(57)【要約】【課題】回路基板等への振動の伝達を抑止する構造を備えるセラミックコンデンサを提供する。【解決手段】セラミックコンデンサ素子１０は、誘電体基体１００と、端子電極１２、１３と、複数の内部電極１４とを有する。端子電極１２、１３は、誘電体基体１００の相対する両側端部に備えられている。複数の内部電極１４のそれぞれは、誘電体基体１００の内部に埋設され、一端が端子電極１２、１３に接続され、他端が開放端になっている。内部電極１４のうち、互いに隣接する内部電極１４は、誘電体層を介して対向している。金属端子２２、２３のそれぞれは、金属部材で構成され、基板取付部２２５、２３５を有し、端子電極１２、１３の一つに接続されている。基板取付部２２５、２３５は、１つの取付面２００上にあり、取付面２００は内部電極１４の電極面１４０とほぼ垂直に交わる。【選択図】      図１
2004273935.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのセラミックコンデンサ素子と、少なくとも一対の金属端子とを含むセラミックコンデンサであって、
前記セラミックコンデンサ素子は、誘電体基体と、端子電極と、複数の内部電極とを有し、
前記誘電体基体は、セラミック誘電体でなり、
前記端子電極は、前記誘電体基体の相対する両側端部に備えられており、
前記複数の内部電極のそれぞれは、前記誘電体基体の内部に埋設され、一端が前記端子電極に接続され、他端が開放端になっており、
前記内部電極のうち、互いに隣接する内部電極は、誘電体層を介して対向しており、
前記金属端子のそれぞれは、金属部材で構成され、基板取付部を有し、前記端子電極の一つに接続されており、
前記金属端子のそれぞれの基板取付部は、前記誘電体基体の下端面と離間距離を隔てた１つの取付面上にあり、前記取付面は前記内部電極の電極面とほぼ垂直に交わる
セラミックコンデンサ。
【請求項２】
請求項１に記載されたセラミックコンデンサであって、
前記セラミックコンデンサ素子は、幅寸法Ｗ１と、高さ寸法Ｔ１とを有し、
前記幅寸法Ｗ１と、前記高さ寸法Ｔ１との比（Ｗ１／Ｔ１）が０．８〜１．２の範囲内にある
セラミックコンデンサ。
【請求項３】
請求項１又は２の何れかに記載されたセラミックコンデンサであって、全体の長さ寸法をＬ２とし、前記離間距離をＤとしたとき、
前記離間距離Ｄと、前記長さ寸法Ｌ２との比（Ｄ／Ｌ２）が０．０２５〜０．６００の範囲内にある
セラミックコンデンサ。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載されたセラミックコンデンサであって、
前記セラミックコンデンサ素子は、複数である
セラミックコンデンサ。
【請求項５】
セラミックコンデンサの製造方法であって、
セラミックコンデンサ素子は、請求項１乃至４の何れかに記載されたものでなり、
前記セラミックコンデンサの製造に当たり、
まず、セラミックコンデンサ素子を、磁石を有する受け具に投入し、前記磁石の磁気を利用して、前記セラミックコンデンサ素子を、電極面が同一方向を向くように反転または移動させ、
その後、前記セラミックコンデンサ素子に対し、金属端子を取り付ける
工程を含むセラミックコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミックコンデンサに関する。本発明に係るセラミックコンデンサは、主に、スイッチング電源用の平滑用コンデンサとして用いるのに適する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、小型で高信頼性のセラミックコンデンサには、強誘電体セラミック材料が使われている。強誘電体セラミック材料は、基本的に電歪現象を伴う。このため、強誘電体セラミック材料を用いたセラミックコンデンサにＡＣ電圧を印加すると、電歪現象による振動が発生する。
【０００３】
この電歪現象によるセラミックコンデンサの振動は、特に、セラミックコンデンサが回路基板上に直接取り付けられた場合に、コンデンサ自身や基板や周りの部品で顕著になり、ときに可聴振動数（２０〜２０、０００Ｈｚ）の振動音を発することがある。この振動音は人に不快な音域の場合もあり、対策を必要とする。
