(57)【要約】【課題】電気特性、耐熱性、及び透明性に優れ、低価格で、大面積化を実現することができるプラスチック光導波路用材料を提供する。【課題手段】一般式（１）で表される繰り返し単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体を閉環した構造を有するポリベンゾオキサゾール樹脂からなることを特徴とする光通信用のプラスチック光導波路用材料。【化１】2004118123.tif 000018（但し、式中のｍは、０＜ｍ≦１０００を満たす整数である。また、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ水素原子または一価の有機基を示し、Ｘは４価の有機基を示し、Ｙは２価の有機基を示す。Ｅは１価の有機基を示す。）【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で表される構造を有するポリアミド（Ａ）１００重量部と、感光性ジアゾキノン化合物（Ｂ）１〜１００重量部からなり、光導波路のクラッド層に適用されることを特徴とするポジ型感光性プラスチック光導波路材料。
【化１】
2004118123.tif 000012
（但し、式中のｍは、０＜ｍ≦１０００を満たす整数である。
また、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ水素原子または一価の有機基を示し、Ｘは４価の有機基を示し、Ｙは２価の有機基を示す。Ｅは１価の有機基を示す。）
【請求項２】
ポリアミドが、一般式（１）のＸとして、式（２）で表される基の中から選ばれる４価の基を有するものである請求項１記載のポジ型感光性プラスチック光導波路材料。
【化２】
2004118123.tif 000013
【請求項３】
ポリアミドが、一般式（１）のＹとして、式（３）で表される基の中から選ばれる２価の基を有するものである請求項１または２記載のポジ型感光性プラスチック光導波路材料。
【化３】
2004118123.tif 000014
【請求項４】
ポリアミドが、一般式（１）のＹとして、式（４）で表される基の中から選ばれる２価の基を有するものである請求項１または２記載のポジ型感光性プラスチック光導波路材料。
【化４】
2004118123.tif 000015
【請求項５】
感光性ジアゾキノンが式（５）で表される化合物より選ばれてなる請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型感光性プラスチック光導波路材料。
【化５】
2004118123.tif 000016
【請求項６】
ポリアミドが、一般式（１）におけるＥとして式（６）で表される基の中から選ばれる１価の基を有するものである請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型感光性プラスチック光導波路材料。
【化６】
2004118123.tif 000017
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のポジ型感光性プラスチック光導波路用材料により形成されたことを特徴とする光導波路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ポジ型感光性プラスチック光導波路用材料及び光導波路に関するものである。更に詳しくは、耐熱性、電気特性、機械特性、物理特性、特に、光学特性に優れ、レーザー光などを低損失で結合伝送するプラスチック光導波路を用いたインターコネクション・光通信デバイス等に好適なポジ型感光性プラスチック光導波路用材料及びそれを用いた光導波路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光導波路材料としては、ガラス（石英）やプラスチックなどの材料が検討されている。そのうち、石英で構成した光導波路は、低損失および高耐熱性などの利点を有するため、光ファイバーや光インターコネクション・光通信デバイスなどの分野に置いて数多く検討され実際に利用されている。
【０００３】
一方、プラスチックで構成された光導波路は、石英光導波路よりも作製および大面積化が容易であり、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネートおよび紫外線硬化型樹脂などのポリマーを用いたプラスチック光導波路が検討されている。
【０００４】
しかしながら、上記した従来の石英光導波路では、作製に長い工程を要するため、本質的に低価格化は困難である。また、製作プロセスにおいて、１０００℃前後の高熱処理を要するため、電気回路基板との融合性が悪いうえ、大面積化が困難である問題があった。
【０００５】
また、ポリメタクリレート、ポリカーボネートもしくはポリスチレンで構成したプラスチック光導波路では、その分子鎖内に、脂肪族のＣ−Ｈ結合を多数有するため、近赤外領域では大きな吸収が存在し、通信分野波長への適用が困難である。その構成材料の耐熱性は、１００℃前後であるため、使用環境が限定されると共に、実装回路として組み込むためには、数百度のハンダ工程を通過することが必要となり、電気回路基板との融合性が悪くなるという問題があった。
【０００６】
また、プラスチック材料でありながら３００℃以上の耐熱性を有するポリイミドを、プラスチック光導波路に用いようとする試みも、一部でなされているが、現状のポリイミドでは、導波路の作製には、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）を用いるのが一般的であり、そのエッチング時間が、非常に長いため、大量生産に不向きであった。また、コアをドライエッチングする際、コアの壁面の荒れが発生し、伝播損失が低下するという欠点を持っていた。そこで、ポリイミド樹脂自体に、感光性を付与する技術が、最近、注目を集めてきた。感光性ポリイミドとしては、例えば、下記の
【０００７】
【化７】
2004118123.tif 000002
【０００８】
などがある。これを用いると、パターン作成工程の一部が簡略化でき、工程短縮の効果があるが、現像の際、Ｎ−メチル−２−ピロリドンのような有機溶剤が必要となるため、防爆施設を準備するため高価な設備が必要であった。
【０００９】
そこで、光損失に優れるプラスチック材料として、ポリベンゾオキサゾールを用いた光導波路材料があり、ＲＩＥを使用して、導波路を作製することができる（例えば、特許文献１参照。）。しかしながら、リアクティブイオンエッチングを用いると、壁面に縦筋のひだが発生し、伝播損失を大きく劣化させていた。また、ジアゾキノン化合物を添加したものは例外なく赤外域波長での伝播損失を劣化する傾向にあり、その適用が非常に難しかった。
【００１０】
【特許文献１】
特開２００２−１７３５３２号公報（第８頁）
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、アルカリ水溶液現像が可能で、伝播損失の劣化がないポジ型感光性プラスチック光導波路用材料を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記従来の問題点を鑑み、鋭意検討を重ねた結果、特定構造のポリアミドと感光性ジアゾキノン化合物からなることを特徴とするポジ型感光性プラスチック光導波路用材料を見いだし、本発明を完成するに至った。
【００１３】
即ち、本発明は、
１．　一般式（１）で表される構造を有するポリアミド（Ａ）１００重量部と、感光性ジアゾキノン化合物（Ｂ）１〜１００重量部からなり、光導波路のクラッド層に適用されることを特徴とするポジ型感光性プラスチック光導波路材料、
【００１４】
【化８】
2004118123.tif 000003
（但し、式中のｍは、０＜ｍ≦１０００を満たす整数である。
また、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ、水素原子または一価の有機基を示し、Ｘは４価の有機基を示し、Ｙは２価の有機基を示す。Ｅは１価の有機基を示す。）
【００１５】
２．　ポリアミドが、一般式（１）のＸとして、式（２）で表される基の中から選ばれる４価の基を有するものである第１項記載のポジ型感光性プラスチック光導波路材料、
【００１６】
【化９】
2004118123.tif 000004
【００１７】
３．　ポリアミドが、一般式（１）のＹとして、式（３）で表される基の中から選ばれる２価の基を有するものである第１項または第２項記載のポジ型感光性プラスチック光導波路材料、
【００１８】
【化１０】
2004118123.tif 000005
