(57)【要約】【課題】電極部の形成精度の良好なチップ型電子部品を安定に製造する。【解決手段】無電解めっき用の塩化パラジウム水溶液３に対し難溶性の粉粒体２と、塩化パラジウム水溶液３とを混合した触媒混合物４を調製する。触媒混合物４に対しチップ型電子部品の素体１の表面一部であるめっき形成用部分を接触させて、上記めっき形成用部分に触媒表面部１ａを形成する。続いて、素体１を塩化すず水溶液５に浸漬する。その後、素体１を無電解ニッケル液６に浸漬して、触媒表面部１ａに無電解ニッケル膜１ｂを形成する。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
無電解めっき用の触媒溶液に対し難溶性の粉粒体と、上記触媒溶液とを混合した触媒混合物を調製し、
チップ型電子部品素体におけるめっき形成用部分を上記触媒混合物に対し接触させて、上記めっき形成用部分に触媒表面部を形成し、
上記触媒表面部に無電解めっき膜を形成することを特徴とするチップ型電子部品の製造方法。
【請求項２】
塩化パラジウム溶液に対し難溶性の粉粒体と、塩化パラジウム溶液とを混合して触媒混合物を調製し、
チップ型電子部品素体を、塩化すず溶液に浸漬し、取り出した後、乾燥し、
続いて、チップ型電子部品素体の端部であるめっき形成用部分を上記触媒混合物に対し接触させ、上記チップ型電子部品素体を取り出し、乾燥して上記めっき形成用部分に触媒表面部を形成した後、
上記触媒表面部に無電解めっき膜を形成することを特徴とするチップ型電子部品の製造方法。
【請求項３】
塩化すず溶液に対し難溶性の粉粒体と、上記塩化すず溶液とを混合して触媒混合物を調製し、
上記触媒混合物にチップ型電子部品素体の端部であるめっき形成用部分を接触させ、上記チップ型電子部品素体を取り出して乾燥し、
続いて、上記チップ型電子部品素体を、塩化パラジウム溶液に浸漬し、取り出し、乾燥して上記めっき形成用部分に触媒表面部を形成した後、
上記触媒表面部に無電解めっき膜を形成することを特徴とするチップ型電子部品の製造方法。
【請求項４】
粉粒体は、その最大寸法が０．３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし３の何れかに記載のチップ型電子部品の製造方法。
【請求項５】
チップ型電子部品素体は、ＰＴＣサーミスタ部品であることを特徴とする請求項１ないし４の何れかに記載のチップ型電子部品の製造方法。
【請求項６】
上記触媒混合物に対し上記チップ型電子部品素体のめっき形成用部分を接触させるとき、粉粒体の一部を上記めっき形成用部分の表面に当接させることを特徴とする請求項１ないし５の何れかに記載のチップ型電子部品の製造方法。
【請求項７】
無電解めっき膜は、ニッケルを主成分としていることを特徴とする請求項１ないし６の何れかに記載のチップ型電子部品の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の方法により無電解ニッケルめっき膜がチップ型電子部品素体に形成され、
無電解ニッケルめっき膜上に電解すずめっき膜が形成されていることを特徴とするチップ型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電極部を有するチップ型電子部品および上記電極部をめっき法により形成するためのチップ型電子部品およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ＰＴＣサーミスタ等の半導体からなるチップ型電子部品の素体は、素体上に直接、銀（以下、Ａｇと略記する）やＡｇ合金からなるものを電極部として形成すると、電極部と素体との界面に電位障壁を生じ、必要とする特性を引き出せなくなる不具合を有している。
【０００３】
