(57)【要約】【課題】光学記録媒体の光学記録層の形成に用いられる光学記録材料において、短波長の記録光に適合する吸収波長特性を有する金属錯体を含有してなる光学記録材料を提供すること。【解決手段】基体上に光学記録層が形成された光学記録媒体における該光学記録層に用いられる、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を配位子として用いた金属錯体を含有してなる光学記録材料。【化１】2004034645.tif 000013【選択図】　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に光学記録層が形成された光学記録媒体における該光学記録層に用いられる、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を配位子として用いた金属錯体を含有してなる光学記録材料。
【化１】
2004034645.tif 000011
【請求項２】
上記金属錯体が下記一般式（ＩＩ）で表されるものである請求項１記載の光学記録材料。
【化２】
2004034645.tif 000012
【請求項３】
上記一般式（ＩＩ）において、Ｍが鉄、ニッケル、銅及び亜鉛から選ばれる金属原子である請求項２記載の光学記録材料。
【請求項４】
上記金属錯体の溶液における光吸収において、最大吸収波長λｍａｘが３４０〜４２０ｎｍの範囲に存在し、このλｍａｘの分子吸光係数εが１．０×１０３以上である請求項１〜３のいずれかに記載の光学記録材料。
【請求項５】
基体上に、請求項１〜４のいずれかに記載の光学記録材料からなる薄膜を形成したことを特徴とする光学記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報をレーザ等による熱的情報パターンとして付与することにより記録する光学記録媒体に使用される光学記録材料に関し、詳しくは、可視及び近赤外領域の波長を有し、かつ低エネルギーのレーザ等により高密度の光学記録及び再生が可能な光学記録媒体に使用される光学記録材料に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
光学記録媒体は、一般に記録容量が大きく、記録又は再生が非接触で行われる等、優れた特徴を有することから広く普及している。ＷＯＲＭ、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ等の追記型の光ディスクでは光学記録層の微少面積にレーザを集光させ、光学記録層の性状を変えて記録し、未記録部分との反射光量の違いによって再生を行っている。
【０００３】
現在、上記の光ディスクにおいては、記録及び再生に用いる半導体レーザの波長は、ＣＤ−Ｒは７５０〜８３０ｎｍであり、ＤＶＤ−Ｒは６２０ｎｍ〜６９０ｎｍであるが、更なる容量の増加を実現すべく、短波長レーザを使用する光ディスクが検討されており、例えば、記録光に波長が３８０〜４２０ｎｍの光を用いるものが検討されている。
【０００４】
これらの短波長の記録光が用いられる光学記録媒体に形成される光学記録層には、各種金属錯体が使用されている。例えば、特開２００１−２１４０８４号公報には、アゾ化合物の金属錯体が報告されており、特開平１１−２２１９６４号公報、特開平１１−３３４２０７号公報及び特開２００１−２８７４６２号公報には、ポルフィリン錯体が報告されており、特開２００１−１８１５２４号公報には、トリアゾールヘミポルフィリン錯体が報告されている。
【０００５】
しかし、これらの金属錯体は、短波長の記録光が用いられる光学記録媒体の光学記録層の形成に用いられる光学記録材料としては、その吸収波長特性が必ずしも適合するものではなかった。
【０００６】
従って、本発明の目的は、光学記録媒体の光学記録層の形成に用いられる光学記録材料において、短波長の記録光に適合する吸収波長特性を有する金属錯体を含有してなる光学記録材料を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、特定の化合物を配位子として用いた金属錯体が、短波長の記録光、特に３８０〜４２０ｎｍのレーザ光に適合することを知見し、本発明に到達した。
【０００８】
即ち、本発明は、基体上に光学記録層が形成された光学記録媒体における該光学記録層に用いられる、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を配位子として用いた金属錯体を含有してなる光学記録材料、及び基体上に該光学記録材料からなる薄膜を形成したことを特徴とする光学記録媒体に関する。
【０００９】
【化３】
2004034645.tif 000002
