸心Ｐａ回りに回転する。
【００２７】
こうして回転駆動される基板Ｗの表面に対して洗浄用液滴およびリンス液を供給すべく、洗浄用２流体ノズル５およびリンス用ノズル６がそれぞれスピンベース１の上方位置に配置されている。そして、２流体ノズル５およびリンス用ノズル６はそれぞれノズル駆動機構７Ａ、７Ｂにより回転軸心Ｐｂ、Ｐｃ回りに揺動駆動される。なお、この実施形態ではノズル駆動機構７Ａ、７Ｂはともに同一構成を有しているため、２流体ノズル５を駆動するノズル駆動機構７Ａについてのみ図３を参照しつつ説明する。
【００２８】
図３はノズル駆動機構の構成を示す図である。２流体ノズル５の胴部５１には支持アーム５２が取り付けられている。そして、ノズル駆動機構７Ａは、図２に示すように、ノズル５を支持アーム５２ごと洗浄用液滴が供給される供給開始位置Ｋから回転中心Ｐａを通って供給終了位置Ｆに向かうように揺動可能となっている。すなわち、支持アーム５２は、図３に示すように、回転モータ７１の回転軸７２に連結されている。この回転モータ７１はコントローラ４により駆動制御され、回転駆動されることによって回転中心Ｐｂの周りにノズル５を基板Ｗ上で揺動させる。
【００２９】
また、回転モータ７１を搭載している昇降ベース７３は、立設されたガイド７４に摺動自在に嵌め付けられているとともに、ガイド７４に並設されているボールネジ７５に螺合されている。このボールネジ７５は、昇降モータ７６の回転軸に連動連結されている。また、この昇降モータ７６はコントローラ４によって駆動されると、ボールネジ７５を回転させてノズル５を上下方向に昇降させる。つまり、ノズル駆動機構７Ａにより、ノズル５が昇降および揺動移動するようになっている。
【００３０】
図１に戻って説明を続ける。この基板処理装置では、洗浄用２流体ノズル５およびリンス用ノズル６に対して、超純水にアンモニアを微量添加した液体（以下「アンモニア微量含有純水」という）を供給する液体供給ユニット８が接続されている。この液体供給ユニット８は、純水供給部８１からの超純水とアンモニア水供給部８２からのアンモニア水とを混合させるミキシング部８３を備えている。
【００３１】
この純水供給部８１は配管８４Ａを介してミキシング部８３と接続されている。この配管８４Ａには、流通する純水の圧力をコントローラ４から入力された制御信号に対応する圧力に調整する電空レギュレータ８５Ａと、超純水の圧力を検出する圧力センサ８６Ａと、流量を検出する流量センサ８７Ａとがそれぞれ備えられている。そして、電空レギュレータ８５Ａにコントローラ４から制御信号が入力されると、この制御信号に応じて配管８４Ａを流通する純水の圧力が調整されている。一方、圧力センサ８６Ａおよび流量センサ８７Ａのそれぞれから逐次検出された検出結果がコントローラ４にフィードバックされる。これによって、ミキシング部８３に流入する超純水の流量を高精度に制御可能となっている。
【００３２】
一方、アンモニア水供給部８２は配管８４Ｂを介してミキシング部８３と接続されている。そして、純水供給部８１側と同様にしてミキシング部８３に流入するアンモニア水の流量を高精度に制御可能となっている。すなわち、配管８４Ｂには、流通するアンモニア水の圧力をコントローラ４から入力された制御信号に対応する圧力に調整する電空レギュレータ８５Ｂと、アンモニア水の圧力を検出する圧力センサ８６Ｂと、流量を検出する流量センサ８７Ｂとがそれぞれ備えられている。そして、電空レギュレータ８５Ｂにコントローラ４から制御信号が入力されると、この制御信号に応じて配管８４Ｂを流通するアンモニア水の圧力が調整されている。一方、圧力センサ８６Ｂおよび流量センサ８７Ｂのそれぞれから逐次検出された検出結果がコントローラ４にフィードバックされる。
【００３３】
ミキシング部８３は純水供給部８１から供給される超純水と、アンモニア水供給部８２から供給されるアンモニア水とを混合させてアンモニア微量含有純水を生成する。ここで、本実施形態では後述するように超純水に溶解させるアンモニア量は微量、例えば超純水１０００（リットル）に対してアンモニア水（アンモニア２９ｗｔ％）を０．０２７〜６．０（ミリリットル）程度であるため、ミキシング部８３は図４に示すように構成されている。
【００３４】
