(57)【要約】【課題】放熱特性の良好な半導体レーザ素子を実現する。【解決手段】面発光型半導体レーザ素子は、ｎ型窒化ガリウム基板２４上に順次積層されたｎ型反射鏡層２６、発光層３２、アルミニウム含有層３３、ｐ型反射鏡層３８を備えている。そして、発光層３２（基板２４）の主面垂直方向に出射口４２からレーザ光を出射する。アルミニウム含有層３３は、導電層３４と電流狭窄層３６によって構成されている。電流狭窄層３６は、ＡｌＧａＡｓ窒化層で形成されている。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの反射鏡と、これらの反射鏡に挟まれた発光層と、電極と、電極から発光層に至る電流経路を狭める電流狭窄層を備えた半導体レーザ素子であって、
電流狭窄層がアルミニウムと窒素を含む層によって形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
発光層と電流狭窄層が接していることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
半導体レーザ素子は、発光層の主面垂直方向にレーザ光を出射する面発光型半導体レーザ素子であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
２つの反射鏡層の間に発光層とアルミニウムを含む層が挟まれた層構造を形成する工程と、
その層構造を窒素原子を含む反応ガス中で熱処理して、２つの反射鏡層で挟まれたアルミニウムを含む層をその端面から層の主面平行方向に窒化する工程を有することを特徴とする面発光型半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項５】
前記層構造を形成する工程では、アルミニウムを含む層を＜００１＞方向に積層し、
前記窒化する工程では、アルミニウムを含む層の端面に（１００）面、（０１０）面、（−１００）面、（０−１０）面の少なくともいずれかを露出させた状態で窒化することを特徴とする請求項４に記載の面発光型半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項６】
前記窒化する工程では、アルミニウムを含む層を平面視したときの輪郭をほぼ円形状にした状態で窒化することを特徴とする請求項５に記載の面発光型半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ素子とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】２つの反射鏡と、これらの反射鏡に挟まれた発光層と、電極と、電極から発光層に至る電流経路を狭める電流狭窄層を備えた半導体レーザ素子が知られている。このような電流狭窄層を備えた半導体レーザ素子によると、高抵抗の電流狭窄層によって狭められた電流経路に電流を流し、その電流経路に繋がる発光層の所定部位に電流を集中させることで、利得導波構造を実現でき、無効電流を低減することができる。この結果、しきい値電流の低減や光出力の向上を実現できる。
【０００３】
従来の半導体レーザ素子では、アルミニウムを含む層（ＡｌＧａＡｓ層、ＡｌＡｓ層等）の一部を酸化して高抵抗の電流狭窄層を形成している。そして、この電流狭窄層によって狭められた電流経路（酸化していないアルミニウムを含む層）に電流を流し、その電流経路に繋がる発光層の所定部位に電流を集中させるようにしている。
このように、アルミニウムを含む層を酸化して電流狭窄層を形成するのは、アルミニウムを含む材料を酸化した層は高抵抗となり電流をほとんど流さないようにできる一方、酸化していないアルミニウムを含む層は低抵抗であるため電流を流すことができるからである。また、半導体レーザ素子では電流狭窄層の下地となる部位（発光層、基板、反射鏡層等）がＧａＡｓ等の化合物半導体で形成されるのが通常であるところ、アルミニウムを含む材料（例えばＡｌＧａＡｓ、ＡｌＡｓ等）は、その下地となる部位の化合物半導体と格子定数が近く、高品質な結晶の成長が可能であるからである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】電極から発光層に至る電流経路に電流を流すことで、半導体レーザ素子には熱が発生する。先に述べたように、電流狭窄層によって発光層の所定部位に電流を集中させることで、利得導波構造を実現できるが、その反面、発光層の所定部位の電流密度が高くなるために、発光層の所定部位において発生する熱の存在が大きな問題となる。素子（特に発光層）で発生した熱によって発光層の温度が上昇すると、発光層の発光効率（電気−光変換効率）が低下し、得られる最大光出力が低下してしまうからである。よって、発光層の温度の上昇をできるだけ抑制するために、素子（特に発光層）で発生した熱はできるだけ放熱させたい。