【０００４】
強誘電体セラミック材料を使用するセラミックコンデンサにおいて、電歪現象により発生する振動を止めることは出来ないから、セラミックコンデンサとしては、その振動を可能な限り基板等に伝達しない構造を備えることが重要となる。
【０００５】
特許文献１は、少なくとも１つのセラミックコンデンサ素子と、少なくとも一対の金属端子とを含むセラミックコンデンサであって、前記セラミックコンデンサ素子は、相対する両側端面に端子電極を有しており、前記金属端子のそれぞれは、中間部に折り返し部を有し、前記折り返し部より先の部分が前記端子電極に接続され、前記折り返し部の後方部分に外部と接続される端子部を有しており、前記金属端子の前記折り返し部は、一つの曲げ部で構成され、鋭角に折り曲げられているセラミックコンデンサを開示している。
【０００６】
上述した構造によると、セラミックコンデンサは金属端子を有するから、回路基板への振動の伝達が低減される。
【０００７】
しかし、特許文献１に記載されたセラミックコンデンサにおいても、依然として振動音を消去できないことが、出願人の研究により確認されている。
【０００８】
【特許文献１】
特許第３２０６７３４号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、回路基板等への振動の伝達を抑止する構造を備えるセラミックコンデンサを提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明に係るセラミックコンデンサは、少なくとも１つのセラミックコンデンサ素子と、少なくとも一対の金属端子とを含む。前記セラミックコンデンサ素子は、誘電体基体と、端子電極と、複数の内部電極とを有する。前記誘電体基体は、セラミック誘電体でなる。前記端子電極は、前記誘電体基体の相対する両側端部に備えられている。前記複数の内部電極のそれぞれは、前記誘電体基体の内部に埋設され、一端が前記端子電極に接続され、他端が開放端になっている。前記内部電極のうち、互いに隣接する内部電極は、誘電体層を介して対向している。前記金属端子のそれぞれは、金属部材で構成され、基板取付部を有し、前記端子電極の一つに接続されている。前記金属端子のそれぞれの基板取付部は、前記誘電体基体の下端面と離間距離を隔てた１つの取付面上にあり、前記取付面は前記内部電極の電極面とほぼ垂直に交わる。
【００１１】
上述のように、セラミックコンデンサは、少なくとも１つのセラミックコンデンサ素子と、少なくとも一対の金属端子とを含む。セラミックコンデンサ素子は、誘電体基体と、端子電極と、複数の内部電極とを有する。誘電体基体は、セラミック誘電体でなる。端子電極は、誘電体基体の相対する両側端部に備えられている。複数の内部電極のそれぞれは、誘電体基体の内部に埋設され、一端が端子電極に接続され、他端が開放端になっている。内部電極のうち、互いに隣接する内部電極は誘電体層を介して対向している。金属端子のそれぞれは、金属部材で構成され、基板取付部を有し、端子電極の一つに接続されている。
【００１２】
上述した構造は、セラミックコンデンサにおいて周知の構造である。この構造によると、セラミックコンデンサには電歪現象により振動が生じる。この振動は金属端子をも通じて基板に伝わるから、セラミックコンデンサには、振動音の発生を充分に抑止するため、更なる振動の低減構造を備えることが必要となることは前述した通りである。
【００１３】
本発明の特徴は、上述した振動が基板に伝わることを抑止する点にある。その手段として、本発明に係るセラミックコンデンサでは、金属端子のそれぞれの基板取付部は、誘電体基体の下端面と離間距離を隔てた１つの取付面上にあり、取付面は内部電極の電極面とほぼ垂直に交わる構造を採用した。
【００１４】
上述した金属端子の配置構造によると、セラミックコンデンサ素子が電歪現象により振動したとしても、金属端子を通じて基板に伝わる振動を低減することができる。
【００１５】
