(57)【要約】【課題】結晶化促進層としてＢｉ系材料を用いた初期化不要メディアでも、長期保管後に記録特性が悪化しないことを目的とすること。【解決手段】少なくとも誘電体層と結晶化促進層と記録層と反射層とを有する光情報記録媒体において、結晶化促進層の主成分がＢｉであり、且つ、結晶化促進層と接する層の少なくとも片側の層は、硫黄元素を含有しないことを特徴とする光情報記録媒体。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも誘電体層と結晶化促進層と記録層と反射層とを有する光情報記録媒体において、結晶化促進層の主成分がＢｉであり、且つ、結晶化促進層と接する層の少なくとも片側の層は、硫黄元素を含有しないことを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】
基板上に、第１の誘電体層、結晶化促進層、記録層、第２の誘電体層、反射層が形成された光情報記録媒体において、第１の誘電体層に硫黄を含有しないことを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項３】
第１の誘電体層が多層構造であり、結晶化促進層と接する層に硫黄を含有しないことを特徴とする請求項２に記載の光情報記録媒体。
【請求項４】
基板上に、反射層、第１の誘電体層、結晶化促進層、記録層、第２の誘電体層が形成された光情報記録媒体において、第１の誘電体層に硫黄を含有しないことを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項５】
第１の誘電体層が多層構造であり、結晶化促進層と接する層に硫黄を含有しないことを特徴とする請求項４に記載の光情報記録媒体。
【請求項６】
硫黄を含有しない層が、ＳｉＯｘ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物の単体もしくは混合物であることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の光情報記録媒体。
【請求項７】
硫黄を含有しない層が、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ、ＧｅＮｘ等の窒化物の単体もしくは混合物であることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の光情報記録媒体。
【請求項８】
硫黄を含有しない層が、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物の単体もしくは混合物であることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の光情報記録媒体。
【請求項９】
硫黄を含有しない層が、ＳｉＯｘ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ、ＧｅＮｘ等の窒化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物の二種類以上を含むことを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の光情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、初期化操作が不要で、保存信頼性に優れた光情報記録媒体に関するものであり、光記録ディスクに応用される。
【０００２】
【従来の技術】
レーザビーム照射による情報の記録、再生および消去が可能な光情報記録媒体として、結晶状態と非晶質（アモルファス）状態の可逆的相変化を利用した相変化型光情報記録媒体が知られている。
【０００３】
（相変化記録材料について）
現在、相変化記録媒体に応用されている記録材料は、上記の、空間群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ３Ｔｅ相を有することを特徴とするＳｂ３Ｔｅ系材料（特許文献１）と、昇温時にｈｃｐ→ｆｃｃの転移を起こすことを特徴とするＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３共晶組成付近のＧｅＳｂＴｅ系材料の２種である。
