(57)【要約】      （修正有）【課題】磁気的超解像技術を用いる高記録密度の光磁気記録媒体を量産性よく製造できる光磁気記録媒体の製造方法とスパッタ装置を提供する。【解決手段】互いに異なる材料からなる複数のターゲット７ａ、７ｂと１枚の基板４を対向させる第１の工程と、複数のターゲットに独立に電圧を印加しながら、基板を移動させずに自転させてスパッタリングを行い、基板上に磁性材料からなる光磁気記録層を形成する第２の工程とを有する光磁気記録媒体の製造方法と、それに用いるスパッタ装置１からなる。【選択図】  図１
2004273010.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに異なる材料からなる複数のターゲットと１枚の基板が対向するように、複数の前記ターゲットを固定し、かつ前記基板の中心位置を固定する第１の工程と、
複数の前記ターゲットに独立に電圧を印加しながら、前記基板を自転させてスパッタリングを行い、前記基板上に磁性材料からなる光磁気記録層を形成する第２の工程とを有する
光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記第２の工程において、複数の前記ターゲットに同時に連続的に電圧を印加する
請求項１記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記第２の工程において、複数の前記ターゲットに交互に電圧を印加する
請求項１記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
１回当たりの電圧印加時間を前記基板の自転周期の整数倍とする
請求項３記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
複数の前記ターゲットは、希土類元素を含有する磁性材料からなる第１のターゲットと、遷移金属を含有する磁性材料からなる第２のターゲットを含む
請求項１記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記第１のターゲットと前記第２のターゲットの少なくとも一方は、希土類元素と遷移金属の両方を含有し、ターゲット中の希土類元素と遷移金属の存在比が前記第１のターゲットと前記第２のターゲットで異なる
請求項５記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記第１の工程において、前記光磁気記録層の少なくとも一部の磁化が転写される第１の磁性層と、前記第１の磁性層上に形成された、前記第１の磁性層よりキュリー温度が低い第２の磁性層とを有する前記基板を複数の前記ターゲットに対向させ、
前記第２の工程において、前記第２の磁性層上に前記光磁気記録層として、前記第２の磁性層よりキュリー温度が高い第３の磁性層を形成する
請求項１記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
真空槽と、
前記真空槽内に複数のターゲットを固定するターゲット固定手段と、
前記ターゲット固定手段に固定された複数の前記ターゲットと対向するように、前記真空槽内に１枚の基板を保持し、前記基板の中心位置を固定して前記基板を自転させる基板保持手段と、
複数の前記ターゲットに独立に電圧を印加する電圧印加手段とを有する
スパッタ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気記録媒体の製造方法およびスパッタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、基板上に信号記録層や誘電体層などが積層された積層膜が形成されてなり、信号記録層に光が照射されることにより情報信号の読み出しや書き込みが行われる光学記録媒体が普及している。
【０００３】
これらの光学記録媒体のなかで、光磁気ディスクは信号記録層として希土類遷移金属非晶質合金等からなる光磁気記録膜を用い、この信号記録層にレーザー光を照射しながら外部磁界を印加することにより情報の記録が行われる。また、記録された情報の再生は、レーザー光を信号記録層に照射し、その反射光の偏向面の回転を検出することにより行われる。これらの光学記録媒体において、できるだけ多くの情報を記録可能とすべく記録密度の高密度化が盛んに行われている。
【０００４】
これまでの光学記録媒体の高密度化は、媒体に集光される光スポット径を小さくすることにより行われてきた。光スポット径は、使用される光源の波長（λ）と対物レンズの開口数（ＮＡ：  Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ）によって制限されており、ほぼλ／（２ＮＡ）に比例する。したがって、高密度化を達成するためには、レーザー光の短波長化、および対物レンズの高ＮＡ化が必要とされる。
【０００５】
波長に関しては、第１世代光ディスクにおける８３０ｎｍから、現在のＤＶＤでは６５０ｎｍまで短波長化されており、また、ＮＡに関しても、第１世代光ディスクでおよそ０．４５、ＤＶＤでは０．６０と高ＮＡ化が進んでいる。さらに最近では波長４００ｎｍの青色レーザーを光源として用い、ＮＡを０．８５とした光ディスクシステムの実用化に向けての開発が盛んに行われている。
【０００６】
また、一方で、光磁気記録膜間の相互作用を利用して実効的な光スポット径を小さくする技術（磁気的超解像）も提案されている。磁気的超解像は、多層化した光磁気記録膜間の交換結合または静磁結合の温度依存性を利用して光スポット内の高温部分もしくは低温部分あるいはその両方を磁気的にマスクすることにより、実効的な光スポット径を小さくして再生を行う技術であり、現在製品化にまで至っている。
【０００７】
さらには、実効的な光スポット径が小さくなったことにより信号量が減少するという問題点を解決する方法として、特許文献１に開示された光磁気再生方法および再生装置がある。この光磁気再生方法は、光磁気記録媒体の第一光磁気記録層（磁壁移動層）に第三光磁気記録層（記録層）から第二光磁気記録層（中間層）を介して転写された磁区を、再生時に照射されるレーザー光の温度勾配を利用してレーザースポット内で磁壁移動させることにより、磁区を拡大させて再生するものである。これにより、再生分解能の飛躍的な向上が達成できる。
