(57)【要約】【課題】検体の電極との接触部における異物の堆積を抑制しつつ電極とプローブとの電気的接続を確実するプローブユニット及びプローブユニットの製造方法を提供する。【解決手段】接触部２４をビーム１０の側面から突出する方向に先鋭化させると、接触部２４と電極の接触圧を増大させることができ、また、接触部２４の先端は電極との接触によってセルフクリーニングされる。また、ビーム１０と接触部２４を個別の工程で形成することにより、マスクのパターン不良を防止することができる。すなわち、ビーム１０を形成するためのマスクの開口部から露出する基板の表面に、接触部を形成するための凹部を形成しておくことが不要になる。このため、基板表面での乱反射によりそのマスクの開口部が過度に食刻されることを防止できる。したがってプローブを微細化することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持部と、前記支持部に基端部を支持されているビームと、前記ビームの側面から突出して形成され検体の電極に接触する接触部とを備えるプローブユニットであって、
前記接触部はその突出方向に先鋭であることを特徴とするプローブユニット。
【請求項２】
前記接触部は前記ビームの先端方向に先鋭であることを特徴とする請求項１に記載のプローブユニット。
【請求項３】
前記接触部は前記ビームの素材より硬質の素材からなることを特徴とする請求項１又は２に記載のプローブユニット。
【請求項４】
前記ビームは前記接触部より体積抵抗率の低い素材からなることを特徴とする請求項１、２又は３に記載のプローブユニット。
【請求項５】
支持部に基端部を支持されるビームと、前記ビームの側面から突出して形成され検体の電極に接触する接触部とを備えるプローブユニットの製造方法であって、
基板の表面上に前記ビームを形成するビーム形成工程と、
前記ビームの側面の一部を露出させる開口部を有するマスクを前記基板及び前記ビームの表面上に形成し、前記開口部に前記接触部を形成するめっき工程と、を含むことを特徴とするプローブユニットの製造方法。
【請求項６】
前記めっき工程の後に、
イオンミリングにより前記接触部を先鋭化させる先鋭化工程をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項７】
前記めっき工程の後、前記先鋭化工程前に、
前記マスクを除去するマスク除去工程と、
前記ビームを被覆し前記接触部を露出させる保護膜を前記ビームの表面上に形成する保護工程とをさらに含むことを特徴とする請求項６に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項８】
前記めっき工程において、積層構造の前記マスクを前記基板及び前記ビームの表面上に形成し、
前記めっき工程の後、前記先鋭化工程前に、
前記ビームを被覆している前記マスクの下層部を残存させて前記マスクの上層部を除去し前記接触部を露出させるマスク除去工程をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項９】
前記めっき工程において、単層構造の前記マスクを前記基板及び前記ビームの表面上に形成し、
前記めっき工程の後、前記先鋭化工程前に、
前記ビームを被覆している前記マスクの下部を残存させて前記マスクの上部を除去し前記接触部を露出させるマスク除去工程をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載のプローブユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路や液晶パネル等の電子デバイスの電気的特性を検査するためのプローブユニット及びプローブユニットの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ビームと、ビームの側面から突出して形成され電子デバイスの電極に接触する接触部とを備えるプローブユニットが知られている。検体としての電子デバイスの電極に接触する接触部を突出させることにより、パッシベーション膜に囲まれて凹んでいる電極に対して接触部を接触させることが容易になる。
【０００３】
特許文献１には、ビームの側面から突出して形成される接触部を形成する次の方法が開示されている。まず基板上の犠牲膜に凹部を形成し、ビームの形状に対応し犠牲膜の凹部を露出させる開口部を有するマスクを犠牲膜の表面上に形成する。次に開口部をめっき工程により充填し、接触部とリードとを一度に形成する。次にマスク及び犠牲膜を除去し、一体化した接触部とビームを基板から分離する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、犠牲膜の凹部を露出させるマスクの開口部を写真食刻により形成すると、凹部表面の反射光がマスクの法線方向から逸れた方向に拡散する。このため、開口部の内壁が過度に食刻され、マスクの開口部のパターン不良が生ずる。このようなマスクのパターン不良はプローブ微細化の障壁になる。