【００１９】
４．　ポリアミドが、一般式（１）のＹとして、式（４）で表される基の中から選ばれる２価の基を有するものである第１項または第２項記載のポジ型感光性プラスチック光導波路材料、
【００２０】
【化１１】
2004118123.tif 000006
【００２１】
５．　感光性ジアゾキノンが、式（５）で表される化合物より選ばれてなる第１項〜第４項のいずれかに記載のポジ型感光性プラスチック光導波路材料、
【００２２】
【化１２】
2004118123.tif 000007
【００２３】
６．　ポリアミドが、一般式（１）におけるＥとして、式（６）で表される基の中から選ばれる１価の基を有するものである第１項〜第５項のいずれかに記載のポジ型感光性プラスチック光導波路材料、
【００２４】
【化１３】
2004118123.tif 000008
【００２５】
７．　第１項〜第６項のいずれかに記載のポジ型感光性プラスチック光導波路用材料により形成されたことを特徴とする光導波路、
を提供するものである。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明に用いるポリアミドは、前記一般式（１）で表される構造を有するものであり、ビスアミノフェノールとジカルボン酸とを、従来の酸クロリド法、活性化エステル法またはポリリン酸もしくはジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤の存在下での縮合反応等の方法により、反応させて合成することにより、得ることができる。
【００２７】
本発明に用いるポリアミドの製造方法の中で、酸クロリド法による合成の例を挙げると、まずジカルボン酸を、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の触媒存在下、過剰量の塩化チオニルと、室温から７５℃で反応させ、過剰の塩化チオニルを加熱及び減圧により留去する。その後、残査をヘキサン等の溶媒で、再結晶することにより、酸クロリドであるジカルボン酸クロリドを得ることができる。次いで、ビスアミノフェノールを、通常、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の極性溶媒に溶解し、ピリジン等の酸受容剤存在下で、ジカルボン酸クロリドと、−３０℃から室温で３時間反応する。その後、−１０℃まで冷却し、γ−ブチロラクトンに溶解した式（６）で表されるエンドキャップ剤を滴下し、２時間攪拌し、室温に戻す。次いで、反応物混合物を水中に投入し、沈殿物を濾集し、水で十分洗浄後、真空下８０℃で、一昼夜乾燥させる。このようにして、ポリアミドを得ることができる。
【００２８】
本発明に用いるビスアミノフェノールとしては、式（２）で表される４価の基を有するビスアミノフェノールが好ましい。具体例としては、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（３−アミノ−ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ケトン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）スルホン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドキロキシフェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドキロキシフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノ−４−ヒドキロキシフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノ−３−ヒドキロキシフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノ−４−ヒドキロキシフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノ−３−ヒドキロキシフェノキシ）ベンゼン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ビフェニル、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ビフェニル等を挙げることができる。これらのビスアミノフェノールは、単独、または組み合わせて使用することができる。
【００２９】
本発明に用いるジカルボン酸としては、式（３）で表される２価の基を有するジカルボン酸や式（４）で表される２価の基を有するジカルボン酸が好ましい。式（３）で表される２価の基を有するジカルボン酸としては、４，４’−オキシビス安息香酸、３，３’−オキシビス安息香酸、３，４’−オキシビス安息香酸、２，４’−オキシビス安息香酸、３，４’−オキシビス安息香酸、２，３’−オキシビス安息香酸、２，２−ビス（４−カルボキシフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−カルボキシフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−カルボキシフェニル）−スルフィド、ビス（３−カルボキシフェニル）−スルフィド、ビス（４−カルボキシフェニル）−スルホン、ビス（３−カルボキシフェニル）−スルホン、ビス（４−カルボキシフェニル）−メタン、ビス（３−カルボキシフェニル）−メタン、２，２−ビス（４−カルボキシフェニル）−プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシフェニル）−プロパン、ビス（４−カルボキシフェニル）−ケトン、ビス（３−カルボキシフェニル）−ケトン、１，２−ビス（３−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（４−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−カルボキシフェノキシ）ベンゼン、ビス（３−カルボキシフェニル）ビフェニル、ビス（４−カルボキシフェニル）ビフェニル、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸等を挙げることができる。これらのジカルボン酸は、単独、または組み合わせて使用することができる。
【００３０】
本発明に用いる式（４）で表される２価の基を有するジカルボン酸としては、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、１，９−ノナンジカルボン酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、１，１２−ドデカンジカルボン酸、テトラフルオロコハク酸、ヘキサフルオログルタル酸、オクタフルオロアジピン酸、パーフルオロピメリン酸、パーフルオロスベリン酸、パーフルオロアゼライン酸、パーフルオロセバシン酸、１，９−パーフルオロノナンジカルボン酸、パーフルオロドデカン二酸、パーフルオロトリデカン二酸、１，１２−パーフルオロドデカンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸、１，３−シクロヘキサンジカルボン酸、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸等を挙げることができるる。これらのジカルボン酸は単独、または組み合わせて使用することができる。
【００３１】
本発明に用いる式（６）で表される１価の有機基を有するものとしては、無水マレイン酸、無水５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸、ペンタフルオロ安息香酸クロリド、３，５−ビストリフルオロメチル安息香酸クロリドを挙げることができる。これらは単独、または組み合わせて用いることができる。
【００３２】
本発明で用いる感光性ジアゾキノン（Ｂ）は、１，２−ベンゾキノンジアジドあるいは１，２−ナフトキノンジアジド構造を有する化合物であり、米国特許明細書第２，７７２，９７２号、第２，７９７，２１３号、第３，６６９，６５８号により公知の物質である。例えば、
【００３３】
【化１４】
2004118123.tif 000009
などを挙げることができる。
これらの中でより好ましい感光性ジアゾキノン化合物は、
【００３４】
【化１５】
2004118123.tif 000010
である。これらの使用にあたっては、単独でも２種類以上混合して用いてもかまわない。
