(57)【要約】【目的】特に第１コアと第２コアとの平面接合性を向上させることができるとともに、接着強度を均一に強くできる磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】第１コア１１に突き当て平面１４を形成し、この突き当て平面１４を第２コアの接合面に突き当てることで、第１コアと第２コア間の一部を面接触させることができるとともに、前記突き当て平面を高精度に平面加工できるため、第１コアと第２コアとの平面接合性を向上させることができる。また前記突き当て平面１４から段差を介して形成された溝部１６は一定の深さであり、前記溝部１６と第２コアの接合面間には一定の膜厚の接着層が形成されるため前記接着層は均一な接着強度を持ち、前記第１コアと第２コアとを強く接着することが可能である。【選択図】　　図２
2004118886.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜磁気ヘッドを備えた第１コアと、前記薄膜磁気ヘッドの形成面側から前記第１コアに接合された第２コアとを有し、前記第１コア及び第２コアの媒体対向面に、前記薄膜磁気ヘッドの磁気ギャップが露出する磁気ヘッドにおいて、
前記第１コアあるいは第２コアの少なくともどちらか一方の接合面には、他方の接合面側に向けて突出した少なくとも一つ以上の突き当て平面と、この突き当て平面から段差を介して一定の深さで形成された溝部とが設けられ、
前記突き当て平面と他方のコアの接合面との面どうしが突き当てられ、少なくとも前記溝部と前記他方のコアの接合面間に一定の膜厚の接着層が設けられて、前記第１コアと第２コアとが接合されていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
前記突き当て平面は、前記第１コアに形成された前記薄膜磁気ヘッドの形成領域を含有して形成される請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記接着層の膜厚は０．０５μｍ〜０．３μｍの範囲内である請求項１または２に記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ型薄膜磁気ヘッドを有して構成される請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
前記薄膜磁気ヘッド上及び前記第１コア上は絶縁材料で形成された保護膜で覆われ、この保護膜の表面が前記接合面である請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
前記接着層は、エポキシ系接着剤または低融点ガラス系接着剤によって形成されている請求項１ないし５のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項７】
以下の工程を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
（ａ）第１基板上に複数の薄膜磁気ヘッドを形成した後、前記第１基板を複数の薄膜磁気ヘッドが長手方向に一列に並んだバー状に切断して第１バーを形成する工程と、
（ｂ）第２基板をバー状に切断して第２バーを形成する工程と、
（ｃ）前記第１バーの前記薄膜磁気ヘッドの形成面側を前記第２バーとの接合面とし、前記第１バーあるいは第２バーの少なくともどちらか一方の接合面に、少なくとも一つ以上で且つ、後工程でこれらバーを個々のコアに切断したときに、前記コア内に残る位置に、突き当て平面を突出形成するとともに、この突き当て平面から段差を介して形成された溝部を一定の深さで形成する工程と、
（ｄ）少なくとも一方のバーに形成された前記突き当て平面と、他方のバーの接合面との面どうしを突き当て、各バーを互いに平行に設置するとともに、少なくとも一方のバーに形成された溝部と他方のバーの接合面間に一定の膜厚の接着層を形成し、この接着層の形成によって前記第１バーと第２バーとを接合する工程と、
（ｅ）個々の薄膜磁気ヘッド間から前記第１バーと第２バーをコア状に切断することで、前記接着層を介して接合された第１コアと第２コアとから成り、前記第１コア及び第２コアの媒体対向面に、前記薄膜磁気ヘッドの磁気ギャップが露出する磁気ヘッドを形成する工程。
【請求項８】
前記（ｃ）工程で、前記第１バーの薄膜磁気ヘッドが設けられた形成領域を含有して前記突き当て平面を形成する請求項７記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記（ｃ）工程で、前記突き当て平面を、個々の薄膜磁気ヘッドの形成領域にそれぞれ形成して、各突き当て平面間に形成される前記溝部を、媒体対向面となる前記第１バーの前端面にまで露出させる請求項８記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記（ｃ）工程で、前記突き当て平面を第１バーの長手方向に並んだ各薄膜磁気ヘッド間の領域に部分的に形成する請求項７ないし９のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記薄膜磁気ヘッドの間に部分的に形成された突き当て平面は、前記（ｅ）工程で、前記第１バーと第２バーをコア状に切断するときに、その切断線上にあり、前記切断によってすべて除去される、あるいは一部が除去されるダミーパッドである請求項１０記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記（ｃ）工程で、前記溝部の深さを０．０５μｍ〜０．３μｍの範囲内で形成することで、前記（ｄ）工程での接着層を０．０５μｍ〜０．３μｍの範囲内の膜厚で形成する請求項７ないし１１のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記（ｄ）工程で、接着剤としてエポキシ系接着剤または低融点ガラス系接着剤を選択する請求項７ないし１２のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気テープに記録信号を記録し、再生する映像機器の磁気記録再生装置、またはコンピュータ用のデータ磁気記録再生装置などを構成する磁気ヘッドに係り、特に第１コアと第２コアとの平面接合性を向上させることができるとともに、接着強度を均一に強くできる磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
映像機器での磁気記録装置、またはコンピュータ用のデータを保存する磁気記録再生装置などでは、回転ヘッド装置の回転ドラムに磁気ヘッドが搭載され、磁気テープが前記回転ドラムにヘリカル軌跡で接触して走行するとともに前記回転ドラムが回転して、磁気テープに対してヘリカルスキャン方式で記録動作が行なわれる。
