(57)【要約】【課題】ダイヤモンド様炭素膜が形成された基材に、実質的にダメージを与えることなく、ダイヤモンド様炭素膜の少なくとも一部を除去する方法を提供すること。【解決手段】本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法は、部材１０Ａの表面の少なくとも一部（１ｄ）に、マスキング５を形成する工程（１ｅ）と、基材２から下地層４０を剥離し得る剥離剤を、ダイヤモンド様炭素膜３上から付与することにより、マスキング５が被覆されていない部位の下地層４０およびダイヤモンド様炭素膜３を除去する工程（１ｆ）と、マスキング５を除去する工程（１ｈ）とを有する。本発明は、前記剥離剤をダイヤモンド様炭素膜３中に浸透させることにより、下地層４０を基材２から剥離し、それとともに、ダイヤモンド様炭素膜３を除去する点に特徴を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材上の少なくとも一部に形成された少なくとも１層の下地層と、
前記下地層上の少なくとも一部に形成され、主としてダイヤモンド様炭素（ＤＬＣ）で構成されたダイヤモンド様炭素膜とを有する部材から、前記ダイヤモンド様炭素膜の少なくとも一部を除去する方法であって、
前記基材から前記下地層を剥離し得る剥離剤を、前記ダイヤモンド様炭素膜上から付与することにより、前記剥離剤を前記ダイヤモンド様炭素膜中に浸透させ、前記下地層の少なくとも一部とともに、前記ダイヤモンド様炭素膜の少なくとも一部を除去することを特徴とするダイヤモンド様炭素膜の除去方法。
【請求項２】
前記剥離剤の付与は、液状の前記剥離剤中に前記部材を浸漬することにより行う請求項１に記載のダイヤモンド様炭素膜の除去方法。
【請求項３】
前記部材の前記剥離剤への浸漬時間は、１０〜６０分である請求項２に記載のダイヤモンド様炭素膜の除去方法。
【請求項４】
雰囲気の圧力を８×１０４Ｐａ以下とした状態で、前記部材を前記剥離剤中に浸漬する請求項２または３に記載のダイヤモンド様炭素膜の除去方法。
【請求項５】
雰囲気の圧力を１．１×１０５Ｐａ以上とした状態で、前記部材を前記剥離剤中に浸漬する請求項２ないし４のいずれかに記載のダイヤモンド様炭素膜の除去方法。
【請求項６】
前記部材に前記剥離剤を付与する際における前記剥離剤の温度は、２５〜４０℃である請求項１ないし５のいずれかに記載のダイヤモンド様炭素膜の除去方法。
【請求項７】
前記剥離剤は、主として無機材料で構成されたものである請求項１ないし６のいずれかに記載のダイヤモンド様炭素膜の除去方法。
【請求項８】
前記ダイヤモンド様炭素膜のうち一部が前記下地層上に残存するように、前記部材に前記剥離剤を付与する請求項１ないし７のいずれかに記載のダイヤモンド様炭素膜の除去方法。
【請求項９】
前記部材に前記剥離剤を付与した後に残存する前記ダイヤモンド様炭素膜は、前記部材の摺動部に形成されたものである請求項８に記載のダイヤモンド様炭素膜の除去方法。
【請求項１０】
前記部材に前記剥離剤を付与した後に残存する前記ダイヤモンド様炭素膜は、前記部材のネジ部に形成されたものである請求項８または９に記載のダイヤモンド様炭素膜の除去方法。
【請求項１１】
前記ダイヤモンド様炭素膜上の一部に、マスキングを被覆した状態で、前記部材に前記剥離剤を付与する請求項１ないし１０のいずれかに記載のダイヤモンド様炭素膜の除去方法。
【請求項１２】
前記ダイヤモンド様炭素膜は、気相成膜法により形成されたものである請求項１ないし１１のいずれかに記載のダイヤモンド様炭素膜の除去方法。
【請求項１３】
前記ダイヤモンド様炭素膜は、０．０５〜３０μｍ／ｈの成膜速度で形成されたものである請求項１ないし１２のいずれかに記載のダイヤモンド様炭素膜の除去方法。
【請求項１４】
前記ダイヤモンド様炭素膜の平均厚さは、０．５〜２．０μｍである請求項１ないし１３のいずれかに記載のダイヤモンド様炭素膜の除去方法。
【請求項１５】
ボールオンディスク法により測定される前記ダイヤモンド様炭素膜の摩擦係数μは、０．０５〜０．７である請求項１ないし１４のいずれかに記載のダイヤモンド様炭素膜の除去方法。
【請求項１６】
前記ダイヤモンド様炭素膜のビッカース硬度Ｈｖは、８００〜５０００である請求項１ないし１５のいずれかに記載のダイヤモンド様炭素膜の除去方法。
【請求項１７】
前記部材は、前記下地層として、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｓｉ、Ａｇ、ＷおよびＴｉからなる群より選択される少なくとも１種を含む材料で構成された層を有するものである請求項１ないし１６のいずれかに記載のダイヤモンド様炭素膜の除去方法。
【請求項１８】
前記基材は、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、ＡｌおよびＭｇ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｗからなる群より選択される少なくとも１種の金属または該金属を含む合金を主とする材料で構成されるものである請求項１ないし１７のいずれかに記載のダイヤモンド様炭素膜の除去方法。
【請求項１９】
請求項１ないし１８のいずれかに記載の方法により、前記ダイヤモンド様炭素膜の少なくとも一部が除去されることにより得られたことを特徴とする装飾品。
【請求項２０】
装飾品は、時計用外装部品である請求項１９に記載の装飾品。
【請求項２１】
請求項１９または２０に記載の装飾品を備えたことを特徴とする時計。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ダイヤモンド様炭素膜の除去方法、装飾品および時計に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ダイヤモンド様炭素（ＤＬＣ）は、硬度が高く、耐磨耗性に優れ、摩擦係数が小さく、耐食性にも優れている。このため、種々の部材へのコーティング材として注目されている。その一方で、ダイヤモンド様炭素は上記のような特性を有しているため、ダイヤモンド様炭素の膜が形成された部材から当該膜を研磨等の機械的方法により除去するのは困難であった。
【０００３】
このような問題を解決する目的で、ダイヤモンド様炭素の膜をグロー放電またはアーク放電により除去する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、このような方法では、ダイヤモンド様炭素の膜を除去する際に、当該膜が形成された基材に対するダメージを回避するのは、極めて困難であり、特に、基材の表面を不均一に荒らしてしまうという問題点があった。このような傾向は、基材が比較的やわらかい材料（例えば、Ｃｕ、Ａｌまたはこれらのうち少なくとも１種を含む合金等）においてさらに顕著となり、特に審美的外観が求められる装飾品等には実質的に適用することができなかった。また、このような方法では、ダイヤモンド様炭素の膜の一部のみを選択的に除去するのが実質的に不可能であった。また、このような方法では、特別な装置が必要となり、また、装置の条件設定が複雑で、生産コストの面からも不利である。
【０００４】
【特許文献１】
特開平５−３３９７５８号公報（特許請求の範囲）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ダイヤモンド様炭素膜が形成された基材に、実質的にダメージを与えることなく、ダイヤモンド様炭素膜の少なくとも一部を除去する方法を提供すること、また、前記方法によりダイヤモンド様炭素膜の少なくとも一部が除去された装飾品を提供すること、前記装飾品を備えた時計を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法は、基材と、
前記基材上の少なくとも一部に形成された少なくとも１層の下地層と、
前記下地層上の少なくとも一部に形成され、主としてダイヤモンド様炭素（ＤＬＣ）で構成されたダイヤモンド様炭素膜とを有する部材から、前記ダイヤモンド様炭素膜の少なくとも一部を除去する方法であって、
前記基材から前記下地層を剥離し得る剥離剤を、前記ダイヤモンド様炭素膜上から付与することにより、前記剥離剤を前記ダイヤモンド様炭素膜中に浸透させ、前記下地層の少なくとも一部とともに、前記ダイヤモンド様炭素膜の少なくとも一部を除去することを特徴とする。
これにより、ダイヤモンド様炭素膜が形成された基材に、実質的にダメージを与えることなく、ダイヤモンド様炭素膜の少なくとも一部を除去することができる。
【０００７】
本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法では、前記剥離剤の付与は、液状の前記剥離剤中に前記部材を浸漬することにより行うことが好ましい。
これにより、比較的短時間で、確実にダイヤモンド様炭素膜を除去することができる。
本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法では、前記部材の前記剥離剤への浸漬時間は、１０〜６０分であることが好ましい。
これにより、ダイヤモンド様炭素膜をより確実に除去することができる。
【０００８】
本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法では、雰囲気の圧力を８×１０４Ｐａ以下とした状態で、前記部材を前記剥離剤中に浸漬することが好ましい。
これにより、ダイヤモンド様炭素膜を、比較的短時間でより確実に除去することができる。
本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法では、雰囲気の圧力を１．１×１０５Ｐａ以上とした状態で、前記部材を前記剥離剤中に浸漬することが好ましい。
これにより、ダイヤモンド様炭素膜を、比較的短時間でより確実に除去することができる。
【０００９】
本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法では、前記部材に前記剥離剤を付与する際における前記剥離剤の温度は、２５〜４０℃であることが好ましい。
これにより、基材へのダメージを十分防止しつつ、ダイヤモンド様炭素膜を、比較的短時間でより確実に除去することができる。
本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法では、前記剥離剤は、主として無機材料で構成されたものであることが好ましい。
これにより、ダイヤモンド様炭素膜を、比較的短時間でより確実に除去することができる。また、剥離剤の再利用も容易で、環境に対しても優しい。
【００１０】
本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法では、前記ダイヤモンド様炭素膜のうち一部が前記下地層上に残存するように、前記部材に前記剥離剤を付与することが好ましい。
これにより、得られる部材（装飾品）の審美性の向上、操作性の向上等を図ることができる。
【００１１】
本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法では、前記部材に前記剥離剤を付与した後に残存する前記ダイヤモンド様炭素膜は、前記部材の摺動部に形成されたものであることが好ましい。
これにより、得られる部材（装飾品）の操作性を十分に高めることができる。また、得られる部材（装飾品）の審美性のさらなる向上を図ることができる。
【００１２】
本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法では、前記部材に前記剥離剤を付与した後に残存する前記ダイヤモンド様炭素膜は、前記部材のネジ部に形成されたものであることが好ましい。
これにより、得られる部材（装飾品）の操作性を十分に高めることができる。また、得られる部材（装飾品）の審美性のさらなる向上を図ることができる。
【００１３】
本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法では、前記ダイヤモンド様炭素膜上の一部に、マスキングを被覆した状態で、前記部材に前記剥離剤を付与することが好ましい。
これにより、所望の形状のダイヤモンド様炭素膜を有する部材（装飾品）を、より確実に得ることができる。
【００１４】
本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法では、前記ダイヤモンド様炭素膜は、気相成膜法により形成されたものであることが好ましい。
これにより、ダイヤモンド様炭素膜を、容易かつ確実に除去することができる。
本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法では、前記ダイヤモンド様炭素膜は、０．０５〜３０μｍ／ｈの成膜速度で形成されたものであることが好ましい。
これにより、ダイヤモンド様炭素膜を、容易かつ確実に除去することができる。
【００１５】
本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法では、前記ダイヤモンド様炭素膜の平均厚さは、０．５〜２．０μｍであることが好ましい。
これにより、ダイヤモンド様炭素膜を、容易かつ確実に除去することができる。また、ダイヤモンド様炭素膜の一部を残存させる場合においては、最終的に得られる部材（装飾品）において、ダイヤモンド様炭素の有する特性を十分に発揮させることができる。
