(57)【要約】【課題】洗浄液の使用量を抑えつつ、基板に悪影響を及ぼさない基板処理装置およびその方法を提供することを目的とする。【解決手段】純水を基板に供給する供給管６に、純水の供給方向に対して、上手側から順に、完全に閉じても供給管６内を流れる純水の流量が基板の洗浄処理時よりも十分に小さな流量になるニードルバルブのスローリークバルブ８、および完全に閉じれば純水の供給が停止する吐出バルブ９を直列に配設する。洗浄処理を行っていない間は、吐出バルブ９を開き、かつ、スローリークバルブ８を閉じることでスローリーク状態に切り換える操作と、吐出バルブ９を閉じることで供給停止状態に切り換える操作とを交互に繰り返す。基板に悪影響を及ぼさない程度に供給管６内に純水を滞留させるために供給停止状態にし、基板に悪影響を及ぼす可能性があるならば供給管６内に純水を滞留させないためにスローリーク状態にすることで、洗浄液である純水の使用量を抑えつつ、基板に悪影響を及ぼさないことが可能となる。【選択図】        図２
2004273801.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の処理を行う基板処理装置であって、
洗浄液を基板に供給する供給管と、
前記供給管内を流れる洗浄液の流量を調節する調節手段と、
前記調節手段を操作する制御手段とを備え、
前記制御手段は、基板への洗浄液の供給処理を行っていない間に、供給管内を流れる洗浄液の流量を基板への洗浄液の供給処理時よりも十分に小さな流量にするスローリーク状態と、洗浄液の供給を停止する供給停止状態とを切り換えるように前記調節手段を操作することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
基板を水平面内に回転させる回転手段をさらに備え、
前記回転手段が基板を回転させながら洗浄液を基板に供給することで基板への洗浄液の供給処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
前記調節手段は、
完全に閉じても前記供給管内を流れる洗浄液の流量がスローリーク状態になる第１バルブと、
完全に閉じれば洗浄液の供給が停止する第２バルブと
を前記供給管に対して直列に配設して構成され、
前記制御手段は、基板への洗浄液の供給処理を行っていない間、前記第２バルブを開き、かつ、前記第１バルブを閉じるスローリーク状態と、前記第２バルブを閉じる供給停止状態とに切り換えるように前記調節手段を操作することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
前記調節手段は、
完全に閉じても前記供給管内を流れる洗浄液の流量がスローリーク状態になる第１バルブと、
完全に閉じれば洗浄液の供給が停止する第２バルブと
が一体として構成され、
前記制御手段は、基板への洗浄液の供給処理を行っていない間、前記第２バルブを開き、かつ、前記第１バルブを閉じるスローリーク状態と、前記第２バルブを閉じる供給停止状態とに切り換えるように前記調節手段を操作することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
基板の処理を行う基板処理方法であって、
基板への洗浄液の供給処理を行っていない間に、前記供給管内を流れる洗浄液の流量を基板への洗浄液の供給処理時よりも十分に小さな流量にするスローリーク状態と、洗浄液の供給を停止する供給停止状態とを切り換えることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板（以下、単に基板と称する）に対して基板処理を行う基板処理装置およびその方法に係り、特に、基板に対して洗浄液を供給する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、基板への洗浄液の供給処理以外の基板処理または基板の搬入出の間、すなわち基板への洗浄液の供給処理を行っていない間には、純水などの洗浄液の供給を停止する。しかし、供給を停止すると、ノズルを形成する供給管内に純水が滞留し、バクテリアが発生する。その結果、そのバクテリアがパーティクルとなって基板に悪影響を及ぼす。