(57)【要約】【課題】ウエハ工程の仕掛かり品を少なくして、生産リードタイムが徒に長くなることを防ぎ、半導体チップを適切に生産することができるようにした基板処理容器および基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理容器１０は、内壁面に耐プラズマ処理が施された容器本体１１と、基板Ｓを載置するステージ１３とが一体的に形成された構成を有している。基板処理容器１０を冷却ステージ２４上にセットし、蓋体１５を介してマイクロ波を導入すると共にガスバルブ１７から反応ガスを導入し、内部でプラズマＰを発生させて基板Ｓに対してプラズマ処理を行う。容器本体１１は、内部を真空に保持され、搬送可能であるので、基板搬送容器と処理室とを兼ねることができる。基板処理容器１０は、ゲートバルブ１９を介して外部の処理室に接続し、ロードロック室として用いることもできる。【選択図】　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内壁面に耐プラズマ処理が施されると共に内部が真空に保持される、搬送可能な容器本体と、
この容器本体と一体的に形成され、プラズマ処理用の基板が載置されるステージと
を備えたことを特徴とする基板処理容器。
【請求項２】
前記容器本体は、前記容器本体の内部を密閉する蓋体を備え、前記蓋体は、マイクロ波を透過可能な材料により構成されている
ことを特徴とする請求項１記載の基板処理容器。
【請求項３】
前記容器本体は、
外部から反応ガスを導入するポートと、
外部の真空排気系に接続可能な配管ポートと
を備えたことを特徴とする請求項１記載の基板処理容器。
【請求項４】
前記ステージは、前記基板を機械的または静電的に固定する機構を備えた
ことを特徴とする請求項１記載の基板処理容器。
【請求項５】
前記ステージは、導電性材料により構成されると共に前記容器本体とは電気的に絶縁されており、前記ステージに外部の高周波電源を接続することによって前記容器本体の内部でプラズマを発生させる
ことを特徴とする請求項１記載の基板処理容器。
【請求項６】
前記ステージは、導電性材料により構成されると共に前記容器本体とは電気的に絶縁され、前記ステージの底面は、前記容器本体の外部に露出しており、前記ステージの底面を外部の恒温装置によって温度調節されたプレートに接触させることによって前記基板の温度を制御可能である
ことを特徴とする請求項１記載の基板処理容器。
【請求項７】
前記容器本体は、外部の処理室に接続可能なゲートバルブを備え、前記ゲートバルブを介して、前記外部の処理室を真空に維持しつつ前記基板を出し入れ可能である
ことを特徴とする請求項１記載の基板処理容器。
【請求項８】
前記容器本体の底面に、位置決め用のピンまたはピンホールが設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の基板処理容器。
【請求項９】
前記容器本体は、ハニカム構造によって構成されている
ことを特徴とする請求項１記載の基板処理容器。
【請求項１０】
内壁面に耐プラズマ処理が施された容器本体とステージとが一体的に形成された基板処理容器の前記ステージに、プラズマ処理用の基板を載置し、
前記容器本体の内部でプラズマを発生させて前記基板に対してプラズマ処理を行う
ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１１】
前記ステージの底面を前記容器本体の外部に露出するように形成し、前記ステージの底面を外部の恒温装置によって温度調節されたプレートに接触させることによって前記基板の温度を制御する
ことを特徴とする請求項１０記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記基板処理容器を、ゲートバルブを介して外部の処理室に接続し、前記外部の処理室を真空に維持しつつ前記基板を出し入れする
ことを特徴とする請求項１０記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路などの電子デバイスの生産および製造に用いられる基板処理容器および基板処理方法に係り、特に電子デバイスの多品種少量生産に好適な基板処理容器および基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体技術および集積化技術の進展によって、近年では、あらゆる種類の電子回路が半導体チップとして構成され、機器に組み込まれており、機器の信頼性の向上、小型化および低価格化に貢献している。
