(57)【要約】【課題】高記録密度であり、リニア方式での記録再生に適した磁気記録媒体を提供する。【解決手段】非磁性支持体２と、非磁性支持体の一主面に真空薄膜形成技術によって形成された、斜方柱状構造の磁性層３とを有する磁気記録媒体であって、磁性層は第１の強磁性金属薄膜３ａと、その上層に形成され、斜方柱状構造の成長方向が第１の強磁性金属薄膜と逆向きである第２の強磁性金属薄膜３ｂとを有し、非磁性支持体の表面に平均粒径５〜２５ｎｍのフィラー粒子が７００万〜５０００万個／ｍｍ２の密度で分散されている磁気記録媒体１。【選択図】  図１
2004310935.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性支持体と、前記非磁性支持体の一主面に真空薄膜形成技術によって形成された、斜方柱状構造の磁性層とを有する磁気記録媒体であって、
前記磁性層は第１の強磁性金属薄膜と、前記第１の強磁性金属薄膜上に形成され、斜方柱状構造の成長方向が前記第１の強磁性金属薄膜と逆向きである第２の強磁性金属薄膜とを有し、
前記非磁性支持体の前記一主面に、平均粒径５〜２５ｎｍのフィラー粒子が７００万〜５０００万個／ｍｍ２の密度で分散されている
磁気記録媒体。
【請求項２】
前記磁性層上に保護膜を有する
請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記保護膜は化学気相成長により形成されたカーボン膜を含む
請求項２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
リニア方式で信号の記録および再生が行われる
請求項１記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気記録媒体に関し、特にリニア方式の磁気記録テープシステムで記録再生が行われる高記録密度の磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、コンピュータストレージ用の記録媒体に対しては、さらなる高密度化が期待されている。いくつかの記録媒体のうちテープ記録媒体は、記録保存に要する費用、いわゆるビットコストに優れており、その重要性は益々高まっている。テープストレージには大きく分けて、ヘッドが回転するドラム上に配置されているヘリカルスキャン方式と、ヘッドが固定されていてテープが何度も往復するリニア方式の２方式が存在する。
【０００３】
ヘリカルスキャン方式はビデオカムコーダに利用されており、磁性層を非磁性支持体上に真空蒸着法で形成した蒸着テープとの組み合わせにより、高い記録密度を実現している。一方、リニア方式はコンピュータのストレージの分野で広く採用されており、テープコストの安い、いわゆる塗布型テープとの組み合わせで大容量を実現してきた。
【０００４】
【特許文献１】
特開平５−２２５５４４号公報
【特許文献２】
特開平５−２３４０５２号公報
【特許文献３】
特開平４−３５３６２１号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、さらなる大容量化に対し、リニア方式と塗布型テープの組み合わせでは十分に対応することができなくなりつつある。そこで、高記録密度化が可能な蒸着テープをリニア方式で利用する検討が始まっている。しかしながら、蒸着テープは記録層が金属薄膜で構成され、結合剤樹脂等を含まないため、引っ掻きに対する強度が十分ではない。そのため、テープが高速で走行するリニア方式では、走行中にヘッドやガイドにより記録層の一部が破壊されて、再生出力が低下してしまうことがあった。
【０００６】
ヘリカルスキャン方式のテープシステムに用いられる蒸着テープにおいて、非磁性支持体の表面に所定の密度で突起を形成することにより、磁気テープの走行性を改善できることが知られている（特許文献１および２参照）。特許文献１記載の磁気記録媒体によれば、磁気記録媒体の表面に高さ４０ｎｍ以上の表面突起を２×１０３〜１０×１０４個／ｍｍ２の割合で形成する。また、特許文献２記載の磁気記録媒体によれば、非磁性支持体の磁性層と反対側の面に高さ１００ｎｍ以上の表面突起を１００〜４０００個／ｍｍ２の割合で形成する。