本発明に係るセラミックコンデンサの製造方法において、まず、セラミックコンデンサ素子を、磁石を有する受け具に投入し、前記磁石の磁気を利用して、前記セラミックコンデンサ素子を、電極面が同一方向を向くように反転または移動させる。その後、前記セラミックコンデンサ素子に対し、金属端子を取り付ける。
【００１６】
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。添付図面は、単に、例示に過ぎない。
【００１７】
【発明の実施の形態】
１．本発明に係るセラミックコンデンサ
図１は本発明に係るセラミックコンデンサの斜視図、図２は図１の２−２線に沿った断面図、図３は図２の３−３線に沿った断面図である。
【００１８】
図１乃至図３を参照すると、セラミックコンデンサは、長さ寸法Ｌ２、高さ寸法Ｔ２、及び、幅寸法Ｗ２の外形寸法を有し、少なくとも１つのセラミックコンデンサ素子１０と、一対の金属端子２２、２３とを含む。
【００１９】
セラミックコンデンサ素子１０は、長さ寸法Ｌ１、高さ寸法Ｔ１、及び、幅寸法Ｗ１の外形寸法を有し、誘電体基体１００と、端子電極１２、１３と、複数の内部電極１４とを有する。
【００２０】
誘電体基体１００は、セラミック誘電体でなる。端子電極１２、１３は、誘電体基体１００の相対する両側端部に備えられている。
【００２１】
複数（例えば１００層）の内部電極１４のそれぞれは、誘電体基体１００の内部に埋設され、一端が端子電極１２または１３に接続され、他端が開放端になっている。内部電極１４のうち、互いに隣接する内部電極１４は、誘電体層を介して対向している。より詳細に説明すると、複数の内部電極１４は、誘電体基体１００の内部において、一端が端子電極１２に接続されるものと、一端が端子電極１３に接続されるものがあり、それぞれが交互に積層配置されている。また、内部電極１４は、その開放端と端子電極１２、１３との間に、間隔が生じるように形成する。前記間隔は、好ましくは、開放端と端子電極１２、１３との間の最短離間距離で与えられる。
【００２２】
上述した誘電体基体１００、端子電極１２及び１３、内部電極１４の構成材料、製造方法等は周知である。典型的な例では、セラミックコンデンサ素子１０は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を主成分とした誘電体基体１００の内部に、Ｎｉよりなる内部電極１４を有し、誘電体基体１００の相対する両側端部にガラスブリットを含んだＣｕペーストの焼き付け電極でなる端子電極１２、１３を有する。
【００２３】
セラミックコンデンサは、一対の金属端子２２、２３を有する。金属端子２２は、金属板部材で構成され、基板取付部２２５を有する。金属端子２３は、金属板部材で構成され、基板取付部２３５を有する。金属端子２２、２３において基板取付部２２５、２３５は、外部との接続端子部である。
【００２４】
図示するように、金属端子２２は端子電極１２に接続され、金属端子２３は端子電極１３に接続されている。金属端子２２の先端部と、端子電極１２との間には、周知の接合材２２０が介在し、両者を接着している。同様に、金属端子２３の先端部と、端子電極１３との間には、周知の接合材２３０が介在し、両者を接着している。接合材２２０、２３０は、はんだ成分と、フラックス成分とを含む構成が好ましい。接合材２２０、２３０は、印刷、ディスペンサー塗布、スプレー、はけ塗り等の手段によって、セラミックコンデンサ素子１０の端子電極１２、１３に容易に塗布される。
【００２５】
上述した構造は、セラミックコンデンサにおいて、一般的な構造である。本発明の特徴は、セラミックコンデンサ素子１０において、電歪現象により不可避的に生じる振動が、基板に伝わることを防止する金属端子２２、２３の取付構造にある。
【００２６】
本発明に係るセラミックコンデンサにおいて、図１乃至図３に示す実施例を参照すると、金属端子２２、２３は、それぞれの基板取付部２２５、２３５が、誘電体基体１００の下端面と離間距離Ｄを隔てた１つの取付面２００上にあり、取付面２００が、内部電極１４の電極面１４０とほぼ垂直に交わるように位置決めされて取り付けられている。
【００２７】
上述した取付け構造によると、金属端子２２、２３は、セラミックコンデンサの電歪現象により発生し、金属端子２２、２３を通じて基板に伝えられる振動を低減し得る。
