(57)【要約】【課題】順電圧と逆電流の増大並びに逆耐圧の低下を招くことなく、逆回復電荷が少なくソフトリカバリー特性を示すダイオードを提供する。【解決手段】本発明のダイオードは、Ｎ型半導体層１の表面に、低不純物濃度のＰ型半導体領域３が部分的に形成され、この領域３の間隙を埋めるようにこの領域３よりも浅くかつ高不純物濃度のＰ＋型半導体領域４が形成されている。低不純物濃度のＰ型半導体領域３により注入キャリアを少なくし、高不純物濃度のＰ＋半導体領域４によりオーミック接触を確保する。また、Ｐ型半導体領域３を深くＰ＋半導体領域４を浅くしたため、耐圧を確保しやすい。【選択図】　図１
2004088012.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と前記第１の主面と対向する第２の主面を有する第１導電型の第１の半導体層と、前記第１の半導体層の第１の主面に接し、前記第１の半導体層よりも高い不純物濃度を有する第１導電型の第２の半導体層と、前記第１の半導体層内にあって前記第２の主面に接する第２導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体層内にあって前記第２の主面に接しかつ前記第１の半導体領域の間隙を埋めるように形成された第２導電型の第２の半導体領域と、前記第２の半導体層に接する第１の電極層と、前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域の双方に接する第２の電極層とを備えたダイオードであって、第１の半導体領域の深さは前記第２半導体領域の深さよりも深くかつ前記第２の半導体領域よりも低い不純物濃度を有することを特徴とするダイオード。
【請求項２】
前記第１の半導体層の前記第２の主面から見て、前記第１の半導体領域の深さより浅く前記第２の半導体領域の深さより深い領域に、低ライフタイム領域を設けたことを特徴とする請求項１に記載のダイオード。
【請求項３】
前記低ライフタイム領域がヘリウムイオン照射とその後の熱処理によって形成されたことを特徴とする請求項２に記載のダイオード。
【請求項４】
前記低ライフタイム領域を除く少なくとも前記第１の半導体層のライフタイムが短くなるようにライフタイム制御をしたことを特徴とする請求項１乃至請求項３いずれか１項に記載のダイオード。
【請求項５】
前記ライフタイム制御が電子線照射とその後の熱処理によってなされたことを特徴とする請求項４に記載のダイオード。
【請求項６】
前記ライフタイム制御が金または白金を拡散することによってなされたことを特徴とする請求項４に記載のダイオード。
【請求項７】
前記低ライフタイム領域を、少なくとも前記第１の半導体層と前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域に重金属を拡散した後に、前記低ライフタイム領域に相当する部分に荷電粒子を照射し、さらに６００℃以上の熱処理を加えることにより形成したことを特徴とする請求項２に記載のダイオード。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電力用ダイオードに関するものであり、特に高速スイッチング特性が要求されるインバータ回路においてＩＧＢＴなどのスイッチング素子に並列に接続されるフライホイールダイオードとして使用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＩＧＢＴに代表される低損失かつ、高い周波数で動作するスイッチング素子の普及に伴い、これと並列に接続されるダイオード、即ちフライホイールダイオードに低損失かつ高い周波数で動作することが求められている。併せて、ダイオードのターンオフ時に発生するサージ電圧を抑制するために、ソフトリカバリー特性も要求されるようになってきた。
【０００３】
図７は従来のダイオード１０の構造を説明する断面図である。この図において、低濃度の不純物濃度を有するＮ型半導体層１の第１の主面に接するように、高濃度の不純物濃度を有するＮ＋型半導体層２が、Ｎ型半導体層１の第２の主面に接するように高濃度の不純物濃度を有するＰ＋型半導体層８がそれぞれ設けられている。さらに、Ｎ＋型半導体層２に接する第１の電極層５と、Ｐ＋型半導体層８に接する第２の電極層６とがそれぞれ設けられている。所謂Ｐ＋ＮＮ＋型のダイオードの構造である。