【０００７】
しかしながら、上記の条件の表面突起を高記録密度でリニア方式のテープシステムに用いられる蒸着テープに形成すると、良好な電磁変換特性が得られない。上記の特許文献１および２記載の磁気記録媒体は、インダクティブ型ヘッドを用いて再生され、磁性層の厚さは特許文献２の実施例で１８０ｎｍである。
【０００８】
近年、磁気記録媒体の高記録密度化に伴い、インダクティブ型ヘッドに替わって磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）や巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）が用いられるようになっている。ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドは磁性層からの微小な漏洩磁束を高感度に検出できるため、磁気記録媒体の高記録密度化に有効である。ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドは高感度であるため、磁性層の厚さが例えば１８０ｎｍの場合、ヘッドが飽和して漏洩磁束を検出できない。
【０００９】
したがって、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドで再生される高記録密度の磁気記録媒体では、従来の蒸着テープよりも磁性層が薄く形成される。また、記録波長もより短くなる。以上のことから、上記の特許文献に記載された従来の条件で表面突起を形成すると、表面の凹凸の段差が大きくなり過ぎて、漏洩磁束の検出が困難となる。
【００１０】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、したがって本発明は、高記録密度であり、リニア方式での記録再生に適した磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体と、前記非磁性支持体の一主面に真空薄膜形成技術によって形成された、斜方柱状構造の磁性層とを有する磁気記録媒体であって、前記磁性層は第１の強磁性金属薄膜と、前記第１の強磁性金属薄膜上に形成され、斜方柱状構造の成長方向が前記第１の強磁性金属薄膜と逆向きである第２の強磁性金属薄膜とを有し、前記非磁性支持体の前記一主面に、平均粒径５〜２５ｎｍのフィラー粒子が７００万〜５０００万個／ｍｍ２の密度で分散されていることを特徴とする。本発明の磁気記録媒体は、好適には、前記磁性層上に例えば化学気相成長（ＣＶＤ；ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成されたカーボン膜を有する。
【００１２】
これにより、リニア方式での高速のテープ走行を繰り返し行っても、記録層（磁性層）の破壊が防止される。したがって、記録層の破壊による再生出力の低下が防止される。また、フィラーの粒径と表面突起密度を上記の範囲とすることにより、良好な電磁変換特性が得られる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の磁気記録媒体の実施の形態について、図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態の磁気記録媒体の一例を示す断面図である。図１に示す磁気テープ１は、長尺状の非磁性支持体２の一方の面に磁性層３、保護膜４および潤滑剤層５が順に積層された構造を有する。非磁性支持体２の他方の面には、バックコート層６が形成されている。
【００１４】