そこで、洗浄液の供給処理を行っていない間に、基板への洗浄液の供給処理時よりも十分に小さな流量の純水を供給管内に流して供給する（以下、この間の供給を『スローリーク』と呼ぶ）ことで、供給管内の純水を滞留させずにバクテリアの発生を抑制するようにしている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１０−２４２１０１号公報（第２−４頁、図１）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した特許文献１のようにスローリークを行うと、基板への洗浄液の供給処理以外の基板処理または基板の搬入出間でも、すなわち基板に対して処理を行っていない間でも、供給管内を純水が常に流れることになり、大量の純水が必要になる。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、洗浄液の使用量を抑えつつ、基板に悪影響を及ぼさない基板処理装置およびその方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板の処理を行う基板処理装置であって、洗浄液を基板に供給する供給管と、前記供給管内を流れる洗浄液の流量を調節する調節手段と、前記調節手段を操作する制御手段とを備え、前記制御手段は、基板への洗浄液の供給処理を行っていない間に、供給管内を流れる洗浄液の流量を基板への洗浄液の供給処理時よりも十分に小さな流量にするスローリーク状態と、洗浄液の供給を停止する供給停止状態とを切り換えるように前記調節手段を操作することを特徴とするものである。
【０００７】
〔作用・効果〕請求項１に記載の発明によれば、制御手段は、基板への洗浄液の供給処理を行っていない間に、例えば基板への洗浄液の供給処理以外の基板処理や基板の搬入出の間は、供給管内を流れる洗浄液の流量を基板への洗浄液の供給処理時よりも十分に小さな流量にするスローリーク状態と、洗浄液の供給を停止する供給停止状態とを切り換えるように調節手段を操作する。従って、洗浄液の使用量を抑える場合には、供給停止状態にする。そして、バクテリアが発生しない程度に供給管内に洗浄液を滞留させる。すなわち、基板に悪影響を及ぼさない程度に洗浄液の供給を停止する供給停止状態にする。基板に悪影響を及ぼす可能性があるならば、供給管内を流れる洗浄液の流量を基板への洗浄液の供給処理時よりも十分に小さな流量にするスローリーク状態にすることで、供給管内に洗浄液が滞留しないようにする。その結果、洗浄液の使用量を抑えつつ、基板に悪影響を及ぼさない。
【０００８】
なお、基板への洗浄液の供給処理においては、基板を水平面内に回転させながら洗浄処理を行うことが多い。従って、基板を水平面内に回転させる回転手段をさらに備え、回転手段が基板を回転させながら洗浄液を基板に供給することで基板への洗浄液の供給処理を行うようにする（請求項２に記載の発明）。
【０００９】
なお、基板への洗浄液の供給処理においては、基板に洗浄液を供給して基板の洗浄処理を行う場合と、基板に洗浄液以外の処理液を供給しつつ、基板の別の箇所に洗浄液を供給して、基板処理と基板の洗浄処理とを並行に行う場合とがある。後者の場合には、基板の裏面に洗浄液を供給するバックリンスや、基板の端縁に洗浄液を供給するエッジリンスなどがある。
【００１０】
供給管／調節手段の構成、および制御手段による調節手段の操作の例として、請求項３および請求項４に記載の発明が挙げられる。すなわち、調節手段を、完全に閉じても供給管内を流れる洗浄液の流量がスローリーク状態になる第１バルブと、完全に閉じれば洗浄液の供給が停止する第２バルブとを供給管に対して直列に配設して構成し、制御手段は、基板への洗浄液の供給処理を行っていない間、第２バルブを開き、かつ、第１バルブを閉じるスローリーク状態と、第２バルブを閉じる供給停止状態とに切り換えるように操作する（請求項３に記載の発明）。
【００１１】
また、調節手段を、完全に閉じても供給管内を流れる洗浄液の流量がスローリーク状態になる第１バルブと、完全に閉じれば洗浄液の供給が停止する第２バルブとを一体として構成し、制御手段は、基板への洗浄液の供給処理を行っていない間、第２バルブを開き、かつ、第１バルブを閉じるスローリーク状態と、第２バルブを閉じる供給停止状態とに切り換えるように操作する（請求項４に記載の発明）。
【００１２】
また、請求項５に記載の発明は、基板の処理を行う基板処理方法であって、基板への洗浄液の供給処理を行っていない間に、前記供給管内を流れる洗浄液の流量を基板への洗浄液の供給処理時よりも十分に小さな流量にするスローリーク状態と、洗浄液の供給を停止する供給停止状態とを切り換えることを特徴とするものである。
【００１３】
〔作用・効果〕請求項５に記載の発明によれば、基板への洗浄液の供給処理を行っていない間に、供給管内を流れる洗浄液の流量を基板への洗浄液の供給処理時よりも十分に小さな流量にするスローリーク状態と、洗浄液の供給を停止する供給停止状態とを切り換えるので、洗浄液の使用量を抑えつつ、基板に悪影響を及ぼさない。
