(57)【要約】【課題】　輝度残存率、高温放置特性の優れた蛍光表示管を得る。【解決手段】　蛍光表示管の蛍光体層中に、Ｐ、ＫまたはＮａから選ばれた少なくとも一つの化合物を、前記蛍光体層中に、該蛍光体に対して、０．０１〜１０ｗｔ％混合する。　前記物質を含む化合物としては、Ｋ３ＰＯ４、Ｐ２Ｏ５、Ｎａ２ＳｉＯ３がある。　前期化合物から選ばれた少なくとも一つ及び／又はＷＯ３を混合した蛍光体ペーストを製造し、該蛍光体ペーストを使用した蛍光体層からなる蛍光表示管により提供される。【選択図】　　　【図１】
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
　上面に蛍光体層の被着された陽極に低速電子線を射突させて前記蛍光体層を励起発光させる蛍光表示管において、
　前記蛍光体層には、蛍光体、及び、Ｐ、Ｋ、又はＮａの化合物から選ばれた少なくとも一つの化合物が含まれていることを特徴とする蛍光表示管。
【請求項２】
　上面に蛍光体層の被着された陽極に低速電子線を射突させて前記蛍光体層を励起発光させる蛍光表示管において、
　前記蛍光体層には、蛍光体、並びに、Ｐ、Ｋ、又はＮａの化合物から選ばれた少なくとも一つの化合物及びＷの化合物が含まれていることを特徴とする蛍光表示管。
【請求項３】
　前記Ｐ、Ｋ、又はＮａの化合物がＫ３ＰＯ４，Ｐ２Ｏ５、又はＮａ２ＳｉＯ３から選ばれた少なくとも一つの化合物であり、前記化合物が蛍光体に対して０．０１ｗｔ％〜１０．００ｗｔ％含まれていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の蛍光表示管。
【請求項４】
　上面に蛍光体層の被着された陽極に、陰極から放出された低速電子線を射突させて前記蛍光体層を励起発光させる蛍光表示管において、
　前記蛍光体層を構成する蛍光体が、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏを母体とする蛍光体であることを特徴とする請求項１〜請求項３に記載の蛍光表示管。
【請求項５】
　上面に蛍光体層の被着された陽極に、陰極から放出された低速電子線を射突させて前記蛍光体層を励起発光させる蛍光表示管において、
　前記蛍光体層を構成する蛍光体が、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体であることを特徴とする請求項１〜請求項３に記載の蛍光表示管。
【請求項６】
　上面に蛍光体層の被着された陽極に、陰極から放出された低速電子線を射突させて前記蛍光体層を励起発光させる蛍光表示管において、
　前記蛍光体層を構成する蛍光体が、Ｌｎ２Ｏ２Ｓ：Ｒｅ（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ／Ｒｅ＝Ｅｕ，Ｔｂ）であることを特徴とする請求項１〜請求項３に記載の蛍光表示管。
【請求項７】
　上面に蛍光体層の被着された陽極に、陰極から放出された低速電子線を射突させて前記蛍光体層を励起発光させる蛍光表示管において、
　前記蛍光体層を構成する蛍光体が、ＺｎＧａ２Ｏ４又はＺｎＧａ２Ｏ４：Ｍｎであることを特徴とする請求項１〜請求項３に記載の蛍光表示管。
【請求項８】
　上面に蛍光体層の被着された陽極に、陰極から放出された低速電子線を射突させて前記蛍光体層を励起発光させる蛍光表示管において、
前記蛍光体層を構成する蛍光体が、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏを母体とする蛍光体、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体、Ｌｎ２Ｏ２Ｓ：Ｒｅ（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ／Ｒｅ＝Ｅｕ，Ｔｂ）蛍光体、ＺｎＧａ２Ｏ４又はＺｎＧａ２Ｏ４：Ｍｎ蛍光体の中から選ばれた蛍光体を少なくとも１つを含む蛍光体混合物であることを特徴とする請求項１〜請求項３に記載の蛍光表示管。
【請求項９】
　ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏを母体とする蛍光体、Ｌｎ２Ｏ２Ｓ：Ｒｅ（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ／Ｒｅ＝Ｅｕ，Ｔｂ）蛍光体、ＺｎＧａ２Ｏ４又はＺｎＧａ２Ｏ４：Ｍｎ蛍光体の中から選ばれた少なくとも一つを含む蛍光体と、Ｋ３ＰＯ４，Ｐ２Ｏ５、又はＮａ２ＳｉＯ３から選ばれた少なくとも一つの化合物が前記蛍光体の総量に対して、０．０１ｗｔ％〜１０．００ｗｔ％含まれることを特徴とする蛍光体ペースト。
【請求項１０】
　ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏを母体とする蛍光体、Ｌｎ２Ｏ２Ｓ：Ｒｅ（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ／Ｒｅ＝Ｅｕ，Ｔｂ）蛍光体、ＺｎＧａ２Ｏ４又はＺｎＧａ２Ｏ４：Ｍｎ蛍光体の中から選ばれた少なくとも一つを含む蛍光体と、Ｋ３ＰＯ４，Ｐ２Ｏ５、又はＮａ２ＳｉＯ３から選ばれた少なくとも一つの化合物が前記蛍光体の総量に対して、０．０１ｗｔ％〜１０．００ｗｔ％、及び、Ｗ化合物を含むことを特徴とする蛍光体ペースト。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、蛍光表示管に関し、該蛍光表示管の発光部である蛍光体層の組成を改良した発光特性の安定な蛍光表示管に関する。
【背景技術】
【０００２】
　前記低速電子線を照射して前記蛍光体を励起発光させる場合、該低速電子線は表面から数オングストロームまでしか進入しないと言われている。従って、蛍光体の表面状態が発光特性に大きく影響する。
【０００３】
　一方、蛍光表示管の製造工程は、３５０℃〜５５０℃の陽極基板焼成工程、４５０℃〜５５０℃の封着工程、３００℃〜４００℃で蛍光表示管内部を真空に封止する封止排気工程等からなる。