【０００８】
近年の光磁気記録媒体の高密度化に伴い、記録層に保持される記録マークの大きさも小さくなりつつある。記録マークの異方性エネルギーは記録マークの体積に比例するため、記録マークの微小化はそのまま異方性エネルギーの減少に繋がる。これにより、微小記録マークが保持できない、繰り返し記録特性が悪化するなどの問題が生じてきている。
【０００９】
この異方性エネルギーの減少を防ぐために、光磁気記録膜を希土類元素と遷移金属の周期性のある積層多層膜によって構成し、光磁気記録膜の単位体積当たりの異方性エネルギー自体を増加させることにより、記録マークの体積の減少分を補うという手段が用いられている（特許文献２参照）。特許文献２には、希土類と鉄族金属の周期性のある積層多層膜において、積層する膜厚の周期が１〜２ｎｍのとき、垂直磁気異方性が最大となる例が示されている。
【００１０】
このような光磁気記録膜は、図１１に示すような自公転式スパッタ装置４０を用いて形成される。自公転式スパッタ装置４０の基板キャリア４１には複数の基板ホルダー（不図示）が設置され、基板ホルダーにディスク基板４２が保持される。複数の基板ホルダーは基板キャリア４１の中心軸（公転軸４３）を中心として、略円形に配置される。
【００１１】
基板キャリア４１は公転軸４３を中心に回転し、これにより、ディスク基板４２が例えば矢印Ａで示す方向に公転する。各基板ホルダーにはディスク基板４２を回転させる機構が設けられている。ディスク基板４２は自転軸４４を中心として例えば矢印Ｂで示す方向に自転しながら、公転軸４３のまわりを公転する。基板キャリア４１と対向するように、複数の円形のターゲット４５ａ〜４５ｄが設置される。通常、ターゲット４５ａ〜４５ｄは基板キャリア４１の公転軸４３を中心として円形に配置される。図１１は４個のターゲットが設けられている例を示すが、ターゲットの個数は限定されない。
【００１２】
積層多層膜を形成する場合、ターゲット４５ａ〜４５ｄとして互いに組成が異なるものを用いる。例えばターゲット４５ａにＴｂ（テルビウム）ターゲット、ターゲット４５ｂにＦｅｘＣｏ１−ｘ（鉄−コバルト）ターゲット、ターゲット４５ｃにＦｅｙＣｏ１−ｙターゲット、ターゲット４５ｄにＦｅｚＣｏ１−ｚターゲットを用いる。ｘ、ｙ、ｚは互いに異なり、１より小さい。
【００１３】
これらのターゲット４５ａ〜４５ｄに独立に電圧を印加し、電圧を印加するターゲットを順次変更することにより、全体としてはＴｂＦｅＣｏ膜であって、微視的には組成の異なる極薄層が積層された、異方性エネルギーの高い積層多層膜を形成できる。なお、ターゲットの種類や、形成される光磁気記録膜の組成は上記の例に限定されない。
【００１４】
一方、光磁気記録媒体を構成する層をスパッタリングにより形成する際に、互いに組成が異なる複数のターゲットを用いる必要がない場合は、図１２に示すような静止対向型枚葉式スパッタ装置５０が用いられることが多い。静止対向型枚葉式スパッタ装置５０では、１つの真空槽５１内に１つのディスク基板５２と１つの円形のターゲット５３が対向するように配置される。ディスク基板５２は基板ホルダー５４に保持され、基板自転機構５５により軸５６を中心として例えば矢印Ａで示す方向に回転するが、軸５６の位置は変化しない。ディスク基板５２と円形のターゲット５３の位置が一定のまま、成膜が行われる。
【００１５】
積層多層膜を形成する場合は、積層多層膜を構成する膜の数に応じた複数の真空槽を連続して設置する。各真空槽は図１２と同様の構成とし、これらの真空槽内に互いに異なるターゲットを１個ずつ配置する。複数の真空槽の間でディスク基板を順次移動させ、成膜を行う。通常、隣接する真空槽の間にはゲートバルブが設けられるが、ゲートバルブを設けない装置構成により、ディスク基板の搬送時間を短縮させることもできる（特許文献３参照）。
【００１６】
【特許文献１】
特開平６−２９０４９６号公報
【特許文献２】
特開２００２−１９７７４１号公報
【特許文献３】
特開平５−１５６４４２号公報参照
【特許文献４】
特開平８−２６４５２６号公報
【特許文献５】
特開２０００−３５３３４３号公報
【特許文献６】
特開２００１−１４３２２０号公報
【特許文献７】
特開平１０−１８０３１号公報
【特許文献８】
特開平１１−３３５８３５号公報
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
光磁気記録膜の成膜において、図１２に示すような静止対向型枚葉式スパッタ装置を用いる場合に比較すると、図１１に示すような自公転式スパッタ装置を用いる場合は、一連の成膜の所要時間（タクトタイム）が長くなる。これは、自公転式スパッタ装置は基板を自転および公転させる機構が複雑であり、このような機構を収納するための真空槽を大きくしなければならないことに起因する。真空槽が大きい場合、真空槽内を真空に引く時間が長くなり、基板キャリアを搬送する時間も長くなる。
【００１８】
従来、特許文献３記載のスパッタ装置以外にも、光磁気記録媒体などの製造に用いられる様々なスパッタ装置や方法が提案されている。例えば特許文献４には、複数のターゲットを円周上に配置し、基板をその円周に沿って公転させながら、スパッタリングにより基板に強誘電体膜を形成する方法が開示されているが、この方法では基板の自転は必須ではない。特許文献４には、基板がターゲット上を通過する時間や、ターゲットに印加する電界を調整し、成膜される強誘電体膜の厚さを制御することが記載されているが、この方法によれば、基板の搬送によりタクトタイムが長くなる。
【００１９】
また、特許文献５には、ターゲットに印加する直流電圧にパルス電圧を重畳しながらスパッタリングを行う光磁気記録媒体の製造方法が開示されている。この方法は膜質の改善を目的としたものであり、１枚の基板と１つのターゲットを対向させてスパッタリングが行われ、複数のターゲットは用いられない。
【００２０】