【００３５】
本発明において、ポリアミド（Ａ）に対する感光性ジアゾキノン化合物（Ｂ）の配合量は、ポリアミド１００重量部に対し、１〜１００重量部であり、配合量が１重量部未満だと樹脂の光パターニング性が不良となり、逆に１００重量部を超えると、光損失が著しく悪くなる。
【００３６】
また、本発明のポジ型感光性光プラスチック導波路材料には、必要により、感光特性を高めるためにジヒドロピリジン誘導体を添加しても構わない。その例としては、２，６−ジメチル−３，５−ジアセチル−４−（２’−ニトロフェニル）−１，４−ジヒドロピリジン、４−（２’−ニトロフェニル）−２，６−ジメチル−３，５−ジカルボエトキシ−１，４−ジヒドロピリジン、４−（２’，４’−ジニトロフェニル）−２，６−ジメチル−３，５−カルボメトキシ−１，４−ジヒドロピリジンなどを挙げることができる。さらには、必要により、各種添加剤として、界面活性剤やカップリング剤等を添加して用いることができる。
【００３７】
本発明のポジ型感光性プラスチック光導波路材料の使用方法としては、これらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用する。溶剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ，−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸ブチル、メチル−１，３−ブチレングリコールアセテート、１，３−ブチレングリコール−３−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、メチル−３−メトキシプロピオネートなど単独または混合して使用する。
【００３８】
本発明のプラスチック光導波路用材料は、一般に製造されている基板上のシングルモード光導波路と同様の構造に適用でき、それらのクラッド層として用いられる。例えば、スラブ型、リッジ型、埋め込み型等がある。また、フレキシブルなフィルム光導波路等としても適用できる。
【００３９】
前記光導波路構造の内、埋め込み型シングルモード光導波路の製造方法について、図１を参照しつつ説明する。
まず、シリコン等の基板１の上に下部クラッド用として、本発明のポジ型感光性光導波路用材料のポリアミド溶液を、スピンコート等の方法により塗布し、これを、６０〜１３０℃で、プリベークして、塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照射する（図１ａ）。化学線としては、Ｘ線、電子線、紫外線、可視光線などが使用できるが、２００〜５００ｎｍの波長のものが好ましい。
次に、照射部を、現像液で溶解除去することにより、凸部（下部クラッド層１）を形成する（図１ｂ）。現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水などの無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミンなどの第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミンなどの第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミンなどの第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミンなどのアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニウム塩などのアルカリ類の水溶液、及びこれにメタノール、エタノールのようなアルコール類などの水溶性有機溶媒や界面活性剤を、適当量添加した水溶液を、好適に使用することができる。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音波などの方式が可能である。
次に、加熱によって下部クラッド層１を硬化させる。この上に、本発明のポジ型感光性光導波路用材料のポリアミド溶液を、スピンコート等の方法により塗布し、下部クラッド層２を形成し、これを、６０〜１３０℃で、プリベークして、乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照射する（図１ｃ）。
次に、照射部を、現像液で溶解除去することにより、コアパターンを形成するための凹部４を形成する。次に、現像によって形成した凹部４を、リンスする。リンス液としては、蒸留水を使用する。次に、加熱処理を行い、硬化する（図１ｄ）。
この硬化させた凹部に、コア層５として、下部クラッド層１，２よりも屈折率の高い樹脂をスピンコート等の方法により塗布し、過熱により硬化させ、凹部を充填してコア層５を形成する（図１ｅ）。この充填されたコア５上に、下部クラッドと同じ屈折率の樹脂を、スピンコート等の方法により塗布し、上部クラッド層６を形成し、過熱により硬化させ、シングルモード光導波路を作製できる（図１ｆ）。
【００４０】
本発明のポジ型感光性プラスチック光導波路用材料からなるクラッド層を有するシングルモード光導波路を作製することにより、その光導波路における光損失等の光導波特性の偏光波に対する相違を低減できる。
【００４１】
【実施例】
以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【００４２】
合成例１
２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７３．３部（０．２ｍｏｌ）を乾燥したジメチルアセトアミド２００部に溶解し、ピリジン３９．６部（０．５ｍｏｌ）を添加後、乾燥窒素下、−１５℃でシクロヘキサン１００部にイソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）を溶解したものを、３０分掛けて滴下した。滴下終了後、室温まで戻し、室温で５時間撹拌した。その後、γ−ブチロラクトン３０部に無水５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸１．６部（０．０１ｍｏｌ）を溶解したものを添加し、−１０℃で１時間、室温で１時間攪拌した後、反応溶液を蒸留水７Ｌに滴下し、沈殿物を集め、乾燥することにより、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ａ）１００．６部を得た。前駆体の分子量をゲル・パーミエイション・クロマトグラフィ（以下ＧＰＣと略記）を用いて測定したところ、２２，０００であった。
次いで、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン５１重量部（０．１２ｍｏｌ）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド７２．５重量部（０．２７ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン４５０ｍｌに溶解し、トリエチルアミン２８．３重量部（０．２８ｍｏｌ）を滴下し、沈殿物を得た。この沈殿物を濾集し、室温で４８時間真空乾燥させて感光性ジアゾキノンを得た。
上記で合成したポリベンゾオキサゾール前駆体１００重量部、および上記で合成した感光性ジアゾキノン２０重量部を、ＮＭＰ２００重量部に溶解し、孔径０．２μｍのテフロン（Ｒ）フィルターで、ろ過し、感光性プラスチック光導波路材料ワニスを得た。このワニスを硬化後、フィルム化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５６４であった。
【００４３】
合成例２
合成例１において、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７３．３部（０．２ｍｏｌ）をビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）エーテル４６．４部（０．２ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｂ）７６．５部を得た。前駆体（Ｂ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２３，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．６０１であった。
【００４４】
合成例３
