(57)【要約】【課題】透明電極と反射電極とを備えた反射透過型液晶表示装置において、表示画面における画素間領域の占める割合を低減することで画素開口率をさらに向上させ、光利用効率を高める。【解決手段】同一画素を形成する透明電極６と反射電極７とが互いにずらされ、反射電極７がゲートバスライン３およびソースバスライン４をまたぐように配置される。これにより、互いに電気的な接続が無い状態で隣り合う透明電極６と反射電極７とが、表示面法線方向からみて接するように配置され、その間の画素間領域が排除される。【選択図】　図１
2004085720.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射電極と透明電極とからなる画素電極を備えた、反射透過型液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板において、
互いに電気的な接続が無く隣り合う反射電極と透明電極とが、反射電極によって電圧を印加される反射領域の境界と透明電極によって電圧を印加される透過領域の境界との少なくとも一部が、該アクティブマトリクス基板の表示面法線方向から見て接するか、あるいは近接するように配置されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項２】
上記反射電極と上記透明電極とは、透明電極が光源からの光入射側、反射電極が液晶層との対向面側となるように、間に絶縁層を介して形成されており、
該アクティブマトリクス基板の表示面法線方向から見て、上記反射電極の端部が、該反射電極に対して電気的な接続が無く隣り合う透明電極の端部に一部が重畳するように形成されていることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項３】
上記絶縁層は、上記透過領域に対応する箇所にて開口部が設けられていることを特徴とする請求項２に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項４】
上記反射電極と上記透明電極とは共に、これらの電極に信号電圧を印加するための配線およびスイッチング素子に対して、間に透明絶縁層を介して形成されており、
互いに電気的な接続が無く隣り合う反射電極と透明電極との間に存在する画素間領域の少なくとも一部は３μｍ以下の幅に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項５】
上記反射電極は、該アクティブマトリクス基板の表示面法線方向から見て、ソース配線を覆わないように配置されることを特徴とする請求項２または４に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項６】
上記反射電極は、該アクティブマトリクス基板の表示面法線方向から見て、少なくともゲート配線の一部を覆うものであり、
各反射電極は、自画素を駆動するゲート配線とは異なるゲート配線を覆うように配置されることを特徴とする請求項２または４に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項７】
該アクティブマトリクス基板は、ノーマリーホワイト方式の反射透過型液晶表示装置に用いられるものであり、
反射領域および透過領域の何れにも属さない空白領域に対して、遮光層が設けられていることを特徴とする請求項２または４に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項８】
上記請求項１ないし７の何れかに記載のアクティブマトリクス基板と、対向基板との間に液晶層を挟んで構成されることを特徴とする反射透過型液晶表示パネル。
【請求項９】
上記請求項９に記載の液晶表示パネルを備えていることを特徴とする反射透過型液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、反射透過型液晶表示装置の液晶パネル構造に関するものであり、特に、画素の開口率を向上し、光の利用効率に優れた明るい表示を実現する反射透過型液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ワードプロセッサ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、ポケットテレビなどへの液晶表示装置の応用が急速に進展している。液晶表示装置の中でも反射型液晶表示装置はバックライトを使わず外光を利用して表示を行うことが可能であり、透過型液晶表示装置に比べて非常に低消費電力である。このため、反射型液晶表示装置は、近年ではポータブルゲーム機器やＰＤＡ機器などに利用されている。
【０００３】
さらに近年では、１つの液晶表示画面で反射表示も透過表示も可能である反射透過型液晶表示装置が開発されている。このような反射透過型液晶表示装置は、周囲が明るいときは外光を用いた反射表示によって良好な表示を低消費電力で実現でき、また周囲が暗くなるとバックライトを点灯する透過表示によって良好な表示を得られる。このため、反射透過型液晶表示装置は、特に携帯電話用ディスプレイとして注目されている。
【０００４】
従来の反射透過型液晶表示装置は、特開平１１−１０１９９２号公報で示されるような方式が一般的である。特開平１１−１０１９９２号公報に開示されている液晶表示装置は、図２２に示すように、互いに直交して配置される複数のゲートバスライン１０１および複数のソースバスライン１０２の各交点に、スイッチング素子（図示せず）を介して画素電極をマトリクス状に配置してなる構成である。
【０００５】
また、上記画素電極は電気的に接続される透明電極および反射電極からなり、これらの電極は、ゲートバスライン１０１、ソースバスライン１０２およびスイッチング素子の上に透明絶縁層（図示せず）を形成し、該透明絶縁層の上に透明電極、さらにその上に反射電極を形成し、該反射電極の一部に光透過用の穴を形成した構成となっている。上記液晶表示装置では、反射電極の形成領域（すなわち反射領域：図中、斜線部にて示す）１０３にて反射表示を行い、反射電極に設けられた穴を透過領域（図中、射影部にて示す）１０４として透過表示を行っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の反射透過型液晶表示装置では、反射領域１０３および透過領域１０４によって１つの画素領域が形成され、各画素領域の周囲全体にわたって、隣り合う画素同士を絶縁するために画素間領域が設けられている。また、この画素間領域は、透過領域および反射領域を形成する際のエッチング工程によって形成されるため、その幅は少なくとも５μｍ程度は必要となる。
【０００７】