【０００３】
半導体チップのウエハ工程では、ウエハを搬送するため、基板収納容器が用いられている。従来では、例えばＳＭＩＦ（Ｓｔａｎｄａｒｄ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ　）システムで用いられる密閉型の基板収納容器に関して、容器内部を真空に引き、またはガスで封止することによって、パーティクルを除去または自然酸化膜の生成を防止するようにしたものがある（例えば、特許文献１参照）。また、このような密閉式の基板収納容器に洗浄機能を付与し、容器内の清浄度の劣化を防止するようにしたものも提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−１５５８３号公報
【特許文献２】
特開平１１−２７４２８２号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
半導体チップは製造工程が長く複雑であり、生産リードタイムが通常１ヶ月以上と長い。特にウエハ工程は、多数の工程を含み、生産リードタイムに大きく影響する。最近ではセット製品の寿命が短命化する傾向にあり、セット製品の製造現場からは、時宜に応じて必要な半導体チップを必要なだけ供給してほしいという要求が高まっている。そこで、半導体チップを製造する側では、大量の仕掛かり品（中間在庫）を製造工程内にもち、需要を予測し、受注状況を見極めつつ生産を行っている。ところが、このような大量の仕掛かり品をもつ生産方法では、結果として効率よく半導体チップを生産できない場合があり、改善が求められている。
【０００６】
例えば、ウエハ工程において大量の仕掛かり品をもって受注に備えようとすると、まず第一に、複雑な工程の全体に亘って仕掛かり状況を平準化するようなウエハの流し方のルールを決めることが難しい。第二に、製造設備の価格が高く、生産高を上げて投資の回収を少しでも早く行う必要があるので、同一製品をまとめて処理する傾向になっており、勢い１ロットを構成するウエハの数を増やすことになる。しかしながら、流し方のルール無しに、多数のウエハを１ロットとするバッチ処理を行うと、ともすれば特定の工程に過剰な仕掛かり品が集中しやすくなる。そのため、必然的に生産リードタイムが更に長くなってしまい、それ故、需要予測を外れるロットも多くなってしまうという問題を生じる。一旦需要予測が外れた場合には、中間在庫の不良償却あるいは評価減をしなければらず、大きな損失となる上、結果として、適切に供給された半導体製品の単価を上げることにもなっている。
【０００７】
さらに、一旦ウエハ工程に製品が仕掛かると、受注情報の精度の高い製品から優先して処理に着手している。このことが更に現場を混乱させ、ウエハ工程のただでさえ長い生産リードタイムに、いっそう大きなばらつきを発生させてしまうという問題も生じる。
【０００８】
そして、このような状況のもとでは、エンドユーザーに対する半導体チップの供給も大まかに行われ、１回当りの納入量も多くなりがちである。そのため、部品類の在庫を少なくしようとしているセット事業所などに対して適切に部品を供給することができない。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、ウエハ工程の仕掛かり品を少なくして、生産リードタイムが徒に長くなることを防ぎ、時宜に応じて必要な半導体チップを適切な量だけ生産することができるようにした基板処理容器および基板処理方法を提供することにある。
【００１０】
本発明による基板処理容器は、内壁面に耐プラズマ処理が施されると共に内部が真空に保持される、搬送可能な容器本体と、この容器本体と一体的に形成され、プラズマ処理用の基板が載置されるステージとを備えたものである。ここで、一つの基板処理容器に収容される基板の数は、最近のウエハの大口径化に伴うロット編成の縮小に対応して、例えば１枚ないし数枚程度とすることが可能である。また、容器本体は、外部の処理室に接続可能なゲートバルブを備え、ゲートバルブを介して、外部の処理室を真空に維持しつつ基板を出し入れ可能であることが好ましい。
