(57)【要約】【課題】パフォーマンスを改善し、ＩＣへの供給電圧のランダム印加によるデータ喪失又はＩＣ損傷の可能性を低減するシーケンスシステムを提供する。【解決手段】本発明は、第一のノードにおける第一のノード電圧と、第二のノードにおける第一のノード電圧よりも低い第二のノード電圧をシーケンスする為のシーケンスシステムを提供する。本シーケンスシステムは、第一のノード電圧が第一の供給電圧への変化を開始するのに応じてバイアス電流を提供するように構成されたバイアス回路を含む。本シーケンスシステムは、バイアス回路がバイアス電流を供給している場合には、第一のノードと第二のノード間に低インピーダンス経路を提供するように構成されたスイッチを含む。このスイッチは、第二のノード電圧が第一の供給電圧よりも低い第二の供給電圧範囲内にある場合に高インピーダンス経路を提供するように構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一のノードにおける第一のノード電圧と、第二のノードにおける前記第一のノード電圧よりも低い第二のノード電圧をシーケンスする為のシーケンスシステムであって、
前記第一のノード電圧が第一の供給電圧へと変化を開始するのに応じて、バイアス電流を供給するように構成されたバイアス回路と、
前記バイアス回路が前記バイアス電流を供給している場合に、前記第一のノードと前記第二のノードとの間に低インピーダンス経路を提供するように構成されたスイッチと、を有し、
該スイッチは、前記第二のノード電圧が前記第一の供給電圧よりも低い第二の供給電圧の範囲内にある場合に、高インピーダンス経路を提供するように構成されている、
シーケンスシステム。
【請求項２】
前記第一のノード及び前記第二のノードに結合し、前記第一のノードへと前記第一の供給電圧を供給し、前記第二のノードへと前記第二の供給電圧を供給するように構成された少なくとも１つの電源を有する、請求項１に記載のシーケンスシステム。
【請求項３】
前記バイアス回路が、
前記スイッチの入力に基準電圧を供給するように構成された電圧基準回路であって、該基準電圧が前記第二の供給電圧以下であり、前記範囲が前記第二の供給電圧と前記基準電圧との差以上である、電圧基準回路と、
前記第一のノード及び前記スイッチの前記入力間にバイアス電流を流すように構成された導電回路と、
を含む、請求項１に記載のシーケンスシステム。
【請求項４】
前記スイッチがバイポーラトランジスタであり、前記スイッチの前記入力が、該バイポーラトランジスタのベースであり、該バイポーラトランジスタが前記第一及び第二のノードに結合するコレクタ及びエミッタを備える、請求項３に記載のシーケンスシステム。
【請求項５】
前記電圧基準回路が、直列に結合された１つ以上のダイオードであって、前記第一のノード電圧が前記ダイオードの順方向バイアス電圧降下の合計以上となった場合に順方向にバイアスされるように構成された前記ダイオードを含み、
前記基準電圧が、前記ダイオードの前記順方向バイアス電圧降下の合計に等しい、請求項３に記載のシーケンスシステム。
【請求項６】
第一のノード電圧を備える第一のノードと該第一のノード電圧よりも低い第二のノード電圧を備える第二のノードとの間に電流を流す為の電流ルーティング回路であって、
前記第一のノード及び前記第二のノード間に結合され、順方向活性モードの場合は前記第一のノード及び前記第二のノード間に電流を流し、カットオフモードの場合は前記第一のノード及び前記第二のノード間に電流を流さないように構成された、電流増幅器と、
前記電流増幅器に結合され、前記第一のノード電圧が第一の供給電圧へと変化を開始することに応じて、シーケンス期間中に順方向活性モードになるように前記電流増幅器にバイアスをかけ、前記シーケンス期間後にカットオフモードになるようにバイアスをかけるように構成された入力回路と、
を有する、電流ルーティング回路。
【請求項７】
前記入力回路が基準電圧を前記電流増幅器へと供給するように構成され、
前記電流増幅器は、前記第二のノード電圧が前記基準電圧以上となった場合に、前記カットオフモードになるようにバイアスをかけられ、
