(57)【要約】【課題】高周波電流を流したときの表皮効果によっても抵抗値が増大しない電気接点用微細部品およびその製造方法を提供する。【解決手段】電気接点用微細部品は、比透磁率が１以上１０以下であって、透磁率をμ、電気抵抗率をρ、周波数をｆとしたときに、１００ｋＨｚ≦ｆ≦１０ＧＨｚの範囲でσｓ＝（ρ／πｆμ）１／２として表される表皮厚さσｓが０．２μｍ以上１ｍｍ以下となるような合金材料からなる。好ましくは、この合金材料の結晶の大きさは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。さらに好ましくは、この合金材料は、銅の含有率が５０重量％以上であり、導電率が銅の導電率の１０％以上である。【選択図】　　　　図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
比透磁率が１以上１０以下であって、透磁率をμ、電気抵抗率をρ、周波数をｆとしたときに、１００ｋＨｚ≦ｆ≦１０ＧＨｚの範囲でσｓ＝（ρ／πｆμ）１／２として表される表皮厚さσｓが０．２μｍ以上１ｍｍ以下である合金材料からなる、電気接点用微細部品。
【請求項２】
前記合金材料の結晶の大きさが１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、請求項１に記載の電気接点用微細部品。
【請求項３】
前記合金材料は、銅の含有率が５０重量％以上であり、導電率が銅の導電率の１０％以上である、請求項１または２に記載の電気接点用微細部品。
【請求項４】
前記合金材料は、ニッケルの含有率が０．１重量％以上１０重量％以下である、請求項３に記載の電気接点用微細部品。
【請求項５】
比透磁率が１以上１０以下であって、透磁率をμ、電気抵抗率をρ、周波数をｆとしたときに、１００ｋＨｚ≦ｆ≦１０ＧＨｚの範囲でσｓ＝（ρ／πｆμ）１／２として表される表皮厚さσｓが０．２μｍ以上１ｍｍ以下である金属材料からなり、前記金属材料は、銅の層と、導電率が銅の導電率の５０％以上である補完材料の層とが交互に積層して形成された材料である、電気接点用微細部品。
【請求項６】
前記補完材料は銀である、請求項５に記載の電気接点用微細部品。
【請求項７】
コンタクトプローブである、請求項１から６のいずれかに記載の電気接点用微細部品。
【請求項８】
電気接点用微細部品を製造する方法であって、
少なくとも表面が導電性を有する基板の上にレジスト膜を形成するレジスト形成工程と、
前記レジスト膜に対して、処理用マスクを用いて露光を行なう露光工程と、
前記レジスト膜のうち前記リソグラフィ工程において露光した部分を除去する第１レジスト除去工程と、
前記レジスト膜のうち前記第１レジスト除去工程において除去した部分を特定金属材料で埋めるメッキ工程と、
前記レジスト膜の残存部分を除去する第２レジスト除去工程と、
前記基板を除去する基板除去工程とを含み、
前記特定金属材料は、比透磁率が１以上１０以下であって、前記特定金属材料は、透磁率をμ、電気抵抗率をρ、周波数をｆとしたときに、１００ｋＨｚ≦ｆ≦１０ＧＨｚの範囲でσｓ＝（ρ／πｆμ）１／２として表される表皮厚さσｓが０．２μｍ以上１ｍｍ以下である、電気接点用微細部品の製造方法。
【請求項９】
前記処理用マスクはコンタクトプローブを形成するためのパターン形状を有する、請求項８に記載の電気接点用微細部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気接点用微細部品およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電気接点用微細部品の一例として、コンタクトプローブがある。コンタクトプローブにおいては、導電性だけでなく、ばね部分の強度が求められるため、ニッケル、コバルト、またはこれらの金属のいずれかを主成分とする合金が用いられていた。たとえば、特開平１１−４４７０８号公報では、Ｎｉ−Ｍｎ合金の層と他の金属の層との組み合わせによってコンタクトプローブを形成することが開示されている。特開２００１−１１６７６５では、Ｎｉ−Ｗ合金を母材としてプローブカードピンを形成することが開示されている。