　前記封止排気工程前の各工程に於いて蛍光体は種々の環境に侵され、その表面が汚染されやすく変質し易い。更に、蛍光表示管内の微量水分その他の微量残留ガスの影響により発光特性が不安定になるという問題点を有している。
【０００４】
　蛍光表示管用蛍光体にはＺｎＯ：Ｚｎを初めとする酸化物蛍光体、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、の様な硫化物蛍光体及び酸硫化物蛍光体がある。
　該酸化物蛍光体、酸硫化物蛍光体は高真空状態の蛍光表示管においても、蛍光表示管内の微量水分その他の微量残留ガス（以下微量残留ガスという）の影響により特性劣化を生じやすい。
【０００５】
　（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏを母体とする黄色発光蛍光体の場合、ＷＯ３を該蛍光体に対して０．０５〜２０．００ｗｔ％混合することで、蛍光体の表面に被着している微量残留ガスを除去して高輝度で寿命の長い蛍光表示管を提供することが開示されている。（例えば特許文献１）
　しかし、前述の（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏを母体とする黄色発光蛍光体を使用した蛍光表示管を駆動表示せずに１月以上放置した後に駆動表示すると初期輝度に対して暗くなると言う問題があり改善が求められていた。
【０００６】
　また、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏを母体とする黄色発光蛍光体とＺｎＧａ２Ｏ４蛍光体を混合した蛍光体を使用することで、環境負荷物質であるＣｄ（カドミウム）を使用せず、白色発光と長寿命とを同時に実現する技術に於いても（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏを母体とする黄色発光蛍光体を使用するが開示されている。（例えば特許文献２参照）
【０００７】
　前述の（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏを母体とする黄色発光蛍光体を使用した蛍光表示管を駆動表示せずに１月以上放置した後に駆動表示すると初期輝度に対して暗くなると言う問題を解決するために、粒径約４μｍの（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ黄色発光蛍光体に粒径０．２〜０．３４μｍのＷＯ３を０．０１〜１０．００ｗｔ％の間で変化させて添加しＷＯ３の添加量の異なる複数の蛍光体ペーストを使用した蛍光表示管について、常温１０００時間駆動した後の輝度残存率、及び高温放置特性表１に示す。
　ここで、輝度残存率とは初期輝度に対して同一駆動条件で１０００時間駆動し続けた後の輝度値の初期輝度に対する比率をいう。前記輝度残存率が７０％以上であることが求められる。
　前記輝度残存率が７０％以上の値は１００００時間駆動後の輝度が初期輝度の５０％相当するといわれている。
　また、高温放置特性とは、蛍光表示管の初期輝度と蛍光表示管を８５℃雰囲気中に７２時間保管した後の輝度の比で代替した特性をいう。初期輝度に対してが８０％以上であることが求められる。
　前記高温放置特性を表す初期輝度に対して８０％以上の値は、初期輝度と１ヶ月間蛍光表示管を常温状態で保管した該蛍光表示管を点灯したときの輝度の初期輝度に対すると言われている。
【０００８】
【表１】
2004143430.tif 000003
　
【０００９】
　表１から、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏを母体とする黄色発光蛍光体を使用した蛍光表示管の１０００時間駆動した後の輝度残存率は、ＷＯ３の添加量が少ないほど良好であるが、蛍光表示管の高温放置特性はＷＯ３の添加量が多いほど良好となり相反するものとなってしまう。
　なお、０．１ｗｔ％のＷＯ３を添加したときの蛍光表示管の輝度は２００ｃｄ／ｍ２であった。
【特許文献１】特開平５−１３２３３９号公報。
【特許文献２】特開２００１−１０７０４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
　本願発明が解決しようとする課題は、従来の蛍光表示管と比べて、初期輝度又は輝度残存率が高く、高温放置特性の良好な蛍光表示管を得る事である。
　特に（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏを母体とする黄色発光蛍光体を使用した蛍光表示管では、輝度残存率７０％以上、かつ、高温放置特性８０％以上を併せ持った発光特性の安定な蛍光表示管を得ることである。
　更に、蛍光表示管用蛍光体であるＺｎＯ：Ｚｎを初めとする酸化物蛍光体、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、の様な硫化物蛍光体及び酸硫化物蛍光体その他の低速電子線様蛍光体を使用した蛍光表示管の初期輝度、高温放置特性等の特性向上である。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
　本願発明の請求項１に掛かる発明は、上面に蛍光体層の被着された陽極に低速電子線を射突させて前記蛍光体層を励起発光させる蛍光表示管において、
　前記蛍光体層には、蛍光体、及び、Ｐ、Ｋ、又はＮａの化合物から選ばれた少なくとも一つの化合物が含まれていることを特徴とする。
　請求項２の発明は、上面に蛍光体層の被着された陽極に低速電子線を射突させて前記蛍光体層を励起発光させる蛍光表示管において、
　前記蛍光体層には、蛍光体、並びに、Ｐ、Ｋ、又はＮａの化合物から選ばれた少なくとも一つの化合物及びＷの化合物が含まれていることを特徴とする。
　請求項３の発明は、前記Ｐ、Ｋ、又はＮａの化合物がＫ３ＰＯ４，Ｐ２Ｏ５、又はＮａ２ＳｉＯ３から選ばれた少なくとも一つの化合物であり、前記化合物が蛍光体に対して０．０１ｗｔ％〜１０．００ｗｔ％化合物が含まれていることを特徴とする。