この電位障壁の発生を回避するため、Ｎｉ等の酸化し易いめっき膜を一層目に素体とＡｇ膜との間に用いられている。このような酸化し易いＮｉ等のめっき膜の形成には、金属ペーストにして焼き付ける方法が挙げられるが、その方法の場合、焼付け時に還元雰囲気が必要になる。
【０００４】
ところが、一般に、ＰＴＣサーミスタ等からなる素体は、還元雰囲気で加熱すると特性劣化を起こすために、酸化し易いめっき膜を上記のような焼付けによっては形成できない。
【０００５】
従来、上記の理由から、素体上に、Ｎｉめっき膜を形成するには、無電解Ｎｉめっき法が用いられていた。無電解めっき法とは、Ｎｉ塩および還元剤を含む溶液中で、素体表面（材料表面）の接触作用による還元を利用しためっき法である。無電解めっき法では、めっき膜を形成したい素体表面部分に、触媒（パラジウム、白金等）を還元剤の共存下で含有させておくことが、上記還元反応を促進してめっき膜の形成を安定化できることにより好ましい。
【０００６】
その各工程を図６および図７に示す。まず、図６（ａ）に示すように、棒状のＰＴＣサーミスタからなる素体２１の全面に、還元剤および触媒を共存させて無電解Ｎｉめっき膜２２を形成する。
【０００７】
続いて、図６（ｂ）に示すように、無電解Ｎｉめっき膜２２が形成された素体２１において、不要な部分の無電解Ｎｉめっき膜２２（素体２１の厚さ方向の両端面における長さ方向の帯状中央部）をサンドブラスト等により削り落とす。
【０００８】
その後、上記素体２１をダイシングソー等を用いて、図６（ｃ）に示すように、チップ形状にカットした後、図７に示すように、無電解Ｎｉめっき膜２２上にＡｇもしくはＡｇ合金からなる焼付け電極２３を形成し、次に、上記焼付け電極２３上に溶融はんだへの浸漬（ディッピング）によるはんだコート膜２４を形成して、チップ形状の素体２１の両端部にそれぞれ電極部２５をそれぞれ形成していた。
【０００９】
ところが、上記のような無電解Ｎｉめっき法では、不要部分の無電解Ｎｉめっき膜２２を除去する工程が必要であり、金属ペーストによる焼付け法と比較して、手間がかかるという問題があった。
【００１０】
また、棒状の素体２１を無電解めっきするとき、めっき工程で、この素体２１が細長いために折れる不具合が発生し、得られたチップ型電子部品の歩留りが低下するという問題もあった。
【００１１】
さらに、従来では、不要部分の無電解Ｎｉめっき膜２２を除去する工程を簡素化するために、棒状の素体２１を用い、上記工程後に、電極部２５がそれぞれ形成された素体２１をチップ形状にカットしているが、このカット工程は、電極部２５を有しているため大量に処理することが困難であり、生産性が悪いという欠点があった。
【００１２】
そこで、上記各問題や欠点を回避するために、図８に示すように、チップ形状にカットされた、素体２１の両端部にだけ無電解Ｎｉめっき膜２２をそれぞれ形成する方法が考えられた。つまり、この方法では、無電解Ｎｉめっき膜２２を形成する両端部にのみ、すなわち図９に示すように、素体２１の両端部のみを無電解めっきのための触媒溶液２６に対し浸漬（ディッピング）することにより、上記両端部に触媒表面部２１ａを形成し、その触媒表面部２１ａに無電解Ｎｉめっき膜２２を設ける方法が試みられた。
【００１３】
【特許文献１】
特開昭６３−２２２４０１号（公開日：１９８８年９月１６日）
【００１４】
【特許文献２】
特開平２−２２０４０１号（公開日：１９９０年９月３日）
【００１５】
【特許文献３】
特開平５−１６６６０４号（公開日：１９９３年７月２日）
【００１６】
【特許文献４】
特開平５−１７５０１２号（公開日：１９９３年７月１３日）
【００１７】
【特許文献５】
特開平５−１７５０１４号（公開日：１９９３年７月１３日）