特開２００１−３４３３９７では、コンタクトプローブの材料としてニッケルまたはＮｉ−Ｃｏ，Ｎｉ−Ｗ，Ｎｉ−Ｍｎなどのニッケル系合金を用いることが開示されている。なお、ニッケル系合金とは、ニッケルを主成分とする合金のことである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、導電体からなる部材に高周波電流を流した場合、その部材の表面近傍にしか電流が流れなくなるという現象が知られており、この現象は「表皮効果」と呼ばれている。この場合、表面近傍の電流が流れる層の厚さを一般的に表皮厚さσｓと表す。
【０００４】
従来、コンタクトプローブをはじめとする電気接点用微細部品の材料として使用されているニッケルやコバルトは、強磁性体であり、比透磁率がきわめて高い。比透磁率が高いということは、高周波信号を流す際の表皮効果を考えた場合、σｓ＝（ρ／πｆμ）１／２として表される表皮厚さσｓが小さな値となってしまう。ただし、ρは電気抵抗率、ｆは周波数、μは透磁率である。表皮厚さσｓが小さな値になるということは、高周波信号を流す際の抵抗値が大きく上がってしまう。特にコンタクトプローブなどのように高周波信号を流して用いられる電気接点用微細部品においては、高周波信号入力時の抵抗値増大は発熱をもたらすため、問題となる。さらに、抵抗値の増大は、数ＧＨｚというオーダーの高速でパルス信号を連続して入力した場合に、各パルスの波形が鈍くなり、本来別個のパルスであった波形がつながってしまうなどして個々のパルスが区別できなくなるという問題をももたらす。
【０００５】
また、ニッケル、コバルトが強磁性体であることから、これらの材料からなる電気接点用微細部品は磁場にさらされると磁化されやすい。近隣に同様の材料の複数の部品が配置されている場合、磁化されてしまうと近隣に存在するこれら複数の部品同士が凝集してしまう傾向がある。凝集すると、本来の性能を発揮できなくなったり、取扱いが困難になったりする。
【０００６】
本明細書において「電気接点用微細部品」とは、μｍオーダーすなわち１ｍｍ未満の構造物であって、電流を流すために他の何らかの部材に接触させるためのものをいうものとする。大きさだけに関していえば、たとえば、全長が１ｍｍ未満のものは当然、電気接点用微細部品に該当するし、仮に全体が数十ｍｍと大きくとも一部分に１ｍｍ未満の大きさで設計製作された部分を備えていれば、電気接点用微細部品に該当するものとする。
【０００７】
そこで、本発明は、高周波電流に対しても抵抗値が増大しない電気接点用微細部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に基づく電気接点用微細部品の一つの局面では、比透磁率が１以上１０以下であって、透磁率をμ、電気抵抗率をρ、周波数をｆとしたときに、１００ｋＨｚ≦ｆ≦１０ＧＨｚの範囲でσｓ＝（ρ／πｆμ）１／２として表される表皮厚さσｓが０．２μｍ以上１ｍｍ以下となるような合金材料からなる。この構成を採用することにより、表皮効果によっても電流が流れる層の厚みが十分あるので、高周波信号を入力しても抵抗値が増大しない電気接点用微細部品とすることができる。
【０００９】
上記発明において好ましくは、上記合金材料の結晶の大きさは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。この構成を採用することにより、十分な引張強さと硬度を有する電気接点用微細部品とすることができる。
【００１０】
上記発明において好ましくは、上記合金材料は、銅の含有率が５０重量％以上であり、導電率が銅の導電率の１０％以上である。この構成を採用することにより、軟磁性であって、電流が十分流れやすい電気接点用微細部品とすることができる。
【００１１】
上記発明において好ましくは、上記合金材料は、ニッケルの含有率が０．１重量％以上１０重量％以下である。この構成を採用することにより、十分な強度をもたせつつ、磁化されにくい電気接点用微細部品とすることができる。