　上面に蛍光体層の被着された陽極に、陰極から放出された低速電子線を射突させて前記蛍光体層を励起発光させる蛍光表示管において、
　請求項４の発明は、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏを母体とする蛍光体であり、請求項５の発明は、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体であり、請求項６の発明は、Ｌｎ２Ｏ２Ｓ：Ｒｅ（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ／Ｒｅ＝Ｅｕ，Ｔｂ）であり、請求項７の発明は、ＺｎＧａ２Ｏ４又はＺｎＧａ２Ｏ４：Ｍｎであり、請求項８の発明は、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏを母体とする蛍光体、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体、Ｌｎ２Ｏ２Ｓ：Ｒｅ（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ／Ｒｅ＝Ｅｕ，Ｔｂ）蛍光体、ＺｎＧａ２Ｏ４又はＺｎＧａ２Ｏ４：Ｍｎ蛍光体の中から選ばれた蛍光体を少なくとも１つ含む蛍光体混合物であることを特徴とする、請求項１〜３の蛍光表示管。
　請求項９の発明はＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏを母体とする蛍光体、Ｌｎ２Ｏ２Ｓ：Ｒｅ（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ／Ｒｅ＝Ｅｕ，Ｔｂ）蛍光体、ＺｎＧａ２Ｏ４又はＺｎＧａ２Ｏ４：Ｍｎ蛍光体の中から選ばれた少なくとも一つを含む蛍光体と、Ｋ３ＰＯ４，Ｐ２Ｏ５、又はＮａ２ＳｉＯ３から選ばれた少なくとも一つの化合物が前記蛍光体の総量に対して、０．０１ｗｔ％〜１０．００ｗｔ％含まれることを特徴とする蛍光体ペーストに関する。
　請求項１０の発明は、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏを母体とする蛍光体、Ｌｎ２Ｏ２Ｓ：Ｒｅ（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ／Ｒｅ＝Ｅｕ，Ｔｂ）蛍光体、ＺｎＧａ２Ｏ４又はＺｎＧａ２Ｏ４：Ｍｎ蛍光体の中から選ばれた少なくとも一つを含む蛍光体と、Ｋ３ＰＯ４，Ｐ２Ｏ５、又はＮａ２ＳｉＯ３から選ばれた少なくとも一つの化合物が前記蛍光体の総量に対して、０．０１ｗｔ％〜１０．００ｗｔ％、及び、Ｗ化合物を含むことを特徴とする蛍光体ペーストに関する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
　本願発明者は初めに、高真空状態の蛍光表示管内の微量水分その他の微量残留ガスを除去できる材料を鋭意探索した。該材料を蛍光体層に混合して蛍光表示管の初期輝度、輝度残存率、高温放置特性等の特性向上を図り。併せて、従来から使用されているＷＯ３又はＣａＷＯ４を併用することを検討した。
　前記材料としては、所定温度(例えば８５℃)以下の雰囲気で放置したとき前記蛍光表示管の管内の微量残留ガスを吸着して、該蛍光表示管を前記温度以下(例えば２７℃)にしたとき、及び陽極を発光させた後においても、前記吸着した蛍光表示管内の微量残留ガスを吸着・保持し、且つ、蛍光表示管の特性に悪影響を及ぼさない物質であることが必要である。
【００１３】
　前記材料が封止排気工程における温度３００〜４００℃で蛍光体層を被着された陽極導体の不要な微量残留ガスを放出して真空状態とした後に３００〜４００℃以下としたとき前記蛍光表示管内の微量残留ガスを吸着・保持することで前記問題点を改善できることを見出した。
　当該物質としてＰ、Ｋ、又はＮａが好適であるが、該物質は単体では不安定である。しかし、Ｐ、Ｋ、又はＮａを含む化合物を該蛍光体に混合して蛍光体表面付着した微量残留ガスによる影響を防止できることを見出した。
　前記Ｐ、Ｋ、又はＮａを含む化合物として特に、Ｋ３ＰＯ４、Ｐ２Ｏ５、Ｎａ２ＳｉＯ３が有効である。
　Ｋ３ＰＯ４の他、Ｋ２ＣｒＯ４，Ｋ２ＣｒＯ７，Ｋ２ＳＯ４，Ｋ２ＭｏＯ４，ＫＶＯ３，Ｋ２ＷＯ４，Ｋ２Ｏ・２Ｂ２Ｏ３，ＫＣｒ（ＳＯ４）２，ＫＢｒ,ＫＢｒＯ３，Ｋ２ＣＯ３，Ｋ２Ｃ２Ｏ４，ＫＩ，ＫＩＯ３，ＫＮＯ３，２Ｐ２Ｏ７，ＫＯＨ，Ｋ２Ｓ等も同様な効果が得られる。
　Ｐ２Ｏ５の他、Ｈ３ＰＯ４，ＰＢｒ３，ＰＯＢｒ３，Ｃａ３（ＰＯ４）２，Ｎａ２ＨＰＯ４，Ｆｅ３（ＰＯ４），ＫＨ２ＰＯ４，ＮａＨ２ＰＯ４等も同様な効果が得られる。
　Ｎａ２ＳｉＯ３の他、ＮａＡｌＯ２，Ｎａ２Ａｌ２２Ｏ３４，Ｎａ２ＢＯ２，Ｎａ２ＣｒＯ４，Ｎａ２ＭｏＯ４，５Ｎａ２・１２ＭｏＯ３，Ｎａ２ＳｅＯ３，ＮａＢｒ，ＮａＢｒＯ３，ＮａＣＯ３，ＮａＨＣＯ３，Ｎａ２Ｃ２Ｏ４，ＮａＩ，ＮａＮＯ３，ＮａＰＯ３，Ｎａ２ＳＯ４，ＮａＯＨ等も同様な効果が得られる。
【００１４】
　Ｐ、Ｋ、Ｎａの少なくとも一つの化合物及び／又はＷ化合物を含む蛍光体層を３００〜５５０℃の焼成工程における酸化・還元等の化学反応によっても、該物質Ｐ、Ｋ、Ｎａ又はＷは残存して高真空状態の蛍光表示管内の微量残留ガスを除去することが出来ることを時実験により確認した。
　具体的には、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体を使用した蛍光表示管の場合に、Ｋ３ＰＯ４を添加したとき及びＫ３ＰＯ４とＷＯ３を併せて添加したときに初期輝度、輝度残存率、及び高温放置特性が供に向上出来る事を見出した。
　更に、ＺｎＯ：Ｚｎ等の酸化物蛍光体、Ｌａ２Ｏ２Ｓ:Ｅｕ等の硫酸化物蛍光体と前記Ｋ３ＰＯ４を混入した蛍光体ペーストを使用した蛍光表示管についての初期輝度、高温放置特性が供に向上出来ることを見出した。
　以上から、Ｐ、Ｋ、Ｎａの少なくとも一つの化合物及び／又はＷ化合物を混入した蛍光体層を蛍光表示管に使用することで、初期輝度又は輝度残存率が高く、高温放置特性の良好な蛍光表示管を得られることを見出した。