磁性層３は真空薄膜形成技術により形成され、下層強磁性金属薄膜３ａと上層強磁性金属薄膜３ｂの２層が積層された構造を有する。下層強磁性金属薄膜３ａと上層強磁性金属薄膜３ｂは斜方柱状構造を有し、これらの２層の斜方柱状構造の成長方向は互いに逆向きとなっている。これにより、テープを一方向に走行させ記録再生を行った場合と、逆方向に走行させて記録再生を行った場合の記録再生特性の差（これを双方向での記録再生特性の差とする。）が低減される。
【００１５】
ヘリカルスキャン方式のテープシステムに用いられる磁気テープにおいて、斜方柱状構造の成長方向が異なる２層の強磁性金属薄膜が積層された磁性層で、双方向での記録再生特性の差が低減されることが知られている（特許文献３参照）。リニア方式のテープシステムに用いられる磁気テープの場合も、斜方柱状構造の成長方向が異なる２層の強磁性金属薄膜を積層し、２層の強磁性金属薄膜３ａ、３ｂの厚さを制御することにより、双方向での記録再生特性の差が低減される。
【００１６】
図２は、図１の磁気テープ１の非磁性支持体２の表面を拡大した模式図である。図２に示すように、非磁性支持体２の表面に所定の密度でフィラー７が分散されている。非磁性支持体２の表面性は、非磁性支持体２上に形成される磁性層３の表面性に影響を与える。フィラー７が存在する箇所では、磁気テープに微小な表面突起が形成される。
【００１７】
磁気テープの表面性は、磁気テープの走行性に大きく影響する。磁気テープの走行性によって、磁気テープのＣ／Ｎや走行耐久性が変動するため、表面突起の平均的な高さや密度を適切に制御する必要がある。ここで、高いＣ／Ｎを得るには、表面の凹凸ができるだけ少ない非磁性支持体２を選択し、磁気テープの表面を平滑にすればよい。しかしながら、磁気テープの表面が平滑になり過ぎると、磁気テープと磁気ヘッドとの摩擦が大きくなる。これにより、磁気テープの走行性が悪化して、走行耐久性が低下する。
【００１８】
逆に、磁気テープに表面突起を過剰な密度で形成すると、磁気テープと磁気ヘッドとの摩擦が低下するため、磁気テープの走行耐久性は向上する。しかしながら、この場合には、表面突起に起因するスペーシングロスにより、高いＣ／Ｎを得るのが困難となる。
【００１９】
以上から、本発明の磁気テープにおいては、非磁性支持体の表面を構成するフィラーの平均粒径を５〜２５ｎｍとする。また、フィラーによって形成される表面突起の密度を７００万〜５０００万個／ｍｍ２程度とする。これにより、高いＣ／Ｎと、繰り返し走行耐久性とを両立させることができる。
【００２０】
表面突起の密度は、非磁性支持体の表面に分散させるフィラーの密度によって制御できる。図２のフィラー７としては、例えば耐熱性高分子からなる粒子や、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）等の無機物からなる粒子を用いることができる。
【００２１】
上記のような材料からなるフィラー７を非磁性支持体２の表面に分散させるには、例えば、フィラー７と結合剤樹脂を溶剤に分散させた塗料を、非磁性支持体２の表面に塗布した後、溶剤を乾燥させる。あるいは、非磁性支持体をシート状に成形する際に、フィラー７を所定の密度となるように内添することもできる。
【００２２】
次に、上記の本実施形態の磁気テープ１の製造方法を説明する。但し、本発明の磁気記録媒体を製造する方法は、以下の例に限定されない。まず、非磁性支持体を用意する。非磁性支持体としては、従来の磁気テープに用いられているものと同様のものを使用できる。
【００２３】
非磁性支持体の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート等のセルロース誘導体、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド等のプラスチック類等が挙げられる。本実施形態では、表面に所定の密度でフィラーが分散された非磁性支持体を用いる。
【００２４】