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【００１１】
本発明の光学記録材料に係る上記一般式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ１で表される炭素数１〜８のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、第二ブチル、第三ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、第三アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、イソヘプチル、第三ヘプチル、ｎ−オクチル、イソオクチル、第三オクチル、２−エチルヘキシル等が挙げられ、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリール基としては、フェニル、ナフチル、２−メチルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチルフェニル、４−ビニルフェニル、３−イソプロピルフェニル、４−イソプロピルフェニル、４−ブチルフェニル、４−イソブチルフェニル、４−第三ブチルフェニル、４−ヘキシルフェニル、４−シクロヘキシルフェニル、４−オクチルフェニル、４−（２−エチルヘキシル）フェニル、４−ステアリルフェニル、２，３−ジメチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，５−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、３，４−ジメチルフェニル、３，５−ジメチルフェニル、２，４−ジ第三ブチルフェニル、２，５−ジ第三ブチルフェニル、２，６−ジ−第三ブチルフェニル、２，４−ジ第三ペンチルフェニル、２，５−ジ第三アミルフェニル、２，５−ジ第三オクチルフェニル、２，４−ジクミルフェニル、シクロヘキシルフェニル、ビフェニル、２，４，５−トリメチルフェニル、４−クロロフェニル、４−ブロモフェニル、４−メトキシフェニル、４−エトキシフェニル、４−オクトキシフェニル、４−ステアリルオキシフェニル、４−シアノフェニル、４−ニトロフェニル、４−ジエチルアミノフェニル、４−（２，２−ジシアノエテン−１−イル）フェニル等が挙げられる。
【００１２】
また、Ｒ２で表される置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリール基としては、上記Ｒ１で例示のものが挙げられる。
【００１３】
また、Ｒ３で表されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられ、炭素数１〜１８のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、第二ブチル、第三ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、第三アミル、ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、シクロヘキシル、１−メチルシクロヘキシル、ヘプチル、２−ヘプチル、３−ヘプチル、イソヘプチル、第三ヘプチル、ｎ−オクチル、イソオクチル、第三オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、イソノニル、デシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、へプタデシル、オクタデシル等が挙げられ、炭素数１〜１８のアルコキシ基としては、メチルオキシ、エチルオキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、ブチルオキシ、第二ブチルオキシ、第三ブチルオキシ、イソブチルオキシ、アミルオキシ、イソアミルオキシ、第三アミルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、イソヘプチルオキシ、第三ヘプチルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、イソオクチルオキシ、第三オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ステアリルオキシ等が挙げられ、ＮＨＲ’基及びＮＲ’２基においてＲ’で表される炭素数１〜８のアルキル基としては、Ｒ１で例示のものが挙げられる。
【００１４】