【０００５】
しかし、従来のようなアルミニウムを含む材料を酸化した層からなる電流狭窄層は熱伝導率が低いため、素子（特に発光層）で発生した熱を電流狭窄層の箇所から放熱させにくいという問題があった。特に、発光層と電流狭窄層が接する構造の半導体レーザ素子においてはこの問題が顕著であった。また、いわゆる面発光型半導体レーザ素子は、発光層ひいては素子の体積が一般に非常に小さいため、構造的に素子（特に発光層）で発生した熱を放熱させにくく、このため、放熱特性の良好な素子の実現が強く求められていた。
【０００６】
本発明は、放熱特性の良好な半導体レーザ素子を実現することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用と効果】本発明を具現化した半導体レーザ素子は、２つの反射鏡と、これらの反射鏡に挟まれた発光層と、電極と、電極から発光層に至る電流経路を狭める電流狭窄層を備えている。そして、電流狭窄層がアルミニウムと窒素を含む層によって形成されている。
【０００８】
本発明の半導体レーザ素子は、電流狭窄層がアルミニウムと窒素を含む層によって形成されていることを大きな特徴とするものである。アルミニウムと窒素を含む層の熱伝導率は、従来のアルミニウムを含む材料を酸化した層に比べて大幅に高い。よって、電流狭窄層をアルミニウムと窒素を含む層で形成することで、素子（特に発光層）で発生した熱をその電流狭窄層の箇所からも従来に比べて大幅に放熱させ易くすることができる。
従って、本発明の半導体レーザ素子によると、従来に比べて、素子（特に発光層）で発生した熱による発光層の温度上昇を抑制できる。よって、従来に比べて発光層の発光効率（電気−光変換効率）を向上させることでき、得られる最大光出力を向上させることができる。
【０００９】
電流狭窄層は、窒化アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓＮ（０＜ｘ＜１）によって形成されていることが好ましい。アルミニウムガリウムヒ素を窒化して電流狭窄層を形成する場合、アルミニウム（Ａｌ）の含有量が多い方が窒化の速度を速くすることができる。具体的には、前記したｘは、０．６≦ｘ＜１であることが好ましく、０．８≦ｘ＜１であることがより好ましく、０．９≦ｘ＜１であることがよりさらに好ましい。
また、電流狭窄層は、窒化アルミニウムヒ素（ＡｌＡｓＮ）によって形成されていてもよい。
【００１０】
発光層と電流狭窄層が接していることが好ましい。
発光層と電流狭窄層が接している場合、発光層の直前で電流を絞り込んだ状態でその絞り込んだ電流を発光層に導くことができるため、発光層のより狭い部位に電極からの電流を集中させることができるという利点がある。
発光層と電流狭窄層が接している場合、発光層の放熱特性（放熱のし易さ）は、発光層と電流狭窄層が離れている場合に比べて、電流狭窄層の熱伝導率に大きく依存する。
【００１１】
従って、発光層と電流狭窄層が接している構造における電流狭窄層を、本発明のように熱伝導率が高いアルミニウムと窒素を含む層とすることで、放熱特性を大幅に向上させることができる。このように、本発明は発光層と電流狭窄層が接している構造に適用すると、より有用な効果を発揮する。
【００１２】
半導体レーザ素子は、発光層の主面垂直方向にレーザ光を出射する面発光型半導体レーザ素子であることが好ましい。
面発光型半導体レーザ素子は、端面発光型半導体レーザ素子において共振器構造を形成するために必要であったへき開工程が不要であるため、製造後にウエハ状態でテストができるという利点の他、発光層の体積が一般に非常に小さいため低閾値でレーザ素子発振することが可能である等の種々の利点を有する。しかし、発光層の体積が非常に小さいが故に、端面発光型レーザ素子に比べて高い光出力を得ることが困難であるという欠点もある。
【００１３】
このように、面発光型半導体レーザ素子は、発光層ひいては素子の体積が非常に小さいため、発光層の放熱特性（放熱のし易さ）は、発光層ひいては素子の体積が比較的大きい端面発光型レーザ素子に比べて、電流狭窄層の熱伝導率に大きく依存する。そして、面発光型レーザ素子においては、高い光出力を得るためには、放熱特性を向上させることが特に効果的である。