上記のような非磁性支持体のフィラーが分散されている側の面に、例えば図３に示す真空蒸着装置を用いて、磁性層を形成する。図３に示す真空蒸着装置１０の真空室１１には頭部と底部に排気口１２ａ、１２ｂが設けられ、排気口１２ａ、１２ｂを介して真空室１１内が排気される。真空室１１の内部は例えば１×１０−３Ｐａ程度の真空にされる。
【００２５】
真空室１１内には供給ロール１３と巻き取りロール１４が設けられ、供給ロール１３と巻き取りロール１４はそれぞれ定速で回転する。非磁性支持体２は供給ロール１３から図中矢印Ａで示す方向に送り出され、冷却キャン１５の周面に沿って走行した後、巻き取りロール１４に巻き取られる。冷却キャン１５は供給ロール１３や巻き取りロール１４よりも大径で、図中矢印Ｂで示す方向に定速で回転する。
【００２６】
供給ロール１３、巻き取りロール１４および冷却キャン１５はそれぞれ非磁性支持体２の幅と同程度の長さの軸を有する円筒状である。冷却キャン１５の内部には図示しない冷却装置が設けられており、冷却キャンは例えば−２０℃程度に冷却される。これにより、非磁性支持体２の温度上昇による変形等が防止されている。
【００２７】
供給ロール１３と冷却キャン１５の間にはガイドロール１６が設けられ、冷却キャン１５と巻き取りロール１４の間にはガイドロール１７が設けられている。非磁性支持体２が供給ロール１３から巻き取りロール１４に円滑に走行するようにガイドロール１６、１７によって非磁性支持体２の張力が適切に調節されている。
【００２８】
真空室１１内には冷却キャン１５と対向するように蒸着源１８が配置されている。蒸着源１８は磁性層３（図１参照）を形成するための金属磁性材料であり、るつぼ１９内に充填されている。るつぼ１９は冷却キャン１５の軸の長さと同程度の幅で形成されている。これにより、非磁性支持体１上に均一に磁性層３を形成することが可能となっている。
【００２９】
真空室１１の側壁には、蒸着源１８を加熱し、蒸発させるための電子銃２０が取り付けられている。電子銃２０から放出された電子線２１が蒸着源１８に照射される。電子線２１の照射により蒸着源１８から蒸発した金属磁性材料が、冷却キャン１５上の非磁性支持体２に堆積することにより、磁性層が形成される。
【００３０】
冷却キャン１５と蒸着源１８との間の冷却キャン１５近傍には、シャッタ２２が設けられている。シャッタ２２は冷却キャン１５上を走行する非磁性支持体２の所定領域を覆う形状で形成されている。これにより、金属磁性材料の非磁性支持体２に対する入射角が所定の範囲に制限され、斜方柱状構造の磁性層が形成される。
【００３１】
図３に示すように、真空室１１の側壁を貫通する酸素ガス導入口２３を、シャッタ２２と冷却キャン１５の間に設けることにより、蒸着雰囲気に酸素を導入できる。この場合、形成される磁性層に酸素が導入される。磁性層の酸化を適切に制御することにより、磁性層の磁気特性や耐久性等を向上させることができる。
【００３２】
なお、図３には蒸着位置の下流側（巻き取りロール１４側）に設けられたシャッタ２２を示しているが、複数のシャッタを設けてもよい。例えば、蒸着位置の上流側（供給ロール１３側）にシャッタを設けたり、上流側と下流側の両方にシャッタを設けたりしてもよい。また、蒸着源の加熱には上記のような電子線による加熱手段の他、例えば抵抗加熱手段、高周波加熱手段、レーザ加熱手段等の公知の手段を使用できる。
【００３３】
図１に示す本実施形態の磁気テープ１の磁性層３は、下層強磁性金属薄膜３ａの斜方柱状構造の傾きと上層強磁性金属薄膜３ｂの斜方柱状構造の傾きが逆となっている。このような２層構造の磁性層を形成するには、まず、ロール状の非磁性支持体２を一方向に進行させながら斜方蒸着を行う。
【００３４】
図１に示す下層強磁性金属薄膜３ａを形成して、図３の巻き取りロール１４によりロール状に巻き取る。その後、巻き取られた巻き取りロールを供給ロール２４に替え、図３に示すようにして再び斜方蒸着を行う。これにより、斜方柱状構造の向きが互いに異なる２層の強磁性金属薄膜３ａ、３ｂが形成される。
【００３５】
