(57)【要約】【課題】電流制限値を簡易に変更し得る過電流保護機能付きスイッチング回路を提供すること。【解決手段】本発明の過電流保護機能付きスイッチング回路１は、第１のＭＯＳＦＥＴ２のゲート・ソース間を入力側１ａ，１ｂにすると共にこの第１のＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間を出力側１ｃ，１ｄにし、第２のＭＯＳＦＥＴ３と検知抵抗４とバイポーラトランジスタ５とを備えたものであって、前記バイポーラトランジスタ５が駆動するときの電位をシフトするシフト回路６を、少なくとも、前記バイポーラトランジスタ５のエミッタと前記第１のＭＯＳＦＥＴ２のソースとの間、又は前記バイポーラトランジスタ５のベースと第２のＭＯＳＦＥＴ３のソースとの間に設けたことを特徴としている。【選択図】　　　　　図１
2004032032.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のＭＯＳＦＥＴのゲート・ソース間を入力側にすると共にこの第１のＭＯＳＦＥＴのドレイン・ソース間を出力側にして、第１のＭＯＳＦＥＴのドレイン・ソース間に、第２のＭＯＳＦＥＴと検知抵抗とを直列に接続した回路を接続し、第１のＭＯＳＦＥＴのゲートと第２のＭＯＳＦＥＴのゲートとの間を接続し、バイポーラトランジスタのコレクタを第２のＭＯＳＦＥＴのゲートに接続し、同バイポーラトランジスタのベースを第２のＭＯＳＦＥＴと検知抵抗との接続点に接続し、同バイポーラトランジスタのエミッタを第１のＭＯＳＦＥＴのソースに接続したものであって、入力側に入力信号が入力されて出力側が導通しているときに、出力側に電流制限値を超える過電流が流れると、前記検知抵抗の両端に電位差が発生することによって前記バイポーラトランジスタが駆動し、前記第１のＭＯＳＦＥＴ及び前記第２のＭＯＳＦＥＴのゲートの電荷を放電し、前記第１のＭＯＳＦＥＴ及び前記第２のＭＯＳＦＥＴを低インピーダンス状態から高インピーダンス状態に変化させて出力側を遮断する過電流保護機能付きスイッチング回路において、
前記バイポーラトランジスタが駆動するときの前記接続点の電位をシフトするシフト回路を、少なくとも、前記バイポーラトランジスタのエミッタと前記第１のＭＯＳＦＥＴのソースとの間、又は前記バイポーラトランジスタのベースと前記接続点との間、又は前記第２のＭＯＳＦＥＴのソースと前記接続点との間に設けたことを特徴とする過電流保護機能付きスイッチング回路。
【請求項２】
前記シフト回路は、その両端に所定の電位差を生じ得る電圧降下素子にて構成しているものである請求項１記載の過電流保護機能付きスイッチング回路。
【請求項３】
前記電圧降下素子を、ダイオードにしているものである請求項２記載の過電流保護機能付きスイッチング回路。
【請求項４】
前記電圧降下素子を、抵抗にしているものである請求項２記載の過電流保護機能付きスイッチング回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、出力側に所定の電流制限値を超える過電流が流れると出力側を遮断させる過電流保護機能付きスイッチング回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の過電流保護機能付きスイッチング回路として、例えば図５に示すようなものがある。
【０００３】
この過電流保護機能付きスイッチング回路１００は、入力側１００ａ，１００ｂに入力信号が印加されて出力側１００ｃ，１００ｄが導通しているときに、出力側１００ｃ，１００ｄに所定の電流制限値を超える過電流が流れると、出力側１００ｃ，１００ｄを遮断させる過電流保護回路を備えたスイッチング回路であって、第１のＭＯＳＦＥＴ２と、第２のＭＯＳＦＥＴ３と、検知抵抗４と、バイポーラトランジスタ５と、を有している。
【０００４】