本発明の光学記録材料に係る上記一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例としては、下記の化合物Ｎｏ．１〜１３が挙げられる。
【００１５】
【化４】
2004034645.tif 000003
【００１６】
本発明の光学記録材料に係る上記一般式（Ｉ）で表される化合物を配位子とした金属錯体とは、金属原子に上記一般式（Ｉ）で表される化合物が少なくとも一つ配位したものであり、一般式（Ｉ）で表される化合物中の水酸基の水素原子と金属原子が置換され、さらにＸが金属原子に配位結合することにより少なくとも一つのキレート構造を形成しているものを指す。該金属錯体としては、化学的、熱的に安定であり、該金属錯体の溶液の光吸収における最大吸収波長λｍａｘでの吸収特性が適正なものが好ましい。
【００１７】
上記の好ましい性質を有する金属錯体としては、上記金属原子が二価の金属原子である下記一般式（ＩＩ）で表されるものが挙げられる。
【００１８】
【化５】
2004034645.tif 000004
【００１９】
上記一般式（ＩＩ）で表される金属錯体の中でも、Ｍが鉄、ニッケル、銅及び亜鉛から選ばれる金属原子であるものが、安価に製造でき、光吸収特性も良好なのでより好ましい。
【００２０】
本発明の光学記録材料に係る上記一般式（ＩＩ）で表される化合物の具体例としては、下記に示す金属錯体Ｎｏ．１〜１７が挙げられる。
【００２１】
【化６】
2004034645.tif 000005
【００２２】
【化７】
2004034645.tif 000006
【００２３】
【化８】
2004034645.tif 000007
【００２４】
【化９】
2004034645.tif 000008
【００２５】
本発明の光学記録材料に係る上記一般式（Ｉ）で表される化合物を配位子として用いた金属錯体は、その製造方法により特に制限を受けることはない。例えば、好ましい形態である上記一般式（ＩＩ）で表される金属錯体の製造方法としては、下記に示す方法が挙げられる。
【００２６】
【化１０】
2004034645.tif 000009
【００２７】
上記一般式（ＩＩ）において、Ｘが酸素原子である上記金属錯体（Ａ）は、該当する配位子であるサリチルアルデヒド誘導体やヒドロキシベンゾフェノン誘導体と金属化合物とのキレート化反応により合成することができる。また、上記一般式（ＩＩ）において、Ｘが窒素原子である上記金属錯体（Ｂ）は、サリチルアルデヒド誘導体やヒドロキシベンゾフェノン誘導体とアミン化合物とから、シッフベース型配位子を合成し、これと金属化合物とのキレート化反応により合成することができ、また上記金属錯体（Ａ）とアミン化合物との反応により合成することもできる。なお、キレート化反応に用いられる金属化合物としては、ハロゲン化金属塩、水酸化物、硫酸塩、硝酸塩等の無機金属塩；酢酸塩等の有機酸金属塩；メトキシド、エトキシド、イソプロポキシド等の低級金属アルコキシド；アセチルアセトン塩、ＥＤＴＡ塩等のキレート錯体等が挙げられる。また、キレート化反応には、必要に応じて、水酸化ナトリウム、水酸化リチウム、ナトリウムメトキシド、水素化ナトリウム、ナトリウムアミド、リチウムアミド、有機アミン化合物等の塩基性化合物を反応剤として用いてもよい。
【００２８】
上記金属錯体を含有してなる本発明の光学記録材料は、光学記録媒体において基体上に形成される光学記録層に用いられるものであり、上記金属錯体の光吸収特性に応じて各種光学記録媒体に適用することができる。上記一般式（Ｉ）で表される化合物を配位子として用いた金属錯体、特に上記一般式（ＩＩ）で表される金属錯体の溶液における光吸収において、λｍａｘが３４０〜４２０ｎｍの範囲にある場合、該金属錯体を含有してなる本発明の光学記録材料は、波長が３８０ｎｍ〜４２０ｎｍの短波長レーザ用光ディスクの光学記録層を形成するのに好適に用いられる。また、上記金属錯体の吸収特性のひとつである吸収強度は、λｍａｘのεが１．０×１０３より小さいと記録感度が低下するおそれがあるので、λｍａｘのεが１．０×１０３以上、特に５．０×１０３以上であることが好ましい。
【００２９】
本発明の光学記録材料中における上記金属錯体の含有量は、好ましくは５０〜１００質量％、さらに好ましくは７０〜１００質量％である。
【００３０】
本発明の光学記録材料は、上記金属錯体の他に、必要に応じて、シアニン系化合物、アゾ系化合物、フタロシアニン系化合物等の光学記録層に用いられる化合物；ポリエチレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート等の樹脂類；界面活性剤；帯電防止剤；滑剤；難燃剤；ヒンダードアミン等のラジカル捕捉剤；フェロセン誘導体等のピット形成促進剤；分散剤；酸化防止剤；架橋剤；耐光性付与剤等を含有してもよい。さらに、本発明の光学記録材料は、一重項酸素等のクエンチャーとして芳香族ニトロソ化合物、アミニウム化合物、イミニウム化合物、ビスイミニウム化合物、遷移金属ジチオールキレート化合物等を含有してもよい。これらの成分は、本発明の光学記録材料中において、好ましくは０〜５０質量％の範囲で使用される。