前記基準電圧が前記第一の供給電圧よりも低い第二のノードにおける第二の供給電圧以下である、請求項６に記載の電流ルーティング回路。
【請求項８】
前記入力回路が、バイアス電流を前記電流増幅器へと供給するように構成され、
前記電流増幅器は、前記第二のノード電圧が前記基準電圧未満となった場合に、順方向活性モードになるようにバイアスをかけられる、請求項７に記載の電流ルーティング回路。
【請求項９】
第一のノードにおける第一のノード電圧と、第二のノードにおける前記第一のノード電圧よりも低い第二のノード電圧とをシーケンスする為の方法であって、
前記第一のノード電圧が第一の供給電圧への変化を開始したことに応じてスイッチにバイアス電流を供給することにより、低インピーダンス状態になるようにスイッチにオンのバイアスをかけるステップと、
前記第二のノード電圧が前記第一の供給電圧よりも低い第二の供給電圧の範囲内にある場合に、高インピーダンス状態になるようにスイッチにオフのバイアスをかけるステップと、
を有する方法。
【請求項１０】
前記スイッチにオンのバイアスをかけるステップが、前記第一のノード電圧が第一の供給電圧へと変化し始めたことに応じて、第一のノードと第二のノード間に電流を流すようにシーケンス期間中に順方向活性モードになるように電流増幅器にバイアスをかけるステップをさらに有し、
前記スイッチにオフのバイアスをかけるステップが、前記第一のノード及び前記第二のノード間に電流が流れないように、前記シーケンス期間の後にカットオフモードになるように前記電流増幅器にバイアスをかけるステップをさらに有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記カットオフモードになるように前記電流増幅器にバイアスをかけるステップが、前記第二のノード電圧が基準電圧以上であった場合に、前記カットオフモードになるように前記電流増幅器にバイアスをかけるため、該基準電圧を前記電流増幅器へと供給するステップを有し、
該基準電圧が、前記第一の供給電圧よりも低い第二のノードにおける第二の供給電圧以下である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記順方向活性モードになるように前記電流増幅器にバイアスをかけるステップが、前記第二のノード電圧が前記基準電圧よりも低い場合に、前記順方向活性モードになるように前記電流増幅器にバイアスをかけるため、前記電流増幅器へバイアス電流を供給するステップを有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記第一のノード電圧が初期電圧値から前記第一の供給電圧へと変化し、前記第二のノード電圧が前記初期電圧値から前記第二の供給電圧へと変化するものであり、
前記第一のノード電圧の前記初期電圧値からの変化開始が、前記第二のノード電圧の前記初期電圧値からの変化開始前に実施されるものであり、
前記シーケンス期間の前においては、前記第一のノード電圧及び前記第二のノード電圧が前記初期電圧値に等しいものである、請求項１０、１１又は１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシーケンスシステムに関するものであり、より具体的には第一のノード電圧と第二のノード電圧をシーケンスする為のシーケンスシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路（ＩＣ）は、電力消費を最少化しつつパフォーマンスを改善する為に２つの電源電圧により作動させることが出来る。デュアル電圧供給型のアプリケーションにおいて使用される集積回路は一般に、一方の電圧レベルで作動する内部ロジック、即ちコアロジックと、他方の電圧レベルで作動する入出力（Ｉ／Ｏ）回路を含むように設計される。コアロジックの使用する電源電圧レベルは通常、ロジック密度を最大化するＩＣプロセスデザインルールによって定められる電圧限界内となるように選択される。Ｉ／Ｏ回路により使用されるより高い電源電圧は、ＩＣ駆動能力、即ちスイッチング速度を最大化するものである。
【０００３】