図４は図１の基板処理装置で用いられたミキシング部の構成を示す図である。このミキシング部８３は、超純水を流通させる配管８３１の内部に中空糸８３２を配置した二重管構造を有している。この中空糸８３２の一方端には配管８４Ｂを介してアンモニア水供給部８２が接続されており、中空糸８３２をアンモニア水が流通する。その際に、アンモニア水の一部が中空糸８３２の外壁、つまり中空糸膜を通過して配管８３１内を流れる超純水に溶解してアンモニア微量含有純水が得られる。そして、こうして生成されたアンモニア微量含有純水がミキシング部８３から配管８８Ａ、８８Ｂを介して洗浄用２流体ノズル５およびリンス用ノズル６にそれぞれ供給される。なお、配管８８Ａ、８８Ｂには、電磁弁８９Ａ、８９Ｂがそれぞれ介挿されており、コントローラ４からの制御信号に応じて電磁弁８９Ａ、８９Ｂを開閉制御することで各ノズル５、６へのアンモニア微量含有純水の供給／停止を制御可能となっている。
【００３５】
また、洗浄用２流体ノズル５には、液体供給ユニット８以外に圧縮空気を供給する気体供給ユニット９が接続されている。この気体供給ユニット９では、圧縮空気の供給源たる圧縮空気供給部９１が配管９２を介して２流体ノズル５と接続されている。この配管９２には、流通する空気の圧力をコントローラ４から入力された制御信号に対応する圧力に調整する電空レギュレータ９３と、空気の圧力を検出する圧力センサ９４と、圧縮空気の流量を検出する流量センサ９５とがそれぞれ備えられている。そして、電空レギュレータ９３にコントローラ４から制御信号が入力されると、この制御信号に応じて配管９２を流通する圧縮空気の圧力が調整されている。一方、圧力センサ９４および流量センサ９５のそれぞれから逐次検出された検出結果がコントローラ４にフィードバックされる。これによって、２流体ノズル５に流入する空気の流量を高精度に制御可能となっている。
【００３６】
図５は図１の基板処理装置で用いられている洗浄用２流体ノズルの構成を示す図である。２流体ノズル５は、胴部５１の内部に液体吐出口５３１を有する液体吐出ノズル５３が挿通される。そして、２流体ノズル５の傘部５１１の上面部５１２には、液体吐出口５３１が配置されている。このため、配管８８Ａを介してアンモニア微量含有純水が液体供給ユニット８から供給されると、アンモニア微量含有純水が液体吐出口５３１から基板Ｗに向けて吐出される。
【００３７】
また、気体吐出ノズル５４は液体吐出ノズル５３を囲んだリング状のガス通路を規定する。気体吐出ノズル５４の先端部は先細にテーパ状とされており、このノズル開口は基板Ｗの表面に対向している。このため、配管９２を介して気体供給ユニット９から圧縮空気が供給されると、圧縮空気が気体吐出ノズル５４の気体吐出口５４１から基板Ｗに向けて吐出される。なお、その圧縮空気の吐出軌跡は、液体吐出口５３１からの純水の吐出軌跡に交わっている。すなわち、液体吐出口５３１からの液体（アンモニア微量含有純水）流は、混合領域内の衝突部位Ｇ２において気体流（圧縮空気流）と衝突する。気体流はこの衝突部位Ｇ２に収束すうように吐出される。この混合領域は、胴部５１の下端部の空間である。このため、液体吐出口５３１からの純水の吐出方向の直近において純水はそれに衝突する気体によってすみやかに液滴化される。こうして、洗浄用液滴が生成される。
【００３８】
この実施形態では、吐出されるアンモニア微量含有純水の液流を囲むように気体（圧縮空気）が吐出され、純水と圧縮空気とが衝突して混合される。そして、生成される洗浄用液滴は、均一に分布した状態で基板Ｗの表面の限られた範囲を洗浄する。また、上述のように回転中心Ｐｂの周りにノズル５を基板Ｗ上で揺動させることによって、基板Ｗの表面の全体が圧縮空気とアンモニア微量含有純水との混合物で洗浄される。このように、この実施形態では、洗浄用２流体ノズル５が本発明の「洗浄手段」として機能する。なお、この実施例において、２流体ノズル５の上面部５１２において液体吐出口５３１と気体吐出口５４１は面一である必要はなく、どちらかが突出していてもよい。
【００３９】
一方、リンス用ノズル６では、配管８８Ｂを介してアンモニア微量含有純水が液体供給ユニット８から供給されると、アンモニア微量含有純水がノズル６の先端部、つまりリンス液吐出口６１から基板Ｗに向けて吐出される。このように、この実施形態ではリンス用ノズル６が本発明の「リンス手段」として機能している。
【００４０】
さらに、ノズル５、６からそれぞれ吐出された洗浄用液滴およびリンス液が基板Ｗの周辺に飛散するのを防止するために、スピンベース１の周囲に飛散防止カップ１０が配備されている。この飛散防止カップ１０は、図示していない搬送手段が未処理の基板Ｗをスピンベース１上の支持ピン２に載置したり、処理済の基板Ｗを支持ピン２から受け取る際には、コントローラ４からの制御信号に応じて下方に駆動される。
