(57)【要約】【課題】ＮｉＰメッキ後も表面に微小なうねりを発生することなく、高平坦度及び高平滑度な表面が得られ、磁気ディスクの高密度化が可能な磁気ディスク用アルミニウム合金基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】Ｍｇ：３．０乃至６．０質量％、Ｃｕ：０．０１乃至０．２質量％、Ｚｎ：０．２５乃至１．０質量％及びＣｒ：０．０２乃至０．２質量％を含有し、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなり、前記不可避的不純物のうちＦｅを０．０５質量％以下、Ｓｉを０．０５質量％以下、その他の不可避的不純物元素を夫々０．０２質量％以下に規制し、結晶粒界に存在する最大幅０．０２μｍ以上、最大長さ０．１μｍ以上のＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物の数が１ｍｍあたり平均で１個以下とする。【選択図】　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍｇ：３．０乃至６．０質量％、Ｃｕ：０．０１乃至０．２質量％、Ｚｎ：０．２５乃至１．０質量％及びＣｒ：０．０２乃至０．２質量％を含有し、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなり、前記不可避的不純物のうちＦｅを０．０５質量％以下、Ｓｉを０．０５質量％以下、その他の不可避的不純物元素を夫々０．０２質量％以下に規制し、結晶粒界に存在する最大幅０．０２μｍ以上、最大長さ０．１μｍ以上のＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物の数が１ｍｍあたり平均で１個以下であることを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
【請求項２】
表面にＮｉＰメッキが施されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
【請求項３】
Ｍｇ：３．０乃至６．０質量％、Ｃｕ：０．０１乃至０．２質量％、Ｚｎ：０．２５乃至１．０質量％及びＣｒ：０．０２乃至０．２質量％を含有し、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなり、前記不可避的不純物のうちＦｅを０．０５質量％以下、Ｓｉを０．０５質量％以下、その他の不可避的不純物元素を夫々０．０２質量％以下に規制した組成を有するアルミニウム合金材を、３００乃至４００℃に３０分間以上保持した後、３５０乃至２００℃の温度範囲が２００℃／分以上の冷却速度となるように冷却し、その後、ＮｉＰメッキを行うことにより、結晶粒界に存在する最大幅０．０２μｍ以上、最大長さ０．１μｍ以上のＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物の数が１ｍｍあたり平均で１個以下である磁気ディスク用アルミニウム合金基板を製造することを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ディスク用アルミニウム合金基板及びその製造方法に関し、特に、アルミニウム合金基板の表面に形成された無電解ＮｉＰメッキ膜の表面に発生する微細な凹凸を抑制でき、高記録密度化を可能にする磁気ディスク用アルミニウム合金基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
外部記録装置の一つである磁気ディスク装置は、情報を記録（保存）するための磁気ディスク及び磁気ディスクに情報を書込み又は再生するための磁気ヘッドからなる。近年、このような磁気ディスク及び磁気ヘッドの性能は大幅に向上し、近い将来には、面記録密度１００Ｇｂ／ｉｎ２が達成されようとしている。また、このような磁気ディスク装置は、一般に、パソコン用の外部記録装置として使用されているが、最近では、テレビ用録画機等家電製品へも搭載され始めており、低コスト化が強く求められている。
【０００３】
従来より、磁気ディスク用基板としては、軽量及び非磁性であると共に加工性に優れ、且つ低コストなアルミニウム合金基板が使用されている。しかし、アルミニウム合金基板は表面硬度が低いため、磁気ヘッドが磁気ディスクに衝突した際に記録層が破壊され易い。また、記録密度を高めるためには、磁気ヘッドを低浮上量で安定浮上させる必要があるが、それに必要な基板の高平滑性がアルミニウム合金板単独では得られ難いといった問題もある。このため、一般に磁気ディスク用基板としては、アルミニウム合金基板表面に硬度が比較的高い無電解ＮｉＰメッキ膜を１０μｍ程度形成したＮｉＰメッキアルミニウム合金基板（以下、ＮｉＰメッキＡｌ基板という）が使用されている。前記ＮｉＰメッキＡｌ基板は、次のようにして作製されている。
