(57)【要約】【課題】記録再生分離型磁気ヘッドは、環境温度の変化に起因する熱変形により、浮上面へ再生ヘッド素子が突出する。【解決手段】記録再生分離型磁気ヘッドは、基板２１の上に設けられた下部シールド２３及び上部シールド２８の間に磁気抵抗効果膜２５及び該磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極２６を有する磁気抵抗効果型ヘッド１１と、磁気抵抗効果型ヘッド１１の上部シールド２８の上に分離膜２９を介して設けられた下部磁極３１及び上部磁極３５の間に磁気ギャップ膜３２及び層間絶縁膜３４を介してコイル３３を有する誘導型薄膜磁気ヘッド１２とを具備し、前記下部シールド２３の膜厚と上部シールド２８の膜厚の和が０．４μｍ以上３．４μｍ未満に設定される。【選択図】  図１
2004247001.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に設けられた下部シールド及び上部シールドの間に磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極を有する磁気抵抗効果型ヘッドと、該磁気抵抗効果型ヘッドの上部シールドの上に絶縁膜を介して設けられた下部磁極及び上部磁極の間に磁気ギャップ膜及び層間絶縁膜を介してコイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッドとを具備し、前記下部シールドの膜厚と上部シールドの膜厚の和が０．４μｍ以上３．４μｍ未満であることを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項２】
基板の上に設けられた下部シールド及び上部シールドの間に磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極を有する磁気抵抗効果型ヘッドと、該磁気抵抗効果型ヘッドの上部シールドの上に絶縁膜を介して設けられた下部磁極及び上部磁極の間にギャップ膜及び層間絶縁膜を介してコイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッドとを具備し、前記下部シールドの膜厚と上部シールドの膜厚の和が０．４μｍ以上前記下部磁極の膜厚未満であることを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項３】
前記下部シールドの膜厚と上部シールドの膜厚の和が１．５μｍ未満であることを特徴とする請求項２記載の記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項４】
基板の上に設けられた下部シールド及び上部シールドの間に磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極を有する磁気抵抗効果型ヘッドと、該磁気抵抗効果型ヘッドの上部シールドの上に絶縁膜を介して設けられた下部磁極及び上部磁極の間にギャップ膜及び層間絶縁膜を介してコイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッドとを具備し、前記下部シールドの膜厚と上部シールドの膜厚はそれぞれ０．２μｍ以上前記下部磁極の膜厚未満であることを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項５】
前記下部シールドの膜厚と上部シールドの膜厚は２．０μｍ未満であることを特徴とする請求項４記載の記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項６】
基板の上に設けられた下部シールド及び上部シールドの間に磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極を有する磁気抵抗効果型ヘッドと、該磁気抵抗効果型ヘッドの上部シールドの上に絶縁膜を介して設けられた下部磁極及び上部磁極の間に磁気ギャップ膜及び層間絶縁膜を介してコイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッドとを具備し、前記下部磁極の浮上面側には記録トラック幅を規定するトリミング部を有し、前記上部磁極の浮上面側には前記下部磁極のトリミング部に対向する先端部を有し、前記下部シールドの膜厚と上部シールドの膜厚の和が０．４μｍ以上３．４μｍ未満であることを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項７】
