(57)【要約】【課題】本発明の目的は、すじ状の故障が低減されかつ、均一な金属化合物層を形成できる光学フィルム及び光学フィルムの製造方法を提供することであり、さらに、高温高湿条件でも物性変動することのない、また、真空プロセスを必要としないことから大幅なコスト低減が可能な光学フィルムを提供することにある。【解決手段】セルロースと芳香族カルボン酸とのエステルを含有するセルロースエステルフィルム上に直接又は他の層を介して主に窒素を含有する大気圧近傍のガス雰囲気下でプラズマ処理によって形成された金属化合物層を有する光学フィルム。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルロースと芳香族カルボン酸とのエステルを含有するセルロースエステルフィルム上に直接又は他の層を介して主に窒素を含有する大気圧近傍のガス雰囲気下でプラズマ処理によって形成された金属化合物層を有する光学フィルム。
【請求項２】
セルロースエステルフィルムが分子内に３個以上の芳香族環を有する化合物を含有する請求項１に記載の光学フィルム。
【請求項３】
セルロースと芳香族カルボン酸とのエステルを含有するセルロースエステルフィルムの少なくとも片方の面に、１層以上のハードコート層を設け、さらにその上に直接又は他の層を介して、主に窒素を含有する大気圧近傍のガス雰囲気下で、プラズマ処理によって金属化合物層を形成する光学フィルムの製造方法。
【請求項４】
プラズマ処理が対向する少なくとも２つの電極の間に窒素を主成分とするガスを供給し、該電極間に高周波電圧を印加することにより該ガスを励起し、基材を励起した該ガスに晒すことにより該基材上に金属化合物層を形成する光学フィルムの製造方法であって、前記電極間に印加する高周波電圧が、第１の周波数ω１の電圧成分と、該第１の周波数ω１より高い第２の周波数ω２を有する電圧成分とを有することを特徴とする請求項３に記載の光学フィルムの製造方法。
【請求項５】
請求項１または２に記載の光学フィルムを有する低反射偏光板。
【請求項６】
請求項１または２に記載の光学フィルムを有する表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、大気圧近傍のガス雰囲気下でプラズマ処理によって形成された金属化合物層を有する光学フィルム、その製造方法および該光学フィルムを有する低反射偏光板、表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
大気圧近傍の圧力下において対向電極間にパルス化された電界を印加することによりグロー放電を生じさせ、反応性ガスによりプラズマを生成させ基材表面に機能性薄膜を形成するグロー放電プラズマ処理方法（大気圧プラズマ処理法）についてはよく知られている。
【０００３】
大気圧プラズマ処理法は真空プロセスを用いる方法と比較して高真空設備がいらないため安価に機能性膜を基材上に形成できる。
【０００４】
しかしながら、反応ガスとして、ヘリウム等の希ガスを用いるとそのメリットが失われてしまう。そのため、ヘリウム等に比べ安価なアルゴンや窒素気体中での安定した処理が可能とする方法として、特開平１１−１８１５７３号公報（特許文献１）等に、安価な窒素雰囲気でのプラズマ処理法が提案されている。しかしながら、窒素雰囲気でのプラズマ処理は、窒素ガスは放電開始電圧が高く高密度で安定なプラズマ状態を維持することがヘリウムよりも難しいため、形成される機能性膜の膜質が十分でなく、ヘリウム等の希ガスを用いた場合に比べ、特性が劣ってしまったり、一方で、膜質をあげるため放電を強くすると均一な膜が得にくい、また、すじ状の故障が発生しやすいなどその改善が求められていた。
【０００５】
このため、例えば、２周波印加による大気圧プラズマ法が提案されており、例えば、大気圧近傍の圧力下において対向電極間に高圧電流によるパルス化された電界を印加することによりグロー放電を生じさせ、更に高周波交流パルス波を印加してプラズマを維持させ反応性ガスによりプラズマを生成させ基材表面に機能性薄膜を形成するグロー放電プラズマ処理方法（大気圧プラズマ処理法）が特開２００２−１１０３９７号公報（特許文献２）に開示されている。
【０００６】
透明性に優れ、光学的に等方性の高いトリアセチルセルロース基材上に上記の様に、大気圧プラズマ処理によって、例えば反射防止層等の機能性層を形成して反射防止フィルム等の光学フィルムを得ることができることは、これまで、例えば特開２０００−２６６３２号公報等に記載されている。
【０００７】
しかしながら、前記トリアセチルセルロース等を基材としたフィルムにおいては、最近の厳しい光学的性質や物性に関する要求、例えば、光学的等方性や、特に高温高湿条件での寸度安定性等の物性変動に対する要求を満足することが難しくなってきている。また、製膜時や、その後の機能性層の形成時における、吸湿に起因するしわの発生や、それによるスジ故障等に対しても満足すべき性能を得ることが難しくなってきている。
【０００８】
これに対し、セルロースエステルの材料の側からも、例えば、特開２０００−２６５６３８号公報、同２０００−２６５６３９号公報そして特に特開２００２−２４１５１２号公報（特許文献３）等に記載されているように、セルロースエステルを構成するカルボン酸残基として芳香族基例えばベンゾイル、ナフトイル等のアシル基を有する芳香族セルロースエステルを用いる試みが行われている。
【０００９】
このように、従来用いられてきたトリアセチルセルロース等を基材とした光学フィルムの欠点を改善し、すじ状の故障が低減されかつ、均一な金属化合物層を形成でき、耐久性に優れ、かつ、特に金属化合物層を形成したときに、最近の厳しい光学的性質の一つとして反射光の色むら等が低減された光学フィルムを得ることのできる光学フィルムの製造方法および該光学フィルムに対する要求は依然として大きいものがある。
【００１０】
【特許文献１】
特開平１１−１８１５７３号公報
【００１１】
【特許文献２】
特開２００２−１１０３９７号公報
【００１２】
【特許文献３】
特開２００２−２４１５１２号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、すじ状の故障が低減されかつ、均一な金属化合物層を形成できる光学フィルム及び光学フィルムの製造方法を提供することであり、さらに、高温高湿条件でも物性変動することのない、また、真空プロセスを必要としないことから大幅なコスト低減が可能な光学フィルムを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記目的は以下の手段によって達成される。
【００１５】
１．セルロースと芳香族カルボン酸とのエステルを含有するセルロースエステルフィルム上に直接又は他の層を介して主に窒素を含有する大気圧近傍のガス雰囲気下でプラズマ処理によって形成された金属化合物層を有する光学フィルム。
【００１６】
２．セルロースエステルフィルムが分子内に３個以上の芳香族環を有する化合物を含有する前記１に記載の光学フィルム。
【００１７】
３．セルロースと芳香族カルボン酸とのエステルを含有するセルロースエステルフィルムの少なくとも片方の面に、１層以上のハードコート層を設け、さらにその上に直接又は他の層を介して、主に窒素を含有する大気圧近傍のガス雰囲気下で、プラズマ処理によって金属化合物層を形成する光学フィルムの製造方法。
【００１８】
４．プラズマ処理が対向する少なくとも２つの電極の間に窒素を主成分とするガスを供給し、該電極間に高周波電圧を印加することにより該ガスを励起し、基材を励起した該ガスに晒すことにより該基材上に金属化合物層を形成する光学フィルムの製造方法であって、前記電極間に印加する高周波電圧が、第１の周波数ω１の電圧成分と、該第１の周波数ω１より高い第２の周波数ω２を有する電圧成分とを有することを特徴とする前記３に記載の光学フィルムの製造方法。
【００１９】
５．前記１または２に記載の光学フィルムを有する低反射偏光板。
６．前記１または２に記載の光学フィルムを有する表示装置。
【００２０】
本発明は、すじ状の故障が低減されかつ、均一な金属化合物層を形成した光学フィルム及び光学フィルムの製造方法を提供する。また、高温高湿条件でも物性変動することのない光学フィルムを提供することができ、この方法によれば真空プロセスを必要としないため、大幅なコスト低減を可能にすることができる。
【００２１】
本発明においては、セルロースと芳香族カルボン酸とのエステルを含有するセルロースエステルを用いる。
【００２２】
本発明において用いられる、セルロースと芳香族カルボン酸とのエステルは、光学的等方性、耐水性（疎水性）および寸度安定性が優れているとの特徴がある。セルロースエステルとは、セルロースの水酸基の一部または全部がカルボン酸とエステル化している化合物の総称である。本発明のセルロースエステルフィルムは、セルロースとエステルを形成するカルボン酸の一部又は全部が、芳香族カルボン酸であることを特徴とする。セルロースを構成するβ−１，４−グリコシド結合しているグルコース単位では、下記式（Ｉ）のＲが全て水素原子（Ｒ１：−Ｈ）である。本発明で用いるセルロースエステルでは、下記式（Ｉ）のＲの一部または全部が、芳香族アシル基（Ｒ２：−ＣＯ−Ａｒ）で置換されている。
【００２３】
【化１】
2004155146.tif 000002
【００２４】
式中、βは、β−１，４−グリコシド結合であり、ｎは、セルロースエステルの重合度であり；Ｒは、Ｒ１またはＲ２であり；そして、Ａｒは、（置換基を有していてもよい）芳香族基である。
【００２５】
芳香族カルボン酸が有する芳香族環は、芳香族性炭化水素環、芳香族性複素環またはそれらの縮合環である。芳香族性炭化水素環または芳香族性炭化水素環と芳香族性複素環との縮合環が好ましく、芳香族性炭化水素環がさらに好ましい。芳香族性炭化水素環の例には、ベンゼン環、インデン環、ナフタレン環、アズレン環、フルオレン環、フェナントレン環、アントラセン環、アセナフチレン環、ビフェニレン環、ナフタセン環およびピレン環が含まれる。ベンゼン環、ナフタレン環およびアントラセン環が好ましく、ベンゼン環およびナフタレン環がさらに好ましく、ベンゼン環が最も好ましい。言い換えると、芳香族カルボン酸としては、安息香酸が最も好ましい。芳香族性炭化水素環と芳香族性複素環との縮合環の例には、ベンゾトリアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、クロメン環、フタラジン環およびインドール環が含まれる。芳香族性炭化水素環に脂肪族性炭化水素環が縮合していてもよい。そのような縮合環の例には、インダン環が含まれる。芳香族性炭化水素環に非芳香族性複素環が縮合していてもよい。そのような縮合環の例には、クロマン環およびインドリン環が含まれる。
【００２６】
芳香族カルボン酸は、置換基を有することが好ましい。芳香族カルボン酸が安息香酸である場合、置換基の少なくとも一つが、安息香酸のメタ位またはパラ位に結合していることが特に好ましい。また、安息香酸のオルト位は無置換であることが好ましい。置換基の数は、一個乃至五個であることが好ましく、一個乃至四個であることがより好ましく、一個乃至三個であることがさらに好ましく、一個または二個であることが最も好ましい。
【００２７】
芳香族カルボン酸の置換基には、ハロゲン原子、シアノ、ヒドロキシル、ニトロ、シリル、シリルオキシ、カルバモイル、カルバモイルオキシ、スルファモイル、スルファモイルアミノ、ホスフィノ、ホスフィニル、ホスホノ、ホスフィニルオキシ、ホスホノオキシ、ホスフィニルアミノ、ホスホノアミノ、脂肪族基、芳香族基、複素環基、−Ｏ−Ｒ、−Ｓ−Ｒ、−ＣＯ−Ｒ、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ、−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ、−ＣＯ−Ｎ（−Ｒ）２、−Ｏ−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ、−Ｏ−ＣＯ−Ｎ（−Ｒ）２、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−Ｒ、−ＮＨ−Ｒ、−Ｎ（−Ｒ）２、−ＮＨ−ＣＯ−Ｒ、−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ、−ＮＨ−ＣＯ−Ｎ（−Ｒ）２、−ＮＨ−ＣＯ−Ｏ−Ｒ、−ＳＯ２−ＮＨ−Ｒ、−ＳＯ２−Ｎ（−Ｒ）２、−ＮＨ−ＳＯ２−ＮＨ−Ｒ、−ＮＨ−ＳＯ２−Ｎ（−Ｒ）２、−ＮＨ−ＳＯ２−Ｒ、−ＳＯ−Ｒ、−ＳＯ２−Ｒ、−Ｎ（−ＣＯ−Ｒ）２、−ＰＨ−Ｒ、−Ｐ（−Ｒ）２、−ＰＨ−Ｏ−Ｒ、−Ｐ（−Ｒ）−Ｏ−Ｒ、−Ｐ（−Ｏ−Ｒ）２、−ＰＨ（＝Ｏ）−Ｒ、−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｒ）２、−ＰＨ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ、−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｒ）−Ｏ−Ｒ、−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｏ−Ｒ）２、−Ｏ−ＰＨ（＝Ｏ）−Ｒ、−Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｒ）２、−Ｏ−ＰＨ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ、−Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｒ）−Ｏ−Ｒ、−Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｏ−Ｒ）２、−ＮＨ−ＰＨ（＝Ｏ）−Ｒ、−ＮＨ−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｒ）２、−ＮＨ−ＰＨ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ、−ＮＨ−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｒ）−Ｏ−Ｒ、−ＮＨ−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｏ−Ｒ）２、−ＳｉＨ２−Ｒ、−ＳｉＨ（−Ｒ）２、−Ｓｉ（−Ｒ）３、−Ｏ−ＳｉＨ２−Ｒ、−Ｏ−ＳｉＨ（−Ｒ）２および−Ｏ−Ｓｉ（−Ｒ）３が含まれる。
【００２８】
上記Ｒは、脂肪族基、芳香族基または複素環基である。同一の基に含まれる複数のＲは、互いに異なっていてもよい。上記脂肪族基は、アルキル基、置換アルキル基、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基または置換アルキニル基を意味する。アルキル基は、環状構造または分岐構造を有していてもよい。アルキル基の炭素原子数は、１乃至３０であることが好ましい。アルキル基の例には、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル、ビシクロ［１，２，２］へプタン−２−イルおよびビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イルが含まれる。置換アルキル基のアルキル部分は、上記アルキル基と同様である。
【００２９】
置換アルキル基の置換基の例には、ハロゲン原子、シアノ、ヒドロキシル、ニトロ、シリル、シリルオキシ、カルバモイル、カルバモイルオキシ、スルファモイル、スルファモイルアミノ、ホスフィノ、ホスフィニル、ホスホノ、ホスフィニルオキシ、ホスホノオキシ、ホスフィニルアミノ、ホスホノアミノ、芳香族基、複素環基、−Ｏ−Ｒ、−Ｓ−Ｒ、−ＣＯ−Ｒ、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ、−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ、−ＣＯ−Ｎ（−Ｒ）２、−Ｏ−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ、−Ｏ−ＣＯ−Ｎ（−Ｒ）２、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−Ｒ、−ＮＨ−Ｒ、−Ｎ（−Ｒ）２、−ＮＨ−ＣＯ−Ｒ、−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ、−ＮＨ−ＣＯ−Ｎ（−Ｒ）２、−ＮＨ−ＣＯ−Ｏ−Ｒ、−ＳＯ２−ＮＨ−Ｒ、−ＳＯ２−Ｎ（−Ｒ）２、−ＮＨ−ＳＯ２−ＮＨ−Ｒ、−ＮＨ−ＳＯ２−Ｎ（−Ｒ）２、−ＮＨ−ＳＯ２−Ｒ、−ＳＯ−Ｒ、−ＳＯ２−Ｒ、−Ｎ（−ＣＯ−Ｒ）２、−ＰＨ−Ｒ、−Ｐ（−Ｒ）２、−ＰＨ−Ｏ−Ｒ、−Ｐ（−Ｒ）−Ｏ−Ｒ、−Ｐ（−Ｏ−Ｒ）２、−ＰＨ（＝Ｏ）−Ｒ、−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｒ）２、−ＰＨ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ、−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｒ）−Ｏ−Ｒ、−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｏ−Ｒ）２、−Ｏ−ＰＨ（＝Ｏ）−Ｒ、−Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｒ）２、−Ｏ−ＰＨ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ、−Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｒ）−Ｏ−Ｒ、−Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｏ−Ｒ）２、−ＮＨ−ＰＨ（＝Ｏ）−Ｒ、−ＮＨ−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｒ）２、−ＮＨ−ＰＨ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ、−ＮＨ−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｒ）−Ｏ−Ｒ、−ＮＨ−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｏ−Ｒ）２、−ＳｉＨ２−Ｒ、−ＳｉＨ（−Ｒ）２、−Ｓｉ（−Ｒ）３、−Ｏ−ＳｉＨ２−Ｒ、−Ｏ−ＳｉＨ（−Ｒ）２および−Ｏ−Ｓｉ（−Ｒ）３が含まれる。
【００３０】
上記Ｒは、脂肪族基、芳香族基または複素環基である。同一の基に含まれる複数のＲは、互いに異なっていてもよい。置換アルキル基の例には、２−クロロエチルおよび２−シアノエチルが含まれる。
【００３１】
アルケニル基は、環状構造または分岐構造を有していてもよい。アルケニル基の炭素原子数は、２乃至３０であることが好ましい。アルケニル基の例には、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル、ビシクロ［１，２，２］へプト−２−エン−１−イルおよびビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イルが含まれる。置換アルケニル基のアルケニル部分は、上記アルケニル基と同様である。置換アルケニル基の置換基は、置換アルキル基の置換基と同様である。
【００３２】
アルキニル基は、環状構造または分岐構造を有していてもよい。アルキニル基の炭素原子数は、２乃至３０であることが好ましい。アルキニル基の例には、エチニルおよびプロパルギルが含まれる。置換アルキニル基のアルキニル部分は、上記アルキニル基と同様である。置換アルキニル基の置換基は、置換アルキル基の置換基と同様である。置換アルキニル基の例には、トリメチルシリルエチニルが含まれる。
【００３３】
前記芳香族基は、アリール基または置換アリール基を意味する。アリール基の炭素原子数は、６乃至３０であることが好ましい。アリール基の例には、フェニルおよびナフチルが含まれる。置換アリール基のアリール部分は、上記アリール基と同様である。
【００３４】
置換アリール基の置換基の例には、ハロゲン原子、シアノ、ヒドロキシル、ニトロ、シリル、シリルオキシ、カルバモイル、カルバモイルオキシ、スルファモイル、スルファモイルアミノ、ホスフィノ、ホスフィニル、ホスホノ、ホスフィニルオキシ、ホスホノオキシ、ホスフィニルアミノ、ホスホノアミノ、脂肪族基、芳香族基、複素環基、−Ｏ−Ｒ、−Ｓ−Ｒ、−ＣＯ−Ｒ、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ、−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ、−ＣＯ−Ｎ（−Ｒ）２、−Ｏ−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ、−Ｏ−ＣＯ−Ｎ（−Ｒ）２、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−Ｒ、−ＮＨ−Ｒ、−Ｎ（−Ｒ）２、−ＮＨ−ＣＯ−Ｒ、−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ、−ＮＨ−ＣＯ−Ｎ（−Ｒ）２、−ＮＨ−ＣＯ−Ｏ−Ｒ、−ＳＯ２−ＮＨ−Ｒ、−ＳＯ２−Ｎ（−Ｒ）２、−ＮＨ−ＳＯ２−ＮＨ−Ｒ、−ＮＨ−ＳＯ２−Ｎ（−Ｒ）２、−ＮＨ−ＳＯ２−Ｒ、−ＳＯ−Ｒ、−ＳＯ２−Ｒ、−Ｎ（−ＣＯ−Ｒ）２、−ＰＨ−Ｒ、−Ｐ（−Ｒ）２、−ＰＨ−Ｏ−Ｒ、−Ｐ（−Ｒ）−Ｏ−Ｒ、−Ｐ（−Ｏ−Ｒ）２、−ＰＨ（＝Ｏ）−Ｒ、−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｒ）２、−ＰＨ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ、−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｒ）−Ｏ−Ｒ、−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｏ−Ｒ）２、−Ｏ−ＰＨ（＝Ｏ）−Ｒ、−Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｒ）２、−Ｏ−ＰＨ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ、−Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｒ）−Ｏ−Ｒ、−Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｏ−Ｒ）２、−ＮＨ−ＰＨ（＝Ｏ）−Ｒ、−ＮＨ−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｒ）２、−ＮＨ−ＰＨ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ、−ＮＨ−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｒ）−Ｏ−Ｒ、−ＮＨ−Ｐ（＝Ｏ）（−Ｏ−Ｒ）２、−ＳｉＨ２−Ｒ、−ＳｉＨ（−Ｒ）２、−Ｓｉ（−Ｒ）３、−Ｏ−ＳｉＨ２−Ｒ、−Ｏ−ＳｉＨ（−Ｒ）２および−Ｏ−Ｓｉ（−Ｒ）３が含まれる。
【００３５】
上記Ｒは、脂肪族基、芳香族基または複素環基である。同一の基に含まれる複数のＲは、互いに異なっていてもよい。置換アリール基の例には、ｐ−トリル、ｍ−クロロフェニルおよびｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニルが含まれる。
【００３６】
前記複素環基には、無置換複素環基および置換複素環基が含まれる。複素環基は、芳香族性を有していてもよい。複素環基の複素環は、５員環または６員環であることが好ましい。複素環基の炭素原子数は、３乃至３０であることが好ましい。置換複素環基の置換基は、置換アリール基の置換基と同様である。複素環基の例には、２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニルおよび２−ベンゾチアゾリルが含まれる。
【００３７】
芳香族カルボン酸の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アシル基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、ウレイド基、アラルキル基、ニトロ、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、アシルオキシ基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、アルキルスルホニルオキシ基およびアリールオキシスルホニル基が好ましく、ハロゲン原子、シアノ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アシル基、カルボンアミド基、スルホンアミド基およびウレイド基がより好ましく、ハロゲン原子、シアノ、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基およびカルボンアミド基がさらに好ましく、ハロゲン原子、シアノ、アルキル基、アルコキシ基およびアリールオキシ基がさらにまた好ましく、ハロゲン原子、アルキル基およびアルコキシ基が最も好ましい。
【００３８】
上記ハロゲン原子には、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が含まれる。