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の方法では、各電極部２５の形成精度が不安定となるという問題を生じている。つまり、上記従来の方法においては、特に、素体２１の大きさが２ｍｍ角程度の大きさの場合、図９に示すように、触媒溶液２６が、その表面張力により素体２１の表面上を吸い上がる長さが、素体２１の大きさに対し無視できない程大きくなる。また、このような吸い上がりは、触媒溶液２６の粘度や濃度、素体２１の表面状態、環境温度といった要因で大きく変化するので、上記吸い上がり量の制御が困難なものとなっている。したがって、上記方法では、所望する端部にだけ触媒表面部２１ａを精度よく形成することが困難であることから、素体２１上への各電極部２５の形成精度が不安定となるという問題を生じている。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明のチップ型電子部品の製造方法は、以上の課題を解決するために、無電解めっき用の触媒溶液に対し難溶性の粉粒体と、上記触媒溶液とを混合した触媒混合物を調製し、チップ型電子部品素体におけるめっき形成用部分を上記触媒混合物に対し接触させて、上記めっき形成用部分に触媒表面部を形成し、上記触媒表面部に無電解めっき膜を形成することを特徴としている。
【００２０】
本発明の他のチップ型電子部品の製造方法は、以上の課題を解決するために、塩化パラジウム溶液に対し難溶性の粉粒体と、塩化パラジウム溶液とを混合して触媒混合物を調製し、チップ型電子部品素体を、塩化すず溶液に浸漬し、取り出した後、乾燥し、続いて、チップ型電子部品素体の端部であるめっき形成用部分を上記触媒混合物に対し接触させ、上記チップ型電子部品素体を取り出し、乾燥して上記めっき形成用部分に触媒表面部を形成した後、上記触媒表面部に無電解めっき膜を形成することを特徴としている。
【００２１】
本発明のさらに他のチップ型電子部品の製造方法は、以上の課題を解決するために、塩化すず溶液に対し難溶性の粉粒体と、上記塩化すず溶液とを混合して触媒混合物を調製し、上記触媒混合物にチップ型電子部品素体の端部であるめっき形成用部分を接触させ、上記チップ型電子部品素体を取り出して乾燥し、続いて、上記チップ型電子部品素体を、塩化パラジウム溶液に浸漬し、取り出し、乾燥して上記めっき形成用部分に触媒表面部を形成した後、上記触媒表面部に無電解めっき膜を形成することを特徴としている。
【００２２】
上記製造方法においては、上記触媒混合物に対し上記チップ型電子部品素体のめっき形成用部分を接触させるとき、粉粒体の一部を上記めっき形成用部分の表面に当接させることが好ましい。
【００２３】
上記の方法によれば、素体の端部を触媒混合物に浸漬することによって触媒表面部を形成するとき、粉粒体を有する触媒混合物を用いるので、塩化すず溶液や塩化パラジウムといった触媒溶液が、素体の端部の表面に表面張力により吸い上がることを粉粒体での表面張力により抑制でき、上記触媒表面部の形成精度を向上できる。
【００２４】
このことから、上記方法では、触媒表面部上に形成される無電解めっき膜の形成領域精度を向上できて、得られたチップ型電子部品における、無電解めっき膜を含む各電極部の形成精度を高めることができて、特性の精度がよい、優れたチップ型電子部品を安定に得ることができる。
【００２５】
上記製造方法においては、さらに、粉粒体は、その最大寸法が０．３ｍｍ以下であることが好ましい。上記方法によれば、粉粒体の最大寸法を０．３ｍｍ以下に設定することにより、特に、長寸が５ｍｍ以下といった素体に対し、より安定に精度よく触媒表面部を形成でき、素体において無電解めっき膜を含む各電極部の形成精度をより安定に高めることができ、特性の精度がよい、優れたチップ型電子部品を安定に得ることができる。
【００２６】
上記製造方法では、さらに、チップ型電子部品素体は、ＰＴＣサーミスタ部品であってもよい。上記方法によれば、めっき膜として、例えば、Ｎｉめっき膜を形成する場合、還元雰囲気下での加熱による焼付けを回避して、無電解にてＮｉめっき膜を安定に形成できるので、還元雰囲気下での加熱によるＰＴＣサーミスタ部品の劣化を回避できる。