基板の上に設けられた下部シールド及び上部シールドの間に磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極を有する磁気抵抗効果型ヘッドと、該磁気抵抗効果型ヘッドの上部シールドの上に絶縁膜を介して設けられた下部磁極及び上部磁極の間に磁気ギャップ膜及び層間絶縁膜を介してコイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッドとを具備し、前記下部磁極の浮上面側には記録トラック幅を規定するトリミング部を有し、前記上部磁極の浮上面側には前記下部磁極のトリミング部に対向する先端部を有し、前記下部シールドの膜厚と上部シールドの膜厚の和が０．４μｍ以上以上前記下部磁極の膜厚未満であることを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項８】
前記下部シールドの膜厚と上部シールドの膜厚の和が１．５μｍ未満であることを特徴とする請求項７記載の記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項９】
基板の上に設けられた下部シールド及び上部シールドの間に磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極を有する磁気抵抗効果型ヘッドと、該磁気抵抗効果型ヘッドの上部シールドの上に絶縁膜を介して設けられた下部磁極及び上部磁極の間に磁気ギャップ膜及び層間絶縁膜を介してコイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッドとを具備し、前記下部磁極の浮上面側には記録トラック幅を規定するトリミング部を有し、前記上部磁極の浮上面側には前記下部磁極のトリミング部に対向する先端部を有し、前記下部シールドの膜厚と上部シールドの膜厚はそれぞれ０．２μｍ以上前記下部磁極の膜厚未満であることを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記下部シールドの膜厚と上部シールドの膜厚は２．０μｍ未満であることを特徴とする請求項９記載の記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項１１】
基板の上に設けられた下部シールド及び上部シールドの間に磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極を有する磁気抵抗効果型ヘッドと、該磁気抵抗効果型ヘッドの上部シールドの上に絶縁膜を介して設けられた主層と薄膜上層を有する下部磁極及び上部磁極の間に磁気ギャップ膜及び層間絶縁膜を介してコイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッドとを具備し、前記下部シールドの膜厚と上部シールドの膜厚の和が０．４μｍ以上前記下部磁極主層の膜厚未満であることを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項１２】
基板の上に設けられた下部シールド及び上部シールドの間に磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極を有する磁気抵抗効果型ヘッドと、該磁気抵抗効果型ヘッドの上部シールドの上に絶縁膜を介して設けられた主層と薄膜上層を有する下部磁極及び上部磁極の間に磁気ギャップ膜及び層間絶縁膜を介してコイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッドとを具備し、前記下部シールドの膜厚と上部シールドの膜厚はそれぞれ０．２μｍ以上前記下部磁極主層の膜厚未満であることを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項１３】
基板の上に設けられた下部シールド及び上部シールドの間に磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極を有する磁気抵抗効果型ヘッドと、該磁気抵抗効果型ヘッドの上部シールドの上に絶縁膜を介して設けられた主層と薄膜上層を有する下部磁極及び上部磁極の間に磁気ギャップ膜及び層間絶縁膜を介してコイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッドとを具備し、前記下部磁極上層の浮上面側には記録トラック幅を規定するトリミング部を有し、前記上部磁極の浮上面側には前記下部磁極のトリミング部に対向する先端部を有し、前記下部シールドの膜厚と上部シールドの膜厚の和が０．４μｍ以上３．４μｍ未満であることを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項１４】
基板の上に設けられた下部シールド及び上部シールドの間に磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極を有する磁気抵抗効果型ヘッドと、該磁気抵抗効果型ヘッドの上部シールドの上に絶縁膜を介して設けられた主層と薄膜上層を有する下部磁極及び上部磁極の間に磁気ギャップ膜及び層間絶縁膜を介してコイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッドとを具備し、前記下部磁極上層の浮上面側には記録トラック幅を規定するトリミング部を有し、前記上部磁極の浮上面側には前記下部磁極のトリミング部に対向する先端部を有し、前記下部シールドの膜厚と上部シールドの膜厚の和が０．４μｍ以上前記下部磁極主層の膜厚未満であることを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項１５】
