(57)【要約】【課題】高反射率、高モジュレーション、及び高感度を有する記録膜を開発し、再生信号のＣ／Ｎが良好で耐候性に優れた光記録媒体を安価に得ること。【解決手段】レーザの照射により記録・再生を行う光記録媒体において、記録層はレーザ照射側に主にＩｎからなる薄膜（第１層）があり、その次に主にＧｅとＴｅからなる薄膜（第２層）が位置する構成であって、前記第２層に酸素を導入する。また、酸素を第２層でなく第１層に導入しても良い。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザの照射により記録・再生を行う光記録媒体において、記録層はレーザ照射側に主にＩｎからなる薄膜（第１層）があり、その次に主にＧｅとＴｅからなる薄膜（第２層）が位置する構成であって、前記第２層に酸素が含有されていることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
レーザの照射により記録・再生を行う光記録媒体において、記録層はレーザ照射側に主にＩｎからなる薄膜（第１層）があり、その次に主にＧｅとＴｅからなる薄膜（第２層）が位置する構成であって、前記第１層に酸素が含有されていることを特徴とする光記録媒体。
【請求項３】
前記第２層に含まれる酸素の割合（ｘ）が０．０１＜ｘ＜３０（ａｔｍ％）であることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項４】
前記第１層に含まれる酸素の割合（ｙ）が０．０１＜ｙ＜３０（ａｔｍ％）であることを特徴とする請求項２記載の光記録媒体。
【請求項５】
前記第２層のＧｅとＴｅの原子比が５：９５から３０：７０の範囲であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項６】
前記第１層の膜厚が１００Åから８００Åの範囲であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項７】
前記第２層の膜厚が２００Åから１０００Åの範囲であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項８】
前記第２層に添加される元素がＳｉ、Ｓｅ、Ｓｂ及びＢｉの群から選ばれる元素の少なくとも１種が含有されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項９】
前記第１層に添加される元素がＳｎ、Ａｇ及びＢｉの群から選ばれる元素の少なくとも１種が含有されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項１０】
前記第１層と前記第２層との組み合わせを記録層組とした場合、複数の前記記録層組はその間にレーザ透過性媒質を有し積層されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項１１】
前記レーザ透過性媒質が誘電体であることを特徴とする請求項１０記載の光記録媒体。
【請求項１２】
前記レーザ透過性媒質が接着性媒質であることを特徴とする請求項１０記載の光記録媒体。
【請求項１３】
前記第２層上または前記複数の記録層組が積層されている場合には最上の記録層組の第２層上に、保護層が積層されていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はエネルギービームの照射により記録層に光学的な変化を生じさせ、それにより記録・再生が行われる光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
レーザビームの照射により記録可能な光記録媒体としてＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ等の追記型光記録媒体などがある。これらの光記録媒体はＣＤ−ＲＯＭあるいはＤＶＤ−ＲＯＭと再生互換性があり、小規模の配布メディアや保存用の媒体として使用されている。しかし、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒは有機色素の塗工工程を有するためＲＯＭの工程と比較して格段に製造コストが高くなるという問題があった。そこで、ＣＤ−ライトワンス（以下ＷＯという）、ＤＶＤ−ＷＯメディアが開発されてきた。
【０００３】