合成例１において、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７３．３部（０．２ｍｏｌ）をビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）スルホン５６．１部（０．２ｍｏｌ）に、無水５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸１．６部（０．０１ｍｏｌ）を無水マレイン酸１．０部（０．０１ｍｏｌ）に置き換えた以外は、合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｃ）８５．２部を得た。前駆体（Ｃ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２４，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．６１２であった。
【００４５】
合成例４
合成例１において、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７３．３部（０．２ｍｏｌ）をビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ビフェニル４８．９部（０．２ｍｏｌ）に、無水５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸１．６部（０．０１ｍｏｌ）を無水マレイン酸１．０部（０．０１ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｄ）７８．７部を得た。前駆体（Ｄ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２３，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５９８であった。
【００４６】
合成例５
合成例１において、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７３．３部（０．２ｍｏｌ）をビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド４９．７部（０．２ｍｏｌ）に、無水５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸１．６部（０．０１ｍｏｌ）をパーフルオロ安息香酸クロリド２．３部（０．０１ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｅ）７９．４部を得た。前駆体（Ｅ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、１８，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．６２５であった。
【００４７】
合成例６
合成例１において、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７３．３部（０．２ｍｏｌ）を２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン５１．７部（０．２ｍｏｌ）に、無水５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸１．６部（０．０１ｍｏｌ）をパーフルオロ安息香酸クロリド２．３部（０．０１ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｆ）８１．２部を得た。前駆体（Ｆ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２３，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．６１４であった。
【００４８】
合成例７
合成例１において、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７３．３部（０．２ｍｏｌ）をビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）メタン４６．１部（０．２ｍｏｌ）に、無水５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸１．６部（０．０１ｍｏｌ）を３，５−トリフルオロメチル安息香酸クロリド２．８部（０．０１ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｇ）７６．２部を得た。前駆体（Ｇ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２４，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５８８であった。
【００４９】
合成例８
合成例１において、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７３．３部（０．２ｍｏｌ）を１，３−ビス（３−アミノ−４−ヒドキロキシフェノキシ）ベンゼン６４．９部（０．２ｍｏｌ）に、無水５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸１．６部（０．０１ｍｏｌ）を３，５−トリフルオロメチル安息香酸クロリド２．８部（０．０１ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｈ）９３．１部を得た。前駆体（Ｈ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２２，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５９２であった。
【００５０】
合成例９
合成例１において、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７３．３部（０．２ｍｏｌ）をビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ビフェニル４３．２部（０．２ｍｏｌ）に、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）を４，４’−オキシビス安息香酸クロリド２８．０部（０．０９５ｍｏｌ）とイソフタル酸クロリド１１．６部（０．０９５ｍｏｌ）の混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｉ）７４．６部を得た。前駆体（Ｉ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２４，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．６３１であった。
【００５１】
合成例１０
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をビス（４−カルボキシフェニル）スルホンクロリド３２．６部（０．０９５ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド１６．８部（０．０９５ｍｏｌ）の混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｊ）１１０．４部を得た。前駆体（Ｊ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２４，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５７５であった。
【００５２】
合成例１１
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をビス（４−カルボキシフェニル）ビフェニルクロリド２９．２部（０．０９５ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド１６．８部（０．０９５ｍｏｌ）との混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｋ）１０７．３部を得た。前駆体（Ｋ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２３，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５６６であった。
【００５３】
合成例１２