【０００５】
また、プローブの接触部で電極表面をスクラブし、それによって電極とプローブとの電気的接続を確実にする工程を含む検査を実施する場合、接触部の表面には電極の削り屑が堆積する。また、接触部の表面には電極の削り屑以外のコンタミナントも堆積する。接触部の表面のこれらの堆積物は電極とプローブの電気的接続を不安定にするため、電子デバイスの検査工程では、これらの堆積物をクリーニングシートなどで定期的に除去する必要がある。
【０００６】
本発明の第一の目的は、これらの問題に鑑みて創作されたものであって、検体の電極との接触部における異物の堆積を抑制しつつ電極とプローブとの電気的接続を確実するプローブユニット及びプローブユニットの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の第二の目的は、ビームの側面から突出した接触部を備えたプローブを微細化することができるプローブユニットの製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記第一の目的を達成するため、本発明に係るプローブユニットは、支持部と、前記支持部に基端部を支持されているビームと、前記ビームの側面から突出して形成され検体の電極に接触する接触部とを備えるプローブユニットであって、前記接触部はその突出方向に先鋭であることを特徴とする。接触部をビームの側面から突出する方向に先鋭化させると、接触部と電極の接触圧を増大させることができ、また、接触部の先端は電極との接触によってセルフクリーニングされる。すなわち、接触部と電極の接触により接触部に付着する削り屑、コンタミナント等は接触部が電極に突き刺さることで接触部の先端から除去される。したがって、検体としての電子デバイスの電気的特性の検査にプローブユニットを繰り返し使用するとき、接触部における異物の堆積を抑制しつつ電極とプローブとの電気的接続を確実することができる。
【０００８】
さらに本発明に係るプローブユニットでは、前記接触部は前記ビームの先端方向に先鋭であることを特徴とする。接触部で電極表面をスクラブするとき、接触部は電極表面に対してビームの先端方向に相対的に移動する。ビームの先端方向に接触部を先鋭化させることにより、スクラブ時に接触部の前進側端部は電極との接触によってセルフクリーニングされる。
【０００９】
さらに本発明に係るプローブユニットでは、前記接触部は前記ビームの素材より硬質の素材からなることを特徴とする。接触部をビームより硬質にすることにより、プローブの耐久性を向上させることができる。
【００１０】
さらに本発明に係るプローブユニットでは、前記ビームは前記接触部より体積抵抗率の低い素材からなることを特徴とする。ビームの体積抵抗率を接触部より低くすることによりプローブの感度を向上させることができる。
【００１１】
上記第一の目的を達成するため、本発明に係るプローブユニットの製造方法は、支持部に基端部を支持されるビームと、前記ビームの側面から突出して形成され検体の電極に接触する接触部とを備えるプローブユニットの製造方法であって、基板の表面上に前記ビームを形成するビーム形成工程と、前記ビームの側面の一部を露出させる開口部を有するマスクを前記基板及び前記ビームの表面上に形成し、前記開口部に前記接触部を形成するめっき工程と、を含むことを特徴とする。ビームと接触部を個別の工程で形成することにより、マスクのパターン不良を防止することができる。すなわち、ビームを形成するためのマスクの開口部から露出する基板の表面に、接触部を形成するための凹部を形成しておくことが不要になる。このため、基板表面での乱反射によりそのマスクの開口部が過度に食刻されることを防止できる。したがって、ビームの側面から突出した接触部を備えたプローブを微細化することができる。
【００１２】
さらに本発明に係るプローブユニットの製造方法では、前記めっき工程の後に、イオンミリングにより前記接触部を先鋭化させる先鋭化工程をさらに含むことを特徴とする。接触部をイオンミリングにより先鋭化させることにより、接触部と電極の接触圧を増大させることができ、また、検体としての電子デバイスの電気的特性の検査にプローブユニットを繰り返し使用するとき、接触部における異物の堆積を抑制しつつ電極とプローブとの電気的接続を確実することができる。
【００１３】