ＷＯメディアには穴あけタイプ、相変化タイプ、合金化タイプがある。コストの面から考えれば穴あけ記録方式が有望であるが、穴あけ記録ではＣ／Ｎが低くなってしまうという問題があった。これは穴を開けたピット部分において溶融した膜がピット内に水玉のようになって残ったり、周辺部に盛り上がったりすることが原因であった。
【０００４】
また、穴あけ記録方式であれば記録層構成は１層となるが、それでは通常使用されてきた記録膜ではＲＯＭの高い反射率に対応できず規格外製品となってしまっていた。ＲＯＭ対応の高い反射率を記録膜１層で実現しようとすると、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕなどの使用が考えられるが、反射率が高すぎ、とても通常のレーザ照射では穴が開かなかった。
【０００５】
穴あけ記録材料としては、ＴｅとＡｕもしくはＡｇの化合物がある（特許文献１、２）が、これらの材料の沸点は１０００℃以上であり、非常に感度が低い光記録媒体であった。また、この穴あけ記録材料は、記録のために、後記の融点まで温度を上昇させればよい相変化タイプに比べ、沸点以上まで温度を上げる大きな熱量を必要としている。そのため、相変化タイプに比べ大きなレーザパワーを必要とし、高線速記録となると半導体レーザのパワーが足りなくなる。すなわち、より高感度な記録膜が要求されている。
【０００６】
また、記録層を４００℃以下の温度で揮発性成分を遊離する第一の層と、この上に耐腐食性金属を第二の層として形成させ、記録感度を高める試みをした発明も知られている（特許文献３）が、これらは反射率を高めることは目的とされておらず、ＲＯＭ互換とはなり得ない。また、耐腐食性金属をＡｕ、Ａｇなどとしているが、これらは熱伝導率が極めて高く、加熱したエネルギーが拡散により逃げるため、結果的に効果は低く、高線速記録には不適当であった。
【０００７】
また、合金化方式としてはＧｅ、Ｓｉ、Ｓｎの元素の中から選択された層とＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕの元素から選択された元素からなる層に、レーザを照射してこの二層を合金化させて記録する方法も提案されている（特許文献４）が、ｌｏｗ　ｔｏ　ｈｉｇｈの記録となり、ＲＯＭ互換とはなり得なかった。
【０００８】
ＩｎとＴｅの合金でＩｎ：Ｔｅ＝２：１〜１：１もしくは２：３〜２：５とした相変化タイプの記録層を有することにより相変化タイプの光記録媒体も知られている（特許文献５）が、この発明では成膜時の状態が非晶質であり反射率が低いため初期化処理が必要である。そのため工程が増えコストの増大を招いていた。
【０００９】
また、記録層の第１の層（層変化合金薄膜）にＡｇ−Ｚｎ、第二の層（低融点薄膜）にＴｅ、Ｓｅ、Ｓから選ばれる一種類を主成分として、拡散による記録も知られている（特許文献６）が、これは反射率を高めるために第１の層を３００Å〜７００Å、第二の層を５００Å〜１５００Åと厚くしており、生産時のタクトおよびコストに不利となっていた。
ここでは、膜厚を厚くすることにより反射率を大きく上げているが、本発明者らの調査では反射率が高く吸収率が小さすぎるため熱吸収が記録膜上でほとんど起こらず、感度が非常に悪いということが分かった。このためＤＶＤなどの速い線速を求められるメディアでは使用できなかった。また、ＡｇとＴｅ、Ｓｅなどは非常に反応性が高く、読み取りレーザを照射するだけで、もしくはメディアを放置するだけでこれら２層の反応が起こり反射率が低下した。
【００１０】
また、第１層に主にＩｎからなる薄膜、第２層に周期表の５Ｂ、６Ｂを含む薄膜からなるメディアで２層間の反応もしくは合金化による反射率変化を伴うメディアも知られている（特許文献７）が、これも上記の発明と同様、ＩｎとＴｅなどの反応性が高いため非常に不安定なメディアであった。
【００１１】
一方、光ディスクの記憶容量を増加させるために、多重データ層システムが提案されている（特許文献８〜１９、非特許文献１）。２層以上のデータ層を有する光ディスクは理論上、レンズの焦点を変更することによって異なる層をアクセスできる。
これらの従来技術のシステムの問題は、２層以上のデータ層がある場合に、記録されているデータを明確に読み取るのがきわめて困難なことである。間挿データ層は吸収及び反射損失があるため、深いデータ層から受け取る信号を大幅に低下させる。これらの問題を解決した光データ記憶システムが必要とされている。
【００１２】
以上のような問題が無機のＷＯ記録媒体の普及に大きな障害となっていた。
【００１３】
【特許文献１】