【００２８】
より詳細に説明すると、金属端子２２、２３は、基板取付部２２５、２３５により形成される取付面２００が、内部電極１４の電極面１４０に垂直に交わる関係で取り付けられているから、セラミックコンデンサ素子１０に発生する振動は、取付面２００に対して平行方向に生じる。前記平行方向に生じる振動に対して、金属端子２２、２３は、電極面１４０に対し垂直に交わるように取り付けられているから、セラミックコンデンサ素子１０の振動方向と、金属端子２２、２３の取付姿勢との間でねじれ関係が生じる。このねじれ関係により、金属端子２２、２３は、セラミックコンデンサ素子１０の振動が基板に伝達されることを抑止し、且、金属端子２２、２３のばね性により振動を吸収することにより、基板に伝わる振動を低減することができる。
【００２９】
これに対し、従来のセラミックコンデンサ素子１０（図示しない）において、金属端子２２、２３は、取付面２００が、電極面１４０と平行になる関係で取り付けられていた。上述した配置構造によると、セラミックコンデンサに電歪現象が生じた場合、セラミックコンデンサ素子１０は、取付面２００に対して垂直方向に振動する一方、金属端子２２、２３には、垂直方向への振動に対して、ねじれ関係が生じない。その結果、金属端子２２、２３は、そのばね性により振動を吸収することしかできず、基板に伝わる振動を十分に低減することができなかった。
【００３０】
図１乃至図３を参照すると、セラミックコンデンサ素子１０の幅寸法Ｗ１と、高さ寸法Ｔ１とは等しい寸法で示されているが、例示に過ぎない。
【００３１】
また、セラミックコンデンサは、１つのセラミックコンデンサ素子１０により構成されているが、例示に過ぎない。セラミックコンデンサ素子１０は、上述したように内部電極１４が取付面２００に垂直に交わる関係にあれば、例えば、２個を縦に組み合わせて用いることもできる。
【００３２】
さらに、金属端子２２、２３は、金属板部材で構成されるが、例示に過ぎない。例えば、金属端子２２、２３は、金属棒部材で構成されてもよい（図１０参照）。
【００３３】
２．セラミックコンデンサの特性
図４及び図５はセラミックコンデンサ特性測定方法を示す。図４は素子振動量測定方法を示し、図５は基板振動量測定方法を示している。
【００３４】
図４及び図５に示す測定方法において、セラミックコンデンサ素子１０は、導体パターン３１、及び、回路基板３２の上に搭載されている。導体パターン３１は、回路基板３２上に設けられている。セラミックコンデンサ素子１０は、接合材２２０、２３０によって導体パターン３１に固定され、且、電気的に導通している。
【００３５】
図４及び図５に示す測定方法は、光センサ４１、光電変換器４２、アナログ・デジタル変換器５６、振動測定器６を含む。振動測定器６は、典型的には、オシロスコープ等である。
【００３６】
次に、上述したセラミックコンデンサの特性の測定方法による測定結果について、表１を参照して説明する。
【００３７】
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【００３８】
表１において、比較例１及び３〜９は、内部電極１４の向きを「平行」にしたものである。比較例２、及び、実施例１〜４は、内部電極１４の向きを「垂直」にしたものである。「平行」とは、内部電極１４の電極面１４０が、基板３２に対し平行な位置関係になるように誘電体基体１００に埋設されている状態をいい、「垂直」とは、内部電極１４の電極面１４０が、基板３２に対し垂直に交わるように誘電体基体１００に埋設されている状態を言う。
【００３９】
（Ｗ１／Ｔ１）比は、セラミックコンデンサ素子１０の幅寸法Ｗ１と縦寸法Ｔ１との長さ比を示す。（Ｗ１／Ｔ１）比が１．０の場合、セラミックコンデンサ素子１０の側端面は、正方形形状となる。
【００４０】
（Ｄ／Ｌ２）比は、セラミックコンデンサにおいて、誘電体基体１００の下端面と取付面２００との間の離間距離Ｄと、セラミックコンデンサの長さ寸法Ｌ２との比を示す。通常、セラミックコンデンサの長さ寸法Ｌ２は一定であるから、（Ｄ／Ｌ２）比の変動は、離間距離Ｄの増減を示す。
【００４１】
