(57)【要約】【課題】簡素な装置を用い、簡便な操作で、被処理基体を、それに塵埃が付着するのを抑制して処理容器内へ搬入し、または処理容器内から搬出する。【解決手段】低清浄環境１４０に配置された可動処理容器部１００を、低清浄環境１４０に対して、清浄度を高く保持され、内圧を正圧に保持されたクリーンルーム１３０の、扉１３３によって開閉可能な開口部１３２の直下に移動させる。次に、扉１３３を開け、処理容器１０１を上昇させて、処理容器１０１の上端部を、クリーンルーム１３０の開口部１３２に、その縁部との間に隙間１４１を開けて通し、クリーンルーム１３０内に突出させる。その後、処理容器１０１の開口部１１２を塞ぐ上蓋１１１を外し、開口部１１２を通して被処理基体を処理容器１０１内に搬入する。【選択図】　図１
2004143545.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基体を、該処理基体を通すことができる、開閉可能な開口部を備える処理容器内に該開口部を通して搬入し、または搬出する工程を含む、前記処理容器内に設置された前記被処理基体に所定の処理を実施する処理方法であって、
密閉された前記処理容器が設置された低清浄環境に対して、開閉可能な開口部を有する壁によって隔離され、内部の清浄度を高く保持され、内圧を正圧に保持された高清浄環境と前記低清浄環境とを隔てる前記壁の前記開口部を開き、前記処理容器の、前記開口部が形成された部分を、前記壁の前記開口部の縁の、前記低清浄環境側の端部よりも前記高清浄環境側に突出し、かつ、前記壁の前記開口部の縁に対して所定の隙間を開けて位置させる工程と、
その後、前記処理容器の前記開口部を開き、該開口部を通して前記被処理基体を前記高清浄環境内から前記処理容器内に搬入し、または前記処理容器内から前記高清浄環境内に搬出する工程とを有する処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス等の形成に用いる、堆積膜形成、エッチング等の処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素子等を作成する際には、処理を良好に行うため、処理を実施する被処理基体上に塵や埃などを極力付着させないようにする必要がある。そのため、被処理基体を、各種の処理を行う装置に搬入し、また、それらの装置から搬出する操作は、クリーンルーム等の高清浄な環境内で行われるのが一般的である。
【０００３】
しかし、処理装置全体をクリーンルーム等の中に入れて高清浄に保とうとすると、多大な装置コストがかかってしまう。また、処理装置の稼動に伴って塵埃が発生する場合があり、処理装置全体をクリーンルーム等の中に入れた場合、クリーンルーム内を清浄に保つためには、処理装置全体全体から発生する塵埃を処理しなければならず、クリーンルーム内を高清浄に保つこと自体も困難と成る場合がある。そこで、局所的に高清浄化を行って、被処理基体等を処理装置に搬入し、また処理装置から搬出する際に被処理基体等に塵埃が付着するのを防いでいる処理方法が各種提案されている。
【０００４】
例えば、特開平１０−７４８１５号公報には、プロセス装置が設置された、高清浄に保たれた局所クリーンルーム内にウェハを搬送し、また搬出する方法として、メンテナンス室などの、局所クリーンルームよりも清浄度の低い領域に配置された搬送ユニット内の、ウェハを保持する空間を局所クリーンルームと連通させて、搬送および搬出操作を行う方法および装置が記載されている。この方法では、ウェハを保持する空間を局所クリーンルームと連通させることによって、ウェハを清浄度の低い雰囲気に曝すのを防止している。また、搬送ユニットを局所クリーンルーム外のメンテナンス室に配置して操作しており、それによって、局所クリーンの清浄度が、操作に伴って発生する塵埃により低下するのを防止している。
【０００５】
また、国際公開第９９／２８９６５号公報には、半導体の運搬において、低清浄室側のコンテナと高清浄室を連通させ、かつ塵埃を発生させる機械的要素を全て低清浄室側に設置することによって、高清浄室の清浄度を高く保つ事を可能とした処理方法が記載されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１０−７４８１５号公報
【特許文献２】
国際公開第９９／２８９６５号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述の従来の方法および装置のように、装置の所定の部分を高清浄に保って、被処理基体が清浄度の低い雰囲気に曝されないようにすることによって、装置コストを抑えて、被処理基体の各種処理を行う環境を高清浄に維持することが可能となった。
【０００８】
しかし、上記のように、低清浄環境と高清浄環境間で、被処理基体を出し入れする際、従来の技術では、被処理基体の種類によっては、それへの塵埃の付着を必ずしも充分に防止できない場合があり、被処理基体上に塵埃などが付着することによって生じる、製品の欠陥の発生率が生産性に与える影響を無視できない場合がある。特に、電子写真感光体の生産においては、上記のようにして欠陥が発生した場合、この欠陥をリペアすることができないため、一部に欠陥が生じただけでも、電子写真感光体全体を使用できなくなる場合があり、欠陥の発生が、電子写真感光体の歩留まりに極めて大きく影響してしまう。
【０００９】
さらに、上記のような従来技術においては、高清浄環境とする空間は、狭い空間で済むが、このように狭い空間を高清浄環境としただけで、被処理基体が清浄度の低い雰囲気に曝されないようにするために、装置の切り離しや接続が必要となる。この切り離しや接続は、煩雑な操作を必要とする場合があり、また、接続部のシール性を保つ機構などの比較的煩雑な機構を必要とする。
【００１０】
本発明は、上記の課題の解決を目的とするものである。すなわち、本発明の目的は、被処理基体を処理容器内に搬入し、また、処理容器から搬出する操作を、より簡素な構成の装置を用い、より簡便な操作で、被処理基体への塵埃の付着をより良好に防止して行うことができる処理方法を提供することにあり、また、それによって、設備の大幅なコストダウンを図り、さらに、被処理基体の処理特性を向上させ、歩留まりを高めることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上述の目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、被処理基体を高清浄環境から、低清浄環境内に設置された処理容器内に搬入し、または搬出する際に、処理容器の、被処理基体を搬入するための開口部が設けられた部分を、高清浄環境と低清浄環境を隔てる壁に形成された開口部に、それに接触しないように通して高清浄環境内に入り込んだ状態にし、高清浄環境と低清浄環境を隔てる壁の開口部の縁と処理容器との間の隙間を通って高清浄環境側から低清浄環境側に空気が流れるようにすることによって、簡素な装置を用い、簡便な操作で、被処理基体を、それへの塵埃の付着を効果的に抑制して処理容器内に搬入し、また処理容器から搬出することが可能となることを見出した。