このような画素間領域は画面表示に寄与しないため、表示画面に占める画素間領域の割合が増大すると開口率が低下する。特に高精細な液晶表示パネルにおいて画素サイズを小さくすると、それに伴って画素間領域の占める割合が大きくなる。このため、携帯電話用ディスプレイ等に使用される液晶表示パネルでは、表示画面全体に対して２０パーセント程度の割合を画素間領域が占めることとなり、液晶表示パネルの開口率は８０％程度が限界となっている。
【０００８】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、表示画面における画素間領域の形成領域を低減することで画素開口率をさらに向上させ、光利用効率の高い反射透過型液晶表示装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明のアクティブマトリクス基板は、上記の課題を解決するために、反射電極と透明電極とからなる画素電極を備えた、反射透過型液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板において、互いに電気的な接続が無く隣り合う反射電極と透明電極とが、反射電極によって電圧を印加される反射領域の境界と透明電極によって電圧を印加される透過領域の境界との少なくとも一部が、該アクティブマトリクス基板の表示面法線方向から見て接するか、あるいは近接するように配置されていることを特徴としている。
【００１０】
上記の構成によれば、互いに電気的な接続が無い状態で隣り合う反射電極と透明電極との間において、反射領域の境界と透明電極によって電圧を印加される透過領域の境界との少なくとも一部が、接するか、あるいは近接するように配置されることで、これらの境界が接する（若しくは近接する）箇所では画素間領域を無くす（若しくは減少させる）ことができる。
【００１１】
これにより、上記アクティブマトリクス基板を用いた液晶表示パネルでは、表示に寄与しない領域である画素間領域の、表示画面全体において占める割合を低減することができ、高い開口率を有する液晶表示パネルを得ることができる。
【００１２】
また、上記アクティブマトリクス基板では、上記反射電極と上記透明電極とは、透明電極が光源からの光入射側、反射電極が液晶層との対向面側となるように、間に絶縁層を介して形成されており、該アクティブマトリクス基板の表示面法線方向から見て、上記反射電極の端部が、該反射電極に対して電気的な接続が無く隣り合う透明電極の端部に一部が重畳するように形成されている構成とすることができる。
【００１３】
上記の構成によれば、反射電極の端部が、該反射電極に対して電気的な接続が無く隣り合う透明電極の端部に一部が重畳するように形成されていることにより、該アクティブマトリクス基板の表示面法線方向から見て、反射領域の境界と透過領域の境界とが接するように配置されることとなる。
【００１４】
このため、反射領域の境界と透過領域の境界とが接する部分では、その間の画素間領域を完全に排除でき、該アクティブマトリクス基板を用いた液晶表示パネルにおいて高い開口率を実現できる。また、この時、境界が接する反射電極と透明電極とは、間に絶縁層を介していることで電気的絶縁が確保される。
【００１５】
また、上記アクティブマトリクス基板では、上記絶縁層は、上記透過領域に対応する箇所にて開口部が設けられている構成とすることが好ましい。
【００１６】
反射電極と透明電極との間に絶縁層を配置する構成では、反射電極の形成されていない領域を透過領域として使用するためには、上記絶縁層を透明とするか、あるいは、透過領域において上記絶縁層に開口を設けることが考えられる。
【００１７】
そして、上記の構成によれば、上記透過領域に対応する箇所にて絶縁層が開口されているため、上記アクティブマトリクス基板を用いた液晶表示パネルにおいて、透過領域と反射領域とで液晶層のセル厚を異ならせ、反射領域のセル厚よりも透過領域のセル厚を上記絶縁層の厚さ分だけ大きくすることができる。この場合、電圧印加時の液晶層のリタデーション変化を反射領域と透過領域で近づけることが可能となり、良好な表示が実現できる。
【００１８】
また、上記アクティブマトリクス基板では、上記反射電極と上記透明電極とは共に、これらの電極に信号電圧を印加するための配線およびスイッチング素子に対して、間に透明絶縁層を介して形成されており、互いに電気的な接続が無く隣り合う反射電極と透明電極との間に存在する画素間領域の少なくとも一部は３μｍ以下の幅に形成されている構成とすることができる。
【００１９】
上記の構成によれば、上記反射電極と上記透明電極とは共に、上記透明絶縁層上にて、ほぼ同一層に形成される。このため、異なる画素に属する電極同士は間に画素間領域を設けて絶縁される必要がある。
【００２０】
ここで、同一種類の電極同士（すなわち反射電極同士または透明電極同士）の間に形成される画素間電極は、エッチングの精度によって、通常は、その幅は少なくとも５μｍ以上は必要となる。これに対し、異なる種類の電極（すなわち反射電極と透明電極）の間に形成される画素間電極では、その幅は、パターン形成時の位置合わせ精度によって制御可能であり、同一種類の電極同士間に形成される従来の画素間領域に比べ、十分に小さい幅（３μｍ以下）で形成することが可能となる。
【００２１】
このため、反射電極と透明電極との間に存在する画素間領域の少なくとも一部を３μｍ以下の幅に形成することで、表示に寄与しない画素間領域を低減でき、該アクティブマトリクス基板を用いた液晶表示パネルにおいて高い開口率を実現できる。
【００２２】
また、上記反射電極は、該アクティブマトリクス基板の表示面法線方向から見て、ソース配線を覆わないように配置される構成とすることが好ましい。
【００２３】
従来、アクティブマトリクス基板の画素間領域においては、ゲート配線およびソース配線が配置されており、本発明のように、反射領域の境界と透過領域との境界とを近接させて画素間領域を無くす構成では、反射電極によってゲート配線またはソース配線の少なくとも一部が覆われることとなる。
【００２４】
上記の構成によれば、上記反射電極がソース配線を覆わないように配置されることで、ソース配線と反射電極との間の寄生容量が低減され、ソース配線と反射電極との容量結合によって発生するクロストーク（シャドー）を低減できる。
【００２５】
また、上記アクティブマトリクス基板では、上記反射電極は、該アクティブマトリクス基板の表示面法線方向から見て、少なくともゲート配線の一部を覆うものであり、各反射電極は、自画素を駆動するゲート配線とは異なるゲート配線を覆うように配置される構成とすることができる。
【００２６】
上記反射電極が少なくともゲート配線の一部を覆う構成において、該反射電極が自画素を駆動するゲート配線を覆うように配置されると、反射電極とゲート配線と間の寄生容量が大きくなり、書き込み後のゲート信号立下り時において画素電位の変動が大きくなり、表示不良が生じるといった問題が生じる。
【００２７】
