(57)【要約】【課題】難エッチング材を使用した半導体装置においても安定したデバイス性能を得ることのできるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】難エッチング材製の導電体からなる第１層ａ、絶縁体からなる第２層ｂおよび導電体からなる第３層ｃを順次積層してなる積層体と、該積層体上に形成したエッチング用のマスクを備え、該マスクを利用して前記積層体を構成する各層にプラズマエッチング処理を施すプラズマ処理方法であって、前記第２層ｂのエッチング処理は、第２層ｂの材料幅がエッチングの進行とともに拡大する順テーパ形状に加工する。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
難エッチング材製の導電体からなる第１層、絶縁体からなる第２層および導電体からなる第３層を順次積層してなる積層体と、該積層体上に形成したエッチング用のマスクを備え、該マスクを利用して前記積層体を構成する各層にプラズマエッチング処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記第２層のエッチング処理は、第２層の材料幅がエッチングの進行とともに拡大する順テーパ形状に加工することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
真空処理容器、該真空処理容器内に配置した試料台、前記真空処理容器内に処理ガスを導入するガス導入手段、前記真空処理容器内にプラズマを生成するプラズマ生成手段を備え、前記試料台上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記試料は、難エッチング材製の導電体からなる第１層、絶縁体からなる第２層および導電体からなる第３層を順次積層してなる積層体と、該積層体上に形成したエッチング用のマスクとを備え、
前記第２層に対するエッチング処理に際しては、前記載置台の温度を前記第１層および第３層に対する処理よりも低く設定し、第２層の材料幅がエッチングの進行とともに拡大する順テーパ形状に加工することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
真空処理容器、該真空処理容器内に配置した試料台、前記真空処理容器内に処理ガスを導入するガス導入手段、前記真空処理容器内にプラズマを生成するプラズマ生成手段を備え、前記試料台上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記試料は、難エッチング材製の導電体からなる第１層、絶縁体からなる第２層および導電体からなる第３層を順次積層してなる積層体と、該積層体上に形成したエッチング用のマスクとを備え、
前記第２層に対するエッチング処理に際しては、前記真空処理容器内における処理ガスの流量（Ｑ）と圧力（Ｐ）との比（Ｑ／Ｐ）を前記第１層および第３層に対する処理の場合よりも低く設定し、第２層の材料幅がエッチングの進行とともに拡大する順テーパ形状に加工することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
真空処理容器、該真空処理容器内に配置した試料台、前記真空処理容器内に処理ガスを導入するガス導入手段、前記真空処理容器内にプラズマを生成するプラズマ生成手段を備え、前記試料台上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記試料は、難エッチング材製の導電体からなる第１層、絶縁体からなる第２層および導電体からなる第３層を順次積層してなる積層体と、該積層体上に形成したエッチング用のマスクとを備え、
前記第２層に対するエッチング処理に際しては、前記真空処理容器内における処理ガスの流量（Ｑ）と圧力（Ｐ）との比（Ｑ／Ｐ）を前記第１層および第３層に対する処理の場合よりも低く設定すると共に、前記載置台の温度を前記第１層および第３層に対する処理よりも低く設定し、第２層の材料幅がエッチングの進行とともに拡大する順テーパ形状に加工することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４の何れか１の記載のプラズマ処理方法において、
前記第２層の導電体および第３層の絶縁体は難エッチング材料からなることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項６】