本発明のように、面発光型半導体レーザ素子における電流狭窄層を熱伝導率が高いアルミニウムと窒素を含む層とすることで、放熱特性を大幅に向上させることができる。このため、従来に比べて光出力を大幅に向上させることができる。このように、本発明は面発光型半導体レーザ素子に適用すると、より有用な効果を発揮する。
【００１４】
本発明は、面発光型半導体レーザ素子の製造方法にも具現化される。この製造方法は、２つの反射鏡層の間に発光層とアルミニウムを含む層が挟まれた層構造を形成する工程と、その層構造を窒素原子を含む反応ガス中で熱処理して、２つの反射鏡層で挟まれたアルミニウムを含む層をその端面から層の主面平行方向に窒化する工程を有する。
【００１５】
本発明の製造方法のように、２つの反射鏡層で挟まれたアルミニウムを含む層をその端面から層の主面平行方向に窒化することで、アルミニウムと窒素を含む層からなる電流狭窄層を形成することができる。
この方法によると、アルミニウムを含む層の端面から層の主面平行方向に窒化して電流狭窄層を形成するので、アルミニウムを含む層の外側だけを窒化して高抵抗の電流狭窄層を形成し、内側（中央部）を窒化しないで低抵抗の導電層としておくことが容易である。また、始めに上記層構造を形成した後に熱処理による窒化を行うことができるので、上記層構造の一部を形成した後に熱処理による窒化を行い、その後に上記層構造の残部を形成するといった面倒な工程を経る必要がない。
【００１６】
前記層構造を形成する工程では、アルミニウムを含む層を＜００１＞方向に積層し、前記窒化する工程では、アルミニウムを含む層の端面に（１００）面、（０１０）面、（−１００）面、（０−１０）面の少なくともいずれかを露出させた状態で窒化することが好ましい。
本発明者らは、アルミニウムを含む層を窒化する際には、上記した結晶面を露出させた状態で窒化を行うと、窒化がより進むことを見出した。従って、この製造方法のように、上記した結晶面を露出させた状態で窒化を行うことで、アルミニウムと窒素を含む層からなる電流狭窄層を効率的に形成することができる。
【００１７】
前記窒化する工程では、アルミニウムを含む層を平面視したときの輪郭をほぼ円形状にした状態で窒化することが好ましい。「ほぼ円形状」には、真円形状だけでなく、楕円形状も含まれる。また、正確な真円や楕円に限られない。要するに、アルミニウムを含む層を平面視したときの輪郭が丸くなっており、そのアルミニウムを含む層の端面に（１００）面、（０１０）面、（−１００）面、（０−１０）面（これらと等価な面を含む）が露出しているものは、「ほぼ円形状」に含まれる。
アルミニウムを含む層を平面視したときの輪郭がほぼ円形状の状態では、アルミニウムを含む層の端面に（１００）面、（０１０）面、（−１００）面、（０−１０）面の全てが露出した状態となる。よって、窒化がより進む。また、アルミニウムを含む層の輪郭をほぼ円形状に形成することは、上記結晶面だけを狙って露出させる場合に比べて、容易に行えるというメリットもある。
【００１８】
【発明の実施の形態】後記する本発明の実施例の主要な特徴を記載する。
（形態１）　２つの反射鏡層の間に発光層と電流狭窄層が挟まれた層構造を備え、発光層の主面垂直方向にレーザ光を出射する面発光型半導体レーザ素子であって、
電流狭窄層がアルミニウムと窒素を含む層によって形成されていることを特徴とする面発光型半導体レーザ素子。
【００１９】
【実施例】
図１に、本発明の実施例の面発光型半導体レーザ素子の断面図を示す。この面発光型半導体レーザ素子は、発振波長λ＝０．８５μｍである。この面発光型半導体レーザ素子は、ｎ型窒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板２４と、この基板２４上に順次積層されたｎ型反射鏡層（ｎ−ＤＢＲ層：Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ　Ｂｒａｇｇ　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）２６、発光層３２、アルミニウム（Ａｌ）含有層３３、ｐ型反射鏡層（ｐ−ＤＢＲ層）３８を備えている。