（Ｄ／Ｌ２）比は、比較例３〜１０、及び、実施例１〜４において、表１に示すように異ならせた。比較例１、２は、内部電極１４の電極面１４０が基板３２に対し平行関係で埋設されたセラミックコンデンサ素子１０を、基板３２上に直接配置した。
【００４２】
素子振動量は電歪現象によりセラミックコンデンサ素子１０の表面に生じる振動値を示し、基板振動量は基板表面で感知される振動値を示す。音の発生とは、被験者が確認した振動音の発生の有無を示す。この振動音の発生の有無は、一般通常人においても知覚しうる普遍的な測定結果であると考える。
【００４３】
表１から明らかなように、セラミックコンデンサ素子１０を基板３２上に直接配置した比較例１、２の場合、基板振動量が最も大きくとなり、音の発生が確認されている。
【００４４】
また、比較例１、２の場合とは異なり、比較例３〜９、及び、実施例１〜４に示すセラミックコンデンサは、金属端子２２、２３と、セラミックコンデンサ素子１０とを含む。ここで、セラミックコンデンサ素子１０が金属端子２２、２３を介して、基板３２上に配置されている場合であっても、内部電極１４の向きを「平行」にした比較例３〜９では、全てにおいて音の発生が確認されている。これに対し、内部電極１４の向きを「垂直」にした実施例１〜４では、全てにおいて音の発生が確認されなかった。
【００４５】
次に、図４及び図５に示すセラミックコンデンサの特性の測定方法による測定結果について、表２を参照して説明する。但し、表１と重複する説明は省略する。
【００４６】
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【００４７】
表２は、本発明に係るセラミックコンデンサの構造において、（Ｄ／Ｌ２）比により音の発生が確認される下限の臨界値を示している。
【００４８】
表２から明らかなように、セラミックコンデンサは、音の発生を抑止するため、（Ｄ／Ｌ２）比が０．０２５以上に設定されることが好ましい。
【００４９】
また、表１及び表２において、（Ｄ／Ｌ２）比に関する上限の臨界値は示されていないが、この種のセラミックコンデンサに対する小型化の要請を考慮し、０．６００程度に設定することが現実的である。（Ｄ／Ｌ２）を０．６００に選定した場合は、表１の実施例４に示すように、音の発生を抑止できる。
【００５０】
上述した観点から、セラミックコンデンサにおける（Ｄ／Ｌ２）比の好ましい範囲は、０．０２５〜０．６００の範囲である。
【００５１】
３．他の実施例
本発明に係るセラミックコンデンサの特徴は、金属端子２２、２３が、セラミックコンデンサ素子１０に対し、電極面１４０と垂直に交わるように取付られ、セラミックコンデンサ素子１０に発生する振動を吸収する点にある。従って、セラミックコンデンサは、上述したセラミックコンデンサ素子１０と、金属端子２２、２３との取付配置構造を備える限り、さまざまな実施形態をとることができる。以下、実施形態の一部を例示する。
【００５２】
図示において、図１乃至図３に図示した構成部分と同一の構成部分には、同一の参照符号を付し、重複説明を省略する。また、以下実施形態の作用及び効果については、上述したセラミックコンデンサと同様であるので、説明を省略する。
【００５３】
図６は、本発明に係るセラミックコンデンサの別の実施例を示す斜視図である。図６に示すセラミックコンデンサは、基板取付部２２５、２３５がセラミックコンデンサ素子１０の外側に突出している点で、図１乃至図３に示すセラミックコンデンサと異なる。
【００５４】
図６においても、電極面１４０と、取付面２００とは垂直に交わる関係にあるから、金属端子２２、２３によりセラミックコンデンサ素子１０の振動を、振動音が発生しない数値まで低減することができる。
【００５５】
図７は、本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の実施例を示す斜視図である。図７に示すセラミックコンデンサは、金属端子２２、２３の中間にキンク２２６、２３６が設けられている点で、図１乃至図３に示すセラミックコンデンサと異なる。
【００５６】