すなわち、この過電流保護機能付きスイッチング回路１００は、第１のＭＯＳＦＥＴ２のゲート・ソース間を入力側１００ａ，１００ｂにすると共にこの第１のＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間を出力側１００ｃ，１００ｄにして、第１のＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間に、第２のＭＯＳＦＥＴ３と検知抵抗４とを直列に接続した回路を接続し、第１のＭＯＳＦＥＴ２のゲートと第２のＭＯＳＦＥＴ３のゲートとの間を接続し、バイポーラトランジスタ５のコレクタを第２のＭＯＳＦＥＴ３のゲートに接続し、同バイポーラトランジスタ５のベースを第２のＭＯＳＦＥＴ３と検知抵抗４との接続点Ａに接続し、同バイポーラトランジスタ５のエミッタを第１のＭＯＳＦＥＴ２のソースに接続したものである。
【０００５】
この過電流保護機能付きスイッチング回路１００は、以下のように動作する。通常時、例えば、出力側１００ｃ，１００ｄを導通させる場合、入力側１００ａ，１００ｂに入力信号を入力する。ここで、検知抵抗４の抵抗値は、第１及び第２のＭＯＳＦＥＴのオン抵抗より充分大きいため、接続点Ａの電位は第１のＭＯＳＦＥＴ２のドレインの電位と略等しく、バイポーラトランジスタ５のベース・エミッタ間の順方向電圧降下より低い電位になっている。これにより、バイポーラトランジスタ５は駆動しないので、入力信号によって第１のＭＯＳＦＥＴ２のゲートが充電されて、第１のＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間が低インピーダンス状態になり、出力側１００ｃ，１００ｄが導通する。また、出力側１００ｃ，１００ｄを遮断させる場合、入力側１００ａ，１００ｂの入力信号を停止すればよい。
【０００６】
次に、異常時、例えば負荷が短絡するなどして、出力側１００ｃ，１００ｄに電流制限値を超える過電流が流れた場合には、第１のＭＯＳＦＥＴ２のドレインの電位が上昇する。これに伴って、接続点Ａの電位が上昇するので、バイポーラトランジスタ５が駆動して、第１のＭＯＳＦＥＴ２及び第２のＭＯＳＦＥＴ３のゲート電荷を放電する。これにより、第１のＭＯＳＦＥＴ２及び第２のＭＯＳＦＥＴ３のドレイン・ソース間が高インピーダンス状態になる。その結果、出力側１００ｃ，１００ｄが遮断する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述した過電流保護機能付きスイッチング回路１００は、出力側１００ｃ，１００ｄに電流制限値を超える過電流が流れると、出力側１００ｃ，１００ｄを遮断させる保護機能を備えていることにより、第１のＭＯＳＦＥＴ２に過電流が継続的に流れることを防ぐことができる。
【０００８】
しかしながら、出力側１００ｃ，１００ｄの電流制限値を増加又は減少させるには、第１のＭＯＳＦＥＴ２のオン抵抗等を操作する必要があり、第１のＭＯＳＦＥＴ２の素子面積等に係るデバイス設計値を変更しなければならないので、電流制限値を変更することが面倒であった。
【０００９】
本発明は、上記事由に鑑みてなしたもので、その目的とするところは、電流制限値を簡易に変更し得る過電流保護機能付きスイッチング回路を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明の過電流保護機能付きスイッチング回路は、第１のＭＯＳＦＥＴのゲート・ソース間を入力側にすると共にこの第１のＭＯＳＦＥＴのドレイン・ソース間を出力側にして、第１のＭＯＳＦＥＴのドレイン・ソース間に、第２のＭＯＳＦＥＴと検知抵抗とを直列に接続した回路を接続し、第１のＭＯＳＦＥＴのゲートと第２のＭＯＳＦＥＴのゲートとの間を接続し、バイポーラトランジスタのコレクタを第２のＭＯＳＦＥＴのゲートに接続し、同バイポーラトランジスタのベースを第２のＭＯＳＦＥＴと検知抵抗との接続点に接続し、同バイポーラトランジスタのエミッタを第１のＭＯＳＦＥＴのソースに接続したものであって、入力側に入力信号が入力されて出力側が導通しているときに、出力側に電流制限値を超える過電流が流れると、前記検知抵抗の両端に電位差が発生することによって前記バイポーラトランジスタが駆動し、前記第１のＭＯＳＦＥＴ及び前記第２のＭＯＳＦＥＴのゲートの電荷を放電し、前記第１のＭＯＳＦＥＴ及び前記第２のＭＯＳＦＥＴを低インピーダンス状態から高インピーダンス状態に変化させて出力側を遮断する過電流保護機能付きスイッチング回路において、前記バイポーラトランジスタが駆動するときの前記接続点の電位をシフトするシフト回路を、少なくとも、前記バイポーラトランジスタのエミッタと前記第１のＭＯＳＦＥＴのソースとの間、又は前記バイポーラトランジスタのベースと前記接続点との間、又は前記第２のＭＯＳＦＥＴのソースと前記接続点との間に設けたことを特徴としている。
【００１１】
請求項２に係る発明の過電流保護機能付きスイッチング回路は、請求項１の構成において、前記シフト回路を、その両端に所定の電位差を生じ得る電圧降下素子にて構成しているものである。
【００１２】
請求項３に係る発明の過電流保護機能付きスイッチング回路は、請求項２の構成において、前記電圧降下素子を、ダイオードにしているものである。
【００１３】
請求項４に係る発明の過電流保護機能付きスイッチング回路は、請求項２の構成において、前記電圧降下素子を、抵抗にしているものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、従来の技術において説明したものと基本的機能が実質的に同様の部分には同一の符号を付してある。
【００１５】
（第１の実施の形態）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　図１は、本発明に係る過電流保護機能付きスイッチング回路１の第１の実施の形態を示す回路図である。図において、２は第１のＭＯＳＦＥＴ、３は第２のＭＯＳＦＥＴ、４は検知抵抗、５はバイポーラトランジスタ、６はシフト回路であり、この過電流保護機能付きスイッチング回路１は、バイポーラトランジスタ５のエミッタと第１のＭＯＳＦＥＴのソースとの間に、シフト回路６として、ダイオード７（電圧降下素子）を接続していることを特徴とするものである。
【００１６】
第１のＭＯＳＦＥＴ２は、スイッチング素子であって、Ｎチャネルエンハンスメント型のＭＯＳＦＥＴにより構成して、そのゲート・ソース間を入力側１ａ，１ｂに接続して、同じくそのドレイン・ソース間を出力側１ｃ，１ｄに接続してある。そして、第１のＭＯＳＦＥＴ２は、例えば、そのしきい値がおよそ１．５Ｖ程度で、１Ａ程度、電流を流したときのオン抵抗がおよそ０．２Ω程度になるようにしてある。
【００１７】
第２のＭＯＳＦＥＴ３は、検知抵抗４、バイポーラトランジスタ５及びダイオード７と共に過電流保護回路をなすものであって、Ｎチャネルエンハンスメント型のＭＯＳＦＥＴにより構成して、そのドレインを第１のＭＯＳＦＥＴのドレインに接続し、同じくそのゲートを第１のＭＯＳＦＥＴのゲート、バイポーラトランジスタ５のコレクタ、及び入力側１ａに接続し、同じくそのソースを検知抵抗４、及びバイポーラトランジスタ５のベースに接続してある。そして、第２のＭＯＳＦＥＴ３は、例えば、そのしきい値がおよそ１．５Ｖ程度で、オン抵抗がおよそ１ｋΩ程度になるようにしてある。
【００１８】
検知抵抗４は、第２のＭＯＳＦＥＴ３のソースとバイポーラトランジスタ５のベースとの接続点Ａに所定の電位を与えるものであって、一端を接続点Ａに接続し、他端を入力側１ｂ、ダイオード７のカソード、第１のＭＯＳＦＥＴ２のソース、及び出力側１ｄに接続してある。そして、検知抵抗４は、例えば、拡散抵抗等により形成して、その抵抗値がおよそ１００ｋΩ程度になるようにしてある。
【００１９】
バイポーラトランジスタ５は、出力側１ｃ，１ｄに過電流が流れたときに駆動して、第１のＭＯＳＦＥＴ２及び第２のＭＯＳＦＥＴ３のゲート電荷を放電するものであって、ＮＰＮ型のバイポーラトランジスタにより構成して、そのコレクタを入力側１ａ、第１のＭＯＳＦＥＴ２のゲート、及び第２のＭＯＳＦＥＴ３のゲートに接続し、同じくそのベースを接続点Ａに接続し、同じくそのエミッタをダイオード７を介して入力側１ｂ、検知抵抗４の他端、第１のＭＯＳＦＥＴ２のソース、及び出力側１ｄに接続してある。