【実施例１】
【００１５】
　以下に、製造工程中及び／又は高真空に保たれた蛍光表示管内に於いて、高真空状態の蛍光表示管内の微量残留ガスの影響の受けやすいと言われている（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体を使用した蛍光表示管を製造した。併せて、ＺｎＯ：Ｚｎその他の酸化物蛍光体、硫酸化物蛍光体についても該蛍光体を使用した蛍光表示管を製造した実施例に添って本願発明について詳述する。
【００１６】
　Ｋ３ＰＯ４を添加した蛍光体層を有する蛍光表示管。
　粒径約４μｍの（ＺｎＭｇ）Ｏ黄色発光蛍光体と、粒径１０μｍ以下のＫ３ＰＯ４を該蛍光体に対して０．０１〜１０．００ｗｔ％の間で変化させて添加した混合物を作成した。
　前記（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体にＫ３ＰＯ４等から成る混合物６０ｗｔ％と、エチルセルロースをブチルカルビトールに溶解させたビヒクル４０ｗｔ％を混練して蛍光体ペーストを作成する。
　前記各ペーストを蛍光表示管の陽極基板上の陽極導体に塗布して４５０℃で焼成することにより陽極基板が完成する。次いで、内部に制御電極と陰極を設けた状態で前記陽極基板と容器部で外囲器を組み立てて封着後、内部を真空に排気して封止して蛍光表示管が完成する。
【実施例２】
【００１７】
　ＷＯ３とＫ３ＰＯ４を添加した蛍光体層を有する蛍光表示管。
　粒径約４μｍの（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体に、粒径０．２〜０．３μｍのＷＯ３を該蛍光体に対して０．０５ｗｔ％添加し、さらに、粒径１０μｍ以下のＫ３ＰＯ４を該蛍光体に対して０．０１〜１０．００ｗｔ％の間で変化させて添加した蛍光体ペーストを実施例１と同様に作成した。
　前記各ペーストを蛍光表示管の陽極基板上の陽極導体に塗布して４５０℃で焼成して陽極基板が完成する。次いで、内部に制御電極と陰極を設けた状態で前記陽極基板と容器部で外囲器を組み立てて封着後、内部を真空に排気して封止する。
【００１８】
【表２】
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【００１９】
　表２に、Ｋ３ＰＯ４のみを（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体に添加した蛍光表示管、及びＫ３ＰＯ４とＷＯ３を併用した蛍光表示管の輝度残存率、及び高温放置特性を示す。
【００２０】
　ここで、２重丸印としたのは蛍光表示管の輝度残存率が７０％以上であるＫ３ＰＯ４の蛍光体に対する添加量の場合であり蛍光表示管の輝度残存率として十分な場合を示している。１重丸印としたのはＷＯ３のみを１０ｗｔ％添加した場合（表１）の輝度残存率よりも高い改善されたＫ３ＰＯ４の蛍光体に対する添加量の場合を示している。
【００２１】
　表２から、実施例１のＫ３ＰＯ４のみを０．０１〜１．００ｗｔ％添加したとき、１０００時間駆動した後の輝度残存率はいずれも７０％以上であり、従来の蛍光表示管の輝度残存率(表１)よりも良好である事が解かる。（２重丸印）
　Ｋ３ＰＯ４のみを（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体に対して２．００〜１０．００ｗｔ％添加したときでも従来の蛍光表示管の輝度残存率を示す表１よりも良好であることが解かる。（１重丸印）
　Ｋ３ＰＯ４のみを（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体に対して０．１０〜１０．００ｗｔ％添加したとき高温放置特性は８０％以上であり、従来のＷＯ３のみを添加した場合よりも優れていることが解かる。(２重丸印) 
　Ｋ３ＰＯ４のみを蛍光体に対して０．０１〜０．０５ｗｔ％添加したときでも従来の蛍光表示管の輝度残存率を示す表１よりも良好である事が解かる。（１重丸印）
　以上から、Ｋ３ＰＯ４のみを蛍光体に対して０．０１〜１０．００ｗｔ％添加した蛍光体層が形成された蛍光表示管においては、従来のＷＯ３のみを（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体に対して０．０１〜１０．００ｗｔ％添加したときの輝度残存率、高温放置特性（表１）と比較して改善された蛍光表示管が得られた事が解かる。
　特に、Ｋ３ＰＯ４のみを（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体に対して０．１０〜１．００ｗｔ％添加したときは、輝度残存率、高温放置特性、供に従来のＷＯ３のみを添加したときの輝度残存率、高温放置特性（表１）と比較して、特性が著しく向上した蛍光表示管が得られた。
【００２２】
　実施例２は、ＷＯ３を（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体に対して０．０５ｗｔ％で一定として、Ｋ３ＰＯ４を蛍光体に対して０．０１〜０．４０ｗｔ％の範囲で添加したときの１０００時間駆動後の輝度残存率をしめしたものである。実施例２の輝度残存率は７０％以上であり、従来の蛍光表示管の輝度残存率（表１）よりも良好である事が解かる。（２重丸印）
　Ｋ３ＰＯ４を（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体に対して１．００〜１０．００ｗｔ％の範囲で追加添加したときでも従来の蛍光表示管の輝度残存率（表１）よりも良好である事が解かる。（1重丸印）
　Ｋ３ＰＯ４を（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体に対して０．０５〜１０．００ｗｔ％の範囲で追加添加したときの高温放置特性は８０％以上であり、従来ＷＯ３のみを添加したときよりも良好である事が解かる。（２重丸印）