デュアル電源を用いるＩＣにおいては、しばしば電圧供給の起動時において特定のシーケンスに従うことを要される。これはＩ／Ｏ回路及びコアロジックへのランダムな供給電圧印加によって、コアロジックとＩ／Ｏ回路との間に予期せぬロジック状態が生じる可能性がある為である。更に悪い可能性として、ランダムな供給電圧印加によってラッチアップが誘発された場合にはＩＣに致命的な不具合が生じる場合がある。
【０００４】
予期せぬロジック状態から生じ得る問題の一つはバスの競合である。バスの競合はコアロジックの電源投入がＩ／Ｏ回路の電源投入よりも後であった場合、そしてＩ／Ｏ回路が駆動する双方向Ｉ／Ｏピンが無作為に出力として構成された場合にシステムレベルで生じる。一般に、Ｉ／Ｏ回路の構成を入力又は出力のいずれかとして選択する制御ロジックはコアロジック内に位置する。Ｉ／Ｏ回路の電源がコアロジックよりも先に投入された場合、Ｉ／Ｏ回路の入出力構成は未知であり、この結果バスの競合が生じ得るのである。ＩＣのＩ／Ｏピンが、他の外部デバイスの、これも出力として構成された他のＩ／Ｏピンを駆動しようと試みた場合、ＩＣに物理的損傷を与えることになる高電流状態が生じる可能性がある。
【０００５】
Ｉ／Ｏ回路及びコアロジックに対する供給電圧のランダム印加から発生する他の問題としては、ＩＣ中に記憶されたデータの破損がある。これはコアロジック中に記憶されたロジック状態が無作為に変更された場合に発生する。
【０００６】
供給電圧のランダム印加は、違うタイミングで電源が電圧を供給した場合にパフォーマンスを劣化させることになる。これは２つの供給電圧で作動するＩＣが、一般に予期せぬロジック状態が発生する可能性が最少化されるまで、即ち供給電圧の両方が有効となるまでは作動しない為である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述から、パフォーマンスを改善し、ＩＣへの供給電圧のランダム印加によるデータ喪失又はＩＣ損傷の可能性を低減するシーケンスシステムに対する要求が存在する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、第一のノードにおける第一のノード電圧と、第二のノードにおける第一のノード電圧よりも低い第二のノード電圧をシーケンスする為のシーケンスシステムを提供するものである。本シーケンスシステムは、第一のノード電圧が第一の供給電圧への変化を開始するのに応じてバイアス電流を提供するように構成されたバイアス回路を含む。本シーケンスシステムは、バイアス回路がバイアス電流を供給している場合には、第一のノードと第二のノード間に低インピーダンス経路を提供するように構成されたスイッチを含む。このスイッチは、第二のノード電圧が第一の供給電圧よりも低い第二の供給電圧範囲内にある場合に高インピーダンス経路を提供するように構成されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下の実施例の説明においては、その一部を構成する添付図を参照するが、これらは本発明を実施することが出来る特定の実施例を描いたものである。本発明の範囲から離れることなく他の実施例を採用したり、これらに構造的、或いは論理的変更を加えたりすることが可能であることは当業者には明らかである。従って以下の詳細説明は限定的な意味に捉えられるべきものではなく、本発明の範囲は請求項により定義されるものである。
【００１０】
図１は第一の電源２４及び第二の電源２６に結合するシーケンスシステム１２の一実施例１０を描いたものである。シーケンスシステム１２は第一のノード１４及び第二のノード１６に結合している。第一の電源２４は第一の供給電圧を第一のノード１４へと供給する。第二の電源２６は第二の供給電圧を第二のノード１６へと供給する。第一の電源２４が起動した、即ちこれに電源を投入した場合、第一のノード電圧は第一の供給電圧へと変化する。第二の電源２６が起動した、即ちこれに電源を投入した場合、第二のノード電圧は第二の供給電圧へと変化する。各種実施例においては、第二の供給電圧は第一の供給電圧よりも低い。例えば、一実施例においては第一の電源２４の供給する第一の供給電圧は３．３Ｖに等しく、第二の電源２６の供給する第二の供給電圧は１．５Ｖに等しい。他の実施例においては、第一の供給電圧及び第二の供給電圧は他の好適な値とすることが出来る。符号１０に示す実施例においては、第一の電源２４及び第二の電源２６が起動し、即ちこれらに電源を投入した場合、第二のノード１６における第二のノード電圧は第一のノード１４における第一のノード電圧よりも低くなる。