【０００４】
図３（ａ）は従来のダイオード１０の逆回復時の電流波形を説明する図である。図３（ｂ）は従来のダイオード１０の逆回復時の電圧波形を説明する図である。ダイオード１０に電圧を印加する回路において時刻０でダイオード１０に与える電圧の極性を順方向から逆方向から切り換えようとしても、しばらくは初期の順電流ＩＦが流れ、その後減少して、ある時刻で電流はゼロとなる。
順方向とは、アノード電極である第２の電極層６に正電圧を、カソード電極である第１の電極層５に負電圧をかける場合をいう。
【０００５】
ダイオードを流れる電流が正から負に変わる時刻以降の電流が逆回復電流である。ダイオード１０をインバータ等の回路装置に使用すると、逆回復電流のピーク値ＩＲＰを超えた後の、逆回復電流の時間変化率ｄｉ／ｄｔと回路のインダクタンス成分Ｌによりサージ電圧ΔＶＲＰが次式により発生する。
ΔＶＲＰ＝−Ｌ（ｄｉ／ｄｔ）
【０００６】
この式から逆回復電流の時間変化率ｄｉ／ｄｔの絶対値が大きい場合（所謂ハードリカバリー特性）、サージ電圧ΔＶＲＰが大きくなり回路動作に支障をきたす場合がある。さらに、サージ電圧ΔＶＲＰの発生により、電圧波形が振動するため、ノイズが放出されてしまう。
【０００７】
このため、ダイオード１０をインバータ等の回路装置に使用する場合、逆回復電流の時間変化率ｄｉ／ｄｔの絶対値が小さいこと（いわゆるソフトリカバリー特性）が求められる。
【０００８】
さらに、定常損失を低減するためには順電圧や逆電流が小さいことが求められる。また、スイッチング損失を低減するためには、逆回復電流を時間積分した値である逆回復電荷量（Ｑｒｒ）が小さいことが求められる。
【０００９】
金や白金などの重金属をＮ型半導体層１、Ｎ＋型半導体層２およびＰ＋型半導体層８で構成される半導体基板に拡散し、ライフタイムを小さくすることで、逆回復電荷（Ｑｒｒ）を小さくすることが可能である。
ライフタイムを小さくしても順電圧があがらないようにＮ型半導体層１をできるだけ薄くするとハードリカバリー特性になりやすい。
【００１０】
ダイオード１０において、ソフトリカバリー化を図るためには、Ｎ型半導体層１の厚みを厚くするといった手法がある。
【００１１】
逆方向電流のピーク値ＩＲＰを超えた後、Ｎ型半導体層１内のＰ＋型半導体層８に近接した部分のみに形成されていた空乏層が、Ｎ＋型半導体層２の方へ向かって急激に伸び、Ｎ型半導体層１の厚みがそれほど厚くない場合は、すぐにＮ＋型半導体層２に接してしまう。このとき逆回復電流を流すのに必要な注入キャリアがすでにＮ型半導体層１内に残っていないため、逆回復電流は急激にゼロとなり、ハードリカバリー特性となる。
【００１２】
Ｎ型半導体層１の厚みが十分に厚い場合、空乏層はＮ＋型半導体層２まで広がらず、Ｎ型半導体層１のＮ＋型半導体層２に近い領域に注入キャリアが残り、このキャリアによる電流が少しづつ掃き出されるため、電流波形はソフトリカバリー特性となる。
【００１３】
しかしながら、Ｎ型半導体層１は順電流の通り道でもあるため、その厚みを厚くすることは抵抗成分の増大につながり、順電圧が増大してしまう。
【００１４】
さらに、順方向動作時に蓄積される注入キャリアの総量も増大するため、逆回復電荷（Ｑｒｒ）も増大してしまう。
【００１５】
この問題を解決するために、内藤らにより、ＰＮ接合から注入されるキャリアの濃度を低減するという手法、即ち低濃度アノード拡散層によるＰＮＮ＋構造が提案されている（文献：Ｍ．Ｎａｉｔｏ，　Ｈ．Ｍａｔｓｕｚａｋｉ　ａｎｄ　Ｔ．Ｏｇａｗａ，　ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　　Ｄｅｖｉｃｅｓ，　ＥＤ−２３，　ｐｐ．９４５（１９７６））。
【００１６】
図８はこのような従来のダイオード２０の構造を説明する断面図である。この図において、低濃度の不純物濃度を有するＮ型半導体層１の第１の主面に接するように高濃度の不純物濃度を有するＮ＋型半導体層２が、Ｎ型半導体層１の第２の主面に接するように、十分に低い不純物濃度を有するＰ型半導体層９がそれぞれ設けられている。さらに、Ｎ＋型半導体層２に接する第１電極層５と、Ｐ型半導体層９に接する第２電極層６とがそれぞれ設けられている。
【００１７】
図５は従来のダイオード１０および２０の順方向定常時の注入キャリアの濃度分布を示す図である。ダイオード２０はＰ型半導体層９の不純物濃度が十分に低いため、ダイオード１０に比べて接合から注入される少数キャリアが少ない。
【００１８】
このためダイオード２０が逆回復する際、逆回復電流のピーク値ＩＲＰに至るまでの時間が短縮されるとともにピーク値ＩＲＰの値が小さくなる。その結果、逆回復電流波形は図４に示すようなソフトリカバリー波形になる。
【００１９】
しかしながら、このような効果を得るにはＰ型半導体層９の不純物濃度を、少なくとも５×１０１７ａｔｏｍ／ｃｍ３程度あるいはそれ以下にする必要があり、このような低い濃度では第２の電極層６とのオーミック接触を十分にとることができない。その結果、順電圧が増大してしまう。
【００２０】
一方、米国特許第４，６４１，１７４号にはマージドＰｉＮ／ショットキーダイオード（以下「ＭＰＳ」という）と呼ばれる構造が開示されている。ＭＰＳダイオードもダイオード２０と同様、接合から注入されるキャリアを低減する効果を狙ったものである。
【００２１】
図９はこのような従来のＭＰＳ構造を用いたダイオード３０の構造を説明する断面図である。この図において、低濃度の不純物濃度を有するＮ型半導体層１の第１の主面の主面に接するように高濃度の不純物濃度を有するＮ＋型半導体層２が、Ｎ型半導体層１の第２の主面に選択的に形成された高濃度の不純物濃度を有するＰ＋型半導体領域４がそれぞれ設けられている。さらに、Ｎ＋型半導体層２に接する第１の電極層５と、Ｐ＋型半導体領域４とオーミック接触をなすとともに、Ｎ型半導体層１とショットキー接触をなす第２の電極層６がそれぞれ設けられている。
【００２２】
ダイオード３０の順方向定常時の注入キャリアの濃度分布は、少数キャリアの注入がおこるＰＮ接合と少数キャリアの注入がほとんど起こらないショットキー接合とが交互に設けられているため、図５に示したようにダイオード２０の場合と同様、ダイオード１０の場合と比べて接合からの少数キャリアの注入量は低減される。
【００２３】
その結果、逆回復電流、電圧波形は図４（ａ）、（ｂ）に示すようにソフトリカバリー特性になり、逆回復時間も短くなる。
【００２４】
また、ダイオード２０とは異なり、Ｐ＋型半導体領域４の不純物濃度を十分に高くすることが出来るため、第２の電極層６のオーミック接触は問題なく確保することが出来る。順電流が小さい時はショットキー障壁を超えて電流が流れる。順電流が大きい時はショットキー接合よりむしろＰ＋Ｎ接合を流れようとするため、大電流領域でも順電圧を小さくできる。
【００２５】
しかしながら、ダイオード３０には部分的にショットキー接合が存在するため、逆方向動作時の逆電流が大きく、ダイオード３０をインバータ等の回路装置に使用した場合、定常損失の増大を招いてしまう。
【００２６】
逆電流に対する何の対策もしない場合、逆電圧がかかるとショットキー障壁で決まる非常に大きい逆電流が流れてしまう。各Ｐ＋型半導体領域４の間を狭くして、Ｐ＋型半導体領域４から隣り合うＰ＋型半導体領域４に横方向に向かう空乏層を利用してショットキー接合を静電的にシールドして、逆電流を押さえるように設計されるが静電シールドの効果は弱く逆電流に対する削減効果は弱い。
【００２７】
また、耐圧はＮ型半導体層の厚さにより決まる。この図９の例では、Ｎ型半導体層１から、Ｐ＋Ｎ接合の深さを差し引いた厚さで耐圧が決まる。従って、Ｐ＋型半導体領域４が無い場合に比べ、Ｐ＋型半導体領域４の深さ分だけ耐圧を損していることになる。あるいは、Ｐ＋型半導体領域４の深さ分だけ抵抗分が増加するとも考えられる。
【００２８】
上記のＭＰＳ構造のショットキー接合部を低濃度のＰ型半導体領域で置き換えた構造が清水らにより公開されている（文献：Ｙ．ＳＨＩＭＩＺＹＵ，　Ｍ．ＮＡＩＴＯ，　Ｓ．ＭＵＲＡＫＡＭＩ　ａｎｄ　Ｙ．ＴＥＲＡＳＡＷＡ，　ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ．　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅｓ，　ＥＤ−３１，　ｐｐ．１３１４（１９８４））。