【００１２】
すなわち、この処理方法では、高清浄環境側から低清浄環境側に流れる空気が所謂エアカーテンとして機能し、低清浄環境側から高清浄環境側へ塵埃が浸入するのを抑制することができ、したがって、高清浄環境側に位置する、処理容器の開口部へ塵埃が到達するのを抑制して、搬入または搬出中の被処理基体に塵埃が付着するのを抑制することができる。また、高清浄環境側から低清浄環境側に空気を流すことによって、高清浄環境内で空気の流れが生じ、この空気流れが、搬送または搬出作業に伴って生じる塵埃を低清浄環境側へと流し、被処理基体へと到達するのを抑制する働きをする。
【００１３】
このような本発明は、以下のような様々な実施態様を有する。
【００１４】
（実施態様１）
被処理基体を、該処理基体を通すことができる、開閉可能な開口部を備える処理容器内に該開口部を通して搬入し、または搬出する工程を含む、前記処理容器内に設置された前記被処理基体に所定の処理を実施する処理方法であって、
密閉された前記処理容器が設置された低清浄環境に対して、開閉可能な開口部を有する壁によって隔離され、内部の清浄度を高く保持され、内圧を正圧に保持された高清浄環境と前記低清浄環境とを隔てる前記壁の前記開口部を開き、前記処理容器の、前記開口部が形成された部分を、前記壁の前記開口部の縁の、前記低清浄環境側の端部よりも前記高清浄環境側に突出し、かつ、前記壁の前記開口部の縁に対して所定の隙間を開けて位置させる工程と、
その後、前記処理容器の前記開口部を開き、該開口部を通して前記被処理基体を前記高清浄環境内から前記処理容器内に搬入し、または前記処理容器内から前記高清浄環境内に搬出する工程とを有する処理方法。
【００１５】
この実施態様によれば、高清浄環境が低清浄環境に対して正圧に保持され、また、被処理基体を処理容器内に搬入し、または処理容器内から搬出する際に、高清浄環境と低清浄環境を隔てる壁の開口部の縁と処理容器との間に隙間を開けているため、この隙間を通って高清浄環境から低清浄環境に空気が流れ、これによって、塵埃が被処理基体に付着するのを抑制する作用が得られる。
【００１６】
（実施態様２）
前記処理容器を、前記高清浄環境側に移動させることによって、前記処理容器の、前記開口部が形成された部分を、前記高清浄環境と前記低清浄環境を隔てる前記壁の前記開口部の縁の、前記低清浄環境側の端部よりも前記高清浄環境側に突出して位置させる、実施態様１に記載の処理方法。
【００１７】
（実施態様３）
前記低清浄環境と前記高清浄環境を隔てる前記壁の、前記開口部を形成する部分を前記処理容器に向けて突出させることによって、前記処理容器の、前記開口部が形成された部分を、低清浄環境と前記高清浄環境を隔てる前記壁の前記開口部の縁の、前記低清浄環境側の端部よりも前記高清浄環境側に突出して位置させる、実施態様１に記載の処理方法。
【００１８】
これら実施態様２，３によれば、簡便な操作で処理容器の、開口部が形成された部分を高清浄環境側に入り込ませることができる。
【００１９】
（実施態様４）
前記低清浄環境と前記高清浄環境を隔てる前記壁の前記開口部の縁と前記処理容器との間の前記隙間に流れる清浄な空気の風速が０．２〜１．０ｍ／ｓである、実施態様１から３のいずれか１つに記載の処理方法。
【００２０】
この実施態様によれば、塵埃が被処理基体に付着するのを抑制する作用を特に効果的に得ることができる。
【００２１】
（実施態様５）
前記低清浄環境と前記高清浄環境を隔てる前記壁の前記開口部の縁と前記処理容器との間の前記隙間を、前記高清浄環境内に存在する動作部側で他の側より広くする、実施態様１から４のいずれか１つに記載の処理方法。
【００２２】
この実施態様によれば、高清浄環境内において、空気の流れを可動手段付近に効果的に生じさせることができ、それによって、可動手段の動作に伴って発生する塵埃を効率的に低清浄環境側へと流すことができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳述する。
【００２４】
図１は、本発明の処理方法の一例として、電子写真感光体の形成装置を用いて処理を行っているのを示す模式図であり、図１（Ａ）は被処理基体の搬入前、図１（Ｂ）は被処理基体の搬入時、図１（Ｃ）は被処理基体への処理時の状態を示している。
【００２５】
この形成装置には、被処理基体の処理を行うための処理容器１０１を備える可動処理容器部１００が含まれており、この可動処理容器部１００は、通常雰囲気、すなわち低清浄環境１４０内に配置されている。可動処理容器部１００には、その架台１０３にキャスター１０４が取り付けられている。これによって、可動処理容器部１００は、被処理基体を処理容器１０１内に設置する操作を行うための基体投入ステージ１０、被処理基体に処理を行うための処理ステージ２０、および、不図示の冷却／取り出しステージ間を移動させることができるようになっている。また、架台１０３と処理容器１０１の間には、処理容器１０１を上下に移動させるリフター１１０が設けられている。
【００２６】
処理容器１０１には、その上面に開口部１１２が形成されており、この開口部１１２は上蓋１１１によって密閉することが可能である。また、処理容器１０１の側面には、排気ラインに設けられた、後述する排気手段１５０に接続されるゲートバルブ１０２、および、ガス導入ラインに設けられた、同様に後述するガス供給システム１６０に接続される接続部が設けられている。
【００２７】
基体投入ステージ１０には、内部を高清浄な状態に保たれた、クラス１０００のクリーンルーム１３０が設けられている。クリーンルーム１３０は、外壁１３１によって、可動処理容器部１００が設置される低清浄環境１４０から隔離されており、クリーンルーム１３０の内圧は低清浄環境１４０に対して正圧に保たれている。クリーンルーム１３０の外壁１３１は、可動処理容器部１００を基体投入ステージ１０に移動させた際に、可動処理容器部１００の上面に面する部分を有しており、この部分に、扉１３３によって開閉可能な開口部１３２が形成されている。開口部１３２は、処理容器１０１の上端部を通すことができ、上端部を通した状態で、開口部１３２の縁と処理容器１０１の側壁との間に所定の隙間１４１が生じる大きさになっている。