【００２０】
ダイオード７は、バイポーラトランジスタ５の動作条件を設定するシフト回路６をなし、出力側１ｃ，１ｄの電流制限値を所定の値に設定するものであって、そのアノードをバイポーラトランジスタのエミッタに、同じくそのカソードを入力側１ｂ、検知抵抗４の他端、第１のＭＯＳＦＥＴ２のソース、及び出力側１ｄに接続してある。
【００２１】
次に、上記構成による過電流保護機能付きスイッチング回路１の出力側１ｃ，１ｄを、入力側１ａ，１ｂに印加する入力信号によって導通、遮断させる動作を説明する。
【００２２】
過電流保護機能付きスイッチング回路１の出力側１ｃ，１ｄを導通させるときは、入力側１ａ，１ｂに入力信号を入力する。ここで、検知抵抗４の抵抗値は、第１及び第２のＭＯＳＦＥＴのオン抵抗より充分大きいため、接続点Ａの電位は第１のＭＯＳＦＥＴ２のドレインの電位と略等しく、バイポーラトランジスタ５のベース・エミッタ間の順方向電圧降下より低い電位になっている。これにより、バイポーラトランジスタ５は駆動しないので、入力信号によって第１のＭＯＳＦＥＴ２のゲートが充電されて、第１のＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間が低インピーダンス状態になり、出力側１ｃ，１ｄが導通する。一方、出力側１ｃ，１ｄを遮断させるときは、入力側１ａ，１ｂの入力信号を停止すればよい。
【００２３】
次に、信号入力によってこの過電流保護機能付きスイッチング回路１の出力側１ｃ，１ｄが導通しているときに、例えば負荷が短絡するなどして、出力側１ｃ，１ｄに電流制限値を超える過電流が流れたときの保護動作について説明する。
【００２４】
過電流保護機能付きスイッチング回路１は、出力側１ｃ，１ｄに過電流が流れた場合には、第１のＭＯＳＦＥＴ２のドレインの電位が上昇し、これに伴って、接続点Ａの電位も上昇する。そして、接続点Ａの電位が、バイポーラトランジスタ５のベース・エミッタ間の電圧降下とダイオード７の電圧降下の和に略等しくなると、バイポーラトランジスタ５が駆動する。そして、バイポーラトランジスタ５は、第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ３のゲート電荷を放電するので、第１及び第２のＭＯＳＦＥＴ３のドレイン・ソース間が高インピーダンス状態になる。その結果、出力側１ｃ，１ｄが遮断する。
【００２５】
したがって、この過電流保護機能付きスイッチング回路１は、第１のＭＯＳＦＥＴ２のドレインの電位、すなわち第１のＭＯＳＦＥＴ２のオン抵抗と出力側１ｃ，１ｄに流れる電流値の積が、バイポーラトランジスタ５のベース・エミッタ間の電圧降下とダイオード７の電圧降下の和に略等しくなると、出力側１ｃ，１ｄを遮断するものとなるので、概ねダイオード７の電圧降下を第１のＭＯＳＦＥＴ２のオン抵抗で除した電流だけ、電流制限値を増加し得るものとなる。
【００２６】
以上、本発明に係る過電流保護機能付きスイッチング回路の第１の実施の形態を説明したが、本発明の構成は種々の変形が可能であり、以下に示す構成にしてもよい。
【００２７】
（第２の実施の形態）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　図２は、本発明に係る過電流保護機能付きスイッチング回路１の第２の実施の形態を示す回路図である。
【００２８】