この構造は、スタティックシールドダイオード（以下「ＳＳＤ」という）と呼ばれる。構造が開示されている。
【００２９】
図１０はこのようなＳＳＤ構造を用いた従来のダイオード４０の構造を説明する断面図である。この図において、低濃度の不純物濃度を有するＮ型半導体層１の第１の主面に接するように、高濃度の不純物濃度を有するＮ＋型半導体層２が、Ｎ型半導体層１の第２の主面に選択的に形成された高濃度の不純物濃度を有するＰ＋型半導体領域４がそれぞれ設けられている。
選択的に形成されたＰ＋型半導体領域４が設けられたＮ型半導体層１の残りの表面には低濃度の不純物濃度を有するｐ型半導体領域３が形成されている。
【００３０】
少数キャリアの注入がおこるＰ＋Ｎ接合と少数キャリアの注入がほとんど起こらないＰＮ接合とが交互に設けられているため、ダイオード４０の順方向定常時の注入キャリア濃度分布は、ダイオード２０の場合と同様、ダイオード１０の場合と比べて、接合からの少数キャリアの注入量は低減される。
【００３１】
その結果、逆回復電流電圧波形は図４に示すようなソフトリカバリー特性になり、逆回復時間も短くなる。
【００３２】
また、ダイオード２０とは異なり、Ｐ＋型半導体領域４の不純物濃度を十分に高くすることができるため、第２の電極層６のオーミック接触は問題なく確保することが出来る。順電流が小さい時はＰＮ接合部分を電流が流れる。順電流が大きい時はＰＮ接合よりむしろＰ＋Ｎ接合を流れようとするため、大電流領域でも順電圧を小さくできる。
【００３３】
ダイオード４０には部分的にＰＮ接合が存在する。Ｐ型半導体領域３の濃度が低くなると逆方向動作時の逆電流が大きくなる。また作製条件によっては耐圧が低下してしまう場合がある。このようなダイオード４０をインバータ等の回路装置に使用した場合、定常損失の増大を招いてしまう。
【００３４】
耐圧低下と逆電流の増加の原因は、順電圧と逆回復特性をよくするために、低濃度Ｐ型半導体領域３の不純物総量（ドーズ量）を少なくせざるを得ないことにある。低濃度Ｐ型半導体領域３の不純物総量は、低濃度Ｐ型半導体領域３の深さ×同半導体領域の不純物濃度の式により計算できる。
【００３５】
逆電流増加の原因はＰ型半導体領域３の不純物総量が、所謂リサーフ条件である１×１０１２ａｔｏｍ／ｃｍ２より少なくなると、逆電圧が印加されたとき、本来Ｐ型半導体領域３がＰ＋型半導体領域４であれば十分耐圧を持つ電圧であっても、低濃度Ｐ型半導体領域３内に空乏層が広がりきって、この空乏層が第２の電極に到達したとたんに降伏してしまい、耐圧が低くなるからである。
【００３６】
このように、逆電流に対する何の対策もしない場合に逆電圧がかかると、Ｐ型半導体領域３内に空乏層が広がりきって耐圧が下がり、逆電流も大きくなってしまう。この電流を各Ｐ＋型半導体領域４の間を狭くして、各Ｐ＋型半導体領域４より、Ｐ＋型半導体領域４から隣り合うＰ＋型半導体領域４に横方向に向かう空乏層により、静電的にシールドして逆電流を押さえるよう設計しても静電シールドの効果は弱く逆電流は十分小さくはできない。
【００３７】
また、耐圧はＮ型半導体層の厚さにより決まり、この例では、Ｎ型半導体層１から、Ｐ＋型半導体領域４の深さを差し引いた厚さで耐圧が決まる。従って、Ｐ＋型半導体領域４が無い場合に比べ、Ｐ＋型半導体領域４の深さ分だけ耐圧を損していることになる。あるいはこの構造の場合、Ｐ＋型半導体領域４の深さ分だけ抵抗分が増加するとも考えられる。耐圧を確保するために、Ｐ＋型半導体領域４を浅くすることはできない。
【００３８】
上記のＰＮＮ＋型、ＭＰＳ、ＳＳＤ各ダイオードの場合、そのままでも、ＰＮ接合からの注入が少ないため高速動作が可能であるが、さらに、高速性を上げるために、金や白金の重金属を拡散することもある。
【００３９】
以上で述べたように、従来のダイオードにおいては、ソフトリカバリー化を図ろうとすると、順電圧や逆電流が増大してしまうという問題があった。