特開昭６０−１７９９５３号公報
【特許文献２】
特開昭６０−１７９９５２号公報
【特許文献３】
特開昭５７−１５７７９０号公報
【特許文献４】
特開平４−２２６７８４号公報
【特許文献５】
特開平１−１６２２４７号公報
【特許文献６】
特許第２９４８８９９号
【特許文献７】
特開平１１−３４５０１号公報
【特許文献８】
米国特許第３９４６３６７号明細書
【特許文献９】
米国特許第４２１９７０４号明細書
【特許文献１０】
米国特許第４４５０５５３号明細書
【特許文献１１】
米国特許第４９０５２１５号明細書
【特許文献１２】
米国特許第５０９７４６４号明細書
【特許文献１３】
米国特許第４８２９５０５号明細書
【特許文献１４】
米国特許第４８４５０２１号明細書
【特許文献１５】
米国特許第４６８２３２１号明細書
【特許文献１６】
米国特許第４２９８９７５号明細書
【特許文献１７】
米国特許第４７３７４２７号明細書
【特許文献１８】
特開昭６０−２０２５４号公報
【特許文献１９】
特開昭６３−２７６７３２号公報
【非特許文献１】
Ａｒｔｅｒ　等、ＩＢＭ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ　Ｂｕｌｌｅｔｉｎ，　Ｖｏｌ．　３０，　Ｎｏ．　２，　ｐ．　６６７，　Ｊｕｌｙ　１９８７
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような実情下で、高反射率、高モジュレーション及び高感度を有する記録膜を開発し、再生信号のＣ／Ｎが良好で耐候性に優れた光記録媒体を安価に得ることを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記課題について鋭意検討したところ、次の手段により解決できることを知った。すなわち、本発明によれば下記の光記録媒体が提供される。
【００１６】
第一に、請求項１では、レーザの照射により記録・再生を行う光記録媒体において、記録層はレーザ照射側に主にＩｎからなる薄膜（第１層）があり、その次に主にＧｅとＴｅからなる薄膜（第２層）が位置する構成であって、上記第２層に酸素が含有されていることを特徴とする光記録媒体が提供される。
【００１７】
第二に、請求項２では、レーザの照射により記録・再生を行う光記録媒体において、記録層はレーザ照射側に主にＩｎからなる薄膜（第１層）があり、その次に主にＧｅとＴｅからなる薄膜（第２層）が位置する構成であって、上記第１層に酸素が含有されていることを特徴とする光記録媒体が提供される。
【００１８】
第三に、請求項３では、上記請求項１記載の光記録媒体において、上記第２層に含まれる酸素の割合（ｘ）が０．０１＜ｘ＜３０（ａｔｍ％）であることを特徴とする光記録媒体が提供される。
【００１９】
第四に、請求項４では、上記請求項２記載の光記録媒体において、上記第１層に含まれる酸素の割合（ｙ）が０．０１＜ｙ＜から３０（ａｔｍ％）であることを特徴とする光記録媒体が提供される。
【００２０】
第五に、請求項５では、上記請求項１乃至４のいずれか１項記載の光記録媒体において、上記第２層のＧｅとＴｅの原子比が５：９５から３０：７０の範囲であることを特徴とする光記録媒体が提供される。
【００２１】
第六に、請求項６では、上記請求項１乃至５のいずれか１項記載の光記録媒体において、上記第１層の膜厚が１００Åから８００Åの範囲であることを特徴とする光記録媒体が提供される。
【００２２】
第七に、請求項７では、上記請求項１乃至６のいずれか１項記載の光記録媒体において、上記第２層の膜厚が２００Åから１０００Åの範囲であることを特徴とする光記録媒体が提供される。
【００２３】
第八に、請求項８では、上記請求項１乃至７のいずれか１項記載の光記録媒体において、上記第２層にＳｉ、Ｓｅ、Ｓｂ及びＢｉの群から選ばれる元素の少なくとも１種が含有されていることを特徴とする光記録媒体が提供される。
【００２４】
第九に、請求項９では、上記請求項１乃至８のいずれか１項記載の光記録媒体において、上記第１層にＳｎ、Ａｇ及びＢｉの群から選ばれる元素の少なくとも１種が含有されていることを特徴とする光記録媒体が提供される。
【００２５】
第十に、請求項１０では、上記請求項１乃至９のいずれか１項記載の光記録媒体において、上記第１層と上記第２層との組み合わせを記録層組とした場合、複数の上記記録層組はその間にレーザ透過性媒質を有して積層されていることを特徴とする光記録媒体が提供される。
【００２６】