【００１１】
本発明による基板処理方法は、内壁面に耐プラズマ処理が施された容器本体とステージとが一体的に形成された基板処理容器のステージに、プラズマ処理用の基板を載置し、容器本体の内部でプラズマを発生させて基板に対してプラズマ処理を行うようにしたものである。ここで、一つの基板処理容器に収容される基板の数は、最近のウエハの大口径化に伴うロット編成の縮小に対応して、例えば１枚ないし数枚とすることが可能である。また、基板処理容器を、ゲートバルブを介して外部の処理室に接続し、外部の処理室を真空に維持しつつ基板を出し入れすることが好ましい。
【００１２】
本発明による基板処理容器および基板処理方法では、基板は、ステージに載置され、容器本体の内部を真空に保持したまま搬送される。また、基板は、容器本体の内部で発生させられたプラズマによって、容器本体の内部に収容したままでプラズマ処理を施される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理容器の断面構造を表すものである。この基板処理容器１０は、例えば、半導体チップのウエハ工程において、ウエハの搬送および処理に用いられるものである。基板処理容器１０は、例えば、円筒形の容器本体１１の底面に、絶縁材１２を介してステージ１３を一体的に形成したものである。ステージ１３には、静電チャック１４を介して、基板Ｓが載置されている。基板Ｓは、例えばシリコン（Ｓｉ）などの半導体よりなるウエハであり、基板処理容器１０を用いたウエハ工程によって、基板Ｓ上に半導体集積回路などの電子デバイスが形成される。一つの基板処理容器１０に収容される基板Ｓの数は、最近のウエハの大口径化に伴うロット編成の縮小に対応して、例えば１枚ないし数枚とすることが可能である。
【００１５】
容器本体１１は、例えばアルミニウム（Ａｌ），セラミックス，ステンレス鋼などにより構成され、その内壁面は、プラズマによって損傷されないようなアルミアルマイトまたはセラミックスコートなどの耐プラズマ表面処理が施されている。
【００１６】
容器本体１１の上面には、蓋体１５が設けられている。蓋体１５は、Ｏリング１６を介して容器本体１１に取り付けられており、容器本体１１の内部を密閉している。これにより、容器本体１１の内部は、真空に保持されるようになっている。
【００１７】
蓋体１５は、例えば、ガラスなどのマイクロ波を透過可能な材料により構成されているようにすることが好ましい。これにより、基板収納容器１０の外部で発生させたマイクロ波を、蓋体１５を介して容器本体１１内部に導入し、このマイクロ波によって容器本体１１の内部でプラズマを発生させることができるからである。
【００１８】
容器本体１１の側面には、外部から反応ガスを導入するポートとして、例えば、回転式のガスバルブ１７が設けられている。ガスバルブ１７は、例えば、図示しない外部のガス発生装置に接続されており、外部から反応ガスを容器本体１１内に導入するものである。
【００１９】
また、容器本体１１の側面には、外部の真空排気系に接続可能な配管ポートとして、例えば、回転式の排気バルブ１８が設けられている。排気バルブ１８は、例えば、外部のドライポンプ（図１では図示せず、図２参照）に接続されており、容器本体１１内を真空に引くものである。
【００２０】
さらに、容器本体１１の側面には、回転式のゲートバルブ１９が設けられている。ゲートバルブ１９は、基板Ｓを洗浄工程または検査工程に投入する際などに基板Ｓを出し入れするためのものである。なお、基板Ｓの出し入れには、真空ロボットまたは大気ロボットなどを使用することが可能である。
【００２１】
ステージ１３は、例えばアルミニウムなどの導電性材料により構成されると共に、絶縁材１２によって容器本体１１とは電気的に絶縁されている。これにより、例えば、ステージ１３に外部の高周波電源を接続し、ステージ１３を電極として容器本体１１内部でプラズマを発生させることができるようになっている。なお、このようにステージ１３を電極として容器本体１１の内部でプラズマを発生させるようにした場合には、蓋体１５は、必ずしもガラスなどのマイクロ波を透過可能な材料により構成される必要はなく、容器本体１１と同じ材料構成とすることも可能である。