【００４０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上述した問題点に鑑み、順電圧の増大や逆電流の増大を招くことなく、高い周波数でも動作し、かつソフトリカバリー特性をもつダイオードを提供することを目的とする。
【００４１】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、請求項１記載の発明は第１の主面と前記第１の主面と対向する第２の主面を有する第１導電型の第１の半導体層と、前記第１の半導体層の第１の主面に接し、前記第１の半導体層よりも高い不純物濃度を有する第１導電型の第２の半導体層と、前記第１の半導体層内にあって前記第２の主面に接する第２導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体層内にあって前記第２の主面に接しかつ前記第１の半導体領域の間隙を埋めるように形成された第２導電型の第２の半導体領域と、前記第２の半導体層に接する第１の電極層と、前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域の双方に接する第２の電極層とを備えたダイオードであって、第１の半導体領域の深さは前記第２半導体領域の深さよりも深くかつ前記第２の半導体領域よりも低い不純物濃度を有することを特徴とするダイオードである。
請求項２記載の発明は前記第１の半導体層の前記第２の主面から見て、前記第１の半導体領域の深さより浅く前記第２の半導体領域の深さより深い領域に、低ライフタイム領域を設けたことを特徴とする請求項１に記載のダイオードである。
請求項３記載の発明は前記低ライフタイム領域がヘリウムイオン照射とその後の熱処理によって形成されたことを特徴とする請求項２に記載のダイオードである。
請求項４記載の発明は前記低ライフタイム領域を除く少なくとも前記第１の半導体層のライフタイムが短くなるようにライフタイム制御をしたことを特徴とする請求項１乃至請求項３いずれか１項に記載のダイオードである。
請求項５記載の発明は前記ライフタイム制御が電子線照射とその後の熱処理によってなされたことを特徴とする請求項４に記載のダイオードである。
請求項６記載に発明は前記ライフタイム制御が金または白金を拡散することによってなされたことを特徴とする請求項４に記載のダイオードである。
請求項７記載に発明は前記低ライフタイム領域を、少なくとも前記第１の半導体層と前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域に重金属を拡散した後に、前記低ライフタイム領域に相当する部分に荷電粒子を照射し、さらに６００℃以上の熱処理を加えることにより形成したことを特徴とする請求項２に記載のダイオードである。
【００４２】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の実施例について述べる。図１は本発明の第１の実施例にかかるダイオード５０の構造を説明する断面図である。以下、第１導電型の第１の半導体層がＮ型半導体層の場合について述べる。
【００４３】
図１において、低い不純物濃度を有するＮ型半導体層１の第１の主面には高い不純物濃度を有するＮ＋型半導体層２が、第２の主面には部分的に形成された低不純物濃度を有するＰ型半導体領域３と、このＰ型半導体領域３の間隙を埋めるように形成されるとともにこのＰ型半導体領域３よりも拡散深さが浅くかつ高い不純物濃度を有するＰ＋型半導体領域４が形成されている。さらに、Ｎ＋型半導体層２に接する第１の電極層５と、Ｐ型半導体領域３とＰ＋型半導体領域４の双方に接する第２の電極層６が形成されている。
【００４４】
厚さ２５３μｍ、比抵抗３４Ω−ｃｍのＮ型の半導体基板の下面から燐を表面濃度１×１０１８ａｔｏｍ／ｃｍ３以上で望ましくは１×１０１９ａｔｏｍ／ｃｍ３から１×１０２０ａｔｏｍ／ｃｍ３になるように、また、拡散深さが１５０μｍになるように拡散する。
【００４５】
Ｐ型半導体領域３の不純物濃度は、Ｐ型半導体領域３からＮ型半導体層１への少数キャリア（ここでは正孔）の注入を低減するために、ボロンのイオン注入を利用して５×１０１６ａｔｏｍ／ｃｍ３以下の低濃度とし、１５μｍの拡散深さに拡散する。
【００４６】