【０００３】
近年、映像機器の磁気記録再生装置やコンピュータ用のデータ磁気記録再生装置などにおいて、磁気記録媒体への高記録密度化を実現するためによりトラック幅を狭くする狭トラック化や高周波化が図られている。狭トラック化のためには、磁気ギャップのトラック幅Ｔｗを小さくする必要がある。
【０００４】
そこで、狭トラック化に対応するために、薄膜形成プロセスによって形成される薄膜磁気ヘッドを用いることが提案されている。
【０００５】
図１６は従来の前記薄膜磁気ヘッドを用いた磁気ヘッドの一例を示す斜視図である。図１６に示す磁気ヘッドは、第１コア１上に再生用のＭＲ型薄膜磁気ヘッド２、記録用のインダクティブヘッド３、及び保護膜である絶縁層６が形成されており、前記絶縁層６上に接着層４によって第２コア５が接着されている。符号７は電極である。
【０００６】
図１６に示す磁気ヘッドでは、第１コア１と第２コア５との接合面１ａ、５ａ全体が平面形状であり、この接合面１ａ、５ａどうしを前記接着層４によって接合している。ところが前記第１コア１及び第２コア５の接合面１ａ、５ａは広い面積を有しているため、この接合面１ａ、５ａを高精度に平面加工することが難しく、したがって前記第１コア１と第２コア５との接合面１ａ、５ａどうしを高精度に平面接合させることができず、また平面接合性が悪いことから前記接合面１ａ、５ａ間の接着層４の膜厚が不均一になりやすく、このため接着強度が低下しやすいといった問題があった。
【０００７】
また図１６に示す磁気ヘッドでは、前記第１コア１と第２コア５との間の接着層４が媒体対向面Ｈ２Ａに露出するため、磁気テープが媒体対向面Ｈ２Ａを摺動するときに、磁気テープから磁紛が剥がれると、この磁紛が前記媒体対向面Ｈ２Ａに露出した接着層４に付着し、前記磁気ヘッドの特性を低下させる原因ともなっていた。
【０００８】
一方、図１７は特開２０００−３５７３０４公報（以下特許文献１という）に記載された図１を書き写した磁気ヘッドであり、前記磁気ヘッドの部分斜視図である。なお図１６と同じ符号が付けられる部分は図１６と同じ部分を表している。
【０００９】
特許文献１によれば、接着層４のテープ走行方向（図示Ｚ方向）の厚みが媒体対向面Ｈ３Ａからハイト方向（図示Ｙ方向）に向かうにしたがって厚くなっており、前記接着層４は前記媒体対向面Ｈ３Ａに露出していないと記載されている。
【００１０】
特許文献１では前記接着層４の厚みを前記ハイト方向にしたがって厚くするために、前記第１コア１（この公報には基板と記載されている）の第２コア５との接合面１ａに、媒体対向面Ｈ３Ａからハイト方向に離れるに従って深くなる溝部８を形成し、また前記第２コア５（この公報には保護基板と記載されている）の第１コア１との接合面５ａに、媒体対向面Ｈ３Ａからハイト方向に離れるにしたがって深くなる溝部９を形成し、前記溝部８、９間に接着剤を注入することで、前記接着層４のハイト方向への厚みを徐々に厚くしている。
【００１１】
【特許文献１】
特開２０００−３５７３０４号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら特許文献１に示す磁気ヘッドでは以下のような問題点がある。まず、図１７のように第１コア１及び第２コア５のそれぞれに媒体対向面Ｈ３Ａからハイト方向（図示Ｙ方向）に離れるにしたがって徐々に深くなる溝部８、９を形成すると、製造過程で前記第１コア１と第２コア５とを突き合わせるとき、面接触する部分がないため、高精度に前記第１コア１と第２コア５とを位置決めして接合することはできない。特に接着層４が固まるまで第１コア１と第２コア５を図１７に示す状態に治具によって高精度に支えなければならないため、治具の支え精度が非常にシビアになり、製造過程が非常に煩雑化してしまう。
【００１３】
また接着層４はハイト方向に向かうにしたがって厚くなるように形成されているため、前記接着層４の接着強度がハイト方向に向けて均一ではない。特に接着層４の膜厚が薄い媒体対向面Ｈ３ａＡ側での前記接着強度は弱くなっており、また接着層４の厚いハイト側では、前記接着層４が厚すぎると、接着強度は樹脂強度そのものであるため前記接着強度が低下しやすい傾向にある。
【００１４】
このように特許文献１の磁気ヘッドでは、第１コア１と第２コア５とを高精度に接合することは不可能で、また接着強度も不均一で弱くなりやすかった。
【００１５】
そこで本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、特に第１コアと第２コアとの平面接合性を向上させることができるとともに、接着強度を均一に強くできる磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的としている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、薄膜磁気ヘッドを備えた第１コアと、前記薄膜磁気ヘッドの形成面側から前記第１コアに接合された第２コアとを有し、前記第１コア及び第２コアの媒体対向面に、前記薄膜磁気ヘッドの磁気ギャップが露出する磁気ヘッドにおいて、
前記第１コアあるいは第２コアの少なくともどちらか一方の接合面には、他方の接合面側に向けて突出した少なくとも一つ以上の突き当て平面と、この突き当て平面から段差を介して一定の深さで形成された溝部とが設けられ、
前記突き当て平面と他方のコアの接合面との面どうしが突き当てられ、少なくとも前記溝部と前記他方のコアの接合面間に一定の膜厚の接着層が設けられて、前記第１コアと第２コアとが接合されていることを特徴とするものである。
【００１７】
本発明では、第１コアあるいは第２コアの少なくともどちらか一方の接合面に部分的に突出した突き当て平面を形成し、この突き当て平面を他方のコアの接合面に突き当てることで、第１コアと第２コア間の一部を面接触させることができるとともに、前記突き当て平面を高精度に平面加工できるため、第１コアと第２コアとの平面接合性を向上させることができる。
【００１８】
また前記突き当て平面から段差を介して形成された溝部は一定の深さであり、前記溝部と他方のコアの接合面間には一定の膜厚の接着層が形成される。このため前記接着層は均一な接着強度を持ち、前記第１コアと第２コアとを強く接着することが可能である。
【００１９】
このように本発明では突き当て平面が前記接合面に部分的に形成されているので図１６に示す従来例よりも高精度に平面加工でき、平面接合性を向上させることができるとともに、均一で強い接着強度で前記第１コアと第２コアとを接合することが可能である。
【００２０】
本発明では、前記突き当て平面は、前記第１コアに形成された前記薄膜磁気ヘッドの形成領域を含有して形成されることが好ましい。これにより、媒体対向面から接着層が露出するのを防ぐことができ、磁紛の前記接着層への付着等の問題を起こすことなく、また前記薄膜磁気ヘッドの形成領域に前記溝部が形成されないため、前記薄膜磁気ヘッドを溝部の形成によって傷つけることがなく再生特性や記録特性に優れた薄膜磁気ヘッドを確保することができる。
【００２１】
また本発明では、前記接着層の膜厚は０．０５μｍ〜０．３μｍの範囲内であることが好ましい。後述する実験によれば、コア抗折強度を湿気の高い悪環境下でも２Ｎ以上得ることができる。
【００２２】
また本発明では、前記薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ型薄膜磁気ヘッドを有して構成されることが好ましい。
【００２３】
また本発明では、前記薄膜磁気ヘッド上及び前記第１コア上は絶縁材料で形成された保護膜で覆われ、この保護膜の表面が前記接合面であることが好ましい。
【００２４】
また本発明では、前記接着層は、エポキシ系接着剤または低融点ガラス系接着剤によって形成されていることが好ましい。前記エポキシ系接着剤等は硬化に必要な加熱温度が３００℃以下である。この硬化工程において前記したＭＲ型薄膜磁気ヘッドが絶えられる温度はせいぜい３００℃程度であるため、前記接着層にエポキシ系接着剤を用いることで、前記ＭＲ型薄膜磁気ヘッドの再生特性の劣化を適切に防ぐことが可能である。
【００２５】
また本発明における磁気ヘッドの製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
（ａ）第１基板上に複数の薄膜磁気ヘッドを形成した後、前記第１基板を複数の薄膜磁気ヘッドが長手方向に一列に並んだバー状に切断して第１バーを形成する工程と、
（ｂ）第２基板をバー状に切断して第２バーを形成する工程と、
（ｃ）前記第１バーの前記薄膜磁気ヘッドの形成面側を前記第２バーとの接合面とし、前記第１バーあるいは第２バーの少なくともどちらか一方の接合面に、少なくとも一つ以上で且つ、後工程でこれらバーを個々のコアに切断したときに、前記コア内に残る位置に、突き当て平面を突出形成するとともに、この突き当て平面から段差を介して形成された溝部を一定の深さで形成する工程と、
（ｄ）少なくとも一方のバーに形成された前記突き当て平面と、他方のバーの接合面との面どうしを突き当て、各バーを互いに平行に設置するとともに、少なくとも一方のバーに形成された溝部と他方のバーの接合面間に一定の膜厚の接着層を形成し、この接着層の形成によって前記第１バーと第２バーとを接合する工程と、
（ｅ）個々の薄膜磁気ヘッド間から前記第１バーと第２バーをコア状に切断することで、前記接着層を介して接合された第１コアと第２コアとから成り、前記第１コア及び第２コアの媒体対向面に、前記薄膜磁気ヘッドの磁気ギャップが露出する磁気ヘッドを形成する工程。
【００２６】
上記したように前記（ｃ）工程では、第１バーあるいは第２バーの少なくとも一方の接合面に突き当て平面を突出形成するとともに、この突き当て平面から段差を介して形成された溝部を一定の深さで形成している。このため前記（ｄ）工程で、一方のバーの突き当て平面と他方のバーの接合面とを突き合わせて面接触させることができ、また前記突き当て平面を所定の面積で小さく形成することができるので、前記突き当て平面を高精度に平面加工でき、よって一方のバーの突き当て平面と他方のバーの接合面との平面接合性を向上させることができる。また前記突き当て平面と接合面との面どうしの突き合せにより、前記第１バーと第２バーとを平行な状態に安定して配置でき、前記第１バーと第２バー間の溝部内に一定の膜厚の接着層を形成できる。よって接着強度が強い磁気ヘッドを容易に且つ適切に形成することが可能になる。
【００２７】
また本発明では、前記（ｃ）工程で、前記第１バーの薄膜磁気ヘッドが設けられた形成領域を含有して前記突き当て平面を形成することが好ましい。
【００２８】
また本発明では、前記突き当て平面を、個々の薄膜磁気ヘッドの形成領域にそれぞれ形成して、各突き当て平面間に形成される前記溝部を、媒体対向面となる前記第１バーの前端面にまで露出させることが好ましい。これにより、前記薄膜磁気ヘッドの形成領域に溝部が形成されるとなく、前記溝部の形成によって前記薄膜磁気ヘッドが損傷するのを適切に防止できるとともに、前記第１バー及び第２バーの前端面から溝部の一部が開放されるため、前記第１バーと第２バーとを加圧して付き合わせたときに、前記第１バーと第２バー間の溝部内に注入された接着剤が前記溝部内を毛細管現象などにより満遍なく広がり、前記第１バーと第２バーとを強く接着固定することができる。あるいは第１バーと第２バーとを突き合わせて位置決めした後、前記前端面から露出した溝部内に接着剤を注入することもできる。
【００２９】
また本発明では、前記（ｃ）工程で、前記突き当て平面を第１バーの長手方向に並んだ各薄膜磁気ヘッド間の領域に部分的に形成してもよく、また前記薄膜磁気ヘッドの間に部分的に形成された突き当て平面は、前記（ｅ）工程で、前記第１バーと第２バーをコア状に切断するときに、その切断線上にあり、前記切断によってすべて除去される、あるいは一部が除去されるダミーパッドであってもよい。
【００３０】
また本発明では、前記（ｃ）工程で、前記溝部の深さを０．０５μｍ〜０．３μｍの範囲内で形成することで、前記（ｄ）工程での接着層を０．０５μｍ〜０．３μｍの範囲内の膜厚で形成することが好ましい。
【００３１】
また本発明では、前記（ｄ）工程で、接着剤としてエポキシ系接着剤または低融点ガラス系接着剤を選択することが好ましい。
【００３２】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１の実施の形態を示す磁気ヘッドの斜視図、図２は図１に示す磁気ヘッドの第１コアを薄膜磁気ヘッドの形成面側から見た斜視図、図３は第２の実施の形態の第１コアを薄膜磁気ヘッドの形成面側から見た部分正面図、図４は、図１に示す磁気ヘッドを媒体対向面から見た部分断面図である。
【００３３】
この磁気ヘッドＨ１は、例えば磁気テープに記録信号を記録し、再生する映像機器の磁気記録再生装置、またはコンピュータ用のデータ磁気記録再生装置などを構成する摺動型磁気ヘッドである。
【００３４】
図１に示された摺動型薄膜磁気ヘッドは、図５に示されるような、回転ヘッド装置に設置することができる。
【００３５】
図５に示す磁気記録再生装置に設けられる回転ヘッド装置５０では、固定ドラム（図示せず）が固定され、前記固定ドラム上に、これと同軸の回転ドラム５０ａが回転自在に支持され、モータの動力により回転ドラム５０ａが矢印方向へ回転駆動される。磁気記録媒体である磁気テープＴは、回転ヘッド装置５０にヘリカル軌跡にて所定角度巻付けられて矢印方向へ走行する。この間、回転ドラム５０ａが回転し、この回転ドラム５０ａに搭載された摺動型薄膜磁気ヘッドＨ１が磁気テープＴを走査する。