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をビス（４−カルボキシフェニル）スルフィドクロリド２９．６部（０．０９５ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド１６．８部（０．０９５ｍｏｌ）との混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｌ）１０７．７部を得た。前駆体（Ｌ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２５，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５８２であった。
【００５４】
合成例１３
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）を２，２−ビス（４−カルボキシフェニル）プロパンクロリド３０．５部（０．０９５ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド１６．８部（０．０９５ｍｏｌ）との混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｍ）１０８．５部を得た。前駆体（Ｍ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２４，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５５３であった。
【００５５】
合成例１４
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をビス（４−カルボキシフェニル）メタンクロリド２７．８部（０．０９５ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド１６．８部（０．０９５ｍｏｌ）との混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｎ）１０６．１部を得た。前駆体（Ｎ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２５，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５７８であった。
【００５６】
合成例１５
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）を１，３−ビス（３−カルボキシフェノキシ）ベンゼンクロリド３６．８部（０．０９５ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド１６．８部（０．０９５ｍｏｌ）との混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｏ）１１４．２部を得た。前駆体（Ｏ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２２，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５６１であった。
【００５７】
合成例１６
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をビス（３−カルボキシフェニル）ビフェニルクロリド２６．５部（０．０９５ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド１６．８部（０．０９５ｍｏｌ）との混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｐ）１０４．９部を得た。前駆体（Ｐ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２４，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５７７であった。
【００５８】
合成例１７
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をイソフタル酸クロリド１９．３部（０．０９５ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド１６．８部（０．０９５ｍｏｌ）との混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｑ）９８．４部を得た。前駆体（Ｑ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２５，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５６７であった。
【００５９】
合成例１８
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）を２，２−ビス（４−カルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンクロリド４０．８部（０．０９５ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド１１．６部（０．０９５ｍｏｌ）との混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｒ）１１３．０部を得た。前駆体（Ｒ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２４，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５３０であった。
【００６０】
合成例１９
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）を１，４−シクロヘキサンジカルボン酸クロリド３９．７部（０．１９ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｓ）１０１．７部を得た。前駆体（Ｓ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２６，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５５２であった。
【００６１】
合成例２０
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をアジピン酸クロリド４０．１部（０．１９ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｔ）１０２．０部を得た。前駆体（Ｔ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２６，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５４７であった。
【００６２】
合成例２１
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をオクタフルオロアジピン酸クロリド８１．１部（０．１９ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｕ）１３８．９部を得た。前駆体（Ｕ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２１，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５２１であった。
【００６３】
合成例２２
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をイソフタル酸クロリド１８．９部（０．１３３ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド１６．８部（０．０５７ｍｏｌ）との混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（ＡＡ）９８．１部を得た。前駆体（ＡＡ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２４，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５７０であった。
【００６４】
合成例２３