第十一に、請求項１１では、上記請求項１０記載の光記録媒体において、上記レーザ透過性媒質が誘電体であることを特徴とする光記録媒体が提供される。
【００２７】
第十二に、請求項１２では、上記請求項１０記載の光記録媒体において、上記レーザ透過性媒質が接着性媒質であることを特徴とする光記録媒体が提供される。
【００２８】
第十三に、請求項１３では、上記請求項１乃至１２のいずれか１項記載の光記録媒体において、前記第２層上または前記複数の記録層組が積層されている場合には最上の記録層組の第２層上に、保護層が積層されていることを特徴とする光記録媒体が提供される。
【００２９】
上述のように、本発明はレーザの照射により記録・再生を行う光記録媒体において、記録層として、レーザ照射側に主にＩｎからなる薄膜（第１層）があり、その次に主にＧｅとＴｅからなる薄膜（第２層）が位置する構成であって、該第２層に酸素が導入されることにより高い反射率と高いモジュレーションを達成した。
すなわち、これまで上記第１層と第２層を隣接させて積層すると、これら２層が製膜時に混合してしまうか、読み取りレーザ照射時に混合してしまうなど非常に不安定なメディアとなっていた。しかしながら、前記第２層に酸素を導入することにより第１層と第２層との間に酸化物障壁が生じ、信頼性を大きく向上させることができる。
【００３０】
上記構成において、第２層でなく第１層に酸素が導入される場合も第２層の場合と同様、高い反射率と高いモジュレーションを達成することができた。これは酸素を第１層に導入することにより第１層と第２層との間に酸化物障壁が生じ、信頼性を大きく向上させることができるからである。
【００３１】
上記第２層に含まれる酸素の割合（ｘ）は０．０１＜ｘ＜３０（ａｔｍ％）であり、また上記第１層に含まれる酸素の割合（ｙ）も０．０１＜ｙ＜３０（ａｔｍ％）であることでＣ／Ｎはより大きくなり、大きな振幅の波形が得られた。
【００３２】
また、上記第２層のＧｅとＴｅの原子比が５：９５から３０：７０の範囲であることにより低い融点が実現でき、感度の高いメディアを得ることができた。また、本発明によりＩｎとの反応において大きな反射率変化が確認され、信号の変調度を大きくすることができた。
【００３３】
更に第１層の膜厚が１００〜８００Åとすることにより、反射率が向上し、なおかつ信号の変調度を大きくすることができた。
【００３４】
また、第２層の膜厚が２００〜１０００Åとすることにより、２層の記録膜のみのメディアにもかかわらずＲＯＭ互換が可能になるほどの反射率を達成することができた。この効果はシミュレーションと実際の反射率がよく一致した。また、２層構成でｈｉｇｈ　ｔｏ　ｌｏｗ記録が可能となったため大幅なコストダウンを可能にした。更に信号の変調度の向上にも効果を見出した。
【００３５】
更に第２層にＳｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｂｉから選ばれる少なくとも１種類を添加することにより高感度で高い変調度を有する光記録媒体を作製することができた。特にＳｂ、Ｓｅは添加することによりその変調度をより大きくするため好ましい。
【００３６】
また、第１層に添加する元素がＳｎ、Ａｇ、Ｂｉから選ばれる少なくとも１種類とすることにより、高い変調度で、高感度の光記録媒体を得ることができた。これら第１層に添加される元素としてＡｇはＴｅと反応して大きく反射率が下がり、Ｃ／Ｎが高い特性を有するため特に好ましい。しかもその反応を起こす温度が低いため高感度となる。
【００３７】
また、本発明の構成において第１層と第２層との組み合わせを記録層組とした場合、該記録層組と該記録層組とをレーザ透過性媒質を介して積層することにより、高い反射率と高モジュレーションを有する多層記録メディアを作成することができた。そのレーザ透過性媒質が誘電体もしくは接着性媒質であることにより工程を簡素化でき、信頼性の高いメディアが得られた。
【００３８】
また、本発明の構成において重要なことは主に半金属元素からなる薄膜上に保護層を積層することであり、このことにより薄膜の安定性を高め、保存信頼性を格段に向上させることができた。また、２層構成では膜の強度が弱くレーザ照射によって穴があく場合があったが、保護膜（好ましくは有機樹脂保護膜）によって膜の物理的強度が向上し、穴があいてしまうことが無くなった。保護層としては、紫外線硬化樹脂、誘電体などによって厚さ１〜１０μｍ程度に形成されるのが好ましい。
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下に本発明をさらに詳細に説明する。