【００１４】
【発明の実施の形態】
〔第１実施例〕
以下、図面を参照して本発明の第１実施例を説明する。
図１は、第１実施例に係る基板処理装置の概略側面図であり、図２は、第１実施例装置のバルブの配列図であり、図３は、バルブの開閉状況と洗浄処理および切り換え対象の２つの状態とに関する対応図である。
【００１５】
第１実施例に係る基板処理装置は、図１に示すように、スピンチャック１，回転軸２，電動モータ３，洗浄ノズル４，および飛散防止カップ５などを備えて構成されている。スピンチャック１の形状は円板状となっており、円柱状に形成されてなる６個の支持ピン１ａ（図１では２個のみ図示）を立設して構成されている。このスピンチャック１は、底面に連結された回転軸２を介して電動モータ３によって回転駆動され、この回転駆動により、支持ピン１ａで周縁部を当接支持された基板Ｗが回転中心Ｐ周りに水平面内で回転される。スピンチャック１，回転軸２，および電動モータ３は、本発明における回転手段に相当する。なお、スピンチャック１は基板Ｗを吸着することで保持するタイプであってもよい。
【００１６】
飛散防止カップ５はスピンチャック１の周囲に配設され、洗浄ノズル４から供給された洗浄液（第１実施例では超純水）が飛散することを防止する。この飛散防止カップ５は、未洗浄の基板Ｗをスピンチャック１から受け取る際にスピンチャック１に対して昇降するように構成されている。
【００１７】
洗浄ノズル４は、図１に示すように、吐出口が基板Ｗの処理面に向くように配設されており、この吐出口から洗浄液が吐出されて、基板Ｗに洗浄液が供給されて洗浄処理が行われる。洗浄液として、第１実施例では超純水（以下、単に『純水』と略記する）が用いられている。洗浄ノズル４は、供給管６を介して純水供給装置（タンク）７に接続されており、純水供給タンク７側から順に、すなわち純水の供給方向に対して上手側から順にスローリークバルブ８および吐出バルブ９が供給管６に直列に配設されている。
【００１８】
また、洗浄ノズル４は、洗浄処理を行っていない間、すなわち基板Ｗへの洗浄液の供給処理を行っていない間は、待機ポットＡが配設された待機位置に待避している。図示を省略するノズル変位機構が動作して、基板Ｗ上の洗浄液供給位置と待機位置との間で洗浄ノズル４を水平方向に回動変位させる。これにより、待避時には洗浄ノズル４は待機ポットＡに収納される。ノズル変位機構によるノズルの移動は、回動式に限定されず、直線移動であってもよく、その他、洗浄液供給位置と待機位置との間を移動できる変位機構であってもよい。
【００１９】
待機ポットＡは、洗浄ノズル４以外のノズルも複数個分収納できる構成であってもよい。洗浄ノズル４以外のノズルは、洗浄ノズルに限定されず、現像液や塗布液などの処理液を供給するノズルであってもよい。
【００２０】
スローリークバルブ８および吐出バルブ９は、この待機ポットＡにおいてコントローラ１０によって開閉操作される。なお、スローリークバルブ８および吐出バルブ９を、待機ポットＡ以外の位置、例えば洗浄処理時での位置においてコントローラ１０によって開閉操作してもよい。
【００２１】
スローリークバルブ８は、本発明における第１バルブに、吐出バルブ９は、本発明における第２バルブに、コントローラ１０は、本発明における制御手段にそれぞれ相当する。また、スローリークバルブ８および吐出バルブ９は、供給管６内を流れる純水の流量を調節するので、スローリークバルブ８および吐出バルブ９は、本発明における調節手段にも相当する。
【００２２】
具体的には、スローリークバルブ８および吐出バルブ９は、図２に示すように配設されている。両バルブ８，９は、エアーによって調節するエアーバルブで、ともに構成されている。上手側にあるスローリークバルブ８は、エアーが供給されているときにはバルブが開く方向に駆動し、エアーが供給されていないときにはバルブが閉じる方向に駆動するように構成されたエアーバルブ（以下、これを『ノーマルクローズ（ＮＣ）』と呼ぶ）であり、下手側にある吐出バルブ９は、エアーが供給されているときにはバルブが閉じる方向に駆動し、エアーが供給されていないときにはバルブが開く方向に駆動するように構成されたエアーバルブ（以下、これを『ノーマルオープン（ＮＯ）』と呼ぶ）である。
【００２３】