【００１１】
本実施例においては、シーケンスシステム１２は、ノード１４における第一のノード電圧が第一の供給電圧への変化を開始した場合にバイアス電流を供給するように構成されたバイアス回路１８を含んでいる。一実施例においては、第一のノード電圧は、第一の電源２４が起動すると変化を開始する。シーケンスシステム１２は更に、第一のノード１４及び第二のノード１６間に低インピーダンス経路を提供するように構成されたスイッチ２０を含んでいる。この低インピーダンス経路は、バイアス回路１８が線２２を通じてスイッチ２０へとバイアス電流を供給している場合に提供される。本実施例においては、シーケンスシステム１２は第一のノード１４及び第二のノード１６間に低インピーダンス経路を設けることにより、第一のノード電圧又は第一の供給電圧及び第二のノード電圧又は第二の供給電圧をシーケンスするものである。低インピーダンス経路は、第二の電源２６が第二のノード電圧を第二の供給電圧へと未だ変化させていない場合にあっても、第二のノード電圧を第二の供給電圧にほぼ等しい値に引き上げることを可能にするものである。
【００１２】
本実施例においては、第二のノード電圧が第二の供給電圧範囲へと増大した後に、スイッチ２０が高インピーダンス経路を提供するように構成されるが、これは第二のノード電圧が第一の電源２４ではなく、第二の電源２６により供給されているためである（併せて図４も参照）。
【００１３】
本実施例においては、第一の供給電圧及び第二の供給電圧は第一の電源２４及び第二の電源２６により供給されるものであるが、他の実施例においては、第一のノード１４へと第一の供給電圧を、そして第二のノード１６へと第二の供給電圧を提供する為に第一のノード１４及び第二のノード１６に結合するのは、１つ以上のいずれの電源であっても、或いは他の電圧源であっても良い。本実施例においては、第一の電源２４が起動した、即ちこれに電源が投入された場合、第一のノード電圧はグランド電位から第一の供給電圧へと変化する。第二の電源２６が起動した、即ちこれに電源が投入された場合、第二のノード電圧はグランド電位から第二の供給電圧へと変化する。他の実施例においては、第一のノード電圧が他の好適な電圧レベルから第一の供給電圧へと変化し、第二のノード電圧が他の好適な電圧レベルから第二の供給電圧へと変化するものであっても良い。
【００１４】
図２は、シーケンス処理されていない第一及び第二のノード１４及び１６の一実施例について、第一のノード電圧及び第二のノード電圧を時間に対してプロットしたものを示すグラフである。第一の電源２４がノード１４における第一のノード電圧を第一の供給電圧Ｖ１へと変化させている。第二の電源２６はノード１６における第二のノード電圧を第二の供給電圧Ｖ２へと変化させている。本実施例においては、第二の供給電圧Ｖ２は、第一の供給電圧Ｖ１よりも低い。
【００１５】
各種実施例においては、電源消費を低減し、パフォーマンスを改善する為に集積回路（ＩＣ）により２つの電源電圧を作動させることが出来る。第一の供給電圧Ｖ１及び第二の供給電圧Ｖ２は、デュアル電圧供給アプリケーションに好適ないずれの電圧レベルにあっても良い。一実施例においては、集積回路は第一の供給電圧Ｖ１で作動する入出力（Ｉ／Ｏ）回路と、第二の供給電圧Ｖ２で作動する内部コアロジックを含んでいる。他の実施例においては、Ｉ／Ｏ回路が第二の供給電圧Ｖ２で作動し、内部コアロジックが第一の供給電圧Ｖ１で作動する。
【００１６】