【０００４】
（記録メディアの製造について）
（初期化工程の必要性）
現在、相変化記録媒体に応用されている前記２種の記録材料は、記録媒体製造工程における記録層成膜工程終了時は、アモルファスである。そのため、成膜工程終了直後の記録メディアの反射率は５％未満であるため市販の読みとりドライブでの読みとりが不可能である。
【０００５】
（現状の初期化工程）
そこで、記録層を高反射率の結晶膜とするためのレーザーアニール工程、いわゆる初期化工程を行なう必要がある。初期化では、記録ディスク半径方向に１００μｍ〜２００μｍの長さを持つ半導体レーザーを使用している。初期化工程はディスクを回転させると同時に、半導体レーザーを半径方向に送ることにより行なう。レーザーアニール結晶化を均一に行なうためには、同一の個所を複数回照射する速度でレーザーを送る必要があり、同一個所を２〜３回照射する速度で送るのが通常である。ＤＶＤでは、半径方向に１００μｍの長さのレーザーを１回転あたり３６μｍ送る速さで行なう。それゆえ、初期化時間は１枚あたり１００秒以上の時間を要している。他工程のプロセス時間との兼ね合いから、１０台以上の初期化装置が必要である。さらに、同一個所を複数回照射する方法においても、半導体レーザーのディスク半径方向の強度プロファイルを厳しく管理する必要がある。ＤＶＤでは、半径方向の出力強度回帰式から強度が１０％以上ズレる個所がある場合、均質初期化が不可能となる。また、ＤＶＤ−ＲＷは、初期化に適したレーザー出力の範囲が最適出力＋−５％未満のマージンである。前記のレーザー強度プロファイルの許容範囲と伴に、初期化に適したレーザー出力の範囲は記録密度が高くなるほど狭くなってゆく。
【０００６】
（レーザー初期化の問題点）
ＤＶＤ以上の記録密度では、レーザー初期化のプロセスマージンが狭いため、多数台の初期化機により量産する場合、号機間での、レーザー出力差や、レーザー出力プロファイルの管理等が煩雑になり、良品を安定して生産することが困難である。
【０００７】
（初期化レスの従来技術）
Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅを記録層主成分とし、結晶化促進層にＢｉ等含む相変化型光情報記録媒体に関する特許文献２記載の技術では、上記、初期化工程の省略のため、カルコゲン系材料に対するＢｉ原子の結晶化促進効果を利用することを開示している。すなわち、記録媒体成膜工程において、Ｂｉ薄膜を成膜して、その直上にＧｅＳｂＴｅ系記録層を成膜することにより、成膜終了時に結晶化している記録層を得ることができる。そのときの成膜温度は４５℃〜１１０℃としている。また、空間群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ３Ｔｅ相を有する記録層にＢｉを含む結晶化促進層を設けることにより、複雑なライトストラテジを使用せずに高密度記録が可能な初期化工程不要光情報記録媒体を実現しているものがある（特許文献３参照。）。
【０００８】
（初期化レス従来技術の問題点）
前記初期化不要メディア技術において、実施例として開示されているメディア層構成は、ポリカーボネイト基板／ＺｎＳ．ＳｉＯ２／Ｂｉ／記録材料／ＺｎＳ．ＳｉＯ２／Ａｌのような構成である。ここで、ＺｎＳ．ＳｉＯ２は、熱に関する特性の優位性から、現状、相変化記録媒体に最も多く利用されている材料である。特に、ＺｎＳ．ＳｉＯ２を用いることにより１０００回以上の多数回の書き換えが可能となっている。
特許文献４には、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる下部誘電層、Ｇｅ１２Ｓｂ３９Ｔｅ４９の組成を有する光学記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる上部誘電層、Ａｌ反射層、保護板からなる構造の光情報記録媒体が記載されており、特許文献５には、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる下部誘電層、Ａｇ９．１Ｓｂ５８．３Ｔｅ２７．５Ｉｎ４．４Ｖ０．