【００４１】
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図６を参照しつつ説明する。図６は図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。この基板処理装置では、図示を省略する搬送手段により支持ピン２上に未処理の基板Ｗが搬送されて支持ピン２に保持される（ステップＳ１）と、搬送手段が基板処理装置から退避した後、コントローラ４が装置各部を制御して洗浄処理、リンス処理およびスピン乾燥処理を順次実行する。
【００４２】
ステップＳ２で基板回転を開始させる。また、ノズル駆動機構７Ａにより洗浄用２流体ノズル５を供給開始位置に移動し、さらに回転中心Ｐａを通って供給終了位置に向かうように揺動させる。このノズル揺動に連動して洗浄用２流体ノズル５から洗浄用液滴を洗浄液として基板Ｗに供給する（ステップＳ３）。すなわち、コントローラ４から各電空レギュレータ８５Ａ、８５Ｂに制御信号が送られ、ミキシング部８３で所定の混合比で超純水とアンモニア水とが混合されるように超純水とアンモニア水の圧力が適切に調整されてミキシング部８３で所望のアンモニア微量含有純水、例えば比抵抗値が０．１〜１０ＭΩ・ｃｍの範囲で、しかもｐＨが８〜１０の範囲となっているものが生成される。そして、このアンモニア微量含有純水を電磁弁８９Ａを介してノズル５の液体吐出ノズル５３に圧送する。また同時にコントローラ４から各電空レギュレータ９３に制御信号が送られ、空気の圧力を調整しながらノズル５の気体吐出ノズル５４に圧送する。これにより、洗浄用２流体ノズル５では、衝突部位Ｇ２でアンモニア微量含有純水が液滴化されると同時に、供給された空気と混合される。その結果、アンモニア微量含有純水は吐出された当初から空気と衝突して生成された洗浄用液滴が噴霧状となり、そのまま基板Ｗに向けて直接供給される。
【００４３】
ここで、噴霧状の洗浄液（洗浄用液滴）の噴出速度は、互いに独立した状態を維持されるアンモニア微量含有純水と空気の流量や流速を調整することで設定することができる。この制御は互いに空気とアンモニア微量含有純水が干渉することがないので、アンモニア微量含有純水または気体の流量や流速を所望に制御することで、所望の洗浄用液滴が得られる。そして、基板面の微細なパーティクルを十分に除去ことができる。なお、この洗浄処理を行っている間、リンス用ノズル６は待機位置で待機している。
【００４４】
そして、この洗浄処理の開始から所定時間が経過すると、ステップＳ４で洗浄完了と判断され、ノズル駆動機構７Ａにより洗浄用２流体ノズル５を待機位置に移動し（ステップＳ５）、その待機位置でアンモニア微量含有純水のみをノズル５の液体吐出ノズル５３に供給して洗浄用２流体ノズル５の洗浄、つまりセルフクリーニングを実行する（ステップＳ６）。これにより、洗浄用２流体ノズル５を清浄な状態で待機させ、次の洗浄処理を清浄なノズル５で実行することができる。したがって、洗浄処理の品質を高めることができる。
【００４５】
また、上記のように洗浄用２流体ノズル５の待機位置への移動に連動してノズル駆動機構７Ｂによってリンス用ノズル６を基板Ｗ側に移動させるとともに、そのノズル揺動に連動してリンス用ノズル６からリンス液を基板Ｗに供給する（ステップＳ７）。すなわち、洗浄処理に続けてミキシング部８３で所望のアンモニア微量含有純水を生成しながら、電磁弁８９Ｂを開いてアンモニア微量含有純水をリンス液としてリンス用ノズル６に圧送し、該ノズル６のリンス液吐出口６１からアンモニア微量含有純水を基板Ｗに供給してリンス処理を実行する。このように、この実施形態では、洗浄用２流体ノズル５の待機位置への移動と連動してリンス用ノズル６によるリンス処理を行っているため、次のような作用効果が得られる。つまり、仮に洗浄用２流体ノズル５の移動中に液ダレが発生したとしても、リンス用ノズル６から直ちにリンス液が基板Ｗに供給されて洗い流されて基板Ｗを清浄な状態とすることができる。
【００４６】
そして、最終リンス処理が完了する（ステップＳ８）と、電磁弁８９Ｂを閉じてリンス用ノズル６からのリンス液の吐出を停止させるとともに、該ノズル６を待機位置に移動させる。それに続いて、基板Ｗを高速回転させて基板Ｗ上に残っているリンス液に遠心力を作用させて基板Ｗからリンス液を除去し、乾燥させる（スピン乾燥；ステップＳ９）。そして、一連の処理が完了すると、搬送手段により処理済みの基板Ｗを基板処理装置から搬出する。
【００４７】