Ｐ＋型半導体領域４の不純物濃度は、ボロンのイオン注入を利用し、第２の電極層６とのオーミック接触が十分に確保できるよう、１×１０１８ａｔｏｍ／ｃｍ３程度以上望ましくは１×１０１９ａｔｏｍ／ｃｍ３から１×１０２０ａｔｏｍ／ｃｍ３とし、３μｍの拡散深さに拡散する。
【００４７】
第１の電極層５と第２の電極層６は、半田を用いた組立てができるようにＴｉ（チタニウム）−Ｎｉ（ニッケル）−Ａｇ（銀）の電極システムを用いる。
作製には電子ビーム蒸着法を用いる。チタニウムは半導体と電極のオーミック性をとるために用いられ、ニッケルは半田耐蝕性のために用いられ、また銀はニッケルの酸化防止のために用いられる。
【００４８】
図６は本発明の第１の実施例および第２の実施例の順方向定常時の注入キャリアの濃度分布を説明する図である。正孔濃度はＰ型半導体領域３の直下とＰ＋型半導体領域４とでは多少異なるため、層方向に平均化した値を示している。
【００４９】
アノード電極である第２の電極層６に正電圧を、カソード電極である第１の電極５に負電圧を印加し、順電流を流した場合、正孔注入の大きいＰ＋Ｎ接合と正孔注入の少ないＰＮ接合とが交互に設けられているため、注入された正孔の濃度分布は図６に示すように、Ｐ＋Ｎ接合並びにＰＮ接合付近で注入キャリア濃度が低い分布になる。
【００５０】
このためダイオード５０が逆回復する際、逆回復電流のピーク値（ＩＲＰ）に至るまでの時間が短縮されるとともにこのピーク値（ＩＲＰ）の値が小さくなる。その結果、逆回復電流波形は図４に示すようにソフトリカバリーになる。
【００５１】
また、Ｐ＋半導体領域４の不純物濃度が十分に高いため、第２の電極層６とのオーミック接触が十分に確保できるため、順電圧の増大がない。
【００５２】
次に第２の実施例について述べる。図２は本発明の第２の実施例にかかるダイオード６０の構造を説明する断面図である。
【００５３】
図１と図２を比較して解るように、Ｐ型、Ｎ型拡散層あるいは拡散領域と電極構造については第１の実施例と第２の実施例は同じであるので、拡散構造と電極構造については説明を省略する。
【００５４】
第２の実施例ではＰ型半導体領域３の拡散深さより浅く、Ｐ＋型半導体領域４の拡散深さよりも深い領域に低ライフタイム層７を設ける。
【００５５】
また、ヘリウムイオン照射によって低ライフタイム領域７を形成するために、ヘリウムイオンを照射する。ヘリウムイオンの照射は、ヘリウムイオン源とＮ型半導体層１との間に２７５μｍのアルミニウム板を置き、２４ＭｅＶの加速電圧で行う。ドーズ量１×１０１３ａｔｏｍ／ｃｍ２である。熱的に安定化するため、照射後に３００〜４００℃の範囲で熱処理を行う。
このヘリウム照射と熱処理により、Ｎ型半導体層１の表面より、約１０μｍの深さに、半値幅約１０μｍの低ライフタイム領域７が形成される。
【００５６】
ダイオード６０においては、低ライフタイム領域７を設けることにより、接合から注入される正孔の濃度分布は図６に示すとおり、ダイオード５０の場合に比べて、接合付近の正孔濃度がさらに低い分布となる。
【００５７】
これにより、ダイオード６０の逆回復電流電圧波形は、ダイオード５０の場合に比べて、さらにソフトリカバリー特性となる。
【００５８】
また、第１の実施例または第２の実施例のダイオードにおいて、少なくともＮ型半導体層を含む半導体層や半導体領域のライフタイムを、低ライフライム層７のライフタイムを下回らない程度に制御することで、逆回復電荷量（Ｑｒｒ）をさらに低減することができる。
【００５９】
このようなライフタイム制御は、ヘリウムイオン照射の前あるいは後に、半導体層に電子線照射を行い、両方の照射が行われた後、３００〜４００℃の範囲で熱処理を行うことにより実現できる。
【００６０】
また、Ｐ型、Ｎ型拡散工程後、第１の電極層、第２の電極層形成前でしかもヘリウムイオン照射工程の前に金や白金などの重金属を各半導体層と各半導体領域に拡散しても、同様なライフタイム制御が実現できる。
【００６１】
前記ライフタイム領域７形成する方法として、少なくともＮ型半導体層１とＰ半導体領域３とＰ＋半導体領域４に金または白金の重金属を７００〜１０００℃望ましくは８００℃で１時間拡散拡散した後に、所望のライフタイム領域７に相当する部分にヘリウムなどの荷電粒子を照射し、さらに６００℃から１０００℃、望ましくは７００℃１時間の熱処理を加える方法でもよい。