【０００４】
先ず、溶解及び圧延により所望の合金種、調質及び板厚に調整されたアルミニウム合金板を打抜きプレスにより所定のドーナツ状に打抜く。次に、基板内で均一な特性を持たせるためにＯ材化を行い、更に、平坦度を向上させるために、高平坦度を有するスペーサー間に積み付けして全体を加圧しながら焼鈍する（加圧焼鈍）。一般に、加圧焼純後のものをブランクという。その後、ブランクの内外径端部に、所定の端面加工を施す。
【０００５】
次に、端面加工を施したアルミニウム合金板を、自動両面研削機に予めセットされたキャリアのポケット内にセットし、砥石により目標の板厚になるまで研削加工する。このようにして得られたアルミニウム合金基板は、中心線平均粗さ（Ｒａ）が１００Å程度と極めて平滑な表面状態を有しているが、磁気ディスク用基板としての要求仕様は満足していない。そこで、前記研削加工を２段階にしたり、切削後に更に研削したりする場合もあるが、そうした場合でも目標とする表面粗さは得られず、更に、アルミニウム合金基板の表面にジンケート処理を施し、無電解ＮｉＰメッキ膜を形成した後、Ｒａが１０Å以下になるようにＮｉＰメッキ膜の表面を研磨して磁気ディスク用基板としている。
【０００６】
一般的な磁気ディスクは、前記ＮｉＰメッキＡｌ基板上に、磁気特性を高めるための下地膜、Ｃｏ系合金からなる磁性膜及び、磁性膜を保護するためのＣからなる保護膜をスパッタリングにより形成する。
【０００７】
また、磁気ヘッドの低浮上量化を達成するためには、磁気ディスク用基板の高平坦化及び高平滑化が重要である。磁気ディスク装置の動作時には、高速で回転する磁気ディスク上を、磁気ヘッドが数百Å以下の超低浮上量で浮上しているため、記録密度によっては、磁気ディスク表面にある数十μｍ乃至数ｍｍ周期の微小なうねりが問題となる。磁気ディスク表面にこのような微小なうねりがあると、磁気ヘッドの浮上安定性が損なわれ、ノイズ成分が増大したり、モジュレーションエラーが発生したりする。更に、場合によっては、ヘッドクラッシュに至り、磁気ディスクに記録された情報が破壊されるといった問題が発生する。このため、磁気ディスクを高記録密度化するためには、基板においても、表面の微小なうねりを低減する必要がある。
【０００８】
そこで、磁気ディスク用基板の表面の微小なうねりを低減する方法として、ＮｉＰメッキ後の研磨加工を複数段に分ける方法（特許文献１参照）、及びＮｉＰメッキ後の粗研磨に従来使用していたものより硬い研磨布を使用する方法（特許文献２参照）等が提案されている。また、中間焼鈍条件及び合金成分を規定することにより基板の表面性を向上させる方法（特許文献３参照）、及びディスクが積み付けられた状態での焼鈍条件を規定してＭｇ２Ｓｉ金属間化合物の個数を制御することにより基板の表面性を向上させる方法（特許文献４参照）等が提案されている。
【０００９】
【特許文献１】
特開平１１−１０４９２号公報　（第２−３頁）
【特許文献２】
特開２００１−１４８１１６号公報　（第２−６頁）
【特許文献３】
特開平７−３３１３９７号公報　（第２−６頁）
【特許文献４】
特開平９−２３５６４０号公報　（第２−５頁）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１及び２のＮｉＰメッキ後に研磨を行う方法では、目標とする表面状態は得られていないのが現状である。また、特許文献３の方法は、ブランクとなる前の中間焼鈍の条件を規定したものであるため、その後に行う焼鈍等により状態が変化し、磁気ディスク用基板として求められている表面性が得られない。同様に、特許文献４の方法もディスクが積み付けられた状態での加圧焼鈍後の冷却条件を規定したものであるため、研削加工後の焼鈍条件によって、基板の表面状態が変化してしまう。
【００１１】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、ＮｉＰメッキ後も表面に微小なうねりを発生することなく、高平坦度及び高平滑度な表面が得られ、磁気ディスクの高密度化が可能な磁気ディスク用アルミニウム合金基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金基板は、Ｍｇ：３．０乃至６．０質量％、Ｃｕ：０．０１乃至０．２質量％、Ｚｎ：０．２５乃至１．０質量％及びＣｒ：０．０２乃至０．２質量％を含有し、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなり、前記不可避的不純物のうちＦｅを０．０５質量％以下、Ｓｉを０．０５質量％以下、その他の不可避的不純物元素を夫々０．０２質量％以下に規制し、結晶粒界に存在する最大幅０．０２μｍ以上、最大長さ０．１μｍ以上のＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物の数が１ｍｍあたり平均で１個以下であることを特徴とする。本発明の磁気ディスク用アルミニウム合金基板表面には、ＮｉＰメッキが施されていてもよい。