【００３９】
上記アルキル基は、環状構造あるいは分岐を有していてもよい。アルキル基の炭素原子数は、１乃至２０であることが好ましく、１乃至１２であることがより好ましく、１乃至６であることがさらに好ましく、１乃至４であることが最も好ましい。アルキル基の例には、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチルおよび２−エチルヘキシルが含まれる。上記アルコキシ基は、環状構造あるいは分岐を有していてもよい。アルコキシ基の炭素原子数は、１乃至２０であることが好ましく、１乃至１２であることがより好ましく、１乃至６であることがさらに好ましく、１乃至４であることが最も好ましい。
【００４０】
アルコキシ基は、さらに別のアルコキシ基で置換されていてもよい。アルコキシ基の例には、メトキシ、エトキシ、２−メトキシエトキシ、２−メトキシ−２−エトキシエトキシ、ブチルオキシ、ヘキシルオキシおよびオクチルオキシが含まれる。
【００４１】
上記アリール基の炭素原子数は、６乃至２０であることが好ましく、６乃至１２であることがさらに好ましい。アリール基の例には、フェニルおよびナフチルが含まれる。
【００４２】
上記アリールオキシ基の炭素原子数は、６乃至２０であることが好ましく、６乃至１２であることがさらに好ましい。アリールオキシ基の例には、フェノキシおよびナフトキシが含まれる。
【００４３】
上記アシル基の炭素原子数は、１乃至２０であることが好ましく、１乃至１２であることがさらに好ましい。アシル基の例には、ホルミル、アセチルおよびベンゾイルが含まれる。
【００４４】
上記カルボンアミド基の炭素原子数は、１乃至２０であることが好ましく、１乃至１２であることがさらに好ましい。カルボンアミド基の例には、アセトアミドおよびベンズアミドが含まれる。
【００４５】
上記スルホンアミド基の炭素原子数は、１乃至２０であることが好ましく、１乃至１２であることがさらに好ましい。スルホンアミド基の例には、メタンスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミドおよびｐ−トルエンスルホンアミドが含まれる。
【００４６】
上記ウレイド基の炭素原子数は、１乃至２０であることが好ましく、１乃至１２であることがさらに好ましい。ウレイド基の例には、（無置換）ウレイドが含まれる。
【００４７】
上記アラルキル基の炭素原子数は、７乃至２０であることが好ましく、７乃至１２であることがさらに好ましい。アラルキル基の例には、ベンジル、フェネチルおよびナフチルメチルが含まれる。
【００４８】
上記アルコキシカルボニル基の炭素原子数は、１乃至２０であることが好ましく、２乃至１２であることがさらに好ましい。アルコキシカルボニル基の例には、メトキシカルボニルが含まれる。
【００４９】
上記アリールオキシカルボニル基の炭素原子数は、７乃至２０であることが好ましく、７乃至１２であることがさらに好ましい。アリールオキシカルボニル基の例には、フェノキシカルボニルが含まれる。
【００５０】
上記アラルキルオキシカルボニル基の炭素原子数は、８乃至２０であることが好ましく、８乃至１２であることがさらに好ましい。アラルキルオキシカルボニル基の例には、ベンジルオキシカルボニルが含まれる。
【００５１】
上記カルバモイル基の炭素原子数は、１乃至２０であることが好ましく、１乃至１２であることがさらに好ましい。カルバモイル基の例には、（無置換）カルバモイルおよびＮ−メチルカルバモイルが含まれる。
【００５２】
上記スルファモイル基の炭素原子数は、２０以下であることが好ましく、１２以下であることがさらに好ましい。スルファモイル基の例には、（無置換）スルファモイルおよびＮ−メチルスルファモイルが含まれる。
【００５３】
上記アシルオキシ基の炭素原子数は、１乃至２０であることが好ましく、２乃至１２であることがさらに好ましい。アシルオキシ基の例には、アセトキシおよびベンゾイルオキシが含まれる。
【００５４】
上記アルケニル基の炭素原子数は、２乃至２０であることが好ましく、２乃至１２であることがさらに好ましい。アルケニル基の例には、ビニル、アリルおよびイソプロペニルが含まれる。
【００５５】
上記アルキニル基の炭素原子数は、２乃至２０であることが好ましく、２乃至１２であることがさらに好ましい。アルキニル基の例には、エチニルが含まれる。
【００５６】
上記アルキルスルホニル基の炭素原子数は、１乃至２０であることが好ましく、１乃至１２であることがさらに好ましい。
【００５７】
上記アリールスルホニル基の炭素原子数は、６乃至２０であることが好ましく、６乃至１２であることがさらに好ましい。
【００５８】
上記アルキルオキシスルホニル基の炭素原子数は、１乃至２０であることが好ましく、１乃至１２であることがさらに好ましい。
【００５９】
上記アリールオキシスルホニル基の炭素原子数は、６乃至２０であることが好ましく、６乃至１２であることがさらに好ましい。
【００６０】
上記アルキルスルホニルオキシ基の炭素原子数は、１乃至２０であることが好ましく、１乃至１２であることがさらに好ましい。
【００６１】
上記アリールオキシスルホニル基の炭素原子数は、６乃至２０であることが好ましく、６乃至１２であることがさらに好ましい。
【００６２】
以下に、芳香族カルボン酸から誘導される芳香族アシル基（式（Ｉ）のＲ２：−ＣＯ−Ａｒに相当）の例を示す。
【００６３】
【化２】
2004155146.tif 000003
【００６４】
【化３】
2004155146.tif 000004
【００６５】
【化４】
2004155146.tif 000005
【００６６】
【化５】
2004155146.tif 000006
【００６７】
セルロースを構成するグルコース単位が有する三個の水酸基のうち、上記芳香族カルボン酸とエステル結合している水酸基の数の平均（アシル基の置換度）は、１．０以上３．０以下であることが好ましく、２．０以上３．０以下であることがさらに好ましい。二種類以上の芳香族カルボン酸を用いて、セルロースの混合カルボン酸エステルを形成してもよい。芳香族カルボン酸と、脂肪族カルボン酸（例、酢酸、プロピオン酸、酪酸）との混合エステルを形成してもよい。ただし、脂肪族カルボン酸との混合エステルを形成する場合も、芳香族カルボン酸の置換度が、上記の定義のように１．０以上３．０以下であることが好ましく、２．０以上３．０以下であることがさらに好ましい。
【００６８】
本発明に係わるセルロースエステルは、セルロースと芳香族カルボン酸クロライドまたは芳香族カルボン酸無水物との反応により製造することができる。セルロースと芳香族カルボン酸無水物との反応により製造することが好ましい。芳香族カルボン酸無水物は、芳香族カルボン酸とハロゲン化カルボン酸（例、トリフルオロ酢酸）との混合酸無水物であることが特に好ましい。混合酸無水物は、芳香族カルボン酸とハロゲン化カルボン酸無水物との反応により合成することができる。セルロースと芳香族カルボン酸無水物（または混合酸無水物）との反応については、各種文献（例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｖｏｌ．２９，３９８１−３９９０（１９８４））に記載がある。セルロースエステルの原料となるセルロースは、一般に綿花リンターまたは木材パルプである。綿花リンターと木材パルプとを混合して使用してもよい。セルロースエステルの合成反応では、反応溶媒としてハロゲン化炭化水素（例、ジクロロメタン）が好ましく用いられる。セルロースエステルの粘度平均重合度は１５０乃至７００であることがが好ましく、２５０乃至５５０であることがさらに好ましい。粘度平均重合度は、オストワルド粘度計で測定することができる。
【００６９】
［合成例１］セルロースエステル（Ａ）の合成
【００７０】
【化６】
2004155146.tif 000007
【００７１】
冷却管、攪拌機および温度計がついた２００ｍｌの三口フラスコに、ｍ−トルイル酸１０．９ｇ（０．０８モル）と無水トリフルオロ酢酸１６．８ｇ（０．０８モル）とを入れ、５０℃で３０分間攪拌した。次にセルロース微粉末４．１ｇ（０．０２５モル）とジクロロメタン８０ｍｌとを入れ、５時間加熱環流した。反応終了後、反応液を室温まで冷却した後、攪拌しながらメタノール５００ｍｌにゆっくり注ぎ込んで再沈殿させた。得られた白色結晶を濾取し、乾燥することにより、セルロースエステルＡを得た。終了は１２．３ｇ（９５％）であった。置換度をＮＭＲで測定したところ、２．９であった。粘度平均重合度は３００であった。
【００７２】
［合成例２］セルロースエステル（Ｂ）の合成
【００７３】
【化７】
2004155146.tif 000008
【００７４】
冷却管、攪拌機および温度計がついた２００ｍｌの三口フラスコに、ｐ−アニス酸１２．２ｇ（０．０８モル）と無水トリフルオロ酢酸１６．８ｇ（０．０８モル）とを入れ、５０℃で３０分間攪拌した。次にセルロース微粉末４．１ｇ（０．０２５モル）とジクロロメタン８０ｍｌとを入れ、５時間加熱環流した。反応終了後、反応液を室温まで冷却した後、攪拌しながらメタノール５００ｍｌにゆっくり注ぎ込んで再沈殿させた。得られた白色結晶を濾取し、乾燥することにより、セルロースエステルＢを得た。収量は１２．５ｇ（９７％）であった。置換度をＮＭＲで測定したところ、２．８であった。粘度平均重合度は３００であった。
【００７５】
〈セルロースエステルフィルム〉
セルロースと芳香族カルボン酸とのエステルからなるセルロースエステルを用いてフィルムを製造する。
【００７６】
本発明において、セルロースと芳香族カルボン酸とのエステルを含有するセルロースエステルフィルムとは、セルロースと芳香族カルボン酸とのエステルに、セルロースと脂肪酸（例、酢酸、プロピオン酸、酪酸）とのエステルを混合して用いてもよいということであり、混合物中には、セルロースと芳香族カルボン酸とのエステルが５０質量％以上含まれることが好ましく、６０質量％以上含まれることがより好ましく、７０質量％以上含まれることがさらに好ましく、８０質量％以上含まれることがさらにまた好ましく、９０質量％以上含まれることが最も好ましい。セルロースエステルフィルムは、ソルベントキャスト法またはメルトキャスト法で製造する。ソルベントキャスト法の方が、メルトキャスト法よりも好ましい。ソルベントキャスト法では、セルロースエステルを溶媒に溶解した溶液（ドープ）を調製し、溶液を支持体上に流延し、乾燥することによりフィルムを製造する。
【００７７】
溶媒としては、ハロゲン化炭化水素、エーテル、ケトン、エステル、アルコール、炭化水素あるいはこれらの混合物が用いられる。ハロゲン化炭化水素の炭素原子数は、１乃至７であることが好ましい。ハロゲン原子としては、フッ素原子または塩素原子が好ましく、塩素原子がさらに好ましい。炭化水素の水素原子がハロゲン原子で置換されている割合は、１０乃至９０モル％であることが好ましい。ハロゲン化炭化水素の例には、ジクロロメタン、ジクロロエタンおよびクロロベンゼンが含まれる。エーテルの炭素原子数は、２乃至１２であることが好ましく、３乃至８であることがさらに好ましい。エーテルは、環状構造を有していてもよく、二つ以上のエーテル結合（−Ｏ−）を有していてもよい。エーテルの例には、ジブチルエーテル、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、１，３，５−トリオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル、アニソールおよびフェネトールが含まれる。
【００７８】
ケトンの炭素原子数は、３乃至１２であることが好ましく、３乃至８であることがさらに好ましい。ケトンは、環状構造を有していてもよく、二つ以上のカルボニル基（−ＣＯ−）を有していてもよい。ケトンの例には、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルペンチルケトン、シクロブタノン、メチルヘキシルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、１，４−シクロヘキサンジオンおよびアセトフェノンが含まれる。エステルの炭素原子数は、２乃至１２であることが好ましく、３乃至８であることがさらに好ましい。エステルは、環状構造を有していてもよく、二つ以上のエステル結合（−ＣＯＯ−）を有していてもよい。エステルの例には、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート、シクロヘキシルアセテート、メチルプロピオネート、プロピルバレレート、γ−ブチロラクトンおよびジアセトキシエタンが含まれる。
【００７９】
アルコールの炭素原子数は、１乃至８であることが好ましい。アルコールは、環状構造を有していてもよく、二つ以上の水酸基（−ＯＨ）を有していてもよい。アルコールの例には、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール、シクロヘキサノール、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノールおよび２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノールが含まれる。炭化水素の炭素原子数は、５乃至１０であることが好ましい。炭化水素の例には、シクロヘキサン、ヘキサン、ベンゼン、トルエンおよびキシレンが含まれる。エーテル、ケトン、エステルおよびアルコールの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＨ）のいずれか二種類以上を有する化合物も溶媒として用いることができる。二種類以上の官能基を有する溶剤の例には、２−エトキシ酢酸エチル、２−メトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、アセト酢酸エチルおよびアセト酢酸メチルが含まれる。
【００８０】
セルロースエステルは、溶媒の種類に応じて（１）常温処理、（２）高温処理、（３）低温処理および（４）低温→高温処理のいずれかの方法によって溶解することができる。（２）と（４）の高温処理においては、さらに高圧条件を併用することが好ましい。
（１）の常温処理の温度は、一般に−１０乃至４０℃である。
（２）および（４）の高温処理の温度は、一般に７０乃至２４０℃、好ましくは８０乃至２２０℃、さらに好ましくは１００乃至２００℃、最も好ましくは１００乃至１９０℃である。
（３）および（４）の低温処理の温度は、一般に−１００乃至−１０℃、好ましくは−８０乃至−１０℃、さらに好ましくは−５０乃至−２０℃、最も好ましくは−５０乃至−３０℃である。
【００８１】
フィルム製造に用いるセルロースエステル溶液（ドープ）の濃度は、１０乃至４０質量％であることが好ましく、１０乃至３０質量％であることがさらに好ましい。ドープ中には、様々な添加剤を加えることができる。セルロースエステルフィルムの添加剤には、後述するが、可塑剤（例、リン酸エステル、カルボン酸エステル）、劣化防止剤（例、酸化防止剤、過酸化物分解剤、ラジカル禁止剤、金属不活性化剤、酸捕獲剤）、紫外線吸収剤、着色剤、微粒子、熱安定剤、帯電防止剤、難燃剤や滑剤が含まれる。
【００８２】
ドープを流延する支持体としては、ドラムまたはバンドが用いられる。ドラムまたはバンドの表面は、予め鏡面仕上げしておくことが好ましい。ドラムまたはバンドの表面温度を予め低温（１０℃以下）にして、流延から剥ぎ取りまでの時間を短縮してもよい（特公平５−１７８４４号公報記載）。二種類以上のドープを共流延して、多層構造のセルロースエステルフィルムを製造できる。二種類以上のドープとしては、一般に低粘度と高粘度との二種類のドープを使用する。セルロースエステルフィルムとその上に設ける機能層（例、接着層、染料層、帯電防止層、アンチハレーション層、ＵＶ吸収層、偏光層）とを共流延することもできる。
【００８３】
支持体から剥ぎ取ったフィルムは、さらに乾燥させる。フィルム中の残留溶媒量は２質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましく、０．４質量％以下であることが最も好ましい。乾燥工程では、ロール状フィルムは幅方向に収縮しようとする。幅方向の両端をクリップで保持して乾燥するテンター方式（例えば、特開昭６２−４６６２５号公報記載）が好ましい。作製したフィルムは、必要に応じて延伸処理することができる。セルロースエステルフィルムの厚さは、５乃至５００μｍであることが好ましく、１０乃至２５０μｍであることがさらに好ましく、２０乃至２００μｍであることが最も好ましい。作製したセルロースエステルフィルムには、さらに塗布により、下塗り層、帯電防止層、ハレーション防止層や保護層を設けてもよい。
【００８４】
本発明に係わるセルロースエステルフィルムは、光学的等方性が高いとの特徴がある。光学的等方性としては、面内のレターデーション（Ｒｅ）および厚さ方向のレターデーション（Ｒｔｈ）の値が小さいことが重要である。面内のレターデーション（Ｒｅ）の測定では、エリプソメーター（偏光解析計ＡＥＰ−１００：島津製作所（株）製）を用いて、波長６３２．８ｎｍにおける面内の縦横の屈折率差を求める。面内のレターデーション（Ｒｅ）は、得られた屈折率差にフィルム膜厚さを乗じた値であり、下記の式で求められる。
【００８５】
Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ
式中、ｎｘは、横方向の屈折率であり、ｎｙは、縦方向の屈折率であり、そして、ｄは、フィルムの厚さ（ｎｍ）である。面内のレターデーション（Ｒｅ）が小さいほど、面内方向の光学的等方性が高い（光学異方性がない）ことを意味する。面内のレターデーション（Ｒｅ）は、０乃至３００ｎｍであることが好ましく、０乃至２００ｎｍであることがより好ましく、０乃至１００ｎｍであることがさらに好ましく、０乃至５０ｎｍであることがさらにまた好ましく、０乃至２０ｎｍであることが最も好ましい。フィルムの厚さを１００μｍに換算した場合の面内のレターデーション（Ｒｅ）も、上記の数値範囲に含まれることが好ましい。
【００８６】
フィルムの厚さ方向のレターデーション（Ｒｔｈ）は、波長６３２．８ｎｍにおける厚さ方向の複屈折にフィルム膜厚さを乗じた値であり、下記の式で求められる。
【００８７】
Ｒｔｈ＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ
式中、ｎｘは、横方向の屈折率、ｎｙは、縦方向の屈折率、ｎｚは、厚さ方向の屈折率であり、そして、ｄは、フィルムの厚さ（ｎｍ）である。厚さ方向のレターデーション（Ｒｔｈ）が小さいほど、厚さ方向の光学的等方性が高い（光学異方性がない）ことを示す。厚さ方向のレターデーション（Ｒｔｈ）は、０乃至６００ｎｍであることが好ましく、０乃至４００ｎｍであることがより好ましく、０乃至３００ｎｍであることがさらに好ましく、０乃至１００ｎｍであることがさらにまた好ましく、０乃至７０ｎｍであることが最も好ましい。フィルムの厚さを１００μｍに換算した場合の厚さ方向のレターデーション（Ｒｔｈ）も、上記の数値範囲に含まれることが好ましい。
【００８８】
本発明に係わるセルロースエステルフィルムは、疎水性が高く耐水性が優れているとの特徴がある。その結果として、フィルムの含水量（含水率）を低い値とすることができる。フィルムの含水量は、カールフィッシャー法に従う測定機（カールフィッシャー水分測定装置ＣＡ−０５、三菱化学（株）製、水分気化装置：ＶＡ−０５、内部液：アクアミクロンＣＸμ、外部液：アクアミクロンＡＸ、窒素気流量：２００ｍｌ／分、加熱温度：１５０℃）を用いて容易に測定できる。具体的には、２５℃、相対湿度６０％で２時間以上調湿した試料を、０．６〜１．０ｇ精秤し、測定機で測定し、得られた水分量から含水量（含水率）を求めることができる。フィルム規格としては、１．４±０．３％であることが好ましい。
【００８９】
本発明に係わるセルロースエステルフィルムは、寸度安定性が優れているとの特徴もある。寸度安定性は、元の長さに対する変化率（％）として、寸度変化（収縮）率を測定して評価する。具体的には、フィルムの表面２カ所に十文字型の印を付け、熱処理（９０℃、１２０時間）を施す前後での印間の距離を、顕微鏡で測定し、寸法の収縮率を算出する。寸度変化率は、０〜−０．０６％であることが好ましい。
【００９０】
〈光学材料〉
本発明に係わるセルロースエステルフィルムは光学材料の保護膜または支持体として好ましく用いることができる。光学材料としては、偏光膜を有する偏光板と光学的異方性層を有する位相差板とが代表的である。
【００９１】
偏光板（直線偏光板）は、偏光膜の両側に二枚の保護膜を配置した構成を有する。偏光膜には、ヨウ素系偏光膜、二色性染料を用いる染料系偏光膜やポリエン系偏光膜がある。ヨウ素系偏光膜と染料系偏光膜は、ポリビニルアルコールフィルムを用いて製造する。偏光板の保護膜としては、従来からセルローストリアセテートフィルムが一般に用いられていた。本発明に従うセルロースエステルフィルムは、偏光板の少なくとも一方の保護膜として好ましく用いることができる。保護膜の表面に表面処理してもよく、反射防止層を形成した反射防止フィルムとしてもよい。表面処理には、ハードコート処理、防曇処理、防眩処理および防汚処理が含まれる。
【００９２】
位相差板の光学的異方性層は、延伸複屈折率フィルムまたは液晶性分子から形成できる。延伸複屈折率フィルムは、ポリマーフィルムの延伸により得られる。ポリマーフィルムとしては、ポリカーボネートフィルムやポリスルホンフィルムのような複屈折率が高い合成ポリマーフィルムが一般に用いられる。棒状液晶性分子またはディスコティック液晶性分子を用いて、光学的異方性層を形成することもできる。液晶性分子は、多様な配向形態があるため、ポリマーフィルムの場合よりも、容易に任意の光学的異方性を達成できる。液晶性分子に重合性基を導入し、重合により液晶性分子の配向状態を固定することが好ましい。位相差板は、液晶セルの光学補償シート、λ／４板あるいはλ／２板のような様々な用途がある。
【００９３】
光学補償シートでは、液晶セルの光学的性質（特に液晶セルの表示モード）に応じて、光学的異方性層の光学的性質（液晶性分子から形成する場合は、液晶性分子の配向状態）を決定する。λ／４板あるいはλ／２板の用途においては、光学的異方性層の面内のレターデーション（Ｒｅ）を波長（λ）の１／４または１／２となるように調節する。光学補償シートと前記の偏光板とを一体化した楕円偏光板を作製することもできる。また、λ／４板と前記の偏光板とを積層すると、円偏光板が得られる。楕円偏光板または円偏光板においては、光学補償シートの支持体と、偏光板の保護膜とを一枚のフィルムで共通化することもできる。本発明に従うセルロースエステルフィルムは、そのように共通化された一枚のフィルムにも使用することができる。
【００９４】
本発明の光学フィルムは前記セルロースエステルフィルム上に直接または他の層を介して窒素雰囲気下で大気圧プラズマ処理によって金属化合物層を形成したものであり、位相差フィルムとしては、前記ＲｅやＲｔｈの経時変動が少なく、２０型以上の大画面液晶表示装置に使用しても安定した表示品質を提供することができる。
【００９５】
〈光学フィルム〉
本発明において、前記反射防止フィルムとするには、前記セルロースエステルフィルムに直接或いは他の層を介して主として窒素を含有する大気圧近傍のガス雰囲気下で、金属化合物を含有する反応ガスを用いてプラズマＣＶＤ処理によって金属化合物層を形成する。
【００９６】
プラズマＣＶＤ法としては、例えば特開平１１−１８１５７３号、特開２０００−２６６３２、同２００２−１１０３９７等に記載の方法等公知の方法をもちいることができるが、本発明において、特に主として窒素を含有する大気圧近傍のプラズマ放電処理によって金属酸化物層を形成するには、以下に詳説する２周波電源を用いる方法が特に好ましく用いられる。
【００９７】
以下に、本発明に係わるプラズマ放電処理により金属化合物層を形成する方法を図１、２を用いて説明する。
【００９８】
図１は本発明に有用なジェット方式の大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示した概略図である。
【００９９】
ジェット方式の大気圧プラズマ放電処理装置は、プラズマ放電処理装置、二つの電源を有する電圧印加手段の他に、図１では図示してないが、ガス供給手段、電極温度調節手段を有している装置である。
【０１００】
プラズマ放電処理装置１０は、第１電極１１と第２電極１２から構成されている対向電極を有しており、該対向電極間に、第１電極１１からは第１電源２１からの第１の周波数ω１の高周波電圧Ｖ１が印加され、また第２電極１２からは第２電源２２からの第２の周波数ω２の高周波電圧Ｖ２が印加されるようになっている。第１電源２１は第２電源２２より大きな高周波電圧（Ｖ１＞Ｖ２）を印加出来る能力を有していればよく、また第１電源２１の第１の周波数ω１は第２電源２２の第２の周波数ω２より低い周波数である。
【０１０１】
第１電極１１と第１電源２１との間には、第１電源２１からの電流が第１電極１１に向かって流れるように第１フィルター２３が設置されており、第１電源２１からの電流をアース側に通過しにくくし、第２電源２２からの電流がアース側へと通過し易くするように設計されている。
【０１０２】
また、第２電極１２と第２電源２２との間には、第２電源２２からの電流が第２電極１２に向かって流れるように第２フィルター２４が設置されており、第２電源２２からの電流をアース側へ通過しにくくし、第１電源２１からの電流がアース側に通過し易くなるように設計されている。
【０１０３】