真空処理容器、該真空処理容器内に配置した試料台、前記真空処理容器内に処理ガスを導入するガス導入手段、前記真空処理容器内にプラズマを生成するプラズマ生成手段を備えたプラズマ処理装置を複数台備え、
さらに、これらのプラズマ処理装置に共通の試料搬送手段を備えて、該手段を用いてそれぞれのプラズマ処理装置に試料を順次挿入し挿入した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記複数のプラズマ処理装置は、前記試料台を除いてそれぞれ共通の構成を有し、前記試料台はそれぞれ他の試料台に対して高温あるいは低温用に設定されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
難エッチング材製の導電体からなる第１層、難エッチング材製絶縁体からなる第２層および難エッチング材製の導電体からなる第３層を順次積層してなる積層体を備えた半導体装置であって、
前記第２層の導電体材料はその材料幅がエッチングの進行とともに拡大する順テーパ形状に加工してあることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置に係り、特に難エッチング材エッチングに好適なプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ：Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等に使用する強誘電体材料およびその電極材料、磁気をを利用したメモリ（ＭＲＡＭ：Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等に使用する絶縁膜、磁性膜、電極、高誘電率のゲート絶縁膜、あるいはゲート材として使用される材料、すなわち難エッチング材のエッチングに際しては、前記難エッチング材を積層形成したウエハの処理温度を高めてエッチングすることにより、垂直に近いエッチング形状を得ている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、特許文献２には、頭の丸いフォトレジストを用いてエッチングすることにより、側壁への反応生成物の付着を抑えることが示されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−１１１６９５号公報
【０００５】
【特許文献２】
特開平１０−９８１６２号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
近年、半導体素子の微細化、動作の高速化に伴い、ＭＯＳ（ｍｅｔａｌ−ｏｘｉｄｅ−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタのゲート絶縁膜あるいはゲート電極として、また、メモリ部の誘電体膜あるいはキャパシタ電極として、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、ルテニウム、白金、酸化タンタル、ＢＳＴ、ＳＢＴ、ＰＺＴなどの材料を用いることが検討されている。また、前記ＦｅＲＡＭ、あるいはＭＲＡＭ等では、鉄、ニッケル、コバルト、マンガンあるいはその合金が用いられる。
【０００７】
これらの材料（難エッチング材）は、アルミ、シリコン、酸化シリコンなどに比べてエッチングしにくく、特に垂直な加工形状が得にくいことが問題となっている。前述のようにウエハの処理温度を高めてエッチングすることはできる。しかし、この場合にはエッチングによる反応生成物が加工部の垂直面に付着することがある。エッチングによる反応生成物が、前記加工部に露出した絶縁膜の垂直面に付着した場合には、前記絶縁膜の絶縁性能が劣化する。
【０００８】
また、特許文献２に示す方法は、ウエハ温度を４００℃以上の高温にした場合にレジストが蒸発するため、難エッチング材のエッチングに用いられる高温エッチングには適さない。
【０００９】
本発明は、これらの問題点に鑑みてなされたもので、難エッチング材を使用した半導体装置においても安定したデバイス性能を得ることのできるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の課題を解決するために次のような手段を採用した。
【００１１】