ノーマルクローズ（ＮＣ）型のエアーバルブであるスローリークバルブ８は、針状の弁体（ニードル）８ａを有するニードルバルブで構成されており、このニードル８ａを調節することで、供給管６内を流れる純水の流量を細かく調節することができる。ただし、スローリークバルブ８はニードルバルブで構成されているので、完全に閉じても供給管６内を流れる純水の流量は、基板の洗浄処理時（基板への洗浄液の供給処理時）よりも十分に小さな流量となる。一方、ノーマルオープン（ＮＯ）型のエアーバルブである吐出バルブ９は、ニードルバルブで構成されていないので、完全に閉じれば純水の供給が停止する。かかる性質を利用して、図１，図２に示すように両バルブ８，９を上述のように配設している。
【００２４】
このように配設することで、ＮＣ型のエアーバルブであるスローリークバルブ８、およびＮＯ型のエアーバルブである吐出バルブ９の各バルブの開閉状況と洗浄処理および切り換え対象である２つの状態（スローリーク状態，供給停止状態）とは、図３に示すような対応関係となる。なお、図３中の『ｃｌｏｓｅ』は閉じた状態を、『ｏｐｅｎ』は開いた状態を、『Ｄｏｎ’ｔ  ｃａｒｅ』は開閉の状態に関わらないことをそれぞれ示している。すなわち、スローリーク状態に切り換えるには、吐出バルブ９を開き、かつ、スローリークバルブ８を閉じ、純水の供給停止状態に切り換えるには、吐出バルブ９を閉じ（スローリークバルブ８は『Ｄｏｎ’ｔ  ｃａｒｅ』）、基板の洗浄処理を行っている間は、両バルブ８，９を開くことで所定の純水流量の洗浄液を供給する。コントローラ１０は、基板Ｗの洗浄処理を行っていない間は、上述したスローリーク状態に切り換える操作と供給停止状態に切り換える操作とを交互に繰り返すように両バルブ８，９を操作する。
【００２５】
なお、吐出バルブ９を開き、かつ、スローリークバルブ８の開閉の強度、つまりニードル８ａの締結の強度を操作することで、ニードル８ａの締結を強める場合では洗浄ノズル４から純水が表面張力によって、いわゆる『ぽた落ち』状態で供給され、ニードル８ａの締結を弱める（緩める）場合では洗浄ノズル４から純水が糸を引いた状態で供給され、ひいてはスローリークバルブ８が開いた状態では基板の洗浄処理時における所定の洗浄液の流量で純水が供給される。
【００２６】
なお、第１バルブに相当するスローリークバルブ８を、純水の供給方向に対して上手側に、第２バルブに相当する吐出バルブ９を下手側にそれぞれ配設したが、逆であってもよい。すなわちスローリークバルブ８を下手側に、吐出バルブ９を上手側にそれぞれ配設してもよい。従って、スローリークバルブ８および吐出バルブ９の配設位置は、上手・下手を問わず特に限定されない。また、スローリークバルブ８および吐出バルブ９を供給管６に対して直列に配設したが、スローリークバルブ８および吐出バルブ９を一体型としたバルブであってもよい。この場合には、供給管６によってスローリークバルブ８および吐出バルブ９が結ばれない形態となる。
【００２７】
基板Ｗの洗浄処理を行っていない間での具体的なシーケンスを以下に示す。なお、洗浄処理時には、洗浄ノズル４から所定の洗浄液流量の純水が基板Ｗの処理面に向けて供給される。洗浄処理を行っていない間では、例えば、スローリークを１０分間行った後に、スローリークを１０分間停止するという（スローリーク状態１０分・供給停止状態１０分）切換操作を交互に繰り返す。また、例えば、スローリークを５分間行った後に、スローリークを３０分間停止するという（スローリーク状態５分・供給停止状態３０分）切換操作を交互に繰り返す。なお、スローリーク状態および供給停止状態の切換操作のタイミングについては特に限定されない。
【００２８】
このようなシーケンスは、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）などに代表される記憶媒体から構成されたメモリ部１１に予め記憶され、コントローラ１０がメモリ部１１に記憶されたシーケンスを読み出すことで両状態の切換のタイミング制御が行われる。なお、シーケンスは、上述したものに限定されるものでない。バクテリアが発生しない程度に供給管６内に純水を滞留させる、すなわち基板Ｗに悪影響を及ぼさない程度に純水の供給を停止する供給停止状態にするのであれば、例えば装置のメンテナンスのために装置を１日程度停止して、純水の供給を１日程度停止する場合、すなわち供給停止状態が１日程度の連続の場合であっても構わない。
【００２９】
上述の構成を有する第１実施例に係る基板処理装置によれば、コントローラ１０は、基板Ｗの洗浄処理を行っていない間、例えば洗浄処理以外の基板処理や基板Ｗの搬入出の間は、供給管６内を流れる純水の流量を基板Ｗの洗浄処理時よりも十分に小さな流量にするスローリーク状態と、純水の供給を停止する供給停止状態とを切り換えるようにスローリークバルブ８および吐出バルブ９を操作する。