この過電流保護機能付きスイッチング回路１は、接続点Ａとバイポーラトランジスタ５のベースとの間に、シフト回路６として、ダイオード７（電圧降下素子）を接続していることを特徴とするものである。具体的には、過電流保護機能付きスイッチング回路１は、第１のＭＯＳＦＥＴ２のゲート・ソース間を入力側１ａ，１ｂにすると共にこの第１のＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間を出力側１ｃ，１ｄにして、第１のＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間に、第２のＭＯＳＦＥＴ３と検知抵抗４とを直列に接続した回路を接続し、第１のＭＯＳＦＥＴ２のゲートと第２のＭＯＳＦＥＴ３のゲートとの間を接続し、バイポーラトランジスタ５のコレクタを第２のＭＯＳＦＥＴ３のゲートに接続し、同バイポーラトランジスタ５のベースをダイオード７を介して第２のＭＯＳＦＥＴ３と検知抵抗４との接続点Ａに接続し、同バイポーラトランジスタ５のエミッタを第１のＭＯＳＦＥＴ２のソースに接続してある。
【００２９】
この構成によれば、第１のＭＯＳＦＥＴ２のドレインの電位、すなわち第１のＭＯＳＦＥＴ２のオン抵抗と出力側１ｃ，１ｄに流れる電流値の積が、バイポーラトランジスタ５のベース・エミッタ間の電圧降下とダイオード７の電圧降下の和に略等しくなると、出力側１ｃ，１ｄを遮断するものとなるので、概ねダイオード７の電圧降下を第１のＭＯＳＦＥＴ２のオン抵抗で除した電流だけ、電流制限値を増加し得るものとなる。
【００３０】
（第３の実施の形態）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　図３は、本発明に係る過電流保護機能付きスイッチング回路１の第３の実施の形態を示す回路図である。
【００３１】
この過電流保護機能付きスイッチング回路１は、第２のＭＯＳＦＥＴ３のソースと接続点Ａとの間に、シフト回路６として、ダイオード７（電圧降下素子）を接続していることを特徴とするものである。具体的には、過電流保護機能付きスイッチング回路１は、第１のＭＯＳＦＥＴ２のゲート・ソース間を入力側１ａ，１ｂにすると共にこの第１のＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間を出力側１ｃ，１ｄにして、第１のＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間に、第２のＭＯＳＦＥＴ３とダイオード７と検知抵抗４とを直列に接続した回路を接続し、第１のＭＯＳＦＥＴ２のゲートと第２のＭＯＳＦＥＴ３のゲートとの間を接続し、バイポーラトランジスタ５のコレクタを第２のＭＯＳＦＥＴ３のゲートに接続し、同バイポーラトランジスタ５のベースをダイオード７と検知抵抗４との接続点Ａに接続し、同バイポーラトランジスタ５のエミッタを第１のＭＯＳＦＥＴ２のソースに接続してある。
【００３２】
この構成によれば、接続点Ａの電位が、第２のＭＯＳＦＥＴ３とダイオード７の直列接続回路と、検知抵抗４によって分圧された電位になるので、ダイオード７の順方向電圧降下分だけ、電流制限値を増加し得るものとなる。
【００３３】
（第４の実施の形態）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　図４は、本発明に係る過電流保護機能付きスイッチング回路１の第４の実施の形態を示す回路図である。
【００３４】
この過電流保護機能付きスイッチング回路１は、シフト回路６として、第２のＭＯＳＦＥＴ３のソースと接続点Ａとの間に、抵抗８ａ（電圧降下素子）を接続し、接続点Ａとバイポーラトランジスタ５のベースとの間に、抵抗８ｂ（電圧降下素子）を接続し、さらにバイポーラトランジスタ５のエミッタと第１のＭＯＳＦＥＴのソースとの間に、抵抗８ｃ（電圧降下素子）を接続していることを特徴とするものである。
【００３５】
具体的には、過電流保護機能付きスイッチング回路１は、第１のＭＯＳＦＥＴ２のゲート・ソース間を入力側１ａ，１ｂにすると共にこの第１のＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間を出力側１ｃ，１ｄにして、第１のＭＯＳＦＥＴ２のドレイン・ソース間に、第２のＭＯＳＦＥＴ３と抵抗８ａと検知抵抗４とを直列に接続した回路を接続し、第１のＭＯＳＦＥＴ２のゲートと第２のＭＯＳＦＥＴ３のゲートとの間を接続し、バイポーラトランジスタ５のコレクタを第２のＭＯＳＦＥＴ３のゲートに接続し、同バイポーラトランジスタ５のベースを抵抗８ｂを介して接続点Ａに接続し、同バイポーラトランジスタ５のエミッタを抵抗８ｃを介して第１のＭＯＳＦＥＴ２のソースに接続してある。