第１電極１１と第２電極１２との対向電極間（放電空間）１３に、ここでは図示してない（後述の図２に図示してあるような）ガス供給手段からガスＧを導入し、第１電極１１と第２電極１２から高周波電圧を印加して放電を発生させ、ガスＧをプラズマ状態にしながら対向電極の下側（紙面下側）にジェット状に吹き出させて、対向電極下面と基材Ｆとで作る処理空間にプラズマ状態のガスＧ°を送り、図示してない基材の元巻き（アンワインダー）から巻きほぐされて搬送して来るか、あるいは前工程から搬送して来る基材Ｆの上に、処理位置１４付近で薄膜を形成させる。このとき基材Ｆは温度制御可能なバックロール上に配置されていてもよい。薄膜形成中、ここでは図示してない（後述の図２に図示してあるような）電極温度調節手段から配管を経て電極を加熱または冷却する。プラズマ放電処理の際の基材の温度によっては、得られる薄膜の物性や組成は変化することがあり、これに対して適宜制御することが望ましい。温度調節の媒体としては、蒸留水、油等の絶縁性材料が好ましく用いられる。プラズマ放電処理の際、幅手方向あるいは長手方向での基材の温度ムラが出来るだけ生じないように電極の表面の温度を均一に調節することが望まれる。
【０１０４】
また、図１に前述の高周波電圧（印加電圧）と放電開始電圧の測定に使用する測定器を示した。２５及び２６は高周波プローブであり、２７及び２８はオシロスコープである。
【０１０５】
ジェット方式の該大気圧プラズマ放電処理装置を複数基接して直列に並べて配置することが好ましく、これにより何回もプラズマ処理され高速で製膜することも出来る。また各装置が異なったプラズマ状態のガスをジェット噴射すれば、組成の異なった層の金属化合物積層薄膜を形成することも出来る。
【０１０６】
図２は本発明に有用な対向電極間で基材を処理する方式の大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【０１０７】
本発明で好ましく用いられる気圧プラズマ放電処理装置は、少なくとも、プラズマ放電処理装置３０、二つの電源を有する電圧印加手段４０、ガス供給手段５０、電極温度調節手段６０を有している装置である。
【０１０８】
図２は、ロール回転電極（第１電極）３５と角筒型固定電極群（第２電極）３６との対向電極間（放電空間）３２で、基材Ｆをプラズマ放電処理して薄膜を形成するものである。
【０１０９】
ロール回転電極（第１電極）３５と角筒型固定電極群（第２電極）３６との間の放電空間（対向電極間）３２に、ロール回転電極（第１電極）３５には第１電源４１から周波数ω１であって高周波電圧Ｖ１を、また角筒型固定電極群（第２電極）３６には第２電源４２から周波数ω２であって高周波電圧Ｖ２をかけるようになっている。
【０１１０】
ロール回転電極（第１電極）３５と第１電源４１との間には、第１電源４１からの電流がロール回転電極（第１電極）３５に向かって流れるように第１フィルター４３が設置されており、該第１フィルターは第１電源４１からの電流がアース側へ通過しにくくし、第２電源４２からの電流がアース側に通過し易くするように設計されている。また、角筒型固定電極群（第２電極）３６と第２電源４２との間には、第２電源からの電流が第２電極に向かって流れるように第２フィルター４４が設置されており、第２フィルター４４は、第２電源４２からの電流がアース側へ通過しにくくし、第１電源４１からの電流をアース側に通過し易くするように設計されている。
【０１１１】
なお、ロール回転電極３５を第２電極、また角筒型固定電極群３６を第１電極としてもよい。何れにしろ第１電極には第１電源が、また第２電極には第２電源が接続される。第１電源は第２電源より大きな高周波電圧（Ｖ１＞Ｖ２）を印加出来る能力を有しており、また、周波数はω１＜ω２となる能力を有している。
【０１１２】
ガス供給手段５０のガス供給装置５１で発生させたガスＧは、流量を制御して給気口５２よりプラズマ放電処理容器３１内に導入する。図では配管等は示していないが、角筒型固定電極群３６の間隙より放電空間３２へとガスＧが供給され、同様に角筒型固定電極群３６の間隙より処理排ガスＧ′を排出する。
【０１１３】
基材Ｆを、図示されていない元巻きから巻きほぐして搬送されて来るか、または前工程から搬送されて来て、ガイドロール６４を経てニップロール６５で基材に同伴されて来る空気等を遮断し、ロール回転電極３５に接触したまま巻き回しながら角筒型固定電極群３６との間に移送し、ロール回転電極（第１電極）３５と角筒型固定電極群（第２電極）３６との両方から電圧をかけ、対向電極間（放電空間）３２で放電プラズマを発生させる。基材Ｆはロール回転電極３５に接触したまま巻き回されながらプラズマ状態のガスにより薄膜を形成する。基材Ｆは、ニップロール６６、ガイドロール６７を経て、図示してない巻き取り機で巻き取るか、次工程に移送する。
【０１１４】
放電処理済みの処理排ガスＧ′は排気口５３より排出する。
薄膜形成中、ロール回転電極（第１電極）３５及び角筒型固定電極群（第２電極）３６を加熱または冷却するために、電極温度調節手段６０で温度を調節した媒体を、送液ポンプＰで配管６１を経て両電極に送り、電極内側から温度を調節する。なお、６８及び６９はプラズマ放電処理容器３１と外界とを仕切る仕切板である。
【０１１５】
図３は、図２に示したロール回転電極の導電性の金属質母材とその上に被覆されている誘電体の構造の一例を示す斜視図である。
【０１１６】
図３において、ロール電極３５ａは導電性の金属質母材３５Ａとその上に誘電体３５Ｂが被覆されたものである。内部は中空のジャケットになっていて電極表面の温度を均一に制御するための媒体が循環できるようになっている。
【０１１７】
図４は、角筒型電極の導電性の金属質母材とその上に被覆されている誘電体の構造の一例を示す斜視図である。
【０１１８】
図４において、角筒型電極３６ａは、導電性の金属質母材３６Ａに対し、図３同様の誘電体３６Ｂの被覆を有し、該電極の構造は金属質のパイプになっていて、それがジャケットとなり、放電中の電極表面の温度を調節できるようになっている。
【０１１９】
なお、角筒型固定電極は、上記ロール電極に対向して複数本設置することができ、該電極の放電面積はロール回転電極３５に対向している全角筒型固定電極面の面積の和で表される。
【０１２０】
図４に示した角筒型電極３６ａは、円筒型電極でもよいが、角筒型電極は円筒型電極に比べて、放電範囲（放電面積）を広げる効果があるので、本発明に好ましく用いられる。
【０１２１】
図３及び４において、ロール電極３５ａ及び角筒型電極３６ａは、それぞれ導電性の金属質母材３５Ａ及び３６Ａの上に誘電体３５Ｂ及び３６Ｂとしてのセラミックスを溶射後、無機化合物の封孔材料を用いて封孔処理したものである。セラミックス誘電体は膜厚で０．５〜４ｍｍが好ましく、特に１〜２ｍｍが好ましい。溶射に用いるセラミックス材としては、アルミナ・窒化珪素等が好ましく用いられるが、この中でもアルミナが加工し易いので、特に好ましく用いられる。また、誘電体層が、ガラスライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体であってもよい。
【０１２２】
導電性の金属質母材３５Ａ及び３６Ａとしては、チタン金属またはチタン合金、銀、白金、ステンレススティール、アルミニウム、鉄等の金属等や、鉄とセラミックスとの複合材料またはアルミニウムとセラミックスとの複合材料等を挙げることが出来るが、後述の理由から、チタン金属またはチタン合金が特に好ましい。
【０１２３】
２個の電極間の距離（電極間隙）は、導電性の金属質母材に設けた誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮して決定されるが、電極の一方に誘電体を設けた場合の誘電体表面と導電性の金属質母材表面の最短距離、上記電極の双方に誘電体を設けた場合の誘電体表面同士の距離としては、いずれの場合も均一な放電を行う観点から０．１ｎｍ〜２０ｍｍが好ましく、特に好ましくは０．５ｎｍ〜２ｍｍである。
【０１２４】
本発明に有用な導電性の金属質母材及び誘電体についての詳細については後述する。
【０１２５】
プラズマ放電処理容器３１はパイレックス（Ｒ）ガラス製の処理容器等が好ましく用いられるが、電極との絶縁がとれれば金属製を用いることも可能である。例えば、アルミニウムまたは、ステンレススティールのフレームの内面にポリイミド樹脂等を張り付けても良く、該金属フレームにセラミックス溶射を行い絶縁性をとってもよい。図１において、平行した両電極の両側面（基材面近くまで）を上記のような材質の物で覆うことが好ましい。
【０１２６】
本発明の大気圧プラズマ放電処理装置に設置する第１電源（高周波電源）としては、
2004155146.tif 000009
等の市販のものを挙げることが出来、何れも使用することが出来る。なお、＊印はハイデン研究所インパルス高周波電源（連続モードで１００ｋＨｚ）である。
【０１２７】
また、第２電源（高周波電源）としては、
2004155146.tif 000010
等の市販のものを挙げることが出来、何れも好ましく使用出来る。
【０１２８】
本発明においては、このような電圧を印加して、安定したグロー放電状態を保つことが出来る電極をプラズマ放電処理装置に採用することが望まれる。
【０１２９】
本発明において、対向する電極間に印加する電力は、第２電極に１Ｗ／ｃｍ２以上の電力（出力密度）を供給し、放電ガスを励起してプラズマを発生させ、エネルギーを薄膜形成性ガスに与え薄膜を形成させる。供給する電力は１〜５０Ｗ／ｃｍ２が好ましい。なお、放電面積（ｃｍ２）は、電極において放電が起こる範囲の面積のことを指す。
【０１３０】
ここで電源の印加法に関しては、連続モードと呼ばれる連続サイン波状の連続発振モードと、パルスモードと呼ばれるＯＮ／ＯＦＦを断続的に行う断続発振モードのどちらを採用してもよいが、少なくとも第２電極側は連続サイン波の方がより緻密で良質な膜が得られるので好ましい。
【０１３１】
このような大気圧プラズマによる薄膜形成法に使用する電極は、構造的にも、性能的にも過酷な条件に耐えられるものでなければならない。このような電極としては、金属質母材上に誘電体を被覆したものであることが好ましい。
【０１３２】
本発明に使用する誘電体被覆電極においては、様々な金属質母材と誘電体との間に特性が合うものが好ましく、その一つの特性として、金属質母材と誘電体との線熱膨張係数の差が１０×１０−６／℃以下となる組み合わせのものである。好ましくは８×１０−６／℃以下、更に好ましくは５×１０−６／℃以下、更に好ましくは２×１０−６／℃以下である。なお、線熱膨張係数とは、周知の材料特有の物性値である。
【０１３３】
線熱膨張係数の差が、この範囲にある導電性の金属質母材と誘電体との組み合わせとしては、
2004155146.tif 000011
等がある。線熱膨張係数の差という観点では、上記（ａ）または（ｂ）および（ｅ）〜（ｈ）が好ましく、特に、（ａ）が好ましい。
【０１３４】
本発明において、金属質母材は、上記の特性からはチタンまたはチタン合金が特に有用である。金属質母材をチタンまたはチタン合金とすることにより、誘電体を上記とすることにより、使用中の電極の劣化、特にひび割れ、剥がれ、脱落等がなく、過酷な条件での長時間の使用に耐えることが出来る。
【０１３５】
本発明に有用な電極の金属質母材は、チタンを７０質量％以上含有するチタン合金またはチタン金属である。本発明において、チタン合金またはチタン金属中のチタンの含有量は、７０質量％以上であれば、問題なく使用出来るが、好ましくは８０質量％以上のチタンを含有しているものが好ましい。本発明に有用なチタン合金またはチタン金属は、工業用純チタン、耐食性チタン、高力チタン等として一般に使用されているものを用いることが出来る。工業用純チタンとしては、ＴＩＡ、ＴＩＢ、ＴＩＣ、ＴＩＤ等を挙げることが出来、何れも鉄原子、炭素原子、窒素原子、酸素原子、水素原子等を極僅か含有しているもので、チタンの含有量としては、９９質量％以上を有している。耐食性チタン合金としては、Ｔ１５ＰＢを好ましく用いることが出来、上記含有原子の他に鉛を含有しており、チタン含有量としては、９８質量％以上である。また、チタン合金としては、鉛を除く上記の原子の他に、アルミニウムを含有し、その他バナジウムや錫を含有しているＴ６４、Ｔ３２５、Ｔ５２５、ＴＡ３等を好ましく用いることが出来、これらのチタン含有量としては、８５質量％以上を含有しているものである。これらのチタン合金またはチタン金属はステンレススティール、例えばＡＩＳＩ３１６に比べて、熱膨張係数が１／２程度小さく、金属質母材としてチタン合金またはチタン金属の上に施された後述の誘電体との組み合わせがよく、高温、長時間での使用に耐えることが出来る。
【０１３６】
一方、誘電体の求められる特性としては、具体的には、比誘電率が６〜４５の無機化合物であることが好ましく、また、このような誘電体としては、アルミナ、窒化珪素等のセラミックス、あるいは、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス等のガラスライニング材等がある。この中では、後述のセラミックスを溶射したものやガラスライニングにより設けたものが好ましい。特にアルミナを溶射して設けた誘電体が好ましい。
【０１３７】
または、上述のような大電力に耐える仕様の一つとして、誘電体の空隙率が１０体積％以下、好ましくは８体積％以下であることで、好ましくは０体積％を越えて５体積％以下である。なお、誘電体の空隙率は、ＢＥＴ吸着法や水銀ポロシメーターにより測定することが出来る。後述の実施例においては、島津製作所製の水銀ポロシメーターにより金属質母材に被覆された誘電体の破片を用い、空隙率を測定する。誘電体が、低い空隙率を有することにより、高耐久性が達成される。このような空隙を有しつつも空隙率が低い誘電体としては、後述の大気プラズマ溶射法等による高密度、高密着のセラミックス溶射被膜等を挙げることが出来る。更に空隙率を下げるためには、封孔処理を行うことが好ましい。
【０１３８】
上記、大気プラズマ溶射法は、セラミックス等の微粉末、ワイヤ等をプラズマ熱源中に投入し、溶融または半溶融状態の微粒子として被覆対象の金属質母材に吹き付け、皮膜を形成させる技術である。プラズマ熱源とは、分子ガスを高温にし、原子に解離させ、更にエネルギーを与えて電子を放出させた高温のプラズマガスである。このプラズマガスの噴射速度は大きく、従来のアーク溶射やフレーム溶射に比べて、溶射材料が高速で金属質母材に衝突するため、密着強度が高く、高密度な被膜を得ることが出来る。詳しくは、特開２０００−３０１６５５に記載の高温被曝部材に熱遮蔽皮膜を形成する溶射方法を参照することが出来る。この方法により、上記のような被覆する誘電体（セラミック溶射膜）の空隙率にすることが出来る。
【０１３９】
また、大電力に耐える別の好ましい仕様としては、誘電体の厚みが０．５〜２ｍｍであることである。この膜厚変動は、５％以下であることが望ましく、好ましくは３％以下、更に好ましくは１％以下である。
【０１４０】
誘電体の空隙率をより低減させるためには、上記のようにセラミックス等の溶射膜に、更に、無機化合物で封孔処理を行うことが好ましい。前記無機化合物としては、金属酸化物が好ましく、この中では特に酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）を主成分として含有するものが好ましい。
【０１４１】
封孔処理の無機化合物は、ゾルゲル反応により硬化して形成したものであることが好ましい。封孔処理の無機化合物が金属酸化物を主成分とするものである場合には、金属アルコキシド等を封孔液として前記セラミック溶射膜上に塗布し、ゾルゲル反応により硬化する。無機化合物がシリカを主成分とするものの場合には、アルコキシシランを封孔液として用いることが好ましい。
【０１４２】
ここでゾルゲル反応の促進には、エネルギー処理を用いることが好ましい。エネルギー処理としては、熱硬化（好ましくは２００℃以下）や、紫外線照射などがある。更に封孔処理の仕方として、封孔液を希釈し、コーティングと硬化を逐次で数回繰り返すと、よりいっそう無機質化が向上し、劣化の無い緻密な電極が出来る。
【０１４３】
本発明に係る誘電体被覆電極の金属アルコキシド等を封孔液として、セラミックス溶射膜にコーティングした後、ゾルゲル反応で硬化する封孔処理を行う場合、硬化した後の金属酸化物の含有量は６０モル％以上であることが好ましい。封孔液の金属アルコキシドとしてアルコキシシランを用いた場合には、硬化後のＳｉＯｘ（ｘは２以下）含有量が６０モル％以上であることが好ましい。硬化後のＳｉＯｘ含有量は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子スペクトル）により誘電体層の断層を分析することにより測定できる。
【０１４４】
本発明の光学フィルムの製造方法に係る電極においては、電極の少なくとも基材と接する側のＪＩＳ  Ｂ  ０６０１で規定される表面粗さの最大高さ（Ｒｍａｘ）が１０μｍ以下になるように調整することが好ましいが、更に好ましくは、８μｍ以下であり、特に好ましくは、７μｍ以下に調整することである。このように誘電体被覆電極の誘電体表面を研磨仕上げする等の方法により、誘電体の厚み及び電極間のギャップを一定に保つことが出来、放電状態を安定化出来ること、更に熱収縮差や残留応力による歪やひび割れを無くし、且つ、高精度で、耐久性を大きく向上させることが出来る。誘電体表面の研磨仕上げは、少なくとも基材と接する側の誘電体において行われることが好ましい。
【０１４５】
また、基材と接する側の誘電体の表面と、接している基材Ｆの裏面との間の動摩擦係数は１．５以下であることが好ましく、更に好ましくは０．０１〜１．２であり、更に好ましくは０．０１〜０．９であり、更に好ましくは０．０１〜０．７である。
【０１４６】
本発明に使用する誘電体被覆電極において、大電力に耐える他の好ましい仕様としては、耐熱温度が１００℃以上であることである。更に好ましくは１２０℃以上、特に好ましくは１５０〜５００℃である。なお、耐熱温度とは、絶縁破壊が発生せず、正常に放電出来る状態において耐えられる最も高い温度のことを指す。このような耐熱温度は、上記のセラミックス溶射や、泡混入量の異なる層状のガラスライニングで設けた誘電体を適用したり、下記金属質母材と誘電体の線熱膨張係数の差の範囲内の材料を適宜選択する手段を適宜組み合わせることによって達成可能である。
【０１４７】
〈反応ガス〉
本発明の金属酸化物薄膜層の形成方法に用いる反応ガスについて説明する。
【０１４８】
薄膜層を形成するための反応ガスは、主に窒素を含むガスである。すなわち、窒素ガスが５０％以上で含有することが好ましく、さらに好ましくは７０％以上で含有することが好ましく、さらに好ましくは９０体積％〜９９．９９体積％であることが望ましい。反応ガスには窒素のほかに希ガスが含有していてもよい。
【０１４９】
ここで、希ガスとは、周期表の第１８属元素、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等であり、本発明では、ヘリウム、アルゴン等が窒素に添加されて用いられてもよい。
【０１５０】
窒素ガスは安定したプラズマ放電を発生させるために用いられ、反応ガスには薄膜を形成するための原料として、反応性ガスが添加される。該プラズマ中で反応性ガスはイオン化あるいはラジカル化され、基材表面に堆積あるいは付着するなどして薄膜が形成される。
【０１５１】
更に、反応ガス中に酸素、水素、二酸化炭素、一酸化炭素、二酸化窒素、一酸化窒素、水、過酸化水素、オゾン等を０．１体積％〜１０体積％含有させることにより薄膜層の硬度、密度等の物性を制御することができる。これらは適宜選択される。
【０１５２】
本発明の薄膜形成方法を実施するにあたり、使用するガスは、基材上に設けたい薄膜の種類によって異なるが、基本的に、窒素ガスと、薄膜を形成するための反応性ガスの混合ガスで、本発明においてこの混合ガスを反応ガスという。反応性ガスは、反応ガスに対し、０．０１〜１０体積％含有させることが好ましい。薄膜の膜厚としては、一つの層あたり０．１〜１０００ｎｍの範囲の薄膜が好ましく得られる。
【０１５３】
光学フィルムとしての反射防止フィルムにおける、反射防止層は、通常、基材よりも屈折率の高い高屈折率の層と基材よりも屈折率の低い低屈折率の層を組み合わせることにより達成される。構成の例としては、単層、多層の各種知られているが、多層のものとしては基材側から高屈折率層と低屈折率層の２層から成る構成や、屈折率の異なる３層を、中屈折率層（基材等よりも屈折率が高く、高屈折率層よりも屈折率の低い層）、高屈折率層、低屈折率層の順に積層することや、高屈折率層、低屈折率層、高屈折率層、低屈折率層の４層以上を積層すること等が提案されている。中でも、耐久性、光学特性、コストや生産性などから、ハードコート層を有する基材上に、中屈折率層、高屈折率層、低屈折率層を設けることが好ましい。
【０１５４】
基材面に（中屈折率層を設ける場合もある）高屈折率層、その上に低屈折率層を順に積層し、高屈折率層及び低屈折率層の光学膜厚を光の波長に対し所定の値に設定することにより光学干渉層を作り、反射防止積層体としたものが反射防止層としては特に好ましく、屈折率と膜厚は、分光反射率の測定より計算して算出し得る。
【０１５５】
例えば、反射防止フィルムの低屈折率層は、珪素化合物、又は珪素化合物とフッ素化合物の混合物、又はフッ素系化合物の層が好ましく用いられる。
【０１５６】
高屈折率層としてはチタン化合物を、中屈折率層形成用としては錫化合物又はチタン化合物と珪素化合物の混合物（又は高屈折率形成用のチタン化合物で形成した層、低屈折率層を形成する珪素化合物で形成した層を積層してもよい）を用いることが出来る。
【０１５７】
上記低屈折率層や中屈折率層、高屈折率層等の金属化合物薄膜の形成に使用し得る反応性ガスについて、以降、主に説明する。
【０１５８】
反射防止層薄膜は、大まかに、低屈折率層薄膜には、フッ素化合物または珪素化合物を使用し、中屈折率層薄膜には、スズまたは低屈折率層薄膜に使用する化合物と高屈折率層薄膜に使用する化合物を併用する場合もあり、高屈折率層薄膜にはチタン化合物やジルコニウム化合物またはタンタル化合物を使用することが出来る。また、フッ素化合物は防汚層薄膜にも使用し得る。
【０１５９】
本発明に有用な反応性ガスとして用いる有機フッ素化合物としては、フッ化炭素ガス、フッ化炭化水素ガス等が好ましい。有機フッ素化合物としては、四フッ化炭素、六フッ化炭素、四フッ化エチレン、六フッ化プロピレン、八フッ化シクロブタン等のフッ化炭素化合物；二フッ化メタン、四フッ化エタン、四フッ化プロピレン、三フッ化プロピレン、八フッ化シクロブタン等のフッ化炭化水素化合物；更に、一塩化三フッ化メタン、一塩化二フッ化メタン、二塩化四フッ化シクロブタン等のフッ化炭化水素化合物のハロゲン化物やアルコール、酸、ケトン等の有機化合物のフッ素置換体を挙げることが出来る。これらは単独でも混合して用いてもよい。上記のフッ化炭化水素ガスとしては、二フッ化メタン、四フッ化エタン、四フッ化プロピレン、三フッ化プロピレン等を挙げることが出来る。更に、一塩化三フッ化メタン、一塩化二フッ化メタン、二塩化四フッ化シクロブタン等のフッ化炭化水素化合物のハロゲン化物やアルコール、酸、ケトン等の有機化合物のフッ素置換体を用いることが出来るがこれらに限定されない。また、これらの化合物が分子内にエチレン性不飽和基を有していても良い。また、上記の化合物は混合して用いても良い。また、本発明に係わる有機フッ素化合物が常温常圧で気体である場合は、反応性ガスの成分としてそのまま使用出来るので最も容易に本発明の方法を遂行することが出来る。しかし、有機フッ素化合物が常温常圧で液体または固体である場合には、気化手段により、例えば加熱、減圧等により気化して使用すればよく、適切な有機溶媒に溶解して用いてもよい。上記有機フッ素化合物は、有害ガスとしてのフッ化水素を生成しないものが好ましく、上記のものは何れも安全に使用し得る。また、有機フッ素化合物ガスを用いることによって、処理面にフッ素含有基を形成させて表面エネルギーを低くし、撥水性表面を得る撥水膜を得ることが出来、防汚層薄膜に応用出来る。本発明に有用な反応性ガスに有機フッ素化合物を用いる場合、プラズマ放電処理によりセルロースエステルフィルム上に均一な薄膜を形成する観点から、反応ガス中の反応性ガスとしての有機フッ素化合物の含有率は、０．０１〜１０体積％であることが好ましいが、更に好ましくは、０．１〜５体積％である。
【０１６０】
珪素化合物は、取り扱い上の観点から金属水素化合物、金属アルコキシドが好ましく、腐食性、有害ガスの発生がなく、工程上の汚れなども少ないことから、金属アルコキシドが好ましく用いられる。また、上記記載の珪素化合物を放電空間である電極間に導入するには、両者は常温常圧で、気体、液体、固体いずれの状態であっても構わない。気体の場合は、そのまま放電空間に導入出来るが、液体、固体の場合は、加熱、減圧、超音波照射等の手段により気化させて使用される。珪素化合物を加熱により気化して用いる場合、テトラエトキシシランなどの常温で液体で、沸点が２００℃以下である金属アルコキシドが反射防止膜の形成に好適に用いられる。上記金属アルコキシドは、溶媒によって希釈して使用されても良く、溶媒は、メタノール、エタノール、アセトン、ｎ−ヘキサンなどの有機溶媒及びこれらの混合溶媒が使用出来る。
【０１６１】
上記記載の珪素化合物としては、例えば、ジメチルシラン、テトラメチルシランなどの有機金属化合物、モノシラン、ジシランなどの金属水素化合物、二塩化シラン、三塩化シランなどの金属ハロゲン化合物、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、トリメチルエトキシシラン等のアルコキシシラン、ヘキサメチルジシロキサン、オルガノシラン、含フッ素有機シラン化合物などを用いることが好ましいがこれらに限定されない。また、これらは適宜組み合わせて用いることが出来る。
【０１６２】
反応ガス中に上記記載の珪素化合物を用いる場合、放電プラズマ処理により基材上に均一な薄膜を形成する観点から、反応ガス中の珪素化合物の含有率は、０．０１〜１０体積％であることが好ましいが、更に好ましくは、０．１〜５体積％である。
【０１６３】