難エッチング材製の導電体からなる第１層、絶縁体からなる第２層および導電体からなる第３層を順次積層してなる積層体と、該積層体上に形成したエッチング用のマスクを備え、該マスクを利用して前記積層体を構成する各層にプラズマエッチング処理を施すプラズマ処理方法であって、前記第２層のエッチング処理は、第２層の材料幅がエッチングの進行とともに拡大する順テーパ形状に加工する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態にかかるプラズマ処理装置を説明する図である。高周波電源１０１から自動整合器１０２を介して、コイル１０３に高周波電流を供給し、真空処理容器１０４内にプラズマ１０５を生成する。真空処理容器１０４は絶縁材料からなる放電部１０４ａと接地された処理部１０４ｂからなる。真空処理容器１０４には、ガス導入手段１０６を介して塩素などのエッチング用の処理ガスを導入し、排気装置１０７を介して排気する。
【００１３】
ウエハ等の試料１０８は試料台１０９の上に設置する。試料１０８に入射するイオンのエネルギーを大きくするために、試料台１０９には第二の高周波電源であるバイアス電源１１０がハイパスフィルタ１１１を介して接続される。試料台１０９の表面にはセラミックなどの絶縁膜１１２が設けられる。また、試料台１０９には、ローパスフィルタを介して図示しない直流電圧が印加されており、試料台１０９上に載置した試料１０８を静電気力により吸引して保持する。
【００１４】
さらに、試料１０８の温度を調整して処理を制御するために、試料台１０９にはヒータ１１５および冷媒流路１１６を設ける。また、試料台１０９は土台となる部分１１７およびヘッド１１８に分割可能となっている。ヘッド１１８の表面には１０ｎｍ以上の凹凸を形成し、この凹凸と試料１０８の間に形成される空隙にはヘリウムなどの伝熱ガスを流すことができる。
【００１５】
このように構成したプラズマエッチング装置を用いて、鉄、コバルト、マンガン、ニッケル、白金、ルテニウム、タンタル、アルミナ、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、ガリウム砒素などの化学的に安定な材料（難エッチング材）をエッチングする場合の典型的な条件を以下に示す。
【００１６】
真空処理容器内の圧力は０、５Ｐａ、導入する処理ガスは主として塩素である。試料１０８の温度は対象とする被エッチング材によって異なるが、おおよそ２００℃以上５００℃以下である。試料の温度は要求されるエッチングレートあるいは製造される半導体装置によって異なるが、シリコン膜、アルミニウム膜あるいは酸化シリコン膜をエッチングする場合の典型的な温度である０℃から１００℃に比べて高い温度である。したがって、エッチングのマスク材にフォトレジストが有効に使えないことが多く、耐熱性の高い酸化シリコンや金属製のハードマスクを使う。
【００１７】
ところで、前記化学的に安定な材料（難エッチング材）をプラズマを用いてエッチングする場合、ウエハ等の試料の処理面に対して垂直にエッチングすることは困難である。
【００１８】
すなわち、前記難エッチング材では、エッチングにより生成した反応生成物が一度、試料表面から真空処理室内に飛び出しても、いずれかの壁面に到達するとその面に付着する性質がある。エッチングが進行する面に反応生成物が付着するのであれば、実質的にエッチング速度が低下するだけである。しかし、反応生成物はあらゆる面に付着する。すなわち、反応生成物は、エッチングが進行する溝あるいはホールの底面、およびエッチングがほとんど進行しない溝あるいはホールの側壁の双方に付着する。このため、前記側壁はその側壁に付着する反応生成物によりテーパ状にエッチングされることになり、側壁を垂直に形成することは困難である。
【００１９】
図２は、側壁に付着する導電性あるいは絶縁性の反応生成物による影響を説明する図である。図において、ａは試料（ウエハ）面に形成した導体層、ｂは導体層ａ上に形成した絶縁体層（絶縁膜）、ｃは絶縁体層ｂ上に形成した導体層である。エッチングに際しては、導体層ｃ、絶縁体層ｂ、導体層ａの順にエッチングすることになる。従って、例えば導体層ａのエッチング中に生成した反応生成物は導体層ｃあるいは絶縁体層ｂの側壁に付着することになる。
【００２０】
この場合、例えば導体層ｃの側壁に導電性の反応生成物が付着しても、あるいは絶縁性の反応生成物が付着しても半導体装置の機能には大きな影響を及ぼすことはない。ところが、絶縁体層ｂの側壁に導電性の反応生成物が付着すると絶縁膜の特性が変化する。最も極端な場合は、絶縁体層ｂの上下にある導体が短絡することになる。短絡しなくとも、上下の導体層間の抵抗が小さくなり、リーク電流が流れやすくなる。