これに対して、上記の構成によれば、各反射電極は、自画素を駆動するゲート配線とは異なるゲート配線を覆うように配置されることで、上記不具合を回避できる。
【００２８】
また、上記アクティブマトリクス基板では、該アクティブマトリクス基板は、ノーマリーホワイト方式の反射透過型液晶表示装置に用いられる場合、反射領域および透過領域の何れにも属さない空白領域に対して、遮光層が設けられている構成とすることが好ましい。
【００２９】
上記構成のアクティブマトリクス基板では、透明電極間および反射電極間のそれぞれには画素間領域が存在するものであり、透明電極間の画素間領域と反射電極間の画素間領域とが交差する箇所において、透明電極および反射電極の何れによっても電圧を印加できない幾分かの空白領域が生じる。
【００３０】
この空白領域は、ノーマリーホワイト方式では常に白表示となりコントラスト低下の原因となるが、上記の構成によれば、該空白領域に対して遮光層が設けられることにより、このようなコントラストの低下を防止できる。
【００３１】
また、本発明の反射透過型液晶表示パネルは、上述のアクティブマトリクス基板と対向基板との間に液晶層を挟んで構成されることを特徴としている。
【００３２】
また、本発明の反射透過型液晶表示装置は、上記液晶表示パネルを備えていることを特徴としている。
【００３３】
上記構成の反射透過型液晶表示パネルおよび反射透過型液晶表示装置では、上記アクティブマトリクス基板と同様、表示に寄与しない領域である画素間領域の、表示画面全体において占める割合を低減することができ、高い開口率を実現することができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態１〕
本発明の実施の一形態について図１ないし図１３に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００３５】
最初に、本実施の形態１に係る反射透過型液晶表示装置で用いられるアクティブマトリクス基板の概略構成を、図１および図２を参照して説明する。
【００３６】
アクティブマトリクス基板１は、ガラス等の透明基板２上に、ゲートバスライン（ゲート配線）３、ソースバスライン（ソース配線）４、およびスイッチング素子となるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子５が形成される。これらの構成については従来と特に相違はないので、ここでは詳細な説明は省略する。
【００３７】
アクティブマトリクス基板１において、画素電極は透明電極６と反射電極７とによって構成されている。透明電極６は、透明基板２上に透明絶縁層８を介して形成されており、ＴＦＴ素子５のドレインに接続されている。透明絶縁層８は、ゲートバスライン３とソースバスライン４との間の層間絶縁膜としてアクティブマトリクス基板１の表示画面領域全面に形成されているものである。
【００３８】
ゲートバスライン３、ソースバスライン４、およびＴＦＴ素子５、および透明電極６の上には絶縁層９が形成され、反射電極７は絶縁層９を介して透明電極６の上層に形成される。さらに、透明電極６と反射電極７とは絶縁層９に設けられたコンタクトホール１０を介して電気的に接続されている。
【００３９】
また、絶縁層９において反射電極７の形成されない領域には開口部１１が形成されており、開口部１１は透明電極６が露出することによって透過表示を行うための透過領域となる。但し、絶縁層９において開口部１１は必ずしも必要なものではなく、絶縁層９を透明絶縁層によって形成すれば開口部１１を設けなくても透過領域を形成することができる。すなわち、反射電極７が形成されず、かつ透明電極６の上部となる領域が透過領域となる。
【００４０】
一方、反射電極７は、ゲートバスライン３、ソースバスライン、および４ＴＦＴ素子５を覆うように配置される。言い換えれば、透明電極６は、ゲートバスライン３およびソースバスライン４とで区切られた区画領域内において配置されるのに対して、反射電極７はこの区画領域外にはみ出すように配置され、ゲートバスライン３およびソースバスライン４に跨って、垂直走査方向および水平走査方向に隣り合う区画領域内の透明電極６に重畳するように配置される。さらに言い換えれば、反射電極７は透明電極６の上層に形成されるが、該反射電極７は透明電極６の形成領域の間に生じる画素間領域の少なくとも一部を覆うように配置されることによって、最終的な画素間領域の占有面積を低減することができる。
【００４１】
アクティブマトリクス基板１において、透明電極６および反射電極７を上述のような構成とすることにより、アクティブマトリクス基板１の法線方向から平面的に見ると、図１に示すように、画素電極の周囲のほぼ全周にわたって反射領域（以降の平面図においては斜線部にて示す）の境界と透過領域（以降の平面図においては射影部にて示す）の境界とが接する。反射領域の境界と透過領域の境界とが接する部分では画素間領域が発生しないため、アクティブマトリクス基板１を用いた液晶表示パネルでは、その開口率を大幅に向上させることができる。
【００４２】
図３は、アクティブマトリクス基板１を用いて作成された反射透過型の液晶表示パネルの断面図である。
【００４３】
上記液晶表示パネルは、アクティブマトリクス基板１’と対向基板２１との間に液晶層３１を挟んで形成されるものである。但し、図３におけるアクティブマトリクス基板１’は、図２に示したアクティブマトリクス基板１に対して液晶層３１との対向面の反対側に、位相差板１２および偏光板１３を配置した構成となっている。また、対向基板２１は、ガラス基板２２に対して、液晶層３１との対向面側にカラーフィルター２３および対向電極２４を配置し、その反対側に位相差板２５および偏光板２６を配置した構成となっている。
【００４４】
上記構成の液晶表示パネルにおいて、ゲートバスライン４から供給される電圧（すなわち、データ信号）はＴＦＴ素子５を介して透明電極６に印加され、更にコンタクトホール１０を介して絶縁層９上に配置された反射電極７に印加される。これにより、アクティブマトリクス基板１’に形成された透明電極６または反射電極７と対向基板１に形成された対向電極２４との間に電位差が生じ、この電位差によって液晶層３１が駆動される。
【００４５】
また、上記液晶表示パネルでは、アクティブマトリクス基板１’において、絶縁層９には開口部１１が設けられているが、この構成では、透過領域と反射領域とで液晶層３１のセル厚を異ならせ、反射領域のセル厚よりも透過領域のセル厚を上記絶縁層９の厚さ分だけ大きくすることができる。この場合、電圧印加時の液晶層３１のリタデーション変化を抑制でき好適である。さらに、透過領域のセル厚を反射領域のセル厚の２倍とすれば、反射領域における光の光路長（往復２回通過）と透過領域における光の光路長（片道１回通過）とが等しくなるため、液晶層３１の電圧印加による光学変化を一致させることができ、最も好適である。