さらに、ｎ型ＧａＡｓ基板２４の裏面には、金属（Ａｕ−Ｇｅ合金、Ａｕ−Ｓｎ合金等）からなる平板状のｎ電極２２が形成されている。ｎ−ＤＢＲ層２６の一部と、発光層３２と、Ａｌ含有層３３と、ｐ−ＤＢＲ層３８は、円柱状のメサ構造となっている。そのメサ構造の側面と、その外側に位置するｎ型ＤＢＲ層２６上を覆うように窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなる表面保護膜２８が形成されている。さらに、そのＡｌＮ表面保護膜２８を覆うように金属（Ａｕ−Ｚｎ合金、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｃｒ／Ａｕ等）からなるリング状のｐ電極３０が形成されている。なお、符号４０は、後述する製造工程において素子表面を保護するために用いたシリコン酸化層の残部である。
【００２０】
ｎ−ＤＢＲ層２６は、２５対のＡｌ０．１５Ｇａ０．８５ＡｓとＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓを膜厚λ／４で交互に積層した層構造によって構成されている。上記したＡｌ０．１５Ｇａ０．８５ＡｓとＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓには、Ｓｉ等のｎ型不純物が添加されている。ｐ−ＤＢＲ層３８は、２３対のＡｌ０．１５Ｇａ０．８５ＡｓとＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓを膜厚λ／４で交互に積層した層構造によって構成されている。上記したＡｌ０．１５Ｇａ０．８５ＡｓとＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓには、Ｃ等のｐ型不純物が添加されている。
発光層３２は、ＧａＡｓ量子井戸構造とＡｌＧａＡｓ障壁層によって構成されている。発光層３２は、電子と正孔の再結合により発光を生じさせるものである。本実施例のように量子井戸構造にすると、レーザ発振させる閾値をより低くすることができるので好ましい。
これらの構成によって、レーザ光は発光層３２から、発光層３２（ｎ型ＧａＡｓ基板２４）の主面に垂直な方向に、リング状のｐ電極３０の中央に形成された開口部４２へ向けて出射される。
【００２１】
Ａｌ含有層３３は、導電層３４と電流狭窄層３６によって構成されている。導電層３４は、アルミニウムガリウムヒ素（Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ）によって構成されている。電流狭窄層３６は、窒化アルミニウムガリウムヒ素（Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２ＡｓＮ）によって構成されている。図１のＩＩ−ＩＩ線断面図（Ａｌ含有層３３の断面図）である図２に示すように、四角形状の導電層３４の周囲を囲うように外周が円形状の電流狭窄層３６が形成されている。図３に、実際に製作した面発光型半導体レーザ素子を平面視する向きから撮影した赤外透過顕微鏡写真を示す。図２と図３は概ね対応しており、図３の写真の中央の四角形状の部分が導電層３４である。その周囲を囲う外周が円形状の部分が電流狭窄層３６である。
【００２２】
次に、上記した面発光型半導体レーザ素子の動作を説明する。ｐ電極３０からｐ−ＤＢＲ層３８側に電流が流れると、その電流はｐ−ＤＢＲ層３８を経由してＡｌ含有層３３に至る。Ａｌ含有層３３のうち外側の部位はＡｌＧａＡｓＮからなる高抵抗の電流狭窄層（絶縁層）３６であり、中央の部位はＡｌＧａＡｓからなる低抵抗の導電層３４である。このため、Ａｌ含有層３３に至った電流は外側部位の電流狭窄層３６を迂回して中央部位の導電層３４に流れ込む。即ち、電流狭窄層３６によって電流経路が絞り込まれる。そして、導電層３４に絞り込まれた電流は、導電層３４に接する発光層３２の中央部位に集中して流れる。このようにして利得導波構造が実現され、無効電流を低減することができる。この結果、閾値電流の低減や光出力の向上を実現できる。
【００２３】
一方、このように発光層３２の中央部位に電流が集中して流れる結果、発光層３２の中央部位では電流密度が約１〜１０ｋＡ／ｃｍ２と高くなるため、相当程度の熱が発生する。発光層３２で発生した熱によって発光層３２の温度が上昇すると、発光層３２の発光効率（電気−光変換効率）が低下し、得られる最大光出力が低下してしまう。よって、発光層３２の温度の上昇をできるだけ抑制するために、発光層３２で発生した熱はできるだけ放熱させたい。