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明に基づく電気接点用微細部品の他の局面では、比透磁率が１以上１０以下であって、透磁率をμ、電気抵抗率をρ、周波数をｆとしたときに、１００ｋＨｚ≦ｆ≦１０ＧＨｚの範囲でσｓ＝（ρ／πｆμ）１／２として表される表皮厚さσｓが０．２μｍ以上１ｍｍ以下である金属材料からなり、上記金属材料は、銅の層と、導電率が銅の導電率の５０％以上である補完材料の層とが交互に積層して形成された材料である。この積層は交互にめっきすることによって実現できるが、他の方法であっても実現することはできる。この構成を採用することにより、電鋳設備を使用しなくても製造可能な電気接点用微細部品とすることができ、なおかつ、高周波信号を付与したときの抵抗率の増大を抑えることができる。
【００１３】
上記発明において好ましくは、上記補完材料は銀である。この構成を採用することにより、導電率を十分高くすることができる。
【００１４】
上記発明において好ましくは、電気接点用微細部品はコンタクトプローブである。この構成を採用することにより、抵抗値増大を抑えつつ、ばね部に十分な強度をもたせることができるので、優れたコンタクトプローブとすることができる。
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明に基づく電気接点用微細部品の製造方法は、少なくとも表面が導電性を有する基板の上にレジスト膜を形成するレジスト形成工程と、上記レジスト膜に対して、処理用マスクを用いて露光を行なう露光工程と、上記レジスト膜のうち上記リソグラフィ工程において露光した部分を除去する第１レジスト除去工程と、上記レジスト膜のうち上記第１レジスト除去工程において除去した部分を特定金属材料で埋めるメッキ工程と、上記レジスト膜の残存部分を除去する第２レジスト除去工程と、上記基板を除去する基板除去工程とを含み、上記特定金属材料は、比透磁率が１以上１０以下であって、上記特定金属材料は、透磁率をμ、電気抵抗率をρ、周波数をｆとしたときに、１００ｋＨｚ≦ｆ≦１０ＧＨｚの範囲でσｓ＝（ρ／πｆμ）１／２として表される表皮厚さσｓが０．２μｍ以上１ｍｍ以下である。この方法を採用することにより、高周波信号を付与したときの抵抗値増大を抑えた電気接点用微細部品とすることができる。
【００１６】
上記発明において好ましくは、上記処理用マスクはコンタクトプローブを形成するためのパターン形状を有する。この構成を採用することにより、高周波信号を付与したときの抵抗値増大を抑えることのできる、一体型のコンタクトプローブを効率良く製造することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
（製造方法）
図１〜図７を参照して、本発明に基づく実施の形態１における電気接点用微細部品の製造方法について説明する。ここでは、電気接点用微細部品としてコンタクトプローブを製作する例を示す。
【００１８】
まず、図１に示すように、導電性を有する基板２１の上面にレジスト膜２２を形成する。基板２１としては、ＳＵＳ，Ｃｕ，Ａｌなどの金属基板、Ｓｉ基板、ガラス基板などが使用可能である。ただし、Ｓｉ基板、ガラス基板などの場合には、予め基板２１の上面に、Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕまたはこれらを組合せた金属をスパッタリングして表面に下地導電層を形成したものを用いる。
【００１９】
ここで、図２に示すように、これから製作しようとするコンタクトプローブの形状を平面的に表現したパターンを有するマスクを用意する。このコンタクトプローブは、長さ１ｍｍのばね部を有し、ばね部の太さは５０μｍである。このマスク３０を用いて、図１に示すように、レジスト膜２２の表面にＸ線２３を照射する。ここでは、Ｘ線リソグラフィを用いた方法を採用しているが、Ｘ線の代りにＵＶ（紫外線）を照射するＵＶリソグラフィを用いてもよい。いずれにせよ、現像後、露光部分２４のレジストを除去する。その結果、図３に示すように、凹部２５を有するパターン枠が形成される。
【００２０】