【００４６】
ここで、図１に示す構成の液晶表示パネルにおいて、画素のピッチを縦２７０μｍ、横９０μｍ、反射電極間幅および透明電極間幅を共に７μｍとして開口率を計算すると、反射領域の開口率は８９．８％、透過領域の開口率は８．９％となり、合計の開口率は９８．７％と非常に光の利用効率の高い反射透過型液晶表示パネルを実現することができる。
【００４７】
このように、上記構成の液晶表示パネルでは、表示画面のほとんどを透過領域または反射領域として表示に寄与させることができるが、隣り合う反射電極７の電極間および隣り合う透明電極６の電極間には、図４（ａ）に示すように、表示に寄与しない若干の画素間領域が発生する。また、上記画素間領域には、ゲートバスライン３またはソースバスライン４が存在するが、ゲートバスライン３またはソースバスライン４と透明電極６との間には、幾分かの空白領域１４が生じる。
【００４８】
すなわち、透明電極６および反射電極７からなる画素電極間で見た場合に画素間領域が排除される上記アクティブマトリクス基板１においても、透明電極６および反射電極７のそれぞれにおいては格子枠状の画素間領域が存在する。そして、透明電極６間の画素間領域と反射電極７間の画素間領域とが交差する箇所においては、透明電極６および反射電極７の何れによっても電圧を印加できない空白領域１４が生じるものである。
【００４９】
この空白領域１４では、液晶層３１に電圧を印加することができないため、この領域の基板が光透過性を有していると、ノーマリーホワイト方式ではこの空白領域１４で常に白表示となりコントラスト低下の原因となる。
【００５０】
したがって、ノーマリーホワイト方式の液晶表示パネルでは、図４（ｂ）に示すように、上記空白領域１４に対応した遮光層１５を透明電極６および反射電極７とは別レイヤーに設ける必要がある。遮光層１５は、ゲートバスライン３またはソースバスライン４と同一工程によって形成されるものとすれば、工程の増加なく形成でき、好適である（図４（ｂ）は、遮光層１５をゲートバスライン３と同一工程で形成する場合を示している）。尚、ノーマリーブラック方式では、上記空白領域１４は常に黒表示となるため遮光層１５は特に必要ない。
【００５１】
尚、本実施の形態１の上記説明では反射電極７の面積を最大限に確保する例について記載したが、反射領域と透過領域との比率は特に限定されるものではない。すなわち、透明電極６および反射電極７の形状および面積は任意に設定可能なものであり、以下の図５ないし図１３にその変形例を示す。
【００５２】
図５ないし図１３の構成は何れも、反射電極７がゲートバスライン３およびソースバスライン４の両方を覆うように配置された構成である。また、図５ないし図１３では、透明電極６の形状やＴＦＴ素子５と透明電極６との接続位置等が分かりやすくなるように、一部の電極や配線等について図示を省略している。
【００５３】
反射電極７の形状については、図５に示すような略Ｌ字形状、図６および図７に示すような略Ｔ字形状、図８ないし図１１に示すような略＋字形状、図１２および図１３に示すような矩形形状等の様々な形状が考えられ、特に限定されるものではない。
【００５４】
また、従来の反射透過型液晶表示パネルでは、ゲートバスラインおよびソースバスラインは画素間領域に設けられており、これらのバスラインを太くすると液晶表示パネルの開口率が低下するため、これらのバスラインはできるだけそのライン幅が細くなるように設計されていた。
【００５５】
これに対して、本実施の形態１に係る液晶表示パネルでは、ゲートバスライン３およびソースバスライン４は反射電極７で覆われ、そのライン形成領域の多くが反射領域として利用されるため、ゲートバスライン３およびソースバスライン４を太くしても開口率の低下は生じにくい。このため、図５ないし図１３に示すように、特にゲートバスライン３を太く形成し、そのライン抵抗を下げることで、ライン抵抗に起因する信号遅延等の悪影響を低減できる。
【００５６】
さらに、ゲートバスライン３を太く形成する構成では、該ゲートバスライン３の両側に存在する透明電極６が該ゲートバスライン３にその端部が重畳されるように配置される（すなわち、ゲートバスライン３を挟んで隣り合う透明電極６の画素間領域がゲートバスライン３上に存在する）と、ゲートバスライン３の両側に生じる空白領域１４を生じさせないようすることができる。
【００５７】
また、図５ないし図１３に示す液晶表示パネルでは、遮光層１５が設けられているが、該遮光層１５は遮光したい箇所に対して（すなわち、空白領域１４に対応させて）アイランド状に任意に設けることが可能である。
【００５８】
また、本実施の形態１に係る反射透過型液晶表示装置において、透過領域の割合を大きく取りたい場合には、図１２および図１３に示すように、反射電極７を矩形形状とし、透明電極６の画素間領域に対し、垂直走査方向および水平走査方向に伸びる画素間領域を交差する箇所を覆うように配置することが最も好適である。これは、反射電極７によって覆うことのできる透明電極６に対する画素間領域の割合が大きくなるためである。
【００５９】
〔実施の形態２〕
本発明の他の実施の形態について図１４および図１５に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００６０】
上記実施の形態１では、反射電極７が垂直走査方向および水平走査方向の両方に対して、透明電極６の画素間領域を覆う構成となっていた。しかしながら、本発明の反射透過型液晶表示装置では、反射電極７は垂直走査方向および水平走査方向の少なくとも一方において、透明電極６の画素間領域を覆うものでもよい。本実施の形態２では、反射電極７は透明電極６の画素間領域に対して水平走査方向に伸びる画素間領域のみを覆う構成となっている。
【００６１】
本実施の形態２に係る反射透過型液晶表示装置で用いられるアクティブマトリクス基板の概略構成を、図１４を参照して説明する。図１４の構成は、反射電極７がゲートバスライン３およびＴＦＴ素子５のみを覆い、ソースバスライン４を覆わないように配置された構成である。また、図１４では、透明電極６の形状やＴＦＴ素子５と透明電極６との接続位置等が分かりやすくなるように、一部の電極や配線等について図示を省略している。
【００６２】
図１４に示す構成のアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示パネルでは、反射電極７がソースバスライン４を覆わないため、開口率の面では実施の形態１に係る液晶表示パネルよりも不利となるものの、ソースバスライン４と画素電極（特に反射電極７）との間の寄生容量が低減される。このため、特に対角１０ｃｍ程度以上の大きさのＴＦＴ液晶表示パネルにおいて、ソースバスライン４と画素電極との容量結合によって発生するクロストーク（シャドー）を低減するのに有効である。