中屈折率層薄膜あるいは高屈折率層薄膜を形成し得る反応性ガス化合物としては、例えば、亜鉛アセチルアセトナート、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛、トリエチルインジウム、トリメチルインジウム、エトラエチルスズ、エトラメチルスズ、二酢酸ジ−ｎ−ブチルスズ、テトラブチルスズ、テトラオクチルスズ、ペンタイソプロポキシタンタルなどから選択された少なくとも１つの有機金属化合物を含む反応性ガスを用いて、導電性層薄膜膜あるいは帯電防止層薄膜、あるいは反射防止層薄膜の中屈折率層薄膜あるいは高屈折率層薄膜として有用な金属化合物層を形成することが出来る。
【０１６４】
チタン化合物としては、取り扱い上の観点から金属水素化合物、金属アルコキシドが好ましく、腐食性、有害ガスの発生がなく、工程上の汚れなども少ないことから、金属アルコキシドが好ましく用いられる。高屈折率層薄膜として有用なチタン化合物は、テトラジメチルアミノチタンなどの有機金属化合物、モノチタン、ジチタンなどの金属水素化合物、二塩化チタン、三塩化チタン、四塩化チタンなどの金属ハロゲン化合物、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタンなどの金属アルコキシドなどを用いることが好ましいがこれらに限定されない。また、上記記載のチタン化合物を放電空間である電極間に導入するには、これらは常温常圧で、気体、液体、固体いずれの状態であっても構わない。気体の場合は、そのまま放電空間に導入出来るが、液体、固体の場合は、加熱、減圧、超音波照射等の手段により気化させて使用される。珪素化合物、チタン化合物を加熱により気化して用いる場合、テトライソプロポキシチタンなどの常温で液体で、沸点が２００℃以下である金属アルコキシドが反射防止膜の形成に好適に用いられる。上記金属アルコキシドは、溶媒によって希釈して使用されても良く、溶媒は、メタノール、エタノール、ｎ−ヘキサンなどの有機溶媒及びこれらの混合溶媒が使用出来る。反応ガス中に上記記載のチタン化合物を用いる場合、放電プラズマ処理により基材上に均一な薄膜を形成する観点から、反応ガス中のチタン化合物の含有率は、０．０１〜１０体積％であることが好ましいが、更に好ましくは、０．１〜５体積％である。
【０１６５】
また、反応ガス中に酸素、オゾン、過酸化水素、二酸化炭素、一酸化炭素、水素、窒素から選択される成分を０．０１〜１０体積％含有させることにより、反応が促進され、且つ、緻密で良質な薄膜を形成することが出来る。
【０１６６】
本発明に係わる金属化合物層は、大気圧プラズマＣＶＤにおいて、有機金属化合物、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される金属を含む有機金属化合物を反応性ガスとして用い形成される金属化合物層である。反応性ガスのうち、より好ましくは、これらの有機金属化合物が金属アルコキシド、アルキル化金属、含金属錯体から選ばれるものが好ましい。
【０１６７】
上記または上記以外の反応性ガスを適宜選択して、本発明の薄膜形成方法に使用することにより前記の低屈折率層、中屈折率層、高屈折率層のほか、様々な高機能性の薄膜を得ることも出来る。その一例を以下に示すが、本発明はこれに限られるものではない。
【０１６８】
電極膜：Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｓｉ
誘電体保護膜：ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３
透明導電膜：Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２
エレクトロクロミック膜：ＷＯ３、ＩｒＯ２、ＭｏＯ３、Ｖ２Ｏ５
蛍光膜：ＺｎＳ、ＺｎＳ＋ＺｎＳｅ、ＺｎＳ＋ＣｄＳ
磁気記録膜：Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ、γ−Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｏ、Ｆｅ３Ｏ４、Ｃｒ、ＳｉＯ２、ＡｌＯ３
超導電膜：Ｎｂ、Ｎｂ−Ｇｅ、ＮｂＮ
太陽電池膜：ａ−Ｓｉ、Ｓｉ
反射膜：Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ
選択性吸収膜：ＺｒＣ−Ｚｒ
選択性透過膜：Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２
シャドーマスク：Ｃｒ
耐摩耗性膜：Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｔ、ＴｉＣ、ＴｉＮ
耐食性膜：Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ
耐熱膜：Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ
潤滑膜：ＭｏＳ２
装飾膜：Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、ＴｉＣ、Ｃｕ
高屈折率膜：ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５
本発明の光学フィルムの金属化合物薄膜は、上述のような、大気圧もしくはその近傍の圧力下で上述のような反応ガスを用いて金属化合物薄膜を形成する。
【０１６９】
薄膜の膜厚としては、前記のように、一つの層あたり０．１〜１０００ｎｍの範囲の薄膜が好ましく得られる。
【０１７０】
本発明の方法で形成される薄膜はスパッタリングや蒸着などの薄膜形成方法と異なる柔軟性を有し、丈夫さにおいてもそれらの方法によるものより格段に優れている。
【０１７１】
更に、本発明の光学フィルムには窒素を用いた大気圧プラズマ処理によって分子内に親水性基と重合性不飽和結合を有するモノマーの雰囲気下で処理を行うことにより、必要に応じて親水性の重合膜を形成させることも出来る。上記親水性基としては、水酸基、スルホン酸基、スルホン酸塩基、１級もしくは２級または３級アミノ基、アミド基、４級アンモニウム塩基、カルボン酸基、カルボン酸塩基等の親水性基等を挙げることが出来る。また、ポリエチレングリコール鎖を有するモノマーを用いても同様に親水性重合膜を形成することが可能である。上記モノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリル酸ナトリウム、メタクリル酸ナトリウム、アクリル酸カリウム、メタクリル酸カリウム、スチレン
スルホン酸ナトリウム、アリルアルコール、アリルアミン、ポリエチレングリコールジメタクリル酸エステル、ポリエチレングリコールジアクリル酸エステルなどを挙げることが出来、２種以上併用することも出来る。
【０１７２】
〈セルロースエステル添加剤〉
以下に、本発明に係わるセルロースと芳香族カルボン酸とのエステルを用いて製造する、延伸セルロースエステルフィルムの添加剤について説明する。
【０１７３】
本発明に係わるセルロースと芳香族カルボン酸とのエステルを用いた延伸セルロースエステルフィルムには可塑剤又は紫外線吸収剤を添加剤として含有することが好ましい。
【０１７４】
可塑剤としては、特に限定はないが、リン酸エステル系可塑剤、フタル酸エステル系可塑剤、トリメリット酸エステル系可塑剤、ピロメリット酸系可塑剤、グリコレート系可塑剤、クエン酸エステル系可塑剤、ポリエステル系可塑剤などを挙げることができる。
【０１７５】
リン酸エステル系可塑剤としては、
例えば、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、オクチルジフェニルホスフェート、ジフェニルビフェニルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリブチルホスフェート等；
フタル酸エステル系可塑剤としては、
例えば、ジエチルフタレート、ジメトキシエチルフタレート、ジメチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジブチルフタレート、ジ−２−エチルヘキシルフタレート、ブチルベンジルフタレート、ジシクロヘキシルフタレート等；
トリメリット酸系可塑剤としては、例えば、トリブチルトリメリテート、トリフェニルトリメリテート、トリエチルトリメリテート等；
ピロメリット酸エステル系可塑剤としては、
例えば、テトラブチルピロメリテート、テトラフェニルピロメリテート、テトラエチルピロメリテート等；
グリセリンエステル系可塑剤としては、
例えば、トリアセチン、トリブチリン等；
グリコール酸エステル系可塑剤としては、
例えば、エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート等；
その他のカルボン酸エステル可塑剤の例としては、
例えば、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシン酸ジブチル、種々のトリメリット酸エステル等、あるいはトリメチロールプロパントリベンゾエート等を挙げることができる。
【０１７６】
これらの中で、リン酸エステル系可塑剤又はグリコール酸エステル系の可塑剤がより好ましい。これらの可塑剤を単独又は併用するのことが更に好ましい。
【０１７７】
また、可塑剤の使用量は、フィルム性能、加工性等の点で、セルロースエステルに対して１〜３０質量％であることが好ましい。
【０１７８】
次に紫外線吸収剤について説明する。
液晶の劣化防止の観点から、波長３７０ｎｍ以下の紫外線の吸収能に優れ、かつ良好な液晶表示性の観点から、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ない紫外線吸収剤が好ましく用いられる。
【０１７９】
本発明に好ましく用いられる紫外線吸収剤の具体例としては、例えばオキシベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノアクリレート系化合物、ニッケル錯塩系化合物、無機粉体などが挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものでない。
【０１８０】
ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤としては下記一般式〔１〕で示される化合物が好ましく用いられる。
【０１８１】
【化８】
2004155146.tif 000012
【０１８２】
一般式〔１〕において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、ヒドロキシル基、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、モノ若しくはジアルキルアミノ基、アシルアミノ基又は５〜６員の複素環基を表し、Ｒ４とＲ５は閉環して５〜６員の炭素環を形成してもよい。
【０１８３】
以下に本発明に用いられる紫外線吸収剤の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
【０１８４】
ＵＶ−１−１：２−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール
ＵＶ−１−２：２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール
ＵＶ−１−３：２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔｅｒ−ブチル−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール
ＵＶ−１−４：２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール
ＵＶ−１−５：２−（２′−ヒドロキシ−３′−（３″，４″，５″，６″−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール
ＵＶ−１−６：２，２−メチレンビス（４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール）
また、本発明に好ましく用いられる紫外線吸収剤のひとつであるベンゾフェノン系紫外線吸収剤としては、下記一般式〔２〕で表される化合物がより好ましく用いられる。
【０１８５】
【化９】
2004155146.tif 000013
【０１８６】
一般式〔２〕において、Ｙは水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はフェニル基を表し、これらのアルキル基、アルケニル基及びフェニル基は置換基を有していてもよい。Ａは水素原子、アルキル基、アルケニル基、フェニル基、シクロアルキル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基又は−ＣＯ（ＮＨ）ｎ−１−Ｄ基を表し、Ｄはアルキル基、アルケニル基又は置換基を有していてもよいフェニル基を表す。ｍ及びｎは１又は２を表す。
【０１８７】
上記において、アルキル基としては例えば、炭素数２４までの直鎖又は分岐の脂肪族基を表し、アルコキシ基としては例えば、炭素数１８までのアルコキシ基で、アルケニル基としては例えば、炭素数１６までのアルケニル基で例えばアリル基、２−ブテニル基などを表す。又、アルキル基、アルケニル基、フェニル基への置換分としてはハロゲン原子、例えばクロール、ブロム、フッ素原子など、ヒドロキシ基、フェニル基、（このフェニル基にはアルキル基又はハロゲン原子などを置換していてもよい）などが挙げられる。
【０１８８】
以下に一般式〔２〕で表されるベンゾフェノン系化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【０１８９】
ＵＶ−３−１：２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン
ＵＶ−３−２：２，２′−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン
ＵＶ−３−３：２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホベンゾフェノン
ＵＶ−３−４：ビス（２−メトキシ−４−ヒドロキシ−５−ベンゾイルフェニルメタン）
本発明で好ましく用いられる上記記載の紫外線吸収剤は、透明性が高く、楕円偏光板や液晶素子の劣化を防ぐ効果に優れたベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤やベンゾフェノン系紫外線吸収剤が好ましく、不要な着色がより少ないベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤が特に好ましい。
【０１９０】
紫外線吸収剤の添加方法としては、アルコール、メチレンクロライド、ジオキソランなどの有機溶剤に紫外線吸収剤を溶解してからドープに添加するか、又は直接ドープ組成中（インライン添加）に添加してもよい。無機粉体のように有機溶剤に溶解しないものは、有機溶剤とセルロースエステル中にディゾルバーやサンドミルを使用し、分散してからドープに添加する。
【０１９１】
紫外線吸収剤の使用量は化合物の種類、使用条件などにより一様ではないが、通常は延伸セルロースエステルフィルム１ｍ２当り、０．２〜５．０ｇが好ましく、０．４〜３．０ｇがさらに好ましく、０．６〜２．０ｇが特に好ましい。
【０１９２】
この他、透湿性改善剤又はフィルム物性改善剤として機能する添加剤を用いることができ、上記添加剤の具体的例の一つとしてトリフェニレン環を有する化合物が挙げられ、その中でも、下記一般式（Ｉ）で表される化合物でが好ましい。
【０１９３】
【化１０】
2004155146.tif 000014
【０１９４】
一般式（Ｉ）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、各々水素原子、ハロゲン原子、ニトロ、スルホ、脂肪族基、芳香族基、複素環基、−Ｏ−Ｒ１１、−Ｓ−Ｒ１２、−ＣＯ−Ｒ１３、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ１４、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ１５、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−Ｒ１６、−ＮＲ１７Ｒ１８、−ＣＯ−ＮＲ１９Ｒ２０、−ＮＲ２１−ＣＯ−Ｒ２２、−Ｏ−ＣＯ−ＮＲ２３Ｒ２４、−ＳｉＲ２５Ｒ２６Ｒ２７、−Ｏ−ＳｉＲ２８Ｒ２９Ｒ３０、−Ｓ−ＣＯ−Ｒ３１、−Ｏ−ＳＯ２−Ｒ３２、−ＳＯ−Ｒ３３、−ＮＲ３４−ＣＯ−Ｏ−Ｒ３５、−ＳＯ２−Ｒ３６又は−ＮＲ３７−ＣＯ−ＮＲ３８Ｒ３９、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７、Ｒ２８、Ｒ２９、Ｒ３０、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５、Ｒ３６、Ｒ３７、Ｒ３８及びＲ３９は、水素原子、脂肪族基、芳香族基又は複素環基である。また、Ｒ１とＲ２、Ｒ３とＲ４又はＲ５とＲ６は互いに結合して環を形成してもよい。
【０１９５】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、−Ｏ−Ｒ１１、−Ｓ−Ｒ１２、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ１４、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−Ｒ１６、−ＮＲ１７Ｒ１８、−ＮＲ２１−ＣＯ−Ｒ２２又は−Ｏ−ＣＯ−ＮＲ２３Ｒ２４であることが好ましく、−Ｏ−Ｒ１１、−Ｓ−Ｒ１２、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ１４、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−Ｒ１６又は−Ｏ−ＣＯ−ＮＲ２３Ｒ２４であることがより好ましく、−Ｏ−Ｒ１１又は−Ｏ−ＣＯ−Ｒ１４であることがさらに好ましく、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ１４であることが最も好ましい。
【０１９６】
Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７、Ｒ２８、Ｒ２９、Ｒ３０、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５、Ｒ３６、Ｒ３７、Ｒ３８及びＲ３９は、各々水素原子、脂肪族基又は芳香族基であることが好ましい。−Ｏ−ＣＯ−Ｒ１４のＲ１４は、芳香族基であることが最も好ましい。
【０１９７】
一般式（Ｉ）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、同一の基であることが好ましい。
【０１９８】
脂肪族基としては、例えばアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、置換アルキル基、置換アルケニル基又は置換アルキニル基があげられる。
【０１９９】
アルキル基は、環状（例えばシクロアルキル基等）であってもよく、また、アルキル基は分岐をしていてもよい。アルキル基の炭素原子数は、１〜３０であることが好ましく、１〜２０であることがさらに好ましく、１〜１０であることが最も好ましい。
【０２００】
アルキル基の具体例としては、例えばメチル、エチル、ｉ−プロピル、ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｔ−ペンチル、ヘキシル、オクチル、ｔ−オクチル、ドデシル又はテトラコシル等の各基が挙げられる。
【０２０１】
アルケニル基は、環状（シクロアルケニル基）であってもよく、また、アルケニル基は、分岐していてもよい。さらに、アルケニル基は、二つ以上の二重結合を有していてもよい。
【０２０２】
アルケニル基の炭素原子数は、２〜３０であることが好ましく、２〜２０であることがさらに好ましく、２〜１０であることが最も好ましい。
【０２０３】
アルケニル基の具体例としては、ビニル、アリル又は３−ヘプテニルが挙げられる。アルキニル基は、環状（シクロアルキニル基）であってもよく、また、アルキニル基は、分岐を有していてもよい。
【０２０４】
さらに、アルキニル基は、二つ以上の三重結合を有していてもよい。アルキニル基の炭素原子数は、２〜３０であることが好ましく、２〜２０であることがさらに好ましく、２〜１０であることが最も好ましい。
【０２０５】
アルキニル基の具体例としては、エチニル、２−プロピニル、１−ペンチニル及び２，４−オクタジイニル等の各基が挙げられる。
【０２０６】
置換アルキル基、置換アルケニル基及び置換アルキニル基の置換基の具体例としては、例えばハロゲン原子、ニトロ、スルホ、芳香族基、複素環基、−Ｏ−Ｒ４１、−Ｓ−Ｒ４２、−ＣＯ−Ｒ４３、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ４４、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ４５、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−Ｒ４６、−ＮＲ４７Ｒ４８、−ＣＯ−ＮＲ４９Ｒ５０、−ＮＲ５１−ＣＯ−Ｒ５２、−Ｏ−ＣＯ−ＮＲ５３Ｒ５４、−ＳｉＲ５５Ｒ５６Ｒ５７Ｒ５８又は−Ｏ−ＳｉＲ５９Ｒ６０Ｒ６１Ｒ６２が等が挙げられる。
【０２０７】
Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４７、Ｒ４８、Ｒ４９、Ｒ５０、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３、Ｒ５４、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ５９、Ｒ６０、Ｒ６１又はＲ６２は、水素原子、脂肪族基、芳香族基又は複素環基である。置換アルキル基のアルキル部分は、上記アルキル基と同様である。
【０２０８】
置換アルキル基の具体例としては、ベンジル、フェネチル、２−メトキシエチル、エトキシメチル、２−（２−メトキシエトキシ）エチル、２−ヒドロキシエチル、ヒドロキシメチル、２−カルボキシエチル、カルボキシメチル、エトキシカルボニルメチル、４−アクリロイルオキシブチル、トリクロロメチル又はパーフルオロペンチル等の各基が挙げられる。置換アルケニル基のアルケニル部分は、上記アルケニル基と同様である。置換アルケニル基の具体例としては、例えばスチリル及び４−メトキシスチリル等の各基が挙げられる。
【０２０９】
置換アルキニル基のアルキニル部分は、上記アルキニル基と同様である。置換アルキニル基の具体例としては、４−ブトキシフェニルエチニル、４−プロピルフェニルエチニル又はトリメチルシリルエチニル等の各基が挙げられる。
【０２１０】
本発明において、芳香族基は、アリール基及び置換アリール基を意味する。
アリール基の炭素原子数は、６〜３０であることが好ましく、６〜２０であることがさらに好ましく、６〜１０であることが最も好ましい。
【０２１１】
アリール基の具体例としては、例えば、フェニル、１−ナフチル又は２−ナフチル等の各基が挙げられる。
【０２１２】
置換アリール基の置換基の具体例としては、例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、スルホ基、脂肪族基、芳香族基、複素環基、−Ｏ−Ｒ７１、−Ｓ−Ｒ７２、−ＣＯ−Ｒ７３、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ７４、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ７５、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−Ｒ７６、−ＮＲ７７Ｒ７８、−ＣＯ−ＮＲ７９Ｒ８０、−ＮＲ８１−ＣＯ−Ｒ８２、−Ｏ−ＣＯ−ＮＲ８３Ｒ８４、−ＳｉＲ８５Ｒ８６Ｒ８７Ｒ８８又は−Ｏ−ＳｉＲ８９Ｒ９０Ｒ９１Ｒ９２等が挙げられる。
【０２１３】
Ｒ７１、Ｒ７２、Ｒ７３、Ｒ７４、Ｒ７５、Ｒ７６、Ｒ７７、Ｒ７８、Ｒ７９、Ｒ８０、Ｒ８１、Ｒ８２、Ｒ８３、Ｒ８４、Ｒ８５、Ｒ８６、Ｒ８７、Ｒ８８、Ｒ８９、Ｒ９０、Ｒ９１及びＲ９２は、水素原子、脂肪族基、芳香族基又は複素環基である。
【０２１４】
置換アリール基のアリール部分は、上記アリール基と同義である。