合成例１において、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７３．３部（０．２ｍｏｌ）をビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）エーテル４６．４部（０．２ｍｏｌ）に、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をイソフタル酸クロリド２７．０部（０．１３３ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド１６．８部（０．０５７ｍｏｌ）との混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（ＢＢ）８１．２部を得た。前駆体（ＢＢ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２５，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．６０７であった。
【００６５】
合成例２４
合成例１において、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７３．３部（０．２ｍｏｌ）をビス（３−アミノ−４−カルボキシフェニル）スルホン５６．１部（０．２ｍｏｌ）に、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をイソフタル酸クロリド２７．０部（０．１３３ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド１６．８部（０．０５７ｍｏｌ）との混合物に、無水５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸１．６部（０．０１ｍｏｌ）を無水マレイン酸１．０部（０．０１ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（ＣＣ）８９．９部を得た。前駆体（ＣＣ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２４，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．６１８であった。
【００６６】
合成例２５
合成例１において、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７３．３部（０．２ｍｏｌ）をビス（３−アミノ−４−カルボキシフェニル）ビフェニル４８．９部（０．２ｍｏｌ）に、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をイソフタル酸クロリド２７．０部（０．１３３ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド１６．８部（０．０５７ｍｏｌ）との混合物に、無水５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸１．６部（０．０１ｍｏｌ）を無水マレイン酸１．０部（０．０１ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（ＤＤ）８３．４部を得た。前駆体（ＤＤ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２３，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．６０４であった。
【００６７】
合成例２６
合成例１において、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７３．３部（０．２ｍｏｌ）をビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド４９．７部（０．２ｍｏｌ）に、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をイソフタル酸クロリド２７．０部（０．１３３ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド１６．８部（０．０５７ｍｏｌ）との混合物に、無水５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸１．６部（０．０１ｍｏｌ）をパーフルオロ安息香酸クロリド２．３部（０．０１ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（ＥＥ）８４．１部を得た。前駆体（ＥＥ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２５，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．６３２であった。
【００６８】
合成例２７
合成例１において、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７３．３部（０．２ｍｏｌ）を２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン５１．７部（０．２ｍｏｌ）に、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をイソフタル酸クロリド２７．０部（０．１３３ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド１６．８部（０．０５７ｍｏｌ）との混合物に、無水５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸１．６部（０．０１ｍｏｌ）をパーフルオロ安息香酸クロリド２．３部（０．０１ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（ＦＦ）８５．９部を得た。前駆体（ＦＦ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２８，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．６２０であった。
【００６９】
合成例２８
合成例１において、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７３．３部（０．２ｍｏｌ）をビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）メタン４６．１部（０．２ｍｏｌ）に、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をイソフタル酸クロリド２７．０部（０．１３３ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド１６．８部（０．０５７ｍｏｌ）との混合物に、無水５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸１．６部（０．０１ｍｏｌ）を３，５−トリフルオロメチル安息香酸クロリド２．８部（０．０１ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（ＧＧ）８０．９部を得た。前駆体（ＧＧ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２１，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５９４であった。
【００７０】
合成例２９
合成例１において、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７３．３部（０．２ｍｏｌ）を１，３−ビス（３−アミノ−４−ヒドキロキシフェノキシ）ベンゼン６４．９部（０．２ｍｏｌ）に、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をイソフタル酸クロリド２７．０部（０．１３３ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド１６．８部（０．０５７ｍｏｌ）との混合物に、無水５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸１．６部（０．０１ｍｏｌ）を３，５−トリフルオロメチル安息香酸クロリド２．８部（０．０１ｍｏｌ）に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（ＨＨ）９７．８部を得た。前駆体（ＨＨ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２４，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５９８であった。