さらに本発明に係るプローブユニットの製造方法では、前記めっき工程の後、前記先鋭化工程前に、前記マスクを除去するマスク除去工程と、前記ビームを被覆し前記接触部を露出させる保護膜を前記ビームの表面上に形成する保護工程とをさらに含むことを特徴とする。接触部をイオンミリングにより先鋭化させるとき、ビームを保護膜で被覆しておくことにより、イオンミリングでビームが削れることを防止できる。
【００１４】
さらに本発明に係るプローブユニットの製造方法では、前記めっき工程において、積層構造の前記マスクを前記基板及び前記ビームの表面上に形成し、前記めっき工程の後、前記先鋭化工程前に、前記ビームを被覆している前記マスクの下層部を残存させて前記マスクの上層部を除去し前記接触部を露出させるマスク除去工程をさらに含むことを特徴とする。接触部をイオンミリングにより先鋭化させるとき、ビームをマスクの下層部で被覆しておくことにより、イオンミリングでビームが削れることを防止できる。
【００１５】
さらに本発明に係るプローブユニットの製造方法では、前記めっき工程において、単層構造の前記マスクを前記基板及び前記ビームの表面上に形成し、前記めっき工程の後、前記先鋭化工程前に、前記ビームを被覆している前記マスクの下部を残存させて前記マスクの上部を除去し前記接触部を露出させるマスク除去工程をさらに含むことを特徴とする。接触部をイオンミリングにより先鋭化させるとき、ビームをマスクの下部で被覆しておくことにより、イオンミリングでビームが削れることを防止できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例によるプローブユニットとその製造方法を図面に基づいて説明する。
（プローブユニットの構成）
図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ本発明の一実施例によるプローブユニット１を示す正面図、側面図、平面図である。プローブユニット１は、平板状の支持部２８及び複数のプローブ２６で構成されている。各プローブ２６は、ビーム１０及び接触部２４からなる。
【００１７】
ビーム１０は、互いに平行に配列され、それぞれの基端部が支持部２８に固定され、それぞれの先端部が支持部２８から突出している。複数のビーム１０のピッチは検体となる半導体集積回路や液晶パネルの電極のピッチに対応する。ビーム１０の素材としては、ニッケル、ニッケル−鉄合金、ニッケル−コバルト合金等が望ましい。
【００１８】
接触部２４は、ビーム１０の先端部の側面から突出している。接触部２４がビーム１０の側面から突出する方向は、ビーム１０の軸線に対してほぼ垂直な方向である。接触部２４をビーム１０の側面から突出させることにより、検体としての電子デバイスの電極が凹部に設けられていても接触部２４を接触させることが容易になる。またビーム１０の接触部２４が形成される側面は、支持部２８に固定される側面の裏面に相当する。このため、検体に接触部２４を圧接させることによる反力がプローブ２６と支持部２８とを剥離させる方向に作用することがない。
【００１９】
接触部２４の素材は、ビーム１０の素材と同一であってもよいし、異素材であってもよい。例えば、接触部２４にビーム１０より硬質な素材や、体積抵抗率の低い素材や、化学的に安定な素材を採用してもよい。具体的には例えば、接触部２４の素材としてパラジウム、ロジウム、金、銅等を採用してもよい。例えば、体積抵抗率についてはビーム１０が接触部２４より低く、硬度については接触部２４がビーム１０より高くなる素材を採用することにより、プローブ単位で抵抗を低減しつつ耐久性を向上させることができる。また、接触部２４の基材はビーム１０の素材と同一とし、接触部２４の表層部だけにパラジウム、ロジウム、金、銅等の素材を採用してもよい。接触部２４とビーム１０の素材の組み合わせは、素材の膜応力、体積抵抗率、硬度、密着性等に応じて適宜選択することが望ましい。
【００２０】
接触部２４の形状は、ビーム１０の側面から突出する方向に、すなわち、ビーム１０の軸線に対して垂直な方向に先鋭化させる。接触部２４を突出方向に先鋭化させることにより、接触部２４が検体の電極に接触するとき、微視的に接触部２４が電極に突き刺さり、それによって接触部２４の先端から堆積物が除去されやすいからである。接触部２４の先端（突出方向の先端）に対して電極が接触した状態で検査が実施されるため、接触部２４と電極との確実な電気的接続を確保できる。接触部２４に堆積するものとしては、電極パッドの削りくずとしてのアルミニウム、銅、これらの酸化物等、若しくはコンタミナント等の有機物である。
【００２１】