【００６３】
また、図１４に示すアクティブマトリクス基板では、反射電極７はゲートバスライン３を覆うことで、透明電極６の画素間領域に対して水平走査方向に伸びる画素間領域を消滅させ、開口率の向上に寄与している。この時、各反射電極７は、自画素を駆動するゲートバスライン３より１本上のゲートバスライン３だけを覆うように配置される。すなわち、反射電極７は、自画素を駆動するゲートバスライン３とは異なるゲートバスライン３を覆うように配置される。
【００６４】
これは、反射電極７が自画素を駆動するゲートバスライン３を覆うように配置された場合、反射電極７とゲートバスライン３との間の寄生容量が大きくなり、書き込み後のゲート信号立下り時に画素電位の変動が大きくなり、表示不良が生じるためである。尚、反射電極７がゲートバスライン３を覆う構成において、各反射電極７が自画素を駆動するゲートバスライン３とは異なるゲートバスライン３を覆う方が好適であることは、実施の形態１の構成においても同様である。
【００６５】
無論、上記問題を無視できる場合には、反射電極７が自画素を駆動するゲートバスライン３を覆う構成であっても本願発明に含まれるものであることはいうまでも無い。
【００６６】
ここで、図１４に示す構成の液晶表示パネルにおいて、画素のピッチを縦２７０μｍ、横９０μｍ、反射電極間幅および透明電極間幅を共に７μｍとして開口率を計算すると、反射領域の開口率は８９．７％、透過領域の開口率は２．４％となり、合計の開口率は９２．２％と非常に光の利用効率の高い反射透過型液晶表示パネルを実現することができる。
【００６７】
尚、本実施の形態２の上記説明では反射電極７の面積を最大限に確保する例について記載したが、反射領域と透過領域との比率は特に限定されるものではない。すなわち、透明電極６および反射電極７の形状および面積は任意に設定可能なものである。例えば、図１５に示すように、反射電極７の形状および面積を任意に設計することで、反射領域と透過領域との比率を所望の値に設定することができる。
【００６８】
〔実施の形態３〕
本発明の他の実施の形態について図１６ないし図１８に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００６９】
上記実施の形態１では、反射電極７が垂直走査方向および水平走査方向の両方に対して、透明電極６の画素間領域を覆う構成となっていた。しかしながら、本発明の反射透過型液晶表示装置では、反射電極７は垂直走査方向および水平走査方向の少なくとも一方において、透明電極６の画素間領域を覆うものでもよい。本実施の形態３では、反射電極７は透明電極６の画素間領域に対して垂直走査方向に伸びる画素間領域のみを覆う構成となっている。
【００７０】
本実施の形態３に係る反射透過型液晶表示装置で用いられるアクティブマトリクス基板の概略構成を、図１６を参照して説明する。図１６の構成は、反射電極７がソースバスライン４およびＴＦＴ素子５のみを覆い、ゲートバスライン３を覆わないように配置された構成である。また、図１６では、透明電極６の形状やＴＦＴ素子５と透明電極６との接続位置等が分かりやすくなるように、一部の電極や配線等について図示を省略している。
【００７１】
図１６に示す構成のアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示パネルでは、反射電極７がゲートバスライン３を覆わないため、開口率の面では実施の形態１に係る液晶表示パネルよりも不利となるものの、例えば、フリッカーを低減するためにゲートバスライン３に対してＴＦＴ素子５を千鳥状に配置した構造に対して有効である。
【００７２】
ゲートバスライン３に対してＴＦＴ素子５を千鳥状に配置した場合、反射電極７がゲートバスライン３を覆う構成とすると、反射電極７が自画素を駆動するゲートバスライン３を覆う箇所が生じる。すなわち、図１６に示すようにゲートバスライン３に対してＴＦＴ素子５が千鳥状に配置された場合において、反射電極７を直線的に配置してゲートバスライン３を覆う構成とすると、ＴＦＴ素子５がゲートバスライン３に対して下方向に配置されている列と上方向に配置されている列との何れか一方では、自画素を駆動するゲートバスライン３が反射電極７によって覆われる。このため、自画素を駆動するゲートバスライン３を覆うように配置された反射電極７では、反射電極７とゲートと間の寄生容量が大きくなり、書き込み後のゲート信号立下り時において画素電位の変動が大きくなり、表示不良が生じる。
【００７３】
したがって、図１６に示すアクティブマトリクス基板では、反射電極７は、ソースバスライン４を覆うことで透明電極６の画素間領域に対して垂直走査方向に伸びる画素間領域を消滅させ、開口率の向上に寄与すると共に、ゲートバスライン３を覆わないように配置されることで良好な表示を行うことが可能になる。
【００７４】
また、ゲートバスライン３に対してＴＦＴ素子５を千鳥状に配置される構成において、同一列に配列される反射電極７を垂直走査方向にずらして配置することで、反射電極７が自画素を駆動するゲートバスライン３を覆わずに他のゲートバスライン３を覆うように配置されることも可能である。しかしながらこの構成においては、同一列の反射電極７が千鳥状に配置されることになり、直線を表示する際に線がぼやけるなどの不具合が生じる可能性がある。
【００７５】
ここで、図１６に示す構成の液晶表示パネルにおいて、画素のピッチを縦２７０μｍ、横９０μｍ、反射電極間幅および透明電極間幅を共に７μｍとして開口率を計算すると、反射領域の開口率は８９．８％、透過領域の開口率は７．３％となり、合計の開口率は９７．１％と非常に光の利用効率の高い反射透過型液晶表示パネルを実現することができる。
【００７６】
尚、本実施の形態３の上記説明では反射電極７の面積を最大限に確保する例について記載したが、反射領域と透過領域との比率は特に限定されるものではない。すなわち、透明電極６および反射電極７の形状および面積は任意に設定可能なものである。例えば、図１７および図１８に示すように、反射電極７の形状および面積を任意に設計することで、反射領域と透過領域との比率を所望の値に設定することができる。また、反射電極７がソースバスライン４を覆う構成において、該反射電極７は自画素に接続されたソースバスライン４、あるいは他のソースバスライン４の何れを覆う構成であってもよい。
【００７７】
〔実施の形態４〕
本発明の他の実施の形態について図１９ないし図２１に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００７８】
上記実施の形態１ないし３では、画素電極の周囲の少なくとも一部において、反射領域の境界と透過領域の境界とが接するように構成されており、これらの境界が接する部分での画素間領域を排除することによって開口率の向上を図るものである。しかしながら、本願発明はこれに限定されるものではなく、画素間領域が存在するものであっても、その幅を従来よりも小さくすることができれば開口率の向上を図ることができ、そのような構成について本実施の形態４において説明する。