　Ｋ３ＰＯ４を（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体に対して０．０１ｗｔ％の追加添加したときでも従来の蛍光表示管の輝度残存率を示す（表１）よりも良好である事が解かる（1重丸印）
　以上から、ＷＯ３を（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体に対して０．０５ｗｔ％、並びに、Ｋ３ＰＯ４のみを（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体に対して０．０１〜１０．００ｗｔ％添加した蛍光体層が形成された蛍光表示管においては、従来のＷＯ３のみを（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体に対して０．０１〜１０．００ｗｔ％添加したときの輝度残存率、高温放置特性供に（表１）と比較して優れた蛍光表示管が得られた。
　特に、ＷＯ３を（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体に対して０．０５ｗｔ％、並びに、Ｋ３ＰＯ４を（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体に対して０．０５〜１．００ｗｔ％添加したときは、輝度残存率、高温放置特性、供に従来のＷＯ３のみを添加したときの輝度残存率、高温放置特性（表１）と比較して、輝度残存率、および高温放置特性が供に著しく向上した蛍光表示管が得られた。
　なお、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体に対して０．０５ｗｔ％のＷＯ３と、該蛍光体に対してＫ３ＰＯ４を０．０５％添加したときの蛍光表示管の輝度は３００ｃｄ／ｍ２であり、従来よりも５０％初期輝度が向上した。
【００２３】
　前記Ｋ３ＰＯ４の他、Ｋ２ＣｒＯ４,Ｋ２ＣｒＯ７，Ｋ２ＳＯ４，Ｋ２ＭｏＯ４，ＫＶＯ３，Ｋ２ＷＯ４，Ｋ２Ｏ・２Ｂ２Ｏ３，ＫＣｒ（ＳＯ４）２，ＫＢｒ，ＫＢｒＯ３，Ｋ２ＣＯ３，Ｋ２Ｃ２Ｏ４，ＫＩ，ＫＩＯ３，ＫＮＯ３，Ｋ２Ｐ２Ｏ７，ＫＯＨ，Ｋ２Ｓ等も同様に効果が得られた。
【００２４】
　前記実施例１、２から（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体にＫ３ＰＯ４を添加したとき及びＫ３ＰＯ４とＷＯ３を併せて添加したときに輝度残存率、及び高温放置特性が供に向上した事が確認できた。
　更に、初期輝度も従来と比べて５０％以上向上する事が出来た。
　前記の改善から、ＺｎＯ：Ｚｎ等の酸化物蛍光体、Ｌａ２Ｏ２Ｓ:Ｅｕ等の硫酸化物蛍光体を使用した蛍光表示管に於いても（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体と同様に、初期輝度及び高温放置特性の向上が図られるものと推慮して、
　ＺｎＯ：Ｚｎ等の酸化物蛍光体、Ｋ３ＰＯ４を添加したとき及びＫ３ＰＯ４とＷＯ３を併せて添加したときの初期輝度及び高温放置特性を評価した結果を以下に示す。
【実施例３】
【００２５】
　ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体に粒径１０μｍ以下のＫ３ＰＯ４を０．０１〜１０．００ｗｔ％の割合で添加混合後、この蛍光体６０ｗｔ％とエチルセルロースをブチルカルビトールに溶解させたビヒクル４０％をよく混練して蛍光体ペーストを作製した。
　そして、前記蛍光体ペーストを使用して、実施例1と同様の形成方法で蛍光表示管を作製例を以下に示す。
　更に、ＷＯ３を０．１ｗｔ％添加したＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体についても同様の形成方法で蛍光表示管を作製した場合の初期輝度ならびに高温放置特性を表３に示す。
【００２６】
【表３】
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【００２７】
　この表から、Ｋ３ＰＯ４を単独で添加することで、さらにＷＯ３と併せて添加することにより、輝度、高温放置特性が優れた蛍光表示管が得られた。
　前記蛍光表示管を破壊し蛍光面を表面分析したところ、ＺｎとＯならびに微量のＫ、Ｐが検出された。以上から、Ｋ及びＰが蛍光表示管の初期輝度、高温放置特性の向上に貢献しているのが確認できた。
【実施例４】
【００２８】
　Ｌｎ２Ｏ２Ｓ：Ｒｅ（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ／Ｒｅ＝Ｅｕ，Ｔｂ）蛍光体と、導電剤としてのＺｎＯを添化した蛍光体層を使用した蛍光表示管と、前記蛍光体層Ｋ３ＰＯ４を蛍光体に対して０．０５ｗｔ％の割合で添加した形成した蛍光表示管を作成して初期輝度を測定した結果を表４に示す。
【００２９】
【表４】
2004143430.tif 000006
【００３０】
　表４から、Ｌｎ２Ｏ２Ｓ：Ｒｅ（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ／Ｒｅ＝Ｅｕ，Ｔｂ）蛍光体と、導電剤としてのＺｎＯを添化した蛍光体層を使用した蛍光表示管と比べて、Ｌｎ２Ｏ２Ｓ：Ｒｅ（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ／Ｒｅ＝Ｅｕ，Ｔｂ）蛍光体と、導電剤としてのＺｎＯを添化した蛍光体層に、Ｋ３ＰＯ４を蛍光体に対して０．０５ｗｔ％の割合で添加した形成した蛍光表示管の初期輝度が大幅に改善された事が解かる。
【００３１】
【表５】
2004143430.tif 000007
【００３２】
　Ｌａ２Ｏ２Ｓ:Ｅｕ蛍光体を使用した場合を表５に示す。前記蛍光体に導電剤としてＺｎＯを該蛍光体に対して１０ｗｔ％混合し、同様にＫ３ＰＯ４を該蛍光体に対して０．０１〜１０．００ｗｔ％の割合で添加混合後、前記混合物６０ｗｔ％とエチルセルロースをブチルカルビトールに溶解させたビヒクル４０ｗｔ％をよく混練して蛍光体ペーストを作製して、実施例1と同様にして蛍光表示管を作製したところ初期特性が向上した。