特許文献６には、磁気ヘッドを構成する絶縁層を、スパッタリングにより基体上に均一に形成する方法が開示されている。この方法によれば、ターゲットと対向させた基体を公転させながらスパッタリングを行う途中で、基体を面内で１８０°反転させたり、平行移動したりする。この方法は、下地の基体に凸部がある場合に適し、光磁気記録媒体のように膜厚の面内均一性を高くする必要がある場合には適さない。
【００２１】
特許文献７には、ターゲットと基板との間に遮蔽板を設け、膜厚の均一性を高めたスパッタ装置が開示されている。また、特許文献８には、複数の基板を複数のターゲットと対向させる自公転式スパッタ装置が開示されている。しかしながら、これらの装置は自公転式であるため、成膜のタクトタイムを短縮できない。
【００２２】
以上のように、磁気的超解像の技術を利用して再生が行われる光磁気記録膜は、異方性エネルギーを高くするため、希土類元素と遷移金属の周期性のある積層多層膜とすることが好ましい。しかしながら、従来、このような積層多層膜は自公転式スパッタ装置により形成されていたため、成膜のタクトタイムが長いという問題があった。
【００２３】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、したがって本発明は、磁区拡大や磁壁移動等の磁気的超解像技術を用いる高記録密度の光磁気記録媒体を量産性よく製造できる光磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、異方性エネルギーの高い光磁気記録膜を短時間で形成できるスパッタ装置を提供することを目的とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、互いに異なる材料からなる複数のターゲットと１枚の基板が対向するように、複数の前記ターゲットを固定し、かつ前記基板の中心位置を固定する第１の工程と、複数の前記ターゲットに独立に電圧を印加しながら、前記基板を自転させてスパッタリングを行い、前記基板上に磁性材料からなる光磁気記録層を形成する第２の工程とを有することを特徴とする。
【００２５】
前記第２の工程において、複数の前記ターゲットへの電圧の印加は、同時に連続的に行っても、交互に行っても、いずれでもよい。好適には、複数の前記ターゲットは、希土類元素と遷移金属の少なくとも一方を含有する。好適には、前記第２の工程は、磁気的超解像や磁区拡大技術、磁壁移動技術を用いる高記録密度の光磁気記録媒体の光磁気記録層を形成する工程である。
【００２６】
これにより、高密度記録の光磁気記録媒体の光磁気記録層の成膜のタクトタイムを大幅に短縮することが可能となる。本発明の光磁気記録媒体の製造方法によれば、光磁気記録層の形成において、基板を公転させずにターゲットと静止対向させ、自転させる。基板を回転させる機構が小さいため、基板およびターゲットが収納される真空槽も大きくならず、真空槽を短時間で真空にできる。また、基板を公転させる時間が不要である。したがって、基板を自公転させてスパッタリングを行う場合に比較して、光磁気記録媒体の生産性が向上する。
【００２７】
上記の目的を達成するため、本発明のスパッタ装置は、真空槽と、前記真空槽内に複数のターゲットを固定するターゲット固定手段と、前記ターゲット固定手段に固定された複数の前記ターゲットと対向するように、前記真空槽内に１枚の基板を保持し、前記基板の中心位置を固定して前記基板を自転させる基板保持手段と、複数の前記ターゲットに独立に電圧を印加する電圧印加手段とを有することを特徴とする。
【００２８】
これにより、異方性エネルギーの高い光磁気記録膜を短時間で形成することが可能となる。したがって、例えば希土類元素と遷移金属の周期性のある積層多層膜を含む高密度記録の光磁気記録媒体を高い生産性で製造することが可能となる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る実施の形態を図面を参照して説明する。本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法によれば、積層多層膜によって構成される光磁気記録膜を、図１に示すような静止対向型枚葉式スパッタ装置１を用いて形成する。本実施形態の静止対向型枚葉式スパッタ装置１は、真空槽２内にディスク基板ホルダー３を有する。
【００３０】
光磁気記録膜が形成されるディスク基板４は、基板ホルダー３に保持される。ディスク基板４としては、例えばアモルファスポリオレフィンやポリカーボネート等の樹脂を射出成形等によりディスク状に成形したものが用いられる。基板ホルダー３は基板自転機構５により、軸６を中心として例えば矢印Ａで示す方向に回転する。これにより、ディスク基板４が軸６を中心として自転する。
【００３１】
真空槽２内にはディスク基板４と対向するように、複数の小径のターゲット７ａ、７ｂが配置されている。ターゲット７ａ、７ｂは軸６の周囲に配置され、ターゲット７ａ、７ｂの材料は互いに異なる。図１は２つのターゲットが配置されている例を示すが、ターゲットの数は限定されない。互いに材料や組成（元素の存在比）が異なる３つ以上のターゲットを、軸６を中心として円形に並ぶように配置してもよい。
【００３２】
２つのターゲット７ａ、７ｂにはそれぞれ電圧印加機構が取り付けられており、ターゲット７ａ、７ｂに独立に電圧を印加することが可能となっている。本実施形態の静止対向型枚葉式スパッタ装置は、ＤＣ（直流）マグネトロンスパッタ装置とする。本実施形態の静止対向型枚葉式スパッタ装置によれば、ターゲットはディスク基板に対し、傾斜するように配置することが望ましい。
【００３３】
１つのディスク基板と１つのターゲットが対向する静止対向型枚葉式スパッタ装置（図１２参照）の場合は、ディスク基板より十分に大きいターゲットをディスク基板と平行に配置することにより、光磁気記録膜の厚さをディスク基板上の全面で均等にしている。
【００３４】
一方、図１の静止対向型枚葉式スパッタ装置１の場合、複数のターゲット７ａ、７ｂが配置されるため、ディスク基板４と１つのターゲットが対向する部分の面積が小さい。図２は、図１のディスク基板４とターゲット７ａ、７ｂを軸６と平行な方向で見たときの平面図である。実線はディスク基板４を示し、点線はターゲット７ａ、７ｂの投影を示す。ディスク基板４と１つのターゲットとの重なり部分は軸６より外側となる。
