(57)【要約】【課題】光路上に配置された光学素子の光学特性又はその変化をインシチューで計測すること。【解決手段】プラズマ光源１１から所定位置に至るＥＵＶ光５の光路上に配置された光学素子６と、光センサ１０と、前記光センサ１０の出力に基づいて前記光学素子６の光学特性又はその変化を測定する測定器２０とを備え、前記光センサ１０は、前記光路の外に配置されていることを特徴とする光学装置によって、光路上に配置された光学素子６の光学特性又はその変化をインシチューで計測する。【選択図】　図１
2004061177.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から所定位置に至る光路上に配置された光学素子と、
光センサと、
前記光センサの出力に基づいて前記光学素子の光学特性又はその変化を測定する測定器と、
を備え、
前記光センサは、前記光路の外に配置されていることを特徴とする光学装置。
【請求項２】
前記光センサは、前記光学素子で散乱した光を検知することを特徴とする請求項１に記載の光学装置。
【請求項３】
前記光路の外に配置され、前記光源から直接入射する光を検知する第２光センサを更に備え、
前記測定器は、前記光センサの出力の他、前記第２光センサの出力に基づいて前記光学素子の光学特性又はその変化を測定することを特徴とする請求項２に記載の光学装置。
【請求項４】
前記光センサは、前記光路の外に配置された第２光源から出射され前記光学素子で反射された光を検知することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光学装置。
【請求項５】
前記光センサは、前記光路の外に配置された第２光源から出射され前記光学素子で散乱した光を検知することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光学装置。
【請求項６】
前記光路の外に配置された、光を検知する第２光センサを更に備え、
前記光センサは、前記光路の外に配置された第２光源から出射され前記光学素子で反射された光を検知し、
前記第２光センサは、前記第２光源から出射され前記光学素子で散乱した光を検知し、
前記測定器は、前記光センサの出力の他、前記第２光センサの出力に基づいて前記光学素子の光学特性又はその変化を測定することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光学装置。
【請求項７】
光学素子の光学特性又はその変化と前記第２光源から出射され当該光学素子で反射された光を検知又は測定した結果との相関関係を示す情報を格納するメモリを更に備え、
前記測定器は、前記光センサの出力と前記相関関係とに基づいて前記光学素子の光学特性又はその変化を測定することを特徴とする請求項６に記載の光学装置。
【請求項８】
光学素子の光学特性又はその変化と前記第２光源から出射され当該光学素子で散乱した光を検知又は測定した結果との相関関係を示す情報を格納するメモリを更に備え、
前記測定器は、前記光２センサの出力と前記相関関係とに基づいて前記光学素子の光学特性又はその変化を測定することを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の光学装置。
【請求項９】
前記光源から発生し所定位置に堆積した物質の堆積量を検知する堆積量センサと、
光学素子の光学特性又はその変化と当該光学素子に堆積した物質の堆積量との相関関係を示す情報を格納するメモリとを更に備え、
前記測定器は、前記堆積量センサの出力と前記相関関係とに基づいて前記光学素子の光学特性又はその変化を導出することを特徴とする請求項１に記載の光学装置。
【請求項１０】
前記光路の外に配置された、光を検知する第２光センサを更に備え、
前記光センサは、前記光路の外に配置された第２光源から出射され前記光学素子で散乱した光を検知し、
前記第２センサは、前記第２光源から出射され前記光学素子を透過した光を検知し、
前記測定器は、前記光センサの出力の他、前記第２光センサの出力に基づいて前記光学素子の光学特性又はその変化を測定することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光学装置。
【請求項１１】
前記光学素子は、反射型の光学素子を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の光学装置。
【請求項１２】
前記光学素子は、透過型の光学素子を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の光学装置。
【請求項１３】
前記光源は、ＥＵＶ光源であることを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の光学装置。
【請求項１４】