【００２８】
処理ステージ２０には、処理容器１０１内を排気するための排気手段１５０と、処理に必要なガスを処理容器１０１内に導入するためのガス供給手段および流量制御手段が組み込まれたガス供給システム１６０が設けられている。排気手段１５０およびガス供給システム１６０は接続機構１０７にそれぞれ接続されており、接続機構１０７は、これらを処理容器１０１のゲートバルブ１０２およびガス導入ラインの接続部に、ガスを流通させることができるようにそれぞれ接続可能な構成を有している。
【００２９】
排気手段１５０は、排気管１０５を介して接続機構１０７に接続されており、排気管１５０には、メイン排気バルブ１０６、排気コンダクタンス制御手段１０９、および内圧測定器１０８が設けられている。また、排気管１５０には、メイン排気バルブ１０６の出入口間をつなぐスロー排気ライン１１４が接続されており、スロー排気ライン１１４にはスロー排気バルブ１１３が設けられている。
【００３０】
ガス供給システム１６０は、望ましい構成では、処理に必要となる複数種のガスを蓄えたガスボンベを含み、また、レギュレータ、バルブ類、マスフローコントローラーなどを含んでいる。ガス供給システム１６０から接続機構１０７への供給ラインには、流量可変バルブ１６１が設けられている。これらの構成によって、所望のガスを所望の流量、混合比で処理容器１０１に供給することができる。また、ガス供給システム１６０は、パージ用のガスボンベ、パージラインを含んでいることがさらに望ましく、それによって、ガスの運用の安全性を高めることができる。ガス供給システム１６０の構成は、これに限られることはなく、所望のガスを所望の流量、混合比で供給することができるものであれば、いかなる構成であってもよい。
【００３１】
次に、図１に示す、電子写真感光体の製造装置を用いた処理方法について説明する。
【００３２】
まず、可動処理容器部１００を、キャスター１０４を利用して基体投入ステージ１０へ移動させる。この際、処理容器１０１をクリーンルーム１３０の外壁１３１の扉１３３の直下に位置させる（図１（Ａ）の状態）。
【００３３】
次に、扉１３３を開け、リフター１１０を用いて処理容器１０１を上昇させ、上蓋１１１によって閉じられた、処理容器１０１の開口部１１２をクリーンルーム１３０の外壁より内側に位置させる。この状態では、クリーンルーム１３０の開口部１３２は、その中央部を処理容器１０１によって占められている。この際、クリーンルーム１３０の壁１３１と処理容器１０１とが接触しないようにし、すなわち、処理容器１０１の側壁とクリーンルーム１３０の開口部１３２の縁との間には、全周にわたって所定の隙間１４１が形成されるようにしている。これは、可動処理容器部１００の配置位置を調整しておくことによって実現できる。前述のようにクリーンルーム１３０内は低清浄環境１４０に対して正圧に保たれているので、この状態では、クリーンルーム１３０から隙間１４１を通って清浄な空気が流れ出ている。
【００３４】
次に、処理容器１０１の上蓋１１１を外し（図１（Ｂ）の状態）、前もって精密に洗浄された被処理基体（図示せず）を、クリーンルーム１３０内から開口部１１２を通して処理容器１０１内に搬入し、設置する。その後、上蓋１１１を取り付けて処理容器１０１を密閉する。そして、リフター１１０を用いて、処理容器１０１を下降させる。処理容器１０１が下降しきったら、扉１３３によって開口部１３２を閉じる。
【００３５】
次に、可動処理容器部１００を処理ステージ２０まで移動させ、処理ステージ２０の接続機構１０７と処理容器１０１のゲートバルブ１０２およびガス導入ラインの接続部を接続させる。その後、ゲートバルブ１０２を開き、次に、スロー排気バルブ１１３を開き、スロー排気ライン１１４を使用して、処理容器１０１内の減圧を開始する。そして、内圧測定器１０８によって処理容器１０１の内圧が所定の値に達したのを確認した後、スロー排気バルブ１１３を閉じ、次にメイン排気バルブ１０６を開き、処理容器１０１内をさらに減圧する。
【００３６】
そして、内圧測定器１０８によって処理容器１０１の内圧が所定の値に達したのを確認した後、ガス供給システム１６０を始動させ、処理に必要な所定の処理用ガスおよび／または原料ガスを処理容器１０１内に導入し、所定の処理を実施する。処理中、処理容器１０１の内圧は、排気コンダクタンス制御手段１０９によって所望の値に調節することができる。
【００３７】
所定の処理が終了したら、ゲートバルブ１０２を閉じ、接続機構１０７を外す。その後、可動処理容器部１００を処理ステージ２０から、冷却／取り出しステージ（図示せず）に移動させ、必要に応じて被処理基体の冷却を行い、処理容器１０１内を大気圧力まで戻して、処理が完了した被処理基体を取り出す。
【００３８】
最後に、可動処理容器部１００をクリーニングする。その後、可動処理容器部１００を再び基体投入ステージ１０の扉１３２の直下に搬送し、上記の工程を繰り返して次の処理を行うことができる。
【００３９】
以上説明した本実施形態の処理方法では、被処理基体を処理容器１０１内に搬入する際、処理容器１０１の、搬入に用いる開口部１１２が形成された上端部を、高清浄な環境になっているクリーンルーム１３０内に突出させている。この際、クリーンルーム１３０と、可動処理容器１００の設置される低清浄環境１４０との間を仕切る、クリーンルーム１３０の外壁に対し、処理容器１０１を非接触状態とし、すなわち、処理容器１０１とクリーンルーム１３０の開口部１３２の縁との間に所定の隙間１４１が形成されるようにしている。そして、クリーンルーム１３０の内圧を低清浄環境１４０に対して正圧にしており、このため、隙間１４１には、クリーンルーム１３０から低清浄環境１４０に向かって清浄な空気が流れる。このようにすることによって、搬入する被処理基体に塵埃が付着するのを効果的に抑制することができる。
【００４０】
このような効果が得られることについて、本実施形態の方法と対比される他の処理方法を示す図２を参照して、さらに説明する。図２は、他の処理方法において、被処理基体を搬入する際の、処理容器２０１，３０１とクリーンルーム２３０，３３０を示す模式図であり、同図において図１と同様の部分には同一の符合を付している。
【００４１】
図２（Ａ）に示す処理方法では、処理容器２０１の、被処理基体を搬入するための開口部２１２が、クリーンルーム２３０内にはなく、低清浄環境１４０側に位置している。そして、処理容器２０１はクリーンルーム２３０の外壁２３１と非接触状態になっており、すなわち、処理容器２０１の開口部２１２の縁部分とクリーンルーム２３０の外壁２３１との間に隙間２４１が形成されている。この処理方法においても、クリーンルーム２３０の内圧は低清浄環境１４０に対して正圧になっており、この隙間２４１にはクリーンルーム２３０から低清浄環境１４０に向かって空気が流れる。隙間２４１の、この空気の流れは、所謂エアーカーテンとして機能し、すなわち、クリーンルーム２３０と処理容器２０１内、およびこれらをつなぐ空間に、低清浄環境１４０側から塵埃が浸入するのを防ぐ働きをする。