置換アリール基の具体例としては、ｐ−ビフェニリル、４−フェニルエチニルフェニル、２−メトキシフェニル、３−メトキシフェニル、４−メトキシフェニル、２−エトキシフェニル、３−エトキシフェニル、４−エトキシフェニル、２−プロポキシフェニル、３−プロポキシフェニル、４−プロポキシフェニル、２−ブトキシフェニル、３−ブトキシフェニル、４−ブトキシフェニル、２−ヘキシルオキシフェニル、３−ヘキシルオキシフェニル、４−ヘキシルオキシフェニル、２−オクチルオキシフェニル、３−オクチルオキシフェニル、４−オクチルオキシフェニル、２−ドデシルオキシフェニル、３−ドデシルオキシフェニル、４−ドデシルオキシフェニル、２−テトラコシルオキシフェニル、３−テトラコシルオキシフェニル、４−テトラコシルオキシフェニル、３，４−ジメトキシフェニル、３，４−ジエトキシフェニル、３，４−ジヘキシルオキシフェニル、２，４−ジメトキシフェニル、２，４−ジエトキシフェニル、２，４−ジヘキシルオキシフェニル、３，５−ジメトキシフェニル、３，５−ジメトキシフェニル、３，５−ジヘキシルオキシフェニル、３，４，５−トリメトキシフェニル、３，４，５−トリエトキシフェニル、３，４，５−トリヘキシルオキシフェニル、２，４，６−トリメトキシフェニル、２，４，６−トリエトキシフェニル、２，４，６−トリヘキシルオキシフェニル、２−フルオロフェニル、３−フルオロフェニル、４−フルオロフェニル、２−クロロフェニル、３−クロロフェニル、４−クロロフェニル、２−ブロモフェニル、３−ブロモフェニル、４−ブロモフェニル、３，４−ジフルオロフェニル、３，４−ジクロロフェニル、３，４−ジブロモフェニル、２，４−ジフルオロフェニル、２，４−ジクロロフェニル、２，４−ジブロモフェニル、３，５−ジフルオロフェニル、３，５−ジクロロフェニル、３，５−ジブロモフェニル、３，４，５−トリフルオロフェニル、３，４，５−トリクロロフェニル、３，４，５−トリブロモフェニル、２，４，６−トリフルオロフェニル、２，４，６−トリクロロフェニル、２，４，６−トリブロモフェニル、ペンタフルオロフェニル、ペンタクロロフェニル、ペンタブロモフェニル、２−ヨードフェニル、３−ヨードフェニル、４−ヨードフェニル、２−ホルミルフェニル、３−ホルミルフェニル、４−ホルミルフェニル、２−ベンゾイルフェニル、３−ベンゾイルフェニル、４−ベンゾイルフェニル、２−カルボキシフェニル、３−カルボキシフェニル、４−カルボキシフェニル、ｏ−トリル、ｍ−トリル、ｐ−トリル、２−エチルフェニル、３−エチルフェニル、４−エチルフェニル、２−（２−メトキシエトキシ）フェニル、３−（２−メトキシエトキシ）フェニル、４−（２−メトキシエトキシ）フェニル、２−エトキシカルボニルフェニル、３−エトキシカルボニルフェニル、４−エトキシカルボニルフェニル、２−ベンゾイルオキシフェニル、３−ベンゾイルオキシフェニル及び４−ベンゾイルオキシフェニル等の各基が挙げられる。
【０２１５】
本発明においては、複素環基は置換基を有していてもよい。複素環基中の複素環は５員環又は６員環であることが好ましい。複素環基中の複素環に脂肪族環、芳香族環又は他の複素環が縮合していてもよい。複素環中のヘテロ原子としては、例えばＢ、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅ等の各原子が挙げられる。
【０２１６】
複素環基中の複素環の具体例としては、例えば、ピロリジン環、モルホリン環、２−ボラ−１，３−ジオキソラン環及び１，３−チアゾリジン環等が挙げられる。
【０２１７】
不飽和複素環基中の不飽和複素環の具体例としては、例えば、イミダゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾセレナゾール環、ピリジン環、ピリミジン環又はキノリン環等が挙げられる。
【０２１８】
複素環基の置換基の具体例としては、前記置換アリール基の置換基の具体例と同様である。
【０２１９】
トリフェニレン環を有する化合物の分子量は、３００〜２０００であることが好ましい。化合物の沸点は２６０℃以上であることが好ましい。沸点は、市販の測定装置（例えば、ＴＧ／ＤＴＡ１００、セイコー電子工業（株）製）を用いて測定できる。以下に、トリフェニレン環を有する化合物の具体例を示す。
【０２２０】
尚、以下に示す複数のＲは同一の基を意味する。
【０２２１】
【化１１】
2004155146.tif 000015
【０２２２】
（１）フルオロ
（２）クロロ
（３）ブロモ
（４）ホルミル
（５）ベンゾイル
（６）カルボキシル
（７）ブチルアミノ
（８）ジベンジルアミノ
（９）トリメチルシリルオキシ
（１０）１−ペンチニル
（１１）エトキシカルボニル
（１２）２−ヒドロキシエトキシカルボニル
（１３）フェノキシカルボニル
（１４）Ｎ−フェニルカルバモイル
（１５）Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイル
（１６）４−メトキシベンゾイルオキシ
（１７）Ｎ−フェニルカルバモイルオキシ
（１８）ヘキシルオキシ
（１９）４−ヘキシルオキシベンゾイルオキシ
（２０）エトキシ
（２１）ベンゾイルオキシ
（２２）ｍ−ドデシルオキシフェニルチオ
（２３）ｔ−オクチルチオ
（２４）ｐ−フルオロベンゾイルチオ
（２５）イソブチリルチオ
（２６）ｐ−メチルベンゼンスルフィニル
（２７）エタンスルフィニル
（２８）ベンゼンスルホニル
（２９）メタンスルホニル
（３０）２−メトキシエトキシ
（３１）プロポキシ
（３２）２−ヒドロキシエトキシ
（３３）２−カルボキシエトキシ
（３４）３−ヘプテニルオキシ
（３５）２−フェニルエトキシ
（３６）トリクロロメトキシ
（３７）２−プロピニルオキシ
（３８）２，４−オクタジイニルオキシ
（３９）パーフルオロペンチルオキシ
（４０）エトキシカルボニルメトキシ
（４１）ｐ−メトキシフェノキシ
（４２）ｍ−エトキシフェノキシ
（４３）ｏ−クロロフェノキシ
（４４）ｍ−ドデシルオキシフェノキシ
（４５）４−ピリジルオキシ
（４６）ペンタフルオロベンゾイルオキシ
（４７）ｐ−ヘキシルオキシベンゾイルオキシ
（４８）１−ナフトイルオキシ
（４９）２−ナフトイルオキシ
（５０）５−イミダゾールカルボニルオキシ
（５１）ｏ−フェノキシカルボニルベンゾイルオキシ
（５２）ｍ−（２−メトキシエトキシ）ベンゾイルオキシ
（５３）ｏ−カルボキシベンゾイルオキシ
（５４）ｐ−ホルミルベンゾイルオキシ
（５５）ｍ−エトキシカルボニルベンゾイルオキシ
（５６）ｐ−ピバロイルベンゾイルオキシ
（５７）プロピオニルオキシ
（５８）フェニルアセトキシ
（５９）シンナモイルオキシ
（６０）ヒドロキシアセトキシ
（６１）エトキシカルボニルアセトキシ
（６２）ｍ−ブトキシフェニルプロピオロイルオキシ
（６３）プロピオロイルオキシ
（６４）トリメチルシリルプロピオロイルオキシ
（６５）４−オクテノイルオキシ
（６６）３−ヒドロキシプロピオニルオキシ
（６７）２−メトキシエトキシアセトキシ
（６８）パーフルオロブチリルオキシ
（６９）メタンスルホニルオキシ
（７０）ｐ−トルエンスルホニルオキシ
（７１）トリエチルシリル
（７２）ｍ−ブトキシフェノキシカルボニルアミノ
（７３）ヘキシル
（７４）フェニル
（７５）４−ピリジル
（７６）ベンジルオキシカルボニルオキシ
（７７）ｍ−クロロベンズアミド
（７８）４−メチルアニリノ
【０２２３】
【化１２】
2004155146.tif 000016
【０２２４】
（７９）ニトロ
（８０）スルホ
（８１）ホルミル
（８２）カルボキシル
（８３）メトキシカルボニル
（８４）ベンジルオキシカルボニル
（８５）フェノキシカルボニル
【０２２５】
【化１３】
2004155146.tif 000017
【０２２６】
（８６）ブトキシ
（８７）ヘキシルオキシ
（８８）ドデシルオキシ
（８９）ヘキサノイルオキシ
（９０）カルボキシメトキシ
【０２２７】
【化１４】
2004155146.tif 000018
【０２２８】
【化１５】
2004155146.tif 000019
【０２２９】
【化１６】
2004155146.tif 000020
【０２３０】
【化１７】
2004155146.tif 000021
【０２３１】
【化１８】
2004155146.tif 000022
【０２３２】
【化１９】
2004155146.tif 000023
【０２３３】
円盤状化合物としては、１，３，５−トリアジン環を有する化合物又はポルフィリン骨格を有する化合物を好ましく用いることができる。
【０２３４】
１，３，５−トリアジン環を有する化合物は、中でも、下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物が好ましい。
【０２３５】
【化２０】
2004155146.tif 000024
【０２３６】
一般式（ＩＩＩ）において、Ｘ１は、単結合、−ＮＲ４−、−Ｏ−又は−Ｓ−であり；Ｘ２は単結合、−ＮＲ５−、−Ｏ−又は−Ｓ−であり；Ｘ３は単結合、−ＮＲ６−、−Ｏ−又は−Ｓ−であり；Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はアルキル基、アルケニル基、アリール基又は複素環基であり；そして、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基又は複素環基である。一般式（Ｉ）で表される化合物は、メラミン化合物であることが特に好ましい。
【０２３７】
メラミン化合物では、一般式（Ｉ）において、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３が、それぞれ、−ＮＲ４−、−ＮＲ５−及び−ＮＲ６−であるか、あるいは、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３が単結合であり、かつ、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３が窒素原子に遊離原子価をもつ複素環基である。−Ｘ１−Ｒ１、−Ｘ２−Ｒ２及び−Ｘ３−Ｒ３は、同一の置換基であることが好ましい。Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、アリール基であることが特に好ましい。Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、水素原子であることが特に好ましい。
【０２３８】
上記アルキル基は、環状アルキル基よりも鎖状アルキル基である方が好ましい。分岐を有する鎖状アルキル基よりも、直鎖状アルキル基の方が好ましい。
【０２３９】
アルキル基の炭素原子数は、１〜３０であることが好ましく、１〜２０であることがより好ましく、１〜１０であることがさらに好ましく、１〜８であることがさらにまた好ましく、１〜６であることが最も好ましい。アルキル基は置換基を有していてもよい。
【０２４０】
置換基の具体例としては、例えばハロゲン原子、アルコキシ基（例えばメトキシ、エトキシ、エポキシエチルオキシ等の各基）及びアシルオキシ基（例えば、アクリロイルオキシ、メタクリロイルオキシ）等が挙げられる。上記アルケニル基は、環状アルケニル基よりも鎖状アルケニル基である方が好ましい。分岐を有する鎖状アルケニル基よりも、直鎖状アルケニル基の方が好ましい。アルケニル基の炭素原子数は、２〜３０であることが好ましく、２〜２０であることがより好ましく、２〜１０であることがさらに好ましく、２〜８であることがさらにまた好ましく、２〜６であることが最も好ましい。アルケニル基は、置換基を有していてもよい。
【０２４１】
置換基の具体例としては、ハロゲン原子、アルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、エポキシエチルオキシ等の各基）又はアシルオキシ基（例えば、アクリロイルオキシ、メタクリロイルオキシ等の各基）が挙げられる。
【０２４２】
上記アリール基は、フェニル基又はナフチル基であることが好ましく、フェニル基であることが特に好ましい。アリール基は置換基を有していてもよい。
【０２４３】
置換基の具体例としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシル、シアノ、ニトロ、カルボキシル、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル、アルキル置換スルファモイル基、アルケニル置換スルファモイル基、アリール置換スルファモイル基、スルホンアミド基、カルバモイル、アルキル置換カルモイル基、アルケニル置換カルバモイル基、アリール置換カルバモイル基、アミド基、アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アリールチオ基及びアシル基が含まれる。上記アルキル基は、前述したアルキル基と同義である。
【０２４４】
アルコキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキル置換スルファモイル基、スルホンアミド基、アルキル置換カルバモイル基、アミド基、アルキルチオ基とアシル基のアルキル部分も、前述したアルキル基と同義である。
【０２４５】
上記アルケニル基は、前述したアルケニル基と同義である。
アルケニルオキシ基、アシルオキシ基、アルケニルオキシカルボニル基、アルケニル置換スルファモイル基、スルホンアミド基、アルケニル置換カルバモイル基、アミド基、アルケニルチオ基及びアシル基のアルケニル部分も、前述したアルケニル基と同義である。
【０２４６】
上記アリール基の具体例としては、例えば、フェニル、α−ナフチル、β−ナフチル、４−メトキシフェニル、３，４−ジエトキシフェニル、４−オクチルオキシフェニル又は４−ドデシルオキシフェニル等の各基が挙げられる。
【０２４７】
アリールオキシ基、アシルオキシ基、アリールオキシカルボニル基、アリール置換スルファモイル基、スルホンアミド基、アリール置換カルバモイル基、アミド基、アリールチオ基およびアシル基の部分の例は、上記アリール基と同義である。
【０２４８】
Ｘ１、Ｘ２又はＸ３が−ＮＲ−、−Ｏ−又は−Ｓ−である場合の複素環基は、芳香族性を有することが好ましい。
【０２４９】
芳香族性を有する複素環基中の複素環としては、一般に不飽和複素環であり、好ましくは最多の二重結合を有する複素環である。複素環は、５員環、６員環又は７員環であることが好ましく、５員環又は６員環であることがさらに好ましく、６員環であることが最も好ましい。
【０２５０】
複素環中のヘテロ原子は、Ｎ、Ｓ又はＯ等の各原子であることが好ましく、Ｎ原子であることが特に好ましい。
【０２５１】
芳香族性を有する複素環としては、ピリジン環（複素環基としては、例えば、２−ピリジル又は４−ピリジル等の各基）が特に好ましい。複素環基は、置換基を有していてもよい。複素環基の置換基の例は、上記アリール部分の置換基の例と同様である。
【０２５２】
Ｘ１、Ｘ２又はＸ３が単結合である場合の複素環基は、窒素原子に遊離原子価をもつ複素環基であることが好ましい。窒素原子に遊離原子価をもつ複素環基は、５員環、６員環又は７員環であることが好ましく、５員環又は６員環であることがさらに好ましく、５員環であることが最も好ましい。複素環基は、複数の窒素原子を有していてもよい。
【０２５３】
また、複素環基中のヘテロ原子は、窒素原子以外のヘテロ原子（例えば、Ｏ原子、Ｓ原子）を有していてもよい。複素環基は、置換基を有していてもよい。複素環基の置換基の具体例は、上記アリール部分の置換基の具体例と同義である。
【０２５４】
以下に、窒素原子に遊離原子価をもつ複素環基の具体例を示す。
【０２５５】
【化２１】
2004155146.tif 000025
【０２５６】
【化２２】
2004155146.tif 000026
【０２５７】
１，３，５−トリアジン環を有する化合物の分子量は、３００〜２０００であることが好ましい。該化合物の沸点は、２６０℃以上であることが好ましい。沸点は、市販の測定装置（例えば、ＴＧ／ＤＴＡ１００、セイコー電子工業（株）製）を用いて測定できる。
【０２５８】
以下に、１，３，５−トリアジン環を有する化合物の具体例を示す。
なお、以下に示す複数のＲは、同一の基を表す。
【０２５９】
【化２３】
2004155146.tif 000027
【０２６０】
（１）ブチル
（２）２−メトキシ−２−エトキシエチル
（３）５−ウンデセニル
（４）フェニル
（５）４−エトキシカルボニルフェニル
（６）４−ブトキシフェニル
（７）ｐ−ビフェニリル
（８）４−ピリジル
（９）２−ナフチル
（１０）２−メチルフェニル
（１１）３，４−ジメトキシフェニル
（１２）２−フリル
【０２６１】
【化２４】
2004155146.tif 000028
【０２６２】
【化２５】
2004155146.tif 000029
【０２６３】
（１４）フェニル
（１５）３−エトキシカルボニルフェニル
（１６）３−ブトキシフェニル
（１７）ｍ−ビフェニリル
（１８）３−フェニルチオフェニル
（１９）３−クロロフェニル
（２０）３−ベンゾイルフェニル
（２１）３−アセトキシフェニル
（２２）３−ベンゾイルオキシフェニル
（２３）３−フェノキシカルボニルフェニル
（２４）３−メトキシフェニル
（２５）３−アニリノフェニル
（２６）３−イソブチリルアミノフェニル
（２７）３−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（２８）３−（３−エチルウレイド）フェニル
（２９）３−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（３０）３−メチルフェニル
（３１）３−フェノキシフェニル
（３２）３−ヒドロキシフェニル
（３３）４−エトキシカルボニルフェニル
（３４）４−ブトキシフェニル
（３５）ｐ−ビフェニリル
（３６）４−フェニルチオフェニル
（３７）４−クロロフェニル
（３８）４−ベンゾイルフェニル
（３９）４−アセトキシフェニル
（４０）４−ベンゾイルオキシフェニル
（４１）４−フェノキシカルボニルフェニル
（４２）４−メトキシフェニル
（４３）４−アニリノフェニル
（４４）４−イソブチリルアミノフェニル
（４５）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（４６）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（４７）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（４８）４−メチルフェニル
（４９）４−フェノキシフェニル
（５０）４−ヒドロキシフェニル
（５１）３，４−ジエトキシカルボニルフェニル
（５２）３，４−ジブトキシフェニル
（５３）３，４−ジフェニルフェニル
（５４）３，４−ジフェニルチオフェニル
（５５）３，４−ジクロロフェニル
（５６）３，４−ジベンゾイルフェニル
（５７）３，４−ジアセトキシフェニル
（５８）３，４−ジベンゾイルオキシフェニル
（５９）３，４−ジフェノキシカルボニルフェニル
（６０）３，４−ジメトキシフェニル
（６１）３，４−ジアニリノフェニル
（６２）３，４−ジメチルフェニル
（６３）３，４−ジフェノキシフェニル
（６４）３，４−ジヒドロキシフェニル
（６５）２−ナフチル
（６６）３，４，５−トリエトキシカルボニルフェニル
（６７）３，４，５−トリブトキシフェニル
（６８）３，４，５−トリフェニルフェニル
（６９）３，４，５−トリフェニルチオフェニル
（７０）３，４，５−トリクロロフェニル
（７１）３，４，５−トリベンゾイルフェニル
（７２）３，４，５−トリアセトキシフェニル
（７３）３，４，５−トリベンゾイルオキシフェニル
（７４）３，４，５−トリフェノキシカルボニルフェニル
（７５）３，４，５−トリメトキシフェニル
（７６）３，４，５−トリアニリノフェニル
（７７）３，４，５−トリメチルフェニル
（７８）３，４，５−トリフェノキシフェニル
（７９）３，４，５−トリヒドロキシフェニル
【０２６４】
【化２６】
2004155146.tif 000030
【０２６５】
（８０）フェニル
（８１）３−エトキシカルボニルフェニル
（８２）３−ブトキシフェニル
（８３）ｍ−ビフェニリル
（８４）３−フェニルチオフェニル
（８５）３−クロロフェニル
（８６）３−ベンゾイルフェニル
（８７）３−アセトキシフェニル
（８８）３−ベンゾイルオキシフェニル
（８９）３−フェノキシカルボニルフェニル
（９０）３−メトキシフェニル
（９１）３−アニリノフェニル
（９２）３−イソブチリルアミノフェニル
（９３）３−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（９４）３−（３−エチルウレイド）フェニル
（９５）３−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（９６）３−メチルフェニル
（９７）３−フェノキシフェニル
（９８）３−ヒドロキシフェニル
（９９）４−エトキシカルボニルフェニル
（１００）４−ブトキシフェニル
（１０１）ｐ−ビフェニリル
（１０２）４−フェニルチオフェニル
（１０３）４−クロロフェニル
（１０４）４−ベンゾイルフェニル
（１０５）４−アセトキシフェニル
（１０６）４−ベンゾイルオキシフェニル
（１０７）４−フェノキシカルボニルフェニル
（１０８）４−メトキシフェニル
（１０９）４−アニリノフェニル
（１１０）４−イソブチリルアミノフェニル
（１１１）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（１１２）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（１１３）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（１１４）４−メチルフェニル
（１１５）４−フェノキシフェニル
（１１６）４−ヒドロキシフェニル
（１１７）３，４−ジエトキシカルボニルフェニル
（１１８）３，４−ジブトキシフェニル
（１１９）３，４−ジフェニルフェニル
（１２０）３，４−ジフェニルチオフェニル
（１２１）３，４−ジクロロフェニル
（１２２）３，４−ジベンゾイルフェニル
（１２３）３，４−ジアセトキシフェニル
（１２４）３，４−ジベンゾイルオキシフェニル
（１２５）３，４−ジフェノキシカルボニルフェニル
（１２６）３，４−ジメトキシフェニル
（１２７）３，４−ジアニリノフェニル
（１２８）３，４−ジメチルフェニル
（１２９）３，４−ジフェノキシフェニル
（１３０）３，４−ジヒドロキシフェニル
（１３１）２−ナフチル
（１３２）３，４，５−トリエトキシカルボニルフェニル
（１３３）３，４，５−トリブトキシフェニル
（１３４）３，４，５−トリフェニルフェニル
（１３５）３，４，５−トリフェニルチオフェニル
（１３６）３，４，５−トリクロロフェニル
（１３７）３，４，５−トリベンゾイルフェニル
（１３８）３，４，５−トリアセトキシフェニル
（１３９）３，４，５−トリベンゾイルオキシフェニル
（１４０）３，４，５−トリフェノキシカルボニルフェニル
（１４１）３，４，５−トリメトキシフェニル
（１４２）３，４，５−トリアニリノフェニル
（１４３）３，４，５−トリメチルフェニル
（１４４）３，４，５−トリフェノキシフェニル
（１４５）３，４，５−トリヒドロキシフェニル
【０２６６】
【化２７】
2004155146.tif 000031
【０２６７】
（１４６）フェニル
（１４７）４−エトキシカルボニルフェニル
（１４８）４−ブトキシフェニル
（１４９）ｐ−ビフェニリル
（１５０）４−フェニルチオフェニル
（１５１）４−クロロフェニル
（１５２）４−ベンゾイルフェニル
（１５３）４−アセトキシフェニル
（１５４）４−ベンゾイルオキシフェニル
（１５５）４−フェノキシカルボニルフェニル
（１５６）４−メトキシフェニル
（１５７）４−アニリノフェニル
（１５８）４−イソブチリルアミノフェニル
（１５９）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（１６０）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（１６１）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（１６２）４−メチルフェニル
（１６３）４−フェノキシフェニル
（１６４）４−ヒドロキシフェニル
【０２６８】
【化２８】
2004155146.tif 000032
【０２６９】
（１６５）フェニル
（１６６）４−エトキシカルボニルフェニル
（１６７）４−ブトキシフェニル
（１６８）ｐ−ビフェニリル
（１６９）４−フェニルチオフェニル
（１７０）４−クロロフェニル
（１７１）４−ベンゾイルフェニル
（１７２）４−アセトキシフェニル
（１７３）４−ベンゾイルオキシフェニル
（１７４）４−フェノキシカルボニルフェニル
（１７５）４−メトキシフェニル
（１７６）４−アニリノフェニル
（１７７）４−イソブチリルアミノフェニル
（１７８）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（１７９）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（１８０）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（１８１）４−メチルフェニル
（１８２）４−フェノキシフェニル
（１８３）４−ヒドロキシフェニル
【０２７０】
【化２９】
2004155146.tif 000033
【０２７１】
（１８４）フェニル
（１８５）４−エトキシカルボニルフェニル
（１８６）４−ブトキシフェニル
（１８７）ｐ−ビフェニリル
（１８８）４−フェニルチオフェニル
（１８９）４−クロロフェニル
（１９０）４−ベンゾイルフェニル
（１９１）４−アセトキシフェニル
（１９２）４−ベンゾイルオキシフェニル
（１９３）４−フェノキシカルボニルフェニル
（１９４）４−メトキシフェニル
（１９５）４−アニリノフェニル
（１９６）４−イソブチリルアミノフェニル
（１９７）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（１９８）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（１９９）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（２００）４−メチルフェニル
（２０１）４−フェノキシフェニル
（２０２）４−ヒドロキシフェニル
【０２７２】
【化３０】
2004155146.tif 000034
【０２７３】
（２０３）フェニル
（２０４）４−エトキシカルボニルフェニル
（２０５）４−ブトキシフェニル
（２０６）ｐ−ビフェニリル
（２０７）４−フェニルチオフェニル