以上のように、この実施形態では、リンス液としてアンモニア微量含有純水を用いているので、リンス液の比抵抗値を低下させて基板Ｗの静電破壊や基板Ｗへのパーティクルの付着を効果的に防止することができる。しかも、比抵抗値を低下させるためにアンモニアを利用しているので、次のような作用効果が得られる。すなわち、アンモニアについては高純度のもの、例えばＥＬグレードと称されている品質のものを容易に入手しやすく、しかも高純度であるにもかかわらず、純度の低い炭酸ガスよりも安価に入手することができる。したがって、超純水にアンモニアを微量添加することでリンス液の比抵抗値を０．１〜１０ＭΩ・ｃｍの範囲に低下させ、低ランニングコストで、しかも優れた品質でリンス処理を実行することができる。また、アンモニア添加によりリンス液はアルカリ性を示すため、リンス液を用いたリンス処理によってパーティクル除去のみならず同時に金属コンタミネーションの除去も可能となり、基板Ｗに対するリンス処理を高品質で実行することができる。なお、このようなリンス処理をより良好に実行するためには、そのｐＨが８〜１０の範囲となるようにアンモニアの添加量を調整するのが望ましい。
【００４８】
また、リンス処理のみならず、洗浄処理においてアンモニア微量含有純水を用いているため、リンス処理と同様の作用効果が得られる。また、洗浄用液滴はアルカリ性を呈することとなるため、基板Ｗの配線を腐食させてしまうなどのダメージを基板Ｗに与えることなく、洗浄処理を高品質で行うことができる。
【００４９】
また、この実施形態ではアンモニア微量含有純水を生成するためにアンモニア水を用いているが、アンモニア水の濃度を高くすることで使用するアンモニア水の補給や交換などの頻度を抑えることができる。この点、アンモニア水については高濃度のものを容易に、しかも安価に入手することができるため、補給・交換頻度を抑制し、ランニングコストの低減や作業効率の向上などを高める上で有利に働く。
【００５０】
さらに、超純水にアンモニアが微量添加するタイミングについては任意であるが、この実施形態では基板Ｗへの洗浄用液滴やリンス液の供給直前にアンモニア微量含有純水をミキシング部８３で調製しているので、次のような作用効果が得られる。すなわち、超純水に溶解したアンモニア成分は時間経過とともに揮発し、その結果、アンモニア微量含有純水の比抵抗値は増大する。したがって、基板Ｗへの洗浄用液滴やリンス液の供給直前に行うと、アンモニアの揮発量を抑制することができ、比抵抗値の変化を抑えて安定した基板処理（洗浄処理やリンス処理）を行うことができるとともに、アンモニアを使用効率を高めてランニングコストを低減することができる。
【００５１】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、アンモニア微量含有純水と空気とを空中にて混合して洗浄用液滴を生成しているが、例えば図７に示すように、ノズル内部でアンモニア微量含有純水と空気とを混合して洗浄用液滴を生成するようにしてもよい。
【００５２】
図７は本発明にかかる基板処理装置の他の実施形態で採用された２流体ノズルの構成を示す図である。この２流体ノズル５０は、先の実施形態で採用された２流体ノズル５の代わりに使用されたものである。この２流体ノズル５０は、その先端部に開口５５１を有するノズル本体５５を備え、そのノズル本体５５の内部でアンモニア微量含有純水（液体）と圧縮空気（気体）を混合させて洗浄用液滴を生成するとともに開口５５１から基板Ｗに向けて吐出する。すなわち、ノズル本体５５は配管９２に接続されたガス導入管５６の外側を、配管８８Ａに接続された供給管５７が取り囲む構造、つまり供給管５７の中をガス導入管５６が挿入されている２重管の構造で構成されている。また２流体ノズル５０の先端部５５２は、オリフィス状の管と、洗浄用液滴を加速させる直状円筒管である加速管とで連接されて構成されている。なお、供給管５７やガス導入管５６の形状については、例えば湾曲状に延在された管や角筒状の管であってもよく、特に限定されないが、２流体ノズル５０の内部から発塵するパーティクルを抑制するためには、個々の管は直状円筒管、特にガス導入管５６は直状円筒管で形成される方が好ましい。
【００５３】
また、このように構成されたノズル５０を用いる場合には、リンス用ノズルを省略しても良い。すなわち、該ノズル５０から洗浄用液滴を基板Ｗに吐出して洗浄した後、空気（気体）の供給のみを停止してアンモニア微量含有純水をノズル５０の開口５５１から基板Ｗに向けて吐出してリンス処理を実行するようにしてもよい。