【００４２】
本実施形態の処理方法では、この図２（Ａ）に示す処理方法に比べて、より良好な処理特性が得られ、歩留まりも向上することが分かっており、これは、被処理基体に塵埃が付着する確率を大幅に減らすことができることを意味している。この理由については、以下のことが考えられる。
【００４３】
クリーンルーム１３０，２３０から隙間１４１，２４１を通って低清浄空間１４０に空気が流れる際、空気が隙間１４１，２４１から低清浄空間１４０に放出される部分の近傍では乱流が発生する場合がある。この場合、隙間１４１，２４１の幅、隙間１４１，２４１に流れる空気の流量、および低清浄環境１４０の清浄度に依存した、ある程度の量の塵埃が隙間１４１，２４１内へと混入する。この際、図２（Ａ）に示す処理方法では、処理容器２０１の開口部２１２が隙間２４１の比較的近くにあるのに対して、本実施形態の処理方法では、処理容器１０１の開口部１１２は、隙間１４１から離れてクリーンルーム１３０内に位置している。このため、本実施形態の処理方法では、このように混入した塵埃が、被処理基体を搬入する開口部１１２まで到達してしまう可能性を低くすることができ、したがって、搬入中の被処理基体に塵埃が付着するのを効果的に防止することができると考えられる。また、混入した塵埃が処理容器１０１内に入ってしまう可能性も低い。さらに、本実施形態の処理方法では、混入した塵埃がクリーンルーム１３０内にある程度拡散したとしても、その大部分は隙間１４１を通って流れる空気と共に低清浄環境１４０側へと流されるので、クリーンルーム１３０の汚染もほとんど無い。
【００４４】
また、図２（Ａ）に示す処理方法では、開口部２１２を覆う上蓋を着脱する際、隙間２４１における空気の流れが変化し、塵埃の混入が促進されてしまう可能性があるのに対して、本実施形態の処理方法では、開口部１１２がクリーンルーム１３０内に位置している状態で上蓋１１１の着脱操作が行われるので、それに伴って隙間１４１における空気の流れが変化することはなく、したがって、塵埃の混入を招くこともない。これらのことから、本実施形態の処理方法によれば、図２（Ａ）に示す処理方法に比べて、被処理基体への塵埃の付着をより効果的に抑制できるものと考えられる。
【００４５】
次に、図２（Ｂ）に示す処理方法では、処理容器３０１の、被処理基体を搬入のための開口部３１２の縁部が、クリーンルーム３３０の、低清浄環境１４０との間を仕切る外壁３３１と接触状態になっている。この場合、処理容器３０１内の空間はクリーンルーム１３０と連結されて低清浄環境１４０から実質的に隔離されることになる。図２（Ｂ）に示すこの処理方法に比べて、本実施形態の処理方法には以下のような利点がある。
【００４６】
図２（Ｂ）に示す処理方法では、低清浄空間１４０からの塵埃の浸入を防ぐために、処理容器３０１の、開口部３１２の縁部をクリーンルーム１３０の外壁３３１に確実に密着させる必要がある。このため、処理容器３０１および／またはクリーンルーム３３０に両者を密着させるための密着機構を設ける必要があり、また、密着させるために煩雑な操作を行う必要がある。
【００４７】
これに対して、本実施形態の処理方法では、このような密着機構を設ける必要はなく、したがって装置構成をより簡素なものとすることができ、装置のコストを低く抑えることができる。また、処理容器１０１とクリーンルーム１３０を密着させる操作を行う必要もなく、被処理基体の搬入操作をより簡便なものとすることができる。
【００４８】
また、図２（Ｂ）に示す処理方法では、処理容器３０１をクリーンルーム３３０の外壁３３１に接触させる際に、振動が生じる。この振動によって、処理容器３０１の内壁等に付着している塵埃が脱離しやすくなる。その結果、処理中に被処理基体に塵埃が付着する確率が増加してしまう。すなわち、例えば、真空処理を行う場合、被処理基体を処理容器に設置した後、処理容器を減圧する操作をするが、その際の気体の流れによって、処理容器３０１の内壁等に付着していた塵埃が脱離してしまう可能性が高くなり、このようにして離脱した塵埃は、処理中に被処理基体に付着して、処理特性を悪化させてしまう場合がある。
【００４９】
これに対して、本実施形態の処理方法では、処理容器１０１をクリーンルーム１３０の外壁１３１に接触させることはなく、したがって、処理容器１０１に振動を生じさせることはない。このため、図２（Ｂ）に示す処理方法に比べて、処理特性をより向上させ、歩留まりも向上させることができる。
【００５０】
以上説明したように、本実施形態によれば、比較的簡素な構成の装置を用い、比較的簡便な操作によって、被処理基体を、それに塵埃が付着するのを抑制して、処理容器１０１内に搬入する操作を行うことができる。したがって、本実施形態の処理方法によれば、処理特性、歩留まりを向上させることができ、また装置のコストを低く抑えることができる。
【００５１】
なお、本実施形態では、処理容器１０１を上下に移動させる手段として、リフターを用いる例を示したが、この手段としては、リフターの代わりに、エアーシリンダー、油圧式ジャッキ、ボールネジを用いた電動式モーター等、どのような機構を用いてもよい。
【００５２】
上述の実施形態では、被処理基体を処理容器１０１内に搬入する際、処理容器１０１の、開口部１１２が形成された上端部をクリーンルーム１３０内に突出させ、言い換えれば高清浄環境内に突出させるように処理容器１０１を上方に移動させている。本発明の処理方法では、このように、処理容器の、被処理基体を搬入する開口部が形成された部分を高清浄環境内にある程度突出させた状態にすることによって、上述のような作用効果が得られる。そこで、この作用効果が得られる他の処理方法として、処理容器を移動させる代わりに、高清浄環境となる空間を処理容器側に拡大させることによって、処理容器の、開口部が形成された部分を高清浄環境内に突出した状態にすることが考えられる。図３に、このような他の実施形態の処理方法を実施する、電子写真感光体の形成装置を示す模式図を示す。図３において、図１と同様の部分については同一の符号を付している。
【００５３】
図３に示す実施形態においても、図１に示す実施形態と同様に、上蓋１１１、ゲートバルブ１０２を備える処理容器１０１と、キャスター１０４が設けられた架台１０３とを有する可動処理容器部４００を用いている。ただし、この可動処理容器部４００には、リフターは設けられていない。この可動処理容器４００は、通常雰囲気、すなわち低清浄環境１４０に配置されている。