前記光路上に配置され、パターンを基板に投影するための投影光学系を更に備え、露光装置として構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の光学装置。
【請求項１５】
光源から所定位置に至る光路上に配置された光学素子の光学特性又はその変化を、前記光路の外に配置された光センサの出力に基づいて測定することを特徴とする測定方法。
【請求項１６】
半導体デバイスの製造方法であって、
基板に感光材を塗布する塗布工程と、
前記塗布工程で前記感光材が塗布された前記基板に請求項１４に記載の光学装置を利用してパターンを転写する露光工程と、
前記露光工程で前記パターンが転写された前記基板の前記感光材を現像する現像工程と、
を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学装置及び測定方法、半導体デバイスの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ウエハ等の基板上にパターンを露光する露光装置の一例を図１１に示す。図１１において、露光用光源としてのレーザー発振器１０１から射出した露光光１０２は、反射ミラー１０３、１０８、リレーレンズ１０６、１０７、レチクル１０９、投影光学系１１０を通して、ウエハステージ１１２上に置かれたウエハ１１１に導かれる。
【０００３】
従来、例えば、反射ミラー１０３の反射率の変化を測定する場合は、一旦露光を中断し、挿脱機構１０５に取り付けられた強度モニタ１０４を光路中に挿入して計測を行っていた。
【０００４】
そのため、例えば、反射ミラー１０３等の光学素子の反射率を計測している間は、露光光の光路が遮られるため、ウエハ１１１へのパターンの露光等が行なえないという問題点があった。
【解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされるものであり、例えば、光路上に配置された光学素子の光学特性又はその変化をインシチューで計測することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の側面は、光学装置に係り、光源から所定位置に至る光路上に配置された光学素子と、光センサと、前記光センサの出力に基づいて前記光学素子の光学特性又はその変化を測定する測定器と、を備え、前記光センサは、前記光路の外に配置されていることを特徴とする。
【０００６】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記光センサは、前記光学素子で散乱した光を検知することが好ましい。
【０００７】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記光路の外に配置され、前記光源から直接入射する光を検知する第２光センサを更に備え、前記測定器は、前記光センサの出力の他、前記第２光センサの出力に基づいて前記光学素子の光学特性又はその変化を測定することが好ましい。
【０００８】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記光センサは、前記光路の外に配置された第２光源から出射され前記光学素子で反射された光を検知することが好ましい。
【０００９】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記光センサは、前記光路の外に配置された第２光源から出射され前記光学素子で散乱した光を検知することが好ましい。
【００１０】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記光路の外に配置された、光を検知する第２光センサを更に備え、前記光センサは、前記光路の外に配置された第２光源から出射され前記光学素子で反射された光を検知し、前記第２光センサは、前記第２光源から出射され前記光学素子で散乱した光を検知し、前記測定器は、前記光センサの出力の他、前記第２光センサの出力に基づいて前記光学素子の光学特性又はその変化を測定することが好ましい。
【００１１】
本発明の好適な実施の形態によれば、光学素子の光学特性又はその変化と前記第２光源から出射され当該光学素子で反射された光を検知又は測定した結果との相関関係を示す情報を格納するメモリを更に備え、前記測定器は、前記光センサの出力と前記相関関係とに基づいて当該光学素子の光学特性又はその変化を測定することが好ましい。
【００１２】
本発明の好適な実施の形態によれば、光学素子の光学特性又はその変化と前記第２光源から出射され当該光学素子で散乱した光を検知又は測定した結果との相関関係を示す情報を格納するメモリを更に備え、前記測定器は、前記光２センサの出力と前記相関関係とに基づいて当該光学素子の光学特性又はその変化を測定することが好ましい。