【００１６】
本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法では、ボールオンディスク法により測定される前記ダイヤモンド様炭素膜の摩擦係数μは、０．０５〜０．７であることが好ましい。
これにより、得られる部材（装飾品）は、十分な摺動性を有するものとなる。
本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法では、前記ダイヤモンド様炭素膜のビッカース硬度Ｈｖは、８００〜５０００であることが好ましい。
これにより、得られる部材（装飾品）は、特に優れた耐擦傷性、耐磨耗性を有するものとなる。
【００１７】
本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法では、前記部材は、前記下地層として、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｓｉ、Ａｇ、ＷおよびＴｉからなる群より選択される少なくとも１種を含む材料で構成された層を有するものであることが好ましい。
これにより、ダイヤモンド様炭素膜を、比較的短時間でより確実に除去することができる。また、剥離剤等の影響により、基材がダメージを受けるのをより確実に防止することができる。
【００１８】
本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法では、前記基材は、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、ＡｌおよびＭｇ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｗからなる群より選択される少なくとも１種の金属または該金属を含む合金を主とする材料で構成されるものであることが好ましい。
これにより、基材と下地層との密着性をより優れたものとすることができる。また、基材の加工性が向上し、成形の自由度が増す。
【００１９】
本発明の装飾品は、本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法により、前記ダイヤモンド様炭素膜の少なくとも一部が除去されることにより得られたことを特徴とする。
これにより、基材が実質的なダメージを受けることなく、ダイヤモンド様炭素膜の少なくとも一部が除去された装飾品を得ることができる。
【００２０】
本発明の装飾品は、時計用外装部品であることが好ましい。
このように、装飾品としての外観の美しさとともに、実用品としての耐久性、耐食性、耐磨耗性等が求められる時計用外装部品に、本発明は好適に適用することができる。
本発明の時計は、本発明の装飾品を備えたことを特徴とする。
これにより、基材が実質的なダメージを受けることなく、ダイヤモンド様炭素膜の少なくとも一部が除去された装飾品を備えた時計を得ることができる。また、本発明は、外観の美しさとともに、実用品としての耐久性、耐食性、耐磨耗性等が求められる時計に、より好適に適用することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法、装飾品および時計の好適な実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。
まず、本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法、装飾品および時計の第１実施形態について説明する。
図１は、本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法に適用される部材の製造方法の一例を示す断面図、図２は、本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法の第１実施形態を示す断面図である。
【００２２】
まず、ダイヤモンド様炭素膜の除去方法の説明に先立ち、部材１０Ａおよび部材１０Ａの製造方法について説明する。
図１に示すように、部材１０Ａは、基材２の表面の少なくとも一部（１ａ）に、下地層４０を形成する工程（１ｂ）と、下地層４０の表面の少なくとも一部に、主としてダイヤモンド様炭素（ＤＬＣ）で構成されるダイヤモンド様炭素膜３を形成する工程（１ｃ）とを有する方法により、製造することができる。
【００２３】
［基材］
基材２は、いかなる材料で構成されるものであってもよく、金属材料で構成されるものであっても、非金属材料で構成されるものであってもよい。
基材２が金属材料で構成される場合、特に優れた強度特性を有する部材１０Ａ（装飾品１Ａ）を提供することができる。また、基材２が金属材料で構成される場合、基材２の表面粗さが比較的大きい場合であっても、後述する下地層４０、ダイヤモンド様炭素膜３を形成する際のレベリング効果により、得られる部材１０Ａ（装飾品１Ａ）の表面粗さを小さくすることができる。例えば、基材２の表面に対する切削加工、研磨加工などによる機械加工を省略しても、鏡面仕上げを行うことが可能となったり、基材２がＭＩＭ法により成形されたもので、その表面が梨地面である場合でも、容易に鏡面にすることができる。これにより、光沢に優れた装飾品を得ることができる。
【００２４】
基材２が非金属材料で構成される場合、比較的軽量で携帯し易く、かつ、重厚な外観を有する部材１０Ａ（装飾品１Ａ）を提供することができる。また、基材２が非金属材料で構成される場合、比較的容易に、所望の形状に成形することができる。また、基材２が非金属材料で構成される場合、電磁ノイズを遮蔽する効果も得られる。
【００２５】
基材２を構成する金属材料としては、例えば、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｖ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ等の各種金属や、これらのうち少なくとも１種を含む合金等が挙げられる。この中でも特に、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、ＺｒおよびＷからなる群より選択される少なくとも１種の金属または該金属を含む合金を主とする材料であるのが好ましい。基材２が前述したような材料で構成されることにより、基材２と、後述する下地層４０との密着性が特に優れたものとなる。また、基材２が、Ｃｕ、ＺｎおよびＮｉからなる群より選択される少なくとも１種の金属または該金属を含む合金で構成されたものであると、基材２と、後述する下地層４０との密着性が特に優れたものとなるとともに、基材２の加工性が向上し、基材２の成形の自由度がさらに増す。
【００２６】
また、基材２を構成する非金属材料としては、例えば、プラスチックやセラミックス、石材、木材等が挙げられる。
プラスチックとしては、各種熱可塑性樹脂、各種熱硬化性樹脂が挙げられる。
基材２がプラスチックで構成される場合、比較的軽量で携帯し易く、かつ、重厚な外観を有する装飾品１Ａ（部材１０Ａ）を得ることができる。また、基材２がプラスチックで構成される場合、比較的容易に、所望の形状に成形することができる。このため、複雑な形状を有する部材１０Ａ（装飾品１Ａ）であっても、比較的容易に製造することができる。また、基材２がプラスチックで構成される場合、電磁ノイズを遮蔽する効果が得られる。
【００２７】
セラミックスとしては、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム等の酸化物系セラミックス、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＶＮ、ＴａＮ、ＮｂＮ、ＣｒＮ、Ｃｒ２Ｎ等の窒化物系セラミックス、グラファイト、ＳｉＣ、ＺｒＣ、Ａｌ４Ｃ３、ＣａＣ２、ＷＣ、ＴｉＣ、ＨｆＣ、ＶＣ、ＴａＣ、ＮｂＣ等の炭化物系のセラミックス、ＺｒＢ２、ＭｏＢ等のホウ化物系のセラミックス、あるいは、これらのうちの２以上を任意に組み合わせた複合セラミックスが挙げられる。
基材２が前記のようなセラミックスで構成される場合、高強度、高硬度の装飾品１Ａ（部材１０Ａ）を得ることができる。
【００２８】
基材２の製造方法は、特に限定されない。
基材２が金属材料で構成される場合、その製造方法としては、例えば、プレス加工、切削加工、鍛造加工、鋳造加工、粉末冶金焼結、金属粉末射出成形（ＭＩＭ）、ロストワックス法等が挙げられるが、この中でも特に、鋳造加工または金属粉末射出成形（ＭＩＭ）が好ましい。鋳造加工、金属粉末射出成形（ＭＩＭ）は、特に、加工性に優れている。このため、これらの方法を用いた場合、複雑な形状の基材２を比較的容易に得ることができる。
【００２９】
金属粉末射出成形（ＭＩＭ）は、通常、以下のようにして行われる。
まず、金属粉と有機バインダーとを含む材料を混合、混練して混練物を得る。
次に、この混練物を射出成形することにより成形体を形成する。
その後、この成形体に対して、脱脂処理（脱バインダー処理）を施し、脱脂体を得る。この脱脂処理は、通常、減圧条件下で、加熱することにより行われる。
さらに、得られた脱脂体を焼結することにより、焼結体を得る。この焼結処理は、通常、前記脱脂処理より高温で加熱することにより行われる。
本発明では、以上のようにして得られる焼結体を基材として用いることができる。
【００３０】
また、基材２が前記のようなプラスチックで構成される場合、その製造方法としては、例えば、圧縮成形、押出成形、射出成形、光造形等が挙げられる。
また、基材２が前記のようなセラミックスで構成される場合、その製造方法は、特に限定されないが、金属粉末射出成形（ＭＩＭ）であるのが好ましい。金属粉末射出成形（ＭＩＭ）は、特に、加工性に優れているため、複雑な形状の基材２を比較的容易に得ることができる。
【００３１】
また、基材２の表面に対しては、例えば、鏡面加工、スジ目加工、梨地加工等の表面加工が施されているのが好ましい。これにより、得られる部材１０Ａ（装飾品１Ａ）の表面の光沢具合にバリエーションを持たせることが可能となり、装飾品１Ａ（部材１０Ａ）の装飾性をさらに向上させることができる。
また、このような表面加工を施した基材２を用いて製造される装飾品１Ａ（部材１０Ａ）は、ダイヤモンド様炭素膜３に対して前記表面加工を直接施すことにより得られるものに比べて、ダイヤモンド様炭素膜３のギラツキ等が抑制されたものとなり、特に美的外観に優れたものとなる。
【００３２】
また、基材２と下地層４０との密着性の向上等を目的として、後述する下地層４０の形成に先立ち、基材２に対して、前処理を施してもよい。前処理としては、例えば、ブラスト処理、アルカリ洗浄、酸洗浄、水洗、有機溶剤洗浄、ボンバード処理等の清浄化処理、エッチング処理等が挙げられるが、この中でも特に、清浄化処理が好ましい。基材２の表面に、清浄化処理を施すことにより、基材２と下地層４０との密着性が特に優れたものとなる。
【００３３】
［下地層の形成］
基材２の表面に、下地層４０を形成する（１ｂ）。
下地層４０は、その少なくとも一部が、後述する剥離剤により除去されるものである。このような下地層４０が設けられることにより、ダイヤモンド様炭素膜３を容易かつ確実に除去することが可能になる。
また、下地層４０は、例えば、基材２とダイヤモンド様炭素膜３との密着性を向上させる機能や、基材２の孔、キズ等をレベリング（ならし）により補修する機能、保管時（ダイヤモンド様炭素膜３の形成の工程までの間）等に腐食が発生するのを防止する機能等を有するものであってもよい。
【００３４】
下地層４０の形成方法としては、例えば、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、溶射、金属箔の接合等が挙げられるが、この中でも特に、湿式メッキ法または乾式メッキ法が好ましい。
下地層４０の形成方法として、湿式メッキ法または乾式メッキ法を用いることにより、形成される下地層４０は、基材２との密着性に特に優れたものとなる。その結果、得られる装飾品１Ａ（部材１０Ａ）の長期耐久性は、特に優れたものとなる。
また、下地層４０は、例えば、基材２の表面に、酸化処理、窒化処理、クロメート処理、炭化処理、酸浸漬、酸電解処理、アルカリ浸漬処理、アルカリ電解処理等の化学処理を施すことにより形成された被膜、特に、不動態膜であってもよい。
【００３５】
下地層４０の構成材料としては、例えば、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｗ、Ｓｉ、Ｇｅ等の金属材料や、前記金属材料のうち少なくとも１種を含む合金、前記金属材料のうち少なくとも１種による金属化合物（例えば、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物等）、各種樹脂材料またはこれらを２種以上組み合わせたもの等が挙げられる。
また、下地層４０の構成材料は、基材２を構成する材料またはダイヤモンド様炭素膜３を構成する材料のうち少なくとも１種を含むものであるのが好ましい。これにより、基材２、ダイヤモンド様炭素膜３との密着性がさらに向上する。
【００３６】
下地層４０の平均厚さは、特に限定されないが、例えば、０．１〜２０．０μｍであるのが好ましく、０．５〜１０．０μｍであるのがより好ましい。下地層４０の平均厚さが前記下限値未満であると、下地層４０の効果が十分に発揮されない可能性がある。一方、下地層４０の平均厚さが前記上限値を超えると、下地層４０の各部位における膜厚のバラツキが大きくなる傾向を示す。また、下地層４０の内部応力が高くなり、クラックが発生し易くなる。