【００３５】
この場合、ディスク基板４と平行にターゲット７ａ、７ｂを配置すると、成膜される光磁気記録膜のディスク半径方向での厚さのばらつきが大きくなりやすい。そこで、成膜される光磁気記録膜の厚さがディスク基板上の全面で均等となるような角度で、ターゲットを傾斜させる。
【００３６】
図３は、図１のディスク基板４とターゲット７ａ、７ｂを拡大した図である。図３のＡはターゲット７ａからスパッタされた元素が多く存在する部分を示し、Ｂはターゲット７ｂからスパッタされた元素が多く存在する部分を示す。図３に示すように、１つのターゲットからスパッタされてディスク基板４に到達する元素は、ディスク基板４上の一部で高密度となる。
【００３７】
ターゲットの直径を大きくしても、他のターゲットの配置による幾何学的な制約があるため、ディスク基板と対向する部分の面積の変化は小さく、ディスク基板と対向しない部分の面積が増大する。したがって、本実施形態の静止対向型枚葉式スパッタ装置１によれば、光磁気記録膜の厚さを均一化したり、ディスク基板に到達する元素を増加させたりする目的で大径のターゲットを用いる必要がない。小径のターゲットを用いても、大径のターゲットを用いた場合と同様に均一な厚さの光磁気記録膜を形成できる。また、ターゲットの直径を小さくできることから、ターゲットの利用効率が高くなり、ターゲットのコストを低減できる。
【００３８】
具体例を説明すると、図１２に示す静止対向型枚葉式スパッタ装置５０では、直径６４ｍｍのディスク基板に対して、例えば直径１２７ｍｍのターゲットが用いられ、ターゲットの直径がディスク基板の直径の２倍以上である。一方、図１に示す本実施形態の静止対向型枚葉式スパッタ装置１では、直径６４ｍｍのディスク基板４に対して、例えば直径約１００ｍｍ以下のターゲットを選択できる。
【００３９】
ターゲットの数を増やした場合、ターゲットが重ならないようにターゲットの直径をさらに小さくする。直径６４ｍｍのディスク基板に対して、３つのターゲットを用いる場合、例えば直径約８０ｍｍのターゲットを選択できる。以上のように、本実施形態の静止対向型枚葉式スパッタ装置１で用いられるターゲットの直径は、１つのターゲットを１つのディスク基板に対向させる静止対向型枚葉式スパッタ装置において、均一な厚さの光磁気記録膜を形成するのに必要とされるターゲットの直径よりも明らかに小さい。なお、ターゲットの直径は上記の例に限定されず、ターゲットの数や、ターゲットを傾斜させる角度等を含めたターゲットの幾何学的配置等に応じて、適宜変更できる。
【００４０】
次に、上記の本実施形態の静止対向型枚葉式スパッタ装置１を用いて、異方性エネルギーの高い光磁気記録膜を形成する方法について説明する。希土類元素と遷移金属の周期性のある積層多層膜を形成するには、一方のターゲット７ａとして例えばＴｂ、Ｇｄ（ガドリニウム）、Ｄｙ（ジスプロシウム）からなる希土類元素ターゲットを用い、他方のターゲット７ｂとして例えばＦｅＣｏからなる遷移金属ターゲットを用いる。
【００４１】
あるいは、ターゲット７ａ、７ｂとして同じ希土類元素および遷移金属を含み、希土類元素と遷移金属の比率が互いに異なるような２種類のターゲットを用いてもよい。例えば、ターゲット７ａに希土類元素の比率がターゲット７ｂよりも高いＴｂ３５（ＦｅＣｏ）６５を用い、ターゲット７ｂに遷移金属の比率がターゲット７ａよりも高いＴｂ５（ＦｅＣｏ）９５を用いても、希土類元素と遷移金属の周期性のある積層多層膜を形成できる。
【００４２】
図１に示すように、ディスク基板４を真空槽２内に搬送し、基板ホルダー３に固定した後、図示しない真空引き機構により真空槽２内を高真空度に排気する。真空引き機構としては、例えばクライオポンプ、ターボ分子ポンプ等が用いられる。その後、Ａｒ（アルゴン）、Ｋｒ（クリプトン）、Ｘｅ（キセノン）等の希ガスを真空槽２内に導入し、基板自転機構５を用いてディスク基板４を自転させながら、電圧印加機構によりターゲット７ａ、７ｂに電圧を印加して、ターゲットを放電させる。
【００４３】
ターゲット７ａ、７ｂへの電圧の印加は、両方に連続的に行っても、交互に行っても、いずれでもよい。ターゲット７ａ、７ｂの両方に連続的に電圧を印加した場合、図３に示すターゲット７ａからスパッタされた元素が多く存在する部分Ａでは、ターゲット７ａの材料が堆積し、ターゲット７ｂからスパッタされた元素が多く存在する部分Ｂでは、ターゲット７ｂの材料が堆積する。
【００４４】
一方のターゲット材料が堆積した部分には、ディスク基板４の自転に伴って他方のターゲット材料が堆積する。所定の厚さの光磁気記録膜が形成されるまで、ディスク基板４を自転させることにより、希土類元素と遷移金属の周期性のある積層多層膜が形成される。希土類元素と遷移金属の積層される周期は例えば１〜２ｎｍ程度にすることができる。このような周期で希土類元素と遷移金属を交互に積層させることにより、積層多層膜の異方性エネルギーを大きくできることが知られている（特許文献２参照）。
【００４５】
ターゲット７ａ、７ｂに交互に電圧を印加した場合、電圧が印加されたターゲットのみから元素がスパッタされる。したがって、例えばターゲット７ａに電圧が印加されている間は、図３に示す部分Ａでターゲット７ａの材料が堆積し、部分Ｂでは成膜が行われない。この場合、ターゲット７ａの１回当りの放電時間Ｔ７ａと、ターゲット７ｂの１回当りの放電時間Ｔ７ｂを、ディスク基板４の自転周期Ｔｓｕｂの整数倍とすることが望ましい。これにより、ターゲット７ａの材料から形成される層と、ターゲット７ｂの材料から形成される層の厚さがそれぞれ一定となる。したがって、希土類元素の層と遷移金属の層の厚さをより厳密に制御できる。
【００４６】
図４は、ターゲット７ａとターゲット７ｂの放電時間チャートの一例である。図４に示すように、ターゲット７ａとターゲット７ｂに交互に電圧が印加される。放電時間Ｔ７ａと放電時間Ｔ７ｂは異なってもよい。また、放電時間Ｔ７ａと放電時間Ｔ７ｂが一部重なり、２つのターゲットに同時に放電が行われる時間があってもよい。