【００２２】
また、ステージ１３の底面は、容器本体１１の外部に露出していることが好ましい。これにより、基板Ｓを収容した基板処理容器１０を、例えばアルミニウムなどにより構成された冷却ステージ（図１には図示せず、図２参照）上にセットし、冷却ステージを図示しない外部の恒温装置によって温度調節し、ステージ１３の底面を冷却ステージに接触させることによって、基板Ｓの温度を制御することができるからである。こうして、後述するようにプラズマを印加して基板Ｓのエッチング工程を行っている際に、基板Ｓの温度上昇を防止して、所望のエッチング形状を得ることが出来る。
【００２３】
静電チャック１４は、ステージ１３に貼着されており、基板Ｓを静電力により吸着固定するものである。静電チャック１４は、容器本体１１の外部から高電圧を印加することができるように、外部端子１４Ａが設けられている。
【００２４】
次に、この基板処理容器１０の作用について、図２ないし図４を参照して説明する。図２ないし図４は、ウエハ工程の一部をなすものである。図２は、プラズマ処理の一例として、基板Ｓ上に形成された図示しない多結晶シリコン層のエッチング工程を行う場合を表す。図３は、図２のエッチング工程の後、プラズマ処理の他の例として、図示しないフォトレジスト層を灰化するアッシング工程を行う場合を表し、図４は、図３のアッシング工程の後、基板Ｓを搬送する場合を表す。
【００２５】
まず、図２に示した多結晶シリコン層のエッチング工程について説明する。
【００２６】
基板処理容器１０の排気バルブ１８を、図示しない外部のアクチュエータによって回転させて開の状態とし、ドライポンプ２１によって容器本体１１内を真空に引く。また、静電チャック１４の外部端子１４Ａに、直流高圧電源２２からの高電圧を印加する。
【００２７】
内部が真空に保持された基板処理容器１０を、ゲートバルブ１９を介して図示しない外部の製造装置に接続し、ゲートバルブ１９を外部のアクチュエータによって回転させて開の状態とし、真空ロボットを用いて基板Ｓを取り込む。取り込まれた基板Ｓは、静電チャック１４によってステージ１３上に固定される。基板Ｓ上には、例えば、多結晶シリコン層およびフォトレジスト層（いずれも図示せず）が形成され、フォトレジスト層は、所定のパターンに成形されている。なお、基板Ｓ上には、形成されるべき電子デバイスに応じて、他の層が形成されていてもよいことは言うまでもない。
【００２８】
基板Ｓを収容した基板処理容器１０を、外部の恒温装置（チラーユニット）２３によって所定の温度に調節された冷却ステージ２４上にセットし、ステージ１３の底面を冷却ステージ２４に接触させることによって、基板Ｓの温度を制御する。これにより、後述するようにプラズマを印加して基板Ｓのエッチング工程を行っている際に、基板Ｓの温度上昇を防止して、所望のエッチング形状を得ることが出来る。なお、冷却ステージ２４には、静電チャック１４の外部端子１４Ａに直流高圧電源２２からの直流高電圧が供給できるような接点を設けておくことが望ましい。
【００２９】
冷却ステージ２４の上方には、例えば、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ−Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ；誘導結合プラズマ）アンテナ２５および高周波電源２６が配置されている。よって、冷却ステージ２４上に基板処理容器１０をセットすると、基板処理容器１０の蓋体１５に、ＩＣＰアンテナ２５および高周波電源２６が対向する。そして、高周波電源２６によってＩＣＰアンテナ２５に高周波を印加することによって、マイクロ波を発生させ、このマイクロ波を蓋体１５を介して容器本体１１内に導入する。
【００３０】
これと同時に、ガスバルブ１７を外部のアクチュエータを使用して回転させることによって開の状態とし、例えば塩素（Ｃｌ２　）ガスなどの反応ガスを、ガスバルブ１７を介して外部のガス発生装置等から容器本体１１内に導入する。このとき、反応ガスの流量は、図示しないガス流量調整弁等によって制御されている。なお、排気バルブ１８も開の状態とし、ドライポンプ２１によって容器本体１１内を真空に引く。
【００３１】