図７においても、電極面１４０と、取付面２００とは垂直に交わる関係にあるから、金属端子２２、２３によりセラミックコンデンサ素子１０の振動を、振動音が発生しない数値まで低減することができる。
【００５７】
更に、本実施例の構造によれば、キンク２２６、２３６が一種のスプリング作用を有するから、電歪現象によりセラミックコンデンサ素子１０に生じる振動を、キンク２２６、２３６においても吸収し、振動音の発生をより確実に抑止することができる。
【００５８】
図８は、本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の実施例を示す斜視図である。図８に示すセラミックコンデンサにおいて、金属端子２２、２３のそれぞれは、一端に折り返し部２２７、２３７を有し、セラミックコンデンサ素子１０の端子電極１２、１３に接続され、他端に外部と接続される基板取付部２２５、２３５を有する。図８においても、電極面１４０と、取付面２００とは垂直に交わる関係にあるから、金属端子２２、２３によりセラミックコンデンサ素子１０の振動を、振動音が発生しない数値まで低減することができる。
【００５９】
更に、本実施例の構造によれば、折り返し部２２７、２３７が一種のスプリング作用を有するから、セラミックコンデンサ素子１０に生じる振動を、折り返し部２２７、２３７で吸収し、振動音の発生をより確実に抑止することができる。
【００６０】
また、金属端子２２、２３に折り返し部２２７、２３７を設けることで、回路基板３２の撓み、及び、熱膨張をも吸収し、セラミックコンデンサ素子１０に機械的応力および熱応力を生じさせないようにしうるとともに、折り返しによって、高さ増大を回避することもできる。
【００６１】
図９は、本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の実施例を示す斜視図である。図９に示すセラミックコンデンサにおいては、金属端子２２、２３のそれぞれは、コ字状の曲げられ、端子接続部２２８、２３８と、基板取付部２２５、２３５とを有する。セラミックコンデンサ素子１０は、端子電極１２、１３の下面側が端子接続部２２８、２３８に載置されている点で、図１乃至図３に示すセラミックコンデンサと異なる。
【００６２】
図９においても、電極面１４０と、取付面２００とは垂直関係にあるから、金属端子２２、２３によりセラミックコンデンサ素子１０の振動を、振動音が発生しない数値まで低減することができる。
【００６３】
更に、本実施例の構造によれば、セラミックコンデンサ素子１０の大きさに合わせて金属端子２２、２３を設けることができるから、基板３２占有面積の増大を抑え、実装面積を最小に抑えたセラミックコンデンサを提供することができる。
【００６４】
図１０は、本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の実施例を示す斜視図である。図示実施例において、金属端子２２、２３は、金属棒部材で構成される点で、図１乃至図３に示すセラミックコンデンサと異なる。
【００６５】
図１０に示すように、金属端子２２、２３は基板取付部２２５、２３５の外縁を結んで取付面２００が形成され、この取付面２００と、内部電極１４の電極面１４０とが垂直に交わる関係にあれば、金属端子２２、２３によりセラミックコンデンサ素子１０の振動を、振動音が発生しない数値まで低減することができる。
【００６６】
４．セラミックコンデンサの製造方法
図１１は本発明に係るセラミックコンデンサの製造方法を示す図、図１２は図１１の工程を拡大して示す斜視図である。図示において、図１乃至図３に図示した構成部分と同一の構成部分には、同一の参照符号を付し、重複説明を省略する。
【００６７】
セラミックコンデンサの製造に当たり、まず、図１１及び図１２に示すように、セラミックコンデンサ素子１０を、磁石７を有する受け具９に投入する。セラミックコンデンサ素子１０は、別異の製造工程（図示しない）により予め製造され、前記製造工程につながる搬入装置８から受け具９上に投入される。受け具９の下方には磁石７が設置されている。磁石７は永久磁石または電磁石である。
【００６８】