磁性層３の形成後、磁性層３上に保護膜４を形成する。保護膜４としては、比較的硬度の高いダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜が好ましい。ＤＬＣ膜を用いることにより、磁気テープと磁気ヘッドとの摩擦が適切に制御され、磁気テープの走行耐久性を高くできる。
【００３６】
図４に、保護膜４の形成に用いることができるプラズマＣＶＤ連続膜形成装置３０の例を示す。図４に示すように、磁性層が形成された後の非磁性支持体２は、供給ロール３１から供給され、ガイドローラー３２を経て矢印Ａで示す方向に走行する。磁性層上に保護膜であるＤＬＣ膜が形成された非磁性支持体２は、ガイドローラー３３を経て巻き取りロール３４に巻き取られる。
【００３７】
非磁性支持体２が走行する部分の下部には、耐熱ガラスまたはプラスチック等からなる反応管３５が設けられている。反応管３５内には金属メッシュ等からなる電極３６が組み込まれている。反応管３５には放電ガス導入口３７から、炭化水素系ガスを主成分とする原料ガスが導入される。
【００３８】
また、炭化水素系ガスと不活性ガスの混合ガスを導入してもよい。原料ガスとして用いることができる炭化水素系ガスとしては、例えばメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、エチレン、アセチレン、プロペン、ブテン、ペンテン、ベンゼン等が挙げられる。
【００３９】
反応管３５と対向するように、円筒状の回転可能な対向電極３８が設置されている。対向電極３８は矢印Ｂで示す方向に回転する。電極３６は真空室３９の外部に設けられた電源４０と接続されている。電源４０から電極３６に例えば５００〜２０００Ｖ程度の電圧が印加されると、電極３６と対向電極３８との間でグロー放電が生じる。これにより、炭化水素系ガスのプラズマが発生し、分解した原料ガスは対向電極３８上の非磁性支持体２にＤＬＣ膜として堆積する。
【００４０】
適切な放電周波数は、実験的に決めることができる。また、対向電極３８に０〜−３０００Ｖの電圧を印加することにより、ＤＬＣ膜の硬度を高くして、磁性層への密着性を向上させることができる。
【００４１】
真空室３９には真空排気系４１が設けられ、真空排気系４１により真空室３９内が排気される。真空排気された真空室３９に原料ガスを導入し、例えば１０〜１００Ｐａ程度の圧力に調節した状態で、上記のようにプラズマを発生させてＤＬＣ膜を形成する。
【００４２】
図１の保護膜４上の潤滑剤層５は、潤滑剤を溶剤に溶解させた溶液を塗布し、乾燥させることにより形成できる。潤滑剤としては、例えばパーフルオロカルボン酸、パーフルオロアルキルスルホン酸、パーフルオロポリエーテル等の公知のものを使用できる。
【００４３】
図１のバックコート層６は、無機粉末成分と結合剤樹脂を溶剤に混合分散させたバックコート用塗料を、非磁性支持体２に塗布し、乾燥させることにより形成される。無機粉末成分としては、例えばカーボンブラックが用いられる。バックコート用塗料に、潤滑剤や他の添加剤を添加してもよい。
【００４４】
【実施例】
（実施例１）
非磁性支持体として厚さ８μｍ、幅１５０ｍｍのＰＥＴフィルムを用いた。また、非磁性支持体はフィラーにより表面突起が形成されたものを用い、フィラー粒径を１５ｎｍ、表面突起密度を３０００万個／ｍｍ２とした。このような非磁性支持体上に、図３に示す真空蒸着装置により下層強磁性金属薄膜を形成した。
【００４５】
蒸着源はコバルト１００ｗｔ％のインゴットを用い、非磁性支持体に対する蒸着粒子の入射角は４５〜９０°に制限した。導入ガスは酸素ガスとし、酸素導入量を３．３×１０−６ｍ３／秒とした。蒸着時真空度は２×１０−２Ｐａとした。上記の条件で厚さ５０ｎｍの下層強磁性金属薄膜を形成した後、非磁性支持体を図３の巻き取りロール１４から供給ロール１３に巻き返さず、巻き取りロールと供給ロールを入れ替えて、上層強磁性金属薄膜を形成した。
【００４６】