【００７９】
本実施の形態４に係る反射透過型液晶表示装置で用いられるアクティブマトリクス基板の概略構成を、図１９および図２０を参照して説明する。
【００８０】
アクティブマトリクス基板５１は、ガラス等の透明基板２上に、ゲートバスライン３、ソースバスライン４、およびスイッチング素子となるＴＦＴ素子５が形成される。ここまでの構成については、実施の形態１の構成と同様、従来と特に相違はないので、ここでは詳細な説明は省略する。
【００８１】
ＴＦＴ素子５のドレインには接続電極５２が接続され、さらにその上面に透明絶縁層５３が形成される。透明絶縁層５３には、接続電極５２に対応する位置にコンタクトホール５４が形成されており、該コンタクトホール５４を介して接続電極５２と画素電極とが接続されている。
【００８２】
本実施の形態４に係るアクティブマトリクス基板５１においても、画素電極は透明電極６と反射電極７とによって構成されている。但し、アクティブマトリクス基板５１では、透明電極６と反射電極７とは間に絶縁層を介しておらず、透明電極６および反射電極７共に、透明絶縁層５３上にてほぼ同一層に形成されている。
【００８３】
また、アクティブマトリクス基板５１において、透明電極６と反射電極７とは透明絶縁層５３上にてほぼ同一層に形成されるため隣り合う画素間の絶縁を得るために透明電極６と反射電極７との間に画素間領域を設ける必要がある。
【００８４】
しかしながら、上記構成のアクティブマトリクス基板５１では、透明電極６と反射電極７との間の画素間領域はエッチングによってその幅が制限されるものではなく、透明電極６および反射電極７のパターニング時の位置合わせによってその幅を設定することが可能である。このため、アクティブマトリクス基板５１において透明電極６と反射電極７との間に形成される画素間領域は、従来に比べて十分に狭い幅に形成することが可能であり、これによって画素間領域を減らして開口率を上げることができる。
【００８５】
上記構成のアクティブマトリクス基板５１の作成手順について図２１を参照して以下に説明する。
【００８６】
図２１（ａ）は、透明基板２上に、ゲートバスライン３、ソースバスライン４、ＴＦＴ素子５および接続電極５２までが形成された状態を示している。この上に、図２１（ｂ）に示すように、感光性アクリル樹脂を塗布して透明絶縁層５３を形成し、さらに図２１（ｃ）に示すように、フォトマスク６１を用いてこれを露光する。その後、現像、加熱工程を経ることによって、図２１（ｄ）に示すように、透明絶縁層５３にコンタクトホール５４を形成する。
【００８７】
ここで、透明絶縁層５３のコンタクトホール５４を除いた部分の表面には凹凸が形成されても良い（図１９参照）。このような凹凸は、所定の形状のフォトマスクを用いてコンタクトホール部分より低照度の光で露光を行い、現像、過熱工程を経ることで形成可能である。もしくは、透明絶縁層５３を形成する感光性アクリル樹脂として、初期状態から表面に凹凸形状を有したドライフィルムレジストをラミネート処理にて貼り付けることでも形成可能である。このような凹凸は、特に反射領域に形成されれば、該凹凸上に形成される反射電極７において、反射光を乱反射として得ることができ、好適である。
【００８８】
次に、透明絶縁層５３にコンタクトホール５４が形成されたアクティブマトリクス基板５１に対し、図２１（ｅ）〜図２１（ｇ）に示すように、透明電極材料を層形成し、さらにこれをレジスト６２およびフォトマスク６３を用いたパターニング工程（デポ、フォト（露光）、エッチング（現像））によって所定の形状の透明電極６をパターニングする。
【００８９】
さらに、図２１（ｈ）〜図２１（ｊ）に示すように、反射電極材料を層形成し、さらにこれをレジスト６４およびフォトマスク６５を用いたパターニング工程（デポ、フォト（露光）、エッチング（現像））によって所定の形状の反射電極７をパターニングする。
【００９０】
ここで、透明電極６、反射電極７をパターニングするために用いられているフォトマスク６３、６５は、位置あわせ精度約１μｍで調整可能である。このため、図２１（ｊ）に示すように、画素間領域６６を挟んで隣り合う透明電極６および反射電極７において、その画素間領域６６の幅は透明電極６と反射電極７とのオーバーエッチングによるサイドシフトを含めても、３μｍ以下に調整することが可能である。
【００９１】
したがって、エッチングによって画素間領域（隣り合う画素を確実に分離するためには、通常５μｍ以上の幅が必要となる）が形成される従来の液晶表示パネルに比べ、上記アクティブマトリクス基板５１では、画素間領域をより狭く形成することが可能であり、これによって、画素間領域の面積を減らして非常に高開高率な液晶表示パネルを実現することが可能となる。
【００９２】
本実施の形態４に係る構成の液晶表示パネルでは、以下のような利点がある。
【００９３】
実施の形態１〜３の構成では、透明電極６と反射電極７とが絶縁層９を介して２階建て構造になっており、さらに、透過領域と反射領域とのリタデーション値をあわせるためには、透明電極６は絶縁層９の下層に配置され、かつ透過領域に対応する箇所で絶縁層９には開口部１１が設けられる構造となる（図２参照）。
【００９４】
このような構造では、実際には、開口部１１の側壁部は表示面の法線方向に対し平行とならず、開口部１１の側壁部にはある程度の面積で急な傾斜が生じる。この斜面に反射電極７となるＡｌを配置した場合は、上から入射した光は急な傾斜面で大きな角度で反射するためセル内に閉じ込められてしまうため、上記傾斜部、すなわち、反射領域と透過領域との境界部において表示に寄与しない領域が発生する。
【００９５】
無論、上記傾斜部における表示に寄与しない領域とは、従来の画素間領域に比べると十分に小さい面積ではあるが、本実施の形態４の構成では、対抗基板（ＣＦ基板）２１側に突起を設けて反射領域／透過領域のマルチギャップ構造を実現すれば、反射領域と透過領域との境界において上記傾斜部が発生せず、反射電極７を急な傾斜部に配置する必要が無い。このため、本実施の形態４の構成では、実施の形態１〜３の構成に比べ画素間領域を完全に無くすことはできないものの、傾斜部の発生による表示面積の低下といった問題は発生せず、設計条件によっては、実施の形態１ないし３の構成よりも高い開口率を実現できる場合がある。
【００９６】
尚、図１９に示すアクティブマトリクス基板５１では、接続電極５２に対して反射電極７がコンタクトホール５４を介して接続されているが、図２０に示すように、接続電極５２に対して接続されるのは透明電極６であってもよい。但し、接続電極５２に対して透明電極６を接続する場合、該接続電極５２の上に透明電極６が配されるため、開口率の低下を避けるためには該接続電極５２は透明導電膜にて形成される必要がある。