【００５４】
基体投入ステージ４１０には、図１に示す実施形態と同様にクラス１０００のクリーンルーム１３０が設けられている。クリーンルーム１３０の内圧は、可動処理容器部４００の設置される低清浄環境１４０に対して正圧になっており、クリーンルーム１３０と、可動処理容器４００の設置される低清浄環境１４０とは、クリーンルーム１３０の外壁１３１によって仕切られている。外壁１３１には、可動処理容器部４００を基体投入ステージ４１０に移動させた時に、処理容器１０１の上面に面する部分に、扉１３３によって開閉可能な開口部１３２が形成されている。この開口部１３２の縁部の下面には、図３（Ａ）に示すように縮め、図３（Ｂ）に示すように下方に向かって伸ばすことができるカーテン４４５が設けられている。カーテン４４５は、伸ばした状態で、処理容器１０１の側壁の上部の外側を、それとの間に全周に亘って所定の隙間４４１を形成した状態で覆うことができる構成になっている。
【００５５】
本実施形態においても、処理ステージ２０の構成は、図１に示す実施形態と同様であり、詳細な説明は省略する。
【００５６】
本実施形態における処理操作は、被処理基体を処理容器１０１内に搬入する際、処理容器１０１をクリーンルーム１３０内へと上方に移動させる代わりに、カーテン４４５を下方へと伸ばす他は、図１に示す実施形態と同様に実施することができる。この処理方法では、被処理基体を処理容器１０１内に搬入する際、クリーンルーム１３０から、処理容器１０１の側壁とカーテン４４５との間の隙間４４１を通って低清浄環境１４０へと清浄な空気が流れ、これによって、図１に示した実施形態と同様に、被処理基体への塵埃の付着を抑制し、処理特性および歩留まりを向上させる効果が得られる。
【００５７】
図１に示す実施形態と図３に示す実施形態とを比べると、図１に示す実施形態では、被処理基体の搬入時に、処理容器１０１の開口部１１２がクリーンルーム１３０内に位置し、したがって、開口部１１２を、クリーンルーム１３０内から被処理基体を搬入する操作をする位置の比較的近くに位置させることができるため、クリーンルーム１３０側での作業性の面で好ましい。一方、図３に示す実施形態では、処理容器１０１を上方に移動させる必要がないため、リフター１１０のような機構を省略することができ、すなわち、可動処理容器部４００の構成を簡素化できる面で好ましい。
【００５８】
なお、図３に示す実施形態におけるカーテン４４５は、可動処理容器部４００を処理ステージ４１０に移動させ、また処理ステージ４１０から移動させる際に、移動を妨げない位置に移動させることができ、被処理基体の搬入時に、処理容器１０１の側壁の上部の周りを、全周に亘って所定の隙間４４１を形成して覆う位置に移動させることができる構成のものであれば、どのような構成のものを用いてもよい。
【００５９】
また、各実施形態において、可動処理容器部１００，４００を移動可能にする手段としては、キャスター１０４を設けた例を示したが、キャスター１０４の代わりに、ベルト移動機構、磁気浮動移動機構、空気浮動移動等、可動処理容器部１００を移動させることができる機構であればどのような機構を用いてもよい。この機構をキャスターとするのは、取り扱い易さ、コストの点から望ましい。
【００６０】
処理ステージ２０の接続機構１０７は、真空を保持するため、フランジ構造とするのが望ましく、真空シール機構としては、Ｏリングシール、メタルシール等、いずれを用いてもよい。接続機構１０７とゲートバルブ１０２の固定方法としては、ボルト、カプラ、クランプなどを用いたいずれの方法を用いてもよいが、着脱を容易に行える方法を用いるのが好ましい。排気手段１５０としては、ロータリーポンプ、メカニカルブースターポンプ、油拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ等、いずれのポンプ、あるいはそれらのどのような組み合わせを用いてもよく、所望の排気速度が得られるように適宜選択することができる。
【００６１】
また、各実施形態の処理方法において、被処理基体を搬入する際に、隙間１４１，３４１に流れる清浄な空気の風速は、隙間１４１，３４１の大きさを適当に設定すること等により、適当な値、具体的には、０．２〜１．０（ｍ／ｓ）に調整するのが好ましく、それによって、被処理基体への塵埃の付着を効果的に抑制することができる。この理由に関しては明らかではないが、以下のように推測している。
【００６２】
隙間１４１に清浄な空気が流れると、この空気は、前述のように所謂エアーカーテンとして機能し、すなわち、低清浄環境側からの塵埃によって高清浄環境側が汚染されるのを防止する働きをする。このエアーカーテンとしての機能は、風速をある程度以上遅くすると低下すると考えられ、このため、風速をある程度以上とするのが好ましいものと考えられる。また、隙間１４１，４４１に清浄な空気が流れることによって、クリーンルーム１３０においても、開口部１３２の周囲で空気の流れが生じる。この空気の流れは、被処理基体を処理容器１０１内に設置する際に、作業者や設置機構などの、クリーンルーム１３０内の動作部から生じた僅かなダストを隙間１４１，４４１側へと流し、被処理基体に付着するのを抑制する働きをするものと考えられる。このような働きも、隙間１４１，３４１における風速がある程度以上遅い場合には、クリーンルーム１３０内における空気の流れが弱くなるため、不充分になるものと考えられる。これらのことから、流速は０．２（ｍ／ｓ）以上とするのが好ましいものと考えられる。
【００６３】
一方、風速がある程度以上に速い場合には、上述のようにクリーンルーム１３０内に生じる空気の流れが強くなり、作業者あるいはクリーンルーム１３０の内壁面等からの発塵が誘発されやすくなると考えられる。このため、風速は１．０（ｍ／ｓ）以下とするのが好ましいものと考えられる。
【００６４】
また、各実施形態において、被処理基体を処理容器１０１内に搬入する際には、前述のように、処理容器１０１の、開口部１１２が形成された部分を高清浄環境内にある程度入り込ませる必要がある。この際に、処理容器１０１を入り込ませる量は、各装置の形状、低清浄環境１４０側の塵埃の状況、隙間１４１における空気の風速等を考慮して決めればよいが、本発明者らの検討によれば、高清浄環境と、低清浄環境との境界となる部分、すなわち、隙間１４１，４４１の、低清浄環境１４０側の端部に対し、開口部１１２が高清浄環境側に５ｃｍ以上入り込んだ位置にくるようにすれば、前述のような乱流によって塵埃が開口部１１２にまで拡散するのを効果的に防止でき、好ましい。また、開口部１１２が高清浄環境側に入り込む量を３０ｃｍ以下とすれば、前述のように、高清浄環境側における空気の流れによって、塵埃が被処理基体側へと拡散するのを効果的に防止することができ、好ましい。