【００１３】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記光源から発生し所定位置に堆積した物質の堆積量を検知する堆積量センサと、光学素子の光学特性又はその変化と当該光学素子に堆積した物質の堆積量との相関関係を示す情報を格納するメモリとを更に備え、前記測定器は、前記堆積量センサの出力と前記相関関係とに基づいて前記光学素子の光学特性又はその変化を導出することが好ましい。
【００１４】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記光路の外に配置された、光を検知する第２光センサを更に備え、前記光センサは、前記光路の外に配置された第２光源から出射され前記光学素子で散乱した光を検知し、前記第２センサは、前記第２光源から出射され前記光学素子を透過した光を検知し、前記測定器は、前記光センサの出力の他、前記第２光センサの出力に基づいて前記光学素子の光学特性又はその変化を測定することが好ましい。
【００１５】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記光学素子は、反射型の光学素子を含むことが好ましい。
【００１６】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記光学素子は、透過型の光学素子を含むことが好ましい。
【００１７】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記光源は、ＥＵＶ光源であることが好ましい。
【００１８】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記光路上に配置され、パターンを基板に投影するための投影光学系を更に備え、露光装置として構成されていることが好ましい。
【００１９】
本発明の第２の側面は、測定方法に係り、光源から所定位置に至る光路上に配置された光学素子の光学特性又はその変化を、前記光路の外に配置された光センサの出力に基づいて測定することを特徴とする。
【００２０】
本発明の第３の側面は、半導体デバイスの製造方法に係り、基板に感光材を塗布する塗布工程と、前記塗布工程で前記感光材が塗布された前記基板に請求項１４に記載の光学装置を利用してパターンを転写する露光工程と、前記露光工程で前記パターンが転写された前記基板の前記感光材を現像する現像工程と、を有することを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の好適な実施の形態に係る光学装置を図１〜図１０の図面を用いて説明する。
【００２２】
図１０は、本発明の好適な実施の形態に係る光学装置の一例であるＥＵＶ露光装置の概念図である。ここで、ＥＵＶ露光装置について従来の露光装置と対比して説明する。
【００２３】
従来、半導体メモリや論理回路などの微細なパターンを有する半導体装置を製造するときに用いられるパターン転写（リソグラフィー）方法として、例えば、紫外線を用いた縮小投影露光が行われている。
【００２４】
縮小投影露光で転写可能な最小の寸法は、転写に用いられる光の波長に比例し、投影光学系の開口数に反比例する。このため、微細な回路パターンを転写するために、転写に用いられる光の短波長化が進められ、水銀ランプｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）と用いられる紫外光の短波長化が進んでいる。
【００２５】
しかしながら、半導体装置等は急速に微細化されているため、紫外光を用いたリソグラフィーでは微細化への対応が困難である。そこで、０．１μｍを下回るような非常に微細な回路パターンを効率よく転写するために、図１０に示すように、紫外線よりも更に短波長（１０〜１５ｎｍ程度）の波長を持つ極紫外線光（ＥＵＶ光）を用いた縮小投影露光装置が開発されている。
【００２６】
図１０において、ＥＵＶ光源には、例えば、レーザープラズマ光源２０１が用いられる。レーザープラズマ光源２０１は、真空容器２００中に置かれたターゲット材２に対して、高強度の励起用パルスレーザー光３を集光レンズ４で集光して照射し、高温のプラズマ２０５を発生させ、ターゲット材２から放射されるＥＵＶ光５（例えば波長が１３ｎｍ程度）を利用するものである。ターゲット材２としては、金属薄膜、不活性ガス、液滴などが用いられ、ガスジェット等によって真空容器２００内に供給される。ターゲット材２から放射されるＥＵＶ光５の平均強度を高くするには、励起用パルスレーザー光３の繰り返し周波数を高くするのが好ましく、通常、数ｋＨｚの繰り返し周波数で運転される。また、ターゲット材２から放射されるＥＵＶ光５を効率よく利用するために、集光ミラーが設けられている。集光ミラー等の全反射で使用される光学素子は、例えば、ＭｏとＳｉとの膜の対を約２０層積層させた多層膜ミラーを含む。
【００２７】
照明光学系は、複数の多層膜ミラー又は斜入射ミラー（例えば、図１０では照明系第１ミラー６、照明系第２ミラー２０８、照明系第３ミラー２０９）とオプティカルインテグレータ２１４等を含む。オプティカルインテグレータ２１４はマスクを均一に所定の開口数で照明するために用いられる。