【００９７】
また、上記アクティブマトリクス基板５１において、反射電極７はゲートバスライン３およびソースバスライン４の少なくとも一方を覆うように形成されればよく、その場合の効果は、上記実施の形態２および３で説明した場合と同様である。
【００９８】
また、本実施の形態４に係るアクティブマトリクス基板５１において、反射電極７がゲートバスライン３を覆う場合、実施の形態１および２と同様に、該反射電極７は、自画素を駆動するゲートバスライン３とは異なるゲートバスライン３を覆うように配置される構成とすることが好ましい。
【００９９】
さらに、アクティブマトリクス基板５１を用いた反射透過型液晶表示装置がノーマリーホワイト方式で駆動されるものである場合、反射領域および透過領域の何れにも属さない空白領域において、遮光層を設けることでコントラスト低下を防止できることは、実施の形態１における説明と同様である。
【０１００】
また、本実施の形態４に係るアクティブマトリクス基板５１において、対向基板との間に液晶層を挟持することで液晶表示パネルが構成される。この時、アクティブマトリクス基板５１における透明電極６および反射電極７はほぼ同一層に形成されるが、対向基板側の対向電極において透過領域と反射領域とで段差を設けて反射領域における光の光路長と透過領域における光の光路長との差を抑制すれば、電圧印加時の液晶層のリタデーション変化を反射領域と透過領域で近づけることが可能となり、良好な表示が実現できる。
【０１０１】
また、上記実施の形態１ないし４で説明した各液晶表示パネルにおいて、駆動回路や光源４１（図３参照）等を実装して反射透過型液晶表示装置が構成される。
【０１０２】
以上のように、本実施の形態１〜４に係るアクティブマトリクス基板は、反射電極７と透明電極６とからなる画素電極を備えており、互いに電気的な接続が無く隣り合う反射電極６と透明電極７とが、反射電極７によって電圧を印加される反射領域の境界と透明電極６によって電圧を印加される透過領域の境界との少なくとも一部が、該アクティブマトリクス基板の表示面法線方向から見て接する（実施の形態１〜３）か、あるいは近接する（実施の形態４）ように配置されている。
【０１０３】
それゆえ、互いに電気的な接続が無い状態で隣り合う反射電極７と透明電極６との間において、反射領域の境界と透過領域の境界との少なくとも一部が、接するか、あるいは近接するように配置されることで、これらの境界が接する（若しくは近接する）箇所では画素間領域を無くす（若しくは減少させる）ことができる。
【０１０４】
これにより、上記アクティブマトリクス基板を用いた液晶表示パネルでは、表示に寄与しない領域である画素間領域の、表示画面全体において占める割合を低減することができ、高い開口率を有する液晶表示パネルを得ることができる。
【０１０５】
また、本実施の形態１〜３に係るアクティブマトリクス基板は、互いに直交する複数のゲートバスライン３および複数のソースバスライン４と、該ゲートバスライン３と該ソースバスライン４の各交点に設けられたＴＦＴ素子５と、透明電極６と反射電極７とからなり該ＴＦＴ素子５に接続された画素電極とを備えており、上記反射電極７と上記透明電極６とは、透明電極６が光源からの光入射側、反射電極７が液晶層との対向面側となるように、間に絶縁層９を介して形成されており、上記反射電極７は、上記絶縁層９上でゲートバスライン３およびソースバスライン４の少なくとも一方をまたいで配置され、該アクティブマトリクス基板の表示面法線方向から見て、該反射電極７に対して電気的な接続が無く隣り合う透明電極６の端部にその一部が重畳するように形成されている。
【０１０６】
上記構成のアクティブマトリクス基板では、反射電極７の端部が、該反射電極７に対して電気的な接続が無く隣り合う透明電極６の端部に一部が重畳するように形成されていることにより、該アクティブマトリクス基板の表示面法線方向から見て、反射領域の境界と透過領域の境界とが接するように配置されることとなる。
【０１０７】
このため、反射領域の境界と透過領域の境界とが接する部分では、その間の画素間領域を完全に排除でき、該アクティブマトリクス基板を用いた液晶表示パネルにおいて高い開口率を実現できる。また、この時、境界が接する反射電極７と透明電極６とは、間に絶縁層９を介していることで電気的絶縁が確保される。
【０１０８】
また、本実施の形態４に係るアクティブマトリクス基板は、互いに直交する複数のゲートバスライン３および複数のソースバスライン４と、該ゲートバスライン３と該ソースバスライン４の各交点に設けられたＴＦＴ素子５と、透明電極６と反射電極７とからなり該ＴＦＴ素子５に接続された画素電極とを備えており、上記反射電極７と上記透明電極６とは共に、上記ゲートバスライン３、上記ソースバスライン４および上記ＴＦＴ素子５に対して、間に透明絶縁層５３を介して形成されており、互いに電気的な接続が無く隣り合う反射電極７と透明電極６との間に存在する画素間領域の少なくとも一部は３μｍ以下の幅に形成されている。
【０１０９】
上記のアクティブマトリクス基板では、上記反射電極７と上記透明電極６とは共に、上記透明絶縁層５３上にて、ほぼ同一層に形成される。このため、異なる画素に属する電極同士は間に画素間領域を設けて絶縁される必要がある。
【０１１０】
ここで、同一種類の電極同士（すなわち反射電極７同士または透明電極６同士）の間に形成される画素間電極は、エッチングの精度によって、通常は、その幅は少なくとも５μｍ以上は必要となる。これに対し、異なる種類の電極（すなわち反射電極７と透明電極５）の間に形成される画素間電極では、その幅は、パターン形成時の位置合わせ精度によって制御可能であり、同一種類の電極同士間に形成される従来の画素間領域に比べ、十分に小さい幅（３μｍ以下）で形成することが可能となる。
【０１１１】
このため、反射電極７と透明電極６との間に存在する画素間領域の少なくとも一部を３μｍ以下の幅に形成することで、表示に寄与しない画素間領域を低減でき、該アクティブマトリクス基板を用いた液晶表示パネルにおいて高い開口率を実現できる。
【０１１２】
【発明の効果】
本発明のアクティブマトリクス基板は、以上のように、互いに電気的な接続が無く隣り合う反射電極と透明電極とが、反射電極によって電圧を印加される反射領域の境界と透明電極によって電圧を印加される透過領域の境界との少なくとも一部が、該アクティブマトリクス基板の表示面法線方向から見て接するか、あるいは近接するように配置されている構成である。
【０１１３】
それゆえ、互いに電気的な接続が無い状態で隣り合う反射電極と透明電極との間において、画素間領域を無くす（若しくは減少させる）ことができる。これにより、上記アクティブマトリクス基板を用いた液晶表示パネルでは、表示に寄与しない領域である画素間領域の、表示画面全体において占める割合を低減することができ、高い開口率を有する液晶表示パネルを得ることができるという効果を奏する。