（２０８）４−クロロフェニル
（２０９）４−ベンゾイルフェニル
（２１０）４−アセトキシフェニル
（２１１）４−ベンゾイルオキシフェニル
（２１２）４−フェノキシカルボニルフェニル
（２１３）４−メトキシフェニル
（２１４）４−アニリノフェニル
（２１５）４−イソブチリルアミノフェニル
（２１６）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（２１７）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（２１８）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（２１９）４−メチルフェニル
（２２０）４−フェノキシフェニル
（２２１）４−ヒドロキシフェニル
【０２７４】
【化３１】
2004155146.tif 000035
【０２７５】
（２２２）フェニル
（２２３）４−ブチルフェニル
（２２４）４−（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（２２５）４−（５−ノネニル）フェニル
（２２６）ｐ−ビフェニリル
（２２７）４−エトキシカルボニルフェニル
（２２８）４−ブトキシフェニル
（２２９）４−メチルフェニル
（２３０）４−クロロフェニル
（２３１）４−フェニルチオフェニル
（２３２）４−ベンゾイルフェニル
（２３３）４−アセトキシフェニル
（２３４）４−ベンゾイルオキシフェニル
（２３５）４−フェノキシカルボニルフェニル
（２３６）４−メトキシフェニル
（２３７）４−アニリノフェニル
（２３８）４−イソブチリルアミノフェニル
（２３９）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（２４０）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（２４１）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（２４２）４−フェノキシフェニル
（２４３）４−ヒドロキシフェニル
（２４４）３−ブチルフェニル
（２４５）３−（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（２４６）３−（５−ノネニル）フェニル
（２４７）ｍ−ビフェニリル
（２４８）３−エトキシカルボニルフェニル
（２４９）３−ブトキシフェニル
（２５０）３−メチルフェニル
（２５１）３−クロロフェニル
（２５２）３−フェニルチオフェニル
（２５３）３−ベンゾイルフェニル
（２５４）３−アセトキシフェニル
（２５５）３−ベンゾイルオキシフェニル
（２５６）３−フェノキシカルボニルフェニル
（２５７）３−メトキシフェニル
（２５８）３−アニリノフェニル
（２５９）３−イソブチリルアミノフェニル
（２６０）３−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（２６１）３−（３−エチルウレイド）フェニル
（２６２）３−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（２６３）３−フェノキシフェニル
（２６４）３−ヒドロキシフェニル
（２６５）２−ブチルフェニル
（２６６）２−（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（２６７）２−（５−ノネニル）フェニル
（２６８）ｏ−ビフェニリル
（２６９）２−エトキシカルボニルフェニル
（２７０）２−ブトキシフェニル
（２７１）２−メチルフェニル
（２７２）２−クロロフェニル
（２７３）２−フェニルチオフェニル
（２７４）２−ベンゾイルフェニル
（２７５）２−アセトキシフェニル
（２７６）２−ベンゾイルオキシフェニル
（２７７）２−フェノキシカルボニルフェニル
（２７８）２−メトキシフェニル
（２７９）２−アニリノフェニル
（２８０）２−イソブチリルアミノフェニル
（２８１）２−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（２８２）２−（３−エチルウレイド）フェニル
（２８３）２−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（２８４）２−フェノキシフェニル
（２８５）２−ヒドロキシフェニル
（２８６）３，４−ジブチルフェニル
（２８７）３，４−ジ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（２８８）３，４−ジフェニルフェニル
（２８９）３，４−ジエトキシカルボニルフェニル
（２９０）３，４−ジドデシルオキシフェニル
（２９１）３，４−ジメチルフェニル
（２９２）３，４−ジクロロフェニル
（２９３）３，４−ジベンゾイルフェニル
（２９４）３，４−ジアセトキシフェニル
（２９５）３，４−ジメトキシフェニル
（２９６）３，４−ジ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（２９７）３，４−ジイソブチリルアミノフェニル
（２９８）３，４−ジフェノキシフェニル
（２９９）３，４−ジヒドロキシフェニル
（３００）３，５−ジブチルフェニル
（３０１）３，５−ジ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（３０２）３，５−ジフェニルフェニル
（３０３）３，５−ジエトキシカルボニルフェニル
（３０４）３，５−ジドデシルオキシフェニル
（３０５）３，５−ジメチルフェニル
（３０６）３，５−ジクロロフェニル
（３０７）３，５−ジベンゾイルフェニル
（３０８）３，５−ジアセトキシフェニル
（３０９）３，５−ジメトキシフェニル
（３１０）３，５−ジ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（３１１）３，５−ジイソブチリルアミノフェニル
（３１２）３，５−ジフェノキシフェニル
（３１３）３，５−ジヒドロキシフェニル
（３１４）２，４−ジブチルフェニル
（３１５）２，４−ジ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（３１６）２，４−ジフェニルフェニル
（３１７）２，４−ジエトキシカルボニルフェニル
（３１８）２，４−ジドデシルオキシフェニル
（３１９）２，４−ジメチルフェニル
（３２０）２，４−ジクロロフェニル
（３２１）２，４−ジベンゾイルフェニル
（３２２）２，４−ジアセトキシフェニル
（３２３）２，４−ジメトキシフェニル
（３２４）２，４−ジ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（３２５）２，４−ジイソブチリルアミノフェニル
（３２６）２，４−ジフェノキシフェニル
（３２７）２，４−ジヒドロキシフェニル
（３２８）２，３−ジブチルフェニル
（３２９）２，３−ジ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（３３０）２，３−ジフェニルフェニル
（３３１）２，３−ジエトキシカルボニルフェニル
（３３２）２，３−ジドデシルオキシフェニル
（３３３）２，３−ジメチルフェニル
（３３４）２，３−ジクロロフェニル
（３３５）２，３−ジベンゾイルフェニル
（３３６）２，３−ジアセトキシフェニル
（３３７）２，３−ジメトキシフェニル
（３３８）２，３−ジ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（３３９）２，３−ジイソブチリルアミノフェニル
（３４０）２，３−ジフェノキシフェニル
（３４１）２，３−ジヒドロキシフェニル
（３４２）２，６−ジブチルフェニル
（３４３）２，６−ジ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（３４４）２，６−ジフェニルフェニル
（３４５）２，６−ジエトキシカルボニルフェニル
（３４６）２，６−ジドデシルオキシフェニル
（３４７）２，６−ジメチルフェニル
（３４８）２，６−ジクロロフェニル
（３４９）２，６−ジベンゾイルフェニル
（３５０）２，６−ジアセトキシフェニル
（３５１）２，６−ジメトキシフェニル
（３５２）２，６−ジ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（３５３）２，６−ジイソブチリルアミノフェニル
（３５４）２，６−ジフェノキシフェニル
（３５５）２，６−ジヒドロキシフェニル
（３５６）３，４，５−トリブチルフェニル
（３５７）３，４，５−トリ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（３５８）３，４，５−トリフェニルフェニル
（３５９）３，４，５−トリエトキシカルボニルフェニル
（３６０）３，４，５−トリドデシルオキシフェニル
（３６１）３，４，５−トリメチルフェニル
（３６２）３，４，５−トリクロロフェニル
（３６３）３，４，５−トリベンゾイルフェニル
（３６４）３，４，５−トリアセトキシフェニル
（３６５）３，４，５−トリメトキシフェニル
（３６６）３，４，５−トリ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（３６７）３，４，５−トリイソブチリルアミノフェニル
（３６８）３，４，５−トリフェノキシフェニル
（３６９）３，４，５−トリヒドロキシフェニル
（３７０）２，４，６−トリブチルフェニル
（３７１）２，４，６−トリ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（３７２）２，４，６−トリフェニルフェニル
（３７３）２，４，６−トリエトキシカルボニルフェニル
（３７４）２，４，６−トリドデシルオキシフェニル
（３７５）２，４，６−トリメチルフェニル
（３７６）２，４，６−トリクロロフェニル
（３７７）２，４，６−トリベンゾイルフェニル
（３７８）２，４，６−トリアセトキシフェニル
（３７９）２，４，６−トリメトキシフェニル
（３８０）２，４，６−トリ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（３８１）２，４，６−トリイソブチリルアミノフェニル
（３８２）２，４，６−トリフェノキシフェニル
（３８３）２，４，６−トリヒドロキシフェニル
（３８４）ペンタフルオロフェニル
（３８５）ペンタクロロフェニル
（３８６）ペンタメトキシフェニル
（３８７）６−Ｎ−メチルスルファモイル−８−メトキシ−２−ナフチル
（３８８）５−Ｎ−メチルスルファモイル−２−ナフチル
（３８９）６−Ｎ−フェニルスルファモイル−２−ナフチル
（３９０）５−エトキシ−７−Ｎ−メチルスルファモイル−２−ナフチル
（３９１）３−メトキシ−２−ナフチル
（３９２）１−エトキシ−２−ナフチル
（３９３）６−Ｎ−フェニルスルファモイル−８−メトキシ−２−ナフチル
（３９４）５−メトキシ−７−Ｎ−フェニルスルファモイル−２−ナフチル
（３９５）１−（４−メチルフェニル）−２−ナフチル
（３９６）６，８−ジ−Ｎ−メチルスルファモイル−２−ナフチル
（３９７）６−Ｎ−２−アセトキシエチルスルファモイル−８−メトキシ−２−ナフチル
（３９８）５−アセトキシ−７−Ｎ−フェニルスルファモイル−２−ナフチル
（３９９）３−ベンゾイルオキシ−２−ナフチル
（４００）５−アセチルアミノ−１−ナフチル
（４０１）２−メトキシ−１−ナフチル
（４０２）４−フェノキシ−１−ナフチル
（４０３）５−Ｎ−メチルスルファモイル−１−ナフチル
（４０４）３−Ｎ−メチルカルバモイル−４−ヒドロキシ−１−ナフチル
（４０５）５−メトキシ−６−Ｎ−エチルスルファモイル−１−ナフチル
（４０６）７−テトラデシルオキシ−１−ナフチル
（４０７）４−（４−メチルフェノキシ）−１−ナフチル
（４０８）６−Ｎ−メチルスルファモイル−１−ナフチル
（４０９）３−Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル−４−メトキシ−１−ナフチル
（４１０）５−メトキシ−６−Ｎ−ベンジルスルファモイル−１−ナフチル
（４１１）３，６−ジ−Ｎ−フェニルスルファモイル−１−ナフチル
（４１２）メチル
（４１３）エチル
（４１４）ブチル
（４１５）オクチル
（４１６）ドデシル
（４１７）２−ブトキシ−２−エトキシエチル
（４１８）ベンジル
（４１９）４−メトキシベンジル
【０２７６】
【化３２】
2004155146.tif 000036
【０２７７】
（４２４）メチル
（４２５）フェニル
（４２６）ブチル
【０２７８】
【化３３】
2004155146.tif 000037
【０２７９】
（４３０）メチル
（４３１）エチル
（４３２）ブチル
（４３３）オクチル
（４３４）ドデシル
（４３５）２−ブトキシ２−エトキシエチル
（４３６）ベンジル
（４３７）４−メトキシベンジル
【０２８０】
【化３４】
2004155146.tif 000038
【０２８１】
【化３５】
2004155146.tif 000039
【０２８２】
本発明においては、１，３，５−トリアジン環を有する化合物として、メラミンポリマーを用いてもよい。メラミンポリマーは、下記一般式（ＩＶ）で示すメラミン化合物とカルボニル化合物との重合反応により合成することが好ましい。
【０２８３】
【化３６】
2004155146.tif 000040
【０２８４】
上記合成反応スキームにおいて、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１６は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基又は複素環基である。
【０２８５】
上記アルキル基、アルケニル基、アリール基及び複素環基及びこれらの置換基は前記一般式（Ｉ）で説明した各基、それらの置換基と同義である。
【０２８６】
メラミン化合物とカルボニル化合物との重合反応は、通常のメラミン樹脂（例えば、メラミンホルムアルデヒド樹脂等）の合成方法と同様である。また、市販のメラミンポリマー（メラミン樹脂）を用いてもよい。
【０２８７】
メラミンポリマーの分子量は、２千〜４０万であることが好ましい。メラミンポリマーの繰り返し単位の具体例を以下に示す。
【０２８８】
【化３７】
2004155146.tif 000041
【０２８９】
ＭＰ−１：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−２：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−３：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−４：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−５：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−６：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３
ＭＰ−７：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−８：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−９：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１０：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１１：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１２：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−１３：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−１４：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１５：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１６：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１７：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１８：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１９：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−２０：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−２１：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−２２：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−２３：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−２４：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−２５：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−２６：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−２７：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−２８：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−２９：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−３０：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−３１：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−３２：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−３３：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−３４：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−３５：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−３６：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−３７：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−３８：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−３９：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−４０：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−４１：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−４２：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−４３：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−４４：Ｒ１３：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−４５：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−４６：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３
ＭＰ−４７：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−４８：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−４９：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３
ＭＰ−５０：Ｒ１３：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
【０２９０】
【化３８】
2004155146.tif 000042
【０２９１】
ＭＰ−５１：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−５２：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−５３：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−５４：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−５５：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−５６：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３
ＭＰ−５７：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−５８：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−５９：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−６０：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−６１：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−６２：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−６３：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−６４：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−６５：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−６６：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−６７：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−６８：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−６９：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−７０：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−７１：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−７２：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−７３：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−７４：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−７５：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−７６：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−７７：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−７８：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−７９：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−８０：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−８１：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−８２：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−８３：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−８４：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−８５：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−８６：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−８７：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−８８：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−８９：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−９０：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−９１：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−９２：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−９３：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−９４：Ｒ１３：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−９５：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−９６：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３