【００４７】
図１に示す本実施形態の静止対向型枚葉式スパッタ装置１によれば、希土類元素と遷移金属の周期性のある積層多層膜を形成するための成膜時間を、図１１に示すような自公転式スパッタ装置を用いる場合の例えば１／１０〜１／２０程度に大幅に短縮できる。例えば、ＴｂＦｅＣｏ膜を厚さ５０ｎｍで形成する場合、本実施形態の装置によれば５秒程度で成膜できるのに対し、自公転式の装置の場合、５０〜１００秒程度必要となる。
【００４８】
自公転式の装置で１つの基板キャリア４１（図１１参照）に１０〜２０枚のディスク基板を装着すれば、計算上はディスク基板１枚当たりの成膜時間が、本実施形態のスパッタ装置１の場合と等しくなる。しかしながら、基板キャリア４１に装着するディスク基板の枚数を多くすると、真空槽が大きくなり、真空槽を真空引きする時間が長くなったり、ターゲットを大型化する必要があったりする。したがって、自公転式の装置に装着するディスク基板の枚数を増やすことは現実的ではない。
【００４９】
また、基板搬送時間や真空排気時間は、静止対向型枚葉式スパッタ装置の方が自公転式の装置に比較して著しく短い。例えば、ディスク基板を装置内に搬入、または装置から搬出するための所要時間は、本実施形態のスパッタ装置の場合、１秒程度でよいのに対し、自公転式の装置の場合は、例えば３０秒程度必要である。以上のように、本実施形態のスパッタ装置によれば、スパッタリングにより光磁気記録層を堆積させる時間と、その前後の基板搬送、真空排気の時間のいずれも、大幅に短縮できる。
【００５０】
図１に示す本実施形態の静止対向型枚葉式スパッタ装置１は、光磁気記録媒体を構成する層を形成するための他の真空槽と連続して配置することができる。図５は複数の真空槽２の上面図の例である。図５に示すように、複数の真空槽２を円周上に配置し、１箇所の真空槽をディスク基板搬入・搬出部８とする。
【００５１】
ディスク基板４はディスク基板搬入・搬出部８で基板ホルダー３に取り付けられる。基板ホルダー３は、伸縮部９に連結され、ディスク基板４が１つの真空槽２から隣接する真空槽２に移動する間、伸縮部９が縮む。各真空槽２内と伸縮部９が収納されている部分（複数の真空槽２により囲まれた部分）は、共通の真空引き機構により一様に排気することができる。
【００５２】
各真空槽２にはターゲット７が固定され、ターゲット７には電圧印加機構１０によって電圧が印加される。各真空槽２で光磁気記録媒体を構成する層の１層がスパッタリングにより形成される。複数の真空槽２のうちの少なくとも１つの真空槽２Ａに、複数のターゲット７ａ、７ｂを固定し、図１に示す構成とする。
【００５３】
複数の伸縮部９は、複数の真空槽２の中央に設けられた回転機構により、例えば矢印Ｒで示す方向に回転する。ディスク基板４がディスク基板搬入・搬出部８から搬入され、各真空槽２を一巡してディスク基板搬入・搬出部８から搬出されるまでに、スパッタリングにより積層膜が形成される。上記の構成のスパッタ装置によれば、光磁気記録媒体を構成する積層膜を、大気中に暴露せずに製造できる。
【００５４】
なお、図５に示す構成は、図１に示すスパッタ装置１を他の真空槽と連続して配置した場合の一例を示し、真空槽の配置は図５の例に限定されない。例えば、複数の真空槽を一列に配置してディスク基板搬入部とディスク基板搬出部を別個に設け、複数の真空槽の間でディスク基板を一方向に移動させて積層膜を形成することもできる。
【００５５】
【実施例】
（実施例１）
本発明の効果を確認するため、本発明の光磁気記録媒体の製造方法を用いて作製した光磁気記録膜の単位体積当りの異方性エネルギーの測定を行った。図６は実施例１のサンプルを示す断面図である。図６に示すように、Ｓｉ（シリコン）基板１１上に第１誘電体層１２、光磁気記録層１３および第２誘電体層１４をこの順で積層し、このサンプルについて異方性エネルギーの測定を行った。
【００５６】
第１誘電体層１２および第２誘電体層１４は、１つのターゲットをＳｉ基板１１に対向させる静止対向型枚葉式スパッタ装置（図１２参照）を用いて形成した。光磁気記録層１３は、サンプル１−１、１−２については図１に示すような本発明の実施形態の静止対向型枚葉式スパッタ装置１を用いて形成し、比較サンプル１−３については、図１２に示すような１つのターゲットを基板と対向させる静止対向型枚葉式スパッタ装置５０を用いて形成した。
【００５７】
（サンプル１−１）
サンプル１−１では、２つのターゲットに連続的に電圧を印加しながら光磁気記録層の形成を行った。以下、サンプル１−１を作製した方法を説明する。まず、静止対向型枚葉式スパッタ装置の真空槽内にＳｉ基板とＳｉターゲットを対向するように設置し、真空槽内を５×１０−５Ｐａ程度まで真空引きした。この真空槽内に０．２〜０．８Ｐａ程度のガス圧でＡｒガスに加えてＮ２ガスを導入し、Ｓｉターゲットによる反応性スパッタリングを行い、第１誘電体層１２として３０ｎｍ厚のＳｉＮ膜を形成した。この時、Ｓｉターゲットに投入したパワーは２ｋＷ、成膜時間は５．３秒であった。
【００５８】
次に、第１誘電体層１２を形成した真空槽に連続して設置されている、あらかじめ５×１０−５Ｐａ以下に排気されたＴｂターゲットとＦｅＣｏターゲットが配置された真空槽内に、第１誘電体層１２が形成されたＳｉ基板を収容した。この真空槽内に０．１〜０．８Ｐａ程度のガス圧でＡｒガスを導入し、基板を自転させながらＴｂターゲットとＦｅＣｏターゲットによる同時スパッタリングを行い、光磁気記録層１３として５０ｎｍ厚のＴｂＦｅＣｏ膜を形成した。この時、Ｔｂターゲットに投入したパワーは３００Ｗ、ＦｅＣｏターゲットに投入したパワーは１．５Ｗ、成膜時間は８秒であった。
【００５９】
基板を自転させることにより、ＴｂＦｅＣｏ膜の内部には、Ｔｂの存在比が高い極薄層とＦｅＣｏの存在比が高い極薄層が交互に積層される。このような微視的な構造は透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）やオージェ分光分析により確認できる。Ｔｂの存在比が高い極薄層とＦｅＣｏの存在比が高い極薄層の厚さがそれぞれ約０．５ｎｍとなり、２層の極薄層が約１ｎｍの周期で積層されるように、基板の自転速度やターゲットの印加電圧を調節した。