【００２８】
照明光学系から供給されたＥＵＶ光５は、原版であるレチクル２１５で反射され、４〜６枚の多層膜ミラー（例えば、図１０では投影系第１ミラー２１０、投影系第２ミラー２１１、投影系第３ミラー２１２、投影系第４ミラー２１３）を含む投影光学系で１／４程度に縮小されて、レジストが塗布されたウエハ２１６に照射される。レチクル２１５及びウエハ２１６は、それぞれレチクルステージ２１７、ウエハステージ２１８に保持され、アライメント検出光学系２１９で精密に位置合わせされ、フォーカス検出光学系２２０で精密にフォーカスされた状態で、縮小倍率に比例した速度比で同期してウエハ２１６上を走査する機構をもつ。このようにして、レチクル２１５の縮小投影像がウエハ２１６上に結像された状態で、それらを同期して走査するという動作が繰り返される（ステップ・アンド・スキャン）。こうして、ウエハ２１６全面にレチクル２１５のパターンが転写される。
【００２９】
また、ＥＵＶ光５の光源の一方式であるレーザープラズマ光源２０１は、ターゲット材供給装置１から供給されるターゲット材２に高強度の励起用パルスレーザー光３を照射することによってＥＵＶ光５を発生する一方で、デブリ７、８と呼ばれる飛散粒子を発生する。その結果、デブリ７、８は光学素子（例えば、照明系第１ミラー６）を汚染・損傷し、光学特性の変化（例えば反射率の低下）を引き起こす。
【００３０】
次に、本発明の好適な実施の形態に係る光学装置について説明する。
【００３１】
図１から図９は、図１０における、ターゲット材供給装置１、ターゲット材２、励起用パルスレーザー光３、集光レンズ４、ＥＵＶ光５、照明系第一ミラー６、デブリ７（特に、ミラー表面に堆積したデブリ８）に着目して記述した図である。なお、図１〜図９において、同様の要素は同様の符号で示している。
【００３２】
（第１実施形態）
図１は、本発明の好適な第１の実施形態に係る光学装置を示す概略図である。
【００３３】
ターゲット材供給装置１から吐出されたターゲット材２に、集光レンズ４で集光された励起用パルスレーザー３が照射されることにより、プラズマ光源１１が発生する。光路（ＥＵＶ光５）上に配置された光学素子６は、プラズマ光源１１から放射されるＥＵＶ光５を光路の下流方向に反射する。このとき、デブリ７と呼ばれる飛散粒子が発生し、光学素子６の表面に堆積する（図１の８は光学素子に堆積したデブリを示す）。
【００３４】
図１においては、プラズマ光源１１から射出された光が光学素子６で散乱したときの散乱光９を検出するセンサ１０が配置される。センサ１０は、光学素子６によって反射されるＥＵＶ光５の光路とは異なる位置（すなわち露光に関わる光路を遮らない位置）に配置される。測定器２０は、センサ１０により計測された散乱光９の計測結果に基づいて、光学素子６の光学特性又はその変化を測定する。光学素子６の光学特性は、例えば、光学素子６の光の反射率を含む。センサ１０はＥＵＶ光５の光路上に設けられていないのでＥＵＶ光５を遮ることがない。
したがって、光学装置が露光動作（光路が遮られると実行できない動作の一例）中でも光学素子６の光学特性又はその変化を常時計測することができる。すなわち、この光学装置においてはインシチューで、光路上に配置された光学素子の光学特性又はその変化を計測することができる。
【００３５】
（第２実施形態）
図２は、本発明の好適な第２の実施形態に係る光学装置を示す概略図である。
図１の構成要素に追加して、プラズマ光源１１から直接射出された直入射光２１を検出するセンサ２２が配置される。また、図１の測定器２０に替わって、直入射光２１及び光学素子６からの散乱光９の計測結果を比較することによって、光学素子６の光学特性又はその変化を測定する測定器２０を備える。測定器２０は、直入射光２１に対する散乱光９の相対的な大きさを検知することによって、光学素子６の光学特性又はその変化を検知することができる。
【００３６】
プラズマ光源１１は、その周囲に対して放射状にほぼ同じ大きさでＥＵＶ光５を照射するので、センサ２２は光学素子６に照射されるのとほぼ同じ強度のＥＵＶ光５を計測することができる。また、本実施形態における方法は、プラズマ光源１１の強度が安定しない場合に特に有効である。
【００３７】
例えば、センサ２２で検出される直入射光の強度をＩ１、センサ１０で検出される光学素子６からの散乱光の強度をＩ２とし、光学素子６の反射率ＲをＲ＝Ｉ２／Ｉ１と定義すれば、プラズマ光源１１の強度に関わらず光学素子６の反射率を正確に検知することができる。例えば、プラズマ光源１１の強度が５％変動すると、直入射光の強度Ｉ１を計測しない場合はそのまま５％の誤差が生じるが、直入射光の強度Ｉ１を計測する場合は誤差が生じない。なお、直入射光の強度Ｉ１が十分に安定している場合は、図１の第１実施形態の構成で十分である。
【００３８】
（第３実施形態）
図３は、本発明の好適な第３の実施形態に係る光学装置を示す概略図である。