【００３７】
以上説明したように、基材２の表面に、下地層４０を形成することにより、基材２とダイヤモンド様炭素膜３との密着性、装飾品１Ａ（部材１０Ａ）の耐食性がさらに優れたものとなる。その結果、装飾品１Ａ（部材１０Ａ）は、特に耐久性に優れたものとなる。
なお、下地層４０は、図示の構成では基材２の全面に形成されているが、基材２の表面の少なくとも一部に形成されるものであればよい。また、下地層４０の各部位における組成は、一定であっても、一定でなくてもよい。例えば、下地層４０は、その厚さ方向に沿って、組成が順次変化するもの（傾斜材料）であってもよい。
【００３８】
また、下地層４０とダイヤモンド様炭素膜３との密着性の向上等を目的として、後述するダイヤモンド様炭素膜３の形成に先立ち、下地層４０に対して、前処理を施してもよい。前処理としては、例えば、ブラスト処理、アルカリ洗浄、酸洗浄、水洗、有機溶剤洗浄、ボンバード処理等の清浄化処理、エッチング処理等が挙げられるが、この中でも特に、清浄化処理が好ましい。下地層４０の表面に、清浄化処理を施すことにより、下地層４０とダイヤモンド様炭素膜３との密着性が特に優れたものとなる。
【００３９】
［ダイヤモンド様炭素膜の形成］
下地層４０の表面に、主としてダイヤモンド様炭素（ＤＬＣ）で構成されたダイヤモンド様炭素膜３を形成する（１ｃ）。
ダイヤモンド様炭素膜３は、優れた光沢を有する。このため、装飾品１Ａ（部材１０Ａ）全体としての美的外観を特に優れたものとすることができる。
また、ダイヤモンド様炭素膜３は、高硬度で、優れた耐磨耗性・耐擦傷性を有している。このため、ダイヤモンド様炭素膜３を有することにより、部材１０Ａ（装飾品１Ａ）の破損、損傷等を効果的に防止することができる。
【００４０】
また、ダイヤモンド様炭素膜３は、優れた潤滑性を有する。このため、ダイヤモンド様炭素膜３が形成された部位における摩擦を有効に低減させることができる。その結果、例えば、装飾品１Ａ（部材１０Ａ）が、摺動させて用いるようなもの（例えば、ネジ部を有するようなものや、後述するような回転ベゼル、ボタン、ネジロック式りゅうず、歯車、輪列受け等）であって、その摺動部にダイヤモンド様炭素膜３を有するものである場合、その摺動操作を円滑に行うことができる。また、摩擦による装飾品１Ａ（部材１０Ａ）の破損、故障等も、効果的に防止することができる。
【００４１】
潤滑性を示す指標としては、例えば、ＪＩＳ  Ｒ  １６１３に準じて測定されるボールオンディスク法での摩擦係数μ等が挙げられる。ボールオンディスク法により測定されるダイヤモンド様炭素膜３の摩擦係数μは、０．０５〜０．７程度であるのが好ましく、０．１〜０．５程度であるのがより好ましく、０．１〜０．３５程度であるのがさらに好ましい。ダイヤモンド様炭素膜３の摩擦係数μがこのような範囲の値であると、ダイヤモンド様炭素膜３が形成された部位における摩擦をより有効に低減させることができ、装飾品１Ａの摺動操作をより円滑に行うことができる。また、ダイヤモンド様炭素膜３の摩擦係数μがこのような範囲の値であると、装飾品１Ａ（部材１０Ａ）の滑り性が向上し、ザラツキ感を軽減、防止することができ、装飾品１Ａ（部材１０Ａ）が皮膚等に接触したときの違和感、不快感を軽減、防止することができる。
【００４２】
また、ダイヤモンド様炭素膜３は、高硬度で、優れた耐摩耗性・耐擦傷性を有する。このため、繰り返し摩擦が起こる部位に設けられても、前述したような効果を長期間にわたって維持することができる。したがって、ダイヤモンド様炭素膜３を有する装飾品１Ａ（部材１０Ａ）は、優れた耐久性を有する。また、ダイヤモンド様炭素膜３が優れた耐擦傷性を有することにより、装飾品１Ａ（部材１０Ａ）は、より長期間にわたって、優れた美的外観を保持することができる。
【００４３】
ダイヤモンド様炭素膜３のビッカース硬度Ｈｖは、７００以上であるのが好ましく、８００〜５０００であるのがより好ましく、２０００〜５０００であるのがさらに好ましい。ダイヤモンド様炭素膜３のビッカース硬度Ｈｖがこのような範囲の値であると、上述した効果がさらに顕著なものとなる。
また、ダイヤモンド様炭素膜３は、汚れが付着し難い性質、すなわち、優れた防汚性を有している。また、汚れが付着した場合であっても、その汚れを容易に除去することが可能である。したがって、ダイヤモンド様炭素膜３を有する装飾品１Ａ（部材１０Ａ）は、長期間にわたって、優れた美的外観を保持することができる。
【００４４】
ダイヤモンド様炭素膜３は、いかなる方法で形成されたものであってもよいが、気相成膜法で形成されたものであるのが好ましく、この中でも特に、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ（ＲＦプラズマＣＶＤ、ＥＣＲプラズマＣＶＤ等）、レーザーＣＶＤなどの化学蒸着法（ＣＶＤ）、化学スパッタリング、物理スパッタリングなどのスパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングのうちいずれかの方法で形成されたものであるのが好ましい。このような方法を用いることにより、ムラの少ない均質なダイヤモンド様炭素膜３を比較的容易に得ることができる。また、このような方法によれば、基材２、下地層４０との密着性に優れたダイヤモンド様炭素膜３を形成することができる。その結果、得られる装飾品１Ａは、耐食性、耐久性に優れたものとなる。
【００４５】
また、上記のような乾式メッキ法を用いてダイヤモンド様炭素膜３を形成することにより、以下のような効果が得られる。
すなわち、後述するスパッタリングの説明で代表されるように、雰囲気ガスの組成を適宜選択することにより、容易に、所望の組成を有するダイヤモンド様炭素膜３を形成することができる。このように、ダイヤモンド様炭素膜３の組成を容易に調整することにより、ダイヤモンド様炭素膜３の特性（例えば、色、光沢度、硬度等）を調整することが可能となる。
【００４６】
以下、スパッタリングによるマスキング５の形成方法の一例について説明する。
スパッタリングは、通常、アルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガスを主とする雰囲気ガス中で行われるが、雰囲気ガス中には、メタンガス、エタンガス等の炭化水素ガスや水素ガス等が含まれているのが好ましい。これにより、形成されるダイヤモンド様炭素膜３を、水素添加されたＤＬＣで構成されたものとすることができる。ダイヤモンド様炭素膜３が水素添加されたＤＬＣで構成されたものであると、ダイヤモンド様炭素膜３の摩擦係数が低下し、潤滑性がさらに向上する。
【００４７】
雰囲気ガス中における炭化水素ガスおよび水素ガスの総含有率は、１０ｖｏｌ％以上であることが好ましい。これにより、ＤＬＣへの水素添加をより効果的に行うことが可能となる。
なお、雰囲気ガス中には、例えば、Ｏ２、Ｎ２、ＮＨ３等の反応性ガスが含まれていてもよい。このような反応性ガスを含む雰囲気ガス中で、スパッタリングを行うことにより、Ｃ、Ｈ以外の元素が添加されたダイヤモンド様炭素膜３を形成することができる。これにより、ダイヤモンド様炭素膜３と下地層４０との密着性を高めたり、ダイヤモンド様炭素膜３の硬度等を調整することができる。
【００４８】
また、ターゲットとしては、通常、グラファイト等が用いられる。
なお、ターゲットとして、Ｃ、Ｈ以外の元素（例えば、Ｎ、Ｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｂ、Ｐ、Ｆ等）を含む材料を用いたり、このような材料とグラファイトとの混合物を用いてもよい。これにより、Ｃ、Ｈ以外の元素が添加されたダイヤモンド様炭素膜３を形成することができる。その結果、ダイヤモンド様炭素膜３と下地層４０との密着性を高めたり、ダイヤモンド様炭素膜３の硬度等を調整することが可能となる。
また、このようなスパッタリングは、高周波（ＲＦ）放電により行うのが好ましい。これにより、プラズマ密度を高くすることができ、またアーク放電を効果的に防止することができる。
【００４９】
ダイヤモンド様炭素膜３の成膜速度は、特に限定されないが、０．０５〜３０μｍ／ｈであるのが好ましく、０．１〜２０μｍ／ｈであるのがより好ましい。ダイヤモンド様炭素膜３の成膜速度が前記下限値未満であると、形成されるダイヤモンド様炭素膜３中の空孔率が低くなりすぎ（ダイヤモンド様炭素膜３が緻密なものとなり）、後述する工程において、ダイヤモンド様炭素膜３を効率良く除去するのが困難となる場合がある。また、ダイヤモンド様炭素膜３の成膜速度が前記下限値未満であると、成膜に時間がかかり、部材１０Ａ（装飾品１Ａ）の生産性が低下する。一方、ダイヤモンド様炭素膜３の成膜速度が前記上限値を超えると、ダイヤモンド様炭素膜３の厚さのバラツキが大きくなり易い。
【００５０】
ダイヤモンド様炭素膜３の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜５．０μｍであるのが好ましく０．５〜２．０μｍであるのがより好ましい。ダイヤモンド様炭素膜３の平均厚さをこのような範囲の値にすることにより、前述したダイヤモンド様炭素膜３の効果をより顕著に発揮させることができる。
これに対し、ダイヤモンド様炭素膜３の平均厚さが前記下限値未満であると、基材２、下地層４０の構成材料、厚さ等によっては、前述したダイヤモンド様炭素膜３の効果を十分に発揮させるのが困難となる場合がある。また、ダイヤモンド様炭素膜３の平均厚さが前記上限値を超えると、ダイヤモンド様炭素膜３の内部応力が高くなり、ダイヤモンド様炭素膜３と下地層４０との密着性が低下したり、クラックが発生し易くなる。その結果、装飾品１Ａの耐久性が低下し、安定した美的外観が得られなくなる。また、ダイヤモンド様炭素膜３の平均厚さが前記上限値を超えると、後述する工程において、ダイヤモンド様炭素膜３を効率良く除去するのが困難となる場合がある。
【００５１】
なお、ダイヤモンド様炭素膜３の各部位における組成は、一定であっても、一定でなくてもよい。例えば、ダイヤモンド様炭素膜３は、その厚さ方向に沿って、組成が順次変化するもの（傾斜材料）であってもよい。また、ダイヤモンド様炭素膜３は、図示の構成では下地層４０の全面に形成されているが、下地層４０の表面の一部に形成されているものであってもよい。また、ダイヤモンド様炭素膜３は、その少なくとも一部が下地層４０の表面に形成されていればよく、例えば、ダイヤモンド様炭素膜３は、その一部が、下地層４０を介さずに、基材２の表面に直接形成されたものであってもよい。
【００５２】
次に、上述した部材１０Ａからダイヤモンド様炭素膜３の少なくとも一部を除去する方法について説明する。
図２に示すように、本実施形態のダイヤモンド様炭素膜の除去方法は、部材１０Ａの表面の少なくとも一部（１ｃ）に、マスキング５を形成する工程（１ｄ）と、剥離剤を用いて、マスキング５が被覆されていない部位の下地層４０およびダイヤモンド様炭素膜３を除去する工程（１ｅ）と、マスキング５を除去する工程（１ｆ）とを有する。
【００５３】
［マスキングの被覆］
まず、ダイヤモンド様炭素膜３の表面の一部（１ｃ）に、マスキング５を被覆する（１ｄ）。このマスキング５は、後述する下地層４０およびダイヤモンド様炭素膜３を除去する工程において、被覆した部位の下地層４０およびダイヤモンド様炭素膜３を保護するマスクとして機能する。
【００５４】
本実施形態のように、マスキング５を形成することにより、後述する工程において、下地層４０およびダイヤモンド様炭素膜３の選択的な除去を、容易かつ確実に行うことができる。これにより、微細なパターンのダイヤモンド様炭素膜３を有する装飾品１Ａを容易に得ることができる。また、これにより、前述したようなダイヤモンド様炭素膜の特性を、最終的に得られる装飾品１Ａにおいても、十分に発揮することができる。また、下地層４０およびダイヤモンド様炭素膜３を選択的に除去することにより、最終的に得られる部材１０Ａ（装飾品１Ａ）は、その各部位において求められる機能を、それぞれ十分に発揮することができ、操作性や審美性がさらに向上したものとなる。例えば、最終的に得られる部材１０Ａ（装飾品１Ａ）の摺動部等にはダイヤモンド様炭素膜３が残存するようにし、それ以外の部位にはダイヤモンド様炭素膜３が残存しないようにすることにより、操作時における手元の滑りを十分に防止しつつ、部材１０Ａ（装飾品１Ａ）の摺動操作を容易に行うことができる。また、ダイヤモンド様炭素膜３の一部を残存させることにより、例えば、ダイヤモンド様炭素膜３が残存する部位と、ダイヤモンド様炭素膜３が除去された部位とで、凹凸のパターンを形成したり、色彩の違いが顕著なものとなる。その結果、装飾品１Ａの美的外観を、さらに優れたものとすることができる。
【００５５】
マスキング５としては、下地層４０およびダイヤモンド様炭素膜３を除去する工程において、被覆した部位の下地層４０およびダイヤモンド様炭素膜３を保護する機能を有するものであればいかなるものでもよいが、後述するマスキング５を除去する工程において、容易に除去することができるものであるのが好ましい。
このようなマスキング５を構成する材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリスルホン系樹脂、エポキシ系、フッ素系等の樹脂材料やＡｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｃｒ等の金属材料を用いることができる。