　この添加量は０．００５ｗｔ％〜２．００ｗｔ％位の範囲良好であり、５．００ｗｔ％を超えると輝度の低下が見られた。
　特に、Ｋ３ＰＯ４を蛍光体に対して０．０５ｗｔ％の割合で添加混合後初期特性を評価したところ表４に示す様に１４２％向上した。
　また、前記蛍光体の蛍光面をＥＳＣＡ分析したところ、母体を構成するＳのシグナルに対する蛍光体の表面酸化を示すＳＯ４に関係したシグナルの比がＫ３ＰＯ４を添加しないものは３５．０％であったのに対し、添加したものは１０．００％と低減していた。
　以上から、Ｋ３ＰＯ４がＬａ２Ｏ２Ｓ:Ｅｕ蛍光体に導電剤としてＺｎＯを蛍光体表面に付着した高真空状態の蛍光表示管内の微量水分その他の微量残留ガスによる劣化を防止しているものと推慮出来る。
【実施例５】
【００３３】
　同様に他の酸硫化物蛍光体であるＬａ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ，Ｌｕ２Ｏ２：Ｅｕ，Ｃｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｌｕ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ，Ｇｄ２Ｏ２ＯＳ：ＴｂにＫ３ＰＯ４を０．０２ｗｔ％添加した蛍光体を蛍光表示管に実装し評価した。
　実施例１と同様に評価したところ、添加しないものに比べ輝度の改善が得られた。
【実施例６】
【００３４】
　次にＰ、Ｋ、又はＮａの化合物として、実施例１のＫ３ＰＯ４に代えて、Ｐ２Ｏ５を混合して、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体とＰ２Ｏ５を主とする蛍光体ペーストを作成した。
　その他は実施例１と同様に蛍光表示管を作成した。
【実施例７】
【００３５】
　（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体、実施例２のＫ３ＰＯ４に代えて、Ｐ２Ｏ５を混合してＰ２Ｏ５を混合して、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体とＰ２Ｏ５とＷＯ３を主とする蛍光体ペーストを作成した。
　その他は実施例２と同様に蛍光表示管を作成した。
【００３６】
【表６】
2004143430.tif 000008
【００３７】
　実施例６及び実施例７の蛍光表示管について、常温１０００時間駆動後の輝度残存率、及び高温放置特性を測定した結果を表５に示す。
【００３８】
　表５から、実施例６のＰ２Ｏ５のみを蛍光体に対して０．０１〜２．００ｗｔ％添加したときの輝度残存率７０％以上であり、従来の蛍光表示管の輝度残存率（表１）よりも良好である事が解かる。（２重丸印）
　Ｐ２Ｏ５のみを蛍光体に対して５．００〜１０．００ｗｔ％添加したときでも従来の蛍光表示管の輝度残存率を示す表１よりも良好である事が解かる。（１重丸印）
　Ｐ２Ｏ５のみを蛍光体に対して０．４０〜１０．０ｗｔ％添加したとき高温放置特性は、いずれも８０％以上であり、従来のＷＯ３のみを添加した場合より優れている。（２重丸印）
　Ｐ２Ｏ５のみを蛍光体に対して０．０１〜０．１０ｗｔ％添加したときでも従来の蛍光表示管の輝度残存率を示す表１よりも良好である事が解かる。（１重丸印）
　以上から、Ｐ２Ｏ５のみを蛍光体に対して０．０１〜２．００ｗｔ％添加した蛍光体層が形成された蛍光表示管においては、従来のＷＯ３のみを蛍光体に対して０．０１〜２．００ｗｔ％添加したときの輝度残存率、高温放置特性（表１）と比較して優れた蛍光表示管が得られた。
　特に、Ｐ２Ｏ５を蛍光体に対して０．４０〜１．００ｗｔ％添加したときは、輝度残存率、高温放置特性、供に従来のＷＯ３のみを添加したときの輝度残存率、高温放置特性（表１）と比較して、特性が著しく向上し従来から望まれた特性の蛍光表示管が得られた。
　特に、Ｐ２Ｏ５のみを蛍光体に対して０．４０〜１．００ｗｔ％添加したとき、１０００時間駆動後の輝度残存率、高温放置特性、供に従来のＷＯ３のみの添加よりも特性が向上している事が解かる。
【００３９】
　実施例７のＷＯ３を蛍光体に対して０．０５ｗｔ％で一定として、Ｐ２Ｏ５を蛍光体に対して０．０１〜０．４０ｗｔ％の範囲で添加したときの輝度残存率は７１％以上であり、従来の蛍光表示管の輝度残存率（表１）よりも良好である事が解かる。（２重丸印）
　Ｐ２Ｏ５を蛍光体に対して０．４０〜１０．００ｗｔ％の範囲で追加添加したときでも従来の蛍光表示管の輝度残存率（表１）よりも良好である事が解かる。（１重丸印）
　Ｐ２Ｏ５を蛍光体に対して０．１０〜１０．０ｗｔ％の範囲で追加添加したときの高温放置特性は８３％以上であり、従来よりも良好である事が解かる。（２重丸印）
　Ｐ２Ｏ５を蛍光体に対して０．０１〜０．０５ｗｔ％の追加添加したときでも従来の蛍光表示管の輝度残存率を示す表１よりも良好である事が解かる。（１重丸印）
　以上から、ＷＯ３を蛍光体に対して０．０５ｗｔ％、並びに、Ｐ２Ｏ５のみを蛍光体に対して０．０１〜１０．００ｗｔ％添加した蛍光体層が形成された蛍光表示管においては、従来のＷＯ３のみを蛍光体に対して０．０１〜１０．００ｗｔ％添加したときの輝度残存率、高温放置特性（表１）と比較して優れた蛍光表示管が得られた。
　特に、蛍光体に対して０．０５ｗｔ％のＷＯ３と、Ｐ２Ｏ５を蛍光体に対して０．１０、０．４０ｗｔ％添加したとき、輝度残存率、高温放置特性、供に従来のＷＯ３のみの添加よりも特性が向上した特性の蛍光表示管が得られた。
　なお、０．１０ｗｔ％のＷＯ３と、Ｐ２Ｏ５を添加する事で、Ｐ２Ｏ５のみを０．０５％添加したときの蛍光表示管の輝度は２００ｃｄ／ｍ２であり、従来と同等の初期輝度であった。
【００４０】
　前記Ｐ２Ｏ５の他、Ｈ３ＰＯ４，ＰＢｒ３，ＰＯＢｒ３，Ｃａ３（ＰＯ４）２，Ｎａ２ＨＰＯ４，Ｆｅ３（ＰＯ４），ＫＨ２ＰＯ４，ＮａＨ２ＰＯ４等も同様に効果が得られた。
【実施例８】
【００４１】