前記下部シールドの膜厚と上部シールドの膜厚の和が１．５μｍ未満であることを特徴とする請求項１４記載の記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項１６】
基板の上に設けられた下部シールド及び上部シールドの間に磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極を有する磁気抵抗効果型ヘッドと、該磁気抵抗効果型ヘッドの上部シールドの上に絶縁膜を介して設けられた主層と薄膜上層を有する下部磁極及び上部磁極の間に磁気ギャップ膜及び層間絶縁膜を介してコイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッドとを具備し、前記下部磁極上層の浮上面側には記録トラック幅を規定するトリミング部を有し、前記上部磁極の浮上面側には前記下部磁極のトリミング部に対向する先端部を有し、前記下部シールドの膜厚と上部シールドの膜厚はそれぞれ０．２μｍ以上前記下部磁極主層の膜厚未満であることを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。
【請求項１７】
前記下部シールドの膜厚と上部シールドの膜厚は２．０μｍ未満であることを特徴とする請求項１６記載の記録再生分離型磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ディスク装置に用いる記録再生分離型磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気ディスク装置の大容量化に伴い、記録密度が年々高まっている。また、装置は小型かつ高速化が要求されている。これらの要求を満たす為に現在の磁気ディスク装置は、記録再生分離型磁気ヘッドの磁気抵抗効果膜にＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）膜を採用し、記録トラック幅は０．４μｍ、磁気ヘッドと記録媒体との間隙（以下浮上量という）は１５ｎｍ程度にまで低減している。
【０００３】
高密度記録の達成にはヘッドの低浮上化は不可欠である。しかし、低浮上化にともない、ヘッドの変形が大きな問題となりつつある。薄膜磁気ヘッド素子は線膨張係数などの熱力学的物質の異なる複数の部材から構成されるため、環境温度の変化により熱変形する。この熱変形により、記録媒体に対向する薄膜磁気ヘッドの浮上面に部分的な突出が発生し、記録媒体と接触することで磁気ヘッド素子が破壊されるという問題が生じる。
【０００４】
特許文献１には誘導型薄膜磁気ヘッドではあるが、少なくとも上部絶縁層（層間絶縁層）を７０〜１００°Ｃの低いガラス転移点を有する樹脂、多孔質体、ポリイミドで構成して高湿時の熱変形を低減し、あるいは動作状態と同じ高温でヘッドの浮上面を研磨して、動作時の浮上面の変形を防ぐ発明が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−３０６２１５号公報（第４−６頁、図１−図３、図６）
【０００６】
【発明が解決しようとしている課題】
図７に上部シールドと下部磁極が絶縁体の分離膜で分離された記録再生分離型磁気ヘッド１の構造を示す。再生用ＧＭＲヘッド２は所望信号以外の磁界を排除する上部シールド２８および下部シールド膜２３、所望信号を検出するＧＭＲ膜２５および該ＧＭＲ膜２５に電流を流すための電極２６、上部ギャップ膜２７および下部ギャップ膜２４等から構成される。一方、記録用誘導型薄膜磁気ヘッド３は記録磁界を発生する下部磁極３１および上部磁極３５、磁気ギャップ膜３２、信号電流を印加するコイル３３および層間絶縁膜３４等からなる。これらヘッド１を構成する膜は、絶縁膜２２が積層された基板２１の上に作製される。さらに、ヘッド素子全体は保護膜３６で被覆される。
【０００７】
発明者らの熱変形シミュレーションにより、環境温度の変化による記録再生分離型磁気ヘッドの浮上面熱変形は下部シールド２３と上部シールド２８で最大となること、また、シールドの全膜厚の影響が支配的であることが明らかになった。すなわち、図７に示すように下部シールド２３と上部シールド２８の間の再生素子部分が浮上面に突出（ｄ）しているのである。この問題を解決するためには、熱力学的物性値の近い構造体から薄膜磁気ヘッド素子を構成すれば良いと考えられるが、現実的にはこのような材料の選択は困難である。そこで、薄膜磁気ヘッド素子の部材の配置や寸法などの形状的な熱変形低減手段が必要となる。