【００２１】
また、前記絶縁体層ｂが強誘電体膜である場合には強誘電体特有のヒステリシス特性が得られなくなったりする。あるいは、微小な付着物によりデバイス特性が不安定になる。したがって、デバイス特性を安定にするには、絶縁体層ｂの側壁に導電性の反応生成物を付着させないことが重要である。
【００２２】
ところで、難エッチ材を順テーパ形にエッチングするのは容易である。順テーパ形とは上部が下部よりも短い形状であり、反応生成物が側壁に多く付着する条件でエッチングを行えば順テーパ形が得られる。
【００２３】
一般に、ウエハ温度が高いほどエッチングで得られる形状が垂直に近い。したがって、例えば絶縁体層ｂをエッチングする際において、特性が劣化しない最大温度よりもあえて低い温度でエッチングすることによって、順テーパ形を得ることができる。次のステップで前記絶縁体層ｂの下層の導体をエッチングする際には、できるだけ垂直に近いエッチング形状を得るために、特性が劣化しない最高温度でエッチングする。
【００２４】
垂直に近い形状が得られる条件では、エッチングにより得られるテーパ形状に係わらず、側壁に導体は付着しにくいが、上層の絶縁体層ｂを順テーパ形にエッチングしておくことにより、さらに前記絶縁体層のテーパ面への導体の付着を抑制することができる（テーパ面がエッチングされるため）。このとき下層の導体層をできるだけ垂直に近い形状にエッチングすることにより半導体の集積度を上げられるいうメリットもある。導体は抵抗を小さくするために断面積をある程度必要とする。このため絶縁体層ｂの数倍以上の膜厚であることが多い。したがって、導体層を順テーパ形にエッチングした場合には集積度が顕著に低下する。しかし、絶縁体層ｂは膜厚が薄いため、順テーパ形にエッチングしても集積度を低下することはない。
【００２５】
絶縁体層ｂを順テーパ形状にエッチングし、その下層の導体層を垂直にエッチングするのに他の方法を用いることも可能である。たとえば、絶縁体層ｂをエッチングするときには、装置に導入するガスの流量が一定に保ったまま、その系で得られる最も低い圧力あるいは長期的に安定に得られる最も低い圧力よりも圧力を高くするなどして、導入するガスの流量Ｑと圧力Ｐの比（Ｑ／Ｐ）を小さくすればよい。言い換えれば、排気系が持つ最大の排気速度あるいは実用的に長期間運用できる排気系の最大排気速度に満たない排気速度で排気すればよい。
【００２６】
一方、前記絶縁体層をエッチングした後に行う導電体層のエッチングにおいては、排気系が有する最大の排気速度、あるいは実用的に長期間安定に運用できる排気系の最大速度で排気系を運用し、できるだけ垂直に近い形状が得られようにすればよい。
【００２７】
例えば、ＳＥＭＩテクノロジーシンポジウム２００１講演予稿集（７−１０〜７−１４）には、ウエハ温度を急激に変化させて、一つの真空処理容器（チャンバ）内で複数のプロセスを処理する例が示されている。しかし、試料（ウエハ）を試料台上に静電チャックで吸着したまま、ウエハの温度を急激に変化させると、吸着個所からパーティクルが発生し、あるいはウエハが割れる可能性がある。また、ウエハ１枚１枚に対し、静電チャックを含む試料台の温度を急激に変化させることを繰り返すと、静電チャックの寿命が短くなるという問題がある。したがって、温度の異なるプロセスを同一真空処理容器で行うのは必ずしも好ましくない。
【００２８】
このため、エッチング処理に際して、試料温度の異なるプロセスを必要とする場合、プラズマ処理装置をマルチチャンバ化し、チャンバごとに異なった温度に設定した試料台を備えることが必要となる。設定すべき温度範囲が異なると、試料台に用いる構成部品が変わることが多い。たとえば、ウエハ温度を１５０℃程度付近に保つ場合と、４００℃程度に保つ場合では、ヒータの有無、セラミックの組成、厚さ、静電チャック表面の溝のパターンなど変えておく必要がある。言い換えれば、試料台以外はほぼ同一構成であるが、静電チャックを含む試料台のみが異なる複数のプラズマ処理装置が必要である。逆にチャンバの形状、構成部品やプラズマ発生方法や排気系などを同一構成にしておけばマルチチャンバ化しても多数の消耗部品を同時に揃えておく必要がなくなること、装置の操作、メンテナンス方法の習得が簡単にできることというメリットがある。