　（実施例８）（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体に、実施例１のＫ３ＰＯ４に代えて、Ｎａ２ＳｉＯ３を混合して、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体とＮａ２ＳｉＯ３を主とする蛍光体ペーストを作成した。
　その他は実施例１と同様に蛍光表示管を作成した。
【実施例９】
【００４２】
　（実施例９）（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ黄色発光蛍光体に、実施例２のＫ３ＰＯ４に代えて、Ｎａ２ＳｉＯ３を混合して、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体とＮａ２ＳｉＯ３とＷＯ３を主とする蛍光体ペーストを作成した。
　その他は実施例２と同様に蛍光表示管を作成した。
　前記実施例８及び実施例９の蛍光表示管についての輝度残存率及び高温放置特性を測定した結果を表６に示す。
【００４３】
【表７】
2004143430.tif 000009
【００４４】
　Ｎａ２ＳｉＯ３のみを（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏを母体とする黄色発光蛍光体に添加したときの輝度残存率、高温放置特性及びＮａ２ＳｉＯ３とＷＯ３を併用したときのの輝度残存率、高温放置特性を示す。
【００４５】
　表６から、実施例８のＮａ２ＳｉＯ３のみを蛍光体に対して０．０１〜０．４０ｗｔ％添加したときの輝度残存率は７０％以上であり、従来の蛍光表示管の輝度残存率（表１）よりも良好である事が解かる。（２重丸印）
　Ｎａ２ＳｉＯ３のみ蛍光体に対して１〜１０ｗｔ％添加したときでも従来の蛍光表示管の輝度残存率（表１）よりも良好である事が解かる。（１重丸印）
　Ｎａ２ＳｉＯ３のみを蛍光体に対して０．１〜１０．０ｗｔ％添加したとき高温放置特性は、いずれも８０％以上であり、従来よりも優れている事が解かる。（２重丸印）
　Ｎａ２ＳｉＯ３のみを蛍光体に対して０．０１〜０．０５ｗｔ％添加したときでも従来の蛍光表示管の輝度残存率（表１）よりも良好である事が解かる。（１重丸印）
　以上から、Ｎａ２ＳｉＯ３のみを蛍光体に対して０．１０〜１０．００ｗｔ％添加した蛍光体層が形成された蛍光表示管においては、従来のＷＯ３のみを蛍光体に対して０．０１〜１０．００ｗｔ％添加したときの輝度残存率、高温放置特性供に（表１）と比較して優れた蛍光表示管が得られた。
　特に、Ｎａ２ＳｉＯ３を０．１〜０．４ｗｔ％添加したとき、輝度残存率、高温放置特性、供に従来のＷＯ３のみの添加よりも特性が向上した特性の蛍光表示管が得られた。
【００４６】
　実施例９のＷＯ３を蛍光体に対して０．０５ｗｔ％で一定として、Ｎａ２ＳｉＯ３を蛍光体に対して０．０１〜０．４０ｗｔ％の範囲で添加したときの輝度残存率は７０％以上であり、従来の蛍光表示管の輝度残存率（表１）よりも良好である事を示している。（２重丸印）
　Ｎａ２ＳｉＯ３を蛍光体に対して１．００〜１０．００ｗｔ％の範囲で追加添加したときでも従来の蛍光表示管の輝度残存率（表１）よりも良好である事が解かる。（１重丸印）
　Ｎａ２ＳｉＯ３を蛍光体に対して０．１０〜１０．００ｗｔ％の範囲で追加添加したときの高温放置特性は８８％以上であり、従来よりも良好である事が解かる。（２重丸印）
　Ｎａ２ＳｉＯ３を蛍光体に対して０．０１〜０．０５ｗｔ％の追加添加したときでも従来の蛍光表示管の輝度残存率（表１）よりも良好である事が解かる。（１重丸印）
　以上から、ＷＯ３を蛍光体に対して０．０５ｗｔ％、並びに、Ｎａ２ＳｉＯ３のみを蛍光体に対して０．０１〜１０．００ｗｔ％添加した蛍光体層が形成された蛍光表示管においては、従来のＷＯ３のみを蛍光体に対して０．０１〜１０．００ｗｔ％添加したときの輝度残存率、高温放置特性（表１）と比較して優れた蛍光表示管が得られた。
　特に、ＷＯ３を０．０５ｗｔ％とＮａ２ＳｉＯ３とを０．１０ｗｔ％添加したとき、１０００時間駆動後の輝度残存率、高温放置特性、供に従来のＷＯ３のみの添加よりも特性が向上した特性の蛍光表示管が得られた。
　なお、０．０５ｗｔ％のＷＯ３と、Ｎａ２ＳｉＯ３を添加する事で、Ｎａ２ＳｉＯ３を０．０５ｗｔ％添加したときの蛍光表示管の輝度は２００ｃｄ／ｍ２であり、従来と同等の初期輝度が得られた。
【実施例１０】
【００４７】
　（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体に、実施例１のＫ３ＰＯ４に代えて、Ｋ２ＣＯ３を混合して、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体とＫ２ＣＯ３を主とする蛍光体ペーストを作成した。
　その他は実施例１と同様に蛍光表示管を作成した。
【実施例１１】
【００４８】
　（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ黄色発光蛍光体に、実施例２のＫ３ＰＯ４に代えて、Ｋ２ＣＯ３を混合して、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体とＫ２ＣＯ３とＷＯ３を主とする蛍光体ペーストを作成した。
　その他は実施例２と同様に蛍光表示管を作成した。
【００４９】
【表８】
2004143430.tif 000010
【００５０】
　Ｋ２ＣＯ３のみを（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏを母体とする黄色発光蛍光体に添加したときの１０００時間駆動後の輝度残存率、高温放置特性及びＫ２ＣＯ３とＷＯ３を併用したときの１０００時間駆動後の輝度残存率、高温放置特性を示す。
【００５１】
　表７から、実施例１０のＫ２ＣＯ３のみを蛍光体に対して０．０１〜１．００ｗｔ％添加したときの輝度残存率は７０％以上であり、従来の蛍光表示管の輝度残存率（表１）よりも良好である事が解かる。（２重丸印）
　Ｋ２ＣＯ３のみを２．００〜１０．００ｗｔ％添加したときでも従来の蛍光表示管の輝度残存率を示す表１よりも良好である事が解かる。（１重丸印）