【０００８】
本発明の目的は、環境温度の変化に起因する熱変形による浮上面への再生ヘッド素子の突出を低減した記録再生分離型磁気ヘッドを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の記録再生分離型磁気ヘッドは、基板の上に設けられた下部シールド及び上部シールドの間に磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極を有する磁気抵抗効果型ヘッドと、磁気抵抗効果型ヘッドの上部シールドの上に絶縁膜を介して設けられた下部磁極及び上部磁極の間に磁気ギャップ膜及び層間絶縁膜を介してコイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッドとを具備し、前記下部シールドの膜厚と上部シールドの膜厚の和が０．４μｍ以上３．４μｍ未満に設定される。
【００１０】
また、上記目的を達成するために本発明の記録再生分離型磁気ヘッドは、基板の上に設けられた下部シールド及び上部シールドの間に磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極を有する磁気抵抗効果型ヘッドと、磁気抵抗効果型ヘッドの上部シールドの上に絶縁膜を介して設けられた下部磁極及び上部磁極の間にギャップ膜及び層間絶縁膜を介してコイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッドとを具備し、前記下部シールドの膜厚と上部シールドの膜厚の和が０．４μｍ以上前記下部磁極の膜厚未満に設定される。
【００１１】
さらに、前記下部シールドの膜厚と上部シールドの膜厚の和は１．５μｍ未満に設定される。
【００１２】
上記目的を達成するために本発明の記録再生分離型磁気ヘッドは、基板の上に設けられた下部シールド及び上部シールドの間に磁気抵抗効果膜及び該磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極を有する磁気抵抗効果型ヘッドと、磁気抵抗効果型ヘッドの上部シールドの上に絶縁膜を介して設けられた下部磁極及び上部磁極の間にギャップ膜及び層間絶縁膜を介してコイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッドとを具備し、前記下部シールドの膜厚と上部シールドの膜厚はそれぞれ０．２μｍ以上前記下部磁極の膜厚未満に設定される。
【００１３】
さらに、前記下部シールドの膜厚と上部シールドの膜厚は２．０μｍ未満に設定される。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の一実施例による上部シールド／下部磁極分離型、記録再生分離型磁気ヘッド１０の構成を示す一部断面斜視図である。再生用磁気抵抗効果型（ＧＭＲ）ヘッド１１は所望信号以外の磁界を排除する上部シールド２８および下部シールド膜２３、所望信号を検出するＧＭＲ膜２５および該ＧＭＲ膜２５に電流を流すための電極２６、上部ギャップ膜２７および下部ギャップ膜２４等から構成される。一方、記録用誘導型薄膜磁気ヘッド１２は記録磁界を発生する下部磁極３１および上部磁極３５、磁気ギャップ膜３２、信号電流を印加するコイル３３および層間絶縁膜３４等からなる。下部磁極３１は高透磁率材の主層と飽和磁束密度の高い薄膜の上層で構成され、上層の浮上面側には記録トラック幅を規定するトリミング部３１ａが形成されている。もちろん下部磁極３１は単一膜で構成されても良いし、下部磁極３１の上層が主層と異なり浮上面近傍に部分的に構成されても良い。上部磁極３５の先端にも下部磁極３１のトリミング部３１ａに対向し記録トラック幅を規定する上部磁極先端部３５ａが形成されている。これらヘッド１０を構成する膜は、絶縁膜２２が積層された基板２１の上に作製される。さらに、ヘッド素子全体は保護膜３６で被覆される。
【００１５】
本実施例では、薄膜磁気ヘッド素子の部材の配置や寸法等の形状的な熱変形低減手段として、上部シールド２８の膜厚ｔＵＬＳと下部シールド２３の膜厚ｔＬＳＬの和（全シールド膜厚）を現状磁気ヘッドの全シールド膜厚である約３．４μｍよりも薄くしている。図２に下部シールド２３と上部シールド２８で挟まれる再生素子部分の浮上面熱変形突出量ｄを示すが、横軸は全シールド膜厚（μｍ）、縦軸は最大突出量（ｎｍ）であり、全シールド膜厚を現状磁気ヘッドの約３．４μｍから１．１μｍ程度まで薄くすると、熱変形による浮上面の突出量ｄは半減する。
【００１６】
図２からシールドの膜厚を薄くするほど浮上面熱変形は低減することが分かる。しかしながら、シールド膜厚が薄すぎるとシールド本来の機能である、再生ギャップを構成し、シールド間にある再生素子に侵入する余分な磁界を低減する、という効果が損なわれる。
【００１７】