７の組成からなる記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる上部誘電層、Ａｌ−Ｎｉの反射層、ＵＶ硬化樹脂層からなる光情報記録媒体が記載されており、前記特許文献２には、ＳｉＯ２，ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる第１の誘電層、ＢｉまたはＢｉ化合物からなる結晶化促進層、記録層、ＳｉＯ２，ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる第２の誘電層、及び反射層からなる光情報記録媒体が記載されており、特許文献６及び特許文献７には、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる誘電層、Ｂｉからなる結晶化促進層、光学記録層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる第２の誘電層、ＵＶ硬化樹脂層からなる光情報記録媒体が記載されており、特許文献８には、記録層の両側に接してＺｎ及びＳを含む結晶化促進層を配置することが記載されている。
ここで、上記従来技術におけるＢｉを含む初期化不要メディアの場合、保管時にＢｉが硫化する、すなわち、３ＺｎＳ＋２Ｂｉ→３Ｚｎ＋Ｂｉ２Ｓ３反応が起こる。そのため、ＺｎＳ．ＳｉＯ２の熱に関する性質が変化する。具体的な特性の変化の１例として、熱伝導率が高くなる。このため、上記従来技術で開示されているメディア構造においては、繰り返し記録特性が、保管後で悪化することがＢｉを使用しないレーザー初期化メディアと比して著しく大きい。
Ｂｉの硫化により、ＺｎＳ．ＳｉＯ２の熱特性変動による記録特性悪化は、薄い方のＺｎＳ．ＳｉＯ２がＢｉと接する場合である、基板／Ａｌ／ＺｎＳ．ＳｉＯ２／Ｂｉ／記録層／ＺｎＳ．ＳｉＯ２のメディア構成の場合には更に深刻である。著しい場合は、室温において、１ヶ月保管で記録不可能となることがある。
【０００９】
また、本発明の出願人は、ＢｉＧｅを結晶化促進層とし、製造直後の記録層に存在する以上の不純物が記録後の記録層に存在するようになる相変化記録媒体に関する出願（特許文献９）を出願中である。
【００１０】
【特許文献１】
特開２０００−４３４１５号公報
【特許文献２】
ＷＯ９８／４７１４２号国際公開明細書（第１１頁第１７〜２２行目）
【特許文献３】
特開２００２−２１１６号公報
【特許文献４】
特許第２７７３４８０号公報（第４頁第７欄第２５〜第３６行目の段落［００１９］）
【特許文献５】
特許第２９９００３６号公報（第９頁第１７欄第４３行目〜第１８欄第２６行目の段落［００８９］〜［００９５］）
【特許文献６】
特開平１１−９６５９６４号公報（第３頁第４欄第２４〜第３５行目の実施例１）
【特許文献７】
特開平１１−９６５９６５号公報（第３頁第４欄第４３〜第４頁第５欄第３行目の実施例１）
【特許文献８】
特開平１１−３３９３１１号公報（第２頁第２欄第３１〜３３行目の請求項１９）
【特許文献９】
特願２００１−２７３４０６号明細書（特許請求の範囲）
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明は、結晶化促進層としてＢｉ系材料を用い初期化不要で、長期保管後にも記録特性が悪化しないメディアを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、本発明の（１）「少なくとも誘電体層と結晶化促進層と記録層と反射層とを有する光情報記録媒体において、結晶化促進層の主成分がＢｉであり、且つ、結晶化促進層と接する層の少なくとも片側の層は、硫黄元素を含有しないことを特徴とする光情報記録媒体」；
（２）「基板上に、第１の誘電体層、結晶化促進層、記録層、第２の誘電体層、反射層が形成された光情報記録媒体において、第１の誘電体層に硫黄を含有しないことを特徴とする前記第（２）項に記載の光情報記録媒体。
（３）「第１の誘電体層が多層構造であり、結晶化促進層と接する層に硫黄を含有しないことを特徴とする前記第（２）項に記載の光情報記録媒体」；
（４）「基板上に、反射層、第１の誘電体層、結晶化促進層、記録層、第２の誘電体層が形成された光情報記録媒体において、第１の誘電体層に硫黄を含有しないことを特徴とする前記第（１）項に記載の光情報記録媒体」；
（５）「第１の誘電体層が多層構造であり、結晶化促進層と接する層に硫黄を含有しないことを特徴とする前記第（４）項に記載の光情報記録媒体」；