【００７１】
合成例３０
合成例１において、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７３．３部（０．２ｍｏｌ）をビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ビフェニル４３．２部（０．２ｍｏｌ）に、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）を４，４’−オキシビス安息香酸クロリド２８．０部（０．０９５ｍｏｌ）とイソフタル酸クロリド１９．３部（０．０９５ｍｏｌ）の混合物に、置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（ＩＩ）８１．５部を得た。前駆体（ＩＩ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２２，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．６３８であった。
【００７２】
合成例３１
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をビス（４−カルボキシフェニル）スルホンクロリド３２．６部（０．０９５ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド２８．０部（０．０９５ｍｏｌ）の混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（ＪＪ）１２０．５部を得た。前駆体（ＪＪ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２３，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５８１であった。
【００７３】
合成例３２
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をビス（４−カルボキシフェニル）ビフェニルクロリド２９．２部（０．０９５ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド２８．０部（０．０９５ｍｏｌ）との混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（ＫＫ）１１７．４部を得た。前駆体（ＫＫ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２１，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５７２であった。
【００７４】
合成例３３
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をビス（４−カルボキシフェニル）スルフィドクロリド２９．６部（０．０９５ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド２８．０部（０．０９５ｍｏｌ）との混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（ＬＬ）１１７．８部を得た。前駆体（ＬＬ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２０，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５８８であった。
【００７５】
合成例３４
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）を２，２−ビス（４−カルボキシフェニル）プロパンクロリド３０．５部（０．０９５ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド２８．０部（０．０９５ｍｏｌ）との混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（ＭＭ）１１８．６部を得た。前駆体（ＭＭ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２２，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５５９であった。
【００７６】
合成例３５
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をビス（４−カルボキシフェニル）メタンクロリド２７．８部（０．０９５ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド２８．０部（０．０９５ｍｏｌ）との混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（ＮＮ）１１６．２部を得た。前駆体（ＮＮ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２２，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５８４であった。
【００７７】
合成例３６
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をビス（３−カルボキシフェノキシ）ベンゼンクロリド３６．８部（０．０９５ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド２８．０部（０．０９５ｍｏｌ）との混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（ＯＯ）１２４．３部を得た。前駆体（ＯＯ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２０，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５６７であった。
【００７８】
合成例３７
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をビス（３−カルボキシフェニル）ビフェニルクロリド２６．５部（０．０９５ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド２８．０部（０．０９５ｍｏｌ）との混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（ＰＰ）１１５．０部を得た。前駆体（ＰＰ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２３，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５８３であった。
【００７９】
合成例３８
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をイソフタル酸クロリド１９．３部（０．０９５ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド２８．０部（０．０９５ｍｏｌ）との混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（ＱＱ）１０８．５部を得た。前駆体（ＱＱ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２２，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５７３であった。
【００８０】
合成例３９
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）を２，２−ビス（４−カルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンクロリド４０．８部（０．０９５ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド１９．３部（０．０９５ｍｏｌ）との混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（ＲＲ）１２０．０部を得た。前駆体（ＲＲ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２２，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５３６であった。