【００６５】
また、被処理基体を搬入する際に、処理容器１０１の側壁とクリ−ンルーム１３０の開口部１３２の縁部、またはカーテン４４５との間に形成される隙間１４１，３４１は、清浄な空気が処理容器１０１の全周に亘って流れる構成であれば、すなわち、処理容器１０１の全周に亘って形成されていればどのような構成であってもよい。しかし、被処理基体を設置する作業を行う作業者や設置機構等の、高清浄環境側に存在する動作部が、開口部１３２に対して特定の方向に偏って位置している場合には、その方向において隙間１４１，３４１を広くするのが好ましく、それによって、前述のように高清浄環境側に生じる空気の流れを、動作部が位置する側で強くでき、それによって、動作部において発生した塵埃が被処理基体側へと拡散するのをより効率的に抑制できる。
【００６６】
また、各実施形態では、電子写真感光体の形成装置を例にとって、本発明の処理方法の説明を行ったが、本発明の処理方法は、電子写真感光体の形成装置における処理方法に限られることはなく、例えばスパッタリング法、熱ＣＶＤ法等によって処理を行う他の真空処理装置等にも適用することができる。また、各実施形態では、処理工程において、被処理基体を処理容器１０１内に搬入する操作を示したが、塵埃の付着を抑制して被処理基体を処理容器１０１から搬出する必要がある場合には、同様の操作によって、搬出操作を行うことも可能である。
【００６７】
【実施例】
以下、より具体的に処理を実施した例を示す実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。なお、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
【００６８】
［実施例１］
本実施例では、図１に示す形成装置を用いて電子写真感光体を作製した。この際に用いた可動処理用基部１００のより具体的な構成を示す模式図を図４に示す。図４に示す装置は、ＶＨＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置であり、図４（Ａ）は側面図、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿って切断した断面図である。図４（Ａ）は、分かりやすくするために、内部を透視した状態で示しており、また、リフター１１０については図示を省略している。
【００６９】
この可動処理容器部１００において、処理容器１０１は、架台１０３上に設けられた処理容器支持台１２３上に支持されている。処理容器１０１は、円筒状の外形を有しており、アルミナセラミックスからなっている。処理容器１０１の内部の中央には、基体ホルダー１２９に装着された、電子写真感光体となる堆積幕が周りに形成される円筒状基体１２０を軸方向に鉛直に立った状態で支持する支持部が設けられている。この支持部は、モーター１７０によって回転可能であり、円筒状基体１２０を装着した状態で、その中心軸に沿って位置する基体加熱用ヒーター１２４を有している。この支持部の周りには、鉛直方向に延びる３つの原料ガス導入管１２４が、処理容器１０１の同心円上に等間隔に設けられている。
【００７０】
処理容器１０１の外側には、鉛直方向に延びる３つの高周波電極１２６が処理容器１０１の同心円上に等間隔に設けられている。この高周波電極１２６は、絶縁体１２８を介して支持され、それによって処理容器支持台１２３から絶縁されている。処理容器１０１の上方には、３つの高周波電極の連結部が設けられており、この連結部は高周波マッチングボックス１２７を介して高周波電源１２１に接続されている。高周波電極１２６とその連結部とは、ＳＵＳ製の円筒状の高周波シールド１２２によって覆われている。
【００７１】
本実施例において、電子写真感光体の作製は以下のように行った。
【００７２】
まず、高周波マッチングボックス１３７、高周波電極１２６、高周波シールド１２２を外した状態の可動処理容器部１００を、キャスター１０４を用いて基体投入ステージ１０に移動させ、クリーンルーム１３０の扉１３３の直下に位置させた（図１（Ａ）の状態）。移動は作業者による手動搬送で行った。
【００７３】
次に、クリーンルーム１３０の扉１３３を開け、リフター１１０を用いて、処理容器１０１を上昇させた。そして、処理容器１０１の上蓋１１１を外し、処理容器１０１内に被処理基体を搬入するための開口部１１２をクリーンルーム１３０側に開口させた（図１（Ｂ）の状態）。この時、開口部１１２は、クリーンルーム１３０と、可動処理容器１００の設置された低清浄環境１４０とを仕切る外壁１３１に対して、クリーンルーム１３０側に１０ｃｍ入り込んだ位置に位置させた。また、処理容器１０１の側壁とクリーンルーム１３０の開口部１３２との間の隙間１４１には、クリーンルーム１３０からの清浄な空気が０．６（ｍ／ｓ）の風速で流れるようにした。
【００７４】
この状態で５分間放置した後、基体ホルダー１２９に装着された円筒状基体１２０を、開口部１１２を通して処理容器１０１内に搬入し、設置した。円筒状基体１２０としては、長さ３５８ｍｍ、外径φ１０８ｍｍの鏡面加工を施したＡｌ製シリンダーを用いた。その後、処理容器１０１を、上蓋１１１を取り付けて密閉し、リフター１１０を用いて下降させた。処理容器１０１が下降しきった後、扉１３３によって開口部１３２を閉じた。
【００７５】
次に、作業員による手動操作で可動処理容器部１００を処理ステージ２０まで移動させ、処理ステージ２０の接続機構１０７とゲートバルブ１０２および原料ガス導入管１２４に通じるガス導入ラインの接続部を接続させた（図１（Ｃ）の状態）。この際、ゲートバルブ１２３およびガス導入ラインの接続部と接続機構１０４との間は、Ｏリングを介して接続した。
【００７６】
次に、ゲートバルブ１０２を開け、スロー排気バルブ１１３を開け、スロー排気ライン１１４を使用して、処理容器部１００内の減圧を開始した。そして、内圧測定器１０３によって、処理容器１０１の内圧が２６６Ｐａ（２Ｔｏｒｒ）に達したのを確認した後、スロー排気バルブ１１３を閉じ、メイン排気バルブ１０６を開け、処理容器１０１内をさらに減圧した。
【００７７】
その後、内圧測定器１０３によって、処理容器１０１の内圧が１Ｐａ（７．５ｍＴｏｒｒ）に達したのを確認した後、次に、基体加熱用ヒーター１２４を駆動し、円筒状基体１２０を２３０℃に加熱し、その温度に保つように制御した。この加熱中に、前述の高周波電極１２６、高周波シールド１２１、高周波マッチングボックス１２７を処理容器１２０の周囲に設置し、また、高周波マッチングボックス１２７と高周波電源１２１とを同軸ケーブルによって接続した。