【００３０】
従って、純水の使用量を抑える場合には、供給停止状態にする。そして、バクテリアが発生しない程度に供給管６内に純水を滞留させる。すなわち、基板Ｗに悪影響を及ぼさない程度に供給管６内の純水を停止する供給停止状態にする。基板Ｗに悪影響を及ぼす可能性があるならば、供給管６内を流れる純水の流量を基板Ｗの基板洗浄時よりも十分に小さな流量にするスローリーク状態にすることで、供給管６内に純水が滞留しないようにする。その結果、洗浄液である純水の使用量を抑えつつ、基板Ｗに悪影響を及ぼさないことが可能となる。
【００３１】
なお、第１実施例では、基板Ｗを水平面内に回転させるスピンチャック１，回転軸２，および電動モータ３を備え、スピンチャック１，回転軸２，および電動モータ３が基板Ｗを回転させながら純水を基板Ｗに供給することで基板Ｗの洗浄処理を行っている。
【００３２】
また、第１実施例では、供給管６、スローリークバルブ８、および吐出バルブ９を構成するのに、両バルブ８，９を供給管６に対して直列に配設している。そして、純水の供給方向に対して上手側のバルブを、完全に閉じても供給管６内を流れる純水の流量がスローリーク状態の流量になるスローリークバルブ８で、すなわちニードル８ａを有するニードルバルブで構成している。一方、下手側のバルブを、完全に閉じれば純水の供給が停止する吐出バルブ９で構成している。基板の洗浄処理を行っていない間は、下手側に配設された吐出バルブ９を開き、かつ、上手側に配設されたスローリークバルブ８を閉じるスローリーク状態と、吐出バルブ９を閉じる純水の供給停止状態とに切り換えるように操作する。
【００３３】
上述した第１実施例では、洗浄ノズル４の吐出口から基板Ｗの処理面に洗浄液（第１実施例では純水）を供給することで洗浄を行う基板処理装置に本発明を適用したが、基板Ｗの処理面に洗浄液を供給しつつ、ブラシやスポンジなどを基板Ｗに直接的に接触させながら洗浄を行う基板処理装置、いわゆるスクラバーに本発明を適用してもよい。また、基板Ｗを水平面内に回転させながら洗浄液を基板Ｗに供給して洗浄処理を行う基板処理装置に本発明を適用したが、基板Ｗを固定したまま洗浄ノズル４を水平面内に走査しながら基板Ｗに供給して洗浄処理を行う基板処理装置に本発明を適用してもよい。
【００３４】
また、供給管に連接された洗浄槽に洗浄液を供給して、供給された洗浄液で満たされた洗浄槽に基板Ｗを浸漬して洗浄を行う基板処理装置に本発明を適用してもよい。また、第１実施例のように１枚づつ処理を行う枚葉式の基板処理装置に本発明を適用してもよいし、複数枚の基板を収容したカセット（キャリア）を上述した洗浄槽に浸漬するバッチ式の基板処理装置に本発明を適用してもよい。
【００３５】
上述した第１実施例では、洗浄処理のみを行う基板処理装置を例に採って説明したが、洗浄処理を含んだ一連の基板処理を行う基板処理装置に、本発明を適用してもよい。下記の第２実施例に、上述した基板処理の一例として、フォトレジスト膜を基板に塗布形成して、塗布されたその基板に対して露光処理を行い、さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ処理を示す。
【００３６】
〔第２実施例〕
第２実施例に係る基板処理装置は、上述したようにフォトリソグラフィ処理を行うための装置である。図４は、第２実施例に係る基板処理装置の平面ブロック図である。なお、第１実施例と共通する箇所については、同符号で付して、その説明については省略する。
【００３７】
第２実施例に係る基板処理装置は、図４に示すように、インデクサ２１とプロセスユニット２２とインターフェイス２３とから構成されている。第２実施例の場合には、インターフェイス２３は、レジスト塗布および現像処理などを行うプロセスユニット２２と、基板の露光処理を行う外部処理装置としての露光ユニット２４（例えば、ステップ露光を行うステッパなど）とを連結するように構成されている。
【００３８】
次に、インデクサ２１の具体的構成について説明する。インデクサ２１は、カセット載置台２５とインデクサ用搬送経路２６とから構成されている。カセット載置台２５は、複数枚（例えば２５枚）の未処理の基板Ｗまたは処理済の基板Ｗを収納したカセットＣが複数個（図１では４個）載置可能に構成されている。図示を省略するインデクサ用搬送機構は、昇降移動および搬送経路２６上を図４中の矢印の方向に水平移動することで、カセット載置台２５上のカセットＣとプロセスユニット２２との間で基板Ｗの受け渡しを行うことができるように構成されている。
【００３９】