図２には、円錐形状の接触部２４を例示している。図３には、先端がナイフエッジ状に形成された接触部２４を例示している。接触部２４の高さＨは、２μｍ以上であることが望ましい。また、接触部２４をビーム１０の先端から基端側に離す距離Ｄは２０μｍ以内であることが望ましい。接触部２４についてＨ及びＤをこのように設定することにより、凹部に電極が設けられる電子デバイスを検体とする場合であっても、ビーム１０の長さ及び角度の設計自由度を上げることができる。また、接触部２４の短手方向の幅Ｗは、３０μｍ以下であることが望ましい。Ｗを小さく設定することにより、接触部２４と電極との接触圧を大きく設定することができ、これにより、小さい荷重でプローブ２６と検体の電極との確実な電気的接続を確保することができる。また、接触部２４のビッカース硬度Ｈｖは５００以上であることが望ましい。接触部２４の耐久性を確保するためである。
【００２２】
接触部２４の形状は、ビーム１０の先端方向に先鋭化させることが望ましい。接触部２４がビーム１０の先端方向に先鋭化していると、スクラブにより電極に対して接触部２４が摺動するとき、接触部２４の前端から堆積物が除去されやすいからである。
【００２３】
図４〜図７には、ビーム１０の先端方向に先鋭化した接触部２４の形状を例示した。図４に示す接触部２４の形状は、六角柱の上縁角部を切り落とした形状であって、ビーム１０の軸方向に前端から後端まで延びる直線的なナイフエッジ３０を持つ形状である。図５に示す接触部２４の形状は、楕円断面の柱体の上縁角部を切り落とした形状であって、ビーム１０の軸方向に前端から後端まで延びる湾曲したナイフエッジ３０を持つ形状である。図６に示す接触部２４の形状は、円錐側面状の前端面３２と、ビーム１０の軸方向に延びる湾曲したナイフエッジ３０とを持つ形状である。図７に示す接触部２４の形状は、図６の例と同様、円錐側面状の前端面３２と、ビーム１０の軸方向に延びる湾曲したナイフエッジ３０とを持つ形状である。
【００２４】
（プローブユニットを用いた導通試験）
図８はプローブユニット１を用いた導通試験を示す模式図である。プローブユニット１は、昇降機構を有する図示しない検査装置によって鉛直方向に往復移動する。
【００２５】
はじめに、プローブユニット１を下方に移動させ、接触部２４の先端を電子デバイス４４の電極パッド４０に接触させる。このとき、接触部２４はビーム１０の側面から突出して形成されているため、電子デバイス４４の電極パッド４０以外の部位（パッシベーション膜等）に接触させることなく電極パッド４０に接触部２４を接触させることは容易である。続いて、接触部２４と電極パッド４０とを電気的に確実に接続するため、プローブユニット１をさらに下方に移動させ、電極パッド４０に接触部２４を圧接させる。このとき、接触部２４は電極パッド４０に対して摺動し、電極パッド４０の表面をわずかに削り取る。すなわち、プローブユニット１をオーバードライブさせることにより、電極パッド４０をスクラブする。これにより、電極パッド４０の表面の酸化物や堆積物が除去されるとともに、接触部２４の突出方向の先端及びビーム先端方向の先端がセルフクリーニングされるため、電極パッド４０と接触部２４との電気的接続がより確実になる。
【００２６】
（プローブユニットの第一の製造方法）
図１はプローブユニット１の製造方法の第一実施例を示す断面図である。
はじめに、図１（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように基板１２の表面上にビーム１０を形成する。具体的には、まず、表層部１４が銅からなる基板１２の表面上にビーム１０に対応する開口部を有する図示しないマスクを形成する。マスクは、例えば、基板１２の表面上にレジストを形成し、レジストを露光して所定のパターンに現像することによって形成する。レジストは１０〜７０μｍの膜厚で塗布する。次にマスクの開口部にめっきによりビーム１０を形成する。具体的には例えば、ニッケル、ニッケル−鉄合金、ニッケル−コバルト合金等の金属を１０〜５０μｍの膜厚に電解めっきする。次にマスクを除去する。具体的には例えば、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、アセトン、又は１規定の水酸化ナトリウム水溶液を用いてレジストを除去する。
【００２７】
続いて、図１（Ａ２）、（Ｂ２）に示すようにビーム１０の側面の一部を露出させる開口部２０を有するマスク１６を基板１２及びビーム１０の表面上に形成し、マスク１６の開口部２０に接触部の原形１８を形成する。具体的には、まず、ビーム１０の膜厚より厚くなるように１０〜１００μｍの膜厚でレジストを塗布し、露光及び現像して所定の開口部２０を有するマスク１６を形成する。マスク１６の開口部２０は、極めて細い形状でもよいし、上方に向けて縮径するテーパ形状であってもよい。開口部２０がこれらの形状であれば、後のイオンミリングによる先鋭化が不要になる。次に、ニッケル、ニッケル−鉄合金、ニッケル−コバルト合金等の金属を開口部２０内にめっきして接触部の原形１８を形成する。具体的には例えば電解めっきにより１０〜４０μｍの膜厚で接触部の原形１８を形成する。ここでめっき材料としてビーム１０の材料に比べて、より硬質なもの、より体積抵抗率の低いもの、具体的には例えばパラジウム、ロジウム、金、銅等を採用してもよい。また、ビーム１０と同じ材料で所定の膜厚までめっきし、その後、パラジウム、ロジウム、金、銅等を０．１〜５μｍの膜厚にめっきして接触部２４を複層構造にしてもよい。接触部２４を単層構造にするか、複層構造にするかは、膜応力、体積抵抗率、硬度、密着性等の材料の特性に応じて選択することが望ましい。