【００６０】
次に、光磁気記録層１３を形成した真空槽に連続して設置されている、あらかじめ５×１０−５Ｐａ以下に排気されたＳｉターゲットが配置された真空槽内に、第１誘電体層１２および光磁気記録層１３が形成されたＳｉ基板１１を収容した。この真空槽内にＡｒガスに加えてＮ２（窒素）ガスを導入し、ガス圧を０．２〜０．８Ｐａ程度に設定した。そして、Ｓｉターゲットによる反応性スパッタリングを行い、第２誘電体層１４として３０ｎｍ厚のＳｉＮ膜を形成した。この時、Ｓｉターゲットに投入したパワーは２ｋＷ、成膜時間は５．３秒であった。
【００６１】
（サンプル１−２）
サンプル１−２では、２つのターゲットに交互に電圧を印加しながら光磁気記録層の形成を行った。光磁気記録層１３の形成以外はサンプル１−１と同じ条件でサンプルの作製を行った。
【００６２】
光磁気記録層１３の形成では、まず、真空槽内にＴｂターゲットとＦｅＣｏターゲットを設置し、真空槽内を５×１０−５Ｐａ程度まで真空引きした。この真空槽内に第１誘電体層１２が形成されたＳｉ基板１１を収容した。この真空槽内に０．１〜０．８Ｐａ程度のガス圧でＡｒガスを導入し、基板を自転させながらＴｂターゲットとＦｅＣｏターゲットのスパッタリングを交互に繰り返すことにより、光磁気記録層１３として５０ｎｍ厚のＴｂＦｅＣｏ膜を形成した。この時、Ｔｂターゲットに投入したパワーは３００Ｗ、ＦｅＣｏターゲットに投入したパワーは１．５Ｗ、成膜時間は１６秒であった。
【００６３】
基板の自転周期Ｔｓｕｂは０．２５秒、Ｔｂターゲットの１回当りの放電時間Ｔ７ａ、ＦｅＣｏターゲットの１回当りの放電時間Ｔ７ｂはともに０．２５秒に設定した。これにより、サンプル１−１と同様に、ＴｂＦｅＣｏ膜の内部にＴｂの存在比が高い極薄層とＦｅＣｏの存在比が高い極薄層が積層され、Ｔｂの存在比が高い極薄層とＦｅＣｏの存在比が高い極薄層の厚さはそれぞれ約０．５ｎｍ、２層の極薄層の積層される周期が約１ｎｍとなった。
【００６４】
（比較サンプル１−３）
比較サンプル１−３では、光磁気記録層１３の形成以外はサンプル１−１、１−２と同じ条件でサンプルの作製を行った。光磁気記録層１３の形成では、まず、真空槽内にＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを設置し、真空槽内を５×１０−５Ｐａ程度まで真空引きした。真空槽内に合金ターゲットと対向するように、第１誘電体層１２が形成されたＳｉ基板１１を収容した。
【００６５】
この真空槽内に０．１〜０．８Ｐａ程度のガス圧でＡｒガスを導入し、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットのスパッタリングを行い、光磁気記録層１３として５０ｎｍ厚のＴｂＦｅＣｏ膜を形成した。この時、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットに投入したパワーは１ｋＷ、成膜時間は６秒であった。比較サンプル１−３では合金ターゲットを用いたため、ＴｂＦｅＣｏ膜の内部に周期構造は形成されなかった。
【００６６】
以上のようにして作製したサンプルの異方性エネルギーを測定した。比較サンプル１−３の異方性エネルギーが３×１０５ｅｒｇ／ｃｃであるのに対して、サンプル１−１は８×１０５ｅｒｇ／ｃｃ、サンプル１−２は１×１０６ｅｒｇ／ｃｃとなった。すなわち、本発明の方法により形成された光磁気記録層では、異方性エネルギーの増加が見られた。
【００６７】
（実施例２）
実施例２では、高い記録密度を実現できるＤＷＤＤ方式（ｄｏｍａｉｎ  ｗａｌｌ  ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）（特許文献１参照）で再生が行われる光磁気記録媒体の製造に、本発明を適用した例について説明する。ＤＷＤＤ方式では、光磁気記録媒体の磁壁移動層に記録層から中間層を介して転写された磁区を、再生時に照射されるレーザー光の温度勾配を利用してレーザースポット内で磁壁移動させることにより、磁区を拡大させて再生する。
【００６８】
図７に示すように、実施例２の光磁気記録媒体においては、ディスク基板２１上に第１誘電体層２２、再生層２３、磁壁移動層２４、第１中間層２５、第２中間層２６と、記録保持層２７、記録補助層２８、第２誘電体層２９、熱拡散層３０および保護膜３１がこの順で積層される。
【００６９】
ディスク基板２１としては、例えばアモルファスポリオレフィン、ポリカーボネート等の樹脂材料が射出成形等によりディスク状に成形されたものを用いる。
第１誘電体層２２は、光磁気記録媒体の光学的な効率を向上させ、かつ、ディスク基板２１からの水分が再生層２３や磁壁移動層２４に拡散するのを抑制して、ディスクの腐食を防止する。第１誘電体層２２としては、例えばＳｉＮ膜が４０〜１００ｎｍ程度の厚さで形成される。
【００７０】
再生層２３は、記録保持層２７から転写される磁区の磁壁を磁壁移動層２４とともに移動させ、再生信号特性を改善させる。再生層２３としては、例えばＧｄＦｅＣｏやＧｄＦｅ等の層が５〜５０ｎｍ程度の厚さで形成される。
磁壁移動層２４は、記録保持層２７から転写される磁区の磁壁を移動させ、光磁気効果が発揮される層である。磁気移動層２４としては、例えばＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＡｌ、ＧｄＦｅＳｉ等の層が５〜５０ｎｍ程度の厚さで形成される。
【００７１】
第１中間層２５、第２中間層２６は、記録保持層２７から磁壁移動層２４への磁区の転写をコントロールする層であり、それぞれ例えばＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＡｌ、ＴｂＦｅＣｏＳｉ、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＡｌ、ＴｂＦｅＳｉ等の層が、５〜４０ｎｍの厚さで形成される。
【００７２】
記録保持層２７は情報信号が記録、保持される層であり、例えばＴｂＦｅＣｏ等の層が２０〜１００ｎｍの厚さで形成される。