図４に示すように、電鋳を行ない、凹部２５をＣｕ−Ｎｉ合金からなる金属層２６で埋める。この電鋳は、硫酸銅、硫酸ニッケル、ピロリン酸、その他添加剤を適量混合しためっき液によって行なうことができる。その後、図５に示すように、上面を研削または研磨し、所望の厚みに揃える。
【００２１】
アッシングまたは再照射後の現像によって基板２１上に残っていたレジスト膜２２を除去し、エッチングなどで基板２１を除去する。基板２１を除去するためのエッチングとしては、ウェットエッチング、ドライエッチングの両方が使用可能である。その結果、図６に示すように、金属層２６だけを取出すことによってコンタクトプローブ１００の単体が得られる。コンタクトプローブ１００は、図７に示すような立体形状をしている。
【００２２】
（構成）
電気接点用微細部品としてのこのコンタクトプローブ１００の材料となっている金属の重量構成比はＣｕ：Ｎｉ＝９０：１０であり、比透磁率はほぼ１であった。また、電気抵抗率ρは１．１×１０−７Ω・ｍであった。
【００２３】
このコンタクトプローブ１００の材料においては、表皮効果に関する表皮厚さσｓは、
σｓ＝（ρ／πｆμ）１／２
として表すことができる。周波数ｆが１００ｋＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の範囲の高周波信号を付与して使用することを想定し、透磁率μ＝１．２６×１０−６Ｈ／ｍおよびρを代入してこの材料の表皮厚さσｓを算出すると、ｆ＝１００ｋＨｚのときσｓ＝０．５５ｍｍ、ｆ＝１０ＧＨｚのときσｓ＝１．７μｍとなるので、表皮厚さσｓは、１．７μｍ以上０．５５ｍｍ以下となる。
【００２４】
（作用・効果）
このコンタクトプローブ１００は、上述のような構成比のＣｕ−Ｎｉ合金で形成したので、ばね部に繰返し付与される弾性変形にも耐え得る十分な強度をもたせることができる。
【００２５】
一般に、この種のコンタクトプローブは磁場の中で使用される場合もある。従来のニッケル系合金で構成したコンタクトプローブの場合は、磁場によって磁化されてしまい、凝集してしまうことが問題となっていた。そこで、今回Ｃｕ−Ｎｉ合金によって製作したコンタクトプローブ１００を０．５Ｔの磁場中に１分間さらしたところ、全く磁化されなかった。すなわち、コンタクトプローブ１００が軟磁性であることが確認できた。保磁力Ｈｃもほぼ０エルステッドであった。
【００２６】
したがって、十分な強度を有し、なおかつ、磁場の中での使用にも耐え得るコンタクトプローブを得ることができた。
【００２７】
（実施の形態２）
（製造方法）
図８〜図１３を参照して、本発明に基づく実施の形態２における電気接点用微細部品の製造方法について説明する。実施の形態１と同じく、電気接点用微細部品としてコンタクトプローブを製作する例を示す。
【００２８】
図８に示すように、コンタクトプローブの形状を凸形に有する金型３２を用いて、射出成形などにより樹脂型３３を形成する。この結果、図９に示すように、コンタクトプローブの形状を凹形に有する樹脂型３３を得る。この樹脂型３３を研磨して凹部を貫通させ、図１０に示すような樹脂パターン枠３４を製作する。図１１に示すように、実施の形態１で用いたと同様の基板２１を用意し、その上面に樹脂パターン枠３４を貼り付ける。図１２に示すように、電鋳を行ない、凹部２５をＣｕ−Ｎｉ合金からなる金属層２６で埋める。その後、図１３に示すように、上面を研削または研磨し、所望の厚みに揃える。
【００２９】
アッシングまたは再照射後の現像によって基板２１上に残っていた樹脂パターン枠３４を除去し、エッチングなどで基板２１を除去する。基板２１を除去するエッチングとしては、ウェットエッチング、ドライエッチングの両方が使用可能である。その結果、金属層２６だけを取出すことによって、図７に示すようなコンタクトプローブが得られる。
【００３０】
（作用・効果）
本実施の形態における電気接点用微細部品の製造方法においても、実施の形態１と同じように所望の材質の電気接点用微細部品を製作することができる。このようにして製作したコンタクトプローブにおいても、実施の形態１と同様の効果が得られる。
【００３１】
（実施の形態３）
（構成）