図３は、真空処理容器として複数のエッチング処理室を備えたプラズマ処理装置を説明する図である。図に示すように、プラズマ処理装置は、エッチング処理室９０１、ウエハ搬送用ロボット９０３、ロードロック室９０４、アンロードロック室９０５、ローダ９０６、ストッカ９０７を有する。ストッカ９０７にはカセット９０８が置かれる。ウエハを処理室９０１で処理するときには、ほぼ大気圧条件にあるカセット９０８に入れられたウエハ１０８をローダ９０６でほぼ大気圧条件にあるロードロック室９０４に運び、ロードロック室を閉じる。ロードロック室９０４の圧力を適当な圧力に減圧したのちに、ウエハ搬送用ロボット９０３でウエハ１０８を処理室９０１に搬送し、例えば図２に示す導体層（上部電極）ｃのエッチングを行う。そののち、ウエハ１０５をウエハ搬送用ロボット９０３で別のエッチング処理室９０１’に搬送し、絶縁体層（絶縁膜）ｂのエッチングを行う。さらに、ウエハ１０５をウエハ搬送用ロボット９０３で別のエッチング処理室９０１”に搬送し、導電体層（下部電極）ａのエッチングを行う。エッチング処理室９０１’、９０１”の構成はエッチング処理室９０１と同一の構成であり、試料台１０９の適用温度のみが相違する。具体的には、それぞれのエッチング処理室に収容する試料台１０９を構成する絶縁膜１１２の材料の相違、試料台１０９表面の溝形状の相違、ヒータ１１５の有無、ヒータの設置位置の相違などが挙げられる。
【００２９】
次に、低温用（略０℃ないし１５０℃）の試料台と高温用（略２００℃ないし４００℃）の試料台を具体的な例で説明する。低温用の試料台１０９では、ヘッド１１８部が主としてアルミニウムからなり、その上の絶縁膜１１２が主としてアルミナとチタニアの混合物からなる。この絶縁膜１１２は溶射で形成され、室温での膜の抵抗率が１０９Ωｃｍ〜１０１１Ωｃｍである。ヘッド１１８の表面には約５００マイクロメートルの深さの溝、あるいは突起が形成さる。
【００３０】
これに対し，高温用の試料台１０９では，ヘッド１１８部全体が焼結窒化アルミを主成分としている。表面には深さが１００マイクロメートル以下の溝、あるいは突起形成される。
【００３１】
低温用の試料台と高温用の試料台をできるだけ共通化し、開発コストや部品点数を減らすには、ヘッド部１１８の構成のみに差をつけることも可能である。このときは、ヘッドを取り付けるためのねじ穴，冷却用のガスの導入口，  真空シール部の位置，大きさ、個数を共通化しておく必要がある．
また、例えば、高温用のヘッドと低温用でヘッドのねじ穴の位置が共通にできない場合には、ヘッドを支持する台において、どちらのヘッドも固定できるようにねじ穴を用意しておき、実際には必要な部分のねじ穴のみを使うことによって部品の共通化を図ることができる。
一方、チャンバ側においては、ヘッドを支持する台に、いずれのヘッドも固定できるようにねじ穴を用意しておき，実際には必要な部分のねじ穴のみを使うことによって、部品の共通化を図ることができる。
なお、以上の例では大気カセット９０８を用いたが、真空カセットを用いてもよい。また、エッチング処理室９０１”を用いたが、エッチング処理室９０１”はエッチング処理室９０１で兼用することができる。
【００３２】
また、マルチチャンバ方式の真空処理装置として、使用温度がそれぞれ異なる試料台１０９を有するチャンバを用いると、試料１０８の材質が絶縁体であっても、導体であっても処理できる。この場合、絶縁体からなる試料を処理するチャンバでは、試料台表面の絶縁膜１１２の抵抗率を１０１５Ωｃｍ以上に設定しておく。導電体からなる試料を処理するチャンバでは、絶縁膜１１２の抵抗率は１０９Ωｃｍから１０１２Ωｃｍ程度にしておく。絶縁膜の抵抗率を１０１５Ωｃｍ以上にするには不純物濃度が極めて低いアルミナを用い、抵抗率を１０９Ωｃｍから１０１２Ωｃｍ程度に保つにはアルミナに不純物、例えばチタニアを混合するとよい。
【００３３】
図４は、図３に示すマルチチャンバ方式の真空処理装置を用いたエッチング処理を説明する図である。
【００３４】
まず、下部導電体層４０１，絶縁体層４０２，上部導電体層４０３からなる積層膜上に酸化シリコンからなるエッチングマスクを形成した試料（ウエハ）１０８を用意する（図４ａ）。
【００３５】
次に、試料１０８を真空処理容器９０１に搬送し、試料１０８の温度を４００℃に保った状態、すなわち垂直に近いエッチング形状が得られる条件で上部導体層４０３をエッチングする。上部導体層４０３のエッチングが終了すると、上部電極４０３ａが形成される（図４ｂ）。
【００３６】
次に、試料１０８を真空処理容器９０１から取り出し、別の真空処理容器９０１’に搬送し、試料１０８の温度を２００℃に保った状態、すなわち順テーパー形状が得られる条件で絶縁層４０２をエッチングする。絶縁層４０２のエッチングが終了すると、絶縁膜４０２ａが形成される（図４ｃ）。