【００７８】
次に、円筒状基体１２０が所定の温度となったところで、原料ガスを、原料ガス導入管１２５を介して処理容器１０１内に導入した。原料ガスの流量が設定流量となり、また、処理容器１０１内の圧力が安定したのを確認した後、１０５ＭＨｚの高周波電源１２１より高周波マッチングボックス１２７を介して高周波電極１２６へ所定の高周波電力を供給し、堆積膜としてａ−Ｓｉ膜の形成を開始した。この堆積膜形成の条件を表１に示す。なお、堆積膜形成中は、モーター１７０を駆動して円筒状基体１２０を回転させた。
【００７９】
【表１】
2004143545.tif 000003
【００８０】
堆積膜形成終了後、可動処理容器部１００を接続機構１０７から切り離し、冷却／取り出しステージまで移動させた。そして、円筒状基体１２０を冷却し、リークバルブ（図示せず）を開き、処理容器１０１内を大気圧力まで戻して、真空処理が完了した円筒状基体１２０を取り出した。その後、処理容器１０１内の構成部品を交換し、堆積膜形成処理を再度実施可能な状態としたところで一連の工程を終了した。
【００８１】
以上の様な電子写真感光体の作製を連続して１０回実施し、作製した電子写真感光体の「球状突起数」「球状突起数のバラツキ」の評価を以下のように行った。
【００８２】
［「球状突起数」「球状突起数のバラツキ」の評価］
作製した電子写真感光体の表面を光学顕微鏡で観察し、１０ｃｍ２当たりの、１５μｍ以上の球状突起の個数を調べた。そして、作製した全ての電子写真感光体に関して、球状突起の個数を測定し、その平均を「球状突起数」とし、最大値と最小値の差を「球状突起数のバラツキ」として評価した。
【００８３】
このようにして得られる「球状突起数」は、値が小さいほど、画像欠陥が少なく画質に優れた画像形成を行うことができる、良好な電子写真感光体であることを示している。また、「球状突起数のバラツキ」は、値が小さいほど、高い再現性で、したがって安定して処理を行うことができたことを示している。
【００８４】
「球状突起数」「球状突起数のバラツキ」の評価結果については、以下の実施例２、比較例１，２についての評価結果と共に後述する。
【００８５】
［実施例２］
本実施例では、図３に示す形成装置を用いて電子写真感光体を作製した。本実施例においても、可動処理容器部４００としては、図４に示すのと同様の構成のものを用いた。ただし、この可動処理容器部４００には、前述のようにリフター１１０は設けられていない。
【００８６】
本実施例において、電子写真感光体の作製は以下のように行った。
【００８７】
まず、高周波マッチングボックス１２７、高周波電源１２６、高周波シールド１２２を外した状態の可動処理容器部４００を、キャスター１０４を用いて基体投入ステージ４１０に移動させ、クリーンルーム１３０の扉１３３の直下に位置させた（図３（Ａ）の状態）。移動は作業者による手動搬送で行った。
【００８８】
次に、扉１３３を開け、カーテン４４５を下方に垂らした。カーテン４４５としては、クリーンルーム用ビニールカーテンを用い、図３（Ａ）に示す状態では、カーテンを縮めておき、可動処理容器４００の移動の妨げとならないようにした。
【００８９】
次に、処理容器１０１の上蓋１１１を外し、処理容器１０１の、被処理基体を搬入するための開口部１１２をクリーンルーム１３０側に開口させた（図３（Ｂ）の状態）。この時、開口部１１２は、カーテン４４５の下端に対して、クリーンルーム側に１０ｃｍ入り込んだ位置に位置させた。また、処理容器１０１の側壁とカーテン４４５との間の隙間４４１には、クリーンルーム１３０からの清浄な空気が０．６（ｍ／ｓ）流れるようにした。
【００９０】
この状態で５分間放置した後、基体ホルダー１２９に装着された円筒状基体１２０を、開口部１１２を通して処理容器１０１内に搬入し、設置した。円筒状基体１２０としては、長さ３５８ｍｍ、外径φ１０８ｍｍの鏡面加工を施したＡｌ製シリンダーを用いた。その後、上蓋１１１を取り付けて処理容器１０１を密閉し、扉１３３によって開口部１３２を閉じた後、カーテン３４５を縮めた。
【００９１】
次に、作業員による手動操作で可動処理容器部１００を処理ステージ２０まで搬送し、実施例１と同様に電子写真感光体を作製した。以上の様な電子写真感光体の作製を連続して１０回実施し、作製した電子写真感光体の「球状突起数」「球状突起数のバラツキ」の評価を実施例１と同様に行った。評価結果については、実施例１、比較例１，２の評価結果と共に後述する。
【００９２】
［比較例１］
本比較例では、被処理基体の搬入時に、図２（Ａ）に示すように、処理容器２０１の、被処理基体を搬入するための開口部２１２を、低清浄環境１４０側に位置させ、開口部２１２の縁部とクリーンルーム２３０の外壁２３１との間の隙間２４１を４ｃｍとした。この隙間２４１には、クリーンルーム２３０から清浄な空気が風速０．６（ｍ／ｓ）で流れるようにした。
【００９３】
上記以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。作製した電子写真感光体に対し、「球状突起数」「球状突起数のバラツキ」の評価を実施例１と同様に行った。評価結果については、実施例１，２、比較例２の評価結果と共に後述する。
【００９４】
［比較例２］
本比較例では、被処理基体の搬入時に、図２（Ｂ）に示すように、処理容器３０１の、被処理基体を搬入するための開口部３１２の縁部を、クリーンルーム３３０の外壁３３１に密着させた。この時、処理容器３０１としては、開口部３１２の周りに、Ｏリングによる密着機構を取り付けたものを用いた。
【００９５】
上記以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。作製した電子写真感光体に対し、「球状突起数」「球状突起数のバラツキ」の評価を実施例１と同様に行った。評価結果については、実施例１，２、比較例１の評価結果と共に後述する。
【００９６】
［実施例１，２および比較例１，２の評価結果］
実施例１，２、比較例１，２の「球状突起数」「球状突起数のバラツキ」の評価結果を表２に示す。なお、表２には、比較例１の結果を１００とした相対評価値を示している。
【００９７】
【表２】
2004143545.tif 000004
【００９８】
表２から、本発明を適用した実施例１，２の処理方法によれば、比較例１，２の処理方法に比べて、処理特性を向上させることができ、また、処理の再現性も向上させることができ、したがって、歩留まりを向上させることができるのが分かる。