【００１３】
また、本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法は、Ｍｇ：３．０乃至６．０質量％、Ｃｕ：０．０１乃至０．２質量％、Ｚｎ：０．２５乃至１．０質量％及びＣｒ：０．０２乃至０．２質量％を含有し、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなり、前記不可避的不純物のうちＦｅを０．０５質量％以下、Ｓｉを０．０５質量％以下、その他の不可避的不純物元素を夫々０．０２質量％以下に規制した組成を有するアルミニウム合金材を、３００乃至４００℃に３０分間以上保持した後、３５０乃至２００℃の温度範囲が２００℃／分以上の冷却速度となるように冷却し、その後、ＮｉＰメッキを行うことにより、結晶粒界に存在する最大幅０．０２μｍ以上、最大長さ０．１μｍ以上のＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物の数が１ｍｍあたり平均で１個以下である磁気ディスク用アルミニウム合金基板を製造することを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。一般に、ＮｉＰメッキＡｌ基板においては、膜の密着性及び平滑性を高めるため、ＮｉＰメッキの前処理としてアルミニウム合金板表面にジンケート処理を行うが、本発明者等は、ＮｉＰメッキＡｌ基板表面の微小なうねりは、前記ジンケート処理後の表面状態を反映していることを見出した。前記ジンケート処理においては、アルミニウム合金結晶粒の結晶方位の違いによりＺｎの析出状態が異なり、そのため、ジンケート処理後のアルミニウム合金基板表面には結晶粒の分布を反映した表面模様が生じる。アルミニウム合金基板上に形成されるＮｉＰメッキ膜は、これらの結晶粒模様を反映した形で成長するため、ＮｉＰメッキ膜表面には微小な凹凸が生じ、それが微小なうねりとなる。本発明者等の実験研究により、このような結晶粒模様は、アルミニウム合金中のＺｎ濃度を高めることで低減されることが判明した。しかし、その後、アルミニウム合金中のＺｎ含有量が一定量以上に増加すると、結晶粒界にはＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物が多数析出することを見出した。更に、前記Ａｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物は、ＮｉＰメッキの前処理時の酸エッチングにより溶解してピットを形成し、その後のジンケート処理工程では前記ピットが更に成長し、結晶粒界に沿ったピットが形成されることも判明した。このような微小ピットは、前記結晶粒模様と同様に、ＮｉＰメッキ膜表面の微小な凹凸の発生原因となるため、磁気ディスクの高記録密度化においては重大な問題となる。このため、本発明者等は、本発明の特許請求の範囲に記載の要件を満足することにより、上記課題を解決できることを見出した。即ち、本発明によると、ＮｉＰメッキ膜表面に微小な凹凸又は微小ピットが発生するのを防ぐことができるため、表面に微小なうねりが発生することなく、高平坦度及び高平滑度な表面を有し、磁気ディスクの高密度化が可能な磁気ディスク用ＮｉＰメッキＡｌ基板を作製することができる。
【００１５】
本発明のアルミニウム合金基板に加工されるアルミニウム合金板は、溶解、鋳造、圧延及び熱処理を行う一般的な方法により得られ、溶解時に、アルミニウム原料に各種元素を添加することにより、所望の組成のアルミニウム合金とするものである。また、この鋳塊を圧延する際の圧延条件及び熱処理条件を調節することにより、板厚及び強度等を変更することができる。
【００１６】
次に、本発明における各成分の限定理由ついて説明する。
【００１７】
Ｍｇ：３．０乃至６．０質量％
Ｍｇ含有量が３．０質量％より少ない場合、磁気ディスク用基板としての強度が不足する。また、Ｍｇ含有量が６．０質量％を超えると、熱間圧延時にアルミニウム合金板に割れが発生する等、加工性が低下する。よって、Ｍｇ含有量は３．０乃至６．０質量％の範囲とする。
【００１８】
Ｃｕ：０．０１乃至０．２質量％