【００８１】
合成例４０
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）を１，４−シクロヘキサンジカルボン酸クロリド２７．８部（０．１３３ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド１６．８部（０．０５７ｍｏｌ）との混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（ＳＳ）１０６．１部を得た。前駆体（ＳＳ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２３，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５５８であった。
【００８２】
合成例４１
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をアジピン酸クロリド２８．１部（０．１３３ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド１６．８部（０．０５７ｍｏｌ）との混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（ＴＴ）１０６．３部を得た。前駆体（ＴＴ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、２５，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５５３であった。
【００８３】
合成例４２
合成例１において、イソフタル酸クロリド３８．６部（０．１９ｍｏｌ）をオクタフルオロアジピン酸クロリド５６．８部（０．１３３ｍｏｌ）と４，４’−オキシビス安息香酸クロリド１６．８部（０．０５７ｍｏｌ）との混合物に置き換えた以外は合成例１と同様にして、ポリベンゾオキサゾール前駆体（ＵＵ）１３２．２部を得た。前駆体（ＵＵ）の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、１９，０００であった。ここで得たポリベンゾオキサゾール前駆体を用いた以外は、合成例１と同様にして、感光性プラスチック光導波路材料をワニス化し、屈折率の測定を行ったところ、１．５２７であった。
【００８４】
実施例１
光導波路の製造；
合成例１で合成したポリベンゾオキサゾールの前駆体（Ａ）をスピンコート法により、シリコン基板上に塗布し、１２０℃でプリベークして塗膜を乾燥後した。クロムからなる１０ｍｍ×５０ｍｍのパターンのフォトマスクを通して、超高圧水銀灯を用いて、紫外光線を露光量が５００ｍＪになるよう、照射した。次に、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に１２０秒浸漬することによって、露光部を溶解除去した後、純水で３０秒間リンスした。その結果、露光部が完全に溶解し、膜厚１７μｍのパターンを得た。このウェハを、３２０℃で１時間硬化させ、膜厚１５μｍの凸部形状を得た。このウェハ上に、再びポリベンゾオキサゾール前駆体（Ａ）をスピンコート法により、シリコン基板上に塗布し、１２０℃でプリベークして塗膜を乾燥後した。クロムからなる１０ｍｍ×５０ｍｍのパターン中に、５μｍ×４０ｍｍのクロムがない部分を有するフォトマスクを用いて、超高圧水銀灯を用いて、紫外光線を露光量が５００ｍＪになるよう、照射した。次に、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に、１２０秒浸漬することによって、露光部を溶解除去した後、純水で３０秒間リンスした。その結果、露光部が完全に溶解し、５μｍ×４０ｍｍの凹部（深さ５μｍ）を有するパターンを得た。
次に、コア層として、合成例２３で合成したポリベンゾオキサゾール前駆体（ＡＡ）をＮＭＰで溶解してワニスとし、該ワニスを形成された凹部に充填し、３２０℃で１時間硬化させた。この上部に、合成例１のポリベンゾオキサゾール前駆体（Ａ）をスピンコート法により塗布し、１２０℃でプリベークして塗膜を乾燥後した後、３２０℃で１時間硬化させ、上部クラッドを形成した。このようにして、シリコン基板上に埋め込み型シングルモード光導波路が得られた。
【００８５】
上記で得られた埋め込み型シングルモード光導波路の伝搬損失を測定したところ、波長１．３μｍで０．３ｄＢ／ｃｍ、１．５５μｍで０．５ｄＢ／ｃｍであった。さらに、この光導波路の損失は、８５℃／相対湿度８５％の条件以下においても、１ヶ月以上変動しなかった。
【００８６】
実施例２〜２１は、表−１の組み合わせで、実施例１と同様にして行った。また、評価結果を表−１に示す。
【００８７】
比較例１
２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニル６．４部（２０．０ｍｍｏｌ）と２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、及びジメチルアセトアミド８６．６部に溶解させ、窒素雰囲気下、室温で３日間撹拌して反応させ、ポリアミド酸（Ｖ）を得た。
このポリアミド酸の分子量を、ＧＰＣを用いて測定したところ、１４，０００であった。屈折率は１．５２７であった。
【００８８】
合成例２１で合成したポリベンゾオキサゾールの前駆体（Ｕ）をスピンコート法により、シリコン基板上に塗布して成膜した。形成した薄膜は、３２０℃で１時間加熱することにより硬化し、下部クラッド層とした。次いで、この上に上記で得られたポリアミド酸（Ｖ）を用いて、コア層をスピンコート法により形成した。形成したコア層は３２０℃で１時間加熱することにより硬化した。
次に、このコア層上に膜厚０．３μｍのアルミニウム層を蒸着し、マスク層を形成した。次に、このアルミニウム層上に、ポジ型フォトレジスト（ジアゾナフトキノン−ノボラック樹脂系、東京応化製、商品名ＯＦＰＲ−８００）を、スピンコート法により塗布した後、約９５℃でプリベークを行った。次に、パターン形成用のフォトマスク（Ｃｒ）を、超高圧水銀ランプを用いて紫外線を照射した後、ポジ型レジスト用現像液（ＴＭＡＨ２．３８％：テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、東京応化製、商品名ＮＭＤ−３）を用いて現像した。その後、１３５℃でポストベークを行った。これにより、線幅５μｍを有する直線状のレジストパターンが得られた。次に、アルミニウムのウエットエッチングを行い、レジストパターンをアルミニウム層に転写した。更に、パターニングされたアルミニウムをマスクとして、コア層のポリベンゾオキサゾールをドライエッチングにより加工した。次に、ポリベンゾオキサゾールの上層にあるアルミニウムをエッチング液で除去した。更に、この上に、下部クラッド層と同じポリベンゾオキサゾールの前駆体（Ｕ）をスピンコートにより塗布した。この塗膜を３２０℃で１時間熱処理して、上部クラッドを形成した。最後に、光導波路の両端をダイシングソーで切り落として、光の入出射端面を形成した。このようにして、シリコン基板上に埋め込み型シングルモード光導波路を作製し評価した。
【００８９】
比較例２
合成例１で合成したポリベンゾオキサゾールの前駆体（Ａ）を下部クラッド層、及び上部クラッド層に、合成例２２で合成したポリベンゾオキサゾールの前駆体（ＡＡ）をコア層に用いて、これら以外は、比較例１と同様にして、埋め込み型シングルモード光導波路を作製し、評価した。結果を表−１に示す。
【００９０】
【表１】
2004118123.tif 000011
【００９１】
【発明の効果】
本発明によれば、アルカリ水溶液現像が可能で、伝播損失が少ないポジ型感光性プラスチック光導波路用材料が提供できる。本発明の光導波路用材料は、作製工程にドライエッチングの必要がないため、特に、光通信に利用される近赤外波長領域で透明度が高く、光損失の小さい光導波路であり、生産性の向上に有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による埋め込み型光導波路の作成方法の一例を示す工程図（断面図及び上面図）である。
【符号の説明】
１　　基板
２　　下部クラッド層１
３　　下部クラッド層２
４　　コアパターンを形成するための凹部
５　　コア層
６　　上部クラッド層
【図１】
2004118123.tif 000019