【００３１】
本発明の光学記録媒体は、基体上に、光学記録層として、上記金属錯体を含有してなる本発明の光学記録材料からなる薄膜が形成されたものである。該薄膜を形成する方法は、特に制限を受けるものではないが、一般には、メタノール、エタノール等の低級アルコール類；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチルジグリコール等のエーテルアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸メトキシエチル等のエステル類；アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル等のアクリル酸エステル類、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール等のフッ化アルコール類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類；メチレンジクロライド、ジクロロエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素類等の有機溶媒に、本発明の光学記録材料を溶解した溶液を、基体上に、スピンコート、スプレー、ディッピング等で塗布する湿式塗布法が用いられる。その他の方法としては、蒸着法、スパッタリング法等が挙げられる。
【００３２】
上記光学記録層の厚さは、通常、０．００１〜１０μｍであり、好ましくは０．０１〜５μｍである。
【００３３】
このような光学記録層を設層する上記基体の材質は、書き込み（記録）光及び読み出し（再生）光に対して実質的に透明なものであれば特に制限はなく、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート等の樹脂、ガラス等が用いられる。また、その形状は、用途に応じ、テープ、ドラム、ベルト、ディスク等の任意の形状のものを使用できる。
【００３４】
また、上記光学記録層上に、金、銀、アルミニウム、銅等を用いて蒸着法あるいはスパッタリング法により反射膜を形成することもできるし、アクリル樹脂、紫外線硬化性樹脂等を用いて保護層を形成することもできる。
【００３５】
【実施例】
以下、製造例及び実施例をもって本発明を更に詳細に説明する。しかしながら、本発明は以下の実施例等によって何ら制限を受けるものではない。
尚、製造例１〜７は、本発明の光学記録材料の製造例を示し、実施例１〜７は、本発明の光学記録材料からなる薄膜を形成した光学記録媒体の実施例を示す。
【００３６】
［製造例１］金属錯体Ｎｏ．１の製造
反応フラスコにサリチルアルデヒド０．０５モル、酢酸ニッケル０．０２５モル及び水−メタノール混合溶媒（質量比１：１）１００ｍｌを仕込み、２５℃で９０分撹拌した。生成した結晶を濾取し、水、エタノール、ジエチルエーテルの順で洗浄した後、乾燥して、中間体金属錯体の結晶を０．０２１０モル（収率８４．０％）得た。反応フラスコに得られた中間体金属錯体の結晶０．０１モル及びメタノール５０ｍｌを仕込み、６５℃に加熱し、メタノールが還流する状態にした。この状態のままアニリンを０．０２モル滴下し、更に１０時間撹拌した。生成した結晶を濾取し、水、メタノールの順で洗浄した後、乾燥して、目的物である金属錯体Ｎｏ．１の結晶を０．００８３５モル（収率８３．５％）得た。得られた結晶について、各種分析を行った。分析結果を以下に示す。
【００３７】
（分析結果）
▲１▼ＩＲ測定：（ｃｍ−１）
２９２７、１６０４、１５８７、１５３５、１４８６、１４６５、１４４８、１３７３、１３５５、１３２８、１１８６、１１４５、１１２４、１０２７、９３７、８５６、７５９、７４２、６９４
▲２▼元素分析：Ｎｉ／Ｃ／Ｈ／Ｎ（質量％）
１２．９／６８．９／４．５／６．４
（理論値１３．１／６９．２／４．５／６．２）
▲３▼ＵＶスペクトル測定（テトラヒドロフラン溶媒）
λｍａｘ；３９０ｎｍ、ε；６．７２×１０３
λｍａｘ；３３９ｎｍ、ε；１．０６×１０４
▲４▼窒素気流下での示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）
５０％質量減少温度：３８０℃、吸熱ピーク（融点）：２７６℃
【００３８】
［製造例２］金属錯体Ｎｏ．２の製造