【００５６】
マスキング５の形成方法は、特に限定されず、例えば、ディッピング、刷毛塗り、噴霧塗装、静電塗装、電着塗装等の塗装、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、溶射等が挙げられる。
【００５７】
マスキング５の平均厚さは、特に限定されないが、例えば、１００〜２０００μｍであるのが好ましく、５００〜１０００μｍであるのがより好ましい。マスキング５の平均厚さが前記下限値未満であると、マスキング５にピンホールが発生し易くなる傾向がある。このため、後述するダイヤモンド様炭素膜３、下地層４０の除去の工程において、マスキング５としての機能（下地層４０およびダイヤモンド様炭素膜３を保護するマスクとしての機能）を十分に発揮するのが困難となり、得られる装飾品１Ａの美的外観が低下する可能性がある。一方、マスキング５の平均厚さが前記上限値を超えると、マスキング５の各部位における膜厚のバラツキが大きくなる傾向を示す。また、マスキング５の内部応力が高くなり、結果として、マスキング５とダイヤモンド様炭素膜３との密着性が低下したり、クラックが発生し易くなる。
【００５８】
また、マスキング５は透明であることが好ましい。これにより、ダイヤモンド様炭素膜３との密着状態を外部から視認することが可能となる。
マスキング５は、ダイヤモンド様炭素膜３の表面に、直接、所望の形状となるように形成されるものに限定されない。例えば、ダイヤモンド様炭素膜３の表面のほぼ全面に、マスキング５の構成材料を被覆した後、その一部を除去することにより、所望のパターンを有するマスキング５としてもよい。
【００５９】
ダイヤモンド様炭素膜３の表面のほぼ全面に被覆されたマスキング５の一部を除去する方法としては、例えば、除去したい部位のマスキング５に、レーザー光を照射する方法等が挙げられる。このとき用いられるレーザーとしては、例えば、Ｎｅ−Ｈｅレーザー、Ａｒレーザー、ＣＯ２レーザー等の気体レーザーや、ルビーレーザー、半導体レーザー、ＹＡＧレーザー、ガラスレーザー、ＹＶＯ４レーザー、エキシマレーザー等が挙げられる。
【００６０】
また、上記のようなマスキング５の形成に先立ち、ダイヤモンド様炭素膜３に対して、下地処理を施してもよい。下地処理の目的は、いかなるものであってもよいが、例えば、下地処理により、ダイヤモンド様炭素膜３とマスキング５との密着性の向上等を図ることができる。前処理としては、例えば、ブラスト処理、アルカリ洗浄、酸洗浄、水洗、有機溶剤洗浄、ボンバード処理等の清浄化処理、エッチング処理等が挙げられるが、この中でも特に、清浄化処理が好ましい。下地層４０の表面に、清浄化処理を施すことにより、下地層４０とダイヤモンド様炭素膜３との密着性が特に優れたものとなる。
【００６１】
［下地層およびダイヤモンド様炭素膜の除去］
次に、マスキング５が被覆されていない部位のダイヤモンド様炭素膜３および下地層４０を除去する（１ｅ）。
本発明では、ダイヤモンド様炭素膜を、該ダイヤモンド様炭素膜が形成された部位の下地層とともに、除去（剥離）する点に特徴を有する。より詳しく言うと、ダイヤモンド様炭素膜上から剥離剤を付与することにより、前記剥離剤をダイヤモンド様炭素膜中に浸透させ、下地層とともにダイヤモンド様炭素膜を除去する点に特徴を有する。なお、本明細書中で、下地層の剥離とは、下地層の少なくとも一部を基材上から除去することを言う。本明細書中において、「下地層の剥離」には、例えば、基材と下地層との密着性を低下させることにより、下地層を基材の表面から別離させることや、下地層の厚さ方向の少なくとも一部を剥離剤（剥離液）に、溶解させること等が含まれるものとする。
剥離剤は、特に限定されないが、液体、気体等の流体であるのが好ましく、その中でも特に、液体であるのが好ましい。これにより、ダイヤモンド様炭素膜３、下地層４０の除去をさらに容易かつ確実に行うことが可能となる。
【００６２】
剥離剤を部材１０Ａ（マスキング５が形成された部材１０Ａ）に付与する方法としては、例えば、浸漬法（液状の剥離剤中に部材１０Ａを浸漬する方法であって、液状の剥離剤に浸漬した状態で電解する方法等を含む）、スプレー法、刷毛塗り、インクジェット法、タコ印刷法、スクリーン印刷法等が挙げられる。この中でも、浸漬法は、比較的短時間で、容易かつ確実にダイヤモンド様炭素膜３を除去できるという点で優れている。また、浸漬法では、部材１０Ａに付与される剥離剤の温度、組成等を容易に管理することができ、また、部材１０Ａと剥離剤との接触時間（部材１０Ａの剥離剤中への浸漬時間）を制御し易いという点でも優れている。
【００６３】
浸漬法により剥離剤を部材１０Ａに付与する場合、部材１０Ａの剥離剤中への浸漬時間は、剥離剤の組成、下地層４０の組成、ダイヤモンド様炭素膜３の厚さ等により異なるが、１０〜６０分であるのが好ましく、２０〜３０分であるのがより好ましい。部材１０Ａの剥離剤中への浸漬時間がこのような範囲の値であると、基材２へのダメージを十分に防止しつつ、比較的短時間で、ダイヤモンド様炭素膜３、下地層４０をより確実に除去することができる。
【００６４】
また、部材１０Ａを剥離剤中に浸漬する際、必要に応じて、雰囲気の温度、圧力等を調整することができる。
例えば、剥離剤中に部材１０Ａを浸漬する際に（浸漬している間）、雰囲気の圧力を大気圧より低い圧力となるようにする（減圧する）ことにより、ダイヤモンド様炭素膜３の空孔内に存在する気体、剥離剤中に溶存する気体等を効率良く除去することができる。これにより、剥離剤のダイヤモンド様炭素膜３中への浸透が促進され、ダイヤモンド様炭素膜３および下地層４０の除去の効率を高めることができる。
このような場合、浸漬時（浸漬中）における雰囲気の圧力は、８×１０４Ｐａ以下であるのが好ましく、１×１０２〜５×１０４Ｐａであるのがより好ましい。雰囲気圧がこのような範囲の値であると、前述した効果がさらに顕著なものとなる。
【００６５】
また、剥離剤中に部材１０Ａを浸漬する際に（浸漬している間）、雰囲気の圧力を大気圧より高い圧力となるようにする（加圧する）こともできる。これにより、ダイヤモンド様炭素膜３の空孔内に剥離剤を強制的に送り込むことができる。その結果、剥離剤のダイヤモンド様炭素膜３中への浸透が促進され、ダイヤモンド様炭素膜３および下地層４０の除去の効率を高めることができる。
このような場合、浸漬時（浸漬中）における雰囲気の圧力は、１．１×１０５Ｐａ以上であるのが好ましく、１．５×１０５〜５×１０７Ｐａであるのがより好ましい。雰囲気圧がこのような範囲の値であると、前述した効果がさらに顕著なものとなる。
【００６６】
また、部材１０Ａの剥離剤中への浸漬時における雰囲気の圧力は、その途中で、連続的または断続的（非連続的）に変化させてもよい。例えば、浸漬の初期の段階では、雰囲気の圧力を大気圧より低くし（減圧し）、その後、雰囲気の圧力を高めていき、大気圧とほぼ同じ圧力または大気圧より高い圧力にしてもよい。このように、雰囲気の圧力を調整することにより、前述した効果はさらに顕著なものとなる。
【００６７】
また、部材１０Ａに付与される剥離剤の温度は、その付与方法、剥離剤の組成、下地層４０の組成、ダイヤモンド様炭素膜３の厚さ等により異なるが、２０〜６０℃であるのが好ましく、２５〜４０℃であるのがより好ましい。剥離剤の温度がこのような範囲の値であると、基材２へのダメージを十分に防止しつつ、比較的短時間で、ダイヤモンド様炭素膜３、下地層４０をより確実に除去することができる。
また、剥離剤は、例えば、部材１０Ａに付与される際に、ミスト状（霧状）のものであってもよいし、加熱等により気化された気体状（ガス状）のものであってもよい。
【００６８】
この工程で用いる剥離剤は、マスキング５を実質的に溶解、剥離せずに、マスキング５が被覆されていない部位の下地層４０およびダイヤモンド様炭素膜３のみを選択的に除去することが可能なものを用いるのが好ましい。
また、剥離剤の具体的な組成は、下地層の組成等により異なるが、剥離剤は、一般に、主として無機材料で構成されたもの（具体的には、剥離剤中に占める無機材料の割合が８０ｗｔ％以上）であるのが好ましい。これにより、ダイヤモンド様炭素膜３を、比較的短時間でより確実に除去することができる。また、無機材料は、ダイヤモンド様炭素との親和性に優れるため、部材１０Ａ（マスキング５が形成された部材１０Ａ）への剥離剤の付与条件を比較的温和なものとしても、比較的短時間でより確実に、ダイヤモンド様炭素膜３を除去することができる。
上述したように、剥離剤の組成は、下地層４０の組成等により異なるが、以下、下地層４０の組成と剥離剤の組成との具体的な組合せの例を示す。なお、本発明で用いる剥離剤が、これらに限定されないことは言うまでもない。
【００６９】
下地層４０が主としてＣｕで構成されるもの（Ｃｕ系合金等を含む）である場合、剥離剤は、硝酸を含むものであるのが好ましい。剥離剤中における硝酸濃度は、３０〜９０ｗｔ％であるのが好ましく、４０〜６０ｗｔ％であるのがより好ましい。また、特に、浸漬法によりダイヤモンド様炭素膜３の除去を行う場合、部材１０Ａの浸漬時間は、２０〜１２０分であるのが好ましく、４０〜６０分  であるのがより好ましい。また、剥離剤の温度は、１５〜５０℃であるのが好ましく、２０〜３０℃であるのがより好ましい。
【００７０】
下地層４０が主としてＣｒで構成されるもの（Ｃｒ系合金等を含む）である場合、剥離剤は、炭酸ナトリウムを含むものであるのが好ましい。剥離剤中における炭酸ナトリウム濃度は、１〜２０ｗｔ％であるのが好ましく、５〜１０ｗｔ％であるのがより好ましい。また、炭酸ナトリウムを含む剥離剤を用いる場合、通常、部材１０Ａを剥離剤中に浸漬した状態で、陽極電解を行うことにより、ダイヤモンド様炭素膜３を除去する。陽極電解時における電流密度は、１〜１０Ａ／ｄｍ２であるのが好ましく、３〜７Ａ／ｄｍ２であるのがより好ましい。また、部材１０Ａの浸漬時間は、１０〜６０分であるのが好ましく、２０〜３０分であるのがより好ましい。また、剥離剤の温度は、２０〜６０℃であるのが好ましく、２５〜４０℃であるのがより好ましい。
【００７１】
下地層４０が主としてＴｉＮで構成されるものである場合、剥離剤は、フッ化水素酸（フッ化水素）および硝酸を含むものであるのが好ましい。剥離剤中におけるフッ化水素濃度は、１０〜４０ｗｔ％であるのが好ましく、２０〜３０ｗｔ％であるのがより好ましい。また、剥離剤中における硝酸濃度は、３０〜６０ｗｔ％であるのが好ましく、４０〜５０ｗｔ％であるのがより好ましい。また、特に、浸漬法によりダイヤモンド様炭素膜３の除去を行う場合、部材１０Ａの浸漬時間は、１〜６０分であるのが好ましく、１０〜２０分であるのがより好ましい。また、剥離剤の温度は、１５〜５０℃であるのが好ましく、２０〜３０℃であるのがより好ましい。
【００７２】
下地層４０が主としてＳｉで構成されるもの（Ｓｉ系合金等を含む）である場合、剥離剤は、フッ化水素酸（フッ化水素）および硝酸を含むものであるのが好ましい。剥離剤中におけるフッ化水素濃度は、１０〜４０ｗｔ％であるのが好ましく、２０〜３０ｗｔ％であるのがより好ましい。また、剥離剤中における硝酸濃度は、３０〜６０ｗｔ％であるのが好ましく、４０〜５０ｗｔ％であるのがより好ましい。また、特に、浸漬法によりダイヤモンド様炭素膜３の除去を行う場合、部材１０Ａの浸漬時間は、１〜６０分であるのが好ましく、１０〜２０分であるのがより好ましい。また、剥離剤の温度は、１５〜５０℃であるのが好ましく、２０〜３０℃であるのがより好ましい。
【００７３】
下地層４０が主としてＡｕで構成されるもの（Ａｕ系合金等を含む）である場合、剥離剤は、シアン系剥離剤を好適に用いることができる。また、特に、浸漬法によりダイヤモンド様炭素膜３の除去を行う場合、部材１０Ａの浸漬時間は、５〜６０分であるのが好ましく、２０〜３０分であるのがより好ましい。また、剥離剤の温度は、１５〜５０℃であるのが好ましく、２０〜３０℃であるのがより好ましい。
【００７４】
下地層４０が主としてＡｇで構成されるもの（Ａｇ系合金等を含む）である場合、剥離剤は、シアン系剥離剤を好適に用いることができる。また、特に、浸漬法によりダイヤモンド様炭素膜３の除去を行う場合、部材１０Ａの浸漬時間は、５〜６０分であるのが好ましく、２０〜３０分であるのがより好ましい。また、剥離剤の温度は、１５〜５０℃であるのが好ましく、２０〜３０℃であるのがより好ましい。
【００７５】
なお、図示の構成では、本工程において除去されるダイヤモンド様炭素膜３が形成されていた部位の下地層４０は、全て除去されているが、例えば、下地層４０は、その厚さ方向の一部（ダイヤモンド様炭素膜３と接触する面側付近）のみが除去されるものであってもよい。これにより、得られる装飾品１Ａの装飾性をさらに高めることができる。下地層４０の厚さ方向の除去量は、例えば、部材１０Ａへの浸漬液の付与条件等を制御することによりコントロールすることができる。
【００７６】
［マスキングの除去］
その後、マスキング５を除去することにより、装飾品１Ａが得られる（１ｆ）。
マスキング５の除去は、いかなる方法で行ってもよいが、マスキング５を除去することが可能であり、かつ基材２およびダイヤモンド様炭素膜３に対して（より好ましくは、下地層４０に対しても）、実質的にダメージを与えないマスキング除去剤を用いて行うのが好ましい。
このようなマスキング除去剤を用いることにより、マスキング５の除去を容易かつ確実に行うことができる。