【０１１４】
また、上記アクティブマトリクス基板では、上記反射電極と上記透明電極とは、透明電極が光源からの光入射側、反射電極が液晶層との対向面側となるように、間に絶縁層を介して形成されており、該アクティブマトリクス基板の表示面法線方向から見て、上記反射電極の端部が、該反射電極に対して電気的な接続が無く隣り合う透明電極の端部に一部が重畳するように形成されている構成とすることができる。
【０１１５】
それゆえ、アクティブマトリクス基板の表示面法線方向から見て、反射領域の境界と透過領域の境界とが接するように配置されることとなり、これらの境界が接する部分では、その間の画素間領域を完全に排除でき、該アクティブマトリクス基板を用いた液晶表示パネルにおいて高い開口率を実現できるという効果を奏する。
【０１１６】
また、上記アクティブマトリクス基板では、上記絶縁層は、上記透過領域に対応する箇所にて開口部が設けられている構成とすることが好ましい。
【０１１７】
それゆえ、上記アクティブマトリクス基板を用いた液晶表示パネルにおいて、透過領域と反射領域とで液晶層のセル厚を異ならせ、反射領域のセル厚よりも透過領域のセル厚を上記絶縁層の厚さ分だけ大きくすることができる。この場合、電圧印加時の液晶層のリタデーション変化を反射領域と透過領域で近づけることが可能となり、良好な表示が実現できるという効果を奏する。
【０１１８】
また、上記アクティブマトリクス基板では、上記反射電極と上記透明電極とは共に、これらの電極に信号電圧を印加するための配線およびスイッチング素子に対して、間に絶縁層を介して形成されており、互いに電気的な接続が無く隣り合う反射電極と透明電極との間に存在する画素間領域の少なくとも一部は３μｍ以下の幅に形成されている構成とすることができる。
【０１１９】
それゆえ、反射電極と透明電極の間に形成される画素間電極の少なくとも一部を３μｍ以下の幅に形成することで、表示に寄与しない画素間領域を低減でき、該アクティブマトリクス基板を用いた液晶表示パネルにおいて高い開口率を実現できるという効果を奏する。
【０１２０】
また、上記反射電極は、該アクティブマトリクス基板の表示面法線方向から見て、ソース配線を覆わないように配置される構成とすることが好ましい。
【０１２１】
それゆえ、ソース配線と反射電極との間の寄生容量が低減され、ソース配線と反射電極との容量結合によって発生するクロストーク（シャドー）を低減できるという効果を奏する。
【０１２２】
また、上記アクティブマトリクス基板では、上記反射電極は、該アクティブマトリクス基板の表示面法線方向から見て、少なくともゲート配線の一部を覆うものであり、各反射電極は、自画素を駆動するゲート配線とは異なるゲート配線を覆うように配置される構成とすることができる。
【０１２３】
それゆえ、各反射電極を自画素を駆動するゲート配線とは異なるゲート配線を覆うように配置することで、反射電極とゲート配線と間の寄生容量が大きくなり、書き込み後のゲート信号立下り時において画素電位の変動が大きくなり、表示不良が生じるといった不具合を回避できるという効果を奏する。
【０１２４】
また、上記アクティブマトリクス基板では、該アクティブマトリクス基板は、ノーマリーホワイト方式の反射透過型液晶表示装置に用いられる場合、反射領域および透過領域の何れにも属さない空白領域に対して、遮光層が設けられている構成とすることが好ましい。
【０１２５】
それゆえ、ノーマリーホワイト方式では常に白表示となりコントラスト低下の原因となる空白領域に対して遮光層が設けられることにより、このようなコントラストの低下を防止できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態を示すものであり、実施の形態１に示すアクティブマトリクス基板の概略構成を示す平面図である。
【図２】上記アクティブマトリクス基板の断面構成を示す断面図である。
【図３】上記アクティブマトリクス基板を用いた液晶表示パネルの構成を示す断面図である。
【図４】図４（ａ）は、上記アクティブマトリクス基板において生じる空白領域を示す平面図であり、図４（ｂ）は、上記空白領域に対応して設けられる遮光層を示す平面図である。
【図５】実施の形態１に示すアクティブマトリクス基板の変形例を示す平面図である。
【図６】実施の形態１に示すアクティブマトリクス基板の他の変形例を示す平面図である。
【図７】実施の形態１に示すアクティブマトリクス基板のさらに他の変形例を示す平面図である。
【図８】実施の形態１に示すアクティブマトリクス基板のさらに他の変形例を示す平面図である。
【図９】実施の形態１に示すアクティブマトリクス基板のさらに他の変形例を示す平面図である。
【図１０】実施の形態１に示すアクティブマトリクス基板のさらに他の変形例を示す平面図である。
【図１１】実施の形態１に示すアクティブマトリクス基板のさらに他の変形例を示す平面図である。
【図１２】実施の形態１に示すアクティブマトリクス基板のさらに他の変形例を示す平面図である。
【図１３】実施の形態１に示すアクティブマトリクス基板のさらに他の変形例を示す平面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態を示すものであり、実施の形態２に示すアクティブマトリクス基板の概略構成を示す平面図である。
【図１５】実施の形態２に示すアクティブマトリクス基板の変形例を示す平面図である。
【図１６】本発明のさらに他の実施形態を示すものであり、実施の形態３に示すアクティブマトリクス基板の概略構成を示す平面図である。
【図１７】実施の形態３に示すアクティブマトリクス基板の変形例を示す平面図である。
【図１８】実施の形態３に示すアクティブマトリクス基板の他の変形例を示す平面図である。
【図１９】本発明のさらに他の実施形態を示すものであり、実施の形態４に示すアクティブマトリクス基板の断面構成を示す断面図である。
【図２０】上記アクティブマトリクス基板の概略構成を示す平面図である。
【図２１】図２１（ａ）〜図２１（ｊ）は、上記アクティブマトリクス基板の作成手順を示す断面図である。
【図２２】反射透過型液晶表示パネルに用いられる、従来のアクティブマトリクス基板の構成を示す平面図である。
【符号の説明】
１　　アクティブマトリクス基板
３　　ゲートバスライン（ゲート配線）
４　　ソースバスライン（ソース配線）
５　　ＴＦＴ素子（スイッチング素子）
６　　透明電極
７　　反射電極
９　　絶縁層
１１　　開口部
１４　　空白領域
１５　　遮光層
５３　　透明絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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