【００９９】
［実施例３］
図１、図４に示した形成装置を用い、円筒状基体１２０として、長さ３５８ｍｍ、外径φ１０８ｍｍの鏡面加工を施したＡｌ製シリンダーを処理容器１０１内に設置し、この円筒状基体１２０上にａ−Ｓｉ膜を形成して、電子写真感光体を作製した。ａ−Ｓｉ膜の形成は、高周波電源１２１の発振周波数を１０５ＭＨｚとし、表１に示す条件で実施例１と同様に実施した。但し、本実施例においては、処理容器１０１と、クリーンルーム１３０の、開口部１３２の縁との間の隙間１４１の大きさを変化させて、クリーンルーム１３０から隙間１４１を通って流れる清浄な空気の風速を変化させた。
【０１００】
作製した電子写真感光体について、「球状突起数」「球状突起数のバラツキ」の評価を実施例１と同様に行った。この評価結果を表３に示す。なお、表３には、比較例１の結果を１００とした相対評価値を示している。
【０１０１】
【表３】
2004143545.tif 000005
【０１０２】
表３の結果から、隙間１４１を通って流れる清浄な空気の風速を変化させても、比較例１の処理方法に比べて、処理特性および処理の再現性を向上させることができ、したがって、歩留まりを向上させることができることが分かる。また、処理容器１０１と、クリーンルーム１３０の開口部の縁との間の隙間１４１に流れる清浄な空気の風速を、０．２〜１．０（ｍ／ｓ）とすることによって、処理特性および処理の再現性を特に大きく向上させることができることが分かる。
【０１０３】
［実施例４］
図１、図４に示した形成装置を用い、円筒状基体１２０として、長さ３５８ｍｍ、外径φ１０８ｍｍの鏡面加工を施したＡｌ製シリンダーを処理容器１０１内に設置し、この円筒状基体１２０上にａ−Ｓｉ膜を形成して、電子写真感光体を作製した。ａ−Ｓｉ膜の形成は、高周波電源１２１の発振周波数を１０５ＭＨｚとし、表１に示す条件で実施例１と同様に実施した。但し、本実施例においては、処理容器１０１の開口部１１２の、クリーンルーム１３０側への入り込み量を変化させた。
【０１０４】
作製した電子写真感光体について、「球状突起数」「球状突起数のバラツキ」の評価を実施例１と同様に行った。この評価結果を表４に示す。なお、表４には、比較例１の結果を１００とした相対評価値を示している。
【０１０５】
【表４】
2004143545.tif 000006
【０１０６】
表４の結果から、処理容器１０１の開口部１１２のクリーンルーム１３０側への入り込み量を変化させても、比較例１の処理方法に比べて、処理特性および処理の再現性を向上させることができ、したがって、歩留まりを向上させることができることが分かる。また、処理容器１０１の開口部１１２のクリーンルーム１３０側への入り込み量を５〜３０（ｃｍ）とすることによって、処理特性および処理の再現性を特に大きく向上させることができることが分かる。
【０１０７】
［実施例５］
図１、図４に示した形成装置を用い、円筒状基体１２０として、長さ３５８ｍｍ、外径φ１０８ｍｍの鏡面加工を施したＡｌ製シリンダーを処理容器１０１内に設置し、この円筒状基体１２０上にａ−Ｓｉ膜を形成して、電子写真感光体を作製した。ａ−Ｓｉ膜の形成は、高周波電源１２１の発振周波数を１０５ＭＨｚとし、表１に示す条件で実施例１と同様に実施した。但し、本実施例においては、処理容器１０１の側壁とクリーンルーム１３０の開口部１１２の縁部との距離を、クリーンルーム１３０内で、円筒状基体１２４を処理容器１０１内に設置する作業者の位置する側で広くし、隙間１４１のこの部分での風速を０．９（ｍ／ｓ）とした。
【０１０８】
作製した電子写真感光体について、「球状突起数」「球状突起数のバラツキ」の評価を実施例１と同様に行った。この評価結果を、実施例１の評価結果と共に表５に示す。なお、表５には、比較例１の結果を１００とした相対評価値を示している。
【０１０９】
【表５】
2004143545.tif 000007
【０１１０】
表５の結果から、隙間１４１を、被処理基体の設置を行う作業者の側で広くし、この部分での風速を速くすることによって、処理特性および処理の再現性をより大きく向上させることができることが分かる。これは、被処理基体の設置を行う設置機構が、クリーンルーム１３０の開口部１３２に対して特定の方向に偏って位置している場合であっても、同様であると考えられる。
【０１１１】
【発明の効果】
以上のように、本発明の処理方法によれば、被処理基体を処理容器内に搬入し、また、処理容器内から搬出する操作を、比較的簡素な構成の装置を用い、比較的簡便な操作によって、被処理基体への塵埃の付着を効果的に抑制して実施することができる。したがって、本発明の処理方法によれば、処理特性の向上を図るとともに、この処理を用いて作製される製品の生産性の向上を図ることができ、また、生産設備の大幅なコストダウンを図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の処理方法を示す模式図である。
【図２】図１に示す処理方法に対比される処理方法を示す模式図である。
【図３】本発明の他の実施形態の処理方法を示す模式図である。
【図４】図１，３に示す可動処理容器部の一例として、ＶＨＦ帯の高周波電力を好適に使用可能なプラズマＣＶＤ法を用いた、電子写真感光体の製造装置を示す模式図である。
【符号の説明】
１０，４１０　　基体投入ステージ
２０　　処理ステージ
１００，４００　　可動処理容器部
１０１，２０１，３０１　　処理容器
１０２　　ゲートバルブ
１０３　　架台
１０４　　キャスター
１０５　　排気管
１０６　　メイン排気バルブ
１０７　　接続機構
１０８　　内圧測定器
１０９　　排気コンダクタンス制御手段
１１０　　リフター
１１１　　上蓋
１１２，１３２，２１２，２３２，３１２，３３２　　開口部
１１３　　スロー排気バルブ
１１４　　スロー排気ライン
１２０　　円筒状基体
１２１　　高周波電源
１２２　　高周波シールド
１２３　　処理容器支持台
１２４　　基体加熱用ヒーター
１２５　　原料ガス導入管
１２６　　高周波電極
１２７　　高周波マッチングボックス
１２８　　絶縁体
１２９　　基体ホルダー
１３０，２３０，３３０　　クリーンルーム
１３１，２３１，３３１　　外壁
１３３　　扉
１４０　　低清浄環境
１４１，２４１，４４１　　隙間
１５０　　排気手段
１６０　　ガス供給システム
１６１　　流量可変バルブ
１７０　　モーター
４４５　　カーテン
【図１】
2004143545.tif 000008
【図２】
2004143545.tif 000009
【図３】
2004143545.tif 000010
【図４】
2004143545.tif 000011