このように、ガスバルブ１７から導入された反応ガスと、蓋体１５を介して導入されたマイクロ波とによって、容器本体１１の内部でプラズマＰを発生させ、基板Ｓに対してプラズマＰによるエッチング処理を行う。これにより、基板Ｓに形成されている多結晶シリコン層のパターニングが行われる。
【００３２】
次に、図３に示したフォトレジスト層のアッシング工程について説明する。
【００３３】
基板Ｓに対してプラズマＰによるエッチング処理を終えた後、基板処理容器１０を図２に示した冷却ステージ２４上にセットしたまま、フォトレジスト層のアッシング工程を行う。冷却ステージ２４は、外部の恒温装置（チラーユニット）２３によって所定の温度に調節する。
【００３４】
また、冷却ステージ２４をアルミニウムなどの導電性材料により構成し、冷却ステージ２４に、高周波電源３１を接続する。これにより、冷却ステージ２４を介して、ステージ１３に例えば１３．５６ＭＨｚ等の高周波を印加し、マイクロ波を発生させる。
【００３５】
これと同時に、ガスバルブ１７を外部のアクチュエータを使用して回転させることによって開の状態とし、例えば酸素（Ｏ２　）ガスなどの反応ガスを、ガスバルブ１７を介して外部のガス発生装置等から容器本体１１内に導入する。なお、排気バルブ１８も開の状態とし、ドライポンプ２１によって容器本体１１内を真空に引く。
【００３６】
このように、ガスバルブ１７から導入された反応ガスと、ステージ１３によって発生したマイクロ波とによって、容器本体１１の内部でプラズマＰを発生させ、基板Ｓに対してプラズマＰによるアッシング処理を行う。これにより、基板Ｓに形成されているフォトレジスト層を灰化させて除去する。
【００３７】
続いて、図４に示した基板Ｓの搬送について説明する。
【００３８】
ガスバルブ１７および排気バルブ１８を閉の状態とし、ドライポンプ２１、直流高圧電源２２および高周波電源３１などを取り外す。このとき、容器本体１１の内部は、真空に維持したままとする。基板処理容器１０を冷却ステージ２４上から例えば搬送用の台車４１などに移し、基板処理容器１０の内部を真空に維持したまま基板Ｓを搬送する。
【００３９】
このとき、静電チャック１４は、直前の工程（本実施の形態ではアッシング工程）で高電圧が印加され、電荷がキャンセルされていない状態であるので、基板Ｓと静電チャック１４との間では、残留電荷によって吸着状態が維持されている。よって、台車４１等によって基板処理容器１０が搬送されても、内部の基板Ｓは静電チャック１４で把持されており、移動中に基板Ｓがずれて容器本体１１の内壁面などに衝突して破損するおそれがない。
【００４０】
このように本実施の形態では、内壁面に耐プラズマ処理が施された容器本体１１と、基板Ｓを載置するステージ１３とを一体的に形成するようにしたので、容器本体１１の内部でプラズマＰを発生させて基板Ｓに対してプラズマ処理を行うことができる。また、容器本体１１は、内部が真空に保持され、搬送可能であるので、基板搬送容器と処理室とを兼ねることができる。よって、ウエハ工程において多量の仕掛かり品が特定の工程に集中してしまうことなどを防止して生産リードタイムを短縮し、需要予測外れによる損失の増大を防ぎ、半導体チップの生産および供給を適切に行うことができる。
【００４１】
また、基板処理容器１０に１枚ないし数枚程度の基板Ｓを収容し、一つの基板処理容器１０毎に１ロットとして管理すれば、基板Ｓを少ロット編成で生産ラインに流すことができ、例えば基板１枚で１ロットを構成するいわゆる１枚流しなども容易に実現することができる。よって、受注に備えて多量の仕掛かり品を製造工程にもつ必要がなくなり、今後の需要の拡大が予測される多品種少量生産に極めて好適である。
【００４２】
さらに、基板Ｓを大気中に曝さずに搬送および処理を行うことができるので、自然酸化膜の形成を抑制することができ、または空気中の水分の付着によるアルミニウム配線の腐食等を防止することができる。特に、フッ化キセノン（ＸｅＦ２　）のエッチング等のシリコンと酸化膜との高選択比を有するプロセスにおいては、インキュベーション時間を短縮することができる。
【００４３】
加えて、従来の大規模なクリーンルーム、クラスターシステムまたは各装置での真空チャンバなどが必要なくなり、装置コストおよびランニングコストの削減が可能となる。