図１に本発明の光記録媒体のＤＶＤとしての構成例を示すが、本発明の適用はＤＶＤに限らない。これらは情報基板１上に記録層（第１層）２、記録層（第２層）３が成膜され、記録層２の上に保護層（たとえば紫外線硬化樹脂からなる層）４が積層され、これとカバー基板５が接着層６により接着された構造になっている。
【００４０】
情報基板１面側から記録レーザ光を照射すると低融点薄膜および主に半金属元素からなる薄膜が加熱される。この加熱によりお互いの層が相互に拡散してこれらの元素の合金ないし化合物が生成するか、もしくは表面に変形が起こり、レーザ光照射部の光反射率が著しく低下する。この反射率変化は不可逆であるので追記型の光記録媒体として使用することができる。
【００４１】
情報基板１及びカバー基板５の材料は通常ガラス、セラミックス、あるいは樹脂が用いられ、成形性やコストの点で樹脂基板が好ましい。代表例としてはポリカーボネート、メチルメタクリレート、アクリル、エポキシ、ポリスチレン、ポリプロピレン、シリコン樹脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ、ウレタンなどが挙げられるが、加工性、光学特性などの点からポリカーボネート樹脂が好ましい。また、基板１、５の形状はディスク状、カード状、あるいはシート状であっても良い。
【００４２】
第１層、第２層の各記録層は、各種気相成長法、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、電子ビーム法などによって情報基板１上に積層されるが、好ましくはスパッタ法によって形成される。
【００４３】
第１層はＩｎ及び必要に応じてこれにＳｎ、Ａｇ、Ｂｉの少なくとも１種を加えターゲットにして、アルゴン雰囲気（３〜７×１０−３ｔｏｒｒ）もしくはアルゴンと酸素の混合ガス（酸素量０．１〜５％）雰囲気（３〜７×１０−３ｔｏｒｒ）で製膜がなされる。厚さは１００〜８００Åであり、より好ましくは２００〜６００Åである。
【００４４】
また、第２層は、Ｇｅ、Ｔｅ及び必要に応じてこれにＳｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｂｉの少なくとも１種を加えターゲットにして、アルゴン雰囲気（３〜７×１０−３ｔｏｒｒ）もしくはアルゴンと酸素の混合ガス（酸素量０．１〜５％）雰囲気（３〜７×１０−３ｔｏｒｒ）で製膜がなされる。厚さは２００〜１０００Åであり、より好ましくは３００〜７００Åである。
【００４５】
第２層３はカバー基板５に貼り合わせられるが、好ましくは、第２層上に保護層４を設けた後、この保護層４とカバー基板５を貼り合わせる。保護層４は紫外線硬化樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射して形成されるのが有利である。
【００４６】
図４に示したように、記録層を第１層と第２層からなる記録層組とした場合、２以上の記録層組はレーザのパワーを減衰させないためにもレーザ透過性媒質を介して積層されているのが好ましい。このレーザ透過性媒質の具体例としては誘電体（例えば、ＺｎＳ、ＳｉＯ２など）、接着性媒質（例えば、ラジカルＵＶ方式、カチオン方式、ヒートシール方式、両面接着シート方式など）があげられる。レーザ透過性媒質が接着性媒質の場合には、上記の貼り合わせ方式によるのが好ましい。
【００４７】
レーザ透過性媒質の厚さはレーザの波長、ＮＡに拠っても変わるが、１０〜８０μｍ程度である。１０μｍ未満では２層をレーザによって区別することが困難となり、層間の熱干渉も避けられなくなる。一方、８０μｍを超えるとＮＡの大きなレーザでは焦点が合わなくなる。
【００４８】
本発明においてレーザ透過性媒質と定義している層は、容量を向上させるため本発明の記録層組を２組設け、その２つの記録層組を分離して記録再生の際認識するために記録層組の間に挟持させた層である。
その一般的なレーザ透過性媒質の例としてはＵＶ方式があり、情報基板上にスパッタリング等により反射層、記録層、保護層等を形成し、次に、スピンコータ工法により紫外線硬化型接着剤を塗布し、カバー基板を重ね合わせた後、紫外線硬化型接着剤を高速回転で振り切り所望の厚さにした後、紫外線を照射し、紫外線硬化型接着剤を硬化させ、光ディスクが完成される。
【００４９】