【００３６】
図５では、一組の摺動型薄膜磁気ヘッドＨ１を、回転ドラム５０ａ上に、互いに対向する位置に設置しているが、３個以上の摺動型薄膜磁気ヘッドＨ１を設置してもよい。
【００３７】
前記磁気ヘッドＨ１は、アルミナチタンカーバイドからなる第１コア１１の磁気再生ヘッドの形成面１１ａ上に、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの絶縁性材料からなる下地層を介して、薄膜磁気ヘッド１２、および保護膜であるＡｌ２Ｏ３からなる絶縁層２４が薄膜形成プロセスによって形成されている。
【００３８】
図４に示すように、前記薄膜磁気ヘッド１２は、ＭＲ型薄膜磁気ヘッド２２とインダクティブヘッド２３との複合型薄膜磁気ヘッドである。
【００３９】
前記ＭＲ型薄膜磁気ヘッド２２は、薄膜形成プロセスによって、アルミナチタンカーバイドからなる第１コア１１に、下地層である絶縁層２２ａを介して、下部シールド層２２ｂ、下部ギャップ層２２ｃ、ＭＲ素子層２２ｄ、ハードバイアス層２２ｅ、電極層２２ｆ、上部ギャップ層２２ｇおよび、上部シールド層２２ｈが積層されて形成されている。下部シールド層２２ｂと上部シールド層２２ｈに挟まれた磁気テープに対向する部分がＭＲ型薄膜磁気ヘッド２２の磁気ギャップＧａとなる。
【００４０】
図４ではＭＲ型薄膜磁気ヘッド２２上に設けられる記録用のインダクティブヘッド２３は、ＭＲ型薄膜磁気ヘッド２２と同様に薄膜形成プロセスによって、上部シールド層と兼用の下部コア層２３ａ上に、ギャップ層２３ｂ、コイル層２３ｃおよび上部コア層２３ｄが積層されて形成されている。下部コア層２３ａと上部コア層２３ｄに挟まれた磁気テープに対向する部分がインダクティブヘッド２３の磁気ギャップＧｂとなる。
【００４１】
前記下部ギャップ層２２ｃ、上部ギャップ層２２ｇ、ギャップ層２３ｂは、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２によって形成されている。また、下部シールド層２２ｂ、上部シールド層２２ｈ（下部コア層２３ａ）、上部コア層２３ｄは、パーマロイなどの軟磁性材料によって形成されている。電極層２２ｆ、コイル層２３ｃは、Ｃｕなどの導電性材料によって形成されている。ハードバイアス層２２ｅは、ＰｔＣｏなどの硬磁性材料によって形成されている。
【００４２】
ＭＲ素子層２２ｄはスピンバルブ型薄膜素子などのＧＭＲ型素子やＡＭＲ型素子などである。
【００４３】
また、インダクティブヘッド２３上に、保護膜である絶縁層２４が積層されている。
【００４４】
図１及び図４に示すように第２コア２５は前記第１コア１１に前記薄膜磁気ヘッド１２の形成面１１ａ側に向けて接合されている。前記第２コア２５は第１コア１１と同じくアルミナチタンカーバイトなどで形成される。図４に示すように、第２コア２５の前記第１コア１１と対向する面に例えばスパッタ法などで、Ａｌ２Ｏ３などの絶縁性材料からなる保護膜である絶縁層２６が薄膜形成されている。前記絶縁層２６は例えばスパッタ法で形成されるが、このスパッタ法により、前記第２コア２５と絶縁層２６との接合力が強力になり、媒体対向面Ｈ１Ａを磁気テープが摺動するときに、第２コア２５と絶縁層２６との界面において、第２コア２５が損傷することが避けられるようになっている。
【００４５】
図１及び図４に示す実施形態では、前記第１コア１１の薄膜磁気ヘッド１２の形成面１１ａ上に形成された絶縁層２４の表面が第２コア２５との接合面１１ｂであり、前記第２コア２５上に形成された絶縁層２６の表面が第１コア１１との接合面２５ａとなっている。
【００４６】
図１に示すように第１コア１１及び第２コア２５の媒体対向面Ｈ１Ａは、テープ摺動方向である図示Ｚ方向にＲ形状に湾曲形成されており、前記薄膜磁気ヘッド１２の磁気ギャップＧ（この実施形態での磁気ギャップＧは図４に示すＭＲ型薄膜磁気ヘッド２２の磁気ギャップＧａとインダクティブヘッド２３の磁気ギャップＧｂの双方を意味する）が前記媒体対向面Ｈ１Ａから露出するとともに、この磁気ギャップＧが図示Ｚ方向に対して前記媒体対向面Ｈ１Ａのほぼ中央に位置する。
【００４７】
図１に示すように前記第１コア１１の図示Ｙ方向（この方向を以下ではハイト方向と呼ぶ場合がある）に対する長さが、第２コア２５の図示Ｙ方向に対する長さよりも長く形成され、前記第１コア１１上に形成された絶縁層２４の表面が、前記第２コア２５の媒体対向面Ｈ１Ａの反対側の後端面２５ｂよりも図示Ｙ方向に長く飛び出している。そして前記第１コア１１の前記第２コア２５よりも図示Ｙ方向に飛び出した前記絶縁層２４の表面に複数の電極部１３が設けられている。前記電極部１３とＭＲ型薄膜磁気ヘッド２２及びインダクティブヘッド２３は絶縁層２４の内部で引き出し層（図示しない）などの形成によって導通接続されており、前記電極部１３から電流が前記ＭＲ型薄膜磁気ヘッド２２及びインダクティブヘッド２３に流れるようになっている。
【００４８】
図１及び図２に示すように第１コア１１及び第２コア２５には、前記媒体対向面Ｈ１Ａの幅方向（図示Ｘ方向）における両側端部１７、１８からハイト方向（図示Ｙ方向）に向けて段差Ｂを介して凹み部１９、２０が設けられる。この凹み部１９、２０の形成により、第１コア１１及び第２コア２５の媒体対向面Ｈ１Ａは他の部位よりも突出した形態となる。これにより前記媒体対向面Ｈ１Ａに露出している磁気ギャップＧが前記媒体対向面Ｈ１Ａ上を摺動する磁気テープと適度な面圧で当接するようになり、磁気ヘッドの周波数特性等の向上を適切に図ることが可能になっている。
【００４９】
図２に示すように、前記第１コア１１の接合面１１ｂには、第２コア２５の接合面２５ａ方向（図示Ｚ方向）に向けて突出した突き当て平面１４、１５が形成されている。ここでは便宜上、符号１４の突き当て平面を「第１の突き当て平面」と、符号１５の突き当て平面を「第２の突き当て平面」と呼ぶ。
【００５０】
図２に示すように、前記第１の突き当て平面１４は、前記薄膜磁気ヘッド１２の形成領域Ａに形成される。図３は図２とは異なる実施の形態であるが、図３は図２と前記第１の突き当て平面１４の形成位置や形状等が同一であるので、以下ではこの第１の突き当て平面１４の説明に図３も使用する場合がある。
【００５１】
図２及び図３には、前記第１コア１１の接合面１１ｂ側から見た前記薄膜磁気ヘッド１２のＭＲ素子層２２ｄとその両側に広がる電極層２２ｆとが点線で図示されている。ここで言う「形成領域Ａ」とは、前記薄膜磁気ヘッド１２を構成する、シールド層２２ｂ、２２ｈ、ＭＲ素子層２２ｄ、バイアス層２２ｅ、電極層２２ｆ、コイル層２３ｃ、コア層２３ａ、２３ｄのすべての層の外延を含む大きさの平面での領域を意味し、これらの層のうち最も大きな平面での面積を有するのは、例えば電極層２２ｆであるため、図２及び図３では特に電極層２２ｆの平面形状を図示して形成領域Ａを表している。