【００５４】
また、上記実施形態では、ミキシング部８３においてアンモニア水を超純水に溶解してアンモニア微量含有純水を生成しているが、アンモニアガスを超純水に溶解させるようにしてもよいことはいうまでもない。
【００５５】
また、上記実施形態では、アンモニア微量含有純水を各ノズル５、６に供給するために液体供給ユニット８を共用しているが、各ノズル５、６に対応して液体供給ユニット８をそれぞれ設けるようにしてもよい。
【００５６】
また、上記実施形態では、アンモニア微量含有純水と空気とを混合させた洗浄用液滴を洗浄液として基板Ｗに供給しているが、アンモニア微量含有純水の代わりに基板Ｗの種類などに対応した薬液（フッ酸、硫酸、塩酸など）を洗浄液として用いることができる。
【００５７】
また、上記実施形態では、２流体ノズル５に圧縮空気を供給しているが、空気の代わりにオゾンガスや不活性ガスなどの気体を用いてもよい。
【００５８】
また、上記実施形態では、洗浄用２流体ノズル５、５０を用いて洗浄処理を行っているが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、ブラシなどの物理接触型の洗浄手段を用いて基板Ｗを洗浄した後に該洗浄済みの基板に対してリンス処理を施す基板処理装置に対しても本発明を適用することができる。ここで、「物理接触型の洗浄手段」とは、回転している基板にブラシやスポンジなどを直接的に接触させてスクラブ洗浄する物理的洗浄手段のことを意味している。
【００５９】
さらに、上記実施形態ではリンス処理の前段として洗浄処理を実行する基板処理方法に対して本発明を適用しているが、本発明にかかる基板処理方法の適用対象はこれに限定されるものではなく、処理液を基板に供給して所定の湿式処理（エッチング処理、現像処理など）を実行した後に該基板にリンス液を供給して基板に付着している処理液を洗い流す処理（リンス処理）を実行する基板処理方法全般に本発明を適用することができる。このような基板処理方法において、リンス液としてアンモニア微量含有純水を用いることによって低ランニングコストで、しかも基板に対するリンス処理を高品質で実行することができる。
【００６０】
【発明の効果】
以上のように、この発明にかかる基板用リンス液によれば、超純水にアンモニアを微量添加することでリンス液の比抵抗値を下げているので、低ランニングコストで、しかも優れた品質でリンス処理を実行することができる。
【００６１】
また、この発明にかかる基板処理方法によれば、超純水にアンモニアが微量添加されてなるリンス液を用いてリンス処理を実行しているので、低ランニングコストで、しかも優れた品質でリンス処理を実行することができる。
【００６２】
さらに、この発明にかかる基板処理装置によれば、超純水にアンモニアが微量添加されてなる液体と、気体とを混合して洗浄用液滴を生成し、基板に衝突されて該基板の洗浄処理を実行しているので、低ランニングコストで、しかも優れた品質で洗浄処理を実行することができる。また、洗浄用液滴はアルカリ性を呈することとなるため、基板の配線を腐食させてしまうなどのダメージを基板に与えることなく、洗浄処理を高品質で行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す概略図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】ノズル駆動機構の構成を示す図である。
【図４】図１の基板処理装置で用いられたミキシング部の構成を示す図である。
【図５】図１の基板処理装置で用いられている洗浄用２流体ノズルの構成を示す図である。
【図６】図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図７】本発明にかかる基板処理装置の他の実施形態で採用された２流体ノズルの構成を示す図である。
【符号の説明】
４…コントローラ（制御手段）
５、５０…洗浄用２流体ノズル（洗浄手段）
６…リンス用ノズル（リンス手段）
８…液体供給ユニット
９…気体供給ユニット
５３…液体吐出ノズル
５４…気体吐出ノズル
５５…ノズル本体
８１…純水供給部
８２…アンモニア水供給部
８３…ミキシング部
９１…圧縮空気供給部（気体供給手段）
５５１…（ノズル本体の）開口
Ｗ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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