記録補助層２８は、情報信号が記録保持層２７に記録される際に、記録磁界感度特性を良くすることにより、記録特性を向上させる。記録補助層２８としては、例えばＧｄＦｅＣｏ等の層が２０〜１００ｎｍの厚さで形成される。
【００７３】
第２誘電体層２９は、光磁気記録媒体に照射された光による熱の拡散をコントロールし、記録再生特性を良好とするために設けられる。第２誘電体層２９としては、例えばＳｉＮ膜が５０〜８０ｎｍ程度の厚さで形成される。
熱拡散層３０は、光磁気記録媒体に照射された光による熱の拡散をコントロールし、記録再生特性を良好とするために設けられる。熱拡散層３０としては、例えばＡｌ層が３〜２０ｎｍ程度の厚さで形成される。
【００７４】
保護膜３１は、記録用磁気ヘッドとの衝突や接触の際の光磁気記録媒体の損傷や磨耗に対する耐性の向上を図るためのものであり、例えば紫外線硬化型樹脂をスピンコート等の方法で塗布することにより、５〜２０μｍ程度の厚さで形成される。
【００７５】
上記の各層のうち、スパッタリングにより形成される層は、すべて静止対向型枚葉式スパッタ装置で形成される。各層を形成するための真空槽は、層が形成される順に連続して設置される。記録保持層２７が形成される真空槽を除き、真空槽内に１つのターゲットが配置される。記録保持層２７は本発明を適用して形成され、記録保持層２７を形成するための真空槽には、図１に示すように、２つのターゲットが配置される。このような装置構成によれば、光磁気記録媒体を大気中に暴露せずに、多層積層膜を形成できる。
【００７６】
第１誘電体層２２、再生層２３、磁壁移動層２４、第１中間層２５、第２中間層２６、記録補助層２８、第２誘電体層２９、熱拡散層３０については、上記のような材料および厚さの層を形成する場合の通常のスパッタリング条件で成膜を行った。記録保持層２７は、以下のように形成した。
【００７７】
（サンプル２−１）
記録保持層２７の形成では、まず、真空槽内にＴｂターゲットとＦｅＣｏターゲットを設置し、真空槽内を５×１０−５Ｐａ程度まで真空引きした。この真空槽内に第１誘電体層２２、再生層２３、磁壁移動層２４、第１中間層２５、第２中間層２６が形成されたディスク基板２１を収容した。
【００７８】
真空槽内を再度、１×１０−４Ｐａ程度まで真空引きして、真空槽内に０．１〜０．８Ｐａ程度のガス圧でＡｒガスを導入し、基板を自転させながらＴｂターゲットとＦｅＣｏターゲットとを同時にスパッタリングした。これにより、記録保持層２７として５０ｎｍ厚のＴｂＦｅＣｏ膜を形成した。この時、Ｔｂターゲットに投入したパワーは３００Ｗ、ＦｅＣｏターゲットに投入したパワーは１．５Ｗ、成膜時間は８秒であった。ＴｂＦｅＣｏ膜の内部には、Ｔｂの存在比が高い極薄層とＦｅＣｏの存在比が高い極薄層がそれぞれ約０．５ｎｍの厚さで交互に積層された。
【００７９】
（比較用サンプル２−２）
比較用サンプル２−２では、１つのターゲットを１つのディスク基板と対向させる、通常の静止対向型スパッタ装置を用いて記録保持層２７を形成した。記録保持層２７の形成以外は、サンプル２−１と同じ条件でサンプルの作製を行った。
【００８０】
比較用サンプル２−２の記録保持層２７の形成では、まず、真空槽内にＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを設置し、真空槽内を５×１０−５Ｐａ程度まで真空引きした。この真空槽内に第１誘電体層２２、再生層２３、磁壁移動層２４、第１中間層２５、第２中間層２６が形成されたディスク基板２１を収容した。
【００８１】
真空槽内を再度、１×１０−４Ｐａ程度まで真空引きし、真空槽内に０．１〜０．８Ｐａ程度のガス圧でＡｒガスを導入した。ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットのスパッタリングを行うことにより、記録保持層２７として厚さ５０ｎｍのＴｂＦｅＣｏ膜を形成した。この時、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットに投入したパワーは１ｋＷ、成膜時間は６秒であった。比較サンプル２−２では合金ターゲットを用いたため、ＴｂＦｅＣｏ膜の内部に周期構造は形成されなかった。
【００８２】
（光磁気記録媒体の再生）
以上のように作製された光磁気記録媒体において、記録情報の記録再生を行った。記録保持層２７への情報信号の書き込みは、従来の光磁気記録媒体と同様に、光磁気記録媒体にレーザー光を照射しながら外部磁界を変調して行った。サンプル２−１および比較用サンプル２−２に、最短マーク長が０．２μｍである情報信号の書き込みを行った。
【００８３】
図８に、サンプル２−１の再生特性として、ビットエラーレート（ｂＥＲ）の再生パワー（Ｐｒ）依存性を示す。サンプル２−１のビットエラーレートのボトム値として３×１０−５の値が得られた。それに対し、比較用サンプル２−２では再生特性が悪いために、ビットエラーレートの測定が出来なかった。
【００８４】
次に、記録保持層に０．２μｍマーク長の情報信号の書き込みを行い、Ｃ／Ｎ測定を行った。サンプル２−１のＣ／Ｎは４２ｄＢであり、記録保持層２７の異方性エネルギーが大きいため、記録マークが記録保持層に安定に保持された。一方、比較用サンプル２−２のＣ／Ｎは３０ｄＢであった。したがって、比較用サンプル２−２の記録保持層には、記録マークが保持できなかったことがわかる。
【００８５】
以上の結果から、本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法によれば、希土類元素と遷移金属の周期性のある積層多層膜を形成でき、ＤＷＤＤ方式が用いられる光磁気記録媒体の光磁気記録層の異方性エネルギーを高くできることがわかる。本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法およびスパッタ装置によれば、良好な記録再生特性が得られる高密度記録の光磁気記録媒体を短時間で製造できる。
【００８６】