【００５２】
前記第１の突き当て平面１４は、媒体対向面Ｈ１Ａから図示Ｙ方向に向けて所定の幅寸法（図示Ｘ方向への寸法）及び長さ寸法（図示Ｙ方向への寸法）で形成されて、前記薄膜磁気ヘッド１２の形成領域Ａが完全に前記突き当て平面１４の面積内に含まれるようになっている。
【００５３】
図２に示すように、前記第１の突き当て平面１４の前記媒体対向面Ｈ１Ａとは反対面１４ａ側から段差を介して溝部１６が形成され、この溝部１６は一定の深さ寸法で形成される。前記溝部１６は図示Ｙ方向に所定の長さ寸法で形成されるとともに、この実施形態では前記溝部１６が前記第１コア１１の左側端部１１ｃ及び右側端部１１ｄまで通じて形成されている。
【００５４】
図２に示すように第１コア１１には、前記溝部１６の前記媒体対向面Ｈ１Ａ側とは反対側の端部１６ａから段差を介して図示Ｙ方向に延び、且つ第２コア２５の接合面２５ａ方向に突出する第２の突き当て平面１５が形成され、この第２の突き当て平面１５上に上記した電極部１３が形成されている。
【００５５】
なお前記第１の突き当て平面１４及び第２の突き当て平面１５は共に同じ高さで形成されている。
【００５６】
またこの実施形態では前記第２コア２５の接合面２５ａには、第１コア１１の接合面１１ｂに形成された、突き当て平面１４、１５及び溝部１６は設けられておらず、前記第２コア２５の接合面２５ａは全体が平らな平面となっている。
【００５７】
この実施形態では、前記突き当て平面１４、１５の表面と第２コア２５の接合面２５ａとの面どうしが突き当てられ、前記第１コア１１と第２コア２５とが接合される。図１に示すように、前記第１の突き当て平面１４はその全面が、前記第２コア２５の接合面２５ａに突き当てられているが、前記第２の突き当て平面１５はその一部分のみが前記第２コア２５の接合面２５ａに突き当てられた状態になっている。
【００５８】
このとき前記第１コア１１に形成された溝部１６と前記第２コア２５の接合面２５ａ間には図１に示すような隙間が形成され、この隙間内に接着層３０が設けられる。
【００５９】
上記したように前記溝部１６は一定の深さで形成されており、また第１コア１１に形成された突き当て平面１４、１５は互いに同じ高さで形成されて、これら突き当て平面１４、１５と前記第２コア２５の接合面２５ａとが突き当てられるため、前記第１コア１１と第２コア２５は互いに平行な状態で配置され、前記溝部１６と前記第２コア２５の接合面２５ａ間に形成された隙間は一定の膜厚で形成される。このため前記隙間内に埋められる接着層３０も一定の膜厚で形成される。
【００６０】
図１及び図２に示す磁気ヘッドの形態によれば、前記第１コア１１に形成された第１の突き当て平面１４を所定の面積に小さく形成でき、前記第１の突き当て平面１４の平面加工を高精度に行うことができる。このため前記第１コア１１と第２コア２５との平面接合性を向上させることができ、しかも上記したように前記接着層３０は一定の膜厚で形成されるので、前記接着層３０の接着強度をどの部分においても均一な大きさに強くすることが可能である。また前記第１コア１１に形成された第２の突き当て平面１５は前記第１の突き当て平面１４よりも広い面積を有して形成されるが、前記第２コア２５の接合面２５ａと突き当てられる部分は、前記第２の突き当て平面１５の一部であるため、前記第２の突き当て平面１５の全体が高精度に平面加工されなくてもよく、前記第２コア２５に突き当てられる前記第２の突き当て平面１５の部分のみを高精度に平面加工すれば、前記第１コア１１と第２コア２５との平面接合性をより向上させることが可能になっている。
【００６１】
また図１に示す実施の形態のように、前記第１の突き当て平面１４は第１コア１１に形成された前記薄膜磁気ヘッド１２の形成領域Ａを含有して形成されることが好ましい。これによって前記薄膜磁気ヘッド１２が溝部１６を形成する際のエッチングなどの影響を受けることなく、前記薄膜磁気ヘッド１２の再生特性や記録特性の劣化を防止できるとともに、前記第１の突き当て平面１４の縁部は前記媒体対向面Ｈ１Ａに現れるが、溝部１６内に形成された接着層３０は前記媒体対向面Ｈ１Ａからハイト方向に後退した位置にあるため、前記接着層３０が前記媒体対向面Ｈ１Ａから露出するといったこともなくなり、前記接着層３０が前記媒体対向面Ｈ１Ａから露出することで問題となる磁紛の付着などの不具合を防止することができる。
【００６２】
なお前記第１コア１１に形成された溝部１６と第２コア２５の接合面２５ａ間に注入される接着剤が、毛細管現象などで若干、前記第１コア１１に形成された第１の突き当て平面１４と第２コア２５の接合面２５ａ間に染み込んでもよいが、かかる場合でも前記接着剤が前記媒体対向面Ｈ１Ａから露出するといったことを防ぐことができる。
【００６３】
次に前記接着層３０の膜厚ｔ１は０．０５μｍ〜０．３μｍの範囲内であることが好ましい。後述する実験結果によれば、前記接着層３０を上記した膜厚範囲内で形成すれば、湿度が高い悪環境の下においても、コア抗折強度を２Ｎ以上得られることがわかった。
【００６４】
また図１に示す実施の形態では、薄膜磁気ヘッド１２の再生ヘッドとしてＭＲ型薄膜磁気ヘッドを採用したが、ＭＲ型薄膜磁気ヘッドに限るものではなく、磁気再生手段であれば、薄膜磁気ヘッド１２として如何なるものを使用してもよい。また図４に示す実施の形態では、前記ＭＲ型薄膜磁気ヘッド１２の上に記録用のインダクティブヘッド２３が薄膜積層されているが、前記インダクティブヘッド２３が形成されていなくてもかまわないし、あるいは前記ＭＲ型薄膜磁気ヘッド１２が形成されず、インダクティブヘッド２３のみが形成されていてもよい。
【００６５】
また図１、図２及び図４に示すように前記薄膜磁気ヘッド１２上及び、前記薄膜磁気ヘッド１２が形成されていない第１コア１１上は保護膜となる絶縁層２４によって覆われており、これによって前記第２コア２５の接合面２５ａが前記薄膜磁気ヘッド１２上に直接、突き当てられることはなく、前記薄膜磁気ヘッド１２が前記第１コア１１と第２コア２５との接合の際に、損傷するなどの不具合を回避することができる。なお図２に示すように前記溝部１６は前記絶縁層２４の膜厚範囲内で形成されているが、さらに前記絶縁層２４下のアルミナチタンカーバイトで形成された第１コア１１まで削られて前記溝部１６が形成されていてもよい。
【００６６】
また前記接着層３０は、エポキシ系接着剤で形成されているので、接着工程を３００℃以下で行うことができ、ＭＲ型薄膜磁気ヘッド１２の特性を低下させることがない。なお、エポキシ系接着剤のかわりに、低融点ガラス系接着剤によって、接着層３０が形成されてもかまわない。
【００６７】
図３は、図１及び図２と第１コア１１の接合面１１ｂに形成された突き当て平面の形成位置が異なる実施の形態である。