【００３７】
次に、試料１０８を真空処理容器９０１’から取り出し、別の処理室９０１”に搬送し、試料１０８の温度を４００℃に保った状態で下部導電層４０１をエッチングする。下部導電層４０１のエッチングが終了すると下部電極４０１ａが形成される（図４ｄ）。
【００３８】
なお、真空処理容器９０１および真空処理容器９０１”における処理温度が近似する場合は、真空処理容器９０１”に代えて真空処理容器９０１を用いることができる。
【００３９】
このようにして形成される半導体装置においては、図４ｅの断面構造に示すように、絶縁膜４０２ａの側壁とその底面となす角度αが下部電極４０３の側壁とその底面となす角度βよりも小さくなっている。この角度の差は５°以上、特に１５°以上あるのが望ましい。このように絶縁膜を順テーパ形にしておくことにより、下部導電層のエッチングの際など発生する導電性の反応生成物の順テーパ面への付着を抑制することができ、前記絶縁膜の絶縁性能の劣化を防止することができる。
【００４０】
以上説明したように、本実施形態によれば、垂直な加工形状を得にくい材料（難エッチング材）のエッチングにおいて、絶縁膜をあえてテーパ状にエッチングし、その下層に位置する導電体層を垂直にエッチングすることによって安定に機能し、しかも集積度の高い半導体装置を作成することができる。
【００４１】
図５は、前記絶縁膜の絶縁性能の劣化を防止する他の方法を説明する図である。まず、Ｐｔからなる下部導電体層５０１，ＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒ／Ｔｉ）Ｏ３）からなる絶縁膜５０２ａ，Ｐｔからなる上部電極５０３を備えた積層膜上に酸化シリコンあるいは窒化シリコンからなるエッチングマスク５０４ａを形成した試料（ウエハ）１０８を用意する（図５ａ）。
【００４２】
次いで、前記絶縁膜５０２ａ及び上部電極５０３からなる積層膜を被覆するように絶縁膜５０５を堆積する。絶縁膜５０５の堆積に際しては、塗布や熱エネルギーを利用した化学気相成長、プラズマを利用した化学気相成長、あるいはスパッタリングデポジションなどを利用することができる。このように絶縁膜５０５を堆積することにより、導体層５０１をエッチングする際に生成する反応生成物が上層の絶縁膜５０２ａの側壁に付着することを抑止することができる。絶縁膜５０５の膜厚は、絶縁膜５０２ａの厚さと同程度、望ましくはそれよりも厚く堆積させる（図４ｂ）。
【００４３】
次に、下部導電体層５０１をエッチングして下部電極５０１ａを形成する。下部導電体層５０１をエッチングすると、反応生成物が生成し、生成した反応生成物は絶縁膜５０５上に付着する。このとき絶縁膜５０２ａは露出していないので絶縁膜５０２ａの側壁に反応生成物が付着することはない。従って、前記絶縁膜５０２ａの絶縁性能の劣化を避けることができる。このように、本実施形態によれば、安定に機能し、しかも集積度の高い半導体装置を作成することができる。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、難エッチング材を使用した半導体装置においても安定したデバイス性能を得ることのできるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態にかかるプラズマ処理装置を説明する図である。
【図２】側壁に付着する導電性あるいは絶縁性の反応生成物による影響を説明する図である。
【図３】真空処理容器として複数のエッチング処理室を備えたプラズマ処理装置を説明する図である。
【図４】マルチチャンバ方式の真空処理装置を用いたエッチング処理を説明する図である。
【図５】絶縁体層の絶縁性能の劣化を防止する他の方法を説明する図である。
【符号の説明】
１０１  高周波電源
１０２  自動整合器
１０３  コイル
１０４  真空処理容器
１０４ａ  放電部（絶縁体）
１０４ｂ  処理部（接地）
１０５  プラズマ
１０６  ガス導入手段
１０７  排気装置
１０８  試料
１０９  試料台
１１０  第二の高周波電源
１１１  ハイパスフィルター
１１２  絶縁膜
１１５  ヒータ
１１６  冷媒流路
１１７  負荷
【図１】
2004247584.tif 000003
【図２】
2004247584.tif 000004
【図３】
2004247584.tif 000005
【図４】
2004247584.tif 000006
【図５】
2004247584.tif 000007