（６）「硫黄を含有しない層が、ＳｉＯｘ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物の単体もしくは混合物であることを特徴とする前記第（１）項乃至第（５）項の何れかに記載の光情報記録媒体」：
（７）「硫黄を含有しない層が、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ、ＧｅＮｘ等の窒化物の単体もしくは混合物であることを特徴とする前記第（１）項乃至第（５）項の何れかに記載の光情報記録媒体」；
（８）「硫黄を含有しない層が、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物の単体もしくは混合物であることを特徴とする前記第（１）項乃至前記第（５）項の何れかに記載の光情報記録媒体」；
（９）「硫黄を含有しない層が、ＳｉＯｘ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ、ＧｅＮｘ等の窒化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物の二種類以上を含むことを特徴とする前記第（１）項乃至第（５）項の何れかに記載の光情報記録媒体」により達成される。
【００１３】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の特徴は、Ｂｉ系材料を結晶化促進層として用いる、初期化工程不要光情報記録媒体において、少なくとも片方のＢｉと接する層に硫黄元素を含有しない光情報記録媒体である。本発明においては、特にＢｉと接する誘電体層に硫黄を含まないことから、Ｂｉの硫化が原因で起こる熱に関する特性の劣化がない。それゆえ、保管後の記録特性の変動がＢｉ系材料を用いない光情報記録媒体と同等である。
本発明に用いる記録材料としては、現在実用化されている、空間群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ３Ｔｅ相を有することを特徴とするＳｂ３Ｔｅ系材料及び、昇温時にｈｃｐ→ｆｃｃの転移を起こすことを特徴とするＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３共晶組成付近のＧｅＳｂＴｅ系材料の何れでも可能である。記録の高密度化には、前者のＳｂ３Ｔｅ系材料が望ましい。
Ｂｉ系結晶化促進層は、記録状態安定化材料を１種以上を含有することが望ましく、最も望ましい材料はＧｅもしくはＩｎである。
更に、結晶化促進層には、融点調整、記録層と溶融混合時の結晶化速度調整、等のために更なる不純物元素を添加する場合もある、不純物元素として使用可能な材料は、Ａｇ、Ｂ、Ｃａ、Ｃｄ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｈ、Ｈｇ、Ｉｒ、Ｋ、Ｌａ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎａ、Ｎｉ、Ｏ、Ｐ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｐｏ、Ｐｒ、Ｐｔ、Ｐｕ、Ｒｂ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｓｒ、Ｔｈ、Ｔｉ、Ｔｌ、Ｕ、ＣｌおよびＢｒ等が挙げられる。
上記結晶化促進層は、基板上で完全に連続な薄膜とならなくても良い。すなわち、成膜膜厚が質量膜厚で１ｎｍ程度の場合は、不連続な多数の島状になっている。成膜膜厚が増加すると、前記島同士がつながり、基板上で完全な薄膜となる。本発明においては、前記島状をも微視的な意味で結晶化促進層という。
【００１４】
本発明による光情報記録媒体の一例を図１に示す。（１）が基板、第１の誘電体層が多層であり、（２）が第１の誘電体層１、（３）が第１の誘電体層２、（４）が結晶化促進層、（５）が記録層、（６）が第２の誘電体層、（７）が反射放熱層、（８）は必要に応じて反射放熱層の上に設けられる有機保護層である。なお、図では、光情報記録媒体の情報基板側のみを示している。
【００１５】
基板の材料は、ほとんどの場合ポリカーボネートが使用される。