【００２７】
上記製造方法においては、さらに、無電解めっき膜は、Ｎｉを主成分としていてもよい。上記方法によれば、酸化され易いＮｉを主成分とするめっき膜を無電解にて安定に精度よく形成できるので、特性の精度がよい優れたチップ型電子部品を安定に得ることができる。
【００２８】
本発明のチップ型電子部品は、前記の課題を解決するために、上記方法により無電解ニッケルめっき膜がチップ型電子部品素体に形成され、無電解ニッケルめっき膜上に電解すずめっき膜が形成されていることを特徴としている。
【００２９】
上記の構成によれば、無電解Ｎｉめっき膜の上に、電解すずめっき膜を直接形成できるため、電極構造の簡素なチップ型電子部品を得ることができ、生産効率を改善できる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の各形態について図１ないし図５に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００３１】
〔実施の形態１〕
本発明のチップ型電子部品の製造方法に係る実施の形態１について、図１ないし図３に基づいて説明すると、まず、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系の材料からなる、チップ形状である２０１２サイズ（２．０　ｍｍ×１．２５　ｍｍ　×０．８　ｍｍ）　のＰＴＣサーミスタ焼結体の素体（チップ型電子部品素体）１を作製した。ＰＴＣサーミスタとしては、ＢａＴｉＯ３　に微量の半導体化剤を添加したＢａＴｉＯ３　系半導体を用いた。上記チップ形状とは、略角柱状（略直方体形状）や略円柱形状であり、その長寸や、互いに平行な各端面間の距離が５ｍｍ以下のものをいう。
【００３２】
まず、塩化パラジウムを０．１ｇ〜２ｇを１０００ｃｍ３　の水に溶解し、その溶解を確実化するための３５％塩酸水を１ｃｍ３　〜５ｃｍ３　さらに加えて、塩化パラジウム水溶液３を調製した。また、塩化第一すずを４ｇ〜４０ｇを１０００ｃｍ３　の水に溶解し、その溶解を確実化するための３５％塩酸水を１ｃｍ３　〜１０ｃｍ３　さらに加えて、塩化すず水溶液５を調製した。
【００３３】
次に、最大寸法３０μｍ〜７０μｍの範囲のジルコニアの粉粒体２に対し、図１（ｃ）および図３に示すように、塩化パラジウム水溶液３（パラジウム濃度が５〜１００ｐｐｍ程度）をしみ込ませて、触媒混合物４を調製した。このとき、得られた触媒混合物４の表面に塩化パラジウム水溶液３の上部液面が丁度達して、得られた触媒混合物４の表面が水平な面一となるするように触媒混合物４を調製した。
【００３４】
言い換えると、ジルコニアの粉粒体２の密な集合体内の空隙に塩化パラジウム水溶液３が丁度充填されていて、塩化パラジウム水溶液３がしみ込んだ触媒混合物４の表面を素体１の端面にて押圧したときに塩化パラジウム水溶液３が上記表面上ににじみ出す程度になっている。パラジウムは、活性化剤としての触媒である。
【００３５】
続いて、図１（ａ）に示すように、上記素体１の全体を、塩化すず水溶液５に対し、例えば３分間浸漬し、続いて、図１（ｂ）に示すように、取り出した後、純水で洗浄し、室温で乾燥した。塩化すずは、パラジウムが素体１の表面に付き易くするための、糊の機能を有する感受性化剤である。
【００３６】
その後、上記素体１を、図１（ｄ）に示すように、触媒混合物４に対し、素体１におけるＮｉめっきを形成したい部分（電極端部）だけ漬けて（触媒混合物４の表面から上記触媒混合物４内に埋まるように）、上記部分に触媒表面部１ａを有する素体１を作製した。
【００３７】
このように漬けたとき、触媒混合物４の粉粒体２の一部は、上記部分に当接している。このため、触媒混合物４の塩化パラジウム水溶液３は表面張力による上記部分での上方への吸い上がりが粉粒体２への表面張力によって抑制されることになる。また、触媒表面部１ａでは、すずとパラジウムとが共存している。