図３にシールド外縁での侵入磁界減衰率を示すが、横軸は個々のシールド膜厚（μｍ）、縦軸は侵入磁界減衰率（％）であり、上部シールド２８の膜厚ｔＵＳＬおよび下部シールド２３の膜厚ｔＬＳＬそれぞれが０．２μｍよりも薄くなるとシールド外縁からの侵入磁界が急激に増加することが分かる。このことは、再生特性に悪影響を及ぼすことを意味する。したがって、浮上面熱変形突出低減とシールド本来の機能を両立させるには、上部シールド２８の膜厚ｔＵＳＬおよび下部シールド２３の膜厚ｔＬＳＬをそれぞれ０．２μｍ以上にする必要がある。
【００１８】
シールド膜厚を薄くして浮上面熱変形低減を図る観点から見ると、浮上面熱変形全体に占めるシールドの影響が２次要因となる条件が必要である。シールドと同様に広い平面形状を有し、シールドと同様な浮上面熱変形突出が生じると考えられる下部磁極３１は、記録磁界を確保するために膜厚ｔＬＰ１を１．５μｍ〜２．０μｍ以下に薄くすることは困難である。この下部磁極３１の膜厚ｔＬＰ１よりも上部シールド２８および下部シールド２３それぞれの膜厚を薄くしないと、浮上面熱変形全体に占めるシールドの影響を２次的なものにし、シールドによる充分な浮上面熱変形低減効果を実現できない。したがって、シールド膜厚を薄くして得られる浮上面熱変形低減効果を有効なものにするためには、上部シールド２８の膜厚ｔＵＳＬと下部シールド２３の膜厚ｔＬＳＬを共に下部磁極３１の膜厚ｔＬＰ１（１．５μｍ〜２．０μｍ）よりも薄くする必要がある。
【００１９】
一方、環境温度の変化による浮上面熱変形では、上部シールド２８、下部シールド２３および下部磁極３１と、上部磁極３５の２箇所で突出傾向が見られる。熱変形シミュレーションによる部位別浮上面熱変形突出量を図４に示すが、横軸は全シールド膜厚（μｍ）、縦軸は浮上面熱変形突出量（ｎｍ）であり、上下シールド２８、２３および下部磁極３１の突出量を上部磁極３５の突出量よりも少なくするには、全シールド膜厚を１．５μｍよりも薄くする必要がある。
【００２０】
以上を整理すると、浮上面熱変形突出低減効果を奏するための上部シールド２８、下部シールド２３および下部磁極３１の膜厚の関係は次のようになる。
（１）０．４μｍ≦全シールド膜厚（ｔＵＳＬ＋ｔＬＳＬ）＜３．４μｍ
（２）０．４μｍ≦全シールド膜厚（ｔＵＳＬ＋ｔＬＳＬ）＜下部磁極膜厚ｔＬＰ１
（３）０．４μｍ≦全シールド膜厚（ｔＵＳＬ＋ｔＬＳＬ）＜１．５μｍ
（４）０．２μｍ≦上部シールド膜厚ｔＵＳＬ、下部シールド膜厚ｔＬＳＬ＜下部磁極膜厚
ｔＬＰ１
図１に示される記録再生分離型磁気ヘッド１０の全体構成を図５に示す。スライダ２０の端部に基板２１が接合され、基板２１の端面に再生用ＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド１１と記録用誘導型薄膜磁気ヘッド１２が形成される。スライダ２０と基板２１は同一の部材で構成することも可能である。
【００２１】
次に、図１に示される本実施例の記録再生分離型磁気ヘッド１０の製造方法を説明する。
（１）  基板２１はＡｌ２Ｏ３ＴｉＣを焼結したものである。先ず、基板２１上に絶縁膜２２を形成する。絶縁膜２２はＡｌ２Ｏ３膜でスパッタリング法で形成した。膜厚は２μｍである。
（２）  この絶縁膜２２の膜厚が約１μｍになるまで絶縁膜２２の表面を研磨する。これにより、Ａｌ２Ｏ３ＴｉＣ基板１の空孔にはＡｌ２Ｏ３が埋め込まれ、表面は平滑になる。
（３）  引き続き下部シールド膜２３を絶縁膜２２の上に形成する。材料はＮｉＦｅである。ここではホトレジスト膜をマスクとしためっき法で形成した。膜厚は０．７μｍである。
（４）  さらに下部ギャップ膜２４をスパッタリング法で形成する。膜厚は０．１μｍ、材料はＡｌ２Ｏ３である。成膜後、信号入出力用端子の形成に必要なスルーホール等を形成した。パターニングは、ホトレジスト膜をマスクとしたイオンミリング法で行った。
（５）  続いて信号検出にもっとも重要なＧＭＲ膜３５を成膜する。ＧＭＲ膜３５はスパッタリング法で形成した。ＧＭＲ膜はＣｏＦｅ薄膜を自由層としたスピンバルブ膜である。その後、所定形状にパターニングした。パターニングは、上記同様にイオンミリング法である。
（６）  ＧＭＲ膜３５の両端および下部ギャップ膜２４の上に電極２６をリフトオフ法で形成する。材料は、Ｔａ／ＴａＷ合金積層膜である。膜厚は、それぞれ０．３μｍ／０．０１μｍである。
（７）  引き続き、上部ギャップ膜２７をスパッタリング法で形成する。膜厚は０．１μｍ、材料はＡｌ２Ｏ３である。成膜後、スルーホール等の形成を行った。パターニングは、ホトレジスト膜をマスクとしたイオンミリング法で行った。
（８）  さらに、上部ギャップ膜２７の上に上部シールド膜２８を形成する。形成方法はホトレジスト膜をマスクとしためっき法である。材料は、下部シールド膜２３と同じＮｉＦｅ合金である。膜厚は０．７μｍである。上部シールド膜２８の上面は研磨等の方法で平坦にすることが望ましい。
【００２２】
以上（１）〜（８）の工程で、再生用のＧＭＲヘッド１１が形成される。引き続き、記録用誘導型薄膜磁気ヘッド１２の製造工程を説明する。