基板厚さは、１ｍｍ厚以上の場合と、約０．６ｍｍの基板に図１の層を形成した後、他の０．６ｍｍ基板を貼り合わせて約１．２ｍｍとする場合があり、本発明における基板厚の許容誤差は、２．０ｍｍ厚以上の場合±０．３ｍｍ、１．０ｍｍ厚の場合±０．２ｍｍ、０．６ｍｍ厚の場合±０．２ｍｍである。
基板には、溝が形成してあり、その深さは２００Å〜４５０Å程度である。溝のピッチはＤＶＤ互換メディアとして使用する場合０．７４μｍである。このピッチを、０．３μｍ程度まで微細化すると、青色発光のレーザーを使うことにより、半径１２０ｍｍのディスク上で２０ＧＢ以上の記録が可能である。
【００１６】
本発明において、第１の誘電体層１および第２の誘電体層としては、ＳｉＯｘ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の窒化物、ＺｎＳ、ＴａＳ４等の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物が挙げられる。これらの材料は、単体で保護層として用いることができ、また、混合物として用いることもできる。例えば、混合物としては、ＺｎＳとＳｉＯｘ等、熱的性質、光学的性質を最適にするように硫黄を含有する材料を含んで自由に選択することが出来る。
第１の誘電体層１の膜厚は、５０〜２５０ｎｍの範囲が好ましい。５０ｎｍより薄くなると、耐環境性保護機能の低下、耐熱性低下、畜熱効果の低下となり好ましくない。２５０ｎｍより厚くなると、スパッタ法等による製膜過程において、膜温度の上昇により膜剥離やクラックが生じたり、記録時の感度の低下をもたらすので好ましくない。第２の誘導体層の膜厚は１５〜５０ｎｍが好ましい。第２の誘電体層の場合、１０ｎｍより薄いと耐熱性が低下し好ましくない。逆に、１００ｎｍを越えると、記録感度の低下、温度上昇による膜剥離、変形、放熱性の低下により、繰り返しオーバーライト特性が悪くなる。
Ｂｉ系結晶化促進層と接する、第１の誘電体層２は、硫黄を含まない材料、すなわち、ＳｉＯｘ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ、ＧｅＮｘ等の窒化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物の単体もしくは混合物により形成される。
第１の誘電体層２の膜厚は２ｎｍ以上且つ、第１の誘電体層１と第１の誘電体層２の膜厚合計が２５０ｎｍ以下となることが好ましい。２ｎｍ未満となるとＢｉが第１の誘電体層１中の硫黄と反応することを完全になくすことが出来ない。
【００１７】
反射放熱層（６）としては、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｐｂ等の金属を主とした材料の単体または合金を用いることができる。この層は、熱を効率的に放散させることが重要であり、膜厚は５０〜１６０ｎｍが好ましい。膜厚が厚すぎると、放熱効率が大きすぎて感度が悪くなり、薄すぎると感度は良好であるが、繰り返しオーバーライト特性が悪くなる。特性としては、熱伝導率が高く、高融点で保護層材料との密着性がよいことなどが要求される。
【００１８】
図２に、基板を通さず、薄いカバー層を通して記録再生する場合の層構成を示す。それぞれの層の材料は、図１の場合と同様である。
上記材料および構成による光情報記録媒体は、例えば、波長が６３５あるいは６５０ｎｍの半導体レーザーで、ＮＡ０．６のピックアップを用い記録再生することができる。記録方法としては、例えば、Ｐｕｌｓｅ  Ｗｉｄｔｈ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎで変調コードがＥＦＭ又はＥＦＭ＋［８／１６ＲＬＬ（２，１０）］方式等を用いることができる。この場合、パルスは先頭パルスとその後のマルチパルス部に分かれる。マルチパルス部は、加熱、冷却を繰り返し行なうためのものである。この場合、各パワーの関係は、加熱（記録）パワー＞消去パワー＞冷却パワーとなっていて、冷却パワーは読み出しパワー程度まで下げる。通常、線速は３．５〜８．５ｍ／ｓ、読み出しパワーは１ｍＷ以下で行なう。
【００１９】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づき説明する。
（実施例１〜４、比較例）