【００３８】
次に、上記素体１を引き上げ、室温で乾燥した。乾燥後、図２（ａ）に示すように、上記素体１をエアーブローし、素体１に付着したジルコニアの粉粒体２を吹き飛ばして除去した。
【００３９】
続いて、図２（ｂ）に示すように、上記素体１を無電解ニッケル液６に浸漬して、図２（ｃ）に示すように、上記触媒表面部１ａ上に無電解ニッケル膜１ｂを形成した。上記無電解ニッケル膜１ｂは、還元剤であり触媒成分でもある、すずとパラジウムとが共存する、素体１上の領域である触媒表面部１ａ上にのみ形成されるようになっている。
【００４０】
その後、図示しないが、無電解ニッケル膜１ｂが酸化により変質する前に、上記素体１とスチールボールを混合し、バレルめっきにて上記無電解ニッケル膜１ｂ上に電解Ｓｎめっき膜を形成して、チップ型電子部品を作製した。
【００４１】
ところで、従来では、塩化パラジウム水溶液といった触媒溶液に対し、粉粒体を混合しないで、上記触媒溶液にＰＴＣサーミスタ焼結体の素体の電極部となる一部を漬けて上記電極部を形成している。このため、上記従来においては、触媒溶液が、図９に示すように、表面張力により上記素体の表面に吸い上がり、触媒溶液が付着する領域の制御が安定にできず上記領域の形成範囲が不安定となる。したがって、上記従来の方法では、チップ型電子部品における電極部の形成寸法精度が劣化し、所望する特性を有するチップ型電子部品を安定に得ることができないという問題を有していた。
【００４２】
しかしながら、本発明に係るチップ型電子部品の製造方法では、粉粒体２に対し、触媒溶液としての塩化パラジウム水溶液３を混合した触媒混合物４を用いているので、塩化パラジウム水溶液３における、粉粒体２への表面張力が、素体１への表面張力より大きくなるため、素体１の表面への塩化パラジウム水溶液３の吸い上がりを従来より抑制でき、触媒表面部１ａを精度よく形成することができる。
【００４３】
このことから、従来のように電解めっき時に素体１の表面上にめっき膜が表面方向に伸長して、各電極間のショートを発生し易いような低比抵抗材料からなる素体１であっても、本発明の方法では、素体１のめっき膜不要部分を従来のように予めコーティングすることを省いて、めっき膜を安定に、精度よく形成でき、電極部の形成精度を向上できるので、特性の良好なチップ型電子部品を安定に得ることができる。
【００４４】
また、本発明の方法においては、従来、必要であったコーティング工程等を省くことができるので、従来のチップ型電子部品の製造工程を簡略化でき、生産効率を大幅に改善できる。
【００４５】
次に、上記実施の形態１に示す方法により、略球状の粉粒体２の最大寸法を種々変え、素体１の表面への触媒溶液としての塩化パラジウム水溶液３の吸い上がりの有無を調べた。この結果を、粉粒体２の最大寸法の限界（臨界値）を示すものとして表１に示す。
【００４６】
【表１】
2004143537.tif 000003
【００４７】
この結果、本発明の方法では、粉粒体２の最大寸法は３００μｍ以下がよいことが判った。これは、粉粒体２の最大寸法が大きくなると、その表面張力が減少し、素体１の表面を塩化パラジウム水溶液３が吸い上がるものと考えられた。このことから、本発明の方法においては、粉粒体２の最大寸法は、３００μｍ以下、すなわち素体１の長寸や互いに平行な各端面間の距離の長さの１／４未満、より好ましくは１／５以下に設定することにより、触媒表面部１ａの形成精度つまり電極部の形成精度を向上させることができる。なお、最大寸法とは、分級のために用いたふるいの目の大きさにて規定されるものである。
【００４８】
また、この粉粒体２の材料としては、塩化パラジウム水溶液３（例えば、塩酸にて酸性）といった触媒溶液に溶けず、かつ、上記触媒溶液に対し親和性（ぬれ性）を備えたものが必要であり、耐酸性を備えた、金属酸化物、金属炭化物、金属窒化物が好ましいものとして挙げられる。上記金属酸化物としては、アルミナ、ジルコニア等を挙げることができる。