【００４４】
［変形例］
図５は本発明の変形例に係る基板処理容器の断面構造を表すものである。この基板処理容器１０Ａは、容器本体１１の底面に、位置決め用のピン５１が設けられたことを除き、上記実施の形態で説明した基板処理容器と同一である。したがって、同一の構成要素には同一の符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００４５】
ピン５１は、基板処理容器１０Ａを例えばテーブル５２等の上で位置決めするためのものであり、テーブル５２には、ピン５１に対応するピンホール５３が設けられている。なお、ピン５１およびピンホール５３の数または位置は、図５に示した例に限られないことは言うまでもない。また、基板処理容器１０Ａには、ピンホールを設け、テーブル５２には、対応するピンを設けるようにしてもよい。
【００４６】
次に、図６を参照して、この基板処理容器１０Ａの作用を説明する。
【００４７】
図６は、例えば、図２に示したエッチング工程が終了してから、配線のＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ　Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ；最小寸法）値を測定するために、基板Ｓを基板処理容器１０Ａから取り出して、電子顕微鏡６１の測定室６２に移す場合を表している。テーブル５２上に、測定室６２と、電子顕微鏡６１に付属するロードロック室６３とが配置されている。ロードロック室６３は、内部が真空に維持され、測定室６２に接続されている。また、ロードロック室６３内には、基板Ｓを搬送するための真空ロボット６４が設けられている。
【００４８】
まず、基板処理容器１０Ａを、テーブル５２上に載置し、ピン５１をピンホール５３に合わせて位置決めすると、ゲートバルブ１９がロードロック室６３のゲートに対向する。そして、ゲートバルブ１９を図示しない外部のアクチュエータにより回転させて開の状態とし、ゲートバルブ１９を介して基板処理容器１０とロードロック室６３とを接続し、真空ロボット６４によって、基板Ｓを測定室６２内に搬送する。
【００４９】
このように本変形例の基板処理容器１０Ａは、ゲートバルブ１９を介して電子顕微鏡６１の測定室６２に接続し、測定室６２を真空に維持しつつ、基板Ｓの出し入れを可能とするようにしたので、基板処理容器１０Ａをロードロック室として用い、基板Ｓの処理時間の短縮を実現することができる。また、測定室６２に投入する際に基板Ｓが大気中に曝されて空気中の水分を吸着することがないので、自然酸化膜の生成を抑制することができ、または基板Ｓに既にアルミニウム配線などが形成されていた場合であっても、配線の腐食等の発生を防止することができる。
【００５０】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態では、容器本体１１を、アルミニウムよりなる円筒状としたが、容器本体１１を、例えば、アルミニウムのハニカム構造とすることも可能である。これにより、容器本体１１ひいては基板処理容器１０を軽量化し、搬送の利便性を高めると共に、容器本体１１の強度を向上させることができるので、好ましい。
【００５１】
また、上記実施の形態では、静電チャック１４により基板Ｓを静電的に固定するようにしたが、メカクランプなどの機械的な固定機構を設けるようにしてもよい。
【００５２】
さらに、上記実施の形態では、基板処理容器１０の作用の一例を、エッチング工程、アッシング工程、台車４１を用いての搬送、および電子顕微鏡６１の測定室６２への投入を例として説明したが、基板処理容器１０は、これらの他にも、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　；化学気相成長）またはＰＶＤ（ＰｈｙｓｉｃａｌＶａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの工程または操作にも適用可能である。
【００５３】