近年、記録情報の大容量化に伴い、図４示すように、記録層などを情報基板とカバー基板に形成し、その２枚の基板を相対向して接着層で貼り合わせた構造を有し、記録情報を読み取ったり、情報を書き込んだり、あるいは消去したりする多層型光ディスクが提案されている。しかし、接着層として紫外線硬化型接着剤を用いたレーザ透過性媒質において、図４に示す構造では、両方の基板に記録層などが形成されているので、紫外線を通しにくい。従って、接着剤を硬化しにくいという不具合があった。よって、ＵＶ方式でレーザ透過性媒質とする場合は記録層などを透過率の高いものにする必要がある。
【００５０】
そこでこの不具合を解決するために、カチオン重合紫外線硬化型接着剤（シルクスクリーン法）やホットメルト接着剤（ロールコータ法）を用い、これらの接着剤をレーザ透過性媒質として用いることもできる。ただし、前記カチオン重合紫外線硬化型接着剤（シルクスクリーン法）やホットメルト接着剤（ロールコータ法）を用いる方法では、その工法や材料の特性から不透明体である場合が多いため、片面からのレーザ照射による多層の記録層の記録再生には使用できない場合があることが予想される。よって、これらの接着剤をレーザ透過性媒質として用いる場合、透明な材質のものを採用する必要がある。
【００５１】
また、情報基板とカバー基板（又はフィルム）とを両面粘着シートにより貼り合わせる方法が提案されている（特開平２−２１０６３０号公報、特開平３−２３０３３８号公報、特開平４−２５９９３５号公報、特開平８−３２９６３２号公報、特開平９−２３７４４０号公報、特開平９−２９７９３７号公報等）。
この方式では、前記スピンコータ法などと異なり、均一な厚さ（厚さの誤差±５μｍ以下）の接着層が得られる。なお、両面粘着シートは、光や熱などの硬化源を必要としないため、光透過性基板の両面に保護膜等を含む記録膜が形成されていても接着することが可能である。
【００５２】
両面粘着シートは、高分子フィルムと粘着剤から構成されている。
高分子フィルムは、１０μｍ〜４００μｍの厚さが好ましい。また、材質は記録・再生用の半導体レーザ波長を透過する熱可塑性の高分子フィルム、例えば、ポリカーボネイト、アクリル、あるいは、ポリオレフィン系樹脂があげられるが、これに限るものではなく、記録・再生の半導体レーザ波長を透過するものであれば何ら問題はない。本実施例では、高分子フィルムにポリカーボネイトフィルム厚さ１００μｍを用いた。
【００５３】
また、粘着剤は、常温で圧着して接着できる接着剤、例えば、天然ゴムやＳＢＲ、ポリイソブチレン、ポリアクリル酸エステル、ポリビニルエーテル、ポリビニルイソブチルエーテル等を主成分とし、これにロジン、ロジンエステル、クロマン樹脂、テルペン樹脂、炭化水素樹脂、油用性フェノール樹脂などの接着付与剤や老化防止剤、安定化剤が加えられるが、これに限るものではなく、高分子フィルムと同様、記録・再生の半導体レーザ波長を透過するものであれば何ら問題はない。本実施例においては、アクリル系感圧接着剤を使用した。
【００５４】
高分子フィルムにはポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレンおよびその共重合物、ポリビニルアルコール、フッ素樹脂、ポリカーボネイト、アクリル樹脂、ポリイミド等のフィルムを使用した。本発明では、セパレートフィルムにポリエチレン厚さ５０μｍにフッ素樹脂を塗布したものを使用した。
【００５５】
貼り合せ方式についてはラジカルＵＶ方式、カチオン方式、ヒートシール方式、両面接着シート方式のいずれであってもよいが、保護層を設けない構成ではラジカルＵＶ方式のように酸素や水分を透過しない方式が望ましい。
【００５６】
【実施例】
次に、実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例によって限定されるものではない。
【００５７】
（実施例１〜１４及び比較例１、２）
図１に基づいてＤＶＤの場合を説明する。
ピッチ０．７４μｍ、深さ４００Åの溝付き、厚さ０．６ｍｍ、直径φ１２０ｍｍのポリカーボネート樹脂製情報基板１上に、主にＩｎからなる薄膜２（第１記録層）を３５０Å、主にＧｅとＴｅからなる薄膜３（第２記録層）６００Åを順にスパッタ法により積層し、その上に紫外線硬化樹脂からなる保護層４をスピンコートして紫外線照射により形成した。