ＭＰ−９７：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−９８：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−９９：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３
ＭＰ−１００：Ｒ１３：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
【０２９２】
【化３９】
2004155146.tif 000043
【０２９３】
ＭＰ−１０１：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−１０２：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１０３：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１０４：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１０５：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−１０６：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３
ＭＰ−１０７：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１０８：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１０９：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１１０：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１１１：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１１２：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−１１３：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−１１４：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１１５：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１１６：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１１７：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１１８：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１１９：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−１２０：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−１２１：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１２２：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１２３：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１２４：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１２５：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１２６：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−１２７：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−１２８：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１２９：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１３０：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１３１：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１３２：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１３３：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１３４：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１３５：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１３６：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１３７：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１３８：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−１３９：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−１４０：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１４１：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１４２：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−１４３：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１４４：Ｒ１３：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−１４５：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−１４６：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３
ＭＰ−１４７：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１４８：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−１４９：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３
ＭＰ−１５０：Ｒ１３：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
【０２９４】
【化４０】
2004155146.tif 000044
【０２９５】
ＭＰ−１５１：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−１５２：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１５３：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１５４：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１５５：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−１５６：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３
ＭＰ−１５７：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１５８：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１５９：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１６０：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１６１：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１６２：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−１６３：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−１６４：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１６５：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１６６：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１６７：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１６８：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１６９：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−１７０：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｉ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−１７１：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１７２：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１７３：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１７４：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１７５：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１７６：Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−１７７：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−１７８：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１７９：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１８０：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１８１：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１８２：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１８３：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１８４：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１８５：Ｒ１３、Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１８６：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１８７：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４、Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１８８：Ｒ１３、Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ
ＭＰ−１８９：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−１９０：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１９１：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１９２：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−１９３：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９
ＭＰ−１９４：Ｒ１３：ＣＨ２Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−１９５：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−１９６：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３
ＭＰ−１９７：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１４：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２ＯＣＨ３
ＭＰ−１９８：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
ＭＰ−１９９：Ｒ１３：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１５：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３
ＭＰ−２００：Ｒ１３：ＣＨ２ＮＨＣＯ（ＣＨ２）７ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）７ＣＨ３；Ｒ１４：ＣＨ２ＯＣＨ３；Ｒ１５：ＣＨ２ＯＨ；Ｒ１６：ＣＨ２ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨ２
本発明においては、上記繰り返し単位を二種類以上組み合わせたコポリマーを用いてもよい。二種類以上のホモポリマー又はコポリマーを併用してもよい。
【０２９６】
また、二種類以上の１，３，５−トリアジン環を有する化合物を併用してもよい。二種類以上の円盤状化合物（例えば、１，３，５−トリアジン環を有する化合物とポルフィリン骨格を有する化合物と）を併用してもよい。
【０２９７】
また、下記に本発明の上記以外の添加剤の具体例を挙げる。
【０２９８】
【化４１】
2004155146.tif 000045
【０２９９】
【化４２】
2004155146.tif 000046
【０３００】
【化４３】
2004155146.tif 000047
【０３０１】
【化４４】
2004155146.tif 000048
【０３０２】
【化４５】
2004155146.tif 000049
【０３０３】
【化４６】
2004155146.tif 000050
【０３０４】
【化４７】
2004155146.tif 000051
【０３０５】
ドープ中には、上記以外の添加剤、酸化防止剤、染料、蛍光増白剤（例えば特願２００２−１２３８２１に記載されているもの）等も添加することができる。
【０３０６】
これらの化合物は、セルロースエステル溶液の調製の際に、セルロースエステルや溶媒と共に添加してもよいし、溶液調製中や調製後に添加してもよい。液晶画面表示装置用には耐熱耐湿性を付与する酸化防止剤などを添加することが好ましい。
【０３０７】
酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール系の化合物が好ましく用いられ、２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ペンタエリスリチル−テトラキス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、トリエチレングリコール−ビス〔３−（３−ｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、１，６−ヘキサンジオール−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジン、２，２−チオ−ジエチレンビス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、Ｎ，Ｎ′−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナマミド）、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、トリス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−イソシアヌレイト等が挙げられる。特に２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ペンタエリスリチル−テトラキス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、トリエチレングリコール−ビス〔３−（３−ｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕が好ましい。また例えば、Ｎ，Ｎ′−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニル〕ヒドラジン等のヒドラジン系の金属不活性剤やトリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト等のリン系加工安定剤を併用してもよい。これらの化合物の添加量は、セルロースエステルに対して質量割合で１〜１．０ｐｐｍが好ましく、１０〜１０００ｐｐｍが更に好ましい。
【０３０８】
本発明の延伸フィルムには微粒子を添加することができる。
本発明においては、微粒子は特に限定されないが、好ましく使用される微粒子としては、例えば二酸化珪素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム及びリン酸カルシウム等の無機化合物微粒子を挙げることができる。
【０３０９】
これらの微粒子はセルロースエステルフィルムに対して０．０３〜１質量％含有していることが好ましく、更に好ましくは０．０５〜０．５質量％であることが好ましく、特に０．１５〜０．４質量％であることが好ましい。
【０３１０】
酸化ジルコニウムの微粒子の具体例としては、例えばアエロジルＲ９７６及びＲ８１１（以上日本アエロジル（株）製）の商品名で市販されており、本発明に好ましく用いられる。
【０３１１】
微粒子は、珪素を含む化合物が延伸フィルムの濁度が低くなる点でより好ましく、特に二酸化珪素が好ましい。中でも表面が有機化合物で表面処理されていることが、添加剤を含むセルロースエステル樹脂との親和性に優れ好ましい。
【０３１２】
これらの具体例としては、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上日本アエロジル（株）製）の商品名で市販されており、本発明に好ましく用いられる。
【０３１３】
上記二酸化珪素微粒子の１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ、見掛比重が７０ｇ／リットル以上の二酸化珪素微粒子であることが更に好ましい。
【０３１４】
これらを満足する二酸化珪素の微粒子の具体例としては、例えば、アエロジル２００Ｖ（平均１次粒子径１２ｎｍ）、アエロジルＲ９７２Ｖ（平均１次粒子径１６ｎｍ）があり、延伸フィルムのヘイズを低く保ちながら、摩擦係数をさげる効果が大きいため特に好ましい。
【０３１５】
また、有機物微粒子の例として、シリコーン樹脂、弗素樹脂及びアクリル樹脂を挙げることができ、中でもシリコーン樹脂が好ましく、特に三次元の網状構造を有するものが好ましい。
【０３１６】
具体的には、例えば、トスパール１０３、同１０５、同１０８、同１２０、同１４５、同３１２０及び同２４０（以上東芝シリコーン（株）製）の商品名で市販されており、本発明に好ましく用いられる。
【０３１７】
これらの微粒子はセルロースエステル溶液に直接添加してもよいが、分散液を調製してこれを添加することが好ましい。
【０３１８】
微粒子分散液には、微粒子の分散状態を安定に保つため樹脂を含有させることができる。添加する樹脂の重量平均分子量は３，０００〜９，０００が好ましく、より好ましくは５，０００〜５０，０００、更には１０，０００〜３０，０００のものが好ましい。
【０３１９】
樹脂としては、特に限定がなく従来公知のものを広く使用することが出来るが、下記のごとき樹脂がより好適に使用出来る。
【０３２０】
本発明の微粒子分散液において好ましく用いられる樹脂として、エチレン性不飽和単量体単位を有する単独重合体又は共重合体を挙げることが出来、より好ましくは、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸プロピル、ポリアクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸アルキルの共重合体、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸アルキルエステル共重合体等のアクリル酸又はメタクリル酸エステルの単独重合体又は共重合体であり、更にアクリル酸又はメタクリル酸のエステルは透明性、相溶性に優れ、アクリル酸エステル又はメタクリル酸エステル単位を有する単独重合体又は共重合体、特に、アクリル酸又はメタクリル酸メチル単位を有する単独重合体又は共重合体が好ましい。中でも、ポリメタクリル酸メチルが好ましい。
【０３２１】
この他の樹脂としては、例えば、セルロースアセテート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートブチレート、セルロース芳香族カルボン酸エステル等のアシル基の置換度が１．８〜２．８０のセルロースエステル樹脂；
セルロースメチルエーテル、セルロースエチルエーテル、セルロースプロピルエーテル等のアルキル基置換度２．０〜２．８０のセルロースエーテル樹脂；
アルキレンジカルボン酸とジアミンとの重合物のポリアミド樹脂；
アルキレンジカルボン酸とジオールとの重合物、アルキレンジオールとジカルボン酸との重合物、シクロヘキサンジカルボン酸とジオールとの重合物、シクロヘキサンジオールとジカルボン酸との重合物、芳香族ジカルボン酸とジオールとの重合物等のポリエステル樹脂；
ポリ酢酸ビニル、酢酸ビニル共重合体等の酢酸ビニル樹脂；
ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアセタール樹脂；
下記に示すようなエポキシ樹脂、下記に示すようなケトン樹脂、アルキレンジイソシアナートとアルキレンジオールの線状重合物等の下記に示すようなポリウレタン樹脂等を挙げることが出来、これらから選ばれる少なくとも一つを含有することが好ましい。
【０３２２】
エポキシ樹脂としては、１分子中にエポキシ基を２個以上持った化合物が、開環反応によって樹脂を形成したもので、以下に示すようなエポキシ樹脂を挙げることが出来、代表的な市販品としてアラルダイドＥＰＮ１１７９及びアラルダイドＡＥＲ２６０（旭チバ（株）製）がある。
【０３２３】
なお、アラルダイトＥＰＮ１１７９は重量平均分子量が約４０５である。ｎは重合度を示す。
【０３２４】
【化４８】
2004155146.tif 000052
【０３２５】
また、ケトン樹脂としては、ビニルケトン類を重合して得られるもので、以下に示すようなケトン樹脂を挙げることが出来、代表的な市販品として、ハイラック１１０及びハイラック１１０Ｈ（日立化成（株）製）がある。ｎは重合度を示す。
【０３２６】
【化４９】
2004155146.tif 000053
【０３２７】
本発明において、微粒子分散液中の微粒子の含有量は、有機溶媒質量に対して、０．１〜２．０質量％が好ましく、また樹脂の濃度は、分子量に依存するが、通常５〜５０質量％が好ましい。