また、例えば図５に示すように、希土類元素と遷移金属の周期性のある積層多層膜を、他の層と連続的に形成できるため、光磁気記録媒体の生産性が高い。さらに、小型のターゲットを用いて異方性エネルギーの高い光磁気記録層を形成できるため、高記録密度の光磁気記録媒体を低コストで製造できる。
【００８７】
（実施例３）
本発明に係るスパッタ装置により光磁気記録層を形成したときの膜厚均一性について、図９および図１０を参照して説明する。図９および図１０はいずれも厚さ５０ｎｍのＴｂＦｅＣｏ膜を直径６４ｍｍのディスク基板に形成した例であり、図９は膜厚分布のガス圧依存性を示す。また、図１０は膜厚分布のターゲット−基板間（ＴＳ間）距離に対する依存性を示す。
【００８８】
自公転式スパッタ装置の場合、ターゲットからの粒子がディスク基板の全体に入射するため、成膜条件によらず、比較的容易に膜厚を均一にできる。一方、本発明に係るスパッタ装置の場合、ターゲットからディスク基板に入射する粒子の密度に分布があるため（図３参照）、成膜条件やＴＳ間距離の調整が必要となる。
【００８９】
ガス圧等の成膜条件や、ＴＳ間距離等を適切に制御することにより、本発明に係る静止対向型枚葉式スパッタ装置においても、十分な膜厚均一性が確保できる。なお、ＴＳ間距離はターゲットの中心とディスク基板との距離とした。膜厚分布は、例えば±２％以内であれば許容される。
【００９０】
図９の例では、ＴＳ間距離を５２ｍｍで一定とし、真空槽内に導入するＡｒガスのガス圧を０．１Ｐａと０．３Ｐａで変化させた。この場合、ガス圧０．１Ｐａのときに十分な膜厚均一性が得られ、０．３Ｐａではディスク基板の縁に近い部分で膜厚のばらつきが大きくなっている。但し、ＴＳ間距離やターゲット径等の他の条件を変化させることにより、ガス圧０．３Ｐａで十分な膜厚均一性を確保することも可能である。
【００９１】
図１０の例では、ガス圧を０．１Ｐａで一定とし、ＴＳ間距離を５２ｍｍと５８ｍｍで変化させた。この場合、ＴＳ間距離５２ｍｍのときとＴＳ間距離５８ｍｍのときのいずれも十分な膜厚均一性が得られた。以上のように、ガス圧等の成膜条件やＴＳ間距離等を最適化することにより、本発明に係るスパッタ装置においても、十分な膜厚均一性を確保できる。
【００９２】
本発明の光磁気記録媒体の製造方法およびスパッタ装置の実施形態は、上記の説明に限定されない。例えば、本発明の光磁気記録媒体の製造方法をＤＲＡＤ（ｄｏｕｂｌｅ  ｍａｓｋｅｄ  ｒｅａｒ  ａｐｅｒｔｕｒｅ  ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）方式、ＦＡＤ（ｆｒｏｎｔ  ａｐｅｒｔｕｒｅ  ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）方式、ＣＡＤ（ｃｅｎｔｅｒ  ａｐｅｒｔｕｒｅ  ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）方式等、ＤＷＤＤ方式以外の磁気超解像方式が用いられる光磁気記録媒体の光磁気記録層の形成に適用してもよい。
【００９３】
また、スパッタ装置はＤＣマグネトロンスパッタ装置に限定されず、ＲＦ（高周波）マグネトロンスパッタ装置、あるいはマグネトロンスパッタ装置以外のスパッタ装置であってもよい。さらに、ディスク基板の直径は上記の例に限定されず、ターゲットの直径等を変更することにより、直径の異なるディスク基板にも本発明を適用可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【００９４】
【発明の効果】
本発明の光磁気記録媒体の製造方法によれば、磁区拡大や磁壁移動といった磁気的超解像技術を用いる高記録密度の光磁気記録媒体を量産性よく製造できる。本発明のスパッタ装置によれば、異方性エネルギーの高い光磁気記録膜を短時間で形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の光磁気記録媒体の製造方法を示す概略図である。
【図２】図２は図１のターゲットとディスク基板の平面図である。
【図３】図３は図１のターゲットからディスク基板に入射する粒子の分布を示す図である。
【図４】図４は本発明の光磁気記録媒体の製造方法における複数のターゲットの放電時間チャートである。
【図５】図５は本発明の光磁気記録媒体の製造方法で用いられる装置の構成の一例を示す上面図である。
【図６】図６は本発明の実施例１に係るサンプルの断面図である。
【図７】図７は本発明の実施例２に係るサンプルの断面図である。
【図８】図８は本発明の実施例２に係る光磁気記録媒体の再生特性を示す図である。
【図９】図９は本発明の実施例３に係る光磁気記録媒体の膜厚分布を示す図である。
【図１０】図１０は本発明の実施例３に係る光磁気記録媒体の膜厚分布を示す図である。
【図１１】図１１は従来の光磁気記録媒体の製造方法で用いられる自公転式スパッタ装置の概略図である。
【図１２】図１２は従来の光磁気記録媒体の製造方法で用いられる静止対向型枚葉式スパッタ装置の概略図である。
【符号の説明】
１…静止対向型枚葉式スパッタ装置、２、２Ａ…真空槽、３…基板ホルダー、４…ディスク基板、５…基板自転機構、６…軸、７、７ａ、７ｂ…ターゲット、８…ディスク基板搬入・搬出部、９…伸縮部、１０…電圧印加機構、１１…シリコン基板、１２…第１誘電体層、１３…光磁気記録層、１４…第２誘電体層、２１…ディスク基板、２２…第１誘電体層、２３…再生層、２４…磁壁移動層、２５…第１中間層、２６…第２中間層、２７…記録保持層、２８…記録補助層、２９…第２誘電体層、３０…熱拡散層、３１…保護膜、４０…自公転式スパッタ装置、４１…基板キャリア、４２…ディスク基板、４３…公転軸、４４…自転軸、４５ａ〜４５ｄ…ターゲット、５０…静止対向型枚葉式スパッタ装置、５１…真空槽、５２…ディスク基板、５３、５３ａ〜５３ｃ…ターゲット、５４…基板ホルダー、５５…基板自転機構、５６…軸。
【図１】
2004273010.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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