０．６ｍｍ厚、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板（以下ＰＣ基板）上に、６個の成膜室と１個の温度制御室を有する成膜装置においてスパッタリング法により以下１．〜６．の薄膜を形成する。
１．（第１誘電体層１）材料ＺｎＳ・ＳｉＯ２（ｍｏｌ比７９．５：２０．５）：７０ｎｍ
２．（第１誘電体層２）材料を（表１）に記載、膜厚５ｎｍ
３．（結晶化促進層）：材料Ｂｉ３Ｇｅ２：１．５ｎｍ
４．（記録層）：材料Ｓｂ７８Ｔｅ２２：１５ｎｍ
５．（第２誘電体層）：材料ＺｎＳ・ＳｉＯ２（ｍｏｌ％比７９．５：２０．５）：１２ｎｍ
６．（反射放熱層）：ターゲットＡｌ：１４０ｎｍ
基板温度制御室は記録層成膜室の前に設けており、基板に接触させた熱電対が１００℃となるようにＩＲランプ出力を制御して、熱電体によるモニター温度が安定した後に基板を記録層成膜室に搬送している。記録層成膜室での、基板温度を測定すると６７℃であった。成膜終了後、ＵＶ硬化樹脂をスピンコートした後、ＵＶ光照射により硬化形成させた。このようにして製造した基板を、他の厚さ０．６ｍｍ基板と貼り合わせて約１．２ｍｍ厚とした。
波長６６０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップヘッドを使用して、直径１２０ｍｍディスク上で４．７ＧＢとなる記録密度相当の記録を行なった。
記録特性中、ジッターは、記録マークとスペースの境界の読み出し時間のズレの標準偏差を、読み出しクロック１周期時間で除した値（単位％）であり、実用上９％以下であることが必要である。
表１に製造直後の繰り返し記録特性を、表２に８０℃、５０時間保管後の繰り返し記録特性を示す。
【００２０】
【表１】
2004171623.tif 000003
【００２１】
【表２】
2004171623.tif 000004
【００２２】
比較例の記録媒体は、製造直後には８．５ｍ／ｓ記録で繰り返し１０００回まで可能であったが、８０℃、５０時間保管後には記録不可となったのに対して、（実施例１）〜（実施例４）では繰り返し記録特性に変化はなかった。
第１の誘電体層２材料が酸化物の実施例１、第１の誘電体層２材料が炭化物の実施例３では、１４ｍ／ｓの高速記録時の繰り返し記録特性が優れている。
第１の誘電体層２材料が窒化物の実施例２は、８．５ｍ／ｓ記録時に繰り返し可能記録回数が優れている。
第１の誘電体層２材料が、酸化物と窒化物の混合である実施例４は、単体で使用時の中間的な特性となる。
【００２３】
【発明の効果】
以上、詳細かつ具体的な発明から明らかなように、本発明の請求項１により、Ｂｉが硫化することにより、Ｂｉと接する層の熱的性質が変化することがないため、記録媒体を長期間保管した後もその記録特性が製造直後と変化することがない。
また、本発明の請求項２、４により、第１の誘電体層には硫黄を含有しないため、Ｂｉが存在しても保管時にその熱的性質が変化することがない。そのため、記録媒体を長期間保管した後もその記録特性が製造直後と変化することがない。
また、本発明の請求項３、５により、第１の誘電体層が多層であり、Ｂｉと接する層に硫黄を含有しない構造を取ることにより、Ｂｉと接する層以外には硫黄を含むことができるので材料設計の自由度が大幅に拡大する。特に、相変化光情報記録媒体の誘電体層として優れているＺｎＳを使用することが可能となる。
また、本発明の請求項６、８により、８ｍ／ｓ〜１５ｍ／ｓの広い線速度範囲での記録が可能となる。
また、本発明の請求項７により、最適記録速度における繰り返し記録可能回数が多い。
また、本発明の請求項９により、酸化物、窒化物、炭化物のそれぞれの優位な特性を併せ持つ。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による光情報記録媒体の一例を示した図である。
【図２】本発明による光情報記録媒体の一例を示した別の図である。
【符号の説明】
１  基板
２  第１の誘電体層１
３  第１の誘電体層２
４  結晶化促進層
５  記録層
６  第２の誘電体層
７  反射放熱層
８  保護層
９  基板
１０  反射放熱層
１１  第１の誘電体層１
１２  第１の誘電体層２
１３  結晶化促進層
１４  記録層
１５  第２の保護層
１６  カバー層
【図１】
2004171623.tif 000005
【図２】
2004171623.tif 000006