次に、インターフェイス２３の具体的構成について説明する。インターフェイス２３は、インデクサ用搬送経路２６と同じくインターフェイス用搬送経路２７とから構成されている。図示を省略するインターフェイス用搬送機構は、昇降移動および搬送経路２７上を図４中の矢印の方向に水平移動することで、プロセスユニット２２と露光ユニット２４との間で基板Ｗの受け渡しを行うことができるように構成されている。
【００４０】
次に、プロセスユニット２２の具体的構成について説明する。プロセスユニット２２は、複数個（図４では２個）のスピンコータ（Ｓｐｉｎ  Ｃｏａｔｅｒ）２８と複数個の（図４では２個）のスピンデベロッパ（Ｓｐｉｎ  Ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ）２９とプリベーク（Ｐｒｅ  Ｂａｋｅ）やポストベーク（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）を行うベークエリア３０と現像液を供給する現像液供給装置（タンク）などや上述した純水供給タンク７を内蔵した内蔵物エリア３１とから構成されている。
【００４１】
プロセスユニット２２内の図示を省略する搬送機構は、昇降移動および水平移動することで、インデクサ２１とスピンコータ２８とスピンデベロッパ２９とベークエリア３０とインターフェイス２３との各間で基板Ｗの受け渡しをそれぞれ行うことができるように構成されている。
【００４２】
スピンコータ２８は、フォトレジスト膜を基板Ｗに塗布形成するためのユニットであり、スピンデベロッパ２９は、露光処理後で、かつ露光加熱後の基板Ｗに対して現像処理を行うためのユニットである。スピンコータ２８，スピンデベロッパ２９は、後述するレジストノズル４１や現像ノズル４２を除いて、すなわち、スピンコータ２８ではフォトレジスト液を供給し、スピンデベロッパ２９では現像液を供給している点を除いて、ほぼ同様の構成からなる。ただし、スピンデベロッパ２９は、上述した洗浄ノズル４を備えているが、スピンコータ２８は、洗浄ノズル４を備えていない。スピンコータ２８，スピンデベロッパ２９は、上述したスピンチャック１，回転軸２，電動モータ３，および飛散防止カップ５などを備えて、それぞれ構成されている。
【００４３】
スピンコータ２８は、上述した構成の他に、フォトレジスト液を吐出するレジストノズル４１を備えている。スピンデベロッパ２９は、上述した構成や洗浄ノズル４の他に現像液を吐出する現像ノズル４２を備えている。なお、図示を省略するが、洗浄液としてリンス液を基板Ｗの端縁に向けて吐出することで端縁に付着したフォトレジスト液や汚れを洗浄除去するエッジリンス用のノズルや、リンス液を基板Ｗの裏面に向けて吐出することで裏面に付着したフォトレジスト液や汚れを洗浄除去するバックリンス用のノズルなどを備えてもよい。また、これらのノズルについても、スピンデベロッパ２９の洗浄ノズル４のように、純水の供給方向に対して上手側から順にスローリークバルブおよび吐出バルブを供給管に対して直列に配設して構成してもよい。
【００４４】
なお、第２実施例の場合には、スピンコータ８は２個分配設されているので、一方を、基板Ｗ上に形成されたフォトレジスト膜からの光の反射を防止するために下地用の反射防止膜（Ｂｏｔｔｏｍ  Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  Ｃｏａｔｉｎｇ）を基板Ｗに塗布形成するユニットに設定し、他方を、フォトレジスト膜を基板Ｗに塗布形成するユニットに設定してもよい。また、反射防止膜を塗布形成する機能とフォトレジスト膜を塗布形成する機能とを両スピンコータ８の少なくとも一方に兼用させてもよい。
【００４５】
また、内蔵物エリア３１とスピンデベロッパ２９との間には、上述した供給管６が配設されているとともに、純水の供給方向に対して上手側から順にスローリークバルブ８および吐出バルブ９（図４では図示省略）が供給管６に対して直列に配設されている。この供給管６は、下手側においてスピンデベロッパ２９の洗浄ノズル４に接続されている。同様に、内蔵物エリア３１とスピンコータ２８との間には、供給管４３が配設されており、この供給管４３はフォトレジスト液の供給方向に対して下手側においてスピンコータ２８のレジストノズル４１に接続されている。この他に、内蔵物エリア３１とスピンデベロッパ２９との間には、供給管４４が配設されており、この供給管４４は現像液の供給方向に対して下手側においてスピンデベロッパ２９の現像ノズル４２に接続されている。
【００４６】