Ｃｕは、ジンケート処理においてＺｎの析出形態に影響を及ぼし、これにより、ＮｉＰメッキ膜表面の品質（例えば、ピットの発生等）が決定する。Ｃｕ含有量が０．０１質量％未満では、ジンケート処理におけるＺｎの析出が基板表面内で不均一となり、ＮｉＰメッキ膜の表面に微小な凹凸を生じる等の問題が発生する。また、Ｃｕ含有量が０．２質量％を超えるとジンケート処理で生じたピットに起因し、ＮｉＰメッキ膜表面にもピットが発生する。このため、Ｃｕ含有量は、０．０１乃至０．２質量％の範囲とする。
【００１９】
Ｚｎ：０．２５乃至１．０質量％
Ｚｎは、Ｃｕと同様にジンケート処理においてＺｎの析出形態に影響を及ぼし、これにより、ＮｉＰメッキ膜表面の品質（例えば、ピットの発生等）が決定される。Ｚｎ含有量が０．２５質量％未満では、ジンケート処理におけるＺｎの析出が基板表面内で不均一となり、ＮｉＰメッキ膜の表面に微小な凹凸を生じる等の問題が発生する。また、Ｚｎ含有量が１．０質量％を超えるとジンケート処理で生じたピットに起因し、ＮｉＰメッキ膜表面にもピットが発生する。更には、アルミニウム合金結晶粒界にＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物を形成し易くなる。このため、Ｚｎ含有量は、０．２５乃至１．０質量％の範囲とする。
【００２０】
Ｃｒ：０．０１乃至０．２質量％
Ｃｒ含有量が０．０１質量％より少ないと、最大長１００μｍを超えるような粗大な結晶粒が生成し易くなる。このような不均一な結晶粒組織は、ジンケート処理においてＺｎの析出が不均一となるため好ましくない。また、Ｃｒ含有量が０．２質量％を超えると、Ａｌ−Ｃｒ系の粗大な金属間化合物（例えば、ＣｒＡｌ７等）が生成するため、ＮｉＰメッキ膜を形成した場合にメッキ膜表面にピットのような欠陥が生じる。このため、Ｃｒ含有量は、０．０１乃至０．２質量％の範囲とする。
【００２１】
Ｆｅ：０．０５質量％以下
Ｆｅは、必須元素であるＡｌ及びＭｇと結合し、ＮｉＰメッキ膜において欠陥原因となる金属間化合物（例えば、ＦｅＡｌ３又はＦｅＡｌ６等）を生成するため、規制する必要がある。Ｆｅ含有量が０．０５質量％を超えると、ジンケート処理時に前記金属間化合物が脱落して表面に大きなピットを形成し、メッキ欠陥の原因になるため、Ｆｅ含有量は０．０５質量％以下とする。
【００２２】
Ｓｉ：０．０５質量％以下
Ｓｉも、Ｆｅと同様に、必須元素であるＡｌ及びＭｇと結合し、欠陥原因となる金属間化合物（例えば、Ｍｇ２Ｓｉ等）を生成するため、厳しく規制する必要がある。Ｓｉ含有量が、０．０５質量％より多くなると大きな金属間化合物を生成し、ジンケート処理後のアルミニウム合金基板表面に大きなピットを形成するため、Ｓｉ含有量は０．０５質量％以下とする。
【００２３】
なお、本発明のアルミニウム合金基板に含まれるその他の不可避的不純物としては、例えばＭｎ及びＴｉ等が挙げられるが、これらも必須元素であるＡｌ及びＭｇと結合して金属間化合物を生成し、ＮｉＰメッキ膜の形成時にピット又はノジュールの発生原因となるため、夫々の含有量は０．０２質量％以下とする。
【００２４】
結晶粒界に存在する最大幅０．０２μｍ以上、最大長さ０．１μｍ以上のＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物が平均で１個／ｍｍ以下
アルミニウム合金結晶粒界に存在する最大幅０．０２μｍ以上、最大長さ０．１μｍ以上のＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物を平均で１個／ｍｍ以下とすることにより、メッキ前処理の酸エッチング及びジンケート処理工程における粒界ピットの発生起点を抑制し、ジンケート処理面が平滑化される。それにより、ＮｉＰメッキ膜表面に発生する微小な凹凸に起因する微小なうねりがなくなり、高記録密度化が可能な高平滑度な表面が得られる。なお、ここで使用している単位（個／ｍｍ）は、各アルミニウム合金結晶粒の粒界を長さで表わした場合、単位長さ（１ｍｍ）当たりに存在する最大幅０．０２μｍ以上、最大長さ０．１μｍ以上のＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物の数の平均値を示す。
【００２５】
また、本発明の磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法においては、上記規定の組成を有するアルミニウム合金基板を、３００乃至４００℃に３０分間以上保持した後、３５０乃至２００℃の温度範囲が２００℃／分以上の冷却速度となるように冷却し（フリー焼鈍）、その後、ＮｉＰメッキを行う。
【００２６】