【００４９】
〔実施の形態２〕
本発明のチップ型電子部品の製造方法に係る実施の形態２について、図４および図５に基づいて以下に説明する。まず、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系の材料からなる、チップ形状の１６０８サイズ（１．６　ｍｍ×０．８　ｍｍ×０．８　ｍｍ）　のＰＴＣサーミスタ焼結体の素体１を作製した。
【００５０】
一方、最大寸法３０〜７０μｍの範囲のジルコニアの粉粒体２に対し、図４（ａ）に示すように、塩化すず水溶液５をしみ込ませて、触媒混合物７を調製、つまり、得られた触媒混合物７の表面（ほぼ水平面にならしたもの）に塩化すず水溶液５の上部液面が丁度達するように触媒混合物７を調製した。
【００５１】
図４（ｂ）に示すように、上記素体１を、前述の実施の形態１と同様に、触媒混合物７に対し、素体１におけるＮｉめっきを形成したい部分（電極端部）にだけ漬けて、上記部分に触媒表面部１ｃを有する素体１を作製し、次に、上記素体１を引き上げ室温で乾燥した。乾燥後、図４（ｃ）に示すように、上記素体１をエアーブローし、素体１の表面に付着したジルコニアの粉粒体２を吹き飛ばして除去した。
【００５２】
その後、上記素体１を、塩化パラジウム水溶液３に、例えば１分間浸漬して上記触媒表面部１ｃを含む素体１にパラジウムを触媒成分として含浸させ。これにより、上記触媒表面部１ｃには、前述の触媒表面部１ａと同様に、すずとパラジウムとが共存していることになる。
【００５３】
続いて、上記素体１を、図５（ａ）に示すように、取り出した後、純水で洗浄し、室温で乾燥した。その後、上記素体１を、図５（ｂ）に示すように、上記素体１を無電解ニッケル液６に浸漬して、図５（ｃ）に示すように、上記触媒表面部１ｃ上に無電解ニッケル膜１ｂを形成した。
【００５４】
その後、図示しないが、上記素体１とスチールボールを混合し、バレルめっきにて上記無電解ニッケル膜１ｂ上に電解Ｓｎめっき膜を形成して、チップ型電子部品を作製した。
【００５５】
ところで、従来では、塩化すず水溶液に対し粉粒体を混合しないで、ＰＴＣサーミスタ焼結体の素体の一部を漬けると、塩化すず水溶液が、図９に示すように、表面張力により上記素体の表面に吸い上がる。このため、上記従来の方法では、チップ型電子部品における電極部の形成寸法精度が劣化し、所望する特性を有するチップ型電子部品を安定に得ることができないという問題を有していた。
【００５６】
しかしながら、本発明に係るチップ型電子部品の製造方法では、触媒混合物７に粉粒体２が含まれているので、塩化すず水溶液５における、粉粒体２への表面張力が、素体１の表面への表面張力より大きくなるため、素体１の表面への塩化すず水溶液５が吸い上がることを抑制でき、塩化すず水溶液５による塩化すずの含有領域である触媒表面部１ｃを素体１上に精度よく形成することができる。
【００５７】
このことから、本発明の方法では、素体１上での電極部分の形成精度を向上できるので、特性の良好なチップ型電子部品を安定に得ることができる。また、上記方法では、無電解ニッケル膜１ｂ上に、電解Ｓｎめっき膜を直接形成するため、電極構造の簡単なチップ型電子部品を安定に得ることができる。
【００５８】
なお、上記では、素体１としてＰＴＣサーミスタを用いた例を挙げたが、素体１の一部分に無電解めっきを行うものであれば、特に上記に限定されるものではなく、例えばＮＴＣサーミスタや、セラミックコンデンサや半導体の素体にも同様に本発明を適用することができる。
【００５９】
さらに、上記では、塩化パラジウムや塩化すずの溶液としては、水溶液を用いた例を挙げたが、上記各化合物を溶解できるものであれば他の溶媒であってもよく、例えば、アセトン、低級アルコールや、アセトンと水との混合物、低級アルコールと水との混合物等を必要に応じて用いることができる。その上、上記では、還元剤としての触媒成分として、パラジウムを用いた例を挙げたが、特に上記に限定されるものではなく、還元性を有する他の、例えば、白金やロジウムの水溶性化合物を用いることもできる。