従来は、発光層に接する電流狭窄層をＡｌＧａＡｓ酸化層で形成していた。しかし、ＡｌＧａＡｓ層の熱伝導率は約９１Ｗ／ｍ・Ｋであるの対し、ＡｌＧａＡｓ酸化層の熱伝導率は約２５Ｗ／ｍ・Ｋまで低下してしまう。このように、ＡｌＧａＡｓ酸化層からなる電流狭窄層は熱伝導率が非常に低いために、発光層で発生した熱を電流狭窄層から放熱させにくいという問題があった。
【００２４】
これに対し、本実施例では、発光層３２に接する電流狭窄層３６をＡｌＧａＡｓ窒化層で形成している。ＡｌＧａＡｓ窒化層の熱伝導率は約２８５Ｗ／ｍ・Ｋであり、上記したＡｌＧａＡｓ酸化層の熱伝導率（約２５Ｗ／ｍ・Ｋ）の１０倍以上の高い値である。従って、電流狭窄層３６をＡｌＧａＡｓ窒化層で形成することで、電流狭窄層３６をＡｌＧａＡｓ酸化層で形成する場合に比べて、素子の放熱特性を飛躍的に向上させることができる。よって、従来に比べて発光層３２の発光効率（電気−光変換効率）を大幅に向上させることができ、得られる最大光出力を大幅に向上させることができる。
【００２５】
次に、上記した面発光型半導体レーザ素子の製造方法について、図４〜図７等を参照して説明する。
まず、図４に示すように、有機金属気相成長法や、分子線エピタキシ法等を用いて、ｎ型ＧａＡｓ基板２４上に、ｎ型不純物であるＳｉを添加したＡｌ０．１５Ｇａ０．８５ＡｓとＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓを膜厚λ／４で交互に積層して、ｎ−ＤＢＲ層２６を形成する。その後、そのｎ−ＤＢＲ層２６上に、ＧａＡｓ量子井戸構造とＡｌＧａＡｓ障壁層からなる発光層３２を積層する。その後、その発光層３２上に、電流狭窄を目的とした３０ｎｍのＡｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ層３１を積層する。これらの層２６、３２、３１は＜００１＞方向（これと等価な方向も含む）に積層する。
【００２６】
その後、図４に示すように、そのＡｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ層３１上に、ｐ型不純物であるＣを添加したＡｌ０．１５Ｇａ０．８５ＡｓとＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓを膜厚λ／４で交互に積層して、ｐ−ＤＢＲ層３８を形成する。その後、後述する窒化のための熱処理の際に素子を保護するためのシリコン酸化層４０を形成する。その後、フォトレジストをマスクにして、バッファードフッ酸によりシリコン酸化層４０の一部を除去した後、塩素ガスを用いたＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）によってｐ−ＤＢＲ層３８と、ＡｌＧａＡｓ層３１と、発光層３２と、ｎ−ＤＢＲ層２６の一部をドライエッチングして、直径３０μｍの円柱状のメサ構造を形成する。この結果、ＡｌＧａＡｓ層３１を平面視したときの輪郭は円形状となる。
【００２７】
その後、図５に示すように、レジストを除去した後の上記層構造を有する試料について、アンモニアガス（流量５ｓｌｍ）中で５２０℃で１時間の熱処理を行い、輪郭が円形状のＡｌＧａＡｓ層３１をその端面から層の主面平行方向（図示横方向）に窒化する。このように、輪郭が円形状のＡｌＧａＡｓ層３１をその端面から層の主面平行方向に窒化すると、図２に示すように、（１００）面、（−１００）面が露出した箇所から＜１００＞方向に窒化が進み、（０１０）面、（０−１０）面が露出した箇所から＜０１０＞方向に窒化が進む。この結果、ＡｌＧａＡｓＮからなる電流狭窄層３６が形成される。そして、窒化されずに残ったＡｌＧａＡｓからなる導電層３４は、（１００）面、（０１０）面、（−１００）面、（０−１０）面で囲まれた四角形状になる。図３の実際に製作した面発光型レーザ素子の赤外透過顕微鏡写真から、実際に上記のようにして電流狭窄層３６が形成されていることがわかる。なお、上記結晶面あるいは結晶方向と等価な結晶面あるいは結晶方向についても、上記と同様のことが言える。
その後、図６に示すように、上記層構造の表面を保護するため、上記層構造を有する試料の表面上にスパッタリング法によってＡｌＮからなる表面保護膜２８を形成する。
【００２８】