図１４を参照して、本発明に基づく実施の形態３としての材料試験について説明する。この材料試験のために用意したサンプルは、箔であり、図１４に示すように、１辺が８０ｍｍの正方形をしており、厚みは１００μｍである。この箔の材質は実施の形態１で説明したのと同じＣｕ−Ｎｉ合金である。
【００３２】
（作用・効果）
この箔を用いて引張試験を行なった結果、引張強さは、７０ｋｇｆ／ｍｍ２であった。また、この箔の硬度は５１０Ｈｖであった。
【００３３】
なお、実施の形態１〜３では、結晶の大きさが１５ｎｍ程度になるようにめっき液に添加剤を混合した。上述の引張強さおよび硬度は、結晶の大きさを適正値になるように制御したことによって実現されたものである。結晶の大きさの適正値については後述する。
【００３４】
実施の形態１〜３では、銅を主成分としながら強磁性を有するニッケルを混合してＣｕ−Ｎｉ合金としている。ニッケルをある程度混合することは、強度を持たせるためには必要であるが、ニッケルを多く入れすぎると、磁化されやすくなるという問題や、透磁率μが高くなって表皮厚さσｓが減少するという問題や、電気抵抗率ρが高くなるという問題が生じる。そこで、電気接点用微細部品の強度を十分確保しつつ、十分に軟磁性とするには、ニッケルの含有率は０．１重量％以上１０重量％以下とすることが好ましい。
【００３５】
（実施の形態４）
（構成）
図１５を参照して、本発明に基づく実施の形態４における電気接点用微細部品について説明する。この電気接点用微細部品は、円柱群付き平板である。この円柱群付き平板は、図１５に示すように、平板の主平面に垂直に複数の円柱が立っている形状をしており、平板と複数の円柱とは同じ材料で一体物として形成されている。円柱は、直径２μｍ、高さ１００μｍであり、平面的に見ればピッチ４μｍで等間隔に配列されている。図１５では、円柱群付き平板の一例を表示しているが、円柱の本数はこれに限らずより多くても少なくてもよい。
【００３６】
（作用・効果）
この電気接点用微細部品を、０．５Ｔの磁場の中に１分間さらした。その結果、全く形状に変化を生じず、各円柱の整列状態を維持していた。
【００３７】
なお、比較のためにニッケル系合金で同じ形状の電気接点用微細部品を製作して、同じように磁場の中にさらした場合、各円柱は磁化され、凝集または離散してしまい、製作当初の整列状態は維持できない。
【００３８】
（実施の形態５）
（構成）
本発明に基づく実施の形態５における電気接点用微細部品として、実施の形態１で説明したのと同じ形状のコンタクトプローブを作成した。形状は図７に示したコンタクトプローブ１００と同じであるが、材質は異なり、本実施の形態におけるコンタクトプローブはＣｕ−Ａｇ合金からなる。
【００３９】
このような材質でコンタクトプローブを得るには、実施の形態１または２で説明した電気接点用微細部品の製造方法において、電鋳の工程の条件を適宜変更すればよい。具体的には、めっき液を実施の形態１または２で示したものに代えて、硫酸銅、メタンスルホン酸銀、ピロリン酸、その他添加剤を適量混合しためっき液とすればよい。また、電鋳の工程での電流の流し方としては、電流密度が１０ｃｍ２当たり５Ａで行なう１秒間の通電と、２秒間の無通電とを１サイクルとして、このサイクルを電鋳生成物が所望の厚さになるまで繰り返して行なう。こうすることによって、結晶の大きさが２０ｎｍ程度になるように金属層を生成させることができる。
【００４０】
こうして得たコンタクトプローブの材料となっている金属の重量構成比はＣｕ：Ａｇ＝９５：５であり、比透磁率はほぼ１であった。また、電気抵抗率ρは１．７×１０−８Ω・ｍであった。
【００４１】
このコンタクトプローブにおいて、周波数ｆが１００ｋＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の範囲の高周波信号を付与して使用することを想定し、上述のμおよびρを代入してこの材料の表皮厚さσｓを算出すると、ｆ＝１００ｋＨｚのときσｓ＝０．２ｍｍ、ｆ＝１０ＧＨｚのときσｓ＝０．６６μｍとなるので、表皮厚さσｓは、０．６６μｍ以上０．２ｍｍ以下となる。
【００４２】