蒸着源、蒸着粒子の入射角、導入ガス、酸素導入量および蒸着時真空度は、下層強磁性金属薄膜を形成する場合と同様にして、厚さ２５ｎｍの上層強磁性金属薄膜を形成した。上記のようにして、斜方柱状構造の成長方向が異なる２層の強磁性金属薄膜を形成した。なお、上層強磁性金属薄膜を下層強磁性金属薄膜より薄くすることにより、双方向での記録再生特性の差が低減される。
【００４７】
磁性層の形成後、図４に示すプラズマＣＶＤ連続膜形成装置を用い、保護膜として厚さ１１ｎｍのＤＬＣ膜を形成した。その後、保護膜上に潤滑剤を含有する溶液を塗布して潤滑剤層を形成した。さらに、非磁性支持体の磁性層と反対側の面に、バックコート用塗料を塗布してバックコート層を形成した。
【００４８】
上記のようにして作製した磁気テープの摩擦特性と電磁変換特性を、以下のように評価した。摩擦特性については、サンプルの磁気テープを直径２．０ｍｍのステンレス鋳鋼製のガイドに対して抱き角９０°で１００回摺動させたときの動摩擦係数を評価した。摺動１００回目における動摩擦係数の値が０．５０以下であれば、実用上良好なレベルといえる。
【００４９】
電磁変換特性の評価にはドラムテスタを用いた。記録ヘッドはギャップ長０．２２μｍ、トラック幅２０μｍのインダクティブ型ヘッド（ＭＩＧ（ｍｅｔａｌ  ｉｎ  ｇａｐ）ヘッド）を使用した。ＭＩＧヘッドで記録波長０．３μｍにて記録し、トラック幅５μｍのＮｉＦｅ磁気抵抗効果型（ＭＲ）ヘッドを用いて再生して、キャリア出力を評価した。測定は、磁気テープと磁気ヘッドを相対的に一方向で動作するようにした状態と逆方向で動作するようにした状態でそれぞれ行い、それらの結果を平均した。なお、磁気テープとＭＲヘッドとの相対速度は７ｍ／秒とした。キャリア出力と媒体ノイズの比（Ｃ／Ｎ）について、実施例１を基準（０．０ｄＢ）とし、実施例１との差が−３．０ｄＢ以内のものを良好とした。
【００５０】
（実施例２）
表面突起密度を８００万個／ｍｍ２とした以外は実施例１と同様にして、磁気テープの作製および評価を行った。
（実施例３）
表面突起密度を４９００万個／ｍｍ２とした以外は実施例１と同様にして、磁気テープの作製および評価を行った。
【００５１】
（実施例４）
フィラー粒径を６ｎｍ、表面突起密度を８００万個／ｍｍ２とした以外は実施例１と同様にして、磁気テープの作製および評価を行った。
（実施例５）
フィラー粒径を６ｎｍ、表面突起密度を４９００万個／ｍｍ２とした以外は実施例１と同様にして、磁気テープの作製および評価を行った。
【００５２】
（実施例６）
フィラー粒径を２４ｎｍ、表面突起密度を９００万個／ｍｍ２とした以外は実施例１と同様にして、磁気テープの作製および評価を行った。
（実施例７）
フィラー粒径を２３ｎｍ、表面突起密度を４７００万個／ｍｍ２とした以外は実施例１と同様にして、磁気テープの作製および評価を行った。
【００５３】
（比較例１）
フィラー粒径を３ｎｍ、表面突起密度を５２００万個／ｍｍ２とした以外は実施例１と同様にして、磁気テープの作製および評価を行った。
（比較例２）
フィラー粒径を３ｎｍ、表面突起密度を８００万個／ｍｍ２とした以外は実施例１と同様にして、磁気テープの作製および評価を行った。
【００５４】
（比較例３）
フィラー粒径を２７ｎｍ、表面突起密度を５００万個／ｍｍ２とした以外は実施例１と同様にして、磁気テープの作製および評価を行った。
（比較例４）
フィラー粒径を２８ｎｍ、表面突起密度を５２００万個／ｍｍ２とした以外は実施例１と同様にして、磁気テープの作製および評価を行った。
【００５５】
（比較例５）
フィラー粒径を７ｎｍ、表面突起密度を４００万個／ｍｍ２とした以外は実施例１と同様にして、磁気テープの作製および評価を行った。
（比較例６）
フィラー粒径を６ｎｍ、表面突起密度を５３００万個／ｍｍ２とした以外は実施例１と同様にして、磁気テープの作製および評価を行った。
【００５６】
（比較例７）