その後、図７に示すように、フォトリソグラフィとエッチングによって、メサ構造の頂部上に形成されたＡｌＮ表面保護膜２８を除去する。この結果、レーザ光の出射口４２が形成される。その後、金属（Ａｕ−Ｚｎ合金、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｃｒ／Ａｕ等）からなるリング状のｐ電極３０を形成する。その後、ＧａＡｓ基板２４の裏面に金属（Ａｕ−Ｇｅ合金、Ａｕ−Ｓｎ合金等）からなる平板状のｎ電極２２を形成する。この結果、面発光型半導体レーザ素子が製造される。
【００２９】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
（１）上記実施例では、図１に示すように、電流狭窄層３６（Ａｌ含有層３３）が発光層３２に接している構造を例にして説明したが、電流狭窄層３６が発光層３２に接していない場合も本発明を適用できる。例えば、２つのＤＢＲ層２６、３８の間に発光層３２が挟まれているが、電流狭窄層３６（Ａｌ含有層３３）は挟まれておらず、ｐ−ＤＢＲ層３８の外側面（上面）に電流狭窄層３６（Ａｌ含有層３３）が接するような構造にも本発明を適用できる。
（２）上記実施例では面発光型半導体レーザ素子を例に説明したが、本発明は、発光層３２の端面から層平行方向にレーザ光を出射する端面発光型の半導体レーザ素子に適用することもできる。
（３）本実施例の面発光型半導体レーザ素子を共通の基板上に複数個配置して面発光型半導体レーザアレイとすることも可能である。
（４）発光層３２は、面発光型半導体レーザ素子の発振波長に応じてＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＧａＮ等からなる単層あるいは量子井戸構造で構成することができる。
（５）ＤＢＲ層（反射鏡層）２６、３８は、上記実施例で示した半導体多層膜に代えて、誘電体多層膜や金属薄膜等で構成してもよい。
【００３０】
（６）上記実施例では図４のＡｌＧａＡｓ層３１を窒化して図５に示すようにＡｌＧａＡｓ窒化層（電流狭窄層）３６を形成する工程において、窒素原子を含む反応ガスとして、アンモニアガスを用いたが、反応ガスとしてヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）系化合物を含むガス等を用いてもよい。ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）系化合物を含むガスを用いることで、アンモニアガスを用いる場合よりも少量のガスであるいは短時間で窒化を進めることも可能である。
（７）上記実施例で説明した製造方法に代えて、例えば次のような製造方法で製造してもよい。図４のように、ｎ型ＧａＡｓ基板２４上に、ｎ−ＤＢＲ層２６、発光層３２、ＡｌＧａＡｓ層３１、ｐ−ＤＢＲ層３８からなる層構造を形成した後、ｐ−ＤＢＲ層３８側から層構造内部のＡｌＧａＡｓ層３１に飛程のピークがくるように窒素イオンを注入し、その後熱処理を行うことで、ＡｌＧａＡｓ層３１を窒化して電流狭窄層３６を形成してもよい。また、ｐ−ＤＢＲ層３８を形成する前のＡｌＧａＡｓ層３１の主面が露出した状態で上記のようなイオン注入を行ってもよい。
【００３１】
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例の面発光型半導体レーザ素子の断面図を示す。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線断面図を示す。
【図３】実際に製作した面発光型半導体レーザ素子の平面視形状を撮影した赤外透過顕微鏡写真を示す。
【図４】本実施例の面発光型半導体レーザ素子の製造工程の一部を示す（１）。
【図５】本実施例の面発光型半導体レーザ素子の製造工程の一部を示す（２）。
【図６】本実施例の面発光型半導体レーザ素子の製造工程の一部を示す（３）。
【図７】本実施例の面発光型半導体レーザ素子の製造工程の一部を示す（４）。
【符号の説明】
２２：ｎ電極
２４：ｎ型ＧａＡｓ基板
２６：ｎ−ＤＢＲ層
２８：ＡｌＮ表面保護膜
３０：ｐ電極
３２：発光層
３３：Ａｌ含有層
３４：導電層（ＡｌＧａＡｓ層）
３６：電流狭窄層（ＡｌＧａＡｓＮ層）
３８：ｐ−ＤＢＲ層
４０：シリコン酸化層
４２：レーザ光の出射口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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