【００７７】
マスキング５の除去に用いられるマスキング除去剤は、特に限定されないが、液体、気体等の流体であるのが好ましく、その中でも特に、液体であるのが好ましい。これにより、マスキング５の除去をさらに容易かつ確実に行うことが可能となる。
マスキング除去剤としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルテトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒等の有機溶媒等から選択される１種または２種以上を混合したものや、これらに、硝酸、硫酸、塩化水素、フッ化水素、リン酸等の酸性物質、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、アンモニア等のアルカリ性物質、過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ４）、二酸化マンガン（ＭｎＯ２）、二クロム酸カリウム（Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７）、オゾン、濃硫酸、硝酸、サラシ粉、過酸化水素、キノン類等の酸化剤、チオ硫酸ナトリウム（Ｎａ２Ｓ２Ｏ３）、硫化水素、過酸化水素、ヒドロキノン類等の還元剤を混合したもの等が挙げられる。
【００７８】
マスキング５を除去する方法としては、例えば、マスキング除去剤を噴霧する方法（スプレー法）、液体状態のマスキング除去剤に浸漬する方法（液体状態のマスキング除去剤に浸漬した状態で電解する方法等を含む）、インクジェット法等が挙げられるが、この中でも特に、液体状態のマスキング除去剤に浸漬する方法が好ましい。これにより、マスキング５の除去をさらに容易かつ確実に行うことが可能となる。
【００７９】
マスキング５の除去を、液体状態のマスキング除去剤に浸漬することにより行う場合、マスキング除去剤の温度は、特に限定されないが、例えば、１５〜１００℃であるのが好ましく、３０〜５０℃であるのがより好ましい。マスキング除去剤の温度が前記下限値未満であると、マスキング５の厚さ等によっては、マスキング５を十分に除去するのに要する時間が長くなり、装飾品１Ａの生産性が低下する場合がある。一方、マスキング除去剤の温度が前記上限値を超えると、マスキング除去剤の蒸気圧、沸点等によっては、マスキング除去剤の揮発量が多くなり、マスキング５の除去に必要なマスキング除去剤の量が多くなる傾向を示す。
【００８０】
また、マスキング除去剤への浸漬時間は、特に限定されないが、例えば、５〜６０分間であるのが好ましく、５〜３０分間であるのがより好ましい。マスキング除去剤への浸漬時間が前記下限値未満であると、マスキング５の厚さ、マスキング除去剤の温度等によっては、マスキング５を十分に除去するのが困難となる場合がある。一方、マスキング除去剤への浸漬時間が前記上限値を超えると、装飾品１Ａの生産性が低下する。
【００８１】
以上説明したように、本発明では、基材に対して、実質的にダメージを与えることなくダイヤモンド様炭素膜を除去することができる。
これにより、例えば、下地層を有する基材（装飾品）に対して、ダイヤモンド様炭素膜を形成する際に、被覆不良（例えば、不均一な膜厚、色調のばらつき等）を生じた場合であっても、基材からダイヤモンド様炭素膜を、容易かつ確実に除去することができ、基材の再利用が可能となる。その結果、装飾品（部材）の歩留りが向上する。
【００８２】
本発明によれば、特別な装置を用いることなく安価に、ダイヤモンド様炭素膜の除去を行うことができる。また、本発明は、生産コストの面からも有利である。
また、前述したように、ダイヤモンド様炭素膜３は、優れた光沢を有する。このため、装飾品１Ａ（部材１０Ａ）全体としての美的外観を特に優れたものとすることができる。
また、ダイヤモンド様炭素膜３は、高硬度で、優れた耐磨耗性・耐擦傷性を有している。このため、ダイヤモンド様炭素膜３を有することにより、部材１０Ａ（装飾品１Ａ）の破損、損傷等を効果的に防止することができる。
【００８３】
また、ダイヤモンド様炭素膜３は、優れた潤滑性を有する。このため、ダイヤモンド様炭素膜３が形成された部位における摩擦を有効に低減させることができる。その結果、例えば、装飾品１Ａ（部材１０Ａ）が、摺動させて用いるようなもの（例えば、ネジ部を有するようなものや、後述するような回転ベゼル、ボタン、ネジロック式りゅうず、歯車、輪列受け等）であって、その摺動部にダイヤモンド様炭素膜３を有するものである場合、その摺動操作を円滑に行うことができる。また、摩擦による装飾品１Ａ（部材１０Ａ）の破損、故障等も、効果的に防止することができる。
【００８４】
また、ダイヤモンド様炭素膜形成時における雰囲気ガスの組成を適宜選択することにより、容易に、所望の組成、特性を有するダイヤモンド様炭素膜を形成することができる。
また、基材の構成材料等を選択することにより、複雑な形状を有する装飾品を容易に製造することが可能となり、また、装飾品の軽量化、製造コストの低減等を達成することができる。
【００８５】
なお、本実施形態では、部材１０Ａにマスキング５を被覆した後、剥離剤を用いてダイヤモンド様炭素膜３を除去する構成について説明したが、マスキング５は、形成しなくてもよい。例えば、マスキング５を形成せずに、ダイヤモンド様炭素膜３のほぼ全面に剥離剤を付与することにより、部材１０Ａのダイヤモンド様炭素膜３の全てを除去することができる。このように、本発明では、ダイヤモンド様炭素膜３の一部を除去するものであっても、ダイヤモンド様炭素膜３の全てを除去するものであってもよい。
【００８６】
また、前述したように、本発明においては、剥離剤の付与方法は、特に限定されるものではない。例えば、剥離剤は、インクジェット法等により、部材１０Ａに付与してもよい。インクジェット法によれば、剥離剤（剥離液）を付与する部位を容易かつ確実に制御することができるため、前述したようなマスキングの形成の工程を省略または簡略化することができる。
【００８７】
次に、装飾品１Ａについて説明する。
装飾品１Ａは、装飾性を備えた物品であればいかなるものでもよいが、例えば、置物等のインテリア、エクステリア用品、宝飾品、時計ケース（胴、裏蓋等）、時計バンド（バンド中留、バンド・バングル着脱機構等を含む）、文字盤、時計用針、ベゼル（例えば、回転ベゼル等）、りゅうず（例えば、ネジロック式りゅうず等）、ボタン等の時計用外装部品、ムーブメントの地板、歯車、輪列受け、回転錘等の時計用内装部品、メガネ、ネクタイピン、カフスボタン、指輪、ネックレス、ブレスレット、アンクレット、ブローチ、ペンダント、イヤリング、ピアス等の装身具、ライターまたはそのケース、自動車のホイール、ゴルフクラブ等のスポーツ用品、銘板、パネル、賞杯、その他ハウジング等を含む各種機器部品、各種容器等が挙げられる。この中でも特に、少なくともその一部が皮膚に接触して用いられるものが好ましく、時計用外装部品がより好ましい。時計用外装部品は、装飾品として外観の美しさが要求されるとともに、実用品として、耐久性、耐食性、耐摩耗性や、優れた触感等が要求されるが、本発明によればこれらの要件を全て満足することができる。
【００８８】
また、特に、本発明を回転ベゼルに適用した場合、クリック部のすべりが良くなり、ベゼルの回転が滑らかになる。その結果、回転ベゼルの実用性が向上し、また、装飾品としての高級感も向上する。また、ベゼルの回転機構部のみぞ・突起部の磨耗等も好適に防止・抑制される。また、回転ベゼルを量産した際における、各個体間でのベゼルの回転トルク値のばらつきを抑制することができ、全体としての品質が安定する。
【００８９】
また、本発明をネジロック式りゅうずに適用した場合、ネジ回し時における、いわゆるゴリ感（ネジが噛むような感触）を好適に防止することができる。また、ネジロック式りゅうずを量産した際における、各個体間でのネジの回転トルク値のばらつきを抑制することができ、全体としての品質が安定する。
また、本発明をバンド中留バンドエンドピース、バンド・バングル着脱機構、裏蓋等に適用した場合、長期間にわたって、安定した留め力を確保することができる。特に、本発明を裏蓋に適用した場合には、時計の防水性をより確実に発揮することが可能になる。
また、本発明をボタンに適用した場合、ボタンの押し込み感が滑らかになる。その結果、ボタンの実用性が向上し、また、装飾品としての高級感も向上する。
【００９０】
また、本発明の時計は、上述したような本発明の装飾品を有するものである。上述したように、本発明の装飾品は、高硬度で、耐擦傷性（耐磨耗性）、耐食性に優れ、長期間にわたって優れた美的外観を保持することができるものである。このため、このような装飾品を備えた本発明の時計は、時計としての求められる要件を十分に満足することができる。すなわち、本発明の時計は、特に優れた審美性を長期間にわたって保持することができる。また、変色を生じにくいため、視認しやすい状態を長期間にわたって維持することができる。特に、本発明によれば、特別な気密構造を必要とすることなく、上記のような効果が得られる点に特徴を有する。なお、本発明の時計を構成する前記装飾品以外の部品としては、公知のものを用いることができる。
なお、本実施形態では、本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法により装飾品を得る方法について説明したが、本発明は、例えば、金型（型）、工具、電子部品等のように装飾性があまり求められないような物品（部材）に対しても適用できることは、言うまでもない。
【００９１】
次に、本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法、装飾品および時計の第２実施形態について説明する。
図３は、本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法に適用される部材の製造方法の一例を示す断面図、図４は、本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法の第２実施形態を示す断面図である。
【００９２】
以下、第２実施形態のダイヤモンド様炭素膜の除去方法および該方法を用いて製造される第２実施形態の装飾品について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項の説明については、その説明を省略する。
図３に示すように、部材１０Ｂは、基材２の表面の少なくとも一部（２ａ）に、下地層（基材側から順に、第１の下地層４１、第２の下地層４２、第３の下地層４３）を形成する工程（２ｂ、２ｃ、２ｄ）と、前記下地層の表面の少なくとも一部に、主としてダイヤモンド様炭素（ＤＬＣ）で構成されるダイヤモンド様炭素膜３を形成する工程（２ｅ）とを有する方法により、製造することができる。
以下、第１の下地層４１、第２の下地層４２および第３の下地層４３について、順に説明する。
【００９３】
［第１の下地層］
基材２の表面に、第１の下地層４１を形成する。
第１の下地層４１は、例えば、基材２と第２の下地層４２との密着性を向上させる機能や、基材２の孔、キズ等をレベリング（ならし）により補修する機能等を有する。
【００９４】
第１の下地層４１の形成方法としては、例えば、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、溶射、金属箔の接合、基材２の表面に対する化学処理（例えば、酸化処理、窒化処理）等が挙げられるが、この中でも特に、湿式メッキ法または乾式メッキ法が好ましい。
【００９５】
第１の下地層４１の形成方法として、湿式メッキ法または乾式メッキ法を用いることにより、形成される第１の下地層４１は、基材２との密着性に特に優れたものとなる。その結果、得られる装飾品１Ｂの長期耐久性は、特に優れたものとなる。
また、第１の下地層４１は、例えば、基材２の表面に、酸化処理、窒化処理、クロメート処理、炭化処理、酸浸漬、酸電解処理、アルカリ浸漬処理、アルカリ電解処理等の化学処理を施すことにより形成された被膜、特に、不動態膜であってもよい。
【００９６】
第１の下地層４１の構成材料としては、例えば、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｃｏ、Ａｌ等の金属材料や、前記金属材料のうち少なくとも１種を含む合金、前記金属材料のうち少なくとも１種による金属化合物（例えば、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物等）、またはこれらを２種以上組み合わせたもの等が挙げられる。
また、第１の下地層４１の構成材料は、基材２を構成する材料または第２の下地層４２を構成する材料のうち少なくとも１種を含むものであるのが好ましい。これにより、基材２、第２の下地層４２との密着性がさらに向上する。
【００９７】
第１の下地層４１の平均厚さは、特に限定されないが、例えば、０．１〜２０．０μｍであるのが好ましく、０．５〜１０．０μｍであるのがより好ましい。第１の下地層４１の平均厚さが前記下限値未満であると、第１の下地層４１の効果が十分に発揮されない可能性がある。一方、第１の下地層４１の平均厚さが前記上限値を超えると、第１の下地層４１の各部位における膜厚のバラツキが大きくなる傾向を示す。また、第１の下地層４１の内部応力が高くなり、クラックが発生し易くなる。
【００９８】