【０３２８】
本発明の延伸セルロースエステルフィルムは例えば下記の方法で製造することが出来る。本発明の延伸セルロースエステルフィルムには前記微粒子が含まれるが、この微粒子はあらかじめ溶媒に分散されていることが望ましい。この微粒子分散液に添加剤を添加しておき、これをセルロースエステル溶液と混合して微粒子を含むセルロースエステル溶液を調製し、これを金属ベルト等の支持体上に流延し、剥離した後溶媒を含んだ状態で延伸する方法である。
【０３２９】
これらの基材フィルムには種々の染料をフィルム中に含有させてもよい。あるいはこれらを含有する層を基材フィルム上に設けてもよい。
【０３３０】
本発明においては、これらセルロースエステルフィルムは通常、膜厚１０〜５００μｍのものが用いられるが、特に膜厚１０〜８０μｍのものを使用することが好ましい。
【０３３１】
本発明に係わる積層膜の形成方法により、反射防止フィルムを作製する場合、電磁波遮蔽効果を有する層を設けてもよい。電磁波遮蔽効果を有する層の表面比抵抗は０．０１〜５００Ω／□、より好ましくは０．０１〜１０Ω／□である。透過率を低下させないため透明導電層を用いることが好ましい。
【０３３２】
透明導電層としては、金属層、導電性ポリマー層等を挙げるこができるが、前記酸化スズ、ＩＴＯ等の金属酸化物層等も上記の表面比抵抗とすれば、もちいることができる。
【０３３３】
透明導電層を形成する金属としては、例えば銀、パラジウム、金、白金、ロジウム、アルミニウム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ルテニウム、錫、タングステン、イリジウム、鉛単独もしくはこれらの２種以上の合金を挙げることができるが、好ましくは銀、パラジウム、金、白金、ロジウム単独もしくはこれらの合金である。この中で銀とパラジウムの合金が好ましく、このとき銀の含有率は６０質量％乃至９９質量％が好ましく、８０質量％乃至９８質量％が更に好ましい。金属層の膜厚は１〜１００ｎｍが好ましく、５〜４０ｎｍが更に好ましく、１０〜３０ｎｍが最も好ましい。膜厚が１ｎｍ未満では電磁波遮蔽効果が乏しく、１００ｎｍを超えると可視光線の透過率が低下する。透明導電層を形成する金属酸化物としては、例えば酸化錫、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸化亜鉛、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＴＯなどを挙げることができる。この膜厚は２０〜１０００ｎｍが好ましい。さらに好ましくは４０〜１００ｎｍである。
【０３３４】
これら金属透明導電層と酸化物透明導電層を合わせて用いるのも好ましい。また、同一層内に金属と導電性金属酸化物が共存することも好ましい。金属層の保護、酸化劣化防止および可視光線の透過率を高めるために透明酸化物層を積層することができる。この透明酸化物層は導電性があってもなくてもかまわない。透明酸化物層としては例えば２〜４価金属の酸化物、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウムおよび金属アルコキサイド化合物等の薄膜が挙げられる。透明導電層、透明酸化物層を形成する方法としては特に制限はなく、任意の加工処理方法を選択することが可能である。例えばスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法あるいはＰＶＤ法、該当する金属あるいは金属酸化物の超微粒子の塗布、金属シートの接着等いずれの公知技術も用いることが可能である。
【０３３５】
また、基材上に、その他の層として、赤外遮蔽効果を有する層を別に設けてもよい。前記の染料をこの層に含有してもよい。７５０ｎｍから１１００ｎｍまでの赤外線が最も問題であり、この領域に対し遮蔽効果を有することが好ましい。赤外線遮蔽効果を付与するには透明プラスチック支持体に近赤外吸収性化合物を混合する方法も用いることができる。例えば銅原子を含有する樹脂組成物（特開平６−１１８２２８号公報）、銅化合物、リン化合物を含有する樹脂組成物（特開昭６２−５１９０号公報）、銅化合物、チオ尿素誘導体を含有する樹脂組成物（特開平６−７３１９７号公報）、タングステン系化合物を含有する樹脂組成物（米国特許第３，６４７，７２９号公報）などを形成することによって容易に製造できる。銀を透明上に成膜する方法は、電磁遮蔽に加えて赤外線遮蔽効果を持たせることができる。
【０３３６】
本発明においては、表面にアンチグレア機能（入射光を表面で散乱させて、膜周囲の景色が膜表面に移るのを防止する機能）を付与することも好ましい。例えば、透明フィルムの表面に微細な凹凸を形成し、そしてその表面に反射防止層を形成するか、あるいは反射防止層を形成後、エンボスロールにより表面に凹凸を形成することにより、アンチグレア機能を得ることができる。アンチグレア機能を有する反射防止層は、一般に３〜３０％のヘイズを有する。
【０３３７】
本発明には、ハードコート層、潤滑層、防汚層、帯電防止層あるいは中間層を設けることも好ましい。ハードコート層は、架橋しているポリマーを含むことが好ましい。ハードコート層は、アクリル系、ウレタン系、エポキシ系、シロキサン系のポリマー、オリゴマーまたはモノマー（例、紫外線硬化型樹脂）を用いて形成することができる。シリカ系のフィラーをハードコート層に添加することもできる。反射防止膜の最表面には潤滑層を形成してもよい。潤滑層は、反射防止膜表面に滑り性を付与し、耐傷性を改善する機能を有する。潤滑層は、ポリオルガノシロキサン（例、シリコンオイル）、天然ワックス、石油ワックス、高級脂肪酸金属塩、フッ素系潤滑剤またはその誘導体を用いて形成することができる。潤滑層の厚さは、２〜２０ｎｍであることが好ましい。
【０３３８】
反射防止膜の最表面に設けた有機基を有する酸化珪素の膜は防汚層として作用し、反射防止層の表面エネルギーを下げ、親水性、親油性の汚れを付きにくくするものである。防汚層の厚さは２ｎｍ〜１００ｎｍ、好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍである。表面の純水での接触角は７０〜１８０°が好ましく、さらに好ましくは８０〜１６０°である。
【０３３９】
本発明に係わる反射防止フィルムの分光反射率は分光光度計により測定を行うが、基材フィルムの上の反射防止層の反対側を（観察側の裏面）を粗面化処理した後、黒色のスプレーを用いて光吸収処理を行ってから、４００〜７００ｎｍの波長について反射光を測定する。反射率は４００〜７００ｎｍの波長における平均値が０．４％以下であることが好ましく、最低の反射率は０．２％未満であることが好ましく、測定波長の範囲内において、反射率がほぼ平坦な反射スペクトルを有することが好ましく、反射光のムラがないことが好ましい。或いは、反射光としてやや青〜紫色の色味を有しているものが好まれる。
【０３４０】
偏光板は、本発明に係わる反射防止フィルムをもちいて、一般的な方法で作製することが出来る。先ず、セルロースエステルフィルムと反射防止フィルムをアルカリケン化処理し水洗し乾燥しておく、一方、ポリビニルアルコールフィルムをヨウ素溶液中に浸漬、長さ方向に一軸延伸して作製した偏光膜の両面に、完全ケン化型ポリビニルアルコール水溶液を用いて上記フィルムの鹸化された面を貼り合わせることによって偏光板を得ることが出来る。
【０３４１】
この偏光板を作製する過程において、鹸化処理したセルロースエステルフィルムの何れかの面、また反射防止フィルムの反射防止層のある面の反対面を貼り合わせる際、本発明に係るセルロースエステルフィルム及び本発明の反射防止フィルムを使用することによって、貼り合わせを良好に行うことが出来、また貼り合わせたフィルムが剥離することもなく安定した偏光板を得ることが出来る。
【０３４２】
本発明の光学フィルム或いは反射防止フィルムは、偏光板用保護フィルムとして液晶ディスプレイにもちいられる他、有機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイ等の各種表示装置に好ましくもちいることができる。
【０３４３】
【実施例】
以下実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
【０３４４】
実施例１
〔ドープの調製〕
《ドープＡの調製》
セルロースエステルＡ                                        ５０質量部
トリフェニルホスフェイト                                    １０質量部
ビフェニルジフェニルホスフェイト                              ２質量部
Ｔ−１（１，３，５−トリアジン化合物）                        １質量部
チヌビン３２６                                            ０．５質量部
アエロジル  Ｒ９７２Ｖ（二酸化珪素微粒子）              ０．１５質量部
メチレンクロライド                                        ４０５質量部
エタノール                                                  ４５質量部
以上を密閉型の溶解釜に投入し、攪拌しながら６０℃で完全に溶解し、冷却後、安積濾紙（株）製の安積濾紙Ｎｏ．２４４を使用して濾過してドープＡとした。
【０３４５】
【化５０】
2004155146.tif 000054
【０３４６】
《ドープＢの調製》
セルロースエステルＢ                                      １００質量部
トリメチロールプロパントリベンゾエート                        ５質量部
例示化合物１（１，３，５−トリアジン化合物）                  １質量部
アエロジル  Ｒ９７２Ｖ（二酸化珪素微粒子）              ０．１５質量部
メチレンクロライド                                        ４０５質量部
エタノール                                                  ４５質量部
以上を密閉型の溶解釜に投入し、攪拌しながら６０℃で完全に溶解し、冷却後、安積濾紙（株）製の安積濾紙Ｎｏ．２４４を使用して濾過してドープＢとした。
【０３４７】
《ドープＣの調製》
セルロースエステルＢ                                        ４５質量部
セルロースアセテートプロピオネート                          ５５質量部
（アセチル基置換度２．０、プロピオニル基置換度０．８）
トリフェニルホスフェイト                                    １０質量部
ビフェニルジフェニルホスフェイト                              ２質量部
例示化合物１（１，３，５−トリアジン化合物）                  １質量部
チヌビン３２６                                            ０．５質量部
アエロジル  Ｒ９７２Ｖ（二酸化珪素微粒子）              ０．１５質量部
酢酸エチル                                                ３００質量部
エタノール                                                １００質量部
以上を密閉型の溶解釜に投入し、攪拌しながら６０℃で完全に溶解し、冷却後、安積濾紙（株）製の安積濾紙Ｎｏ．２４４を使用して濾過してドープＣとした。
【０３４８】
《ドープＤの調製》
セルロースアセテート（置換度２．８）                      １００質量部
トリフェニルホスフェイト                                    １０質量部
ビフェニルジフェニルホスフェイト                              ２質量部
チヌビン３２６                                                １質量部
アエロジル  Ｒ９７２Ｖ（二酸化珪素微粒子）              ０．１５質量部
メチレンクロライド                                        ４０５質量部
エタノール                                                  ４５質量部
以上を密閉型の溶解釜に投入し、攪拌しながら６０℃で完全に溶解し、冷却後、安積濾紙（株）製の安積濾紙Ｎｏ．２４４を使用して濾過してドープＤとした。
【０３４９】
〔セルロースエステルフィルムＡ〜Ｄの作製〕
上記で調製したドープＡをステンレスベルト上に流延した。ステンレスベルト上で、溶媒を蒸発させ、ステンレスベルト上からウェブを剥離した。剥離したウェブをテンター乾燥機に導入し、両端をクリップで把持して幅方向に１．０５倍延伸しながら９０℃で乾燥させ、１１０℃次いで１２５℃の各乾燥ゾーンを有するロール乾燥機内に配置された多数のロールを通して搬送させながら乾燥を終了させ膜厚４０μｍのセルロースエステルフィルムを作製した。このフィルムの両端に幅１０ｍｍ、高さ７μｍのナーリング加工を施して、１３５０ｍｍ幅、巻長は４０００ｍのセルロースエステルフィルムＡを得た。
【０３５０】
ドープＡをドープＢ〜Ｄに変更した以外は同様にしてセルロースエステルフィルムＢ〜Ｄを作製した。
【０３５１】
得られたセルロースエステルフィルムＡ〜Ｄを用いて、下記に従って、表１記載のようにハードコート層１または２を所定の膜厚となるように続けて形成し、さらにその上に後述の大気圧プラズマ処理によって金属化合物層を連続して積層した。
【０３５２】
〈ハードコート層１の塗設〉
下記のハードコート層塗布組成物を上記で作製したセルロースエステルフィルムＢ面側（溶液流延製膜工程でステンレスベルト支持体側に接している面）に押し出しコートし、次いで８０℃に設定された乾燥部で乾燥した後、１１０ｍＪ／ｃｍ２で紫外線照射し、６μｍの乾燥膜厚となるようにハードコート層１を設けた。
【０３５３】
2004155146.tif 000055
〈ハードコート層２の塗設〉
下記のハードコート層２塗布組成物を上記で作製したセルロースエステルフィルムＢ面側（溶液流延製膜工程でステンレスベルト支持体に接している面をＢ面、その反対側の面をＡ面とする）に押し出しコートし、次いで８０℃に設定された乾燥部で乾燥した後、１２０ｍＪ／ｃｍ２で紫外線照射し、膜厚３μｍのハードコート層２（中心線平均粗さ（Ｒａ）０．２μｍ）を設けた。
【０３５４】
2004155146.tif 000056
以上を高速攪拌機（ＴＫホモミキサー、特殊機化工業（株）製）で攪拌し、その後衝突型分散機（マントンゴーリン、ゴーリン（株）製）で分散した後、下記の成分を添加した。
2004155146.tif 000057
〔大気圧もしくはその近傍の圧力下で反応ガスを用いてプラズマ放電処理による金属化合物薄膜（反射防止層）の形成〕
前記ハードコート層を設けたセルロースエステルフィルムＡ〜Ｄそれぞれを用いて、ハードコート層（紫外線硬化樹脂層）上に以下のように金属化合物層を形成した。
【０３５５】
《金属化合物層の形成》
大気圧プラズマ放電処理による金属酸化物層の形成には、下記のプラズマ放電処理装置を用いた。
【０３５６】
《プラズマ放電処理装置》
（電極の作製）
図２に示したプラズマ放電処理装置において、誘電体で被覆したロール電極及び同様に誘電体で被覆した複数の角筒型電極のセットを以下のように作製した。
【０３５７】
第１電極となるロール電極は、冷却水による冷却手段を有するチタン合金Ｔ６４製ジャケットロール金属質母材に対して、アルミナ溶射膜を被覆し、テトラメトキシシランを酢酸エチルで希釈した溶液を塗布乾燥後、紫外線照射により硬化させ封孔処理を行った。このようにして被覆した誘電体表面を研磨し、平滑にして、Ｒｍａｘ５μｍとなるように加工した。最終的な誘電体の膜厚は１ｍｍ、誘電体の比誘電率は１０であった。更に導電性の金属質母材と誘電体の線熱膨張係数の差は１．７×１０−４で、耐熱温度は２６０℃であった。
【０３５８】
一方、第２電極の角筒型電極は、中空の角筒型のチタン合金Ｔ６４に対し、上記同様の誘電体を同条件にて被覆し、対向する角筒型固定電極群とした。この角筒型電極の誘電体については上記ロール電極のものと同じである。
【０３５９】
この角筒型電極をロール回転電極のまわりに、対向電極間隙を１ｍｍとして２５本配置した。角筒型固定電極群の放電総面積は、１５０ｃｍ（幅手方向の長さ）×４ｃｍ（搬送方向の長さ）×２５本（電極の数）＝１５０００ｃｍ２であった。
【０３６０】
対向電極間より以下に示す反応ガスを導入し、使用済みガスの排気を行いつつ、上記作製した、ハードコート層を有する各セルロースエステルフィルム上に、金属酸化物層を以下に示す順次４層の構成で形成し反射防止層とした（それぞれの膜厚については以下に示した）。
【０３６１】
尚、プラズマ放電処理装置には、固定電極側に、連続周波数１３．５６ＭＨｚ、０．８ｋＶ／ｍｍの高周波電圧（パール工業社製高周波電源）を供給し、ロール電極側には、連続周波数１００ｋＨｚ、８ｋＶ／ｍｍの高周波電圧（ハイデン研究所製高周波電源）を供給した。また、ロール電極は、ドライブを用いてセルロースエステルフィルムの搬送に同期して回転させた。
【０３６２】
なお、固定電極とロール電極の間隙は１ｍｍ、反応ガスの圧力は大気圧＋１ｋＰａとして行った。金属酸化物層を形成する為にプラズマ放電処理に用いた反応ガス（酸化珪素層形成用反応ガス）の組成を以下に記す。尚、反応ガス中の液体成分は気化器によって蒸気とし、加温しながら放電部に供給した。
【０３６３】
2004155146.tif 000058
ハードコート層上に、第１酸化チタン層、第１酸化珪素層、第２酸化チタン層、第２酸化珪素層の順に設けた。
【０３６４】
《反応ガスの種類》
反射防止層の形成に用いた反応ガスを以下に示す。
【０３６５】
（反応ガスＡ）：酸化チタン層（高屈折率層）形成用
窒素                                                ６８．７体積％
アルゴン                                                ３０体積％
反応ガス（酸素ガス）                                      １体積％
反応ガス（テトライソプロポキシチタン蒸気）            ０．３体積％
（反応ガスＢ）：酸化珪素層（低屈折率層）形成用
窒素                                                ９８．７体積％
反応ガス（酸素ガス）                                      １体積％
反応ガス（テトラエトキシシラン蒸気）                  ０．３体積％
（反応ガスＣ）：酸化珪素層（低屈折率層）形成用
窒素                                                ９９．２体積％
反応ガス（酸素ガス）                                  ０．５体積％
反応ガス（メチルトリエトキシシラン蒸気）              ０．３体積％
反射防止層を形成したフィルムを光学フィルム１〜８とした。
【０３６６】
得られた各光学フィルムについて、以下の評価を行った。
《評価》
〈すじ故障〉
長時間連続的に製膜した各サンプルについて、すじ状のむらの有無を目視で評価した。
◎  すじ状のむらは確認できない。
○  わずかにすじ状の故障が認められる。
△  弱いすじ状の故障が認められる。
×  明らかにすじ状故障が認められる。
【０３６７】
作製した光学フィルム１〜８のＬ＊ａ＊ｂ＊値、ΔＥ（反射光ムラ）、反射率を下記方法で測定した。
【０３６８】
（Ｌ＊ａ＊ｂ＊値の測定）
光学フィルムのＬ＊ａ＊ｂ＊値は、色彩色度計ＣＭ−２０２２（ミノルタ製）を用い、ＳＣＩ（正反射光込み）方式で測定した分光反射率から求めた。サンプルは、測定側の裏面を粗面化処理した後、黒色のスプレーで光吸収処理（３７０ｎｍから７３０ｎｍにおける透過率が１０％未満）を行い、黒色の台上にて測定した。
【０３６９】
〈ΔＥ（反射光ムラ）の測定〉
作製した光学フィルムサンプルから、１ｃｍ間隔で１０ｃｍ×１０ｃｍの範囲で１００点のＬ＊ａ＊ｂ＊値を測定し、１ｃｍ間隔で隣接する２点間のΔＥの最大値を求めた。
【０３７０】
（反射率）
Ｌ＊ａ＊ｂ＊値の測定のために色彩色度計ＣＭ−２０２２（ミノルタ製）を用い、ＳＣＩ（正反射光込み）方式で測定した４５０ｎｍから６５０ｎｍの範囲の分光反射率の平均値を求めた。
【０３７１】
また、作製した光学フィルム１〜８について、高温高湿処理（８０℃、９０％ＲＨ、５００時間処理）後、スチールウール（表面耐摩耗性）、クラック、密着性（碁盤目試験）試験を行った。
【０３７２】
〈表面耐摩耗性〉
＃００００スチールウールに１平方センチメートルあたり０．１ｋｇの加重をかけて積層体フィルムの表面を１０往復した後の、スチールウール往復方向の１センチメートルあたりの傷の発生本数で評価した。
【０３７３】
○：傷発生ほとんどない
×：傷が見られる
〈クラック〉
光学フィルムそれぞれを前記高温高湿処理後、フィルム端部より１０ｃｍの部分のフィルム表面に形成された金属酸化物層（反射防止層）に発生したクラックを目視及び顕微鏡で観察した。評価ランクは以下の通りである。
【０３７４】
◎：クラックはほとんど認められず、透明性に優れる
○：クラックは認められるが、白濁はない
△：クラックが認められ、僅かに白濁している
×：著しくクラックが入り、白濁している
〈密着性（碁盤目試験）〉
光学フィルムそれぞれを前記高温高湿処理後、ＪＩＳ  Ｋ５４００に準拠した碁盤目試験を行った。具体的には塗布面上に１ｍｍ間隔で縦、横に１１本の切れ目を入れ、１ｍｍ角の碁盤目を１００個つくった。この上にセロハンテープを張り付け、９０度の角度で素早く剥がし、剥がれずに残った碁盤目の数をｍとしｍ／１００として表した。
【０３７５】
以上の評価を行った結果を以下に示す。
【０３７６】
【表１】
2004155146.tif 000059
【０３７７】
本発明に係わる光学フィルムはすじ状の故障が低減されかつ、反射光ムラが小さく、さらに高温高湿条件で保存した後も、表面物性や、反射防止膜の密着性が良好であり安定した性能を有することがわかる。
【０３７８】
〔偏光板の作製〕
光学フィルム１〜８について、Ａ面側（溶液流延製膜工程でステンレスベルト支持体に接している面をＢ面、その反対側の面をＡ面とする）を６０℃の２ｍｏｌ／ＬのＮａＯＨ水溶液に９０秒浸漬後、その後常温水で水洗して、８０℃で乾燥しそれぞれの片面鹸化処理した光学フィルムを得た。
【０３７９】
前記光学フィルムの基材フィルムとして用いたセルロースエステルフィルム試料Ａ〜Ｄについても同様に片面鹸化処理を行った。
【０３８０】
別に１２０μｍの厚さのポリビニルアルコールをヨウ素１質量部、ホウ酸４質量部を含む水溶液１００質量部に浸漬し、５０℃で４倍に長尺方向に延伸した偏光膜を用意した。この偏光膜の片面に、上記鹸化処理した光学フィルム１〜８の鹸化処理面を、完全鹸化型のポリビニルアルコール５質量％水溶液粘着剤で貼り合わせ同様に反対の面にはそれぞれの光学フィルム１〜８の基材フィルムである鹸化されたセルロースエステルフィルムＡ〜Ｄを貼り合わせ、偏光板１Ｔ〜８Ｔを得た。
【０３８１】
〔液晶画像表示装置〕
市販の液晶表示パネル（ＮＥＣ製カラー液晶ディスプレイ；ＭｕｌｔｉＳｙｎｃ  ＬＣＤ１５２５Ｊ：型名ＬＡ−１５２９ＨＭ）の観察側の偏光板を注意深く剥離し、上記で作製した偏光板１Ｔ〜８Ｔの各々を、金属酸化物層を外側にして偏光方向を合わせて張り付け液晶表示パネル１〜８を各々作製した。
【０３８２】
上記作製した各液晶表示パネル１〜８について、液晶表示パネル（液晶表示装置）を目視観察し、視認性の評価を行ったところ、本発明に係わる光学フィルムを用いた偏光板を有する液晶表示パネルについては、黒がしまって見え、鮮明であり、反射光の色むらは認められないか、ほとんど認められないが、比較となる光学フィルムを用いたものについては、黒のしまりがややなく、鮮明さが低く、反射光の色むらが認められる結果であった。
【０３８３】
【発明の効果】
均一な金属化合物層を形成でき、すじ状の故障、クラック等が低減されかつ、反射光ムラが小さく、且つ、さらに、高温高湿条件でも物性が変動することなく、液晶表示パネルにしたときに、優れた視認性を示す光学フィルムを提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に有用なジェット方式の大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示した概略図である。
【図２】本発明に有用な対向電極間で基材を処理する方式の大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す概略図である。
【図３】図２に示したロール回転電極の導電性の金属質母材とその上に被覆されている誘電体の構造の一例を示す斜視図である。
【図４】角筒型電極の導電性の金属質母材とその上に被覆されている誘電体の構造の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
１０  プラズマ放電処理装置
１１  第１電極
１２  第２電極
２１  第１電源
２２  第２電源
【図１】
2004155146.tif 000060
【図２】
2004155146.tif 000061
【図３】
2004155146.tif 000062
【図４】
2004155146.tif 000063