（作用・効果）
本実施の形態におけるコンタクトプローブにおいても、実施の形態１におけるコンタクトプローブと同様の効果を得ることができる。
【００４３】
（実施の形態６）
（構成）
本発明に基づく実施の形態６としての材料試験について説明する。この材料試験のために用意したサンプルは、箔であり、実施の形態３の材料試験で用いた箔と同じ形状である。この箔は、実施の形態５におけるコンタクトプローブと同じＣｕ−Ａｇ合金で製作した。
【００４４】
（作用・効果）
この箔において、引張試験を行なった結果、引張強さは８０ｋｇｆ／ｍｍ２であった。また、硬度は４８０Ｈｖであった。
【００４５】
（好ましい条件など）
一般に、通常の電鋳条件で金属層を成長させた場合、析出する結晶の大きさは、数μｍオーダーとなる。しかし、電気接点用微細部品では、部品自体の大きさがμｍオーダーであるため、結晶の大きさが数μｍオーダーの材料では特性が安定しない。また、金属材料の引張強さはその結晶の大きさの（−１／２）乗に比例するため、結晶の大きさが小さければ小さいほど強固となる。電気接点用微細部品にばねや歯車の形状の部分を設けて応用する場合に求められる引張強さを実現するには、現実的には、結晶の大きさは５０ｎｍ以下であることが望ましい。ただし、１０ｎｍ未満になると、この限りではなく、逆に弱くなる。したがって、結晶の大きさは、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが望ましい。
【００４６】
また、電気接点用微細部品の形状を得るに当たっては、一定パターンに合わせて所望の合金を電鋳などで成長させる方法以外に、合金とする以前の各成分金属の層を交互にあるいは一定の規則で順に重ねて積層することによる方法もある。たとえば、銅と他の金属とで行なう場合、銅の層と他の金属の層とが交互に積み重なるように交互にめっきする。こうすることによっても、合金によってめっきした場合とほぼ同様の特性を得ることができる。銅と組み合わせる補完材料としては、導電率の低下を避けるために、導電率が銅に比べて５０％以上である材料とすることが好ましい。特に高い導電率を実現するという観点からは、銀が好ましい。
【００４７】
なお、上述の各実施の形態では、周波数ｆが１００ｋＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の条件下で表皮厚さσｓが０．６６μｍ以上０．５５ｍｍ以下となる例を示したが、半導体回路の形成に使用されうる実用上最も電気抵抗の低い材料である銅の電気抵抗率ρが１．５５×１０−８Ω・ｍであることを考慮し、周波数ｆとしては最も高速でパルス信号が発生することとなる１０ＧＨｚをあてはめると、表皮厚さσｓは０．２μｍとなる。
【００４８】
また、電気接点用微細部品は、一般に、先端に電気接点部を備える。最も小さな面積に接触する場合を想定するために電気接点部が尖っている場合を考えると、電気接点部の先端を曲面として見たときの曲率半径の最小値は約０．１μｍである。したがって、電気接点部の先端近傍の径の最小値は約０．２μｍであるといえる。この電気接点部を最大限有効に導電部として利用するためには、表皮厚さσｓが０．２μｍ以上であることが必要である。
【００４９】
したがって、好ましい表皮厚さσｓの下限を０．２μｍとした。また、現行の半導体回路幅は既に０．２μｍより小さくなっており、今後開発されるであろう高速電子回路幅もさらに狭くなると考えられるため、表皮厚さσｓが０．２μｍ以上あれば今後の回路幅にも十分対応できると考えられる。また、電気接点用微細部品において特性を発揮するためには、電気接点用微細部品として特性を発揮すべき部分の大きさは１ｍｍ以下であると考えられるので、表皮厚さσｓの上限は１ｍｍ以下としている。
【００５０】
なお、上記各実施の形態では、電気接点用微細部品の材質としては、Ｃｕ−Ｎｉ合金の例と、Ｃｕ−Ａｇ合金の例とを示したが、他の合金材料であっても、比透磁率が１以上１０以下であって、１００ｋＨｚ≦ｆ≦１０ＧＨｚの範囲で表皮厚さσｓが０．２μｍ以上１ｍｍ以下となる条件を満たす材料であればよい。上記各実施の形態で示したＣｕ−Ｎｉ合金や、Ｃｕ−Ａｇ合金以外には、たとえば、Ｃｕ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ合金を用いても同様の効果を得ることができる。