なお、図示の構成では、第１の下地層４１は、基材２の全面に形成されているが、基材２の表面の少なくとも一部に形成されるものであればよい。また、第１の下地層４１の各部位における組成は、一定であっても、一定でなくてもよい。例えば、第１の下地層４１は、その厚さ方向に沿って、組成が順次変化するもの（傾斜材料）であってもよい。
【００９９】
［第２の下地層］
次に、第１の下地層４１の表面に、第２の下地層４２を形成する。
第２の下地層４２は、例えば、その一方の面側（第１の下地層４１）と他方の面側（第３の下地層４３）との電位差を緩和する緩衝層として機能する。これにより、第２の下地層４２の一方の面側（第１の下地層４１）と他方の面側（第３の下地層４３）との電位差による腐食（異種金属接触腐食）の発生をより効果的に防止することが可能となる。
【０１００】
第２の下地層４２の形成方法としては、例えば、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、溶射、金属箔の接合、第１の下地層４１の表面に対する化学処理（例えば、酸化処理、窒化処理）等が挙げられるが、この中でも特に、湿式メッキ法または乾式メッキ法が好ましい。
【０１０１】
第２の下地層４２の形成方法として、湿式メッキ法または乾式メッキ法を用いることにより、形成される第２の下地層４２は、第１の下地層４１との密着性に特に優れたものとなる。その結果、得られる装飾品１Ｂの長期耐久性は、特に優れたものとなる。
また、第２の下地層４２は、例えば、第１の下地層４１の表面に、酸化処理、窒化処理、クロメート処理、炭化処理、酸浸漬、酸電解処理、アルカリ浸漬処理、アルカリ電解処理等の化学処理を施すことにより形成された被膜、特に、不動態膜であってもよい。
【０１０２】
第２の下地層４２の標準電位は、第１の下地層４１の標準電位と、第３の下地層４３の標準電位との間の値であるのが好ましい。すなわち、第２の下地層４２は、その標準電位が、第１の下地層４１の構成材料の標準電位と、第３の下地層４３の構成材料の標準電位との間の値である材料で構成されたものであるのが好ましい。これにより、第２の下地層４２の一方の面側（第１の下地層４１）と他方の面側（第３の下地層４３）との電位差による腐食（異種金属接触腐食）の発生をより効果的に防止することが可能となる。
【０１０３】
第２の下地層４２の構成材料としては、例えば、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ等の金属材料や、前記金属材料のうち少なくとも１種を含む合金、前記金属材料のうち少なくとも１種による金属化合物（例えば、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物等）、またはこれらを２種以上組み合わせたもの等が挙げられる。
【０１０４】
また、第２の下地層４２の構成材料は、第１の下地層４１を構成する材料または第３の下地層４３を構成する材料のうち少なくとも１種を含むものであるのが好ましい。言い換えると、隣接する２つの下地層は、互いに共通の元素を含む材料で構成されたものであるのが好ましい。これにより、隣接する下地層（第１の下地層４１、第３の下地層４３）との密着性がさらに向上する。特に、前記共通の元素がＣｕであると、隣接する下地層との密着性は、特に優れたものとなる。
【０１０５】
第２の下地層４２の平均厚さは、特に限定されないが、例えば、０．１〜２０．０μｍであるのが好ましく、０．５〜１０．０μｍであるのがより好ましい。第２の下地層４２の平均厚さが前記下限値未満であると、第２の下地層４２の効果が十分に発揮されない可能性がある。一方、第２の下地層４２の平均厚さが前記上限値を超えると、第２の下地層４２の各部位における膜厚のバラツキが大きくなる傾向を示す。また、第２の下地層４２の内部応力が高くなり、クラックが発生し易くなる。
【０１０６】
なお、図示の構成では、第２の下地層４２は、第１の下地層４１の全面に形成されているが、第１の下地層４１の表面の少なくとも一部に形成されるものであればよい。また、第２の下地層４２の各部位における組成は、一定であっても、一定でなくてもよい。例えば、第２の下地層４２は、その厚さ方向に沿って、組成が順次変化するもの（傾斜材料）であってもよい。
【０１０７】
［第３の下地層］
さらに、第２の下地層４２の表面に、第３の下地層４３を形成する。
第３の下地層４３は、その少なくとも一部が、後述する剥離剤により除去されるものである。このような第３の下地層４３が設けられることにより、ダイヤモンド様炭素膜３を容易かつ確実に除去することが可能になる。
また、第３の下地層４３は、例えば、第２の下地層４２とダイヤモンド様炭素膜３との密着性を向上させる機能や、保管時（ダイヤモンド様炭素膜３の形成の工程までの間）等に腐食が発生するのを防止する機能等を有するものであってもよい。
【０１０８】
第３の下地層４３の形成方法としては、例えば、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、溶射、金属箔の接合、第２の下地層４２の表面に対する化学処理（例えば、酸化処理、窒化処理）等が挙げられるが、この中でも特に、湿式メッキ法または乾式メッキ法が好ましい。
【０１０９】
第３の下地層４３の形成方法として、湿式メッキ法または乾式メッキ法を用いることにより、形成される第３の下地層４３は、第２の下地層４２との密着性に特に優れたものとなる。その結果、得られる装飾品１Ｂの長期耐久性は、特に優れたものとなる。
また、第３の下地層４３は、例えば、第２の下地層４２の表面に、酸化処理、窒化処理、クロメート処理、炭化処理、酸浸漬、酸電解処理、アルカリ浸漬処理、アルカリ電解処理等の化学処理を施すことにより形成された被膜、特に、不動態膜であってもよい。
【０１１０】
第３の下地層４３の構成材料としては、前述した実施形態での下地層４０の構成材料を用いることができる。
また、第３の下地層４３の構成材料は、第２の下地層４２を構成する材料またはダイヤモンド様炭素膜３を構成する材料のうち少なくとも１種を含むものであるのが好ましい。これにより、第２の下地層４２、ダイヤモンド様炭素膜３との密着性がさらに向上する。
【０１１１】
第３の下地層４３の平均厚さは、特に限定されないが、例えば、０．１〜２０．０μｍであるのが好ましく、１．０〜３．０μｍであるのがより好ましい。第３の下地層４３の平均厚さが前記下限値未満であると、第３の下地層４３の効果が十分に発揮されない可能性がある。一方、第３の下地層４３の平均厚さが前記上限値を超えると、第３の下地層４３の各部位における膜厚のバラツキが大きくなる傾向を示す。また、第３の下地層４３の内部応力が高くなり、クラックが発生し易くなる。
【０１１２】
図３に示すように、本実施形態では、第３の下地層４３は、第２の下地層４２の表面の一部にのみ形成されている。このような構成とすることにより、後述する工程において、マスキングを用いなくても、ダイヤモンド様炭素膜３を好適に除去することができる。
第３の下地層４３は、第２の下地層４２の表面に、直接、所望の形状となるように形成されるものに限定されない。例えば、第２の下地層４２の表面のほぼ全面に、第３の下地層４３の構成材料を被覆した後、その一部を除去することにより、所望のパターンを有する第３の下地層４３としてもよい。また、フォトリソグラフィー法等により所望の形状のマスク（レジスト）を形成し、所望のパターンを有する第３の下地層４３を形成し、その後、該マスク（レジスト）を除去してもよい。
なお、第３の下地層４３は、第２の下地層４２のほぼ全面に形成されていてもよい。
また、第３の下地層４３の各部位における組成は、一定であっても、一定でなくてもよい。例えば、第３の下地層４３は、その厚さ方向に沿って、組成が順次変化するもの（傾斜材料）であってもよい。
【０１１３】
以上説明したように、基材２の表面に、第１の下地層４１と、第２の下地層４２と、第３の下地層４３とを、この順に積層することにより、基材２とダイヤモンド様炭素膜３との密着性、装飾品１Ｂの耐食性がさらに優れたものとなる。その結果、装飾品１Ｂは、特に耐久性に優れたものとなる。
なお、第１の下地層４１、第２の下地層４２、第３の下地層４３は、それぞれ前述したような機能を有するものに限定されず、他の効果を有するものであってもよい。
【０１１４】
次に、上述した部材１０Ｂからダイヤモンド様炭素膜３の少なくとも一部を除去する方法について、前述した実施形態との相違点を中心に説明する。
図４に示すように、本実施形態のダイヤモンド様炭素膜の除去方法は、上記のような部材１０Ｂの表面（２ｅ）に、剥離剤を付与することにより、第３の下地層４３およびダイヤモンド様炭素膜３を除去する工程（２ｆ）を有している。すなわち、前述した実施形態のように、部材上にマスキングを形成する工程、および、マスキングを除去する工程を有していない。
【０１１５】
前述したように、部材１０Ｂにおいて、第３の下地層４３は、第２の下地層４２の表面の一部にのみ形成されている。このため、例えば、剥離剤として、第３の下地層４３を除去することが可能であり、かつ、第２の下地層４２を除去することが実質的に不可能であるものを用いることにより、前述したようなマスキングを用いなくても、ダイヤモンド様炭素膜３のうち、第３の下地層４３上に形成された部位のみを除去することができる。
【０１１６】
また、剥離剤として、第２の下地層４２を除去することが可能であり、かつ、第３の下地層４３を除去することが実質的に不可能であるものを用いることにより、図５に示すように、前述したようなマスキングを用いなくても、ダイヤモンド様炭素膜３のうち、第２の下地層４２の表面に直接形成された部位のみを除去することができる。
【０１１７】
以上、本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法、装飾品および時計の好適な実施形態について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、前述した第１実施形態において、部材は１層の下地層を有しており、また、第２実施形態において、部材は３層の下地層（第１の下地層、第２の下地層、第３の下地層）を有しているが、下地層は、２層または４層以上であってもよい。この場合、下地層の少なくとも１層がその片方の面側と他方側との電位差を緩和する作用を有するものであるのが好ましい。
【０１１８】
また、下地層が２層または４層以上の場合であっても、前述したように、隣接する２つの下地層は、互いに共通の元素を含む材料で構成されたものであるのが好ましい。これにより、隣接する下地層同士の密着性がさらに向上する。また、前記共通の元素がＣｕであると、隣接する下地層同士の密着性は、特に優れたものとなる。
また、装飾品の表面の少なくとも一部には、耐食性、耐候性、耐水性、耐油性、耐摩耗性、耐変色性等を付与し、防錆、防汚、防曇、防傷等の効果を向上する保護層等が形成されていてもよい。
【０１１９】
【実施例】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．装飾品の製造
（実施例１）
以下に示すような方法により、装飾品（腕時計ケース（裏蓋））を製造した。
【０１２０】
［Ａ１］  まず、ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）を用いて、鋳造により、腕時計ケース（裏蓋）の形状を有する基材を作製し、その後、必要箇所を切削、研磨した。
［Ａ２］  次に、この基材を洗浄した。基材の洗浄としては、まず、アルカリ電解脱脂を３０秒間行い、次いで、アルカリ浸漬脱脂を３０秒間行った。その後、中和を１０秒間、水洗を１０秒間、純水洗浄を１０秒間行った。
【０１２１】
［Ａ３］  このようにして洗浄を行った基材の表面に、Ｃｒで構成される下地層を形成した。
下地層の形成は、湿式メッキにより、浴温：４５℃、電流密度：４Ａ／ｄｍ２、時間：５分間という条件で行った。
このようにして形成された下地層の平均厚さは、１．０μｍであった。
［Ａ４］  次に、下地層が積層された基材を洗浄した。この洗浄としては、まず、アルカリ電解脱脂を３０秒間行い、次いで、アルカリ浸漬脱脂を３０秒間行った。その後、中和を１０秒間、水洗を１０秒間、純水洗浄を１０秒間行った。
【０１２２】
［Ａ５］  このようにして洗浄を行った下地層の表面に、主としてダイヤモンド様炭素で構成されるダイヤモンド様炭素膜を形成し、部材を得た。
ダイヤモンド様炭素膜の形成は、スパッタリングにより行った。
このスパッタリングは、真空装置を用いて以下のようにして行った。
まず、真空装置内をアルゴンガス：６０ｖｏｌ％と、メタンガス：４０ｖｏｌ％との混合ガスで置換した。その後、混合ガスの流量、排気量を調整することにより、雰囲気圧を０．６Ｐａとした。
真空装置内の雰囲気圧を調整した後、ターゲットとしてグラファイトを用い、高周波放電を行うことにより、ダイヤモンド様炭素膜を形成した。
なお、スパッタリング時における混合ガスの流量は６０ＳＣＣＭであり、雰囲気圧が０．６Ｐａとなるようにした。高周波電力は、５００Ｗであった。また、成膜速度は、０．４μｍ／ｈであった。
このようにして形成されたダイヤモンド様炭素膜の平均厚さは、０．５μｍであった。
【０１２３】