反応フラスコに上記製造例１において得られた中間体金属錯体の結晶０．０１モル及びメタノール５０ｍｌを仕込み、６５℃に加熱し、メタノールが還流する状態にした。この状態のまま４−メトキシアニリンを０．０２モル滴下し、更に１０時間撹拌した。生成した結晶を濾取し、水、メタノールの順で洗浄した後、乾燥して、目的物である金属錯体Ｎｏ．２の結晶を０．００６６７モル（収率６６．７％）得た。得られた結晶について、各種分析を行った。分析結果を以下に示す。
【００３９】
（分析結果）
▲１▼ＩＲ測定：（ｃｍ−１）
３００４、２９４９、２８９９、２８３８、１６１２、１５４０、１５０４、１４６５、１４２２、１３９８、１３４２、１３１９、１２４３、１１７６、１１４７、１１２４、１０３３、８６２、８３６、７５４
▲２▼元素分析：Ｎｉ／Ｃ／Ｈ／Ｎ（質量％）
１１．３／６５．７／４．６／５．４
（理論値１１．５／６５．８／４．７／５．５）
▲３▼ＵＶスペクトル測定（テトラヒドロフラン溶媒）
λｍａｘ；３９１ｎｍ、ε；９．９４×１０３
λｍａｘ；３２０ｎｍ、ε；１．３７×１０４
▲４▼窒素気流下での示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）
５０％質量減少温度：３８９℃、吸熱ピーク（融点）：２５８℃
【００４０】
［製造例３］金属錯体Ｎｏ．６の製造
反応フラスコに２−ヒドロキシ−４−オクチルオキシベンゾフェノン０．０５モル及びメタノール２００ｍｌを仕込み、６５℃に加熱し、メタノールが還流する状態にした。その状態で６質量％の水酸化ナトリウムのメタノール溶液を水酸化ナトリウム換算で０．０５モル滴下し、６０分撹拌した。これに塩化ニッケル０．０２５モルを加え７時間撹拌した。生成した結晶を濾取し、水、エタノールの順で洗浄した後、乾燥して、目的物である金属錯体Ｎｏ．６の結晶を０．０１９６モル（収率７８．４％）得た。得られた結晶について、各種分析を行った。分析結果を以下に示す。
【００４１】
（分析結果）
▲１▼ＩＲ測定：（ｃｍ−１）
２９２５、２８５４、１６０４、１５９４、１５６９、１５１１、１４６７、１４４４、１４２５、１３６７、１２４１、１２０９、１１６４、１１１４、１０７４、１０４５、１０２７、１０００、９１４、８４０、８０９、７８２、７４８、７００、６２８
▲２▼元素分析：Ｎｉ／Ｃ／Ｈ／（質量％）
８．２／７０．８／７．０
（理論値８．３／７１．１／７．１）
▲３▼ＵＶスペクトル測定（テトラヒドロフラン溶媒）
λｍａｘ；３７８ｎｍ、ε；１．０８×１０４
λｍａｘ；２９３ｎｍ、ε；２．３２×１０４
▲４▼窒素気流下での示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）
５０％質量減少温度：３９１℃
【００４２】
［製造例４］金属錯体Ｎｏ．９の製造
反応フラスコに４−メトキシサリチルアルデヒド０．０５モル、４−メトキシアニリン０．０５モル及びベンゼン６０ｍｌを仕込み、生成する水を除きながら７．５時間還流させた後、脱溶媒して固相を得た。得られた固相を酢酸エチル溶媒で再結晶し、化合物Ｎｏ．４を０．０４６８モル（収率９３．６％）得た。反応フラスコに得られた化合物Ｎｏ．４を０．０２モル及びメタノール５０ｍｌを仕込み、６５℃に加熱し、メタノールが還流する状態にした。その状態で６質量％の水酸化ナトリウムのメタノール溶液を水酸化ナトリウム換算で０．０２２モル滴下し、６０分撹拌した。これに塩化亜鉛０．０１モルを加え、５時間撹拌した。生成した結晶を濾取し、水、メタノールの順で洗浄した後、乾燥して、目的物である金属錯体Ｎｏ．９の結晶を０．００８９６モル（収率８９．６％）得た。得られた結晶について、各種分析を行った。分析結果を以下に示す。
【００４３】
（分析結果）
▲１▼ＩＲ測定：（ｃｍ−１）
２９２７、２８３２、１６１２、１５８３、１５２３、１５０６、１４６０、１４３９、１４２９、１４１７、１４００、１３６３、１２９７、１２５３、１２０３、１１７６、１１４３、１０３３、９７７、８２３
▲２▼元素分析：Ｚｎ／Ｃ／Ｈ／Ｎ（質量％）
１１．６／６２．４／５．０／５．０
（理論値１１．３／６２．４／４．９／４．９）
▲３▼ＵＶスペクトル測定（テトラヒドロフラン溶媒）
λｍａｘ；３８４ｎｍ、ε；４．０１×１０４
λｍａｘ；３１１ｎｍ、ε；２．７１×１０４
▲４▼窒素気流下での示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）
２０％質量減少温度：３８７℃、吸熱ピーク：１９３℃、２２３℃
【００４４】
［製造例５］金属錯体Ｎｏ．１６の製造