【００５１】
上記各実施の形態では、銅を主成分として他の金属と混合した合金を用いて電気接点用微細部品を製作する例について述べた。銅を主成分とするということは、銅の含有率が５０重量％以上であるということである。透磁率μ、電気抵抗率ρ、表皮厚さσｓに関する上述の条件を満たせるものならば、他の金属を主成分としてもよい。たとえば、銀を主成分として、Ａｇ−Ｎｉ合金、Ａｇ−Ｃｏ合金、Ａｇ−Ｗ合金などを用いてもよい。しかし、現実的には、銅を主成分とすることが、材料を入手しやすいという点、磁化されにくいという点および導電率を高くしやすいという点から特に好都合である。特に、電気接点用微細部品は電流を流す目的で使用するものであるので、これまで述べてきた条件に加えて、導電率が銅の導電率の１０％以上であることが望ましい。そのような導電率を実現するように銅に対する他の金属の混合条件を設定すればよい。
【００５２】
これまでの実施の形態では、電気接点用微細部品として、コンタクトプローブの例と、円柱群付き平板の例とを挙げたが、他の形状や他の用途の電気接点用微細部品に対しても本発明は適用可能である。
【００５３】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【００５４】
【発明の効果】
本発明によれば、周波数ｆが１００ｋＨｚ≦ｆ≦１０ＧＨｚの範囲において表皮厚さσｓが０．２μｍ以上１ｍｍ以下となっているので、表皮効果によっても電流が流れる層の厚みが十分あることとなり、実際に使用する高周波信号の周波数範囲における、抵抗値の増大を抑えることができる。このような材質によって、高周波信号を多用するコンタクトプローブなどの用途において優れた電気接点用微細部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に基づく実施の形態１におけるコンタクトプローブの製造方法の第１の工程の説明図である。
【図２】本発明に基づく実施の形態１におけるコンタクトプローブの平面図である。
【図３】本発明に基づく実施の形態１におけるコンタクトプローブの製造方法の第２の工程の説明図である。
【図４】本発明に基づく実施の形態１におけるコンタクトプローブの製造方法の第３の工程の説明図である。
【図５】本発明に基づく実施の形態１におけるコンタクトプローブの製造方法の第４の工程の説明図である。
【図６】本発明に基づく実施の形態１におけるコンタクトプローブの製造方法の第５の工程の説明図である。
【図７】本発明に基づく実施の形態１におけるコンタクトプローブの斜視図である。
【図８】本発明に基づく実施の形態２におけるコンタクトプローブの製造方法の第１の工程の説明図である。
【図９】本発明に基づく実施の形態２におけるコンタクトプローブの製造方法の第２の工程の説明図である。
【図１０】本発明に基づく実施の形態２におけるコンタクトプローブの製造方法の第３の工程の説明図である。
【図１１】本発明に基づく実施の形態２におけるコンタクトプローブの製造方法の第４の工程の説明図である。
【図１２】本発明に基づく実施の形態２におけるコンタクトプローブの製造方法の第５の工程の説明図である。
【図１３】本発明に基づく実施の形態２におけるコンタクトプローブの製造方法の第６の工程の説明図である。
【図１４】本発明に基づく実施の形態３における箔の斜視図である。
【図１５】本発明に基づく実施の形態４における円柱群付き平板の斜視図である。
【符号の説明】
２１　基板、２２　レジスト膜、２３　Ｘ線、２４　露光箇所、２５　凹部、２６　金属層、３０　マスク、３２　金型、３３　樹脂型、３４　樹脂パターン枠、１００　コンタクトプローブ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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