【００２８】
続いて図１（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、マスク１６を除去する。具体的には例えばＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、アセトン、又は１規定の水酸化ナトリウム水溶液を用いてレジストを除去する。
【００２９】
続いて、図１（Ａ４）、（Ｂ４）に示すようにビーム１０を被覆し接触部の原形１８を露出させる保護膜２２をビーム１０及び基板１２の表面上に形成する。この工程は、後続のイオンミリングによりビーム１０が削られることを防止するため、実施することが望ましい。具体的には、まず、レジストを所定の膜厚に塗布し、露光して所定のパターン、例えば接触部の原形１８を形成するときに用いたパターンと同一又は類似のパターン等に現像する。レジストの膜厚が厚いと、後続のイオンミリングで接触部を十分に先鋭化できなくなるため、ビーム１０に積層するレジストの厚さは最小限にする。例えば、ビーム１０の膜厚が２０μｍ、接触部の原形１８の膜厚が１５μｍの場合、基板１２の表面に１０μｍ程度の膜厚でレジストが積層するようにする。次にレジストをベークすることによってレジストからなる保護膜２２のイオンミリングに対する耐久性を上げる。ベーク条件は例えば１５０℃で６０分間とする。
【００３０】
続いて、図１（Ａ５）、（Ｂ５）に示すようにイオンミリングにより接触部の原形１８を先鋭化させる。具体的には例えば、基板１２表面の垂線方向のイオンビームにより接触部の原形１８の露出部分をエッチングする。これにより、接触部の原形１８の上縁角部がイオンビームによって除去され、接触部２４の突出方向の先端及びビーム先端方向の先端が先鋭化する。接触部の原形１８の幅Ｗの半分の幅づつ接触部の原形１８の上縁角部を除去すれば、ナイフエッジを有する接触部２４を形成することができる。尚、イオンビームの方向は基板１２表面の垂線方向に限らず、その垂線に対して傾斜した方向であってもよい。
【００３１】
続いて、図１（Ａ６）、（Ｂ６）に示すように保護膜２２を除去する。具体的には例えばＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、アセトン、又は１規定の水酸化ナトリウム水溶液を用いてレジストを除去する。
【００３２】
続いて、基板１２及びプローブ２６をエッチング液に浸漬し、基板１２の表層部１４を溶解して基板１２からプローブ２６を剥離させる。エッチング液としては、例えばアルカリ性の銅専用エッチング液を用いる。
【００３３】
図９は、図１（Ａ２）、（Ｂ２）に示した工程で形成する接触部の原形１８と、図１（Ａ５）、（Ｂ５）に示した工程でイオンミリングにより先鋭化された接触部２４の対応関係を示す模式図である。
【００３４】
接触部の原形１８が直方体である場合、図９（Ａ）に示すように、図３に示した接触部２４が形成される。接触部の原形１８が六角柱である場合、図９（Ｂ）に示すように、図４に示した接触部２４が形成される。接触部の原形１８が楕円柱である場合、図９（Ｃ）に示すように、図５に示した接触部２４が形成される。図９（Ｄ）、（Ｅ）では、ビーム１０の一部がイオンミリングにより除去されてビーム１０に凹部１１が形成される例を示している。
【００３５】
尚、プローブ２６を支持部に固定してプローブユニットを製造するには、プローブ２６を基板１２から剥離させる前に、基板上に配列されたプローブ２６に支持部としての樹脂フィルム等を接着してもよいし、未硬化の熱硬化性樹脂フィルムをプローブ２６間に充填するように圧入し、それを加熱硬化させることにより支持部を形成してもよい。
【００３６】
上述の製造方法によると、ビーム１０を形成する工程では、基板１２の平坦な表面上に図示しないマスクの開口部を形成するため、マスクのパターン不良を防止でき、ビーム１０を狭いピッチで基板１２上に形成することができる。このため、プローブ２６のピッチを狭小化することができる。また、接触部２４を形成する工程でも、ビーム１０の平坦な側面上にマスク１６の開口部２０を形成するため、マスクのパターン不良を防止でき、接触部２４を微細化することができる。