【００６２】
このヘリウムイオンの照射は、前述の条件であるヘリウムイオン源とＮ型半導体層１との間に２７５μｍのアルミニウム板を置き、加速電圧を２４ＭｅＶで行う条件でよい。ドーズ量１×１０１３ａｔｏｍ／ｃｍ２である。
上記重金属拡散、ヘリウム照射および熱処理により、Ｎ型半導体層１の表面より、約１０μｍの深さに、半値幅約１０μｍの低ライフタイム領域７が形成される。他の半導体層と半導体領域は、金あるいは白金拡散により低ライフタイムに制御がされた状態のままになっている。
【００６３】
アノード電極である第２の電極層６に正電圧を、カソード電極である第１の電極５に負電圧を印加し、順電流を流した場合、正孔注入の大きいＰ＋Ｎ接合と正孔注入の少ないＰＮ接合とが交互に設けられているため、注入された正孔の濃度分布は図６に示すように、Ｐ＋Ｎ接合並びにＰＮ接合付近で注入キャリア濃度が低い分布になる。
【００６４】
第２の実施例ではＰ型半導体領域３の拡散深さより浅く、Ｐ＋型半導体領域４の拡散深さよりも深い領域に低ライフタイム層７が設けられている。このため、Ｐ型半導体領域３とＮ型半導体層１のＰＮ接合によるダイオード部の注入キャリアの分布にほとんど影響を与えず、Ｐ＋型半導体領域４とＮ型半導体層１によるＰ＋Ｎ接合によるダイオード部の注入キャリアを少なくできている。
従来の構造においては、Ｐ型半導体領域３の拡散深さは、Ｐ＋型半導体領域４の拡散深さより浅かったため、低ライフタイム層を設けてもこのような注入キャリア量の制御はできなかった。
【００６５】
【発明の効果】
以上に述べたように、本発明によれば、（１）低濃度Ｐ型半導体層によるＰＮ接合により注入キャリアを押さえる、（２）高濃度Ｐ＋型半導体層によるＰ＋Ｎ接合とＰＮ接合を混在させその面積を制御することで注入キャリア量を制御する、（３）Ｐ型半導体領域３を深くＰ＋半導体領域４を浅くしたため、耐圧が確保しやすいため実効的なＮ型半導体層の厚さを薄くできる、（４）浅い高濃度Ｐ＋型半導体領域と深いＰ型拡散領域の深さの間に低ライフタイム領域を作ることにより、順電圧を低く、逆回復時間を小さくしかもソフトリカバリー特性とすることができた。
【００６６】
従って、本発明のダイオードは、順電圧の増大や逆電流の増大を招くことなく、逆回復電流電圧波形をソフトリカバリーにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例にかかるダイオード５０の構造を説明する断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例にかかるダイオード６０の構造を説明する断面図である。
【図３】（ａ）：従来のダイオード１０の逆回復時の電流波形を説明する図である。
（ｂ）：従来のダイオード１０の逆回復時の電圧波形を説明する図である。
【図４】（ａ）：従来のダイオード２０、３０、４０または本発明のダイオード５０、６０逆回復時の電流波形を説明する図である。
（ｂ）：従来のダイオード２０、３０、４０または本発明のダイオード５０、６０逆回復時の電圧波形を説明する図である。
【図５】従来のダイオード１０および２０の順方向定常時の注入キャリアの濃度分布を説明する図である。
【図６】本発明の第１の実施例および第２の実施例の順方向定常時の注入キャリアの濃度分布を説明する図である。
【図７】従来のダイオード１０の構造を説明する断面図である。
【図８】従来のダイオード２０の構造を説明する断面図である。
【図９】従来のダイオード３０の構造を説明する断面図である。
【図１０】従来のダイオード４０の構造を説明する断面図である。
【符号の説明】
１　Ｎ型半導体層
２　Ｎ＋型半導体層
３　Ｐ型半導体領域
４　Ｐ＋型半導体領域
５　第１の電極層
６　第２の電極層
７　低ライフタイム領域
８　Ｐ＋型半導体層
９　Ｐ型半導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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