スピンコータ２８において、スピンチャック１に保持されて回転している基板Ｗの中心に向けてレジストノズル４１からフォトレジスト液を吐出することで、基板Ｗの遠心力によりフォトレジスト膜が基板Ｗの中心から全面にわたって塗布形成される。スピンデベロッパ２９において、このスピンチャック１に保持されて回転している基板Ｗに向けて現像ノズル４３から現像液を吐出することで、現像処理を行う。現像処理が終了すれば、スピンチャック１に保持されて回転している基板Ｗの中心に向けて洗浄ノズル４を吐出することで、洗浄処理を行う。洗浄処理を行っていない間は、上述したスローリーク状態および供給停止状態とを繰り返す。
【００４７】
ベークエリア３０は、図示を省略する熱処理炉や、その熱処理炉の光入射窓を光が透過して熱処理炉内の基板Ｗを加熱（ベーク）するランプユニットなどから構成されている。ベークエリア３０は、上述したプリベークやポストベークを行う。ここで、『プリベーク』とは、塗布形成された基板Ｗ、すなわち露光処理前の基板Ｗを加熱することをいい、『ポストベークユニット』とは、露光処理後の基板Ｗを加熱することをいう。
【００４８】
次に、第２実施例に係る一連の基板処理は以下のようにして行われる。すなわち、カセットＣをカセット載置台２５に載置し、図示を省略するインデクサ用搬送機構が昇降移動およびインデクサ用搬送経路２６上を図４中の矢印の方向に水平移動することで、カセットＣ内に収容された１枚の未処理の基板Ｗをプロセスユニット２２内の図示を省略する搬送機構に渡す。この搬送機構は、昇降移動および水平移動することで、その基板Ｗをスピンコータ２８内に搬入する。
【００４９】
搬入の際には、スピンコータ２８内のスピンチャック１に基板Ｗを水平姿勢に載置することで基板Ｗを保持し、基板Ｗを水平面内に回転させる。このスピンチャック１に保持されて回転している基板Ｗの中心に向けてレジストノズル４１からフォトレジスト液を吐出することで、基板Ｗの遠心力によりフォトレジスト膜が基板Ｗの中心から全面にわたって塗布形成される。
【００５０】
基板Ｗの塗布処理が終了すれば、基板Ｗに塗布形成されたフォトレジスト膜中の溶媒を揮発させるために、プリベーク処理をベークエリア３０にて行う。プロセスユニット２２内の図示を省略する搬送機構は、塗布形成された基板Ｗについて、スピンコータ２８からベークエリア３０に受け渡しを行うことで、その基板Ｗをベークエリア３０内に搬入する。
【００５１】
搬入後、プリベーク処理をベークエリア３０にて行う。基板Ｗのプリベーク処理が終了すれば、プロセスユニット２２内の図示を省略する搬送機構は、プリベーク処理後の基板Ｗをベークエリア３０から搬出し、この搬送機構は、昇降移動および水平移動することで、その基板Ｗを、図示を省略するインターフェイス用搬送機構に渡す。この搬送機構は、昇降移動およびインターフェイス用搬送経路２７上を図４中の矢印の方向に水平移動することで、その基板Ｗを露光ユニット２４内に搬入する。搬入後は、露光ユニット２４にて露光処理を行う。
【００５２】
基板Ｗの露光処理が終了すれば、露光によって発生したフォトレジスト膜中の酸から触媒反応を誘起させるために、ポストベーク処理をベークエリア３０にて行う。インターフェイス用搬送機構は、露光処理後の基板Ｗを露光ユニット２４から搬出し、昇降移動およびインターフェイス用搬送経路２７上を図４中の矢印の方向に水平移動することで、その基板Ｗを、プロセスユニット２２内の図示を省略する搬送機構に渡す。この搬送機構は、昇降移動および水平移動することで、その基板Ｗをベークエリア３０内に搬入する。
【００５３】
搬入後、プリベーク処理と同じく、ポストベーク処理をベークエリア３０にて行う。基板Ｗのポストベーク処理が終了すれば、現像処理をスピンデベロッパ２９にて行う。プロセスユニット２２内の搬送機構はベークエリア３０から搬出し、昇降移動および水平移動することで、その基板Ｗをスピンデベロッパ１２内に搬入する。
【００５４】
搬入の際には、スピンデベロッパ２９内のスピンチャック１に基板Ｗを水平姿勢に載置することで基板Ｗを保持する。そして、塗布処理と同じく、このスピンチャック１に保持されて回転している基板Ｗに向けて現像ノズル４２から現像液を吐出することで、現像処理が行われる。なお、現像処理を、回転する基板Ｗの中心に向けて現像ノズル４２から現像液を吐出することで行ってもよいし、基板Ｗの直径と同等以上の吐出幅を有する現像ノズルを、回転または静止中の基板Ｗ上で走査させながら現像液を吐出するスキャン現像方式で行ってもよい。
【００５５】