【００３７】
また、上述の製造方法によると、ビーム１０を形成する工程と、接触部２４を形成する工程において、それぞれ別々のマスクを用いた別々のめっき処理により、ビーム１０及び接触部２４を形成するため、ビーム１０及び接触部２４の材料に異素材を用いることができる。
【００３８】
（プローブユニットの第二の製造方法）
図１０はプローブユニット１の製造方法の第二実施例を示す断面図である。プローブユニット１の製造方法の第二実施例は、接触部１８のマスキング及びビーム１０の保護の方法が上述した第一実施例と異なり、その他の点では第一実施例と実質的に同一である。
【００３９】
図１０（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、接触部の原形１８を形成するためのマスク１６は、互いに異なる素材からなる下層部１７及び上層部１５を積層して形成する。具体的には、マスク１６の下層部１７の膜厚は接触部の原形１８の膜厚よりも薄くし、マスク１６全体の膜厚は接触部の原形１８の膜厚よりも厚く設定する。このように形成した積層構造のマスク１６に開口部２０を形成し、開口部２０に接触部の原形１８を形成する。
【００４０】
続いて図１０（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、マスク１６の上層部１５を除去して接触部の原形１８を露出させる。具体的には例えば、上層部１５のみを溶かす溶液に浸漬してもよいし、上層部１５のみを除去するガスでドライエッチングしてもよい。
【００４１】
続いて図１０（Ａ４）、（Ｂ４）に示すように、マスク１６の下層部１７をビーム１０の保護膜としてイオンミリングにより接触部の原形１８を先鋭化する。
【００４２】
（プローブユニットの第三の製造方法）
図１１はプローブユニット１の製造方法の第三実施例を示す断面図である。プローブユニット１の製造方法の第三実施例は、ビーム１０の保護の方法が上述した第一実施例と異なり、その他の点では第一実施例と実質的に同一である。
図１１（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、接触部の原形１８を露出させた状態でビーム１０を保護する保護膜は、接触部の原形１８を形成するためのマスク１６の上部を除去したものとする。具体的にはエッチング期間を制御することにより、接触部の原形１８を露出させビーム１０を被覆する膜厚になるまでマスク１６の上部をドライエッチングにより除去し、マスク１６の下部を残存させる。
【００４３】
続いて図１１（Ａ４）、（Ｂ４）に示すように、マスク１６の下部をビーム１０の保護膜としてイオンミリングにより接触部の原形１８を先鋭化する。
【００４４】
接触部の原形１８のマスキングとその先鋭化工程におけるビーム１０の保護に単一のマスク１６を併用することにより製造プロセスを簡素化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】プローブユニットの製造方法の第一実施例を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例によるプローブユニット１を示す正面図、側面図、平面図である。
【図３】本発明の一実施例によるプローブを示す斜視図である。
【図４】本発明の一実施例によるプローブを示す斜視図である。
【図５】本発明の一実施例によるプローブを示す斜視図である。
【図６】本発明の一実施例によるプローブを示す斜視図である。
【図７】本発明の一実施例によるプローブを示す斜視図である。
【図８】本発明の一実施例によるプローブユニットを用いた導通試験を示す模式図である。
【図９】本発明の一意実施例によるイオンミリングによる接触部の先鋭化工程を説明するための模式図である。
【図１０】プローブユニットの製造方法の第二実施例を示す断面図である。
【図１１】プローブユニットの製造方法の第三実施例を示す断面図である。
【符号の説明】
１    プローブユニット
１０    ビーム
１２    基板
１４    表層部
１６    マスク
２０    開口部
２２    保護膜
２４    接触部
２６    プローブ
２８    支持部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2004233128.tif 000008
【図７】
2004233128.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2004233128.tif 000012
【図１１】
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