［Ａ６］  前記［Ａ５］の工程で得られた部材を、大気圧の雰囲気中で、剥離液中に浸漬し、陽極電解を行うことにより、下地層とともに、ダイヤモンド様炭素膜を除去した。剥離液としては、７ｗｔ％の炭酸ナトリウム水溶液を用いた。また、部材の剥離液中への浸漬時間は、２５分とした。浸漬時における、剥離液の温度は３０℃、電流密度は５Ａ／ｄｍ２であった。
【０１２４】
［Ａ７］  その後、前記［Ａ２］〜［Ａ６］の一連の工程を３回繰り返し行い、装飾品を得た。すなわち、ダイヤモンド様炭素膜の形成−除去の処理を４回繰り返し行った。
また、装飾品の製造に用いた基材および得られた装飾品について、ＪＩＳ  Ｂ０６０１で規定される表面粗さＲｍａｘを測定した。
基材の研磨を行った箇所の表面粗さＲｍａｘは、０．２〜０．４μｍであった。最終的に得られた装飾品においては、これに対応する箇所の表面粗さＲｍａｘは、０．２〜０．４５μｍとなっていた。このことから、本実施例では、ダイヤモンド様炭素膜の形成−除去の処理を繰り返し行っても、基材の表面がほとんど荒らされていないことがわかる。
【０１２５】
（実施例２）
以下に示すような方法により、装飾品（腕時計用文字盤）を製造した。
［Ｂ１］  まず、ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）を用いて、鋳造により、腕時計用文字盤の形状を有する基材を作製し、その後、必要箇所を切削、研磨した。
［Ｂ２］  以上のようにして得られた基材について、その必要箇所を切削、研磨した後、この基材を洗浄した。基材の洗浄としては、まず、アルカリ電解脱脂を３０秒間行い、次いで、アルカリ浸漬脱脂を３０秒間行った。その後、中和を１０秒間、水洗を１０秒間、純水洗浄を１０秒間行った。
【０１２６】
［Ｂ３］  このようにして洗浄を行った基材の表面に、ＴｉＮで構成される下地層を形成した。
下地層の形成は、以下に説明するようなイオンプレーティングにより行った。
まず、下地層が形成された基材を、イオンプレーティング装置内に取付け、その後、装置内を予熱しながら、イオンプレーティング装置内を３×１０−３Ｐａまで排気（減圧）した。
【０１２７】
次に、アルゴンガス流量１００ｍｌ／分で、ボンバード処理を３分間行った。ボンバード処理におけるイオンプレーティング装置内の圧力は、９×１０−２Ｐａであった。
次に、イオンプレーティング装置内を２×１０−３Ｐａまで排気（減圧）した後、窒素ガスを導入し、イオンプレーティング装置内の圧力を３×１０−１Ｐａとした。このような状態で、ターゲットとしてＴｉを用い、イオン化電圧：３０Ｖ、イオン化電流：１４０Ａに設定することにより、ＴｉＮで構成される下地層を形成した。
このようにして形成された下地層の平均厚さは、５μｍであった。
【０１２８】
［Ｂ４］  次に、下地層が形成された基材を洗浄した。この洗浄としては、まず、アルカリ電解脱脂を３０秒間行い、次いで、アルカリ浸漬脱脂を３０秒間行った。その後、中和を１０秒間、水洗を１０秒間、純水洗浄を１０秒間行った。
［Ｂ５］  このようにして洗浄を行った下地層の表面に、主としてダイヤモンド様炭素で構成されるダイヤモンド様炭素膜を形成し、部材を得た。
ダイヤモンド様炭素膜の形成は、前記実施例１と同様の条件のスパッタリングにより行った。
【０１２９】
［Ｂ６］  次に、前記［Ｂ５］の工程で得られた部材のダイヤモンド様炭素膜の表面の一部に、マスキングを所定の形状に形成した。
マスキングの形成は、以下のようにして行った。
まず、ゴム系樹脂を刷毛塗りすることにより、ダイヤモンド様炭素膜の全面を被覆し、その後、１８０〜２００℃で、３０分間乾燥した。
その後、レーザー光（ＹＡＧレーザー）を照射し、マスキングの一部を除去することにより、所定のパターンに成形した。このようにして形成されたマスキングの平均厚さは、５００μｍであった。
【０１３０】
［Ｂ７］  次に、マスキングが被覆されていない部位のダイヤモンド様炭素膜の除去を行った。
［Ｂ８］  マスキングで被覆された部材を、剥離液中に浸漬することにより、下地層とともに、ダイヤモンド様炭素膜を除去した。剥離液としては、フッ化水素：３０ｗｔ％、硝酸：４０ｗｔ％、水：３０ｗｔ％を含む溶液を用いた。また、部材の剥離液中への浸漬時間は、１５分とした。浸漬時における剥離液の温度は２５℃であった。また、部材の剥離液中への浸漬時における雰囲気（空気）圧力は、初期の段階では、１×１０３Ｐａとし、部材を剥離液に浸漬してから５分経過した後に、雰囲気圧を高めていき、それから２分後に、１×１０７Ｐａとなるようにした。
【０１３１】
［Ｂ９］  その後、ハロゲン化合物系溶媒、ケトン系溶媒よりなるマスキング除去剤に浸漬することにより、マスキングを除去し、装飾品を得た。また、本工程におけるマスキング除去剤の温度、マスキング除去剤への浸漬時間は、それぞれ３０℃、３０分であった。
また、装飾品の製造に用いた基材および得られた装飾品について、ＪＩＳ  Ｂ０６０１で規定される表面粗さＲｍａｘを測定した。
【０１３２】
装飾品の基材が露出している部位の表面粗さＲｍａｘは、０．２〜０．４μｍであった。また、装飾品の製造に用いた基材においては、これに対応する箇所の表面粗さＲｍａｘは、０．２〜０．４５μｍであった。このことから、本実施例では、ダイヤモンド様炭素膜の形成−除去の処理を行っても、基材の表面がほとんど荒らされていないことがわかる。
【０１３３】
（実施例３）
以下に示すような方法により、装飾品（腕時計ケースおよび回転ベゼル）を製造した。
【０１３４】
［Ｃ１］  まず、Ｃｕ−Ｚｎ系合金（合金組成：Ｃｕ６０ｗｔ％−Ｚｎ４０ｗｔ％）を用いて、鋳造により、腕時計ケース（胴）の形状を有する基材、回転ベゼルの形状を有する基材をそれぞれ作製し、その後、必要箇所を切削、研磨した。
［Ｃ２］  次に、この基材を洗浄した。基材の洗浄としては、まず、アルカリ電解脱脂を３０秒間行い、次いで、アルカリ浸漬脱脂を３０秒間行った。その後、中和を１０秒間、水洗を１０秒間、純水洗浄を１０秒間行った。
【０１３５】
［Ｃ３］  このようにして洗浄を行った基材の表面に、Ｃｕで構成される第１の下地層を形成した。
第１の下地層の形成は、湿式メッキにより、浴温：６０℃、電流密度：３Ａ／ｄｍ２、時間：１分間という条件で行った。
このようにして形成された第１の下地層の平均厚さは、１μｍであった。
【０１３６】
［Ｃ４］  その後、第１の下地層の表面に、Ｃｕ−Ｓｎ系合金で構成される第２の下地層を形成した。
第２の下地層の形成は、湿式メッキにより、浴温：６０℃、電流密度：３Ａ／ｄｍ２、時間：２分間という条件で行った。
このようにして形成された第２の下地層の平均厚さは、３μｍであった。
【０１３７】
［Ｃ５］  さらに、第２の下地層の表面の一部（回転ベゼルの摺動部となるべき部位以外の部位）に、Ａｕで構成される第３の下地層を形成した。
この工程は、まず、フォトリソグラフィー法により、所定パターンのマスク（レジスト）を形成し、その開口部にＡｕで構成される第３の下地層を湿式めっきにより形成し、その後、マスク（レジスト）を除去することにより行った。
湿式メッキは、浴温：６０℃、電流密度：３Ａ／ｄｍ２、時間：１０分間という条件で行った。
このようにして形成された第３の下地層の平均厚さは、３μｍであった。
【０１３８】
［Ｃ６］  次に、第１〜第３の下地層が積層された基材を洗浄した。この洗浄としては、まず、アルカリ電解脱脂を３０秒間行い、次いで、アルカリ浸漬脱脂を３０秒間行った。その後、中和を１０秒間、水洗を１０秒間、純水洗浄を１０秒間行った。
［Ｃ７］  このようにして洗浄を行った第３の下地層および第２の下地層の表面に、主としてダイヤモンド様炭素で構成されるダイヤモンド様炭素膜を形成し、部材を得た。
ダイヤモンド様炭素膜の形成は、前記実施例１と同様の条件のスパッタリングにより行った。
【０１３９】
［Ｃ８］  次に、前記［Ｃ７］の工程で得られた部材を、剥離液中に浸漬することにより、第３の下地層とともに、ダイヤモンド様炭素膜の一部を除去し、装飾品（腕時計ケースおよび回転ベゼル）を得た。剥離液としては、シアン系剥離剤を用いた。また、部材の剥離液中への浸漬時間は、１５分とした。浸漬時における剥離液の温度は２５℃であった。また、部材の剥離液中への浸漬時における雰囲気（空気）圧力は、初期の段階では、１×１０３Ｐａとし、部材を剥離液に浸漬してから５分経過した後に、雰囲気圧を高めていき、それから２分後に、１×１０７Ｐａとなるようにした。
［Ｃ９］  その後、各装飾品（腕時計ケースおよび回転ベゼル）を組み立てた。
【０１４０】
（実施例４）
以下に示すような方法により、装飾品（腕時計ケースおよびネジロック式りゅうず）を製造した。
［Ｄ１］  まず、黄銅（Ｃｕ６５ｗｔ％、Ｚｎ３５ｗｔ％）を用いて、鍛造により、腕時計ケース（胴）の形状を有する基材、ネジロック式りゅうずの形状を有する基材をそれぞれ作製し、その後、必要箇所を切削、研磨した。
【０１４１】
［Ｄ２］  次に、これらの基材を洗浄した。基材の洗浄としては、まず、アルカリ電解脱脂を３０秒間行い、次いで、アルカリ浸漬脱脂を３０秒間行った。その後、中和を１０秒間、水洗を１０秒間、純水洗浄を１０秒間行った。
【０１４２】
［Ｄ３］  このようにして洗浄を行った基材の表面に、Ｃｕで構成される第１の下地層を形成した。
第１の下地層の形成は、湿式メッキにより、浴温：６０℃、電流密度：３Ａ／ｄｍ２、時間：１分間という条件で行った。
このようにして形成された第１の下地層の平均厚さは、１μｍであった。
【０１４３】
［Ｄ４］  その後、第１の下地層の表面に、Ｎｉで構成される第２の下地層を形成した。
第２の下地層の形成は、湿式メッキにより、浴温：４０℃、電流密度：３Ａ／ｄｍ２、時間：５分間という条件で行った。
このようにして形成された第２の下地層の平均厚さは２μｍであった。
【０１４４】
［Ｄ５］  さらに、第２の下地層の表面の一部（ネジロック式りゅうずのネジ部となるべき部位）に、Ａｕで構成される第３の下地層を形成した。
この工程は、まず、フォトリソグラフィー法により、所定パターンのマスク（レジスト）を形成し、その開口部にＡｕで構成される第３の下地層を湿式めっきにより形成し、その後、マスク（レジスト）を除去することにより行った。
湿式メッキは、浴温：６０℃、電流密度：３Ａ／ｄｍ２、時間：１０分間という条件で行った。
このようにして形成された第３の下地層の平均厚さは、３μｍであった。
【０１４５】
［Ｄ６］  次に、第１〜第３の下地層が積層された基材を洗浄した。この洗浄としては、まず、アルカリ電解脱脂を３０秒間行い、次いで、アルカリ浸漬脱脂を３０秒間行った。その後、中和を１０秒間、水洗を１０秒間、純水洗浄を１０秒間行った。
［Ｄ７］  このようにして洗浄を行った第３の下地層および第２の下地層の表面に、主としてダイヤモンド様炭素で構成されるダイヤモンド様炭素膜を形成し、部材を得た。
ダイヤモンド様炭素膜の形成は、前記実施例１と同様の条件のスパッタリングにより行った。
【０１４６】
［Ｄ８］  次に、前記［Ｄ７］の工程で得られた部材を、剥離液中に浸漬することにより、第２の下地層（第３の下地層が積層されていない部位の第２の下地層）とともに、ダイヤモンド様炭素膜の一部を除去し、装飾品（腕時計ケースおよびネジロック式りゅうず）を得た。剥離液としては、シアン系剥離剤を用いた。また、部材の剥離液中への浸漬時間は、１５分とした。浸漬時における剥離液の温度は２５℃であった。また、部材の剥離液中への浸漬時における雰囲気（空気）圧力は、初期の段階では、１×１０３Ｐａとし、部材を剥離液に浸漬してから５分経過した後に、雰囲気圧を高めていき、それから２分後に、１×１０７Ｐａとなるようにした。
［Ｄ９］  その後、各装飾品（腕時計ケースおよびネジロック式りゅうず）を組み立てた。
【０１４７】
（実施例５）
以下に示すような方法により、装飾品（三つ折り構造のバンド中留）を製造した。
［Ｅ１］  まず、ステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ）を用いて、鍛造により、三つ折り構造のバンド中留の各構成部品の形状を有する基材をそれぞれ作製し、その後、必要箇所を切削、研磨した。
［Ｅ２］  次に、この基材を洗浄した。基材の洗浄としては、まず、アルカリ電解脱脂を３０秒間行い、次いで、アルカリ浸漬脱脂を３０秒間行った。その後、中和を１０秒間、水洗を１０秒間、純水洗浄を１０秒間行った。
【０１４８】
［Ｅ３］  このようにして洗浄を行った基材の表面に、Ｃｒで構成される下地層を形成した。
下地層の形成は、湿式メッキにより、浴温：４５℃、電流密度：４Ａ／ｄｍ２、時間：５分間という条件で行った。
このようにして形成された下地層の平均厚さは、１μｍであった。
［Ｅ４］  次に、下地層が積層された基材を洗浄した。この洗浄としては、まず、アルカリ電解脱脂を３０秒間行い、次いで、アルカリ浸漬脱脂を３０秒間行った。その後、中和を１０秒間、水洗を１０秒間、純水洗浄を１０秒間行った。
【０１４９】
［Ｅ５］  このようにして洗浄を行った下地層の表面に、主としてダイヤモンド様炭素で構成されるダイヤモンド様炭素膜を形成し、部材を得た。
ダイヤモンド様炭素膜の形成は、スパッタリングにより行った。
このスパッタリングは、真空装置を用いて以下のようにして行った。
まず、真空装置内をアルゴンガス：６０ｖｏｌ％と、メタンガス：４０ｖｏｌ％との混合ガスで置換した。その後、混合ガスの流量、排気量を調整することにより、雰囲気圧を０．６Ｐａとした。
【０１５０】
真空装置内の雰囲気圧を調整した後、ターゲットとしてグラファイトを用い、高周波放電を行うことにより、ダイヤモンド様炭素膜を形成した。