　Ｋ２ＣＯ３のみを０．１０〜１０．０ｗｔ％添加したとき高温放置特性は、いずれも８５％以上であり、従来よりも優れている事が解かる。（２重丸印）
　Ｋ２ＣＯ３のみを０．０１〜０．０５ｗｔ％添加したときでも従来の蛍光表示管の輝度残存率を示す表１よりも良好である事が解かる。（１重丸印）
　以上から、Ｋ２ＣＯ３のみを蛍光体に対して０．１０〜１０．００ｗｔ％添加した蛍光体層が形成された蛍光表示管においては、従来のＷＯ３のみを蛍光体に対して０．０１〜１０．００ｗｔ％添加したときの輝度残存率、高温放置特性供に（表１）と比較して優れた蛍光表示管が得られた。
　特に、Ｋ２ＣＯ３を０．０５〜１０．０ｗｔ％添加したとき、１０００時間駆動後の輝度残存率、高温放置特性、供に従来のＷＯ３のみの添加よりも特性が向上した特性の蛍光表示管が得られた。
【００５２】
　実施例１１のＷＯ３を０．０５ｗｔ％で一定として、Ｋ２ＣＯ３を０．０１〜０．１０ｗｔ％の範囲で添加したときの輝度残存率は７０％以上であり、従来の蛍光表示管の輝度残存率（表１）よりも良好である事が解かる。（２重丸印）
　Ｋ２ＣＯ３を０．４０〜１０．００ｗｔ％の範囲で追加添加したときでも従来の蛍光表示管の輝度残存率（表１）よりも良好である事が解かる。（１重丸印）
　Ｋ２ＣＯ３を０．０１〜０．４０ｗｔ％の範囲で追加添加したときの高温放置特性は８０％以上であり、従来よりも良好である事が解かる。（２重丸印）
　Ｋ２ＣＯ３を０．０１ｗｔ％の追加添加したときでも従来の蛍光表示管の輝度残存率を示す表１よりも良好である事が解かる。（１重丸印）
　以上から、ＷＯ３を蛍光体に対して０．０５ｗｔ％、並びに、Ｋ２ＣＯ３のみを蛍光体に対して０．０１〜１０．００ｗｔ％添加した蛍光体層が形成された蛍光表示管においては、従来のＷＯ３のみを蛍光体に対して０．０１〜１０．００ｗｔ％添加したときの輝度残存率、高温放置特性（表１）と比較して優れた蛍光表示管が得られた。
　特に、ＷＯ３を蛍光体に対して０．０５ｗｔ％とＫ２ＣＯ３を蛍光体に対して０．１０ｗｔ％添加したとき、１０００時間駆動後の輝度残存率、高温放置特性、供に従来のＷＯ３のみの添加よりも特性が向上従来から望まれていた特性の蛍光表示管が得られた。
　なお、０．０５ｗｔ％のＷＯ３と、Ｋ２ＣＯ３を添加する事で、Ｋ２ＣＯ３を０．０５ｗｔ％添加したときの蛍光表示管の輝度は２００ｃｄ／ｍ２であり、従来と同等の初期輝度が得られた。
【００５３】
　前記の実施例１、２、６〜１１で作成した蛍光表示管いついて、蛍光表示管の高温放置特性が７０％となる様な組成の蛍光体組成を使用した蛍光表示管を作成して、輝度残存率の結果を図１に示す。
　図１から、本願発明の全ての物質が高温放置特性、の輝度残存率特性は共にＷＯ３単独のときよりも改善している事が解かる。
【００５４】
　図２は、前記の実施例１〜実施例６で作成した蛍光表示管について、輝度残存率が７０％以下となる蛍光表示管を作成して、常温１０００時間駆動した後の輝度残存率を示している。
　従って、図２から本願発明の全ての物質が高温放置特性、輝度残存率特性供にＷＯ３のみよりも改善している事がわかる。
【実施例１２】
【００５５】
　実施例１０の蛍光体にＫ３ＰＯ４の替わりにＰ２Ｏ５を０．０２ｗｔ％添加した蛍光体ペーストを作成して蛍光表示管に実装して評価したところ、初期輝度で１７５％、高温放置特性は従来の５３％に対して、９０％に改善された。
【実施例１３】
【００５６】
　前述の蛍光体以外にＺｎＧａ２Ｏ４青色蛍光体、Ｚｎ（Ｇａ，Ａｌ）２Ｏ４：Ｍｎで表される蛍光体でもＫ３ＰＯ４を０．００１％添加し同様に蛍光表示管に試作評価した結果、高温放置の残存率がＺｎＧａ２Ｏ４青色蛍光体で８５％から９５％、Ｚｎ（Ｇａ，Ａｌ）２Ｏ４：Ｍｎでは７０％が９５％に各々改善された。
　このように蛍光表示管製造工程や蛍光表示管完成後の高真空状態の蛍光表示管内の微量水分その他の微量残留ガスの影響を受けやすい蛍光体には効果的であることが解かる。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
　蛍光体層中に前記Ｗ化合物であるＷＯ３またはＣａＷＯ４の代わりに、Ｐ、Ｋ、またはＮａから選ばれた少なくとも一つの物質を混入させることで、前記蛍光体層表面の高真空状態の蛍光表示管内の微量水分その他の微量残留ガスを更に吸着して蛍光輝度低下を解消できる蛍光表示管を供給する事が出来た。
　また、Ｗ化合物であるＷＯ３またはＣａＷＯ４中に加えて、Ｐ、ＫまたはＮａから選ばれた少なくとも一つの物質を混入させる事で、さらに蛍光体層表面の高真空状態の蛍光表示管内の微量水分その他の微量残留ガスを更に吸着して発光輝度低下を解消できる蛍光表示管を供給する事が出来た。
　上面に蛍光体層の被着された陽極に、陰極から放出された低速電子線を射突させて、前記蛍光体層を励起発光させて表示を行う蛍光表示管において、蛍光体層を構成する蛍光体が、高真空状態の蛍光表示管内の微量水分その他の微量残留ガスに敏感な蛍光体である場合に最適であり、特に前記蛍光体層を構成する蛍光体が、ＺｎＭｇＯ系、ＺｎＯ：Ｚｎ系、Ｌｎ２Ｏ２Ｓ系、Ｇａ２Ｏ２Ｓ系、ＳｒＴｉＯ３系、ＺｎＳ：Ｚｎ系蛍光体である場合にも有効である事は言うまでもない。
　（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏを母体とする蛍光体とＺｎＧａ２Ｏ４蛍光体を混合した蛍光体とし、該蛍光体層中に、Ｐ、ＫまたはＮａを含む化合物を、該蛍光体に対して、０．００５〜１０ｗｔ％混合することで環境負荷物質であるカドミウムを含まない、発光特性が安定で長寿命の白色蛍光表示管を供給する事が出来た。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本願の蛍光表示管のＷＯ３を含まない場合輝度残存率特性を示す図。
【図２】本願の蛍光表示管のＷＯ３を含む場合の輝度残存率特性を示す図。
【図１】
2004143430.tif 000011
【図２】
2004143430.tif 000012