本実施例においては、第一のノード電圧は、時間Ｔ１Ａにおける初期電圧値から第一の供給電圧Ｖ１に向かって変化を開始し、時間Ｔ１ＢにおいてＶ１に等しくなる。第二のノード電圧は、時間Ｔ２Ａにおける初期電圧値から第二の供給電圧Ｖ２に向かって変化を開始し、時間Ｔ２ＢにおいてＶ２に等しくなる。第一のノード電圧は、第二のノード電圧が時間Ｔ２Ａにおいて初期電圧値からの変化を開始する以前に、時間Ｔ１Ａにおいて初期電圧値からの変化を開始する。一実施例においては、第一のノード電圧及び第二のノード電圧の時間Ｔ１Ａにおける初期電圧値及び時間Ｔ２Ａにおける初期電圧値は、グランド電位、又は０Ｖに等しい。他の実施例においては、時間Ｔ１Ａにおける第一のノード電圧及び時間Ｔ２Ａにおける第二のノード電圧の初期電圧値は、他の好適な値とすることが可能であり、これらは等しいものでも等しくないものでも良い。本実施例においては、第一の電源２４及び第二の電源２６が起動される前の段階においては、これらの第一のノード１４及び第二のノード１６におけるそれぞれの出力は初期電圧値に等しい。
【００１７】
図３は、バイアス回路１８及びスイッチ２０を含むシーケンスシステム１２の一実施例を描いた概略図である。本実施例においては、バイアス回路１８はスイッチ２０への入力回路として作動するものであり、電圧基準回路２８を含んでいる。電圧基準回路２８は、ダイオード２８ａ及びダイオード２８ｂを含み、これらはそれぞれに線２２及び３０間、及び線３０及び３２間に直列に結合している。線３２はグランド電位にある。ダイオード２８は、ノード１４における第一のノード電圧が、ダイオード２８ａ及び２８ｂの順方向バイアス電圧降下の合計以上である場合に順方向バイアスされるように構成されている。基準電圧はダイオード２８ａ及び２８ｂの順方向バイアス電圧降下の合計に等しい。図３においては２つのダイオード２８ａ及び２８ｂを示したが、他の実施例においては１つ以上のいかなる数量のダイオードを用いても良い。
【００１８】
一実施例においては、ダイオード２８はシリコンダイオードである。各種実施例においては、シリコンダイオードは０．９Ｖ〜１．１Ｖである順方向バイアス電圧降下を持つ。基準電圧は、直列に結合されるダイオード２８の数を判定することにより設定されるものであり、ダイオード２８の順方向バイアス電圧降下の合計が望ましい基準電圧となるのである。
【００１９】
一実施例においては、ダイオード２８はショットキーバリアダイオード（Schottky barrier diode）である。各種実施例においては、ショットキダイオードは０．１２Ｖ〜０．８Ｖの順方向バイアス電圧降下を持つ。基準電圧は、直列に結合されるダイオード２８の数を判定することにより設定されるものであり、ダイオード２８の順方向バイアス電圧降下の合計が望ましい基準電圧となるのである。
【００２０】
本実施例においては、スイッチ２０はバイポーラトランジスタである。バイポーラトランジスタ２０は線２２に結合するベースと、第一のノード１４に結合するコレクタと、そして第二のノード１６に結合するエミッタとを含んでいる。他の実施例においては、スイッチ２０は、第一のノード１４及び第二のノード１６間に低インピーダンス経路もしくは高インピーダンス経路のいずれかを提供するように選択された、又は第一のノード１４及び第二のノード１６間に電流を導電する、もしくは導電しないように選択された、いずれの好適な素子であっても良い。図３に示したバイポーラトランジスタはＮＰＮバイポーラトランジスタであるが、他の実施例においては、バイポーラトランジスタはＰＮＰバイポーラトランジスタであっても良い。他の実施例においては、スイッチ２０は他の好適な種類のトランジスタであっても良い。一実施例においては、スイッチ２０は相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）トランジスタである。一実施例においては、スイッチ２０はＥ−ｐＨＥＭＴ（Enhancement-mode Pseudomorphic High-electron Mobility）トランジスタである。
【００２１】
本実施例においては、バイアス回路１８はバイアス電流をバイポーラトランジスタ２０の入力２２へと供給するように構成された導電回路３４を含んでいる。本実施例においては、導電回路３４は抵抗器３４である。他の実施例においては、導電回路３４はバイアス電流を導電する他の好適な素子とすることが出来る。
【００２２】