【００６０】
さらに、素体１としてＰＴＣサーミスタを用いた上記では、無電解めっき膜として、無電解ニッケル膜１ｂを形成した例を挙げたが、上記無電解ニッケル膜１ｂに代えて、他の酸化され易いオーミックコンタクト用の金属（仕事関数の低い金属）、例えば、クロム、タングステン、チタン、アルミニウム、ホウ素やこれらの合金、亜鉛−すず合金、インジウム−ガリウム合金を用いることもできる。
【００６１】
また、素体１としてＮＴＣサーミスタを用いた場合では、オーミックコンタクト用の金属めっき膜の金属（仕事関数の高い金属）として、例えば、銀、金、銅、パラジウムや、これらの合金が好適である。
【００６２】
【発明の効果】
本発明のチップ型電子部品の製造方法は、以上のように、無電解めっき用の触媒溶液に対し難溶性の粉粒体と、上記触媒溶液とを混合した触媒混合物を調製し、上記触媒混合物に対し上記めっき形成用部分を接触させて、上記めっき形成用部分に触媒表面部を形成し、上記触媒表面部に無電解めっき膜を形成する方法である。
【００６３】
それゆえ、上記方法は、触媒溶液の素体表面への吸い上がりを粉粒体により抑制できるので、素体の端部に寸法精度よく無電解めっき膜を形成できる。このため、従来のように、電解めっき膜の形成時に素体表面上にめっき膜が伸長してショートするような低比抵抗材料の素体を用いて場合であっても、素体にコーティングすることなく、めっき膜を形成できて、特定に優れたチップ型電子部品を安定に製造でき、かつ、従来より製造工程を簡略化できて生産効率を大幅に改善できるという効果を奏する。
【００６４】
本発明のチップ型電子部品は、以上のように、無電解ニッケルめっき膜がチップ型電子部品素体に上記方法により形成され、無電解ニッケルめっき膜上に電解すずめっき膜が形成されている構成である。
【００６５】
それゆえ、上記構成は、従来のチップ型電子部品の電極構造より電極構造を簡素化できるので、製造工程を簡略化でき、生産効率を大幅に改善できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のチップ型電子部品における電極部を形成するためのめっき方法の各工程の一部を示す説明図である。
【図２】上記各工程の残りを示す説明図である。
【図３】上記各工程における、触媒溶液と、その触媒溶液に対し難溶性の粉粒体とを混合する工程を示す説明図である。
【図４】本発明の他の、チップ型電子部品における電極部を形成するためのめっき方法の各工程の一部を示す説明図である。
【図５】上記各工程の残りを示す説明図である。
【図６】従来のチップ型電子部品における電極部を形成するためのめっき方法の各工程の一部を示す斜視図である。
【図７】上記めっき方法により得られる電極部を有するチップ型電子部品の断面図である。
【図８】従来の他の、チップ型電子部品の製造方法による無電解めっき膜が形成された素体の説明図である。
【図９】上記製造方法における、触媒溶液の吸い上がりを示す説明図である。
【符号の説明】
１　　素体（チップ型電子部品素体）
１ａ　触媒表面部
１ｂ　無電解ニッケル膜（無電解めっき膜）
１ｃ　触媒表面部
２　　粉粒体
３　　塩化パラジウム水溶液
４　　触媒混合物
５　　塩化すず水溶液
６　　無電解ニッケル液（無電解めっき液）
７　　触媒混合物
【図１】
2004143537.tif 000004
【図２】
2004143537.tif 000005
【図３】
2004143537.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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