【００６８】
上記したように図３でも図１及び図２と同様に、薄膜磁気ヘッド１２の形成領域Ａを含むように、媒体対向面Ｈ１Ａからハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて所定の幅寸法（図示Ｘ方向の寸法）及び長さ寸法（図示Ｙ方向の寸法）で形成された第１の突き当て平面１４が前記第２コア２５の接合面２５ａ方向に突出して形成されている。
【００６９】
図３に示すように、第１コア１１の接合面１１ｂには前記第１の突き当て平面１４の他に３つの突き当て平面３０、３１、３２が形成されている。前記突き当て平面３０は前記第１コア１１の左側端部１１ｃから前記第１コア１１の内方向に向かって形成され、前記突き当て平面３１は前記第１コア１１の右側端部１１ｄから前記第１コア１１の内方向に向かって形成されている。前記突き当て平面３２は前記第１コア１１の左側端部１１ｃと右側端部１１ｄの間のほぼ中央に形成されている。
【００７０】
これら前記突き当て平面１４、３０、３１、３２はすべて同じ高さ寸法で形成され、これら突き当て平面と同じ高さの電極形成面３４が前記突き当て平面からハイト方向（図示Ｙ方向）に離れた位置に突出形成される。前記電極形成面３４上には図１及び図２に示す電極部１３が形成される。そしてこれら突き当て平面１４、３０，３１、３２及び電極形成面３４から段差を介して形成された溝部３３が一定の深さで形成されている。
【００７１】
図３に示す一点鎖線は、第１コア１１と第２コア２５とが接合されたときに、前記第２コア２５の媒体対向面Ｈ１Ａと反対側の後端面２５ｂが配置される位置を示し、前記第２コア２５の後端面２５ｂは、前記第１コア１１に形成された電極形成面３４よりも媒体対向面Ｈ１Ａ側に位置している。その結果、前記第１コア１１に形成された４つの突き当て平面１４、３０、３１、３２が前記第２コア２５の接合面２５ａと突き当てられ、前記溝部３３内に接着剤が注入されることで、第１コア１１と第２コア２５とが接合される。
【００７２】
図３では、部分的に小さく形成された複数の突き当て面１４、３０、３１、３２と第２コア２５の接合面２５ａとが平面接合し、平面の面積の大きな電極形成面３４上に前記第２コア２５の接合面２５ａが重なっていない。そして、これら部分的に形成された突き当て平面１４、３０，３１、３２を高精度に平面加工できるので、第１コア１１と第２コア２５とを高精度に平面接合させることが可能になっている。
【００７３】
なお、突き当て平面は少なくとも１つあればよく、またその形成位置は任意である。さらに図１ないし図３では第１コア１１の接合面１１ｂに突き当て平面及び溝部を形成していたが、第２コア２５の接合面２５ａに前記突き当て平面及び溝部を形成してもよく、あるいは前記第１コア１１と第２コア２５の双方の接合面１１ｂ、２５ａに突き当て平面及び溝部を設けてもよい。
【００７４】
図６ないし図１１は図１に示す磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図である。図６に示すようにまず、アルミナチタンカーバイドからなる第１基板４０上に、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの絶縁性材料からなる下地層をスパッタ法により薄膜形成する。次に、この下地層上に図４で説明したＭＲ型薄膜磁気ヘッド２２とインダクティブヘッド２３からなる薄膜磁気ヘッド１２を薄膜形成する。なおＭＲ型薄膜磁気ヘッド２２のみを薄膜成膜してもよいし、また磁気再生ヘッドであればＭＲ型の薄膜磁気ヘッドに限るものではない。
【００７５】
前記インダクティブヘッド２３が形成された後に、Ａｌ２Ｏ３からなる保護膜である絶縁層２４をスパッタ法によって薄膜形成する。また図６に示すように前記絶縁層２４上に前記ＭＲ型薄膜磁気ヘッド２２及びインダクティブヘッド２３と導通接続する電極部１３を形成する。
【００７６】
図６では、薄膜磁気ヘッド１２および電極部１３が一定の間隔をおいて第１基板４０上一面に形成されている（図６にはそのうち一部のみ図示している）。
【００７７】
次に図６に示す点線Ｃに沿って前記第１基板４０をバー状に切断して、図７に示す第１バー４１を複数個、形成する。図７に示すように第１バー４１には、長手方向（図示Ｘ方向）にＭＲ型薄膜磁気ヘッド２２及びインダクテティブヘッド２３が一列に複数個並んで形成されていることがわかる。
【００７８】
次に図７に示す第１バー４１の前記電極部１３が形成されている面（これを以下では接合面４１ｃと呼ぶ）を図８に示すように加工する。前記接合面４１ａはこの実施の形態の場合、絶縁層２４の表面である。
【００７９】
図８は図７に示す第１バー４１を矢印Ｄ方向から見た部分平面図である。図８に示すように前記薄膜磁気ヘッド１２が形成された形成領域Ａを含有する第１の突き当て平面１４を突出形成し、また各薄膜磁気ヘッド１２の図示Ｘ方向への間の領域であって、後の工程で媒体対向面Ｈ１Ａとなる面から図示Ｙ方向に離れた位置に、部分的にダミーパッド４２を突出形成する。「形成領域Ａ」の定義は既に説明した通りである。
【００８０】
また後の工程で媒体対向面Ｈ１Ａとなる面から前記ダミーパッド４２よりもさらに図示Ｙ方向に離れた位置の全面に電極形成面４３を突出形成する。この電極形成面４３上には図示Ｙ方向に離れた位置に図７に示す電極部１３が形成されている。前記第１の突き当て面１４、ダミーパッド４２及び電極形成面４３はすべて同じ高さで形成されている。
【００８１】
図８では、前記第１の突き当て面１４、ダミーパッド４２及び電極形成面４３は、これらが形成されるべき面上にレジスト層を形成し、前記レジスト層に覆われていない前記絶縁層２４の表面をエッチングで一定の深さで削ることにより突出形成される。前記エッチングで削られた絶縁層２４には一定の深さの溝部４４が形成される。
【００８２】
ここで図８に示すように、前記第１の突き当て平面１４は前記薄膜磁気ヘッド１２が形成された形成領域Ａを含有するように突出形成されることが好ましい。
【００８３】
このように前記第１の突き当て平面１４を前記形成領域Ａを含むように形成されれば、薄膜磁気ヘッド１２が前記のエッチングの影響を受けることはなく、前記ＭＲ型薄膜磁気ヘッド２２の再生特性及びインダクティブヘッド２３の記録特性を良好なものに保つことができる。
【００８４】
また前記第１の突き当て平面１４を後の工程で媒体対向面Ｈ１Ａとなる前記第１バー４１の前端面４１ａから図示Ｙ方向に離れる方向に形成し、しかも後の工程で、前記媒体対向面Ｈ１Ａには、前記溝部４４が露出しないように加工が施されるので、前記溝部４４に注入された接着剤が前記媒体対向面Ｈ１Ａから露出することがなく、よって磁紛が前記媒体対向面Ｈ１Ａで前記接着剤に付着するなどの不具合を回避することができる。