反応フラスコに４−ジエチルアミノサリチルアルデヒド０．０５モル、酢酸銅０．０２５モル及び水−メタノール混合溶媒（質量比１：１）１００ｍｌを仕込み、２５℃で９０分撹拌した。生成した結晶を濾取し、水、エタノール、ジエチルエーテルの順で洗浄した後、乾燥して、目的物である金属錯体Ｎｏ．１６を０．０２０２モル（収率８０．８％）得た。得られた結晶について、各種分析を行った。分析結果を以下に示す。
【００４５】
（分析結果）
▲１▼ＩＲ測定：（ｃｍ−１）
２９７１、２９２７、２８６５、１６１６、１５７５、１５１１、１４９０、１４２７、１３９２、１３７１、１３４８、１３２１、１２４７、１２３２、１１８９、１１６２、１１３９、１０９５、１０７８、１０１４、９７１、８８３、８２３、７６９、７３０、７０５、６６９、６２４、５６３
▲２▼元素分析：Ｃｕ／Ｃ／Ｈ／Ｎ（質量％）
１４．０／５８．４／６．５／６．１
（理論値１４．２／５９．０／６．３／６．３）
▲３▼ＵＶスペクトル測定（クロロホルム溶媒）
λｍａｘ；３５２ｎｍ、ε；７．６０×１０４
▲４▼窒素気流下での示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）
５０％質量減少温度：２７０℃、吸熱ピーク（融点）：２３７℃
【００４６】
［製造例６］金属錯体Ｎｏ．１５の製造
反応フラスコに上記製造例６で得られた金属錯体Ｎｏ．１６の０．０１モル及びメタノール６０ｍｌを仕込み、６５℃に加熱しメタノールが還流する状態にした。この状態のまま４−メトキシアニリンを０．０２モル滴下し、更に９時間撹拌した。生成した結晶を濾取し、水、メタノールの順で洗浄した後、乾燥して、目的物である金属錯体Ｎｏ．１５の結晶を０．００８０７モル（収率８０．７％）得た。得られた結晶について、各種分析を行った。分析結果を以下に示す。
【００４７】
（分析結果）
▲１▼ＩＲ測定：（ｃｍ−１）
２９６９、１６０８、１５１７、１４９４、１４３０、１３９８、１３５１、１３２１、１２９５、１２５５、１２３６、１１８９、１１３７、１０７６、１０３７、８２７、７７７
▲２▼元素分析：Ｃｕ／Ｃ／Ｈ／Ｎ（質量％）
９．５／６５．５／６．６／８．３
（理論値９．７／６５．７／６．４／８．５）
▲３▼ＵＶスペクトル測定（クロロホルム溶媒）
λｍａｘ；３８４ｎｍ、ε；７．０１×１０４
▲４▼窒素気流下での示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）
５０％質量減少温度：３３２℃、吸熱ピーク（融点）：２２１℃
【００４８】
［製造例７］金属錯体Ｎｏ．１７の製造
反応フラスコに５−ニトロサリチルアルデヒド０．０５モル、酢酸銅０．０２５モル及び水−メタノール混合溶媒（質量比１：１）１００ｍｌを仕込み、２５℃で９０分撹拌した。生成した結晶を濾取し、水、エタノール、ジエチルエーテルの順で洗浄した後、乾燥して２．５水和物を得た。得られた水和物を１３０℃で真空乾燥により脱水して、目的物である金属錯体Ｎｏ．１７を０．０１９６モル（収率７８．４％）得た。得られた金属錯体について、各種分析を行った。分析結果を以下に示す。
【００４９】
（分析結果）
▲１▼ＩＲ測定：（ｃｍ−１）
１６２３、１６０６、１５４４、１４９２、１４５７、１４０７、１３３２、１１８６、１１３５、１１０１、９３７、８３８、７５５、７２５、６５１
▲２▼元素分析：Ｃｕ／Ｃ／Ｈ／Ｎ（質量％）
１５．９／４２．８／１．９／６．９
（理論値１６．１／４２．５／２．０／７．１）
▲３▼ＵＶスペクトル測定（クロロホルム溶媒）
λｍａｘ；３４４ｎｍ、ε；３．３６×１０４
▲４▼窒素気流下での示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）
５０％質量減少温度：３３９℃
【００５０】
［実施例１〜７］光学記録媒体の製造及び評価
チタンキレート化合物（Ｔ−５０：日本曹達社製）を塗布、加水分解して下地層（０．０１μｍ）を設けた直径１２ｃｍのポリカーボネートディスク基板上に、表１に記載した金属錯体の２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール溶液（金属錯体濃度２質量％）をスピンコーティング法にて塗布して、厚さ０．１μｍの光学記録層を形成し、光学記録媒体を得た。得られた光学記録媒体それぞれについて、ＵＶスペクトル吸収測定を行った。ＵＶスペクトル吸収におけるλｍａｘの結果を表１に示す。
【００５１】
【表１】
2004034645.tif 000010
【００５２】
表１の結果より、実施例１〜７において得られたいずれの光学記録材媒体もλｍａｘが３８０〜４２０ｎｍの範囲にあり、この範囲の波長のレーザ光により記録が可能であることが確認できた。
【００５３】
【発明の効果】
本発明は、短波長の記録光に適合する吸収波長特性を有する金属錯体を含有してなる光学記録材料を提供できるものである。