また、上記実施の形態では、図２ないし図４に示した工程および操作を、一連の工程および操作としてこの順に行うものとして説明したが、これらの工程または操作の全部を行う必要はなく、基板処理容器１０を使用するとしないとに関わらず他の工程または操作を追加し、または順序を変更することも可能である。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の基板処理容器、または請求項１０ないし請求項１２のいずれか１項に記載の基板処理方法によれば、内壁面に耐プラズマ処理が施された容器本体と、基板を載置するステージとを一体的に形成するようにしたので、容器本体の内部でプラズマを発生させて基板に対してプラズマ処理を行うことができる。また、容器本体は、内部が真空に保持され、搬送可能であるので、基板搬送容器と処理室とを兼ねることができる。よって、ウエハ工程において多量の仕掛かり品が特定の工程に集中してしまうことなどを防止して生産リードタイムを短縮し、需要予測外れによる損失の増大を防ぎ、半導体チップの生産および供給を適切に行うことができる。
【００５５】
この基板処理容器または基板処理方法を用いることによって、例えば、基板処理容器に１枚ないし数枚程度の基板を収容し、一つの基板処理容器ごとに１ロットとして管理すれば、基板を少ロット編成で生産ラインに流すことができ、例えば基板１枚で１ロットを構成するいわゆる１枚流しなども容易に実現することができる。よって、受注に備えて多量の仕掛かり品を製造工程にもつ必要がなくなり、今後の需要の拡大が予測される多品種少量生産に極めて好適である。
【００５６】
また、基板を大気中に曝さずに搬送および処理を行うことができるので、自然酸化膜の形成を抑制することができ、または空気中の水分の付着によるアルミニウム配線の腐食等を防止することができる。特に、フッ化キセノン（ＸｅＦ２　）のエッチング等のシリコンと酸化膜との高選択比を有するプロセスにおいては、インキュベーション時間を短縮することができる。
【００５７】
さらに、従来の大規模なクリーンルーム、クラスターシステムまたは各装置での真空チャンバなどが必要なくなり、装置コストおよびランニングコストの削減が可能となる。
【００５８】
特に、請求項７記載の基板処理容器、または請求項１２記載の基板処理方法によれば、基板処理容器の容器本体を、ゲートバルブを介して外部の処理室に接続し、外部の処理室を真空に維持しつつ基板の出し入れを可能にしたので、基板処理容器をロードロック室として用い、基板の処理時間の短縮を実現することができる。また、外部の処理室に投入する際に基板が大気中に曝されて空気中の水分を吸着することがないので、自然酸化膜の生成を抑制することができ、または基板に既にアルミニウム配線などが形成されていた場合であっても、配線の腐食等の発生を防止することができる。
【００５９】
また、特に、請求項９記載の基板処理容器によれば、容器本体をハニカム構造としたので、容器本体ひいては基板処理容器を軽量化し、搬送の利便性を高めると共に、容器本体の強度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理容器の概略構造を表す断面図である。
【図２】図１に示した基板処理容器を、多結晶シリコン層のエッチング工程に適用した場合を表す説明図である。
【図３】図１に示した基板処理容器を、アッシング工程に適用した場合を表す説明図である。
【図４】図１に示した基板処理容器を、搬送に適用した場合を表す説明図である。
【図５】本発明の変形例に係る基板処理容器の概略構成を表す断面図である。
【図６】図５に示した基板処理容器を、ロードロック室として用いた場合を表す説明図である。
【符号の説明】
１０，１０Ａ…基板処理容器、１１…容器本体、１２…絶縁材、１３…ステージ、１４…静電チャック、１４Ａ…外部端子、１５…蓋体、１６…Ｏリング、１７…ガスバルブ、１８…排気バルブ、１９…ゲートバルブ、２１…ドライポンプ、２２…直流高圧電源、２３…恒温装置（チラーユニット）、２４…冷却ステージ、２５…ＩＣＰアンテナ、２６，３１…高周波電源、４１…台車、５１…ピン、５２…テーブル、５３…ピンホール、６１…電子顕微鏡、６２…測定室、６３点ロードロック室、６４…真空ロボット、Ｐ…プラズマ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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