基板Ｗの現像処理が終了すれば、基板Ｗに付着した現像液を洗浄するために、スピンデベロッパ２９内の洗浄ノズル６から基板Ｗに向けて純水を供給する。なお、洗浄処理を行っていない間は、上述したスローリーク状態と供給停止状態とを繰り返す。例えば、上述した第１実施例のように繰り返す。基板Ｗの洗浄が終了すれば、再度、スローリーク状態と供給停止状態とを繰り返す。
【００５６】
一方、処理済の基板Ｗについては、図示を省略する搬送機構はスピンデベロッパ２９から搬出し、昇降移動および水平移動することで、その基板Ｗをインデクサ用搬送機構に渡す。この搬送機構は、昇降移動およびインデクサ用搬送経路２６上を図４中の矢印の方向に水平移動することで、カセット載置台２５に載置されたカセットＣに処理済の基板Ｗを収容する。カセットＣに複数枚（例えば２５枚）の処理済の基板Ｗを収納した後、そのカセットＣをインデクサ２１から払い出すことで一連の基板処理が終了する。
【００５７】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００５８】
（１）上述した第２実施例では、洗浄処理を含んだ一連の基板処理として、フォトリソグラフィ処理を例に採るとともに、その一連のフォトリソグラフィ処理中の現像処理において行う洗浄処理について本発明を適用したが、洗浄液を基板に供給して基板の洗浄処理を行うものであれば、これに限定されない。例えば、塗布処理においてエッジリンスやバックリンスなどの洗浄処理について本発明を適用してもよいし、フォトリソグラフィ処理以外の一連の基板処理中の洗浄処理について本発明を適用してもよい。また、エッジリンスやバックリンスの場合には、基板に洗浄液以外の処理液を供給しつつ、基板の別の箇所に洗浄液を供給して、基板処理と基板の洗浄処理とを並行に行っているが、このように基板への洗浄液の供給処理は、基板に洗浄液を供給して基板の洗浄処理のみを行うものに限定されない。
【００５９】
（２）上述した第１，第２実施例では、洗浄液として純水を例に採って説明したが、純水に限定されず、酸，アルカリ，およびオゾンを純水に溶解したオゾン水などに例示されるように、基板処理において通常用いられる洗浄液であれば、特に限定されない。
【００６０】
（３）上述した第１，第２実施例では、スローリークバルブ８を、エアーが供給されているときにはバルブが開く方向に駆動し、エアーが供給されていないときにはバルブが閉じる方向に駆動するように構成されたエアーバルブ、すなわちノーマルクローズ（ＮＣ）型のエアーバルブで構成し、下手側にある吐出バルブ９を、エアーが供給されているときにはバルブが閉じる方向に駆動し、エアーが供給されていないときにはバルブが開く方向に駆動するように構成されたエアーバルブ、すなわちノーマルオープン（ＮＯ）型のエアーバルブで構成したが、これに限定されない。例えば、スローリークバルブ８をＮＯ型のエアーバルブで、吐出バルブ９をＮＣ型のエアーバルブでそれぞれ構成してもよいし、両バルブ８，９をともに、ＮＯ型またはＮＣ型のバルブでそれぞれ構成してもよい。
【００６１】
（４）上述した第１，第２実施例では、スローリークバルブ８および吐出バルブ９を、エアーによって調節するエアーバルブで構成したが、電気で作動させる電磁弁など、洗浄液の流量の調節において通常用いられる調節手段であれば、特に限定されない。
【００６２】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、基板への洗浄液の供給処理を行っていない間は、供給管内を流れる洗浄液の流量を基板への洗浄液の供給処理時よりも十分に小さな流量にするスローリーク状態と、洗浄液の供給を停止する供給停止状態とに切り換えるので、洗浄液の使用量を抑えつつ、基板に悪影響を及ぼさないことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施例に係る基板処理装置の概略側面図である。
【図２】第１実施例装置のバルブの配列図である。
【図３】バルブの開閉状況と洗浄処理および切り換え対象の２つの状態とに関する対応図である。
【図４】第２実施例に係る基板処理装置の平面ブロック図である。
【符号の説明】
１  …  スピンチャック
２  …  回転軸
３  …  電動モータ
４  …  洗浄ノズル
６  …  供給管
８  …  スローリークバルブ
９  …  吐出バルブ
１０  …  コントローラ
【図１】
2004273801.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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