セラミックコンデンサ素子１０は、搬入装置８上では、その内部電極１４は一定方向に揃えられていないが、受け具９への投入により矢印Ｐで示す磁石７の磁気にひきつけられ、矢印Ｍで示す方向に反転、又は、移動する。
【００６９】
図１３は図１１の後の工程を示す図、図１４は図１３の工程を拡大して示す斜視図である。
【００７０】
次に、図１３及び図１４に示すように、セラミックコンデンサ素子１０は、内部電極１４の電極面１４０が、磁石７の磁気Ｐにより、矢印Ｍで示す方向に反転又は移動し、磁石７に対し平行な向きで揃えられている。
【００７１】
図示していないが、上述工程の後、反転又は移動したセラミックコンデンサ素子１０に対し、電極面１４０と、基板取付部２２５、２３５とが垂直に交わるように位置決めして、金属端子２２、２３が取り付けられる。
【００７２】
上述したセラミックコンデンサの製造方法によると、外部から視認し得ないセラミックコンデンサ素子１０への埋設後においても、内部電極１４の電極面１４０の向きを確実に揃えることができる。
【００７３】
また、大量のセラミックコンデンサ素子１０に対して、その電極面１４０の向きを迅速、且、的確に揃えることができるから、信頼性の高いセラミックコンデンサの製造を容易に実行することができる。
【００７４】
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種種の変形態様を採り得ることは自明である。
【００７５】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、回路基板等への振動の伝達を抑止する構造を備えるセラミックコンデンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るセラミックコンデンサの斜視図である。
【図２】図１の２−２線に沿った断面図である。
【図３】図２の３−３線に沿った断面図である。
【図４】本発明に係るセラミックコンデンサの特性を検査する方法を示す図である。
【図５】本発明に係るセラミックコンデンサの特性を検査する方法を示す図である。
【図６】本発明に係るセラミックコンデンサの別の実施例を示す斜視図である。
【図７】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の実施例を示す斜視図である。
【図８】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の実施例を示す斜視図である。
【図９】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の実施例を示す斜視図である。
【図１０】本発明に係るセラミックコンデンサの更に別の実施例を示す斜視図である。
【図１１】本発明に係るセラミックコンデンサの製造方法を示す図である。
【図１２】図１１の工程を拡大して示す斜視図である。
【図１３】図１１の後の工程を示す図である。
【図１４】図１３の工程を拡大して示す斜視図である。
【符号の説明】
セラミックコンデンサ素子    １０
誘電体基体                  １００
端子電極                    １２、１３
内部電極                    １４
電極面                      １４０
金属端子                    ２２、２３
基板取付部                  ２２５、２３５
取付面                      ２００
磁石                        ７
受け具                      ９
長さ寸法                    Ｌ１、Ｌ２
高さ寸法                    Ｔ１、Ｔ２
幅寸法                      Ｗ１、Ｗ２
離間距離                    Ｄ
磁気                        Ｐ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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