フィラー粒径を１４ｎｍ、表面突起密度を５００万個／ｍｍ２とした以外は実施例１と同様にして、磁気テープの作製および評価を行った。
（比較例８）
フィラー粒径を１７ｎｍ、表面突起密度を５５００万個／ｍｍ２とした以外は実施例１と同様にして、磁気テープの作製および評価を行った。
【００５７】
（比較例９）
フィラー粒径を２３ｎｍ、表面突起密度を５００万個／ｍｍ２とした以外は実施例１と同様にして、磁気テープの作製および評価を行った。
（比較例１０）
フィラー粒径を２４ｎｍ、表面突起密度を５６００万個／ｍｍ２とした以外は実施例１と同様にして、磁気テープの作製および評価を行った。
【００５８】
上記の実施例１〜７および比較例１〜１０の磁気テープのフィラー粒径、表面突起密度、動摩擦係数および電磁変換特性を表１にまとめた。
【００５９】
【表１】
2004310935.tif 000003
【００６０】
表１に示すように、実施例１〜７では動摩擦係数が０．５０以下であり、電磁変換特性が−３．０ｄＢ以内となっている。したがって、繰り返し走行に対する走行耐久性が高く、高いＣ／Ｎが得られる。比較例１では、電磁変換特性は許容される限界であったが、動摩擦係数が高く、走行耐久性が不足した。比較例２および５では、電磁変換特性は良好であったが、摩擦係数が高くなり過ぎて、テープの貼り付きが起こった。
【００６１】
比較例３、４、８および１０では、動摩擦係数は実用上良好な範囲あったが、電磁変換特性が不足した。比較例６、９では、動摩擦係数、電磁変換特性とも実用上良好な範囲とならなかった。比較例７では、電磁変換特性は良好であったが、動摩擦係数が高く、走行耐久性が不足した。以上のように、フィラー粒径を５〜２５ｎｍ、表面突起密度を７００万〜５０００万個／ｍｍ２の範囲とすることにより、走行耐久性と電磁変換特性の高い磁気テープが得られる。
【００６２】
上記の本発明の実施形態の磁気テープによれば、リニア方式での記録再生に必要とされる電磁変換特性が得られ、かつ繰り返し走行に対するテープの耐久性を高くすることができる。
【００６３】
本発明の磁気記録媒体の実施形態は、上記の説明に限定されない。例えば、上記の実施形態の磁気テープと同程度の走行耐久性および電磁変換特性が得られれば、保護膜の形成方法はプラズマＣＶＤ法以外の方法、例えばマグネトロンスパッタ法に変更することもできる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【００６４】
【発明の効果】
本発明の磁気記録媒体によれば、走行耐久性が改善され、テープが高速走行するリニア方式で記録再生を行っても、良好な電磁変換特性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の磁気記録媒体の断面図である。
【図２】図２は図１の非磁性支持体表面を拡大した模式図である。
【図３】図３は本発明の磁気記録媒体の磁性層の形成に用いられる装置の概略図である。
【図４】図４は本発明の磁気記録媒体の保護膜の形成に用いられる装置の概略図である。
【符号の説明】
１…磁気テープ、２…非磁性支持体、３…磁性層、３ａ…下層強磁性金属薄膜、３ｂ…上層強磁性金属薄膜、４…保護膜、５…潤滑剤層、６…バックコート層、７…フィラー、１０…真空蒸着装置、１１…真空室、１２ａ、１２ｂ…排気口、１３…供給ロール、１４…巻き取りロール、１５…冷却キャン、１６、１７…ガイドロール、１８…蒸着源、１９…るつぼ、２０…電子銃、２１…電子線、２２…シャッタ、２３…酸素ガス導入口、３０…プラズマＣＶＤ連続膜形成装置、３１…供給ロール、３２、３３…ガイドローラー、３４…巻き取りロール、３５…反応管、３６…電極、３７…放電ガス導入口、３８…対向電極、３９…真空室、４０…電源、４１…真空排気系。
【図１】
2004310935.tif 000004
【図２】
2004310935.tif 000005
【図３】
2004310935.tif 000006
【図４】
2004310935.tif 000007