第１記録層２の製膜時にはアルゴン雰囲気下（５×１０−３ｔｏｒｒ）もしくはアルゴン＋酸素混合ガス雰囲気下（５×１０−３ｔｏｒｒ）、第２記録層３の製膜時にはアルゴン雰囲気下（５×１０−３ｔｏｒｒ）もしくはアルゴン＋酸素混合ガス雰囲気下（５×１０−３ｔｏｒｒ）において行った。混合ガス下での製膜の際、混合ガス中の酸素の割合を０．１〜５０％の範囲で振り、製膜された膜中の酸素含有量を蛍光Ｘ線で測定し、それぞれの組成の最適な酸化割合を出した。貼り合せはラジカルＵＶ方式でカバー基板５（厚さ０．６ｍｍ）を保護層４に貼り合せた。
【００５８】
評価条件は記録線速３．５ｍ／ｓ（１倍速）、線密度０．２６７μｍ／ｂｉｔ、記録周波数２６．２ＭＨｚ、記録レーザ波長６３５ｎｍ、ＮＡ０．６であり、第１記録層と第２記録層をそれぞれの組成にした場合の反射率およびＣ／Ｎが５５ｄＢ以上（解像度：１ｋＨｚにて測定）となるレーザパワーを１倍速と２倍速とで比較して表１に示した。また、半金属元素中の酸素割合を蛍光Ｘ線で測定し、表１中に示した。
実施例１〜１４ではどれも反射率、変調度、感度ともに良好な結果を示した。また、保存特性は６０℃、湿度８０％において１週間放置し、その反射率が変化しなかったものを○、変化した（２層が反応した）ものを×として評価した。
【００５９】
【表１】
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【００６０】
図２、３ではＩｎ（１００、４００、８００Å）、Ｇｅ１５Ｔｅ８５（５ａｔｍ％　Ｏ２混合）にした場合を例に取り、Ｇｅ１５Ｔｅ８５の膜厚を振った場合の反射率変化と１倍速において５５ｄＢ以上の信号強度を示したレーザパワーを示す。Ｇｅ１５Ｔｅ８５の膜厚が薄いと反射率は低く、膜厚が厚過ぎると感度が悪くなることが分かる。反射率は５０％以上、記録パワーは１０ｍＷ以下を使用可能範囲とした。なお、実際のメディアではトラックがあるため、このシミュレーションの結果よりも反射率は低くなる。ここでの記録は３Ｔの矩形波記録である。
【００６１】
（実施例１５）
図４に基づいて本発明の構成を説明する（ＤＶＤの場合）。
実施例１と同様に、ピッチ０．７４μｍ、深さ４００Åの溝付き、厚さ０．６ｍｍ、直径φ１２０ｍｍのポリカーボネート樹脂製情報基板１上に主にＩｎからなる薄膜２（第１記録層）を３５０Å、主にＧｅとＴｅからなる薄膜３（第２記録層）６００Åを順にスパッタ法により積層し、この上にＺｎＳ・ＳｉＯ２（８０：２０）からなる誘電体層７１を１μｍ厚にスパッタし、更に主にＩｎからなる薄膜２’（第１記録層）を３５０Å、主にＧｅとＴｅからなる薄膜３’（第２記録層）６００Åを順にスパッタ法により積層した。その上に紫外線硬化樹脂をスピンコートして紫外線照射により保護層４を形成した。
第１記録層製膜時にはアルゴン雰囲気下（５×１０−３ｔｏｒｒ）もしくはアルゴン＋酸素混合ガス雰囲気下（５×１０−３ｔｏｒｒ）、第２記録層の製膜時にはアルゴン雰囲気下（５×１０−３ｔｏｒｒ）もしくはアルゴン＋酸素混合ガス雰囲気下（５×１０−３ｔｏｒｒ）において行った。酸素混合ガス下での製膜の際、酸素の混合割合を０．１〜５％の範囲で振り、それぞれの組成の最適な酸化割合を出した。貼り合せはラジカルＵＶを素材として用いラジカルＵＶ方式でカバー基板５（厚さ０．６ｍｍ）を貼り合せた。
【００６２】
実施例１と同じ評価条件で記録、評価したところ、誘電体層７１を挟んだ２組の記録層組はどちらも同等の記録特性を示し、その記録容量は実施例１のほぼ倍となった。
【００６３】
（実施例１６）
図５に基づいて本発明の構成を説明する（ＤＶＤの場合）。
実施例１と同様に、ピッチ０．７４μｍ、深さ４００Åの溝付き、厚さ０．６ｍｍ、直径φ１２０ｍｍのポリカーボネート樹脂製情報基板１上に、主にＩｎからなる薄膜２（第１記録層）を３５０Å、主にＧｅとＴｅからなる薄膜３（第２記録層）６００Åを順にスパッタ法により積層した。また、カバー基板５に対し主にＧｅとＴｅからなる薄膜３’（第２記録層）６００Å、主にＩｎからなる薄膜２（第１記録層）３５０Åを順にスパッタ法により積層した。このようにして作成した情報基板側の第２層とカバー基板側の第１層とを貼り合わせた。
本実施例では接着性媒質として５０μｍの高分子フィルムと粘着剤から構成されている貼りあわせ用シートを用いた。第１記録層製膜時にはアルゴン雰囲気下（５×１０−３ｔｏｒｒ）もしくはアルゴン＋酸素混合ガス雰囲気下（５×１０−３ｔｏｒｒ）、第２記録層の製膜時にはアルゴン雰囲気下（５×１０−３ｔｏｒｒ）もしくはアルゴン＋酸素混合ガス雰囲気下（５×１０−３ｔｏｒｒ）において行った。酸素混合ガス下での製膜の際，酸素の混合割合を０．１〜５％の範囲で振り、それぞれの組成の最適な酸化割合を出した。
【００６４】