【００３６】
この構成によれば、接続点Ａの電位が、第２のＭＯＳＦＥＴ３と抵抗８ａの直列接続回路と、検知抵抗４によって分圧された電位になる。そして、接続点Ａの電位が、抵抗８ｂの電圧降下とバイポーラトランジスタ５のベース・エミッタ間の電圧降下と抵抗８ｃの電圧降下の和に略等しくなったときにバイポーラトランジスタ５が駆動するので、抵抗８ａ、抵抗８ｂ、及び抵抗８ｃの電圧降下分だけ、電流制限値を増加し得るものとなる。また、電圧降下素子を、抵抗にしているので、抵抗値を所定の値にすることにより、電流制限値を所定の値に設定し得るものとなる。
【００３７】
なお、過電流保護機能付きスイッチング回路１は、シフト回路６として、ダイオード７を複数個、直列に接続すれば、その分、電流制限値を増加し得るものとなることは言うまでもない。また、シフト回路６を構成する電圧降下素子は、ダイオード、抵抗に限られず、バイポーラトランジスタのコレクタ・ベース間を接続した素子、その他の素子にしてもよいことは言うまでもない。
【００３８】
【発明の効果】
請求項１に係る発明の過電流保護機能付きスイッチング回路は、バイポーラトランジスタが駆動するときの前記接続点の電位をシフトするシフト回路を、少なくとも、前記バイポーラトランジスタのエミッタと前記第１のＭＯＳＦＥＴのソースとの間、又は前記バイポーラトランジスタのベースと前記接続点との間、又は前記第２のＭＯＳＦＥＴのソースと前記接続点との間に設けたことを特徴としているので、第１のＭＯＳＦＥＴの素子面積等に係るデバイス設計値を変更することなく、電流制限値を増加又は減少し得るものとなり、以って、電流制限値の変更が簡易にできるものとなる。
【００３９】
請求項２に係る発明の過電流保護機能付きスイッチング回路は、請求項１の構成において、前記シフト回路を、その両端に所定の電位差を生じ得る電圧降下素子にて構成しているので、バイポーラトランジスタが駆動するときの接続点の電位を確実にシフトし得るものとなり、以って、電流制限値の変更が一層簡易なものとなる。
【００４０】
請求項３に係る発明の過電流保護機能付きスイッチング回路は、請求項２の構成において、前記電圧降下素子を、ダイオードにしているので、電圧降下素子を容易に形成することができ、以って、過電流保護機能付きスイッチング回路を容易に製造し得るものとなる。
【００４１】
請求項４に係る発明の過電流保護機能付きスイッチング回路は、請求項２の構成において、前記電圧降下素子を、抵抗にしているので、抵抗値を所定の値にすることにより、電流制限値を所定の値に設定し得るものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る過電流保護機能付きスイッチング回路の第１の実施の形態を示す回路図である。
【図２】同上の第２の実施の形態を示す回路図である。
【図３】同上の第３の実施の形態を示す回路図である。
【図４】同上の第４の実施の形態を示す回路図である。
【図５】従来の過電流保護機能付きスイッチング回路を示す回路図である。
【符号の説明】
１　　　　　　　　　過電流保護機能付きスイッチング回路
１ａ，１ｂ　　　　過電流保護機能付きスイッチング回路の入力側
１ｃ，１ｄ　　　　過電流保護機能付きスイッチング回路の出力側
２　　　　　　　　　第１のＭＯＳＦＥＴ
３　　　　　　　　　第２のＭＯＳＦＥＴ
４　　　　　　　　　検知抵抗
５　　　　　　　　　バイポーラトランジスタ
６　　　　　　　　　シフト回路
７　　　　　　　　　ダイオード（電圧降下素子）
８ａ，８ｂ，８ｃ　　抵抗（電圧降下素子）
【図１】
2004032032.tif 000003
【図２】
2004032032.tif 000004
【図３】
2004032032.tif 000005
【図４】
2004032032.tif 000006
【図５】
2004032032.tif 000007