【００８５】
また図８に示すように、前記第１の突き当て平面１４を第１バー４１に形成された個々の薄膜磁気ヘッド１２の形成領域Ａにそれぞれ個別に形成し、各第１の突き当て平面１４間に図示Ｘ方向に形成される溝部４４ａを、前記第１バー４１の前端面４１ａまで露出させることが好ましい。これにより後の工程で、前記第１バー４１と第２バー４６とを突き合わせて位置決めしたときに、前記溝部４４内に注入された接着剤が前記溝部４４内を毛細管現象により満遍なく広がりやすく、前記第１バーと第２バーとを強固に接着固定できる。あるいは、この露出した溝部４４ａから容易に接着剤を注入できるため、前記第１バー４１と第２バー４６とを突き合わせるときに予めどちらかのバーの接合面に前記接着剤を塗布しておく必要がなく、第１バー４１と第２バー４６とを突き合わせて高精度に位置決めした後に、前記接着剤の注入を行うことが可能である。
【００８６】
次に図８では、前記第１突き当て平面１４と同様に、所定面積の平面を有し、且つ前記第１の突き当て平面１４と同じ高さで形成されたダミーパッド４２を前記第１バー４１の長手方向（図示Ｘ方向）に並んだ各薄膜磁気ヘッド１２の間に部分的に形成しているが、このダミーパッド４２は後の工程で、第１バー４１と第２バー４６とをコア状に切断するときにその切断線Ｅ上にあり、したがって前記切断工程を施すことで前記ダミーパッド４２は除去される。このようなダミーパッド４２を前記各薄膜磁気ヘッド１２が並んだ長手方向に，前記薄膜磁気ヘッド１２間に部分的に形成しておくことで、第１バー４１と第２バー４６とを突き合わせるときに加えられる力をバランスよく拡散でき、特に薄膜磁気ヘッド１２が形成されている第１突き当て平面１４に大きな力がかかることを緩和できて、前記薄膜磁気ヘッド１２の再生特性や記録特性を良好に維持することができるとともに、第１バー４１と第２バー４６との平面接合性を向上させることができる。また前記ダミーパッド４２を、前記各薄膜磁気ヘッド１２が並んだ長手方向に，前記薄膜磁気ヘッド１２間に部分的に形成しておくことで、前記第１の突き当て平面１４とダミーパッド４２及び電極形成面４３とで囲まれる溝部４４を広い面積の略矩形状にでき、接着剤が前記溝部４４内全体に毛細管現象により満遍なく広がりやすくなっている。
【００８７】
なお図８に示すダミーパッド４２は前記第１バー４１と第２バー４６とをコア状に切断したときにすべて除去されてしまうが、前記ダミーパッド４２の図示Ｘ方向への幅寸法を、前記切断線Ｅ間の幅寸法よりも大きくすれば、前記ダミーパッド４２の一部を第１コア１１内に残すこともできる。
【００８８】
また図８のような突き当て平面１４やダミーパッド４２を第１バー４１側に少なくとも２つ以上同じ高さ寸法で設け、好ましくは、図８のようにこれら突き当て平面やダミーパッドを長手方向（図示Ｘ方向）に規則的に配列させることで、前記第１バー４１と第２バー４６とを突き合わせたときの平面接合性をより向上させることができ、これらバーを互いに平行な状態に置いておくことが容易に且つ適切に行えるとともに、前記接着剤の注入によって形成された接着層４７の膜厚を一定の膜厚で形成しやすい。
【００８９】
次に図９の工程では、アルミナチタンカーバイドからなる第２基板４５上に絶縁層２６をスパッタ成膜し、前記第２基板４５を図９に示す点線Ｆから切断してバー状の第２バー４６を複数個形成する。
【００９０】
図１０では、前記第１バー４１の前記薄膜磁気ヘッド１２が形成された形成面側を接合面４１ｃとし、前記第２バー４６の絶縁層２６の表面を接合面４６ｃとして、これら接合面４１ｃ、４６ｃどうしを突き合わせる。このとき、例えば予め第１バー４１に形成された前記溝部４４内に接着剤を注入しておき、前記第１バー４１の接合面４１ｃに形成された第１の突き当て平面１４、ダミーパッド４２、及び電極形成面４３の一部を、前記第２バー４６の接合面４６ｃに突き当てることで、前記溝部４４内の接着剤が前記溝部４４内を毛細管現象により満遍なく広がる。
【００９１】
特に図１０に示すように前記溝部４４の一部の溝部４４ａは、前記第１バー４１の前端面４１ａから開放されているため、前記溝部４４内に注入された接着剤は、第１バー４１と第２バー４６とを突き合わせたときに前記溝部４４内を毛細管現象によって、より迅速に満遍なく広がる。あるいは、第１バー４１と第２バー４６とを高精度に位置決めした後に、前記前端面４１ａから露出した前記溝部４４ａから接着剤を注入することもできる。そしてその後、加熱処理を行って前記接着剤を硬化し、第１バー４１と第２バー４６とを接着層４７によって接合する。
【００９２】
この実施の形態では前記接着剤としてエポキシ系接着剤を使用しているので、接着工程を３００℃以下で行うことができ、ＭＲ型薄膜磁気ヘッド１２の特性を低下させることがない。なお、エポキシ系接着剤のかわりに、低融点ガラス系接着剤によって、接着層４７が形成されてもかまわない。
【００９３】
また図８の工程で、前記溝部４４を一定の深さでしかも前記深さを０．０５μｍ〜０．３μｍの範囲内で形成することで、前記接着層４７を一定の厚さでしかも０．０５μｍ〜０．３μｍの範囲内の膜厚で形成することができる。後述する実験結果によれば、前記接着層４７を上記の範囲内の膜厚で形成することで、湿度の高い状態でのコア抗折強度を２Ｎ以上にすることができ、前記接着層４７の接着強度を強く保つことが可能である。
【００９４】
図１１工程では、第１バー４１の前端面４１ａにまで露出した溝部４４ａ内に前記接着剤が注入されているため、前記前端面４１ａからは接着層４７が露出した状態にあり、この露出した接着層４７の部分を含むように、前記第１バー４１及び第２バー４６を点線Ｇに沿って研削加工し、前記第１バー４１及び第２バー４６に図１に示す凹み部１９、２０となる部分を形成する。前記凹み部１９、２０の形成によって、前記第１バー４１及び第２バー４６の前端面４１ａ、４６ａには、前記接着層４７が露出する部分が無くなる。
【００９５】
そして図１１の一点鎖線Ｅから第１バー４１と第２バー４６とをコア状に切断し、これによって前記接着層４７を介して接合された第１コア１１と第２コア２５とから成る磁気ヘッドを形成し、さらに前記磁気ヘッドの媒体対向面Ｈ１Ａを円筒研削またはならい研削することによってＲ形状に加工することで、前記第１コア１１及び第２コア２５の媒体対向面Ｈ１Ａに、前記薄膜磁気ヘッド１２の磁気ギャップＧが露出した磁気ヘッドを製造することができる。
【００９６】
【実施例】
第１コアと第２コア間に介在する接着層の膜厚の好ましい範囲について以下の実験を行ったので説明する。
【００９７】