図３においては図１の構成要素であるセンサ１０に替えてセンサ３４を配置する。また、プラズマ源１１とは別の光源３１を配置して、その光３２を光学素子６に照射し、その正反射光３３をセンサ３４で計測する。測定器２０は、センサ３４によって計測された正反射光３３の計測結果に基づいて、光学素子６の光学特性又はその変化を測定することができる。
【００３９】
（第４実施形態）
図４は、本発明の好適な第４の実施形態に係る光学装置を示す概略図である。
図４においては、図３の構成要素であるセンサ３４に替えてセンサ３６を配置する。センサ３６は、別の光源３１から照射された光３２が光学素子６に照射されたときに散乱した散乱光３５を計測する。測定器２０は、センサ３６によって検出された散乱光３５の検出結果に基づいて、光学素子６の光学特性又はその変化を測定する。例えば、光学素子６の表面に堆積したデブリ８が増加すると、光学素子６の表面で散乱する散乱光３５が増加して、光学素子６の光学特性が変化する。これによって、測定器２０は、散乱光３５の検出結果に基づいて、光学素子６の光学特性又はその変化を測定することができる。
【００４０】
（第５実施形態）
図５は、本発明の好適な第５の実施形態に係る光学装置を示す概略図である。
図５の光学装置は、図３の構成要素であるセンサ３４と、図４の構成要素であるセンサ３６とを備える。本実施形態における光学装置は、センサ３４及びセンサ３６の両者の検出結果を比較することによって、光学素子６の光学特性又はその変化を測定する測定器２０を更に備える。測定器２０は、光学素子６により反射された正反射光３３及び光学素子６で散乱した散乱光３５に基づいて、光学素子６の光学特性又はその変化を測定することができる。
【００４１】
本実施形態における方法は、別の光源３１の強度が安定しない場合に有効である。例えば、センサ３４からの出力をＫ１、センサ３５からの出力をＫ２とし、その相対的な強度ＫをＫ＝Ｋ２／Ｋ１と定義すると、例えばＫ１の出力が変動した場合でもＫの値は安定化するため、散乱光３５の大きさを正しく検知できる。
【００４２】
図６は、別の光源３１からの光によって検知した光学素子６の光学特性の変化と、プラズマ光源１１から射出されるＥＵＶ光５に対する光学素子６の光学特性の変化との相関を示す概略図である。図６では、光学素子６の光学特性の一例としてＥＵＶ光５に対する反射率を用いている。
【００４３】
このように、プラズマ光源１１から射出されるＥＵＶ光５に対する光学素子６の反射率と別の光源３１からの光によって検知した光学素子６の光学特性の変化との相関関係を求めて、例えば、測定器２０内のメモリに格納しておくことにより、例えば、測定器２０は、別の光源３１からの光によって計測した光学素子６の光学特性値から、ＥＵＶ光５に対する光学素子６の反射率を求めることができる。
【００４４】
（第６実施形態）
図７は、本発明の好適な第６の実施形態に係る光学装置を示す概略図である。光学素子６の近傍に膜厚センサ７２が配置される。膜厚センサ７２は、例えば、水晶振動子であり、表面にデブリ７１が堆積すると、その共振周波数が変化するように設計されている。膜厚測定器７３は、膜厚センサ７２の共振周波数の変化量に基づいて、デブリ７１の堆積量を検知することができる。
【００４５】
プラズマ光源１１から発生するデブリ７は、光源１１の周囲に対して放射状にほぼ均等に飛散するため、膜厚センサ７２に堆積するデブリ７１の堆積量は光学素子６の表面に堆積するデブリ８の堆積量とほぼ同じである。このため、膜厚測定器７３によりデブリ７１を検知することによって、光学素子６に堆積したデブリ８の厚さを間接的に検知することができる。
【００４６】
図８は、膜厚センサ７２に堆積したデブリ７１の堆積量と光学素子６の光学特性の変化との相関を示す概略図である。図８では、光学特性の一例として光学素子のＥＵＶ光５に対する反射率を用いている。
【００４７】
このように、膜厚センサ７２のデブリの堆積量７１と光学素子６のＥＵＶ光５に対する反射率の相関関係を求めて、例えば、膜厚測定器７３内のメモリに格納しておくことにより、膜厚測定器７３は膜厚センサ７２の計測結果から光学素子６の光学特性又はその変化を求めることができる。例えば、膜厚測定器７３は、膜厚センサ７２のデブリの堆積量７１を検知し、光学素子６のＥＵＶ光５に対する反射率を求めることができる。
【００４８】
（第７実施形態）
図９は、本発明の好適な第７の実施形態に係る光学装置を示す概略図である。
プラズマ光源１１の近くの光路上には透過型の光学素子であるフィルタ９１が配置され、光学素子６上にデブリ７が堆積するのを阻止している。図９においては、別の光源９２から射出された光９３がフィルタ９１を透過したときの透過光９４の大きさを検出するセンサ９６と、フィルタ９１に堆積したデブリ７により散乱した散乱光９５を検出するセンサ９７が配置される。測定器２０は、センサ９６及びセンサ９７の検出結果に基づいて、フィルタ９１の光学特性又はその変化を測定することができる。フィルタ９１に堆積したデブリ７の堆積量が増加すると、ＥＵＶ光５に対するフィルタ９１の透過率は低下するが、それに伴ってセンサ９７で検出される光の大きさは大きくなる。