本実施例においては、シーケンスシステム１２は、第一のノード１４及び第二のノード１６間に電流を流すことにより第一のノード１４における第一のノード電圧及び第二のノード１６における第二のノード電圧をシーケンスするものである。本実施例においては、第一のノード電圧は第二のノード電圧よりも高く、第一の供給電圧Ｖ１は第二の供給電圧Ｖ２よりも大きい。バイポーラトランジスタ２０は、シーケンス処理（或いはシーケンス期間）中において順方向活性動作モードになるよう構成され、電流を第一のノード１４及び第二のノード１６間に流すものである。シーケンス期間とは、シーケンスシステム１２が第一のノード電圧及び第二のノード電圧（或いは第一の電源２４及び第二の電源２６）のシーケンスを実施する時間周期である。シーケンス期間は第一のノード電圧が第二のノード電圧よりも十分に大きくなり、バイポーラトランジスタ２０のベース−エミッタ接合（線２２と第二のノード１６との間）に順方向バイアスをかけた時点に始まる。バイポーラトランジスタ２０は、順方向活性モードにおいてバイアスされた場合に第一のノード１４及び第二のノード１６間に低インピーダンス経路を提供する。一実施例においては、バイポーラトランジスタ２０は、順方向活性モードにおいてバイアスされた場合、第一のノード１４及び第二のノード１６間に電流を流すものである。
【００２３】
本実施例ではシーケンス期間の終わりにおいて、第二の電源２６が第二のノード１６における第二のノード電圧を増大させ、これにより第二のノード電圧は第一のノード１４の第一のノード電圧から得られたものではなくなる。シーケンス期間の終わりにおいては、第二のノード電圧は第二の供給電圧範囲となり、バイポーラトランジスタ２０はカットオフ処理モードになるようにオフのバイアスがかけられる（更に図４も参照）。バイポーラトランジスタ２０は、カットオフモードへとバイアスされた場合、高インピーダンス経路を第一のノード１４及び第二のノード１６間に提供する。一実施例においては、カットオフモードへとバイアスされた場合、バイポーラトランジスタ２０は第一のノード１４及び第二のノード１６間に電流を流さない。
【００２４】
本実施例においては、バイアス回路１８は、バイアス電流及び基準電圧を制御することによりシーケンス期間の長さを調節する。バイアス回路１８が提供するバイアス電流は、バイポーラトランジスタ２０をバイアスして順方向活性モードとし、シーケンス期間を始動する。基準電圧は、バイポーラトランジスタ２０がカットオフモードになるようにオフのバイアスがかけられる第二のノードの最低電圧を設定することにより、シーケンス期間の終了を画定するものである。
【００２５】
図４は、シーケンスされている第一及び第二のノード１４及び１６の一実施例について、第一のノード電圧及び第二のノード電圧を時間に対してプロットしたものを示すグラフである。第一のノード電圧及び第二のノード電圧が本実施例に基づいてシーケンスされている場合、図４に時間の関数として示した第一のノード電圧は、図２に時間の関数として示した第一のノード電圧と同じ特性を持っている。時間の関数としての第二のノード電圧の特性はシーケンスシステム１２によるシーケンス処理の結果、変化している。本実施例においては、第一のノード電圧はグランド電位から第一の供給電圧Ｖ１へと変化し、第二のノード電圧はグランド電位から第二の供給電圧Ｖ２へと変化している。
【００２６】
本実施例においては、第一のノード電圧は時間Ｔ１Ａにおいて初期電圧値から第一の供給電圧Ｖ１への変化を開始し、時間Ｔ１ＢにおいてＶ１と等しくなっている。第二のノード電圧にはシーケンス処理が施されており、時間Ｔ２Ａにおいて初期電圧値からの変化が始まる。時間Ｔ１Ａ及び時間Ｔ２Ａ間の差は図２よりも図４の方が小さいが、これは図４に示した実施例において第一のノード電圧及び第二のノード電圧がシーケンスされている為である。
【００２７】
時間Ｔ２Ａ及び時間Ｔ２Ｂ間において、第二のノード電圧は第一のノード電圧に比例した形で上昇する。時間Ｔ２Ａは、シーケンスシステム１２が第一のノード電圧と第二のノード電圧にシーケンス処理を実施する時間周期であるシーケンス期間の開始点である。時間Ｔ２Ａ及びＴ２Ｂ間における第一のノード電圧と第二のノード電圧の差は符号４０に示される。この期間においては、バイアス回路１８はバイアス電流を供給しており、バイポーラトランジスタ２０は第一のノード１４及び第二のノード１６間に低インピーダス経路を提供しており、第二のノード電圧は第一のノード電圧から得られている。バイポーラトランジスタ２０は順方向活性モードで作動しており、第一のノード１４及び第二のノード１６間に電流を流している。電圧差４０は線２２及びノード１６間におけるバイポーラトランジスタ２０のベース−エミッタ電圧降下に等しい。