まず図１２に示すような直方形状の第１コアと、第１コアよりも長さの短い直方形状の第２コアとを接着層を介して接合した。この第１コアと第２コアとの接合面の形状は図１及び図２と同様であり、前記第１コアの接合面のうち約９５％〜９６％の面積が溝部を構成し、残りの５％〜４％の面積が薄膜磁気ヘッドの形成領域を含有する第１突き当て平面である。第１コアの形成は図８で説明した通りであり、図８のような第１バーを形成し、この第１バーから第１コアを形成した。第１バーでの突き当て平面の面積は第２バーとの接合面を１００％としたとき約２０％であり、残りの約８０％が溝部を構成している。
【００９８】
図１２に示すように前記第１コアの両側側面を固定治具で固定し、第２コアの側面から矢印方向Ｈに力を加えて、前記第１コアと第２コアとが折れるときの圧力（以下ではコア抗折強度と呼ぶ）を測定した。なお前記第１コア及び第２コアの膜厚ｔ２は０．２３μｍであった。また接着層にはエポキシ系樹脂を用いた。
【００９９】
図１３は図１２の第１コアが固定治具で挟まれた部分を矢印Ｉ方向から見たときの部分側面図であり、図１３に示すように、第１コア及び第２コアにはアジマスがついており、力を加える位置は、前記接着層の中心から上方に０．１μｍ程度上がった前記第２コアの側面であり、力を加える方向Ｈは、その方向Ｈに対してアジマスが徐々に離れていく方向となるように、前記力を加える方向Ｈを設定する。
【０１００】
図１４は第１コアと第２コアとを接着した直後における、前記接着層の膜厚とコア抗折強度との関係を示すグラフである。また図１５は、室温が４０℃で湿度が９５％の環境下に、接着層によって接合された第１コアと第２コアとを７２時間放置した後における、前記接着層の膜厚とコア抗折強度との関係を示すグラフである。
【０１０１】
図１４では、前記接着層が０．１５μｍ程度のときにコア抗折強度が最も大きくなり、前記接着層が０．１５μｍよりも薄くなり、あるいは前記接着層が０．１５μｍよりも厚くなると、前記コア抗折強度が低下していくことがわかった。
【０１０２】
また図１５では、前記接着層が０．１０μｍ程度のときにコア抗折強度が最も大きくなり、前記接着層が０．１０μｍよりも薄くなり、あるいは前記接着層が０．１０μｍよりも厚くなると、前記コア抗折強度が低下していくことがわかった。
【０１０３】
このように前記接着層がある程度、厚くなるとコア抗折強度が低下するのは、特に湿度の高い環境下では接着層内に水分が浸入しやすくなるためであるものと考えられる。
【０１０４】
磁気ヘッドの製造加工時において、前記コア抗折強度は２Ｎ以上あると、コアが割れるという不具合を解消でき、また実際に磁気ヘッドを使用する場でも前記コア抗折強度が１Ｎ以下となるのは好ましくないことから前記接着層の膜厚を０．０５μｍ〜０．３μｍの範囲内とした。こにより、前記コア抗折強度を２Ｎ以上に保つことができる。
【０１０５】
【発明の効果】
以上詳細に説明した本発明によれば、第１コアあるいは第２コアの少なくともどちらか一方の接合面に部分的に突出した突き当て平面を形成し、この突き当て平面を他方のコアの接合面に突き当てることで、第１コアと第２コア間の一部を面接触させることができるとともに、前記突き当て平面を高精度に平面加工できるため、第１コアと第２コアとの平面接合性を向上させることができる。
【０１０６】
また前記突き当て平面から段差を介して形成された溝部は一定の深さであり、前記溝部と他方のコアの接合面間には一定の膜厚の接着層が形成される。このため前記接着層は均一な接着強度を持ち、前記第１コアと第２コアとを強く接着することが可能である。
【０１０７】
上記した優れた平面接合性と強い均一な接着強度を有する磁気ヘッドを本発明における製造方法を用いれば容易に且つ適切に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態を示す磁気ヘッドの斜視図。
【図２】図１に示す第１コアの斜視図、
【図３】図２とは異なる形態の第１コアの部分正面図、
【図４】図１に示す磁気ヘッドを媒体対向面側から見た部分断面図、
【図５】図１の磁気ヘッドを用いて構成された回転ヘッド型磁気記録再生装置の平面図。
【図６】図１に示す磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図７】図１に示す磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図８】図１に示す磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図９】図１に示す磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図１０】図１に示す磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図１１】図１に示す磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図１２】接着層の好ましい膜厚範囲を測定するための実験方法を説明するための図、
【図１３】図１２の実験図を矢印Ｉ方向から見た図、
【図１４】第１コアと第２コアとを接着した直後における、接着層の膜厚とコア抗折強度との関係を示すグラフ、
【図１５】室温が４０℃で湿度が９５％の環境下に、接着層によって接合された第１コアと第２コアとを７２時間放置した後における、前記接着層の膜厚とコア抗折強度との関係を示すグラフ、
【図１６】従来の磁気ヘッドの斜視図。
【図１７】図１６とは異なる構造の従来の磁気ヘッドの斜視図、
【符号の説明】
１１　第１コア
１２　薄膜磁気ヘッド
１４　第１の突き当て平面
１５　第２の突き当て平面
１６、４４　溝部
３０、３１、３２　突き当て平面
２５　第２コア
３０　接着層
４１　第１バー
４２　ダミーパッド
４６　第２バー
【図１】
2004118886.tif 000003
【図２】
2004118886.tif 000004
【図３】
2004118886.tif 000005
【図４】
2004118886.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2004118886.tif 000009
【図８】
2004118886.tif 000010
【図９】
2004118886.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2004118886.tif 000013
【図１２】
2004118886.tif 000014
【図１３】
2004118886.tif 000015
【図１４】
2004118886.tif 000016
【図１５】
2004118886.tif 000017
【図１６】
2004118886.tif 000018
【図１７】
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