前記アルミニウム合金基板の結晶粒界に存在する最大幅０．０２μｍ以上、最大長さ０．１μｍ以上のＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物を、平均で１個／ｍｍ以下とするためには、研削及び切削等の表面加工後に前記フリー焼鈍を行い、その際の熱処理温度及び冷却速度を一定範囲に規制することが有効である。メッキ前処理工程前の焼鈍温度が３００℃未満の場合、アルミニウム合金結晶粒界に形成されたＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物が完全に溶解せず残存する。また、前記焼鈍温度が４００℃を超えるとアルミニウム合金基板表面の酸化が激しくなり、アルミニウム合金結晶粒毎の酸化皮膜の厚さに差を生じ、ジンケート処理後の表面における結晶粒模様が顕著になる。従って、メッキ前処理前の焼鈍温度は３００乃至４００℃の範囲とする。一方、３５０乃至２００℃の温度範囲における冷却速度が２００℃／分未満の場合、焼鈍温度が高いため、Ａｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物が完全に溶解していても、降温過程においてＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物が再析出する。よって、３５０乃至２００℃の温度範囲における冷却速度は２００℃／分以上とする。
【００２７】
なお、前記フリー焼鈍は、ＮｉＰメッキの前処理工程を行う前で、表面加工後に行うのが好ましく、例えば、２段研削の場合は、１回目の研削後若しくは２回目の研削後、又は１回目の研削後及び２回目の両方の研削後に行う。
【００２８】
【実施例】
以下、本発明の特許請求の範囲を満たす実施例の効果について、本発明の範囲から外れる比較例と比較して具体的に説明する。始めに、本願第１発明の実施例及び比較例として、下記表１に示すアルミニウム合金を使用し、以下の製造工程により、板厚１．２５ｍｍの３．５インチタイプの磁気ディスク用アルミニウム合金基板を作製した。
【００２９】
表１におけるＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物の数は、フリー焼鈍後のアルミニウム合金基板から試片を切り出し、ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：透過型電子顕微鏡）により、２０個のアルミニウム合金結晶粒の粒界を観察し、それにより得られた最大幅０．０２μｍ、最大長さ０．１μｍ以上のＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物の合計数を全粒界長さで割ることにより、単位長さ当たりに存在する前記Ａｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物の数の平均値とした。
【００３０】
【表１】
2004143559.tif 000002
【００３１】
アルミニウム合金基板の製造工程は、表１に示した組成のアルミニウム合金を溶解した後、板厚５０ｍｍに鋳造し、面削した後、５４０℃で８時間加熱して均質化処理し、最終板厚が３ｍｍになるように熱間圧延した。その後、最終板厚が１．３ｍｍになるように冷間圧延し、３４０℃で３時間加圧焼鈍した。その際の冷却速度は８０℃／分とした。更に、端面加工をした後、２段の研削加工により最終板厚を１．２５ｍｍとしたアルミニウム合金基板を、３００乃至４００℃の焼鈍温度で３０分焼鈍した後、３５０乃至２００℃の温度範囲が２００℃／分以上の冷却速度となるように冷却した。（フリー焼鈍）。
【００３２】
前記工程により得られたアルミニウム合金基板について、下記の方法により各種項目について評価を行った。
【００３３】
１．引張強さ
冷間圧延後のアルミニウム合金基板を３４０℃にてＯ材化処理した後、引張り方向が圧延方向と平行になるようにＪＩＳ５号による引張り試験片を作製した。その後、引張り試験を実施し、引張り強さを求めた。なお、引張り強さが２３０Ｎ／ｍｍ２以上であれば、磁気ディスク用基板として問題なく使用することができる。
【００３４】
２．ジンケート処理によるＺｎの析出形態
アルミニウム合金基板に下記の処理工程を行い、ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：走査型電子顕微鏡）により、ジンケート処理後のアルミニウム合金基板表面におけるＺｎの析出形態を観察した。その際、Ｚｎが皮膜状に均一析出していた場合を○、Ｚｎが皮膜状及び粒状の析出の中間であった場合を△、Ｚｎが粒状に不均一析出していた場合を×として評価した。