【００２８】
時間Ｔ２Ｂ及び時間Ｔ２Ｃ間においては、バイポーラトランジスタ２０は順方向活性モードで作動しており、バイポーラトランジスタ２０のベースにおける基準電圧が第二のノード１６の第二のノード電圧を制限している。時間Ｔ２Ｂ及び時間Ｔ２Ｃ間における範囲４２は、バイポーラトランジスタ２０のベース−エミッタ電圧降下と、第二の供給電圧Ｖ２及び基準電圧の差との合計に等しい。基準電圧は、ダイオード２８が順方向にバイアスされている場合にダイオード２８により提供される。基準電圧はダイオード２８の順方向バイアス電圧降下の合計に等しい。
【００２９】
時間Ｔ２Ｃは、シーケンス期間の終了を表している。Ｔ２Ｃ以降では、第二のノード電圧は第二の供給電圧Ｖ２の範囲４２にあり、バイポーラトランジスタ２０はカットオフモードにおいてバイアスされる。カットオフモードでバイアスされている場合、バイポーラトランジスタ２０は高インピーダンス経路を第一のノード１４及び第二のノード１６間に提供する。第二のノード電圧が第二の供給電圧Ｖ２及び範囲４２間の差よりも大きい場合、第二のノード電圧は範囲４２内にある。
【００３０】
時間Ｔ２Ａと時間Ｔ２Ｃの間であるシーケンス期間中、バイポーラトランジスタ２０は順方向活性モードで作動しており、第一のノード１４及び第二のノード１６間に電流を流している。バイアス回路１８は、第二のノード電圧が基準電圧よりも小さい場合、バイポーラトランジスタ２０へとバイアス電流を供給し、バイポーラトランジスタ２０を順方向活性モードへとバイアスする。シーケンス期間が終了すると（例えば時間Ｔ２Ｃを越えると）バイポーラトランジスタ２０はカットオフモードで作動し、第一のノード１４及び第二のノード１６間に電流を流さなくなる。バイポーラトランジスタ２０は、第二のノード電圧が基準電圧以上になった場合にカットオフモードにバイアスされるものである。
【００３１】
推奨される実施例を説明する目的で特定の実施例を図示及び説明してきたが、本発明の範囲から離れることなく図示及び説明した特定の実施例に代えて同じ目的を達成する為に計算された変更形態及び／又は同等形態を採用することが出来ることは当業者に明らかである。化学、機械、電気機械、電気及びコンピュータ分野における当業者であれば、本発明が様々な実施例により実現可能であることは用意に想至し得るものである。本願は、本明細書に説明した実施例のいずれの改変及び変更も網羅することを意図したものである。よって本発明は明らかに請求項及びこれに相当するものによってのみ限定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】第一の電源及び第二の電源に結合するシーケンスシステムの一実施例を描いた図である。
【図２】第一及び第二のノードがシーケンスされていない一実施例における第一のノード電圧及び第二のノード電圧を時間に対してプロットしたグラフである。
【図３】バイアス回路及びスイッチを含むシーケンスシステムの一実施例を描いた概略図である。
【図４】第一及び第二のノードがシーケンスされている一実施例における第一のノード電圧及び第二のノード電圧を時間に対してプロットしたグラフである。
【符号の説明】
【００３３】
１２：シーケンスシステム
１４：第一のノード
１６：第二のノード
１８：バイアス回路／電流ルーティング回路
２０：スイッチ／電流増幅器
２２：バイアス電流
２４：電源
２８：電圧基準回路／入力回路
３４：導電回路／入力回路
【図１】
2004310760.tif 000003
【図２】
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【図３】
2004310760.tif 000005
【図４】
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