【００４９】
従って、測定器２０は、センサ９７の出力からフィルタ９１のＥＵＶ光５に対するフィルタ９１の透過率を算出できる。また、測定器２０は、フィルタ９１の透過率を算出するために、別の光源９２からの散乱光９５の大きさを用いてもよいし、透過光９４の大きさを用いてもよいし、透過光９４と散乱光９５との比Ｆを用いてもよい。例えば、透過光９４の大きさをＦ１、散乱光９５の大きさをＦ２とした場合、Ｆ１を用いてもよいし、Ｆ２を用いてもよいし、両者の比を例えばＦ＝Ｆ２／Ｆ１と定義したときのＦを用いてもよい。
【００５０】
以上説明したように、本発明の好適な実施形態によれば、光学装置の露光等の動作中でも光学素子の光学特性又はその変化をインシチューで計測できるため、光学素子の光学特性又はその変化や堆積したデブリの堆積量をより正確にかつ迅速に検知することができる。例えば、光学装置が光学素子を交換可能に設計された露光装置の場合、より正確にかつ迅速に光学素子の交換時期を知ることができる。このため、光学素子の交換時期を予測できることにより、装置の停止時間を短縮し、装置全体のコストを低減することができる。本発明において、光学特性又はその変化をインシチューで測定或いはモニタする対象としての光学素子は、例えば実施形態１〜６のように反射型の光学素子であってもよいし、例えば実施形態７のように透過型の光学素子であってもよい。また、本発明の好適な実施形態では、他の実験系を用意して、予め、その実験系における所定の光源から射出されたＥＵＶ光に対する光学素子の反射率と、その他の光源からの光によって検知した光学素子の光学特性又はその変化若しくは光学素子に堆積したデブリの堆積量と、の相関関係を求めておき、その実験結果を測定器内のメモリ等に格納してもよい。
【００５１】
また、上記の実施の形態では、光学装置の一例としてＥＵＶ露光装置について説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、本発明の好適な実施形態に係る光学装置は、ＥＵＶ露光装置よりも波長の長い光源を用いた光学装置にも適用可能である。その場合、透過型の光学素子はフィルタの他、レンズ等であってもよい。
【００５２】
（他の実施形態）
次に上記の光学装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１２は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク作製）では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、リソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。
【００５３】
図１３は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記の光学装置によって回路パターンをウエハに転写する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【００５４】
【発明の効果】
本発明によれば、例えば、光路上に配置された光学素子の光学特性又はその変化をインシチューで計測することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適な第１の実施形態に係る光学装置を示す概略図である。
【図２】本発明の好適な第２の実施形態に係る光学装置を示す概略図である。
【図３】本発明の好適な第３の実施形態に係る光学装置を示す概略図である。
【図４】本発明の好適な第４の実施形態に係る光学装置を示す概略図である。
【図５】本発明の好適な第５の実施形態に係る光学装置を示す概略図である。
【図６】別の光源からの光によって検知した光学素子の光学特性の変化と、プラズマ光源から射出されるＥＵＶ光に対する光学素子の光学特性の変化との相関を示す概略図である。
【図７】本発明の好適な第６の実施形態に係る光学装置を示す概略図である。
【図８】膜厚センサに堆積したデブリの堆積量と光学素子の光学特性の変化との相関を示す概略図である。
【図９】本発明の好適な第７の実施形態に係る光学装置を示す概略図である。
【図１０】本発明の好適な実施の形態に係る光学装置の一例であるＥＵＶ露光装置の概念図である。
【図１１】ウエハ上のパターンを露光する露光装置の一例を示す図である。
【図１２】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。
【図１３】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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