＜処理工程＞
アルカリ脱脂（６０℃×５分間）　→　水洗　→　酸エッチング（６５℃×２分間）　→　水洗　→　硝酸デスマット（室温×１分間）　→　水洗　→　１次ジンケート　→　水洗　→　硝酸剥離　→　水洗　→　２次ジンケート　→　水洗　→　乾燥
【００３５】
３．ＮｉＰメッキ膜形成後のメッキ膜の表面観察
ジンケート処理後、無電解メッキによりアルミニウム合金基板上にＮｉＰメッキ膜を約１０μｍ形成した。その後、両面研磨機（スピードファム社製−１８Ｂ）により表面を研磨し、その表面を光学顕微鏡で観察することにより、ピットの発生状況を各アルミニウム合金基板で比較した。今回の評価では、ピットが見られた場合を×、ピットが見られなかった場合を○とした。以上の評価結果を表２に示す。
【００３６】
【表２】
2004143559.tif 000003
【００３７】
表２に示すように、比較例６及び７は、Ｚｎ含有量が本発明の範囲より少ないため、Ｚｎの析出が不均一であった。一方、Ｚｎの含有量及びＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物数が本発明の範囲より多い比較例８は、表面にピットが発生した。また、Ｍｇ含有量及びＣｕ含有量が本発明の範囲より多い比較例９及１０でも同様に表面にピットが発生した。Ｃｒを含有していない比較例１１は、Ｚｎの析出が不均一であった。更に、Ｆｅ含有量が本発明の範囲を超えている比較例１２及びＳｉ含有量が本発明の範囲を超えている比較例１３では、金属間化合物が形成され、ピットが発生した。
【００３８】
これに対し、本願第１発明の請求範囲内で作製した実施例１乃至３のアルミニウム合金基板は、ジンケート処理によりＺｎがアルミニウム合金基板の表面に均一に析出した。また、ＮｉＰメッキ膜形成及び研磨を行った後においても、ＮｉＰメッキＡｌ基板表面にピットは発生しなかった。更に、本実施例のアルミニウム合金基板にＮｉＰメッキ膜を形成した後、研磨してＮｉＰメッキＡｌ基板としたものに、Ｃｒ下地膜、ＣｏＣｒＴａ合金磁性膜及びＣ保護膜を形成して磁気ディスクとしたところ、エラーもなく高密度記録が可能であった。
【００３９】
次に、本願第２発明の実施例及び比較例として、下記表３に示すアルミニウム合金を使用し、前述した第１発明の実施例と同様の製造工程により、板厚１．２５ｍｍの３．５インチタイプの磁気ディスク用アルミニウム合金基板を作製した。但し、焼鈍温度及び３５０乃至２００℃の温度範囲における冷却速度は表４に示す条件とした。
【００４０】
【表３】
2004143559.tif 000004
【００４１】
【表４】
2004143559.tif 000005
【００４２】
前記工程により得られたアルミニウム合金基板について、前述した第１発明の実施例と同様の評価方法により評価を行った。その結果を表５に示す。
【００４３】
【表５】
2004143559.tif 000006
【００４４】
表４に示すように、比較例１４は、焼鈍温度が本発明の範囲より高いため、アルミニウム合金基板表面の酸化が激しく、Ｚｎの析出が不均一であった。また、焼鈍温度が本発明の範囲より低い比較例１５は、Ａｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物が完全に溶解せずに残存したため、本発明の範囲を超え、ピットが発生した。更に、３５０乃至２００℃の温度範囲における冷却温度が２００℃／分未満の比較例１６でも、Ａｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物が再析出したため、本発明の範囲を超え、ピットが発生した。
【００４５】
これに対し、本願第２発明の請求範囲内で作製した実施例４及び５のアルミニウム合金基板は、ジンケート処理によりＺｎがアルミニウム合金基板の表面に均一に析出し、ＮｉＰメッキ膜形成及び研磨を行った後においても、ＮｉＰメッキＡｌ基板表面にピットは発生しなかった。また、本実施例のアルミニウム合金基板にＮｉＰメッキ膜を形成した後、研磨してＮｉＰメッキＡｌ基板としたものに、Ｃｒ下地膜、ＣｏＣｒＴａ合金磁性膜及びＣ保護膜を形成して磁気ディスクとしたところ、エラーもなく高密度記録が可能であった。
【００４６】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、磁気ディスク用アルミニウム合金基板において、各含有成分の量を限定し、ＮｉＰメッキを行う前に所定の条件でフリー焼鈍を行うことにより、磁気ディスクの高記録密度化で問題となるＮｉＰメッキ膜表面の微小な凹凸に起因する微小なうねりが発生しない磁気ディスク用アルミニウム合金基板が得られる。