実施例１と同じ評価条件で記録、評価したところ、誘電体層を挟んだ２組の記録層組はどちらも同等の記録特性を示し、その記録容量は実施例１のほぼ倍となった。
【００６５】
【発明の効果】
以上のように、請求項１の光記録媒体によれば、レーザ照射側に主にＩｎからなる薄膜（第１記録層）、次に主にＧｅとＴｅからなる薄膜（第２記録層）が位置する構成において、前記第２記録層に酸素が含有されたことから、第１記録層と第２記録層との間に酸化物障壁が生じ、高い反射率と高いモジュレーションを有する光記録媒体を得ることができる。
【００６６】
請求項２の光記録媒体によれば、上記構成において、酸素が第１記録層に含有されたことから、第２記録層の場合と同様、第１記録層と第２記録層との間に酸化物障壁が生じ、高い反射率と高いモジュレーションを有する光記録媒体を得ることができる。
【００６７】
請求項３、４の光記録媒体によれば、上記構成において、第２記録層または第１記録層に含まれる酸素の割合（ｘ、ｙ）が０．０１＜ｘ、ｙ＜３０（ａｔｍ％）であることから、Ｃ／Ｎがより大きくなり、大きな振幅の波形が得られる。
【００６８】
請求項５の光記録媒体によれば、上記構成において、第２記録層のＧｅとＴｅの原子比が５：９５から３０：７０の範囲であることから、低い融点を実現でき、感度の高いメディアを得ることができる。また、Ｉｎとの反応において大きな反射率変化が確認され、信号の変調度を大きくすることができる。
【００６９】
請求項６の光記録媒体によれば、上記構成において、第１記録層の膜厚を１００〜８００Åとすることから、反射率が向上し、なおかつ信号の変調度を大きくすることができる。
【００７０】
請求項７の光記録媒体によれば、上記構成において、第２記録層の膜厚を２００〜１０００Åとすることから、２層の記録膜のみのメディアであるにもかかわらずＲＯＭ互換が可能になるほどの反射率を得ることができる。また、２層構成でｈｉｇｈ　ｔｏ　ｌｏｗ記録が可能となったことから大幅なコストダウンが可能である。更にまた信号の変調度も向上させることができる。
【００７１】
請求項８の光記録媒体によれば、上記構成において、第２記録層にＳｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｂｉから選ばれる元素の少なくとも１種類を含有させたことから、高感度で高い変調度を有する光記録媒体を作製することができる。中でもＳｂ、Ｓｅは添加することにより変調度をより大きくすることができる。
【００７２】
請求項９の光記録媒体によれば、上記構成において、第１記録層にＳｎ、Ａｇ、Ｂｉから選ばれる元素の少なくとも１種類を含有させたことから、高い変調度で、かつ高感度の光記録媒体を得ることができる。特にＡｇはＴｅと反応して大きく反射率を下げるため、高いＣ／Ｎが得られる。かつまた反応を起こす温度が低いため高感度となる。
【００７３】
請求項９、１０の光記録媒体によれば、第１記録層と第２記録層との組み合わせを記録層組とした場合、該記録層組と該記録層組とをレーザ透過性媒質を介して積層することにより、高い反射率と高モジュレーションを有する多層記録メディアを達成した。そのレーザ透過性媒質が誘電体もしくは接着性媒質であることにより工程を簡素化でき、信頼性の高いメディアが得られた。
【００７４】
請求項１２の光記録媒体によれば、上記構成の主として半金属元素からなる薄膜上に保護膜（好ましくは有機保護層）を積層することから、膜の安定性を高め保存信頼性を格段に向上させることができる。また、２層構成では膜の強度が弱くレーザ照射によって穴があく場合があったが、有機保護膜によって膜の物理的強度が向上し、穴があくことは無い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光記録媒体の構成例を示す模式的断面図。
【図２】第２層の膜厚と反射率との関係を示すグラフ。
【図３】第２層の膜厚と記録パワーとの関係を示すグラフ。
【図４】本発明の光記録媒体の別の構成例を示す模式的断面図。
【図５】本発明の光記録媒体の別の構成例を示す模式的断面図。
【符号の説明】
１　情報基板
２、２’　第１記録層
３、３’　第２記録層
４　保護層
５　カバー基板
６　接着層
７１　誘電体層
７２　接着性媒質
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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