なお、スパッタリング時における混合ガスの流量は６０ＳＣＣＭであり、雰囲気圧が０．６Ｐａとなるようにした。高周波電力は、５００Ｗであった。また、成膜速度は、０．４μｍ／ｈであった。
このようにして形成されたダイヤモンド様炭素膜の平均厚さは、０．５μｍであった。
【０１５１】
［Ｅ６］  前記［Ｅ５］の工程で得られた部材を、大気圧の雰囲気中で、剥離液中に浸漬し、陽極電解を行うことにより、下地層とともに、ダイヤモンド様炭素膜を除去した。剥離液としては、７ｗｔ％の炭酸ナトリウム水溶液を用いた。また、部材の剥離液中への浸漬時間は、２５分とした。浸漬時における、剥離液の温度は３０℃、電流密度は５Ａ／ｄｍ２であった。
［Ｅ７］  さらに、前記［Ｅ２］〜［Ｅ５］の一連の工程を行い、その後、各部品を組み立てることにより、装飾品（三つ折り構造のバンド中留）を得た。
【０１５２】
（比較例１）
以下に示すような方法により、装飾品（腕時計ケース（裏蓋））を製造した。
［Ｆ１］  まず、前記実施例１（工程［Ａ１］〜［Ａ５］）と同様にして、腕時計ケース（裏蓋）の形状を有する部材を形成した。
［Ｆ２］  次に、グロー放電により、得られた部材からダイヤモンド様炭素膜を除去し、装飾品を得た。具体的には、ダイヤモンド様炭素膜を有する部材を陰極と同電位に保持し、水素と酸素との体積比が５：１の混合ガス雰囲気中で５０Ｐａの圧力下で、５００ｍＡの放電電流を流してグロー放電を発生させ、２時間の処理を行った。
その結果、得られた装飾品において、ダイヤモンド様炭素膜は、部分的に（まだらに）残存していた。また、ダイヤモンド様炭素膜が除去された部位においては、下地層が部分的に除去されており、基材が露出している部位と、下地層が残存する部位とが混在していた。
【０１５３】
（比較例２）
以下に示すような方法により、装飾品（腕時計ケース（裏蓋））を製造した。
［Ｇ１］  まず、前記実施例１（工程［Ａ１］〜［Ａ５］）と同様にして、腕時計ケース（裏蓋）の形状を有する部材を形成した。
［Ｇ２］  次に、アーク放電により、得られた部材からダイヤモンド様炭素膜を除去し、装飾品を得た。具体的には、ダイヤモンド様炭素膜を有する部材を、水素と酸素との体積比が５：１の混合ガス中に発生させたアーク放電プラズマ中に不動電位状態で２時間保持した。
その結果、得られた装飾品において、ダイヤモンド様炭素膜は、部分的に（まだらに）残存していた。また、ダイヤモンド様炭素膜が除去された部位においては、下地層が部分的に除去されており、基材が露出している部位と、下地層が残存する部位とが混在していた。
【０１５４】
（比較例３）
以下に示すような方法により、装飾品（腕時計ケースおよび回転ベゼル）を製造した。
［Ｈ１］  まず、前記実施例３（工程［Ｃ１］〜［Ｃ７］）と同様にして、腕時計ケースおよび回転ベゼルの形状を有する部材を形成した。
【０１５５】
［Ｈ２］  次に、グロー放電により、得られた部材からダイヤモンド様炭素膜を除去し、装飾品を得た。具体的には、ダイヤモンド様炭素膜を有する部材を陰極と同電位に保持し、水素と酸素との体積比が５：１の混合ガス雰囲気中で５０Ｐａの圧力下で、５００ｍＡの放電電流を流してグロー放電を発生させ、２時間の処理を行った。グロー放電は、回転ベゼルの摺動部となるべき部位以外の部位のみから、ダイヤモンド様炭素膜を除去することを試みたが、部材の各部位からほぼ均一にダイヤモンド様炭素膜が除去された。
また、以上のようにして得られた装飾品において、ダイヤモンド様炭素膜は、部分的に（まだらに）残存していた。また、ダイヤモンド様炭素膜が除去された部位においては、下地層（第３の下地層、第２の下地層、第１の下地層）が部分的に除去されており、第２の下地層、第１の下地層、基材が露出している部位と、第３の下地層が残存する部位とが混在していた。
［Ｈ３］  その後、各装飾品（腕時計ケースおよび回転ベゼル）を組み立てた。
【０１５６】
（比較例４）
以下に示すような方法により、装飾品（腕時計ケースおよびネジロック式りゅうず）を製造した。
［Ｉ１］  まず、前記実施例４（工程［Ｄ１］〜［Ｄ７］）と同様にして、腕時計ケースおよびネジロック式りゅうずの形状を有する部材を形成した。
【０１５７】
［Ｉ２］  次に、グロー放電により、得られた部材からダイヤモンド様炭素膜を除去し、装飾品を得た。具体的には、ダイヤモンド様炭素膜を有する部材を陰極と同電位に保持し、水素と酸素との体積比が５：１の混合ガス雰囲気中で５０Ｐａの圧力下で、５００ｍＡの放電電流を流してグロー放電を発生させ、２時間の処理を行った。グロー放電は、ネジロック式りゅうずのネジ部となるべき部位以外の部位のみから、ダイヤモンド様炭素膜を除去することを試みたが、部材の各部位からほぼ均一にダイヤモンド様炭素膜が除去された。
また、以上のようにして得られた装飾品において、ダイヤモンド様炭素膜は、部分的に（まだらに）残存していた。また、ダイヤモンド様炭素膜が除去された部位においては、下地層（第３の下地層、第２の下地層、第１の下地層）が部分的に除去されており、第２の下地層、第１の下地層、基材が露出している部位と、第３の下地層が残存する部位とが混在していた。
［Ｉ３］  その後、各装飾品（腕時計ケースおよびネジロック式りゅうず）を組み立てた。
【０１５８】
（比較例５）
以下に示すような方法により、装飾品（三つ折り構造のバンド中留）を製造した。
［Ｊ１］  まず、前記実施例５（工程［Ｅ１］〜［Ｅ５］）と同様にして、三つ折り構造のバンド中留の各構成部品の形状を有する部材を形成した。
【０１５９】
［Ｊ２］  次に、グロー放電により、得られた部材からダイヤモンド様炭素膜を除去し、装飾品を得た。具体的には、ダイヤモンド様炭素膜を有する部材を陰極と同電位に保持し、水素と酸素との体積比が５：１の混合ガス雰囲気中で５０Ｐａの圧力下で、５００ｍＡの放電電流を流してグロー放電を発生させ、２時間の処理を行った。
その結果、得られた装飾品において、ダイヤモンド様炭素膜は、部分的に（まだらに）残存していた。また、ダイヤモンド様炭素膜が除去された部位においては、下地層が部分的に除去されており、基材が露出している部位と、下地層が残存する部位とが混在していた。
【０１６０】
［Ｊ３］  さらに、前記実施例５の［Ｅ２］〜［Ｅ５］の一連の工程を行い、その後、各部品を組み立てることにより、装飾品（三つ折り構造のバンド中留）を得た。
各実施例および各比較例における部材の構成、および、ダイヤモンド様炭素膜の除去条件を表１にまとめて示す。
【０１６１】
【表１】
2004232030.tif 000003
【０１６２】
２．装飾品の外観評価
上記各実施例および各比較例で製造した装飾品について、目視および顕微鏡による観察を行い、これらの外観を以下の４段階の基準に従い、評価した。
◎：外観優良（表面の荒れが認められない）。
○：外観良（表面の荒れがほとんど認められない）。
△：外観やや不良（表面の荒れがはっきりと認められる）。
×：外観不良（表面の荒れが顕著に認められる）。
【０１６３】
３．ダイヤモンド様炭素膜の耐擦傷性評価
上記各実施例および各比較例で製造した装飾品について、以下に示すような試験を行い、耐擦傷性を評価した。
ステンレス製のブラシを、各装飾品のダイヤモンド様炭素膜が形成された部位に押し付け、５０往復摺動させた。このときの押し付け荷重は、０．２ｋｇｆであった。
【０１６４】
その後、装飾品の表面を目視により観察し、これらの外観を以下の４段階の基準に従い、評価した。
◎：ダイヤモンド様炭素膜の表面に、傷の発生が全く認められない。
○：ダイヤモンド様炭素膜の表面に、傷の発生がほとんど認められない。
△：ダイヤモンド様炭素膜の表面に、傷の発生がわずかに認められる。
×：ダイヤモンド様炭素膜の表面に、傷の発生が顕著に認められる。
【０１６５】
４．装飾品の耐摩耗性評価
上記各実施例および各比較例で製造した各装飾品のダイヤモンド様炭素膜が形成された部位について、摩耗係数（耐鋼）の測定を行い、以下の３段階の基準に従い、評価した。
◎：摩耗係数が０．７未満。
○：摩耗係数が０．７以上０．８未満。
×：摩耗係数が０．８以上。
これらの結果を、ダイヤモンド様炭素膜のビッカース硬度Ｈｖ、ボールオンディスク法により測定されるダイヤモンド様炭素膜の摩擦係数μとともに表２に示す。なお、ビッカース硬度Ｈｖとしては、各装飾品のダイヤモンド様炭素膜表面について、測定荷重２５ｇｆにて測定した値を示す。
【０１６６】
【表２】
2004232030.tif 000004
【０１６７】
表２から明らかなように、本発明の装飾品は、いずれも優れた美的外観を有しており、耐擦傷性、耐摩耗性にも優れていた。
また、本発明の装飾品は、いずれも、ザラツキ感のない、優れた触感を有していた。
これに対し、比較例の装飾品は、美的外観に劣っていた。
【０１６８】
５．回転ベゼルの回転トルク
上記実施例３および比較例３で製造した装飾品（腕時計ケースおよび回転ベゼル）を用いて、時計を製造した。得られた各時計について、３００ｇｆの荷重を掛ける条件で、回転ベゼルの回転トルクの測定を行った。また、回転ベゼルを１００００回回転させた後、同様の条件で回転トルクを測定した。
その結果を表３に示す。
【０１６９】
【表３】
2004232030.tif 000005
【０１７０】
表３から明らかなように、実施例３の装飾品（腕時計ケースおよび回転ベゼル）を備えた時計では、製造直後、および、回転ベゼルの回転操作を繰り返し行った後のいずれにおいても、比較的高い回転トルクを安定して有していた。これに対し、比較例３の装飾品（腕時計ケースおよび回転ベゼル）を備えた時計では、回転トルクは小さかった。また、回転操作を繰り返し行うことにより、回転トルクはさらに低下した。
【０１７１】
６．ネジロック式りゅうずの着脱操作性評価
上記実施例４および比較例４で製造した装飾品（腕時計ケースおよびネジロック式りゅうず）を用いて、時計を製造した。得られた各時計について、ケースからネジロック式りゅうずを回転着脱する、回転着脱操作を行ったときの操作のし易さ（着脱操作性）を以下の４段階の基準に従い、評価した。
◎：回転着脱操作を非常にスムーズに行うことができる。
○：回転着脱操作を十分にスムーズに行うことができる。
△：回転着脱操作を行う際に、若干のゴリ感がある。
×：回転着脱操作を行う際に、顕著なゴリ感がある。
また、ネジロック式りゅうずの回転着脱操作を１００００回行った後、上記と同様の基準に従い、着脱操作性を評価した。
その結果を表４に示す。
【０１７２】
【表４】
2004232030.tif 000006
【０１７３】
表４から明らかなように、実施例４の装飾品（腕時計ケースおよびネジロック式りゅうず）を備えた時計では、製造直後、回転着脱操作を繰り返し行った後のいずれにおいても、優れた着脱操作性を示した。これに対し、比較例４の装飾品（腕時計ケースおよびネジロック式りゅうず）を備えた時計では、着脱操作性に劣っていた。また、回転着脱操作を繰り返し行うことにより、着脱操作性はさらに低下した。
【０１７４】
７．バンド中留の着脱性評価
上記実施例５および比較例５で製造した装飾品（バンド中留）を用いて、時計を製造した。得られた各時計について、バンド中留の着脱操作を行ったときの操作のし易さ（着脱操作性）を以下の４段階の基準に従い、評価した。
◎：着脱操作を非常にスムーズに行うことができる。
○：着脱操作を十分にスムーズに行うことができる。
△：着脱操作を行う際に、若干の引っかかりが認められる。
×：着脱操作を行う際に、顕著な引っかかりが認められる。
また、バンド中留の着脱操作を１００００回行った後、上記と同様の基準に従い、着脱操作性を評価した。
その結果を表５に示す。
【０１７５】
【表５】
2004232030.tif 000007
【０１７６】
表５から明らかなように、実施例５の装飾品（バンド中留）を備えた時計では、製造直後、着脱操作を繰り返し行った後のいずれにおいても、優れた着脱操作性を示した。これに対し、比較例５の装飾品（バンド中留）を備えた時計では、着脱操作性に劣っていた。また、回転着脱操作を繰り返し行うことにより、着脱操作性はさらに低下した。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法に適用される部材の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法の第１実施形態を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法に適用される部材の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法の第２実施形態を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明のダイヤモンド様炭素膜の除去方法の他の実施形態を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１Ａ、１Ｂ、１Ｂ’……装飾品  ２……基材  ３……ダイヤモンド様炭素膜  ４０……下地層  ４１……第１の下地層  ４２……第２の下地層  ４３……第３の下地層  ５……マスキング  １０Ａ、１０Ｂ……部材
【図１】
2004232030.tif 000008
【図２】
2004232030.tif 000009
【図３】
2004232030.tif 000010
【図４】
2004232030.tif 000011
【図５】
2004232030.tif 000012