（９）  はじめに、記録用誘導型薄膜磁気ヘッド１２と再生用ＧＭＲヘッド１１とを磁気的に隔てる分離膜２９を形成する。ここでは、膜厚約０．５μｍのＡｌ２Ｏ３薄膜とした。成膜はスパッタリング法である。これにより、記録磁界が直接ＧＭＲヘッド１１に印加されることがなくなり、ＧＭＲヘッド１１の電気特性が安定化する。
（１０）  次に、下部磁極３１をホトレジスト膜をマスクとしためっき法で形成する。材料は、下側の主層がＮｉＦｅ合金、上層の薄膜が強い記録磁界の発生が可能なＣｏＮｉＦｅ合金である。主層の膜厚は１．５μｍ、上層の膜厚は０．２μｍである。上層の浮上面側を記録トラック幅と同じ幅（０．３μｍ）にイオンミリングでトリミングした。
（１１）  続いて磁気ギャップ膜３２をスパッタリング法で形成する。材料はＡｌ２Ｏ３薄膜で、膜厚は約０．１μｍである。
（１２）引き続きコイル３３を層間絶縁膜３４の中に形成する。コイル３３はＣｕでホトレジスト膜をマスクとしためっき法で形成した。コイル３３の巻数は２段で９ターンである。層間絶縁膜３４はホトレジストをスピン塗布し、高温度で加熱処理することで内蔵ガスを放出させ、熱的に安定化させた。
（１３）  さらに上部磁極３６をめっき法により形成する。材料は、ＮｉＦｅ合金である。上部磁極３６の媒体対向面側にはトラック幅が０．３μｍの上部磁極先端部３５ａを形成した。上部磁極先端部３５ａの材料は、強い記録磁界の発生が可能なＣｏＮｉＦｅ合金である。
（１４）  これまで積層したヘッド素子の上に保護膜３６をスパッタリング法で形成する。成膜膜厚は６０μｍで、研磨により最終的に５０μｍとした。
（１５）  最後に図示はしていないが信号入出力用の端子を形成する。
【００２３】
以上によりＧＭＲヘッド１１および誘導型薄膜磁気ヘッド１２からなる記録再生分離型磁気ヘッド１０が完成する。この記録再生分離型磁気ヘッド１０は環境温度の上昇による熱変形が少なく、したがって、熱変形による浮上面へのヘッド素子の突出を低減できる。
【００２４】
図６に上記記録再生分離型磁気ヘッド１０を搭載した磁気ディスク装置の構成を示す。記録再生分離型磁気ヘッド１０はジンバル８に支持され、ジンバル８はロードビーム７に固定される。ロードビーム７はキャリッジ４に取付けられる。磁気ディスク２はスピンドル３に装着され回転される。スピンドル３とキャリッジ４はベース５に取付けられている。制御回路６からの指示によりキャリッジ４が駆動し、ロードビーム７を回転制御する。ロードビーム７にジンバル８を介して取付けられている記録再生分離型磁気ヘッド１０は、磁気ディスク２の半径方向に移動され任意の記録トラックに位置決めされ、情報の記録・再生を行う。
【００２５】
この磁気ディスク装置は、上記のとおり本発明の実施例による浮上面へのヘッド素子の突出が少ない記録再生分離型磁気ヘッド１０を搭載しているので、記録再生分離型磁気ヘッド１０と磁気ディスク２の衝突を回避できる信頼性の高い磁気ディスク装置となる。
【００２６】
【発明の効果】
以上の説明のとおり本発明によれば、環境温度の変化に起因する熱変形による浮上面への再生ヘッド素子の突出を低減した記録再生分離型磁気ヘッドを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の一実施例による記録再生分離型磁気ヘッドの一部断面斜視図である。
【図２】図２は記録再生分離型磁気ヘッドの環境温度変化による浮上面熱変形突出量を示す図である。
【図３】図３は記録再生分離型磁気ヘッドのシールド外縁での侵入磁界減衰率を示す図である。
【図４】図４は記録再生分離型磁気ヘッドの環境温度変化による部位別浮上面熱変形突出量を示す図である。
【図５】図５は本発明の一実施例による記録再生分離型磁気ヘッドの全体構成図である。
【図６】図６は本発明の一実施例による記録再生分離型磁気ヘッドが搭載された磁気ディスク装置の構成図である。
【図７】図７は従来の記録再生分離型磁気ヘッドの一部断面図である。
【符号の説明】
１０  記録再生分離型磁気ヘッド
２１  基板                          ２２  絶縁膜
２３  下部シールド                  ２４  下部ギャップ膜
２５  ＧＭＲ膜                      ２６  電極
２７  上部ギャップ膜                ２８  上部シールド
２９  分離膜                        ３１  下部磁極
３１ａ  トリミング部                ３２  磁気ギャップ膜
３３  コイル                        ３４  層間絶縁膜
３５  上部磁極                      ３５ａ  上部磁極先端部
３６  保護膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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